(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を該基板上に入射する集束粒子ビームを用いて処理する方法であって、
ａ．前記集束粒子ビームと少なくとも１つの処理ガスとを用いて前記基板の少なくとも１つの特徴要素上に少なくとも１つの参照マークを生成する段階であって、前記集束粒子ビームと少なくとも１つの第１前駆体ガスとを用いて材料のドットを堆積させる段階を含む段階と、
ｂ．前記少なくとも１つの参照マークの参照位置を認識する段階と、
ｃ．前記少なくとも１つの参照マークの前記参照位置を用いて前記基板を処理する段階と、
ｄ．前記基板の前記少なくとも１つの特徴要素から前記少なくとも１つの参照マークを除去する段階と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記基板を処理する段階は、
ａ．処理を中断する段階と、
ｂ．前記参照位置に対する前記少なくとも１つの参照マークの位置のドリフトを決定する段階と、
ｃ．補正された前記ドリフトを用いて前記基板の処理を続行する段階と、
を更に含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記基板を処理する段階は、ドリフトセンサの信号に基づいて段階ａから段階ｃを繰り返す段階を更に含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記基板を処理する段階は、前記粒子ビームと前記少なくとも１つの処理ガスとを使用する段階を含むことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記参照マークは、
ａ．前記集束粒子ビームを用いて生成された画像に前記基板の材料に対するコントラスト差を生成し、
ｂ．前記基板を処理する段階中にロバストであり、かつ
ｃ．前記処理する段階の終了時に従来の基板処理工程を用いて前記基板から除去可能である、
材料を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記少なくとも１つの第１前駆体ガスは、少なくとも１つの堆積ガス、又は少なくとも１つの堆積ガスと少なくとも１つの添加ガスを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記少なくとも１つの参照マークの前記参照位置を用いて前記基板を処理する段階はさらに、
ａ．集束粒子ビームと少なくとも１つの堆積ガスとを用いて余剰材料の周囲に除去可能材料を堆積させる段階と、
ｂ．前記余剰材料を前記除去可能材料と共に除去する段階と、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
基板を該基板上に入射する集束粒子ビームを用いて処理するための装置であって、
ａ．前記集束粒子ビームと少なくとも１つの処理ガスとを用いて前記基板の少なくとも１つの特徴要素上に少なくとも１つの参照マークを生成するための手段であって、前記集束粒子ビームと少なくとも１つの第１前駆体ガスとを用いて材料のドットを堆積させる手段を備える手段と、
ｂ．前記少なくとも１つの参照マークの参照位置を認識するための手段と、
ｃ．前記少なくとも１つの参照マークの前記参照位置を用いて前記基板を処理するための手段と、
ｄ．前記基板の前記少なくとも１つの特徴要素から前記少なくとも１つの参照マークを除去するための手段と、
を含むことを特徴とする装置。
【請求項９】
前記集束粒子ビームは、電子ビーム、イオンビーム、原子ビーム、分子ビーム、及び／又は光子ビームのうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記少なくとも１つの処理ガスは、少なくとも１つの堆積ガス、又は少なくとも１つの堆積ガスと少なくとも１つの添加ガスを含むことを特徴とする請求項８又は請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
基板を処理する装置であって、
ａ．粒子ビームを発生させるための粒子源、及び該粒子ビームを前記基板上にフォーカスさせて誘導するための少なくとも１つの結像要素と、
ｂ．前記粒子ビームと少なくとも１つの第１前駆体ガスが、材料のドットを堆積させることによって前記基板の少なくとも１つの特徴要素上に少なくとも１つの参照マークを生成する、該少なくとも１つの第１前駆体ガスを貯留するための少なくとも１つの貯留容器と、該少なくとも１つの前駆体ガスを該基板上に誘導して投与するための弁を有する導管と、
ｃ．前記少なくとも１つの参照マークの参照位置を決定するための少なくとも１つの検出器と、
ｄ．前記粒子ビームと少なくとも１つの第２前駆体ガスが前記基板上に材料を局所的に堆積させる、該少なくとも１つの第２前駆体ガスを貯留するための少なくとも１つの貯留容器と、該少なくとも１つの第２前駆体ガスを該基板上に誘導して投与するための弁を有する導管と、
ｅ．前記粒子ビームと少なくとも１つのエッチングガスが前記基板から材料を局所的に除去する、該少なくとも１つのエッチングガスを貯留するための少なくとも１つの貯留容器と、該少なくとも１つのエッチングガスを該基板上に誘導して投与するための弁を有する導管と、
を含み、
ｆ．前記粒子ビーム及び前記少なくとも１つのエッチングガスはまた、前記基板の前記少なくとも１つの特徴要素から前記少なくとも１つの参照マークを除去する、
ことを特徴とする装置。
【請求項１２】
前記検出器は、前記基板から後方散乱された粒子、及び前記粒子ビームの効果の下で該基板に発生した２次電子の少なくとも１つを検出することを特徴とする請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
少なくとも１つの添加ガスを貯留するための少なくとも１つの貯留容器と、該少なくとも１つの添加ガスを誘導して投与するための弁を有する導管とを更に含み、
前記少なくとも１つの添加ガスが使用されて、少なくとも１つの参照マークを生成するか、前記基板の前記処理中に該基板上に材料を局所的に堆積させるか、又は、少なくとも１つの参照マークを生成し、かつ前記基板の前記処理中に該基板上に材料を局所的に堆積させる、
ことを特徴とする請求項１１又は請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
質量流量コントローラ、熱平衡化された前駆体ガス、又は質量流量コントローラ及び熱平衡化された前駆体ガスが、前記第１前駆体ガス、前記第２前駆体ガス及び前記エッチングガスの蒸気圧の少なくとも１つを制御するために使用されることを特徴とする請求項１１から請求項１３のいずれか１項に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、集束粒子ビームを用いて基板を処理する分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの着実に高まる集積密度の結果として、フォトリソグラフィマスク又はナノインプリントリソグラフィにおけるテンプレートは、益々小さい特徴部を転写しなければならない。この要求を満たすために、結像ツールの化学線波長は、４３６ｎｍ及び３６５ｎｍから１９３ｎｍまで段階的に短くなっている。更に、投影システムの開口数を拡大するために、液浸リソグラフィが導入されている。その結果、マスク製造工程は、大幅に増大したコストを伴って非常に高い複雑度に達した。近い将来、１３．５ｎｍの波長の光を用いた結像に対して反射マスクが使用されることになる。
【０００３】
十分な収量でフォトリソグラフィマスクを製造するために、製造工程の終了時に修復によってマスク欠陥が除去される。フォトリソグラフィマスクを用いて照明されるウェーハ上での構造要素の生成も、同じく補正されなければならない小さい欠陥をもたらす場合がある。更に、多くの場合に、超大規模（ＵＬＳＩ）チップは、回路編集によって選択、活性化、及び修復される同じチップ上に多くの集積回路変形を有する。更に、マイクロリソグラフィ技術の進歩は、益々小さい特徴部サイズを有する例えばマイクロ電気機械システム（ＭＥＭＳ）又は光子集積回路（ＰＩＣ）の製作を可能にし、これらの製作は、誤差の発生し易い工程である。フォトリソグラフィマスクの状況と同様に、可能な場合は常にこれらのデバイスの誤差を補正することが必要である。
【０００４】
以下では、これらの品目及び更に別のものを基板という用語を用いて要約する。
【０００５】
典型的には、上述の誤差は、集束粒子ビームを使用することによって補正することができる局所欠陥である。集束粒子ビームは、上述の小さい構造に必要とされる空間分解能（＜１μｍ）を与える。基板上の局所欠陥を修復するために、適切な処理ガスが粒子ビームとの組合せで適用され、粒子ビーム援用化学処理を誘導する。基板の余剰材料を局所的に除去するために、処理ガスは、少なくとも１つのエッチングガスを含む。ある一定の材料を局所的に堆積させる場合には、処理ガスとして前駆体ガス又は化学気相蒸着（ＣＶＤ）ガスが使用される。
【０００６】
欠陥の処理中に、欠陥は、加熱される場合がある。更に、走査に使用されるマイクロマニピュレータは、ある期間内にある程度のずれを拾う場合がある。更に、荷電粒子ビームを使用する時に、基板面が帯電する可能性があり、従って、荷電粒子ビームが基板に当たる位置のシフト及び／又は歪曲がもたらされる。全てのこれらの効果は、入射粒子ビームと処理される基板との間で相対位置のドリフトをもたらし、それによって基板の欠陥区域に対する粒子ビームの空間分解能が劣化する。
【０００７】
この問題は、基板上の欠陥に近い参照マークを使用すること、及び／又は製作かつ使用することによって解決することができる。一部の実施形態において、参照マークは、５０ｎｍから１００ｎｍの範囲の寸法を有する。参照マークは、修復工程中に欠陥区域に対する粒子ビームのドリフトを補正するのに使用される。従来技術では、そのような工程はドリフト補正（ＤＣ）と呼ばれる。
【０００８】
本特許出願に対する従来技術としてＵＳ  ７  ０１８  ６８３、ＥＰ  １  ６６２  ５３８  Ａ２、ＪＰ  ２００３００７２４７  Ａ、ＵＳ  ２００７／００２３６８９、及びＵＳ  ２００８／００７３５８０を参照されたい。
【０００９】
しかし、特徴要素の寸法が参照マークの寸法と等しくなる程度までそのサイズが縮小されると、新しい状況がもたらされる。この場合に、参照マークは、基板の更に別の処理に影響を及ぼす可能性があるので、もはや無視することができず、参照マークが基板の画像に対して効果を有する可能性があるという危険性が存在する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】ＵＳ  ７  ０１８  ６８３
【特許文献２】ＥＰ  １  ６６２  ５３８  Ａ２
【特許文献３】ＪＰ  ２００３００７２４７  Ａ
【特許文献４】ＵＳ  ２００７／００２３６８９
【特許文献５】ＵＳ  ２００８／００７３５８０
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
従って、本発明の１つの目的は、基板の更に別の処理に対する及び／又はその適用に対する参照マークの効果を最小にする方法及び装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の第１の態様により、請求項１に記載の方法を提供する。一部の実施形態において、基板上に入射する集束粒子ビームを用いて基板を処理する方法は、（ａ）集束粒子ビームと少なくとも１つの処理ガスとを用いて基板上に少なくとも１つの参照マークを生成する段階と、（ｂ）少なくとも１つの参照マークの参照位置を決定する段階と、（ｃ）参照マークの参照位置を用いて基板を処理する段階と、（ｄ）基板から少なくとも１つの参照マークを除去する段階とを含む。
【００１３】
態様において、主張する方法による基板の処理は、第１段階で、既知の組成を有する参照マークを生成する。参照マークは、誤差補正を助ける。参照マークは、基板から従来の工程を用いて除去することができる。
【００１４】
実施形態において、３２ｎｍノードのフォトリソグラフィマスクは、ＤＣマークの寸法（５０ｎｍ〜１００ｎｍ）と類似の１３０ｎｍの典型的な線幅を有する。従って、正常に完了した修復工程の終了時に、参照マークが、望ましくない効果をもたらす場合がある。そのような効果に関する例は、測定ツールによる参照マークの検出であり、この検出により、マスクの最終検査において困難を招く場合がある。ＤＣマークは、吸収線上に設けられた場合は透過光内で不可視とすることができるが、検査ツールの反射光成分又は散乱光成分内で「可視である」可能性がある。更に、縮小する特徴部サイズに伴って、修復中にＤＣマークを走査する段階からの残留物が空間の透過率に影響を及ぼす場合があり、従って、１９３ｎｍマスク上でさえもプリント機能に影響を及ぼす場合がある。その結果、フォトリソグラフィマスクの適用時に、参照マークが露光損失をもたらす可能性さえもあり、マスクによってウェーハ上に生成される像の品質が損なわれる。
【００１５】
更に、参照マークの組成は、多くの場合にそれ程十分に既知ではない。実際に、参照マークの組成を定めるのは困難でさえある。例えば、密度の不均一性及び／又は原子比における不均一性が存在する可能性がある。従って、マスクの更に別の処理の最中、特にその適用最中のこれらの不均一性の時間的な推移を予想するのは困難である。取りわけ、リソグラフィデバイスの投影システムに使用される紫外放射線又は深紫外（ＤＵＶ）放射線への参照マークの露光は、参照マークの長期安定性を損なう場合がある。
【００１６】
ここに定める欠陥補正工程の適用により、上記に解説した問題は回避される。
【００１７】
更に、上述の方法は、マスク修復工程に限定されない。それは、試料の処理に必要とされ、かつ処理の終了時に試料から除去されなければならない補助構造を試料上に配置する必要があるあらゆる種類の処理に適用することができる。
【００１８】
一態様において、参照位置を決定する段階は、基板を処理する段階の前に行われる。
【００１９】
参照マークの参照位置が、基板の処理を始める前に決定される場合には、粒子ビームの相対位置と基板上の処理位置とに対する全ての処理段階の効果は、追跡して補正することができる。
【００２０】
更に別の態様において、基板を処理する段階は、（ａ）処理を中断する段階と、（ｂ）参照位置に対する少なくとも１つの参照マークの位置のドリフトを決定する段階と、（ｃ）補正されたドリフトを用いて基板の処理を続行する段階とを更に含む。更に別の態様において、基板の処理は、段階（ａ）から段階（ｃ）までを周期的に繰り返す段階を更に含む。
【００２１】
参照マークの位置のドリフトの決定の期間は、処理の特定の状況に対して調節することができる。例えば、装置全体がまだ熱的に安定した状態に達していない工程の開始時点では、短い期間を選択することができる。更に、この期間は、例えば、基板上の材料を局所的に除去する段階、又は基板上に材料を局所的に堆積させる段階のような基板の実際の処理に基づく場合がある。
【００２２】
別の態様により、基板の処理は、ドリフトセンサの信号に基づいて前々段落の段階（ａ）から段階（ｃ）までを繰り返す段階を更に含む。
【００２３】
参照マークに加えてドリフトセンサの適用は、集束粒子ビームの位置を決定するための第２の独立した手段を与える。更に、ドリフトセンサは、ある期間内の集束粒子ビームの急激なドリフトの決定を可能にする。ドリフトは、２つの時点の間で参照マークの画像から検出される。
【００２４】
別の態様において、基板の処理は、少なくとも１つの参照マークを生成するのに使用される粒子ビームとは異なる粒子ビームを使用する段階を更に含む。
【００２５】
特定の基板及びその組成に基づいて、参照マークの生成において１つの粒子ビームを用い、基板の処理において別のものを使用することができる。
【００２６】
更に別の態様において、処理ガスは、少なくとも１つの第１前駆体ガス、少なくとも１つの第２前駆体ガス、及び／又は少なくとも１つのエッチングガスを含む。第２前駆体ガスは、第１前駆体ガスとは異なることができる。
【００２７】
別の態様により、少なくとも１つの参照マークを生成する段階は、集束粒子ビームと少なくとも１つの第１前駆体ガスとを用いて材料のドットを堆積させる段階を含む。
【００２８】
参照マークの生成と基板の処理とにおいて１つの処理ガスを適用することは想定可能であるが、参照マークの生成において特定の第１前駆体ガス又はいくつかの特定の前駆体ガスの組合せを使用する可能性がかなり高い。基板の処理が、基板上への特定の材料の局所堆積を含む場合には、典型的には第２前駆体ガスが使用される。基板の処理が、材料を局所的に除去する段階を含む場合には、単一のエッチングガス又はいくつかのエッチングガスの組合せを使用することができる。
【００２９】
更に別の態様により、少なくとも１つの参照マークを生成する段階は、集束粒子ビームと少なくとも１つのエッチングガスとを用いて孔をエッチングする段階を含む。
【００３０】
一般的に、参照マークは、参照マークを含む区域の画像内で基板のある一定の位置にコントラストを生成する機能を有する。このコントラストは、この位置に付加された材料のドットにより、又はそれぞれの位置で基板内にエッチングされた小孔によって生成することができる。
【００３１】
別の態様において、少なくとも１つの参照マークを除去する段階は、従来の基板処理工程を使用する段階を含む。更に別の態様において、少なくとも１つの参照マークを除去する段階は、従来の化学気相蒸着工程を用いて孔を充填する段階を含む。
【００３２】
参照マークの除去が公知の技術に基づくことができることは、本発明の重要な利点である。従って、上述の方法は、従来の粒子ビーム発生装置の高価かつ複雑な修正なしに適用することができる。
【００３３】
更に別の態様により、集束粒子ビームは、電子ビーム、イオンビーム、原子ビーム、分子ビーム、及び／又は光子ビームのうちの少なくとも１つを含む。
【００３４】
粒子ビーム援用堆積又はエッチング処理を誘導するために、上述の粒子ビームのうちの１つ又はそれよりも多くを利用することができる。列記した粒子ビームは、基板から粒子を局所的に放出させることができるので、これらのビームは、基板上の参照マークの参照位置、並びに実際の位置の決定に対して使用することができる。
【００３５】
別の態様において、本方法は、基板上に犠牲層を堆積させ、かつ犠牲層上に少なくとも１つの参照マークを生成する段階を含む。
【００３６】
犠牲層は、組成、形状、位置、厚みなどのようなパラメータに関して高い自由度を伴って基板上に堆積させることができる。例えば、犠牲層は、集束粒子ビームを少なくとも１つの処理ガスとの組合せに使用することによって基板上に堆積させることができる。
【００３７】
更に別の態様において、基板は、透過性又は反射性フォトリソグラフィマスク、ナノインプリントリソグラフィテンプレート、半導体デバイス、マイクロ電気機械デバイス、光子集積回路、集積回路、及び／又はプリント回路基板のうちの少なくとも１つを含む。
【００３８】
既に示したように、上述の方法は、試料又は基板の処理に必要とされ、試料又は基板の処理の完了後に除去されなければならない補助構造を試料又は基板上に配置する必要がある試料又は基板のあらゆる種類の処理に適用することができる。
【００３９】
更に別の態様において、参照マークは、（ａ）集束粒子ビームを用いて生成される画像内に基板の材料に対するコントラスト差を生成し、（ｂ）基板の処理段階中にロバストであり、かつ（ｃ）処理の終了時に従来の基板処理工程を用いて基板から除去可能である材料を含む。
【００４０】
第１の要件により、基板材料は、参照マークのための材料として使用するのは好ましくない。そのような参照マークは、材料コントラストを与えることにはならないが、基板材料は、依然としてトポグラフィコントラスト差を与えることができる。以下では、基板上で必要とされる特性を有する材料をもたらす多くの第１前駆体ガスを示している。既知の組成を有する第１前駆体ガスを用い、成長条件に対して明確に定められたパラメータを用いて参照マークの生成を実施することにより、得られる参照マークも同じく既知の組成を有する。
【００４１】
更に別の態様は、集束粒子ビームの画像内に基板材料に対する材料コントラスト差を生成する段階を含む。
【００４２】
例えば、参照マークの材料は、参照マークを取り囲む材料よりも強く又は弱く電子を反射することができる。所定の基板材料において妥当な材料コントラスト差をもたらす参照マーク材料を選択することができる。別の例では、犠牲層の材料と参照マークの材料は、参照マークが犠牲層材料に対して高い材料コントラスト差を生成するように選択される。
【００４３】
更に別の態様において、少なくとも１つの第１前駆体ガスは、少なくとも１つの堆積ガスを含み、又は少なくとも１つの堆積ガスと少なくとも１つの添加ガスとを含む。
【００４４】
別の態様において、少なくとも１つの堆積ガスは、金属アルキル、遷移元素アルキル、及び主族元素アルキルのうちの少なくとも１つを含む。更に別の態様により、金属アルキル、遷移元素アルキル、及び主族元素アルキルのうちの少なくとも１つは、シクロペンタジエニル（Ｃｐ）、トリメチルプラチナ（ＣｐＰｔＭｅ3）、メチルシクロペンタジエニル（ＭｅＣｐ）、トリメチルプラチナ（ＭｅＣｐＰｔＭｅ3）、テトラメチル錫（ＳｎＭｅ4）、トリメチルガリウム（ＧａＭｅ3）、フェロセンシクロペンタジエニル（Ｃｐ2Ｆｅ）、及びビス−アリルクロム（Ａｒ2Ｃｒ）を含む。全てのこれらの場合に、「メチル」という用語は、炭化水素ラジカル−ＣＨ3に関する。
【００４５】
少なくとも１つの堆積ガスは、金属カルボニル、遷移元素カルボニル、及び主族元素カルボニルのうちの少なくとも１つを含む。別の態様において、金属カルボニル、遷移元素カルボニル、及び主族元素カルボニルのうちの少なくとも１つは、ヘキサカルボニルクロム（Ｃｒ（ＣＯ）6）、ヘキサカルボニルモリブデン（Ｍｏ（ＣＯ）6）、ヘキサカルボニルタングステン（Ｗ（ＣＯ）6）、オクタカルボニルジコバルト（Ｃｏ2（ＣＯ）8）、ドデカカルボニルトリルテニウム（Ｒｕ3（ＣＯ）12）、及びペンタカルボニル鉄（Ｆｅ（ＣＯ）5）を含む。
【００４６】
別の態様により、少なくとも１つの堆積ガスは、金属アルコキシド、遷移元素アルコキシド、及び主族元素アルコキシドのうちの少なくとも１つを含む。更に別の態様において、金属アルコキシド、遷移元素アルコキシド、及び主族元素アルコキシドのうちの少なくとも１つは、オルトケイ酸テトラエチル（Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）4）及びイソプロポキシドチタン（Ｔｉ（ＯＣＨ（ＣＨ3）2）4）を含む。
【００４７】
更に別の態様において、少なくとも１つの堆積ガスは、金属ハロゲン化物、遷移元素ハロゲン化物、及び主族元素ハロゲン化物のうちの少なくとも１つを含む。別の態様により、金属ハロゲン化物、遷移元素ハロゲン化物、及び主族元素ハロゲン化物のうちの少なくとも１つは、六塩化タングステン（ＷＣｌ6）、四塩化チタン（ＴｉＣｌ４）、三塩化ホウ素（ＢＣ１3）、及び四塩化シリコン（ＳｉＣｌ4）を含む。
【００４８】
別の態様により、少なくとも１つの堆積ガスは、金属錯体、遷移元素錯体、及び主族元素錯体のうちの少なくとも１つを含む。更に別の態様において、金属錯体、遷移元素錯体、及び主族元素錯体のうちの少なくとも１つは、ヘキサフルオロアセチルアセトネート銅（Ｃｕ（Ｃ5Ｆ6Ｈ０2）6）及びジメチル金トリフルオロアセチルアセトネート（Ｍｅ2Ａｕ（Ｃ5Ｆ3Ｈ4０2））を含む。
【００４９】
更に別の態様において、少なくとも１つの堆積ガスは、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ2）、脂肪族又は芳香族炭化水素、真空ポンプ油の成分、及び揮発性有機化合物を含む。
【００５０】
ＣＯ、ＣＯ2、及び／又は脂肪族又は芳香族炭化水素（並びにトルエン及びケトン）の堆積ガスは、アモルファス炭素層の堆積をもたらす。アモルファス炭素は、参照マークを形成するのに加えて犠牲層を形成するのに好ましい材料である。
【００５１】
真空ポンプ油の成分は、−Ｓｉ（Ｍｅ）2−又は−Ｓｉ（０Ｍｅ）2−の原子団を含むいわゆるシリコーン化合物を含む。ＧＢＬという略記号を有するガンマ−ブチロラクトン又はγ−ブチロラクトンは、別の重要な堆積ガスである。
【００５２】
それとは対照的に、従来技術は、例えば、アセチレン、ベンゼン、ナフタレン、又はアントラセンのような単環芳香族化合物、メントール又はカンフルのような芳香剤、アセトン、イソプロパノール、又は酢酸のような有機溶剤、並びにアクリル酸及びスチレンのようなモノマーを使用する。
【００５３】
更に別の態様において、少なくとも１つの添加ガスは、酸化剤を含む。更に別の態様において、酸化剤は、酸素（Ｏ2）、オゾン（Ｏ3）、水蒸気（Ｈ2Ｏ）、過酸化水素（Ｈ2Ｏ2）、一酸化二窒素（Ｎ2Ｏ）、一酸化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ2）、硝酸（ＨＮＯ3）、及び酸素含有ガスを含む。
【００５４】
更に別の態様において、少なくとも１つの添加剤ガスは、ハロゲン化物を含む。別の態様において、ハロゲン化物は、塩素ガス（Ｃｌ2）、塩酸（ＨＣｌ）、二フッ化キセノン（ＸｅＦ2）、フッ化水素酸（ＨＦ）、ヨウ素（Ｉ2）、ヨウ化水素（ＨＩ）、臭素（Ｂｒ2）、臭化水素（ＨＢｒ）、塩化ニトロシル（ＮＯＣｌ）、三塩化リン（ＰＣｌ3）、五塩化リン（ＰＣｌ5）、三フッ化リン（ＰＦ3）、三フッ化窒素（ＮＦ3）、及びハロゲン含有ガスを含む。
【００５５】
更に別の態様により、少なくとも１つの添加ガスは、還元効果を有するガスを含む。別の態様において、還元効果を有するガスは、水素（Ｈ2）、アンモニア（ＮＨ3）、メタン（ＣＨ4）、及び水素含有ガスを含む。
【００５６】
別の態様において、参照マークを除去する段階は、参照マークを堆積させるのに使用される真空チャンバ内で実施される。
【００５７】
参照マークを生成するのに使用され、更に基板を処理するのにも使用される真空チャンバ内で参照マークを除去することにより、全体工程における設定時間が最低限まで短縮され、従って、効率的な全体工程がもたらされる。
【００５８】
更に別の態様において、参照マークを除去する段階は、粒子ビームと少なくとも１つのエッチングガスとを参照マーク上に向ける段階を含む。
【００５９】
アモルファス炭素層及び／又は炭素含有参照マークは、例えば、Ｏ2、Ｏ3、水蒸気（Ｈ2Ｏ）、Ｈ2Ｏ2、Ｎ2Ｏ、ＮＯ、ＮＯ2、ＨＮＯ3、及び他の酸素含有エッチングガスのような酸化エッチングガスによって選択的に除去される。更に、シリコン含有層及び／又はシリコン含有参照マークは、フッ素含有エッチングガスによって除去される。更に、チタン含有層及び／又はチタン含有参照マークは、ヨウ素及び／又は塩素含有エッチングガスによって選択的に除去される。
【００６０】
クロム、モリブデン、及び／又はウォルフラムを含む（すなわち、例えば、Ｃｒ（ＣＯ）6、Ｍｏ（ＣＯ）6、又はＷ（ＣＯ）6の堆積ガスを使用することによって生成された）参照マーク及び／又は（犠牲）層は、二フッ化キセノン（ＸｅＦ2）又は水蒸気（Ｈ2Ｏ）のエッチングガスを使用することによって非選択的にエッチングすることしかできない。
【００６１】
有益な態様により、粒子ビームは、電子ビームを含み、少なくとも１つのエッチングガスは、少なくとも１つのハロゲン含有ガスを含む。別の態様において、参照マークを除去する段階は、洗浄デバイス内で従来の洗浄工程を用いて実施される。
【００６２】
イオンビームのような重粒子ビームとは対照的に、電子ビームは、基板に深刻な損傷を導入せず、従って、基板の実質的に残留物なしの処理が可能になる。
【００６３】
別の態様により、犠牲層を除去する段階は、洗浄デバイス内で従来の洗浄工程を用いて実施され、洗浄工程は、犠牲層上の少なくとも１つの参照マークを同時に除去する。
【００６４】
洗浄工程中に、洗浄工程における参照マークのエッチング速度が犠牲層自体のものよりも低い場合であっても、犠牲層上に配置された全ての参照マークは除去される。従って、犠牲層の適用は、多くの修復工程段階に耐えなければならない参照マークを必要とする状況において有利とすることができる。
【００６５】
更に別の態様において、参照マークを除去する段階は、洗浄デバイス内で従来の洗浄工程を用いて実施される。更に別の態様において、洗浄段階は、湿式化学洗浄工程を含む。
【００６６】
本発明の一実施形態において、参照マークの除去は、真空チャンバ内での局所工程においては実施されず、洗浄デバイス内で基板の最終洗浄との組合せで実施される。洗浄工程は、半導体産業及び関連分野で定着している。洗浄デバイスでは、それぞれの参照マークの材料に対して洗浄剤を設計することができる。湿式化学洗浄工程により、基板全体の上に配置された全ての参照マークを単一の段階で除去することができ、従って、高速の洗浄工程がもたらされる。
【００６７】
既に上述したように、犠牲層は、好ましくは、アモルファス炭素で形成される。犠牲層は、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ2）、及び／又は脂肪族又は芳香族炭化水素の堆積ガスを使用することによって形成される。アモルファス炭素を含む参照マーク及び／又は犠牲層は、洗浄工程中に基板又はフォトマスクから除去される。
【００６８】
更に、酸性水溶液の適用は、炭素含有犠牲層を選択的に除去する。更に、洗浄工程は、犠牲層の下の金属層の金属原子も２０％まで除去する。更に、ＥＵＶマスクでは、洗浄工程は、例えば、Ｏ2、Ｎ2、及び／又はＨ2のような溶存酸化ガスを含む水を用いて実施される。
【００６９】
一態様において、孔を充填する段階は、電子ビームと、少なくとも１つの第１前駆体ガス及び／又は少なくとも１つの第２前駆体ガスのうちの少なくとも１つとを使用する段階を含む。
【００７０】
参照マークとして使用された孔の集束粒子ビームと前駆体ガスとを用いた充填は、基板上に材料を堆積させることによって基板上の局所欠陥を修復する段階に非常に似ている。従って、一時的に参照マークを形成する孔の充填は、最小限の試行努力しか要さずに実施することができる。
【００７１】
本発明の更に別の態様において、基板から余剰材料を除去する方法は、（ａ）集束粒子ビームと少なくとも１つの堆積ガスとを用いて余剰材料の周囲に除去可能材料を堆積させる段階と、（ｂ）余剰材料を除去可能材料と共に除去する段階とを含む。
【００７２】
本発明のこの態様の利益は、典型的に洗浄工程では削除することができない余剰材料を除去することができる点である。例えば、洗浄工程等において容易に除去することができる材料で余剰材料を取り囲むことにより、余剰材料と除去可能材料とが一緒に除去される。
【００７３】
本発明のこの態様は、基板修復工程の開始時点において既に存在する余剰材料を基板から除去するために使用することができる。更に、この態様は、基板修復工程中に意図せずに堆積される余剰材料を除去するために使用することができる。
【００７４】
更に別の態様において、余剰材料は、ドリフト補正工程中に意図せずに堆積される材料を含む。別の態様により、余剰材料の周囲への除去可能材料の堆積は、基板の修復工程を始める前に実施される。更に別の態様において、除去可能材料は、参照マークを生成するのに使用される材料を含む。更に別の態様において、除去可能材料は、モリブデン、炭素、及び酸素の元素の組合せ、及び／又はモリブデン及び酸素の元素の組合せを含む。
【００７５】
更に別の態様において、余剰材料と除去可能材料を除去する段階は、集束粒子ビームと少なくとも１つのエッチングガスとを余剰材料及び除去可能材料を含む区域上に誘導する段階を含む。別の態様により、余剰材料と除去可能材料を除去する段階は、洗浄デバイス内で従来の洗浄工程を用いて実施される。有益な態様において、余剰材料と除去可能材料を除去する段階は、化学的除去工程を使用する段階を含む。
【００７６】
本発明の更に別の態様により、基板上に入射する集束粒子ビームを用いて基板を処理する装置は、（ａ）集束粒子ビームと少なくとも１つの処理ガスとを用いて、基板上に少なくとも１つの参照マークを生成するための手段と、（ｂ）少なくとも１つの参照マークの参照位置を決定するための手段と、（ｃ）参照マークの参照位置を用いて基板を処理するための手段と、（ｄ）基板から少なくとも１つの参照マークを除去するための手段とを含む。
【００７７】
更に別の態様において、集束粒子ビームは、電子ビーム、イオンビーム、原子ビーム、分子ビーム、及び／又は光子ビームのうちの少なくとも１つを含む。
【００７８】
態様において、基板は、透過性又は反射性フォトリソグラフィマスク、ナノインプリントリソグラフィテンプレート、半導体デバイス、マイクロ電気機械デバイス、光子集積回路、集積回路、及び／又はプリント回路基板のうちの少なくとも１つを含む。
【００７９】
別の態様において、処理ガスは、少なくとも１つの第１前駆体ガス、少なくとも１つの第２前駆体ガス、及び／又は少なくとも１つのエッチングガスを含む。更に別の態様において、少なくとも１つの第１前駆体ガスは、少なくとも１つの堆積ガスを含み、又は少なくとも１つの堆積ガスと少なくとも１つの添加ガスとを含む。更に別の態様により、少なくとも１つの堆積ガスは、上記に提供した堆積ガスのうちの少なくとも１つを含む。
【００８０】
更に、本発明の更に別の態様において、基板を処理する装置は、（ａ）粒子ビームを発生させるための粒子源及び粒子ビームを基板上にフォーカスして誘導するための少なくとも１つの結像要素と、（ｂ）粒子ビームと少なくとも１つの第１前駆体ガスとが基板上に少なくとも１つの参照マークを生成する少なくとも１つの第１前駆体ガスを貯留するための少なくとも１つの貯留容器と、少なくとも１つの前駆体ガスを基板上に誘導して投与するための弁を有する導管と、（ｃ）少なくとも１つの参照マークの参照位置を決定するための少なくとも１つの検出器と、（ｄ）粒子ビームと少なくとも１つの第２前駆体ガスとが基板上に材料を局所的に堆積させる少なくとも１つの第２前駆体ガスを貯留するための少なくとも１つの貯留容器と、少なくとも１つの第２前駆体ガスを基板上に誘導して投与するための弁を有する導管と、（ｅ）粒子ビームと少なくとも１つのエッチングガスとが基板から材料を局所的に除去する少なくとも１つのエッチングガスを貯留するための少なくとも１つの貯留容器と、少なくとも１つのエッチングガスを基板上に誘導して投与するための弁を有する導管とを含み、（ｆ）粒子ビームと少なくとも１つのエッチングガスはまた、基板から少なくとも１つの参照マークを除去する。
【００８１】
更に別の態様において、検出器は、基板から後方散乱された粒子、及び／又は粒子ビームの効果の下で基板内に発生された２次電子を検出する。
【００８２】
更に別の態様において、少なくとも１つの添加ガスは、上記に提供した添加ガスのうちの少なくとも１つを含む。
【００８３】
更に別の態様において、装置は、少なくとも１つの添加ガスを貯留するための少なくとも１つの貯留容器と、少なくとも１つの添加ガスを誘導して投与するための弁を有する導管とを更に含み、少なくとも１つの添加ガスは、基板の処理中に基板上に少なくとも１つの参照マークを生成し、及び／又は材料を局所的に堆積させるために使用される。
【００８４】
更に別の態様により、装置は、湿式化学洗浄を実施する少なくとも１つの洗浄デバイスを更に含む。
【００８５】
最後に、更に別の態様において、第１及び／又は第２前駆体ガス、及び／又はエッチングガスの蒸気圧を投与するのに、質量流量コントローラ及び／又は熱平衡化された前駆体ガスが使用される。
【００８６】
本発明をより明快に理解してその実際の用途を把握するために、以下の図を提供して下記で参照する。これらの図は、単なる例として提供するものであり、本発明の範囲を限定するわけでは決してないことに注意されたい。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】基板上に参照マークを生成し、基板を処理し、基板の処理後に参照マークを除去するのに使用される装置の主要構成要素のうちの一部の略ブロック図である。
【図２】主張する方法の例示的な実施形態を定める流れ図である。
【図３】黒色又は不透明の欠陥と空所又は透明の欠陥とを有するバイナリフォトリソグラフィマスク又は位相シフトフォトリソグラフィマスクの略抜粋図である。
【図４】図３の各欠陥に対して参照マークが生成された後のものを略示する図である。
【図５】図３の黒色又は不透明の欠陥の処理の始まりを略示する図である。
【図６】図５の処理期間の後の不透明欠陥に対する粒子ビームのシフトを略示する図である。
【図７】図６のドリフトの補正の後の状況を略示する図である。
【図８】２回目の処理期間の後の欠陥に対する粒子ビームのドリフトと残留している黒色又は不透明の欠陥とを略示する図である。
【図９】３回目の処理期間の後の粒子ビームと残留不透明欠陥の間のドリフトを略示する図である。
【図１０】空所又は透明の欠陥の補正における初期状況を略示する図である。
【図１１】最初の処理期間の後の透明欠陥に対する粒子ビームのドリフトを略示する図である。
【図１２】図１１のドリフトの補正の後の状況を略示する図である。
【図１３】２回目の処理期間の後の残留透明欠陥に対する粒子ビームのドリフトを略示する図である。
【図１４】図３の欠陥の補正及び図４の参照マークの除去の後のフォトリソグラフィマスクの略抜粋図である。
【発明を実施するための形態】
【００８８】
以下では、本発明の例示的な実施形態を示す添付図面を参照して本発明をより詳細に説明する。しかし、本発明は、異なる形態に実施することができ、本明細書に示す実施形態に限定されるものと解釈すべきではない。限定ではなく、これらの実施形態は、本発明の開示が完全なものになり、本発明の範囲を当業者に伝えることになるように提供するものである。
【００８９】
図１は、基板１０５上に参照マークを生成し、基板１０５を処理し、基板１０５の処理の終了時に又はより具体的には基板１０５上の誤差が補正された時に参照マークを基板１０５から除去するために使用することができる装置１００の基本的な構成要素の概略図を示している。図１に示す例示的な装置１００は、修正を加えた走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）である。電子銃１１５が、電子ビーム１２７を生成し、ビーム形成及び結像要素１２０及び１２５が、試料台又は基板台１１０上に配置された基板１０５上に集束電子ビーム１２７を向ける。
【００９０】
試料台１１０は、基板１０５の欠陥領域に対して移動することができるＸＹ台（図１には示していない）である。更に、試料台１１０は、基板１０５を所定の温度に設定して保持することを可能にする温度設定及び制御要素（図１には示していない）を含むことができる。
【００９１】
図１の装置は、電子ビーム１２７を使用する。電子ビームは、小さい焦点（直径＜１０ｎｍ）にフォーカスすることができ、基板１０５の面上に衝突する電子は、その運動エネルギが大きい範囲にわたって変化する場合であっても、基板１０５内にそれ程の損傷をもたらさない。しかし、本発明の方法は、電子ビームの適用に限定されない。典型的には、粒子ビームが基板１０５上に入射する場所に供給される処理ガスの化学反応を局所的に誘導することができるいずれかの粒子ビームを利用することができる。別の粒子ビームの例は、イオンビーム、原子ビーム、分子ビーム、及び／又は光子ビームである。更に、２つ又はいくつかの粒子ビームを並行して使用することができる。特に、電子ビーム又はイオンビームは、光子ビームとの組合せで同時に印加することができる（図１には示していない）。
【００９２】
電子ビーム１２７は、基板面を走査することによって基板１０５の画像を記録するために印加することができる。入射電子ビーム１２７によって生成された後方散乱電子及び／又は２次電子のための検出器１３０は、面輪郭及び／又は基板１０５の組成に比例する信号を供給する。
【００９３】
コンピュータシステム１４０は、電子ビーム１２７が基板面にわたって走査される時の検出器１３０の信号から基板１０５の画像を計算することができる。コンピュータシステム１４０は、検出器１３０の信号データから画像を抽出することを可能にするハードウエア及び／又はソフトウエアで達成されたアルゴリズムを含むことができる。コンピュータシステム１４０のモニタ（図１には示していない）は、計算された画像を表示することができる。更に、制御システム１４０は、検出器１３０の信号データ及び／又は計算された画像を格納することができる。更に、制御システム１４０は、電子銃１１５、並びにビーム形成及び結像要素１２０及び１２５を制御することができる。コンピュータシステム１４０の制御信号は、更に、試料台１１０の移動を制御することができる（図１には示していない）。
【００９４】
基板１０５上に入射する電子ビーム１２７は、基板面を帯電させる可能性がある。この帯電は、基板１０５が絶縁体であり、又は絶縁コーティングを有する場合に発生する可能性がある。更に、この帯電は、導電性基板が電気的に浮遊状態にあり、すなわち、接地電位に接続されていない場合に発生する可能性もある。更に、複雑なこととして、１次電子エネルギに基づいて基板材料内に複雑な空間電荷分布が生成される場合がある。この空間電荷分布により、基板内に異なる極性を有する帯電区域の並存がもたらされる場合がある。異なる容量及びコンダクタンスの区域の放電に起因する一時的作用は、１次集束電子ビーム１２７の予想不能な位置決め誤差をもたらす。
【００９５】
その結果、基板１０５上に蓄積された正又は負の電荷は、電子ビーム１２７の空間分解能、従って、生成される面画像の解像度を低下させる。電荷蓄積の効果を低減するために、低い運動エネルギを有するイオンで基板面を照射するイオン銃１３５を使用することができる。例えば、基板面を中性にするために、数百ボルトの運動エネルギを有するアルゴンイオンビームを印加することができる。
【００９６】
電子ビームの代わりに集束イオンビーム（ＦＩＢ）を使用する場合には、正の電荷分布が、基板１０５の絶縁面上に蓄積する。この場合に、基板面上の正の電荷分布を低減するために、基板面を照射する電子ビームを使用することができる。コンピュータシステム１４０は、イオンビーム源１３５を制御することができる。
【００９７】
試料台１１０上の基板１０５を処理するために、図１の装置１００は、３つの異なる処理ガスに対する３つの貯留容器を有する。第１の貯留容器１５０は、下記で図４を解説するときに詳細に説明するように、電子ビーム１２７との組合せで基板１０５の面上に参照マークを生成することができる第１前駆体ガス又は堆積ガスを貯留する。第２の容器１５５は、基板１０５上で特定の材料が局所的に欠如していることで特徴付けられる欠陥を修復又は補正するために使用することができる第２前駆体ガスを供給する。第３の貯留容器１６０は、基板１０５の面から余剰材料を局所的に除去するために利用することができるエッチングガスを貯留する。
【００９８】
第４の貯留容器１６５は、第１の容器１６０内に貯留される第１前駆体ガス又は堆積ガスとの組合せに使用することができる添加ガスを供給する。同じく、第５の貯留容器１７０は、第２の容器１５５内に貯留される第２前駆体ガスと共に印加することができる別の前駆体ガスを含む。最後に、第６の貯留容器１７５は、第３の貯留容器１６０内のエッチングガスとの組合せで印加可能な第２のエッチングガスを供給する。
【００９９】
各貯留容器１５０、１５５、１６０、１６５、１７０、及び１７５は、入射電子ビーム１２７の位置に単位時間当たりに供給されるガスの量を制御するために、その独自の弁１５１、１５６、１６１、１６６、１７１、１７６を有する。更に、図１では、各容器１５０、１５５、１６０、１６５、１７０、及び１７５は、電子ビーム１２７が基板１０５上に入射する位置に近いノズルで終端するその独自の導管１５２、１５７、１６２、１６７、１７２２、及び１７７を有する。図１では、弁１５１、１５６、１６１、１６６、１７１、及び１７６は、それぞれの容器１５０、１５５、１６０、１６５、１７０、及び１７５に近く、代替の配置では、弁１５１、１５６、１６１、１６６、１７１、及び１７６は、それぞれのノズルの近くに配置することができる（図１には示していない）。更に、図１とは対照的に、２つ又はそれよりも多くの容器のガスを単一の導管を用いて供給することができる（同じく図１には示していない）。更に、図１の図とは異なり、かつ現時点では好ましくはないが、処理ガスのうちの１つ又はいくつかを装置１００の全体として低い部分だけに供給することができる。この場合に、装置１００の上側部分内の過度に低い真空を防止するために、装置１００は、集束電子ビーム１２７を供給する上側部分と処理チャンバを含む下側部分との間に開口（図１には示していない）を有することが必要である。
【０１００】
貯留容器１５０、１５５、１６０、１６５、１７０、及び１７５の各々は、冷却と加熱の両方を可能にするその独自の温度設定及び制御要素を有することができる。それによって各処理ガスの各々の最適貯留温度での貯留が可能になる（図１には示していない）。更に、基板１０５上で電子ビーム１２７が衝突する位置に各処理ガスを各々の最適処理温度で供給するために、各導管１５２、１５７、１６２、１６７、１７２、及び１７７も温度設定及び制御要素を有することができる。
【０１０１】
図１の装置は、必要な真空を発生させて維持するためにポンプシステムを有する。ポンプシステムは、電子ビーム１２７を供給する装置１００の上側部分と、基板１０５を有する試料台１１０を含む下側部分とで別々のポンプシステムを有することができる。これは、装置１００が、上述したように上側部分と下側部分の間に開口を有する場合に特に有利である。更に、処理位置の近くに明確に定められた圧力条件を確保し、従って、基板１０５上に定められた処理条件を確保するために、図１の装置１００は、処理位置の近くに抽出デバイスを有することができる。付加的な抽出デバイスの適用により、前駆体ガスのうちで基板１０５上に特定の材料を局所的に堆積させるために使用されない成分が基板上のいずれかの別の場所又は装置１００の真空チャンバ上に堆積することは、かなりの程度まで回避することができる。更に、抽出デバイスは、基板１０５からエッチングされた粒子が真空チャンバ内で分散する可能性を防止することができる。図１には真空発生及び維持構成要素のいかなるものも例示していない。
【０１０２】
図１の下側部分は、装置１００内での基板１０５の処理中及び／又はそれが終了した後に基板１０５を洗浄するのに使用される洗浄液１９５を有する洗浄デバイス１９０を示している。更に、図１４の解説中に詳細に説明するように、基板１０５から参照マークを除去するために洗浄デバイスを適用することができる。
【０１０３】
図２は、基板１０５上の欠陥の誤差補正工程を示す流れ図２００を示している。工程は段階２０５で始まる。次に、第１段階２１０において、基板１０５の誤差又は欠陥が決定される。基板１０５は、１つ又はいくつかの局所欠陥を有するいずれかの構成要素とすることができる。基板１０５の例は、ウェーハ、集積回路（ＩＣ）、マイクロ電気機械システム（ＭＥＭＳ）、光子集積回路（ＰＩＣ）、及び／又は透過性及び／又は反射性フォトリソグラフィマスクである。以下では、バイナリフォトリソグラフィマスク又は位相シフトフォトリソグラフィマスクの状況で主張する原理を解説する。
【０１０４】
図３は、位相シフトマスク３００の抜粋図を示している。図３の上側部分は、マスク３００上の上面図を示している。下側部分は、マスク３００の側面図を示している。フォトリソグラフィマスク３００は、通常は溶融シリカ基板である透明基板３１０を含む。基板３１０上には黒色又は不透明のパターン３２０が配置される。多くの場合に、パターン材料はクロムを含むが、アルミニウム又はタングステンを使用することができる。クロムは、典型的にはバイナリマスクに使用される。位相シフトマスクは、主にモリブデン及びシリコンで作られた合金を使用する。極紫外（ＥＵＶ）フォトリソグラフィマスク上の吸収体構造はタンタル化合物を含む。全ての吸収体材料は、酸素及び／又は窒素のような付加的な元素を含む。更に、組成は、吸収体層の厚みの範囲で変化することができる。
【０１０５】
図３では、特徴要素は、３つのストライプを含む。図３は、左の不透明ストライプ上に黒色又は不透明の欠陥３３０が配置されることも示している。側面図から分るように、この例では、不透明欠陥３３０は、パターン要素３２０とほぼ同じ高さを有する。更に、図３の中央のストライプは、ストライプの一部分において材料が完全に欠如しているので、空所又は透明の欠陥３４０を有する。局所的にストライプ又は特徴要素３２０が所定の高さを持たないことも可能である。
【０１０６】
上述したように、図２の流れ図２００の第１段階２１０は、図３の欠陥３３０及び３４０の決定を含む。この決定は、欠陥区域３３０及び３４０にわたって電子ビーム１２７を走査し、検出器１３０を用いて後方散乱及び／又は生成される２次電子を測定することによって行うことができる。不透明欠陥３３０、特に透明欠陥３４０を走査するときの電荷蓄積効果を低減するために、検出３３０及び３４０の場所の決定を損ねないようにイオンビーム源１３５を使用することができる。
【０１０７】
電子ビーム１２７の代わりにＦＩＢが印加される場合には、検出器１３０の他に質量分光計（ＳＩＭＳ）を電子検出器１３０に加えて使用することができる。
【０１０８】
次の段階である図２の流れ図２００における段階２１５は、参照マークの生成を含む。図３に示す２つの欠陥３３０、３４０に対する参照マークの生成には、いくつかの代替が存在する。図４は、特徴要素３２０の左の不透明ストライプ上の不透明欠陥３１０に対して第１の参照マーク又はＤＣマーク４１０が設けられた構成４００を示している。フォトリソグラフィマスク３００の透明基板３１０上には、透明欠陥３４０に対する第２の参照マーク４２０が生成される。代替的に、図３の例示的なマスク３００内では、２つの欠陥３３０と３４０は互いの近くにあるので、両方の欠陥３３０と３４０に対して単一の参照マークを使用することができる。更に、個別の欠陥３３０及び／又は３４０に対していくつかの参照マークを使用することができる。
【０１０９】
参照マーク４１０、４２０の付加は、ＤＣマーク４１０、４２０が、電子ビーム１２７が欠陥３３０、３４０に衝突するか又はこれらを走査するときに電子ビーム１２７に影響を与えるものと同じシフト又は歪曲を受けるという仮定に基づいている。従って、それぞれの欠陥３３０、４３０に対して可能な限り近くに参照マーク４１０、４２０を配置することが有利である。その一方、欠陥３３０、３４０の処理が、参照マーク４１０、４２０に影響を及ぼす場合がある。例えば、欠陥３３０、３４０の処理は、ＤＣマーク４１０、４２０とその環境との間のコントラストを低下させることで、検出器１３０の信号から得られる画像内でのＤＣマークの可視性を損ねる場合がある。
【０１１０】
参照マーク４１０、４２０は、固定された電子ビーム１２７と容器１５０内に貯留された第１前駆体ガスとを使用することによって生成することができる。第１前駆体ガスは、容器１５０内に貯留された堆積ガスとすることができる。ＤＣマーク４１０及び４２０の生成に使用される堆積ガスは、例えば、アルキル、カルボニル、アルコキシド、及び／又は金属のハロゲン化物、遷移元素のハロゲン化物、及び／又は主族元素とすることができる。容器１５０は、いくつかの堆積ガスの混合物を含むことができる。現時点では、ヘキサカルボニルモリブデン（Ｍｏ（ＣＯ）6）が、参照マーク４１０、４２０のための好ましい堆積ガスである。
【０１１１】
モリブデン（Ｍｏ）、炭素（Ｃ）、及び酸素（Ｏ）を主成分として含む参照マーク４１０、４２０は、ＳＥＭ（走査電子顕微鏡）画像において、フォトリソグラフィマスク３００の基板３１０と特徴要素３２０との両方の上でトポロジーコントラスト、並びに材料コントラストを与える。両方の効果の組合せは、ＤＣマーク４１０、４２０の決定を容易にする。一例として、酸化剤が不在の場合には、元素の間にＭｏ10%~15%Ｃ７０%~75%Ｏ15%という比を有する参照マークを使用することができる。有効な酸化剤を使用すると、参照マークはＭｏＯ3を実質的に含み、これは、堆積した例示的な参照マーク内にモリブデンと少なくとも同量の炭素又は酸素が常に存在することを示している。
【０１１２】
電子ビーム１２７のエネルギは、堆積ガスを局所的に分解し、それによって基板３１０又はパターン要素３２０上の電子ビーム１２７が基板面に当たる位置において金属、遷移元素、及び／又は主族元素が堆積する。図１の装置１００の呈示に沿って解説したように、処理位置の近くに配置された吸引ノズル又は排気デバイスは、堆積ガスの揮発成分を排気することができ、それによって参照マーク４１０及び４２０内でのこれらの成分の集積が最小にされる。
【０１１３】
容器１５０の堆積ガスに加えて、容器１６５内に貯留された添加ガスを堆積ガスに添加することができる。添加ガスの例は、酸素含有ガス、ハロゲン化物及びハロゲン含有ガス、及び／又は還元効果を有するガスである。更に別の実施形態において、容器１６５は、２つ又はいくつかの添加ガスの混合物を含む。
【０１１４】
図１の装置１００は、ＤＣマーク材料の成長条件を決定するパラメータの正確な制御を可能にする。従って、参照マーク４１０及び４２０の組成、並びに寸法を制御することができる。
【０１１５】
基板１０５上に垂直に入射する電子ビーム１２７は、実質的に円形の参照マーク４１０、４２０を生成する。堆積パラメータに基づいて、生成されるＤＣマークの直径は、５０ｎｍと１００ｎｍの間の範囲にある。小さ目のマークは、それぞれの画像内に十分なコントラストを与えず、大き目のマーク又はパッドは、基板の更に別の処理又は製作された基板の適用を妨げる場合がある。「実質的に」という用語は、この場合にかつ本明細書内の他の箇所で、測定の不確かさの範囲内のある量の数値を意味する。
【０１１６】
典型的には、電子ビーム１２７は、参照物を上に堆積させることになる基板の種類に依存して０．２ｋｅＶと３ｋｅＶの間のビームエネルギを有する。１次電子ビーム１２７は、１ｎｍから５ｎｍまでの範囲に焦点（半値全幅（ＦＷＨＭ））を有し、ビーム電流は１０ｐＡと２５０ｐＡの間にある。参照マークが照明される時間は、０．１ｓから１０ｓまでの範囲で変化する。堆積中のチャンバ圧は、典型的には、１・１０-6と１・１０-6ｍｂａｒの範囲にあり、ガス注入点から離間されたペニングゲージによって測定される。
【０１１７】
典型的には、ＤＣマークは、約５０ｎｍの高さにおいて約８０ｎｍの直径を有する。上述の例で既に示したように、参照マークの組成は、Ｍｏ1Ｃ10Ｏ3とＭｏＯ3の間で変化し、この場合に、これらの数字は、様々な元素の化学量論比を示している。
【０１１８】
図２の流れ図２００を参照すると、欠陥３３０、３４０とそれぞれの参照マーク４１０、４２０との間の相対位置が決定されなければならない（図２の段階２２０）。この測定は、処理ガスを使用することなくフォトリソグラフィマスク３００にわたって前と同じく電子ビーム１２７を走査することによって実施することができる。
【０１１９】
図２の流れ図２００の段階２２５では、第１の欠陥３３０の補正のためのパラメータが決定される。この解析は、欠陥３３０の検出時に測定されるデータに基づくか、又は欠陥３３０とＤＣマーク４１０の間の距離の決定時に得られる。欠陥に基づいて、容器１６０内に貯留されるエッチングガスが選択される。電子ビーム誘導エッチング（ＥＢＩＥ）のための多数のエッチングガスは、従来技術において説明されている。例は、ハロゲン化ガスであり、特に、二フッ化キセノン（ＸｅＦ2）である。更に、容器１７５内に貯留された第２のエッチングガスを更に使用することが有利であるか否かも判断される。第２のエッチングガスも、ハロゲン、ハロゲン化ガス、及び／又は酸化ガスを含むことができる。容器１６０と１７５で供給される２つのエッチングガスの間の混合比も決定される。
【０１２０】
更に、電子ビーム１２７のパラメータ、滞留時間、反復時間、ビームエネルギ、及びビーム幅が決定される。次に、反復回数及び個々の反復のための期間が、エッチングガス又はエッチングガス比と電子ビームパラメータとの関数として決定される。図５は、不透明欠陥３３０に対する補正工程の開始時の状況を示している。電子ビーム１２７は、図５に参照番号５１０で示す参照マーク４１０と一致するように調節される。次に、試料台１１０が、ＤＣマーク４１０と不透明欠陥３３０の間で、決定された距離だけ移動される。
【０１２１】
再度図２の流れ図２００を参照すると、段階２３５において最初の反復（段階２３０）が始まる。不透明欠陥３３０を補正、すなわち、エッチングするために、電子ビーム１２７が、上記に解説した電子ビーム１２７のパラメータ、選択されたエッチングガス、又はエッチングガス混合物を用いて欠陥区域にわたって走査される。第１のエッチングガスを貯留する容器１６０の位置にある弁１６１が、必要量のエッチングガスを不透明欠陥３３０の位置に供給するように制御される。必要に応じて、弁１７６は、望ましいエッチングガス混合物を供給するように、貯留容器１７５に含まれた第２のエッチングガスの流れを制御する。
【０１２２】
エッチングガス混合物の比は、欠陥３３０のエッチング中に変更することができる。
【０１２３】
段階２４０において、最初の期間が経過すると、不透明欠陥３３０のエッチングは中断され、すなわち、エッチングガスを貯留する容器１６０の位置にある弁１６１が閉じられる。欠陥３３０をエッチングするのにエッチングガス混合物が使用される場合には、弁１７６も閉じられ、第２のエッチングガスの流れが中断される。
【０１２４】
図６の構成６００に示すように、最初の処理期間の間に、電子ビーム１２７によって走査される区域６３０は、残っている欠陥６２０の区域に対してシフトされる。区域６３０は、電子ビーム１２７と容器１６０及び１７５から供給される１つ又はいくつかのエッチングガスとの組合せの相互作用によってエッチングが実施される区域である。
【０１２５】
いくつかの効果が、電子ビーム１２７によって走査される区域６３０と欠陥３３０の区域の間のドリフトをもたらす場合がある。電子ビーム１２７の電子によって堆積されるエネルギによってもたらされるマスク３００の基板３１０内の温度変化は、マスク基板３１０の一部分の膨張をもたらし、電子ビーム１２７によって走査される区域６３０に対して欠陥３３０をシフトさせる。更に、電子ビーム１２７の走査は、系統的誤差を有する可能性がある。試料台１１０の移動は、ずれを有する可能性がある。追加的又は代替的に、マスク３００の基板３１０上への電子ビーム１２７の落下位置は、マスク基板３１０の面上に蓄積される電荷に起因してシフトする可能性がある。図６の下側部分の側面図内に示すように、欠陥６２０から層がエッチングされており、従って、その高さは、最初の欠陥３３０と比較して低くなっている。
【０１２６】
試料台１１０が、欠陥３３０又は残っている欠陥６３０とＤＣマーク４１０の間の距離だけこれらの間の方向に移動されると、電子ビーム１２７の入射位置６１０は、参照マーク４１０と合わない。従って、ＤＣマーク４１０を決定するために、電子ビーム１２７は、その現在位置の周囲で走査される。電子ビーム１２７によって得られた欠陥３３０に対するドリフトを補正するために、電子ビームは、再度ＤＣマーク４１０との一致状態にされる。この状況を図７に例示している。図５に示す補正工程の開始時点と同様に、２回目の処理期間の開始時には、電子ビーム１２７によって走査される欠陥区域７３０は、残っている欠陥６２０と一致する。工程の副次的効果を補正するために、欠陥区域７３０は、実際のトポグラフィ区域６２０とはサイズ及び形状が若干異なる場合がある。
【０１２７】
上述の手法に沿って、図２の流れ図２００の段階２２５で所定の回数の処理期間が実施される。図９に示すように、３回目の処理期間において、エッチング区域９３０は、最初の２回の処理期間と比較して異なる量だけ異なる方向にドリフトする。減少するドリフトの理由は、フォトリソグラフィマスク３００が熱平衡に達することである場合がある。熱ドリフトは、常に同じ方向のものになる。事前に予想することができない他の効果が更に含まれる場合がある。例えば、そのような効果は、処理期間の開始時点と停止時点の間で異なる帯電挙動、及び／又は絶縁石英基板内でエッチング処理が進む時により重い注入投与量を含む場合がある。従って、本出願で定められる発見的ドリフト補正アルゴリズムへの要求がある。
【０１２８】
電子ビーム１２７とエッチングガスのうちの１つ又はその組合せとを用いた不透明欠陥３３０のエッチングは、ＥＢＩＥ工程が化学工程であるので、ある程度の時間を消費することができる。既に示したように、この工程は、マスク基板３１０の損傷をもたらさない。その一方、処理時間にわたって、電子ビーム１２７の入射位置が欠陥３３０の位置に対して変化する可能性がある。従って、ＥＢＩＥ工程による不透明欠陥の除去は、典型的にはＦＩＢを使用する場合よりも多い反復を必要とし、欠陥３３０の一部分又は主要部分は、欠陥３３０の材料上に入射するイオンのスパッタリング効果によって除去される。
【０１２９】
再度図２の流れ図２００を参照すると、所定のエッチング反復サイクルの終了時に、適切なパラメータセットを有する電子ビーム１２７を用いて残留不透明効果９２０を分析することができる。判断ボックス２６０において、残留不透明欠陥９２０のサイズ及び／又は高さが所定の閾値よりも小さいか否かを決定することができる。この条件が満たされない場合に、方法は、段階２３５に進み、更に別の処理期間を実施する。残っている欠陥９２０が所定の閾値よりも小さい場合には、方法は、判断ボックス２６５に進み、そこで補正される更に別の欠陥が存在するか否かが判断される。この決定が正しい場合には、方法は、段階２２５に進み、次の欠陥の補正工程に関するパラメータを決定する。図３に示す例示的なマスク３００では、この次の欠陥は透明欠陥３４０である。
【０１３０】
図２の段階２５５及び２６０は、任意的な段階である。流れ図２００に提供した方法は、これらの段階を方法の流れから排除した場合にも機能する。段階２５５は、誤差補正工程の成否を制御するための手段を提供しており、段階２６０は、潜在的に残る欠陥を所定の閾値よりも小さくなるまで低減するための手段を表している。
【０１３１】
図３に示すように、例示的なフォトリソグラフィマスク３００は、透明欠陥又は空所欠陥３４０も示している。透明欠陥３４０を除去するために、欠陥３４０の位置に不透明材料が堆積される。材料の堆積は、電子ビーム１２７と、貯留容器１５５内に貯留された第２前駆体ガスとを使用することによって実施される。第２前駆体ガスの流れは、弁１５６によって制御される。フォトリソグラフィマスク上の透明欠陥を修復又は補正するのに使用される前駆体ガスの例は、金属カルボニルである。多くの場合に前駆体ガスとして選択される金属カルボニルは、ヘキサカルボニルクロム（Ｃｒ（ＣＯ）6）である。上述のＤＣマーク４１０、４２０の堆積と同様に、透明欠陥３４０の位置に材料を堆積させるために、２つ又はそれよりも多くの前駆体ガスの組合せ又は混合物を適用することができる。この目的のために、弁１７１は、容器１７０内に貯留された前駆体ガスの流れを制御する。弁１５１、１５６、１６１、１６６、１７１、及び１７６は、コンピュータシステム１４０によって制御することができる。図１には、コンピュータシステム１４０への弁１５１、１５６、１６１、１６６、１７１、及び１７６の接続を示していない。
【０１３２】
電子ビームパラメータ、並びに単位時間当たりに供給される第２前駆体ガスの組成及び量の選択の後に、期間、及び反復サイクルの回数又は処理期間の回数が、図２の流れ図２００の段階２２５に提供しているように決定される。同様に、不透明欠陥３３０の補正の解説において上述したように、参照マーク４２０と透明欠陥３４０の間の距離及び方向が決定される。
【０１３３】
図１０は、透明欠陥３４０に対する誤差補正工程の最初の処理期間の開始時点における開始状態を示している。電子ビーム１２７の位置１０２０は、ＤＣマーク４２０と一致する。試料台１１０が、ＤＣマーク４２０と透明欠陥３４０の間の距離だけ移動される。次に、電子ビーム１２７が、欠陥４２０の区域と実質的に等しい区域７３０にわたって走査される。電子ビーム１２７の電子のエネルギは、前駆体ガスを分解し、金属成分が、マスク３００の基板３１０上に堆積する。
【０１３４】
不透明欠陥３３０に対する誤差補正工程を解説した時に説明したように、堆積工程は、決定された期間が経過した後に中断される。図１１に示すように、処理期間の間に、電子ビーム１２７によって走査される区域１１３０は、残っている欠陥１１５０の位置に対してドリフトされる。不透明欠陥３３０の誤差補正工程と同様に、透明欠陥４２０又は残っている欠陥１１５０に対する電子ビーム１２７のシフトが、ＤＣマーク４２０を使用することによって補正される。図１２に示すように、電子ビーム１２７の位置１２２０は、ＤＣマーク４２０と一致し、走査区域１２３０又は堆積区域１２３０は、残っている欠陥１１５０の区域と一致する。次に、透明欠陥３４０を修復するための堆積工程の２回目の反復サイクル又は２回目の処理期間が始められる。
【０１３５】
図１３は、２回目の処理期間の終了時に、走査された堆積区域１１３０が、最初の反復サイクル又は最初の処理期間と比較して異なる量だけ異なる方向にシフトしてしまうことを示している。上述のように、残っている欠陥１３５０と電子ビーム１２７の間の相対位置のシフトは、参照マーク４２０を用いて補正される。
【０１３６】
再度図２の流れ図２００を参照すると、決定された回数の反復サイクル又は処理期間の終了時に、任意的に段階２５５において、誤差修復工程の成否を段階２５５において制御することができる。この制御は、周囲の特徴要素３２０からの補正された区域１４５０のずれを決定することによって実施することができる。判断ブロック２６０において、堆積した材料とそれぞれの特徴要素３２０との間のずれが所定の閾値よりも大きいと判断された場合には、ずれを低減するために、更に別の処理期間が追加される。判断ブロック２６０において、修復された欠陥が判断ブロック２６０の品質参照を満たすと判断された場合には、方法は、段階２６５に進み、そこで、図３のマスク３００上に更に別の欠陥が存在するか否かが判断される。更に別の欠陥が存在しない場合には、参照マーク４１０及び４２０がフォトリソグラフィマスク３００から除去される。
【０１３７】
ＤＣマーク４１０及び４２０の除去には、いくつかの代替工程が利用可能である。ＤＣマークは、電子ビーム１２７を容器１６０内に貯留されたエッチングガスとの組合せで使用することによってエッチングすることができる。更に、ＤＣマーク４１０及び４２０をＥＢＩＥ工程で除去するのに、容器１６０及び１７５内に貯留された２つ又はそれよりも多くのエッチングガスの組合せを適用することができる。エッチングガスの組成を特定の参照マークに対して調節するために、弁１６１及び１７６を使用することができる。更に、エッチングガスの混合比は、ＤＣマークの高さと共に変化することができる参照マークの材料組成に適応させることができる。更に、参照マーク４１０及び４２０の除去には、不透明欠陥３３０の補正に使用されたエッチングガスとは異なる１つのエッチングガス又はエッチングガスの組合せを適用することができる。
【０１３８】
エッチングガス及びその混合物それぞれに加えて、電子ビーム１２７のパラメータが、それぞれのＤＣマーク４１０及び４２０に対して調節される。この調節は、ＤＣマーク４１０及び４２０の組成がその成長条件のパラメータから既知であることによって行うことができる。エッチングされたＤＣマーク４１０及び４２０の材料を装置１００の処理チャンバから除去するために、排気デバイスを適用することができる（図１には示していない）。この手段により、装置１００の真空チャンバの汚染が回避される。
【０１３９】
ＥＢＩＥ工程を用いたＤＣマーク４１０及び４２０の除去は、典型的にはＥＢＩＥ工程が緩慢な工程であるので、ある程度の時間を消費する場合がある。一方、ＥＢＩＥ工程は、試料台１１０に対してマスク３００を移動することなしに参照マーク４１０及び４２０の除去を可能にする。従って、ＤＣマーク４１０及び４２０の除去の後に、フォトリソグラフィマスク３００又は一般的には基板１１０の処理は、即座に続行することができる。ヘキサカルボニルモリブデン（Ｍｏ（ＣＯ）6）堆積ガスから堆積した参照マーク４１０及び４２０は、例えば、ＸｅＦ2エッチングガスと水蒸気（Ｈ2Ｏ）エッチングガスとの混合物を用いてエッチングすることができ、電子ビームは、ＤＣマーク４１０及び４２０を堆積させるのに使用されたものと実質的に同じパラメータ値を有する。これらのパラメータの数値は、上記に呈示したものである。
【０１４０】
この手順により、例えば、吸収体エッチング段階とＤＣマーク除去との間で集束電子ビーム１２７をフォーカスし直す必要性が回避される。その一方、ＤＣマーク除去において、基板１１０の吸収体エッチング段階中のものとは異なるガス組成を使用することにより、この段階の選択性の改善を可能にすることができ、ＤＣマーク除去工程段階中の基板１１０への更に別の損傷の不在が確実にされる。
【０１４１】
図２に提供している例示的な方法とは異なり、参照マーク４１０を生成し、参照マーク４１０を用いて不透明欠陥３３０を補正し、次に、マスク３００の特徴要素３２０から参照マーク４１０を除去し、その後に、参照マーク４２０を生成し、参照マーク４２０を用いて透明欠陥を補正し、更に、図３のマスク３００の基板３１０から参照マーク４２０を除去することも可能である。更に、ＤＣマーク４１０及び４２０の生成において第１の粒子ビームを用い、基板の処理において第２の粒子ビームを使用することができる。
【０１４２】
ここでもまた参照マーク４１０及び４２０がマスク３００から除去されるので、参照マーク４２０は、マスク３００の透明基板３１０上に配置することができる。この自由度は、参照マークの配置における柔軟性を高める。
【０１４３】
別の実施形態において、誤差補正工程の終了時に、フォトリソグラフィマスク３００又は一般的には基板１１０が、図１の装置１００の真空チャンバから除去される。マスク３００全体が、図１の洗浄デバイス１９０内に挿入される。洗浄デバイス１９５は、洗浄液１９５を含む。洗浄液１９５は、通常の処理サイクルの終了時に図３のマスク３００又は基板１１０を洗浄するのに使用される洗浄液とすることができる。洗浄液の例は、超振動又はメガソニック振動の作用、紫外（ＵＶ）光又は赤外線（ＩＲ）光の存在、及び／又は水素（Ｈ2）及び／又は酸素（Ｏ2）のような溶存ガスの存在の下での水、及び／又は希硫酸又は希過酸化水素のような水溶液を含む。
【０１４４】
更に、従来の洗浄工程に加えて、洗浄デバイス１９０は、ＤＣマーク４１０及び４２０の材料組成に特定的に適合された洗浄液１９５を含むことができる。例えば、ヘキサカルボニルモリブデン（Ｍｏ（ＣＯ）6）の前駆体ガス又は堆積ガスを用いて生成された参照マーク４１０及び４２０は、鉱酸、塩基、又は有機配位子のような特定の水溶液を含む洗浄液を用いて除去することができる。好ましい例では、ＤＣマークを堆積させるのに使用されるパラメータは、参照マークの除去が「標準」マスク洗浄工程を用いて可能であり、従って、専用洗浄工程の必要性が回避されるように調整される。
【０１４５】
図１４は、誤差補正工程の終了時のマスク３００の抜粋図を示している。点線１０５０は、除去された不透明欠陥３３０の位置を示しており、参照番号１４５０は、透明欠陥３４０上に堆積した材料を示している。補正された特徴要素３２０は、透明欠陥３４０の位置において僅かに幅広である。更に、堆積した材料は、周囲の特徴要素３２０よりも幾分高い。点線の円１４１０及び１４２０は、除去されたＤＣマーク４１０及び４２０の位置を示している。補正された欠陥１０５０及び１４５０は、透過フォトリソグラフィマスク３００を通過する光の位相関係をもはや乱さないので、不透明欠陥３３０及び透明欠陥３４０に対する誤差補正工程は正常に完了した。更に、重要な点として、除去されたＤＣマーク１４１０及び１４２０は、マスク３００の更に別の処理に対しても、また、フォトリソグラフィ照明系においてウェーハ上に生成されるマスク像の品質に対しても、いかなる効果も有する可能性がない。
【０１４６】
別の実施形態において、フォトリソグラフィマスク３００内の参照マーク４１０及び４２０は、マスク３００における特徴要素３２０内及び基板３１０内に孔をエッチングすることによって生成される。孔の寸法は、堆積されるＤＣマーク４１０及び４２０の寸法と類似である。上述のＥＢＩＥ工程をこの目的で適用することができる。電子ビーム１２７のパラメータ及び１つのエッチングガス又はエッチングガスの組合せのパラメータは、マスク３００の特徴要素３２０上及び基板３１０上のこれらのそれぞれの参照マーク（図のうちのいかなるものにも示していない）に適合される。
【０１４７】
参照マークとして使用される小孔は、ＳＥＭ画像内のトポロジーコントラストしか与えず、材料コントラストは与えない。従って、ＳＥＭ画像内では堆積したＤＣマークよりも小孔を識別する方が困難である場合がある。
【０１４８】
誤差補正工程の完了後に、参照マークとして使用された孔は、上述の１つの前駆体ガスを使用することにより、又はいくつかの前駆体ガスの混合物を使用することによって充填することができる。同じく上述のように、電子ビームパラメータは、マスク基板３１０上の特徴要素３２０の孔を充填し、及び／又はマスク３００の基板３１０内の孔を充填するのに特定のものである。
【符号の説明】
【０１４９】
１００  装置
１０５  基板
１１０  試料台、基板台
１１５  電子銃
１２７  集束電子ビーム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
0005930022.tif 000009
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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