(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板保持機構に保持されて回転する基板の外周を囲むように配置され、この回転する基板から離脱する液の飛散を防止する液飛散防止カップであって、
前記基板保持機構に保持されて回転する基板に対向する内周面の少なくとも一部に、粗面化処理を施してＳｉＯ２または半導体層間絶縁膜材料からなる親水性皮膜を形成したことを特徴とする液飛散防止カップ。
【請求項２】
請求項１に記載の液飛散防止カップにおいて、
カップ素材は、合成樹脂であることを特徴とする液飛散防止カップ。
【請求項３】
請求項１または２に記載の液飛散防止カップにおいて、
前記粗面化処理は、中心線平均粗さ（Ｒａ）が０．５〜５μｍの範囲となる処理であることを特徴とする液飛散防止カップ。
【請求項４】
請求項１に記載の液飛散防止カップにおいて、
前記親水性皮膜の厚さは、０．５〜２．０μｍであることを特徴とする液飛散防止カップ。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の液飛散防止カップにおいて、
前記親水性皮膜表面の水に対する接触角は６０度以下であることを特徴とする液飛散防止カップ。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の液飛散防止カップにおいて、
前記親水性皮膜は、スプレーコーティングされた親水性皮膜であることを特徴とする液飛散防止カップ。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載の液飛散防止カップを備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
請求項７に記載の基板処理装置において、
前記液飛散防止カップは基板と一体に回転することを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、半導体ウエハ、ガラス基板、液晶パネル等の基板を保持し回転させる基板保持機構を備え、基板に所定の処理液を供給して基板を処理し、しかる後、基板を回転させ、その遠心力により処理液を基板から離脱させる基板処理装置に、前記基板保持機構に保持された基板の外周を囲むように配置され、該基板から離脱する処理液の飛散を防止する液飛散防止カップ及び該カップを備えた基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、半導体デバイスの製造工程においては、半導体ウエハ等の基板の表面に銅めっき処理やＣＭＰ（化学的機械的研磨）処理を施した後、基板の表面に存在する不純物や汚染物を除去する洗浄処理を施すことが広く行なわれている。
【０００３】
この基板の洗浄処理を行う基板洗浄装置（基板処理装置）としては、基板を水平に保持して回転させる基板保持機構と、この基板保持機構で保持した基板の表面及び裏面に薬液や純水等の処理液を供給する処理液供給部（処理液供給ノズル）とを備え、基板を回転させつつ、該基板に処理液を供給し、しかる後に、基板にリンス用の純水を供給して基板を洗浄するようにしたものが一般に知られている。この種の基板洗浄装置にあっては、基板の洗浄を終了した後、基板を高速で回転させて、基板に付着する液滴を遠心力により除去してスピン乾燥させることが広く行われている。
【０００４】
スピン乾燥では、回転する基板から遠心力で除去される液滴の飛散を防止するため、一般に基板保持機構に保持された基板の外周を囲むように液飛散防止カップを配置し、遠心力で基板から離脱する液滴が遠方に飛散するのを液飛散防止カップで防止するようにしている。このような液飛散防止カップを設けることにより、基板から離脱し遠方に飛散しようとする液滴の飛散を液飛散防止カップで防止することができる。しかし、基板から離脱し、液飛散防止カップの内周面に衝突して該内周面から跳ね返った液滴の飛散を防止することは一般に困難であった。そのため液飛散防止カップの内周面から跳ね返った液滴が基板に再付着して、基板表面にウォータマークを形成させる一因となっていた。
【０００５】
基板表面にウォータマークが形成されると、その部分でリークが生じ、また密着性不良の原因になる等、製品の歩留まりを低下させる原因となる。このため、いかにしてウォータマークの形成を減少させるかが課題となっている。
【０００６】
このような液飛散防止カップの素材としては、内周面から跳ね返った液滴の飛散を防止するため、純水等との接触角が比較的小さい樹脂材料、例えばＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）等が一般に使用されている。しかしながら、純水等との接触角が比較的小さいといえども、例えば、未処理のＰＶＣの純水等との接触角は９０度程度であり、ＰＶＣ製の液飛散防止カップでは液飛散防止カップから液滴の跳ね返りを防止するには不十分である。
【０００７】
このため、例えばＰＶＣからなる液飛散防止カップの内周面の純水等との接触角を小さくする、いいかえれば親水性を向上させるための試みが種々行われている（特許文献１〜４参照）。
【０００８】
つまり、特許文献１に記載の発明は、所定の液体に所定の砥粒が混合されているスラリーを吹き付けるウエットブラスト処理等によって、特許文献２に記載の発明は、ヤスリ等を使用した物理的処理またはプラズマ処理等によって、液飛散防止カップの内周面の親水性を向上させるようにしている。特許文献３に記載の発明は、ガラス繊維（被膜）系のコーティング剤を塗布したり、プラズマＣＶＤ法を用いて酸化チタン膜を成膜したりすることによって、特許文献４に記載の発明は、酸化チタン(ＴｉＯ２)光触媒薄膜等の超親水性材料を被着した後に、紫外線を照射することによって、液飛散防止カップの内周面の親水性を向上させるようにしている。
【０００９】
また、出願人は、ＰＶＡスポンジ等の親水性部材を液飛散防止カップの内周面に装着することを提案している（特許文献５，６参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００４−３５６２９９号公報
【特許文献２】特開２００６−１４７６７２号公報
【特許文献３】特開２０１０−１５７５２８号公報
【特許文献４】特開平１０−２５８２４９号公報
【特許文献５】特開２０１０−１４９００３号公報
【特許文献６】特開２００９−１１７７９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかし、例えば特許文献３に記載の発明のように、親水性材料（酸化チタン光触媒）を薄膜状に被着形成し、紫外線を長時間照射することにより、液飛散防止カップの内周面の親水化処理を施すと、紫外線照射装置を必要とすると共に処理時間が長くなり、更に親水性薄膜の耐久性（親水性維持期間）が必ずしも十分とはいえないと考えられる。
【００１２】
また、液飛散防止カップの内周面をウエットブラスト等による粗面化処理、あるいは大気圧プラズマ放電処理等によって親水化表面とする方法においては、処理を行っても、液飛散防止カップの内周面は、ＰＶＣ等のプラスチック素材そのままであり、カップ素材からの不純物発生を抑止できないと考えられる。更に大気圧プラズマ放電処理により親水化表面とする方法では、大気圧プラズマ放電装置を必要とする。
【００１３】
本発明は上述の点に鑑みてなされたもので、比較的簡単な構成で容易に製作でき、耐久性に優れ、しかも内周面からの液滴の跳ね返りをより確実に抑制することができるようにした液飛散防止カップ、及び該カップを備えた基板処理装置、並びに該基板処理装置を備えた研磨装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記課題を解決するため本発明の液飛散防止カップは、基板保持機構に保持されて回転する基板の外周を囲むように配置され、この回転する基板から離脱する液の飛散を防止する液飛散防止カップであって、前記基板保持機構に保持されて回転する基板に対向する内周面の少なくとも一部に、粗面化処理を施してＳｉＯ２または半導体層間絶縁膜材料からなる親水性皮膜を形成したことを特徴とする。
【００１５】
このように、液飛散防止カップの内周面の少なくとも一部に粗面化処理を施して親水性皮膜を形成することにより、親水性皮膜の液飛散防止カップの内周面への密着性を高めつつ、カップ素材が外部に露出することを親水性皮膜で防止し、しかも、親水性皮膜の表面に衝突する液滴を該表面で保持して該表面に液膜を形成しつつ吸収して、液滴の基板への跳ね返りを抑制することができる。
【００１６】
前記カップ本体は、純水等との接触角が比較的小さい、例えばＰＶＣ等の合成樹脂からなる。カップ本体をアルミニウム等の金属製としてもよい。
【００１７】
前記粗面化処理は、中心線平均粗さ（Ｒａ）が０．５〜５μｍの範囲となる処理であることが好ましい。粗面化処理は、例えばＳｉＣ（炭化珪素）細粒を使用したサンドブラスト処理であり、このブラスト処理時間とＳｉＣ細粒の粒径を調整することにより、液飛散防止カップの内周面を所望範囲の粗度とすることができる。
【００１８】
半導体層間絶縁膜材料としては、ＳＯＧ（塗布ガラス：Spin  on  Glass）等が挙げられる。親水性皮膜を、一般に高純度で耐薬品性がある半導体層間絶縁膜材料とすることで、カップ素材の溶出による基板汚染を防止することができる。
【００１９】
前記親水性皮膜の厚さは、０．５〜２．０μｍであることが好ましい。このように、親水性皮膜の厚さを０．５〜２．０μｍとすることで、親水性皮膜が厚すぎて親水性皮膜にクラックが発生したり、親水性皮膜が薄すぎて、カップ素材が外部に露出してしまうことを防止することができる。
【００２０】
前記親水性皮膜表面の水に対する接触角は６０度以下であることが好ましい。これにより、親水性皮膜を再現性良く形成することができる。
【００２１】
前記親水性皮膜は、例えばスプレーコーティングによって形成される。これにより、親水性皮膜を容易且つ迅速に形成することができる。
【００２２】
本発明の基板処理装置は、前記液飛散防止カップを備えている。前記液飛散防止カップは基板と一体に回転する。また、基板研磨装置は、前記基板処理装置を備えてもよい。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、液飛散防止カップの内周面の少なくとも一部に粗面化処理を施して親水性皮膜を形成することにより、親水性皮膜の液飛散防止カップの内周面への密着性を高めつつ、カップ素材が外部に露出することを親水性皮膜で防止し、しかも、親水性皮膜の表面に衝突する液滴を該表面で保持して該表面に液膜を形成しつつ吸収して、液滴の基板への跳ね返りを抑制することができる。これによって、液滴の跳ね返りに起因して基板表面に形成されるディフェクトやウォータマークを大幅に抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の実施形態に係る液飛散防止カップを備えた基板処理装置（基板洗浄装置装置）を模式的に示す断面図である。
【図２】図１に示す液飛散防止カップの要部拡大断面図である。
【図３】液飛散防止カップの内周面に、粗面化処理を施すことなく、親水性皮膜を直接形成した時の状態を模式的に示す図である。
【図４】液飛散防止カップの粗面化処理を施した内周面に異なる膜厚の親水性皮膜を形成した各サンプル（サンプル１〜７）における親水性皮膜と純水等との接触角の関係を示す図である。
【図５】（ａ）は、サンプル１，２に対応する液飛散防止カップの内周面と親水性皮膜との関係を、（ｂ）は、サンプル３〜６に対応する液飛散防止カップの内周面と親水性皮膜との関係を、（ｃ）は、サンプル７に対応する液飛散防止カップの内周面と親水性皮膜との関係をそれぞれ模式的に示す図である。
【図６】本発明の他の実施形態に係る液飛散防止カップを備えた基板処理装置（基板洗浄装置）を模式的に示す断面図である。
【図７】ＰＶＣからなる液飛散防止カップ（参考例１）の表面と純水等との接触角の関係、粗面化処理を施したＰＶＣからなる液飛散防止カップ（参考例２）の表面の純水等との接触角の関係、及び粗面化処理を施して親水性皮膜を形成したＰＶＣからなる液飛散防止カップ（実施例１）の表面の純水等との接触角の関係をそれぞれ示すグラフである。
【図８】参考例１の液飛散防止カップを使用して基板を洗浄した時に発生するディフェクト数、参考例２の液飛散防止カップを使用して基板を洗浄した時のディフェクト数、及び実施例１の液飛散防止カップを使用して基板を洗浄した時のディフェクト数をそれぞれ計測した時の一例を示すグラフである。
【図９】参考例２の液飛散防止カップを使用して基板を洗浄した時のウォータマーク発生頻度、及び実施例１の液飛散防止カップを使用して基板を洗浄した時のウォータマーク発生頻度の一例を示すグラフである。
【図１０】図１または図６に示す基板処理装置を備えた基板研磨装置の配置構成を示す平面図である。
【図１１】図１０に示す基板研磨装置の概要を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。図１は、本発明の実施形態に係る液飛散防止カップを備えた基板処理装置（基板洗浄装置）を模式的に示す断面図である。
【００２６】
図１に示すように、この基板処理装置は、基板Ｗを水平に保持する基板保持機構６０と、基板保持機構６０を介して基板Ｗの中心周りに回転させるモータ（回転機構）２と、基板Ｗの周囲に配置される、本発明の実施形態の液飛散防止カップ７０と、基板Ｗの表面に洗浄液として純水を供給するフロントノズル４とを備えている。基板保持機構６０は、ステージ６１と、このステージ６１を支持する中空の支持軸６２と、ステージ６１の上面に固定された複数のチャック１０とを有している。
【００２７】
支持軸６２の内部には、洗浄液供給源に接続されたバックノズル１７と、乾燥気体供給源に接続されたガスノズル１８とが配置されている。洗浄液供給源には、洗浄液として純水が貯留されており、バックノズル１７を通じて基板Ｗの裏面に純水が供給される。また、乾燥気体供給源には、乾燥気体として、Ｎ２ガスまたは乾燥空気などが貯留されており、ガスノズル１８を通じて基板Ｗの裏面に乾燥気体が供給される。
【００２８】
フロントノズル４は、基板Ｗの中心を向いて配置されている。このフロントノズル４は、図示しない純水供給源（洗浄液供給源）に接続され、フロントノズル４を通じて基板Ｗの表面の中心に純水が供給される。また、基板Ｗの上方には、ロタゴニ乾燥を実行するための２つのノズル２０，２１が並列して配置されている。ノズル２０は、基板Ｗの表面にＩＰＡ蒸気（イソプロピルアルコールとＮ２ガスとの混合気）を供給するためのものであり、ノズル２１は基板Ｗの表面の乾燥を防ぐために純水を供給するものである。これらノズル２０，２１は基板Ｗの径方向に沿って移動可能に構成されている。
【００２９】
液飛散防止カップ７０は、径方向内側に傾斜する内周面７０ａを有している。液飛散防止カップ７０の上端は基板Ｗよりも上方に位置している。液飛散防止カップ７０の内周面７０ａには親水性皮膜５３が固定されている。この液体吸収体５３は、液飛散防止カップ７０の内周面７０ａのほぼ全体を覆っている。
【００３０】
ステージ６１および液飛散防止カップ７０の下方には、液体（フロントノズル４、バックノズル１７から供給された洗浄液としての純水や、ノズル２１から供給された純水）を回収するための液受け６３が配置されている。液受け６３の底部には排出ポート６４が設けられている。この排出ポート６４は図示しない吸引源に接続されており、液受け６３によって回収された液体は、周囲の気体とともに排出ポート６４を通って強制的に排出される。
【００３１】
液飛散防止カップ７０は、略円筒状で上部が内側上方に向かって傾斜した傾斜部となっている。液飛散防止カップ７０の素材として、この例では、純水等との接触角が比較的小さい樹脂材料であるＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）が使用されている。なお、ＰＶＣの代わりに、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）、ＰＡ（ポリアミド）、ＰＰ（ポリプロピレン）またはＰＥ（ポリエチレン）等の合成樹脂を使用しても良く、また、アルミニウム等の金属を使用しても良い。
【００３２】
図２は、液飛散防止カップ７０の要部拡大断面図を示す。図２に示すように、この例では、液飛散防止カップ７０の内周面７０ａのそのほぼ全面に粗面化処理を施している。この粗面化処理は、例えば＃１００程度のＳｉＣ（炭化珪素）細粒を使用したサンドブラスト処理であり、この粗面化処理により、液飛散防止カップ７０の内周面（粗面化処理面）７０ａの中心線平均粗さ（Ｒａ）が、例えば０．５〜５μｍの範囲に入るようにしている。ブラスト処理時間を調整することにより、液飛散防止カップ７０の内周面（粗面化処理面）７０ａを所望範囲の粗度とすることができる。
【００３３】
このように、液飛散防止カップ７０の内周面（粗面化処理面）７０ａの中心線平均粗さ（Ｒａ）が、例えば０．５〜５μｍの範囲に入るようにすることで、液飛散防止カップ７０の内周面（粗面化処理面）７０ａとこの表面に形成される親水性皮膜５３との密着性を良くすることができる。粗面化処理は、例えばＳｉＣ（炭化珪素）細粒を使用したサンドブラスト処理であり、このブラスト処理時間とＳｉＣ細粒の粒径を調整することにより、液飛散防止カップの内周面を所望範囲の粗度とすることができる。
【００３４】
粗面化処理を行った後の液飛散防止カップ７０の内周面（粗面化処理面）７０ａは、サンドブラストで使用したＳｉＣ細粒等が残留しないように、ドライアイスブラスト等の方法によって清浄化されることが望ましい。
【００３５】
そして、粗面化処理を行った後の液飛散防止カップ７０の内周面（粗面化処理面）７０ａには、例えば膜厚が０．５〜２．０μｍ、または純水等との接触角が６０度以下の親水性皮膜５３が形成されている。この例では、パーヒドロポリシラザン（ＰＨＰＳ）系コーティング剤のスプレーコーティングを行い、乾燥させることで、液飛散防止カップ７０の内周面（粗面化処理面）７０ａに親水性皮膜５３を形成するようにしている。ＰＨＰＳ系コーティング剤としては、例えばＮＡＸ１２０−２０（AZ  Electronic  Materials社製）が好適に使用される。
【００３６】
パーヒドロポリシラザン（ＰＨＰＳ）系コーティング剤は、大気中の水分と反応してＳｉＯ２への転化が進むので、吹き付けガスとして、窒素ガス等の不活性ガスが好適に使用される。またこのコーティング液は、過度に濃いと塗布むらを生じやすいので、適当な溶剤で希釈して（例えば１：１の比率で）使用することが好ましい。親水性皮膜５３の膜厚は、スプレーコーティング回数を調整することによって行われる。
【００３７】
前記親水性皮膜５３は、例えばＳｉＯ２または半導体層間絶縁膜材料からなる。半導体層間絶縁膜材料としては、ＳＯＧ（塗布ガラス：Spin  on  Glass）等が挙げられる。親水性皮膜５３を、一般に高純度で耐薬品性がある半導体層間絶縁膜材料とすることで、カップ素材の溶出による基板汚染を防止することができる。
【００３８】
図３は、ＰＶＣからなる液飛散防止カップ７０の内周面７０ａに、粗面化処理を施すことなく、親水性皮膜５３を直接形成した時の状態を模式的に示す。このように液飛散防止カップ７０の内周面７０ａに親水性皮膜５３を直接形成すると、親水性皮膜５３の液飛散防止カップ７０の内周面７０ａに対する密着性がかなり悪くなる。
【００３９】
図４は、液飛散防止カップ７０の粗面化処理を施した内周面（粗面化処理面）７０ａに異なる膜厚の親水性皮膜５３を形成した各サンプル（サンプル１〜７）における親水性皮膜５３と純水等との接触角の関係を示す。また、図５（ａ）は、サンプル１，２に対応する液飛散防止カップ７０の内周面（粗面化処理面）７０ａと親水性皮膜５３との関係を、図５（ｂ）は、サンプル３〜６に対応する液飛散防止カップ７０の内周面（粗面化処理面）７０ａと親水性皮膜５３との関係を、図５（ｃ）は、サンプル７に対応する液飛散防止カップ７０の内周面（粗面化処理面）７０ａと親水性皮膜５３との関係をそれぞれ模式的に示す。
【００４０】
図４及び図５（ａ）から、液飛散防止カップ７０の内周面（粗面化処理面）７０ａに形成される親水性皮膜５３の膜厚が２μｍ以上であると、親水性皮膜５３にクラック５３ａが発生し、また、図４及び図５（ｃ）から、液飛散防止カップ７０の内周面（粗面化処理面）７０ａに形成される親水性皮膜５３の膜厚が０．５μｍ以下であると、液飛散防止カップ７０の内周面（粗面化処理面）７０ａの特に凸部が親水性皮膜５３に覆われることなく、外部に露出する。これに対して、親水性皮膜５３の膜厚が０．５〜２μｍの範囲にあれば、このような弊害がないことが判る。
【００４１】
なお、上記の例では、液飛散防止カップ７０の内周面７０ａのそのほぼ全面に粗面化処理を施し親水化皮膜５３を形成しているが、液飛散防止カップ７０の内周面７０ａの一部に粗面化処理を施し親水化皮膜５３を形成するようにしてもよい。
【００４２】
次に、図１に示す基板処理装置の動作について説明する。
まず、モータ２により基板Ｗを回転させる。この状態で、フロントノズル４およびバックノズル１７から純水を基板Ｗの表面および裏面に供給し、基板Ｗの全面を純水でリンスする。純水は、回転する基板Ｗから振り落とされ、液飛散防止カップ７０に捕らえられ、液受け６３により回収される。基板Ｗのリンス処理の間、２つのノズル２０，２１は、基板Ｗから離れた所定の待機位置にある。
【００４３】
次に、純水の供給を停止し、フロントノズル４を基板Ｗから離れた所定の待機位置に移動させるとともに、２つのノズル２０，２１を基板Ｗの上方の作業位置に移動させる。そして、基板Ｗを１５０〜３００ｍｉｎ−１の速度で低速回転させながら、ノズル２０からＩＰＡ蒸気を、ノズル２１から純水を基板Ｗの表面に向かって供給する。このとき、基板Ｗの裏面にもバックノズル１７から純水を供給する。そして、２つのノズル２０，２１を同時に基板Ｗの径方向に沿って移動させる。これにより、基板Ｗの表面（上面）が乾燥される。
【００４４】
その後、２つのノズル２０，２１を所定の待機位置に移動させ、バックノズル１７からの純水の供給を停止する。そして、基板Ｗを１０００〜１５００ｍｉｎ−１の速度で高速回転させ、基板Ｗの裏面に付着している純水を振り落とす。このとき、ガスノズル１８から乾燥気体を基板Ｗの裏面に吹き付ける。このようにして基板Ｗの裏面が乾燥される。
【００４５】
この例によれば、基板Ｗから振り落とされた液体（純水）は、遠心力により基板Ｗから液滴となって外方に飛散し、液飛散防止カップ７０に衝突する。この例では、液飛散防止カップ７０の内周面７０ａは粗面化処理（ブラスト処理）が施されて親水性皮膜５３が形成されているので、親水性皮膜５３の表面に衝突する液滴は、該表面で保持されて該表面に液膜を形成しつつ吸収され、これによって、液滴の基板Ｗへの跳ね返りが抑制される。
【００４６】
図６は、本発明の他の実施形態に係る液飛散防止カップを備えた基板処理装置（基板洗浄装置）を模式的に示す断面図である。図６に示すように、この基板処理装置は、基板Ｗを水平に保持する基板保持機構１と、基板保持機構１を介して基板Ｗをその中心軸周りに回転させるモータ（回転機構）２と、基板Ｗの周囲に配置される、本発明の他の実施形態に係る液飛散防止カップ３と、基板Ｗの表面（フロント面）に洗浄液として純水を供給するフロントノズル４とを備えている。洗浄液としては、純水以外に薬液が挙げられる。
【００４７】
基板保持機構１は、基板Ｗの周縁部を把持する複数のチャック１０と、これらチャック１０が固定される円形の第１ステージ１１Ａと、この第１ステージ１１Ａを支持する中空状の第１支持軸１２Ａと、第１ステージ１１Ａを収容する凹部を有する円形の第２ステージ１１Ｂと、第２ステージ１１Ｂを支持する中空状の第２支持軸１２Ｂとを有している。第１支持軸１２Ａは、第２支持軸１２Ｂの内部を通って延びている。すなわち、第１ステージ１１Ａ、第２ステージ１１Ｂ、第１支持軸１２Ａ、および第２支持軸１２Ｂは、同軸上に配置されている。液飛散防止カップ３は、第２ステージ１１Ｂの端部に固定され、第２ステージ１１Ｂと液飛散防止カップ３とは同軸上に配置されている。チャック１０に保持された基板Ｗと液飛散防止カップ３とは同軸上に位置する。
【００４８】
第１支持軸１２Ａと第２支持軸１２Ｂとは直動ガイド機構１５によって連結されている。この直動ガイド機構１５は、第１支持軸１２Ａと第２支持軸１２Ｂの長手方向（回転軸方向）の相対移動を許容しつつ、第１支持軸１２Ａと第２支持軸１２Ｂとの間でトルクの伝達を可能とする。直動ガイド機構１５の具体例としては、ボールスプライン軸受が挙げられる。
【００４９】
第２支持軸１２Ｂの外周面にはモータ２が連結されている。モータ２のトルクは、直動ガイド機構１５を介して第１支持軸１２Ａに伝達され、これによりチャック１０に保持された基板Ｗが回転する。第１ステージ１１Ａと第２ステージ１１Ｂとは、直動ガイド機構１５を介して常に同期して回転する。すなわち、基板Ｗと液飛散防止カップ３とは一体に回転し、両者の相対速度は０となる。なお、基板Ｗと液飛散防止カップ３との間に若干の速度差があってもよい。この場合は、基板Ｗと液飛散防止カップ３をそれぞれ別々の回転機構により回転させることができる。なお、本明細書において、基板Ｗと液飛散防止カップ３とを略同一の速度で回転させるとは、基板Ｗと液飛散防止カップ３とを同一の方向に略同一の角速度で回転させることをいい、互いに逆方向に回転させることを含まない。
【００５０】
第１支持軸１２Ａには、上下動機構としてのアクチュエータ２３が連結機構２４を介して連結されている。連結機構２４は、第１支持軸１２Ａの回転を許容しつつ、アクチュエータ２３の回転軸方向の駆動力を第１支持軸１２Ａに伝達する。アクチュエータ２３は、連結機構（図示せず）を介して第１ステージ１１Ａ、第１支持軸１２Ａ、およびチャック１０（すなわち基板Ｗ）を上下動させる。このように、アクチュエータ２３は、基板Ｗと液飛散防止カップ３とを回転軸に沿って相対移動させる相対移動機構として機能する。
【００５１】
第１支持軸１２Ａの内部には、洗浄液供給源に接続されたバックノズル１７と、乾燥気体供給源に接続されたガスノズル１８とが配置されている。洗浄液供給源には、洗浄液として純水が貯留されており、バックノズル１７を通じて基板Ｗの裏面に純水が供給される。また、乾燥気体供給源には、乾燥気体として、Ｎ２ガスまたは乾燥空気などが貯留されており、ガスノズル１８を通じて基板Ｗの裏面に乾燥気体が供給される。
【００５２】
フロントノズル４は、基板Ｗの中心を向いて配置されている。このフロントノズル４は、図示しない純水供給源（洗浄液供給源）に接続され、フロントノズル４を通じて基板Ｗの表面の中心に純水が供給される。また、基板Ｗの上方には、ロタゴニ乾燥を実行するための２つのノズル２０，２１が並列して配置されている。ノズル２０は、基板Ｗの表面にＩＰＡ蒸気（イソプロピルアルコールとＮ２ガスとの混合気）を供給し、ノズル２１は、基板Ｗの表面の乾燥を防ぐために純水を供給する。これらノズル２０，２１は、基板Ｗの径方向に沿って移動可能に構成されている。
【００５３】
第２ステージ１１Ｂには、複数の排出孔２５が形成されている。これら排出孔２５は、液飛散防止カップ３の下端に位置する上部開口と、第２ステージ１１Ｂの下面に位置する下部開口とを有している。排出孔２５は、液飛散防止カップ３の周方向に延びる長孔であり、排出孔２５は、その下部開口に向かって径方向外側に傾斜している。上述したフロントノズル４およびバックノズル１７から供給された洗浄液（純水）やノズル２１から供給された純水は、ガスノズル１８からのガスや周囲雰囲気（通常は空気）とともにこの排出孔２５を通じて排出される。
【００５４】
第２ステージ１１Ｂには、第１ステージ１１Ａと第２ステージ１１Ｂとの間に入り込んだ液体（洗浄液，純水）を排出するための複数の補助排出孔２６が形成されている。この補助排出孔２６は、第１ステージ１１Ａと第２ステージ１１Ｂとの隙間に位置する上部開口と、第２ステージ１１Ｂの下面に位置する下部開口とを有している。補助排出孔２６は、上述した排出孔２５と同様に、その下部開口に向かって径方向外側に傾斜している。
【００５５】
排出孔２５と補助排出孔２６の下部開口の下方には、排液路３０と排気路３１とが設けられている。これら排液路３０および排気路３１は、いずれも環状に形成されており、排液路３０は、排気路３１の径方向外側に配置されている。このような構成によれば、排出孔２５と補助排出孔２６から排出された液体および気体は、遠心力により分離され、液体は排液路３０に、気体は排気路３１に流入する。
【００５６】
排気路３１は吸引源（例えば真空ポンプ）３２に連結されている。これにより、基板Ｗの表面から、排出孔２５、排気路３１を通って流れるダウンフローが形成される。
【００５７】
第２ステージ１１Ｂの下方には、第２ステージ１１Ｂの下面と微小な隙間を介して円板状の固定板３５が配置されている。この固定板３５は、回転する第２ステージ１１Ｂによって周囲の気体が撹乱されることを防止する。第２ステージ１１Ｂの周縁部には、下方に延びる円筒状のスカート２８が固定されている。このスカート２８は、排出孔２５および補助排出孔２６から排出された液体が周囲に飛び散らないようにするため、および液体の放出位置を基板Ｗから遠ざけるために設けられている。
【００５８】
液飛散防止カップ３は、基板保持機構１により保持された基板Ｗを囲むように形成された内周面（図２参照）を有している。液飛散防止カップ３の内周面の上端は、基板Ｗよりも上方に位置している。内周面の直径（液飛散防止カップ３の内径）は、内周面の上端に向かって徐々に減少するように形成されている。すなわち、液飛散防止カップ３の内周面は全体として径方向内側に傾斜し、内周面と水平面とのなす角度θは、９０度未満となっている。
【００５９】
液飛散防止カップ３の内周面の断面形状は、２つの傾斜線から構成されている。しかしながら、液飛散防止カップ３の内周面の断面形状はこれに限定されるものではない。
【００６０】
液飛散防止カップ３の上端の直径は、基板Ｗの直径よりも僅かに大きく形成されている。液飛散防止カップ３の下端は、排出孔２５の上部開口の一部と重複する位置にある。これは、液飛散防止カップ３の内周面を伝って下方に流れる液体をスムーズに排出孔２５に導くためである。もし、排出孔２５の上部開口が液飛散防止カップ３の下端から離間した位置にあると、液体が第２ステージ１１Ｂの上面に衝突し、液体が排出孔２５にスムーズに流れ込まない。この例の配置によれば、液体が第２ステージ１１Ｂの上面にぶつかることがないので、液体は排出孔２５にスムーズに流れ込む。
【００６１】
液飛散防止カップ３の素材として、前述の例と同様に、純水等との接触角が比較的小さい樹脂材料であるＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）が使用されている。なお、ＰＶＣの代わりに、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）、ＰＡ（ポリアミド）、ＰＰ（ポリプロピレン）またはＰＥ（ポリエチレン）等の合成樹脂を使用しても良く、また、アルミニウム等の金属を使用しても良いことは前述と同様である。
【００６２】
前述の例と同様に、液飛散防止カップ３の内周面は、そのほぼ全面に、サンドブラスト処理が施され、粗面化処理を行った後の液飛散防止カップ３の内周面（粗面化処理面）に、例えば膜厚が０．５〜２．０μｍ、または純水等との接触角が６０度以下の親水性皮膜４０が、例えば、パーヒドロポリシラザン（ＰＨＰＳ）系コーティング剤のスプレーコーティングを行い、乾燥させることで形成するようにしている。
【００６３】
次に、図６に示す基板処理装置の動作について説明する。
まず、モータ２により基板Ｗおよび液飛散防止カップ３を回転させる。この状態で、フロントノズル４およびバックノズル１７から純水を基板Ｗの表面（上面）および裏面（下面）に供給し、基板Ｗの全面を純水でリンスする。基板Ｗに供給された純水は、遠心力により基板Ｗの表面および裏面全体に広がり、これにより基板Ｗの全体がリンスされる。回転する基板Ｗから振り落とされた純水は、液飛散防止カップ３に捕らえられ、排出孔２５に流れ込む。基板Ｗのリンス処理の間、２つのノズル２０，２１は、基板Ｗから離れた所定の待機位置にある。
【００６４】
次に、フロントノズル４からの純水の供給を停止し、フロントノズル４を基板Ｗから離れた所定の待機位置に移動させるとともに、２つのノズル２０，２１を基板Ｗの上方の作業位置に移動させる。そして、基板Ｗを１５０〜３００ｍｉｎ−１の速度で低速回転させながら、ノズル２０からＩＰＡ蒸気を、ノズル２１から純水を基板Ｗの表面に向かって供給する。このとき、基板Ｗの裏面にもバックノズル１７から純水を供給する。そして、２つのノズル２０，２１を同時に基板Ｗの径方向に沿って移動させる。これにより、基板Ｗの表面（上面）が乾燥される。
【００６５】
その後、２つのノズル２０，２１を所定の待機位置に移動させ、バックノズル１７からの純水の供給を停止する。そして、基板Ｗを１０００〜１５００ｍｉｎ−１の速度で高速回転させ、基板Ｗの裏面に付着している純水を振り落とす。このとき、ガスノズル１８から乾燥気体を基板Ｗの裏面に吹き付ける。このようにして基板Ｗの裏面が乾燥される。
【００６６】
基板Ｗの表面（上面）を乾燥させる間、上述したように、基板Ｗの表面および裏面には純水が供給される。純水は、遠心力により基板Ｗから液滴となって外方に飛散し、液飛散防止カップ３に衝突する。この例では、液飛散防止カップ３の内周面は粗面化処理（ブラスト処理）が施されて親水性皮膜４０が形成されているので、親水性皮膜４０の表面に衝突する液滴は、該表面で保持されて該表面に液膜を形成しつつ吸収され、これによって、液滴の基板への跳ね返りが抑制される。
【００６７】
基板Ｗの乾燥が終了すると、ガスノズル１８からの乾燥気体の供給を停止させる。そして、アクチュエータ２３により、基板Ｗが液飛散防止カップ３よりも上方に位置するまで、基板Ｗを上昇させる。乾燥された基板Ｗは、図示しない搬送ロボットのハンドにより基板保持機構１から取り出される。
【００６８】
図７は、ＰＶＣからなる液飛散防止カップ（参考例１）の表面（内周面）と純水等との接触角の関係、粗面化処理（ブラスト処理）を施したＰＶＣからなる液飛散防止カップ（参考例２）の表面（内周面）の純水等との接触角の関係、及び粗面化処理を施して親水性皮膜を形成したＰＶＣからなる液飛散防止カップ（実施例１）の表面（内周面）の純水等との接触角の関係をそれぞれ示すグラフである。
【００６９】
図８は、参考例１の液飛散防止カップを使用して基板を洗浄した時に発生するディフェクト数、参考例２の液飛散防止カップを使用して基板を洗浄した時のディフェクト数、及び実施例１の液飛散防止カップを使用して基板を洗浄した時のディフェクト数をそれぞれ計測した時の一例を示すグラフである。
【００７０】
図９は、参考例２の液飛散防止カップを使用して基板を洗浄した時のウォータマーク発生頻度、及び実施例１の液飛散防止カップを使用して基板を洗浄した時のウォータマーク発生頻度の一例を示すグラフである。
【００７１】
この図７及び図８から、液飛散防止カップの表面（内周面）に粗面化処理（ブラスト処理）を施すことで、純水等との接触角を少し減らすことができるが、基板を洗浄処理した時のディフェクト発生数が多くなる。これに対して、液飛散防止カップの表面（内周面）に粗面化処理（ブラスト処理）を施して親水性皮膜を形成することで、純水等との接触角を大幅に減らし、基板を洗浄処理した時のディフェクトの発生数を大幅に削減できることが判る。
【００７２】
また、図９から、液飛散防止カップの表面（内周面）に粗面化処理（ブラスト処理）を施して親水性皮膜を形成することで、液飛散防止カップの表面（内周面）に粗面化処理（ブラスト処理）を施しただけの場合に比較して、基板を洗浄した時のウォータマーク発生頻度を大幅に削減できることが判る。
【００７３】
これは、親水性皮膜の表面に衝突する液滴を該表面で保持して該表面に液膜を形成し、この液膜で液滴を吸収して、液滴の基板への跳ね返りを抑制することができ、しかもカップ素材が外部に露出しないように親水性皮膜で被覆することで、カップ素材からの不純物発生を親水性皮膜で抑止できるためであると考えられる。これによって、液滴の跳ね返りに起因するディフェクトやウォータマークの発生を大幅することが抑制できる。
【００７４】
更に、液飛散防止カップの表面（内周面）に粗面化処理を施して親水性皮膜を形成すると、カップ素材の溶出による基板汚染を防止でき、親水性皮膜の接着面積が増え付着力が高くなるので、親水性皮膜が液飛散防止カップの表面（内周面）から剥離しにくくなる。しかも、親水性皮膜は、プラズマＣＶＤ法や再紫外線処理等のコストやメンテナンスのかかる形成方法を使用することなく、スプレーコーティングで比較的簡単に形成することができ、しかもメンテナンスフリーとなる。
【００７５】
次に、図１または図６に示す基板処理装置を備えた基板研磨装置について説明する。図１０は、この基板処理装置を備えた基板研磨装置の配置構成を示す平面図で、図１１は、図１０に示す基板研磨装置の概要を示す斜視図である。図１０に示すように、基板研磨装置は、略矩形状のハウジング１００を備えており、ハウジング１００の内部は隔壁１０１ａ，１０１ｂ，１０１ｃによってロード／アンロード部１２０と研磨部１３０（１３０ａ，１３０ｂ）と洗浄部１４０とに区画されている。
【００７６】
ロード／アンロード部１０２は、複数の基板をストックする基板カセットを載置する２つ以上（図２５では３つ）のフロントロード部１２０を備えている。これらのフロントロード部１２０は、研磨装置の幅方向（長手方向と垂直な方向）に隣接して配列されている。フロントロード部１２０には、オープンカセット、ＳＭＩＦ（Standard  Manufacturing  Interface）ポッド、又はＦＯＵＰ（Front  Opening  Unified  Pod）を搭載することができる。ここで、ＳＭＩＦ、ＦＯＵＰは、内部に基板カセットを収納し、隔壁で覆うことにより、外部空間とは独立した環境を保つことができる密閉容器である。
【００７７】
また、ロード／アンロード部１０２には、フロントロード部１２０の並びに沿って走行機構１２１が敷設されており、この走行機構１２１上にフロントロード部１２０の配列方向に沿って移動可能な第１搬送ロボット１２２が設置されている。第１搬送ロボット１２２は走行機構１２１上を移動することによってフロントロード部１２０に搭載された基板カセットにアクセスできるようになっている。この第１搬送ロボット１２２は上下に２つのハンドを備えており、例えば、上側のハンドを基板カセットに研磨された基板を戻すときに使用し、下側のハンドを研磨前の基板を搬送するときに使用して、上下のハンドを使い分けることができるようになっている。
【００７８】
ロード／アンロード部１０２は最もクリーンな状態を保つ必要がある領域であるため、ロード／アンロード部１０２の内部は、装置外部、研磨部１３０、及び洗浄部１４０のいずれよりも高い圧力に常時維持されている。また、第１搬送ロボット１２２の走行機構１２１の上部には、ＨＥＰＡフィルタやＵＬＰＡフィルタなどのクリーンエアフィルタを有するフィルタファンユニット（図示せず）が設けられており、このフィルタファンユニットによりパーティクルや有毒蒸気、ガスが除去されたクリーンエアが常時下方に向かって吹き出している。
【００７９】
研磨部１３０は、基板の研磨が行われる領域であり、第１研磨ユニット１３１Ａと第２研磨ユニット１３１Ｂとを内部に有する第１研磨部１３０ａと、第３研磨ユニット１３１Ｃと第４研磨ユニット１３１Ｄとを内部に有する第２研磨部１３０ｂとを備えている。これらの第１研磨ユニット１３１Ａ、第２研磨ユニット１３１Ｂ、第３研磨ユニット１３１Ｃ、及び第４研磨ユニット１３１Ｄは、図１０に示すように、装置の長手方向に沿って配列されている。
【００８０】
第１研磨ユニット１３１Ａは、研磨パッドを保持する研磨テーブル１３２Ａと、基板を保持しかつ基板を研磨テーブル１３２Ａ上の研磨パッドの研磨面に対して押圧するためのトップリング１３３Ａと、研磨パッドの研磨面に研磨液（例えば、スラリー）やドレッシング液（例えば、純水）を供給するための研磨液供給ノズル１３４Ａと、研磨パッドのドレッシングを行うためのドレッサ１３５Ａと、液体（例えば純水）と気体（例えば窒素）の混合流体を霧状にして、ノズルから研磨面に噴射するアトマイザ１３６Ａとを備えている。
【００８１】
同様に、第２研磨ユニット１３１Ｂは、研磨テーブル１３２Ｂと、トップリング１３３Ｂと、研磨液供給ノズル１３４Ｂと、ドレッサ１３５Ｂと、アトマイザ１３６Ｂとを備えており、第３研磨ユニット１３１Ｃは、研磨テーブル１３２Ｃと、トップリング１３３Ｃと、研磨液供給ノズル１３４Ｃと、ドレッサ１３５Ｃと、アトマイザ１３６Ｃとを備えており、第４研磨ユニット１３１Ｄは、研磨テーブル１３２Ｄと、トップリング１３３Ｄと、研磨液供給ノズル３０２Ｄと、ドレッサ１３５Ｄと、アトマイザ１３６Ｄとを備えている。
【００８２】
第１研磨部１３０ａには、長手方向に沿った４つの搬送位置（ロード／アンロード部側から順番に第１搬送位置ＴＰ１、第２搬送位置ＴＰ２、第３搬送位置ＴＰ３、第４搬送位置ＴＰ４とする）の間で基板を搬送する第１リニアトランスポータ１５０が配置されている。この第１リニアトランスポータ１５０の第１搬送位置ＴＰ１の上方には、第１搬送ロボット１２２から受け取った基板を反転する反転機１５１が配置されており、その下方には上下に昇降可能なリフタ１５２が配置されている。また、第２搬送位置ＴＰ２の下方には上下に昇降可能なプッシャ１５３が、第３搬送位置ＴＰ３の下方には上下に昇降可能なプッシャ１５４が、第４搬送位置ＴＰ４の下方には上下に昇降可能なリフタ１５５がそれぞれ配置されている。
【００８３】
また、第２研磨部１３０ｂには、第１リニアトランスポータ１５０に隣接して、長手方向に沿った３つの搬送位置（ロード／アンロード部側から順番に第５搬送位置ＴＰ５、第６搬送位置ＴＰ６、第７搬送位置ＴＰ７とする）の間で基板を搬送する第２リニアトランスポータ１６０が配置されている。この第２リニアトランスポータ１６０の第５搬送位置ＴＰ５の下方には上下に昇降可能なリフタ１６６が、第６搬送位置ＴＰ６の下方にはプッシャ１６７が、第７搬送位置ＴＰ７の下方にはプッシャ１６８がそれぞれ配置されている。
【００８４】
図１１に示すように、第１リニアトランスポータ１５０は、直線往復移動可能な４つのステージ、すなわち、第１ステージ、第２ステージ、第３ステージ、および第４ステージを備えている。これらのステージは上下に２段の構成となっている。すなわち、下段には第１ステージ、第２ステージ、第３ステージが配置され、上段には第４ステージが配置されている。
【００８５】
下段のステージと上段のステージとは、設置される高さが異なっているため、下段のステージと上段のステージとは互いに干渉することなく自由に移動可能となっている。第１ステージは、第１搬送位置ＴＰ１と（基板の受け渡し位置である）第２搬送位置ＴＰ２との間で基板を搬送し、第２ステージは、第２搬送位置ＴＰ２と（基板の受け渡し位置である）第３搬送位置ＴＰ３との間で基板を搬送し、第３ステージは、第３搬送位置ＴＰ３と第４搬送位置ＴＰ４との間で基板を搬送する。また、第４ステージは、第１搬送位置ＴＰ１と第４搬送位置ＴＰ４との間で基板を搬送する。
【００８６】
第２リニアトランスポータ１６０は、第１リニアトランスポータ１５０と実質的に同一の構成を有している。すなわち、上段に第５ステージおよび第６ステージが配置され、下段に第７ステージが配置されている。第５ステージは、第５搬送位置ＴＰ５と（基板の受け渡し位置である）第６搬送位置ＴＰ６との間で基板を搬送し、第６ステージは、第６搬送位置ＴＰ６と（基板の受け渡し位置である）第７搬送位置ＴＰ７との間で基板を搬送し、第７ステージは、第５搬送位置ＴＰ５と第７搬送位置ＴＰ７との間で基板を搬送する。
【００８７】
研磨時にはスラリーを使用することを考えるとわかるように、研磨部１３０は最もダーティな（汚れた）領域である。したがって、研磨部１３０内のパーティクルが外部に飛散しないように、各研磨テーブルの周囲から排気が行われており、研磨部１３０の内部の圧力を、装置外部、周囲の洗浄部１４０、ロード／アンロード部１０２よりも低くすることでパーティクルの飛散を防止している。また、通常、研磨テーブルの下方には排気ダクト（図示せず）が、上方にはフィルタ（図示せず）がそれぞれ設けられ、これらの排気ダクト及びフィルタを介して清浄化された空気が噴き出され、ダウンフローが形成される。
【００８８】
洗浄部１４０は、研磨後の基板を洗浄する領域であり、第２搬送ロボット１２４と、第２搬送ロボット１２４から受け取った基板を反転する反転機１４１と、研磨後の基板を洗浄する４つの洗浄ユニット１４２〜１４５と、反転機１４１及び洗浄ユニット１４２〜１４５の間で基板を搬送する搬送ユニット１４６とを備えている。
【００８９】
第２搬送ロボット１２４、反転機１４１、及び洗浄ユニット１４２〜１４５は、研磨装置の長手方向に沿って直列に配置されている。また、これらの洗浄ユニット１４２〜１４５の上部には、クリーンエアフィルタを有するフィルタファンユニット（図示せず）が設けられており、このフィルタファンユニットによりパーティクルが除去されたクリーンエアが常時下方に向かって吹き出している。また、洗浄部１４０の内部は、研磨部１３０からのパーティクルの流入を防止するために研磨部１３０よりも高い圧力に常時維持されている。
【００９０】
搬送ユニット１４６は、基板を把持する複数のアームを有しており、これらアームによって複数の基板を反転機１４１及び洗浄ユニット１４２〜１４５の間で同時に水平方向に移動させることができるようになっている。洗浄ユニット１４２及び洗浄ユニット１４３としては、例えば、上下に配置されたロール状のスポンジを回転させて基板の表面及び裏面に押し付けて基板の表面及び裏面を洗浄するロールタイプの洗浄ユニットを用いることができる。また、洗浄ユニット１４４としては、例えば、半球状のスポンジを回転させながら基板に押し付けて洗浄するペンシルタイプの洗浄ユニットを用いることができる。洗浄ユニット１４５は、前述の図１または図６に示す基板処理装置である。なお、各洗浄ユニット１４２〜１４４において、上述したロールタイプの洗浄ユニットやペンシルタイプの洗浄ユニットに加えて、洗浄液に超音波を当てて洗浄するメガソニックタイプの洗浄ユニットを付加的に設けてもよい。
【００９１】
反転機１５１と第１搬送ロボット１２２との間にはシャッタ１１０が設置されており、基板の搬送時にはシャッタ１１０を開いて第１搬送ロボット１２２と反転機１５１との間で基板の受け渡しが行われる。また、反転機１４１と第２搬送ロボット１２４との間、反転機１４１と１次洗浄ユニット１４２との間、第１研磨部１３０ａと第２搬送ロボット１２４との間、及び第２研磨部１３０ｂと第２搬送ロボット１２４との間にもそれぞれシャッタ１１１，１１２，１１３，１１４が設置されており、基板の搬送時にはこれらのシャッタ１１１，１１２，１１３，１１４を開いて基板の受け渡しが行われる。
【００９２】
研磨テーブル１３２Ａの上には研磨パッド（図示せず）が固定されている。研磨テーブル１３２Ａは、その下方に配置されるモータ（図示せず）に連結されており、軸心周りに回転可能になっている。図１１に示すように、トップリング１３３Ａは、トップリングシャフト１３７Ａを介してモータ及び昇降シリンダ（図示せず）に連結されている。これにより、トップリング１３３Ａは昇降可能かつトップリングシャフト１３７Ａ周りに回転可能となっている。このトップリング１３３Ａの下面には、基板Ｗが真空吸着等によって保持される。研磨パッドの上面は、基板Ｗが摺接される研磨面を構成している。
【００９３】
トップリング１３３Ａの下面に保持された基板Ｗはトップリング１３３Ａによって回転させられつつ、回転している研磨テーブル１３２Ａ上の研磨パッドに押圧される。このとき、研磨液供給ノズル１３４Ａから研磨パッドの研磨面（上面）に研磨液が供給され、基板Ｗと研磨パッドとの間に研磨液が存在した状態で基板Ｗが研磨される。研磨テーブル１３２Ａおよびトップリング１３３Ａは、基板Ｗと研磨面とを相対移動させる機構を構成している。第２研磨ユニット３００Ｂ，第３研磨ユニット３００Ｃ、および第４研磨ユニット３００Ｄは、第１研磨ユニット３００Ａと同一の構成を有しているので、その説明を省略する。
【００９４】
このような構成を有する研磨装置によれば、１枚の基板を４つの研磨ユニットで連続的に研磨するシリーズ処理、および２枚の基板を同時に研磨するパラレル処理を行うことができる。
【００９５】
基板をシリーズ処理する場合には、基板は、フロントロード部１２０の基板カセット→第１搬送ロボット１２２→反転機１５１→リフタ１５２→第１リニアトランスポータ１５０の第１ステージ→プッシャ１５３→トップリング１３３Ａ→研磨テーブル１３２Ａ→プッシャ１５３→第１リニアトランスポータ１５０の第２ステージ→プッシャ１５４→トップリング１３３Ｂ→研磨テーブル１３２Ｂ→プッシャ１５４→第１リニアトランスポータ１５０の第３ステージ→リフタ１５５→第２搬送ロボット１２４→リフタ１６６→第２リニアトランスポータ１６０の第５ステージ→プッシャ１６７→トップリング１３３Ｃ→研磨テーブル１３２Ｃ→プッシャ１６７→第２リニアトランスポータ１６０の第６ステージ→プッシャ１６８→トップリング１３３Ｄ→研磨テーブル１３２Ｄ→プッシャ１６８→第２リニアトランスポータ１６０の第７ステージ→リフタ１６６→第２搬送ロボット１２４→反転機１４１→搬送ユニット１４６→洗浄ユニット１４２→搬送ユニット１４６→洗浄ユニット１４３→搬送ユニット１４６→洗浄ユニット１４４→搬送ユニット１４６→洗浄ユニット１４５→第１搬送ロボット１２２→フロントロード部１２０の基板カセットという経路で搬送される。
【００９６】
基板をパラレル処理する場合には、一方の基板は、フロントロード部１２０の基板カセット→第１搬送ロボット１２２→反転機１５１→リフタ１５２→第１リニアトランスポータ１５０の第１ステージ→プッシャ１５３→トップリング１３３Ａ→研磨テーブル１３２Ａ→プッシャ１５３→第１リニアトランスポータ１５０の第２ステージ→プッシャ１５４→トップリング１３３Ｂ→研磨テーブル１３２Ｂ→プッシャ１５４→第１リニアトランスポータ１５０の第３ステージ→リフタ１５５→第２搬送ロボット１２４→反転機１４１→搬送ユニット１４６→洗浄ユニット１４２→搬送ユニット１４６→洗浄ユニット１４３→搬送ユニット１４６→洗浄ユニット１４４→搬送ユニット１４６→洗浄ユニット１４５→第１搬送ロボット１２２→フロントロード部１２０の基板カセットという経路で搬送される。
【００９７】
また、他方の基板は、フロントロード部１２０の基板カセット→第１搬送ロボット１２２→反転機１５１→リフタ１５２→第１リニアトランスポータ１５０の第４ステージ→リフタ１５５→第２搬送ロボット１２４→リフタ１６６→第２リニアトランスポータ１６０の第５ステージ→プッシャ１６７→トップリング１３３Ｃ→研磨テーブル１３２Ｃ→プッシャ１６７→第２リニアトランスポータ１６０の第６ステージ→プッシャ１６８→トップリング１３３Ｄ→研磨テーブル１３２Ｄ→プッシャ１６８→第２リニアトランスポータ１６０の第７ステージ→リフタ１６６→第２搬送ロボット１２４→反転機１４１→搬送ユニット１４６→洗浄ユニット１４２→搬送ユニット１４６→洗浄ユニット１４３→搬送ユニット１４６→洗浄ユニット１４４→搬送ユニット１４６→洗浄ユニット１４５→第１搬送ロボット１２２→フロントロード部１２０の基板カセットという経路で搬送される。
【００９８】
以上本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲、及び明細書と図面に記載された技術的思想の範囲内において種々の変形が可能である。
【符号の説明】
【００９９】
１      基板保持機構
２      モータ（回転機構）
３      液飛散防止カップ
４      フロントノズル（液供給ノズル）
１０      チャック
１１      ステージ
１７      バックノズル
１８      ガスノズル
２０，２１  ノズル
４０      親水性皮膜
５３      親水化皮膜
６０      基板保持機構
７０      液飛散防止カップ
７０ａ    液飛散防止カップの内周面
１３１Ａ，１３１Ｂ，１３１Ｃ，１３１Ｄ    研磨ユニット
１３２Ａ，１３２Ｂ，１３２Ｃ，１３２Ｄ    研磨テーブル
１３３Ａ，１３３Ｂ，１３３Ｃ，１３３Ｄ    トップリング
１３４Ａ，１３４Ｂ，１３４Ｃ，１３４Ｄ    研磨液供給ノズル
１３５Ａ，１３５Ｂ，１３５Ｃ，１３５Ｄ    ドレッサ
１３６Ａ，１３６Ｂ，１３６Ｃ，１３６Ｄ    アトマイザ
１３７Ａ，１３７Ｂ，１３７Ｃ，１３７Ｄ    トップリングシャフト
１４０    洗浄部
１４１〜１４５    洗浄ユニット
１４６    搬送ユニット
Ｗ        基板
【図１】
0005932330.tif 000002
【図２】
0005932330.tif 000003
【図３】
0005932330.tif 000004
【図４】
0005932330.tif 000005
【図５】
0005932330.tif 000006
【図６】
0005932330.tif 000007
【図７】
0005932330.tif 000008
【図８】
0005932330.tif 000009
【図９】
0005932330.tif 000010
【図１０】
0005932330.tif 000011
【図１１】
0005932330.tif 000012