(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式Ａ２ＭＦ６：Ｍｎで表されるフッ化物粒子の表面に、希土類元素フッ素化合物を少なくとも有し、
希土類元素フッ素化合物は、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）およびルテチウム（Ｌｕ）から選ばれる少なくとも一種の希土類元素のフッ素化合物である
ことを特徴とする、フッ化物蛍光体。
（式中、Ｍはケイ素（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）およびゲルマニウム（Ｇｅ）から選ばれる少なくとも一種の金属元素、Ａはナトリウム（Ｎａ）およびカリウム（Ｋ）から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属元素である。）
【請求項２】
一般式Ａ２ＭＦ６：Ｍｎで表されるフッ化物粒子の表面に、希土類元素フッ素化合物を少なくとも有し、
希土類元素フッ素化合物は、フッ化セリウム（ＣｅＦ３）、フッ化プラセオジム（ＰｒＦ３）、フッ化ネオジム（ＮｄＦ３）、フッ化サマリウム（ＳｍＦ３）、フッ化ユウロピウム（ＥｕＦ３）、フッ化ガドリニウム（ＧｄＦ３）、フッ化テルビウム（ＴｂＦ３）、フッ化ジスプロシウム（ＤｙＦ３）、フッ化ホルミウム（ＨｏＦ３）、フッ化ツリウム（ＴｍＦ３）、フッ化イッテルビウム（ＹｂＦ３）およびフッ化ルテチウム（ＬｕＦ３）から選ばれる少なくとも一つである
ことを特徴とする、フッ化物蛍光体。
（式中、Ｍはケイ素（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）およびゲルマニウム（Ｇｅ）から選ばれる少なくとも一種の金属元素、Ａはナトリウム（Ｎａ）およびカリウム（Ｋ）から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属元素である。）
【請求項３】
一般式Ａ２ＭＦ６：Ｍｎで表されるフッ化物粒子に、希土類元素イオンを含む溶液、および還元剤を接触させ、前記フッ化物粒子の表面に、希土類元素フッ素化合物を生成する
工程を含む、フッ化物蛍光体の製造方法。
（式中、Ｍはケイ素（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）およびゲルマニウム（Ｇｅ）から選ばれる少なくとも一種の金属元素、Ａはナトリウム（Ｎａ）およびカリウム（Ｋ）から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属元素である。）
【請求項４】
希土類元素イオンは、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）およびルテチウム（Ｌｕ）から選ばれる少なくとも一種の希土類元素のイオンを含むことを特徴とした、請求項３記載のフッ化物蛍光体の製造方法。
【請求項５】
半導体発光素子と、請求項１もしくは２に記載のフッ化物蛍光体または請求項３もしくは４に記載の製造方法で得られるフッ化物蛍光体と、を少なくとも具備したことを特徴とした半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フッ化物蛍光体およびその製造方法に関する。またこのフッ化物蛍光体を用いた半導体発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、青色系の光や紫外線を吸収し、赤色や黄色や緑色等の長波長の可視光に波長変換する蛍光体を用い、この蛍光体を組み合わせることにより白色等の可視光を得る手段が知られている。
短波長領域の可視光線または紫外線の光源としては、半導体発光素子、例えば窒化ガリウム系青色発光ダイオード等が用いられている。そして、波長変換材料である蛍光体と組み合わせて半導体発光装置を構成する。この半導体発光装置は白色等の可視光を発し、消費電力が小さく寿命が長いという特徴を有し、近年画像表示装置や照明装置等の発光源として注目されている。
白色光を得る半導体発光装置の構成としては、青色光を発光する半導体発光素子と、青色光を波長変換して黄色光を発光する蛍光体を組み合わせる構成や、青色光を発光する半導体発光素子と、青色光を波長変換して赤色光を発光する蛍光体と緑色光を発光する蛍光体を組み合わせる構成が知られている。また紫外線を発する半導体発光素子と、紫外線を波長変換して赤色光、緑色光、青色光のそれぞれに発光する３種の蛍光体とを組み合わせる構成が知られている。
【０００３】
画像表示装置の発光源、例えば液晶ディスプレイ用のバックライト用途として上記構成の半導体発光装置を用いる場合では、色度座標上の広い範囲の色を効率良く再現するために、各蛍光体には、高い発光輝度と供に色純度が良いことが望まれる。さらに、液晶ディスプレイの色フィルターとの組み合わせの相性が求められ、発光ピークの半値幅が狭い蛍光体が求められている。
このような特徴を有する赤色発光蛍光体としては、Ｋ２ＴｉＦ６：Ｍｎ等の組成を有するフッ化物蛍光体が知られている（例えば、特許文献１参照）。また、Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎの組成を有するフッ化物蛍光体も知られている（例えば、特許文献２参照）。
上記のフッ化物蛍光体は、発光ピークの半値幅も狭く色純度も高いため、液晶ディスプレイのバックライト用途に好適とされ、実用化が望まれている。しかしながら、上記のフッ化物蛍光体は耐水性が充分ではなく、長期における信頼性の点で課題があった。この課題を解決すべく、例えばフッ化物蛍光体の表面に、アルカリ土類金属フッ化物を形成する方法が提案されているが（特許文献３参照）、この方法によっても、耐水性の性能は不充分であり、さらなる耐水性の高いフッ化物蛍光体が望まれていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２００９−５２８４２９号公報
【特許文献２】特開２０１０−２０９３１１号公報
【特許文献３】特開２０１５−０４４９５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記フッ化物蛍光体の耐水性という問題に鑑みてなされたものであり、より高い耐水性を有する赤色発光するフッ化物蛍光体を提供することにある。また、長期安定性に優れた半導体発光装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
発明者らは、種々の耐水性向上の手法を検討した結果、次に掲げるフッ化物蛍光体と、その製造方法を見出した。
【０００７】
第１の発明に係るフッ化物蛍光体は、一般式Ａ２ＭＦ６：Ｍｎで表されるフッ化物粒子の表面に、希土類元素フッ素化合物を少なくとも有することを特徴としている。式中、Ｍはケイ素（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）およびゲルマニウム（Ｇｅ）から選ばれる少なくとも一種の金属元素、Ａはナトリウム（Ｎａ）およびカリウム（Ｋ）から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属元素である。希土類元素フッ素化合物は、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）およびルテチウム（Ｌｕ）から選ばれる少なくとも一種の希土類元素のフッ素化合物であると良い。フッ化物粒子の表面に希土類元素フッ素化合物を有することで、高い耐水性を有するフッ化物蛍光体となる。
【０００８】
第２の発明に係るフッ化物蛍光体の製造方法は、一般式Ａ２ＭＦ６：Ｍｎで表されるフッ化物粒子に、希土類元素イオンを含む溶液、および還元剤を接触させ、前記フッ化物粒子の表面に、希土類元素フッ素化合物を生成する工程を含むことを特徴としている。式中、Ｍはケイ素（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）およびゲルマニウム（Ｇｅ）から選ばれる少なくとも一種の金属元素、Ａはナトリウム（Ｎａ）およびカリウム（Ｋ）から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属元素である。希土類元素イオンは、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）およびルテチウム（Ｌｕ）から選ばれる少なくとも一種の希土類元素のイオンであると良い。上記の製造方法によって、高い耐水性を有するフッ化物蛍光体を製造することができる。
【０００９】
第３の発明に係る半導体発光装置は、半導体発光素子と、第１の発明のフッ化物蛍光体または第２の発明の製造方法で得られるフッ化物蛍光体とを少なくとも具備したことを特徴としている。高い耐水性を有するフッ化物蛍光体を具備することで、赤色光の発光ピークの半値幅が狭く色純度も高い光源となり、かつ長期安定性も高いため、液晶ディスプレイのバックライト用途等に好適な優れた半導体発光装置となる。
となる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、耐水性が高く、長期安定性に優れた赤色発光フッ化物蛍光体を得ることができる。また、赤色の色純度が高く、かつ長期安定性に優れた半導体発光装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施例および比較例のフッ化物蛍光体の粉末Ｘ線回折図形である。
【図２】本発明の一実施の形態における半導体発光装置を示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の一実施形態として、フッ化物蛍光体を製造する方法を説明する。これらの製造方法は本発明の実施形態を例示するものであって、本発明を限定するものではない。
本発明の蛍光体の製造方法は、大きく蛍光体コア粒子の作製工程と、得られた蛍光体コア粒子の表面処理工程、の二つの工程を含む。
【００１３】
（蛍光体コア粒子の作製工程）
本発明のフッ化物蛍光体の蛍光体コア粒子は、Ａ２ＭＦ６：Ｍｎの式で表され、式中、Ｍはケイ素（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）およびゲルマニウム（Ｇｅ）から選ばれる少なくとも一種の金属元素、Ａはナトリウム（Ｎａ）およびカリウム（Ｋ）から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属元素である。この蛍光体コア粒子は、例えば以下の通り作製する。
即ち、フッ化水素（ＨＦ）を含む液媒体中で、少なくとも、Ｍで表す金属元素を含むフッ化物、マンガン（Ｍｎ）を含むフッ化物およびＡで表すアルカリ金属元素を含むフッ化物を反応させることにより作製する。例えば、Ｍｎを含むフッ化物をフッ化水素酸溶液中に溶解し、さらにＭで表す金属元素を含むフッ化物を加えたものを第１の溶液とし、Ａで表すアルカリ金属元素を含むフッ化物をフッ化水素酸溶液中に溶解したものを第２の溶液とする。第１の溶液に第２の溶液を例えば滴下混合することにより、得られた沈殿物を濾過等により分離し、適宜洗浄、乾燥して目的のフッ化物蛍光体コア粒子を得る。なお、各フッ化物を溶解する順序や組み合わせは、上記の例に限定されない。
Ｍｎを含むフッ化物は、例えばＮａ２ＭｎＦ６やＫ２ＭｎＦ６等を用いることができる。Ｍで表す金属元素を含むフッ化物は、例えばＭとしてＳｉを選択した場合、Ｈ２ＳｉＦ６、Ｋ２ＳｉＦ６、Ｎａ２ＳｉＦ６、（ＮＨ４）２ＳｉＦ６等を用いることができる。Ａで表すアルカリ金属元素を含むフッ化物は、例えばＫＦ、ＫＨＦ２、ＮａＦ、ＮａＨＦ２等を用いることができる。
各フッ化物の使用量は、目的のフッ化物蛍光体コア粒子の組成に合わせた量を用いることができる。なお、アルカリ金属元素を過剰量用いて反応をさせても好ましい。
上記の得られた沈殿物の濾過後の洗浄には、エタノール、水、アセトン、イソプロパノール等の溶媒を用いることができる。乾燥は沈殿物に付着した水分が蒸発すればよく、乾燥温度や乾燥時間などは適宜選択できる。
上記とともに、特許文献２および特許文献３中に記載されたフッ化物蛍光体コア粒子の製造方法が利用可能である。
【００１４】
（フッ化物蛍光体コア粒子の表面処理工程）
上記で得られたフッ化物蛍光体コア粒子を、少なくとも希土類元素イオンおよび還元剤を含む水溶液に接触させ表面処理した上で、洗浄、乾燥することにより、蛍光体コア粒子の表面に希土類元素フッ素化合物を有する、本発明のフッ化物蛍光体を得る。
希土類元素は、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）およびルテチウム（Ｌｕ）等より選択できる。これら希土類元素のイオン源として、硝酸塩（例えば、Ｌａ（ＮＯ３）３、Ｃｅ（ＮＯ３）３、Ｇｄ（ＮＯ３）３、Ｓｍ（ＮＯ３）３、Ｔｂ（ＮＯ３）３等）、酢酸塩（例えば、Ｌａ（ＣＨ３ＣＯ２）３、Ｃｅ（ＣＨ３ＣＯ２）３、Ｐｒ（ＣＨ３ＣＯ２）３、Ｎｄ（ＣＨ３ＣＯ２）３、Ｅｕ（ＣＨ３ＣＯ２）３、Ｇｄ（ＣＨ３ＣＯ２）３、Ｈｏ（ＣＨ３ＣＯ２）３、Ｙｂ（ＣＨ３ＣＯ２）３、Ｌｕ（ＣＨ３ＣＯ２）３等）、塩化物（例えば、ＬａＣｌ３、ＣｅＣｌ３、ＰｒＣｌ３、ＮｄＣｌ３、ＳｍＣｌ３、ＥｕＣｌ３、ＧｄＣｌ３、ＤｙＣｌ３、ＴｍＣｌ３等）などを用いることができる。
還元剤は、４価のマンガン（Ｍｎ４＋）が水と反応して二酸化マンガンとなり粒子表面が黒くなることを抑制のため、４価のマンガン（Ｍｎ４＋）を２価のマンガン（Ｍｎ２＋）に還元すべく添加する。還元剤としては、前記還元作用を有し、フッ化物蛍光体の母体に影響を与えない範囲で適宜選択可能である。例えば、過酸化水素、シュウ酸等を用いることができる。特に、過酸化水素が好ましい。
これら、少なくとも希土類元素イオンと還元剤とを含む処理液と、フッ化物蛍光体コア粒子とを、所定温度、所定時間混合して、充分に粒子表面に希土類元素イオンを接触させた上で、濾過し、エタノールやアセトン、イソプロパノール等の溶媒で洗浄し、乾燥させて、目的の本発明のフッ化物蛍光体を得る。なお、上記処理液に還元剤を必ずしも始めから添加する必要は無い。この場合は、希土類元素イオンを接触させた後に、還元剤を添加することで、二酸化マンガンによる粒子表面の着色を除去可能である。別の手段としては、希土類元素イオンを接触させた後に、一旦濾過、乾燥させた上で、還元剤を含む溶液で処理することで、二酸化マンガンによる粒子表面の着色を除去可能である。
【００１５】
（半導体発光装置）
続いて、本発明の実施形態の一例として、上記フッ化物蛍光体を少なくとも具備した半導体発光装置の構成について説明する。本発明の半導体発光装置は以下の説明に限定されない。
図２は、本発明の一実施の形態における半導体発光装置を示した断面図である。
この半導体発光装置は、例えば耐熱性を有するガラスエポキシからなる直方体形状のプリント配線基板１６上にシリコーン樹脂からなる接着剤１２によって、絶縁性基板を有する半導体発光素子１１を接着している。この半導体発光素子１１の上面に設けられたＰ型電極１３ａとＮ型電極１４ａは、金属ワイヤー１５ａ，１５ｂによって、プリント配線基板１６上面の電極部１６ａ，１６ｂに各々接続されている。これら電極部１６ａ，１６ｂは、プリント配線基板１６の上面と下面とを接続する図示しない断面円弧状のスルーホールを介して、実装面としてのプリント配線基板１６の下面に引き回されて、この実装面の両端部まで延びている。なお、上記プリント配線基板１６は、絶縁性フィルムを用いてもよい。
そして、上記プリント配線基板１６上に、上記半導体発光素子１１全体を覆うように、蛍光体２１を分散させた封止樹脂として例えば透光性のシリコーン樹脂等のモールド樹脂３２を、図２に示すような台形断面を成すように成型して、表面実装型の半導体発光装置を形成している。
【００１６】
蛍光体２１とは、本発明の一実施の形態である赤色発光のフッ化物蛍光体を少なくとも含んでおり、さらにこれに加えて青色系の光や紫外線を吸収し緑色領域の光を発光する他の緑色発光蛍光体、例えばβ−ＳｉＡｌＯＮ系蛍光体や、各種オルトシリケート系蛍光体、緑色発光を有するガーネット系蛍光体等を含んだ混合物であってもよい。この緑色発光蛍光体の選択は、目的とする半導体発光装置の発光色にあわせて、適宜選択できる。
本発明の半導体発光装置は、上記の構造に限定されるものではなく、半導体発光装置１１から放出された近紫外から青色領域の光が、本発明の一実施の形態であるフッ化物蛍光体を少なくとも含んだ蛍光体２１によって波長変換され、そして半導体発光装置１１から放出された光と、蛍光体２１から放出された光との混色により、例えば白色領域の光が放射される半導体発光装置であればよい。
【００１７】
次に、上記一実施の形態の実施例として、本発明のフッ化物蛍光体とその特性について説明する。
【実施例１】
【００１８】
（フッ化物蛍光体コア粒子の作製）
Ａ２ＭＦ６：Ｍｎの式で表されるフッ化物蛍光体コア粒子の一例として、Ｋ２Ｓｉ０．９Ｆ６：Ｍｎ０．１で表されるフッ化物蛍光体コア粒子を作製する。
５５質量％のＨＦ水溶液９００ｍｌに、Ｋ２ＭｎＦ６を１２．３６ｇ（Ｍｎとして０．０５モル）を秤量して添加して溶解した後、さらにＫ２ＳｉＦ６を９９．１２ｇ（Ｓｉとして０．４５モル）を添加して、攪拌し充分に溶解して、これを第１の溶液とした。
また別の５５質量％のＨＦ水溶液１００ｍｌに、ＫＨＦ２を３９．１ｇ（Ｋとして０．５モル）を秤量して添加し、攪拌し充分に溶解して、これを第２の溶液とした。
第１の溶液を室温にて攪拌しながら、そこに第２の溶液を少しずつ添加して混合する。生じた沈殿を濾過により分離回収し、イソプロパノールで数回洗浄し、１００℃で２時間乾燥させ、目的のＫ２Ｓｉ０．９Ｆ６：Ｍｎ０．１で表されるフッ化物蛍光体コア粒子を得た。
【００１９】
（フッ化物蛍光体コア粒子の表面処理）
表１に示す組成の仕込み条件で、各々の処理液を作製する。例えば、表１中の実施例１−１では、硝酸ランタン６水和物（Ｌａ（ＮＯ３）３・６Ｈ２Ｏ）０．２６ｇ（Ｌａとして０．００６モル）を純水１００ｍｌに加えて溶解し、さらに還元剤として３０％Ｈ２Ｏ２水溶液を３．４ｇ加えて攪拌して処理液を作製する。続いて、上記で得られたフッ化物蛍光体コア粒子を１０ｇ加えて、室温で１時間攪拌する。その後、表面処理された蛍光体を濾過により分離回収し、イソプロパノールで数回洗浄し、１００℃で１時間乾燥させ、表面にフッ化ランタンを有する本発明のフッ化物蛍光体を得る。得られたフッ化物蛍光体を実施例１−１とする。同様に、実施例１−２ないし実施例１−２１の仕込み条件の処理液を用いて上記で得られたフッ化物蛍光体コア粒子を表面処理し、それぞれ実施例１−２ないし実施例１−２１のフッ化物蛍光体を得た。
比較のため、未処理のフッ化物蛍光体コア粒子を比較例１とし、特許文献３の実施例１に相当する処理液の条件で同様に表面処理を行って得られたフッ化物蛍光体を、比較例２とした。
【００２０】
【表１】
0006053870.tif 000002
【００２１】
次に、各々のフッ化物蛍光体試料の発光輝度特性を調べた。発光ピーク波長４６０ｎｍのＬＥＤの青色光で励起し、その発光輝度を輝度計（型式：ＬＳ−１１０  コニカミノルタ製）にて測定し、発光色度ｘ，ｙを色彩輝度計（型式：ＣＳ−１００Ａ  コニカミノルタ製）にて測定した。このとき、各輝度計の前段部分に５００ｎｍ以下の波長をカットするシャープカットフィルター（型式：Ｙ−５０  HOYA CANDEO OPTRONICS社製）を設置し励起光である青色光の影響を除去してある。得られた発光輝度を、比較例１を１００とした相対輝度で表し、発光色度とともに表２に示す。
【００２２】
続いて、各々のフッ化物蛍光体試料の耐水性試験を行った。純水１０ｍｌ中にフッ化物蛍光体２ｇを入れ、混合後に１時間静置した後、濾過にて分離回収し、イソプロパノールで洗浄し、１００℃で１時間乾燥させた。耐水試験後の各々の試料の発光輝度と発光色度、および耐水性試験前後での輝度維持率を、ともに表２に示す。
【００２３】
【表２】
0006053870.tif 000003
【００２４】
表２に示す結果より、比較例１および２と比較して、実施例１−１ないし実施例１−２１はいずれも耐水性試験後の輝度維持率が同等ないしそれ以上に向上していることがわかる。特に、ランタン、セリウム、プラセオジム、ユウロピウム、ガドリニウム、ジスプロシウム、ルテチウムの希土類元素を用いた場合に、好ましい輝度維持率を示している。
【００２５】
続いて、処理液中の酢酸ランタン濃度を変化させた実施例１−３、実施例１−５、実施例１−７および未処理の比較例１について、Ｘ線回折装置（型式：ＸＲＤ−６１００  島津製作所製）により、Ｃｕ管球を用いて粉末Ｘ線回折分析を行った。その結果である粉末Ｘ線回折図形を図１に示す。図１中の三角マークは、ＩＣＤＤ＃００−０３２−０４８３よりＬａＦ３のピーク位置を示している。未処理の比較例１には無いＬａＦ３によるピークが、酢酸ランタン濃度に比例して表れているのがわかる。この図１から、実施例１−３、実施例１−５および実施例１−７のフッ化物蛍光体表面に存在する物質が、ＬａＦ３であることが明らかである。
なお、実施例１−５については、ＥＰＭＡによる元素マッピングも実施した。その結果、試料表面にランタン元素の存在を確認した。
【００２６】
以上のとおり、本発明によるフッ化物蛍光体は、蛍光体粒子の表面に希土類元素フッ素化合物を有することにより、耐水性が向上した、赤色発光フッ化物蛍光体を提供するものである。
【産業上の利用可能性】
【００２７】
本発明によるフッ化物蛍光体は、主に光源用の波長変換材料として利用可能であるが、高い色純度を有し、発光ピークの半値幅が狭く、さらに耐久性が高いため、特に液晶ディスプレイ用のバックライト用途の光源用の蛍光体に好適に利用できる。また本発明の半導体発光装置は、高い色純度を有し、発光ピークの半値幅が狭く、さらに長期安定性に優れるため、液晶ディスプレイ用のバックライト用途の光源に好適に利用できる。
【図１】
0006053870.tif 000004
【図２】
0006053870.tif 000005