(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
カバー基板と、
前記カバー基板上の表示領域以外の領域に設けられ、カラー層と、金属層と前記金属層よりも厚い誘電体層とが交互に積層するように構成された多層構造体から形成される遮蔽層と、を含む接続部と、
前記接続部を介在するように前記カバー基板に対向配置されたタッチパネル基板と、
を含むタッチパネル。
【請求項２】
前記カラー層が、高屈折率層および低屈折率層が交互に積層するように構成された多層構造体から形成される請求項１に記載のタッチパネル。
【請求項３】
前記低屈折率層及び前記高屈折率層のうち少なくとも１つが、金属元素を含む請求項２に記載のタッチパネル。
【請求項４】
カバー基板を準備し、
真空中で、前記カバー基板上の表示領域以外の領域に、カラー層を形成し、
真空中で、誘電体層が金属層よりも厚くなるように、前記誘電体層および前記金属層が交互に積層することにより得られる多層構造体を有する遮蔽層を、前記カラー層上に形成し、
前記遮蔽層上にタッチパネル基板を貼り合わせる
タッチパネルの製造方法。
【請求項５】
基板と、
前記基板上に設けられたカラー層と、
前記カラー層上に設けられ、金属層と前記金属層よりも厚い誘電体層が交互に積層するように構成された多層構造体から形成される遮蔽層と、を含む
光学薄膜基板。
【請求項６】
前記カラー層が、高屈折率層および低屈折率層が交互に積層するように構成された多層構造体から形成される請求項５に記載の光学薄膜基板。
【請求項７】
前記低屈折率層および前記高屈折率層のうち少なくとも１つが、金属元素を含む請求項６に記載の光学薄膜基板。
【請求項８】
前記基板が、ガラス基板又は樹脂基板である請求項５に記載の光学薄膜基板。
【請求項９】
基板を準備し、
真空中で、前記基板上にカラー層を形成し、
真空中で、誘電体層が金属層よりも厚くなるように、前記誘電体層および前記金属層が交互に積層することにより得られる多層構造体を有する遮蔽層を前記カラー層上に形成する
光学薄膜基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、タッチパネル、その製造方法、光学薄膜基板、およびその製造方法に用いて好適な技術に関する。
本願は、２０１３年７月１１日に日本に出願された特願２０１３−１４５７５５号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話機や携帯ゲーム機をはじめとする様々な電子機器の表示装置として、入力装置の機能を兼ね備えたタッチパネル付液晶表示装置が広く用いられている。
このタッチパネルは、光透過性の導電層等が透明基板に積層されるとともに最表面側にフィルムが積層形成されて、静電容量の変化などによって指等の操作位置を検出するタッチパネル基板を有する。【０００３】
タッチパネルには、その構造及び検出方式の違いにより、抵抗膜型や静電容量型等の様々なタイプがある。
例えば、フィルム状で光透過性を有する上基板及び下基板を備えるタッチパネル基板が知られている。上基板の上面には、酸化インジウム錫等の光透過性を有する略帯状の上導電層が前後方向に複数配列されて形成される。また、酸化インジウム錫等の上に蒸着等によって銅や銀等の導電金属箔が重ねられた複数の上電極が、上導電層とは直交方向である左右方向に形成される。下基板の上面には、酸化インジウム錫等の光透過性を有する略帯状の複数の下導電層が、上導電層と直交する方向の左右方向に配列形成される。また、一端が下導電層端部に連結される上電極と同様の複数の下電極が、下導電層と平行方向の左右方向に形成されている。【０００４】
さらに、タッチパネル基板には、フィルム状で光透過性を有するカバー基板が上基板上面に重ねられて接着剤によって貼り合わされている。
図５は従来のタッチパネルの断面図である。図５において、符号Ｐはタッチパネル基板、符号Ｃはカバー基板である。カバー基板Ｃにおいて、タッチパネル基板Ｐ側には、操作をおこなうタッチ領域（表示領域）Ｔの外周または外側に位置する縁部Ｅに非透光性の遮光膜ｔｈが設けられている。
この遮光膜ｔｈは、特許文献１のように、カバー基板Ｃに印刷等により５μｍ〜２０μｍ程度の厚さに形成することが知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】日本国特開２０１２−２２６６８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、カバー基板Ｃのタッチパネル基板Ｐ側に印刷によって縁部Ｅにおける非透過性の遮光膜ｔｈを上記の厚さ寸法程度を有するように形成すると、図５に、Ａｉｒとして示すようにカバー基板Ｃとタッチパネル基板Ｐとの間に隙間が生じる。これにより、カバー基板Ｃ裏面位置やタッチパネル基板Ｐ表面位置で反射が生じてしまうため、視認性が低下し、この視認性の低下に起因して表示手段の出力低下を阻害してしまうという問題があった。
さらに、特許文献１のように金属等の導体を縁部Ｅに設けた場合、カバー基板Ｃやパネル部Ｐと縁部Ｅとの誘電率が異なるため、電波特性などの特性が劣化する可能性があるため好ましくない。【０００７】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされ、以下の目的を達成しようとする。
１．視認性の低下を防止すること。
２．縁部の薄厚化を図ること。
３．縁部が、遮光性能を維持したままガラス等から形成される基板と同程度の誘電率を有すること。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第一態様に係るタッチパネルは、カバー基板と、前記カバー基板上の表示領域以外の領域に設けられ、カラー層と、金属層と前記金属層よりも厚い誘電体層とが交互に積層するように構成された多層構造体から形成される遮蔽層と、を含む接続部と、前記接続部を介在するように前記カバー基板に対向配置されたタッチパネル基板と、を含む。
また、上記第一態様において、前記カラー層が、高屈折率層および低屈折率層が交互に積層するように構成された多層構造体から形成されていても良い。
また、上記第一態様において、前記低屈折率層及び前記高屈折率層のうち少なくとも１つが、金属元素を含んでいても良い。
本発明の第二態様に係るタッチパネルの製造方法は、カバー基板を準備し、真空中で、前記カバー基板上の表示領域以外の領域に、カラー層を形成し、真空中で、誘電体層が金属層よりも厚くなるように、前記誘電体層および前記金属層が交互に積層することにより得られる多層構造体を有する遮蔽層を、前記カラー層上に形成し、前記遮蔽層上にタッチパネル基板を貼り合わせる。
本発明の第三態様に係る光学薄膜基板は、基板と、前記基板上に設けられたカラー層と、前記カラー層上に設けられ、金属層と前記金属層よりも厚い誘電体層が交互に積層するように構成された多層構造体から形成される遮蔽層と、を含む。
本発明の第三態様において、前記カラー層が、高屈折率層および低屈折率層が交互に積層するように構成された多層構造体から形成されていても良い。
本発明の第三態様において、前記低屈折率層および前記高屈折率層のうち少なくとも１つが、金属元素を含んでいても良い。
本発明の第三態様において、前記基板が、ガラス基板又は樹脂基板であっても良い。
本発明の第四態様に係る光学薄膜基板の製造方法は、基板を準備し、真空中で、前記基板上にカラー層を形成し、真空中で、誘電体層が金属層よりも厚くなるように、前記誘電体層および前記金属層が交互に積層することにより得られる多層構造体を有する遮蔽層を前記カラー層上に形成する。【０００９】
本発明の第一態様に係るタッチパネルは、タッチパネル基板と、カバー基板とが重ねて配され、これらの基板間で表示領域以外の領域に設けられた接続部を有する。
本発明の第一態様に係るタッチパネルにおいて、前記接続部が、前記カバー基板側から前記タッチパネル基板側に向かって積層されたカラー層と遮蔽層から構成される。前記遮蔽層が、交互に積層した誘電体層および金属層の多層構造体から形成されることにより、表示領域の周囲に設けられた接続部の厚さを低減して、所望の色を有するフレーム（額縁）を表示領域の外部に設けることが可能となる。これにより、カバー基板とタッチパネル基板との間で、表示領域境界付近に段差ができることを防止して、視認性の低下を防止することが可能となる。【００１０】
さらに、このような縁部を薄厚化する場合に、金属層から形成される導体を縁部に設けられる接続部に設けた場合でも、本発明の第一態様に係るタッチパネルによれば、接続部が交互に積層した誘電体層および金属層の多層構造体から形成されることにより、縁部が遮光性を有した状態で、基板、ガラスなどとほぼ等しい誘電率を維持することが可能となる。そのため、通信端末などで重要な電波特性などに悪影響を及ぼすことがない。【００１１】
本発明の第一態様において、前記遮蔽層が、金属層および誘電体層を有することにより、遮蔽層における所望の遮光性と誘電率とを同時に実現することが可能となる。【００１２】
本発明の第一態様において、前記遮蔽層における誘電体層が金属層よりも厚いことにより、遮蔽層における所望の遮光性と誘電率とを実現することが可能となる。【００１３】
また、前記カラー層が、交互に積層した高屈折率層および低屈折率層の多層構造体から形成されること、或いは、前記カラー層における低屈折率層及び高屈折率層のうち少なくとも１つが金属元素を含むことにより、カラー層における所望の遮光性と誘電率とを同時に実現することが可能となる。【００１４】
本発明の第二態様に係るタッチパネルの製造方法は、タッチパネル基板と、カバー基板とが重ねて配され、これらの基板間で表示領域以外の領域に設けられカラー層と遮蔽層から構成された接続部とを有するタッチパネルの製造方法である。
本発明の第二態様に係るタッチパネルの製造方法は、真空中で、誘電体層および金属層が交互に積層された多層構造体としての前記遮蔽層を形成する工程を有し、前記遮蔽層を形成する工程において、前記誘電体層を前記金属層よりも厚く積層することにより、表示領域の周囲に設けられた接続部の厚さを低減して、所望の色を有するフレーム（額縁）を表示領域の外部に設けたタッチパネルを製造することが可能となる。これにより、カバー基板とタッチパネル基板との間で、表示領域境界付近に段差ができることを防止して、視認性低下防止を図るタッチパネルを製造することが可能となる。さらに、金属層から形成される導体を、縁部に設けられる接続部に設けた場合でも、本発明の第二態様に係るタッチパネルの製造方法によれば、接続部が金属層と、金属層より厚い誘電体層とを交互に積層した多層構造体から形成されることにより、縁部が遮光性を有した状態で、基板、ガラスなどとほぼ等しい誘電率を維持することが可能となる。また、遮蔽層における所望の遮光性と誘電率とを実現することが可能となるので、電波特性などに悪影響を及ぼすことがないタッチパネルを製造することができる。【００１５】
本発明の第三態様にかかる光学薄膜基板がタッチパネルにも用いられた場合、表示領域の周囲に設けられた接続部の厚さを低減して、所望の色を有するフレーム（額縁）を表示領域の外部に設けることが可能となる。これにより、カバー基板とタッチパネル基板との間で、表示領域境界付近に段差ができることを防止して、視認性の低下を防止することが可能となる。【００１６】
本発明の第三態様において、前記遮蔽層が、金属層および誘電体層を有することにより、遮蔽層における所望の遮光性と誘電率とを同時に実現することが可能となる。【００１７】
本発明の第三態様において、前記遮蔽層における誘電体層が金属層よりも厚いことにより、遮蔽層における所望の遮光性と誘電率とを実現することが可能となる。【００１８】
また、本発明の第三態様において、前記カラー層が、交互に積層した高屈折率層および低屈折率層の多層構造体から形成されること、或いは、前記カラー層における低屈折率層及び高屈折率層のうち少なくとも１つが金属元素を含むことにより、カラー層における所望の遮光性と誘電率とを同時に実現することが可能となる。【００１９】
本発明の第四態様に係る光学薄膜基板の製造方法は、真空中で、誘電体層および金属層が交互に積層された多層構造体から形成される前記遮蔽層を形成する工程を有し、前記遮蔽層を形成する工程において、前記誘電体層を前記金属層よりも厚く積層する。これにより、製造された光学薄膜基板がタッチパネルに用いられた場合、表示領域の周囲に設けられた接続部の厚さを低減して、所望の色を有するフレーム（額縁）を表示領域の外部に設けたタッチパネルを製造することが可能となる。これにより、カバー基板とタッチパネル基板との間で、表示領域境界付近に段差ができることを防止して、視認性低下防止を図るタッチパネルを製造することが可能となる。さらに、金属層から形成される導体を、縁部に設けられる接続部に設けた場合でも、本発明の第四態様に係る光学薄膜基板の製造方法によれば、接続部が金属層と、金属層より厚い誘電体層とを交互に積層した多層構造体から形成されることにより、縁部が遮光性を有した状態で、基板、ガラスなどとほぼ等しい誘電率を維持することが可能となる。また、遮蔽層における所望の遮光性と誘電率とを実現することが可能となるので、電波特性などに悪影響を及ぼすことがないタッチパネルを製造することができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の上記各態様によれば、視認性の低下防止、縁部（接続部）の薄厚化と、遮光性能を維持したままガラス等から形成される基板と同程度の誘電率を有する縁部（接続部）を実現可能なタッチパネル、および光学薄膜基板を提供することができるという効果を奏することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１Ａ】本発明の一実施形態に係るタッチパネルを示す断面図である。
【図１Ｂ】本発明の一実施形態に係るタッチパネルの縁部の拡大断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係るタッチパネルを示す斜視図である。
【図３】本発明の一実施形態に係るタッチパネルの製造方法を示す工程図である。
【図４】本発明の一実施形態に係るタッチパネルの製造に用いる製造装置の例を示す模式図である。
【図５】従来のタッチパネルを示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の一実施形態に係るタッチパネルを、図面に基づいて説明する。
図１Ａは、本実施形態におけるタッチパネルを示す断面図である。図１Ｂは、本実施形態におけるタッチパネルの縁部の拡大図である。図２は、本実施形態におけるタッチパネルを示す斜視図である。図１Ａ及び図２において、符号Ｍは、タッチパネルである。
【００２３】
本実施形態のタッチパネルＭにおいて、図１Ａ，図２に示すように、表示領域Ｔを有し表示およびタッチ動作可能なタッチパネル基板Ｐと、ガラスなどの透過性基板から形成されるカバー基板Ｃとが重ねて配される。また、タッチパネル基板Ｐとカバー基板Ｃとの間において、表示領域Ｔを除く領域のうち表示領域Ｔ周囲の縁部Ｅに接続部が設けられる。
【００２４】
タッチパネル基板Ｐは、携帯電話などのモバイル端末機器に用いられることができる。タッチパネル基板Ｐは、タッチパネルセンサ部と液晶表示装置を組み合わせた構造を有していてもよい。また、タッチパネル基板Ｐは、透明タッチスイッチと液晶表示素子とを備える表示装置における前記液晶表示素子の表示面と前記タッチスイッチの入力領域裏面との間に透明接着剤が充填されて前記タッチスイッチと液晶表示素子とが接着された構造を有していてもよい。さらに、タッチパネル基板Ｐは、表示パネルとタッチパネルとの界面を、接着剤層を介して密着させて一体化したタッチパネル付画像表示装置の構造を有していてもよい。さらに、タッチパネル基板Ｐは、これら以外の構造や、投影型の静電容量方式、抵抗膜型や静電容量型等の様々なタイプのいずれをも採用することが可能である。
【００２５】
カバー基板Ｃは例えばガラスや樹脂積層ガラス等の透明基板であり、タッチパネルＭの最表面側を覆うようにタッチパネル基板Ｐに重ねられる。
【００２６】
表示領域Ｔは、視認方向と直交する基板面内方向に所定の大きさと形状とを有する領域を有し、例えば、タッチパネル基板Ｐの面内中央位置に配置された矩形領域を有することができる。
表示領域Ｔの基板面内における外側が縁部（額縁部）Ｅである。この縁部Ｅには、タッチパネルＭの視認時に所定の色を認識可能にさせるとともに、カバー基板Ｃとタッチパネル基板Ｐとの両方に接続（接触）する接続部として、カラー層Ｄと遮蔽層Ｓとがカバー基板Ｃ側からタッチパネル基板Ｐ側に向けて積層されている。
【００２７】
接続部としては、カバー基板Ｃにおけるタッチパネル基板Ｐ側の面にカラー層Ｄが積層され、このカラー層Ｄに遮蔽層Ｓが積層されている。なお、接続部の設置される位置は縁部Ｅに限られず、接続部は所望の領域に形成することができる。
【００２８】
カラー層Ｄは、非透光性（遮光性）を有する膜であり、かつ、所望の色を出すために、異なる屈折率を有する多層膜から形成される光学薄膜である。具体的には、カラー層Ｄは、高屈折率材料から形成される高屈折率層Ｄ１と低屈折率材料から形成される低屈折率層Ｄ２とが交互に多数積層された多層構造体である。
【００２９】
高屈折率層Ｄ１は、酸化チタン等の高屈折率材料から形成され、低屈折率層Ｄ２は、酸化シリコン等の低屈折率材料から形成されることが可能である。これら高屈折材と低屈折材とは互いに屈折率が異なっていればよく、膜厚および積層数は、例えば、カラー層Ｄによって表現したい波長λに対し、λ／４の薄膜をｎ層積層することで所望の色を実現することができる。なお、高屈折材と低屈折材との屈折率差が大きいほど積層数を少なく設定することが可能である。
【００３０】
これら高屈折率層Ｄ１と低屈折率層Ｄ２とを形成する誘電体膜材料は、以下に例示する材料から選択することができる。さらに、これらのうち２種または３種を選択して組み合わせることも可能である。ここで、屈折率の高低とは、選択された材料同士を比較することによって設定され、材料の組み合わせによっては、低屈折率材料と高屈折材料とのどちらになるかが切り替わる場合もあり得る。
【００３１】
・低屈折材料：ＳｉＯｘ，ＳｉＮ，ＳｉＯｘＮｙ，Ａｌ２Ｏ３，ＡｌＮ，ＭｇＯ，ＭｇＦ２，ＨｆＯ２
・高屈折材料：Ｔａ２Ｏ５，ＮｂｘＯｙ，ＴｉＯ２，Ｔｉ３Ｏ５，ＺｎＯ，ＺｒＯ２
例えば、上記の材料のうち、低屈折率材料として酸化シリコン（ｎ＝１．４６）、高屈折率材料として、酸化チタン（ｎ＝２．４）の組み合わせを選択することができる。
【００３２】
さらに、カラー層Ｃの例として、赤色、黄色、青色、緑色の４色に対する膜厚及び積層数の設定例を表１に例示する。
【表１】
0005848851.tif 000002
【００３３】
このように、低屈折率層Ｄ２が１００ｎｍ程度の厚さ寸法、高屈折率層Ｄ１が低屈折率層Ｄ２の２／３〜１／２程度の厚さ寸法となるように、低屈折率層Ｄ２を高屈折率層Ｄ１よりも厚く設定することができる。
【００３４】
遮蔽層Ｓは、非透光性（遮光性）を有する膜であるとともに、誘電率がガラス等の基板と同程度であり、電波を遮断しない膜である。この遮蔽層Ｓは、所望の誘電率を有するために、異なる誘電率を有する多層膜が交互に多数積層された多層構造体である。具体的には、低誘電率材料から形成される金属層Ｓ１と、高誘電率材料から形成される誘電体層Ｓ２と、が多数積層されている。
【００３５】
金属層Ｓ１は、チタン、アルミニウムなどの金属等の材料から形成され、誘電体層Ｓ２は、酸化シリコン等の高誘電率材料から形成されることができる。これら誘電体材と金属材料とは交互に積層され、遮蔽層Ｓが、可視光を透過させずにガラス等の基板と同じ誘電率を有する所望の状態となるために、それぞれの構成材料、膜厚、および積層数が設定される。
【００３６】
誘電体材としては、上記のカラー層Ｄにおいて誘電体膜材料として例示した材料から選択することができる。さらに、これらのうち２種または３種選択して組み合わせることも可能である。
【００３７】
また、金属材料としては、遮蔽性と誘電率との特性を考慮して以下の材料から選択することができる。これらのうち２種または３種選択して組み合わせることも可能である。
【００３８】
・金属材料：Ｓｉ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｎｂ，Ａｌ，Ａｇ，Ｍｇ，Ｓｂ，Ｚｒ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｃａ，Ａｕ，Ｃｒ，Ｇｅ，Ｉｎ，Ｎｉ，Ｐｔ
【００３９】
特に、遮蔽層が可視光を遮蔽可能であり、同時に、電波を遮断しないように、遮蔽層を構成するそれぞれの金属層Ｓ１が単層でｎｍオーダーの厚みで形成され、金属層Ｓ１の膜厚が誘電体層Ｓ２の膜厚より小さくなるように設定される。また、積層した金属層Ｓ１の合計膜厚が、可視光を透過しないための必要最低限の膜厚値よりも大きくなるように設定される。
【００４０】
遮蔽性能として、可視光の範囲で透過率が１％以下となるように設定することができる。具体的には、金属層Ｓ１の合計膜厚が、５０ｎｍ程度は必要とされる。
また、積層した誘電体層Ｓ２の合計膜厚が、電波を遮蔽しない状態を維持する必要最低限の膜厚値よりも大きくなるように設定される。具体的には、誘電体層Ｓ２の合計膜厚が２００ｎｍ程度は必要とされる。
なお、上記のカラー層Ｄに応じて金属層Ｓ１及び誘電体層Ｓ２の積層数を変更することができる。
【００４１】
遮蔽層Ｓの例として、ガラスと同じ誘電率３．５〜１０（εｓ）を実現可能な膜厚、積層数の例を示す。
【表２】
0005848851.tif 000003
【００４２】
このように、金属層Ｓ１が０．５ｎｍ〜５ｎｍの厚さ寸法であり、誘電率層Ｓ２を金属層Ｓ１の２〜１０倍程度である１ｎｍ〜１０ｎｍの厚さ寸法を有するように、誘電体層Ｓ２を金属層Ｓ１よりも厚く設定することができる。
【００４３】
さらに、カラー層Ｄとして、遮蔽層Ｓのようにチタンと酸化シリコンを多数積層することで黒色を実現することや、アルミニウムと酸化シリコンを多数積層することで銀色を実現することができる。
【００４４】
このように、本実施形態における光学薄膜であるカラー層Ｄと遮光層Ｓとが積層された接続部を形成することにより、接続部の合計膜厚を、黒色の場合５００ｎｍ以下、赤色の場合１．５〜２μｍに設定することが可能となる。さらに、印刷工程（プリント工程）のようなウェット工程を用いることなくスパッタにより、このような接続部を形成することが可能となる。
【００４５】
次に、本実施形態におけるタッチパネルの製造方法について説明する。
【００４６】
図３は、本実施形態におけるタッチパネルの製造方法を示すフローチャートである。
本実施形態におけるタッチパネルの製造方法においては、ガラスから形成されるカバー基板Ｃを用意して、表示領域Ｔにマスクを設けたカバー基板Ｃに、図３に示すように、カラー層成膜工程Ｓ１０としてカラー層Ｄを成膜し、その後、遮蔽層成膜工程Ｓ２０として遮蔽層Ｓを成膜し、その後、マスクを除去して、カラー層Ｄと遮蔽層Ｓとが積層されたカバー基板Ｃ（光学薄膜基板）とタッチパネル基板とを貼り合わせる。
【００４７】
カラー層成膜工程Ｓ１０においては、カラー層Ｄとして適宜選択された材料で、カラー層Ｄが所定の膜厚となるように、高屈折率層Ｄ１と低屈折率層Ｄ２とを積層する。このとき、高屈折率層成膜工程Ｓ１１と低高屈折率層成膜工程Ｓ１２とを多数回繰り返して、カラー層Ｄをスパッタ成膜する。
【００４８】
この際、２種材料または３種材料を交互に積層成膜可能な蒸着装置や平行平板マグネトロンスパッタ装置等で成膜をおこなうことが可能である。本実施形態における装置例としてカルーセルタイプのスパッタ装置を図４に示す。
図４は、本実施形態におけるタッチパネルの一実施形態の製造に用いる製造装置を示す模式図である。
【００４９】
本実施形態に係る製造装置はカルーセルタイプのスパッタ装置である。本実施形態に係る製造装置は、図４に示すように、チャンバ１内に、基板ホルダ１０を取り付けて回転するドラム２を有し、このドラム２の外周位置に面して異なる材料をスパッタ可能なＣＡ１チムニ３とＣＡ２チムニ４と、反応性スパッタをおこなう際に酸素ガス等の酸化源を供給可能なガス導入口９が接続された酸化源供給部５とを有する。
【００５０】
図４に示すように、それぞれ回転するドラム２の基板ホルダ１０に対応可能な位置として周設されるとともにＡＣ電源７に接続されたＡＣカソード６と、Ａｒ等のガスをチムニ内部に供給するガス導入口８とがＣＡ１チムニ３とＣＡ２チムニ４とに設けられている。
なお、基板ホルダ１０には、表示領域Ｔに対応する表面部分にマスクを形成したカバー基板Ｃ、または、さらにカラー層Ｄの形成されたカバー基板Ｃを取り付ける。
【００５１】
カラー層成膜工程Ｓ１０においては、ＣＡ１チムニ３とＣＡ２チムニ４とのカソード６には、高屈折率材料の例として酸化チタン源であるチタンと、低屈折率材料の例として酸化シリコン源であるシリコンとをそれぞれ設置する。その後、ドラム２の基板ホルダ１０にマスクの形成されたカバー基板Ｃを固定する。さらに、ガス導入口８からアルゴン等のガスを供給し、同時に、酸化源供給部５にガス導入口９を介して酸素ガス等の酸化源を供給して、ドラム２を回転させる。この酸化雰囲気状態において、ＡＣ電源７からカソード６に電力供給することで、反応性スパッタによりＣＡ１チムニ３で酸化シリコンを成膜することが可能であり、ＣＡ２チムニ４で酸化チタンを成膜することが可能である。
【００５２】
カラー層成膜工程Ｓ１０においては、図３に示すように、カラー層Ｄとして適宜選択された材料で、所定の膜厚となるように、高屈折率層Ｄ１と低屈折率層Ｄ２とを積層する。
このとき、高屈折率層成膜工程Ｓ１１と低屈折率層成膜工程Ｓ１２とを、多数回繰り返して、高屈折率材料から形成される高屈折率層Ｄ１と低屈折率材料から形成される低屈折率層Ｄ２とが交互に多数積層される。
このとき、ＣＡ１チムニ３とＣＡ２チムニ４とのカソード６に供給する電力を交互に切り替えるように制御することで、高屈折率層成膜工程Ｓ１１と低屈折率層成膜工程Ｓ１２とを必要回数繰り返すことができる。
【００５３】
遮蔽層成膜工程Ｓ２０においては、図３に示すように、遮蔽層Ｓとして適宜選択された材料で、所定の膜厚となるように、金属層Ｓ１と誘電体層Ｓ２とを積層する。このとき、金属層成膜工程Ｓ２１と誘電体層成膜工程Ｓ２２とを、多数回繰り返して、遮蔽層Ｓが多層構造体となるようにスパッタ成膜する。
【００５４】
遮蔽層成膜工程Ｓ２０においては、ＣＡ１チムニ３とＣＡ２チムニ４とのカソード６には、金属材料の例としてチタンと、誘電率材料の例として酸化シリコン源であるシリコンとをそれぞれ設置する。そして、ドラム２の基板ホルダ１０にカラー層Ｄの形成されたカバー基板Ｃを固定して、ガス導入口８からアルゴン等のガスを供給した所定の雰囲気状態で、ＡＣ電源７からカソード６に電力供給してドラム２を回転させる。この金属スパッタにより金属材料である金属としてのチタンを成膜することが可能である。
さらに、酸化源供給部５にガス導入口９を介して酸素ガス等の酸化源を供給して、酸化雰囲気として、ＡＣ電源７からカソード６に電力供給してドラム２を回転させる。この反応性スパッタにより酸化シリコンを成膜することが可能である。
【００５５】
このとき、ＣＡ１チムニ３とＣＡ２チムニ４とのカソード６に供給する電力と、酸化源供給部５への酸化源（酸素ガス）供給の有無と、を交互に切り替えるように制御することで、金属層成膜工程Ｓ２１と誘電体層成膜工程Ｓ２２とを、多数回繰り返す。これにより、誘電率材料から形成される誘電体層Ｓ２と金属材料から形成される金属層Ｓ１とが交互に多数積層される。
【００５６】
上記のように、カラー層形成工程Ｓ１０と遮蔽層形成工程Ｓ２０とにおいて、シリコンとチタンとでターゲットを切り替えることで、１つのチャンバで多層膜を積層することができる。
また、酸化源供給部５への酸素ガス等の酸化源供給を切り替えることによって、反応性スパッタと、金属スパッタとを切り替え、カラー層形成工程Ｓ１０と遮蔽層形成工程Ｓ２０とを連続しておこなうことも可能である。また、カラー層Ｄの発色として黒色を設定した場合など金属スパッタが必要な場合にも切り替え可能である。
【００５７】
本実施形態に係るタッチパネルによれば、上記のようにカバー基板Ｃ側からタッチパネル基板Ｔ側に向かって積層されたカラー層Ｄと、交互に積層した誘電体層および金属層の多層構造体から形成された遮蔽層Ｓと、から構成された接続部を有する。そのため、本実施形態のタッチパネルは、縁部Ｅにおいて、所望の発色を実現しながら、可視光の遮光性を有し、かつ、ガラスと同程度の誘電率を保つことができ、電波も通すことが可能となる。しかも、これら接続部の厚さを２μｍよりも小さくすることができるのでカバー基板Ｃとタッチパネル基板Ｔとの間に隙間が生じることがなくなり、乱反射を防止して視認性の向上したタッチパネルＭを実現することが可能となる。
【００５８】
＜実施例＞
以下、本発明の一実施形態に係る実施例を説明する。
【００５９】
図４に示すように、シリコンとチタンをターゲット６としたカルーセル型スパッタ装置において、ドラム２を２００ｒｐｍで回転させ、このドラム２が３回転する間シリコン側に電力供給した後、放電を止めて、チタン側に電力供給する。このとき、酸化源として酸素ガスを供給してカラー層Ｄを成膜し、酸素ガスを供給しないように切り替えて遮蔽層Ｓを成膜した。
具体的には、表１、表２に示す膜構成とした。
【００６０】
また、遮蔽層で、金属であるチタンの膜厚は酸化シリコンよりも薄くした。また、表１に示すように、膜構成を変化させて４色を発色させた。これにより、いずれの色でも、ガラスと同じ誘電率を有する層を形成することができるとともに、可視光の透過率を１％以下として遮蔽することができた。
さらに、印刷工程にて形成された接続部の厚さ（およそ５μｍ程度）よりも薄く形成することができた。
【産業上の利用可能性】
【００６１】
本発明の一実施形態の活用例として、携帯電話、スマートフォン、タブレット、タッチ機能付きノートＰＣ、タッチ機能付き自動販売機等に組み込まれるタッチパネル、及び光学薄膜基板に適用することが可能である。
【符号の説明】
【００６２】
Ｍ…タッチパネルＣ…カバー基板Ｄ…カラー層（接続部）Ｄ１…高屈折率層Ｄ２…低屈折率層Ｅ…縁部Ｐ…タッチパネル基板Ｓ…遮蔽層（接続部）Ｓ２…誘電体層Ｓ１…金属層Ｔ…表示領域
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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