(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
１個以上の半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、あるいは半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を一括封止するための封止材積層複合体であって、
硬化又は半硬化のシアネートエステル樹脂からなる支持基材と、該支持基材の片面上に形成され未硬化の熱硬化性樹脂からなる未硬化樹脂層とを有するものであり、
前記シアネートエステル樹脂が、
（Ａ）下記一般式（１）で示されるシアネートエステル化合物又はそのオリゴマー
【化１】
0006001515.tif 000015
（式中、Ｒ１及びＲ２は水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を示し、Ｒ３は
【化２】
0006001515.tif 000016
を示し、ｎ＝０〜３０の整数である。Ｒ４は水素原子又はメチルである。）
（Ｂ）下記一般式（２）で示される１分子中に２個以上の水酸基を持つフェノール化合物（ｂ−１）又は下記一般式（３）で表されるジヒドロキシナフタレン化合物（ｂ−２）、もしくはその両方
【化３】
0006001515.tif 000017
（式中、Ｒ５及びＲ６は水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を示し、Ｒ７は
【化４】
0006001515.tif 000018
を示し、ｍ＝０〜３０の整数である。Ｒ４は水素原子又はメチルである。）
【化５】
0006001515.tif 000019
を含有するものであり、該シアネートエステル樹脂の硬化後のガラス転移温度が２００℃以上であり、熱膨張係数が５ｐｐｍ以下のものであり、
前記熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、又はエポキシ樹脂とシリコーン樹脂からなる混成樹脂であることを特徴とする封止材積層複合体。
【請求項２】
前記未硬化樹脂層の厚みが２０μｍ以上２０００μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の封止材積層複合体。
【請求項３】
前記未硬化樹脂層が、５０℃未満で固形化し、かつ５０℃以上１５０℃以下で溶融するものであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の封止材積層複合体。
【請求項４】
半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面を封止した封止後半導体素子搭載基板であって、
請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の封止材積層複合体の有する未硬化樹脂層により半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面を被覆し、前記未硬化樹脂層を加熱、硬化することで、前記封止材積層複合体により一括封止されたものであることを特徴とする封止後半導体素子搭載基板。
【請求項５】
半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を封止した封止後半導体素子形成ウエハであって、
請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の封止材積層複合体の有する未硬化樹脂層により半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を被覆し、前記未硬化樹脂層を加熱、硬化することで、前記封止材積層複合体により一括封止されたものであることを特徴とする封止後半導体素子形成ウエハ。
【請求項６】
請求項４に記載の封止後半導体素子搭載基板又は請求項５に記載の封止後半導体素子形成ウエハをダイシングして、個片化したものであることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
半導体装置の製造方法であって、
請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の封止材積層複合体の有する未硬化樹脂層により、半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、あるいは半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を被覆する被覆工程、
前記未硬化樹脂層を加熱、硬化することで、前記半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、あるいは前記半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を一括封止し、封止後半導体素子搭載基板あるいは封止後半導体素子形成ウエハとする封止工程、及び、
該封止後半導体素子搭載基板あるいは封止後半導体素子形成ウエハをダイシングし、個片化することで、半導体装置を製造する個片化工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はウエハレベルで一括封止が可能な封止材に関し、さらに、封止材により封止された半導体素子形成ウエハ又は半導体素子を搭載した基板、該半導体素子形成ウエハを個片化した半導体装置、及び前記基板状の封止材を用いた半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、又は半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面のウエハレベルの封止は、種々の方式が提案、検討されており、スピンコーティングによる封止、スクリーン印刷による封止（特許文献１）や、フィルム支持体に熱溶融性エポキシ樹脂をコーティングさせた複合シートを用いた方法が例示される（特許文献２、３）。
【０００３】
なかでも、半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面のウエハレベルの封止方法としては、金属、シリコンウエハ、又はガラス基板等の上部に両面接着層を有するフィルムを貼り付け、又は接着剤をスピンコート等で塗布した後、基板上に半導体素子を配列し接着、搭載させ半導体素子搭載面とし、その後、液状エポキシ樹脂やエポキシモールディングコンパウンド等で加熱下、加圧成形し封止することで、半導体素子搭載面を封止する方法が最近量産化されつつある（特許文献４）。
【０００４】
しかしながら、上記のような方法では、直径２００ｍｍ（８インチ）程度の小径ウエハや金属等の小径基板を使用した場合は現状でも大きな問題もなく封止できるが、３００ｍｍ（１２インチ）以上の半導体素子を搭載した大径基板や半導体素子を形成した大径ウエハを封止した場合では、封止硬化時のエポキシ樹脂等の収縮応力により基板やウエハに反りが生じることが大きな問題であった。また、半導体素子を搭載した大径基板の半導体素子搭載面をウエハレベルで封止する場合には、封止硬化時のエポキシ樹脂等の収縮応力により半導体素子が金属等の基板から剥離するといった問題が発生した。これらの問題から、半導体装置の一括封止による量産化ができないことが大きな問題となっている。
【０００５】
このような半導体素子を搭載した基板や半導体素子を形成したウエハの大口径化に伴う問題を解決する方法として、フィラーを封止用樹脂組成物に９０ｗｔ％近く充填することや、封止用樹脂組成物の低弾性化で硬化時の収縮応力を小さくすることが挙げられている（特許文献１、２、３）。
【０００６】
しかし、エポキシ樹脂にフィラーを９０ｗｔ％近く充填すると封止用樹脂組成物の粘度が上昇し、封止用樹脂組成物を流し込み成型、封止する時に基板に搭載された半導体素子に力が加わり、半導体素子が基板から剥離するといった問題が新たに発生した。また、封止用樹脂を低弾性化すると、封止された半導体素子を搭載した基板や半導体素子を形成したウエハの反りは改善されるが、耐熱性や耐湿性等の封止性能の低下の問題も新たに発生した。そのため、これらの解決方法では根本的な課題の解決に至っていなかった。
【０００７】
以上のように、大口径ウエハや金属等の大口径基板を封止した場合であっても、基板やウエハに反りが生じたり、半導体素子が金属等の基板から剥離したりすることなく、半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、又は半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面をウエハレベルで一括封止でき、かつ封止後には耐熱性や耐湿性等の封止性能に優れる封止材が求められていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００２−１７９８８５号公報
【特許文献２】特開２００９−０６０１４６号公報
【特許文献３】特開２００７−００１２６６号公報
【特許文献４】特表２００４−５０４７２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、大口径や薄型ウエハや金属等の大口径基板を封止した場合であっても、基板やウエハの反り、基板からの半導体素子の剥離を抑制でき、半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、又は半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面をウエハレベルで一括封止でき、かつ封止後には耐熱性や耐湿性等の封止性能に優れ、非常に汎用性が高い封止材積層複合体を提供することを目的とする。
【００１０】
また、封止材積層複合体により封止された封止後半導体素子搭載基板及び封止後半導体素子形成ウエハ、該封止後半導体素子搭載基板及び該封止後半導体素子形成ウエハを個片化した半導体装置、及び前記封止材積層複合体を用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するため、本発明では、
１個以上の半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、あるいは半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を一括封止するための封止材積層複合体であって、
硬化又は半硬化のシアネートエステル樹脂からなる支持基材と、該支持基材の片面上に形成され未硬化の熱硬化性樹脂からなる未硬化樹脂層とを有する封止材積層複合体を提供する。
【００１２】
このように、支持基材として使用可能なシアネートエステル樹脂と、その片面上に形成された未硬化の熱硬化性樹脂からなる未硬化樹脂層とを有する封止材積層複合体であれば、膨張係数の非常に小さなシアネートエステル樹脂が、封止硬化時の未硬化樹脂層の収縮応力を抑制することができるため、大径や薄型のウエハや金属等の大径基板を封止した場合であっても、基板やウエハの反り、基板からの半導体素子の剥離を抑制でき、半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、又は半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面をウエハレベルで一括封止でき、かつ封止後には耐熱性や耐湿性等の封止性能に優れた非常に汎用性が高い基板を得ることができる。
【００１３】
前記シアネートエステル樹脂が、
（Ａ）下記一般式（１）で示されるシアネートエステル化合物又はそのオリゴマー
【化１】
0006001515.tif 000002
（式中、Ｒ１及びＲ２は水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を示し、Ｒ３は
【化２】
0006001515.tif 000003
を示し、ｎ＝０〜３０の整数である。Ｒ４は水素原子又はメチルである。）
（Ｂ）下記一般式（２）で示される１分子中に２個以上の水酸基を持つフェノール化合物（ｂ−１）又は下記一般式（３）で表されるジヒドロキシナフタレン化合物（ｂ−２）、もしくはその両方
【化３】
0006001515.tif 000004
（式中、Ｒ５及びＲ６は水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を示し、Ｒ７は
【化４】
0006001515.tif 000005
を示し、ｍ＝０〜３０の整数である。Ｒ４は水素原子又はメチルである。）
【化５】
0006001515.tif 000006
を含有するものであり、該シアネートエステル樹脂の硬化後のガラス転移温度が２００℃以上であり、熱膨張係数が５ｐｐｍ以下のものであることが好ましい。
【００１４】
このようなシアネートエステル樹脂であれば、２００℃以下での熱膨張係数の変化がほとんどなく、熱膨張率の変化による半導体成形物への歪を抑えることができる。すなわち、歪による剥離現象や半導体素子への影響を抑えることができる。
【００１５】
前記未硬化樹脂層の厚みが２０μｍ以上２０００μｍ以下であることが好ましい。
【００１６】
このような厚みの未硬化樹脂層であれば、半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、又は半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を封止するのに充分であり、かつ、封止された封止後半導体素子搭載基板及び封止後半導体素子形成ウエハが厚くなり過ぎることを抑制できるため好ましい。
【００１７】
前記未硬化樹脂層が、５０℃未満で固形化し、かつ５０℃以上１５０℃以下で溶融するものであることが好ましい。
【００１８】
このような未硬化樹脂層であれば、膨張係数の非常に小さなシアネートエステル樹脂がこれら樹脂を含む未硬化樹脂層の硬化時の収縮応力を抑制することができるため、大口径ウエハや金属等の大口径基板を封止した場合であっても、基板やウエハの反り、基板からの半導体素子の剥離をより確実に抑制でき、半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、又は半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面をウエハレベルで一括封止できる封止材積層複合体となり、かつこれら樹脂を含む未硬化樹脂層を有する複合体であれば、特に封止後には耐熱性や耐湿性等の封止性能に優れる封止材積層複合体となる。
【００１９】
また、本発明は、
半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面を封止した封止後半導体素子搭載基板であって、
前記封止材積層複合体の有する未硬化樹脂層により半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面を被覆し、前記未硬化樹脂層を加熱、硬化することで、前記封止材積層複合体により一括封止された封止後半導体素子搭載基板を提供する。
【００２０】
このような封止後半導体素子搭載基板であれば、基板の反りが生じたり、基板から半導体素子が剥離したりすることが抑制された封止後半導体素子搭載基板となる。
【００２１】
また、本発明は、
半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を封止した封止後半導体素子形成ウエハであって、
前記封止材積層複合体の有する未硬化樹脂層により半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を被覆し、前記未硬化樹脂層を加熱、硬化することで、前記封止材積層複合体により一括封止された封止後半導体素子形成ウエハを提供する。
【００２２】
このような封止後半導体素子形成ウエハであれば、基板やウエハの反りが生じたりすることが抑制された封止後半導体素子形成ウエハとなる。
【００２３】
さらに、本発明は、
前記封止後半導体素子搭載基板又は前記封止後半導体素子形成ウエハをダイシングして、個片化した半導体装置を提供する。
【００２４】
このような半導体装置であれば、耐熱性や耐湿性等の封止性能に優れる封止材積層複合体により封止され、かつ反りが抑制された基板やウエハから半導体装置を製造できるため、高品質な半導体装置となる。
【００２５】
さらに、本発明は、
半導体装置の製造方法であって、
前記封止材積層複合体の有する未硬化樹脂層により、半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、あるいは半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を被覆する被覆工程、
前記未硬化樹脂層を加熱、硬化することで、前記半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、あるいは前記半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を一括封止し、封止後半導体素子搭載基板あるいは封止後半導体素子形成ウエハとする封止工程、及び、
該封止後半導体素子搭載基板あるいは封止後半導体素子形成ウエハをダイシングし、個片化することで、半導体装置を製造する個片化工程を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【００２６】
このような半導体装置の製造方法であれば、より簡便に、充填不良なく半導体素子搭載面又は半導体素子形成面を被覆することができ、薄型で大口径ウエハや金属等の大口径基板を一括封止した場合であっても、基板やウエハの反り、基板からの半導体素子の剥離が抑制された封止後半導体素子搭載基板又は封止後半導体素子形成ウエハを得ることができ、さらに、このような基板又はウエハを個片化することで、耐熱性や耐湿性等の封止性能に優れた高品質な半導体装置を製造することができる。
【発明の効果】
【００２７】
以上説明したように、本発明の封止材積層複合体であれば、シアネートエステル樹脂からなる支持基材が硬化封止時の未硬化樹脂層の収縮応力を抑制することができるので、大口径ウエハや金属等の大口径基板を封止した場合であっても、基板やウエハに反りが生じたり、半導体素子が金属等の基板から剥離したりすることを抑制でき、半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、又は半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面をウエハレベルで一括封止でき、かつ封止後には耐熱性や耐湿性等の封止性能に優れ、非常に汎用性が高い基板を得ることができる。
また、本発明の封止材積層複合体により封止された封止後半導体素子搭載基板及び封止後半導体素子形成ウエハは、基板やウエハに反りが生じたり、半導体素子が金属等の基板から剥離したりすることが抑制されたものとなる。さらに、耐熱性や耐湿性等の封止性能に優れるシアネートエステル樹脂を用いた本発明の封止材積層複合体により封止され、かつ反りが抑制された封止後半導体素子搭載基板及び封止後半導体素子形成ウエハを個片化する工程を有する半導体装置の製造方法であれば、高品質な半導体装置を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の封止材積層複合体の断面図の一例である。
【図２】本発明の封止材積層複合体により封止された（ａ）封止後半導体素子搭載基板及び（ｂ）封止後半導体素子形成ウエハの断面図の一例である。
【図３】（ａ）封止後半導体素子搭載基板から作製された本発明の半導体装置、及び（ｂ）封止後半導体素子形成ウエハから作製された本発明の半導体装置の断面図の一例である。
【図４】本発明の封止材積層複合体を用いて半導体素子を搭載した基板から半導体装置を製造する方法のフロー図の一例である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明の封止材積層複合体、該封止材積層複合体により封止された封止後半導体素子搭載基板又は封止後半導体素子形成ウエハ、該封止後半導体素子搭載基板又は該封止後半導体素子形成ウエハを個片化した半導体装置、及び前記封止材積層複合体を用いた半導体装置の製造方法について詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００３０】
前述のように、半導体素子を搭載した金属等の大口径基板や半導体素子を形成した大口径ウエハを封止した場合であっても、基板やウエハに反りが生じたり、半導体素子が金属等の基板から剥離したりすることが抑制でき、半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、又は半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面をウエハレベルで一括封止でき、かつ封止後には耐熱性や耐湿性等の封止性能に優れる汎用性の高い封止材が求められていた。
【００３１】
本発明者らは、上記課題を達成するため鋭意検討を重ねた結果、硬化又は半硬化のシアネートエステル樹脂からなる支持基材と、該支持基材の片面上に形成され未硬化の熱硬化性樹脂からなる未硬化樹脂層とを有する封止材積層複合体であれば、膨張係数の非常に小さなシアネートエステル樹脂からなる支持基材が未硬化樹脂層の硬化時の収縮応力を抑制することができることを見出し、この収縮応力の抑制作用により、大口径ウエハや金属等の大口径基板を封止した場合であっても、基板やウエハの反り、基板からの半導体素子の剥離を抑制できることを見出した。さらに、本発明の封止材積層複合体を用いれば半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、又は半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面をウエハレベルで一括封止でき、かつ封止後には耐熱性や耐湿性等の封止性能に優れ、非常に汎用性が高い封止材となることを見出して、本発明の封止材積層複合体を完成させた。
【００３２】
また、本発明者らは、前記封止材積層複合体により一括封止された封止後半導体素子搭載基板及び封止後半導体素子形成ウエハであれば、基板やウエハの反りが生じたり、基板から半導体素子が剥離したりすることが抑制された封止後半導体素子搭載基板及び封止後半導体素子形成ウエハとなることを見出し、さらに、このように反りや半導体素子の剥離が抑制された封止後半導体素子搭載基板及び封止後半導体素子形成ウエハを個片化することで、高品質の半導体装置が得られることを見出し、本発明の封止後半導体素子搭載基板、封止後半導体素子形成ウエハ、及び半導体装置を完成させた。
【００３３】
さらに、本発明者らは、前記封止材積層複合体を用いることで簡便に半導体素子搭載面又は半導体素子形成面を被覆できることを見出し、前記封止材積層複合体の未硬化樹脂層を加熱、硬化することで該半導体素子搭載面又は半導体素子形成面を一括封止できることを見出し、さらに、このように封止性能に優れるシアネートエステル樹脂を有する封止材積層複合体により封止され、反り、半導体素子の剥離が抑制された封止後半導体素子搭載基板又は封止後半導体素子形成ウエハをダイシングし、個片化することで、高品質な半導体装置を製造できることを見出して、本発明の半導体装置の製造方法を完成させた。
【００３４】
即ち、本発明は、
１個以上の半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、あるいは半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を一括封止するための封止材積層複合体であって、
硬化又は半硬化のシアネートエステル樹脂からなる支持基材と、該支持基材の片面上に形成され未硬化の熱硬化性樹脂からなる未硬化樹脂層とを有する封止材積層複合体を提供する。
以下、封止材積層複合体の有する支持基材及び未硬化樹脂層について詳述する。
【００３５】
＜支持基材＞
本発明で用いる支持基材は、シアネートエステル樹脂からなるものであり、繊維基材を用いることなく線膨張係数を低く保つことができ、かつ、成形性に優れるものである。シアネートエステル樹脂の成分としては、（Ａ）成分のシアネートエステル化合物のシアネート基１モルに対して、（Ｂ）成分のフェノール化合物又はジヒドロキシナフタレンもしくは両方の水酸基を０．０５〜０．４モルの割合で配合した樹脂組成物を好ましく用いることができる。
【００３６】
［（Ａ）成分］
（シアネートエステル化合物又はそのオリゴマー）
本発明で用いるシアネートエステル樹脂の（Ａ）成分として、下記一般式（１）で示されるシアネートエステル化合物又はそのオリゴマーを好ましく用いることができる。
【化６】
0006001515.tif 000007
（式中、Ｒ１及びＲ２は水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を示し、Ｒ３は
【化７】
0006001515.tif 000008
を示し、ｎ＝０〜３０の整数である。Ｒ４は水素原子又はメチルである。）
【００３７】
このシアネートエステル化合物は、１分子中にシアネート基を２個以上有するものであり、具体的には、多芳香環の２価フェノールのシアン酸エステル、例えばビス（３，５−ジメチル−４−シアネートフェニル）メタン、ビス（４−シアネートフェニル）メタン、ビス（３−メチル−４−シアネートフェニル）メタン、ビス（３−エチル−４−シアネートフェニル）メタン、ビス（４−シアネートフェニル）−１，１−エタン、ビス（４−シアネートフェニル）−２，２−プロパン、ジ（４−シアネートフェニル）エーテル、ジ（４−シアネートフェニル）チオエーテル、多価フェノールのポリシアン酸エステル、例えばフェノールノボラック型シアネートエステル、クレゾールノボラック型シアネートエステル、フェニルアラルキル型シアネートエステル、ビフェニルアラルキル型シアネートエステル、ナフタレンアラルキル型シアネートエステルなどが挙げられる。
【００３８】
前述のシアネートエステル化合物はフェノール類と塩化シアンを塩基性下、反応させることにより得ることができる。このようなシアネートエステル化合物は、その構造より軟化点が１０６℃の固形のものから、常温で液状のものまでの幅広い特性を有するものを得ることができ、その中から用途に合せて適宜選択することができる。このうち、シアネート基の当量が小さいもの、即ち官能基間分子量が小さいものは硬化収縮が小さく、低熱膨張、高Ｔｇの硬化物を得ることができる。シアネート基当量が大きいものは若干Ｔｇが低下するが、トリアジン架橋間隔がフレキシブルになり、低弾性化、高強靭化、低吸水化が期待できる。シアネートエステル化合物中に結合あるいは残存している塩素は好ましくは５０ｐｐｍ以下、より好ましくは２０ｐｐｍ以下であることが好適である。５０ｐｐｍ以下であれば長期高温保管時熱分解により遊離した塩素あるいは塩素イオンが酸化されたＣｕフレームやＣｕワイヤー、Ａｇメッキを腐食させ、剥離や電気的不良を引き起こす可能性がないため好ましい。また、樹脂の絶縁性も低下することがないため好ましい。
【００３９】
［（Ｂ）成分］
本発明で用いるシアネートエステル樹脂は、硬化剤として（Ｂ）成分を含有するものであることが好ましい。一般に、シアネートエステル化合物の硬化剤や硬化触媒としては、金属塩、金属錯体や活性水素を持つフェノール性水酸基や一級アミン類などが用いられるが、本発明では、フェノール化合物（ｂ−１）やジヒドロキシナフタレン化合物（ｂ−２）といったものが好適に用いられる。
【００４０】
（フェノール化合物（ｂ−１））
（Ｂ）成分として、下記一般式（２）で示される１分子中に２個以上の水酸基を持つフェノール化合物（ｂ−１）を好ましく用いることができる。
【化８】
0006001515.tif 000009
（式中、Ｒ５及びＲ６は水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を示し、Ｒ７は
【化９】
0006001515.tif 000010
を示し、ｍ＝０〜３０の整数である。Ｒ４は水素原子又はメチルである。）
【００４１】
このフェノール化合物としては１分子中に２個以上のフェノール性水酸基を持つフェノール樹脂、ビスフェノールＦ型樹脂、ビスフェノールＡ型樹脂，フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル型樹脂、ビフェニルアラルキル型樹脂、ナフタレンアラルキル型樹脂が挙げられ、これらのうち１種又は２種以上を併用することができる。
【００４２】
このフェノール化合物（ｂ−１）は、フェノール水酸基当量が小さいもの、例えば、水酸基当量１２０以下のものはシアネート基との反応性が高く、１２０℃以下の低温でも硬化反応が進行する。この場合はシアネート基に対する水酸基のモル比を小さくすると良い。好適な範囲はシアネート基１モルに対し０．０５〜０．１１モルである。この場合、硬化収縮が少なく、低熱膨張で高Ｔｇの硬化物が得られる。
【００４３】
一方、フェノール水酸基当量大きいもの、例えば水酸基当量１７５以上のものはシアネート基との反応が抑えられ保存性が良く、流動性が良い組成物が得られる。好適な範囲はシアネート基１モルに対し０．１〜０．４モルである。この場合Ｔｇは若干低下するが吸水率の低い硬化物が得られる。希望の硬化物特性と硬化性を得る為にこれらフェノール樹脂は２種類以上併用することもできる。
【００４４】
（ジヒドロキシナフタレン化合物（ｂ−２））
（Ｂ）成分として、下記一般式（３）で表されるジヒドロキシナフタレン化合物（ｂ−２）を好ましく用いることができる。
【化１０】
0006001515.tif 000011
【００４５】
上記のジヒドロキシナフタレンとしては、１，２−ジヒドロキシナフタレン、１，３−ジヒドロキシナフタレン、１，４−ジヒドロキシナフタレン、１，５−ジヒドロキシナフタレン、１，６−ジヒドロキシナフタレン、１，７−ジヒドロキシナフタレン、２，６−ジヒドロキシナフタレン、２，７−ジヒドロキシナフタレンなどが挙げられる。
融点が１３０℃の１，２−ジヒドロキシナフタレン、１，３−ジヒドロキシナフタレン、１，６−ジヒドロキシナフタレンは非常に反応性が高く少量でシアネート基の環化反応を促進する。融点が２００℃以上の１，５−ジヒドロキシナフタレン、２，６−ジヒドロキシナフタレンは比較的反応が抑制される。
【００４６】
これらジヒドロキシナフタレン化合物（ｂ−２）を単独で使用した場合、官能基間分子量が小さく、かつ剛直な構造である為硬化収縮が小さく、高Ｔｇの硬化物が得られる。また水酸基当量の大きい１分子中に２個以上の水酸基を持つフェノール化合物（ｂ−１）と併用することにより硬化性を調整することもできる。
【００４７】
尚、上記フェノール化合物（ｂ−１）及びジヒドロキシナフタレン化合物（ｂ−２）中のハロゲン元素やアルカリ金属などが１２０℃、２気圧下での抽出で１０ｐｐｍ、特に５ｐｐｍ以下であることが望ましい。
【００４８】
本発明で用いるシアネートエステル樹脂は、上記のフェノール化合物（ｂ−１）を単独で、又は上記のジヒドロキシナフタレン化合物（ｂ−２）を単独で、もしくはフェノール化合物（ｂ−１）及びジヒドロキシナフタレン化合物（ｂ−２）の組み合わせを（Ｂ）成分として含有することが好ましい。
【００４９】
［無機充填剤］
本発明で用いるシアネートエステル樹脂には、さらに無機充填剤を配合することができる。配合される無機充填剤としては、例えば、溶融シリカ、結晶性シリカ等のシリカ類、アルミナ、窒化珪素、窒化アルミニウム、アルミノシリケート、ボロンナイトライド、ガラス繊維、三酸化アンチモン等が挙げられる。これら無機充填剤の平均粒径や形状は特に限定されない。
【００５０】
シアネートエステル樹脂からなる支持基材の厚みは５０μｍ〜１ｍｍであることが好ましく、より好ましくは１００μｍ〜５００μｍのものが望ましい。１００μｍ以上であれば薄すぎて変形しやすくなることを抑制できるため好ましく、また１ｍｍ以下であれば半導体装置そのものが厚くなることを抑制できるため好ましい。
【００５１】
また、シアネートエステル樹脂のガラス転移温度は２００℃以上であることが好ましい。２００℃以上であれば、２００℃以下での熱膨張係数の変化がほとんどなく、熱膨張率の変化による半導体成形物への歪を抑えることができる。すなわち、歪による剥離現象や半導体素子への影響を抑えることができる。ガラス転移温度は２００℃以上あれば良いが、好ましくはガラス転移温度が２５０℃以上である。
【００５２】
さらに、シアネートエステル樹脂の線膨張係数は５ｐｐｍ以下であることが好ましく、より好ましくは１ｐｐｍ以上３ｐｐｍ以下、特に好ましくは２ｐｐｍ以上３ｐｐｍ以下である。シアネートエステル樹脂の線膨張係数が５ｐｐｍ以下であれば、半導体素子を搭載した基板又は半導体素子を形成したウエハとの膨張係数の差が大きくなることを抑制でき、そのためこれら基板又はウエハの反りをより確実に抑制することができる。特にウエハの口径が３００ｍｍ以上で厚みが１００μｍ以下の大口径薄膜状のウエハに対してはわずかな反りや歪応力が原因となって簡単に破壊される可能性が高いので線膨張係数は２ｐｐｍ−３ｐｐｍ程度であることが特に好ましい。
【００５３】
このような支持基材は、半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、又は半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を一括封止したあとの反りを低減させ、一個以上の半導体素子を配列、接着させた基板を補強するために重要である。そのため、硬くて剛直な基材であることが望ましい。
【００５４】
＜未硬化樹脂層＞
本発明の封止材積層複合体は未硬化樹脂層を有する。この未硬化樹脂層は、前述の支持基材の片面上に形成された未硬化の熱硬化性樹脂からなるものである。この未硬化樹脂層は、半導体素子搭載面又は半導体素子形成面を封止するための樹脂層となる。
【００５５】
未硬化樹脂層の厚みは２０μｍ以上２０００μｍ以下であることが好ましい。２０μｍ以上であれば半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、又は半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を封止するのに充分であり、薄すぎることによる充填性の不良が生じることを抑制できるため好ましく、２０００μｍ以下であれば封止された封止後半導体素子搭載基板及び封止後半導体素子形成ウエハが厚くなり過ぎることが抑制できるため好ましい。
【００５６】
未硬化樹脂層を形成する未硬化の熱硬化性樹脂としては、特に制限はされないが、通常、半導体素子の封止に使用される液状エポキシ樹脂や固形のエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、又はエポキシ樹脂とシリコーン樹脂からなる混成樹脂からなる未硬化樹脂層であることが好ましい。特に、５０℃未満で固形化し、かつ５０℃以上１５０℃以下で溶融するエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、及びエポキシシリコーン混成樹脂のいずれかを含むものであることが好ましい。このような熱硬化性樹脂であれば、支持基材である膨張係数の非常に小さなシアネートエステル樹脂がこれら樹脂を含む未硬化樹脂層の硬化時の収縮応力を抑制することができるため、大口径ウエハや金属等の大口径基板を封止した場合であっても、基板やウエハの反り、基板からの半導体素子の剥離をより確実に抑制でき、半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、又は半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面をウエハレベルで一括封止できる封止材積層複合体となり、かつこれら樹脂を含む未硬化樹脂層を有する複合体であれば、特に封止後には耐熱性や耐湿性等の封止性能に優れる封止材積層複合体となる。
以下、熱硬化性樹脂として用いることのできる、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、及びエポキシ樹脂とシリコーン樹脂からなる混成樹脂について詳述する。
【００５７】
［エポキシ樹脂］
エポキシ樹脂としては、特に制限はされないが、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、３，３’，５，５’−テトラメチル−４，４’−ビフェノール型エポキシ樹脂又は４，４’−ビフェノール型エポキシ樹脂のようなビフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレンジオール型エポキシ樹脂、トリスフェニロールメタン型エポキシ樹脂、テトラキスフェニロールエタン型エポキシ樹脂、及びフェノールジシクロペンタジエンノボラック型エポキシ樹脂の芳香環を水素化したエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂など室温で液状や固体の公知のエポキシ樹脂が挙げられる。また、必要に応じて、上記以外のエポキシ樹脂を本発明の目的に応じて一定量併用することができる。
【００５８】
エポキシ樹脂からなる熱硬化性樹脂は、半導体素子を封止する樹脂層となることから塩素等のハロゲンイオン、またナトリウム等のアルカリイオンは極力減らしたものであることが好ましい。各イオンを減らす方法としては、イオン交換水５０ｍｌに試料１０ｇを添加し、密封して１２０℃のオーブン中に２０時間静置した後、加熱抽出する方法を挙げることができ、１２０℃での抽出でいずれのイオンも１０ｐｐｍ以下とすることが望ましい。
【００５９】
エポキシ樹脂からなる熱硬化性樹脂にはさらにエポキシ樹脂の硬化剤を含めることができる。このような硬化剤としてはフェノールノボラック樹脂、各種アミン誘導体、酸無水物や酸無水物基を一部開環させカルボン酸を生成させたものなどを使用することができる。なかでも本発明の封止材積層複合体を用いて製造される半導体装置の信頼性を確保するためにフェノールノボラック樹脂が望ましい。特に、エポキシ樹脂とフェノールノボラック樹脂の混合比をエポキシ基とフェノール性水酸基の比率が１：０．８〜１．３となるように混合することが好ましい。
【００６０】
さらに、エポキシ樹脂と硬化剤の反応を促進するため、反応促進剤（触媒）としてイミダゾール誘導体、フォスフィン誘導体、アミン誘導体、有機アルミニウム化合物などの金属化合物等を使用しても良い。
【００６１】
エポキシ樹脂からなる熱硬化性樹脂には、さらに必要に応じて各種の添加剤を配合することができる。例えば、樹脂の性質を改善する目的で種々の熱可塑性樹脂、熱可塑性エラストマー、有機合成ゴム、シリコーン系等の低応力剤、ワックス類、ハロゲントラップ剤等の添加剤を挙げることができ、本発明の目的に応じて添加配合することができる。
【００６２】
［シリコーン樹脂］
シリコーン樹脂としては、熱硬化性のシリコーン樹脂等が使用可能である。特に、シリコーン樹脂からなる未硬化樹脂層は付加硬化型シリコーン樹脂組成物を含むことが望ましい。付加硬化型シリコーン樹脂組成物としては、（ｉ）非共役二重結合を有する有機ケイ素化合物（例えば、アルケニル基含有ジオルガノポリシロキサン）、（ｉｉ）オルガノハイドロジェンポリシロキサン、及び（ｉｉｉ）白金系触媒を含むものが特に好ましい。以下、これら（ｉ）〜（ｉｉｉ）成分について説明する。
【００６３】
（ｉ）成分：非共役二重結合を有する有機ケイ素化合物
（ｉ）成分としては、
Ｒ１’Ｒ２’Ｒ３’ＳｉＯ−（Ｒ４’Ｒ５’ＳｉＯ）ａ−（Ｒ６’Ｒ７’ＳｉＯ）ｂ−ＳｉＲ１’Ｒ２’Ｒ３’    （４）
（式中、Ｒ１’は非共役二重結合含有一価炭化水素基を示し、Ｒ２’〜Ｒ７’はそれぞれ同一又は異種の一価炭化水素基を示し、ａ及びｂは０≦ａ≦５００、０≦ｂ≦２５０、かつ０≦ａ＋ｂ≦５００を満たす整数である。）
で示される、分子鎖両末端が脂肪族不飽和基含有トリオルガノシロキシ基で封鎖された直鎖状ジオルガノポリシロキサン等の、オルガノポリシロキサンが例示される。
【００６４】
上記一般式（４）中、Ｒ１’は非共役二重結合含有一価炭化水素基であり、好ましくは炭素数２〜８、特に好ましくは炭素数２〜６のアルケニル基で代表される脂肪族不飽和結合を有する非共役二重結合含有一価炭化水素基である。
【００６５】
上記一般式（４）中、Ｒ２’〜Ｒ７’はそれぞれ同一又は異種の一価炭化水素基であり、好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０のアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基等が挙げられる。また、このうちＲ４’〜Ｒ７’は、より好ましくは脂肪族不飽和結合を除く一価炭化水素基であり、特に好ましくはアルケニル基等の脂肪族不飽和結合を持たないアルキル基、アリール基、アラルキル基等が挙げられる。さらに、このうちＲ６’、Ｒ７’は芳香族一価炭化水素基であることが好ましく、フェニル基やトリル基等の炭素数６〜１２のアリール基等であることが特に好ましい。
【００６６】
上記一般式（４）中、ａ及びｂは０≦ａ≦５００、０≦ｂ≦２５０、かつ０≦ａ＋ｂ≦５００を満たす整数であり、ａは１０≦ａ≦５００であることが好ましく、ｂは０≦ｂ≦１５０であることが好ましく、またａ＋ｂは１０≦ａ＋ｂ≦５００を満たすことが好ましい。
【００６７】
上記一般式（４）で示されるオルガノポリシロキサンは、例えば、環状ジフェニルポリシロキサン、環状メチルフェニルポリシロキサン等の環状ジオルガノポリシロキサンと、末端基を構成するジフェニルテトラビニルジシロキサン、ジビニルテトラフェニルジシロキサン等のジシロキサンとのアルカリ平衡化反応によって得ることができるが、この場合、アルカリ触媒（特にＫＯＨ等の強アルカリ）による平衡化反応においては、少量の触媒で不可逆反応で重合が進行するため、定量的に開環重合のみが進行し、末端封鎖率も高いため、通常、シラノール基及びクロル分は含有されない。
【００６８】
上記一般式（４）で示されるオルガノポリシロキサンとしては、具体的に下記のものが例示される。
【化１１】
0006001515.tif 000012
（上記式において、ｋ、ｌは、０≦ｋ≦５００、０≦ｌ≦２５０、かつ０≦ｋ＋ｌ≦５００を満足する整数であり、好ましくは５≦ｋ＋ｌ≦２５０、かつ０≦ｌ／（ｋ＋ｌ）≦０．５を満足する整数である。）
【００６９】
（ｉ）成分としては、上記一般式（４）で示される直鎖構造を有するオルガノポリシロキサンの他、必要に応じて、３官能性シロキサン単位、４官能性シロキサン単位等を含む三次元網目構造を有するオルガノポリシロキサンを併用することもできる。（ｉ）非共役二重結合を有する有機ケイ素化合物は１種単独で用いても２種以上を混合して用いてもよい。
【００７０】
（ｉ）非共役二重結合を有する有機ケイ素化合物中の非共役二重結合を有する基（例えば、アルケニル基等のＳｉ原子に結合する二重結合を有する一価炭化水素基）の量は、全一価炭化水素基（Ｓｉ原子に結合する全ての一価炭化水素基）のうち０．１〜２０モル％であることが好ましく、より好ましくは０．２〜１０モル％、特に好ましくは０．２〜５モル％である。非共役二重結合を有する基の量が０．１モル％以上であれば硬化させたときに良好な硬化物を得ることができ、２０モル％以下であれば硬化させたときの機械的特性が良いため好ましい。
【００７１】
また、（ｉ）非共役二重結合を有する有機ケイ素化合物は芳香族一価炭化水素基（Ｓｉ原子に結合する芳香族一価炭化水素基）を有することが好ましく、芳香族一価炭化水素基の含有量は、全一価炭化水素基（Ｓｉ原子に結合する全ての一価炭化水素基）の０〜９５モル％であることが好ましく、より好ましくは１０〜９０モル％、特に好ましくは２０〜８０モル％である。芳香族一価炭化水素基は樹脂中に適量含まれた方が、硬化させたときの機械的特性が良く製造もしやすいという利点がある。
【００７２】
（ｉｉ）成分：オルガノハイドロジェンポリシロキサン
（ｉｉ）成分としては、一分子中にケイ素原子に結合した水素原子（ＳｉＨ基）を２個以上有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンが好ましい。一分子中にケイ素原子に結合した水素原子（ＳｉＨ基）を２個以上有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンであれば、架橋剤として作用し、（ｉｉ）成分中のＳｉＨ基と（ｉ）成分のビニル基、アルケニル基等の非共役二重結合含有基とが付加反応することにより、硬化物を形成することができる。
【００７３】
また、（ｉｉ）成分のオルガノハイドロジェンポリシロキサンは、芳香族一価炭化水素基を有することが好ましい。このように、芳香族一価炭化水素基を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンであれば、上記の（ｉ）成分との相溶性を高めることができる。このようなオルガノハイドロジェンポリシロキサンは１種単独で用いても２種以上を混合して用いてもよく、例えば、芳香族炭化水素基を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンを（ｉｉ）成分の一部又は全部として含ませることができる。
【００７４】
（ｉｉ）成分としては、これらに限られるものではないが、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、トリス（ジメチルハイドロジェンシロキシ）メチルシラン、トリス（ジメチルハイドロジェンシロキシ）フェニルシラン、１−グリシドキシプロピル−１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、１，５−グリシドキシプロピル−１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、１−グリシドキシプロピル−５−トリメトキシシリルエチル−１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンポリシロキサン、両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体、両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン、両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体、両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンシロキサン・ジフェニルシロキサン共重合体、両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンシロキサン・ジフェニルシロキサン・ジメチルシロキサン共重合体、トリメトキシシラン重合体、（ＣＨ３）２ＨＳｉＯ１／２単位とＳｉＯ４／２単位とからなる共重合体、（ＣＨ３）２ＨＳｉＯ１／２単位とＳｉＯ４／２単位と（Ｃ６Ｈ５）ＳｉＯ３／２単位とからなる共重合体等が挙げられる。
【００７５】
また、下記構造で示される単位を使用して得られるオルガノハイドロジェンポリシロキサンも用いることができる。
【化１２】
0006001515.tif 000013
【００７６】
（ｉｉ）成分のオルガノハイドロジェンポリシロキサンの分子構造は、直鎖状、環状、分岐状、三次元網状構造のいずれであってもよいが、一分子中のケイ素原子の数（又は重合体の場合は重合度）は２以上が好ましく、より好ましくは３〜５００、特に好ましくは４〜３００程度のものを使用することができる。
【００７７】
（ｉｉ）オルガノハイドロジェンポリシロキサンの配合量は、（ｉ）成分中のアルケニル基等の非共役二重結合を有する基１個当たり（ｉｉ）成分中のケイ素原子結合水素原子（ＳｉＨ基）が０．７〜３．０個となる量であることが好ましい。
【００７８】
（ｉｉｉ）成分：白金系触媒
（ｉｉｉ）成分には、白金系触媒が用いられる。白金系触媒としては、例えば塩化白金酸、アルコール変性塩化白金酸、キレート構造を有する白金錯体等が挙げられる。これらは１種単独でも、２種以上の組み合わせでも使用することができる。
【００７９】
（ｉｉｉ）成分の配合量は、硬化有効量であり所謂触媒量でよく、通常、（ｉ）成分及び（ｉｉ）成分の総質量１００質量部あたり、白金族金属の質量換算で０．１〜５００ｐｐｍであることが好ましく、特に０．５〜１００ｐｐｍの範囲であることが好ましい。
【００８０】
熱硬化性樹脂としてシリコーン樹脂を用いる場合は、半導体素子を封止する樹脂層となることから塩素等のハロゲンイオン、またナトリウム等のアルカリイオンは極力減らしたものであることが好ましい。各イオンを減らす方法としては、エポキシ樹脂と同様の方法を例示でき、１２０℃での抽出でいずれのイオンも１０ｐｐｍ以下であることが望ましい。
【００８１】
［エポキシ樹脂とシリコーン樹脂からなる混成樹脂］
混成樹脂に含まれるエポキシ樹脂とシリコーン樹脂としては、前述のエポキシ樹脂と前述のシリコーン樹脂が挙げられる。
【００８２】
混成樹脂からなる熱硬化性樹脂は、半導体素子を封止する樹脂層となることから塩素等のハロゲンイオン、またナトリウム等のアルカリイオンは極力減らしたものであることが好ましい。通常、１２０℃での抽出でいずれのイオンも１０ｐｐｍ以下であることが望ましい。
【００８３】
［無機充填剤］
上記の熱硬化性樹脂には無機充填剤を配合することができる。配合される無機充填剤としては、例えば、煙霧質シリカ（ヒュームドシリカ）、沈降シリカ、溶融シリカ、結晶性シリカ等のシリカ類、アルミナ、窒化珪素、窒化アルミニウム、アルミノシリケート、ボロンナイトライド、ガラス繊維、三酸化アンチモン等が挙げられる。これら無機充填剤の平均粒径や形状は特に限定されない。
【００８４】
特にエポキシ樹脂からなる熱硬化性樹脂に添加する無機充填剤としては、エポキシ樹脂と無機充填剤との結合強度を強くするため、シランカップリング剤、チタネートカップリング剤等のカップリング剤で予め表面処理したものを配合してもよい。
【００８５】
このようなカップリング剤としては、例えば、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン等のエポキシ官能性アルコキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等のアミノ官能性アルコキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等のメルカプト官能性アルコキシシラン等を用いることが好ましい。なお、表面処理に用いるカップリング剤の配合量及び表面処理方法については特に制限されるものではない。
【００８６】
シリコーン樹脂組成物からなる熱硬化性樹脂に添加する場合も、前記無機質充填材の表面を上記のようなカップリング剤で処理したものを配合しても良い。
【００８７】
無機充填剤の配合量は、熱硬化性樹脂の総質量１００質量部に対し、１００〜１３００質量部が好ましく、特に２００〜１０００質量部が好ましい。１００質量部以上であれば十分な強度を得ることができ、１３００質量部以下であれば増粘による流動性の低下が抑制され、流動性低下による充填性の不良が抑制され、結果としてウエハに形成された半導体素子及び基板上に配列・搭載された半導体素子を良好に封止することができる。なお、この無機充填剤は、熱硬化性樹脂を構成する組成物全体の５０〜９５質量％、特に６０〜９０質量％の範囲で含有することが好ましい。
【００８８】
＜封止材積層複合体＞
本発明の封止材積層複合体の断面図の一例を図１に示す。本発明の封止材積層複合体１０は、硬化又は半硬化のシアネートエステル樹脂からなる支持基材１と、支持基材１の片面上に形成された未硬化の熱硬化性樹脂からなる未硬化樹脂層２とを有するものである。
【００８９】
［封止材積層複合体の作製方法］
シアネートエステル樹脂からなる支持基材を使用して本発明の封止材積層複合体を作製する場合は、シアネートエステル樹脂からなる支持基材の片面上に、減圧又は真空下で、印刷やディスペンス等で熱硬化性の液状エポキシ樹脂やシリコーン樹脂等の熱硬化性樹脂を更に塗布し、加熱することで、５０℃以下で固形な未硬化樹脂層を形成し、封止材積層複合体を作製する。
【００９０】
さらにシアネートエステル樹脂からなる支持基材の片面上に未硬化の熱硬化性樹脂をプレス成形、印刷するなど、従来のエポキシ熱硬化性樹脂やシリコーン熱硬化性樹脂等で用いられてきた各種の方法で未硬化樹脂層を形成することができる。形成後、通常では１８０℃程度の温度で４〜８時間ポストキュアさせることが好ましい。
【００９１】
その他、シアネートエステル樹脂からなる支持基材の片面上に未硬化の熱硬化性樹脂からなる未硬化樹脂層を形成する方法としては、室温で固体のエポキシ熱硬化性樹脂やシリコーン熱硬化性樹脂等を加熱しながら加圧する方法やエポキシ樹脂組成物にアセトン等の極性溶剤を適量添加することで液状化し印刷などで薄膜を形成し、溶剤を減圧下で加熱するなどの方法で除去することで均一に支持基材の片面上に未硬化樹脂層を形成することができる。
【００９２】
いずれの方法でもシアネートエステル樹脂からなる支持基材の片面上に、ボイドや揮発成分のない、厚みが２０〜２０００μｍ、特には３０〜５００μｍ程度の未硬化の熱硬化性樹脂からなる未硬化樹脂層を形成することができる。
【００９３】
［半導体素子を搭載した基板及び半導体素子を形成したウエハ］
本発明の封止材積層複合体は半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、及び半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を一括封止するための複合体である。半導体素子を搭載した基板としては、例えば図２（ａ）中の一個以上の半導体素子３を接着剤４で無機、金属あるいは有機の基板５上に搭載したものが挙げられる。また、半導体素子を形成したウエハとしては、例えば図２（ｂ）中のウエハ７上に半導体素子６が形成されたものが挙げられる。尚、半導体素子を搭載した基板とは、基板５としてシリコンウエハ等の各種ウエハ、有機基板、ガラス基板、金属基板等を用いたものや、半導体素子を搭載し配列等した半導体素子アレイを含むものである。
【００９４】
＜封止後半導体素子搭載基板及び封止後半導体素子形成ウエハ＞
本発明の封止材積層複合体により封止された封止後半導体素子搭載基板及び封止後半導体素子形成ウエハの断面図の一例を図２（ａ）及び（ｂ）に示す。本発明の封止後半導体素子搭載基板１１は、封止材積層複合体１０の未硬化樹脂層２（図１参照）により半導体素子３を搭載した基板５の半導体素子搭載面を被覆し、未硬化樹脂層２（図１参照）を加熱、硬化することで硬化後の樹脂層２’とし、封止材積層複合体１０により一括封止されたものである（図２（ａ））。また、本発明の封止後半導体素子形成ウエハ１２は、封止材積層複合体１０の未硬化樹脂層２（図１参照）により半導体素子６を形成したウエハ７の半導体素子形成面を被覆し、未硬化樹脂層２（図１参照）を加熱、硬化することで硬化後の樹脂層２’とし、封止材積層複合体１０により一括封止されたものである（図２（ｂ））。
【００９５】
このように、封止材積層複合体の未硬化樹脂層により、半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面又は半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を被覆し、未硬化樹脂層を加熱、硬化することで、封止材積層複合体により一括封止された封止後半導体素子搭載基板又は封止後半導体素子形成ウエハであれば、基板やウエハの反りが生じたり、基板から半導体素子が剥離したりすることが抑制された封止後半導体素子搭載基板又は封止後半導体素子形成ウエハとなる。
【００９６】
＜半導体装置＞
本発明の半導体装置の一例を図３（ａ）、（ｂ）に示す。本発明の半導体装置１３、１４は前記封止後半導体素子搭載基板１１（図２参照）又は前記封止後半導体素子形成ウエハ１２（図２参照）をダイシングして、個片化したものである。このように、耐熱性や耐湿性等の封止性能に優れるシアネートエステル樹脂を有する封止材積層複合体１０により封止され、かつ基板やウエハの反り、基板からの半導体素子３の剥離が抑制された封止後半導体素子搭載基板１１（図２参照）又は封止後半導体素子形成ウエハ１２（図２参照）をダイシングし、個片化して作製された半導体装置１３、１４は高品質な半導体装置となる。封止後半導体素子搭載基板１１（図２（ａ）参照）をダイシングして個片化した場合、半導体装置１３は基板５上に接着剤４を介して半導体素子３が搭載され、その上から硬化後の樹脂層２’とシアネートエステル樹脂からなる支持基材１を有する封止材積層複合体１０により封止された半導体装置となる（図３（ａ））。また、封止後半導体素子形成ウエハ１２（図２（ｂ）参照）をダイシングして個片化した場合、半導体装置１４はウエハ７に半導体素子６が形成され、その上から硬化後の樹脂層２’とシアネートエステル樹脂からなる支持基材１を有する封止材積層複合体１０により封止された半導体装置となる（図３（ｂ））。
【００９７】
＜半導体装置の製造方法＞
本発明は、半導体装置を製造する方法であって、
前記封止材積層複合体の未硬化樹脂層により半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、又は半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を被覆する被覆工程、
該未硬化樹脂層を加熱、硬化することで、前記半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面又は前記半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面を一括封止し、封止後半導体素子搭載基板又は封止後半導体素子形成ウエハとする封止工程、及び
該封止後半導体素子搭載基板又は該封止後半導体素子形成ウエハをダイシングし、個片化することで、半導体装置を製造する個片化工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。以下、図４を用いて本発明の半導体装置の製造方法について説明する。
【００９８】
［被覆工程］
本発明の半導体装置の製造方法に係る被覆工程は、シアネートエステル樹脂からなる支持基材１と未硬化樹脂層２を有する封止材積層複合体１０の未硬化樹脂層２により、接着剤４を介して半導体素子３を搭載した基板５の半導体素子搭載面、又は半導体素子（不図示）を形成したウエハ（不図示）の半導体素子形成面を被覆する工程である（図４（Ａ））。
【００９９】
［封止工程］
本発明の半導体装置の製造方法に係る封止工程は、封止材積層複合体１０の未硬化樹脂層２を加熱、硬化して硬化後の樹脂層２’とすることで、半導体素子３を搭載した基板５の半導体素子搭載面又は半導体素子（不図示）を形成したウエハ（不図示）の半導体素子形成面を一括封止し、封止後半導体素子搭載基板１１又は封止後半導体素子形成ウエハ（不図示）とする工程である（図４（Ｂ））。
【０１００】
［個片化工程］
本発明の半導体装置の製造方法に係る個片化工程は、封止後半導体素子搭載基板１１又は封止後半導体素子形成ウエハ（不図示）をダイシングし、個片化することで、半導体装置１３、１４（図３（ｂ）参照）を製造する工程である（図４（Ｃ）、（Ｄ））。
【０１０１】
以下、より具体的に説明する。前記被覆工程、封止工程においては、ソルダーレジストフィルムや各種絶縁フィルム等のラミネーションに使用されている真空ラミネータ装置等を使用することで、ボイドも反りもない被覆、封止を行うことができる。ラミネーションの方式としてはロールラミネーションやダイアフラム式真空ラミネーション、エアー加圧式ラミネーション等いずれの方式も使用することができる。なかでも、真空ラミネーションとエアー加圧式の併用が好ましい。
【０１０２】
ここでは例として、ニチゴーモートン社製の真空ラミネーション装置を用いて、厚み５０μｍのシアネートエステル樹脂からなる支持基材と片面に厚み５０μｍの未硬化の熱硬化性エポキシ樹脂からなる未硬化樹脂層を有する封止材積層複合体で、厚み７０μｍ、直径３００ｍｍ（１２インチ）のシリコンウエハを封止する場合について説明する。
【０１０３】
上下にヒーターが内蔵され１５０℃に設定されたプレートのうち、上側プレートにはダイアフラムラバーが減圧された状態でヒーターと密着している。下側プレート上に３００ｍｍ（１２インチ）のシリコンウエハをセットし、その上に片面に封止材積層複合体の未硬化樹脂層面をシリコンウエハの半導体形成面に合わせてセットする。その後、下側プレートが上昇し、下側プレート上にセットされたシリコンウエハを囲むように設置されたＯリングにより上下のプレートが密着して真空チャンバーが形成され、該真空チャンバー内が減圧される。真空チャンバー内が十分に減圧されたら、上側プレートのダイアフラムラバーとヒーターの間から真空ポンプにつながる配管の弁を閉じ、圧縮空気を送り込む。それにより、上側のダイアフラムラバーが膨張しシリコンウエハと封止材積層複合体を上側のダイアフラムラバーと下側のプレートで挟み、真空ラミネーションを行うと同時に未硬化樹脂層の熱硬化性エポキシ樹脂の硬化が進行し、封止が完了する。硬化時間としては３〜２０分程度あれば十分である。真空ラミネーションが完了したら真空チャンバー内を常圧に戻し、下側プレートを下降させ、封止したシリコンウエハを取り出す。上記工程によりボイドや反りのないウエハの封止を行うことができる。取り出したシリコンウエハは通常、１５０〜１８０℃の温度で１〜４時間ポストキュアすることで電気特性や機械特性を安定化させることができる。
【０１０４】
上記の真空ラミネーション装置を用いた被覆、封止工程は例示した熱硬化性エポキシ樹脂に限らず、シリコーン樹脂やエポキシとシリコーンの混成樹脂の場合にも用いることができる。
【０１０５】
このような半導体装置の製造方法であれば、被覆工程においては封止材積層複合体の未硬化樹脂層により簡便に、充填不良なく半導体素子搭載面又は半導体素子形成面を被覆することができる。また、封止材積層複合体を使用するので、シアネートエステル樹脂からなる支持基材が未硬化樹脂層の硬化時の収縮応力を抑制できるため、封止工程においては半導体素子搭載面又は半導体素子形成面を一括封止することができ、薄型の大口径ウエハや金属等の大口径基板を封止した場合であっても、基板やウエハの反り、基板からの半導体素子の剥離が抑制された封止後半導体素子搭載基板又は封止後半導体素子形成ウエハを得ることができる。さらに、個片化工程においては耐熱性や耐湿性等の封止性能に優れる封止材積層複合体により封止され、かつ反りが抑制された封止後半導体素子搭載基板又は封止後半導体素子形成ウエハから半導体装置をダイシングし、個片化することができるため、高品質な半導体装置を製造することができる半導体装置の製造方法となる。
【実施例】
【０１０６】
以下、本発明の封止材積層複合体を用いた半導体装置の製造方法について実施例及び比較例を示し、本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１０７】
［実施例１］
［支持基材の作製］
シアネートエステル化合物１  プリマセット  ＰＴ−６０  （ロンザ製シアネート基当量１１９）９０質量部、フェノール化合物  ＴＤ−２１３１  （ＤＩＣ製フェノール性水酸基当量  １１０）  １０質量部、溶融球状シリカ（微粉末）９２０質量部、カルナバワックス１．５質量部を配合し、高速混合機で均一に混合した後、加熱２本ロールで均一に混練することでシアネートエステル樹脂組成物を製造した。
シアネートエステル樹脂組成物を粉砕し、顆粒粉末としてコンプレッション成形（１７５℃）によって、ガラス転移温度が２６０℃であり、線膨張係数が３ｐｐｍの厚さ１５０μｍの均一なシアネートエステル樹脂からなる支持基材（Ｉ−ａ）を得た。
【０１０８】
［熱硬化性樹脂組成物の作製］
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（ＥＯＣＮ１０２０  日本化薬製）６０質量部、フェノールノボラック樹脂（Ｈ−４  群栄化学製）３０質量部、球状シリカ（龍森製平均粒径７μｍ）４００質量部、触媒ＴＰＰ（トリフェニルホスフィン  北興化学工業製）０．２質量部、シランカップリング剤（ＫＢＭ４０３  信越化学工業製）０．５質量部を高速混合装置で十分混合した後、連続混練装置で加熱混練してシート化し冷却した。シートを粉砕し顆粒状の粉末としてエポキシ樹脂からなる熱硬化性樹脂組成物（Ｉ−ｂ）を得た。
【０１０９】
［封止材積層複合体の作製］
エポキシ樹脂組成物（Ｉ−ｂ）の顆粒粉末を支持基材（Ｉ−ａ）上に均一に分散させた。上下の金型温度を８０℃にし、上金型にはフッ素樹脂コートしたＰＥＴフィルム（剥離フィルム）をセットして金型内を真空レベルまで減圧し、未硬化樹脂層の厚みが８０μｍになるように３分間圧縮成形して封止材積層複合基板（Ｉ−ｃ）を作製した。成形後、直径３００ｍｍ（１２インチ）の円板状に切断した。
【０１１０】
［半導体素子が形成されたウエハの被覆及び封止］
次に、ニチゴーモートン社製のプレート温度を１３０℃に設定した真空ラミネーション装置を用いて被覆、封止した。まず、下側プレートに半導体素子が形成された３００ｍｍ（１２インチ）で厚みが７０μｍのシリコンウエハをセットし、その上に剥離フィルムを除去した封止材積層複合体（Ｉ−ｃ）の未硬化樹脂層であるエポキシ樹脂組成物（Ｉ−ｂ）面をシリコンウエハ面に合わせて被覆した。その後、プレートを閉じ５分間真空圧縮成形することで硬化封止した。硬化封止後、封止材積層複合体（Ｉ−ｃ）により封止されたシリコンウエハを更に１５０℃で２時間ポストキュアして、封止後半導体素子形成ウエハ（Ｉ−ｄ）を得た。
【０１１１】
［実施例２］
［熱硬化性樹脂組成物の作製］
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（ＥＯＣＮ１０２０  日本化薬製）６０質量部、フェノールノボラック樹脂（Ｈ−４  群栄化学製）３０質量部、球状シリカ（龍森製平均粒径７μｍ）３００質量部、触媒ＴＰＰ（トリフェニルホスフィン  北興化学工業製）０．２質量部、シランカップリング剤（ＫＢＭ４０３  信越化学工業製）０．５質量部を高速混合装置で十分混合した後、連続混練装置で加熱混練してシート化し冷却した。シートを粉砕し顆粒状の粉末としてエポキシ樹脂組成物（ＩＩ−ｂ）を得た。
【０１１２】
［封止材積層複合体の作製］
支持基材（Ｉ−ａ）を減圧下で加熱圧縮できる圧縮成形装置の下金型上にセットし、その上にエポキシ樹脂組成物（ＩＩ−ｂ）の顆粒粉末を均一に分散させた。上下の金型温度を８０℃にし、上金型にはフッ素樹脂コートしたＰＥＴフィルム（剥離フィルム）をセットして金型内を真空レベルまで減圧し、未硬化樹脂層の厚みが８０μｍになるように３分間圧縮成形して封止材積層複合体（ＩＩ−ｃ）を作製した。成形後、直径３００ｍｍ（１２インチ）の円板状に切断した。
【０１１３】
［半導体素子が形成されたウエハの被覆及び封止］
次に、ニチゴーモートン社製のプレート温度を１３０℃に設定した真空ラミネーション装置を用いて被覆、封止した。まず、下側プレートに半導体素子が形成された３００ｍｍ（１２インチ）で厚みが７０μｍのシリコンウエハをセットし、その上に剥離フィルムを除去した封止材積層複合体（ＩＩ−ｃ）の未硬化樹脂層であるエポキシ樹脂（ＩＩ−ｂ）面をシリコンウエハ面に合わせて被覆した。その後、プレートを閉じ５分間真空圧縮成形することで硬化封止した。硬化封止後、封止材積層複合体（ＩＩ−ｃ）により封止されたシリコンウエハを更に１５０℃で２時間ポストキュアして、封止後半導体素子形成ウエハ（ＩＩ−ｄ）を得た。
【０１１４】
［実施例３］
［支持基材の作製］
シアネートエステル化合物２  プリマセット  ＰＴ−６０  （ロンザ製シアネート基当量１１９）７８質量部、  フェノール化合物＊ＭＥＨ−７８００ＳＳ  （明和化成  製）  フェノール性水酸基当量  １７５）  ２２質量部、  溶融球状シリカ（微粉末）９２０質量部、カルナバワックス１．５質量部を配合し、高速混合機で均一に混合した後、加熱２本ロールで均一に混練することでシアネートエステル樹脂組成物を製造した。
シアネートエステル樹脂組成物を粉砕し、顆粒粉末としてコンプレッション成形（１７５℃）によってガラス転移温度が２２０℃であり、線膨張係数が４ｐｐｍの厚さ１８０μｍの均一なシアネートエステル樹脂基板（ＩＩＩ―ａ）を得た。
【０１１５】
［熱硬化性樹脂組成物の作製］
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（ＥＯＣＮ１０２０  日本化薬製）６０質量部、フェノールノボラック樹脂（Ｈ−４  群栄化学製）３０質量部、球状シリカ（龍森製平均粒径７μｍ）４００質量部、触媒ＴＰＰ（トリフェニルホスフィン  北興化学工業製）０．２質量部、シランカップリング剤（ＫＢＭ４０３  信越化学工業製）０．５質量部を高速混合装置で十分混合した後、連続混練装置で加熱混練してシート化し冷却した。シートを粉砕し顆粒状の粉末としてエポキシ樹脂組成物（ＩＩＩ−ｂ）を得た。
【０１１６】
［封止材積層複合体の作製］
支持基材（ＩＩＩ−ａ）を減圧下で加熱圧縮できる圧縮成形装置の下金型上にセットし、その上にエポキシ樹脂組成物（ＩＩＩ−ｂ）の顆粒粉末を均一に分散させた。上下の金型温度を８０℃にし、上金型にはフッ素樹脂コートしたＰＥＴフィルム（剥離フィルム）をセットして金型内を真空レベルまで減圧し、樹脂厚みが８０μｍになるように３分間圧縮成形して封止材積層複合体（ＩＩＩ−ｃ）を作製した。成形後、直径３００ｍｍ（１２インチ）の円板状に切断した。
【０１１７】
［半導体素子が搭載された基板の被覆及び封止］
次に、ニチゴーモートン社製のプレート温度を１７０℃に設定した真空ラミネーション装置を用いて被覆、封止した。まず、下側プレートに３００ｍｍ（１２インチ）で厚みが１００μｍの金属基板上に高温で接着力が低下する接着剤を介して、個片化した半導体素子である４００個のシリコンチップ（形状：５ｍｍ×７ｍｍ、厚み１００μｍ）を整列し搭載したシリコンウエハをセットし、その上に剥離フィルムを除去した封止材積層複合体（ＩＩＩ−ｃ）の未硬化樹脂層であるエポキシ樹脂組成物（ＩＩＩ−ｂ）面を半導体素子搭載面に合わせて被覆した。その後、プレートを閉じ５分間真空圧縮成形することで硬化封止した。硬化封止後、１７０℃で４時間ポストキュアして、封止後半導体素子搭載基板（ＩＩＩ−ｄ）を得た。
【０１１８】
［実施例４］
［熱硬化性樹脂組成物の作製］
多官能型エポキシ樹脂（ＥＰＰＮ−５０２Ｈ日本化薬製）６０質量部、フェノールノボラック樹脂（ＤＬ−９２  明和化成製）３０質量部、球状シリカ（アドマ製平均粒径１μｍ）４００質量部、触媒ＴＰＰ（トリフェニルホスフィン  北興化学工業製）０．２質量部、シランカップリング剤（ＫＢＭ４０３  信越化学工業製）０．５質量部を高速混合装置で十分混合した後、連続混練装置で加熱混練してシート化し冷却した。シートを粉砕し顆粒状の粉末としてエポキシ樹脂組成物（ＩＶ−ｂ）を得た。
【０１１９】
［封止材積層複合体の作製］
支持基材（ＩＩＩ−ａ）を減圧下で加熱圧縮できる圧縮成形装置の下金型上にセットし、その上にエポキシ樹脂組成物（ＩＶ−ｂ）の顆粒粉末を均一に分散させた。上下の金型温度を８０℃にし、上金型にはフッ素樹脂コートしたＰＥＴフィルム（剥離フィルム）をセットして金型内を真空レベルまで減圧し、樹脂厚みが８０μｍになるように３分間圧縮成形して封止材積層複合体（ＩＶ−ｃ）を作製した。成形後、直径３００ｍｍ（１２インチ）の円板状に切断した。
【０１２０】
［半導体素子が搭載された基板の被覆及び封止］
次に、アピックヤマダ社製のプレート温度を１７５℃に設定した真空コンプレション成型装置を用いて被覆、封止した。まず、上側プレートに３００ｍｍ（１２インチ）で厚みが１００μｍの金属基板上に高温で接着力が低下する接着剤を介して、個片化した半導体素子である４００個のシリコンチップ（形状：５ｍｍ×７ｍｍ、厚み１００μｍ）を整列し搭載したシリコンウエハをセットし、その上に剥離フィルムを除去した封止材積層複合体（ＩＶ−ｃ）の未硬化樹脂層であるエポキシ樹脂（ＩＶ−ｂ）面を半導体素子搭載面に合わせて被覆した。その後、プレートを閉じ５分間真空圧縮成形することで硬化封止した。硬化封止後、１７０℃で４時間ポストキュアして、封止後半導体素子搭載基板（ＩＶ−ｄ）を得た。
【０１２１】
［比較例１］
［半導体素子が搭載された基板］
直径３００ｍｍ（８インチ）で厚みが５００μｍの金属基板上に、高温で接着力が低下する接着剤を介して、個片化した半導体素子である４００個のシリコンチップ（形状：５ｍｍ×７ｍｍ、厚み１２５μｍ）を整列し搭載した。
【０１２２】
［半導体素子が搭載された基板の被覆及び封止］
この基板を減圧下で加熱圧縮できる圧縮成形装置の下金型上にセットし、その上に実施例３と同様にして作製したエポキシ樹脂組成物（Ｖ−ｂ）の顆粒粉末を均一に分散させた。上下の金型温度を１７０℃にし、上金型にはフッ素樹脂コートしたＰＥＴフィルム（剥離フィルム）をセットして金型内を真空レベルまで減圧し、樹脂厚みが５０μｍになるように３分間圧縮成形し、硬化封止した。硬化封止後、１７０℃で４時間ポストキュアして、封止後半導体素子搭載基板（Ｖ−ｄ）を得た。
【０１２３】
以上、実施例１〜４、比較例１において封止された封止後半導体素子形成ウエハ（Ｉ−ｄ）〜（ＩＩ−ｄ）、及び封止後半導体素子搭載基板（ＩＩＩ−ｄ）、（ＩＶ−ｄ）、（Ｖ−ｄ）の反り、外観、樹脂と基板の接着状態、金属基板からの半導体素子の剥離の有無を調査した。その結果を表１に示す。ここで、外観についてはボイド、未充填の有無をしらべ、これらがなければ良好とした。また、接着状態については成型時に剥離がなければ良好とした。
【０１２４】
【表１】
0006001515.tif 000014
【０１２５】
また、上記実施例１〜４、及び比較例１の封止後半導体素子搭載基板及び封止後半導体素子形成ウエハをダイシングして、個片化し以下の耐熱性試験と耐湿性試験を行った。耐熱性試験では、この試験片に対してヒートサイクル試験（−２５℃で１０分保持、１２５℃で１０分保持を１０００サイクル繰り返す）を行い、試験後にも導通がとれるかを評価した。また、耐湿性試験では、この試験片に対して温度８５℃、相対湿度８５％の条件下で回路の両極に１０Ｖの直流電圧を印加し、マイグレーションテスター（ＩＭＶ社製、ＭＩＧ−８６）を用いて短絡が生じるかを評価した。その結果、実施例１〜４は優れた耐熱性、耐湿性を有することが明らかとなった。
【０１２６】
上記の結果から、本発明の封止材積層複合体であれば、基板やウエハの反り、基板からの半導体素子の剥離を抑制でき、半導体素子を搭載した基板の半導体素子搭載面、又は半導体素子を形成したウエハの半導体素子形成面をウエハレベルで一括封止でき、かつ封止後には耐熱性や耐湿性等の封止性能に優れた封止後半導体素子搭載基板及び封止後半導体素子形成ウエハが得られることが明らかになった。
【０１２７】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【符号の説明】
【０１２８】
１…支持基材、  ２…未硬化樹脂層、  ２’…硬化後の樹脂層、  ３…半導体素子、
４…接着剤、  ５…基板、  ６…半導体素子、  ７…ウエハ、
１０…封止材積層複合体、  １１…封止後半導体素子搭載基板、
１２…封止後半導体素子形成ウエハ、  １３…半導体装置、  １４…半導体装置。
【図１】
0006001515.tif 000020
【図２】
0006001515.tif 000021
【図３】
0006001515.tif 000022
【図４】
0006001515.tif 000023