(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂基板と、
前記樹脂基板の第１表面側に搭載された高周波デバイスと、
前記樹脂基板の前記第１表面と反対側の第２表面上に形成された、グランド電位のグランド面導体と、
前記樹脂基板の内層に形成された、高周波信号の伝送線路と、
前記樹脂基板の内部に形成された、グランド電位のグランドビアと
を備え、
前記グランド面導体には貫通穴が形成され、
前記グランドビアは、前記伝送線路と前記貫通穴との間に配置されている
ことを特徴とする高周波パッケージ。
【請求項２】
前記グランドビアの数は複数であり、
前記複数のグランドビアは、前記伝送線路に沿って配置されている
ことを特徴とする請求項１に記載の高周波パッケージ。
【請求項３】
前記貫通穴の直径は、前記高周波信号の波長の１／２未満である
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の高周波パッケージ。
【請求項４】
樹脂基板と、
前記樹脂基板の第１表面側に搭載された高周波デバイスと、
前記樹脂基板の前記第１表面と反対側の第２表面上に形成された、グランド電位のグランド面導体と、
前記樹脂基板の内層に形成された、高周波信号の伝送線路と
を備え、
前記グランド面導体には貫通穴が形成され、
前記貫通穴の直径は、前記高周波信号の波長の１／２未満である
ことを特徴とする高周波パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波デバイスを収納する高周波パッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
マイクロ波帯やミリ波帯の高周波信号を扱う高周波デバイスが知られている。そのような高周波デバイスを収納する高周波パッケージでは、誘電体基板上に高周波デバイスが搭載される。その誘電体基板の内層に、高周波信号の伝送線路が設けられる場合もある（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２００７／０９１４７０号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本願発明者は、次のような課題を初めて認識した。【０００５】
高周波デバイスが搭載される誘電体基板として、「樹脂基板」が用いられる場合を考える。樹脂基板の製造工程では、洗浄液などに起因する水分がコア材などに侵入する。侵入した水分は、メッキによって樹脂基板内部に閉じ込められる。その後、リフロー処理により、樹脂基板内部でガスが発生する。このとき、ガスの逃げ道が無ければ、ガスが樹脂基板内部で膨張してしまい、それがデラミネーション（層間はく離）を引き起こす恐れがある。【０００６】
このようなデラミネーションを防ぐために、樹脂基板のグランド面に、ガス抜きのための穴を多数あけることが考えられる。しかしながらこの場合、樹脂基板の内層の伝送線路に起因するマイクロ波帯やミリ波帯の高周波信号が、そのガス抜き用穴を通して外部に漏洩する恐れがある。このことは、ＥＭＩ（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）特性の悪化を招く。【０００７】
本発明の１つの目的は、樹脂基板を用いた高周波パッケージのＥＭＩ特性の悪化を防止することができる技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の１つの観点において、高周波パッケージは、樹脂基板と、樹脂基板の第１表面側に搭載された高周波デバイスと、樹脂基板の第１表面と反対側の第２表面上に形成されたグランド電位のグランド面導体と、樹脂基板の内層に形成された高周波信号の伝送線路と、樹脂基板の内部に形成されたグランド電位のグランドビアと、を備える。グランド面導体には貫通穴が形成されている。グランドビアは、伝送線路と貫通穴との間に配置されている。【０００９】
本発明の他の観点において、高周波パッケージは、樹脂基板と、樹脂基板の第１表面側に搭載された高周波デバイスと、樹脂基板の第１表面と反対側の第２表面上に形成されたグランド電位のグランド面導体と、樹脂基板の内層に形成された高周波信号の伝送線路と、を備える。グランド面導体には貫通穴が形成されている。その貫通穴の直径は、高周波信号の波長の１／２未満である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、樹脂基板を用いた高周波パッケージのＥＭＩ特性の悪化を防止することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、本発明の実施の形態に係る高周波パッケージの樹脂基板の上面図である。
【図２】図２は、本発明の実施の形態に係る高周波パッケージの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
添付図面を参照して、本発明の実施の形態に係る高周波パッケージを説明する。
【００１３】
実施の形態．
図１は、本実施の形態に係る高周波パッケージの樹脂基板の上面図である。図２は、本実施の形態に係る高周波パッケージの断面図であって、図１中の線Ａ−Ａ’に沿った断面構造を示している。尚、説明を分かりやすくするため、図１において、樹脂基板の内層に形成されているいくつかの構成要素も破線で示されている。
【００１４】
本実施の形態に係る高周波パッケージは、マイクロ波帯やミリ波帯の高周波信号を扱う高周波デバイス１を収納する。そのような高周波デバイス１として、例えば、ＭＭＩＣ（Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）チップが挙げられる。
【００１５】
本実施の形態に係る高周波パッケージでは、互いに対向する２つの基板が用いられる。より詳細には、図２に示されるように、下側のマザー基板１０と上側の樹脂基板２０とが互いに対向するように配置されている。また、マザー基板１０と樹脂基板２０とを接続する基板間接続導体１５が、マザー基板１０と樹脂基板２０との間に挟まれるように配置されている。これらマザー基板１０、樹脂基板２０、及び基板間接続導体１５によって囲まれた空間に、高周波デバイス１が配置される。より詳細には、樹脂基板２０上に高周波デバイス１が搭載される。
【００１６】
樹脂基板２０は、第１表面２１と第２表面２２を有している。第１表面２１は、高周波デバイス１が搭載される側の面（デバイス面）であり、マザー基板１０に対向している。第２表面２２は、第１表面２１と反対側の面であり、後述されるようにグランド面を形成するために用いられる。
【００１７】
高周波デバイス１は、樹脂基板２０の第１表面２１側に搭載されている。より詳細には、樹脂基板２０の第１表面２１上に、表層伝送線路３０やグランド配線（図示されない）が形成されている。そして、高周波デバイス１は、それら表層伝送線路３０やグランド配線に対して、バンプ３１を介してフリップチップ接続されている。
【００１８】
一方、樹脂基板２０の第２表面２２上にはグランド面導体４０が形成されている。グランド面導体４０の電位は、グランド電位である。このグランド面導体４０によって、樹脂基板２０の第２表面２２側にグランド面が形成される。
【００１９】
樹脂基板２０の内層には、高周波信号の伝送線路である内層伝送線路５０が形成されている。この内層伝送線路５０は、ビア５１を介して、上述の表層伝送線路３０に接続されている。例えば、内層伝送線路５０は、トリプレート線路を構成する。この場合、上述の第２表面２２上のグランド面導体４０も、トリプレート線路の構成要素となる。
【００２０】
また、樹脂基板２０の内層には、内層グランド導体６０も形成されている。内層グランド導体６０の電位は、グランド電位である。
【００２１】
樹脂基板２０が用いられる場合、上述の通り、リフロー処理によって、樹脂基板２０内部でガスが発生する。このとき、ガスの逃げ道が無ければ、ガスが樹脂基板２０内部で膨張してしまい、それがデラミネーション（層間はく離）を引き起こす恐れがある。本実施の形態によれば、このようなデラミネーションを防ぐために、第２表面２２上のグランド面導体４０に、ガス抜き用の貫通穴７０が多数形成される（図１参照）。但し、内層伝送線路５０に起因するマイクロ波帯やミリ波帯の高周波信号が、その貫通穴７０を通して外部に漏洩する恐れがある。このことは、ＥＭＩ特性の悪化を招く。
【００２２】
そこで、本実施の形態によれば、貫通穴７０の直径Ｄが、高周波信号の波長λの１／２未満に設計される（Ｄ＜λ／２）。このように貫通穴７０の径を小さくすることにより、貫通穴７０に関するカットオフ周波数が、高周波デバイス１で使用される周波数帯以上となる。その結果、貫通穴７０からの高周波信号の漏洩が低減される。
【００２３】
また、本実施の形態によれば、樹脂基板２０の内部に形成されるグランドビア８０が有効に活用される。グランドビア８０の電位は、グランド電位である。例えば、グランドビア８０は、グランド面導体４０と内層グランド導体６０との間を接続するように、樹脂基板２０の内部に形成されている。図１及び図２に示されるように、このようなグランドビア８０が、内層伝送線路５０と貫通穴７０との間に配置されている。すなわち、内層伝送線路５０から貫通穴７０に抜ける漏洩経路上に、グランド電位のグランドビア８０が配置されている。このグランドビア８０によるシールド効果により、貫通穴７０からの高周波信号の漏洩が低減される。
【００２４】
図１に示されるように、多数のグランドビア８０が、内層伝送線路５０に沿って配置されると好適である。多数のグランドビア８０が、内層伝送線路５０の周りを囲むように配置されると更に好適である。これにより、グランドビア８０によるシールド効果が顕著になり、貫通穴７０からの高周波信号の漏洩が大幅に低減される。
【００２５】
以上に説明されたように、本実施の形態によれば、樹脂基板２０を用いる場合であっても、デラミネーションを防止することができ、且つ、ＥＭＩ特性の悪化も防止することが可能となる。
【００２６】
以上、本発明の実施の形態が添付の図面を参照することにより説明された。但し、本発明は、上述の実施の形態に限定されず、要旨を逸脱しない範囲で当業者により適宜変更され得る。
【符号の説明】
【００２７】
１ 高周波デバイス、１０ マザー基板、１５ 基板間接続導体、２０ 樹脂基板、２１ 第１表面、２２ 第２表面、３０ 表層伝送線路、３１ バンプ、４０ グランド面導体、５０ 内層伝送線路、５１ ビア、６０ 内層グランド導体、７０ 貫通穴、８０ グランドビア。
【図１】
0006042028.tif 000002
【図２】
0006042028.tif 000003