(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電源から電力を受けて、レーザ出力するための電力をランプに供給する主回路と、
前記ランプをシマー放電させるためのシマー電流を生成し、当該ランプへ供給するシマー回路と、
を備えるレーザ電源装置であって、
前記主回路は、前記電源と遮断可能に接続され、
前記シマー回路は、
前記シマー電流を維持するために制御回路によって制御されるスイッチング素子と、
前記スイッチング素子の前記電源側に、前記シマー電流が異常となったことを検出して異常信号を出力する異常検出部を有し、
前記異常信号が入力されると、前記主回路と前記電源とを遮断する遮断指示部を備えること、
を特徴とするレーザ電源装置。
【請求項２】
前記異常検出部は、
前記スイッチング素子の前記電源側に接続された抵抗器を備え、
前記抵抗器に流れる電流が所定の電流値を超えたことを検出し、前記異常信号を出力すること、
を特徴とする請求項１に記載のレーザ電源装置。
【請求項３】
前記制御回路は、
一定周期のパルスを出力するパルス出力部と、
前記シマー電流の値が設定値に達すると検出信号を出力するピーク電流検出部とを備え、
前記パルスと前記検出信号が入力され、当該パルスの立ち上がり若しくは立ち下がりによって出力をＯＮ状態とし、前記検出信号が入力されたときに出力をＯＦＦ状態とするように構成した周波数固定部を有すること、
を特徴とする請求項１または２に記載のレーザ電源装置。
【請求項４】
前記遮断指示部は、
前記異常検出部との間で絶縁を維持しつつ通信可能な絶縁素子に接続され、
前記絶縁素子を介して前記遮断指示部に前記異常信号が入力されること、
を特徴とする請求項１乃至３に記載のレーザ電源装置。
【請求項５】
前記異常検出部は、
前記抵抗器の温度が所定の温度を超えたことを検出し、異常信号を出力すること、
を特徴とする請求項１乃至４に記載のレーザ電源装置。
【請求項６】
前記シマー回路は、
前記スイッチング素子と前記抵抗器の接続点と、前記ランプ負側の電源ラインとの間にフィルタコンデンサを挿入し、
前記抵抗器に流れる電流のリップルを抑えるように構成されている
を特徴とする請求項１乃至５いずれか１項に記載のレーザ電源装置。
【請求項７】
電源から電力を受けて、レーザ出力するための電力をランプに供給する主回路と、
前記ランプをシマー放電させるためのシマー電流を生成し、当該ランプへ供給するシマー回路と、を備えるレーザ電源装置の制御方法であって、
前記シマー回路における前記シマー電流が異常となったことを検出して異常信号を出力する処理と、
前記異常信号が入力されると、前記主回路と前記電源とを遮断する処理とを有すること、
を特徴とするレーザ電源装置の制御方法。
【請求項８】
前記シマー回路は、前記シマー電流を制御するためのスイッチング素子を備え、
前記スイッチング素子を制御する処理は、
一定周期のパルスを出力するパルス出力処理と、
前記シマー電流の値が設定値に達すると検出信号を出力するピーク電流検出処理と、
前記パルスと検出信号が入力され、当該パルスの立ち上がり若しくは立ち下がりによって出力をＯＮ状態とし、前記ピーク検出信号が入力されたときに出力をＯＦＦ状態とする周波数固定処理とを有すること、
を特徴とする請求項７に記載のレーザ電源装置の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ランプをシマー放電させるシマー回路を改良したレーザ電源装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ＹＡＧレーザに代表される固体レーザのレーザ電源装置１としては、図６に示す回路が使用されている。この電源装置は、レーザ光を発光させるランプ６に主回路電流を流す主回路２、ランプ６をシマー放電させるためのシマー電流を流すシマー回路３、シマー電流を高圧化するための高圧発生回路４、シマー放電を開始させるためのトリガー回路５を含んで構成されている。
【０００３】
主回路２は、コンタクタ８ａ〜８ｃを介して交流電源に接続されている。コンタクタ８ａ〜８ｃの主回路２側には、リアクトル１０ａ〜１０ｃが接続され、その先にコンバータブリッジ１１及びコンデンサ２１が設けられている。このコンバータブリッジ１１により昇圧及び直流変換された電圧がコンデンサ２１に充電される。図６は３相交流電源の場合を示しており、リアクトル１０ａ及び１０ｃが接続された２相については、電流検出器９ａ、９ｂが設けられている。
【０００４】
主回路２には、コンデンサ２１を放電するために抵抗２２とスイッチ８ｄが設けられている。このスイッチ８ｄを閉じることで、コンデンサ２１に蓄えられた電荷は、抵抗２２を介して放電される。主回路電流は、スイッチング素子２４、ダイオード２８及びリアクトル２５で構成される降圧チョッパ回路によって生成され、逆圧防止用ダイオード２７を介してランプ６に供給される。このスイッチング素子２４は、制御回路２３により高速にスイッチング制御をされる。制御回路２３には、電流検出器２６で検出した電流値がフィードバックされる構成となっている。
【０００５】
一方、このレーザ電源装置１には、主回路２とは別にシマー回路３が設けられている。シマー回路３はランプ６をシマー放電させるための回路である。このシマー回路３は、コンデンサ２１の正極からヒューズ３８を介して、スイッチング素子３１、ダイオード３４およびリアクトル３５からなる降圧チョッパ回路を有する。このチョッパ回路は、電流検出器３６及びダイオード３７を介してランプ６に接続されている。シマー回路３には、制御回路３２が設けられ、この制御回路３２は、シマー電流を一定に制御するようにスイッチング素子３１をコントロールする。この制御回路３２には、電流検出器３６で検出した電流値がフィードバックされる構成となっている。
【０００６】
シマー電流を通電するには、１５００〜２０００Ｖの高電圧をランプ６に最初に印加しておく必要がある。高圧発生回路４はこのための回路であり、高圧発生回路４は交流電源をトランス４４により昇圧し、ダイオード４３により直流に変換してコンデンサ４１に蓄えておく。抵抗４２はダイオード４３の電流を制御する目的で挿入している。
【０００７】
シマー電流は、１５００〜２０００Ｖの高圧をランプ６に印加した状態から、トリガー回路５によって更に高い電圧で放電させることで流れ出す。シマー電流が１〜２Ａ流れるとランプ６の電圧は１００Ｖ程度に低下して電流が持続するようになる。この状態で主電流４００〜５００Ａ（電圧４００〜５００Ｖ）を流すことでレーザー光が発光する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００３−７８１９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
図６に示すシマー回路３の特徴は以下の通りである。
（１）１〜２Ａ程度の微小電流の制御である。
（２）高圧直流７００〜７５０Ｖクラスから１００Ｖクラスへの降圧チョッパ制御である。
（３）図２に示すようにランプ６の負荷特性は、シマー電流の範囲においては、電流増加に伴い負荷電圧が低下する負性抵抗の特性を示すため、出力電力制御で広く用いられている三角波比較のＰＷＭは使えない。
【００１０】
上記（３）に示した理由により、図６に示すシマー回路３におけるスイッチング素子３１の制御方法としては、いわゆるデルタモジュレーション（後述する）が一般に使われる。この方式は、スイッチング周波数が広い範囲に変化する欠点があり、スイッチング素子３１や高速ダイオード３４のスイッチング損失が増大し、これらの素子の信頼性が低くなるという欠点がある。
【００１１】
また、この電流クラスの降圧チョッパ回路では、回路部品はプリント基板上に配置されることが一般的である。従って、半導体素子の短絡故障などで発生する異常電流によるプリント基板の焼損を防止する目的で、ヒューズ３８が電源ラインに直列に挿入されているのが一般的である。
【００１２】
しかし、シマー回路３は、スイッチング素子３１やダイオード３７、さらにランプ６が接続されている構成上、入力インピーダンスが数オームと高く、ヒューズ３８を溶断するほどに十分な電流が流れるには時間がかかる。よって、このようなシマー回路３では、スイッチング素子などが短絡故障した場合に、プリント基板が焼損する確率が極めて高いという問題があった。
【００１３】
本発明は、以上のような問題点を解決するために提案されたものであり、半導体素子のスイッチング損失を抑えて信頼性を向上すると共に、万が一半導体素子が故障してもプリント基板が焼損することのない信頼性の高いレーザ電源装置及びその制御方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記の目的を達成するため、本実施形態のレーザ電源装置は、電源から電力を受けて、レーザ出力するための電力をランプに供給する主回路と、前記ランプをシマー放電させるためのシマー電流を生成し、当該ランプへ供給するシマー回路と、を備えるレーザ電源装置であって、前記主回路は、前記電源と遮断可能に接続され、前記シマー回路は、前記シマー電流を維持するために制御回路によって制御されるスイッチング素子と、前記スイッチング素子の前記電源側に、前記シマー電流が異常となったことを検出して異常信号を出力する異常検出部を有し、前記異常信号が入力されると、前記主回路と前記電源とを遮断する遮断指示部を備えることを特徴とする。
【００１５】
また、前記異常検出部は、前記スイッチング素子の前記電源側に接続された抵抗器を備え、前記抵抗器に流れる電流が所定の電流値を超えたことを検出し、異常信号を出力するようにしても良い。
【００１６】
また、本実施形態のレーザ電源装置としては、前記制御回路は、一定周期のパルスを出力するパルス出力部と、前記シマー電流の値が設定値に達すると検出信号を出力するピーク電流検出部とを備え、前記パルスと検出信号が入力され、当該パルスの立ち上がり若しくは立ち下がりによって出力をＯＮ状態とし、前記ピーク検出信号が入力されたときに出力をＯＦＦ状態とするように構成した周波数固定部を有しても良い。
【００１７】
また、前記遮断指示部は、絶縁素子によって前記異常検出部と通信可能に接続され、前記絶縁素子を介して前記異常信号が入力されるようにしても良いし、前記異常検出部は、
前記抵抗器の温度が所定の温度を超えたことを検出し、異常信号を出力するようにしても良い。さらに、前記シマー回路は、前記スイッチング素子と前記抵抗器の接続点と、前記ランプ負側の電源ラインとの間にフィルタコンデンサを挿入し、前記抵抗器に流れる電流のリップルを抑えるように構成しても良い。
【００１８】
なお、本実施形態は、上記機能を実現するレーザ電源装置の制御方法としても捉えることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】第一の実施形態に係るレーザ電源装置を示す回路図である。
【図２】ランプ６の負荷特性を示す図である。
【図３】シマー電流とスイッチング素子の出力関係を示す図である。
【図４】第二の実施形態に係る制御回路を示す回路図である。
【図５】第三の実施形態に係る異常検出部を示す回路図である。
【図６】従来のシマー回路を使用したレーザ電源装置を示す回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の各実施形態について図１乃至図５を用いて説明する。
［第一の実施形態］
（１．全体構成）
図１に示すように、第一の実施形態に係るレーザ電源装置１は、レーザ光を発光させるランプ６に主回路電流を流す主回路２、ランプ６をシマー放電させるためのシマー電流を流すシマー回路３、前記シマー電流を高圧化するための高圧発生回路４、シマー放電を開始させるためのトリガー回路５を含んで構成されている。
【００２１】
（２．主回路）
主回路２は、コンタクタ８ａ、８ｂ、８ｃを介して三相交流電源に接続されている。コンタクタ８ａ、８ｂ、８ｃそれぞれの主回路２側には、リアクトル１０ａ、１０ｂ、１０ｃが接続されると共に、その先にコンバータブリッジ１１に接続されている。すなわち、リアクトル１０とコンバータブリッジ１１は、非絶縁型の昇圧コンバータ回路を構成している。このコンバータブリッジ１１により昇圧及び直流変換された電圧がコンデンサ２１に充電される。
【００２２】
リアクトル１０ａ及び１０ｃが接続されている各相については、電流検出器９ａ、９ｂが設けられている。コンバータブリッジ１１のスイッチング素子は、電流検出器９ａ、９ｂで検出した電流値に基づいて制御される。
【００２３】
抵抗２２は、コンデンサ２１を放電するために設けられており、直列に挿入されたスイッチ８ｄが閉じると電流を流して、コンデンサ２１を放電させる。本実施形態では、このスイッチ８ｄは、コンタクタ８に連動して開閉する。すなわち、コンタクタ８が閉じて主回路２に電源が接続されると、スイッチ８ｄは開状態となりコンデンサ２１は充電可能な状態となり、逆に、コンタクタ８が開状態となり、主回路２と電源との接続が遮断された時には、スイッチ８ｄは閉状態となり、コンデンサ２１に蓄えられている電荷を放電する。
【００２４】
ランプ６を放電するための主回路電流は、スイッチング素子２４、ダイオード２８及びリアクトル２５で構成される降圧チョッパ回路によって生成され、逆圧防止用ダイオード２７を介してランプ６に供給される。このスイッチング素子２４は、制御回路２３により高速に制御される。制御回路２３には、電流検出器２６で検出した電流値がフィードバックされる構成となっている。
（３．シマー回路）
【００２５】
レーザ電源装置１には、主回路２とは別に、ランプ６内にシマー放電を発生させるシマー回路３が設けられている。シマー放電とは、ランプ内を予備電離させるために行うものである。このシマー回路３は、コンデンサ２１の正極側から分岐して、抵抗７１を介してスイッチング素子３１に接続されている。抵抗７１とスイッチング素子３１との接続点からは、コンデンサ３３を介してランプ６の負極側に接続されている。この抵抗７１は、主回路２から流入する電流をｉ７１に制限するとともに、コンデンサ３３との関係においてフィルタ回路を構成している。
【００２６】
また、図１に示すように、抵抗７１の正側からツェナーダイオード７２と抵抗７３を介してフォトカプラ７４が接続され、フォトカプラ７４は抵抗７１の負側へ接続されている。すなわち、ツェナーダイオード７２、抵抗７３、フォトカプラ７４が直列に接続された回路は、抵抗７１と並列に設けられている。本実施形態では、これら抵抗７１、ツェナーダイオード７２、抵抗７３、フォトカプラ７４から構成される回路が、異常検出部７を構成している。
【００２７】
フォトカプラ７４は、遮断指示部１２と接続されている。この遮断指示部１２は電源と主回路２とを遮断する信号を出力する。具体的には、電源と主回路２を接続しているコンタクタ８をＯＮ又はＯＦＦするためのコンタクタコイル１３に接続されている。フォトカプラ７４は内部に発光素子と受光素子を有し、その間で絶縁を維持しつつ信号伝達を行うことが可能な絶縁素子である。本実施例では、フォトカプラ７４は、異常電流検出部７と遮断指示部１２とを絶縁するように配置されている。
【００２８】
本実施例では、異常電流検出部７にフォトカプラ７４を使用しているが、このような構成に限定するものではない。異常電流検出部７と遮断指示部１２との間で絶縁を維持しつつ信号伝達できる構成であれば良く、例えば、電磁リレーなど他の絶縁素子も使用可能である。
【００２９】
スイッチング素子３１のランプ６側には、ダイオード３４とリアクトル３５からなる降圧チョッパ回路が構成されるとともに、そこから、電流検出器３６とダイオード３７を介してランプ６に接続されている。すなわち、電流検出器３６に流れる電流ｉ３６が、ランプ６のシマー放電を維持するためのシマー電流である。制御回路３２は、この電流ｉ３６を一定に制御するようにスイッチング素子３１をコントロールする。この制御回路３２には、電流検出器３６で検出した電流ｉ３６の値がフィードバックされる構成となっている。
【００３０】
（４．高圧発生回路、トリガー回路）
シマー電流を通電するには、１５００Ｖ〜２０００Ｖの高電圧をランプ６に最初に印加しておく必要がある。このための回路が高圧発生回路４であり、高圧発生回路４は交流電源をトランス４４により昇圧し、ダイオード４３により直流に変換してコンデンサ４１に蓄えておく。抵抗４２はダイオード４３の電流を制御する目的で挿入している。
【００３１】
シマー電流は、１５００Ｖ〜２０００Ｖの高圧をランプ６に印加した状態から、トリガー回路５によって更に高い電圧で放電させることで流れ出す。シマー電流が１〜２Ａ流れるとランプ６の電圧は１００Ｖ程度に低下して電流が持続するようになる。この状態で主電流４００〜５００Ａ（電圧４００Ｖ〜５００Ｖ）を流すことでレーザ光が発光する。
【００３２】
（５．作用効果）
シマー電流ｉ３６は図３に示すように、スイッチング素子３１のスイッチングに伴い三角波状のリップルが発生する。コンデンサ３３は、このリップルによる電流ｉ７１の変動を抑制するように設計する。例えば、コンデンサ３３としては１μＦ前後の比較的大きな容量のものを使用することで、電流ｉ７１のリップルを極めて少なくすることができる。
【００３３】
ここで、電流ｉ７１および抵抗７１の損失は以下のように求めることができる。
図２に示すように、シマー電流を流した時のランプ電圧Ｖ１は１００Ｖ前後である。シマー電流ｉ３６を２Ａとすると、抵抗７１に流れる電流ｉ７１は次のように表される。
（数式１）ｉ７１×７５０Ｖ＝ｉ３６×１００Ｖ
ｉ３６＝２Ａとすると、ｉ７１は以下の式で求めることができる。
（数式２）ｉ７１＝（２Ａ×１００Ｖ）／７５０Ｖ＝０．２７Ａ
よって、抵抗７１を１２０Ωとすると、シマー放電時の抵抗７１の損失は以下の通りである。
（数式３）１２０×０．２７×０．２７＝８．７Ｗ
【００３４】
スイッチング素子短絡時の電流は７５０／１２０＝６．２５Ａ、抵抗の損失は７５０×６．２５Ａ＝４６８７Ｗとなる。
【００３５】
抵抗の短時間耐量は定格容量の２０倍以上あるため、４６８７／２０＝２３４Ｗとなり、抵抗７１の短時間耐量のワット数は約２５０Ｗあれば耐えられることがわかる。
【００３６】
次に、スイッチング素子３１が劣化等によって短絡故障した場合における、本実施形態の動作について説明する。
【００３７】
異常検出部７のツェナーダイオード７２は、抵抗７１の両端電圧が所定の電圧値を超えた場合に電流が流れるように構成している。この電圧値は、ツェナーダイオード７２の降伏電圧、抵抗７３の抵抗値、フォトカプラ７４の導通時の抵抗値などの定数を変更することにより任意に設計可能である。ツェナーダイオード７２に電流が流れた場合、その電流は抵抗７３によって制限された上で、フォトカプラ７４によって遮断指示部１２に異常電流発生の信号が伝達される。
【００３８】
異常電流発生の信号を受けた遮断指示部１２は、速やかにコンタクタ８の動作コイル１３の電源をＯＦＦすることで、主回路２と三相交流電源との接続を遮断する。本実施形態では、スイッチ８ｄはコンタクタ８に連動して動作する構成のため、コンタクタ８がＯＦＦすると同時にスイッチ８ｄが閉じて、コンデンサ２１に蓄えられている電荷は、抵抗２２を通って速やかに放電される。
【００３９】
上記の動作によって、スイッチング素子等が短絡故障してシマー回路３の電流が異常な状態になった場合でも、ヒューズの溶断のように時間がかかることはない。すなわち、異常電流の発生に対して、即時に交流電源と主回路２との遮断およびコンデンサ２１の放電が行えるため、プリント基板が異常電流によって焼損することを防ぐことができ、レーザ電源装置の信頼性を向上する。
【００４０】
遮断指示部１２は、異常検出部７から絶縁されているため、主回路２やシマー回路３から過電圧や過電流が印加されて故障するようなことはない。さらに、遮断指示部１２は低耐圧部品を使用できることから安価に構成することができる。従って、費用をかけずに信頼性の高いレーザ電源装置を実現可能である。
【００４１】
［第二の実施形態］
次に、第二の実施形態について、図１乃至図４を参照しつつ詳細に説明する。第二の実施形態は、シマー回路３の制御回路３２に固定周波数のスイッチング方式を採用したことが特徴である。制御回路３２以外の構成は、第一の実施形態と同様である。
【００４２】
（構成）
図４に示すように、第二の実施形態の制御回路３２は次のように構成される。すなわち、一定周波数のパルスを出力するパルス出力部１４と、電流検出器３６で検出したシマー電流ｉ３６の値が設定値を超えることで信号を出力するピーク電流検出部１５と、パルス出力部１４及びピーク電流検出部１５からの信号を受けて駆動回路１７を制御するフリップフロップ１６から構成される。駆動回路１７の先には、抵抗１８を介してスイッチング素子３１が接続されている。
【００４３】
（作用効果）
はじめに、レーザ電源装置の降圧チョッパ制御に用いられる制御方式について説明する。図２に示すように、ランプ６の負荷特性はシマー放電の範囲では負性抵抗特性を示す。負性抵抗特性とは、電流の増加に対して負荷電圧が減少する特性である。このような負性抵抗特性の場合、出力電圧制御で一般的に用いられている三角波比較方式は使えない。そのため、シマー電流ｉ３６の制御方法としては、電流変化中はＰＷＭ出力レベルを一定とする、いわゆるデルタモジュレーションが一般的に使用される。
【００４４】
デルタモジュレーションを使用した制御方式の特徴は、回路が簡単で動作が安定なことである。しかし、一方で負荷条件によりスイッチング周波数が大幅に変化しリアクトルの騒音が大きくなることや、スイッチング素子の損失が大幅に変わることで半導体素子の信頼性の確保が難しいといった欠点がある。
【００４５】
本実施形態では、フリップフロップ１６は、パルス出力部１４から入力されるパルス信号の立ち上がり若しくは立ち下がりを受けてセットされる。すなわち、フリップフロップ１６の出力はＯＮ状態となる。このＯＮ状態とは、スイッチング素子３１に電流が流れる状態を指している。従って、この状態ではシマー電流ｉ３６は増加していくことになる。
【００４６】
次に、シマー電流ｉ３６の値がピーク検出部１５で設定した値に達した場合、ピーク検出部１５はフリップフロップ１６にリセット信号を出力する。この信号を受けて、フリップフロップ１６のパルス信号の出力をＯＦＦ状態とする。これにより、スイッチング素子３１は開の状態となりシマー電流ｉ３６は減少していくことになる。
【００４７】
以上の動作を繰り返し行うことにより、本実施形態の制御回路３２は、スイッチング素子３１を固定周波数でスイッチング制御することで、シマー電流ｉ３６をピーク値一定としつつ、最低値電圧可変で維持している。
【００４８】
このような第二の実施形態の構成を採用することで、第一の実施形態の効果に加えて、次の効果を奏することができる。すなわち、デルタモジュレーションの制御方式でありながらも、その欠点であるスイッチング周波数が大きく変化するようなことはない。従って、スイッチング素子３１の損失をほぼ一定とすることができ、スイッチング素子３１の温度上昇も安定なものとなり、さらに信頼性の高いレーザ電源装置を実現可能である。
［第三の実施形態］
次に、第三の実施形態について、図１及び図５を参照しつつ詳細に説明する。第三の実施形態は、シマー回路３の異常検出部７において、温度センサーを採用したことが特徴である。異常検出部７以外の構成は、第一の実施形態と同様である。
【００４９】
（構成）
図５に示すように、第三の実施形態の異常検出部７では、抵抗７１に温度検出部１９を取付けて構成している。温度検出部１９は、その出力が遮断指示部１２に接続されている。この温度検出部１９は、抵抗７１に流れる電流ｉ７１が異常電流値に達したことを、抵抗７１の温度上昇から検出し、遮断指示部１２に通知する。
【００５０】
（作用効果）
このような第三の実施形態の構成を採用することで、スイッチング素子等が短絡故障してシマー回路３の電流が異常な状態になった場合でも、ヒューズの溶断のように時間がかかることはない。すなわち、異常電流の発生は即時に温度検出部１９が検出して、遮断指示部１２へ通知されることで、プリント基板が異常電流によって焼損することを防ぐことができ、レーザ電源装置の信頼性を向上する。
【００５１】
［その他の実施形態］
本明細書において、本発明に係る複数の実施形態を説明したが、これらの実施形態は例として提示したものであって、発明の範囲を限定することを意図していない。具体的には、各実施の形態を全て又はいずれかを組み合わせたものも包含される。これらの実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の範囲を逸脱しない範囲で、種々の省略や置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。 
【符号の説明】
【００５２】
１  レーザ電源装置
２  主回路
２１  コンデンサ
２２  抵抗
２３  制御回路
２４  スイッチング素子
２５  リアクトル
２６、３６、９ａ、９ｂ  電流検出器
２７、２８  ダイオード
３  シマー回路
３１  スイッチング素子
３２  制御回路
３３  コンデンサ
３４、３７  ダイオード
３５  リアクトル
３８  ヒューズ
４  高圧発生回路
４１  コンデンサ
４２  抵抗
４３  ダイオード
４４  トランス
５  トリガー回路
６  ランプ
７  異常検出部
７１、７３  抵抗
７２  ツェナーダイオード
７４  フォトカプラ
８ａ、８ｂ、８ｃ  コンタクタ
８ｄ  スイッチ
１０ａ、１０ｂ、１０ｃ  リアクトル
１１  コンバータブリッジ
１２  遮断指示部
１３  コンタクタコイル
１４  パルス出力部
１５  ピーク電流検出部
１６  フリップフロップ
１７  駆動回路
１８  抵抗
１９  温度検出部
【図１】
0005972603.tif 000002
【図２】
0005972603.tif 000003
【図３】
0005972603.tif 000004
【図４】
0005972603.tif 000005
【図５】
0005972603.tif 000006
【図６】
0005972603.tif 000007