(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
発熱素子が載置される主面と、前記発熱素子からの熱を放熱する放熱面と、を有する放熱板と、
前記放熱板と対向させた状態で組み合わされることで、冷媒を流すための冷媒流路を形成する凹部を有する冷却構造体と、
前記放熱板と前記冷却構造体との間に介装されることで前記冷媒流路をシールし、前記冷媒流路と外部とを区切るシール部材と、を備える発熱素子の冷却装置であって、
前記シール部材は、前記冷却構造体の前記凹部の側壁と面一となる面より外周側に位置し、
前記シール部材の近傍における前記放熱板と前記冷却構造体との対向面間の距離について、前記シール部材によって区切られた前記冷媒流路内側の前記シール部材から前記側壁までの間における前記対向面間の距離が、前記シール部材によって区切られた前記冷媒流路の外部側における前記対向面間の距離より長いことを特徴とする発熱素子の冷却装置。
【請求項２】
請求項１に記載の発熱素子の冷却装置において、
前記冷却構造体は、前記シール部材を配置するためのシール溝を有し、
前記シール溝の深さに対する前記シール溝の側壁の突出量が、前記シール部材によって区切られた前記冷媒流路の外部側の側壁よりも、前記シール部材によって区切られた前記冷媒流路内側の側壁の方が小さいことを特徴とする発熱素子の冷却装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の発熱素子の冷却装置において、
前記冷却構造体は、前記シール部材によって区切られた前記冷媒流路内側における、前記放熱板と前記冷却構造体との対向面間の距離が、シール位置側から、前記凹部に向かって、大きくなるような傾斜構造を有していることを特徴とする発熱素子の冷却装置。
【請求項４】
請求項３に記載の発熱素子の冷却装置において、
前記傾斜構造は、前記凹部の周縁をＲ面取り形状とした構造であることを特徴とする発熱素子の冷却装置。
【請求項５】
請求項１，３，４の何れか一項に記載の発熱素子の冷却装置において、
前記シール部材によって区切られた前記冷媒流路内側の前記シール部材から前記側壁までの間の領域では、いずれの位置においても、前記対向面間の距離が、前記シール部材によって区切られた前記冷媒流路の外部側における前記対向面間の距離より長いことを特徴とする発熱素子の冷却装置。
【請求項６】
請求項１または２に記載の発熱素子の冷却装置において、
前記シール部材によって区切られた前記冷媒流路内側の前記シール部材から前記側壁までの間の領域では、いずれの位置においても、前記対向面間の距離が略等しいことを特徴とする発熱素子の冷却装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発熱素子の冷却装置に関するものである。
本出願は、２０１３年４月１６日に出願された日本国特許出願の特願２０１３―０８５５５０に基づく優先権を主張するものであり、文献の参照による組み込みが認められる指定国については、上記の出願に記載された内容を参照により本出願に組み込み、本出願の記載の一部とする。
【背景技術】
【０００２】
発熱素子の冷却装置として、一方の面に発熱素子を載置し、他方の面で熱を放熱するという構成の放熱板を備えた装置が知られている。このような発熱素子の冷却装置としては、放熱板と対向するようにして、凹部を有する冷却構造体が配置され、冷却構造体の凹部が形成する冷媒流路に冷媒を流すことによって放熱板を冷却する方式（直冷方式）を用いた発熱素子の冷却装置が開示されている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−２５０９１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記特許文献１に記載の技術においては、放熱板の表面に、放熱板の腐食を防止するためのコーティング膜を形成しているため、コスト的に不利になってしまうという問題があった。【０００５】
すなわち、上述した直冷方式を用いた発熱素子の冷却装置においては、放熱板と冷却構造体との間をシール部材によってシールする際に、シール位置における冷媒流路内側で、放熱板と冷却構造体との対向面間に微小な隙間が生じ、この隙間に冷媒が滞留してしまうことによって、次のようにして放熱板および冷却構造体の腐食が発生してしまう。まず、冷媒が上記隙間に滞留してしまうと、滞留している冷媒については溶存している酸素濃度が一定であるのに対し、冷媒流路内の上記隙間以外の部分を流れる冷媒については、冷却構造体に接続された冷媒を押し出すためのポンプなどを通る間に、酸素が溶解してしまうことで溶存する酸素濃度が上昇する。そのため、冷媒流路内において、冷媒中の溶存酸素濃度に差が生じることで、放熱板の表面に濃淡電池が形成されてしまい、これにより、放熱板が局部腐食（隙間腐食）してしまう。さらに、放熱板の局部腐食が進行すると、放熱板から溶解した金属イオンの影響で冷媒中のｐＨが低下することにより、冷却構造体も腐食してしまい、この場合には、放熱板や冷却構造体の表面のめっき層などが剥がれることでシール位置から液漏れが発生してしまう。この際において、上記特許文献１に記載の技術では、放熱板および冷却構造体の腐食を防止するために、放熱板の表面にコーティング膜を形成しているため、コスト的に不利になってしまうという問題があった。【０００６】
本発明が解決しようとする課題は、冷却構造体により形成される冷媒流路に冷媒を流すことにより放熱板を冷却する際において、放熱板および冷却構造体の腐食、およびこれに起因する冷媒の液漏れを、簡便にかつ低コストで防止することができる発熱素子の冷却装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、発熱素子が載置された放熱板と、放熱板と対向させた状態で組み合わされることで冷媒を流すための冷媒流路を形成する冷却構造体と、放熱板と冷却構造体との間に介装されることで冷媒流路をシールし、冷媒流路と外部とを区切るシール部材と、を備え、シール部材の近傍における放熱板と冷却構造体との対向面間の距離について、シール部材によって区切られた冷媒流路内側における対向面間の距離を、シール部材によって区切られた冷媒流路の外部側における対向面間の距離より長くすることにより、上記課題を解決する。
【発明の効果】
【０００８】
冷却構造体により形成される冷媒流路に冷媒を流すことにより放熱板を冷却する際に、冷媒流路内のシール位置近傍における冷媒の流れをスムーズなものとすることができ、これにより、冷媒流路内の冷媒中における溶存酸素の濃度差の発生、および冷媒流路内における濃淡電池の形成を防ぎ、結果として、放熱板および冷却構造体の腐食、およびこれに起因する冷媒の液漏れを、簡便にかつ低コストで防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、第１実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。
【図２】図２は、第１実施形態に係る半導体装置の拡大図である。
【図３】図３は、従来における半導体装置の拡大図である。
【図４】図４は、第１実施形態に係る半導体装置の別の例を示す拡大図である。
【図５】図５は、第２実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。
【図６】図６は、第３実施形態に係る半導体装置の拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００１１】
<<第１実施形態>>
本実施形態に係る半導体装置は、スイッチング素子やダイオードなどの半導体素子と、半導体素子を載置するための放熱板と、放熱板を冷却するための冷却構造体とからなるものである。このような半導体装置は、スイッチング素子の導通／非導通を制御することにより、直流電源からの直流電流を三相交流電流に変換することが可能となっており、例えば、ハイブリッド車や燃料電池車等の電動車両用駆動モーターへ電力を供給するインバータ装置に用いることができる。
【００１２】
図１は第１実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。図１に示すように、本実施形態に係る半導体装置１は、半導体素子２と、電極３と、絶縁層４と、放熱板５と、冷却構造体６と、シール部材８とから構成されており、放熱板５および冷却構造体６が形成する冷媒流路７内を流れる冷媒によって放熱板５を冷却することにより、放熱板５上に載置された半導体素子２を間接的に冷却することができる。
【００１３】
なお、図１においては図示省略したが、本実施形態の半導体装置１には、通常、半導体素子２の上面（図１において電極３が設けられている面の反対面）にも、電極３、絶縁層４、放熱板５、および冷却構造体６が設けられている。すなわち、半導体装置１は、半導体素子２の上下両面（図１において電極３が設けられている面、およびその反対面）から、一対の電極３、絶縁層４、放熱板５、および冷却構造体６によって挟持された構成となっている。これにより、半導体素子２は、一対の電極３と接続され、さらに、上下両面から、絶縁層４を介して放熱板５および冷却構造体６によって冷却されることとなる。
【００１４】
冷却対象物である半導体素子２は、三相インバータブリッジ回路を個別に構成するＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）などのトランジスタやダイオードからなり、半導体素子２の上下両面には、はんだ付けにより形成されたはんだ層を介して一対の電極３が接続され、絶縁層４を介して、一対の放熱板５によって挟持されている。また、半導体素子２は、各電極３に電気的に接続されており、各電極３を通じて、電力の入力／出力が可能となっている。なお、本実施形態においては、半導体素子２は、通電により発熱することから、以下に説明する放熱板５により、除熱が行われることとなる。また、半導体素子２としては、ＩＧＢＴなどのトランジスタやダイオードに限定されるものではなく、他の発熱素子であってもよい。さらに、電極３としては、たとえば、電気伝導性の優れた銅、またはアルミによって形成されてものを用いることができる。
【００１５】
放熱板５は、図１に示すように、上述した絶縁層４、電極３、および半導体素子２が、この順で設けられた主面５１と、複数の放熱フィン５３ａ〜５３ｆが形成された放熱面５２とから構成される。放熱板５は、通電により発熱した半導体素子２の熱を、絶縁層４を介して主面５１で受熱した後、受熱した熱を放熱面５２の放熱フィン５３ａ〜５３ｆから放熱する。
【００１６】
なお、図１に示す例においては、放熱面５２に６つの放熱フィン５３ａ〜５３ｆを設けた例を示したが、放熱フィンの数は特に限定されず、所望の数とすることができる。また、放熱フィンの形状も特に限定されない。さらに、放熱板５は、たとえば、熱伝導性の優れた銅、アルミニウム、またはアルミニウム合金などにより形成されたものを用いることができ、加えて、その表面にニッケルなどのめっき層を設けてもよい。また、絶縁層４としては、電気絶縁性を有するセラミックからなるセラミック基板や、絶縁シートなどを用いることができる。
【００１７】
冷却構造体６は、上述した放熱板５と組み合わされることで、放熱板５を冷却するための冷媒が流れる冷媒流路７を形成することができ、図１に示すように、放熱板５の放熱面５２と対向する位置に配置されている。図１に示すように、冷却構造体６には、凹部６１が設けられており、この凹部６１が、上述した放熱板５と組み合わされることにより、放熱板５を冷却するための冷媒が流れる冷媒流路７が形成される。
【００１８】
なお、冷却構造体６と放熱板５との間には、冷媒流路７をシールするためのシール部材８が介装されている。シール部材８は、一方の面において放熱板５と、その反対の面において冷却構造体６と、それぞれ摺接するようになっている。その結果、シール部材８は、放熱板５と冷却構造体６とにより両面から押圧されることとなり、これにより、放熱板５および冷却構造体６と密着し、冷媒流路７をシールすることができるようになっている。なお、シール部材８としては、たとえば、ゴム材料からなるＯリングなどのシールリングや、液状ガスケットまたはメタルガスケットなどを用いることができる。
【００１９】
そして、図１に示すように、シール部材８によって冷媒流路７をシールした際には、シール部材８の近傍において、シール部材８によって区切られた冷媒流路７内側に、放熱板５と冷却構造体６との隙間である冷媒流路内隙間９が形成され、また、シール部材８によって区切られた冷媒流路７の外部側に、放熱板５と冷却構造体６との隙間である冷媒流路外隙間１０が形成される。
【００２０】
本実施形態においては、次のようにして、冷却構造体６により放熱板５が冷却される。すなわち、冷却構造体６に設けられた導入パイプ（不図示）から、冷媒流路７内に冷媒が連続的に導入され、導入された冷媒が、冷媒流路７内において、放熱板５の放熱フィン５３ａ〜５３ｆと接触することにより熱交換することで、放熱板５が冷却される。そして、冷却構造体６内に導入された冷媒は、排出パイプ（不図示）から連続的に排出されることとなる。なお、冷却構造体６としては、たとえば、熱伝導性の優れた銅、アルミニウム、またはアルミニウム合金などを原材料として、ダイカストや押出し成型などにより成型されたものを用いることができる。また、冷媒としては、冷却水やＬＬＣ（ロングライフクーラント）などの液体を用いることができる。
【００２１】
ここで、図２は、図１に示す半導体装置１におけるシール部材８近傍の拡大図である。図２に示すように、冷却構造体６には、シール位置近傍において冷媒流路７内側に窪みが設けられており、そのため、本実施形態においては、図２に示すように、シール部材８近傍において、放熱板５と冷却構造体６との対向面間の距離である流路内対向距離Ｄ１０および流路外対向距離Ｄ２０を比較すると、流路内対向距離Ｄ１０が流路外対向距離Ｄ２０よりも長くなっている。すなわち、シール部材８の近傍における放熱板５と冷却構造体６との対向面間の距離について、シール部材８によって区切られた冷媒流路７内側における該対向面間の距離である流路内対向距離Ｄ１０が、シール部材８によって区切られた冷媒流路７の外部側における該対向面間の距離である流路外対向距離Ｄ２０よりも長くなっている。
【００２２】
これにより、本実施形態においては、流路内対向距離Ｄ１０を流路外対向距離Ｄ２０よりも長くすることにより冷媒流路内隙間９における冷媒の流れをスムーズなものとすることができ、次のような効果を奏することができる。すなわち、冷媒流路内隙間９の冷媒の流れをスムーズなものとすることにより、冷媒流路７内の冷媒全体を均質なものとすることができ、これにより、冷媒流路７内において、残存酸素の濃度差による濃淡電池が形成されてしまうことを防ぎ、放熱板５および冷却構造体６の腐食、ならびに、このような腐食に起因する冷媒の液漏れを有効に防止することができる。
【００２３】
一方で、図３に示す従来の半導体装置１ａのように、流路内対向距離Ｄ１０ａが比較的短くなっている場合には、冷媒流路内隙間９における冷媒の流れが妨げられてしまい、これにより、冷媒流路７内において、残存酸素の濃度差による濃淡電池が形成され、放熱板５および冷却構造体６ａの腐食が発生してしまう。すなわち、まず、半導体装置１ａに冷媒を流す際においては、冷媒中の溶存酸素濃度が高いと、冷媒中において下記一般式（１）に示す酸素の還元反応が進行してしまい、これとともに、冷媒と接触している放熱板５および冷却構造体６ａなどから金属が溶解する反応が進行してしまう。そのため、半導体装置１ａに流す冷媒としては、通常、冷媒中に溶存する酸素を予め脱気したものが用いられている。しかしながら、このように酸素を脱気した冷媒を用いた場合においても、半導体装置１ａを、配管を介してポンプ、バルブ、および膨張タンク（調圧槽）などと接続し、これに冷媒を循環させる際に、冷媒がポンプ、バルブ、および膨張タンクなどを通る間に空気と触れてしまい、冷媒に酸素が溶解し、冷媒中の溶存酸素濃度が上昇してしまう。この場合においては、流路内対向距離Ｄ１０ａが比較的短くなっていると、冷媒流路内隙間９における冷媒の流れが妨げられ、冷媒が滞留してしまうため、滞留した冷媒における溶存酸素濃度が低いまま維持され、一方、冷媒流路７内の冷媒流路内隙間９以外の部分で良好に循環している冷媒は、溶存酸素濃度が上昇し、これにより、冷媒中で溶存酸素の濃度に差が生じる。そして、冷媒中で溶存酸素の濃度に差が生じると、冷媒流路７内に濃淡電池が形成されてしまい、放熱板５および冷却構造体６ａの腐食が発生してしまう。
Ｏ２＋２Ｈ２Ｏ＋４ｅ−→４ＯＨ−    ・・・（１）
【００２４】
具体的には、放熱板５の放熱面５２において、溶存酸素濃度が低い冷媒が存在する部分（冷媒流路内隙間９近傍）から、溶存酸素濃度が高い冷媒が存在している部分（冷媒流路内隙間９以外の部分）へと電子が移動することで濃淡電池が形成されてしまう。この際においては、電子が移動するとともに、下記一般式（２）に示すように、放熱板５を構成する金属が溶出する反応が進行し、放熱板５に局部腐食（隙間腐食）が発生してしまう。さらに、放熱板５の金属が溶出すると、溶出した金属イオンと、冷媒中に含まれる塩化物イオン（たとえば、冷媒である冷却水やＬＬＣなどに含まれる塩化物イオン）とが、下記一般式（３）に示すように、金属塩化物を生成する。その後、生成した金属塩化物が、下記一般式（４）に示すように、冷媒中で加水分解されると、加水分解の反応時に水素イオンが生成され、これにより、冷媒中のｐＨが低下し、冷却構造体６ａも腐食してしまう。さらに、この際において、放熱板５や冷却構造体６ａの表面にめっき層が形成されている場合には、腐食が進行してめっき層が剥がれることにより、シール位置から液漏れが発生してしまう。
２Ｍ→２Ｍ２＋＋４ｅ−    ・・・（２）
Ｍ２＋＋２Ｃｌ−→ＭＣｌ２    ・・・（３）
ＭＣｌ２＋２Ｈ２Ｏ→Ｍ（ＯＨ）２＋２Ｈ＋＋２Ｃｌ−    ・・・（４）
上記式（２）、式（３）、式（４）中、Ｍは放熱板５を構成する金属である。
【００２５】
これに対し、本実施形態においては、流路内対向距離Ｄ１０を流路外対向距離Ｄ２０よりも長くすることで冷媒流路内隙間９における冷媒の流れをスムーズなものとすることができ、これにより、冷媒中における溶存酸素の濃度差の発生、および冷媒流路７内における濃淡電池の形成を防ぐことができる。そして、本実施形態によれば、濃淡電池の形成を防ぐことで、放熱板５および冷却構造体６の腐食、ならびに、このような腐食に起因する冷媒の液漏れを有効に防止することができる。
【００２６】
特に、本実施形態においては、放熱板５や冷却構造体６の腐食を防止するために、放熱板５や冷却構造体６に対してコーティング膜を形成するなどの特別な加工を施す必要がないため、簡便にかつ低コストで放熱板５や冷却構造体６の腐食を防止することができる。
【００２７】
さらに、本実施形態においては、流路内対向距離Ｄ１０を流路外対向距離Ｄ２０よりも長くすることにより、放熱板５と冷却構造体６とをネジで締結するような場合においても、放熱板５および冷却構造体６の腐食を有効に防止することができる。すなわち、放熱板５と冷却構造体６とをネジで締結した際には、放熱板５と冷却構造体６とが接近し、流路内対向距離Ｄ１０および流路外対向距離Ｄ２０がいずれも縮まることとなるが、この場合には、まず、距離が短い流路外対向距離Ｄ２０に係る冷媒流路７の外部側において放熱板５と冷却構造体６とが接触する。そのため、冷媒流路７内において距離が長い流路内対向距離Ｄ１０に係る冷媒流路７内側での放熱板５と冷却構造体６との接触を防止することができる。これにより、放熱板５や冷却構造体６の表面にめっき層などが設けられている場合においても、冷媒流路７内では、放熱板５と冷却構造体６との接触によるめっき層などの亀裂や損傷を防ぐことができるため、放熱板５や冷却構造体６の素地の腐食を防止することができる。
【００２８】
加えて、本実施形態においては、流路内対向距離Ｄ１０を流路外対向距離Ｄ２０よりも長くすることにより、半導体素子２の発熱による温度負荷で放熱板５に反りが発生した場合においても、冷媒流路７内において放熱板５と冷却構造体６との接触を防止することができる。これにより、放熱板５や冷却構造体６の表面にめっき層などが設けられている場合においても、冷媒流路７内では、放熱板５と冷却構造体６との接触によるめっき層などの亀裂や損傷を防ぐことができるため、放熱板５や冷却構造体６の素地の腐食を防止することができる。
【００２９】
なお、上述した半導体装置１の冷却構造体６においては、図１、図２に示すように、シール位置近傍において冷媒流路７内側に窪みを設けた例を示したが、冷却構造体６の形状としては、このような例に特に限定されず、流路内対向距離Ｄ１０が流路外対向距離Ｄ２０より長くなるような形状であれば何でもよい。
【００３０】
また、本実施形態においては、冷却構造体の形状は、流路内対向距離Ｄ１０が、シール位置側から前記凹部に向かって大きくなるような傾斜構造としてもよい。たとえば、冷却構造体の形状を、図４に示す半導体装置１ｂの冷却構造体６ｂのように、凹部６１の周辺部分に緩やかな傾斜をつけた形状としてもよいし、あるいは、凹部６１周辺の角の部分をＣ面取り形状またはＲ面取り形状（フィレット形状）とした形状としてもよい。
【００３１】
これにより、本実施形態においては、冷却構造体の形状を、流路内対向距離Ｄ１０ｂが、シール位置側から前記凹部に向かって大きくなるような形状とすることにより、冷媒流路内隙間９における冷媒の流れを、よりスムーズなものとすることができ、放熱板５および冷却構造体６ｂの腐食、ならびに、このような腐食に起因する冷媒の液漏れを、より有効に防止することができる。
【００３２】
なお、この際においては、冷却構造体６ｂの形状としては、シール位置に最も近付いた位置における流路内対向距離Ｄ１０ｂ（すなわち、最も距離が短くなる流路内対向距離Ｄ１０ｂ）が、流路外対向距離Ｄ２０より長くなるようにする。
【００３３】
加えて、流路内対向距離Ｄ１０ｂを、シール位置側から前記凹部に向かって大きくすることにより、放熱板５や冷却構造体６の素地の腐食をより有効に防止することができる。すなわち、流路内対向距離Ｄ１０ｂが、シール位置側から前記凹部に向かって大きくなることにより、放熱板５と冷却構造体６とをネジで締結するような場合や、半導体素子２の発熱による温度負荷で放熱板５に反りが発生した場合においても、冷媒流路７内における放熱板５と冷却構造体６との接触をより有効に防止することができる。これにより、冷媒流路７内において、放熱板５と冷却構造体６との接触によるめっき層などの亀裂や損傷を防ぐことができるため、放熱板５や冷却構造体６の素地の腐食をより有効に防止することができる。
【００３４】
<<第２実施形態>>
次いで、本発明の第２実施形態について説明する。
第２実施形態における半導体装置１ｃは、図５に示すような構成を有しており、冷却構造体６ｃとして、凹部６１の側壁がシール部材８の端面とほぼ面一となるように形成された形状のものを用いた点において異なる以外は、第１実施形態に係る半導体装置１と同様の構成を有する。
【００３５】
本実施形態においては、冷却構造体６ｃを上述した形状とすることにより、流路内対向距離Ｄ１０ｃをより長くすることができる。すなわち、流路内対向距離Ｄ１０ｃは、上述したように、シール部材８の近傍においてシール部材８によって区切られた冷媒流路７内側における、放熱板５と冷却構造体６ｃとの対向面間の距離であるため、図５に示すように、凹部６１の側壁をシール部材８の端面とほぼ面一とすることにより、流路内対向距離Ｄ１０ｃをより長くすることができる。
【００３６】
第２実施形態によれば、上述した第１実施形態による効果に加えて、次の効果を奏する。
すなわち、本実施形態においては、冷却構造体６ｃを、凹部６１がシール部材８の端面とほぼ面一となるような形状とすることにより、流路内対向距離Ｄ１０ｃをより長くすることができ、これにより、冷媒流路内隙間９における冷媒の流れが、よりスムーズなものとなり、放熱板５および冷却構造体６ｃの腐食、ならびに、このような腐食に起因する冷媒の液漏れを、より有効に防止することができる。
【００３７】
<<第３実施形態>>
次いで、本発明の第３実施形態について説明する。
第３実施形態における半導体装置１ｄは、図６（Ａ）に示すような構成を有しており、シール部材８ａとしてＯリングを用いている点、および、冷却構造体６ｄに、Ｏリングであるシール部材８ａを配置するためのシール溝１１を形成している点において異なる以外は、第１実施形態に係る半導体装置１と同様の構成を有する。なお、図６（Ａ）は、本実施形態の半導体装置１ｄにおけるシール部材８ａ近傍の拡大図である。
【００３８】
本実施形態においては、図６（Ａ）に示すように、冷却構造体６ｄは、シール溝１１の深さに対するシール溝１１の側壁の突出量が、シール部材８ａによって区切られた冷媒流路７の外部側の側壁よりも、シール部材８ａによって区切られた冷媒流路７内側の側壁の方が小さくなっている。すなわち、図６（Ａ）に示す冷却構造体６ｄにおいては、冷媒流路７の外部側の側壁の高さ（流路外部側壁高さＨ２）よりも、冷媒流路７内側の側壁の高さ（流路内側壁高さＨ１）の方が低くなっている。これにより、本実施形態においては、図６（Ａ）に示すように、流路内対向距離Ｄ１０ｄが流路外対向距離Ｄ２０より長くなり、冷媒流路内隙間９における冷媒の流れをスムーズなものとすることができる。
【００３９】
第３実施形態によれば、上述した第１実施形態による効果に加えて、次の効果を奏する。
すなわち、本実施形態においては、冷却構造体６ｄにシール溝１１を形成することにより、Ｏリングであるシール部材８ａを溝に固定して水密性を向上させることができ、加えて、シール溝１１において、流路内側壁高さＨ１を流路外部側壁高さＨ２より低くすることにより、冷媒流路内隙間９における冷媒の流れをスムーズなものとすることができ、これにより、放熱板５および冷却構造体６ｄの腐食、ならびに、このような腐食に起因する冷媒の液漏れを有効に防止することができる。
【００４０】
なお、本実施形態においては、冷媒流路７内側の側壁の形状を加工し、流路内対向距離Ｄ１０が、シール位置側から前記凹部に向かって大きくなるような傾斜構造としてもよい。この際においては、冷媒流路７内側の側壁の形状を、図６（Ｂ）に示す半導体装置１ｅの冷却構造体６ｅのように、緩やかな傾斜をつけた形状としてもよいし、あるいは、凹部６１周辺の角の部分をＣ面取り形状またはＲ面取り形状（フィレット形状）とした形状としてもよい。
【００４１】
これにより、本実施形態においては、流路内対向距離Ｄ１０ｅが、シール位置側から前記凹部に向かって大きくなり、上述した図４に示す半導体装置１ｂと同様に、冷媒流路内隙間９における冷媒の流れを、よりスムーズなものとすることができ、放熱板５および冷却構造体６ｅの腐食、ならびに、このような腐食に起因する冷媒の液漏れを、より有効に防止することができる。加えて、流路内対向距離Ｄ１０ｅが、シール位置側から前記凹部に向かって大きくなることによれば、冷媒流路７内において、放熱板５と冷却構造体６との接触によるめっき層などの亀裂や損傷を防ぐことができるため、放熱板５や冷却構造体６の素地の腐食を、より有効に防止することができる。
【００４２】
なお、この際においては、冷却構造体６ｅの形状としては、シール位置に最も近付いた位置における流路内対向距離Ｄ１０ｅ（すなわち、最も距離が短くなる流路内対向距離Ｄ１０ｅ）が、流路外対向距離Ｄ２０より長くなるようにする。
【００４３】
さらに、図６（Ｂ）に示す半導体装置１ｅにおいては、流路内対向距離Ｄ１０ｅを、シール位置側から前記凹部に向かって大きくすることより、シール部材８ａによる水密性をより向上させることができる。すなわち、半導体装置１ｅにおいては、図６（Ｂ）に示すように、シール部材８ａに近づくほど、流路内側壁高さＨ１ａを高くすることができるため、シール溝１１内においてシール部材８ａが圧縮された際においても、シール部材８ａがシール溝１１からはみ出すことがなく、これにより、シール部材８ａによる水密性をより向上させることができる。
【００４４】
以上、本発明の実施形態について説明したが、これらの実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。
【００４５】
なお、上述した実施形態において、放熱板５は本発明の放熱板に、冷却構造体６は本発明の冷却構造体に、シール部材８は本発明のシール部材に、シール溝１１は本発明のシール溝に、それぞれ相当する。
【符号の説明】
【００４６】
１、１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ…半導体装置
２…半導体素子
３…電極
４…絶縁層
５…放熱板
５１…主面
５２…放熱面
５３ａ〜５３ｆ…放熱フィン
６、６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄ、６ｅ…冷却構造体
６１…凹部
７…冷媒流路
８、８ａ…シール部材
９…冷媒流路内隙間
１０…冷媒流路外隙間
１１…シール溝
【図１】
0005979311.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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