(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属元素がＩｎとＧａとＳｎから構成される酸化物焼結体であって、
前記酸化物焼結体の相対密度が９０％以上、
前記酸化物焼結体のＧａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16相の平均結晶粒径が３μｍ以下、
前記酸化物焼結体の結晶粒径が１０μｍ以上の粗大結晶粒の割合が１０％未満であり、
前記酸化物焼結体に含まれる酸素を除く全金属元素に対する、インジウム、ガリウム、錫の含有量の割合（原子％）を夫々、［Ｉｎ］、［Ｇａ］、［Ｓｎ］としたとき、下記式（１）〜（３）を満足すると共に、
前記酸化物焼結体をＸ線回折したとき、Ｇａ3ＩｎＳｎ5Ｏ16相は下記式（４）を満足するものであることを特徴とする酸化物焼結体。
３５原子％≦［Ｉｎ］≦５０原子％・・・（１）
２０原子％≦［Ｇａ］≦３５原子％・・・（２）
２０原子％＜［Ｓｎ］≦４０原子％・・・（３）
０．０２≦［Ｇａ3ＩｎＳｎ5Ｏ16］≦０．２・・・（４）
但し、［Ｇａ3ＩｎＳｎ5Ｏ16］＝Ｉ（Ｇａ3ＩｎＳｎ5Ｏ16）／（Ｉ（Ｇａ3ＩｎＳｎ5Ｏ16）＋Ｉ（Ｇａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16）＋Ｉ（ＳｎＯ2））
式中、Ｉ（Ｇａ3ＩｎＳｎ5Ｏ16）、Ｉ（Ｇａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16）、およびＩ（ＳｎＯ2）はそれぞれ、Ｘ線回折で特定されたＧａ3ＩｎＳｎ5Ｏ16相、Ｇａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16相、およびＳｎＯ2相の回折ピーク強度である。
【請求項２】
前記酸化物焼結体をＸ線回折したとき、Ｇａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16相は下記式（５）を満足するものである請求項１に記載の酸化物焼結体。
０．８≦［Ｇａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16］≦０．９８・・・（５）
但し、［Ｇａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16］＝Ｉ（Ｇａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16）／（Ｉ（Ｇａ3ＩｎＳｎ5Ｏ16）＋Ｉ（Ｇａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16）＋Ｉ（ＳｎＯ2）））
式中、Ｉ（Ｇａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16）、Ｉ（Ｇａ3ＩｎＳｎ5Ｏ16）、およびＩ（ＳｎＯ2）はそれぞれ、Ｘ線回折で特定されたＧａ3ＩｎＳｎ5Ｏ16相、Ｇａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16相、およびＳｎＯ2相の回折ピーク強度である。
【請求項３】
請求項１または２に記載の酸化物焼結体を用い、比抵抗が１Ω・ｃｍ以下のスパッタリングターゲットを製造することを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイなどの表示装置に用いられる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）の酸化物半導体薄膜をスパッタリング法で成膜するときに用いられる酸化物焼結体、およびスパッタリングターゲットに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＴＦＴに用いられるアモルファス（非晶質）酸化物半導体は、汎用のアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）に比べて高いキャリア移動度を有し、光学バンドギャップが大きく、低温で成膜できる。そのため、大型・高解像度・高速駆動が要求される次世代ディスプレイや、耐熱性の低い樹脂基板などへの適用が期待されている。これらの用途に好適な酸化物半導体の組成として、Ｉｎ含有の非晶質酸化物半導体が提案されている。例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物半導体、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｓｎ系酸化物半導体、Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｎ系酸化物半導体などが注目されている。
【０００３】
上記酸化物半導体薄膜の形成に当たっては、当該薄膜と同じ材料のスパッタリングターゲット（以下、「ターゲット材」ということがある）をスパッタリングするスパッタリング法が好適に用いられている。スパッタリングターゲットは酸化物焼結体をバッキングプレートにボンディングされた状態で使用されているが、酸化物焼結体をバッキングプレートにボンディングする工程において、酸化物焼結体が割れてしまうことがあった。
【０００４】
例えば特許文献１には、半導体素子の作製の際のパターニング工程に適した酸化物半導体膜、及び前記半導体膜を成膜できる酸化物焼結体として、インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）及び錫元素（Ｓｎ）を、０．１０≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）≦０．６０、０．１０≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）≦０．５５、０．０００１＜Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）≦０．６０の原子比で、Ｇａ３−ｘＩｎ５＋ｘＳｎ２Ｏ１６を含む酸化物焼結体が開示されている。
【０００５】
特許文献２には、スパッタリング時の異常放電を低減する技術として、インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）、亜鉛元素（Ｚｎ）および錫元素（Ｓｎ）を含み、Ｇａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16又は（Ｇａ、Ｉｎ）2Ｏ3で表される化合物を含み、比抵抗値が２００ｍ
Ω・ｃｍの酸化物焼結体が開示されている。
【０００６】
また特許文献３には、スパッタレートの増大、ノジュールの発生防止、割れの防止等のスパッタ操作性に優れ、且つ低温基板において特に低抵抗な透明導電膜を形成可能なスパッタリングターゲット及びターゲット材料に用いられるＩＴＯ焼結体として、焼結密度９０％以上１００％以下、焼結粒径１μｍ以上２０μｍ以下である高密度ＩＴＯ焼結体が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１１−１７４１３４号公報
【特許文献２】特開２００８−２８０２１６号公報
【特許文献３】特開平０５−３１１４２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
近年の表示装置の高性能化に伴って、酸化物半導体薄膜の特性の向上や特性の安定化が要求されていると共に、表示装置の生産を一層効率化することが求められている。また生産性や製造コストなどを考慮すると、表示装置用の酸化物半導体薄膜の製造に用いられるスパッタリングターゲットおよびその素材である酸化物焼結体には、スパッタリング工程でのスパッタリングターゲットの割れを抑制することはもちろん、ボンディング工程での酸化物焼結体の割れを抑制することがより一層要求されている。
【０００９】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、ボンディング時の割れの発生を抑制できる酸化物焼結体、および該酸化物焼結体を用いたスパッタリングターゲットを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決し得た本発明の酸化物焼結体は、酸化インジウムと；酸化ガリウムと；酸化錫とを焼結して得られる酸化物焼結体であって、前記酸化物焼結体の相対密度が９０％以上、前記酸化物焼結体のＧａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16相の平均結晶粒径が３μｍ以下、前記
酸化物焼結体の結晶粒径が１０μｍ以上の粗大結晶粒の割合が１０％未満であり、前記酸化物焼結体に含まれる酸素を除く全金属元素に対する、インジウム、ガリウム、錫の含有量の割合（原子％）を夫々、［Ｉｎ］、［Ｇａ］、［Ｓｎ］としたとき、下記式（１）〜（３）を満足すると共に、前記酸化物焼結体をＸ線回折したとき、Ｇａ3ＩｎＳｎ5Ｏ16相は下記式（４）を満足するところに要旨を有する。
３５原子％≦［Ｉｎ］≦５０原子％・・・（１）
２０原子％≦［Ｇａ］≦３５原子％・・・（２）
２０原子％＜［Ｓｎ］≦４０原子％・・・（３）
０．０２≦［Ｇａ3ＩｎＳｎ5Ｏ16］≦０．２・・・（４）
但し、［Ｇａ3ＩｎＳｎ5Ｏ16］＝Ｉ（Ｇａ3ＩｎＳｎ5Ｏ16）／（Ｉ（Ｇａ3ＩｎＳｎ5Ｏ16）＋Ｉ（Ｇａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16）＋Ｉ（ＳｎＯ2））
式中、Ｉ（Ｇａ3ＩｎＳｎ5Ｏ16）、Ｉ（Ｇａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16）、およびＩ（ＳｎＯ2）はそれぞれ、Ｘ線回折で特定されたＧａ3ＩｎＳｎ5Ｏ16相、Ｇａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16相、およびＳｎＯ2相の回折ピーク強度である。
【００１１】
本発明の好ましい実施形態において、前記酸化物焼結体をＸ線回折したとき、Ｇａ2Ｉ
ｎ6Ｓｎ2Ｏ16相は下記式（５）を満足するものである。
０．８≦［Ｇａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16］≦０．９８・・・（５）
但し、［Ｇａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16］＝Ｉ（Ｇａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16）／（Ｉ（Ｇａ3ＩｎＳｎ5Ｏ16）＋Ｉ（Ｇａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16）＋Ｉ（ＳｎＯ2）））
式中、Ｉ（Ｇａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16）、Ｉ（Ｇａ3ＩｎＳｎ5Ｏ16）、およびＩ（ＳｎＯ2）はそれぞれ、Ｘ線回折で特定されたＧａ3ＩｎＳｎ5Ｏ16相、Ｇａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16相、およびＳｎＯ2相の回折ピーク強度である。
【００１２】
また、上記課題を解決し得た本発明のスパッタリングターゲットは、上記いずれかに記載の酸化物焼結体を用いて得られるスパッタリングターゲットであって、比抵抗が１Ω・ｃｍ以下である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、ボンディング時の割れの発生を抑制できる酸化物焼結体、および該酸化物焼結体を用いたスパッタリングターゲットを提供することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は、実施例２のＮｏ．１とＮｏ．２における、黒色堆積物の有無を示す写真である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明者らは、従来のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物半導体薄膜（ＩＧＺＯ）と比べて、キャリア移動度が高いことによって評価されるＴＦＴの移動度に優れた酸化物半導体薄膜として、後記する特定の比率の金属元素を有するＩｎ−Ｇａ−Ｓｎ系酸化物半導体薄膜（ＩＧＴＯ）を発明し、出願をした。
【００１６】
もっとも、Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｎ系酸化物半導体薄膜（ＩＧＴＯ）の製造に用いられるスパッタリングターゲットの素材である酸化物焼結体は、生産性や製造コストなどを考慮すると、ボンディング工程での酸化物焼結体の割れをより一層抑制することも重要であり、そのためには酸化物焼結体の改善が必要となる。
【００１７】
そこで本発明者らは上記酸化物半導体薄膜を成膜するのに適したＩｎ−Ｇａ−Ｓｎ系スパッタリングターゲットの素材である酸化物焼結体について、ボンディング時の割れを抑制すべく、検討を重ねてきた。
【００１８】
その結果、後記式（１）〜（３）を満足する特定の金属元素の割合を有する酸化インジウムと；酸化ガリウムと；酸化錫を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、（ア）酸化物焼結体をＸ線回折したとき、Ｇａ3ＩｎＳｎ5Ｏ16相、好ましくは更にＧａ2
Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16相の割合を制御することによって、ボンディング時の酸化物焼結体の割れを抑制する効果があること、（イ）酸化物焼結体の相対密度を高めること、Ｇａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16相の平均結晶粒径を微細化すること、粗大結晶粒の割合を抑制することによって
、酸化物焼結体の割れの抑制効果をより一層向上できること、を突き止め、本発明に至った。
【００１９】
まず、本発明に係る酸化物焼結体の構成について、詳しく説明する。
【００２０】
ＴＦＴ特性に優れた効果を有する酸化物半導体薄膜を形成するためには、酸化物焼結体に含まれる金属元素の含有量を夫々適切に制御する必要がある。
【００２１】
具体的には酸化物焼結体に含まれる酸素を除く全金属元素に対する各金属元素（インジウム、ガリウム、錫）の含有量（原子％）の割合をそれぞれ、［Ｉｎ］、［Ｇａ］、［Ｓｎ］としたとき、下記式（１）〜（３）を満足するように制御する。
３５原子％≦［Ｉｎ］≦５０原子％・・・（１）
２０原子％≦［Ｇａ］≦３５原子％・・・（２）
２０原子％＜［Ｓｎ］≦４０原子％・・・（３）
【００２２】
上記式（１）は、全金属元素中のＩｎ比（［Ｉｎ］＝Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ））を規定したものである。［Ｉｎ］が低すぎると酸化物焼結体の相対密度向上効果やスパッタリングターゲットの比抵抗の低減を達成できず、また成膜後の酸化物半導体薄膜のキャリア移動度も低くなる。一方、［Ｉｎ］が高すぎると、キャリアが多くなりすぎて導体化するほか、ストレスに対する安定性が低下する。したがって［Ｉｎ］は、３５原子％以上、好ましくは３７原子％以上、より好ましくは４０原子％以上であって、５０原子％以下、好ましくは４７原子％以下、より好ましくは４５原子％以下である。
【００２３】
上記式（２）は全金属元素中のＧａ比（［Ｇａ］＝Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ））を規定したものである。［Ｇａ］は、酸素欠損を低減し、酸化物半導体薄膜のアモルファス構造を安定化させるほか、ストレス耐性、特に光＋負バイアスストレスに対する耐性を向上させる作用を有する。一方、［Ｇａ］が高すぎると、移動度が低下する。したがって［Ｇａ］は、２０原子％以上、好ましくは２２原子％以上、より好ましくは２４原子％以上であって、３５原子％以下、好ましくは３２原子％以下、より好ましくは２９原子％以下である。
【００２４】
上記式（３）は全金属元素中のＳｎ比（［Ｓｎ］＝Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ））を規定したものである。［Ｓｎ］は、ウェットエッチング性など、酸化物半導体薄膜の薬液耐性を向上させる作用を有する。但し、薬液耐性の向上に伴いエッチングレートは遅くなるので、［Ｓｎ］が高すぎると、エッチング加工性が低下する。したがって［Ｓｎ］は、２０原子％超、好ましくは２３原子％以上、より好ましくは２５原子％以上であって、４０原子％以下、好ましくは３５原子％以下、より好ましくは３１原子％以下である。
【００２５】
本発明の酸化物焼結体では、金属元素が上記比率のＩｎとＧａとＳｎから構成され、Ｚｎを含まない。後記する実施例に示すように、ＩｎとＧａとＺｎを含む従来のＩＧＺＯターゲットを用いて薄膜を成膜すると、ＩＧＺＯターゲットとＩＧＺＯ膜との間で組成ずれが大きくなると共に、ＩＧＺＯターゲットの表面に、ＺｎとＯからなる黒色の堆積物が生成することが判明したからである。上記黒色堆積物は、スパッタ中にターゲット表面から剥離してパーティクルとなり、アーキングの原因となるなど、成膜上、大きな問題を招く。
【００２６】
ここで、ＩＧＺＯのターゲットを用いたときに上記の問題が生じる主な理由は、Ｚｎの蒸気圧が、ＧａおよびＩｎに比べて高いことに起因すると考えられる。例えばターゲットを用いて薄膜を成膜する場合、コストを考慮すると、酸素を含まずアルゴンなどの不活性ガスのみでプリスパッタした後、所定分圧の酸素含有不活性雰囲気でスパッタすることが推奨される。しかし、上記プリスパッタ中にＺｎが還元されると、Ｚｎの蒸気圧が高いために蒸発しやすくなってターゲット表面に付着し、黒色堆積物が生成される。その結果、ターゲットと膜の組成ずれを招き、ターゲットに比べて膜中のＺｎの原子比が大幅に低下する。
【００２７】
本発明の酸化物焼結体は、好ましくは上記所定の金属元素含有量を満足する酸化インジウムと；酸化ガリウムと；酸化錫で構成されており、残部は、製造上不可避的に生成される酸化物などの不純物である。
【００２８】
次に上記酸化物焼結体をＸ線回折したときに検出されるＧａ3ＩｎＳｎ5Ｏ16相について説明する。Ｇａ3ＩｎＳｎ5Ｏ16相は、本発明の酸化物焼結体を構成するＩｎ、Ｇａ、Ｓｎが結合して形成される酸化物である。Ｇａ3ＩｎＳｎ5Ｏ16相は、本発明の酸化物焼結体において、Ｇａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16の粒成長を抑制し、ボンディング時の応力による割れを抑
制する効果を有する。
【００２９】
このような効果を有する酸化物焼結体とするためには、Ｘ線回折で特定したＧａ3ＩｎＳｎ5Ｏ16相のピーク強度が下記式（４）を満足する必要がある。
０．０２≦［Ｇａ3ＩｎＳｎ5Ｏ16］≦０．２・・・（４）
但し、［Ｇａ3ＩｎＳｎ5Ｏ16］＝Ｉ（Ｇａ3ＩｎＳｎ5Ｏ16）／（Ｉ（Ｇａ3ＩｎＳｎ5Ｏ16）＋Ｉ（Ｇａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16）＋Ｉ（ＳｎＯ2））
式中、Ｉ（Ｇａ3ＩｎＳｎ5Ｏ16）、Ｉ（Ｇａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16）、およびＩ（ＳｎＯ2）はそれぞれ、Ｘ線回折で特定されたＧａ3ＩｎＳｎ5Ｏ16相、Ｇａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16相、およびＳｎＯ2相の回折ピーク強度である。なお、「Ｉ」はＸ線回折強度の測定値であることを意味する。
【００３０】
これらの化合物相は、酸化物焼結体をＸ線回折して得られた回折ピークについて、ＩＣＤＤ（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｃｅｎｔｅｒ  ｆｏｒ  Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ  Ｄａｔａ）カードの５１−０２１４、８９−７０１１、４１−１４４５に記載されている結晶構造（それぞれ、Ｇａ3ＩｎＳｎ5Ｏ16相、Ｇａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16相、ＳｎＯ2相に対応）を有するものである。
【００３１】
本発明は上記酸化物焼結体をＸ線回折したとき、Ｇａ3ＩｎＳｎ5Ｏ16相を所定の割合で含むところに特徴がある。Ｇａ3ＩｎＳｎ5Ｏ16相のピーク強度比（［Ｇａ3ＩｎＳｎ5Ｏ16］）が小さくなると、Ｇａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16相の粒成長抑制効果が弱くなるため、０．０２以上とする必要がある。好ましくは０．０５以上、より好ましくは０．０８以上、更に好ましくは０．１以上である。一方、上限については特に限定されないが、ピン止め効果が飽和してコストが割高になるため、０．２以下、好ましくは０．１８以下、より好ましくは０．１６以下である。
【００３２】
更に本願発明では、酸化物焼結体をＸ線回折したとき、Ｇａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16相は下記式（５）を満足するものであることが好ましい。
０．８≦［Ｇａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16］≦０．９８・・・（５）
但し、［Ｇａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16］＝Ｉ（Ｇａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16）／（Ｉ（Ｇａ3ＩｎＳｎ5Ｏ16）＋Ｉ（Ｇａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16）＋Ｉ（ＳｎＯ2）））
式中、Ｉ（Ｇａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16）、Ｉ（Ｇａ3ＩｎＳｎ5Ｏ16）、およびＩ（ＳｎＯ2）はそれぞれ、Ｘ線回折で特定されたＧａ3ＩｎＳｎ5Ｏ16相、Ｇａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16相、およびＳｎＯ2相の回折ピーク強度である。
【００３３】
Ｇａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16相のピーク強度比（［Ｇａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16］）が小さくなるとボンディング時の酸化物焼結体の割れが生じやすくなるため、好ましくは０．８以上、より好ましくは０．８２以上、更に好ましくは０．８４以上である。一方、上限については、上記観点からは高いほどよいが、Ｇａ3ＩｎＳｎ5Ｏ16による上記ピン止め効果を考慮すると、好ましくは０．９８以下、より好ましくは０．９５以下、更に好ましくは０．９２以下、より更に好ましくは０．９以下である。
【００３４】
本発明の酸化物焼結体の相対密度は９０％以上である。酸化物焼結体の相対密度を高めることによってボンディング時の割れ抑制効果を一層向上できる。このような効果を得るために本発明の酸化物焼結体は相対密度を少なくとも９０％以上とする必要があり、好ましくは９５％以上であり、より好ましくは９８％以上である。上限は特に限定されず１００％であってもよいが、製造コストを考慮し、９９％が好ましい。
【００３５】
また、ボンディング時の割れ抑制効果をより一層高めるためには、酸化物焼結体のＧａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16相の平均結晶粒径を微細化する必要がある。具体的には酸化物焼結体の破断面、すなわち、酸化物焼結体を任意の位置で厚み方向に切断し、その切断面表面の任意の位置において走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）により観察されるＧａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16相の平均結晶粒径を３μｍ以下とすることによって、酸化物焼結体の割れをより一層抑制することができる。好ましい平均結晶粒径は２．８μｍ以下、より好ましくは２．５μｍ以下である。一方、平均結晶粒径の下限は特に限定されないが、平均結晶粒径の微細化と製造コストのバランスから、平均結晶粒径の好ましい下限は０．１μｍ程度である。
【００３６】
また、本発明では更に粒度分布を適切に制御する必要がある。具体的には結晶粒径が１０μｍ以上の粗大結晶粒は、ボンディング時の酸化物焼結体の割れの原因となるため、できるだけ少ない方がよく、粗大結晶粒は１０％未満、より好ましくは８％以下、さらに好ましくは６％以下、よりさらに好ましくは４％以下、最も好ましくは０％である。
【００３７】
次に、本発明の酸化物焼結体の好適な製造方法について説明する。
【００３８】
本発明の酸化物焼結体は、酸化インジウムと；酸化ガリウムと；酸化錫を混合および焼結して得られるものである。また本発明のスパッタリングターゲットは上記酸化物焼結体を加工することにより製造できる。基本的には、酸化物の粉末を（ａ）混合・粉砕→（ｂ）乾燥・造粒→（ｃ）予備成形→（ｄ）脱脂→（ｅ）大気焼結して得られた酸化物焼結体を、（ｆ）加工→（ｇ）ボンディグしてスパッタリングターゲットを得ることができる。上記工程のうち本発明では、以下に詳述するように（ｅ）焼結条件を適切に制御したところに特徴があり、それ以外の工程は特に限定されず、通常用いられる工程を適宜選択することができる。以下、各工程を説明するが、本発明はこれに限定する趣旨ではない。
【００３９】
まず、酸化インジウム粉末と；酸化ガリウム粉末と；酸化錫粉末；を所定の割合に配合し、混合・粉砕する。用いられる各原料粉末の純度はそれぞれ、約９９．９９％以上が好ましい。微量の不純物元素が存在すると、酸化物半導体薄膜の半導体特性を損なう恐れがあるためである。各原料粉末の配合割合は、上記範囲内となるように制御することが好ましい。
【００４０】
（ａ）混合・粉砕は、ボールミルまたはビーズミルを使い、原料粉末を水と共に投入して行うことが好ましい。これらの工程に用いられるボールやビーズは、例えばナイロン、アルミナ、ジルコニアなどの材質のものが好ましく用いられる。この際、均一に混合する目的で分散剤や、後の成形工程の容易性を確保するためにバインダーを混合してもよい。混合時間は２時間以上とすることが好ましく、より好ましくは１０時間以上であり、更に好ましくは２０時間以上である。
【００４１】
次に、上記工程で得られた混合粉末について例えばスプレードライヤなどで（ｂ）乾燥・造粒を行うことが好ましい。
【００４２】
乾燥・造粒後、（ｃ）予備成形をする。成形に当たっては、乾燥・造粒後の粉末を所定寸法の金型に充填し、金型プレスで予備成形する。この予備成形は、ハンドリング性を向上させる目的で行われるため、４９〜９８ＭＰａ程度の加圧力を加えて成形体とすればよい。得られた予備成形体は冷間静水圧加圧処理（ＣＩＰ：Ｃｏｌｄ  Ｉｓｏｓｔａｔｉｃ  Ｐｒｅｓｓｉｎｇ）で本成形を行う。焼結体の相対密度を上昇させるためには、本成形時の圧力は９８〜４９０ＭＰａに制御することが好ましい。
【００４３】
なお、混合粉末に分散剤やバインダーを添加した場合には、分散剤やバインダーを除去するために成形体を加熱して（ｄ）脱脂を行うことが望ましい。加熱条件は脱脂目的が達成できれば特に限定されないが、例えば大気中、おおむね５００℃程度で、５時間程度保持すればよい。
【００４４】
脱脂後、所望の形状が得られるように成形型に成形体をセットして（ｅ）大気焼結にて焼結を行う。本発明では成形体を焼結温度：１４００〜１５５０℃まで昇温した後、該温度での保持時間：1〜５０時間で焼結を行う。これらの温度範囲および保持時間で焼結することにより、上記式（１）〜（３）を満足する化合物相が得られると共に、上記式（４）を満足するＧａ3ＩｎＳｎ5Ｏ16相、好ましくは上記式（５）を満足するＧａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16相の比率と、適切な粒径を有する焼結体が得られる。焼結温度が低いと、上記式（４）を満足するＧａ3ＩｎＳｎ5Ｏ16相、更には上記式（５）を満足するＧａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16相を生成できない。また酸化物焼結体を十分に緻密化することができず、所望の相対密度を達成できない。一方、焼結温度が高くなりすぎると、Ｇａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16相の平均結晶粒径や、酸化物焼結体の結晶粒が粗大化してしまい、Ｇａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16相の平均結晶粒径や酸化物焼結体の結晶粒の平均結晶粒径を所定の範囲に制御できなくなる。したがって焼結温度は好ましくは１４００℃以上、より好ましくは１４２５℃以上、更に好ましくは１４５０℃以上であって、好ましくは１５５０℃以下、より好ましくは１５２５℃以下とする。
【００４５】
また、上記焼結温度での保持時間が長くなりすぎると結晶粒が成長して粗大化するため、結晶粒の平均結晶粒径を所定の範囲に制御できなくなる。一方、保持時間が短すぎると上記Ｇａ3ＩｎＳｎ5Ｏ16相、好ましくは上記Ｇａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16相を前記割合以上形成することができず、また十分に緻密化することができなくなる。したがって保持時間は好ましくは０．１時間以上、より好ましくは０．５時間以上であって、好ましくは５時間以下とすることが望ましい。
【００４６】
また、本発明では成形後、上記焼結温度までの平均昇温速度を１００℃／時間以下とすることが好ましい。平均昇温速度が１００℃／時間を超えると、結晶粒の異常成長が起こり、粗大結晶粒の割合が高くなる。また相対密度を十分に高めることができない。より好ましい平均昇温速度は７５℃／時間以下、更に好ましくは５０℃／時間以下である。一方、平均昇温速度の下限は特に限定されないが、生産性の観点からは１０℃／時間以上とすることが好ましく、より好ましくは２０℃／時間以上である。
【００４７】
更に本発明では、上記平均昇温速度で上記焼結温度まで昇温する過程で、一時保持することが推奨される。具体的には１１００℃以上、１３００℃以下の温度域で１時間以上、１０時間以下保持することが好ましい。該温度域で所定時間保持することで、上記Ｇａ3ＩｎＳｎ5Ｏ16相の生成を促進して前記割合以上形成することができる。また一時保持することで、Ｇａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16相の結晶粒の成長を抑制することができる。一時保持するときの温度（予備焼結温度）の下限は、より好ましくは１１２０℃以上、更に好ましくは１１４０℃以上である。また、上記温度の上限は、より好ましくは１２７０℃以下、更に好ましくは１２５０℃以下、更により好ましくは１２００℃以下である。
【００４８】
焼結工程では、焼結雰囲気を例えば大気雰囲気などの酸素ガス雰囲気、酸素ガス加圧下雰囲気とすることが好ましい。また雰囲気ガスの圧力は、蒸気圧の高い酸化亜鉛の蒸発を抑制するために大気圧とすることが望ましい。上記のようにして得られた酸化物焼結体は相対密度が９０％以上である。
【００４９】
上記のようにして酸化物焼結体を得た後、常法により、（ｆ）加工→（ｇ）ボンディングを行なうと本発明のスパッタリングターゲットが得られる。酸化物焼結体の加工方法は特に限定されず、公知の方法によって各種用途に応じた形状に加工すればよい。
【００５０】
加工した酸化物焼結体をバッキングプレートにボンディング材によって接合することでスパッタリングターゲットを製造できる。バッキングプレートの素材の種類は特に限定されないが、熱伝導性優れた純銅または銅合金が好ましい。ボンディング材の種類も特に限定されず、導電性を有する各種公知のボンディング材を使用することができ、例えばＩｎ系はんだ材、Ｓｎ系はんだ材などが例示される。接合方法も特に限定されず、例えば酸化物焼結体およびバッキングプレートをボンディング材が溶解する温度、例えば１４０〜２２０℃程度に加熱して溶解させ、バッキングプレートのボンディング面に溶解したボンディング材を塗布し、それぞれのボンディング面を貼り合わせて両者を圧着した後、冷却すればよい。
【００５１】
本発明の酸化物焼結体を用いて得られるスパッタリングターゲットは、ボンディング作業時の衝撃や熱履歴などで発生した応力などによる割れがなく、また比抵抗も、非常に良好なものであり、好ましくは１Ω・ｃｍ以下、より好ましくは１０-1Ω・ｃｍ以下、さらに好ましくは１０-2Ω・ｃｍ以下である。本発明のスパッタリングターゲットを用いれば、スパッタリング中での異常放電、およびスパッタリングターゲット材の割れを一層抑制した成膜が可能となり、スパッタリングターゲットを用いた物理蒸着を表示装置の生産ラインで効率よく行うことができる。また得られた酸化物半導体薄膜も良好なＴＦＴ特性を示す。
【実施例】
【００５２】
以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明は、下記実施例に限定されず、本発明の趣旨に適合し得る範囲で適切に変更を加えて実施することも可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に含まれる。
【００５３】
実施例１
（スパッタリングターゲットの作製）
純度９９．９９％の酸化インジウム粉末（ＩｎＯ1.5）、純度９９．９９％の酸化ガリウム粉末（ＧａＯ1.5）、純度９９．９９％の酸化錫粉末（ＳｎＯ2）を表１に示す質量比率および原子比率で配合し、水と分散剤（ポリカルボン酸アンモニウム）を加えてナイロンボールミルで２４時間混合した。次に、上記工程で得られた混合粉末を乾燥して造粒を行った。
【００５４】
このようにして得られた粉末を金型プレスにて下記条件で予備成形した後、ＣＩＰにて成形圧力２９４ＭＰａで本成形を行った。
（予備成形の条件）
成形圧力：９８ＭＰａ
厚みをｔとしたとき、成形体サイズ：φ１１０ｍｍ×ｔ１３ｍｍ
【００５５】
このようにして得られた成形体を焼結炉にセットし、表２に示す条件で焼結を行った。得られた酸化物焼結体を機械加工してφ１００ｍｍ×ｔ５ｍｍに仕上げた。該酸化物焼結体と、Ｃｕ製バッキングプレートを２０分かけて１８０℃まで昇温させた後、酸化物焼結体をバッキングプレートにボンディング材（インジウム）を用いてボンディングし、スパッタリングターゲットを製作した。
【００５６】
（相対密度の測定）
相対密度は酸化物焼結体の破断面、すなわち、酸化物焼結体を任意の位置で厚み方向に切断し、その切断面表面の任意の位置を鏡面研削し、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて気孔率を測定して求めた。１０００倍で写真撮影し５０μｍ角の領域で気孔の占める面積率を測定し、気孔率とした。２０枚の平均を当該試料の平均気孔率とし、［１００−平均気孔率］を平均相対密度とした。相対密度は９０％以上を合格と評価した。結果を表４の「相対密度（％）」欄に記載した。
【００５７】
（Ｇａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16相の平均結晶粒径）
Ｇａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16相の平均結晶粒径は、酸化物焼結体の破断面を鏡面研削し、その組織を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）倍率４００倍で写真撮影し、任意の方向で１００μｍの長さの直線を引き、この直線内に含まれるＧａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16相の結晶粒の長さの総和（Ｌ）、数（Ｎ）を求め、［Ｌ／Ｎ］から算出される値を当該「直線上でのＧａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16相の平均結晶粒径」とした。同様に粗大結晶粒が重複しない間隔（少なくとも２０μｍ以上の間隔）で直線を２０本作成して各直線上での平均粒径を算出し、更に［各直線上での平均結晶粒径の合計／２０］から算出される値を「Ｇａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16相の平均結晶粒径」とした。Ｇａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16相は、エネルギー分散型Ｘ線分析(ＥＤＳ：Ｅｎｅｒｇｙ  ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ  Ｘ−ｒａｙ  ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ)によって構成元素比とＸ線回折のデータに基づいて同定し、Ｇａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16相の平均結晶粒径を求めた。本実施例ではＧａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16相の平均結晶粒径が３μｍ以下を合格と評価した。結果を表４の「Ｇａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16平均粒径（μｍ）」欄に記載した。
【００５８】
（粗大結晶粒の割合）
粗大結晶粒の割合は、上記Ｇａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16相の平均結晶粒径と同様、酸化物焼結体の破断面をＳＥＭ観察して、任意の方向に１００μｍの長さの直線を引き、この直線上で切り取られる長さが１０μｍ以上となる結晶粒を粗大な結晶粒とした。この粗大な結晶粒が直線上で占める長さＬ（複数ある場合はその総和：μｍ）を求め、［Ｌ／１００］から算出される値を当該「直線上での粗大結晶粒の割合」（％）とした。更に粗大結晶粒が重複しない間隔（少なくとも２０μｍ以上の間隔）で直線を２０本作成して各直線上での粗大結晶粒の割合を算出すると共に、［各直線上での粗大結晶粒の割合の合計／２０］から算出される値を「酸化物焼結体の粗大結晶粒の割合」（％）とした。酸化物焼結体の粗大結晶粒の割合が１０％未満を合格と評価した。結果を表４の「粗大結晶粒の割合（％）」欄に記載した。
【００５９】
（Ｇａ3ＩｎＳｎ5Ｏ16相、およびＧａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16相の比率）
結晶相の比率は、スパッタリング後、スパッタリングターゲットをバッキングプレートから取り外して１０ｍｍ角の試験片を切出し、Ｘ線回折で回折線の強度（回折ピーク）を下記条件で測定して求めた。
分析装置：理学電機社製「Ｘ線回折装置ＲＩＮＴ−１５００」
分析条件：
ターゲット：Ｃｕ
単色化：モノクロメートを使用（Ｋα）
ターゲット出力：４０ｋＶ−２００ｍＡ
（連続焼測定）θ／２θ走査
スリット：発散１／２°、散乱１／２°、受光０．１５ｍｍ
モノクロメータ受光スリット：０．６ｍｍ
走査速度：２°／ｍｉｎ
サンプリング幅：０．０２°
測定角度（２θ）：５〜９０°
【００６０】
この測定で得られた回折ピークについて、ＩＣＤＤカードに基づいて各結晶相のピークを同定し、回折ピークの高さを測定した。これらのピークは、当該結晶相で回折強度が十分に高く、他の結晶相のピークとの重複がなるべく少ないピークを選択した。各結晶相の指定ピークでのピーク高さの測定値を夫々、Ｉ（Ｇａ3ＩｎＳｎ5Ｏ16）、Ｉ（Ｇａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16）、Ｉ（ＳｎＯ2）とし（「Ｉ」はＸ線回折強度の測定値であることを意味する）、下式によって［Ｇａ3ＩｎＳｎ5Ｏ16］、および［Ｇａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16］のピーク強度比率を求めた。
［Ｇａ3ＩｎＳｎ5Ｏ16］＝Ｉ（Ｇａ3ＩｎＳｎ5Ｏ16）／（（Ｉ（Ｇａ3ＩｎＳｎ5Ｏ16）＋Ｉ（Ｇａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16）＋Ｉ（ＳｎＯ2））
［Ｇａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16］＝Ｉ（Ｇａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16）／（Ｉ（Ｇａ3ＩｎＳｎ5Ｏ16）＋Ｉ（Ｇａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16）＋Ｉ（ＳｎＯ2））
【００６１】
［Ｇａ3ＩｎＳｎ5Ｏ16］は０．０２以上、０．２以下を合格と評価した。また［Ｇａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16］は０．８以上、０．９８以下を合格と評価した。結果を表４中、「Ｇａ3ＩｎＳｎ5Ｏ16強度比」欄、及び「Ｇａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16強度比」欄に記載した。
【００６２】
（ボンディング時の割れ）
上記機械加工した酸化物焼結体を加熱し、バッキングプレートにボンディングした後、酸化物焼結体表面に割れが生じていないか目視で確認した。酸化物焼結体表面で１ｍｍを超えるクラックが確認できた場合を「割れ」があると判断した。ボンディング作業を１０回行い、１回でも割れがある場合を不合格（「有」）、１回も割れがない場合を合格（「無」）と評価した。結果を表４中、「ボンディング時の割れ」欄に記載した。
【００６３】
（比抵抗）
比抵抗値は、機械加工後のφ１００ｍｍ×ｔ５ｍｍを用いて抵抗率計ロレスタＧＰ（三菱ケミカルコーポレーション社製ＭＣＰ−Ｔ６１０型）による四探針法で測定した。比抵抗は１Ω・ｃｍ以下を合格とした。結果を表４中、「比抵抗値（Ω・ｃｍ）」欄に記載した。
【００６４】
これらの結果を表４に併記する。表４の最右欄には総合評価の欄を設け、上記評価項目のうち全てが合格のものをＯＫ、いずれか一つが不合格のものにＮＧを付した。
【００６５】
【表１】
0005952891.tif 000002
【００６６】
【表２】
0005952891.tif 000003
【００６７】
【表３】
0005952891.tif 000004
【００６８】
【表４】
0005952891.tif 000005
【００６９】
本発明の好ましい組成、および製造条件を満足する試料Ｎｏ．１〜７は、スパッタリング時はもちろんのこと、ボンディング時のターゲットに割れが生じることがなかった。またこのようにして得られたスパッタリングターゲットの相対密度および比抵抗も良好な結果が得られた。
【００７０】
一方、本発明の組成を満足しない試料Ｎｏ．８〜１０、および製造条件を満足しない試料Ｎｏ．１１〜１３は、ボンディング時にスパッタリングターゲットに割れが発生した。
そこで、これらの例では、スパッタリングターゲットに割れが生じないようなボンディング条件でボンディングして割れが発生しなかったスパッタリングターゲットを使用して、比抵抗を測定した。
【００７１】
試料Ｎｏ．８は、酸化物焼結体の組成について、［Ｉｎ］が低く、［Ｇａ］が高くて本発明の規定を満たさない表１の鋼種ｅを用いた例である。その結果、この例ではＧａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16相の平均結晶粒径が大きく、また粗大結晶粒の割合が高く、更にＧａ3ＩｎＳｎ5Ｏ16相が生成していなかった。この例ではボンディング時に酸化物焼結体に割れが発生した。
【００７２】
試料Ｎｏ．９は、酸化物焼結体の組成について、［Ｓｎ］が低くて本発明の規定を満たさない表１の鋼種ｆを用いた例である。その結果、この例では相対密度が低く、Ｇａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16相の平均結晶粒径が大きく、また粗大結晶粒の割合が高く、更にＧａ3ＩｎＳｎ5Ｏ16相が生成していなかった。この例ではボンディング時に酸化物焼結体に割れが発生した。また比抵抗も高かった。
【００７３】
試料Ｎｏ．１０は、酸化物焼結体の組成について、［Ｉｎ］が低くて本発明の規定を満たさない表１の鋼種ｇを用いた例である。その結果、この例ではＧａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16相の平均結晶粒径が大きく、また粗大結晶粒の割合が高く、更にＧａ3ＩｎＳｎ5Ｏ16相のピーク強度比が高すぎた。この例ではボンディング時に酸化物焼結体に割れが発生した。また比抵抗も高かった。
【００７４】
試料Ｎｏ．１１は、酸化物焼結体の組成は本発明の規定を満たす表１の鋼種aを用いたが、焼結時の保持温度が高かった例である。この例ではＧａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16相の平均結晶粒径が大きかった。この例では、ボンディング時に酸化物焼結体に割れが発生した。
【００７５】
試料Ｎｏ．１２は、酸化物焼結体の組成は本発明の規定を満たす表１の鋼種aを用いたが、焼結時の保持温度が低くかった例である。この例では相対密度が低く、Ｇａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16相の平均結晶粒径が大きく、また粗大結晶粒の割合が高かった。この例ではボンディング時に酸化物焼結体に割れが発生した。また比抵抗も高かった。
【００７６】
試料Ｎｏ．１３は、酸化物焼結体の組成は本発明の規定を満たす表１の鋼種aを用いたが、一時保持することなく焼結温度までの昇温した例である。この例ではＧａ2Ｉｎ6Ｓｎ2Ｏ16相の平均結晶粒径が大きく、また粗大結晶粒の割合が高く、更にＧａ3ＩｎＳｎ5Ｏ16相のピーク強度比が低すぎた。この例ではボンディング時に酸化物焼結体に割れが発生した。
【００７７】
実施例２
本実施例では、従来のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物焼結体（ＩＧＺＯ）に比べて、本発明で規定するＩｎ−Ｇａ−Ｓｎ酸化物焼結体（ＩＧＴＯ）の有用性を実証するため、以下の実験を行った。
【００７８】
まず、前述した実施例１の表４のＮｏ．１のターゲットを用い、以下の条件で、本成膜前のプリスパッタおよび本成膜であるスパッタを行って、ガラス基板上に酸化物半導体薄膜を成膜した。参考のため、表５のＮｏ．１に、上記表４のＮｏ．１のターゲットの組成（表１の成分Ｎｏ．ａと同じ）を併記する。
スパッタリング装置：株式会社アルバック製「ＣＳ−２００」
ＤＣ（直流）マグネトロンスパッタリング法
基板温度：室温
（１）プリスパッタ
ガス圧：１ｍＴｏｒｒ
酸素分圧：１００×Ｏ2／（Ａｒ＋Ｏ2）＝０体積％
成膜パワー密度：２．５Ｗ／ｃｍ2
プリスパッタ時間：１０分
（２）本成膜
ガス圧：１ｍＴｏｒｒ
酸素分圧：１００×Ｏ2／（Ａｒ＋Ｏ2）＝４体積％
成膜パワー密度：２．５Ｗ／ｃｍ2
膜厚：４０ｎｍ
【００７９】
比較のため、表５のＮｏ．２に記載のＩＧＺＯターゲットを用い、上記と同じ条件で酸化物半導体薄膜を成膜した。上記Ｎｏ．２のターゲットにおけるＩｎとＧａとＺｎの原子比は１：１：１である。上記ＩＧＺＯターゲットの作製方法は以下のとおりである。
【００８０】
（ＩＧＺＯスパッタリングターゲットの作製）
純度９９．９９％の酸化インジウム粉末（Ｉｎ2Ｏ3）、純度９９．９９％の酸化ガリウム粉末（Ｇａ2Ｏ3）、純度９９．９９％の酸化亜鉛粉末（ＺｎＯ2）を表１に示す質量比
率および原子比率で配合し、水と分散剤（ポリカルボン酸アンモニウム）とバインダーを加えてボールミルで２０時間混合した。次に、上記工程で得られた混合粉末を乾燥して造粒を行った。
【００８１】
このようにして得られた粉末を金型プレスにて下記条件で予備成形した後、常圧にて大気雰囲気下で５００℃に昇温し、該温度で５時間保持して脱脂した。
（予備成形の条件）
成形圧力：１．０ｔｏｎ／ｃｍ2
厚みをｔとしたとき、成形体サイズ：φ１１０ｍｍ×ｔ１３ｍｍ
【００８２】
得られた成形体を黒鉛型にセットし、表２に示す条件Ｇでホットプレスを行った。この際、ホットプレス炉内にはＮ2ガスを導入し、Ｎ2雰囲気下で焼結した。
【００８３】
得られた酸化物焼結体を機械加工してφ１００ｍｍ×ｔ５ｍｍに仕上げた。該酸化物焼結体と、Ｃｕ製バッキングプレートを１０分かけて１８０℃まで昇温させた後、酸化物焼結体をバッキングプレートにボンディング材（インジウム）を用いてボンディングし、スパッタリングターゲットを製作した。
【００８４】
このようにして得られた各酸化物半導体薄膜について、各薄膜中の各金属元素の比率（原子％）を高周波誘導結合プラズマ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ、ＩＣＰ）法で測定した。表６にこれらの結果を記載する。
【００８５】
【表５】
0005952891.tif 000006
【００８６】
【表６】
0005952891.tif 000007
【００８７】
表５に示すターゲットの組成（原子％）と表６に示す膜の組成原子（％）を対比すると、本発明の組成を満足するＮｏ．１のＩＧＴＯターゲットでは、ターゲットと膜の間の組成ずれは全く見られなかった。
【００８８】
これに対し、本発明の組成を満足せずＳｎでなくＺｎを含むＮｏ．２のＩＧＺＯターゲットでは、ターゲットと膜の間の組成ずれが大きくなった。詳細にはＮｏ．２では、ターゲット中のＺｎ比＝３３．３原子％から、膜中のＺｎ比＝２６．５原子％と、６．８原子％も減少した。
【００８９】
よって、本発明のターゲットを用いれば、ターゲットの組成と組成ずれのない膜を成膜できることが実証された。
【００９０】
更に、上記の各ターゲットを用いて各膜を成膜した後の、各ターゲットの表面状態を目視で観察し、黒色堆積物の有無を評価した。参考のため、これらの写真を図１に示す。
【００９１】
その結果、本発明例のＮｏ．１のＩＧＴＯターゲットを用いたときは、図１の左図に示すように成膜後のターゲット表面に黒色の堆積物は観察されなかったのに対し、従来例のＮｏ．２のＩＧＺＯターゲットを用いたときは、図１の右図に示すように成膜後のターゲット表面に黒色の堆積物が観察された。このようにターゲットの表面に黒色堆積物が存在すると、スパッタ中にターゲット表面から剥離してパーティクルとなって、アーキングを招く虞がある。よって、本発明のターゲットを用いれば、組成ずれのない膜を成膜できるのみならず、スパッタリングの際のアーキングを防止できるなど、非常に有用であることが実証された。
【図１】
0005952891.tif 000008