(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの面に被覆物（２）を備えた基材（１）を得るための方法であり、前記被覆物（２）を被着させる工程と、次いで前記被覆物を主レーザー放射線（４）を用いて熱処理する工程とを含む方法であって、前記熱処理が前記被覆物（２）の溶融又は部分的な溶融を利用しないこと、前記基材（１）を透過した及び／又は前記被覆物（２）が反射させた前記主レーザー放射線（４）のうちの少なくとも一部分（５、１４）を、少なくとも１つの二次レーザー放射線（６、７、１８）を形成するため、前記基材の方向に変化させること、そして前記主レーザー放射線（４）と前記基材（１）に対する垂線とによって形成される角度、及び前記少なくとも１つの二次放射線（６、７、１８）と前記基材（１）に対する垂線とによって形成される角度がゼロでなく、且つこれらの角度が異なること、そして前記二次レーザー放射線は主レーザー放射線と同一の位置で前記基材に当たることを特徴とする、少なくとも１つの面に被覆物（２）を備えた基材（１）を得るための方法。
【請求項２】
前記基材（１）がガラス製又は有機高分子材料製である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記被覆物（２）が銀層、酸化チタン層及び透明導電層から選択した少なくとも１つの薄層を含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記熱処理を施す間、前記少なくとも１つのレーザー放射線によって処理される面と反対側の前記基材（１）の面の温度が１００℃を超えない、請求項１〜３の１つに記載の方法。
【請求項５】
前記主レーザー放射線（４）を、前記基材（１）の幅の全部又は一部分を同時に照射するレーザーラインを形成する少なくとも１つのレーザー光線から得る、請求項１〜４の１つに記載の方法。
【請求項６】
前記基材（１）の速度と前記レーザーラインの速度との差が４ｍ／分以上となるように、前記基材（１）と前記レーザーラインとを相対的に移動させる、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記主レーザー放射線（４）の波長が５００ｎｍと２０００ｎｍの間である、請求項１〜６の１つに記載の方法。
【請求項８】
前記基材（１）を透過する及び／又は前記少なくとも１つの被覆物（２）によって反射される前記主レーザー放射線（４）の前記一部分（５、１４）を少なくとも１つの反射鏡（８、１０、１５、１７）を用いて反射させることにより、前記二次レーザー放射線（６、７、１８）を形成する、請求項１〜７の１つに記載の方法。
【請求項９】
前記二次レーザー放射線（６、７、１８）を前記主レーザー放射線（４）と同一の位置で前記基材（１）に当てる、請求項１〜８の１つに記載の方法。
【請求項１０】
前記二次レーザー放射線（６、７、１８）が前記主レーザー放射線（４）と同一のプロファイルを有する、請求項１〜９の１つに記載の方法。
【請求項１１】
前記二次レーザー放射線（６、７、１８）の焦点深度が前記主レーザー放射線（４）のそれと同一である、請求項１〜１０の１つに記載の方法。
【請求項１２】
前記主レーザー放射線（４）及び／又は前記二次放射線（６、７、１８）と前記基材（１）に対する垂線とがなす角度が４５°未満である、請求項１〜１１の１つに記載の方法。
【請求項１３】
前記二次レーザー放射線（６、７、１８）を形成するのに、反射鏡（８、１０、１５、１７）、プリズム（１３）及びレンズ（１１、１９）から選択した光学的要素のみを含む光学集成体を用いる、請求項１〜１２の１つに記載の方法。
【請求項１４】
前記光学集成体が、２つの反射鏡（８、１０、１５、１７）と１つのレンズ（１１、１９）からなる、又は１つのプリズム（１３）と１つのレンズ（１１）からなる、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記少なくとも１つの被覆物（２）をマグネトロンスパッタリングにより被着させる、請求項１〜１４の１つに記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被覆物を備えた基材に対するレーザー放射線を用いた熱処理に関する。
【背景技術】
【０００２】
基材、特にガラス基材上に被着された被覆物をレーザー放射線により熱処理する方法が、国際公開第２００８／０９６０８９号パンフレット号、国際公開第２０１０／１３９９０８号パンフレット又は国際公開第２０１０／１４２９２６号パンフレットから知られている。処理される被覆物は、例えば、銀、酸化チタン又は透明導電性酸化物（ＴＣＯ）の薄層から構成されている。レーザー放射線を利用することによりこれらの層を急速に加熱することができ、これらの層の導電性又は放射率（銀層又はＴＣＯ層の場合）もしくは光触媒活性（酸化チタン層の場合）を改善することができる。層を急速に加熱するので実質的に基材を加熱することはなく、基材が大きな熱機械応力にさらされることはなく、従来のアニール処理の場合のような緩慢かつ制御された冷却工程なしに即座にハンドリング及び保存を行うことができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２００８／０９６０８９号パンフレット
【特許文献２】国際公開第２０１０／１３９９０８号パンフレット
【特許文献３】国際公開第２０１０／１４２９２６号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、単一かつ同一の処理速度のもとで、それほど強力でなく、従ってより費用がかからないレーザーを利用することができ、単一かつ同一の処理速度のもとで被覆物に対してより一層急速な処理を行うことができ、あるいは処理した被覆物の特性を同一の処理速度及び同一のレーザー出力においてより一層改善させることができるように、この方法を改善することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
この目的を達成するため、本発明の一側面は、基材面のうち少なくとも１つに被覆物を備えた基材を得るための方法であり、当該被覆物を被着させる工程と、次いで主レーザー放射線を用いて前記被覆物を熱処理する工程とを含む方法であって、前記基材を透過する前記主レーザー放射線及び／又は前記被覆物が反射させた前記主レーザー放射線のうちの少なくとも一部分を前記基材の方向に変更させて、少なくとも１つの二次レーザー放射線を形成することを特徴とする方法である。
【０００６】
発明者らは、被覆物の性質及びレーザー放射線の波長に応じて、レーザー放射線の大部分が基材を透過するか被覆物によって反射され、従って被覆物の処理には用いられなかったという事実を実証することができた。この失われたレーザー放射線の少なくとも一部分を回復して基材に向かってその方向の変更を行うことで、処理が顕著に改善されることが判明した。主放射線のうちの基材を透過した部分を利用する（「透過」モード）か、主放射線のうちの多層積重体によって反射された部分を利用する（「反射」モード）か、あるいは任意選択的に両者を利用するかは、層の性質とレーザー放射線の波長とに応じて選択される。典型的には、レーザーの波長において、多層積重体による反射率が基材の透過率の２乗よりも大きい場合に、「反射」モードが選択される。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明による方法を実施可能にする光学集成体を示した図である。
【図２】図１の光学集成体の変形例を示した図である。
【図３】本発明による方法を実施可能にする他の光学集成体を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
第１実施形態（「反射モード」）によれば、被覆物によって反射された主レーザー放射線の部分から、単一の二次放射線が形成される。これは一般に、被覆物が少なくとも１つの銀層を含む場合及びレーザーの波長が５００ｎｍ（特に７００ｎｍ）から２０００ｎｍにわたる範囲内にある場合である。
【０００９】
第２実施形態（「透過モード」）によれば、基材を透過した主レーザー放射線の部分から単一の二次放射線が形成される。
【００１０】
第３実施形態（「反射」モードと「透過」モードとを組み合わせたもの）によれば、一方において多層積重体によって反射された部分から、他方において基材を透過した部分から、２つの二次放射線が形成される。
【００１１】
レーザーの波長において非常に反射性であり、一般にその反射率が少なくとも２０％である被覆物に対しては、「反射」モードを利用するのが好ましいと考えられる。
【００１２】
被覆物は、単一の薄層であることができ、あるいはほとんどの場合には複数の薄層からなり、そのうちの少なくとも１つのは熱処理によって特性の改善がみられる、多層積重体であることができる。
【００１３】
「反射」モードの状況においては、被覆物による主放射線の反射は、被覆物に含まれる層であってその特性が熱処理によって改善された層に起因することが好ましい。そうすれば、主放射線を反射させることを唯一の目的としているが完成品において存在することが究極的には望ましくない層を多層積重体内にわざわざ設けることを回避することができる。それよりも、むしろ処理対象層の「自然」反射を利用することが好ましい。一例として、多層積重体が反射層（典型的には銀層）を含むのであれば、その結晶化特性を改善させることが望まれ、この反射層の下に位置する層によってよりは、むしろ反射層それ自体によって反射した主放射線の部分を多層積重体に向けて方向変更させることが好ましい。
【００１４】
基材は好ましくはガラス又は有機高分子材料で製作される。それは、好ましくは透明で無色（この場合にはそれは透明又は超透明ガラスである）又は有色、例えば青色、灰色、緑色又はブロンズ色である。ガラスは好ましくはソーダ石灰シリカタイプであるが、ホウケイ酸又はアルミノホウケイ酸タイプのガラスであってもよい。好ましい有機高分子材料は、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、又は、例えばエチレンテトラフロオルエチレン（ＥＴＦＥ）のようなフルオロポリマーである。基材は、１ｍ以上又は２ｍ以上、更には３ｍ以上の寸法を少なくとも１つ有することが有利である。基材の厚さは０．５ｍｍと１９ｍｍの間、好ましくは０．７ｍｍと９ｍｍの間、特に２ｍｍと８ｍｍの間、あるいは４ｍｍと６ｍｍの間にあるのが一般的である。基材は平らであっても湾曲していてもよく、更に可撓性を有していてもよい。
【００１５】
ガラス基材は、好ましくはフロートガラスタイプ、すなわち溶融スズの浴（「フロート」浴）の上に融解したガラスを流し込むものである方法により得ることができるものである。この場合には、処理対象層は、基材の「スズ」側面と基材の大気側面とに同等に被着させることができる。「大気」側面及び「スズ」側面という用語は、それぞれ、フロート浴で大気と接触していた方の基材の面及び溶融スズと接触していた方の基材の面を意味するものと理解される。スズ側面はガラス内に拡散したごく少量のスズを含んでいる。ガラス基材はまた、２つのロールの間で圧延することにより得てもよく、これは特にガラス表面にパターンを刻印することを可能とする技術である。
【００１６】
処理される被覆物は、銀層、酸化チタン層及び透明導電層から選択された薄層を含むのが好ましい。被覆物は、低放射率の被覆物、特に最大でも２０％又は１０％の放射率を有する被覆物であって、例えば少なくとも１つの銀層を含む被覆物であるのが有利である。これらの被覆物は一般に、７００ｎｍと２０００ｎｍの間のレーザー波長で高反射率を有することから、本発明によって処理の有効性が大きく改善される。
【００１７】
熱処理工程は、多層積重体に存在している層の溶融を利用せず、部分的な溶融さえも利用しないのが好ましい。そうすることで、熱処理は、固相に留まりつつ層内に既に存在している核の周囲における結晶成長の物理化学的メカニズムによって、薄層の結晶化を促進するのに十分なエネルギーを提供することを可能にする。この処理は、融解した材料から出発して冷却することによる結晶化のメカニズムを利用しないが、その理由は、一方においてはそれが極度な高温を必要とするからであり、他方においては層の厚さ又は屈折率を変更させかねず、従って例えばそれらの光学的な外観を変更させることにより、それらの特性を変更させかねないためである。透明導電層は一般的に、混合インジウムスズ酸化物（「ＩＴＯ」と称される）を基礎材料としており、混合インジウム亜鉛酸化物（「ＩＺＯ」と称される）を基礎材料としており、ガリウムをドープしたもしくはアルミニウムをドープした酸化亜鉛を基礎材料としており、ニオブをドープした酸化チタンを基礎材料としており、スズ酸カドミウムもしくはスズ酸亜鉛を基礎材料としており、あるいはフッ素及び／又はアンチモンをドープした酸化スズを基礎材料としている。これらの様々な層は、透明ではあるが導電性又は半導電性を有する層であるという独特の特徴を有しており、これら２つの特性を必要とする多くのシステム、すなわち液晶表示装置（ＬＣＤ）、ソーラーコレクタもしくは光電コレクタ、エレクトロクロミックもしくはエレクトロルミネセントデバイス（特にＬＥＤ、ＯＬＥＤ）等において利用されている。それらの厚さは、一般的には所望のシート抵抗により規定され、通常は５０〜１０００ｎｍである。
【００１８】
ＩＴＯ層については、４００ｎｍから１２００ｎｍまでの範囲の波長、特に８００ｎｍから１０００ｎｍまでの範囲の波長で、「透過」モード（主放射線のうちの基材を透過した部分を再利用することによる）の利用が好ましい。酸化亜鉛又は酸化スズ層の場合には、４００ｎｍから１２μｍまでの範囲の波長、特に１μｍから１２μｍまでの波長で、「透過」モードを利用するのが有利である。
【００１９】
金属銀を基礎材料とする薄層だけでなく、金属モリブデン又は金属ニオブを基礎材料とする薄層は、導電特性及び赤外線に対する反射特性を有しており、それゆえそれらは太陽光制御グレージング、特に太陽光保護グレージング（入射する太陽エネルギー量を低減させることを目的とする）又は低放射率グレージング（建造物又は車両外に消散するエネルギー量を低減させることを目的とする）で利用されている。それらの物理的な厚さは一般的に４〜２０ｎｍである。低放射率の多層積重体は、複数の銀層、典型的には２つ又は３つの銀層を含むことが多い。それらの銀層は一般的に、それを腐食から保護するとともに被覆物の反射の見た目を調節することができるようにする誘電層によって囲まれている。少なくとも１１ｎｍの厚さを有する銀層については、４００ｎｍ（特に７００ｎｍ）から２０００ｎｍまでの範囲、あるいは８００ｎｍから１２００ｎｍ（特に１０００ｎｍ）までの範囲の波長で、「反射」モードを利用することが好ましい。１１ｎｍ未満の厚さを有する銀層の場合と、ニオブ層の場合には、４００ｎｍ（特に７００ｎｍ）から２０００ｎｍまでの範囲、あるいは８００ｎｍから１２００ｎｍ（特に１０００ｎｍ）までの範囲の波長で、「透過」モードを利用することが好ましい。
【００２０】
酸化チタンを基礎材料とした薄層は、有機化合物が紫外線の作用下で分解され、そして無機質の汚染物（塵）が流水の作用により除去されるのを容易にすることにより、自己洗浄性であるという独特な特徴を有する。それらの物理的な厚さは好ましくは、２〜５０ｎｍ、特に５〜２０ｎｍである。このタイプの層については、４００ｎｍから１２μｍまでの範囲、特に５００ｎｍから１０００ｎｍまでの範囲内の波長で、「透過」モードを利用することが好ましい。
【００２１】
ここに言及した様々な層は、少なくとも部分的に結晶化された状態にある場合にそれらの特性の改善がみられるという共通の独特な特徴を有する。一般的に、これらの層の結晶化度（結晶化された材料の重量又は体積による比率）及び結晶粒の大きさ（又はＸ線回折法によって測定されたコヒーレント回折領域の大きさ）を最大化すること、又は場合により特別な結晶学的形態を優先することが求められる。
【００２２】
酸化チタンの場合、アナターゼ型に結晶化した酸化チタンが、非晶質の酸化チタン又はルチルもしくはブルッカイト型に結晶化した酸化チタンよりも有機化合物の分解に関してはるかにより効果的であることが知られている。
【００２３】
高い結晶化度を有する、従って非晶質の銀の残留含有量が少ない銀層が、大部分が非晶質である銀層よりも低い反射率及び低い抵抗率を有することも知られている。よって、これらの層の電気伝導度及び低反射率特性が改善される。
【００２４】
同様に、前述した透明導電層、特にドープした酸化亜鉛を基礎材料とするもの又はスズをドープした酸化インジウム層は、それらの結晶化の程度が高い場合により一層高い導電性を有する。
【００２５】
好ましくは、被覆物が導電性を有する場合には、そのシート抵抗は熱処理によって少なくとも１０％、１５％あるいは２０％低減される。ここでは、これは処理を施す前のシート抵抗値に対する重要な相対的低減である。
【００２６】
レーザー放射線を利用すると、基材の第１面（すなわちコーティングされていない面）と反対の面において一般に１００℃未満、更には多くの場合５０℃未満の温度が得られるという利点がある。この特に有利な特徴は、熱交換係数が非常に高く、典型的に４００Ｗ／（ｍ2・Ｓ）を超えるという事実によるものである。処理対象の多層積重体におけるレーザー放射線の表面出力密度は、好ましくは２０又は３０ｋＷ／ｃｍ2以上である。この非常に高いエネルギー密度により、被覆物において、所望の温度を極めて急速に（一般的に１秒以下の時間で）得ることができ、それに応じて処理時間を制限することができ、このとき発生した熱は基材内に拡散する時間がないことになる。このようにして好ましいことに、被覆物の各点は一般に１秒以下あるいは０．５秒以下の時間本発明による処理を受ける（そして特に３００℃以上の温度にされる）。反対に、従来利用されている赤外線ランプ（照射集光装置なしの）では単位表面積当たりのこれらの高出力を得ることができないので、所望の温度を得るための処理時間をより長くしなければならず（しばしば数秒）、この場合、基材によっては吸収されず被覆物によって吸収されるだけとなるように放射線の波長が適合されていたとしても、基材は熱拡散のために高温にさらされることが避けられない。
【００２７】
本発明による方法に付随する非常に高い熱交換係数のために、被覆物から０．５ｍｍのところに位置するガラスの部分は一般に１００℃を超える温度にさらされることはない。少なくとも１つのレーザー放射線によって処理された基材の面と反対側の基材の面の温度は、熱処理の間１００℃を超えないのが、特に５０℃、更には３０℃を超えないのが好ましい。
【００２８】
実施をいっそう簡単にするために、本発明において用いられるレーザーはファイバー化されてもよく、これはレーザー放射線が光ファイバー内に注入された上で集束ヘッドを介して処理対象表面の近くに供給されることを意味する。レーザーはまた、増幅媒体がそれ自体として光ファイバーであるという意味で、ファイバーレーザーであってもよい。
【００２９】
レーザー光線はポイントレーザー光線であってもよく、この場合にはレーザー光線を基材の平面内で移動させる装置を設ける必要がある。
【００３０】
しかしながら、好ましくは、主レーザー放射線はラインをなし、以下本明細書中において「レーザーライン」と呼ぶ、少なくとも１つのレーザー光線によって出射され、それは同時に基材の幅の全部又は一部を同時に照射する。この実施形態は、一般的に大型で保守も難しい高価な移動用装置の利用を回避するので好ましい。ライン形のレーザー光線は、特に、収束用の光学素子と組み合わせた高出力レーザーダイオードのシステムを使って得ることができる。ラインは太さが０．０１ｍｍと１ｍｍの間であるのが好ましい。ラインの長さは一般には５ｍｍと１ｍの間である。ラインのプロファイルは、特にガウス型であるか又は方形波の形状を有することができる。
【００３１】
基材の幅の全部又は一部を同時に照射するレーザーラインは、単一のラインで構成されてもよく（この場合それは基材の幅全体を照射する）、あるいは複数の、所望に応じ切り離されたラインで構成されてもよい。複数のラインを用いる場合は、多層積重体の領域全体を処理するように各ラインを配置するのが好ましい。このラインは、基材の走行方向に垂直になるように配置するか又は斜めに配置するのが好ましい。種々のラインで基材を同時に処理してもよく、あるいは時間的にずれたやり方で処理してもよい。重要な点は、表面全体を処理することである。
【００３２】
層の表面全体を連続して処理するためには、一方では基材と、そして他方では各レーザーラインとの、相対的な移動を利用するのが好ましい。例えば、基材を、特に、静止したレーザーラインの一般には下を、とは言え所望に応じレーザーラインの上を、並進して走行するよう移動させることができる。この実施形態は、連続処理にとって特に有利である。あるいはまた、基材を静止させレーザーを可動としてもよい。基材とレーザーのそれぞれの速度の差は、処理速度を大きくするために、１ｍ／分、又は４ｍ／分、更には６、８、１０又は１５ｍ／分以上であることが好ましい。
【００３３】
移動するのが，特に並進移動するのが基材である場合には、任意の機械的運搬手段、例えばベルト、ローラー又は並進走行をするトレイを用いて移動させてもよい。この運搬システムは走行速度を制御及び調節するために用いられる。基材が可撓性の有機高分子材料で製作されているならば、一連の複数のローラーの形態をしたフィルム送りシステムを用いて移動させてもよい。
【００３４】
レーザーを、基材からの距離を調整するように移動させてもよく、これは基材が湾曲している場合に特に有効であるが、そのような場合だけに有効なわけではない。実際、レーザー光線を処理対象の被覆物に集中させるのが好ましく、そのために被覆物は焦点面から１ｍｍ以下の距離に位置させるようにする。基材を移動させるため又はレーザーを移動させるための装置が基材と焦点面との距離に関して十分に精密でない場合には、レーザーと基材との距離を調整できることが好ましい。この調整は自動式でよく、特に処理の上流側での距離の測定を利用して制御することができる。
【００３５】
レーザーラインが可動とされている場合には、基材の上方又は下方に配置された、レーザーを移動させるためのシステムを設ける必要がある。処理の時間はレーザーラインの走行速度によって調節される。
【００３６】
もちろん、基材の表面を適切に照射できることを条件に、基材とレーザーとの全ての相対的な配置が可能である。より一般的には、基材は水平に配置されるが、垂直に配置してもよく、あるいは任意の可能な傾斜角で配置してもよい。基材を水平に配置する場合は、レーザーは一般に基材の上面を照射するように配置される。レーザーはまた基材の裏面を照射してもよい。この場合、基材支持システムが、任意選択的に基材が可動である場合には基材運搬システムが、放射線を照射対象ゾーンに入射させることが必要となる。これは、例えば運搬ローラーが用いられているような場合に当てはまる。複数のローラは個別の構成要素であるから、一連の２つのローラーどうしの間に位置するゾーンにレーザーを配置することが可能である。
【００３７】
基材の両面を処理しようとする場合、基材が水平であろうと、垂直であろうと、あるいは任意の傾斜した位置にあろうと、基材の両側に配置された複数のレーザーを用いることができる。これらのレーザーは同一のものでも異なるものであってもよく、特にそれらの波長は、とりわけ処理対象被覆物のそれぞれに適合させて、異なっていてもよい。一例として、基材の第１面に配置された第１被覆物（例えば低放射率被覆物）を、例えば可視又は近赤外領域で出射する第１レーザー放射線によって処理してもよく、その一方で、当該基材の第２面に配置された第２被覆物（例えば光触媒被覆物）を、例えば遠赤外領域で出射する第２レーザー放射線によって処理してもよい。
【００３８】
照射装置、例えばインラインレーザーを、層被着ライン、例えばマグネトロンスパッタリング被着ライン又は化学気相成長（ＣＶＤ）ライン、特に真空下でのプラズマ支援（ＰＥＣＶＤ）ライン又は大気圧下でのプラズマ支援（ＡＰ−ＰＥＣＶＤ）ラインに統合してもよい。一般に、ラインには、基材操作装置、被着ユニット、光学制御装置及び積層装置が含まれている。例えば、基材はコンベヤローラー上を走行し、順次各装置又は各ユニットを通過する。
【００３９】
照射装置、例えばインラインレーザーは、好ましくは被覆物被着ユニットの直後に、例えば被着ユニットの出口に配置される。こうして、被覆処理を施した基材を、被覆物を被着後のラインにおいて、あるいは被着ユニットの出口において光学制御装置より前で、あるいは光学制御装置の後且つ基材を積み重ねるための装置の前で、処理することができる。
【００４０】
照射装置はまた、被着ユニットに統合されてもよい。例えば、レーザーはスパッタリング被着ユニットのチャンバの１つに取り入れてもよく、特に空気が希薄なチャンバ内、とりわけ１０-6ｍｂａｒと１０-2ｍｂａｒの間の圧力のチャンバ内に取り入れてもよい。レーザーはまた、被着ユニット内にある基材を処理するようにされるのであれば、被着ユニットの外側に配置されてもよい。この目的のためには、使用放射線の波長に対して透明であって、層を処理するためにレーザー光線が通過する窓を設ければ十分である。こうして、層（例えば銀層）を、その後の別の層の被着に先立って同一ユニット内で処理することができる。
【００４１】
照射装置が被着ユニットの外にあろうとあるいはその中に統合されていようと、これらの「インライン」プロセスは、被着工程と熱処理との間でガラス基材を積み重ねる必要があるオフライン作業を伴うプロセスにとって好ましい。
【００４２】
しかしながら、オフライン作業を伴うプロセスは、本発明による熱処理が、被着が行われる場所とは異なる場所、例えばガラスの二次加工が行われる場所、で行われる場合に有利に働くことができる。従って、照射装置は層被着ライン以外のラインに統合されてもよい。例えば、それは複層グレージング（特に二重又は三重グレージング）の製造ラインに統合されてもよく、あるいは積層グレージングの製造ラインに統合されてもよい。これらの様々な場合において、本発明による熱処理は複層グレージング又は積層グレージングが製造される前に行われるのが好ましい。
【００４３】
多層積重体は、任意のタイプの方法によって、特に、例えばスパッタリング法、その中でもとりわけマグネトロンスパッタリング法、プラズマ支援化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）法、真空蒸着法あるいはゾル−ゲル法などの、大部分が非晶質の層又はナノ結晶層を生じさせる方法によって、基材上に被着させることができる。
【００４４】
好ましくは、多層積重体はスパッタリング、特にマグネトロンスパッタリングによって被着される。
【００４５】
よりいっそう簡単にするため、層のレーザー処理は空気中で及び／又は大気圧で行うのが好ましい。しかしながら、層の熱処理は事実上真空の被着チャンバ内で、例えば後続する被着に先立って、行うことが可能である。
【００４６】
レーザー放射線の波長は、好ましくは５００ｎｍと２０００ｎｍの間、特に７００ｎｍと１１００ｎｍの間である。この波長範囲は銀層の場合に特に好適である。レーザーの波長での被覆物の吸収率は、通常は反射率及び透過率と１００％との差として定義され、少なくとも２０％、特に３０％であるのが有利である。対照的に、ガラス（特に透明又は超透明ガラス）と大部分のプラスチックは、この波長領域ではごく少量を吸収するにとどまるので、基材は放射線によってごくわずかに加熱されるに過ぎない。例えばほぼ８０８ｎｍ、８８０ｎｍ、９１５ｎｍあるいは９４０ｎｍ又は９８０ｎｍ程度の波長を発光する、レーザーダイオードを利用するのが好ましい。ダイオードのシステムの形態においては、処理対象多層積重体上で２０ｋＷ／ｃｍ2、あるいは３０ｋＷ／ｃｍ2より高い表面出力密度に達することができる非常に高い出力レベルを得ることができる。
【００４７】
二次レーザー放射線は、好ましくは、主レーザー放射線のうちの基材を透過した及び／又は少なくとも１つの被覆物によって反射された部分を、少なくとも１つの反射鏡又は少なくとも１つのプリズムにより反射させ、そして所望に応じ少なくとも１つのレンズを用いて、形成される。
【００４８】
好ましくは、この二次レーザー放射線の形成には、反射鏡、プリズム及びレンズから選択した光学的要素のみを含む光学集成体、好ましくは２つの反射鏡と１つのレンズからなる集成体、あるいは１つのプリズムと１つのレンズからなる集成体が用いられる。このように、集成体がビームスプリッタやリターダ（４分の１波長板、半波長板等）などの構成要素を含んでいる場合とは異なり、光学集成体はレーザーの波長とは完全に無関係である。こうして、単一かつ同一の光学集成体を様々な層のために利用することができる。
【００４９】
二次レーザー放射線は好ましくは偏光されない。こうして、二次レーザー放射線の形成及び方向変更に用いられる光学集成体は、非常に特定の波長に対して動作することができるだけで、出力の損失を招く、例えばビームスプリッタ又はリターダ（４分の１波長板、半波長板等）などの構成要素を避けることによって、大幅に簡素化される。
【００５０】
主放射線又は二次レーザー放射線の反射によるレーザーの何らかの損傷を防止するために、主放射線（及び／又は二次放射線）と基材に対する垂線とによって形成される角度はゼロでなく、一般的には４５°未満、特に８°と１３°の間であるのが好ましい。同じ理由のため、主放射線と基材に対する垂線とによって形成される角度は、二次放射線（「透過」モード時）又は二次放射線の反射された部分（「反射」モード時）と基材に対する垂線とによって形成される角度とは異なることが好ましい。
【００５１】
処理の有効性を向上させるために、二次レーザー放射線は主レーザー放射線と同一のプロファイルを有しているのが好ましい。
【００５２】
処理の有効性を増大させるために、二次レーザー放射線は主レーザー放射線と同一の位置で基材に当たるのが好ましい。「同一の位置」という表現は、２つの放射線が最大でも０．１ｍｍ、あるいは０．０５ｍｍ（処理表面上で測定された距離）しか離れていないことを意味するものと理解される。処理の有効性を最適化するために、二次レーザー放射線の焦点深度は主レーザー放射線のそれと同一であるのが有利である。
【００５３】
本発明による方法を実施可能にする各種の光学集成体を図１〜３によって説明する。
【００５４】
第１の集成体（図示せず）では、主放射線の一部分を被覆物によって反射させ、この放射線を基材に向かって反射するように単一の反射鏡を配置する。好ましくは、主放射線及び二次放射線は被覆物に同一の位置で当たる。この非常に簡素な集成体は反射鏡を１つだけ含んでいる。主放射線の反射によるレーザーの損傷を防止するために、主放射線と基材に対する垂線とがなす角度はゼロでないことが好ましい。この角度は好ましくは４５°未満、一般的には２°と２０°との間、特に８°と１３°の間である。この集成体は、例えば少なくとも１つの銀層を含む多層積重体などの、高反射性の多層積重体のために有利に用いられる。
【００５５】
やはり高反射性の被覆物に用いられる、とは言えそれのみに用いられるものではない、第２の集成体を、図１でもって説明する。それは、反射された主放射線を第２反射鏡１０に向けて反射させる第１反射鏡８を配置しているものであり、第２反射鏡は反射により二次レーザー放射線６、７を形成する。レンズが任意選択的に、二次放射線７を調節してこれを主レーザー放射線４が被覆物２に当たる正確な箇所（やはり最大で０．１ｍｍ、あるいは０．０５ｍｍの許容誤差で）に収束させるのを可能にする。
【００５６】
より具体的には、レーザー３（典型的にはインラインレーザー）が主放射線４を多層積重体２で被覆物された基材１に向かって放射し、この放射線４は基材１の垂線に対し角度θ１をなす。
【００５７】
この主放射線４の一部分は多層積重体２によって、放射線５の形でもって反射され、これもまた基材に対する垂線に対して同一の角度θ１をなす。角度θ１は、放射線５がレーザー３に損傷を与えないように、ゼロでなく、特に５°と１５°との間、あるいは８°と１３°との間である。反射された部分５は、今度は第１反射鏡８により、次に第２反射鏡１０により反射されて、二次放射線６、７を形成し、そしてそれがレンズ１１を用いて被覆物２に向けて集中される。放射線５、９は、第１反射鏡８に対する垂線に対し、ゼロでない角度θ２、典型的には５°と１５°の間、特に８°と１３°の間の角度をなしている。
【００５８】
この集成体はわずかながら第１の光学集成体よりも複雑であるが、被覆物２によって反射された二次放射線の部分１２が、二次放射線７と基材２に対する垂線との間の角度θ４が角度θ１よりも大きいという事実のためにレーザー３に損傷を与えることができないという点で有利である。角度θ４は好ましくは１０°と２０°の間であり、特に１３°と１８°の間である。反射鏡８、１０の向きを単純に調整し、従って角度θ２、θ３を単純に調整するだけで、二次放射線７は主放射線４と正確に同一の位置で被覆物２に当たることができる。
【００５９】
この第２の光学集成体の図２に示す一変形例によれば、第１反射鏡及び第２反射鏡がプリズム１３で代替されており、これには調節がより一層容易になるという利点がある。
【００６０】
図３は、本発明による方法の「透過」モードを利用した、あまり反射性でない被覆物の処理に有用な第３の集成体を図示したものである。この実施形態においては、基材１を透過した主放射線４の一部分１４が第１反射鏡１５によって、次に第２反射鏡１７によって反射されることにより二次放射線１８が形成され、そしてこれがレンズ１９によって集光された後に主放射線４と同一の位置で被覆物２に当たる。２つの反射鏡を用いることにより、ゼロでない角度θ５及びθ６（放射線１６と各反射鏡１５、１７に対する垂線との間の）を選択することができ、これにより、二次放射線１８のうちの透過した部分と基材に対する垂線との間の、角度θ１とは異なる角度θ４が得られる。かかる集成体もまた、透過した放射線１４の直接反射によってレーザー３に損傷を与えるのを回避することを可能にする。
【００６１】
図示しない一変形例によれば、基材１には、被覆物２を支持しているのとは反対側の面に、被覆物２と同時に処理することもできる同一の又は異なる被覆物２’を設けてもよい。
【００６２】
被覆物の最終的特性を更に改善するために、基材に対して本発明による熱処理工程後に強化工程を適用してもよい。熱強化は一般的には、ガラスを所望の最終寸法に切断した後で行われる。
【００６３】
処理対象の被覆物が低放射率の多層積重体である場合には、それは、基材から出発して、少なくとも１つの第１誘電層、少なくとも１つの銀層、任意選択的にオーバーブロッカー層を含む、第１被覆物と、少なくとも１つの第２誘電層を含む第２被覆物とを含んでいるのが好ましい。
【００６４】
好ましくは、銀層の物理的な厚さは６ｎｍと２０ｎｍの間である。
【００６５】
オーバーブロッカー層は、後続の層の被着中（例えば後者が酸化又は窒化雰囲気中で被着される場合）及び強化処理又は曲げ加工タイプの任意選択的な熱処理の間に銀層を保護することを目的としている。
【００６６】
銀層はまた、アンダーブロッカー層上にそれと接触して被着されてもよい。従って、多層積重体は銀層に隣接するオーバーブロッカー層及び／又はアンダーブロッカー層を含むことができる。
【００６７】
ブロッカー（アンダーブロッカー及び／又はオーバーブロッカー）層は一般的に、ニッケル、クロム、チタン、ニオブ及びこれらの種々の金属の合金から選択した金属を基礎材料としている。特に、ニッケル−チタン合金（とりわけ各金属を約５０重量％含有しているもの）と、ニッケル−クロム合金（とりわけニッケルを８０重量％及びクロムを２０重量％含有しているもの）を挙げることができる。オーバーブロッカー層はまた、重ねて配置した複数の層、例えば、基材から離れるに従って順にチタン層とニッケル合金（特にニッケル−クロム合金）層からなるもの、あるいはその逆であるもの、であってもよい。ここに言及した様々な金属又は合金はまた、部分的に酸化されてもよく、特に酸素が化学量論的に不足のもの（例えばＴｉＯx又はＮｉＣｒＯx）であってもよい。
【００６８】
これらのブロッカー（アンダーブロッカー及び／又はオーバーブロッカー）層は非常に薄く、多層積重体の光透過率に影響が生じないように通常は１ｎｍ未満の厚さを有しており、本発明による熱処理の間に部分的に酸化させることができる。一般的には、ブロッカー層は大気から又は基材から進入してくる酸素を捕捉し、従って銀層の酸化を防止することができる犠牲層である。
【００６９】
第１誘電層及び／又は第２誘電層は、典型的には酸化物（特に酸化スズ）、又は好ましくは窒化物、とりわけ窒化ケイ素（特に第２誘電層、すなわち基材からより遠くにあるものの場合）である。一般的には、窒化ケイ素は、スパッタリング技術により被着するのがより一層容易となるように、例えばアルミニウム又はホウ素をドープされてもよい。ドープの度合（ケイ素量に対する原子百分率に相当する）は一般的には２％を超えない。これらの誘電層の機能は、化学的又は機械的衝撃から銀層を保護することにあり、それらはまた干渉現象によって多層積重体の、特に反射における光学的特性にも影響を与える。
【００７０】
第１被覆物は、１つの誘電層、又は複数の、典型的には２〜４つの誘電層を含むことができる。第２被覆物は、１つの誘電層、又は複数の、典型的には２〜３つの誘電層を含むことができる。これらの誘電層は、窒化ケイ素、酸化チタン、酸化スズ及び酸化亜鉛、あるいはそれらの混合物もしくは固溶体のいずれか、例えばスズ亜鉛酸化物もしくはチタン亜鉛酸化物、から選択した材料で製作されるのが好ましい。誘電層の物理的な厚さ、又は全ての誘電層の全体としての物理的な厚さは、第１被覆物中にあるか第２被覆物中にあるかに関わらず、好ましくは１５ｎｍと６０ｎｍの間、特に２０ｎｍと５０ｎｍの間である。
【００７１】
第１被覆物は、銀層の直下又は任意選択的なアンダーブロッカー層の直下に湿潤層を含むことが好ましく、これの機能は銀層の濡れと結合力を増加させることである。酸化亜鉛は、特にアルミニウムをドープしてある場合、この点において特に有利であることが分かっている。
【００７２】
第１被覆物はまた、湿潤層の直下に平滑化層を含んでもよく、これは部分的に又は完全に非結晶の混合酸化物（従って非常に低い粗度を有するもの）であって、その機能は優先結晶方位の湿潤層の成長を促進し、それによりエピタキシャル現象による銀の結晶化を促進することにある。平滑化層は、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｇａ及びＳｂから選択した少なくとも２種の金属の混合酸化物で構成されているのが好ましい。好ましい酸化物はアンチモンをドープした酸化インジウムスズである。
【００７３】
第１被覆物において、湿潤層又は任意選択的な平滑化層は第１誘電層上に直接被着させるのが好ましい。第１誘電層は基材上に直接被着させるのが好ましい。多層積重体の光学的特性（特に反射の見た目）を最適に適合化させるために、別の方法として、第１誘電層を別の酸化物層又は窒化物層上に、例えば酸化チタン層上に被着させてもよい。
【００７４】
第２被覆物内においては、第２誘電層を銀層上に直接被着させてもよく、又は好ましくはオーバーブロッカー上に、さもなければ多層積重体の光学特性を適合させる目的の他の酸化物層又は窒化物層上に被着させてもよい。例えば、酸化亜鉛層、特にアルミニウムをドープしたもの、又は酸化スズ層を、オーバーブロッカーと、好ましくは窒化ケイ素で製作された、第２誘電層との間に配置してもよい。酸化亜鉛、特にアルミニウムをドープした酸化亜鉛は、銀層と上層との密着性を向上させるのに有用である。
【００７５】
このように、本発明により処理した多層積重体は、ＺｎＯ／Ａｇ／ＺｎＯの連続体を少なくとも１つ含むことが好ましい。酸化亜鉛にはアルミニウムがドープされてもよい。アンダーブロッカー層を銀層と下層との間に配置してもよい。その代わりに又は追加して、オーバーブロッカー層を銀層と上層との間に配置してもよい。
【００７６】
最後に、第２被覆物の上には被覆層、時として当該技術分野においてオーバーコートと呼ばれるものがあってもよい。その結果周囲空気と接触するものである、多層積重体のこの最後の層は、機械的攻撃（引掻きなど）又は化学的攻撃から多層積重体を保護するのを目的とするものである。このオーバーコートは、多層積重体の反射の見た目に干渉しないように、一般的に非常に薄い（その厚さは通常１ｎｍと５ｎｍの間である）。それは、化学量論的に不足の形で被着させた、酸化チタン又は混合スズ亜鉛酸化物、特にアンチモンをドープしたもの、を基礎材料としているのが好ましい。
【００７７】
多層積重体は１以上の銀層、特に２つ又は３つの銀層を含むことができる。２以上の銀層が存在している場合、上記の一般的構造を反復させてもよい。この場合、所与の銀層と関連する第２被覆物（従ってこの銀層の上に位置している）は、一般的に、次の銀層と関連する第１被覆物と同一のものとなる。
【００７８】
本発明によって得られた被覆物を備えた基材は、単一グレージング、複層グレージング又は積層グレージングで、反射鏡で、及びガラス壁装材で用いることができる。被覆物が低放射率の多層積重体であり、ガスを充填した中空層によって分離された少なくとも２枚のガラス板を含む複層グレージングの場合には、前記ガス充填中間層と接触した面に多層積重体を配置することが好ましく、特に外側を基準としてみた場合の面２（すなわち建造物の外側に接している基材の、外側に向けられた面の反対側の面）又は面３（すなわち建造物の外側から数えて２番目の基材の、外側に向けられた面）に配置されることが好ましい。被覆物が光触媒層である場合には、それは面１上に配置されるのが、従って建造物の外側と接触して配置されるのが好ましい。
【００７９】
本発明に従って得られた被覆物を備えた基材は、光電池、光起電力グレージング又はソーラーパネルに用いてもよく、本発明に従って処理された被覆物は、例えば、黄銅鉱（特にＣＩＳタイプ、すなわちＣｕＩｎＳｅ2）を基礎材料とする、あるいは非晶質及び／又は多結晶シリコン、あるいはＣｄＴｅを基礎材料とする多層積重体における、ＺｎＯ：Ａｌ又はＺｎＯ：Ｇａを基礎材料とする電極である。
【００８０】
本発明に従って得られた被覆物を備えた基材はまた、ＬＣＤ（液晶ディスプレイ）、ＯＬＥＤ（有機発光ダイオード）又はＦＥＤ（電界放出ディスプレイ）タイプの表示画面に用いてもよく、本発明に従って処理された被覆物は、例えば、ＩＴＯの導電層である。それらはまた、エレクトロクロミックグレージングに用いてもよく、本発明に従って処理された薄層は、例えば、フランス国特許出願公開第２８３３１０７号明細書に教示されているような透明導電層である。
【００８１】
以下の限定されない例示の実施形態により、本発明を説明する。
【実施例】
【００８２】
〔例１〕
出願人によりＳＧＧ  Ｐｌａｎｉｌｕｘの名称で販売されている厚さ４ｍｍの透明ガラス基材の上に、低放射率の多層積重体を被着させる。この多層積重体は、公知のやり方でもって、基材が各種ターゲットの下を走行するスパッタリングライン（マグネトロン法）で被着させる。
【００８３】
表１は、各層の物理的厚さをｎｍ単位で示している。第１行目は、基材から最も遠く、外気と接触した層に対応している。
【００８４】
【表１】
0006054890.tif 000002
【００８５】
下記の表２は、各層に対して用いた被着パラメータをまとめたものである。
【００８６】
【表２】
0006054890.tif 000003
【００８７】
試料を、並進走行する被覆物を備えた基材が通過していく波長９８０ｎｍの放射線を照射するインラインレーザーを用いて処理する。線形出力は４０Ｗ／ｍｍ、光線の太さは６３μｍである。従って、表面出力密度は６３ｋＷ／ｃｍ2である。基材の走行速度は５ｍ／分である。
【００８８】
被覆物は、上記レーザー波長で反射率が６５％、透過率が２５％である。
【００８９】
第１の構成態様によると、主放射線と同一の位置で正確に被覆物に当たる二次放射線を生じさせるように、主放射線を反射させることができる反射鏡を被覆物に向き合わせて配置する。この場合、熱処理後のシート抵抗の相対的減少は２０〜２１％である。
【００９０】
第２の構成態様によると、２つの反射鏡と１つのレンズを被覆物に向き合わせて配置する。二次放射線を主放射線が被覆物に当たる正確な位置に集束させるように、被覆物によって反射される主放射線の部分を、第１反射鏡により、次いで第２反射鏡により、レンズへ向けて次々に反射させる。この場合、熱処理後のシート抵抗の相対的減少は２１〜２３％である。
【００９１】
主放射線の反射した部分を再利用しなかった場合には、シート抵抗の減少は１８％である。
【００９２】
シート抵抗の減少幅のこの増加に付随する処理の最善の有効性により、等しい減少幅で処理速度を３０％前後増大させることが可能になる。
【００９３】
〔例２〕
出願人によりＳＧＧ  Ｐｌａｎｉｌｕｘの名称で販売されている厚さ４ｍｍの透明ガラス基材の上に、低放射率の多層積重体を被着させる。この多層積重体は、公知のやり方でもって、基材が各種ターゲットの下を走行するスパッタリングライン（マグネトロン法）で被着させる。
【００９４】
下記の表３は、多層積重体の各層の物理的な厚さをｎｍ単位で示している。第１行目は、基材から最も遠く、外気と接触した層に対応している。
【００９５】
【表３】
0006054890.tif 000004
【００９６】
各層に対して用いた被着パラメータは表２に記載のものである。
【００９７】
試料を、並進走行する被覆物を備えた基材が通過していく波長９８０ｎｍの放射線を照射するインラインレーザーを用いて処理する。線形出力は４０Ｗ／ｍｍ、光線の太さは６３μｍである。従って、表面出力は６３ｋＷ／ｃｍ2である。基材の走行速度は７．５ｍ／分である。
【００９８】
被覆物は、上記レーザー波長で反射率が９％、透過率が７３％である。
【００９９】
主放射線と同一の位置で正確に被覆物に当たる二次放射線を生じさせるように、主放射線を反射させることができる反射鏡を被覆物に向き合わせて配置する。この場合、熱処理後のシート抵抗の相対的減少は２１．３％である。
【０１００】
主放射線の反射した部分を再利用しなかった場合には、シート抵抗の減少は１８％である。
【０１０１】
シート抵抗の減少幅のこの増加に付随する処理の最善の有効性により、等しい減少幅で処理速度を３０％前後増大させることが可能になる。
【０１０２】
〔例３〕
出願人によりＳＧＧ  Ｐｌａｎｉｌｕｘの名称で販売されている厚さ４ｍｍの透明ガラス基材の上に、アルミニウムをドープした、厚さ１９０ｎｍの酸化亜鉛の層を被着させる。この多層積重体は、公知のやり方でもって、スパッタリングライン（マグネトロン法）で被着させる。
【０１０３】
試料を、レーザーラインの形態で１０．６μｍの波長の主放射線を放射するＣＯ2レーザーを用いて処理する。レーザーの出力は３００Ｗ、ラインの幅はおよそ０．５ｍｍである。
【０１０４】
被覆物は、上記レーザー波長で反射率が１８．５％、透過率が７４．４％である。
【０１０５】
比較試験では、主放射線のみを被覆物の処理に利用した。レーザーの下での基材の走行速度が１．６ｍ／ｓの場合、抵抗率のゲインは５７％、最終値は７．７×１０-4Ω・ｃｍである。
【０１０６】
本発明による方法を用いた試験では、主放射線の透過した部分を基材へ向けて反射させるために（「透過」モード）、図３に示したように２つの反射鏡と１つのレンズからなる光学集成体を基材の下に配置する。このようにして形成された二次レーザー放射線が、主放射線と正確に同一の位置で基材に当たる。
【０１０７】
本発明による方法を利用することにより、１．７３ｍ／ｓの基材走行速度で、すなわち８％増加した生産性で、抵抗率の同一のゲインを達成することができる。
【０１０８】
〔例４〕
厚さ２０ｎｍのシリカ層、続いて厚さ１０ｎｍの酸化チタンの薄層、そして最後に厚さ５ｎｍのチタンの薄層を、出願人によりＳＧＧ  Ｐｌａｎｉｌｕｘの名称で販売されている厚さ４ｍｍの透明ガラス基材の上に順に被着させる。この多層積重体は、基材が各ターゲット（この特定の事例ではアルミニウムをドープしたケイ素及びチタンでそれぞれ製作したターゲット）の下を走行するスパッタリングライン（マグネトロン法）で、公知のやり方でもって被着させる。
【０１０９】
マグネトロンラインの出口と保管装置との間で、波長８０８ｎｍで放射するレーザーダイオードをベースとするレーザー放射装置により、基材の幅に対応するラインに沿ってチタン層上に主レーザー放射線を集中させる。
【０１１０】
比較試験では、主放射線のみを被覆物の処理に利用する。レーザーの下での基材の走行速度が４ｍ／分の場合、国際公開第２０１１／０３９４８８号パンフレットに記載された試験（ステアリン酸の分解を監視することによる）に従って測定した光触媒活性は、２２×１０-4ｃｍ-1・ｍｉｎ-1である。レーザーの線形出力は３７．５Ｗ／ｍｍである。
【０１１１】
本発明による方法を用いた試験では、主放射線の反射部分を基材に向けて反射させるために、図２に示すように１つのプリズムと１つのレンズからなる光学集成体を基材の下に配置する（「反射」モード）。こうして形成した二次放射線は、主放射線と正確に同一の位置で基材に当たる。
【０１１２】
本発明による方法を利用することにより、同じレーザー出力にて、但し４．２ｍ／分というより高速な走行速度で、すなわち４％の増加した生産性で、同じレベルの光触媒活性を得ることができる。
【０１１３】
反対に、比較試験の場合と同一の走行速度の場合には、同レベルの光触媒活性が得られたが、レーザー出力はより低く、３６．８Ｗ／ｍｍにとどまった。
【図１】
0006054890.tif 000005
【図２】
0006054890.tif 000006
【図３】
0006054890.tif 000007