(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電振動子と、前記圧電振動子と共に発振回路を構成するＩＣチップを搭載した実装基板とを半田ボールを用いて接合した表面実装型圧電発振器であって、
前記圧電振動子は、底壁層と、前記底壁層の一方の主面に積層して凹部を形成する枠壁層からなる容器本体を有し、前記凹部に圧電振動片を収容すると共に、その開口端を蓋体で密閉封止してなり、前記容器本体を構成する前記底壁層の他方の主面に前記実装基板と接続する端子が設けられており、
前記実装基板はセラミックシートで構成され、当該実装基板の前記圧電振動子と対向する前記一方の主面には、前記圧電振動子の端子との間で半田ボールを溶融硬化して接続された接続端子を有すると共に、前記ＩＣチップの実装バンプを接続した電極パッドを有する配線パターンが形成されており、
前記実装基板の前記一方の主面には、前記接続端子の中央位置に前記半田ボールを配置するための半田ボール載置部開口と、前記ＩＣチップを搭載するためのＩＣチップ搭載部開口とを有するとともに前記配線パターンの一部に積層されて溶融半田の濡れ広がりを防止する中間層を前記実装基板と一体に成型されてなり、
前記実装基板の前記他方の主面には、電子機器に実装するための表面実装端子を備えたことを特徴とする表面実装型圧電発振器。
【請求項２】
請求項１に記載の表面実装型圧電発振器の製造方法において、
前記中間層が、前記実装基板と同種のセラミックシートに前記半田ボール載置部開口と前記ＩＣチップ搭載部開口とを形成した基板を当該実装基板と共焼成して一体化されて製造されることを特徴とする表面実装型圧電発振器の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の表面実装型圧電発振器の製造方法において、
前記中間層が、前記実装基板と同種のセラミック材料の微粒子を分散したセラミックペーストを当該実装基板の前記他方の主面の前記半田ボール載置部開口と前記ＩＣチップ搭載部開口を形成して塗布したものを前記実装基板と共焼成して製造されることを特徴とする表面実装型圧電発振器の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至３に記載の表面実装型圧電発振器の製造方法において、
前記圧電振動子の前記端子と前記実装基板の前記接続端子との間を接続する前記半田ボールの溶融硬化で形成される半田フィレットが均一な鼓形状の外観を呈して製造されることを特徴とする表面実装型圧電発振器の製造方法。
【請求項５】
請求項１において、
前記圧電振動子が水晶振動子であることを特徴とする表面実装型圧電発振器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電発振器に係り、特に、圧電振動子とこの圧電振動子と共に発振回路を構成する集積回路チップ（ＩＣチップ）を半田または金バンプにより接続して発振器とした表面実装型圧電発振器に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話機や所謂タブレットなどの携帯情報端末、あるいは車載の各種電子機器の普及に伴って、これらの機器に搭載される電子部品の多くは表面実装型デバイス（Surface Mounting Device）と称する小型かつ低背な部品とされるようになった。表面実装型デバイスは、その腹面（実装基板との対向面）に平坦な接続端子（表面実装端子）を備え、実装基板の表面に形成された端子パッド（ランド、或いはランドパターンとも称する）に面―面対応で半田膜を介して接続される。
【０００３】
圧電材料としては水晶が一般的なので、ここでは、圧電振動子を水晶振動子、水晶振動子を用いた圧電発振器を水晶発振器として説明する。しかし、本発明は、このような圧電発振器に限るものではなく、ＳＡＷフィルタなどの圧電関連部品、積層回路部品、各種のディスクリート部品にも同様に適用できるものである。
【０００４】
ここで例として説明する水晶発振器は、小型・軽量であることから周波数や時間の基準源として、単体で、あるいは他の回路に組み込まれて、携帯機器を始めとした各種の電子機器に表面実装される。また、近年、車載機器のような衝撃や温度環境に変化の大きい電子機器では、経時変化（ヒートサイクル）に伴う熱膨張係数差、あるいは外力印加による基板歪等の応力変化に起因する半田クラックの発生、基板あるいは部品本体へのダメージを防止するための強固な半田接続構造を考慮することが求められている。
【０００５】
図９は、従来技術による表面実装型圧電発振器の例としての水晶発振器の一構成例を説明する模式断面図である。この水晶発振器１は、水晶振動子２とＩＣチップ３３を搭載した実装基板３で構成される。水晶振動子２は、セラミック材料を好適とする底壁層２１と枠壁層２２とからなる容器本体の当該枠壁層２２で囲まれた凹部に水晶片２４が収容されている。水晶片２４は水晶の薄片の両面に励振電極（図示せず）が形成されており、この励振電極から端縁に延びる引き出し電極（同じく、図示せず）を前記凹部の内底面（一主面）に設けられている一対の水晶保持端子２６に導電性接着剤２５を用いて固着されている。
【０００６】
水晶片２４を収納した凹部は金属板で形成した蓋体２３で密閉封止されて水晶振動子２としている。なお、蓋体２３としては、水晶板、セラミック板、硬質樹脂板などを用いることができる。底壁層２１の外底面（他主面）には、ＩＣチップ３３を搭載した実装基板３と接続するための外部端子である端子２７が設けられている。
【０００７】
この例では、ＩＣチップ３３を搭載した実装基板３は、セラミック板３１と同３２の積層基板で構成されている。なお、実装基板３は積層基板に限らず、単層としたものもある。実装基板３の一主面（ＩＣチップ搭載面）には、配線パターンと複数の電極パッド３５、および水晶発振器１の端子２７を接続するための複数の接続端子３６が形成されている。また、実装基板３の他主面（実装面）には、適用する電子機器の回路基板に表面実装するための複数の実装端子３７が設けられている。なお、この例では、セラミック板３１と同３２の中間には、電磁遮蔽機能を奏するグランド層（接地層）３８が設けられており、図示しない接地パターンに接続されている。
【０００８】
ＩＣチップ３３は、その実装バンプ３４（金バンプ、等）を電極パッド３５に超音波熱圧着等で固着される。さらに、実装基板３との間にエポキシ樹脂を好適とする接着層、あるいはアンダーフィル層３９が充填されている。ＩＣチップ３３を搭載した実装基板３と水晶振動子２とは、接続端子３６の上に配置した半田ボールに水晶振動子２の端子２７を位置付けし、半田リフロー処理で半田ボールを溶融し、硬化させて固着する。なお、水晶振動子２の他主面とＩＣチップの間をエポキシ樹脂等の接着剤２８で接着したものもある。なお、この種の発振器に関する従来技術を開示したものとしては、特許文献１を挙げることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００４−１８００１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上記したように、水晶発振器１は、水晶振動子２をＩＣチップ３３を搭載した実装基板３の接続端子３６の上に半田ボール４を配置して仮固定し、リフロー処理で半田ボール４を溶融して接続端子３６と水晶振動子２の端子２７を接続し、半田の硬化で両者を固着する。
【００１１】
図１０は、図９の構成における水晶振動子とＩＣチップを搭載した実装基板との接続状態の説明図である。図１０（ａ）はＩＣチップを搭載した実装基板３の一主面に形成された接続端子パターンの一例を示す平面図、同図（ｂ）は実装基板３２の接続端子３６に半田ボールを仮固着した状態図で、同図（ａ）のＹ−Ｙ’線に沿った断面を示す。また、図１１は、水晶振動子の端子を半田ボールで固着した状態図である。図１０（ａ）に示されたように、実装基板３の一主面（水晶振動子と対向する面）にはＩＣチップの実装バンプと接続する電極パッド３５と、水晶振動子の端子２７と半田ボールを介して接続する接続端子３６を含む配線パターンが形成されている。
【００１２】
図１０（ｂ）は実装基板３２の接続端子３６に仮固着した半田ボールがリフロー処理で溶融する状態を示す。半田ボール４が接続端子３６の上に正しく配置されない場合、溶融した半田４０は接続端子３６から外に流れ出してしまう。そのため、水晶振動子２１を接続した際に、図１１に示したように水晶振動子２１の端子２７との間に形成される硬化半田の外観形状である半田フィレットはいびつな形になると共に、接続端子３６と水晶振動子２１の端子２７を固着する半田量が十分でなくなり、固着強度の低下をもたらす。これらは、全て製品の歩留まり向上の障りとなる。
【００１３】
さらに、上記のような複数個所の半田接続の状態が各接続部分で不均一になると、電子機器に実装した後に、外部からの衝撃の印加や経時的に繰り返される温度変化の累積（温度ストレス）により、上記の接続部分に応力が集中して水晶振動子と実装基板との接続部分における接合力の分布が不均衡になり、接合部分の分離や接合部にクラックが発生して機能不全をもたらす畏れがある。
【００１４】
本発明の目的は、水晶振動子とＩＣチップ搭載実装基板との半田接合状態を均一にして、水晶振動子の端子とＩＣチップ搭載実装基板の接続端子との間に正常な半田フィレットを形成させ、近接するＩＣ実装用の電極パッドとの干渉を防止しつつ、当該接合部分の強度を向上した水晶発振器に代表される圧電発振器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記目的を達成するため、本発明は、水晶振動子と共に発振回路を構成するＩＣチップを搭載した実装基板の接続端子の間に配置する半田ボールが溶融した際に、その流動を規制して半田を所定の領域に留置する中間層を設けたことを特徴とする。この中間層は、近接して配置されている配線パターンや電極に半田ボールの溶融半田が流れないようにする、所謂ソルダレジストとしての機能も有する。その材料としては、当該実装基板と同様のセラミックシート、あるいはセラミックペースト、等が用いられる。
【００１６】
中間層５にセラミックシートを用いる場合は、製品となった状態での水晶振動子と実装基板との間に形成される間隙以下の厚みを持つセラミックシートに、実装基板３に有する接続端子の位置に対応する位置に半田ボール配置穴とＩＣチップ実装バンプ領域に対応する開口を形成したものを実装基板の一主面に設置する。これを実装基板と共焼成して一体化する。なお、実装基板を構成する複数のセラミックシートの間には外部との電磁遮蔽層となる接地層として金属膜（銅、タングステン、等）を形成するのが望ましい。
【００１７】
また、中間層５としてセラミックペーストを用いる場合には、実装基板と同種のセラミック材料の微粒子を分散媒に分散し、適当な粘度のスラリーとしたものをスクリーン印刷、あるいはディスペンサを用いる方法などで上記と同様に半田ボール配置開口とＩＣチップ実装バンプ領域に対応する開口（ＩＣチップ搭載部開口）を形成するように塗布する。これを実装基板と共焼成する。それ以外は上記したセラミックシートを用いるものと同様である。
【発明の効果】
【００１８】
中間層に形成した複数の半田ボール配置開口により、複数の半田ボールがそれぞれに決められた所定の配置位置に規制されるため、配置された各半田ボールの仮固定、およびリフロー処理での本固着時に、溶融し、その後硬化した状態で水晶振動子の端子と実装基板の接続端子との間に綺麗な形状の半田フィレットが均一に形成される。また、実装基板の接続端子から外への溶融した半田の流れ出しも防止されて、隣接する他の配線あるいは電極パターンへの干渉が防止され、短絡による製品不良の発生が著しく抑制される。そのため、水晶振動子と実装基板との均一かつ強固な接続が可能となり、信頼性の高い水晶発振器等の圧電発振器を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明による表面実装型圧電発振器の実施例１である表面実装型水晶発振器を説明する展開図である。
【図２】本発明の実施例１に用いる中間層と実装基板の一主面に形成した電極パッドと接続端子の配置例の説明図である。
【図３】本発明の実施例１に用いる中間層と実装基板の配置関係の説明図である。
【図４】本発明の実施例１における実装基板の電極パッドと半田ボールの配置状態の説明図である。
【図５】本発明の実施例１における実装基板の電極パッドに対する半田ボールの配置状態の説明図である。
【図６】本発明の実施例１における実装基板の電極パッドと水晶振動子の端子との間に形成される半田フィレットの形成状態の説明図である。
【図７】本発明による表面実装型圧電発振器の実施例２である表面実装型水晶発振器を説明する展開図である。
【図８】本発明の実施例３に用いる中間層と実装基板の一主面に形成した電極パッドと接続端子の配置例の説明図である。
【図９】従来技術による表面実装型圧電発振器の例としての水晶発振器の一構成例を説明する模式断面図である。
【図１０】図９の構成における水晶振動子とＩＣを搭載した実装基板との接続状態の説明図である。
【図１１】図９の構成における水晶振動子の端子を半田ボールで固着した状態図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施形態について、実施例の図面を参照して詳細に説明する。
【実施例１】
【００２１】
図１は、本発明による表面実装型圧電発振器の実施例１である表面実装型水晶発振器を説明する展開図である。実施例１に係る水晶発振器１は、水晶振動子２とＩＣチップ３３を搭載した実装基板３で構成される。水晶振動子２は、底壁層２１と枠壁層２２とからなる容器本体の当該枠壁層２２で囲まれた凹部に水晶片２４が収容されている。水晶片２４は水晶の薄片の表裏両面に励振電極（図示せず）が形成されており、この励振電極から一端縁に延びる引き出し電極（同じく、図示せず）を前記凹部の内底面（一主面）に設けられている一対の水晶保持端子２６に導電性接着剤２５を用いて固着されている。
【００２２】
水晶片２４を収納した凹部は金属板で形成した蓋体２３で密閉封止されて水晶振動子２としている。蓋体２３としては、この他に、水晶板、セラミック板、硬質樹脂板なども用いることができる。金属板の蓋体を用いる場合には、枠壁層２２との間に蓋体２３と同様の金属薄膜を介してシーム溶接される。また、底壁層２１の外底面（他主面）には、ＩＣチップ３３を搭載した実装基板３と接続するための端子（外部端子）２７が設けられている。
【００２３】
ＩＣチップ３３を搭載した実装基板３は、セラミック板３１と同３２の積層基板で構成されている。この例では、実装基板３を積層基板としてあるが、単層としたものもある。実装基板３の一主面（ＩＣチップ搭載面）には、複数の配線パターンや電極パッド３５、および水晶発振器１を接続するための複数の接続端子３６が形成されている。また、実装基板３の他主面（実装面）には適用する電子機器に実装するための複数の実装端子３７が設けられている。なお、セラミック板３１と同３２の中間には、電磁遮蔽機能を有するグランド層（接地層）３８が設けられており、実装基板に設けられた図示しない接地パターンに接続されている。
【００２４】
実施例１では、水晶振動子２と実装基板３の間に中間層５を介挿している。この中間層５は半田ボール４を接続端子３６の上に正確に配置する機能を有すると共に、半田ボール４を配置する接続端子３６に近接して配置されている配線パターンや電極パッド３５に半田ボール４の溶融半田が流れないようにする、所謂ソルダレジストとしての機能も有する。中間層５は、実装基板３と同様のセラミックシートを用いる。
【００２５】
図２は、本発明の実施例１に用いる中間層と実装基板の一主面に形成した電極パッドと接続端子の配置例の説明図である。図２（ａ）は実装基板３の一主面（水晶振動子２と対向する面）の平面図で、水晶振動子２の端子２７と接続する複数の接続端子３６、これらの接続端子に近接して配置されている複数の配線パターンや電極パッド３５が形成されている。これらの接続端子３６、配線パターンや電極パッド３５は実装基板３に設けた図示しないスルーホールやビアホールを介してＩＣチップ３３や実装端子３７に接続している。
【００２６】
図２（ｂ）は中間層５の平面図で、その四隅に半田ボール載置部開口５１が形成されており、ＩＣチップの配置領域となる中央部にはＩＣチップ搭載部開口５２が形成されている。図２（ｃ）は実装基板３と中間層５とを一体にした平面図である。この平面図に示されたように、中間層５の半田ボール載置部開口５１には接続端子３６が露呈し、ＩＣチップ搭載部開口５２には配線パターンや電極パッド３５が露呈している。
【００２７】
また、図３は、本発明の実施例１に用いる中間層と実装基板の配置関係の説明図である。図３は図２をさらに詳しく説明するもので、中間層５の半田ボール載置部開口５１の中心が接続端子３６の中心に対応するように中間層５と実装基板３が積層されている。
【００２８】
図４は、本発明の実施例１における実装基板の電極パッドと半田ボールの配置状態の説明図である。図４の（ａ）は図２（ｃ）に対応する。図４の（ｂ）は図４の（ａ）のＸ−Ｘ’線に沿った部分断面図である。半田ボール４は中間層５の半田ボール載置部開口５１に載置される。半田ボール載置部開口５１は接続端子３６の略中心に一致した中心を有するので、半田ボール４は接続端子３６から外れることなく載置され、接続端子３６に塗布されたフラックスにより仮固定される。（図示せず）図４の（ｂ）は半田ボール４を接続端子３６に仮固定した状態を示す。
【００２９】
図５は、本発明の実施例１における実装基板の電極パッドに対する半田ボールの配置状態の説明図である。図４（ｂ）で説明したように半田ボール４を配置した実装基板３に水晶振動子２を太矢印に示したように張り合わせる。その状態でリフロー炉に通して半田ボール４を溶融し、リフロー炉を通過後に半田が硬化する。半田が硬化した状態を図６に示す。
【００３０】
図６は、本発明の実施例１における実装基板の電極パッドと水晶振動子の端子との間に形成される半田フィレットの形成状態の説明図である。図示されたように、半田の流れ出しがないので、半田フィレット４０は水晶振動子２の端子２７と接続端子３６との間でバランスの取れた側壁外観形状を呈するように形成される。
【００３１】
上記したように、中間層５は、製品となった状態での水晶振動子と実装基板との間に形成される間隙以下の厚みを持つセラミックシートに、実装基板３に有する接続端子３６の位置に対応する位置に半田ボール載置部開口５１とＩＣチップ実装バンプ領域に対応する開口（ＩＣチップ搭載部開口）５２を形成したものを実装基板の一主面に設置する。これを実装基板と共焼成して一体化する。なお、実装基板を構成する複数のセラミックシートの間には外部との電磁遮蔽層となる接地層として金属膜（銅、タングステン、等）を形成するのが望ましい。
【００３２】
中間層５に形成した複数の半田ボール載置部開口５１により、複数の半田ボール４がそれぞれに決められた所定の配置位置に規制されるため、配置された各半田ボール４の仮固定、およびリフロー処理での本固着時に、溶融し硬化した状態で水晶振動子の端子２７と実装基板３の接続端子３６との間に綺麗な形状の半田フィレットが均一に形成される。また、実装基板３の接続端子３６から外への溶融した半田の流れ出しも防止され、隣接する他の配線パターンあるいは電極パッド３５への干渉が防止され、短絡による製品不良の発生が抑制される。これにより、水晶振動子２と実装基板３との均一かつ強固な接続が可能となり、信頼性の高い水晶発振器等の圧電発振器を提供できる。
【実施例２】
【００３３】
図７は、本発明による表面実装型圧電発振器の実施例２である表面実装型水晶発振器を説明する展開図である。水晶発振器１の全体構造は、中間層５０を除いて実施例１と同様であるため、特に必要とする事項以外は重複する説明を省略する。
【００３４】
実施例２では、中間層５０としてセラミックペーストの塗布層を焼成したものを用いる。セラミックペーストは、実装基板３と同種のセラミック材料の微粒子を分散媒に分散し、適当な粘度のスラリーとしたものをスクリーン印刷、あるいはディスペンサを用いる方法などで上記と同様に半田ボール搭載部開口５１とＩＣチップ実装バンプ領域に対応する開口であるＩＣチップ搭載部開口５２を形成するように塗布する。これを実装基板３と共焼成して一体化する。
【００３５】
中間層５０を形成した実装基板３にＩＣチップ３３を搭載する。ＩＣチップ３３の搭載は、ＩＣ実装バンプ３４を電極パッド３５に超音波熱圧着で固定して行う。その後、半田ボール載置部開口５１に半田ボール４を載置し、仮固定した後にリフロー炉に通して半田ボール４を溶融し、リフロー炉を通過後に半田が硬化する。半田が硬化した状態は前記図６に示したものと同様である。
【００３６】
実施例２によっても、中間層５０に形成した複数の半田ボール載置部開口５１により、複数の半田ボール４がそれぞれに決められた所定の配置位置に規制されるため、配置された各半田ボール４の仮固定、およびリフロー処理での本固着時に、溶融し硬化した状態で水晶振動子の端子２７と実装基板３の接続端子３６との間に綺麗な外観形状を呈する半田フィレットが均一に形成される。また、実装基板３の接続端子３６から外への溶融した半田の流れ出しも防止され、隣接する他の配線パターンあるいは電極パッド３５への干渉が防止され、短絡による製品不良の発生が抑制される。これにより、水晶振動子２と実装基板３との均一かつ強固な接続が可能となり、信頼性の高い水晶発振器等の圧電発振器を提供できる。
【実施例３】
【００３７】
図８は、本発明の実施例３に用いる中間層と実装基板の一主面に形成した電極パッドと接続端子の配置例の説明図である。実施例３は、実施例２の変形例でもあり、ＩＣチップ実装基板３に形成される半田ボールを載置する電極パッド３５のうち、単独で形成された電極パッドを除いたもの、すなわち図８の（ａ）に向かって右下の電極パッド３６−３を除いた配線パターンと繋がった形状を持つ電極パッド３６−１、３６−２、３６−４について、それらに繋がる配線パターン側に中間層５０を設けたものである。
【００３８】
この中間層５０は、セラミックのスラリーを用い、図８の（ｂ）に示した開口５１を形成した印刷マスク６０によるスクリーン印刷で形成するか、或いは適宜のディスペンサを用いて形成する。その後、実装基板と共に共焼成される。
【００３９】
図８の（ｃ）に示したように、配線パターンと繋がった形状を持つ電極パッド３６−１、３６−２、３６−４の当該配線パターンとの接続側に中間層５０を設けたことにより、電極パッドに載置される半田ボールは所定の中心位置に配置されると共に、半田ボールがリフロー処理で溶融したときに、溶融半田が配線パターンに濡れ流れることが防止され、隣接する他の配線パターンあるいは電極パッド３５への干渉が阻止されて、短絡による製品不良の発生が防止される。
【００４０】
このように、電極パッド３６−１、３６−２、３６−４への半田ボールは、単独で形成された電極パッド３６−３と同様にそれらの中心部分に載置され、溶融し硬化した状態で水晶振動子の全ての端子２７と実装基板３の接続端子３６−１、３６−２、３６−３、３６−４との間に綺麗な外観形状を呈する半田フィレットが均一に形成される。これにより、水晶振動子２と実装基板３との均一かつ強固な接続が可能となり、信頼性の高い水晶発振器等の圧電発振器を提供できる。
【００４１】
なお、図８で説明した中間層５０を、印刷ではなく、例えば、予めセラミックシートから刳り抜いたチップ状のものを配線パターンと繋がった形状を持つ電極パッド３６−１、３６−２、３６−４の配線パターン側に載置し、これを実装基板と共焼成して中間層とすることもできる。
【００４２】
以上説明した各実施例において、ＩＣチップ３３は、その実装バンプ３４（金バンプ、等）を電極パッド３５に超音波熱圧着等で固着するが、さらに、実装基板３との間にエポキシ樹脂を好適とする接着層、あるいはアンダーフィル層を充填してもよい。なお、水晶振動子２の他主面とＩＣチップ３３の間を、前記図８で説明したものと同様に、エポキシ樹脂等の接着剤で接着するのが望ましい。
【産業上の利用可能性】
【００４３】
本発明は、実施例で説明した実装基板への水晶振動子等の圧電振動子の実装に限るものではなく、ＳＡＷフィルタなどの複合部品の実装にも同様に適用できる。
【符号の説明】
【００４４】
１・・・水晶発振器、２・・・水晶振動子、２１・・・底壁層、２２・・・枠壁層、２３・・・蓋体、２４・・・水晶片、２５・・・導電性接着剤、２６・・・水晶保持端子、２７・・・水晶振動子の端子、２８・・・接着剤、３・・・ＩＣチップ実装基板、３１，３２・・・セラミック板、３３・・・ＩＣチップ、３４・・・ＩＣチップ実装バンプ、３５・・・電極パッド、３６・・・接続端子、３７・・・実装端子、３８・・・接地層、３９・・・接着層、４・・・半田ボール、５，５０・・・中間層、５１・・・半田ボール載置部開口、５２・・・ＩＣチップ搭載部開口。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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