(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚み方向を貫通する開口部が形成される絶縁層と、
前記絶縁層の厚み方向一方面に形成され、一方側端子部を備える導体層と、
前記絶縁層の厚み方向他方面に形成され、前記厚み方向に投影したときに、前記開口部および前記一方側端子部と重なるように配置され、導電性接着剤を介して電子素子と接続して使用される他方側端子部と、
前記開口部内に充填され、前記一方側端子部と前記他方側端子部とを導通させる導通部と
を備え、
前記開口部は、前記一方側端子部の外側に間隔を隔てて配置されており、
前記他方側端子部は、前記厚み方向に投影したときに、前記開口部および前記一方側端子部の両方と重なるように、連続して一体的に形成されている
ことを特徴とする、配線回路基板。
【請求項２】
前記他方側端子部において、前記厚み方向他方面に凹凸が形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。
【請求項３】
前記凹凸は、前記他方側端子部において、前記厚み方向に投影したときに、前記一方側端子部と重なる領域に少なくとも形成されていることを特徴とする、請求項２に記載の配線回路基板。
【請求項４】
前記他方側端子部の厚み方向他方面の中央には、周縁部から厚み方向一方側に凹む端子凹部が形成され、
前記周縁部は、平坦状に形成され、
前記端子凹部に、凹凸が形成されていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の配線回路基板。
【請求項５】
前記導通部の上側を被覆するカバー絶縁層を、さらに備えることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の配線回路基板。
【請求項６】
前記他方側端子部の前記厚み方向他方面に形成されるめっき層をさらに備えることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の配線回路基板。
【請求項７】
前記電子素子が、圧電素子であることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載の配線回路基板。
【請求項８】
金属支持層を用意する工程と、
絶縁層を、前記金属支持層の厚み方向一方面に、厚み方向に貫通する開口部が形成されるように形成する工程と、
一方側端子部を備える導体層を、前記絶縁層の厚み方向一方面に形成するとともに、導通部を、前記開口部から露出する前記金属支持層の露出面に形成する工程と、
前記金属支持層をエッチングすることにより、前記厚み方向に投影したときに、少なくとも前記一方側端子部および前記導通部と重なるように設けられ、前記一方側端子部と前記導通部を介して導通し、かつ、導電性接着剤を介して電子素子と接続して使用される他方側端子部を形成する工程と
を備え、
前記開口部は、前記一方側端子部の外側に間隔を隔てて配置されており、
前記他方側端子部は、前記厚み方向に投影したときに、前記開口部および前記一方側端子部の両方と重なるように、連続して一体的に形成されている
ことを特徴とする、配線回路基板の製造方法。
【請求項９】
前記金属支持層において、厚み方向に投影したときに、一方側端子部と重なる領域の厚み方向他方面に、凹凸を形成する工程をさらに備えることを特徴とする、請求項８に記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項１０】
前記他方側端子部の厚み方向他方面に、めっき層を形成する工程をさらに備えることを特徴とする、請求項８または９に記載の配線回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板およびその製造方法、詳しくは、ハードディスクドライブに実装される回路付サスペンション基板に好適に用いられる配線回路基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
回路付サスペンション基板などの配線回路基板は、金属支持基板と、その上に形成されるベース絶縁層と、その上に形成され、磁気ヘッドと接続するためのヘッド側端子を有する導体パターンとを備えている。そして、この回路付サスペンション基板は、磁気ヘッドを実装して、磁気ヘッドをヘッド側端子部と接続させて、ハードディスクドライブに用いられる。
【０００３】
そのような回路付サスペンション基板には、近年、種々の電子素子、具体的には、例えば、ピエゾ素子（圧電素子）を有し、磁気ヘッドの位置および角度を精細に調節するためのマイクロアクチュエータなどを搭載することが提案されている。
【０００４】
例えば、基材、その表面に形成され、貫通孔を有する電気絶縁層、および、その表面に形成される配線部を備える配線部材と、圧電アクチュエータとの接続構造において、電気絶縁層の裏面における貫通孔の周辺に液止め部材を設け、貫通孔に液状の導電性接着剤が注入されることによって、配線部と圧電アクチュエータの電極とを接続することが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００５】
特許文献１では、導電性接着剤が、圧電アクチュエータの電極の表面と、貫通孔の内側の配線部の裏面とに接触することによって、圧電アクチュエータの電極は、配線部と電気的な接続を図っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１０−８６６４９号公報（図６（Ｃ））
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
近年、導電性接着剤を介した圧電アクチュエータと配線部との電気的な接続信頼性をより向上させることが求められている。
【０００８】
本発明の目的は、電子素子と導体層との電気的な接続信頼性を向上させることのできる配線回路基板およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明の配線回路基板は、厚み方向を貫通する開口部が形成される絶縁層と、前記絶縁層の厚み方向一方面に形成され、一方側端子部を備える導体層と、前記絶縁層の厚み方向他方面に形成され、前記厚み方向に投影したときに、前記開口部および前記一方側端子部と重なるように配置され、導電性接着剤を介して電子素子と接続して使用される他方側端子部と、前記開口部内に充填され、前記一方側端子部と前記他方側端子部とを導通させる導通部とを備えることを特徴としている。
【００１０】
また、本発明の配線回路基板では、前記他方側端子部において、前記厚み方向他方面に凹凸が形成されていることが好適である。
【００１１】
また、本発明の配線回路基板では、前記凹凸は、前記他方側端子部において、前記厚み方向に投影したときに、前記一方側端子部と重なる領域に少なくとも形成されていることが好適である。
【００１２】
また、本発明の配線回路基板では、前記他方側端子部の前記厚み方向他方面に形成されるめっき層をさらに備えることが好適である。
【００１３】
また、本発明の配線回路基板では、前記電子素子が、圧電素子であることが好適である。
【００１４】
また、本発明の配線回路基板の製造方法は、金属支持層を用意する工程と、絶縁層を、前記金属支持層の厚み方向一方面に、厚み方向に貫通する開口部が形成されるように形成する工程と、一方側端子部を備える導体層を、前記絶縁層の厚み方向一方面に形成するとともに、導通部を、前記開口部から露出する前記金属支持層の露出面に形成する工程と、前記金属支持層をエッチングすることにより、前記厚み方向に投影したときに、少なくとも前記一方側端子部および前記導通部と重なるように設けられ、前記一方側端子部と前記導通部を介して導通し、かつ、導電性接着剤を介して電子素子と接続して使用される他方側端子部を形成する工程とを備えることを特徴としている。
【００１５】
また、本発明の配線回路基板の製造方法は、前記金属支持層において、厚み方向に投影したときに、一方側端子部と重なる領域の厚み方向他方面に、凹凸を形成する工程をさらに備えることが好適である。
【００１６】
また、本発明の配線回路基板の製造方法は、前記他方側端子部の厚み方向他方面に、めっき層を形成する工程をさらに備えることが好適である。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の配線回路基板では、導通部が、開口部内に充填されており、一方側端子部と他方側端子部とを導通させている。また、他方側端子部は、厚み方向に投影したときに、開口部および一方側端子部と重なるように配置されている。
【００１８】
そのため、電子素子を、導電性接着剤を介して、他方側端子部と電気的に接続させることができるとともに、他方側端子部および導通部を介して導体層および一方側端子部と電気的に接続させることができる。また、導電性接着剤が接着する他方側端子部の表面を、導電性接着剤が接着し易いように表面加工することができる。
【００１９】
その結果、電子素子と、導体層や一方側端子部との電気的な接続信頼性を向上させることができる。
【００２０】
本発明の配線回路基板の製造方法によれば、絶縁層を、金属支持層に、開口部が形成されるように形成する工程と、一方側端子部を備える導体層を、絶縁層に形成するとともに、導通部を、開口部から露出する金属支持層の露出面に形成する工程と、金属支持層をエッチングすることにより、厚み方向に投影したときに、少なくとも一方側端子部および前記導通部と重なるように設けられ、他方側端子部を形成する工程とを備えている。
【００２１】
そのため、電子素子と、導体層や一方側端子部との電気的な接続信頼性が向上された配線回路基板を簡便に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】図１は、本発明の配線回路基板の一実施形態である回路付サスペンション基板を備えるアセンブリの平面図を示す。
【図２】図２は、図１に示すアセンブリのＡ−Ａ線に沿う断面図を示す。
【図３】図３は、図１に示すアセンブリのＢ−Ｂ線に沿う断面図を示す。
【図４】図４は、図１に示すアセンブリの圧電側端子のＣ−Ｃ線に沿う拡大断面図を示す。
【図５】図５は、図１に示すアセンブリの接続アームの拡大平面図を示す。
【図６】図６は、図１に示すアセンブリの接続アームの拡大底面図を示す。
【図７】図７は、回路付サスペンション基板を製造する方法を説明する工程図であって、（ａ）は、金属支持層を用意する工程、（ｂ）は、ベース絶縁層を形成する工程、（ｃ）は、導体層および導通部を形成する工程、（ｄ）は、カバー絶縁層を形成する工程を示す。
【図８】図８は、図７に引き続き、回路付サスペンション基板を製造する方法を説明する工程図であって、（ｅ）は、金属支持層に凹凸を形成する工程、（ｆ）は、他方側端子部を形成する工程、（ｇ）は、めっき層を形成する工程を示す。
【図９】図９は、本発明の配線回路基板の他の実施形態である回路付サスペンション基板を備えるアセンブリのパッド部（圧電素子側端子部の下側全面が平坦状に形成される態様）の拡大断面図を示す。
【図１０】図１０は、本発明の配線回路基板の他の実施形態である回路付サスペンション基板を備えるアセンブリのパッド部（凹凸が圧電素子側端子部の下面全面に形成される態様）の拡大断面図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
図１は、本発明の配線回路基板の一実施形態である回路付サスペンション基板を備えるアセンブリの平面図、図２は、図１に示すアセンブリのＡ−Ａ線に沿う断面図、図３は、図１に示すアセンブリのＢ−Ｂ線に沿う断面図、図４は、図１に示すアセンブリの圧電側端子のＣ−Ｃ線に沿う拡大断面図、図５は、図１に示すアセンブリの接続アームの拡大平面図、図６は、図１に示すアセンブリの接続アームの拡大底面図、図７および図８は、回路付サスペンション基板を製造する方法を説明する工程図を示す。
【００２４】
なお、図１において、ベース絶縁層２８およびカバー絶縁層２９は、金属支持基板１８および導体層１９の相対配置を明確に示すため、省略している。また、図４において、後述する導電性接着剤４２は、導体層１９を明確に表示するために、省略している。さらに、図５において、カバー絶縁層２９は、一方側端子部４０および他方側端子部６０の相対配置を明確に示すため、省略している。
【００２５】
図１および図２において、アセンブリ１は、磁気ヘッド（図示せず）を実装するスライダ２２が実装された回路付サスペンション基板３を支持プレート２によって支持させて、ハードディスクドライブ（図示せず）に実装されるヘッドスタックアセンブリ（ＨＳＡ）である。アセンブリ１は、支持プレート２と、支持プレート２の上に配置され、支持プレート２によって支持される回路付サスペンション基板３と、支持プレート２に支持されながら、回路付サスペンション基板３の位置および角度を精細に調節するための電子素子としての圧電素子（ピエゾ素子）５とを備えている。
【００２６】
支持プレート２は、長手方向（先後方向）に延びるように形成されており、アクチュエータプレート部６と、アクチュエータプレート部６の下に形成されるベースプレート部７と、アクチュエータプレート部６の先側に連続して形成されるロードビーム部８とを備えている。
【００２７】
アクチュエータプレート部６は、後プレート部９と、後プレート部９の先側に間隔を隔てて配置される先プレート部１０と、後プレート部９および先プレート部１０の間に形成される可撓部１１とを一体的に備えている。
【００２８】
後プレート部９は、アクチュエータプレート部６の後端部において、平面視略矩形状に形成されている。
【００２９】
先プレート部１０は、幅方向（先後方向に直交する方向）に延びる平面視略矩形状に形成されている。
【００３０】
可撓部１１は、アクチュエータプレート部６の幅方向両側に設けられている。幅方向一方側の可撓部１１は、後プレート部９の先端部と、先プレート部１０の後端部とを架設するように形成されている。また、幅方向他方側の可撓部１１は、後プレート部９の先端部と、先プレート部１０の後端部とを架設するように形成されている。
【００３１】
各可撓部１１は、その先後方向中央部が幅方向両外側に湾曲し、かつ、先後方向にわたって略同幅に形成されている。詳しくは、可撓部１１の先後方向中央部は、幅方向両外側に略Ｕ字（あるいは略Ｖ字）形状に張り出すように形成されている。
【００３２】
従って、可撓部１１は、後述するが、圧電素子５の伸縮によって、先プレート部１０を、後プレート部９に対して離間および近接可能に形成されている。
【００３３】
また、アクチュエータプレート部６には、後プレート部９の先面、先プレート部１０の後面、および、可撓部１１の幅方向内面によって仕切られるプレート開口部１２が形成されている。プレート開口部１２は、アクチュエータプレート部６の厚み方向を貫通する。
【００３４】
また、後プレート部９の先端部および先プレート部１０の後端部には、圧電素子５の後端部および先端部がそれぞれ取り付けられる取付領域１３が、２組区画されている。各取付領域１３は、後プレート部９の先端部と、先プレート部１０の後端部とに対応して、幅方向一端部または幅方向他端部において、幅方向に長い底面視略矩形状に、それぞれ、形成されている。
【００３５】
ベースプレート部７は、後プレート部９の下面の幅方向中央部および先後方向中央部に固定されている。また、ベースプレート部７は、平面視において、先部が、略矩形状に形成されるとともに、後部が略半円形状に形成されている。
【００３６】
また、支持プレート２には、後プレート部９の中央部およびベースプレート部７の中央部を貫通する底面視略円形状の穴１４が形成されている。
【００３７】
なお、ベースプレート部７には、アセンブリ１の先端部を、穴１４を中心として揺動するための駆動コイル（図示せず）が取り付けられる。
【００３８】
ロードビーム部８は、アクチュエータプレート部６と一体的に形成されており、具体的には、先プレート部１０の先端から先側に向かって延びるように形成され、平面視において、先方に向かうに従って幅狭となる略台形状に形成されている。
【００３９】
支持プレート２は、例えば、ステンレス、アルミニウム、鉄、および、それらの合金などの金属材料から形成されている。
【００４０】
支持プレート２の寸法としては、適宜設定され、例えば、アクチュエータプレート部６およびロードビーム部８の厚みが、例えば、３０〜１５０μｍであり、ベースプレート部７の厚みが、例えば、１５０〜２００μｍである。
【００４１】
なお、この支持プレート２は、アクチュエータプレート部６とロードビーム部８とを一体的に備えるアクチュエータプレート・ロードビーム一体型プレートとされている。
【００４２】
回路付サスペンション基板３は、先後方向に延びる平面視略平帯形状に形成されている。
【００４３】
回路付サスペンション基板３には、図１に示すように、金属支持基板１８と、金属支持基板１８に支持される導体層１９とが設けられている。
【００４４】
金属支持基板１８は、回路付サスペンション基板３の外形形状に対応するように形成されており、配線部１６と、配線部１６の先側に形成される先部１５と、配線部１６の後側に形成される後部１７とを一体的に備えている。
【００４５】
配線部１６は、金属支持基板１８の先後方向中央部に形成されており、先後方向に延びる直線部２０と、直線部２０の後端部から幅方向一方に屈曲した後、さらに、後方に屈曲する屈曲部２１とを一体的に備えている。なお、直線部２０および屈曲部２１は、先後方向にわたって略同幅に形成されている。
【００４６】
配線部１６は、配線２５（後述）を支持する。
【００４７】
先部１５は、直線部２０の先端から連続しており、配線部１６に対して幅方向両外側にわずかに膨出する平面視略矩形状に形成されている。詳しくは、先部１５は、スライダ２２（後述）が実装されるジンバル２３と、ジンバル２３および直線部２０を連結するジンバル後部２４とを備えている。
【００４８】
ジンバル２３は、直線部２０の幅より大きい幅の、平面視略矩形状に形成されている。ジンバル２３は、先側端子２６（後述）を支持するとともに、先側端子２６と電気的に接続される磁気ヘッド（図示せず）を有するスライダ２２（後述）を実装する。
【００４９】
ジンバル後部２４は、ジンバル２３の後端に連続し、後方に向かうに従って幅狭となる略三角形状に形成されている。ジンバル後部２４は、配線２５を支持する。
【００５０】
後部１７は、屈曲部２１の後端から連続しており、屈曲部２１と略同幅の平面視略矩形状に形成されている。後部１７は、後側端子２７（後述）を支持する。
【００５１】
導体層１９は、金属支持基板１８の上において、先後方向に沿って延びる配線２５と、配線２５の先端部に連続する先側端子２６と、配線２５の後端部に連続する後側端子２７とを一体的に備えている。
【００５２】
配線２５は、磁気ヘッド（図示せず）およびリード・ライト基板（図示せず）間に電気信号を伝達する信号配線２５Ａを備え、回路付サスペンション基板３の先後方向全体にわたって配置されている。信号配線２５Ａは、幅方向に間隔を隔てて複数（４個）配置されている。
【００５３】
また、配線２５は、さらに、電源配線２５Ｂを複数（２個）備えている。
【００５４】
電源配線２５Ｂは、次に説明する電源側端子２７Ｂと電気的に接続されており、後部１７において、電源側端子２７Ｂに連続し、後部１７および屈曲部２１において、信号配線２５Ａの両側に間隔を隔てて並行して配置され、直線部２０の先後方向中央部において、幅方向両外側に屈曲して、後述する一方側端子部４０（図４参照）に至るように配置されている。
【００５５】
先側端子２６は、先部１５に配置され、具体的には、ジンバル２３の先側において、スライダ２２の先端面に沿い、幅方向に間隔を隔てて複数（４個）配置されている。
【００５６】
先側端子２６は、磁気ヘッド（図示せず）が電気的に接続されるヘッド側端子２６Ａである。
【００５７】
後側端子２７は、後部１７の後端部に配置され、具体的には、先後方向に間隔を隔てて複数（６個）配置されている。後側端子２７は、信号配線２５Ａに連続し、リード・ライト基板の端子が接続される複数（４個）の外部側端子２７Ａを備えている。
【００５８】
また、後側端子２７は、さらに、電源配線２５Ｂに連続し、圧電素子５と電気的に接続される電源側端子２７Ｂを複数（２個）備えている。なお、電源側端子２７Ｂは、外部側端子２７Ａの先後方向両側に間隔を隔てて配置されており、電源（図示せず）に電気的に接続される。
【００５９】
そして、図３および図４に示すように、回路付サスペンション基板３は、金属支持基板１８と、その上に形成されるベース絶縁層２８と、ベース絶縁層２８の上に形成される導体層１９と、ベース絶縁層２８の上に、導体層１９を被覆するように形成されるカバー絶縁層２９とを備えている。
【００６０】
金属支持基板１８は、例えば、ステンレス、４２アロイ、アルミニウム、銅−ベリリウム、りん青銅などの金属材料から形成されている。好ましくは、ステンレスから形成されている。金属支持基板１８の厚みは、例えば、１５〜２５μｍ、好ましくは、１７〜２２μｍ、さらに好ましくは、１８〜２０μｍである。
【００６１】
ベース絶縁層２８は、図１が参照されるように、先部１５、配線部１６および後部１７における金属支持基板１８の上面に、導体層１９に対応するパターンに形成されている。
【００６２】
ベース絶縁層２８は、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの合成樹脂などの絶縁材料から形成されている。好ましくは、ポリイミド樹脂から形成されている。
【００６３】
ベース絶縁層２８の厚み（最大厚み）は、例えば、４〜１５μｍ、好ましくは、６〜１２μｍ、さらに好ましくは、８〜１０μｍである。
【００６４】
導体層１９は、図１および図３に示すように、先部１５、配線部１６および後部１７におけるベース絶縁層２８の上面に、上記したパターンに形成されている。
【００６５】
導体層１９は、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはそれらの合金などの導体材料などから形成されている。好ましくは、銅から形成されている。
【００６６】
導体層１９の厚みは、例えば、４〜１５μｍ、好ましくは、６〜１２μｍ、さらに好ましくは、８〜１０μｍである。
【００６７】
各配線２５の幅は、例えば、５〜２００μｍ、好ましくは、８〜１００μｍであり、各配線２５間の間隔は、例えば、５〜１０００μｍ、好ましくは、８〜１００μｍである。
【００６８】
先側端子２６および後側端子２７の幅および長さは、例えば、２０〜１０００μｍ、好ましくは、３０〜８００μｍである。また、各先側端子２６間の間隔、および、各後側端子２７間の間隔は、例えば、２０〜１０００μｍ、好ましくは、３０〜８００μｍである。
【００６９】
カバー絶縁層２９は、配線部１６、先部１５および後部１７において、配線２５の周囲のベース絶縁層２８の上面と、配線２５の上面および側面とを被覆するように形成されている。また、カバー絶縁層２９は、図示しないが、先部１５において、先側端子２６を露出するとともに、後部１７において、後側端子２７を露出するパターンに形成されている。
【００７０】
カバー絶縁層２９は、ベース絶縁層２８の絶縁材料と同様の絶縁材料から形成されている。カバー絶縁層２９の厚みは、例えば、２〜７μｍ、好ましくは、３〜６μｍ、さらに好ましくは、４〜５μｍである。
【００７１】
この回路付サスペンション基板３は、図１および図２に示すように、金属支持基板１８の下面が支持プレート２に支持されている。具体的には、配線部１６および先部１５の下面が、支持プレート２に支持され、後部１７の下面が、支持プレート２に支持されることなく、支持プレート２から後方に突出している。
【００７２】
詳しくは、回路付サスペンション基板３は、屈曲部２１が、後プレート部９の幅方向一端部および先端部に沿って略Ｌ字形状に配置され、直線部２０が、後プレート部９の先端部の幅方向中央部からプレート開口部１２の幅方向中央部を横切り、その後、先プレート部１０の幅方向中央部に至るように、配置されている。また、回路付サスペンション基板３は、先部１５が、ロードビーム部８の先後方向にわたって、ロードビーム部８の幅方向中央部に形成されるように、配置されている。
【００７３】
圧電素子５は、支持プレート２の下側に取り付けられている。
【００７４】
具体的には、圧電素子５は、幅方向に間隔を隔てて複数（２個）設けられている。
【００７５】
各圧電素子５は、先後方向に伸縮可能なアクチュエータであって、先後方向に長い平面視略矩形状に形成されている。圧電素子５は、プレート開口部１２を先後方向に跨ぐように配置されている。
【００７６】
詳しくは、各圧電素子５の先後方向両端部は、後プレート部９の先端部および先プレート部１０の後端部における取付領域１３（図１の破線）に、接着剤層３１を介して接着され、固定されている。
【００７７】
また、図３および図４に示すように、各圧電素子５の上面には、先後方向中央部に、電極４８が設けられており、電極４８が、次に説明する他方端子部としての圧電素子側端子部６０に支持されるとともに、圧電素子側端子部６０および導通部６４を介して、回路付サスペンション基板３の導体層１９と電気的に接続されている。
【００７８】
圧電素子５は、導体層１９から電気が供給され、その電圧が制御されることによって、伸縮する。
【００７９】
次に、回路付サスペンション基板３における幅方向一方側のプロービング端子部４０、圧電素子側端子部６０および導通部６４について、図３〜図８を参照して詳述する。なお、幅方向他方側のプロービング端子部４０、圧電素子側端子部６０および導通部６４は、幅方向一方側のプロービング端子部４０、圧電素子側端子部６０および導通部６４と直線部２０に対して対称となるように形成されており、その説明を省略する。
【００８０】
回路付サスペンション基板３には、図５および図６に示すように、導体層１９、圧電素子側端子部６０、および、導通部６４を含む接続アーム３２が設けられている。
【００８１】
接続アーム３２は、直線部２０の先後方向中央部から幅方向外側にアーム状に突出するように設けられている。
【００８２】
接続アーム３２は、直線部２０と幅方向一方側に間隔を隔てて配置されるパッド部３３と、直線部２０およびパッド部３３を連結するジョイント部４１とを備えている。
【００８３】
パッド部３３は、図４に示すように、圧電素子側端子部６０と、圧電素子側端子部６０の上に形成されるベース絶縁層２８と、ベース絶縁層２８の上に形成される導体層１９と、ベース絶縁層２８の上に、導体層１９の一部を被覆するように形成されるカバー絶縁層２９と、導通部６４とを備えている。
【００８４】
図６に示すように、圧電素子側端子部６０は、底面視において、幅方向他方側に向かって雫が滴る略雫形状に形成されている。圧電素子側端子部６０の幅方向他端部には、幅方向他方側に向かって略Ｖ字形状に突出する突出部６５が形成されている。
【００８５】
また、図４および図６に示すように、圧電素子側端子部６０の下部の中央部には、下部の周縁部３６から厚み方向上側に凹む端子凹部３４が形成されている。
【００８６】
周縁部３６は、その下面が、平坦状に形成されている。周縁部３６は、平面視略円環状であり、具体的には、内形は、略円形に形成され、外形は、圧電素子側端子部６０の外形と同一形状に形成されている。
【００８７】
端子凹部３４の下面（下側に対向する全面）は、厚み方向に投影したときに、プロービング端子部４０を含み、具体的には、プロービング端子部４０と重なる重複領域３５と、その周縁の周辺領域８０とが連続して形成されている。重複領域３５は、プロービング端子部４０と同一形状に形成され、周辺領域８０は、プロービング端子部４０と同心の底面視略円環状に形成されている。端子凹部３４の全下面、つまり、重複領域３５および周辺領域８０のそれぞれには、凹凸が形成されている。
【００８８】
端子凹部３４の下面の表面粗さＲａ（ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１：２００１）は、例えば、０．０５μｍ以上、好ましくは、０．２μｍ以上、より好ましくは、０．５μｍ以上であり、また、例えば、５μｍ以下、好ましくは、２μｍ以下、より好ましくは、１μｍ以下でもある。
【００８９】
圧電素子側端子部６０は、金属支持基板１８と同様の金属材料から形成されている。圧電素子側端子部６０の厚みは、周縁部３６では、金属支持基板１８の厚みと同一であり、端子凹部３４に対応する部分では、金属支持基板１８よりも薄く形成されている。
【００９０】
パッド部３３において、図５および図６に示すように、ベース絶縁層２８は、端子凹部３４と同心の平面視略円形状に形成されている。また、図４〜６に示すように、ベース絶縁層２８には、その幅方向他端部に、ベース絶縁層２８の厚み方向を貫通する平面視略円形状の、開口部としての導通開口部６１が形成されている。
【００９１】
導通開口部６１は、端子凹部３４に対して幅方向他方側に間隔を隔てて形成されている。導通開口部６１は、平面視略円形状に形成され、厚み方向に投影したときに、圧電素子側端子部６０の突出部６５に含まれるように形成されている。
【００９２】
パッド部３３において、図３および図４に示すように、導体層１９は、一方側端子部としてのプロービング端子部４０と、そのプロービング端子部４０の外側に連続し、プロービング端子部４０の周囲を囲む枠導体３９と、電源配線２５Ｂの一端部６２とを備えている。
【００９３】
プロービング端子部４０は、図５に示すように、平面視略円形状をなし、厚み方向に投影したときに、端子凹部３４に含まれており、端子凹部３４と同心の円形状に形成されている。また、プロービング端子部４０は、厚み方向に投影したときに、ベース絶縁層２８に含まれており、導通開口部６１に対して幅方向一方側に間隔を隔てて配置されている。
【００９４】
プロービング端子部４０の上面には、図４に示すように、めっき層４７が形成されている。
【００９５】
枠導体３９は、図４および図５に示すように、ベース絶縁層２８よりわずかに小さい平面視略円環（リング）形状に形成されている。枠導体３９は、厚み方向に投影したときに、ベース絶縁層２８に含まれ、ベース絶縁層２８の周縁部の上面を露出している。枠導体３９は、厚み方向に投影したときに、端子凹部３４の周縁を含むように形成されている。
【００９６】
パッド部３３において、電源配線２５Ｂの一端部６２は、枠導体３９の他方側端部に連続するように形成されている。一端部６２は、厚み方向に投影したときに、ベース絶縁層２８の導通開口部６１を含むように形成されている。
【００９７】
パッド部３３において、カバー絶縁層２９は、図４に示すように、枠導体３９および一端部６２を被覆し、プロービング端子部４０を露出するように形成されている。カバー絶縁層２９には、厚み方向において貫通し、プロービング端子部４０を露出するカバー開口部５４が形成されている。カバー絶縁層２９は、その外形形状が、平面視において、ベース絶縁層２８の外形形状と同一形状に形成されている。つまり、カバー絶縁層２９の外周面は、ベース絶縁層２８の外周面と厚み方向において面一に形成されている。
【００９８】
図４および図５に示すように、パッド部３３において、導通部６４は、ベース絶縁層２８の導通開口部６１内に充填されている。具体的には、導通部６４は、電源配線２５Ｂの一端部６２と一体的に形成されており、詳しくは、導通部６４の上部は、電源配線２５Ｂの一端部６２の下面に連続している。また、導通部６４の下面は、圧電素子側端子部６０の突出部６５の上面と接触している。
【００９９】
これによって、導通部６４は、電源配線２５Ｂおよびプロービング端子部４０と、圧電素子側端子部６０とを電気的に接続している（導通させている）。
【０１００】
パッド部３３の寸法は、適宜選択され、圧電素子側端子部６０の最大長さは、例えば、１００〜１０００μｍであり、圧電素子側端子部６０の端子凹部３４（すなわち、重複領域３５および周辺領域８０）の直径（最大長さ）は、例えば、５０〜５００μｍ、好ましくは、１５０〜４００μｍ、より好ましくは、２００〜３００μｍである。周縁部３６の幅は、例えば、３０〜２００μｍ、好ましくは、５０〜１５０μｍ、より好ましくは、８０〜１２０μｍである。
ベース絶縁層２８の直径（最大長さ）が、例えば、１００〜１０００μｍである。
【０１０１】
ベース絶縁層２８の導通開口部６１とカバー開口部５４との幅方向における間隔（最短距離）は、例えば、３０〜１００μｍ、好ましくは、４０〜８０μｍ、さらに好ましくは、５０〜７０μｍである。ベース絶縁層２８の導通開口部６１と、圧電素子側端子部６０の端子凹部３４との幅方向における間隔（最短距離）は、例えば、０〜１００μｍ、好ましくは、１０〜８０μｍ、さらに好ましくは、２０〜５０μｍである。導通開口部６１の直径（最大長さ）は、例えば、２０〜１００μｍ、好ましくは、３０〜９０μｍ、より好ましくは、５０〜７０μｍである。
【０１０２】
導体層１９の枠導体３９の外径（最大長さ）は、例えば、９０〜９９０μｍである。導体層１９のプロービング端子部４０の直径（最大長さ）は、例えば、４０〜４８０μｍ、好ましくは、１００〜３００μｍ、より好ましくは、１８０〜２２０μｍである。
【０１０３】
図４に示すように、圧電素子側端子部６０の厚みは、周縁部３６では、金属支持基板１８の厚みと同一であり、端子凹部３４に対応する部分の厚みは、周縁部３６の厚みに対して、例えば、９０％以下、好ましくは、７０％以下、より好ましくは、５０％以下であり、また、例えば、２０％以上でもある。具体的には、端子凹部３４に対応する部分の厚みは、例えば、３〜２０μｍ、好ましくは、３〜１５μｍ、好ましくは、３〜１０μｍである。
【０１０４】
パッド部３３におけるベース絶縁層２８、カバー絶縁層２９および導体層１９の厚みは、直線部２０におけるベース絶縁層２８、カバー絶縁層２９および導体層１９の厚みと同一である。とりわけ、パッド部３３におけるカバー絶縁層２９の最小厚み、具体的には、枠導体３９の上面からカバー絶縁層２９の上面までの距離は、例えば、２〜７μｍ、好ましくは、３〜６μｍ、より好ましくは、４〜５μｍである。カバー絶縁層２９の最大厚み、具体的には、ベース絶縁層２８の上面からカバー絶縁層２９の上面までの距離は、例えば、６〜２２μｍ、好ましくは、９〜１８μｍ、より好ましくは、１２〜１５μｍである。
【０１０５】
ジョイント部４１は、図５および図６に示すように、直線部２０の先後方向中央部における幅方向一端部と、パッド部３３の幅方向他端部とを架設している。
【０１０６】
ジョイント部４１は、幅方向に延び、パッド部３３の外径より小さい幅（短い先後方向長さ）の平面視略矩形状に形成されている。
【０１０７】
ジョイント部４１は、図５に示すように、ベース絶縁層２８と、ベース絶縁層２８の上に形成される電源配線２５Ｂと、ベース絶縁層２８の上に、電源配線２５Ｂを被覆するように形成されるカバー絶縁層２９（図５において省略。図４参照。）とを備えている。
【０１０８】
ジョイント部４１において、ベース絶縁層２８は、ジョイント部４１の外形形状に対応する形状に形成されている。ジョイント部４１のベース絶縁層２８は、直線部２０におけるベース絶縁層２８と、パッド部３３におけるベース絶縁層２８とに連続して形成されている。
【０１０９】
ジョイント部４１における電源配線２５Ｂは、幅方向に沿って延びるように形成され、直線部２０の電源配線２５Ｂと、パッド部３３の一端部６２とに連続して形成されている。
【０１１０】
ジョイント部４１において、図４に示すように、カバー絶縁層２９は、電源配線２５Ｂの上面および側面を被覆するように形成されている。
【０１１１】
また、この回路付サスペンション基板３において、図３および図５が参照されるように、各端子、具体的には、先側端子２６（図１参照）、後側端子２７（図１参照）、および、プロービング端子部４０の表面には、めっき層４７が形成されている。
【０１１２】
めっき層４７は、例えば、ニッケル、金などの金属材料から形成されている。好ましくは、金から形成されている。めっき層４７の厚みは、例えば、０．３〜２μｍ、好ましくは、０．５〜１．５μｍ、さらに好ましくは、０．８〜１．２μｍである。
【０１１３】
次に、このアセンブリ１の製造方法について説明する。
【０１１４】
アセンブリ１を製造するには、まず、回路付サスペンション基板３、支持プレート２および圧電素子５をそれぞれ用意する。
【０１１５】
次に、回路付サスペンション基板３を用意（製造）する方法について、図７および図８を参照して説明する。
【０１１６】
この方法では、図７（ａ）に示すように、まず、金属支持層６７を用意する。
【０１１７】
金属支持層６７は、金属支持基板１８および圧電素子側端子部６０を形成するための層であり、材料および厚みは、上記した金属支持基板１８および圧電素子側端子部６０のそれらと同一である。
【０１１８】
次いで、図７（ｂ）に示すように、ベース絶縁層２８を、金属支持層６７の上に形成する。
【０１１９】
具体的には、ベース絶縁層２８を、金属支持層６７の上において、導通開口部６１が形成されるパターンに形成する。
【０１２０】
ベース絶縁層２８を形成するには、まず、例えば、金属支持層６７の上面に、感光性の絶縁材料のワニスを塗布して乾燥させて、感光性のベース皮膜を形成する。
【０１２１】
次いで、感光性のベース皮膜を、図示しないフォトマスクを介して露光する。フォトマスクは、遮光部分および光透過部分をパターンで備えており、ベース絶縁層２８を形成する部分には光透過部分を、導通開口部６１を形成する部分には遮光部分を、ベース皮膜に対して、対向配置する。
【０１２２】
その後、露光後のベース皮膜を現像し、必要により、加熱硬化させることにより、ベース絶縁層２８を、導通開口部６１が形成される上記したパターンに形成する。
【０１２３】
次いで、図７（ｃ）に示すように、導体層１９を、ベース絶縁層２８の上面に形成する。これと同時に、導通部６４を、導通開口部６１から露出する金属支持層６７の上面に形成する。
【０１２４】
つまり、図１が参照されるように、導体層１９を、配線２５と、それに連続する先側端子２６、後側端子２７、枠導体３９およびプロービング端子部４０とを備えるパターンに形成するとともに、導通部６４を、導通開口部６１内に充填する。
【０１２５】
導体層１９および導通部６４は、アディティブ法またはサブトラクティブ法などにより、同時に形成する。
【０１２６】
次いで、図７（ｄ）に示すように、カバー絶縁層２９を、導体層１９およびベース絶縁層２８の上に形成する。
【０１２７】
具体的には、カバー絶縁層２９を、導体層１９およびベース絶縁層２８の上において、カバー開口部５４が形成されるパターンに形成する。カバー絶縁層２９を形成する方法は、ベース絶縁層２８を形成する方法と同様である。
【０１２８】
次いで、図８（ｅ）に示すように、金属支持層６７の下面に、凹凸を形成する。より具体的には、凹凸を、ベース絶縁層２８を厚み方向に投影したときに、少なくともプロービング端子部４０と重なる領域に形成する。
【０１２９】
凹凸の形成方法としては、例えば、ハーフエッチング、例えば、レーザ加工、例えば、ニードルを用いて金属支持層６７の下面を打突する物理的形成方法などが挙げられる。好ましくは、エッチング時間を通常のエッチング時間に対して１／１０〜１／２に短縮した条件で実施するハーフエッチングにて凹凸を形成する。具体的には、金属支持層６７の下面に、重複領域３５および周辺領域８０が露出するようにエッチングレジストを積層し、露出した金属支持層６７の下面をエッチングすることにより、凹凸を形成する。これにより、重複領域３５および周辺領域８０に対応する端子凹部３４が、周縁部３６より薄い部分として形成される。
【０１３０】
次いで、図８（ｅ）に示すように、金属支持層６７を外形加工することにより、上記したパターンの金属支持基板１８および圧電素子側端子部６０を形成する。
【０１３１】
具体的には、金属支持層６７を、例えば、ドライエッチング（例えば、プラズマエッチング）やウェットエッチング（例えば、化学エッチング）などのエッチング、例えば、ドリル穿孔、レーザ加工などによって、金属支持基板１８および圧電素子側端子部６０のパターンに形成する。好ましくは、金属支持層６７を、ウェットエッチングにて外形加工する。
【０１３２】
その後、図８（ｇ）に示すように、めっき層４７を、例えば、無電解めっき、電解めっきなどのめっき、好ましくは、電解めっきによって、先側端子２６（図１参照）、後側端子２７（図１参照）、プロービング端子部４０および圧電素子側端子部６０の各表面に形成する。
【０１３３】
このようにして、回路付サスペンション基板３を用意（製造）する。
【０１３４】
その後、得られた回路付サスペンション基板３において、検査用プローブの先端（下端）を、プロービング端子部４０に押し当てて、導体層１９の導通を検査する。
【０１３５】
次いで、図１〜３が参照されるように、用意した回路付サスペンション基板３と、支持プレート２と、圧電素子５とを組み付ける。
【０１３６】
具体的には、回路付サスペンション基板３を支持プレート２の上面に配置する。すなわち、図１に示すように、回路付サスペンション基板３は、配線部１６における直線部２０が、プレート開口部１２の幅方向中央部を横切り、屈曲部２１が、後プレート部９の幅方向一端部および先端部に配置され、かつ、先部１５がロードビーム部８の先後方向にわたって、ロードビーム部８の幅方向中央部に配置されるように、支持プレート２に、例えば、溶接あるいは接着剤などによって固定される。また、接続アーム３２が、プレート開口部１２の幅方向両端部に配置されるように、回路付サスペンション基板３が支持プレート２に固定される。
【０１３７】
その後、図３に示すように、圧電素子５を、支持プレート２に固定するとともに、圧電素子５の電極４８を圧電素子側端子部６０に電気的に接続させる。
【０１３８】
圧電素子５を支持プレート２に固定するには、アクチュエータプレート部６における取付領域１３に接着剤層３１を設置し、その接着剤層３１を介して、圧電素子５の先後方向両端部を取付領域１３に取り付ける。圧電素子５は、図１に示すように、プレート開口部１２において、回路付サスペンション基板３の直線部２０の幅方向両外側に間隔を隔てて配置される。
【０１３９】
また、圧電素子５の電極４８を圧電素子側端子部６０に電気的に接続させるには、図３に示すように、少なくとも端子凹部３４に接触するように、電極４８と圧電素子側端子部６０との間に、導電性接着剤４２を設ける。
【０１４０】
導電性接着剤４２は、例えば、比較的低温の加熱（例えば、１００〜２００℃）により接着作用を発現する接続媒体（例えば、金ペーストや銀ペーストなどの導電性ペースト、例えば、錫−ビスマス合金、錫−インジウム合金などの共晶合金（錫系合金）などの低融点金属、好ましくは、導電性ペースト）である。
【０１４１】
導電性接着剤４２の量は、導電性接着剤４２が端子凹部３４に充填され、さらに、端子凹部３４から溢れ、少なくとも圧電素子側端子部６０の下面を被覆する量に設定されており、すなわち、端子凹部３４の総容積より多い量に設定される。導電性接着剤４２の量は、例えば、端子凹部３４の総容積に対して、例えば、１１０〜１０００％、好ましくは、３００〜８００％に設定される。これにより、導電性接着剤４２は、端子凹部３４に充填されて接触するとともに、周縁部３６の下面に接触する一方、かかる導電性接着剤４２は、圧電素子５の電極４８にも接触する。
【０１４２】
これによって、電極４８を圧電素子側端子部６０に電気的に接続させる。
【０１４３】
その後、検査用プローブの先端をプロービング端子部４０に押し当てて、電極４８と圧電素子側端子部６０との導通を検査する。
【０１４４】
また、図１および図２に示すように、磁気ヘッド（図示せず）を搭載したスライダ２２を、ジンバル２３に実装して、磁気ヘッド（図示せず）と先側端子２６とを電気的に接続する。
【０１４５】
さらに、リード・ライト基板（図示せず）と外部側端子２７Ａとを電気的に接続するとともに、電源（図示せず）と電源側端子２７Ｂとを電気的に接続する。
【０１４６】
また、ベースプレート部７に、駆動コイル（図示せず）を取り付ける。
【０１４７】
そして、これによって、アセンブリ１が得られる。アセンブリ１は、ハードディスクドライブ（図示せず）に実装される。
【０１４８】
ハードディスクドライブにおいて、アセンブリ１は、スライダ２２が、回転する円板状のハードディスクに周方向に相対的に走行しながら、ハードディスクの表面に微小間隔を隔てて浮上するとともに、磁気ヘッド（図示せず）が、駆動コイルの駆動に基づいて、ハードディスクの径方向に移動しながら、情報を読み書きする。
【０１４９】
さらに、磁気ヘッドは、圧電素子５の伸縮によって、ハードディスクドライブに対する位置が精細に調節される。
【０１５０】
すなわち、一方の圧電素子５は、電気が、電源（図示せず）から、電源側端子２７Ｂ、電源配線２５Ｂ、導通部６４および圧電素子側端子部６０を介して供給されて、電気の電圧が制御されることによって、収縮する。すると、幅方向一端部における後プレート部９の先端部および先プレート部１０の後端部は、可撓部１１に柔軟に支持されながら、互いに近接する。
【０１５１】
これと同時に、他方の圧電素子５は、電気が、電源（図示せず）から、電源側端子２７Ｂ、電源配線２５Ｂ、導通部６４および圧電素子側端子部６０を介して供給されて、電気の電圧が制御されることによって、伸長する。すると、幅方向他端部における後プレート部９の先端部および先プレート部１０の後端部は、可撓部１１に柔軟に支持されながら、互いに離間する。
【０１５２】
そうすると、先プレート部１０およびロードビーム部８が、後プレート部９の先端部の幅方向中央部を支点として、幅方向一方側に向かって揺動する。それとともに、ロードビーム部８に固定される回路付サスペンション基板３およびスライダ２２が幅方向一方側に向かって揺動する。
【０１５３】
また、一方の圧電素子５を伸長させ、他方の圧電素子５を収縮させれば、先プレート部１０およびロードビーム部８が上記と逆向きに揺動する。
【０１５４】
そして、この回路付サスペンション基板３において、圧電素子５の電極４８を、導電性接着剤４２、圧電素子側端子部６０および導通部６４を介して電源配線２５Ｂと電気的に接続させることができるとともに、圧電素子５の電極４８を、導電性接着剤４２、圧電素子側端子部６０および導通部６４を介してプロービング端子部４０と電気的に接続させることができる。一方、圧電素子側端子部６０は、下方に露出しているので表面加工が容易であるため、導電性接着剤４２と圧電素子側端子部６０との接触面積を容易に増大させることができる。そのため、圧電素子５と、導体層１９やプロービング端子部４０との電気的な接続信頼性を向上させることができる。
【０１５５】
また、図４の実施形態では、重複領域３５および周辺領域８０に、凹凸を形成しているが、例えば、図示しないが、重複領域３５のみに凹凸を形成することもできる。上記した２つの実施形態では、少なくとも重複領域３５に凹凸が形成され、凹凸によるアンカー効果により重複領域３５と熱伝導性接着剤４２とが強固に接着しているため、検査用プローブを下側に向かってパッド部３３のプロービング端子部４０に接触させて、電極４８と圧電素子側端子部６０との導通検査を実施する場合でも、プロービング端子部４０は、熱伝導性接着剤４２を介して圧電素子５に確実に接続および支持されるので、プロービング端子４０の位置ずれを抑制できる。
【０１５６】
また、図４の実施形態では、プロービング端子部４０の表面に、めっき層４７を形成しているが、図８（ｆ）に示すように、例えば、めっき層４７を形成せず、プロービング端子部４０の表面を露出させることもできる。この実施形態は、例えば、図８の製造の工程図を参照して、図８（ｇ）におけるめっきを実施する工程を省略することにより、図８（ｆ）の回路付サスペンション基板３として製造することができる。好ましくは、図４の実施形態のように、プロービング端子部４０の表面にめっき層４７を形成する。これによれば、めっき層４７が形成されているため、プロービング端子部４０を保護することができる。
【０１５７】
また、図７および図８に示す回路付サスペンション基板３の製造方法によれば、ベース絶縁層２８を、金属支持層６７の上面に、導通開口部６１が形成されるように形成し、プロービング端子部４０を備える導体層１９を、ベース絶縁層２８の上面に形成するとともに、導通部６４を、導通開口部６１から露出する金属支持層６７の露出面に形成し、金属支持層６７をエッチングすることにより、圧電素子側端子部６０を形成する。
【０１５８】
その結果、圧電素子５と、導体層１９やプロービング端子部４０との電気的な接続信頼性を向上させた回路付サスペンション基板３を簡便に製造することができる。
【０１５９】
また、図８（ｅ）に示すように、回路付サスペンション基板３の製造方法によれば、金属支持層６７の重複領域３５に凹凸を形成する。
【０１６０】
凹凸の形成は、ハーフエッチングにより簡便に実施することができる。このため、金属支持層６７をハーフエッチングして凹凸を形成し、続いで、圧電素子側端子部６０を形成することにより、凹凸形成と圧電素子側端子部６０の形成とを連続的に円滑に実施することでき、実質的に工程を低減することができる。
【０１６１】
なお、図４の実施形態では、圧電素子側端子部６０の下面の中央部に端子凹部３４を形成し、その端子凹部３４の下面に凹凸を形成しているが、例えば、図９の実施形態で示すように、圧電素子側端子部６０の下面を、端子凹部３４および凹凸のいずれもが設けられていない平坦状に形成することもできる。図９の実施形態は、例えば、図８の製造の工程図を参照して、図８（ｅ）における凹凸を形成する工程を省略することにより、製造することができる。
【０１６２】
好ましくは、図４の実施形態のように、端子凹部３４の下面に凹凸を形成する。圧電素子側端子部６０における導電性接着剤４２の接触領域である端子凹部３４に、凹凸が形成されているため、圧電素子側端子部６０と導電性接着剤４２との接触面積を確実に増大させることができる。また、凹凸によるアンカー効果により、圧電素子側端子部６０と導電性接着剤４２とを強固に接着させることができる。その結果、圧電素子５と、導体層１９やプロービング端子部４０との電気的な接続信頼性をより一層向上させることができる。
【０１６３】
また、図４の実施形態では、圧電素子側端子部６０の下面の中央部に、端子凹部３４を形成しているが、例えば、図示しないが、その端子凹部３４の下面を、凹凸が形成されていない平坦状に形成することもできる。
【０１６４】
また、図１０の実施形態で示すように、圧電素子側端子部６０の下面全面に凹凸を形成することもできる。図１０の実施形態は、例えば、製造の工程図である図７（ｄ）が参照されるように、金属支持層６７において、圧電素子側端子部６０（図８（ｆ）参照）が形成される部分の下面全面を露出するように、エッチングレジストを被覆し、露出面に凹凸を形成することにより製造することができる。
【０１６５】
好ましくは、図４の実施形態のように、端子凹部３４に凹凸を形成する。これにより、圧電素子側端子部６０の下面に、平坦状の周縁部３６が形成される。そのため、圧電素子側端子部６０を、重複領域３５および周辺領域８０を下向きにして載置する場合に、周縁部３６が載置面と接触する一方、凹凸が形成された重複領域３５および周辺領域８０は、載置面と接触せず、厚み方向において、載置面と間隔が隔てられる。そのため、凹凸を保護することができる。
【０１６６】
また、図１０の仮想線で示すように、導通開口部６１は、ベース絶縁層２８の厚み方向に投影したときに、プロービング端子部４０および端子凹部３４と重なる領域に、形成することもできる。
【符号の説明】
【０１６７】
３  回路付サスペンション基板
５  圧電素子
１９  導体層
２８  ベース絶縁層
４０  プロービング端子部
４２  導電性接着剤
４７  めっき層
６０  圧電素子側端子部
６１  導通開口部
６４  導通部
６７  金属支持層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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