(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
吐出部を介して被処理体に処理液を供給する処理液供給装置において、
処理液を供給する処理液供給源と、
前記処理液供給源に移送配管を介して接続された中間タンクと、
前記中間タンクと吐出部との間に設けられた払出配管と、
前記移送配管を介して処理液供給源から中間タンクに処理液を移送するために、前記中間タンク内を減圧排気する減圧排気部と、
前記中間タンク内に移送された処理液を前記払出配管から払い出すために、当該中間タンクに気体を供給して、減圧排気された後の中間タンク内の圧力を減圧状態から常圧状態に復帰させる圧力調整部と、を備え、
前記処理液供給源には、複数の中間タンクが並列に接続され、
前記複数の中間タンクと減圧排気部との間に設けられ、各中間タンクからの排気が合流する合流部と、
前記合流部の圧力を検出する圧力検出部と、
前記処理液供給源からの処理液の移送が行われる中間タンクの数に応じ、各中間タンクに移送される処理液の流量が予め設定された流量となるように目標圧力を設定するステップと、前記圧力検出部にて検出された圧力が前記目標圧力となるように、前記減圧排気部の排気量を増減するステップと、を実行する制御部と、を備えることを特徴とする処理液供給装置。
【請求項２】
前記処理液供給源は、前記処理液供給源の処理液を加圧することにより、前記移送配管及び中間タンクを介して前記払出配管の下流側に処理液を満たすための加圧部を備えることを特徴とする請求項１に記載の処理液供給装置。
【請求項３】
前記処理液供給源から各中間タンクに移送される処理液の流量を測定する流量測定部を備え、
前記制御部は、前記合流部の圧力と各中間タンクに移送される処理液の総流量との関係を示す回帰式に基づいて前記目標圧力の設定を行い、前記回帰式に基づいて各中間タンクへの処理液の移送を行った結果、前記流量測定部にて測定された処理液の流量の合計値と、前記総流量との差が、予め設定された許容差を超える場合には、前記圧力検出部及び流量測定部の実測値に基づいて、前記関係を示す新たな回帰式を作成し、この新たな回帰式に基づいて前記目標圧力の設定を行うことを特徴とする請求項１または２に記載の処理液供給装置。
【請求項４】
前記流量測定部は、前記中間タンクの互いに異なる高さ位置に設けられた下段側及び上段側の液面計と、前記処理液供給源から中間タンクに移送された処理液が、前記下段側の液面計にて検出されてから上段側の液面計にて検出されるまでの時間を計測する計時部と、を備え、前記下段側及び上段側の液面計間の中間タンクの容量と、前記計時部にて計測された時間とに基づき処理液の流量を求めることを特徴とする請求項３に記載の処理液供給装置。
【請求項５】
前記圧力調整部から中間タンクに供給される気体は、不活性ガスであることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一つに記載の処理液供給装置。
【請求項６】
前記圧力調整部は、前記中間タンクに供給される気体に含まれるパーティクルを除去するためのフィルターを備えることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一つに記載の処理液供給装置。
【請求項７】
吐出部を介して被処理体に処理液を供給する処理液供給方法において、
処理液を供給する処理液供給源に移送配管を介して接続された中間タンク内を減圧排気して、前記処理液供給源から中間タンクに処理液を移送する工程と、
前記中間タンクに圧力調整用の気体を供給して、減圧排気された後の中間タンク内の圧力を減圧状態から常圧状態に復帰させ、前記中間タンクと吐出部との間に設けられた払出配管から、前記中間タンク内に移送された処理液を払い出す工程と、を含み、
さらに、前記処理液供給源には、複数の中間タンクが並列に接続され、前記複数の中間タンクと減圧排気部との間に設けられ、各中間タンクからの排気が合流する合流部の圧力を検出する工程と、
前記処理液供給源からの処理液の移送が行われる中間タンクの数に応じ、各中間タンクに移送される処理液の流量が予め設定された流量となるように目標圧力を設定する工程と、
前記合流部にて検出された圧力が前記目標圧力となるように、前記減圧排気部の排気量を増減する工程と、を含むことを特徴とする処理液供給方法。
【請求項８】
中間タンク内を減圧排気して、前記処理液供給源から中間タンクに処理液を移送する前に、前記処理液供給源の処理液を加圧することにより、前記移送配管及び中間タンクを介して前記払出配管の下流側に処理液を満たす工程を含むことを特徴とする請求項７に記載の処理液供給方法。
【請求項９】
前記処理液供給源から各中間タンクに移送される処理液の流量を測定する工程と、
前記合流部の圧力と各中間タンクに移送される処理液の総流量との関係を示す回帰式に基づいて前記目標圧力の設定を行う工程と、
前記回帰式に基づいて各中間タンクへの処理液の移送を行った結果、処理液の流量の測定結果の合計値と、前記総流量との差が、予め設定された許容差を超える場合には、前記合流部の圧力の検出結果と処理液の流量の測定結果の合計値とに基づいて、前記関係を示す新たな回帰式を作成する工程と、
前記新たな回帰式に基づいて前記目標圧力の設定を行う工程と、を含むことを特徴とする請求項７または８に記載の処理液供給方法。
【請求項１０】
前記圧力調整用の気体は、不活性ガスであることを特徴とする請求項７ないし９のいずれか一つに記載の処理液供給方法。
【請求項１１】
前記中間タンクに供給される圧力調整用の気体をフィルターでろ過してパーティクルを除去する工程を含むことを特徴とする請求項７ないし１０のいずれか一つに記載の処理液供給方法。
【請求項１２】
吐出部を介して被処理体に処理液を供給する処理液供給装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、前記プログラムは請求項７ないし１１のいずれか一つに記載された処理液供給方法を実行するためにステップが組まれていることを特徴とする記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被処理体に供給される処理液を移送する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造工程の一つであるフォトレジスト工程においては、被処理体である半導体ウエハ（以下、ウエハという）の表面にレジストを膜状に塗布し、得られたレジスト膜を所定のパターンで露光した後に現像してレジストパターンを形成している。
【０００３】
このフォトリソグラフィ工程においては、レジスト膜を形成するレジスト液や現像用の現像液など、種々の処理液が用いられる。例えば特許文献１に記載されているように、これらの処理液は容器（処理液供給源）に貯留されており、この容器内をガスで加圧して処理液を押し出すことにより、ウエハへの供給を実行するノズル（吐出部）に向けて処理液の移送が行われる。
【０００４】
しかしながらガスによる加圧を動力源として処理液を移送すると、容器内にて加圧用のガスが処理液に吸収された後、移送時の圧力変化などによって処理液中に気泡として放出されてしまう場合がある。気泡を含んだ処理液をウエハに供給すると、塗布ムラが発生したり、膜中に欠陥が発生したりするおそれがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−６３２５号公報：段落００４４、００４８、図４
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、気泡の発生しにくい状態で処理液を移送することが可能な処理液供給装置、処理液供給方法及びこの方法を記憶した記憶媒体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の処理液供給装置は、吐出部を介して被処理体に処理液を供給する処理液供給装置において、
処理液を供給する処理液供給源と、
前記処理液供給源に移送配管を介して接続された中間タンクと、
前記中間タンクと吐出部との間に設けられた払出配管と、
前記移送配管を介して処理液供給源から中間タンクに処理液を移送するために、前記中間タンク内を減圧排気する減圧排気部と、
前記中間タンク内に移送された処理液を前記払出配管から払い出すために、当該中間タンクに気体を供給して、減圧排気された後の中間タンク内の圧力を減圧状態から常圧状態に復帰させる圧力調整部と、を備え、
前記処理液供給源には、複数の中間タンクが並列に接続され、
前記複数の中間タンクと減圧排気部との間に設けられ、各中間タンクからの排気が合流する合流部と、
前記合流部の圧力を検出する圧力検出部と、
前記処理液供給源からの処理液の移送が行われる中間タンクの数に応じ、各中間タンクに移送される処理液の流量が予め設定された流量となるように目標圧力を設定するステップと、前記圧力検出部にて検出された圧力が前記目標圧力となるように、前記減圧排気部の排気量を増減するステップと、を実行する制御部と、を備えることを特徴とする。
【０００８】
前記処理液供給装置は、以下の構成を備えていてもよい。
（ａ）前記処理液供給源は、前記処理液供給源の処理液を加圧することにより、前記移送配管及び中間タンクを介して前記払出配管の下流側に処理液を満たすための加圧部を備えること。  
（ｂ）前記処理液供給源から各中間タンクに移送される処理液の流量を測定する流量測定部を備え、前記制御部は、前記合流部の圧力と各中間タンクに移送される処理液の総流量との関係を示す回帰式に基づいて前記目標圧力の設定を行い、前記回帰式に基づいて各中間タンクへの処理液の移送を行った結果、前記流量測定部にて測定された処理液の流量の合計値と、前記総流量との差が、予め設定された許容差を超える場合には、前記圧力検出部及び流量測定部の実測値に基づいて、前記関係を示す新たな回帰式を作成し、この新たな回帰式に基づいて前記目標圧力の設定を行うこと。  
（ｃ）（ｂ）において、前記流量測定部は、前記中間タンクの互いに異なる高さ位置に設けられた下段側及び上段側の液面計と、前記処理液供給源から中間タンクに移送された処理液が、前記下段側の液面計にて検出されてから上段側の液面計にて検出されるまでの時間を計測する計時部と、を備え、前記下段側及び上段側の液面計間の中間タンクの容量と、前記計時部にて計測された時間とに基づき処理液の流量を求めること。
（ｄ）前記圧力調整部から中間タンクに供給される気体は、不活性ガスであること。また前記圧力調整部は、前記中間タンクに供給される気体に含まれるパーティクルを除去するためのフィルターを備えること。
【発明の効果】
【０００９】
本発明は、中間タンク内を減圧排気することにより処理液供給源から中間タンクへ処理液を移送するので、移送時における処理液へのガスの吸収を抑え、処理液内における気泡の発生を抑制することができる。また、中間タンクを介して被処理体への処理液の供給を行うことにより、容器の交換などにより処理液供給源から処理液を供給できない期間中も被処理体の処理を実行することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】発明の実施の形態に係る塗布、現像装置の横断平面図である。
【図２】前記塗布、現像装置の斜視図である。
【図３】前記塗布、現像装置に設けられている処理液供給装置の第１の構成図である。
【図４】前記処理液供給装置の第２の構成図である。
【図５】前記処理液供給装置のリザーブタンクに薬液を補充する動作の流れを示すフロー図である。
【図６】前記リザーブタンクに薬液を補充する動作に係るタイムチャートである。
【図７】前記処理液供給装置の第１の動作説明図である。
【図８】前記処理液供給装置の第２の動作説明図である。
【図９】前記処理液供給装置の第３の動作説明図である。
【図１０】前記処理液供給装置の第４の動作説明図である。
【図１１】前記処理液供給装置の第５の動作説明図である。
【図１２】前記処理液供給装置の第６の動作説明図である。
【図１３】複数のリザーブタンクに薬液を補充する動作に係るタイムチャートである。
【図１４】前記処理液供給装置に設けられている電空レギュレータの開度と薬液の流量との関係を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態について、添付図面に基づいて説明する。ここでは、本発明に係る処理液供給装置を塗布、現像装置に適用した場合について説明する。  
図１及び図２に示すように、塗布、現像装置は、被処理体であるウエハＷを複数枚例えば２５枚密閉収納するキャリア１０を搬出入するためのキャリアステーション１と、このキャリアステーション１から取り出されたウエハＷにレジスト塗布処理（以下、塗布処理という）や現像処理などを施す処理部２と、当該処理部２とウエハＷの表面に光を透過する液層を形成した液浸状態でウエハＷの表面を露光する露光部４との間でウエハＷの受け渡しを行うインターフェース部３とを具備している。
【００１２】
キャリアステーション１には、キャリア１０を複数個並べて載置可能な載置部１１と、この載置部１１から見て前方の壁面に設けられる開閉部１２と、開閉部１２を介してキャリア１０からウエハＷを取り出すための受け渡し手段Ａ１とが設けられている。
【００１３】
インターフェース部３は、処理部２と露光部４との間に前後に設けられる第１の搬送室３Ａ及び第２の搬送室３Ｂにて構成されており、それぞれに第１のウエハ搬送部３０Ａ及び第２のウエハ搬送部３０Ｂが設けられている。
【００１４】
また、キャリアステーション１の奥側には筐体２０にて周囲を囲まれる処理部２が接続されており、この処理部２には手前側から順に加熱・冷却系のユニットを多段化した棚ユニットＵ１、Ｕ２、Ｕ３及び液処理ユニットＵ４、Ｕ５が設けられ、さらに各ユニット間のウエハＷの受け渡しを行う主搬送手段Ａ２、Ａ３が交互に配列して設けられている。主搬送手段Ａ２、Ａ３は、キャリアステーション１から見て前後方向に配置される棚ユニットＵ１、Ｕ２、Ｕ３側の一面部と、例えば右側の液処理ユニットＵ４、Ｕ５側の一面部と、左側の一面をなす背面部とで構成される区画壁２１により囲まれる空間内に配置されている。また、キャリアステーション１と処理部２との間、処理部２とインターフェース部３との間には、各ユニットで用いられる処理液の温度調節装置や温湿度調節用のダクトなどを備えた温湿度調節ユニット２２が配置されている。
【００１５】
棚ユニットＵ１、Ｕ２、Ｕ３は、液処理ユニットＵ４、Ｕ５にて行われる処理の前処理及び後処理を行うための各種ユニットを複数段例えば１０段に積層した構成とされている。これら各種ユニットの組み合わせ例としてはウエハＷを加熱（ベーク）する加熱ユニット、ウエハＷを冷却する冷却ユニットなど（いずれも図示せず）が含まれる。また、ウエハＷに所定の処理液を供給して処理を行う液処理ユニットＵ４、Ｕ５は、例えば図２に示すように、レジストや現像液などの薬液収納部１４の上に反射防止膜を塗布する反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）２３、ウエハＷにレジスト液を塗布する塗布ユニット（ＣＯＴ）２４、ウエハＷに現像液を供給して現像する現像ユニット（ＤＥＶ）２５などを備え、これらのユニット２３、２４、２５が複数段例えば５段積層して構成されている。本実施の形態の処理液供給装置は、これらのユニット２３、２４、２５に設けられている。
【００１６】
上記のように構成される塗布、現像処理装置におけるウエハＷの処理の流れの一例について、図１及び図２を参照しながら簡単に説明する。塗布、現像処理装置では、ロットごとにウエハＷが連続して搬送される。つまり、同じロットのウエハＷが続けて搬送される。まず、例えば２５枚のウエハＷを収納したキャリア１０が載置部１１に載置されると、開閉部１２によりキャリア１０の蓋体が外され、受け渡し手段Ａ１によりウエハＷが取り出される。
【００１７】
取り出されたウエハＷは棚ユニットＵ１の一段をなす受け渡しユニット（図示せず）を介して主搬送手段Ａ２へと受け渡され、塗布処理の前処理として例えば反射防止膜形成処理、冷却処理が行われた後、塗布ユニット（ＣＯＴ）２４にてレジスト液が塗布される。次いでウエハＷは、主搬送手段Ａ２により棚ユニットＵ１〜Ｕ３の一の棚をなす加熱ユニットで加熱（ベーク処理）され、更に冷却された後棚ユニットＵ３の受け渡しユニットを経由してインターフェース部３へと搬入される。
【００１８】
このインターフェース部３において、ウエハＷは、第１の搬送室３Ａ及び第２の搬送室３Ｂの第１のウエハ搬送部３０Ａ及び第２のウエハ搬送部３０Ｂによって露光部４に搬送され、ウエハＷの表面に対向するように配置された露光手段（図示せず）によって露光が行われる。露光後、ウエハＷは露光部４への搬入時とは逆の経路で主搬送手段Ａ２まで搬送され、現像ユニット（ＤＥＶ）２５にて現像されることでパターンが形成される。パターン形成後のウエハＷは、載置部１１上に載置された元のキャリア１０へと戻される。
【００１９】
次に、液処理ユニットＵ４、Ｕ５内の個別のユニット２３、２４、２５に設けられている処理液供給装置の構成について図３を参照しながら説明する。図３には、塗布ユニット（ＣＯＴ）２４のノズルユニット７０にレジスト液（処理液）を供給する処理液供給装置５１１の例を示してある。処理液供給装置５１１は、レジスト液供給系５０１を備え、このレジスト液供給系５０１には、レジスト液Ｌの供給源（処理液供給源）であるレジスト容器６０と、このレジスト容器６０から移送されたレジスト液Ｌを一時的に貯留するリザーブタンク６１（中間タンク）と、これらレジスト容器６０とリザーブタンク６１とを繋ぐ第１の処理液供給管路５１ａ（移送配管）、及びリザーブタンク６１からレジスト液Ｌを払い出すための第２の処理液供給管路５１ｂ（払出配管）とを備える。
【００２０】
レジスト容器６０は、外部から搬入される取り替え可能な容器であり、レジスト容器６０には、容器内の上部側の気相部へ向けて不活性ガス例えば窒素（Ｎ２）ガスを供給することによりレジスト液Ｌを加圧して移送するための第１の気体供給管路６０ａが接続されている。第１の気体供給管路６０ａは、電磁式の切替弁Ｖ１、Ｎ２ガスの圧力調整を行う電空レギュレータＲを介してＮ２ガス供給源６２に接続されている。これらＮ２ガス供給源６２や第１の気体供給管路６０ａ、電空レギュレータＲは、リザーブタンク６１の下流側にレジスト液Ｌを満たすための加圧部に相当している。
【００２１】
レジスト容器６０とリザーブタンク６１とを繋ぐ第１の処理液供給管路５１ａの基端部は、レジスト容器６０の底面近傍まで挿入され、レジスト容器６０内のレジスト液Ｌを無駄なく移送することができるようになっている。また、第１の処理液供給管路５１ａの末端部は、後述のレベル低センサー６１ｂよりも下方側に開口するようにリザーブタンク６１内に挿入されている。このようにリザーブタンク６１内のレジスト液Ｌ中に直接、レジスト液Ｌを供給することにより、移送されたレジスト液Ｌをリザーブタンク６１内のレジスト液Ｌの液面に落下させる場合に比べて気体の取り込みが抑えられる。またレジスト容器６０とリザーブタンク６１との間の第１の処理液供給管路５１ａには電磁式の切替弁Ｖ２が介設されている。
【００２２】
リザーブタンク６１は、レジスト液供給系５０１に予め設けられ、取り替え可能なレジスト容器６０から移送されたレジスト液Ｌを一時的に貯溜してウエハＷへ向けて供給する役割を果たす。リザーブタンク６１の側壁面には、リザーブタンク６１内に貯留されるレジスト液Ｌの液面が上限位置に達したことを検出するレベル高センサー６１ａ（上段側の液面系）と、リザーブタンク６１へのレジスト液Ｌの補充が必要な下限位置に達したこと検出するレベル低センサー６１ｂ（下段側の液面系）とが設けられている。本例において、各センサー６１ａ、６１ｂは、レジスト液Ｌの液面の位置が検出位置よりも高くなると、後述の統括制御部２００へ向けて検出信号を出力する「オン」状態となり、液面の位置が検出位置よりも低くなると検出信号の出力が停止され「オフ」状態となる。
【００２３】
また、リザーブタンク６１の上部には、リザーブタンク６１内のレジスト液を排出する際に用いられるドレイン管路６１ｄが設けられ、当該ドレイン管路６１ｄには電磁式の切替弁Ｖ６ｃが介設されている。さらにリザーブタンク６１の上面には、電磁式の切替弁Ｖ３を備え、Ｎ２ガス供給源６２から加圧用のＮ２ガスを受け入れるための第２の気体供給管路６０ｂが接続されている。
【００２４】
リザーブタンク６１の底面には、リザーブタンク６１内の処理液を払い出すための第２の処理液供給管路５１ｂの基端部が接続され、この第２の処理液供給管路５１ｂは、フィルター５２ａ、送液ポンプＰ、供給制御弁５７を介して、レジスト液Ｌの吐出部を成し、ノズルユニット７０に保持されたノズル７（７ａ）に接続されている。また、リザーブタンク６１とフィルター５２ａとの間、フィルター５２ａと送液ポンプＰとの間、送液ポンプＰと供給制御弁５７との間には、各々電磁式の切替弁５８、Ｖ３１、Ｖ３２が設けられている。
【００２５】
フィルター５２ａは、ウエハＷに供給されるレジスト液Ｌを濾過して当該レジスト液Ｌ中に混入している気泡やパーティクルなどの異物を除去する。フィルター５２ａの上部には、フィルター５２ａ内に溜まったガス溜まりをベントするためのベント用管路５１ｃが設けられ、当該ベント用管路５１ｃには電磁式の切替弁Ｖ４ａが介設されている。
【００２６】
送液ポンプＰは、例えばダイヤフラムポンプやチューブポンプなどの液体移送用のポンプにより構成され、リザーブタンク６１からノズル７へのレジスト液の移送を実行する。供給制御弁５７は、例えばディスペンスバルブを備えた流量制御弁として構成される。
【００２７】
ノズルユニット７０には、複数本（図面では４本の場合を示す）のノズル７が保持されており、各ノズルを７（７ａ〜７ｄ）は各々個別のレジスト液供給系５０１と接続されている。各ノズル７ａ〜７ｄに接続されるレジスト液供給系５０１からは、互いに種類や濃度の異なるレジスト液Ｌが供給される。各レジスト液供給系５０１は、図３中に詳細に示したものと共通の構成を備えている。
【００２８】
以上に構成を説明した処理液供給装置５１１は、リザーブタンク６１内を減圧排気し、リザーブタンク６１側からの吸引力を動力源としてレジスト液Ｌを移送することにより、レジスト液Ｌへの気体の吸収を抑える機能を有している。以下、当該機能の詳細について説明する。
【００２９】
リザーブタンク６１の上面には、給排気路６１ｃが接続され、この給排気路６１ｃは、リザーブタンク６１内のレジスト液Ｌの上方側の空間（気相部）を減圧排気するためのタンク排気管路６１ｅと、レジスト液Ｌの移送終了後のリザーブタンク６１内の圧力を減圧状態から大気圧状態（常圧状態）に復帰させるための不活性ガスを受け入れる圧力調整ガス供給管路６１ｆとに分岐している。
【００３０】
タンク排気管路６１ｅは、電磁式の切替弁Ｖ６ａと、リザーブタンク６１から飛散したミストなどの液体をトラップするトラップタンク８１とを介してエジェクター８４に接続されている。エジェクター８４は、給気流路８６を介して給気部８２から給気された気体（例えば空気）をエジェクター８４内の不図示のノズルから放出させ、放出された気体の流れにタンク排気管路６１ｅ内を流れる流体を合流させることにより、リザーブタンク６１内の減圧排気を行う。給気流路８６には、エジェクター８４への気体の供給量を調整するための電空レギュレータ８３と、電磁式の切替弁Ｖ７とが設けられている。エジェクター８４やタンク排気管路６１ｅ、給排気路６１ｃは、本例の減圧排気部に相当する。
【００３１】
給排気路６１ｃから分岐したもう一方の圧力調整ガス供給管路６１ｆは、フィルター６４及び電磁式の切替弁Ｖ６ｂを介して圧力調整ガス供給部６３に接続されている。圧力調整ガス供給部６３からは、減圧排気されたリザーブタンク６１内に圧力調整用の気体である不活性ガス、本例ではＮ２ガスが供給され、これによりリザーブタンク６１内の圧力を減圧状態から大気圧状態に復帰させることができる。圧力調整ガス供給部６３や圧力調整ガス供給管路６１ｆ、給排気路６１ｃは、本例の圧力調整部に相当する。
【００３２】
以上、図３を参照しながらレジスト液供給系５０１及びリザーブタンク６１の減圧排気を行うエジェクター８４などの基本構成について説明を行った。ここで例えば図２を用いて説明したように、本例の塗布、現像処理装置は、３組の塗布ユニット２４を備えている。従って共通のレジスト容器６０からレジスト液Ｌを供給する場合、処理液供給装置５１１はこれらの各塗布ユニット２４向けてレジスト液Ｌを供給することが可能な構成を備えている必要がある。
【００３３】
そこで本例の処理液供給装置５１１において、レジスト液供給系５０１は、図４に示すように共通のレジスト容器６０に対して複数系統のリザーブタンク６１が並列に接続された構成を備え、各リザーブタンク６１を介して複数の塗布ユニット２４に向けてレジスト液Ｌを供給することができる。図４には、第１系統部５０２ａ、第２系統部５０２ｂ、第３系統部５０３ｃの３つの系統が設けられている例を示し、各系統部５０２ａ〜５０２ｃには、リザーブタンク６１及び各配管路（第１の処理液供給管路５１ａ、第２の処理液供給管路５１ｂ、給排気路６１ｃ、タンク排気管路６１ｅ、圧力調整ガス供給管路６１ｆ）が設けられている。なお、図４の各系統部５０２ａ〜５０２ｃにおいては、第２の処理液供給管路５１ｂに設けられているフィルター５２ａや送液ポンプＰ、ドレイン管路６１ｄなどの記載を適宜省略してある。
【００３４】
図４に示すように、各系統部５０２ａ〜５０２ｃに設けられたリザーブタンク６１の減圧排気に用いられるタンク排気管路６１ｅは、共通のトラップタンク８１に接続され、このトラップタンク８１を介して共通のエジェクター８４により減圧排気が行われる。タンク排気管路６１ｅを介して各リザーブタンク６１からの排気が合流するトラップタンク８１は、本例の合流部に相当する。
【００３５】
各タンク排気管路６１ｅが合流するトラップタンク８１には、当該トラップタンク８１内の圧力を検出する圧力検出部である圧力計８５が設けられており、コントローラ２０１に対してトラップタンク８１内の圧力の検出結果を出力することができる。コントローラ２０１は、圧力計８５によって検出されるトラップタンク８１内の圧力が予め設定された目標圧力となるように、電空レギュレータ８３の開度を調整し、エジェクター８４への気体の供給量、即ち、エジェクター８４によるリザーブタンク６１の減圧排気量を調整する。  
また、各系統部５０２ａ〜５０２ｃのリザーブタンク６１は、圧力調整ガス供給管路６１ｆを介して共通の圧力調整ガス供給部６３に接続され、減圧状態から大気圧状態への復帰が行われる。
【００３６】
図４に示した例においては、図３に示す１つのノズル７（例えばノズル７ａ）へレジスト液Ｌの供給を行うレジスト液供給系５０１に設けられた複数の系統部５０２ａ〜５０２ｃの構成を示した。他のノズル７（例えばノズル７ｂ〜７ｄ）へレジスト液Ｌを供給するレジスト液供給系５０１においても共通のレジスト容器６０に複数のリザーブタンク６１を並列に接続したリザーブタンク６１の系統部５０２ａ〜５０２ｃが設けられ、各系統部５０２ａ〜５０２ｃは共通のトラップタンク８１、エジェクター８４や圧力調整ガス供給部６３に接続されている。
【００３７】
ここで、複数のレジスト液供給系５０１に各々、複数組設けられた系統部５０２ａ〜５０２ｃは、図４に示した１つのトラップタンク８１、エジェクター８４や圧力調整ガス供給部６３に全てのレジスト液供給系５０１の系統部５０２ａ〜５０２ｃを接続してもよいし、各レジスト液供給系５０１内の系統部５０２ａ〜５０２ｃ毎、あるいは複数のレジスト液供給系５０１の系統部５０２ａ〜５０２ｃを複数組ずつまとめて、各々にトラップタンク８１やエジェクター８４、圧力調整ガス供給部６３を設けてもよい。説明を簡単にするため、後述の動作説明においては、図４に示すように１つのトラップタンク８１、エジェクター８４、圧力調整ガス供給部６３に対して３つの系統部５０２ａ〜５０２ｃが接続されている場合の例について説明を行う。
【００３８】
図１に示すように塗布、現像装置には、当該装置全体の統括制御を行う統括制御部２００が設けられている。図３に示すように統括制御部２００は各処理液供給装置５１１の制御も実行する。統括制御部２００はＣＰＵと記憶部とを備えたコンピュータからなり、記憶部には処理液供給装置５１１の作用、即ちレジスト容器６０からリザーブタンク６１へレジスト液Ｌを移送し、ノズル７を介してウエハＷにレジスト液Ｌを供給する動作についてのステップ（命令）群が組まれたプログラムが記録されている。このプログラムは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスク、メモリーカードなどの記憶媒体に格納され、そこからコンピュータにインストールされる。
【００３９】
特に、複数の系統部５０２ａ〜５０２ｃに各々設けられたリザーブタンク６１に対してレジスト液Ｌの移送を実行する機能に関し、統括制御部２００は、各リザーブタンク６１のレベル高センサー６１ａ、レベル低センサー６１ｂの出力信号に基づき、レジスト液Ｌの補充の要否を判断する。また統括制御部２００は、レジスト液Ｌの移送が行われているリザーブタンク６１の数に応じて、各リザーブタンク６１におけるレジスト液Ｌの流量が予め設定された流量となるようにトラップタンク８１内の目標圧力を変更する制御を行う。統括制御部２００及びコントローラ２０１は、本実施の形態に係る処理液供給装置５１１の制御部を構成している。
【００４０】
以上に説明した構成を備える処理液供給装置５１１の動作について説明する。初めに、図３に示した単独のレジスト液供給系５０１に係る動作を図５のフロー図、図６のタイムチャート、及び図７〜図１２の作用図を参照しながら説明する。図６において、（ａ）、（ｂ）はレベル低センサー６１ｂ、レベル高センサー６１ａの出力のオン／オフ状態を示し、（ｃ）〜（ｆ）は、各管路５１ａ、６１ｅ、６１ｆ、８６の切替弁Ｖ２、Ｖ６ａ、Ｖ６ｂ、Ｖ７の開閉状態を示している。また（ｇ）はコントローラ２０１により調整される電空レギュレータ８３の開度を示し、（ｈ）はトラップタンク８１の圧力計８５の指示を示している。
【００４１】
初めにレジスト液供給系５０１にレジスト容器６０が装着されたとき、リザーブタンク６１が空の状態であったり、フィルター５２ａの交換や送液ポンプＰの開放などを行ったりした後である場合は、図７に示すように第１の処理液供給管路５１ａ−リザーブタンク６１−フィルター５２ａ-送液ポンプＰ-供給制御弁５７-ノズル７ａの系統内にレジスト液Ｌを満たす操作を行う。この場合、リザーブタンク６１を減圧排気してレジスト液Ｌを移送するだけでは、リザーブタンク６１の下流側にレジスト液Ｌを満たすことができない。そこでこの操作においては、第１の気体供給管路６０ａを介してＮ２ガス供給源６２からレジスト容器６０へと加圧用のＮ２ガスを供給し、レジスト容器６０の下流側へ向けてレジスト液Ｌを押し出すことにより、当該系統内をレジスト液Ｌで満たす。
【００４２】
上記系統内がレジスト液Ｌにて満たされたら、図８に示すようにフィルター５２ａのベント用管路５１ｃを開いてフィルター５２ａに溜まったガス溜まりをベントする。この例では、系統内にレジスト液Ｌを満たす操作が終わっているので、第２の気体供給管路６０ｂからリザーブタンク６１にＮ２ガスを供給することでレジスト容器６０をバイパスして圧力損失を小さくし、より低い圧力で加圧することにより、レジスト液Ｌへのガス吸収を抑えつつフィルター５２ａのベントを行っている。なお、ガス吸収の問題が小さい場合には、レジスト容器６０に加圧用のＮ２ガスを供給してフィルター５２ａのベントを行ってもよい。
【００４３】
こうして、レジスト液Ｌを供給する準備を終えたら、ベント用管路５１ｃや第２の気体供給管路６０ｂの切替弁Ｖ４ａ、Ｖ３を閉じ、塗布、現像装置を稼働させ、塗布ユニット２４にてウエハＷに対するレジスト液Ｌの塗布処理を実行する（図５のスタート）。  
塗布処理を実行すると、処理されたウエハＷ枚数の増加につれてリザーブタンク６１内のレジスト液Ｌのレベルが低下していく。統括制御部２００は、レベル低センサー６１ｂが「オン」の状態である場合には、リザーブタンク６１内には次のウエハＷの処理を行うのに十分な量のレジスト液Ｌが貯留されていると判断してレジスト液Ｌの補充動作を行わない（ステップＳ１０１；ＮＯ）。
【００４４】
さらにウエハＷの処理が行われ、図６（ａ）に示すように、時刻Ｔ１にてレベル低センサー６１ｂが「オフ」の状態になったら（図５のステップＳ１０１；ＹＥＳ）、図９に示すように統括制御部２００は第２の処理液供給管路５１ｂの切替弁５８を閉じ、リザーブタンク６１からレジスト液Ｌの払い出しができない状態とする。そして、エジェクター８４の稼働を開始すると共にタンク排気管路６１ｅの切替弁Ｖ６ａを開いてリザーブタンク６１の減圧排気を開始する（図５のステップＳ１０２、図６（ｄ）、（ｆ））。この動作に合わせて圧力調整ガス供給管路６１ｆも閉じられる（図６（ｅ））。
【００４５】
この際、コントローラ２０１により調整される電空レギュレータ８３の開度は、トラップタンク８１内の圧力が予め設定された目標圧力となる開度（図６（ｇ）に示した例では開度２５％）に開度調整される。ここでトラップタンク８１の目標圧力は、レジスト容器６０からリザーブタンク６１へレジスト液Ｌを移送したとき、予め設定した流量でレジスト液Ｌが流れるようにレジスト容器６０からレジスト液Ｌを吸引することが可能な減圧状態を、リザーブタンク６１内に形成する圧力に設定されている。本例では、例えばリザーブタンク６１内の圧力を大気圧状態からの減圧幅ΔＰ１で表したとき、−５０ｋＰａ（約−０．５気圧）となるようにトラップタンク８１の目標圧力が設定されている。ここで図６（ｇ）の電空レギュレータ８３の開度、及び（ｈ）のトラップタンク８１の圧力指示は、理想的な時間推移を模式的に表したものであり、実際には開度調整の遅れや振動などが生じる場合がある（図１３においても同様）。
【００４６】
図９の状態でリザーブタンク６１の排気を継続すると、図６（ｈ）に示すようにトラップタンク８１の圧力計８５の指示が次第に低下していく。そして圧力計８５の指示値が目標圧力に到達し、圧力が安定した時刻Ｔ２にて、図１０に示すように第１の処理液供給管路５１ａの切替弁Ｖ２を開いてレジスト容器６０内のレジスト液Ｌをリザーブタンク６１へ向けて吸引、移送する（図５のステップＳ１０３）。このとき、トラップタンク８１内の圧力が目標圧力となるように、エジェクター８４によるリザーブタンク６１の減圧排気は継続されているのでレジスト容器６０内のレジスト液Ｌは一定の流量でリザーブタンク６１に向けて移送される。
【００４７】
吸引により減圧状態でレジスト液Ｌの移送を行うことにより、Ｎ２ガスなどによる加圧でレジスト液Ｌを移送する場合に比べて、レジスト液Ｌへのガスの吸収を抑えることができる。また、リザーブタンク６１内を減圧状態にすることにより、図７や図８にて説明した準備操作の段階でレジスト液Ｌに吸収されたガスをリザーブタンク６１内で放出させてエジェクター８４へ向けて排出する効果も期待できる。
【００４８】
この結果、リザーブタンク６１内のレジスト液Ｌレベルが上昇し時刻Ｔ３にてレベル低センサー６１ｂの設置位置に液面が到達すると、図６（ａ）に示すように当該レベル低センサー６１ｂが「オン」状態となる。引き続き統括制御部２００は、レベル高センサー６１ａの設置位置に液面が到達し、レベル高センサー６１ａが「オン」の状態となったか否かを確認し（図５のステップＳ１０４）、レベル高センサー６１ａが「オフ」状態である場合にはレジスト液Ｌの移送を継続する（ステップＳ１０４；ＮＯ）。
【００４９】
そして、図６（ｂ）に示すように時刻Ｔ４にてレベル高センサー６１ａが「オン」の状態となったら（図５のステップＳ１０４；ＹＥＳ）、エジェクター８４を停止すると共に、第１の処理液供給管路５１ａ、タンク排気管路６１ｅの切替弁Ｖ２、Ｖ６ａを閉じてリザーブタンク６１の減圧排気及びレジスト液Ｌの移送を終了する（図５のステップＳ１０５、図６（ｃ）、（ｄ）、（ｆ））。
【００５０】
また、この動作と並行して圧力調整ガス供給管路６１ｆの切替弁Ｖ６ｂを開き、圧力調整ガス供給部６３からリザーブタンク６１へ向けて圧力調整用のＮ２ガスを受け入れ、リザーブタンク６１内の圧力を減圧状態から大気圧状態に復帰させる（図５のステップＳ１０５、図６（ｅ）、図１１）。このとき圧力調整ガス供給管路６１ｆにフィルター６４が設けられていることにより、圧力調整用のＮ２ガスに含まれるパーティクルなどが除去され、ウエハＷに供給されるレジスト液Ｌを清浄な状態に維持できる。また、圧力調整用のガスとして不活性なＮ２ガスを用いることにより、レジスト液Ｌの変質を防止しつつノズル７ａへのレジスト液Ｌの供給を再開できる（図５のエンド）。
【００５１】
こうしてリザーブタンク６１へのレジスト液Ｌの補充を終えたら、図１２に示すように第２の処理液供給管路５１ｂの切替弁５８を開いて第２の処理液供給管路５１ｂを連通させる。そして、塗布ユニット２４にウエハＷが搬入されたら、鉛直軸回りに回転するウエハＷの上方にノズル７ａを位置させ、ウエハＷにレジスト液Ｌを供給して塗布処理を実行する（図１２）。
【００５２】
以上、図５〜図１２を利用して単独のリザーブタンク６１を備えるレジスト液供給系５０１の動作について説明を行った。ここで実際の処理液供給装置５１１においては、図４に示すように共通のエジェクター８４に複数のリザーブタンク６１（系統部５０２ａ〜５０２ｃ）が接続されている。そして、各リザーブタンク６１内に貯留されているレジスト液Ｌのレベルは、各塗布ユニット２４におけるウエハＷの処理状況に応じて互いに独立して低下するので、各リザーブタンク６１のレジスト液Ｌ液の補充も必要に応じて随時、実行される。この結果、合流部であるトラップタンク８１を介してエジェクター８４に接続されるリザーブタンク６１の数は、刻々と変化することになる。
【００５３】
このように、エジェクター８４に接続されるリザーブタンク６１の数が経時的に変化するとき、例えば１つのリザーブタンク６１へのレジスト液Ｌの補充時におけるトラップタンク８１の目標圧力を維持したまま、２つ目のリザーブタンク６１の減圧排気を開始すると、レジスト液Ｌを吸引する力が２つの系統のリザーブタンク６１に分散されてレジスト液Ｌを移送する流量が低下してしまう。そこで本例の統括制御部２００は、エジェクター８４に接続されるリザーブタンク６１の数に応じてトラップタンク８１の目標圧力を変化させ、各リザーブタンク６１へのレジスト液Ｌの移送流量が一定になるようにエジェクター８４による排気量を変化させる機能を備えている。
【００５４】
以下、図１３、図１４を参照しながら、トラップタンク８１の目標圧力を変化させつつ減圧排気を実行する機能の詳細について説明する。ここで、図１３（ｃ１）〜（ｃ３）、（ｄ１）〜（ｄ３）のタイムチャートは、図６（ｃ）、（ｄ）に示した第１の処理液供給管路５１ａ、タンク排気管路６１ｅの切替弁Ｖ２、Ｖ６ａの開閉状態を系統部５０２ａ〜５０２ｃ毎に示している。また、図１３（ｇ）、（ｈ）は、各々図６（ｇ）、（ｈ）に示した例と同様に、電空レギュレータ８３の開度、及びトラップタンク８１に設けられている圧力計８５の指示を示している。
【００５５】
さらにまた図１４は、トラップタンク８１の減圧幅とリザーブタンク６１にレジスト液Ｌを移送する際の流量との関係を示している。例えば各系統部５０２ａ〜５０２ｃにおいてリザーブタンク６１の形状が同じであり、レベル高センサー６１ａ、レベル低センサー６１ｂが設置されている高さ位置も同じであるとする。この場合は、レジスト液Ｌの移送時にレベル低センサー６１ｂが「オン」の状態となってから（図６（ａ）の時刻Ｔ３）、レベル高センサー６１ａが「オン」の状態となるまで（図６（ｂ）の時刻Ｔ４）に移送されるレジスト液Ｌの移送量「Ｖ」は、各系統部５０２ａ〜５０２ｃで等しい。そこで、図６の時刻Ｔ３〜Ｔ４の間の時間ΔＴを予め設定された目標時間ΔＴ０に調整することができれば、各系統部５０２ａ〜５０２ｃにて同じ流量「Ｖ／Ｔ０」でレジスト液Ｌを移送できることになる。
【００５６】
例えば、減圧排気によってレジスト容器６０から各リザーブタンク６１へ向けてレジスト液Ｌを吸引する力が各リザーブタンク６１で等しくなるように管路の圧力損失などが調整されているとき、２つの系統部の接続時はレジスト液供給系５０１全体の移送流量が２倍（２Ｖ／Ｔ０）、３つの系統部の接続時には移送流量が３倍の（３Ｖ／Ｔ０）となるようにトラップタンク８１の目標圧力を変化させればよい。説明を簡単にするため図１４には、大気圧状態からのトラップタンク８１の減圧幅（図６（ｈ）、図１３（ｈ）にΔＰ、ΔＰ１〜ΔＰ３として示してある）と、系統部５０２ａ〜５０２ｃの接続数に応じたレジスト液Ｌの移送流量の目標値との関係が直線の回帰式（図１４に一点鎖線で示した「初期設定ライン」）で近似できる場合を示してある。ここで、回帰式の種類は、直線回帰に限られるものではなく、指数回帰や多項式回帰などであってもよい。
【００５７】
統括制御部２００の記憶部には、図１４に示した初期設定ラインの回帰式が記憶されている。また、統括制御部２００は、各リザーブタンク６１のレベル低センサー６１ｂが「オン」の状態となってからレベル高センサー６１ａが「オン」の状態となるまでの時間ΔＴを計測するタイマー（計時部）を備えている。これらレベル高センサー６１ａ、レベル低センサー６１ｂやタイマーは、レジスト容器６０からリザーブタンク６１へ移送されるレジスト液Ｌの流量を測定する流量測定部を構成している。
【００５８】
例えば、図４に示した３つの系統部５０２ａ〜５０２ｃを備える処理液供給装置５１１において、図１３（ｄ１）〜（ｄ３）に示すように時刻ｔ１、ｔ４、ｔ６のタイミングにてレベル低センサー６１ｂがオフとなり、リザーブタンク６１の減圧排気が開始されるものとする。また、図１３（ｃ１）〜（ｃ３）には、レジスト液Ｌの移送開始後、レベル低センサー６１ｂが「オン」状態となってからレベル高センサー６１ａが「オン」状態となるまでの時間を各々「ΔＴ１〜ΔＴ３」で示してある。
【００５９】
図１３のタイムチャートを参照しながら、トラップタンク８１に対して３つの系統部５０２ａ〜５０２ｃが随時、接続され、切り離される処理液供給装置５１１にて、レジスト液Ｌの移送流量を一定に保つため、トラップタンク８１の目標圧力を変更する動作について説明する。
【００６０】
初めに、時刻ｔ１において第１系統部５０１ａのリザーブタンク６１のレベル低センサー６１ｂが「オフ」状態となり、タンク排気管路６１ｅに設けられている切替弁Ｖ６ａが開かれるとする。このとき、統括制御部２００は図１４の初期設定ラインに基づき、トラップタンク８１の減圧幅がΔＰ１になるようにコントローラ２０１におけるトラップタンク８１の目標圧力を設定する。この結果、例えば電空レギュレータ８３の開度が２５％まで開いた状態でエジェクター８４による減圧排気が実行される。そしてトラップタンク８１の圧力が安定した時刻ｔ２にて統括制御部２００は第１系統部５０２ａの第１の処理液供給管路５１ａの切替弁Ｖ２を開き、レジスト液Ｌの移送を開始する。しかる後、第１系統部５０２ａのリザーブタンク６１のレベル低センサー６１ｂが「オン」の状態となった時点（時刻ｔ３）にてタイマーによる計時を開始する。
【００６１】
この状態でレジスト液Ｌの移送を継続しているとき、時刻ｔ４のタイミングで第２系統部５０２ｂのリザーブタンク６１のレベル低センサー６１ｂが「オフ」状態となり、当該系統部５０２ｂのタンク排気管路６１ｅの切替弁Ｖ６ａも開状態になるとする。このとき、統括制御部２００は２つの系統部５０２ａ、５０２ｂを合わせた流量（２Ｖ／ΔＴ０）でレジスト液Ｌを移送できるように、図１４の初期設定ラインに基づき、トラップタンク８１の減圧幅がΔＰ２になるようコントローラ２０１におけるトラップタンク８１の目標圧力を設定する。
【００６２】
電空レギュレータ８３の開度とトラップタンク８１の減圧幅との関係が直線関係にあるとすると、目標圧力の変更により、電空レギュレータ８３の開度が２倍の５０％となった状態でエジェクター８４による減圧排気が実行される。そしてトラップタンク８１の圧力が安定した時刻ｔ５にて第２系統部５０２ｂにおけるレジスト液Ｌの移送を開始し、時刻ｔ７にて第２系統部５０２ｂのレジスト液Ｌ移送時間の計時を開始する。
【００６３】
さらに時刻ｔ６のタイミングで第３系統部５０２ｃのリザーブタンク６１のレベル低センサー６１ｂが「オフ」状態となり、当該系統部５０２ｃのタンク排気管路６１ｅの切替弁Ｖ６ａも開状態になるとする。統括制御部２００は３つの系統部５０２ａ〜５０２ｃの合計した流量（３Ｖ／ΔＴ０）でレジスト液Ｌを移送できるように図１４の初期設定ラインに基づきコントローラ２０１におけるトラップタンク８１の目標圧力を設定する（トラップタンク８１の減圧幅はΔＰ３）。
【００６４】
トラップタンク８１の目標圧力の変更により、電空レギュレータ８３の開度は１系統の場合の３倍の７５％まで開かれ、エジェクター８４による減圧排気が実行される。次いでトラップタンク８１の圧力が安定した時刻ｔ９にて第２系統部５０２ｂにおけるレジスト液Ｌの移送を開始し、時刻ｔ１０にて第２系統部５０２ｂのレジスト液Ｌ移送時間の計時を開始する。
【００６５】
一方、図１３に示した例では、時刻ｔ８にて第１系統部５０２ａのリザーブタンク６１のレジスト液Ｌの補充が終了し、第１の処理液供給管路５１ａ、タンク排気管路６１ｅの切替弁Ｖ２、Ｖ６ａが閉じられる（図１３（ｃ１）、（ｄ１））。また図１３では図示を省略したが、この動作と並行して圧力調整ガス供給管路６１ｆの切替弁Ｖ６ｂが開かれ、圧力調整用のＮ２ガスにより、リザーブタンク６１内の圧力を大気圧状態に復帰させる点は図６（ｅ）の時刻Ｔ４の動作と同様である（以下、第２、第３系統部５０２ｂ、５０２ｃのレジスト液Ｌ補充終了時の動作においても同じ）。
【００６６】
第１系統部５０２ａのリザーブタンク６１の減圧排気を終えたことにより、エジェクター８４にて減圧排気が行われるリザーブタンク６１は、第２、第３系統部５０２ｂ、５０２ｃの２つとなる。そこで統括制御部２００は、時刻ｔ８にてトラップタンク８１の減圧幅がΔＰ２になるようにコントローラ２０１におけるトラップタンク８１の目標圧力を設定し、これらの系統部５０２ｂ、５０２ｃにおけるレジスト液Ｌの合計の流量を「２Ｖ／ΔＴ０」に調整する。
【００６７】
図１３の説明に戻ると、時刻ｔ１１にて第２系統部５０２ｂのレジスト液Ｌの補充が終了すると、統括制御部２００は第１の処理液供給管路５１ａ、タンク排気管路６１ｅの切替弁Ｖ２、Ｖ６ａを閉じる（図１３（ｃ２）、（ｄ２））と共に、残る第３系統部５０２ｃにてレジスト液Ｌを移送する流量が「Ｖ／ΔＴ０」となるように、トラップタンク８１の目標圧力を設定する（図１３（ｇ））。
【００６８】
そして、時刻ｔ１２にて第３系統部５０２ｃのレジスト液Ｌの補充を終了し、統括制御部２００は第１の処理液供給管路５１ａ、タンク排気管路６１ｅの切替弁Ｖ２、Ｖ６ａを閉じる（図１３（ｃ２）、（ｄ２））と共に、電空レギュレータ８３を閉じてエジェクター８４による減圧排気を終了する（図１３（ｇ））。従って、図１３において図示を省略した給気流路８６の切替弁Ｖ７は、時刻ｔ１−ｔ１２まで開かれた状態となっていることになる。
このように、トラップタンク８１を介してエジェクター８４に接続されるリザーブタンク６１の数に応じてトラップタンク８１の目標圧力を切り替えることにより、各リザーブタンク６１で見ると、ほぼ同じ流量でレジスト液Ｌを移送することができる。
【００６９】
ここで統括制御部２００は、第１系統部５０２ａにおけるレジスト液Ｌの移送を行った時間の計時結果に基づき、移送量「Ｖ」のレジスト液Ｌを移送するのに要した時間ΔＴ１を取得している。そして、１つの系統部５０２ａにてレジスト液Ｌ移送を行っている時刻ｔ３〜ｔ４までの時間ΔＴ１１、２つの系統部５０２ａ、５０２ｂにて移送を行っている時刻ｔ４〜ｔ６までの時間ΔＴ１２、３つの系統部５０２ａ〜５０２ｃにて移送を行っている時刻ｔ６〜ｔ８までの時間ΔＴ１３に基づき、第１系統部５０２ａにおける各々の期間中の平均の移送流量を計算できる。
【００７０】
例えば、１系統部５０２ａだけでレジスト液Ｌを移送している時刻ｔ３〜ｔ４の期間中の平均の移送流量は「（Ｖ／ΔＴ１）・（ΔＴ１１／ΔＴ１）」で計算できる。また、２つの系統部５０２ａ、５０２ｂにて移送を行っている時刻ｔ６〜ｔ８の期間中の平均の移送流量は「（２Ｖ／ΔＴ１）・（ΔＴ１２／ΔＴ１）」、３つの系統部５０２ａ〜５０２ｃにて移送を行っている時刻ｔ４〜ｔ６の期間中の平均の移送流量は「（３Ｖ／ΔＴ１）・（ΔＴ１３／ΔＴ１）」にて計算できる。
【００７１】
図１４には、これらの計算により得られた平均の移送流量の実績値を丸印にて「ΔＴ１１、ΔＴ１２、ΔＴ１３」の符号と共に記してある。統括制御部２００は、これら平均の移送流量の実績値を記憶部に記憶しておく。
【００７２】
また、第２系統部５０２ｂ、第３系統部５０２ｃの各々のレジスト液Ｌの移送動作においても、タイマーによる計時結果に基づいて各期間中の平均の移送流量を計算できる。図１４において、第２系統部５０２ｂに係るものは四角印にて「ΔＴ２１、ΔＴ２２」の符号と共に示し、第３系統部５０２ｃに係るものは三角印にて「ΔＴ３１、ΔＴ３２」の符号と共に示してある。統括制御部２００は、これらの実績値についても記憶部に記憶しておく。
【００７３】
以上に説明した手法で計算したレジスト液Ｌの移送流量の実績値と、トラップタンク８１の目標圧力の設定に使用した回帰式（図１４に示した例では「初期設定ライン」）にて目標圧力を設定する前提となった流量（Ｖ／ΔＴ０、２Ｖ／ΔＴ０、３Ｖ／ΔＴ０）との差が、予め設定された許容差を超える場合には、統括制御部２００は回帰式の見直しを行う。具体的には、圧力計８５における圧力の検出結果と、レジスト液Ｌの移送流量の実績値とに基づいて新たな回帰式を作成し（図１４の「見直しライン」）、この新たな回帰式に基づいて目標圧力の変更を行う（図１４のΔＰ１’、ΔＰ２’、ΔＰ３’）。図１４には各系統部５０２ａ〜５０２ｃにて１回ずつレジスト液Ｌの移送を行った結果に基づいて回帰式を見直した例を示したが、複数回の移送を行った結果として得られた移送流量の実績値に基づいて回帰式を見直すことにより、より正確で安定した回帰式を得るようにしてもよい。
【００７４】
本実施の形態に係る処理液供給装置５１１によれば以下の効果がある。リザーブタンク６１内を減圧排気することによりレジスト容器６０からリザーブタンク６１へレジスト液Ｌを移送するので、移送時におけるレジスト液Ｌへのガスの吸収を抑え、レジスト液Ｌ内における気泡の発生を抑制することができる。また、リザーブタンク６１を介してウエハＷへのレジスト液Ｌの供給を行うことにより、容器の交換などによりレジスト容器６０からレジスト液Ｌを供給できない期間中もウエハＷの処理を実行することができる。
【００７５】
ここで、圧力調整ガス供給部６３から供給される圧力調整用のＮ２ガスにより、減圧状態から復帰させるリザーブタンク６１内の圧力状態（常圧状態）は、大気圧状態とする場合に限定されない。例えば送液ポンプＰによりノズル７まで処理液を供給することができれば、リザーブタンク６１の気相は減圧状態であってもよい。本発明の「常圧状態」とは、このような圧力状態も含んでいる。
【００７６】
さらにリザーブタンク６１の出口側の第２の処理液供給管路５１ｂに送液ポンプＰを設けることも必須ではない。例えばノズル７よりも高い位置にリザーブタンク６１を配置し、レジスト液Ｌが持つ位置エネルギーを利用してレジスト液Ｌの供給を行ってもよい。  
減圧排気部の構成についてもエジェクター８４を利用する例に限定されるものではなく、真空ポンプを利用してリザーブタンク６１内の真空排気を行ってもよい。  
さらに、圧力調整ガス供給部６３から供給される圧力調整用の気体についても、処理液の変質が問題とならない場合には、空気などの気体を用いてもよい。
【００７７】
また塗布、現像装置において、図３、図４に示した処理液供給装置５１１を設けるユニットの種類は塗布ユニットに限られるものではない。既述の反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）２３や現像ユニット（ＤＥＶ）２５ｂにおける反射防止膜の原料液や現像液を供給する処理液供給装置５１１のほか、レジスト膜の上層に保護膜を形成する保護膜形成ユニット（ＩＴＣ）における保護膜の原料液の供給を行う処理液供給装置５１１などの各種の液処理ユニットにも本発明は適用することができる。
【００７８】
さらに、処理液供給装置５１１の適用対象は、塗布、現像装置に設けられている液処理ユニットに限定されるものではなく、酸性やアルカリ性の洗浄液を用いたウエハＷの洗浄処理を行う液処理ユニットにこれらの洗浄液を供給する処理液供給装置５１１に対しても、本発明は適用することができる。  
そして、本発明の処理液供給装置５１１を介して処理液が供給される被処理体の種類は半導体ウエハの例に限定されるものではなく、ＦＰＤ（Flat Panel Display）用のガラス基板などであってもよい。
【符号の説明】
【００７９】
Ｐ          送液ポンプ
Ｗ          ウエハ
２００      統括制御部
２０１      コントローラ
５１１      レジスト液供給装置
５１ａ      第１の処理液供給管路
５１ｂ      第２の処理液供給管路
６０        レジスト容器
６０ａ      第１の気体供給管路
６１        リザーブタンク
６１ａ      レベル高センサー
６１ｂ      レベル低センサー
６１ｃ      給排気路
６１ｅ      減圧排気路
６１ｆ      圧力調整ガス供給路
６３        圧力調整ガス供給部
６４        フィルター
８１        トラップタンク
８４        エジェクター
８５        圧力計
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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