(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を準備する工程と、
前記基板上に、導電性および遮光性を有する第１導電パターンを形成する第１導電パターン形成工程と、
前記基板上に、前記第１導電パターンに電気的に接続され、導電性および透光性を有する第２導電パターンを形成する第２導電パターン形成工程と、を備え、
前記第１導電パターン形成工程は、
前記基板上に、導電性および遮光性を有する第１導電層を設ける工程と、
前記第１導電層上に、光溶解型の感光性材料から構成されるレジストパターンを設ける工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記第１導電層を、その端部が、前記基板の法線方向から見て少なくとも部分的に外方に露出する面を有するようウェットエッチングする第１エッチング工程と、
前記第１エッチング工程の後、前記レジストパターンを加熱する第１焼成工程であって、加熱に起因する流動によって前記レジストパターンの端部が外方に変位する、第１焼成工程と、
前記第１焼成工程の後、前記レジストパターンをマスクとして、前記第１導電層をさらにウェットエッチングする第２エッチング工程と、を有し、
前記第２導電パターン形成工程において、前記第２導電パターンは、前記第１導電パターンの端部を少なくとも部分的に覆うよう形成される、導電パターン基板の製造方法。
【請求項２】
前記第１エッチング工程におけるエッチング時間は、前記第１導電層をその厚み分だけエッチングするジャストエッチングに要するエッチング時間以下となるよう設定される、請求項１に記載の導電パターン基板の製造方法。
【請求項３】
前記第２エッチング工程は、前記第１導電層の端部のうち前記レジストパターンによって覆われていない部分が、前記基板の法線方向から見て少なくとも部分的に外方に露出する面を有するよう実施され、
前記第１導電パターン形成工程は、
前記第２エッチング工程の後、前記レジストパターンを加熱する第２焼成工程であって、加熱に起因する流動によって前記レジストパターンの端部がさらに外方に変位する、第２焼成工程と、
前記第２焼成工程の後、前記レジストパターンをマスクとして、前記第１導電層をさらにウェットエッチングする第３エッチング工程と、をさらに有する、請求項１または２に記載の導電パターン基板の製造方法。
【請求項４】
基板と、
前記基板上に設けられ、導電性および遮光性を有する第１導電パターンと、
前記基板上に設けられるとともに前記第１導電パターンに電気的に接続され、導電性および透光性を有する第２導電パターンと、を備え、
前記第１導電パターンは、前記第２導電パターンによって少なくとも部分的に覆われた端部を有し、
前記端部は、前記第２導電パターンによって少なくとも部分的に覆われた第１面であって、基板の法線方向から見て少なくとも部分的に外方に露出する第１面と、前記第１面よりも前記基板側に位置するとともに前記第１面に隣接する第２面と、を含み、
前記第１面と前記第２面とが隣接する境界部分において、前記第２面は、前記第１面を前記境界部分において前記第１面が延びる方向に仮想的に延長することによって得られる面よりも、前記第２導電パターンから離れる側に位置する、導電パターン基板。
【請求項５】
前記端部は、前記第２面よりも前記基板側に位置するとともに前記第２面に隣接する第３面をさらに含み、
前記第２面と前記第３面とが隣接する境界部分において、前記第２面が延びる方向と前記第３面が延びる方向とが異なっている、請求項４に記載の導電パターン基板。
【請求項６】
基板を準備する工程と、
前記基板上に、導電性および遮光性を有する取出パターンを形成する取出パターン形成工程と、
前記基板上に、前記取出パターンに電気的に接続され、導電性および透光性を有する検出パターンを形成する検出パターン形成工程と、を備え、
前記取出パターン形成工程は、
前記基板上に、導電性および遮光性を有する第１導電層を設ける工程と、
前記第１導電層上に、光溶解型の感光性材料から構成されるレジストパターンを設ける工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記第１導電層を、その端部が、前記基板の法線方向から見て少なくとも部分的に外方に露出する面を有するようウェットエッチングする第１エッチング工程と、
前記第１エッチング工程の後、前記レジストパターンを加熱する第１焼成工程であって、加熱に起因する流動によって前記レジストパターンの端部が外方に変位する、第１焼成工程と、
前記第１焼成工程の後、前記レジストパターンをマスクとして、前記第１導電層をさらにウェットエッチングする第２エッチング工程と、を有し、
前記検出パターン形成工程において、前記検出パターンは、前記取出パターンの端部を少なくとも部分的に覆うよう形成される、タッチパネルセンサの製造方法。
【請求項７】
前記第１エッチング工程におけるエッチング時間は、前記第１導電層をその厚み分だけエッチングするジャストエッチングに要するエッチング時間以下となるよう設定される、請求項６に記載のタッチパネルセンサの製造方法。
【請求項８】
前記第２エッチング工程は、前記第１導電層の端部のうち前記レジストパターンによって覆われていない部分が、前記基板の法線方向から見て少なくとも部分的に外方に露出する面を有するよう実施され、
前記取出パターン形成工程は、
前記第２エッチング工程の後、前記レジストパターンを加熱する第２焼成工程であって、加熱に起因する流動によって前記レジストパターンの端部がさらに外方に変位する、第２焼成工程と、
前記第２焼成工程の後、前記レジストパターンをマスクとして、前記第１導電層をさらにウェットエッチングする第３エッチング工程と、をさらに有する、請求項６または７に記載のタッチパネルセンサの製造方法。
【請求項９】
前記検出パターンは、所定の方向に沿って並べられた複数の電極部であって、少なくとも１つの電極部が前記取出パターンに電気的に接続された、複数の電極部と、隣り合う２つの前記電極部を接続するブリッジ部と、を有し、
前記検出パターン形成工程は、
前記取出パターンの端部を少なくとも部分的に覆う少なくとも１つの前記電極部を含む複数の前記電極部を形成する第１工程と、
隣り合う２つの前記電極部を接続するようブリッジ部を形成する第２工程と、を有する、請求項６乃至８のいずれか一項に記載のタッチパネルセンサの製造方法。
【請求項１０】
前記検出パターンは、所定の方向に沿って並べられた複数の電極部であって、少なくとも１つの電極部が前記取出パターンに電気的に接続された、複数の電極部と、隣り合う２つの前記電極部を接続するブリッジ部と、を有し、
前記検出パターン形成工程は、
前記ブリッジ部を形成する第１工程と、
前記取出パターンの端部を少なくとも部分的に覆う少なくとも１つの前記電極部を含む複数の前記電極部を形成する電極部形成工程であって、隣り合う２つの前記電極部が前記ブリッジ部によって接続されるよう複数の前記電極部を形成する、第２工程と、を有する、請求項６乃至８のいずれか一項に記載のタッチパネルセンサの製造方法。
【請求項１１】
前記第１工程は、
前記取出パターン形成工程の前記第１焼成工程の後、前記基板上にブリッジ部用導電層を設ける工程と、
前記ブリッジ部用導電層をウェットエッチングし、これによって前記ブリッジ部を形成するブリッジ部用エッチング工程と、を含み、
前記取出パターン形成工程の前記第２エッチング工程が、前記検出パターン形成工程の前記第１工程の前記ブリッジ部用エッチング工程と同時に実施される、請求項１０に記載のタッチパネルセンサの製造方法。
【請求項１２】
基板と、
前記基板上に設けられ、導電性および遮光性を有する取出パターンと、
前記基板上に設けられるとともに前記取出パターンに電気的に接続され、導電性および透光性を有する検出パターンと、を備え、
前記取出パターンは、前記検出パターンによって少なくとも部分的に覆われた端部を有し、
前記端部は、前記検出パターンによって少なくとも部分的に覆われた第１面であって、基板の法線方向から見て少なくとも部分的に外方に露出する第１面と、前記第１面よりも前記基板側に位置するとともに前記第１面に隣接する第２面と、を含み、
前記第１面と前記第２面とが隣接する境界部分において、前記第２面は、前記第１面を前記境界部分において前記第１面が延びる方向に仮想的に延長することによって得られる面よりも、前記検出パターンから離れる側に位置する、タッチパネルセンサ。
【請求項１３】
前記端部は、前記第２面よりも前記基板側に位置するとともに前記第２面に隣接する第３面をさらに含み、
前記第２面と前記第３面とが隣接する境界部分において、前記第２面が延びる方向と前記第３面が延びる方向とが異なっている、請求項１２に記載のタッチパネルセンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、互いに電気的に接続された複数の導電パターンを含む導電パターン基板および導電パターン基板の製造方法に関する。また本発明は、取出パターンと、取出パターンに電気的に接続された検出パターンとを備えたタッチパネルセンサおよびタッチパネルセンサの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、基板と、基板上に所定パターンで設けられた第１導電パターンと、第１導電パターンに電気的に接続された第２導電パターンと、を備えた導電パターン基板が知られている。例えば、基板と、基板上に所定パターンで設けられた取出パターンと、取出パターンに電気的に接続された検出パターンと、を備えたタッチパネルセンサが知られている。ここで検出パターンは、外部導体の接近を検知するためのパターンであり、取出パターンは、検出パターンからの信号をタッチパネルセンサの外部へ伝達させるためのパターンである。
【０００３】
上述のタッチパネルセンサにおいて、取出パターンは、一般に、高い導電率を有する金属材料から構成されており、一方、検出パターンは、一般に、透明性を有する透明導電材料から構成されている。このようなタッチパネルセンサの製造方法においては、例えば、はじめに、基板上に金属層を設け、次に、フォトリソグラフィー法によって金属層をパターニングし、これによって基板上に取出パターンを形成する。次に、基板上に検出パターンを、検出パターンが取出パターンに電気的に接続されるよう形成する。検出パターンを形成する方法としては、例えばスパッタリング法が用いられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−１６０７４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
取出パターンを形成するためのフォトリソグラフィー法においては、はじめに、金属層上にレジスト層を設け、次に、レジスト層を露光・現像することによってレジストパターンを形成する。その後、金属層のうちレジストパターンによって覆われていない部分をエッチングによって除去する。エッチング方法としては例えばウェットエッチングが用いられる。
【０００６】
ウェットエッチングにおいては一般に、金属層のうちレジストパターンによって覆われていない部分を完全に除去するため、エッチング時間が、金属層をその厚み分だけエッチングすること、いわゆるジャストエッチングに要する時間（以下、ジャストエッチング時間と称する）よりも長くなるよう設定される。このようにジャストエッチング時間よりも長くエッチングが実施される場合、金属層は、レジストパターンによって覆われていない部分だけでなく、レジストパターンによって覆われている部分も、側方からのエッチングによって部分的に除去されることがある。この場合、レジストパターンによって覆われている部分のうち厚み方向においてレジストパターンから離れた部分ほどより多く除去され、この結果、得られる取出パターンの端部が逆テーパ状になることが考えられる。
【０００７】
ここで、検出パターンを形成する方法として、スパッタリング法などの、基板の略法線方向に沿って基板に向けて検出パターンの材料となる物質を飛翔させ、これによって物質を基板に付着させる方法が用いられる場合について考える。この場合、原則として物質は、取出パターンの逆テーパ状の端部と基板との間の空間には到達できない。この結果、取出パターンの逆テーパ状の端部は、側方向において検出パターンと接触することができないことになる。このため、取出パターンと検出パターンとの間における電気的な接続が不安定になることが考えられる。
【０００８】
本発明は、このような課題を効果的に解決し得る導電パターン基板、タッチパネルセンサ、導電パターン基板の製造方法およびタッチパネルセンサの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、基板を準備する工程と、前記基板上に、導電性を有する第１導電パターンを形成する第１導電パターン形成工程と、前記基板上に、前記第１導電パターンに電気的に接続され、導電性を有する第２導電パターンを形成する第２導電パターン形成工程と、を備え、前記第１導電パターン形成工程は、前記基板上に、導電性を有する第１導電層を設ける工程と、前記第１導電層上に、光溶解型の感光性材料から構成されるレジストパターンを設ける工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記第１導電層を、その端部が、前記基板の法線方向から見て少なくとも部分的に外方に露出する面を有するようウェットエッチングする第１エッチング工程と、前記第１エッチング工程の後、前記レジストパターンを加熱する第１焼成工程であって、加熱に起因する流動によって前記レジストパターンの端部が外方に変位する、第１焼成工程と、前記第１焼成工程の後、前記レジストパターンをマスクとして、前記第１導電層をさらにウェットエッチングする第２エッチング工程と、を有し、前記第２導電パターン形成工程において、前記第２導電パターンは、前記第１導電パターンの端部を少なくとも部分的に覆うよう形成される、導電パターン基板の製造方法である。
【００１０】
本発明による導電パターン基板の製造方法において、好ましくは、前記第１エッチング工程におけるエッチング時間は、前記第１導電層をその厚み分だけエッチングするジャストエッチングに要するエッチング時間以下となるよう設定される。
【００１１】
本発明による導電パターン基板の製造方法において、前記第２エッチング工程は、前記第１導電層の端部のうち前記レジストパターンによって覆われていない部分が、前記基板の法線方向から見て少なくとも部分的に外方に露出する面を有するよう実施されてもよい。この場合、前記第１導電パターン形成工程は、前記第２エッチング工程の後、前記レジストパターンを加熱する第２焼成工程であって、加熱に起因する流動によって前記レジストパターンの端部がさらに外方に変位する、第２焼成工程と、前記第２焼成工程の後、前記レジストパターンをマスクとして、前記第１導電層をさらにウェットエッチングする第３エッチング工程と、をさらに有していてもよい。
【００１２】
本発明は、基板と、前記基板上に設けられ、導電性を有する第１導電パターンと、前記基板上に設けられるとともに前記第１導電パターンに電気的に接続され、導電性を有する第２導電パターンと、を備え、
前記第１導電パターンは、前記第２導電パターンによって少なくとも部分的に覆われた端部を有し、前記端部は、前記第２導電パターンによって少なくとも部分的に覆われた接続面であって、基板の法線方向から見て少なくとも部分的に外方に露出する接続面と、前記接続面に隣接する第１隣接面と、を含み、前記接続面と前記第１隣接面とが隣接する境界部分において、前記接続面が延びる方向と前記第１隣接面が延びる方向とが異なっている、導電パターン基板である。
【００１３】
本発明による導電パターン基板において、前記端部は、前記接続面または前記第１隣接面に隣接する第２隣接面をさらに含んでいてもよい。この場合、前記接続面または前記第１隣接面と前記第２隣接面とが隣接する境界部分において、前記接続面または前記第１隣接面が延びる方向と前記第２隣接面が延びる方向とが異なっている。
【００１４】
本発明は、基板を準備する工程と、前記基板上に、導電性を有する取出パターンを形成する取出パターン形成工程と、前記基板上に、前記取出パターンに電気的に接続され、導電性を有する検出パターンを形成する検出パターン形成工程と、を備え、前記取出パターン形成工程は、前記基板上に、導電性を有する第１導電層を設ける工程と、
前記第１導電層上に、光溶解型の感光性材料から構成されるレジストパターンを設ける工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記第１導電層を、その端部が、前記基板の法線方向から見て少なくとも部分的に外方に露出する面を有するようウェットエッチングする第１エッチング工程と、前記第１エッチング工程の後、前記レジストパターンを加熱する第１焼成工程であって、加熱に起因する流動によって前記レジストパターンの端部が外方に変位する、第１焼成工程と、前記第１焼成工程の後、前記レジストパターンをマスクとして、前記第１導電層をさらにウェットエッチングする第２エッチング工程と、を有し、前記検出パターン形成工程において、前記検出パターンは、前記取出パターンの端部を少なくとも部分的に覆うよう形成される、タッチパネルセンサの製造方法である。
【００１５】
本発明によるタッチパネルセンサの製造方法において、好ましくは、前記第１エッチング工程におけるエッチング時間は、前記第１導電層をその厚み分だけエッチングするジャストエッチングに要するエッチング時間以下となるよう設定される。
【００１６】
本発明によるタッチパネルセンサの製造方法において、前記第２エッチング工程は、前記第１導電層の端部のうち前記レジストパターンによって覆われていない部分が、前記基板の法線方向から見て少なくとも部分的に外方に露出する面を有するよう実施されてもよい。この場合、前記第１取出パターン形成工程は、前記第２エッチング工程の後、前記レジストパターンを加熱する第２焼成工程であって、加熱に起因する流動によって前記レジストパターンの端部がさらに外方に変位する、第２焼成工程と、
前記第２焼成工程の後、前記レジストパターンをマスクとして、前記第１導電層をさらにウェットエッチングする第３エッチング工程と、をさらに有していてもよい。
【００１７】
本発明によるタッチパネルセンサの製造方法において、前記検出パターンは、所定の方向に沿って並べられた複数の電極部であって、少なくとも１つの電極部が前記取出パターンに電気的に接続された、複数の電極部と、隣り合う２つの前記電極部を接続するブリッジ部と、を有していてもよい。
この場合、前記検出パターン形成工程は、前記取出パターンの端部を少なくとも部分的に覆う少なくとも１つの前記電極部を含む複数の前記電極部を形成する第１工程と、隣り合う２つの前記電極部を接続するようブリッジ部を形成する第２工程と、を有していてもよい。
若しくは、前記検出パターン形成工程は、前記ブリッジ部を形成する第１工程と、前記取出パターンの端部を少なくとも部分的に覆う少なくとも１つの前記電極部を含む複数の前記電極部を形成する電極部形成工程であって、隣り合う２つの前記電極部が前記ブリッジ部によって接続されるよう複数の前記電極部を形成する、第２工程と、を有していてもよい。この場合、前記第１工程は、前記取出パターン形成工程の前記第１焼成工程の後、前記基板上にブリッジ部用導電層を設ける工程と、前記ブリッジ部用導電層をウェットエッチングし、これによって前記ブリッジ部を形成するブリッジ部用エッチング工程と、を含んでいてもよい。この場合、好ましくは、前記取出パターン形成工程の前記第２エッチング工程が、前記検出パターン形成工程の前記第１工程の前記ブリッジ部用エッチング工程と同時に実施される。
【００１８】
本発明は、基板と、前記基板上に設けられ、導電性を有する取出パターンと、前記基板上に設けられるとともに前記取出パターンに電気的に接続され、導電性を有する検出パターンと、を備え、
前記取出導電パターンは、前記検出導電パターンによって少なくとも部分的に覆われた端部を有し、前記端部は、前記検出パターンによって少なくとも部分的に覆われた接続面であって、基板の法線方向から見て少なくとも部分的に外方に露出する接続面と、前記接続面に隣接する第１隣接面と、を含み、前記接続面と前記第１隣接面とが隣接する境界部分において、前記接続面が延びる方向と前記第１隣接面が延びる方向とが異なっている、タッチパネルセンサである。
【００１９】
本発明によるタッチパネルセンサにおいて、前記端部は、前記接続面または前記第１隣接面に隣接する第２隣接面をさらに含んでいてもよい。この場合、前記接続面または前記第１隣接面と前記第２隣接面とが隣接する境界部分において、前記接続面または前記第１隣接面が延びる方向と前記第２隣接面が延びる方向とが異なっている。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、第１導電パターン形成工程は、レジストパターンをマスクとして第１導電層を、その端部が、基板の法線方向から見て少なくとも部分的に外方に露出する面を有するようウェットエッチングする第１エッチング工程と、第１エッチング工程の後、レジストパターンを加熱する第１焼成工程であって、加熱に起因する流動によってレジストパターンの端部が外方に変位する、第１焼成工程と、を有している。このため、第１導電パターンの端部は、少なくとも部分的に、基板の法線方向から見て少なくとも部分的に外方に露出する面を含むことができる。このことにより、第１導電パターンと、その後に形成される第２導電パターンとの間における電気的な接続を確保することができる。また第１導電パターン形成工程は、第１焼成工程の後、レジストパターンをマスクとして、前記第１導電層をさらにウェットエッチングする第２エッチング工程をさらに有している。これによって、第１導電パターンの端部が、第２導電パターンが形成されるべき領域にまで延在することを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】図１は、本発明の第１の実施の形態における導電パターン基板を示す断面図。
【図２】図２は、図１に示す第１導電パターンの端部を拡大して示す断面図。
【図３】図３は、図２に示す第１導電パターンの端部の各面が延びる方向を示す図。
【図４】図４は、本発明の第１の実施の形態において、導電パターン基板の製造方法を示すフローチャート。
【図５Ａ】図５Ａは、第１導電層上にレジスト層を設ける工程を示す図。
【図５Ｂ】図５Ｂは、レジスト層を露光・現像してレジストパターンを形成する工程を示す図。
【図５Ｃ】図５Ｃ（ａ）（ｂ）は、第１導電層をウェットエッチングする工程を示す図。
【図５Ｄ】図５Ｄは、レジストパターンを加熱する工程を示す図。
【図５Ｅ】図５Ｅは、第１導電層をさらにウェットエッチングする工程を示す図。
【図５Ｆ】図５Ｆは、第２導電パターンを形成する工程を示す図。
【図６Ａ】図６Ａは、比較の形態において、第１導電層をウェットエッチングする工程を示す図。
【図６Ｂ】図６Ｂは、比較の形態において、第２導電パターンを形成する工程を示す図。
【図７Ａ】図７Ａは、第１の実施の形態の変形例における第２エッチング工程を示す図。
【図７Ｂ】図７Ｂは、第１の実施の形態の変形例における第２焼成工程を示す図。
【図７Ｃ】図７Ｃは、第１の実施の形態の変形例における第３エッチング工程を示す図。
【図８】図８は、第１導電パターンの第１の変形例を示す図。
【図９】図９は、第１導電パターンの第２の変形例を示す図。
【図１０】図１０は、第１導電パターンの第３の変形例を示す図。
【図１１】図１１は、本発明の第２の実施の形態におけるタッチパネルセンサを示す平面図。
【図１２】図１２は、図１１に示すタッチパネルセンサをＸII−ＸII方向から見た縦断面図。
【図１３】図１３は、図１１に示すタッチパネルセンサをＸIII−ＸIII方向から見た縦断面図。
【図１４】図１４は、取出パターンの端部を拡大して示す断面図。
【図１５】図１５は、本発明の第２の実施の形態において、タッチパネルセンサの製造方法を示すフローチャート。
【図１６Ａ】図１６Ａは、第１導電層をパターニングして取出パターンを形成する工程を示す図。
【図１６Ｂ】図１６Ｂは、電極部および第１ブリッジ部を形成する工程を示す図。
【図１６Ｃ】図１６Ｃは、絶縁層を形成する工程を示す図。
【図１６Ｄ】図１６Ｄは、第２ブリッジ部を形成する工程を示す図。
【図１６Ｅ】図１６Ｅは、オーバーコート層形成する工程を示す図。
【図１７】図１７は、本発明の第３の実施の形態におけるタッチパネルセンサを示す断面図。
【図１８】図１８は、本発明の第３の実施の形態において、タッチパネルセンサの製造方法を示すフローチャート。
【図１９】図１９は、本発明の第３の実施の形態の変形例において、タッチパネルセンサの製造方法を示すフローチャート。
【図２０Ａ】図２０Ａは、第１エッチング工程および第１焼成工程後の第１導電層およびレジストパターンを示す図。
【図２０Ｂ】図２０Ｂは、ブリッジ部用導電層およびブリッジ部用導電層上のレジストパターンを形成する工程を示す図。
【図２０Ｃ】図２０Ｃは、ブリッジ部用導電層をウェットエッチングして第２ブリッジ部を形成する工程を示す図。
【図２０Ｄ】図２０Ｄは、第２ブリッジ部上に絶縁層を形成する工程を示す図。
【図２０Ｅ】図２０Ｅは、電極部、第１ブリッジ部およびオーバーコート層を形成する工程を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
第１の実施の形態
以下、図１乃至図５Ｆを参照して、本発明の第１の実施の形態について説明する。まず図１乃至図３により、本実施の形態における導電パターン基板１０について説明する。
【００２３】
導電パターン基板
図１は、導電パターン基板１０を示す断面図である。図１に示すように、導電パターン基板１０は、基板１１と、基板１１上に設けられ、導電性を有する第１導電パターン１２と、基板１１上に設けられるとともに第１導電パターン１２に接続され、導電性を有する第２導電パターン１５と、を備えている。図１に示すように、第１導電パターン１２は、第２導電パターン１５によって少なくとも部分的に覆われた端部１３を有しており、この端部１３を介して、第１導電パターン１２と第２導電パターン１５との間における電気的な接続が確保されている。ここで「端部」は、第１導電パターン１２のうち基板１１に向かって延びる面を有する部分として定義される。
【００２４】
基板１１を構成する材料としては、光透過性を有する材料が用いられ、例えばガラスやポリマー等が用いられる。第１導電パターン１２を構成する材料は、導電性を有する限りにおいて特には限定されないが、例えば、高い導電性および遮光性を有する金属材料が用いられる。第１導電パターン１２を構成する金属材料としては、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン、パラジウム、銀（Ａｇ）、銅等の金属及びそれらを主成分とする合金、あるいはそれら合金を含む積層体が用いられる。このうち銀を含む合金の例としては、銀、パラジウム、銅を含んでなるＡＰＣ合金が挙げられる。また銅を含む合金の例としては、マグネシウムを４ａｔ％含む銅合金が挙げられる。第２導電パターン１５を構成する材料も、導電性を有する限りにおいて特には限定されないが、例えば、導電性および透光性を有する透明導電材料が用いられる。第２導電パターン１５を構成する透明導電材料としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛、酸化インジウム、アンチモン添加酸化錫、フッ素添加酸化錫、アルミニウム添加酸化亜鉛、カリウム添加酸化亜鉛、シリコン添加酸化亜鉛や、酸化亜鉛−酸化錫系、酸化インジウム−酸化錫系、酸化亜鉛−酸化インジウム−酸化マグネシウム系などの金属酸化物が用いられる。これらの金属酸化物が２種以上複合されてもよい。
【００２５】
次に図２および図３を参照して、第１導電パターン１２の端部１３の構造について詳細に説明する。図２は、図１に示す第１導電パターン１２の端部１３を拡大して示す断面図であり、図３は、図２に示す第１導電パターン１２の端部１３を拡大して示す図である。図２において、第１導電パターン１２の厚みが符号ｔ１で示されており、第２導電パターン１５の厚みが符号ｔ２で示されている。図２に示す例においては、第１導電パターン１２の厚みｔ１が第２導電パターン１５の厚みｔ２よりも大きくなっている。
【００２６】
図２に示すように、第１導電パターン１２の端部１３は、接続面１３ａと、接続面１３ａに隣接するとともに基板１１に向かって延びる第１隣接面１３ｂと、を含んでいる。ここで接続面１３ａは、端部１３に含まれる複数の面のうち、第２導電パターン１５と接しており、かつ最も基板１１側に位置している面として定義される。図２に示す例において、接続面１３ａは、第１導電パターン１２の上面（基板１１と反対側に位置する面）から基板１１に向かって延びる面となっている。図２において、接続面１３ａと基板１１との間の最短距離が符号ｈによって示されている。
【００２７】
接続面１３ａは、図２に示すように、基板１１との間の距離が小さくなるにつれて外方に移行する領域を有する面、いわゆる順テーパ状の面となっている。一方、第１隣接面１３ｂは、基板１１との距離が小さくなるにつれて内方に移行する領域を有する面、いわゆる逆テーパ状の面となっている。接続面１３ａを少なくとも部分的に順テーパ状の面とすることにより、図２に示すように、接続面１３ａを、基板１１の法線方向から見て少なくとも部分的に外方に露出する面とすることができる。また図２に示すように、接続面１３ａと基板１１との間の最短距離ｈは、第２導電パターン１５の厚みｔ２よりも小さくなっている。このため、第１導電パターン１２が形成された後に第２導電パターン１５が形成される場合であって、かつ、第１導電パターン１２の厚みｔ１が第２導電パターン１５の厚みｔ２よりも大きくなっている場合であっても、第１導電パターン１２と第２導電パターン１５とを接続面１３ａにおいて確実に接触させることができる。このことにより、第１導電パターン１２と第２導電パターン１５との間の電気的な接続を確保することができる。
【００２８】
なお「基板１１の法線方向から見て少なくとも部分的に外方に露出する」とは、図３に示すように接続面１３ａの一部分から基板の外方に向かって基板１１の法線方向に平行に延びる矢印Ｎを描いた場合に、この矢印Ｎが、第１導電パターン１２の他の部分に衝突することがない、ということを意味している。ここで「外方」とは、基板１１から遠ざかる方向を意味している。
【００２９】
第１導電パターン１２の端部１３に、基板１１の法線方向から見て少なくとも部分的に外方に露出している接続面１３ａが存在しているかどうかを判断するための方法が特に限られることはなく、パターンの端部の形状を観察するための一般的な方法が用いられる。例えば、走査型電子顕微鏡や高倍率の光学顕微鏡を用いて第１導電パターン１２の端部１３を観察し、これによって上述の接続面１３ａが存在しているかどうかを判断することができる。この際の観察方向は、基板１１の法線方向に平行な方向に特に限られることはなく、様々な方向からの観察を採用することができる。
【００３０】
次に図３を参照して、接続面１３ａと第１隣接面１３ｂとの関係について説明する。図３において、接続面１３ａと第１隣接面１３ｂとの間の境界部分（境界線）が符号１３ｃで示されている。図３に示すように、境界部分１３ｃにおいて、接続面１３ａが延びる方向Ｔａと、第１隣接面１３ｂが延びる方向Ｔｂとは異なっている。すなわち境界部分は、面が延びる方向が非連続的に変化する部分として定義される。端部１３に含まれる複数の面は、このような境界部分を境として、異なる面として定義される。
【００３１】
積層パターン基板の製造方法
次に図４および図５Ａ〜Ｆを参照して、導電パターン基板１０の製造方法について説明する。図４は、導電パターン基板１０の製造方法を示すフローチャートである。
【００３２】
はじめに基板１１を準備し（工程Ｓ１１）、次に、基板１１上に、導電性を有する第１導電層２１を設ける（工程Ｓ１２）。この第１導電層２１は、パターニングされて第１導電パターン１２となる層である。第１導電層２１は、第１導電パターン１２を構成するための金属材料からなっている。
【００３３】
（第１導電パターン形成工程）
以下、第１導電層２１をパターニングして第１導電パターン１２を形成する第１導電パターン形成工程について説明する。はじめに、第１導電層２１上にレジスト層２５を設ける（工程Ｓ１３）。これによって、図５Ａに示すように、第１導電層２１およびレジスト層２５が設けられた基板１１が準備される。レジスト層２５を構成する材料としては、光溶解型の感光性材料が用いられる。例えば、ノボラック樹脂をベースとしたポジ型感光性樹脂材料などが用いられ得る。なお、レジスト層２５を設けた後、レジスト層２５に対して加熱処理（プリベーク）が実施されてもよい。
【００３４】
次に、レジスト層２５に対する露光・現像処理を実施し、これによって、レジスト層２５をパターニングしてレジストパターン２３を形成する（工程Ｓ１４）。露光処理においては、例えば、レジスト層２５のうち後に形成される第１導電パターン１２に対応する部分には光を照射せず、その他の部分には光を照射するよう構成された露光装置（図示せず）が用いられる。図５Ｂは、形成されたレジストパターン２３を示す図である。レジストパターン２３は、後に形成される第１導電パターン１２に対応するパターンを有している。
【００３５】
次に図５Ｃ（ａ）（ｂ）に示すように、レジストパターン２３をマスクとして第１導電層２１をウェットエッチングする（第１エッチング工程Ｓ１５）。この第１エッチング工程においては、第１導電層２１の端部２２が、基板１１の法線方向から見て少なくとも部分的に外方に露出する第１面２２ａを有するようウェットエッチングが実施される。なお「基板１１の法線方向から見て少なくとも部分的に外方に露出する」とは、上述の接続面１３ａの場合と同様に、第１面２２ａの一部分から基板の外方に向かって基板１１の法線方向に平行に延びる矢印Ｎを描いた場合に、この矢印Ｎが、第１導電層２１の他の部分に衝突することがない、ということを意味している。このような第１面２２ａが第１導電層２１の端部２２に存在しているかどうかの判断方法においても、上述の接続面１３ａの場合と同様の方法が用いられ得る。用いられるエッチング液は、第１導電層２１を構成する材料に応じて適宜選択される。例えば第１導電層２１を構成する金属がアルミニウムやモリブデンからなる場合には、燐酸、硝酸、酢酸、水を容積比で５：５：５：１の割合で配合してなる燐硝酢酸（水）をエッチング液として用いることができる。また、第１導電層２１が銀またはその合金からなる場合には、燐酸、硝酸、酢酸、水を容積比で５：１：５：５の割合で配合してなる燐硝酢酸（水）をエッチング液として用いることができる。
【００３６】
以下、第１エッチング工程において、基板１１の法線方向から見て少なくとも部分的に外方に露出する第１面２２ａが形成されるようウェットエッチングを実施するための方法の一例について説明する。ここでは、エッチング時間を適切に設定することによって上述の第１面２２ａを形成する方法について説明する。
【００３７】
第１エッチング工程におけるエッチング時間は、第１導電層２１をその厚みｔ１分だけエッチングするジャストエッチングに要するエッチング時間（ジャストエッチング時間、以下ＪＥＴ）よりも短くなるよう設定される。すなわちエッチング時間がＪＥＴ−αに設定される。ここでＪＥＴは、レジストパターン２３のような、第１導電層２１に対するエッチング液の接触を阻害する部材が存在しない場合を仮定し、そのような場合に第１導電層２１をその厚みｔ１分だけエッチングすることに要する時間として定義される。
【００３８】
第１エッチング工程においては、第１導電層２１上にレジストパターン２３が存在しているため、レジストパターン２３によって覆われている第１導電層２１がエッチング液から保護されるとともに、レジストパターン２３の近傍においてエッチング液の流動性が阻害される。この場合、レジストパターン２３によって覆われていない第１導電層２１において、レジストパターン２３の端部２４近傍に位置する部分は、端部２４から離れた位置にある部分に比べて、エッチング液に溶解し難くなっている。このため、図５Ｃ（ｂ）に示すように、第１エッチング工程におけるエッチング時間をＪＥＴ−αに設定することによって、順テーパ状の部分（第１面２２ａ）を有する端部２２を形成することができる。なおエッチング時間がＪＥＴ−αに設定されているため、図５Ｃ（ｂ）に示すように、第１導電層２１のうちレジストパターン２３によって覆われていなかった部分にも残渣２１ａが残っている。また図５Ｃ（ｂ）に示すように、第１導電層２１の端部２２には、レジストパターン２３の真下の部分が除去されること、いわゆるアンダーカットや、側方からエッチングされること、いわゆるサイドエッチなどの影響による形状が形成されることもある。
【００３９】
上記αは、ＪＥＴの絶対値、第１導電層２１の厚み、用いられるエッチング液や第１面２２ａの所望の形状などに応じて適宜設定されるが、例えば、０〜６０秒の範囲内、より好ましくは２０〜３０秒の範囲内に設定される。
【００４０】
次に、レジストパターン２３を加熱する（第１焼成工程Ｓ１６）。この第１焼成工程における加熱温度は、加熱によってレジストパターン２３が流動性を有するようになり、この結果、図５Ｄに示すように、加熱に起因する流動によってレジストパターン２３の端部２４が外方に変位するよう、設定されている。図５Ｄにおいて、第１焼成工程における流動によって端部２４が外方に変位することにより形成された第１拡張部が符号２４ａで示されている。図５Ｄに示すように、レジストパターン２３の端部２４の第１拡張部２４ａは、第１導電層２１の端部２２の第１面２２ａを部分的に覆っている。
【００４１】
レジストパターン２３の端部２４を流動によって若干外方へ変位させることは、第１焼成における加熱温度を適切に設定することにより実現され得る。例えば、第１焼成工程における加熱温度は、レジストパターン２３を焼き固めるために実施される一般的なポストベーク処理における加熱温度よりも低く設定される。例えば、レジストパターン２３の材料として、２３０℃よりも高い温度でポストベーク処理が実施されるような材料が用いられる場合、第１焼成工程における加熱温度が１８０〜２３０℃の範囲内に設定される。これによって、レジストパターン２３に所望の流動性を付与することができる。
【００４２】
次に、第１焼成工程によって加熱された後のレジストパターン２３をマスクとして第１導電層２１をさらにウェットエッチングする（第２エッチング工程Ｓ１７）。これによって、図５Ｅに示すように、第１導電層２１の端部２２の第１面２２ａのうちレジストパターン２３の端部２４の第１拡張部２４ａによって覆われていない部分がエッチングされる。このように再度ウェットエッチングを実施することにより、第１導電層２１のうち後に第２導電パターン１５が形成されるべき領域にまで延在している部分を部分的に除去することができる。
【００４３】
図５Ｅにおいて、第２エッチング工程におけるエッチングによって形成された面（第２面）が符号２２ｂで示されている。また、第１面２２ａと第２面２２ｂとの間の境界部分が符号２２ｃで示されている。上述のように、第１導電層２１の端部２２において、第１面２２ａおよび第２面２２ｂは、異なるエッチング工程によって形成された面となっている。このため、第１面２２ａおよび第２面２２ｂは、境界部分２２ｃにおいて面が延びる方向が互いに異なる、非連続な面となっている。このように複数回のエッチング工程によって第１導電層２１をパターニングすることにより、互いに非連続な複数の面を含む端部２２を形成することができる。
【００４４】
その後、第１導電層２１上に残っているレジストパターン２３を除去する（工程Ｓ１８）。これによって、図２および図３に示す端部１３を有する第１導電パターン１２を得ることができる。なお図２および図３と図５Ｅとの比較から明らかなように、第１導電層２１の端部２２における第１面２２ａ，第２面２２ｂおよび境界部分２２ｃが、第１導電パターン１２の端部１３における接続面１３ａ，第１隣接面１３ｂおよび境界部分１３ｃとなっている。
【００４５】
次に、基板１１上に、第１導電パターン１２に電気的に接続され、導電性を有する第２導電パターン１５を形成する（第２導電パターン形成工程Ｓ１９）。第２導電パターン形成工程において、第２導電パターン１５は、図５Ｆに示すように、第１導電パターン１２の端部１３を少なくとも部分的に覆うよう形成される。例えば、スパッタリング法などの、第２導電パターン１５の材料である透明導電材料を基板１１の略法線方向に沿って基板１１に向けて飛翔させ、これによって透明導電材料を基板１１に付着させる方法が用いられる。この場合、第１導電パターン１２の端部１３の第１隣接面１３ｂは逆テーパ状の面となっているため、第１隣接面１３ｂと基板１１との間には透明導電材料がほとんど到達できない。このため図５Ｆに示すように、第１隣接面１３ｂと基板１１との間には空隙１４が形成される。一方、第１導電パターン１２の端部１３の接続面１３ａは順テーパ状の面となっているため、図５Ｆに示すように、透明導電材料が接続面１３ａ上に堆積することができる。この結果、接続面１３ａ上に堆積した透明導電材料、および第１導電パターン１２の上面上に堆積した透明導電材料を介して、第１導電パターン１２と第２導電パターン１５との間における電気的な接続を確保することができる。このようにして、互いに電気的に接続された第１導電パターン１２および第２導電パターン１５を備えた導電パターン基板１０を得ることができる。
【００４６】
なお、図１および図５Ｆに示すパターンを有する第２導電パターン１５を得るための方法が特に限られることはなく、様々な方法が用いられ得る。例えば、基板１１上の領域のうち第２導電パターン１５が形成されない領域を覆うマスク（図示せず）を配置した状態でスパッタリングを実施し、これによって第２導電パターン１５を形成してもよい。若しくは、はじめに基板１１上の全域にわたって、透明導電材料からなる層（第２導電層、図示せず）を形成し、次に、フォトリソグラフィー法などを用いて第２導電層をパターニングし、これによって第２導電パターン１５を形成してもよい。
【００４７】
このように本実施の形態によれば、上述の第１エッチング工程、第１焼成工程および第２エッチング工程を順次実施することにより、基板１１の法線方向から見て少なくとも部分的に外方に露出する接続面１３ａを含む端部１３を有する第１導電パターン１２を形成することができる。このことにより、第１導電パターン１２と、その後に形成される第２導電パターン１５との間における電気的な接続を確保することができる。
【００４８】
また本実施の形態によれば、上述の第２エッチング工程を実施することにより、第１導電パターン１２の端部１３が、第２導電パターン１５が形成されるべき領域にまで延在することを抑制することができる。このため、例えば第１導電パターン１２が遮光性を有する金属材料から構成され、第２導電パターン１５が透光性を有する透明導電材料から構成される場合に、第２導電パターン１５が形成される領域における透光性が第１導電パターン１２によって阻害されることを抑制することができる。このことにより、第１導電パターン１２と第２導電パターン１５との間における電気的な接続を確保するとともに、良好な透光特性を有する導電パターン基板１０を得ることができる。
【００４９】
なお、上述のように複数回のエッチング工程を繰り返したとしても、第１導電パターン１２の端部１３が若干、第２導電パターン１５が形成されるべき領域に向かって突出することがある。図２において、端部１３の突出長さが符号ｗによって示されている。突出長さｗの具体的な値は、実現可能なエッチングの精度や、第２導電パターン１５が形成される領域の寸法などに応じて適宜決定されるが、例えば１０μｍ以下となっている。
【００５０】
比較の形態
次に、図６Ａおよび図６Ｂを参照して、本実施の形態の効果を比較の形態と比較して説明する。図６Ａおよび図６Ｂに示す比較の形態は、本実施の形態における第１焼成工程および第２エッチング工程が実施されない点、すなわち、１回のウェットエッチングのみで第１導電パターン１２の端部１３が形成される点が異なるのみであり、他の構成は、上述の本実施の形態の場合と同様である。図６Ａおよび図６Ｂに示す比較の形態において、上述の本実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。
【００５１】
図６Ａは、比較の形態において、第１導電層２１をエッチングする工程を示す図であり、本実施の形態における図５Ｃ（ｂ）に対応する図である。また図６Ｂは、比較の形態において、第２導電パターン１５を形成する工程を示す図であり、本実施の形態における図５Ｆに対応する図である。比較の形態においては、１回のウェットエッチングによって第１導電層２１をパターニングすることにより、第１導電パターン１２が形成される。このため比較の形態においては、エッチング時間がＪＥＴ＋βに設定される。すなわち、ＪＥＴよりも長い時間にわたって第１導電層２１がエッチングされる。なぜなら、比較の形態においては、第２導電パターン１５が形成されるべき領域にまで延在しないように成形された端部２２’を１回のウェットエッチングによって形成するため、エッチング時間を長めに設定する必要があるからである。この結果、図６Ａに示すように、第１導電層２１の端部２２’の第１面２２ａ’が逆テーパ状の面になってしまうと考えられる。
【００５２】
上述の本実施の形態における第２導電パターン１５の形成工程において説明したように、スパッタリングの際、逆テーパ状になっている第１面２２ａ’と基板１１との間には、透明導電材料がほとんど到達できない。ここで、第１導電パターン１２’の厚みｔ１が第２導電パターン１５の厚みｔ２よりも大きくなっている場合、図６Ｂに示すように、第１導電パターン１２’の上面上に堆積される透明導電材料からなる第２導電パターン１５と、基板１１上に堆積される透明導電材料からなる第２導電パターン１５との間が断線されてしまうことになる。このため、第１導電パターン１２と第２導電パターン１５との間の電気的な接続を確保することができない。
【００５３】
これに対して本実施の形態によれば、上述のように複数回のウェットエッチングを繰り返すことにより、少なくとも１回目のウェットエッチング（第１エッチング工程）を、ＪＳＴ以下のエッチング時間で実施することができる。これによって、順テーパ状の接続面１３ａを少なくとも部分的に第１導電パターン１２の端部１３に形成することができ、このことにより、接続面１３ａ上に堆積される透明導電材料を介して、第１導電パターン１２と第２導電パターン１５との間の電気的な接続を確実に実現することができる。また複数回のウェットエッチングを繰り返すことにより、端部１３が第２導電パターン１５に向かって突出する突出長さｗを可能な限り小さくすることができる。
【００５４】
第１導電パターンおよび第１導電パターンの形成工程の変形例
なお上述の本実施の形態において、第１エッチング工程によって形成される第１面２２ａが、第１導電パターン１２の端部１３の接続面１３ａとなっている例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、第２エッチング工程またはそれ以降のエッチング工程によって形成される面が、第１導電パターン１２の端部１３の接続面１３ａとなっていてもよい。このように、第２エッチング工程またはそれ以降のエッチング工程によって形成される面が接続面１３ａとなる例について説明する。
【００５５】
（第１の変形例）
図７Ａは、変形例における第２エッチング工程を示す図であり、本実施の形態における図５Ｅに対応する図である。図７Ａに示すように、本変形例においては、第２エッチング工程によって形成される第２面２２ｂが、基板１１の法線方向から見て少なくとも部分的に外方に露出するよう、エッチングが実施される。すなわち、第２面２２ｂが順テーパ状の面となるよう、エッチングが実施される。図８は、このようにして形成された第１導電パターン１２を備えた導電パターン基板１０を示す図である。
【００５６】
図８に示す例において、端部１３に含まれる複数の面のうち、第２導電パターン１５と接している面であって、最も基板１１側に位置している面が符号１３ａによって示されている。図７Ａおよび図８から明らかなように、図８に示す例においては、第２エッチング工程によって形成された第２面２２ｂが、端部１３の接続面１３ａとなっている。一方、接続面１３ａを介して接続面１３ａと隣接する第１隣接面１３ｂは、第１エッチング工程によって形成された第１面２２ａから構成されている。本変形例によれば、第１導電パターン１２の端部１３の面１３ａ，１３ｂいずれもが、第２導電パターン１５に接し得る面となっている。このため、第１導電パターン１２と第２導電パターン１５との間の電気的な接続をより確実に確保することができる。また本変形例によれば、第２エッチング工程を実施することにより、上述の比較の形態に比べて、第１導電パターン１２の端部１３が、第２導電パターン１５が形成されるべき領域にまで延在することを抑制することができる。
【００５７】
（第２の変形例）
次に、図７Ａに示す第２エッチング工程の後、さらに第２焼成工程および第３エッチング工程を実施する例について説明する。図７Ｂは、図７Ａに示す第２エッチング工程の後、レジストパターン２３を加熱する第２焼成工程であって、加熱に起因する流動によってレジストパターン２３の端部２４がさらに外方に変位する、第２焼成工程を実施する場合を示す図である。第２焼成工程は、上述の第１焼成工程と略同一であるので、詳細な説明は省略する。第２焼成工程を実施することにより、図７Ｂに示すように、加熱に起因する流動によってレジストパターン２３の端部２４がさらに外方に変位する。この結果、図７Ｂに示すように、レジストパターン２３の端部２４において、第１導電層２１の端部２２の第２面２２ｂを部分的に覆う第２拡張部２４ｂが形成される。
【００５８】
図７Ｃは、図７Ｂに示す第２焼成工程の後、レジストパターン２３をマスクとして第１導電層２１をさらにウェットエッチングする第３エッチング工程を示す図である。第３エッチング工程を実施することによって、図７Ｃに示すように、第１導電層２１の端部２２の第２面２２ｂのうちレジストパターン２３の端部２４の第２拡張部２４ｂによって覆われていない部分がエッチングされる。このように再度ウェットエッチングを実施することにより、第１導電層２１のうち後に第２導電パターン１５が形成されるべき領域にまで延在している部分をさらに除去することができる。なお図７Ｃにおいては、第３エッチング工程によって形成される第３面２２ｄが逆テーパ状となるようエッチングが実施される例を示している。図９は、このようにして形成された第１導電パターン１２を備えた導電パターン基板１０を示す図である。
【００５９】
図９に示す例において、端部１３に含まれる複数の面のうち、第２導電パターン１５と接している面であって、最も基板１１側に位置している面が符号１３ａによって示されている。図７Ｃおよび図９から明らかなように、図９に示す例においては、第２エッチング工程によって形成された第２面２２ｂが、端部１３の接続面１３ａとなっている。一方、境界部分１３ｃを介して接続面１３ａと隣接する第１隣接面１３ｂは、第３エッチング工程によって形成された第３面２２ｄから構成されている。また本変形例において、第１導電パターン１２の端部１３は、境界部分１３ｅを介して接続面１３ａと隣接する第２隣接面１３ｄであって、第１エッチング工程によって形成された第１面２２ａから構成された第２隣接面１３ｄをさらに含んでいる。本変形例によれば、第１導電パターン１２の端部１３の面１３ａ，１３ｄいずれもが、第２導電パターン１５に接し得る面となっており、これによって、第１導電パターン１２と第２導電パターン１５との間の電気的な接続をより確実に確保することができる。また本変形例によれば、第３エッチング工程を実施することにより、上述の図８に示す第１の変形例の場合に比べて、第１導電パターン１２の端部１３が、第２導電パターン１５が形成されるべき領域にまで延在することを抑制することができる。
【００６０】
（第３の変形例）
なお図７Ｃに示す第２の変形例においては、形成される第３面２２ｄが逆テーパ状となるようエッチングが実施される例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、図示はしないが、第３エッチング工程において、形成される第３面２２ｄが順テーパ状となるようエッチングが実施されてもよい。図１０は、このようにして形成された第１導電パターン１２を備えた導電パターン基板１０を示す図である。
【００６１】
図１０に示す例において、端部１３に含まれる複数の面のうち、第２導電パターン１５と接している面であって、最も基板１１側に位置している面が符号１３ａによって示されている。図１０に示す例においては、第３エッチング工程によって形成された第３面２２ｄが、端部１３の接続面１３ａとなっている。一方、境界部分１３ｃを介して接続面１３ａと隣接する第１隣接面１３ｂは、第２エッチング工程によって形成された第３面２２ｂから構成されている。また、境界部分１３ｅを介して第１隣接面１３ｂと隣接する第２隣接面１３ｄは、第１エッチング工程によって形成された第１面２２ａから構成されている。本変形例によれば、第１導電パターン１２の端部１３の面１３ａ，１３ｂ，１３ｄいずれもが、第２導電パターン１５に接し得る面となっている。このため、第１導電パターン１２と第２導電パターン１５との間の電気的な接続をより確実に確保することができる。また本変形例によれば、第３エッチング工程を実施することにより、上述の図８に示す第１の変形例の場合に比べて、第１導電パターン１２の端部１３が、第２導電パターン１５が形成されるべき領域にまで延在することを抑制することができる。
【００６２】
（その他の変形例）
なお、第１導電パターン形成工程において実施されるウェットエッチングの回数の上限が３回に限られることはなく、４回またはそれ以上の回数のウェットエッチングを実施してもよい。多数のウェットエッチングおよび焼成工程を繰り返して第１導電パターン１２を形成することにより、第１導電パターン１２の端部１３の形状をより精密に制御することができる。このことにより、第１導電パターン１２と第２導電パターン１５との間の電気的な接続をより確実に確保するとともに、第１導電パターン１２の端部１３が、第２導電パターン１５が形成されるべき領域にまで延在することをより抑制することができる。
【００６３】
また上述の本実施の形態および各変形例において、第１導電パターン１２の厚みｔ１が第２導電パターン１５の厚みｔ２よりも大きくなっている例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、図示はしないが、第１導電パターン１２の厚みｔ１が第２導電パターン１５の厚みｔ２よりも小さくなっている場合に、上述の本実施の形態および各変形例による第１導電パターン形成工程が実施されてもよい。一般に、第１導電パターン１２の厚みｔ１が第２導電パターン１５の厚みｔ２よりも小さくなっている場合は、第１導電パターン１２の端部１３が逆テーパ状の面のみを含んでいる場合であっても、第１導電パターン１２の端部１３を覆うよう第２導電パターン１５を形成することにより、第１導電パターン１２と第２導電パターン１５との間の電気的な接続を確保することができると考えられる。この場合であっても、上述の本実施の形態および各変形例による第１導電パターン形成工程を実施することにより、上述のように、第１導電パターン１２の端部１３が、少なくとも部分的に順テーパ状となっている面を有することができる。このため、第１導電パターン１２と第２導電パターン１５との間の電気的な接続をより強固なものとすることができる。
【００６４】
第２の実施の形態
次に図１１乃至図１６Ｅを参照して、本発明の第２の実施の形態について説明する。第２の実施の形態においては、上述の第１の実施の形態における第１導電パターン形成工程を用いてタッチパネルセンサ３０を製造する方法について説明する。図１１乃至図１６Ｅに示す第２の実施の形態において、上述の第１の実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。
【００６５】
タッチパネルセンサ
はじめに図１１を参照して、本実施の形態によるタッチパネルセンサ３０全体について説明する。図１１は、タッチパネルセンサ３０を示す平面図である。
【００６６】
タッチパネルセンサ３０は、タッチパネルセンサ３０への外部導体（例えば、人間の指）の接触位置または接近位置を検知して、検知に基づく信号を外部に送るものである。このタッチパネルセンサ３０は、基板１１と、基板１１上に所定のパターンで設けられ、接触位置などのいわゆるタッチを検出する検出パターン３５と、検出パターン３５に電気的に接続された取出パターン３２と、を備えている。検出パターン３５は、図１１に示すように、第１方向に沿って、例えば図１１の左右方向に沿って延びる複数のパターンと、第２方向に沿って、例えば図１１の上下方向に沿って延びる複数のパターンと、を有している。このうち第１方向に沿って延びるパターンは、第１方向に沿って並べられた複数の第１電極部３６ａと、隣り合う２つの第１電極部３６ａを接続する第１ブリッジ部３７ａと、を含んでいる。第１方向に沿って延びるパターンにおいて、少なくとも１つの第１電極部３６ａは、図１１に示すように取出パターン３２に接続されている。また第２方向に沿って延びるパターンは、第２方向に沿って並べられた複数の第２電極部３６ｂと、隣り合う２つの第２電極部３６ｂを接続する第２ブリッジ部３７ｂと、を含んでいる。第２方向に沿って延びるパターンにおいて、少なくとも１つの第２電極部３６ｂは、図１１に示すように取出パターン３２に接続されている。
【００６７】
取出パターン３２は、検出パターン３５からの信号をタッチパネルセンサ３０の外部へ伝達させるために形成されたパターンであり、基板１１の周縁部に沿って延びるよう構成されている。取出パターン３２は、図１１に示すように、外部のコネクタ（図示せず）などとの間の接続のために形成された端子部３２ａを含んでいてもよい。
【００６８】
タッチパネルセンサ３０において、検出パターン３５が設けられている領域は、タッチパネルセンサ３０が液晶表示装置などと組み合わされる時に画像などが表示される表示領域となっている。一方、取出パターン３２が設けられている領域は、画像などが表示されない非表示領域となっている。検出パターン３５を構成する材料としては、例えば上述の第１の実施の形態における第２導電パターン１５の場合と同様に、導電性および透光性を有する透明導電材料が用いられる。一方、取出パターン３２を構成する材料としては、例えば上述の第１の実施の形態における第１導電パターン１２の場合と同様に、導電性および遮光性を有する金属材料が用いられる。
【００６９】
次にタッチパネルセンサ３０の層構成について説明する。図１２および図１３はそれぞれ、図１１に示すタッチパネルセンサをＸII−ＸII方向およびＸIII−ＸIII方向から見た縦断面図である。図１２および図１３に示すように、取出パターン３２および検出パターン３５は、いずれも基板１１の一側１１ａに設けられている。
【００７０】
図１２および図１３に示すように、検出パターン３５において、第１電極部３６ａ，第２電極部３６ｂおよび第１ブリッジ部３７ａは、基板１１の一側１１ａの面上に形成されたパターンとなっている。一方、第２ブリッジ部３７ｂは、第１ブリッジ部３７ａ上に設けられた絶縁層３８上に設けられたパターンとなっている。このように第１ブリッジ部３７ａと第２ブリッジ部３７ｂとの間に絶縁層３８を介在させることによって、第１ブリッジ部３７ａと第２ブリッジ部３７ｂとの間が導通することを防ぎながら、隣接する２つの電極部３６ａ，３６ｂを電気的に接続することができる。絶縁層３８を構成する材料としては、絶縁性を有する材料が用いられ、例えば感光性を有するアクリル樹脂等が用いられる。なお図１２および図１３に示すように、絶縁層３８は、第１ブリッジ部３７ａと第２ブリッジ部３７ｂとの間だけでなく、第１電極部３６ａおよび第２電極部３６ｂ上にさらに設けられていてもよい。
【００７１】
好ましくは、図１２および図１３において二点鎖線で示すように、基板１１の他側１１ｂには、カラーフィルタ、反射防止膜や偏光板など、表示装置（図示せず）を構成する上で用いられる何らかの表示装置用部材５０が設けられている。この場合、タッチパネルセンサ３０の基板１１は、表示装置用部材５０と共通で使用される基板となっている。すなわちタッチパネルセンサ３０は、オンセル型のタッチパネルセンサとなっている。なおタッチパネルセンサ３０がオンセル型のタッチパネルセンサに限られることはない。例えばタッチパネルセンサ３０は、液晶表示装置のＴＦＴ基板とともに構成される、いわゆるインセル型のタッチパネルセンサとなっていてもよい。
【００７２】
図１２および図１３に示すように、タッチパネルセンサ３０は、第１ブリッジ部３７ａおよび絶縁層３８上に設けられたオーバーコート層３９をさらに備えていてもよい。このようなオーバーコート層３９を設けることにより、第１ブリッジ部３７ａおよび絶縁層３８が損傷することや、外部からの水分がタッチパネルセンサ３０の内部に入り込むことを防ぐことができる。このようなオーバーコート層３９を構成する材料としては、絶縁性を有する材料が用いられ、例えば光硬化性アクリル樹脂が用いられる。
【００７３】
次に、取出パターン３２と検出パターン３５との間の電気的な接続の態様について説明する。図１２および図１３に示すように、検出パターン３５は、取出パターン３２の端部１３を少なくとも部分的に覆うよう形成されている。図１４は、図１２および図１３に示す取出パターン３２の端部１３を拡大して示す断面図である。図１４に示すように、取出パターン３２の端部１３は、接続面１３ａと、接続面１３ａに隣接するとともに基板１１に向かって延びる第１隣接面１３ｂと、を含んでいる。取出パターン３２の端部１３および端部１３を構成する面１３ａ，１３ｂは、図２および図３に示す上述の第１の実施の形態における端部１３および面１３ａ，１３ｂと同一である。すなわち、本実施の形態における取出パターン３２は、上述の第１の実施の形態における第１導電パターン１２に相当している。一方、本実施の形態における検出パターン３５は、上述の第１の実施の形態における第２導電パターン１５に相当している。このように、第１の実施の形態における第１導電パターン１２と第２導電パターン１５との間の電気的な接続の態様と同様の態様を利用して取出パターン３２と検出パターン３５とを接続することにより、取出パターン３２と検出パターン３５との間における電気的な接続を確保することができる。
【００７４】
なお検出パターン３５は、取出パターン３２の端部１３近傍においてのみでなく、端部１３から離れた位置においても取出パターン３２の上面を覆うよう形成されていてもよい。例えば図１２および図１３に示すように、検出パターン３５は、取出パターン３２を全域にわたって覆うよう形成されていてもよい。この場合、検出パターン３５の電極部３６ａ，３６ｂによって検出された信号を外部に取り出す際、信号は、取出パターン３２だけでなく、検出パターン３５のうち取出パターン３２上に設けられた部分をも通ることができる。これによって、電極部３６ａ，３６ｂによって検出された信号をより低い抵抗で外部へ送ることができる。
【００７５】
積層パターン基板の製造方法
次に図１５乃至図１６Ｅを参照して、タッチパネルセンサ３０の製造方法について説明する。図１５は、タッチパネルセンサ３０の製造方法を示すフローチャートである。
【００７６】
はじめに基板１１を準備し（工程Ｓ３１）、次に、基板１１上に、導電性を有する第１導電層２１を設ける（工程Ｓ３２）。この第１導電層２１は、パターニングされて取出パターン３２となる層である。第１導電層２１は取出パターン３２を構成するための金属材料からなっている。
【００７７】
（取出パターン形成工程）
次に、第１導電層２１をパターニングして取出パターン３２を形成する取出パターン形成工程を実施する。取出パターン形成工程においては、はじめに、第１導電層２１上にレジスト層２５を設け（工程Ｓ３３）、次に、レジスト層２５を露光・現像してレジストパターンを形成する（工程Ｓ３４）。その後、レジストパターン２３をマスクとして第１導電層２１を、その端部２２が、基板１１の法線方向から見て少なくとも部分的に外方に露出する第１面２２ａを有するようウェットエッチングする（第１エッチング工程Ｓ３５）。次に、レジストパターン２３を加熱する工程であって、加熱に起因する流動によってレジストパターン２３の端部２４を外方に変位させる工程（第１焼成工程Ｓ３６）を実施する。その後、レジストパターン２３をマスクとして、第１導電層２１をさらにウェットエッチングする（第２エッチング工程Ｓ３７）。次に、第１導電層２１上に残っているレジストパターン２３を除去する（工程Ｓ３８）。これによって、図１４に示す端部１３を有する取出パターン３２を得ることができる（図１６Ａ参照）。なお上述の工程Ｓ３３〜３８は、図５Ａ乃至図５Ｅに示す第１の実施の形態における工程Ｓ１３〜１８と略同一であるので、詳細な説明を省略する。
【００７８】
（検出パターン形成工程の第１工程）
次に、基板１１上に、取出パターン３２に電気的に接続され、導電性を有する検出パターン３５の一部分を形成する。具体的には、検出パターン３５のうち、第１電極部３６ａ，第２電極部３６ｂおよび第１ブリッジ部３７ａを形成する（工程Ｓ３９）。本工程において、検出パターン３５の少なくとも１つの第２電極部３６ｂは、図１６Ｂに示すように、取出パターン３２の端部１３を少なくとも部分的に覆うよう形成される。同様に、図示はしないが、検出パターン３５の少なくとも１つの第１電極部３６ａは、取出パターン３２の端部１３を少なくとも部分的に覆うよう形成される。例えば、スパッタリング法などの、検出パターン３５の材料である透明導電材料を基板１１の略法線方向に沿って基板１１に向けて飛翔させ、これによって透明導電材料を基板１１に付着させる方法が用いられる。
【００７９】
ここで上述のように、取出パターン３２の端部１３の接続面１３ａは順テーパ状の面となっている。このため図１４に示すように、透明導電材料が接続面１３ａ上に堆積することができる。この結果、接続面１３ａ上に堆積した透明導電材料、および取出パターン３２の上面上に堆積した透明導電材料を介して、取出パターン３２と検出パターン３５の電極部３６ａ，３６ｂとの間における電気的な接続を確保することができる。
【００８０】
なお、図１６Ｂに示すパターンを有する電極部３６ａ，第２電極部３６ｂおよび第１ブリッジ部３７ａを得るための方法が特に限られることはなく、様々な方法が用いられ得る。例えば、基板１１上の領域のうち電極部３６ａ，第２電極部３６ｂおよび第１ブリッジ部３７ａが形成されない領域を覆うマスク（図示せず）を配置した状態でスパッタリングを実施し、これによって電極部３６ａ，第２電極部３６ｂおよび第１ブリッジ部３７ａを形成してもよい。若しくは、はじめに基板１１上の全域にわたって、透明導電材料からなる層（第２導電層、図示せず）を形成し、次に、フォトリソグラフィー法などを用いて第２導電層をパターニングし、これによって電極部３６ａ，第２電極部３６ｂおよび第１ブリッジ部３７ａを形成してもよい。
【００８１】
（絶縁層の形成工程）
次に図１６Ｃに示すように、少なくとも第１ブリッジ部３７ａ上に、絶縁性を有する絶縁層３８を形成する（工程Ｓ４０）。なお図１６Ｃに示すように、第２電極部３６ｂ上にも絶縁層３８を形成してもよい。この場合、第２電極部３６ｂ上の領域のうち後に第２ブリッジ部３７ｂが形成される領域には絶縁層３８が存在しないよう、絶縁層３８が形成される。
【００８２】
（検出パターン形成工程の第２工程）
次に図１６Ｄに示すように、隣り合う２つの第２電極部３６ｂを接続する第２ブリッジ部３７ｂを形成する（工程Ｓ４１）。本工程において、検出パターン３５の第２ブリッジ部３７ｂは、図１６Ｄに示すように、第２電極部３６ｂの上面において第２電極部３６ｂと接続されるよう形成される。このため、第２電極部３６ｂの端部の形状に依らず、第２電極部３６ｂと第２ブリッジ部３７ｂとの間の電気的な接続を確保することができる。
【００８３】
なお、図１６Ｄに示すパターンを有する第２ブリッジ部３７ｂを得るための方法が特に限られることはなく、様々な方法が用いられ得る。例えば、基板１１上の領域のうち第２ブリッジ部３７ｂが形成されない領域を覆うマスク（図示せず）を配置した状態でスパッタリングを実施し、これによって第２ブリッジ部３７ｂを形成してもよい。若しくは、はじめに基板１１上の全域にわたって、透明導電材料からなる層（ブリッジ部用導電層、図示せず）を形成し、次に、フォトリソグラフィー法などを用いてブリッジ部用導電層をパターニングし、これによって第２ブリッジ部３７ｂを形成してもよい。
【００８４】
（オーバーコート層の形成工程）
次に図１６Ｅに示すように、第２ブリッジ部３７ｂおよび絶縁層３８上にオーバーコート層３９を形成する（工程Ｓ４２）。このようにしてタッチパネルセンサ３０を得ることができる。
【００８５】
このように本実施の形態によれば、上述の第１エッチング工程、第１焼成工程および第２エッチング工程を順次実施することにより、基板１１の法線方向から見て少なくとも部分的に外方に露出する接続面１３ａを含む端部１３を有する取出パターン３２を形成することができる。このことにより、取出パターン３２と、その後に形成される検出パターン３５との間における電気的な接続を確保することができる。
【００８６】
また本実施の形態によれば、上述の第２エッチング工程を実施することにより、取出パターン３２の端部１３が、検出パターン３５が形成されるべき領域にまで延在することを抑制することができる。すなわち、検出パターン３５が表示領域にまで延在することを抑制することができる。これによって、表示領域における透光性が取出パターン３２によって阻害されることを抑制することができる。このことにより、取出パターン３２と検出パターン３５との間における電気的な接続を確保するとともに、良好な透光特性を有するタッチパネルセンサ３０を得ることができる。
【００８７】
なお、上述のように複数回のエッチング工程を繰り返したとしても、取出パターン３２の端部１３が若干、表示領域に向かって突出することになる。図１４において、端部１３の突出長さが符号ｗによって示されている。突出長さｗの具体的な値は、実現可能なエッチングの精度や、表示領域および各電極部３６ａ，３６ｂの寸法などに応じて適宜決定されるが、例えば１０μｍ以下となっている。
【００８８】
なお本実施の形態において、取出パターン形成工程として、図５Ａ乃至図５Ｅに示す第１の実施の形態における工程が用いられる例を示したが、これに限られることはない。本実施の形態における取出パターン形成工程として、上述の第１の実施形態の各変形例による工程が用いられてもよい。すなわち、順テーパ状の面を２つ以上含む端部１３を有する取出パターン３２が形成されるよう、取出パターン形成工程を実施してもよい。また、３回以上のエッチング工程を有する取出パターン形成工程を実施してもよい。
【００８９】
第３の実施の形態
次に図１７および図１８を参照して、本発明の第３の実施の形態について説明する。第３の実施の形態は、検出パターン３５の第２ブリッジ部３７ｂを形成する工程が、検出パターン３５の第１電極部３６ａ，第２電極部３６ｂおよび第１ブリッジ部３７ａを形成する工程よりも先に形成される点が異なるのみであり、他の構成は、図１１乃至図１６Ｅに示す第２の実施の形態と略同一である。第３の実施の形態において、図１１乃至図１６Ｅに示す第２の実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。
【００９０】
タッチパネルセンサ
はじめに図１７を参照して、本実施の形態によるタッチパネルセンサ３０について説明する。図１７は、タッチパネルセンサ３０を示す断面図であって、第２の実施の形態における図１２に対応する図である。
【００９１】
図１７に示すように、検出パターン３５において、第１電極部３６ａ（図示せず），第２電極部３６ｂおよび第２ブリッジ部３７ｂは、基板１１の一側１１ａの面上に形成されたパターンとなっている。一方、第１ブリッジ部３７ａは、第２ブリッジ部３７ｂ上に設けられた絶縁層３８上に設けられたパターンとなっている。なお、取出パターン３２と検出パターン３５との間の電気的な接続の態様は、上述の第２の実施の形態の場合と同一であるので、詳細な説明を省略する。
【００９２】
積層パターン基板の製造方法
次に図１８を参照して、タッチパネルセンサ３０の製造方法について説明する。図１８は、タッチパネルセンサ３０の製造方法を示すフローチャートである。
【００９３】
はじめに基板１１を準備し（工程Ｓ３１）、次に、基板１１上に、導電性を有する第１導電層２１を設ける（工程Ｓ３２）。次に、第１導電層２１をパターニングして取出パターン３２を形成する取出パターン形成工程（工程Ｓ３３〜Ｓ３８）を実施する。これらの工程Ｓ３１〜３８は、第２の実施の形態における工程Ｓ３１〜３８と略同一であるので、詳細な説明を省略する。
【００９４】
（検出パターン形成工程の第１工程）
次に、基板１１上に、取出パターン３２に電気的に接続され、導電性を有する検出パターン３５の一部分を形成する。本実施の形態においては、まず、検出パターン３５のうち第２ブリッジ部３７ｂを形成する（工程Ｓ４１）。第２ブリッジ部３７ｂを得るための方法が特に限られることはなく、上述の第２の実施の形態の場合と同様に、マスクを用いたスパッタリングや、フォトリソグラフィー法によるパターニングなどが適宜実施される。なおフォトリソグラフィー法によるパターニングが実施される場合、取出パターン形成工程の場合と同様のエッチング工程が実施されてもよい。すなわち、第２ブリッジ部３７ｂの端部が少なくとも部分的に順テーパ状の面を含むよう、複数回のウェットエッチングが繰り返されてもよい。これによって、第２ブリッジ部３７ｂと第２電極部３６ｂとの間の電気的な接続を確実に確保することができる。
【００９５】
（絶縁層の形成工程）
次に、第２ブリッジ部３７ｂ上に、絶縁性を有する絶縁層３８を形成する（工程Ｓ４０）。
【００９６】
（検出パターン形成工程の第２工程）
その後、基板１１上に、検出パターン３５のうち、第１電極部３６ａ，第２電極部３６ｂおよび第１ブリッジ部３７ａを形成する（工程Ｓ３９）。このうち少なくとも１つの第１電極部３６ａおよび第２電極部３６ｂは、取出パターン３２の端部１３を少なくとも部分的に覆うよう形成される。また各第２電極部３６ｂは、隣り合う２つの第２電極部３６ｂが、先に形成されている第２ブリッジ部３７ｂによって接続されるよう形成される。第１電極部３６ａ，第２電極部３６ｂおよび第１ブリッジ部３７ａを得るための方法が特に限られることはなく、上述の第２の実施の形態の場合と同様に、マスクを用いたスパッタリングや、フォトリソグラフィー法によるパターニングなどが適宜実施される。
【００９７】
ここで上述のように、取出パターン３２の端部１３の接続面１３ａは順テーパ状の面となっている。このため本実施の形態においても、透明導電材料が接続面１３ａ上に堆積することができる。この結果、接続面１３ａ上に堆積した透明導電材料、および取出パターン３２の上面上に堆積した透明導電材料を介して、取出パターン３２と検出パターン３５の電極部３６ａ，３６ｂとの間における電気的な接続を確保することができる。
【００９８】
（オーバーコート層の形成工程）
次に、電極部３６ａ，３６ｂ，第２ブリッジ部３７ｂおよび絶縁層３８上にオーバーコート層３９を形成する（工程Ｓ４２）。このようにして、図１７に示すタッチパネルセンサ３０を得ることができる。
【００９９】
タッチパネルセンサの製造方法の変形例
次に図１９乃至図２０Ｅを参照して、第３の実施の形態におけるタッチパネルセンサの製造方法の変形例を説明する。本変形例におけるタッチパネルセンサの製造方法は、取出パターン３２を形成するための第２エッチング工程Ｓ３７が、検出パターン３５の第２ブリッジ部３７ｂを形成するためのブリッジ部用エッチング工程と同時に実施される点が異なるのみであり、他の構成は、図１７および図１８に示す第３の実施の形態と略同一である。本変形例において、図１７および図１８に示す第３の実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。
【０１００】
上述の第３の実施の形態において、検出パターン形成工程の第１工程によって形成される第２ブリッジ部３７ｂは、取出パターン３２とは接していないパターンとなっている。このため、仮に第２ブリッジ部３７ｂがフォトリソグラフィー法を用いて形成される場合、エッチング工程（ブリッジ部用エッチング工程）の際、ブリッジ部用導電層をウェットエッチングするためのエッチング液は、同時に取出パターン３２にも接することができる。このため本変形例においては、ブリッジ部用エッチング工程が、取出パターン形成工程の第２エッチング工程Ｓ３７を兼ねることができ、これによって、第２エッチング工程Ｓ３７を不要とすることができる。このため、タッチパネルセンサ３０の製造に要する工数を削減することができ、これによって、タッチパネルセンサ３０の製造コストを低減することができる。以下、本変形例におけるタッチパネルセンサ３０の製造方法について説明する。
【０１０１】
図１９は、本変形例におけるタッチパネルセンサ３０の製造方法を示すフローチャートである。はじめに図１９に示すように、基板１１を準備する工程Ｓ３１〜レジストパターン２３を加熱する第１焼成工程Ｓ３６までを実施する。図２０Ａは、第１エッチング工程Ｓ３５および第１焼成工程Ｓ３６の第１導電層２１およびレジストパターン２３を示す図である。
【０１０２】
（検出パターン形成工程の第１工程）
次に、検出パターン３５のうち第２ブリッジ部３７ｂを形成する（工程Ｓ４１）。工程Ｓ４１においては、はじめに図２０Ｂに示すように、基板１１上の全域にわたって、第２ブリッジ部３７ｂを構成するための透明導電材料からなるブリッジ部用導電層２６を設ける。次に図２０Ｂに示すように、ブリッジ部用導電層２６のうち後に第２ブリッジ部３７ｂとなるべき部分を覆うレジストパターン２７を形成する。その後、図２０Ｃに示すように、レジストパターン２７をマスクとしてブリッジ部用導電層２６をウェットエッチングする。これによって、ブリッジ部用導電層２６のうちレジストパターン２７によって保護されていない部分が除去され、第２ブリッジ部３７ｂが形成される。同時に、第１の実施の形態における第２エッチング工程の場合と同様に、第１導電層２１の端部２２の第１面２２ａのうちレジストパターン２３の端部２４の第１拡張部２４ａによって覆われていない部分が除去される。これによって、順テーパ状の接続面１３ａを含む端部１３を有する取出パターン３２を得ることができる。なおエッチング液としては、ブリッジ部用導電層２６および第１導電層２１の両方を溶解することができるエッチング液が用いられる。
【０１０３】
（絶縁層の形成工程）
その後、レジストパターン２３およびレジストパターン２７を除去し（工程Ｓ３８）、次に、図２０Ｄに示すように、第２ブリッジ部３７ｂ上に、絶縁性を有する絶縁層３８を形成する（工程Ｓ４０）。
【０１０４】
（検出パターン形成工程の第２工程）
その後、図２０Ｅに示すように、基板１１上に、検出パターン３５のうち、第１電極部３６ａ，第２電極部３６ｂおよび第１ブリッジ部３７ａを形成する（工程Ｓ３９）。
【０１０５】
（オーバーコート層の形成工程）
次に、電極部３６ａ，３６ｂ，第２ブリッジ部３７ｂおよび絶縁層３８上にオーバーコート層３９を形成する（工程Ｓ４２）。このようにしてタッチパネルセンサ３０を得ることができる。
【０１０６】
このように本変形例によれば、取出パターン形成工程の第２エッチング工程Ｓ３７を、検出パターン形成工程の第１工程のブリッジ部用エッチング工程と同時に実施することができる。これによって、タッチパネルセンサ３０の製造に要する工数を削減することができる。
【０１０７】
変形例
なお上述の各実施の形態およびそれらの変形例において、検出パターン３５の第２ブリッジ部３７ｂが、透光性を有する透明導電材料から構成される例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、検出パターン３５の第２ブリッジ部３７ｂを構成する材料として、遮光性を有する金属材料が用いられてもよい。
【符号の説明】
【０１０８】
１０  導電パターン基板
１１  基板
１１ａ  基板の一側
１１ｂ  基板の他側
１２  第１導電パターン
１３  第１導電パターンの端部
１３ａ  接続面
１３ｂ  第１隣接面
１３ｃ  境界部分
１３ｄ  第２隣接面
１３ｅ  境界部分
１５  第２導電パターン
２１  第１導電層
２２  端部
２２ａ  第１面
２２ｂ  第２面
２２ｃ  境界部分
２２ｄ  第３面
２２ｅ  境界部分
２３  レジストパターン
２４  端部
２４ａ  第１拡張部
２４ｂ  第２拡張部
２５  レジスト層
２６  ブリッジ部用導電層
２７  レジストパターン
２８  レジスト層
３０  タッチパネルセンサ
３２  取出パターン
３５  検出パターン
３６ａ  第１電極部
３６ｂ  第２電極部
３７ａ  第１ブリッジ部
３７ｂ  第２ブリッジ部
３８  絶縁層
３９  オーバーコート層
５０  カラーフィルタ
【図１】
0005979473.tif 000002
【図２】
0005979473.tif 000003
【図３】
0005979473.tif 000004
【図４】
0005979473.tif 000005
【図５Ａ】
0005979473.tif 000006
【図５Ｂ】
0005979473.tif 000007
【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図５Ｅ】
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【図５Ｆ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６Ａ】
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【図１６Ｂ】
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【図１６Ｃ】
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【図１６Ｄ】
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【図１６Ｅ】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０Ａ】
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【図２０Ｂ】
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【図２０Ｃ】
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【図２０Ｄ】
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【図２０Ｅ】
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