(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒートシンクと、このヒートシンクに接合される金属層がセラミックス基板の表面に接合されてなるパワーモジュール用基板とを接合してヒートシンク付パワーモジュール用基板を製造する方法であって、前記金属層の基板接合面と前記セラミックス基板との間をろう材を用いてろう付けして前記パワーモジュール用基板を形成する一次ろう付工程と、前記金属層のヒートシンク接合面と前記ヒートシンクとをフラックスを用いたろう付により接合する二次ろう付工程とを有し、前記一次ろう付工程と前記二次ろう付工程との間に、前記金属層の側壁の少なくとも一部に、前記二次ろう付工程時の加熱温度に達するまでの間にＳｉＯ２を生成することが可能なＳｉＯ２前駆体を溶剤中に含有した溶液からなる侵食防止剤を塗布する塗布工程を設け、前記二次ろう付工程では、非酸化性雰囲気中で６００℃〜６１５℃に加熱することを特徴とするヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法。
【請求項２】
前記塗布工程と前記二次ろう付工程との間に、前記金属層の側壁の少なくとも一部に塗布された前記侵食防止剤の塗布層を水分を含む雰囲気中で乾燥することを特徴とする請求項１記載のヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、大電流、高電圧を制御するパワーモジュールを構成するヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、大電流、高電圧を制御する半導体装置として、半導体チップ等の電子部品をパワーモジュール用基板上に搭載した構成のパワーモジュールが知られている。パワーモジュールを製造する方法として、例えば、特許文献１および特許文献２に記載された方法が知られている。これらの製造方法では、まずセラミックス基板の一方の面にＡｌ−Ｓｉ系等のろう材を介して回路層となる金属層を積層し、セラミックス基板の他方の面にろう材を介して放熱層となる金属層を積層して、これらを積層方向に加圧するとともに加熱し、セラミックス基板と各金属層とを接合し、パワーモジュール用基板を製造する。次いで、放熱層の、セラミックス基板が接合されている面とは反対側の面に、ろう材を介してヒートシンクの天板部を積層し、この積層方向に加圧するとともに加熱して放熱層とヒートシンクとを接合することにより、ヒートシンク付パワーモジュール用基板が製造される。
【０００３】
このヒートシンクとパワーモジュール用基板の金属層との間の接合方法としては、真空ろう付け、はんだ付け、ねじ止め、フラックスを用いたろう付け法などが適用される。
特許文献３では、ヒートシンクの天板とパワーモジュール用基板の金属層との接合方法として、フラックスを塗布したろう付法が記載されている。このろう付法は、フラックスをろう材面に塗布してろう材面の酸化物を除去し、非酸化性雰囲気中で加熱して接合するろう付法であり、高価な設備が不要で、比較的容易に安定したろう付が可能である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−３１１５２７号公報
【特許文献２】特開２００２−００９２１２号公報
【特許文献３】特開２００９−１０５１６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、パワーモジュールの製造過程において、金属層とヒートシンクとをフラックスを用いてろう付する際に、フラックスが金属層の側面を伝ってセラミックス基板と金属層との接合部界面に引き込まれ、セラミックス基板と金属層との接合部を侵食してしまうと、これにより接合部にクラックが生じ、セラミックス基板と金属層との剥離が生じやすくなるおそれがある。特許文献３では、この課題に対して、アルミ合金（Ａｌ−Ｓｉ等）と反応しない、ホウ素や酸化チタン等で構成された接触防止材をセラミックス基板と金属層との接合端部に塗布することによって、フラックスの侵入を防止できることが提案されている。
しかし、ホウ素や酸化チタンを塗布した場合、その後の搬送等の取り扱いに脱落しないよう注意する必要がある。
【０００６】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、金属層とヒートシンクとの接合界面へのフラックスの侵入を防止するための侵食防止剤を接合部の外周部に確実に保持させ、ろう付け時のフラックスの侵入を防止して、接合部に剥離を生じさせることなく、接合信頼性の高いヒートシンク付パワーモジュール用基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、ヒートシンクと、このヒートシンクに接合される金属層がセラミックス基板の表面に接合されてなるパワーモジュール用基板とを接合してヒートシンク付パワーモジュール用基板を製造する方法であって、前記金属層の基板接合面と前記セラミックス基板との間をろう材を用いてろう付けして前記パワーモジュール用基板を形成する一次ろう付工程と、前記金属層のヒートシンク接合面と前記ヒートシンクとをフラックスを用いたろう付により接合する二次ろう付工程とを有し、前記一次ろう付工程と前記二次ろう付工程との間に、前記金属層の側壁の少なくとも一部に、前記二次ろう付工程時の加熱温度に達するまでの間にＳｉＯ２を生成することが可能なＳｉＯ２前駆体を溶剤中に含有した溶液からなる侵食防止剤を塗布する塗布工程を設け、前記二次ろう付工程では、非酸化性雰囲気中で６００℃〜６１５℃に加熱することを特徴とするヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法である。
【０００８】
この製造方法に用いられるＳｉＯ２前駆体としては、ポリシラザン、シリコンアルキシド等が挙げられる。酸化チタン等を塗布する場合、酸化チタンの粉末をペースト状にして塗布することが一般的であるが、本発明のＳｉＯ２前駆体を溶剤中に含有させた侵食防止剤は、液体であるので、ペーストに比べて取り扱い性が容易で塗布し易く、また、塗布後に生成したＳｉＯ２の脱落も生じにくく、接合部の外周部にＳｉＯ２を確実に保持させることができる。また、ペーストの場合は塗布厚が厚くなるため、二次ろう付工程後においても残渣が生じ易いが、本発明のＳｉＯ２前駆体を含有した溶液からなる侵食防止剤は液体であるため、薄く塗ることが可能であり、必要に応じて重ね塗りするなど、その塗布厚の制御も容易である。
そして、二次ろう付工程時の加熱温度に達するまでの間にＳｉＯ２を生成させることによって、二次ろう付工程時には、そのＳｉＯ２がフラックスと反応することにより、フラックスがセラミックス基板と金属層との接合部に侵食して剥離を生じさせることを防止することができる。
【０００９】
本発明の製造方法において、前記塗布工程と前記二次ろう付工程との間に、前記金属層の側壁の少なくとも一部に塗布された前記侵食防止剤の塗布層を水分を含む雰囲気中で乾燥するとよい。
水分を含む雰囲気としては大気で十分であり、ＳｉＯ２前駆体は、水分が取り込まれると、加水分解反応によりＳｉＯ２の酸化膜に転化する。このＳｉＯ２酸化膜は液体を塗布して乾燥させたものであるので、薄膜に形成することができ、脱落も生じにくく、二次ろう付工程においてセラミックス基板と金属層との接合部へのフラックスの侵入を確実に防止することができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明のヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法によれば、セラミックス基板と金属層との接合部の外周部にＳｉＯ２を確実に保持させることができるので、ヒートシンクとパワーモジュール用基板とを接合する際のフラックスの接合部への侵入を防止して、その接合部に剥離を生じさせず、接合信頼性の高いヒートシンク付パワーモジュール用基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明に係るパワーモジュールの全体構成を示す縦断面図である。
【図２】図１のパワーモジュール用基板に用いられている金属層を示す斜視図である。
【図３】パワーモジュール用基板のろう付け時の積層状態を示す正面図である。
【図４】接合されたセラミックス基板および金属層の要部を示す縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。図１は、本発明に係るパワーモジュール用基板１０を用いたパワーモジュール１００を示している。このパワーモジュール１００は、パワーモジュール用基板１０と、パワーモジュール用基板１０の表面に搭載された半導体チップ等の電子部品２０と、この電子部品２０とは反対面でパワーモジュール用基板１０に接合されたヒートシンク３０とから構成される。
【００１３】
パワーモジュール用基板１０は、セラミックス基板１１と、セラミックス基板１１の両面に積層された回路層１２及び金属層１３とを備える。このパワーモジュール用基板１０において、セラミックス基板１１の一方の表面に積層された回路層１２は、その表面に電子部品２０がはんだ付けされる。また、他方の金属層１３は、その表面にヒートシンク３０が取り付けられる。
【００１４】
セラミックス基板１１は、例えば、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）、Ｓｉ３Ｎ４（窒化珪素）等の窒化物系セラミックス、もしくはＡｌ２Ｏ３（アルミナ）等の酸化物系セラミックスにより形成され、その厚さは例えば６３５μｍである。
【００１５】
回路層１２及び金属層１３は、いずれも純度９９質量％以上のアルミニウムが用いられ、ＪＩＳ規格では、１０００番台のアルミニウム、特に１Ｎ９０（純度９９．９質量％以上：いわゆる３Ｎアルミニウム）または１Ｎ９９（純度９９．９９質量％以上：いわゆる４Ｎアルミニウム）を用いることができる。また、ＪＩＳ  Ａ３００３，Ａ６０６３などのアルミニウム合金を用いることもできる。回路層１２及び金属層１３は、例えば一辺が３０ｍｍの四角形平板状に設けられている。
【００１６】
このパワーモジュール用基板１０においては、金属層１３に熱サイクル時のセラミックス基板１１とヒートシンク３０との間の熱伸縮差に対する緩衝機能を持たせたるため、回路層１２よりも肉厚に形成されたものを用いている。例えば、金属層１２の厚さは６００μｍ、金属層１３の厚さは１６００μｍである。また、放熱層となる金属層１３には、純度の高いアルミニウム（例えば１Ｎ９９）を用いるのが好ましい。
【００１７】
そして、これら回路層１２及び金属層１３とセラミックス基板１１とは、それぞれろう付けにより接合されている。ろう材としては、Ａｌ−Ｓｉ系、Ａｌ−Ｇｅ系、Ａｌ−Ｃｕ系、Ａｌ−Ｍｇ系またはＡｌ−Ｍｎ系等の合金が使用される。
【００１８】
金属層１３の表面（ヒートシンク接合面）１３ａには、複数本の溝１４が相互に平行に形成されている。これら溝１４は、図２に示すように、平面視矩形の金属層１３の一方の側縁から他方の側縁にかけて平行に形成されている。溝１４は、横断面がＶ字状やＵ字状となっている。
【００１９】
ヒートシンク３０は、その形状等は特に限定されないが、熱伝導が良好な材質、例えばＡ６０００台のアルミニウム合金により形成され、冷却媒体（例えば冷却水）を流通させるための複数の流路３０ａが形成されている。このヒートシンク３０とパワーモジュール用基板１０の金属層１３とはろう付けにより接合され、ろう材としては、Ａｌ−Ｓｉ系、Ａｌ−Ｇｅ系、Ａｌ−Ｃｕ系、Ａｌ−Ｍｇ系またはＡｌ−Ｍｎ系等の合金が用いられる。
【００２０】
なお、回路層１２と電子部品２０との接合には、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系，Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ｓｂ系、Ｚｎ−Ａｌ系もしくはＰｂ−Ｓｎ系等のはんだ材が用いられる。図１中符号２１がそのはんだ接合層を示す。また、電子部品２０と金属層１２の端子部との間は、アルミニウムからなるボンディングワイヤ２２により接続される。
【００２１】
このパワーモジュール用基板１０は、セラミックス基板１１と、回路層１２及び金属層１３とを接合することにより形成され、その後で金属層１３にヒートシンク３０が接合される。具体的には、まず、回路層１２及び金属層１３を、シート材からプレス加工により形成する。この場合、回路層１２は単にシート材から打ち抜くことにより形成される。一方、金属層１３は、シート材に複数の溝１４を形成した後に打ち抜き加工される。溝１４は、シート材の金属層１３となる領域をカバーする範囲にパンチを押圧することにより形成される。
【００２２】
次に、溝１４を形成した金属層１３の溝１４が形成されていない表面（基板接合面）１３ｂにろう材を介してセラミックス基板１１を積層し、このセラミックス基板１１の上にろう材を介して他方の回路層１２を積層する。この場合、ろう材は、回路層１２及び金属層１３をシート材からプレス加工により打ち抜く際にシート材にろう材箔を貼付しておき、このろう材箔ごと打ち抜くことにより、ろう材箔が貼付された回路層１２及び金属層１３を形成するとよい。そして、これら積層したセラミックス基板１１および回路層１２、金属層１３を厚さ方向に加圧しながら真空雰囲気中で加熱することによりろう付けする（一次ろう付工程）。
【００２３】
より具体的には、図３に示すように、セラミックス基板１１および回路層１２、金属層１３からなるユニットを多数組積層するとともに、各ユニットの間にカーボン板、グラファイト板等からなるクッション層２３を配置し、これらを積層状態で加圧、加熱する。この時の加圧力は０．１〜２．５ＭＰａ、加熱温度は６３０〜６５５℃、加熱時間は１〜６０分とする。このろう付け工程において、セラミックス基板１１と回路層１２及び金属層１３との間のろう材が溶融し、両者を固着する。これにより、金属層１３の基板接合面１３ｂとセラミックス基板１１との間をろう付けされて、パワーモジュール用基板１０が形成される。
【００２４】
次に、この一次ろう付工程後のパワーモジュール用基板１０の金属層１３の側壁の少なくとも一部にＳｉＯ２前駆体を含有する溶液からなる侵食防止剤を塗布する。
この侵食防止剤は、ＳｉＯ２前駆体としてポリシラザン又はシリコンアルコキシドを用いたものであり、これらのＳｉＯ２前駆体を溶媒に溶解して溶液としたものである。
ポリシラザン溶液は、溶媒としてキシレン、ミネラルターペン、高沸点芳香族溶媒が用いられ、ポリシラザン濃度としては０．０５〜５０質量％、好ましくは０．５〜２０質量％である。ポリシラザンの濃度が０．０５質量％未満ではアミン交換速度が遅く、また逆に５０質量％超過では分子間重合が著しくなり、好ましくない。
【００２５】
一方、シリコンアルコキシドとしては、シリカエアロゲルの原料として従来より公知の各種のものを用いることができるものであり、２官能シリコンアルコキシド、３官能シリコンアルコキシド、４官能シリコンアルコキシドがある。２官能シリコンアルコキシドとしては例えば、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、メチルフェニルジエトキシシラン、メチルフェニルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン等を、３官能シリコンアルコキシドとしては例えば、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトシキシラン等を、４官能シリコンアルコキシドとしては例えば、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン等をそれぞれ挙げることができる。
【００２６】
このシリコンアルコキシド溶液としては、シリコンアルコキシドと、シリコンアルコキシドの加水分解重合反応触媒と、水と、溶剤を配合することにより得られ、その配合比率は、シリコンアルコキシド１００質量部に対して、シリコンアルコキシドの加水分解重合反応触媒を０．００１〜１０質量部、水を１０〜２００質量部、溶剤を１０〜１０００質量部の範囲に設定するのが好ましい。
【００２７】
これらポリシラザン又はシリコンアルコキシドを含有する溶液からなる侵食防止剤を金属層１３の側壁の少なくとも一部に塗布することにより、接合部の外周部に侵食防止剤の塗布層が薄く形成される。これを必要に応じて重ね塗りするなどにより、所望の厚さの塗布層とする。    
【００２８】
次に、この侵食防止剤の塗布層を形成したパワーモジュール用基板１０の金属層１３とヒートシンク３０とをフラックスを用いたろう付法（ノコロックろう付け法）により接合して、パワーモジュール用基板１０とヒートシンク３０とを接合する（二次ろう付工程）。このろう付け法は、ろう材面に金属表面の酸化物を除去するフッ化物系フラックスを塗布して、非酸化性雰囲気（例えばＮ２雰囲気）中で６００〜６１５℃に加熱して、ろう付けする方法である。
【００２９】
このフラックスには、ＫＡｌＦ４、Ｋ２ＡｌＦ５、Ｋ３ＡｌＦ６等が用いられる。金属層１３とヒートシンク３０とを接合するろう材は、例えばＡｉ−Ｓｉ系合金が用いられ、ヒートシンク３０の表面に予めクラッドされているか、ろう材箔の形態でヒートシンク３０に重ねることにより供給される。
【００３０】
この二次ろう付工程において、フラックスが金属層１３の側面１３ｃを這い上がって金属層１３とセラミックス基板１１との接合部を侵食すると、接合部にクラックが生じ、剥離が生じやすくなるおそれがある。しかしながら、接合部の外周部に侵食防止剤の塗布層を形成しておいたことにより、二次ろう付工程時のろう付温度に達するまでの間に、空気に触れた侵食防止剤中のＳｉＯ２前駆体が加熱によってＳｉＯ２に転化して、図４に示すように、そのＳｉＯ２膜４０が金属層１３の側壁の少なくとも一部に形成され、金属層１３とヒートシンク３０との間から流出するフラックスがセラミックス基板１１と金属層１３との接合部に達する前にＳｉＯ２と接触することにより反応して不活性化される。これによりセラミックス基板１１と金属層１３との接合部内にフラックスが侵食して剥離を生じさせることを防止することができる。
【００３１】
また、ヒートシンク３０と接合される金属層１３のヒートシンク接合面１３ａに複数の溝１４が形成されていることにより、ろう付け時のフラックスの蒸発ガスは各溝１４を通って、ヒートシンク３０と金属層１３との間から外部に円滑に放出される。したがって、フラックスガスは金属層１３とヒートシンク３０との間に滞留することが抑制され、ろう付け後にボイドとして残存することが防止される。
【００３２】
以上説明したように、本発明のヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法によれば、金属層１３の側壁の少なくとも一部に、ＳｉＯ２前駆体を溶剤中に含有した溶液からなる侵食防止剤を塗布しているので、塗布剥がれ等を生じることなく、容易に塗布層を形成することができる。そして、その後、二次ろう付工程時のろう付温度に達するまでの間に侵食防止剤がＳｉＯ２に転化して、ＳｉＯ２膜４０が形成される。この場合、ＳｉＯ２前駆体からＳｉＯ２への転化は加水分解反応を伴うので、水分を含む雰囲気に触れさせることが必要である。通常は、侵食防止剤の塗布工程から二次ろう付工程のろう付温度に達するまでの間に大気に接触することで十分である。
【００３３】
このようにして形成されたＳｉＯ２膜４０により、ヒートシンク３０とパワーモジュール用基板１０とを接合する際のフラックスの接合部への侵入を防止して、その接合部に剥離を生じさせず、接合信頼性の高いヒートシンク付パワーモジュール用基板を提供することができる。また、酸化チタン等をペーストによって塗布する場合はヒートシンク接合後に残る残渣を除去する作業が必要であるが、本発明により形成されるＳｉＯ２膜４０は薄膜であるので、ヒートシンク３０を接合した後に残渣として残ることが少なく、残渣除去等の後処理を不要にすることができる。
【００３４】
なお、本発明は前記実施形態の構成のものに限定されるものではなく、細部構成においては、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
先の実施形態では、二次ろう付工程時の加熱によって侵食防止剤内のＳｉＯ２前駆体をＳｉＯ２に転化させるようにしたが、侵食防止剤を塗布した後に乾燥工程を設け、その乾燥工程中にＳｉＯ２前駆体をＳｉＯ２に転化させるようにしてもよい。この場合、ＳｉＯ２前駆体の加水分解反応を生じさせるために、大気中など、水分を含む雰囲気中で乾燥する。通常は、大気中で常温（２０℃±１５℃）〜１５０℃の温度範囲で１時間〜２４時間乾燥すればよい。
【００３５】
この乾燥により、侵食防止剤中のＳｉＯ２前駆体はＳｉＯ２に転化し、ＳｉＯ２膜４０となって接合部の外周部に形成される。このＳｉＯ２膜４０は薄い酸化膜であり、金属層１３の側壁の少なくとも一部に形成される。したがって、その後の二次ろう付工程までの取り扱い中に脱落することなく保持され、二次ろう付工程において前述の実施形態のようにフラックスの接合部への侵入を防止する。
一次ろう付工程から二次ろう付工程までの時間が長い場合や、その間に搬送等が生じる場合などに、この侵食防止剤の乾燥工程を設けることにより、取り扱いを容易にすることができる。
図４に示す例では、金属層１３の側壁の４面全部にＳｉＯ２膜４０を形成した例としたが、４面のうちの２面に形成するなど、側壁の全周でなくともよい。また、セラミックス基板１１と金属層１３との接合部の外周を覆うようにＳｉＯ２膜４０を形成しているが、必ずしも接合部の外周でなくともよく、金属層１３の側壁の少なくとも一部に形成すればよい。
【実施例】
【００３６】
本発明の効果の確認実験を行った。本実施例では、セラミックス基板として３２ｍｍ×３２ｍｍ、厚さ０．６３５ｍｍのＡｌＮ板、回路層として３０ｍｍ×３０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍのアルミニウム材（１Ｎ９９）、金属層として２８ｍｍ×２８ｍｍ、厚さ１．５ｍｍのアルミニウム材（１Ｎ９９）を用いた。
【００３７】
次に、セラミックス板の両面に厚さ１５μｍのＡｌ−７．５ｗｔ％Ｓｉろう材を用いて回路層および金属層をろう付けしてパワーモジュール用基板を作製した。ろう付け条件は、真空中で６４０℃、加圧力０．４９ＭＰａ(５ｋｇｆ／ｃｍ２)で行った。
このパワーモジュール基板の金属層の全側壁に塗布したものと、溝１４の開口部を有する側壁（２面）に塗布したものとを作製した。また、表１に示す二種類の侵食防止剤を塗布した。塗布は刷毛を用いて行った。比較のため、侵食防止剤を塗布しないものも用意した。
その後、上記パワーモジュール用基板の金属層をノコロックフラックス（森田化学製ＦＬ−７）とＡｌ−Ｓｉろう材を用いて窒素雰囲気中でノコロックろう付法により５０ｍｍ×５０ｍｍ、厚さ５ｍｍのヒートシンクに接合した。
【００３８】
これらヒートシンクを接合したパワーモジュール用基板に冷熱サイクル試験（−４０℃〜１２５℃×３０００サイクル）を施し、その前後でセラミックス基板と放熱層とのＡｌＮ／Ａｌ界面の初期剥離率および冷熱サイクル試験後の剥離率を評価した。これらの平均初期剥離率および冷熱サイクル試験後の平均剥離率を表１に示す。
【００３９】
なお、剥離率は、超音波探傷装置を用いて接合部を評価し、剥離率＝剥離面積／初期接合面積の式から算出した。ここで、初期接合面積とは、接合前における接合すべき面積、すなわち放熱層の金属層面積とした。また、超音波探傷像において、剥離は接合部内の白色部で示されることから、この白色部の面積を剥離面積とした。
【００４０】
【表１】
0005948990.tif 000002
【００４１】
表１に示される通り、セラミックス基板と金属層との接合部に侵食防止剤を塗布した実施例１〜４の場合は、初期剥離率は０％であり、冷熱サイクル試験後の剥離率も実用上問題ない程度に良好な結果が得られた。一方、侵食防止剤を塗布しなかった従来例では、初期剥離率および冷熱サイクル試験後の剥離率はともに実施例１〜４より悪い結果となった。
【符号の説明】
【００４２】
１０  パワーモジュール用基板
１１  セラミックス基板
１２  金属層
１３  金属層
１３ａ  ヒートシンク接合面
１３ｂ  基板接合面
１３ｃ  側面
１４  溝
２０  電子部品
２１  はんだ接合層
２２  ボンディングワイヤ
２３  クッション層
３０  ヒートシンク
３０ａ  流路
４０  ＳｉＯ２膜
１００  パワーモジュール
【図１】
0005948990.tif 000003
【図２】
0005948990.tif 000004
【図３】
0005948990.tif 000005
【図４】
0005948990.tif 000006