(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子ビームのドリフト量の診断を実行する時間間隔を定義する複数の時間間隔パターンを記憶する工程と、
前記荷電粒子ビームを試料上に照射し、前記試料上に所定の描画パターンを描画する工程と、
複数の種別のイベントの内の一つである第１のイベントの発生と、前記第１のイベントの種別を含む第１のイベント情報を受領する工程と、
前記荷電粒子ビームが描画中の領域を特定する領域情報を取得する工程と、
前記第１のイベントの種別と前記領域情報とに基づき、前記複数の時間間隔パターンの中から特定の時間間隔パターンを選択する工程と、
前記第１のイベント情報を受領後、前記複数の種別のイベントの内の一つである第２のイベントの発生と、前記第２のイベントの種別を含む第２のイベント情報を受領するまでの期間、前記特定の時間間隔パターンに基づき前記荷電粒子ビームのドリフト量の診断を行う工程と、
前記診断に基づき、前記荷電粒子ビームのドリフト補正を行いながら前記試料上に所定の描画パターンを描画する工程と、
を備えることを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
【請求項２】
前記特定の時間間隔パターンを選択する工程において、前記領域中の描画パターンの最小寸法に基づき前記特定の時間間隔パターンの選択が行われることを特徴とする請求項１記載の荷電粒子ビーム描画方法。
【請求項３】
前記特定の時間間隔パターンを選択する工程において、前記領域のショット密度に基づき前記特定の時間間隔パターンの選択が行われることを特徴とする請求項１記載の荷電粒子ビーム描画方法。
【請求項４】
荷電粒子ビームのドリフト量の診断を実行する時間間隔を定義する複数の時間間隔パターンを記憶する手順と、
前記荷電粒子ビームを試料上に照射し、前記試料上に所定の描画パターンを描画する手順と、
複数の種別のイベントの内の一つである第１のイベントの発生と、前記第１のイベントの種別を含む第１のイベント情報を受領する手順と、
前記荷電粒子ビームが描画中の領域を特定する領域情報を取得する手順と、
前記第１のイベントの種別と前記領域情報とに基づき、前記複数の時間間隔パターンの中から特定の時間間隔パターンを選択する手順と、
前記第１のイベント情報を受領後、前記複数の種別のイベントの内の一つである第２のイベントの発生と、前記第２のイベントの種別を含む第２のイベント情報を受領するまでの期間、前記特定の時間間隔パターンに基づき前記荷電粒子ビームのドリフト量の診断を行う手順と、
前記診断に基づき、前記荷電粒子ビームのドリフト補正を行いながら前記試料上に所定のパターンを描画する手順と、
を荷電粒子ビーム描画装置に搭載されるコンピュータに実行させることを特徴とする荷電粒子ビーム描画プログラム。
【請求項５】
荷電粒子ビームのドリフト量の診断を実行する時間間隔を定義する複数の時間間隔パターンを記憶する記憶部と、
前記荷電粒子ビームを試料上に照射し、前記試料上に所定の描画パターンを描画する描画部と、
複数の種別のイベントの内の一つである第１のイベントの発生と、前記第１のイベントの種別を含む第１のイベント情報を受領するイベント情報受領部と、
前記荷電粒子ビームが描画中の領域を特定する領域情報を取得する領域情報取得部と、
前記第１のイベントの種別と前記領域情報とに基づき、前記複数の時間間隔パターンの中から特定の時間間隔パターンを選択する時間間隔パターン選択部と、
前記第１のイベント情報を受領後、前記複数の種別のイベントの内の一つである第２のイベントの発生と、前記第２のイベントの種別を含む第２のイベント情報を受領するまでの期間、前記特定の時間間隔パターンに基づき前記荷電粒子ビームのドリフト量の診断を行うドリフト診断制御部と、を備え、
前記描画部が前記診断に基づき、前記荷電粒子ビームのドリフト補正を行いながら前記試料上に所定の描画パターンを描画することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、荷電粒子ビーム描画方法、荷電粒子ビーム描画プログラムおよび荷電粒子ビーム描画装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスに所望の回路パターンを形成するために、リソグラフィー技術が用いられる。リソグラフィー技術では、マスク（レチクル）と称される原画パターンを使ったパターンの転写が行われる。そして、高精度なレチクルを製造するために、優れた解像度を有する電子ビーム描画技術が用いられる。
【０００３】
マスクに電子ビーム描画を行う電子ビーム描画装置の一方式として、可変成形方式がある。可変成形方式では、例えば第１成形アパーチャの開口と、第２成形アパーチャの開口とを通過することで成形され、偏光器により偏向制御された電子ビームによって、可動ステージに載置された試料上に図形が描画される。電子ビームの１回の照射はショットと称される。
【０００４】
マスクへの描画中または描画の待機中に、電子ビームの照射位置が所望の位置からずれるドリフト（またはビームドリフト）が生ずる場合がある。例えば、マスクに電子ビームが照射されると反射電子が発生する。発生した反射電子は、電子ビーム描画装置内の光学系や検出器などに衝突してチャージアップが生じ、新たな電界が発生する。そうするとマスクへ向けて偏向照射された電子ビームの軌道が変化する。このような、チャージアップが電子ビームのドリフトの一原因となる。
【０００５】
電子ビームのドリフト量が許容範囲を超えるとパターンの描画精度が劣化する。そのため、電子ビームのドリフト量を描画中にモニタするためのドリフト診断が行われる。そして、ドリフト診断の結果、得られたドリフト量に応じてドリフトを補正するドリフト補正が行われる。
【０００６】
特許文献１には、描画される領域の面積密度の変化量に基づき、ドリフト補正を実行する時間間隔を変更する電子ビーム描画方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１０−１９２６６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
描画パターンが微細になると、許容されるドリフト量は小さくなる。したがって、描画中のドリフト診断の時間間隔（インターバル）を短くすることが望まれる。もっとも、時間間隔を短くすると描画のスループットが悪化し、例えばマスクの製造コストが高くなり問題となる。
【０００９】
本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目的とするところは、描画中のドリフト診断の時間間隔の設定を最適化し、高い描画精度と高いスループットを両立させる荷電粒子ビーム方法、荷電粒子ビーム描画プログラムおよび荷電粒子ビーム描画装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画方法は、荷電粒子ビームのドリフト量の診断を実行する時間間隔を定義する複数の時間間隔パターンを記憶する工程と、前記荷電粒子ビームを試料上に照射し、前記試料上に所定の描画パターンを描画する工程と、複数の種別のイベントの内の一つである第１のイベントの発生と、前記第１のイベントの種別を含む第１のイベント情報を受領する工程と、前記荷電粒子ビームが描画中の領域を特定する領域情報を取得する工程と、前記第１のイベントの種別と前記領域情報とに基づき、前記複数の時間間隔パターンの中から特定の時間間隔パターンを選択する工程と、前記第１のイベント情報を受領後、前記複数の種別のイベントの内の一つである第２のイベントの発生と、前記第２のイベントの種別を含む第２のイベント情報を受領するまでの期間、前記特定の時間間隔パターンに基づき前記荷電粒子ビームのドリフト量の診断を行う工程と、前記診断に基づき、前記荷電粒子ビームのドリフト補正を行いながら前記試料上に所定の描画パターンを描画する工程と、
を備えることを特徴とする。
【００１１】
上記態様の荷電粒子ビーム描画方法において、前記特定の時間間隔パターンを選択する工程において、前記領域中の描画パターンの最小寸法に基づき前記特定の時間間隔パターンの選択が行われることが望ましい。
【００１２】
上記態様の荷電粒子ビーム描画方法において、前記特定の時間間隔パターンを選択する工程において、前記領域のショット密度に基づき前記特定の時間間隔パターンの選択が行われることが望ましい。
【００１３】
本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画プログラムは、荷電粒子ビームのドリフト量の診断を実行する時間間隔を定義する複数の時間間隔パターンを記憶する手順と、前記荷電粒子ビームを試料上に照射し、前記試料上に所定の描画パターンを描画する手順と、複数の種別のイベントの内の一つである第１のイベントの発生と、前記第１のイベントの種別を含む第１のイベント情報を受領する手順と、前記荷電粒子ビームが描画中の領域を特定する領域情報を取得する手順と、前記第１のイベントの種別と前記領域情報とに基づき、前記複数の時間間隔パターンの中から特定の時間間隔パターンを選択する手順と、前記第１のイベント情報を受領後、前記複数の種別のイベントの内の一つである第２のイベントの発生と、前記第２のイベントの種別を含む第２のイベント情報を受領するまでの期間、前記特定の時間間隔パターンに基づき前記荷電粒子ビームのドリフト量の診断を行う手順と、前記診断に基づき、前記荷電粒子ビームのドリフト補正を行いながら前記試料上に所定のパターンを描画する手順と、を荷電粒子ビーム描画装置に搭載されるコンピュータに実行させることを特徴とする。
【００１４】
本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画装置は、荷電粒子ビームのドリフト量の診断を実行する時間間隔を定義する複数の時間間隔パターンを記憶する記憶部と、前記荷電粒子ビームを試料上に照射し、前記試料上に所定の描画パターンを描画する描画部と、複数の種別のイベントの内の一つである第１のイベントの発生と、前記第１のイベントの種別を含む第１のイベント情報を受領するイベント情報受領部と、前記荷電粒子ビームが描画中の領域を特定する領域情報を取得する領域情報取得部と、前記第１のイベントの種別と前記領域情報とに基づき、前記複数の時間間隔パターンの中から特定の時間間隔パターンを選択する時間間隔パターン選択部と、前記第１のイベント情報を受領後、前記複数の種別のイベントの内の一つである第２のイベントの発生と、前記第２のイベントの種別を含む第２のイベント情報を受領するまでの期間、前記特定の時間間隔パターンに基づき前記荷電粒子ビームのドリフト量の診断を行うドリフト診断制御部と、を備え、前記描画部が前記診断に基づき、前記荷電粒子ビームのドリフト補正を行いながら前記試料上に所定の描画パターンを描画することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、描画中のドリフト診断の時間間隔の設定を最適化し、高い描画精度と高いスループットを両立させる荷電粒子ビーム描画方法、荷電粒子ビーム描画プログラムおよび荷電粒子ビーム描画装置を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】実施の形態における描画装置の構成を示す概念図である。
【図２】実施の形態における描画方法の工程フローを示す図である。
【図３】実施の形態における描画領域の概念図である。
【図４】実施の形態における時間間隔パターン選択の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。以下、実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。ただし、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の荷電粒子を用いたビームでもかまわない。
【００１８】
また、実施の形態においては、描画パターンが描画される「試料」の一例として半導体等の製造に用いられるマスク基板（またはマスク）を例に説明する。
【００１９】
本明細書中、「描画データ」とは、試料に描画するパターンの基データである。描画データはＣＡＤ等で設計者により生成された設計データを、描画装置内での演算処理が可能となるようフォーマットを変換したデータである。図形等の描画パターンが、例えば、図形の頂点等の座標で定義されている。
【００２０】
また、本明細書中、「ショット」とは、荷電粒子ビームの１回の照射を意味する。
【００２１】
また、本明細書中、「ショット密度」とは、描画領域中の単位面積当たりのショット数を意味する。
【００２２】
また、本明細書中、「描画中」とは、実際に試料に荷電粒子ビームを照射している時のみならず、荷電粒子ビームの照射の前後も含む広い意味での描画処理の最中を表す概念とする。
【００２３】
また、本明細書中、「ドリフト補正」とは、ドリフト量の診断結果に基づいて行われる荷電粒子ビームのドリフトの補正を意味する。ドリフト量がゼロまたは僅少なためドリフトの補正を行わない、いわゆるゼロ補正も「ドリフト補正」に含まれるものとする。
【００２４】
実施の形態の電子ビーム描画装置は、電子ビームのドリフト量の診断を実行する時間間隔を定義する複数の時間間隔パターンを記憶する記憶部と、電子ビームを試料上に照射し、マスク上に所定の描画パターンを描画する描画部と、電子ビームのドリフト量の診断を開始する契機となり、イベントの発生とイベントの種別に関する情報を含む第１のイベント情報を受領するイベント情報受領部と、電子ビームが描画中の領域を特定する領域情報を取得する領域情報取得部と、第１のイベント情報の種別と領域情報とに基づき、複数の時間間隔パターンの中から特定の時間間隔パターンを選択する時間情報間隔選択部と、第１のイベント情報を受領後、電子ビームのドリフト量の診断を開始する次の契機となり、イベントの発生とイベントの種別に関する情報を含む第２のイベント情報を受領するまでの期間、特定の時間間隔パターンに基づき電子ビームのドリフト量の診断を行うドリフト診断制御部とを備える。描画部は、ドリフト量の診断後、診断の結果に基づき、電子ビームのドリフト補正を行いながらマスク上に所定の描画パターンを描画する。
【００２５】
実施の形態の電子ビーム描画装置は、上記構成を備えることにより、ドリフト診断開始の契機となるイベント情報に含まれるイベント種別と、描画が行われている領域とに応じてドリフト診断を行う時間間隔パターンを決定する。これにより、ドリフト診断を実行する時間間隔を、生じたイベント毎、描画中の領域毎に最適化し、高い描画精度と高いスループットを両立させることが可能となる。
【００２６】
図１は、実施の形態における描画装置の構成を示す概念図である。
【００２７】
図１において、描画装置１００は、描画部１５０と制御部１６０を備えている。描画装置１００は、荷電粒子ビーム描画装置の一例となる。そして、描画装置１００は、試料１０１に所望するパターンを描画する。
【００２８】
描画部１５０は、電子鏡筒１０２、描画室１０３を有している。電子鏡筒１０２内には、電子銃２０１、照明レンズ２０２、ブランキング（ＢＬＫ）偏向器２１２、ブランキング（ＢＬＫ）アパーチャ２１４、第１のアパーチャ２０３、投影レンズ２０４、偏向器２０５、第２のアパーチャ２０６、対物レンズ２０７、及び偏向器２０８が配置されている。
【００２９】
また、描画室１０３内には、移動可能に配置されたＸＹステージ１０５が配置されている。また、ＸＹステージ１０５上には、試料１０１が配置されている。試料１０１として、例えば、ウェハにパターンを転写する露光用のマスク基板が含まれる。マスク基板としては、まだ何も描画されていないマスクブランクスが含まれる。
【００３０】
制御部１６０は、入力部１１１、駆動回路１０８、メモリ１０９、１５２、偏向制御回路１１０、デジタルアナログ変換機（ＤＡＣ）１１２、１１４、１１６、制御計算機１２０、及びメモリ１２１を有している。制御計算機１２０には、イベント情報受領部１２２、領域情報取得部１２４、時間間隔パターン選択部１２６、ドリフト診断制御部１２８等の機能が設けられている。
【００３１】
制御計算機１２０には、メモリ１０９に記憶された描画データが入力される。制御計算機１２０に入力される情報或いは演算処理中及び処理後の各情報はその都度メモリ１２１に記憶される。
【００３２】
制御計算機１２０には、メモリ１２１、偏向制御回路１１０、メモリ１０９、１５２、駆動回路１０８等がバスを介して接続されている。偏向制御回路１１０は、ＤＡＣ１１２、１１４、１１６に接続される。ＤＡＣ１１２は、ＢＬＫ偏向器２１２に接続されている。ＤＡＣ１１４は、偏向器２０５に接続されている。ＤＡＣ１１６は、偏向器２０８に接続されている。
【００３３】
照射部の一例となる電子銃２０１から電子ビーム２００が照射される。電子銃２０１から出た電子ビーム２００は、照明レンズ２０２により矩形の穴を持つ第１のアパーチャ２０３全体を照明する。
【００３４】
ここで、電子ビーム２００をまず矩形に成形する。そして、第１のアパーチャ２０３を通過した第１のアパーチャ像の電子ビーム２００は、投影レンズ２０４により第２のアパーチャ２０６上に投影される。かかる第２のアパーチャ２０６上での第１のアパーチャ像の位置は、偏向器２０５によって偏向制御され、ビーム形状と寸法を変化させることができる。その結果、電子ビーム２００は成形される。
【００３５】
そして、第２のアパーチャ２０６を通過した第２のアパーチャ像の電子ビーム２００は、対物レンズ２０７により焦点を合わせ、偏向器２０８により偏向される。その結果、連続移動するＸＹステージ１０５上の試料１０１の所望する位置に照射される。ＸＹステージ１０５の移動は、駆動回路１０８によって駆動される。偏向器２０５の偏向電圧は、偏向制御回路１１０及びＤＡＣ１１４によって制御される。偏向器２０８の偏向電圧は、偏向制御回路１１０及びＤＡＣ１１６によって制御される。
【００３６】
ここで、試料１０１上の電子ビーム２００が、所望する照射量を試料１０１に入射させる照射時間ｔに達した場合、以下のようにブランキングする。すなわち、試料１０１上に必要以上に電子ビーム２００が照射されないようにするため、例えば静電型のＢＬＫ偏向器２１２で電子ビーム２００を偏向すると共にＢＬＫアパーチャ２１４で電子ビーム２００をカットする。これにより、電子ビーム２００が試料１０１面上に到達しないようにする。ＢＬＫ偏向器２１２の偏向電圧は、偏向制御回路１１０及びＤＡＣ１１２によって制御される。
【００３７】
ビームＯＮ（ブランキングＯＦＦ）の場合、電子銃２０１から出た電子ビーム２００は、図１における実線で示す軌道を進むことになる。一方、ビームＯＦＦ（ブランキングＯＮ）の場合、電子銃２０１から出た電子ビーム２００は、図１における点線で示す軌道を進むことになる。また、電子鏡筒１０２内および描画室１０３内は、図示していない真空ポンプにより真空引きされ、大気圧よりも低い圧力となる真空雰囲気となっている。
【００３８】
上記構成の描画装置１００を用いて、マスク基板１０１上への描画パターンの描画が行われる。
【００３９】
図１では、本実施の形態を説明する上で必要な構成部分について記載している。描画装置１００にとって、通常、必要なその他の構成が含まれることは言うまでもない。
【００４０】
また、図１では、コンピュータの一例となる制御計算機１２０で、イベント情報受領部１２２、領域情報取得部１２４、時間間隔パターン選択部１２６、ドリフト診断制御部１２８といった各機能の処理を実行するように記載しているがこれに限るものではない。例えば、電気的な回路によるハードウェアにより実施させても構わない。或いは、電気的な回路によるハードウェアとソフトウェアとの組合せにより実施させても構わない。或いは、かかるハードウェアとファームウェアとの組合せでも構わない。
【００４１】
次に、描画装置１００を用いた電子ビーム描画方法について、図２に示す描画方法の工程フローを参照して説明する。
【００４２】
実施の形態の電子ビーム描画方法は、電子ビームのドリフト量の診断を実行する時間間隔を定義する複数の時間間隔パターンを記憶し、電子ビームを試料上に照射し、マスク上に所定の描画パターンを描画する。そして、電子ビームのドリフト量の診断を開始する契機となり、イベントの発生とイベントの種別に関する情報を含む第１のイベント情報を受領し、電子ビームが描画中の領域を特定する領域情報を取得し、第１のイベント情報のイベントの種別と領域情報とに基づき、複数の時間間隔パターンの中から特定の時間間隔パターンを選択する。第１のイベント情報を受領後、電子ビームのドリフト量の診断を開始する次の契機となり、イベントの発生とイベントの種別に関する情報を含む第２のイベント情報を受領するまでの期間、上記特定の時間間隔パターンに基づき電子ビームのドリフト量の診断を断続的に行いながら、それぞれの診断の結果に基づき、電子ビームのドリフト補正を行いながらマスク上に所定の描画パターンを描画する。
【００４３】
図３は、実施の形態における描画領域の概念図である。試料の一例であるマスクに描画される描画領域１０には、第１の領域１２と第２の領域１４とが存在する。例えば、第２の領域１４の描画パターンの最小寸法が、第１の領域１２の描画パターンの最小寸法よりも小さく高い描画精度が要求されるものとする。
【００４４】
図４は、実施の形態における時間間隔パターン選択の一例を示す図である。図４（ａ）が第１の領域１２に適用される時間間隔パターン選択、図４（ｂ）が第２の領域１４に適用される時間間隔パターン選択を示す。
【００４５】
まず、制御計算機１２０は、メモリ１０９から描画データを読み込む。描画データは、例えば、入力部１１１から描画装置１００に取り込まれる。入力部１１１は、入力手段の一例であり、例えば、外部メモリから情報を読み取る読み取り装置である。
【００４６】
次に、電子ビームのドリフト量の診断を実行する時間間隔を定義する複数の時間間隔パターン（インターバルパターン）を、例えば入力部１１１から入力し、時間間隔パターン部の一例であるメモリ１５２に記憶する（Ｓ１：時間間隔パターン記憶工程）。時間間隔パターンは、描画中に、描画を休止して行うドリフト診断の時間間隔を定義している。
【００４７】
次に、照射部の一例となる電子銃２０１から電子ビーム２００をマスク１０１に照射し、マスク１０１上に描画データに基づく描画パターンを描画する（Ｓ２：描画工程）。
【００４８】
そして、電子ビームのドリフト量の診断を開始する契機となる第１のイベントが発生した場合、イベント情報受領部１２２が、第１のイベント情報を受領する（Ｓ３：イベント情報受領工程）。イベントには、種別が存在する。第１のイベント情報には、このイベントの種別に関する情報とイベントの発生に関する情報が含まれる。
【００４９】
例えば、イベントの種別には、図４（ａ）、図４（ｂ）に示すような、描画開始時の描画開始イベント、ユーザの事情等で描画を一時停止する描画一時停止イベント、別のマスクを描画装置１００内に搬送を開始する際のマスク搬送イベント等がある。その他、例えば、マスクの製品番号等が描画されるＩＤパターンの描画開始をイベントとしても、描画領域中ある特定の領域から、次の特定の領域に描画処理が移行するタイミングをイベントとしても、かまわない。イベントの種別は任意に設定することが可能である。イベントは、自動的に発生するものもあれば、上記一時停止イベントのように人為的に発生するものもある。
【００５０】
次に、電子ビームが現在描画中の領域を特定する領域情報を、領域情報取得部１２４が取得する（Ｓ４：領域情報取得工程）。この領域情報は、例えば、図３を例にすれば、第１の領域１２、第２の領域１４、あるいは、その他の領域のいずれを描画処理しているかが特定される情報である。
【００５１】
次に、受領された第１のイベント情報中のイベントの種別と、どの領域を描画しているかを特定できる領域情報とに基づき、時間パターン選択部１２６が、メモリ１５２に記憶された複数の時間間隔パターンの中から特定の時間間隔パターンを選択する（Ｓ５：時間間隔パターン選択工程）。
【００５２】
イベントの種別により、時間間隔パターンを変更するのは以下の理由による。例えば、ユーザの事情により描画処理を一時停止する一時停止イベントの場合、一時停止期間が長時間にわたり、描画開始後のドリフト量が大きくなる恐れがある。このため、描画再開後は、短い時間間隔でドリフト診断を行うことが望ましい。一方、マスク搬送イベントのように、あらかじめ、描画停止時間が特定されており、特にドリフト量が大きくなる懸念もない場合には、一時停止イベントよりも比較的長い時間間隔でドリフト診断を行い描画処理のスループットの低下を最小限に抑えることが望ましい。
【００５３】
また、領域により、時間間隔パターンを変更するのは以下の理由による。例えば、図３の第２の領域１４のように描画パターンの最小寸法が小さい領域の場合、ドリフト量の許容範囲が小さくなる。このため、最小寸法が大きい第１の領域１２に比較して、ドリフト診断の時間間隔を短くして高い描画精度を保証することが望ましい。
【００５４】
したがって、時間パターン選択部１２６では、イベントの種別と描画している領域の属性に基づき、複数の時間間隔パターンの中から特定の時間間隔パターンを選択する。なお、最小寸法値のような領域の属性は、領域情報自体に記述しておいても良いし、領域情報とリンク可能なように別途描画装置１００内に記憶させておいてもかまわない。
【００５５】
次に、第１のイベント情報を受領後、電子ビームのドリフト量の診断を開始する次の契機となる第２のイベント情報を受領するまでの期間、選択された特定の時間間隔パターンに基づき電子ビームのドリフト量の診断を行う。そして、マスク１０１上に、ドリフト量の診断結果に基づきドリフト補正を行いながら所定のパターンを描画する。このドリフト診断の時間間隔の制御は、ドリフト診断制御部１２８によって行われる。ドリフト診断は、その都度、パターンの描画を停止した状態で行われる。
【００５６】
すなわち、図２に示すように、イベント情報受領工程Ｓ３から次のイベント情報受領工程Ｓ８までの間、ドリフト診断工程Ｓ６−ｋ、描画・ドリフト補正工程Ｓ７−ｋ（ｋは１〜ｎの自然数）を繰り返す。
【００５７】
例えば、図３に示す描画領域１０の場合、最小寸法が比較的大きい第１の領域１２については図４（ａ）のようなイベントに対するドリフト診断の時間間隔パターンの選択および実行が行われる。すなわち、描画開始イベントが発生した時は、描画開始時用時間間隔パターン、描画一時停止イベントが発生した時は、時間間隔の比較的短い描画一時停止用時間間隔パターン、マスク搬送イベントが発生した時はマスク搬送用時間間隔パターンが選択および実行される。
【００５８】
なお、時間軸上の縦棒の１本１本が１回のドラフト診断を示す。そして、図に示すように、イベント発生からの時間経過に伴い、時間間隔が大きくなる時間間隔パターンを採用することが望ましい。これは、イベント直後が最もドリフト量が大きくなることが懸念されるためである。
【００５９】
そして、最小寸法が比較的小さい第２の領域１４については、図４（ｂ）のようなイベントに対するドリフト診断の時間間隔パターンの選択および実行が行われる。すなわち、第１の領域１２と同一のイベントが生じた場合でも、第１の領域１２よりドリフト診断の時間間隔の短い時間間隔パターンが選択される。
【００６０】
ドリフト診断の方法は、特に限定されるものではないが、例えば、描画を中断した後、ＸＹステージ１０５上に固定されるドリフト診断用の基準マークに電子ビームを照射し、所望のビーム位置からのズレを測定することで行われる。そして、ドリフト診断の結果、得られたドリフト量に応じて、ビーム照射位置の補正、いわゆるドリフト補正を行う。ドリフト補正は、例えば、ＤＡＣ１１２、１１４、１１６の偏向感度係数等を補正することにより行われる。このようにドリフト診断後のパターンの描画は、ドリフト診断の結果に基づき、ドリフト補正を行いながら実行される。
【００６１】
なお、ドリフト補正は、ドリフト診断で得られたドリフト量を一度に補正するのではなく、描画中に段階的または連続的に補正することが描画されるパターンが不連続になることを回避する観点から望ましい。
【００６２】
実施の形態の電子ビーム描画プログラムは、上記電子ビーム描画方法を描画装置１００に搭載されるコンピュータに実行させるためのプログラムである。制御計算機１２０がコンピュータの一例となる。
【００６３】
具体的には、電子ビームのドリフト量の診断を実行する時間間隔を定義する複数の時間間隔パターンを記憶する手順と、電子ビームをマスク上に照射し、マスク上に所定の描画パターンを描画する手順と、電子ビームのドリフト量の診断を開始する契機となり、イベントの発生とイベントの種別に関する情報を含む第１のイベント情報を受領する手順と、電子ビームが描画中の領域を特定する領域情報を取得する手順と、第１のイベント情報のイベントの種別と領域情報とに基づき、複数の時間間隔パターンの中から特定の時間間隔パターンを選択する手順と、第１のイベント情報を受領後、電子ビームのドリフト量の診断を開始する次の契機となり、イベントの発生とイベントの種別に関する情報を含む第２のイベント情報を受領するまでの期間、上記特定の時間間隔パターンに基づき電子ビームのドリフト量の診断を行う手順と、診断の結果に基づき、電子ビームのドリフト補正を行いながらマスク上に所定の描画パターンを描画する手順とを、描画装置１００に搭載されるコンピュータに実行させるプログラムである。
【００６４】
このプログラムは、例えば、磁気ディスク装置、磁気テープ装置、ＦＤ、或いはＲＯＭ（リードオンリメモリ）等のコンピュータ読み取り可能な記録媒体に記憶される。
【００６５】
以上の説明において、「〜部」或いは「〜工程」と記載したものの処理内容或いは動作内容は、コンピュータで動作可能なプログラムにより構成することができる。或いは、ソフトウェアとなるプログラムだけではなく、ハードウェアとソフトウェアとの組合せにより実施させても構わない。或いは、ファームウェアとの組合せでも構わない。また、プログラムにより構成される場合、プログラムは、磁気ディスク装置、磁気テープ装置、ＦＤ、或いはＲＯＭ（リードオンリメモリ）等の記録媒体に記録される。例えば、メモリ１２１に記録される。
【００６６】
また、コンピュータとなる制御計算機１２０は、さらに、図示していないバスを介して、記憶装置の一例となるＲＡＭ（ランダムアクセスメモリ）、ＲＯＭ、磁気ディスク（ＨＤ）装置、入力手段の一例となるキーボード（Ｋ／Ｂ）、マウス、出力手段の一例となるモニタ、プリンタ、或いは、入力出力手段の一例となる外部インターフェース（Ｉ／Ｆ）、ＦＤ、ＤＶＤ、ＣＤ等に接続されていても構わない。
【００６７】
実施の形態の電子ビーム描画方法、電子ビーム描画プログラム、電子ビーム描画装置によれば、ドリフト診断開始の契機となるイベント情報の種別と、描画が行われている領域とに応じてドリフト診断を行う時間間隔パターンを決定する。これにより、ドリフト診断を実行する時間間隔を、生じたイベント毎、描画中の領域毎に最適化し、高い描画精度と高いスループットを両立させることが可能となる。
【００６８】
以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。
【００６９】
例えば、実施の形態では特定の時間間隔パターンを選択する工程において、領域中の描画パターンの最小寸法に基づき特定の時間間隔パターンの選択が行われる場合を例に説明した。しかし、例えば、領域のショット密度に基づき特定の時間間隔パターンの選択が行われてもかまわない。ドリフト量の大きさがショット密度に応じて変化する場合は、この方式が望ましい。また、領域の単位面積あたりのビーム照射量に基づき特定の時間間隔パターンの選択が行われてもかまわない。ドリフト量の大きさが単位面積あたりのビーム照射量に応じて変化する場合は、この方式が望ましい。
【００７０】
また、実施の形態では、描画領域１０中に２つの領域がある場合を例に説明したが、領域数は２つに限られるものではない。
【００７１】
また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、荷電粒子ビーム描画装置を制御する制御部構成についての詳細は、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。
【００７２】
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての荷電粒子ビーム描画方法、荷電粒子ビーム描画プログラムおよび荷電粒子ビーム描画装置は、本発明の範囲に包含される。
【符号の説明】
【００７３】
１０        描画領域
１２        第１の領域
１４        第２の領域
１００      描画装置
１２２      イベント情報受領部
１２４      領域情報取得部
１２６      時間間隔パターン選択部
１２８      ドリフト診断制御部
１５０      描画部
１５２      メモリ（時間間隔パターン記憶部）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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