(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１貫通孔及び第２貫通孔が形成される樹脂基板と、
前記樹脂基板の一方の面に形成されて前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔を覆い、前記第１貫通孔と前記第２貫通孔との間の領域に位置する境界部により第１側と第２側に分離される金属箔と、
前記第１貫通孔内で前記第１側の金属箔に接続されるめっき膜で形成される第１接続部と、
前記第２貫通孔内で前記第２側の金属箔に接続されるめっき膜で形成される第２接続部と、
前記境界部から離間した部位において、前記金属箔及び前記第１接続部を貫通するように形成される第１スリットと、
前記境界部から離間した部位において、前記金属箔及び前記第２接続部を貫通し、前記第１スリットと平行に形成される第２スリットと、
前記第１側の金属箔の表面と、前記第１接続部の底面と、前記第１接続部の前記第１スリット内に露出する側面と、前記第１側の金属箔の前記第１スリット内に露出する側面とに形成される第１めっき層と、
前記第２側の金属箔の表面と、前記第２接続部の底面と、前記第２接続部の前記第２スリット内に露出する側面と、前記第２側の金属箔の前記第２スリット内に露出する側面とに形成される第２めっき層と
を含み、
前記第１スリットと前記第２スリットとは、前記第１スリットと前記第２スリットとの間の領域に前記第１側の金属箔と前記第２側の金属箔とを隔てる前記境界部が位置するように配設される、配線基板。
【請求項２】
前記第１側の金属箔又は前記第２側の金属箔の表面に形成される絶縁層をさらに含む、請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記第１側の金属箔と前記第２側の金属箔は、それぞれ、平面視で前記第１接続部と前記第２接続部の外形形状に沿った外形形状を有する、請求項１又は２記載の配線基板。
【請求項４】
前記金属箔は銅箔であるとともに、前記第１接続部及び前記第２接続部は銅めっき膜で形成され、
前記第１めっき層及び前記第２めっき層は、ニッケル層と金層がこの順で形成されるめっき層である、請求項１乃至３のいずれか一項記載の配線基板。
【請求項５】
前記樹脂基板はテープ状の樹脂基板である、請求項１乃至４のいずれか一項記載の配線基板。
【請求項６】
樹脂基板と、
前記樹脂基板の一方の面に形成され、第１側と第２側に分離される金属箔と、
前記樹脂基板の一方の側で前記第１側の金属箔に接続されるめっき膜で前記樹脂基板の厚さ方向に形成される第１接続部と、
前記樹脂基板の他方の側で前記第２側の金属箔に接続されるめっき膜で前記樹脂基板の厚さ方向に形成される第２接続部と、
前記第１側の金属箔の表面及び側面と、前記第１接続部の底面及び側面とに形成される第１めっき層と、
前記第２側の金属箔の表面及び側面と、前記第２接続部の底面及び側面とに形成される第２めっき層と
を含み、
前記第１側の金属箔の側面と、前記第１接続部の側面とは、前記樹脂基板の第１側面を構築し、
前記第２側の金属箔の側面と、前記第２接続部の側面とは、前記第1側面に対して平行となる前記樹脂基板の第２側面を構築する、配線基板。
【請求項７】
樹脂基板に第１貫通孔及び第２貫通孔を形成する工程と、
前記樹脂基板の一方の面に、前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔を覆う金属箔を貼り付ける工程と、
前記金属箔をパターニングし、前記第1貫通孔と前記第2貫通孔の間の領域に位置する境界部により前記金属箔を第１側と第２側に分離する工程と、
前記第１貫通孔内で前記第１側の金属箔に接続する第１接続部をめっき処理で形成する工程と、
前記第２貫通孔内で前記第２側の金属箔に接続する第２接続部をめっき処理で形成する工程と、
前記境界部から離間した部位において、前記金属箔及び前記第１接続部を貫通する第１スリットを形成する工程と、
前記境界部から離間した部位において、前記金属箔及び前記第２接続部を貫通し、前記第１スリットと平行な第２スリットを形成する工程と、
前記第１側の金属箔の表面と、前記第１接続部の底面と、前記第１接続部の前記第１スリット内に露出する側面と、前記第１側の金属箔の前記第１スリット内に露出する側面とに、第１めっき層を形成する工程と、
前記第２側の金属箔の表面と、前記第２接続部の底面と、前記第２接続部の前記第２スリット内に露出する側面と、前記第２側の金属箔の前記第２スリット内に露出する側面とに、第２めっき層を形成する工程と
を含み、
前記第１スリットと前記第２スリットとを、前記第１スリットと前記第２スリットとの間の領域に前記第１側の金属箔と前記第２側の金属箔とを隔てる前記境界部が位置するように形成する、配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記第１側の金属箔と前記第２側の金属箔を、それぞれ、平面視で前記第１接続部と前記第２接続部の外形形状に沿った外形形状を有するように形成する、請求項７記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記第１側の金属箔又は前記第２側の金属箔の表面に絶縁層を形成する工程をさらに含む、請求項７又は８記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板及び配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、対向する第１面と第２面を有するセラミック基板と、前記セラミック基板の第１面に形成されたタングステン又はモリブデンを主成分とし、リード端子が銀ろう材を介して接合される接続領域を備えた配線導体と、前記セラミック基板の第２面に形成された銅層又は銅合金層を有する回路基板がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−１４７２１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、従来の回路基板はセラミック基板に配線導体を印刷しているため、電子部品の小型化に対応して複数の配線導体同士の間隔を狭めるには限界があった。
【０００５】
電子部品の小型化に追従するには微細な間隔で複数の配線を形成することが要求される。
【０００６】
そこで、微細な間隔で複数の配線を形成できる配線基板、及び、配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の実施の形態の配線基板は、第１貫通孔及び第２貫通孔が形成される樹脂基板と、前記樹脂基板の一方の面に形成されて前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔を覆い、前記第１貫通孔と前記第２貫通孔の境界部に沿って第１側と第２側に分離される金属箔と、前記第１貫通孔内で前記第１側の金属箔に接続されるめっき膜で形成される第１接続部と、前記第２貫通孔内で前記第２側の金属箔に接続されるめっき膜で形成される第２接続部と、前記境界部から離間した部位において、前記金属箔及び前記第１接続部を貫通するように形成される第１スリットと、前記境界部から離間した部位において、前記金属箔及び前記第２接続部を貫通し、前記第１スリットと平行に形成される第２スリットと、前記第１側の金属箔の表面と、前記第１接続部の底面と、前記第１接続部の前記第１スリット内に露出する側面と、前記第１側の金属箔の前記第１スリット内に露出する側面とに形成される第１めっき層と、前記第２側の金属箔の表面と、前記第２接続部の底面と、前記第２接続部の前記第２スリット内に露出する側面と、前記第２側の金属箔の前記第２スリット内に露出する側面とに形成される第２めっき層とを含み、前記第１スリットと前記第２スリットとは、前記第１スリットと前記第２スリットとの間の領域に前記第１貫通孔と前記第２貫通孔との前記境界部が位置するように配設される。
【発明の効果】
【０００８】
微細な間隔で複数の配線を形成できる配線基板、及び、配線基板の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】比較例１のＬＥＤモジュール１Ａを示す断面図である。
【図２】比較例２のＩＣモジュール１Ｂを示す断面図である。
【図３】実施の形態１のＬＥＤモジュール１００を示す断面図である。
【図４】実施の形態１の配線基板１１０の製造工程を示す図である。
【図５】実施の形態１の配線基板１１０の製造工程を示す図である。
【図６】実施の形態１の配線基板１１０の製造工程を示す図である。
【図７】実施の形態１の配線基板１１０の製造工程を示す図である。
【図８】実施の形態１の配線基板１１０の製造工程を示す図である。
【図９】実施の形態１の配線基板１１０の製造工程を示す図である。
【図１０】実施の形態２のＩＣモジュール２００の断面構造を示す図である。
【図１１】実施の形態３の配線基板３１０を含むＬＥＤモジュール３００の断面構造を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の配線基板、及び、配線基板の製造方法を適用した実施の形態について説明するにあたり、まず、比較例１、２の配線基板について説明する。
【００１１】
＜比較例１＞
図１は、比較例１のＬＥＤ（Light Emitting Diode：発光ダイオード）モジュール１Ａを示す断面図である。
【００１２】
比較例１のＬＥＤモジュール１Ａは、配線基板１０、ＬＥＤ２０、金属板３０、及び封止樹脂４０を含む。
【００１３】
配線基板１０は、セラミック基板１１、配線層１２Ａ、１２Ｂ、電極１３Ａ、１３Ｂ、接続部１４Ａ、１４Ｂ、及びめっき層１５Ａ、１５Ｂを含む。配線基板１０は、ＬＥＤ２０が実装された状態で、金属板３０の配線層３１Ａ、３１Ｂに、はんだ３２Ａ、３２Ｂによって接続される。ＬＥＤ２０と配線基板１０は、金属板３０の上で封止樹脂４０によって覆われる。
【００１４】
セラミック基板１１は、例えば、アルミナや窒化アルミ等のセラミック製の基板である。セラミック基板１１は、ＬＥＤ２０を実装するための基板として用いられる。
【００１５】
配線層１２Ａ、１２Ｂは、セラミック基板１１の上面に形成される。図１には２つの配線層１２Ａ、１２Ｂが離間して形成されている状態を示す。配線層１２Ａ、１２Ｂは、例えば、セラミック基板１１の上面に銀ペーストを印刷することによって形成される。ここで、銀ペーストを印刷することによって配線層１２Ａ、１２Ｂを形成するのは、比較的低コストで配線層１２Ａ、１２Ｂを形成できるからである。
【００１６】
電極１３Ａ、１３Ｂは、セラミック基板１１の下面に形成される。図１には２つの電極１３Ａ、１３Ｂが離間して形成されている状態を示す。電極１３Ａ，１３Ｂは、例えば、銀ペーストをセラミック基板１１の下面に印刷することによって形成される。ここで、銀ペーストを印刷することによって電極１３Ａ、１３Ｂを形成するのは、配線層１２Ａ、１２Ｂと同様に、比較的低コストで電極１３Ａ、１３Ｂを形成できるからである。
【００１７】
接続部１４Ａ、１４Ｂは、セラミック基板１１の側面に形成される。図１には２つの接続部１４Ａ、１４Ｂが２つの配線層１２Ａ、１２Ｂと２つの電極１３Ａ、１３Ｂとをそれぞれ接続している状態を示す。すなわち、図１において左側の配線層１２Ａ及び電極１３Ａは、セラミック基板１１の左側面に形成される接続部１４Ａによって接続される。また、図１において右側の配線層１２Ｂ及び電極１３Ｂは、セラミック基板１１の右側面に形成される接続部１４Ｂによって接続される。
【００１８】
接続部１４Ａ、１４Ｂは、例えば、銀ペーストをセラミック基板１１の側面に印刷することによって形成される。
【００１９】
めっき層１５Ａ、１５Ｂは、それぞれ、配線層１２Ａ、１２Ｂ、電極１３Ａ、１３Ｂ、接続部１４Ａ、１４Ｂの表面に形成される。めっき層１５Ａは、ニッケルめっき層１５Ａ１及び金めっき層１５Ａ２の２層構造であり、めっき層１５Ｂは、ニッケルめっき層１５Ｂ１及び金めっき層１５Ｂ２の２層構造である。
【００２０】
ニッケルめっき層１５Ａ１は、例えば、電解めっき処理によってニッケルめっき膜を配線層１２Ａ、電極１３Ａ、接続部１４Ａの表面に作製することによって形成される。また、金めっき層１５Ａ２は、例えば、電解めっき処理によって金めっき膜をニッケルめっき層１５Ａ１の表面に作製することによって形成される。
【００２１】
ニッケルめっき層１５Ｂ１は、例えば、電解めっき処理によってニッケルめっき膜を配線層１２Ｂ、電極１３Ｂ、接続部１４Ｂの表面に作製することによって形成される。また、金めっき層１５Ｂ２は、例えば、電解めっき処理によって金めっき膜をニッケルめっき層１５Ｂ１の表面に作製することによって形成される。
【００２２】
ＬＥＤ２０は、端子２１、２２を有し、半導体製造技術で製造される。端子２１は左側の配線層１２Ａに接続され、端子２２は右側の配線層１２Ｂに接続される。端子２１、２２は、例えば、はんだや金等のバンプである。端子２１、２２がはんだで構築される場合は、はんだを溶融することによって配線層１２Ａ、１２Ｂに接続すればよい。また、端子２１、２２が金製のバンプである場合は、圧着することによって配線層１２Ａ、１２Ｂに接続すればよい。ＬＥＤ２０は、端子２１、２２により、配線基板１０にフリップチップ実装される。
【００２３】
金属板３０は、例えば、アルミニウム又は銅等の金属製の板状部材である。金属板３０の上面の前面には、樹脂層３３が形成されており、樹脂層３３の上には配線層３１Ａ、３１Ｂが形成されている。
【００２４】
樹脂層３３は、例えば、金属板３０の上面にエポキシ樹脂をラミネートする（貼り合わせる）ことによって形成される。
【００２５】
配線層３１Ａ、３１Ｂは、例えば、樹脂層３３の上面に銀ペーストを印刷することによって形成される。図１には、２つの電極１３Ａ、１３Ｂに対応した２つの配線層３１Ａ、３１Ｂを示す。
【００２６】
セラミック基板１１の下面の電極１３Ａ、１３Ｂ及び接続部１４Ａ、１４Ｂは、それぞれ、はんだ３２Ａ、３２Ｂによって配線層３１Ａ、３１Ｂに接続される。実際には、電極１３Ａ、１３Ｂ及び接続部１４Ａ、１４Ｂは、それぞれ、めっき層１５Ａ、１５Ｂを介して、はんだ３２Ａ、３２Ｂによって配線層３１Ａ、３１Ｂに接続される。
【００２７】
ここで、セラミック基板１１の下面の電極１３Ａ、１３Ｂに加えて、セラミック基板１１の側面に形成される接続部１４Ａ、１４Ｂもはんだ３２Ａ、３２Ｂで配線層３１Ａ、３１Ｂに接続するのは、はんだ３２Ａ、３２Ｂによる接続強度を増大させることにより、はんだ３２Ａ、３２Ｂによる接続の信頼性を向上させるためである。
【００２８】
はんだ３２Ａ、３２Ｂは、それぞれ、電極１３Ａ、１３Ｂと接続部１４Ａ、１４Ｂの下部とを配線層３１Ａ、３１Ｂに接続する。はんだ３２Ａ、３２Ｂとしては、例えば、無鉛はんだである、錫（Ｓｎ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）を含むＳｎＡｇＣｕ系はんだ、錫（Ｓｎ）、銅（Ｃｕ）を含むＳｎＣｕ系はんだ、又は、錫（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、アルミニウム（Ａｌ）を含むＳｎＺｎＡｌ系はんだ等を用いればよい。
【００２９】
封止樹脂４０は、例えば、シリコーン系樹脂やエポキシ系樹脂に、蛍光体を含有させたものを用いればよい。このような樹脂によるモールドやポッティングにより、金属板３０の上でＬＥＤ２０を封止する。なお、封止樹脂４０によって配線基板１０はＬＥＤ２０と金属板３０との間で封止される。
【００３０】
このような比較例１のＬＥＤモジュール１Ａは、２つの配線層３１Ａ、３１Ｂの一方を電源の正極性端子に接続し、他方を電源の負極性端子に接続することにより、配線基板１０を通じてＬＥＤ２０に電力が供給され、ＬＥＤ２０が点灯する。
【００３１】
この際に、ＬＥＤ２０が発生する熱は、配線基板１０から金属板３０に伝導し、金属板３０によって放熱される。これにより、ＬＥＤ２０は冷却される。
【００３２】
ところで、ＬＥＤ２０の小型化に伴い、端子２１、２２の間の距離が短くなっている。
【００３３】
このため、配線基板１０の２つの配線層１２Ａ、１２Ｂ同士の間隔も短くすること（ファイン化）が要求される。
【００３４】
しかしながら、セラミック基板１１の表面に形成される２つの配線層１２Ａ、１２Ｂは、互いに絶縁する必要があるため、印刷による形成では、２つの配線層１２Ａ、１２Ｂの間隔を狭める（ファイン化）には限界があるという問題がある。
【００３５】
また、ここで配線層１２Ａ、１２Ｂをセミアディティブ法で形成することにより、２つの配線層１２Ａ、１２Ｂ同士の間隔を短くすることが考えられる。しかし、セミアディティブ法では無電解めっき処理と電解めっき処理を行うため、ＬＥＤモジュール１Ａの製造コストが上昇するという問題が生じる。
【００３６】
次に、比較例２のＩＣ（Integrated Circuit：集積回路）モジュール１Ｂについて説明する。
【００３７】
＜比較例２＞
図２は、比較例２のＩＣモジュール１Ｂを示す断面図である。
【００３８】
ＩＣモジュール１Ｂは、ＩＣチップ５０、ステージ６０Ａ、リード６０Ｂ、モールド樹脂７０、及び回路基板８０を含む。
【００３９】
ＩＣチップ５０は、半導体製造技術で製造され、所定の演算機能を有する。ＩＣチップ５０は、ステージ６０Ａに実装され、ボンディングワイヤ６１によってリード６０Ｂに接続される。図２には、リード６０Ｂとボンディングワイヤ６１をそれぞれ２つずつ示すが、リード６０Ｂとボンディングワイヤ６１は実際には多数存在する。
【００４０】
ステージ６０Ａ及びリード６０Ｂは、リードフレームのフレームを切除することによって得られる。ステージ６０Ａは平面視で矩形状の板状の部材である。リード６０Ｂは、断面視で略コの字型の部材である。
【００４１】
ステージ６０Ａ及びリード６０Ｂを含むリードフレームのステージ６０ＡにＩＣチップ５０を実装し、ボンディングワイヤ６１でＩＣチップ５０とリード６０Ｂの一端とを接続した状態で、ＩＣチップ５０をモールド樹脂７０で覆った後に、リードフレームのフレームは切除される。フレームを切除すると、図２に示すＩＣモジュール１Ｂが得られる。
【００４２】
リード６０Ｂの他端は、回路基板８０の配線層８１にはんだ８２によって接続される。
【００４３】
モールド樹脂７０は、例えば、エポキシ樹脂製であり、ＩＣチップ５０、ステージ６０Ａ、及びリード６０Ｂの一端側を覆うようにインサートモールド成型を行うことによって作製される。
【００４４】
回路基板８０は、例えば、ＦＲ４（Flame Retardant 4）規格のガラスエポキシ樹脂製の基板を用いることができる。回路基板８０の表面には、配線層８１が形成されている。
【００４５】
以上のような比較例２のＩＣモジュール１Ｂにおいて、ＩＣチップ５０は、ボンディングワイヤ６１、リード６０Ｂ、及び配線層８１を介して外部回路に接続され、所定の動作を行う。
【００４６】
ところで、比較例２のＩＣモジュール１Ｂでは、ＩＣチップ５０の小型化に伴い、ステージ６０Ａ及びリード６０Ｂの間の距離を短くするとともに、多数あるリード６０Ｂ同士の間隔を短くすることが要求される。
【００４７】
しかしながら、ステージ６０Ａ及びリード６０Ｂは、フープ材のような金属板を金型で打ち抜くことによって形成される。このため、ステージ６０Ａ及びリード６０Ｂの間の距離、及び、複数のリード６０Ｂ同士の間の距離を短くすること（ファイン化）には限界があるという問題がある。
【００４８】
以上のように、比較例１のＬＥＤモジュール１Ａと、比較例２のＩＣモジュール１Ｂでは、ステージ６０Ａ及びリード６０Ｂの微細加工が困難（ファイン化が困難）であるという問題点がある。
【００４９】
従って、以下で説明する実施の形態では、このような問題点を解決した配線基板、及び配線基板の製造方法について説明する。なお、以下で説明する実施の形態１乃至３において、比較例１、２のＬＥＤモジュール１Ａ、ＩＣモジュール１Ｂと同様の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
【００５０】
＜実施の形態１＞
図３は、実施の形態１のＬＥＤモジュール１００を示す図である。図３（Ａ）は実施の形態１のＬＥＤモジュール１００の断面構造を示す図であり、図３（Ｂ）は、実施の形態１のＬＥＤモジュール１００の平面構造を示す図である。図３（Ａ）の断面は、図３（Ｂ）のＩ−Ｉ矢視断面である。
【００５１】
図３（Ａ）に示すように、ＬＥＤモジュール１００は、配線基板１１０、ＬＥＤ２０、金属板３０、及び封止樹脂４０を含む。
【００５２】
配線基板１１０は、樹脂フィルム１１１、接着層１１２、配線層１１３Ａ、１１３Ｂ、接続部１１４Ａ、１１４Ｂ、めっき層１１５Ａ、１１５Ｂ、及び絶縁層１１６を含む。
【００５３】
配線基板１１０は、ＬＥＤ２０が実装された状態で、金属板３０の配線層３１Ａ、３１Ｂに、はんだ３２Ａ、３２Ｂによって接続される。ＬＥＤ２０と配線基板１１０は、金属板３０の上で封止樹脂４０によって覆われる。
【００５４】
樹脂フィルム１１１は、例えば、ポリイミド樹脂製のフィルムである。樹脂フィルム１１１は、樹脂基板の一例である。樹脂フィルム１１１の上面には、接着層１１２により配線層１１３Ａ、１１３Ｂが貼り付けられている。
【００５５】
なお、接着層１１２は、図３に示すように、配線基板１１０の幅方向における中央部分にだけ存在しており、配線層１１３Ａ、１１３Ｂと、接続部１１４Ａ、１１４Ｂとの間には存在しない。
【００５６】
接着層１１２は、樹脂フィルム１１１の上面に配線層１１３Ａ、１１３Ｂを接着するために用いられる。接着層１１２としては、例えば、エポキシ系接着剤又はポリイミド系接着剤等の絶縁性樹脂製の耐熱性接着材を用いることができる。
【００５７】
配線層１１３Ａ、１１３Ｂは、ＬＥＤ２０の端子２１、２２に対応して設けられており、例えば、樹脂フィルム１１１の上面に接着層１１２によって貼り付けられる銅箔をフォトリソグラフィ工程等でパターニングすることによって形成される。
【００５８】
配線層１１３Ａ、１１３Ｂの上面には、それぞれ、めっき層１１５Ａ、１１５Ｂが形成されるとともに、平面視でＬＥＤ２０と重ならない部分（配線基板１１０上面のうち幅方向における外側の部分）には絶縁層１１６が形成されている。また、配線層１１３Ａ、１１３Ｂの下面には、接続部１１４Ａ、１１４Ｂが接続されている。
【００５９】
配線層１１３Ａ、１１３Ｂの上面には、それぞれ、めっき層１１５Ａ、１１５Ｂを介して、ＬＥＤ２０の端子２１、２２が接続される。
【００６０】
接続部１１４Ａ、１１４Ｂは、上部が配線層１１３Ａ、１１３Ｂの下面に接続されている。接続部１１４Ａ、１１４Ｂは、例えば、配線層１１３Ａ、１１３Ｂに給電を行いながら電解めっき処理を行うことにより、配線層１１３Ａ、１１３Ｂの下面に銅めっき膜を形成することによって作製される。
【００６１】
接続部１１４Ａ、１１４Ｂは、それぞれ、第１接続部及び第２接続部の一例である。接続部１１４Ａ、１１４Ｂの側面及び下面には、それぞれ、めっき層１１５Ａ、１１５Ｂが形成される。
【００６２】
接続部１１４Ａ、１１４Ｂの下面は、めっき層１１５Ａ、１１５Ｂ及びはんだ３２Ａ、３２Ｂを介して、配線層３１Ａ、３１Ｂに接続される。
【００６３】
めっき層１１５Ａ、１１５Ｂは、それぞれ、配線層１１３Ａ、１１３Ｂの上面のうち、絶縁層１１６が形成されない部分と、接続部１１４Ａ、１１４Ｂの側面及び下面に形成される。
【００６４】
めっき層１１５Ａ、１１５Ｂは、それぞれ、第１めっき層及び第２めっき層の一例である。
【００６５】
めっき層１１５Ａは、ニッケルめっき層１１５Ａ１及び金めっき層１１５Ａ２の２層構造であり、めっき層１１５Ｂは、ニッケルめっき層１１５Ｂ１及び金めっき層１１５Ｂ２の２層構造である。
【００６６】
ニッケルめっき層１１５Ａ１は、例えば、電解めっき処理によってニッケルめっき膜を配線層１１３Ａの上面のうち絶縁層１１６が形成されない部分と、接続部１１４Ａの側面及び下面とに形成される。また、金めっき層１５Ａ２は、例えば、電解めっき処理によって金めっき膜をニッケルめっき層１５Ａ１の表面に作製することによって形成される。
【００６７】
ニッケルめっき層１１５Ｂ１は、例えば、電解めっき処理によってニッケルめっき膜を配線層１１３Ｂの上面のうち絶縁層１１６が形成されない部分と、接続部１１４Ｂの側面及び下面とに形成される。また、金めっき層１５Ｂ２は、例えば、電解めっき処理によって金めっき膜をニッケルめっき層１５Ｂ１の表面に作製することによって形成される。
【００６８】
絶縁層１１６は、例えば、エポキシ系樹脂、オルガノポリシロキサン等のシリコーン系樹脂に、酸化チタン（ＴｉＯ２）や硫酸バリウム（ＢａＳＯ４）等のフィラーや顔料を含有させたものを用いることができる。絶縁層１１６の絶縁性樹脂は、これらの材料製の白色インクであってもよい。
【００６９】
絶縁層１１６は、平面視で矩形環状に形成され、中央の矩形状の開口部１１６Ａに、ＬＥＤ２０が配設される。絶縁層１１６を白色インクにする場合は、絶縁層１１６の反射率及び放熱率を向上させることができ、ＬＥＤ２０の照度及び放熱性を向上させることができる。すなわち、この場合、絶縁層１１６は、反射膜として機能する。
【００７０】
ここで、ＬＥＤ２０、樹脂層３３、配線層１１３Ａ、１１３Ｂ、及び絶縁層１１６の位置関係は、図３（Ｂ）に示す通りである。
【００７１】
以上のような実施の形態１の配線基板１１０は、上面にＬＥＤ２０が実装された状態で、はんだ３２Ａ、３２Ｂにより、金属板３０に実装される。配線基板１１０が金属板３０に実装された状態では、配線基板１１０のめっき層１１５Ａ、１１５Ｂの外側の側面及び下面が、はんだ３２Ａ、３２Ｂによって配線層３１Ａ、３１Ｂに接続される。
【００７２】
また、ＬＥＤ２０及び配線基板１１０は、封止樹脂４０によって覆われる。
【００７３】
以上により、実施の形態１のＬＥＤモジュール１００が完成し、ＬＥＤ２０は、配線層３１Ａ、３１Ｂを介して給電が行われ、点灯可能な状態になる。
【００７４】
また、実施の形態１の配線基板１１０は、接続部１１４Ａ、１１４Ｂの下面及び側面に、それぞれ、めっき層１１５Ａ、１１５Ｂが形成されているため、接続部１１４Ａ、１１４Ｂの下面及び側面における濡れ性を向上させることができる。
【００７５】
このため、はんだ３２Ａ、３２Ｂが配線基板１１０の側面にまで回り込み、はんだ３２Ａ、３２Ｂによる接続強度を増大させることができ、はんだ３２Ａ、３２Ｂによる接続の信頼性を向上させることができる。
【００７６】
また、実施の形態１の配線基板１１０は、樹脂フィルム１１１の上面に接着層１１２によって貼り付けられる銅箔をフォトリソグラフィ工程等でパターニングすることにより、配線層１１３Ａ、１１３Ｂを形成している。このため、配線層１１３Ａ、１１３Ｂの間の距離を微少な距離にすることができる。すなわち、配線層１１３Ａ、１１３Ｂのファイン化が可能である。
【００７７】
以下、実施の形態１の配線基板１１０の製造方法について説明し、配線層１１３Ａ、１１３Ｂのファイン化が可能になる理由について説明する。
【００７８】
図４乃至図９は、実施の形態１の配線基板１１０の製造工程を示す図である。
【００７９】
ここでは、実施の形態１の配線基板１１０をポリイミド製の絶縁樹脂テープを基材とするリール・トゥ・リール方式で製造する形態について説明する。
【００８０】
また、図４、図６、図８に示す断面は、図３に示す配線基板１１０を２つ横に並べた幅の断面に対応する。図４、図６、図８に示す断面構造からは、２つの配線基板１１０が得られ、ポリイミド製の絶縁樹脂テープの長手方向に２列に配列される複数の配線基板１１０が得られるものとして説明を行う。
【００８１】
まず、図４（Ａ）に示すように、樹脂フィルム１１１Ａの表面（図中の上面）に接着剤を塗布することにより接着層１１２Ａを形成する。また、接着剤の代わりに接着フィルムを貼着してもよい。
【００８２】
次に、図４（Ｂ）に示すように、３つの貫通孔１１１Ｂ１、１１１Ｂ２、１１１Ｂ３をパンチング処理によって形成する。貫通孔１１１Ｂ１、１１１Ｂ２、１１１Ｂ３を特に区別しない場合には、単に貫通孔１１１Ｂと称す。
【００８３】
３つの貫通孔１１１Ｂ１、１１１Ｂ２、１１１Ｂ３は、樹脂フィルム１１１Ａ及び接着層１１２Ａの両方を貫通している。なお、この工程では、リール・トゥ・リール方式で製造する際に用いるスプロケットホール１１１Ｃもパンチング処理で同時に形成する。
【００８４】
ここで、図４（Ｂ）に示す断面は、図５に示す平面図のＡ−Ａ矢視断面である。図５は、樹脂フィルム１１１Ａ及び接着層１１２Ａの積層体を上方から見た平面図である。図５には接着層１１２Ａの上面が見えているが、接着層１１２Ａの下側には樹脂フィルム１１１Ａが存在する。このため、符号１１１Ａを括弧書きで示す。
【００８５】
図５に示すように、直交座標系であるＸＹＺ座標系を定義すると、Ｘ軸方向は、図４（Ｂ）の幅方向であり、Ｙ軸方向は、図４（Ｂ）の図面を垂直に貫通する方向であり、Ｚ軸方向は、図４（Ｂ）における厚さ方向である。樹脂フィルム１１１Ａは、Ｙ軸方向に長手方向を有するフィルムである。
【００８６】
図５に示すように、Ｘ軸方向に３つの貫通孔１１１Ｂ１、１１１Ｂ２、１１１Ｂ３が配列される。貫通孔１１１Ｂ１、１１１Ｂ２、１１１Ｂ３は、Ｙ軸方向に所定の間隔で均等に配列される。
【００８７】
貫通孔１１１Ｂ１は、平面視で凹部を含む矩形状の開口部を有する。貫通孔１１１Ｂ２は、平面視で凸部と凹部を含む矩形状の開口部を有する。貫通孔１１１Ｂ３は、凸部を含む矩形状の開口部を有する。
【００８８】
貫通孔１１１Ｂ１の凹部と貫通孔１１１Ｂ２の凸部は対応して配置されており、貫通孔１１１Ｂ２の凹部と貫通孔１１１Ｂ３の凸部は対応して配置されている。貫通孔１１１Ｂ１と貫通孔１１１Ｂ３のＡ−Ａ矢視断面におけるＸ軸方向の長さは等しい。また、貫通孔１１１Ｂ２のＡ−Ａ矢視断面におけるＸ軸方向の長さは、貫通孔１１１Ｂ１と貫通孔１１１Ｂ３のＡ−Ａ矢視断面におけるＸ軸方向の長さの２倍である。
【００８９】
図４（Ｂ）に示すパンチング処理では、貫通孔１１１Ｂ１、１１１Ｂ２、１１１Ｂ３を形成する。
【００９０】
次に、図４（Ｃ）に示すように、接着層１１２Ａの上に銅箔１１３を貼り付ける。銅箔１１３は、一例として厚さ１２μｍ〜３５μｍのものを用いればよい。この銅箔１１３は、後にパターニングされることによって配線層１１３Ａ、１１３Ｂになる。
【００９１】
次に、図４（Ｄ）に示すように、ウェットエッチング用の溶液に含浸させることにより、貫通孔１１１Ｂに対向する銅箔１１３の下側の面と、銅箔１１３の上側の面のエッチングを行う。このエッチング処理により、銅箔１１３の表面にある防錆剤を除去するとともに、さらに銅箔１１３の表面を僅かな厚さ（例えば、１〜２μｍ）だけ除去する。なお、このエッチング処理は必要に応じて行えばよい処理であり、必須の処理ではない。
【００９２】
次に、図６（Ａ）に示すように、銅箔１１３の上面にマスキングテープ１２０を貼り付け、銅箔１１３により給電を行う電解めっき処理によって、図６（Ｂ）に示すように、接続部１１４Ｃ１、１１４Ｃ２、１１４Ｃ３を成長させる。
【００９３】
接続部１１４Ｃ１、１１４Ｃ２、１１４Ｃ３は、それぞれ、貫通孔１１１Ｂ１、１１１Ｂ２、１１１Ｂ３の内部で露出する銅箔１１３の裏面に、めっき金属を析出させることにより、太い柱状に形成される。接続部１１４Ｃ１、１１４Ｃ２、１１４Ｃ３が形成される前の状態では、貫通孔１１１Ｂ１、１１１Ｂ２、１１１Ｂ３の上端は、図６（Ａ）に示すように、銅箔１１３によって閉塞されている。
【００９４】
貫通孔１１１Ｂ１、１１１Ｂ２、１１１Ｂ３内にめっき金属が充填されることにより、柱状の接続部１１４Ｃ１、１１４Ｃ２、１１４Ｃ３が完成する。接続部１１４Ｃ１、１１４Ｃ２、１１４Ｃ３は、一例として、電解銅めっきにより、銅箔１１３の裏面に銅めっきを析出させて貫通孔１１１Ｂ１、１１１Ｂ２、１１１Ｂ３内に銅めっきを充填することによって形成される。
【００９５】
貫通孔１１１Ｂ１、１１１Ｂ２、１１１Ｂ３は、樹脂フィルム１１１Ａ及び接着層１１２Ａの両方を貫通して銅箔１１３の裏面を露出しているため、接続部１１４Ｃ１、１１４Ｃ２、１１４Ｃ３は、樹脂フィルム１１１Ａ及び接着層１１２Ａの両方を貫通して柱状に形成される。
【００９６】
接続部１１４Ｃ１、１１４Ｃ２、１１４Ｃ３の一端（図中の上端）が銅箔１１３に接続され、他端（図中の下端）が樹脂フィルム１１１Ａの裏面から露出する。ここでは、一例として接続部１１４Ｃ１、１１４Ｃ２、１１４Ｃ３の他端（図中の下端）が樹脂フィルム１１１Ａの裏面から突出する形態を示す。
【００９７】
しかしながら、接続部１１４Ｃ１、１１４Ｃ２、１１４Ｃ３の他端（図中の下端）は、樹脂フィルム１１１Ａの裏面と面一であってもよく、裏面よりも貫通孔１１１Ｂ１、１１１Ｂ２、１１１Ｂ３の内側にオフセットしていてもよい。
【００９８】
マスキングテープ１２０は、電解めっき処理で接続部１１４Ｃ１、１１４Ｃ２、１１４Ｃ３を成長させる際に、銅箔１１３の上面側に銅層が成長しないようにするために、銅箔１１３の上面を覆うものである。なお、電解めっき処理は、銅箔１１３に給電を行うことによって行われる。
【００９９】
次に、マスキングテープ１２０を除去し、銅箔１１３の上にレジスト（図示せず）を塗布し、銅箔１１３のパターンに合わせた露光を行い、レジストに銅箔１１３のパターンを現像する。そして、レジストを用いてエッチングを行うことにより、銅箔１１３をパターニングし、図６（Ｃ）に示すように銅箔１１３Ｃ１、１１３Ｃ２、１１３Ｃ３を形成する。なお、図６（Ｃ）に示す状態は、銅箔１１３のパターニングが済んで銅箔１１３Ｃ１、１１３Ｃ２、１１３Ｃ３を形成した後に、マスキングテープ１２０を除去した状態である。
【０１００】
図６（Ｃ）に示す断面において、銅箔１１３Ｃ１、１１３Ｃ２、１１３Ｃ３は、境界部１１３Ｄ１、１１３Ｄ２によって３つの部分に分割されている。境界部１１３Ｄ１、１１３Ｄ２は、比較例１の配線基板１０の接続部１４Ａ、１４Ｂのようにスクリーン印刷による銀ペーストの形成では実現できない程に微少な間隔（ギャップ）であり、感光性のレジストに銅箔１１３のパターンを現像するフォトリソグラフィ工程によって実現される間隔（ギャップ）である。フォトリソグラフィ工程は、半導体素子の微細加工に用いられる工程であるため、境界部１１３Ｄ１、１１３Ｄ２の幅を微細な幅にすることができ、ファイン化が可能である。従って、ＬＥＤ２０の小型化に対応して、配線基板１１０の小型化を図ることが可能である。
【０１０１】
また、図６に示すように銅箔１１３Ｃ１、１１３Ｃ２、１１３Ｃ３を形成する際には、銅箔１１３Ｃ１と１１３Ｃ３の外側に、給電線１１３Ｅが形成される。
【０１０２】
図６（Ｃ）に示す断面は、図７に示すＢ−Ｂ矢視断面である。図７は、銅箔１１３Ｃ１、１１３Ｃ２、１１３Ｃ３のパターンを示す平面図である。
【０１０３】
銅箔１１３Ｃ１、１１３Ｃ２、１１３Ｃ３は、図７にグレーで示す領域に存在している。また、銅箔１１３Ｃ１、１１３Ｃ２、１１３Ｃ３には、給電線１１３Ｅが接続されている。給電線１１３Ｅは、図７において、２つの銅箔１１３Ｃ１、２つの１１３Ｃ２、及び２つの１１３Ｃ３に接続されるとともに、囲むようにパターニングされる部分である。給電線１１３Ｅは、後にめっき層を形成する際に給電を行うために、図６（Ｃ）に示すエッチング処理で残される部分である。給電線１１３Ｅは、後に個片化される際に除去される。
【０１０４】
また、貫通孔１１１Ｂ１、１１１Ｂ２、１１１Ｂ３（図５参照）内に形成される接続部１１４Ｃ１、１１４Ｃ２、１１４Ｃ３の輪郭を破線で示す。接続部１１４Ｃ１、１１４Ｃ２、１１４Ｃ３は、それぞれ、銅箔１１３Ｃ１、１１３Ｃ２、１１３Ｃ３の下面に接続されている（図６（Ｃ）参照）。
【０１０５】
銅箔１１３Ｃ１、１１３Ｃ２、１１３Ｃ３は、図７に示すように、境界部１１３Ｄ１、１１３Ｄ２によって３つの部分に分割されている。境界部１１３Ｄ１は、接続部１１４Ｃ１の上に位置する銅箔１１３Ｃ１と、接続部１１４Ｃ２の上に位置する銅箔１１３Ｃ２との境界であり、クランク状に曲がった形状を有する。
【０１０６】
同様に、境界部１１３Ｄ２は、接続部１１４Ｃ２の上に位置する銅箔１１３Ｃ２と、接続部１１４Ｃ３の上に位置する銅箔１１３Ｃ３との境界であり、クランク状に曲がった形状を有する。
【０１０７】
境界部１１３Ｄ１、１１３Ｄ２の幅（Ｘ軸方向の幅）は、例えば、５０μｍ程度である。
【０１０８】
次に、図６（Ｄ）に示すように、銅箔１１３Ｃ１、１１３Ｃ２、１１３Ｃ３の上の所定の部分（個片化される配線基板１１０の領域内であって、後に、めっき層１１５Ａ、１１５Ｂを形成しない部分）に、絶縁層１１６Ｌ、１１６Ｒを形成する。例えば、絶縁層１１６Ｌ、１１６Ｒが白色インクである場合は、スクリーン印刷法によって絶縁層１１６Ｌ、１１６Ｒを形成すればよい。絶縁層１１６Ｌ、１１６Ｒが白色インク以外の場合であっても、スクリーン印刷法等の方法で絶縁層１１６Ｌ，１１６Ｒを形成すればよい。
【０１０９】
また、絶縁層１１６Ｌ、１１６Ｒは、スクリーン印刷法以外に、銅箔１１３Ｃ１、１１３Ｃ２、１１３Ｃ３を被覆するように絶縁層１１６Ｌ、１１６Ｒを形成した後に、ブラスト加工やレーザ加工等により、めっき層１１５Ａ、１１５Ｂを形成する部分の銅箔１１３Ｃ１、１１３Ｃ２、１１３Ｃ３が露出する開口部を絶縁層１１６Ｌ、１１６Ｒに形成してもよい。
【０１１０】
なお、絶縁層１１６Ｌは、図６（Ｄ）において左側に位置する絶縁層であり、絶縁層１１６Ｒは、図６（Ｄ）において右側に位置する絶縁層である。ここでは説明の便宜上、断面に２つの絶縁層１１６を並べて示すため、絶縁層１１６Ｌ、１１６Ｒと区別する場合がある。絶縁層１１６Ｌ、１１６Ｒを特に区別しない場合には、単に絶縁層１１６と称す。
【０１１１】
次に、図８（Ａ）及び図９に示すように、スリット１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃを形成する。
【０１１２】
図８（Ａ）に示す断面は、図９におけるＣ−Ｃ矢視断面である。図９は、スリット１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃと絶縁層１１６Ｌ、１１６Ｒの位置関係を示す平面図である。
【０１１３】
図９には、Ｘ軸方向に２つの絶縁層１１６Ｌ、１１６Ｒが形成されている状態を示す。また、図９には、Ｙ軸方向に長い樹脂フィルム１１１Ａのうち、絶縁層１１６Ｌ、１１６ＲがそれぞれＹ軸方向に２つ配列されている部分を示す。このため、図９には４つの絶縁層１１６（２つの絶縁層１１６Ｌと２つの絶縁層１１６Ｒ）が示されている。
絶縁層１１６Ｌ、１１６Ｒはグレーで示す部分に矩形環状に形成されており、中央部に開口部１１６Ａを有し、Ｙ軸正方向側に開口部１１６Ｂを有する。
【０１１４】
図８（Ａ）及び図９に示すスリット１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃは、例えば、金型を用いて形成すればよい。
【０１１５】
スリット１３０Ａは、図９において、絶縁層１１６ＬのＸ軸負方向側において、Ｙ軸方向に長手方向を有するように形成される。スリット１３０Ａは、銅箔１１３Ｃ１及び接続部１１４Ｃ１（図６（Ｄ）参照）を貫通する。
【０１１６】
スリット１３０Ａは、絶縁層１１６ＬのＸ軸負方向側においてＹ軸方向に延在する辺に沿って形成される。
【０１１７】
スリット１３０Ａを形成することにより、銅箔１１３Ｃ１及び接続部１１４Ｃ１（図６（Ｄ）参照）の一部が除去され、図８（Ａ）及び図９に示すように、Ｘ軸正方向側に残存する部分が配線層１１３Ａ及び接続部１１４Ａになる。
【０１１８】
スリット１３０Ｂは、銅箔１１３Ｃ２及び接続部１１４Ｃ２（図６（Ｄ）参照）の幅方向における中央において、Ｙ軸方向に長手方向を有するように形成される。スリット１３０Ｂは、銅箔１１３Ｃ２及び接続部１１４Ｃ２を貫通する。
【０１１９】
スリット１３０Ｂを形成することにより、銅箔１１３Ｃ２及び接続部１１４Ｃ２（図６（Ｄ）参照）のうちのＸ軸負方向側に残存する部分は、配線層１１３Ｂ及び接続部１１４Ｂになり、接続部１１４Ｃ２のうちのＸ軸正方向側に残存する部分は、配線層１１３Ａ及び接続部１１４Ａになる。
【０１２０】
スリット１３０Ｂは、図９におけるＣ−Ｃ断面を得る線上において、スリット１３０Ｂによって左右に二分割される配線層１１３Ｂ、１１３ＡのＸ軸方向の長さＬ１、Ｌ２が等しくなるように形成される。
【０１２１】
スリット１３０Ｃは、図９において、絶縁層１１６ＲのＸ軸正方向側において、Ｙ軸方向に長手方向を有するように形成される。スリット１３０Ｃは、銅箔１１３Ｃ３及び接続部１１４Ｃ３（図６（Ｄ）参照）を貫通する。
【０１２２】
スリット１３０Ｃは、絶縁層１１６ＲのＸ軸正方向側においてＹ軸方向に延在する辺に沿って形成される。
【０１２３】
スリット１３０Ｃを形成することにより、銅箔１１３Ｃ３及び接続部１１４Ｃ３（図６（Ｄ）参照）の一部が除去され、図８（Ａ）及び図９に示すように、Ｘ軸負方向側に残存する部分が配線層１１３Ｂ及び接続部１１４Ｂになる。
【０１２４】
ここで、スリット１３０Ｂは、第１スリットの一例である。また、スリット１３０Ａ及び１３０Ｃは、第２スリットの一例である。
【０１２５】
また、銅箔１１３は、金属箔の一例である。銅箔１１３のうち、Ｘ軸方向において境界部１１３Ｄ１と境界部１１３Ｄ２との間に位置する部分（銅箔１１３Ｃ２）は、金属箔の第１側の一例である。
【０１２６】
銅箔１１３のうち、Ｘ軸方向において境界部１１３Ｄ１よりＸ軸負方向側に位置する部分（銅箔１１３Ｃ１）と、境界部１１３Ｄ２よりもＸ軸正方向側に位置する部分（銅箔１１３Ｃ３）は、金属箔の第２側の一例である。
【０１２７】
図９において、絶縁層１１６Ｌの開口部１１６Ａは、平面視で、配線層１１３Ａの凹部１１３Ａ１と、配線層１１３Ｂの凸部１１３Ｂ１とを露出する。配線層１１３Ａの凹部１１３Ａ１と、配線層１１３Ｂの凸部１１３Ｂ１との境界は、境界部１１３Ｄ１であるため、絶縁層１１６Ｌの開口部１１６Ａからは境界部１１３Ｄ１が露出される。
【０１２８】
また、図９において、絶縁層１１６Ｌの開口部１１６ＡよりもＹ軸正方向側には、開口部１１６Ｂが形成される。絶縁層１１６Ｌの開口部１１６Ｂも境界部１１３Ｄ１を露出する。ただし、境界部１１３Ｄ１はクランク状に形成されているため、開口部１１６ＢのＸ軸方向の位置は、開口部１１６ＡよりもＸ軸正方向側にオフセットしている。
【０１２９】
また、図９において、絶縁層１１６Ｒの開口部１１６Ａは、平面視で、配線層１１３Ａの凹部１１３Ａ２と、配線層１１３Ｂの凸部１１３Ｂ２とを露出する。配線層１１３Ａの凹部１１３Ａ２と、配線層１１３Ｂの凸部１１３Ｂ２との境界は、境界部１１３Ｄ２であるため、絶縁層１１６Ｒの開口部１１６Ａからは境界部１１３Ｄ２が露出される。
【０１３０】
また、図９において、絶縁層１１６Ｒの開口部１１６ＡよりもＹ軸正方向側には、開口部１１６Ｂが形成される。開口部１１６Ｂも境界部１１３Ｄ２を露出する。ただし、境界部１１３Ｄ２はクランク状に形成されているため、開口部１１６ＢのＸ軸方向の位置は、開口部１１６ＡよりもＸ軸正方向側にオフセットしている。
【０１３１】
なお、絶縁層１１６Ｌの開口部１１６Ａから露出する配線層１１３Ａの凹部１１３Ａ１と、配線層１１３Ｂの凸部１１３Ｂ１とには、それぞれ、ＬＥＤ２０の端子２１、２２が接続される。
【０１３２】
また、絶縁層１１６Ｒの開口部１１６Ａから露出する配線層１１３Ａの凹部１１３Ａ２と、配線層１１３Ｂの凸部１１３Ｂ２とには、それぞれ、ＬＥＤ２０の端子２１、２２が接続される。端子２１、２２は、いずれか一方が図示しない電源の正極性端子に接続され、いずれか他方が図示しない電源の負極性端子に接続される。
【０１３３】
また、絶縁層１１６Ｌ及び１１６Ｒの開口部１１６Ｂから露出する配線層１１３Ａ、１１３Ｂには、例えば、ツェナーダイオードをＬＥＤ２０と並列に接続すればよい。なお、ツェナーダイオードを接続する必要がない場合には、開口部１１６Ｂを形成しなくてもよい。
【０１３４】
なお、配線基板１１０の個片化は、図９に示す絶縁層１１６Ｌ、１１６Ｒの外周に沿って行えばよい。
【０１３５】
次に、図８（Ｂ）に示すように、配線層１１３Ａ、１１３Ｂ、及び接続部１１４Ａ、１１４Ｂの表面にめっき層１１５Ｃを形成する。めっき層１１５Ａ、１１５Ｂ、１１５Ｃを形成する。
【０１３６】
めっき層１１５Ａ、１１５Ｂ、１１５Ｃは、例えば、銅めっき膜で形成される配線層１１３Ａ、１１３Ｂ、接続部１１４Ａ、１１４Ｂ、及び給電線１１３Ｅの表面に、ニッケルめっき層及び金めっき層をこの順に形成することによって作製される。なお、説明の便宜上、図８（Ｂ）ではめっき層１１５Ａ、１１５Ｂ、１１５Ｃを１層で示す。
【０１３７】
めっき層１１５Ａ、１１５Ｂは、給電線１１３Ｅを介して配線層１１３Ａ、１１３Ｂ、接続部１１４Ａ、１１４Ｂに給電を行いながら、電解めっき処理を行うことによって形成される。また、このときに、給電線１１３Ｅの表面にめっき層１１５Ｃが形成される。
【０１３８】
配線層１１３Ａ、１１３Ｂ、及び接続部１１４Ａ、１１４Ｂへの給電は、給電線１１３Ｅ（図７参照）を外部電源に接続することによって行えばよい。
【０１３９】
配線層１１３Ａ及び接続部１１４Ａの表面のうち、樹脂フィルム１１１Ａ、接着層１１２Ａ、及び絶縁層１１６Ｌ又は１１６Ｒによって覆われていない部分は、めっき層１１５Ａによって被覆される。
【０１４０】
図８（Ｂ）には、２組の配線層１１３Ａ及び接続部１１４Ａを示すが、絶縁層１１６Ｌの下に位置する配線層１１３Ａ及び接続部１１４Ａと、絶縁層１１６Ｒの下に位置する配線層１１３Ａ及び接続部１１４Ａとは、ともにめっき層１１５Ａによって被覆される。めっき層１１５Ａは、スリット１３０Ａ、１３０Ｂによって露出される配線層１１３Ａ及び接続部１１４Ａの側面にも形成される。
【０１４１】
配線層１１３Ｂ及び接続部１１４Ｂの表面のうち、樹脂フィルム１１１Ａ、接着層１１２Ａ、及び絶縁層１１６Ｌ又は１１６Ｒによって覆われていない部分は、めっき層１１５Ｂによって被覆される。
【０１４２】
図８（Ｂ）には、２組の配線層１１３Ｂ及び接続部１１４Ｂを示すが、絶縁層１１６Ｌの下に位置する配線層１１３Ｂ及び接続部１１４Ｂと、絶縁層１１６Ｒの下に位置する配線層１１３Ｂ及び接続部１１４Ｂとは、ともにめっき層１１５Ｂによって被覆される。めっき層１１５Ｂは、スリット１３０Ｂ、１３０Ｃによって露出される配線層１１３Ｂ及び接続部１１４Ｂの側面にも形成される。
【０１４３】
以上により、テープ状（シート状）の配線基板１１０Ａが完成する。
【０１４４】
最後に、図８（Ｃ）に示すように、絶縁層１１６Ｌ及び１１６Ｒの上に、ソルダーレジスト１１７を形成する。ソルダーレジスト１１７は、例えば、予め絶縁層１１６Ｌ及び１１６Ｒと平面視で同一形状に成形したシート状のソルダーレジストを、絶縁層１１６Ｌ及び１１６Ｒの上に印刷することによって形成すればよい。
【０１４５】
なお、図８（Ｃ）に示す工程は任意的な工程であり、ソルダーレジスト１１７を形成する必要がない場合には、図８（Ｂ）に示す工程で、実施の形態１の配線基板１１０Ａの製造工程を終了してもよい。
【０１４６】
図８（Ｂ）及び図８（Ｃ）示す断面の配線基板１１０Ａからは、個片化により、２つの配線基板１１０を得ることができる。２つの配線基板１１０の各々の断面構造は、図３に示すＬＥＤモジュール１００に含まれる配線基板１１０と同様である。
【０１４７】
実施の形態１の配線基板１１０は、接続部１１４Ａ、１１４Ｂの下面及び側面に、それぞれ、めっき層１１５Ａ、１１５Ｂが形成されているため、接続部１１４Ａ、１１４Ｂの下面及び側面におけるはんだの濡れ性を向上させることができる。
【０１４８】
このため、はんだ３２Ａ、３２Ｂ（図３参照）が配線基板１１０の側面にまで回り込み、はんだ３２Ａ、３２Ｂによる接続強度を増大させることができ、はんだ３２Ａ、３２Ｂによる接続の信頼性を向上させることができる。
【０１４９】
また、実施の形態１の配線基板１１０は、樹脂フィルム１１１の上面に接着層１１２によって貼り付けられる銅箔をフォトリソグラフィ工程等でパターニングすることにより、配線層１１３Ａ、１１３Ｂを形成している。このため、配線層１１３Ａ、１１３Ｂの間の距離を微少な距離にすることができる。すなわち、配線層１１３Ａ、１１３Ｂのファイン化が可能である。
【０１５０】
このようなファイン化が可能になる理由は、配線層１１３Ａと配線層１１３Ｂとの間の境界部１１３Ｄ１、１１３Ｄ２をフォトリソグラフィ工程で形成することができるからである。
【０１５１】
フォトリソグラフィ工程は、半導体素子の微細加工に用いられる工程であるため、境界部１１３Ｄ１、１１３Ｄ２の幅を微細な幅にすることができ、ファイン化が可能である。
【０１５２】
例えば、比較例１の配線基板１０（図１参照）は、セラミック基板１１の表面に配線層１２Ａ、１２Ｂを印刷している。このように印刷で形成する配線層１２Ａ、１２Ｂには、ファイン化に限界があり、配線層１２Ａ、１２Ｂの間に微細な間隔を形成することは困難である。
【０１５３】
また、セラミック基板１１の表面に蒸着等で配線層１２Ａ、１２Ｂを形成してフォトリソグラフィ工程を行うことは技術的に可能であるが、セラミック基板１１に配線層１２Ａ、１２Ｂを蒸着する工程は、製造コストが非常に嵩む。
【０１５４】
また、比較例２のＩＣモジュール１Ｂでは、ステージ６０Ａ及びリード６０Ｂのファイン化が困難である。
【０１５５】
これに対して実施の形態１の配線基板１１０は、貫通孔１１１Ｂ（図４（Ｃ）参照）を形成した樹脂フィルム１１１の表面に銅箔１１３を貼り付け、銅箔１１３の下面で貫通孔１１１Ｂ内に接続部１１４Ｃ１〜１１４Ｃ３（図６（Ｂ）参照）をめっき処理で形成する。
【０１５６】
そして、銅箔１１３をフォトリソグラフィ工程等でパターニングして配線部１１３Ａ、１１３Ｂを形成するとともに、スリット１３０Ａ〜１３０Ｃを形成することによって、配線層１１３Ａ、１１３Ｂと接続部１１４Ａ、１１４Ｂを得る。
【０１５７】
このため、配線部１１３Ａ、１１３Ｂの境界部１１３Ｄ１、１１３Ｄ２のファイン化が可能である。
【０１５８】
また、テープ状（シート状）の配線基板１１０Ａ（図８（Ｂ）参照）を個片化することによって配線基板１１０を大量生産することができる。
【０１５９】
従って、低コストで配線基板１１０を製造することができる。
【０１６０】
また、実施の形態１の配線基板１１０は、接続部１１４Ｃ１、１１４Ｃ２、１１４Ｃ３（図６（Ｄ）参照）をスリット１３０Ａ〜１３０Ｃ（図８（Ａ）参照）で分離することにより、最終製品としての配線基板１１０に含まれる接続部１１４Ａ、１１４Ｂを形成する。
【０１６１】
このため、配線基板１１０の両端には、接続部１１４Ａ、１１４Ｂの側面が存在する。
【０１６２】
従って、図８（Ｂ）に示すように接続部１１４Ａ、１１４Ｂの外表面に電解めっき処理でめっき層１１５Ａ、１１５Ｂを形成するだけで、両端の側面にめっき層１１５Ａ、１１５Ｂを有する配線基板１１０を製造することができる。
【０１６３】
配線基板１１０の両端の側面にめっき層１１５Ａ、１１５Ｂが形成されているため、はんだ３２Ａ、３２Ｂによる接続強度を増大させることができ、はんだ３２Ａ、３２Ｂによる接続の信頼性を向上させることができる。
【０１６４】
また、比較例１の配線基板１０（図１参照）は、配線層１２Ａ、１２Ｂ、電極１３Ａ、１３Ｂ、及び接続部１４Ａ、１４Ｂがセラミック基板１１の外周面に沿って形成されており、セラミック基板１１は熱伝導性が低いため、ＬＥＤ２０が発生する熱を金属板３０に効率よく伝達できない。
【０１６５】
これは、ＬＥＤ２０で発生する熱の殆どは、セラミック基板１１を介して金属板３０に伝達するのではなく、セラミック基板１１の外周面に形成された配線層１２Ａ、１２Ｂ、電極１３Ａ、１３Ｂ、及び接続部１４Ａ、１４Ｂを介して金属板３０に伝達されるためである。
【０１６６】
これに対して、実施の形態１の配線基板１１０（図３参照）は、接続部１１４Ａ、１１４Ｂが配線層１１３Ａ、１１３Ｂの下面の略全体で、配線基板１１０の底面まで厚さ方向に形成されている。銅めっき膜で形成される接続部１１４Ａ、１１４Ｂは、比較例１のセラミック基板１１に比べて非常に熱伝導性が高い。
【０１６７】
そして、接続部１１４Ａ、１１４Ｂの下面は、めっき層１１５Ａ、１１５Ｂを介して、はんだ３２Ａ、３２Ｂによって金属板３０の配線層３１Ａ、３１Ｂに接続されている。
【０１６８】
従って、実施の形態１の配線基板１１０は、ＬＥＤ２０で発生する熱を効率的に金属板３０に伝達することができ、非常に放熱性が高い。このため、実施の形態１の配線基板１１０を含むＬＥＤモジュール１００（図３参照）は、ＬＥＤ２０の放熱効率が非常に高いモジュールである。
【０１６９】
また、比較例１の配線基板１０は、セラミック基板１１に配線層１２Ａ、１２Ｂ及びめっき層１５Ａ、１５Ｂを形成し、めっき層１５Ａ、１５ＢにＬＥＤ２０の端子２１、２２を接続する。そして、ＬＥＤ２０及び配線基板１０を封止樹脂４０で封止する。
【０１７０】
このため、封止樹脂４０で封止するために加熱した後に冷却すると、配線層１２Ａ、１２Ｂ及びめっき層１５Ａ、１５Ｂ、セラミック基板１１、及び封止樹脂４０の線膨張係数の違いにより、めっき層１５Ａ、１５Ｂと端子２１、２２との接続状態に影響が生じる可能性がある。
【０１７１】
これに対して、実施の形態１の配線基板１１０は、配線層１１３Ａ、１１３Ｂの下面の略全体に接続部１１４Ａ、１１４Ｂが接続されるとともに、接続部１１４Ａと１１４Ｂとの間が樹脂フィルム１１１で接続されている。このため、線膨張係数の違いによる接続状態への影響が比較例１の配線基板１０よりも抑制される。
【０１７２】
なお、以上では、樹脂フィルム１１１に接着層１１２で銅箔１１３（図４（Ｃ））を貼り付ける形態について説明した。しかしながら、銅箔が予め貼り付けてある樹脂フィルムを用いる場合は、接着層１１２で接着することは不要である。
【０１７３】
この場合は、図４（Ｂ）に示す３つの貫通孔１１１Ｂ１、１１１Ｂ２、１１１Ｂ３をパンチング処理によって形成する代わりに、樹脂フィルム１１１の下面側からレーザ加工を行うことによって３つの貫通孔１１１Ｂ１、１１１Ｂ２、１１１Ｂ３を形成すればよい。
【０１７４】
＜実施の形態２＞
図１０は、実施の形態２のＩＣモジュール２００の断面構造を示す図である。
【０１７５】
ＩＣモジュール２００は、主な構成要素として、ＩＣチップ５０、配線基板２１０、モールド樹脂２７０、及び回路基板８０を含む。実施の形態２では、比較例２のＩＣモジュール１Ｂの構成要素と同様の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
【０１７６】
配線基板２１０は、樹脂フィルム２１１、接着層２１２、配線層２１３Ａ、２１３Ｂ、２１３Ｃ、接続部２１４Ａ、２１４Ｂ、めっき層２１５Ａ、２１５Ｂ、２１５Ｃを含む。
【０１７７】
樹脂フィルム２１１は、実施の形態１の樹脂フィルム１１１と同様の樹脂フィルムであり、例えば、ポリイミド樹脂製のフィルムである。
【０１７８】
接着層２１２は、実施の形態１の接着層１１２と同様であり、樹脂フィルム２１１に銅箔を貼り付けるために用いられる。
【０１７９】
配線層２１３Ａ、２１３Ｂ、２１３Ｃは、実施の形態１の配線層１１３Ａ、１１３Ｂと同様に、樹脂フィルム２１１に貼り付けられた銅箔をパターニングすることによって形成される。配線層２１３Ａ、２１３Ｂ、２１３Ｃの境界部２１３Ｄ１、２１３Ｄ２は、フォトリソグラフィ工程等によってファイン化された微細な間隔である。
【０１８０】
接続部２１４Ａ、２１４Ｂは、それぞれ、樹脂フィルム２１１のうち配線層２１３Ａ、２１３Ｃの裏面に位置する部分に貫通孔を形成し、貫通孔内に電解めっき処理によって銅めっき膜によって形成される。
【０１８１】
めっき層２１５Ａ、２１５Ｂ、２１５Ｃは、実施の形態１のめっき層１１５Ａ、１１５Ｂと同様に、配線層２１３Ａ、２１３Ｂ、２１３Ｃに給電を行いながら、電解めっき処理によって形成されるめっき層である。めっき層２１５Ａ、２１５Ｂ、２１５Ｃは、例えば、配線層２１３Ａ、２１３Ｂ、２１３Ｃに、それぞれ、ニッケルめっき層２１５Ａ１、２１５Ｂ１、２１５Ｃ１と金めっき層２１５Ａ２、２１５Ｂ２、２１５Ｃ２とをこの順で形成することによって作製される。
【０１８２】
このような実施の形態２の配線基板２１０の配線層２１３ＢにＩＣチップ５０を実装し、ＩＣチップ５０の端子をボンディングワイヤ６１で配線層２１３Ａ、２１３Ｃに接続する。そして、ＩＣチップ５０と、配線層２１３Ａ、２１３Ｂ、２１３Ｃの上面とをモールド樹脂２７０で覆う。
【０１８３】
接続部２１４Ａ、２１４Ｂの表面には、側面も含めてめっき層２１５Ａ、２１５Ｃが形成されているため、はんだ２８２Ａ、２８２Ｂで回路基板８０の配線層８１に接続すればよい。
【０１８４】
このように、実施の形態２の配線基板２１０は、実施の形態１の配線基板１１０と同様の構成を有するため、配線部２１３Ａ、２１３Ｂ、２１３Ｃの境界部２１３Ｄ１、２１３Ｄ２のファイン化が可能である。従って、ＩＣチップ５０の小型化に対応して、配線基板２１０の小型化を図ることができる。
【０１８５】
また、実施の形態１の配線基板１１０と同様に、テープ状（シート状）の配線基板２１０を作製してから個片化することにより、配線基板２１０を大量生産することができる。
【０１８６】
従って、低コストで配線基板２１０を製造することができる。
【０１８７】
また、接続部２１４Ａ、２１４Ｂの外表面に電解めっき処理でめっき層２１５Ａ、２１５Ｃを形成するだけで、両端の側面にめっき層２１５Ａ、２１５Ｃを有する配線基板２１０を製造することができる。
【０１８８】
配線基板２１０の両端の側面にめっき層２１５Ａ、２１５Ｃが形成されているため、はんだ８２Ａ、８２Ｂによる接続強度を増大させることができ、はんだ８２Ａ、８２Ｂによる接続の信頼性を向上させることができる。
【０１８９】
＜実施の形態３＞
図１１は、実施の形態３の配線基板３１０を含むＬＥＤモジュール３００の断面構造を示す図である。実施の形態３の配線基板３１０は、実施の形態１の配線基板１１０の変形であるため、実施の形態１の配線基板１１０と同様の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
【０１９０】
ＬＥＤモジュール３００は、配線基板３１０、ＬＥＤ２０、金属板３０、及び封止樹脂４０を含む。
【０１９１】
配線基板３１０は、樹脂フィルム１１１、接着層１１２、配線層１１３Ａ、１１３Ｂ、接続部３１４Ａ１、３１４Ａ２、３１４Ｂ１、３１４Ｂ２、めっき層３１５Ａ１、３１５Ａ２、３１５Ｂ１、３１５Ｂ２、及び絶縁層３１６を含む。
【０１９２】
配線基板３１０は、ＬＥＤ２０が実装された状態で、金属板３０の配線層３１Ａ、３１Ｂに、はんだ３３２Ａ１、３３２Ａ２、３３２Ｂ１、３３２Ｂ２によって接続される。ＬＥＤ２０と配線基板３１０は、金属板３０の上で封止樹脂４０によって覆われる。
【０１９３】
なお、実施の形態３では、接着層１１２は、図１１に示すように、配線基板３１０の幅方向における中央部分に加えて、接続部３１４Ａ１と３１４Ａ２との間と、接続部３１４Ｂ１と３１４Ｂ２との間とにも存在している。
【０１９４】
配線層１１３Ａ、１１３Ｂの上面には、それぞれ、めっき層３１５Ａ１、３１５Ｂ１が形成されるとともに、平面視でＬＥＤ２０と重ならない部分（配線基板３１０上面のうち幅方向における外側の部分）には絶縁層３１６が形成されている。
【０１９５】
めっき層３１５Ａ１は、接続部３１４Ａ１の側面及び下面にも連続的に形成される。また、めっき層３１５Ｂ１は、接続部３１４Ｂ１の側面及び下面にも連続的に形成される。
【０１９６】
また、配線層１１３Ａ、１１３Ｂの下面には、接続部３１４Ａ１、３１４Ａ２、３１４Ｂ１、３１４Ｂ２が接続されている。接続部３１４Ａ１、３１４Ａ２、３１４Ｂ１、３１４Ｂ２は、それぞれ、柱状であり、実施の形態１の接続部１１４Ａ、１１４Ｂと同様に、めっき処理によって形成される。接続部３１４Ａ１、３１４Ａ２、３１４Ｂ１、３１４Ｂ２は、それぞれ、実施の形態１の接続部３１４Ａ、３１４Ｂを幅方向で２つに分けたものである。
【０１９７】
配線層１１３Ａ、１１３Ｂの上面には、それぞれ、めっき層３１５Ａ１、３１５Ｂ１を介して、ＬＥＤ２０の端子２１、２２が接続される。
【０１９８】
接続部３１４Ａ１、３１４Ａ２、３１４Ｂ１、３１４Ｂ２は、上部が配線層１１３Ａ、１１３Ｂの下面に接続されている。接続部３１４Ａ１、３１４Ａ２、３１４Ｂ１、３１４Ｂ２は、例えば、配線層１１３Ａ、１１３Ｂに給電を行いながら電解めっき処理を行うことにより、配線層１１３Ａ、１１３Ｂの下面に銅めっき膜を形成することによって作製される。
【０１９９】
接続部３１４Ａ１、３１４Ｂ１は、それぞれ、第１接続部及び第２接続部の一例である。接続部３１４Ａ１、３１４Ｂ１の側面及び下面には、それぞれ、めっき層３１５Ａ１、３１５Ｂ１が形成される。
【０２００】
接続部３１４Ａ１、３１４Ｂ１の下面は、めっき層３１５Ａ１、３１５Ｂ１及びはんだ３３２Ａ１、３３２Ｂ１を介して、配線層３１Ａ、３１Ｂに接続される。
【０２０１】
また、接続部３１４Ａ２、３１４Ｂ２の下面には、それぞれ、めっき層３１５Ａ２、３１５Ｂ２が形成される。
【０２０２】
接続部３１４Ａ２、３１４Ｂ２の下面は、めっき層３１５Ａ２、３１５Ｂ２及びはんだ３３２Ａ２、３３２Ｂ２を介して、配線層３１Ａ、３１Ｂに接続される。
【０２０３】
めっき層３１５Ａ１、３１５Ｂ１は、それぞれ、配線層１１３Ａ、１１３Ｂの上面のうち、絶縁層３１６が形成されない部分と、接続部３１４Ａ１、３１４Ｂ１の外側の側面及び下面に形成される。
【０２０４】
めっき層３１５Ａ１、３１５Ｂ１は、それぞれ、第１めっき層及び第２めっき層の一例である。
【０２０５】
めっき層３１５Ａ１、３１５Ｂ１は、それぞれ、ニッケルめっき層３１５Ａ１１、３１５Ｂ１１と、金めっき層３１５Ａ１２、３１５Ｂ１２との２層構造である。
【０２０６】
同様に、めっき層３１５Ａ２、３１５Ｂ２は、それぞれ、ニッケルめっき層３１５Ａ２１、３１５Ｂ２１と、金めっき層３１５Ａ２２、３１５Ｂ２２との２層構造である。
【０２０７】
絶縁層３１６は、例えば、エポキシ系樹脂、オルガノポリシロキサン等のシリコーン系樹脂に、酸化チタン（ＴｉＯ２）や硫酸バリウム（ＢａＳＯ４）等のフィラーや顔料を含有させたものを用いることができる。絶縁層３１６の絶縁性樹脂は、これらの材料製の白色インクであってもよい。
【０２０８】
絶縁層３１６は、平面視で矩形環状に形成され、中央の矩形状の開口部３１６Ａに、ＬＥＤ２０が配設される。絶縁層３１６を白色インクにする場合は、絶縁層３１６の反射率及び放熱率を向上させることができ、ＬＥＤ２０の照度及び放熱性を向上させることができる。すなわち、この場合、絶縁層３１６は、反射膜として機能する。
【０２０９】
以上のような実施の形態３の配線基板３１０は、上面にＬＥＤ２０が実装された状態で、はんだ３３２Ａ１、３３２Ａ２、３３２Ｂ１、３３２Ｂ２により、金属板３０に実装される。
【０２１０】
また、配線基板３１０が金属板３０に実装された状態では、配線基板３１０のめっき層３１５Ａ１、３１５Ｂ１の外側の側面及び下面が、はんだ３３２Ａ１、３３２Ｂ１によって配線層３１Ａ、３１Ｂに接続される。また、めっき層３１５Ａ２、３１５Ｂ２の下面が、はんだ３３２Ａ２、３３２Ｂ２によって配線層３１Ａ、３１Ｂに接続される。
【０２１１】
また、ＬＥＤ２０及び配線基板３１０は、封止樹脂４０によって覆われる。
【０２１２】
以上により、実施の形態３のＬＥＤモジュール３００が完成し、ＬＥＤ２０は、配線層３１Ａ、３１Ｂを介して給電が行われ、点灯可能な状態になる。
【０２１３】
また、実施の形態３の配線基板３１０は、接続部３１４Ａ１、３１４Ｂ１の下面及び外側の側面に、それぞれ、めっき層３１５Ａ１、３１５Ｂ１が形成されているため、接続部３１４Ａ１、３１４Ｂ１の下面及び側面における濡れ性を向上させることができる。
【０２１４】
このため、はんだ３３２Ａ１、３３２Ｂ１が配線基板３１０の側面にまで回り込み、はんだ３３２Ａ１、３３２Ｂ１による接続強度を増大させることができ、はんだ３３２Ａ１、３３２Ｂ１による接続の信頼性を向上させることができる。
【０２１５】
また、実施の形態３の配線基板３１０は、樹脂フィルム１１１の上面に接着層１１２によって貼り付けられる銅箔をフォトリソグラフィ工程等でパターニングすることにより、配線層１１３Ａ、１１３Ｂを形成している。このため、配線層１１３Ａ、１１３Ｂの間の距離を微少な距離にすることができる。すなわち、配線層１１３Ａ、１１３Ｂのファイン化が可能である。
【０２１６】
以上、本発明の例示的な実施の形態の配線基板について説明したが、本発明は、具体的に開示された実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲から逸脱することなく、種々の変形や変更が可能である。
【符号の説明】
【０２１７】
２０  ＬＥＤ
３０  金属板
３１Ａ、３１Ｂ  配線層
３２  はんだ
４０  封止樹脂
１００、３００  ＬＥＤモジュール
１１０、１１０Ａ、２１０、３１０  配線基板
１１１、２１１  樹脂フィルム
１１１Ｂ１、１１１Ｂ２、１１１Ｂ３  貫通孔
１１２、２１２  接着層
１１３Ａ、１１３Ｂ、２１３Ａ、２１３Ｂ、２１３Ｃ  配線層
１１３Ｃ  銅箔
１１３Ｄ１、１１３Ｄ２  境界部
１１４Ａ、１１４Ｂ、１１４Ｃ１、１１４Ｃ２、１１４Ｃ３、２１４Ａ、２１４Ｂ、３１４Ａ１、３１４Ａ２、３１４Ｂ１、３１４Ｂ２  接続部
１１５Ａ、１１５Ｂ、２１５Ａ、２１５Ｂ、２１５Ｃ、３１５Ａ１、３１５Ａ２、３１５Ｂ１、３１５Ｂ２  めっき層
１１６、１１６Ｌ、１１６Ｒ、３１６  絶縁層
１３０Ａ、１３０Ｂ、１３０Ｃ  スリット
２００  ＩＣモジュール
２７０  モールド樹脂
【図１】
0006001921.tif 000002
【図２】
0006001921.tif 000003
【図３】
0006001921.tif 000004
【図４】
0006001921.tif 000005
【図５】
0006001921.tif 000006
【図６】
0006001921.tif 000007
【図７】
0006001921.tif 000008
【図８】
0006001921.tif 000009
【図９】
0006001921.tif 000010
【図１０】
0006001921.tif 000011
【図１１】
0006001921.tif 000012