(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターゲット物質に照射するレーザ光を出力するレーザ装置として、第１レーザ光を出力する第１レーザ装置と、第２レーザ光を出力する第２レーザ装置とを備え、該ターゲット物質に該第１レーザ光を集光照射し、該第１レーザ光の照射によって拡散した該ターゲット物質に該第２レーザ光を集光照射して極端紫外光を生成する極端紫外光源装置であって、
前記第１レーザ光の光路上に配置されたビームスプリッタと、
前記第１レーザ光の光路上であって前記ビームスプリッタよりも下流側に配置され、該ビームスプリッタを通過した前記第１レーザ光の波面を調節する波面調節器と、
前記第１レーザ光の光路上であって前記波面調節器よりも下流側に配置され、該第１レーザ光の光路と、前記第２レーザ光の光路とを実質的に一致させる光路調節器と、
前記光路調節器によって実質的に一致させられた前記第１および第２レーザ光の光路上であって該光路調節器よりも下流側に配置され、前記第１および第２レーザ光を所定領域に集光する集光光学系と、
透過する光を減光する減衰部と、
前記減衰部を前記第１レーザ光の光路に対して出し入れする移動部と、
前記減衰部が前記第１レーザ光の前記光路上に配置されている際に、前記ターゲット物質で反射され、前記集光光学系および前記光路調節器を介して前記波面調節器を通過した後に前記ビームスプリッタで反射された前記第１レーザ光の戻り光を結像させる結像光学系と、
前記結像光学系によって結像された像を撮像する像検出器と、
前記像検出器によって撮像された像に基づいて前記波面調節器を制御する制御部と、
を備える極端紫外光生成装置。
【請求項２】
ターゲット物質に照射するレーザ光を出力するレーザ装置として、第１レーザ光を出力する第１レーザ装置と、第２レーザ光を出力する第２レーザ装置とを備え、該ターゲット物質に該第１レーザ光を集光照射し、該第１レーザ光の照射によって拡散した該ターゲット物質に該第２レーザ光を集光照射して極端紫外光を生成する極端紫外光源装置であって、
前記第１レーザ光の光路上に配置されたビームスプリッタと、
前記第１レーザ光の光路上であって前記ビームスプリッタよりも下流側に配置され、該ビームスプリッタを通過した前記第１レーザ光の波面を調節する波面調節器と、
前記第１レーザ光の光路上であって前記波面調節器よりも下流側に配置され、該第１レーザ光の光路と、前記第２レーザ光の光路とを実質的に一致させる光路調節器と、
前記光路調節器によって実質的に一致させられた前記第１および第２レーザ光の光路上であって該光路調節器よりも下流側に配置され、前記第１および第２レーザ光を所定領域に集光する集光光学系と、
前記ターゲット物質で反射され、前記集光光学系および前記光路調節器を介して前記波面調節器を通過した後に前記ビームスプリッタで反射された前記第１レーザ光の戻り光を結像させる結像光学系と、
前記結像光学系によって結像された像を撮像する像検出器と、
前記像検出器によって撮像された像に基づいて前記波面調節器を制御する制御部と、
前記所定領域から前記集光光学系を介して前記波面調節器を通過した光のうち前記戻り光以外の光の光路を該戻り光の光路から分離する他のビームスプリッタと、
前記他のビームスプリッタで分離された前記戻り光以外の光を吸収するダンパと、
を備える極端紫外光生成装置。
【請求項３】
前記レーザ装置として、前記第１レーザ光と実質的に同一の光路で前記波面調節器に上流側から入射する第３レーザ光を出力する第３レーザ装置を備え、
前記像検出器は、前記ターゲット物質で反射された前記第３レーザ光の戻り光の像を取得する、請求項２記載の極端紫外光生成装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記像検出部で検出された前記像に含まれる前記ターゲット物質の像の大きさが小さくなるように前記波面調節器を制御する、請求項１又は２記載の極端紫外光生成装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記像検出部で検出された前記像の画素値のピーク値が大きくなるように前記波面調節器を制御する、請求項１又は２記載の極端紫外光生成装置。
【請求項６】
前記集光光学系は、前記第１および第２レーザ光を集光するように反射するミラーを含む、請求項１又は２記載の極端紫外光生成装置。
【請求項７】
前記集光光学系は、前記第１および第２レーザ光を集光するレンズを含む、請求項１又は２記載の極端紫外光生成装置。
【請求項８】
前記第１レーザ光の光路上であって前記波面調節器よりも上流側に配置され、前記第１レーザ光の断面プロファイル形状をより矩形に近い形状に変換するプロファイル調節部をさらに備える、請求項１又は２記載の極端紫外光生成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、極端紫外光生成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体プロセスのさらなる集積化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、たとえば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するための装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
【０００３】
ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Ｌａｓｅｒ  Ｐｒｏｄｕｃｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）式装置と、放電によって生成されるプラズマが用いられるＤＰＰ（Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ  Ｐｒｏｄｕｃｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）式装置と、軌道放射光が用いられるＳＲ（Ｓｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎ  Ｒａｄｉａｔｉｏｎ）式装置との３種類が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許出願公開第２０１１／１４１８６５号明細書
【概要】
【０００５】
本開示の一態様による極端紫外光生成装置は、ターゲット物質に照射するレーザ光を出力するレーザ装置として、第１レーザ光を出力する第１レーザ装置と、第２レーザ光を出力する第２レーザ装置とを備え、該ターゲット物質に該第１レーザ光を集光照射し、該第１レーザ光の照射によって拡散した該ターゲット物質に該第２レーザ光を集光照射して極端紫外光を生成する極端紫外光源装置であって、前記第１レーザ光の光路上に配置されたビームスプリッタと、前記第１レーザ光の光路上であって前記ビームスプリッタよりも下流側に配置され、該ビームスプリッタを通過した前記第１レーザ光の波面を調節する波面調節器と、前記第１レーザ光の光路上であって前記波面調節器よりも下流側に配置され、該第１レーザ光の光路と、前記第２レーザ光の光路とを実質的に一致させる光路調節器と、前記光路調節器によって実質的に一致させられた前記第１および第２レーザ光の光路上であって該光路調節器よりも下流側に配置され、前記第１および第２レーザ光を所定領域に集光する集光光学系と、透過する光を減光する減衰部と、前記減衰部を前記第１レーザ光の光路に対して出し入れする移動部と、前記減衰部が前記第１レーザ光の前記光路上に配置されている際に、前記ターゲット物質で反射され、前記集光光学系および前記光路調節器を介して前記波面調節器を通過した後に前記ビームスプリッタで反射された前記第１レーザ光の戻り光を結像させる結像光学系と、前記結像光学系によって結像された像を撮像する像検出器と、前記像検出器によって撮像された像に基づいて前記波面調節器を制御する制御部と、を備えてもよい。
【０００７】
本開示の他の態様による極端紫外光生成装置は、ターゲット物質に照射するレーザ光を出力するレーザ装置として、第１レーザ光を出力する第１レーザ装置と、第２レーザ光を出力する第２レーザ装置とを備え、該ターゲット物質に該第１レーザ光を集光照射し、該第１レーザ光の照射によって拡散した該ターゲット物質に該第２レーザ光を集光照射して極端紫外光を生成する極端紫外光源装置であって、前記第１レーザ光の光路上に配置されたビームスプリッタと、前記第１レーザ光の光路上であって前記ビームスプリッタよりも下流側に配置され、該ビームスプリッタを通過した前記第１レーザ光の波面を調節する波面調節器と、前記第１レーザ光の光路上であって前記波面調節器よりも下流側に配置され、該第１レーザ光の光路と、前記第２レーザ光の光路とを実質的に一致させる光路調節器と、前記光路調節器によって実質的に一致させられた前記第１および第２レーザ光の光路上であって該光路調節器よりも下流側に配置され、前記第１および第２レーザ光を所定領域に集光する集光光学系と、前記ターゲット物質で反射され、前記集光光学系および前記光路調節器を介して前記波面調節器を通過した後に前記ビームスプリッタで反射された前記第１レーザ光の戻り光を結像させる結像光学系と、前記結像光学系によって結像された像を撮像する像検出器と、前記像検出器により撮像された像に基づいて前記波面調節器を制御する制御部と、前記所定領域から前記集光光学系を介して前記波面調節器を通過した光のうち前記戻り光以外の光の光路を該戻り光の光路から分離する他のビームスプリッタと、前記他のビームスプリッタで分離された前記戻り光以外の光を吸収するダンパと、を備えてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
【図１】図１は、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。
【図２】図２は、本開示の実施の形態２にかかるＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。
【図３】図３は、実施の形態２においてプリパルスレーザ光の集光面がドロップレットに対して−Ｚ方向にずれている場合に検出されるドロップレット像一例を示す。
【図４】図４は、実施の形態２においてプリパルスレーザ光の集光面がドロップレットに対して＋Ｚ方向にずれている場合に検出されるドロップレット像一例を示す。
【図５】図５は、実施の形態２においてプリパルスレーザ光の集光面がドロップレットと一致している場合に検出されるドロップレット像の一例を示す。
【図６】図６は、実施の形態２によるＥＵＶ光生成コントローラの動作を概略的に示すフローチャートである。
【図７】図７は、図６のステップＳ１０７に示される波面調節サブルーチンの一例を示すフローチャートである。
【図８】図８は、図６のステップＳ１０７に示される波面調節サブルーチンの変形例を示すフローチャートである。
【図９】図９は、図６のステップＳ１０８に示される遅延時間調節サブルーチンの一例を示すフローチャートである。
【図１０】図１０は、図９に示される遅延時間調節サブルーチンの前後で取得されるドロップレットの像の例を概略的に示す。
【図１１】図１１は、図６のステップＳ１１５に示される波面安定化サブルーチンの一例を示すフローチャートである。
【図１２】図１２は、図６のステップＳ１１５に示される波面安定化サブルーチンの変形例を示すフローチャートである。
【図１３】図１３は、本開示の実施の形態３によるＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。
【図１４】図１４は、実施の形態３によるＥＵＶ光生成コントローラの動作を概略的に示すフローチャートである。
【図１５】図１５は、図１４のステップＳ２０８に示される波面調節サブルーチンの一例を示すフローチャートである。
【図１６】図１６は、図１４のステップＳ２０８に示される波面調節サブルーチンの変形例を示すフローチャートである。
【図１７】図１７は、図１４のステップＳ２０９に示される遅延時間調節サブルーチンの一例を示すフローチャートである。
【図１８】図１８は、図１７に示される遅延時間調節サブルーチンの前後で取得されるドロップレットの像の例を概略的に示す。
【図１９】図１９は、図１４のステップＳ２１７に示される波面安定化サブルーチンの一例を示すフローチャートである。
【図２０】図２０は、図１４のステップＳ２１７に示される波面安定化サブルーチンの変形例を示すフローチャートである。
【図２１】図２１は、本開示の実施の形態４によるＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。
【図２２】図２２は、実施の形態４によるＥＵＶ光生成コントローラの動作を概略的に示すフローチャートである。
【図２３】図２３は、球面凸レンズと球面凹レンズとを組み合わせて構成された波面調節器の一例を概略的に示す。
【図２４】図２４は、図２３に示される球面凸レンズの焦点位置と球面凹レンズの焦点位置とを一致させた場合のプリパルスレーザ光の波面を示す。
【図２５】図２５は、図２３に示される球面凸レンズと球面凹レンズとの距離を図２４に示す状態より遠くした場合のプリパルスレーザ光の波面を示す。
【図２６】図２６は、図２３に示される球面凸レンズと球面凹レンズとの距離を図２４に示す状態より近づけた場合のプリパルスレーザ光の波面を示す。
【図２７】図２７は、２つの球面凸レンズを組み合わせて構成された波面調節器の一例を概略的に示す。
【図２８】図２８は、ＶＲＷＭを用いて構成された波面補正器の一例を概略的に示す。
【図２９】図２９は、ＶＲＷＭを用いて構成された波面補正器の一例を概略的に示す。
【図３０】図３０は、ＶＲＷＭを用いて構成された波面補正器の一例を概略的に示す。
【図３１】図３１は、結像レンズとイメージセンサとを組み合わせて構成された反射光検出器の構成を概略的に示す。
【図３２】図３２は、シャックハルトマン干渉計を用いた反射光検出器の構成を概略的に示す。
【図３３】図３３は、放物面ミラーと楕円ミラーとを組み合わせて構成されたレーザ集光光学系の一例を示す。
【図３４】図３４は、メインパルスレーザ光の戻り光防止機構が付加されたＥＵＶ光生成装置の一例を示す。
【実施の形態】
【０００９】
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。なお、以下の説明では、下記目次の流れに沿って説明する。
【００１０】
目次
１．概要
２．用語の説明
３．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
３．１  構成
３．２  動作
４．ターゲットからの反射光を検出する反射光検出装置を含むＥＵＶ光生成装置
４．１  構成
４．２  動作
４．２．１  イメージセンサで検出されるドロップレット像の例
４．３  作用
４．４  フローチャート
４．４．１  ＥＵＶ光生成フロー
４．４．２  波面調節サブルーチン
４．４．３  波面調節サブルーチン（変形例）
４．４．４  遅延時間調節サブルーチン
４．４．５  波面安定化サブルーチン
４．４．６  波面安定化サブルーチン（変形例）
５．ガイドレーザ光の反射光を検出する反射光検出装置を含むＥＵＶ光生成装置
５．１  構成
５．２  動作
５．３  作用
５．４  フローチャート
５．４．１  ＥＵＶ光生成フロー
５．４．２  波面調節サブルーチン
５．４．３  波面調節サブルーチン（変形例）
５．４．４  遅延時間調節サブルーチン
５．４．５  波面安定化サブルーチン
５．４．６  波面安定化サブルーチン（変形例）
６．レンズを含むレーザ集光光学の場合のＥＵＶ光生成装置
６．１  構成
６．２  動作
６．３  作用
６．４  フローチャート
６．４．１  ＥＵＶ光生成フロー
７．  波面調節器の実施形態
７．１  球面凹凸レンズの組合せ
７．２  ２つの球面凸レンズの組合せ
７．３  ４５度入射ＶＲＷＭ
８．  光検出器の実施形態
８．１  結像レンズとイメージセンサの組合せ
８．２  シャックハルトマン干渉計
９．  レーザ集光光学系の実施形態
９．１  放物面ミラーと楕円ミラーの組合せ
１０．その他機能の組み合わせ
【００１１】
１．概要
以下で例示する実施の形態は、ガイド光とターゲット物質の位置とを検出するための検出器を含むＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成システムに関する。
【００１２】
２．用語の説明
本開示において使用される用語を、以下のように定義する。「ドロップレット」とは、溶融したターゲット物質の液滴である。その形状は、表面張力によって略球形であり得る。「プラズマ生成領域」とは、プラズマが生成される空間として予め設定された３次元空間である。レーザ光の光路において、レーザ光の生成源側を「上流」とし、レーザ光の到達目標側を「下流」とする。また、「所定繰返し周波数」とは、必ずしも一定の繰返し周波数でなくてもよい。
【００１３】
３．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
以下、実施の形態１にかかるＬＬＰ方式のＥＵＶ光生成装置を、図面を参照して詳細に説明する。
【００１４】
３．１  構成
図１に、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成装置１の構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい（ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、以下、ＥＵＶ光生成システム１１と称する）。図１に示し、かつ以下に詳細に説明されるように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ＥＵＶ光生成装置１は、ターゲット供給装置を更に含んでもよい。ターゲット供給装置は、例えばドロップレット生成器２６であってよい。ターゲット供給装置は、例えばチャンバ２に取り付けられていてもよい。ターゲット供給装置から供給されるターゲットの材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又はそれらのうちのいずれか２つ以上の組合せ等を含んでもよいが、これらに限定されない。ドロップレット生成器２６はドロップレット形状のターゲット２７を出力してもよい。
【００１５】
チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔をレーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３２が通過してもよい。或いは、チャンバ２には、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３２が透過する少なくとも１つのウィンドウ２１が設けられてもよい。チャンバ２の内部には例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成位置又はその近傍（プラズマ生成領域２５）に位置し、その第２の焦点が露光装置の仕様によって規定される所望の集光位置（中間焦点（ＩＦ）２９２）に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には、パルスレーザ光３３が通過することができる貫通孔２４が設けられてもよい。
【００１６】
ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御システム５に接続されていてもよい。また、ＥＵＶ光生成装置１は、ターゲットセンサ４を含むことができる。ターゲットセンサ４は、ターゲットの存在、軌道、位置、速度、生成周波数等を検出してもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有してもよい。
【００１７】
更に、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２内部と露光装置６内部とを連通させる接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャが形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャがＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。
【００１８】
更に、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光光学系２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置や姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。
【００１９】
３．２  動作
図１を参照すると、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウィンドウ２１を透過して、チャンバ２に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内に進み、レーザ光集光光学系２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのターゲット２７に照射されてもよい。
【００２０】
ドロップレット生成器２６からは、ターゲット２７がチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力されてもよい。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスレーザ光が照射され得る。パルスレーザ光が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマからＥＵＶ光２５１が放射され得る。ＥＵＶ光２５１は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって集光されるとともに反射されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３で反射されたＥＵＶ光２５２は、中間焦点２９２を通って露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスレーザ光が照射されてもよい。
【００２１】
ＥＵＶ光生成制御システム５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括してもよい。ＥＵＶ光生成制御システム５はターゲットセンサ４によって撮像されたターゲット２７のイメージデータ等を処理してもよい。ＥＵＶ光生成制御システム５は、例えば、ターゲット２７を出力するタイミングやターゲット２７の出力方向等を制御してもよい。また、ＥＵＶ光生成制御システム５は、例えば、レーザ装置３のレーザ発振タイミングやパルスレーザ光３２の進行方向やパルスレーザ光３３の集光位置等を制御してもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御を追加することもできる。
【００２２】
４．ターゲットからの反射光を検出する反射光検出装置を含むＥＵＶ光生成装置
つぎに、本開示の実施の形態２にかかるＥＵＶ光生成装置について、図面を用いて詳細に説明する。以下では、ターゲット物質にレーザ光を複数回照射する多段照射方式のＥＵＶ光生成システム１１Ａを例に挙げる。なお、以下の説明において、上述と同様の構成には、同一の符号を付し、その重複する説明を省略する。
【００２３】
４．１  構成
図２は、ＥＵＶ光生成システム１１Ａの構成を概略的に示す。図２に示されるように、ＥＵＶ光生成システム１１Ａは、レーザ装置（以下、メインパルスレーザ装置という）３と、高反射ミラー３４１と、ダイクロイックミラー３４２と、プリパルスレーザ装置４０と、高反射ミラー４０１および４０２と、波面調節器３５０と、λ／４波長板３６０と、反射光検出器３７０と、偏光ビームスプリッタ３７４と、チャンバ２Ａと、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａとを含んでもよい。
【００２４】
メインパルスレーザ装置３から出力されたメインパルスレーザ光３１は、高反射ミラー３４１およびダイクロイックミラー３４２で反射されることで、チャンバ２Ａ内に入射してもよい。高反射ミラー３４１およびダイクロイックミラー３４２は、図１のビームデリバリーシステム３４０を構成してもよい。高反射ミラー３４１の反射面には、メインパルスレーザ光３１を高反射する膜がコーティングされていてもよい。ビームデリバリーシステム３４０は、高反射ミラー３４１の位置や姿勢等を調整するための不図示のアクチュエータをさらに備えてもよい。高反射ミラー３４１は、メインパルスレーザ光３１をメインパルスレーザ光３２として反射してもよい。
【００２５】
プリパルスレーザ装置４０は、波長が１．０６μｍ付近のプリパルスレーザ光４１を出力してもよい。このプリパルスレーザ装置４０は、ＹＡＧレーザ装置であってもよい。プリパルスレーザ光４２のパルス幅（時間幅）は、５ｎｓ程度であってもよい。プリパルスレーザ光４１は、高反射ミラー４０１および４０２を介して波面調節器３５０に入射してもよい。高反射ミラー４０１および４０２の反射面には、プリパルスレーザ光４１を高反射する膜がそれぞれコーティングされていてもよい。高反射ミラー４０１および４０２には、それぞれの位置や姿勢等を調整するための不図示のアクチュエータが設けられていてもよい。
【００２６】
波面調節器３５０は、球面凸レンズ３５１と、球面凹レンズ３５２とを含んでもよい。波面調節器３５０は、球面凸レンズ３５１と球面凹レンズ３５２との距離を変化させる移動機構を備えてもよい。移動機構は、ドライバ３５３からの駆動信号にしたがって、球面凸レンズ３５１および／または球面凹レンズ３５２を移動させてもよい。波面調節器３５０を通過したプリパルスレーザ光４１は、λ／４波長板３６０を介してダイクロイックミラー３４２に入射してもよい。
【００２７】
ダイクロイックミラー３４２は、メインパルスレーザ光３２およびプリパルスレーザ光４１がチャンバ２Ａへ進入するビーム軸を調節するビーム調節器を構成してもよい。ダイクロイックミラー３４２は、プリパルスレーザ光４１の光軸または光路を、メインパルスレーザ光３２の光軸または光路に実質的に一致させてもよい。ダイクロイックミラー３４２のメインパルスレーザ光３２が入射する面には、メインパルスレーザ光３２を高反射し且つプリパルスレーザ光３２を高透過する膜がコーティングされていてもよい。メインパルスレーザ光３２が入射する面とは反対側の面には、プリパルスレーザ光４１を高透過する膜がコーティングされていてもよい。ダイクロイックミラー３４２の基板の材質は、たとえばダイヤモンドであってもよい。
【００２８】
チャンバ２Ａは、ウィンドウ２１と、レーザ光集光光学系２２Ａと、ドロップレット生成器２６と、２軸移動機構２６ａと、ターゲットセンサ４と、ＥＵＶ集光ミラー２３と、ＥＵＶ光モニタ９０と、ダンパ１００と、接続部２９とを備えてもよい。
【００２９】
ウィンドウ２１を介してチャンバ２Ａ内に入射したメインパルスレーザ光３２およびプリパルスレーザ光４１は、レーザ光集光光学系２２Ａに入射してもよい。ウィンドウ２１の表面には、ウィンドウ２１に対するレーザ光の反射率を低減する膜がコーティングされていてもよい。レーザ光集光光学系２２Ａは、レーザ光集光ミラー７１と、高反射ミラー７２とを備えてもよい。レーザ光集光光学系２２Ａは、移動プレート７３と、プレート移動機構７４と、ミラーホルダ７１ａと、自動アオリ機構付きホルダ７２ａと、ドライバ７５とをさらに備えてもよい。レーザ光集光ミラー７１は、軸外放物面ミラーであってもよい。レーザ光集光ミラー７１は、ミラーホルダ７１ａを介して移動プレート７３に固定されていてもよい。高反射ミラー７２は、自動アオリ機構付きホルダ７２ａを介して移動プレート７３に取り付けられていてもよい。プレート移動機構７４は、レーザ光集光ミラー７１および高反射ミラー７２を、移動プレート７３とともに移動させてもよい。
【００３０】
レーザ光集光光学系２２Ａに入射したメインパルスレーザ光３２およびプリパルスレーザ光４１は、レーザ光集光ミラー７１によって反射されてもよい。レーザ光集光ミラー７１は、メインパルスレーザ光３２およびプリパルスレーザ光４１を、それぞれ集光されたメインパルスレーザ光３３およびプリパルスレーザ光４２に変換してもよい。高反射ミラー７２は、メインパルスレーザ光３３およびプリパルスレーザ光４２を、プラズマ生成領域２５へ向けて反射してもよい。
【００３１】
プレート移動機構７４は、移動プレート７３を移動させることで、メインパルスレーザ光３３およびプリパルスレーザ光４２の集光位置を調節してもよい。自動アオリ機能付きホルダ７２ａは、高反射ミラー７２のアオリ角を変更することで、メインパルスレーザ光３３およびプリパルスレーザ光４２の集光位置を調節してもよい。プレート移動機構７４および自動アオリ機能付きホルダ７２ａは、ドライバ７５からの駆動信号にしたがって駆動してもよい。ドライバ７５は、後述するＥＵＶ光生成制御システム５Ａからの制御の下で、駆動信号を出力してもよい。
【００３２】
ドロップレット生成器２６は、プラズマ生成領域２５へ向けてターゲット２７を出力してもよい。２軸移動機構は、ドロップレット生成器２６をＹ−Ｚ方向に移動させることで、ターゲット２７の供給位置を調節してもよい。ターゲットセンサ４は、ドロップレット生成器２６から出力されたターゲット２７の存在、軌道、位置、速度、生成周波数、ターゲット２７がある位置に存在した時刻等を検出してもよい。
【００３３】
プラズマ生成領域２５に到達したターゲット２７には、プリパルスレーザ光４２およびメインパルスレーザ光３３が順次照射されてもよい。プリパルスレーザ光４２およびメインパルスレーザ光３３は、ＥＵＶ集光ミラー２３に設けられた貫通孔２４を介して、ターゲット２７に照射されてもよい。プリパルスレーザ光４２の照射によってターゲット２７が拡散ターゲットに変化してもよい。この拡散ターゲットへのメインパルスレーザ光３３の照射によって、ターゲット物質がプラズマ化してもよい。このプラズマからは、ＥＵＶ光２５２を含む放射光２５１が放射され得る。ＥＵＶ集光ミラー２３は、入射した放射光２５１のうち、少なくともＥＵＶ光２５２を選択的に反射してもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３で反射されたＥＵＶ光２５２は、接続部２９内の中間焦点（ＩＦ）２９２付近に集光されてもよい。
【００３４】
プラズマ生成領域２５を通過したプリパルスレーザ光４２およびメインパルスレーザ光３３は、ダンパ１００に吸収されてもよい。ダンパ１００は、支柱１０１を用いてチャンバ２Ａ内に固定されていてもよい。
【００３５】
ＥＵＶ光モニタ９０は、プラズマ生成領域２５で発生したＥＵＶ光２５２の生成位置を検出してもよい。検出された生成位置は、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａに送信されてもよい。なお、ＥＵＶ光モニタ９０は、発生したＥＵＶ光２５２のエネルギー等も検出してよい。
【００３６】
ターゲット２７に照射されたプリパルスレーザ光４２の一部は、戻り光４３として反射されてもよい。この戻り光４３は、レーザ集光光学系２２Ａ、ダイクロイックミラー３４２、λ／４波長板３６０および波面調節器３５０を順次介して、偏光ビームスプリッタ３７４に入射してもよい。偏光ビームスプリッタ３７４は、入射した戻り光４３を反射してもよい。反射された戻り光４３は、波長フィルタ３７３を介して反射光検出器３７０に入射してもよい。波長フィルタ３７３は、戻り光４３、すなわちプリパルスレーザ光４１の波長成分を高透過し、その他の波長成分を高吸収してもよい。
【００３７】
反射光検出器３７０は、結像レンズ３７１と、イメージセンサ３７２とを含んでもよい。反射光検出器３７０に入射した戻り光４３は、結像レンズ３７１によってイメージセンサ３７２の受光面に結像されてもよい。イメージセンサ３７２は、結像した戻り光４３の画像データをＥＵＶ光生成制御システム５Ａへ出力してもよい。
【００３８】
ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、ＥＵＶ光生成コントローラ５１と、基準クロック生成器５２と、ターゲットコントローラ５３と、ターゲット生成ドライバ５４と、遅延回路５５とを含んでもよい。ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、基準クロック生成器５２、ターゲットコントローラ５３、および露光装置コントローラ６１と接続されていてもよい。ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、さらに、遅延回路５５を介して、メインパルスレーザ装置３およびプリパルスレーザ装置４０に接続されてもよい。ターゲットコントローラ５３は、ターゲットセンサ４およびターゲット生成ドライバ５４に接続されてもよい。ターゲット生成ドライバ５４は、ドロップレット生成器２６および２軸移動機構２６ａに接続されてもよい。
【００３９】
チャンバ２Ａ内部は、間仕切り８０によって、上流側と下流側との２つの空間に仕切られていてもよい。プラズマ生成領域２５は、下流側の空間に設定されていてもよい。間仕切り８０は、下流側の空間で発生したターゲット物質のデブリが上流側の空間に進入することを低減し得る。間仕切り８０には、メインパルスレーザ光３３およびプリパルスレーザ光４２を通過させる連通穴が形成されていてもよい。連通穴は、ＥＵＶ集光ミラー２３に形成された貫通孔２４と位置合わせされているとよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、保持部２３ａによって間仕切り８０に固定されていてもよい。
【００４０】
４．２  動作
つづいて、図２に示されるＥＵＶ光生成システム１１Ａの動作を説明する。ＥＵＶ光生成システム１１Ａは、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａの制御にしたがって動作してもよい。
【００４１】
ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、露光装置コントローラ６１などの外部装置から、ＥＵＶ光２５２の生成を要求するＥＵＶ光生成信号と、ＥＵＶ光２５２の生成位置を指定する情報とを受信してもよい。
【００４２】
ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、ドロップレット生成器２６から出力されたターゲット２７がプリパルスレーザ光４２の照射タイミングにおいて所望の位置に到達するように、ターゲット生成ドライバ５４に制御信号を送信してもよい。ターゲット生成ドライバ５４は、ＥＵＶ光生成コントローラ５１からの制御信号にしたがって、ドロップレット生成器２６および２軸移動機構２６ａへ駆動信号を送信してもよい。
【００４３】
ドロップレット生成器２６から出力されたドロップレット２６が所定位置を通過すると、ターゲットセンサ４は、ターゲット２７の所定位置の通過タイミングを検出してもよい。ターゲットセンサ４による検出結果は、通過タイミング検出信号として、ターゲットコントローラ５３を経由して遅延回路５５に入力されてもよい。
【００４４】
遅延回路５５は、ターゲット２７がプリパルスレーザ光４２に照射されるように、通過タイミング検出信号を基準とした遅延時間Ｔ１を設定してもよい。これにより、プリパルスレーザ装置４０には、通過タイミング検出信号に対して遅延時間Ｔ１遅れたタイミングで、レーザ発振を行なうトリガ信号が入力されてもよい。
【００４５】
また、遅延回路５５は、ターゲット２７にプリパルスレーザ光４２が照射されることで生成された拡散ターゲットにメインパルスレーザ光３３が照射されるように、プリパルスレーザ光４１のトリガ信号を基準とした遅延時間Ｔ２を設定してもよい。これにより、メインパルスレーザ装置３には、プリパルスレーザ装置４０へのトリガ信号に対して遅延時間Ｔ２送れたタイミングで、レーザ発振を行なうためのトリガ信号が入力されてもよい。
【００４６】
遅延回路５５が設定する遅延時間Ｔ１およびＴ２は、ＥＵＶ光生成コントローラ５１によって保持されていてもよい。
【００４７】
トリガ信号が遅延回路５５を介してプリパルスレーザ装置４０に入力されると、プリパルスレーザ装置４０から直線偏光のプリパルスレーザ光４１が出力されてもよい。この直線偏光のプリパルスレーザ光４１は、２つの高反射ミラー４０１および４０２を経由して、偏光ビームスプリッタ３７４に入射してもよい。この際、プリパルスレーザ光４１は、偏光ビームスプリッタ３７４の入射面に対してＰ偏光の直線偏光で、偏光ビームスプリッタ３７４に入射してもよい。
【００４８】
Ｐ偏光のプリパルスレーザ光４１は、偏光ビームスプリッタ３７４を透過して、波面調節器３５０に入射してもよい。波面調節器３５０は、Ｐ偏光のプリパルスレーザ光４１の波面を、ＥＵＶ光生成コントローラ５１からの制御にしたがって調節してもよい。波面調節器３５０から出射したＰ偏光のプリパルスレーザ光４１は、λ／４波長板３６０を透過して、円偏光に変換されてもよい。
【００４９】
円偏光のプリパルスレーザ光４１は、ダイクロイックミラー３４２を透過してもよい。その後、円偏光のプリパルスレーザ光４１は、ウィンドウ２１を介してチャンバ２Ａ内に進入してもよい。
【００５０】
チャンバ２Ａ内に入射したプリパルスレーザ光４１は、レーザ集光光学系２２Ａの軸外放物面ミラー７１および高反射ミラー７２を経由して、プラズマ生成領域２５のターゲット２７に集光されてもよい。
【００５１】
ターゲット２７に円偏光のプリパルスレーザ光４２が照射されると、ターゲット２７の球面からプリパルスレーザ光４２におけるパルスの時間的に初期の部分の一部が、戻り光４３として反射され得る。この戻り光４３は、円偏光の状態であってもよい。
【００５２】
円偏光の戻り光４３は、高反射ミラー７２および軸外放物面ミラー７１で反射し、ダイクロイックミラー３４２を透過してもよい。その後、円偏光の戻り光４３は、λ／４波長板３６０を透過することで、偏光ビームスプリッタ３７４の入射面に対してＳ偏光の状態に変換されてもよい。Ｓ偏光の戻り光４３は、波面調節器３５０を透過し、偏光ビームスプリッタ３７４で反射されてもよい。その後、戻り光４３は、波長フィルタ３７３を高透過してもよい。波長フィルタ３７３はプラズマから放射される、戻り光４３以外の波長の光を吸収または反射してもよい。
【００５３】
波長フィルタ３７３を透過した戻り光４３は、反射光検出器３７０の結像レンズ３７１により集光され、イメージセンサ３７２の受光面上に結像されてもよい。これにより、イメージセンサ３７２の受光面には、戻り光４３の像が結像されてもよい。ここで、戻り光４３は、ターゲット２７表面で反射されたプリパルスレーザ光４２の一部であってよい。言い換えれば、戻り光４３の像は、プリパルスレーザ光４２によって照明されたターゲット２７の像であってよい。イメージセンサ３７２は、結像されたターゲット２７の像を、画像データとして、ＥＵＶ光生成コントローラ５１に出力してもよい。
【００５４】
ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、入力された画像データを解析してもよい。ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、この解析結果に基づいて、波面調節器３５０のドライバ３５３に、制御信号を送信してもよい。ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、受信した画像データに含まれるターゲット２７の像に基づき、ターゲット２７にピントが合うように、ドライバ３５３へ制御信号を送信してもよい。ドライバ３５３は、受信した制御信号に応じた駆動信号を波面調節器３５０に出力してもよい。
【００５５】
４．２．１  イメージセンサで検出されるドロップレット像の例
図３〜図５に、イメージセンサ３７１で検出されるターゲット２７の像（以下、ドロップレット像という）の例を示す。図３は、プリパルスレーザ光４２の集光面がターゲット２７に対して−Ｚ方向にずれている場合に検出されるドロップレット像Ｇ２７１の一例を示す。図４は、プリパルスレーザ光４２の集光面がターゲット２７に対して＋Ｚ方向にずれている場合に検出されるドロップレット像Ｇ２７２の一例を示す。図５は、プリパルスレーザ光４２の集光面がターゲット２７と一致している場合に検出されるドロップレット像Ｇ２７３の一例を示す。なお、集光面とは、レーザ集光光学系２２Ａの集光点を含む光軸に対して垂直な面であってもよい。
【００５６】
図３および図４と図５との比較から分かるように、プリパルスレーザ光４２の集光面がターゲット２７に対して±Ｚ方向にずれていると、ドロップレット像Ｇ２７１およびＧ２７２は、ピントが合っている場合のドロップレット像Ｇ２７３よりも大きくなる。なお、図３〜図５に破線で示すように、プリパルスレーザ光２４の集光ビーム径は、ターゲット２７に対して十分に大きくてもよい。
【００５７】
そこで、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、イメージセンサ３７２で検出される画像データに含まれるドロップレット像が小さくなるように、波面調節器３５０を調節してもよい。より好ましくは、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、イメージセンサ３７２で検出される画像データに含まれるドロップレット像が最小となるように、波面調節器３５０を調節してもよい。
【００５８】
４．３  作用
プリパルスレーザによって照明されたドロップレット像を検出して、プリパルスレーザの集光位置を調整するので、調整結果が直感的に判り易くなってもよい。さらに、波長の異なる２つのレーザ光（たとえばメインパルスレーザ光３１およびプリパルスレーザ光４１）を同一の反射光学系で集光する場合、それぞれ独立に集光位置を任意の位置に制御することが困難な場合がある。そこで、実施の形態２のように、いずれか一方のレーザ光路にレーザ光の波面を調節する波面調節器３５０を用いることで、同じレーザ集光光学系２２Ａを用いた場合でも、波長の異なる２つのレーザ光をターゲット２７または拡散ターゲットにそれぞれ高精度に集光させることが可能となる。
【００５９】
４．４  フローチャート
つぎに、実施の形態２によるＥＵＶ光生成システム１１Ａの動作を、図面を用いて詳細に説明する。
【００６０】
４．４．１  ＥＵＶ光生成フロー
図６は、実施の形態２によるＥＵＶ光生成コントローラ５１の動作を概略的に示すフローチャートである。図６に示されるように、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、起動後、ＥＵＶ光２５２の生成位置を指定するＥＵＶ光生成位置指定信号を受信してもよい（ステップＳ１０１）。ＥＵＶ光生成位置指定信号は、露光装置コントローラ６１などの外部装置からＥＵＶ光生成コントローラ５１に入力されてもよい。また、ＥＵＶ光生成位置指定信号の代わりに、露光命令や露光要求などの各種信号が用いられてもよい。これらの信号には、ＥＵＶ光２５２の生成位置を指定する情報が含まれていてもよい。
【００６１】
ＥＵＶ光生成位置指定信号を受信すると、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、露光装置コントローラ６１へ、露光の停止を通知する露光停止信号を送信してもよい（ステップＳ１０２）。つぎに、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、レーザ集光光学系２２Ａの集光位置が、受信したＥＵＶ光生成位置指定信号に含まれるＥＵＶ光生成の指定位置となるように、ドライバ７５を介してレーザ集光光学系２２Ａを調節してもよい（ステップＳ１０３）。このステップによって、ＥＵＶ光生成の指定位置が、反射光検出器３７０のイメージセンサ３７２から得られる画像における中心となるように調節してもよい。
【００６２】
つぎに、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、ターゲットコントローラ５３を介して、ターゲット２７の出力を開始してもよい（ステップＳ１０４）。なお、ステップＳ１０４の後、ドロップレット生成器２６は、ドロップレット出力の停止信号を受信するまで、所定繰返し周波数でターゲット２７を出力し続けてもよい。
【００６３】
つぎに、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、ターゲット２７が指定位置を通過するように、２軸移動機構２６ａを制御してドロップレット生成器２６の位置を調節してもよい（ステップＳ１０５）。ドロップレット生成器２６の位置の調節は、ターゲットセンサ４で検出されたターゲット２７の軌跡を含む情報に基づいて行われてもよい。
【００６４】
つぎに、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、ターゲットセンサ４から受信したターゲット２７の通過タイミング信号を基準としたタイミングで、プリパルスレーザ装置４０にプレパルスレーザ光４１を出力させてもよい（ステップＳ１０６）。ステップＳ１０６では、通過タイミング信号の入力を基準として、ＥＵＶ光生成コントローラ５１からトリガ信号が出力されてもよい。トリガ信号は、プリパルスレーザ光４１に対する遅延時間Ｔ１が設定された遅延回路５５を介してプリパルスレーザ装置４０に入力されてもよい。なお、ターゲットセンサ４は、略所定繰返し周波数で出力されているターゲット２７を検出し得る。そのため、プリパルスレーザ装置４０は、略所定繰返し周波数でプリパルスレーザ光４１を出力してもよい。
【００６５】
つぎに、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、プリパルスレーザ光４１の波面を調節する波面調節サブルーチンを実行してもよい（ステップＳ１０７）。つぎに、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、プリパルスレーザ光４１のターゲット２７への照射タイミングを調節する遅延時間調節サブルーチンを実行してもよい（ステップＳ１０８）。遅延時間調節サブルーチンでは、遅延回路５５に設定されている遅延時間Ｔ１およびＴ２が更新されてもよい。
【００６６】
つぎに、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、ターゲットセンサ４から受信したターゲット２７の通過タイミング信号を基準としたタイミングで、メインパルスレーザ装置３にメインパルスレーザ光３１を出力させてもよい（ステップＳ１０９）。ステップＳ１０９では、通過タイミング信号の入力を基準として、ＥＵＶ光生成コントローラ５１からトリガ信号が出力されてもよい。トリガ信号は、メインパルスレーザ光３１に対する遅延時間Ｔ２が設定された遅延回路５５を介して、メインパルスレーザ装置３にそれぞれ入力されてもよい。
【００６７】
つぎに、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、ＥＵＶ光モニタ９０で検出されたＥＵＶ光２５２の生成位置を受信してもよい（ステップＳ１１０）。つぎに、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、受信したＥＵＶ光２５２の生成位置が、生成位置に対する許容範囲内に含まれているか否かを判定してもよい（ステップＳ１１１）。このとき、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、判定結果によらず、プリパルスレーザ装置４０、およびメインパルスレーザ装置３に出力するトリガ信号を停止してもよい。更に、ターゲットコントローラ５３を介して、ターゲット２７の出力を停止してもよい。なお、許容範囲は、予め定められていてもよいし、たとえば露光装置コントローラ６１などの外部装置から与えられてもよい。
【００６８】
ＥＵＶ光２５２の生成位置が許容範囲内に無い場合（ステップＳ１１１；ＮＯ）、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、ステップＳ１０３にリターンし、再度、以降の動作を実行してもよい。一方、生成位置が許容範囲内にある場合（ステップＳ１１１；ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、露光装置コントローラ６１へ、露光許可を通知する露光許可信号を送信してもよい（ステップＳ１１２）。また、この露光許可信号に対し、露光装置コントローラ６１は、露光開始を指示する露光信号をＥＵＶ光生成コントローラ５１へ返してもよい。
【００６９】
ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、露光装置コントローラ６１から露光信号を受信するまで待機してもよい（ステップＳ１１３；ＮＯ）。露光信号を受信すると（ステップＳ１１３；ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、プリパルスレーザ装置４０、およびメインパルスレーザ装置３にトリガ信号を出力してもよい。更に、ターゲットコントローラ５３を介して、ターゲット２７を出力させてもよい。これにより、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、ＥＵＶ光２５２の生成動作を実行してもよい（ステップＳ１１４）。ステップＳ１１４におけるＥＵＶ光２５２の生成動作回数は、１パルスまたは１バーストであってもよい。つづいて、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、プリパルスレーザ光４１の波面を安定化させる波面安定化サブルーチンを実行してもよい（ステップＳ１１５）。
【００７０】
つぎに、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、露光装置コントローラ６１から、ＥＵＶ光２５２の生成位置を再指示または変更するＥＵＶ光生成位置指定信号を受信したか否かを判定してもよい（ステップＳ１１６）。ＥＵＶ光生成位置指定信号を受信していない場合（ステップＳ１１６；ＮＯ）、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、ステップＳ１１３にリターンし、以降の動作をくり返してもよい。一方、ＥＵＶ光生成位置指定信号を受信していた場合（ステップＳ１１６；ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、ステップＳ１０２へリターンし、再度、以降の動作を実行してもよい。
【００７１】
以上の動作を実行することで、プリパルスレーザ光４１の集光位置を安定化させつつ、ＥＵＶ光２５２を生成することが可能となる。それにより、安定した位置および強度のＥＵＶ光２５２を生成することが可能となる。なお、図６に示す動作は、たとえば露光終了を示す信号による割込処理によって逐次終了してもよい。
【００７２】
４．４．２  波面調節サブルーチン
図７は、図６のステップＳ１０７に示される波面調節サブルーチンの一例を示すフローチャートである。図７に示されるように、波面調節サブルーチンでは、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、プリパルスレーザ光４１が出力されるまで待機してもよい（ステップＳ１２１；ＮＯ）。プリパルスレーザ光４１が出力されると（ステップＳ１２１；ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、反射光検出器３７０のイメージセンサ３７２から画像データを受信してもよい（ステップＳ１２２）。
【００７３】
つぎに、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、受信した画像データに含まれるターゲット２７の像（ドロップレット像）の直径φを算出してもよい（ステップＳ１２３）。
【００７４】
つぎに、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、ドロップレット像の直径φが小さくなるように、ドライバ３５３を介して波面調節器３５０を調節してもよい（ステップＳ１２４）。ただし、最初の調節の段階では、プリパルスレーザ光４２の集光位置が＋Ｚ方向にずれているのか−Ｚ方向にずれているのか不明の場合がある。その場合、最初の調節では、波面調節器３５０を予め決めておいた方向に調節し、２回目以降の調節で、ドロップレット像の直径φが小さくなる方向を特定して、その方向に波面調節器３５０を調節してもよい。また、調節の量は、直径φの大きさに依存してもよいし、予め定めておいた量であってもよい。
【００７５】
つぎに、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、ドロップレット像の直径φが最小値となったか否かを判定してもよい（ステップＳ１２５）。なお、直径φが最小値であるか否かの判断には、調節前後でドロップレット像の直径φが減少傾向から増加傾向に切り替わったことが用いられてもよい。調節前後でドロップレット像の直径φが減少傾向から増加傾向に切り替わった場合には、波面調節器３５０に対する前の制御値が、直径φを最小値とする制御値であると判断してもよい。
【００７６】
直径φが最小値となった場合（ステップＳ１２５；ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、図６に示される動作へリターンしてもよい。一方、直径φが最小値で無い場合（ステップＳ１２５；ＮＯ）、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、ステップＳ１２１へリターンし、再度、以降の動作を実行してもよい。
【００７７】
以上の波面調節サブルーチンを実行することで、プリパルスレーザ光４２の集光位置をターゲット２７に略一致させることができる。
【００７８】
４．４．３  波面調節サブルーチン（変形例）
また、波面調節サブルーチンは、以下のようにも変形することができる。図８は、図６のステップＳ１０７に示される波面調節サブルーチンの変形例を示すフローチャートである。図８に示されるように、波面調節サブルーチンの変形例では、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、プリパルスレーザ光４１が出力されるまで待機してもよい（ステップＳ１３１；ＮＯ）。プリパルスレーザ光４１が出力されると（ステップＳ１３１；ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、反射光検出器３７０のイメージセンサ３７２から画像データを受信してもよい（ステップＳ１３２）。
【００７９】
つぎに、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、受信した画像データの画素値のピーク値Ｐを算出してもよい（ステップＳ１３３）。
【００８０】
つぎに、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、画素値のピーク値Ｐが大きくなるように、ドライバ３５３を介して波面調節器３５０を調節してもよい（ステップＳ１３４）。たとえば、ターゲット２７にプリパルスレーザ光４２の焦点が合っていない状態では、イメージセンサ３７２で取得される画像はピンぼけ画像となる。そのため、その画像データにおける画素値のピーク値Ｐは、ピントが合っている場合に比べて小さい。そこで、画素値のピーク値Ｐが大きくなるように波面調節器３５０を調節することで、ターゲット２７にプリパルスレーザ光４２の集光位置を合わせることが可能である。ただし、最初の調節の段階では、プリパルスレーザ光４２の集光位置が＋Ｚ方向にずれているのか−Ｚ方向にずれているのか不明の場合がある。その場合、最初の調節では、波面調節器３５０を予め決めておいた方向に調節し、２回目以降の調節で、画素値のピーク値Ｐが大きくなる方向を特定して、その方向に波面調節器３５０を調節してもよい。また、調節の量は、画素値のピーク値Ｐの大きさに依存してもよいし、予め定めておいた量であってもよい。
【００８１】
つぎに、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、画素値のピーク値Ｐが最大値となったか否かを判定してもよい（ステップＳ１３５）。なお、ピーク値Ｐが最大値であるか否かの判断には、調節前後でピーク値Ｐが増加傾向から減少傾向に切り替わったことが用いられてもよい。調節前後でピーク値Ｐが増加傾向から減少傾向に切り替わった場合には、波面調節器３５０に対する前の制御値が、ピーク値Ｐを最大値とする制御値であると判断してもよい。
【００８２】
ピーク値Ｐが最大値となった場合（ステップＳ１３５；ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、図６に示される動作へリターンしてもよい。一方、ピーク値Ｐが最大値で無い場合（ステップＳ１３５；ＮＯ）、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、ステップＳ１３１へリターンし、再度、以降の動作を実行してもよい。
【００８３】
以上の動作によっても、プリパルスレーザ光４２の集光位置をターゲット２７に略一致させることができる。
【００８４】
４．４．４  遅延時間調節サブルーチン
図９は、図６のステップＳ１０８に示される遅延時間調節サブルーチンの一例を示すフローチャートである。図１０は、遅延時間調節サブルーチンの前後で取得されるターゲット２７の像の例を概略的に示す。
【００８５】
図９に示されるように、遅延時間調節サブルーチンでは、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、プリパルスレーザ光４１が出力されるまで待機してもよい（ステップＳ１４１；ＮＯ）。プリパルスレーザ光４１が出力されると（ステップＳ１４１；ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、反射光検出器３７０のイメージセンサ３７２から画像データを受信してもよい（ステップＳ１４２）。
【００８６】
つぎに、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、受信した画像データに含まれるターゲット２７の像（ドロップレット像）の中心位置Ｄ（ｘ，ｙ）を算出してもよい（ステップＳ１４３）。
【００８７】
つぎに、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、ドロップレット像の中心位置Ｄが、所望の位置と一致するように、遅延回路５５に設定されている、プリパルスレーザ光４１照射の遅延時間Ｔ１を調節してもよい（ステップＳ１４４）。所望の位置は、たとえば、イメージセンサ３７２で取得された画像の中心位置（これを原点（０，０）とする）としてもよい。また、調節量は原点（０，０）と中心位置Ｄとの距離から算出されてもよい。
【００８８】
つぎに、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、原点（０，０）からドロップレット像の中心位置Ｄまでの距離（ｘ２＋ｙ２）が許容距離Ｄ０以下であるか否かを判定してもよい（ステップＳ１４５）。なお、許容距離Ｄ０は、予め定められていてもよいし、たとえば露光装置コントローラ６１などの外部装置から与えられてもよい。
【００８９】
距離（ｘ２＋ｙ２）が許容距離Ｄ０以下である場合（ステップＳ１４５；ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、図６に示される動作へリターンしてもよい。一方、距離（ｘ２＋ｙ２）が許容距離Ｄ０より大きい場合（ステップＳ１４５；ＮＯ）、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、ステップＳ１４１へリターンし、再度、以降の動作を実行してもよい。
【００９０】
以上の遅延時間調節サブルーチンを実行することで、プリパルスレーザ光４２の集光位置におけるターゲット２７のＹ軸方向のずれを低減することができる。たとえば図１０に示されるように、画像データにおけるドロップレット像Ｇ２７ａがＹ軸方向にずれていた状態を、ドロップレット像Ｇ２７ｂのように、たとえば画像データの原点（Ｘ軸およびＹ軸の交差点）に略一致する状態としてもよい。
【００９１】
４．４．５  波面安定化サブルーチン
図１１は、図６のステップＳ１１５に示される波面安定化サブルーチンの一例を示すフローチャートである。図１１に示されるように、波面安定化サブルーチンでは、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、プリパルスレーザ光４１が出力されるまで待機してもよい（ステップＳ１５１；ＮＯ）。プリパルスレーザ光４１が出力されると（ステップＳ１５１；ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、反射光検出器３７０のイメージセンサ３７２から画像データを受信してもよい（ステップＳ１５２）。
【００９２】
つぎに、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、受信した画像データに含まれるターゲット２７の像（ドロップレット像）の直径φを算出してもよい（ステップＳ１５３）。
【００９３】
つぎに、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、ドロップレット像の直径φが小さくなるように、ドライバ３５３を介して波面調節器３５０を調節してもよい（ステップＳ１５４）。ただし、最初の調節の段階では、プリパルスレーザ光４２の集光位置が＋Ｚ方向にずれているのか−Ｚ方向にずれているのか不明の場合がある。その場合、最初の調節では、波面調節器３５０を予め決めておいた方向に調節し、２回目以降の調節で、ドロップレット像の直径φが小さくなる方向を特定して、その方向に波面調節器３５０を調節してもよい。また、調節の量は、直径φの大きさに依存してもよいし、予め定めておいた量であってもよい。
【００９４】
つぎに、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、ドロップレット像の直径φが最小値となったか否かを判定してもよい（ステップＳ１５５）。なお、直径φが最小値であるか否かの判断には、調節前後でドロップレット像の直径φが減少傾向から増加傾向に切り替わったことが用いられてもよい。調節前後でドロップレット像の直径φが減少傾向から増加傾向に切り替わった場合には、波面調節器３５０に対する前の制御値が、直径φを最小値とする制御値であると判断してもよい。
【００９５】
直径φが最小値となった場合（ステップＳ１５５；ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、図６に示される動作へリターンしてもよい。一方、直径φが最小値で無い場合（ステップＳ１５５；ＮＯ）、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、ステップＳ１５１へリターンし、再度、以降の動作を実行してもよい。
【００９６】
以上の波面安定化サブルーチンを実行することで、ＥＵＶ光２５２の生成中、ターゲット２７に対するパルスレーザ光４２の集光位置を安定化させることができる。
【００９７】
４．４．６  波面安定化サブルーチン（変形例）
また、波面安定化サブルーチンは、以下のようにも変形することができる。図１２は、図６のステップＳ１１５に示される波面安定化サブルーチンの変形例を示すフローチャートである。図１２に示されるように、波面安定化サブルーチンの変形例では、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、プリパルスレーザ光４１が出力されるまで待機してもよい（ステップＳ１６１；ＮＯ）。プリパルスレーザ光４１が出力されると（ステップＳ１６１；ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、反射光検出器３７０のイメージセンサ３７２から画像データを受信してもよい（ステップＳ１６２）。
【００９８】
つぎに、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、受信した画像データの画素値のピーク値Ｐを算出してもよい（ステップＳ１６３）。
【００９９】
つぎに、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、画素値のピーク値Ｐが大きくなるように、ドライバ３５３を介して波面調節器３５０を調節してもよい（ステップＳ１６４）。ただし、最初の調節の段階では、プリパルスレーザ光４２の集光位置が＋Ｚ方向にずれているのか−Ｚ方向にずれているのか不明の場合がある。その場合、最初の調節では、波面調節器３５０を予め決めておいた方向に調節し、２回目以降の調節で、画素値のピーク値Ｐが大きくなる方向を特定して、その方向に波面調節器３５０を調節してもよい。また、調節の量は、画素値のピーク値Ｐの大きさに依存してもよいし、予め定めておいた量であってもよい。
【０１００】
つぎに、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、画素値のピーク値Ｐが最大値となったか否かを判定してもよい（ステップＳ１６５）。なお、ピーク値Ｐが最大値であるか否かの判断には、調節前後でピーク値Ｐが増加傾向から減少傾向に切り替わったことが用いられてもよい。調節前後でピーク値Ｐが増加傾向から減少傾向に切り替わった場合には、波面調節器３５０に対する前の制御値が、ピーク値Ｐを最大値とする制御値であると判断してもよい。
【０１０１】
ピーク値Ｐが最大値となった場合（ステップＳ１６５；ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、図６に示される動作へリターンしてもよい。一方、ピーク値Ｐが最大値で無い場合（ステップＳ１６５；ＮＯ）、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、ステップＳ１６１へリターンし、再度、以降の動作を実行してもよい。
【０１０２】
以上の動作によっても、ＥＵＶ光２５２の生成中、ターゲット２７に対するパルスレーザ光４２の集光位置を安定化させることができる。
【０１０３】
５．ガイドレーザ光の反射光を検出する反射光検出装置を含むＥＵＶ光生成装置
つぎに、実施の形態３によるＥＵＶ光生成装置を、図面を参照して詳細に説明する。
【０１０４】
５．１  構成
図１３は、実施の形態３によるＥＵＶ光生成システム１１Ｂの構成を概略的に示す。図１３に示されるように、ＥＵＶ光生成システム１１Ｂは、図２に示されるＥＵＶ光生成システム１１Ａと同様の構成を備えてもよい。ただし、ＥＵＶ光生成システム１１Ｂは、高反射ミラー４０１の代わりにダイクロイックミラー４１１を備えてもよい。また、ＥＵＶ光生成システム１１Ｂは、ガイドレーザ装置４２０をさらに備えてもよい。
【０１０５】
プリパルスレーザ装置４０から出力されたプリパルスレーザ光４１は、ダイクロイックミラー４１１で反射され、高反射ミラー４０２に入射されてもよい。
【０１０６】
ガイドレーザ装置４２０は、ガイドレーザ光源４２１と、ビームエキスパンダ４２２とを備えてもよい。ガイドレーザ光源４２１には、ＥＵＶ光生成コントローラ５１から、遅延回路５５を介してトリガ信号が入力されてもよい。ガイドレーザ光源４２１は、トリガ信号に応じてガイドレーザ光４２３を出力してもよい。
【０１０７】
ビームエキスパンダ４２２は、ガイドレーザ光源４２１から出力されたガイドレーザ光４２３のビーム断面を、たとえばプリパルスレーザ光４１と同程度に拡大してもよい。
【０１０８】
ガイドレーザ装置４２０から出力されたガイドレーザ光４２３は、ダイクロイックミラー４１１を透過してもよい。ダイクロイックミラー４１１は、反射したプリパルスレーザ光４１の光軸または光路と、透過したガイドレーザ光４２３の光軸または光路とを実質的に一致させてもよい。
【０１０９】
ダイクロイックミラー４１１を透過したガイドレーザ光４２３は、高反射ミラー４０２、偏光ビームスプリッタ３７４、波面調節器３５０、λ／４波長板３６０、ダイクロイックミラー３４２、ウィンドウ２１、およびレーザ集光光学系２２Ａを順次介して、チャンバ２Ａ内のプラズマ生成領域２５を通過するドロップレット２７に集光されてもよい。なお、波面調節器３５０は、プリパルスレーザ光４１とガイドレーザ光４２３とに対して、色収差補正がされたものであってもよい。
【０１１０】
ターゲット２７に集光されたガイドレーザ光４２３は、戻り光４２４として反射されてもよい。戻り光４２４は、レーザ集光光学系２２Ａ、ダイクロイックミラー３４２、λ／４波長板３６０、波面調節器３５０、偏光ビームスプリッタ３７４、および波長フィルタ３７３を経由して、反射光検出器３７０に入射してもよい。反射光検出器３７０は、プリパルスレーザ光４２の戻り光４３と同様に、ガイドレーザ光４２３の戻り光４２４の像を検出してもよい。また、検出した像の画像データを、ＥＵＶ光生成コントローラ５１へ送信してもよい。
【０１１１】
５．２  動作
つづいて、図１３に示されるＥＵＶ光生成システム１１Ｂの動作を説明する。ＥＵＶ光生成システム１１Ｂは、ＥＵＶ光生成システム１１Ａと同様に、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａの制御にしたがって動作してもよい。
【０１１２】
ガイドレーザ装置４２０から出力されたガイドレーザ光４２３は、直線偏光のパルスレーザ光であってもよい。ガイドレーザ光４２３のパルスエネルギーは、ドロップレット２５を破壊しない程度のエネルギーであってもよい。
【０１１３】
ガイドレーザ光４２３は、ビームエキスパンダによって所定の大きさのビーム断面積に拡大されてもよい。所定の大きさは、プリパルスレーザ光４１と同等のビーム断面積であってもよい。
【０１１４】
ダイクロイックミラー４１１は、ガイドレーザ光４２３の光軸または光路を、プリパルスレーザ光４１の光軸または光路と実質的に一致させてもよい。高反射ミラー４０２は、ガイドレーザ光４２３を偏光ビームスプリッタ３７４へ向けて反射してもよい。
【０１１５】
ガイドレーザ光４２３は、偏光ビームスプリッタ３７４の入射面に対してＰ偏光の状態で入射してもよい。Ｐ偏光のガイドレーザ光４２３は、偏光ビームスプリッタ３７４を透過して、波面調節器３５０に入射してもよい。波面調節器３５０は、Ｐ偏光のガイドレーザ光４２３の波面を、ＥＵＶ光生成コントローラ５１からの制御にしたがって調節してもよい。波面調節器３５０から出射したＰ偏光のガイドレーザ光４２３は、λ／４波長板３６０を透過して、円偏光に変換されてもよい。
【０１１６】
円偏光のガイドレーザ光４２３は、ダイクロイックミラー３４２を透過してもよい。その後、円偏光のガイドレーザ光４２３は、ウィンドウ２１を介してチャンバ２Ａ内に進入してもよい。
【０１１７】
チャンバ２Ａ内に入射したガイドレーザ光４２３は、レーザ集光光学系２２Ａの軸外放物面ミラー７１および高反射ミラー７２を介して、プラズマ生成領域２５のターゲット２７に集光してもよい。
【０１１８】
ターゲット２７に円偏光のガイドレーザ光４２３が照射されると、ターゲット２７の表面からガイドレーザ光４２３の一部が、戻り光４２４として反射され得る。この戻り光４２４は、円偏光の状態であってもよい。
【０１１９】
円偏光の戻り光４２４は、高反射ミラー７２および軸外放物面ミラー７１で反射し、ダイクロイックミラー３４２を透過してもよい。その後、円偏光の戻り光４２４は、λ／４波長板３６０を透過することで、偏光ビームスプリッタ３７４の入射面に対してＳ偏光の状態に変換されてもよい。Ｓ偏光の戻り光４２４は、波面調節器３５０を透過し、偏光ビームスプリッタ３７４で反射されてもよい。その後、戻り光４２４は、波長フィルタ３７３を高透過してもよい。
【０１２０】
波長フィルタ３７３を透過した戻り光４２４は、反射光検出器３７０の結像レンズ３７１によって集光され、イメージセンサ３７２の受光面上に結像されてもよい。これにより、イメージセンサ３７２の受光面には、ガイドレーザ光４２３を照明としたターゲット２７の像が結像されてもよい。イメージセンサ３７２は、結像されたターゲット２７の像を、画像データとして、ＥＵＶ光生成コントローラ５１に出力してもよい。
【０１２１】
ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、入力された画像データを解析してもよい。ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、この解析結果に基づいて、波面調節器３５０のドライバ３５３に、制御信号を送信してもよい。ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、受信した画像データに含まれるターゲット２７の像に基づき、ターゲット２７にピントが合うように、ドライバ３５３へ制御信号を送信してもよい。ドライバ３５３は、受信した制御信号に応じた駆動信号を波面調節器３５０に出力してもよい。
【０１２２】
遅延回路５５には、プリパルスレーザ光４１と同じタイミングでガイドレーザ装置４２０からガイドレーザ光４２３が出力されるように、遅延時間Ｔ３が設定されていてもよい。遅延時間Ｔ３は、遅延時間Ｔ１と同様、通過タイミング検出信号を基準とした時間であってもよい。これにより、ガイドレーザ装置４２０には、通過タイミング検出信号に対して遅延時間Ｔ３送れたタイミングで、レーザ発振を行なうためのトリガ信号が入力されてもよい。ただし、ガイドレーザ装置４２０は、プリパルスレーザ光４１が出力されない時間においても出力されてよい。
【０１２３】
なお、ガイドレーザ装置４２０からターゲット２７（もしくはプラズマ生成領域２５）までの光路長がプリパルスレーザ装置４０からターゲット２７（もしくはプラズマ生成領域２５）までの光路長と実質的に等しい場合、遅延時間Ｔ３は遅延時間Ｔ１と実質的に同じであってもよい。
【０１２４】
５．３  作用
実施の形態３では、プリパルスレーザ光４１の代わりにガイドレーザ光４２３の戻り光を検出する。それにより、ＥＵＶ光２５２の生成を行わずとも、すなわちプリパルスレーザ光４１を出力せずとも、ターゲット２７にレーザ集光光学系２２Ａの集光位置を合わせることができる。そのため、レーザ集光光学系２２Ａの調整のためだけにターゲット２７を拡散させ、デブリを増やしてしまうことを抑制できる。
【０１２５】
なお、ガイドレーザ光４２３の波長は、プリパルスレーザ光４１の波長と同じ波長であってもよいし、異なる波長であってもよい。たとえば、ガイドレーザ光４２３の波長に、Ｈｅ−Ｎｅレーザの６３３ｎｍを適用し、プリパルスレーザ光４２の波長にＹＡＧレーザの１．０６μｍを適用してもよい。この場合、波面調節器３５０の光学素子には、色消しレンズが用いられるとよい。一方、ガイドレーザ光４２３の波長とプリパルスレーザ光４１の波長とが同じである場合（たとえば双方にともにＹＡＧレーザやＹＬＦレーザなどを用いた場合）、波面調節器３５０の光学素子は色消しレンズでなくともよい。
【０１２６】
５．４  フローチャート
つぎに、実施の形態３によるＥＵＶ光生成システム１１Ｂの動作を、図面を用いて詳細に説明する。
【０１２７】
５．４．１  ＥＵＶ光生成フロー
図１４は、実施の形態３によるＥＵＶ光生成コントローラ５１の動作を概略的に示すフローチャートである。図１４に示されるように、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、起動後、ＥＵＶ光２５２の生成位置を指定するＥＵＶ光生成位置指定信号を受信してもよい（ステップＳ２０１）。ＥＵＶ光生成位置指定信号は、露光装置コントローラ６１などの外部装置からＥＵＶ光生成コントローラ５１に入力されてもよい。また、ＥＵＶ光生成位置指定信号の代わりに、露光命令や露光要求などの各種信号が用いられてもよい。これらの信号には、ＥＵＶ光２５２の生成位置を指定する情報が含まれていてもよい。
【０１２８】
ＥＵＶ光生成位置指定信号を受信すると、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、露光装置コントローラ６１へ、露光の停止を通知する露光停止信号を送信してもよい（ステップＳ２０２）。つぎに、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、レーザ集光光学系２２Ａの集光位置が、受信したＥＵＶ光生成位置指定信号に含まれるＥＵＶ光生成の指定位置となるように、ドライバ７５を介してレーザ集光光学系２２Ａを調節してもよい（ステップＳ２０３）。
【０１２９】
つぎに、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、ターゲットコントローラ５３を介して、ターゲット２７の出力を開始してもよい（ステップＳ２０４）。なお、ステップＳ２０４の後、ドロップレット生成器２６は、ドロップレット出力の停止信号を受信するまで、所定繰返し周波数でターゲット２７を出力し続けてもよい。
【０１３０】
つぎに、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、ターゲット２７が指定位置を通過するように、２軸移動機構２６ａを制御してドロップレット生成器２６の位置を調節してもよい（ステップＳ２０５）。ドロップレット生成器２６の位置の調節は、ターゲットセンサ４で検出されたターゲット２７の軌跡を含む情報に基づいて行われてもよい。
【０１３１】
つぎに、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、ターゲットセンサ４から受信したターゲット２７の通過タイミング信号を基準としたタイミングで、ガイドレーザ装置４２０にガイドレーザ光４２３を出力させてもよい（ステップＳ２０６）。ステップＳ２０６では、通過タイミング信号の入力を基準として、ＥＵＶ光生成コントローラ５１からトリガ信号が出力されてもよい。トリガ信号は、ガイドレーザ光４２３に対する遅延時間Ｔ３が設定された遅延回路５５を介してガイドレーザ装置４２０に入力されてもよい。なお、ターゲットセンサ４は、略所定繰返し周波数で出力されているターゲット２７を検出し得る。そのため、ガイドレーザ装置４２０は、略所定繰返し周波数でガイドレーザ４２３を出力してもよい。
【０１３２】
つぎに、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、ガイドレーザ４２３の波面を調節する波面調節サブルーチンを実行してもよい（ステップＳ２０７）。つぎに、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、ガイドレーザ４２３のターゲット２７への照射タイミングを調節する遅延時間調節サブルーチンを実行してもよい（ステップＳ２０８）。遅延時間調節サブルーチンでは、遅延回路５５に設定されている遅延時間Ｔ１〜Ｔ３が更新されてもよい。
【０１３３】
つぎに、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、ターゲットセンサ４から受信したターゲット２７の通過タイミング信号を基準としたタイミングで、プリパルスレーザ装置４０およびメインパルスレーザ装置３にプリパルスレーザ光４１およびメインパルスレーザ光３１を出力させてもよい（ステップＳ２０９）。ステップＳ２０９では、通過タイミング信号の入力を基準として、ＥＵＶ光生成コントローラ５１からトリガ信号が出力されてもよい。トリガ信号は、プリパルスレーザ光４１に対する遅延時間Ｔ１およびメインパルスレーザ光３１に対する遅延時間Ｔ２が設定された遅延回路５５を介して、プリパルスレーザ装置４０およびメインパルスレーザ装置３にそれぞれ入力されてもよい。
【０１３４】
つぎに、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、ＥＵＶ光モニタ９０で検出されたＥＵＶ光２５２の生成位置を受信してもよい（ステップＳ２１０）。つぎに、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、受信したＥＵＶ光２５２の生成位置が、生成位置に対する許容範囲内に含まれているか否かを判定してもよい（ステップＳ２１１）。このとき、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、判定結果によらず、プリパルスレーザ装置４０、およびメインパルスレーザ装置３に出力するトリガ信号を停止してもよい。更に、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、ターゲットコントローラ５３を介して、ターゲット２７の出力を停止してもよい。なお、許容範囲は、予め定められていてもよいし、たとえば露光装置コントローラ６１などの外部装置から与えられてもよい。
【０１３５】
ＥＵＶ光２５２の生成位置が許容範囲内に無い場合（ステップＳ２１１；ＮＯ）、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、ステップＳ２０３にリターンし、再度、以降の動作を実行してもよい。一方、生成位置が許容範囲内にある場合（ステップＳ２１１；ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、露光装置コントローラ６１へ、露光許可を通知する露光許可信号を送信してもよい（ステップＳ２１２）。また、この露光許可信号に対し、露光装置コントローラ６１は、露光開始を指示する露光信号をＥＵＶ光生成コントローラ５１へ返してもよい。
【０１３６】
つぎに、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、露光装置コントローラ６１から露光信号を受信するまで待機してもよい（ステップＳ２１３；ＮＯ）。露光信号を受信すると（ステップＳ２１３；ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、プリパルスレーザ装置４０、およびメインパルスレーザ装置３にトリガ信号を出力してもよい。更に、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、ターゲットコントローラ５３を介して、ターゲット２７を出力させてもよい。これにより、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、ＥＵＶ光２５２の生成動作を実行してもよい（ステップＳ２１４）。ステップＳ１１４におけるＥＵＶ光２５２の生成動作回数は、１パルスまたは１バーストであってもよい。つづいて、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、プリパルスレーザ光４１の波面を安定化させる波面安定化サブルーチンを実行してもよい（ステップＳ２１５）。
【０１３７】
つぎに、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、露光装置コントローラ６１から、ＥＵＶ光２５２の生成位置を再指示または変更するＥＵＶ光生成位置指定信号を受信したか否かを判定してもよい（ステップＳ２１６）。ＥＵＶ光生成位置指定信号を受信していない場合（ステップＳ２１６；ＮＯ）、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、ステップＳ２１３にリターンし、以降の動作をくり返してもよい。一方、ＥＵＶ光生成位置指定信号を受信していた場合（ステップＳ２１６；ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、ステップＳ２０２へリターンし、再度、以降の動作を実行してもよい。
【０１３８】
以上の動作を実行することで、プリパルスレーザ光４１の集光位置を安定化させつつ、ＥＵＶ光２５２を生成することが可能となる。それにより、安定した位置および強度のＥＵＶ光２５２を生成することが可能となる。なお、図１４に示す動作は、たとえば露光終了を示す信号による割込処理によって逐次終了してもよい。
【０１３９】
５．４．２  波面調節サブルーチン
図１５は、図１４のステップＳ２０８に示される波面調節サブルーチンの一例を示すフローチャートである。図１５に示されるように、波面調節サブルーチンでは、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、ガイドレーザ光４２３が出力されるまで待機してもよい（ステップＳ２２１；ＮＯ）。ガイドレーザ光４２３が出力されると（ステップＳ２２１；ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、反射光検出器３７０のイメージセンサ３７２から画像データを受信してもよい（ステップＳ２２２）。
【０１４０】
つぎに、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、受信した画像データに含まれるターゲット２７の像（ドロップレット像）の直径φを算出してもよい（ステップＳ２２３）。
【０１４１】
つぎに、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、ドロップレット像の直径φが小さくなるように、ドライバ３５３を介して波面調節器３５０を調節してもよい（ステップＳ２２４）。ただし、最初の調節の段階では、ガイドレーザ光４２３の集光位置が＋Ｚ方向にずれているのか−Ｚ方向にずれているのか不明の場合がある。その場合、最初の調節では、波面調節器３５０を予め決めておいた方向に調節し、２回目以降の調節で、ドロップレット像の直径φが小さくなる方向を特定して、その方向に波面調節器３５０を調節してもよい。また、調節の量は、直径φの大きさに依存してもよいし、予め定めておいた量であってもよい。
【０１４２】
つぎに、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、ドロップレット像の直径φが最小値となったか否かを判定してもよい（ステップＳ２２５）。なお、直径φが最小値であるか否かの判断には、調節前後でドロップレット像の直径φが減少傾向から増加傾向に切り替わったことが用いられてもよい。調節前後でドロップレット像の直径φが減少傾向から増加傾向に切り替わった場合には、波面調節器３５０に対する前の制御値が、直径φを最小値とする制御値であると判断してもよい。
【０１４３】
直径φが最小値となった場合（ステップＳ２２５；ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、図１４に示される動作へリターンしてもよい。一方、直径φが最小値で無い場合（ステップＳ２２５；ＮＯ）、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、ステップＳ２２１へリターンし、再度、以降の動作を実行してもよい。
【０１４４】
以上の波面調節サブルーチンを実行することで、ガイドレーザ光４２３の集光位置を用いて、プリパルスレーザ光４２の集光位置をターゲット２７に略一致させることができる。
【０１４５】
５．４．３  波面調節サブルーチン（変形例）
また、波面調節サブルーチンは、以下のようにも変形することができる。図１６は、図１４のステップＳ２０８に示される波面調節サブルーチンの変形例を示すフローチャートである。図１６に示されるように、波面調節サブルーチンの変形例では、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、ガイドレーザ光４２３が出力されるまで待機してもよい（ステップＳ２３１；ＮＯ）。ガイドレーザ光４２３が出力されると（ステップＳ２３１；ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、反射光検出器３７０のイメージセンサ３７２から画像データを受信してもよい（ステップＳ２３２）。
【０１４６】
つぎに、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、受信した画像データの画素値のピーク値Ｐを算出してもよい（ステップＳ２３３）。
【０１４７】
つぎに、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、画素値のピーク値Ｐが大きくなるように、ドライバ３５３を介して波面調節器３５０を調節してもよい（ステップＳ２３４）。ただし、最初の調節の段階では、ガイドレーザ光４２３の集光位置が＋Ｚ方向にずれているのか−Ｚ方向にずれているのか不明の場合がある。その場合、最初の調節では、波面調節器３５０を予め決めておいた方向に調節し、２回目以降の調節で、画素値のピーク値Ｐが大きくなる方向を特定して、その方向に波面調節器３５０を調節してもよい。また、調節の量は、画素値のピーク値Ｐの大きさに依存してもよいし、予め定めておいた量であってもよい。
【０１４８】
つぎに、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、画素値のピーク値Ｐが最大値となったか否かを判定してもよい（ステップＳ２３５）。なお、ピーク値Ｐが最大値であるか否かの判断には、調節前後でピーク値Ｐが増加傾向から減少傾向に切り替わったことが用いられてもよい。調節前後でピーク値Ｐが増加傾向から減少傾向に切り替わった場合には、波面調節器３５０に対する前の制御値が、ピーク値Ｐを最大値とする制御値であると判断してもよい。
【０１４９】
ピーク値Ｐが最大値となった場合（ステップＳ２３５；ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、図１４に示される動作へリターンしてもよい。一方、ピーク値Ｐが最大値で無い場合（ステップＳ２３５；ＮＯ）、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、ステップＳ２３１へリターンし、再度、以降の動作を実行してもよい。
【０１５０】
以上の動作によっても、ガイドレーザ光４２３の集光位置を用いて、プリパルスレーザ光４２の集光位置をターゲット２７に略一致させることができる。
【０１５１】
５．４．４  遅延時間調節サブルーチン
図１７は、図１４のステップＳ２０９に示される遅延時間調節サブルーチンの一例を示すフローチャートである。図１８は、遅延時間調節サブルーチンの前後で取得されるターゲット２７の像の例を概略的に示す。
【０１５２】
図１７に示されるように、遅延時間調節サブルーチンでは、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、ガイドレーザ光４２３が出力されるまで待機してもよい（ステップＳ２４１；ＮＯ）。ガイドレーザ光４２３が出力されると（ステップＳ２４１；ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、反射光検出器３７０のイメージセンサ３７２から画像データを受信してもよい（ステップＳ２４２）。
【０１５３】
つぎに、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、受信した画像データに含まれるターゲット２７の像（ドロップレット像）の中心位置Ｄ（ｘ，ｙ）を算出してもよい（ステップＳ２４３）。
【０１５４】
つぎに、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、ドロップレット像の中心位置Ｄが、所望の位置と一致するように、遅延回路５５に設定されている、ガイドレーザ光４２３照射の遅延時間Ｔ３を調節してもよい（ステップＳ２４４）。所望の位置は、たとえば、イメージセンサ３７２で取得された画像の中心位置（これを原点（０，０）とする）としてもよい。また、調節量は原点（０，０）と中心位置Ｄとの距離から算出されてもよい。
【０１５５】
つぎに、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、調節後の遅延時間Ｔ３を用いて、プリパルスレーザ光４１に対する遅延時間Ｔ１を算出してもよい（ステップＳ２４５）。なお、ガイドレーザ光４２３の光路長に対するプリパルスレーザ光４１の光路長の差がΔＬである場合、調節後の遅延時間Ｔ１は、調節後の遅延時間Ｔ３に光路長差ΔＬを光速ｃで割った値を加算することで求められる。また、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、算出した遅延時間Ｔ１を、遅延回路５５に設定してもよい（ステップＳ２４６）。
【０１５６】
つぎに、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、原点（０，０）からドロップレット像の中心位置Ｄまでの距離（ｘ２＋ｙ２）が許容距離Ｄ０以下であるか否かを判定してもよい（ステップＳ２４７）。なお、許容距離Ｄ０は、予め定められていてもよいし、たとえば露光装置コントローラ６１などの外部装置から与えられてもよい。
【０１５７】
距離（ｘ２＋ｙ２）が許容距離Ｄ０以下である場合（ステップＳ２４７；ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、図１４に示される動作へリターンしてもよい。一方、距離（ｘ２＋ｙ２）が許容距離Ｄ０より大きい場合（ステップＳ２４７；ＮＯ）、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、ステップＳ２４１へリターンし、再度、以降の動作を実行してもよい。
【０１５８】
以上の遅延時間調節サブルーチンを実行することで、ガイドレーザ光４２３の集光位置を取得して、プリパルスレーザ光４２の集光位置とターゲット２７とのＹ軸方向のずれを低減することができる。たとえば図１８に示されるように、画像データにおけるドロップレット像Ｇ２７ｃがＹ軸方向にずれていた状態を、ドロップレット像Ｇ２７ｄのように、画像データの原点（Ｘ軸およびＹ軸の交差点）に略一致する状態としてもよい。
【０１５９】
５．４．５  波面安定化サブルーチン
図１９は、図１４のステップＳ２１７に示される波面安定化サブルーチンの一例を示すフローチャートである。図１９に示されるように、波面安定化サブルーチンでは、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、ガイドレーザ光４２３が出力されるまで待機してもよい（ステップＳ２５１；ＮＯ）。ガイドレーザ光４２３が出力されると（ステップＳ２５１；ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、反射光検出器３７０のイメージセンサ３７２から画像データを受信してもよい（ステップＳ２５２）。
【０１６０】
つぎに、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、受信した画像データに含まれるターゲット２７の像（ドロップレット像）の直径φを算出してもよい（ステップＳ２５３）。
【０１６１】
つぎに、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、ドロップレット像の直径φが小さくなるように、ドライバ３５３を介して波面調節器３５０を調節してもよい（ステップＳ２５４）。ただし、最初の調節の段階では、ガイドレーザ光４２３の集光位置が＋Ｚ方向にずれているのか−Ｚ方向にずれているのか不明の場合がある。その場合、最初の調節では、波面調節器３５０を予め決めておいた方向に調節し、２回目以降の調節で、ドロップレット像の直径φが小さくなる方向を特定して、その方向に波面調節器３５０を調節してもよい。また、調節の量は、直径φの大きさに依存してもよいし、予め定めておいた量であってもよい。
【０１６２】
つぎに、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、ドロップレット像の直径φが最小値となったか否かを判定してもよい（ステップＳ２５５）。なお、直径φが最小値であるか否かの判断には、調節前後でドロップレット像の直径φが減少傾向から増加傾向に切り替わったことが用いられてもよい。調節前後でドロップレット像の直径φが減少傾向から増加傾向に切り替わった場合には、波面調節器３５０に対する前の制御値が、直径φを最小値とする制御値であると判断してもよい。
【０１６３】
直径φが最小値となった場合（ステップＳ２５５；ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、図１４に示される動作へリターンしてもよい。一方、直径φが最小値で無い場合（ステップＳ２５５；ＮＯ）、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、ステップＳ２５１へリターンし、再度、以降の動作を実行してもよい。
【０１６４】
以上の波面安定化サブルーチンを実行することで、ＥＵＶ光２５２の生成中、ガイドレーザ光４２３の集光位置を用いて、ターゲット２７に対するパルスレーザ光４２の集光位置を安定化させることができる。なお、ＥＵＶ光２５２の生成中においては、ガイドレーザ光４２３の戻り光４２４に代えて、プリパルスレーザ光４２の戻り光４３が用いられてもよい。
【０１６５】
５．４．６  波面安定化サブルーチン（変形例）
また、波面安定化サブルーチンは、以下のようにも変形することができる。図２０は、図１４のステップＳ２１７に示される波面安定化サブルーチンの変形例を示すフローチャートである。図２０に示されるように、波面安定化サブルーチンの変形例では、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、ガイドレーザ光４２３が出力されるまで待機してもよい（ステップＳ２６１；ＮＯ）。ガイドレーザ光４２３が出力されると（ステップＳ２６１；ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、反射光検出器３７０のイメージセンサ３７２から画像データを受信してもよい（ステップＳ２６２）。
【０１６６】
つぎに、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、受信した画像データの画素値のピーク値Ｐを算出してもよい（ステップＳ２６３）。
【０１６７】
つぎに、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、画素値のピーク値Ｐが大きくなるように、ドライバ３５３を介して波面調節器３５０を調節してもよい（ステップＳ２６４）。ただし、最初の調節の段階では、ガイドレーザ光４２３の集光位置が＋Ｚ方向にずれているのか−Ｚ方向にずれているのか不明の場合がある。その場合、最初の調節では、波面調節器３５０を予め決めておいた方向に調節し、２回目以降の調節で、画素値のピーク値Ｐが大きくなる方向を特定して、その方向に波面調節器３５０を調節してもよい。また、調節の量は、画素値のピーク値Ｐの大きさに依存してもよいし、予め定めておいた量であってもよい。
【０１６８】
つぎに、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、画素値のピーク値Ｐが最大値となったか否かを判定してもよい（ステップＳ２６５）。なお、ピーク値Ｐが最大値であるか否かの判断には、調節前後でピーク値Ｐが増加傾向から減少傾向に切り替わったことが用いられてもよい。調節前後でピーク値Ｐが増加傾向から減少傾向に切り替わった場合には、波面調節器３５０に対する前の制御値が、ピーク値Ｐを最大値とする制御値であると判断してもよい。
【０１６９】
ピーク値Ｐが最大値となった場合（ステップＳ２６５；ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、図１４に示される動作へリターンしてもよい。一方、ピーク値Ｐが最大値で無い場合（ステップＳ２６５；ＮＯ）、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、ステップＳ２６１へリターンし、再度、以降の動作を実行してもよい。
【０１７０】
以上の動作によっても、ＥＵＶ光２５２の生成中、ガイドレーザ光４２３の集光位置を用いて、ターゲット２７に対するパルスレーザ光４２の集光位置を安定化させることができる。
【０１７１】
６．レンズを含むレーザ集光光学の場合のＥＵＶ光生成装置
つぎに、実施の形態４によるＥＵＶ光生成装置を、図面を用いて詳細に説明する。
【０１７２】
６．１  構成
図２１は、実施の形態４によるＥＵＶ光生成システム１１Ｃの構成を概略的に示す。図２１に示されるように、ＥＵＶ光生成システム１１Ｃは、図２に示されるＥＵＶ光生成システム１１Ａと同様の構成を備えてもよい。ただし、ＥＵＶ光生成システム１１Ｃは、レーザ集光光学系２２Ａに代えてレーザ集光光学系２２Ｃを備え、また、チャンバ２Ａに代えてチャンバ２Ｃを備えてもよい。さらに、ＥＵＶ光生成システム１１Ｃは、減衰部３８０を備えてもよい。チャンバ２Ｃは、チャンバ２Ａと同様の構成を備えてもよい。ただし、チャンバ２Ｃでは、間仕切り８０が省略されてもよい。
【０１７３】
レーザ集光光学系２２Ｃは、凸レンズ７６と、レンズホルダ７７と、移動プレート７３と、プレート移動機構７４とを含んでもよい。凸レンズ７６とチャンバ２Ｃとの間は、密閉状態を保つために、真空ベローズ７８で連結されていてもよい。
【０１７４】
減衰部３８０は、アッテネータ３８１と、移動プレート３８２と、プレート移動機構３８３と、ドライバ３８４とを含んでもよい。アッテネータ３８１は、スライド可能な移動プレート３８２に固定されてもよい。プレート移動機構３８３は、プレパルスレーザ光４１の光路に対して、アッテネータ３８１を、移動プレート３８２ごと出し入れしてもよい。
【０１７５】
６．２  動作
つづいて、図２１に示されるＥＵＶ光生成システム１１Ｃの動作を説明する。ＥＵＶ光生成システム１１Ｃは、ＥＵＶ光生成システム１１Ａと同様に、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａの制御にしたがって動作してもよい。
【０１７６】
一般的に、焦点を持つレンズの焦点距離は、波長に依存する。そこで、レーザ集光光学系２２Ｃに凸面レンズ７６を用いた場合であっても、波面調節器３５０を用いて、プリパルスレーザ光４２の焦点位置をメインパルスレーザ光３３の焦点位置に実質的に一致させることが可能である。
【０１７７】
なお、実施の形態４も、上述した他の実施の形態と同様に、プリパルスレーザ光４１の戻り光４３を用いてドロップレット像を検出し、その検出結果に基づいて、波面調節器３５０を調節してもよい。
【０１７８】
また、減衰部３８０は、ＥＵＶ光生成コントローラ５１の制御の下で動作してもよい。ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、ＥＵＶ光２５２を生成しないときは、ドライバ３８４を介してプレート移動機構３８３を駆動してアッテネータ３８１をプリパルスレーザ光４１の光路上に配置してもよい。これにより、アッテネータ３８１を通過したプリパルスレーザ光４１のパルスエネルギーが、ターゲット２７を破壊しない程度のパルスエネルギーまで低下させてもよい。これにより、ＥＵＶ光２５２を生成しない期間においてプリパルスレーザ光４１をターゲット２７に照射しても、デブリの発生を低減できる。
【０１７９】
６．３  作用
実施の形態４によれば、メインパルスレーザ光３２とプリパルスレーザ光３１とを集光するために色収差補正が困難なレンズ（たとえばダイヤモンド材料のみから構成されるレンズ）をレーザ集光光学系２２Ｃに用いた場合でも、プリパルスレーザ光４２とメインパルスレーザ光３３との集光点の位置を所望の位置に合わせることが可能となる。
【０１８０】
また、ＥＵＶ光２５２を生成しない期間でも、アッテネータ３８１で減光されたプリパルスレーザ光４２を用いてドロップレット像を検出することが可能である。それにより、ＥＵＶ光２５２の生成を行わずとも、ターゲット２７にレーザ集光光学系２２Ｃによるプリパルスレーザ光４２の集光位置を合わせることができる。そのため、ＥＵＶ光２５２を生成する初期段階から、高精度にプリパルスレーザ光４２をターゲット２７に集光させることが可能となる。
【０１８１】
６．４  フローチャート
つぎに、実施の形態４によるＥＵＶ光生成システム１１Ｃの動作を、図面を用いて詳細に説明する。
【０１８２】
６．４．１  ＥＵＶ光生成フロー
図２２は、実施の形態４によるＥＵＶ光生成コントローラ５１の動作を概略的に示すフローチャートである。図２２に示されるように、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、起動後、ＥＵＶ光２５２の生成位置を指定するＥＵＶ光生成位置指定信号を受信してもよい（ステップＳ３０１）。ＥＵＶ光生成位置指定信号は、露光装置コントローラ６１などの外部装置からＥＵＶ光生成コントローラ５１に入力されてもよい。また、ＥＵＶ光生成位置指定信号の代わりに、露光命令や露光要求などの各種信号が用いられてもよい。これらの信号には、ＥＵＶ光２５２の生成位置を指定する情報が含まれていてもよい。
【０１８３】
ＥＵＶ光生成位置指定信号を受信すると、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、露光装置コントローラ６１へ、露光の停止を通知する露光停止信号を送信してもよい（ステップＳ３０２）。つぎに、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、レーザ集光光学系２２Ｃの集光位置が、受信したＥＵＶ光生成位置指定信号に含まれるＥＵＶ光生成の指定位置となるように、ドライバ７５を介してレーザ集光光学系２２Ｃを調節してもよい（ステップＳ３０３）。
【０１８４】
つぎに、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、ドライバ３８４を介してプレート移動機構３８３を駆動することで、アッテネータ３８１をプリパルスレーザ光４１の光路上に配置してもよい（ステップＳ３０４）。これにより、アッテネータ３８１を透過したプリパルスレーザ光４１のパルスエネルギーが、ターゲット２７を破壊しない程度まで減衰されてもよい。
【０１８５】
つぎに、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、ターゲットコントローラ５３を介して、ターゲット２７の出力を開始してもよい（ステップＳ３０５）。なお、ステップＳ３０５の後、ドロップレット生成器２６は、ドロップレット出力の停止信号を受信するまで、所定繰返し周波数でターゲット２７を出力し続けてもよい。
【０１８６】
つぎに、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、ターゲット２７が指定位置を通過するように、２軸移動機構２６ａを制御してドロップレット生成器２６の位置を調節してもよい（ステップＳ３０６）。ドロップレット生成器２６の位置の調節は、ターゲットセンサ４で検出されたターゲット２７の軌跡を含む情報に基づいて行われてもよい。
【０１８７】
つぎに、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、ターゲットセンサ４から受信したターゲット２７の通過タイミング信号を基準としたタイミングで、プリパルスレーザ装置４０にプリパルスレーザ光４１を出力させてもよい（ステップＳ３０７）。ステップＳ３０７では、通過タイミング信号の入力を基準として、ＥＵＶ光生成コントローラ５１からトリガ信号が出力されてもよい。トリガ信号は、プリパルスレーザ光４１に対する遅延時間Ｔ１が設定された遅延回路５５を介してプリパルスレーザ装置４０に入力されてもよい。なお、ターゲットセンサ４は、略所定繰返し周波数で出力されているターゲット２７を検出し得る。そのため、プリパルスレーザ装置４０は、略所定繰返し周波数でガイドレーザ４２３を出力してもよい。
【０１８８】
つぎに、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、プリパルスレーザ光４１の波面を調節する波面調節サブルーチンを実行してもよい（ステップＳ３０８）。つぎに、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、プリパルスレーザ光４１のターゲット２７への照射タイミングを調節する遅延時間調節サブルーチンを実行してもよい（ステップＳ３０９）。遅延時間調節サブルーチンでは、遅延回路５５に設定されている遅延時間Ｔ１およびＴ２が更新されてもよい。
【０１８９】
つぎに、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、プリパルスレーザ装置４０およびメインパルスレーザ装置３へのトリガ信号の送信を停止してもよい（ステップＳ３１０）。これにより、プリパルスレーザ装置４０およびメインパルスレーザ装置３からのプリパルスレーザ光４１およびメインパルスレーザ光３１の送信が停止し得る。
【０１９０】
つぎに、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、ドライバ３８４を介してプレート移動機構３８３を駆動することで、アッテネータ３８１をプリパルスレーザ光４１の光路外に移動してもよい（ステップＳ３１１）。
【０１９１】
つぎに、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、ターゲットセンサ４から受信したターゲット２７の通過タイミング信号を基準としたタイミングで、プリパルスレーザ装置４０およびメインパルスレーザ装置３にプリパルスレーザ光４１およびメインパルスレーザ光３１を出力させてもよい（ステップＳ３１２）。ステップＳ３１２では、通過タイミング信号の入力を基準として、ＥＵＶ光生成コントローラ５１からトリガ信号が出力されてもよい。トリガ信号は、プリパルスレーザ光４１に対する遅延時間Ｔ１およびメインパルスレーザ光３１に対する遅延時間Ｔ２が設定された遅延回路５５を介して、プリパルスレーザ装置４０およびメインパルスレーザ装置３にそれぞれ入力されてもよい。
【０１９２】
つぎに、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、ＥＵＶ光モニタ９０で検出されたＥＵＶ光２５２の生成位置を受信してもよい（ステップＳ３１３）。つぎに、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、受信したＥＵＶ光２５２の生成位置が、生成位置に対する許容範囲内に含まれているか否かを判定してもよい（ステップＳ３１４）。このとき、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、判定結果によらず、プリパルスレーザ装置４０、およびメインパルスレーザ装置３に出力するトリガ信号を停止してもよい。更に、ターゲットコントローラ５３を介して、ターゲット２７の出力を停止してもよい。なお、許容範囲は、予め定められていてもよいし、たとえば露光装置コントローラ６１などの外部装置から与えられてもよい。
【０１９３】
ＥＵＶ光２５２の生成位置が許容範囲内に無い場合（ステップＳ３１４；ＮＯ）、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、ステップＳ３０３にリターンし、再度、以降の動作を実行してもよい。一方、生成位置が許容範囲内にある場合（ステップＳ３１４；ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、露光装置コントローラ６１へ、露光許可を通知する露光許可信号を送信してもよい（ステップＳ３１５）。これに対し、露光装置コントローラ６１は、露光開始を指示する露光信号をＥＵＶ光生成コントローラ５１へ返してもよい。
【０１９４】
つぎに、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、露光装置コントローラ６１から露光信号を受信するまで待機してもよい（ステップＳ３１６；ＮＯ）。露光信号を受信すると（ステップＳ３１６；ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、プリパルスレーザ装置４０、およびメインパルスレーザ装置３にトリガ信号を出力してもよい。更に、ターゲットコントローラ５３を介して、ターゲット２７を出力させてもよい。これにより、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、ＥＵＶ光２５２の生成動作を実行してもよい（ステップＳ３１７）。ステップＳ３１７におけるＥＵＶ光２５２の生成動作回数は、１パルスまたは１バーストであってもよい。つづいて、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、プリパルスレーザ光４１の波面を安定化させる波面安定化サブルーチンを実行してもよい（ステップＳ３１８）。
【０１９５】
つぎに、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、露光装置コントローラ６１から、ＥＵＶ光２５２の生成位置を再指示または変更するＥＵＶ光生成位置指定信号を受信したか否かを判定してもよい（ステップＳ３１９）。ＥＵＶ光生成位置指定信号を受信していない場合（ステップＳ３１９；ＮＯ）、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、ステップＳ３１６にリターンし、以降の動作をくり返してもよい。一方、ＥＵＶ光生成位置指定信号を受信していた場合（ステップＳ３１９；ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成コントローラ５１は、ステップＳ３０２へリターンし、再度、以降の動作を実行してもよい。
【０１９６】
以上の動作を実行することで、プリパルスレーザ光４１の集光位置を安定化させつつ、ＥＵＶ光２５２を生成することが可能となる。それにより、安定した位置および強度のＥＵＶ光２５２を生成することが可能となる。なお、図２２に示す動作は、たとえば露光終了を示す信号による割込処理によって逐次終了してもよい。
【０１９７】
７．  波面調節器の実施形態
つぎに、上述した実施の形態における波面調節器３５０の具体例を、以下に図面を参照して詳細に説明する。
【０１９８】
７．１  球面凹凸レンズの組合せ
図２３は、球面凸レンズと球面凹レンズとを組み合わせて構成された波面調節器３５０Ａの一例を概略的に示す。
【０１９９】
図２３に示されるように、波面調節器３５０Ａは、球面凸レンズ３５１と、球面凹レンズ３５２と、レンズホルダ３５４と、移動プレート３５５と、１軸移動機構３５６とを含んでもよい。球面凸レンズ３５１は、レンズホルダ３５４に保持されてもよい。球面凹レンズ３５２は、不図示のレンズホルダに保持されてもよい。レンズホルダ３５４は、スライド可能な移動プレート３５５に固定されてもよい。１軸移動機構３５６は、球面凸レンズ３５１をプリパルスレーザ光４１の光軸（Ｘ軸方向）に沿って、移動プレート３５５およびレンズホルダ３５４ごと移動させてもよい。１軸移動機構３５６は、ＥＵＶ光生成コントローラ５１からの制御のもとで動作してもよい。
【０２００】
図２４は、球面凸レンズ３５１の焦点位置と、球面凹レンズ３５２の焦点位置とを一致させた場合のプリパルスレーザ光４１の波面を示す。図２５は、球面凸レンズ３５１と球面凹レンズ３５２との距離を図２４に示す状態より長くした場合のプリパルスレーザ光４１の波面を示す。図２６は、球面凸レンズ３５１と球面凹レンズ３５２との距離を図２４に示す状態より短くした場合のプリパルスレーザ光４１の波面を示す。
【０２０１】
図２４に示されるように、球面凸レンズ３５１の焦点位置と球面凹レンズ３５２の焦点位置とが一致している場合、平行光で球面凹レンズ３５２に入射したプリパルスレーザ光４１は、ビーム拡大された後、平行光のプリパルスレーザ光４１として、球面凸レンズ３５１から出力される。一方、図２５に示されるように、球面凸レンズ３５１と球面凹レンズ３５２との距離を焦点が一致した状態（図２４）より長くした場合、球面凸レンズ３５１から出力されるプリパルスレーザ光４１の波面は、進行方向に対して凹面となる。そのため、波面調節器３５０Ａから出力されるプリパルスレーザ光４１は、進行方向に焦点を持つ縮小光となる。また、図２６に示されるように、球面凸レンズ３５１と球面凹レンズ３５２との距離を焦点が一致した状態（図２４）より短くした場合、球面凸レンズ３５１から出力されるプリパルスレーザ光４１の波面は、進行方向に対して凸面となる。そのため、波面調節器３５０Ａから出力されるプリパルスレーザ光４１は、進行方向に対してマイナス方向に焦点を持つ拡大光となる。
【０２０２】
このように、球面凸レンズ３５１と球面凹レンズ３５２とを組み合わせた場合、これらの距離を調節することで、プリパルスレーザ光４１の波面を調節することができる。
【０２０３】
７．２  ２つの球面凸レンズの組合せ
また、図２７に示されるように、２つの球面凸レンズを組み合わせてもよい。図２７は、２つの球面凸レンズを組み合わせて構成された波面調節器３５０Ｂの一例を概略的に示す。
【０２０４】
図２７に示されるように、波面調節器３５０Ｂは、２つの球面凸レンズ３５１および３５７と、レンズホルダ３５４と、移動プレート３５５と、１軸移動機構３５６とを含んでもよい。球面凸レンズ３５１は、レンズホルダ３５４に保持されてもよい。球面凸レンズ３５７は、不図示のレンズホルダに保持されてもよい。レンズホルダ３５４は、スライド可能な移動プレート３５５に固定されてもよい。１軸移動機構３５６は、球面凸レンズ３５１をプリパルスレーザ光４１の光軸（Ｘ軸方向）に沿って、移動プレート３５５およびレンズホルダ３５４ごと移動させてもよい。１軸移動機構３５６は、ＥＵＶ光生成コントローラ５１からの制御のもとで動作してもよい。
【０２０５】
このような構成でも、２つの球面凸レンズ３５１および３５７間の距離を調節することで、プリパルスレーザ光４１の波面を調節することができる。
【０２０６】
７．３  ４５度入射ＶＲＷＭ
図２８〜図３０は、ＶＲＷＭ（Ｖａｒｉａｂｌｅ  Ｒａｄｉｕｓ  Ｗａｖｅｆｒｏｎｔ  Ｍｉｒｒｏｒ）を用いて構成された波面補正器３５０Ｃの一例を概略的に示す。波面補正器３５０Ｃは、たとえば反射面の曲率を変更することが可能なデフォーマブルミラー３５８を用いて構成されてもよい。デフォーマブルミラー３５８は、たとえば反射面が平面である場合、図２８に示すように、平行光のプリパルスレーザ光４１を平行光として反射してもよい。または、たとえば反射面が凹面となるように曲率が調整されていた場合、図２９に示すように、デフォーマブルミラー３５８は、平行光のプリパルスレーザ光４１を焦点距離＋Ｆ離れた所定の焦点Ｆ１に集光するように反射してもよい。あるいは、たとえば反射面が凸面となるように曲率が調整されていた場合、図３０に示すように、デフォーマブルミラー３５８は、平行光のプリパルスレーザ光４１を焦点距離−Ｆ離れた位置に焦点Ｆ２を持つように進行方向に対して凸面波のレーザ光として反射してもよい。このように、波面補正器３５０Ｃは、反射面の曲率を変更することが可能なデフォーマブルミラー３５８を用いて、入射光に対する反射光の波面を所定の波面に調節できるよう構成されてもよい。
【０２０７】
８．  反射光検出器の実施形態
つぎに、上述した実施の形態における反射光検出器３７０の具体例を、以下に図面を参照して詳細に説明する。
【０２０８】
８．１  結像レンズとイメージセンサの組合せ
図３１は、結像レンズとイメージセンサとを組み合わせて構成された反射光検出器３７０Ａの構成を概略的に示す。図３１に示されるように、反射光検出器３７０Ａは、結像レンズ３７１と、イメージセンサ３７２とを含んでもよい。イメージセンサ３７２は、たとえば２次元ＣＣＤ等であってもよい。また、反射光検出器３７０Ａには、偏光ビームスプリッタ３７４が含まれてもよい。さらに、反射光検出器３７０Ａは、図示しない波長フィルタ３７３を含んでもよい。
【０２０９】
偏光ビームスプリッタ３７４で反射された戻り光４３は、たとえば結像レンズ３７１によってイメージセンサ３７２の受光面に結像されてもよい。これにより、ターゲット２７の像が、イメージセンサ３７２によって検出され得る。ターゲット２７の像がピントの合った状態でイメージセンサ３７２の受光面の中心に結像している場合、プリパルスレーザ光４２の集光位置とターゲット２７の位置とが一致していると見做してもよい。そこで、イメージセンサ３７２にターゲット２７の像が結像するように、波面調節器３５０を制御してもよい。これにより、プリパルスレーザ光４１をターゲット２７に照射する精度が向上し得る。
【０２１０】
８．２  シャックハルトマン干渉計
図３２は、シャックハルトマン干渉計を用いた反射光検出器３７０Ｂの構成を概略的に示す。図３２に示されるように、反射光検出器３７０Ｂは、マイクロレンズアレイ３７５と、波面計３７６とを含んでもよい。波面計３７６は、たとえば２次元ＣＣＤ等であってもよい。また、反射光検出器３７０Ｂには、偏光ビームスプリッタ３７４が含まれてもよい。さらに、反射光検出器３７０Ｖは、図示しない波長フィルタ３７３を含んでもよい。
【０２１１】
偏光ビームスプリッタ３７４で反射された戻り光４３は、たとえばマイクロレンズアレイ３７５によって波面計３７６の受光面に結像されてもよい。これにより、波面計３７６は、戻り光４３の波面を検出してもよい。戻り光４３の波面を検出することにより、プリパルスレーザ光４２の集光位置が、プリパルスレーザ光４２の光軸方向に沿って、ターゲット２７の手前側にずれているか、奥側にずれているかを検出してもよい。その結果、プリパルスレーザ光４１の集光位置をターゲット２７の位置に合わせる速度を向上させてもよい。
【０２１２】
９．  レーザ集光光学系の実施形態
つぎに、上述した実施の形態におけるレーザ集光光学系２２Ａ／２２Ｂの具体例を、以下に図面を参照して詳細に説明する。
【０２１３】
９．１  放物面ミラーと楕円ミラーの組合せ
図３３は、放物面ミラーと楕円ミラーとを組み合わせて構成されたレーザ集光光学系２２Ｄの一例を示す。図３３に示されるように、レーザ集光光学系２２Ｄは、軸外放物面ミラー１７１と、楕円ミラー１７２とを備えてもよい。軸外放物面ミラー１７１および楕円ミラー１７２は、それぞれ不図示のミラーホルダを用いて、移動プレート７３に固定されていてもよい。移動プレート７３は、図示しないプレート移動機構７４によって移動可能であってもよい。
【０２１４】
軸外放物面ミラー１７１および楕円ミラー１７２は、軸外放物面ミラー１７１の反射面を構成する軸外放物面Ｓ１１の焦点と、楕円ミラー１７２の反射面である楕円面Ｓ１２の１つの焦点とが、焦点Ｆ１１において一致するように配置されてもよい。さらに、楕円面Ｓ１２の他の焦点Ｆ２は、プラズマ生成領域２５に含まれるように配置されてもよい。なお、図３３は、レーザ光の拡大機能を有する集光光学系の構成を概略的に示している。
【０２１５】
１０．その他機能の組み合わせ
図３４は、上述した実施の形態に、メインパルスレーザ光３３の戻り光防止機構と、プリパルスレーザ光４１に対するプロファイル調節部を付加した場合の一例も示している。ただし、図３４には、チャンバ２Ａへのレーザ光入力部の構成が抜粋して示されている。
【０２１６】
図３４に示されるように、プロファイル調節部５１０は、プリパルスレーザ光４１および／またはガイドレーザ光４２３の光路上に配置されてもよい。たとえば、プロファイル調節部５１０は、偏光ビームスプリッタ３７４の上流に配置されてもよい。プロファイル調節部５１０は、プリパルスレーザ光４１またはガイドレーザ光４２３の断面プロファイルを、トップハット形状に変換してもよい。いわゆるトップハット形状のプロファイルは、中心部が略均一な強度分布をもつプロファイルを示す。これにより、ターゲット２７から生成する拡散ターゲットの拡散状態の安定性を向上してもよい。これに伴って戻り光４３または４２４の検出強度が安定化されてもよい。その結果、より高精度に、プリパルスレーザ光４１の焦点位置をターゲット２７に合わせることが可能となる。このプロファイル調節部５１０には、ＤＯＥ（Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｖｅ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｅｌｅｍｅｎｔ）などが用いられてもよい。
【０２１７】
ところで、メインパルスレーザ光３３のパルスエネルギーは、プリパルスレーザ光４２１のパルスエネルギーの１００倍程度となることがある。更に、拡散ターゲット等で反射したメインパルスレーザ光３３の戻り光３４の一部は、ダイクロイックミラー３４２を透過する場合がある。そのため、メインパルスレーザ光３３の戻り光３４は、上流の増幅器やその他の光学要素にダメージを与える可能性がある。そこで、図３４に示されるように、ダイクロイックミラー３４２を透過した戻り光３４を減光するために、戻り光防止機構５２０が反射光検出器３７０の下流側のプリパルスレーザ光の光路上に配置されてもよい。戻り光防止機構５２０は、ビームスプリッタ５２２と、ダンパ５２１とを含んでもよい。ビームスプリッタ５２２の表面には、メインパルスレーザ光３３の戻り光３４を高透過し、プリパルスレーザ光４２（戻り光４３を含む）およびガイドレーザ光４２３（戻り光４２４を含む）を高反射する、所定の膜がコーティングされていてもよい。このような戻り光防止機構５２０を設けることで、拡散ターゲット等で反射したメインパルスレーザ光３３の戻り光３４を低減することができる。
【０２１８】
たとえば、メインパルスレーザ光３３がＣＯ２レーザ光であり、プリパルスレーザ光４２がＹＡＧレーザ光であり、ガイドレーザ光４２３がＨｅ−Ｈｅレーザ光である場合、ビームスプリッタ５２２の基板に砒化ガリウム（ＧａＡｓ）基板を用いてもよい。また、その基板表面に、メインパルスレーザ光３３を光透過し、プリパルスレーザ光４２およびガイドレーザ光４２３を高反射する膜がコーティングされてもよい。
【０２１９】
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
【０２２０】
本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾句「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。
【符号の説明】
【０２２１】
１  ＥＵＶ光生成装置
１１、１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ  ＥＵＶ光生成システム
２、２Ａ  チャンバ
２２、２２Ａ、２２Ｃ、２２Ｄ  レーザ光集光光学系
２３  ＥＵＶ集光ミラー
２３ａ  保持部
２４  貫通孔
２５  プラズマ生成領域
２５１  放射光
２５２  ＥＵＶ光
２６  ドロップレット生成器
２６ａ  ２軸移動機構
２７  ドロップレット
２８  ターゲット回収器
２９  接続部
２９１  壁
２９２  中間焦点（ＩＦ）
３  レーザ装置（メインパルスレーザ装置）
３１〜３３  パルスレーザ光（メインパルスレーザ光）
３４、４３、４２４  戻り光
３４０  ビームデリバリーシステム
３４１  高反射ミラー
３４２  ダイクロイックミラー
４  ターゲットセンサ
４０  プリパルスレーザ装置
４１、４２  プリパルスレーザ光
４０１、４０２  高反射ミラー
５、５Ａ  ＥＵＶ光生成制御システム
５１  ＥＵＶ光生成コントローラ
５２  基準クロック生成器
５３  ターゲットコントローラ
５４  ターゲット供給ドライバ
５５  遅延回路
６  露光装置
６１  露光装置コントローラ
７１  軸外放物面ミラー
７１ａ  ミラーホルダ
７２  高反射ミラー
７２ａ  自動アオリ機能付きホルダ
７３  移動プレート
７４  プレート移動機構
７５  ドライバ
７６  凸レンズ
７７  レンズホルダ
７８  真空ゲートバルブ
８１  間仕切り
９０  ＥＵＶ光モニタ
１００  ダンパ
１０１  支柱
１７１  軸外放物面ミラー
１７２  楕円ミラー
３５０、３５０Ａ、３５０Ｂ、３５０Ｃ  波面調節器
３５１、３５７  球面凸レンズ
３５２  球面凹レンズ
３５３  ドライバ
３５４  レンズホルダ
３５５  移動プレート
３５６  １軸移動機構
３５８  デフォーマブルミラー
３６０  λ／４波長板
３７０、３７０Ａ、３７０Ｂ  反射光検出器
３７１  結像レンズ
３７２  イメージセンサ
３７３  波長フィルタ
３７４  偏光ビームスプリッタ
３７５  マイクロレンズアレイ
３７６  波面計
３８０  減衰部
３８１  アッテネータ
３８２  移動プレート
３８３  プレート移動機構
３８４  ドライバ
４２０  ガイドレーザ装置
４２１  ガイドレーザ光源
４２２  ビームエキスパンダ
４２３  ガイドレーザ光
４１１  ダイクロイックミラー
５１０  トップハット変換機構
５２０  戻り光防止機構
５２１  ダンパ
５２２  ビームスプリッタ
Ｇ２７１、Ｇ２７２、Ｇ２７３、Ｇ２７ａ、Ｇ２７ｂ、Ｇ２７ｃ、Ｇ２７ｄ  ドロップレット像
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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