(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹部と前記凹部を露出する開口部とを有する筐体部と、
不純物が注入された半導体材料で形成され、一方の面が前記筐体部に接合されて前記開口部を覆う蓋部と、
前記筐体部の前記開口部の周囲の前記蓋部との接合面に形成される第１金属膜と、
前記蓋部の前記一方の面において、前記第１金属膜に対応する位置に形成される第２金属膜と、
前記蓋部の他方の面において、前記第２金属膜に対応する位置に形成される第３金属膜と、
前記筐体部の前記凹部の内部に配設される電子部品と
を含み、
前記第３金属膜は、前記蓋部の前記他方の面の中央部を取り囲むように、平面視で分離して配列される複数の金属膜部である、電子装置。
【請求項２】
前記複数の金属膜部のうち、前記中央部に対して対称な位置に配置される一対の金属膜部同士の間隔は、前記蓋部の厚さよりも大きい、請求項１記載の電子装置。
【請求項３】
前記複数の金属膜部のうち、相隣接する金属膜部同士の間隔は、前記蓋部の厚さよりも大きい、請求項１又は２記載の電子装置。
【請求項４】
前記開口部は平面視で矩形であり、前記第１金属膜及び前記第２金属膜は平面視で矩形環状であり、前記複数の金属膜部は、平面視で矩形環状に配置される、請求項２又は３記載の電子装置。
【請求項５】
前記第２金属膜の断面における幅は、前記第１金属膜の断面における幅よりも狭い、請求項４記載の電子装置。
【請求項６】
前記筐体部は前記蓋部と同一の半導体材料で形成される、請求項１乃至５のいずれか一項記載の電子装置。
【請求項７】
前記半導体材料はシリコンである、請求項１乃至６のいずれか一項記載の電子装置。
【請求項８】
前記筐体部の外表面及び前記凹部の内表面を覆う絶縁層をさらに含む、請求項１乃至７のいずれか一項記載の電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、上面に開口部を有するキャビティが設けられたベース基板と、前記キャビティ内に搭載された電子部品とを備え、前記ベース基板の上面にリッドが溶接されて、前記キャビティが封止された半導体パッケージがある。この半導体パッケージでは、前記リッドは、上面に前記ベース基板のキャビティの周壁部の位置に対応する矩形の枠状であって且つ同一高さの凸状部が設けられている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−０３９０２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、従来の半導体パッケージのベース基板（筐体部）に溶接されるリッド（蓋部）はコバール等の金属で形成されているため、溶接の際に電流又は熱が拡散し、溶接に必要は電力が増大する。
【０００５】
このように従来のベース基板（筐体部）にリッド（蓋部）を溶接した中空状筐体は、溶接時に必要な電力が増大するため、効率的に製造できないという問題がある。
【０００６】
そこで、効率的に製造できる電子装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の実施の形態の電子装置は、凹部と前記凹部を露出する開口部とを有する筐体部と、不純物が注入された半導体材料で形成され、一方の面が前記筐体部に接合されて前記開口部を覆う蓋部と、前記筐体部の前記開口部の周囲の前記蓋部との接合面に形成される第１金属膜と、前記蓋部の前記一方の面において、前記第１金属膜に対応する位置に形成される第２金属膜と、前記蓋部の他方の面において、前記第２金属膜に対応する位置に形成される第３金属膜と、前記筐体部の前記凹部の内部に配設される電子部品とを含み、前記第３金属膜は、前記蓋部の前記他方の面の中央部を取り囲むように、平面視で分離して配列される複数の金属膜部である。
【発明の効果】
【０００８】
効率的に製造できる電子装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】比較例の中空状筐体及び電子装置を示す図である。
【図２】比較例の電子装置１の製造工程において、筐体部２０に蓋部３０を取り付ける工程を示す図である。
【図３】実施の形態の中空状筐体及び電子装置を示す図である。
【図４】実施の形態の電子装置１００の製造工程において、筐体部１２０に蓋部１３０を取り付ける工程を示す図である。
【図５】実施の形態の中空状筐体１１０と比較例の中空状筐体１０との断面における電流と熱の伝達経路を示す図である。
【図６】実施の形態の中空状筐体１１０と比較例の中空状筐体１０との平面における電流の伝達経路を示す図である。
【図７】比較例の蓋部３０、実施の形態の蓋部１３０、及び比較例の変形例の蓋部３０Ａの比抵抗、電流密度、及び損失を示す図である。
【図８】シリコン製の蓋部１３０を用いる場合と、コバール製の蓋部１３０を用いる場合の電流密度の分布を示す図である。
【図９】実施の形態の変形例の電子装置１００Ａの断面構造を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の電子装置を適用した実施の形態について説明するにあたり、まず、図１及び図２を用いて比較例の中空状筐体について説明する。
【００１１】
＜比較例＞
図１は、比較例の中空状筐体及び電子装置を示す図であり、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ矢視断面における分解断面図、（Ｃ）は筐体部の平面図を示す。
【００１２】
図１（Ａ）、（Ｂ）に示す比較例の電子装置１は、中空状筐体１０の内部にＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）チップ４０を実装した装置である。すなわち、電子装置１は、中空状筐体１０及びＭＥＭＳチップ４０を含む。中空状筐体１０は、電子装置１からＭＥＭＳチップ４０を除いた筐体である。
【００１３】
図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、比較例の中空状筐体１０は、筐体部２０及び蓋部３０を含む。図１（Ｃ）は、筐体部２０に蓋部３０を接合する前の状態における筐体部２０を示す平面図である。
【００１４】
筐体部２０は、凹部２１を有する直方体状の部材であり、セラミック基板を加工することによって形成される。凹部２１は、筐体部２０の上面側から直方体状に凹むように形成されており、筐体部２０に蓋部３０を接合する前の状態では、図１（Ｃ）に示すように、開口部２２から露出している。
【００１５】
凹部２１の底面には、ＭＥＭＳチップ４０が設置されている。ＭＥＭＳチップ４０は、ボンディングワイヤ４１によって、凹部２１の底面に配設される図示しないパッド等に接続されている。ＭＥＭＳチップ４０は、例えば、加速度センサのアクチュエータである。
【００１６】
筐体部２０の凹部２１は、壁部２３によって囲繞されており、開口部２２は、壁部２３によって囲まれた矩形状の開口部である。また、壁部２３は、平面視で矩形環状に形成されている。
【００１７】
壁部２３の上面には、開口部２２の周囲に沿って、めっき層２４が形成される。めっき層２４は、平面視で壁部２３の上面の矩形環状の領域に形成されている。すなわち、めっき層２４は、開口部２２を囲んで矩形状に一周するように形成されている。
【００１８】
めっき層２４は、例えば、壁部２３の上面に形成されるニッケルめっき層と、ニッケルめっき層の上に形成される金めっき層との２層構造のめっき層である。
【００１９】
蓋部３０は、コバール（Kovar）製の板状の部材である。蓋部３０の平面視での大きさは、筐体部２０の平面視での大きさと等しい。
【００２０】
このような比較例の電子装置１は、中空状筐体１０の筐体部２０の凹部２１の底面にＭＥＭＳチップ４０を実装した状態で、筐体部２０の壁部２３と蓋部３０とをめっき層２４で接合することによって製造される。筐体部２０の壁部２３と蓋部３０をめっき層２４で接合した状態では、ＭＥＭＳチップ４０が配設される筐体部２０の凹部２１は、めっき層２４及び蓋部３０によって封止される。
【００２１】
図２は、比較例の電子装置１の製造工程において、筐体部２０に蓋部３０を取り付ける工程を示す図であり、（Ａ）は図１（Ｂ）に対応する断面図、（Ｂ）は図１（Ｃ）に対応する平面図である。
【００２２】
図２（Ａ）に示すように、電子装置１は、溶接機５０を用いて、めっき層２４を溶融させ、溶融しためっき層２４で筐体部２０の壁部２３の上面と、蓋部３０の下面とを接合することによって製造される。
【００２３】
溶接機５０は、ローラ電極５１Ａ、５１Ｂを有し、ローラ電極５１Ａ、５１Ｂを蓋部３０に当接させて回転移動させながら、ローラ電極５１Ａ、５１Ｂの間に電流を流し、蓋部３０の抵抗熱を利用してめっき層２４を溶融させることにより、筐体部２０の壁部２３の上面と蓋部３０との下面をシーム溶接する。
【００２４】
めっき層２４で筐体部２０と蓋部３０とを溶融するために、溶接機５０のローラ電極５１Ａ、５１Ｂは、図２（Ａ）に示すように、蓋部３０の上面に当接される。
【００２５】
ローラ電極５１Ａからローラ電極５１Ｂに矢印で示すように電流を流すと、電流は、図２（Ａ）に示すローラ電極５１Ａからコバール製の蓋部３０を流れ、めっき層２４に到達する。このとき、電流は、図２（Ｂ）に示すめっき層２４の点Ａに到達する。点Ａは、平面視で矩形環状のめっき層２４の角部に位置する点である。
【００２６】
そして、電流は、図２（Ｂ）に矢印で示すように平面視で矩形環状のめっき層２４を流れ、点Ｂにおいてめっき層２４から蓋部３０を厚さ方向に流れ、ローラ電極５１Ｂに流れる。
【００２７】
このようにめっき層２４に電流が流れることにより、抵抗熱でめっき層２４が溶融し、ローラ電極５１Ａ、５１Ｂが移動することによって温度が低下した部分のめっき層２４が再び固化して筐体部２０と蓋部３０とを接合する。
【００２８】
ローラ電極５１Ａ、５１Ｂを蓋部３０の辺に沿って移動させることにより、めっき層２４が矩形環状の一周にわたって、筐体部２０と蓋部３０とを接合する。これにより、筐体部２０と蓋部３０とがシーム溶接によって接合される。
【００２９】
以上のように、比較例の中空状筐体１０は、セラミック製の筐体部２０と、コバール製の蓋部３０とを含み、筐体部２０と蓋部３０とをめっき層２４でシーム溶接した構造を有する。
【００３０】
ところで、比較例の中空状筐体１０は、シーム溶接する際に、コバール製の蓋部３０にローラ電極５１Ａ、５１Ｂを当接させて電流を流すと、蓋部３０の全体に電流が流れるため、電流及び熱の拡散が生じ、エネルギーの利用効率が低いという問題がある。
【００３１】
また、比較例の中空状筐体１０は、筐体部２０がセラミック製で、蓋部３０がコバール製であるため、小型化が困難である。これは、主に、セラミック基板の小型化が困難であるが要因である。
【００３２】
従って、以下で説明する実施の形態では、上述のような問題を解決した中空状筐体、及び、電子装置を提供することを目的とする。
【００３３】
＜実施の形態＞
図３は、実施の形態の中空状筐体及び電子装置を示す図であり、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は（Ａ）のＣ−Ｃ矢視断面における分解断面図、（Ｃ）は中空状筐体及び電子装置の平面図、（Ｄ）は中空状筐体の底面図、（Ｅ）は筐体部の平面図を示す。ここでは、図３（Ａ）〜（Ｅ）に示すように直交座標系（ＸＹＺ座標系）を定義する。
【００３４】
図３（Ａ）、（Ｂ）に示す実施の形態の電子装置１００は、中空状筐体１１０の内部にＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）チップ４０を実装した装置である。すなわち、電子装置１００は、中空状筐体１１０及びＭＥＭＳチップ４０を含む。中空状筐体１１０は、電子装置１００からＭＥＭＳチップ４０を除いた筐体である。
【００３５】
図３（Ａ）、（Ｂ）に示すように、実施の形態の中空状筐体１１０は、筐体部１２０及び蓋部１３０を含む。蓋部１３０は、筐体部１２０の上に接合されるため、図３（Ｃ）の平面図は、蓋部１３０の上面を示す。蓋部１３０の上面は、電子装置１００及び中空状筐体１１０の上面と同一である。
【００３６】
図３（Ｄ）は、蓋部１３０を筐体部１２０に接合する前の状態における蓋部１３０の底面を示す図である。図３（Ｅ）は、筐体部１２０に蓋部１３０を接合する前の状態における筐体部１２０を示す平面図である。
【００３７】
筐体部１２０は、凹部１２１を有する直方体状の部材であり、シリコン基板を加工することによって形成される。凹部１２１は、筐体部１２０の上面側から直方体状に凹むように形成されており、筐体部１２０に蓋部１３０を接合する前の状態では、図３（Ｅ）に示すように、開口部１２２から露出している。
【００３８】
筐体部１２０を形成するために用いるシリコン基板としては、例えば、ボロン（Ｂ）又は燐（Ｐ）が注入されたシリコン基板を用いることができる。なお、ここでは、後述する蓋部１３０が不純物の注入されたシリコン基板で形成されるため、筐体部１２０も同じシリコン基板で形成される形態について説明するが、筐体部１２０は、不純物が注入されていないシリコン基板で形成されてもよい。
【００３９】
詳細については後述するが、蓋部１３０には電流を流すため、不純物を注入したシリコン基板で蓋部１３０を形成するが、筐体部１２０には電流を流さないため、筐体部１２０を形成するシリコン基板は、不純物が注入されていなくてもよい。
【００４０】
筐体部１２０の凹部１２１は、壁部１２３によって囲繞されており、開口部１２２は、壁部１２３によって囲まれた矩形状の開口部である。また、壁部１２３は、平面視で矩形環状に形成されている。
【００４１】
筐体部１２０は、凹部１２１の内表面に、酸化膜１２０Ａが形成されている。筐体部１２０の外表面とは、筐体部１２０の底面、側面（壁部１２３の外側面）、及び、壁部１２３の上面である。凹部１２１の内表面とは、凹部１２１を形成する面であり、１つの底面と、４つの側面とを含む。
【００４２】
このため、酸化膜１２０Ａは、筐体部１２０の底面、側面（壁部１２３の外側面）、及び、壁部１２３の上面と、凹部１２１を形成する１つの底面及び４つの側面との表面に形成されている。
【００４３】
このような酸化膜１２０Ａは、例えば、シリコン基板を筐体部１２０の大きさに切断し、凹部１２１を形成した後に、表面を酸化処理することによって形成される。シリコン基板の表面を酸化することによって形成される酸化膜１２０Ａは、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）であるため、絶縁膜である。
【００４４】
壁部１２３の上面には、開口部１２２の周囲に沿って、めっき層１２４が形成される。めっき層１２４は、酸化膜１２０Ａの上に形成される。
【００４５】
めっき層１２４は、平面視で壁部１２３の上面の矩形環状の領域に形成されており、第１金属膜の一例である。すなわち、めっき層１２４は、開口部１２２を囲んで矩形状に一周するように形成されている。
【００４６】
めっき層１２４は、例えば、壁部１２３の上面に形成されるニッケルめっき層と、ニッケルめっき層の上に形成される金めっき層との２層構造のめっき層である。
【００４７】
凹部１２１の底面には、ＭＥＭＳチップ４０が設置され、ボンディングワイヤ４１によって、凹部１２１の底面に配設される図示しないパッド等に接続されている。ＭＥＭＳチップ４０は、例えば、加速度センサのアクチュエータである。
【００４８】
なお、筐体部１２０には貫通電極が形成されており、貫通電極を介してＭＥＭＳチップ４０と外部装置とが電気的に接続される。
【００４９】
また、ここでは、電子部品の一例としてＭＥＭＳチップ４０を示すが、実施の形態の中空状筐体１１０に収納される電子部品は、ＭＥＭＳチップ４０に限られない。実施の形態の中空状筐体１１０に収納される電子部品は、封止された空間（密封された空間）に収納する電子部品であればよい。例えば、電子部品として、ＩＣ（Integrated Circuit）チップのような半導体素子を中空状筐体１１０に収納してもよい。
【００５０】
蓋部１３０は、シリコン製の板状の部材である。蓋部１３０の平面視での大きさは、筐体部１２０の平面視での大きさと等しい。蓋部１３０は、例えば、シリコン基板を加工することによって形成される。
【００５１】
蓋部１３０を形成するために用いるシリコン基板としては、例えば、ボロン（Ｂ）又は燐（Ｐ）が注入されたシリコン基板を用いることができる。これは、蓋部１３０に電流を流すためである。
【００５２】
蓋部１３０は、底面（下面）にめっき層１３１が形成されている。めっき層１３１は、底面視で、矩形状の蓋部１３０の外周に沿った矩形環状の領域に形成されている。めっき層１３１が形成される矩形環状の領域は、筐体部１２０の壁部１２３の上面の矩形環状の領域に形成されるめっき層１２４と対応している。すなわち、めっき層１３１は、めっき層１２４に対応する位置に形成されている。
【００５３】
めっき層１３１は、第２金属膜の一例である。めっき層１３１は、例えば、ニッケルめっき膜を蓋部１３０の底面（下面）に形成することによって作製される。蓋部１３０はシリコン基板であるため、めっき層１３１の形成は、例えば、セミアディティブ法によって行えばよい。
【００５４】
ここで、めっき層１３１がめっき層１２４に対応する位置に形成されるとは、平面視で透過的に見た場合に、めっき層１３１が形成される領域と、めっき層１２４が形成される領域とが完全に一致する必要はなく、重複する領域が矩形環状に一周にわたって存在していればよい。
【００５５】
めっき層１３１は、めっき層１２４とシーム溶接によって接合される。また、蓋部１３０はシリコン基板で形成されている。
【００５６】
このため、めっき層１３１は、蓋部１３０が筐体部１２０の凹部１２１を封止できるように、中空状筐体１１０のＸＹ方向の外周において、一周にわたってめっき層１２４と接合されるように、蓋部１３０の底面（下面）に形成されていればよい。
【００５７】
また、蓋部１３０の上面には、めっき層１３２が形成される。めっき層１３２は、平面視で透過的に見ると、めっき層１３１と重複する領域に形成されている。すなわち、めっき層１３２は、矩形状の蓋部１３０の外周に沿った矩形環状の領域に形成されている。
【００５８】
めっき層１３２は、第３金属膜の一例である。めっき層１３２は、例えば、蓋部１３０の上面に、銅めっき膜を形成することによって作製すればよい。蓋部１３０はシリコン基板であるため、めっき層１３２の形成は、例えば、セミアディティブ法によって行えばよい。また、めっき層１３２は、めっき層１３１よりも高い融点を有していることが望ましい。
【００５９】
めっき層１３２は、めっき層１３１に対応する位置に形成されている。ここで、めっき層１３２がめっき層１３１に対応する位置に形成されるとは、平面視で透過的に見た場合に、めっき層１３２が形成される領域と、めっき層１３１が形成される領域とが完全に一致する必要はなく、重複する領域が矩形環状に一周にわたって存在していればよい。
【００６０】
図３（Ｃ）に示すように、めっき層１３２は、蓋部１３０の外周に沿った矩形環状の領域内において、互いに分離された複数の金属膜１３２Ｘ、１３２Ｙによって構築されている。金属膜１３２Ｘ、１３２Ｙは、蓋部１３０の上面の中央部を取り囲むように、平面視で分離して配列される複数の金属膜部の一例である。
【００６１】
金属膜１３２Ｘは、蓋部１３０の外周のうち、Ｘ軸方向に延伸する辺１３０Ｘ１、１３０Ｘ２に沿って配列されており、Ｙ軸方向に長手方向を有する矩形状の複数の金属膜である。複数の金属膜１３２Ｘは、Ｘ軸方向の両端の金属膜１３２Ｘを除いて、Ｘ軸方向及びＹ軸方向の長さが略同じである。また、すべての金属膜１３２Ｘは、Ｘ軸方向において、略等間隔で配置されている。
【００６２】
辺１３０Ｘ１に沿って形成される金属膜１３２Ｘと、辺１３０Ｘ２に沿って形成される金属膜１３２Ｘとは、蓋部１３０の上面の中央部を挟んでＹ軸方向において対称な位置に配置されており、Ｙ軸方向において対をなすように配置されている。ここで、辺１３０Ｘ１は、平面視で矩形状の蓋部１３０のうち、Ｙ軸負方向側においてＸ軸方向に延在する辺であり、辺１３０Ｘ２は、Ｙ軸正方向側においてＸ軸方向に延在する辺である。
【００６３】
辺１３０Ｘ１に沿って形成される金属膜１３２Ｘと、辺１３０Ｘ２に沿って形成される金属膜１３２ＸとのＹ軸方向における距離Ｄ１は、蓋部１３０の厚さ（めっき層１３１、１３２を含まないシリコン基板の厚さ）よりも長くなるように設定されている。すなわち、辺１３０Ｘ１に沿って形成される金属膜１３２Ｘと、辺１３０Ｘ２に沿って形成される金属膜１３２ＸとのＹ軸方向における間隔は、蓋部１３０のシリコン基板の厚さよりも大きい。
【００６４】
金属膜１３２Ｙは、蓋部１３０の外周のうち、Ｙ軸方向に延伸する辺１３０Ｙ１、１３０Ｙ２に沿って配列されており、Ｘ軸方向に長手方向を有する矩形状の複数の金属膜である。複数の金属膜１３２Ｙは、Ｙ軸方向の両端の金属膜１３２Ｙを除いて、Ｘ軸方向及びＹ軸方向の長さが略同じである。また、すべての金属膜１３２Ｙは、Ｙ軸方向において、略等間隔で配置されている。
【００６５】
辺１３０Ｙ１に沿って形成される金属膜１３２Ｙと、辺１３０Ｙ２に沿って形成される金属膜１３２Ｙとは、蓋部１３０の上面の中央部を挟んでＸ軸方向において対称な位置に配置されており、Ｘ軸方向において対をなすように配置されている。ここで、辺１３０Ｙ１は、平面視で矩形状の蓋部１３０のうち、Ｘ軸負方向側においてＹ軸方向に延在する辺であり、辺１３０Ｙ２は、Ｘ軸正方向側においてＹ軸方向に延在する辺である。
【００６６】
辺１３０Ｙ１に沿って形成される金属膜１３２Ｙと、辺１３０Ｙ２に沿って形成される金属膜１３２ＹとのＸ軸方向における距離Ｄ２は、蓋部１３０の厚さ（めっき層１３１、１３２を含まないシリコン基板の厚さ）よりも長くなるように設定されている。すなわち、辺１３０Ｙ１に沿って形成される金属膜１３２Ｙと、辺１３０Ｙ２に沿って形成される金属膜１３２ＹとのＸ軸方向における間隔は、蓋部１３０のシリコン基板の厚さよりも大きい。
【００６７】
以上のように、シリコン基板によって形成される蓋部１３０は、下面にめっき層１３１が形成され、上面にめっき層１３２が形成されている。蓋部１３０は、めっき層１３１及び１３２とオーミック接触している。
【００６８】
次に、図４を用いて、実施の形態の中空状筐体１１０の筐体部１２０と蓋部１３０とを接合する工程について説明する。
【００６９】
図４は、実施の形態の電子装置１００の製造工程において、筐体部１２０に蓋部１３０を取り付ける工程を示す図であり、（Ａ）は図３（Ｂ）に対応する断面図、（Ｂ）は図３（Ｅ）に対応する平面図である。
【００７０】
図４（Ａ）に示すように、電子装置１００は、溶接機５０を用いて、めっき層１２４とめっき層１３１とを溶融させ、溶融しためっき層１２４及び１３１で筐体部１２０の壁部１２３の上面と、蓋部１３０の下面とを接合することによって製造される。
【００７１】
めっき層１２４及び１３１を溶融させるために、溶接機５０のローラ電極５１Ａ、５１Ｂは、図４（Ａ）に示すように、蓋部１３０の上面に形成されるめっき層１３２に当接される。ローラ電極５１Ａ、５１Ｂは、めっき層１３２の複数の金属膜１３２Ｘ、１３２Ｙのうち、Ｙ軸方向において最も正方向側にある一対の金属膜１３２Ｙに当接されているとする。
【００７２】
ここで、蓋部１３０は不純物が注入されたシリコン基板で形成されているため、電流を流すことが可能である。
【００７３】
このため、図４（Ａ）に示すように、蓋部１３０の辺１３０Ｙ１側の金属膜１３２Ｙと、辺１３０Ｙ２側の金属膜１３２Ｙとにローラ電極５１Ａ、５１Ｂをそれぞれ当接させて、ローラ電極５１Ａからローラ電極５１Ｂの方向に電流を流すと、電流は次のように流れる。
【００７４】
すなわち、電流は、ローラ電極５１Ａから辺１３０Ｙ１側の金属膜１３２Ｙを経て、蓋部１３０を厚さ方向に流れ、めっき層１３１及び１２４に到達する。このとき、電流は、図４（Ｂ）に示すめっき層１２４の点Ａに到達する。点Ａは、辺１３０Ｙ１側の金属膜１３２Ｙのうち、Ｙ軸方向において最も正方向側にある金属膜１３２Ｙの下に位置する点である。
【００７５】
そして、電流は、図４（Ｂ）に示すように平面視で矩形環状のめっき層１２４を経て、点Ｂにおいてめっき層１３１から蓋部１３０を厚さ方向に（Ｚ軸正方向に）流れ、金属膜１３２Ｙに到達し、ローラ電極５１Ｂに流れる。なお、点Ｂは、辺１３０Ｙ２側の金属膜１３２Ｙのうち、Ｙ軸方向において最も正方向側にある金属膜１３２Ｙの下に位置する点である。
【００７６】
なお、説明の便宜上、図４（Ｂ）にはめっき層１２４に流れる電流の経路を示すが、めっき層１２４とめっき層１３１は、矩形環状に一周にわたって接触しているため、めっき層１２４に電流が流れるときには、めっき層１３１にも同様に電流が流れる。
【００７７】
ここで、ローラ電極５１Ａ、５１Ｂが当接される一対の金属膜１３２Ｙ同士の距離Ｄ２（図３（Ｃ）参照）は、蓋部１３０の厚さよりも長い。
【００７８】
すなわち、Ｘ軸方向において距離Ｄ２を隔てて配置される一対の金属膜１３２Ｙの間の蓋部１３０（シリコン基板）の抵抗値は、金属膜１３２Ｙと、蓋部１３０の厚さを隔てて蓋部１３０の下面に形成されるめっき層１３１との間の蓋部１３０（シリコン基板）の抵抗値よりも大きい。
【００７９】
このため、ローラ電極５１Ａ、５１Ｂを一対の金属膜１３２Ｙに当接させて電流を流すと、電流は、蓋部１３０の内部において、Ｘ軸方向に一対の金属膜１３２Ｙの間を直接流れるのではなく、Ｚ軸方向に金属膜１３２Ｙとめっき層１３１との間に流れる。
【００８０】
これは、Ｘ軸方向において距離Ｄ２を隔てて配置される一対の金属膜１３２Ｙの間の蓋部１３０（シリコン基板）の抵抗値よりも、金属膜１３２Ｙと、蓋部１３０の下面に形成されるめっき層１３１との間の蓋部１３０（シリコン基板）の抵抗値の方が小さいからである。
【００８１】
従って、ローラ電極５１Ａ、５１Ｂを一対の金属膜１３２Ｙに当接させて電流を流すと、一対の金属膜１３２Ｙに対して蓋部１３０の裏側（下面側）にあるめっき層１３１が加熱される。また、めっき層１３１はめっき層１２４と当接しているため、めっき層１２４にも電流が流れる。このため、めっき層１２４も抵抗熱によって加熱されて溶融する。このようにして、めっき層１３１とめっき層１２４を溶融させることができる。
【００８２】
そして、めっき層１３１とめっき層１２４とが溶融した状態で、ローラ電極５１Ａ、５１ＢをＹ軸負方向側に移動させれば、電流が流れる部分はＹ軸負方向側に移動するため、めっき層１３１とめっき層１２４は固まって接合される。
【００８３】
このため、ローラ電極５１Ａ、５１ＢをＹ軸負方向側に移動させれば、蓋部１３０の辺１３０Ｙ１、１３０Ｙ２に沿って、めっき層１２４とめっき層１３１をシーム溶接することができる。
【００８４】
なお、めっき層１３１とめっき層１２４を溶融させるためにローラ電極５１Ａ、５１Ｂを一対の金属膜１３２Ｙに当接させて電流を流すと、シリコン基板製の蓋部１３０に電流が流れることにより、蓋部１３０も発熱する。この蓋部１３０の発熱も、めっき層１３１及び１２４の溶融に寄与することがあると考えられる。
【００８５】
また、図４（Ａ）には、ローラ電極５１Ａ、５１Ｂを一対の金属膜１３２Ｙに当接させて電流を流すことによってＹ軸方向においてシーム溶接を行う状態を示すが、これは、Ｘ軸方向においても同様である。
【００８６】
一対の金属膜１３２Ｘ同士の距離Ｄ１（図３（Ｃ）参照）は、蓋部１３０の厚さよりも長い。
【００８７】
すなわち、Ｙ軸方向において距離Ｄ１を隔てて配置される一対の金属膜１３２Ｘの間の蓋部１３０（シリコン基板）の抵抗値は、金属膜１３２Ｘと、蓋部１３０の厚さを隔てて蓋部１３０の下面に形成されるめっき層１３１との間の蓋部１３０（シリコン基板）の抵抗値よりも大きい。
【００８８】
このため、ローラ電極５１Ａ、５１Ｂを一対の金属膜１３２Ｘに当接させて電流を流すと、電流は、蓋部１３０の内部において、Ｙ軸方向に一対の金属膜１３２Ｘの間を直接流れるのではなく、Ｚ軸方向において金属膜１３２Ｘとめっき層１３１との間に流れる。
【００８９】
従って、ローラ電極５１Ａ、５１Ｂを一対の金属膜１３２Ｘに当接させて電流を流すと、一対の金属膜１３２Ｘに対して蓋部１３０の裏側（下面側）にあるめっき層１３１が加熱され、めっき層１３１とめっき層１２４を効率的に溶融させることができる。
【００９０】
そして、めっき層１３１とめっき層１２４とが溶融した状態で、ローラ電極５１Ａ、５１ＢをＸ軸方向に移動させれば、電流が流れる部分はＸ軸方向に移動するため、めっき層１３１とめっき層１２４は固まって接合される。
【００９１】
このため、ローラ電極５１Ａ、５１ＢをＸ軸方向に移動させれば、蓋部１３０の辺１３０Ｘ１、１３０Ｘ２に沿って、めっき層１２４とめっき層１３１をシーム溶接することができる。
【００９２】
なお、ローラ電極５１Ａ、５１Ｂが当接されるめっき層１３２は、めっき層１３１よりも高い融点を有しているため、シーム溶接を行う際には、めっき層１３１が溶融するが、めっき層１３２は溶融しない温度になるように、電流量等を調節すればよい。
【００９３】
次に、図５及び図６を用いて、実施の形態の中空状筐体１１０（図３参照）と、比較例の中空状筐体１０（図１参照）とにおける、電流と熱の伝達経路について説明する。
【００９４】
図５は、実施の形態の中空状筐体１１０と比較例の中空状筐体１０との断面における電流と熱の伝達経路を示す図である。図６は、実施の形態の中空状筐体１１０と比較例の中空状筐体１０との平面における電流の伝達経路を示す図である。
【００９５】
図５（Ａ）は、比較例の中空状筐体１０（図１参照）における電流と熱の伝達経路を示す図であり、図５（Ｂ）は、比較例の変形例の中空状筐体１０Ａにおける電流と熱の伝達経路を示す図である。図５（Ｃ）は、実施の形態の中空状筐体１１０における電流と熱の伝達経路を示す図である。
【００９６】
なお、図５（Ａ）〜（Ｃ）には溶接機５０（図２（Ａ）及び図４（Ａ）参照）を示さないが、溶接機５０のローラ電極５１Ａ、５１Ｂでシーム溶接を行うために、蓋部の上側にローラ電極５１Ａ、５１Ｂを当接させて電流を供給する状態を示す。
【００９７】
図６（Ａ）は、図５（Ａ）に示す比較例の中空状筐体１０の蓋部３０における電流の伝達経路を示す図であり、図６（Ｂ）は、図５（Ｂ）に示す比較例の変形例の中空状筐体１０Ａの蓋部３０Ａにおける電流の伝達経路を示す図である。図６（Ｃ）は、図５（Ｃ）に示す実施の形態の中空状筐体１１０の蓋部１３０の上面における電流の伝達経路を示す図であり、図６（Ｄ）は、図６（Ｃ）に示す蓋部１３０の下面における電流の伝達経路を示す図である。
【００９８】
図５（Ａ）に示すように、比較例の中空状筐体１０では、蓋部３０がコバール製であるため、図示しないローラ電極で電流を供給すると、蓋部３０には実線の矢印で示すように電流が流れる。このとき、蓋部３０の内部では、厚さ方向（Ｚ軸負方向）に電流が流れるとともに、横方向（Ｘ軸方向）にも電流が流れる。これは、蓋部３０が導体だからである。
【００９９】
また、このとき、熱は、破線の矢印で示すように、電流と同様に、厚さ方向（Ｚ軸負方向）に伝達するとともに、横方向（Ｘ軸方向）にも伝達する。この熱は、コバール製の蓋部３０に電流が流れることにより、蓋部３０の抵抗熱によって発生する。
【０１００】
また、図６（Ａ）に示すように、平面視では、蓋部３０には、ローラ電極５１Ａからローラ電極５１Ｂに向かう方向に電流が流れる。
【０１０１】
従って、めっき層２４を溶融させることができ、蓋部３０と筐体部２０とをめっき層２４でシーム溶接することができる。
【０１０２】
このように、比較例の中空状筐体１０は、コバール製の蓋部３０の電気伝導性が高く、熱伝導性も高いため、シーム溶接が可能であるが、シーム溶接を行わない部分（蓋部３０の中央部分）にも電流と熱が伝達される。このため、電流及び熱の拡散が生じ、エネルギーの利用効率が低いという問題がある。
【０１０３】
また、図５（Ｂ）及び図６（Ｂ）に示す比較例の変形例の中空状筐体１０Ａは、図５（Ａ）及び図６（Ａ）に示す比較例の中空状筐体１０のコバール製の蓋部３０の代わりに、セラミック製の蓋部３０Ａを用いたものである。セラミック製の蓋部３０Ａの上面には、四辺に沿った矩形環状の領域に、めっき層３１が形成されている。
【０１０４】
蓋部３０Ａの上面のめっき層３１に、図６（Ｂ）に示すようにローラ電極５１Ａ、５１Ｂを当接させて電流を流すと、実線の矢印で示すように、電流は、ローラ電極５１Ａと５１Ｂとの間でめっき層３１に流れる。蓋部３０Ａはセラミック製であり、絶縁体であるため、図５（Ｂ）及び図６（Ｂ）に示すように、蓋部３０Ａには電流は流れない。
【０１０５】
このため、図６（Ｂ）に示すようにローラ電極５１Ａ、５１Ｂを当接させてめっき層３１に電流を流しても、図５（Ｂ）に示すように、熱は蓋部３０Ａの下面にあるめっき層２４には十分に届かず、めっき層２４を溶融させることは困難である。
【０１０６】
従って、比較例の変形例の中空状筐体１０Ａのように、セラミック製の蓋部３０Ａの上面にめっき層３１を形成しても、めっき層２４を溶融することは困難であり、シーム溶接によって筐体部２０と蓋部３０Ａとを接合することは困難である。また、多大な電力を消費し、製造効率が悪い。
【０１０７】
これに対して、図５（Ｃ）及び図６（Ｃ）に示すように、実施の形態の中空状筐体１１０では、不純物を注入したシリコン基板製の蓋部１３０の下面にめっき層１３１を形成するとともに、蓋部１３０の上面にめっき層１３２を形成している。めっき層１３２は、複数の金属膜１３２Ｘ、１３２Ｙ（図３（Ｃ）参照）によって構築される。
【０１０８】
このため、図６（Ｃ）に示すようにローラ電極５１Ａ、５１Ｂをめっき層１３２に当接させて電流を流すと、図５（Ｃ）及び図６（Ｄ）に示すように、めっき層１３２から蓋部１３０の厚さ方向に実線で示すように電流が流れ、電流はめっき層１３１及び１２４に到達する。
【０１０９】
この結果、めっき層１３１及び１２４の抵抗熱によってめっき層１３１及び１２４が溶融し、シーム溶接で筐体部１２０と蓋部１３０とを接合することができる。
【０１１０】
実施の形態の中空状筐体１１０では、図５（Ｃ）及び図６（Ｄ）に示すように、電流は、複数の金属膜１３２Ｘ、１３２Ｙによって構築されるめっき層１３２から蓋部１３０を厚さ方向に流れてめっき層１３１に到達する。
【０１１１】
めっき層１３１は、平面視で矩形環状であるため、蓋部１３０の中央部には電流は拡散せず、電流は矩形環状のめっき層１３１に沿って流れる。また、このとき、めっき層１３１に接しているめっき層１２４にも電流が流れる。
【０１１２】
そして、めっき層１３１とめっき層１２４が抵抗熱によって溶融し、めっき層１３１とめっき層１２４が一体化する。これにより、筐体部１２０と蓋部１３０とが接合される。
【０１１３】
従って、不純物を注入したシリコン基板製の蓋部１３０の下面にめっき層１３１を形成するとともに、上面にめっき層１３２を形成することにより、めっき層１３２から蓋部１３０を経てめっき層１３１に電流を流すことができる。そして、この結果、筐体部１２０と蓋部１３０とをシーム溶接で接合することができる。
【０１１４】
このように、不純物を注入したシリコン基板で形成する蓋部１３０は、不純物が注入された半導体であり、電圧をかければ電流が流れる。
【０１１５】
また、蓋部１３０の厚さは、蓋部１３０の上面に形成されるめっき層１３２の金属膜１３２Ｘ、１３２Ｙの対同士の距離Ｄ１、Ｄ２よりも短い長さに設定されている。
【０１１６】
このため、めっき層１３２の金属膜１３２Ｘ、１３２Ｙの対同士にローラ電極５１Ａ、５１Ｂを当接させて電流を流すと、蓋部１３０の平面方向（ＸＹ方向）には電流は殆ど流れず、厚さ方向（Ｚ方向）に選択的に電流を流すことができる。
【０１１７】
従って、蓋部１３０の中央部への電流の拡散を抑えることができ、シーム溶接の目的箇所（ローラ電極５１Ａ、５１Ｂが当接される金属膜１３２Ｘ又は１３２Ｙの対の直下のめっき層１３１）を選択的に加熱することができる。
【０１１８】
このため、エネルギーの利用効率が改善され、比較例の中空状筐体１０をシーム溶接で接合する場合よりも、より少ない電力で、シーム溶接を行うことができる。
【０１１９】
また、蓋部１３０はシリコン基板製であるため、比較例のコバール製の蓋部３０よりも熱伝導率が低い。このため、蓋部１３０の中央部への熱拡散も抑制される。
【０１２０】
以上のように、実施の形態の中空状筐体１１０では、ローラ電極５１Ａ、５１Ｂを一対の金属膜１３２Ｘに当接させて電流を流すと、電流は、不純物が注入されたシリコン基板で形成される蓋部１３０の厚さ方向に流れる。このため、シーム溶接を行う際に、電流が蓋部１３０の中央部に拡散することを抑制でき、消費電力を低減することができる。
【０１２１】
また、不純物が注入されたシリコン基板で形成される蓋部１３０を用いるため、シーム溶接を行う際に、熱が蓋部１３０の中央に拡散することを抑制できる。このことによっても、消費電力を低減することができる。
【０１２２】
従って、実施の形態によれば、効率的に製造できる中空状筐体１１０及び電子装置１００を提供することができる。
【０１２３】
また、実施の形態の中空状筐体１１０では、エネルギーの利用効率を改善できるという効果を得ることができる。
【０１２４】
また、実施の形態の中空状筐体１１０は、シリコン基板製の筐体部１２０と、シリコン基板製の蓋部とを含むため、半導体製造技術による微細化が可能である。このため、実施の形態によれば、小型化を図った中空状筐体１１０及び電子装置１００を提供することができる。
【０１２５】
特に、中空状筐体１１０にＭＥＭＳチップ４０を実装する場合は、ＭＥＭＳチップ４０の微細化とともに、中空状筐体１１０の小型化を図ることができるため、非常に小型の電子装置１００を提供することができる。また、ＭＥＭＳチップ４０は、筐体部１２０と同一のシリコン基板から一体的に形成されていてもよい。
【０１２６】
次に、図７を用いて、実施の形態の蓋部１３０、比較例の蓋部３０、及び比較例の変形例の蓋部３０Ａの比抵抗、電流密度、及び損失について説明する。
【０１２７】
図７は、比較例の蓋部３０、実施の形態の蓋部１３０、及び比較例の変形例の蓋部３０Ａの比抵抗、電流密度、及び損失を示す図である。図７に示す電流密度、及び損失は、電磁界シミュレーションによって得た値である。
【０１２８】
図７には、比較例の蓋部３０、実施の形態の蓋部１３０、及び比較例の変形例の蓋部３０Ａの材料として、コバール（蓋部３０）、シリコン（蓋部１３０）、及びアルミナ（蓋部３０Ａ）を示す。
【０１２９】
図７に示すコバール（蓋部３０）とアルミナ（蓋部３０Ａ）の比抵抗、電流密度、及び損失は、条件を揃えるために、図３に示す実施の形態の中空状筐体１１０の蓋部１３０の材質をシリコンからコバールとアルミナに変更してシミュレーションを行うことによって得た値である。
【０１３０】
すなわち、コバール（蓋部３０）とアルミナ（蓋部３０Ａ）の比抵抗、電流密度、及び損失は、図３に示すように、蓋部１３０の下面及び上面にめっき層１３１及びめっき層１３２をそれぞれ形成した状態で、蓋部１３０の材質をシリコンからコバールとアルミナに変更することによって得た値である。
【０１３１】
このため、図７の説明においては、シリコン製の蓋部１３０に加えて、コバール製の蓋部１３０とアルミナ製の蓋部１３０という表現を用いる。
【０１３２】
図７に示すように、コバールの比抵抗は４．９Ｅ−５（４．９×１０−５）Ω・ｃｍであり、シリコンの比抵抗は０．０１Ω・ｃｍであり、アルミナの比抵抗は１Ｅ１０（１．０×１０１０）Ω・ｃｍであった。
【０１３３】
コバールは金属（合金）であり、導電体であるため、比抵抗が非常に低い。また、アルミナは絶縁体であるため、比抵抗が非常に高い。これらに対して、不純物を注入したシリコンは、比抵抗はコバールとアルミナの比抵抗の中間値よりはコバール寄りの値を示した。
【０１３４】
なお、ニッケルめっき膜製のめっき層１３１の比抵抗は、コバール、シリコン、アルミナのすべての場合において、１Ｅ−４（１．０×１０−４）Ω・ｃｍである。
【０１３５】
また、電流密度は、コバールで５．２Ｅ１０（５．２×１０１０）Ａ／ｍ２、シリコンで１．１Ｅ１１（１．１×１０１１）Ａ／ｍ２であった。なお、アルミナは絶縁体であり、電流が流れないため、電流密度の値は得られていない。
【０１３６】
このように、電流密度は、コバールよりもシリコンの方が高い値を示した。これは、コバールよりもシリコンの方が比抵抗が高いため、電流の拡散が抑制されて電流密度が上昇したためと考えられる。
【０１３７】
また、損失（抵抗損）は、コバールで２．４Ｅ１４（２．４×１０１４）Ｗ／ｍ３、コバール製の蓋部１３０の下面のめっき層１３１で１．５Ｅ１４（１．５×１０１４）Ｗ／ｍ３であった。
【０１３８】
これに対して、シリコンの場合の損失は、７．８Ｅ１４（７．８×１０１４）Ｗ／ｍ３、シリコン製の蓋部１３０の下面のめっき層１３１で５．２Ｅ１４（５．２×１０１４）Ｗ／ｍ３であった。
【０１３９】
すなわち、シリコン製の蓋部１３０を用いた方が損失が大きいことが分かった。これは、コバール製の蓋部１３０よりもシリコン製の蓋部１３０を用いる方が、比抵抗が大きく、電流密度が高いため、損失も大きくなったためである。
【０１４０】
シリコン製の蓋部１３０を用いる方が、コバール製の蓋部１３０を用いるよりも損失が大きいということは、シリコン製の蓋部１３０を用いる方が、めっき層１３１が効率よく加熱されることを意味している。
【０１４１】
すなわち、図７の結果より、コバール製の蓋部１３０を用いてシーム溶接を行う場合よりも、シリコン製の蓋部１３０を用いてシーム溶接を行う方が、めっき層１３１の発熱効率が高く、より少ない電力でシーム溶接を行えることが分かる。
【０１４２】
次に、図８を用いて、シリコン製の蓋部１３０を用いる場合と、コバール製の蓋部１３０を用いる場合の電流密度の分布について説明する。
【０１４３】
なお、図８に示す電流密度は、図７と同様に、実施の形態の中空状筐体１１０の構造において、蓋部１３０の材質がシリコンの場合（実施の形態）と、蓋部１３０の材質がコバールの場合とで得た電磁界シミュレーション結果である。このため、図８の説明では、シリコン製の蓋部１３０に加えて、コバール製の蓋部１３０という表現を用いる。
【０１４４】
図８は、シリコン製の蓋部１３０を用いる場合と、コバール製の蓋部１３０を用いる場合の電流密度の分布を示す図である。
【０１４５】
図８（Ａ）は、めっき層１２４の銅層、ニッケル層、及び金層と、めっき層１３１のニッケル層とにおける電流密度を示す。
【０１４６】
めっき層１２４の銅（Ｃｕ）層、ニッケル（Ｎｉ）層、及び金（Ａｕ）層と、めっき層１３１のニッケル（Ｎｉ）層とは、筐体部１２０の壁部１２３と、蓋部１３０との間で、図８（Ｂ）に示すように重ねられている。
【０１４７】
このように、図８には、めっき層１２４が３層構造の場合についてシミュレーションを行った結果を示す。また、図８には、めっき層１３１の幅が、めっき層１２４の幅よりも狭い場合を示す。これは、めっき層１３１を幅狭くすることにより、めっき層１３１を電流が流れる際に、めっき層１３１の内部での電流密度を高くすることができるからである。電流密度を高くできれば、めっき層１３１での発熱量を多くすることができ、めっき層１３１及びめっき層１２４を効率的に溶融させることができるからである。
【０１４８】
図８（Ａ）の横軸方向に示すＣｕ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｎｉは、めっき層１２４の銅（Ｃｕ）層、ニッケル（Ｎｉ）層、及び金（Ａｕ）層と、めっき層１３１のニッケル（Ｎｉ）層に対応する。
【０１４９】
また、図８（Ａ）に示す実線の特性は、シリコン製の蓋部１３０を用いた場合の電流密度であり、破線で示す特性は、コバール製の蓋部１３０を用いた場合の電流密度である。
【０１５０】
図８（Ａ）に示すように、コバール製の蓋部１３０を用いる場合よりも、シリコン製の蓋部１３０を用いた場合の方が、めっき層１２４の銅（Ｃｕ）層、ニッケル（Ｎｉ）層、及び金（Ａｕ）層と、めっき層１３１のニッケル（Ｎｉ）層のすべての領域にわたって、電流密度が高かった。
【０１５１】
ここで、めっき層１２４の銅（Ｃｕ）層、ニッケル（Ｎｉ）層、及び金（Ａｕ）層のうちで、ニッケル（Ｎｉ）層における電流密度が最も低いのは、ニッケル（Ｎｉ）層よりも銅（Ｃｕ）層と金（Ａｕ）層の方が抵抗値が低いからである。
【０１５２】
また、めっき層１２４の金（Ａｕ）層よりも、めっき層１３１のニッケル（Ｎｉ）層の方が電流密度が高いのは、めっき層１３１の幅をめっき層１２４の幅よりも細く（狭く）したためと考えられる。
【０１５３】
このように、めっき層１３１の幅をめっき層１２４の幅よりも細く（狭く）したことにより、めっき層１３１での発熱量を多くすることができ、めっき層１３１及びめっき層１２４を効率的に溶融させることができる。
【０１５４】
以上のように、不純物を注入したシリコン基板で形成した蓋部１３０を用い、蓋部１３０の下面にめっき層１３１を形成するとともに、上面にめっき層１３２を形成することにより、シーム溶接を行う際におけるめっき層１２４及び１３１内での電流密度を高くできることが分かった。
【０１５５】
従って、不純物を注入したシリコン基板で形成した蓋部１３０を用い、蓋部１３０の下面にめっき層１３１を形成するとともに、上面にめっき層１３２を形成することにより、めっき層１２４及び１３１の発熱効率が高く、より少ない電力で効率的にシーム溶接を行えることが分かる。
【０１５６】
最後に、図９を用いて、実施の形態の変形例について説明する。
【０１５７】
図９は、実施の形態の変形例の電子装置１００Ａの断面構造を示す図である。図９に示す断面は、図３（Ｂ）に示す断面に対応する。
【０１５８】
実施の形態の電子装置１００（図３参照）は、筐体部１２０がシリコン基板で形成されているため、１つの電子装置１００を形成するためにシリコンウェハをダイシングして１つの筐体部１２０を形成する前に、シリコンウェハに複数の個片化する前の筐体部１２０を形成してもよい。
【０１５９】
図９に示す電子装置１００Ａは、複数の電子装置１００を一括的に製造し、個片化を行う前の状態のものである。図４には、一例として、４つの電子装置１００を含む電子装置１００Ａを示すが、シリコンウェハに複数の個片化する前の筐体部１２０を形成する場合には、多数の電子装置１００を含む電子装置１００Ａを一括的に製造することができる。
【０１６０】
このように、複数の電子装置１００を一括的に製造する場合は、製造コストの低減を図ることができる。
【０１６１】
なお、図９には４つの電子装置１００の４つの蓋部１３０が分離されている状態を示すが、４つの蓋部１３０は一体的に形成されていてもよく、個片化の際に蓋部１３０が分離されるようにしてもよい。
【０１６２】
以上、実施の形態によれば、シーム溶接に必要な電力の低減を図れるので、省電力化を図ることができる。
【０１６３】
また、シーム溶接を行う際に、電流と熱が蓋部１３０の中央に拡散することを抑制できるので、エネルギーの利用効率の改善を図ることができる。
【０１６４】
また、小型化を図った中空状筐体１１０及び電子装置１００を提供することができる。
【０１６５】
また、比較例の中空状筐体１０（図１参照）は、筐体部２０がセラミック基板であって、蓋部３０がコバール製であるため、筐体部２０と蓋部３０との線膨張係数が大きく異なる。このように線膨張係数が大きく異なる場合には、シーム溶接のように加熱を伴う製造工程では、複数の電子装置１を一括的に製造することが困難な場合がある。
【０１６６】
また、ある程度大きな電子装置１を作製したい場合に、線膨張係数の違いにより、作製が困難になる場合がある。これは、シーム溶接のために加熱された筐体部２０と蓋部３０の温度が下がったときに、セラミック基板製の筐体部２０よりも、コバール製の蓋部３０の方が収縮率が大きいからである。
【０１６７】
これに対して、実施の形態の中空状筐体１１０（図３参照）は、筐体部１２０と蓋部１３０がともにシリコン基板製であるため、線膨張係数による不具合は生じにくく、複数の中空状筐体１１０又は電子装置１００の一括的な製造が可能である。また、中空状筐体１１０又は電子装置１００の大型化が可能である。
【０１６８】
なお、以上では、めっき層１３２が平面視で蓋部１３０の上面に矩形環状に形成される形態について説明したが、シーム溶接時に電流が蓋部１３０の厚さ方向に流れ、電流又は熱の蓋部１３０の中央部への熱拡散が問題にならない場合は、蓋部１３０の上面の一面にめっき層１３２を形成してもよい。この場合に、めっき層１３２は、複数の金属膜１３２Ｘ、１３２Ｙに分離されていても、分離されていなくてもよい。
【０１６９】
また、図３（Ｃ）に示す金属膜１３２Ｘ、１３２Ｙの各々の形状は一例であり、他の形状であってもよい。また、図３（Ｃ）に示す金属膜１３２Ｘ、１３２Ｙの配置パターンは一例であり、他のパターンで配置されてもよい。
【０１７０】
また、以上では、一対の金属膜１３２Ｘ同士の間の距離Ｄ１、及び、一対の金属膜１３２Ｙ同士の間の距離Ｄ２が蓋部１３０の厚さよりも大きい形態について説明した。しかしながら、この条件に加えて、さらに、平面視で隣り合う金属膜１３２Ｘ、１３２Ｙの間隔が、蓋部１３０の厚さよりも広くなるようにしてもよい。隣接する金属膜１３２Ｘ、１３２Ｙへ電流が流れにくくすることにより、電流密度を高くして、シーム溶接の効率をさらに改善するためである。
【０１７１】
なお、以上では、筐体部１２０と蓋部１３０がシリコン基板製である形態について説明したが、筐体部１２０と蓋部１３０を形成するのは、シリコン以外の材料で形成された半導体基板であってもよい。
【０１７２】
また、筐体部１２０については、半導体基板ではなくてもよい。例えば、アルミナ等のセラミック製の基板を用いて、筐体部１２０を作製してもよい。セラミック製の筐体部１２０と、半導体基板製の蓋部１３０とであれば、線膨張係数の問題も生じにくい。
【０１７３】
以上、本発明の例示的な実施の形態の電子装置について説明したが、本発明は、具体的に開示された実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲から逸脱することなく、種々の変形や変更が可能である。
【符号の説明】
【０１７４】
４０  ＭＥＭＳチップ
１００  電子装置
１１０  中空状筐体
１２０  筐体部
１２１  凹部
１２２  開口部
１２３  壁部
１２４  めっき層
１３０  蓋部
１３１、１３２  めっき層
１３２Ｘ、１３２Ｙ  金属膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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