(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光検出又は発光素子のマトリクスを備えたマトリクスデバイスを製造するための方法であって、コンピュータを備えたデータ処理手段を用いて、
ａ）前記コンピュータが、前記マトリクスデバイスの少なくとも一つの所定のトポロジーから、一つ又は複数の閉導電回路を識別する設計ステップと、
ｂ）前記コンピュータが、識別された前記閉導電回路のうち少なくとも一つに属する前記マトリクスデバイスの一つ又は複数の所定の光検出又は発光素子を選択する設計ステップとを備え、
前記ステップｂ）において選択された前記マトリクスデバイスの素子のうち少なくとも一つが、不活性にされるか又は不活性にされるものとして識別される、マトリクスデバイスを製造するための方法。
【請求項２】
前記コンピュータが、前記ステップｂ）において選択された少なくとも一つの素子が不活性にされるか又は不活性にされるものとして識別される前記マトリクスデバイスの新たなトポロジーを生成するステップを更に備えた請求項１に記載のマトリクスデバイスを製造するための方法。
【請求項３】
前記ステップｂ）が、
前記所定のトポロジーから、前記マトリクスの素子に対応する頂点と、前記マトリクスの頂点の接続部に対応するリンクとによって形成された少なくとも一つのグラフを生成することと、
前記グラフ中の一つ又は複数の所定のサイクルを識別することとを備え、
前記ステップｂ）が、前記グラフのサイクルのうち少なくとも一つに属する少なくとも一つの所定の頂点を選択することによって実施される、請求項１又は２に記載のマトリクスデバイスを製造するための方法。
【請求項４】
選択された前記所定の頂点が、前記グラフの二つのサイクルに共通である、請求項３に記載のマトリクスデバイスを製造するための方法。
【請求項５】
選択された前記所定の頂点が、所定の長さよりも長い長さを有するサイクルに属しているか、又は前記グラフの最大のサイクルに属している、請求項３又は４に記載のマトリクスデバイスを製造するための方法。
【請求項６】
前記ステップｂ）において選択された少なくとも一つの素子が不活性にされた前記マトリクスデバイスを製造するステップを更に備えた請求項１から５のいずれか一項に記載のマトリクスデバイスを製造するための方法。
【請求項７】
選択された前記一つ又は複数の素子が、電極をマトリクスの残りの部分から切断することによって、不活性にされる、請求項１から６のいずれか一項に記載のマトリクスデバイスを製造するための方法。
【請求項８】
前記マトリクスの素子が、光検出又は発光半導体領域を含み、選択された前記素子が、前記半導体領域に向き合うマスキング領域を提供することによって、不活性にされる、請求項１から７のいずれか一項に記載のマトリクスデバイスを製造するための方法。
【請求項９】
不活性にされた又は不活性にされる前記素子が、光検出又は発光半導体領域を備えずに、又は光検出又は発光領域を置換する絶縁領域を備えて、設けられる、請求項１から７のいずれか一項に記載のマトリクスデバイスを製造するための方法。
【請求項１０】
選択された前記素子が、不活性にされた光検出又は発光半導体領域を備えて形成される、請求項１から９のいずれか一項に記載のマトリクスデバイスを製造するための方法。
【請求項１１】
前記マトリクスの素子が有機半導体ダイオードである、請求項１から１０のいずれか一項に記載のマトリクスデバイスを製造するための方法。
【請求項１２】
請求項１から５のいずれか一項に記載の方法のステップを実行するようにコンピュータに記録可能なプログラムコード命令を備えたコンピュータプログラム。
【請求項１３】
請求項１から５のいずれか一項に記載の方法を実施するための可読プログラミング手段を備えた、コンピュータにおいて使用可能な媒体に記録されたプログラムコード命令を備えたコンピュータプログラム製品。
【請求項１４】
請求項１２又は１３に記載のコンピュータプログラムのコード命令を備えた、コンピュータによって使用可能なデジタルデータ媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光検出又は発光素子のマトリクス微小電子デバイスの分野に係り、特にパッシブ光検出又は発光素子によって形成されたものに関する。
【０００２】
本発明は、光検出又は発光素子のマトリクスデバイスを設計するための改善された方法、並びにその方法に従って実現されたマトリクスデバイスを提供する。
【０００３】
本発明は、特に、有機半導体に基づいた光検出又は発光素子のマトリクスを製造するのに適している。
【背景技術】
【０００４】
光検出素子のマトリクスによって形成された画像センサでは、各光検出素子の保有する情報は、一般的に電流又は電圧の形式である。
【０００５】
画素又は光検出若しくは発光素子を構成するマトリクスに、画素自体に位置する処理源が集積されていない場合、そのような画素は一般的に“パッシブ（受動的）”画素と称される。
【０００６】
現状では、シリコン上に設けられる画像センサ（電荷結合センサ、電荷結合素子（ＣＣＤ，Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）、ＣＭＯＳ技術センサ）は、アクティブ画素によって形成される。アクティブ画素とは、検出機能に加えて、信号処理手段（例えば、プレ帯電機能及び／又は増幅機能又は多重化機能を提供する手段）が局所的に集積された画素のことである。
【０００７】
アクティブ画素は、画像の質と、読み出し速度とを改善することを可能にする。
【０００８】
一方、製造プロセスの実施に関する理由から、現状では、有機光検出器（少なくとも一種の有機半導体によって形成される）に基づいた画像センサは、パッシブ素子又は画素によって形成される。
【０００９】
マトリクスフォトダイオードのフォトダイオードが照射されると、それは、低インピーダンス状態となり、疑似的な（スプリアス）電流経路を形成し、各画素によって電流又は電圧として保持された情報の読み出しを妨げる可能性がある。
【００１０】
そのような現象の一例が図１のデバイスに示されていて、図１には、２行２列のフォトダイオード１１１、１１２、１１３、１１４を含む光検出器のマトリクスの一部の等価電気回路が与えられている。
【００１１】
この例では、マトリクスのフォトダイオードが逆バイアスされて、電流を読み出したい所定のフォトダイオード１１３が、例えば＋１ボルトにされたカソード１５０を有し、そのアノード１７０は、例えば０ボルトにバイアスされる。
【００１２】
図１には、相互接続抵抗器１３、バイアス電極１５０、１５１、１７０、１７１、フォトダイオード１１３によって形成されることが意図されている電流経路Ｃａ、読み出したい画素に隣接又は近接するメッシュを通過するスプリアス電流経路Ｃｐが示されている。
【００１３】
このスプリアス導電回路の問題を解決して、画素の読み出しを改善するために、一方法では、マトリクス画素の間に更にダイオードが導入される。
【００１４】
このような方法は、例えば、特許文献１や非特許文献１で紹介されている。
【００１５】
しかしながら、このような解決策は、特に製造プロセスの複雑さの理由や、画素間に更にダイオードを設けることの複雑さのために、有機半導体光検出器に基づいたマトリクスにはほとんど適用することができない。
【００１６】
上述の問題に対する他の解決策は、同じ基板上にトランジスタ及び光検出器を集積するものであるが、これも、その実施に関する問題のために、有機半導体光検出器に基づいたマトリクスにはほとんど適用することができない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１７】
【特許文献１】米国特許第３８５５５８２号明細書
【非特許文献】
【００１８】
【非特許文献１】“Ａ  Ｗｏｒｄ−ｏｒｇａｎｉｓｅｄ  ｐｈｏｔｏ  ｄｅｔｅｃｔｏｒ  ａｒｅａ”、Ｖｉｌｋｏｍｅｒｓｏｎ  ｅｔ  ａｌ．、ＩＥＥＥ  ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  ｓｏｌｉｄ  ｓｔａｔｅ  ｃｉｒｃｕｉｔｓ、第ｓｃ−４巻、第６号、１９６９年１２月
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【００１９】
第一に、本発明は、光検出若しくは発光素子又は画素のマトリクスを備えたマトリクスデバイスを製造するための方法に関し、本方法は、
ａ）そのマトリクスデバイスの少なくとも一つの所定のトポロジー（“レイアウト”とも称される）から、一つ又は複数の閉導電回路、特にスプリアス導電回路を識別する設計ステップと、
ｂ）識別された閉導電回路のうち少なくとも一つに属するマトリクスデバイスの一つ又は複数の所定の光検出又は発光素子を選択する設計ステップとを備え、そして、ステップｂ）において選択されたマトリクスの素子のうち少なくとも一つが、不活性にされるか、不活性にされるものとして識別される。
【００２０】
本設計方法は、コンピュータ支援された又はデータ処理手段を用いて実施される少なくとも一つ又は複数の設計ステップを含む。
【００２１】
特に、設計ステップａ）及びｂ）が、コンピュータ支援されるか、又はデータ処理手段を用いて実施され得る。
【００２２】
本方法は、マトリクスデバイスの新たなトポロジーを生成する少なくとも一つの設計ステップを更に備え、ステップｂ）において選択された少なくとも一つの素子が不活性にされるか、又は不活性にされるものとして識別される。
【００２３】
本方法は、ステップａ）において：
‐  所定のトポロジーから、マトリクスの素子に対応する頂点と、マトリクスの頂点の接続部に対応するリンクとによって形成された少なくとも一つのグラフを生成することと、
‐  そのグラフにおいて一つ又は複数の所定のサイクルを識別することとを備えることができる。
【００２４】
そして、ステップｂ）を、そのグラフのサイクルうち少なくとも一つに属する少なくとも一つの所定の頂点を選択することによって、行うことができる。
【００２５】
従って、少なくとも一つの等価グラフを用いることによって、所定のトポロジーにおいて、スプリアス導電回路として考えられるものが識別されて、その回路に属する一つ又は複数の所定の光検出又は発光素子が選択されて、そのうちの少なくとも一つが不活性にされる。
【００２６】
選択された所定の頂点は、そのグラフの二つのサイクルに共通であり得る。
【００２７】
複数のスプリアス導電回路に属するマトリクスの素子を選択しつつ、不活性にされる素子の数が最少化される。
【００２８】
他の可能性によると、選択された所定の頂点は、所定の長さよりも長い長さを有するサイクルに属するか、又はそのグラフの最大のサイクルに属し得る。
【００２９】
大きなサイズを有するスプリアス導電回路に属するマトリクスの素子を選択しつつ、不活性にされる素子の数が最少化される。
【００３０】
本発明に係る製造方法は、ステップｂ）において選択された少なくとも一つの素子が不活性であるマトリクスデバイスを製造するステップを更に備え得る。
【００３１】
選択された素子を、その電極のうち少なくとも一つをマトリクスの残りの部分から切断することによって、不活性にすることができる。
【００３２】
また、選択された素子を、光検出又は発光半導体領域に向き合うマスキング領域を設けることによって、不活性にすることもできる。
【００３３】
他の実施の可能性によると、不活性にされた又は不活性にされる素子を、検出又は発光半導体領域を備えずに、又は検出半導体領域を置換する絶縁領域を備えて、設けることができる。
【００３４】
他の実施の可能性によると、素子を、その光検出又は発光半導体領域を物理的又は化学的処理によって、不活性にすることができる。
【００３５】
本発明に係る方法は、マトリクスの素子が有機半導体フォトダイオードであるデバイスを製造するのに特に適している。
【００３６】
また、本発明は、上述の方法を用いて製造されたデバイスにも関する。
【００３７】
本発明は、特に有機半導体の光検出又は発光素子のマトリクスによって形成されたデバイスにも関し、ここで、一つ又は複数の素子が不活性である。
【００３８】
また、本発明は、上述の設計方法のステップを実行するようにコンピュータに記録可能なプログラムコード命令を備えたコンピュータプログラムにも関する。
【００３９】
また、本発明は、上述の設計方法を実施る鵜ための可読プログラミング手段を備えた、コンピュータにおいて使用可能な媒体に記録されたプログラムコード命令を備えたコンピュータプログラム製品にも関する。
【００４０】
また、本発明は、このようなコンピュータプログラムのコード命令を備えた、コンピュータによって使用可能なデジタルデータ媒体にも関する。
【００４１】
本発明は、添付図面を参照して、純粋に例示目的であって限定的なものではない例示的な実施形態の説明を読むことによってより良く理解されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】スプリアス導電回路が識別されたフォトダイオードのマトリクスの一部の等価電気回路を表す。
【図２Ａ】等価グラフを用いて、本発明に係る光検出又は発光素子のマトリクスの例示的な設計方法のステップを示す。
【図２Ｂ】等価グラフを用いて、本発明に係る光検出又は発光素子のマトリクスの例示的な設計方法のステップを示す。
【図２Ｃ】等価グラフを用いて、本発明に係る光検出又は発光素子のマトリクスの例示的な設計方法のステップを示す。
【図３】等価グラフを用いて、本発明に係る光検出又は発光素子のマトリクスを形成するために不活性にされる光検出又は発光素子を選択する方法を示す。
【図４】等価グラフを用いて、本発明に係る光検出又は発光素子のマトリクスを形成するために不活性にされる光検出又は発光素子を選択する代替方法を示す。
【図５】不活性にされる光検出又は発光素子を選択する方法の他の代替例を示す。
【図６】不活性にされる光検出又は発光素子を選択する他の代替方法を示す。
【図７Ａ】本発明に係る例示的な設計方法中に実施される等価グラフの変更を示す。
【図７Ｂ】本発明に係る例示的な設計方法中に実施される等価グラフの変更を示す。
【図８】本発明に従って実現される有機フォトダイオードのマトリクスを製造することができる層の積層体を示す。
【図９Ａ】本発明に係るフォトダイオードのマトリクスの製造中に有機フォトダイオードを不活性にする多様な方法を示す。
【図９Ｂ】本発明に係るフォトダイオードのマトリクスの製造中に有機フォトダイオードを不活性にする多様な方法を示す。
【図９Ｃ】本発明に係るフォトダイオードのマトリクスの製造中に有機フォトダイオードを不活性にする多様な方法を示す。
【図９Ｄ】本発明に係るフォトダイオードのマトリクスの製造中に有機フォトダイオードを不活性にする多様な方法を示す。
【図９Ｅ】本発明に係るフォトダイオードのマトリクスの製造中に有機フォトダイオードを不活性にする多様な方法を示す。
【図１０】複数の独立した領域によってマトリクスが形成されている本発明に係るマトリクスデバイスの設計方法中に実現されるグラフの例を示す。
【図１１Ａ】本発明に係る設計方法を実施するためのデータ処理システムを示す。
【図１１Ｂ】本発明に係る設計方法を実施するためのデータ処理システムを示す。
【図１１Ｃ】本発明に係る設計方法を実施するためのデータ処理システムを示す。
【発明を実施するための形態】
【００４３】
異なる図面のおける同一の、同様な又は等価な部分は、同じ参照番号を有していて、一つの図面から他の図面への切り替えを容易にしている。
【００４４】
図面に示される多様な部分は、図面を理解しやすくするために、必ずしも同一縮尺のものではない。
【００４５】
以下、本発明に係る複数の光検出素子によって形成されたマトリクスデバイスを製造するための例示的な方法を説明する。
【００４６】
この例では、マトリクスの素子はフォトダイオード、特に有機半導体フォトダイオードである。
【００４７】
マトリクスを製造することは、マトリクスデバイスの第一トポロジー（一般的に“レイアウト”と称される）を生成する設計段階を含む。
【００４８】
この第一トポロジーは、特にマトリクス部品の配線計画を含む。
【００４９】
この第一トポロジーから、少なくとも一つの第一グラフが生成される。このグラフは、光検出素子に対応するノード又は頂点（サミット）と、マトリクスの予定された配線計画を表すリッジ又はリンクで構成される。
【００５０】
このグラフの考えられる一例によると、グラフのリッジ又はリンクは、例えば、フォトダイオード及びその各接続部を形成するのに用いられる物質の抵抗値の関数として、重み付けされ得る。
【００５１】
図２Ａの例示的なグラフＧ１では、頂点Ｓがフォトダイオードに対応し、リンクＬ１がフォトダイオードのアノードの接続に対応し、リンクＬ２がフォトダイオードのカソードの接続に対応する。
【００５２】
この第一トポロジーを用いて、電流が流れそうなマトリクスの閉導電回路、特に、読み出しモード時にマトリクスにアクセスする際のスプリアス電流を識別する。
【００５３】
この識別を、グラフＧ１のサイクルＣ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、…、Ｃ９、つまり、一組の連続的なリンク（リンクの両端の頂点が一致するもの）を用いて行うことができる（図２Ｂ）。
【００５４】
次に、識別された導電回路のうちの一つにおいて、識別された導電回路のうちの複数において、又は、識別された各導電回路において、少なくとも一つの光検出素子の選択が行われる。
【００５５】
第一グラフＧ１に関して、このステップは、識別されたサイクルＣ１、…、Ｃ９のうち一つにおいて、識別されたサイクルＣ１、…、Ｃ９のうち複数において、又は、識別されたサイクルＣ１、…、Ｃ９の各々において、少なくとも一つの所定の頂点を選択することである。
【００５６】
図２Ｃの例では、グラフの識別されたサイクルＣ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｃ８、Ｃ９の各々において、頂点Ｓ１１、Ｓ２３、Ｓ３４、Ｓ４３、Ｓ５４、Ｓ６６、Ｓ７２、Ｓ８６が選択されている。
【００５７】
最長の長さを有するグラフＧ１のサイクルにおいて、一つ又は複数の頂点を選択することもできる。本願において“長さ”との用語は、そのサイクル中の頂点の総数に対応する。
【００５８】
この頂点の選択を行うことによって、最大の閉導電回路（特にスプリアス導電を有するもの）に属するマトリクスデバイスの一つ又は複数の所定の光検出素子を決定することができる。
【００５９】
フォトダイオードのマトリクスのトポロジーに関して、最長の長さを有するサイクルは、最大数のフォトダイオードが配置されている導電回路に対応する。
【００６０】
図３の例においては、最大の長さを有するグラフＧ１のサイクルとして識別されたサイクルＣ９内において、頂点Ｓ９１５が選択されている。
【００６１】
この設計段階の考えられる一例によると、所定の長さよりも長い長さを有するグラフのサイクル中の一つ又は複数の頂点が選択される。
【００６２】
この頂点の選択によって、マトリクスデバイスの一つ又は複数の所定の光検出又は発光素子が決定されて、それらは所定の数の光検出素子を通過する閉導電回路に属する。
【００６３】
図４の例では、頂点Ｓ２３、Ｓ４２、Ｓ６６、Ｓ８６、Ｓ９１５が、５という所定の長さ以上の長さを有する識別サイクルＣ２、Ｃ４、Ｃ６、Ｃ８、Ｃ９において選択されている。
【００６４】
この頂点の選択段階によって、製造される光検出器のマトリクスにおいて、不活性にされる、又は不活性された、又は高インピーダンスにされるマトリクスの光検出素子を決定することができる。
【００６５】
この選択段階の最後において、選択された各頂点は、不活性にされる光検出素子に対応している。
【００６６】
“不活性”とは、光検出素子の場合、その光検出素子の機能が、解除、除去又は阻止されること、及び／又は、その光検出素子がマトリクスによる画像取得に寄与することができないことを意味する。
【００６７】
有利な一実施形態によると、グラフＧ１の複数のサイクルにおいて共通の、特にグラフの２つのサイクルに共通の頂点が選択されている。
【００６８】
従って、不活性にされる光検出素子の数を最少化しつつ、マトリクスのスプリアス導電回路の数を可能な限り減らしている。
【００６９】
図５の例では、選択された頂点Ｓ２５、Ｓ４４、Ｓ６２、Ｓ８６はそれぞれ識別された一対のサイクルＣ２とＣ３、Ｃ４とＣ５、Ｃ６とＣ７、Ｃ８とＣ９に共通である。
【００７０】
不活性にされる頂点の選択、つまり画素の選択は、その画素を不活性にする方法に依存し得る。
【００７１】
この二つのサイクルに共通な頂点の選択方式を、上述の最高の長さを有するサイクル、又は所定の長さよりも長い長さを有するサイクルにおいて頂点を選択する方式と組み合わせることができる。
【００７２】
図６の例では、最初に、頂点Ｓ１１、Ｓ２５、Ｓ４４、Ｓ６２がそれぞれ識別された一対のサイクルＣ１とＣ８、Ｃ２とＣ３、Ｃ４とＣ５、Ｃ６とＣ７において共通なので選択されて、次に、頂点Ｓ９１５が、最大の長さを有すると識別されたサイクルＣ９において選択されている。選択されたこれら５つの頂点は、光検出器のマトリクスにおいて不活性にされる５つの光検出素子に対応する。
【００７３】
二つのサイクルに共通の頂点が選択されて、それに付随するリンクを除去した際に、その頂点が属するサイクルのうち少なくとも一つが、新たなサイクルを形成せずに除去されるように、グラフの所定の頂点の選択を行うこともできる。
【００７４】
考えられる実施形態によると、その選択は、マトリクスの一部領域に対してのみ行われて、他の所定の領域をこの選択段階から排除することができる。従って、所定の領域に属する光検出素子を不活性にされないようにする。
【００７５】
この選択を、選択された頂点が一様な分布又は対称性を有する分布を有するように行うことができ、これは、マトリクスからの画像の後続処理を容易にすることができる。
【００７６】
この頂点の選択段階を、近接して、隣接して、又は近くで選択される（つまり、所定の距離よりも短い或る距離で離れている）頂点の数を最少化又はゼロにするように行うこともできる。
【００７７】
従って、頂点の選択を、隣接又は近接する頂点の選択として考えられるものの関数として調整することができる。よって、近接して、隣接して、又は近くで不活性にされる光検出器の数を最少化することができる。
【００７８】
考えられる一実施形態によると、頂点の選択された第一グラフＧ１から、新たなグラフＧ２を形成することができる。
【００７９】
第一グラフＧ１から選択された各頂点に接続された少なくとも一本のリンクを除去することによって、この新たなグラフＧ２を、第一グラフＧ１から形成することができる。
【００８０】
図７Ａ〜図７Ｂに、このような除去の一例が示されている。
【００８１】
上述のような識別及び選択処理によって、不活性にされる光検出素子に対応する所定の頂点Ｓｉを、光検出器のマトリクスに対応するグラフＧｋ（図７Ａ）において選択することができる。
【００８２】
次に、選択された頂点Ｓｉに接続されたリンクＬｉを除去して、新たなグラフＧｋ＋１（図７Ｂ）を形成する。この例では、リンクＬｉは、選択された頂点Ｓｉに対応する光検出素子のアノード又はカソード接続部を表すものであり得る。好ましくは、除去されたこのリンクＬｉは、グラフ上の所定の頂点Ｓｉに隣接する頂点Ｓ’に対応する光検出素子を不活性にしないように選択される。
【００８３】
サイクル識別及び頂点選択のステップを、この新たなグラフＧｋ＋１において繰り返して行うことができる。
【００８４】
上述のような識別及び選択のステップを繰り返す方法は、例えば、そのグラフ内にサイクルが現れる限り、行われる。
【００８５】
次に、最終的に得られたグラフ及び選択されたそのグラフの頂点に応じて、第一トポロジーが変更されて、新たなトポロジーが生成される。
【００８６】
この新たなトポロジーにおいて、複数の光検出素子が不活性にされるか、又は不活性にされるものとして識別される。
【００８７】
この新たなトポロジーＴ２又は“レイアウト”を、第一トポロジーＴ１に従ったマトリクスの配線を変更することによって、形成することができる。
【００８８】
従って、新たなトポロジーＴ２内で光検出素子を不活性にして、この新たなトポロジーに従ってマトリクスを製造することができる。
【００８９】
他の可能性として、トポロジーにおいて不活性にされる光検出素子を指定又は識別して、次に、計画通りに光検出素子を不活性にすることによって、マトリクスを製造することができる。
【００９０】
例えば、有機半導体に基づいたフォトダイオード状の光検出素子によって、図８に示されるタイプの積層体を形成することによって、マトリクスを形成することができる。
【００９１】
フォトダイオードのアノード１７０は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ，インジウム錫酸化物）等の透明導電材料に基づいた層１７２、及び、ポリ３，４‐エチレンジオキシチオフェンポリスチレンスルホネート（ｐｏｌｙ（３，４−ｅｈｔｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）ｐｏｌｙ（ｓｔｙｒｅｎｅｓｕｌｆｏｎａｔｅ）、一般的にＰＥＤＯＳ：ＰＳＳと呼ばれる）等の材料１７６に基づいた層１７４内に形成されて、有機半導体の層１８０とのオーム接触を促進する。
【００９２】
透明導電材料の層１７２のパターン、例えば平行なバー状のパターンが、物質の層１７６に形成されたパターン（同一パターンであり得る）と重ね合わされる。例えばＴｉＡｕに基づいた金属コンタクト１７５の領域が、各アノード１７０の端部に形成される。
【００９３】
有機半導体１８０、例えば、Ｐ３ＨＴ（ｐｏｌｙ（３‐ｈｅｘｙｌｔｈｉｏｐｈｅｎｅ），ポリ３‐ヘキシルチオフェン）等のドナーポリマーと、ＰＣＢＭ（ｐｈｅｎｙｌＣ６６  ｂｕｔｙｒｉｃ  ａｃｉｄ  ｍｅｔｈｙｌ  ｅｓｔｅｒ，フェニルＣ６６酪酸メチルエステル）等のアクセプタポリマーとのヘテロ接合混合物を形成して、アノード１７０全体を覆うことができる。
【００９４】
カソード１９０（例えば平行なバー状）を、有機半導体１８０の層の上に設ける。カソード１９０は、例えばアルミニウムベースであり得る。
【００９５】
例えば、フォトダイオード状の光検出素子を、そのアノード及び／又はカソードの接続部を、マトリクスの残りの部分から除去することによって、ダイオードを破壊することによって、又はダイオードをマスキングすることによって、不活性にすることができる。
【００９６】
図９Ａの例の第一実施形態によると、上述のスタック内に形成された不活性光検出素子Ｅｄｉは、アノード１７０を含み、カソード１９０を含まない。
【００９７】
図９Ｂの例の第二実施形態によると、上述のスタック内に形成された不活性光検出素子Ｅｄｉは、カソード１９０を含み、アノードを含まない。
【００９８】
これら二つの実施形態の代替例では、例えば、化学エッチングによって、アノード及び／又はカソードの電気コンタクトを形成して、高強度を与え、例えば、スプリアス電流が、例えば１ｎＡ以下の暗電流のオーダとなるのに十分な値を有するようにする。
【００９９】
他の可能性としての第三実施形態（図９Ｃ）によると、検出半導体領域を備えずに、場合によっては、絶縁領域によって置換された、又は、劣化又は破壊された検出半導体領域を備えて、不活性光検出素子Ｅｄｉを設ける。
【０１００】
劣化又は破壊を、例えばレーザビームやＵＶ放射（図９Ｅ）を用いた物理的処理又は、例えば局所的化学エッチング（そのプロセス中、デバイスの残りの部分はマスクによって保護される）を用いた化学的処理によって、行うことができる。
【０１０１】
光検出素子Ｅｄｉを不活性するための他の方法の第一実施形態では、検出用の半導体領域１８０に向き合うマスク２０５を提供し、そのマスク２０５は、電子に変換される放射からこの半導体領域１８０をブロックする（図９Ｄ）。
【０１０２】
例えば、このマスクは、金属ストリップ状、又はプラスチック堆積物状とされ得る。例えば、図２に関して上述したようなスタックによって形成されたデバイスの場合、このマスクは、不活性にされる光検出ダイオードが設けられる箇所において、半導体の層１８０の上方に配置された金属領域によって、形成され得る。
【０１０３】
上述の方法は光検出器の実施に関係していて、受光素子は入射光子を電子に変換する。
【０１０４】
本方法は、発光素子又は光放出素子によって形成されたマトリクスデバイスの実施にも適用可能である。
【０１０５】
有機半導体ベースの発光ダイオードのマトリクスを、特に、上述の方法を用いて実施することができる。
【０１０６】
発光素子の場合、“不活性”とは、発光機能が、解除又は阻止されていること、及び／又は、その光検出素子がマトリクスによる画像形成に寄与することができないことを意味する。
【０１０７】
図１０には、代替実施形態が与えられている。４つのサブグラフＧ１１、Ｇ１２、Ｇ２１、Ｇ２２から成るグラフが、４つの並置されているが電気的に独立な領域を備えたフォトダイオードのマトリクスのトポロジーから形成されている。
【０１０８】
第一サブグラフＧ１１では、サイクルＣ１に属する頂点Ｓ１と、一対のサイクルＣ２‐Ｃ３に属する頂点Ｓ２とがそれぞれ不活性にされるマトリクスの素子に対応するものとして識別されている。
【０１０９】
第二サブグラフＧ１２では、サイクルＣ６に属する頂点Ｓ４と、一対のサイクルＣ４‐Ｃ５に属する頂点Ｓ３とがそれぞれ不活性にされるマトリクスの素子に対応するものとして識別されている。
【０１１０】
第三サブグラフＧ２２では、頂点Ｓ６及びＳ５が不活性にされ、第四サブグラフＧ２１では、頂点Ｓ７及びＳ８が選択されて不活性にされるものとして指定されている。
【０１１１】
図１１Ａは、本発明に係る光検出素子又は発光素子のマトリクスを設計するための方法のフローチャートであり、上述の工程の一部がそのフローチャートの一部となり得る。
【０１１２】
第一ステップでは、少なくとも一つのグラフが、光検出素子のマトリクスデバイスのトポロジーから生成される（ステップＥ１０）。
【０１１３】
この第一グラフは、モデル化手段を含むデータ処理デバイスを用いて生成可能である。
【０１１４】
その後、この第一グラフＧ１において、サイクルの識別が行われる（ステップＥ２０）。
【０１１５】
次に、識別されたサイクルに属する頂点の選択が、所定の基準に従って、例えば二つのサイクルに共通の頂点を選択することによって、行われる（ステップＥ３０）。
【０１１６】
次に、選択された頂点の関数として変更された、例えば、それら選択された頂点に接続された一つ又は複数のリンクを除去することによって変更された第一グラフＧ１から、新たなグラフを生成することができる（ステップＥ４０）。
【０１１７】
上記ステップを一回以上繰り返して行うことができる。
【０１１８】
これらをステップＥ２０、Ｅ３０、Ｅ４０をデータ処理デバイス４００又はデータ処理手段４００によって行うことができる。このようなデバイスには、例えばＧｒｉｎ４．８及び／又はＭａｔｌａｂ９．２型のソフトウェアで実施されるアルゴリズムを用いて実現されるグラフ処理手段が設けられ得る。
【０１１９】
マトリクスデバイスの新たなトポロジーが生成されて、光検出素子が不活性にされるか、不活性にされるものとして識別される（ステップＥ５０）。
【０１２０】
図１１Ｂは、電子回路のトポロジー又はレイアウトを処理するように好適に構成されたコンピュータ４２０を備えたデータ処理デバイス４００を示す。
【０１２１】
コンピュータ４２０は、回路トポロジーを形成したり、回路トポロジーをグラフとしてモデル化したり、グラフを処理したり、又はグラフに対して計算を行ったりするのに必要な全ての電子ソフトウェア等を備えた計算部分を含む。
【０１２２】
従って、例えば、システムは、プログラム可能プロセッサ４２６と、少なくとも一つのメモリ４２８とを含む。また、システムは、システムバス４３０に結合されたハードディスク４３２等の入力周辺機器も含む。プロセッサは、例えば、マイクロプロセッサ又はＣＰＵであり得る。メモリ４２８は、例えば、ハードディスク、ＲＯＭ、コンパクトディスク、ＤＲＡＭ、他のメモリＲＡＭ、磁気記憶素子、光学記憶素子、レジスタ、他の揮発性及び／又は不揮発性メモリであり得る。グラフ処理アルゴリズムはメモリ内に記憶され得て、上述のような処理を、回路トポロジーをモデル化することによって得られたグラフに対して行うことができる。
【０１２３】
本発明に係る設計方法の実施を可能にするプログラムは、媒体、例えば、ＣＤ‐ＲＯＭ、ＤＶＤ‐ＲＯＭ、リムーバブルハードディスク、データ処理システムによって読み出される任意のメモリ媒体内に存在しているか記録されている。
【０１２４】
コンピュータ４２０は、スクリーン４２２等の表示デバイスといった他の周辺機器にも接続され得る。
【０１２５】
従って、例えば上述のようなグラフの処理結果を表す画像や、マトリクスデバイスの新たなトポロジー（光検出素子又は発光素子が不活性にされているか、又は不活性にされるものとして指定されている）をスクリーン４２２上に表示することができる。
【０１２６】
データ処理デバイスは、例えばインターネット型のネットワークに接続され得て、グラフ及び／又はマトリクスデバイスのトポロジーのデータを他の遠隔デバイスに送ることができる。
【符号の説明】
【０１２７】
Ｃ  サイクル
Ｌ  リンク
Ｓ  頂点
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図９Ｃ】
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【図９Ｄ】
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【図９Ｅ】
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【図１０】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１１Ｃ】
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