(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリックス状に配置された複数のメカニカルシャッターを備える薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタへ外部から信号を供給するための端子が形成されたＴＦＴ基板と、
該ＴＦＴ基板に張り合わされる対向基板と、を備え、
前記のＴＦＴ基板の縁部と対向基板の縁部には、前記のＴＦＴ基板と対向基板との間に絶縁性の液体を注入する注入口と、該注入口の内面の少なくとも一部を覆う接地電極が形成されていること、を特徴とする、表示装置。
【請求項２】
前記の接地電極は、外部の接地電極に導通するように配置されたことを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記の接地電極は、前記のＴＦＴ基板と対向基板との間に絶縁性の液体を注入する手段或いは前記のＴＦＴ基板と対向基板を固定する手段に接続可能であって、前記の接地電極と前記手段との接続部分は、接地電位に維持されていることを特徴とする、請求項１または請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタへ外部から信号を供給するための端子とをＴＦＴ基板上に形成し、
前記薄膜トランジスタ及び端子が形成されたＴＦＴ基板上にＴＦＴ及び端子を覆うパッシベーション膜を形成し、
該パッシベーション膜上にマトリックス状に配置された複数のメカニカルシャッターを形成し、
前記のＴＦＴ基板の縁部と対向基板の縁部に、前記のＴＦＴ基板と対向基板との間に絶縁性の液体を注入する注入口の少なくとも一部を覆う接地電極とを形成し、
前記ＴＦＴ基板に対向基板を貼り合わせること、を含む、
表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記の接地電極は、外部の接地電極に導通するように配置されたことを特徴とする、請求項４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記の接地電極は、前記のＴＦＴ基板と対向基板との間に絶縁性の液体を注入する手段或いは前記のＴＦＴ基板と対向基板を固定する手段に接続可能にされており、前記の接地電極と前記手段との接続部分は、接地電位に維持されていることを特徴とする、請求項４または請求項５に記載の表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記の接地電極は、前記のＴＦＴ基板及び対向基板のそれぞれの配線膜の形成時に、前記の注入口を含む領域に形成されることを特徴とする、請求項４から６のいずれか一項に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置及びその製造方法、特に、メカニカルシャッターを用いた表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）技術を応用したメカニカルシャッター（以下「ＭＥＭＳシャッター」という。）を用いた表示装置が注目されている。ＭＥＭＳシャッターを用いた表示装置（以下「ＭＥＭＳ表示装置」という。）とは、画素ごとに設けたＭＥＭＳシャッターを、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いて高速で開閉することによってシャッターを透過する光の量を制御し、画像の明暗の調整を行う表示装置である（例えば、特許文献１参照。）。ＭＥＭＳ表示装置においては時間階調方式を採用し、赤色、緑色及び青色のＬＥＤバックライトからの光を順次切り替えることにより画像の表示を行うことが主流である。よって、ＭＥＭＳ表示装置は、表示装置に用いられる偏光フィルムやカラーフィルタなどを必要とせず、表示装置と比較してバックライトの光の利用効率は約１０倍、消費電力は１／２以下になり、また、色再現性が優れている点に特徴がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−１９７６６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ＭＥＭＳ表示装置においては、ＭＥＭＳシャッターを駆動するためのスイッチング素子、及びスイッチング素子を駆動するゲートドライバやデータドライバを構成するＴＦＴが基板上に形成される。基板上にはＴＦＴへ外部から信号を供給するための端子が同時に形成される。通常、ＭＥＭＳ表示装置においては、ＴＦＴ及び端子が形成されたＴＦＴ基板上にＴＦＴ及び端子を覆うパッシベーション膜（絶縁膜）を形成し、そのパッシベーション膜上にＭＥＭＳシャッターを形成する。ＭＥＭＳシャッターは、端子と電気的に接続される部分以外が絶縁膜で覆われる。このとき、ＭＥＭＳシャッターの可動部が中空構造を有することから、可動部の側部及び下部にも絶縁膜を形成するために、ＭＥＭＳシャッターを形成したＴＦＴ基板の全面にＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等により絶縁膜を形成する。その後、ＴＦＴ基板に対向基板を貼り合わせる。ＴＦＴ基板に形成された端子には外部から信号を供給する必要があるため、対向基板が端子上部を覆わないようにＴＦＴ基板と対向基板とを張り合わせる。
【０００５】
図１０は、従来のＭＥＭＳ表示装置の画素の概略図である。ＴＦＴ上にＭＥＭＳシャッターを持つ表示パネルの構造物は静電気により基板への付着、変形が生じる。ＭＥＭＳシャッターを動かすために接続されたバネ８ｂは電気信号により伸縮し、前記ＭＥＭＳシャッターの遮蔽部８ａを動かす。ＴＦＴの給電部（或いは配線部）１ｂ上にＭＥＭＳシャッターを有するパネルの製造工程には、ＭＥＭＳシャッターを有する基板と窓を有する対向基板の間に、シリコーンオイル等の絶縁性の液体を封入する工程がある。これは、ＭＥＭＳシャッターを持つＴＦＴ基板と窓部を持つ対向基板の間に、ＭＥＭＳシャッターを動かすために接続されたバネ８ｂの付着を防止することを目的とする工程である。
【０００６】
しかし、前記の絶縁性の液体の封入時に液体の摩擦により静電気が発生するため、前記のＭＥＭＳシャッターは、正常な位置或いは、前記の絶縁性の液体中に浮かんだ状態を維持できず、基板への付着を起こす。
【０００７】
そこで、本発明は上述した問題を鑑みてなされたものであり、絶縁性の液体の封入の際に発生する摩擦による静電気を防止し、ＭＥＭＳシャッターの遮蔽部８ａ及びバネ８ｂの基板への付着、変形を防止する表示装置及びその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一実施形態によると、マトリックス状に配置された複数のＭＥＭＳシャッターを備える薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタへ外部から信号を供給するための端子が形成されたＴＦＴ基板と、該ＴＦＴ基板に張り合わされる対向基板と、を備え、前記のＴＦＴ基板の縁部と対向基板の縁部には、前記のＴＦＴ基板と対向基板との間に絶縁性の液体を注入する注入口と、該注入口の内面の少なくとも一部を覆う接地電極が形成されていることを特徴とする、表示装置が提供される。
【０００９】
また、本発明の一実施形態によると、マトリックス状に配置された複数のＭＥＭＳシャッターを備える薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタへ外部から信号を供給するための端子とをＴＦＴ基板上に形成し、前記薄膜トランジスタ及び端子が形成されたＴＦＴ基板上にＴＦＴ及び端子を覆うパッシベーション膜を形成し、該パッシベーション膜上に前記のＭＥＭＳシャッターを形成し、前記ＴＦＴ基板に対向基板を貼り合わせ、前記のＴＦＴ基板の縁部と対向基板の縁部に、前記のＴＦＴ基板と対向基板との間に絶縁性の液体を注入する注入口の少なくとも一部を覆う接地電極とを形成することを特徴とする、表示装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の表示装置及びその製造方法によると、簡易な方法でありながら、絶縁性の液体の封入の際に発生する摩擦による静電気を効果的に防止し、ＭＥＭＳシャッターの基板への付着及び変形を効果的に防ぐことができる。
【００１１】
また、本発明の表示装置及びその製造方法によると、絶縁性の液体の封入の際に発生する静電気と既に発生している静電気が除電され、ＭＥＭＳシャッターを正常な配置位置に戻すことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る表示装置１００を示す図であり、（Ａ）は、表示装置１００の正面透視図であり、（Ｂ）は、図１（Ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る表示装置１００の画素及びＭＥＭＳシャッターの概略構成を示す図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る表示装置１００に絶縁性の液体を注入する工程を示す概略断面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態に係る表示装置１００を示す図であり、（Ａ）は、表示装置１００の斜視図であり、（Ｂ）は、表示装置の平面図である。本発明の第１の実施形態に係る表示装置１００の斜視図である
【図５】本発明の第１の実施形態に係る表示装置の回路ブロック図である。
【図６】本発明の第２の実施形態に係る表示装置１００を示す図であり、（Ａ）は、表示装置１００の正面透視図であり、（Ｂ）は、図６（Ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
【図７】本発明の第３の実施形態に係る表示装置１００を示す図であり、（Ａ）は、表示装置１００の正面透視図であり、（Ｂ）は、図７（Ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
【図８】本発明の第４の実施形態に係る表示装置１００を示す図であり、（Ａ）は、表示装置１００の正面透視図であり、（Ｂ）は、図８（Ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
【図９】本発明の表示装置に用いるＭＥＭＳシャッターの概略構成を示す図である。
【図１０】ＭＥＭＳシャッターを用いた従来のＴＦＴ基板の概略構成を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
前記したように、本発明の表示装置は、ＭＥＭＳシャッターが配置される領域内への絶縁性の液体の注入工程において発生する静電気を、前記絶縁性の液体の注入口と、該注入口の内面の少なくとも一部に形成された接地電極によって除去することを特徴としている。
【００１４】
前記の接地電極は、外部の接地電極と導通可能な形状及び構造を少なくとも備える必要がある。但し、静電気の除去機能を更に良好にするために、注入口の縁端周辺だけでなく、注入口から注入経路に至る領域を全体的に覆う形状であることが、好ましい。例えば、後述される図１、図６乃至図８に示されるように、注入口４と注入経路４ａを含む領域からＴＦＴ基板１及び対向基板２の縁端領域に沿って、ＴＦＴ基板１及び対向基板２の接合面上に接地電極７を配置することが好ましい。
【００１５】
また、前記のＴＦＴ基板及び対向基板の少なくとも一方に形成された接地電極は、前記の絶縁性の液体の注入工程において利用される手段を構成する金属部分或いは接地電極部分との導通性を有するように構成することが好ましい。例えば、後述される図３に示されるように、前記の接地電極７の一部をＴＦＴ基板１及び対向基板２の接合面から外部に露出することによって、導通部７ａを設けることが好ましい。この導通部７ａは、前記の注入工程において利用される手段或いは、前記のＴＦＴ基板１及び対向基板２を固定する手段のうち、接地された部分若しくは接地電位に維持された部分に接続される。
【００１６】
尚、前記のＴＦＴ基板及び対向基板に形成される接地電極、導通性を有する限りにおいて、材質を問わず、銅、アルミニウム等の金属、導電性ペースト、カーボンナノチューブ膜、ＩＴＯ膜等の酸化物のいずれであっても使用できる。そこで、前記のＴＦＴ基板及び／又は対向基板に形成される接地電極は、ＴＦＴ基板側ではＩＴＯ膜形成時、対向基板側ではアルミニウム膜の形成時に、配線用のＩＴＯ膜及びアルミニウム膜と同時に製作を行うことが好ましい。
【００１７】
ここで、図９を参照して、本発明に使用されるＭＥＭＳシャッターの構成について説明する。図９は、本発明の一実施形態に係る表示装置１００に用いるＭＥＭＳシャッター２０２の構成を示す図である。説明の便宜上、図９には、一つのＭＥＭＳシャッター２０２を示すが、本発明の一実施形態に係る表示装置１００には、基板１０１上に図９に示すＭＥＭＳシャッター２０２がマトリクス状に配置されている。
【００１８】
ＭＥＭＳシャッター２０２は、シャッター２１０、第１バネ２１６、２１８、２２０、２２２、第２バネ２２４、２２６、２２８、２３０、及びアンカー部２３２、２３４、２３６、２３８、２４０、２４２を有している。シャッター２１０は開口部２１２、２１４を有しており、シャッター２１０本体は遮光部となる。また、図示していないが、対向基板１０９は、光を透過させる光透過部を有しており、シャッター２１０の開口部２１２、２１４と対向基板１０９の光透過部とが平面方向に概略重なり合うように配置され、シール材等を介して基板１０１に対向基板１０９が接合される。表示装置１００は、対向基板１０９の背面から供給され対向基板１０９の光透過部を透過する光が、シャッター２１０の開口部２１２、２１４を透過し、人間の目に視認されるように構成される。なお、本実施形態に示すＭＥＭＳシャッター２０２は、本発明の表示装置１００に用いることのできるＭＥＭＳシャッターの一例に過ぎず、スイッチング素子で駆動することのできるＭＥＭＳシャッターであれば図示した構成に限らず、如何なる態様のものでも用いることができる。
【００１９】
シャッター２１０の一方の側は、第１バネ２１６、２１８を介してアンカー部２３２、２３４に接続されている。アンカー部２３２、２３４は、第１バネ２１６、２１８とともに、シャッター２１０を基板１０１の表面から浮遊した状態に支持する機能を有する。アンカー部２３２は第１バネ２１６と電気的に接続されており、且つ、アンカー部２３４は第１バネ２１８と電気的に接続されている。アンカー部２３２、２３４には、スイッチング素子２０４からバイアス電位が供給され、第１バネ２１６、２１８にバイアス電位が供給される。また、第２バネ２２４、２２６は、アンカー部２３６に電気的に接続されている。アンカー部２３６は、第２バネ２２４、２２６を基板１０１の表面から浮遊した状態に支持する機能を有する。アンカー部２３６には、グランド電位が供給され、第２バネ２２４、２２６にグランド電位が供給される。尚、アンカー部２３６には、上記グランド電位の替りに所定の電位を供給する構成でもよい。（以下の説明でのグランド電位でも同様である。）
【００２０】
また、シャッター２１０の他方の側は、第１バネ２２０、２２２を介してアンカー部２３８、２４０に接続されている。アンカー部２３８、２４０は、第１バネ２２０、２２２とともに、シャッター２１０を基板１０１の表面から浮遊した状態に支持する機能を有する。アンカー部２３８は第１バネ２２０と電気的に接続されており、且つ、アンカー部２４０は第１バネ２２２と電気的に接続されている。アンカー部２３８、２４０には、スイッチング素子２０４からバイアス電位が供給され、第１バネ２２０、２２２にバイアス電位が供給される。また、第２バネ２２８、２３０は、アンカー部２４２に電気的に接続されている。アンカー部２４２は、第２バネ２２８、２３０を基板１０１の表面から浮遊した状態に支持する機能を有する。アンカー部２４２は第２バネ２２８、２３０と電気的に接続されている。アンカー部２４２には、グランド電位が供給され、第２バネ２２８、２３０にグランド電位が供給される。
【００２１】
上述したように、本実施形態においては、スイッチング素子２０４からアンカー部２３２、２３４にバイアス電位が供給され、第１バネ２１６、２１８にバイアス電位が供給され、且つ、アンカー部２３６には、グランド電位が供給され、第２バネ２２４、２２６にグランド電位が供給される。第１バネ２１６、２１８と第２バネ２２４、２２６との間の電位差により、第１バネ２１６と第２バネ２２４とが静電駆動され、互いが引き寄せあうように移動し、且つ、第１バネ２１８と第２バネ２２６とが静電駆動され、互いが引き寄せあうように移動し、シャッター２１０が移動する。
【００２２】
また、同様に、スイッチング素子２０４からアンカー部２３８、２４０にバイアス電位が供給され、第１バネ２２０、２２２にバイアス電位が供給され、且つ、アンカー部２４２には、グランド電位が供給され、第２バネ２２８、２３０にグランド電位が供給される。第１バネ２２０、２２２と第２バネ２２８、２３０との間の電位差により、第１バネ２２０と第２バネ２２８とが静電駆動され、互いが引き寄せあうように移動し、且つ、第１バネ２２２と第２バネ２３０とが静電駆動され、互いが引き寄せあうように移動し、シャッター２１０が移動する。
【００２３】
なお、本実施形態においては、シャッター２１０の両側に第１バネ、第２バネ及びアンカー部を接続し配置した例について説明したが、本発明の表示装置１００はこの構成に限定されるものではない。例えば、シャッター２１０の一方側に第１バネ、第２バネ及びアンカー部を接続し配置し、シャッター２１０の他方側には第１バネ及びアンカー部のみを接続し配置し、他方側の第１バネ及びアンカー部はシャッターを基板から浮遊した状態に支持する機能を持たせ、シャッター２１０の一方側の第１バネ及び第２バネを静電駆動し、シャッター２１０を動作させるようにしてもよい。
【００２４】
以下、図面を参照しながら、本発明の表示装置の好ましい実施形態について説明する。なお、本発明の表示装置は、以下の実施形態に限定されることはなく、種々の変形を行ない実施することが可能である。
【００２５】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係る表示装置１００を示す図であり、（Ａ）は、表示装置の正面透視図であり、（Ｂ）は、図１（Ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。図１において、ＴＦＴ基板１は、その画素領域６の画素ごとにＭＥＭＳシャッター８がマトリックス状に配置されている。ＴＦＴ基板１の背面には、図示しない赤色、緑色及び青色のＬＥＤバックライトが設けられている。
【００２６】
図２は、ＴＦＴ基板１の各画素の構成を示す拡大図である。各画素のＭＥＭＳシャッターは、ＬＥＤバックライトの光を遮蔽する中空構造の遮蔽部８ａと、ＴＦＴ基板１の配線部（或いは給電部）１ｂに固定されるバネ８ｂと、を備える。ＭＥＭＳシャッターのバネ８ｂは、アンカー部８ｃで前記の配線部１ｂに固定されており、前記の配線部１ｂからの電気信号によって伸縮する。このときのバネ８ｂの伸縮動作によって、遮蔽部８ａのスリット８ｄからの透過光の色を順次切り替えられ、表示装置に画像が表示される。Ａ−Ａ線で示されるように、各ＭＥＭＳシャッターの前記のバネ８ｂは、配線部１ｂ及びアンカー部８ｃを介して前記電極７との導通状態が確保されている。
【００２７】
ＴＦＴ基板１と対向基板２とを貼り合わせる際、これらの基板１、２の間の前記の画素領域６には、シリコーンオイル等の絶縁性の液体を充填するための領域が形成される。尚、図２の符号１０は、ＴＦＴ基板１と対向基板２とを貼り合わせる際、絶縁性の液体が充填される領域を形成するために必要な、ＴＦＴ基板１と対向基板２間のクリアランスを確保するための支柱である。また、ＴＦＴ基板１と対向基板２との間には、注入された絶縁性の液体の漏出を防止するため、封止材３が挟み込まれている。
【００２８】
ＴＦＴ基板１と対向基板２の少なくとも一方には、前記の絶縁性の液体を注入するための注入口４が形成されており、該注入口４の少なくとも一部の領域には、外部電極と導通する電極が形成されている。
【００２９】
図３に示されるように、互いに貼り合わせられたＴＦＴ基板１と対向基板２の左右両縁が治具２０Ａ及び２０Ｂで挟持された状態で、前記の絶縁性の液体が前記の注入口４から注入され、符号Ｒで示されるように画素領域６内へ流れ込む。絶縁性の液体の流れＲは、注入口４と、注入経路４ａ、ＭＥＭＳシャッター８、ＴＦＴ基板１等と接触して静電気を発生する。
【００３０】
本実施形態に係る表示装置では、所定幅の電極７が、注入口４と注入経路４ａが形成される側の縁に沿って、画素領域６が形成されていないＴＦＴ基板１及び対向基板２の接合領域、すなわち、注入口４と注入経路４ａの領域の左右両側において、ＴＦＴ基板１及び対向基板２の接合部分に沿って形成されている。前記の電極７の一部は、前記のＴＦＴ基板１及び対向基板２の接合部分から外部に露出した部分を備える。この露出した部分である導通部７ａは、前記の絶縁性の液体の注入工程において、治具２０Ａとの接触部分Ｔを介して接地電位に維持される。従って、前記の静電気は、導通部７ａを介して治具２０Ａから接地部１２へと流れるので、画素領域６内のＭＥＭＳシャッター８は、絶縁性の液体の注入工程においても前記のＴＦＴ基板１及び対向基板２への付着が防止される。
【００３１】
絶縁性の液体が前記の画素領域６内に十分に充填された後、エンドシール５を用いて注入口４を塞ぎ、前記の注入工程が完了する。尚、図３に示された電極７は、前記の露出した導通部７ａを片側のみ備えており、治具２０Ｂ側に露出された部分を備えていないが、電極７を治具２０Ｂにも接触可能な程度の長さにすることも可能である。
【００３２】
図４（Ａ）及び（Ｂ）に第１の実施形態に係る表示装置１００の詳細な構造を示す。図４（Ａ）は、表示装置の斜視図であり、（Ｂ）は、表示装置の平面図である。本実施形態に係る表示装置１００は、基板１０１及び対向基板１０９を有している。基板１０１は、表示部１０１ａ、駆動回路１０１ｂ、１０１ｃ及び１０１ｄ、並びに端子部１０１ｅを有している。基板１０１と対向基板１０９とは、シール材等を用いて接合される。
【００３３】
図５に第１の実施形態に係る表示装置１００の回路ブロック図を示す。図５に示す本発明の一実施形態に係る表示装置１００には、コントローラ１２０から画像信号及び制御信号が供給される。また、図５に示す本発明の一実施形態に係る表示装置１００には、コントローラ１２０によって制御されるバックライト１２２から光が供給される。なお、コントローラ１２０及びバックライト１２２を含んで本発明の表示装置１００を構成するようにしてもよい。
【００３４】
図５に示すとおり、表示部１０１ａは、ゲート線（Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｎ）とデータ線（Ｄ１、Ｄ２、・・・、Ｄｍ）との交点に対応する位置に、マトリクス状に配置されたメカニカルシャッター（ＭＥＭＳシャッター）２０２、スイッチング素子２０４、及び保持容量２０６を有する画素２００を有している。駆動回路１０１ｂ、１０１ｃは、データドライバであり、スイッチング素子２０４へデータ線（Ｄ１、Ｄ２、・・・、Ｄｍ）を介してデータ信号を供給する。駆動回路１０１ｄは、ゲートドライバであり、スイッチング素子２０４へゲート線（Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｎ）を介してゲート信号を供給する。なお、本実施形態においては、図４に示すように、データドライバである駆動回路１０１ｂ、１０１ｃが、表示部１０１ａを挟むように配置されているが、この構成に限定されるものではない。スイッチング素子２０４は、データ線（Ｄ１、Ｄ２、・・・、Ｄｍ）から供給されるデータ信号に基づきＭＥＭＳシャッター２０２を駆動する。
【００３５】
（第２の実施形態）
図６は、本発明の第２の実施形態に係る表示装置１００を示す図であり、（Ａ）は、表示装置の正面透視図であり、（Ｂ）は、図６（Ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
【００３６】
本実施形態は、電極７の構造に関し、第１の実施形態と相違する。すなわち、第１の実施形態の電極７は、注入口４と注入経路４ａが形成された領域から左右両側に形成されているのに対して、第２の実施形態の電極７は、注入口４と注入経路４ａが形成された領域から片側の方向にのみ延在している。
【００３７】
本実施形態の電極７の領域は、第１の実施形態の電極７に比べて短いが、前記の注入工程において発生する静電気の除去機能を十分に発揮することができる。また、電極が短く形成されるので、製品の歩留まりの向上を図る目的で適用することができる。
【００３８】
（第３の実施形態）
図７は、本発明の第３の実施形態に係る表示装置１００を示す図であり、（Ａ）は、表示装置の正面透視図であり、（Ｂ）は、図７（Ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
【００３９】
本実施形態は、電極７の構造に関し、第１及び第２の実施形態と相違する。すなわち、注入口４及び電極７が、前記の治具２０Ａまたは治具２０Ｂに挟持される前記基板１及び２の縁部のうち、いずれか一方の近傍側にのみ形成されている。
【００４０】
本実施形態は、表示装置の構造を変更に伴って注入口４の形成位置を変更する場合、好適に適用することができる。また、本実施形態の電極７の領域は、第１及び２の実施形態の電極７に比べて短いが、前記の注入工程において発生する静電気の除去機能を十分に発揮することができる。また、電極が短く形成されるので、製品の歩留まりの向上を図る目的で適用することができる。
【００４１】
（第４の実施形態）
図８は、本発明の第３の実施形態に係る表示装置１００を示す図であり、（Ａ）は、表示装置の正面透視図であり、（Ｂ）は、図８（Ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
【００４２】
本実施形態は、電極７が、ＴＦＴ基板１及び該ＴＦＴ基板１と貼り合わせる対向基板２の両側にそれぞれ形成され、対向する電極７が半田バンプ７ｂを介して電気的に接続されている構造を有する。尚、前記の対向する２つの電極７は、半田バンプ以外に、銅（Ｃｕ）やアルミニウム（Ａｌ）等の金属配線で接続することもできる。
【００４３】
本実施形態は、電極７がＴＦＴ基板１及び対向基板２の両側に設けられているので、静電気を外部へ放電する機能が高く、絶縁性の液体の封入の際に発生する摩擦による静電気を防止する効果において一層優れている。
【００４４】
以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
【符号の説明】
【００４５】
１      ＴＦＴ基板
２      対向基板
３      封止材
４      注入口
４ａ    注入経路
５      エンドシール
６      画素領域
７      電極（接地電極）
８      ＭＥＭＳシャッター
１０    支柱
２０Ａ  治具
２０Ｂ  治具
１００  表示装置
【図１】
0005972566.tif 000002
【図２】
0005972566.tif 000003
【図３】
0005972566.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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