(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象物によって反射された光を受光する受光素子と、
前記受光素子が表面に載置された基板と、
前記基板の側面を覆う筺体部と、
前記基板の裏面に設置され、前記基板から外部への入出力信号を入出力する入出力部と、
前記受光素子と前記入出力部とを接続する複数の接続ラインからなる接続部と、
を備え、
前記基板は、前記基板の表裏面の両面に形成された金属層の一部を除去して基板の表裏面の両面に形成された絶縁パターンおよび配線パターンである配線層と、前記基板の表面に形成された金属層と前記基板の裏面に形成された金属層との間に設けられた透光性を有する絶縁層と、から構成されている両面基板であって、
前記絶縁パターンは、前記金属層が除去されたパターンであり、
前記配線パターンは、前記金属層が除去されていないパターンであり、
前記接続ラインは、前記基板の表裏面上及び内部を通り、
前記接続ラインのうち前記基板の表裏面上を通る部分は、前記絶縁パターンおよび前記配線パターンである前記配線層から構成され、
前記複数の前記接続ラインのうち少なくとも１つは、前記基板の裏面において前記受光素子の直下の領域を通り、
前記基板の表面には、前記受光素子の直下の領域を全て含む所定領域に遮光性パターンとして除去されていない前記金属層のパターンが設けられる、イメージセンサ。
【請求項２】
請求項１に記載のイメージセンサであって、
前記入出力部は、前記受光素子を駆動する電源電圧及び接地電圧を外部から入力する電源入力部を有し、
前記遮光性パターンは、前記電源入力部に接続され、前記受光素子には前記遮光性パターンを介して前記電源電圧と前記接地電圧のいずれか一方が入力される、イメージセンサ。
【請求項３】
請求項２に記載のイメージセンサであって、
前記入出力部は、前記受光素子を制御する複数の制御信号が外部から入出力され、
前記接続ラインは、前記受光素子と前記入出力部とを接続する複数の入出力ラインと、から構成され、
前記複数の入出力ラインのうち少なくとも１つの入出力ラインは前記受光素子の直下の領域を通り、前記複数の入出力ラインのうち残りは前記受光素子の直下の領域を通らない、イメージセンサ。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載のイメージセンサであって、
光を発光する光源を備え、
前記筺体部は、前記光源が発光する光と対象物によって反射された光とが通過する開口部を有する、イメージセンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書に開示される発明は、受光素子が基板に載置されてなるイメージセンサの基板の構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、受光素子が基板に載置されてなるイメージセンサが用いられている（例えば、特許文献１）。受光素子は、例えば基板の表面に載置され、原稿等で反射されて基板の表面側から照射される光を受光し、受光量に応じた受光信号を基板に設けられた配線パターンを介してイメージセンサの外部に出力する。基板は、ポリイミドなどの透光性のセラミック素材の表面や裏面等に遮光性の金属層が形成されており、この金属層を用いて配線パターンが形成されている。配線の金属層に配線パターンを形成する場合、配線パターンと他のパターンとを絶縁するために、配線パターンの境界部では、導電性の金属層が除去された絶縁パターンが形成される。そのため、基板の裏面側から外光が照射され、絶縁パターン及び透光性のセラミック素材を介して外交が受光素子で受光されると、外光が受光信号に影響し、受光信号から原稿等の画像を精度良く再現することができない。従来技術では、基板の裏面側から照射された外交が基板に入射されることを抑制するために、基板の裏面の全部または一部を黒色の遮光層によって覆う技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−７４４９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、従来技術では、基板の裏面が遮光層によって覆われるため、基板の裏面側等においてイメージセンサが大型化する問題が生じていた。また、従来技術では、イメージセンサの生成後、基板の裏面を遮光層によって覆う作業が必要となり、作業効率の悪化によるコスト上昇の問題が生じていた。
【０００５】
本明細書に開示される発明は、イメージセンサの大型化及びコスト上昇を抑制しながら、外光が受光素子で受光されることを抑制する技術を開示する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本明細書によって開示されるイメージセンサは、対象物によって反射された光を受光する受光素子と、前記受光素子が表面に載置された基板と、前記基板の側面を覆う筺体部と、前記基板に設置され、外部への入出力信号を入出力する入出力部と、前記基板の表裏面上ないし内部を通る接続ラインを有し、前記接続ラインのうち少なくとも１つは前記受光素子の直下の領域を通り、前記受光素子と前記入出力部とを接続する接続部と、を備え、前記基板には、前記受光素子の直下の領域を全て含む所定領域に遮光性パターンが設けられる。
【０００７】
このイメージセンサでは、受光素子の直下の領域を全て含む所定領域に遮光性パターンが設けられる。そのため、基板の裏面から外光が照射された場合でも、当該遮光性パターンによって所定領域の基板内に外光が入射されることが抑制される。あるいは、受光素子の直下の領域を通る接続ラインが設けら、所定領域の基板内に外光が入射された場合でも、当該遮光性パターンによって外光が所定領域の基板の表面に照射されることが抑制される。このイメージセンサによれば、いずれの場合においても、基板の裏面から照射された外光が基板を通過して所定領域の基板の表面に載置された受光素子によって受光されることを抑制することができる。また、このイメージセンサでは、基板内部に用いられた遮光性パターンを用いて外光が受光素子で受光されることを抑制するので、遮光層などを基板と別体に設ける必要がなく、イメージセンサの大型化及びコスト上昇を抑制することができる。
【０００８】
また、上記のイメージセンサでは、前記基板は、前記基板の表裏面の両面に形成された金属層からなる配線層と、前記基板の表面に形成された金属層と前記基板の裏面に形成された金属層との間に設けられた透光性を有する絶縁層と、から構成されている両面基板であって、少なくとも１つの前記接続ラインの一部は、前記配線層の表裏面のいずれか一方の面に設けられた絶縁パターンで遮蔽された金属層のパターンで構成され、前記受光素子の直下の領域を通り、前記基板には、前記配線層の他方の面の前記所定領域に前記遮光性パターンとして金属層のパターンが設けられる構成としてもよい。
【０００９】
このイメージセンサによれば、基板の裏面から外光が照射された場合でも、基板の裏面に形成された金属層に遮光性パターンが設けられることで、所定領域の基板内に外光が入射されることを抑制することができる。また、基板の裏面に形成された金属層の受光素子の直下の領域に接続ラインの金属層のパターンが設けられ、当該金属層のパターンを遮蔽する絶縁パターンを介して所定領域の基板内に外光が入射された場合でも、基板の表面に形成された金属層に遮光性パターンが設けられることで、外光が所定領域の基板の表面に照射されることを抑制することができる。
【００１０】
また、上記のイメージセンサでは、前記基板は、前記基板の表裏面の両面に形成された金属層からなる配線層と、前記基板の内部に設けられた複数の金属層と、前記配線層と前記金属層との間に設けられた透光性を有する絶縁層と、から構成されている多層基板であって、少なくとも１つの前記接続ラインの一部は、前記配線層及び前記金属層のうち、少なくとも１つの層に設けられた絶縁パターンで遮蔽された金属層のパターンで構成され、前記受光素子の直下の領域を通り、前記基板には、前記配線層及び前記金属層のうち前記１つの層とは異なる層の前記所定領域に前記遮光性パターンとして金属層のパターンが設けられる構成としてもよい。
【００１１】
このイメージセンサによれば、基板の裏面から外光が照射された場合でも、基板の裏面に形成された金属層遮光性パターンが設けられることで、所定領域の基板内に外光が入射されることを抑制することができる。また、基板の裏面に形成された金属層の受光素子の直下の領域に接続ラインの金属層のパターンが設けられ、当該金属層のパターンを遮蔽する絶縁パターンを介して所定領域の基板内に外光が入射された場合でも、配線層及び金属層のうち、基板の裏面に形成された金属層以外の層の１つに遮光性パターンが設けられることで、外光が所定領域の基板の表面に照射されることを抑制することができる。
【００１２】
また、上記のイメージセンサでは、前記基板は、前記両面基板または前記多層基板であって、前記遮光性パターンは、前記基板の表面に形成された金属層の前記所定領域に前記遮光性パターンとして金属層のパターンを設ける構成としてもよい。このイメージセンサによれば、基板の裏面から外光が照射され、所定領域以外の領域から基板内部に入射された外光が、所定領域の基板内に伝達された場合でも、当該外光が所定領域の基板の表面にと照射されることを抑制することができる。
【００１３】
また、上記のイメージセンサでは、前記入出力部は、前記受光素子を駆動する電源電圧及び接地電圧を外部から入力する電源入力部を有し、前記遮光性パターンは、前記電源入力部に接続され、前記受光素子には前記遮光性パターンを介して前記電源電圧と前記接地電圧のいずれか一方が入力される構成としてもよい。このイメージセンサによれば、受光素子の直下の領域に設けられたパターンを、電源電圧又は接地電圧を受光素子に伝達するためのパターンとして用いることで、当該電圧を受光素子に伝達するためのパターンとして用いない場合に比べて、基板を小型化することができる。
【００１４】
また、上記のイメージセンサでは、前記入出力部は、前記受光素子を制御する複数の制御信号が外部から入力され、前記接続ラインは、前記受光素子と前記入力部とを接続する複数の入出力ラインと、から構成され、前記複数の入出力ラインのうち少なくとも１つの入出力ラインは前記受光素子の直下の領域を通り、前記複数の入出力ラインのうち残りは前記受光素子の直下の領域を通らない構成としてもよい。このイメージセンサによれば、接続ラインを構成する入出力ラインが複数の入出力ラインで構成されており、接続ラインを引き回す配線領域が増大している場合でも、入出力ラインのうち少なくとも１つの入出力ラインを受光素子の直下の領域を用いて引き回すことで、受光素子の直下の領域を用いずに引き回す場合に比べて、基板を小型化することができる。
【００１５】
また、上記のイメージセンサでは、光を発光する光源を備え、前記筺体部は、前記光源が発光する光と対象物によって反射された光とが通過する開口部を有する構成としてもよい。このイメージセンサによれば、筺体部によって基板の側面から外光が基板内に入射されることを抑制しながら、筺体部に開口部を設けることで、光源から発光される光が対象物に照射され、対象物によって反射された光が受光素子によって受光されるように構成することができる。
【発明の効果】
【００１６】
本明細書によって開示されるイメージセンサによれば、イメージセンサの大型化及びコスト上昇を抑制しながら、外光が受光素子で受光されることを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】スキャナの電気的構成を概略的に示すブロック図
【図２】ＣＩＳの概略的な断面図
【図３】イメージセンサの概略的な斜視図
【図４】実施形態１のイメージセンサの概略的な断面図
【図５】金属層における配線を説明する図
【図６】実施形態２のイメージセンサの概略的な断面図
【発明を実施するための形態】
【００１８】
＜実施形態１＞
本実施形態を、図１ないし図５を用いて説明する。
【００１９】
１．スキャナの電気的構成
図１は、スキャナ１０の概略的な電気的構成を示すブロック図である。スキャナ１０は、ＣＩＳ（Ｃｏｎｔａｃｔ  Ｉｍａｇｅ  Ｓｅｎｓｏｒ）１２を用いて原稿を読み取り、読取画像を形成する装置である。なお、このスキャナ１０は、ファクシミリ装置や、プリンタ機能等を備えた複合機であってもよい。
【００２０】
図１に示すように、スキャナ１０は、ＣＩＳ１２内に設けられるイメージセンサ１４と、ＣＩＳ１２外に設けられるメイン基板１６と、を含む。イメージセンサ１４には、４つの受光素子３２が主走査方向に直線状に配列されているとともに、メイン基板１６との間で信号等を入出力するコネクタ３４が設けられている。受光素子３２とコネクタ３４とは、配線５０によって接続される。コネクタ３４は、電源入力部、入出力部の一例である。
【００２１】
メイン基板１６は、ＣＩＳ１２を制御するＡＳＩＣ（特定用途向け集積回路）２０と、ＲＯＭやＲＡＭなどのメモリ２２とを含み、ＡＳＩＣ２０は、制御回路２４と、アナログ−デジタル変換回路（以下、ＡＤ回路）２６と、画像処理回路２８とを含む。
【００２２】
メモリ２２には、スキャナ１０の動作を制御するための各種のプログラムが記憶されており、制御回路２４は、メモリ２２から読み出したプログラムに従って、スキャナ１０の各部の制御を行うとともに、受光素子３２を制御するトリガー信号（以下、ＴＧ）やクロック信号（以下、ＣＬＫ）などの複数の制御信号を、コネクタ３４を介してイメージセンサ１４に入力する。
【００２３】
ＡＤ回路２６は、上記制御信号の入力に伴ってコネクタ３４から出力されたアナログ信号である受光信号を取得し、デジタル信号に変換する。画像処理回路２８は、ＡＤ回路２６で変換された受光信号に、画像圧縮等の所定の画像処理を行い、メモリ２２に記憶する。また、メイン基板１６には、外部から電源電圧及び設置電圧が供給されており、これらの電圧を、コネクタ３４を介してイメージセンサ１４に入力する。イメージセンサ１４は、メイン基板１６から入力されたこれらの電圧によって駆動し、ＣＩＳ１２は、イメージセンサ１４を用いて原稿を読み取る。
【００２４】
２．ＣＩＳの構成
図２に、主走査方向に直交する方向におけるＣＩＳ１２の概略的な断面図を示す。図２に示すように、イメージセンサ１４は、基板１８を含んで構成されており、その表面１８Ａ側に受光素子３２が載置されるとともに、その裏面１８Ｂ側にコネクタ３４が設置されている。また、基板１８の側面１８Ｃに、基板１８の側面１８Ｃを覆い、基板１８の表面１８Ａ側に開口部４０Ａを有する筺体４０が設けられている。ＣＩＳ１２は、イメージセンサ１４の他に、主走査方向に直線状に配列された複数の発光ダイオードなどで構成される光源３６、光源３６から発光されて原稿Ｇで反射された反射光をイメージセンサ１４の各受光素子３２に結像させるロッドレンズアレイ３８を含む。筺体４０は、筺体部の一例である。
【００２５】
ＣＩＳ１２では、光源３６から発光された光が開口部４０Ａに向けて照射されており、開口部４０Ａの上方を原稿Ｇが通過すると、開口部４０Ａを通過した光が原稿Ｇで反射され、再度開口部４０Ａを通過した光Ｌ１が基板１８の表面１８Ａ側に照射される。基板１８の表面１８Ａ側に載置された受光素子３２は、原稿Ｇによって反射された光Ｌ１を受光し、メイン基板１６から入力される制御信号に基づいて、受光した光量に応じた受光信号を出力する。
【００２６】
（イメージセンサの構造）
図３に、イメージセンサ１４の概略的な斜視図を示し、図４に主走査方向に直交する断面IVにおける断面図を示す。なお、図３、４では、他の構成の説明のため、筺体４０の記載を省略する。以下の説明では、主走査方向をＸ方向、基板１８面内のＸ方向と直交する方向をＹ方向、基板１８の面方向をＺ方向として説明を行う。
【００２７】
図４に示すように、本実施形態のイメージセンサ１４では、基板１８の表裏面１８Ａ、１８Ｂに金属層４４、４６が形成された両面基板が用いられる。すなわち、基板１８は、透光性を有するポリイミド樹脂層４２の表面に銅からなる金属層４４及び絶縁層４５がこの順に積層形成され、ポリイミド樹脂層４２の裏面に銅からなる金属層４６及び絶縁層４７がこの順に積層形成されている。金属層４４、４６は、配線層の一例であり、ポリイミド樹脂層４２は、絶縁層の一例である。
【００２８】
本実施形態のイメージセンサ１４では、金属層４４、４６を用いて配線５０が設けられており、受光素子３２とコネクタ３４とは、配線５０及び金線４８によるワイヤボンディングにより接続されている。図３では、実線を用いて金属層４４に設けられた配線５０を示し、点線を用いて金属層４６に設けられた配線５０を示す。配線５０は、接続部の一例である。
【００２９】
配線５０には、制御信号を伝達するための入力ライン５２、受光信号を伝達するための出力ライン５４、電源電圧及び接地電圧を伝達するための電力ライン５６が含まれる。電力ライン５６は、各電圧毎に複数本設けられており、入力ライン５２は、複数の制御信号に対応して複数本設けられている。図３では、電力ライン５６を入力ライン５２及び出力ライン５４に比べて太い線を用いて示す。
【００３０】
図５に、金属層４４、４６に設けられた配線５０の概略的な斜視図を示す。図５では、金属層４６に入力ライン５２が設けられた例を示す。入力ライン５２は、金属層４６のパターンとして設けられ、入力ライン５２の周囲は、入力ライン５２を他の配線５０、または電源電圧や接地電圧が接続されるベタパターンなどと絶縁するために絶縁パターン５８によって遮蔽される。
【００３１】
ここで、絶縁パターン５８とは、エッチング等によって金属層４６が除去されたパターンを意味し、同じく透光性を有する絶縁層４７が金属層４６が除去されて露出したポリイミド樹脂層４２に塗布された構造を有する。そのため、金属層４６に入力ライン５２が設けられ、基板１８の裏面１８Ｂ側から外光Ｌ２が照射されると、絶縁パターン５８を介して基板１８内に外光Ｌ２が入射される。更に、金属層４６に他の配線５０が設けられると、絶縁パターン５８を介して基板１８内に入射された外光Ｌ２が基板１８の表面１８Ａ側に出照される。そして、外光Ｌ２が基板１８の表面１８Ａ側に照射されると、受光素子３２が出力する受光信号に外光Ｌ２の影響が及ぶ虞がある。
【００３２】
本実施形態のイメージセンサ１４では、図３、４に示すように、複数の入力ライン５２及び出力ライン５４のうち、ＴＧを伝達する入力ライン５２及び出力ライン５４は、受光素子３２の直下の領域を通らずに配置されているものの、ＣＬＫを伝達する入力ライン５２は、基板１８のサイズ制限により、金属層４６の受光素子３２の直下の領域を通って配置されている。そのため、ＣＬＫを伝達する入力ライン５２を遮蔽する絶縁パターン５８を介して基板１８内に外光Ｌ２が入射される。
【００３３】
その一方、本実施形態のイメージセンサ１４では、図４に示すように、金属層４４の受光素子３２の直下の領域を含む範囲Ｒにパターン６０が形成されており、範囲Ｒにおいて金属層４６が除去されずに存在している。詳細には、パターン６０は、接地電圧を伝達するための電力ライン５６の一部であり、接地電圧を伝達するための電力ライン５６は、金属層４４の受光素子３２の直下の領域をＸ軸方向に受光素子３２が載置されている範囲に亘って配置されている。範囲Ｒは、所定領域の一例であり、パターン６０は、遮光性パターンの一例である。
【００３４】
基板１８に設けられる金属層４６は、所定の導電性を保障するために、基準値以上の厚みを有しており、遮光性を有する。つまり、パターン６０は、遮光性パターンということもできる。そのため、本実施形態のイメージセンサ１４では、範囲Ｒにおいて、基板１８内に入射された外光Ｌ２が、基板１８の表面１８Ａ側に照射されることが防止され、外光Ｌ２が範囲Ｒの基板１８の表面１８Ａ側に照射されることが抑制される。
【００３５】
３．本実施形態の効果
（１）本実施形態のイメージセンサ１４では、金属層４４の受光素子３２の直下の領域を全て含む範囲Ｒに遮光性を有するパターン６０が設けられる。そのため、金属層４６の受光素子３２の直下の領域を通る入力ライン５２が設けられることで、範囲Ｒにおいて基板１８の裏面１８Ｂ側から外光Ｌ２が入射された場合でも、パターン６０によって範囲Ｒの基板１８の表面１８Ａ側に外光Ｌ２が照射されることが抑制される。これによって、範囲Ｒの基板１８の表面１８Ａ側に載置された受光素子３２が外光Ｌ２を受光することが抑制され、受光素子３２が出力する受光信号に外光Ｌ２の影響が及ぶことを抑制することができる。
【００３６】
（２）本実施形態のイメージセンサ１４では、基板１８が従来から有している金属層４４を用いて外光Ｌ２を遮光するパターン６０を設けている。そのため、従来技術のように、遮光するための部材を基板と別体で設ける必要がなく、イメージセンサ１４が大型化してしまうことを抑制することができるとともに、イメージセンサ１４のコストが上昇してしまうことを抑制することができる。
【００３７】
（３）本実施形態のイメージセンサ１４では、範囲Ｒに亘るパターン６０が基板１８の表面１８Ａ側に形成された金属層４４に設けられるので、図４に点線で示すように、範囲Ｒ以外の領域から基板１８内に入射された外光Ｌ２が、基板１８内において範囲Ｒに伝達された場合でも、外光Ｌ２が受光素子３２へと照射されることを抑制することができる。
【００３８】
（４）本実施形態のイメージセンサ１４では、パターン６０を接地電圧を伝達するための電力ライン５６として用いており、当該電力ライン５６をパターン６０とは別に設ける場合に比べて、基板１８を小型化することができる。また、パターン６０に接地電圧を印加しておくことで、パターン６０に時間の経過に従って電圧値が変動する制御信号や受光信号が入力される場合に比べて、受光素子３２が直下の領域に設けられたパターン６０の電圧の変化の影響を受けることが抑制される。
【００３９】
（５）本実施形態のイメージセンサ１４では、基板１８として両面基板を用い、金属層４４にパターン６０を形成することで、基板１８の裏面１８Ｂ側から入射される外光Ｌ２の遮光対策を行いながら、もう一方の金属層４６の受光素子３２の直下の領域にＣＬＫを伝達する入力ライン５２を設ける。そのため、受光素子３２の直下の領域に入力ライン５２及び出力ライン５４を全く設けない場合に比べて、基板１８を小型化することができる。
【００４０】
（６）本実施形態のイメージセンサ１４では、筺体４０によって基板１８の側面１８Ｃ側から外光Ｌ２が基板１８内に入射されることが抑制される。また、筺体４０に開口部４０Ａを設けることで、光源３６から発光される光が原稿Ｇに照射され、原稿Ｇによって反射された光Ｌ１が受光素子３２によって受光することができる。
【００４１】
＜実施形態２＞
実施形態２を、図６を参照しつつ説明する。本実施形態のイメージセンサ１４は、図６に示すように、基板１８として多層基板が用いられる点で、両面基板が用いられる実施形態１と異なる。以下の説明では、実施形態１と同一の内容については重複した記載を省略する。
【００４２】
１．基板の構成
図６に示すように、本実施形態のイメージセンサ１４では、基板１８の表裏面１８Ａ、１８Ｂに金属層４４、４６が形成されているとともに、更に、金属層４４、４６の間である基板１８の内部に２つの金属層７０、７２が形成されている。そして、金属層４４、４６、７０、７２の間に、透光性を有するポリイミド樹脂層４２が形成されている。つまり、基板１８では、金属層とポリイミド樹脂層４２が交互に積層されて形成されている。
【００４３】
本実施形態のイメージセンサ１４では、複数の入力ライン５２及び出力ライン５４のうち、ＴＧを伝達する入力ライン５２及び出力ライン５４は、受光素子３２の直下の領域を通らずに配置されており、ＣＬＫを伝達する入力ライン５２は、導電性のビア７４を介して接続される金属層７０及び金属層４６の受光素子３２の直下の領域を通って配置されている。そのため、ＣＬＫを伝達する入力ライン５２を遮蔽する絶縁パターン５８を介して基板１８内に外光Ｌ２が入射される。
【００４４】
その一方、本実施形態のイメージセンサ１４では、図６に示すように、金属層４４の受光素子３２の直下の領域を含む範囲Ｒに遮光性を有するパターン６０が形成されている。そのため、本実施形態のイメージセンサ１４では、範囲Ｒにおいて、基板１８内に入射された外光Ｌ２が、基板１８の表面１８Ａ側に照射されることが防止され、外光Ｌ２が範囲Ｒの基板１８の表面１８Ａ側に照射されることが抑制される。
【００４５】
２．本実施形態の効果
本実施形態のイメージセンサ１４では、金属層４４の受光素子３２の直下の領域を全て含む範囲Ｒに遮光性を有するパターン６０が設けられる。そのため、金属層４６、７０の受光素子３２の直下の領域を通る入力ライン５２が設けられることで、範囲Ｒにおいて基板１８の裏面１８Ｂ側から外光Ｌ２が入射された場合でも、パターン６０によって範囲Ｒの基板１８の表面１８Ａ側に外光Ｌ２が照射されることが抑制される。これによって、基板１８の表面１８Ａ側に載置された受光素子３２が外光Ｌ２を受光することが抑制され、受光素子３２が出力する受光信号に外光Ｌ２の影響が及ぶことを抑制することができる。
【００４６】
＜他の実施形態＞
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような種々の態様も本発明の技術的範囲に含まれる。
（１）上記実施形態では、スキャナ１０が１つのＡＳＩＣ２０によって制御される例を用いて示したが、本発明はこれに限られない。例えば、お互いに異なるＣＰＵ、ＡＳＩＣなどによって各種処理が分担されていても良い。
【００４７】
（２）上記実施形態では、複数の入力ライン５２及び出力ライン５４のうち、ＣＬＫを伝達する入力ライン５２のみが金属層４４以外の金属層の受光素子３２の直下の領域を通って配置される例を用いて説明を行ったが、複数の入力ライン５２の両方が金属層４４以外の金属層の受光素子３２の直下の領域を通って配置されてもよければ、複数の入力ライン５２及び出力ライン５４の全てが金属層４４以外の金属層の受光素子３２の直下の領域を通って配置されてもよい。更には、電力ライン５６が金属層４４以外の金属層の受光素子３２の直下の領域を通って配置されてもよい。
【００４８】
（３）上記実施形態では、金属層４４にパターン６０が形成される例を用いて説明を行ったが、これに限られない。金属層４６に形成されてもよければ、金属層７０、７２に形成されてもよい。金属層４４以外の金属層にパターン６０が設けられた場合には、金属層４４の受光素子３２の直下の領域を通って入力ライン５２及び出力ライン５４が設けられてもよい。
【００４９】
（４）上記実施形態では、パターン６０が接地電圧を伝達するための電力ライン５６の一部である例を用いて説明をおこなったが、電源電圧を伝達するための電力ライン５６の一部であってもよい。
【符号の説明】
【００５０】
１０：スキャナ、１４：イメージセンサ、１８：基板、３２：受光素子、３４：コネクタ、４０：筺体、４０Ａ：開口部、４２：ポリイミド樹脂層、４４、４６、７０、７２：金属層、５０：配線、５２：入力ライン、５４：出力ライン、５６：電力ライン、５８：絶縁パターン、６０：パターン、Ｌ１：原稿で反射された光、Ｌ２：外光、Ｒ：範囲
【図１】
0005874417.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
0005874417.tif 000007