(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハとの対向面に該ウエハに形成された複数の半導体デバイスの電極に対応して設けられた複数のプローブを備えたプローブカードと、
該プローブカードの前記プローブが形成された面とは逆の面を支持する支持プレートと、
前記ウエハを挟んで前記プローブカードに対向する台状のチャック部材と、
該チャック部材と前記支持プレートとの間の空間を密封し、前記支持プレートに一端が固定され、他端が前記チャック部材に当接する筒状の蛇腹部材と、
該蛇腹部材の長さを調節する長さ調節機構と、
前記蛇腹部材の移動を案内する案内部材と、
前記空間を減圧する減圧経路と、
を有することを特徴とするウエハ検査用インターフェース。
【請求項２】
前記長さ調節機構は、前記蛇腹部材の長さを、前記プローブカードの厚さと前記ウエハの厚さとの和から所定のオーバードライブ量を差し引いた長さに調節することを特徴とする請求項１記載のウエハ検査用インターフェース。
【請求項３】
前記所定のオーバードライブ量は、１０μｍ〜１５０μｍであることを特徴とする請求項２記載のウエハ検査用インターフェース。
【請求項４】
前記蛇腹部材は前記他端にフランジ部を有し、該フランジ部によって前記チャック部材に当接することを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載のウエハ検査用インターフェース。
【請求項５】
前記フランジ部と、前記チャック部材との当接面を吸引して前記フランジ部と前記チャック部材とを密着させる吸引経路を有することを特徴とする請求項４記載のウエハ検査用インターフェース。
【請求項６】
前記蛇腹部材は、同心状に２つの蛇腹部材が配置された二重構造を呈していることを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載のウエハ検査用インターフェース。
【請求項７】
前記二重構造の蛇腹部材における蛇腹部材相互間の圧力を調整する圧力調整機構を有することを特徴とする請求項６記載のウエハ検査用インターフェース。
【請求項８】
前記蛇腹部材は、金属製又は合成樹脂性のベローズであることを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載のウエハ検査用インターフェース。
【請求項９】
ウエハに形成された半導体デバイスの電気的特性を検査する検査室と、該検査室への前記ウエハの搬出入を行う搬送機構とを備えるウエハ検査装置において、
前記検査室はウエハ検査用インターフェースを有し、
該ウエハ検査用インターフェースは、
ウエハとの対向面に該ウエハに形成された複数の半導体デバイスの電極に対応して設けられた複数のプローブを備えたプローブカードと、
該プローブカードの前記プローブが形成された面とは逆の面を支持する支持プレートと、
前記ウエハを挟んで前記プローブカードに対向する台状のチャック部材と、
該チャック部材と前記支持プレートとの間の空間を密封し、前記支持プレートに一端が固定され、他端が前記チャック部材に当接する筒状の蛇腹部材と、
該蛇腹部材の長さを調節する長さ調節機構と、
前記蛇腹部材の移動を案内する案内部材と、
前記空間を減圧する減圧経路と、
を有することを特徴とするウエハ検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プローブカードを備えるウエハ検査用インターフェース及びウエハ検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ウエハ検査装置として、例えば、ウエハに形成された複数の半導体デバイスについて電気的特性検査を行うプローブ装置やバーンイン検査装置が知られている。
【０００３】
図７は、従来のプローブ装置の概略構成を示す断面図である。
【０００４】
図７において、プローブ装置１００は、ウエハＷを搬送する搬送領域を形成するローダ室１０１と、ウエハＷに形成された複数の半導体デバイスの電気的特性検査を行う検査室１０２とを備え、ローダ室１０１及び検査室１０２内の各種の機器を制御装置によって制御して半導体デバイスの電気的特性検査を行うように構成されている。検査室１０２は、ローダ室１０１から搬送アーム１０３によって搬入されたウエハＷを載置し、Ｘ、Ｙ、Ｚ及びθ方向に移動する載置台１０６と、載置台１０６の上方に配置されたポゴフレーム１０９と、ポゴフレーム１０９に支持されたプローブカード１０８と、載置台１０６と協働してプローブカード１０８に設けられた複数のプローブ（検査針）とウエハＷに形成された複数の半導体デバイスの各電極とのアライメント（位置合わせ）を行うアライメント機構１１０とを備える。アライメント機構１１０と載置台１０６との協働によってウエハＷとプローブカード１０８のアライメントが行われてプローブカード１０８の各プローブとウエハＷの各電極とがそれぞれ当接し、ウエハＷに形成された複数の半導体デバイスの電気的特性検査が行われる（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
このプローブ装置又は複数の検査室を備えた従来のウエハ検査装置においては、検査室内において、ウエハ支持体とプローブカードとの間の空間が減圧されることによってウエハがプローブカードへ引き寄せられ、該ウエハに設けられた半導体デバイスの電極とプローブカードに設けられたプローブとが当接する構成となっているものがある（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−１４０２４１号公報
【特許文献２】特開２０１２−０６３２２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、従来のウエハ検査装置においては、プローブカードと、該プローブカードに対向するウエハ支持体との間の空間（以下、「当接空間」という。）を外部からシールするシール部材としてウエハ支持体の上面外周部に設けられたリップ状のＯリングが用いられていたために、プローブの長さが異なる複数のプローブカードに追従することができず、例えば、プローブが短いプローブカードを適用した場合は、Ｏリングを過剰に圧縮してプローブと半導体デバイスの電極とを確実に当接させるために、当接空間を過度に減圧する必要が生じるが、このときウエハの変形又はウエハに設けられた半導体デバイスにおけるプローブ跡（針跡）のズレが生じて半導体デバイスの品質が低下するという問題があった。
【０００８】
本発明の課題は、プローブカードにおけるプローブ長さの影響を受けることがなく、ウエハに設けられた半導体デバイスの電極とプローブカードのプローブとを良好に当接させることができるウエハ検査用インターフェース及びウエハ検査装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、請求項１記載のウエハ検査用インターフェースは、ウエハとの対向面に該ウエハに形成された複数の半導体デバイスの電極に対応して設けられた複数のプローブを備えたプローブカードと、該プローブカードの前記プローブが形成された面とは逆の面を支持する支持プレートと、前記ウエハを挟んで前記プローブカードに対向する台状のチャック部材と、該チャック部材と前記支持プレートとの間の空間を密封し、前記支持プレートに一端が固定され、他端が前記チャック部材に当接する筒状の蛇腹部材と、該蛇腹部材の長さを調節する長さ調節機構と、前記蛇腹部材の移動を案内する案内部材と、前記空間を減圧する減圧経路と、を有することを特徴とする。
【００１０】
請求項２記載のウエハ検査用インターフェースは、請求項１記載のウエハ検査用インターフェースにおいて、前記長さ調節機構は、前記蛇腹部材の長さを、前記プローブカードの厚さと前記ウエハの厚さとの和から所定のオーバードライブ量を差し引いた長さに調節することを特徴とする。
【００１１】
請求項３記載のウエハ検査用インターフェースは、請求項２記載のウエハ検査用インターフェースにおいて、前記所定のオーバードライブ量は、１０μｍ〜１５０μｍであることを特徴とする。
【００１２】
請求項４記載のウエハ検査用インターフェースは、請求項１乃至３の何れか１項に記載のウエハ検査用インターフェースにおいて、前記蛇腹部材は前記他端にフランジ部を有し、該フランジ部によって前記チャック部材に当接することを特徴とする。
【００１３】
請求項５記載のウエハ検査用インターフェースは、請求項４記載のウエハ検査用インターフェースにおいて、前記フランジ部と、前記チャック部材との当接面を吸引して前記フランジ部と前記チャック部材とを密着させる吸引経路を有することを特徴とする。
【００１４】
請求項６記載のウエハ検査用インターフェースは、請求項１乃至５の何れか１項に記載のウエハ検査用インターフェースにおいて、前記蛇腹部材は、同心状に２つの蛇腹部材が配置された二重構造を呈していることを特徴とする。
【００１５】
請求項７記載のウエハ検査用インターフェースは、請求項６記載のウエハ検査用インターフェースにおいて、前記二重構造の蛇腹部材における蛇腹部材相互間の圧力を調整する圧力調整機構を有することを特徴とする。
【００１６】
請求項８記載のウエハ検査用インターフェースは、請求項１乃至７の何れか１項に記載のウエハ検査用インターフェースにおいて、前記蛇腹部材は、金属製又は合成樹脂性のベローズであることを特徴とする。
【００１７】
上記課題を解決するために、請求項９記載のウエハ検査装置は、ウエハに形成された半導体デバイスの電気的特性を検査する検査室と、該検査室への前記ウエハの搬出入を行う搬送機構とを備えるウエハ検査装置において、前記検査室はウエハ検査用インターフェースを有し、該ウエハ検査用インターフェースは、ウエハとの対向面に該ウエハに形成された複数の半導体デバイスの電極に対応して設けられた複数のプローブを備えたプローブカードと、該プローブカードの前記プローブが形成された面とは逆の面を支持する支持プレートと、前記ウエハを挟んで前記プローブカードに対向する台状のチャック部材と、該チャック部材と前記支持プレートとの間の空間を密封し、前記支持プレートに一端が固定され、他端が前記チャック部材に当接する筒状の蛇腹部材と、該蛇腹部材の長さを調節する長さ調節機構と、前記蛇腹部材の移動を案内する案内部材と、前記空間を減圧する減圧経路と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、チャック部材と支持プレートとの間に、該チャック部材と支持プレートとの間の空間を密封し、支持プレートに一端が固定され他端がチャック部材に当接する筒状の蛇腹部材を設けたので、該蛇腹部材の長さを長さ調節機構により、所定の長さ、例えばプローブカードの厚さとウエハの厚さとの和から所定のオーバードライブ量を差し引いた長さに調整することによって、ウエハを載置したチャック部材を蛇腹部材の他端に当接させた際、ウエハに設けられた半導体デバイスの複数の電極とプローブカードの複数のプローブとがそれぞれ当接するようになり、これによって、プローブカードにおけるプローブの長さの影響を受けることなく、ウエハに設けられた半導体デバイスの電極とプローブカードのプローブとを確実に当接させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るウエハ検査装置の概略構成を示す平面図である。
【図２】図１におけるウエハ検査装置のII−II線に沿う断面図である。
【図３】図２における検査部に配置されたウエハ検査用インターフェースの構成を概略的に示す断面図である。
【図４】図３のウエハ検査装置を用いたウエハに設けられた半導体デバイスの電気的特性検査の工程を示す図である。
【図５】図４におけるウエハ検査用インターフェースよりも短いプローブを有するプローブカードを適用したウエハ検査装置を用いたウエハに設けられた半導体デバイスの電気的特性検査の工程を示す図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態に係るウエハ検査装置のウエハ検査用インターフェースの断面図である。
【図７】従来のプローブ装置の概略構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２１】
図１は、本発明の第１の実施の形態に係るウエハ検査用インターフェースを備えたウエハ検査装置の概略構成を示す平面図、図２は、図１におけるウエハ検査装置のII−IIに沿う断面図である。このウエハ検査装置は、ウエハに設けられた全半導体デバイスの全電極をプローブカードの全プローブに対して一度に当接させて電気的特性検査を実行する一括接触型の検査装置である。
【００２２】
図１において、ウエハ検査装置７０は、ウエハに設けられた半導体デバイスの電気的特性検査を行う検査領域Ｓ３０と、当該ウエハ検査装置７０にウエハ、ウエハトレイ、プローブカード等の搬出入を行う搬出入領域Ｓ１０と、該搬出入領域Ｓ１０と検査領域Ｓ３０との間に設けられた搬送領域Ｓ２０とから主として構成されている。
【００２３】
搬出入領域Ｓ１０は、複数の単位搬出入領域１１に仕切られている。各単位搬出入領域１１には、例えば、フープＦの受け入れ機構が設けられている。なお、単位搬出入領域１１の一部に隣接して仮位置合わせ装置（プレアライナー）又は検査後のウエハに対して針跡検査を行う針跡検査装置（共に図示省略）を設けることもできる。
【００２４】
搬送領域Ｓ２０にはウエハの搬出入機構２１が設けられており、該搬出入機構２１は、搬出入領域Ｓ１０から受け取った検査前のウエハを搬送領域Ｓ２０に沿って搬送し、検査領域Ｓ３０の後述する搬送機構３２に受け渡すと共に、検査後のウエハを検査領域Ｓ３０の搬送機構３２から受け取って搬出入領域Ｓ１０まで搬送する。
【００２５】
検査領域Ｓ３０には、複数の検査部３１（テスター）が設けられている。隣接する検査部３１相互は特に区画されておらず、連続する空間に、それぞれウエハ検査用インターフェースを備えた複数の検査部３１が配列されている。
【００２６】
図２において、ウエハ検査装置７０における検査領域Ｓ３０は、複数階、図２中３階に分かれており、各階に、例えば、同数の検査部３１が設けられ、該検査部３１相互間を移動する搬送機構３２並びに図示省略した位置合わせ装置及び位置合わせ用カメラがそれぞれ設けられている。搬送機構３２は、搬送領域Ｓ２０を移動する搬出入機構２１から受け取った検査前のウエハを載置して対応する検査部３１に搬送すると共に、検査部３１から受け取った検査後のウエハを、搬送領域Ｓ２０を移動する搬出入機構２１に受け渡す。
【００２７】
図３は、図２における検査部３１に配置されたウエハ検査用インターフェースの構成を概略的に示す断面図である。
【００２８】
図３において、ウエハ検査用インターフェース４０は、検査部３１の天井部に配された板状部材からなるヘッドプレート４１と、該ヘッドプレート４１の下面を構成する支持プレート（以下、「ポゴフレーム」という。）４２と、該ポゴフレーム４２の下面に配置されたプローブカード４３と、検査部３１の底部から立設されて図３中、上下方向に伸縮する棒状の昇降機構（以下、「リフター」という。）４４と、該リフター４４の頂部に設けられた台状のチャック部材４５とを有する。
【００２９】
プローブカード４３は、基板４３ａと、該基板４３ａのウエハＷとの対向面に設けられた複数のプローブ４３ｂとから主として構成されており、ポゴフレーム４２に、例えば吸着、保持されている。ポゴフレーム４２の下面には、プローブカード４３の外周部を囲むように、例えば円筒状の蛇腹部材としてベローズ４６が配置されている。ベローズ４６の一端である上端部はフランジ４６ａを介してポゴフレーム４２に固定されており、他端である下端部には下部フランジ４６ｂが取り付けられている。ベローズ４６は下部フランジ４６ｂを介してチャック部材４５の上面に当接する。
【００３０】
ベローズ４６は、伸縮自在であり、下部フランジ４６ｂを変位することによって長さＬ（ポゴフレーム４２からフランジ４６ｂの下面までの距離Ｌ）を変更する。距離Ｌを変更する際、フランジ４６ｂの移動を案内する案内部材（以下、「ガイド部材」という。）４７がフランジ４６ｂと一体に設けられており、ガイド部材４７は支柱４８に沿って上下動することによって下部フランジ４６ｂの図３中、上下方向の移動をガイドする。また、ガイド部材４７には、ベローズ４６の長さ調節機構としての駆動手段（図示省略）が設けられており、該駆動手段を駆動することによってガイド部材４７及びベローズ４６の下部フランジ４６ｂが移動してベローズ４６の長さを調節する。
【００３１】
ベローズ４６の長さは、例えば、プローブカード４３の厚さとウエハＷの厚さとの和から、所定のオーバードライブ量を差し引いた長さに調整される。オーバードライブ量とは、ウエハＷに設けられた半導体デバイスの電極をプローブカード４３のプローブ４３ｂに当接たさせ後、さらにウエハＷをプローブカード４３に向かって移動させて（以下、この移動を「オーバードライブ」という。）半導体デバイスの複数の電極とプローブカード４３の複数のプローブ４３ｂを確実に当接させるため移動量をいう。オーバードライブ量は、例えば１０〜１５０μｍであり、電気的特性検査の検査対象であるウエハＷに設けられた半導体デバイスの種類、検査条件等によって決定される。
【００３２】
ベローズ４６の長さＬを上述したように調節することによって、ウエハＷを載置したチャック部材４５をベローズ４６の下部フランジ４６ｂに当接させると、ウエハＷに設けられた半導体デバイスの複数の電極とプローブカード４３に設けられた複数のプローブ４３ｂの先端部とがそれぞれ確実に当接するようになる。
【００３３】
チャック部材４５は搬送機構３２（図２参照）の移動に伴って移動し、搬出入機構２１から（図１参照）から未検査のウエハＷを受け取り、例えば、検査部３１に隣接する位置まで移動した位置合わせ装置４９に搬送し、チャック部材４５とウエハＷとの位置合わせ、ひいてはウエハＷと検査部３１のウエハ検査用インターフェース４０に設けられたプローブカード４３との位置合わせを行う。その後、チャック部材４５は、プローブカード４３に対して位置合わせされたウエハＷをウエハ検査用インターフェース４０の真下まで搬送し、リフター４４によってプローブカード４３に向かって上方向に移動し、これによって、該チャック部材４５の上面をベローズ４６の下部フランジ４６ｂの下面に当接する。このとき、ウエハＷに設けられた半導体デバイスの複数の電極とプローブカード４３の複数のプローブ４３ｂの先端部とがそれぞれ良好、且つ確実に当接する。
【００３４】
チャック部材４５の上面がベローズ４６の下部フランジ４６ｂの下面に当接した状態で、チャック部材４５の下部フランジ４６ｂとの当接面に開口し、Ｏリング５３によって囲まれた吸引経路５２を介して下部フランジ４６ｂが吸引され、これによって、チャック部材４５とフランジ４６ｂとが密着する。その後、ポゴフレーム４２、チャック部材４５及びベローズ４６で囲まれた空間Ｓに開口する減圧経路５１を介して減圧手段によって空間Ｓが減圧され、これによって、ウエハＷに設けられた半導体デバイスの電極とプローブカード４３のプローブ４３ｂとの良好な当接状態が保持される。このときの空間Ｓの圧力は、例えば−３〜−１５Ｐａに調整される。
【００３５】
ウエハＷに設けられた半導体デバイスの複数の電極とプローブカード４３の複数のプローブ４３ｂの先端部とが確実に当接した当接状態が保持された後、検査部３１は、ウエハＷに設けられた複数の半導体デバイスの電気的特性検査を行う。
【００３６】
以下に、このような構成のウエハ検査用インターフェースを備えたウエハ検査装置を用いたウエハに形成された半導体デバイスの電気的特性検査について具体的に説明する。
【００３７】
図４は、図３のウエハ検査用インターフェースを備えたウエハ検査装置を用いたウエハに形成された半導体デバイスの電気的特性検査の工程を示す図である。
【００３８】
図４において、このウエハ検査用インターフェース４０は、後述する図５におけるウエハ検査用インターフェースに比べて、比較的長いプローブを有するプローブカードを備えたものである。
【００３９】
ウエハに設けられた半導体デバイスの電気的特性検査を実施するに際し、先ず、電気的特性検査の対象となる半導体デバイスの電極に対応して所定長さのプローブ４３ｂが複数設けられたプローブカード４３を有するウエハ検査用インターフェース４０において（図４（Ａ））、ベローズ４６の長さを調整する。
【００４０】
すなわち、ウエハ検査用インターフェース４０におけるガイド部材４７を下部フランジ４６ｂと共に、図示省略した駆動手段（ベローズの長さ調節機構）によって、図３中、上下方向に移動させてベローズ４６の長さを、プローブカード４３の厚さとウエハＷの厚さとの和からオーバードライブ量として、例えば１００μｍを差し引いた長さＬ１に調整する（図４（Ｂ））。
【００４１】
次いで、チャック部材４５が、搬送機構３２によって移動して搬出入機構２１から未検査のウエハＷを受け取り、該ウエハＷをウエハ検査用インターフェース４０を備えた検査部３１に隣接する位置まで移動した位置合わせ装置４９（図３参照）まで搬送し、チャック部材４５に対するウエハＷの位置合わせ、ひいてはウエハ検査用インターフェース４０のプローブカード４３に対するウエハＷの位置合わせを行い、その後、チャック部材４５は、ウエハＷを載置したままウエハ検査用インターフェース４０の下方まで移動する（図４（Ｃ））。
【００４２】
次いで、リフター４４が、プローブカード４０に対して位置合わせされたウエハＷを載置したチャック部材４５を上方に向かって移動させ、チャック部材４５の上面をベローズ４６の下部フランジ４６ｂに当接させる。このとき、ウエハＷに設けられた半導体デバイスの複数の電極とプローブカード４３の複数のプローブ４３ｂの先端部がそれぞれ当接し、且つ、ウエハＷがプローブカード４３に向かって、例えば１００μｍだけオーバードライブされることによって、ウエハＷに設けられた半導体デバイスの複数の電極とプローブカード４３に設けられた複数のプローブ４３ｂとがそれぞれ確実に当接する（図４（Ｄ））。
【００４３】
次いで、ベローズ４６の下部フランジ４６ｂとチャック部材４５との当接部が吸引経路５２を介して図示省略した、例えばバキュームポンプによって吸引され、下部フランジ４６ｂとチャック部材４５とを密着させ、その後、ポゴフレーム４２、チャック部材４５及びベローズ４６で囲まれた空間Ｓを、チャック部材４５の上面に開口する減圧経路５１を介して図示省略した減圧手段によって減圧し、ウエハＷに設けられた半導体デバイスの複数の電極とプローブカード４３の複数のプローブ４３ｂの先端部との良好な接触状態を保持する。
【００４４】
このようにしてウエハ検査用インターフェース４０に支持されたプローブカード４３にウエハＷを接触させた後、検査部３１がウエハＷに設けられた半導体デバイスの電気的特性検査を行う。
【００４５】
本実施の形態によれば、チャック部材４５とポゴフレーム４２との間の空間Ｓを密封し、ポゴフレーム４２に一端が固定され、他端がチャック部材４５に当接する筒状の部材としてベローズ４６を用い、該ベローズの長さを調節する長さ調節機構を設けたので、ベローズ４６の長さを、プローブカード４３の厚さとウエハＷの厚さとの和から所定のオーバードライブ量を差し引いた最適長さに調節することができるので、ベローズ４６の長さをプローブカード４３のプローブ４３ｂの長さに応じて変更することができ、プローブカード４３におけるプローブ４３ｂの長さの影響を受けることなく、ウエハに設けられた半導体デバイスの電極とプローブカードのプローブとを適正状態で当接させ、良好に接触させることができ、もって、半導体デバイスの電気的特性の検査の精度を向上させることができる。
【００４６】
また、ウエハＷをプローブカード４３に当接させた後、更に所定のオーバードライブ量だけオーバードライブさせるので、半導体デバイスの電極とプローブカード４３のプローブ４３ｂとが確実に接触して電気的接触抵抗を低減することができる。
【００４７】
また、本実施の形態によれば、ベローズと該ベローズの下部フランジの移動をガイドするガイド部材４７を設けたので、ベローズが伸長又は短縮する際のブレを防止することができる。
【００４８】
次に、短いプローブを有するプローブカードを適用したウエハ検査装置を用いたウエハに設けられた半導体デバイスの電気的特性検査について説明する。
【００４９】
図５は、図４におけるウエハ検査用インターフェースよりも短いプローブを有するプローブカードを適用したウエハ検査装置を用いたウエハに設けられた半導体デバイスの電気的特性検査の工程を示す図である。
【００５０】
図５において、プローブカード４３のプローブ４３ｃの長さが、図４のプローブカード４３におけるプローブ４３ｂと比較して短い以外は、各構成部材の構成及び作用は図４と同様であり、それぞれ同様の符号を付して説明を省略する。
【００５１】
図５において、ベローズ４６の長さＬ２を、プローブカード４３の厚さとウエハＷの厚さとの和から、所定のオーバードドライブ量（例えば、１００μｍ）を差し引いた長さとしたが、ベローズ４６の長さＬ２と、図４におけるベローズ４６の長さＬ１との関係は、Ｌ１＞Ｌ２である。これは、本実施の形態に係るウエハ検査装置におけるプローブカード４３のプローブ４３ｃの長さが、図４のプローブカード４３のプローブ４３ｂの長さに比べて短いことに起因している。
【００５２】
しかしながら、図５において、プローブカード４３のプローブ４３ｃの先端部とベローズ４６の下部フランジ４６の下面との距離ΔＬ２（図５（Ｂ））は、図４におけるプローブカード４３のプローブ４３ｂの先端部とベローズ４６の下部フランジ４６の下面との距離ΔＬ１（図４（Ｂ））とが同じ長さに設定されている。距離ΔＬ２と、距離ΔＬ１は、共にウエハＷの厚さから所定のオーバードライブ量、例えば１００μｍを差し引いた長さに設定されている。これによって、チャック部材４５をベローズ４６の下部フランジ４６ｂに当接させた際、プローブの長さに拘わらず、ウエハＷに設けられた半導体デバイスの電極とプローブカード４３のプローブ４３ｃ（４３ｂ）とがそれぞれ良好、且つ確実に当接し、その後の半導体デバイスの電気的特性検査を高精度に行うことができる。
【００５３】
図６は、本発明の第２の実施の形態に係るウエハ検査装置のウエハ検査用インターフェースの断面図である。このウエハ検査装置におけるウエハ検査用インターフェース４０が、図４のウエハ検査用インターフェースと異なる点は、ベローズ４６に代えて二重構造のベローズ５６を適用した点である。
【００５４】
本実施の形態に係るウエハ検査装置を用いたウエハＷに設けられた半導体デバイスの電気的特性検査は、上述の図４の場合と同様に行われるが、二重構造のベローズ５６のベローズ相互で囲まれた空間を図示省略した圧力調整装置を用いて加圧又は減圧することによって、ベローズ５５の下部フランジ５６ｂを変位させることができ、これによって、ベローズ５６の長さ調整を行う。
【００５５】
本実施の形態によれば、ベローズ５６を二重構造としたので、該二重構造のベローズ相互間の圧力を調整することによってベローズ５６の長さを適正長さに調整することができるので、図４の実施の形態と同様、プローブカードにおけるプローブ長さの影響を受けることがなくウエハに設けられた半導体デバイスの電極とプローブカードのプローブとを良好に当接させることができ、もって、半導体デバイスの電気的特性の検査の精度を向上させることができる。
【００５６】
なお、本実施の形態において、ベローズの移動をガイドするガイド部材４７を設けたので、ベローズに代えて断面リップ状のＯリングを適用することもできる。
【００５７】
以上、本発明について、上記各実施の形態を用いて説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。
【符号の説明】
【００５８】
Ｗ  ウエハ
Ｓ  空間
３２  搬送機構
４０  ウエハ検査用インターフェース
４２  ポゴフレーム
４３  プローブカード
４３ｂ  プローブ
４４  昇降装置（リフター）
４５  チャック部材
４６  ベローズ
４６ｂ  下部フランジ
４７  ガイド部材
【図１】
0005952645.tif 000002
【図２】
0005952645.tif 000003
【図３】
0005952645.tif 000004
【図４】
0005952645.tif 000005
【図５】
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【図６】
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【図７】
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