(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶組成物の総重量に基いて、以下を含む液晶組成物；
式Ｉ−１（化合物Ｉ）７重量％
【化１】
0005848447.tif 000029
式Ｉ−２（化合物Ｉ）７重量％
【化２】
0005848447.tif 000030
式Ｉ−３（化合物Ｉ）７重量％
【化３】
0005848447.tif 000031
式ＩＩ−１（化合物ＩＩ）４６重量％
【化４】
0005848447.tif 000032
式ＩＩ−２（化合物ＩＩ）５重量％
【化５】
0005848447.tif 000033
式ＩＩＩ−１（化合物ＩＩＩ）６重量％
【化６】
0005848447.tif 000034
式ＩＩＩ−２（化合物ＩＩＩ）６重量％
【化７】
0005848447.tif 000035
式ＩＩＩ−３（化合物ＩＩＩ）６重量％
【化８】
0005848447.tif 000036
式ＩＩＩ−４（化合物ＩＩＩ）５重量％
【化９】
0005848447.tif 000037
式ＩＩＩ−５（化合物ＩＩＩ）５重量％
【化１０】
0005848447.tif 000038
または、液晶組成物の総重量に基いて、以下を含む液晶組成物；
式Ｉ−１（化合物Ｉ）６重量％
【化１１】
0005848447.tif 000039
式Ｉ−２（化合物Ｉ）６重量％
【化１２】
0005848447.tif 000040
式Ｉ−３（化合物Ｉ）７重量％
【化１３】
0005848447.tif 000041
式ＩＩ−１（化合物ＩＩ）４６重量％
【化１４】
0005848447.tif 000042
式ＩＩ−２（化合物ＩＩ）５重量％
【化１５】
0005848447.tif 000043
式ＩＩＩ−１（化合物ＩＩＩ）６重量％
【化１６】
0005848447.tif 000044
式ＩＩＩ−２（化合物ＩＩＩ）６重量％
【化１７】
0005848447.tif 000045
式ＩＩＩ−３（化合物ＩＩＩ）６重量％
【化１８】
0005848447.tif 000046
式ＩＩＩ−６（化合物ＩＩＩ）６重量％
【化１９】
0005848447.tif 000047
式ＩＩＩ−７（化合物ＩＩＩ）６重量％
【化２０】
0005848447.tif 000048
または、液晶組成物の総重量に基いて、以下を含む液晶組成物、
式Ｉ−１（化合物Ｉ）６重量％
【化２１】
0005848447.tif 000049
式Ｉ−２（化合物Ｉ）６重量％
【化２２】
0005848447.tif 000050
式Ｉ−３（化合物Ｉ）７重量％
【化２３】
0005848447.tif 000051
式ＩＩ−１（化合物ＩＩ）４７重量％
【化２４】
0005848447.tif 000052
式ＩＩ−３（化合物ＩＩ）６重量％
【化２５】
0005848447.tif 000053
式ＩＩＩ−１（化合物ＩＩＩ）４重量％
【化２６】
0005848447.tif 000054
式ＩＩＩ−２（化合物ＩＩＩ）４重量％
【化２７】
0005848447.tif 000055
式ＩＩＩ−６（化合物ＩＩＩ）５重量％
【化２８】
0005848447.tif 000056
式ＩＩＩ−７（化合物ＩＩＩ）６重量％
【化２９】
0005848447.tif 000057
式ＩＩＩ−８（化合物ＩＩＩ）２重量％
【化３０】
0005848447.tif 000058
式ＩＶ−１（化合物ＩＶ）４重量％
【化３１】
0005848447.tif 000059
式Ｖ−１（化合物Ｖ）３重量％。
【化３２】
0005848447.tif 000060
【請求項２】
請求項１に記載の液晶組成物を含む液晶ディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＡＭ（活性マトリクス）装置などに用いる液晶組成物、およびその液晶組成物を含有するＡＭ装置に関し、特に、ネマチック相を有する組成物および正の誘電率異方性を有する組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶の表示モードに基づく液晶ディスプレイ装置に関して、その液晶ディスプレイ装置は、ＰＣ（相変化）、ＴＮ（ねじれネマチック）、ＳＴＮ（超ねじれネマチック）、ＥＣＢ（電気制御複屈折）、ＯＣＢ（光学補償ベンド）、ＩＰＳ（面内スウィッチング）、ＶＡ（垂直アライメント）などに分類されうる。装置の走行モードに基いて、液晶ディスプレイ装置は、ＰＭ（単純マトリクス）型およびＡＭ（活性マトリクス）型に分類され得る。ＰＭは、静的型、多重型などに分類され、およびＡＭはＴＦＴ（薄膜トランジスタ）型、ＭＩＭ（金属−絶縁体−金属）型などに分類される。ＴＦＴ型は非晶ケイ素および多結晶ケイ素を含む。多結晶ケイ素は、その製造プロセスに基いて高温型および低温型に分類される。光源の型に基いて、液晶ディスプレイ装置は自然光を用いる反射型、バックグラウンドを用いる透過型、および自然光とバックグラウンドの両方を用いる反透過型に分類される。
【０００３】
液晶材料は、良好な化学安定性および熱的安定性ならびに電場および電磁放射線に対する良好な安定性を有することが必要とされる。加えて、液晶材料は、粘度が低く、高速応答時間、低スレショルド電圧および高いコントラスト比を有するべきである。液晶組成物の種々の性能指数は、良好な特徴を有するＡＭ装置を得るために改良されている。液晶組成物の一つの性能とＡＭ装置の対応する性能の関係は以下の表１にまとめられている。組成物の種々の性能指数は、市販のＡＭ装置に基づきさらに説明されるだろう。ネマチック相の温度範囲は装置の動作温度範囲に関する。ネマチック相の望ましい上限温度は７０℃以上であり、ネマチック相の望ましい下限温度は−１０℃以下である。組成物の粘度は、装置の応答時間に関する。装置の高速応答時間は、装置において動画を映し出すのに望ましい。したがって、低粘度の組成物が望ましい。低温で低粘度の組成物がより望ましい。
【０００４】
【表１】
0005848447.tif 000002
【０００５】
組成物の光学異方性は、装置のコントラスト比に関する。液晶組成物の光学異方性（Δｎ）の生産物価値（Δｎ＊ｄ）および液晶層の厚さ（ｄ）は、固定値であると設定され得る。好適な生産物価値は、操作モードの種類に応じる。ＴＮ型である装置において、好適な値は、およそ０．４５μｍである。この場合、大きい光学異方性を有する組成物は、小さい厚さの液晶層を有する装置に好ましい。大きい誘電率異方性の組成物は、装置の低いスレショルド電圧、小さい電力消費量および大きいコントラスト比に寄与する。したがって、大きい誘電率異方性が望ましい。大きい比抵抗の組成物は、装置の大きい電圧保持比および大きいコントラスト比に寄与する。したがって、大きい比抵抗を有する組成物は、初期段階において室温および高温でも望ましい。室温および高温でも大きい比抵抗を有する組成物は、装置を長時間用いた後に望ましい。紫外線および熱への組成物の安定性は、液晶ディスプレイ装置の耐用年数に関する。安定性が高いときに、装置の耐用年数は長い。これらの特徴は液晶プロジェクター、液晶テレビなどに用いられるＡＭ装置に望ましい。
【０００６】
望ましいＡＭ装置は、広く有用な温度範囲、短い応答時間、大きいコントラスト比、低いスレショルド電圧、大きい電圧保持比、長い耐用年数、などを有することを特徴づけられる。まさに１ミリ秒の短い応答時間が望ましい。したがって、ネマチック相の高い上限温度、ネマチック相の低い下限温度、低粘度、大きい光学異方性、大きい誘電率異方性、大きい比抵抗、紫外光に対する高い安定性、熱に対する高い安定性、などの特徴を有する組成物がとりわけ望ましい。
【０００７】
１つの液晶化合物は、普通、その特徴などを提供するのは難しく、したがって、通常、様々な他の液晶化合物と混合して組成物を調製する。それゆえ、われわれは上述した利点を有する液晶組成物を必要とする。特許文献１で述べられている化合物は液晶組成物に配合され、より良好な特性となるだろう。当該化合物の構造は、以下のとおりである。
【化１】
0005848447.tif 000003
【０００８】
しかしながら、その特許出願で述べられている化合物の誘電率異方性は、まだ十分大きくはない。
【０００９】
特許文献２において、その発明の構造は、以下のとおりである。
【化２】
0005848447.tif 000004
【００１０】
しかしながら、その文献で述べられている化合物は、本発明のみの要求を満たすことはできない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】中国特許１８２３１５１（Ａ）号
【特許文献２】欧州特許出願公開第２２９２７２０（Ａ１）号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明の目的の１つは、ネマチック相の高い上限温度、ネマチック相の低い下限温度、低粘度、大きい光学異方性、大きい誘電率異方性、大きい比抵抗、紫外光に対する高い安定性、熱に対する高い安定性、などの特徴の少なくとも１つの特徴を満たす液晶組成物を提供することである。本発明の別の目的は、上記特徴の少なくとも２つに関して適切にバランスのとれている液晶組成物を提供することである。本発明の別の目的は、そのような組成物を含む液晶ディスプレイ装置を提供することである。本発明の別の目的は、大きい光学異方性、大きい誘電率異方性、紫外光に対する高い安定性などの特徴を有する組成物を含むＡＭ装置および、高速応答時間、大きい電圧保持比、大きいコントラスト比、高耐用性などの特徴を有するＡＭ装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の１つの態様は、液晶組成物の総重量に基いて、以下を含む液晶組成物を提供する；
８重量％〜５０重量％の一般式（Ｉ）で表される化合物、
【化３】
0005848447.tif 000005
１０重量％〜７０重量％の一般式（ＩＩ）で表される化合物、
【化４】
0005848447.tif 000006
５重量％〜５０重量％の一般式（ＩＩＩ）で表される化合物、
【化５】
0005848447.tif 000007
０重量％〜２０重量％の一般式（ＩＶ）で表される化合物、
【化６】
0005848447.tif 000008
０重量％〜１５重量％の一般式（Ｖ）で表される化合物、
【化７】
0005848447.tif 000009
式中、
Ｒ１は、Ｃ１−１０アルキルであり、
Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、独立に、Ｃ１−１０アルキルまたはアルコキシ、Ｃ２−１０アルケニルまたは任意の水素原子はフッ素原子で置換されているＣ２−１０アルケニルであり、
Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３およびＸ４は、独立に水素またはフッ素であり、ここでＸ１およびＸ２は、同時に水素またはフッ素ではなく、
Ｚは、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−（ＣＨ２）４−、−Ｃ２Ｆ４−、−ＣＨ２ＣＦ２−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−ＣＨ＝ＣＨ−または単結合であり、ならびに
ｍ、ｎは、０または１であり、
Ａ１、Ａ２、Ａ３はｔｒａｎｓ−１，４−シクロヘキシリデンまたは１，４−フェニレンであり、
Ａ４、Ａ５およびＡ６は、独立に以下の基の一つを表し：
【化８】
0005848447.tif 000010
Ｒ５、Ｒ６は、独立にＣ１−１０アルキルまたはＣ２−１０アルケニルであり、
Ｒ７、Ｒ８は、独立にＣ１−１０アルキルであり、
Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７およびＸ８は、独立に水素またはフッ素であり、ならびに、それぞれの場合、それぞれの場合、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７およびＸ８の一つだけフッ素であり得、他はすべて水素であり得る。
【００１４】
本発明の別の態様は、本発明の液晶組成物を含む液晶ディスプレイ装置を提供する。
【００１５】
特に、本発明は、上記組成物を含有する液晶組成物および液晶ディスプレイ装置に関する。上記液晶組成物は、第一構成成分として式（Ｉ）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物、第二構成成分として式（ＩＩ）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物、および第三構成成分として式（ＩＩＩ）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物を含み，および上記液晶組成物はネマチック相を有する。
【００１６】
【化９】
0005848447.tif 000011
【００１７】
上記一般式（Ｉ），（ＩＩ）および（ＩＩＩ）によって表される化合物において、
Ｒ１は、Ｃ１−１０アルキル、好ましくはＣ２−７アルキルであり、
Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、独立に、Ｃ１−１０アルキルまたはアルコキシ、Ｃ２−１０アルケニルまたは任意の水素原子はフッ素原子で置換されているＣ２−１０アルケニルであり、好ましくは、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、独立に、Ｃ２−７アルキルまたはアルコキシ、Ｃ２−７アルケニルまたは任意の水素原子はフッ素原子で置換されているＣ２−７アルケニルであり、
Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３およびＸ４は、独立に水素またはフッ素であり、ここでＸ１およびＸ２は、同時に水素またはフッ素ではない、
Ｚは、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−（ＣＨ２）４−、−Ｃ２Ｆ４−、−ＣＨ２ＣＦ２−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−ＣＨ＝ＣＨ−または単結合であり、好ましくは、−ＣＦ２Ｏ−、−ＣＨ２ＣＨ２−または単結合であり、および
ｍ、ｎは、０または１であり、ここでｍは好ましくは０であり、
一般式（Ｉ）および（ＩＩ）におけるＡ１、Ａ２、Ａ３は独立にｔｒａｎｓ−１，４−シクロヘキシリデンまたは１，４−フェニレンであり、
一般式（ＩＩＩ）におけるＡ４、Ａ５およびＡ６は独立に以下の基から選択される。
【化１０】
0005848447.tif 000012
【００１８】
好ましくは、一般式（ＩＩＩ）におけるＡ４、Ａ５およびＡ６は独立に以下の基から選択される。
【化１１】
0005848447.tif 000013
【００１９】
本発明の液晶組成物において、一般式（Ｉ）で表されるタイプＩの単量体は、極めて高い光学異方性を有し、可能な液晶組成物の屈折率を増加させる。アルケン鎖の末端は、２つのフッ素原子を含むので、より大きい誘電率異方性が成し遂げられ得、紫外光に対する安定性、熱に対する安定性などの機能は同時に増強される。
【００２０】
本発明の液晶組成物において、一般式（ＩＩ）で表されるタイプＩＩの単量体は、低粘度および低融点を有し。生成物の応答時間を大きく改善し、混合された液晶に良好な混和性を与える。
【００２１】
本発明の液晶組成物において、一般式（ＩＩＩ）で表されるタイプＩＩＩの化合物は、高極性を有し、可能な液晶組成物のスレショルド電圧を低下させる。
【００２２】
本発明の液晶組成物は、１以上の一般式（Ｉ）に係るタイプＩの化合物、１以上の一般式（ＩＩ）に係るタイプＩＩの化合物、１以上の一般式（ＩＩＩ）に係るタイプＩＩＩの化合物を含む。
【００２３】
本発明は、本発明の液晶組成物の第四構成成分として一般式（ＩＶ）で表される１以上の化合物をさらに含むことができる。
【化１２】
0005848447.tif 000014
式中、Ｒ５、Ｒ６は、独立にＣ１−１０アルキル、Ｃ２−１０アルケニル、好ましくは、Ｃ２−７  アルキルまたはＣ２−７アルケニルである。
【００２４】
一般式（ＩＶ）によって表されるタイプＩＶの化合物は、より低粘度を有し、液晶組成物の動作温度の上限を特定の温度に上昇しうる。
【００２５】
本発明は、第五構成成分として一般式（Ｖ）で表される１以上の化合物をさらに含むことができる。
【化１３】
0005848447.tif 000015
式中、Ｒ７、Ｒ８は、独立にＣ１−１０アルキル、好ましくはＣ２−７アルキルである。Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７およびＸ８は、独立に水素またはフッ素であり、それぞれの場合、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７およびＸ８の一つだけフッ素であり得、他はすべて水素であり得る
【００２６】
一般式（Ｖ）によって表されるタイプＶの化合物は、極めて高い透明点を有し、液晶組成物の動作温度の上限を大きく上昇し得る。
【００２７】
本発明の上記ネマチック液晶組成物の構成成分の比は、それぞれ、一般式（Ｉ）で表される化合物は８％〜５０％、一般式（ＩＩ）で表される化合物は１０％〜７０％、一般式（ＩＩＩ）で表される化合物は５％〜５０％、一般式（ＩＶ）で表される化合物は０％〜２０％、一般式（Ｖ）で表される化合物は０％〜１５％である。好ましくは、上記液晶組成物は、１０％〜４０％の一般式（Ｉ）で表される化合物、１５％〜６５％の一般式（ＩＩ）で表される化合物、６％〜４０％の一般式（ＩＩＩ）で表される化合物、０％〜１５％の一般式（ＩＶ）で表される化合物、および０％〜１０％の一般式（Ｖ）で表される化合物を含む。
【００２８】
本発明は、以下に詳述される実施形態を組み合わせて説明される。以下の実施例は本発明の最適条件であり、本発明を説明するためにだけ用いられ、本発明を限定するものではないことに留意されたい。本発明の概念の範囲内での他の組み合わせおよび種々の変更は本発明の主題および範囲から逸脱せずに可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１Ａ】式（Ｉ−２）の化合物の合成経路である。
【図１Ｂ】上記合成で得られた式（Ｉ−２）の化合物の質量スペクトルである。
【図２】式（Ｉ−３）の化合物の質量スペクトルである。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
表現の便宜のため、以下の実施例における液晶化合物の単位構造を表２に挙げる記号により表す。
【００３１】
【表２】
0005848447.tif 000016
【００３２】
一例として、以下の構造式の化合物を挙げる。
【化１４】
0005848447.tif 000017
【００３３】
表１に挙げる記号を用いて表す場合、この構造式はｎＣＣＧＦと表され、式中の記号におけるｎはアルキル基の炭素原子数を表し、例えば、ｎは「３」であることは、アルキルが−Ｃ３Ｈ７であることを表し、記号におけるＣはシクロヘキシルを表す。
【００３４】
以下の実施例における試験物質の短縮記号をそれぞれ以下に示す：
ＴＮ  Ｉ（℃）    透明点（ネマチック−等方性相転移温度）
粘度              フロー粘度（ｍｍ２・ｓ−１、２０℃（特に指定された場合を除く））
Δｎ              光学異方性（５８９ｎｍ、２０℃）
Δε              誘電率異方性（１ＫＨｚ、２５℃）
ＶＨＲ−１        電圧保持比（２５℃、開始）
ＶＨＲ−２        電圧保持比（２５℃、ＵＶ照射）
ＶＨＲ−３        電圧保持比（２５℃、高温焼成）
ここで、フロー粘度をコーンプレート粘度計により分析した。屈折率異方性を２０℃でナトリウムランプ（５８９ｎｍ）光源下でアッベ屈折計を用いて分析し、得た。誘電被検セルはタイプＴＮ９０であり、セルギャップは７μｍだった。ＶＨＲを２５℃でＴＯＹＯ６２５４装置を用いて分析し、得た。
【００３５】
詳細な実施形態
以下の実施例において用いられる成分は、すべて周知の方法に基いて本願の発明者により合成されている。これらの合成技術は、通常のものであり、分析により、得られた液晶組成物は電子用化合物の基準を満たす。
【００３６】
以下の合成経路は、化合物ＩＩ〜Ｖの説明のための単に一つの方法であり、他の公知の合成方法もこれらの化合物を得るために用いられうる。
【００３７】
一般式ＩＩで表される一つの化合物の簡略な合成経路は以下のとおりである。
【化１５】
0005848447.tif 000018
【００３８】
一般式ＩＩＩで表される一つの化合物の簡略な合成経路は以下のとおりである。
【化１６】
0005848447.tif 000019
【００３９】
一般式ＩＶで表される一つの化合物の簡略な合成経路は以下のとおりである。
【化１７】
0005848447.tif 000020
【００４０】
一般式Ｖで表される一つの化合物の簡略な合成経路は以下のとおりである。
【化１８】
0005848447.tif 000021
【００４１】
液晶組成物を、以下の比較例および実施例に具体的に示される組成物の処方に従って調製する。液晶組成物の調製は、加熱、超音波、懸濁液などの手段を用いた特定の処方に従って混合することにより調製するなどの、当該技術分野における従来の方法にしたがって進む。
【００４２】
調製実施例１：式（Ｉ−２）の化合物の調製
式（Ｉ−２）の化合物の合成経路を図１Ａに示す。その中の化合物Ａとして示される化合物は、本発明の式（Ｉ−２）の化合物である。調製プロセスは以下のとおりである。
【００４３】
１．Ａ１の合成
ｍ−フルオロフェニルボロン酸７０ｇ、ブロモ−４−エチルベンゼン９３ｇ、トルエン１．６Ｌ、エタノール０．８Ｌ、水０．８Ｌおよび炭酸ナトリウム２１２ｇを５Ｌの三つ口フラスコに添加する。窒素雰囲気下で、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４  ３ｇを添加し、当該混合物を加熱して６時間還流させる。反応完了後、混合物を通常の後処理する。７５ｇの無色の液体を、減圧蒸留精製をして得る。ＧＣ≧９９％、収率：７５％。
【００４４】
２．Ａ２の合成
Ａ１  ２０ｇ、無水テトラヒドロフラン２００ｍＬおよびカリウムｔ−ブトキシド１０ｇを５００ｍＬの三つ口フラスコに添加する。窒素雰囲気下かつ温度を−１００℃に低下して、５０ｍＬのｎ−ブチルリチウム溶液（２．４ｍｏｌ／Ｌのｎ−ヘキサン溶液）を滴下して添加する。滴下を完了して、当該混合物を、温度を−１００℃に制御して２時間撹拌する。その後、ホウ酸トリイソブチル３０ｇを滴下して添加し、温度を室温まで自然昇温させる。混合物を後処理し、石油エーテルを用いて打撃を与えながら精製をして、１８ｇの単黄色の固体を得る。収率：７４％。
【００４５】
３．Ａ３の合成
（メトキシメチル）トリフェニルホスホニウム塩化物８．５ｋｇおよび無水テトラヒドロフラン３０Ｌを５０Ｌの反応容器に添加する。窒素雰囲気下かつ温度を−５℃に低下して、カリウムｔ−ブトキシド３．２ｋｇをバッチ（各バッチの温度を５度未満に制御する）に添加し、３０分間撹拌する。ｐ−ブロモベンズアルデヒド３．５ｋｇおよび無水テトラヒドロフラン１０Ｌの混合物を添加する。滴下プロセスの間、温度を１０℃未満に制御する。滴下を完了後、温度を室温まで自然昇温させる。撹拌をさらに６時間続ける。混合物を通常の後処理する。カラムクロマトグラフィ精製により、４．１ｋｇの黄色液体を得る。ＧＣ：９１％（ｃｉｓ−ｔｒａｎｓ混合物）、収率：８９％。
【００４６】
４．Ａ４の合成
Ａ３  ２００ｇ、テトラヒドロフラン６００ｍＬおよび塩酸（１０％）６００ｍＬを２Ｌの三つ口フラスコに添加する。当該混合物が軽く還流するまで加熱し、４．５時間撹拌する。反応の完了後、混合物を通常の後処理する。溶媒を除去して１６７ｇの粗生成物を得る。粗生成物を生成する必要はなく、次の工程に直接用いる。ＧＣ≧８３％、収率：８９％。
【００４７】
５．Ａ５の合成
（メトキシメチル）トリフェニルホスホニウム塩化物３４３ｇおよび無水テトラヒドロフラン２Ｌを５Ｌの三つ口フラスコに添加する。窒素雰囲気下かつ温度を−５℃に低下して、カリウムｔ−ブトキシド１２３ｇをバッチ（各バッチの温度を５度未満に制御する）に添加する。３０分間の撹拌後、事前段階において得た１６７ｇのＡ４と無水テトラヒドロフラン５００ｍＬとの混合物を滴下して加える。滴下プロセスの間、１０℃未満に制御する。滴下を完了後、温度を室温まで自然昇温させる。撹拌をさらに６時間続ける。混合物を通常の後処理する。１８０ｇの赤褐色の液体を得、それを精製する必要はなく、次の工程に直接用いる。ＧＣ：７７％（ｃｉｓ−ｔｒａｎｓの混合物）、収率：９４％。
【００４８】
６．Ａ６の合成
Ａ２  １８ｇ、Ａ５  １７ｇ、トルエン２４０ｍＬ、エタノール１２０ｍＬ、水１２０ｍＬおよび炭酸ナトリウム３０ｇを１Ｌの三つ口フラスコに添加する。窒素雰囲気下で、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４  ０．４ｇを添加し、当該混合物を加熱して６時間還流させる。反応完了後、混合物を通常の後処理する。１２ｇの白色固体をカラムクロマトグラフィおよびエタノールを用いた再結晶精製により得る。ＧＣ≧８５％（ｃｉｓ−ｔｒａｎｓ混合物）、収率：４７％。
【００４９】
７．Ａ７の合成
Ａ６  １２ｇ、テトラヒドロフラン２５ｍＬおよび塩酸（１０％）２５ｍＬを２５０ｍＬの三つ口フラスコに添加する。当該混合物が軽く還流するまで加熱し、４．５時間撹拌する。反応の完了後、混合物を通常の後処理する。５．５ｇの白色固体を石油エーテル（９０−１２０℃）を用いて再結晶により得る。ＧＣ≧９７％、収率：４８％。
【００５０】
８．Ａの合成
Ａ７  ５．５ｇ、トリフェニルホスフィン９ｇ、クロロジフルオロ酢酸ナトリウム１０ｇおよびＤＭＦ１００ｍＬを２５０ｍＬの三つ口フラスコに添加し、９０℃に加熱して、６時間反応させる。反応の完了後、混合物を通常の後処理する。３．５ｇの白色固体をカラムクロマトグラフィ精製により得る。ＧＣ≧９９％、収率：５８％、相転移：Ｃ３９Ｎ１２６Ｉ。化合物Ａ（式（Ｉ−２）の化合物）の質量スペクトルを図１Ｂに示す。
【００５１】
調製実施例２：式（Ｉ−３）の化合物の合成
化合物Ｂとして示される化合物は、本発明の式（Ｉ−３）の化合物である。調製プロセスは以下のとおりである。
【化１９】
0005848447.tif 000022
【００５２】
原料として１−ブロモ−４−プロピルベンゼンを用い、白色固体の化合物Ｂを化合物Ａの調製方法を用いて得ることができる。相転移：Ｃ４４Ｓ１２８Ｎ１４９Ｉ。化合物Ｂ（式（Ｉ−３）の化合物）の質量スペクトルを図２に示す。
【００５３】
調製実施例３：式（Ｉ−１）の化合物の合成
化合物Ｃとして示される化合物は、本発明の式（Ｉ−１）の化合物である。調製プロセスは以下のとおりである。
【化２０】
0005848447.tif 000023
【００５４】
原料としてパラブロモトルエンを用い、白色固体の化合物Ｃを化合物Ａの調製方法を用いて得ることができる。相転移：Ｃ６６Ｎ１５１Ｉ
【００５５】
比較例
比較例の液晶組成物の成分およびそれらの重量比を表３に示した。比較例の液晶組成物を液晶ディスプレイ装置の２つの基板の間を満たし、その特性の試験をした。試験結果も表３に示した。
【００５６】
【表３】
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【００５７】
実施例１
本発明の液晶組成物を表４に示す化合物およびそれらの重量比に従って調製し、液晶ディスプレイ装置の２つの基板の間に満たし、その性能を試験した。試験データも表４に示した。
【００５８】
【表４】
0005848447.tif 000025
【００５９】
実施例２
本発明の液晶組成物を表５に示す化合物およびそれらの重量比に従って調製し、液晶ディスプレイ装置の２つの基板の間に満たし、その性能を試験した。試験データも表５に示した。
【００６０】
【表５】
0005848447.tif 000026
【００６１】
実施例１および実施例２から、粘度は有意に増加せず、当該液晶組成物の屈折率は明らかに増加し、これにより、より薄いセルをより早い応答速度を達成するために使用することができるということがわかる。
【００６２】
実施例３
本発明の液晶組成物を表６に示す化合物およびそれらの重量比に従って調製し、液晶ディスプレイ装置の２つの基板の間に満たし、その性能を試験した。試験データも表６に示した。
【００６３】
【表６】
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【００６４】
表７は２つの液晶組成物の電圧保持比（ＶＨＲ）データを提供する。
【００６５】
【表７】
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【００６６】
上記のデータによれば、初期の２つの化合物のＶＨＲは似ているということに基いて、ＵＶおよび高温による変性後、末端基に２つのフッ素を有する化合物はより信頼性が高いということがわかる。
【００６７】
本発明の優位点は、以下の特徴のうちの少なくとも１つを有する液晶組成物を提供することである：ネマチック相の高い上限温度、ネマチック相の低い下限温度、低粘度、大きい光学異方性、大きい誘電率異方性、大きい電気抵抗率、紫外光に対する高い安定性、熱に対する高い安定性など。それと同時に、上記液晶組成物を含有する液晶ディスプレイ装置が提供される。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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