(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の主面と第２の主面を有する光透過性の被転写基板の前記第１の主面上に光硬化性樹脂層を形成し、前記光硬化性樹脂層に凹凸パターンを有する光透過性のマスターテンプレートを押し付け、前記マスターテンプレートを介して光を照射して前記光硬化性樹脂層を硬化させ、前記マスターテンプレートを前記硬化した光硬化性樹脂層から離型して、前記被転写基板の第１の主面に前記硬化した光硬化性樹脂層を形成し、前記硬化した光硬化性樹脂層及び前記被転写基板をエッチングして、前記被転写基板の第１の主面に凹凸の転写パターンを形成するナノインプリント用テンプレートの製造方法であって、
前記被転写基板が、前記第１の主面に相対する前記第２の主面に、前記第１の主面のパターン領域と重なり、かつ、前記第１の主面のパターン領域よりも広い面積のくぼみを備え、前記転写パターンを形成する前記第１の主面のパターン領域が周囲よりも高い凸状の段差構造を有し、
前記段差構造が前記パターン領域を含む最終的に残したい段差構造の大きさよりも広く形成されており、
前記被転写基板の第１の主面に前記凹凸の転写パターンを形成後に、前記段差構造の局所的なパターン歪みを有する外周部をエッチングして取り除き、前記段差構造を前記最終的に残したい段差構造の大きさとすることを特徴とするナノインプリント用テンプレートの製造方法。
【請求項２】
前記段差構造の外周部の形状及びエッチングする領域を変形シミュレーションと位置ずれ量の計測により定め、前記転写パターンを形成後に、前記段差構造の外周部をエッチングすることを特徴とする請求項１に記載のナノインプリント用テンプレートの製造方法。
【請求項３】
前記段差構造の外周部のエッチングする領域に、少なくとも１箇所以上の前記外周部の角部が含まれることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のナノインプリント用テンプレートの製造方法。
【請求項４】
前記段差構造の外周部のエッチングする領域のエッチング深さが、５μｍ〜３０μｍの範囲であることを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれか１項に記載のナノインプリント用テンプレートの製造方法。
【請求項５】
前記段差構造の外周部のエッチングする領域の前記パターン領域端からの長さが、最終的に残す前記パターン領域の形状に応じて、増加もしくは減少させることを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれか１項に記載のナノインプリント用テンプレートの製造方法。
【請求項６】
前記マスターテンプレートが、大きさ６インチ角、厚さ０．２５インチの平行平面石英基板上に凹凸パターンが形成され、段差構造及びくぼみを有していないマスターテンプレートであることを特徴とする請求項１から請求項５までのいずれか１項に記載のナノインプリント用テンプレートの製造方法。
【請求項７】
前記被転写基板が、前記第１の主面に金属膜が形成されていることを特徴とする請求項１から請求項６までのうちのいずれか１項に記載のナノインプリント用テンプレートの製造方法。
【請求項８】
前記被転写基板が、石英ガラス基板であることを特徴とする請求項１から請求項７までのうちのいずれか１項に記載のナノインプリント用テンプレートの製造方法。
【請求項９】
第１の主面と第２の主面を有する光透過性の被転写基板の前記第１の主面上に凹凸パターンよりなるパターン領域が形成されたナノインプリント用のテンプレートであって、
前記テンプレートが、前記第１の主面に相対する前記第２の主面に、前記第１の主面のパターン領域と重なり、かつ、前記第１の主面のパターン領域よりも広い面積のくぼみを備え、前記第１の主面のパターン領域が周囲よりも高い凸状の段差構造を有し、
前記段差構造が矩形状で、かつ、２段構造をなし、前記２段構造が、前記第１の主面のパターン領域の全周囲に形成され、前記段差構造の外周部が、前記凹凸パターンを形成する前記段差構造の中央部よりも厚みが小さく、該外周部の厚みの小さい部分の少なくとも１辺の前記パターン領域端からの長さが、他の辺のパターン領域端からの長さと異なることを特徴とするナノインプリント用テンプレート。
【請求項１０】
前記２段構造をなす前記段差構造の厚みの差が、５μｍより大きく３０μｍ以下の範囲であることを特徴とする請求項９に記載のナノインプリント用テンプレート。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、微細な凹凸パターンを形成するナノインプリント法に用いるテンプレートの製造方法及びテンプレートに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、特に半導体デバイスにおいては、微細化の一層の進展により高速動作、低消費電力動作が求められ、また、システムＬＳＩという名で呼ばれる機能の統合化などの高い技術が求められている。このような中、半導体デバイスのパターンを作製する要となるリソグラフィ技術は、デバイスパターンの微細化が進むにつれ露光波長の問題などからフォトリソ方式の限界が指摘され、また、露光装置などが極めて高価になってきている。
【０００３】
その対案として、近年、微細凹凸パターンを用いたナノインプリントリソグラフィ（ＮＩＬ）法が注目を集めている。１９９５年Ｐｒｉｎｃｅｔｏｎ大学のＣｈｏｕらによって提案されたナノインプリント法は、装置価格や使用材料などが安価でありながら、１０ｎｍ程度の高解像度を有する微細パターンを形成できる技術として期待されている。
【０００４】
ナノインプリント法は、予め表面にナノメートルサイズの凹凸パターンを形成したテンプレートを、被加工基板表面に塗布形成された樹脂などの転写材料に押し付けて力学的に変形させて凹凸パターンを精密に転写し、パターン形成されたナノインプリント材料をレジストマスクとして被加工基板を加工する技術である。一度テンプレートを作製すれば、ナノ構造が簡単に繰り返して成型できるため高いスループットが得られて経済的であるとともに、有害な廃棄物が少ないナノ加工技術であるため、近年、半導体デバイスに限らず、さまざまな分野への応用が進められている。
【０００５】
このようなナノインプリント法には、熱可塑性樹脂を用いて熱により凹凸パターンを転写する熱ナノインプリント法や、光硬化性材料を用いて紫外線により凹凸パターンを転写する光ナノインプリント法などが知られている。転写材料としては、熱ナノインプリント法では熱可塑性樹脂、光ナノインプリント法では光硬化性樹脂などの光硬化性材料が用いられる。光ナノインプリント法は、室温で低い印加圧力でパターン転写でき、熱ナノインプリント法のような加熱・冷却サイクルが不要でテンプレートや樹脂の熱による寸法変化が生じないために、解像性、アライメント精度、生産性などの点で優れていると言われている。以後、本発明では、光ナノインプリント法を単に、ナノインプリント法と言う。
【０００６】
従来、ナノインプリント用テンプレートの製造方法としては、テンプレートとなる基材全面に電子線レジストを塗布し、この電子線レジストに電子線描画を行ってレジストパターンを形成し、このレジストパターンをエッチングマスクとして基材をエッチングして凹凸パターンを形成することでテンプレートを製造する方法が用いられている。
【０００７】
しかし、電子線による微細パターンの描画は高価な描画装置を用いて描画時間も長くかかるために、テンプレートの製造コストを上昇させるという問題があった。また、ナノインプリントの際に、テンプレートと被転写体の界面に異物が混入していると、両者が大きな損傷を受け、損傷を受けたテンプレートは通常、再使用することができなくなり、電子線リソグラフィで作製した高価なテンプレートを損失してしまうという問題があった。
【０００８】
そこで、電子線リソグラフィで作製したテンプレートをマスターテンプレートとして母型とし、このマスターテンプレートからナノインプリント法により複製テンプレート（以後、レプリカテンプレートと称する）を作製するレプリカテンプレートの製造方法が提案されている（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。ウェハ基板などへの通常のナノインプリントにはこのレプリカテンプレートを使用する。ナノインプリント法で作製するので製造コストが低減でき、複数のレプリカテンプレートを準備しておけばテンプレートの破損の問題に対処することができ、またテンプレートを用いるナノインプリント製造ラインを複数ラインとすることが可能となる利点がある。
【０００９】
しかしながら、特許文献１及び特許文献２に記載の従来のレプリカテンプレートの製造方法は、ナノインプリント後、密着したマスターテンプレートと被転写基板とを離型するのに困難を伴う場合が多く、この離型工程で転写パターンに欠陥を発生したり、転写パターンにディストーション（歪み）を生じたりする問題があった。この歪みは、転写パターンの「パターン位置精度」の劣化をもたらすことになる。「パターン位置精度」とは、等方的倍率誤差を除いて定義された理想格子とパターン中心との位置ずれの標準偏差（３σ）である。
【００１０】
離型工程での欠陥発生を防ぐために、図１３に示すように、テンプレートの凹凸パターンの反対の裏面側を加工し、厚さを薄くして厚さが変化するテンプレートを用い、被転写基板とテンプレートの間、パターン層内のガスの閉じ込め及び／またはガス・ポケットを防止、最小化するテンプレートが開示されている（特許文献３参照）。また、転写パターンのディストーションを補正するために、転写されたパターンのディストーションの情報に基づいて、駆動機構の動作を制御するために、テンプレートの周辺部を保持する複数の保持部と、複数の保持部を基部に対しＺ軸方向においてそれぞれ位置決めする機構を有する押印装置が開示されている（特許文献４参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特許第４６７１８６０号公報
【特許文献２】特許第４６３０８８６号公報
【特許文献３】特表２００９−５３６５９１号公報
【特許文献４】特開２０１０−８０７１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、本発明者は、特許文献３の発明に記載されるように、裏面にくぼみを有する厚さが変化するテンプレートを用いてナノインプリントすると、テンプレートと被加工基板とが接触しているナノインプリント領域（メサ領域）の境界付近で、局所的なパターンの歪みが生じるという問題を見出した。また、特許文献４に記載の装置は、テンプレートによるウェハへのナノインプリントに対して、転写パターンのＸＹ平面のディストーションを、ＸＹ方向、Ｚ方向の保持駆動機構を用いて強制的に補正する発明であるが、局所的な歪みに関しては対応しにくい機構であるという問題があった。
【００１３】
そこで、本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものである。すなわち、本発明の目的は、マスターテンプレートを用いて裏面にくぼみを有する被転写基板にナノインプリントしてレプリカテンプレートを製造するナノインプリント用テンプレートの製造方法において、ナノインプリントにより転写パターンに生じる局所的なパターン歪みを取り除き、パターン位置精度の良好なテンプレートの製造方法及びパターン歪みを低減したテンプレートを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明者は、テンプレートに段差構造及びくぼみがある場合、被加工基板の転写パターンの変位が大きい領域は、被加工基板のテンプレートの段差構造（メサ構造）周辺部と接する領域であり、テンプレートの押し付ける力が適正でない場合に段差構造の周辺部に歪みが生じていることが、その要因であることを見出した。本発明においては、段差構造の周辺部をあらかじめパターン領域よりも広く形成し、被転写基板に凹凸の転写パターンを形成した後に、段差構造の局所的なパターン歪みを有する外周部をエッチングして取り除き、転写パターンのパターン位置精度を向上させるものである。
【００１５】
上記の課題を解決するために、本発明の請求項１に記載の発明に係るナノインプリント用テンプレートの製造方法は、第１の主面と第２の主面を有する光透過性の被転写基板の前記第１の主面上に光硬化性樹脂層を形成し、前記光硬化性樹脂層に凹凸パターンを有する光透過性のマスターテンプレートを押し付け、前記マスターテンプレートを介して光を照射して前記光硬化性樹脂層を硬化させ、前記マスターテンプレートを前記硬化した光硬化性樹脂層から離型して、前記被転写基板の第１の主面に前記硬化した光硬化性樹脂層を形成し、前記硬化した光硬化性樹脂層及び前記被転写基板をエッチングして、前記被転写基板の第１の主面に凹凸の転写パターンを形成するナノインプリント用テンプレートの製造方法であって、前記被転写基板が、前記第１の主面に相対する前記第２の主面に、前記第１の主面のパターン領域と重なり、かつ、前記第１の主面のパターン領域よりも広い面積のくぼみを備え、前記転写パターンを形成する前記第１の主面のパターン領域が周囲よりも高い凸状の段差構造を有し、前記段差構造が前記パターン領域を含む最終的に残したい段差構造の大きさよりも広く形成されており、前記被転写基板の第１の主面に前記凹凸の転写パターンを形成後に、前記段差構造の局所的なパターン歪みを有する外周部をエッチングして取り除き、前記段差構造を前記最終的に残したい段差構造の大きさとすることを特徴とするものである。
【００１６】
本発明の請求項２に記載の発明に係るナノインプリント用テンプレートの製造方法は、請求項１に記載のナノインプリント用レプリカテンプレートの製造方法において、前記段差構造の外周部の形状及びエッチングする領域を変形シミュレーションと位置ずれ量の計測により定め、前記転写パターンを形成後に、前記段差構造の外周部をエッチングすることを特徴とするものである。
【００１７】
本発明の請求項３に記載の発明に係るナノインプリント用テンプレートの製造方法は、請求項１または請求項２に記載のナノインプリント用レプリカテンプレートの製造方法において、前記段差構造の外周部のエッチングする領域に、少なくとも１箇所以上の前記外周部の角部が含まれることを特徴とするものである。
【００１８】
本発明の請求項４に記載の発明に係るナノインプリント用テンプレートの製造方法は、請求項１から請求項３までのいずれか１項に記載のナノインプリント用テンプレートの製造方法において、前記段差構造の外周部のエッチングする領域のエッチング深さが、５μｍ〜３０μｍの範囲であることを特徴とするものである。
【００１９】
本発明の請求項５に記載の発明に係るナノインプリント用テンプレートの製造方法は、請求項１から請求項４までのいずれか１項に記載のナノインプリント用テンプレートの製造方法において、前記段差構造の外周部のエッチングする領域の前記パターン領域端からの長さが、最終的に残す前記パターン領域の形状に応じて、増加もしくは減少させることを特徴とするものである。
【００２０】
本発明の請求項６に記載の発明に係るナノインプリント用テンプレートの製造方法は、請求項１から請求項５までのいずれか１項に記載のナノインプリント用テンプレートの製造方法において、前記マスターテンプレートが、大きさ６インチ角、厚さ０．２５インチの平行平面石英基板上に凹凸パターンが形成され、段差構造及びくぼみを有していないマスターテンプレートであることを特徴とする。
【００２１】
本発明の請求項７に記載の発明に係るナノインプリント用テンプレートの製造方法は、請求項１から請求項６までのいずれか１項に記載のナノインプリント用テンプレートの製造方法において、前記被転写基板が、前記第１の主面に金属膜が形成されていることを特徴とするものである。
【００２２】
本発明の請求項８に記載の発明に係るナノインプリント用テンプレートの製造方法は、請求項１から請求項７までのいずれか１項に記載のナノインプリント用テンプレートの製造方法において、前記被転写基板が、石英ガラス基板であることを特徴とするものである。
【００２３】
本発明の請求項９に記載の発明に係るナノインプリント用テンプレートは、第１の主面と第２の主面を有する光透過性の被転写基板の前記第１の主面上に凹凸パターンよりなるパターン領域が形成されたナノインプリント用のテンプレートであって、前記テンプレートが、前記第１の主面に相対する前記第２の主面に、前記第１の主面のパターン領域と重なり、かつ、前記第１の主面のパターン領域よりも広い面積のくぼみを備え、前記第１の主面のパターン領域が周囲よりも高い凸状の段差構造を有し、前記段差構造が矩形状で、かつ、２段構造をなし、前記２段構造が、前記第１の主面のパターン領域の全周囲に形成され、前記段差構造の外周部が、前記凹凸パターンを形成する前記段差構造の中央部よりも厚みが小さく、該外周部の厚みの小さい部分の少なくとも１辺の前記パターン領域端からの長さが、他の辺のパターン領域端からの長さと異なることを特徴とするものである。
【００２４】
本発明の請求項１０に記載の発明に係るナノインプリント用テンプレートは、請求項９に記載のナノインプリント用テンプレートにおいて、前記２段構造をなす前記段差構造の厚みの差が、５μｍより大きく３０μｍ以下の範囲であることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００２７】
本発明のナノインプリント用テンプレートの製造方法によれば、マスターテンプレートを用いて、裏面にくぼみを備え段差構造を有する被転写基板にナノインプリントしてレプリカテンプレートを製造する際に、あらかじめ段差領域を大きくしておき、ナノインプリント後に転写パターンに生じる局所的なパターン歪みを有する外周部をエッチングにより取り除くことにより、パターン位置精度の良好なテンプレートの製造が可能となる。
【００２８】
本発明のナノインプリント用テンプレートは、テンプレート製造工程において発生した位置ずれの大きい領域をエッチングにより除去してあるので、パターン歪みの少ないマスターテンプレートに近い位置精度のレプリカテンプレートが得られる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明のナノインプリント用テンプレートの製造方法の一実施形態を示す工程断面図である。
【図２】図１に続く本発明のナノインプリント用テンプレートの製造方法を示す工程断面図である。
【図３】図１に示す本発明のナノインプリント用テンプレートの製造方法に用いる被転写基板の製造方法の一例を示す平面模式図である。
【図４】本発明における段差構造と、最終的に残したい段差構造と、パターン領域との大小関係を示す部分平面模式図である。
【図５】本発明のナノインプリント用テンプレートの一実施形態を示す平面模式図及び断面図である。
【図６】本発明のナノインプリント用テンプレートの他の実施形態を示す平面模式図及び断面図である。
【図７】マスターテンプレートを用いて、長さ３２ｍｍの段差構造とくぼみを有する被転写基板にナノインプリントしてパターン転写したとき、被転写基板の変形を説明する断面模式図である。
【図８】マスターテンプレートを用いて、長さ４２ｍｍの段差構造とくぼみを有する被転写基板にナノインプリントしてパターン転写したとき、被転写基板の変形を説明する断面模式図である。
【図９】本発明の実施例におけるナノインプリント用テンプレートの製造方法のインプリント工程を示す断面模式図である。
【図１０】本発明の実施例におけるレプリカテンプレートのパターンの変位（位置ずれ）を示す図である。
【図１１】図１０に示すレプリカテンプレートの段差構造の外周部を削除した後のパターンの位置ずれを示す図である。
【図１２】図１０に示すレプリカテンプレートの段差構造の外周部と一箇所の角部を削除した後のパターンの位置ずれを示す図である。
【図１３】従来のメサ領域を有し裏面にくぼみを有する厚さが変化するテンプレートを用いてナノインプリントするパターン形成装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
本発明においては、マスターテンプレートを用いて、裏面にくぼみを備え段差構造を有する被転写基板にナノインプリントしてレプリカテンプレートを製造する際に、あらかじめ段差領域を広くしておき、ナノインプリント後に転写パターンに生じる局所的なパターン歪みをエッチングにより取り除き、パターン位置精度の良好なテンプレートを製造するものである。
【００３１】
以下、図面に基づいて、本発明の実施形態に係るナノインプリント用テンプレートの製造方法及びナノインプリント用テンプレートについて詳細に説明する。
【００３２】
＜ナノインプリント用テンプレートの製造方法＞
（実施形態１）
図１及びそれに続く図２は、本発明のナノインプリント用テンプレートの製造方法の一実施形態を示す工程断面図である。
【００３３】
図１（ａ）に示すように、本発明の製造方法によりレプリカテンプレートに加工する被転写基板１０を準備する。図１（ａ）は、被転写基板１０の一実施形態の断面模式図である。
【００３４】
本発明のナノインプリント用テンプレートの製造方法において、被転写基板１０は、第１の主面１１と第２の主面１２とを有し、第１の主面１１の転写パターンを形成するパターン領域１３が周囲よりも高い凸状の段差構造（メサ構造とも言う）１４を有しており、第１の主面１１に相対する第２の主面１２に、第１の主面のパターン領域１３と重なり、かつ、第１の主面のパターン領域１３よりも広い面積を有するくぼみ１５を有しているものである。上記の段差構造１４に転写パターンを形成するパターン領域１３を設けるものであり、段差構造１４の領域はパターン領域よりも広く形成するものである。段差構造１４の領域は、シミュレーション及び位置ずれ量の計測に基づいて決定される。
【００３５】
従来のレプリカテンプレートの製造方法のように、マスターテンプレートと被転写基板が厚い基板同士では、ナノインプリント後に離型することが困難であるのに対し、本発明のレプリカテンプレートの製造方法における被転写基板１０は、パターン領域１３と重なり、かつ、パターン領域１３よりも広い面積のくぼみ１５を有することにより、ナノインプリント後にマスターテンプレートと離型する際に、被転写基板１０がある程度変形し、被転写基板１０の端部から引き離していくことが可能となる。また、上記被転写基板１０は、ナノインプリント時においても、凹凸パターン周辺の空気を押し出す効果があり、マスターテンプレートとの転写時の密着性を良くして、欠陥発生が抑えられた光硬化性樹脂パターンを転写することができる。
【００３６】
上記のように、離型を容易に開始させるためには、マスターテンプレートまたは被転写基板の少なくとも一方にくぼみを設ければよいことになる。しかし、マスターテンプレートは電子線リソグラフィでパターンを形成し、ドライエッチングなどにフォトマスク製造装置を使用するので、従来のフォトマスク製造装置やマスクプロセスに適合し易い基板構造であることが望ましい。また、マスターテンプレートにくぼみを設けるとすると、製造工程が増えることによりマスターテンプレートの欠陥も増える問題が生じる。したがって、本発明のレプリカテンプレートの製造方法では、マスターテンプレート側にくぼみは設けず、被転写基板側にくぼみを設けている。
【００３７】
本発明のレプリカテンプレートの製造方法では、マスターテンプレートは、フォトマスク製造装置やマスクプロセスに適合する基板構造として、外形６インチ角、厚さ０．２５インチの平行平面の石英ガラス基板上に凹凸パターンが形成され、段差構造及びくぼみを有していないマスターテンプレートであるのが好ましい。
【００３８】
本発明のレプリカテンプレートの製造方法に用いる被転写基板１０のくぼみ１５の形状は、正方形、長方形、円形、楕円形からなる一群の幾何学形状から選択される形状を有するものである。
【００３９】
さらに、被転写基板１０のくぼみ１５は、第１の主面１１と平行な底面１６を備え、第１の主面１１からくぼみの底面１６までの距離（ｄ）が、被転写基板１０の厚さ（ｔ）の半分よりも小さいのが好ましい。被転写基板１０の厚さ（ｔ）の半分よりも小さくして、くぼみ領域の基板の厚さを薄くすることにより、ナノインプリント後にマスターテンプレートと被転写基板を離型する際に、被転写基板１０が弾性変形し、離型し易くなるからである。
【００４０】
一方、第１の主面１１からくぼみの底面１６までの距離（ｄ）の下限は、被転写基板の材質、くぼみ領域や段差構造の形状・面積などにより異なるが、テンプレートとしての強度を保持するために一定の厚さ以上が必要である。例えば、厚さ０．２５インチの石英ガラス基板に直径６０ｍｍの円形状のくぼみを設ける場合には、距離（ｄ）は少なくとも０．５ｍｍ以上の厚さとするのが好ましい。
【００４１】
本発明において、光硬化性樹脂の塗布方法としては、従来公知のスピン塗布方式やインクジェット塗布方式が用いられるが、フィールド内を所定の領域毎に分けて塗布量を制御して光硬化性樹脂を塗布することが可能なインクジェット方式がより好ましい。ナノインプリント法では、塗布する光硬化性樹脂の必要量を転写すべきパターン密度に応じて変化させる必要が生じることがあるからである。１フィールドはナノインプリントする際の１ショットサイズに相当する。
【００４２】
本発明のレプリカテンプレートの製造方法における被転写基板１０は、第１の主面１１のパターン領域１３が周囲よりも高い凸状の段差構造（メサ構造）１４を有し、段差構造とすることにより、ナノインプリント時にパターン領域以外の被転写基板の部位がマスターテンプレートと接触して欠陥や破損が生じるのを防止し、また接触部分を少なくすることにより両者の離型をし易くしている。
【００４３】
本発明において、段差構造１４はパターン領域よりも広く形成するものであり、段差構造１４の広さは、パターン領域の端部から０．１ｍｍ〜１０ｍｍ程度の範囲の幅で広いのが好ましい。０．１ｍｍ未満ではパターン歪みの除去が不十分となり、一方、１０ｍｍを超えるとエッチング除去すべき領域が広くなり、テンプレートの生産性を低下させるからである。段差構造１４は、通常、被転写基板１０の第１の主面側を加工して形成する。
【００４４】
さらに、段差構造１４とすることにより、被転写基板１０の第１の主面１１上に光硬化性樹脂層を形成するに際し、フィールドエッジを規定して、インクジェット方式によりメサ構造１４上にのみ光硬化性樹脂を塗布し、均一な塗布層とすることを容易にしている。
【００４５】
本発明において、段差構造の外周部のエッチングする領域のパターン領域端からの長さは、最終的に残すパターン領域の形状に応じて増減させている。すなわち、パターン領域が長方形である場合、パターン領域端からの長さを、歪みの大きい長辺側を短辺側と比較して長く形成する。段差構造１４の領域は、シミュレーション及び位置ずれ量の計測に基づいて決定される。
【００４６】
本発明のレプリカテンプレートの製造方法は、被転写基板１０が、段差構造１４を含む第１の主面１１上に金属膜が形成されているのが好ましい。被転写基板１０をドライエッチングして転写パターンを形成するに際し、硬化した光硬化性樹脂パターンのみではエッチング耐性が十分でない場合がある。そこで、硬化した光硬化性樹脂パターンを金属膜パターンに変換し、金属膜をハードマスクとして被転写基板１０をドライエッチングする方法を用いるのが好ましい。
【００４７】
上記の金属膜としては、被転写基板１０となる石英ガラス基板などをエッチングするときに用いるフッ素系ガスに耐性が大きいクロムまたはクロムを含む化合物（酸化クロム、窒化クロム、酸化窒化クロムなど）が好ましく、膜厚１０ｎｍ〜８０ｎｍ程度の範囲で用いられる。
【００４８】
（被転写基板の製造方法）
ここで、本発明のレプリカテンプレートの製造方法に用いる被転写基板１０の製造方法について、図面を用いて説明する。図３は、本発明のレプリカテンプレートの製造方法に用いる被転写基板１０の製造工程の一例を示す工程断面図である。図３では、図１と同じ部位を示す場合には、同じ符号を用いている。
【００４９】
図３（ａ）に示すように、第１の主面１１と第２の主面１２とを有する被転写基板１０ａを準備する。
【００５０】
次に、図３（ｂ）に示すように、第１の主面１１に周囲よりも高い凸状の段差構造（メサ構造）１４を有する被転写基板１０ｂを形成する。後述するように、この段差構造１４上にパターン領域１３を設けるものであり、上記のように、段差構造１４はパターン領域よりも広く形成するものである。段差構造１４は、被転写基板１０ａの所定の領域をあらかじめレジストパターンあるいはレジストとクロムなどの金属膜のパターンでマスクし、フッ化水素酸水溶液を用いたウェットエッチングにより形成することができる。
【００５１】
段差構造（メサ構造）１４の形状は、通常はウェハの生産効率の観点から矩形状とされるが、必ずしも限定される訳ではなく、形状が他の形状あるいは不定形であってもよい。凸状の段差構造の高さは、数μｍ〜数１０μｍの範囲で設けられる。段差構造をなすパターン領域１３の面積は、必要とする１フィールドのパターンに依存するが、例えば、数１０ｍｍ×数１０ｍｍの矩形状で設定される。
【００５２】
次に、被転写基板１０ｂの第２の主面１２を，従来公知のザグリ加工などの方法で加工して、くぼみ１５を形成し、図３（ｃ）に示すように、第１の主面１１のパターン領域１３が周囲よりも高い凸状の段差構造１４を有し、第１の主面１１に相対する上記の第２の主面１２に、第１の主面のパターン領域１３と重なり、かつ、第１の主面のパターン領域１３よりも広い面積のくぼみ１５を有する被転写基板１０を形成する。
【００５３】
本発明において、図３（ａ）に示す被転写基板１０ａを構成する材料としては、ナノインプリントに用いる光を透過する光学研磨された石英ガラス、ソーダガラス、蛍石、フッ化カルシウムなどが挙げられるが、石英ガラスは、フォトマスク用基板としての使用実績が高く品質が安定しており、段差構造、くぼみ及び凹凸パターンを設けることにより一体化した光透過性の構造とすることができ、高精度の微細な凹凸パターンを形成できるので、より好ましい。
【００５４】
再び、図１に戻って説明する。
図１（ｂ）に示すように、準備された上記の被転写基板１０の第１の主面１１の段差構造１４上に光硬化性樹脂層１７を形成する。一方、転写すべき凹凸パターン１９を設けたマスターテンプレート１８を用意する。
【００５５】
次に、図１（ｃ）に示すように、被転写基板１０の段差構造１４上の光硬化性樹脂層１７とマスターテンプレート１８の凹凸パターン１９とを密着させて押し付け、光（紫外光）２０を照射して光硬化性樹脂層を硬化させる。
【００５６】
次に、マスターテンプレート１８を硬化した光硬化性樹脂から離型する。離型後、図１（ｄ）に示すように、被転写基板１０の第１の主面１１の段差構造１４上に硬化した光硬化性樹脂２１による転写パターンが形成される。
【００５７】
ナノインプリント法では、マスターテンプレート１８の凹凸パターンの凸部に相当する部分の光硬化性樹脂が被転写基板上に薄い残膜として残るので、図２（ｅ）に示すように、酸素ガスを用いたイオンエッチング処理などで薄い残膜を除去し、硬化した光硬化性樹脂パターン２２を形成する。
【００５８】
次いで、光硬化性樹脂パターン２２をマスクとし、ＣＦ4ガスなどを用いて被転写基板をドライエッチングした後、光硬化性樹脂パターンを除去して、図２（ｆ）に示すように、第１の主面１１のパターン領域に凹凸の転写パターン２３を形成したレプリカテンプレート２４ａを得る。尚、ドライエッチングする際に、段差構造１４以外の被転写基板表面はマスキングしてエッチングされないように保護しておく。
【００５９】
次に、図２（ｇ）に示すように、レプリカテンプレート２４ａの第１の主面側全面にレジストを塗布し、露光し、現像してレジストパターン２５を形成し、エッチングすべき所定の領域の段差構造の外周部２６を露出する。レジストとしては電子線レジスト、感光性レジストなどを用いることができる。
【００６０】
次に、レジストから露出した段差構造の外周部２６をエッチングし、レジストパターン２５を剥離して、図２（ｈ）に示すように、段差構造の外周部２６を所定のエッチング深さの外周部２７とし、凹凸の転写パターン２３を有するナノインプリント用レプリカテンプレート２４を形成する。段差構造の外周部２６のエッチングはウェットエッチング、ドライエッチングのいずれも適用できるが、被転写基板が石英基板の場合には、深いエッチングが可能なフッ化水素酸水溶液によるウェットエッチングが好ましい。
【００６１】
段差構造の外周部２６のエッチング加工については、上記の方法に限るものではなく、例えば、エッチング用マスクとしてレジスト膜に加えて金属薄膜の使用、ナノインプリント法によるエッチング用レジスト膜パターンの形成、ドライエッチング法による外周部エッチングなどの方法を、適宜、用いて作製することができる。
【００６２】
本発明のテンプレート製造方法においては、段差構造の外周部２６のエッチングする領域は、図２（ｆ）に示すレプリカテンプレート２４の形成された転写パターンの設計値からの位置ずれ量を計測し、シミュレーションにより予めエッチング幅などを定めておくのが好ましい。パターンの位置ずれ量の計測は、従来の市販のフォトマスク用の座標測定装置が使用できる。また、テンプレート製造条件が一定で複数の同じレプリカテンプレートを製造する場合には、予めエッチング領域の幅などを設けておくことも可能である。
【００６３】
ここで、本発明における被転写基板の段差構造の領域と、この段差構造の領域の外周部をエッチング除去し、テンプレートとして最終的に残したい段差構造の領域と、パターン領域とについて、図面を用いて説明する。図４は、段差構造と、最終的に残したい段差構造と、パターン領域との大小関係を示す部分平面模式図である。上記３つの領域の平面積の大小関係は、（被転写基板の）段差構造（Ａ）＞最終的に残したい（テンプレートの）段差構造（Ｂ）≧パターン領域（Ｃ）となる。
【００６４】
段差構造（Ａ）の領域は、最終的に残したい段差構造（Ｂ）の領域に対して、転写の際の外周部に生じる歪みを考慮し、付加的に広げた領域を含んでいる。尚、別途、位置精度の計測及びシミュレーションが行われ、付加的に広げた領域を除去することによって、位置精度の改善が確認された場合は、この付加的に広げた領域にはパターンが無くてもよい。
最終的に残したい段差構造（Ｂ）の領域は、所望するＣのパターン領域と同一もしくは近接しており、ステップアンドリピート（Ｓ＆Ｒ）による複数転写をする上で、より高密度になるように適宜決められる大きさをもつ。
パターン領域（Ｃ）は、回路パターン、アライメント用マーク、位置精度計測用のマーク、ダミーパターン等を含む領域である。
【００６５】
エッチング領域の幅は、段差構造１４の大きさとパターン領域の大きさなどにより異なるが、上記のように、段差構造１４の広さは、通常、パターン領域の端部から０．１ｍｍ〜１０ｍｍ程度の範囲の幅で広くしているので、エッチング幅も、段差構造の外周部の境界から段差構造中心部に向けて０．１ｍｍ〜１０ｍｍ程度の範囲の幅で設けるのが好ましい。エッチング幅が０．１ｍｍ未満では段差構造の周辺部に生じたパターン歪みの除去が不十分となり、一方、１０ｍｍを超えるとエッチング除去すべき領域が広くなり、テンプレートの生産性を低下させるからである。
【００６６】
本発明においては、エッチングにより段差構造は２段構造となり、エッチングされた所定のエッチング深さの外周部２７は、凹凸パターンを形成する段差構造の中央部２８よりも厚みが小さい構造をなすものである。
【００６７】
上記の段差構造の外周部のエッチングする領域のエッチング深さは、５μｍ〜３０μｍの範囲であるのが好ましい。エッチング深さが５μｍ未満では、段差構造の周辺部に生じたパターン歪みを除去するのが十分でなく、３０μｍを超えるとエッチングもサイドエッチが大きくなり難しくなってくるからである。
【００６８】
（段差構造外周部エッチングによる作用効果）
図７（ａ）及び図７（ｂ）は、マスターテンプレート７１を用いて長さ３２ｍｍの段差構造（メサ構造）とくぼみを有する被転写基板７２にナノインプリントしてパターン転写したとき、被転写基板７２の変形を説明する断面模式図である。図７（ｂ）は、図７（ａ）に示す円形内の段差構造の境界付近の変形の水平方向成分の大きさを、白黒濃度で表示した拡大図である。水平方向の変形を示す白黒濃度はシミュレーション（本発明においては、変形シミュレーションと言う。）により求めており、黒濃度が高いほど図７（ｂ）において矢印で示す左方向の変形が大きく、黒濃度が低いほど右方向の変形が大きいことを示している。
【００６９】
図７に示すように、マスターテンプレート７１の被転写基板７２への押し付け力が強い場合、テンプレート７１と被転写基板７２が接触しているナノインプリント領域（段差構造領域）７３の境界７４付近では、応力が集中し、変形が生じている。結果として、段差構造の境界７４周辺に局所的に変形が生じ、荷重（押し付け力）が開放されると、矢印で示す変形とは逆の、段差領域７３の外周部に向かう外向きのパターンの変位が残ることになる。逆に、荷重調整で、マイナスの荷重になった場合には、中心部に向かう内向きのパターンの変位が残る場合もある。尚、図７においては、テンプレートの変形の水平方向成分を示したが、垂直方向にも変形は生じている（図示せず）。
【００７０】
図８は、マスターテンプレート８１を用い、各々のテンプレートを長さ４２ｍｍの段差構造（メサ構造）とくぼみを有する被転写基板８２にナノインプリントしてパターン転写したとき、被転写基板８２の変形を説明する断面模式図である。図７及び図８の段差構造の長さ以外の条件は同じである。図８（ｂ）は、図８（ａ）に示す円形内の段差構造の境界付近の変形の水平方向成分の大きさを、白黒濃度で表示した拡大図である。図７（ｂ）と図８（ｂ）との比較から明らかなように、図８の段差構造の長さが４２ｍｍと長くなると、自由に動くことができるナノインプリント領域外の長さが短くなるため、テンプレート８１と被転写基板８２が接触しているナノインプリント領域（段差構造領域）８３の境界８４付近の変形は、図７の段差構造の長さ３２ｍｍの場合と比べて、小さくなっていることが分かる。
【００７１】
したがって、本発明の製造法においては、最終的に残すパターン領域の形状に応じて、段差構造の外周部のエッチングする領域のパターン領域端からの長さを増加もしくは減少させ、段差構造の境界付近の変形を小さくするように制御することが好ましい。
【００７２】
本発明のレプリカテンプレートの製造方法は、ナノインプリント後に局所的に段差構造の境界周辺に生じたパターン歪みを、エッチングにより取り除き、パターン位置精度の良好なテンプレートの製造を可能とするものである。
【００７３】
レプリカテンプレートの転写パターンの位置ずれ量は、ナノインプリント後に段差構造の周辺部を除去することによりマスターテンプレートのパターンの位置ずれ量に近づけることができ、マスターテンプレートとほぼ同等のパターン位置精度を有するレプリカテンプレートの製造も可能となる。
【００７４】
本発明において、被転写基板１０の段差構造を掘り込んで形成した凹凸パターン２３の凹部の深さは、ウェハ基板などのナノインプリントする基板に形成する光硬化性樹脂パターンの所望する樹脂パターンの厚さに依存するが、例えば、凹凸パターン２３の凹部の深さが２０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲で用いられる。
【００７５】
本発明の製造方法においては、図２（ｈ）に示すように、得られたレプリカテンプレート２４の凹凸パターン２３は、図１（ｂ）に示すマスターテンプレート１８の凹凸パターン１９の凹凸関係、左右関係が反転したパターンとなる。したがって、必要とされるレプリカテンプレートのパターンに対応して、予めマスターテンプレートのパターンデータを変換し、凹凸関係、左右関係が反転したパターンを有するマスターテンプレートを用いてレプリカテンプレートを作製すれば、必要とされる所望のパターンを有するレプリカテンプレートを得ることができる。予めパターンデータを変換しておく方法は、レプリカテンプレート製造プロセスに負荷がかからず、欠陥発生が増加することのない好ましい方法である。
【００７６】
（実施形態２）
本実施形態のテンプレートの製造方法は、実施形態１で説明した段差構造の外周部のエッチングする領域に、少なくとも１箇所以上の外周部の角部が含まれるものである。段差構造の外周部のみならず、角部にも大きなパターン歪みが生じることが多いからである。段差構造の外周部に加えて、パターン歪みの大きい１箇所以上の外周部の角部をエッチングすることにより、パターン位置精度の良好なテンプレートを製造することができる。
【００７７】
エッチングする外周部の角部は、上記と同様に図２（ｆ）に示すレプリカテンプレート２４ａの形成された転写パターンの設計値からの位置ずれ量を計測し、シミュレーションによりエッチングする角部及びエッチング幅などを定めておくのが好ましい。また、テンプレート製造条件が一定で複数の同じレプリカテンプレートを製造する場合には、予めエッチングする角部及びエッチング幅などを設定しておくことも可能である。
【００７８】
上記のように、本発明のナノインプリント用テンプレートの製造方法は、マスターテンプレートを用いて、裏面にくぼみを備え段差構造を有する被転写基板にナノインプリントしてレプリカテンプレートを製造する際に、あらかじめ段差領域を大きくしておき、ナノインプリント後に転写パターンに生じた局所的なパターン歪みをエッチングにより取り除き、パターン位置精度の良好なテンプレートの製造が可能となる。
【００７９】
＜ナノインプリント用テンプレート＞
図５は、本発明のナノインプリント用テンプレートの実施形態を示す平面模式図及び断面模式図であり、図６は他の実施形態を示す平面模式図及び断面模式図である。図５及び図６で、図１、図２と同じ箇所を示す場合には、同じ符号を用いている。
【００８０】
（実施形態１）
本実施形態のナノインプリント用のレプリカテンプレートは、ナノインプリント用テンプレートの製造方法の第１の実施形態で作製した図２（ｈ）に示すテンプレート２４である。図５（ａ）は、テンプレート２４の平面模式図、図５（ｂ）は、図５（ａ）におけるＤ−Ｄ線の断面模式図である。図５に示すテンプレート２４は、くぼみ１５が正方形状、段差構造及びパターン領域が正方形状の場合を例示している。
【００８１】
図５に示すように、第１の主面１１と第２の主面１２を有する被転写基板の第１の主面１１上に凹凸パターン２３よりなるパターン領域が形成されている。第１の主面１１に相対する第２の主面１２に、第１の主面１１のパターン領域と重なり、かつ、第１の主面１１のパターン領域よりも広い面積のくぼみ１５を備え、第１の主面１１のパターン領域が周囲よりも高い凸状の段差構造（メサ構造）を有し、段差構造が２段構造をなし、段差構造の外周部が、凹凸パターンを形成する段差構造の中央部よりも厚みが小さいテンプレートである。
【００８２】
（実施形態２）
図６に示すテンプレートは、第１の主面１１と第２の主面１２を有する被転写基板の第１の主面１１上に凹凸パターン２３よりなるパターン領域が形成されている。図６（ａ）は、テンプレート２４の平面模式図、図６（ｂ）は、図６（ａ）におけるＥ−Ｅ線の断面模式図である。第１の主面１１に相対する第２の主面１２に、第１の主面１１のパターン領域と重なり、かつ、第１の主面１１のパターン領域よりも広い面積のくぼみ１５を備え、くぼみ１５が円形状をなし、第１の主面１１のパターン領域が周囲よりも高い凸状の段差構造（メサ構造）を有し、パターン領域が正方形状であり、段差構造が２段構造をなし、段差構造の外周部が、凹凸パターンを形成する段差構造の中央部よりも厚みが小さく、段差構造の正方形状外周部の４箇所の角部が除かれている。
【００８３】
本実施形態のテンプレートは、段差構造の外周部に加えて、パターン歪みの大きい外周部４箇所の角部をエッチングすることにより、パターン位置精度の良好なテンプレートとすることができる。
【００８４】
上記の実施形態のテンプレート２４の構成材料、各部位の形状、代表的な寸法については、上記の製造方法で述べた記載と重複するので、説明を省略する。
次に、実施例により本発明を説明する。
【実施例】
【００８５】
（実施例１）
ナノインプリント用レプリカテンプレート用の被転写基板として、外形が６インチ角、厚さ０．２５インチの合成石英ガラス基板の第１の主面に、周囲よりも３０μｍ高い面積２８ｍｍ×３２ｍｍの段差構造（メサ構造）を有し、第２の主面に、第１の主面のパターン領域と重なり、かつ、第１の主面のパターン領域よりも広い面積を有する直径６０ｍｍの円形状のくぼみを有する基板を準備した。尚、最終的な段差構造（メサ構造）の狙いを２５ｍｍ×３０ｍｍとし、エッチングで取り除く領域をあらかじめシミュレーションにより計算し、長辺については、片側１ｍｍ、短辺については片側１．５ｍｍとした。くぼみを形成している箇所の石英ガラス基板の厚さは１ｍｍとした。
【００８６】
一方、ナノインプリント用のマスターテンプレートとして、外形６インチ角、厚さ０．２５インチの合成石英ガラス基板の一主面上に電子線レジストを厚さ２００ｎｍで塗布し、電子線描画し、現像してレジストパターンを形成した後、石英ガラスをＣＦ4ガスでドライエッチングした後、レジストパターンを剥離して、石英ガラスに凹凸パターンを形成したマスターテンプレートを作製した。
【００８７】
作製したマスターテンプレートのパターンの凹部の深さは５０ｎｍとした。パターンは、凹部の幅４０ｎｍ、ピッチ８０ｎｍの複数のラインアンドスペースパターンと、凹部の幅３０ｎｍ、ピッチ６０ｎｍの複数のラインアンドスペースパターンとの２つのパターンとした。上記のマスターテンプレートのパターンは、必要とされるレプリカテンプレートのパターンの凹凸関係、左右関係を反転したパターンを予め設定したものである。
【００８８】
次に、上記の被転写基板のメサ構造上にナノインプリント用の光硬化性樹脂をインクジェット方式で、１フィールド分を塗布した。続いて、上記のマスターテンプレートを用いて、被転写基板上の光硬化性樹脂層に押し付けると共に、マスターテンプレートを介して光硬化性樹脂を感光させる紫外光を照射して、光硬化性樹脂を光硬化させた。図９に、マスターテンプレート９１を被転写基板９２の光硬化性樹脂層９３に押し付けたときの模式的断面図を示す。
【００８９】
次に、被転写基板の相対する２箇所の端面から下方に離型力を加えて、被転写基板をマスターテンプレートから離型した。被転写基板はくぼみを有しており、ある程度変形することにより、被転写基板の端面から引き離していくことが可能であった。被転写基板上には光硬化性樹脂の凹凸パターンが転写され、光硬化性樹脂パターンはメサ構造上のフィールドからの浸み出しは無く、フィールド内に光硬化性樹脂高さ５０ｎｍ、残膜厚１５ｎｍの均一な膜厚のパターンが形成された。
【００９０】
次に、被加工基板上に薄い残膜として残った光硬化性樹脂を、酸素ガスを用いたイオンエッチング処理を行って除去し、被加工基板上に硬化した高さ３５ｎｍの光硬化性樹脂パターンを形成した。
【００９１】
次いで、光硬化性樹脂パターンをマスクとし、ＣＦ4ガスを用いて被加工基板の石英ガラスをドライエッチングした後、光硬化性樹脂パターンを剥離し、第１の主面のメサ構造上のパターン領域に、石英ガラスによる凹凸の転写パターンを形成したレプリカテンプレートを得た。レプリカテンプレートのパターンは、マスターテンプレートのパターンと凹凸関係、左右関係が反転したパターンであり、メサ構造上に、凹部の深さ５０ｎｍ、凹部の幅４０ｎｍ、ピッチ８０ｎｍの複数のラインアンドスペースパターンと、凹部の幅３０ｎｍ、ピッチ６０ｎｍの複数のラインアンドスペースパターンとの２つのパターンを有するものである。
【００９２】
次に、上記のレプリカテンプレートのパターンの設計値からの位置ずれ量をフォトマスク用座標測定装置（ケーエルエー・テンコール社製）で計測した。その結果を位置座標の変位として図１０に示す。図１０（ａ）は、外周部をエッチングして取り除く（「削除」と記す。）前のレプリカテンプレートにおける転写パターン領域が２７ｍｍ×３１ｍｍにおける位置座標の変位を示し、矢印の方向は変位の方向、矢印の大きさは変位の大きさを示す。パターン領域の内向きの変位が生じており、特にパターン領域の外周部の変位が大きい。図１０（ｂ）は、レプリカテンプレートのパターンの位置座標（Ｘ，Ｙ）の変位（ｎｍ）の最大値、最小値、標準偏差（３σ）を示す。図１０（ｃ）は、マスターテンプレートのパターンの位置座標（Ｘ，Ｙ）の変位（ｎｍ）であり、レプリカテンプレートと比較することにより、レプリカテンプレートの位置ずれが大きいことが示される。
【００９３】
次に、上記の結果に基づいて、位置座標の変位が特に大きいパターン領域の外周部を削除したときの位置座標の変位を計算により求めた。削除した外周部の幅（片側）は、Ｘ方向１．５ｍｍ、Ｙ方向１．０ｍｍである。図１１にその結果を示す。図１１（ａ）は転写パターン領域が２３．５ｍｍ×２８．３ｍｍにおける位置座標の変位を示し、図１１（ｂ）は位置座標（Ｘ，Ｙ）の変位（ｎｍ）の最大値、最小値、標準偏差（３σ）である。図１１（ａ）に示されるように、パターン領域の外周部削除により、大きな変位は取り除かれ、図１１（ｂ）に示す位置座標（Ｘ，Ｙ）の変位はマスターテンプレートの値に近づき、パターン位置精度の良好なテンプレートが得られることが確認された。
【００９４】
次に、上記のレプリカテンプレートの第１の主面側全面にフォトレジストを塗布し、シミュレーション結果に基づいて、段差構造の外周部を片側の幅でＸ方向１．５ｍｍ、Ｙ方向１．０ｍｍで露出するようにパターン露光し、現像してレジストパターンを形成した。
【００９５】
次に、レジストから露出した段差構造の外周部をフッ化水素酸水溶液で１０μｍの深さにエッチングし、次いで、レジストパターンを剥離し、外周部が片側の幅でＸ方向１．５ｍｍ、Ｙ方向１．０ｍｍでエッチングされた２段構造の段差構造を有するレプリカテンプレートを得た。
【００９６】
本実施例のテンプレートの製造方法では、レプリカテンプレート製造工程において発生した位置ずれの大きい領域をエッチングにより除去することにより、パターン歪みの少なく、マスターテンプレートの値に近づいた高品質のレプリカテンプレートが得られた。
【００９７】
（実施例２）
実施例１で得られたレプリカテンプレートを基準にして、さらにシミュレーションにより、図１１（ａ）において、まだ位置座標の変位が特に大きいパターン領域の外周部右上の角部（コーナー部）を削除したときの位置座標の変位を求めた。
【００９８】
削除した角部は一辺１ｍｍの直角二等辺三角形状である。図１２にその結果を示す。図１２（ａ）は位置座標の変位、図１２（ｂ）は位置座標（Ｘ，Ｙ）の変位（ｎｍ）の最大値、最小値、標準偏差（３σ）である。図１２（ａ）に示されるように、転写パターン領域が２３．５ｍｍ×２８．３ｍｍにおけるパターン領域の外周部の角部削除により、大きな変位は取り除かれ、図１２（ｂ）に示す位置座標（Ｘ，Ｙ）の変位はマスターテンプレートの値とほぼ同等になり、パターンの変位の低減したテンプレートが得られることが確認された。
【００９９】
実施例１と同様にして、レプリカテンプレートの段差構造外周部の角部を露出したレジストパターンを形成し、角部をフッ化水素酸水溶液で１０μｍの深さにエッチングし、次いで、レジストパターンを剥離し、外周部が片側の幅でＸ方向１．５ｍｍ、Ｙ方向１．０ｍｍでエッチングされ、角部が１箇所エッチングされた２段構造の段差構造を有するレプリカテンプレートを得た。
【０１００】
本実施例のテンプレートの製造方法では、レプリカテンプレート製造工程において発生した位置ずれの大きい領域をエッチングにより除去することにより、パターン歪みの少なく、パターンの位置精度がマスターテンプレートとほぼ同等の高品質のレプリカテンプレートが得られた。
【符号の説明】
【０１０１】
１０、１０ａ、１０ｂ  被転写基板
１１  第１の主面
１２  第２の主面
１３  パターン領域
１４  段差構造（メサ構造）
１５  くぼみ
１６  くぼみの底面
１７  光硬化性樹脂層
１８  マスターテンプレート
１９  凹凸パターン
２０  光（紫外光）
２１  硬化した光硬化性樹脂
２２  硬化した光硬化性樹脂パターン
２３  凹凸の転写パターン
２４、２４ａ  レプリカテンプレート
２５  レジストパターン
２６  段差構造の外周部
２７  所定のエッチング深さの外周部
２８  段差構造の中央部
Ａ  段差構造
Ｂ  最終的に残したい段差構造
Ｃ  パターン領域
６１、７１、８１  マスターテンプレート
６２、７２、８２  被転写基板
６３、７３、８３  ナノインプリント（段差構造）領域
６４、７４、８４  段差構造の境界
９１  マスターテンプレート
９２  被転写基板
９３  光硬化性樹脂層
１３１  パターン形成装置
１３２  基板
１３３  ステージ
１３４  モールド
１３５  テンプレートチャック
１３６  高分子材料
１３７  アクチュエータ・システム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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