(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホットワイヤ化学気相堆積（ＨＷＣＶＤ）ツールを操作する方法であって、
ＨＷＣＶＤツールのプロセスチャンバ内に配置されたタンタルフィラメントを包み込むのに十分な水素ガス（Ｈ２）を、前記プロセスチャンバから残留酸素の除去を促進するように選択された第１の期間、供給して前記タンタルフィラメントを事前調整することと、
前記第１の期間の後に、前記タンタルフィラメントに電流を流して、前記タンタルフィラメントの温度を、続いてＣＶＤ堆積プロセスが行われる温度である第１の温度に上昇させることと
を含む方法。
【請求項２】
前記水素ガスを供給することが、水素ガスおよび不活性キャリアガスを供給することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ホットワイヤ化学気相堆積（ＨＷＣＶＤ）ツールを操作する方法であって、
ＨＷＣＶＤツールのプロセスチャンバ内に配置されたタンタルフィラメントを、前記タンタルフィラメントを包み込むのに十分な水素ガス（Ｈ２）含有雰囲気中で、前記プロセスチャンバから残留酸素の除去をするように選択された第１の期間、事前調整することと、
前記タンタルフィラメントを事前調整した後に、前記タンタルフィラメントに電流を流して、前記タンタルフィラメントの温度を、続いてＣＶＤ堆積プロセスが行われる温度である第１の温度に上昇させることと、
前記タンタルフィラメントが前記第１の温度となった後に、プロセスチャンバにプロセスガスを供給することと、
前記プロセスガスから分解した種を使用して、基板上に材料を堆積させることと
を含む方法。
【請求項４】
前記水素ガス（Ｈ２）含有雰囲気中で前記タンタルフィラメントを事前調整することが、水素ガスおよび不活性キャリアガスを供給することを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記不活性キャリアガスが、窒素、アルゴンまたはヘリウムのうちの少なくとも１つを含む、請求項２または４に記載の方法。
【請求項６】
前記プロセスガスを供給することが、前記水素ガス（Ｈ２）含有雰囲気を維持するために供給される水素ガス流を停止することをさらに含む、請求項３または４に記載の方法。
【請求項７】
前記プロセスガスが、シラン（ＳｉＨ４）、水素（Ｈ２）、ホスフィン（ＰＨ３）またはジボラン（Ｂ２Ｈ６）のうちの１つを含む、請求項３、４または６に記載の方法。
【請求項８】
前記基板への材料の堆積の完了後、前記タンタルフィラメントへの電流の流れを停止することと、
続いて、水素ガス（Ｈ２）含有雰囲気中で前記タンタルフィラメントを事前調整することと、
前記タンタルフィラメントを事前調整した後に、前記タンタルフィラメントに電流を流して、前記タンタルフィラメントの温度を第２の温度に上昇させることと、
前記タンタルフィラメントが第２の温度となった後に、前記プロセスチャンバに第２のプロセスガスを供給することと、
前記第２のプロセスガスから分解した種を使用して、材料の堆積の完了した前記基板を交換したものである第２の基板上に材料を堆積させることと
をさらに含む、請求項３、４、６または７に記載の方法。
【請求項９】
前記タンタルフィラメントを前記第一の温度に維持しながら、前記チャンバ内の基板を第２の基板と交換することと、
前記第２の基板が設置された後に、前記プロセスチャンバに第２のプロセスガスを供給することと、
前記第２のプロセスガスから分解した種を使用して、前記第２の基板上に材料を堆積させることと
をさらに含む、請求項３、４または６ないし８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１の温度が、１５００℃から２４００℃である、請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記プロセスチャンバ内の圧力が、１ミリトールに維持される、請求項１から１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１の期間が、５秒から１８００秒の範囲である、請求項１から１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
実行されると、ＨＷＣＶＤツール内で、請求項１から１２に記載の方法のいずれか一項を含む方法が行われるようにする命令が格納されたコンピュータ可読媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、概して、ホットワイヤ化学気相堆積（ＨＷＣＶＤ）プロセスを使用して基板上に材料を堆積させるための方法、より具体的には、そのようなプロセスにおいて使用されるフィラメントの寿命を向上させるための方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＨＷＣＶＤプロセスにおいては、所望の材料が堆積される基板に近接したプロセスチャンバ内で、一又は複数の前駆体ガスが高温で熱分解される。熱分解反応は、プロセスチャンバ内で、プロセスチャンバ内に支持される１つまたは複数のワイヤまたはフィラメントにより促進され、プロセスチャンバは、例えばフィラメントに電流を通電することにより、所望の温度に加熱され得る。
【０００３】
異なるフィラメント材料を使用すると、堆積フィルムの品質に影響することがある。例えば、ＨＷＣＶＤ用途においてタンタルフィラメントを使用すると、タングステンフィラメントを使用した場合と比較して、より良好な品質の堆積フィルムを得ることができる。しかし、残念ながら、本発明者らは、タンタルフィラメントが、ある特定の操作状況下において、より酸化されやすくなり得ることを見出した。これは、望ましくないことに、フィラメントを流れる電流の低下およびフィラメント温度の低下、そして最終的にはフィラメントの破損をもたらすことがある。本発明者らは、さらに、タンタルフィラメントの斯かる性能の低下および破損が急速に生じることも見出した。このように、タンタルフィラメントは、長期間使用することができない。
【０００４】
したがって、本発明者らは、ＨＷＣＶＤプロセスを使用してフィルムを堆積させるための改善された方法を提供した。
【発明の概要】
【０００５】
本明細書においては、ホットワイヤ化学気相堆積（ＨＷＣＶＤ）プロセスを使用してフィルムを堆積させるための方法が提供される。いくつかの実施形態において、ＨＷＣＶＤツールを操作する方法は、ＨＷＣＶＤツールのプロセスチャンバ内に配置されたフィラメントに、第１の期間、水素ガス（Ｈ２）を供給することと、第１の期間の後に、フィラメントに電流を流して、フィラメントの温度を第１の温度に上昇させることとを含んでもよい。
【０００６】
いくつかの実施形態において、ＨＷＣＶＤツールを操作する方法は、水素ガス（Ｈ２）含有雰囲気中で、ＨＷＣＶＤツールのプロセスチャンバ内に配置されたフィラメントを事前調整することと、フィラメントを事前調整した後に、フィラメントに電流を流して、フィラメントの温度を第１の温度に上昇させることと、フィラメントが第１の温度となった後に、プロセスチャンバにプロセスガスを供給することと、プロセスガスから分解した種を使用して、基板上に材料を堆積させることとを含んでもよい。
【０００７】
いくつかの実施形態において、本発明は、実行されると、ＨＷＣＶＤツール内で、本明細書に開示される実施形態のいずれかを含んでもよい方法が行われるようにする命令が格納されたコンピュータ可読媒体として具現化されてもよい。
【０００８】
本発明の他のおよび別の実施形態について、以下に説明する。
【０００９】
以上で簡潔に要約され、以下でより詳細に説明される本発明の実施形態は、添付の図面に示される本発明の例示的実施形態を参照することにより理解することができる。しかしながら、本発明は他の同等に効果的な実施形態を許容し得るため、添付の図面は、本発明の典型的実施形態のみを例示するものであり、したがって本発明の範囲を制限するものと解釈されるべきではないことに留意されたい。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明のいくつかの実施形態によるホットワイヤ化学気相堆積（ＨＷＣＶＤ）ツールを操作する方法のフローチャートである。
【図２】本発明のいくつかの実施形態によるＨＷＣＶＤツールを操作する方法のフローチャートである。
【図３】本発明のいくつかの実施形態によるＨＷＣＶＤプロセスチャンバの概略側面図である。
【図４】経時的に様々な雰囲気中で加熱されるタンタルフィラメントの温度を比較したグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
理解を容易とするために、可能な場合は、複数の図に共通する同一要素を指し示すために、同一の参照番号を使用している。図は縮尺通りに描かれておらず、明確にするために単純化されている場合がある。一実施形態の要素および特徴は、さらなる列挙がなくても、他の実施形態に有利となるように組み込むことができることが意図されている。
【００１２】
本発明の実施形態は、ホットワイヤ化学気相堆積（ＨＷＣＶＤ）プロセスにおけるタンタルフィラメントの急速な酸化を、有利に排除または低減することができ、それによりフィラメントの寿命を大幅に向上させ、ＨＷＣＶＤプロセスにおけるタンタルフィラメントの長期的使用を促進する、ＨＷＣＶＤプロセス技術を提供する。したがって、本発明の実施形態は、タングステンフィラメントを使用した場合と比較して改善されたフィルム品質、フィラメントの寿命の延長、より長い機器稼働時間、より高い収率、およびより高いスループットという利益のうちの１つまたは複数を提供し得る。
【００１３】
本発明者らは、１５００〜２０００℃の温度範囲および約１０ｍＴｏｒｒを超える圧力下（例えば、シリコンフィルムの堆積等のある特定の用途における典型的なＨＷＣＶＤ操作条件）で新しいタンタルフィラメントを点灯している間、フィラメントの白熱の減退を伴うフィラメント温度の急速な経時的低下が起きることを見出した。本発明者らは、温度の低下は、タンタルフィラメントの酸化に起因するものと考えている。しかしながら、本発明者らは、水素（Ｈ２）ガスの存在下（例えば水素雰囲気中）で新しいタンタルフィラメントを点灯すると、フィラメント酸化の速度（フィラメント温度により測定される）が遅くなることを発見した。本発明者らは、以下でより詳細に説明するように、この技術の実施形態を組み込んだ、ＨＷＣＶＤツールを操作する方法を開発した。
【００１４】
図１は、本発明のいくつかの実施形態によるＨＷＣＶＤツールを操作する方法１００のフローチャートを示す。概して、方法は１０２から開始し、１０２においては、ＨＷＣＶＤツールのプロセスチャンバ内に配置された１つのフィラメント（または複数のフィラメント）に、第１の期間、水素（Ｈ２）ガスが供給される。水素（Ｈ２）ガスは、単独で供給されてもよく、または、窒素、ヘリウム、アルゴン等の不活性キャリアガスと共に供給されてもよい。水素（Ｈ２）ガスの流量は、ＨＷＣＶＤチャンバ内のフィラメントを包み込む、または覆うのに十分であってもよい。したがって、具体的な流量は、チャンバのサイズならびにフィラメントの表面積（例えばフィラメントの長さおよび数）に依存して変動する。例えば、いくつかの実施形態において、水素（Ｈ２）ガスは、約１０ｓｃｃｍから約５００ｓｃｃｍの流量で供給されてもよい。キャリアガスと共に供給される場合、キャリアガス中の水素（Ｈ２）ガスの濃度は、約５体積パーセントから約８０体積パーセントであってもよい。いくつかの実施形態において、第１の期間は、リアクタからの残留酸素の除去を促進するように選択されてもよい。いくつかの実施形態において、第１の期間は、チャンバ内のガスとフィラメントとの間の酸化等の不要な反応を防止するために、水素がフィラメントを完全に覆う、または包み込むのを可能にするように選択されてもよい。いくつかの実施形態において、第１の期間は、約５秒から約１８００秒の範囲であってもよい。
【００１５】
次に、１０４において、第１の期間後に、フィラメントに電流を流して、フィラメントの温度を第１の温度に上昇させることができる。電流は、電源からフィラメントに供給されてもよい。供給される電流の量は、フィラメントの温度を第１の温度に上昇させるように選択されてもよい。いくつかの実施形態において、第１の温度は、続いて堆積プロセスが行われる温度であってもよい。いくつかの実施形態において、第１の温度は、堆積プロセスが行われる温度を超える温度または下回る温度であってもよい。いくつかの実施形態において、温度は、約１５００℃から約２４００℃の間であってもよい（ただし他の温度が使用されてもよい）。第２の期間は、フィラメントが第１の温度に達するのを可能にするように選択されてもよい。いくつかの実施形態において、第２の期間は、フィラメントの周囲に水素ラジカルの覆いが形成されるのを促進するように選択されてもよい。いくつかの実施形態において、第２の期間は、約５秒から約１８００秒の範囲であってもよい。
【００１６】
第２の期間の完了後、概して、方法１００は終了する。いくつかの実施形態において、方法１００またはその一部は、堆積プロセスの前の事前調整ステップとして使用されてもよい。例えば、いくつかの実施形態において、上述のようにフィラメントを調整した後に、フィラメントに電流を供給し続けて第１の温度を維持してもよく、チャンバにプロセスガスを供給して基板上に材料を堆積させてもよい。基板を連続的に処理する場合、最初に調整プロセスが行われてもよく、いくつかの実施形態においてはプロセスガスを継続的に流しながら、多くの基板をチャンバに送り、連続した基板上に材料を継続して堆積させてもよい。いくつかの実施形態において、最後の基板が処理された後に、プロセスガスを止めてもよく、また電流が止められてもよい。
【００１７】
例えば、図２は、本発明のいくつかの実施形態によるＨＷＣＶＤツールを操作する方法２００のフローチャートを示す。方法２００は、概して、２０２から開始し、２０２においては、ＨＷＣＶＤツール内に配置された１つのフィラメントまたは複数のフィラメントが事前調整され得る。フィラメントは、水素ガス（Ｈ２）含有雰囲気中で事前調整されてもよい。いくつかの実施形態において、フィラメントは、上述した方法１００の実施形態に従い事前調整されてもよい。いくつかの実施形態において、フィラメントは、１０２に関して上述した方法１００の実施形態に従い事前調整されてもよい。
【００１８】
次に、２０４において、フィラメントを事前調整した後に、フィラメントに電流を流して、フィラメントの温度を第１の温度に上昇させることができる。いくつかの実施形態において、水素含有ガスを供給し続けながら、フィラメントに電流を供給して、フィラメントの温度を第１の温度に上昇させてもよい。いくつかの実施形態において、電流は、１０４に関して上述した方法１００の実施形態に従い、フィラメントに流されてもよい。
【００１９】
次に、２０６において、フィラメントが第１の温度となった後に、ＨＷＣＶＤツールにプロセスガスを供給することができる。いくつかの実施形態において、水素含有ガス流は、プロセスガスをＨＷＣＶＤツールに供給する際に停止させてもよい。プロセスガスは、堆積プロセスにおいて使用される任意の好適なプロセスガスを含んでもよい。いくつかの実施形態において、プロセスガスは、分解したプロセスガスからの種が下に設置されている基板上に堆積され得るような、加熱されたフィラメントに暴露されると熱分解し得るガスを含んでもよい。例えば、微結晶シリコンまたはアモルファスシリコン等のシリコン含有フィルムを堆積させる場合、プロセスガスは、シラン（ＳｉＨ４）、水素（Ｈ２）、ホスフィン（ＰＨ３）、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）等のうちの一又は複数を含んでもよい。
【００２０】
次に、２０８において、プロセスガスから分解した種を使用して、基板上に材料を堆積させることができる。上述のように、基板上に堆積された材料は、概して、プロセスガスからの種を含む。いくつかの実施形態において、基板上に堆積された材料は、シリコンを含んでもよいが、他の材料も企図される。２０８における材料の堆積の完了後、概して、方法２００は終了し、基板は、所望によりさらに処理されてもよい。
【００２１】
いくつかの実施形態において、方法２００は、同じ基板上またはＨＷＣＶＤツールに設置された第２の基板上に材料を堆積させるために、所望により反復されてもよい。例えば、いくつかの実施形態において、２０８において基板上に材料が堆積された後、フィラメントを第１の温度に維持しながら、チャンバ内の基板が第２の基板と交換されてもよい。第２の基板が設置された後に、プロセスチャンバに第２のプロセスガスが供給されてもよい。第２のプロセスガスは、第１のプロセスガスと同じであってもよく（例えば、同じ材料が堆積される場合）、または、第２のプロセスガスは、第１のプロセスガスとは異なっていてもよい（例えば、第２の基板上に異なる材料が堆積される場合）。次いで、第２のプロセスガスから分解した種を使用して、第２の基板上に材料を堆積させてもよい。
【００２２】
その代わりに、または組合せて、基板への材料の堆積の完了後、フィラメントへの電流の流れを停止させてもよい。例えば、基板への材料の堆積の完了後、ツールは、例えば、ロットの終了、シフトの終了、１日の終了、週の始め、メンテナンス期間、またはツールをオフにすべき他の任意の時間に達した後に、停止させてもよい。ツールが再び始動される場合、続いてフィラメントが水素ガス（Ｈ２）含有雰囲気中で事前調整されてもよい。フィラメントを事前調整した後に、フィラメントに電流を流して、フィラメントの温度を第２の温度に上昇させてもよい。フィラメントが第２の温度となった後に、プロセスチャンバに第２のプロセスガスが供給されてもよい。上述のように、第２のプロセスガスは、第１のプロセスガスと同じでもまたは異なっていてもよい。第２のプロセスガスから分解した種を使用して、第２の基板上に材料を堆積させてもよい。
【００２３】
図４は定電力試験をまとめたグラフ４００を示し、この試験においては、新しいタンタルフィラメントがＨＷＣＶＤチャンバ内に設置され、いかなる水素（Ｈ２）ガスもなしに約１７００℃の温度まで点灯（例えば加熱）された。フィラメント温度は急速に減少し、フィラメントは約３８分で破損した。新しいタンタルフィラメントを設置し、水素（Ｈ２）により約３０ｓｃｃｍで約５分間、チャンバをフラッシングした。チャンバのフラッシング後、フィラメントを点灯した。この実験中、フィラメント温度は徐々に減少した。しかしながら、６０分後でもフィラメントは破損しなかった。フィラメント温度は、約３０分で約１７００℃の初期温度から約１６６０℃まで降下した。約６０分後、フィラメント温度は約１６３９℃に低下した。再び同じフィラメントをさらにより高い水素（Ｈ２）ガス流（約６０ｓｃｃｍ）中で加熱した。より高い水素（Ｈ２）流では、フィラメント温度は、６０分にわたり、初期の約１６２４℃から約１６０９℃まで、より緩やかに降下した。この場合も、フィラメントは破損しなかった。１２０ｓｃｃｍの水素（Ｈ２）ガス流で３０分間もう一度試験を行ったが、フィラメントは破損せず、温度降下は、試験の経過中わずか約４℃であった。
【００２４】
図３は、本発明の実施形態に従って使用するのに好適なＨＷＣＶＤプロセスチャンバ３００の概略側面図である。プロセスチャンバ３００は、概して、内部処理空間３０４を有するチャンバ本体３０２を備える。複数のフィラメントまたはワイヤ３１０が、チャンバ本体３０２内（例えば、内部処理空間３０４内）に配置される。複数のワイヤ３１０はまた、内部処理空間３０４を前後に横断するように配設される単一のワイヤであってもよい。複数のワイヤ３１０は、ＨＷＣＶＤ源を備える。ワイヤ３１０は、典型的には、タングステンで作製されるが、タンタルまたはイリジウムもまた使用され得る。各ワイヤ３１０は、高温に加熱された際にワイヤの張りを維持するために、およびワイヤに電気接点を提供するために、支持体構造（図示せず）により適所にクランプされる。電流を供給してワイヤ３１０を加熱するために、電源３１２がワイヤ３１０に連結される。基板３３０は、ＨＷＣＶＤ源（例えばワイヤ３１０）の下、例えば基板支持体３２８上に配置されてもよい。基板支持体３２８は、静的堆積の場合、固定されていてもよく、または、動的堆積の場合、基板３３０がＨＷＣＶＤ源の下を通過するに伴って（矢印３０５により示されるように）移動してもよい。
【００２５】
チャンバ本体３０２は、さらに、一又は複数のプロセスガスを供給するための１つまたは複数のガス注入口（１つのガス注入口３３２が示されている）と、プロセスチャンバ３００内の好適な動作圧力を維持するための、ならびに余分なプロセスガスおよび／またはプロセス副生成物を取り除くための真空ポンプへの１つまたは複数の排出口（２つの排出口３３４が示されている）とを含む。ガス注入口３３２は、ガスを均一に分配するためのシャワーヘッド３３３（図示）もしくは他の好適なガス分配要素内に、または、所望によりワイヤ３１０上に流通してもよい。
【００２６】
いくつかの実施形態において、チャンバ本体３０２の内部表面上の不要な堆積を最小限化するために、１つまたは複数のシールド３２０が配置されてもよい。その代わりに、または組合せて、洗浄をより容易とするために、１つまたは複数のチャンバライナ３２２を使用することができる。シールドおよびライナの使用は、温室効果ガスＮＦ３等の望ましくない洗浄ガスの使用を回避または低減することができる。シールド３２０およびチャンバライナ３２２は、概して、チャンバ内を流れるプロセスガスに起因する堆積材料の望ましくない集積からチャンバ本体の内部表面を保護する。シールド３２０およびチャンバライナ３２２は、取外し可能、交換可能および／または洗浄可能であってもよい。シールド３２０およびチャンバライナ３２２は、これに限定されるものではないが、ワイヤ３１０の周囲およびコーティング区画の全ての壁上等の、チャンバ本体のコーティングされ得るあらゆる領域を覆うように構成されてもよい。典型的には、シールド３２０およびチャンバライナ３２２は、アルミニウム（Ａｌ）から製造されてもよく、（堆積材料の剥離を防止するために）堆積材料の接着を向上させるように粗面化された表面を有してもよい。シールド３２０およびチャンバライナ３２２は、ＨＷＣＶＤ源の周囲等のプロセスチャンバの所望の領域に、好適な様式で設けられてもよい。いくつかの実施形態において、源、シールドおよびライナは、堆積チャンバの上部を開くことにより、メンテナンスおよび洗浄のために取り外されてもよい。例えば、いくつかの実施形態において、堆積チャンバの蓋または天井は、蓋を支持し堆積チャンバの本体に蓋を固定するための表面を提供するフランジ３３８に沿って、堆積チャンバの本体に連結されてもよい。
【００２７】
コントローラ３０６をプロセスチャンバ３００の様々な構成要素に連結して、それらの動作を制御してもよい。コントローラは、プロセスチャンバ３００に連結されることが概略的に示されているが、本明細書に開示される方法に従ってＨＷＣＶＤ堆積プロセスを制御するために、コントローラにより制御され得る任意の構成要素、例えば、電源３１２、注入口３２２に連結されたガス供給源（図示せず）、排出口３３４に結合された真空ポンプおよび／または絞り弁（図示せず）、基板支持体３２８等に動作可能に接続されてもよい。コントローラ３０６は、概して、中央処理装置（ＣＰＵ）３０８、メモリ３１３、およびＣＰＵ３０８の支援回路３１１を備える。コントローラ３０６は、ＨＷＣＶＤプロセスチャンバ３００を、直接制御してもよく、または、特定の支援システム構成要素に付随させた他のコンピュータもしくはコントローラ（図示せず）を介して制御してもよい。コントローラ３０６は、様々なチャンバおよびサブプロセッサを制御するために工業環境において使用することができる、任意の形態の汎用コンピュータプロセッサの１つであってもよい。ＣＰＵ３０８のメモリまたはコンピュータ可読媒体３１３は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、読出し専用メモリ（ＲＯＭ）、フロッピー（登録商標）ディスク、ハードディスク、フラッシュ、または任意の他の形態のローカルもしくは遠隔のデジタルストレージ等の、容易に入手可能なメモリのうちの一又は複数であってもよい。支援回路３１１は、従来の様式でプロセッサを支援するためにＣＰＵ３０８に連結されている。これらの回路は、キャッシュ、電源、クロック回路、入力／出力回路およびサブシステム等を含む。本明細書に記載の本発明の方法は、コントローラを、本明細書に記載の様式でプロセスチャンバ３００の動作を制御する特定用途のコントローラに転換するために実行または呼び出され得るソフトウェアルーチン３１４として、メモリ３１３に格納されてもよい。ソフトウェアルーチンはまた、ＣＰＵ３０８により制御されるハードウェアから遠隔に位置する第２のＣＰＵ（図示せず）により、格納および／または実行されてもよい。
【００２８】
以上に述べたように、本明細書において、ＨＷＣＶＤプロセスにおけるタンタルフィラメントの寿命を延長するための方法が提供された。本明細書に開示される本発明の方法の実施形態は、タングステンフィラメントを使用した場合と比較して改善されたフィルム品質、フィラメントの寿命の延長、より長い機器稼働時間、より高い収率、およびより高いスループットという利益のうちの１つまたは複数を提供し得る。
【００２９】
上述の事項は、本発明の実施形態に関するが、本発明の基本的範囲から逸脱せずに、本発明の他のおよび別の実施形態が考案され得る。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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