(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体パターンが形成された複数の絶縁層が積層された積層型コイル部品において、
前記導体パターンは第１コイル導体パターンおよび第２コイル導体パターンを含み、
前記第１コイル導体パターンは、第１方向に磁束を生じさせるコイル開口を形成し、
前記第２コイル導体パターンは、当該第２コイル導体パターンの一方端である第１端から他方端である第２端に電流が流れる際に、前記第１方向に磁束を生じさせる第１コイル開口および前記第１方向とは逆方向の第２方向に磁束を生じさせる第２コイル開口を形成し、
前記第１コイル導体パターンのコイル開口は、平面視状態で、前記第２コイル導体パターンの第１コイル開口および第２コイル開口を含む複数のコイル開口と重なり、
前記第１コイル開口および第２コイル開口のうち、平面視で、前記第１コイル導体パターンのコイル開口が重なる領域内の前記第１コイル開口の総面積と、前記第１コイル導体パターンのコイル開口が重なる領域内の前記第２コイル開口の総面積とは異なることを特徴とする、積層型コイル部品。
【請求項２】
前記第１コイル導体パターンおよび第２コイル導体パターンの外形は、平面視状態で重なっている、請求項１に記載の積層型コイル部品。
【請求項３】
前記第１コイル導体パターンまたは前記第２コイル導体パターンの少なくとも一方は、複数の絶縁層に亘って形成されている、請求項１または２に記載の積層型コイル部品。
【請求項４】
前記第１コイル導体パターンまたは前記第２コイル導体パターンのうちの一方は、互いに結合する２つのコイルによるトランスを構成し、他方は、前記トランスの１次側または２次側に接続されるインダクタを構成する、請求項１〜３のいずれかに記載の積層型コイル部品。
【請求項５】
前記トランスは、オートトランスである、請求項４に記載の積層型コイル部品。
【請求項６】
前記第１コイル導体パターンまたは前記第２コイル導体パターンのうち一方は、互いに結合する複数のコイルを構成し、これらの複数のコイルは他方のコイル導体パターンを層方向に挟む位置に形成されている外側コイル導体パターンである、請求項１〜５のいずれかに記載の積層型コイル部品。
【請求項７】
請求項６に記載の積層型コイル部品を備えた整合回路であって、
インダクタ同士が結合する２つのＬＣ並列共振回路を含む帯域通過フィルタと、互いに結合する２つのインダクタで構成されるトランス型インピーダンス変換回路とを備え、
前記２つのＬＣ並列共振回路のインダクタは前記外側コイル導体パターンで構成され、前記トランス型インピーダンス変換回路のインダクタは前記外側コイル導体パターンで挟まれるコイル導体パターンで構成された、整合回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導体パターンが形成された複数の絶縁層が積層されて構成される積層型コイル部品およびそれを備えた整合回路に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
最近の電子機器の小型化／高集積化に伴い、内蔵する複数の部品を近接状態で実装する必要が生じる。しかし近接状態での実装に伴って、隣接する部品間の不要結合による特性の劣化が問題となる。【０００３】
複数のコイル（インダクタ）を近接配置せざるを得ない場合、そのコイルの開口面同士が対向しないように配置する、などの工夫が必要になる。また、コイルの開口面同士が近接してしまう場合（複数のコイルの巻回軸を同じ向きに積層した構造の場合）でも、インダクタ同士の不要結合を軽減するために、例えば特許文献１では、各コイル導体パターンの層間にグランド導体層を挿入する構造が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−１６７３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に示されているように、各コイル導体パターンの層間にグランド導体層を挿入する構造では、コイルと導体層とが不要結合しやすく、この不要結合によってコイルのＱ値が劣化する。そのため、コイル導体パターンとグランド導体層との間には依然として大きなスペースが必要となる。【０００６】
本発明の目的は、コイル間の不要結合を抑制しつつ複数のコイルを近接配置した積層型コイル部品およびそれを備えた整合回路を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（１）本発明の積層型コイル部品は、導体パターンが形成された複数の絶縁層が積層されて、導体パターンにより複数のコイルが構成され、前記導体パターンは第１コイル導体パターンおよび第２コイル導体パターンを含み、第１コイル導体パターンは、第１方向に磁束を生じさせるコイル開口を形成し、第２コイル導体パターンは、第１方向に磁束を生じさせる第１コイル開口と、第１方向とは逆方向の第２方向に磁束を生じさせる第２コイル開口とを形成し、第１コイル導体パターンのコイル開口は、平面視状態で、第２コイル導体パターンの第１コイル開口および第２コイル開口を含む複数のコイル開口と重なることを特徴とする。【０００８】
上記構成により、第１コイル導体パターンによるコイルおよび第２コイル導体パターンによるコイルに磁束が貫いても両コイルは結合しない状態または比較的弱い結合状態になる。そのため、第１コイル導体パターンおよび第２コイル導体パターンの層間距離を近づけることができ、限られたスペースに複数のコイルを配置できる。【０００９】
（２）前記第１コイル導体パターンおよび第２コイル導体パターンの外形は、平面視状態で重なっていることが好ましい。この構成により、第１コイル導体パターンおよび第２コイル導体パターンは共に、限られたスペースに開口径の大きなコイルを構成できる。すなわち、結合を抑制するために小径のコイルを形成する必要がなく、少ないターン数で必要なインダクタンスを有するコイルを構成できる。【００１０】
（３）上記（１）または（２）において、目的に応じて、前記第１コイル開口および第２コイル開口のうち、平面視状態で前記第１コイル導体パターンのコイル開口が重なる領域内の前記第１コイル開口の総面積と前記第２コイル開口の総面積とは等しい。これにより、第１コイル導体パターンによるコイルと第２コイル導体パターンによるコイルとは実質上結合しない状態になる。【００１１】
（４）上記（１）または（２）において、目的に応じて、前記第１コイル開口および第２コイル開口のうち、平面視状態で前記第１コイル導体パターンのコイル開口が重なる領域内の前記第１コイル開口の総面積と前記第２コイル開口の総面積とは異なる。これにより、第１コイル導体パターンによるコイルと第２コイル導体パターンによるコイルとは所定の弱い結合状態になる。【００１２】
（５）前記第１コイル導体パターンまたは前記第２コイル導体パターンの少なくとも一方は、複数の絶縁層に亘って形成されていることが好ましい。この構成により、限られた占有面積に必要な大きなインダクタンスを有するコイルを構成できる。【００１３】
（６）前記第１コイル導体パターンまたは前記第２コイル導体パターンのうちの一方は、例えば互いに結合する２つのコイルによるトランスを構成し、他方は、前記トランスの１次側または２次側に接続されるインダクタを構成する。この構成により、インダクタを含む例えばフィルタと、トランス型のインピーダンス変換回路とを備えたコイル部品を構成できる。【００１４】
（７）前記第１コイル導体パターンまたは前記第２コイル導体パターンのうち一方は、例えば互いに結合する複数のコイルを構成し、これらの複数のコイルは他方のコイル導体パターンを層方向に挟む位置に形成されている外側コイル導体パターンである。この構成により、外側コイル導体パターンで、互いに弱く結合するインダクタを構成できる。【００１５】
（８）本発明の整合回路は、上記（７）に記載の積層型コイル部品を備え、インダクタ同士が結合する２つのＬＣ並列共振回路を含む帯域通過フィルタと、互いに結合する２つのインダクタで構成されるトランス型インピーダンス変換回路とを備え、前記２つのＬＣ並列共振回路のインダクタは前記外側コイル導体パターンで構成され、前記トランス型インピーダンス変換回路のインダクタは前記外側コイル導体パターンで挟まれるコイル導体パターンで構成される。【００１６】
上記構成により、帯域通過フィルタと、トランス型のインピーダンス変換回路とを備えた小型の整合回路を構成できる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、第１コイル導体パターンおよび第２コイル導体パターンの層間距離が近いながらも、第１コイル導体パターンによるコイルと第２コイル導体パターンによるコイルとは結合しない状態または比較的弱い結合状態にできる。そのため、第１コイル導体パターンおよび第２コイル導体パターンの層間距離を近づけることができ、限られたスペースに複数のコイルを配置できる。また、層間距離が短くても、第１コイル導体パターンによるコイルと第２コイル導体パターンによるコイルとの結合度を精度良く定めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１は第１の実施形態に係る積層型コイル部品１０１の主要部の分解斜視図である。
【図２】図２は積層型コイル部品１０１の各絶縁層の平面図である。
【図３】図３（Ａ）は第１コイル導体パターン１１ａ，１１ｂ，１１ｃを重ねて表した図、図３（Ｂ）は第２コイル導体パターン１２ａ，１２ｂ，１２ｃを重ねて表した図である。
【図４】図４は積層型コイル部品１０１の断面図である。
【図５】図５は積層型コイル部品１０１の回路図である。
【図６】図６は第２の実施形態に係る整合回路２０１の主要部の分解斜視図である。
【図７】図７は整合回路２０１の各絶縁層の平面図である。
【図８】図８は整合回路２０１の回路図である。
【図９】図９は第３の実施形態に係る整合回路２０２の主要部の分解斜視図である。
【図１０】図１０は整合回路２０２の各絶縁層の平面図である。
【図１１】図１１（Ａ）は整合回路２０２の第１コイル導体パターン１１ａ，１１ｂ，１１ｃを重ねて表した図、図１１（Ｂ）はその第２コイル導体パターン１２ａ，１２ｂ，１２ｃを重ねて表した図である。
【図１２】図１２は整合回路２０２のコイル導体パターン形成層部分の断面図である。
【図１３】図１３は整合回路２０２の回路図である。
【図１４】図１４は第４の実施形態に係る整合回路２０３の各絶縁層の平面図である。
【図１５】図１５は整合回路２０３の回路図である。
【図１６】図１６（Ａ）、図１６（Ｂ）、図１６（Ｃ）は、第５の実施形態に係る積層型コイル部品の第１コイル導体パターンおよび第２コイル導体パターンの平面図である。
【図１７】図１７（Ａ）、図１７（Ｂ）は、第５の実施形態に係る積層型コイル部品の第１コイル導体パターンおよび第２コイル導体パターンの平面図である。
【図１８】図１８（Ａ）、図１８（Ｂ）は、第５の実施形態に係る積層型コイル部品の第１コイル導体パターンおよび第２コイル導体パターンの平面図である。
【図１９】図１９は、第５の実施形態に係る積層型コイル部品の第１コイル導体パターンおよび第２コイル導体パターンの平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以降、幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための形態を示す。各実施形態は例示であり、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせによって更なる他の実施形態とし得ることは言うまでもない。
【００２０】
《第１の実施形態》
図１は第１の実施形態に係る積層型コイル部品１０１の主要部の分解斜視図である。
【００２１】
積層型コイル部品１０１は、導体パターンが形成された絶縁層１０ａ〜１０ｆが積層され、導体パターンにより複数のコイルが構成されたものである。その導体パターンは第１コイル導体パターン１１ａ，１１ｂ，１１ｃおよび第２コイル導体パターン１２ａ，１２ｂ，１２ｃを含む。すなわち、絶縁層１０ａ，１０ｂ，１０ｃに第１コイル導体パターン１１ａ，１１ｂ，１１ｃが形成されていて、絶縁層１０ｄ，１０ｅ，１０ｆに第２コイル導体パターン１２ａ，１２ｂ，１２ｃが形成されている。各導体パターンの所定箇所はビア導体（不図示）を介して層間接続されている。この積層型コイル部品の外部端子は積層体の端面または下面に形成されるが、図１においては図示を省略している。
【００２２】
第１コイル導体パターン１１ａの第１端は端子Ｐ１に接続されている。第１コイル導体パターン１１ａの第２端は第１コイル導体パターン１１ｂの第１端に接続されていて、第１コイル導体パターン１１ｂの第２端は第１コイル導体パターン１１ｃの第１端に接続されている。第１コイル導体パターン１１ｃの第２端は端子Ｐ２に接続されている。
【００２３】
第２コイル導体パターン１２ａの第１端は端子Ｐ４に接続されている。第２コイル導体パターン１２ａの第２端は第２コイル導体パターン１２ｂの第１端に接続されていて、第２コイル導体パターン１２ｂの第２端は第２コイル導体パターン１２ｃの第１端に接続されている。第２コイル導体パターン１２ｃの第２端は端子Ｐ３に接続されている。
【００２４】
図２は積層型コイル部品１０１の各絶縁層の平面図である。図２には、各コイル導体パターンに流れる電流の向きとコイル開口を通る磁束の向きの例を示している。図３（Ａ）は第１コイル導体パターン１１ａ，１１ｂ，１１ｃを重ねて表した図、図３（Ｂ）は第２コイル導体パターン１２ａ，１２ｂ，１２ｃを重ねて表した図である。図４は積層型コイル部品１０１の断面図である。
【００２５】
図２に矢印で示すように、各コイル導体パターンに電流が流れ、それによって同図中にクロス記号およびドット記号で示すような向きの磁束が生じる。このように電流の向きを矢印で表し、磁束の向きをクロス記号およびドット記号で表すことは、以降に示す別の図についても同様である。
【００２６】
図３（Ａ）、図３（Ｂ）に示すように、第１コイル導体パターン１１ａ，１１ｂ，１１ｃは、第１方向（例えば紙面奥行き方向）に磁束を生じさせる１つのコイル開口ＣＡ１を形成する。第２コイル導体パターン１２ａ，１２ｂ，１２ｃは、第１方向（紙面奥行き方向）に磁束を生じさせる第１コイル開口ＣＡ２１と第２方向（紙面手前方向）に磁束を生じさせる第２コイル開口ＣＡ２２とを形成する。第１コイル開口ＣＡ２１および第２コイル開口ＣＡ２２の面積は等しい。
【００２７】
第１コイル導体パターン１１ａ，１１ｂ，１１ｃのコイル開口ＣＡ１は、平面視状態で、第２コイル導体パターン１２ａ，１２ｂ，１２ｃの第１コイル開口ＣＡ２１および第２コイル開口ＣＡ２２と重なる。
【００２８】
図４に示すように、第１コイル導体パターン１１ａ，１１ｂ，１１ｃは、第１方向に磁束φ１を生じさせ、第２コイル導体パターン１２ａ，１２ｂ，１２ｃは、第１方向に磁束φ２１および第２方向に磁束φ２２をそれぞれ生じさせる。
【００２９】
上記構成により、第２コイル導体パターン１２ａ，１２ｂ，１２ｃによるコイル開口ＣＡ２２を通る磁束φ２２は、第１コイル導体パターン１１ａ，１１ｂ，１１ｃによるコイル開口ＣＡ１を通る磁束φ１を強め合う（インダクタンスが増大する）方向に作用し、コイル開口ＣＡ２１を通る磁束φ２１は、コイル開口ＣＡ１を通る磁束φ１を弱め合う（インダクタンスが減少する）方向に作用する。
【００３０】
図５は積層型コイル部品１０１の回路図である。端子Ｐ１−Ｐ２間に第１インダクタＬ１が接続されていて、端子Ｐ３−Ｐ４間に第２インダクタＬ２が接続されている。第２インダクタＬ２は直列接続されたインダクタＬ２１，Ｌ２２で構成されている。ここで、インダクタＬ１は第１コイル導体パターン１１ａ，１１ｂ，１１ｃにより構成されるインダクタ、インダクタＬ２は第２コイル導体パターン１２ａ，１２ｂ，１２ｃにより構成されるインダクタである。インダクタＬ２１，Ｌ２２は、第２コイル導体パターン１２ａ，１２ｂ，１２ｃのうち、コイル開口ＣＡ２１，ＣＡ２２を形成する部分でそれぞれ構成される。このように、インダクタＬ１とインダクタＬ２２とは同極性で結合し、インダクタＬ１とインダクタＬ２１とは逆極性で結合する。
【００３１】
このように、第１コイル導体パターン１１ａ，１１ｂ，１１ｃによるコイル開口ＣＡ１をおよび第２コイル導体パターン１２ａ，１２ｂ，１２ｃによるコイル開口ＣＡ２１，ＣＡ２２に磁束が貫いても、両コイルは等価的には結合しない状態となる。そのため、第１コイル導体パターン１１ａ，１１ｂ，１１ｃおよび第２コイル導体パターン１２ａ，１２ｂ，１２ｃの層間距離を近づけても、不要な結合が生じないので、限られたスペースに２つのコイルを配置できる。
【００３２】
《第２の実施形態》
図６は第２の実施形態に係る整合回路２０１の主要部の分解斜視図である。図７は整合回路２０１の各絶縁層の平面図である。
【００３３】
整合回路２０１は、導体パターンが形成された絶縁層１０ａ〜１０ｌが積層され、導体パターンにより複数のコイルが構成されたものである。その導体パターンは第１コイル導体パターン１１ａ〜１１ｄおよび第２コイル導体パターン１２ａ〜１２ｃを含む。各導体パターンの所定箇所はビア導体（不図示）を介して層間接続されている。絶縁層１０ａ〜１０ｄには第１コイル導体パターン１１ａ〜１１ｄが形成されている。絶縁層１０ｅ〜１０ｇには第２コイル導体パターン１２ａ〜１２ｃが形成されている。絶縁層１０ｈ〜１０ｊにはキャパシタ電極２１〜２３が形成されている。絶縁層１０ｋにはグランド電極２４が形成されている。最下層の絶縁層１０ｌには入出力端子３１，３２、グランド端子３３，３４が形成されている。
【００３４】
図８は整合回路２０１の回路図である。インダクタＬ１はコイル導体パターン１１ｂ，１１ｃで構成されていて、インダクタＬ２はコイル導体パターン１１ａ，１１ｄで構成されている。インダクタＬ３はコイル導体パターン１２ａ，１２ｂ，１２ｃで構成されている。キャパシタＣ１はキャパシタ電極２３およびグランド電極２４で構成されていて、キャパシタＣ２はキャパシタ電極２１，２２，２３で構成されている。
【００３５】
図８において、インダクタＬ１とインダクタＬ２とはオートトランス（単巻トランス）構造のインピーダンス変換回路を構成している。インダクタＬ１とＬ２は相互インダクタンスＭで結合する。ここで、インダクタＬ１，Ｌ２のインダクタンスをＬ１，Ｌ２で表し、相互インダクタンスをＭで表すと、左から順に、（Ｌ１＋Ｍ）（Ｌ２＋Ｍ）（−Ｍ）のインダクタで構成されるＴ字型等価回路に変換できる。したがって、このトランスによるインピーダンス変換比は｛（Ｌ１＋Ｍ）＋（Ｌ２＋Ｍ）｝：｛（Ｌ２＋Ｍ）＋（−Ｍ）｝＝（Ｌ１＋Ｌ２＋２Ｍ）：Ｌ２である。
【００３６】
図８において、キャパシタＣ１，Ｃ２およびインダクタＬ３は、不要周波数帯を抑制する帯域阻止フィルタとして作用する。このフィルタのインダクタＬ３と上記インピーダンス変換用トランスのインダクタＬ１，Ｌ２とは実質的に結合しないので、フィルタとトランスは干渉することなく独立して作用する。
【００３７】
《第３の実施形態》
図９は第３の実施形態に係る整合回路２０２の主要部の分解斜視図である。図１０は整合回路２０２の各絶縁層の平面図である。図１１（Ａ）は整合回路２０２の第１コイル導体パターン１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄを重ねて表した図、図１１（Ｂ）はその第２コイル導体パターン１２ａ，１２ｂ，１２ｃを重ねて表した図である。図１２は整合回路２０２のコイル導体パターン形成層部分の断面図である。さらに、図１３は整合回路２０２の回路図である。
【００３８】
第２の実施形態で示した整合回路２０１と異なるのは、第２コイル導体パターン１２ａ，１２ｂ，１２ｃの形状である。図９、図１０に表れているように、第２コイル導体パターン１２ａ，１２ｂ，１２ｃは、非点対称形である。図１１に表れているように、第１コイル導体パターン１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄは、第１方向（例えば紙面奥行き方向）に磁束を生じさせる１つのコイル開口ＣＡ１を形成する。第２コイル導体パターン１２ａ，１２ｂ，１２ｃは、第１方向（紙面奥行き方向）に磁束を生じさせる第１コイル開口ＣＡ２１と第２方向（紙面手前方向）に磁束を生じさせる第２コイル開口ＣＡ２２とを形成する。第２コイル導体パターン１２ａ，１２ｂ，１２ｃは非点対称形であるので、第１コイル開口ＣＡ２１および第２コイル開口ＣＡ２２の面積は異なる。第１コイル導体パターン１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄのコイル開口ＣＡ１は、平面視状態で、第２コイル導体パターン１２ａ，１２ｂ，１２ｃの第１コイル開口ＣＡ２１および第２コイル開口ＣＡ２２と重なる。
【００３９】
図１２に示すように、第１コイル導体パターン１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄは、第１方向に磁束φ１を生じさせ、第２コイル導体パターン１２ａ，１２ｂ，１２ｃは、第１方向に磁束φ２１および第２方向に磁束φ２２をそれぞれ生じさせる。第２コイル導体パターン１２ａ，１２ｂ，１２ｃによるコイル開口ＣＡ２２を通る磁束φ２２は、第１コイル導体パターン１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄによるコイル開口ＣＡ１を通る磁束φ１を強め合う（インダクタンスが増大する）方向に作用し、コイル開口ＣＡ２１を通る磁束φ２１は、コイル開口ＣＡ１を通る磁束φ１を弱め合う（インダクタンスが減少する）方向に作用する。ここで、磁束φ２１が通るコイル開口ＣＡ２１は、磁束φ２２が通るコイル開口ＣＡ２２より大きいので、この磁束φ２１，φ２２の強度の差の分だけ、第１コイル導体パターン１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄによるコイル（Ｌ１，Ｌ２）と第２コイル導体パターン１２ａ，１２ｂ，１２ｃによるコイル（Ｌ３）とは結合する。より正確には、主に、上記コイル開口ＣＡ２１，ＣＡ２２の面積の差分と、上記コイル開口ＣＡ１の面積との比によって、第１コイル導体パターン１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄによるコイル（Ｌ１，Ｌ２）と第２コイル導体パターン１２ａ，１２ｂ，１２ｃによるコイル（Ｌ３）との結合係数が定まる。
【００４０】
図１３に示した整合回路２０２において、インダクタＬ１，Ｌ２で構成されるトランスのトランス比によってインピーダンス変換がなされる。また、インダクタＬ３を含む帯域阻止フィルタは使用周波数帯の２次や３次の高調波成分を除去される。しかし、インダクタＬ１，Ｌ２によるトランスのインダクタＬ１にインダクタＬ３が直列接続されることによって、単体のトランスである場合に比べて、トランスのトランス比にずれが生じる。この第３の実施形態によれば、インダクタＬ３がインダクタ（Ｌ１，Ｌ２）と弱く結合することで、インダクタＬ１，Ｌ２によるトランスのトランス比を修正することができる。
【００４１】
したがって、第１コイル導体パターン１１ａ〜１１ｄおよび第２コイル導体パターン１２ａ〜１２ｃの層間距離を近づけても、所望の弱い結合を生じさせることができるので、限られたスペースに複数のコイルを備えた整合回路を構成できる。また、層間距離が短くても、インダクタＬ３とインダクタ（Ｌ１，Ｌ２）との結合度を精度良く定めることができる。
【００４２】
《第４の実施形態》
図１４は第４の実施形態に係る整合回路２０３の各絶縁層の平面図である。この整合回路２０３において、絶縁層１０ｄ，１０ｅ，１０ｆに第１コイル導体パターン１１ａ，１１ｂ，１１ｃが形成されていて、絶縁層１０ｃ，１０ｇに第２コイル導体パターン１２，１３が形成されている。また、絶縁層１０ａ，１０ｂにキャパシタ電極２１，２２、絶縁層１０ｈ，１０ｉにキャパシタ電極２３およびグランド電極２４がそれぞれ形成されている。
【００４３】
第１コイル導体パターン１１ａの第１端はキャパシタ電極２２に接続されていて、第１コイル導体パターン１１ａの第２端は第１コイル導体パターン１１ｂの第１端に接続されている。第１コイル導体パターン１１ｂの第２端は第１コイル導体パターン１１ｃの第１端に接続されている。そして、第１コイル導体パターン１１ｃの第２端はグランド電極２４に接続されている。第２コイル導体パターン１２の第１端はキャパシタ電極２２に接続されていて、第２コイル導体パターン１３の第１端はキャパシタ電極２３に接続されている。また、第２コイル導体パターン１２，１３の第１端はグランド電極２４にそれぞれ接続されている。
【００４４】
図１５は整合回路２０３の回路図である。インダクタＬ１はコイル導体パターン１１ａ，１１ｂで構成されていて、インダクタＬ２はコイル導体パターン１１ｂ，１１ｃで構成されている。インダクタＬ３はコイル導体パターン１２で構成されていて、インダクタＬ４はコイル導体パターン１３で構成されている。キャパシタＣ１はキャパシタ電極２１，２２で構成されていて、キャパシタＣ２はキャパシタ電極２３およびグランド電極２４で構成されている。
【００４５】
図１５において、インダクタＬ１とインダクタＬ２とで、オートトランス（単巻トランス）構造のインピーダンス変換回路が構成されている。キャパシタＣ２およびインダクタＬ４による並列共振回路と、キャパシタＣ１およびインダクタＬ３による並列共振回路とは、インダクタＬ３とインダクタＬ４とのトランス結合で結合している。これらのキャパシタＣ１，Ｃ２、インダクタＬ３，Ｌ４によって帯域通過フィルタが構成されている。
【００４６】
第１コイル導体パターン１１ａ，１１ｂ，１１ｃは、第１方向に磁束を生じさせるコイル開口を形成し、第２コイル導体パターン１２，１３は、第１方向に磁束を生じさせる第１コイル開口と第２方向に磁束を生じさせる第２コイル開口とを形成する。そして、第１コイル導体パターンのコイル開口は、平面視状態で、第２コイル導体パターンの第１コイル開口および第２コイル開口を含む複数のコイル開口と重なる。これらの関係は第１〜第３の実施形態で示した関係と同じである。そのため、フィルタのインダクタ（Ｌ３，Ｌ４）とインピーダンス変換用トランスのインダクタ（Ｌ１，Ｌ２）とは実質的に結合せず、フィルタとトランスは干渉することなく独立して作用する。
【００４７】
この第４の実施形態では、第２コイル導体パターン１２，１３は接続されておらず直流的には分離されている。また、第２コイル導体パターン１２，１３が第１コイル導体パターンを層方向に挟むように配置されている。
【００４８】
この構成により、第１コイル導体と第２コイル導体とが層方向に隣接しているにも拘わらず、第１コイル導体によるインダクタ（Ｌ１，Ｌ２）と第２コイル導体によるインダクタ（Ｌ３，Ｌ４）とは殆ど結合せず、しかも層間が離れている第２コイル導体パターン１２，１３によるインダクタＬ３，Ｌ４は結合する。
【００４９】
また、第２コイル導体パターン１２，１３の層間隔は比較的大きく配置されているので、インダクタＬ３−Ｌ４間の結合係数を小さめに設定できる。これにより帯域通過フィルタの通過帯域幅を所望の狭い帯域に設定できる。
【００５０】
《第５の実施形態》
第５の実施形態では、第１コイル導体パターンおよび第２コイル導体パターンの幾つかの例を、図１６（Ａ）、図１６（Ｂ）、図１６（Ｃ）、図１７（Ａ）、図１７（Ｂ）、図１８（Ａ）、図１８（Ｂ）、図１９を参照して示す。いずれの例でも、第１コイル導体パターン１１は第１方向に磁束を生じさせる１つのコイル開口を形成し、第２コイル導体パターン１２は、第１方向に磁束を生じさせる第１コイル開口と第２方向に磁束を生じさせる第２コイル開口とを形成する。
【００５１】
図１６（Ａ）の例では、第２コイル導体パターン１２は、第１方向に磁束を生じさせる１つの第１コイル開口と第２方向に磁束を生じさせる２つの第２コイル開口とを形成する。図１６（Ｂ）の例では、第２コイル導体パターン１２は、第１方向に磁束を生じさせる２つの第１コイル開口と第２方向に磁束を生じさせる２つの第２コイル開口とを形成する。図１６（Ｃ）の例では、第２コイル導体パターン１２は、第１方向に磁束を生じさせる２つの第１コイル開口と第２方向に磁束を生じさせる３つの第２コイル開口とを形成する。これらの例に示すように、第２コイル導体パターンは３つ以上のコイル開口を形成するように形成されていてもよい。
【００５２】
図１７（Ａ）、図１７（Ｂ）の例では、第２コイル導体パターン１２は、第１方向に磁束を生じさせる第１コイル開口と第２方向に磁束を生じさせる第２コイル開口とを形成する。第２コイル導体パターンが形成するコイル開口は三角形や台形に限らず、図１７（Ａ）の例のように、第２コイル導体パターンによる２つのコイル開口は矩形の巴状であってもよい。また、図１７（Ｂ）の例のように、始点・終点の端部がパターン形成領域の中央寄りの位置にあってもよい。
【００５３】
図１８（Ａ）、図１８（Ｂ）の例でも、第２コイル導体パターン１２は、第１方向に磁束を生じさせる第１コイル開口と第２方向に磁束を生じさせる第２コイル開口とを形成する。この例では、第２コイル導体パターン１２は縦横に配列されている。
【００５４】
図１９の例では、２つの第２コイル導体パターン１２Ａ，１２Ｂを備えている。第２コイル導体パターン１２Ａ，１２Ｂは、第１方向に磁束を生じさせる第１コイル開口と第２方向に磁束を生じさせる第２コイル開口とを形成する。そのため、第２コイル導体パターン１２Ａと第１コイル導体パターン１１とは実質的に結合せず、第２コイル導体パターン１２Ｂと第１コイル導体パターン１１とは実質的に結合しない。
【００５５】
《他の実施形態》
以上に示した各実施形態では、平面視状態で、第１コイル導体パターンのコイル開口が第２コイル導体パターンの第１コイル開口および第２コイル開口の全体に重なった例を示したが、第１コイル導体パターンのコイル開口は、平面視状態で、第２コイル導体パターンの第１コイル開口および第２コイル開口の全体に重なっていなくてもよく、第２コイル導体パターンの第１コイル開口および第２コイル開口を含む複数のコイル開口と重なっていればよい。
【００５６】
また、第１コイル導体パターンは単一のコイル開口を形成するものに限らず、複数のコイル開口を形成してもよい。その場合には、第１コイル導体パターンの各コイル開口または一つのコイル開口が第２コイル導体パターンの第１コイル開口および第２コイル開口の全体に重なっていればよい。
【符号の説明】
【００５７】
ＣＡ１…コイル開口
ＣＡ２１…第１コイル開口
ＣＡ２２…第２コイル開口
Ｌ１，Ｌ２…インダクタ
Ｌ２１，Ｌ２２…インダクタ
Ｌ３，Ｌ４…インダクタ
Ｍ…相互インダクタンス
Ｐ１〜Ｐ４…端子
１０ａ〜１０ｌ…絶縁層
１１…第１コイル導体パターン
１１ａ〜１１ｄ…コイル導体パターン
１２，１３…第２コイル導体パターン
１２ａ〜１２ｃ…コイル導体パターン
１２Ａ，１２Ｂ…コイル導体パターン
２１，２２，２３…キャパシタ電極
２４…グランド電極
３１，３２…入出力端子
３３，３４…グランド端子
１０１…積層型コイル部品
２０１，２０２，２０３…整合回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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