(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロセスツールおよび補助装置を備えたプロセシングシステムがアイドルモードから通常作動モードに復帰する復帰時間を調節する方法において、
目標復帰時間と、補助装置が通常作動モードで作動する第１パラメータの目標値と、補助装置がアイドルモードで作動する第２パラメータの初期アイドル値とを設定する段階と、
補助装置が、アイドル指令に応答して、第２パラメータを、通常作動モードで作動する通常値から初期アイドル値まで調節する段階と、
復帰指令に応答して、第２パラメータを、初期アイドル値から通常値まで調節する段階と、
初期アイドル値を、補助装置がアイドルモードで作動する値から目標値まで第１パラメータが戻る時間として定義された、測定された復帰時間と、目標復帰時間との間の差に基づいて調節する段階とを有することを特徴とする方法。
【請求項２】
前記初期アイドル値を調節する段階は、測定された復帰時間が目標復帰時間より短くかつ第２パラメータが通常作動モードにおける値より小さいアイドルモードにおける値を有すると想定される場合に、初期アイドル値を減少させることからなることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記初期アイドル値を調節する段階は、測定された復帰時間が目標復帰時間とほぼ同じでありかつ第２パラメータが通常作動モードにおける値より小さいアイドルモードにおける値を有すると想定される場合に、初期アイドル値を増大させることからなることを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記補助装置は、真空ポンプまたは除害装置であることを特徴とする請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記第１パラメータは、真空ポンプの温度またはガス流量であることを特徴とする請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記第２パラメータは、真空ポンプのポンプ速度であることを特徴とする請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記第１パラメータは、除害装置のガス流量であることを特徴とする請求項４記載の方法。
【請求項８】
前記第２パラメータは、除害装置に供給される電力であることを特徴とする請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記初期アイドル値を調節する段階は、測定された復帰時間が目標復帰時間より短くかつ第２パラメータが通常作動モードにおける値より大きいアイドルモードにおける値を有すると想定される場合に、初期アイドル値を増大させることからなることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１０】
前記初期アイドル値を調節する段階は、測定された復帰時間が目標復帰時間とほぼ同じでありかつ第２パラメータが通常作動モードにおける値より大きいアイドルモードにおける値を有すると想定される場合に、初期アイドル値を減少させることからなることを特徴とする請求項９記載の方法。
【請求項１１】
前記補助装置は、真空ポンプまたは除害装置であることを特徴とする請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
前記第１パラメータは、真空ポンプの温度またはガス流量であることを特徴とする請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
前記第２パラメータは、プロセスツールのガス圧力であることを特徴とする請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
プロセスツールおよび真空ポンプを備えたプロセシングシステムがアイドルモードから通常作動モードに復帰する復帰時間を調節する装置において、
プロセスツールのプロセスチャンバからガスを真空引きするロータおよびステータを備えたポンピング機構と、
該ポンピング機構のロータを駆動するモータと、
コントローラとを有し、該コントローラが、
目標復帰時間と、真空ポンプが通常作動モードで作動するパラメータの目標値と、真空ポンプがアイドルモードで作動する初期アイドル速度とを設定する段階と、
補助装置が、アイドル指令に応答して、モータの回転速度を、通常速度から初期アイドル速度まで調節する段階と、
復帰指令に応答して、モータの回転速度を、初期アイドル速度から通常速度まで調節する段階と、
初期アイドル速度を、真空ポンプがアイドルモードで作動するアイドル値から目標値まで第１パラメータが戻る時間として定義された、測定された復帰時間と、目標復帰時間との間の差に基づいて調節する段階とを遂行することを特徴とする装置。
【請求項１５】
前記第１パラメータは、ポンピング機構の温度またはポンピング機構を通るガスの流量であることを特徴とする請求項１４記載の装置。
【請求項１６】
前記第２パラメータは、ポンプ速度またはプロセスツール内のガス圧力であることを特徴とする請求項１４記載の装置。
【請求項１７】
前記第１パラメータを測定しかつ第１パラメータの測定された値を示す信号をコントローラに入力するための、ポンピング機構と接触したセンサを更に有することを特徴とする請求項１４記載の装置。
【請求項１８】
前記測定された復帰時間をコントローラに入力するタイマを更に有することを特徴とする請求項１４記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、広くは、例えばプロセシングシステムのエネルギ消費のような資源の利用効率を向上すべく、プロセシングシステムを自己同調する装置および方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造に使用されるプロセシングシステムは、一般に、数ある中で、プロセスツール、真空ポンプおよび除害(abatement)装置を有している。プロセスツールはプロセスチャンバを有し、該プロセスチャンバ内で半導体ウェーハが所定の構造に加工される。例えば、半導体ウェーハ上に酸化物層を形成すべく、プロセスチャンバ内で化学蒸着が行われる。他の例では、プロセスツールは、酸化物層を所定のパターンにエッチングするプロセスチャンバを有している。プロセスチャンバは、好ましくない薬品または不純物の存在により半導体加工工程が汚染されないようにするため、作動時に真空状態にする必要がある。
【０００３】
プロセスチャンバを所望の真空状態にするため、真空ポンプを使用してプロセスチャンバを真空引きする。加工条件に基づいて、１つ以上の真空ポンプが選択的に直列に連結される。例えば、所望のポンピング性能を達成するため、異なる圧力レベルで作動するブースタポンプおよびバッキングポンプが直列に連結される。使用される真空ポンプの数に係わらず、プロセスチャンバからガスが真空引きされるように、ポンプまたはポンプのアセンブリの入口がプロセスチャンバに連結される。
【０００４】
一般的なプロセシングシステムでは、ポンプまたはポンプのアセンブリの出口は除害装置に連結される。除害装置は、プロセスチャンバから真空引きされる有害排出ガスが周囲の環境に放出される前に有害排出ガスを処理する。例えば、除害装置は、プロセスチャンバから真空引きされるガス状アンモニアを有機金属気相成長法で吸収するのに水を使用する湿式スクラバで構成される。他の例では、除害装置は、ガス状水素と反応させることによりガス状アンモニアを分解させる燃焼ベース装置で構成される。
【０００５】
半導体製造加工中に、真空ポンプおよび除害装置により消費される電力、燃料および水等の資源を管理しかつ低減させることが望まれている。真空ポンプおよび除害装置により消費される電力は、半導体ウェーハの製造においてプロセシングシステムにより消費される全電力の大部分に相当する。半導体産業では、半導体ウェーハの製造コストを低減させるため、真空ポンプおよび除害装置の資源利用効率を向上させる多くの努力がなされてきた。
【０００６】
資源利用効率を向上させる１つの慣用方法は、真空ポンプおよび除害装置がこれらの通常キャパシティで作動することをプロセスツールが必要としないときには、真空ポンプおよび除害装置をアイドルモードにすることである。例えば、半導体ウェーハがプロセスチャンバ内に（またはプロセスチャンバから）搬送されるとき、真空ポンプおよび除害装置をアイドルモードにすることができ、アイドルモードでは、真空ポンプおよび除害装置は、処理能力に影響を与えることなく、通常作動で消費するよりも少ない資源を消費する。真空ポンプおよび除害装置がこれらの通常キャパシティで作動することをプロセスツールが必要とするときは、真空ポンプおよび除害装置をアイドルモードから通常作動モードに戻すことができる。これにより、プロセスツールの性能および処理能力を損なうことなく省資源が達成される。
【０００７】
アイドルモードは、種々の分野の種々の人々により、スリープモード、グリーンモード、冬眠（hibernation）、低モード／低出力モードと呼ばれている。本願の開示において、アイドルモードとは、上記意味においてこれらの全てのモードをいうのに使用されることに留意されたい。
【０００８】
慣用方法の１つの欠点は、真空ポンプおよび／または除害装置をアイドルモードから復帰させるタイミングを正確に制御できないことである。例えば、真空ポンプの温度がアイドル速度での温度から通常速度での温度まで上昇する復帰時間は、プロセスツールにより与えられる予告時間より長くなり、このため、加工開始およびプロセスツールの充分な利用に対する遅延が生じる。慣用方法の他の欠点は、プロセスシステムの変化する状態に適合するフレキシビリティがないことである。例えば、慣用方法では、真空ポンプの復帰時間は、最初に、真空ポンプがアイドルモードから通常作動モードに復帰するのに必要な実時間に近い所定値に設定される。しかしながら、多くの作動サイクルの後には、真空システムの性能に損失が生じ、したがって、真空ポンプがアイドルモードから通常作動モードに復帰するのに必要な時間が、最初の設定値より長くなる。慣用方法はプロセシングシステムの変化する状態に適合できないので、予設定された復帰時間はやがて不正確になってしまう。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記のように、プロセシングシステムの資源利用効率を向上させるため、プロセシングシステムの変化する状態に適合するようにプロセシングシステムの復帰時間を調節する方法および装置が要望されている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、プロセシングシステムの資源利用効率を向上させるべく、プロセシングシステムの変化する状態に適応するようにプロセシングシステムの復帰時間を調節する方法および装置に関する。本発明の或る実施形態では、本発明の方法は、目標復帰時間と、補助装置が通常作動モードで作動する第１パラメータの目標値と、補助装置がアイドルモードで作動する第２パラメータの初期アイドル値とを設定する段階と、補助装置が、アイドル指令に応答して、第２パラメータを、通常作動モードで作動する通常値から初期アイドル値まで調節する段階と、復帰指令に応答して、第２パラメータを、初期アイドル値から通常値まで調節する段階と、初期アイドル値を、補助装置がアイドルモードで作動する値から目標値まで第１パラメータが戻る時間として定義された、測定された復帰時間と、目標復帰時間との間の差に基づいて調節する段階とを有している。
【００１１】
しかしながら、本発明の構成および作動方法は、本発明の他の目的および長所とともに、添付図面を参照して特定実施形態についての以下の説明を読むことにより最も良く理解されよう。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の或る実施形態によるプロセシングシステムを示す機能ブロック図である。
【図２】本発明の或る実施形態による、アイドルモードから通常作動モードに復帰するプロセシングシステムを示すタイミングチャートである。
【図３】本発明の或る実施形態によるプロセシングシステムの復帰時間を自己同調する方法を示すフローチャートである。
【図４】本発明の或る実施形態による自己同調方法を実施する装置の一例を示す機能ブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明は、資源の利用効率を向上するため、プロセシングシステムがアイドルモードから通常作動モードに復帰する時間を調節する方法および装置に関する。プロセシングシステムとして半導体製造に使用されるものがあり、真空ポンプまたは除害装置のような補助装置により補助されたプロセスツールを有している。補助装置の復帰時間を調節するため、多くのパラメータが制御される。１つ以上のこれらのパラメータが、各復帰サイクルの終時に測定された実復帰時間と所定の目標復帰時間との比較に基づいて、増加または減少される。このようにして、測定された復帰時間は、所定の目標復帰時間に徐々に収斂し、したがってプロセシングシステムの資源利用が最適化される。
【００１４】
図１には、本願に開示する方法および装置が本発明の或る実施形態にしたがって実施されるプロセシングシステム１００が示されている。プロセシングシステム１００は、真空ポンプ１０４および除害装置１０６またはこれらの組合せで構成される補助装置により補助されたプロセスツール１０２を有している。プロセスツール１０２はプロセスチャンバを有し、該プロセスチャンバ内には半導体ウェーハが置かれて所望の構造に加工される。例えば、プロセスツール１０２は化学蒸着加工を行い、プロセスチャンバ内で半導体ウェーハ上に材料の薄層を形成する。他の例として、プロセスツール１０２は、半導体ウェーハを或るパターンにエッチングするエッチング加工を行うことができる。プロセスツール１０２の機能の如何にかかわらず、プロセスツール１０２の作動中にガスがプロセスチャンバを通ることは稀なことではない。
【００１５】
真空ポンプ１０４は流体によりプロセスツール１０２に連結されていて、プロセスチャンバから排出ガスを真空引きし、プロセスチャンバ内の内部圧力を確実に所望レベルに維持する。除害装置１０６は流体により真空ポンプ１０４に連結されていて、真空ポンプ１０４からの排出ガスを処理し、排出ガス中の有毒物質、有害物質またはピロリン酸物質を、周囲環境に放出する前に、無害で環境により優しい化合物に分解することができる。図１では、真空ポンプ１０４はプロセスツール１０２の下流側に配置され、除害装置１０６は真空ポンプ１０４の下流側に配置されているところが示されている。本発明の他の実施形態では、除害装置をプロセスツールと真空ポンプとの間に連結して、真空ポンプが除害装置の下流側に配置されるように構成できる。他の或る実施形態では、除害装置を完全に省略することもできる。
【００１６】
プロセシングシステム１００は、通常作動モードとアイドルモードとを切換えるように構成されている。通常作動モードでは、真空ポンプ１０４および／または除害装置１０６のような補助装置は、その通常キャパシティで作動し、プロセスツール１０２を補助する。プロセスツール１０２が、通常キャパシティより低いキャパシティで運転されている補助装置を許容できる場合には、補助装置は、プロセスツール１０２により発生されるアイドル指令に応答して、電力、ガスおよび水等の資源を少量消費するアイドルモードに切換えられる。例えば、半導体ウェーハがプロセスチャンバ内に（またはプロセスチャンバ内から）移動される場合のような移行時期にあるときは、真空ポンプ１０４はアイドルモードに設定され、この場合には、プロセスツール１０２の処理能力を損なうことなく、ポンピング速度が通常のポンピング速度より低くなる。同じ移行時期において、除害装置１０６もアイドルモードに切換えられ、この場合にも、除害装置１０６は、プロセスツール１０２の処理能力を損なうことなく、少ない電力、水およびガス等を消費する。アイドルモードは、アイドル指令を真空ポンプおよび／または除害装置１０６に送るプロセスツール１０２により引き起こされる。プロセシングシステム１００を通常作動モードに復帰させたい場合には、プロセスツール１０２は、真空ポンプ１０４および／または除害装置１０６に復帰指令を発生する。復帰指令を受けると、真空ポンプ１０４および／または除害装置１０６は、或るパラメータをアイドルレベルから通常レベルに戻すべく調節する。パラメータをアイドルレベルから通常レベルに戻すのに要する時間は、「復帰時間」と呼ばれる。
【００１７】
図２は、本発明の或る実施形態にしたがってプロセシングシステムがアイドルモードから通常作動モードに復帰するプロセスを示すタイミングチャートである。ｘ軸は時間を表わし、ｙ軸はプロセスツールおよび補助装置により消費される電力のレベルを表わす。異なる時点でのプロセスツールおよび補助装置の挙動を比較するため、プロセスツールのタイミンググラフ２００は、補助装置のタイミンググラフ３００とｙ軸方向に整合している。図２から、図面上でのグラフ２００、３００の相対位置による表面上の示唆により、任意の所与の時点であたかもプロセスツールがいつでも補助装置より多くの電力を消費するものと解釈すべきでないことに留意されたい。
【００１８】
図示のように、プロセスツールは、ｔ１時点でアイドルモードに設定される。その結果、プロセスツールの電力消費は、高レベルから低レベルに低下する。プロセスツールからのアイドル指令を受けると、補助装置は、ｔ１時点でアイドルモードに入り始める。補助装置の本質により、補助装置は、通常作動モードの電力消費の高レベルからアイドルモードの電力消費の低レベルに完全に定着しかつ安定するのにｔ１からｔ２までの時間を要する。例えば、補助装置が真空ポンプである場合には、通常作動モードからアイドルモードに調節するプロセスで、真空ポンプが高い通常速度から低いアイドル速度に低下する時間を要する。通常作動モードに復帰する前に、プロセスツールは、ｔ３時点で、復帰指令を補助装置に送る。補助装置の本質により、補助装置は、アイドルモードの電力消費の低レベルから通常作動モードの電力消費の高レベルに完全に定着しかつ安定するのにｔ３からｔ４までの時間を要する。ｔ３からｔ４までの時間は、「復帰時間」と呼ばれる。
【００１９】
電力消費以外に、アイドルモードおよび通常作動モードを定義するのに使用できるパラメータは多くある。例えば、アイドルモードおよび通常作動モードを定義するのに温度を使用でき、温度が所定レベルより高い場合には補助装置が通常作動モードにあると考え、これに対し温度が所定レベルより低い場合には補助装置がアイドルモードにあると考えることができる。他の例として、アイドルモードおよび通常作動モードを定義するのにガス流量を使用でき、ガス流量が所定値より高い場合には補助装置が通常作動モードにあると考え、これに対しガス流量が所定レベルより低い場合には補助装置がアイドルモードにあると考えることができる。これらのパラメータは、アイドルモードに適用できるだけでなく、通常作動モードにも適用できる。
【００２０】
図３は、本発明の或る実施形態によるプロセシングシステムの復帰時間を自己同調する方法を示すフローチャートである。方法は、ステップ４０２からスタートする。目標復帰時間、第１パラメータの目標値および第２パラメータの初期アイドル値が、ステップ４０４で設定される。目標復帰時間は、プロセシングシステムがアイドルモードから通常作動モードに復帰する、実復帰時間と対比される予定値である。第１パラメータの目標値は、プロセシングシステムが通常作動モードにあるときに第１パラメータがとるべき所定値である。例えば、第１パラメータは、プロセスチャンバに流体連結されている真空ポンプの温度とし、目標値は、真空ポンプが通常作動モードで作動していると考えられる温度またはそれより高い温度とすることができる。第２パラメータは、補助装置をアイドルモードと通常作動モードとの間で切換えるように調節される調節可能な変数である。補助装置がアイドルモードに切換えられると、第２パラメータは初期アイドル値になるように調節される。例えば、第２パラメータは、プロセスチャンバに流体連結された真空ポンプのポンプ速度とすることができ、初期アイドル値は、真空ポンプがアイドルモードにあるときは、真空ポンプの初期アイドル速度である。
【００２１】
ステップ４０６では、補助装置は、プロセスツールまたは他の任意の制御装置またはコンピュータにより発せられるアイドル指令を待機する。アイドル指令を受けると、ステップ４０８で、補助装置の第２パラメータが、通常作動モードの現在値からアイドルモードの初期アイドル値に調節される。殆どの状況では、補助装置が通常作動モードにあるとき、初期アイドル値は第２パラメータの通常値より小さく、このため、アイドルモードでは補助装置により消費される資源が低減される。例えば補助装置が真空ポンプでかつ第２パラメータがポンプ速度である場合には、初期アイドル値は通常値の僅かに数分の１にすることができ、このため、真空ポンプを通常値から初期アイドル値に調節することにより、エネルギを大幅に節約できる。３００ｍｍ半導体ウェーハの一般的な製造プロセスでは、節約されるエネルギは、アイドルモードを用いない全エネルギ消費の約２６％に達する。
【００２２】
ステップ４１０では、補助装置は、プロセスツールまたは他の任意の制御装置またはコンピュータにより発せられる復帰指令を待機する。復帰指令を受けると、ステップ４１２において、補助装置の第２パラメータが初期アイドル値から所定の通常値に戻す調節を開始し、かつタイマが始動して、補助装置がアイドルモードから通常作動モードに戻るのに必要な時間を測定する。ステップ４１４では、第１パラメータが目標値に等しいかまたはこれより大きいか否かの決定がなされる。この決定がＮｏであるときは、プロセスはステップ４１４の初めに戻る。この決定がＹｅｓであるときは、プロセスはステップ４１６へと進み、ここでタイマが停止される。前述のように、第１パラメータは、補助装置がアイドルモードにあるかまたは通常作動モードにあるかを示すインジケータである。例えば、第１パラメータは、真空ポンプの温度（その値が、真空ポンプがアイドルモードにあるかまたは通常作動モードにあるかを表示する）とすることができる。
【００２３】
本発明の他の或る実施形態では、第１パラメータの値を、通常作動モードにおける値よりもアイドルモードにおける値の方が大きくなるようにすることができる。例えば、第１パラメータがプロセスチャンバのガス圧力である場合には、ポンプ速度がアイドルモードで減速されるので、アイドルモードでの圧力レベルの方が通常作動モードの圧力レベルより高くなるであろう。この場合には、ステップ４１４を、第１パラメータの測定値と第１パラメータの目標値とを比較して、測定値が目標値に等しいかまたはこれより小さいかを決定するように変更できる。この決定がＮｏである場合には、プロセスはステップ４１４の初めに戻り、Ｙｅｓの場合にはプロセスはステップ４１６に進む。
【００２４】
ステップ４１８では、タイマで測定された復帰時間が目標復帰時間より短いか否かの決定がなされる。測定された復帰時間が目標復帰時間より短い場合には、ステップ４２０で、第２パラメータの初期アイドル値が所定の減少量だけ減少される。これにより、補助装置は、資源のより多くの節約を達成できる。例えば、プロセスツールに流体連結された真空ポンプの目標復帰時間が１０分であるとすると、測定された５分間の復帰時間は、プロセスツールが通常作動の準備がされる前に、真空ポンプが通常速度で更に５分間運転されることを意味し、これによりエネルギの無駄が引き起こされる。初期アイドル速度を低下させることにより、実復帰時間が目標復帰時間により近くなるように延長され、これにより一層エネルギが節約される。
【００２５】
測定された復帰時間が目標復帰時間とほぼ同じである場合には、ステップ４２２で、第２パラメータの初期アイドル値が所定の増分量だけ増大される。これにより、プロセスツールが通常作動の準備がなされているときに、補助装置がアイドルモードから未だ復帰されていないという状況が回避される。
【００２６】
本発明の他の或る実施形態では、アイドルモードでの第２パラメータの値を、通常作動モードでの第２パラメータの値より大きくすることができる。例えば、第２パラメータはプロセスチャンバ内のガス圧力とすることができ、この場合、アイドルモードではプロセスチャンバの圧力レベルが大気圧レベルまで増大される。この場合、ステップ４１８で、測定された復帰時間が目標復帰時間より短い場合には、上記実施形態で説明したように、プロセスは、ステップ４２０ではなく、ステップ４２２へと進む。ステップ４１８で、測定された復帰時間が目標復帰時間より長い場合には、上記実施形態で説明したように、プロセスは、ステップ４２２ではなく、ステップ４２０へと進む。
【００２７】
図４は、本発明の或る実施形態による自己同調方法を実施する装置の一例を示す機能的ブロック図である。この例の補助装置は真空ポンプ５００であり、該真空ポンプ５００は、インターフェース５０２に電気的に接続されたプロセスツール（図示せず）からのアイドル指令または復帰指令を受ける。指令はコントローラ５０４に伝達され、該コントローラ５０４はインバータ５０６に電気的に接続され、該インバータ５０６は更にモータ５０８に接続されている。モータ５０８はポンピング機構５１０を駆動し、該ポンピング機構５１０は、プロセスツールのプロセスチャンバからガスを真空引きするための少なくともロータおよびステータを有している。ポンピング機構５１０には、この温度を測定するための温度センサ５１２が配置されている。温度センサ５１２は、温度の測定値を示す信号を発生しかつ該信号をコントローラ５０４に送る。コントローラ５０４によりタイマ５１４が制御され、真空ポンプ５００の復帰時間を測定する。
【００２８】
最初にユーザは、ユーザ入力をインターフェース５１６に入力することにより、目標復帰時間、目標温度および初期アイドル速度を設定する。プロセスツールからインターフェース５０２を介してアイドル指令を受けると、コントローラ５０４はインバータ５０６を制御してモータ５０８の回転速度を調節し、次にコントローラ５０４は、ポンピング機構５１０のポンプ速度を通常値から初期アイドル速度に調節する。次に、プロセスツールから復帰指令を受けると、コントローラ５０４はタイマ５１４を始動させかつインバータ５０６を制御してモータ５０８の回転速度を調節し、次にコントローラ５０４は、ポンピング機構５１０のポンプ速度を初期アイドル速度から通常値に調節する。温度センサ５１２は、ポンピング機構５１０の温度を連続的にモニタして、ポンピング機構５１０の測定された温度を表示する信号をコントローラ５０４に入力する。測定された温度が目標温度に等しいか目標温度より高いとコントローラ５０４が決定した場合には、コントローラ５０４はタイマ５１４を停止させかつ測定された復帰時間を計算する。コントローラ５０４は、測定された復帰時間と目標復帰時間とを比較し、かつこの比較に基づいて、資源の利用効率が次の復帰サイクルで改善されるように、初期アイドル速度の値を調節する。
【００２９】
本発明の長所の１つは、本願に開示された方法および装置が、その資源利用効率の最適化の点で、プロセシングシステムをその変化する状態および環境に適合させることができることである。プロセシングシステムが、実際の履歴データに基づいて或るパラメータの初期アイドル値を自己調節できるため、アイドル設定により、プロセス変動に遅れることなくついていくことが可能になる。例えば、プロセスツールを真空引きするのに真空ポンプが使用されるプロセシングシステムでは、真空ポンプ内に微粒子が発生することがあり、したがってその特性が変化する。或いは、パージガス温度の上昇により、通常作動温度への復帰時間が短くなる。この結果、調節を行わない初期アイドル設定が、真空ポンプのアイドルモードの管理においてやがて不正確または非効率的になってしまう虞がある。本願に開示する方法および装置は、この不正確さおよび非効率性を無くす補助をする。
【００３０】
上記説明から、本発明の異なる特徴を実施する多くの異なる実施形態が考えられる。本発明の明瞭化を補助するため、部品およびプロセスの特別な実施形態を説明した。もちろんこれらの実施形態は単なる実施形態であって、特許請求の範囲の記載から本発明を制限することを意図したものではない。例えば、真空ポンプおよび除害装置のような補助装置以外に、本発明の方法は、真空ポンプに組込まれるヒータおよび冷却機構および／またはプロセシングシステムの配管等の熱管理システムの制御に使用できる。本発明の方法を熱管理システムの制御に適用することも本発明の範囲内にあることは理解されよう。
【００３１】
本発明は１つ以上の特別な例の実施形態として図示しかつ説明したが、本発明の精神から逸脱することなくかつ特許請求の範囲の均等物の範囲内で種々の修正および構造的変更をなし得ることから、本発明は図示の細部に限定されるものではない。したがって、特許請求の範囲は、広くかつ特許請求の範囲に記載された本発明の範囲と矛盾することなく解釈すべきである。
【符号の説明】
【００３２】
１００  プロセシングシステム
１０２  プロセスツール
１０４  真空ポンプ
１０６  除害装置
５００  真空ポンプ
５０２  インターフェース
５０４  コントローラ
５０６  インバータ
５０８  モータ
５１０  ポンピング機構
５１２  温度センサ
５１４  タイマ
５１６  インターフェース
【図１】
0005877532.tif 000002
【図２】
0005877532.tif 000003
【図３】
0005877532.tif 000004
【図４】
0005877532.tif 000005