(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光硬化性化合物と、
熱硬化性化合物と、
光重合開始剤と、
熱硬化剤と、
導電性粒子と、
前記導電性粒子とは異なり、平均粒子径が前記導電性粒子の平均粒子径の１／２以下であり、かつ熱伝導率が２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であるフィラーとを含む、異方性導電ペースト。
【請求項２】
前記フィラーの平均粒子径が０．０５μｍ以上である、請求項１に記載の異方性導電ペースト。
【請求項３】
異方性導電ペースト１００重量％中、前記フィラーの含有量が０．１重量％以上、５０重量％以下である、請求項１又は２に記載の異方性導電ペースト。
【請求項４】
硬化後の硬化物の熱伝導率が１．０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の異方性導電ペースト。
【請求項５】
前記光硬化性化合物のガラス転移温度が、圧着時の最高到達樹脂温度以下である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の異方性導電ペースト。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の異方性導電ペーストの製造方法であって、
光硬化性化合物と、熱硬化性化合物と、光重合開始剤と、熱硬化剤と、導電性粒子と、前記導電性粒子とは異なり、平均粒子径が前記導電性粒子の平均粒子径の１／２以下でありかつ熱伝導率が２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であるフィラーとを配合する工程を備える、異方性導電ペーストの製造方法。
【請求項７】
第１の接続対象部材と、第２の接続対象部材と、該第１，第２の接続対象部材を電気的に接続している硬化物層とを備え、
前記硬化物層が、請求項１〜５のいずれか１項に記載の異方性導電ペーストを硬化させることにより形成されている、接続構造体。
【請求項８】
第１の接続対象部材の上面に、請求項１〜５のいずれか１項に記載の異方性導電ペーストを塗布し、異方性導電ペースト層を形成する工程と、
前記異方性導電ペースト層に光を照射することにより、前記異方性導電ペースト層の硬化を進行させて、Ｂステージ状硬化物層を形成する工程と、
前記Ｂステージ状硬化物層の上面に、第２の接続対象部材をさらに積層する工程と、
前記第１の接続対象部材の下面又は前記第２の接続対象部材の上面から、前記Ｂステージ状硬化物層に熱を付与し、該Ｂステージ状硬化物層を硬化させる工程とを備える、接続構造体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の導電性粒子を含む異方性導電ペーストに関し、例えば、フレキシブルプリント基板、ガラス基板及び半導体チップなどの様々な接続対象部材の電極間の電気的な接続に用いることができる異方性導電ペースト、並びに該異方性導電ペーストを用いた接続構造体及び該接続構造体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フレキシブルプリント基板、ガラス基板及び半導体チップなどの様々な接続対象部材の電極間の電気的な接続に、異方性導電ペーストが用いられている。異方性導電ペーストでは、インク又は樹脂などのバインダー樹脂中に複数の導電性粒子が分散されている。
【０００３】
上記異方性導電ペーストは、具体的には、ＩＣチップとフレキシブルプリント回路基板との接続、及びＩＣチップとＩＴＯ電極を有する回路基板との接続等に使用されている。例えば、ＩＣチップの電極と回路基板の電極との間に異方性導電ペーストを配置した後、加熱及び加圧することにより、これらの電極同士を接続できる。
【０００４】
上記異方性導電ペーストの一例として、下記の特許文献１には、エポキシ樹脂と、ゴム状ポリマー粒子と、熱活性な潜在性エポキシ硬化剤と、高軟化点ポリマー粒子と、導電性粒子とを含む異方性導電ペーストが開示されている。特許文献１では、無機質充填剤を用いてもよいことが記載されており、実施例では、無機質充填剤としてシリカとアルミナとが用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−３４５０１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に記載のような従来の異方性導電ペーストにより、例えば、半導体チップの電極とガラス基板の電極とを電気的に接続する際には、ガラス基板上に、導電性粒子を含む異方性導電材料を配置する。次に、半導体チップを積層して、加熱及び加圧する。これにより、異方性導電ペーストを硬化させて、かつ導電性粒子を介して電極間を電気的に接続し、接続構造体を得る。
【０００７】
従来の異方性導電ペーストでは、上記接続構造体を得る際の加熱により、熱硬化が速やかに進行せず、熱硬化に長時間を要することがある。このため、ガラス基板上に配置された異方性導電ペースト及び該異方性導電ペーストに含まれている導電性粒子が、熱硬化段階で大きく流動することがある。このため、異方性導電ペーストにより形成された硬化物層及び導電性粒子を特定の領域に配置できないことがある。さらに、接続されるべき上下の電極間に導電性粒子を配置できなかったり、接続されてはならない隣接する電極間が複数の導電性粒子を介して電気的に接続されたりすることがある。このため、得られた接続構造体の導通信頼性が低いことがある。
【０００８】
本発明の目的は、速やかに熱硬化させることができ、更に導通信頼性を高めることができる異方性導電ペースト、並びに該異方性導電ペーストを用いた接続構造体及び該接続構造体の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の広い局面によれば、光硬化性化合物と、熱硬化性化合物と、光重合開始剤と、熱硬化剤と、熱伝導率が２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であるフィラーと、導電性粒子とを含む、異方性導電ペーストが提供される。
【００１０】
本発明に係る異方性導電ペーストのある特定の局面では、上記フィラーの平均粒子径は０．０５μｍ以上、上記導電性粒子の平均粒子径の１／２以下である。
【００１１】
本発明に係る異方性導電ペーストの他の特定の局面では、異方性導電ペースト１００重量％中、上記フィラーの含有量は０．１重量％以上、５０重量％以下である。
【００１２】
本発明に係る異方性導電ペーストのさらに他の特定の局面では、硬化後の硬化物の熱伝導率が１．０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である。
【００１３】
本発明に係る異方性導電ペーストのさらに他の特定の局面では、上記光硬化性化合物のガラス転移温度が、圧着時の最高到達樹脂温度以下である。
【００１４】
本発明に係る接続構造体は、第１の接続対象部材と、第２の接続対象部材と、該第１，第２の接続対象部材を電気的に接続している硬化物層とを備え、該硬化物層が、本発明に従って構成された異方性導電ペーストを硬化させることにより形成されている。
【００１５】
本発明に係る接続構造体の製造方法は、第１の接続対象部材の上面に、本発明に従って構成された異方性導電ペーストを塗布し、異方性導電ペースト層を形成する工程と、該異方性導電ペースト層に光を照射することにより、上記異方性導電ペースト層の硬化を進行させて、Ｂステージ状硬化物層を形成する工程と、該Ｂステージ状硬化物層の上面に、第２の接続対象部材をさらに積層する工程と、上記第１の接続対象部材の下面又は上記第２の接続対象部材の上面から、上記Ｂステージ状硬化物層に熱を付与し、該Ｂステージ状硬化物層を硬化させる工程とを備える。
【発明の効果】
【００１６】
本発明に係る異方性導電ペーストは、光硬化性化合物と、熱硬化性化合物と、光重合開始剤と、熱硬化剤と、熱伝導率が２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であるフィラーと、導電性粒子とを含むので、光の照射により異方性導電ペーストの硬化を進行させ、Ｂステージ状硬化物にすることで、Ｂステージ状硬化物及び該Ｂステージ状硬化物に含まれている導電性粒子の流動を抑制できる。従って、Ｂステージ状硬化物を経て熱硬化により硬化物を形成することで、該硬化物及び導電性粒子を特定の領域に配置できる。このため、第１，第２の接続対象部材を電気的に接続した場合に、導通信頼性を高めることができる。例えば、接続されるべき上下の電極間を導電性粒子により容易に接続でき、かつ接続されてはならない隣り合う電極間が複数の導電性粒子を介して接続されるのを抑制できる。
【００１７】
さらに、光の照射により硬化が進行されたＢステージ状硬化物では、光硬化性化合物の硬化部分の軟化に熱を奪われるため、硬化が進行されていない異方性導電ペーストと比較して、熱硬化の際に熱がかなり伝わりにくい傾向がある。しかし、本発明に係る異方性導電ペーストは、熱伝導率が２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であるフィラーを含むので、異方性導電ペーストの状態ではなくＢステージ状硬化物の状態であっても、熱硬化の際に熱が効率的に伝わる。このため、熱硬化を速やかに完結させることができる。さらに、上記Ｂステージ状硬化物が速やかに熱硬化することによっても、硬化物及び導電性粒子を特定の領域により一層精度よく配置することが可能になり、導通信頼性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係る異方性導電ペーストを用いた接続構造体を模式的に示す正面断面図である。
【図２】図２（ａ）〜（ｃ）は、本発明の一実施形態に係る異方性導電ペーストを用いて接続構造体を得る各工程を説明するための正面断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００２０】
本発明に係る異方性導電ペーストは、光硬化性化合物と、熱硬化性化合物と、光重合開始剤と、熱硬化剤と、熱伝導率が２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であるフィラーと、導電性粒子とを含む。本発明に係る異方性導電ペーストは、フィルム状又はシート状ではなく、ペースト状である。
【００２１】
本発明の主な第１の特徴は、ペースト状の異方性導電ペーストであり、光硬化させるための光硬化性化合物及び光重合開始剤と、熱硬化させるための熱硬化性化合物及び熱硬化剤とを含むことである。これによって、光の照射により異方性導電ペーストの硬化を進行させて、Ｂステージ状硬化物を得ることができる。このようなＢステージ状硬化物の形成によって、Ｂステージ状硬化物において導電性粒子の流動及び沈降を顕著に抑制できる。従って、光の照射により異方性導電ペーストの硬化を進行させてＢステージ状硬化物にするだけで、導電性粒子の流動及び沈降を抑制して、特定の領域に導電性粒子を容易に配置することが可能である。また、上記Ｂステージ状硬化物の状態を経て熱硬化により硬化物を形成し、接続構造体を作製することにより、異方性導電ペーストにより形成された硬化物及び導電性粒子を特定の領域に配置できる。
【００２２】
さらに、本発明は、上記第１の特徴に加えて、異方性導電ペーストが、熱伝導率が２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であるフィラーを含むという第２の特徴も有する。本発明者らは、光の照射により硬化が進行したＢステージ状硬化物を熱硬化させる際には、光が照射されていない異方性導電ペーストを熱硬化させる場合よりも、Ｂステージ状硬化物中で熱が伝わりにくいことを見出した。さらに、本発明者らは、上記熱伝導率が２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であるフィラーの使用により、Ｂステージ状硬化物の状態であっても、該Ｂステージ状硬化物に熱を付与することにより、Ｂステージ状硬化物中で熱が効果的に伝わり、Ｂステージ状硬化物が速やかに硬化可能になり、熱硬化後の硬化物の均一性を高めことができることを見出した。しかも、本発明者らは、上記Ｂステージ状硬化物が速やかに熱硬化することによっても、硬化物及び導電性粒子を特定の領域により一層精度よく配置することが可能になり、導通信頼性をより一層高めることができることを見出した。
【００２３】
さらに、従来の異方性導電材料では、熱硬化の際に接続対象部材間に位置する異方性導電材料のみしか硬化しなかった。これに対して、本発明に係る異方性導電ペーストでは、熱伝導性がよいのでフィレット部分にも十分に熱が伝わり、フィレット形成が容易になる。従って、本発明に係る異方性導電ペーストの使用により、接続信頼性がさらに向上する。
【００２４】
以下、先ず、本発明に係る異方性導電ペーストに含まれている各成分の詳細を説明する。
【００２５】
（光硬化性化合物及び熱硬化性化合物）
上記光硬化性化合物は特に限定されない。上記光硬化性化合物として、従来公知の光硬化性化合物を用いることができる。上記光硬化性化合物としては、光硬化性を有し、かつ熱硬化性を有さない光硬化性化合物、並びに光硬化性と熱硬化性とを有する光硬化性化合物が挙げられる。光硬化性と熱硬化性とを有する光硬化性化合物は、光及び熱硬化性化合物でもある。上記光硬化性化合物は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００２６】
上記熱硬化性化合物は特に限定されない。上記熱硬化性化合物として、従来公知の熱硬化性化合物を用いることができる。上記熱硬化性化合物は、光硬化性を有さず、熱硬化性を有することが好ましい。上記熱硬化性化合物は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００２７】
上記光硬化性化合物及び熱硬化性化合物は特に限定されない。上記光硬化性化合物及び熱硬化性化合物としては、エポキシ化合物、エピスルフィド化合物、（メタ）アクリル化合物、フェノール化合物、アミノ化合物、不飽和ポリエステル化合物、ポリウレタン化合物、シリコーン化合物及びポリイミド化合物等が挙げられる。
【００２８】
光硬化性化合物と熱硬化性化合物との配合比は、光硬化性化合物と熱硬化性化合物との種類に応じて適宜調整される。本発明に係る異方性導電ペーストは、光硬化性化合物と熱硬化性化合物とを重量比で、１：９９〜９０：１０で含むことが好ましく、５：９５〜６０：４０で含むことがより好ましく、１０：９０〜４０：６０で含むことが更に好ましい。
【００２９】
熱硬化性化合物の詳細：
異方性導電ペーストの硬化を容易に制御したり、接続構造体の導通信頼性をより一層高めたりする観点からは、上記熱硬化性化合物は、エポキシ基又はチイラン基を有する熱硬化性化合物であることが好ましい。エポキシ基を有する化合物は、エポキシ化合物である。チイラン基を有する化合物は、エピスルフィド化合物である。熱硬化をより一層速やかに進行させる観点からは、上記熱硬化性化合物は、エピスルフィド化合物であることが好ましい。
【００３０】
エピスルフィド化合物は、エポキシ基ではなくチイラン基を有するので、低温で速やかに硬化させることができる。すなわち、チイラン基を有するエピスルフィド化合物は、エポキシ基を有するエポキシ化合物と比較して、チイラン基に由来してより一層低い温度で硬化可能である。
【００３１】
上記エポキシ化合物及び上記エピスルフィド化合物は、芳香族環を有することが好ましい。上記芳香族環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、テトラセン環、クリセン環、トリフェニレン環、テトラフェン環、ピレン環、ペンタセン環、ピセン環及びペリレン環等が挙げられる。なかでも、上記芳香族環は、ベンゼン環、ナフタレン環又はアントラセン環であることが好ましい。
【００３２】
低温でより一層速やかに硬化させる観点からは、エピスルフィド化合物は、下記式（１−１）、（２−１）、（３）、（７）又は（８）で表される構造を有するエピスルフィド化合物であることが好ましく、下記式（１−１）、（２−１）又は（３）で表される構造を有するエピスルフィド化合物であることがより好ましい。下記式（１−１）において、ベンゼン環に結合している６つの基の結合部位は特に限定されない。下記式（２−１）において、ナフタレン環に結合している８つの基の結合部位は特に限定されない。
【００３３】
【化１】
0005879105.tif 000002
【００３４】
上記式（１−１）中、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ炭素数１〜５のアルキレン基を表す。Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６の４個の基の内の２〜４個の基は水素を表す。Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６の内の水素ではない基は下記式（４）で表される基を表す。Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６の４個の基の全てが水素であってもよい。Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６の４個の基の内の１個又は２個が下記式（４）で表される基であり、かつＲ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６の４個の基の内の下記式（４）で表される基ではない基は水素であってもよい。
【００３５】
【化２】
0005879105.tif 000003
【００３６】
上記式（４）中、Ｒ７は炭素数１〜５のアルキレン基を表す。
【００３７】
【化３】
0005879105.tif 000004
【００３８】
上記式（２−１）中、Ｒ５１及びＲ５２はそれぞれ炭素数１〜５のアルキレン基を表す。Ｒ５３、Ｒ５４、Ｒ５５、Ｒ５６、Ｒ５７及びＲ５８の６個の基の内の４〜６個の基は水素を表す。Ｒ５３、Ｒ５４、Ｒ５５、Ｒ５６、Ｒ５７及びＲ５８の内の水素ではない基は、下記式（５）で表される基を表す。Ｒ５３、Ｒ５４、Ｒ５５、Ｒ５６、Ｒ５７及びＲ５８の６個の基の全てが水素であってもよい。Ｒ５３、Ｒ５４、Ｒ５５、Ｒ５６、Ｒ５７及びＲ５８の６個の基の内の１個又は２個が下記式（５）で表される基であり、かつＲ５３、Ｒ５４、Ｒ５５、Ｒ５６、Ｒ５７及びＲ５８の内の下記式（５）で表される基ではない基は水素であってもよい。
【００３９】
【化４】
0005879105.tif 000005
【００４０】
上記式（５）中、Ｒ５９は炭素数１〜５のアルキレン基を表す。
【００４１】
【化５】
0005879105.tif 000006
【００４２】
上記式（３）中、Ｒ１０１及びＲ１０２はそれぞれ炭素数１〜５のアルキレン基を表す。Ｒ１０３、Ｒ１０４、Ｒ１０５、Ｒ１０６、Ｒ１０７、Ｒ１０８、Ｒ１０９及びＲ１１０の８個の基の内の６〜８個の基は水素を表す。Ｒ１０３、Ｒ１０４、Ｒ１０５、Ｒ１０６、Ｒ１０７、Ｒ１０８、Ｒ１０９及びＲ１１０の内の水素ではない基は、下記式（６）で表される基を表す。Ｒ１０３、Ｒ１０４、Ｒ１０５、Ｒ１０６、Ｒ１０７、Ｒ１０８、Ｒ１０９及びＲ１１０の８個の基の全てが水素であってもよい。Ｒ１０３、Ｒ１０４、Ｒ１０５、Ｒ１０６、Ｒ１０７、Ｒ１０８、Ｒ１０９及びＲ１１０の８個の基の内の１個又は２個が下記式（６）で表される基であり、かつＲ１０３、Ｒ１０４、Ｒ１０５、Ｒ１０６、Ｒ１０７、Ｒ１０８、Ｒ１０９及びＲ１１０の内の下記式（６）で表される基ではない基は水素であってもよい。
【００４３】
【化６】
0005879105.tif 000007
【００４４】
上記式（６）中、Ｒ１１１は炭素数１〜５のアルキレン基を表す。
【００４５】
【化７】
0005879105.tif 000008
【００４６】
上記式（７）中、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ炭素数１〜５のアルキレン基を表す。
【００４７】
【化８】
0005879105.tif 000009
【００４８】
上記式（８）中、Ｒ３及びＲ４はそれぞれ炭素数１〜５のアルキレン基を表す。
【００４９】
上記エピスルフィド化合物は、上記式（１−１），（２−１）で表される構造を有するエピスルフィド化合物は、下記式（１），（２）で表される構造を有するエピスルフィド化合物であることが好ましい。
【００５０】
【化９】
0005879105.tif 000010
【００５１】
上記式（１）中、Ｒ１〜Ｒ６は、上記式（１−１）中のＲ１〜Ｒ６と同様の基である。
【００５２】
【化１０】
0005879105.tif 000011
【００５３】
上記式（２）中、Ｒ５１〜Ｒ５８は、上記式（２−１）中のＲ５１〜Ｒ５８と同様の基である。
【００５４】
上記異方性導電ペーストは、エピスルフィド化合物として、フェノキシ樹脂のエポキシ基がチイラン基に変換されたチイラン基を有する変性フェノキシ樹脂を含んでいてもよい。硫化剤を用いて、従来公知の方法により、フェノキシ樹脂のエポキシ基をチイラン基に変換できる。
【００５５】
「フェノキシ樹脂」は、一般的には、例えばエピハロヒドリンと２価のフェノール化合物とを反応させて得られる樹脂、又は２価のエポキシ化合物と２価のフェノール化合物とを反応させて得られる樹脂である。
【００５６】
フェノキシ樹脂を得る上記反応において、フェノキシ樹脂の原料となるエポキシ基を有する化合物にかえて該エポキシ基を有する化合物のエポキシ基をチイラン基に変換したチイラン基を有する化合物を用いることにより、チイラン基を有するフェノキシ樹脂を得ることができる。さらに、エポキシ基を有するフェノキシ樹脂を用意し、該エポキシ基を有するフェノキシ樹脂のエポキシ基をチイラン基に変換することによっても、チイラン基を有するフェノキシ樹脂を得ることができる。
【００５７】
上記エポキシ化合物は特に限定されない。エポキシ化合物として、従来公知のエポキシ化合物を使用できる。上記エポキシ化合物は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００５８】
上記エポキシ化合物としては、エポキシ基を有するフェノキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ナフトールアラルキル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、アダマンタン骨格を有するエポキシ樹脂、トリシクロデカン骨格を有するエポキシ樹脂、及びトリアジン核を骨格に有するエポキシ樹脂等が挙げられる。
【００５９】
上記エポキシ化合物の具体例としては、例えばエピクロルヒドリンと、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂又はビスフェノールＤ型エポキシ樹脂等とから誘導されるビスフェノール型エポキシ樹脂、並びにエピクロルヒドリンとフェノールノボラック又はクレゾールノボラックとから誘導されるエポキシノボラック樹脂が挙げられる。グリシジルアミン、グリシジルエステル、並びに脂環式又は複素環式等の１分子内に２個以上のオキシラン基を有する各種のエポキシ化合物を用いてもよい。
【００６０】
さらに、上記エポキシ化合物として、例えば、上記式（１−１）、（２−１）、（３）、（７）又は（８）で表される構造におけるチイラン基をエポキシ基に置き換えた構造を有するエポキシ化合物を用いてもよい。
【００６１】
さらに、上記異方性導電ペーストは、エポキシ化合物として、下記式（２１）で表される構造を有するエポキシ化合物の単量体、該エポキシ化合物が少なくとも２個結合された多量体、又は該単量体と該多量体との混合物を含んでいてもよい。
【００６２】
【化１１】
0005879105.tif 000012
【００６３】
上記式（２１）中、Ｒ１は炭素数１〜５のアルキレン基を表し、Ｒ２は炭素数１〜５のアルキレン基を表し、Ｒ３は水素原子、炭素数１〜５のアルキル基又は下記式（２２）で表される構造を表し、Ｒ４は水素原子、炭素数１〜５のアルキル基又は下記式（２３）で表される構造を表す。
【００６４】
【化１２】
0005879105.tif 000013
【００６５】
上記式（２２）中、Ｒ５は炭素数１〜５のアルキレン基を表す。
【００６６】
【化１３】
0005879105.tif 000014
【００６７】
上記式（２３）中、Ｒ６は炭素数１〜５のアルキレン基を表す。
【００６８】
上記式（２１）で表される構造を有するエポキシ化合物は、不飽和二重結合と、少なくとも２個のエポキシ基とを有することを特徴とする。上記式（２１）で表される構造を有するエポキシ化合物の使用により、Ｂステージ状硬化物をより一層低温で速やかに硬化させることができる。
【００６９】
上記異方性導電ペーストは、エポキシ化合物又はエピスルフィド化合物として、下記式（３１）で表される構造を有する化合物の単量体、該化合物が少なくとも２個結合された多量体、又は該単量体と該多量体との混合物を含んでいてもよい。
【００７０】
【化１４】
0005879105.tif 000015
【００７１】
上記式（３１）中、Ｒ１は水素原子もしくは炭素数１〜５のアルキル基又は下記式（３２）で表される構造を表し、Ｒ２は炭素数１〜５のアルキレン基を表し、Ｒ３は炭素数１〜５のアルキレン基を表し、Ｘ１は酸素原子又は硫黄原子を表し、Ｘ２は酸素原子又は硫黄原子を表す。
【００７２】
【化１５】
0005879105.tif 000016
【００７３】
上記式（３２）中、Ｒ４は炭素数１〜５のアルキレン基を表し、Ｘ３は酸素原子又は硫黄原子を表す。
【００７４】
上記異方性導電ペーストは、エポキシ化合物として、窒素原子を含む複素環を有するエポキシ化合物を含んでいてもよい。上記窒素原子を含む複素環を有するエポキシ化合物は、下記式（４１）で表されるエポキシ化合物、又は下記式（４２）で表されるエポキシ化合物であることが好ましい。このような化合物の使用により、Ｂステージ状硬化物の硬化速度をより一層速くし、硬化物の耐熱性をより一層高めることができる。
【００７５】
【化１６】
0005879105.tif 000017
【００７６】
上記式（４１）中、Ｒ１〜Ｒ３はそれぞれ炭素数１〜５のアルキレン基を表し、Ｚはエポキシ基又はヒドロキシメチル基を表す。Ｒ１〜Ｒ３は同一であってもよく、異なっていてもよい。
【００７７】
【化１７】
0005879105.tif 000018
【００７８】
上記式（４２）中、Ｒ１〜Ｒ３はそれぞれ炭素数１〜５のアルキレン基を示し、ｐ、ｑ及びｒはそれぞれ１〜５の整数を表し、Ｒ４〜Ｒ６はそれぞれ炭素数１〜５のアルキレン基を表す。Ｒ１〜Ｒ３は同一であってもよく、異なっていてもよい。ｐ、ｑ及びｒは同一であってもよく、異なっていてもよい。Ｒ４〜６は同一であってもよく、異なっていてもよい。
【００７９】
上記窒素原子を含む複素環を有するエポキシ化合物は、トリグリシジルイソシアヌレート、又はトリスヒドロキシエチルイソシアヌレートトリグリシジルエーテルであることが好ましい。これらの化合物の使用により、Ｂステージ状硬化物の硬化速度をさらに一層速くすることができる。
【００８０】
上記異方性導電ペーストは、エポキシ化合物として、芳香族環を有するエポキシ化合物を含むことが好ましい。芳香族環を有するエポキシ化合物の使用により、Ｂステージ状硬化物の硬化速度をより一層速くし、ペースト状の異方性導電ペーストを塗布しやすくすることができる。異方性導電ペーストの塗布性をより一層高める観点からは、上記芳香族環は、ベンゼン環、ナフタレン環又はアントラセン環であることが好ましい。上記芳香族環を有するエポキシ化合物としては、レゾルシノールジグリシジルエーテル又は１，６−ナフタレンジグリシジルエーテルが挙げられる。なかでも、レゾルシノールジグリシジルエーテルが特に好ましい。レゾルシノールジグリシジルエーテルの使用により、Ｂステージ状硬化物の硬化速度を速くし、ペースト状の異方性導電ペーストを塗布しやすくすることができる。
【００８１】
光硬化性化合物の詳細：
上記光硬化性化合物は、（メタ）アクリロイル基を有する光硬化性化合物であることが好ましい。上記（メタ）アクリロイル基を有する光硬化性化合物としては、エポキシ基及びチイラン基を有さず、かつ（メタ）アクリロイル基を有する光硬化性化合物、及びエポキシ基又はチイラン基を有し、かつ（メタ）アクリロイル基を有する光硬化性化合物が挙げられる。
【００８２】
上記（メタ）アクリロイル基を有する光硬化性化合物としては、（メタ）アクリル酸と水酸基を有する化合物とを反応させて得られるエステル化合物、（メタ）アクリル酸とエポキシ化合物とを反応させて得られるエポキシ（メタ）アクリレート、又はイソシアネートに水酸基を有する（メタ）アクリル酸誘導体を反応させて得られるウレタン（メタ）アクリレート等が好適に用いられる。上記「（メタ）アクリロイル基」は、アクリロイル基とメタクリロイル基とを示す。上記「（メタ）アクリル」は、アクリルとメタクリルとを示す。上記「（メタ）アクリレート」は、アクリレートとメタクリレートとを示す。
【００８３】
上記（メタ）アクリル酸と水酸基を有する化合物とを反応させて得られるエステル化合物は特に限定されない。該エステル化合物として、単官能のエステル化合物、２官能のエステル化合物及び３官能以上のエステル化合物のいずれも用いることができる。
【００８４】
上記エポキシ基又はチイラン基を有し、かつ（メタ）アクリロイル基を有する光硬化性化合物は、エポキシ基を２個以上又はチイラン基を２個以上有する化合物の一部のエポキシ基又は一部のチイラン基を、（メタ）アクリロイル基に変換することにより得られた光硬化性化合物であることが好ましい。このような光硬化性化合物は、部分（メタ）アクリレート化エポキシ化合物又は部分（メタ）アクリレート化エピスルフィド化合物である。
【００８５】
光硬化性化合物は、エポキシ基を２個以上又はチイラン基を２個以上有する化合物と、（メタ）アクリル酸との反応物であることが好ましい。この反応物は、エポキシ基を２個以上又はチイラン基を２個以上有する化合物と（メタ）アクリル酸とを、常法に従って塩基性触媒の存在下で反応することにより得られる。エポキシ基又はチイラン基の２０％以上が（メタ）アクリロイル基に変換（転化率）されていることが好ましい。該転化率は、より好ましくは３０％以上、好ましくは８０％以下、より好ましくは７０％以下である。エポキシ基又はチイラン基の４０％以上、６０％以下が（メタ）アクリロイル基に変換されていることが最も好ましい。
【００８６】
上記部分（メタ）アクリレート化エポキシ化合物としては、ビスフェノール型エポキシ（メタ）アクリレート、クレゾールノボラック型エポキシ（メタ）アクリレート、カルボン酸無水物変性エポキシ（メタ）アクリレート、及びフェノールノボラック型エポキシ（メタ）アクリレート等が挙げられる。
【００８７】
光硬化性化合物として、エポキシ基を２個以上又はチイラン基を２個以上有するフェノキシ樹脂の一部のエポキシ基又は一部のチイラン基を（メタ）アクリロイル基に変換した変性フェノキシ樹脂を用いてもよい。すなわち、エポキシ基又はチイラン基と（メタ）アクリロイル基とを有する変性フェノキシ樹脂を用いてもよい。
【００８８】
また、上記光硬化性化合物は、架橋性化合物であってもよく、非架橋性化合物であってもよい。
【００８９】
上記架橋性化合物の具体例としては、例えば、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、１，９−ノナンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、グリセリンメタクリレートアクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、（メタ）アクリル酸アリル、（メタ）アクリル酸ビニル、ジビニルベンゼン、ポリエステル（メタ）アクリレート、及びウレタン（メタ）アクリレート等が挙げられる。
【００９０】
上記非架橋性化合物の具体例としては、エチル（メタ）アクリレート、ｎ−プロピル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｔ−ブチル（メタ）アクリレート、ペンチル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、ヘプチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ｎ−オクチル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、ウンデシル（メタ）アクリレート、ドデシル（メタ）アクリレート、トリデシル（メタ）アクリレート、及びテトラデシル（メタ）アクリレート等が挙げられる。
【００９１】
熱硬化性をより一層高め、更に導通信頼性をより一層高める観点からは、上記光硬化性化合物のガラス転移温度は、圧着時の最高到達樹脂温度以下であることが好ましい。上記光硬化性化合物のガラス転移温度は、熱硬化性化合物の発熱反応開始温度よりも低いことがさらに好ましい。上記「最高到達樹脂温度」は、加熱圧着ヘッドで加熱圧着しているときに樹脂成分の温度が最も高くなる到達温度である。例えば、第１，第２の接続対象部材間に異方性導電ペーストを配置して、圧着した時に、異方性導電ペースト（Ｂステージ状硬化物）に含まれている樹脂成分が到達する最高温度が最高到達樹脂温度である。上記圧着により、Ｂステージ状硬化物は熱硬化される。
【００９２】
（熱硬化剤）
上記異方性導電ペーストは、熱硬化剤を含むことが好ましい。該熱硬化剤は特に限定されない。該熱硬化剤は、熱硬化性化合物を硬化させる。該熱硬化剤として、従来公知の熱硬化剤を用いることができる。該熱硬化剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００９３】
上記熱硬化剤としては、イミダゾール硬化剤、アミン硬化剤、フェノール硬化剤、ポリチオール硬化剤及び酸無水物等が挙げられる。なかでも、Ｂステージ状硬化物を低温でより一層速やかに硬化させることができるので、イミダゾール硬化剤、ポリチオール硬化剤又はアミン硬化剤が好ましい。また、上記熱硬化性化合物と上記熱硬化剤とを混合したときに保存安定性を高めることができるので、潜在性の硬化剤が好ましい。潜在性の硬化剤は、潜在性イミダゾール硬化剤、潜在性ポリチオール硬化剤又は潜在性アミン硬化剤であることが好ましい。これらの熱硬化剤は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。なお、上記熱硬化剤は、ポリウレタン樹脂又はポリエステル樹脂等の高分子物質で被覆されていてもよい。
【００９４】
上記イミダゾール硬化剤としては、特に限定されないが、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテート、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン及び２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物等が挙げられる。
【００９５】
上記ポリチオール硬化剤としては、特に限定されないが、トリメチロールプロパン  トリス−３−メルカプトプロピオネート、ペンタエリスリトール  テトラキス−３−メルカプトプロピオネート及びジペンタエリスリトール  ヘキサ−３−メルカプトプロピオネート等が挙げられる。
【００９６】
上記アミン硬化剤としては、特に限定されないが、ヘキサメチレンジアミン、オクタメチレンジアミン、デカメチレンジアミン、３，９−ビス（３−アミノプロピル）２，４，８，１０−テトラスピロ［５．５］ウンデカン、ビス（４−アミノシクロヘキシル）メタン、メタフェニレンジアミン及びジアミノジフェニルスルホン等が挙げられる。
【００９７】
上記熱硬化剤の中でもポリチオール化合物又は酸無水物等が好ましく用いられる。Ｂステージ状硬化物の硬化速度をより一層速くできるので、ポリチオール化合物がより好ましく用いられる。
【００９８】
上記ポリチオール化合物の中でもペンタエリスリトール  テトラキス−３−メルカプトプロピオネートがより好ましい。このポリチオール化合物の使用により、Ｂステージ状硬化物の硬化速度がより一層速くなる。
【００９９】
上記熱硬化剤の含有量は特に限定されない。熱硬化性化合物１００重量部に対して、熱硬化剤の含有量は、好ましくは０．０１重量部以上、より好ましくは１重量部以上、好ましくは２００重量部以下、より好ましくは１００重量部以下、更に好ましくは７５重量部以下である。熱硬化剤の含有量が上記下限以上であると、異方性導電ペーストを充分に硬化させることが容易である。熱硬化剤の含有量が上記上限以下であると、硬化後に硬化に関与しなかった余剰の熱硬化剤が残存し難くなり、かつ硬化物の耐熱性がより一層高くなる。
【０１００】
（光重合開始剤）
上記異方性導電ペーストは、光重合開始剤を含むことが好ましい。該光重合開始剤は特に限定されない。該光重合開始剤は、光硬化性化合物を重合させる。該光重合開始剤として、従来公知の光重合開始剤を用いることができる。該光重合開始剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１０１】
上記光重合開始剤の具体例としては、アセトフェノン光重合開始剤、ベンゾフェノン光重合開始剤、チオキサントン、ケタール光重合開始剤、ハロゲン化ケトン、アシルホスフィノキシド及びアシルホスフォナート等が挙げられる。
【０１０２】
上記アセトフェノン光重合開始剤の具体例としては、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、及び２−ヒドロキシ−２−シクロヘキシルアセトフェノン等が挙げられる。上記ケタール光重合開始剤の具体例としては、ベンジルジメチルケタール等が挙げられる。
【０１０３】
上記光重合開始剤の含有量は特に限定されない。光硬化性化合物１００重量部に対して、上記光重合開始剤の含有量は、好ましくは０．１重量部以上、より好ましくは０．２重量部以上、更に好ましくは２重量部以上、好ましくは１０重量部以下、より好ましくは５重量部以下である。光重合開始剤の含有量が上記下限以上であると、光重合開始剤を添加した効果を充分に得ることが容易である。光重合開始剤の含有量が上記上限以下であると、異方性導電ペーストを硬化させた硬化物の接着力が充分に高くなる。
【０１０４】
（フィラー）
本発明に係る異方性導電ペーストは、熱伝導率が２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であるフィラーを含む。このフィラーの使用により、Ｂステージ状硬化物に熱を付与したときに、Ｂステージ状硬化物中において熱が付与された部分から熱が他の部分に効果的に伝わる。このため、Ｂステージ状硬化物を速やかに硬化させることができ、均一な硬化物を得ることができる。また、フィラーの使用により、硬化物の潜熱膨張を抑制できる。フィラーは、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１０５】
上記フィラーの熱伝導率が２０Ｗ／ｍ・Ｋよりも小さいと、Ｂステージ状硬化物における熱伝導性を充分に高めることは困難である。フィラーの熱伝導率は、好ましくは５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、より好ましくは１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上である。フィラーの熱伝導率は５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることが特に好ましい。フィラーの熱伝導率の上限は特に限定されない。熱伝導率３００Ｗ／ｍ・Ｋ程度の無機フィラーは広く知られており、また熱伝導率２００Ｗ／ｍ・Ｋ程度の無機フィラーは容易に入手できる。
【０１０６】
Ｂステージ状硬化物における熱伝導性をより一層高める観点からは、フィラーは、無機フィラーであることが好ましい。上記フィラーは、アルミナ、合成マグネサイト、結晶性シリカ、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸化亜鉛及び酸化マグネシウムからなる群から選択された少なくとも１種であることがより好ましい。これらの好ましいフィラーの使用により、Ｂステージ状硬化物における熱伝導性がより一層高くなる。
【０１０７】
上記フィラーは、球状アルミナ、破砕アルミナ、球状窒化ケイ素、球状炭化ケイ素及び球状窒化アルミニウムからなる群から選択された少なくとも１種であることがより好ましく、球状アルミナ又は球状窒化アルミニウムであることがさらに好ましい。これらの好ましいフィラーの使用により、Ｂステージ状硬化物における熱伝導性がより一層高くなる。
【０１０８】
上記フィラーは球状のフィラーであってもよく、破砕されたフィラーであってもよい。上記フィラーは、球状であることが特に好ましい。球状フィラーの場合には、高密度で充填可能であるため、Ｂステージ状硬化物における熱伝導性がより一層高くなる。
【０１０９】
熱硬化性をより一層高め、更に導通信頼性をより一層高める観点からは、上記フィラーの粒子径は、０．０５μｍ以上であることが好ましく、上記導電性粒子の平均粒子径の１／２以下であることが好ましい。上記フィラーの粒子径は１μｍ以上であることが好ましい。
【０１１０】
上記破砕されたフィラーとしては、破砕アルミナ等が挙げられる。破砕されたフィラーは、例えば、一軸破砕機、二軸破砕機、ハンマークラッシャー又はボールミル等を用いて、塊状の無機物質を破砕することにより得られる。破砕されたフィラーの使用により、Ｂステージ状硬化物中のフィラーが、橋掛け又は効率的に近接された構造となりやすい。従って、Ｂステージ状硬化物の熱伝導性がより一層高くなる。また、破砕されたフィラーは、一般的に、通常のフィラーに比べて安価である。このため、破砕されたフィラーの使用により、異方性導電ペーストのコストを低減できる。
【０１１１】
破砕されたフィラーの平均粒子径は、１μｍ以下であることが好ましい。平均粒子径が１μｍ以下であると、異方性導電ペースト中に、破砕されたフィラーを高密度に分散させることが容易になる。破砕されたフィラーの平均粒子径は、より好ましくは０．５μｍ以下、好ましくは０．１μｍ以上である。破砕されたフィラーの平均粒子径が上記上限以下であると、破砕されたフィラーを高密度に充填させることが容易である。
【０１１２】
破砕されたフィラーのアスペクト比は、特に限定されない。破砕されたフィラーのアスペクト比は、１．５以上、２０以下であることが好ましい。アスペクト比が１．５未満のフィラーは、比較的高価である。従って、異方性導電ペーストのコストが高くなる。上記アスペクト比が２０以下であると、破砕されたフィラーの充填が容易である。
【０１１３】
破砕されたフィラーの最長径は、導電性粒子の平均粒子径の１／２以下であることが好ましい。破砕されたフィラーの最長径が上記上限以下であると、硬化物のギャップ精度がよくなり、接続信頼性も高くなる。
【０１１４】
破砕されたフィラーのアスペクト比は、例えば、デジタル画像解析方式粒度分布測定装置（商品名：ＦＰＡ、日本ルフト社製）を用いて、フィラーの破砕面を測定することにより求めることができる。
【０１１５】
上記フィラーが球状のフィラーである場合には、球状のフィラーの平均粒子径は、０．１μｍ以上、２μｍ以下であることが好ましい。平均粒子径が０．１μｍ以上であると、フィラーを高密度で容易に充填できる。平均粒子径が２μｍ以下であると、硬化物の絶縁特性がより一層高くなる。
【０１１６】
フィラーの最大径は導電性粒子の平均粒子径の１／２以下であることが好ましい。上記フィラーの最大径が上記上限以下であると、硬化物のギャップ精度がよくなり、接続信頼性も高くなる。
【０１１７】
上記「平均粒子径」とは、レーザー回折式粒度分布測定装置により測定した体積平均での粒度分布測定結果から求められる平均粒子径である。
【０１１８】
異方性導電ペースト１００重量％中、上記フィラーの含有量は０．１重量％以上、５０重量％以下であることが好ましい。フィラーの含有量が上記範囲内であると、Ｂステージ状硬化物における熱伝導性がより一層高くなる。Ｂステージ状硬化物における熱伝導性をより一層高める観点からは、異方性導電ペースト１００重量％中のフィラーの含有量は、より好ましくは１重量％以上、より好ましくは２５重量％以下である。フィラーの含有量が上記下限以上であると、Ｂステージ状硬化物における熱伝導性がより一層高くなる。フィラーの含有量が上記上限以下であると、接続構造体における導通信頼性がより一層高くなる。
【０１１９】
Ｂステージ状硬化物における熱伝導性が顕著に高くなるので、異方性導電ペースト１００重量％中、熱伝導率が１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上であるフィラーの含有量は、好ましくは０．５重量％以上、より好ましくは１重量％以上、好ましくは２０重量％以下、より好ましくは１０重量％以下である。
【０１２０】
フィラーの比熱は１以下であることが好ましく、０．８以下であることがさらに好ましい。これによりフィラー自身の温度上昇に使われる熱量が減少するため、Ｂステージ状硬化物における熱伝導性が更に一層高くなる。
【０１２１】
（導電性粒子）
上記異方性導電ペーストに含まれている導電性粒子は、第１，第２の接続対象部材の電極間を電気的に接続する。上記導電性粒子は、導電性を有する粒子であれば特に限定されない。導電性粒子の導電層の表面が絶縁層により被覆されていてもよい。この場合には、接続対象部材の接続時に、導電層と電極との間の絶縁層が排除される。上記導電性粒子としては、例えば、有機粒子、無機粒子、有機無機ハイブリッド粒子もしくは金属粒子等の表面を金属層で被覆した導電性粒子、又は実質的に金属のみで構成される金属粒子等が挙げられる。上記金属層は特に限定されない。上記金属層としては、金層、銀層、銅層、ニッケル層、パラジウム層又は錫を含有する金属層等が挙げられる。
【０１２２】
電極と導電性粒子との接触面積を大きくし、電極間の導通信頼性をより一層高める観点からは、上記導電性粒子は、樹脂粒子と、該樹脂粒子の表面上に配置された導電層とを有することが好ましい。電極間の導通信頼性をより一層高める観点からは、上記導電性粒子は、少なくとも外側の表面が低融点金属層である導電性粒子であることが好ましい。上記導電性粒子は、樹脂粒子と、該樹脂粒子の表面上に配置された導電層とを有し、該導電層の少なくとも外側の表面が、低融点金属層であることがより好ましい。
【０１２３】
上記低融点金属層は、低融点金属を含む層である。該低融点金属とは、融点が４５０℃以下の金属を示す。低融点金属の融点は好ましくは３００℃以下、より好ましくは１６０℃以下である。また、上記低融点金属層は錫を含むことが好ましい。低融点金属層に含まれる金属１００重量％中、錫の含有量は好ましくは３０重量％以上、より好ましくは４０重量％以上、更に好ましくは７０重量％以上、特に好ましくは９０重量％以上である。上記錫の含有量が上記下限以上であると、低融点金属層と電極との接続信頼性がより一層高くなる。なお、上記錫の含有量は、高周波誘導結合プラズマ発光分光分析装置（堀場製作所社製「ＩＣＰ−ＡＥＳ」）、又は蛍光Ｘ線分析装置（島津製作所社製「ＥＤＸ−８００ＨＳ」）等を用いて測定可能である。
【０１２４】
導電層の外側の表面が低融点金属層である場合には、低融点金属層が溶融して電極に接合し、低融点金属層が電極間を導通させる。例えば、低融点金属層と電極とが点接触ではなく面接触しやすいため、接続抵抗が低くなる。また、少なくとも外側の表面が低融点金属層である導電性粒子の使用により、低融点金属層と電極との接合強度とが高くなる結果、低融点金属層と電極との剥離がより一層生じ難くなり、導通信頼性が効果的に高くなる。
【０１２５】
上記低融点金属層を構成する低融点金属は特に限定されない。該低融点金属は、錫、又は錫を含む合金であることが好ましい。該合金は、錫−銀合金、錫−銅合金、錫−銀−銅合金、錫−ビスマス合金、錫−亜鉛合金、錫−インジウム合金等が挙げられる。なかでも、電極に対する濡れ性に優れることから、上記低融点金属は、錫、錫−銀合金、錫−銀−銅合金、錫−ビスマス合金、錫−インジウム合金であることが好ましい。錫−ビスマス合金、錫−インジウム合金であることがより好ましい。
【０１２６】
また、上記低融点金属層は、はんだ層であることが好ましい。上記はんだ層を構成する材料は特に限定されないが、ＪＩＳ  Ｚ３００１：溶剤用語に基づき、液相線が４５０℃以下である溶可材であることが好ましい。上記はんだ層の組成としては、例えば亜鉛、金、鉛、銅、錫、ビスマス、インジウムなどを含む金属組成が挙げられる。なかでも低融点で鉛フリーである錫−インジウム系（１１７℃共晶）、又は錫−ビスマス系（１３９℃共晶）が好ましい。すなわち、はんだ層は、鉛を含まないことが好ましく、錫とインジウムとを含むはんだ層、又は錫とビスマスとを含むはんだ層であることが好ましい。
【０１２７】
上記低融点金属層と電極との接合強度をより一層高めるために、上記低融点金属層は、ニッケル、銅、アンチモン、アルミニウム、亜鉛、鉄、金、チタン、リン、ゲルマニウム、テルル、コバルト、ビスマス、マンガン、クロム、モリブデン、パラジウム等の金属を含んでいてもよい。低融点金属と電極との接合強度をさらに一層高める観点からは、上記低融点金属は、ニッケル、銅、アンチモン、アルミニウム又は亜鉛を含むことが好ましい。低融点金属層と電極との接合強度をより一層高める観点からは、接合強度を高めるためのこれらの金属の含有量は、低融点金属層１００重量％中、好ましくは０．０００１重量％以上、好ましくは１重量％以下である。
【０１２８】
上記導電性粒子は、樹脂粒子と、該樹脂粒子の表面上に配置された導電層とを有し、該導電層の外側の表面が低融点金属層であり、上記樹脂粒子と上記低融点金属層（はんだ層など）との間に、上記低融点金属層とは別に第２の導電層を有することが好ましい。この場合に、上記低融点金属層は上記導電層全体の一部であり、上記第２の導電層は上記導電層全体の一部である。
【０１２９】
上記低融点金属層とは別の上記第２の導電層は、金属を含むことが好ましい。該第２の導電層を構成する金属は、特に限定されない。該金属としては、例えば、金、銀、銅、白金、パラジウム、亜鉛、鉛、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、ゲルマニウム及びカドミウム、並びにこれらの合金等が挙げられる。また、上記金属として、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）を用いてもよい。上記金属は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１３０】
上記第２の導電層は、ニッケル層、パラジウム層、銅層又は金層であることが好ましく、ニッケル層又は金層であることがより好ましく、銅層であることが更に好ましい。導電性粒子は、ニッケル層、パラジウム層、銅層又は金層を有することが好ましく、ニッケル層又は金層を有することがより好ましく、銅層を有することが更に好ましい。これらの好ましい導電層を有する導電性粒子を電極間の接続に用いることにより、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。また、これらの好ましい導電層の表面には、低融点金属層をより一層容易に形成できる。なお、上記第２の導電層は、はんだ層などの低融点金属層であってもよい。導電性粒子は、複数層の低融点金属層を有していてもよい。
【０１３１】
上記低融点金属層の厚みは、好ましくは０．１μｍ以上、より好ましくは０．５μｍ以上、更に好ましくは１μｍ以上、好ましくは５０μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以下、更に好ましくは５μｍ以下、特に好ましくは３μｍ以下である。上記低融点金属層の厚みが上記下限以上であると、導電性が十分に高くなる。上記低融点金属層の厚みが上記上限以下であると、樹脂粒子と低融点金属層との熱膨張率の差が小さくなり、低融点金属層の剥離が生じ難くなる。
【０１３２】
導電層が低融点金属層以外の導電層である場合、又は導電層が多層構造を有する場合には、導電層の全体厚みは、好ましくは０．１μｍ以上、より好ましくは０．５μｍ以上、更に好ましくは１μｍ以上、好ましくは５０μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以下、更に好ましくは５μｍ以下、特に好ましくは３μｍ以下である。
【０１３３】
導電性粒子の粒子径は、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは２０μｍ未満、更に好ましくは１５μｍ以下、特に好ましくは１０μｍ以下である。導電性粒子の粒子径は、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上である。
【０１３４】
異方性導電ペーストにおける導電性粒子に適した大きさであり、かつ電極間の間隔をより一層小さくすることができるので、導電性粒子の平均粒子径は、１μｍ〜１００μｍの範囲内であることが特に好ましい。
【０１３５】
上記樹脂粒子は、実装する基板の電極サイズ又はランド径によって使い分けることができる。
【０１３６】
上下の電極間をより一層確実に接続し、かつ横方向に隣接する電極間の短絡をより一層抑制する観点からは、導電性粒子の平均粒子径Ｃの樹脂粒子の平均粒子径Ａに対する比（Ｃ／Ａ）は、１．０を超え、好ましくは３．０以下である。また、上記樹脂粒子と上記はんだ層との間に上記第１の導電層がある場合に、はんだ層を除く導電性粒子部分の平均粒子径Ｂに対する樹脂粒子の平均粒子径Ａに対する比（Ｂ／Ａ）は、１．０を超え、好ましくは２．０以下である。さらに、上記樹脂粒子と上記はんだ層との間に上記第１の導電層がある場合に、はんだ層を含む導電性粒子の平均粒子径Ｃのはんだ層を除く導電性粒子部分の平均粒子径Ｂに対する比（Ｃ／Ｂ）は、１．０を超え、好ましくは２．０以下である。上記比（Ｂ／Ａ）が上記範囲内であったり、上記比（Ｃ／Ｂ）が上記範囲内であったりすると、上下の電極間をより一層確実に接続し、かつ横方向に隣接する電極間の短絡をより一層抑制できる。
【０１３７】
ＦＯＢ及びＦＯＦ用途向け異方性導電ペースト：
上記異方性導電ペーストは、フレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続（ＦＯＢ（Ｆｉｌｍ  ｏｎ  Ｂｏａｒｄ））との接続、又はフレキシブルプリント基板とフレキシブルプリント基板との接続（ＦＯＦ（Ｆｉｌｍ  ｏｎ  Ｆｉｌｍ））に好適に用いられる。
【０１３８】
ＦＯＢ及びＦＯＦ用途では、電極がある部分（ライン）と電極がない部分（スペース）との寸法であるＬ＆Ｓは、一般に１００〜５００μｍである。ＦＯＢ及びＦＯＦ用途で用いる樹脂粒子の平均粒子径は１０〜１００μｍであることが好ましい。樹脂粒子の平均粒子径が１０μｍ以上であると、電極間に配置される異方性導電ペースト及び接続部の厚みが十分に厚くなり、接着力がより一層高くなる。樹脂粒子の平均粒子径が１００μｍ以下であると、隣接する電極間で短絡がより一層生じ難くなる。
【０１３９】
フリップチップ用途向け異方性導電ペースト：
上記異方性導電ペーストは、フリップチップ用途に好適に用いられる。
【０１４０】
フリップチップ用途では、一般にランド径が１５〜８０μｍである。フリップチップ用途で用いる樹脂粒子の平均粒子径は１〜１５μｍであることが好ましい。樹脂粒子の平均粒子径が１μｍ以上であると、該樹脂粒子の表面上に配置されるはんだ層の厚みを十分に厚くすることができ、電極間をより一層確実に電気的に接続することができる。樹脂粒子の平均粒子径が１０μｍ以下であると、隣接する電極間で短絡がより一層生じ難くなる。
【０１４１】
ＣＯＦ向け異方性導電ペースト：
上記異方性導電ペーストは、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続（ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｆｉｌｍ））に好適に用いられる。
【０１４２】
ＣＯＦ用途では、電極がある部分（ライン）と電極がない部分（スペース）との寸法であるＬ＆Ｓは、一般に１０〜５０μｍである。ＣＯＦ用途で用いる樹脂粒子の平均粒子径は１〜１０μｍであることが好ましい。樹脂粒子の平均粒子径が１μｍ以上であると、該樹脂粒子の表面上に配置されるはんだ層の厚みを十分に厚くすることができ、電極間をより一層確実に電気的に接続することができる。樹脂粒子の平均粒子径が１０μｍ以下であると、隣接する電極間で短絡がより一層生じ難くなる。
【０１４３】
上記導電性粒子の「平均粒子径」は、数平均粒子径を示す。導電性粒子の平均粒子径は、任意の導電性粒子５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することにより求められる。
【０１４４】
導電性粒子の表面は、絶縁性材料、絶縁性粒子、フラックス等により絶縁処理されていてもよい。絶縁性材料、絶縁性粒子、フラックス等は、接続時の熱により軟化、流動することで接続部から排除されることが好ましい。これにより、電極間での短絡を抑制することができる。
【０１４５】
上記導電性粒子の含有量は特に限定されない。異方性導電ペースト１００重量％中、上記導電性粒子の含有量は、好ましくは０．１重量％以上、より好ましくは０．５重量％以上、好ましくは４０重量％以下、より好ましくは２０重量％以下、更に好ましくは１０重量％以下である。上記導電性粒子の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、接続されるべき上下の電極間に導電性粒子を容易に配置できる。さらに、接続されてはならない隣接する電極間が複数の導電性粒子を介して電気的に接続され難くなる。すなわち、隣り合う電極間の短絡をより一層防止できる。
【０１４６】
（他の成分）
上記異方性導電ペーストは、硬化促進剤をさらに含むことが好ましい。硬化促進剤の使用により、Ｂステージ状硬化物の硬化速度をより一層速くすることができる。硬化促進剤は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１４７】
上記硬化促進剤の具体例としては、イミダゾール硬化促進剤及びアミン硬化促進剤等が挙げられる。なかでも、イミダゾール硬化促進剤が好ましい。なお、イミダゾール硬化促進剤又はアミン硬化促進剤は、イミダゾール硬化剤又はアミン硬化剤としても用いることができる。
【０１４８】
上記イミダゾール硬化促進剤としては、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテート、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン及び２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物等が挙げられる。
【０１４９】
上記熱硬化化合物１００重量部に対して、上記硬化促進剤の含有量は、好ましくは０．５重量部以上、より好ましくは１重量部以上、好ましくは６重量部以下、より好ましくは４重量部以下である。硬化促進剤の含有量が上記下限以上であると、Ｂステージ状硬化物を充分に硬化させることが容易である。硬化促進剤の含有量が上記上限以下であると、硬化後に硬化に関与しなかった余剰の硬化促進剤が残存し難くなる。
【０１５０】
上記異方性導電ペーストは、エピスルフィド化合物とともに、フェノール性化合物をさらに含むことが好ましい。上記エピスルフィド化合物と熱硬化剤とフェノール性化合物との併用により、異方性導電ペーストの保管時にチイラン基がより一層開環し難くなる。また、電極間に導電性粒子を含む異方性導電ペーストを配置して導電性粒子を適度に圧縮したときに、電極に適度な圧痕を形成できる。従って、電極間の接続抵抗を低くすることができる。
【０１５１】
上記フェノール性化合物は、ベンゼン環に水酸基が結合したフェノール性水酸基を有する。上記フェノール性化合物としては、ポリフェノール、トリオール、ハイドロキノン、及びトコフェロール（ビタミンＥ）等が挙げられる。上記フェノール性化合物は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１５２】
上記異方性導電ペーストは、溶剤を含んでいてもよい。該溶剤の使用により、異方性導電ペーストの粘度を容易に調整できる。上記溶剤としては、例えば、酢酸エチル、メチルセロソルブ、トルエン、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサン、ｎ−ヘキサン、テトラヒドロフラン及びジエチルエーテル等が挙げられる。
【０１５３】
上記異方性導電ペーストは、貯蔵安定剤をさらに含むことが好ましい。上記異方性導電ペーストは、上記貯蔵安定剤として、リン酸エステル、亜リン酸エステル及びホウ酸エステルからなる群から選択された少なくとも一種を含むことが好ましく、リン酸エステル及び亜リン酸エステルの内の少なくとも一種を含むことがより好ましく、亜リン酸エステルを含むことが更に好ましい。これらの貯蔵安定剤の使用により、特に亜リン酸エステルの使用により、上記エピスルフィド化合物の保存安定性をより一層高めることができる。上記貯蔵安定剤は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１５４】
上記リン酸エステルとしては、ジエチルベンジルホスフェート等が挙げられる。上記亜リン酸エステルとしては、ジフェニルモノ（２−エチルヘキシル）ホスファイト、ジフェニルモノデシルホスファイト又はジフェニルモノ（トリデシル）ホスファイトが好ましく、ジフェニルモノデシルホスファイト及びジフェニルモノ（トリデシル）ホスファイト等が挙げられる。
【０１５５】
上記異方性導電ペーストは、アスコルビン酸、アスコルビン酸の誘導体、アスコルビン酸の塩、イソアスコルビン酸、イソアスコルビン酸の誘導体及びイソアスコルビン酸の塩からなる群から選択された少なくとも１種の成分を含んでいてもよい。これらの成分の配合により、異方性導電ペーストの保存安定性が高くなる。
【０１５６】
上記異方性導電ペーストは、必要に応じて、イオン捕捉剤又はシランカップリング剤をさらに含んでいてもよい。
【０１５７】
（異方性導電ペーストの詳細及び用途）
本発明に係る異方性導電ペーストの硬化後の硬化物の熱伝導率が１．０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることが好ましい。上記硬化物は、光及び熱硬化後の硬化物である。光及び熱硬化後の硬化物の熱伝導率は、光硬化後かつ熱硬化前のＢステージ状硬化物の熱伝導率と相関がある。上記硬化物の熱伝導率は、より好ましくは２．０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である。
【０１５８】
本発明に係る異方性導電ペーストの２５℃での粘度は、好ましくは２００００ｍＰａ・ｓ以上、好ましくは３０００００ｍＰａ・ｓ以下、より好ましくは１０００００ｍＰａ・ｓ以下である。上記粘度が上記下限以上であると、異方性導電ペースト中での導電性粒子の沈降を抑制できる。上記粘度が上記上限以下であると、導電性粒子の分散がより一層高くなる。塗布前の上記異方性導電ペーストの上記粘度が上記範囲内であれば、第１の接続対象部材上に異方性導電ペーストを塗布した後に、硬化前の異方性導電ペーストの流動をより一層抑制できる。なお、ペースト状には液状も含まれる。
【０１５９】
本発明に係る異方性導電ペーストは、様々な接続対象部材を接着するために使用できる。上記異方性導電ペーストは、第１，第２の接続対象部材が電気的に接続されている接続構造体を得るために好適に用いられる。
【０１６０】
図１に、本発明の一実施形態に係る異方性導電ペーストを用いて得られた接続構造体の一例を模式的に部分切欠正面断面図で示す。
【０１６１】
図１に示す接続構造体１は、第１の接続対象部材２の上面２ａに、硬化物層３を介して、第２の接続対象部材４が接続された構造を有する。硬化物層３は複数の導電性粒子５を含む異方性導電ペーストを硬化させることにより形成されている。第１の接続対象部材２の上面２ａには、複数の電極２ｂが設けられている。第２の接続対象部材４の下面４ａには、複数の電極４ｂが設けられている。電極２ｂと電極４ｂとが、１つ又は複数の導電性粒子５により電気的に接続されている。
【０１６２】
接続構造体１では、第１の接続対象部材２としてガラス基板が用いられており、第２の接続対象部材４として半導体チップが用いられている。第１，第２の接続対象部材２，４は、特に限定されない。第１，第２の接続対象部材２，４としては、具体的には、半導体チップ、コンデンサ及びダイオード等の電子部品、並びにプリント基板、フレキシブルプリント基板及びガラス基板等の回路基板等が挙げられる。
【０１６３】
図１に示す接続構造体１は、例えば、図２（ａ）〜（ｃ）に示す状態を経て、以下のようにして得ることができる。
【０１６４】
図２（ａ）に示すように、電極２ｂを上面２ａに有する第１の接続対象部材２を用意する。次に、第１の接続対象部材２の上面２ａに、複数の導電性粒子５を含む異方性導電ペーストを塗布し、第１の接続対象部材２の上面２ａに異方性導電ペースト層３Ａを形成する。このとき、電極２ｂ上に、１つ又は複数の導電性粒子５が配置されていることが好ましい。
【０１６５】
次に、異方性導電ペースト層３Ａに光を照射することにより、異方性導電ペースト層３Ａの硬化を進行させる。異方性導電ペースト層３Ａの硬化を進行させて、異方性導電ペースト層３ＡをＢステージ化する。図２（ｂ）に示すように、第１の接続対象部材２の上面２ａに、Ｂステージ化されたＢステージ状硬化物層３Ｂを形成する。Ｂステージ化により、第１の接続対象部材２とＢステージ状硬化物層３Ｂとが仮接着される。Ｂステージ状硬化物層３Ｂは、半硬化状態にある半硬化物である。Ｂステージ状硬化物層は、完全に硬化しておらず、熱硬化がさらに進行され得る。
【０１６６】
第１の接続対象部材２の上面２ａに、異方性導電ペーストを塗布しながら、異方性導電ペースト層３Ａに光を照射することが好ましい。さらに、第１の接続対象部材２の上面２ａへの異方性導電ペーストの塗布と同時に、又は塗布の直後に、異方性導電ペースト層３Ａに光を照射することも好ましい。塗布及び光の照射が上記のように行われた場合には、異方性導電ペースト層の流動をより一層抑制できる。このため、得られる接続構造体１の導通信頼性をより一層高めることができる。第１の接続対象部材２の上面２ａに異方性導電ペーストを塗布してから光を照射するまでの時間は、０〜３秒の範囲内であることが好ましく、０〜２秒の範囲内であることがより好ましい。
【０１６７】
異方性導電ペースト層３Ａの硬化を適度に進行させるために、光を照射する際の光の照射エネルギーは５０〜２００ｍＪ／ｃｍ２の範囲内であることが好ましい。光を照射する際に用いる光源は特に限定されない。該光源としては、例えば、波長４２０ｎｍ以下に充分な発光分布を有する光源等が挙げられる。また、光源の具体例としては、例えば、低圧水銀灯、中圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、ケミカルランプ、ブラックライトランプ、マイクロウェーブ励起水銀灯、及びメタルハライドランプ等が挙げられる。
【０１６８】
次に、図２（ｃ）に示すように、Ｂステージ状硬化物層３Ｂの上面３ａに、第２の接続対象部材４を積層する。第１の接続対象部材２の上面２ａの電極２ｂと、第２の接続対象部材４の下面４ａの電極４ｂとが対向するように、第２の接続対象部材４を積層する。
【０１６９】
さらに、第２の接続対象部材４の積層の際に、Ｂステージ状硬化物層３Ｂに熱を付与（加熱）することにより、Ｂステージ状硬化物層３Ｂをさらに硬化させ、硬化物層３を形成する。ただし、第２の接続対象部材４の積層の前に、Ｂステージ状硬化物層３Ｂに熱を付与してもよい。さらに、第２の接続対象部材４の積層の後にＢステージ状硬化物層３Ｂに熱を付与してもよい。
【０１７０】
第１の接続対象部材２の下面又は第２の接続対象部材４の上面からＢステージ状硬化物層３Ｂに熱を付与することが好ましい。このとき、Ｂステージ状硬化物層３Ｂにおける熱伝導性が高いので、第１の接続対象部材２の下面からＢステージ状硬化物層３Ｂに熱を付与する場合に、第２の接続対象部材４の上面から熱を付与しなくてもよく、Ｂステージ状硬化物層３Ｂにおいて下部から上部にかけて熱を十分にかつ速やかに伝わらせることができる。第２の接続対象部材４の上面からＢステージ状硬化物層３Ｂに熱を付与する場合に、第１の接続対象部材２の下面から熱を付与しなくてもよく、Ｂステージ状硬化物層３Ｂにおいて下部から上部にかけて熱を十分にかつ速やかに伝わらせることができる。
【０１７１】
熱の付与によりＢステージ状硬化物層３Ｂを硬化させる際の加熱温度は、好ましくは１６０℃以上、好ましくは２５０℃以下、より好ましくは２００℃以下である。
【０１７２】
Ｂステージ状硬化物層３Ｂを硬化させる際に、加圧することが好ましい。加圧によって電極２ｂと電極４ｂとで導電性粒子５を圧縮することにより、電極２ｂ，４ｂと導電性粒子５との接触面積を大きくすることができる。このため、導通信頼性を高めることができる。
【０１７３】
Ｂステージ状硬化物層３Ｂを硬化させることにより、第１の接続対象部材２と第２の接続対象部材４とが、硬化物層３を介して接続される。また、電極２ｂと電極４ｂとが、導電性粒子５を介して電気的に接続される。このようにして、異方性導電ペーストを用いた図１に示す接続構造体１を得ることができる。ここでは、光硬化と熱硬化とが併用されているため、異方性導電ペーストを短時間で硬化させることができる。しかも、異方性導電ペーストが上記組成を有するので、Ｂステージ状硬化物層を速やかに硬化させることができる。
【０１７４】
以下、本発明について、実施例および比較例を挙げて具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。
【０１７５】
以下のフィラーを用意した。
【０１７６】
［フィラーの種類］
熱伝導率が２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であるフィラー：
（１）窒化アルミニウム（平均粒子径１００ｎｍ未満、熱伝導率２００Ｗ／ｍ・Ｋ）
（２）窒化ケイ素（平均粒子径５０ｎｍ未満、熱伝導率４５Ｗ／ｍ・Ｋ）
（３）炭化ケイ素（平均粒子径１００ｎｍ未満、熱伝導率１２５Ｗ／ｍ・Ｋ）
（４）窒化アルミニウム（トクヤマ社製、平均粒子径０．６μｍ、熱伝導率２００Ｗ／ｍ・Ｋ）
（５）破砕アルミナ（日本軽金属社製、平均粒子径２μｍ、熱伝導率３６Ｗ／ｍ・Ｋ）
（６）酸化マグネシウム（堺化学工業社製、平均粒子径１．１μｍ、熱伝導率３５Ｗ／ｍ・Ｋ）
熱伝導率が２０Ｗ／ｍ・Ｋ未満であるフィラー：
（Ａ）シリカ（平均粒子径０．２５μｍ、熱伝導率１２Ｗ／ｍ・Ｋ）
【０１７７】
（実施例１）
（１）エピスルフィド化合物含有混合物の調製
攪拌機、冷却機及び温度計を備えた２Ｌの容器内に、エタノール２５０ｍＬと、純水２５０ｍＬと、チオシアン酸カリウム２０ｇとを加え、チオシアン酸カリウムを溶解させ、第１の溶液を調製した。その後、容器内の温度を２０〜２５℃の範囲内に保持した。次に、２０〜２５℃に保持された容器内の第１の溶液を攪拌しながら、該第１の溶液中に、レゾルシノールジグリシジルエーテル１６０ｇを５ｍＬ／分の速度で滴下した。滴下後、３０分間さらに攪拌し、エポキシ化合物含有混合液を得た。
【０１７８】
次に、純水１００ｍＬと、エタノール１００ｍＬとを含む溶液に、チオシアン酸カリウム２０ｇを溶解させた第２の溶液を用意した。得られたエポキシ基含有混合液に、得られた第２の溶液を５ｍＬ／分の速度で添加した後、３０分攪拌した。攪拌後、純水１００ｍＬとエタノール１００ｍＬとを含む溶液に、チオシアン酸カリウム２０ｇを溶解させた第２の溶液をさらに用意し、該第２の溶液を５ｍＬ／分の速度で容器内にさらに添加し、３０分間攪拌した。その後、容器内の温度を１０℃に冷却し、２時間攪拌し、反応させた。
【０１７９】
次に、容器内に飽和食塩水１００ｍＬを加え、１０分間攪拌した。攪拌後、容器内にトルエン３００ｍＬをさらに加え、１０分間攪拌した。その後、容器内の溶液を分液ロートに移し、２時間静置し、溶液を分離させた。分液ロート内の下方の溶液を排出し、上澄み液を取り出した。取り出された上澄み液にトルエン１００ｍＬを加え、攪拌し、２時間静置した。更に、トルエン１００ｍＬをさらに加え、攪拌し、２時間静置した。
【０１８０】
次に、トルエンが加えられた上澄み液に、硫酸マグネシウム５０ｇを加え、５分間攪拌した。攪拌後、ろ紙により硫酸マグネシウムを取り除いて、溶液を分離した。真空乾燥機を用いて、分離された溶液を８０℃で減圧乾燥することにより、残存している溶剤を除去した。このようにして、エピスルフィド化合物含有混合物を得た。
【０１８１】
クロロホルムを溶媒として、得られたエピスルフィド化合物含有混合物の１Ｈ−ＮＭＲの測定を行った。この結果、エポキシ基の存在を示す６．５〜７．５ｐｐｍの領域のシグナルが減少し、エピスルフィド基の存在を示す２．０〜３．０ｐｐｍの領域にシグナルが現れた。これにより、レゾルシノールジグリシジルエーテルの一部のエポキシ基がエピスルフィド基に変換されていることを確認した。また、１Ｈ−ＮＭＲの測定結果の積分値より、エピスルフィド化合物含有混合物は、レゾルシノールジグリシジルエーテル７０重量％と、下記式（１Ｂ）で表される構造を有するエピスルフィド化合物３０重量％とを含有することを確認した。
【０１８２】
【化１８】
0005879105.tif 000019
【０１８３】
（２）異方性導電ペーストの調製
熱硬化性化合物である得られたエピスルフィド化合物含有混合物３０重量部に、熱硬化剤であるアミンアダクト（味の素ファインテクノ社製「ＰＮ−２３Ｊ」）５重量部と、光硬化性化合物であるエポキシアクリレート（ダイセル・サイテック社製「ＥＢＥＣＲＹＬ３７０２」、ガラス転移温度：５６℃）１５重量部と、光重合開始剤であるアシルホスフィンオキサイド系化合物（チバ・ジャパン社製「ＤＡＲＯＣＵＲ  ＴＰＯ」）０．３重量部と、硬化促進剤である２−エチル−４−メチルイミダゾール１重量部と、上記（１）のフィラーである窒化アルミニウム１０重量部とを配合し、さらに平均粒子径３μｍの導電性粒子Ａを５重量部添加した後、遊星式攪拌機を用いて２０００ｒｐｍで５分間攪拌することにより、配合物を得た。
【０１８４】
なお、用いた上記導電性粒子Ａは、ジビニルベンゼン樹脂粒子の表面にニッケルめっき層が形成されており、かつ該ニッケルめっき層の表面に金めっき層が形成されている金属層を有する導電性粒子である。
【０１８５】
得られた配合物を、ナイロン製ろ紙（孔径１０μｍ）を用いてろ過することにより、異方性導電ペーストを得た。
【０１８６】
（実施例２）
異方性導電ペーストの調製の際に、エピスルフィド化合物含有混合物を、熱硬化性化合物であるナフタレン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「ＨＰ−４０３２」）に変更したこと以外は実施例１と同様にして、異方性導電ペーストを得た。
【０１８７】
（実施例３）
異方性導電ペーストの調製の際に、エポキシアクリレート（ダイセル・サイテック社製「ＥＢＥＣＲＹＬ３７０２」）を、光硬化性化合物であるウレタンアクリレート（ダイセル・サイテック社製「ＥＢＥＣＲＹＬ８８０４」、ガラス転移温度：２４℃）に変更したこと以外は実施例１と同様にして、異方性導電ペーストを得た。
【０１８８】
（実施例４）
異方性導電ペーストの調製の際に、フィラーである窒化アルミニウムを上記（２）の窒化ケイ素に変更したこと以外は実施例１と同様にして、異方性導電ペーストを得た。
【０１８９】
（実施例５）
異方性導電ペーストの調製の際に、フィラーである窒化アルミニウムを上記（３）の炭化ケイ素に変更したこと以外は実施例１と同様にして、異方性導電ペーストを得た。
【０１９０】
（実施例６）
異方性導電ペーストの調製の際に、フィラーである窒化アルミニウムを上記（４）の窒化アルミニウムに変更したこと以外は実施例１と同様にして、異方性導電ペーストを得た。
【０１９１】
（参考例７）
異方性導電ペーストの調製の際に、フィラーである窒化アルミニウムを上記（５）の破砕アルミナに変更したこと以外は実施例１と同様にして、異方性導電ペーストを得た。
【０１９２】
（実施例８）
異方性導電ペーストの調製の際に、フィラーである窒化アルミニウムを上記（６）の酸化マグネシウムに変更したこと以外は実施例１と同様にして、異方性導電ペーストを得た。
【０１９３】
（実施例９）
異方性導電ペーストの調製の際に、フィラーである窒化アルミニウムの添加量を０．１重量部に変更したこと以外は実施例１と同様にして、異方性導電ペーストを得た。
【０１９４】
（実施例１０）
異方性導電ペーストの調製の際に、フィラーである窒化アルミニウムの添加量を２０重量部に変更したこと以外は実施例１と同様にして、異方性導電ペーストを得た。
【０１９５】
（実施例１１）
異方性導電ペーストの調製の際に、フィラーである窒化アルミニウムの添加量を４０重量部に変更したこと以外は実施例１と同様にして、異方性導電ペーストを得た。
【０１９６】
（実施例１２）
平均粒子径２０μｍのジビニルベンゼン樹脂粒子（積水化学工業社製「ミクロパールＳＰ−２２０」）を無電解ニッケルめっきし、樹脂粒子の表面上に厚さ０．１μｍの下地ニッケルめっき層を形成した。次いで、下地ニッケルめっき層が形成された樹脂粒子を電解銅めっきし、厚さ１μｍの銅層を形成した。更に、錫及びビスマスを含有する電解めっき液を用いて、電解めっきし、厚さ３μｍのはんだ層を形成した。このようにして、樹脂粒子の表面上に厚み１μｍの銅層が形成されており、該銅層の表面に厚み３μｍのはんだ層（錫：ビスマス＝４３重量％：５７重量％）が形成されている導電性粒子Ｂを作製した。
【０１９７】
異方性導電ペーストの調製の際に、導電性粒子Ａを導電性粒子Ｂに変更したこと、並びにろ過に用いたろ紙をナイロン製ろ紙（孔径３０μｍ）に変更したこと以外は実施例１と同様にして、異方性導電ペーストを得た。
【０１９８】
（実施例１３）
異方性導電ペーストの調製の際に、導電性粒子Ａを導電性粒子Ｂに変更したこと、並びにろ過に用いたろ紙をナイロン製ろ紙（孔径３０μｍ）に変更したこと以外は実施例２と同様にして、異方性導電ペーストを得た。
【０１９９】
（実施例１４）
異方性導電ペーストの調製の際に、導電性粒子Ａを導電性粒子Ｂに変更したこと、並びにろ過に用いたろ紙をナイロン製ろ紙（孔径３０μｍ）に変更したこと以外は実施例３と同様にして、異方性導電ペーストを得た。
【０２００】
（実施例１５）
異方性導電ペーストの調製の際に、導電性粒子Ａを導電性粒子Ｂに変更したこと、並びにろ過に用いたろ紙をナイロン製ろ紙（孔径３０μｍ）に変更したこと以外は実施例４と同様にして、異方性導電ペーストを得た。
【０２０１】
（実施例１６）
異方性導電ペーストの調製の際に、導電性粒子Ａを導電性粒子Ｂに変更したこと、並びにろ過に用いたろ紙をナイロン製ろ紙（孔径３０μｍ）に変更したこと以外は実施例５と同様にして、異方性導電ペーストを得た。
【０２０２】
（実施例１７）
異方性導電ペーストの調製の際に、導電性粒子Ａを導電性粒子Ｂに変更したこと、並びにろ過に用いたろ紙をナイロン製ろ紙（孔径３０μｍ）に変更したこと以外は実施例６と同様にして、異方性導電ペーストを得た。
【０２０３】
（実施例１８）
異方性導電ペーストの調製の際に、導電性粒子Ａを導電性粒子Ｂに変更したこと、並びにろ過に用いたろ紙をナイロン製ろ紙（孔径３０μｍ）に変更したこと以外は参考例７と同様にして、異方性導電ペーストを得た。
【０２０４】
（実施例１９）
異方性導電ペーストの調製の際に、導電性粒子Ａを導電性粒子Ｂに変更したこと、並びにろ過に用いたろ紙をナイロン製ろ紙（孔径３０μｍ）に変更したこと以外は実施例８と同様にして、異方性導電ペーストを得た。
【０２０５】
（実施例２０）
異方性導電ペーストの調製の際に、導電性粒子Ａを導電性粒子Ｂに変更したこと、並びにろ過に用いたろ紙をナイロン製ろ紙（孔径３０μｍ）に変更したこと以外は実施例９と同様にして、異方性導電ペーストを得た。
【０２０６】
（実施例２１）
異方性導電ペーストの調製の際に、導電性粒子Ａを導電性粒子Ｂに変更したこと、並びにろ過に用いたろ紙をナイロン製ろ紙（孔径３０μｍ）に変更したこと以外は実施例１０と同様にして、異方性導電ペーストを得た。
【０２０７】
（実施例２２）
異方性導電ペーストの調製の際に、導電性粒子Ａを導電性粒子Ｂに変更したこと、並びにろ過に用いたろ紙をナイロン製ろ紙（孔径３０μｍ）に変更したこと以外は実施例１１と同様にして、異方性導電ペーストを得た。
【０２０８】
（比較例１）
異方性導電ペーストの調製の際に、窒化アルミニウム１０重量部を上記（Ａ）のシリカ２０重量部に変更したこと以外は実施例１と同様にして、異方性導電ペーストを得た。
【０２０９】
（実施例、参考例及び比較例の評価）
（１）粘度
Ｅ型粘度計（東機産業社製）を用いて、２５℃及び２．５ｒｐｍの条件で、得られた異方性導電ペースト（塗布前の異方性導電ペーストの粘度）の粘度を測定した。
【０２１０】
（２）硬化時間
Ｌ／Ｓが３０μｍ／３０μｍのＩＴＯ電極パターンが上面に形成された透明ガラス基板を用意した。また、Ｌ／Ｓが３０μｍ／３０μｍの銅電極パターンが下面に形成された半導体チップを用意した。導電性粒子Ａを用いた場合には、これらの透明ガラス基板及び半導体チップを用いた。
【０２１１】
また、Ｌ／Ｓが１００μｍ／１００μｍのＩＴＯ電極パターンが上面に形成された透明ガラス基板を用意した。また、Ｌ／Ｓが１００μｍ／１００μｍの銅電極パターンが下面に形成された半導体チップを用意した。導電性粒子Ｂを用いた場合には、これらの透明ガラス基板及び半導体チップを用いた。
【０２１２】
また、ディスペンサーと、該ディスペンサーに接続された光照射装置としての紫外線照射ランプとを備える複合装置を用意した。
【０２１３】
複合装置を移動させながら、上記透明ガラス基板の上面に、ディスペンサーのシリンジから、得られた異方性導電ペーストを厚さ２０μｍとなるように塗布し、異方性導電ペースト層を形成した。さらに、複合装置を移動させて、異方性導電ペーストを塗布しながら、異方性導電ペースト層に紫外線照射ランプを用いて、４２０ｎｍの紫外線を光照射エネルギーが７０ｍＪ／ｃｍ２となるように照射し、光重合によって異方性導電ペースト層をＢステージ化し、Ｂステージ状硬化物層を形成した。塗布してから、すなわち塗布された異方性導電ペーストが上記透明ガラス基板に接したときから、異方性導電ペースト層に光が照射されるまでの時間Ｔは、０．５秒であった。
【０２１４】
次に、Ｂステージ状硬化物層の上面に上記半導体チップを、電極同士が対向するように積層した。その後、Ｂステージ状硬化物層の温度が１８５℃となるようにヘッドの温度を調整しながら、半導体チップの上面に加圧加熱ヘッドを載せ、３ＭＰａの圧力をかけて、Ｂステージ状硬化物層を１８５℃で完全硬化させ、接続構造体を得た。この接続構造体を得る際に、加熱によりＢステージ状硬化物層が硬化するまでの時間を測定した。
【０２１５】
（３）リークの有無
得られた接続構造体を用いて、隣り合う電極２０個においてリークが生じているか否かを、テスターで測定した。リークが生じていない場合を「○」、リークが生じている場合を「×」と判定した。
【０２１６】
（４）ボイドの有無
得られた接続構造体において、異方性導電ペースト層により形成された硬化物層にボイドが生じているか否かを、透明ガラス基板の下面側から目視により観察した。ボイドの有無を下記の判定基準で判定した。
【０２１７】
［ボイドの有無の判定基準］
○：ボイドなし
△：ボイドが僅かにあるが、使用上問題がないレベル
×：顕著にボイドがあり、使用上問題がある
【０２１８】
（５）硬化物の熱伝導率
実施例、参考例及び比較例で作製した異方導電ペーストをフッ素樹脂により形成されたカップに入れ、１５０℃のオーブン内で５分間放置することにより、硬化物を得た。
【０２１９】
京都電子工業社製熱伝導率計「迅速熱伝導率計ＱＴＭ−５００」を用いて、硬化物の熱伝導率を測定した。
【０２２０】
結果を下記の表１，２に示す。
【０２２１】
【表１】
0005879105.tif 000020
【０２２２】
【表２】
0005879105.tif 000021
【符号の説明】
【０２２３】
１…接続構造体
２…第１の接続対象部材
２ａ…上面
２ｂ…電極
３…硬化物層
３ａ…上面
３Ａ…異方性導電ペースト層
３Ｂ…Ｂステージ状硬化物層
４…第２の接続対象部材
４ａ…下面
４ｂ…電極
５…導電性粒子
【図１】
0005879105.tif 000022
【図２】
0005879105.tif 000023