(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の化学式１から選択される１つ以上の銀化合物と下記化学式２〜化学式４から選択される１つ以上のアンモニウムカルバメート系化合物又はアンモニウムカーボネート系化合物とを反応させて得られる銀錯体化合物と、ジメチルグリオキシムと、を含む銀インク組成物であって、前記ジメチルグリオキシムは、前記銀インク組成物１００重量％を基準として、０．００１〜６０重量％添加されることを特徴とする、銀インク組成物。
【化１】
0005848438.tif 000010
（式中、ｎは１〜４の整数であり、Ｘは、酸素、硫黄、ハロゲン、シアノ、シアネート、カーボネート、ニトレート、ニトライト、サルフェート、ホスフェート、チオシアネート、クロレート、パークロレート、テトラフルオロボレート、アセチルアセトネート、カルボキシレート及びその誘導体からなる群から選択される置換基である。）
【化２】
0005848438.tif 000011
【化３】
0005848438.tif 000012
【化４】
0005848438.tif 000013
（式中、前記Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は、互いに同じでも異なっていてもよく、それぞれ水素、炭素数１〜３０個の脂肪族アルキル基、脂肪族アリール基、脂環族アルキル基、脂環族アリール基、又はこれらの混合であるアラルキル（ａｒａｌｋｙｌ）基、官能基が置換されたアルキル基及びアリール基、ヘテロ環化合物基と高分子化合物基及びその誘導体から選択される置換基である。）
【請求項２】
前記化学式１の銀化合物は、酸化銀、チオシアネート化銀、シアン化銀、シアネート化銀、炭酸銀、硝酸銀、亜硝酸銀、硫酸銀、リン酸銀、過塩素酸化銀、四フッ素ボレート化銀、アセチルアセトネート化銀、酢酸銀、乳酸銀、シュウ酸銀及びその誘導体から選択される１種以上である、請求項１に記載の銀インク組成物。
【請求項３】
前記Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は、互いに独立して、水素、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、アミル、ヘキシル、エチルヘキシル、ヘプチル、オクチル、イソオクチル、ノニル、デシル、ドデシル、ヘキサデシル、オクタデシル、ドコデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、アリル、ヒドロキシ、メトキシ、メトキシエチル、メトキシプロピル、シアノエチル、エトキシ、ブトキシ、ヘキシルオキシ、メトキシエトキシエチル、メトキシエトキシエトキシエチル、ヘキサメチレンイミン、モルホリン、ピペリジン、ピペラジン、エチレンジアミン、プロピレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、トリエチレンジアミン、ピロール、イミダゾール、ピリジン、カルボキシメチル、トリメトキシシリルプロピル、トリエトキシシリルプロピル、フェニル、メトキシフェニル、シアノフェニル、フェノキシ、トリル、ベンジル、ポリアリルアミン、ポリエチレンアミン及びその誘導体から選択される、請求項１に記載の銀インク組成物。
【請求項４】
前記アンモニウムカルバメート系化合物は、アンモニウムカルバメート、エチルアンモニウムエチルカルバメート、イソプロピルアンモニウムイソプロピルカルバメート、ｎ−ブチルアンモニウムｎ−ブチルカルバメート、イソブチルアンモニウムイソブチルカルバメート、ｔ−ブチルアンモニウムｔ−ブチルカルバメート、２−エチルヘキシルアンモニウム２−エチルヘキシルカルバメート、オクタデシルアンモニウムオクタデシルカルバメート、２−メトキシエチルアンモニウム２−メトキシエチルカルバメート、２−シアノエチルアンモニウム２−シアノエチルカルバメート、ジブチルアンモニウムジブチルカルバメート、ジオクタデシルアンモニウムジオクタデシルカルバメート、メチルデシルアンモニウムメチルデシルカルバメート、ヘキサメチレンイミニウムヘキサメチレンイミンカルバメート、モルホリニウムモルホリンカルバメート、ピリジニウムエチルヘキシルカルバメート、トリエチレンジアミニウムイソプロピルバイカルバメート、ベンジルアンモニウムベンジルカルバメート、トリエトキシシリルプロピルアンモニウムトリエトキシシリルプロピルカルバメート及びその誘導体から選択される、請求項１に記載の銀インク組成物。
【請求項５】
前記アンモニウムカーボネート系化合物は、アンモニウムカーボネート（ａｍｍｏｎｉｕｍ  ｃａｒｂｏｎａｔｅ）、アンモニウムバイカーボネート（ａｍｍｏｎｉｕｍ  ｂｉｃａｒｂｏｎａｔｅ）、エチルアンモニウムエチルカーボネート、イソプロピルアンモニウムイソプロピルカーボネート、イソプロピルアンモニウムバイカーボネート、ｎ−ブチルアンモニウムｎ−ブチルカーボネート、イソブチルアンモニウムイソブチルカーボネート、ｔ−ブチルアンモニウムｔ−ブチルカーボネート、ｔ−ブチルアンモニウムバイカーボネート、２−エチルヘキシルアンモニウム２−エチルヘキシルカーボネート、２−エチルヘキシルアンモニウムバイカーボネート、２−メトキシエチルアンモニウム２−メトキシエチルカーボネート、２−メトキシエチルアンモニウムバイカーボネート、２−シアノエチルアンモニウム２−シアノエチルカーボネート、２−シアノエチルアンモニウムバイカーボネート、オクタデシルアンモニウムオクタデシルカーボネート、ジブチルアンモニウムジブチルカーボネート、ジオクタデシルアンモニウムジオクタデシルカーボネート、ジオクタデシルアンモニウムバイカーボネート、メチルデシルアンモニウムメチルデシルカーボネート、ヘキサメチレンイミニウムヘキサメチレンイミンカーボネート、モルホリニウムモルホリンカーボネート、ベンジルアンモニウムベンジルカーボネート、トリエトキシシリルプロピルアンモニウムトリエトキシシリルプロピルカーボネート、ピリジニウムバイカーボネート、トリエチレンジアミニウムイソプロピルカーボネート、トリエチレンジアミニウムバイカーボネート及びその誘導体から選択される、請求項１に記載の銀インク組成物。
【請求項６】
前記銀インク組成物は、安定化剤、バインダー樹脂、溶媒、界面活性剤、分散剤、カップリング剤、湿潤剤、チキソトロープ剤及びレベリング剤から選択される１種以上をさらに含む、請求項１に記載の銀インク組成物。
【請求項７】
前記バインダー樹脂は、アクリル、セルロース、ポリエステル、ポリエーテル、ビニル、ウレタン、ウレア、アルキド、シリコン、フッ素、オレフィン、石油、ロジン、エポキシ、不飽和ポリエステル、フェノール、メラミン系樹脂及びその誘導体から選択される１種以上を含む、請求項６に記載の銀インク組成物。
【請求項８】
前記溶媒は、水、メタノール、エタノール、イソプロパノール、１−メトキシプロパノール、ブタノール、エチルヘキシルアルコール、テルピネオール、エチレングリコール、グリセリン、エチルアセテート、ブチルアセテート、メトキシプロピルアセテート、カルビトールアセテート、エチルカルビトールアセテート、メチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、メチルエチルケトン、アセトン、ジメチルホルムアミド、１−メチル−２−ピロリドン、ジメチルスルホキシド、ヘキサン、ヘプタン、パラフィンオイル、ミネラルスピリット、トルエン、キシレン、クロロホルム、及びアセトニトリルから選択される１種以上を含む、請求項６に記載の銀インク組成物。
【請求項９】
下記の化学式１から選択される１つ以上の銀化合物と下記化学式２〜化学式４から選択される１つ以上のアンモニウムカルバメート系化合物又はアンモニウムカーボネート系化合物とを反応させて得られる銀錯体化合物と、ジメチルグリオキシムと、を含む銀インク組成物であって、前記ジメチルグリオキシムは、前記銀インク組成物１００重量％を基準として、０．１〜５０重量％添加されることを特徴とする、銀インク組成物。
【化５】
0005848438.tif 000014
（式中、ｎは１〜４の整数であり、Ｘは、酸素、硫黄、ハロゲン、シアノ、シアネート、カーボネート、ニトレート、ニトライト、サルフェート、ホスフェート、チオシアネート、クロレート、パークロレート、テトラフルオロボレート、アセチルアセトネート、カルボキシレート及びその誘導体からなる群から選択される置換基である。）
【化６】
0005848438.tif 000015
【化７】
0005848438.tif 000016
【化８】
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（式中、前記Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は、互いに同じでも異なっていてもよく、それぞれ水素、炭素数１〜３０個の脂肪族アルキル基、脂肪族アリール基、脂環族アルキル基、脂環族アリール基、又はこれらの混合であるアラルキル（ａｒａｌｋｙｌ）基、官能基が置換されたアルキル基及びアリール基、ヘテロ環化合物基と高分子化合物基及びその誘導体から選択される置換基である。）
【請求項１０】
前記ジメチルグリオキシムは、前記銀錯体化合物１００重量部に対して、１重量部添加される、請求項９に記載の銀インク組成物。
【請求項１１】
前記化学式１の銀化合物は、酸化銀、チオシアネート化銀、シアン化銀、シアネート化銀、炭酸銀、硝酸銀、亜硝酸銀、硫酸銀、リン酸銀、過塩素酸化銀、四フッ素ボレート化銀、アセチルアセトネート化銀、酢酸銀、乳酸銀、シュウ酸銀及びその誘導体から選択される１種以上である、請求項９又は１０に記載の銀インク組成物。
【請求項１２】
前記Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は、互いに独立して、水素、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、アミル、ヘキシル、エチルヘキシル、ヘプチル、オクチル、イソオクチル、ノニル、デシル、ドデシル、ヘキサデシル、オクタデシル、ドコデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、アリル、ヒドロキシ、メトキシ、メトキシエチル、メトキシプロピル、シアノエチル、エトキシ、ブトキシ、ヘキシルオキシ、メトキシエトキシエチル、メトキシエトキシエトキシエチル、ヘキサメチレンイミン、モルホリン、ピペリジン、ピペラジン、エチレンジアミン、プロピレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、トリエチレンジアミン、ピロール、イミダゾール、ピリジン、カルボキシメチル、トリメトキシシリルプロピル、トリエトキシシリルプロピル、フェニル、メトキシフェニル、シアノフェニル、フェノキシ、トリル、ベンジル、ポリアリルアミン、ポリエチレンアミン及びその誘導体から選択される、請求項９又は１０に記載の銀インク組成物。
【請求項１３】
前記アンモニウムカルバメート系化合物は、アンモニウムカルバメート、エチルアンモニウムエチルカルバメート、イソプロピルアンモニウムイソプロピルカルバメート、ｎ−ブチルアンモニウムｎ−ブチルカルバメート、イソブチルアンモニウムイソブチルカルバメート、ｔ−ブチルアンモニウムｔ−ブチルカルバメート、２−エチルヘキシルアンモニウム２−エチルヘキシルカルバメート、オクタデシルアンモニウムオクタデシルカルバメート、２−メトキシエチルアンモニウム２−メトキシエチルカルバメート、２−シアノエチルアンモニウム２−シアノエチルカルバメート、ジブチルアンモニウムジブチルカルバメート、ジオクタデシルアンモニウムジオクタデシルカルバメート、メチルデシルアンモニウムメチルデシルカルバメート、ヘキサメチレンイミニウムヘキサメチレンイミンカルバメート、モルホリニウムモルホリンカルバメート、ピリジニウムエチルヘキシルカルバメート、トリエチレンジアミニウムイソプロピルバイカルバメート、ベンジルアンモニウムベンジルカルバメート、トリエトキシシリルプロピルアンモニウムトリエトキシシリルプロピルカルバメート及びその誘導体から選択される、請求項９又は１０に記載の銀インク組成物。
【請求項１４】
前記アンモニウムカーボネート系化合物は、アンモニウムカーボネート（ａｍｍｏｎｉｕｍ  ｃａｒｂｏｎａｔｅ）、アンモニウムバイカーボネート（ａｍｍｏｎｉｕｍ  ｂｉｃａｒｂｏｎａｔｅ）、エチルアンモニウムエチルカーボネート、イソプロピルアンモニウムイソプロピルカーボネート、イソプロピルアンモニウムバイカーボネート、ｎ−ブチルアンモニウムｎ−ブチルカーボネート、イソブチルアンモニウムイソブチルカーボネート、ｔ−ブチルアンモニウムｔ−ブチルカーボネート、ｔ−ブチルアンモニウムバイカーボネート、２−エチルヘキシルアンモニウム２−エチルヘキシルカーボネート、２−エチルヘキシルアンモニウムバイカーボネート、２−メトキシエチルアンモニウム２−メトキシエチルカーボネート、２−メトキシエチルアンモニウムバイカーボネート、２−シアノエチルアンモニウム２−シアノエチルカーボネート、２−シアノエチルアンモニウムバイカーボネート、オクタデシルアンモニウムオクタデシルカーボネート、ジブチルアンモニウムジブチルカーボネート、ジオクタデシルアンモニウムジオクタデシルカーボネート、ジオクタデシルアンモニウムバイカーボネート、メチルデシルアンモニウムメチルデシルカーボネート、ヘキサメチレンイミニウムヘキサメチレンイミンカーボネート、モルホリニウムモルホリンカーボネート、ベンジルアンモニウムベンジルカーボネート、トリエトキシシリルプロピルアンモニウムトリエトキシシリルプロピルカーボネート、ピリジニウムバイカーボネート、トリエチレンジアミニウムイソプロピルカーボネート、トリエチレンジアミニウムバイカーボネート及びその誘導体から選択される、請求項９又は１０に記載の銀インク組成物。
【請求項１５】
前記銀インク組成物は、安定化剤、バインダー樹脂、溶媒、界面活性剤、分散剤、カップリング剤、湿潤剤、チキソトロープ剤及びレベリング剤から選択される１種以上をさらに含む、請求項９又は１０に記載の銀インク組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、銀インク組成物に関し、より詳細には、インクの保管安定性に優れるとともに低温焼成が可能であるため、多様なポリマー基板に用いることができ、焼成時間を短縮することができるため、生産効率を向上させることができる銀インク組成物に関する。
【０００２】
また、緻密な薄膜を形成することができるため高い電気伝導度を提供することができ、表面均一性に優れるため反射率を向上させることができる銀インク組成物に関する。
【背景技術】
【０００３】
非特許文献１には、銀（ｓｉｌｖｅｒ）は、貴金属であって、酸化され難く、電気伝導度及び熱伝導度に優れるとともに、触媒作用及び抗菌作用などを有しているため、銀及び銀化合物は、合金、めっき、医薬、写真、電機電子、繊維、洗浄剤、家電などの産業全般に広く使用されると記述されている。また、銀化合物は、有機物及び高分子の合成に触媒として使用でき、特に、最近は、電気電子部品回路における鉛使用の規制、及び低抵抗金属配線、印刷回路基板（ＰＣＢ）、フレキシブル回路基板（ＦＰＣ）、無線認識（ＲＦＩＤ）タグ（ｔａｇ）用アンテナ、電磁波遮蔽、そしてプラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、液晶ディスプレイ（ＴＦＴＬＣＤ）、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、フレキシブルディスプレイ及び有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）などの新しい分野で、金属パターンを必要とするか、電極として用いるなど、銀に対する関心が高まっている。
【０００４】
銀を使用する際には、殆どの場合、ナノ粒子又は粉末、フレーク状の銀とバインダー樹脂や溶剤が含まれた銀ペースト状に製造して直接使用したり、硝酸銀などの銀化合物を水溶液又は有機溶媒で他の化合物と反応させることでコロイドや微細粒子を形成して、多様な形態の銀及び有機銀化合物を製造して使用したりしている。このような有機銀化合物は、化学蒸着（ＣＶＤ）、プラズマ蒸着、スパッタリング、電気めっき、露光（ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）、電子線（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｂｅａｍ）、レーザー（ｌａｓｅｒ）など、多様な方法で金属パターンを形成するために用いられている。
【０００５】
有機銀化合物の中で、錯体化合物（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｉｌｖｅｒ  Ｃｏｍｐｌｅｘｅｓ）の配位子として一般に最もよく知られているものはカルボキシル酸（非特許文献２）であって、銀を含む金属カルボキシレート錯体は、通常、光に敏感で、有機溶媒に対する溶解度が低く（非特許文献３、特許文献１）、分解温度が高いため、製造上の容易さにもかかわらず、その応用に限界がある。
【０００６】
このような問題点を解決するために、非特許文献４，非特許文献５，非特許文献６，非特許文献７，非特許文献８，非特許文献９、特許文献２，特許文献３では、多様な方法が提案されているが、例えば、カルボキシル酸のうちアルキル鎖が長い化合物を使用する方法や、アミン化合物又はホスフィン化合物などを含ませる方法などが挙げられる。しかし、銀から誘導される化合物の誘導体は依然として限定されており、しかも、これらは安定性及び溶解性が欠けているか、又は金属でパターンを形成するには分解温度が高く、分解速度が遅いという短所があるため、多様な基材を用いることができないという限界がある。
【０００７】
そこで、本発明者らは、特許文献４及び特許文献５のように、安定性及び溶解性に優れる銀錯体化合物及びその製造方法を提示しているが、上記のような金属パターンを用いて多様な応用製品を成功的に製造するためには、高度のインク組成物が必要である。
【０００８】
したがって、本発明者らは、上記の問題点を解決するために鋭意研究した結果、本発明を成すに至った。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】米国特許第５，５３４，３１２号
【特許文献２】米国特許第５，７０５，６６１号
【特許文献３】韓国公開特許第２００３−００８５３５７号
【特許文献４】韓国特許出願第２００５−１１４７５号
【特許文献５】韓国特許出願第２００５−１１４７８号
【非特許文献】
【００１０】
【非特許文献１】Ｕｌｌｍａｎｎ’ｓ  Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ  ｏｆ  Ｉｎｄ．Ｃｈｅｍ．，Ｖｏｌ．Ａ２４，１０７（１９９３）
【非特許文献２】Ｐｒｏｇ．Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，１０，ｐ２３３（１９６８）
【非特許文献３】Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，（Ａ）．，ｐ５１４（１９７１）
【非特許文献４】Ｊ．Ｉｎｏｒｇ．Ｎｕｃｌ．Ｃｈｅｍ．，４０，ｐ１５９９（１９７８）
【非特許文献５】Ａｎｇ．Ｃｈｅｍ．，Ｉｎｔ．Ｅｄ．Ｅｎｇｌ．，３１，ｐ７７０（１９９２）
【非特許文献６】Ｅｕｒ．Ｊ．Ｓｏｌｉｄ  Ｓｔａｔｅ  Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，３２，ｐ２５（１９９５）
【非特許文献７】Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｃｒｙｓｔ．，２６，ｐ９９（１９９６）
【非特許文献８】Ｃｈｅｍ．Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ，７，１１１（２００１）
【非特許文献９】Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．，１６，２０２１（２００４）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明の目的は、インク保管安定性に優れるとともに低温焼成が可能であるため、多様なポリマー基板に用いることができ、焼成時間を短縮することができるため、生産効率を向上させることができる銀インク組成物を提供することにある。
【００１２】
また、本発明の他の目的は、緻密な薄膜を形成することができるため高い電気伝導度を提供することができ、表面均一性に優れるため反射率を向上させることができる銀インク組成物を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明によれば、銀錯体化合物にオキシム系化合物を還元剤として添加することにより、インク保管安定性に優れるとともに低温焼成が可能であって、焼成時間を短縮することができる銀インク組成物が提供される。
【００１４】
具体的に、本発明によれば、化学式１から選択される１つ以上の銀化合物と化学式２〜化学式４から選択される１つ以上のアンモニウムカルバメート系化合物又はアンモニウムカーボネート系化合物とを反応させて得られる銀錯体化合物と、オキシム系化合物と、を含む銀インク組成物が提供される。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、インク保管安定性に優れるとともに、低温焼成が可能であるため、多様なポリマー基板に用いることができ、緻密な薄膜を形成することができるため、高い電気伝導度を提供することができるだけでなく、表面均一性に優れるため反射率を向上させることができ、焼成時間を短縮することができるため、生産効率を向上させることができる銀インク組成物が提供される。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明によれば、銀錯体化合物にオキシム系化合物を還元剤として添加することにより、インク保管安定性に優れるとともに低温焼成が可能であって、焼成時間を短縮することができる銀インク組成物が提供される。
【００１７】
具体的に、本発明による銀インク組成物は、下記の化学式１から選択される１つ以上の銀化合物と下記化学式２〜化学式４から選択される１つ以上のアンモニウムカルバメート系化合物又はアンモニウムカーボネート系化合物とを反応させて得られる銀錯体化合物と、オキシム系化合物と、を含む。
【００１８】
【化１】
0005848438.tif 000002
【００１９】
【化２】
0005848438.tif 000003
【００２０】
【化３】
0005848438.tif 000004
【００２１】
【化４】
0005848438.tif 000005
【００２２】
上記化学式１中、ｎは１〜４の整数であり、Ｘは、酸素、硫黄、ハロゲン、シアノ、シアネート、カーボネート、ニトレート、ニトライト、サルフェート、ホスフェート、チオシアネート、クロレート、パークロレート、テトラフルオロボレート、アセチルアセトネート、及びカルボキシレートなどであって、具体的には、例えば、酸化銀、チオシアネート化銀、硫化銀、塩化銀、シアン化銀、シアネート化銀、炭酸銀、硝酸銀、亜硝酸銀、硫酸銀、リン酸銀、過塩素酸化銀、四フッ素ボレート化銀、アセチルアセトネート化銀、酢酸銀、乳酸銀、シュウ酸銀及びその誘導体などが挙げられるが、特にこれに限定されるものではない。本発明では、反応性や後処理の点で、酸化銀や炭酸銀を使用することが好ましい。
【００２３】
また、化学式２、化学式３又は化学式４中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は、互いに同じでも異なっていてもよく、例えば、それぞれ水素、炭素数１〜３０個の脂肪族アルキル基、脂肪族アリール基、脂環族アルキル基、脂環族アリール基又はこれらの混合であるアラルキル（ａｒａｌｋｙｌ）基、官能基が置換されたアルキル基及びアリール基、及びヘテロ環化合物基と高分子化合物基及びその誘導体からなる基などが挙げられるが、特にこれに限定されるものではない。
【００２４】
より具体的に、例えば、水素、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、アミル、ヘキシル、エチルヘキシル、ヘプチル、オクチル、イソオクチル、ノニル、デシル、ドデシル、ヘキサデシル、オクタデシル、ドコデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、アリル、ヒドロキシ、メトキシ、ヒドロキシエチル、メトキシエチル、２−ヒドロキシプロピル、メトキシプロピル、シアノエチル、エトキシ、ブトキシ、ヘキシルオキシ、メトキシエトキシエチル、メトキシエトキシエトキシエチル、ヘキサメチレンイミン、モルホリン、ピペリジン、ピペラジン、エチレンジアミン、プロピレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、トリエチレンジアミン、ピロール、イミダゾール、ピリジン、カルボキシメチル、トリメトキシシリルプロピル、トリエトキシシリルプロピル、フェニル、メトキシフェニル、シアノフェニル、フェノキシ、トリル、ベンジル及びその誘導体、そしてポリアリルアミンやポリエチレンイミンのような高分子化合物基及びその誘導体などが挙げられるが、特にこれに限定されるものではない。化合物の具体的な例としては、アンモニウムカルバメート（ａｍｍｏｎｉｕｍ  ｃａｒｂａｍａｔｅ）、アンモニウムカーボネート（ａｍｍｏｎｉｕｍ  ｃａｒｂｏｎａｔｅ）、アンモニウムバイカーボネート（ａｍｍｏｎｉｕｍ  ｂｉｃａｒｂｏｎａｔｅ）、エチルアンモニウムエチルカルバメート、イソプロピルアンモニウムイソプロピルカルバメート、ｎ−ブチルアンモニウムｎ−ブチルカルバメート、イソブチルアンモニウムイソブチルカルバメート、ｔ−ブチルアンモニウムｔ−ブチルカルバメート、２−エチルヘキシルアンモニウム２−エチルヘキシルカルバメート、オクタデシルアンモニウムオクタデシルカルバメート、２−メトキシエチルアンモニウム２−メトキシエチルカルバメート、２−シアノエチルアンモニウム２−シアノエチルカルバメート、ジブチルアンモニウムジブチルカルバメート、ジオクタデシルアンモニウムジオクタデシルカルバメート、メチルデシルアンモニウムメチルデシルカルバメート、ヘキサメチレンイミンアンモニウムヘキサメチレンイミンカルバメート、モルホリニウムモルホリンカルバメート、ピリジニュムエチルヘキシルカルバメート、トリエチレンジアミニウムイソプロピルバイカルバメート、ベンジルアンモニウムベンジルカルバメート、トリエトキシシリルプロピルアンモニウムトリエトキシシリルプロピルカルバメート、エチルアンモニウムエチルカーボネート、イソプロピルアンモニウムイソプロピルカーボネート、イソプロピルアンモニウムバイカーボネート、ｎ−ブチルアンモニウムｎ−ブチルカーボネート、イソブチルアンモニウムイソブチルカーボネート、ｔ−ブチルアンモニウムｔ−ブチルカーボネート、ｔ−ブチルアンモニウムバイカーボネート、２−エチルヘキシルアンモニウム２−エチルヘキシルカーボネート、２−エチルヘキシルアンモニウムバイカーボネート、２−メトキシエチルアンモニウム２−メトキシエチルカーボネート、２−メトキシエチルアンモニウムバイカーボネート、２−シアノエチルアンモニウム２−シアノエチルカーボネート、２−シアノエチルアンモニウムバイカーボネート、オクタデシルアンモニウムオクタデシルカーボネート、ジブチルアンモニウムジブチルカーボネート、ジオクタデシルアンモニウムジオクタデシルカーボネート、ジオクタデシルアンモニウムバイカーボネート、メチルデシルアンモニウムメチルデシルカーボネート、ヘキサメチレンイミンアンモニウムヘキサメチレンイミンカーボネート、モルホリンアンモニウムモルホリンカーボネート、ベンジルアンモニウムベンジルカーボネート、トリエトキシシリルプロピルアンモニウムトリエトキシシリルプロピルカーボネート、ピリジニウムバイカーボネート、トリエチレンジアミニウムイソプロピルカーボネート、トリエチレンジアミニウムバイカーボネート及びその誘導体などが挙げられる。
【００２５】
一方、上記のアンモニウムカルバメート又はアンモニウムカーボネート系化合物の種類及び製造方法は特に制限する必要はない。例えば、米国特許第４，５４２，２１４号によれば、１級アミン、２級アミン、３級アミン、又は少なくとも１つ以上のこれらの混合物と二酸化炭素からアンモニウムカルバメート系化合物が得られ、アミン１モル当り水０．５モルを使用するとアンモニウムカーボネート系化合物が得られて、そして水１モル以上の場合にはアンモニウムバイカーボネート系化合物が得られる。この際、常圧又は加圧状態で特別な溶媒を使用せずに直接製造するか、溶媒を使用する場合には、水、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノールのようなアルコール類、エチレングリコール、グリセリンのようなグリコール類、エチルアセテート、ブチルアセテート、カルビトールアセテートのようなアセテート類、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンのようなエーテル類、メチルエチルケトン、アセトンのようなケトン類、ヘキサン、ヘプタンのような炭化水素系、ベンゼン、トルエンのような芳香族、そしてクロロホルムやメチレンクロライド、カーボンテトラクロライドのようなハロゲン置換溶媒又はこれらの混合溶媒などを使用できる。二酸化炭素は、気相状態でバブリング（ｂｕｂｂｌｉｎｇ）するか、固体相ドライアイスを使用することができ、超臨界（ｓｕｐｅｒｃｒｉｔｉｃａｌ）状態でも反応することができる。本発明で使用されるアンモニウムカルバメート又はアンモニウムカーボネート誘導体の製造には、上記の方法の他にも、最終物質の構造が同一であれば、公知の如何なる方法を使用してもよい。すなわち、製造のための溶媒、反応温度、濃度又は触媒などを特に限定する必要はなく、製造収率にも影響しない。
【００２６】
このように製造されたアンモニウムカルバメート又はアンモニウムカーボネート系化合物と銀化合物とを反応させることで、有機銀錯体化合物を製造することができる。例えば、化学式１に示したような少なくとも１つ以上の銀化合物と、化学式２、化学式３又は化学式４に示したような少なくとも１つ以上のアンモニウムカルバメート又はアンモニウムカーボネート誘導体及びこれらの混合物とを、窒素雰囲気の常圧又は加圧状態で、溶媒を使用せずに直接反応させるか、溶媒を使用する場合、水、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノールのようなアルコール類、エチレングリコール、グリセリンのようなグリコール類、エチルアセテート、ブチルアセテート、カルビトールアセテートのようなアセテート類、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンのようなエーテル類、メチルエチルケトン、アセトンのようなケトン類、ヘキサン、ヘプタンのような炭化水素系、ベンゼン、トルエンのような芳香族、そしてクロロホルムやメチレンクロライド、カーボンテトラクロライドのようなハロゲン置換溶媒又はこれらの混合溶媒などを使用することができる。また、銀錯体化合物の製造には、上記の方法の他に、化学式１の銀化合物と１つ以上のアミン化合物とが混合された溶液を製造した後、二酸化炭素を反応させて得られる銀錯体化合物を本発明に使用することができる。この際にも、上記のように常圧又は加圧状態で、溶媒を使用せずに直接反応させるか、溶媒を使用して反応させることができる。しかしながら、本発明の有機銀錯体化合物の製造方法は特に制限する必要はない。すなわち、最終物質の構造が同一であれば、公知の如何なる方法を使用してもよい。例えば、製造のための溶媒、反応温度、濃度又は触媒の使用有無などは特に限定する必要がなく、製造収率にも影響しない。
【００２７】
一方、本発明の銀インク組成物に、還元剤としてオキシム系化合物を添加することができ、前記オキシム系化合物は、下記化学式５から選択されることができる。
【００２８】
このように還元剤としてオキシム系化合物を添加すると、１００℃以下の低い温度で速く焼成することができる。
【００２９】
【化５】
0005848438.tif 000006
【００３０】
前記化学式５中、
前記Ｒ、Ｒ’、及びＲ’’は、互いに同じでも異なっていてもよく、それぞれ水素、炭素数１〜３０個の脂肪族アルキル基、脂肪族アリール基、脂環族アルキル基、脂環族アリール基又はこれらの混合であるアラルキル（ａｒａｌｋｙｌ）基、官能基が置換されたアルキル基及びアリール基、及びヘテロ環化合物基と高分子化合物基及びその誘導体から選択されることができる。これは好ましい例であって、本発明の範囲がこれに限定されるものではない。
【００３１】
前記オキシム系化合物の例としては、これに限定されるものではないが、例えば、アセトンオキシム（Ａｃｅｔｏｎｅ  ｏｘｉｍｅ、表１参照）、シクロヘキサノンオキシム（Ｃｙｃｌｏｈｅｘａｎｏｎｅ  ｏｘｉｍｅ、表１参照）、２−ブタノンオキシム（２−ｂｕｔａｎｏｎｅ  ｏｘｉｍｅ、表１参照）、２，３−ブタンジオンモノオキシム（２，３−ｂｕｔａｎｅｄｉｏｎｅ  ｍｏｎｏｘｉｍｅ、表１参照）、ジメチルグリオキシム（Ｄｉｍｅｔｈｙｌｇｌｙｏｘｉｍｅ、表１参照）、メチルアセトアセテートモノオキシム（Ｍｅｔｈｙｌ  ａｃｅｔｏａｃｅｔａｔｅ  ｍｏｎｏｘｉｍｅ、表１参照）、メチルピルベートモノオキシム（Ｍｅｔｈｙｌ  ｐｙｒｕｖａｔｅ  ｍｏｎｏｘｉｍｅ、表１参照）、ベンズアルデヒドオキシム（Ｂｅｎｚａｌｄｅｈｙｄｅ  ｏｘｉｍｅ）、１−インダノンオキシム（１−Ｉｎｄａｎｏｎｅ  ｏｘｉｍｅ）、２−アダマンタノンオキシム（２−Ａｄａｍａｎｔａｎｏｎｅ  ｏｘｉｍｅ）、２−メチルベンズアミドオキシム（２−Ｍｅｔｈｙｌｂｅｎｚａｍｉｄｅ  ｏｘｉｍｅ）、３−メチルベンズアミドオキシム（３−Ｍｅｔｈｙｌｂｅｎｚａｍｉｄｅ  ｏｘｉｍｅ）、４−メチルベンズアミドオキシム（４−Ｍｅｔｈｙｌｂｅｎｚａｍｉｄｅ  ｏｘｉｍｅ）、３−アミノベンズアミドオキシム（３−Ａｍｉｎｏｂｅｎｚａｍｉｄｅ  ｏｘｉｍｅ）、４−アミノベンズアミドオキシム（４−Ａｍｉｎｏｂｅｎｚａｍｉｄｅ  ｏｘｉｍｅ）、アセトフェノンオキシム（Ａｃｅｔｏｐｈｅｎｏｎｅ  ｏｘｉｍｅ）、ベンズアミドオキシム（Ｂｅｎｚａｍｉｄｅ  ｏｘｉｍｅ）、及びピナコロンオキシム（Ｐｉｎａｃｏｌｏｎｅ  ｏｘｉｍｅ）から選択されたものであることができる。
【００３２】
【表１】
0005848438.tif 000007
【００３３】
【化６】
0005848438.tif 000008
【００３４】
オキシムのメカニズムを示した反応式１から分かるように、ケトン（ｋｅｔｏｎｅ）又はアルデヒド（ａｌｄｅｈｙｄｅ）とヒドロキシルアミン（ｈｙｄｒｏｘｙｌａｍｉｎｅ）が酸（ａｃｉｄ）又はベース（ｂａｓｅ）の存在下で可逆的に反応してケトキシム（ｋｅｔｏｘｉｍｅ）又はアルドキシム（ａｌｄｏｘｉｍｅ）が生成され、熱を加えるとオキシム（ｏｘｉｍｅ）が分解される反応が進行される。
【００３５】
このように、銀錯体化合物に還元剤としてオキシム系化合物を添加した銀インク組成物は、銀インク組成物を８０℃以上で焼成する際にオキシム系化合物が分解され、銀錯体化合物を還元をさせることができるケトンやアルデヒドに分解されて、銀錯体化合物を還元させることになる。
【００３６】
また、還元剤として前記オキシム系化合物を添加すると、常温で４８時間以上、銀錯体化合物が還元されない安定性を維持することができる。また、銀インク組成物を用いて製造した薄膜は、非常に緻密な構造を有するため、電気伝導性などの電気的特性及び物理的特性が顕著に増大し、表面均一性に優れるため反射率が向上される。
【００３７】
前記オキシム系化合物は銀錯体化合物と常温で混合する際に安定するため、前記オキシム系化合物の量を銀の重量を基準として多量で添加することができ、低い温度で、例えば、８０℃以上から前記オキシム系化合物が還元剤としての役割をして、銀の重量を基準として多量の還元剤が還元を行うため、他の還元剤に比べ銀を速く還元させることができる。
【００３８】
一方、前記オキシム系化合物は、銀インク組成物１００重量％を基準として、好ましくは０．００１〜６０重量％、より好ましくは０．１〜５０重量％添加されることができる。前記オキシム系化合物の含量が少な過ぎると、還元剤としての役割を果たすことができないため焼成温度を低めることが困難となる恐れがある。
【００３９】
一方、本発明による銀インク組成物は、溶媒、バインダー樹脂、界面活性剤、湿潤剤、チキソトロープ剤、レベリング剤、分散剤、安定化剤、及びカップリング剤から選択される１種以上をさらに含むことができる。
【００４０】
インクの粘度調節や円滑な薄膜形成のために溶媒が必要な場合があるが、この際使用できる溶媒としては、水、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、エチルヘキシルアルコール、テルピネオールのようなアルコール類、エチレングリコール、グリセリンのようなグリコール類、エチルアセテート、ブチルアセテート、メトキシプロピルアセテート、カルビトールアセテート、エチルカルビトールアセテートのようなアセテート類、メチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンのようなエーテル類、メチルエチルケトン、アセトン、ジメチルホルムアミド、１−メチル−２−ピロリドンのようなケトン類、ヘキサン、ヘプタン、パラフィンオイル、ミネラルスピリットのような炭化水素系、ベンゼン、トルエンのような芳香族、そしてクロロホルムやメチレンクロライド、カーボンテトラクロライドのようなハロゲン置換溶媒、ジメチルスルホキシド、又はこれらの混合溶媒などが使用できる。
【００４１】
前記安定化剤としては、１級アミン、２級アミン、３級アミン化合物や前記アンモニウムカルバメート、アンモニウムカーボネート、アンモニウムバイカーボネート系化合物又は少なくとも１つ以上のこれらの混合物を含むことができる。
【００４２】
すなわち、安定化剤の具体的な例として、アミン化合物としては、メチルアミン、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン、イソプロピルアミン、ｎ−ブチルアミン、イソブチルアミン、イソアミルアミン、ｎ−ヘキシルアミン、２−エチルヘキシルアミン、ｎ−ヘプチルアミン、ｎ−オクチルアミン、イソオクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、ヘキサデシルアミン、オクタデシルアミン、ドコデシルアミン、シクロプロピルアミン、シクロペンチルアミン、シクロヘキシルアミン、アリルアミン、ヒドロキシアミン、アンモニウムヒドロキシド、メトキシアミン、２−エタノールアミン、メトキシエチルアミン、２−ヒドロキシプロピルアミン、メトキシプロピルアミン、シアノエチルアミン、エトキシアミン、ｎ−ブトキシアミン、２−ヘキシルオキシアミン、メトキシエトキシエチルアミン、メトキシエトキシエトキシエチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジエタノールアミン、ヘキサメチレンイミン、モルホリン、ピペリジン、ピペラジン、エチレンジアミン、プロピレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、トリエチレンジアミン、２，２−（エチレンジオキシ）ビスエチルアミン、トリエチルアミン、トリエタノールアミン、ピロール、イミダゾール、ピリジン、アミノアセトアルデヒドジメチルアセタール、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、アニリン、アニシジン、アミノベンゾニトリル、ベンジルアミン及びその誘導体、そしてポリアリルアミンやポリエチレンイミンのような高分子化合物基及びその誘導体などが挙げられるが、特にこれに限定されるものではない。
【００４３】
また、安定化剤の具体的な例として、アンモニウムカルバメート、アンモニウムカーボネート、アンモニウムバイカーボネート系化合物としては、アンモニウムカルバメート（ａｍｍｏｎｉｕｍ  ｃａｒｂａｍａｔｅ）、アンモニウムカーボネート（ａｍｍｏｎｉｕｍ  ｃａｒｂｏｎａｔｅ）、アンモニウムバイカーボネート（ａｍｍｏｎｉｕｍ  ｂｉｃａｒｂｏｎａｔｅ）、エチルアンモニウムエチルカルバメート、イソプロピルアンモニウムイソプロピルカルバメート、ｎ−ブチルアンモニウムｎ−ブチルカルバメート、イソブチルアンモニウムイソブチルカルバメート、ｔ−ブチルアンモニウムｔ−ブチルカルバメート、２−エチルヘキシルアンモニウム２−エチルヘキシルカルバメート、オクタデシルアンモニウムオクタデシルカルバメート、２−メトキシエチルアンモニウム２−メトキシエチルカルバメート、２−シアノエチルアンモニウム２−シアノエチルカルバメート、ジブチルアンモニウムジブチルカルバメート、ジオクタデシルアンモニウムジオクタデシルカルバメート、メチルデシルアンモニウムメチルデシルカルバメート、ヘキサメチレンイミンアンモニウムヘキサメチレンイミンカルバメート、モルホリニウムモルホリンカルバメート、ピリジニウムエチルヘキシルカルバメート、トリエチレンジアミニウムイソプロピルバイカルバメート、ベンジルアンモニウムベンジルカルバメート、トリエトキシシリルプロピルアンモニウムトリエトキシシリルプロピルカルバメート、エチルアンモニウムエチルカーボネート、イソプロピルアンモニウムイソプロピルカーボネート、イソプロピルアンモニウムバイカーボネート、ｎ−ブチルアンモニウムｎ−ブチルカーボネート、イソブチルアンモニウムイソブチルカーボネート、ｔ−ブチルアンモニウムｔ−ブチルカーボネート、ｔ−ブチルアンモニウムバイカーボネート、２−エチルヘキシルアンモニウム２−エチルヘキシルカーボネート、２−エチルヘキシルアンモニウムバイカーボネート、２−メトキシエチルアンモニウム２−メトキシエチルカーボネート、２−メトキシエチルアンモニウムバイカーボネート、２−シアノエチルアンモニウム２−シアノエチルカーボネート、２−シアノエチルアンモニウムバイカーボネート、オクタデシルアンモニウムオクタデシルカーボネート、ジブチルアンモニウムジブチルカーボネート、ジオクタデシルアンモニウムジオクタデシルカーボネート、ジオクタデシルアンモニウムバイカーボネート、メチルデシルアンモニウムメチルデシルカーボネート、ヘキサメチレンイミンアンモニウムヘキサメチレンイミンカーボネート、モルホリンアンモニウムモルホリンカーボネート、ベンジルアンモニウムベンジルカーボネート、トリエトキシシリルプロピルアンモニウムトリエトキシシリルプロピルカーボネート、ピリジニウムバイカーボネート、トリエチレンジアミニウムイソプロピルカーボネート、トリエチレンジアミニウムバイカーボネート及びその誘導体などが挙げられる。この安定化剤の使用量は、本発明のインク特性に符合する限り、特に制限する必要はない。しかしながら、その含量が銀化合物に対してモル比で０．１％〜９０％、より好ましくは１％〜５０％、さらに好ましくは５％〜３０％であることが好適である。この範囲を超過する場合には、薄膜の伝導度が低下する恐れがあり、前記範囲以下である場合には、インクの貯蔵安定性が低下する恐れがある。インクの貯蔵安定性の低下は、塗膜の不良をもたらす恐れがある。さらに、貯蔵安定性の問題だけでなく、銀インク組成物をコーティングした後焼成して塗膜を形成する際に、前記範囲の安定化剤を使用しない場合、均一且つ緻密な薄膜が形成されず、クラック（ｃｒａｃｋ）が発生するという問題が生じる恐れがある。
【００４４】
前記バインダー樹脂としては、ポリアクリル酸又はポリアクリル酸エステルのようなアクリル系樹脂、エチルセルロースのようなセルロース系樹脂、脂肪族又は共重合ポリエステル系樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルアセテートのようなビニル系樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエーテル及びウレア樹脂、アルキド樹脂、シリコン樹脂、ふっ素樹脂、ポリエチレンのようなオレフィン系樹脂、石油及びロジン系樹脂のような熱可塑性樹脂やエポキシ系樹脂、不飽和ポリエステル系樹脂、フェノール系樹脂、メラミン系樹脂のような熱硬化性樹脂、紫外線又は電子線硬化型の多様な構造のアクリル系樹脂、そしてエチレン−プロピレン系ゴム、スチレン−ブタジエン系ゴムなどもともに使用可能である。
【００４５】
前記界面活性剤としては、ラウリル硫酸ナトリウム（ｓｏｄｉｕｍ  ｌａｕｒｙｌ  ｓｕｌｆａｔｅ）のようなアニオン性界面活性剤、ノニルフェノキシポリエトキシエタノール（ｎｏｎｙｌ  ｐｈｅｎｏｘｙ−  ｐｏｌｙｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌ）、ＦＳＮ（デュポン社製）のようなノ二オン性界面活性剤、及びラウリルベンジルアンモニウムクロライドのようなカチオン性界面活性剤やラウリルベタイン（ｌａｕｒｙｌｂｅｔａｉｎｅ）、ココベタイン（ｃｏｃｏｂｅｔａｉｎｅ）のような両性界面活性剤などが含まれる。
【００４６】
前記湿潤剤又は湿潤分散剤としては、ポリエチレングリコール、エアープロダクト社（Ａｉｒ  Ｐｒｏｄｕｃｔ）製品のサーフィノール（Ｓｕｒｆｙｎｏｌ）シリーズ、デグサ（Ｄｅｇｕｓｓａ）社のテゴウェット（ＴＥＧＯ  ｗｅｔ）シリーズなどの化合物が使用でき、チキソトロープ剤又はレベリング剤としては、ＢＹＫ社のＢＹＫシリーズ、デグサ（Ｄｅｇｕｓｓａ）社のグライドシリーズ、エフカ（ＥＦＫＡ）社のＥＦＫＡ３０００シリーズやコグニス（Ｃｏｇｎｉｓ）社のＤＳＸシリーズなどが使用できる。また、本発明の銀インク組成物の製造には、上記の方法の他に、化学式１の銀化合物と１つ以上の過剰量のアミン化合物又はアンモニウムカルバメート又はアンモニウムカーボネート系化合物及びこれらの混合溶液を製造し、これに、必要に応じて、上記のバインダー又は添加剤などを入れた後、二酸化炭素を反応させて得られる銀インク組成物を製造して使用することができる。この際にも、上記のように常圧又は加圧状態で、溶媒を使用せずに直接反応させるか、溶媒を使用して反応させることができる。
【００４７】
一方、本発明で製造された銀インク組成物は、安定性及び溶解性に優れるため、塗布や多様なプリンティング工程に容易に適用することができ、例えば、金属、ガラス、シリコン基板、セラミック、ポリエステルやポリイミドのようなプラスチックフィルム、ゴムシート、繊維、木材、紙などのような基板にコーティングして薄膜を製造するか、又は直接プリンティングすることができる。この基板は、水勢及び脱脂した後に、又は特別に前処理した後に使用することができるが、前処理方法としては、プラズマ、イオンビーム、コロナ、酸化又は還元、熱、エッチング、紫外線（ＵＶ）照射、及び上記のバインダーや添加剤を用いたプライマー（ｐｒｉｍｅｒ）処理などが挙げられる。薄膜の製造及びプリンティング方法としては、インクの物性に応じて、それぞれスピン（ｓｐｉｎ）コーティング、ロール（ｒｏｌｌ）コーティング、スプレーコーティング、ディップ（ｄｉｐ）コーティング、フロー（ｆｌｏｗ）コーティング、ドクターブレード（ｄｏｃｔｏｒ  ｂｌａｄｅ）及びディスペンシング（ｄｉｓｐｅｎｓｉｎｇ）、インクジェットプリンティング、オフセットプリンティング、スクリーンプリンティング、パッド（ｐａｄ）プリンティング、グラビアプリンティング、フレキソ（ｆｌｅｘｏｇｒａｐｈｙ）プリンティング、リソグラフィ（ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）などを選択して用いることができる。
【００４８】
本発明の銀インクの粘度は、特に制限する必要はない。すなわち、上記の薄膜形成及びプリンティング方法において問題がなければ良く、その方法及び種類に応じて異なりえるが、通常、０．１〜２００，０００ｃｐｓの範囲が好ましく、１〜１０，０００ｃｐｓがより好ましい。前記プリンティング方法のうち、例えば、インクジェットプリンティングで薄膜及びパターンを形成する場合にはインクの粘度が重要であるが、その粘度範囲は０．１〜５０ｃｐｓ、好ましくは１〜２０ｃｐｓ、より好ましくは２〜１５ｃｐｓの範囲であることが好適である。もしこの範囲より低い場合には、焼成後の薄膜の厚さが十分でないため伝導度が低下する恐れがあり、範囲より高い場合には、インクが円滑に吐出され難い短所がある。
【００４９】
上記のようにして得られた薄膜又はパターンを、酸化又は還元処理や熱処理、赤外線、紫外線、電子線（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｂｅａｍ）、レーザー（ｌａｓｅｒ）処理のような後処理して、金属又は金属酸化物パターンを形成するのに用いることができる。上記の後処理は、通常の不活性雰囲気下で熱処理してもよいが、必要に応じて、空気、窒素、一酸化炭素中で、又は水素と空気又は他の不活性ガスとの混合ガスでも処理することができる。熱処理は、通常、８０〜４００℃、好ましくは８０〜３００℃、より好ましくは１２０〜２５０℃で熱処理することが、薄膜の物性のために好ましい。付加的に、前記範囲内で、低温と高温の２段階以上の加熱処理することも、薄膜の均一性のために好ましい。例えば、８０〜１５０℃で３〜３０分間処理した後、１５０〜３００℃で５〜３０分間処理することが好ましい。
【実施例】
【００５０】
以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、これは本発明の例示に過ぎず、本発明の範囲が実施例に限定されるものではない。
【００５１】
製造例１（銀錯体化合物の製造）
攪拌器付き５０ｍｌのシュレンク（Ｓｃｈｌｅｎｋ）フラスコに、粘性の液体である２−エチルヘキシルアンモニウム２−エチルヘキシルカルバメート３．２５ｇ（１０．７５ミリモル）を１０ｍｌのイソプロピルアルコールに溶解させた後、酸化銀１．０ｇ（４．３１ミリモル）を添加して、常温で反応させた。前記反応溶液は、最初は黒色懸濁液（Ｓｌｕｒｒｙ）で反応が進行され、錯化合物が生成されるにつれて色が薄くなり、透明に変わることが観察されて、２時間反応させた結果、無色透明な溶液が得られて、錯化合物が成功的に得られたことが確認された。この溶液を、０．４５ミクロンのメンブレンフィルタ（ｍｅｍｂｒａｎｅ  ｆｉｌｔｅｒ）を使用してフィルタリングすることで、未反応酸化銀を除去した。
【００５２】
製造例２（銀錯体化合物の製造）
攪拌器付き５０ｍｌのシュレンク（Ｓｃｈｌｅｎｋ）フラスコに、粘性の液体である２−エチルヘキシルアンモニウム２−エチルヘキシルカーボネート３．７２ｇ（１１．６１ミリモル）を１０ｍｌのメタノールに溶解させた後、酸化銀１．０ｇ（４．３１ミリモル）を添加して、常温で反応させた。前記反応溶液は、最初は黒色懸濁液（Ｓｌｕｒｒｙ）で反応が進行され、錯化合物が生成されるにつれて色が薄くなり、透明に変わることが観察されて、２時間反応させた結果、無色透明な溶液が得られて、錯化合物が成功的に得られたことが確認された。この溶液を、０．４５ミクロンのメンブレンフィルタ（ｍｅｍｂｒａｎｅ  ｆｉｌｔｅｒ）を使用してフィルタリングすることで、未反応酸化銀を除去した。
【００５３】
実施例１
製造例１で製造された銀錯体化合物１０．０ｇにアセトンオキシム１．０ｇを添加して銀インク組成物を製造した。製造された銀インク組成物をＰＥＴフィルムにスピンコーティング機でスピンコーティングし、得られた薄膜を１００℃で５分間焼成させた後に測定した伝導度（面抵抗値）を表２に示した。
【００５４】
実施例２
製造例１で製造された銀錯体化合物１０．０ｇにアセトンオキシム３．０ｇを添加して銀インク組成物を製造した。製造された銀インク組成物をＰＥＴフィルムにスピンコーティング機でスピンコーティングし、得られた薄膜を１００℃で５分間焼成させた後に測定した伝導度（面抵抗値）を表２に示した。
【００５５】
実施例３
製造例１で製造された銀錯体化合物１０．０ｇにアセトンオキシム５．０ｇを添加して銀インク組成物を製造した。製造された銀インク組成物をＰＥＴフィルムにスピンコーティング機でスピンコーティングし、得られた薄膜を１００℃で５分間焼成させた後に測定した伝導度（面抵抗値）を表２に示した。
【００５６】
実施例４
薄膜を１００℃で３０分間焼成させたことを除き、実施例３と同様に製造した。
【００５７】
実施例５
製造例１で製造された銀錯体化合物１０．０ｇに２−ブタノンオキシム１．０ｇを添加して銀インク組成物を製造した。製造された銀インク組成物をＰＥＴフィルムにスピンコーティング機でスピンコーティングし、得られた薄膜を１００℃で５分間焼成させた後に測定した伝導度（面抵抗値）を表２に示した。
【００５８】
実施例６
製造例１で製造された銀錯体化合物１０．０ｇに２−ブタノンオキシム３．０ｇを添加して銀インク組成物を製造した。製造された銀インク組成物をＰＥＴフィルムにスピンコーティング機でスピンコーティングし、得られた薄膜を１００℃で５分間焼成させた後に測定した伝導度（面抵抗値）を表２に示した。
【００５９】
実施例７
製造例１で製造された銀錯体化合物１０．０ｇに２−ブタノンオキシム５．０ｇを添加して銀インク組成物を製造した。製造された銀インク組成物をＰＥＴフィルムにスピンコーティング機でスピンコーティングし、得られた薄膜を１００℃で５分間焼成させた後に測定した伝導度（面抵抗値）を表２に示した。
【００６０】
実施例８
製造例１で製造された銀錯体化合物１０．０ｇにジメチルグリオキシム０．１ｇを添加して銀インク組成物を製造した。製造された銀インク組成物をＰＥＴフィルムにスピンコーティング機でスピンコーティングし、得られた薄膜を１００℃で５分間焼成させた後に測定した伝導度（面抵抗値）を表２に示した。
【００６１】
実施例９
薄膜を８０℃で６０分間焼成させたことを除き、実施例３と同様に製造した。
【００６２】
実施例１０
薄膜を１２０℃で１分間焼成させたことを除き、実施例３と同様に製造した。
【００６３】
実施例１１
製造例２で製造された銀錯体化合物１０．０ｇにアセトンオキシム５．０ｇを添加して銀インク組成物を製造した。製造された銀インク組成物をＰＥＴフィルムにスピンコーティング機でスピンコーティングし、得られた薄膜を１００℃で５分間焼成させた後に測定した伝導度（面抵抗値）を表２に示した。
【００６４】
比較例１
製造例１で製造された銀錯体化合物１０．０ｇにアセトン５．０ｇを添加して希釈した銀インク組成物を製造した。製造された銀インク組成物をＰＥＴフィルムにスピンコーティング機でスピンコーティングし、得られた薄膜を１００℃で５分間焼成させた後に測定した伝導度（面抵抗値）を表２に示した。
【００６５】
比較例２
製造例１で製造された銀錯体化合物１０．０ｇに２，３−ブタンジオン５．０ｇを添加して希釈した銀インク組成物を製造した。製造された銀インク組成物をＰＥＴフィルムにスピンコーティング機でスピンコーティングし、得られた薄膜を１００℃で５分間焼成させた後に測定した伝導度（面抵抗値）を表２に示した。
【００６６】
比較例３
製造例２で製造された銀錯体化合物１０．０ｇにアセトン５．０ｇを添加して希釈した銀インク組成物を製造した。製造された銀インク組成物をＰＥＴフィルムにスピンコーティング機でスピンコーティングし、得られた薄膜を１００℃で５分間焼成させた後に測定した伝導度（面抵抗値）を表２に示した。
【００６７】
実験例（テスト結果）
１）伝導度の評価：パターン１ｃｍ×３ｃｍの長方形のサンプルを製作した後、その面抵抗をＣＭＴ−ＳＲ１０００Ｎ（ＡＩＴ社）で測定した。
【００６８】
２）インク安定性の評価：オキシム系化合物又はアセトン又は２，３−ブタンジオンを混合した後、４８時間以上銀錯体化合物が還元されない特性を測定した。
【００６９】
【表２】
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【００７０】
前記表２から分かるように、オキシム系化合物を還元剤として添加した本発明の実施例は、インク貯蔵安定性に優れるとともに、低温焼成が可能であって、緻密な薄膜を形成することができるため、高い電気伝導度を提供することができる。また、表面均一性に優れるため反射率を向上させ、焼成時間を短縮することができるため生産効率を向上させることができる。