(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの隅部を有する半導体装置であって、
保護層設置領域、及び前記保護層設置領域の外側に位置する保護層露出領域からなるキャリア表面を有するキャリアと、
前記保護層設置領域に設置され、且つ第一設置領域、少なくとも１つの第一抵抗応力領域、及び前記第一設置領域並びに前記第一抵抗応力領域の外側に位置する第一露出領域からなる第一表面を有し、前記第一抵抗応力領域は前記隅部に位置する第一保護層と、
前記第一設置領域に設置され、前記第一抵抗応力領域及び前記第一露出領域が露出し、且つ第二表面、第一側面及び第二側面を有し、前記第二表面は第二設置領域、及び前記第二設置領域の外側に位置する第二露出領域を有し、前記第一側面は第一底辺を有し、前記第二側面は第二底辺を有し、前記第一底辺から延出される第一延出線と前記第二底辺から延出される第二延出線とが相互に交差する第一基準点を有する第二保護層と、
前記第二設置領域に設置され、第三側面及び第四側面を有する第三保護層と、
を備え、
前記第一抵抗応力領域は、前記第一基準点、前記第三側面を前記第一保護層の前記第一表面に投影した第一投影線の延出線と前記第二側面の前記第二底辺とが相互に交差する第一交差点、及び、前記第四側面を前記第一保護層の前記第一表面に投影した第二投影線の延出線と前記第一側面の前記第一底辺とが相互に交差する第二交差点で形成される領域であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第一延出線は前記第二延出線に垂直になることを特徴とする、請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第二保護層の前記第二表面は前記第二設置領域の隅部に位置する少なくとも１つの第二抵抗応力領域を更に有し、また、前記第二露出領域は前記第二抵抗応力領域の外側に位置し、前記第三保護層では前記第二抵抗応力領域が露出し、前記第二抵抗応力領域及び前記第一抵抗応力領域は共に前記隅部に位置し、
且つ前記第一抵抗応力領域の面積は前記第二抵抗応力領域の面積以上であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第三側面は第一端点からなる第三底辺を有し、前記第四側面は第二端点からなる第四底辺を有し、前記第三底辺から延出される第三延出線と前記第四底辺から延出される第四延出線とが相互に交差する第二基準点が形成され、
前記第二抵抗応力領域は、前記第二基準点、前記第一端点及び前記第二端点で形成される領域であることを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第二基準点及び前記第一端点は第一距離を有し、前記第二基準点及び前記第二端点は第二距離を有し、且つ前記第一距離は前記第二距離に等しいことを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第二保護層は前記第一側面及び前記第二側面に接合される第一接合面を更に有し、
前記第一接合面は平面或いは弧面であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第三保護層は前記第三側面及び前記第四側面に接合される第二接合面を更に有し、
前記第二接合面は平面或いは弧面であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、抵抗応力領域を有する半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図６に示す従来の半導体装置２００は、キャリア２１０、第一保護層２２０、第二保護層２３０及び第三保護層２４０を有する。
なお、従来の半導体装置は、例えば特許文献１に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−１５７３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、前述した従来の半導体装置では、第一保護層２２０、第二保護層２３０及び第三保護層２４０は全て四辺形であり、且つ第一保護層２２０、第二保護層２３０及び第三保護層２４０は重層方式でキャリア２１０に設置されるため、半導体装置２００の応力が第一保護層２２０及び第二保護層２３０の重畳する隅部の箇所に集中しやすく、第一保護層２２０及び第二保護層２３０の重畳する隅部の箇所に破裂や断裂が発生し、半導体装置２００の歩留まりを低下させた。
そこで、本発明者は上記の欠点が改善可能と考え、鋭意検討を重ねた結果、合理的かつ効果的に課題を改善する本発明の提案に到った。
【０００５】
本発明は、このような従来の問題に鑑みてなされたものである。本発明の主な目的は、上述の問題を解決するために、半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る半導体装置は、少なくとも１つの隅部を有する半導体装置であって、キャリア、第一保護層、第二保護層及び第三保護層を備える。
【０００７】
キャリアは、保護層設置領域、及び保護層設置領域の外側に位置する保護層露出領域からなるキャリア表面を有する。
第一保護層は、保護層設置領域に設置され、且つ第一設置領域、少なくとも１つの第一抵抗応力領域、及び第一設置領域並びに第一抵抗応力領域の外側に位置する第一露出領域からなる第一表面を有し、第一抵抗応力領域は隅部に位置する。
【０００８】
第二保護層は、第一設置領域に設置され、第一抵抗応力領域及び第一露出領域が露出し、且つ第二表面、第一側面及び第二側面を有し、第二表面は第二設置領域、及び第二設置領域の外側に位置する第二露出領域を有し、第一側面は第一底辺を有し、第二側面は第二底辺を有し、第一底辺から延出される第一延出線と第二底辺から延出される第二延出線とが相互に交差する第一基準点を有する。
第三保護層は、第二設置領域に設置され、第三側面及び第四側面を有する。
【０００９】
第一抵抗応力領域は、第一基準点、「第三側面を第一保護層の第一表面に投影した第一投影線の延出線と第二側面の第二底辺とが相互に交差する第一交差点」、及び、「第四側面を第一保護層の第一表面に投影した第二投影線の延出線と第一側面の第一底辺とが相互に交差する第二交差点」で形成される領域であることを特徴とする。
【００１０】
本発明によれば、第一保護層の第一表面の第一抵抗応力領域により、応力が隅部に集中して半導体装置に破裂や断裂が発生するのを回避することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の第１実施形態による半導体装置を示す分解斜視図である。
【図２】本発明の第１実施形態による半導体装置を示す斜視図である。
【図３】本発明の第１実施形態による半導体装置を示す平面図である。
【図４】本発明の第２実施形態による半導体装置を示す斜視図である。
【図５】本発明の第２実施形態による半導体装置を示す平面図である。
【図６】従来の半導体装置を示す傾斜図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下に図面を参照して、本発明を実施するための形態について、詳細に説明する。なお、本発明は、以下に説明する実施形態に限定されるものではない。
【００１３】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態を図１〜３に基づいて説明する。半導体装置１００は少なくとも１つの隅部１００ａを有すると共にキャリア１１０、第一保護層１２０、第二保護層１３０及び第三保護層１４０を備える。
【００１４】
キャリア１１０は、キャリア表面１１１を有し、キャリア表面１１１は保護層設置領域１１１ａ、及び保護層設置領域１１１ａの外側に位置する保護層露出領域１１１ｂを有し、第一保護層１２０は保護層設置領域１１１ａに設置される。
第一保護層１２０は、第一表面１２１を有し、第一表面１２１は第一設置領域１２１ａ、少なくとも１つの第一抵抗応力領域１２１ｂ、及び第一設置領域１２１ａ並びに第一抵抗応力領域１２１ｂの外側に位置する第一露出領域１２１ｃを有し、第一抵抗応力領域１２１ｂは半導体装置１００の隅部１００ａに位置する。
【００１５】
第二保護層１３０は、第一設置領域１２１ａに設置され、第二保護層１３０では第一抵抗応力領域１２１ｂ及び第一露出領域１２１ｃが露出する。第二保護層１３０は第二表面１３１、第一側面１３２、第二側面１３３、及び第一側面１３２並びに第二側面１３３に接合される第一接合面１３４を有する。
第二表面１３１は第二設置領域１３１ａ、少なくとも１つの第二抵抗応力領域１３１ｂ、及び第二設置領域１３１ａ並びに第二抵抗応力領域１３１ｂの外側に位置する第二露出領域１３１ｃを有する。第二抵抗応力領域１３１ｂは第二設置領域１３１ａの隅部に位置し、第二抵抗応力領域１３１ｂ及び第一抵抗応力領域１２１ｂは共に半導体装置１００の隅部１００ａに位置する。
この好ましい実施形態では、第一抵抗応力領域１２１ｂの面積は第二抵抗応力領域１３１ｂの面積以上である。
【００１６】
また、第一側面１３２は第一底辺１３２ａを有し、第二側面１３３は第二底辺１３３ａを有し、第一底辺１３２ａから延出される第一延出線Ｌ１と第二底辺１３３ａから延出される第二延出線Ｌ２とが相互に交差することで第一基準点Ａ１が形成される。
この好ましい実施形態では、第一延出線Ｌ１は第二延出線Ｌ２に垂直になり、第一接合面１３４は平面である（図２及び図３参照）。
【００１７】
図１、図２及び図３によると第三保護層１４０は第二設置領域１３１ａに設置され、第三保護層１４０では第二抵抗応力領域１３１ｂが露出し、第三保護層１４０は第三側面１４１、第四側面１４２、並びに、第三側面１４１及び第四側面１４２に接合される第二接合面１４３を有する。
【００１８】
第一保護層１２０の第一表面１２１には第三側面１４１を投影した第一投影線Ｐ１が形成され、第一投影線Ｐ１の延出線と第二側面１３３の第二底辺１３３ａとが相互に交差することで第一交差点Ｉ１が形成される。
第一保護層１２０の第一表面１２１には第四側面１４２を投影した第二投影線Ｐ２が形成され、第二投影線Ｐ２の延出線と第一側面１３２の第一底辺１３２ａとが相互に交差することで第二交差点Ｉ２が形成される。
第一抵抗応力領域１２１ｂは、第一基準点Ａ１、第一交差点Ｉ１及び第二交差点Ｉ２で形成される領域である。
この好ましい実施形態では、第二接合面１４３は平面である。
【００１９】
なお、第三側面１４１は第一端点Ｔ１からなる第三底辺１４１ａを有し、第四側面１４２は第二端点Ｔ２からなる第四底辺１４２ａを有し、第三底辺１４１ａから延出される第三延出線Ｌ３と第四底辺１４２ａから延出される第四延出線Ｌ４とが相互に交差することで第二基準点Ａ２が形成される。
第二抵抗応力領域１３１ｂは、第二基準点Ａ２、第一端点Ｔ１及び第二端点Ｔ２で形成される領域である（図２参照）。
この好ましい実施形態では、第二基準点Ａ２及び第一端点Ｔ１は第一距離Ｄ１を有し、第二基準点Ａ２及び第二端点Ｔ２は第二距離Ｄ２を有し、第一距離Ｄ１は第二距離Ｄ２に等しい。
【００２０】
本発明は第一延出線Ｌ１と第二延出線Ｌ２とが相互に交差することで形成される第一基準点Ａ１、第一投影線Ｐ１の延出線と第二底辺１３３ａとが相互に交差することで形成される第一交差点Ｉ１、及び第二投影線Ｐ２の延出線と第一底辺１３２ａとが相互に交差することで形成される第二交差点Ｉ２の第一表面１２１に形成される第一抵抗応力領域１２１ｂにより、第一保護層１２０、第二保護層１３０及び第三保護層１４０がキャリア１１０に重置された際に発生する応力を隅部１００ａに集中させず、半導体装置１００の隅部１００ａの箇所の破裂や断裂を防止する。
【００２１】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態を図４、図５に基づいて説明する。第１実施形態との差異は、第一接合面１３４及び第二接合面１４３が弧面である点である。第一接合面１３４及び第二接合面１４３が弧面であるため、半導体装置１００の応力が第二保護層１３０及び第一保護層１２０の重畳する隅部の箇所(隅部１００ａの近隣)に集中するのを防止する効果を有し、これにより半導体装置１００の隅部１００ａの箇所の断裂や破裂を回避することができる。
【００２２】
上述の実施形態は本発明の技術思想及び特徴を説明するためのものにすぎず、当該技術分野を熟知する者に本発明の内容を理解させると共にこれをもって実施させることを目的とし、本発明の特許請求の範囲を限定するものではない。従って、本発明の精神を逸脱せずに行う各種の同様の効果をもつ改良又は変更は特許請求の範囲に含まれるものとする。
【符号の説明】
【００２３】
１００  ：半導体装置
１００ａ：隅部
１１０  ：キャリア
１１１  ：キャリア表面
１１１ａ：保護層設置領域  １１１ｂ：保護層露出領域
１２０  ：第一保護層
１２１  ：第一表面
１２１ａ：第一設置領域    １２１ｂ：第一抵抗応力領域    １２１ｃ：第一露出領域
１３０  ：第二保護層
１３１  ：第二表面
１３１ａ：第二設置領域    １３１ｂ：第二抵抗応力領域    １３１ｃ：第二露出領域
１３２  ：第一側面    １３２ａ：第一底辺
１３３  ：第二側面    １３３ａ：第二底辺
１３４  ：第一接合面
１４０  ：第三保護層
１４１  ：第三側面    １４１ａ：第三底辺
１４２  ：第四側面    １４２ａ：第四底辺
１４３  ：第二接合面
２００  ：半導体装置
２１０  ：キャリア
２２０  ：第一保護層
２３０  ：第二保護層
２４０  ：第三保護層
Ａ１：第一基準点    Ａ２：第二基準点
Ｄ１：第一距離      Ｄ２：第二距離
Ｉ１：第一交差点    Ｉ２：第二交差点
Ｌ１：第一延出線    Ｌ２：第二延出線    Ｌ３：第三延出線    Ｌ４：第四延出線
Ｐ１：第一投影線    Ｐ２：第二投影線
Ｔ１：第一端点      Ｔ２：第二端点
【図１】
0005952353.tif 000002
【図２】
0005952353.tif 000003
【図３】
0005952353.tif 000004
【図４】
0005952353.tif 000005
【図５】
0005952353.tif 000006
【図６】
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