(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の一方の主面に形成した絶縁膜に、パターンが形成されたパターンレジストを貼り付けるレジスト貼り付け工程と、
前記絶縁膜のうち外部に露出した部分を除去する絶縁膜成形工程と、
を備え、
前記パターンレジストは、前記絶縁膜に貼り付けられたときに、前記絶縁膜における前記パターンレジストを貼り付ける貼り付け面に対向するように傾斜した外面を有し、
前記絶縁膜成形工程では、エッチング液を用いて前記絶縁膜を除去することを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項２】
前記レジスト貼り付け工程では、
ベースシート上に形成された前記パターンレジストを前記絶縁膜に貼り付け、前記絶縁膜に貼り付けられた前記パターンレジストから前記ベースシートを剥がすことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項３】
前記パターンレジストにおける前記ベースシートとは反対側の面には接着層が設けられ、
前記ベースシートと前記パターンレジストとの接合強度は、前記パターンレジストと前記接着層との接着強度、および、前記接着層と前記絶縁膜との接着強度のいずれよりも弱いことを特徴とする請求項２に記載の半導体素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子の小型化、高機能化にともない、フォトリソグラフィ技術を用いて半導体基板に微細なパターンを形成することが行われている。この微細なパターンは、絶縁膜や配線等のパターンに用いられる。
【０００３】
例えば、特許文献１に記載された半導体素子は、半導体ウエハの一方の主面に、集積回路と、集積回路に接続された接続パッドと、集積回路および接続パッドを覆う絶縁膜とを備えて構成されている。絶縁膜には、接続パッドの中央部を露出させるための開口部が形成されている。この絶縁膜の開口部は、フォトリソグラフィ技術により形成されている。
【０００４】
フォトリソグラフィ技術は、一般的に以下のような手順で行われる。すなわち、シリコン等で形成された半導体基板の表面に設けられた絶縁膜に、レジスト液を塗布する。所定のパターンが形成されたフォトマスクを通した光を、レジスト液に照射する。レジスト液に光を照射するとレジスト液の現像液に対する溶解性が変化することを利用して、絶縁膜上にパターン化されたレジストを形成する。この後でエッチングすることで、パターン化されたレジストに保護されずに露出している絶縁膜が腐食され、絶縁膜が所定のパターンに形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−１４２２４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、フォトリソグラフィ技術は、処理条件や工程が複雑であり、レジスト液に光を照射するときにパターンが抜け過ぎたり、パターンの抜けが不足したりするという問題がある。その結果として、パターン化されたレジストを用いてエッチングしたときに、絶縁膜のパターンに不具合が発生することがある。
【０００７】
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであって、絶縁膜のパターンを細部までより確実に形成できる半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、この発明は以下の手段を提案している。
本発明の半導体素子の製造方法は、半導体基板の一方の主面に形成した絶縁膜に、パターンが形成されたパターンレジストを貼り付けるレジスト貼り付け工程と、前記絶縁膜のうち外部に露出した部分を除去する絶縁膜成形工程と、を備え、前記パターンレジストは、前記絶縁膜に貼り付けられたときに、前記絶縁膜における前記パターンレジストを貼り付ける貼り付け面に対向するように傾斜した外面を有し、前記絶縁膜成形工程では、エッチング液を用いて前記絶縁膜を除去することを特徴としている。
予めパターンが形成されたパターンレジストは、レジスト液を用いたフォトリソグラフィ技術でレジストを形成する場合に比べて、細部のパターンまで正確に形成することができる。したがって、このパターンレジストをマスクとして、外部に露出する絶縁膜をエッチンング等で除去することで、絶縁膜のパターンを細部までより確実に形成することができる。
また、エッチング液を用いて絶縁膜を除去するときに、露出した絶縁膜上に付着するエッチング液の厚さは、貼り付け面に沿ってパターンレジストに近づくほど薄くなるため、パターンレジストに近づくほど、露出した絶縁膜に染み込むエッチング液の量が少なくなり、絶縁膜が除去されにくくなる。これにより、除去されずに残った絶縁膜の縁部を、縁に向かうほど薄くなるように形成することができる。
【０００９】
また、上記の半導体素子の製造方法において、前記レジスト貼り付け工程では、ベースシート上に形成された前記パターンレジストを前記絶縁膜に貼り付け、前記絶縁膜に貼り付けられた前記パターンレジストから前記ベースシートを剥がすことがより好ましい。
この発明によれば、パターンレジストに直接触れることを抑え、ベースシート上でパターンレジストを一体にして扱うことができる。これにより、絶縁膜にパターンレジストを容易に貼り付けることができる
【００１０】
また、上記の半導体素子の製造方法において、前記パターンレジストにおける前記ベースシートとは反対側の面には接着層が設けられ、前記ベースシートと前記パターンレジストとの接合強度は、前記パターンレジストと前記接着層との接着強度、および、前記接着層と前記絶縁膜との接着強度のいずれよりも弱いことがより好ましい。
この発明によれば、絶縁膜に接着層を貼り付けて絶縁膜からベースシートを剥がすと、接着強度の違いにより、絶縁膜に接着層が貼り付き、かつ、接着層にパターンレジストが貼り付いた状態で、ベースシートとパターンレジストとが分離される。このため、絶縁膜に貼り付けたパターンレジストからベースシートを容易に剥がすことができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の半導体素子の製造方法によれば、絶縁膜のパターンを細部までより確実に形成できる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の一実施形態に係る製造方法によって製造される半導体素子を示す概略断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る半導体素子の製造方法において、拡散工程後の状態を示す概略断面図である。
【図３】同半導体素子の製造方法において、絶縁膜配置工程後の状態を示す概略断面図である。
【図４】同半導体素子の製造方法において、レジスト貼り付け工程で用いられるパターンレジストの断面図である。
【図５】同半導体素子の製造方法において、レジスト貼り付け工程でパターンレジストを貼り付けている状態を説明する断面図である。
【図６】同半導体素子の製造方法において、絶縁膜成形工程でエッチング液を塗布した状態を示す概略断面図である。
【図７】同半導体素子の製造方法において、絶縁膜成形工程後の状態を示す概略断面図である。
【図８】同半導体素子の製造方法において、メサ溝形成工程後の状態を示す概略断面図である。
【図９】同半導体素子の製造方法において、表面処理工程後の状態を示す概略断面図である。
【図１０】同半導体素子の製造方法において、半田層形成工程後の状態を示す概略断面図である。
【図１１】同半導体素子の製造方法において、切断工程後の状態を示す概略断面図である。
【図１２】本発明の一実施形態の変形例に係る半導体素子の製造方法において用いられるパターンレジストを示す概略断面図である。
【図１３】同半導体素子の製造方法において、レジスト貼り付け工程後の状態を示す概略断面図である。
【図１４】同半導体素子の製造方法において、絶縁膜成形工程後の状態を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、図１〜１４を参照して本発明の一実施形態について説明する。以下では、半導体素子がメサ型ダイオードである場合を例にとって説明する。
図１に示すように、この実施形態に係るメサ型ダイオード１は、半導体基板２と、半導体基板２の両主面２ａ，２ｂに重ねて形成された電極層３，４及び半田層５，６と、を備えて大略構成されている。
半導体基板２は、第一導電型（例えばｎ型）の半導体層２１（以下、ｎ型半導体層２１と呼ぶ。）を、半導体基板２の一方の主面２ａをなす第一導電型とは反対の第二導電型（例えばｐ型）の半導体層２２（以下、ｐ型半導体層２２と呼ぶ。）と、他方の主面２ｂをなし、ｎ型半導体層２１よりも不純物濃度の高い第一導電型の半導体層２３（以下、高濃度ｎ型半導体層２３と呼ぶ。）とによって挟み込むように構成されている。
【００１６】
ｎ型半導体層２１の不純物濃度は、例えば２×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、ｐ型半導体層２２の不純物濃度は、例えば１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３である。また、高濃度ｎ型半導体層２３は、ｎ型半導体層２１よりも高く、例えば１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３である。
この半導体基板２は例えば平面視矩形状に形成されており、その一方の主面２ａの外周縁にはメサ溝７が形成されている。メサ溝７の面（内面）は、半導体基板２の一方の主面２ａから側面２ｃに向けて凹状に湾曲して傾斜している。そして、メサ溝７の面には、ｎ型半導体層２１とｐ型半導体層２２との接合界面（ＰＮ接合界面）が露出している。言い換えれば、メサ溝７は、ＰＮ接合界面よりも深く形成されている。
【００１７】
また、メサ溝７の面は、ガラスや樹脂等からなるパッシベーション膜８によって覆われている。パッシベーション膜８の厚さは、ほぼ均一となっている。また、本実施形態では、パッシベーション膜８が半導体基板２の一方の主面２ａ上まで延び、一方の主面２ａの外周縁領域も覆っている。言い換えれば、半導体基板２の一方の主面２ａに重ねて形成された第一電極層３及び半田層５は、パッシベーション膜８によって囲まれている。
さらに、半導体基板２の他方の主面２ｂの外周縁領域には、シリコン酸化膜９が形成されている。したがって、半導体基板２の他方の主面２ｂに重ねて形成された第二電極層４及び半田層６は、このシリコン酸化膜９によって囲まれている。
【００１８】
そして、各電極層３，４は、例えば、半導体基板２の各主面２ａ，２ｂ上にニッケル・シリサイド膜（Ｎｉ−Ｓｉ膜）とニッケルめっき層とを順番に積層して構成されている。
なお、第一電極層３及び半田層５を積層させた全体の厚み、および、第二電極層４及び半田層６を積層させた全体の厚みは、それぞれがパッシベーション膜８やシリコン酸化膜９の厚みよりも大きく設定されていることが好ましい。
【００１９】
次に、上記構成のメサ型ダイオード１の製造方法（以下、製造方法と呼ぶ。）の一例について説明する。
メサ型ダイオード１を製造する際には、はじめに、図２に示すように、第一導電型（例えばｎ型）の半導体基板２の一方の主面２ａに、第一導電型とは反対の第二導電型（例えばｐ型）の不純物を拡散して、第二導電型の半導体層２２（ｐ型半導体層２２）を形成する（拡散工程）。また、本実施形態の拡散工程では、半導体基板２の他方の主面２ｂに、第一の導電型（ｎ型）の不純物を拡散して、半導体基板２よりも不純物濃度の高い第一導電型の半導体層２３（高濃度ｎ型半導体層２３）を形成する。
ｐ型半導体層２２は、半導体基板２の一方の主面２ａ上にホウ素やアルミニウム等を含有するシートを配置し焼成することで形成される。一方で、高濃度ｎ型半導体層２３は、半導体基板２の他方の主面２ｂ上にリン等を含有するシートを配置し焼成することで形成される。
拡散工程後の半導体基板２は、工程前の半導体基板２と同一のｎ型半導体層２１を、半導体基板２の一方の主面２ａをなすｐ型半導体層２２と、他方の主面２ｂをなす高濃度ｎ型半導体層２３とによって挟み込むように構成されている。
【００２０】
上記拡散工程後には、図３に示すように、半導体基板２の一方の主面２ａに絶縁膜１１を、他方の主面２ｂに絶縁膜１２を、それぞれ形成する（絶縁膜配置工程）。絶縁膜１１，１２は、例えば、半導体基板２を加熱して酸化させることで形成される。
【００２１】
絶縁膜配置工程後に、絶縁膜１１，１２にパターンレジストを貼り付けるレジスト貼り付け工程を行うが、図４を用いて、このレジスト貼り付け工程で用いられるパターンレジスト３１，３６について説明する。
絶縁膜１１に貼り付けられるパターンレジスト３１は、ベースシート３２上で所定のパターンに形成されていて、パターンレジスト３１におけるベースシート３２とは反対側には接着層３３が設けられている。
パターンレジスト３１は、公知の樹脂等を用いて形成することができる。パターンレジスト３１には、感光性は必要としない。
ベースシート３２には、弾性係数が一定以上のシート状の樹脂を用いることが好ましい。パターンレジスト３１の形状が歪むのを防止するためである。
ベースシート３２とパターンレジスト３１との間には、不図示の接着剤が設けられている。
【００２２】
図４中の拡大図に示すように、パターンレジスト３１は、絶縁膜１１の外面となる貼り付け面１１ａに貼り付けられる。パターンレジスト３１の外面３１ａは、パターンレジスト３１が接着層３３を介して貼り付け面１１ａに貼り付けられたときに、貼り付け面１１ａに対して直交するように形成されている。すなわち、貼り付け面１１ａと外面３１ａとのなす角度θ１は、９０°となっている。
パターンレジスト３１に接着層３３が設けられているこの場合には、具体的には、接着層３３の接着面３３ａと外面３１ａとのなす角度を９０°にすることで、上述の角度θ１を９０°にすることができる。
単位接着面積当たりの、接着剤によるベースシート３２とパターンレジスト３１との接合強度は、パターンレジスト３１と接着層３３との接着強度、および、接着層３３と絶縁膜１１との接着強度のいずれよりも弱く設定されている。
パターンレジスト３１，３６に形成されるパターンは、絶縁膜１１，１２に形成すべきパターンとそれぞれ同一である。
【００２３】
絶縁膜１２に貼り付けられるパターンレジスト３６についても、ベースシート３７上で所定のパターンに形成されていて、パターンレジスト３６におけるベースシート３７とは反対側に接着層３８が設けられた状態で用いられる。
パターンレジスト３６、ベースシート３７、接着層３８は、パターンレジスト３１、ベースシート３２、接着層３３と同様にそれぞれ形成されている。
【００２４】
このように構成されたパターンレジスト３１，３６を用いて行われるレジスト貼り付け工程では、図５に示すように、ベースシート３２を扱うことで絶縁膜１１の貼り付け面１１ａに接着層３３を貼り付け、接着層３３を介して絶縁膜１１に貼り付けられたパターンレジスト３１からベースシート３２を剥がす。
パターンレジスト３６についても同様に、絶縁膜１２に接着層３８を貼り付け、接着層３８を介して絶縁膜１２に貼り付けられたパターンレジスト３６からベースシート３７を剥がす。
これにより、図６に示すように、半導体基板２の一方の主面２ａにパターンレジスト３１が、他方の主面２ｂにパターンレジスト３６がそれぞれ貼り付けられる。
【００２５】
レジスト貼り付け工程に続いて、絶縁膜１１，１２のうち外部に露出した部分を除去する（絶縁膜成形工程）。具体的には、エッチング液Ｌを用いた公知のウェットエッチング法により、絶縁膜１１，１２を除去する。
この場合、貼り付け面１１ａと外面３１ａとのなす角度θ１は９０°となっているため、エッチング液Ｌの厚さＴ１は、絶縁膜１１側においてはほぼ均一になる。
露出した絶縁膜１１，１２にエッチング液Ｌがほぼ均一に染み込み、絶縁膜１１，１２は、図７に示すように、所定のパターンが形成された絶縁膜パターン１１Ａ，１２Ａとなる。絶縁膜パターン１１Ａは、ほぼ均一な厚さとなる。
【００２６】
上記のように形成される絶縁膜パターン１１Ａ，１２Ａについて詳細に説明する。半導体基板２の一方の主面２ａに形成される絶縁膜パターン１１Ａは、半導体基板２の一方の主面２ａにメサ溝７（図８参照。）を形成するためのパターン（メサ溝形成用のパターン）である。
一方、半導体基板２の他方の主面２ｂに形成される絶縁膜パターン１２Ａは、後述する切断工程において半導体基板２を切断して素子単位（図１参照。）に分割する際に、切断用のガイドラインとして機能させるためのパターン（切断ガイド用のパターン）である。
絶縁膜パターン１２Ａは、メサ溝７の形成予定領域と半導体基板２の厚さ方向に重なる位置に形成されて、半導体基板２の他方の主面２ｂを複数の領域に区画している。なお、上記絶縁膜パターン１２Ａは、図１に示すメサ型ダイオード１においてシリコン酸化膜９となるものである。
【００２７】
絶縁膜成形工程後には、図８に示すように、半導体基板２の一方の主面２ａに互いに間隔をあけて複数のメサ溝７を形成し、これら複数のメサ溝７によって一方の主面２ａを複数の領域に区画する（メサ溝形成工程）。
この工程では、半導体基板２の一方の主面２ａに積層された絶縁膜パターン１１Ａ及びパターンレジスト３１をマスクとして、ドライエッチングやウェットエッチング等の任意のエッチング法を実施することで、半導体基板２の一方の主面２ａに複数のメサ溝７が形成される。
【００２８】
そして、この工程においては、メサ溝７が、半導体基板２の一方の主面２ａから窪んで形成され、ｎ型半導体層２１とｐ型半導体層２２との接合界面（ＰＮ接合界面）よりも深くなるように形成される。すなわち、上記工程後の状態では、メサ溝７の内面にはＰＮ接合界面が露出することになる。
以上のように形成されるメサ溝７は、素子単位に分割された半導体基板２（図１参照。）の一方の主面２ａの外周縁をなすものである。すなわち、メサ溝７は、半導体基板２の他方の主面２ｂ上の絶縁膜パターン１２Ａと半導体基板２の厚さ方向に重なるように形成されている。
なお、本実施形態では、上記メサ溝形成工程後にパターンレジスト３１，３６を除去するが、例えば、メサ溝形成工程前や後述する表面処理工程後にパターンレジスト３１，３６を除去してもよい。
【００２９】
その後、図９に示すように、メサ溝７の内面にガラスや樹脂等からなるパッシベーション膜８を被着する（表面処理工程）。この工程において、パッシベーション膜８は、その厚さがほぼ均一となるようにメサ溝７の内面に形成される。したがって、メサ溝７の窪み形状自体は表面処理工程後であっても維持されている。なお、図示例では、パッシベーション膜８がメサ溝７の内面全体に加え、半導体基板２の一方の主面２ａのうちメサ溝７の開口部周縁にまで形成されているが、パッシベーション膜８は少なくともメサ溝７の内面に露出するＰＮ接合界面を覆うように形成されればよい。
そして、この表面処理工程後に、絶縁膜パターン１１Ａ、パターンレジスト３１，３６、および接着層３３，３８を除去する。
【００３０】
その後、図１０に示すように、メサ溝７によって区画された半導体基板２の一方の主面２ａの複数の領域にそれぞれ第一電極層３を形成し、絶縁膜パターン１２Ａによって区画された他方の主面２ｂの複数の領域にそれぞれ第二電極層４を形成する（電極層形成工程）。これら電極層３，４は、各種めっき法や焼鈍処理、焼結処理等を実施することで形成することが可能である。
【００３１】
例えば、各電極層３，４が前述したようにニッケル・シリサイド膜とニッケルめっき層とからなる場合、上記電極層形成工程では、はじめに、無電界めっき法等によって半導体基板２の両主面２ａ，２ｂに一次ニッケルめっき層を形成する。次いで、焼鈍処理を実施することにより、半導体基板２と一次ニッケルめっき層とが反応して、半導体基板２と一次ニッケルめっき層との界面領域にニッケル・シリサイド膜が形成される。なお、焼鈍の終了後には、硝酸ボイル処理等を実施して不要の一次ニッケルめっき層を除去する。
その後、めっき法によって各ニッケル・シリサイド膜上に二次ニッケルめっき層を形成することで、電極層３，４の形成が完了する。なお、上述した二次ニッケルめっき層は、各電極層３，４におけるニッケルめっき層に相当する。
【００３２】
この電極層形成工程後には、複数の第一電極層３及び第二電極層４にそれぞれ半田層５，６を形成する（半田層形成工程）。
半田層５，６は、スクリーン印刷等の方法により形成することができる。
【００３３】
半田層形成工程に続いて、図１１に示すように、メサ溝７の底部及び絶縁膜パターン１２Ａを通るように半導体基板２を切断し、半導体基板２を素子単位に分割する切断工程を実施することで、メサ型ダイオード１が得られる。
この切断工程においては、例えば、半導体基板２の他方の主面２ｂに形成された絶縁膜パターン１２Ａをガイドラインとして、半導体基板２の他方の主面２ｂ側からメサ溝７の底部に向けて、レーザカット（レーザスクライブ）やダイシング等を実施すればよい。
なお、切断工程では、レーザカットあるいはダイシングのみ実施してもよいが、例えば、レーザカットやダイシングによって他方の主面２ｂ側にメサ溝７の底部まで到達しない切断溝を形成した後に、ブレーキングを実施してもよい。
これまで説明した工程により、メサ型ダイオード１が製造される。
【００３４】
以上説明したように、本実施形態の製造方法によれば、予めパターンが形成されたパターンレジスト３１は、フォトリソグラフィ技術でレジストを形成する従来の方法に比べて、細部のパターンまで正確に形成することができる。したがって、絶縁膜成形工程において、このパターンレジスト３１をマスクとして、外部に露出する絶縁膜１１をエッチング法等で除去して絶縁膜パターン１１Ａを形成したときに、絶縁膜パターン１１Ａの形状を細部までより確実に形成することができる。
【００３５】
レジスト貼り付け工程では、ベースシート３２を用いてパターンレジスト３１を絶縁膜１１に貼り付けているため、パターンレジスト３１に直接触れることを抑え、ベースシート３２上でパターンレジスト３１を一体にして扱うことができる。これにより、絶縁膜１１にパターンレジスト３１を容易に貼り付けることができる。
ベースシート３２とパターンレジスト３１との接合強度は、パターンレジスト３１と接着層３３との接着強度、および、接着層３３と絶縁膜１１との接着強度のいずれよりも弱い。絶縁膜１１に接着層３３を貼り付けて絶縁膜１１からベースシート３２を剥がすと、接着強度の違いにより、絶縁膜１１に接着層３３が貼り付き、かつ、接着層３３にパターンレジスト３１が貼り付いた状態で、ベースシート３２とパターンレジスト３１とが分離される。このため、絶縁膜１１に貼り付けたパターンレジスト３１からベースシート３２を容易に剥がすことができる。
【００３６】
パターンレジスト３１は、絶縁膜１１の貼り付け面１１ａに貼り付けたときに貼り付け面１１ａに直交する外面３１ａを有している。これにより、エッチング液Ｌを用いて絶縁膜１１を除去するときに、露出した絶縁膜１１上に付着するエッチング液Ｌの厚さＴ１が場所によらずほぼ均一になり、露出した絶縁膜１１にエッチング液Ｌがほぼ均一に染み込む。したがって、形成された絶縁膜パターン１１Ａの厚さを、ほぼ均一にすることができる。
【００３７】
以上、本発明の一実施形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の構成の変更等も含まれる。
たとえば、前記実施形態のレジスト貼り付け工程では、図１２に示すようなパターンレジスト４６を用いてもよい。
このパターンレジスト４６は、絶縁膜１１の貼り付け面１１ａに貼り付けたときに貼り付け面１１ａに対向するように傾斜した外面４６ａを有している。すなわち、貼り付け面１１ａと外面４６ａとのなす角度θ２は、鋭角となっている。
パターンレジスト４６に接着層３３が設けられているこの場合には、具体的には、接着層３３の接着面３３ａと外面４６ａとのなす角度を鋭角にすることで、上述の角度θ２を鋭角にすることができる。
【００３８】
このように構成されたパターンレジスト４６を用いた製造方法は、前述の本実施形態の製造方法と工程は変わらないが、用いるパターンレジスト４６の形状が変わるので、レジスト貼り付け工程および絶縁膜成形工程が以下のようになる。
レジスト貼り付け工程では、ベースシート３２を扱うことで、図１３に示すように絶縁膜１１の貼り付け面１１ａに接着層３３を貼り付け、接着層３３を介して絶縁膜１１に貼り付けられたパターンレジスト４６からベースシート３２を剥がす。
【００３９】
レジスト貼り付け工程に続いて行われる絶縁膜成形工程では、エッチング液Ｌを用いた公知のウェットエッチング法により、絶縁膜１１のうち外部に露出した部分を除去する。
この場合、貼り付け面１１ａと外面４６ａとのなす角度θ２は鋭角となっているため、絶縁膜成形工程におけるエッチング液Ｌの厚さＴ２は、貼り付け面１１ａに沿ってパターンレジスト４６に近づくほど薄くなる。パターンレジス４６に近づくほど、露出した絶縁膜１１に染み込むエッチング液Ｌの量が少なくなり絶縁膜１１が除去されにくくなるため、図１４に示すように、形成された絶縁膜パターン１１Ｂの縁部は、縁１１ｃに向かうほど薄くなるように形成される。
【００４０】
前記実施形態では、パターンレジスト３１の強度が比較的高い場合等には、レジスト貼り付け工程でベースシート３２を用いることなく、絶縁膜１１にパターンレジスト３１を直接貼り付けてもよい。
また、半導体素子はメサ型ダイオードであるとしたが、これに限ることなく、サイリスタや、プレーナ型の半導体素子にも適用可能である。
【００４１】
また、図１に類似したメサ型ダイオードの製造方法において、絶縁膜１１を必要としない場合には、図２に示す拡散後の半導体基板２の一方の主面２ａに、絶縁膜１１を介すことなくパターンレジスト３１を貼り付け、前述のメサ溝形成工程を行うことも可能である。
【符号の説明】
【００４２】
１    メサ型ダイオード（半導体素子）
２    半導体基板
２ａ  一方の主面
１１  絶縁膜
１１ａ  貼り付け面
３１、４６  パターンレジスト
３１ａ、４６ａ  外面
３２  ベースシート
３３  接着層
Ｌ    エッチング液
【図１】
0005948069.tif 000002
【図２】
0005948069.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
0005948069.tif 000015