(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状に形成されるシャッタ板と、
前記シャッタ板を静電力により駆動するアクチュエータ部と、を有する複数の画素を備えた表示装置であって、
前記アクチュエータ部は、
前記シャッタ板に接続される梁部と、
電圧が印加されることにより、前記梁部を湾曲させて前記シャッタ板を駆動する駆動電極と、
前記駆動電極を支持し、基板上に固定される第１支持部と、
前記梁部を支持し、前記基板上に固定される第２支持部と、を有し、
前記第１支持部および前記第２支持部の少なくとも一方は、
前記基板から離れ、前記基板に対して平行に形成される平面部分と、
前記平面部分から窪んで形成されて、前記基板に接続する先細り状凹部と、を有し、
前記先細り状凹部は、
前記平面部分からほぼ垂直に傾斜して形成される垂直形成部分と、
前記垂直形成部分から開始して、前記基板側に進むに従って傾斜が徐々に緩くなるように形成される屈曲部分を有し、
前記屈曲部分が前記垂直形成部分と連続している、ことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載された表示装置であって、
前記駆動電極および前記梁部は、前記平面部分を基準として前記基板側に形成される、
ことを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１乃至２に記載された表示装置であって、
前記駆動電極および前記梁部は、幅方向よりも深さ方向に大きくなるアスペクト比により形成される、
ことを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項３に記載された表示装置であって、
前記第１支持部は、前記凹部を有し、
前記駆動電極は、平面的にみて、前記アスペクト比を有する構造により外延が形成され、内側が中空となるように形成される、
ことを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至４に記載された表示装置であって、
前記駆動電極および前記梁部は、前記シャッタ板よりも深い位置まで形成される、
ことを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項５に記載された表示装置であって、
前記駆動電極および前記梁部は、前記基板側の先端が尖って形成される、
ことを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置の各画素に、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）によるシャッタを配置し、シャッタの開閉により画像を形成するディスプレイが知られている。
【０００３】
このような表示装置としては、例えば、特許文献１に、ＭＥＭＳベースの機械的光変調器を使用するバックライト付きのディスプレイが開示されている。また、特許文献２においても、ＭＥＭＳベースの光変調器を組み込んだディスプレイ装置が開示されており、当該ディスプレイ装置の製造方法が、液晶ディスプレイの製造プロセスと互換性がある旨が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−１９７６６８号公報
【特許文献２】特表２００８−５３３５１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ここで、複数の画素に光変調器としてのシャッタ組立体を有する表示装置において、シャッタ組立体は、板状に形成されるシャッタ板と、静電力により、シャッタ板を駆動するアクチュエータ部とを有して構成される。
【０００６】
シャッタ板は、基板上で移動可能に浮遊させる必要があるため、シャッタ組立体を製造するプロセスとしては、例えば、犠牲層を利用してリソグラフィ工程により加工するものが考えられる。
【０００７】
図８Ａ〜図８Ｈは、犠牲層を用いてシャッタ組立体を製造する方法として考えられる１つの参考例を示す図である。参考例における製造工程では、まず、図８Ａおよび図８Ｂで示されるように、２回のリソグラフィ工程により犠牲層となるレジストＲＳａとレジストＲＳｂが形成され、次に、図８Ｃで示されるように、導体層ＡＳと金属層ＡＬが成膜される。その後、さらなるリソグラフィ工程を経て、金属層ＡＬ上に塗布されたレジストＲＳｃが図８Ｄのように加工され、さらに、ウェットエッチングにより金属層ＡＬが除去され（図８Ｅ）、異方性ドライエッチングによりレジストＲＳｂの側壁に形成された部分を除いて導体層ＡＳが除去される（図８Ｆ）。そして、この異方性ドライエッチングののちに、レジストＲＳａとレジストＲＳｂが除去され（図８Ｇ）、残された構造の全体に絶縁層ＩＳが成膜されて、第１支持部Ｓ１と、シャッタ板ＳＨ等が形成される（図８Ｈ）。
【０００８】
したがって、上記の参考例では、図８Ｈの第１支持部Ｓ１に見受けられるように、基板上で浮遊せずに形成される構造の下側の部分と、上側の部分とが異なるリソグラフィ工程で形成されることとなる。
【０００９】
しかしながら、図８Ａ〜図８Ｈのようにしてシャッタ組立体を製造する場合には、異なるリソグラフィ工程間で生じうる位置合わせのズレに起因して膜応力の不均一性が生じ、シャッタ組立体に歪みが発生する場合がある。
【００１０】
本発明は、上記のような課題に着目するものであり、ＭＥＭＳによるシャッタ組立体を有する表示装置において、シャッタ組立体の歪みの発生を抑えた表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するため、本発明に係る表示装置は、板状に形成されるシャッタ板と、前記シャッタ板を静電力により駆動するアクチュエータ部と、を有する複数の画素を備えた表示装置であって、前記アクチュエータ部は、前記シャッタ板に接続される梁部と、電圧が印加されることにより、前記梁部を湾曲させて前記シャッタ板を駆動する駆動電極と、前記駆動電極を支持し、基板上に固定される第１支持部と、前記梁部を支持し、前記基板上に固定される第２支持部と、を有し、前記第１支持部および前記第２支持部の少なくとも一方は、前記基板から離れて平面状に形成される平面部分と、前記平面部分から窪んで形成されて、前記基板に接続する凹部と、を有し、前記凹部は、前記平面部分からほぼ垂直に傾斜して形成される垂直形成部分と、前記垂直形成部分から開始して、前記基板側に進むに従って傾斜が緩くなるように形成される部分を有する、ことを特徴とする。
【００１２】
また、本発明にかかる表示装置の一態様では、前記駆動電極および前記梁部は、前記平面部分を基準として前記基板側に形成される、ことを特徴としてもよい。
【００１３】
また、本発明にかかる表示装置の一態様では、前記駆動電極および前記梁部は、幅方向よりも深さ方向に大きくなるアスペクト比により形成される、ことを特徴としてもよい。
【００１４】
また、本発明にかかる表示装置の一態様では、前記第１支持部は、前記凹部を有し、前記駆動電極は、平面的にみて、前記アスペクト比を有する構造により外延が形成され、内側が中空となるように形成される、ことを特徴としてもよい。
【００１５】
また、本発明にかかる表示装置の一態様では、前記駆動電極および前記梁部は、前記シャッタ板よりも深い位置まで形成される、ことを特徴としてもよい。
【００１６】
また、本発明にかかる表示装置の一態様では、前記駆動電極および前記梁部は、前記基板側の先端が尖って形成される、ことを特徴としてもよい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、シャッタ組立体における歪みの発生が抑えられた表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の第１の実施形態にかかる表示装置を概略的に示す模式図である。
【図２】第１の実施形態における第１基板の等価回路を示す図である。
【図３Ａ】第１の実施形態の表示装置における画素領域の様子を示す平面図である。
【図３Ｂ】第１の実施形態の表示装置における画素領域の様子を示す平面図である。
【図４】図３ＡにおけるIV−IV断面を示す断面図である。
【図５Ａ】第１の実施形態におけるシャッタ組立体が製造される様子を示す図である。
【図５Ｂ】第１の実施形態におけるシャッタ組立体が製造される様子を示す図である。
【図５Ｃ】第１の実施形態におけるシャッタ組立体が製造される様子を示す図である。
【図５Ｄ】第１の実施形態におけるシャッタ組立体が製造される様子を示す図である。
【図５Ｅ】第１の実施形態におけるシャッタ組立体が製造される様子を示す図である。
【図５Ｆ】第１の実施形態におけるシャッタ組立体が製造される様子を示す図である。
【図５Ｇ】第１の実施形態におけるシャッタ組立体が製造される様子を示す図である。
【図５Ｈ】第１の実施形態におけるシャッタ組立体が製造される様子を示す図である。
【図６】第２の実施形態におけるシャッタ組立体Ｍの断面の様子を示す図である。
【図７Ａ】第２の実施形態におけるシャッタ組立体が製造される様子を示す図である。
【図７Ｂ】第２の実施形態におけるシャッタ組立体が製造される様子を示す図である。
【図７Ｃ】第２の実施形態におけるシャッタ組立体が製造される様子を示す図である。
【図８Ａ】参考例におけるシャッタ組立体が製造される様子を示す図である。
【図８Ｂ】参考例におけるシャッタ組立体が製造される様子を示す図である。
【図８Ｃ】参考例におけるシャッタ組立体が製造される様子を示す図である。
【図８Ｄ】参考例におけるシャッタ組立体が製造される様子を示す図である。
【図８Ｅ】参考例におけるシャッタ組立体が製造される様子を示す図である。
【図８Ｆ】参考例におけるシャッタ組立体が製造される様子を示す図である。
【図８Ｇ】参考例におけるシャッタ組立体が製造される様子を示す図である。
【図８Ｈ】参考例におけるシャッタ組立体が製造される様子を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の各実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【００２０】
[第１の実施形態]
図１は、本発明の第１の実施形態にかかる表示装置ＤＰの模式図である。表示装置ＤＰは、マトリクス状に配置される複数の画素のそれぞれに、光変調器としてのシャッタ組立体Ｍを有している。図１の模式図では、画素ＰＸ１及びＰＸ４は、開状態になってアパーチャＡＰからのバックライトＢＬの光を通過可能にし、画像ＩＭにおいて白を表示する。また、画素ＰＸ２及びＰＸ３は、閉状態になってバックライトＢＬの光の通過を妨げており、画像ＩＭにおいて黒を表示する。
【００２１】
また、表示装置ＤＰは、複数の画素のそれぞれにスイッチング素子を有する第１基板と、第１基板に対向して配置される第２基板を含んで構成される。シャッタ組立体Ｍは、第１基板と第２基板の間に配置される。
【００２２】
図２は、本実施形態における第１基板の等価回路を示す図である。同図で示されるように、多数の走査信号線ＧＬおよび共通信号線ＣＬが図中横方向に延びており、また、多数の第１の映像信号線ＤＬ１および第２の映像信号線ＤＬ２が図中縦方向に延びている。また、各画素ＰＸは、２つの薄膜トランジスタＴ１,Ｔ２と、２つのキャパシタＣ１,Ｃ２を含んで構成される。薄膜トランジスタＴ１のゲートは、走査信号線ＧＬに電気的に接続され、ドレインは、第１の映像信号線ＤＬ１に電気的に接続され、ソースは、キャパシタＣ１およびシャッタ組立体Ｍのアクチュエータ部に電気的に接続される。薄膜トランジスタＴ２も同様に接続される。
【００２３】
走査信号線ＧＬは、所定のタイミングで電圧を印加することにより、画素行の選択を行う。走査信号線ＧＬによる画素行の選択は順次行われ、シャッタ組立体Ｍには、その選択のタイミングにあわせて、第１の映像信号線ＤＬ１および第２の映像信号線ＤＬ２の一方、或いは、その両方から映像信号が供給される。
【００２４】
第１の映像信号線ＤＬ１および第２の映像信号線ＤＬ２（以下、これらを単に映像信号線ＤＬともいう）は、シャッタ組立体Ｍを開状態あるいは閉状態にするための映像信号をシャッタ組立体Ｍに供給する。具体的には、第１の映像信号線ＤＬ１からの映像信号により、画素ＰＸを開状態にするようにシャッタ組立体Ｍが駆動され、第２の映像信号線ＤＬ２からの映像信号により、画素ＰＸを閉状態にするようにシャッタ組立体Ｍが駆動される。映像信号の書き込み後は、書き込まれた画素に接続される走査信号線ＧＬは接地され、シャッタ組立体Ｍの状態が維持される。
【００２５】
共通信号線ＣＬは、シャッタ組立体Ｍに、所定の基準電位を供給する。後に詳しく説明するように、本実施形態におけるシャッタ組立体Ｍは、映像信号線ＤＬからの映像信号と、共通信号線ＣＬから基準電位との電位差によって生じる静電気力で駆動されるものとなっている。
【００２６】
また、複数の第１の映像信号線ＤＬ１および複数の第２の映像信号線ＤＬ２には、図２において不図示の映像信号線駆動回路が接続される。本実施形態における映像信号線駆動回路は、まず、映像信号が入力される画素の状態に基づいて、シャッタ組立体Ｍが有するシャッタ板を開状態の側に移動させるべきか、閉状態の側に移動させるべきかを決定する。そして、シャッタ板を閉状態の側に移動させる場合には、第１の映像信号線ＤＬ１に映像信号を出力してシャッタ組立体Ｍが有するアクチュエータ部の動作に必要な電圧を供給し、第２の映像信号線ＤＬ２を接地する。一方、シャッタ板を開状態の側に移動させる場合には、第２の映像信号線ＤＬ２に映像信号を出力してアクチュエータ部の動作に必要な電圧を供給し、第１の映像信号線ＤＬ１を接地する。
【００２７】
ここで、本実施形態におけるシャッタ組立体Ｍについて説明をする。
【００２８】
図３Ａおよび図３Ｂは、本実施形態の表示装置における画素領域の様子を示す拡大平面図である。シャッタ組立体Ｍは、板状に形成されるシャッタ板ＳＨと、２つのアクチュエータ部ＡＣを有して構成され、シャッタ板ＳＨの位置は、アクチュエータ部ＡＣによって制御される。また、図３Ａは、２つのアクチュエータ部ＡＣに映像信号が供給されていない状態を示しており、図３Ｂは、第１の映像信号線ＤＬ１から映像信号が入力されて黒表示となる様子を示している。
【００２９】
図３Ｂにおいては、シャッタ板ＳＨと重複する位置に不図示のアパーチャＡＰが配置され、バックライトＢＬからの光がシャッタ板ＳＨによって遮られて黒表示となる。また、図３Ｂとは逆に、図中右方向に偏った位置にシャッタ板ＳＨが移動すると、シャッタ板ＳＨが有する２つの開口ＯＰと不図示のアパーチャＡＰとが重複し、バックライトＢＬからの光が遮られず白表示となる。
【００３０】
アクチュエータ部ＡＣは、映像信号線ＤＬからの信号によって静電力を発生させて、シャッタ板ＳＨの位置を変化させる機能を有している。本実施形態におけるアクチュエータ部ＡＣは、駆動電極Ｅと、シャッタ板ＳＨに接続される梁部Ｂと、該駆動電極Ｅを支持する第１支持部Ｓ１と、梁部Ｂを支持する第２支持部Ｓ２とを含んで構成される。図３Ａ等で示されるように、梁部Ｂは、シャッタ板ＳＨの中央から上下に派生する梁状の構造物であって、第１基板上に形成された第２支持部Ｓ２により支持される。また、駆動電極Ｅは、第１基板上の第１支持部Ｓ１により支持されて梁部Ｂに対向するように配置されており、上記の薄膜トランジスタＴ１またはＴ２のソースと電気的に接続される。
【００３１】
図４は、図３ＡにおけるIV−IV断面の様子を示す図である。同図で示されるように、アクチュエータ部ＡＣおよびシャッタ板ＳＨは、導電性を有する導体層ＡＳと、金属層ＡＬと、これらの周囲を覆う絶縁層ＩＳを含んで構成される。映像信号線ＤＬからの映像信号がアクチュエータ部ＡＣに入力されると、第１支持部Ｓ１を経て駆動電極Ｅの導体層ＡＳに電荷が蓄積される。一方、シャッタ板ＳＨには、第２支持部Ｓ２および梁部Ｂを経て共通信号線ＣＬからの基準電位が入力されるようになっており、映像信号の入力にともなって、駆動電極Ｅと梁部Ｂとの間に静電気力が生じて互いに接触するようになっている。そして接触の際には、絶縁層ＩＳにより駆動電極Ｅおよび梁部Ｂの絶縁性が維持され、生じた静電気力により梁部Ｂが駆動電極Ｅに引きつけられて変形し、変形による復元力と静電気力とが釣り合う位置まで、シャッタ板ＳＨが基板面内方向にスライドさせられることとなる（図３Ｂ参照）。
【００３２】
ここで特に、図５Ａ〜図５Ｈを用いて、本実施形態におけるシャッタ組立体Ｍの製造工程を説明し、製造工程の観点から、シャッタ組立体Ｍの機械的構造を説明する。図５Ａ〜図５Ｈは、それぞれ、図３ＡにおけるIV−IV断面に対応する部分の様子を示す図になっている。
【００３３】
シャッタ組立体Ｍを製造する際には、まず、図５Ａで示されるように、第１基板Ｂ１上に厚膜のレジストＲＳ１が塗布され、リソグラフィ工程によりレジストＲＳ１が加工される（第１のリソグラフィ工程）。本実施形態の第１のリソグラフィ工程では、ハーフトーンマスクが用いられ、第１支持部Ｓ１と、第２支持部Ｓ２と、駆動電極Ｅと、梁部Ｂと、シャッタ板ＳＨのそれぞれを形成するために必要となるレジストＲＳ１の加工が一回のリソグラフィ工程でなされる。なお、本実施形態におけるハーフトーンマスクのマスクパターンは、フル露光部が、図３Ａにおける第１支持部Ｓ１及び第２支持部Ｓ２のホール形成箇所に対応し、ハーフ露光部が、図３Ａにおける駆動電極Ｅの外側であって梁部Ｂの内側の領域と、格子部分ＧＲの内側の領域に対応し、非露光部分は、駆動電極Ｅの内側の領域と、第１支持部Ｓ１においてコの字状に形成される部分の内側と、梁部Ｂおよび格子部分ＧＲの外側に対応している。
【００３４】
次に、図５Ｂおよび図５Ｃで示されるように、まず、レジストＲＳ１上に、導体層ＡＳが成膜され、さらに、金属層ＡＬが成膜される。本実施形態では、導体層ＡＳは、ＰＥＣＶＤ法により、アモルファスシリコンに不純物が添加されつつ成膜されるが、他の半導体、例えばＳｉＧe、ＧａＡｓ、ＣｄＳｅ、ＩｎＰなどが用いられてもよい。また、本実施形態の金属層ＡＬは、アルミニウム（Ａｌ）を主体とした合金であるが、他の金属、例えばＣｕ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｔａなどが用いられてもよく、この金属層ＡＬによりアパーチャＡＰからの光が遮光される。
【００３５】
その後、図５Ｄで示されるように、第２のリソグラフィ工程を経て、レジストＲＳ２が塗布・露光・現像される。なお、第２のリソグラフィ工程におけるレジストＲＳが形成される領域は、図３Ａにおいてトーンが付された領域（すなわち第１支持部Ｓ１、第２支持部Ｓ２、シャッタ板ＳＨの領域）に対応する。
【００３６】
次に、図５Ｅおよび図５Ｆで示されるように、レジストＲＳ２から露出した部分の金属層ＡＬが、ウェットエッチングで除去され、導体層ＡＳが、異方性ドライエッチングにより除去される。
【００３７】
図５Ｆで示される異方性ドライエッチングの工程では、レジストＲＳ１上に平面的に形成された導体層ＡＳが取り除かれ、レジストＲＳ１のパターン側壁に形成された導体層ＡＳが残される。以上のようにすることで、梁部Ｂや駆動電極Ｅにおける導体層ＡＳが、第１のリソグラフィ工程で用いられる露光装置の最小設計寸法よりも小さな幅で形成され、梁部Ｂや駆動電極Ｅを弾性変形しやすい構造で形成することができる。
【００３８】
図５Ｆの異方性ドライエッチングの後は、犠牲層として用いられたレジストＲＳ１と、レジストＲＳ２とが除去され（図５Ｇ）、ＣＶＤ法により、残された導体層ＡＳおよび金属層ＡＬの周囲に絶縁層ＩＳが形成される（図５Ｈ）。
【００３９】
本実施形態におけるシャッタ組立体Ｍは、以上のような製造工程を経て２回のフォトリソグラフィ工程により形成される。次に、上述の製造工程を踏まえて、シャッタ組立体Ｍの構造についてさらに具体的に説明をする。
【００４０】
まず、図４の断面図で示されるように、第１支持部Ｓ１は、平面状に形成される平面部分Ｓｐを有しており、凹部Ｓｃ（アンカー部）が、平面部分Ｓｐから第１基板Ｂ１側（下側）に窪んで形成されて、凹部Ｓｃの底部で第１基板Ｂ１に接続している。平面部分Ｓｐは、レジストＲＳ１の上面に形成されるため、第１基板Ｂ１から離れて形成され、第１基板Ｂ１に対してほぼ平行になっている。
【００４１】
凹部Ｓｃは、第１のリソグラフィ工程において、ハーフトーンマスクでフル露光される箇所に対応しており、レジストＲＳ１の浅い部分では、マスクのパターンが忠実に転写されて、レジストＲＳ１の側壁がほぼ垂直となるように加工される。一方、レジストＲＳ１の深い部分では、レジスト材料によって生じる露光光の減衰やフォーカスのずれなどの光学的要因により、マスクのパターンが忠実に転写されにくくなる。このため凹部Ｓｃは、平面部分Ｓｐからほぼ垂直に傾斜して形成される垂直形成部分Ｓｖと、垂直形成部分Ｓｖの下端から開始して第１基板Ｂ１側に進むに従って傾斜が徐々に緩くなる傾斜部分Ｓｇとを有して形成される。この傾斜が徐々に緩くなる傾斜部分Ｓｇは、凹部Ｓｃが先細りになるように形成される。なお、ここでいう、ほぼ垂直とは、完全に垂直となる場合に加えて、±５．０度以下の範囲にあるものを含むものとする。また、製造上の誤差も許容されるものとする。
【００４２】
また、第１支持部Ｓ１は、導体層ＡＳと、導体層ＡＳ上に積層される金属層ＡＬと、これらの周囲を覆う絶縁層ＩＳを有している。凹部Ｓｃの底部では、導体層ＡＳは、第１基板Ｂ１側に進むに従って傾斜が徐々に緩くなるように形成されて、内側へと裾を引くように鍋底状に形成される。導体層ＡＳは、凹部Ｓｃにおける底部で第１基板Ｂ１に接しており、鍋底状に形成された部分の上端から平面状に形成された部分に至るまで、第１基板Ｂ１に対してほぼ垂直に形成されるようになっている。
【００４３】
以上のようにして凹部Ｓｃが形成されるため、位置合わせマージンのための、第１基板Ｂ１に対して平行となる領域が形成されず、絶縁層ＩＳによる膜応力の非対称性の発生が回避される。また、凹部Ｓｃの、傾斜が徐々に緩くなる傾斜部分Ｓｇでは、絶縁層ＩＳの付き回り性が改善され、これにより、第１支持部Ｓ１の機械的強度が向上してクラック等が生じにくくなる。
【００４４】
なお、本実施形態では、１つのアクチュエータ部ＡＣにつき、第２支持部Ｓ２が４カ所に形成され、これらの第２支持部Ｓ２においても第１支持部Ｓ１と同様の凹部Ｓｃが形成される。しかしながら、第１支持部Ｓ１および４つの第２支持部Ｓ２のうちのいずれか１つに、垂直形成部分Ｓｖおよび徐々に傾斜が緩くなる傾斜部分Ｓｇを有する凹部Ｓｃが形成されればよく、これにより、アクチュエータ部ＡＣで生じうる膜応力の非対称性の発生が緩和され、かつ、機械的強度が向上することとなる。
【００４５】
また、本実施形態では、上記したようにハーフトーンマスクが用いられるため、第１基板Ｂ１に接続する第１支持部Ｓ１の凹部Ｓｃと、第１基板Ｂ１から浮遊する部分とを形成するためのレジストＲＳ１を加工する工程が共通化され、駆動電極Ｅ、梁部Ｂ、シャッタ板ＳＨは、ハーフ露光された箇所に形成される。このため、駆動電極Ｅ及び梁部Ｂは、アクチュエータ部ＡＣの平面部分Ｓｐを基準として第１基板Ｂ１側に形成され、垂直形成部分Ｓｖの側方に位置することとなる。このように、ハーフトーンマスクを用いて犠牲層となるレジストＲＳ１を加工することにより、膜応力の非対称性の緩和と機械的強度の向上に加え、さらに製造工程も簡略化される。
【００４６】
また、本実施形態においては、駆動電極Ｅおよび梁部Ｂの導体層ＡＳは、ハーフ露光されたレジストＲＳ１におけるパターンの側壁に形成されるため、駆動電極Ｅ等は、幅方向よりも深さ方向に大きくなるアスペクト比を有している。駆動電極Ｅ等は、このように細い線幅で形成されるため、絶縁層ＩＳの膜応力の不均一性の影響を受けやすい構造になっていると言える。また、駆動電極Ｅや梁部Ｂは、凹部Ｓｃの垂直形成部分Ｓｖと同様にレジストＲＳ１のパターンの側壁にて形成されるため、図４等で示されるように、駆動電極Ｅや梁部Ｂは、垂直形成部分Ｓｖの側方に位置して垂直形成部分Ｓｖに対してほぼ平行に形成される。
【００４７】
またさらに、本実施形態においては、駆動電極Ｅは、図３Ａ等で示されるように、平面的にみて、前記したアスペクト比の構造で外延が縁取られて、その内側が中空になるように形成される。一方、梁部Ｂについても、同様に、前述のアスペクト比の構造によって、所定の領域（本実施形態では、第１支持部Ｓ１および駆動電極Ｅが配置される領域）を取り囲むように形成されている。このため、駆動電極Ｅや梁部Ｂは、膜応力の不均一性に敏感な構造で形成され、２回のフォトリソグラフィ工程により、前記したアスペクト比の駆動電極Ｅや梁部Ｂを有するシャッタ組立体Ｍを形成することができる。
【００４８】
また、板状に形成されるシャッタ板ＳＨは、図３Ａ等で示されるように、格子部分ＧＲを有して形成される。この格子部分ＧＲは、梁部Ｂに連なって接続されるものとなっており、格子部分ＧＲと梁部Ｂは、ハーフトーンマスクにおける連続する１つのパターン形状によって形成される。格子部分ＧＲは、板状に形成されたシャッタ板ＳＨにおいて溝状の形状を有しており、シャッタ板ＳＨは、格子部分ＧＲによって補強されて、その駆動に際しシャッタ板ＳＨの剛性が確保されるようになっている。また、格子部分ＧＲは、図３Ａ等で示されるように、シャッタ板ＳＨが有する開口ＯＰを囲むように形成されており、開口ＯＰ上を跨って形成される部分も有している。
【００４９】
[第２の実施形態]
次に本発明の第２の実施形態を説明する。図６は、第２の実施形態における駆動電極Ｅと、梁部Ｂと、シャッタ板ＳＨの断面を示す図であり、図３ＡのIV−IV断面における駆動電極Ｅ〜シャッタ板ＳＨまでの部分を示すものとなっている。第２の実施形態は、駆動電極Ｅの外側であって梁部Ｂの内側の領域が、第1のリソグラフィ工程のハーフトーンマスクでフル露光されて形成される点を除き、第１の実施形態の場合とほぼ同様になっている。
【００５０】
図７Ａ〜図７Ｃは、第２の実施形態におけるシャッタ組立体Ｍを製造する様子を説明する図である。まず、図７Ａにおいて示されるように、犠牲層となるレジストＲＳ１において、駆動電極Ｅおよび梁部Ｂを形成する箇所が、第１の実施形態で説明した凹部Ｓｃの箇所と同様に、フル露光されて加工される。その後、図５Ｂ〜図５Ｅと同様の工程を経て、異方性エッチングを施すと、図７Ｂで示されるように、レジストＲＳ１のパターン側壁の内側が加工され、レジストＲＳ１の底部に形成された導体層ＡＳが排除される。このため、駆動電極Ｅおよび梁部Ｂは、レジストＲＳ１を取り除いて絶縁層ＩＳを成膜すると、図７Ｃで示されるように、シャッタ板ＳＨよりも下側の位置まで形成され、さらに先端が尖るようになっている。これにより、ハーフトーンで作製した駆動電極Ｅおよび梁部Ｂでは、アンダー露光による平面方向および縦方向の寸法ばらつきが大きくなってしまうが、本発明の第２の実施形態では、フル露光されて加工するため均一性よく製造することができる。
【００５１】
なお、上記の各実施形態における表示装置ＤＰは、バックライトＢＬを有するものとなっているが、投射型の表示装置であってもよいし、表示装置の観察者側からもたらされる環境光の反射によって画像を形成する反射型の表示装置であってもよい。
【００５２】
なお、上記の各実施形態における表示装置ＤＰにおいては、図１で示されるように、薄膜トランジスタが形成される第１基板Ｂ１をバックライトＢＬ側に配置するものとしているが、観察者側に薄膜トランジスタが形成される第１基板Ｂ１を配置し、アパーチャＡＰが形成される基板をバックライトＢＬ側に配置するのであってもよい。
【００５３】
なお、バックライトＢＬとしては、ＦＳＣ方式（Field Sequential Color）が採用されても良い。また、グレースケールを生成する方式としては、シャッタ板ＳＨが開状態となっている時間を制御する時分割の方式が用いられても良いし、開口した画素から入射した光をバックライトＢＬ側で反射させ、その散乱光を用いる方式であっても良い。
【００５４】
なお、上記の各実施形態における表示装置ＤＰでは、シャッタ組立体Ｍが２つのアクチュエータ部ＡＣを有し、これらがシャッタ板ＳＨの位置を制御するようになっているが、１つのアクチュエータ部ＡＣのみを有するシャッタ組立体Ｍであっても良い。この場合においては、例えば、画素ＰＸを閉状態から開状態とする際には、アクチュエータ部ＡＣに映像信号が入力され、開状態から閉状態とする際には、アクチュエータ部ＡＣに入力される映像信号がオフになり、梁部Ｂの復元力によってシャッタ板ＳＨが移動されるようにしてもよい。
【００５５】
以上のように、本発明の各実施形態について説明をしたが、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成、又は同一の目的を達成することができる構成でおきかえることが出来る。
【符号の説明】
【００５６】
ＤＰ  表示装置、Ｍ  シャッタ組立体、ＰＸ１，ＰＸ２，ＰＸ３，ＰＸ４，ＰＸ  画素、ＡＰ  アパーチャ、ＧＬ  走査信号線、ＤＬ  映像信号線、ＤＬ１  第１の映像信号線、ＤＬ２  第２の映像信号線、ＣＬ  共通信号線、ＩＭ  画像、Ｔ１，Ｔ２  薄膜トランジスタ、Ｃ１，Ｃ２  静電容量、ＳＨ  シャッタ板、ＡＣ  アクチュエータ部、Ｓ１  第１支持部、Ｓ２  第２支持部、Ｂ  梁部、Ｅ  駆動電極、ＧＲ  格子部分、ＯＰ  開口、Ｂ１  第１の基板、ＡＳ  導体層、ＩＳ  絶縁層、ＡＬ  金属層、Ｓｐ  平面部分、Ｓｃ  凹部、Ｓｖ  垂直形成部分、Ｓｇ  傾斜部分、ＲＳ１，ＲＳ２，ＲＳａ，ＲＳｂ，ＲＳｃ  レジスト。
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図５Ｅ】
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【図５Ｆ】
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【図５Ｇ】
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【図５Ｈ】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図８Ｄ】
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【図８Ｅ】
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【図８Ｆ】
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【図８Ｇ】
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【図８Ｈ】
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