(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェーハの表面に格子状に形成された複数の分割予定ラインに沿ってレーザービームを照射し、アブレーション加工を施してレーザー加工溝を形成するウェーハのレーザー加工方法であって、
該ウェーハの表面に液状の保護材料を塗布して保護膜を形成する保護膜被覆ステップと、
該保護膜被覆ステップを実施した後、該分割予定ライン上を被覆する該保護膜の部位を乾燥させて硬化させる保護膜部分乾燥ステップと、
該保護膜部分乾燥ステップを実施した後、該ウェーハの該分割予定ラインに沿って該保護膜側から該レーザービームを照射し、該分割予定ラインに沿って該ウェーハに該レーザー加工溝を形成するレーザー加工溝形成ステップと、
を含むことを特徴とするウェーハのレーザー加工方法。
【請求項２】
前記保護膜部分乾燥ステップでは、前記分割予定ライン上の前記保護膜に気体を吹き付けて該保護膜を乾燥させる、
ことを特徴とする請求項１に記載のウェーハのレーザー加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェーハに形成された分割予定ラインに沿ってレーザービームを照射し、ウェーハに分割予定ラインに沿ってレーザー加工溝を形成するウェーハのレーザー加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、ＬＳＩ等が形成された半導体ウェーハや、ＬＥＤ素子が形成されたサファイアウェーハの分割加工において、レーザー加工装置によってレーザービームを分割予定ラインに沿って照射することで、ウェーハの表面に溝加工を施すことが知られている。溝加工されたウェーハは、個々のデバイスに分割され、携帯電話、ＰＣ、ＬＥＤライト等の電気機器の製造に用いられている。
【０００３】
そして、半導体ウェーハにレーザー加工を施すために、ダイシングテープに貼着した半導体ウェーハをチャックテーブル上に保持した状態とし、半導体ウェーハに対して吸収性を有する波長のレーザービームを照射することが行われている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
他方、レーザービームをウェーハに照射することでレーザー加工溝を形成する技術は、従来用いられてきたダイシング装置によるブレード切削が難しい脆弱なＬｏｗ−ｋ膜の除去や、非常に硬質なウェーハ（サファイアウェーハ等）の加工等に用いられるようになってきた。
【０００５】
このようなレーザービームによる加工においては、レーザービームが照射された領域に熱エネルギーが集中してデブリが発生し、このデブリがデバイス表面に付着するとデバイスの品質を低下させるという問題が生じる。
【０００６】
そこで近年では、予め、ウェーハの上面にＰＶＡ（ポリ・ビニール・アルコール）、ＰＥＧ（ポリ・エチレン・グリコール）等の水溶性樹脂を塗布して保護膜を構成し、この保護膜を通してウェーハにレーザービームを照射するという加工方法も用いられるようになっている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００８−０５３３４１号公報
【特許文献２】特開２００４−３２２１６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上述したように、保護膜にてウェーハの上面を保護する方法では、保護膜が乾燥していない状態でレーザービームが照射されると、保護膜を構成する液体中でレーザービームの焦点が変動し、所望のレーザー加工溝が形成できなくなる。
【０００９】
このため、保護膜を乾燥させてからレーザー加工を施すことが必要になるが、乾燥の実施形態としては、例えば、スピンコートにて保護膜形成をした後にウェーハを高速回転させて乾燥させる形態や、乾燥用の気体の吹き付けといった形態が考えられる。
【００１０】
しかしながら、ウェーハを高速回転させて保護膜を乾燥させる方法は、ウェーハの中央部と外周部において乾燥状態に違いが生じることや、ウェーハ内での厚さのばらつき（中央部は厚く、外周部は薄い）が発生してしまうという問題があった。
【００１１】
また、保護膜は乾燥させると膜厚が減少して薄くなってしまうが、飛散したデブリからデバイスを保護する（デバイスに付着しない）効果を高めるためには、保護膜は厚い方が好ましい。また、保護膜に適度に軟性がある方がデブリが付着しやすく、広範囲にデブリが飛散してしまうことを防止する効果が期待できることになる。
【００１２】
本発明は、以上の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、保護膜乾燥において、高速回転による場合の不具合発生がなく、保護膜を効果的に機能させることを可能とするウェーハのレーザー加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
請求項１に記載の発明によると、ウェーハの表面に格子状に形成された複数の分割予定ラインに沿ってレーザービームを照射し、アブレーション加工を施してレーザー加工溝を形成するウェーハのレーザー加工方法であって、ウェーハの表面に液状の保護材料を塗布して保護膜を形成する保護膜被覆ステップと、保護膜被覆ステップを実施した後、分割予定ライン上を被覆する保護膜の部位を乾燥させて硬化させる保護膜部分乾燥ステップと、保護膜部分乾燥ステップを実施した後、ウェーハの分割予定ラインに沿って保護膜側からレーザービームを照射し、分割予定ラインに沿ってウェーハにレーザー加工溝を形成するレーザー加工溝形成ステップと、を含むことを特徴とするウェーハのレーザー加工方法が提供される。
【００１４】
請求項２に記載の発明によると、保護膜部分乾燥ステップでは、分割予定ライン上の保護膜に気体を吹き付けて保護膜を乾燥させる、ウェーハのレーザー加工方法が提供される。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によると、レーザービームを照射する分割予定ライン上の保護膜のみ選択的に乾燥させて、デバイス上の保護膜は乾燥させない保護膜部分乾燥ステップを実施するため、レーザー加工溝を所望の深さや幅で形成しつつ、乾燥していない厚い保護膜によってデバイスをデブリの付着から効果的に保護することや、デブリを保護膜に付着させたまま維持できるという効果が得られる。
【００１６】
また、高速回転により乾燥させる形態では、分割予定ライン上の保護膜の厚さや硬化具合にばらつきが生じる不具合が懸念されるが、本発明の形態では、スポット的に乾燥させるため、このような不具合発生を防ぐことができる。
【００１７】
また、部分乾燥ステップの実施は、ノズル等から乾燥用の気体を分割予定ラインのみにスポット的にあてるといった形態で容易に実現可能であり、例えばレーザー加工手段にノズルを取り付けるといった容易に実現可能な形態により、ウェーハ上の任意の位置にスポット的に乾燥用の気体を当てることが可能となる。
【００１８】
さらに、乾燥用の気体は所定以上の温度に加温されていてもよく、その場合は乾燥時間を短縮できるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】被加工物であるウェーハについて示す斜視図である。
【図２】レーザー加工装置の外観斜視図である。
【図３】保護膜被覆ステップについて説明する斜視図である。
【図４】レーザービーム照射ユニットのブロック図である。
【図５】保護膜部分乾燥ステップについて説明する斜視図である。
【図６】（Ａ）は保護膜被覆ステップについて説明する側断面図である。（Ｂ）はウェーハが保護膜に被覆された状態に説明する側断面図である。
【図７】（Ａ）は保護膜部分乾燥ステップについて説明する側断面図である。（Ｂ）は保護膜部分乾燥ステップにより分割予定ラインの部位が乾燥された状態について説明する側断面図である。
【図８】レーザー加工溝形成ステップについて説明する斜視図である。
【図９】（Ａ）はレーザー加工溝形成ステップについて説明する側断面図である。（Ｂ）はレーザー加工溝形成ステップによりレーザー加工溝が形成された状態について説明する側断面図である。
【図１０】ウェーハの保護膜を除去した状態について説明する側断面図である。
【図１１】切削装置による分割起点の形成について示す斜視図である。
【図１２】（Ａ）は分割溝の形成について示す側断面図である。（Ｂ）は分割溝が形成された状態について示す側断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本発明は、複数の交差する分割予定ラインが設定された被加工物を分割予定ラインに沿って分割する被加工物の分割方法であり、以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。
【００２１】
図１は、被加工物の実施形態である半導体ウェーハ１１（以下、単に「ウェーハ１１」とも記載される）について示す図である。ウェーハ１１は、例えば厚さが７００μｍのシリコンウェーハからなっており、表面１１ａに複数の交差する分割予定ライン（ストリート）Ｓ１，Ｓ２が格子状に形成されているとともに、該複数の分割予定ラインＳ１，Ｓ２によって区画された複数の領域にそれぞれデバイス１５が形成されている。ウェーハ１１を構成するシリコンの表面１１ａは図示せぬＬｏｗ−ｋ膜により覆われることとしている。
【００２２】
このように構成されたウェーハ１１は、デバイス１５が形成されているデバイス領域１７と、デバイス領域１７を囲繞する外周余剰領域１９を備えている。ウェーハ１１の外周にはシリコンウェーハの結晶方位を示すマークとしてのノッチ１１ｎが形成されている。なお、被加工物としては、分割予定ラインが規定されておらず、またデバイスが形成されておらずパターンを有しないものも想定される。
【００２３】
ウェーハ１１は、粘着面を有する粘着テープＴ（ダイシングテープ）に貼着され、粘着テープＴを介して環状フレームＦに固定されるようになっている。環状フレームＦにウェーハ１１が貼着された状態とすることで、被加工物ユニットＵが構成されることとなっている。
【００２４】
以上のようなウェーハ１１について、図２に示すようなレーザー加工装置２を用いた加工が実施される。レーザー加工装置２の前面側には、オペレータが加工条件等の装置に対する指示を入力するための操作パネル４が設けられている。装置上部には、オペレータに対する案内画面や後述する撮像ユニットによって撮像された画像が表示されるＣＲＴ等の表示モニタ６が設けられている。
【００２５】
レーザー加工装置２の前面側角部には、ウェーハカセット８を上下動可能なカセットエレベータ９が設けられる。ウェーハカセット８内には、ウェーハ１１を固定した被加工物ユニットＵが複数枚（例えば２５枚）収容される。
【００２６】
ウェーハカセット８の後方には、ウェーハカセット８からレーザー加工前のウェーハ１１（被加工物ユニットＵ）を搬出するとともに、加工後のウェーハ１１をウェーハカセット８に搬入する搬出入装置１０が配設されている。
【００２７】
ウェーハカセット８と搬出入装置１０との間には、搬出入対象のウェーハが一時的に載置される領域である仮置き領域１２が設けられており、仮置き領域１２にはウェーハ１１を一定の位置に位置合わせする位置合わせ装置１４が配設されている。
【００２８】
仮置き領域１２に搬出されたウェーハ１１は、ウェーハ１１と一体となった環状フレームＦを吸着して搬送する旋回アームを有する搬送装置１６により吸着されて保護膜被覆装置５０に搬送される。保護膜被覆装置５０では、ウェーハ１１の表面１１ａ側（加工面）に保護膜が被覆される。
【００２９】
保護膜被覆装置５０は、図３の内部構造の概要図に示すように、ウェーハ１１（被加工物ユニットＵ）を保持するためのチャックテーブル５２と、ウェーハ１１の上方から保護材料５４を塗布するための塗布装置５６を備えて構成される。
【００３０】
本実施形態の塗布装置５６は、バー部材５７に複数のノズル５８，５８を連接した構成によりスプレー塗布が実施されこととしており、ウェーハ１１の上方をバー部材５７が通過する過程で、ウェーハ１１の表面１１ａ側に保護材料５４が塗布されるようになっている。
【００３１】
塗布される保護材料５４としては、ＰＶＡ（ポリ・ビニール・アルコール）、ＰＥＧ（ポリ・エチレン・グリコール）等の水溶性樹脂を用いることが考えられる。
【００３２】
保護膜被覆装置５０は、図３に示すようにスプレー塗布による実施の形態のほか、ウェーハを回転させることでウェーハの表面の保護材料を広げるスピンコートによる実施としてもよい。なお、本実施形態のようなスプレー塗布の形態は、保護膜５５の厚さを均一にする観点においては、好ましい実施形態となる。
【００３３】
図２において、保護膜で被覆されたウェーハ１１は、Ｘ軸方向移動及び旋回可能な搬送装置１３により吸着されてチャックテーブル１８上に搬送され、チャックテーブル１８に吸引されるとともに、複数の固定機構（クランプ）１９により環状フレームＦが固定されることでチャックテーブル１８上に保持される。
【００３４】
チャックテーブル１８は、回転可能且つＸ軸方向に往復動可能に構成されており、チャックテーブル１８のＸ軸方向の移動経路の上方には、ウェーハ１１のレーザー加工すべきストリートを検出するアライメント機構２０が配設されている。
【００３５】
アライメント機構２０は、ウェーハ１１の表面を撮像する撮像ユニット２２を備えており、撮像により取得した画像に基づき、パターンマッチング等の画像処理によってレーザー加工すべきストリートを検出することができる。撮像ユニット２２によって取得された画像は、表示モニタ６に表示される。
【００３６】
アライメント機構２０の左側には、チャックテーブル１８に保持されたウェーハ１１に対してレーザービームを照射するレーザービーム照射ユニット２４が配設されている。レーザービーム照射ユニット２４のケーシング２６中には後で詳細に説明するレーザー発振手段等が収容されており、ケーシング２６の先端にはレーザービームを加工すべきウェーハ上に集光する集光器２８が装着されている。
【００３７】
レーザービーム照射ユニット２４のケーシング２６内には、図４のブロック図に示すように、レーザー発振手段３４と、レーザービーム変調手段３６が配設されている。
【００３８】
レーザー発振手段３４としては、ＹＡＧレーザー発振器或いはＹＶＯ４レーザー発振器を用いることができる。レーザービーム変調手段３６は、繰り返し周波数設定手段３８と、レーザービームパルス幅設定手段４０と、レーザービーム波長設定手段４２を含んでいる。
【００３９】
レーザービーム変調手段３６を構成する繰り返し周波数設定手段３８、レーザービームパルス幅設定手段４０及びレーザービーム波長設定手段４２は周知の形態のものであり、本明細書においてはその詳細な説明を省略する。
【００４０】
図２において、４５は、ウェーハ１１の表面１１ａ側に塗布される保護材料５４を乾燥するための乾燥手段として機能する乾燥機構である。本実施形態では、図５に示すように、乾燥装置４５（エアノズル４７）をレーザービーム照射ユニット２４のケーシング２６に付設する構成とし、これにより、集光器２８とともにＹ軸方向に移動することが可能であり、さらに、集光器２８の位置のアライメントと同様の形態により、エアノズル４７のアライメントが可能となっている。
【００４１】
本実施形態の乾燥装置４５は、図示せぬエア供給源に接続されるエアノズル４７から、保護膜５５の乾燥用の気体４８が噴出される構成としている。気体４８は、保護膜５５の乾燥を目的とするものであり、常温とするほか、たとえば、より短時間での乾燥を目的として所定温度となるように加温されることとしてもよい。
【００４２】
乾燥装置４５は、本実施形態のように一つのエアノズル４７を備えて気体４８をスポット的にウェーハ１１の表面１１ａ側に対して吹き付ける構成とするほか、バー状の部材に複数のエアノズルを設置する形態や、乾燥させる部分のみに穴を開けた板状のエア噴出板（マスク板）を使用する形態などが考えられる。
【００４３】
気体４８を噴出するエアノズル４７の仕様は、例えば、吐出口φ２ｍｍ、ウェーハ１１の上面からの高さ２ｍｍ、水平移動速度５０〜１００ｍｍ／ｓ（ウェーハ１１に対する相対移動速度）、流量５０ｌ／ｍｉｎとすることが考えられる。
【００４４】
また、図２において、レーザービーム照射ユニット２４によりレーザー加工が終了したウェーハ１１は、チャックテーブル１８をＸ軸方向に移動してから、Ｘ軸方向移動及び旋回可能な搬送装置１３により把持されて洗浄装置３０まで搬送される。洗浄装置３０では、洗浄ノズルから水を噴射しながらウェーハ１１を低速回転（例えば８００ｒｐｍ）させることによりウェーハを洗浄する。この洗浄により、ＰＶＡ（ポリ・ビニール・アルコール）、ＰＥＧ（ポリ・エチレン・グリコール）等の水溶性樹脂で構成される保護膜５５が洗い流される。
【００４５】
洗浄後、ウェーハ１１を高速回転（例えば２０００ｒｐｍ）させながらエアノズルからエアーを噴出させてウェーハ１１を乾燥させた後、搬送装置１６によりウェーハ１１を吸着して仮置き領域１２に戻し、更に搬出入装置１０によりウェーハカセット８の元の収納場所にウェーハ１１は戻される。
【００４６】
以上に説明した装置構成を用いることで、以下のようにして本願において特徴的な加工方法が実施される。まず、上述した図３に示す塗布装置５６を用い、図６（Ａ）（Ｂ）に示すように、ウェーハ１１の表面１１ａ側に液状の保護材料５４を塗布して保護膜５５を形成する保護膜被覆ステップが実施される。
【００４７】
塗布装置５６のノズル５８，５８（図３参照）からは、ウェーハ１１の表面１１ａ側に対し保護材料５４が噴霧され、ウェーハ１１の表面１１ａ側に形成されたデバイス１５，１５や、デバイス１５，１５の間に形成される分割予定ラインＳ１の部位が、保護材料５４によって形成される保護膜５５によって被覆される。なお、ウェーハ１１の表面１１ａは、Ｌｏｗ−ｋ膜７０で覆われたものとしている。
【００４８】
保護膜被覆ステップを実施した後、上述した図５に示す乾燥装置４５を用い、図７（Ａ）（Ｂ）に示すように、分割予定ラインＳ１上を被覆する保護膜５５の部位５５ａを乾燥させて硬化させる保護膜部分乾燥ステップが実施される。
【００４９】
具体的には、図５において乾燥装置４５のエアノズル４７のＹ軸方向の位置を分割予定ラインＳ１のＹ軸方向の位置に一致させるようにアライメントを実施するとともに、エアノズル４７から気体４８を噴出させた状態とする。
【００５０】
そして、チャックテーブル１８をＸ軸方向に移動させることで、エアノズル４７の直下を分割予定ラインＳ１が通過し、通過する際に気体４８によって分割予定ラインＳ１上を被覆する保護膜５５が乾燥される。
【００５１】
乾燥装置４５をＹ軸方向にインデックス送りをすることにより、Ｘ軸方向のすべての分割予定ラインＳ１上を被覆する保護膜５５について気体４８による乾燥を実施する。その後、チャックテーブル１８を９０度回転させ、分割予定ラインＳ１と直行する分割予定ラインＳ２上を被覆する保護膜５５ついても同様に、気体４８による乾燥を実施する。
【００５２】
以上のようにして、図７（Ｂ）に示すように、分割予定ラインＳ１上を被覆する保護膜５５の部位５５ａが、デバイス１５を被覆する保護膜５５の部位５５ｂと比較して、より短時間で乾燥し硬化することになる。一方で、他の部位５５ｂ，５５ｂは、保護膜５５の乾燥の進行が遅いため、膜厚の減少が少なく塗布直後の厚みが維持されやすく、さらに、適度な軟性を有する状態とされる。
【００５３】
保護膜部分乾燥ステップを実施した後、図８及び図９（Ａ）（Ｂ）に示すように、ウェーハ１１の分割予定ラインＳ１に沿って保護膜５５側からレーザービームＬＢを照射し、分割予定ラインＳ１，Ｓ２に沿ってウェーハ１１にレーザー加工溝２１を形成するレーザー加工溝形成ステップを実施する。
【００５４】
分割予定ラインＳ１，Ｓ２に沿った保護膜５５の部位５５ａは乾燥により硬化しており、この硬化した部位５５ａについてレーザービームＬＢが照射され、アブレーション加工よりＬｏｗ−ｋ膜７０が除去されるとともに、レーザー加工溝２１が形成される。
【００５５】
具体的には、図８においてレーザービーム照射ユニット２４の集光器２８のＹ軸方向の位置を分割予定ラインＳ１のＹ軸方向の位置に一致させるようにアライメントを実施するとともに、チャックテーブル１８をＸ軸方向に移動させつつレーザービームを照射する。
【００５６】
レーザービーム照射ユニット２４をＹ軸方向にインデックス送りをすることにより、Ｘ軸方向のすべての分割予定ラインＳ１についてレーザービームＬＢによる加工を実施する。その後、チャックテーブル１８を９０度回転させ、分割予定ラインＳ１と直行する分割予定ラインＳ２についても同様に、レーザービームＬＢによる加工を実施する。
【００５７】
なお、レーザー加工溝形成ステップの加工条件は、例えば次のように設定されている。
光源                ＬＤ励起Ｑスイッチ  Ｎｄ：ＹＡＧ
波長                ３５５ｎｍ（ＹＡＧレーザーの第３高調波）
パルスエネルギー    ５ｍＪ
繰り返し周波数      ２００ｋＨｚ
加工送り速度        ６０ｍｍ／秒
溝深さ              ２０μｍ
溝幅                １０−２０μｍ
【００５８】
そして、図９（Ａ）に示すように、このアブレーション加工の際には、レーザービームＬＢが照射される分割予定ラインＳ１上の保護膜５５の部位５５ａは、確実に乾燥しているため、レーザービームの焦点が保護膜５５によって変動することがなく、Ｌｏｗ−ｋ膜７０を確実に除去することが可能となるとともに、所望のレーザー加工溝２１を確実に形成することが可能となる。
【００５９】
また、このアブレーション加工の際には、レーザービームＬＢが照射された領域に熱エネルギーが集中してデブリ８０が発生し、このデブリ８０が周囲に飛散することになるが、デバイス１５の表面は保護膜５５により被覆されているため、デブリ８０がデバイス１５に付着することがない。
【００６０】
さらに、デバイス１５の表面を被覆する保護膜５５の部位５５ｂは、乾燥の進行が遅く、膜厚の減少が少なく塗布直後の厚みが維持されやすいため、十分な厚みを有する保護膜５５によってデブリ８０のデバイス１５への付着を確実に防止することができる。
【００６１】
加えて、デバイス１５の表面を被覆する保護膜５５の部位５５ｂは、乾燥の進行が遅く、適度な軟性を有する状態とされるため、保護膜５５の部位５５ｂに付着したデブリ８０を付着した状態で維持し、広範囲にデブリ８０が飛散してしまうことを防止することができる。
【００６２】
以上のようにしてレーザー加工溝２１を形成した後に、図１に示す洗浄装置３０により洗浄を実施し、図１０に示すようにウェーハ１１の保護膜５５（図８）を除去した状態とする。
【００６３】
次いで、図１１に示される切削装置６０を用い、図１２（Ａ）（Ｂ）に示すようにウェーハ１１を貫通させる分割溝２７を形成する。切削装置６０は、ケーシング６６に収容される図示せぬ駆動軸の先端に切削ブレード６８を固定し、切削ブレード６８を高速回転させることにより溝加工を施すべく構成されるものであり、周知の切削装置にて実現することができる。分割溝２７を形成した後は、図示せぬ分割装置によって、適宜個々のデバイス１５（チップ）に分割される。
【００６４】
なお、このような分割溝２７の形成は、個々のデバイス１５（チップ）に分割するための分割起点を構成するために実施するものであり、図１１に示す切削装置６０にて分割溝２７を形成するほか、上述のレーザー加工装置を用いてアブレーション加工を実施して分割溝の形成することや、レーザー加工装置を用いて改質層を形成することで、分割起点を形成することとしてもよい。
【００６５】
以上のように、本実施形態では、ウェーハ１１の表面１１ａに格子状に形成された複数の分割予定ラインＳ１，Ｓ２に沿ってレーザービームを照射し、アブレーション加工を施してレーザー加工溝を形成するウェーハのレーザー加工方法であって、ウェーハ１１の表面１１ａに液状の保護材料５４を塗布して保護膜５５を形成する保護膜被覆ステップと、保護膜被覆ステップを実施した後、分割予定ラインＳ１，Ｓ２上を被覆する保護膜５５の部位５５ａを乾燥させて硬化させる保護膜部分乾燥ステップと、保護膜部分乾燥ステップを実施した後、ウェーハ１１の分割予定ラインＳ１，Ｓ２に沿って保護膜５５側からレーザービームを照射し、分割予定ラインＳ１，Ｓ２に沿ってウェーハ１１にレーザー加工溝を形成するレーザー加工溝形成ステップと、が実施される。
【００６６】
さらに、保護膜部分乾燥ステップでは、分割予定ラインＳ１，Ｓ２上の保護膜５５に気体４８を吹き付けて保護膜５５を乾燥させることとしている。
【００６７】
そして、以上の実施形態によれば、レーザービームを照射する分割予定ラインＳ１，Ｓ２上の保護膜５５のみ選択的に乾燥させて、デバイス１５上の保護膜５５は乾燥させない保護膜部分乾燥ステップを実施するため、レーザー加工溝を所望の深さや幅で形成しつつ、乾燥していない厚い保護膜５５によってデバイス１５をデブリ８０の付着から効果的に保護することや、デブリ８０を保護膜５５に付着させたまま維持できるという効果が得られる。
【００６８】
また、高速回転により乾燥させる形態では、分割予定ライン上の保護膜５５の厚さや硬化具合にばらつきが生じる不具合が懸念されるが、本発明の形態では、スポット的に乾燥させるため、このような不具合発生を防ぐことができる。
【００６９】
また、部分乾燥ステップの実施は、エアノズル４７から乾燥用の気体４８を分割予定ラインＳ１，Ｓ２のみにスポット的にあてるといった形態で容易に実現可能であり、例えばレーザービーム照射ユニット２４にエアノズル４７を取り付けるといった容易に実現可能な形態により、ウェーハ１１上の任意の位置にスポット的に乾燥用の気体４８を当てることが可能となる。
【００７０】
さらに、乾燥用の気体４８は所定以上の温度に加温されていてもよく、その場合は乾燥時間を短縮できるという効果が得られる。
【符号の説明】
【００７１】
２    レーザー加工装置
１１    ウェーハ
１１ａ    表面
１５    デバイス
２１    レーザー加工溝
２７    分割溝
４５    乾燥装置
４７    エアノズル
４８    気体
５０    保護膜被覆装置
５４    保護材料
５５    保護膜
５６    塗布装置
７０    Ｌｏｗ−ｋ膜
８０    デブリ
【図１】
0005881464.tif 000002
【図２】
0005881464.tif 000003
【図３】
0005881464.tif 000004
【図４】
0005881464.tif 000005
【図５】
0005881464.tif 000006
【図６】
0005881464.tif 000007
【図７】
0005881464.tif 000008
【図８】
0005881464.tif 000009
【図９】
0005881464.tif 000010
【図１０】
0005881464.tif 000011
【図１１】
0005881464.tif 000012
【図１２】
0005881464.tif 000013