(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
放熱板と、
前記放熱板の上面に形成された第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の上面に形成された複数の配線パターンと、
前記第１絶縁層の上面に形成され、前記配線パターンの側面の一部を被覆するように形成された第２絶縁層と、
前記配線パターンの上面と、前記配線パターンの側面の一部と、前記第２絶縁層の上面とを被覆するように形成された反射層と、を有し、
前記第２絶縁層の上面は、前記配線パターンの上面よりも低く、
前記各配線パターンの一部は、発光素子が実装される実装領域となることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
放熱板と、
前記放熱板の上面に形成された第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の上面に形成された凹部と、
前記凹部の底面上に形成され、側面の一部が前記第１絶縁層に被覆された複数の配線パターンと、
前記第１絶縁層から露出する前記配線パターンの側面と、前記第１絶縁層の上面とを被覆するように形成された反射層と、を有し、
前記第１絶縁層の上面は、前記配線パターンの上面よりも低く、
前記各配線パターンの一部は、発光素子が実装される実装領域となることを特徴とする配線基板。
【請求項３】
前記複数の配線パターンは、第１配線パターンと、前記第１配線パターンに隣接する第２配線パターンとを有し、
前記第１配線パターンの上面及び前記第２配線パターンの上面には、所定の間隔をあけて第１金属層と第２金属層とが形成され、
前記第１配線パターンの上面に形成された前記第２金属層は、前記第２配線パターンの上面に形成された前記第１金属層と一対のパッドとなり、
前記第１配線パターン及び前記第２配線パターンの上面のうち、前記第１金属層と前記第２金属層との間の部分には、前記反射層が形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記第１金属層及び前記第２金属層は、前記実装領域となる前記配線パターンの上面及び側面を覆うように形成され、
前記第２絶縁層は、前記実装領域において前記第１金属層の側面の一部及び前記第２金属層の側面の一部と接触するように形成されていることを特徴とする、請求項１を引用する請求項３に記載の配線基板。
【請求項５】
前記第１金属層及び前記第２金属層は、前記実装領域となる前記配線パターンの上面及び側面を覆うように形成され、
前記第１絶縁層は、前記実装領域において前記第１金属層の側面の一部及び前記第２金属層の側面の一部と接触するように形成されていることを特徴とする、請求項２を引用する請求項３に記載の配線基板。
【請求項６】
前記各配線パターンの上面全面を覆うように形成された金属層を有し、
前記反射層は、前記金属層の側面全面を覆うように形成され、上面が前記金属層の上面と面一になるように形成されていることを特徴とする請求項２に記載の配線基板。
【請求項７】
前記第１絶縁層の熱伝導率が１〜１０Ｗ／ｍＫであることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項８】
放熱板と、
前記放熱板の上面に形成された第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の上面に形成され、一部が実装領域となる複数の配線パターンと、
前記第１絶縁層の上面に形成され、前記配線パターンの側面の一部を被覆するように形成された第２絶縁層と、
前記配線パターンの上面と、前記配線パターンの側面の一部と、前記第２絶縁層の上面とを被覆するように形成された反射層と、
前記実装領域に実装された発光素子と、
前記発光素子を封止するように形成された封止樹脂と、
を有し、
前記第２絶縁層の上面は、前記配線パターンの上面よりも低いことを特徴とする発光装置。
【請求項９】
放熱板と、
前記放熱板の上面に形成された第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の上面に形成された凹部と、
前記凹部の底面上に形成され、一部が実装領域となる複数の配線パターンと、
前記第１絶縁層から露出する前記配線パターンの側面と、前記第１絶縁層の上面とを被覆するように形成された反射層と、
前記実装領域に実装された発光素子と、
前記発光素子を封止するように形成された封止樹脂と、
を有し、
前記第１絶縁層は、前記配線パターンの側面の一部を被覆し、
前記第１絶縁層の上面は、前記配線パターンの上面よりも低いことを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
放熱板の上面に形成された第１絶縁層の上面に複数の配線パターンを形成する工程と、
前記第１絶縁層の上面に、前記配線パターンの側面の一部を被覆する第２絶縁層を形成する工程と、
前記第２絶縁層の上面に、前記配線パターンの上面と、前記配線パターンの側面の一部とを被覆する反射層を形成する工程と、を有し、
前記第２絶縁層の上面は、前記配線パターンの上面よりも低くなるように形成され、
前記各配線パターンの一部は、前記反射層から露出され、発光素子が実装される実装領域となることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１１】
放熱板の上面に形成された第１絶縁層の上面に複数の配線パターンを形成する工程と、
加熱プレスにより、前記配線パターンの一部を前記第１絶縁層に押し込み、前記第１絶縁層に前記配線パターンの一部が収容される凹部を形成するとともに、前記凹部の側壁を構成する前記第１絶縁層が前記配線パターンの側面の一部を被覆する工程と、
前記第１絶縁層の上面に、前記配線パターンの上面と、前記配線パターンの側面の一部とを被覆する反射層を形成する工程と、を有し、
前記第１絶縁層の上面は、前記配線パターンの上面よりも低くなるように形成され、
前記各配線パターンの一部は、前記反射層から露出され、発光素子が実装される実装領域となることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１２】
前記複数の配線パターンを形成する工程では、前記第１絶縁層の上面に、第１配線パターンと、前記第１配線パターンに隣接する第２配線パターンとを形成し、
前記反射層を形成する工程の前に、
前記第１配線パターンの上面及び前記第２配線パターンの上面に、所定の間隔をあけて第１金属層と第２金属層とを形成する工程と、
前記反射層を形成する工程では、前記第１配線パターン及び前記第２配線パターンの上面のうち、前記第１金属層と前記第２金属層との間の部分に、前記反射層を形成し、
前記第１配線パターンの上面に形成された前記第２金属層は、前記第２配線パターンの上面に形成された前記第１金属層と一対のパッドとなることを特徴とする請求項１０又は１１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１３】
前記第１金属層及び前記第２金属層は、前記実装領域となる前記配線パターンの上面及び側面を覆うように形成され、
前記第２絶縁層は、前記実装領域において前記第１金属層の側面の一部及び前記第２金属層の側面の一部と接触するように形成されることを特徴とする、請求項１０を引用する請求項１２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１４】
前記第１金属層及び前記第２金属層は、前記実装領域となる前記配線パターンの上面及び側面を覆うように形成され、
前記凹部の側壁を構成する前記第１絶縁層は、前記実装領域において前記第１金属層の側面の一部及び前記第２金属層の側面の一部と接触するように形成されることを特徴とする、請求項１１を引用する請求項１２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１５】
前記配線パターンを形成する工程は、
前記第１絶縁層の上面に、前記複数の配線パターンと、電解めっき用の給電ラインと、前記各配線パターンと前記給電ラインを接続する接続部とを含む配線層を形成する工程と、
前記配線層を給電層とする電解めっき法により、前記実装領域となる前記配線パターンの上面及び側面を被覆するように金属層を形成する工程と、
前記金属層を形成した後に、前記給電ライン及び前記接続部の少なくとも一方を除去する工程と、を有し、
前記第２絶縁層を形成する工程では、前記実装領域において前記金属層の側面の一部を被覆するように前記第２絶縁層を形成し、
前記反射層を形成する工程では、前記金属層を形成する工程の後に、スクリーン印刷法により前記反射層を形成することを特徴とする、請求項１０、請求項１０を引用する請求項１２、及び請求項１３のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１６】
前記配線パターンを形成する工程は、
前記第１絶縁層の上面に、前記複数の配線パターンと、電解めっき用の給電ラインと、前記各配線パターンと前記給電ラインを接続する接続部とを含む配線層を形成する工程と、
前記配線層を給電層とする電解めっき法により、前記実装領域となる前記配線パターンの上面及び側面を被覆するように金属層を形成する工程と、
前記金属層を形成した後に、前記給電ライン及び前記接続部の少なくとも一方を除去する工程と、を有し、
前記凹部を形成する工程では、前記凹部の側壁を構成する前記第１絶縁層が前記実装領域において前記金属層の側面の一部を被覆し、
前記反射層を形成する工程では、前記金属層を形成する工程の後に、スクリーン印刷法により前記反射層を形成することを特徴とする請求項１１、請求項１１を引用する請求項１２、及び請求項１４のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１７】
支持基板の上面に所定の開口部を有するレジスト層を形成する工程と、
前記支持基板を給電層とする電解めっき法により、前記レジスト層の開口部から露出された前記支持基板の上面に金属層及び配線パターンを積層する工程と、
前記レジスト層を除去する工程と、
前記配線パターンから露出された前記支持基板の上面に、前記金属層の側面全面と前記配線パターンの側面の一部を被覆する反射層を形成する工程と、
前記反射層上及び前記配線パターン上に、前記配線パターンの側面の一部を被覆し、前
記配線パターンの前記金属層と接する第１主面とは反対側の第２主面の全面を被覆する絶縁層を形成する工程と、
前記支持基板を除去する工程と、
を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板、発光装置及び配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、発光素子が基板に実装されてなる発光装置には、様々な形状のものが提案されている。この種の発光装置としては、金属製の基板に形成された絶縁層上に配線層を形成し、その配線層上に発光ダイオード（Light Emitting Diode：ＬＥＤ）などの発光素子を実装した構造が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−０９２０１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上記発光装置では、発光ダイオードの通電に伴ってその発光ダイオードに発熱が生じ、それに伴う温度上昇によって発光ダイオードの発光効率が低下する。このため、発光ダイオードから生じた熱を効率良く放熱させるべく、上記配線層及び絶縁層を通じて金属製の基板に熱が伝導される。しかしながら、配線層と基板との間に熱伝導率の低い絶縁層が介在しているため、放熱性能が低下するという問題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一観点によれば、放熱板と、前記放熱板の上面に形成された第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上面に形成された複数の配線パターンと、前記第１絶縁層の上面に形成され、前記配線パターンの側面の一部を被覆するように形成された第２絶縁層と、前記配線パターンの上面と、前記配線パターンの側面の一部と、前記第２絶縁層の上面とを被覆するように形成された反射層と、を有し、前記第２絶縁層の上面は、前記配線パターンの上面よりも低く、前記各配線パターンの一部は、発光素子が実装される実装領域となる。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の一観点によれば、放熱性能を向上させることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】（ａ）は、第１実施形態の配線基板を示す概略平面図、（ｂ）は、（ａ）に示す配線基板のＡ−Ａ概略断面図。
【図２】第１実施形態の配線パターン及び金属層を示す概略平面図。
【図３】（ａ）は、第１実施形態の発光装置を示す概略平面図、（ｂ）は、（ａ）に示す発光装置のＢ−Ｂ概略断面図。
【図４】第１実施形態の配線基板の製造方法を示す概略平面図。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、第１実施形態の配線基板の製造過程における状態を示す概略断面図、（ｄ）は、第１実施形態の配線基板の製造過程における状態を示す概略平面図。なお、（ａ）〜（ｃ）は、（ｄ）のＣ−Ｃ線位置における配線基板の断面構造を示している。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は、第１実施形態の配線基板の製造過程における状態を示す概略断面図、（ｄ）は、第１実施形態の配線基板の製造過程における状態を示す概略平面図。なお、（ａ）〜（ｃ）は、（ｄ）のＤ−Ｄ線位置における配線基板の断面構造を示している。
【図７】（ａ）、（ｃ）は、第１実施形態の配線基板の製造過程における状態を示す概略断面図、（ｂ）、（ｄ）は、第１実施形態の配線基板の製造過程における状態を示す概略平面図。なお、（ａ）、（ｃ）は、（ｂ）のＥ−Ｅ線位置における配線基板の断面構造を示している。
【図８】（ａ）は、第１実施形態の配線基板の製造過程における状態を示す概略平面図、（ｂ）〜（ｄ）は、（ａ）のＦ−Ｆ線位置における配線基板の製造過程の状態を示す概略断面図。
【図９】（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態の発光装置の製造過程における状態を示す概略断面図。なお、（ａ）、（ｂ）は、図３（ａ）のＢ−Ｂ線位置における発光装置の断面構造を示している。
【図１０】（ａ）〜（ｄ）は、変形例の配線基板及び発光装置の製造過程における状態を示す概略断面図。なお、（ａ）〜（ｄ）は、図８（ａ）のＦ−Ｆ線位置における配線基板及び発光装置の断面構造を示している。
【図１１】（ａ）〜（ｃ）は、変形例の配線基板の製造過程における状態を示す概略平面図。
【図１２】（ａ）、（ｂ）は、変形例の配線基板の製造過程における状態を示す概略平面図、（ｃ）は、（ｂ）のＧ−Ｇ線位置における配線基板の製造過程における状態を示す概略断面図。
【図１３】変形例の発光装置を示す概略断面図。
【図１４】変形例の発光装置を示す概略断面図。
【図１５】（ａ）〜（ｃ）は、第２実施形態の配線基板の製造過程における状態を示す概略断面図。なお、（ａ）〜（ｃ）は、図８（ａ）のＦ−Ｆ線位置における配線基板の断面構造を示している。
【図１６】（ａ）〜（ｄ）は、第２実施形態の配線基板の製造過程における状態を示す概略断面図。なお、（ａ）〜（ｄ）は、図８（ａ）のＦ−Ｆ線位置における配線基板の断面構造を示している。
【図１７】（ａ）は、第３実施形態の配線基板を示す概略平面図、（ｂ）は、（ａ）に示す配線基板のＨ−Ｈ概略断面図。
【図１８】（ａ）、（ｂ）、（ｄ）は、第３実施形態の配線基板の製造過程における状態を示す概略断面図、（ｃ）は、第３実施形態の配線基板の製造過程における状態を示す概略平面図。なお、（ａ）、（ｂ）、（ｄ）は、（ｃ）のＩ−Ｉ線位置における配線基板の断面構造を示している。
【図１９】（ａ）、（ｃ）は、第３実施形態の配線基板の製造過程における状態を示す概略断面図、（ｂ）は、第３実施形態の配線基板の製造過程における状態を示す概略平面図。なお、（ａ）、（ｃ）は、（ｂ）のＪ−Ｊ線位置における配線基板の断面構造を示している。
【図２０】（ａ）〜（ｄ）は、図１９（ｂ）のＪ−Ｊ線位置における配線基板の製造過程の状態を示す概略断面図。
【図２１】（ａ）、（ｂ）は、図１９（ｂ）のＪ−Ｊ線位置における配線基板の製造過程の状態を示す概略断面図。
【図２２】（ａ）〜（ｃ）は、変形例の配線基板の製造過程における状態を示す概略断面図。なお、（ａ）〜（ｃ）は、図１９（ｂ）のＪ−Ｊ線位置における配線基板の断面構造を示している。
【図２３】（ａ）、（ｂ）は、変形例の配線基板の製造過程における状態を示す概略断面図。なお、（ａ）、（ｂ）は、図１９（ｂ）のＪ−Ｊ線位置における配線基板の断面構造を示している。
【図２４】（ａ）、（ｂ）は、変形例の配線基板の製造過程における状態を示す概略断面図。なお、（ａ）、（ｂ）は、図１９（ｂ）のＪ−Ｊ線位置における配線基板の断面構造を示している。
【図２５】（ａ）、（ｂ）は、変形例の配線パターンを示す概略平面図。
【図２６】変形例の配線パターンを示す概略平面図。
【図２７】発光装置の適用例を示す概略断面図。
【図２８】（ａ）、（ｂ）は、発光装置の実装例を示す概略断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、添付図面を参照して各実施形態を説明する。なお、添付図面は、特徴を分かりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。また、断面図では、各部材の断面構造を分かりやすくするために、一部の部材のハッチングを省略している。
【０００９】
（第１実施形態）
以下、第１実施形態を図１〜図９に従って説明する。
（配線基板の構造）
図１（ｂ）に示すように、配線基板１は、放熱板１０と、放熱板１０の上面を覆う絶縁層２０と、絶縁層２０上に形成された配線パターン３０と、配線パターン３０上の一部に形成された金属層４０，４１と、配線パターン３０又は金属層４０の側面の一部を覆う絶縁層５０と、配線パターン３０等を覆う絶縁層６０とを有している。この配線基板１は、例えば発光装置に適用される配線基板である。
【００１０】
放熱板１０は、例えば平面視して略矩形状の薄板である。放熱板１０の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）やアルミニウム（Ａｌ）などの熱伝導性に優れた金属又はこれらの金属を少なくとも一種以上含む合金を用いることができる。また、放熱板１０の材料としては、例えば窒化アルミニウムやアルミナ等の熱伝導性に優れたセラミック材を用いることもできる。放熱板１０の厚さは、例えば０．５〜１．０ｍｍ程度とすることができる。
【００１１】
絶縁層２０は、放熱板１０の上面全面を覆うように形成されている。絶縁層２０の材料としては、例えば熱伝導率の高い（例えば、１〜１０Ｗ／ｍＫ程度）絶縁性樹脂を用いることができる。具体的には、絶縁層２０の材料としては、例えばポリイミド系樹脂やエポキシ系樹脂などの絶縁性樹脂、又はこれら樹脂にシリカやアルミナ等のフィラーを混入した樹脂材を用いることができる。この絶縁層２０は、放熱板１０と配線パターン３０とを絶縁する機能と、放熱板１０と配線パターン３０とを接着する機能とを有する。この絶縁層２０の厚さは、例えば５０〜８０μｍ程度とすることができる。なお、絶縁層２０の絶縁性が高い場合には、放熱性の観点から、絶縁層２０を薄く形成することが好ましい。
【００１２】
配線パターン３０は、絶縁層２０の第１主面２０Ａ上に形成されている。この配線パターン３０は、図２に示すように、絶縁層２０の第１主面２０Ａの中央部を全体的に覆うように形成されている。具体的には、平面視帯状（平面視長方形状）の複数（図２では、５つ）の配線パターン３０が平行に隣接して配置されている。そして、隣接する配線パターン３０間には、下層の絶縁層２０を露出する溝状の開口部３０Ｘが形成されている。この開口部３０Ｘによって、複数の配線パターン３０は互いに分離されている。なお、配線パターン３０の材料としては、例えば銅や銅合金を用いることができる。配線パターン３０の厚さは、例えば３５〜１０５μｍ程度とすることができる。また、各配線パターン３０間の幅（開口部３０Ｘの幅）は、例えば０．１〜０．３ｍｍ程度とすることができる。
【００１３】
配線パターン３０上には、平面視略半円状の金属層４０が多数形成されている。これら金属層４０は、上記開口部３０Ｘを挟んで半円の直線部が互いに対向するように形成された２つの金属層４０で一つの組（一対）になるように形成されている。すなわち、一対の金属層４０は、互いに異なる配線パターン３０上に形成され、全体的には平面視略円状になるように形成されている。そして、このような一対の金属層４０が配線パターン３０上にマトリクス状（図２では４×４）に形成されている。各金属層４０は、発光素子７０（図３参照）が接合されるパッド４０Ｐを有している。また、図１（ｂ）に示すように、各金属層４０は、開口部３０Ｘにおいて配線パターン３０の側面を覆うように形成されている。金属層４０の例としては、銀（Ａｇ）層や、ニッケル（Ｎｉ）／金（Ａｕ）層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）や、Ｎｉ／Ａｇ層（Ｎｉ層とＡｇ層をこの順番で積層した金属層）や、Ｎｉ／パラジウム（Ｐｄ）／Ａｕ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）などを挙げることができる。また、金属層４０の例としては、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｇ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｇ層をこの順番で積層した金属層）や、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｇ／Ａｕ（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｇ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）なども挙げることができる。なお、金属層４０が例えばＮｉ／Ａｕ層である場合には、Ｎｉ層の厚さを１〜１０μｍ程度とすることができ、Ａｕ層の厚さを０．０５〜２μｍ程度とすることができる。
【００１４】
図２に示すように、配線パターン３０上には、平面視略円状の金属層４１が一対形成されている。この金属層４１は、上記金属層４０よりも外側の配線パターン３０上に形成されている。具体的には、一対の金属層４１は、帯状の５つの配線パターン３０のうち最も外側に配置された２つの配線パターン３０上であって、それら配線パターン３０に形成された金属層４０よりも外側に形成されている。このような金属層４１は、外部から給電される電極端子４１Ｐを有している。金属層４１の例としては、上記金属層４０と同様に、Ａｇ層や、Ｎｉ／Ａｕ層や、Ｎｉ／Ａｇ層や、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ層や、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｇ層や、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｇ／Ａｕ層などを挙げることができる。なお、金属層４１が例えばＮｉ／Ａｕ層である場合には、Ｎｉ層の厚さを１〜１０μｍ程度とすることができ、Ａｕ層の厚さを０．０５〜２μｍ程度とすることができる。
【００１５】
図１（ｂ）に示すように、絶縁層５０は、配線パターン３０及び金属層４０から露出された絶縁層２０の第１主面２０Ａを覆うように形成されるとともに、配線パターン３０及び金属層４０の側面の少なくとも一部を覆うように形成されている。具体的には、開口部３０Ｘから露出された絶縁層２０の第１主面２０Ａを被覆する絶縁層５０は、配線パターン３０又は金属層４０の側面の少なくとも一部と接触するように形成されている。また、配線基板１の外周領域に形成された絶縁層２０の第１主面２０Ａを被覆する絶縁層５０は、配線パターン３０の側面の少なくとも一部と接触するように形成されている。この絶縁層５０は、配線パターン３０と同じ厚さ、もしくは配線パターン３０よりも薄く形成されている。具体的には、絶縁層５０の厚さは、放熱性の観点から、例えば配線パターン３０の厚さの５０〜９０％程度であることが好ましい。絶縁層５０の材料としては、絶縁層２０と同様に、例えば熱伝導率の高い（例えば、１〜１０Ｗ／ｍＫ程度）絶縁性樹脂を用いることができる。具体的には、絶縁層５０の材料としては、例えばポリイミド系樹脂やエポキシ系樹脂などの絶縁性樹脂、又はこれら樹脂にシリカやアルミナ等のフィラーを混入した樹脂材を用いることができる。
【００１６】
絶縁層６０は、配線パターン３０の上面、絶縁層５０の上面及び金属層４０の一部を被覆するように形成されている。この絶縁層６０によって、金属層４０から露出された配線パターン３０の上面が被覆されるとともに、開口部３０Ｘで金属層４０から露出された絶縁層５０及び配線基板１の外周領域で配線パターン３０から露出された絶縁層５０の上面が被覆される。
【００１７】
絶縁層６０には、各金属層４０の一部を露出させるための開口部６０Ｘと、各金属層４１の一部を露出させるための開口部６０Ｙとが形成されている。図１（ａ）に示すように、上記各開口部６０Ｘの平面形状は例えば半円状に形成されている。具体的には、各開口部６０Ｘは、その平面形状が各金属層４０の平面形状よりも小さく形成されている。このため、開口部６０Ｘから金属層４０の一部が露出され、その露出された金属層４０がパッド４０Ｐとして機能する。そして、上記一対の金属層４０に対応する一対のパッド４０Ｐを含む平面視略円状の領域（破線円参照）が１つの発光素子を実装するための実装領域ＣＡとなる。すなわち、上記開口部６０Ｘは、実装領域ＣＡとなる配線パターン３０及び金属層４０を露出させるように形成されている。また、上記開口部６０Ｙの平面形状は例えば円形状に形成されている。具体的には、各開口部６０Ｙは、その平面形状が各金属層４１の平面形状よりも小さく形成されている。このため、開口部６０Ｙからは金属層４１の一部が露出され、その露出された金属層４１が電極端子４１Ｐとして機能する。この電極端子４１Ｐには、外部の電源から実装基板の配線等を介して給電される。
【００１８】
上記絶縁層６０は、高い反射率を有する。具体的には、絶縁層６０は、波長が４５０ｎｍ〜７００ｎｍの間で５０％以上（好適には８０％以上）の反射率を有する。このような絶縁層６０は、白色レジスト層や反射層とも呼ばれる。この絶縁層６０の材料としては、例えば白色の絶縁性樹脂を用いることができる。白色の絶縁性樹脂としては、例えばエポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂やオルガノポリシロキサン系樹脂に白色の酸化チタン（ＴｉＯ２）や硫酸バリウム（ＢａＳＯ４）からなるフィラーや顔料を含有した樹脂材を用いることができる。このような絶縁層６０（白色レジスト層）により配線基板１の最表面を覆うことにより、配線パターン３０の保護に加えて、当該配線基板１に実装される発光素子からの光の反射率を高め、発光素子の光量ロスを低減させることができる。なお、絶縁層６０（絶縁層５０の上面から絶縁層６０の上面まで）の厚さは、例えば２０〜５０μｍ程度とすることができる。
【００１９】
（発光装置の構造）
次に、発光装置２の構造について説明する。
図３（ｂ）に示すように、発光装置２は、上記配線基板１と、その配線基板１に実装された複数（図３（ａ）では１６個）の発光素子７０と、発光素子７０等を封止する封止樹脂７５とを有している。
【００２０】
各発光素子７０は、各実装領域ＣＡに形成された一対のパッド４０Ｐ上に実装されている。具体的には、各発光素子７０は、上記一対のパッド４０Ｐ間に形成された絶縁層６０、つまり開口部３０Ｘに形成された絶縁層６０を跨るように、その絶縁層６０の両側に形成された２つのパッド４０Ｐ上にフリップチップ実装されている。より具体的には、発光素子７０の一方の面（図３（ｂ）では、下面）に形成された一方のバンプ７１が上記２つのパッド４０Ｐのうちの一方のパッド４０Ｐにフリップチップ接合され、他方のバンプ７１が他方のパッド４０Ｐにフリップチップ接合されている。これにより、各発光素子７０の各バンプ７１は、パッド４０Ｐ（金属層４０）を介して配線パターン３０と電気的に接続されている。また、図３（ａ）に示すように、発光素子７０は、配線基板１上にマトリクス状（図３（ａ）では、４×４）に配列されている。このため、発光装置２では、一対の電極端子４１Ｐ間に４個の発光素子７０が直列に接続されるとともに、それら直列に接続された発光素子７０群が４つ並列に接続されることになる。そして、これら発光素子７０は、外部の電源（図示略）から金属層４１や配線パターン３０を介して給電されて発光する。なお、発光素子７０の平面形状は例えば矩形状に形成されており、そのサイズは例えば０．３〜０．５ｍｍ２程度である。また、バンプ７１の高さは、例えば３０〜１００μｍ程度とすることができる。
【００２１】
上記発光素子７０としては、例えば発光ダイオード（Light Emitting Diode：ＬＥＤ）や面発光型半導体レーザ（Vertical Cavity Surface Emitting Laser：ＶＣＳＥＬ）を用いることができる。バンプ７１としては、例えば金バンプやはんだバンプを用いることができる。はんだバンプの材料としては、例えば鉛（Ｐｂ）を含む合金、錫（Ｓｎ）とＡｕの合金、ＳｎとＣｕの合金、ＳｎとＡｇの合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金等を用いることができる。
【００２２】
図３（ｂ）に示すように、封止樹脂７５は、発光素子７０及びバンプ７１等を封止するように配線基板１の上面に設けられている。なお、電極端子４１Ｐは、封止樹脂７５に封止されていない。この封止樹脂７５の材料としては、例えばシリコーン樹脂に蛍光体を含有させた樹脂材を用いることができる。このような蛍光体を含有させた樹脂材を発光素子７０上に形成することにより、発光素子７０の発光と蛍光体の発光の混色を用いることが可能となり、発光装置２の発光色を様々に制御することができる。
【００２３】
（作用）
配線パターン３０及び金属層４０の側面の一部と接触するように絶縁層５０を形成するようにした。このため、絶縁層５０が形成されない場合と比べて、つまり配線パターン３０の下面のみが絶縁層２０に接触される場合と比べて、配線パターン３０及び金属層４０の側面が絶縁層５０に接触された分だけ、配線パターン３０及び金属層４０と絶縁層２０，５０との接触面積が広くなる。これにより、配線パターン３０及び金属層４０から絶縁層２０，５０への熱伝導量が多くなる。したがって、発光素子７０で生じた熱が放熱板１０に効率良く伝導される。
【００２４】
（配線基板の製造方法）
次に、上記配線基板１の製造方法について図４〜図８に従って説明する。
まず、配線基板１を製造するためには、図４に示すように、多数個取り基板（以下、単に「基板」ともいう。）１０Ａを用意する。基板１０Ａは、配線基板１が形成される領域である配線基板形成領域Ｃ１がマトリクス状（図４では、３×３）に形成された区画を複数（図４では、３つ）有している。この基板１０Ａは、配線基板形成領域Ｃ１に配線基板１に対応する構造体が形成された後、切断線Ｄ１に沿ってダイシングブレード等によって切断される。これにより、配線基板１に対応する構造体が個片化され、複数の配線基板１が製造されることになる。このとき、各配線基板１において、基板１０Ａは図１に示した放熱板１０となる。このため、基板１０Ａの材料としては、放熱板１０と同様に、例えば銅、アルミニウムや鉄などの熱伝導性に優れた金属又はこれらの金属を少なくとも一種以上含む合金を用いることができる。なお、以下に示す図５〜図８においては、説明の便宜上、一つの配線基板形成領域Ｃ１の構造を示している。
【００２５】
次に、図５（ａ）に示す工程では、基板１０Ａの上面全面を覆うように絶縁層２０を形成するとともに、絶縁層２０の第１主面２０Ａ全面を覆うように銅箔３０Ａを形成する。例えば絶縁層２０（絶縁基板）の片面に銅箔３０Ａが被着された片面銅張り基板を基板１０Ａに接着することにより、基板１０Ａ上に絶縁層２０及び銅箔３０Ａを形成する。また、例えば銅箔付き絶縁樹脂フィルムを基板１０Ａ上に積層することにより、基板１０Ａ上に絶縁層２０及び銅箔３０Ａを形成するようにしてもよい。
【００２６】
次に、図５（ｂ）に示す工程では、銅箔３０Ａの上面に、所定の箇所に開口部８０Ｘを有するレジスト層８０を形成する。このレジスト層８０は、所要の配線パターン３０、めっき給電用の給電ライン３１及び接続部３２（図５（ｃ）、（ｄ）参照）に対応する部分の銅箔３０Ａを被覆するように形成される。レジスト層８０の材料としては、耐エッチング性がある材料を用いることができる。具体的には、レジスト層８０の材料としては、感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（例えばノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）等を用いることができる。例えば感光性のドライフィルムレジストを用いる場合には、銅箔３０Ａの上面にドライフィルムを熱圧着によりラミネートし、そのドライフィルムを露光・現像によりパターニングして上記レジスト層８０を形成する。なお、液状のフォトレジストを用いる場合にも、同様の工程を経て、レジスト層８０を形成することができる。
【００２７】
次に、図５（ｃ）に示す工程では、図５（ｂ）に示したレジスト層８０をエッチングマスクとして銅箔３０Ａをエッチングし、銅箔３０Ａを所定形状にパターニングする。これにより、図５（ｄ）に示すように、絶縁層２０の第１主面２０Ａに、所要の配線パターン３０と、給電ライン（バスライン）３１と、接続部３２とが形成される。具体的には、並設された複数の帯状の配線パターン３０と、外周領域に枠状に形成された給電ライン３１と、その給電ライン３１と配線パターン３０とを電気的に接続する接続部３２とが形成される。これにより、全ての配線パターン３０が接続部３２を介して給電ライン３１に電気的に接続されることになる。また、上記エッチングにより、配線パターン３０間に溝状の開口部３０Ｘが形成される。本工程では、例えばエッチング液として塩化第二鉄水溶液を用いることができ、基板１０Ａの上面側からスプレーエッチングにより上記パターニングを実施することができる。なお、以下の説明では、配線パターン３０、給電ライン３１及び接続部３２をまとめて配線層３３とも称する。また、図５（ｄ）は、上記銅箔３０Ａのパターニング終了後に、図５（ｃ）に示したレジスト層８０が例えばアルカリ性の剥離液により除去された後の状態を示している。
【００２８】
次に、図６（ａ）に示す工程では、配線パターン３０上に、所定の箇所に開口部８１Ｘ，８１Ｙを有するレジスト層８１を形成する。この開口部８１Ｘは、金属層４０の形成領域に対応する部分の配線パターン３０を露出するように形成される。また、開口部８１Ｙは、金属層４１の形成領域に対応する部分の配線パターン３０を露出するように形成される。なお、上記給電ライン３１及び接続部３２は、レジスト層８１によって被覆される。レジスト層８１の材料としては、耐めっき性がある材料を用いることができる。具体的には、レジスト層８１の材料としては、感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（例えばノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）等を用いることができる。
【００２９】
続いて、図６（ｂ）に示す工程では、上記レジスト層８１をめっきマスクとして、配線パターン３０の表面（上面及び側面）に、配線層３３をめっき給電層に利用する電解めっき法を施す。具体的には、レジスト層８１の開口部８１Ｘから露出された配線パターン３０の上面及び側面に電解めっき法を施すことにより、金属層４０を形成する。この金属層４０は、開口部８１Ｘから露出された配線パターン３０の上面及び側面を覆うように形成される。また、レジスト層８１の開口部８１Ｙから露出された配線パターン３０の上面に電解めっき法を施すことにより、その配線パターン３０上に金属層４１を形成する。この金属層４１は、開口部８１Ｙから露出された配線パターン３０の上面を覆うように形成される。なお、例えば金属層４０，４１がＮｉ／Ａｕ層である場合には、電解めっき法により、レジスト層８１の開口部８１Ｘ，８１Ｙから露出された配線パターン３０の表面にＮｉ層とＡｕ層を順に積層する。
【００３０】
次いで、図６（ｃ）に示す工程では、図６（ｂ）に示したレジスト層８１を例えばアルカリ性の剥離液により除去する。これにより、図６（ｄ）に示すように、配線パターン３０上に、平面視略半円状の金属層４０が複数形成され、平面視略円状の金属層４１が複数形成される。
【００３１】
次に、図７（ａ）、（ｂ）に示す工程では、絶縁層２０及び配線パターン３０上に、配線パターン３０を覆うようにレジスト層８２を形成する。このレジスト層８２は、給電ライン３１及び接続部３２を露出するように形成されるとともに、配線パターン３０よりも外側に形成された絶縁層２０を露出するように形成される。レジスト層８２の材料としては、耐エッチング性がある材料を用いることができる。具体的には、レジスト層８２の材料としては、感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（例えばノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）等を用いることができる。
【００３２】
続いて、図７（ｃ）、（ｄ）に示す工程では、レジスト層８２をエッチングマスクとして配線層３３をエッチングし、図７（ａ）に示した給電ライン３１及び接続部３２を除去する。これにより、図８（ａ）に示すように、複数の配線パターン３０が互いに電気的に分離される。なお、図８（ａ）は、上記エッチング後に、図７（ｄ）に示したレジスト層８２が例えばアルカリ性の剥離液により除去された後の状態を示している。
【００３３】
次に、図８（ｂ）に示す工程では、絶縁層２０上に、その絶縁層２０の第１主面２０Ａを覆うように絶縁層５０を形成する。この絶縁層５０は、各配線パターン３０の側面の一部（配線パターン３０の側面が金属層４０で覆われている場合には、その金属層４０の側面の一部）を覆うように形成される。この絶縁層５０は、その上面が配線パターン３０の上面よりも低くなるように形成される。なお、絶縁層５０は、例えば樹脂ペーストのスクリーン印刷法によって形成することができる。絶縁層５０は、注射器（ディスペンサ）によって液状樹脂を塗布することによって形成することもできる。また、絶縁層５０の材料として感光性の絶縁樹脂を用いる場合には、フォトリソグラフィにより絶縁層５０を形成することもできる。続いて、図８（ｂ）に示す工程では、絶縁層５０を１５０℃程度の温度雰囲気でキュア（熱硬化処理）を行うことにより硬化させる。
【００３４】
続いて、図８（ｃ）に示す工程では、配線パターン３０、金属層４０，４１及び絶縁層５０上に開口部６０Ｘ，６０Ｙを有する絶縁層６０を形成する。この開口部６０Ｘは、実装領域ＣＡとなる金属層４０を露出するように形成される。また、開口部６０Ｙは、金属層４１の一部を電極端子４１Ｐとして露出するように形成される。この絶縁層６０は、例えば樹脂ペーストのスクリーン印刷法によって形成することができる。また、絶縁層６０の材料として感光性の絶縁樹脂を用いる場合には、配線パターン３０、金属層４０及び絶縁層５０の上面を覆うように絶縁層６０となるレジスト層を形成した後、フォトリソグラフィ法によりレジスト層を露光・現像して上記開口部６０Ｘ，６０Ｙを形成することで、上記絶縁層６０を形成することもできる。続いて、図８（ｃ）に示す工程では、絶縁層６０を１５０℃程度の温度雰囲気でキュアを行うことにより硬化させる。なお、本工程のキュアにより絶縁層６０と併せて絶縁層５０を硬化させるようにしてもよい。
【００３５】
上記絶縁層６０の形成によって、金属層４０の一部がパッド４０Ｐとして開口部６０Ｘから露出される。このため、絶縁層６０の形成後に、コンタクト性を向上させるために配線パターン３０上に電解めっき等を施す必要がない。これにより、上記金属層４０を形成する際に使用されるめっき液の劣化を抑制することができる。詳述すると、絶縁層６０を形成した後に、開口部６０Ｘから露出された配線パターン３０に対してめっき法（電解めっき法又は無電解めっき法）を施す場合には、そのときに使用されるめっき液に対して絶縁層６０に含まれる樹脂材等が溶出する。このため、めっき液の劣化とそれによる液寿命の短縮化を引き起こすという問題がある。これに対し、本実施形態の製造方法によれば、電解めっき法を実施する際には、絶縁層６０が形成されていないため、上述したような問題の発生を未然に防止することができる。すなわち、本実施形態の製造方法によれば、めっき液の劣化を抑制することができるため、めっき液の液寿命の短縮化を抑制することができる。
【００３６】
次いで、図８（ｃ）に示す工程では、同図に示す構造体を切断線Ｄ１に沿って切断する。これにより、図８（ｄ）に示すように配線基板１が個片化され、複数の配線基板１が製造される。
【００３７】
（発光装置の製造方法）
次に、発光装置２の製造方法を図９に従って説明する。
図９（ａ）に示す工程では、上記配線基板１の各実装領域ＣＡ内に形成されたパッド４０Ｐ上に発光素子７０を実装する。具体的には、隣り合うパッド４０Ｐの各々の上面に、発光素子７０のバンプ７１をフリップチップ接合する。例えばバンプ７１が金バンプである場合には、そのバンプ７１をパッド４０Ｐ上に超音波接合することにより固定する。
【００３８】
次に、図９（ｂ）に示す工程では、配線基板１上に実装された複数の発光素子７０及びバンプ７１を封止する封止樹脂７５を形成する。例えば封止樹脂７５として熱硬化性を有する樹脂を用いる場合には、図９（ａ）に示した構造体を金型内に収容し、金型内に圧力（例えば、５〜１０ＭＰａ）を印加し、流動化した樹脂を導入する。その後、樹脂を例えば１８０℃程度で加熱して硬化させることで、封止樹脂７５を形成する。なお、封止樹脂７５は、液状の樹脂のポッティングにより形成することもできる。以上の製造工程により、図３に示した発光装置２が製造される。
【００３９】
（効果）
以上説明した本実施形態によれば、以下の効果を奏することができる。
（１）配線パターン３０及び金属層４０の側面の一部と接触するように絶縁層５０を形成するようにした。このため、絶縁層５０が形成されない場合と比べて、つまり配線パターン３０の下面のみが絶縁層２０に接触される場合と比べて、配線パターン３０及び金属層４０の側面が絶縁層５０に接触された分だけ、配線パターン３０及び金属層４０と絶縁層２０，５０との接触面積が広くなる。これにより、配線パターン３０及び金属層４０から絶縁層２０，５０への熱伝導量が多くなるため、発光素子７０で生じた熱を放熱板１０に効率良く伝導させることができる。したがって、配線パターン３０と放熱板１０との間に熱伝導率の低い絶縁層２０が介在する場合であっても、発光装置２における放熱性能を向上させることができる。この結果、発光素子７０の温度上昇を抑制することができるため、発光素子７０の発光効率の低下を好適に抑制することができる。
【００４０】
（２）配線パターン３０及び金属層４０の一部と接触される絶縁層２０，５０を熱伝導率の高い材料により形成するようにした。これにより、配線パターン３０及び金属層４０から絶縁層２０，５０への熱伝導量をより多くすることができるため、発光素子７０で生じた熱を放熱板１０に効率良く伝導させることができる。したがって、発光装置２における放熱性能を向上させることができる。
【００４１】
（３）配線パターン３０上に電解めっき法により金属層４０を形成した後に、それら配線パターン３０及び金属層４０の一部を覆う絶縁層６０を形成するようにした。この場合には、電解めっき法により金属層４０を形成する際には、絶縁層６０が形成されていないため、その絶縁層６０の存在に起因してめっき液が劣化することを未然に防止することができる。これにより、めっき液の液寿命を延ばすことができ、そのめっき液を継続的に使用することができる。この結果、コスト削減に貢献することができる。
【００４２】
（４）金属層４０を電解めっき法により形成するようにした。これにより、金属層４０を無電解めっき法により形成する場合よりも製造コストを低減することができる。
（５）配線パターン３０及び金属層４０の側面の一部と接触される絶縁層５０を、スクリーン印刷やディスペンサによって液状樹脂を塗布することで形成するようにした。このため、絶縁層５０を容易に形成することができる。
【００４３】
（第１実施形態の変形例）
なお、上記第１実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。
【００４４】
・上記第１実施形態では、配線基板１を個片化した後に、その配線基板１のパッド４０Ｐ上に発光素子７０を実装するようにした。これに限らず、図１０に示すように、配線基板１の個片化の前にパッド４０Ｐ上に発光素子７０を実装し、その後、切断線Ｄ１に沿って切断して個々の発光装置２を得るようにしてもよい。詳述すると、図１０（ａ）に示すように絶縁層６０を形成した後に切断線Ｄ１で切断せずに、図１０（ｂ）に示すように、パッド４０Ｐ上に発光素子７０を実装する。次に、図１０（ｃ）に示すように発光素子７０を封止樹脂７５で封止した後に、切断線Ｄ１に沿って切断して、図１０（ｄ）に示すように個々の発光装置２を得るようにしてもよい。なお、上記封止樹脂７５は、一括モールディング方式により配線基板形成領域Ｃ１がマトリクス状（図４では、３×３）に形成された区画毎に形成するようにしてもよいし、個別モールディング方式により各配線基板形成領域Ｃ１毎に形成するようにしてもよい。
【００４５】
・上記第１実施形態では、配線パターン３０の一部を覆うように金属層４０を形成した後に、配線パターン３０及び金属層４０の側面の一部を覆うように絶縁層５０を形成するようにした。これに限らず、例えば金属層４０を形成する前に、配線パターン３０の側面を覆うように絶縁層５０を形成し、その後、配線パターン３０の表面（上面及び側面）の一部を覆うように金属層４０を形成するようにしてもよい。この場合には、開口部３０Ｘで配線パターン３０の側面を覆う金属層４０が絶縁層５０の上面に形成されるため、絶縁層５０は配線パターン３０の側面と接触するとともに金属層４０の下面と接触することになる。このため、実装領域ＣＡにおいては、絶縁層５０と配線パターン３０及び金属層４０との接触面積が、金属層４０の下面と接触する分だけ広くなる。これにより、配線パターン３０及び金属層４０から絶縁層２０，５０への熱伝導量が多くなるため、発光素子７０で生じた熱を放熱板１０に効率良く伝導させることができる。
【００４６】
・上記第１実施形態では、配線パターン３０の一部を覆うように金属層４０を形成した後に、配線パターン３０及び金属層４０全面をマスクして給電ライン３１及び接続部３２をエッチングにより除去するようにした。これに限らず、例えば図１１及び図１２に示す製造工程に変更してもよい。詳述すると、図１１（ａ）に示すように、先の図５に示した工程と同様に、絶縁層２０上に配線パターン３０、給電ライン３１及び接続部３２を形成する。次に、図１１（ｂ）に示す工程では、接続部３２上に、配線層３３のうち接続部３２のみを覆うレジスト層８３を形成する。レジスト層８３の材料としては、耐めっき性がある材料を用いることができる。具体的には、レジスト層８３の材料としては、感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（例えばノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）等を用いることができる。
【００４７】
続いて、上記レジスト層８３をめっきマスクとして、配線パターン３０及び給電ライン３１の表面（上面及び側面）に、配線層３３をめっき給電層に利用する電解めっき法を施す。これにより、図１１（ｃ）に示すように、配線パターン３０の表面全面を覆うように金属層４２が形成され、給電ライン３１の表面全面を覆うように金属層４３が形成される。
【００４８】
次いで、図１２（ａ）に示す工程では、図１１（ｃ）に示したレジスト層８３を例えばアルカリ性の剥離液により除去する。その後、図１２（ｂ）に示す工程では、金属層４２，４３に対して接続部３２を選択的に除去する。例えば金属層４２，４３がＮｉ／Ａｕ層である場合には、塩化第二鉄水溶液、塩化第二銅水溶液、過硫酸アンモニウム水溶液等を用いたウェットエッチングにより、金属層４２，４３に対して銅からなる接続部３２を選択的に除去することができる。これにより、図１２（ｃ）に示すように、表面（上面及び側面）が金属層４２によって覆われた配線パターン３０と、表面（上面及び側面）が金属層４３によって覆われた給電ライン３１とが除去されずに残る。
【００４９】
このような構造によれば、配線基板１の外周領域に剛性の比較的高い給電ライン３１及び金属層４３が形成されるため、配線基板１の剛性を高めることができる。したがって、熱収縮などに伴って配線基板１に反りや変形が発生することを好適に抑制することができる。すなわち、上記構造によれば、給電ライン３１及び金属層４３を補強層として使用することができる。なお、個片化された配線基板１に給電ライン３１及びそれを覆う金属層４３が残っていても、それら給電ライン３１と複数の配線パターン３０とは互いに分離されるため、配線基板１の特性上、何ら支障はない。
【００５０】
あるいは、先の図１１（ｂ）に示した工程において、配線層３３のうち給電ライン３１及び接続部３２を覆うレジスト層８３を形成するようにしてもよい。これによれば、配線層３３のうち配線パターン３０の表面全面のみに金属層４２が形成され、図１２（ｂ）に示した工程で給電ライン３１及び接続部３２が選択的に除去される。
【００５１】
・上記第１実施形態では、金属層４０を電解めっき法により形成するようにしたが、これに限らず、例えば金属層４０を無電解めっき法により形成するようにしてもよい。この場合には、銅箔３０Ａをパターニングする際に、給電ライン３１及び接続部３２の形成を省略することができる。このため、これら給電ライン３１及び接続部３２を除去する工程（図７（ａ）〜（ｄ）に示した工程）についても省略することができる。
【００５２】
・上記第１実施形態における発光素子７０は、各実装領域ＣＡに形成された２つのパッド４０Ｐのうちの一方のパッド４０Ｐに１つのバンプ７１をフリップチップ接合し、他方のパッド４０Ｐに別の１つのバンプ７１をフリップチップ接合するようにした。これに限らず、例えば一方のパッド４０Ｐに複数のバンプ７１をフリップチップ接合し、他方のパッド４０Ｐに複数のバンプ７１をフリップチップ接合するようにしてもよい。
【００５３】
ところで、１つのパッド４０Ｐに対して１つのバンプ７１が接合される場合には、各パッド４０Ｐ上での接続箇所が１箇所になるため、配線基板１上に実装された発光素子７０に傾きが生じるおそれがある。これに対し、上記変形例の構造では、１つのパッド４０Ｐに対して複数のバンプ７１が接合されるため、各パッド４０Ｐ上の接続箇所が複数箇所になる。これにより、配線基板１上に発光素子７０を安定して実装することができる。
【００５４】
・上記第１実施形態では、配線基板１の上面に形成されたパッド４０Ｐ上に発光素子７０をフリップチップ実装するようにした。これに限らず、例えば図１３に示すように、上記パッド４０Ｐ上に発光素子７６をワイヤボンディング実装するようにしてもよい。この場合、発光素子７６は、各実装領域ＣＡに形成された一方のパッド４０Ｐ上に接着剤（図示略）を介して接合される。また、各発光素子７６は、一方の電極（図示略）がボンディングワイヤ７７を介して上記実装領域ＣＡ内の一方のパッド４０Ｐに電気的に接続され、他方の電極（図示略）がボンディングワイヤ７７を介して実装領域ＣＡ内の他方のパッド４０Ｐに電気的に接続される。
【００５５】
・図１４に示されるように、配線基板１の実装領域ＣＡに凹部１０Ｘを形成し、その凹部１０Ｘ内に発光素子７０を実装するようにしてもよい。この場合には、凹部１０Ｘに絶縁層２０及び配線パターン３０が形成され、その配線パターン３０の表面上に金属層４０が形成され、その金属層４０の側面の一部を覆うように絶縁層２０上に絶縁層５０が形成される。そして、凹部１０Ｘの底面に形成された金属層４０（パッド４０Ｐ）上に発光素子７０が実装される。なお、図１４では、発光素子７０をフリップチップ実装するようにしているが、発光素子をワイヤボンディング実装するようにしてもよい。
【００５６】
・上記第１実施形態では、配線基板１上に実装された複数の発光素子７０をまとめて封止樹脂７５で封止するようにした。これに限らず、各実装領域ＣＡに実装された発光素子７０を個別に封止樹脂で封止するようにしてもよい。
【００５７】
・上記第１実施形態では、金属層４０，４１を形成した後に絶縁層６０を形成するようにした。これに限らず、例えば開口部６０Ｘ，６０Ｙを有する絶縁層６０を形成した後に、その開口部６０Ｘ，６０Ｙから露出される配線パターン３０上に金属層４０，４１をそれぞれ形成するようにしてもよい。具体的には、絶縁層６０を形成した後に、開口部６０Ｘ，６０Ｙから露出する配線パターン３０に電解めっき法を施して金属層４０，４１を形成するようにしてもよい。
【００５８】
・上記第１実施形態における開口部６０Ｘや金属層４０の平面形状は、半円状に限らず、例えば矩形状や五角形状などの多角形状、円状、楕円状や半楕円状であってもよい。
・上記第１実施形態における開口部６０Ｙや金属層４１の平面形状は、円状に限らず、例えば矩形状や五角形状などの多角形状、半円状、楕円状や半楕円状であってもよい。
【００５９】
（第２実施形態）
以下、第２実施形態について、図１５及び図１６に従って説明する。この実施形態の配線基板１Ａ（図１６（ｄ）参照）では、配線パターン３０の絶縁層への埋込構造が上記第１実施形態及びその変形例と異なっている。以下、第１実施形態及びその変形例との相違点を中心に説明する。なお、先の図１〜図１４に示した部材と同一の部材にはそれぞれ同一の符号を付して示し、それら各要素についての詳細な説明は省略する。
【００６０】
配線基板１の製造方法について図１５及び図１６に従って説明する。
まず、図１５（ａ）に示す工程では、先の図５（ａ）〜図８（ａ）に示した工程と同様の製造工程により、基板１０Ａの上面に形成された絶縁層２１の第１主面２１Ａ上に配線パターン３０を形成し、その配線パターン３０の表面（上面及び側面）の一部を覆うように金属層４０，４１を形成する。この際の絶縁層２１の材料としては、例えば熱硬化性を有するエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂などの絶縁性樹脂、又はこれら樹脂にシリカやアルミナ等のフィラーを混入した樹脂材を用いることができる。この絶縁層２１は、放熱板１０と配線パターン３０とを絶縁する機能と、放熱板１０と配線パターン３０とを接着する機能とを有する。この絶縁層２１の厚さは、例えば５０〜１３０μｍ程度とすることができる。なお、絶縁層２１の絶縁性が高い場合には、放熱性の観点から、絶縁層２１を薄く形成することが好ましい。
【００６１】
次に、図１５（ｂ）に示す工程では、図１５（ａ）に示した構造体を、下側の押圧治具８４と上側の押圧治具８５との間に配置し、両面側から１５０〜２００℃程度の温度で加熱・加圧（加熱プレス）する。このとき、絶縁層２１のガラス転移温度（Ｔｇ）よりも高い温度で加熱されると、絶縁層２１が軟化される。このため、図１５（ｃ）に示すように、絶縁層２１上に形成された配線パターン３０及び金属層４０は、押圧治具８４，８５からの押圧力によって絶縁層２１に押し込まれる。本工程では、配線パターン３０の上面が絶縁層２１内に押し込まれないように、つまり絶縁層２１の第１主面２１Ａが配線パターン３０の上面よりも低くなるように、配線パターン３０及び金属層４０の絶縁層２１への埋め込みが実施される。例えば配線パターン３０の５０〜９０％程度の厚さが絶縁層２１に埋め込まれると、放熱性の観点から有利となる。
【００６２】
このような埋め込みにより、絶縁層２１の第１主面２１Ａに配線パターン３０及び金属層４０を収容する凹部２２が形成され、その凹部２２の底面２２Ａ上に配線パターン３０が形成される。さらに、配線パターン３０及び金属層４０の側面の一部が絶縁層２１によって覆われる（絶縁層２１と接触される）。具体的には、配線パターン３０及び金属層４０の側面の一部が凹部２２の側壁を構成する絶縁層２１と接触される。これにより、配線パターン３０及び金属層４０を絶縁層２１に埋め込む前（図１５（ａ）参照）と比べて、配線パターン３０及び金属層４０の側面が絶縁層２１に接触される分だけ、配線パターン３０及び金属層４０と絶縁層２１との接触面積が広くなる。これにより、配線パターン３０及び金属層４０から絶縁層２１への熱伝導量が多くなる。
【００６３】
その後、図１６（ａ）に示すように、基板１０Ａから押圧治具８４，８５が分離される。続いて、図１６（ｂ）に示す工程では、絶縁層２１、配線パターン３０及び金属層４０上に開口部６０Ｘ，６０Ｙを有する絶縁層６０を形成する。次いで、図１６（ｃ）に示す工程では、同図に示す構造体を切断線Ｄ１に沿って切断する。これにより、図１６（ｄ）に示すように本実施形態の配線基板１Ａが個片化され、複数の配線基板１Ａが製造される。なお、配線基板１Ａでは、凹部２２の底面２２Ａ（第１の面）上に配線パターン３０が形成された絶縁層２１（第１絶縁層）と、配線パターン３０の側面の一部を覆うように形成された絶縁層２１（第２絶縁層）とが一体に形成されている。
【００６４】
以上説明した実施形態によれば、第１実施形態の（１）〜（４）と同様の効果を奏する。
（第３実施形態）
以下、第３実施形態について、図１７〜図２１に従って説明する。なお、先の図１〜図１６に示した部材と同一の部材にはそれぞれ同一の符号を付して示し、それら各要素についての詳細な説明は省略する。
【００６５】
（配線基板の構造）
図１７（ｂ）に示すように、配線基板１Ｂは、放熱板１０と、放熱板１０の上面を覆う絶縁層２４と、絶縁層２４上に形成された配線パターン３４と、配線パターン３４上に形成された金属層４４と、配線パターン３４の側面の一部及び金属層４４の側面全面を覆う絶縁層６１とを有している。
【００６６】
絶縁層２４は、放熱板１０の上面全面を覆うように形成されている。絶縁層２４の材料としては、例えば熱伝導率の高い（例えば、１〜１０Ｗ／ｍＫ程度）絶縁性樹脂を用いることができる。具体的には、絶縁層２４の材料としては、例えばポリイミド系樹脂やエポキシ系樹脂などの絶縁性樹脂、又はこれら樹脂にシリカやアルミナ等のフィラーを混入した樹脂材を用いることができる。この絶縁層２４は、放熱板１０と配線パターン３４とを絶縁する機能と、放熱板１０と配線パターン３４とを接着する機能とを有する。この絶縁層２４の厚さは、例えば５０〜１３０μｍ程度とすることができる。なお、絶縁層２４の絶縁性が高い場合には、放熱性の観点から、絶縁層２０を薄く形成することが好ましい。
【００６７】
また、絶縁層２４の第１主面２４Ａ（図１７（ｂ）では、上面）には、所要の箇所（図１７（ｂ）では、５つ）に凹部２５が形成されている。この凹部２５は、絶縁層２４の第１主面２４Ａから絶縁層２４の厚さ方向の中途位置まで形成されている、つまり凹部２５の底面２５Ａが絶縁層２４の厚さ方向の中途に位置するように形成されている。図１７（ａ）に示すように、凹部２５の平面形状は、平面視帯状又は平面視長方形状に形成されている。そして、これら複数の凹部２５が平行に隣接して形成されている。
【００６８】
図１７（ｂ）に示すように、各凹部２５の底面２５Ａ上には、配線パターン３４が形成されている。これら複数の配線パターン３４は、平行に隣接して配置されている。これら配線パターン３４は、その側面の一部が上記凹部２５の側壁を構成する絶縁層２４によって覆われる（絶縁層２４と接触される）とともに、残りの側面が絶縁層６１によって覆われている。換言すると、隣接する配線パターン３４は、凹部２５の側壁を構成する絶縁層２４及び絶縁層６１によって電気的に分離されている。このように配線パターン３４は、その一部が絶縁層２４内に埋め込まれるように形成されている。また、各配線パターン３４の平面形状は、図示は省略するが、凹部２５の平面形状と同様に、平面視帯状又は平面視長方形状に形成されている。なお、配線パターン３４の材料としては、例えば銅や銅合金を用いることができる。配線パターン３４の厚さは、例えば３０〜１００μｍ程度とすることができる。また、各配線パターン３４間の幅は、例えば０．１〜０．３ｍｍ程度とすることができる。
【００６９】
このように本実施形態の配線基板１Ｂでは、凹部２５の底面２５Ａ（第１の面）上に配線パターン３４が形成された絶縁層２４（第１絶縁層）と、配線パターン３４の側面の一部を覆うように形成された絶縁層２４（第２絶縁層）とが一体に形成されている。また、絶縁層２４は、その第１主面２４Ａが配線パターン３４の第１主面３４Ａ（図１７（ｂ）では、上面）よりも低くなるように形成されている。
【００７０】
金属層４４は、各配線パターン３４の第１主面３４Ａ全面を覆うように形成されている。具体的には、図１７（ａ）に示すように、平面視帯状（平面視長方形状）の複数（図１７（ａ）では、５つ）の金属層４４が平行に隣接して形成されている。そして、隣接する金属層４４は、絶縁層６１によって電気的に分離されている。図１７（ｂ）に示すように、各金属層４４は、その第１主面４４Ａ（図１７（ｂ）では、上面）が絶縁層６１の第１主面６１Ａ（図１７（ｂ）では、上面）と面一になるように形成されている。このため、金属層４４は、その第１主面４４Ａ全面が絶縁層６１から露出されている。また、図１７（ａ）に示すように、絶縁層６１から露出された金属層４４は、発光素子７０（図３参照）が実装される実装領域ＣＡを多数有し、電極端子として機能する一対の端子領域を有する。ここで、実装領域ＣＡは、金属層４４上にマトリクス状（図１７（ａ）では、４×４）に配列されている。この実装領域ＣＡは、発光素子７０が接合されるパッド４４Ｐとして機能する一対の金属層４４と、それら一対の金属層４４を電気的に分離する絶縁層６１とを有している。また、上記一対の端子領域ＴＡは、５つの金属層４４のうち最も外側に配置された２つの金属層４４上であって、それら金属層４４に配置された実装領域ＣＡよりも外側に配置されている。金属層４４の例としては、Ａｇ層や、Ｎｉ／Ａｕ層や、Ｎｉ／Ａｇ層や、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ層や、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｇ層や、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｇ／Ａｕ層などを挙げることができる。なお、金属層４４が例えばＮｉ／Ａｕ層である場合には、Ｎｉ層の厚さを１〜１０μｍ程度とすることができ、Ａｕ層の厚さを０．０５〜２μｍ程度とすることができる。
【００７１】
図１７（ｂ）に示すように、絶縁層６１は、配線パターン３４の側面の一部及び金属層４４の側面全面を覆うように、絶縁層２４の第１主面２４Ａ上に形成されている。別の見方をすると、絶縁層６１には、絶縁層２４の凹部２５と対向する位置に、その凹部２５と連通する開口部６１Ｘが形成されている。図１７（ａ）に示すように、開口部６１Ｘの平面形状は、平面視帯状又は平面視長方形状に形成されている。そして、これら複数の開口部６１Ｘが平行に隣接して形成されている。そして、図１７（ｂ）に示すように、その開口部６１Ｘ内に配線パターン３４及び金属層４４が形成されている。
【００７２】
上記絶縁層６１は、高い反射率を有する。具体的には、絶縁層６１は、波長が４５０ｎｍ〜７００ｎｍの間で５０％以上（好適には８０％以上）の反射率を有する。このような絶縁層６１は、白色レジスト層や反射層とも呼ばれる。この絶縁層６１の材料としては、例えば白色の絶縁性樹脂を用いることができる。白色の絶縁性樹脂としては、例えばエポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂やオルガノポリシロキサン系樹脂に白色の酸化チタン（ＴｉＯ２）や硫酸バリウム（ＢａＳＯ４）からなるフィラーや顔料を含有した樹脂材を用いることができる。なお、絶縁層６１の厚さは、例えば２０〜５０μｍ程度とすることができる。
【００７３】
（配線基板の製造方法）
次に、上記配線基板１Ｂの製造方法を図１８〜図２１に従って説明する。
まず、配線基板１Ｂを製造するためには、図１８（ａ）に示すように、多数個取り用の支持基板９０を用意する。この支持基板９０は、上記基板１０Ａと同様に、配線基板１Ｂが形成される領域である配線基板形成領域を多数有している。この支持基板９０は、各配線基板形成領域に配線基板１Ｂに対応する構造体が形成され、支持基板９０が除去された後に、上記多数個取り基板１０Ａの切断線Ｄ１（図４参照）に沿ってダイシングブレード等によって切断されて配線基板１Ｂに対応する構造体が個片化される。この支持基板９０としては、例えば金属板や金属箔を用いることができ、本実施形態では、例えば銅板を用いる。この支持基板９０の厚さは、例えば０．３〜１．０ｍｍである。なお、図１８〜図２１においては、説明の便宜上、一つの配線基板形成領域の構造を示している。
【００７４】
次に、図１８（ｂ）に示す工程では、支持基板９０の第１主面９０Ａ（図中の上面）に、開口部９１Ｘを有するレジスト層９１を形成し、支持基板９０の第２主面９０Ｂ（図中の下面）全面を覆うレジスト層９２を形成する。開口部９１Ｘは、配線パターン３４及び金属層４４（図１７（ｂ）参照）の形成領域に対応する部分の支持基板９０の第１主面９０Ａを露出するように形成される。すなわち、図１８（ｃ）に示すように、レジスト層９１には、平面視帯状（平面視長方形状）の複数（ここでは、５つ）の開口部９１Ｘが平行に隣接して形成される。なお、図１８（ｂ）に示すように、レジスト層９１は、比較的厚く（例えば０．０５〜０．１５ｍｍ程度）形成される。このレジスト層９１は、複数層のレジスト層を重ねて厚く形成するようにしてもよい。一方、レジスト層９２の厚さは、次工程で支持基板９０の第２主面９０Ｂにめっきが施されないようにその第２主面９０Ｂ全面を被覆することのできる厚さがあれば十分であり、例えば０．０２〜０．０５ｍｍ程度とすることができる。なお、レジスト層９１，９２の材料としては、耐めっき性がある材料を用いることができる。具体的には、レジスト層９１，９２の材料としては、感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（例えばノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）等を用いることができる。例えば感光性のドライフィルムレジストを用いる場合には、支持基板９０の両面にドライフィルムを熱圧着によりラミネートし、支持基板９０の第１主面９０Ａにラミネートされたドライフィルムを露光・現像によりパターニングして上記レジスト層９１，９２を形成する。なお、液状のフォトレジストを用いる場合にも、同様の工程を経て、レジスト層９１，９２を形成することができる。
【００７５】
続いて、図１８（ｄ）に示す工程では、上記レジスト層９１，９２をめっきマスクとして、支持基板９０の第１主面９０Ａに、支持基板９０をめっき給電層に利用する電解めっき法を施す。具体的には、レジスト層９１の開口部９１Ｘから露出された支持基板９０の第１主面９０Ａに電解めっき法を施すことにより、開口部９１Ｘ内に金属層４４と配線パターン３４とを順に積層する。例えば金属層４４がＡｕ層、Ｎｉ層をこの順番で順次積層した構造であり、配線パターン３４がＣｕ層である場合には、まず、支持基板９０をめっき給電層に利用する電解めっき法により、支持基板９０の第１主面９０Ａ上にＡｕ層、Ｎｉ層を順に積層して金属層４４を形成する。次いで、支持基板９０をめっき給電層に利用する電解めっき法により、金属層４４上にＣｕ層を形成して配線パターン３４を形成する。
【００７６】
次に、図１９（ａ）に示す工程では、図１８（ｄ）に示したレジスト層９１，９２を例えばアルカリ性の剥離液により除去する。このとき、図１９（ｂ）に示すように、支持基板９０の第１主面９０Ａには、平面視帯状の複数の配線パターン３４（具体的には、配線パターン３４の第２主面３４Ｂ）が露出される。
【００７７】
次いで、図１９（ｃ）に示す工程では、配線パターン３４から露出された支持基板９０の第１主面９０Ａに、金属層４４の側面全面及び配線パターン３４の側面の一部を覆うように絶縁層６１を形成する。この絶縁層６１は、その第２主面６１Ｂ（図では、上面）が配線パターン３４の第２主面３４Ｂよりも低くなるように形成される。このため、絶縁層６１と配線パターン３４との境界部分には段差部が形成される。すなわち、配線パターン３４間及び配線パターン３４よりも外側の領域には凹部が形成される。この絶縁層６１は、例えば樹脂ペーストのスクリーン印刷法によって形成することができる。続いて、図１９（ｃ）に示す工程では、絶縁層６１を１５０℃程度の温度雰囲気でキュアを行うことにより硬化させる。
【００７８】
続いて、図２０（ａ）に示す工程では、基板１０Ａに絶縁層２４となるシート状の絶縁層２４Ｂが接着された構造体２４Ｃを用意する。基板１０Ａの材料としては、例えば銅、アルミニウムや鉄などの熱伝導性に優れた金属又はこれらの金属を少なくとも一種以上含む合金を用いることができる。絶縁層２４Ｂの材料としては、例えば熱硬化性を有するエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂などの絶縁性樹脂、又はこれら樹脂にシリカやアルミナ等のフィラーを混入した樹脂材が用いられる。絶縁層２４Ｂは、Ｂ−ステージ状態（半硬化状態）のものが用いられる。絶縁層２４の厚さは、例えば５０〜１３０μｍ程度とすることができる。
【００７９】
また、図２０（ａ）に示す工程では、図１９（ｃ）に示した構造体の上面側に上記構造体２４Ｃを配置する。このとき、構造体２４Ｃは、絶縁層２４Ｂが絶縁層６１の第２主面６１Ｂ（図２０（ａ）では、上面）及び配線パターン３４と対向するように絶縁層２４Ｂを下側に向けた状態で配置される。そして、図１９（ｃ）に示した構造体上にシート状の構造体２４Ｃを熱圧着によりラミネートする。このときの熱圧着により、図２０（ｂ）に示すように、絶縁層２４Ｂ中に、絶縁層６１から露出された配線パターン３４が圧入される。これにより、絶縁層６１の第２主面６１Ｂ、その絶縁層６１から露出された配線パターン３４の側面及び配線パターン３４の第２主面３４Ｂ全面が絶縁層２４Ｂによって被覆される。その後、絶縁層２４Ｂを１５０℃程度の温度雰囲気でキュアを行うことにより硬化させて、絶縁層２４を形成する。この絶縁層２４Ｂの硬化に伴って、絶縁層６１及び配線パターン３４と絶縁層２４が接着されるとともに、絶縁層２４と基板１０Ａとが接着される。
【００８０】
本工程により、絶縁層２４の第１主面２４Ａに配線パターン３４の一部を収容する凹部２５が形成され、その凹部２５の底面２５Ａ上に配線パターン３４が形成される。さらに、配線パターン３４の側面の一部が絶縁層２４によって覆われる（絶縁層２４と接触される）。具体的には、配線パターン３４の側面の一部が上記凹部２５の側壁を構成する絶縁層２４と接触される。このため、配線パターン３４の第２主面３４Ｂのみが絶縁層２４に接触される場合と比べて、配線パターン３４の側面が絶縁層２４に接触される分だけ、配線パターン３４と絶縁層２４との接触面積が広くなる。これにより、配線パターン３４から絶縁層２４への熱伝導量が多くなる。なお、このとき、絶縁層６１が配線パターン３４の側面の一部を覆うように形成されているため、その絶縁層６１上に形成される絶縁層２４の第１主面２４Ａ（図２０（ｂ）では、下面）が配線パターン３４の第１主面３４Ａよりも高く（上下反転した場合には、低く）形成されることになる。
【００８１】
次に、図２０（ｃ）に示す工程では、基板１０Ａの一方の面（図２０（ｃ）では、上面）全面を覆うレジスト層９３を形成する。このレジスト層９３は、次工程で基板１０Ａの上面がエッチングで除去されないように形成される。なお、レジスト層９３の材料としては、耐エッチング性がある材料を用いることができる。具体的には、レジスト層９３の材料としては、感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（例えばノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）等を用いることができる。
【００８２】
続いて、図２０（ｄ）に示す工程では、仮基板として用いた支持基板９０（図２０（ｃ）参照）を除去する。例えば支持基板９０として銅板を用いる場合には、塩化第二鉄水溶液、塩化第二銅水溶液、過硫酸アンモニウム水溶液等を用いたウェットエッチングにより、支持基板９０の除去を行うことができる。この際、絶縁層６１から露出する金属層４４の最表層はＡｕ層等であるため、銅板である支持基板９０のみを選択的にエッチングすることができる。このように支持基板９０が除去されると、その支持基板９０の第１主面９０Ａに沿った形状に形成された金属層４４の第１主面４４Ａと絶縁層６１の第１主面６１Ａとは面一となる。その後、レジスト層９３を、例えばアルカリ性の剥離液により除去する。
【００８３】
次いで、図２１（ａ）に示す工程では、同図に示す構造体を切断線Ｄ１に沿って切断する。これにより、図２１（ｂ）に示すように本実施形態の配線基板１Ｂが個片化され、複数の配線基板１Ｂが製造される。なお、図２１（ａ）において、同図に示す構造体は図２０（ｄ）とは上下反転して描かれている。
【００８４】
以上説明した実施形態によれば、第１実施形態の（１）〜（４）の効果に加えて以下の効果を奏する。
（７）発光素子７０が実装される実装面側の最表層に形成された絶縁層６１の第１主面６１Ａ（最表面）を、パッド４４Ｐとして機能する金属層４４の第１主面４４Ａ（最表面）と面一になるように形成した。これにより、絶縁層６１がパッド４４Ｐ表面よりも上方に突出しないため、その絶縁層６１とパッド４４Ｐにフリップチップ接合される発光素子７０との干渉（接触）が好適に抑制される。このため、発光素子７０のバンプ７１が微細化し、発光素子７０とパッド４４Ｐ間の隙間が狭くなった場合であっても、絶縁層６１と発光素子７０との干渉を好適に抑制することができる。したがって、微細化されたバンプ７１による発光素子７０の実装が可能となるため、発光装置全体の小型化を図ることができる。
【００８５】
（８）支持基板９０を給電層として電解めっき法を実施することができるため、電解めっき用の給電ラインを形成する必要がない。
（第３実施形態の変形例）
なお、上記第３実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。
【００８６】
・上記第３実施形態における絶縁層２４を省略し、反射層として機能する絶縁層によって配線パターン３４の側面全面を覆うようにしてもよい。この場合、例えば以下のような製造方法によって配線基板を製造することができる。詳述すると、図２２（ａ）に示すように、支持基板９０の第１主面９０Ａ上に金属層４４及び配線パターン３４が形成された構造体の上面側に、基板１０Ａにシート状の絶縁層６２が接着された構造体６２Ａを配置する。このとき、構造体６２Ａは、絶縁層６２が配線パターン３４及び支持基板９０と対向するように絶縁層６２を下側に向けた状態で配置される。基板１０Ａの材料としては、例えば銅、アルミニウムや鉄などの熱伝導性に優れた金属又はこれらの金属を少なくとも一種以上含む合金を用いることができる。絶縁層６２の材料としては、例えば高い反射率を有し、熱硬化性を有する白色の絶縁性樹脂を用いることができる。さらに、絶縁層６２の材料としては、熱伝導率の高い絶縁性樹脂であることが好ましい。なお、上記白色の絶縁性樹脂としては、例えばエポキシ系樹脂やシリコーン系樹脂に白色の酸化チタンや硫酸バリウムからなるフィラーや顔料を含有した樹脂材を用いることができる。
【００８７】
そして、支持基板９０の第１主面９０Ａにシート状の構造体６２Ａを熱圧着によりラミネートする。このときの熱圧着により、図２２（ｂ）に示すように、絶縁層６２中に配線パターン３４及び金属層４４が圧入される。これにより、支持基板９０の第１主面９０Ａ、配線パターン３４の側面全面、金属層４４の側面全面及び配線パターン３４の第２主面３４Ｂ全面が絶縁層６２によって被覆される。その後、絶縁層６２を１５０℃程度の温度雰囲気でキュアを行うことにより硬化させて、絶縁層６３を形成する。
【００８８】
本工程により、絶縁層６３の第１主面６３Ａに配線パターン３４及び金属層４４を収容する凹部６４が形成され、その凹部６４の底面６４Ａ上に配線パターン３４が形成される。さらに、金属層４４の側面全面、配線パターン３４の側面全面及び配線パターン３４の第２主面３４Ｂ全面を覆うように絶縁層６３が形成される。
【００８９】
このような製造方法によれば、絶縁層６２中に配線パターン３４及び金属層４４を圧入させるようにして、それら配線パターン３４及び金属層４４を被覆する絶縁層６３が形成される。このため、この製造方法によれば、各配線パターン３４間及び各金属層４４間の間隔が狭くなった場合であっても、それら各配線パターン３４間及び各金属層４４間に絶縁層６３を容易に形成することができる。なお、上記絶縁層６２を真空雰囲気中でラミネートすることにより、絶縁層６２中へのボイドの巻き込みを抑制することができる。
【００９０】
その後、図２０（ｃ）〜図２１（ａ）に示した工程と同様に、支持基板９０をエッチングにより除去し、基板１０Ａ等を切断線Ｄ１に沿って切断して個片化することにより、図２０（ｃ）に示すような配線基板１Ｃを得ることができる。この配線基板１Ｃでは、絶縁層２４が省略され、反射層として機能する絶縁層６３が放熱板１０と配線パターン３４とを接着させる機能及び放熱板１０と配線パターン３４とを絶縁させる機能を有している。また、配線基板１Ｃでは、凹部６４の底面６４Ａ（第１の面）上に配線パターン３４が形成された絶縁層６３（第１絶縁層）と、配線パターン３４の側面の一部を覆うように形成された絶縁層６３（第２絶縁層）とが一体に形成されている。さらに、配線基板１Ｃでは、絶縁層２４が省略されるため、配線パターン３４と放熱板１０との間に介在される樹脂層の厚さを薄くすることができ、放熱性能を向上させることができる。
【００９１】
・また、例えば図２３（ａ）に示すように、支持基板９０の第１主面９０Ａ上に形成された金属層４４及び配線パターン３４を被覆するように絶縁層６３を形成し、その絶縁層６３上に基板１０Ａを積層するようにしてもよい。この場合であっても、図２３（ｂ）に示すように、基板１０Ａと配線パターン３４とが絶縁層６３によって接着されるとともに、基板１０Ａと配線パターン３４とが絶縁層６３によって絶縁される。また、金属層４４の側面全面、配線パターン３４の側面全面及び配線パターン３４の第２主面３４Ｂ全面を覆うように絶縁層６３が形成される。すなわち、このような製造方法であっても、図２２（ｃ）に示した配線基板１Ｃと同様の構造を有する配線基板を製造することができる。なお、この場合の絶縁層６３は、全面塗布で良いため、例えば樹脂ペーストのスクリーン印刷法だけではなく、ロールコート法によっても形成することができる。
【００９２】
・また、例えば図２４に示すように、支持基板９０の第１主面９０Ａ上に金属層４４の側面全面及び配線パターン３４の側面の一部を覆う絶縁層６１を形成した構造体に、基板１０Ａに絶縁層６１と同じ材料からなるシート状の絶縁層６２を接着した構造体６２Ａを積層するようにしてもよい。詳述すると、図２４（ａ）に示すように、絶縁層６１の第２主面６１Ｂにシート状の構造体６２Ａを熱圧着によりラミネートする。このときの熱圧着により、図２４（ｂ）に示すように、絶縁層６２中に、絶縁層６１から露出された配線パターン３４が圧入される。これにより、絶縁層６１の第２主面６１Ｂ、その絶縁層６１から露出された配線パターン３４の側面及び配線パターン３４の第２主面３４Ｂ全面が絶縁層６２によって被覆される。その後、絶縁層６２を１５０℃程度の温度雰囲気でキュアを行うことにより硬化させて、絶縁層６３を形成する。本工程により、絶縁層６１の第２主面６１Ｂ上に絶縁層６３及び基板１０Ａが積層される。このような構造及び製造方法であっても、上記第１実施形態の（１）〜（４）と同様の効果を奏することができる。
【００９３】
・上記第３実施形態では、絶縁層２４となる絶縁層２４Ｂの材料としてシート状の絶縁樹脂を用いるようにしたが、絶縁層２４Ｂの材料として液状やペースト状の絶縁樹脂を用いるようにしてもよい。また、図２２及び図２４を使用して説明した変形例では、絶縁層６３となる絶縁層６２の材料としてシート状の絶縁樹脂を用いるようにしたが、絶縁層６２の材料として液状やペースト状の絶縁樹脂を用いるようにしてもよい。
【００９４】
（他の実施形態）
なお、上記各実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。
・上記各実施形態では、多数個取りの製造方法に具体化したが、単数個取り（一個取り）の製造方法に具体化してもよい。すなわち、多数個取り基板１０Ａの代わりに、１個の配線基板１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃとなるサイズの基材を用いて、配線基板１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ及び発光装置２の製造を行うようにしてもよい。
【００９５】
・上記各実施形態における配線基板１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ及び発光装置２の平面形状は、矩形状に限らず、例えば三角形や五角形以上の多角形状であってもよく、円形状であってもよい。
【００９６】
・上記各実施形態における配線基板１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃに搭載される発光素子７０の個数や配置は、特に限定されない。
・上記各実施形態における配線パターン３０，３４の形状は、特に限定されない。例えば図２５（ａ）に示されるような配線パターンに変更してもよい。すなわち、平面視略矩形状の複数の配線パターン３５を平面視略Ｗ字状に配置するようにしてもよい。この場合には、図中の左右方向に隣接する配線パターン３５間には、図中の上下方向に延在された溝状の開口部３５Ｘが形成されている。また、図中の上下方向に隣接する配線パターン３５間には、図中の左右方向に延在された帯状の開口部３５Ｙが形成されている。これら開口部３５Ｘ，３５Ｙによって、複数の配線パターン３５は互いに分離されている。配線パターン３５上には、パッド４０Ｐとして機能する金属層が形成されている。この配線パターン３５は、マトリクス状（ここでは、４×４）に配列された実装領域ＣＡ（破線円参照）を有している。また、配線パターン３５上には、電極端子４１Ｐとして機能する一対の金属層が形成されている。これら一対の電極端子４１Ｐは、略Ｗ字状に配置された複数の配線パターン３５のうちＷ字の始点と終点に位置する配線パターン３５上に形成されている。このような配線パターン３５及び電極端子４１Ｐを有する配線基板に発光素子を実装した場合には、一方の電極端子４１Ｐから他方の電極端子４１Ｐまでの間に複数（ここでは、１６個）の発光素子が直列に接続されることになる。
【００９７】
・あるいは、図２５（ｂ）に示されるような配線パターンに変更してもよい。すなわち、平面視略帯状の配線パターン３６を配置し、その配線パターン３６に平行に隣接して配置された平面視略矩形状の複数の配線パターン３７をマトリクス状（ここでは、６×２）に配置するようにしてもよい。すなわち、配線パターン３６は、隣接する２列の配線パターン３７に対して共通に設けられている。この場合には、図中の左右方向に隣接する配線パターン３６，３７間及び各配線パターン３７間には、図中の上下方向に延在された溝状の開口部３７Ｘが形成されている。また、図中の上下方向に隣接する配線パターン３７間には、図中の左右方向に延在された帯状の開口部３７Ｙが形成されている。これら開口部３７Ｘ，３７Ｙによって、配線パターン３６，３７間、及び配線パターン３７同士は互いに分離されている。配線パターン３６，３７上には、パッド４０Ｐとして機能する金属層が形成されている。これら配線パターン３６，３７は、マトリクス状（ここでは、６×６）に配列された実装領域ＣＡ（破線円参照）を有している。また、配線パターン３７は、一対の電極端子３７Ｐを有している。これら一対の電極端子３７Ｐは、配線パターン３６から最も離れた２つの配線パターン３７に形成されている。このような配線パターン３６，３７及び電極端子３７Ｐを有する配線基板に発光素子を実装した場合には、配線パターン３６と一方の電極端子３７Ｐとの間にマトリクス状（ここでは、６×３）に配列される発光素子が並列及び直列に接続される。また、配線パターン３６と他方の電極端子３７Ｐとの間にマトリクス状に配列される発光素子が並列及び直列に接続される。さらに、それら並列及び直列に接続された発光素子群が直列に接続されることになる。
【００９８】
・あるいは、図２６に示されるような配線パターンに変更してもよい。すなわち、平面視略櫛状の一対の配線パターン３８を形成するようにしてもよい。詳述すると、配線パターン３８は、平面視長方形状に形成され、その上面に電極端子４１Ｐとして機能する金属層が形成される電極部３８Ａと、該電極部３８Ａから内側に向かって延在される櫛歯状の複数（図２０では２つ）の延在部３８Ｂとを有している。これら一対の配線パターン３８は、互いの延在部３８Ｂが交互に入り組むように配置されている。この場合には、各配線パターン３８間には、平面視略己字状の開口部３８Ｘが形成されている。そして、この開口部３８Ｘによって、一対の配線パターン３８は互いに分離されている。延在部３８Ｂ上には、パッド４０Ｐとして機能する金属層が形成されている。これら配線パターン３８は、マトリクス状（ここでは、３×２）に配列された実装領域ＣＡを有している。この実装領域ＣＡは、開口部３８Ｘによって分離された一対の配線パターン３８上に形成された一対のパッド４０Ｐを有している。このような配線パターン３８及び電極端子４１Ｐを有する配線基板に発光素子を実装した場合には、一方の電極端子４１Ｐから他方の電極端子４１Ｐまでの間に複数の発光素子が直列及び並列に接続されることになる。
【００９９】
（発光装置の適用例）
図２７は、上記第１実施形態の発光装置２を照明装置３に適用した場合の断面構造を示している。
【０１００】
照明装置３は、発光装置２と、発光装置２が実装された実装基板１００と、実装基板１００が装着された装置本体１２０とを有している。また、照明装置３は、装置本体１２０に装着されて発光装置２を覆うカバー部材１３０と、装置本体１２０を保持するホルダ１４０と、ホルダ１４０に取着されて発光素子７０を点灯させる点灯回路１５０とを有している。
【０１０１】
装置本体１２０は、外観視略円錐台状に形成されている。この装置本体１２０は、実装基板１００及びカバー部材１３０が装着される大径の端面１２０Ａと、小径の端面１２０Ｂとを有している。装置本体１２０は、例えば熱伝導性に優れたアルミニウムなどにより形成されている。装置本体１２０の端面１２０Ａには、実装基板１００が周知の装着手段（ここでは、ねじ）により装着されている。また、装置本体１２０には、端面１２０Ａと端面１２０Ｂとの間を貫通する貫通孔１２０Ｘが形成されている。貫通孔１２０Ｘには、実装基板１００を介して発光装置２の発光素子７０と電気的に接続される配線１６０が配設されている。この配線１６０は、端面１２０Ａ側から貫通孔１２０Ｘを介して端面１２０Ｂ側へ導出されている。
【０１０２】
装置本体１２０の端面１２０Ａには、外観視略半球のドーム状に形成されたカバー部材１３０がシリコーン樹脂等の接着剤によってカバー部材１３０の内部が気密状態となるように固着されている。なお、カバー部材１３０は、例えば硬質ガラスにより形成されている。
【０１０３】
ホルダ１４０は、例えばポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）樹脂やポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）樹脂により形成されている。ホルダ１４０は、装置本体１２０の端面１２０Ｂに周知の装着手段（接着剤やねじ等）により装着されている。このホルダ１４０には、図示しない口金が取着される。ホルダ１４０及び口金の内部には、点灯回路１５０が格納されている。点灯回路１５０は、例えば回路部品を実装した回路基板（図示略）がホルダ１４０に取着されてなる。この点灯回路１５０は、口金から供給される交流電圧を直流電圧に変換し、その直流電圧を上記配線１６０を介して発光素子７０に供給することで、発光素子７０を発光させる回路である。
【０１０４】
次に、発光装置２を実装基板１００に実装した具体例を説明する。
（発光装置の実装例１）
図２８（ａ）は、発光装置２を実装基板１００Ａに実装した場合の断面構造を示している。
【０１０５】
実装基板１００Ａは、金属板１０１と、金属板１０１の上面に形成された絶縁層１０２と、絶縁層１０２の上面に形成された配線パターン１０３とを有している。金属板１０１の材料としては、例えばアルミニウム、銅などの熱伝導性に優れた金属を用いることができる。絶縁層１０２の材料としては、例えばポリイミド系樹脂やエポキシ系樹脂などの絶縁性樹脂、又はこれら樹脂にシリカやアルミナ等のフィラーを混入した樹脂材を用いることができる。配線パターン１０３の材料としては、例えば銅や銅合金を用いることができる。
【０１０６】
絶縁層１０２には、金属板１０１の一部を発光装置２の搭載領域として露出する開口部１０２Ｘが形成されている。そして、この搭載領域、つまり開口部１０２Ｘから露出された金属板１０１上に発光装置２が搭載されている。具体的には、発光装置２は、その下面に形成された放熱板１０が上記金属板１０１上に熱伝導部材１０４により熱的に接合されている。なお、熱伝導部材１０４としては、例えばインジウム（Ｉｎ）、シリコーン（又は炭化水素）グリース、金属フィラー、グラファイトなどの高熱伝導性物質を樹脂バインダでシート状に成形したものを用いることができる。
【０１０７】
また、実装基板１００Ａに搭載された発光装置２の電極端子４１Ｐは、ばね状の接続端子１０５（ここでは、リードピン）を介して実装基板１００Ａの配線パターン１０３と電気的に接続されている。
【０１０８】
このような構造によれば、発光装置２の放熱板１０が実装基板１００Ａの金属板１０１上に接合されるため、発光装置２から発生した熱を金属板１０１に放熱することができる。このとき、配線パターン３０及び金属層４０の側面の一部と接触するように絶縁層５０が形成されているため、配線パターン３０及び金属層４０から絶縁層２０，５０への熱伝導量が多くなる。したがって、発光素子７０で生じた熱を放熱板１０に効率良く伝導させることができ、ひいては発光素子７０で生じた熱を金属板１０１に効率良く伝導させることができる。
【０１０９】
（発光装置の実装例２）
図２８（ｂ）は、発光装置２を実装基板１００Ｂに実装した場合の断面構造を示している。
【０１１０】
実装基板１００Ｂは、金属板１１１と、金属板１１１の上面に形成された絶縁層１１２と、絶縁層１１２の上面に形成された配線パターン１１３とを有している。金属板１１１の材料としては、例えばアルミニウム、銅などの熱伝導性に優れた金属を用いることができる。絶縁層１１２の材料としては、例えばポリイミド系樹脂やエポキシ系樹脂などの絶縁性樹脂、又はこれら樹脂にシリカやアルミナ等のフィラーを混入した樹脂材を用いることができる。配線パターン１１３の材料としては、例えば銅や銅合金を用いることができる。
【０１１１】
発光装置２は、配線パターン１１３上に搭載されている。具体的には、発光装置２は、その下面に形成された放熱板１０が配線パターン１１３上に熱伝導部材１１４により熱的に接合されている。なお、熱伝導部材１１４としては、例えばインジウム、シリコーン（又は炭化水素）グリース、金属フィラー、グラファイトなどの高熱伝導性物質を樹脂バインダでシート状に成形したものを用いることができる。
【０１１２】
また、実装基板１００Ｂに搭載された発光装置２の電極端子４１Ｐは、ボンディングワイヤ１１５を介して実装基板１００Ｂの配線パターン１１３と電気的に接続されている。
このような構造によれば、発光装置２の放熱板１０が熱伝導部材１１４を介して配線パターン１１３に熱的に接合されているため、発光装置２から発生した熱を放熱板１０から配線パターン１１３及び絶縁層１１２を通じて金属板１１１に放熱することができる。このとき、配線パターン３０及び金属層４０の側面の一部と接触するように絶縁層５０が形成されているため、配線パターン３０及び金属層４０から絶縁層２０，５０への熱伝導量が多くなる。したがって、発光素子７０で生じた熱を放熱板１０に効率良く伝導させることができ、ひいては発光素子７０で生じた熱を配線パターン１１３、絶縁層１１２及び金属板１１１に効率良く伝導させることができる。なお、上記配線パターン１１３のうち放熱板１０と熱的に接合された配線パターン１１３は、放熱用の配線層として機能する。また、本実装例では、絶縁層１１２に金属板１１１を露出させるための開口部を設けていないが、絶縁層１１２が薄い場合には、発光装置２から発生した熱を絶縁層１１２を通じて金属板１１１に放熱することができる。
【符号の説明】
【０１１３】
１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ  配線基板
２  発光装置
１０  放熱板
１０Ａ  基板
２０  絶縁層（第１絶縁層）
２０Ａ  第１主面（第１の面）
２１，２４  絶縁層（第１絶縁層及び第２絶縁層）
２１Ａ，２４Ａ  第１主面
２２，２５  凹部
２２Ａ，２５Ａ  底面（第１の面）
３０，３４，３５，３６，３７，３８  配線パターン
３４Ａ  第１主面
３４Ｂ  第２主面
３１  給電ライン
３２  接続部
３３  配線層
４０，４２，４４  金属層
４０Ｐ，４４Ｐ  パッド
４４Ａ  第１主面
５０  絶縁層（第２絶縁層）
６０  絶縁層（第１反射層）
６０Ｘ  開口部
６１  絶縁層（第２反射層）
６１Ａ  第１主面
７０，７６  発光素子
７５  封止樹脂
９０  支持基板
９０Ａ  第１主面
９１  レジスト層
９１Ｘ  開口部
ＣＡ  実装領域
【図１】
0005848976.tif 000002
【図２】
0005848976.tif 000003
【図３】
0005848976.tif 000004
【図４】
0005848976.tif 000005
【図５】
0005848976.tif 000006
【図６】
0005848976.tif 000007
【図７】
0005848976.tif 000008
【図８】
0005848976.tif 000009
【図９】
0005848976.tif 000010
【図１０】
0005848976.tif 000011
【図１１】
0005848976.tif 000012
【図１２】
0005848976.tif 000013
【図１３】
0005848976.tif 000014
【図１４】
0005848976.tif 000015
【図１５】
0005848976.tif 000016
【図１６】
0005848976.tif 000017
【図１７】
0005848976.tif 000018
【図１８】
0005848976.tif 000019
【図１９】
0005848976.tif 000020
【図２０】
0005848976.tif 000021
【図２１】
0005848976.tif 000022
【図２２】
0005848976.tif 000023
【図２３】
0005848976.tif 000024
【図２４】
0005848976.tif 000025
【図２５】
0005848976.tif 000026
【図２６】
0005848976.tif 000027
【図２７】
0005848976.tif 000028
【図２８】
0005848976.tif 000029