(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の領域を露光するためのフォトマスクであって、
前記フォトマスクのマスクパターンは、互いに隣接するように第１方向に沿って配された第１ラインパターン及び第２ラインパターンと、前記第１ラインパターンに接触するように前記領域の周辺部に対応する部分に配された第１接続パターンと、前記第２ラインパターンに接触するように前記周辺部に対応する部分に配された第２接続パターンとを有し、
前記第１接続パターンは、前記第１ラインパターンよりも前記第１方向と直交する第２方向の幅が広く、前記第２接続パターンは、前記第２ラインパターンよりも前記第２方向の幅が広く、
前記第１ラインパターンと前記第２ラインパターンとの間に前記第１方向に沿って延びる仮想線から前記第１接続パターンの中心線までの距離は、前記仮想線から前記第１ラインパターンの中心線までの距離よりも大きく、
前記仮想線から前記第２接続パターンの中心線までの距離は、前記仮想線から前記第２ラインパターンの中心線までの距離よりも大きい、
ことを特徴とするフォトマスク。
【請求項２】
基板上の領域を露光するためのフォトマスクであって、
前記フォトマスクのマスクパターンは、第１方向に沿って配された第１ラインパターン及び第２ラインパターンと、前記第１ラインパターンと前記第２ラインパターンとの間に前記第１方向に沿って配された第３ラインパターンと、前記第１ラインパターンに接触するように前記領域の周辺部に対応する部分に配された第１接続パターンと、前記第２ラインパターンに接触するように前記周辺部に配された第２接続パターンと、前記第３ラインパターンに接触するように前記周辺部に対応する部分に配された第３接続パターンとを形成するためのマスクパターンを有し、
前記第１乃至第３接続パターンのうち前記第１接続パターンは、前記第１ラインパターンよりも前記第１方向と直交する第２方向の幅が広く、前記第１乃至第３接続パターンのうち前記第２接続パターンは、前記第２ラインパターンよりも前記第２方向の幅が広く、
前記第１ラインパターンと前記第３ラインパターンとの間に前記第１方向に沿って延びる第１仮想線から前記第１接続パターンの中心線までの距離は、前記第１仮想線から前記第１ラインパターンの中心線までの距離よりも大きく、
前記第２ラインパターンと前記第３ラインパターンとの間に前記第１方向に沿って延びる第２仮想線から前記第２接続パターンの中心線までの距離は、前記第２仮想線から前記第２ラインパターンの中心線までの距離よりも大きい、
ことを特徴とするフォトマスク。
【請求項３】
基板上の互いに隣り合う第１領域及び第２領域を個別に露光して半導体集積回路パターンを形成する半導体装置の製造方法であって、
前記基板の第１領域及びその周辺部を露光する第１工程であって、
第１方向に沿って前記第１領域に形成される第１ラインパターンに対応する領域と、
前記第１ラインパターンに隣接するように形成される第２ラインパターンに対応する領域と、
前記第１ラインパターンに接触するように前記第１領域の周辺部に形成される第１接続パターンに対応する領域と、
前記第２ラインパターンに接触するように当該周辺部に形成される第２接続パターンに対応する領域と
のそれぞれを露光する第１工程と、
前記基板の第２領域及びその周辺部を露光する第２工程であって、
前記第１方向に沿って前記第２領域に形成され且つ前記第１ラインパターンと接続されるべき第３ラインパターンに対応する領域と、
前記第３ラインパターンに隣接するように形成され且つ前記第２ラインパターンと接続されるべき第４ラインパターンに対応する領域と、
前記第３ラインパターンに接触するように前記第２領域の周辺部に形成される第３接続パターンに対応する領域と、
前記第４ラインパターンに接触するように当該周辺部に形成される第４接続パターンに対応する領域と
のそれぞれを露光する第２工程と、を含み、
前記第１接続パターンは、前記第１ラインパターンよりも前記第１方向と直交する第２方向の幅が広く、前記第２接続パターンは、前記第２ラインパターンよりも前記第２方向の幅が広く、前記第３接続パターンは、前記第３ラインパターンよりも前記第２方向の幅が広く、前記第４接続パターンは、前記第４ラインパターンよりも前記第２方向の幅が広く、
前記第１及び前記第３ラインパターンと前記第２及び前記第４ラインパターンとの間に前記第１方向に沿って延びる仮想線から前記第１接続パターンの中心線までの距離は、前記仮想線から前記第１ラインパターンの中心線までの距離よりも大きく、前記仮想線から前記第２接続パターンの中心線までの距離は、前記仮想線から前記第２ラインパターンの中心線までの距離よりも大きく、前記仮想線から前記第３接続パターンの中心線までの距離は、前記仮想線から前記第３ラインパターンの中心線までの距離よりも大きく、前記仮想線から前記第４接続パターンの中心線までの距離は、前記仮想線から前記第４ラインパターンの中心線までの距離よりも大きい、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
基板上の互いに隣り合う第１領域及び第２領域を個別に露光して半導体集積回路パターンを形成する半導体装置の製造方法であって、
前記基板の第１領域及びその周辺部を露光する第１工程であって、
第１方向に沿って前記第１領域に形成される第１ラインパターン及び第２ラインパターンに対応する領域と、
前記第１ラインパターンと前記第２ラインパターンとの間に前記第１方向に沿って前記第１領域に形成される第３ラインパターンに対応する領域と、
前記第１ラインパターンと接触するように前記第１領域の周辺部に形成される第１接続パターンに対応する領域と、
前記第２ラインパターンと接触するように当該周辺部に形成される第２接続パターンに対応する領域と、
前記第３ラインパターンと接触するように当該周辺部に形成される第３接続パターンに対応する領域と
のそれぞれを露光する第１工程と、
前記基板の第２領域及びその周辺部を露光する第２工程であって、
第１方向に沿って前記第２領域に形成され且つ前記第１ラインパターンと接続されるべき第４ラインパターンに対応する領域と、
第１方向に沿って前記第２領域に形成され且つ前記第２ラインパターンと接続されるべき第５ラインパターンに対応する領域と、
前記第４ラインパターンと前記第５ラインパターンとの間に前記第１方向に沿って前記第２領域に形成される第６ラインパターンに対応する領域と、
前記第４ラインパターンと接触するように前記第２領域の周辺部に形成される第４接続パターンに対応する領域と、
前記第５ラインパターンと接触するように当該周辺部に形成される第５接続パターンに対応する領域と、
前記第６ラインパターンと接触するように当該周辺部に形成される第６接続パターンに対応する領域と
のそれぞれに対応する領域を露光する第２工程と、を含み、
前記第１乃至第６接続パターンのうち前記第１接続パターンは、前記第１ラインパターンよりも前記第１方向と直交する第２方向の幅が広く、前記第１乃至第６接続パターンのうち前記第２接続パターンは、前記第２ラインパターンよりも前記第２方向の幅が広く、前記第１乃至第６接続パターンのうち前記第６接続パターンは、前記第６ラインパターンよりも前記第２方向の幅が広い、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトマスク及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板上に、露光装置の最大ショット領域のサイズよりも大きいサイズのデバイス乃至チップを形成する方法の一つとして、デバイス乃至チップを形成すべき領域を複数の領域に分割し、該複数の領域を個別に露光する方法がある。このような場合、これらの領域の境界部においては、フォトマスクの位置合わせ誤差を考慮したパターンが設けられうる。例えば、特許文献１には、前記複数の領域のうち互いに隣り合う２つの領域の一方についてはパターンの幅を拡大し、他方についてはその長さを延ばしたパターンを転写する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１−２７６７１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１の方法では、パターンの幅が拡大される量に応じて、隣接するパターン同士の間隔を広く確保する必要があり、これらのパターンを密に配置することが困難であった。
【０００５】
本発明の目的は、基板上の複数の領域を個別に露光する場合において、密に隣接するパターンを転写する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一つの側面はフォトマスクにかかり、前記フォトマスクは、基板上の領域を露光するためのフォトマスクであって、前記フォトマスクのマスクパターンは、互いに隣接するように第１方向に沿って配された第１ラインパターン及び第２ラインパターンと、前記第１ラインパターンに接触するように前記領域の周辺部に対応する部分に配された第１接続パターンと、前記第２ラインパターンに接触するように前記周辺部に対応する部分に配された第２接続パターンとを有し、前記第１接続パターンは、前記第１ラインパターンよりも前記第１方向と直交する第２方向の幅が広く、前記第２接続パターンは、前記第２ラインパターンよりも前記第２方向の幅が広く、前記第１ラインパターンと前記第２ラインパターンとの間に前記第１方向に沿って延びる仮想線から前記第１接続パターンの中心線までの距離は、前記仮想線から前記第１ラインパターンの中心線までの距離よりも大きく、前記仮想線から前記第２接続パターンの中心線までの距離は、前記仮想線から前記第２ラインパターンの中心線までの距離よりも大きい、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、基板上の複数の領域を個別に露光する半導体装置の製造方法において、密に隣接するパターンを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】個別に露光する複数の領域を説明する図。
【図２】第１実施形態のフォトマスク及び露光工程を説明する図。
【図３】第１実施形態の具体例を説明する図。
【図４】第２実施形態のフォトマスク及び露光工程を説明する図。
【図５】第３実施形態のフォトマスク及び露光工程を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
＜第１実施形態＞
図１乃至３を参照しながら、第１実施形態のフォトマスク、及び半導体装置の製造方法（特に、露光方法）を説明する。図１（ａ）に例示されるように、基板１００の上にデバイス乃至チップを形成すべき領域を複数の領域に分割し、該複数の領域を個別に露光する場合、各領域の周辺にはフォトマスクの位置合わせ誤差を考慮した部分（以下、「周辺部」）が設けられる。図１（ｂ）は、該複数の領域のうちの１つの領域Ｒ０、及びその周辺部１０を示している。周辺部１０は、領域Ｒ０の内側の一部と外側の一部とを含んでいる。即ち、個々の露光工程において用いられる各フォトマスクのマスクパターンは、デバイス乃至チップを形成すべき領域のパターンと該領域の周辺部のパターンとを含む。そして、例えば、領域Ｒ０と、領域Ｒ０に隣接する領域とにまたがって配されるラインパターンは、それぞれ領域ごとに個別になされる露光工程を経て、後に一括して現像されることによって形成される。よって、この周辺部１０は、複数回の露光、いわゆる多重露光がなされる。ここで、それぞれのフォトマスクには、マスク位置の合わせ誤差が生じても、これらのラインパターンが互いに接続されるように、周辺部１０に対応する部分に接続パターンが配される。この接続パターンは、各領域を個別に露光する場合において、フォトマスクの位置合わせ誤差が生じた場合でも、その領域と隣接する領域との接続を確保する役割を果たしている。
【００１０】
以下では、図１（ｃ）に例示されるように、基板上の互いに隣り合う２つの領域（第１領域Ｒ１及び第２領域Ｒ２）を個別に露光して半導体集積回路パターンを形成する場合を考える。ここでは、２つの領域を露光する場合を考えるため、周辺部１０の１辺のみを示している。Ａ−Ａ’は、第１領域Ｒ１と第２領域Ｒ２との境界を示している。Ｂ−Ｂ’とＣ−Ｃ’との間の領域は、周辺部１０（の１辺）である。Ａ−Ａ’とＢ−Ｂ’との間の距離、Ａ−Ａ’とＣ−Ｃ’との間の距離は、例えば、１５０ｎｍ程度とすればよい。
【００１１】
まず、図２（ａ）に例示されるようなパターンを形成するためのフォトマスクを用いて、例えば、ポジ型のフォトレジスト材料が塗布された基板１００の第１領域Ｒ１、及びその周辺部１０を露光する（第１工程）。第１工程で用いるフォトマスクのマスクパターンは、第１ラインパターン２０１及び第２ラインパターン２０２と、第１接続パターン２１１及び第２接続パターン２１２と、を有している。第１ラインパターン２０１及び第２ラインパターン２０２のそれぞれは、互いに隣接するように第１方向Ｘに沿って配されている。フォトマスクは、第１領域Ｒ１に対応する部分と、周辺部１０に対応する部分とを含む。第１ラインパターン２０１及び第２ラインパターン２０２のそれぞれは、その第１領域Ｒ１に対応する部分に配されている。第１接続パターン２１１は、第１ラインパターン２０１と接触するように、周辺部１０に対応する部分に配されている。また、第２接続パターン２１２は、第２ラインパターン２０２と接触するように周辺部１０に対応する部分に配されている。ここで、第１接続パターン２１１は、第１ラインパターン２０１よりも第１方向Ｘと直交する第２方向Ｙの幅が広くなっている。また、第２接続パターン２１２は、第２ラインパターン２０２よりも、第１方向Ｘと直交する第２方向Ｙの幅が広くなっている。また、仮想線Ｆから第１接続パターン２１１の中心線２１Ｃ１までの距離は、仮想線Ｆから第１ラインパターン２０１の中心線２０Ｃ１までの距離よりも大きい。また、仮想線Ｆから第２接続パターン２１２の中心線２１Ｃ２までの距離は、仮想線Ｆから第２ラインパターン２０２の中心線２０Ｃ２までの距離よりも大きい。
【００１２】
同様にして、図２（ｂ）に例示されるように、Ａ−Ａ’に対して対称に、前述と同様の形状のパターンを形成するためのフォトマスクを用いて、第２領域Ｒ２、及びその周辺部１０を露光する（第２工程）。即ち、第２工程で用いるフォトマスクのマスクパターンは、第３ラインパターン２０３及び第４ラインパターン２０４と、第３接続パターン２１３及び第４接続パターン２１４と、を有している。第３及び第４ラインパターン２０３及び２０４のそれぞれは、互いに隣接するように第１方向Ｘに沿って第２領域Ｒ２に配されており、後に為される現像処理を経て、第１及び第２ラインパターン２０１及び２０２のそれぞれと接続されうる。第３接続パターン２１３は、第３ラインパターン２０３と接触するように、周辺部１０に対応する部分に配されている。第４接続パターン２１４は、第４ラインパターン２０４と接触するように、周辺部１０に対応する部分に配されている。ここで、第３接続パターン２１３は、第３ラインパターン２０３よりも、第１方向Ｘと直交する第２方向Ｙの幅が広くなっている。また、第４接続パターン２１４は、第４ラインパターン２０４よりも、第１方向Ｘと直交する第２方向Ｙの幅が広くなっている。また、仮想線Ｆから第３接続パターン２１３の中心線２１Ｃ３までの距離は、仮想線Ｆから第３ラインパターン２０３の中心線２０Ｃ３までの距離よりも大きい。また、仮想線Ｆから第４接続パターン２１４の中心線２１Ｃ４までの距離は、仮想線Ｆから第４ラインパターン２０４の中心線２０Ｃ４までの距離よりも大きい。ここで、仮想線Ｆは、第１及び第３ラインパターン２０１及び２０３と、第２及び第４ラインパターン２０２及び２０４との間に第１方向Ｘに沿って延びている線である。
【００１３】
上記の方法によると、例えば、隣接する接続パターン同士の間隔を最小の寸法とし、これにより、隣接するラインパターン同士の確保すべき間隔を抑え、これらのラインパターンをより密に配することが可能となる。第１工程及び第２工程を経て、図２（ｃ）に例示されるパターンが転写される。図２（ｃ）は、２つのマスクパターンを重ねた場合のイメージ図である。その後、現像処理がなされ、図２（ｄ）に例示されるような実パターンが得られる。図２（ａ）及び（ｂ）では、第１乃至第４接続パターン２１１乃至２１４のそれぞれは、仮想線Ｆ側に、第１乃至第４ラインパターン２０１乃至２０４のそれぞれに対して、突出するように示されている。しかし、この突出がない形状のパターンとしてもよく、例えば、それぞれの端が一直線上に並んでいてもよい。
【００１４】
図３（ａ）は、上記の方法が用いられうるパターンの一例を示している。図３（ａ）は、図２（ｃ）と同様のイメージ図である。例えば、ラインパターン３０１とラインパターン３０２とが２８０ｎｍの間隔で配され、ラインパターン３０３とラインパターン３０４とが２８０ｎｍの間隔で配されている。また、前述の接続パターン３１１乃至３１４が配されうる。接続パターン３１１及び３１２は、ラインパターン３０１とラインパターン３０２との間隔が狭い方の端は、ラインパターン３０１及び３０２の端と一直線上に並んでおり、その反対側の端は、それぞれ１００ｎｍ突出している。接続パターン３１３及び３１４についても、それぞれ同様である。このとき、ラインパターン３０２から十分に離れたラインパターン３２１及び３２２については、例えば、特許文献１に記載の補助パターンに対応する接続パターン３３１及び３３２が形成されてもよい。
【００１５】
ＫｒＦの露光装置（波長２４８ｎｍ）を用いて第１工程及び第２工程が為され、その後、現像処理が為され、図３（ｂ）に示されるような配線パターンが得られた。周辺部１０は、個別に為される２回の露光処理によって重複して露光（いわゆる２重露光）される。そのため、実際に形成されるパターンの寸法は、マスクのパターンの寸法に投影倍率を乗じた寸法よりも細く（又は、短く）なる。しかし、上記の方法によると、個別に露光する２つの領域の境界部において、パターンの離れ、例えば、配線の断線を防ぐことができ、また、隣接するパターン同士の短絡も回避している。
【００１６】
以上、本実施形態によると、基板上の複数の領域を個別に露光する半導体装置の製造方法において、密に隣接するパターンを形成することができる。ここでは、接続パターンのそれぞれは、周辺部１０の領域、即ち、２重露光がされる領域に対応する部分に配されているが、それよりも大きくてもよい。また、ここでは、ポジ型のフォトレジスト材料を用いた場合を考えたが、ネガ型のフォトレジスト材料を用いてもよい。以下の各実施形態においても同様である。
【００１７】
＜第２実施形態＞
図４を参照しながら、第２実施形態のフォトマスク、及び半導体装置の製造方法（特に、露光方法）を説明する。第１実施形態と同様にして、基板上の互いに隣り合う２つの領域（第１領域Ｒ１及び第２領域Ｒ２）を個別に露光して半導体集積回路パターンを形成する場合を考える。
【００１８】
まず、図４（ａ）に例示されるようなパターンを形成するためのフォトマスクを用いて、例えば、ポジ型のフォトレジスト材料が塗布された基板１００の第１領域Ｒ１、及びその周辺部１０を露光する（第１工程）。第１工程において用いるフォトマスクのマスクパターンは、第１乃至第３ラインパターン４０１乃至４０３と、第１接続パターン乃至第３接続パターン４１１乃至４１３と、を有している。第１ラインパターン４０１及び第２ラインパターン４０２のそれぞれは、第１方向Ｘに沿って第１領域Ｒ１に配されている。第３ラインパターン４０３は、第１ラインパターン４０１と第２ラインパターン４０２との間に第１方向Ｘに沿って第１領域Ｒ１に配されている。第１接続パターン４１１は、第１ラインパターン４０１と接触するように周辺部１０に配されている。第２接続パターン４１２は、第２ラインパターン４０２と接触するように周辺部１０に配されている。第３接続パターン４１３は、第３ラインパターン４０３と接触するように周辺部１０に配されている。ここで、第１乃至第３接続パターン４１１乃至４１３のうち第１接続パターン４１１は、第１ラインパターン４０１よりも第１方向Ｘと直交する第２方向Ｙの幅がそれぞれ広い。また、第１乃至第３接続パターン４１１乃至４１３のうち第２接続パターン４１２は、第２ラインパターン４０２よりも第１方向Ｘと直交する第２方向Ｙの幅がそれぞれ広い。
【００１９】
次に、図４（ｂ）に例示されるようなパターンを形成するためのフォトマスクを用いて、第２領域Ｒ２、及び周辺部１０を露光する（第２工程）。即ち、第２工程において用いるフォトマスクのマスクパターンは、第４乃至第６ラインパターン４０４乃至４０６と、第４乃至第６接続パターン４１４乃至４１６と、を有している。第４ラインパターン４０４及び第５ラインパターン４０５のそれぞれは、第１方向Ｘに沿って第２領域Ｒ２に配されている。第４ラインパターン４０４は、後に為される現像処理を経て、第１ラインパターン４０１と接続されうる。また、第５ラインパターン４０５は、後に為される現像処理を経て、第２ラインパターン４０２と接続されうる。第６ラインパターン４０６は、第４ラインパターン４０４と第５ラインパターン４０５との間に第１方向Ｘに沿って第１領域Ｒ１に配されている。第４接続パターン４１４は、第１ラインパターン４０４と接触するように周辺部１０に配されている。第５接続パターン４１５は、第２ラインパターン４０２と接触するように周辺部１０に配されている。第６接続パターン４１６は、第３ラインパターン４０３と接触するように周辺部１０に配されている。ここで、第４乃至第６接続パターン４１４乃至４１６のうち第６接続パターン４１６は、第６ラインパターン４０６よりも、第１方向Ｘと直交する第２方向Ｙの幅がそれぞれ広い。第１乃至第６接続パターン４１１乃至４１６のうち第１、第２、及び第６接続パターン４１１、４１２及び４１６は、以上のような特徴を有している。
【００２０】
例えば、第１、第３、及び第２ラインパターン４０１、４０３及び４０２が、１７０ｎｍの距離だけ離れて順に配されている。同様に、第４、第５、及び第６ラインパターン４０４、４０５及び４０６が、１７０ｎｍの距離だけ離れて順に配されている。また、第１乃至第３接続パターン４１１乃至４１３のそれぞれは、周辺部において、Ａ−Ａ’より、例えば、５０〜１５０ｎｍ程度、第２領域Ｒ２側に突出している。同様にして、第４乃至第６接続パターン４１４乃至４１６のそれぞれは、周辺部において、Ａ−Ａ’より、例えば、５０〜１５０ｎｍ程度、第１領域Ｒ１側に突出している。また、第１接続パターン４１１は、第１ラインパターン４０１から、例えば、２０〜３０ｎｍ程度、両側の端がそれぞれ突出している。第２及び第６接続パターン４１２及び４１６についても同様にして、両側の端が突出している。
【００２１】
ＫｒＦの露光装置（波長２４８ｎｍ）を用いて第１工程及び第２工程が為され、図４（ｃ）に例示されるパターンが転写され、その後、現像処理が為され、図４（ｄ）に例示されるような実パターンが得られる。第１実施形態と同様に、周辺部１０においては、２重露光が為される。ここで、本実施形態では、第１及び第２接続パターン４１１及び４１２のそれぞれが、周辺部１０の幅よりも大きく（Ｃ−Ｃ’より左側まで）配されている。また、第６接続パターン４１６が、周辺部１０の幅よりも大きく（Ｂ−Ｂ’より左側まで）配されている。したがって、現像処理の後に得られるパターンは、パターン幅の大きい部分が、互いに近接しないように千鳥配置になっている。
【００２２】
以上、この方法によると、個別に露光する２つの領域の境界部において、パターンの離れ、例えば、配線の断線を防ぐことができ、また、隣接するパターン同士の短絡も回避しうる。したがって、基板上の複数の領域を個別に露光する半導体装置の製造方法において、密に隣接するパターンを形成することができる。
【００２３】
＜第３実施形態＞
図５を参照しながら、第３実施形態を説明する。第３実施形態は、以下に述べる点で第２実施形態と異なる。まず、図５（ａ）に示されるように、第１仮想線Ｆ１から第１接続パターン４１１の中心線４１Ｃ１までの距離は、第１仮想線Ｆ１から第１ラインパターン４０１の中心線４０Ｃ１までの距離よりも大きい。ここで、第１仮想線Ｆ１は、第１ラインパターン４０１と第３ラインパターン４０３との間に第１方向Ｘに沿って延びている線である。また、図５（ｂ）に示されるように、第２仮想線Ｆ２から第２接続パターン４１２の中心線４１Ｃ２までの距離は、第２仮想線Ｆ２から第２ラインパターン４０２の中心線４０Ｃ２までの距離よりも大きい。ここで、第２仮想線Ｆ２は、第２ラインパターン４０２と第３ラインパターン４０３との間に第１方向Ｘに沿って延びている線である。
【００２４】
例えば、第１乃至第３接続パターン４１１乃至４１３は、周辺部において、Ａ−Ａ’より、例えば、５０〜１５０ｎｍ程度、第２領域Ｒ２側に突出している。また、第１接続パターン４１１のパターンの間隔が狭い方の端は、第１ラインパターン４０１の端と一直線上に並んでおり、一方で、その反対側の端は、例えば、２０〜３０ｎｍ程度、突出している。同様に、第２接続パターン４１２のパターンの間隔が狭い方の端は、第２ラインパターン４０２の端と一直線上に並んでおり、一方で、その反対側の端は、例えば、２０〜３０ｎｍ程度、突出している。第４乃至第６接続パターン４１４乃至４１６のそれぞれは、周辺部において、Ａ−Ａ’より、例えば、５０〜１５０ｎｍ程度、第１領域Ｒ１側に突出している。また、第６接続パターン４１６は、第６ラインパターン４０６から、例えば、２０〜３０ｎｍ程度、両側の端がそれぞれ突出している。
【００２５】
これにより、第１及び第２接続パターン４１１及び４１２と、第６接続パターン４１６とは、それぞれの突出した部分が互いに近接しないように転写されうる。具体的には、ＫｒＦの露光装置（波長２４８ｎｍ）を用いて第１工程及び第２工程が為され、図５（ｃ）に示されるパターンが転写され、その後、現像処理が為され、図５（ｄ）に例示されるようなパターンが得られる。ここで、周辺部１０においては、２重露光が為され、現像処理の後に得られるパターン（図５（ｄ））は、パターン幅の大きい部分が、互いに近接しないように配されている。
【００２６】
以上、この方法によると、個別に露光する２つの領域の境界部において、パターンの離れ、例えば、配線の断線を防ぐことができ、また、隣接するパターン同士の短絡も回避しうる。したがって、基板上の複数の領域を個別に露光する半導体装置の製造方法において、密に隣接するパターンを形成することができる。
【００２７】
以上の３つの実施形態を述べたが、本発明はこれらに限られるものではなく、目的、状態、用途、機能、およびその他の仕様の変更が適宜可能であり、他の実施形態によっても実施されうることは言うまでもない。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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