(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
永久磁石と、
前記永久磁石により直流磁界が印加されるフェライトと、
前記フェライトに互いに絶縁状態で交差して配置された第１中心電極及び第２中心電極と、
を備え、
第１中心電極は、一端が第１ポートに接続され、他端が第２ポートに接続され、
第２中心電極は、一端が第２ポートに接続され、他端がグランドポートに接続され、
第１ポートと第２ポートとの間に互いに並列に接続されている第１容量及び抵抗が接続され、
第２ポートとグランドポートとの間に第２容量が接続され、
第１ポート又は第２ポートと前記抵抗との間に少なくとも一つのフィルタの入出力端子が接続され、かつ、該フィルタのグランド端子は第２ポート又は第１ポートに接続されていること、
を特徴とする非可逆回路素子。
【請求項２】
前記フィルタの入出力端子にはリアクタンス素子が接続されていること、を特徴とする請求項１に記載の非可逆回路素子。
【請求項３】
前記フィルタは、送信帯域信号を通過させ、受信帯域信号を減衰させるものであること、を特徴とする請求項１又は請求項２に記載の非可逆回路素子。
【請求項４】
前記フィルタは、送信帯域信号を減衰させ、受信帯域信号を通過させる反射特性を有すること、を特徴とする請求項１又は請求項２に記載の非可逆回路素子。
【請求項５】
複数の前記フィルタを有し、
前記複数のフィルタのうちの中心周波数が低いほうのフィルタの高周波側のカットオフ周波数と、前記複数のフィルタのうちの中心周波数が高いほうのフィルタの低周波側のカットオフ周波数とが近接していること、
を特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の非可逆回路素子。
【請求項６】
複数の前記フィルタを有し、
前記複数のフィルタのうちの中心周波数が低いほうのフィルタの高周波側のカットオフ周波数と、前記複数のフィルタのうちの中心周波数が高いほうのフィルタの低周波側のカットオフ周波数とが離れていること、
を特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の非可逆回路素子。
【請求項７】
請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の非可逆回路素子が基板に搭載されていること、を特徴とする非可逆回路素子モジュール。
【請求項８】
前記基板は多層基板であり、前記フィルタは該多層基板に内蔵されていること、を特徴とする請求項７に記載の非可逆回路素子モジュール。
【請求項９】
請求項３ないし請求項５のいずれかに記載の非可逆回路素子と、送信信号及び受信信号を分岐させる分岐回路素子とが基板に搭載されていること、を特徴とする送受信モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、非可逆回路素子、特に、マイクロ波帯で使用されるアイソレータやサーキュレータなどの非可逆回路素子、そのモジュール及び該非可逆回路素子を備えた送受信モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、アイソレータやサーキュレータなどの非可逆回路素子は、予め定められた特定方向にのみ信号を伝送し、逆方向には伝送しない特性を有している。この特性を利用して、例えば、アイソレータは、携帯電話などの移動体通信機器の送信回路部や受信回路部に使用されている。
【０００３】
この種の非可逆回路素子（２ポート型アイソレータ）としては、特許文献１に記載のものが知られている。このアイソレータは図１８に示す等価回路からなる。即ち、フェライト３２の表面に第１中心電極３５（インダクタＬ１）及び第２中心電極３６（インダクタＬ２）を互いに絶縁状態で交差して配置し、入力ポートＰ１に接続された第１中心電極３５の一端と、出力ポートＰ２に接続された第２中心電極３６の一端との間に、互いに並列に接続されているコンデンサＣ１と抵抗Ｒが接続され、かつ、第２中心電極３６と並列にコンデンサＣ２が接続されている。なお、コンデンサＣｓ１，Ｃｓ２は入力及び出力のインピーダンスを整合するためのものである。
【０００４】
前記等価回路からなる２ポート側アイソレータは、図１９に示す特性を有している。図１９の曲線Ｙ１は入力ポートＰ１から出力ポートＰ２への順方向通過特性（挿入損失特性）を示し、曲線Ｙ２は出力ポートＰ２から入力ポートＰ１への逆方向減衰特性（アイソレーション特性）を示している。挿入損失は曲線Ｙ１から明らかなように広帯域で低損失な特性をしているが、アイソレーションは曲線Ｙ２から明らかなように比較的狭く、近年の移動体通信において使用される広帯域な周波数バンドや複数の周波数バンドへの対応が次第に困難になっている。
【０００５】
また、この種のアイソレータは送信回路部に用いられているが、送受信回路部に用いることができれば、回路構成を小型化することが可能である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第４５０８１９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、広帯域にわたって良好なアイソレーション特性を得ることができ、かつ、送受信回路部にも使用可能な非可逆回路素子及びそのモジュールを提供することにある。また、本発明の目的は、一つの非可逆回路素子を用いた送受信モジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１の形態である非可逆回路素子は、
永久磁石と、
前記永久磁石により直流磁界が印加されるフェライトと、
前記フェライトに互いに絶縁状態で交差して配置された第１中心電極及び第２中心電極と、
を備え、
第１中心電極は、一端が第１ポートに接続され、他端が第２ポートに接続され、
第２中心電極は、一端が第２ポートに接続され、他端がグランドポートに接続され、
第１ポートと第２ポートとの間に互いに並列に接続されている第１容量及び抵抗が接続され、
第２ポートとグランドポートとの間に第２容量が接続され、
第１ポート又は第２ポートと前記抵抗との間に少なくとも一つのフィルタの入出力端子が接続され、かつ、該フィルタのグランド端子は第２ポート又は第１ポートに接続されていること、
を特徴とする。
【０００９】
本発明の第２の形態である非可逆回路素子モジュールは、前記非可逆回路素子が基板に搭載されていること、を特徴とする。
【００１０】
本発明の第３の形態である送受信モジュールは、送信信号を通過させ、受信帯域信号を減衰させるフィルタを備えた前記非可逆回路素子と、送信信号及び受信信号を分岐させる分岐回路素子とが基板に搭載されていること、を特徴とする。
【００１１】
前記非可逆回路素子においては、順方向通過特性が広帯域で低損失であるとともに、広帯域なフィルタを使用することにより、逆方向特性の広帯域化が図られる。これにて、動作帯域の広いバンドやマルチバンドの送信回路部に使用することが可能な非可逆回路素子を得ることができる。
【００１２】
また、送信帯域信号を通過させ、受信帯域信号を減衰させるフィルタを備えることにより、順方向においては送信周波数帯信号を通過させ、逆方向においては送信周波数帯信号を内部の抵抗で吸収し減衰させるが、受信周波数帯信号は通過する。よって、この非可逆回路素子をアンテナと送受分岐回路素子（デュプレクサ、サーキュレータ、表面弾性波素子など）との間に挿入することが可能となる。つまり、アンテナで反射した送信波が受信側へ回り込むことが抑制される。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、広帯域にわたって良好なアイソレーション特性を得ることができ、かつ、送受信回路部にも使用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】基本的な形態である非可逆回路素子の等価回路を示し、（Ａ）は第１基本例、（Ｂ）は第２基本例である。
【図２】送受信モジュールを示す等価回路図である。
【図３】非可逆回路素子の第１実施例を示す等価回路図である。
【図４】第１実施例を構成するフェライト・磁石組立体を示す斜視図である。
【図５】第１実施例の外観を示し、（Ａ）は第１例、（Ｂ）は第２例である。
【図６】送受信モジュールの一例を示す外観斜視図である。
【図７】第１のフィルタの特性を示すグラフである。
【図８】第１のフィルタを用いた第１実施例での特性を示すグラフである。
【図９】第２のフィルタの特定を示すグラフである。
【図１０】第２のフィルタを用いた第１実施例での特性を示すグラフである。
【図１１】非可逆回路素子の第２実施例の等価回路図を示し、（Ａ）は基本形態、（Ｂ）は応用形態である。
【図１２】第３及び第４のフィルタを用いた第２実施例での特性を示すグラフである。
【図１３】第４及び第５フィルタを用いた第２実施例での特性を示すグラフである。
【図１４】非可逆回路素子の第３実施例の等価回路図を示し、（Ａ）は基本形態、（Ｂ）は応用形態である。
【図１５】第３のフィルタの特定を示すグラフである。
【図１６】第４のフィルタの特定を示すグラフである。
【図１７】第５のフィルタの特定を示すグラフである。
【図１８】先行技術である２ポート型アイソレータの等価回路図である。
【図１９】前記２ポート型アイソレータの特性を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明に係る非可逆回路素子、そのモジュール及び送受信モジュールの実施例について添付図面を参照して説明する。なお、各図において同じ部材、部分には共通する符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１６】
（基本的形態、図１参照）
図１（Ａ）は非可逆回路素子の第１基本例を示し、フェライト３２に、インダクタＬ１を構成する第１中心電極３５とインダクタＬ２を構成する第２中心電極３６とを互いに絶縁状態で交差させて配置したものである。第１中心電極３５の一端を第１ポートＰ１とし、他端を第２ポートＰ２とする。第２中心電極３６の一端は第２ポートＰ２に接続され、他端はグランドポートＰ３に接続されている。第１ポートＰ１と第２ポートＰ２との間には、第１中心電極３５と並列に接続された整合用コンデンサＣ１と抵抗Ｒ１とが接続されている。また、第２ポートＰ２とグランドポートＰ３との間には第２中心電極３６と並列に整合用コンデンサＣ２が接続されている。
【００１７】
さらに、フィルタ（バンドパスフィルタ）Ｆ１が設けられている。フィルタＦ１は入出力端子５１，５２、グランド端子５３を有し、入出力端子５１は抵抗Ｒ１に接続され、入出力端子５２は第２ポートＰ２に接続され、グランド端子５３は第１ポートＰ１に接続されている。
【００１８】
以上の回路構成からなる非可逆回路素子においては、外部端子ＩＮから第１ポートＰ１に高周波電流が入力される（順方向）と、第２中心電極３６に大きな高周波電流が流れ、第１中心電極３５にはほとんど高周波電流が流れず、挿入損失が小さく、広帯域で動作する。この動作時において、抵抗Ｒ１やフィルタＦ１にも高周波電流はほとんど流れないため、これらでの損失は無視でき、挿入損失が増大することはない。
【００１９】
一方、外部端子ＯＵＴから第２ポートＰ２に高周波信号が入力される（逆方向）と、該信号は抵抗Ｒ１で吸収減衰される。フィルタＦ１として、非可逆回路素子の通過帯域において第１ポートＰ１及び第２ポートＰ２と整合のとれた広帯域な特性のものを使用することにより、逆方向特性が広帯域化する。このような非可逆回路素子を、デュプレクサなどの送受分岐部とパワーアンプとの間に配置した場合、アイソレーション特性が広帯域に向上することで、逆方向の電力をパワーアンプ側に通過させず、パワーアンプの動作が安定化する。そして、動作帯域の広いバンドやマルチバンドの送信回路部に使用することができる。
【００２０】
また、このような非可逆回路素子を送信回路、受信回路とアンテナとの間に配置する場合、フィルタＦ１として、送信帯域信号を通過させ、受信帯域信号を減衰させる特性のものを使用することにより、順方向においては送信周波数帯信号を通過させ、逆方向においては送信周波数帯信号を内部の抵抗Ｒ１で吸収し減衰させるが、受信周波数帯信号は通過する。
【００２１】
図１（Ｂ）は、非可逆回路素子の第２基本例を示し、フィルタＦ１の入出力端子５１は抵抗Ｒ１に接続され、入出力端子５２は第１ポートＰ１に接続され、グランド端子５３は第２ポートＰ２に接続されている。この第２基本例の他の構成は前記第１基本例と同様であり、その作用効果も基本的には第１基本例を同様である。
【００２２】
（送受信回路、図２参照）
前記非可逆回路素子を、図２に示すように、アンテナＡＮＴと送受分岐回路素子（デュプレクサＤＰＸ、図示しないサーキュレータや表面弾性波素子など）との間に挿入して送受信回路を構成することができる。図２において、Ｒｘは比較的高い周波数帯での受信部であり、Ｔｘは比較的低い周波数帯での送信部である。ここでは、アンテナＡＮＴで反射した送信波が受信部Ｒｘへ回り込むことが抑制される。
【００２３】
（第１実施例、図３及び図４参照）
第１実施例である非可逆回路素子は、図３の等価回路に示すように、基本的には前記第１基本例の回路構成を備え、フィルタＦ１の入出力端子５１と抵抗Ｒ１との間にリアクタンス素子Ｘ１が接続され、入出力端子５２と第２ポートＰ２との間にリアクタンス素子Ｘ２が接続されている。また、第１ポートＰ１と外部端子ＩＮとの間に整合用コンデンサＣｓ１が接続され、第２ポートＰ２と外部端子ＯＵＴとの間に整合用コンデンサＣｓ２が接続されている。
【００２４】
ここで、図３に示す非可逆回路素子における要部の構成について、図４を参照して説明する。この非可逆回路素子は、フェライト３２の表裏面にそれぞれ永久磁石４１を接着剤４２を介して貼着したフェライト・磁石組立体３０を備えている。第１中心電極３５はフェライト３２の表裏面に１ターン巻回されており、一端電極３５ａが第１ポートＰ１であり、他端電極３５ｂが第２ポートＰ２である。第２中心電極３６はフェライト３２の表裏面に第１中心電極３５と所定の角度で絶縁状態を保って交差して４ターン巻回されている。なお、この巻回数は任意である。第２中心電極３６の一端は前記電極３５ｂと共通（第２ポートＰ２）であり、他端電極３６ａが第３ポートＰ３である。なお、図４では煩雑さをさけるためにフェライト３２の背面側の電極は図示を省略している。
【００２５】
（モジュール、図５及び図６参照）
図５（Ａ）は非可逆回路素子をモジュール化した第１例を示し、ＬＴＣＣやＰＣＢからなるベース基板６０上に前記フェライト・磁石組立体３０、フィルタＦ１、チップタイプの抵抗Ｒ１が搭載されている。ベース基板６０は多層基板であり、コンデンサなどの素子は多層のベース基板６０に内蔵されている。
【００２６】
図５（Ｂ）は非可逆回路素子をモジュール化した第２例を示し、ここではフィルタＦ１もベース基板６０に内蔵している。
【００２７】
図６は図２に示した送受信回路をモジュール化したものを示し、ＬＴＣＣやＰＣＢからなるベース基板６５上に前記フェライト・磁石組立体３０、フィルタＦ１、チップタイプの抵抗Ｒ１に加えて、送受信用ＩＣ６６、分岐回路素子（デュプレクサＤＰＸ）、チップタイプの各種電子素子などが搭載されている。
【００２８】
（第１実施例での特性１、図７及び図８参照）
以下に、前記第１実施例において、フィルタＦ１として図７に示す特性を有する第１のフィルタを使用した場合の特性１を図８に示す。なお、比較のために図１９に示した特性は、フィルタＦ１やリアクタンス素子Ｘ１，Ｘ２以外を同じ数値としたものである。
【００２９】
インダクタＬ１：  ７ｎＨ
インダクタＬ２：  １７ｎＨ
コンデンサＣ１：  ３．７ｐＦ
コンデンサＣ２：  １．８ｐＦ
コンデンサＣｓ１：  １．８ｐＦ
コンデンサＣｓ２：  ２ｐＦ
抵抗Ｒ１：  ５０Ω
リアクタンス素子Ｘ１：  ０ｎＨ（直結）
リアクタンス素子Ｘ２：  ２ｐＦ
【００３０】
第１のフィルタの特性を示す図７において、曲線Ａは挿入損失特性を示し、曲線Ｂは反射特性を示している。この場合の非可逆回路素子としての特性１は、図８に示すとおりであり、曲線Ａは挿入損失特性を示し、曲線Ｂはアイソレーション特性を示している。逆方向から高周波信号が入力された場合、第１中心電極３５（インダクタＬ１）とコンデンサＣ１とで構成するＬＣ並列共振回路に加えて、フィルタＦ１とリアクタンス素子Ｘ１，Ｘ２とで構成する並列共振回路のインピーダンス特性により抵抗Ｒ１と広帯域に整合され、アイソレーション特性が向上する。アイソレーションが−１２ｄＢを確保できる帯域幅は、図１９の従来例では１７３ＭＨｚであるのに対して第１のフィルタを使用した場合には２２６ＭＨｚである。
【００３１】
一方、順方向から高周波信号が入力された場合、前記ＬＣ並列共振回路にはほとんど高周波信号は流れないので、ＬＣ並列共振回路による挿入損失の劣化は無視できるレベルであり、優れた特性の非可逆回路素子が得られる。
【００３２】
（第１実施例での特性２、図９及び図１０参照）
次に、前記第１実施例において、フィルタＦ１として図９に示す特性を有する第２のフィルタを使用した場合の特性２を図１０に示す。フィルタ以外の数値は前記特性１で示したとおりである。
【００３３】
第２のフィルタの特性を示す図９において、曲線Ａは挿入損失特性を示し、曲線Ｂは反射特性を示している。即ち、第２のフィルタは、送信帯域信号（１９２０−１９８０ＭＨｚ）を減衰させ、受信帯域信号（２１１０−２１７０ＭＨｚ）を通過させる反射特性を有している。この場合の非可逆回路素子としての特性２は、図１０に示すとおりであり、曲線Ａは挿入損失特性を示し、曲線Ｂはアイソレーション特性を示している。順方向においては送信周波数帯信号を通過させる。逆方向においては送信周波数帯信号を抵抗Ｒ１で吸収し減衰させるが、受信周波数帯信号は通過する。
【００３４】
１９２０−１９８０ＭＨｚ帯域において、図１９の従来例においては順方向挿入損失が−０．５６ｄＢであったのが、この特性２においては−０．５１ｄＢに向上している。また、従来例においては、１９２０−１９８０ＭＨｚ帯域での逆方向挿入損失が−１８．６ｄＢであったが、この特性２においては−１３．７３ｄＢに減少しているが、使用上の問題となる変化量ではない。また、２１１０−２１７０ＭＨｚ帯域において、図１９の従来例においては逆方向挿入損失が−７．９ｄＢであったが、この特性２においては−１．４２ｄＢに向上している。
【００３５】
携帯端末では一般にアンテナのインピーダンスの変動によりアンテナ整合が不安定である。このため、送信波のアンテナでの反射波が受信側へ回り込むことが問題となる。デュプレクサとアンテナとの間にアイソレータを挿入することが考えられるが、同一のアンテナで受信も行われているため、従来のアイソレータでは受信信号も吸収してしまい、受信感度が著しく劣化してしまう。それゆえ、アンテナと送受分岐ポイントとの間には従来のアイソレータを配置することはできなかった。しかし、前記特性２を有する非可逆回路素子においては、図２に示したように、アンテナＡＮＴとデュプレクサＤＰＸとの間に挿入することができ、送受信モジュールが小型化される。
【００３６】
（第２実施例、図１１〜図１３参照）
第２実施例である非可逆回路素子は、図１１（Ａ）の等価回路に示すように、図３に示した第１実施例に対して、抵抗Ｒ２とフィルタＦ２とを抵抗Ｒ１とフィルタＦ１に対して並列に接続したものである。フィルタＦ２の入出力端子５１，５２にはリアクタンス素子Ｘ３，Ｘ４を設けてもよい。
【００３７】
より具体的には、図１１（Ｂ）に示すように、リアクタンス素子Ｘ２としてコンデンサＣ３を用い、リアクタンス素子Ｘ４としてコンデンサＣ４を用いてその特性をシミュレートした。特性のシミュレートに用いたフィルタは図１５に示す特性を有する第３のフィルタ、図１６に示す特性を有する第４のフィルタ、図１７に示す特性を有する第５のフィルタである。図１５、図１６、図１７において、それぞれ、曲線Ａは挿入損失特性を示し、曲線Ｂはアイソレーション特性を示している。
【００３８】
フィルタＦ１として図１５に示す第３のフィルタを使用するとともに、フィルタＦ２として図１６に示す第４のフィルタを使用した場合の非可逆回路素子としての特性３は、図１２に示すとおりである。図１２において、曲線Ａは挿入損失特性を示し、曲線Ｂはアイソレーション特性を示している。特性３は以下の数値の素子を使用している。
【００３９】
インダクタＬ１：  ７ｎＨ
インダクタＬ２：  １７ｎＨ
コンデンサＣ１：  ３．２ｐＦ
コンデンサＣ２：  １．８ｐＦ
コンデンサＣｓ１：  １．８ｐＦ
コンデンサＣｓ２：  ２ｐＦ
抵抗Ｒ１：  ５０Ω
抵抗Ｒ２：  ５０Ω
コンデンサＣ３：  １．５ｐＦ
コンデンサＣ４：  １．４ｐＦ
【００４０】
第３のフィルタはバンドパスフィルタであり、その低周波側及び高周波側のカットオフ周波数はそれぞれ１８０５ＭＨｚと１８８０ＭＨｚである。第４のフィルタはバンドパスフィルタであり、その低周波側及び高周波側のカットオフ周波数はそれぞれ１９２０ＭＨｚと１９８０ＭＨｚである。第３のフィルタの通過帯域の中心周波数は第４のフィルタの通過帯域の中心周波数よりも低い。第３のフィルタの高周波側のカットオフ周波数と第４のフィルタの低周波側のカットオフ周波数の差は４０ＭＨｚであり、周波数軸上で近接している。
【００４１】
このように、高周波側のカットオフ周波数と低周波側のカットオフ周波数とが周波数軸上で近接している複数のフィルタを用いることでも非可逆回路素子の逆方向特性を広帯域にできる。図１２に示すとおり、第２実施例である非可逆回路素子は１８４０〜１９５０ＭＨｚの広い周波数帯域にわたって、−１０ｄＢ以下のアイソレーション特性を有している。
【００４２】
前述のような複数のフィルタを用いる構成は、送信で用いる所定の周波数帯域が複数あり、かつ、周波数軸上で近接し、一つのフィルタを全て通過帯域に含めることができない場合に有用である。
【００４３】
フィルタＦ１として図１６に示す第４のフィルタを使用するとともに、フィルタＦ２として図１７に示す第５のフィルタを使用した場合の非可逆回路素子としての特性４は、図１３に示すとおりである。図１３において、曲線Ａは挿入損失特性を示し、曲線Ｂはアイソレーション特性を示している。
【００４４】
第５のフィルタはバンドパスフィルタであり、その低周波側及び高周波側のカットオフ周波数はそれぞれ１７１０ＭＨｚと１７８５ＭＨｚである。第５のフィルタの通過帯域の中心周波数は第４のフィルタの通過帯域の中心周波数よりも低い。第５のフィルタの高周波側のカットオフ周波数と第４のフィルタの低周波側のカットオフ周波数の差は１４０ＭＨｚであり、周波数軸上で離れている。
【００４５】
このように、高周波側のカットオフ周波数と低周波側のカットオフ周波数とが周波数軸上で離れている複数のフィルタを用いることで、送信で用いる所定の周波数帯域が複数あり、かつ、周波数軸上で離れている場合でも、一つの非可逆回路素子で対応できる。図１３に示すとおり、本第２実施例である非可逆回路素子は１７１０〜１７８５ＭＨｚ及び１９２０〜１９８０ＭＨｚの二つの周波数軸上で離れた周波数帯域で−１０ｄＢ以下のアイソレーション特性を有している。
【００４６】
（第３実施例、図１４参照）
第３実施例である非可逆回路素子は、図１４（Ａ）の等価回路に示すように、図３に示した第１実施例に対して、フィルタＦ１にフィルタＦ２を並列に接続したものである。フィルタＦ２の入出力端子５１，５２にはリアクタンス素子Ｘ３，Ｘ４を設けてもよい。
【００４７】
より具体的には、図１４（Ｂ）に示すように、リアクタンス素子Ｘ１としてインダクタＬ３を用い、リアクタンス素子Ｘ２としてコンデンサＣ３を用い、リアクタンス素子Ｘ３としてコンデンサＣ５を用い、リアクタンス素子Ｘ４としてコンデンサＣ４を用いている。図１５に示した第３のフィルタ、図１６に示した第４のフィルタ、図１７に示した第５のフィルタを第２実施例と同様に選択的に用いることができる。
【００４８】
第３実施例の構成を用いる場合でも、前記第２実施例と同様の効果を得ることができる。実装基板のサイズや非可逆回路素子のレイアウトの設計に応じて、第３実施例の構成を適宜に選択できる。
【００４９】
（他の実施例）
なお、本発明に係る非可逆回路素子、そのモジュール及び送受信モジュールは前記実施例に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更することができる。
【００５０】
例えば、永久磁石４１のＮ極とＳ極を反転させれば、入力ポートＰ１と出力ポートＰ２が入れ替わる。また、第１及び第２中心電極３５，３６の形状などは任意である。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
以上のように、本発明は、非可逆回路素子、そのモジュール及び送受信モジュールに有用であり、特に、広帯域にわたって良好なアイソレーション特性を得ることができ、かつ、送受信回路部にも使用可能である点で優れている。
【符号の説明】
【００５２】
３０…フェライト・磁石組立体
３２…フェライト
３５…第１中心電極
３６…第２中心電極
４１…永久磁石
Ｆ１，Ｆ２…フィルタ（バンドパスフィルタ）
Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３…ポート
Ｒ１，Ｒ２…抵抗
Ｃ１〜Ｃ５…コンデンサ
Ｌ１〜Ｌ３…インダクタ
Ｘ１〜Ｘ４…リアクタンス素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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