(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射を受信するために設けられた検出器とフレーム（３）とを備えた光電装置（１）であって、
前記フレーム内に、前記検出器が配置された開口部（３１）が形成され、
前記フレームが鉛直方向において放射貫通側（３００）と背面（３０１）との間に延在し、
前記開口部が鉛直方向に対し斜めに延在している側面（４）を有し、
斜めに延在している前記側面は、前記放射貫通側を平面視したときに、第１の部分領域（４１）と第２の部分領域（４２）とを有し、
前記第１の部分領域は、前記検出器によって受信される放射のためのリフレクタとして構成され、
前記第２の部分領域は、鉛直方向に沿って前記第２の部分領域に入射する放射を前記検出器から離れるように導く、装置。
【請求項２】
前記第１の部分領域は、少なくとも部分的に放物線状に形成されている、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記第２の部分領域は、前記放射貫通側と下エッジ（４２１）との間に延在し、前記下エッジは鉛直方向において前記背面から間隔をもって位置している、請求項１または請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記開口部は、前記下エッジと前記背面との間にアンダーカット領域（４２２）を有している、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記放射貫通側を平面図視したときに、前記検出器を貫通するように延びている中心線（３０）が前記第１の部分領域を前記第２の部分領域から離間させている、請求項１から請求項４のうちいずれか一項に記載の装置。
【請求項６】
前記開口部は、前記放射貫通側に、前記背面よりも小さな横断面を有している、請求項１から請求項５のうちいずれか一項に記載の装置。
【請求項７】
前記装置は接続用支持体（５）をさらに備え、
前記接続用支持体は、前記フレームの前記背面と結合され、前記検出器は前記接続用支持体上に取り付けられている、請求項１から請求項６のうちいずれか一項に記載の装置。
【請求項８】
前記フレームは横方向において少なくとも部分的に前記接続用支持体と面一に閉じている、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記接続用支持体は回路基板である、請求項７または請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記装置は、放射を発生させるために設けられるエミッター（２５）をさらに備え、
該エミッターは、前記フレームの他の開口部（３２）内に配置されている、請求項１か
ら請求項９のうちいずれか一項に記載の装置。
【請求項１１】
前記他の開口部の側面（４５）は、少なくとも部分的に放物線状に形成されている、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記第１の部分領域は、前記装置を平面図視したときに、前記第２の部分領域よりも前記エミッターにより近く配置されている、請求項１０または請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記装置は近接センサとして構成されている、請求項１０から請求項１２のうちいずれか一項に記載の装置。
【請求項１４】
前記フレームがプラスチック成形体として形成されている、請求項１から請求項１３のうちいずれか一項に記載の装置。
【請求項１５】
前記放射貫通側を平面図視したときに、前記検出器を貫通するように延びている中心線（３０）は、前記第１の部分領域（４１）を前記第２の部分領域（４２）から離間させ、
前記装置は、放射を発生させるために設けられるエミッター（２５）をさらに備え、
該エミッターが前記フレームの他の開口部（３２）内に配置され、
前記第１の部分領域が前記中心線の前記エミッター側に配置されている、
請求項１から請求項４のうちいずれか一項に記載の装置。
【請求項１６】
前記第１の部分領域は、鉛直方向に沿って前記第１の部分領域に入射する放射を前記検出器へ導くように形成されている、請求項１から請求項１５のうちいずれか一項に記載の装置。
【請求項１７】
前記第１の部分領域は、前記検出器によって受信される放射を反射するように構成され、前記第２の部分領域は、前記検出器によって受信される放射を吸収するように構成されている、請求項１から請求項１６のうちいずれか一項に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本出願は、光電装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えば近接センサのような光電装置においては、その動作範囲はとりわけ近接センサの検出器に衝突する放射強度に依存している。しかしながら、望ましくない放射成分が検出すべき信号を歪ませることがある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
課題は、検出すべき放射に対し高感度であることを特徴とする、検出器を備えた光電装置を提示することである。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
光電装置の少なくとも１つの実施態様によれば、該装置は、電磁放射を受けるために設けられた検出器を有している。検出器は、例えば、フォトダイオード、フォトトランジスタ、または感光性領域を備えた専用集積回路（ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  ｓｐｅｃｉｆｉｃ  ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ，ＡＳＩＣ）であってよい。特に、検出器はハウジングのない半導体素子、例えばハウジングのない半導体チップであってよい。検出器は紫外線スペクトル範囲、可視スペクトル範囲、または赤外線スペクトル範囲の放射を受けるために設けられていてよい。好ましくは、検出器は近赤外線範囲（Ｎｅａｒ  Ｉｎｆｒａ  Ｒｅｄ，ＮＩＲ；真空波長７５０ｎｍ〜１４００ｎｍ）の放射、特に有利には８００ｎｍ（これを含む）と１０００ｎｍ（これを含む）との間の波長範囲の放射を検出するために設けられている。
【０００５】
光電装置の少なくとも１つの実施態様によれば、該装置はフレームを有している。フレームには開口部が形成され、この開口部内に検出器が配置されている。フレームは例えばプラスチック成形体として形成されていてもよい。フレームは鉛直方向において放射貫通側と背面との間に延在している。鉛直方向とは、放射貫通側に対し垂直な方向である。放射貫通側と背面とは好ましくは少なくとも部分的に互いに平行に延在している。好ましくは、フレームは検出すべき放射に対し放射を透過させない材料から作製されている。
【０００６】
開口部は、好ましくは鉛直方向においてフレームを完全に貫通するように延在している。すなわち、開口部は放射貫通側からフレームの背面へ延在している。
【０００７】
光電装置の少なくとも１つの実施態様によれば、フレームの開口部は、鉛直方向に対し斜めに延在する側面を有している。すなわち、側面は鉛直方向に対し平行にも垂直にも延在していない。フレームの放射貫通側を平面図で見ると、斜めに延在している側面が見える。
【０００８】
光電装置の少なくとも１つの実施態様によれば、斜めに延在している側面は、放射貫通側を平面図視したとき、第１の部分領域を有している。第１の部分領域は、検出器によって受信される放射のためのリフレクタとして構成されている。リフレクタは、例えば、鉛直方向に沿って第１の部分領域に入射する放射が検出器へ偏向されるように形成されていてよい。第１の部分領域は、例えば少なくとも部分的に放物線状に形成されていてよい。すなわち、少なくとも１つの方向に沿った断面図では、特に鉛直方向に対し垂直に延びる方向に沿った断面図では、第１の部分領域は１つの放物線の一部分の形状を有している。特に、第１の部分領域の側面は少なくとも部分的に回転放物面の表面部分の形状を有していてよい。検出器は、放物線状に形成された第１の部分領域の焦点に配置されていてよい。
【０００９】
光電装置の少なくとも１つの実施態様によれば、斜めに延在している側面は第２の部分領域を有している。第２の部分領域は、鉛直方向に沿ってこの第２の部分領域に入射する放射を検出器から離れるように偏向させる。すなわち、第２の部分領域で垂直反射または指向性反射する放射はダイレクトに衝突せず、すなわち、さらに反射することなく、検出器には衝突しない。好ましくは、第２の部分領域によって任意の角度で拡散反射する放射がダイレクトに検出器に入射しないように、第２の部分領域は検出器に対し相対的に配置されている。
【００１０】
側面の第１の部分領域と第２の部分領域とは、それぞれの部分領域に入射する放射の検出器方向での偏向作用に関して互いに異なっている。すなわち、異なる方向から衝突する放射成分または側面の異なる個所に衝突する放射成分は、検出器の信号に対する寄与度が異なっている。好ましくは、第２の部分領域は、これらの部分領域に入射する放射が信号に対し著しい寄与をしないように形成されている。
【００１１】
フレームは、検出すべき放射に対し少なくとも部分的に指向性反射及び／又は拡散反射させるように構成されていてよい。これに関連して、反射させるように構成するということは、検出器によって受信される放射に対する反射率が少なくとも５０％、有利には少なくとも６０％であることを意味している。
【００１２】
これとは択一的に、または、これを補完するように、フレームは検出すべき放射に対し少なくとも部分的に吸収性があるように構成されていてよい。これに関連して、吸収性があるように構成するということは、検出器によって受信される放射が少なくとも５０％、特に有利には少なくとも８０％吸収されることを意味している。
【００１３】
特に、フレームは、少なくとも、反射性があるように構成された領域と、吸収性があるように構成された領域とを有していてよい。例えば、第１の部分領域は反射性があるように、第２の部分領域は吸収性があるように構成されていてよい。
【００１４】
吸収性または反射性のある構成は、例えば、フレーム全体に対し吸収性材料もしくは反射性材料を使用することにより、または、フレームを吸収性材料もしくは反射性材料でコーティングすることによって行うことができる。例えば、フレームを吸収性材料から作製し、且つ部分的に反射性材料でコーティングしてよく、またはこれと逆であってもよい。
【００１５】
光電装置の少なくとも１つの実施態様によれば、第２の部分領域は放射貫通側と下エッジとの間に延在している。下エッジは鉛直方向において背面から間隔を設けて位置している。換言すれば、第２の部分領域において斜めに延在している側面は、放射貫通側から背面まで延在していない。
【００１６】
光電装置の少なくとも１つの実施態様によれば、開口部は、特に放射貫通側から見て、アンダーカット領域を有している。アンダーカット領域とは、一般に、少なくとも１つの横方向に沿った、すなわち鉛直方向に対し垂直に延びている方向に沿った開口部の拡がりが、放射貫通側により近い開口部個所における同じ方向に沿った拡がりよりも大きいような領域である。
【００１７】
アンダーカット領域は、特にフレームの下エッジと背面との間に形成されていてよい。すなわち下エッジは、斜めに延在している側面とアンダーカット領域との間の移行部を形成することができる。特に、開口部は断面図において下エッジに屈曲部または湾曲領域を有していてよい。
【００１８】
光電装置の少なくとも１つの実施態様によれば、放射貫通側を平面図で見て特に検出器を貫通するように延びている中心線は、第１の部分領域を第２の部分領域から離間させている。すなわち、中心線と鉛直方向とによって張られる面は開口部を２つの半空間に分割している。この場合、１つの半空間内で鉛直方向に入射する放射は主に検出器に衝突し、他の半空間内で入射する放射は主に検出器から離れるように偏向される。
【００１９】
光電装置の少なくとも１つの実施態様によれば、放射貫通側の開口部は、フレームの背面の開口部よりも小さな横断面を有している。フレームの背面の横断面は、特に検出器の取り付けに使用可能なスペースを特定している。特に、放射貫通側の横断面は、装置を平面図視したときに、完全に背面の横断面内部にあってよい。
【００２０】
光電装置の少なくとも１つの実施態様によれば、装置は接続用支持体を有している。接続用支持体は、フレームの背面と特に機械的に安定に継続的に例えば結合層を用いて、又は接着層を用いて結合されていてよい。接続用支持体には検出器を取り付けることができ、さらに電気的に接触されていてよい。接続用支持体は、例えば、回路基板又はプリント回路基板であってよい。リードフレームも接続用支持体のために使用できる。
【００２１】
フレームは横方向において少なくとも部分的に、特に装置の全周に沿って接続用支持体と面一に閉じていてよい。
【００２２】
さらに、装置は表面実装可能な構成要素（ｓｕｒｆａｃｅ  ｍｏｕｎｔｅｄ  ｄｅｖｉｃｅ，ＳＭＤ）として構成されていてよい。例えば、接続用支持体はフレームとは逆の側に外部電気接触用の接触面を有していてよい。
【００２３】
光電装置の少なくとも１つの実施態様によれば、装置は放射を発生させるために設けられたエミッターを有している。エミッターはフレームの他の開口部内に配置されていてよい。開口部と他の開口部とは横方向において互いに間隔をもって配置されている。エミッターと検出器とは、これら開口部の間に配置されているフレームの材料によって光学的に互いに離間している。すなわち、エミッターと検出器との間にダイレクトなビーム経路は存在しない。エミッターは検出器によって受信すべき放射を発生させるために構成されていてよい。換言すれば、エミッターと検出器とはエミッター・検出器対を形成してもよい。
【００２４】
光電装置の少なくとも１つの実施態様によれば、他の開口部の側面は少なくとも部分的に放物線状に形成されている。エミッターから放出されて他の開口部の側面に入射する放射は、少なくとも部分的に鉛直方向に偏向される。
【００２５】
光電装置の少なくとも１つの実施態様によれば、装置は近接センサとして構成されている。例えば、通信機或いはデータ処理機のような機器内での装置の作動時に、本目的では装置は放射窓の後方に配置される。この場合、検出器は、エミッターから放出されて放射窓を貫通し、目標物で反射した放射を受信するために設けられている。
【００２６】
光電装置の少なくとも１つの実施態様によれば、光電装置は、放射を受信するために設けられている検出器と、フレームとを有する。この場合、フレームに開口部が形成され、開口部内に検出器が配置されている。フレームは鉛直方向において放射貫通側と背面との間に延在している。開口部は、鉛直方向に対し斜めに延在している側面を有している。斜めに延在している側面は、放射貫通側を平面図視したとき、第１の部分領域と第２の部分領域とを有している。第１の部分領域は、検出器によって受信される放射のためのリフレクタとして構成されている。第２の部分領域は、鉛直方向に沿って第２の部分領域に入射する放射を検出器から離れるように偏向させる。
【００２７】
特に、放射貫通側を平面図で見て、検出器を貫通して延びている中心線は、第１の部分領域を第２の部分領域から切り離している。装置は放射を発生させるために設けられるエミッターを有していてよく、該エミッターはフレームの他の開口部内に配置されている。第１の部分領域は、中心線のエミッター側に配置されていてよい。さらに、第２の部分領域は、中心線の、エミッターとは逆の側に配置されていてよい。
【００２８】
更なる構成要件、構成および本目的態様は、図面と関連して以下に説明する実施形態の説明から明らかである。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１Ａ】光電装置の実施形態の平面図である。
【図１Ｂ】光電装置の実施形態の断面図である。
【図１Ｃ】光電装置の実施形態の断面図である。
【図１Ｄ】光電装置の実施形態の断面図である。
【図１Ｅ】光電装置の実施形態の断面図である。
【図２】光電装置の他の実施形態の斜視図である。
【図３】第１の部分領域を備えた装置に対する検出器信号Ｓと、検出器と１０％の反射率を備えた鏡面との間の間隔ｄとの関係を、このような部分領域を有していない装置と比較したシミュレーションの結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
図面では、同一の要素、同種の要素、または同じ作用をする要素には同一の参照符号が付してある。
【００３１】
図と、図に図示した要素相互のサイズ比率とは縮尺どおりのものではない。むしろ、個々の要素と特に層厚とは、明確に図示できるようにするため、及び／又は、わかりやすくするため、過度に大きく図示されている場合がある。
【００３２】
光電装置１の１実施形態は、図１Ａ〜図１Ｅにおいて、平面図、線Ｂ−Ｂ’に沿った図１の縦方向の断面図（図１Ｂ）、横方向の断面図（図１Ｃ〜図１Ｅ）で図示されている。
【００３３】
光電装置１は接続用支持体５を有し、接続用支持体には検出器２とエミッター２５とが配置されて電気接触している。接続用支持体は例えば回路基板として、特にプリント回路基板として構成されていてよい。リードフレームも接続用支持体のために使用してよい。導電性結合は少なくとも部分的には結合導線５１を用いて、例えばボンディングワイヤを用いて形成されている。しかし、使用する構成要素によっては、他の種類の電気結合を使用してもよく、例えば蝋付けまたは導電性接着剤を用いた接着を使用してもよい。
【００３４】
図示した実施形態では、光電装置１は、エミッター２５と検出器２とがエミッター・検出器対を形成している近接センサとして構成されている。検出器２は、エミッター２５から放出されて、組立時に装置（例えば移動型通信機またはコンピュータ）内で放射窓７の後方でこれを貫通して目標物７１で反射した目標放射７２を受信するために設けられている（図１Ｂ）。
【００３５】
好ましくは、エミッター２５は近赤外線範囲の放射を放出し、特に有利には８００ｎｍ（これを含む）と１０００ｎｍ（これを含む）との間の波長範囲の放射を放出する。
【００３６】
接続用支持体５上にはフレーム３が配置されている。フレームは鉛直方向において放射貫通側３００と接続用支持体５側の背面３０１との間に延在している。フレーム３は好ましくはプラスチック成形体である。フレームは、例えばコスト上好ましいように、射出成形または圧縮成形によって製造してよい。しかし、フレームの形成の際に例えばフライス削りのような機械的方法も適用してよい。フレーム３は、検出器によって受信される放射を透過させないように構成されている。
【００３７】
フレーム内には、開口部３１と他の開口部３２とが形成されている。これらの開口部はそれぞれ鉛直方向においてフレーム３を貫通して延在している。これら開口部は横方向に互いに間隔をもって位置し、その結果フレームは検出器２をエミッター２５から光学的に切り離している。検出器２は開口部３１内に配置され、その結果、光電装置１に対し垂直に入射する放射は一部が検出器２にダイレクトに衝突する。開口部３１は、鉛直方向に対し斜めに延在する側面４を有している。側面４は装置１の平面図で認められる。
【００３８】
斜めに延在している側面４の第１の部分領域４１では、該部分領域は検出器２によって受信される放射のためのリフレクタとして構成されている。図示した実施形態では、第１の部分領域４１は放物線状に形成されており、この場合検出器２はリフレクタの焦点にある。従って、第１の部分領域４１に入射する放射は少なくとも部分的に拡散するように、または、検出器２へ指向するように偏向される。これによって、検出器全体に入射する放射強度が向上する。
【００３９】
側面４は、第２の部分領域４２において、検出器２に対し次のように配置または構成され、すなわち第２の部分領域４２において拡散反射または指向性反射する放射が検出器２に対しダイレクトに入射しないように、配置または構成されている。図示した実施形態では、第２の部分領域４２における側面４の傾斜は、該側面の仮想の延長部が検出器２の感光性領域を越えて延在するように、形成されている。このようにして、第２の部分領域４２で任意の角度で拡散反射する放射がダイレクトに検出器２に入射しないよう保証されている。
【００４０】
リフレクタとして構成された第１の部分領域４１を用いると、検出放射成分が高くなるので、近接センサの効率を増大させることができることが明らかになった。シミュレーションが示したところによると、第１の部分領域４１の上記構成により、検出器２の信号強度は、リフレクタとして構成されたこのような部分領域のない構成要素に比べてほぼファクタ２だけ上昇させることができる。エミッターの放射強度が同じであれば、動作範囲を増大させることができる。これとは択一的に、同じ動作範囲であれば、電流消費量を低減させることができる。
【００４１】
さらに、第２の部分領域４２の構成により、例えば放射窓７で反射して目標対象物７１に由来していない散乱放射（図１Ｂで矢印７３によって示した）が検出器２へ誘導されてそこで望ましくない信号成分になることが回避される。
【００４２】
散乱放射を減少させるため、フレーム３は好ましくは少なくとも部分的に、検出されるべき放射を吸収するように構成されている。好ましくは、フレームは少なくとも部分的に、衝突する放射の少なくとも８０％を吸収する。フレーム３全体が吸収性を持つように構成してもよい。フレームは、吸収性構成のために、例えば黒いプラスチックのような吸収性材料から作製されていてよく、或いは、吸収性材料でコーティングされていてよい。
【００４３】
側面４の第１の部分領域４１及び／又は他の開口部３２の反射面３２０は向上した反射性を持つように構成されていてよく、例えば反射性被覆部を用いて構成されていてよい。反射性材料としては、例えば金属または金属合金または反射性を向上させるために例えば酸化チタン粒子のような粒子で充填されているプラスチックが適している。
【００４４】
簡単な電気接触のため、他の開口部３２は結合導線５１を受容するための１つの凹部３２５を有している。この凹部を除けば、反射面３２０は回転対称に形成されている。エミッター２５の電気接触の種類によってはこのような凹部を省略してもよい。もちろん、複数の凹部も好ましい。
【００４５】
フレーム３を平面図で見ると、第１の部分領域４１と第２の部分領域４２とは中心線３０によって互いに分離される。この場合、中心線は垂直に又はほぼ垂直に、例えば、検出器とエミッターとを結ぶ結合線に対し最高で１０゜ずれて延在している。さらに、中心線３０は検出器２を貫通して延びている。第２の部分領域４２は、中心線のエミッター２５からより遠く離間している側に配置されている。このようにして散乱放射の成分を特に効率的に減少させることができることが明らかになった。
【００４６】
第２の部分領域４２は、放射貫通側３００から下エッジ４２１へ延びている。下エッジは鉛直方向において背面３０１から間隔をもって位置している。下エッジ４２１と背面３０１との間にはアンダーカット領域４２２が形成されている。アンダーカット領域４２２により、中心線３０とは逆の側にある開口部３１の内面のどの個所も、該開口部に侵入してダイレクトに前記内面に入射する放射をダイレクトに検出器に偏向させないように開口部３１を形成することができる。
【００４７】
さらに、第１の部分領域４１において斜めに延びている側面は、鉛直方向において放射貫通側と下エッジ４１１との間に延在している。下エッジ４１１と背面３０１との間には、アンダーカット領域４１２が形成されている。
【００４８】
さらに、他の開口部３２も下エッジ３２１とアンダーカット領域３２２とを有している。下エッジ３２１と放射貫通側３００との間には反射面３２０が延在している。
【００４９】
アンダーカット領域を用いると、検出器２またはエミッター２５の取り付けのために使用できるスペースを広くすることができる。
【００５０】
放射入射側３００にある第１の開口部の横断面３５と第２の開口部の横断面とは、それぞれ背面３０１に付属の横断面３６または３８よりも小さい。これにより検出器２およびエミッター２５の取り付けが容易になる。
【００５１】
図１Ｃ〜図１Ｅには、線Ｃ−Ｃ’、Ｄ−Ｄ’またはＥ−Ｅ’に沿った横方向の断面が図示されている。これらの図では、図示を簡単にするために接続用支持体５とカバー８とは示していない。他の開口部３２の側面は反射面３２０を有している。この反射面も開口部３１の側面４の第１の部分領域４１と同様に放物線状に形成されており、この場合エミッター２５または検出器２はそれぞれリフレクタの焦点の領域にある。
【００５２】
第２の部分領域４２の断面図は図１Ｅに示されている。側面は検出器２の両側でそれぞれ次のように傾斜しており、すなわち第２の部分領域４２に入射する放射と、指向性反射または任意の角度で拡散反射する放射とが、さらに反射することなく検出器２へ入射しないように、傾斜している。
【００５３】
エミッター２５は、好ましくはルミネセンスダイオード、例えば発光ダイオードとして構成されている。検出器２は、例えばフォトダイオード、フォトトランジスタ、または感光性領域を備えた専用集積回路（ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  ｓｐｅｃｉｆｉｃ  ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ，ＡＳＩＣ）であってよい。特にエミッター及び／又は検出器はハウジングのない半導体チップとして構成されていてよい。このようにして装置のコンパクト化が特に容易となる。しかし、基本的には、自身がハウジングを有している構成要素を使用してもよい。
【００５４】
検出器２に加えて、図１Ａに示したような開口部３１内に他の検出器２１が配置されていてよい。他の検出器は、例えば周囲光センサとして構成されていてよい。検出器と他の検出器とは別個の構成要素として構成されているか、または、１つの構成要素に組み込まれていてよい。
【００５５】
フレーム３の放射貫通側３００には、カバー８が形成されていてよい。カバーは、例えば剛性のある板片として、または可撓性金属箔として、例えば自己接着性金属箔として実施されていてよい。カバーは検出器２およびエミッター２５を保護するために用いることができる。これらの構成要素の付加的な封入を省略することができる。すなわちエミッターと検出器と場合によっては結合線５１とは、境界を接する鋳造材から自由であることができる。
【００５６】
接続用支持体５とフレーム３と場合によってはカバー８とは横方向において互いに面一に閉じている。このような光電装置１は複合的に製造して、次に切断により個片化することができる。かかる製造はコスト上特に好ましい。
【００５７】
光電装置１は表面実装可能に構成されている。外部電気接触のため、光電装置は、接続用支持体５の、フレーム３とは逆の側に、複数の電気接点（詳細に図示せず）を有し、これらの電気接点を介してエミッター２５、検出器２、場合によっては他の検出器２１を電気接触可能である。
【００５８】
もちろん、上記実施形態とは異なり、光電装置１が１つの検出器２又は複数の検出器２のみを有し、エミッター２５を有していなくてもよい。第１の部分領域４１と第２の部分領域４２とを備えた開口部３１の側面４の上述した構成は、一般に、異なる方向から及び／又は異なる角度で装置に入射する放射が異なる強さの重みづけで検出器の信号に寄与するような検出器に対し適している。検出される放射は、例えば、可視スペクトル範囲、紫外線スペクトル範囲、または赤外線スペクトル範囲である。
【００５９】
光電装置の第２実施形態が図２に斜視図で示される。この第２の実施形態は、実質的に図１Ａ〜図１Ｅとの関連で説明した第１実施形態に対応している。
【００６０】
第１実施形態とは異なり、フレーム３の放射貫通側３００は、開口部３１と他の開口部３２との間に中間領域３９を有している。中間領域３９は次のように構成される。即ち、例えば放射窓７で反射した散乱放射が中間領域３９に当たらないように、または、少なくともかなりの低減成分のみが検出器に入射できるように、構成されている。
【００６１】
図示した実施形態では、中間領域３９は稜線部３９０を有し、稜線部３９０はエミッター２５と検出器２とを結ぶ結合線に対し平行に、または実質的に平行に、すなわち最大で１０゜のずれで延びている。稜線部の少なくとも片側に、図示した実施形態では稜線部の両側に、傾斜領域３９１が形成されている。すなわち、フレーム３の厚さは稜線部からの間隔が増すにつれて減少している。傾斜領域３９１により、この領域に入射する放射は、エミッター２５と検出器２とを結ぶ結合線と鉛直方向とによって張られる平面から離れるように誘導される。これにより、近接センサ内の望ましくない散乱放射成分を十分少なくさせることができる。
【００６２】
図３には、エミッターと検出器との間での混信のシミュレーションに対する結果が示されている。このシミュレーションは、光電装置の放射入射側と１０％の反射率を持つミラーとの間のエアギャップの関数としての任意単位の検出器信号Ｓと、エアギャップの大きさｄとの関係を示している。大きさｄは、エミッターと検出器との間の間隔に対しパーセンテージで示してある。
【００６３】
曲線９１は前述のように実施された第１の部分領域４１を備えた装置に関わり、曲線９２はこのような部分領域を備えていない参照装置に関わる。矢印９３は、実際に混信が行なわれない範囲を示している。ここでは信号成分は多重反射に由来するものである。間隔が大きくなれば信号が増大する。シミュレーションは、両装置が類似した挙動を示すことを示している。すなわち第１の部分領域と第２の部分領域との前述の構成を用いると、検出器信号をかなり増大させる一方、混信による望ましくない信号成分を著しく増大させないようにすることができる。
【００６４】
本特許出願は、独国特許出願第１０２０１２１０７７９４．０号の優先権を主張するものであり、その開示内容を参照することによってここに取り入れることにする。
【００６５】
本発明は、いくつかの実施形態を用いた説明によってこれら実施形態に限定されるものではない。むしろ、本発明は新たないかなる構成要件およびこれら構成要件の組み合わせをも含むものであり、特に構成要件の各組み合わせは、仮にこの構成要件またはその組み合わせ自体が特許請求の範囲または実施形態に明確に記載されていなくとも、特許請求の範囲に包含されている。
【符号の説明】
【００６６】
１  光電装置
２  検出器
３  フレーム
４  側面
５  接続用支持体
２５  エミッター
３０  中心線
３１，３２  開口部
４１  第１の部分領域
４２  第２の部分領域
４５  開口部の側面
４２１  下エッジ
４２２  アンダーカット領域
【図１Ａ】
0005972466.tif 000002
【図１Ｂ】
0005972466.tif 000003
【図１Ｃ】
0005972466.tif 000004
【図１Ｄ】
0005972466.tif 000005
【図１Ｅ】
0005972466.tif 000006
【図２】
0005972466.tif 000007
【図３】
0005972466.tif 000008