(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリカゼオライト結晶を形成する原料を含有する前駆体溶液を水熱合成し、得られたシリカゼオライト結晶と界面活性剤とを含有する塗布液を基材に塗布し、焼成して前記界面活性剤を焼失させ多孔質のシリカゼオライト絶縁膜を製造するシリカゼオライト絶縁膜の製造方法において、
前記前駆体溶液を所定温度で一段階目の水熱合成を行って室温まで冷却した後、一段階目の水熱合成の温度よりも高い温度で二段階目の水熱合成を行って前記塗布液を得る水熱合成工程と、
前記塗布液を基材に塗布し、不活性ガス雰囲気下で焼成する焼成工程と、
疎水化処理する第１の疎水化処理工程と、
紫外線処理する紫外線処理工程と、
疎水化処理する第２の疎水化処理工程と、を備え、
前記焼成工程、前記第１の疎水化処理工程を行った後、前記紫外線処理工程及び前記第２の疎水化処理工程を前記紫外線処理工程、前記第２の疎水化処理工程の順に複数回行う、
ことを特徴とするシリカゼオライト絶縁膜の製造方法。
【請求項２】
前記焼成工程、前記第１の疎水化処理工程、前記紫外線処理工程及び第２の疎水化処理工程を前記焼成工程、前記第１の疎水化処理工程、前記紫外線処理工程、第２の疎水化処理工程の順に複数回行う、
ことを特徴とする請求項１に記載のシリカゼオライト絶縁膜の製造方法。
【請求項３】
二段階目の水熱合成を８０℃より高く９０℃より低い温度で行う、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載のシリカゼオライト絶縁膜の製造方法。
【請求項４】
一段階目の水熱合成を６０℃で行う、
ことを特徴とする請求項３に記載のシリカゼオライト絶縁膜の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリカゼオライト絶縁膜の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩ多層配線では複数の層間絶縁膜が形成される。層間絶縁膜には配線間の電気容量の十分な低減が求められるため、層間絶縁膜は比誘電率が低いこと、また、機械的強度が高いことが要求される。このような絶縁膜として、多孔質のシリカゼオライト膜が提案されている。
【０００３】
非特許文献１、２では、以下のようにして、多孔質のシリカゼオライト膜を製造している。まず、テトラエトキシシランを含有する前駆体溶液を調製した後、水熱合成してシリカゼオライト結晶を形成させる。そして、得られたシリカゼオライト結晶と界面活性剤を含有する塗布液を調製し、塗布液を基板に塗布して焼成し界面活性剤を焼失させて、多孔質のシリカゼオライト膜を得ている。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】Electrical Characteristics of Mosoporoous Pure-Silica-Zeolite Film; Toshiki SEO, Takenobu YOSHINO, Yoshinori CHO, Nobuhiro HATA, and Takamaro KIKKAWA; Japanese Journal of Applied Physics; Vol.46, No.9A, 2007, pp.5742-5746
【非特許文献２】Effect of Silylation Hardening on the Electrical Characteristics of Mosoporous Pure Silica Zeolite Film; T. Seo, T. Yoshino, N. Ohnuki, Y. Seino, Y. Cho, N. Hata, and T. Kikkawa; Journal of The Electrochemical Sosiety, 156(2) H98-H105 (2009)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
非特許文献１、２では、焼成を窒素及び酸素を含有する大気中の条件で行っている。大気中での焼成であるため、結晶性が高くなり、高い機械的強度を有している。しかしながら、酸素が介在する条件で得られるとその性能に不具合が生じるおそれがある。このため、酸素が介在しない不活性ガス雰囲気下で焼成を行いつつ、且つ、機械的強度の高い絶縁膜を得られることが要求される。
【０００６】
本発明は上記事項に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、不活性ガス雰囲気下で焼成しても比誘電率が低く且つ機械的強度が高いシリカゼオライト絶縁膜を製造可能なシリカゼオライト絶縁膜の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係るシリカゼオライト絶縁膜の製造方法は、
シリカゼオライト結晶を形成する原料を含有する前駆体溶液を水熱合成し、得られたシリカゼオライト結晶と界面活性剤とを含有する塗布液を基材に塗布し、焼成して前記界面活性剤を焼失させ多孔質のシリカゼオライト絶縁膜を製造するシリカゼオライト絶縁膜の製造方法において、
前記前駆体溶液を所定温度で一段階目の水熱合成を行って室温まで冷却した後、一段階目の水熱合成の温度よりも高い温度で二段階目の水熱合成を行って前記塗布液を得る水熱合成工程と、
前記塗布液を基材に塗布し、不活性ガス雰囲気下で焼成する焼成工程と、
疎水化処理する第１の疎水化処理工程と、
紫外線処理する紫外線処理工程と、
疎水化処理する第２の疎水化処理工程と、を備え、
前記焼成工程、前記第１の疎水化処理工程を行った後、前記紫外線処理工程及び前記第２の疎水化処理工程を前記紫外線処理工程、前記第２の疎水化処理工程の順に複数回行う、
ことを特徴とする。
【０００８】
また、前記焼成工程、前記第１の疎水化処理工程、前記紫外線処理工程及び第２の疎水化処理工程を前記焼成工程、前記第１の疎水化処理工程、前記紫外線処理工程、第２の疎水化処理工程の順に複数回行ってもよい。また、二段階目の水熱合成を８０℃より高く９０℃より低い温度で行うことが好ましい。また、一段階目の水熱合成を６０℃で行うことが好ましい。
【発明の効果】
【０００９】
本発明に係るシリカゼオライト絶縁膜の製造方法では、紫外線処理工程及び第２の疎水化処理工程を複数回行うことで、塗布液を基材に塗布し不活性ガス雰囲気下で焼成しても、低誘電率でありながら機械的強度が高いシリカゼオライト絶縁膜を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施の形態１に係るシリカゼオライト絶縁膜の製造方法の工程図である。
【図２】実施の形態２に係るシリカゼオライト絶縁膜の製造方法の工程図である。
【図３】実施例１で製造したゼオライト前駆体のＦＴ−ＩＲ測定結果を示すグラフである。
【図４】実施例１で製造したゼオライト前駆体の粒径分布を示すグラフである。
【図５】実施例１で製造したシリカゼオライト絶縁膜の水熱合成温度と弾性率との関係を示すグラフである。
【図６】実施例１で製造したシリカゼオライト絶縁膜の空孔率と比誘電率との関係を示すグラフである。
【図７】実施例１で製造したシリカゼオライト絶縁膜の電界とリーク電流密度との関係を示すグラフである。
【図８】実施例１で製造したシリカゼオライト絶縁膜の比誘電率と弾性率との関係を示すグラフである。
【図９】実施例２で製造したシリカゼオライト絶縁膜の比誘電率と弾性率との関係を示すグラフである。
【図１０】実施例２で製造したシリカゼオライト絶縁膜における膜の層数と密度との関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
（実施の形態１）
実施の形態１に係るシリカゼオライト絶縁膜の製造方法は、図１の工程図に示すように、前駆体溶液調製工程、水熱合成工程、塗布液調製工程、焼成工程、第１の疎水化処理工程、紫外線処理工程、および、第２の疎水化処理工程を備える。そして、紫外線処理工程、および、第２の疎水化処理工程を複数回行うことで、シリカゼオライト絶縁膜を得る。以下、各工程について説明する。
【００１２】
（前駆体溶液調製工程）
有機シラン等のシリカゼオライト結晶を形成する原料と、酸性触媒或いは塩基性触媒と、溶媒とを混合し、前駆体溶液を調製する。
【００１３】
有機シラン等のシリカゼオライト結晶を形成する原料として、テトラエトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトライソプロポキシシラン等の４級アルコキシシランの他、３級アルコキシフルオロシラン、フッ素含有アルコキシシラン、３級アルコキシアルキルシラン、３級アルコキシアリールシラン、３級アルコキシフェネチルシラン、２級アルコキシアルキルシランなどが挙げられる。
【００１４】
酸性触媒或いは塩基性触媒は、有機シラン等を加水分解せしめる機能を有するものであり、酸性触媒として、塩酸、硝酸、硫酸等の無機酸、酢酸、プロピオン酸、ブタン酸等の有機酸が挙げられる。また、塩基性触媒として、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラプロピルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム等のアンモニウム塩、ピリジン、ピロール、トリメチルアミン、トリエチルアミン等の窒素含有化合物が挙げられる。
【００１５】
溶媒として、メタノール、エタノール、プロパノール等のモノアルコール系溶媒、エチレングリコール等の他価アルコール系溶媒、アセトン等のケトン系溶媒、エチルエーテル等のエーテル系溶媒、酢酸エチル等のエステル系溶媒、Ｎ−メチルホルムアミド等の含窒素系溶媒などが挙げられる。
【００１６】
（水熱合成工程）
前駆体溶液を用いて水存在下で水熱合成を行う。オートクレーブ等の密閉の圧力容器に、前駆体溶液及び水を添加し、加熱する。高温高圧の熱水の存在下におくことで、シロキサン重合ならびに結晶成長が促進され、シロキサンネットワークが形成されたシリカゼオライト前駆体（シリカゼオライト結晶）が合成される。なお、本明細書中におけるシリカゼオライト結晶はゼオライトの結晶構造を持ったシリカをいう。
【００１７】
水熱合成は二段階で行うことが好ましい（二段階合成）。二段階合成により、結晶構造の細孔のサイズを維持したまま、シリカゼオライト結晶の収率を向上させ得る。二段階合成は、一段階目の水熱合成として、例えば、６０℃の条件で４８時間行う。その後、例えば室温まで冷却する。そして、二段階目の水熱合成については、一段階目の水熱合成の温度よりも高く、例えば、８０〜９５℃程度の条件で１２０時間合成を行うとよい。なお、二段階目の水熱合成の好適な温度は８０℃より高く９０℃より低い温度であり、より好適には８５℃である。後述の実施例にて示すように、機械的強度がより高いシリカゼオライト絶縁膜が得られる。
【００１８】
（塗布液調製工程）
つづいて、シリコンウエハ等の基材に塗布する塗布液を調製する。塗布液は、上記のシリカゼオライト前駆体を遠心分離等で分離し、分離したシリカゼオライト前駆体と界面活性剤と溶媒とを混合することで得られる。
【００１９】
界面活性剤は、シリカゼオライト前駆体の水酸基が付着するとともに、後述の焼成工程にて、熱分解して焼失する物質が用いられる。界面活性剤の分子量が大きい場合、形成される空孔が大きくなり、分子量が小さい場合、形成される空孔が小さくなる。界面活性剤として、長鎖アルキル基及び親水基を有する化合物、ポリアルキレンオキサイド構造を有する化合物などが挙げられる。
【００２０】
また、後述の基材への塗布の容易化のため、塗布液の粘性を高くしてもよい。例えば、１−ブタノール等の粘性溶液を混合することで塗布液の粘度を高くすることができる。
【００２１】
（焼成工程）
まず、塗布液を基材上に塗布する。基材は特に限定されず、シリコンウエハ等が挙げられる。塗布は、スピン塗布法、キャスティング法、ディップコート法等の公知の手法で行い得る。
【００２２】
塗布液を基材上に塗布した後、窒素やアルゴン等の不活性ガス雰囲気下で、高温（例えば、４００℃程度）にて所定時間（例えば、５時間程度）焼成を行う。塗布液を焼成することで、上述したシリカゼオライト結晶構造が維持されたまま、界面活性剤が熱分解し焼失する。界面活性剤が焼失した箇所に空孔が形成される。
【００２３】
（第１の疎水化処理工程）
焼成後、疎水化処理を行う。疎水化処理は、所定の温度条件下（例えば、３５０℃程度）で、シリル化剤を含有するガスを焼成した膜に接触させることで行い得る。シリル化剤は、焼成した膜表面付近に存在する親水性のシラノールを除去し、膜表面を疎水性にする。そのため、大気中水分のバリア性が向上し、膜内部への比誘電率上昇の原因となる水分の吸着を抑制し、安定な状態に維持することが可能となる。
【００２４】
シリル化剤として、例えば、テトラメチルシクロテトラシロキサン（ＴＭＣＴＳ）、ヘキサメチルシラザン（ＨＭＤＳ）、トリメチルクロロシラン（ＴＭＣＳ）などが挙げられる。
【００２５】
（紫外線処理工程）
疎水化処理した膜に対し、所定時間（例えば、１０分間程度）、所定温度・圧力（例えば、４００℃、１ｋＰａ程度）、所定波長（例えば、１７２ｎｍ）の紫外線を照射する。膜中に残存する界面活性剤の除去、ならびに、シリカ骨格のシロキサン重合が促進される。これにより、得られるシリカゼオライト絶縁膜の低誘電率化、ならびに、機械的強度の向上が担保される。
【００２６】
（第２の疎水化処理工程）
第２の疎水化処理工程については、上述した第１の疎水化処理工程と同様であるため、説明を省略する。
【００２７】
そして、上述した紫外線処理工程及び第２疎水化処理工程を、紫外線処理工程、第２の疎水化処理工程の順に再度行う。紫外線処理工程及び第２の疎水化処理工程を再度行うことで、シリカゼオライト絶縁膜の機械的強度が更に向上することとなる。また、紫外線処理工程及び第２の疎水化処理工程の回数を増やすにつれ、シリカゼオライト絶縁膜の比誘電率の上昇を抑えつつ、機械的強度を高め得る。
【００２８】
また、疎水性が低い絶縁膜では、大気中など水分が存在する状況下では水分が付着或いは吸収し比誘電率が低下してしまうが、本実施の形態にて得られるシリカゼオライト絶縁膜の疎水性が高い。したがって、大気中で駆動されるＬＳＩ等の絶縁膜に用いても、絶縁膜の比誘電率の上昇によるＬＳＩの性能低下が抑えられる。
【００２９】
（実施の形態２）
実施の形態２に係るシリカゼオライト絶縁膜の製造方法は、図２の工程図に示すように、前駆体溶液調製工程、水熱合成工程、塗布液調製工程、焼成工程、第１の疎水化処理工程、紫外線処理工程、第２の疎水化処理工程を備える。個々の工程については、実施の形態１と同様である。
【００３０】
そして、焼成工程、第１の疎水化処理工程、紫外線処理工程、及び、第２の疎水化処理工程を、焼成工程、第１の疎水化処理工程、紫外線処理工程、第２の疎水化処理工程の順に複数回行う点で、実施の形態１とは異なる。
【００３１】
本実施の形態では、塗布液を塗布し焼成する工程を複数回行うことから、膜厚の厚いシリカゼオライト絶縁膜を製造することができる。膜厚の厚い絶縁膜が要求される際に有効となる。
【００３２】
一般的に用いられているＳｉＯ２絶縁膜では、複数層形成しても、機械的強度の向上はほとんどみられない。一方、本実施の形態では、後述の実施例にて示すように、シリカゼオライト絶縁膜を複数層形成すると、層数に応じて機械的強度が向上したシリカゼオライト絶縁膜が得られる。
【実施例１】
【００３３】
以下のようにしてシリカゼオライト絶縁膜を製造し、その特性を検証した。
【００３４】
まず、テトラブチルアンモニウムハイドロオキサイド（１９．８ｍＬ）、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）（２０ｍＬ）、エタノール（２３．５ｍＬ）を混合し、室温で２４時間攪拌し、前駆体溶液を調製した。
【００３５】
得られた前駆体溶液に純水（１４ｍＬ）を添加し、オートクレーブに入れ、６０℃の条件で４８時間、一段階目の水熱合成を行った。これを室温まで冷却した。その後、８０℃、８５℃、９０℃、９５℃の条件でそれぞれ１２０時間、二段階目の水熱合成を行った。
【００３６】
水熱合成後、遠心分離（６０００ｒｐｍ、３０分間）してゼオライト前駆体を分離した。それぞれ得られたゼオライト前駆体を、８０ゼオライト、８５ゼオライト、９０ゼオライト、９５ゼオライトと記す。
【００３７】
それぞれのゼオライト前駆体（８０ゼオライト、８５ゼオライト、９０ゼオライト、９５ゼオライト）について、ＦＴ−ＩＲ（Fourier Transform Infrared Spectroscopy）にてゼオライト結晶が形成されているかを確認した。また、それぞれのゼオライト結晶の粒径について、粒径測定機により、粒径分布を測定した。
【００３８】
図３に、ＦＴ−ＩＲ測定結果を示す。いずれについても、ゼオライト結晶構造の五員環構造に由来する吸収（５６０ｃｍ−１）を確認した。これにより、得られたゼオライト前駆体について、いずれもゼオライト結晶が形成されていることがわかった。
【００３９】
また、図４に、粒径分布を示す。二段階目の水熱合成温度が高くなるにつれ、９ｎｍ付近のピークが減少し、９０付近のピークが増加に転じている。
【００４０】
続いて、得られたそれぞれのゼオライト前駆体（８０ゼオライト、８５ゼオライト、９０ゼオライト、９５ゼオライト）を用いシリカゼオライト絶縁膜を作製した。得られたゼオライト前駆体、界面活性剤としてＢｒｉｊ７８（５ｇ）をエタノール（３０ｍＬ）に添加した界面活性剤溶液、及び、１−ブタノール（１−ＢｕＯＨ）を混合し、塗布液を調製した。ゼオライト前駆体、１−ＢｔＯＨ及び界面活性剤溶液の混合比率は、体積比で、ゼオライト前駆体溶液：１−ＢｔＯＨ：界面活性剤溶液＝３：３：２とした。
【００４１】
調製した塗布液をシリコンウエハに塗布した。シリコンウエハへの塗布はスピンコート法（２０００ｒｐｍ、２０秒間）により行った。
【００４２】
これをホットプレート上にて、１時間、９０℃の条件でプリベークを行った。その後、５時間、４００℃の条件で焼成を行った。
【００４３】
焼成後、ＴＭＣＴＳを用い、３０分間、３５０℃の条件で疎水化処理を行った。
【００４４】
疎水化処理後、１０分間、１７２ｎｍ、４００℃、１ｋＰａの条件で、紫外線処理（ＵＶ処理）を行った。
【００４５】
更に、上記と同様の条件で疎水化処理を行い、シリカゼオライト絶縁膜を得た。ゼオライト前駆体として８０ゼオライトを用いて得られたシリカゼオライト絶縁膜を８０ＣＴＵＴと記す。同様に、８５ゼオライトを用いて得られたシリカゼオライト絶縁膜を８５ＣＴＵＴと記す。同様に、９０ゼオライトを用いて得られたシリカゼオライト絶縁膜を９０ＣＴＵＴと記す。同様に、９５ゼオライトを用いて得られたシリカゼオライト絶縁膜を９５ＣＴＵＴと記す。
【００４６】
８０ＣＴＵＴ、８５ＣＴＵＴ、９０ＣＴＵＴ及び９５ＣＴＵＴそれぞれの弾性率を測定した。その結果を図５に示す。８５ＣＴＵＴがもっとも弾性率が高く、機械的強度が高い結果となった。得られるシリカゼオライト絶縁膜の機械的強度は、水熱合成温度（二段階目の水熱合成の温度）による依存性があることがわかった。
【００４７】
もっとも弾性率が良好であった８５ＣＴＵＴについて、上記のＵＶ処理及び疎水化処理を、ＵＶ処理、疎水化処理の順に一回行ってシリカゼオライト絶縁膜を得た。ここで得られたシリカゼオライト絶縁膜を８５ＣＴ（ＵＴ）×２と記す。
【００４８】
８５ＣＴ（ＵＴ）×２について、上記のＵＶ処理及び疎水化処理を、ＵＶ処理、疎水化処理の順に一回行ってシリカゼオライト絶縁膜を得た。ここで得られたシリカゼオライト絶縁膜を８５ＣＴ（ＵＴ）×３と記す。
【００４９】
また、８０ＣＴＵＴについても、上記同様に、ＵＶ処理及び疎水化処理をＵＶ処理、疎水化処理の順に行いシリカゼオライト絶縁膜を得た。ここで得られたシリカゼオライト絶縁膜を８０ＣＴ（ＵＴ）×２と記す。
【００５０】
得られたシリカゼオライト絶縁膜（８５ＣＴＵＴ、８５ＣＴ（ＵＴ）×２、及び、８５ＣＴ（ＵＴ）×３）の比誘電率、リーク電流密度、弾性率を測定した。また、得られたシリカゼオライト絶縁膜（８０ＣＴＵＴ、及び、８０ＣＴ（ＵＴ）×２）の比誘電率、弾性率を測定した。図６に比誘電率、図７にリーク電流密度、図８に弾性率の測定結果を示す。
【００５１】
図６をみると、疎水化処理及びＵＶ処理の回数を増やすにつれて、比誘電率は上昇している。疎水化処理及びＵＶ処理により、結晶化が促進され、空孔率が低下したためと考えられる。
【００５２】
また、図７を見ると、リーク電流密度は疎水化処理及びＵＶ処理の回数によらず、疎水性が保たれていることがわかる。
【００５３】
図８を見ると、二段階目の水熱合成を８０℃、８５℃で行ったいずれの膜についても、疎水化処理及びＵＶ処理の回数を増やすにつれ、弾性率が向上した。
【００５４】
また、８５ＣＴＵＴ、８５ＣＴ（ＵＴ）×２、８５ＣＴ（ＵＴ）×３の比誘電率は、それぞれ２．０２程度、２．３２程度、２．４程度であり、８５ＣＴＵＴから８５ＣＴ（ＵＴ）×２へ、８５ＣＴ（ＵＴ）×２から８５ＣＴ（ＵＴ）×３への上昇幅は、それぞれ０．３程度、０．０８程度である。また、８５ＣＴＵＴ、８５ＣＴ（ＵＴ）×２、８５ＣＴ（ＵＴ）×３の弾性率は、５．７ＧＰａ程度、９ＧＰａ程度、１１．８ＧＰａ程度であり、８５ＣＴＵＴから８５ＣＴ（ＵＴ）×２へ、８５ＣＴ（ＵＴ）×２から８５ＣＴ（ＵＴ）×３への弾性率の上昇幅は、それぞれ３．３ＧＰａ程度、２．８ＧＰａ程度である。そして、８５ＣＴＵＴから８５ＣＴ（ＵＴ）×２へ、８５ＣＴ（ＵＴ）×２から８５ＣＴ（ＵＴ）×３への弾性率／比誘電率の変化は、それぞれ１１ＧＰａ、３５ＧＰａとなる。この結果から、ＵＶ処理及び疎水化処理の回数が増えるにつれ、比誘電率の上昇幅に対する弾性率の上昇幅が小さくなる傾向にあり、ＵＶ処理及び疎水化処理の回数を増やすにつれて、膜の比誘電率の上昇を抑えつつ、弾性率を高め得ることがわかる。
【実施例２】
【００５５】
続いて、塗布液の塗布及び焼成を複数回行ってシリカゼオライト絶縁膜を製造し、その特性を検証した。
まず、実施例１と同様にして、８５ＣＴＵＴを製造した。この８５ＣＴＵＴを、以下、１ｌａｙｅｒと記す。
【００５６】
１ｌａｙｅｒについて、更に、塗布液の塗布、焼成、疎水化処理、ＵＶ処理、疎水化処理を行った。それぞれの処理の条件は実施例１と同様である。得られたシリカゼオライト絶縁膜を２ｌａｙｅｒと記す。
【００５７】
２ｌａｙｅｒについて、更に、塗布液の塗布、焼成、疎水化処理、ＵＶ処理、疎水化処理を行った。それぞれの処理の条件は実施例１と同様である。得られたシリカゼオライト絶縁膜を３ｌａｙｅｒと記す。
【００５８】
製造したシリカゼオライト絶縁膜（１ｌａｙｅｒ、２ｌａｙｅｒ、３ｌａｙｅｒ）の弾性率及び密度を測定した。図９に弾性率、図１０に密度の測定結果を示す。
【００５９】
シリカゼオライト絶縁膜の層数が増えるにつれ、比誘電率が上昇するものの、弾性率が向上している。また、密度も高くなっている。したがって、機械的強度が向上していることがわかる。
【産業上の利用可能性】
【００６０】
上述したように、本発明に係るシリカゼオライト絶縁膜の製造方法では、比誘電率が低く、且つ、機械的強度が高いシリカゼオライト絶縁膜を製造することができる。したがって、ＬＳＩ等の層間絶縁膜等への利用が期待される。
【図１】
0005999593.tif 000002
【図２】
0005999593.tif 000003
【図３】
0005999593.tif 000004
【図４】
0005999593.tif 000005
【図５】
0005999593.tif 000006
【図６】
0005999593.tif 000007
【図７】
0005999593.tif 000008
【図８】
0005999593.tif 000009
【図９】
0005999593.tif 000010
【図１０】
0005999593.tif 000011