(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材フィルムと耐熱フィルムとを有する積層シートの耐熱フィルム表面の内周部に保護膜形成層を有し、
耐熱フィルムの外周部表面に粘着剤層を有し、
耐熱フィルムの融点が１３０℃を超えもしくは融点を有さず、１３０℃で２時間加熱時における耐熱フィルムの熱収縮率が−１〜＋１％であり、
基材フィルムのＭＤ方向およびＣＤ方向のいずれにおいても、引っ張り測定での破断伸度が１００％以上であり、かつ２５％応力が１００ＭＰａ以下である保護膜形成層付ダイシングシート。
【請求項２】
保護膜形成層を取り囲んで耐熱フィルムを厚さ方向に完全に切断する溝が形成されている請求項１に記載の保護膜形成層付ダイシングシート。
【請求項３】
基材フィルムの融点が１３０℃を超えもしくは融点を有さず、１３０℃で２時間加熱時における基材フィルムの熱収縮率が−５〜＋５％である請求項１または２に記載の保護膜形成層付ダイシングシート。
【請求項４】
積層シートの、波長５３２ｎｍおよび１０６４ｎｍにおける全光線透過率が７０％以上である請求項１〜３のいずれかに記載の保護膜形成層付ダイシングシート。
【請求項５】
保護膜形成層がバインダーポリマー成分および硬化性成分を含有する請求項１〜４のいずれかに記載の保護膜形成層付ダイシングシート。
【請求項６】
保護膜形成層が着色剤を含有し、
波長３００〜１２００ｎｍにおける保護膜形成層の全光線透過率が２０％以下である請求項１〜５のいずれかに記載の保護膜形成層付ダイシングシート。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の保護膜形成層付ダイシングシートの保護膜形成層を、ワークに貼付し、以下の工程を、（１）、（２）、（３）の順に行うチップの製造方法：
工程（１）：保護膜形成層を硬化し保護膜を得る、
工程（２）：ワークと、保護膜形成層または保護膜とをダイシング、
工程（３）：保護膜と、耐熱フィルムとを剥離。
【請求項８】
前記工程（１）の後に何れかの工程において、下記工程（４）を行う請求項７に記載のチップの製造方法：
工程（４）：保護膜にレーザー印字。
【請求項９】
前記工程（２）において、耐熱フィルムをフルカットする請求項７または８に記載のチップの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チップ裏面に保護膜を形成でき、かつチップの製造効率の向上が可能な保護膜形成層付ダイシングシートに関する。また、本発明は、保護膜形成層付ダイシングシートを用いたチップの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、いわゆるフェースダウン（face down）方式と呼ばれる実装法を用いた半導体装置の製造が行われている。フェースダウン方式においては、回路面上にバンプなどの電極を有する半導体チップ（以下、単に「チップ」ともいう。）が用いられ、該電極が基板と接合される。このため、チップの回路面とは反対側の面（チップ裏面）は剥き出しとなることがある。
【０００３】
この剥き出しとなったチップ裏面は、有機膜により保護されることがある。従来、この有機膜からなる保護膜を有するチップは、液状の樹脂をスピンコート法によりウエハ裏面に塗布し、乾燥し、硬化してウエハとともに保護膜を切断して得られる。しかしながら、このようにして形成される保護膜の厚み精度は充分でないため、製品の歩留まりが低下することがあった。
【０００４】
上記問題を解決するため、剥離シートと、該剥離シート上に形成された、エネルギー線硬化性成分とバインダーポリマー成分とからなる保護膜形成層を有するチップ保護用フィルムが開示されている（特許文献１）。
【０００５】
さらに、半導体チップが薄型化・高密度化しつつある現在においては、厳しい温度条件下に曝された場合であっても、保護膜付チップを実装した半導体装置には、さらに高い信頼性を有することが要求されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−１３８０２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明者らの検討によれば、特許文献１に記載のチップ用保護フィルムは、保護膜形成層を硬化する際に収縮し、半導体ウエハが反るという問題が発生するおそれがあった。特に、極薄の半導体ウエハでは上記問題が顕著である。半導体ウエハが反ると、ウエハが破損したり、保護膜へのマーキング（印字）精度が低下するおそれがある。また、特許文献１に記載のチップ用保護フィルムでは、保護膜付チップを製造する際に、ダイシングシートに保護膜付ウエハを貼付し、ウエハをダイシングする必要があり、製造工程が複雑であった。剥離シートとして、形状保持性と伸張性とをバランス良く兼ね備えた剥離シートを用いれば上記課題を同時に解決しうる可能性がある。しかし、このような剥離シートを用いると、プロセスの条件が限定され、たとえば保護膜形成層の硬化条件が狭い範囲に限定され、その結果として使用できる保護膜形成層も限定される。また、保護膜形成層の硬化時やウエハのダイシング後に剥離シートが伸縮することを完全には防止できず、チップ間隔が狭小化し、チップの整列性が損なわれたり、チップ同士が接触する場合もある。
【０００８】
本発明は上記の事情に鑑みてなされたものである。すなわち、本発明は、均一性が高く、印字精度に優れる保護膜を有する半導体チップを簡便に製造可能であり、かつエキスパンド適性に優れる保護膜形成層付ダイシングシートを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、以下の要旨を含む。
（１）基材フィルムと耐熱フィルムとを有する積層シートの耐熱フィルム表面の内周部に保護膜形成層を有し、
耐熱フィルムの外周部表面に粘着剤層を有し、
耐熱フィルムの融点が１３０℃を超えもしくは融点を有さず、１３０℃で２時間加熱時における耐熱フィルムの熱収縮率が−１〜＋１％である保護膜形成層付ダイシングシート。
【００１０】
（２）保護膜形成層を取り囲んで耐熱フィルムを厚さ方向に完全に切断する溝が形成されている（１）に記載の保護膜形成層付ダイシングシート。
【００１１】
（３）基材フィルムの融点が１３０℃を超えもしくは融点を有さず、１３０℃で２時間加熱時における基材フィルムの熱収縮率が−５〜＋５％であり、基材フィルムのＭＤ方向およびＣＤ方向のいずれにおいても、引っ張り測定での破断伸度が１００％以上であり、かつ２５％応力が１００ＭＰａ以下である（１）または（２）に記載の保護膜形成層付ダイシングシート。
【００１２】
（４）積層シートの、波長５３２ｎｍおよび１０６４ｎｍにおける全光線透過率が７０％以上である（１）〜（３）のいずれかに記載の保護膜形成層付ダイシングシート。
【００１３】
（５）保護膜形成層がバインダーポリマー成分および硬化性成分を含有する（１）〜（４）のいずれかに記載の保護膜形成層付ダイシングシート。
【００１４】
（６）保護膜形成層が着色剤を含有し、
波長３００〜１２００ｎｍにおける保護膜形成層の全光線透過率が２０％以下である（１）〜（５）のいずれかに記載の保護膜形成層付ダイシングシート。
【００１５】
（７）上記（１）〜（６）のいずれかに記載の保護膜形成層付ダイシングシートの保護膜形成層を、ワークに貼付し、以下の工程を、（１）、（２）、（３）の順に行うチップの製造方法：
工程（１）：保護膜形成層を硬化し保護膜を得る、
工程（２）：ワークと、保護膜形成層または保護膜とをダイシング、
工程（３）：保護膜と、耐熱フィルムとを剥離。
【００１６】
（８）前記工程（１）の後に何れかの工程において、下記工程（４）を行う（７）に記載のチップの製造方法：
工程（４）：保護膜にレーザー印字。
【００１７】
（９）前記工程（２）において、耐熱フィルムをフルカットする（７）または（８）に記載のチップの製造方法。
【発明の効果】
【００１８】
半導体チップ裏面に保護膜を形成する際に、本発明に係る保護膜形成層付ダイシングシートを用いることで、半導体チップ裏面に均一性が高く、印字精度に優れる保護膜を簡便に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明に係る保護膜形成層付ダイシングシートの断面図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明について、その最良の形態も含めてさらに具体的に説明する。図１に示すように、本発明に係る保護膜形成層付ダイシングシート１０は、基材フィルム１と耐熱フィルム２とを有する積層シートの耐熱フィルム２表面の内周部に保護膜形成層４を有し、耐熱フィルムの外周部表面に粘着剤層３を有する。基材フィルムと耐熱フィルムは略同サイズであり、また耐熱フィルムの外周部表面には環状の粘着剤層が形成されており、粘着剤層３は、図示したように、リングフレーム６への接着に用いられる。また、耐熱フィルム２には、保護膜形成層４を取り囲んで、耐熱フィルム２を厚さ方向に完全に切断する溝５が形成されていることが好ましい。図１においては、溝５は保護膜形成層の端縁と同じ位置にあり、保護膜形成層の外周に沿って設けられているが、溝５は保護膜形成層を取り囲んで形成されていれば、保護膜形成層４の外周に沿っていなくてもよい。
【００２１】
（基材フィルム１）
本発明における基材フィルム１は適度な耐熱性と伸張性を有することが好ましい。具体的には、基材フィルムの融点は好ましくは１３０℃を超え、もしくは融点を有さないことが好ましい。１３０℃で２時間加熱時における基材フィルムの熱収縮率は好ましくは−５〜＋５％である。基材フィルムの融点が１３０℃以下であったり、熱収縮率が上記範囲外であると、保護膜形成層の硬化時に基材フィルムが溶融し、基材フィルムの形状を保つことが困難になるおそれがある。また、基材フィルムが半導体チップ製造工程中の周辺の装置と融着してしまうことがある。熱収縮率は基材フィルムの熱変形のしやすさを示す指標である。熱収縮率が−５％未満または＋５％超である基材フィルムから保護膜形成層付ダイシングシートを構成し、ウエハを保持して熱硬化を行った場合には、ウエハの重みによって、ウエハに対応しない周縁部（粘着シートの外周部における基材フィルム）は収縮ではなくむしろ伸張し、保護膜形成層付ダイシングシートに弛みが生じやすくなる。これによりその後のダイシング工程が困難になったり、ダイシング後のチップを保護膜形成層付ダイシングシートから取り上げること（ピックアップ）が困難になったりすることがある。なお、基材フィルムが融点を有さないとは、基材フィルムが熱分析において融点を示す前に熱分解を起こすことをいう。
【００２２】
また、基材フィルムのＭＤ方向（フィルムを長尺で製膜した場合の、フィルムを搬送する方向と平行する方向）、およびＣＤ方向（フィルムの同一面上においてＭＤ方向と直交する方向）のいずれにおいても、引っ張り測定での破断伸度が１００％以上であり、かつ基材フィルムの２５％応力は１００ＭＰａ以下であることが好ましい。本発明の保護膜形成層付ダイシングシートを用いた場合、耐熱フィルムに溝が設けられているか、または耐熱フィルムを完全に切断するようにダイシングを行ったならば、エキスパンド工程において基材フィルムが耐熱フィルムに拘束されずに伸張することができる。破断伸度が１００％未満であったり、２５％応力が１００ＭＰａを超えると、エキスパンド性に劣り、ピックアップ時に隣接するチップ同士が接触することによるピックアップ不良やチップの破損の原因となることがある。
【００２３】
基材フィルムの融点は、１４０℃以上もしくは融点を持たないことがさらに好ましく、融点が２００℃以上もしくは融点を持たないことがより好ましい。また、１３０℃で２時間加熱時における基材フィルムの熱収縮率は、−４〜＋４％であることがさらに好ましい。基材フィルムの融点や熱収縮率を上記範囲とすることで、基材フィルムは耐熱性に優れ、上述の保護膜形成層を硬化したときの基材フィルムの形状保持性が良好に保たれる。なお、１３０℃で２時間加熱時における基材フィルムの熱収縮率は、１３０℃の環境下に基材フィルムを投入する前後の基材フィルムの面積から下記式により求められる。
【００２４】
熱収縮率（％）＝{（投入前の基材フィルムの面積）−（投入後の基材フィルムの面積）}／投入前の基材フィルムの面積×１００
【００２５】
また、基材フィルムの２５％応力は、基材フィルムを２５％伸長した際の力をフィルムの断面積で除することで得られる。
【００２６】
また、基材フィルムのＭＤ方向およびＣＤ方向の破断伸度は１２０％以上がさらに好ましく、２５０％以上であることがより好ましい。基材フィルムの２５％応力は８０ＭＰａ以下であることがさらに好ましく、７０Ｍａ以下であることがより好ましい。基材フィルムの破断伸度と２５％応力を上記範囲とすることで、良好なエキスパンド性を示すと共に、ピックアップ時に隣接するチップ同士が接触することによるピックアップ不良やチップの破損を抑制できる。
【００２７】
基材フィルムとしては、例えば、ポリプロピレンフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、アクリル樹脂フィルム、耐熱ポリウレタンフィルム等が挙げられる。また、これらの架橋フィルムや放射線・放電等による改質フィルムも用いることができる。基材フィルムは、上記物性を満たす限り、上記フィルムの積層体であってもよい。
【００２８】
基材フィルムの厚さは特に限定されず、好ましくは３０〜３００μｍ、より好ましくは５０〜２００μｍである。基材フィルムの厚みを上記範囲とすることで、ダイシングによる切り込み後も十分なエキスパンド性を有する。また、保護膜形成層付ダイシングシートが十分な可とう性を有するため、ワーク（例えば半導体ウエハ等）に対して良好な貼付性を示す。
【００２９】
基材フィルムは、後述する耐熱フィルム２の溝に対応した部分において、厚さ方向に完全に切断されていなければ、溝とともに所定の深さに切断されていてもよいし、切断されていなくてもよい。切断されている場合、切断された部分がエキスパンドの際に破断しない程度に切断されずに残った厚さを有していることが好ましく、具体的にはその厚さは３０μｍ以上程度が好ましい。
（耐熱フィルム２）
耐熱フィルム２は、前記基材フィルム１の片面に形成される。基材フィルム１と耐熱フィルムとは、押出し成型やヒートシールなどにより直接積層されていてもよく、接着剤層や強粘着剤層を介して積層されていてもよい。この際、基材フィルムの耐熱フィルムが設けられる面には、耐熱フィルムや接着剤層との密着性を向上するため、コロナ処理が施されていても良く、プライマー層が形成されていても良い。
【００３０】
本発明における耐熱フィルム２は高温環境下でも形状を保持しうる程度の耐熱性を有し、具体的には、耐熱フィルムの融点は１３０℃を超えるか、もしくは融点を有さず、さらに１３０℃で２時間加熱時における耐熱フィルムの熱収縮率は−１〜＋１％である。耐熱フィルムの融点が１３０℃以下であったり、熱収縮率が上記範囲外であると、保護膜形成層の硬化時に耐熱フィルムが溶融し、耐熱フィルムの形状を保つことが困難になり、その後の工程を行えなくなるおそれがある。また、耐熱フィルムが半導体チップ製造工程中の周辺の装置と融着してしまうことがある。さらにまた、耐熱フィルムの溶融に起因した保護膜形成層の変形により、保護膜への印字精度が低下することがある。熱収縮率は耐熱フィルムの熱変形のしやすさを示す指標である。熱収縮率が−１％未満または＋１％超である耐熱フィルムのみから保護膜形成層付きダイシングシートを構成し、ウエハを保持して熱硬化を行った場合には、耐熱フィルムの収縮により生じた残存応力が、後のダイシング工程において開放され、チップ同士の間隔が狭まることがある。このようなチップ間隔の狭小化は、チップの整列性を悪化させたり、隣接チップの接触によるチップ欠けの原因となったりするおそれがある。耐熱フィルムの熱収縮率が−１〜＋１％であることにより、このようなチップ間隔の狭小化を防止できる。
【００３１】
耐熱フィルムの融点はより好ましくは１４０℃以上であるか、もしくは融点を有さない、特に好ましくは融点が２００℃以上であるか、もしくは融点を有さないものである。耐熱フィルムの融点や熱収縮性を上記範囲とすることで、耐熱フィルムの耐熱性に優れ、上述の保護膜形成層を硬化したときの耐熱フィルムの形状保持性がいっそう良好に保たれ、上述のチップ間隔狭小化防止の効果を得やすい。なお、１３０℃で２時間加熱時における耐熱フィルムの熱収縮率は、１３０℃の環境下に耐熱フィルムを投入する前後の耐熱フィルムの面積から下記式により求められる。
【００３２】
熱収縮率（％）＝{（投入前の耐熱フィルムの面積）−（投入後の耐熱フィルムの面積）}／投入前の耐熱フィルムの面積×１００
【００３３】
耐熱フィルムとしては、例えば、ポリエステルフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリフェニレンサルファイドフィルム、シクロオレフィン樹脂フィルム、ポリイミド樹脂フィルム、紫外線硬化樹脂をキャスト製膜し硬化したフィルム、これらの２種以上の積層体などを挙げることができる。シクロオレフィン樹脂フィルムやポリイミド樹脂フィルムは、一軸延伸又は二軸延伸されたものでもよい。耐熱フィルムは、上記物性を満たす限り、特に限定されない。耐熱フィルムは片面（保護膜形成層を形成する面）が剥離処理されていることが好ましく、具体的には、耐熱フィルムの全面または耐熱フィルムの内周部（保護膜形成層を形成する部分）が剥離処理されることが好ましい。
【００３４】
剥離処理に用いられる剥離剤としては、アルキッド系、シリコーン系、フッ素系、不飽和ポリエステル系、ポリオレフィン系、ワックス系などが用いられるが、特にアルキッド系、シリコーン系、フッ素系の剥離剤が耐熱性を有するので好ましい。
【００３５】
上記の剥離剤を用いて耐熱フィルムの表面を剥離処理するためには、剥離剤をそのまま無溶剤で、または溶剤希釈やエマルション化して、グラビアコーター、メイヤーバーコーター、エアナイフコーター、ロールコーターなどにより塗布して、常温もしくは加熱または電子線硬化させたり、ウェットラミネーションやドライラミネーション、熱溶融ラミネーション、溶融押出ラミネーション、共押出加工などで積層体を形成すればよい。耐熱フィルムの保護膜形成層側の面を剥離処理することで、後の工程において、保護膜形成層と耐熱フィルムとの間での剥離が容易になる。
【００３６】
耐熱フィルムとしてポリプロピレンフィルム等のポリオレフィン系フィルムを用いる場合には、フィルムの特性次第では、剥離処理を施さなくても保護膜形成層を耐熱フィルムから剥離しうる場合がある。このような場合などには剥離処理されていない耐熱フィルムを用いてもよい。
【００３７】
耐熱フィルムの厚さは特に限定されず、好ましくは３０〜３００μｍ、より好ましくは５０〜２００μｍである。
【００３８】
ワークと保護膜とを切断する際に、耐熱フィルム２を完全に切断することで、ダイシング後に本発明のダイシングシートをエキスパンドでき、チップのピックアップが容易になる。さらにエキスパンドを容易にするために、保護膜形成層４を取り囲んで耐熱フィルム２を厚さ方向に完全に切断する溝５を予め形成しておくことが好ましい。
【００３９】
溝５は、保護膜形成層を取り囲んでいればどのような平面形状であってもよいが、個片化された保護膜の形成されたワークにエキスパンドの伸張を均等に伝えるために、保護膜形成層と相似形であることが好ましい。ワークが半導体ウエハである場合、半導体ウエハは通常円形であるため、溝の平面形状も円形が好ましい。本発明の保護膜形成層付ダイシングシートは、リングフレームに接着する目的で外周部表面に設けられた粘着剤層３を有し、溝は保護膜形成層の外周と、接着されるリングフレームの内周の間（終端を含む）に形成されることが好ましい。また、エキスパンドは通常ダイシングシートに円筒状の器具を押し当てて行うため、リングフレームの内周と溝との間に円筒状の器具を押し当てるための１０〜１００ｍｍ程度の余剰部分があることが好ましい。溝と保護膜形成層が同一形状であってもよい。すなわち、溝が保護膜形成層の外周に沿って設けられていてもよい。このような構成であれば、耐熱フィルム上に保護膜形成層を設けた後に、保護膜形成層を所定の形状に切断する際に、同時に耐熱フィルムに溝を形成することが容易となる。
【００４０】
溝は、その外周において連続していなくてもよい。たとえば、ミシン目のように溝の形成部と非形成部が交互に存在していてもよい。溝が外周の全部において連続している場合、保護膜形成層をワークに貼付して加熱硬化工程を行う場合に、溝の外周部においてワークの重みで基材フィルムが伸張してしまう懸念がある。溝の非形成部を有することで、基材フィルムが溝の非形成部の耐熱フィルムにより繋ぎ止められ、基材フィルムの伸張を防止できる。その結果、基材フィルムの伸張により保護膜形成層付ダイシングシートが変形し、その後の搬送やダイシング等の工程が困難になることを防止できる。そして、エキスパンド工程においては、溝の非形成部がエキスパンドの張力により容易に破断するように設計することで、エキスパンドを行うことも可能となる。
【００４１】
（粘着剤層３）
本発明における粘着剤層３は、従来より公知の種々の粘着剤により形成され得る。このような粘着剤としては、何ら限定されるものではないが、たとえばゴム系、アクリル系、シリコーン系、ポリビニルエーテル等の粘着剤が用いられる。また、エネルギー線硬化型や加熱発泡型、水膨潤型の粘着剤も用いることができる。エネルギー線硬化（紫外線硬化、電子線硬化）型粘着剤としては、特に紫外線硬化型粘着剤を用いることが好ましい。
【００４２】
粘着剤層は耐熱フィルムの外周部表面に形成され、後述するチップを製造する際に、耐熱フィルムの外周部においてリングフレーム６に貼付して、保護膜形成層の硬化工程後リングフレームを粘着剤層から外す際に、リングフレームに糊残りが発生することがある。また、保護膜形成層の硬化工程において、粘着剤層は高温に曝されて軟化し、糊残りが発生しやすくなる。そのため、上記の粘着剤の中でも、リングフレームへの糊残りの防止及び粘着剤層への耐熱性の付与という観点から、アクリル系、シリコーン系の粘着剤が好ましい。また、耐熱フィルムの全面をシリコーン系の剥離剤を用いて剥離処理する場合には、耐熱フィルムと粘着剤層との接着性の観点から、シリコーン系の粘着剤を用いることが好ましい。
【００４３】
また、リングフレームに貼付される粘着剤層の粘着力（貼付した後、１３０℃で２時間加熱を経た後におけるＳＵＳ板への粘着力）は、好ましくは１５Ｎ／２５ｍｍ以下、より好ましくは１０Ｎ／２５ｍｍ以下、特に好ましくは５Ｎ／２５ｍｍ以下である。粘着剤層の粘着力を上記範囲とすることで、リングフレームへの貼付性に優れ、リングフレームへの糊残りを防止できる。
【００４４】
粘着剤層の厚さは特に限定されないが、好ましくは１〜１００μｍ、さらに好ましくは３〜８０μｍ、特に好ましくは５〜５０μｍである。
【００４５】
また、粘着剤層は、芯材フィルムの両面に粘着剤層を設けた両面テープであってもよい。両面テープは粘着剤層／芯材フィルム／粘着剤層の構成を有し、両面テープにおける粘着剤層は特に限定されず、上記の粘着剤を用いることができる。この場合においては、耐熱フィルムに最も近くに位置する粘着剤層として、シリコーン系の粘着剤を用いることが、耐熱フィルムと粘着剤層との接着性の観点から好ましい。また、芯材フィルムは耐熱性を有することが好ましく、芯材フィルムとして、融点が１２０℃以上のフィルムを用いることが好ましい。融点が１２０℃未満のフィルムを芯材フィルムとして用いると、保護膜形成層の加熱硬化の際に、芯材フィルムが溶融し形状を保てなくなったり、周辺の装置と融着してしまうことがある。芯材フィルムとしては、例えば、ポリエステルフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィルム、フッ素樹脂フィルム、液晶ポリマーフィルム等が好ましく用いられる。
【００４６】
（保護膜形成層４）
本発明における保護膜形成層４は特に限定されず、例えば熱硬化性、熱可塑性、放射線硬化性の保護膜形成層を用いることができる。これらの中でも、本発明に係る上記の耐熱フィルムが、耐熱性を備えており、熱硬化時の残存応力の発生を抑制できるという効果が好ましく発揮されることから、熱硬化性の保護膜形成層が好ましい。
【００４７】
保護膜形成層は、バインダーポリマー成分（Ａ）及び硬化性成分（Ｂ）を含有することが好ましい。
【００４８】
（Ａ）バインダーポリマー成分
保護膜形成層に十分な接着性および造膜性（シート加工性）を付与するためにバインダーポリマー成分（Ａ）が用いられる。バインダーポリマー成分（Ａ）としては、従来公知のアクリルポリマー、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、アクリルウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ゴム系ポリマー等を用いることができる。
【００４９】
バインダーポリマー成分（Ａ）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１万〜２００万であることが好ましく、１０万〜１２０万であることがより好ましい。バインダーポリマー成分（Ａ）の重量平均分子量が低過ぎると保護膜形成層と耐熱フィルムとの粘着力が高くなり、保護膜形成層の転写不良が起こることがあり、高過ぎると保護膜形成層の接着性が低下し、チップ等に転写できなくなったり、あるいは転写後にチップ等から保護膜が剥離することがある。
【００５０】
バインダーポリマー成分（Ａ）として、アクリルポリマーが好ましく用いられる。アクリルポリマーのガラス転移温度（Ｔｇ）は、好ましくは−６０〜５０℃、さらに好ましくは−５０〜４０℃、特に好ましくは−４０〜３０℃の範囲にある。アクリルポリマーのガラス転移温度が低過ぎると保護膜形成層と耐熱フィルムとの剥離力が大きくなって保護膜形成層の転写不良が起こることがあり、高過ぎると保護膜形成層の接着性が低下し、チップ等に転写できなくなったり、あるいは転写後にチップ等から保護膜が剥離することがある。
【００５１】
上記アクリルポリマーを構成するモノマーとしては、（メタ）アクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体が挙げられる。例えば、アルキル基の炭素数が１〜１８であるアルキル（メタ）アクリレート、具体的にはメチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレートなどが挙げられる。また、環状骨格を有する（メタ）アクリレート、具体的にはシクロヘキシル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチル（メタ）アクリレート、イミド（メタ）アクリレートなどが挙げられる。さらに官能基を有するモノマーとして、水酸基を有するヒドロキシメチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレートなどが挙げられ；その他、エポキシ基を有するグリシジル（メタ）アクリレートなどが挙げられる。アクリルポリマーは、水酸基を有しているモノマーを含有しているアクリルポリマーが、後述する硬化性成分（Ｂ）との相溶性が良いため好ましい。また、上記アクリルポリマーは、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレンなどが共重合されていてもよい。
【００５２】
さらに、バインダーポリマー成分（Ａ）として、硬化後の保護膜の可とう性を保持するための熱可塑性樹脂を配合してもよい。そのような熱可塑性樹脂としては、重量平均分子量が１０００〜１０万のものが好ましく、３０００〜８万のものがさらに好ましい。熱可塑性樹脂のガラス転移温度は、好ましくは−３０〜１２０℃、さらに好ましくは−２０〜１２０℃のものが好ましい。熱可塑性樹脂としては、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリスチレンなどが挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は、１種単独で、または２種以上混合して使用することができる。上記の熱可塑性樹脂を含有することにより、保護膜形成層の転写面に保護膜形成層が追従しボイドなどの発生を抑えることができる。
【００５３】
（Ｂ）硬化性成分
硬化性成分（Ｂ）は、熱硬化性成分および／またはエネルギー線硬化性成分が用いられる。
【００５４】
熱硬化性成分としては、熱硬化樹脂および熱硬化剤が用いられる。熱硬化樹脂としては、たとえば、エポキシ樹脂が好ましい。
【００５５】
エポキシ樹脂としては、従来公知のエポキシ樹脂を用いることができる。エポキシ樹脂としては、具体的には、多官能系エポキシ樹脂や、ビフェニル化合物、ビスフェノールＡジグリシジルエーテルやその水添物、オルソクレゾールノボラックエポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェニレン骨格型エポキシ樹脂など、分子中に２官能以上有するエポキシ化合物が挙げられる。これらは１種単独で、または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５６】
保護膜形成層には、バインダーポリマー成分（Ａ）１００質量部に対して、熱硬化樹脂が、好ましくは１〜１０００質量部、より好ましくは１０〜５００質量部、特に好ましくは２０〜２００質量部含まれる。熱硬化樹脂の含有量が１質量部未満であると十分な接着性が得られないことがあり、１０００質量部を超えると保護膜形成層と耐熱フィルムとの剥離力が高くなり、保護膜形成層の転写不良が起こることがある。
【００５７】
熱硬化剤は、熱硬化樹脂、特にエポキシ樹脂に対する硬化剤として機能する。好ましい熱硬化剤としては、１分子中にエポキシ基と反応しうる官能基を２個以上有する化合物が挙げられる。その官能基としてはフェノール性水酸基、アルコール性水酸基、アミノ基、カルボキシル基および酸無水物などが挙げられる。これらのうち好ましくはフェノール性水酸基、アミノ基、酸無水物などが挙げられ、さらに好ましくはフェノール性水酸基、アミノ基が挙げられる。
【００５８】
フェノール系硬化剤の具体的な例としては、多官能系フェノール樹脂、ビフェノール、ノボラック型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン系フェノール樹脂、ザイロック型フェノール樹脂、アラルキルフェノール樹脂が挙げられる。アミン系硬化剤の具体的な例としては、ＤＩＣＹ（ジシアンジアミド）が挙げられる。これらは、１種単独で、または２種以上混合して使用することができる。
【００５９】
熱硬化剤の含有量は、熱硬化樹脂１００質量部に対して、０．１〜５００質量部であることが好ましく、１〜２００質量部であることがより好ましい。熱硬化剤の含有量が少ないと硬化不足で接着性が得られないことがあり、過剰であると保護膜形成層の吸湿率が高まり半導体装置の信頼性を低下させることがある。
【００６０】
保護膜形成層が、硬化性成分（Ｂ）として、熱硬化性成分を含有する場合、保護膜形成層は熱硬化性を有する。この場合、保護膜形成層を加熱により硬化することが可能となるが、本発明の保護膜形成層付ダイシングシートは耐熱フィルムが耐熱性を有しているために、保護膜形成層の熱硬化の際に基材フィルムと耐熱フィルムの積層体に残存応力が発生して不具合を生じることが起こりにくい。
【００６１】
エネルギー線硬化性成分としては、エネルギー線重合性基を含み、紫外線、電子線等のエネルギー線の照射を受けると重合硬化する化合物（エネルギー線重合性化合物）を用いることができる。このようなエネルギー線硬化性成分として具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートあるいは１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、オリゴエステルアクリレート、ウレタンアクリレート系オリゴマー、エポキシ変性アクリレート、ポリエーテルアクリレートおよびイタコン酸オリゴマーなどのアクリレート系化合物が挙げられる。このような化合物は、分子内に少なくとも１つの重合性二重結合を有し、通常は、重量平均分子量が１００〜３００００、好ましくは３００〜１００００程度である。エネルギー線重合性化合物の配合量は、バインダーポリマー成分（Ａ）１００質量部に対して、好ましくは１〜１５００質量部、より好ましくは１０〜５００質量部、特に好ましくは２０〜２００質量部含まれる。
【００６２】
また、エネルギー線硬化性成分として、バインダーポリマー成分（Ａ）の主鎖または側鎖に、エネルギー線重合性基が結合されてなるエネルギー線硬化型重合体を用いてもよい。このようなエネルギー線硬化型重合体は、バインダーポリマー成分（Ａ）としての機能と、硬化性成分（Ｂ）としての機能を兼ね備える。
【００６３】
エネルギー線硬化型重合体の主骨格は特に限定はされず、バインダーポリマー成分（Ａ）として汎用されているアクリルポリマーであってもよく、またポリエステル、ポリエーテル等であっても良いが、合成および物性の制御が容易であることから、アクリルポリマーを主骨格とすることが特に好ましい。
【００６４】
エネルギー線硬化型重合体の主鎖または側鎖に結合するエネルギー線重合性基は、たとえばエネルギー線重合性の炭素−炭素二重結合を含む基であり、具体的には（メタ）アクリロイル基等を例示することができる。エネルギー線重合性基は、アルキレン基、アルキレンオキシ基、ポリアルキレンオキシ基を介してエネルギー線硬化型重合体に結合していてもよい。
【００６５】
エネルギー線重合性基が結合されたエネルギー線硬化型重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１万〜２００万であることが好ましく、１０万〜１５０万であることがより好ましい。また、エネルギー線硬化型重合体のガラス転移温度（Ｔｇ）は、好ましくは−６０〜５０℃、さらに好ましくは−５０〜４０℃、特に好ましくは−４０〜３０℃の範囲にある。
【００６６】
エネルギー線硬化型重合体は、例えば、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基、置換アミノ基、エポキシ基等の官能基を含有するアクリル系重合体と、該官能基と反応する置換基とエネルギー線重合性炭素−炭素二重結合を１分子毎に１〜５個を有する重合性基含有化合物とを反応させて得られる。該官能基と反応する置換基としては、イソシアネート基、グリシジル基、カルボキシル基等が挙げられる。
【００６７】
重合性基含有化合物としては、（メタ）アクリロイルオキシエチルイソシアネート、メタ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネート、（メタ）アクリロイルイソシアネート、アリルイソシアネート、グリシジル（メタ）アクリレート；（メタ）アクリル酸等が挙げられる。
【００６８】
アクリルポリマーは、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基、置換アミノ基、エポキシ基等の官能基を有する（メタ）アクリルモノマーまたはその誘導体と、これと共重合可能な他の（メタ）アクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体とからなる共重合体であることが好ましい。
【００６９】
ヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基、置換アミノ基、エポキシ基等の官能基を有する（メタ）アクリルモノマーまたはその誘導体としては、たとえば、ヒドロキシル基を有する２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート；カルボキシル基を有するアクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸；エポキシ基を有するグリシジルメタクリレート、グリシジルアクリレートなどが挙げられる。
【００７０】
上記モノマーと共重合可能な他の（メタ）アクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体としては、例えば、アルキル基の炭素数が１〜１８であるアルキル（メタ）アクリレート、具体的にはメチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレートなどが挙げられ；環状骨格を有する（メタ）アクリレート、具体的にはシクロヘキシル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、イソボルニルアクリレート、ジシクロペンタニルアクリレート、ジシクロペンテニルアクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチルアクリレート、イミドアクリレートなどが挙げられる。また、上記アクリルポリマーには、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレンなどが共重合されていてもよい。
【００７１】
エネルギー線硬化型重合体を使用する場合であっても、前記したエネルギー線重合性化合物を併用してもよく、またバインダーポリマー成分（Ａ）を併用してもよい。本発明の保護膜形成層中のこれら三者の配合量の関係は、エネルギー線硬化型重合体およびバインダーポリマー成分（Ａ）の質量の和１００質量部に対して、エネルギー線重合性化合物が好ましくは１〜１５００質量部、より好ましくは１０〜５００質量部、特に好ましくは２０〜２００質量部含まれる。
【００７２】
保護膜形成層にエネルギー線硬化性を付与することで、保護膜形成層を簡便かつ短時間で硬化でき、保護膜付チップの生産効率が向上する。従来、チップ用の保護膜は、一般にエポキシ樹脂などの熱硬化樹脂により形成されていたが、熱硬化樹脂の硬化温度は２００℃を超え、また硬化時間は２時間程度を要しているため、生産効率向上の障害となっていた。しかし、エネルギー線硬化性の保護膜形成層は、エネルギー線照射により短時間で硬化するため、簡便に保護膜を形成でき、生産効率の向上に寄与しうる。
【００７３】
その他の成分
保護膜形成層は、上記バインダーポリマー成分（Ａ）及び硬化性成分（Ｂ）に加えて下記成分を含むことができる。
【００７４】
（Ｃ）着色剤
保護膜形成層は、着色剤（Ｃ）を含有することが好ましい。保護膜形成層に着色剤を配合することで、半導体装置を機器に組み込んだ際に、周囲の装置から発生する赤外線等を遮蔽し、それらによる半導体装置の誤作動を防止することができ、また保護膜形成層を硬化して得た保護膜に、製品番号等を印字した際の文字の視認性が向上する。すなわち、保護膜を形成された半導体装置や半導体チップでは、保護膜の表面に品番等が通常レーザーマーキング法（レーザー光により保護膜表面を削り取り印字を行う方法）により印字されるが、保護膜が着色剤（Ｃ）を含有することで、保護膜のレーザー光により削り取られた部分とそうでない部分のコントラスト差が充分に得られ、視認性が向上する。着色剤（Ｃ）としては、有機または無機の顔料および染料が用いられる。これらの中でも電磁波や赤外線遮蔽性の点から黒色顔料が好ましい。黒色顔料としては、カーボンブラック、酸化鉄、二酸化マンガン、アニリンブラック、活性炭等が用いられるが、これらに限定されることはない。半導体装置の信頼性を高める観点からは、カーボンブラックが特に好ましい。着色剤（Ｃ）は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。本発明における保護膜形成層の高い硬化性は、可視光および／または赤外線と紫外線との両方の透過性を低下させる着色剤を用い、紫外線の透過性が低下した場合に、特に好ましく発揮される。可視光および／または赤外線と紫外線との両方の透過性を低下させる着色剤としては、上記の黒色顔料のほか、可視光および／または赤外線と紫外線との両方の波長領域で吸収性または反射性を有するものであれば特に限定されない。
【００７５】
着色剤（Ｃ）の配合量は、保護膜形成層を構成する全固形分１００質量部に対して、好ましくは０．１〜３５質量部、さらに好ましくは０．５〜２５質量部、特に好ましくは１〜１５質量部である。
【００７６】
（Ｄ）硬化促進剤
硬化促進剤（Ｄ）は、保護膜形成層の硬化速度を調整するために用いられる。硬化促進剤（Ｄ）は、特に、硬化性成分（Ｂ）において、エポキシ樹脂と熱硬化剤とを併用する場合に好ましく用いられる。
【００７７】
好ましい硬化促進剤としては、トリエチレンジアミン、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリス（ジメチルアミノメチル）フェノールなどの３級アミン類；２−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾールなどのイミダゾール類；トリブチルホスフィン、ジフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィンなどの有機ホスフィン類；テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリフェニルホスフィンテトラフェニルボレートなどのテトラフェニルボロン塩などが挙げられる。これらは１種単独で、または２種以上混合して使用することができる。
【００７８】
硬化促進剤（Ｄ）は、硬化性成分（Ｂ）１００質量部に対して、好ましくは０．０１〜１０質量部、さらに好ましくは０．１〜１質量部の量で含まれる。硬化促進剤（Ｄ）を上記範囲の量で含有することにより、高温度高湿度下に曝されても優れた接着特性を有し、厳しいリフロー条件に曝された場合であっても高い信頼性を達成することができる。硬化促進剤（Ｄ）の含有量が少ないと硬化不足で十分な接着特性が得られず、過剰であると高い極性をもつ硬化促進剤は高温度高湿度下で保護膜形成層中を接着界面側に移動し、偏析することにより半導体装置の信頼性を低下させる。
【００７９】
（Ｅ）カップリング剤
カップリング剤（Ｅ）は、保護膜形成層のチップに対する接着性、密着性および／または保護膜の凝集性を向上させるために用いてもよい。また、カップリング剤（Ｅ）を使用することで、保護膜形成層を硬化して得られる保護膜の耐熱性を損なうことなく、その耐水性を向上することができる。
【００８０】
カップリング剤（Ｅ）としては、バインダーポリマー成分（Ａ）、硬化性成分（Ｂ）などが有する官能基と反応する基を有する化合物が好ましく使用される。カップリング剤（Ｅ）としては、シランカップリング剤が望ましい。このようなカップリング剤としてはγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−（メタクリロキシプロピル）トリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−６−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−６−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、ビス（３−トリエトキシシリルプロピル）テトラスルファン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、イミダゾールシランなどが挙げられる。これらは１種単独で、または２種以上混合して使用することができる。
【００８１】
カップリング剤（Ｅ）は、バインダーポリマー成分（Ａ）および硬化性成分（Ｂ）の合計１００質量部に対して、通常０．１〜２０質量部、好ましくは０．２〜１０質量部、より好ましくは０．３〜５質量部の割合で含まれる。カップリング剤（Ｅ）の含有量が０．１質量部未満だと上記の効果が得られない可能性があり、２０質量部を超えるとアウトガスの原因となる可能性がある。
【００８２】
（Ｆ）無機充填材
無機充填材（Ｆ）を保護膜形成層に配合することにより、硬化後の保護膜における熱膨張係数を調整することが可能となり、半導体チップに対して硬化後の保護膜の熱膨張係数を最適化することで半導体装置の信頼性を向上させることができる。また、硬化後の保護膜の吸湿率を低減させることも可能となる。
【００８３】
好ましい無機充填材としては、シリカ、アルミナ、タルク、炭酸カルシウム、酸化チタン、酸化鉄、炭化珪素、窒化ホウ素等の粉末、これらを球形化したビーズ、単結晶繊維およびガラス繊維等が挙げられる。これらのなかでも、シリカフィラーおよびアルミナフィラーが好ましい。上記無機充填材（Ｆ）は単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。無機充填材（Ｆ）の含有量は、保護膜形成層を構成する全固形分１００質量部に対して、通常１〜８０質量部の範囲で調整が可能である。
【００８４】
（Ｇ）光重合開始剤
保護膜形成層が、前述した硬化性成分（Ｂ）としてエネルギー線硬化性成分を含有する場合には、その使用に際して、紫外線等のエネルギー線を照射して、エネルギー線硬化性成分を硬化させる。この際、該組成物中に光重合開始剤（Ｇ）を含有させることで、重合硬化時間ならびに光線照射量を少なくすることができる。
【００８５】
このような光重合開始剤（Ｇ）として具体的には、ベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安息香酸、ベンゾイン安息香酸メチル、ベンゾインジメチルケタール、２，４−ジエチルチオキサンソン、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ベンジル、ジベンジル、ジアセチル、１，２−ジフェニルメタン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−［４−（１−メチルビニル）フェニル］プロパノン、２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイドおよびβ−クロールアンスラキノンなどが挙げられる。光重合開始剤（Ｇ）は１種類単独で、または２種類以上を組み合わせて用いることができる。
【００８６】
光重合開始剤（Ｇ）の配合割合は、エネルギー線硬化性成分１００質量部に対して０．１〜１０質量部含まれることが好ましく、１〜５質量部含まれることがより好ましい。０．１質量部未満であると光重合の不足で満足な転写性が得られないことがあり、１０質量部を超えると光重合に寄与しない残留物が生成し、保護膜形成層の硬化性が不十分となることがある。
【００８７】
（Ｈ）架橋剤
保護膜形成層の初期接着力および凝集力を調節するために、架橋剤を添加することもできる。架橋剤（Ｈ）としては有機多価イソシアネート化合物、有機多価イミン化合物などが挙げられる。
【００８８】
上記有機多価イソシアネート化合物としては、芳香族多価イソシアネート化合物、脂肪族多価イソシアネート化合物、脂環族多価イソシアネート化合物およびこれらの有機多価イソシアネート化合物の三量体、ならびにこれら有機多価イソシアネート化合物とポリオール化合物とを反応させて得られる末端イソシアネートウレタンプレポリマー等を挙げることができる。
【００８９】
有機多価イソシアネート化合物としては、たとえば２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、１，３−キシリレンジイソシアネート、１，４−キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４，４’−ジイソシアネート、ジフェニルメタン−２，４’−ジイソシアネート、３−メチルジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−４，４’−ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−２，４’−ジイソシアネート、トリメチロールプロパンアダクトトリレンジイソシアネートおよびリジンイソシアネートが挙げられる。
【００９０】
上記有機多価イミン化合物としては、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルメタン−４，４’−ビス（１−アジリジンカルボキシアミド）、トリメチロールプロパン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、テトラメチロールメタン−トリ−β−アジリジニルプロピオネートおよびＮ，Ｎ’−トルエン−２，４−ビス（１−アジリジンカルボキシアミド）トリエチレンメラミン等を挙げることができる。
【００９１】
架橋剤（Ｈ）はバインダーポリマー成分（Ａ）およびエネルギー線硬化型重合体の合計量１００質量部に対して通常０．０１〜２０質量部、好ましくは０．１〜１０質量部、より好ましくは０．５〜５質量部の比率で用いられる。
【００９２】
（Ｉ）汎用添加剤
保護膜形成層には、上記の他に、必要に応じて各種の汎用添加剤が配合されてもよい。各種添加剤としては、レベリング剤、可塑剤、帯電防止剤、酸化防止剤、イオン捕捉剤、ゲッタリング剤、連鎖移動剤などが挙げられる。
【００９３】
上記のような各成分からなる保護膜形成層は、接着性と硬化性とを有し、未硬化状態ではワーク（半導体ウエハやチップ等）に押圧することで容易に接着する。そして硬化を経て最終的には耐衝撃性の高い保護膜を与えることができ、接着強度にも優れ、厳しい高温度高湿度条件下においても十分な保護機能を保持し得る。なお、保護膜形成層は単層構造であってもよく、また上記成分を含む層を１層以上含む限りにおいて多層構造であってもよい。
【００９４】
保護膜形成層の厚さは特に限定されないが、好ましくは３〜３００μｍ、さらに好ましくは５〜２５０μｍ、特に好ましくは７〜２００μｍである。なお、粘着剤層３と保護膜形成層４との厚さを略同一とすることで、ダイシングシート表面の高低差がなくなり、ダイシングシート１０をロール状に巻き取る際に巻圧が均一になり、巻崩れを低減できる。
【００９５】
保護膜形成層における可視光線および／または赤外線と紫外線の透過性を示す尺度である、波長３００〜１２００ｎｍにおける最大透過率は２０％以下であることが好ましく、０〜１５％であることがより好ましく、０％を超え１０％以下であることがさらに好ましく、０．００１〜８％であることが特に好ましい。波長３００〜１２００ｎｍにおける保護膜形成層の最大透過率を上記範囲とすることで、保護膜形成層がエネルギー線硬化性成分（特に紫外線硬化性成分）を含有する場合には、保護膜形成層の硬化性に優れる。また、可視光波長領域および／または赤外波長領域の透過性が低いため、半導体装置の赤外線起因の誤作動の防止や、印字の視認性向上といった効果が得られる。波長３００〜１２００ｎｍにおける保護膜形成層の最大透過率は、上記着色剤（Ｃ）により調整できる。なお、保護膜形成層の最大透過率は、ＵＶ−ｖｉｓスペクトル検査装置（（株）島津製作所製）を用いて、硬化後の保護膜形成層（厚み２５μｍ）の３００〜１２００ｎｍでの全光線透過率を測定し、透過率の最も高い値（最大透過率）とした。
【００９６】
（剥離シート）
保護膜形成層付きダイシングシートには、使用に供するまでの間、表面の外部との接触を避けるための剥離シートを設けてもよい。剥離シートとしては、たとえば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリウレタンフィルム、エチレン酢酸ビニル共重合体フィルム、アイオノマー樹脂フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィルム、フッ素樹脂フィルムなどの透明フィルムが用いられる。またこれらの架橋フィルムも用いられる。さらにこれらの積層フィルムであってもよい。また、これらを着色したフィルム、不透明フィルムなどを用いることができる。剥離剤としては、剥離剤としては、例えば、シリコーン系、フッ素系、長鎖アルキル基含有カルバメート等の剥離剤が挙げられる。
【００９７】
剥離シートの厚さは、通常は１０〜５００μｍ、好ましくは１５〜３００μｍ、特に好ましくは２０〜２５０μｍ程度である。また、保護膜形成層付ダイシングシートの厚みは、通常は１〜５００μｍ、好ましくは５〜３００μｍ、特に好ましくは１０〜１５０μｍ程度である。
【００９８】
（保護膜形成層付ダイシングシート）
保護膜形成層付ダイシングシート１０の製造方法としては、次のような方法が挙げられる。まず、基材フィルム１と耐熱フィルム２との積層シートを準備する。基材フィルムと耐熱フィルムとは、押し出し成型などの手段により直接積層されていてもよく、接着剤や強粘着剤などにより強固に接合されていてもよい。このような基材フィルムと耐熱フィルムとの積層シートを準備した段階で、保護膜形成層を設けることが予定された領域を取り囲むように溝５を設けておいてもよい。次いで、積層シートの耐熱フィルム２上の内周部表面に保護膜形成層４を形成し、耐熱フィルムの外周部表面に環状の粘着剤層３を形成する。保護膜形成層は、上記各成分を適宜の割合で、適当な溶媒中で混合してなる保護膜形成層用組成物を、適当な剥離フィルム上に塗布乾燥して得られる。また、耐熱フィルム上に保護膜形成層用組成物を塗布、乾燥して成膜し、これを別の剥離シートと貼り合わせて、積層シート（基材フィルム／耐熱フィルム）と剥離シートに挟持された状態（基材フィルム／耐熱フィルム／保護膜形成層／剥離シート）としてもよい。
【００９９】
次に、挟持された状態の場合には一方の剥離シートを剥離する。そして、保護膜形成層を貼付するワーク（例えば半導体ウエハ等）と同じサイズもしくは一回り大きい円形に型抜きし、円形に型抜きされた保護膜形成層の周囲をカス取りし、耐熱フィルムの内周部表面に円形の保護膜形成層を形成する。
【０１００】
なお保護膜形成層の型抜きと同時に耐熱フィルムも型抜きし保護膜形成層の外周に沿って、耐熱フィルムを完全に切断する溝５を形成してもよい。この場合には、耐熱フィルムは通常基材フィルムと剥離不可能に接合されているので、溝５の外周部よりも外側の保護膜形成層のみがカス取りされ、溝５の平面形状と同一形状の保護膜形成層が得られる。溝５の形成は、保護膜形成層の型抜きの後に行ってもよく、保護膜形成層と同一形状以外の相似形または非相似形としてもよい。
【０１０１】
次に、環状の粘着剤層３を準備する。粘着剤層は、通常は、その両面にはシリコーン系剥離剤等で処理が施された剥離シートが積層された形で供される。剥離シートは、粘着剤層を保護し支持性を付与する役割を担う。両面に積層される剥離シートが、軽剥離タイプ・重剥離タイプのように剥離力に差を有するように構成すれば、保護膜形成層付ダイシングシートの作成時の作業性が向上し好ましい。すなわち、剥離シートとして、軽剥離タイプの剥離シートと、重剥離タイプの剥離シートを用いて粘着剤層を挟持し、軽剥離タイプの剥離シート側から抜き型を用いて、軽剥離タイプの剥離シートと粘着剤層とを円形に打ち抜き、円形に型抜きされた軽剥離タイプの剥離シートと粘着剤層とをカス取りして開口部を形成する。次に、開口部を囲繞する粘着剤層上の軽剥離タイプの剥離シートを除去して粘着剤層を露出させる。そして、円形に型抜きされた開口部と円形の保護膜形成層とが同心円状になるように、上記で得られた保護膜形成層が積層された積層シートと粘着剤層の露出面とを積層して積層体とする。
【０１０２】
その後、リングフレームに対する糊しろの外径に合わせて、開口部及び積層体と同心円状に型抜きし、型抜きされた積層体の周囲を除去する。最後に、重剥離タイプの剥離シートを剥離することで、本発明の保護膜形成層付ダイシングシートを得る。図１に示すように、本発明の保護膜形成層付ダイシングシート１０は、基材フィルムと耐熱フィルムとを有する積層シートの耐熱フィルムの内周部表面に保護膜形成層を有し、耐熱フィルムの外周部表面に粘着剤層３を有する。粘着剤層３によりリングフレーム６に貼付される。耐熱フィルム２の外周部表面に形成された環状の粘着剤層３の内径（開口部の直径）は、保護膜形成層４の外径より大きくなるように形成される。環状に形成される粘着剤層２の幅は、好ましくは０．５〜２０ｍｍである。
【０１０３】
上記の製造方法においては、剥離シート上に設けられた粘着剤層を、保護膜形成層が設けられた基材フィルムと耐熱フィルムとの積層シートに転写させることで本発明の保護膜形成層付ダイシングシートを得たが、逆に剥離シート上に設けられた保護膜形成層を、粘着剤層が設けられた基材フィルムと耐熱フィルムとの積層シートに転写させることで本発明の保護膜形成層を得ることもできる。
【０１０４】
上記のような保護膜形成層付ダイシングシートにおいて、基材フィルムと耐熱フィルムとの積層シート部分における波長５３２ｎｍおよび波長１０６４ｎｍの全光線透過率は、好ましくは７０％以上、より好ましくは７５％以上である。基材フィルムと耐熱フィルムとの積層シート部分における波長５３２ｎｍおよび波長１０６４ｎｍの全光線透過率を上記範囲とすることで、半導体ウエハに保護膜形成層付ダイシングシートを貼付した後に、基材フィルム側からレーザー光を照射することで保護膜に対するレーザーマーキングを行える。したがって、ウエハをダイシングシートに固定した状態でレーザーマーキングを行えるため、ウエハの反りが抑制され、印字精度が向上する。
【０１０５】
上記のような保護膜形成層付ダイシングシートにおいて、基材フィルムおよび耐熱フィルムには複数の微細な貫通孔が設けられていてもよい。貫通孔を設けることで、保護膜へのレーザーマーキングを行った際に発生するガスにより生じる異物の発生を抑制できる。
【０１０６】
（チップの製造方法）
次に本発明に係る保護膜形成層付ダイシングシートの利用方法について、該シートをチップ（例えば半導体チップ等）の製造に適用した場合を例にとって説明する。
【０１０７】
本発明に係る保護膜形成層付ダイシングシートを用いた半導体チップの製造方法は、表面に回路が形成された半導体ウエハ（ワーク）の裏面に、上記シートの保護膜形成層を貼付し、以下の工程（１）、（２）、（３）をこの順で経て、裏面に保護膜を有する半導体チップを得ることを特徴としている。
工程（１）：保護膜形成層を硬化し保護膜を得る、
工程（２）：ワークと保護膜形成層（または保護膜）とをダイシング、
工程（３）：保護膜と耐熱フィルムとを剥離。
【０１０８】
また、本発明に係る半導体チップの製造方法は、上記工程（１）〜（３）の他に、下記の工程（４）をさらに含み、上記工程（１）の後のいずれかの工程において、工程（４）を行うこともできる。
工程（４）：保護膜にレーザー印字。
【０１０９】
工程（４）は、工程（１）および工程（２）の間に行うことが好ましい。硬化後の保護膜形成層にレーザー印字を行うことで、印字精度が優れたものとなる。一方、工程（２）の後、工程（３）の前に行った場合には、ダイシング時のチップの微小な位置ずれによって印字精度が低下することがある。また、工程（３）の後に行った場合は、個々のチップに個別にレーザー印字を行っていく必要があり、プロセスが煩雑となる。
【０１１０】
半導体ウエハはシリコンウエハであってもよく、またガリウム・砒素などの化合物半導体ウエハであってもよい。ウエハ表面への回路の形成はエッチング法、リフトオフ法などの従来より汎用されている方法を含む様々な方法により行うことができる。次いで、半導体ウエハの回路面の反対面（裏面）を研削する。研削法は特に限定はされず、グラインダーなどを用いた公知の手段で研削してもよい。裏面研削時には、表面の回路を保護するために回路面に、表面保護シートと呼ばれる粘着シートを貼付する。裏面研削は、ウエハの回路面側（すなわち表面保護シート側）をチャックテーブル等により固定し、回路が形成されていない裏面側をグラインダーにより研削する。ウエハの研削後の厚みは特に限定はされないが、通常は２０〜５００μｍ程度である。その後、必要に応じ、裏面研削時に生じた破砕層を除去する。破砕層の除去は、ケミカルエッチングや、プラズマエッチングなどにより行われる。
【０１１１】
次いで、半導体ウエハの裏面に、上記保護膜形成層付ダイシングシートの保護膜形成層を貼付する。その後、工程（１）、（２）、（３）をこの順で行う。このプロセスの概要については、特開２００２−２８０３２９号公報に類似の工程が詳述されている。
【０１１２】
まず、表面に回路が形成された半導体ウエハの裏面に、上記保護膜形成層付ダイシングシートの保護膜形成層を貼付する。次いで、保護膜形成層を硬化し、ウエハの全面に保護膜を形成する。硬化前の保護膜形成層を半導体ウエハに貼付することにより、保護膜形成層がウエハの貼付面によくなじみ、保護膜と半導体チップの接着性が向上する。また、保護膜形成層の硬化時に、保護膜形成層付ダイシングシートの収縮変形が抑制される。保護膜形成層には、硬化性成分（Ｂ）が含まれているため、一般的には熱硬化またはエネルギー線照射により保護膜形成層を硬化する。なお、保護膜形成層に熱硬化性成分およびエネルギー線硬化性成分が配合されている場合には、保護膜形成層の硬化を、加熱とエネルギー線照射の両者で行うことができ、加熱およびエネルギー線照射による硬化を同時に行ってもよく、逐次的に行ってもよい。この結果、ウエハ裏面に硬化樹脂からなる保護膜が形成され、ウエハ単独の場合と比べて強度が向上するので、取扱い時の薄くなったウエハの破損を低減できる。また、ウエハやチップの裏面に直接保護膜用の塗布液を塗布・被膜化するコーティング法と比較して、保護膜の厚さの均一性に優れる。
【０１１３】
保護膜形成層が熱硬化性である場合には、本発明の保護膜形成層付きダイシングシートの、熱硬化時の変形による基材フィルムの残存応力の発生が抑制され、ダイシング後のチップ間隔の狭小化防止という効果が好ましく発揮される。そのため、保護膜形成層が熱硬化性であり、保護膜形成層の熱硬化の後にダイシングおよびピックアップ（保護膜形成層からの粘着シートの剥離）を行う製造方法、すなわち、（１）、（２）、（３）の順に工程を行う製造方法に本発明の保護膜形成層付きダイシングシートを用いることが好ましい。
【０１１４】
次いで、硬化した保護膜形成層（保護膜）にレーザー印字することが好ましい。レーザー印字はレーザーマーキング法により行われ、レーザー光の照射により基材フィルムおよび耐熱フィルム越しに保護膜の表面を削り取ることで保護膜に品番等をマーキングする。本発明の保護膜形成層付ダイシングシートによれば、極薄のウエハであってもウエハの反りを抑制できるため、レーザー光の焦点が正確に定まり、精度よくマーキングを行える。
【０１１５】
次いで、半導体ウエハを、ウエハ表面に形成された回路毎にダイシングする。ダイシングは、ウエハと保護膜をともに切断するように行われる。ダイシング法は特に限定はされず、一例として、ウエハのダイシング時には保護膜形成層付ダイシングシートの周辺部（粘着剤層３）をリングフレームにより固定した後、ダイシングブレードなどの回転丸刃を用いるなどの公知の手法によりウエハのチップ化を行う方法などが挙げられる。
【０１１６】
ウエハと保護膜とを切断する際に、耐熱フィルム２を完全に切断することで、ダイシング後に基材フィルム１をエキスパンドでき、チップ間隔が離間し、チップのピックアップが容易になる。
【０１１７】
その後、上記ダイシングシートをエキスパンドする。本発明におけるダイシングシートの基材として伸張性の基材を用いた場合には、ダイシングシートは、優れたエキスパンド性を有し、チップのピックアップ性が向上する。
【０１１８】
ダイシングされた保護膜付半導体チップをコレット等の汎用手段によりピックアップすることで、保護膜と耐熱フィルムとの界面で剥離する。この結果、裏面に保護膜を有する半導体チップ（保護膜付半導体チップ）が得られる。このような本発明によれば、厚さの均一性の高い保護膜を、チップ裏面に簡便に形成でき、ダイシング工程やパッケージングの後のクラックが発生しにくくなる。また、本発明によれば、保護膜が形成されたウエハをダイシングテープに貼り替えてダイシングしていた従来の工程と比較して、ダイシングテープへの貼り替えを行うことなく保護膜付チップを得ることができ、製造工程の簡略化が図れる。また、研削により脆弱化したウエハを単体で扱うことがなくなるため、ウエハ破損の危険を低減する。さらに、薄型化ウエハは保護膜の硬化収縮により反りが発生することがあるが、粘着シートを介してリングフレームに保持されているため反りも抑制することができる。そして、半導体チップをフェースダウン方式で所定の基台上に実装することで半導体装置を製造することができる。また、裏面に保護膜を有する半導体チップを、ダイパッド部または別の半導体チップなどの他の部材上（チップ搭載部上）に接着することで、半導体装置を製造することもできる。
【実施例】
【０１１９】
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。なお、以下の実施例および比較例において、＜チップ間隔保持性およびエキスパンド性＞、＜基材フィルムおよび耐熱フィルムの熱収縮率＞、＜基材フィルムおよび耐熱フィルムの融点＞、および＜基材フィルムの破断伸度および２５％応力＞は次のように測定・評価した。また、下記の＜保護膜形成層用組成物＞、＜粘着剤組成物＞、＜基材フィルム＞、＜耐熱フィルム＞を用いた。
【０１２０】
＜チップ間隔保持性およびエキスパンド性＞
保護膜形成層付ダイシングシートの保護膜形成層をシリコンウエハ（直径８インチ、厚み２００μｍ、＃２０００研磨）に、ダイシングシートの外周部における粘着剤層をリングフレームに貼付した。次いで、１３０℃で２時間加熱して保護膜形成層を硬化し、保護膜付シリコンウエハを５ｍｍ×５ｍｍのチップサイズにダイシングした。この際、実施例においては、ウエハ、保護膜および耐熱フィルムをフルカットした。用いたダイシングブレードの幅は、３０μｍである。このとき、ダイシング後の時点で隣接チップ同士の間隔をデジタル顕微鏡により計測した。計測は、縦方向に隣接するチップ（下側に隣接するチップ）および横方向に隣接するチップ（右隣のチップ）との間隔について行い、５つのチップの計測結果についての平均をとった。チップ同士の間隔が、２０μｍ以上である場合を「Ａ」、２０μｍ未満となっている場合を「Ｂ」とした。その後、ダイボンダー（キャノンマシナリー社製  Ｂｅｓｔｅｍ−Ｄ０２）を用いて、引き落とし量３ｍｍでエキスパンドを行った。エキスパンド時に基材フィルムの裂けの有無を確認し、エキスパンドが可能で、かつ、基材フィルムに裂けがない場合を「Ａ」、エキスパンドが不可能、または、基材フィルムに裂けがある場合を「Ｂ」と評価した。
【０１２１】
＜基材フィルムおよび耐熱フィルムの熱収縮率＞
基材フィルムおよび耐熱フィルムをそれぞれ１０ｃｍ×１０ｃｍに裁断し、熱風オーブンに投入した（１３０℃、２時間）。その後、基材フィルムおよび耐熱フィルムを取り出し、フィルムの寸法を測定し、下記式により熱収縮率を求めた。
熱収縮率（％）＝{（投入前のフィルムの面積）−（投入後のフィルムの面積）}／投入前のフィルムの面積×１００
【０１２２】
＜基材フィルムおよび耐熱フィルムの融点＞
基材フィルムの融点は、JIS K7121:1987に準拠した方法にて測定した。
【０１２３】
＜基材フィルムの破断伸度および２５％応力＞
基材フィルムの破断伸度は、 万能引張試験機（オリエンテック社製テンシロンＲＴＡ−Ｔ−２Ｍ）を用いて、ＪＩＳ Ｋ７１６１：１９９４に準拠して、２３℃、湿度５０％の環境下において引張速度２００ｍｍ／分、サンプル長５０ｍｍで測定した。測定は、ＭＤ方向及びＣＤ方向いずれも行った。なお、破断伸度は破断時の伸長率である。また、基材フィルムの２５％応力は、１２．５ｍｍ伸長時に測定される力を試料の断面積で除算して計算した。
【０１２４】
＜保護膜形成層用組成物＞  
保護膜形成層を構成する各成分と配合量を下記に示す（各成分／配合量）。
（Ａ）バインダーポリマー成分：ｎ−ブチルアクリレート５５質量部、メチルメタクリレート１５質量部、グリシジルメタクリレート２０質量部、及び２−ヒドロキシエチルアクリレート１５質量部からなるアクリルポリマー（重量平均分子量：９０万、ガラス転移温度：−２８℃） ／１００質量部
（Ｂ）硬化性成分
（Ｂ１）ビスフェノールA型エポキシ樹脂（エポキシ当量180-200）５０質量部、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業（株）製エピクロンHP-7200HH）５０質量部、からなる熱硬化性成分／（合計１００質量部）
（Ｂ２）熱活性潜在性エポキシ樹脂硬化剤
ジシアンジアミド(旭電化製、アデカハードナー３６３６AS)：２．８重量部
（Ｃ）着色剤：カーボンブラック１０．０質量部
（Ｄ）硬化促進剤：2-フェニル-4,5-ジヒドロキシメチルイミダゾール（四国化成工業社製, キュアゾール2PHZ）２．８重量部
（Ｅ）シランカップリング剤：A-１１１０(日本ユニカー製)/１重量
（Ｆ）シリカフィラー：溶融石英フィラー（平均粒径8μm）/３００重量部
【０１２５】
＜粘着剤層用粘着剤組成物＞
信越化学工業（株）製  ＫＳ８４７Ｈ  ６０質量部、東レ・ダウ・シリコーン（株）製  ＳＤ４５８４  ３０質量部及び東レ・ダウ・シリコーン（株）製  ＳＲＸ２１２  ０．５質量部からなるシリコーン系粘着剤
【０１２６】
＜積層シート用粘着剤組成物＞
ブチルアクリレート９１質量部、アクリル酸９質量部からなる共重合体１００質量部、架橋剤（イソシアネート系）１質量部、および有機溶剤からなるアクリル系粘着剤
【０１２７】
＜基材フィルム＞
厚み１００μｍのポリプロピレンフィルム（東洋紡績株式会社製、パイレンフィルムＣＴＰ１１４７）
【０１２８】
＜耐熱フィルム＞
厚み５０μmのポリイミドフィルム（東レ・デュポン株式会社製、カプトン２００Ｈ）の表面に剥離処理を行ったフィルム
【０１２９】
（実施例１）
保護膜形成層用組成物の上記各成分を上記配合量で配合した。また、剥離シートとして、片面に剥離処理を行ったポリエチレンテレフタレートフィルム（リンテック社製  ＳＰ−Ｐ５０２０１０、厚さ５０μｍ）を用意した。
【０１３０】
上記保護膜形成層用組成物のメチルエチルケトン溶液（固形濃度６１重量％）を、上記剥離シートの剥離処理面上に乾燥後２５μｍの厚みになるように塗布、乾燥（乾燥条件：オーブンにて１２０℃、３分間）して、剥離シート上に保護膜形成層を形成した。
【０１３１】
また、上記とは別に基材フィルムと耐熱フィルムとの積層シートを準備した。耐熱フィルムの非剥離処理面上に、積層シート用粘着剤組成物を、乾燥後の厚さが１０μｍとなるように塗布し、１００℃で１分間加熱して乾燥した。次いで、粘着剤が形成された耐熱フィルムの粘着剤を基材フィルムと貼り合わせ、基材フィルムと耐熱フィルムとの積層シートを作製した。
【０１３２】
次いで、上記積層シートの耐熱フィルム側（剥離処理面）に、前記剥離シート上の保護膜形成層を積層した。剥離シート、保護膜形成層および耐熱フィルムを、シリコンウエハと同サイズ（直径８インチ）に型抜きした。次いで円形に型抜きされた剥離シートおよび保護膜形成層の外周部をカス取りし、耐熱フィルムはカス取りをせずに残した。この後、保護膜形成層と同形状に型抜きされた剥離シートを除去した。この結果、耐熱フィルム上に円形の保護膜形成層が得られ、また保護膜形成層の外周に沿って、耐熱フィルムを完全に切断する溝が形成された。
【０１３３】
さらに、上記とは別に環状の粘着剤層を以下のように準備した。剥離シートとして、片面に剥離処理を行ったポリエチレンテレフタレートフィルム（リンテック社製SP-PET38E-0010YC）、他の剥離シートとして、ポリエチレンテレフタレートフィルム（リンテック社製  SP-PET38E-0010YC）を用意した。上記粘着剤層用粘着剤のトルエン溶液（固形濃度35重量％）を剥離シートの剥離処理面上に乾燥後５μｍの厚みになるように塗布、乾燥（乾燥条件：オーブンにて１２０℃、３分間）した後、他の剥離シートを貼合した。次に、リングフレームの内径２５５μｍに合わせて他の剥離シート側から円形に型抜きし、型抜きした部分の粘着剤層および他の剥離シートの除去を行い、開口部を形成した。次に、開口部を囲繞する粘着剤層上の剥離シートを除去して粘着剤層を露出させ、開口部と保護膜形成層とが同心円状になるように、上記の耐熱フィルムと粘着剤層の露出面とを積層して積層体とした。
【０１３４】
上記の積層体を、リングフレームの外径（２７５ｍｍ）を超えないようにリングフレームに対する糊しろの外径を直径２６０ｍｍとし、このサイズで開口部および保護膜形成層と同心円状に型抜きした。その後、残った剥離シートを剥離し、保護膜形成層付ダイシングシートを得た。各評価結果を表１に示す。
【０１３５】
（実施例２）
保護膜形成層用組成物の上記各成分を上記配合量で配合した。また、剥離シートとして、片面に剥離処理を行ったポリエチレンテレフタレートフィルム（リンテック社製  ＳＰ−Ｐ５０２０１０、厚さ５０μｍ）を用意した。
【０１３６】
上記保護膜形成層用組成物のメチルエチルケトン溶液（固形濃度６１重量％）を、上記剥離シートの剥離処理面上に乾燥後２５μｍの厚みになるように塗布、乾燥（乾燥条件：オーブンにて１２０℃、３分間）して、剥離シート上に保護膜形成層を形成した。この保護膜形成層に、他の剥離シートとして、ポリエチレンテレフタレートフィルム（ＳＰ−ＰＥＴ３８１０３１、厚さ３８μｍ）の剥離処理面を貼り合わせた。次いで、剥離シートを残して保護膜形成層および他の剥離シートのみを切断するようにシリコンウエハと同サイズ（直径８インチ）に型抜きした後、型抜きされた形状の部分を除く部分の保護膜形成層および他の剥離シートを除去し、剥離シート上に円形に型抜きされた保護膜形成層および他の剥離シートを得た。
【０１３７】
耐熱フィルムとして、剥離処理されていない厚み５０μmのポリイミドフィルム（東レ・デュポン株式会社製、カプトン２００Ｈ）の一方の面上に粘着剤を形成した以外は、実施例１と同様にして基材フィルムと耐熱フィルムとの積層シートを作製した。次いで、耐熱フィルムのみをシリコンウエハと同サイズに型抜きし、溝を形成した。
【０１３８】
保護膜形成層上の他の剥離シートを剥離し、上記の積層シートの耐熱フィルムと保護膜形成層とを、保護膜形成層の外周と溝が一致するように積層した後、剥離シートを除去した。この結果、耐熱フィルム上に円形の保護膜形成層が得られ、また保護膜形成層の外周に沿って、耐熱フィルムを完全に切断する溝が形成された。
【０１３９】
この後、実施例１と同様にして粘着剤層を設け、剥離シートを除去し、保護膜形成層付ダイシングシートを得た。各評価結果を表１に示す。
【０１４０】
（実施例３）
基材フィルムとして、厚み５０μｍのポリプロピレンフィルム（サントックス株式会社製  サントックス−ＣＰ  ＫＴ）を用いた以外は、実施例２と同様にして保護膜形成層付ダイシングシートを得た。各評価結果を表１に示す。
【０１４１】
（実施例４）
耐熱フィルムを型抜きする際に、溝の外周に等間隔に６点の、長さ０．７ｍｍの溝の非形成部を設けた以外は、実施例２と同様にして保護膜形成層付ダイシングシートを得た。溝の非形成部はエキスパンドにより破断し、エキスパンドを行うことが可能であった。各評価結果を表１に示す。
【０１４２】
（比較例１）
積層シートの代わりに、剥離処理されていない厚み５０μmのポリイミドフィルム（東レ・デュポン株式会社製、カプトン２００Ｈ）のみからなるフィルムを用いた以外は、実施例１と同様にして保護膜形成層付ダイシングシートを得た。各評価結果を表１に示す。なお、フィルムの諸特性については耐熱フィルムの欄に記載した。
【０１４３】
（比較例２）
積層シートの代わりに、厚み７５μｍの剥離処理が施されたポリプロピレンフィルム（サントックス社製、ＲＳ７２＃７５）を用い、剥離処理が施されていない面に保護膜形成層および粘着剤層を積層した以外は、実施例１と同様にして保護膜形成層付ダイシングシートを得た。各評価結果を表１に示す。なお、フィルムの諸特性については基材フィルムの欄に記載した。
【０１４４】
【表１】
0006006936.tif 000002
【０１４５】
表中、ＰＰはポリプロピレン、ＰＩはポリイミドを意味する。
【符号の説明】
【０１４６】
１  …  基材フィルム
２  …  耐熱フィルム
３  …  粘着剤層
４  …  保護膜形成層
５  …  溝
６  …  リングフレーム
１０…  保護膜形成層付ダイシングシート
【図１】
0006006936.tif 000003