(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電源と、第２の電源と、有機発光ダイオードと、第１の容量と、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、を有する画素回路であって、
前記有機発光ダイオードの陰極は前記第２の電源に接続されており、
前記第１の容量は、一つのノードと前記第２の電源との間に接続されており、
前記第１のトランジスタ、前記第２のトランジスタ、及び前記第３のトランジスタは、それぞれ制御端と、第１の電極と、第２の電極と、を備え、
前記第１のトランジスタは、その前記制御端が前記ノードに接続されており、その前記第１の電極がデータ信号を受信するためであり、
前記第２のトランジスタは、その前記制御端が第１の走査信号を受信するためであり、その前記第１の電極が前記第１のトランジスタの前記第２の電極に接続されており、その前記第２の電極が前記ノードに接続されており、
前記第３のトランジスタは、その前記制御端が前記ノードに接続されており、その前記第１の電極が前記第１の電源に接続されており、その前記第２の電極が前記有機発光ダイオードの陽極に接続されており、
前記第１のトランジスタは、前記第３のトランジスタの閾値電圧を補償するためであり、
前記第１のトランジスタと前記第３のトランジスタは同じチャンネル極性を持つ、ことを特徴とする画素回路。
【請求項２】
前記第１のトランジスタは、前記第３のトランジスタとチャンネル幅が接近し、かつ、前記画素回路において近距離で設置されていることを特徴とする請求項１に記載の画素回路。
【請求項３】
前記画素回路はＴＦＴバックシートに設置されていることを特徴とする請求項２に記載の画素回路。
【請求項４】
制御端が第２の走査信号を受信するためであり、第１の電極が前記第３のトランジスタの前記第２の電極に接続されており、第２の電極が前記有機発光ダイオードの前記陽極に接続されている第４のトランジスタをさらに有することを特徴とする請求項１に記載の画素回路。
【請求項５】
第３の電源と、
第３の走査信号を受信するための制御端と、前記ノードに接続されている第１の電極と、前記第３の電源に接続されている第２の電極と、を備える第５のトランジスタと、をさらに有することを特徴とする請求項４に記載の画素回路。
【請求項６】
前記第３の電源の電圧は、前記第２の電源の電圧以下であることを特徴とする請求項５に記載の画素回路。
【請求項７】
前記第３の走査信号を受信するための制御端と、前記有機発光ダイオードの前記陽極に接続されている第１の電極と、前記第２の電源に接続されている第２の電極と、を備える第６のトランジスタをさらに有することを特徴とする請求項５に記載の画素回路。
【請求項８】
前記第２のトランジスタの前記制御端と前記ノードとの間に接続された第２の容量をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の画素回路。
【請求項９】
前記第１のトランジスタ、前記第２のトランジスタ、前記第３のトランジスタ、前記第４のトランジスタ、前記第５のトランジスタ、及び前記第６のトランジスタは、Ｐチャンネル金属酸化物半導体トランジスタであることを特徴とする請求項７に記載の画素回路。
【請求項１０】
請求項１に記載の画素回路をデータ線や走査線からの信号によって駆動する方法であって、
第１の走査信号を、前記第２のトランジスタをオンするために前記走査線の内の第１の走査線に印加することにより、前記データ線からのデータ信号を、前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタを介して前記ノードへ供給し、かつ、前記ノードでの電圧を前記第１の容量中に蓄積することであって、前記第１のトランジスタの前記制御端と前記第１の容量の一つの端子とが共に前記ノードに接続されており、
前記データ信号に基づく電流を前記第３のトランジスタを介して前記有機発光ダイオードへ供給し、
前記有機発光ダイオードは、前記データ信号に基づく電流に相応する輝度の光を発することを特徴とする画素回路を駆動する方法。
【請求項１１】
第４のトランジスタをさらに有する画素回路を駆動する方法であって、さらに、第２の走査信号を、前記第４のトランジスタをオンするために前記走査線の内の第２の走査線へ供給することにより、前記データ信号に基づく電流を前記第３のトランジスタを介して前記有機発光ダイオードへ供給することを特徴とする請求項１０に記載の画素回路を駆動する方法。
【請求項１２】
第５のトランジスタをさらに有する画素回路を駆動する方法であって、
前記第１の走査信号を印加する前に、第３の走査信号を前記第５のトランジスタをオンするために印加することにより、前記ノードを初期化することを特徴とする請求項１１に記載の画素回路を駆動する方法。
【請求項１３】
前記第１のトランジスタは、前記第３のトランジスタとチャンネル幅が接近し、かつ、画素回路において近距離で設置されていることを特徴とする請求項１０に記載の画素回路を駆動する方法。
【請求項１４】
前記画素回路はＴＦＴバックシートに設置されていることを特徴とする請求項１３に記載の画素回路を駆動する方法。
【請求項１５】
走査線へ走査信号を印加するための走査ドライバと、データ線へデータ信号を印加するためのデータドライバと、前記データ線と前記走査線との間に接続されている画素回路を有し、
前記画素回路は、第１の電源と、第２の電源と、有機発光ダイオードと、第１の容量と、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタとを、有する表示装置であって、
前記有機発光ダイオードは、陽極と、前記第２の電源に接続されている陰極と、を備え、
前記第１の容量は、一つのノードと前記第２の電源との間に接続されており、
前記第１のトランジスタ、前記第２のトランジスタ、及び前記第３のトランジスタは、それぞれ制御端と、第１の電極と、第２の電極と、を備え、
前記第１のトランジスタは、その前記制御端が前記ノードに接続されており、その前記第１の電極が前記データ線に接続されており、
前記第２のトランジスタは、その前記制御端が一つの第１の走査線に接続されており、その前記第１の電極が前記第１のトランジスタの前記第２の電極に接続されており、その前記第２の電極が前記ノードに接続されており、
前記第３のトランジスタは、その前記制御端が前記ノードに接続されており、その前記第１の電極が前記第１の電源に接続されており、その前記第２の電極が前記有機発光ダイオードの前記陽極に接続されており、
前記第１のトランジスタは、前記第３のトランジスタの閾値電圧を補償するためであり、
前記第１のトランジスタと前記第３のトランジスタは同じチャンネル極性を持つ、ことを特徴とする表示装置。
【請求項１６】
前記第１のトランジスタは、前記第３のトランジスタとチャンネル幅が接近し、かつ、前記画素回路において近距離で設置されていることを特徴とする請求項１５に記載の表示装置。
【請求項１７】
ＴＦＴバックシートをさらに有し、前記画素回路が前記ＴＦＴバックシートに設置されていることを特徴とする請求項１６に記載の表示装置。
【請求項１８】
制御端が一つの第２の走査線に連結されており、第１の電極が前記第３のトランジスタの前記第２の電極に接続されており、第２の電極が前記有機発光ダイオードの前記陽極に接続されている第４のトランジスタをさらに有することを特徴とする請求項１５に記載の表示装置。
【請求項１９】
第３の電源と、
一つの第３の走査線に接続されている制御端と、前記ノードに接続されている第１の電極と、前記第３の電源に接続されている第２の電極と、を備える第５のトランジスタと、をさらに有することを特徴とする請求項１５に記載の表示装置。
【請求項２０】
前記第３の電源の電圧は、前記第２の電源の電圧以下であることを特徴とする請求項１９に記載の表示装置。
【請求項２１】
共に前記第３の走査線に連結されている制御端と、前記有機発光ダイオードの前記陽極に連結されている第１の電極と、前記第２の電源に接続されている第２の電極と、を備える第６のトランジスタをさらに有することを特徴とする請求項１９に記載の表示装置。
【請求項２２】
前記第２のトランジスタの前記制御端と前記ノードとの間に接続されている第２の容量をさらに有することを特徴とする請求項１５に記載の表示装置。
【請求項２３】
前記第１のトランジスタ、前記第２のトランジスタ、前記第３のトランジスタ、前記第５のトランジスタ、及び前記第６のトランジスタは、Ｐチャンネル金属酸化物半導体トランジスタであることを特徴とする請求項２１に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画素回路、表示装置及びその駆動方法、特に、駆動トランジスタの閾値電圧を補償することができる有機発光ダイオードの画素回路、表示装置及びその駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、陰極線管（ＣＲＴ）よりも軽量で小体積の各種のタイプのフラット表示装置が開発された。各種のタイプのフラット表示装置のうち、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）バックシートを有するアクティブマトリクス有機発光表示装置は、自発光の有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を用いて画像を表示するため、通常、応答時間が短く、低消費電力で駆動でき、輝度と色純度がより良い特性を有するので、有機発光表示装置は次世代表示装置として注目されている。
【０００３】
図１は、伝統的なアクティブマトリクス有機発光表示装置１００の回路図を概略的に示している。その中で、アクティブマトリクス有機発光表示装置１００は、データドライバと走査ドライバとを含み（図示せず）、データドライバは、横方向に配列された複数のデータ線ＤＡ１…ＤＡｍを制御するためであり、走査ドライバは、縦方向に配列された複数の走査線ＳＣ１…ＳＣｎを制御するためであり、ただし、複数のデータ線ＤＡ１…ＤＡｍと複数の走査線ＳＣ１…ＳＣｎとの交差領域には複数の画素回路１１０が形成される。
【０００４】
図１を参照すると、画素回路１１０は、有機発光ダイオードＯＬＥＤ１、蓄積容量Ｃ１１、スイッチングトランジスタＴ１１及び駆動トランジスタＴ１２、第１の電源ＥＬＶＤＤ１並びに第２の電源ＥＬＶＳＳ１を含む。その中で、トランジスタＴ１１とＴ１２はいずれもＰＭＯＳトランジスタ（Ｐチャンネル金属酸化物半導体トランジスタ）である。その中で、スイッチングトランジスタＴ１１のゲートはそのうち１本の走査線ＳＣ１に接続され、ソースはそのうち１本のデータ線ＤＡ１に接続され、ドレインが第２のトランジスタＴ１２のゲートに接続されている。駆動トランジスタＴ１２のソースは高電圧電源ＥＬＶＤＤ１に接続され、ドレインは発光ダイオードＯＬＥＤ１の陽極に接続されている。発光ダイオードＯＬＥＤ１の陰極は低電圧電源ＥＬＶＳＳ１に接続されている。蓄積容量Ｃ１１は、第１の端子が第１の電源ＥＬＶＤＤ１に接続され、第２の端子は第２のトランジスタＴ１２のゲートに接続されている。
【０００５】
走査ドライバは走査線ＳＣ１からＳＣｎへ走査信号をこの順に印加し、データドライバは表示待ちの画像データに基づき、対応するデータ信号をデータ線ＤＡ１からＤＡｍを介して印加する。これにより、その交差領域内に位置する画素回路１００は、それに接続される走査線及びデータ線からの信号に基づき、有機発光ダイオードに流れる駆動電流を供給する。
【０００６】
図１に示される画素回路１１０を例として、走査ドライバから走査信号を走査線ＳＣ１に印加すると、スイッチングトランジスタＴ１１がオンし、かつ、この時、データ線ＤＡ１上のデータ信号の電圧は、スイッチングトランジスタＴ１１によって蓄積容量Ｃ１１へ蓄積される。駆動トランジスタＴ１２は、蓄積容量Ｃ１１に蓄積される電圧に基づいて駆動電流ＩＯＬＥＤ１を供給することで、対応する輝度の光を発するように有機発光ダイオードＯＬＥＤ１を駆動する。その中で、駆動電流の公式は下記公式で表す。
0006035434.tif 000002
【０００７】
式の中で、μ１２は駆動トランジスタＴ１２のキャリア移動度であり、Ｃｏｘ１２は駆動トランジスタＴ１２の制御端酸化層単位面積毎の容量であり、Ｗ１２は駆動トランジスタＴ１２のチャンネル幅であり、Ｌ１２は駆動トランジスタＴ１２のチャンネル長さであり、ＶＧＳ１２は駆動トランジスタＴ１２のゲートとソースとの電位差であり、ＶＴＨ１２は駆動トランジスタＴ１２の閾値電圧である。つまり、データ線ＤＡ１からのデータ電圧の大きさに基づき、有機発光ダイオードＯＬＥＤ１に流れる駆動電流を、所定の階調レベルを表示するように制御することができる。
【０００８】
大型アクティブマトリクス有機発光表示装置については、その中には複数の画素回路が含まれ、かつ、各画素回路にはいずれも駆動トランジスタを含む必要があるため、異なる駆動トランジスタ間の電気的差異によってその上の閾値電圧が相違する。したがって、上記式１から明らかなように、画素回路１１０へ供給されたデータ電圧が同じであっても有機発光ダイオードへ供給される駆動電流は、駆動トランジスタの閾値電圧の違いにより相違する。このように、複数の画素回路で表示される画質の均一性は悪くなる問題がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
これに鑑みて、本発明は、駆動トランジスタの閾値電圧の差異を補償することができる新規な画素回路構造を提供することを主な目的とする。本発明は、所望の輝度を発することができる画素回路と、前記画素回路を用いたアクティブマトリクス有機発光表示装置を提供し、前記画素回路はアクティブマトリクス有機発光ダイオードの応答特性を改善し、均一な画質を有する画像を表示することができる。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の目的を達成するために、本発明の技術案は次のように実現される。
【００１１】
第１の発明は、第１の電源と、第２の電源と、有機発光ダイオードと、第１の容量と、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、を有する画素回路であって、
前記有機発光ダイオードの陰極は前記第２の電源に接続されており、
前記第１の容量は、一つのノードと前記第２の電源との間に接続されており、
前記第１のトランジスタ、前記第２のトランジスタ、及び前記第３のトランジスタは、それぞれ制御端と、第１の電極と、第２の電極と、を備え、
前記第１のトランジスタは、その前記制御端が前記ノードに接続されており、その前記第１の電極がデータ信号を受信するためであり、
前記第２のトランジスタは、その前記制御端が第１の走査信号を受信するためであり、その前記第１の電極が前記第１のトランジスタの前記第２の電極に接続されており、その前記第２の電極が前記ノードに接続されており、
前記第３のトランジスタは、その前記制御端が前記ノードに接続されており、その前記第１の電極が前記第１の電源に接続されており、その前記第２の電極が前記有機発光ダイオードの陽極に接続されており、
前記第１のトランジスタは、前記第３のトランジスタの閾値電圧を補償するためであり、
前記第１のトランジスタと前記第３のトランジスタは同じチャンネル極性を持つ、ことを特徴とする画素回路である。
【００１２】
第２の発明は、第１の発明において、前記第１のトランジスタは、前記第３のトランジスタとチャンネル幅が接近し、かつ、前記画素回路において近距離で設置されていることを特徴とする画素回路である。
【００１３】
第３の発明は、第２の発明において、前記画素回路はＴＦＴバックシートに設置されていることを特徴とする画素回路である。
第４の発明は、第１の発明において、制御端が第２の走査信号を受信するためであり、第１の電極が前記第３のトランジスタの前記第２の電極に接続されており、第２の電極が前記有機発光ダイオードの前記陽極に接続されている第４のトランジスタをさらに有することを特徴とする画素回路である。
【００１４】
第５の発明は、第４の発明において、
第３の電源と、
第３の走査信号を受信するための制御端と、前記ノードに接続されている第１の電極と、前記第３の電源に接続されている第２の電極と、を備える第５のトランジスタと、をさらに有することを特徴とする画素回路である。
【００１５】
第６の発明は、第５の発明において、前記第３の電源の電圧は、前記第２の電源の電圧以下であることを特徴とする画素回路である。
【００１６】
第７の発明は、第５の発明において、前記第３の走査信号を受信するための制御端と、前記有機発光ダイオードの前記陽極に接続されている第１の電極と、前記第２の電源に接続されている第２の電極と、を備える第６のトランジスタをさらに有することを特徴とする画素回路である。
【００１７】
第８の発明は、第１の発明において、前記第２のトランジスタの前記制御端と前記ノードとの間に接続された第２の容量をさらに有することを特徴とする画素回路である。
【００１８】
第９の発明は、第７の発明において、前記第１のトランジスタ、前記第２のトランジスタ、前記第３のトランジスタ、前記第４のトランジスタ、前記第５のトランジスタ、及び前記第６のトランジスタは、Ｐチャンネル金属酸化物半導体トランジスタであることを特徴とする画素回路である。
【００１９】
第１０の発明は、第１の発明に記載の画素回路をデータ線や走査線からの信号によって駆動する方法であって、
第１の走査信号を、前記第２のトランジスタをオンするために前記走査線の内の第１の走査線に印加することにより、前記データ線からのデータ信号を、前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタを介して前記ノードへ供給し、かつ、前記ノードでの電圧を前記第１の容量中に蓄積することであって、前記第１のトランジスタの前記制御端と前記第１の容量の一つの端子とが共に前記ノードに接続されており、
前記データ信号に基づく電流を前記第３のトランジスタを介して前記有機発光ダイオードへ供給し、
前記有機発光ダイオードは、前記データ信号に基づく電流に相応する輝度の光を発することを特徴とする画素回路を駆動する方法である。
【００２０】
第１１の発明は、第１０の発明において、
第４のトランジスタをさらに有する画素回路を駆動する方法であって、さらに、第２の走査信号を、前記第４のトランジスタをオンするために前記走査線の内の第２の走査線へ供給することにより、前記データ信号に基づく電流を前記第３のトランジスタを介して前記有機発光ダイオードへ供給することを特徴とする画素回路を駆動する方法である。
【００２１】
第１２の発明は、第１１の発明において、
第５のトランジスタをさらに有する画素回路を駆動する方法であって、
前記第１の走査信号を印加する前に、第３の走査信号を前記第５のトランジスタをオンするために印加することにより、前記ノードを初期化することを特徴とする画素回路を駆動する方法である。
【００２２】
第１３の発明は、第１０の発明において、
前記第１のトランジスタは、前記第３のトランジスタとチャンネル幅が接近し、かつ、画素回路において近距離で設置されていることを特徴とする画素回路を駆動する方法である。
【００２３】
第１４の発明は、第１３の発明において、
前記画素回路はＴＦＴバックシートに設置されていることを特徴とする画素回路を駆動する方法である。
【００２４】
第１５の発明は、
走査線へ走査信号を印加するための走査ドライバと、データ線へデータ信号を印加するためのデータドライバと、前記データ線と前記走査線との間に接続されている画素回路を有し、
前記画素回路は、第１の電源と、第２の電源と、有機発光ダイオードと、第１の容量と、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタとを、有する表示装置であって、
前記有機発光ダイオードは、陽極と、前記第２の電源に接続されている陰極と、を備え、
前記第１の容量は、一つのノードと前記第２の電源との間に接続されており、
前記第１のトランジスタ、前記第２のトランジスタ、及び前記第３のトランジスタは、それぞれ制御端と、第１の電極と、第２の電極と、を備え、
前記第１のトランジスタは、その前記制御端が前記ノードに接続されており、その前記第１の電極が前記データ線に接続されており、
前記第２のトランジスタは、その前記制御端が一つの第１の走査線に接続されており、その前記第１の電極が前記第１のトランジスタの前記第２の電極に接続されており、その前記第２の電極が前記ノードに接続されており、
前記第３のトランジスタは、その前記制御端が前記ノードに接続されており、その前記第１の電極が前記第１の電源に接続されており、その前記第２の電極が前記有機発光ダイオードの前記陽極に接続されており、
前記第１のトランジスタは、前記第３のトランジスタの閾値電圧を補償するためであり、
前記第１のトランジスタと前記第３のトランジスタは同じチャンネル極性を持つ、ことを特徴とする表示装置である。
【００２５】
第１６の発明は、第１５の発明にいて、前記第１のトランジスタは、前記第３のトランジスタとチャンネル幅が接近し、かつ、前記画素回路において近距離で設置されていることを特徴とする表示装置である。
【００２６】
第１７の発明は、第１６の発明にいて、ＴＦＴバックシートをさらに有し、前記画素回路が前記ＴＦＴバックシートに設置されていることを特徴とする表示装置である。
【００２７】
第１８の発明は、第１５の発明にいて、制御端が一つの第２の走査線に連結されており、第１の電極が前記第３のトランジスタの前記第２の電極に接続されており、第２の電極が前記有機発光ダイオードの前記陽極に接続されている第４のトランジスタをさらに有することを特徴とする表示装置である。
【００２８】
第１９の発明は、第１５の発明にいて、
第３の電源と、
一つの第３の走査線に接続されている制御端と、前記ノードに接続されている第１の電極と、前記第３の電源に接続されている第２の電極と、を備える第５のトランジスタと、をさらに有することを特徴とする表示装置である。
【００２９】
第２０の発明は、第１９の発明において、前記第３の電源の電圧は、前記第２の電源の電圧以下であることを特徴とする表示装置である。
【００３０】
第２１の発明は、第１９の発明にいて、共に前記第３の走査線に連結されている制御端と、前記有機発光ダイオードの前記陽極に連結されている第１の電極と、前記第２の電源に連結されている第２の電極と、を備える第６のトランジスタをさらに有することを特徴とする表示装置である。
【００３１】
第２２の発明は、第１５の発明にいて、前記第２のトランジスタの前記制御端と前記ノードとの間に接続されている第２の容量をさらに有することを特徴とする表示装置である。
【００３２】
第２３の発明は、第２１の発明において、
前記第１のトランジスタ、前記第２のトランジスタ、前記第３のトランジスタ、前記第５のトランジスタ、及び前記第６のトランジスタは、Ｐチャンネル金属酸化物半導体トランジスタであることを特徴とする表示装置である。
【発明の効果】
【００３３】
本発明によれば、駆動トランジスタの閾値電圧の差異を補償することができる新規な画素回路構造を提供することができる。また、本発明によれば、所望の輝度を発することができる画素回路と、前記画素回路を用いたアクティブマトリクス有機発光表示装置を提供することができ、前記画素回路はアクティブマトリクス有機発光ダイオードの応答特性を改善し、均一な画質を有する画像を表示することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】従来のアクティブマトリクス有機発光表示装置の画素回路図である。
【図２】本発明の第１の実施例の画素回路の概略図である。
【図３】図２に示す画素回路の駆動方法の信号タイミングチャートである。
【図４】本発明の第２の実施例の画素回路の概略図である。
【図５】図４に示す画素回路の駆動方法の信号タイミングチャートである。
【図６】本発明の第３の実施例の画素回路の概略図である。
【図７】図６に示す画素回路の駆動方法の信号タイミングチャートである。
【図８】本発明の第４の実施例の画素回路の概略図である。
【図９】本発明の第５の実施例の画素回路の概略図である。
【図１０】本発明のアクティブマトリクス有機発光表示装置の概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００３５】
以下、図面及び本発明の実施例を組合せて本発明の画素回路及びその駆動方法をさらに詳しく説明する。
【００３６】
なお、本発明で言う「連結」は、素子と素子を直接に接続する構成を含むだけでなく、素子と素子をその他の部品を介して接続する構成も含む。
【００３７】
説明の便宜上、図２と図３を組み合わせて本発明の一つの実施例の画素回路及びその駆動方法を説明する。
【００３８】
図２は本発明の第１の実施例の画素回路２００の概略図を示す。
【００３９】
図２を参照し、画素回路２００は、第１のトランジスタＴ１と、第２のトランジスタＴ２と、第３のトランジスタＴ３と、容量Ｃ１と、有機発光ダイオードＯＬＥＤと、を含む。トランジスタＴ１からＴ３はいずれも制御端と、第１の電極１と、第２の電極２とを含む。トランジスタＴ１は、第１の電極がデータ線Ｄｍに連結され、制御端が一つのノードＮ１に連結され、第２の電極が第２のトランジスタＴ２の第１の電極に連結されている。第２のトランジスタＴ２は、制御端が第１の走査線Ｓｎ１からの第１の走査信号を受信するために第１の走査線Ｓｎ１に連結され、第１の電極が第２のトランジスタＴ１の第２の電極に連結され、第２の電極がノードＮ１に連結されている。容量Ｃ１は、第１の端子がノードＮ１に連結され、第２の端子が第２の電源ＥＬＶＳＳに連結されている。第３のトランジスタＴ３は、制御端がノードＮ１に連結され、第１の電極が第１の電源ＥＬＶＤＤに連結され、第２の電極が発光ダイオードＯＬＥＤの陽極に連結されている。発光ダイオードＯＬＥＤの陰極は第２の電源ＥＬＶＳＳに連結されている。好ましくは、制御端がトランジスタＴ１〜Ｔ３のゲート、第１の電極がトランジスタＴ１〜Ｔ３のソース、第２の電極がトランジスタＴ１〜Ｔ３のドレインであってもよい。同じ理由で、以下のようなトランジスタＴ４、Ｔ５、Ｔ６は、制御端がトランジスタＴ４〜Ｔ６のゲート、第１の電極がトランジスタＴ１〜Ｔ３のドレイン、第２の電極がトランジスタＴ１〜Ｔ３のソースであってもよい。
【００４０】
図３は、図２に示す画素回路２００の駆動方法の信号タイミングチャートを示す。ただし、図３に示す信号タイミングチャートは第１の段階と第２の段階を含む。第１の段階ｔ１は、データ書き込み段階であり、第２の段階ｔ２は正常発光段階である。図２に示す画素回路２００中のトランジスタＴ１〜Ｔ３はいずれもＰＭＯＳトランジスタを例としているので、その制御端に低レベルの信号を印加するとトランジスタがオンする。
【００４１】
図３に示すように、第１の段階、即ち、走査信号を走査線Ｓｎ１に印加する時間帯ｔ１期間において、第１のトランジスタＴ１と第２のトランジスタＴ２は低レベルの走査信号Ｓｎ１に応答してオンする。したがって、データ線Ｄｍからのデータ信号Ｖｄａｔａを第１のトランジスタＴ１と第２のトランジスタＴ２を介してノードＮ１へ供給する。この時、ノードＮ１での電圧値は、データ信号Ｖｄａｔａと第１のトランジスタＴ１の閾値電圧との差の値に相応する電圧となり、即ちＶｄａｔａ−｜ＶＴＨ１｜、即ちＶｄａｔａ＋ＶＴＨ１に等しいことがわかる。かつ、ノードＮ１での電圧も容量Ｃ１中に蓄積されている。つまり、データ線Ｄｍにおけるデータ信号Ｖｄａｔａが画素回路２００へ読み込まれている。
【００４２】
第２の段階ｔ２、即ち、第１の走査線Ｓｎ１の電圧が高レベルへと遷移した後、発光ダイオードＯＬＥＤが正常発光段階に入る。この時、第１の電源ＥＬＶＤＤの電流は第３のトランジスタＴ３を介して発光ダイオードＯＬＥＤの陽極へ流入する。
【００４３】
その中で、ＯＬＥＤへ流入する駆動電流は下記の公式で表す。
0006035434.tif 000003
【００４４】
式の中で、μ３は第３のトランジスタＴ３のキャリア移動度であり、Ｃｏｘ３は第３のトランジスタＴ３の制御端酸化層単位面積毎の容量であり、Ｗ３は第３のトランジスタＴ３のチャンネル幅であり、Ｌ３は第３のトランジスタＴ３のチャンネル長さである。ＶＧＳ３は第３のトランジスタのゲートソース電位差であり、ＶＴＨ３は第３のトランジスタＴ３の閾値電圧である。
【００４５】
この時、第３のトランジスタのオンにより、そのゲートソース電圧ＶＧＳ３はノードＮ１での電圧（即ち、Ｖｄａｔａ＋ＶＴＨ１）と、第１の電源電圧Ｖｄｄとの差、即ち、Ｖｄａｔａ＋ＶＴＨ１−Ｖｄｄとなっている。したがって、上記の式で計算してさらに下記の公式が得られる。
0006035434.tif 000004
【００４６】
これから明らかなように、第１のトランジスタＴ１の電気的特性を適切に設置することにより、第３のトランジスタＴ３の閾値電圧からＯＬＥＤの駆動電流への影響が低減される。
【００４７】
好ましくは、仮にトランジスタＴ１とＴ３の電気的特性をなるべく近く設置すれば、第３のトランジスタＴ３の閾値電圧をほぼゼロまで相殺することができ、これにより、ＯＬＥＤへ流入する駆動電流は第３のトランジスタＴ３の閾値電圧からの影響を受けなくなる。即ち、その電流値は下記の公式で表す。
0006035434.tif 000005
【００４８】
その中で、第１のトランジスタＴ１と第３のトランジスタＴ３の電気的特性をなるべく近く設置するには、なるべくチャンネル幅及びチャンネル長さの近い二つのトランジスタを設置して、それを画素回路２００において近距離で設置することができる。
【００４９】
好ましくは、さらに、画素回路２００をＴＦＴバックシート上に設置する際に、第１のトランジスタＴ１と第３のトランジスタＴ３を、その閾値電圧をなるべく近くなるように対称に設置することができる。
【００５０】
図４は本発明的の第２の実施例の画素回路３００的の概略図を示す。図２に示す画素回路との相違点は、制御端が第２の走査線Ｓｎ２からの第２の走査信号を受信するために第２の走査線Ｓｎ２に連結され、第１の電極が第３のトランジスタＴ３の第２の電極に連結され、第２の電極が発光ダイオードＯＬＥＤの陽極に連結されている第４のトランジスタＴ４をさらに含むことにある。
【００５１】
図５は、図４に示す画素回路３００の駆動方法の信号タイミングチャートを示す。図３に示す信号タイミングチャートとの相違点は、第２の段階ｔ２において、走査信号を第２の走査線Ｓｎ２へ供給することにある。この時、第３のトランジスタＴ３と第４のトランジスタＴ４が共にオンされ、これにより、データ信号が第３のトランジスタＴ３及び第４のトランジスタＴ４を介して発光ダイオードＯＬＥＤへ供給される。さらに、発光ダイオードＯＬＥＤは正常発光段階に入る。
【００５２】
画素回路３００中に第４のトランジスタＴ４が設置されているため、第４のトランジスタＴ４のオンとオフの時間が第２の走査線Ｓｎ２によって制御可能となり、これで発光ダイオードＯＬＥＤの発光の時間が第４のトランジスタＴ４によって制御可能となることが理解されるであろう。即ち、トランジスタＴ４がオフの場合、発光ダイオードＯＬＥＤが発光せず、トランジスタＴ４がオンの場合、発光ダイオードＯＬＥＤが発光する。図２に示す画素回路２００における発光ダイオードＯＬＥＤは、第３のトランジスタＴ３がオンされ続けているため、ずっと発光状態にある。したがって、画素回路３００の発光効果がより安定するようになる。
【００５３】
図６は本発明的の第３の実施例の画素回路４００的の概略図を示す。図４に示す画素回路３００との相違点は、制御端が第３の走査線Ｓｎ３からの第３の走査信号を受信するために第３の走査線Ｓｎ３に連結され、第１の電極がノードＮ１に連結され、第２の電極が第３の電源に連結されている第５のトランジスタＴ５をさらに含むことにある。ただし、第３の電源の電圧Ｖｉｎｉｔ≦ＶＥＬＶＳＳ。
当業者であれば理解できるように、Ｖｉｎｉｔの値がＶＥＬＶＳＳに等しいと、前記第５のトランジスタのソースは第２の電源ＥＬＶＳＳに連結することができる。
【００５４】
図７は、図６に示す画素回路４００を駆動する信号タイミングチャートを示す。それは第１の段階の前の初期化段階をさらに含む。
【００５５】
初期化段階、即ち、走査信号を走査線Ｓｎ３へ供給するｔ０時間帯の期間において、第５のトランジスタＴ５がオンし、これにより、第３の電源Ｖｉｎｉｔの電圧がノードＮ１とＯＬＥＤの陽極へ供給される。
【００５６】
即ち、第５のトランジスタＴ５の初期化時間帯の期間において、ノードＮ１及びＯＬＥＤの陽極へ定電圧を供給する。これにより、ノードＮ１及び容量Ｃ１の電圧がＶｉｎｉｔに初期化される。
【００５７】
好ましくは、初期化電圧Ｖｉｎｉｔを第２の電源ＥＬＶＳＳの電圧に等しく設置してもよい。
【００５８】
図８は本発明の第４の実施例の画素回路５００的の概略図を示す。図６に示す回路との相違点は、第６のトランジスタＴ６をさらに含むことにある。
【００５９】
第６のトランジスタＴ６はＯＬＥＤの陽極と第２の電源ＥＬＶＳＳとの間に連結されている。第６のトランジスタＴ６は、制御端が第３の走査信号を受信するために第５のトランジスタＴ５の制御端と共に走査線Ｓｎ３に連結され、第１の電極と第２の電極がそれぞれＯＬＥＤの陽極と陰極に連結されている。低レベルの走査信号を走査線Ｓｎ３へ供給する時間帯において、第６のトランジスタＴ６がオンする。その第１の電極と第２の電極はそれぞれＯＬＥＤの陽極と陰極に連結されているので、駆動電流の有機発光ダイオードＯＬＥＤへの供給を防止できる。
【００６０】
図９は本発明の第５の実施例の画素回路６００的の概略図を示す。図７に示す回路との相違点は、第２の容量Ｃ２をさらに含むことにある。第２の容量Ｃ２は、第２のトランジスタＴ２の制御端とノードＮ１との間に連結されている。
【００６１】
走査線Ｓｎ１の走査信号が低レベルから高レベルまで遷移する時間帯において、ＶｄａｔａがノードＮ１中に蓄積されたため、走査線Ｓｎ１の電圧が高レベルとなった後、該電圧は、第２の容量Ｃ２のカップリング作用によってノードＮ１のレベルを向上させ、第３のトランジスタＴ３の制御端の電圧Ｖｄａｔａ＋ＶＴＨ１が相応的に向上され、かつ、相応する電圧が第２の容量Ｃ２に蓄積されることが理解されるであろう。Ｖｄａｔａ＜Ｖｄｄであるので、式（４）から明らかなように、第３のトランジスタＴ３の制御端電圧値が向上することにより、Ｖｄｄとの間の値差が小さくなる。このように、画素回路６００へ読み込まれるデータ信号の電圧が極めて小さいと、即ち、発光階調レベルが極めて低いと、有機発光ダイオードＯＬＥＤに流れる駆動電流がさらに小さくなり、画素回路の異なる階調レベル間のコントラストが向上される。
【００６２】
なお、以上の実施例の画素回路における第１のトランジスタＴ１、第２のトランジスタＴ２、第３のトランジスタＴ３、第４のトランジスタＴ４、第５のトランジスタＴ５、及び第６のトランジスタＴ６がいずれもＰチャンネル金属酸化物半導体トランジスタである例を挙げて説明した。当業者であれば理解できるように、本発明の画素回路におけるトランジスタＴ１〜Ｔ６としては、さらにＮチャンネル金属酸化物半導体トランジスタで実現されてもよい。
【００６３】
図１０は、本発明の実施例の画素回路を含むアクティブマトリクス有機発光表示装置６００を示す。
【００６４】
図１０を参照すると、表示装置７００は、第１の電源ＥＬＶＤＤと、第２の電源ＥＬＶＳＳと、走査ドライバ７０２と、データドライバ７０３と、走査線Ｓｎ１、Ｓｎ２、Ｓｎ３、及びデータ線Ｄ１からＤｍにマトリクスの形式で配布されている交差領域に位置する複数の画素回路７０１と、を含む。ただし、第１の電源ＥＬＶＤＤと第２の電源ＥＬＶＳＳは、相応する行線（ｎ本）と列線（ｍ本）によって複数の画素回路７０１へ相応する電源電圧を供給する。
【００６５】
各画素回路７０１はそれぞれ相応する走査線（例えば、Ｓｎ２、Ｓｎ２及びＳｎ３）とデータ線に連結されている。例えば、ｉ行目とｊ列目に位置する画素回路７０１をｉ行目の走査線Ｓｉ１、Ｓｉ２及びＳｉ３並びにｊ行目データ線Ｄｊに連結する。
【００６６】
走査ドライバ７０２は外部から供給される（例えば、一つのタイミング制御手段から供給される）走査信号に相応する走査信号を生成する。走査コントローラ７０２から生成した走査信号をそれぞれ走査線Ｓｉ１からＳｉｎの順に画素回路７０１へ供給する。
【００６７】
データドライバ７０３は外部から供給される（例えば、一つのタイミング制御手段から供給される）データ及びデータ制御信号に相応するデータ信号を生成する。データドライバ７０３から生成したデータ信号をデータ線Ｄ１からＤｍによって走査信号と同期的に画素回路７０１へ供給する。その中で、画素回路７０１は上記のいずれかの実施例に示される画素回路であってもよい。画素回路の実施例の違いにより、各行の走査線の数もそれに応じて異なるように設置してもよいことが理解されるであろう。
【００６８】
特定の例示的実施例を組み合わせて本発明を説明したが、本発明は、開示された実施例に限られることはなく、逆に、本発明は、請求項及びその同等物の技術思想と範囲内に含まれる種々の変更や同等の構成を含む旨としていることが理解されるであろう。
【００６９】
上記した実施例は、本発明の技術的構成を制限するためではなく、説明するために過ぎず、好適な実施例を参照しながら本発明を詳しく説明したが、属する技術分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術思想と範囲内を逸脱しない限り、適切に変更や修正を行うことができるので、本発明の保護する範囲は請求項の範囲に画定されるものを基準とすべきである。
【符号の説明】
【００７０】
200…画素回路、300…画素回路、400…画素回路、500…画素回路、600…画素回路、700…表示装置、701…画素回路、702…走査ドライバ、703…データドライバ
【図１】
0006035434.tif 000006
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
0006035434.tif 000013
【図９】
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【図１０】
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