(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のフィード端子と第２のフィード端子と接地端子とを有する基板であって、前記接地端子が第１の接地端子を含み、前記基板が第２の接地端子を有し、前記第１のフィード端子と前記第２のフィード端子と前記第１の接地端子と前記第２の接地端子とが実質的に整合される、前記基板と、
前記基板の上に配置される第１のメタライゼーション層であって、
実質的に矩形である第１のウィンドウ領域と、
前記第１のフィード端子の上に配置され、前記第１のフィード端子と電気的に接触している第１の導電性領域であって、実質的に円形であり、前記第１のウィンドウ領域内に配置される、前記第１の導電性領域と、
前記第２のフィード端子の上に配置され、前記第２のフィード端子と電気的に接触している第２の導電性領域であって、実質的に円形であり、前記第１のウィンドウ領域内に配置される、前記第２の導電性領域と、
前記接地端子の上に配置され、前記接地端子と電気的に接触している第３の導電性領域であって、前記第１のウィンドウ領域を実質的に囲む、前記第３の導電性領域と、
を含む、
前記第１のメタライゼーション層と、
前記第１のメタライゼーション層の前記第１、第２及び第３の導電性領域の上に配置され、前記第１のメタライゼーション層の前記第１、第２及び第３の導電性領域と電気的に接触している第２のメタライゼーション層であって、前記第１のウィンドウ領域と少なくとも部分的に整合される第２のウィンドウ領域を含む、前記第２のメタライゼーション層と、
前記第１の接地端子と前記第３の導電性領域との間に延びる第１のビアと、
前記第２の接地端子と前記第３の導電性領域との間に延びる第２のビアと、
前記第１のフィード端子と前記第１の導電性領域との間に延びる第３のビアと、
前記第２のフィード端子と前記第２の導電性領域との間に延びる第４のビアと、
を含む、装置であって、
前記第２のメタライゼーション層が、
第４の導電性領域であって、前記第２のウィンドウ導電性領域を実質的に囲み、前記第３の導電性領域と電気的に接触している、前記第４の導電性領域と、
第５の導電性領域であって、前記第２のウィンドウ領域を二分し、前記第４の導電性領域と電気的に接触する、前記第５の導電性領域と、
第６の導電性領域であって、前記第１の導電性領域の上に配置され、前記第１の導電性領域と概して同一の広がりを有し、前記第１及び第５の導電性領域と電気的に接触している、前記第６の導電性領域と、
第７の導電性領域であって、前記第２の導電性領域の上に配置され、前記第２の導電性領域と概して同一の広がりを有し、前記第２及び第５の導電性領域と電気的に接触している、前記第７の導電性領域と、
を更に含む、装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置であって、
第３及び第４の導電性領域の間に延びる第５のビアのセットと、
前記第１及び第６の導電性領域の間に延びる第６のビアと、
前記第２及び第７の導電性領域の間に延びる第７のビアと、
を更に含む、装置。
【請求項３】
請求項２に記載の装置であって、
前記第１のフィード端子と前記第２のフィード端子と前記第１の接地端子と前記第２の接地端子とがボンドパッドである、装置。
【請求項４】
集積回路（ＩＣ）と、
アンテナパッケージと、
を含む装置であって、
前記ＩＣが、
無線周波数（ＲＦ）回路要素と、
前記ＲＦ回路要素に結合される第１のボンドパッドと、
前記ＲＦ回路要素に結合される第２のボンドパッドと、
前記ＲＦ回路要素に結合され、接地に結合される第３のボンドパッドと、
を有し、
前記アンテナパッケージが、
基板と、
前記基板に位置し、前記第１のボンドパッドと電気的に接触している第４のボンドパッドと、
前記基板に位置し、前記第２のボンドパッドと電気的に接触している第５のボンドパッドと、
前記基板に位置し、前記第３のボンドパッドと電気的に接触している第６のボンドパッドと、
前記基板の上に配置される第１のメタライゼーション層と、
第２のメタライゼーション層と、
を有し、
前記第１のメタライゼーション層が、
第１のウィンドウ領域と、
前記第４のボンドパッドの上に配置され、前記第４のボンドパッドと電気的に接触している第１の導電性領域であって、実質的に円形であり、前記第１のウィンドウ領域内に配置される、前記第１の導電性領域と、
前記第５のボンドパッドの上に配置され、前記第５のボンドパッドと電気的に接触している第２の導電性領域であって、実質的に円形であり、前記第１のウィンドウ領域内に配置される、前記第２の導電性領域と、
前記第６のボンドパッドの上に配置され、前記第６のボンドパッドと電気的に接触している第３の導電性領域であって、前記第１のウィンドウ領域を実質的に囲む、前記第３の導電性領域と、
を含み、
前記第２のメタライゼーション層が、前記第１のメタライゼーション層の前記第１、第２及び第３の導電性領域の上に配置され、前記第１のメタライゼーション層の前記第１、第２及び第３の導電性領域と電気的に接触しており、前記第１のウィンドウ領域と少なくとも部分的に整合される第２のウィンドウ領域を含む、装置。
【請求項５】
請求項４に記載の装置であって、
アンテナパッケージが第７のボンドパッドを更に含み、前記第４、第５、第６及び第７のボンドパッドが実質的に整合され、
前記ＩＣが、前記ＲＦ回路要素に結合され、接地に結合される第８のボンドパッドを更に含み、
前記第７のボンドパッドが前記第８のボンドパッドと電気的に接触している、装置。
【請求項６】
請求項５に記載の装置であって、
前記第１のウィンドウ領域が実質的に矩形である、装置。
【請求項７】
請求項６に記載の装置であって、
前記第６のボンドパッドと前記第３の導電性領域との間に延びる第１のビアと、
前記第７のボンドパッドと前記第３の導電性領域との間に延びる第２のビアと、
前記第４のボンドパッドと前記第１の導電性領域との間に延びる第３のビアと、
前記第５のボンドパッドと前記第２の導電性領域との間に延びる第４のビアと、
を更に含む、装置。
【請求項８】
請求項７に記載の装置であって、
前記第２のメタライゼーション層が、
第４の導電性領域であって、前記第２のウィンドウ導電性領域を実質的に囲み、前記第３の導電性領域と電気的に接触している、前記第４の導電性領域と、
第５の導電性領域であって、前記第２のウィンドウ導電性領域を二分し、前記第４の導電性領域と電気的に接触する、前記第５の導電性領域と、
第６の導電性領域であって、前記第１の導電性領域の上に配置され、前記第１の導電性領域と概して同一の広がりを有し、前記第１及び第５の導電性領域と電気的に接触する、前記第６の導電性領域と、
第７の導電性領域であって、前記第２の導電性領域の上に配置され、前記第２の導電性領域と概して同一の広がりを有し、前記第２及び第５の導電性領域と電気的に接触している、前記第７の導電性領域と、
を更に含む、装置。
【請求項９】
請求項８に記載の装置であって、
第３及び第４の導電性領域の間に延びる第５のビアのセットと、
前記第１及び第６の導電性領域の間に延びる第６のビアと、
前記第２及び第７の導電性領域の間に延びる第７のビアと、
を更に含む、装置。
【請求項１０】
集積回路（ＩＣ）と、
アンテナパッケージと、
を含む装置であって、
前記ＩＣが、
複数のＲＦトランシーバと、
ボンドパッドの複数のセットと、
を有し、
ボンドパッドの各セットが前記ＲＦトランシーバの少なくとも１つに関連付けられ、
ボンドパッドの各セットが、
その関連するＲＦトランシーバに結合される第１のボンドパッドと、
その関連するＲＦトランシーバに結合される第２のボンドパッドと、
その関連するＲＦトランシーバに結合され、接地に結合される第３のボンドパッドと、
その関連するＲＦトランシーバに結合され、接地に結合される第４のボンドパッドと、
を含み、
前記アンテナパッケージが、
基板と、
アンテナのアレイと、
前記基板上に配置され、前記アンテナのアレイを実質的に囲む、高インピーダンス表面（ＨＩＳ）と、
を有し、
各アンテナが前記ＲＦトランシーバの少なくとも１つに関連付けられ、
各アンテナが、
第５のボンドパッドであって、前記基板に位置し、その関連する第１のボンドパッドと電気的に接触している、前記第５のボンドパッドと、
第６のボンドパッドであって、前記基板に位置し、その関連する第２のボンドパッドと電気的に接触している、前記第６のボンドパッドと、
第７のボンドパッドであって、前記基板に位置し、その関連する第３のボンドパッドと電気的に接触している、前記第７のボンドパッドと、
第８のボンドパッドであって、前記基板に位置し、その関連する第３のボンドパッドと電気的に接触している前記第８のボンドパッドであって、前記第５、第６、第７及び前記第８のボンドパッドが実質的に整合される、前記第８のボンドパッドと、
前記基板の上に配置される第１のメタライゼーション層と、
第２のメタライゼーション層と、
を含み、
前記第１のメタライゼーション層が、
第１のウィンドウ領域と、
第１の導電性領域であって、前記第５のボンドパッドの上に配置され、前記第５のボンドパッドと電気的に接触しており、実質的に円形であり、前記第１のウィンドウ領域内に配置される、前記第１の導電性領域と、
第２の導電性領域であって、前記第６のボンドパッドの上に配置され、前記第６のボンドパッドと電気的に接触しており、実質的に円形であり、前記第２の導電性領域が前記第１のウィンドウ領域内に配置される、前記第２の導電性領域と、
第３の導電性領域であって、前記第７及び第８のボンドパッドの上に配置され、前記第７及び第８のボンドパッドと電気的に接触しており、前記第１のウィンドウ領域を実質的に囲む、前記第３の導電性領域と、
を含み、
前記第２のメタライゼーション層が、前記第１のメタライゼーション層の前記第１、第２及び第３の導電性領域の上に配置され、前記第１のメタライゼーション層の前記第１、第２及び第３の導電性領域と電気的に接触しており、
前記第２のメタライゼーション層が前記第１のウィンドウ領域と少なくとも部分的に整合される第２のウィンドウ領域を含む、装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の装置であって、
前記第１のウィンドウ領域が実質的に矩形である、装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の装置であって、
前記第１の接地端子と前記第３の導電性領域との間に延びる第１のビアと、
前記第２の接地端子と前記第３の導電性領域との間に延びる第２のビアと、
前記第１のフィード端子と前記第１の導電性領域との間に延びる第３のビアと、
前記第２のフィード端子と前記第２の導電性領域との間に延びる第４のビアと、
を更に含む、装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載の装置であって、
前記第２のメタライゼーション層が、
第４の導電性領域であって、前記第２のウィンドウ導電性領域を実質的に囲み、前記第３の導電性領域と電気的に接触している、前記第４の導電性領域と、
第５の導電性領域であって、前記第２のウィンドウ領域を二分し、前記第４の導電性領域と電気的に接触する、前記第５の導電性領域と、
第６の導電性領域であって、前記第１の導電性領域の上に配置され、前記第１の導電性領域と概して同一の広がりを有し、前記第１及び第５の導電性領域と電気的に接触している、前記第６の導電性領域と、
第７の導電性領域であって、前記第２の導電性領域の上に配置され、前記第２の導電性領域と概して同一の広がりを有し、前記第２及び第５の導電性領域と電気的に接触している、前記第７の導電性領域と、
を更に含む、装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の装置であって、
第３及び第４の導電性領域の間に延びる第５のビアのセットと、
前記第１及び第６の導電性領域の間に延びる第６のビアと、
前記第２及び第７の導電性領域の間に延びる第７のビアと、
を更に含む、装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願は、概してループアンテナに関し、更に特定して言えば、テラヘルツ周波数範囲で用いるためのループに関連する。
【背景技術】
【０００２】
ループアンテナは、長年にわたって様々の用途において用いられてきているが、高周波数用途（即ち、テラヘルツ放射）では及びモノシリックに集積されるアンテナでは、ループアンテナの利用には種々の障害があり得る。例えば、アンテナと伝送媒体との間のパッケージング材料に関連付けられる損失がある。別の例は、寄生放射及び印刷回路基板又はＰＣＢにおけるトランスからのインタフェースに起因する損失である。従って、改善されたシステムが求められている。従来のシステムの幾つかの例は下記文献に記載されている。
【特許文献１】米国特許番号第７，５４５，３２９号
【非特許文献１】J. Grzyb, D. Liu, U. Pfeiffer, and B. Gaucher, "Wideband cavity-backed folded dipole superstrate antenna for 60 GHz applications," Proceedings of the 2006 IEEE AP-S International Symposium and UNSC/URLI and AMEREM Meetings, pp. 3939-3942, Albuquerque, New Mexico, July 9-14, 2006
【発明の概要】
【０００３】
例示の実施例が或る装置を提供する。この装置は、第１のフィード端子と第２のフィード端子と接地端子とを有する基板、基板の上に配置される第１のメタライゼーション層、及び第２のメタライゼーション層を含む。第１のメタライゼーション層は、第１のウィンドウ領域と、第１の導電性領域と、第２の導電性領域と、第３の導電性領域とを含む。第１の導電性領域は、第１のフィード端子の上に配置され、且つ、第１のフィード端子と電気的に接触しており、実質的に円形であり、第１のウィンドウ領域内に配置される。第２の導電性領域は、第２のフィード端子の上に配置され、且つ、第２のフィード端子と電気的に接触しており、実質的に円形であり、第１のウィンドウ領域内に配置される。第３の導電性領域は、接地端子の上に配置され、且つ、接地端子と電気的に接触しており、第１のウィンドウ領域を実質的に囲む。第２のメタライゼーション層は、第１のメタライゼーション層の第１、第２、及び第３の導電性領域の上に配置され、且つ、第１のメタライゼーション層の第１、第２、及び第３の導電性領域と電気的に接触しており、第２のメタライゼーション層は、第１のウィンドウ領域と少なくとも部分的に整合される第２のウィンドウ領域を含む。
【０００４】
一実施例に従って、接地端子は第１の接地端子を更に含む。基板は第２の接地端子を有する。第１のフィード端子、第２のフィード端子、第１の接地端子、及び第２の接地端子は実質的に整合される。
【０００５】
一実施例に従って、第１のウィンドウ領域は実質的に矩形である。
【０００６】
一実施例に従って、装置は、第１の接地端子と第３の導電性領域との間に延びる第１のビア、第２の接地端子と第３の導電性領域との間に延びる第２のビア、第１のフィード端子と第１の導電性領域間に延びる第３のビア、及び第２のフィード端子と第２の導電性領域間に延びる第４のビアを更に含む。
【０００７】
一実施例に従って、第２のメタライゼーション層は、第２のウィンドウ導電性領域を実質的に囲み、且つ、第３の導電性領域と電気的に接触している第４の導電性領域と、第２のウィンドウ領域を二分し、且つ、第４の導電性領域と電気的に接触する第５の導電性領域と、第１の導電性領域の上に配置され、第１の導電性領域と概して同一の広がりを有し、第１及び第５の導電性領域と電気的に接触している第６の導電性領域と、第２の導電性領域の上に配置され、第２の導電性領域と概して同一の広がりを有し、第２及び第５の導電性領域と電気的に接触している第７の導電性領域とを更に含む。
【０００８】
一実施例に従って、装置は、第３及び第４の導電性領域間に延びる第５のビアのセット、第１及び第６の導電性領域間に延びる第６のビア、及び第２及び第７の導電性領域間に延びる第７のビアを更に含む。
【０００９】
一実施例に従って、第１のフィード端子、第２のフィード端子、第１の接地端子、及び第２の接地端子がボンドパッドである。
【００１０】
一実施例に従って或る装置が提供される。この装置は集積回路（ＩＣ）及びアンテナパッケージを含む。ＩＣは、無線周波数（ＲＦ）回路要素と、ＲＦ回路要素に結合される第１のボンドパッドと、ＲＦ回路要素に結合される第２のボンドパッドと、ＲＦ回路要素に結合され、且つ、接地に結合される第３のボンドパッドとを有する。アンテナパッケージは、基板と、基板に位置し、且つ、第１のボンドパッドと電気的に接触している第４のボンドパッドと、基板に位置し、且つ、第２のボンドパッドと電気的に接触している第５のボンドパッドと、基板に位置し、且つ、第３のボンドパッドと電気的に接触している第６のボンドパッドと、基板の上に配置される第１のメタライゼーション層と、第２のメタライゼーション層を有する。第１のメタライゼーション層は、第１のウィンドウ領域と、第１の導電性領域と、第２の導電性領域と、第３の導電性領域を含む。第１の導電性領域は、第４のボンドパッドの上に配置され、且つ、第４のボンドパッドと電気的に接触している。第１の導電性領域は、実質的に円形であり、第１のウィンドウ領域内に配置される。第２の導電性領域は、第５のボンドパッドの上に配置され、且つ、第５のボンドパッドと電気的に接触している。第２の導電性領域は実質的に円形である。第２の導電性領域は第１のウィンドウ領域内に配置される。第３の導電性領域は、第６のボンドパッドの上に配置され、且つ、第６のボンドパッドと電気的に接触している。第３の導電性領域は第１のウィンドウ領域を実質的に囲む。第２のメタライゼーション層は、第１のメタライゼーション層の第１、第２、及び第３の導電性領域の上に配置され、第１のメタライゼーション層の第１、第２、及び第３の導電性領域と電気的に接触している。第２のメタライゼーション層は、第１のウィンドウ領域と少なくとも部分的に整合される第２のウィンドウ領域を含む。
【００１１】
一実施例に従って、アンテナパッケージは第７のボンドパッドを更に含む。第４、第５、第６、及び第７のボンドパッドは実質的に整合される。ＩＣは第８のボンドパッドを更に含み、第８のボンドパッドは、ＲＦ回路要素に結合され、且つ、接地に結合される。第７のボンドパッドは第８のボンドパッドと電気的に接触している。
【００１２】
一実施例に従って、装置は、第６のボンドパッドと第３の導電性領域との間に延びる第１のビア、第７のボンドパッドと第３の導電性領域との間に延びる第２のビア、第４のボンドパッドと第１の導電性領域との間に延びる第３のビア、及び第５のボンドパッドと第２の導電性領域との間に延びる第４のビアを更に含む。
【００１３】
一実施例に従って、第２のメタライゼーション層は、第２のウィンドウ導電性領域を実質的に囲み、且つ、第３の導電性領域と電気的に接触している第４の導電性領域と、第２のウィンドウ領域を二分し、且つ、第４の導電性領域と電気的に接触する第５の導電性領域と、第１の導電性領域の上に配置され、第１の導電性領域と概して同一の広がりを有し、第１及び第５の導電性領域と電気的に接触している第６の導電性領域と、第２の導電性領域の上に配置され、第２の導電性領域と概して同一の広がりを有し、第２及び第５の導電性領域と電気的に接触している第７の導電性領域とを更に含む。
【００１４】
一実施例に従って、装置は、第３及び第４の導電性領域間に延びる第５のビアのセットと、第１及び第６の導電性領域間に延びる第６のビアと、第２及び第７の導電性領域間に延びる第７のビアとを更に含む。
【００１５】
一実施例に従って或る装置が提供される。この装置は、集積回路（ＩＣ）、アンテナパッケージ、及び高インピーダンス表面（ＨＩＳ）を含む。ＩＣは、複数のＲＦトランシーバと、ボンドパッドの複数のセットとを有する。ボンドパッドの複数のセットの各セットがＲＦトランシーバの少なくとも１つに関連付けられる。ボンドパッドの各セットは、その関連するＲＦトランシーバに結合される第１のボンドパッドと、その関連するＲＦトランシーバに結合される第２のボンドパッドと、その関連するＲＦトランシーバに結合され、且つ、接地に結合される第３のボンドパッドと、その関連するＲＦトランシーバに結合され、且つ、接地に結合される第４のボンドパッドとを含む。アンテナパッケージは、基板と、アンテナのアレイと、第１のメタライゼーション層と、第２のメタライゼーション層とを有する。各アンテナはＲＦトランシーバの少なくとも１つに関連付けられる。各アンテナは、基板に位置し、且つ、その関連する第１のボンドパッドと電気的に接触している第５のボンドパッドと、基板に位置し、且つ、その関連する第２のボンドパッドと電気的に接触している第６のボンドパッドと、基板に位置し、且つ、その関連する第３のボンドパッドと電気的に接触している第７のボンドパッドと、基板に位置し、且つ、その関連する第３のボンドパッドと電気的に接触している第８のボンドパッドとを含む。第５、第６、及び第７、及び第８のボンドパッドは実質的に整合される。第１のメタライゼーション層は基板の上に配置される。第１のメタライゼーション層は、第１のウィンドウ領域と、第１の導電性領域と、第２の導電性領域と、第３の導電性領域を含む。第１の導電性領域は、第５のボンドパッドの上に配置され、且つ、第５のボンドパッドと電気的に接触している。第１の導電性領域は実質的に円形であり、第１のウィンドウ領域内に配置される。第２の導電性領域は、第６のボンドパッドの上に配置され、且つ、第６のボンドパッドと電気的に接触している。第２の導電性領域は実質的に円形である。第２の導電性領域は、第１のウィンドウ領域内に配置される。第３の導電性領域は、第７及び第８のボンドパッドの上に配置され、且つ、第７及び第８のボンドパッドと電気的に接触している。第３の導電性領域は第１のウィンドウ領域を実質的に囲む。第２のメタライゼーション層は、第１のメタライゼーション層の第１、第２、及び第３の導電性領域の上に配置され、第１のメタライゼーション層の第１、第２、及び第３の導電性領域と電気的に接触している。第２のメタライゼーション層は、第１のウィンドウ領域と少なくとも部分的に整合される第２のウィンドウ領域を含む。ＨＩＳは、基板上に配置され、アンテナのアレイを実質的に囲む。
【００１６】
一実施例に従って、装置は、第７のボンドパッドと第３の導電性領域との間に延びる第１のビアと、第８のボンドパッドと第３の導電性領域との間に延びる第２のビアと、第５のボンドパッドと第１の導電性領域との間に延びる第３のビアと、第６のボンドパッドと第２の導電性領域との間に延びる第４のビアとを更に含む。
【００１７】
一実施例に従って、第２のメタライゼーション層は、第２のウィンドウ導電性領域を実質的に囲み、且つ、第３の導電性領域と電気的に接触している第４の導電性領域と、第２のウィンドウ領域を二分し、且つ、第４の導電性領域と電気的に接触する第５の導電性領域と、第１の導電性領域の上に配置され、第１の導電性領域と概して同一の広がりを有し、第１及び第５の導電性領域と電気的に接触している第６の導電性領域と、第２の導電性領域の上に配置され、第２の導電性領域と概して同一の広がりを有し、第２及び第５の導電性領域と電気的に接触している第７の導電性領域とを更に含む。
【００１８】
一実施例に従って、この装置は、第３及び第４の導電性領域間に延びる第５のビアのセットと、第１及び第６の導電性領域間に延びる第６のビアと、第２及び第７の導電性領域間に延びる第７のビアとを更に含む。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
例示の実施例を添付の図面を参照して説明する。
【００２０】
【図１】図１は本発明の好ましい一実施例に従ったシステムである。
【００２１】
【図２】図２は、図１のアンテナパッケージの平面図である。
【００２２】
【図３】図３は、図２のアンテナのための基板の平面図である。
【００２３】
【図４】図４は、切り取り線Ｉ−Ｉに沿った図２の断面図である。
【００２４】
【図５】図５は、図２のアンテナのためのメタライゼーション層の平面図である。
【００２５】
【図６】図６は、切り取り線ＩＩ−ＩＩに沿った図５の断面図である。
【００２６】
【図７】図７は、切り取り線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿った図５の断面図である。
【００２７】
【図８】図８は、図２のアンテナのためのメタライゼーション層の平面図である。
【００２８】
【図９】図９は、切り取り線ＩＶ−ＩＶに沿った図８の断面図である。
【００２９】
【図１０】図１０は、図２のアンテナのための放射パターンの一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
図１は、一実施例に従ったシステム１００の一例を示す。このシステム１００は概して、印刷回路基板（ＰＣＢ）１０２、アンテナパッケージ１０４、及び集積回路（ＩＣ）１０６を含む。ＩＣ１０６は概して無線周波数（ＲＦ）回路要素を含む。例えば、ＩＣ１０６は、複数のトランシーバを含むテラヘルツフェーズドアレイシステムであり得る。このようなＩＣの一例を、２０１０年９月９日に出願された同時継続中の米国特許出願番号１２／８７８、４８４、発明の名称「テラヘルツフェーズドアレイシステム」で見ることができ、これはあらゆる目的のため参照として本明細書に組み込む。このＩＣ１０６はその後、各トランシーバが、（例えば）アンテナパッケージ１０４上に含まれるアンテナと通信することができるように、アンテナパッケージ１０４に固定される。典型的に、ＩＣ１０６上のボンドパッドが、はんだボール１１０を介してアンテナパッケージ１０４上のボンドパッドに固定される。アンテナパッケージ１０４はその後、ＰＣＢ１０２に固定され得る（これは、典型的に、はんだボール１０８を介して互いに固定されるボンドパッドを介して達成される）。この配置を用いることにより、クロストーク及び損失が低減され得る。
【特許文献２】米国特許出願番号  １２／８７８，４８４
【００３１】
図２において、アンテナパッケージ１０４の一例を更に詳細に見ることができる。図示するように、アンテナパッケージは、高インピーダンス表面（ＨＩＳ）により実質的に囲まれるフェーズドアレイ２０４を含む。このようなＨＩＳの一例を、２０１１年５月２６日に出願された米国特許出願番号１３／１１６、８８５、発明の名称「高インピーダンス表面」で見ることができ、あらゆる目的のため参照として本明細書に組み込む。また、図示するように、フェーズドアレイ２０４はアンテナ２０６−１〜２０６−４を含むが、任意の数のアンテナが可能である。このフェーズドアレイ２０４はその後、放射のビームを導くために用いられ得る。
【特許文献３】米国特許出願番号  １３／１１６、８８５
【００３２】
図２〜図９に移ると、アンテナ２０６−１〜２０６−４（後述では、２０６で示す）の各々の構造の一例を見ることができる。アンテナ２０６は、概して基板３０２の上に形成され、（例えば）１６０ＧＨｚで動作するように構成され得る。この例の動作周波数では、（図２〜図９に図示するように）アンテナにより占められるエリアは１１２０μｍ×１１２０μｍであり得る。基板３０２を介して伸びるのは、ボンドパッド３０４−１〜３０４−４（これらは例えば銅で形成され得る）である。ボンドパッド３０４−１及び３０４−４は概して接地端子として動作し、ボンドパッド３０４−２及び３０４−３は概して、ＩＣ１０６上のＲＦ回路要素（即ち、トランシーバ）と通信される差動フィード端子（即ち、正及び負）として動作する。これらのボンドパッド３０４−１〜３０４−４は、アンテナ２０６により占められるエリアを二分するラインに沿って互いに概して整合される。また、ビア３０６−１〜３０６−４（これらは例えばタングステンで形成され得る）は、それぞれ、ボンドパッド３０４−１〜３０４−４の上に形成される。
【００３３】
メタライゼーション層３０８（これは例えば銅又はアルミニウムで形成され得る）がその後、間に形成される層間誘電体（これは、テラヘルツ放射など、対象の周波数で放射に対してトランスペアレントである）を備えて形成されるように、基板３０２上に配置される。図示するように、このメタライゼーション層３０８は概して、領域４０２、４０４、及び４０６を含む。領域４０２は、ウィンドウ領域４０８を実質的に囲み、接地面を形成するように、それぞれ、ビア３０６−１及び３０６−４を介してボンドパッド３０４−１及び３０４−４と電気的に接触している。領域４０４及び４０６は、ビア３０６−２及び３０６−３を介して、それぞれ、ボンドパッド３０４−２及び３０４−３と電気的に接触している概して円形の領域（これは、約１８０μｍの直径を有し得、ウィンドウ領域４０８の端部から約４０μｍずらされ得る）である。ビア３１０−１及び３１０−２（これも例えばタングステンで形成され得る）は、それぞれ、領域４０４及び４０６の上に形成され得、ビア３１０−３〜３１０−１８（これらも、例えば、タングステンで形成され得、互いから約２２０μｍ分離され得る）は、領域４０２上に「ビアウォール」を実質的に形成するようにその周辺に沿って配置される。
【００３４】
図８及び図９に示すように、メタライゼーション層３１２が、間に形成される層間誘電体を備えて、メタライゼーション層３０８の上に配置される。メタライゼーション層３１２（これは例えば銅又はアルミニウムで形成され得る）の領域５０２が、ウィンドウ領域５１０を実質的に囲み、アンテナ２０６が占めるエリア（これは、約１８１μｍの幅を有し得る）の周辺まで延びる。領域５０４が、ウィンドウ領域５１０を二分するように、且つ、領域５０６及び５０８を交差するように（即ち、領域５０２から約３３０μｍで）ウィンドウ領域５１０にわたって延びる（及び領域５０２と電気的に接触している）。領域５０８及び５０６（これらは、ウィンドウ領域５１０内に位置する）は、領域４０４及び４０６と概して同一の広がりを有し（即ち、約１８０μｍの直径を有し）、領域５０４及び領域４０４及び４０６と電気的に接触している。そのため、図示するように、ウィンドウ領域５０６は、ウィンドウ領域４０８と部分的に整合される。
【００３５】
例えば、１６０ＧＨｚで放射を生成するために、この構造を用いることにより、図１０に示す放射パターンが生成され得る。この例に示すように、これは、５．３６ｄＢｉの指向性、４．１８ｄＢｉの利得、及び７２％の効率のワイドビームである。また、システム１００の配置のため、放射がＰＣＢ１０２から離れて伝播し、そのため、寄生放射及びＰＣＢトランスからの干渉が低減され、パッケージ基板３０２に対する接地へのクォーター波長ラインを有するループアンテナ（即ち、アンテナ２０６）が、静電気放電又はＥＳＤに対する低減された感度を有するようになる。また、アンテナ利得を増大させるためリフレクタ及びディレクタ（ｄｉｒｅｃｔｏｒｓ）を形成するために、アンテナパッケージ１０４及びＩＣ１０６両方において金属層を用いることができる。
【００３６】
当業者であれば、本発明の特許請求の範囲内で、説明した例示の実施例に変形が成され得ること、及び多くの他の実施例が可能であることが分かるであろう。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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