(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
減圧雰囲気下においてロール・ツー・ロールで搬送される長尺状樹脂フィルムの両面に金属膜を成膜する両面成膜方法であって、成膜された各金属膜上に湿式めっき法による金属めっき層を形成して金属めっき層付樹脂フィルムが製造される上記金属膜の両面成膜方法において、
長尺状樹脂フィルムの搬送路上に設けられたキャンロールとスパッタカソードを有する第一スパッタリング手段により上記長尺状樹脂フィルムの一方の面に金属膜を成膜する第一成膜工程と、
第一スパッタリング手段の下流側搬送路上に設けられたキャンロールとスパッタカソードを有する第二スパッタリング手段により上記長尺状樹脂フィルムの他方の面に金属膜を成膜する第二成膜工程と、
第二スパッタリング手段の下流側搬送路上において上記長尺状樹脂フィルムの少なくとも一方の金属膜上に原子層堆積（Atomic Layer Deposition：ＡＬＤ）法により金属酸化物膜若しくは金属窒化物膜を成膜する第三成膜工程と、
金属酸化物膜若しくは金属窒化物膜が成膜された長尺状樹脂フィルムを巻き取りロールに巻き取る巻き取り工程、
を具備し、かつ、上記第一成膜工程、第二成膜工程および第三成膜工程を連続して行なうと共に、
第三成膜工程のＡＬＤ法で成膜される金属酸化物膜若しくは金属窒化物膜は、湿式めっき法による金属めっき層が形成される前段階において除去されることを特徴とする両面成膜方法。
【請求項２】
上記第三成膜工程のＡＬＤ法で成膜される金属酸化物膜若しくは金属窒化物膜が、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｃｅ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｃｕから選ばれる少なくとも１種の金属酸化物膜若しくは金属窒化物膜であることを特徴とする請求項１に記載の両面成膜方法。
【請求項３】
上記長尺状樹脂フィルムが、ポリイミドフィルム、アラミドフィルム、液晶ポリマー、ポリテトラフルオロエチレンフィルムから選ばれる１種で構成されることを特徴とする請求項１または２に記載の両面成膜方法。
【請求項４】
両面成膜方法により長尺状樹脂フィルムの両面に成膜される上記金属膜が金属シード層とこの金属シード層上に形成される金属ベース層とで構成され、湿式めっき法による金属めっき層が形成される前段階の金属ベース層付樹脂フィルムの製造方法において、
上記金属シード層がＮｉ合金で構成され、上記金属ベース層がＣｕまたはＣｕ合金で構成されると共に、上記金属シード層と金属ベース層を請求項１〜３のいずれかに記載の両面成膜方法により成膜することを特徴とする金属ベース層付樹脂フィルムの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、長尺状樹脂フィルム等の長尺体両面にスパッタリング法により金属膜を連続的に成膜する両面成膜方法に係り、特に、両面に金属膜が成膜された直後における長尺状樹脂フィルム（長尺体）を巻き取りロールに巻き取った際、金属膜同士が貼り付いてしまうブロッキング現象が起こり難い両面成膜方法の改良に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶パネル、ノートパソコン、デジタルカメラ、携帯電話等には、樹脂フィルム上に金属膜を被覆して得られる多種類のフレキシブル配線基板が用いられ、このフレキシブル配線基板には、樹脂フィルムの両面に金属膜を成膜した金属膜付樹脂フィルムが用いられている。また、金属膜付樹脂フィルムは折り曲げて使用されることがあるため、樹脂フィルムに対する金属膜の密着力が高いことが必要となり、更に、配線パターンの繊細化、高密度化に伴い、金属膜にピンホールが存在すると断線の原因になり易いためピンホールが無いことも求められている。
【０００３】
そして、この種の金属膜付樹脂フィルムの製造方法として、従来、金属箔を接着剤により樹脂フィルムに貼り付けて製造する方法、金属箔に耐熱性樹脂溶液をコーティングしかつ乾燥させて製造する方法、および、樹脂フィルムに真空成膜法（真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、イオンビームスパッタリング法等）若しくは湿式めっき法により金属膜を成膜して製造する方法等が知られている。
【０００４】
また、真空成膜法若しくは湿式めっき法を用いる三番目の製造方法として、成膜速度は遅いが密着力に優れる金属膜を形成できるスパッタリング法を用いて金属膜付樹脂フィルムを製造する方法が特許文献１に開示され、また、成膜速度は遅いが密着力に優れる金属膜を形成できるスパッタリング法を用いて薄膜の金属ベース層をまず成膜し、次いで成膜速度の速い湿式めっき法を用い上記金属ベース層上に厚膜の金属膜（すなわち、金属めっき層）を形成して金属膜付樹脂フィルム（すなわち、金属めっき層付樹脂フィルム）を効率よく製造する方法が特許文献２に開示されている。尚、特許文献１には、金属膜の密着力を更に高めるため、２種類のスパッタリングターゲットを用いた方法も開示されている。すなわち、モネルメタル等をスパッタリングターゲットとして薄膜の金属シード層をまず成膜し、次いで銅等をスパッタリングターゲットとして上記金属シード層上に厚膜の金属膜を成膜する方法が提案されている。
【０００５】
そして、成膜速度の速い湿式めっき法と成膜速度の遅いスパッタリング法を併用する特許文献２の製造方法は、スパッタリング法のみを用いる特許文献１の方法と比較して効率に優れるため、特許文献２に記載された製造方法が広く利用されている。
【０００６】
また、スパッタリング法により長尺状樹脂フィルム（長尺体）の両面に効率的に金属膜を成膜する装置としてはスパッタリングウェブコータが広く用いられ、特許文献４や特許文献５にスパッタリングウェブコータの一例が開示されている。
【０００７】
ところで、スパッタリングウェブコータを用いて長尺状樹脂フィルム（長尺体）両面に金属膜を成膜した場合、成膜直後の金属膜は表面活性が高い状態にある。このため、両面に金属膜が成膜された直後における長尺状樹脂フィルムを巻き取りロールに巻き取った場合、金属膜同士が貼り付いてしまうブロッキングと称される現象が発生することがあり、長尺状樹脂フィルムの一方の面に成膜された金属膜が剥がれて他方の面に貼り付いたり、フィルム皺を生じさせたりすることがあった。尚、ブロッキング現象のメカニズムを考察すると、金属膜が成膜された長尺状樹脂フィルム（長尺体）を大気圧下で巻き取るならば、長尺状樹脂フィルムの金属膜同士間に気体が巻き込まれるため上記ブロッキング現象は起こり難くなる。しかし、稼働中のスパッタリングウェブコータ内部においては減圧雰囲気下にあり、長尺状樹脂フィルムの金属膜同士間に巻き込まれる気体が存在しないため、上記ブロッキング現象が起こってしまう。
【０００８】
この問題を解決する方法として、特許文献３では、成膜直後における金属膜の表面に真空ポンプ油等の有機物液体を塗布する方法を提案している。しかし、特許文献３で提案された方法は、真空ポンプ油等の有機物液体を除去しなければならない問題と、減圧雰囲気下のスパッタリングウェブコータ内で有機物液体を取り扱う必要があるため、スパッタリングウェブコータにおけるメンテナンスの頻度が増えてしまう問題が存在した。
【０００９】
また、特許文献４では、成膜直後における金属膜の表面にイオンビーム照射処理あるいはプラズマ処理を施して酸化膜を形成し、上記ブロッキングを防止する方法を提案している。しかし、特許文献４で提案された方法は、イオンビーム等を照射した際の金属膜のスパッタリング作用に起因して成膜装置内が汚染されることがあり、その分、メンテナンスの頻度が増える可能性が懸念される。
【００１０】
また、特許文献５では、長尺状樹脂フィルム（長尺体）の両面にスパッタリングウェブコータを用いて金属膜を成膜し、かつ、金属膜表面にスパッタリングウェブコータにより連続して金属酸化物薄膜を成膜してブロッキングを防止する方法を提案している。しかし、特許文献５で提案された方法においては、金属膜表面にスパッタリングウェブコータにより連続して金属酸化物薄膜を成膜する際、金属酸化物薄膜の膜厚が薄過ぎるとピンホールの存在等によりブロッキングの発生が懸念され、反対に膜厚が厚過ぎると金属酸化物薄膜のエッチング処理（両面に金属膜が成膜された長尺状樹脂フィルムを金属ベース層付樹脂フィルムとして適用する場合、湿式めっき法により金属ベース層上に厚膜の金属膜を形成する前に金属酸化物薄膜を除去する必要がある）を煩雑にする悪影響が懸念される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特許第３４４７０７０号公報（特許請求の範囲参照）
【特許文献２】特許第３５７０８０２号公報（特許請求の範囲参照）
【特許文献３】特開２００９−２４９７０３号公報（特許請求の範囲参照）
【特許文献４】特開２０１０−０５３４４７号公報（特許請求の範囲参照）
【特許文献５】特開２０１２−２４６５１１号公報（特許請求の範囲参照）
【非特許文献】
【００１２】
【非特許文献１】Journal oＦ applied physics 97,121301 (2005)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明はこのような問題点に着目してなされたもので、その課題とするところは、両面に金属膜が成膜された直後における長尺状樹脂フィルムを巻き取りロールに巻き取った際、金属膜同士が貼り付いてしまうブロッキング現象が起こり難い両面成膜方法を提供し、合わせて上記両面成膜方法を用いた金属ベース層付樹脂フィルムの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記課題を解決するため、本発明者は、スパッタリングウェブコータを用いて金属膜表面に金属酸化物薄膜を連続的に成膜する特許文献５の方法に代えて、非特許文献１に記載された原子層堆積（Atomic Layer Deposition：ＡＬＤ）法の採用を試みた。すなわち、ＡＬＤ法は、分子層（原子層）を構成する元素が含まれる原料ガスを真空装置内に交互に導入し、被成膜体の最表面に吸着された分子と次に導入される原料ガスとの反応により分子層を形成する方法（これをボトムアップ成膜と呼ぶ場合がある）で、スパッタリングウェブコータを用いるスパッタリング法に較べて成膜速度は遅いが、スパッタリング法のようにターゲットからはじき出された微粒子やクラスターを被成膜体上に被着させて積み重ねる手法でないため、ピンホールがない極薄の皮膜を形成することができ、しかも被成膜体表面の凹凸に影響されずに微細な隙間へも極薄の皮膜を形成することができる。
【００１５】
そこで、本発明者は、長尺状樹脂フィルム等長尺体の両面に金属膜を成膜した後、上記ＡＬＤ法を用いて極薄（数原子層以下）でかつピンホールがない金属酸化物膜若しくは金属窒化物膜を成膜したところブロッキングが低減されることを見出すに至った。
【００１６】
尚、金属膜表面に極薄（数原子層以下）でかつピンホールのない金属酸化物膜若しくは金属窒化物膜が形成された長尺状樹脂フィルム（長尺体）を上述の金属ベース層付樹脂フィルムとして適用（すなわち、成膜速度の遅いスパッタリング法と成膜速度の速い湿式めっき法を併用する特許文献２に記載の方法を採用）した場合、わずかなエッチング処理により極薄（数原子層以下）でかつピンホールのない金属酸化物膜若しくは金属窒化物膜を除去できるため、上記湿式めっき工程に悪影響を与えない利点も有する。
【００１７】
本発明はこのような技術的発見により完成されたものである。
【００１８】
すなわち、請求項１に係る発明は、
減圧雰囲気下においてロール・ツー・ロールで搬送される長尺状樹脂フィルムの両面に金属膜を成膜する両面成膜方法であって、成膜された各金属膜上に湿式めっき法による金属めっき層を形成して金属めっき層付樹脂フィルムが製造される上記金属膜の両面成膜方法において、
長尺状樹脂フィルムの搬送路上に設けられたキャンロールとスパッタカソードを有する第一スパッタリング手段により上記長尺状樹脂フィルムの一方の面に金属膜を成膜する第一成膜工程と、
第一スパッタリング手段の下流側搬送路上に設けられたキャンロールとスパッタカソードを有する第二スパッタリング手段により上記長尺状樹脂フィルムの他方の面に金属膜を成膜する第二成膜工程と、
第二スパッタリング手段の下流側搬送路上において上記長尺状樹脂フィルムの少なくとも一方の金属膜上に原子層堆積（Atomic Layer Deposition：ＡＬＤ）法により金属酸化物膜若しくは金属窒化物膜を成膜する第三成膜工程と、
金属酸化物膜若しくは金属窒化物膜が成膜された長尺状樹脂フィルムを巻き取りロールに巻き取る巻き取り工程、
を具備し、かつ、上記第一成膜工程、第二成膜工程および第三成膜工程を連続して行なうと共に、
第三成膜工程のＡＬＤ法で成膜される金属酸化物膜若しくは金属窒化物膜は、湿式めっき法による金属めっき層が形成される前段階において除去されることを特徴とするものである。
【００１９】
また、請求項２に係る発明は、
請求項１に記載の両面成膜方法において、
上記第三成膜工程のＡＬＤ法で成膜される金属酸化物膜若しくは金属窒化物膜が、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｃｅ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｃｕから選ばれる少なくとも１種の金属酸化物膜若しくは金属窒化物膜であることを特徴とし、
請求項３に係る発明は、
請求項１または２に記載の両面成膜方法において、
上記長尺状樹脂フィルムが、ポリイミドフィルム、アラミドフィルム、液晶ポリマー、ポリテトラフルオロエチレンフィルムから選ばれる１種で構成されることを特徴とする。
【００２１】
更に、請求項４に係る発明は、
両面成膜方法により長尺状樹脂フィルムの両面に成膜される上記金属膜が金属シード層とこの金属シード層上に形成される金属ベース層とで構成され、湿式めっき法による金属めっき層が形成される前段階の金属ベース層付樹脂フィルムの製造方法において、
上記金属シード層がＮｉ合金で構成され、上記金属ベース層がＣｕまたはＣｕ合金で構成されると共に、上記金属シード層と金属ベース層を請求項１〜３のいずれかに記載の両面成膜方法により成膜することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００２２】
請求項１〜３に係る両面成膜方法、および、上記両面成膜方法を用いた請求項４に係る金属ベース層付樹脂フィルムの製造方法は、
長尺状樹脂フィルムの搬送路上に設けられたキャンロールとスパッタカソードを有する第一スパッタリング手段により上記長尺状樹脂フィルムの一方の面に金属膜を成膜する第一成膜工程と、
第一スパッタリング手段の下流側搬送路上に設けられたキャンロールとスパッタカソードを有する第二スパッタリング手段により上記長尺状樹脂フィルムの他方の面に金属膜を成膜する第二成膜工程と、
第二スパッタリング手段の下流側搬送路上において上記長尺状樹脂フィルムの少なくとも一方の金属膜上に原子層堆積（Atomic Layer Deposition：ＡＬＤ）法により金属酸化物膜若しくは金属窒化物膜を成膜する第三成膜工程と、
金属酸化物膜若しくは金属窒化物膜が成膜された長尺状樹脂フィルムを巻き取りロールに巻き取る巻き取り工程、
を具備し、かつ、上記第一成膜工程、第二成膜工程および第三成膜工程を連続して行なうと共に、
第三成膜工程のＡＬＤ法で成膜される金属酸化物膜若しくは金属窒化物膜は、湿式めっき法による金属めっき層が形成される前段階において除去されることを特徴としている。
【００２３】
そして、上記第三成膜工程において、金属膜が両面に成膜された長尺状樹脂フィルムの少なくとも一方の金属膜上にピンホールのない金属酸化物膜若しくは金属窒化物膜を形成しているため、上述したブロッキング現象を確実に防止でき、しかも、ＡＬＤ法により成膜された金属酸化物膜若しくは金属窒化物膜は、わずかなエッチング処理にて除去可能な極薄（数原子層以下）の皮膜であるため、両面に金属膜が成膜された長尺状樹脂フィルムを金属ベース層付樹脂フィルムとして適用した場合に湿式めっき工程に悪影響を与えない効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】従来技術に係る両面成膜装置の概略構成を示す説明図。
【図２】本発明で用いられる両面成膜装置の概略構成を示す説明図。
【図３】従来技術に係る金属ベース層付樹脂フィルム（金属ベース層を構成する金属膜が両面に成膜された長尺状樹脂フィルム）の概略構成を示す断面図。
【図４】本発明に係る金属ベース層付樹脂フィルム（金属ベース層を構成する金属膜が両面に成膜された長尺状樹脂フィルム）の概略構成を示す断面図。
【図５】本発明に係る金属ベース層付樹脂フィルム（金属ベース層を構成する金属膜が両面に成膜された長尺状樹脂フィルム）の金属ベース層上に湿式めっきにより金属めっき層が成膜された金属めっき層付樹脂フィルムの概略構成を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００２８】
（１）金属ベース層付き樹脂フィルム
フレキシブル配線基板に適用される金属膜付樹脂フィルムを製造する場合、上述したように、成膜速度の速い湿式めっき法と成膜速度の遅いスパッタリング法を併用する特許文献２に記載の方法が広く利用されている。
【００２９】
そして、成膜速度の速い湿式めっき法にて厚膜の金属膜を形成する前段階の金属膜付樹脂フィルム（すなわち、長尺状樹脂フィルムとその両面にスパッタリング法により成膜された金属膜とで構成される前駆体としての金属膜付樹脂フィルム）が、特許文献２に記載された方法で用いられる金属ベース層付き樹脂フィルムである。
【００３０】
（1-1）従来技術に係る金属ベース層付樹脂フィルム
従来技術に係る金属ベース層付樹脂フィルム（金属ベース層を構成する金属膜が両面に成膜された長尺状樹脂フィルム）は、図３に示すように、長尺状の樹脂フィルム１と、この両面にスパッタリング法により成膜された金属シード層２と、この金属シード層２上にスパッタリング法により成膜された金属ベース層３とで構成されている。
【００３１】
そして、図３に示された金属ベース層付樹脂フィルムの金属ベース層３上に湿式めっき法により厚膜の金属膜（すなわち、金属めっき層）を形成して、フレキシブル配線基板に適用される金属膜付樹脂フィルム（すなわち、金属めっき層付樹脂フィルム）が得られる。
【００３２】
尚、スパッタリング法にて長尺状の樹脂フィルム１両面に、金属シード層２と金属ベース層３とを連続して成膜した直後においては、金属ベース層３等金属膜の表面活性が高い状態にあるため、金属ベース層３等が成膜された長尺状の樹脂フィルム１を巻き取りロールに巻き取った場合、上述したように金属膜同士が貼り付いてしまうブロッキング現象が発生し、樹脂フィルム１の一方の面に成膜された金属膜が剥がれて他方の面に貼り付いたり、フィルム皺を生じさせたりする問題が存在する。
【００３３】
（1-2）本発明に係る金属ベース層付樹脂フィルム
本発明に係る金属ベース層付樹脂フィルム（金属ベース層を構成する金属膜が両面に成膜された長尺状樹脂フィルム）は、図４に示すように、長尺状の樹脂フィルム１１と、樹脂フィルム１１の両面にスパッタリング法により成膜された金属シード層１２と、金属シード層１２上にスパッタリング法により成膜された金属ベース層１３と、金属ベース層１３上に原子層堆積（Atomic Layer Deposition：ＡＬＤ）法により成膜された金属酸化物膜若しくは金属窒化物膜から成るブロッキング防止層１４とで構成されている。
【００３４】
そして、湿式めっき法により厚膜の金属膜（すなわち、金属めっき層）を形成する際、図４に示すブロッキング防止層１４がエッチングにより除去され、図５に示すように、スパッタリング法により成膜された金属ベース層１３上に湿式めっき法により金属層（金属めっき層）１８が成膜されて、フレキシブル配線基板に適用される金属膜付樹脂フィルム（すなわち、金属めっき層付樹脂フィルム）が得られる。
【００３５】
尚、ＡＬＤ法により成膜された金属酸化物膜若しくは金属窒化物膜から成るブロッキング防止層１４は、わずかなエッチング処理にて除去可能な極薄（数原子層以下）の皮膜であることから、湿式めっき工程に悪影響を与えない利点を有する。
【００３６】
また、上記金属層１８が形成される前の前駆体、すなわち、長尺状の樹脂フィルム１１と、樹脂フィルム１１の両面にスパッタリング法により成膜された金属シード層１２と、金属シード層１２上にスパッタリング法により成膜された金属ベース層１３と、金属ベース層１３上にＡＬＤ法により成膜された金属酸化物膜若しくは金属窒化物膜から成るブロッキング防止層１４とで構成される前駆体が、上述したように本発明に係る金属ベース層付樹脂フィルムである。
【００３７】
また、本発明で適用できる長尺状樹脂フィルム（長尺体）として、例えば、ポリイミド系フィルム、ポリアミド系フィルム、ポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレン系フィルム、ポリフェニレンサルファイド系フィルム、ポリエチレンナフタレート系フィルム、液晶ポリマー系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム等のフッ素系樹脂フィルムが挙げられ、金属膜付フレキシブル基板としての柔軟性、実用上必要な強度、配線材料として好適な電気絶縁性を有する点から好ましい。
【００３８】
（２）両面成膜方法
本発明に係る両面成膜方法は、減圧雰囲気下においてロール・ツー・ロールで搬送される長尺状樹脂フィルム（長尺体）の両面に金属膜を成膜する方法で、
長尺状樹脂フィルムの搬送路上に設けられたキャンロールとスパッタカソードを有する第一スパッタリング手段により上記長尺状樹脂フィルムの一方の面に金属膜を成膜する第一成膜工程と、
第一スパッタリング手段の下流側搬送路上に設けられたキャンロールとスパッタカソードを有する第二スパッタリング手段により上記長尺状樹脂フィルムの他方の面に金属膜を成膜する第二成膜工程と、
第二スパッタリング手段の下流側搬送路上において上記長尺状樹脂フィルムの少なくとも一方の金属膜上に原子層堆積（Atomic Layer Deposition：ＡＬＤ）法により金属酸化物膜若しくは金属窒化物膜を成膜する第三成膜工程と、
金属酸化物膜若しくは金属窒化物膜が成膜された長尺状樹脂フィルムを巻き取りロールに巻き取る巻き取り工程、
を具備し、かつ、上記第一成膜工程、第二成膜工程および第三成膜工程を連続して行なうと共に、
第三成膜工程のＡＬＤ法で成膜される金属酸化物膜若しくは金属窒化物膜は、湿式めっき法による金属めっき層が形成される前段階において除去されることを特徴とする。
【００３９】
尚、上記ブロッキング防止層１４は、ＡＬＤ法により成膜された極薄（数原子層以下）でかつピンホールのない金属酸化物膜若しくは金属窒化物膜で構成されている。
【００４０】
（2-1）ＡＬＤ法
原子層堆積（Atomic Layer Deposition：ＡＬＤ）法は、上述したように分子層（原子層）を構成する元素が含まれる原料ガスを真空装置内に交互に導入し、真空装置内に配置された被成膜体の最表面に吸着された分子と、次に導入される原料ガスとの反応により単原子（単分子）層ずつ堆積させる方法で、堆積する層の膜厚を原子層レベルで制御できる方法である。
【００４１】
そして、ＡＬＤ法は、被成膜体側から単原子（単分子）層ずつ堆積しながら成膜が始まる方法のため、長尺状樹脂フィルム（長尺体）両面に成膜された金属膜に対してピンホールのない金属酸化物膜若しくは金属窒化物膜から成るブロッキング防止層を形成することが可能である。
【００４２】
このＡＬＤ法は、上述した真空成膜法（真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、イオンビームスパッタリング法等）において、金属クラスターが被成膜体上に飛来し、被成膜体表面に付着かつ上記クラスターが結合して膜を形成していくため、潜在的に該クラスター間にピンホールを作ってしまう可能性を有する真空成膜法と大きく異なっている。また、直進性が高いスパッタリング法や真空蒸着法では成膜が困難な凹凸を有する被成膜体面上にもＡＬＤ法では均一な成膜が可能である。
【００４３】
そして、両面に金属膜が成膜された長尺状樹脂フィルム（長尺体）を金属ベース層付樹脂フィルムに用いた場合、後工程である湿式めっき工程に大きな影響を与えないわずかなエッチング処理で除去可能な極薄（数原子層以下）の金属酸化物膜若しくは金属窒化物膜（ブロッキング防止層）をピンホールが無い状態で形成できる方法はＡＬＤ法以外に存在しない。更に、ＡＬＤ法においては原料がガスであるため、スパッタリング法や真空蒸着法で多発するスプラッシュ（膜原料が固まりのまま被成膜体に飛来すること）の発生もない。従って、スプラッシュが成膜中の金属酸化物膜若しくは金属窒化物膜に付着し、それが脱落してピンホールになるような現象もない。また、ＡＬＤ法で用いられる真空装置においては、ＰＶＤ法やＣＶＤ法で用いられる真空装置に必要であった高価な電源ユニット等が不要なため従来の成膜方法と比較して成膜コストの低減も図れる。
【００４４】
次に、ＡＬＤ法では、分子層を構成する元素のそれぞれが含まれる第１反応ガス（原料ガス）と第２反応ガス（原料ガス）を、真空装置（減圧室）内に交互に導入する下記に示すＡ〜Ｉ工程で１サイクルを構成し、このサイクル数により膜厚の調整が行なわれる。
【００４５】
Ａ．真空装置に第１反応ガス（原料ガス）を導入
Ｂ．被成膜体の最表面に第１反応ガスが化学吸着
Ｃ．被成膜体の最表面が第１反応ガスで飽和
Ｄ．真空装置から過剰な第１反応ガスおよび副生成物を排気
Ｅ．真空装置に第２反応ガス（原料ガス）を導入
Ｆ．被成膜体の最表面に吸着していた第１反応ガスと第２反応ガスが反応
Ｇ．被成膜体の最表面が第２反応ガスで飽和
Ｉ．真空装置から過剰な第２反応ガスおよび副生成物を排気
【００４６】
そして、ＡＬＤ法では、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ2等の酸化物膜、ＡｌＮ、ＴａＮ、ＴｉＮ、ＴａＳｉＮ、ＴｉＳｉＮ等の窒化物膜、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｔ等の金属膜、ＣａＦ2、ＳｒＦ2、ＭｇＦ2等のフッ化物膜、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＰ等の化合物膜の成膜が可能である。
【００４７】
例えば、ＡＬＤ法でもっとも多く成膜が行われているＡｌ2Ｏ3の単原子（単分子）層を形成する場合、下記（i）〜（iv）の４工程で１サイクルが完成する。
【００４８】
（i）第１反応ガスである水分子を導入して被成膜体の最表面にＯＨ基を吸着させる。
（１層目以降の反応）
２Ｈ2Ｏ＋：Ｏ−Ａｌ（ＣＨ3）2  →  ：Ａｌ−Ｏ−Ａｌ（ＯＨ）2＋２ＣＨ4
（ii）過剰水分子をパージ排気する。
（iii）Ａｌ2Ｏ3膜の第２反応ガス（原料ガス）であるＴＭＡ［Trimethyl Aluminum：Ａｌ（ＣＨ3）3］ガスを導入する。ＴＭＡ分子がＯＨ基と反応してＣＨ4ガスが発生する。
（１層目の反応）
Ａｌ（ＣＨ3）3＋：Ｏ−Ｈ  →  ：Ｏ−Ａｌ（ＣＨ3）2＋ＣＨ4
（１層目以降の反応）
Ａｌ（ＣＨ3）3＋：Ａｌ−Ｏ−Ｈ  →  ：Ａｌ−Ｏ−Ａｌ（ＣＨ3）2＋ＣＨ４
（iv）過剰なＴＭＡガスとＣＨ４ガスをパージ排気する。
【００４９】
この４工程で約０．１ｎｍのＡｌ2Ｏ3膜が形成されるので、要求する膜厚に到達するまで上記４工程を繰り返して膜厚を増加させる。
【００５０】
ＡＬＤ法においては反応を促進させるため、被成膜体を１００〜３００℃に加熱等の処理を施すことが好ましい。
【００５１】
本発明に係る金属ベース層付樹脂フィルムの製造方法において、ブロッキング防止層を構成する金属酸化物膜若しくは金属窒化物膜を成膜する第１反応ガスと第２反応ガスの組み合わせ例について表１に示す。
【００５２】
【表１】
0006028711.tif 000002
（注）
「Ｍｅ」： Methyl
「Ｅｔ」： Ethyl
「ＯＭｅ」： Methoxy
「ＯＥｔ」： Ethoxy
「ａｃａｃ」： Acetylaceto-nato
「ｔｈｄ」： 2, 2, 6, 6-Tetramethyl-3, 5-heptanedionate 
「ａｐｏ」： 2-Amino-Pent-2-en-4-onate
「ｄｍｇ」：Dimethyl-glyoximato 
「ｈＦａｃ」： 1, 1, 1, 5, 5-HexaFluoro-acetylacetonto
【００５３】
（３）従来技術に係る両面成膜装置（スパッタリングウェブコータ）
従来技術に係る両面成膜装置（スパッタリングウェブコータ）は、図１に示すように、長尺状樹脂フィルム（長尺体）Ｆを巻き出す巻き出しロール２０と長尺状樹脂フィルムＦを巻き取る巻き取りロール３６が真空装置（減圧室）内に設けられ、かつ、これ等巻き出しロール２０と巻き取りロール３６間の搬送路上には長尺状樹脂フィルムＦの一方の面に金属膜（金属シード層と金属ベース層）を成膜するための第一スパッタリングウェブコータと、長尺状樹脂フィルムＦの他方の面に金属膜（金属シード層と金属ベース層）を成膜するための第二スパッタリングウェブコータが設けられている。
【００５４】
また、上記第一スパッタリングウェブコータは、水冷温調されたキャンロール２４とこの外周面に沿って配置された４台のマグネトロンスパッタカソード４０、４１、４２、４３とで構成され、上記第二スパッタリングウェブコータは、水冷温調されたキャンロール３２とこの外周面に沿って配置された４台のマグネトロンスパッタカソード４４、４５、４６、４７とで構成されている。
【００５５】
また、上記巻き出しロール２０と巻き取りロール３６間には、ロール・ツー・ロールの搬送手段を構成する複数のフリーロール２１、２２、２３，２５、２６、２７、２８、２９、３１、３３、３４、３５が長尺状樹脂フィルムＦの搬送方向に亘ってそれぞれ設けられている。
【００５６】
また、上記巻き出しロール２０と巻き取りロール３６はパウダークラッチ等により張力バランスが保たれており、水冷温調されたキャンロール２４、３２の回転により長尺状樹脂フィルムＦが搬送される。尚、上記巻き出しロール２０と巻き取りロール３６間には、駆動部を持たない上述のフリーロール２１、２２、２３，２５、２６、２７、２８、２９、３１、３３、３４、３５が設けられているが、張力によりキャンロール２４、３２の外周面に長尺状樹脂フィルムＦを密着させる制御方法を採る場合には、上記フリーロール２２、２６、２９、３４に張力センサが取り付けられることもある。また、周速度差制御によりキャンロール２４、３２の外周面に長尺状樹脂フィルムＦを密着させる方法を採る場合にはフリーロール２３、２５、３１、３３が駆動ロールとなることもある。
【００５７】
また、第一スパッタリングウェブコータおよび第二スパッタリングウェブコータを用いて金属膜の成膜を行う前段の位置に、アルゴンガス、酸素ガス等を導入したプラズマ処理あるいはイオンビーム処理を行なう表面処理ユニット（図示せず）を配置することも可能である。表面処理ユニットを配置することにより、長尺状樹脂フィルムＦの両面をクリーニングおよび活性化させることができる。
【００５８】
上記巻き出しロール２０から巻き出された長尺状樹脂フィルムＦは、水冷温調されたキャンロールと４台のマグネトロンスパッタカソードをそれぞれ有する第一スパッタリングウェブコータと第二スパッタリングウェブコータの成膜領域に搬送される。そして、第一スパッタリングウェブコータの成膜領域で、金属シード層形成用と金属ベース層形成用の金属ターゲットが取り付けられた４台のマグネトロンスパッタカソード４０、４１、４２、４３（例えば、マグネトロンスパッタカソード４０が金属シード層形成用、マグネトロンスパッタカソード４１、４２、４３が金属ベース層形成用）を用いて水冷温調されたキャンロール２４の外周面上に巻き付けられた長尺状樹脂フィルムＦの一方の面（第１成膜面と称する）に金属シード層と金属ベース層から成る金属膜が成膜され、更に、金属シード層形成用と金属ベース層形成用の金属ターゲットが取り付けられた４台のマグネトロンスパッタカソード４４、４５、４６、４７（例えば、マグネトロンスパッタカソード４４が金属シード層形成用、マグネトロンスパッタカソード４５、４６、４７が金属ベース層形成用）を用いて水冷温調されたキャンロール３２の外周面上に巻き付けられた長尺状樹脂フィルムＦの他方の面（第２成膜面と称する）に金属シード層と金属ベース層から成る金属膜が成膜される。
【００５９】
尚、上記金属ベース層のスパッタリング成膜には板状のターゲットを使用することが好ましいが、板状ターゲットを用いた場合、ターゲット上にノジュール（異物の成長）が発生することがある。このため、ノジュール（異物の成長）の発生がなく、ターゲットの使用効率も高い円筒形のロータリーターゲットを使用することもできる。
【００６０】
ところで、上記両面成膜装置（スパッタリングウェブコータ）を用いて、長尺状樹脂フィルムＦの第１成膜面と第２成膜面に金属膜（金属シード層と金属ベース層）が成膜された長尺状樹脂フィルムＦを上記巻き取りロール３６に巻き取ってしまい、次工程の湿式めっきで成膜後の長尺状樹脂フィルム（金属ベース層付耐熱性樹脂フィルム）Ｆを巻き出そうとしたときに、ブロッキングによりフィルム同士が張り付いてしまい、無理に引き剥がそうとすると金属ベース層あるいは金属シードと金属ベース層が剥離してしまうことがあり、従来技術に係る両面成膜装置（スパッタリングウェブコータ）は改善の余地を有していた。
【００６１】
（４）本発明で用いられる両面成膜装置
第一スパッタリング手段により長尺状樹脂フィルム（長尺体）の一方の面（第１成膜面）に金属膜（金属シード層と金属ベース層）を成膜し、第二スパッタリング手段により長尺状樹脂フィルムの他方の面（第２成膜面）に金属膜（金属シード層と金属ベース層）を成膜すると共に、長尺状樹脂フィルムの少なくとも一方の金属膜（金属シード層と金属ベース層）上に原子層堆積（Atomic Layer Deposition：ＡＬＤ）法により金属酸化物膜若しくは金属窒化物膜から成るブロッキング防止層を形成する本発明で用いられる両面成膜装置（金属ベース層付樹脂フィルムの製造装置）は、第一減圧室と隔壁を介し上記第一減圧室に隣接して設けられた第二減圧室を具備し、上記第一減圧室内には、長尺状樹脂フィルムを巻き出す巻き出しロールと、この巻き出しロールから巻き出された長尺状樹脂フィルムが巻き付けられるキャンロールとスパッタカソードを有しかつ上記長尺状樹脂フィルムの一方の面（第１成膜面）に金属膜（金属シード層と金属ベース層）を成膜する第一スパッタリングウェブコータと、この第一スパッタリングウェブコータにより上記金属膜が成膜された長尺状樹脂フィルムが巻き付けられるキャンロールとスパッタカソードを有しかつ上記長尺状樹脂フィルムの他方の面（第２成膜面）に金属膜（金属シード層と金属ベース層）を成膜する第二スパッタリングウェブコータが設けられ、かつ、上記第二減圧室内には、隔壁の開口部を介し搬入されてくる長尺状樹脂フィルムの搬送方向に亘り第１反応ガスを導入する第１プラズマ反応室と第２反応ガスを導入する第２プラズマ反応室が交互に少なくとも１組以上配置された金属酸化物膜若しくは金属窒化物膜（ブロッキング防止層）の成膜手段と、上記金属酸化物膜若しくは金属窒化物膜（ブロッキング防止層）が成膜された長尺状樹脂フィルムを巻き取る巻き取りロールが設けられていると共に、ロール・ツー・ロールの搬送手段を構成する複数のロール群が長尺状樹脂フィルムの搬送方向に亘り上記第一減圧室と第二減圧室にそれぞれ設けられていることを特徴としている。
【００６２】
ここで、ＡＬＤ法は、本来、静止した被成膜体に対し反応ガスを入れ換えながら成膜を行う方法である。そこで、連続搬送される長尺状樹脂フィルム（長尺体）にＡＬＤ法による金属酸化物膜若しくは金属窒化物膜（ブロッキング防止層）の成膜を行うため、本発明で用いられる両面成膜装置においては、上述した第二減圧室内に長尺状樹脂フィルムの搬送方向に亘り第１反応ガスを導入する第１反応室と第２反応ガスを導入する第２反応室を交互に少なくとも１組以上配置する構成を採っている。そして、本発明で用いられる両面成膜装置においては、第１反応ガスを導入する第１反応室と第２反応ガスを導入する第２反応室が交互に少なくとも１組以上配置されている第一減圧室の領域を長尺状樹脂フィルム（長尺体）が通過することにより、上述したＡＬＤ法の各反応を各反応室で行いながら金属酸化物膜若しくは金属窒化物膜（ブロッキング防止層）が形成される。
【００６３】
また、本発明で用いられる両面成膜装置において、ＡＬＤ法による金属酸化物膜若しくは金属窒化物膜（ブロッキング防止層）の成膜が行なわれる第二減圧室と、スパッタリング法による金属膜（金属シード層と金属ベース層）の成膜が行なわれる第一減圧室とでは成膜に適したガス圧が異なるため、各減圧室を上記隔壁で区画し、差動排気によりそれぞれの成膜に適したガス圧を保つ必要がある。また、ＡＬＤ法においては、反応を促進させるため上述したように被成膜体に対し加熱等の処理を施すことが望ましい。
【００６４】
（５）金属ベース層付樹脂フィルムの製造装置
本発明に係る両面成膜方法を適用した金属ベース層付樹脂フィルムの製造方法に利用される金属ベース層付樹脂フィルムの製造装置は、図２に示すように、第一減圧室９０と、隔壁９２を介し第一減圧室９０に隣接して設けられた第二減圧室９１を具備しており、上記隔壁９２にはスリットロールを組み込んだ開口部６５が設けられている。
【００６５】
まず、上記第一減圧室９０には、長尺状樹脂フィルム（長尺体）Ｆを巻き出す巻き出しロール５０と、巻き出された長尺状樹脂フィルムＦの一方の面（第１成膜面）に金属膜（金属シード層と金属ベース層）を成膜する第一スパッタリングウェブコータと、長尺状樹脂フィルムＦの他方の面に金属膜（金属シード層と金属ベース層）を成膜する第二スパッタリングウェブコータが設けられている。また、上記第一スパッタリングウェブコータは、水冷温調されたキャンロール５４とこの外周面に沿って配置された４台のマグネトロンスパッタカソード７０、７１、７２、７３とで構成され、上記第二スパッタリングウェブコータは、水冷温調されたキャンロール６１とこの外周面に沿って配置された４台のマグネトロンスパッタカソード７４、７５、７６、７７とで構成されている。
【００６６】
他方、上記第二減圧室９１には、隔壁９２の開口部６５を介し搬入される長尺状樹脂フィルムＦの搬送方向に亘り第１反応ガスを導入する第１反応室８０、８２と第２反応ガスを導入する第２反応室８１、８３が交互に２組配置されて成るＡＬＤ法による金属酸化物膜若しくは金属窒化物膜の成膜手段と、上記金属酸化物膜若しくは金属窒化物膜（ブロッキング防止層）が成膜された長尺状樹脂フィルムＦを巻き取る巻き取りロール６６がそれぞれ設けられている。
【００６７】
また、スパッタリング法による金属膜（金属シード層と金属ベース層）の成膜が行なわれる第一減圧室９０と、ＡＬＤ法によるブロッキング防止層の成膜が行なわれる第二減圧室９１とでは成膜に適したガス圧が異なるため、スリットロールが組み込まれた開口部６５を有する上記隔壁８０により各領域が区画されて差動排気されている。
【００６８】
また、第一減圧室９０内の巻き出しロール５０と第二減圧室９１内の巻き取りロール６６間には、ロール・ツー・ロールの搬送手段を構成する複数のフリーロール５１、５２、５３，５５、５６、５７、５８、５９、６０、６２、６３、６４、６７、６８が長尺状樹脂フィルムＦの搬送方向に亘ってそれぞれ設けられている。
【００６９】
そして、長尺樹脂フィルムＦは、第一減圧室９０内の上記巻き出しロール５０から巻き出されて第二減圧室９１内の巻き取りロール６６により巻き取られる。また、巻き出しロール５０と巻き取りロール６６はパウダークラッチ等により張力バランスが保たれており、水冷温調されたキャンロール５４、６１の回転により長尺樹脂フィルムＦが搬送される。また、上記巻き出しロール５０と巻き取りロール６６間には、駆動部を持たない上述のフリーロール５１、５２、５３，５５、５６、５７、５８、５９、６０、６２、６３、６４、６７、６８が設けられているが、張力によりキャンロール５４、６１の外周面に長尺樹脂フィルムＦを密着させる制御方法を採る場合には、上記フリーロール５２、５６、５９、６３に張力センサが取り付けられることもある。また、周速度差制御によりキャンロール５４、６１の外周面に長尺樹脂フィルムＦ密着させる方法を採る場合にはフリーロール５３、５５、６０、６２が駆動ロールとなることもある。
【００７０】
また、第一スパッタリングウェブコータおよび第二スパッタリングウェブコータを用いて金属膜の成膜を行う前段の位置に、アルゴンガス、酸素ガス等を導入したプラズマ処理あるいはイオンビーム処理を行なう表面処理ユニット（図示せず）を配置することも可能である。表面処理ユニットを配置することにより、長尺状樹脂フィルムＦの両面をクリーニングおよび活性化させることができる。
【００７１】
上記第一減圧室９０内の巻き出しロール５０から巻き出された長尺樹脂フィルムＦは、水冷温調されたキャンロールと４台のマグネトロンスパッタカソードをそれぞれ有する第一スパッタリングウェブコータと第二スパッタリングウェブコータの成膜領域に搬送される。そして、第一スパッタリングウェブコータの成膜領域で、金属シード層形成用と金属ベース層形成用の金属ターゲットが取り付けられた４台のマグネトロンスパッタカソード７０、７１、７２、７３（例えば、マグネトロンスパッタカソード７０が金属シード層形成用、マグネトロンスパッタカソード７１、７２、７３が金属ベース層形成用）を用いて水冷温調されたキャンロール５４の外周面上に巻き付けられた長尺状樹脂フィルムＦの一方の面（第１成膜面）に金属シード層と金属ベース層から成る金属膜が成膜され、更に、金属シード層形成用と金属ベース層形成用の金属ターゲットが取り付けられた４台のマグネトロンスパッタカソード７４、７５、７６、７７（例えば、マグネトロンスパッタカソード７４が金属シード層形成用、マグネトロンスパッタカソード７５、７６、７７が金属ベース層形成用）を用いて水冷温調されたキャンロール６１の外周面上に巻き付けられた長尺状樹脂フィルムＦの他方の面（第２成膜面）に金属シード層と金属ベース層から成る金属膜が成膜された後、第一減圧室９０から上記隔壁９２の開口部６５を通って第二減圧室９１内に搬入される。
【００７２】
そして、金属シード層と金属ベース層から成る金属膜が成膜された長尺樹脂フィルムＦは、第二減圧室９１内の第１反応ガスが導入された第１反応室８０、第２反応ガスが導入された第２反応室８１、第１反応ガスが導入された第１反応室８２、第２反応ガスが導入された第２反応室８２を通過することで、上述したＡＬＤ法による反応が起こって２原子（分子）層のブロッキング防止層（金属酸化物膜若しくは金属窒化物膜）が両面に成膜される。尚、ブロッキング防止層の原子層を増やしたい場合は、第１反応ガスが導入された第１反応室と第２反応ガスが導入された第２反応室を増設すればよい。金属シード層と金属ベース層から成る各金属膜上にブロッキング防止層がそれぞれ成膜された長尺樹脂フィルムＦは、第二減圧室９１内の巻き取りロール６６に巻き取られて本発明に係る金属ベース層付樹脂フィルムが得られる。
【００７３】
上記金属ベース層付樹脂フィルムの製造装置により製造された金属ベース層付樹脂フィルムは、巻き取りロール６６に巻き取られる際に上記ブロッキング防止層が介在して金属膜同士が接触しないためブロッキング現象が低減され、金属ベース層が接触した側の金属ベース層に張り付いて剥離してしまうことがない。
【００７４】
また、得られた金属ベース層付樹脂フィルムの金属ベース層上に湿式めっき法を用いて膜厚の金属層を形成する際、電気めっき処理のみで行う場合と、一次めっきとして無電解めっき処理を行い、二次めっきとして電解めっき処理等の湿式めっき法を組み合わせて行う場合がある。湿式めっき処理は常法による湿式めっき法の諸条件を採用すればよい。
【００７５】
そして、上記ブロッキング防止層（金属酸化物膜若しくは金属窒化物膜）は極薄（数原子層以下）の皮膜であることから、湿式めっき前のエッチング処理により容易に除去することが可能である。
【００７６】
尚、乾式（スパッタリング法）・湿式めっき法による金属層（金属ベース層と金属めっき層）の合計厚さは厚くとも１８μｍ以下にすることが好ましい。
【００７７】
（６）金属めっき層付樹脂フィルムの用途
このようにして得られた金属めっき層付樹脂フィルムを用い、この金属めっき層付樹脂フィルムの少なくとも片面に配線パターンを個別に形成する。また、所定の位置に層間接続のためのヴィアホールを形成して各種用途に用いることもできる。具体的に説明すると、
（ａ）高密度配線パターンをフレキシブルシートの少なくとも片面に個別に形成して利用する。
（ｂ）配線層が形成されたフレキシブルシートに該配線層とフレキシブルシートとを貫通するヴィアホールを形成して利用する。
（ｃ）場合によっては、該ヴィアホール内に導電性物質を充填してホール内を導電化して利用する。
【００７８】
そして、上記配線パターンの形成方法としては、フォトエッチング等の従来公知の方法が利用でき、例えば、金属めっき層付樹脂フィルムを準備し、該金属めっき層上にスクリーン印刷あるいはドライフィルムをラミネートして感光性レジスト膜を形成した後、露光現像してパターニングする。次いで、塩化第２鉄溶液等のエッチング液で該金属めっき層と金属膜（金属シード層と金属ベース層）を選択的にエッチング除去した後、上記レジスト膜を除去して所定の配線パターンを形成する。両面をパターン加工してフレキシブルシートの両面に配線パターンを形成することが好ましい。全ての配線パターンを幾つかの配線領域に分割するかどうかは、配線パターンの配線密度の分布等による。例えば、配線パターンを、配線幅と配線間隔がそれぞれ５０μｍ以下の高密度配線領域とその他の配線領域に分け、プリント基板との熱膨張差や取扱い上の都合等を考慮して分割する配線基板のサイズを１０〜６５ｍｍ程度に設定して適宜分割すればよい。
【００７９】
また、上記ヴィアホールの形成方法としては、従来公知の方法が利用でき、例えば、レーザー加工等により、配線パターンの所定の位置に該配線パターンとフレキシブルシートを貫通するヴィアホールを形成する。ヴィアホールの直径は、ホール内の導電化に支障を来たさない範囲内で小さくすることが好ましく、通常１００μｍ以下、好ましくは５０μｍ以下にする。ヴィアホール内には、めっき、蒸着、スパッタリング等により銅等の導電性金属を充填あるいは所定の開孔パターンを持つマスクを使用して導電性ペーストを圧入、乾燥し、ホール内を導電化して層間の電気的接続を行う。
【実施例】
【００８０】
以下、本発明の実施例について具体的に説明する。
【００８１】
［実施例１］
図２に示す両面成膜装置（金属ベース層付樹脂フィルムの製造装置）を用い、長尺状樹脂フィルム（長尺体）Ｆには、幅５００ｍｍ、長さ１０００ｍ、厚さ２５μｍの東レデュポン株式会社製の耐熱性ポリイミドフィルム「カプトン（登録商標）」を使用した。
【００８２】
また、ＡＬＤ法により成膜するブロッキング防止層は、２原子層ともＡｌ2Ｏ3とし、第１反応室８０、８１には、第１反応ガスの水分子を１０ｓｃｃｍ／ｍｉｎ導入し、第２反応室８２、８３には、第２反応ガスのＴＭＡ［Trimethyl Aluminum：Ａｌ（ＣＨ3）3］ガスを５０ｍｇ／ｍｉｎ導入した。各反応室８０、８１、８２、８３は、温度を２００℃に設定し、反応ガスを連続的に第二減圧室９１の正面から導入しながら、第二減圧室９１の背面に向かってそれぞれ独立したドライポンプで排気した。
【００８３】
また、金属膜（金属シード層と金属ベース層）の金属シード層はＮｉ−Ｃｒ合金膜とし、各マグネトロンスパッタリングカソード７０、７４にはＮｉ−Ｃｒ合金から成るマグネトロンスパッタリングターゲットを用い、かつ、上記金属ベース層はＣｕ膜とし、各マグネトロンスパッタリングカソード７１、７２、７３、７５、７６、７７にはＣｕから成るマグネトロンスパッタリングターゲットを用い、各マグネトロンスパッタリングカソードにはアルゴンガスを３００ｓｃｃｍで導入し、各カソード電力１０ｋＷで成膜を行った。また、巻き出しロール５０と巻き取りロール６６の張力は８０Ｎとした。
【００８４】
そして、第一減圧室９０の巻き出しロール５０に耐熱性ポリイミドフィルム（長尺体）Ｆをセットし、かつ、キャンロール５４、キャンロール６１を経由させ、更に、第二減圧室９１の各反応室８０〜８３を経由させて、上記耐熱性ポリイミドフィルム（長尺体）Ｆの先端部を第二減圧室９１の巻き取りロール６６に取り付けた。尚、使用する耐熱性ポリイミドフィルム（長尺体）Ｆは事前に真空乾燥処理がなされている。
【００８５】
また、スパッタリング法の成膜を行なう第一減圧室９０とＡＬＤ法の成膜を行なう第二減圧室９１のそれぞれについて、大型ドライポンプにより５Ｐａまで排気した後、更に、スパッタリング法の成膜を行なう上記第一減圧室９０はターボ分子ポンプとクライオコイルを用いて５×１０-3Ｐａまで排気した。また、各キャンロール５４、６１における水冷温調の設定値は２０℃とした。
【００８６】
そして、上記耐熱性ポリイミドフィルム（長尺体）Ｆの搬送速度を２ｍ／分にした後、第一減圧室９０の各マグネトロンスパッタカソード７０〜７７にアルゴンガスを導入しかつ各マグネトロンスパッタカソードに電力を印加すると共に、第二減圧室９１の各反応室８０、８１、８２、８３にも反応ガスを導入して成膜処理を開始した。
【００８７】
そして、上記耐熱性ポリイミドフィルムＦの長さ９９０ｍ分が通過して時点で、各マグネトロンスパッタカソードへの電力を停止し、かつ、それぞれのガス導入も停止した。
【００８８】
最後に、耐熱性ポリイミドフィルムＦの搬送を停止し、かつ、各ポンプを停止してから第一減圧室９０と第二減圧室９１をベント（大気開放）し、巻き出しロール５０の耐熱性ポリイミドフィルムＦの終端部を外し、全ての耐熱性ポリイミドフィルムＦを巻き取りロール６６に巻き取ってから取り外した。
【００８９】
そして、製造された金属ベース層付樹脂フィルムを「フィルム巻き替え」にセットし、搬送速度１０ｍ／ｍｉｎで巻き替えを行ったところブロッキング現象は観察されず、更に、サンプリングしたシートを顕微鏡で観察しても、金属膜（金属シード層と金属ベース層）同士が貼り付いて一部剥離されている箇所はなかった。
【００９０】
更に、製造された金属ベース層付樹脂フィルムの一部を切り出し、第１成膜面（耐熱性ポリイミドフィルムＦの一方の面に形成された金属シード層と金属ベース層）、および、第２成膜面（耐熱性ポリイミドフィルムＦの他方の面に形成された金属シード層と金属ベース層）を部分的にエッチングし、第１成膜面と第２成膜面に形成された金属膜（金属シード層と金属ベース層）の膜厚を蛍光Ｘ線膜厚計によりそれぞれ測定した結果、第１成膜面と第２成膜面とも金属シード層が約３０ｎｍ、金属ベース層が約１００ｎｍであった。
【００９１】
その後、製造された金属ベース層付樹脂フィルムの金属ベース層表面を酸で洗浄し、ＡＬＤ法によるブロッキング防止層（Ａｌ2Ｏ3）を除去した後、硫酸銅水溶液による電解めっき法によりＣｕ全体の膜厚が８μｍになるまで金属めっき層を成膜して実施例１に係る金属膜付樹脂フィルム（すなわち、金属めっき層付樹脂フィルム）を得た。
【００９２】
得られた金属膜付樹脂フィルムをサンプリングし、顕微鏡により表面凹凸の観察を行なったところ、ブロッキングに起因する凹凸は見つからなかった。
【００９３】
尚、実施例１ではＡｌ2Ｏ3によりブロッキング防止層を形成しているが、Ａｌ2Ｏ3以外の金属酸化物膜（Ｔｉ、Ｚｎ、Ｃｅ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｓｉ、Ｃｕから選ばれる金属酸化物膜）あるいは金属窒化物膜（Ｔｉ、Ｚｎ、Ｃｅ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｃｕから選ばれる金属窒化物膜）を採用することも可能である。
【００９４】
［比較例１］
図１に示した従来技術に係る両面成膜装置を用い、長尺状樹脂フィルム（長尺体）Ｆには、実施例１と同様、幅５００ｍｍ、長さ１０００ｍ、厚さ２５μｍの東レデュポン株式会社製の耐熱性ポリイミドフィルム「カプトン（登録商標）」を使用した。
【００９５】
また、実施例１と同様、金属膜（金属シード層と金属ベース層）の金属シード層はＮｉ−Ｃｒ合金膜とし、各マグネトロンスパッタリングカソード４０、４４にはＮｉ−Ｃｒ合金から成るマグネトロンスパッタリングターゲットを用い、かつ、上記金属ベース層はＣｕ膜とし、各マグネトロンスパッタリングカソード４１、４２、４３、４５、４６、４７にはＣｕから成るマグネトロンスパッタリングターゲットを用い、各マグネトロンスパッタリングカソードにはアルゴンガスを３００ｓｃｃｍで導入し、各カソード電力１０ｋＷで成膜を行った。また、巻き出しロール２０と巻き取りロール３６の張力は８０Ｎとした。
【００９６】
そして、巻き出しロール２０に耐熱性ポリイミドフィルムＦをセットし、かつ、キャンロール２４、キャンロール３２を経由させて、上記耐熱性ポリイミドフィルムＦの先端部を巻き取りロール３６に取り付けた。尚、使用する耐熱性ポリイミドフィルムＦは事前に真空乾燥処理がなされている。
【００９７】
また、キャンロール２４とキャンロール３２が設置された減圧室（スパッタリングによる成膜を行なう減圧室）を大型ドライポンプにより５Ｐａまで排気し、更に、ターボ分子ポンプとクライオコイルを用いて５×１０-3Ｐａまで排気した。また、各キャンロール２４、３２における水冷温調の設定値は２０℃とした。
【００９８】
そして、上記耐熱性ポリイミドフィルムＦの搬送速度を２ｍ／分にした後、各マグネトロンスパッタカソード４０〜４７にアルゴンガスを導入し、各マグネトロンスパッタカソードに電力を印加してスパッタリングによる成膜処理を開始した。
【００９９】
そして、上記耐熱性ポリイミドフィルムＦの長さ９９０ｍ分が通過して時点で、各マグネトロンスパッタカソードへの電力を停止し、かつ、それぞれのガス導入も停止した。
【０１００】
最後に、耐熱性ポリイミドフィルムＦの搬送を停止し、かつ、各ポンプを停止してからキャンロール２４とキャンロール３２が設置された減圧室をベント（大気開放）し、巻き出しロール２０の耐熱性ポリイミドフィルムＦの終端部を外し、全ての耐熱性ポリイミドフィルムＦを巻き取りロール３６に巻き取ってから取り外した。
【０１０１】
そして、製造された金属ベース層付樹脂フィルムを「フィルム巻き替え」にセットし、搬送速度１０ｍ／ｍｉｎで巻き替えを行ったところ、貼り付いた金属膜同士がパチパチと音を発しながら剥がれるブロッキング現象が観察され、更に、サンプリングしたシートを顕微鏡で観察したところ、金属膜（金属シード層と金属ベース層）同士が貼り付いて一部剥離されている箇所が無数にあった。
【０１０２】
更に、製造された金属ベース層付樹脂フィルムの一部を切り出し、第１成膜面（耐熱性ポリイミドフィルムＦの一方の面に形成された金属シード層と金属ベース層）、および、第２成膜面（耐熱性ポリイミドフィルムＦの他方の面に形成された金属シード層と金属ベース層）を部分的にエッチングし、第１成膜面と第２成膜面に形成された金属膜（金属シード層と金属ベース層）の膜厚を蛍光Ｘ線膜厚計によりそれぞれ測定した結果、第１成膜面と第２成膜面とも金属シード層が約３０ｎｍ、金属ベース層が約１００ｎｍであった。
【０１０３】
その後、製造された金属ベース層付樹脂フィルムの金属ベース層上に、硫酸銅水溶液による電解めっき法によりＣｕ全体の膜厚が８μｍになるまで金属めっき層を成膜して比較例１に係る金属膜付樹脂フィルム（すなわち、金属めっき層付樹脂フィルム）を得た。
【０１０４】
得られた金属膜付樹脂フィルムをサンプリングし、顕微鏡により表面凹凸の観察を行ってみたところ、ブロッキングに起因する凹凸が多数見つかった。
【産業上の利用可能性】
【０１０５】
本発明に係る両面成膜方法によれば、ブロッキング現象の無い金属ベース層付樹脂フィルムを簡便に製造できるため、この金属ベース層付樹脂フィルムを用いて得られる金属膜付樹脂フィルム（すなわち、金属めっき層付樹脂フィルム）を液晶テレビ、携帯電話等のフレキシブル配線基板に適用できる産業上の利用可能性を有している。
【符号の説明】
【０１０６】
１、１１  樹脂フィルム
２、１２  金属シード層
３、１３  金属ベース層
１４  ブロッキング防止層（金属酸化物膜若しくは金属窒化物膜）
１８  金属層（金属めっき層）
Ｆ  長尺状樹脂フィルム（長尺体）
２０  巻き出しロール
２４、３２  冷却キャンロール
２１、２２、２３、２５、２６、２７  フリーロール
２８、２９、３１、３３、３４、３５  フリーロール
３６  巻き取りロール
４０、４１、４２、４３  マグネトロンスパッタカソード
４４、４５、４６、４７  マグネトロンスパッタカソード
５０  巻き出しロール
５４、６１  冷却キャンロール
５１、５２、５３、５５、５６、５７、５８  フリーロール
５９、６０、６２、６３、６４、６７、６８  フリーロール
６６  巻き取りロール
７０、７１、７２、７３  マグネトロンスパッタカソード
７４、７５、７６、７７  マグネトロンスパッタカソード
８０、８２  第１反応室
８１、８３  第２反応室
９０  第一減圧室
９１  第二減圧室
９２  隔壁
６５  開口部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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