(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶シリコンの（１００）基板または（１１１）基板のいずれか一方の半導体材料からなる基板を有し、一主面側にはテクスチャ構造が形成されず、他主面側にはテクスチャ構造が形成された光電変換部と、
前記光電変換部の一主面の上に相互に間隔をおいて配された第１及び第２の電極と、を備え、
前記光電変換部の一主面側に位置する前記基板の主面には、前記基板が（１００）基板の場合には（１００）面の、前記基板が（１１１）基板の場合には（１１１）面の結晶面により構成された複数のテラスが設けられており、
前記複数のテラスの少なくともひとつが前記第１の電極と前記第２の電極との間に収まっている、太陽電池。
【請求項２】
請求項１に記載の太陽電池において、
前記第１の電極は、複数の第１のフィンガー部を有し、
前記第２の電極は、前記第１のフィンガー部と隣り合う複数の第２のフィンガー部を有し、
前記複数のテラスの少なくともひとつが前記第１のフィンガー部と前記第２のフィンガー部との間に収まっている。
【請求項３】
請求項２に記載の太陽電池において、
前記第１のフィンガー部と前記第２のフィンガー部との間の隙間は、前記第１及び第２のフィンガー部のそれぞれの幅よりも狭い。
【請求項４】
請求項２または３に記載の太陽電池において、
前記テラスを包囲するようにステップが設けられることにより、前記ステップは前記基板が（１００）基板の場合には（１１１）面により、前記基板が（１１１）基板の場合には（１−１１）、（１１−１）、（１１１−）面により構成され、前記テラスと前記ステップとにより構成された凹部及び凸部の少なくとも一方を含む凹凸部が前記基板の主面に設けられており、
前記複数の凹凸部の少なくともひとつが前記第１のフィンガー部と前記第２のフィンガー部との間に収まっている。
【請求項５】
結晶シリコンの（１００）基板または（１１１）基板のいずれか一方の半導体材料からなる基板を有し、一主面側にはテクスチャ構造が形成されず、他主面側にはテクスチャ構造が形成された光電変換部と、前記光電変換部の一主面の上に相互に間隔をおいて配された第１及び第２の電極と、を備えた太陽電池の製造方法であって、
前記基板の主面を等方性エッチングした後に異方性エッチングすることにより、前記光電変換部の一主面側に位置する前記基板の主面に、前記基板が（１００）基板の場合には（１００）面の、前記基板が（１１１）基板の場合には（１１１）面の結晶面により構成された複数のテラスを形成し、
前記光電変換部の前記一主面の上に、前記複数のテラスの少なくともひとつが収まるような間隔をおいて前記第１及び第２電極を形成する、太陽電池の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の太陽電池の製造方法において、
前記等方性エッチングによるエッチング量が、前記異方性エッチングによるエッチング量よりも多い。
【請求項７】
請求項５または６に記載の太陽電池の製造方法において、
半導体材料からなるインゴットをワイヤーソーを用いてスライスすることにより前記基板を作製する。
【請求項８】
請求項５〜７のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法において、
アルカリ性のエッチング液を用いて前記異方性エッチングを行う。
【請求項９】
請求項８に記載の太陽電池の製造方法において、
前記基板の主面の上に、ＣＶＤ法により半導体層を形成することにより、前記基板と前記半導体層とを有する前記光電変換部を作製する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽電池及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、裏面接合型の太陽電池が提案されている。裏面接合型の太陽電池では、受光面に電極を設ける必要が必ずしもない。このため、受光面における受光効率を高めることができる。従って、改善された光電変換効率を実現し得る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−８０８８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
太陽電池の光電変換効率をさらに改善したいという要望がある。【０００５】
本発明は、改善された光電変換効率を有する太陽電池を提供することを主な目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る太陽電池は、光電変換部と、第１及び第２の電極とを備える。光電変換部は、半導体材料からなる基板を有する。第１及び第２の電極は、光電変換部の一主面の上に相互に間隔をおいて配されている。光電変換部の一主面側に位置する基板の主面には、結晶面により構成された複数のテラスが設けられている。複数のテラスの少なくともひとつが第１の電極と第２の電極との間に収まっている。【０００７】
本発明に係る太陽電池の製造方法は、半導体材料からなる基板を有する光電変換部と、光電変換部の一主面の上に相互に間隔をおいて配された第１及び第２の電極と、を備えた太陽電池の製造方法に関する。本発明に係る太陽電池の製造方法では、基板の主面を等方性エッチングした後に異方性エッチングすることにより、光電変換部の一主面側に位置する基板の主面に、結晶面により構成された複数のテラスを形成する。光電変換部の一主面の上に、複数のテラスの少なくともひとつが収まるような間隔をおいて第１及び第２電極を形成する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、改善された光電変換効率を有する太陽電池を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、本発明の一実施形態における太陽電池の略図的裏面図である。
【図２】図２は、図１の線ＩＩ−ＩＩにおける略図的断面図である。
【図３】図３は、半導体材料からなる基板の主面の一部分を拡大した模式的平面図である。
【図４】図４は、図３の線ＩＶ−ＩＶにおける模式的断面図である。
【図５】図５は、図１のＶ部分の模式的拡大図である。図５において、フィンガー部が設けられた領域にハッチングを附しており、ハッチングが附された領域は、断面を表していない。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる例示である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。
【００１１】
実施形態等において参照する各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照することとする。また、実施形態等において参照する図面は、模式的に記載されたものであり、図面に描画された物体の寸法の比率などは、現実の物体の寸法の比率などとは異なる場合がある。図面相互間においても、物体の寸法比率等が異なる場合がある。具体的な物体の寸法比率等は、以下の説明を参酌して判断されるべきである。
【００１２】
図１及び図２に示されるように、太陽電池１は、光電変換部２０を備えている。光電変換部２０は、裏面２０ａと、主として受光する受光面２０ｂとを有する。光電変換部２０は、受光した際に電子や正孔などのキャリアを生成する。
【００１３】
光電変換部２０は、半導体材料からなる基板１０を有する。基板１０は、一の導電型を有する。具体的には、本実施形態では、基板１０は、ｎ型の結晶半導体により構成されている。好ましく用いられるｎ型の結晶半導体としては、例えば、ｎ型の単結晶シリコン等が挙げられる。
【００１４】
基板１０は、第１及び第２の主面１０ｂ、１０ａを有する。この第２の主面１０ａによって、光電変換部２０の受光面２０ｂが構成されている。第２の主面１０ａによって構成された受光面２０ｂは、テクスチャ構造を有する。
【００１５】
ここで、「テクスチャ構造」とは、表面反射を抑制し、光電変換部の光吸収量を増大させるために形成されている凹凸構造のことをいう。テクスチャ構造の具体例としては、（１００）面を有する単結晶シリコン基板の表面に異方性エッチングを施すことによって得られるピラミッド状（四角錐状や、四角錐台状）の凹凸構造や、単結晶シリコン基板や多結晶シリコン基板の表面に、酸エッチングやドライエッチング等の方法で等方性エッチングを施すことによって得られる凹凸構造等が挙げられる。
【００１６】
第２の主面１０ａの上には、実質的に真性なｉ型非晶質半導体層１７ｉと、ｎ型半導体層１７ｎとがこの順番で配されている。
【００１７】
半導体層１７ｉは、例えば、水素を含有するｉ型のアモルファスシリコンなどにより構成することができる。半導体層１７ｉの厚みは、発電に実質的に寄与しない程度の厚みである限りにおいて特に限定されない。半導体層１７ｉの厚みは、例えば、数Å〜２５０Å程度とすることができる。
【００１８】
ｎ型半導体層１７ｎは、半導体層１７ｉの上に配されている。半導体層１７ｎは、基板１０と同じ導電型を有する半導体層である。半導体層１７ｎは、例えば、ｎ型アモルファスシリコンなどのｎ型非晶質半導体により構成することができる。半導体層１７ｎの厚みは、特に限定されない。半導体層１７ｎの厚みは、例えば、５０Å〜５００Å程度とすることができる。
【００１９】
半導体層１７ｎの上には、保護膜１６が配されている。この保護膜１６は、反射抑制膜としての機能も兼ね備えている。保護膜１６は、例えば、酸化ケイ素膜、窒化ケイ素膜または酸窒化ケイ素膜等により構成することができる。なかでも、保護膜１６は、窒化ケイ素膜により構成されていることが好ましい。保護膜１６の厚みは、例えば８０ｎｍ〜１μｍ程度とすることができる。
【００２０】
基板１０の第１の主面１０ｂの第１の領域の上には、ｎ型半導体層１２ｎが配されている。この半導体層１２ｎによって、裏面２０ａの一部を構成しているｎ型表面２０ａｎが構成されている。
【００２１】
半導体層１２ｎは、例えば、ｎ型アモルファスシリコンなどのｎ型非晶質半導体により構成することができる。半導体層１２ｎの厚みは、例えば、２０Å〜５００Å程度とすることができる。
【００２２】
基板１０の第１の主面１０ｂの第１の領域とは異なる第２の領域の上には、ｐ型半導体層１３ｐが配されている。この半導体層１３ｐによって、裏面２０ａの一部を構成しているｐ型表面２０ａｐが構成されている。
【００２３】
半導体層１３ｐは、ｐ型アモルファスシリコンなどのｐ型非晶質半導体層により構成することができる。半導体層１３ｐの厚みは、例えば、２０Å〜５００Å程度とすることができる。
【００２４】
なお、ｎ型半導体層１２ｎと第１の主面１０ｂとの間に、例えば、数Å〜２５０Å程度の実質的に発電に寄与しない厚みを有する実質的に真性なｉ型半導体層が配されていてもよい。同様に、ｐ型半導体層１３ｐと第１の主面１０ｂとの間に、例えば、数Å〜２５０Å程度の実質的に発電に寄与しない厚みを有する実質的に真性なｉ型半導体層が配されていてもよい。ｉ型半導体層は、例えば、実質的に真性なｉ型アモルファスシリコンにより構成することができる。
【００２５】
半導体層１２ｎの一部の上には、絶縁層１８が設けられている。具体的には、絶縁層１８は、ｎ型半導体層１２ｎのｘ方向における中央部を除く両端部の上に設けられている。ｎ型半導体層１２ｎのｘ方向における中央部は、絶縁層１８から露出している。絶縁層１８の材質は、特に限定されない。絶縁層１８は、例えば、酸化ケイ素膜、窒化ケイ素膜または酸窒化ケイ素膜により構成することができる。なかでも、絶縁層１８は、窒化ケイ素膜により構成されていることが好ましい。
【００２６】
光電変換部２０の裏面２０ａの上には、ｎ側電極１４とｐ側電極１５とが相互に間隔をおいて配されている。ｎ側電極１４は、ｎ型表面２０ａｎの上に配されている。ｎ側電極１４は、多数キャリアである電子を収集する電極である。
【００２７】
ｎ側電極１４は、複数のフィンガー部１４ａを有する。複数のフィンガー部１４ａは、ｘ軸方向に沿って配列されている。フィンガー部１４ａは、ｘ軸方向に対して垂直なｙ軸方向に沿って延びる直線状に設けられている。もっとも、フィンガー部１４ａが直線状である必要は必ずしもない。フィンガー部１４ａは、例えば、折れ曲がり形状を有していてもよい。
【００２８】
複数のフィンガー部１４ａは、集電部を構成しているバスバー部１４ｂに電気的に接続されている。バスバー部１４ｂは、ｘ軸方向に沿って延びる直線状に設けられている。もっとも、本発明において、集電部が設けられている必要は必ずしもない。本発明においては、電極は、例えば、複数のフィンガー部のみにより構成されていてもよいし、複数のフィンガー部と、それら複数のフィンガー部が電気的接続されたドット状の集電部とにより構成されていてもよい。
【００２９】
ｐ側電極１５は、ｐ型表面２０ａｐの上に配されている。ｐ側電極１５は、少数キャリアである正孔を収集する電極である。
【００３０】
ｐ側電極１５は、複数のフィンガー部１５ａを有する。複数のフィンガー部１５ａは、ｘ軸方向に沿って配列されている。フィンガー部１５ａは、フィンガー部１４ａ、１５ａの幅方向に一致するｘ軸方向において、フィンガー部１４ａと隣り合っている。フィンガー部１４ａとフィンガー部１５ａとは、ｘ軸方向において、相互に間隔をおいて交互に配されている。
【００３１】
複数のフィンガー部１５ａは、集電部を構成しているバスバー部１５ｂに電気的に接続されている。バスバー部１５ｂは、ｘ軸方向に沿って延びる直線状に設けられている。
【００３２】
フィンガー部１４ａ、１５ａの幅は、それぞれ、０．０１ｍｍ〜１０ｍｍ程度であることが好ましく、０．０５ｍｍ〜５ｍｍであることがより好ましい。フィンガー部１４ａの幅とフィンガー部１５ａとの幅は、異なっていてもよいし、等しくてもよいが、少数キャリアを収集するフィンガー部１５ａの幅が、多数キャリアを収集するフィンガー部１４ａの幅よりも広いことが好ましい。
【００３３】
フィンガー部１４ａ、１５ａの幅方向と一致するｘ軸方向におけるフィンガー部１４ａとフィンガー部１５ａとの間の隙間の寸法は、０．００１ｍｍ〜１ｍｍ程度であることが好ましく、０．００５ｍｍ〜０．５ｍｍであることがより好ましい。フィンガー部１４ａとフィンガー部１５ａとの間の隙間は、フィンガー部１４ａ、１５ａの幅よりも狭いことが好ましい。このようにすることにより、キャリアの収集効率を向上できるため、より改善された光電変換効率を得ることができる。フィンガー部１４ａとフィンガー部１５ａとの間の隙間の寸法は、フィンガー部１４ａ、１５ａの幅以下であることが好ましく、０．５倍以下であることがより好ましい。
【００３４】
図３及び図４に示されるように、基板１０は、少なくとも主面１０ｂに結晶面により構成された複数のテラス１０ｃを有する。具体的には、主面１０ｂには、複数のテラス１０ｃと共に、複数のステップ１０ｄが設けられている。テラス１０ｃは、ステップ１０ｄによって包囲されている。テラス１０ｃと、そのテラス１０ｃを包囲するステップ１０ｄとにより、凹部及び凸部の少なくとも一方を含む凹凸部１０ｅが構成されている。テラス１０ｃとステップ１０ｄとにより構成された凹凸部１０ｅは、凹部であってもよいし、凸部であってもよい。また、凹凸部１０ｅとして、凹部と凸部との両方が設けられていてもよい。ステップ１０ｄも結晶面により構成されていることが好ましい。
【００３５】
凹凸部１０ｅは、結晶シリコン基板をアルカリ性のエッチング液等を用いて異方性エッチングすることにより形成することができる。例えば、結晶シリコンの（１００）基板により基板１０を構成した場合、テラス１０ｃが（１００）面により構成され、ステップ１０ｄが（１１１）面により構成される。例えば、結晶シリコンの（１１１）基板により基板１０を構成した場合は、テラス１０ｃが（１１１）面により構成され、ステップ１０ｄが（１−１１)、(１１−１)、(１１１−)面により構成される。従って、（１００）基板の場合には、テラス１０ｃは長方形状である。テラス１０ｃとステップ１０ｄとの成す角の大きさは、典型的には、１２５°である。また、（１１１）基板の場合には、テラス１０ｃは三角形状である。テラス１０ｃとステップ１０ｄとの成す角の大きさは、典型的には、１２０°である。従って、凹凸部１０ｅは、典型的には、底面が四角形もしくは三角形である角錐台状の凹部または凸部となる。但し、凹凸部１０ｅは、図３に示されるように、重なるように形成される場合もある。従って、凹凸部１０ｅの形状は、底面が長方形である角錐台に必ずしも限定されるわけではない。
【００３６】
なお、テラス１０ｃが正方形状である場合、テラス１０ｃの対角線に対して、フィンガー部１４ａ、１５ａが略平行に延びていることが好ましい。
【００３７】
図５に示すように、太陽電池１では、複数のテラス１０ｃの少なくともひとつがｎ側電極１４とｐ側電極１５との間に収まっている。詳細には、複数のテラス１０ｃの少なくともひとつがフィンガー部１４ａとフィンガー部１５ａとの間に収まっている。より詳細には、複数の凹凸部１０ｅの少なくともひとつがフィンガー部１４ａとフィンガー部１５ａとの間に収まっている。
【００３８】
ところで、例えば凹凸部１０ｅが大きく、深い場合は、第１の主面１０ｂの上に設けられる半導体層１２ｎ、１３ｐや電極１４，１５の形状精度が低下しがちである。特に、レジストを用いて形成したマスクを用いて半導体層１２ｎや電極１４，１５を形成する場合は、レジストが凹凸部１０ｅにより好適に塗布しにくく、高い形状精度のマスクの形成が困難であるため、半導体層１２ｎ、１３ｐや電極１４，１５の形状精度が低下しやすい。従って、光電変換効率が低くなりがちである。また、電極１４，１５の接触等を抑制するために、電極１４，１５の形状精度を考慮して、ｎ側電極１４とｐ側電極１５との間の間隔を大きく設計する必要があるため、設計の観点からも、光電変換効率の向上が困難となる。
【００３９】
ここで、太陽電池１では、テラス１０ｃが、複数のテラス１０ｃの少なくともひとつがｎ側電極１４とｐ側電極１５との間に収まるような大きさで設けられている。このため、テラス１０ｃの存在に起因する半導体層１２ｎ、１３ｐや電極１４，１５の形状精度の低下を抑制することができる。よって、ｎ側電極１４とｐ側電極１５との間の間隔を狭く設計することも可能となる。従って、改善された光電変換効率を実現し得る。
【００４０】
より改善された光電変換効率を実現する観点からは、フィンガー部１４ａとフィンガー部１５ａとの間に収まっているテラス１０ｃの、フィンガー部１４ａ、１５ａの幅方向である寸法は、フィンガー部１４ａとフィンガー部１５ａとの間の隙間のｘ軸方向における寸法の０．８倍以下であることが好ましい。換言すれば、ｘ軸方向における寸法が、フィンガー部１４ａとフィンガー部１５ａとの間の隙間のｘ軸方向における寸法の０．８以下であるテラス１０ｃがフィンガー部１４ａとフィンガー部１５ａとの間に収まっていることが好ましい。
【００４１】
以下、太陽電池１の製造方法の一例について説明する。
【００４２】
まず、基板１０を用意する。基板１０は、例えば、半導体材料からなるインゴットをワイヤーソーを用いてスライスすることにより作製することができる。
【００４３】
ワイヤーソーを用いてスライスすることにより作製された基板１０の表面には、ソーマークと呼ばれるワイヤーソーに起因する線状の凹凸が設けられる。また、基板１０の表層は、ワイヤーソー等との接触により、例えば厚みが１０μｍ程度のダメージ層が設けられる。このため、ダメージ層及びソーマークを除去する工程を行うことが好ましい。このため、本実施形態では、まず、基板１０の主面を等方性エッチングする。等方性エッチングに用いるエッチング剤は、特に限定されないが、例えば、フッ硝酸、ヨウ素酸、ＣＦ４＋Ｏ２やＮＦ３＋Ｏ２等の等方性エッチングガス等が好ましく用いられ、なかでもフッ硝酸がより好ましく用いられる。さらには、フッ化水素と硝酸との体積容量比（フッ化水素：硝酸）が１：１００〜１：１であるフッ硝酸が好ましく用いられる。
【００４４】
この等方性エッチングにおいて除去される基板１０の表層の厚みは、ダメージ層及びソーマークが好適に除去できる程度であればよい。等方性エッチングにおいて除去される基板１０の表層の厚みは、１μｍ〜２０μｍ程度であることが好ましく、３μｍ〜１５μｍであることがさらに好ましい。
【００４５】
次に、異方性エッチングを行うことにより、基板１０の第１の主面１０ｂに、テラス１０ｃとステップ１０ｄとを有する凹凸部１０ｅを形成する。異方性エッチングに用いるエッチング剤は、特に限定されないが、アルカリ性のエッチング液や、ＮＦ３＋Ｏ２＋Ｃｌ２やＣｌＦ３等の異方性エッチングガス等が好ましく用いられ、なかでも、水酸化ナトリウムや水酸化カリウム、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）などのアルカリ性のエッチング液がより好ましく用いられる。
【００４６】
例えば、エッチング工程を少なくする観点からは、等方性エッチングを行うことなく、異方性エッチングのみによりダメージ層及びソーマークの除去と、凹凸部１０ｅの形成とを行うことが考えられる。しかしながら、この場合は、異方性エッチングにより除去しなければならない表層の厚みが大きくなる。このため、異方性エッチングを長期間にわたって行う必要がある。従って、テラス１０ｃ及びステップ１０ｄの大きさが大きくなり、凹凸部１０ｅが大きくなってしまう。
【００４７】
それに対して、本実施形態では、等方性エッチングによりダメージ層やソーマークを除去した後に、異方性エッチングを行うことによりテラス１０ｃ及びステップ１０ｄを有する凹凸部１０ｅを形成する。このため、異方性エッチングを長期にわたって行う必要がない。よって、ダメージ層を表層に有さず、かつ、小さな凹凸部１０ｅを有する基板１０を作製することができる。即ち、凹凸部１０ｅのサイズの増大を抑制することができる。従って、複数のテラス１０ｃの少なくともひとつがｎ側電極１４とｐ側電極１５との間に収まった太陽電池１を作製することができる。
【００４８】
凹凸部１０ｅの大きさをより小さくする観点からは、等方性エッチングによるエッチング量が多いことが好ましい。そうすることにより、凹凸部１０ｅをより小さくすることができる。異方性エッチングによるエッチング量は、等方性エッチングによるエッチング量の1倍以下であることがより好ましく、２倍以下であることがさらに好ましい。
【００４９】
次に、基板１０の第１の主面１０ｂの上に、半導体層１２ｎ、１３ｐ等を適宜形成することにより、光電変換部２０を作製する。ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により形成した半導体膜を、フォトリソグラフィー法等を用いてパターニングすることにより半導体層１２ｎ、１３ｐを形成することが好ましい。結晶面により構成されているテラス１０ｃやステップ１０ｄの上に、ＣＶＤ法により半導体層１２ｎ、１３ｐを形成することにより、第１の主面１０ｂと半導体層１２ｎ、１３ｐの界面準位密度を低くすることができる。このため、電子や正孔などのキャリアのライフタイムを長くすることができる。従って、より改善された光電変換効率を実現することができる。
【００５０】
最後に、ｎ側電極１４とｐ側電極１５とを形成することにより、太陽電池１を完成させることができる。なお、ｎ側電極１４とｐ側電極１５とは、それぞれ、めっき法や、スクリーン印刷法等の各種印刷法等により形成することができる。
【００５１】
なお、本実施形態では、フィンガー部が直線状に設けられている例について説明したが、フィンガー部は、例えば折れ曲がり形状に設けられていてもよい。
【００５２】
基板の両主面にテクスチャ構造が設けられていてもよい。
【００５３】
光電変換部は、裏面に露出するｐ型ドーパント拡散領域及びｎ型ドーパント拡散領域が設けられた、半導体材料からなる基板により構成されていてもよい。
【符号の説明】
【００５４】
１…太陽電池
１０…基板
１０ａ…第２の主面
１０ｂ…第１の主面
１０ｃ…テラス
１０ｄ…ステップ
１０ｅ…凹凸部
１２ｎ…ｎ型半導体層
１３ｐ…ｐ型半導体層
１４…ｎ側電極
１５…ｐ側電極
１４ａ、１５ａ…フィンガー部
１４ｂ、１５ｂ…バスバー部
１６…保護膜
１７ｉ…ｉ型非晶質半導体層
１７ｎ…ｎ型半導体層
１８…絶縁層
２０…光電変換部
２０ａ…裏面
２０ａｎ…ｎ型表面
２０ａｐ…ｐ型表面
２０ｂ…受光面
【図１】
0005948685.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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