(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｔｉを５質量％以上２０質量％以下の範囲内、Ｆｅを２５質量ｐｐｍ以上１００質量ｐｐｍ以下の範囲内で含有し、残部がＷ及び不可避不純物からなる組成を有するＷ−Ｔｉスパッタリングターゲットであって、
母相となるＷ中にＦｅが拡散しており、
ターゲット面内において、ターゲット面の中心と外周部を含む５点以上の複数個所でＦｅ濃度を測定し、測定されたＦｅ濃度の最大値をＦｅmax、Ｆｅ濃度の最小値をＦｅminとした場合において、
（Ｆｅmax−Ｆｅmin）／（Ｆｅmax＋Ｆｅmin）≦０．２５
との関係式を満足することを特徴とするＷ−Ｔｉスパッタリングターゲット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体素子を実装する際に用いられるバンプと下地電極との間に、相互の元素の拡散を防止する拡散防止層としてＷ−Ｔｉ膜を成膜するためのＷ−Ｔｉスパッタリングターゲットに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体チップを基板に実装する際には、例えばＡｌ電極やＣｕ電極の上にＡｕバンプやはんだバンプ等を形成している。
ここで、例えばＡｌ電極とＡｕバンプとが直接接触させられた場合には、ＡｌとＡｕとが相互に拡散してＡｌとＡｕの金属間化合物が形成されてしまい、電気抵抗が上昇したり密着性が低下したりするおそれがあった。また、例えばＣｕ電極とはんだバンプとが直接接触させられた場合には、Ｃｕとはんだ中のＳｎとが相互に拡散してＣｕとＳｎの金属間化合物が形成されてしまい、電気抵抗が上昇したり密着性が低下したりするおそれがあった。
【０００３】
そこで、例えば特許文献１，２に開示されたＷ−Ｔｉスパッタリングターゲットを用いて、下地電極とバンプとの間に相互の元素の拡散を防止する拡散防止層として、Ｗ−Ｔｉ膜を形成している。
なお、特許文献１，２に記載されたＷ−Ｔｉスパッタリングターゲットは、それぞれ粉末焼結法によって製造されている。
【０００４】
ここで、下地電極及びバンプの間に拡散防止層としてＷ−Ｔｉ膜を成膜する際には、下地電極の全面にＷ−Ｔｉ膜を成膜した上でバンプを形成し、バンプが形成されていない領域のＷ−Ｔｉ膜をエッチングで除去していた。しかし、このＷ−Ｔｉ膜は、エッチングレートが非常に遅いため、生産効率が悪いといった問題があった。
そこで、特許文献３においては、Ｆｅを微量添加したＷ−Ｔｉスパッタリングターゲットを用いることにより、成膜されたＷ−Ｔｉ膜にＦｅを含有させ、エッチングレートを改善可能であることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第２６０６９４６号公報
【特許文献２】特開平０５−２９５５３１号公報
【特許文献３】特許第４７４７３６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、上述のように、Ｗ−Ｔｉ膜にＦｅを微量添加することにより、そのエッチングレートが改善されることになるが、Ｗ−Ｔｉ膜においてＦｅ濃度にばらつきが生じた場合には、Ｗ−Ｔｉ膜内でエッチングレートが局所的に変化してしまい、均一なエッチングを行うことができなくなるおそれがあった。
このため、Ｆｅ濃度のばらつきが小さくエッチングレートが均一なＷ−Ｔｉ膜を成膜することができるＷ−Ｔｉスパッタリングターゲットが望まれている。
【０００７】
この発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、Ｆｅ濃度のばらつきが小さくエッチングレートが均一なＷ−Ｔｉ膜を成膜することができるＷ−Ｔｉスパッタリングターゲットを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の課題を解決するために、本発明のＷ−Ｔｉスパッタリングターゲットは、Ｔｉを５質量％以上２０質量％以下の範囲内、Ｆｅを２５質量ｐｐｍ以上１００質量ｐｐｍ以下の範囲内で含有し、残部がＷ及び不可避不純物からなる組成を有するＷ−Ｔｉスパッタリングターゲットであって、母相となるＷ中にＦｅが拡散しており、ターゲット面内において、ターゲット面の中心と外周部を含む５点以上の複数個所でＦｅ濃度を測定し、測定されたＦｅ濃度の最大値をＦｅmax、Ｆｅ濃度の最小値をＦｅminとした場合において、
（Ｆｅmax−Ｆｅmin）／（Ｆｅmax＋Ｆｅmin）≦０．２５
との関係式を満足することを特徴としている。
【０００９】
このような構成とされた本発明のＷ−Ｔｉスパッタリングターゲットにおいては、Ｆｅを２５質量ｐｐｍ以上１００質量ｐｐｍ以下の範囲内で含有しているので、成膜されたＷ−Ｔｉ膜のエッチングレートを改善することができる。
そして、ターゲット面内において複数個所でＦｅ濃度を測定し、測定されたＦｅ濃度の最大値（Ｆｅmax）とＦｅ濃度の最小値（Ｆｅmin）とが上述の関係式を満足しているので、ターゲット面内でのＦｅ濃度のばらつきが抑えられていることになる。このため、Ｆｅ濃度のばらつきが小さくエッチングレートが均一なＷ−Ｔｉ膜を成膜することが可能となる。
【発明の効果】
【００１０】
以上のように、本発明によれば、Ｆｅ濃度のばらつきが小さくエッチングレートが均一なＷ−Ｔｉ膜を成膜することができるＷ−Ｔｉスパッタリングターゲットを提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の一実施形態に係るＷ−Ｔｉスパッタリングターゲットの製造方法を示すフロー図である。
【図２】ターゲット面が円形をなすＷ−Ｔｉスパッタリングターゲットのターゲット面におけるＦｅ濃度の測定位置を示す説明図である。
【図３】ターゲット面が矩形をなすＷ−Ｔｉスパッタリングターゲットのターゲット面におけるＦｅ濃度の測定位置を示す説明図である。
【図４】実施例において、基板上に成膜されたＷ−Ｔｉ膜のエッチングレートを測定した箇所を説明する説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下に、本発明の実施形態であるＷ−Ｔｉスパッタリングターゲットについて添付した図面を参照して説明する。
本実施形態に係るＷ−Ｔｉスパッタリングターゲットは、例えば液晶ドライバーＩＣをＣＯＦテープに接合するために液晶ドライバーＩＣ上に形成されたＡｕバンプとＡｌパッド部（下地電極）との間に、拡散防止層としてＷ−Ｔｉ膜をスパッタリングによって成膜する際に用いられるものである。
【００１３】
本実施形態に係るＷ−Ｔｉスパッタリングターゲットは、Ｔｉを５質量％以上２０質量％以下の範囲内、Ｆｅを２５質量ｐｐｍ以上１００質量ｐｐｍ以下の範囲内で含有し、残部がＷ及び不可避不純物からなる組成を有する。
そして、ターゲット面内において複数個所でＦｅ濃度を測定し、測定されたＦｅ濃度の最大値をＦｅmax、Ｆｅ濃度の最小値をＦｅminとした場合において、
（Ｆｅmax−Ｆｅmin）／（Ｆｅmax＋Ｆｅmin）≦０．２５
との関係式を満足している。
【００１４】
以下に、上述のように成分組成を規定した理由について説明する。
【００１５】
＜Ｔｉ：５質量％以上２０質量％以下＞
Ｗ−ＴｉスパッタリングターゲットにおけるＴｉ含有量が５質量％未満とされた場合には、成膜されたＷ−Ｔｉ膜と下地電極との密着性が低下するおそれがある。一方、Ｗ−ＴｉスパッタリングターゲットにおけるＴｉ含有量が２０質量％を超えた場合には、成膜されたＷ−Ｔｉ膜の電気抵抗が上昇してしまうとともに、成膜されたＷ−Ｔｉ膜によってバンプを構成する元素（本実施形態ではＡｕ）と下地電極を構成する元素（本実施形態ではＡｌ）との相互の拡散を十分に防止できなくなるおそれがある。
そこで、本実施形態においては、Ｗ−ＴｉスパッタリングターゲットにおけるＴｉの含有量を５質量％以上２０質量％以下の範囲内に規定している。
なお、Ｔｉの含有量の下限は、７質量％以上とすることが好ましく、９質量％以上とすることがさらに好ましい。また、Ｔｉの含有量の上限は、１５質量％以下とすることが好ましく、１３質量％以下とすることがさらに好ましい。
【００１６】
＜Ｆｅ：２５質量ｐｐｍ以上１００質量ｐｐｍ以下＞
Ｗ−ＴｉスパッタリングターゲットにおけるＦｅの含有量が２５質量ｐｐｍ未満とされた場合には、成膜されたＷ−Ｔｉ膜のエッチングレートを十分に改善することができないおそれがある。一方、Ｗ−ＴｉスパッタリングターゲットにおけるＦｅの含有量が１００質量ｐｐｍを超えた場合には、成膜されたＷ−Ｔｉ膜によってバンプを構成する元素（本実施形態ではＡｕ）と下地電極を構成する元素（本実施形態ではＡｌ）との相互の拡散を十分に防止できなくなるおそれがある。
そこで、本実施形態においては、Ｗ−ＴｉスパッタリングターゲットにおけるＦｅの含有量を２５質量ｐｐｍ以上１００質量ｐｐｍ以下の範囲内に規定している。
なお、Ｆｅの含有量の下限は、３０質量ｐｐｍ以上とすることが好ましく、３５質量ｐｐｍ以上とすることがさらに好ましい。また、Ｆｅの含有量の上限は、７５質量ｐｐｍ以下とすることが好ましく、５０質量ｐｐｍ以下とすることがさらに好ましい。
【００１７】
＜（Ｆｅmax−Ｆｅmin）／（Ｆｅmax＋Ｆｅmin）≦０．２５＞
本実施形態におけるＷ−Ｔｉスパッタリングターゲットを用いてＷ−Ｔｉ膜を成膜する場合には、Ｗ−Ｔｉスパッタリングターゲットのターゲット面の全体からそれぞれ原子がはじき飛ばされて成膜されることになる。
ここで、ターゲット面内において複数個所でＦｅ濃度を測定し、測定されたＦｅ濃度の最大値（Ｆｅmax）とＦｅ濃度の最小値（Ｆｅmin）とが上述の関係式を満足する場合には、ターゲット面内においてＦｅ濃度のばらつきが小さくされていることになる。よって、このＷ−Ｔｉスパッタリングターゲットを用いて成膜したＷ−Ｔｉ膜においても、Ｆｅ濃度のばらつきが小さくなり、エッチングレートが均一となる。
なお、（Ｆｅmax−Ｆｅmin）／（Ｆｅmax＋Ｆｅmin）は、０．２以下とすることが好ましく、０．１５以下とすることがさらに好ましい。
【００１８】
ここで、本実施形態においては、Ｗ−Ｔｉスパッタリングターゲットのターゲット面が円形をなす場合には、図２に示すように、円の中心（１）、及び、円の中心を通過するとともに互いに直交する２本の直線上の外周部分（２）、（３）、（４）、（５）の５点でＦｅ濃度を測定し、上述のＦｅ濃度の最大値（Ｆｅmax）とＦｅ濃度の最小値（Ｆｅmin）を求めている。
また、Ｗ−Ｔｉスパッタリングターゲットのターゲット面が矩形をなす場合には、図３に示すように、対角線が交差する交点（１）と、各対角線上の角部（２）、（３）、（４）、（５）の５点でＦｅ濃度を測定し、上述のＦｅ濃度の最大値（Ｆｅmax）とＦｅ濃度の最小値（Ｆｅmin）を求めている。
【００１９】
次に、本実施形態に係るＷ−Ｔｉスパッタリングターゲットを製造する一実施形態について、図１のフロー図を参照して説明する。
本実施形態に係るＷ−Ｔｉスパッタリングターゲットの製造方法は、図１に示すように、所定の配合量で配合された原料粉を混合粉砕する混合粉砕工程Ｓ０１と、混合粉砕された原料粉を加熱して焼結させる焼結工程Ｓ０２と、得られた焼結体を加工する加工工程Ｓ０３と、を備えている。
【００２０】
まず、原料粉として、Ｔｉ粉末、Ｗ粉末及びＦｅ粉末を準備する。ここで、Ｔｉ粉末としては、純度が９９．９９９質量％以上、平均粒径が１μｍ以上４０μｍ以下とされたものを用いることが好ましい。また、Ｗ粉末としては、純度が９９．９９９質量％以上、平均粒径が０．５μｍ以上２０μｍ以下とされたものを用いることが好ましい。さらに、Ｆｅ粉末としては、純度が９９．９９９質量％以上、平均粒径が７５μｍ以上１５０μｍ以下とされたものを用いることが好ましい。
【００２１】
＜混合粉砕工程Ｓ０１＞
これらの原料粉を、Ｔｉを５質量％以上２０質量％以下の範囲内、Ｆｅを２５質量ｐｐｍ以上１００質量ｐｐｍ以下の範囲内で含有し、残部がＷ及び不可避不純物からなる組成となるように秤量するとともに、この原料粉を混合粉砕する。本実施形態においては、秤量された原料粉をボールミルによって混合し、さらに超硬合金製のボールを用いて、アトライタ装置によって混合粉砕する。
この混合粉砕工程Ｓ０１により、Ｆｅ粉末は、平均粒径が１０μｍ以下になるように粉砕されることになる。
【００２２】
＜焼結工程Ｓ０２＞
次に、上述のようにして混合粉砕された原料粉（混合粉）を、真空又は不活性ガス雰囲気中又は還元雰囲気中で焼結を行う。この焼結工程Ｓ０２において、平均粒径が１０μｍ以下にまで粉砕されたＦｅ粉末は、Ｗ中に均一に拡散されることになる。
ここで、焼結工程における焼結温度は、製造するＷ−Ｔｉ合金の融点Ｔｍに応じて設定することが好ましい。
【００２３】
この焼結工程Ｓ０２において、焼結方法として、常圧焼結、ホットプレス、熱間静水圧プレスを適用することが可能である。
本実施形態では、グラファイト製モールドに原料粉（混合粉）を充填し、圧力を１０ＭＰａ以上６０ＭＰａ以下、温度を１０００℃以上１５００℃、とした真空ホットプレスによって焼結を行った。
【００２４】
＜加工工程Ｓ０３＞
焼結工程Ｓ０２で得られた焼結体に対して切削加工又は研削加工を施すことにより、所定形状のスパッタリングターゲットに加工する。
【００２５】
以上のような工程により、本実施形態であるＷ−Ｔｉスパッタリングターゲットが製造される。このＷ−Ｔｉスパッタリングターゲットは、Ｉｎをはんだとして、Ｃｕ又はＳＵＳ（ステンレス）又はその他の金属（例えばＭｏ）からなるバッキングプレートにボンディングして使用される。
【００２６】
以上のような構成とされた本実施形態であるＷ−Ｔｉスパッタリングターゲットによれば、Ｆｅを２５質量ｐｐｍ以上１００質量ｐｐｍ以下の範囲内で含有しているので、成膜されたＷ−Ｔｉ膜のエッチングレートを改善することができる。
そして、ターゲット面内において複数個所でＦｅ濃度を測定し、測定されたＦｅ濃度の最大値（Ｆｅmax）とＦｅ濃度の最小値（Ｆｅmin）とが、
（Ｆｅmax−Ｆｅmin）／（Ｆｅmax＋Ｆｅmin）≦０．２５
の関係式を満足しているので、ターゲット面内でのＦｅ濃度のばらつきが抑えられていることになる。よって、Ｆｅ濃度のばらつきが小さくエッチングレートが均一なＷ−Ｔｉ膜を成膜することが可能となる。
【００２７】
また、本実施形態では、Ｔｉ粉末、Ｗ粉末及びＦｅ粉末を混合粉砕することにより、焼結前のＦｅ粉末の粒径が１０μｍ以下とされているので、焼結時において、Ｆｅ粒子を母相となるＷ中に均一に拡散させることができ、焼結体全体にＦｅを均一に分布させることが可能となる。
なお、５０μｍ以下の粒子を全体の５０％以上含む微細なＦｅ粉末を直接使用した場合には危険物として取り扱う必要があるが、本実施形態では、平均粒径が７５μｍ以上１５０μｍ以下とされたＦｅ粉末を、他の原料粉（Ｔｉ粉末、Ｗ粉末）とともに混合粉砕することで粒径を１０μｍ以下としており、さらにＦｅ粉末の比率が十分に低いことから、取り扱いが容易となる。
【００２８】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、その発明の技術的思想を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
例えば、本実施形態では、アトライタ装置を用いて原料粉を混合粉砕するものとして説明したが、これに限定されることはなく、他の方法によって原料粉を混合粉砕してもよい。なお、原料粉を混合粉砕する方法としては、遊星ボールミル、振動ボールミル等が挙げられる。
【実施例】
【００２９】
以下に、本発明に係るＷ−Ｔｉスパッタリングターゲットの作用効果について評価した評価試験の結果について説明する。
【００３０】
＜本発明例＞
原料粉末として、純度が９９．９９９質量％、平均粒径が１５μｍとされたＴｉ粉末、純度が９９．９９９質量％、平均粒径が１μｍとされたＷ粉末、純度が９９．９９９質量％、平均粒径が１００μｍとされたＦｅ粉末を用意し、表１に示す組成となるように、Ｔｉ粉末、Ｆｅ粉末及びＷ粉末を秤量した。
【００３１】
秤量されたＴｉ粉末、Ｆｅ粉末及びＷ粉末のうち、Ｗ粉末とＦｅ粉末をアトライタ装置（日本コークス工業株式会社ＭＡ１Ｄ）に、直径約５ｍｍの超硬合金製ボールととともに投入し、回転数３００ｐｐｍの条件にてＡｒ雰囲気下で１時間の混合粉砕を実施した。なお、このアトライタの混合容器の内側には、粉砕混合時の容器からの不純物の混入を防止するため、Ｗ箔による内貼りを施した。ここで、超硬合金製ボールの投入重量は、Ｗ粉末とＦｅ粉末の投入重量の約１０倍とした。
【００３２】
混合粉砕されたＷ粉末とＦｅ粉末とＴｉ粉末とを、転動ボールミル装置によって混合し、混合粉末を得た。ここで、焼結前の混合粉末をＥＰＭＡ装置にて観察し、特性Ｘ線の面分析像によりＦｅ粒子を特定し、その粒子径を確認した。その粒子径を表１に示す。検出されたＦｅ粒子は全て１０μｍ未満の粒子径を有していた。
【００３３】
得られた混合粉末をグラファイト製モールドに充填し、圧力：１５ＭＰａ、温度：１２００℃、３時間保持の条件で真空ホットプレスすることによりホットプレス焼結体を作製し、得られたホットプレス焼結体を機械加工して直径：１５２．４ｍｍ、厚さ：６ｍｍを有する本発明例のＷ−Ｔｉスパッタリングターゲットを作製した。
【００３４】
＜比較例＞
原料粉末として、純度が９９．９９９質量％、平均粒径が１５μｍとされたＴｉ粉末、純度が９９．９９９質量％、平均粒径が１μｍとされたＷ粉末、純度が９９．９９９質量％、平均粒径が１００μｍとされたＦｅ粉末を用意し、表１に示す組成となるように、Ｔｉ粉末、Ｆｅ粉末及びＷ粉末を秤量した。
秤量されたＴｉ粉末、Ｆｅ粉末及びＷ粉末を転動ボールミル装置によって混合し、混合粉末を得た。すなわち、比較例では、原料粉の粉砕を実施しなかった。ここで、焼結前の混合粉末をＥＰＭＡ装置にて観察し、特性Ｘ線の面分析像によりＦｅ粒子を特定し、その粒子径を確認した。その粒子径を表１に示す。検出されたＦｅ粒子は概ね表１に示す値を最大値とする粒子径を有していた。
【００３５】
得られた混合粉末をグラファイト製モールドに充填し、圧力：１５ＭＰａ、温度：１２００℃、３時間保持の条件で真空ホットプレスすることによりホットプレス焼結体を作製し、得られたホットプレス焼結体を機械加工して直径：１５２．４ｍｍ、厚さ：６ｍｍを有する比較例のＷ−Ｔｉスパッタリングターゲットを作製した。
【００３６】
＜ターゲット面内のＦｅ濃度＞
得られたＷ−Ｔｉスパッタリングターゲットのターゲット面が円形（丸型ターゲット）である場合には、図２に示すように、円の中心（１）と、中心を通過するとともに互いに直交する２本の直線上の外周から約１０ｍｍの位置（２）、（３）、（４）、（５）の５点から、超硬合金製のドリルを用いて組成分析用の試料を採取した。
また、得られたＷ−Ｔｉスパッタリングターゲットのターゲット面が矩形（角型ターゲット）である場合には、図３に示すように、対角線が交差する交点（１）と、各対角線上の角部から約１０ｍｍの位置（２）、（３）、（４）、（５）の５点から、超硬合金製のドリルを用いて組成分析用の試料を採取した。
これらの試料のＦｅ濃度をＩＣＰ発光分光分析法により分析した。測定結果を表２に示す。
【００３７】
＜Ｗ−Ｔｉ膜の成膜＞
次に、上述の本発明例及び比較例のＷ−Ｔｉスパッタリングターゲットを無酸素銅製のバッキングプレートにはんだ付けし、これをスパッタ装置（株式会社アルバック製ＳＩＨ−４５０Ｈ）に装着し、以下の条件にてスパッタリング成膜を実施した。
【００３８】
基板：直径１００ｍｍのＳｉ基板
到達真空度：＜５×１０-5Ｐａ
基板とターゲットの距離：７０ｍｍ
電力：直流６００Ｗ
ガス圧力：  Ａｒ  １．０Ｐａ
基板加熱  なし
膜厚：３００ｎｍ
【００３９】
＜Ｗ−Ｔｉ膜のエッチングレート評価＞
このようにして得られた直径１００ｍｍのＳｉ基板のうち図４に示す３箇所の位置から、２０ｍｍ角の試料を切り出した。さらにこの試料を、１０ｍｍ×２０ｍｍの二つの部分に切断し、切断した片方の試料をウォーターバスにより液温３０℃に設定された３１ｖｏｌ％過酸化水素水に５分間浸漬した。過酸化水素から取り出した後、純水で十分すすぎ、さらに付着した純水の液滴を、乾燥空気を吹き付けて飛ばし、試料を乾燥させた。
【００４０】
この試料の過酸化水素水に浸漬していない側と、浸漬した側の両方について断面をフィールドエミッション式の走査電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ：株式会社日立ハイテクノロジーズ製ＳＵ−７０）にて観察し、Ｗ−Ｔｉ膜の膜厚を測定した。過酸化水素に浸漬した側としていない側の膜厚差を求め、この膜厚差を浸漬時間（５分）で割り、直径１００ｍｍの基板の各位置におけるエッチングレートを算出した。この結果を表３に示す。
【００４１】
【表１】
0005999161.tif 000002
【００４２】
【表２】
0005999161.tif 000003
【００４３】
【表３】
0005999161.tif 000004
【００４４】
比較例１−６においては、表２に示すように、ターゲット面内におけるＦｅ濃度のばらつきが大きくなっていることが確認された。原料粉の粉砕を行わずに、粒径の大きなＦｅ粒子を用いて焼結を行ったためと推測される。
特に、Ｆｅ濃度の低い比較例２、５では、Ｆｅ濃度が局所的に少なくなっており、Ｆｅ濃度の低い比較例２、５では、Ｆｅ濃度の最大差が大きくなっていた。
【００４５】
この比較例１−６のＷ−Ｔｉスパッタリングターゲットを用いて成膜された比較例１１−１６のＷ−Ｔｉ膜においては、エッチングレートが不均一であることが確認された。
また、Ｆｅ濃度の低い比較例２、５のＷ−Ｔｉスパッタリングターゲットを用いて成膜された比較例１２、１５のＷ−Ｔｉ膜においては、局所的にエッチングレートが非常に遅くなっていることが確認された。
【００４６】
これに対して、本発明例１−６においては、ターゲット面内におけるＦｅ濃度のばらつきが小さくなっていることが確認された。原料粉の混合粉砕を行うことで、粒径の小さなＦｅ粒子を用いて焼結を行ったためと推測される。
また、Ｆｅ濃度の低い本発明例２、５やＦｅ濃度の高い本発明例３、６においても、Ｆｅ濃度のばらつきが小さく安定していた。
【００４７】
この本発明例１−６のＷ−Ｔｉスパッタリングターゲットを用いて成膜された本発明例１１−１６のＷ−Ｔｉ膜においては、エッチングレートが均一であることが確認された。
特に、Ｆｅ濃度の低い本発明例２、５のＷ−Ｔｉスパッタリングターゲットを用いて成膜された本発明例１２、１５のＷ−Ｔｉ膜においても、Ｗ−Ｔｉ膜に確実にＦｅが添加されており、エッチングレートが安定していた。
また、Ｆｅ濃度が高い本発明例３、６のＷ−Ｔｉスパッタリングターゲットを用いて成膜された本発明例１３、１６のＷ−Ｔｉ膜においても、エッチングレートのばらつきが十分に抑えられていた。
【００４８】
以上の確認実験の結果から、本発明例によれば、Ｆｅ濃度のばらつきが小さくエッチングレートが均一なＷ−Ｔｉ膜を成膜することができることが確認された。
【図１】
0005999161.tif 000005
【図２】
0005999161.tif 000006
【図３】
0005999161.tif 000007
【図４】
0005999161.tif 000008