(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板の前面に位置するエミッタ部と、前記エミッタ部上に位置し、前記エミッタ部の一部分が露出するように第１方向に形成された複数の第１開口部と前記エミッタ部の一部分が露出するように前記第１方向と交差する第２方向に形成された複数の第２開口部を含む反射防止部と、前記基板の前面に位置する第１電極と、前記基板の前面に位置し前記第１電極に接続される第１バスバーと、前記基板の後面に位置し前記基板に接続された第２電極と、前記基板の後面に位置し前記第２電極に接続された第２バスバーを含む複数の太陽電池と、
前記複数の太陽電池の隣接した二つの太陽電池にそれぞれ位置した第１バスバーと第２バスバーを電気的に接続するインターコネクトを含み、
前記複数の第１電極のそれぞれは前記反射防止部に形成された前記複数の第１開口部の内いずれか一つの第１開口部を介して露出した前記エミッタ部にそれぞれ金属メッキで接続され前記複数の第１電極がそれぞれ互いに並行するように形成され、
前記第１バスバーは前記反射防止部に形成された前記複数の第２開口部の内少なくとも２つ以上の第２開口部を介して露出した前記エミッタ部に接続する第１領域及び隣接した第２開口部の間の前記反射防止部に形成された第２領域が互いに接続されるように金属メッキで接続され、
前記反射防止部は、前記複数の第２開口部と離隔されており、前記反射防止部又は前記エミッタ部を露出する複数の溝をさらに含み、
前記第１バスバーは、前記複数の溝に満たされ、
前記第１バスバーと前記第２バスバーの内の少なくとも一つと前記インターコネクトの間は樹脂内に分散された複数の導電性粒子を含む導電性接着フィルムにより互いに電気的に接続される、太陽電池モジュール。
【請求項２】
前記第１開口部によって露出したエミッタ部の抵抗値は前記複数の第２開口部によって露出したエミッタ部の抵抗値より大きい、請求項１記載の太陽電池モジュール。
【請求項３】
前記複数の導電性粒子の内の少なくとも一つの厚さは前記導電性接着フィルムの厚さより大きいか同じである、請求項１記載の太陽電池モジュール。
【請求項４】
前記複数の導電性粒子の内の少なくとも一つは前記インターコネクト及び前記第１バスバーまたは前記第２バスバーの中で少なくとも一つの内部に没入される、請求項１記載の太陽電池モジュール。
【請求項５】
前記複数の導電性粒子の内の少なくとも一つは前記導電性接着フィルムの厚さより小さい、請求項１記載の太陽電池モジュール。
【請求項６】
前記複数の導電性粒子の内の少なくとも二つは前記インターコネクト及び前記第１バスバーまたは前記第２バスバーの中で少なくとも一つと直接接触する、請求項５記載の太陽電池モジュール。
【請求項７】
前記複数の導電性粒子の内の少なくとも二つは前記インターコネクト及び前記第１バスバーまたは前記第２バスバーの内の少なくとも一つと間接的に接触する、請求項５記載の太陽電池モジュール。
【請求項８】
前記導電性粒子は銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、亜鉛（Ｚｎ）、コバルト（Ｃｏ）、チタン（Ｔｉ）及びマグネシウム（Ｍｇ）から選択された１種以上の金属を主成分として含む金属被覆樹脂粒子に形成される、請求項１記載の太陽電池モジュール。
【請求項９】
前記導電性粒子は銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、亜鉛（Ｚｎ）、コバルト（Ｃｏ）、チタン（Ｔｉ）及びマグネシウム（Ｍｇ）から選択された１種以上の金属粒子で形成される、請求項１記載の太陽電池モジュール。
【請求項１０】
前記インターコネクトは導電性金属からなる、請求項１記載の太陽電池モジュール。
【請求項１１】
前記導電性金属は１、０００ｐｐｍ以下の鉛成分を含む、請求項１０記載の太陽電池モジュール。
【請求項１２】
前記インターコネクトは前記導電性金属の表面を被覆した半田をさらに含む、請求項１０記載の太陽電池モジュール。
【請求項１３】
前記第１バスバーと前記第２バスバーの内の少なくとも一つは凹凸面を含む、請求項１記載の太陽電池モジュール。
【請求項１４】
前記導電性接着フィルムは前記第１バスバーと前記第２バスバーの内の少なくとも一つの幅と同一の幅を有している、請求項１記載の太陽電池モジュール。
【請求項１５】
前記導電性接着フィルムは前記第１バスバーと前記第２バスバーの内の少なくとも一つの幅より大きい、請求項１記載の太陽電池モジュール。
【請求項１６】
ニッケルケイ素化合物（ｎｉｃｋｅｌ ｓｉｌｉｃｉｄｅ）が前記第１電極と前記第１バスバーの内の少なくとも一つと前記基板の間に含まれる、請求項１記載の太陽電池モジュール。
【請求項１７】
前記第１電極と前記第１バスバーの内の少なくとも一つは前記基板の上にニッケル（Ｎｉ）メッキ方法からなる第１膜、前記第１膜の上に銀（Ａｇ）または銅（Ｃｕ）メッキ方法からなる第２膜を含む、請求項１記載の太陽電池モジュール。
【請求項１８】
前記第２膜が銅（Ｃｕ）からなる時、前記第２膜の上に銀（Ａｇ）やスズ（Ｓｎ）メッキ方法からなる第３膜をさらに含む、請求項１７記載の太陽電池モジュール。
【請求項１９】
前記導電性接着フィルムと接する前記第１バスバーと前記第２バスバーの内の少なくとも一つの第１面は膨らんでいる曲面を有している、請求項１記載の太陽電池モジュール。
【請求項２０】
前記第１バスバーの端部に形成される複数の第２開口部の間の間隔は前記第１バスバーの中央部分に形成される複数の第２開口部の間の間隔より狭い、請求項１記載の太陽電池モジュール。
【請求項２１】
前記導電性接着フィルムの中部分の高さは前記導電性接着フィルムの端部分の高さより低い、請求項１記載の太陽電池モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は太陽電池モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
最近石油や石炭のような既存エネルギー資源の枯渇が予測されながらこれらを取り替える代替エネルギーに対する関心が高くなりこれによって太陽エネルギーから電気エネルギーを生産する太陽電池が注目されている。
【０００３】
一般的な太陽電池はｐ型とｎ型のように互いに異なる導電性タイプ(conductive type)によりｐ−ｎ接合を形成する半導体部、それと互いに異なる導電性タイプの半導体部にそれぞれ接続された電極を備える。
【０００４】
このような太陽電池に光が入射されれば半導体で電子と正孔が生成され、ｐ−ｎ接合により生成された電子はｎ型半導体部の方に移動し生成された正孔はｐ型半導体部の方に移動する。移動した電子と正孔はそれぞれｐ型半導体部とｎ型半導体部に接続された互いに異なる電極によって収集され、この電極を電線で接続して電力を得る。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、太陽電池モジュールの効率を向上することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る太陽電池モジュールの一例は基板と、基板に位置するエミッタ部と、エミッタ部上に位置する反射防止部と、基板に位置する第１電極と、基板に位置して第１電極と接続された第１バスバーと、基板に位置し基板に接続された第２電極と、基板に位置し第２電極と接続された第２バスバーを含む複数の太陽電池と、エミッタ部の一部分が露出した第１開口部とエミッタ部の一部分が露出した一つ以上の第２開口部を含む反射防止部と、複数の太陽電池に隣接した太陽電池の第１バスバーと第１バスバー又は第２バスバーを電気的に接続するインターコネクトを含み、第１電極は反射防止部を貫通し第１開口部に露出したエミッタ部に電気メッキにより接続され、第１バスバーは反射防止部を貫通し一つ以上の第２開口部に露出したエミッタ部に電気メッキにより接続される。
【０００７】
ここで、第１開口部によって露出したエミッタ部の抵抗値は一つ以上の第２開口部によって露出したエミッタ部の抵抗値より大きくなることができる。
【０００８】
また、太陽電池モジュールは第１バスバーと第２バスバーの内の少なくとも一つとインターコネクトの間に位置し、樹脂内に分散した複数の導電性粒子を含み、第１バスバーと第２バスバーの内の少なくとも一つとインターコネクトを電気的に接続する導電性接着フィルムをさらに含むことができる。
【０００９】
ここで、複数の導電性粒子の内の少なくとも一つの厚さは導電性接着フィルムの厚さより大きいか同一で有り得る。
【００１０】
また、複数の導電性粒子の内の少なくとも一つはインターコネクト及び第１バスバーまたは第２バスバーの内の少なくとも一つの内部に没入されることができる。
【００１１】
また、複数の導電性粒子の内の少なくとも一つは導電性接着フィルムの厚さより小さいこともある。
【００１２】
ここで、複数の導電性粒子の内の少なくとも二つはインターコネクト及び第１バスバーまたは第２バスバーの内の少なくとも一つと直接接触するか、複数の導電性粒子の中で少なくとも二つはインターコネクト及び第１バスバーまたは第２バスバーの内の少なくとも一つと間接的に接触することができる。
【００１３】
また、導電性粒子は銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、亜鉛（Ｚｎ）、コバルト（Ｃｏ）、チタン（Ｔｉ）及びマグネシウム（Ｍｇ）から選択された1種以上の金属を主成分として含む金属被服樹脂粒子に形成されるか、導電性粒子は銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、亜鉛（Ｚｎ）、コバルト（Ｃｏ）、チタン（Ｔｉ）及びマグネシウム（Ｍｇ）から選択された1種以上の金属粒子に形成されることがある。
【００１４】
また、複数の導電性粒子の内の少なくとも一つは円型、楕円型、または放射状の形状となりうる。
【００１５】
また、導電性粒子の内の少なくとも一つは非定型的または突き出された部分を有することがある。
【００１６】
また、インターコネクトは導電性金属からなることがあり、導電性金属は１．０００ｐｐｍ 以下の鉛成分を含むことがある。
【００１７】
また、インターコネクトは導電性金属の表面を被覆した半田をさらに含むことができる。
【００１８】
また、第１バスバーと第２バスバーの内の少なくとも一つは凹凸面を含むことができる。
【００１９】
また、導電性接着フィルムは第１バスバーと第２バスバーの内の少なくとも一つの幅と同一の幅を有するか、導電性接着フィルムは第１バスバーと第２バスバーの内の少なくとも一つの幅より大きいこともある。
【００２０】
また、反射防止部は複数の第２開口部と離隔されており反射防止部またはエミッタ部を露出する複数の溝をさらに含むことができる。
【００２１】
また、ニッケルケイ素化合物(nickel silicide)が第１電極と第１バスバーの内の少なくとも一つと基板の間に含まれることができる。
【００２２】
また、第１電極と第１バスバーの内の少なくとも一つは表面に曲面が形成される金属メッキ方法によって形成されることができる。
【００２３】
また、第１電極と第１バスバーの内の少なくとも一つは基板の上にニッケル（Ｎｉ） メッキ方法からなる第１膜、第１膜の上に銀（Ａｇ）または銅（Ｃｕ）メッキ方法からなる第２膜を含み、第２膜が銅（Ｃｕ）からなる時、第２膜の上に銀（Ａｇ）やスズ（Ｓｎ）メッキ方法からなる第３膜をさらに含むこともできる。
【００２４】
また、導電性接着フィルムと接する第１バスバーと第２バスバーの内の少なくとも一つの第１面は凸な曲面を有することができる。
【００２５】
また、導電性接着フィルムの中部分の高さは導電性接着フィルムの端部分の高さより小さいことがある。
【発明の効果】
【００２６】
このように、凸な曲面形状を有する第１バスバーと第２バスバーの内の少なくとも一つと凸な曲面形状を有するインターコネクトとの接触を実施する場合、第１バスバーと第２バスバーの内の少なくとも一つとインターコネクトの間に柔軟性と成形性が優秀な樹脂を含んでいる導電性接着フィルムを配置して第１バスバーと第２バスバーの内の少なくとも一つとインターコネクトを接続する。これにより、外部から印加される熱と圧力によるインターコネクトの損傷の危険が減る。これにより、太陽電池モジュールの効率が向上する。
【００２７】
また、第１バスバーと第２バスバーの内の少なくとも一つとその下部に位置したエミッタ部との接続のために、第１バスバーと第２バスバーの内の少なくとも一つの幅に対応する大きさだけ反射防止部に第２開口部を形成する代わり、第１バスバーと第２バスバーの内の少なくとも一つの幅より小さな幅を有する複数の第２開口部を形成する。これにより、第２開口部を形成するために印加される熱による太陽電池の効率減少を防止し、第２開口部を形成するための製造時間もまた短縮できる。
【００２８】
さらに、第１バスバーと接している反射防止部に部分的に複数の溝を形成し、複数の溝に第１バスバーが満たされて、第１バスバーの接触面積が増加して第１バスバーと放射防止部及びエミッタ部との接着力が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の一実施の形態に係る太陽電池の一例に対する一部斜視図である。
【図２】図１に示した太陽電池をＩＩ−ＩＩ線に従って切って示した断面図である。
【図３】（ａ）と（ｂ）はそれぞれ図２の「Ａ」部分を拡大した図である。
【図４】（ａ）と（ｂ）はそれぞれ第１開口部または第２開口部の平面図である。
【図５】それぞれは本発明の参考の実施の形態に係る太陽電池の前面電極部の一部とその下部に位置したエミッタ部の一部を概略的に示す平面図である。
【図６】それぞれは本実施の形態に係る太陽電池の前面電極部の一部とその下部に位置したエミッタ部の一部を概略的に示す平面図である。
【図７】本発明の参考の実施の形態によって反射防止部に形成された複数の第１及び第２開口部を概略的に示す平面図である。
【図８】本実施の形態によって反射防止部に形成された複数の第１及び第２開口部を概略的に示す平面図である。
【図９】本実施の形態によって第２開口部によって露出した第２エミッタ部分の上にメッキされた前面バスバーの一部を概略的に示す断面図である。
【図１０】（ａ）乃至（ｃ）は本実施の形態によって第２開口部によって露出した第２エミッタ部分の上にメッキされて前面バスバーが形成される過程を概略的に示す断面図である。
【図１１】本発明の一実施の形態に係る太陽電池の他の例に対する一部断面図である。
【図１２Ａ】図１及び図２に示す太陽電池の製造方法を順次に示す図である。
【図１２Ｂ】図１及び図２に示す太陽電池の製造方法を順次に示す図である。
【図１２Ｃ】図１及び図２に示す太陽電池の製造方法を順次に示す図である。
【図１２Ｄ】図１及び図２に示す太陽電池の製造方法を順次に示す図である。
【図１２Ｅ】図１及び図２に示す太陽電池の製造方法を順次に示す図である。
【図１２Ｆ】図１及び図２に示す太陽電池の製造方法を順次に示す図である。
【図１２Ｇ】図１及び図２に示す太陽電池の製造方法を順次に示す図である。
【図１３】本発明の一実施の形態に係る太陽電池モジュールの平面図である。
【図１４】図１３で隣接した太陽電池をインターコネクトで直列接続した場合を概略的に示す側面図である。
【図１５】本発明の一実施の形態に係る太陽電池モジュールの概略的な分解斜視図である。
【図１６】図１３で導電性接着フィルムを利用して前面バスバーとインターコネクトの接続状態を示す多様な例の断面図である。
【図１７】図１３で導電性接着フィルムを利用して前面バスバーとインターコネクトの接続状態を示す多様な例の断面図である。
【図１８】図１３で導電性接着フィルムを利用して前面バスバーとインターコネクトの接続状態を示す多様な例の断面図である。
【図１９】図１３で導電性接着フィルムを利用して前面バスバーとインターコネクトの接続状態を示す多様な例の断面図である。
【図２０】（ａ）と（ｂ）は比較例によって前面バスバーとインターコネクトの接続状態を示す断面図である。
【図２１】本発明の一実施の形態に係る太陽電池のまた他の例に対する一部斜視図である。
【図２２】図２１に示す太陽電池をＸＸＩＩ−ＸＸＩＩ線に従って切って示す断面図である。
【図２３】図２１及び図２１の太陽電池で反射防止部に形成された複数の第１を概略的に示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下では添付した図面を参照にして本発明の実施の形態に対して本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者が容易に実施するように詳しく説明する。しかし本発明はいろいろ多様な形態に具現されることができここで説明する実施の形態に限定されない。そして図面で本発明を明確に説明するために説明と関係ない部分は省略し、明細書全体を通じて類似の部分に対しては類似の図面符号を付けた。
【００３１】
図で多くの層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。層、膜、領域、基板などの部分が他の部分「上に」あると言う時、これは他の部分「真上に」ある場合だけではなくその中間に他の部分がある場合も含む。反対に何れの部分が他の部分「真上に」あると言う時には中間に他の部分がないことを意味する。
【００３２】
それでは添付した図面を参照にして本発明の一実施の形態に係る太陽電池及び太陽電池モジュールに対して説明する。
【００３３】
先ず、図１乃至図８を参照にし、本発明の一実施の形態に係る太陽電池１の一例に対して詳細に説明する。
【００３４】
図１及び図２を参照にすれば、本発明の一実施の形態に係る太陽電池１は基板１１０ 、光が入射される基板１１０ の面である前面(front surface；第１面)の方に位置したエミッタ部(emitter region)１２１、エミッタ部１２１上に位置する反射防止部１３０、基板１１０ の前面に位置し複数の前面電極（複数の第１電極）１４１と複数の前面電極１４１と接続された複数の前面バスバー(複数の第１バスバー)１４２を備えた前面電極部１４０、基板１１０ の前面の反対側面である基板１１０ の後面(back surface)(第２面) の方に位置する電界部(surface field region)１７２、そして電界部１７２上と基板１１０ の後面上に位置し後面電極(第２電極)１５１と後面電極１５１と接続された複数の後面バス バ(複数の第２バスバー)１５２を備えた後面電極部１５０を備える。
【００３５】
基板１１０は第１導電性タイプ、例えばｐ型導電性タイプを有し、シリコン(silicon)のような半導体からなる半導体基板である。この時、半導体は多結晶シリコンまたは単結晶シリコンのような結晶質半導体である。
【００３６】
基板１１０がｐ型の導電性タイプを有する場合、ホウ素（Ｂ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）などのような３価元素の不純物が基板１１０に、ドーピングされる。
【００３７】
しかし、これとは異なり、基板１１０はｎ型の導電性タイプで有り得、シリコン以外の他の半導体物質からなることもある。基板１１０ がｎ型の導電性タイプを有する場合、基板１１０はりん（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）などのように５価元素の不純物が基板１１０にドーピングされる。
【００３８】
図１及び図２に示すように、基板１１０の前面はテクスチャリング(texturing)され複数の突出部１１と複数の凹部１２を有する凹凸面であるテクスチャリング表面(textured surface)を有する。したがってテクスチャリング表面により、基板１１０の表面積が増加して光の入射面積が増加し基板１１０によって反射する光の量が減少するので、基板１１０に入射される光の量が増加する。
【００３９】
このように、基板１１０の前面が複数の突出部１１と複数の凹部１２を有する凹凸面であるので、図１及び図２に示すように、基板１１０の前面の上に位置したエミッタ部１２１の表面とエミッタ部１２１の上に位置した反射防止部１３０の表面もまた複数の突出部２１と複数の凹部２２を有する凹凸面である。
【００４０】
エミッタ部１２１は基板１１０の導電性タイプと反対の導電型である第２導電性タイプ、例えば、ｎ型の導電性タイプを有する不純物がドーピングされた不純物ドーピング部として 基板１１０の前面の方に位置する。これのよりエミッタ部１２１は基板１１０の第１導電性タイプ部分とｐ−ｎ接合を成す。
【００４１】
このようなエミッタ部１２１は互いに異なる不純物のドーピング厚さと互いに異なる 面抵抗値を有する第１エミッタ部分１２１１（第１不純物ドーピング部分）と第２エミッタ部分１２１２（第２不純物ドーピング部分）を備えている。
【００４２】
本実施の形態で、第１エミッタ部分１２１１の不純物ドーピング厚さは第２エミッタ部分１２１２の不純物ドーピング厚さ(深さ)より薄く、これにより、第１エミッタ部分１２１１の不純物ドーピング濃度も第２エミッタ部分１２１２の不純物ドーピング濃度より小さい。これにより、第１エミッタ部分１２１１の面抵抗値は第２エミッタ部分１２１２の面抵抗値より大きい。例えば、第１エミッタ部分１２１１の面抵抗値は約８０Ω/sq．乃至１２０Ω/sq．であり、第２エミッタ部分１２１２の面抵抗値は約１０Ω/sq．乃至５０Ω/sq．で有り得る。
【００４３】
したがって、本例のエミッタ部１２１は互いに異なる面抵抗値と不純物ドーピング濃度を有する第１及び第２エミッタ部分（１２１１、１２１２）を備えた選択的エミッタ構造(selective emitter structure)を有している。
【００４４】
この時、第１エミッタ部分１２１１と基板１１０[すなわち、基板１１０の第１導電性タイプ部分]とのｐ−ｎ接合面(第１接合面)と第２エミッタ部分１２１２と基板１１０とのｐ−ｎ接合面(第２接合面)は互いに異なる高さに位置する。したがって、基板１１０の後面から第１接合面までの厚さは基板１１０の後面から第２接合面までの厚さより厚い。
【００４５】
図１及び図２に示すように、エミッタ部１２１の第１エミッタ部分１２１１は反射防止部１３０下部に位置する。第２エミッタ部分１２１２は複数の前面電極１４１と複数の前面バスバー１４２下部に位置し、複数の前面電極１４１下部に位置する第２エミッタ部分１２１２である複数の電極用第２エミッタ部分１２ａ(エミッタ部の第１部分)と複数の前面バスバー１４２下部に位置する第２エミッタ部分１２１２である複数のバスバー用第２エミッタ部分１２ｂ(エミッタ部の第２部分)を備える。
【００４６】
この時、各電極用第２エミッタ部分１２ａの幅Ｗ１１と各バスバー用第２エミッタ部分１２ｂの幅Ｗ１２は互いに同一である。一例として、各電極用第２エミッタ部分１２ａの幅Ｗ１１と各バスバー用第２エミッタ部分１２ｂの幅Ｗ１２はそれぞれ約５μｍ乃至１５μｍで有り得る。
【００４７】
図５及び図６に示すように、各電極用第２エミッタ部分１２ａは各前面電極１４１下部で前面電極１４１に沿って前面電極１４１と同一の方向に長く伸びていているので、各前面電極１４１下部には一つの電極用第２エミッタ部分１２ａが存在する。
【００４８】
各バスバー用第２エミッタ部分１２ｂは各前面バスバー１４２下部で前面バスバー１４２に沿って前面バスバー１４２と同一の方向に伸びていて互いに離隔されている複数のバスバー用第２エミッタ部分１２ｂが存在する。したがって、隣接したバスバー用第２エミッタ部分１２ｂの間には第１エミッタ部分１２１１が存在する。
【００４９】
この時、図１に示すように、複数の前面電極１４１の延長方向と複数の前面バスバー１４２の延長方向は互いに交差する方向であるので、複数の前面電極１４１と複数の前面バスバー１４２は交差する部分で複数の前面電極１４１と複数の前面バスバー１４２は互いに接続されている。したがって、複数の前面電極１４１下部と複数の前面バスバー１４２下部でこれら〔１４１、１４２〕と同一の方向に伸びている電極用第２エミッタ部分１２ａと複数のバスバー用第２エミッタ部分１２ｂもまた互いに交差する部分で互いに接続されている。
【００５０】
したがって、複数の前面電極１４１と複数の前面バスバー１４２が互いに交差する部分を除けば、各前面バスバー１４２下部には互いに離隔されている複数の第２エミッタ部分１２１２[すなわち、バスバー用第２エミッタ部分１２ｂ]が存在する。本例では、隣接した二つのバスバー用第２エミッタ部分１２ｂの間隔〔Ｄ１１〕は１５μｍ乃至 ３０μｍで有り得る。
【００５１】
図１及び図２そして図５及び７に示すように、本例による太陽電池１で、各前面バスバー１４２下部に位置した複数の第２エミッタ部分１２１２[すなわち、複数のバスバー用第２エミッタ部分１２ｂ]の形成間隔（Ｄ１１）は一定である。
【００５２】
しかし、図６及び図８に示すように、他の例では、各前面バスバー１４２下部に位置した複数の第２エミッタ部分１２１２[複数のバスバー用第２エミッタ部分１２ｂ]の間隔（Ｄ１１）は互いに相異する。
【００５３】
例えば、図６及び図８に示すように、複数のバスバー用第２エミッタ部分１２ｂの間の間隔（Ｄ１１）は各前面バスバー１４２に対応する複数のバスバー用第２エミッタ部形成幅（Ｗ３）の中部分に位置したバスバー用第２エミッタ部分１２ｂの間隔（Ｄ１１）が複数のバスバー用第２エミッタ部形成幅（Ｗ３）の端部分に位置したバスバー用第２エミッタ部（１２ｂ）の間隔（Ｄ１１）より大きくなることができる。
【００５４】
この時、各前面バスバー１４２に対応する複数のバスバー用第２エミッタ部形成幅（Ｗ３）の中央部分に位置したバスバー用第２エミッタ部分１２ｂの間隔（Ｄ１１）は互いに同一で有り得、複数のバスバー用第２エミッタ部形成幅（Ｗ３）の端部分に位置したバスバー用第２エミッタ部（１２ｂ）の間隔（Ｄ１１）は同一で有り得る。
【００５５】
この時、各前面バスバー１４２に対応する複数のバスバー用第２エミッタ部形成幅（Ｗ３）の中央部分に位置したバスバー用第２エミッタ部分１２ｂの間隔（Ｄ１１）は複数のバスバー用第２エミッタ部形成幅（Ｗ３）の端部分に位置したバスバー用第２エミッタ部（１２ｂ）の間隔（Ｄ１１）に比べて約１．５乃至５倍で有り得る。
【００５６】
しかし、これに限定されないで、複数のバスバー用第２エミッタ部形成幅（Ｗ３）の位置に無関係に互いに隣接した二つのバスバー用第２エミッタ部（１２ｂ）の間の間隔（Ｄ１１）は互いに相異することがある。
【００５７】
本例では、各前面バスバー１４２下部に存在する複数の第２エミッタ部分１２１２[すなわち、バスバー用第２エミッタ部分１２ｂ]の個数は各第２エミッタ部分１２１２の幅と隣接した二つのバスバー用第２エミッタ部分１２ｂの間隔（Ｄ１１）と各第２エミッタ部分１２ｂの幅によって決まれば、例えば、約３０乃至７０個で有り得る。
【００５８】
基板１１０とエミッタ部１２１の間に形成されたｐ−ｎ接合による内部電位差(built-in potential difference)によって、基板１１０に入射した光によって生成された電荷である電子と正孔の中で電子はｎ型の方に移動し正孔はｐ型の方に移動する。したがって、基板１１０がｐ型でエミッタ部１２１がｎ型の場合、電子はエミッタ部１２１方へ移動し正孔は基板１１０の後面方に移動する。
【００５９】
エミッタ部１２１は基板１１０とｐ−ｎ接合を形成するので、これと異なり、基板１１０ がｎ型の導電性タイプを有する場合、エミッタ部１２１はｐ型の導電性タイプを有する。この場合、電子は基板１１０の後面方に移動し正孔はエミッタ部１２１の方へ移動する。
【００６０】
エミッタ部１２１がｎ型の導電性タイプを有する場合、エミッタ部１２１には５価元素の不純物をドーピングすることができ、反対にエミッタ部１２１がｐ型の導電性タイプを有する場合エミッタ部１２１には３価元素の不純物をドーピングすることができる。
【００６１】
第１エミッタ部分１２１１の面抵抗値が約８０Ω/sq．以上で約１２０Ω/sq．以下の場合、第１エミッタ部分１２１１自体で吸収される光の量をもう少し減少させ、基板１１０に入射される光の量を増加させ、不純物による電荷損失をもう少し減少させる。
【００６２】
また、第２エミッタ部分１２１２の面抵抗値が約１０ Ω/sq．以上で約５０Ω/sq．以下である場合、第２エミッタ部分１２１２と前面電極部１４０との接触抵抗が減り電荷の移動の中での抵抗による電荷損失が減る。
【００６３】
既に説明したように、エミッタ部１２１の第１エミッタ部分１２１１が反射防止部１３０下部に位置するので、反射防止部１３０はエミッタ部１２１の第１エミッタ部分１２１１上に位置する。したがって、各前面バスバー１４２下部に位置した複数のバスバー用第２エミッタ部分１２ｂ中で、隣接した二つのバスバー用第２エミッタ部分１２ｂの間にも第１エミッタ部分１２１１が存在するので、隣接したバスバー用第２エミッタ部分１２ｂの間に位置した第１エミッタ部分１２１１上に反射防止部１３０が存在する。
【００６４】
このような反射防止部１３０は水素化されたシリコンチッ化物（SiNx：H）、水素化されたシリコン酸化物（ＳｉＯｘ：Ｈ）、水素化されたシリコン酸化チッ化物（SiOxNy：H）、またはアルミニウム酸化物（ＡｌｘＯｙ）などからなる。
【００６５】
反射防止部１３０は太陽電池１に入射される光の反射度を減らし特定の波長領域の選択性を増加させ、太陽電池１の効率を高める。
【００６６】
また反射防止部１３０を形成する時注入された水素（Ｈ）や酸素（Ｏ）などを通じて反射防止部１３０は基板１１０の表面及びその近くに存在するダングリングボンド（dangling bond）のような欠陥(defect)を安定した結合に変えて欠陥によって基板１１０ の表面の方に移動した電荷が消滅することを減少させるパッシベーション機能(passivaＴｉＯn funcＴｉＯn)を遂行する。したがって欠陥によって基板１１０の表面の方に移動した電荷が消滅することを減少させるパッシベーション機能(passivaＴｉＯn funcＴｉＯn)を遂行し、反射防止部１３０は保護部(passivaＴｉＯn region)としても機能する。このような反射防止部１３０によって、欠陥によって基板１１０の表面及びその近傍で損失する 電荷の量が減少するので、太陽電池１の効率は向上する。
【００６７】
このような反射防止部１３０の上部面(すなわち、前面電極部１４０と接している方の表面)は、既に説明したように、その下部に位置した基板１１０のテクスチャリング表面(すなわち、凹凸面)によって複数の第１突出部２１と複数の第２凹部２２を有する平坦ではない凹凸面を有してある。これにより、基板１１０ に入射される光の量が増加する。
【００６８】
また反射防止部１３０の上部面の一部は前面電極１４１及び前面バスバー１４２と接している。
【００６９】
この時、前面電極１４１及び前面バスバー１４２と接している反射防止部１３０の上部面には図３の（ａ）に示すように、複数の溝１８０を備えている。
【００７０】
この時、各溝１８０は前面電極部１４０と接している反射防止部１３０の上部面に位置した各突出部２１に位置し反射防止部１３０の一部が除去され形成されたことで、反射防止部１３０の上部面から反射防止部１３０の下部面(すなわち、反射防止部１３０の上部面の反対側に位置しエミッタ部１２１と接している面) の方に決まった厚さまたは深さ（Ｄ１）だけ陥没した部分である。図３の（ａ）で、反射防止部１３０の上部面の方に形成された複数の溝１８０は反射防止部１３０のみの一部が除去され形成されたことで、反射防止部１３０内にのみ位置する。
【００７１】
しかし、図３の（ｂ）に示すように、他の例では、前面電極部１４０と接する反射防止部１３０の部分に形成された複数の溝１８０は反射防止部１３０だけでなくその下部に位置したエミッタ部[すなわち、第１エミッタ部分１２１１]の一部まで除去して形成される。
【００７２】
したがって、各溝１８０を通じて反射防止部１３０やエミッタ部１２１の第１エミッタ部分１２１１が現われる。
【００７３】
この時、各溝１８０の深さ（Ｄ１）は図３の（ａ）に示す深さ（Ｄ１）より大きい。
【００７４】
複数の溝１８０はレーザビームを照射して所望する位置に形成することができる、各溝１８０の深さ（Ｄ１）はレーザビームの強さによって変えることができる。
【００７５】
本例では、各溝１８０の深さ（Ｄ１）は各溝１８０の周辺に位置した突出部を直線で接続して各溝１８０に形成された仮想の線から溝１８０の側面と並びに測定された深さ中最大値で有り得る。
【００７６】
本例では、図３の （ａ）のように各溝１８０が反射防止部１２０のみを露出する場合、各溝１８０の深さ（Ｄ１）と直径は約３００ｎｍ乃至１０μｍで有り得、図３の（ｂ）のように各溝１８０が前記エミッタ部１２１を露出する時、各溝１８０の深さ（Ｄ１）と直径はそれぞれ７０ｎｍ乃至１２０ｎｍで有り得る。
【００７７】
各溝１８０は第２開口部１８２と並びに第２開口部１８２に沿って同一の方向に伸びているストライプ形状を有するか円型や楕円型の形状を有することができる。
【００７８】
本実施の形態で、反射防止部１３０は単一膜構造を有するが２重膜のような多層膜構造を有することができ、必要によって省略することができる。
【００７９】
複数の前面電極１４１と複数の前面バスバー１４２を備えた前面電極部１４０はエミッタ部１２１上の及び反射防止部１３０上に位置しエミッタ部１２１の第２エミッタ部分１２１２と接続されている。
【００８０】
したがって、反射防止部１３０は各前面電極１４１と第２エミッタ部分１２１２の各電極用第２エミッタ部分１２ａを接続するために反射防止部１３０の一部を除去してその下部に位置した各電極用第２エミッタ部分１２ａを露出させる複数の第１開口部１８１と各前面バスバー１４２と第２エミッタ部分１２１２のバスバー用第２エミッタ部分１２ｂを接続するために反射防止部１３０の一部を除去してその下部に位置した第２エミッタ部分１２１２の各バスバー用第２エミッタ部分１２ｂを露出させる複数の第２開口部１８２を備える。
【００８１】
複数の第１及び第２開口部（１８１、１８２）は反射防止部１３０の該の位置にレーザビームを照射して形成することができる。
【００８２】
各第１開口部１８１と各第２開口部１８２によって露出した第２エミッタ部分（１２ａ、１２ｂ）の各両側面の形状は図４の（ａ）に示すように、平坦面や図４の（ｂ）に示すように非平坦面である凹凸面で有り得る。
【００８３】
第１及び第２開口部（１８１、１８２）を通じて現われた第２エミッタ部分（１２ａ、１２ｂ）の両側面が平坦面である時、使われるレーザビーム（ＬＢ）は第１及び第２開口部（１８１、１８２）の幅と同一の幅を有するストライプ(stripe) 形状を有することができ、第１及び第２開口部（１８１、１８２）を通じて現われた第２エミッタ部分（１２ａ、１２ｂ）の両側面が凹凸面である時、使われるレーザビーム（ＬＢ）は第１及び第２開口部（１８１、１８２）の幅と同一の幅を有するスポット(spot) 形状を有することができる。
【００８４】
各第１開口部１８１と各第２開口部１８２によって露出した第２エミッタ部分（１２ａ、１２ｂ）の各両側面の形状が凹凸面の場合、第１及び第２開口部（１８１、１８２）を通じて露出する第２エミッタ部分（１２ａ、１２ｂ）の面積が増加するので前面電極１４１及び前面バスバー１４２と第２エミッタ部分（１２ａ、１２ｂ）が接触する接触面積が増加するようになり、ストライプ形状を有するレーザビーム（ＬＢ）を利用して第１及び第２開口部（１８１、１８２）を形成する場合、第１及び第２開口部（１８１、１８２）の形成時間が減る。
【００８５】
図７及び図８に示すように、第１及び第２開口部（１８１、１８２）それぞれの幅（Ｗ４１、Ｗ４２）は同一であり、各第１及び第２開口部（１８１、１８２）の幅（Ｗ４１、Ｗ４２）は約５μｍ 乃至約１５μｍで有り得る。
【００８６】
複数の第１開口部１８１は複数の前面電極１４１を形成するための開口部(すなわち、前面電極用開口部)であり、複数の第２開口部１８２は複数の前面バスバー１４２を形成するための開口部(すなわち、前面バスバー用開口部)である。
【００８７】
この時、一つの第１開口部１８１は一つの前面電極１４１を形成するための開口部であるので、反射防止部１３０で一つの前面電極１４１を形成するための形成領域(以下、「前面電極形成領域」または「第１電極形成領域」と称する)（ＡＡ）に形成される第１開口部１８１の個数は一つである。これにより、複数の第１開口部１８１の個数は複数の前面電極１４１の個数と同一である。
【００８８】
しかし、複数の前面電極１４１とは異なり、約１ｍｍ乃至１．５ｍｍの幅を有する一つの前面バスバー１４２を形成するためには約３０個乃至約７０個の第２開口部１８２が必要であり、これにより、一つの前面バスバー１４２を形成するための反射防止部１３０の領域(以下、「前面バスバー形成領域」または「第１バスバー形成領域」と称する)（ＡＢ）に形成される第２開口部１８２の個数は約３０個乃至約７０個である。したがって、複数の第２開口部１８２の個数は複数の前面バスバー１４２の個数よりずっと大きい。
【００８９】
このように、一つの前面バスバー１４２を形成するため、一つの前面バスバー１４２の幅と少なくとも同一の幅を有する一つの第２開口部１８２を形成する代わり、離隔された複数の第２開口部１８２を形成する時、反射防止部１３０の前面バスバー形成領域（ＡＢ）の幅または一つの前面バスバー１４２に対応する複数のバスバー用第２エミッタ部形成幅（Ｗ３）に対してその下部に形成された複数の第２開口部１８２の全ての幅の割合は約１：０．２乃至０．５で有り得る。
【００９０】
既に説明したように、複数の前面電極１４１は互いに離隔され決まった方向に並んで伸びており、各前面電極１４１は第２エミッタ部分１２１２の各電極用第２エミッタ部分１２ａと電気的及び物理的に接続されている。
【００９１】
各前面電極１４１は各電極用第２エミッタ部分１２ａの上だけでは隣接した反射防止部１３０上にも一部位置する。したがって、図５及び図６に示すように、各電極用第２エミッタ部分１２ａの幅Ｗ１１よりその上に位置した各前面電極１４１の幅（Ｗ２１）がさらに大きい。一例として、各前面電極１４１の幅（Ｗ２１）は２０μｍ乃至４０μｍで有り得る。
【００９２】
これにより、各前面電極１４１は第２エミッタ部分１２１２[すなわち、電極用第２エミッタ部分１２ａ]と電気的及び物理的に接続されている。
【００９３】
このような複数の前面電極１４１はエミッタ部１２１の第１エミッタ部１２１１を通じて第２エミッタ部分１２１２の電極用第２エミッタ部分１２ａに移動した電荷、例えば、電子を収集する。
【００９４】
既に説明したように、一つの前面電極１４１を形成するために電極用第２エミッタ部分１２ａを露出させる第１開口部１８１の個数は一つであり、一つの前面バスバー１４２を形成するためにバスバー用第２エミッタ部分１２ｂを露出させる複数の第２開口部１８２の個数は約３０個乃至 ７０個で有り得る。
【００９５】
本例では、一つの前面バスバー１４２に対応する複数のバスバー用第２エミッタ部形成幅（Ｗ３）に対してその下部に形成された複数の第２開口部１８２の全ての幅の割合は約１： ０．２乃至０．５で有り得る。
【００９６】
一つの前面バスバー１４２に対応する複数のバスバー用第２エミッタ部形成幅（Ｗ３）に対してその下部に形成された複数の第２開口部１８２の全ての幅の割合が約１：０．２以上の場合、複数の第２開口部１８２を通じて露出したバスバー用第２エミッタ部分１２ａ上に形成される一つの前面バスバー１４２がさらに安定的に形成され所望する幅と所望する伝導度を有する前面バスバー１４２が得られる。
【００９７】
一つの前面バスバー１４２に対応する複数のバスバー用第２エミッタ部形成幅（Ｗ３）に対してその下部に形成された複数の第２開口部１８２の全ての幅の割合が約１： ０．５以下である場合、複数の第２開口部１８２を形成するのに必要となる時間をさらに節約し複数の第２開口部１８２形成のために熱に露出するエミッタ部１２１の面積をさらに減らすことができるようになる。
【００９８】
複数の前面バスバー１４２は互いに離隔され複数の前面電極１４１と交差する方向に並びに伸びていて、各前面バスバー１４２は複数の第２開口部１８２を通じて現われた第２エミッタ部分１２１２の複数のバスバー用第２エミッタ部分１２ｂと電気的及び物理的に接続されている。
【００９９】
また隣接した二つのバスバー用第２エミッタ部分１２ｂの間に反射防止部１３０が位置するので、一つの前面バスバー１４２は第２エミッタ部分１２１２[すなわち、複数のバスバー用第２エミッタ部分１２ｂ]だけでなく反射防止部１３０とも接続されている。
【０１００】
もちろん隣接した二つのバスバー用第２エミッタ部分１２ｂの間の反射防止部１３０下部に第１エミッタ部分１２１１が存在するので、一つの前面バスバー１４２下部には第２エミッタ部分１２１２[すなわち、複数のバスバー用第２エミッタ部分１２ｂ]だけでなく第１エミッタ部分１２１１で存在する。
【０１０１】
各前面電極１４１と同一に、一つの前面バスバー１４２下部に存在する複数のバスバー用第２エミッタ部分１２ｂが位置した基板１１０の全体幅(複数のバスバー用第２エミッタ部分の形成幅)（Ｗ３）[すなわち、図５で、一つの前面バスバー１４２下部に存在する複数のバスバー用第２エミッタ部分１２ｂ中で最も上部(すなわち最外郭)に位置したバスバー用第２エミッタ部分１２ｂの最側面から最も下部(すなわち、最外郭)に位置したバスバー用第２エミッタ部分１２ｂの最側面までの距離]よりその上に位置した各前面バスバー１４２の幅（Ｗ２２）がさらに大きい。一例として、各前面バスバー１４２の幅（Ｗ２２）は１ｍｍ乃至１．５ｍｍで有り得る。
【０１０２】
結局、各前面バスバー１４２は第２エミッタ部分１２１２の電極用第２エミッタ部分１２ａ及び第２エミッタ部分１２１２のバスバー用第２エミッタ部分１２ｂと電気的及び物理的に接続されている。
【０１０３】
複数の前面バスバー１４２は複数の前面電極１４１と同一層に位置し、既に説明したように、各前面電極１４１と交差する地点で該当の前面電極１４１と電気的及び物理的に接続されている。
【０１０４】
したがって、図１及び図３に示すように、複数の前面電極１４１は横または縦方向のように決まった一方向(第１方向)に伸びているストライプ(stripe) 形状を有し、複数の前面バスバー１４２は複数の前面電極１４１と交差する縦または横方向のような他の方向(第２方向)に伸びているストライプ形状を有していて、前面電極部１４０は基板１１０の前面に格子形態で位置する。
【０１０５】
複数の前面バスバー１４２は接触されたエミッタ部１２１の第２エミッタ部分１２１２から移動する電荷だけではなく複数の前面電極１４１によって収集されて移動する電荷を収集した後該当の方向に収集された電荷を伝送する。
【０１０６】
各前面バスバー１４２は交差する複数の前面電極１４１によって収集された電荷を集めて所望する方向に移動させなければならないので、各前面バスバー１４２の幅（Ｗ２２）は各前面電極１４１の幅（Ｗ２１）より大きい。
【０１０７】
この時、エミッタ部１２１が第１及び第２エミッタ部分（１２１１、１２１２）を備えた選択的エミッタ構造を有していて、前面電極部１４０への電荷移動が主に行われる第１エミッタ部分１２１１は低い不純物ドーピング濃度を有し、前面電極部１４０と接している第２エミッタ部分１２１２は高い不純物濃度を有してある。したがってエミッタ部１２１の第１エミッタ部分１２１１を通じて前面電極部１４０の方に移動する電荷の量と不純物の濃度増加による伝導度の増加で第２エミッタ部分１２１２で前面電極部１４０に移動する電荷の量が増加する。これにより、エミッタ部１２１で前面電極部１４０に収集される電荷の量が増加し、太陽電池１の効率は大きく向上する。
【０１０８】
追加として、前面電極部１４０の前面電極１４１及び前面バスバー１４２と主に接触し電荷を出力する第２エミッタ部分１２１２は高い不純物ドーピング濃度によって第１エミッタ部分１２１１より高い伝導度と低い面抵抗値を有している。これにより、第２エミッタ部分１２１２と前面電極部１４０との接触抵抗が減少し、第２エミッタ部分１２１２から前面電極部１４０に移動する電荷の伝送効率が向上する。
【０１０９】
この時、各前面電極１４１の幅（Ｗ２１）より第２エミッタ部分１２１２の電極用第２エミッタ部分１２ａの幅Ｗ１１が少なくて、高濃度の不純物ドーピング領域である電極用第２エミッタ部分１２ａの形成面積が減少する。また、各前面バスバー１４２の幅（Ｗ２２）より複数のバスバー用第２エミッタ部分形成幅（Ｗ３）が狭く、各前面バスバー１４２全体が第２エミッタ部分１２１２と接する代わりに、各前面バスバー１４２が部分的に高濃度の不純物ドーピング領域であるバスバー用第２エミッタ部１２ｂと接続されている。これにより、各前面バスバー１４２下部に形成された高濃度の不純物ドーピング領域[バスバー用第２エミッタ部分１２ｂ]の形成面積が減少する。したがってエミッタ部１２１で高濃度の不純物ドーピング領域１２１２が減少して不純物による電荷の損失量が大きく減少し、太陽電池１の効率が向上する。
【０１１０】
複数の太陽電池１を直列または並列接続して一つの太陽電池モジュールを製造するため、複数の前面バスバー１４２はリボン(ribbon)のようなインターコネクト(interconnector)が位置し、本例では、この複数の前面バスバー１４２とインターコネクトの間には導電性接着フィルムが位置し、複数の前面バスバー１４２とインターコネクトを電気的及び物理的に接続する。したがって、イントケネックトを通じて複数の前面バスバー１４２は外部装置と接続されるので複数の前面バスバー１４２を通じて収集された電荷（例、電子）はインターコネクトを通じて外部装置に出力される。
【０１１１】
また、各前面電極１４１と各前面バスバー１４２が電極用第２エミッタ部分１２ａとバスバー用第２エミッタ部分１２ｂの上だけではなく反射防止部１３０上にも位置して各開口部（１８１、１８２）の幅より各前面電極１４１と各前面バスバー１４２の幅が大きい。これにより、各前面電極１４１と各前面バスバー１４２の表面積と断面積が増加し、各前面電極１４１と各前面バスバー１４２の伝導度が安定的に維持され電荷の移動が安定的に行われ、各前面バスバー１４２上に位置する導電性接着フィルムとの接触面積が増加して各前面バスバー１４２と導電性接着フィルムとの接着力がさらに向上する。
【０１１２】
既に説明したように、前面電極部１４０の前面電極１４１と前面バスバー１４２と接する反射防止部１３０の部分に反射防止部１３０やエミッタ部１２１の第１エミッタ部分１２１１を露出させる複数の溝１８０が形成されているので、反射防止部１３０上に位置した前面電極１４１と前面バスバー１４２は複数の溝１８０内にも形成される。
【０１１３】
これにより、前面電極１４１と前面バスバー１４２はその下部に位置した反射防止部１３０とエミッタ部１２１に接触する接触面積が増加し、前面電極１４１とその下部に位置した反射防止部１３０及びエミッタ部１２１との接着力及び前面バスバー１４２とその下部に位置した反射防止部１３０及びエミッタ部１２１との接着力が増加する。したがって前面電極１４１とその下部に位置した反射防止部１３０及びエミッタ部１２１との物理的な結合力と前面バスバー１４２とその下部に位置した反射防止部１３０及びエミッタ部１２１の物理的な結合力が向上する。
【０１１４】
本例では、前面電極部１４０はメッキ法を利用して形成される。このため、反射防止部１３０にエミッタ部１２１を露出する複数の第１及び第２開口部（１８１、１８２）が形成された後、複数の第１及び第２開口部（１８１、１８２）を通じて露出されたエミッタ部１２１上に電気メッキ法などのようなメッキが行われる。
【０１１５】
次に、図９及び図１０ を参照にして、メッキ法で前面電極部１４０を製作する場合、形成された前面電極１４１と前面バスバー１４２の特性が示されている。図９及び図１０で、概略的に示すために 基板１１０の表面はテクスチャリング表面ではない平坦面に示す。
【０１１６】
図９に示すように、反射防止部１３０を除去して決まった幅（Ｗｃ）を有する第２開口部１８２[または複数の第１開口部１８１]を形成した後露出した第２エミッタ部分１２１２上にメッキを実施する場合、反射防止部１３０の上部面高さからメッキされた厚さはＨｆであり、既に説明したように、メッキは等方成長であるので第２開口部１８２[または第１開口部１８１]の端から水平方向に反射防止部１３０上に行われたメッキの厚さもまたＨｆである。したがって、第２開口部１８２[または第１開口部１８１]を通じて露出した第２エミッタ部分１２１２上にメッキされた部分の上部面形状は曲面形状を有するようになる。
【０１１７】
したがって、メッキが行われる場合、図１０の（ａ）に示すように、各第１開口部１８１(図９に図示せず)と各第２開口部１８２内に位置した第２エミッタ部分１２１２で金属メッキされて所望する金属が成長して複数の前面電極１４１と複数の前面バスバー１４２を備えた前面電極部１４０が形成され始めながら、次第に第１及び第２開口部（１８１、１８２）外部にまで前面電極１４１と前面バスバー１４２が成長される。
【０１１８】
この時、前面電極部１４０のための金属のメッキ成長は、既に説明したように、垂直方向だけではなく水平方向にも同一の速度である等方成長であるので、図１０の（ｂ）に示すように、第１及び第２開口部（１８１、１８２）内でメッキ成長した前面電極１４１と前面バスバー１４２が隣接した反射防止部１３０の上部面の高さまで成長すれば、水平方向にも金属成長が成り開口部（１８１、１８２）に隣接した反射防止部１３０上にも前面電極１４１と前面バスバー１４２が成長する。
【０１１９】
したがって、各前面電極１４１の上部面と各前面バスバー１４２の上部面は曲面形状を有するようになる。
【０１２０】
本例では、一つの前面バスバー１４２を形成するために隣接するように位置した複数の開口部１８２が形成されるので、図１０の（ｃ）に示すように、一つの前面バスバー１４２を形成するために形成された複数の第２開口部１８２から、近距離で隣接するように形成された二つの第２開口部１８２でそれぞれ成長した金属(すなわち、各前面バスバー１４２の一部)が反射防止部１３０の上で互いに会う。
【０１２１】
結局、互いに離隔されるそれぞれの第２開口部１８２内で金属メッキ成長が成っても隣接した二つの第２開口部１８２の間の間隔（Ｄ１１）が水平方向にの金属メッキ成長範囲内に含まれているので隣接した二つの第２開口部１８２を中心にそれぞれ成長した金属は二つの第２開口部１８２の間に位置した反射防止部１３０の上で会うようになり一つの前面バスバー１４２を形成するようになる。
【０１２２】
したがって、最終的に形成された各前面バスバー１４２の幅[すなわち、反射防止部１３０と第２エミッタ部分１２１２に接している各前面バスバー１４２の下部面の幅]は前面バスバー形成領域（ＡＢ）の幅（Ｄ２１）より大きい値を有するようになる。
【０１２３】
既に説明したように、金属メッキ成長は等方成長であるので、各第２開口部１８２を中心にメッキが行われる前面バスバー１４２の一部である金属の上部面[すなわち、下部面の反対側に位置した前面バスバー１４２の面]もやはり曲面形状を有するようになる。しかし、隣接した二つの第２開口部１８２を中心に金属メッキがそれぞれ行われて隣接した二つの第２開口部１８２ の間に位置した反射防止部１３０の上で重畳するので、メッキ成長した金属の重畳部分の上部面の高さが第２開口部１８２に露出した第２エミッタ部分１２１２上にメッキ成長した金属部分の上部面の高さより低くなる。
【０１２４】
したがって、反射防止部１３０上と第２開口部１８２を通じて露出した第２エミッタ部分１２１２上に形成された各前面バスバー１４２の上部面[すなわち、下部面の反対側に位置した前面バスバー１４２の面]は複数の突出部と複数の凹部を有する凹凸面を有する曲面形状を有するようになる。既に説明したように、第２開口部１８２を通じて露出した第２エミッタ部分１２１２ 上に位置した前面バスバー１４２の上部面の高さが反射防止部１３０上に位置した前面バスバー１４２の高さより高い。
【０１２５】
これにより、各前面バスバー１４２の上部面の表面の荒さが増加して各前面バスバー１４２とインターコネクト間の接触面積が増加するので、前面バスバー１４２からインターコネクトに移動する電荷の量が増加する。
【０１２６】
図６及び図８に示すように、各前面バスバー１４２下部に位置した複数のバスバー用第２エミッタ部分１２ｂ]の間隔（Ｄ１１）が位置によって互いに相異する時、各前面バスバー１４２の中部分で隣接したバスバー用第２エミッタ部分１２ｂ上にメッキ成長した部分の重畳面積より端部分で隣接したバスバー用第２エミッタ部分１２ｂ上にメッキ成長した部分の重畳面積が増加する。したがって各前面バスバー１４２の中部分と端部分間の高さ差が減少するようになり、これにより、複数の突出部と複数の凹部を有する凹凸面である各前面バスバー１４２の上部面の表面の平坦度がさらに増加するようになる。これにより、各前面バスバー１４２上に位置する導電性接着フィルムとの接着動作が容易くなり、接着力が増加するようになる。
【０１２７】
しかし、各前面電極１４１は一つの第１開口部１８１を利用して形成されるので複数の突出部と複数の凹部を有さない滑らかである曲面形状を有するようになる。
【０１２８】
図９で、メッキされた前面バスバー１４２の全ての幅（Ｗｆ）は（Ｗｃ＋２Ｈｆ）になる。この時、メッキされた金属[例、銀（Ａｇ）]の比抵抗値(specific line resistivity)は約２．２ｕΩcmであるので、銀ペーストで製作された前面バスバーの比抵抗値（約 ６．７ｕΩcm）の約１／３にあたることが分かる。また、メッキされた物質の接触抵抗(specific contact resistivity)は約１ｍΩcmであり、この接触抵抗もまた銀ペーストを利用する場合の接触抵抗（約 ３ｍΩcm）の約１／３にあたることが分かる。
【０１２９】
このように、メッキで製作された前面バスバー１４２の比抵抗値と接触抵抗値それぞれが銀ペーストで製作された前面バスバーの比抵抗値と接触抵抗値それぞれの１／３に対応されるので、メッキ法を利用して製作された前面バスバー１４２と銀ペーストで製作された前面バスバー１４２が同一の断面積を有する場合、メッキで製作された前面バスバーの動作特性（例、接触特性や伝導度）は銀ペーストで製作された前面バスバーの動作特性より約 ３倍向上することが分かる。
【０１３０】
図９では、Ｗｃは１０μｍであり、Ｈｆもまた１０μｍである時、一つの第２開口部１８２でメッキ成長された前面バスバー１４２の一部断面積（Ａ）は約２５７μｍ2である。
【０１３１】
一方、銀ペーストで製作された前面バスバー１４２と同一の配線抵抗を有する一つの前面バスバー１４２の断面積（Ａ１）はＲ(配線抵抗)=[ρ(比抵抗値)×ｌ(長さ)]／Ａ１(断面積)の算出式に基づいて算出することができる。この時、銀ペーストで製作された前面バスバーとメッキで製作された前面バスバー１４２との長さ（ｌ）は同一であること見なすので、上の算出式で長さ（ｌ）に対する要素は省略する。
【０１３２】
したがって、銀ペーストで製作された前面バスバーの配線抵抗をＲｐａｓｔｅであるとする時、既に説明したように、この時の比抵抗値は６．７ｕΩcmであり、断面積は３７．５００μｍ2 であるので、Ｒｐａｓｔｅ ＝６．７／３７５００＝１．７８６ ×１０-4Ωになる。
【０１３３】
したがって、メッキで製作された前面バスバーの配線抵抗（Ｒｐｌａｔｉｎｇ）が銀ペーストで製作された前面バスバーと同一の配線抵抗（Ｒｐａｓｔｅ）を有する場合の断面積（Ａ１）は次のように算出される。この時、既に説明したように、メッキで製作された前面バスバー１４２の比抵抗値は２．２ｕΩcmである。
【０１３４】
Ｒｐｌａｔｉｎｇ ＝ ρ／Ａ１で、１．７８６×１０-4Ω＝２．２／Ａ１であるので、断面積（Ａ１）は計算により約１２．３１３μｍ2となる。
【０１３５】
したがって、この断面積（Ａ１）を一つの開口部１８２でメッキ成長した部分の断面積（Ａ）で分ければこの断面積（Ａ１）を得るために反射防止部１３０に形成される第２開口部１８２の個数が算出され、約１０μｍの幅を有する開口部１８２の個数は約４８個になることができる。
【０１３６】
すなわち、幅が約１．５ｍｍである一つの前面バスバーを形成するため、反射防止部１３０に約１．５ｍｍの幅を有する一つの第２開口部を形成する代りに、約１０μｍの幅を有する開口部１８２を約４８個形成した後、第２開口部１８２内にメッキを実施し一つの前面バスバー１４２を形成する場合、前面バスバー１４２のメッキ成長が既に説明したように、第２開口部１８２の上の方だけではなく左側と右側方向にも等方成長されるので、複数の第２開口部１８２上に形成された前面バスバー１４２の幅はおおよそ１．５ｍｍを有するようになる。
【０１３７】
これにより、約１ｍｍ乃至１．５ｍｍの幅を有する一つの前面バスバー１４２を複数の第２開口部１８２を通じて露出したエミッタ部１２１上にメッキ法を利用し形成する場合、約５μｍ乃至１５μｍの幅を有する第２開口部１８２が約３０個乃至７０個が必要となることが分かる。この時、隣接した二つの第２開口部１８２の間隔は約１５μｍ乃至３０μｍで有り得る。第２開口部１８２の個数は各第２開口部１８２の幅と隣接した二つの第２開口部１８２の間の間隔によって変わる。
【０１３８】
隣接した二つの第２開口部１８２の間隔が約１５μｍ以上の時、高濃度の不純物ドーピング部分である第２エミッタ部分１２ｂの形成面積を減少させ第２エミッタ部分１２１２のバスバー用第２エミッタ部分１２ｂによる電荷損失量がさらに安定的に減少し、隣接した二つの第２開口部１８２の間隔が約３０μｍ以上の時、隣接した第２開口部１８２にそれぞれ成長した前面バスバー１８２部分がさらに安定的に接するようになって安定的な伝導度を有する一つの前面バスバー１４２が複数の第２開口部１８２上に形成される。
【０１３９】
このように、各前面バスバー１４２の形成のために一つの前面バスバー１４２が位置する部分の反射防止部１３０全体を全てレーザで除去する代わり、各前面バスバー１４２の形成のために一つの前面バスバー１４２が位置する部分の反射防止部１３０を部分的または選択的に除去するので、レーザビームが照射される反射防止部１３０の領域が減少するようになる。
【０１４０】
これにより、レーザビームの照射時間が減少し、レーザビームによって印加される熱によるエミッタ部１２１や基板１１０の劣化現象が減少し、太陽電池１の製造時間と特性変化の減少効果が発生する。
【０１４１】
本例では、一つの前面バスバー１４２のための複数の第２開口部１８２の個数が３０個以上の場合、より安定的な伝導度と表面積を有する前面バスバー１４２が形成され、一つの前面バスバー１４２のための複数の第２開口部１８２の個数が７０個以下である場合、不必要な時間の無駄とレーザの照射面積が減る。
【０１４２】
また、蝕刻ペーストや別途のマスクを利用した反射防止部１３０の除去動作の代わりに反射防止部１３０上に直接照射されるレーザビームを利用し反射防止部１３０の所望の部分を除去するので、形成される第１及び第２開口部（１８１、１８２）の幅が蝕刻ペーストやマスクを利用する時より大幅に減少するようになる。
【０１４３】
これにより、高濃度の不純物ドーピング部分である第２エミッタ部分１２１２の形成面積が減少し、前面電極１４１の形成幅が減少して複数の前面電極１４１の形成面積が減少する。
【０１４４】
しかし、代案的な例の太陽電池１で、図１１に示すように、一つの前面バスバー１８２のために第２エミッタ部分１２１２のバスバー用第２エミッタ部分１２ｂを露出させる第２開口部１８２の個数は一つで有り得る。
【０１４５】
この場合、各前面バスバー１４２と第２エミッタ部分１２１２のバスバー用第２エミッタ部分１２ｂの接触面積が増加して、前面バスバー１４２と第２エミッタ部分１２１２との接着力が増加するようになる。
【０１４６】
この場合、各前面電極１４１のように、一つの前面バスバー１４２のためには一つの第２開口部１８２だけが必要であるので一つの開口部１８２でメッキ成長された物質によって一つの前面バスバー１４２が形成される。これにより、一つの第２開口部１８２で形成された一つの前面バスバー１４２の上部面の表面形状は各前面電極１４１の上部面の表面形状のように曲面形状を有してあり、複数の第２開口部１８２を通じて形成された一つの前面バスバー１４２の上部面より小さな粗さを有するようになり、一つの前面バスバー１４２の上部面の平坦度は複数の第２開口部１８２を通じて形成された一つの前面バスバー１４２の上部面の平坦度より増加する。
【０１４７】
本例では、複数の溝１８０は前面電極部１４０とエミッタ部１２１の第２エミッタ部分１２１２との接触のためではなく前面電極部１４０とその下部に位置した構成要素間の接着力を強化するためのことである。したがって、各溝１８０の深さ（Ｄ１）は各第１及び第２開口部（１８１、１８２）の深さ（Ｄ２）より深くなく、これら溝１８０と開口部（１８１、１８２）の深さ（Ｄ１、Ｄ２）はレーザビームの強さ、すなわち、波長の大きさによって変わる。これにより、複数の第１及び第２開口部（１８１、１８２）を形成するために照射されるレーザビームの強さと複数の溝１８０を形成するために照射されたレーザビームの強さは互いに相異することがあり、複数の第１及び第２開口部（１８１、１８２）のためのレーザビームの強さが複数の溝１８０のためのレーザビームの強さより大きくすることができる。
【０１４８】
本例では、複数の第１及び第２開口部（１８１、１８２）と複数の溝１８０を形成するために使われるレーザビームの波長は約３５０ｎｍ乃至１１００ｎｍで有り得、一例として、複数の第１及び第２開口部（１８１、１８２）を形成するためのレーザビームは５３２ｎｍの波長を有するレーザビームで有り得、複数の溝１８０を形成するためのレーザビームは約１１００ｎｍの波長を有するレーザビームで有り得る。また、第１及び第２開口部（１８１、１８２）と溝１８０のためのレーザビームの出力(power)は約５W乃至２０Ｗで有り得る。この時、レーザビームの出力、強さ(波長)または照射時間は反射防止部１３０の材料や厚さなどによって決まる。
【０１４９】
使われるメッキ法は電気メッキ法やＬＩＰ法(light induced plating、ＬＩＰ) などを使うことができる。
【０１５０】
複数の前面電極１４１と複数の前面バスバー１４２の形成は同一のメッキ工程を通じて同時に成るので、前面電極１４１と前面バスバー１４２の膜構造と材料は同一である。また前面電極部１４０がメッキによって形成されるので、前面電極部１４０の密度は銀ペーストなどを利用したスクリーン印刷法に製造された前面電極部の密度よりずっと増加して前面電極部１４０の伝導度が大きく向上する。
【０１５１】
複数の前面電極１４１と複数の前面バスバー１４２を備えた前面電極部１４０は銀（Ａｇ）のような物質からなる単一膜構造を有しているが、代案的な例で、２重膜または３重膜のような多重膜構造を有することができる。
【０１５２】
前面電極部１４０が銀からなる単一膜である場合、前面電極部１４０の比抵抗値(specific line resistivity)１．６μΩｃｍ乃至２．５μΩｃｍで有り得、このような比抵抗値の大きさは銀ペーストを利用してスクリーン印刷法に形成された前面電極部１４０の比抵抗値（約６．７μΩｃｍ）よりずっと減少する。
【０１５３】
前面電極部１４０が２重膜構造を有する場合、エミッタ部１２１、すなわち基板１１０の第２導電性タイプの部分と接している下部膜（第１膜）はニッケル（Ｎｉ）からなることができ、下部膜の上に位置した上部膜（第２膜）は銀（Ａｇ）からなることができる。また、前面電極部１４０が３重膜構造を有する場合、エミッタ部１２１と接している下部膜(第１膜)はニッケル（Ｎｉ）からなることができ、下部膜の上に位置した中間膜（第２膜）は銅（Ｃｕ）からなり中間膜の上に位置した上部膜(第３膜)は銀（Ａｇ）やスズ（Ｓｎ）からなることができる。この時、前面電極部１４０が２重膜である時、下部膜の厚さは約０．５μｍ乃至約１μｍで有り得、上部膜は約５μｍ乃至約１０μｍであり得、前面電極部１４０が３重膜である時、下部膜と上部膜それぞれの厚さは約０．５μｍ乃至約１μｍで有り得り中間膜は約５μｍ乃至約１０μｍで有り得る。
【０１５４】
この時、各前面電極１４１と各前面バスバー１４２の下部膜は接している第２エミッタ部分１２１２との接触抵抗を減少させ接触特性を向上しメッキのためのシード層(seed layer)として作用し、中間膜は費用節減のためのことで銅（Ｃｕ）のように安価ながらも良好な伝導度を有する材料からなることができる。中間膜が銅（Ｃｕ）からなる場合、この中間膜下部に位置した下部膜はシリコン（Ｓｉ）との結合力の良好な銅がシリコン（Ｓｉ）からなる第２エミッタ部分１２１２ の中に浸透(吸収)し電荷の移動を邪魔する不純物として作用することを防止する。
【０１５５】
また、上部膜はその下部に位置した膜(例、下部膜または中間膜)の酸化を防止し上部膜の上に位置する導電性接着フィルムとの接着力を向上するためである。
【０１５６】
このように、２重膜または３重膜で前面電極１４１と各前面バスバー１４２が成り、下部膜でニッケル（Ｎｉ）を利用する場合、ニッケル（Ｎｉ）とエミッタ部１２１２、すなわち、基板１１０の第２導電性タイプの部分のシリコンとの結合によって下部膜とエミッタ部１２１２の間にはニッケルケイ素化合物(nickel silicide)が存在する。
【０１５７】
一方、前面電極１４１と前面バスバー１４２とをガラスフリット(glass frit)を含む銀ペーストなどを利用したスクリーン印刷法を利用して形成する場合、ガラスフリットが反射防止部１３０を貫通しエミッタ部１２１２と接するようになるので、前面電極１４１ 及び前面バスバー１４２とエミッタ部１２１２が接する部分にはガラスフリットの成分の中で少なくとも一つ、例えば、ＰｂＯのような鉛（Ｐｂ）系列物質、Ｂｉ2Ｏ3のようなビスマス（Ｂｉ）系列物質、Ａｌ2Ｏ3のようなアルミニウム（Ａｌ） 系列物質、Ｂ2Ｏ3のようなホウ素（Ｂ） 系列物質、スズ（Ｓｎ）系列物質、ＺｎＯのような亜鉛（Ｚｎ）系列物質、ＴｉＯのようなチタン（Ｔｉ）系列物質及びＰ2Ｏ5のような燐（Ｐ）系列物質の中で少なくとも一つが検出される。
【０１５８】
しかし、本例の場合、前面電極１４１と前面バスバー１４２はメッキ方式により形成されるので、前面電極１４１及び前面バスバー１４２と基板１１０ [すなわち、エミッタ部１２１] の間にはガラスフリットの成分が検出されない。
【０１５９】
このように、前面電極部１４０が多層膜からなる場合、下部膜から上部膜までメッキ法を利用し順に所望の厚さを有する多層膜を形成するようになる。
【０１６０】
図１で、基板１１０に位置する前面電極１４１の個数、前面バスバー１４２の個数及び第２エミッタ部分１２１２の個数は一例に過ぎなく、場合によって変更可能である。
【０１６１】
電界部１７２は基板１１０と同一の導電性タイプの不純物が基板１１０より高濃度にドーピングされた不純物部として、例えば、ｐ＋領域である。
【０１６２】
このような基板１１０の第１導電性領域と電界部１７２の間の不純物濃度差によって電位障壁が形成され、これにより、正孔の移動方向である電界部１７２の方に電子移動を邪魔する一方、電界部１７２の方での正孔移動を容易にする。したがって、基板１１０の後面及びその近所で電子と正孔の再結合に損失される電荷の量を減少させ所望する電荷(例、正孔)の移動を加速化させ後面電極部１５０への電荷移動量を増加させる。
【０１６３】
後面電極部１５０は後面電極１５１と後面電極１５１と接続されている複数の後面バスバー１５２を備える。
【０１６４】
後面電極１５１は基板１１０の後面に位置した電界部１７２と接触しており、基板１１０の後面端と後面バスバー１５２が位置した部分を除けば実質的に基板１１０の後面全体に位置する。
【０１６５】
後面電極１５１はアルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）のような導電性物質を含んでいる。
【０１６６】
このような後面電極１５１は電界部１７２の方から移動する電荷、例えば正孔を収集する。
【０１６７】
この時、後面電極１５１が基板１１０より高い不純物濃度で維持する電界部１７２と接触しているので、基板１１０ 、すなわち、電界部１７２と後面電極１５１の間の接触抵抗が減少して基板１１０から後面電極１５１への電荷転送効率が向上する。
【０１６８】
複数の後面バスバー１５２は後面電極１５１が位置しない基板１１０の後面上に位し隣接した後面電極１５１と接続されている。
【０１６９】
また、複数の後面バスバー１５２は基板１１０を中心に複数の前面バスバー１４２と対応されるように見合わせる。
【０１７０】
複数の後面バスバー１５２は複数の前面バスバー１４２と類似に、後面電極１５１から伝達する電荷を収集する。
【０１７１】
複数の前面バスバー１４２と同一に、複数の後面バスバー１５２上にインターコネクトが位置しこのインターコネクトを通じて外部装置と接続され、複数の後面バスバー１５２によって収集された電荷(例、正孔)は外部装置に出力される。この場合にも複数の後面バスバー１５２とインターコネクトの間に導電性接着フィルムが位置し、複数の後面バスバー１５２とインターコネクトを電気的及び物理的に接続する。
【０１７２】
このような複数の後面バスバー１５２は後面電極１５１より良好な伝導度を有する物質からなることができ、例えば、銀（Ａｇ）のような少なくとも一つの導電性物質を含む。したがって後面電極１５１と後面バスバー１５２は互いに異なる物質からなることができる。
【０１７３】
後面電極１５１はアルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）を含むペーストを利用したスクリーン印刷法を通じて形成され、後面バスバー１５２もまた銀（Ａｇ）を含むペーストを利用したスクリーン印刷法を通じて形成されうる。
【０１７４】
また、後面電極１５１と後面バスバー１５２また前面電極１４１と前面バスバー１４２のようにメッキ法を通じて形成されることができる。この場合、前面電極部１４０のように、後面電極１５１と後面バスバー１５２は同一のメッキ工程を通じて同時に形成され後面電極１５１と後面バスバー１５２は同一の材料からなることができる。さらに、後面電極１５１と後面バスバー１４２は前面電極１４１と前面バスバー１５２のためのメッキ工程を通じて前面電極１４１及び前面バスバー１５２と同時に形成されることができ、この場合、後面電極部１５０の材料は前面電極部１４０の材料と同一である。また、後面電極部１５０もまた単一膜だけではなく２重膜と３重膜のように多重膜からなることができる。
【０１７５】
このように、後面電極１５１と後面バスバー１５２がメッキ法に形成される場合、後面電極１５１及び後面バスバー１５２が２重膜または３重膜からなる時、後面電界部１７２、すなわち、第１導電性タイプの不純物が高濃度にドーピングされた基板１１０の部分と接する下部膜がニッケル（Ｎｉ）からなる場合、ニッケル（Ｎｉ）と後面電界部１７２のシリコンとの結合によって下部膜と後面電界部１７２の間にはニッケルケイ素化合物(nickel silicide)が存在する。
【０１７６】
また、後面電極１５１と後面バスバー１５２及び後面電界部１７２の間には ＰｂＯのような鉛（Ｐｂ）系列物質、Ｂｉ2Ｏ3のようなビスマス（Ｂｉ）系列物質、Ａｌ2Ｏ3のようなアルミニウム（Ａｌ）系列物質、Ｂ2Ｏ3のようなホウ素（Ｂ）系列物質、スズ（Ｓｎ）系列物質、ＺｎＯのような亜鉛（Ｚｎ） 系列物質、ＴｉＯのようなチタン（Ｔｉ）系列物質及びＰ2Ｏ5のような燐（Ｐ）系列物質の中で少なくとも一つのようなガラスフリットの成分が検出されない。
【０１７７】
本例と異なり、代案的な例として、太陽電池１のエミッタ部１２１は選択的エミッタ構造を有さないこともある。
【０１７８】
このような場合、反射防止部１３０の下に直接位置したエミッタ部１２１部分の不純物ドーピング濃度、不純物ドーピング厚さ及び面抵抗値は反射防止部１３０が位置せず、前面電極部１４０直接下に位置したエミッタ部１２１部分の不純物ドーピング濃度、不純物ドーピング厚さ及び面抵抗値と同一である。したがって、エミッタ部１２１は位置に無関係に全て同一の面抵抗値、例えば、約５０Ω／ｓｑ．乃至８０Ω/sq．の値を有することができる。
【０１７９】
このような構造を有する本実施の形態に係る太陽電池１の動作は次のようである。
【０１８０】
太陽電池１に光が照射され反射防止部１３０を通じて基板１１０に入射されれば光エネルギーによって半導体部から電子と正孔が発生する。この時、反射防止部１３０によって基板１１０に入射される光の反射損失が減り基板１１０に入射される光の量が増加する。
【０１８１】
これら電子と正孔は基板１１０とエミッタ部１２１のｐ−ｎ接合によって ｎ型の導電性タイプを有するエミッタ部１２１とｐ型の導電性タイプを有する基板１１０の方にそれぞれ移動する。このように、エミッタ部１２１の方に移動した電子は第１エミッタ部分１２１１を経って第２エミッタ部分１２１２に移動して複数の前面電極１４１と複数の前面バスバー１４２によって収集されて複数の前面バスバー１４２に沿って移動し、基板１１０の方に移動した正孔は隣接した後面電極１５１と複数の後面バスバー１５２によって収集されて複数の後面バスバー１５２に沿って移動する。このような前面バスバー１４２と後面バスバー１５２をインターコネクトで接続すれば電流が流れるようになり、これを外部で電力に利用するようになる。
【０１８２】
この時、エミッタ部１２１が選択的エミッタ構造を有するエミッタ部１２１によって、電荷の損失量は減少し、前面電極１４１に移動する電荷の量は増加し、太陽電池１の効率は大きく向上する。
【０１８３】
また、前面電極部１４０がメッキ法からなり、各前面電極１４１の幅はペースト(paste)を利用してスクリーン印刷法に製作された各前面電極の幅(８０μｍ乃至１２０μｍ)よりずっと小さい。これにより、光の入射を邪魔する前面電極１４１に形成面積が減少して太陽電池１の光の入射面積が増加する。よって、太陽電池１の効率が向上する。
【０１８４】
また、選択的エミッタ構造を形成する時、各前面バスバー１４２下部全体ではなく下部に選択的に高濃度の不純物ドーピング部である第２エミッタ部１２１２が位置し、また、各前面電極１４１の幅よりその下部に位置した第２エミッタ部１２１２の幅が小さいので、高濃度の不純物ドーピング領域が減少する。これにより、不純物によって失われる電荷の量が大きく減少する。
【０１８５】
また、第１突出部２１と第１奥部２２を有する反射防止部１３０の上部面で、前面電極部１４０と接触する部分に位置した複数の溝１８０によって、前面電極１４１と反射防止部１３０及びエミッタ部１２１との接触面積と前面バスバー１４２と反射防止部１３０及びエミッタ部１２１との接触面積が増加し、前面電極１４１とその下部に位置する反射防止部１３０及びエミッタ部１２１の間の接着力と前面バスバー１４２とその下部に位置する反射防止部１３０及びエミッタ部１２１の間の接着力が向上する。
【０１８６】
次に、図１２Ａ乃至図１２Ｇを参照して、本発明の一実施の形態に係る太陽電池１の製造方法について説明する。
【０１８７】
先ず、図１２Ａに示すように、平坦面である第１導電性タイプ(例、ｐ型)を有し単結晶シリコンまたは多結晶シリコンからなる基板１１０の前面に湿式蝕刻法または乾式蝕刻法を利用し複数の突出部と複数の凹部を有する凹凸面であるテクスチャリング表面を形成する。
【０１８８】
図１２に示すように、第１導電性タイプ(例、ｐ型)を有し単結晶シリコンまたは多結晶シリコンからなる基板１１０の前面の方に第２導電性タイプを有する不純物[例、燐（Ｐ）]を含むエミッタ部１２０を形成する。この時、エミッタ部１２０はイオン注入法や熱拡散法などを利用し形成することができ、基板１１０の第１導電性タイプの部分とｐ−ｎ接合を形成することができる。このようなエミッタ部１２０の面抵抗値は約８０Ω/sq．乃至１２０Ω/sq．で有り得る。このように、基板１１０の中に第２導電性タイプの不純物が注入されエミッタ部１２０が形成されるので、エミッタ部１２０は基板１１０と同一の材料である単結晶シリコンまたは多結晶シリコンのような結晶質半導体からなる。これにより、基板１１０とエミッタ部１２０は同種接合を形成する。
【０１８９】
代案的な例として、エミッタ部１２０を形成する前にまたはエミッタ部１２０を形成した後平坦面である基板１１０の前面[またはエミッタ部１２０の表面] または前面と後面に反応性イオン蝕刻法(reactive ion etching)のような乾式蝕刻法や湿式蝕刻法を利用して基板１１０の前面または前面と後面に複数の突出部と複数の凹部を有するテクスチャリング表面を形成することができる。このように、基板１１０ の表面がテクスチャリング表面を有する場合、基板１１０に入射される光の反射防止効果が向上して基板１１０に入射される光の量が増加する。
【０１９０】
その後、図１２Ｃに示すように、プラズマ化学気相蒸着法(plasma enhanced chemical vapor deposition、ＰＥＣＶＤ) などを利用して基板１１０の前面の方に形成されたエミッタ部１２０上に反射防止部１３０を形成する。この時、反射防止部１３０は水素化されたシリコンチッ化物（ＳｉＮｘ：Ｈ）、水素化されたシリコン酸化チッ化物（ＳｉＯｘＮｙ：Ｈ）、水素化されたシリコン酸化物（ＳｉＯｘ：Ｈ）またはアルミニウム酸化物（Al2Ｏ3) などからなることができる。
【０１９１】
その後、図１２Ｄに示すように、反射防止部１３０上にインクジェットプリンティング法(ink jetting)、スピンコーティング法(spin coating)、またはスクリーン印刷法などを利用し第２導電性タイプの不純物を含む不純物膜２０を形成する。
【０１９２】
次に、図１２Ｅに示すように、反射防止部１３０上に部分的にレーザビームを照射し、反射防止部１３０にエミッタ部１２０をそれぞれ複数の第１及び第２開口部（１８１、１８２）を形成する。
【０１９３】
第１及び第２開口部（１８１、１８２)それぞれの幅（Ｗ４１、Ｗ４２）は同一であり、各第１及び第２開口部（１８１、１８２）の幅（Ｗ４１、Ｗ４２）は約５μｍ乃至約１５μｍで有り得る。複数の第１開口部１８１は複数の前面電極１４１を形成するための開口部(すなわち、前面電極用開口部)であり、複数の第２開口部１８２は複数の前面バスバー１４２を形成するための開口部(すなわち、前面バスバー用開口部)である。
【０１９４】
この時、一つの第１開口部１８１は一つの前面電極１４１を形成するための開口部として、反射防止部１３０で一つの前面電極１４１を形成するための前面電極形成領域（ＡＡ）に形成され、複数の第２開口部１８２は前面バスバー１４２を形成するための開口部として、既に、図９及び図１０を参照にして説明したように、約１ｍｍ乃至１．５ｍｍの幅を有する一つの前面バスバー１４２を形成するためには反射防止部１３０の前面バスバー形成領域（ＡＢ）に約３０個乃至約７０個が形成される。
【０１９５】
このように、レーザビームが不純物膜２０の塗布された反射防止部１３０上に照射されエミッタ部１２０を露出させる複数の第１及び第２開口部（１８１、１８２）を形成する場合、反射防止部１３０上に位置した不純物膜２０に含有された第２導電性タイプの不純物が第１及び第２開口部（１８１、１８２）を通じて現われたエミッタ部１２０の部分に追加に注入されてドーピングされる。
【０１９６】
したがって、レーザビームの照射目的は反射防止部１３０の所望の部分を除去し反射防止部１３０の所望する位置に複数の第１及び第２開口部（１８１、１８２）を形成することとエミッタ部１２０の所望する部分に第２導電性タイプを有する不純物を追加にドーピングするためである。
【０１９７】
これにより、レーザビームが照射された部分エミッタ部１２０の部分、すなわち、複数の第１及び第２開口部（１８１、１８２）を通じて現われたエミッタ部１２０の部分はレーザビームが照射されなかったエミッタ部１２０の残り部分より高い不純物ドーピング濃度を有するようになり、これにより面抵抗値もまた最初エミッタ部１２０の面抵抗値より減少するようになる。
【０１９８】
したがって、複数の第１及び第２開口部（１８１、１８２）を通じて露出したエミッタ部１２０の部分はエミッタ部１２０の面抵抗値(８０Ω/sq．乃至 １２０Ω/sq．)より低い面抵抗値、例えば、１０ Ω/sq．乃至５０Ω/sq．の面抵抗値を有する。
【０１９９】
これにより、レーザビームの照射動作が完了した後、エミッタ部１２０は反射防止部１３０下部に位置し約８０Ω/sq．乃至１２０Ω/sq．の面抵抗値(第１面抵抗値)を有する第１エミッタ部分１２１１と複数の第１及び第２開口部（１８１、１８２）を通じて露出したエミッタ部１２０部分に位置し約１０ Ω/sq．乃至５０Ω/sq．(第２面抵抗値)を有する第２エミッタ部分１２１２を備えた選択的エミッタ構造のエミッタ部１２１になる。
【０２００】
したがって、各第１及び第２開口部（１８１、１８２）の幅（Ｗ４１、Ｗ４２）は各第１及び第２開口部（１８１、１８２）によって形成された各第２エミッタ部分１２１２の幅（Ｗ１１、Ｗ１２）と同一でありえ、一つの前面バスバー１４２を形成するために形成された複数の第２開口部１８２中で隣接した二つの第２開口部１８２の間の間隔（Ｄ１１）は隣接した二つの第２開口部１８２によって形成された隣接した二つの第２エミッタ部分１２１２ の間の間隔（Ｄ１１）と同一で有り得る。
【０２０１】
その後、反射防止部１３０上に残存する不純物膜２０をフッ酸（ＨＦ）や純水などを利用して除去する。
【０２０２】
このように、レーザビームの照射によって反射防止部１３０に形成された複数の第１及び第２開口部（１８１、１８２)はメッキ法を利用して複数の前面電極１４１と複数の前面バスバー１４２を形成する時、エミッタ部１２１[すなわち、第２エミッタ部分１２１２]と複数の前面電極１４１及び複数の前面バスバー１４２の間の接触のためである。
【０２０３】
このように、各前面バスバー１４２の形成のために一つの前面バスバー１４２が位置する部分の反射防止部１３０全体を全てレーザで除去する代わり、各前面バスバー１４２の形成のために一つの前面バスバー１４２が位置する部分の反射防止部１３０を部分的にまたは選択的に除去するので、レーザビームが照射される反射防止部１３０の領域が減少するようになる。
【０２０４】
これにより、レーザビームの照射時間が減少し、レーザビームによって印加される熱によるエミッタ部１２１や基板１１０の劣化現状が減少して、太陽電池１の製造時間と特性変化の減少効果が発生する。
【０２０５】
また、蝕刻ペーストや別途のマスクを利用した反射防止部１３０の除去動作代わりに反射防止部１３０上に直接照射されるレーザビームを利用して反射防止部１３０の所望する部分を除去するので、形成される第１及び第２開口部（１８１、１８２）の幅が蝕刻ペーストやマスクを利用する時よりずっと減少するようになる。
【０２０６】
これにより、高濃度の不純物ドーピング部分である第２エミッタ部分１２１２の形成面積が減少し、前面電極１４１の形成幅が減少して複数の前面電極１４１の形成面積が減少する。
【０２０７】
本例では、複数の第１及び第２開口部（１８１、１８２）を形成するためのレーザは５３２ｎｍの波長を有するレーザで有り得、レーザの出力(power)は約５W乃至２０Ｗで有り得る。この時、レーザの出力や照射時間は反射防止部１３０の材料や厚さなどによって決めることができる。
【０２０８】
このように、レーザビームの照射によって形成された複数の第１開口部１８１それぞれと複数の第２開口部１８２それぞれの側面形状は平坦面であるか非平坦面である凹凸面で有り得る。
【０２０９】
第１及び第２開口部（１８１、１８２）を通じて現われた第２エミッタ部分（１２ａ、１２ｂ）の両側面が平坦面である時、使われるレーザビームは第１及び第２開口部（１８１、１８２）の幅と同一の幅を有するストライプ(stripe) 形状を有することができ、第１及び第２開口部（１８１、１８２）を通じて現われた第２エミッタ部分（１２ａ、１２ｂ）の両側面が凹凸面である時、使われるレーザビームは第１及び第２開口部（１８１、１８２）の幅と同一の幅を有するスポット(spot)形状を有することができる。
【０２１０】
各第１開口部１８１と各第２開口部１８２によって露出した第２エミッタ部分（１２ａ、１２ｂ）の各両側面の形状が凹凸面の場合、第１及び第２開口部（１８１、１８２）を通じて露出する第２エミッタ部分（１２ａ、１２ｂ）の面積が増加するので前面電極１４１及び前面バスバー１４２と第２エミッタ部分（１２ａ、１２ｂ）が接触する接触面積が増加するようになり、ストライプ形状を有するレーザビームを利用して第１及び第２開口部（１８１、１８２）を形成する場合、第１及び第２開口部（１８１、１８２）の形成時間が減少する。
【０２１１】
このように、メッキ法で前面電極部１４０を形成するために反射防止部１３０に複数の第１及び第２開口部（１８１、１８２）が形成されると、図１２Ｆに示すように、複数の第１及び第２開口部（１８１、１８２）を通じて露出した第２エミッタ部分１２１２上にメッキを実施し複数の前面電極１４１と複数の前面バスバー１４２を備えた前面電極部１４０を形成する。この時、使われるメッキ法は電気メッキ法やＬＩＰ法(light induced plating、ＬＩＰ) などを使うことができる。
【０２１２】
したがって、複数の第１及び第２開口部（１８１、１８２)を通じて露出したエミッタ部１２１の第２エミッタ部分１２１２に該当の金属イオン(例、銀イオン)を含む溶液[例、シアン化銀カリウム（ＫＡｇ（ＣＮ）2）を中に沈澱させメッキを実施する。
【０２１３】
既に図１０の（ａ）乃至 (c)を参照して説明したようなメッキの特性によって、各前面電極１４１の上部面と各前面バスバー１４２の上部面は曲面形状を有するようになり、一つの前面バスバー１４２を形成するために隣接するように位置した複数の開口部１８２が形成されるので、一つの前面バスバー１４２を形成するために形成された複数の第２開口部１８２から、近距離で隣接するように形成された二つの第２開口部１８２でそれぞれ成長した金属(すなわち、各前面バスバー１４２の一部)が反射防止部１３０の上で互いに会うようになり一つの前面バスバー１４２を形成するようになる。
【０２１４】
したがって、最終的に形成された各前面バスバー１４２の幅[すなわち、反射防止部１３０とエミッタ部分１２１２に接している各前面バスバー１４２の下部面の幅]は前面バスバー形成領域（ＡＢ）の幅（Ｄ２１）より大きい値を有するようになる。
【０２１５】
既に説明したように、金属メッキ成長は等方成長なので、各第２開口部１８２を中心にメッキが行われる前面バスバー１４２の一部である金属の上部面[すなわち、下部面の反対側に位置した前面バスバー１４２の面] もまた曲面形状を有するようになる。しかし、隣接した二つの第２開口部１８２を中心に金属メッキがそれぞれ行われて隣接した二つの第２開口部１８２の間に位置した反射防止部１３０の上で重畳するので、メッキ成長した金属の重畳部分の上部面の高さが第２開口部１８２に露出した第２エミッタ部分１２１２上にメッキ成長した金属部分の上部面の高さより低くなる。
【０２１６】
したがって、反射防止部１３０上と第２開口部１８２を通じて露出した第２エミッタ部分１２１２上に形成された各前面バスバー１４２の上部面[すなわち、下部面の反対側に位置した前面バスバー１４２の面]は複数の突出部と複数の凹部を有する凹凸面を有する曲面形状を有するようになる。
【０２１７】
これにより、各前面バスバー１４２の上部面の表面の粗さが増加する。
【０２１８】
このようにメッキ法に形成される前面電極部１４０の各前面電極１４１と各前面バスバー１４２は銀（Ａｇ）のような金属からなる単一膜構造を有しているが、代案的な例として、２重膜または３重膜のような多重膜構造を有することができる。
【０２１９】
各前面電極１４１と各前面バスバー１４２が２重膜構造を有する場合、エミッタ部１２１と接している下部膜はニッケル（Ｎｉ）からなることができ、下部膜の上に位置した上部膜は銀（Ａｇ）からなることができる。また、各前面電極１４１と各前面バスバー１４２が３重膜構造を有する場合、エミッタ部１２１と接している下部膜はニッケル（Ｎｉ）からなることができ、下部膜の上に位置した中間膜は銅（Ｃｕ）からなり中間膜の上に位置した上部膜は銀（Ａｇ）やスズ（Ｓｎ）からなることができる。
【０２２０】
この時、各前面電極１４１と各前面バスバー１４２の下部膜は接している第２エミッタ部分１２１２との接触抵抗を減少させ接着特性を向上するためであり、中間膜は費用節減のために銅（Ｃｕ）のように安価ながらも良好な伝導度を有する材料からなることができる。中間膜が銅（Ｃｕ）からなる場合、この中間膜下部に位置した下部膜はシリコン（Ｓｉ）との結合力が良好な銅がシリコン（Ｓｉ）からなる第２エミッタ部分１２１２の中に浸透(吸収)して電荷の移動を邪魔する不純物として作用することを防止する。
【０２２１】
また、上部膜はその下部に位置した膜(例、下部膜または中間膜)の酸化を防止し上部膜の上に位置する導電性テープとの接着力を向上するためである。
【０２２２】
このように、前面電極部１４０が多層膜からなる場合、下部膜から上部膜までメッキ法を利用し順に所望の厚さを有する多層膜を形成するようになる。
【０２２３】
複数の前面電極１４１と複数の前面バスバー１４２の形成が同一のメッキ工程を通じて同時に成るので、前面電極１４１と前面バスバー１４２の膜構造と材料は同一である。
【０２２４】
次に、図１２gに示すように、銀（Ａｇ）を含むペーストをスクリーン印刷法で印刷した後乾燥させ前面バスバー１４２と対応する基板１１０の後面上に部分的に後面バスバーパターン５２を形成し、後面バスバーパターン５２が位置しない基板１１０の残り後面上にアルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム（Ａｌ）−銀（Ａｇ）または銀（Ａｇ）を含むペーストをスクリーン印刷法で印刷した後乾燥させて基板１１０の後面に部分的に位置する後面電極パター５１を形成し、後面電極パター５１と後面バスバーパターン５２を備えた後面電極部パターン５０を完成する。
【０２２５】
この時、後面電極パター５１は隣接した後面バスバーパターン５２の一部の上に位置し、隣接した後面バスバーパターン５２と部分的に重畳することができ、基板１１０の後面端部分には形成されないこともある。
【０２２６】
基板１１０がｐ型である時、後面電極パター５１はアルミニウム（Ａｌ）を含むペーストを使うことができ、基板１１０がｎ型である時、後面電極パター５１はアルミニウム（Ａｌ）-銀（Ａｇ）を含むペーストや銀（Ａｇ）を含むペーストを使うことができる。
【０２２７】
この時、これらパターン（５１、５２）の乾燥温度は約１２０℃乃至約２００℃で有り得、パターン(５１、５２)の形成順序では変更可能である。
【０２２８】
その後、後面電極部パターン５０が形成された基板１１０を約7５０℃乃至約８００℃の温度で熱処理工程を施行する。
【０２２９】
これにより、基板１１０と電気的に接続される後面電極１５１と基板１１０と後面電極１５１に接続される複数の後面バスバー１５２を備えた後面電極部１５０、そして後面電極１５１と接している基板１１０の後面に位置した後面電界部１７２が形成される(図１及び図２)。
【０２３０】
すなわち、熱処理工程によって、後面電極部パターン５０の後面電極パター５１と後面バスバーパターン５２は基板１１０との化学的結合が成り、後面電極パター５１と後面バスバーパターン５２はそれぞれ後面電極１５１と複数の後面バスバー１５２に形成されこの時、隣接した後面電極パター５１と後面バスバーパターン５２との化学的結合もまた成り隣接した後面電極１５１と後面バスバー１５２の間の電気的な接続もまた形成される。
【０２３１】
また、熱処理工程の中に、後面電極部パターン５０の後面電極パター５１に含まれたアルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）が基板１１０で拡散して基板１１０内部に基板１１０より高い不純物濃度を有する不純物ドーピング部である電界部１７２が形成される。これにより、後面電極１５１は基板１１０より高い伝導度を有する電界部１７２と接触して基板１１０と電気的に接続されるので、基板１１０からの電荷収集がさらに容易に行われる。
【０２３２】
本例の場合、基板１１０の前面にだけエミッタ部１２１が形成されるので、基板１１０の後面に位置するエミッタ部との電気的な接続を遮断する側面分離工程(edge isolation)や基板１１０の後面に形成されたエミッタ部を除去するための別途の工程が必要ではない。したがって、太陽電池１の製造時間が短縮されて、太陽電池１の生産性が向上し製造費用が減少する。
【０２３３】
本例では、複数の前面電極１４１と複数の前面バスバー１４２を備えた前面電極部１４０を形成した後、後面電極１５１と複数の後面バスバー１５２を備えた後面電極部１５０を形成したが、これとは反対に後面電極部１５０を形成した後前面電極部１４０を形成することができる。
【０２３４】
このように、複数の前面電極１４１がメッキで行われるので、スクリーン印刷法を利用して形成される時より各前面電極１４１の幅が減少し、太陽電池１の入射面積が増加する。これにより、太陽電池１の効率が向上する。
【０２３５】
本例と異なり、エミッタ部１２１の構造が選択的エミッタ構造を有さない場合、すなわち、エミッタ部１２１が位置に無関係に同一の面抵抗値を有し、前面電極部１４０下部に位置したエミッタ部１２１の面抵抗値とその以外のエミッタ部１２１の面抵抗値が全て同一である場合、既に記述した工程の中で、図１２Ｄの工程は省略される。
【０２３６】
したがって、基板１１０ のエミッタ部１２０上に反射防止部１３０を形成した後、直接、反射防止部１３０上にレーザビームが直接照射され反射防止部１３０に複数の第１及び第２開口部（１８１、１８２）を形成する。
【０２３７】
この時、エミッタ部１２０に追加で第２導電性タイプの不純物を注入できる別途の不純物膜が反射防止部１３０の上部や下部に存在せず、レーザビームの照射目的が第２導電性タイプの不純物を追加にドーピングするためではなく反射防止部１３０の所望の部分のみを除去するためなので、レーザビームが照射されたエミッタ部１２０部分には追加の不純物ドーピング工程は必要でなくなる。
【０２３８】
したがって、エミッタ部１２０でレーザビームが照射された部分とそうではない部分の不純物ドーピング濃度と面抵抗値は等しく維持される。
【０２３９】
このように、レーザビームの照射目的がすでに図１２Ｅを参照にして説明したことと相異するので、この時、照射されるレーザビームの波長は３５５nmを有することができる。やはりレーザの出力(約５Ｗ乃至２０Ｗ)や照射時間は反射防止部１３０の材料や厚さなどによって決まる。
【０２４０】
このような場合、不純物膜２０の形成及び除去工程が省略されるので、太陽電池１の製造時間と製造費用が減少する。
【０２４１】
本例では、後面電極１５１はアルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）を含むペーストを利用したスクリーン印刷法を通じて形成され、後面バスバー１５２もまた銀（Ａｇ）を含むペーストを利用したスクリーン印刷法を通じて形成される。  
【０２４２】
しかし、代案的な例として、後面電極１５１と後面バスバー１５２また前面電極１４１と前面バスバー１４２のようにメッキ法を通じて形成することができる。
【０２４３】
この場合、前面電極部１４０のように、後面電極１５１と後面バスバー１５２は同一のメッキ工程を通じて同時に形成され後面電極１５１と後面バスバー１５２は同一の材料から形成することができる。
【０２４４】
さらに、後面電極１５１と後面バスバー１４２は前面電極１４１と前面バスバー１５２のためのメッキ工程を通じて前面電極１４１及び前面バスバー１５２と同時に形成されることができ、この場合、後面電極部１５０の材料は前面電極部１４０の材料と同一である。また、後面電極部１５０もまた単一膜だけではなく２重膜と３重膜のように多重膜から形成することができる。
【０２４５】
したがって、後面電極部１５０がメッキ法からなる場合、２重膜または３重膜で後面電極１５１と後面バスバー１５２が成り、下部膜でニッケル（Ｎｉ）を利用する場合、後面電界部１７２、すなわち、第１導電性タイプの不純物が高濃度にドーピングされた基板１１０の部分と後面電極１５１の間そして基板１１０と後面バスバー１５２の間にはニッケルケイ素化合物(nickel silicide)が存在し、後面電極１５１及び後面バスバー１５２と基板１１０ [または後面電界部１７２]の間にはガラスフリットの成分が検出されない。
【０２４６】
図１２Ａ乃至図１２Ｇは図１乃至図２に示す太陽電池１を製造する方法に対して示すが、図１１に示す太陽電池１を製造する場合、前面バスバー１４２を形成するための第２開口部１８２の個数と形成幅を除けば図１２Ａ乃至図１２Ｇを参照して説明したことと同一である。
【０２４７】
すなわち、図１１に示す太陽電池１の場合、一つの前面バスバー１４２のためには一つの第２開口部１８２が必要なので、図１２Ｅの第１及び第２開口部（１８１、１８２)形成工程時第２開口部１８２の形成個数と形成幅を変更すれば良いので、図１１に示す太陽電池１を製造する方法に対しては省略する。
【０２４８】
次に、図１３を参照して、複数の太陽電池１をインターコネクトを利用して電気的に接続し製造する太陽電池モジュールに対して説明する。
【０２４９】
太陽電池モジュール１００は複数のインターコネクト２１０によって電気的に接続された複数の太陽電池１、複数の太陽電池１を保護する保護膜２２０、複数の太陽電池１の受光面の方に位置する保護膜２２０上に配置される透明部材２３０、及び受光面の反対の方に位置する保護膜２２０の下部に配置される後面シート(back sheet)２４０を含む。
【０２５０】
そして太陽電池モジュール１００はラミネート工程によって一体化された部品（２１０ −２４０）を輸納するフレームと複数の太陽電池１で生産された電力を収集する端子箱(junction ｂｏｘ)をさらに含むことができる。  
【０２５１】
後面シート２４０は太陽電池モジュール１００の後面から湿気が浸透することを防止し複数の太陽電池１を外部環境から保護する。このような後面シート２４０は水気と酸素浸透を防止する層、化学的腐食を防止する層、絶縁特性を有する層のような多層構造を有することができ、不透明な材料から形成することができる。
【０２５２】
保護膜２２０は行列形態（マトリクス）に配列された複数の太陽電池１の上部及び下部にそれぞれ配置された状態でラミネート工程によって複数の太陽電池１を囲んで複数の太陽電池１と一体化になることで、外部からの湿気浸透による腐食を防止し複数の太陽電池１を衝撃から保護する。このような保護膜２２０はエチレンビニールアセテート(ＥＶＡ、ethylene vinyl acetate)のような物質から形成することができる。
【０２５３】
保護膜２２０上に位置する透明部材２３０は透過率が高く、破損防止機能が優れた強化ガラスなどからなる。この時、強化ガラスは鉄成分含量が低い低鉄分強化ガラス(low iron tempered glass)で有り得る。このような透明部材２３０は光の散乱効果を高めるために内側面がエンボシング(embossing) 処理されることができる。
【０２５４】
以下、本発明の太陽電池モジュール１００に備えた複数の太陽電池１の電気的接続構造に対して図１４及び図１５を参照して詳しく説明する。太陽電池モジュール１００に備えた複数の太陽電池１は行列構造に配置されており、図１３及び図１４に示すように複数のインターコネクト２１０によって接続されている。
【０２５５】
この時、インターコネクト１２０は図１５に示すように１．０００ｐｐｍ以下の鉛成分を含む無煙材質の導電性金属[例、銅（Ｃｕ）]２１２と導電性金属１２２の表面に被覆された有鉛材質の半田(solder)(例、ＳＮＰＢＡＧ)２１４からなる。場合によって、導電性金属２１２を被覆している物質は鉛を含まない導電性金属(例、ＳｎＡｇ)からなることができ、インターコネクト１２０は導電性金属２１２だけからなることができる。
【０２５６】
図１５に示すように、インターコネクト１２０の上部面と下部面は平面ではなく曲面を有し、これにより、前面バスバー１４２と電気的に接続されるインターコネクト２１０の下部面で、インターコネクト２１０の中心部とこのインターコネクト２１０の周辺部は同一の高さに位置しないで高さの差（Ｈ４１）が発生する。
【０２５７】
行列形態に配列された複数の太陽電池１で同一の行に位置し隣接した二つの太陽電池１で、一つの太陽電池１に位置した各前面バスバー１４２はインターコネクト２１０を通じて残り太陽電池１に位置した各後面バスバー１５２と電気的及び物理的に接続する。また、行列形態に配列された複数の太陽電池１で同一の列に位置し互いに隣接している二つの太陽電池１で、一つの太陽電池１に位置しながら隣接した他の太陽電池１と接続されない各前面バスバー１４２はインターコネクト２１０を通じて残り太陽電池１に位置しながら隣接した他の太陽電池１と繋がれない各後面バスバー１５２と電気的及び物理的に接続する。
【０２５８】
このように、複数のインターコネクト２１０を太陽電池１の前面バスバー１４２と後面バスバー１５２の間の接続構造に対して詳しく説明する。
【０２５９】
既に説明したように、本例では、各前面バスバー１４２と各後面バスバー１５２はインターコネクト２１０と直接接続されず、導電性接着フィルム２６０を通じてインターコネクト２１０と物理的及び電気的に接続されている。
【０２６０】
図１５に示すように、前面バスバー１４２と後面バスバー１５２それぞれ上に導電性接着フィルム２６０とインターコネクト２１０が順に位置し前面バスバー１４２と後面バスバー１５２の延長方向に沿って導電性接着フィルム２６０とインターコネクト２１０もまた延長される。
【０２６１】
図１５で、基板１１０の前面と後面に一つの前面バスバー１４２と後面バスバー１５２が位置し基板１１０の前面と後面にそれぞれ位置した導電性接着フィルム２６０とインターコネクト２１０それぞれの個数は一つであるが、基板１１０の前面に位置した複数の前面バスバー１４２のそれぞれの上に導電性接着フィルム２６０とインターコネクト１２０が位置し基板１１０の後面に位置した複数の後面バスバー１５２のそれぞれの上に導電性接着フィルム２６０とインターコネクト１２０が位置する。これにより、基板１１０の前面に位置する前面バスバー１４２の個数とその上に位置した導電性接着フィルム２６０とインターコネクト２１０のそれぞれの個数は同一であり、基板１１０の後面に位置する後面バスバー１５２の個数とその上に位置した導電性接着フィルム２６０とインターコネクト２１０のそれぞれの個数は同一である。
【０２６２】
導電性接着フィルム２６０は図１６乃至図１９に示すように樹脂２６２及び樹脂２６２に分散した複数の導電性粒子２６４を含む。樹脂２６２は接着性を有する材質であると特別には限定されない。ただし、接着信頼性を高めるためには熱硬化性樹脂を使うのが望ましい。図１６乃至図１９で、便宜上、一つの前面バスバー１４２とインターコネクト２１０が導電性接着フィルム２６０によって接続された状態のみを示すが、一つの後面バスバー１５２とインターコネクト２１０が導電性接着フィルム２６０によって接続された状態も図１６乃至図１９と同一である。
【０２６３】
熱硬化性樹脂ではエポキシ(epoxy)樹脂、フェノキシ(phenoxy)樹脂、アクリル(acryl) 樹脂、ポリイミド(polyimide)樹脂、ポリカーボネート(polycarbonate)樹脂の中から選択された少なくとも１種以上の樹脂を使うことができる。
【０２６４】
樹脂２６２は熱硬化性樹脂以外の任意成分として、既に知られた硬化剤及び硬化促進剤を含むことができる。例えば、樹脂２６２は前面バスバー１４２とインターコネクト２１０及び後面バスバー１５２とインターコネクト２１０の接着性を向上するためにシラン(silane)系カップリング(coupling)剤、チタネート(titanate)系カップリング剤 、アルミネート(aluｍinate)系カップリング剤などの改質材料を含むことができ、第１導電性粒子２６４の分散性を向上するために燐酸カルシウムや炭酸カルシウムなどの分散剤を含むことができる。また樹脂２６２は弾性率を制御するためにアクリルゴム、シリコンゴム、ウレタンなどのゴム成分を含むことができる。
【０２６５】
導電性粒子２６４は図１６乃至図１９に示すように、第１厚さ（Ｔ１）を有する複数の第１導電性粒子２６４１と第１厚さ（Ｔ１）より小さな第２厚さ（Ｔ２）を有する複数の導電性粒子２６４２を備える。これら複数の第１導電性粒子２６４１と複数の第２導電性粒子２６４２は樹脂２６２内に分散している。
【０２６６】
この時、複数の第１導電性粒子２６４１それぞれは図１６に示すように導電性接着フィルム２６０の厚さ（Ｔ３）より小さいことがある。
【０２６７】
しかし、複数の第１導電性粒子２６４１それぞれは図１７乃至図１９に示すように導電性接着フィルム２６０の厚さ（Ｔ３）より大きくすることができる。このような場合、各第１導電性粒子２６４１の少なくとも一部は導電性接着フィルム２６０上に突き出されている。この時、導電性接着フィルム２６０の厚さは樹脂２６２の厚さである。
【０２６８】
また、代案的な例として、図１６の場合、導電性粒子２６４は複数の第１導電性粒子２６４１と複数の第２導電性粒子２６４２の中の一つだけ含むことができ、図１７乃至図１９の場合、導電性粒子２６４は導電性粒子２６４の中複数の第１導電性粒子２６４１だけ含むことができる。
【０２６９】
導電性接着フィルム２６０が導電性接着フィルム２６０の厚さ（Ｔ３）より大きい第１導電性粒子２６４１を備える場合、第１導電性粒子の厚さ（Ｔ１）が導電性接着フィルム２６０の厚さ（Ｔ３）より厚いので、一つの第１導電性粒子２６４１だけにより前面バスバー１４２とインターコネクト２１０の電気的及び物理的な接続が成る。したがって、前面バスバー１４２で収集された電荷をインターコネクト２１０にさらに良好で安定に伝達する。
【０２７０】
第１導電性粒１６４１の厚さ（Ｔ１）と導電性接着フィルム２６０の厚さ（Ｔ３）より小さな複数の第１導電性粒子２６４１と複数の第２導電性粒子２６４２は図１６及び図１９に示すように前面バスバー１４２とインターコネクト２１０の間で少なくとも二つの第２導電性粒子２６４２が上下方向に重畳して前面バスバー１４２とインターコネクト１２０の間の物理的な接続通路を形成して前面バスバー１４２で収集された電荷を複数の第２導電性粒子１６４２によって形成された接続通路を通じてインターコネクト２１０に伝達するか互いに隣接している導電性粒子（２６４１、２６４２）の間をジャンプ(juｍp)して前面バスバー１４２からインターコネクト２１０に電荷移動が成る。
【０２７１】
したがって、前面バスバー１４２に位置した電荷は接している導電性粒子（２６４１、２６４２）に移動するか前面バスバー１４２と直接接していない隣接した導電性粒子（２６４１、２６４２）にジャンプ(juｍp)した後、再び隣接した導電性粒子（２６４１、２６４２）に一度以上ジャンプして前面バスバー１４２からインターコネクト２１０に電荷移動できる。
【０２７２】
本例では、各第１導電性粒子２６４１の厚さ（Ｔ１）と各第２導電性粒子２６４２の厚さ（Ｔ２）は約２μｍ乃至約３０μｍで有り得る。
【０２７３】
第１導電性粒子２６４１と第２導電性粒子２６４２は銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、亜鉛（Ｚｎ）、コバルト（Ｃｏ）、チタン（Ｔｉ）及びマグネシウム（Ｍｇ）から選択された１種以上の金属を主成分で含む金属被服樹脂粒子に成るか、上の金属を主成分にする金属粒子からなることができる。
【０２７４】
第１及び第２導電性粒子（２６４１、２６４２）それぞれは図１６及び図１７に示すように、円型または楕円型の形状に形成されるか図１８及び図１９に示すように、放射形の形状に形成される。
【０２７５】
ここで、「放射形」はおおよそ球体形状を有する金属粒子の表面に複数の突起が不規則的に形成された金属粒子の形状を言う。
【０２７６】
第１及び第２導電性粒子（２６４１ ２６４２）が円型や楕円型からなる場合、第１及び第２導電性粒子（２４６１、２４６２）の厚さ（Ｔ１、Ｔ２）は第１及び第２導電性粒子（１６４１ １６４２）の直径(楕円型の場合、最小直径)で有り得る。
【０２７７】
そして第１及び第２導電性粒子（２６４１、２６４２）が放射形の金属粒子からなる場合、第１及び第２導電性粒子（２６４１、２６４２）の厚さ（Ｔ１、Ｔ２）は金属粒子の表面に形成された複数の突起の端部を接続する仮想線によって形成されたおおよそ球体形状の物から測定した最短直径で有り得る。
【０２７８】
放射形の金属粒子からなる第１及び第２導電性粒子〈２６４１、２６４２〉は円型または楕円型からなる第１及び第２導電性粒子〈２６４１、２６４２〉に比べて前面バスバー１４２とインターコネクト２１０の中少なくとも一つとの接触面積が増加するので、接触抵抗が減る。
【０２７９】
樹脂２６２が硬化した後の前面バスバー１４２とインターコネクト２１０との安定的な接続力と接着力を維持するため、樹脂２６２内に分散する導電性粒子２６４の配合量は導電性接着フィルム２６０の全体体積に対して０．５体積％ 乃至２０体積％で有り得る。
【０２８０】
導電性粒子２６４の配合量が０．５体積％以上場合前面バスバー１４２からの電荷移動がさらに安定的に成り、導電性粒子２６４の配合量が２０体積％ 以下である場合前面バスバー１４２とのより安定的な接続及び接着が成る。  
【０２８１】
このように、前面バスバー１４２とインターコネクト２１０との電気的な接続のために導電性接着フィルム２６０を利用する場合、前面バスバー１４２上に導電性接着フィルム２６０とインターコネクト２１０を附着するテーピング(tabbing)工程は太陽電池１の前面バスバー１４２に導電性接着フィルム２６０を接着する予備接合(pre-bonding)(第１接合) 段階とインターコネクト２１０と導電性接着フィルム２６０を接着する最終接合(final-bonding)(第２接合) 段階を備える。
【０２８２】
予備接合段階は前面バスバー１４２上に導電性接着フィルム２６０を安定的に配置するための段階であり、最終接合段階は前面バスバー１４２上に配置された導電性接着フィルム２６０とインターコネクト２１０を安定的に接着させ前面バスバー１４２と導電性接着フィルム２６０及びインターコネクト２１０が電気的及び物理的に安全に接続させるための段階である。したがって、予備接合段階の工程温度(すなわち、加熱温度)と導電性接着フィルム２６０上に加えられる圧力は最終接合段階の工程温度とインターコネクト２１０上に加えられる圧力より低い。
【０２８３】
一例として、予備接合段階の加熱温度は約１００℃ 以下で、圧力は約 １ＭＰａであり、最終接合段階の加熱温度は約１４０℃乃至１８０℃で圧力は約 ２ＭＰａ乃至３ＭＰａで有り得る。
【０２８４】
これにより、前面バスバー１４２とインターコネクト２１０は二つの間に位置した導電性接着フィルム２６０と安定的に密着されて正常な接続がなり、後面バスバー１５２とインターコネクト２１０はやはり二つの間に位置した導電性接着フィルム２６０と安定的に密着されて正常に接続される。
【０２８５】
また予備接合段階での加熱及び加圧時間はおおよそ５秒内外で設定することができ、最終接合段階での加熱及び加圧時間はおおよそ１０秒位に設定することができる。これにより、前面バスバー１４２、導電性接着フィルム２６０ 及びインターコネクト２１０が熱による損傷または変質されないようにする。
【０２８６】
このように、導電性接着フィルム２６０を利用し前面バスバー１４２とインターコネクト２１０の間の接続が成る時、予備接合段階と最終接合段階で印加される熱と圧力によって導電性接着フィルム２６０の樹脂２６２が軟化されるかとけるようになり樹脂２６２の中に含有された第１及び第２導電性粒子（２６４１、２６４２）の内少なくとも一つの少なくとも一部がインターコネクト２０１と前面バスバー１４２の内少なくとも一つの中に入るようになる。
【０２８７】
これにより、導電性接着フィルム２６０によって前面バスバー１４２とインターコネクト２１２が接着された状態で、導電性粒子２６４とインターコネクト２１０が接触する接触面と導電性粒子２６４と前面バスバー１４２が接触する接触面が平坦面ではない非平坦面になる。
【０２８８】
すなわち、図１６乃至図１９に示すように導電性粒子２６４がインターコネクト２１０と前面バスバー１４２の内部に没入され、導電性粒子２６４が没入されたインターコネクト２１０の表面形状と前面バスバー１４２の表面形状は導電性粒子１６４の表面形状と同一になる。
【０２８９】
インターコネクト２１０が導電性金属２１２と半田２１４からなる場合導電性粒子２６４の少なくとも一部はインターコネクト２１０の半田２１４までだけ没入されるか半田２１４を経って導電性金属２１２まで没入されることができる。  
【０２９０】
この時、導電性粒子２６４は図１７に示すようにテーピング作業時に加えられる圧力によって楕円形状に変形されながらインターコネクト２１０の内部に没入されるか、図１６に示すように円型形状を維持した状態でインターコネクト２１０の内部に没入されることができ、導電性粒子〈２６４１、２６４２〉の硬度と強度の中で少なくとも一つはインターコネクト２１０の硬度と強度の中で少なくとも一つとの差によって圧力が加えられる時変形される導電性粒子〈２６４１、２６４２〉の形状を変えることができる。
【０２９１】
導電性接着フィルム２６０の線幅、インターコネクト２１０の線幅、前面バスバー１４２の線幅は互いに同一に形成するかテーピング工程の中に加圧される圧力などを調整し、図１６乃至図１８に示すようにテーピング工程が完了した後導電性接着フィルム２６０の線幅、インターコネクト２１０の線幅、前面バスバー１４２の線幅は互いに同一で有り得る。
【０２９２】
これとは異なり、導電性接着フィルム２６０の線幅はインターコネクト２１０の線幅及び前面バスバー１４２の線幅より大きく形成するかテーピング工程の中に加圧される圧力などを調整し、図１９に示すようにテーピング工程が完了した後導電性接着フィルム２６０は前面バスバー１４２の幅より大幅を有するようになる。これにより、導電性接着フィルム２６０は前面バスバー１４２の両側面を覆って、場合によって前面バスバー１４２の両側面の端部と隣接した反射防止部１３０上にも位置する。このような場合。導電性接着フィルム２６０の接触面積が増加するので、導電性接着フィルム２６０の接着力が増加してさらに安定的に前面バスバー１４２とインターコネクト２１０が接着するようになる。
【０２９３】
図示しなかったが、代案的な例として、インターコネクト２１０と前面バスバー１４２の線幅は導電性接着フィルム２６０の線幅より大きく形成することができる。
【０２９４】
このように導電性接着フィルム２６０を利用して前面バスバー１４２とインターコネクト２１０を接続する時、インターコネクト２１０の破損や損傷なしにさらに安定的に前面バスバー１４２とインターコネクト２１０の間の接合を実施するようになる。
【０２９５】
すなわち、本実施の形態で、前面電極１４１と前面バスバー１４２がメッキに形成されるによって前面電極１４１と前面バスバー１４２は平面ではない曲面形状を有するようになり各前面電極１４１と各前面バスバー１４２の中部分の高さが各前面電極１４１と各前面バスバー１４２の端部分より高くなる。
【０２９６】
したがって、既に説明したように、前面バスバー１４２と電気的に接するようになるインターコネクト２１０の上部面と下部面やはり平坦面ではない曲面を有するようになる。
【０２９７】
したがって、導電性接着フィルム２６０を利用せず、前面バスバー１４２上に直接インターコネクト２６０を付着させる比較例の場合、前面バスバー１４２の上部面の曲面形状とインターコネクト２６０の上部面及び下部面の曲面形状によって前面バスバー１４２とインターコネクト２６０との接合に難しさが発生する。
【０２９８】
すなわち、インターコネクト２１０と接合される前面バスバー１４２の面(すなわち、上部面)と前面バスバー１４２と接合されるインターコネクト２１０の面(すなわち、下部面)が曲面形状を有する場合、前面バスバー１４２の上部面とインターコネクト２１０の下部面中一つは凹な曲面を有し前面バスバー１４２の上部面とインターコネクト２１０の下部面の中他の一つは膨らんでいる曲面を有する時またはその反対の時接合が容易に成る。
【０２９９】
しかし、図２０の（ａ）に示すように、互いに接合される前面バスバー１４２の上部面とインターコネクト２１０の下部面全てが膨らんでいる曲面を有し前面バスバー１４２とインターコネクト２１０が直接接合の場合、前面バスバー１４２とインターコネクト２１０の中部分は互いに接するようになるが、前面バスバー１４２とインターコネクト２１０の周辺部では互いに接しないで所定の距離〈Ｈ５１〉で離隔されるようになる。
【０３００】
この時、前面バスバー１４２とインターコネクト２１０の離隔距離〈Ｈ５１〉はインターコネクト１２０の中心部とこのインターコネクト１２０の周辺部の高さの差（Ｈ４１）と前面バスバー１４２と中心部とこの前面バスバー１４２の周辺部の高さの差（Ｈ４２）の合計でありえる。
【０３０１】
したがって、比較例によってフラックス(flux)を利用したソルダリング(soldering) 方式でインターコネクト２１０を直接前面バスバー１４２上に接着する場合、約２２０℃乃至２６０℃の温度でインターコネクト２１０に圧力をかけて前面バスバー１４２上に直接インターコネクト２１０を附着するようになる。
【０３０２】
しかし、この時、前面バスバー１４２とインターコネクト２１０が距離（Ｈ５１）だけ離隔されており、樹脂より熱に強い導電性金属でインターコネクト２１０からなるから加えられる圧力によってインターコネクト２１０の一部にクラック(crack)２６１１が発生するかインターコネクト２１０の一部に千切れるもの２６１２のような不良が発生するようになる[図２０の（ｂ）]。また、前面バスバー１４２とインターコネクト２１０の離隔距離（Ｈ５１）によって、インターコネクト２１０と前面バスバー１４２が安定的に接合されない部分が発生するようになり、前面バスバー１４２とインターコネクト２１０の間の伝導度と接合面積が減るようになる。
【０３０３】
さらに、隔離距離（Ｈ５１）だけ離隔されており互いに見合わせているインターコネクト２１０の端部分と前面バスバー１４２の端部分を接合するため、加えられる圧力や加熱温度などを増加させる時、既に接合状態を維持している部分、例えば、前面バスバー１４２の中部分とインターコネクト２１０の中部分では過度な圧力と温度などによって割れるか破損する問題が発生し、場合によっては、熱によって前面バスバー１４２、インターコネクト２１０及びエミッタ部１２１の内少なくとも一つに劣化現象が発生することがある。
【０３０４】
しかし、本実施の形態に場合、既に説明したように、導電性金属より熱に弱い樹脂を含む導電性接着フィルム２６０を利用し前面バスバー１４２とインターコネクト６１０を接合するようになる。
【０３０５】
こういう場合、予備接合段階と最終接合段階で印加される熱によって導電性接着フィルム２６０の樹脂２６２は軟化され軟化された樹脂２６２は導電性金属よりずっと大きい柔軟性と成形性を有するようになる。
【０３０６】
したがって、加えられる圧力によって導電性接着フィルム２６０が前面バスバー１４２の上部面とインターコネクト２１０の下部面と密着されれば軟化された樹脂２６２は膨らんでいる曲面の前面バスバー１４２の上部面とインターコネクト２１０の下部面の表面形状に沿って柔らかく成形され、これにより、曲面形状の前面バスバー１４２の上部面及びインターコネクト２１０の下部面と導電性接着フィルム２６０は安定的に接するようになる。
【０３０７】
この時、既に説明したように、樹脂２６２の軟化現象によって樹脂２６２の柔軟性と成形性が増加するので、導電性接着フィルム２６０と前面バスバー１４２及びインターコネクト２１０の間の接着力と接触面積は増加するようになり、樹脂より小さな柔軟性と成形性を有しているインターコネクト２１０の割れ発生や損傷及び破損の危険が大きく減少するか防止される。
【０３０８】
また、樹脂２６２を含む導電性接着フィルム２６０を利用し前面バスバー１４２とインターコネクト２１０を接合する場合、樹脂２６２の融点が導電性金属２１２や半田２１４の融点よりずっと低いから、既に説明したように、導電性接着フィルム２６０を利用したテーピング工程の温度は約１００℃乃至1８０℃で行われる一方、インターコネクト２１０と前面バスバー１４２を直接接する比較例の場合テーピング工程の温度は約２２０℃乃至２６０℃で行われる。
【０３０９】
したがって、工程温度が比較例の場合よりずっと低いから、前面バスバー１４２、インターコネクト２１０及びエミッタ１２１などの劣化現象が防止される。  
【０３１０】
既に説明したように、一つの前面バスバー１４２を形成するために複数の第２開口部１８２を利用する場合、導電性接着フィルム２６０の下部面と接する前面バスバー１４２の上部面また曲面形状を有するようになる。しかし、既に説明したように、一つの第２開口部１８２を利用して一つの前面バスバー１４２を形成する本実施の形態の他の例と比べる時、前面バスバー１４２の上部面の粗さと平坦度は増加するようになる。これにより。一つの第２開口部１８２を利用して一つの前面バスバー１４２を形成する本実施の形態の他の例に比べて、導電性接着フィルム２６０と接するようになる前面バスバー１４２の接触面積が増加して導電性接着フィルム２６０と前面バスバー１４２の間の接着力が向上し、平坦度の増加によって、さらに安定的で容易に導電性接着フィルム２６０と前面バスバー１４２の間の接着が成る。
【０３１１】
以上で、前面バスバー１４２と導電性接着フィルム２６０及びインターコネクト２１０との接続構造に対して説明したが、前述の内容は後面バスバー１５２ の導電性接着フィルム２６０及びインターコネクト２２０の接続構造に対しても同様に適用される。
【０３１２】
上述の記載内容の中で基板１１０に形成された複数の突出部１１と反射防止部１３０に形成された複数の突出部２１の突出した高さの差による各数値(例、厚さ、深さなど)の差は無視して突出した高さの差の内で互いに異なる数値は同一の数値とする。
【０３１３】
以上で記載した本発明の実施の形態の場合、複数の前面電極１４１と複数の前面バスバー１４２は複数の第１及び第２開口部（１８１、１８３）を通じてすべて反射防止部１３０を貫通しエミッタ部１２１と接続されているが、図２１乃至図２３に示す代案的な例の太陽電池１ａで、複数の前面電極１４１は反射防止部１３０を貫通しエミッタ部１２１に接続されいり、複数の前面バスバー１４２ａは反射防止部１３０上に位置する。この時、各前面電極１４１と交差する部分に位置した各前面バスバー１４２ａの部分はエミッタ部１２１と接続されている。
【０３１４】
図２１乃至図２３に示す太陽電池１ａで図１乃至図２に示す太陽電池１と同一の構造を有する部分に対しては同じ図面符号を付与したしそれに対する詳細な説明は省略する。
【０３１５】
このために、図２１乃至図２３に示すように、図１及び図２に示す太陽電池１とは異なり各前面電極１４１下部にだけエミッタ部１２１の一部を露出させる各開口部１８１が位置して、各前面バスバー１４２ａ 下部には複数の開口部１８２が存在しない。
【０３１６】
したがって、図２３に示すように、複数の開口部１８１は互いに離隔され同一の方向に形成され、この時、複数の開口部１８１の形成位置は複数の前面電極１４１の形成位置に対応し複数の開口部１８１の延長方向は複数の前面電極１４１の延長方向と同一である。
【０３１７】
これにより、代案的な例による太陽電池１ａで、第１エミッタ部分１２１１より高い不純物濃度を有する第２エミッタ部分１２１２は各前面電極１４１下部にだけ位置し各前面バスバー１４２ａ下部には位置しなく、複数の前面電極１４１だけが第２エミッタ部分１２１２と接続され、複数の前面バスバー１４２ａは反射防止部１３０と接続されている。また、各前面電極１４１が位置した各第１開口部１８１が各前面バスバー１４２ａと交差する部分にも形成されているので、既に説明したように、各前面バスバー１４２ａは各前面電極１４１と交差する部分ではエミッタ部１２１、即第２エミッタ部分１２１２と接続されている。
【０３１８】
しかし、図２３に、前面電極１４１と前面バスバー１４２ａが交差する部分には第１開口部１８１が位置しないこともあり、この場合、一つの前面電極１４１のための一つの開口部１８１は連続的ではなく前面バスバー１４２が位置した部分で切られるようになる。こういう場合、各前面バスバー１４２ａは各前面電極１４１と交差しない部分だけではなく各前面電極１４１と交差する部分でもエミッタ部１２１と接続されないで反射防止部１３０上に位置して反射防止部１３０と直接接するようになる。
【０３１９】
この時、各前面電極１４１は既に説明したことと同様に電極メッキが行われるので、図１及び図２と同一の構造を有しており、各前面電極１４１は銀（Ａｇ）からなる単一膜、ニッケル（Ｎｉ）からなる下部膜と銀（Ａｇ）からなる上部膜のような２重膜、またはニッケル（Ｎｉ）からなる下部膜、銅（Ｃｕ）からなる中間膜及び銀（Ａｇ）またはスズ（Ｓｎ）からなる上部膜のような３重膜などの多層膜からなることができる。
【０３２０】
一方、各前面バスバー１４２は銀（Ａｇ）のような金属物質を含む導電性ペースト(paste)を利用したスクリーン印刷法(screen printing)で形成されることができる。
【０３２１】
この時、各前面電極１４１の高さと各前面バスバー１４２の高さは互いに同一であるか異なることができ、メッキ法を利用して少なくとも一つの膜からなる複数の前面電極１４１を形成した後スクリーン印刷法で複数の前面バスバー１４２を形成するか反対に複数の前面バスバー１４２を形成した後複数の前面電極１４１を形成することができる。
【０３２２】
図２３のように、各前面電極１４１と各前面バスバー１４２ａが交差する部分にも第１開口部１８１が形成される場合、前面電極１４１だけが存在することができる。しかし、これとは異なり、各前面電極１４１と各前面バスバー１４２ａが交差する部分にも第１開口部１８１が形成される場合、前面電極１４１のためにメッキ方式で形成された膜と前面バスバー１４２ａのためにスクリーン印刷法に形成された膜が同時に存在しうる。この時、メッキ方で形成された膜とスクリーン印刷法に形成された膜の順序では前面電極１４１と前面バスバー１４２の形成手順によって変わる。
【０３２３】
この場合、各前面バスバー１４２ａで、各前面電極１４１と交差する部分での高さは交差しない部分での高さよりさらに高くなり、各前面バスバー１４２の表面は凹凸面を有するようになる。各前面バスバー１４２ａの表面積が増加しインターコネクトとの接触面積が増加するようになり、また、前面電極１４１との接続部分で接触抵抗が減少するので、前面電極１４１から前面バスバー１４２ａへの電荷移動がさらに容易に行われる。
【０３２４】
以上で本発明の望ましい実施の形態に対して詳細に説明したが本発明の権利範囲はこれに限定されるのではなくて請求範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の多くの変形及び改良形態もまた本発明の権利範囲に属する。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１２Ｃ】
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【図１２Ｄ】
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【図１２Ｅ】
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【図１２Ｆ】
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【図１２Ｇ】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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