(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体膜をトランジスタのチャネルとして有し、
前記酸化物半導体膜はＩｎとＳｎとＺｎとを有し、原子数比において、Ｉｎ：Ｓｎ：Ｚｎ＝２：１：３の組成比であり、
前記酸化物半導体膜は、非単結晶であり、
前記酸化物半導体膜は、結晶を有し、
前記結晶は、前記酸化物半導体膜の表面に垂直な方向に沿うｃ軸を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
酸化物半導体膜をトランジスタのチャネルとして有し、
前記酸化物半導体膜はＩｎとＳｎとＺｎとを有し、原子数比において、Ｉｎ：Ｓｎ：Ｚｎ＝２：１：４の組成比であり、
前記酸化物半導体膜は、非単結晶であり、
前記酸化物半導体膜は、結晶を有し、
前記結晶は、前記酸化物半導体膜の表面に垂直な方向に沿うｃ軸を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
酸化物半導体膜をトランジスタのチャネルとして有し、
前記酸化物半導体膜はＩｎとＳｎとＺｎとを有し、原子数比において、Ｉｎ：Ｓｎ：Ｚｎ＝２．４３：１：３．２３の組成比であり、
前記酸化物半導体膜は、非単結晶であり、
前記酸化物半導体膜は、結晶を有し、
前記結晶は、前記酸化物半導体膜の表面に垂直な方向に沿うｃ軸を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
酸化物半導体膜をトランジスタのチャネルとして有し、
前記酸化物半導体膜は組成式ＩｎａＳｎｂＺｎｃＯｘで表される酸化物膜であって、
ａ、ｂ、ｃは、ａ＋ｂ＋ｃ＝７と、（ａ−２）２＋（ｂ−１）２＋（ｃ−４）２≦０．２５との式を満たし、
前記酸化物半導体膜は、非単結晶であり、
前記酸化物半導体膜は、結晶を有し、
前記結晶は、前記酸化物半導体膜の表面に垂直な方向に沿うｃ軸を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
酸化物半導体膜をトランジスタのチャネルとして有し、
前記酸化物半導体膜は組成式ＩｎａＳｎｂＺｎｃＯｘで表される酸化物膜であって、
ａ、ｂ、ｃは、ａ＋ｂ＋ｃ＝６と、（ａ−２）２＋（ｂ−１）２＋（ｃ−３）２≦０．２５との式を満たし、
前記酸化物半導体膜は、非単結晶であり、
前記酸化物半導体膜は、結晶を有し、
前記結晶は、前記酸化物半導体膜の表面に垂直な方向に沿うｃ軸を有することを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、酸化物材料、並びに該酸化物材料を用いたトランジスタなどの半導体素子を含
む半導体装置およびその作製方法に関する。例えば、電源回路に搭載されるパワーデバイ
ス、メモリ、サイリスタ、コンバータ、イメージセンサなどを含む半導体集積回路、液晶
表示パネルに代表される電気光学装置、発光素子を有する発光表示装置等を部品として搭
載した電子機器に関する。
【０００２】
なお、本明細書中において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置
全般を指し、電気光学装置、発光表示装置、および電子機器は全て半導体装置である。
【背景技術】
【０００３】
液晶表示装置に代表されるように、ガラス基板等に形成されるトランジスタの多くはアモ
ルファスシリコン、多結晶シリコンなどによって構成されている。アモルファスシリコン
を用いたトランジスタは電界効果移動度が低いもののガラス基板の大面積化に対応するこ
とができる。また、多結晶シリコンを用いたトランジスタの電界効果移動度は高いがガラ
ス基板の大面積化には適していないという欠点を有している。
【０００４】
近年は、酸化物半導体を用いてトランジスタを作製し、電子デバイスや光デバイスに応用
する技術が注目されている。酸化物半導体として、例えば、酸化亜鉛、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ
−Ｏ系酸化物を用いてトランジスタを作製し、表示装置の画素のスイッチング素子などに
用いる技術が特許文献１および特許文献２で開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−１２３８６１号公報
【特許文献２】特開２００７−９６０５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
酸化物半導体膜を用いたトランジスタの電気的特性は、酸化物半導体膜と、該酸化物半導
体膜と接する絶縁膜との界面の電子状態に影響されやすい。そのため、トランジスタの作
製中または作製後において、絶縁膜に接する酸化物半導体膜が非晶質状態であると、絶縁
膜と酸化物半導体膜との界面において欠陥状態密度が大きくなり、トランジスタの電気的
特性が不安定となりやすい。
【０００７】
また、酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、可視光や紫外光を照射することで電気的
特性が変化し、信頼性が低下するという問題がある。
【０００８】
このような問題に鑑み、本発明の一態様は、トランジスタに安定した電気的特性を付与し
、信頼性の高い半導体装置を提供することを課題の一とする。また、このような半導体装
置を実現する酸化物材料を提供することを課題の一とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様は、それぞれ、ｃ軸配向し、ａｂ面、上面または被形成面に垂直な方向か
ら見て少なくとも三角形状または六角形状の原子配列を有する、ａ軸またはｂ軸の向きが
異なる二種以上の結晶部分を含む酸化物材料である。
【００１０】
本発明の一態様に係る酸化物材料は、亜鉛を含んでいる。亜鉛を含むことにより、それぞ
れ、ｃ軸配向し、ａｂ面、上面または被形成面に垂直な方向から見て少なくとも三角形状
または六角形状の原子配列を有する、ａ軸またはｂ軸の向きが異なる二種以上の結晶部分
を含む酸化物材料を形成しやすくなる。
【００１１】
また、本発明の一態様に係る酸化物材料は、インジウム、ガリウム、亜鉛、錫、チタンお
よびアルミニウムから選ばれた二種以上の元素を含む。
【００１２】
本発明の一態様に係る酸化物材料は、スパッタリング法、蒸着法、プラズマ化学気相成長
法（ＰＣＶＤ法）、パルスレーザー堆積法（ＰＬＤ法）、原子層堆積法（ＡＬＤ法）また
は分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法）などによって形成することができる。
【００１３】
本発明の一態様に係る酸化物材料は、組成の異なる二種の膜を積層し、積層後の加熱処理
によって結晶化させることで、形成することができる。なお、酸化物材料の成膜条件によ
っては、積層後の加熱処理を行わなくても結晶化することもある。
【００１４】
本発明の一態様は、複数の金属層または金属酸化物層を有し、該複数の金属層または金属
酸化物層は、４配位の酸素原子（以下、４配位のＯ）を介して結合する酸化物材料である
。また、複数の金属層または金属酸化物層は、４配位の中心金属原子と、５配位の中心金
属原子と、５配位および６配位の両方をとりうる中心金属原子と、を有する酸化物材料で
ある。
【００１５】
本発明の一態様に係る酸化物材料が導電性を有する場合、トランジスタのゲート電極の材
料に用いることができる。なお、ゲート電極は、本発明の一態様に係る酸化物材料からな
る膜と金属膜との積層構造としてもよい。
【００１６】
または、本発明の一態様に係る酸化物材料が導電性を有する場合、トランジスタのソース
電極およびドレイン電極の材料に用いることができる。なお、ソース電極およびドレイン
電極は、本発明の一態様に係る酸化物材料からなる膜と金属膜との積層構造としてもよい
。
【００１７】
本発明の一態様に係る酸化物材料が半導体性を有する場合、トランジスタのチャネル形成
領域に本発明の一態様に係る酸化物材料からなる膜を用いることができる。その場合、例
えば、トランジスタのソース電極およびドレイン電極として機能する導電膜と絶縁膜との
間に接して設ける。なお、該絶縁膜は、トランジスタのゲート絶縁膜、下地絶縁膜または
層間絶縁膜として機能する。
【発明の効果】
【００１８】
トランジスタに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供することが
できる。また、このような半導体装置を実現する酸化物材料を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の一態様に係る酸化物材料の構造を説明する図。
【図２】本発明の一態様に係る酸化物材料の組成比を示す図。
【図３】本発明の一態様に係る半導体装置の一例を示す上面図および断面図。
【図４】本発明の一態様に係る半導体装置の一例を示す上面図および断面図。
【図５】本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を示す断面図。
【図６】本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を示す断面図。
【図７】本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を示す断面図。
【図８】本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を示す断面図。
【図９】本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を示す断面図。
【図１０】本発明の一態様に係る液晶表示装置の一例を示す回路図。
【図１１】本発明の一態様に係る半導体記憶装置の一例を示す回路図および電気特性を示す図。
【図１２】本発明の一態様に係る半導体記憶装置の一例を示す回路図および電気特性を示す図。
【図１３】本発明の一態様に係る半導体装置を適用した電子機器の一例を示す斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は
以下の説明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更しうることは、当業者であれ
ば容易に理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈さ
れるものではない。なお、図面を用いて発明の構成を説明するにあたり、同じものを指す
符号は異なる図面間でも共通して用いる。なお、同様のものを指す際にはハッチパターン
を同じくし、特に符号を付さない場合がある。
【００２１】
以下、本発明の説明を行うが、本明細書で用いる用語について簡単に説明する。トランジ
スタのソースとドレインは、一方をドレインと呼ぶとき他方をソースとする。すなわち、
電位の高低によって、それらを区別しない。したがって、本明細書において、ソースとさ
れている部分をドレインと読み替えることもできる。
【００２２】
また、電圧は、ある電位と基準の電位（例えばグラウンド電位（ＧＮＤ）またはソース電
位）との電位差のことを示す場合が多い。よって、電圧と電位を言い換えることが可能で
ある。
【００２３】
本明細書においては、「接続する」と表現される場合であっても、現実の回路においては
、物理的な接続部分がなく、配線が延在している場合だけのこともある。
【００２４】
なお、第１、第２として付される序数詞は便宜上用いるものであり、工程順または積層順
を示すものではない。また、本明細書において発明を特定するための事項として固有の名
称を示すものではない。
【００２５】
（実施の形態１）
本実施の形態では、それぞれ、ｃ軸配向し、ａｂ面、上面または被形成面に垂直な方向か
ら見て少なくとも三角形状または六角形状の原子配列を有し、ｃ軸においては、金属原子
が層状または金属原子と酸素原子とが層状に配列している、ａｂ面（または上面または被
形成面）において、ａ軸またはｂ軸の向きが異なる二種以上の結晶部分を含む酸化物（Ｃ
ＡＡＣ酸化物：Ｃ  Ａｘｉｓ  Ａｌｉｇｎｅｄ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  Ｏｘｉｄｅと
もいう。）材料について説明する。
【００２６】
ＣＡＡＣ酸化物とは、広義に、非単結晶であって、ａｂ面に垂直な方向から見て、三角形
、六角形、正三角形、または正六角形の原子配列を有し、かつ、ｃ軸に垂直な方向から見
て、金属原子が層状、または金属原子と酸素原子が層状に配列した相を含む材料をいう。
【００２７】
ＣＡＡＣ酸化物は単結晶ではないが、非晶質のみから形成されているものでもない。また
、ＣＡＡＣ酸化物は結晶化した部分（結晶部分）を含むが、１つの結晶部分と他の結晶部
分の境界を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  
Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）による観察像では明確に判別できない。
【００２８】
なお、ＣＡＡＣ酸化物を構成する酸素の一部は窒素で置換されてもよい。また、ＣＡＡＣ
酸化物を構成する個々の結晶部分のｃ軸は一定の方向（例えば、上面または被形成面に垂
直な方向）に揃っていてもよい。または、ＣＡＡＣ酸化物を構成する個々の結晶部分のａ
ｂ面の法線は一定の方向（例えば、上面または被形成面に垂直な方向）を向いていてもよ
い。
【００２９】
ＣＡＡＣ酸化物は、その組成等に応じて、導体であったり、半導体であったり、絶縁体で
あったりする。また、その組成等に応じて、可視光に対して透明であったり不透明であっ
たりする。
【００３０】
このようなＣＡＡＣ酸化物の例として、膜状に形成され、上面または被形成面に垂直な方
向から観察すると三角形、または六角形の原子配列が認められ、かつその膜断面を観察す
ると金属原子、または金属原子と酸素原子（または窒素原子）の層状配列が認められる材
料を挙げることもできる。
【００３１】
ＣＡＡＣ酸化物に含まれる結晶部分について図１を用いて詳細に説明する。なお、特に断
りがない限り、図１は上方向をｃ軸方向とし、ｃ軸と直交する面をａｂ面とする。なお、
単に上半分、下半分という場合、ａｂ面を境にした場合の上半分、下半分をいう。また、
図１において、丸で囲まれたＯは４配位のＯを示し、二重丸で囲まれたＯは３配位のＯを
示す。
【００３２】
図１（Ａ）に、１個の６配位の金属原子Ｍ＿１と、金属原子Ｍ＿１に近接の６個の４配位
のＯと、を有する構造を示す。このような金属原子１個に対して、近接の酸素原子のみ示
した構造を、ここでは小グループと呼ぶ。図１（Ａ）の構造は、八面体構造をとるが、簡
単のため平面構造で示している。なお、図１（Ａ）の上半分および下半分にはそれぞれ３
個ずつ４配位のＯがある。
【００３３】
図１（Ｂ）は、１個の５配位の金属原子Ｍ＿２と、金属原子Ｍ＿２に近接の３個の３配位
の酸素原子（以下３配位のＯ）と、近接の２個の４配位のＯと、を有する構造を示す。３
配位のＯは、いずれもａｂ面に存在する。図１（Ｂ）の上半分および下半分にはそれぞれ
１個ずつ４配位のＯがある。
【００３４】
図１（Ｃ）は、１個の４配位の金属原子Ｍ＿３と、金属原子Ｍ＿３に近接の４個の４配位
のＯと、による構造を示す。図１（Ｃ）の上半分には１個の４配位のＯがあり、下半分に
は３個の４配位のＯがある。
【００３５】
これらの配位数を有する金属原子同士は、４配位のＯを介して結合する。具体的には、４
配位のＯが足して４個のときに結合する。例えば、６配位の金属原子Ｍ＿１が上半分の４
配位のＯを介して結合する場合、４配位のＯが３個であるため、５配位の金属原子Ｍ＿２
の上半分の４配位のＯ、５配位の金属原子Ｍ＿２の下半分の４配位のＯまたは４配位の金
属原子Ｍ＿３の上半分の４配位のＯのいずれかと結合することになる。
【００３６】
これらの配位数を有する金属原子は、４配位のＯを介して結合し、さらに層構造の合計の
電荷が０となるように小グループ同士が結合して１グループを構成する。なお、小グルー
プのいくつかの集合体を１グループと呼ぶ。
【００３７】
図１（Ｄ）に、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系の層構造を構成する１グループのモデル図を示す
。
【００３８】
図１（Ｄ）においては、簡単のため、３配位のＯは省略し、４配位のＯは個数のみ示し、
例えば、Ｉｎ原子の上半分および下半分にはそれぞれ３個ずつ４配位のＯがあることを丸
枠の３として示している。同様に、図１（Ｄ）において、Ｓｎ原子の上半分および下半分
にはそれぞれ１個ずつ４配位のＯがあり、丸枠の１として示している。また、同様に、図
１（Ｄ）において、下半分には１個の４配位のＯがあり、上半分には３個の４配位のＯが
あるＺｎ原子と、上半分には１個の４配位のＯがあり、下半分には３個の４配位のＯがあ
るＺｎ原子とを示している。
【００３９】
図１（Ｄ）において、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系の層構造を構成する１グループは、上から
順に４配位のＯが３個ずつ上半分および下半分にあるＩｎ原子が、上半分に１個の４配位
のＯがあるＺｎ原子と結合し、そのＺｎ原子の下半分の３個の４配位のＯを介してＳｎ原
子の上半分の１個の４配位のＯが結合し、そのＳｎ原子の下半分の１個の４配位のＯを介
して４配位のＯが３個ずつ上半分および下半分にあるＩｎ原子と結合し、そのＩｎ原子が
、上半分に１個の４配位のＯがあるＺｎ原子と結合し、そのＺｎ原子の下半分の３個の４
配位のＯを介してＺｎ原子と結合し、そのＺｎ原子の下半分の１個の４配位のＯを介して
Ｉｎ原子が結合している構成である。この１グループを複数結合して１周期分である１ユ
ニットを構成する。
【００４０】
ここで、３配位のＯおよび４配位のＯの場合、結合１本当たりの電荷はそれぞれ−０．６
６７、−０．５と考えることができる。例えば、Ｉｎ（６配位または５配位）、Ｚｎ（４
配位）、Ｓｎ（５配位または６配位）の電荷は、それぞれ＋３、＋２、＋４である。した
がって、Ｓｎからなる小グループは電荷が＋１となる。そのため、Ｓｎを含む層構造を形
成するためには、電荷＋１を打ち消す電荷−１が必要となる。電荷−１をとる構造として
、図１（Ｄ）に示すように、Ｚｎの小グループが二つ結合した構造が挙げられる。例えば
、Ｓｎからなる小グループが１個に対し、Ｚｎの小グループが二つ結合した構造が１個あ
れば、電荷が打ち消されるため、層構造の合計の電荷を０とすることができる。
【００４１】
また、Ｉｎは５配位および６配位のいずれもとることができるものとする。図１（Ｄ）に
示した１グループを繰り返す構造とすることで、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系の結晶（Ｉｎ２
ＳｎＺｎ３Ｏ８）を得ることができる。なお、得られるＩｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系の層構造
は、Ｉｎ２ＳｎＺｎ２Ｏ７（ＺｎＯ）ｍ（ｍは０または自然数。）とする組成式で表すこ
とができる。なお、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系の結晶は、ｍの数が大きいと結晶性が向上す
るため、好ましい。
【００４２】
また、このほかにも、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体や、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ
−Ｏ系酸化物半導体（ＩＧＺＯとも表記する）、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体、
Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体、Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体、Ｓｎ−Ａ
ｌ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体や、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化
物半導体、Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体、Ｚｎ−Ｍｇ−Ｏ系酸化物半導体、Ｓｎ−Ｍｇ
−Ｏ系酸化物半導体、Ｉｎ−Ｍｇ−Ｏ系酸化物半導体や、Ｉｎ−Ｇａ−Ｏ系酸化物半導体
などを用いた場合も同様である。
【００４３】
次に、ＣＡＡＣ酸化物膜の形成方法について説明する。
【００４４】
まず、平坦性を有する基板に第１の酸化物膜をスパッタリング法、蒸着法、ＰＣＶＤ法、
ＰＬＤ法、ＡＬＤ法またはＭＢＥ法などによって成膜する。なお、成膜時に基板を加熱す
ることで、非晶質部分に対して結晶部分の占める割合の多い酸化物膜とすることができる
。例えば、基板温度が１５０℃以上４５０℃以下とすればよい。好ましくは、基板温度が
２００℃以上３５０℃以下とする。
【００４５】
成膜時の基板温度を高めることによって、より非晶質部分に対して結晶部分の占める割合
の多いＣＡＡＣ酸化物膜を成膜することができる。
【００４６】
次に、基板に第１の加熱処理を行ってもよい。第１の加熱処理を行うことによって、より
非晶質部分に対して結晶部分の割合の多い酸化物膜とすることができる。第１の加熱処理
は、例えば２００℃以上基板の歪み点未満で行えばよい。好ましくは、２５０℃以上４５
０℃以下とする。雰囲気は限定されないが、酸化性雰囲気、不活性雰囲気または減圧雰囲
気（１０Ｐａ以下）で行う。処理時間は３分〜２４時間とする。処理時間を長くするほど
非晶質部分に対して結晶部分の割合の多い酸化物膜を形成することができるが、２４時間
を超える加熱処理は生産性の低下を招くため好ましくない。ただし、２４時間を超えて加
熱処理を行っても構わない。
【００４７】
酸化性雰囲気とは酸化性ガスを含む雰囲気である。酸化性ガスとは、酸素、オゾンまたは
亜酸化窒素などであって、水、水素などが含まれないことが好ましい。例えば、加熱処理
装置に導入する酸素、オゾン、亜酸化窒素の純度を、８Ｎ（９９．９９９９９９％）以上
、好ましくは９Ｎ（９９．９９９９９９９％）以上（不純物濃度が１０ｐｐｂ以下、好ま
しくは０．１ｐｐｂ未満）とする。酸化性雰囲気は、酸化性ガスを不活性ガスと混合して
用いてもよい。その場合、酸化性ガスが少なくとも１０ｐｐｍ以上含まれるものとする。
【００４８】
ここで、不活性雰囲気とは、窒素、希ガス（ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、
キセノン）などの不活性ガスを主成分とする雰囲気である。具体的には、酸化性ガスなど
の反応性ガスが１０ｐｐｍ未満とする。
【００４９】
第１の加熱処理はＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｎｎｅａｌ）装置を用いるこ
とができる。ＲＴＡを用いることで、短時間に限り、基板の歪み点以上の温度で加熱処理
を行うことができる。そのため、非晶質部分に対して結晶部分の割合の多い酸化物膜を形
成するための時間を短縮することができる。
【００５０】
次に、第１の酸化物膜上に第２の酸化物膜を成膜し、酸化物積層体を形成してもよい。第
２の酸化物膜は、第１の酸化物膜と同様の方法から選択して成膜すればよい。
【００５１】
第２の酸化物膜を成膜する際、基板加熱しながら成膜することで、第１の酸化物膜を種結
晶に、第２の酸化物膜を結晶化させることができる。このとき、第１の酸化物膜と第２の
酸化物膜が同一の元素から構成されることをホモ成長という。または、第１の酸化物膜と
第２の酸化物膜とが、少なくとも一種以上異なる元素から構成されることをヘテロ成長と
いう。
【００５２】
なお、第２の酸化物膜を成膜した後、第２の加熱処理を行ってもよい。第２の加熱処理は
、第１の加熱処理と同様の方法で行えばよい。第２の加熱処理を行うことによって、非晶
質部分に対して結晶部分の割合の多い酸化物積層体とすることができる。または、第２の
加熱処理を行うことによって、第１の酸化物膜を種結晶に、第２の酸化物膜を結晶化させ
ることができる。このとき、第１の酸化物膜と第２の酸化物膜が同一の元素から構成され
るホモ成長としても構わない。または、第１の酸化物膜と第２の酸化物膜とが、少なくと
も一種以上異なる元素から構成されるヘテロ成長としても構わない。
【００５３】
以上の方法で、ＣＡＡＣ酸化物膜を形成することができる。
【００５４】
ここで、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系の材料がとりうる組成比を図２に示す。Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚ
ｎ−Ｏ系の材料が採る代表的な組成比は、Ｉｎ：Ｓｎ：Ｚｎ＝２：１：３［原子数比］、
Ｉｎ：Ｓｎ：Ｚｎ＝２：１：４［原子数比］などが挙げられ、その近傍の組成比とすると
好ましい。例えば、図２に示したＩｎ：Ｓｎ：Ｚｎ＝３６．５：１５：４８．５［原子数
比］などとしてもよい。また、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系の材料をターゲットに用いて、ス
パッタリング法によってＩｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物膜を成膜する場合、Ｚｎが蒸発し
て失われやすいため、所望の組成比に対してＺｎの割合の高いターゲットを用いる。例え
ばＺｎを５０原子％以上含ませると好ましい。なお、組成式ＩｎａＳｎｂＺｎｃＯｘで表
される酸化物がＩｎ２ＳｎＺｎ４Ｏｘの近傍の組成比という場合、ａ、ｂ、ｃが２つの方
程式ａ＋ｂ＋ｃ＝７、（ａ−２）２＋（ｂ−１）２＋（ｃ−４）２≦０．２５を満たす。
【００５５】
なお、非晶質であるＩｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物をチャネル形成領域に用いたトランジ
スタの電気的特性が報告されており、電界効果移動度３０ｃｍ２／Ｖｓが得られている（
Ｅｒｉ  Ｆｕｋｕｍｏｔｏ，  Ｔｏｓｈｉａｋｉ  Ａｒａｉ，  Ｎａｒｉｈｉｒｏ  Ｍｏ
ｒｏｓａｗａ，  Ｋａｚｕｈｉｋｏ  Ｔｏｋｕｎａｇａ，  Ｙａｓｕｈｉｒｏ  Ｔｅｒａ
ｉ，  Ｔａｋａｓｈｉｇｅ  Ｆｕｊｉｍｏｒｉ  ａｎｄ  Ｔａｔｓｕｙａ  Ｓａｓａｏｋ
ａ、  「Ｈｉｇｈ  Ｍｏｂｉｌｉｔｙ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  ＴＦ
Ｔ  ｆｏｒ  Ｃｉｒｃｕｉｔ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ  ｏｆ  ＡＭ−ＯＬＥＤ」、  Ｉ
ＤＷ’１０  ｐ６３１−ｐ６３４）。
【００５６】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて用いることができる。
【００５７】
（実施の形態２）
本実施の形態では、実施の形態１で示したＣＡＡＣ酸化物材料を用いたトランジスタにつ
いて、図３乃至図９を用いて説明する。
【００５８】
図３は、トップゲート・トップコンタクト構造のトランジスタの上面図および断面図であ
る。図３（Ａ）にトランジスタの上面図を、図３（Ａ）の一点鎖線Ａ−Ｂに対応する断面
Ａ−Ｂを図３（Ｂ）に示す。
【００５９】
図３（Ｂ）に示すトランジスタは、基板１００上に設けられた下地絶縁膜１０２と、下地
絶縁膜１０２の周辺に設けられた保護絶縁膜１０４と、下地絶縁膜１０２および保護絶縁
膜１０４上に設けられた高抵抗領域１０６ａおよび低抵抗領域１０６ｂを有する酸化物半
導体膜１０６と、酸化物半導体膜１０６上に設けられたゲート絶縁膜１０８と、ゲート絶
縁膜１０８を介して高抵抗領域１０６ａと重畳して設けられたゲート電極１１０と、ゲー
ト電極１１０の側面と接する側壁絶縁膜１１２と、少なくとも低抵抗領域１０６ｂおよび
側壁絶縁膜１１２と接する一対の電極１１４と、を有する。該トランジスタは、該トラン
ジスタを覆って設けられた層間絶縁膜１１６と、層間絶縁膜１１６に設けられた開口部を
介して一対の電極１１４と接続する配線１１８と、を有しても構わない。
【００６０】
ここで、酸化物半導体膜１０６は、実施の形態１に示したＣＡＡＣ酸化物膜を用いる。酸
化物半導体膜１０６に実施の形態１に示したＣＡＡＣ酸化物膜を用いることで、電界効果
移動度が高く、かつ信頼性の高いトランジスタを得ることができる。
【００６１】
図３（Ｂ）に示すトランジスタは、ゲート電極１１０をマスクに用いて、自己整合的に酸
化物半導体膜１０６の低抵抗領域１０６ｂを形成することができる。そのため、低抵抗領
域１０６ｂ（および同時に形成される高抵抗領域１０６ａ）のためのフォトリソグラフィ
工程を省略することができる。また、低抵抗領域１０６ｂとゲート電極１１０との重なり
がほとんどないため、低抵抗領域１０６ｂおよびゲート電極１１０の重なりによる寄生容
量が生じず、トランジスタの高速動作が可能となる。なお、高抵抗領域１０６ａは、ゲー
トにトランジスタのしきい値電圧以上の電圧が印加されたときにチャネルを形成する。
【００６２】
図３（Ｂ）に示すトランジスタは、側壁絶縁膜１１２を有するため、トランジスタの動作
時には、低抵抗領域１０６ｂを介して、一対の電極１１４から高抵抗領域１０６ａに電界
が印加されることになる。低抵抗領域１０６ｂを介することで、高抵抗領域１０６ａ端部
の電界集中が緩和され、チャネル長の小さい微細なトランジスタにおいてもホットキャリ
ア劣化などの劣化を抑制でき、信頼性の高いトランジスタを得ることができる。
【００６３】
下地絶縁膜１０２は、加熱処理により酸素を放出する絶縁膜を用いると好ましい。酸化物
半導体膜１０６と接する膜に加熱処理により酸素を放出する絶縁膜を用いることで、酸化
物半導体膜１０６および酸化物半導体膜１０６の界面近傍に生じる酸素欠損を修復するこ
とができ、トランジスタの電気的特性の劣化を抑制できる。
【００６４】
下地絶縁膜１０２は、酸化物半導体膜１０６が結晶成長しやすいように、十分な平坦性を
有することが好ましい。具体的には、平均面粗さ（Ｒａ）が１ｎｍ以下、好ましくは０．
３ｎｍ以下となるように下地絶縁膜１０２を設ける。なお、Ｒａは、ＪＩＳ  Ｂ０６０１
で定義されている中心線平均粗さを面に対して適用できるよう三次元に拡張したものであ
り、「基準面から指定面までの偏差の絶対値を平均した値」と表現でき、数式１にて定義
される。
【００６５】
【数１】
0006028062.tif 000002
【００６６】
なお、数式１において、Ｓ０は、測定面（座標（ｘ１，ｙ１）（ｘ１，ｙ２）（ｘ２，ｙ
１）（ｘ２，ｙ２）で表される４点によって囲まれる長方形の領域）の面積を指し、Ｚ０
は測定面の平均高さを指す。Ｒａは原子間力顕微鏡（ＡＦＭ：Ａｔｏｍｉｃ  Ｆｏｒｃｅ
Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）にて評価可能である。
【００６７】
下地絶縁膜１０２は、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコ
ン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化ジルコニウム、酸化イ
ットリウム、酸化ランタン、酸化セシウム、酸化タンタルおよび酸化マグネシウムの一種
以上を選択して、単層または積層で用いればよい。
【００６８】
「加熱処理により酸素を放出する」とは、ＴＤＳ（Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏ
ｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ：昇温脱離ガス分光法）分析にて放出される酸素が酸素原
子に換算して１．０×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、または３．０×１０２０ａｔｏ
ｍｓ／ｃｍ３以上であることをいう。
【００６９】
ここで、ＴＤＳ分析を用いた酸素の放出量の測定方法について、以下に説明する。
【００７０】
ＴＤＳ分析したときの気体の全放出量は、放出ガスのイオン強度の積分値に比例する。そ
してこの積分値と標準試料との比較により、気体の全放出量を計算することができる。
【００７１】
例えば、標準試料である所定の密度の水素を含むシリコンウェハのＴＤＳ分析結果、およ
び絶縁膜のＴＤＳ分析結果から、絶縁膜の酸素分子の放出量（ＮＯ２）は、数式２で求め
ることができる。ここで、ＴＤＳ分析で得られる質量数３２で検出されるガスの全てが酸
素分子由来と仮定する。質量数３２のガスとしてほかにＣＨ３ＯＨがあるが、存在する可
能性が低いものとしてここでは考慮しない。また、酸素原子の同位体である質量数１７の
酸素原子および質量数１８の酸素原子を含む酸素分子についても、自然界における存在比
率が極微量であるため考慮しない。
【００７２】
【数２】
0006028062.tif 000003
【００７３】
ＮＨ２は、標準試料から脱離した水素分子を密度で換算した値である。ＳＨ２は、標準試
料をＴＤＳ分析したときのイオン強度の積分値である。ここで、標準試料の基準値を、Ｎ
Ｈ２／ＳＨ２とする。ＳＯ２は、絶縁膜をＴＤＳ分析したときのイオン強度の積分値であ
る。αは、ＴＤＳ分析におけるイオン強度に影響する係数である。数式２の詳細に関して
は、特開平６−２７５６９７公報を参照する。なお、上記絶縁膜の酸素の放出量は、電子
科学株式会社製の昇温脱離分析装置ＥＭＤ−ＷＡ１０００Ｓ／Ｗを用い、標準試料として
１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の水素原子を含むシリコンウェハを用いて測定した。
【００７４】
また、ＴＤＳ分析において、酸素の一部は酸素原子として検出される。酸素分子と酸素原
子の比率は、酸素分子のイオン化率から算出することができる。なお、上述のαは酸素分
子のイオン化率を含むため、酸素分子の放出量を評価することで、酸素原子の放出量につ
いても見積もることができる。
【００７５】
なお、ＮＯ２は酸素分子の放出量である。酸素原子に換算したときの放出量は、酸素分子
の放出量の２倍となる。
【００７６】
上記構成において、加熱処理により酸素を放出する膜は、酸素が過剰な酸化シリコン（Ｓ
ｉＯＸ（Ｘ＞２））であってもよい。酸素が過剰な酸化シリコン（ＳｉＯＸ（Ｘ＞２））
とは、シリコン原子数の２倍より多い酸素原子を単位体積当たりに含むものである。単位
体積当たりのシリコン原子数および酸素原子数は、ラザフォード後方散乱法により測定し
た値である。
【００７７】
下地絶縁膜１０２から酸化物半導体膜１０６に酸素が供給されることで、酸化物半導体膜
１０６と下地絶縁膜１０２との界面準位密度を低減できる。この結果、トランジスタの動
作などに起因して、酸化物半導体膜１０６と下地絶縁膜１０２との界面にキャリアが捕獲
されることを抑制することができ、電気的特性の劣化の少ないトランジスタを得ることが
できる。
【００７８】
さらに、酸化物半導体膜１０６の酸素欠損に起因して電荷が生じる場合がある。一般に酸
化物半導体膜の酸素欠損は、一部がドナーとなりキャリアである電子を放出する。この結
果、トランジスタのしきい値電圧がマイナス方向にシフトしてしまう。そこで、下地絶縁
膜１０２から酸化物半導体膜１０６に酸素が十分に供給されることにより、しきい値電圧
がマイナス方向へシフトする要因である、酸化物半導体膜１０６の酸素欠損を低減するこ
とができる。
【００７９】
保護絶縁膜１０４は、２５０℃以上４５０℃以下、好ましくは１５０℃以上８００℃以下
の温度範囲において、例えば１時間の加熱処理を行っても酸素を透過しない性質を有する
と好ましい。
【００８０】
以上のような性質により、保護絶縁膜１０４を下地絶縁膜１０２の周辺に設ける構造をと
ることで、下地絶縁膜１０２から加熱処理によって放出された酸素が、トランジスタの外
方へ拡散していくことを抑制できる。そのため、下地絶縁膜１０２に酸素が保持され、ト
ランジスタの電気的特性および信頼性を高めることができる。
【００８１】
ただし、保護絶縁膜１０４を設けない構造を除外するものではない。
【００８２】
保護絶縁膜１０４は、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミ
ニウム、酸化ハフニウム、酸化ジルコニウム、酸化イットリウム、酸化ランタン、酸化セ
シウム、酸化タンタルおよび酸化マグネシウムの一種以上を選択して、単層または積層で
用いればよい。
【００８３】
また、基板１００として、可とう性基板を用いてもよい。その場合は、可とう性基板上に
直接的にトランジスタを作製する。なお、可とう性基板上にトランジスタを設ける方法と
しては、非可とう性の基板上にトランジスタを作製した後、トランジスタを剥離し、可と
う性基板である基板１００に転置する方法もある。その場合には、非可とう性基板とトラ
ンジスタとの間に剥離層を設けるとよい。
【００８４】
ゲート電極１１０は、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｙ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｔ
ａおよびＷ、それらの窒化物、酸化物ならびに合金から一種以上選択し、単層でまたは積
層で用いればよい。なお、実施の形態１で示したＣＡＡＣ酸化物膜を用いても構わない。
【００８５】
ゲート絶縁膜１０８は、下地絶縁膜１０２と同様の方法および同様の材料によって形成す
ればよい。
【００８６】
一対の電極１１４は、ゲート電極１１０と同様の方法および同様の材料によって形成すれ
ばよい。
【００８７】
層間絶縁膜１１６は、下地絶縁膜１０２と同様の方法および同様の材料によって形成すれ
ばよい。
【００８８】
配線１１８は、ゲート電極１１０と同様の方法および同様の材料によって形成すればよい
。
【００８９】
図３（Ｂ）に示すトランジスタの作製方法の一例を以下に示す。
【００９０】
ここで、全ての膜において、トランジスタの特性に悪影響を与える水素または水などの不
純物が含まれないようにすると好ましい。例えば、基板１００などの表面に付着している
不純物も膜に取り込まれてしまう。そのため、各層の成膜前に減圧雰囲気または酸化性雰
囲気にて加熱処理を行い、基板１００などの表面に付着している不純物を除去しておくこ
とが好ましい。また、成膜室に存在する不純物も問題となるため、あらかじめ除去してお
くと好ましい。具体的には、成膜室をベーキングすることで成膜室内部からの脱ガスを促
し、排気しておくことが好ましい。また、各層の成膜前（または成膜室の大気開放後）に
は、５分程度のダミー成膜をダミー基板１００枚程度に対し行っておくと好ましい。なお
、ダミー成膜を１枚行うごとに成膜室の排気を行うとより好ましい。ここで、ダミー成膜
とは、ダミー基板に対してスパッタリングなどによる成膜を行うことをいう。ダミー成膜
によって、ダミー基板及び成膜室内壁に膜を堆積させ、成膜室内の不純物及び成膜室内壁
に存在する吸着物を膜中に閉じこめることができる。ダミー基板は、放出ガスの少ない材
料が好ましく、例えば基板１００と同様の材料を用いてもよい。ダミー成膜を行うことで
、後に成膜される膜中の不純物濃度を低減することができる。
【００９１】
また成膜に用いるガスの純度も膜中の不純物濃度に影響するため、なるべく純度の高いガ
スを用いることが好ましい。スパッタリング法を用いる場合、例えば、純度が９Ｎである
アルゴンガス（露点−１２１℃、水０．１ｐｐｂ、水素０．５ｐｐｂ）および純度が８Ｎ
の酸素（露点−１１２℃、水１ｐｐｂ、水素１ｐｐｂ）のガスを用いればよい。
【００９２】
まず、基板１００上にスパッタリング法、蒸着法、ＰＣＶＤ法、ＰＬＤ法、ＡＬＤ法また
はＭＢＥ法などを用いて、下地絶縁膜１０２として示した材料から選択し、下地絶縁膜１
５２を成膜する（図５（Ａ）参照。）。
【００９３】
次に、フォトリソグラフィ工程などによって下地絶縁膜１５２を加工し、下地絶縁膜１０
２を形成する（図５（Ｂ）参照。）。
【００９４】
次に、スパッタリング法、蒸着法、ＰＣＶＤ法、ＰＬＤ法、ＡＬＤ法またはＭＢＥ法など
を用いて、保護絶縁膜１０４として示した材料から選択し、保護絶縁膜１５４を成膜する
（図５（Ｃ）参照。）。
【００９５】
次に、化学機械研磨（ＣＭＰ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈ
ｉｎｇ）処理によって、下地絶縁膜１０２と上面の揃った保護絶縁膜１０４を形成する（
図５（Ｄ）参照。）。なお、下地絶縁膜１０２と保護絶縁膜１０４とは、概略上面の高さ
が一致していればよい。
【００９６】
次に、酸化物半導体膜を実施の形態１に示した酸化物膜と同様の方法で形成し、フォトリ
ソグラフィ工程などによって加工して酸化物半導体膜１５６を形成する（図５（Ｅ）参照
。）。このとき行われる加熱処理によって、下地絶縁膜１０２から酸化物半導体膜へ酸素
が供給される。
【００９７】
次に、絶縁膜１５８、導電膜１６０をこの順番で成膜する（図５（Ｆ）参照。）。成膜方
法は、いずれもスパッタリング法、蒸着法、ＰＣＶＤ法、ＰＬＤ法、ＡＬＤ法またはＭＢ
Ｅ法などを用いて、それぞれゲート絶縁膜１０８、ゲート電極１１０で示した材料から選
択して成膜すればよい。
【００９８】
次に、フォトリソグラフィ工程などによって導電膜１６０を加工し、ゲート電極１１０を
形成する（図６（Ａ）参照。）。
【００９９】
次に、ゲート電極１１０をマスクに用い、絶縁膜１５８を介して酸化物半導体膜１５６の
抵抗値を低減する不純物１２０を添加し、高抵抗領域１０６ａおよび低抵抗領域１０６ｂ
を有する酸化物半導体膜１０６を形成する（図６（Ｂ）参照。）。なお、不純物１２０は
、リン、窒素またはホウ素などを用いればよい。不純物１２０の添加後に２５０℃以上６
５０℃以下の温度で加熱処理を行ってもよい。なお、不純物１２０は、イオン注入法を用
いて添加すると、イオンドーピング法を用いて不純物１２０を添加した場合と比べ、酸化
物半導体膜１０６中への水素の添加が少なくなるため好ましい。ただし、イオンドーピン
グ法を除外するものではない。
【０１００】
なお、絶縁膜１５８を介して不純物１２０を添加することにより、酸化物半導体膜１０６
に不純物１２０の添加する際に生じるダメージを低減することができる。
【０１０１】
次に、絶縁膜１６２をスパッタリング法、蒸着法、ＰＣＶＤ法、ＰＬＤ法、ＡＬＤ法また
はＭＢＥ法などを用いて、側壁絶縁膜１１２として示した材料から選択し、成膜する（図
６（Ｃ）参照。）。
【０１０２】
次に、絶縁膜１６２をエッチングすることにより側壁絶縁膜１１２を形成する。該エッチ
ングは、異方性の高いエッチングであり、側壁絶縁膜１１２は、絶縁膜１６２に異方性の
高いエッチング工程を行うことで自己整合的に形成することができる。ここで、異方性の
高いエッチングとしては、ドライエッチングが好ましく、例えば、エッチングガスとして
、トリフルオロメタン（ＣＨＦ３）、オクタフルオロシクロブタン（Ｃ４Ｆ８）、テトラ
フルオロメタン（ＣＦ４）などのフッ素を含むガスを用いることができ、ヘリウム（Ｈｅ
）やアルゴン（Ａｒ）などの希ガスまたは水素（Ｈ２）を添加しても良い。さらに、ドラ
イエッチングとして、基板に高周波電圧を印加する、反応性イオンエッチング法（ＲＩＥ
法）を用いるのが好ましい。
【０１０３】
側壁絶縁膜１１２を形成するとともに、絶縁膜１５８を加工し、ゲート絶縁膜１０８を形
成することができる（図６（Ｄ）参照。）
【０１０４】
次に、導電膜をスパッタリング法、蒸着法、ＰＣＶＤ法、ＰＬＤ法、ＡＬＤ法またはＭＢ
Ｅ法などを用いて成膜し、フォトリソグラフィ工程などによって該導電膜を加工し、一対
の電極１１４を形成する（図７（Ａ）参照。）。
【０１０５】
次に、層間絶縁膜１１６をスパッタリング法、蒸着法、ＰＣＶＤ法、ＰＬＤ法、ＡＬＤ法
またはＭＢＥ法などを用いて成膜し、一対の電極１１４を露出する開口部を設ける。次に
、導電膜をスパッタリング法、蒸着法、ＰＣＶＤ法、ＰＬＤ法、ＡＬＤ法またはＭＢＥ法
などを用いて成膜し、フォトリソグラフィ工程などによって、該導電膜を加工して、一対
の電極１１４のそれぞれと接する配線１１８を形成する（図７（Ｂ）参照。）。なお、層
間絶縁膜１１６として、少なくとも一部に２０ｎｍ以上、好ましくは５０ｎｍ以上、さら
に好ましくは１００ｎｍ以上の厚さを有する酸化アルミニウム膜を用いると好ましい。酸
化アルミニウム膜を用いることによって、トランジスタの外部から水素または水などのト
ランジスタの電気的特性に悪影響を及ぼす不純物の侵入を抑制できる。また、下地絶縁膜
１０２から放出された酸素がトランジスタから外方拡散することを抑制できる。これらの
効果は、酸化アルミニウム膜の膜質にもよるが、ある程度の厚さが必要とされる。ただし
、あまりに酸化アルミニウム膜を厚くしすぎると生産性が低下してしまうため、適切な厚
さを選択するとよい。
【０１０６】
以上の工程によって、図３（Ｂ）に示すトランジスタを作製することができる。
【０１０７】
図４は、トップゲート・ボトムコンタクト構造のトランジスタの上面図および断面図であ
る。図４（Ａ）にトランジスタの上面図を、図４（Ａ）の一点鎖線Ａ−Ｂに対応する断面
Ａ−Ｂを図４（Ｂ）に示す。
【０１０８】
図４（Ｂ）に示すトランジスタは、基板１００上に設けられた下地絶縁膜１０３と、下地
絶縁膜１０３の溝部に設けられた一対の電極１１５と、下地絶縁膜１０３および一対の電
極１１５上に設けられた高抵抗領域１０６ａおよび低抵抗領域１０６ｂを有する酸化物半
導体膜１０６と、酸化物半導体膜１０６上に設けられたゲート絶縁膜１０９と、ゲート絶
縁膜１０９を介して高抵抗領域１０６ａと重畳して設けられたゲート電極１１１と、を有
する。該トランジスタは、該トランジスタを覆って設けられた層間絶縁膜１１７と、層間
絶縁膜１１７、ゲート絶縁膜１０９および酸化物半導体膜１０６に設けられた開口部を介
して一対の電極１１５と接続する配線１１９と、を有しても構わない。
【０１０９】
なお、下地絶縁膜１０３、ゲート絶縁膜１０９、ゲート電極１１１、一対の電極１１５、
層間絶縁膜１１７および配線１１９は、それぞれ下地絶縁膜１０２、ゲート絶縁膜１０８
、ゲート電極１１０、一対の電極１１４、層間絶縁膜１１６および配線１１８と同様の材
料および同様の方法で形成すればよい。
【０１１０】
図４（Ｂ）に示すトランジスタは、一対の電極１１５が酸化物半導体膜１０６の下部で接
している点で図３（Ｂ）に示すトランジスタと異なる。このような構造とすることで、一
対の電極１１５を形成する際に、同時に酸化物半導体膜１０６の一部がプラズマや薬液な
どに曝されることがないため、酸化物半導体膜１０６を薄く形成する場合（例えば、５ｎ
ｍ以下の厚さで形成する場合）などに好ましい構造である。
【０１１１】
図４（Ｂ）に示すトランジスタの作製方法の一例を以下に示す。
【０１１２】
まず、基板１００に下地絶縁膜１５３を成膜する（図８（Ａ）参照。）。
【０１１３】
次に、下地絶縁膜１５３を加工して下地絶縁膜１０３を形成する（図８（Ｂ）参照。）。
【０１１４】
次に、導電膜１６５を成膜する（図８（Ｃ）参照。）。
【０１１５】
次に、ＣＭＰ処理を行い、下地絶縁膜１０３と上面の揃った一対の電極１１５を形成する
（図８（Ｄ）参照。）。
【０１１６】
次に、酸化物半導体膜１５６を形成する（図８（Ｅ）参照。）。
【０１１７】
次に、ゲート絶縁膜１０９、導電膜１６１をこの順番で成膜する（図８（Ｆ）参照。）。
【０１１８】
次に、導電膜１６１を加工してゲート電極１１１を形成する（図９（Ａ）参照。）。
【０１１９】
次に、ゲート電極１１１をマスクに用い、ゲート絶縁膜１０９を介して酸化物半導体膜１
５６の抵抗値を低減する不純物１２０を添加し、高抵抗領域１０６ａおよび低抵抗領域１
０６ｂを有する酸化物半導体膜１０６を形成する（図９（Ｂ）参照。）。
【０１２０】
次に、層間絶縁膜１１７を成膜し、一対の電極１１５を露出する開口部を設ける。次に、
導電膜を成膜し、該導電膜を加工して、一対の電極１１５のそれぞれと接する配線１１９
を形成する（図９（Ｃ）参照。）。
【０１２１】
以上の工程によって、図４（Ｂ）に示すトランジスタを作製することができる。
【０１２２】
本実施の形態では、実施の形態１に示したＣＡＡＣ酸化物材料を酸化物半導体膜１０６に
用いているため、電界効果移動度が高く、かつ信頼性の高いトランジスタを得ることがで
きる。
【０１２３】
本実施の形態は他の実施の形態と適宜組み合わせて用いることができる。
【０１２４】
（実施の形態３）
本実施の形態では、実施の形態２に示したトランジスタを用いて作製した液晶表示装置に
ついて説明する。なお、本実施の形態では液晶表示装置に本発明の一態様を適用した例に
ついて説明するが、これに限定されるものではない。例えば、ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕ
ｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置に本発明の一態様を適用することも、当業者であれば容
易に想到しうるものである。
【０１２５】
図１０にアクティブマトリクス駆動方式の液晶表示装置の回路図を示す。液晶表示装置は
、ソース線ＳＬ＿１乃至ＳＬ＿ａ、ゲート線ＧＬ＿１乃至ＧＬ＿ｂ、および複数の画素２
００を有する。画素２００は、トランジスタ２３０と、キャパシタ２２０と、液晶素子２
１０と、を含む。こうした画素２００をマトリクス状に配置することで液晶表示装置の画
素部を構成する。なお、単にソース線またはゲート線を指す場合には、ソース線ＳＬまた
はゲート線ＧＬと記載する。
【０１２６】
トランジスタ２３０として、実施の形態２で示したトランジスタを用いることができる。
実施の形態２で示したトランジスタを用いることで、消費電力が小さく、電気的特性が良
好かつ信頼性の高い液晶表示装置を得ることができる。なお、酸化物半導体を用いたトラ
ンジスタとそのほかのトランジスタとを区別するために、トランジスタ２３０で示す記号
を用いる。
【０１２７】
ゲート線ＧＬはトランジスタ２３０のゲートと接続し、ソース線ＳＬはトランジスタ２３
０のソースと接続し、トランジスタ２３０のドレインは、キャパシタ２２０の一方の容量
電極と、液晶素子２１０の一方の画素電極と、それぞれ接続する。キャパシタ２２０の他
方の容量電極および液晶素子２１０の他方の画素電極は、共通電極と接続する。なお、共
通電極はゲート線ＧＬと同一層かつ同一材料で設けてもよい。
【０１２８】
また、ゲート線ＧＬは、ゲート駆動回路と接続される。ゲート駆動回路は、実施の形態２
に示したトランジスタを含んでもよい。該トランジスタはオフ電流を小さくでき、またオ
ンのための電圧を小さくすることができる。そのため、消費電力を低減することができる
。
【０１２９】
また、ソース線ＳＬは、ソース駆動回路と接続される。ソース駆動回路は、実施の形態２
に示したトランジスタを含んでもよい。該トランジスタはオフ電流を小さくでき、またオ
ンのための電圧を小さくすることができる。そのため、消費電力を低減することができる
。
【０１３０】
なお、ゲート駆動回路およびソース駆動回路のいずれかまたは両方を、別途用意された基
板上に形成し、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）、ワイヤボンディング、またはＴ
ＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）などの方法を用いて接続しても
よい。
【０１３１】
また、トランジスタは静電気などにより破壊されやすいため、保護回路を設けることが好
ましい。保護回路は、非線形素子を用いて構成することが好ましい。
【０１３２】
ゲート線ＧＬにトランジスタ２３０のしきい値電圧以上になるように電位を印加すると、
ソース線ＳＬから供給された電荷がトランジスタ２３０のドレイン電流となってキャパシ
タ２２０に電荷が蓄積される。一行分の充電後、該行にあるトランジスタ２３０はオフ状
態となり、ソース線ＳＬから電圧が印加されなくなるが、キャパシタ２２０に蓄積された
電荷によって必要な電圧を維持することができる。その後、次の行のキャパシタ２２０の
充電を行う。このようにして、１行〜ｂ行の充電を行う。
【０１３３】
なお、トランジスタ２３０はオフ電流が低いトランジスタであるため、キャパシタ２２０
に保持された電荷が抜けにくく、キャパシタ２２０の容量を小さくすることが可能となる
ため、充電に必要な消費電力を低減することができる。
【０１３４】
また、トランジスタ２３０にオフ電流の小さなトランジスタ（実施の形態２で示したトラ
ンジスタなど）を用いる場合、電圧を維持する期間を長くすることができる。この効果に
よって、動きの少ない画像（静止画を含む。）では、表示の書き換え周波数を低減でき、
さらなる消費電力の低減が可能となる。また、キャパシタ２２０の容量をさらに小さくす
ることが可能となるため、充電に必要な消費電力を低減することができる。
【０１３５】
以上のように、本発明の一態様に係るトランジスタを用いることによって、信頼性が高く
、消費電力の小さい液晶表示装置を得ることができる。
【０１３６】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて用いることができる。
【０１３７】
（実施の形態４）
本実施の形態では、実施の形態２に示したトランジスタを用いて、半導体記憶装置を作製
する例について説明する。
【０１３８】
揮発性半導体記憶装置の代表的な例としては、記憶素子を構成するトランジスタを選択し
てキャパシタに電荷を蓄積することで、情報を記憶するＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ  Ｒａ
ｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）、フリップフロップなどの回路を用いて記憶内
容を保持するＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）が
ある。
【０１３９】
不揮発性半導体記憶装置の代表例としては、トランジスタのゲート電極とチャネル形成領
域との間にフローティングゲートを有し、当該フローティングゲートに電荷を保持するこ
とで記憶を行うフラッシュメモリがある。
【０１４０】
上述した半導体記憶装置に含まれるトランジスタの一部に実施の形態２で示したトランジ
スタを適用することができる。
【０１４１】
まずは、実施の形態２で示したトランジスタを適用した半導体記憶装置であるメモリセル
について図１１を用いて説明する。
【０１４２】
メモリセルは、ビット線ＢＬと、ワード線ＷＬと、センスアンプＳＡｍｐと、トランジス
タＴｒと、キャパシタＣと、を有する（図１１（Ａ）参照。）。
【０１４３】
キャパシタに保持された電位の時間変化は、トランジスタＴｒのオフ電流によって図１１
（Ｂ）に示すように徐々に低減していくことが知られている。当初Ｖ０からＶ１まで充電
された電位は、時間が経過するとｄａｔａ１を読み出す限界点であるＶＡまで低減する。
この期間を保持期間Ｔ＿１とする。即ち、２値メモリセルの場合、保持期間Ｔ＿１の間に
リフレッシュをする必要がある。
【０１４４】
ここで、トランジスタＴｒに実施の形態２で示したトランジスタを適用すると、オフ電流
が低いため、保持期間Ｔ＿１を長くすることができる。即ち、リフレッシュの頻度を少な
くすることが可能となるため、消費電力を低減することができる。
【０１４５】
トランジスタＴｒにオフ電流の小さなトランジスタを用いる場合、電圧を維持する期間を
さらに長くすることが可能となるため、さらに消費電力を低減することができる。例えば
、オフ電流が１×１０−２１Ａ以下、好ましくは１×１０−２４Ａ以下となった実施の形
態２で示したトランジスタでメモリセルを構成すると、電力を供給せずに数日間〜数十年
間に渡ってデータを保持することが可能となる。
【０１４６】
以上のように、本発明の一態様によって、信頼性が高く、消費電力の小さい半導体記憶装
置を得ることができる。
【０１４７】
次に、実施の形態２で示したトランジスタを適用した図１１とは異なる半導体記憶装置で
あるメモリセルについて図１２を用いて説明する。
【０１４８】
図１２（Ａ）は、メモリセルの回路図である。メモリセルは、トランジスタＴｒ＿１と、
トランジスタＴｒ＿１のゲートと接続するゲート線ＧＬ＿１と、トランジスタＴｒ＿１の
ソースと接続するソース線ＳＬ＿１と、トランジスタＴｒ＿２と、トランジスタＴｒ＿２
のソースと接続するソース線ＳＬ＿２と、トランジスタＴｒ＿２のドレインと接続するド
レイン線ＤＬ＿２と、キャパシタＣと、キャパシタＣの一端と接続する容量線ＣＬと、キ
ャパシタＣの他端、トランジスタＴｒ＿１のドレインおよびトランジスタＴｒ＿２のゲー
トと接続するフローティングゲートＦＧと、を有する。
【０１４９】
なお、本実施の形態に示すメモリセルは、フローティングゲートＦＧの電位に応じて、ト
ランジスタＴｒ＿２のしきい値電圧が変動することを利用したものである。例えば、図１
２（Ｂ）は容量線ＣＬの電位ＶＣＬと、トランジスタＴｒ＿２を流れるドレイン電流ＩＤ
＿２との関係を説明する図である。
【０１５０】
ここで、フローティングゲートＦＧは、トランジスタＴｒ＿１を介して、電位を調整する
ことができる。例えば、ソース線ＳＬ＿１の電位をＶＤＤとする。このとき、ゲート線Ｇ
Ｌ＿１の電位をトランジスタＴｒ＿１のしきい値電圧ＶｔｈにＶＤＤを加えた電位以上と
することで、フローティングゲートＦＧの電位をＨＩＧＨにすることができる。また、ゲ
ート線ＧＬ＿１の電位をトランジスタＴｒ＿１のしきい値電圧Ｖｔｈ以下とすることで、
フローティングゲートＦＧの電位をＬＯＷにすることができる。
【０１５１】
そのため、ＦＧ＝ＬＯＷで示したＶＣＬ−ＩＤ＿２カーブと、ＦＧ＝ＨＩＧＨで示したＶ
ＣＬ−ＩＤ＿２カーブのいずれかを得ることができる。即ち、ＦＧ＝ＬＯＷでは、ＶＣＬ
＝０Ｖにてドレイン電流ＩＤ＿２が小さいため、データ０となる。また、ＦＧ＝ＨＩＧＨ
では、ＶＣＬ＝０Ｖにてドレイン電流ＩＤ＿２が大きいため、データ１となる。このよう
にして、データを記憶することができる。
【０１５２】
ここで、トランジスタＴｒ＿１に実施の形態２で示したトランジスタを適用することによ
り、該トランジスタのオフ電流を極めて小さくすることができるため、フローティングゲ
ートＦＧに蓄積された電荷がトランジスタＴｒ＿１を通して意図せずにリークすることを
抑制できる。そのため、長期間に渡ってデータを保持することができる。
【０１５３】
なお、トランジスタＴｒ＿２に、実施の形態２で示したトランジスタを適用しても構わな
い。
【０１５４】
以上のように、本発明の一態様によって、長期間の信頼性が高く、消費電力の小さい半導
体記憶装置を得ることができる。
【０１５５】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて用いることができる。
【０１５６】
（実施の形態５）
本実施の形態では、実施の形態２乃至４を適用した電子機器の例について説明する。
【０１５７】
図１３（Ａ）は携帯情報端末である。携帯情報端末は、筐体３００と、ボタン３０１と、
マイクロフォン３０２と、表示部３０３と、スピーカ３０４と、カメラ３０５と、を具備
し、携帯型電話機としての機能を有してもよい。実施の形態３に示した表示装置を、表示
部３０３およびカメラ３０５に適用することができる。また、図示しないが、筐体３００
内部にある演算装置、無線回路または記憶回路に、実施の形態４に示した半導体記憶装置
を適用することもできる。
【０１５８】
図１３（Ｂ）は、ディスプレイである。ディスプレイは、筐体３１０と、表示部３１１と
、を具備する。実施の形態３に係る表示装置を、表示部３１１に適用することができる。
また、本発明の一態様に係るトランジスタを用いることで、表示部３１１のサイズを大き
くしたときにも消費電力が小さく、表示品位の高いディスプレイとすることができる。
【０１５９】
図１３（Ｃ）は、デジタルスチルカメラである。デジタルスチルカメラは、筐体３２０と
、ボタン３２１と、マイクロフォン３２２と、表示部３２３と、を具備する。実施の形態
３に示した表示装置を、表示部３２３に適用することができる。また、図示しないが、筐
体３２０内部に含まれる記憶回路またはイメージセンサに実施の形態４に示した半導体記
憶装置を適用することもできる。
【０１６０】
本発明の一態様に係る半導体装置を用いることで、消費電力が小さく、性能の高い電子機
器を提供することができる。
【０１６１】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて用いることができる。
【符号の説明】
【０１６２】
１００    基板
１０２    下地絶縁膜
１０３    下地絶縁膜
１０４    保護絶縁膜
１０６    酸化物半導体膜
１０８    ゲート絶縁膜
１０９    ゲート絶縁膜
１１０    ゲート電極
１１１    ゲート電極
１１２    側壁絶縁膜
１１４    一対の電極
１１５    一対の電極
１１６    層間絶縁膜
１１７    層間絶縁膜
１１８    配線
１１９    配線
１２０    不純物
１５２    下地絶縁膜
１５３    下地絶縁膜
１５４    保護絶縁膜
１５６    酸化物半導体膜
１５８    絶縁膜
１６０    導電膜
１６１    導電膜
１６２    絶縁膜
１６５    導電膜
２００    画素
２１０    液晶素子
２２０    キャパシタ
２３０    トランジスタ
３００    筐体
３０１    ボタン
３０２    マイクロフォン
３０３    表示部
３０４    スピーカ
３０５    カメラ
３１０    筐体
３１１    表示部
３２０    筐体
３２１    ボタン
３２２    マイクロフォン
３２３    表示部
【図１】
0006028062.tif 000004
【図２】
0006028062.tif 000005
【図３】
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【図４】
0006028062.tif 000007
【図５】
0006028062.tif 000008
【図６】
0006028062.tif 000009
【図７】
0006028062.tif 000010
【図８】
0006028062.tif 000011
【図９】
0006028062.tif 000012
【図１０】
0006028062.tif 000013
【図１１】
0006028062.tif 000014
【図１２】
0006028062.tif 000015
【図１３】
0006028062.tif 000016