(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の面と該第一の面の反対側の面である第二の面とを有するシリコン基板と、前記第一の面側に形成され、液体を吐出するためのエネルギーを発生する吐出エネルギー発生素子と、前記第二の面に形成された凹部と、該凹部の底部に形成され、前記第一の面に連通する液体供給口と、を含む液体吐出ヘッドの製造方法であって、
（１）前記シリコン基板の前記第二の面に前記凹部を第一の結晶異方性エッチングにより形成する工程と、
（２）前記凹部の斜面に薬液先導孔を形成する工程と、
（３）第二の結晶異方性エッチングを行うことにより前記凹部を拡大する工程と、
（４）前記凹部の底面にイオンを用いたドライエッチングによって前記液体供給口を形成する工程と、
をこの順で含み、
前記第二の結晶異方性エッチングによって、前記薬液先導孔と前記凹部の底面との間の斜面が削られることを特徴とする液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記工程（１）は、
（Ａ）前記シリコン基板の前記第二の面に前記凹部を形成する位置を規定する第一のエッチングマスクを形成する工程と、
（Ｂ）前記第二の面側から前記第一の結晶異方性エッチングを行うことによって、前記シリコン基板に前記凹部を形成する工程と、
を有する請求項１に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記工程（４）は、
（Ｃ）拡大された前記凹部の底部に前記液体供給口を形成する位置を規定する第二のエッチングマスクを形成する工程と、
（Ｄ）前記第二のエッチングマスクを用いた前記ドライエッチングによって前記液体供給口を形成する工程と、
を有する請求項１又は２に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記第二の結晶異方性エッチングによって、前記凹部の底面の周辺に溝形状が形成される請求項１乃至３のいずれかに記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記斜面における前記薬液先導孔の位置が拡大された前記凹部の側壁上端と底面端との中点より外側あるいは中点となるように、かつ前記薬液先導孔の先端が拡大された前記凹部の底面よりも前記第一の面に近くなるように前記薬液先導孔を前記斜面に形成する請求項１乃至４のいずれかに記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記工程（３）において、前記第二の結晶異方性エッチングはＴＭＡＨ水溶液を用いて行われ、前記ＴＭＡＨ水溶液のＴＭＡＨの濃度が１８〜２３％である請求項１乃至５のいずれかに記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項７】
前記ドライエッチングがリアクティブイオンエッチングである請求項１乃至６のいずれかに記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項８】
前記リアクティブイオンエッチングがボッシュプロセスを用いる請求項７に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項９】
前記薬液先導孔はレーザー加工により形成される請求項１乃至８のいずれかに記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液体吐出ヘッドとその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インクジェットプリント方式などに用いられる熱エネルギーを利用する液体吐出ヘッドにおいて、シリコン等の基板上に複数の発熱抵抗体を列状に配し、複数の発熱抵抗体に対して共通の蓄熱層や電気絶縁層を設けた基板を用いる構成がある。
【０００３】
上述の構成を有する液体吐出ヘッドは、例えば特許文献１に記載されるように、シリコン基板上に液滴を吐出するための微細な吐出口と、該吐出口に連通する流路と、該流路に設けられる吐出エネルギー発生素子とを備える。また、シリコン基板には流路と連通する液体供給口が形成されている。
【０００４】
このような液体吐出ヘッドの液体供給口の形成方法として、特許文献２に記載されるように、シリコン基板に対して２段階のエッチング処理を行う方法が挙げられる。この方法では、結晶異方性エッチングにより第１のエッチングを行い、ドライエッチングにより第２のエッチングを行うことで複数の液体供給口を形成している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許第６２７３５５７号明細書
【特許文献２】米国特許出願公開２００９／００９５７０８号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
液体吐出ヘッドの液体供給口を形成する方法の一つにボッシュプロセスを用いたドライエッチングがある。ボッシュプロセスを用いたドライエッチングは側壁を保護するためのデポジション膜（以下、デポ膜と呼ぶ）の形成、反応性イオンによる底面のデポ膜除去、ラジカルによるシリコンエッチングを繰り返し行うことでシリコンをエッチングする。しかし、凹部の底面をドライエッチングして液体供給口を形成する際にプラズマのシースが凹部の形状に沿って形成されるので、凹部側面の近傍ではイオンが影響を受け、所望の位置より凹部側面方向にずれた位置のデポ膜が除去されてしまう。このように、凹部の底面の凹部側面近傍ではデポ膜の除去位置がずれるため、ラジカルによるエッチングもずれることになり、結果的に数度の角度を持ってエッチングが進行してしまうという現象が発生する。この現象のことを以下、チルトと呼ぶ。チルトが発生すると、特に凹部の側面近傍の液体供給口では、エッチング開始部と終了部とで開口位置が大きくずれ、近傍の配線部へのダメージを与える場合がある。また、液体供給口自体が斜めに形成されるため開口部の大きさが異なる液体供給口が形成され、液体供給口間で供給性能のバラツキが生じる場合や、未開口の液体供給口が発生する場合がある。
【０００７】
このような問題の発生を防止するため、液体供給口を形成する領域に比べて凹部の開口領域を大きく確保することにより凹部側面近傍に液体供給口を配置しないようにすると、実装領域が狭くなる。また、実装工程においてヘッドのはがれや混色などの問題が発生しやすくなる。
【０００８】
そこで、本発明の目的は、シリコン基板の凹部の底部に液体供給口を形成する際にチルトの発生を低減することにより、高い開口位置精度で液体供給口を形成することが可能となる液体吐出ヘッドの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、
第一の面と該第一の面の反対側の面である第二の面とを有するシリコン基板と、前記第
一の面側に形成され、液体を吐出するためのエネルギーを発生する吐出エネルギー発生素
子と、前記第二の面に形成された凹部と、該凹部の底部に形成され、前記第一の面に連通
する液体供給口と、を含む液体吐出ヘッドの製造方法であって、
（１）前記シリコン基板の前記第二の面に前記凹部を第一の結晶異方性エッチングによ
り形成する工程と、
（２）前記凹部の斜面に薬液先導孔を形成する工程と、
（３）第二の結晶異方性エッチングを行うことにより前記凹部を拡大する工程と、
（４）前記凹部の底面にイオンを用いたドライエッチングによって前記液体供給口を形
成する工程と、
をこの順で含み、
前記第二の結晶異方性エッチングによって、前記薬液先導孔と前記凹部の底面との間の斜面が削られることを特徴とする液体吐出ヘッドの製造方法である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、シリコン基板の凹部に液体供給口を形成する際に、実装領域を確保したまま、チルトを低減することが可能な液体吐出ヘッドの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本実施形態により製造される液体吐出ヘッドの構成例を説明するための模式的斜視図（ａ）及び概略断面図（ｂ）である。
【図２】実施形態１の液体吐出ヘッドの製造方法を説明するための工程断面図である。
【図３】図２に続き、実施形態１の液体吐出ヘッドの製造方法を説明するための工程断面図である。
【図４】実施形態２の液体吐出ヘッドの製造方法を説明するための工程断面図である。
【図５】薬液先導孔の配置例を説明するための模式的上面図である。
【図６】実施形態２における薬液先導孔の配置位置を説明するための模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態を詳細に説明する。また、液体吐出ヘッドの適用例としては、特に制限されるものではないが、例えばインクジェット記録ヘッドが挙げられる。また、液体吐出ヘッドの適用例としては、その他にも、例えば、バイオチップ作製用ヘッドや電子回路印刷用ヘッド、カラーフィルター製造用ヘッド等も挙げられる。
【００１３】
図１（ａ）は本実施形態の製造方法で得られる液体吐出ヘッドの構成例を説明するための模式的斜視図である。図１（ｂ）は本実施形態の製造方法で得られる液体吐出ヘッドの概略断面図である。
【００１４】
図１で示される形態の液体吐出ヘッドは、第一の面と該第一の面と反対側の第二の面とを有するシリコンの基板１０３と、基板１０３上に積層されたノズルプレート１０６と、吐出エネルギー発生素子１０５と、を備える。基板１０３の第一の面側には、吐出される液体が充填される液体流路１１０がノズルプレート１０６によって形成されている。さらに、基板１０３には、凹部１０１′の底面から液体流路１１０へインク等の液体を供給する液体供給口１０２が基板１０３を貫通するように形成されている。凹部１０１′は共通液体供給口とも称せられ、液体供給口１０２は個別液体供給口とも称せられる場合がある。
【００１５】
詳しくは後述するが、凹部１０１′は、結晶異方性エッチングにより形成された凹部１０１の斜面に薬液先導孔を設けた後、さらに結晶異方性エッチングを行うことにより斜面が削られて形成される。そのため、凹部１０１′は拡大された凹部１０１′とも称される。
【００１６】
図１においては、液体流路１１０の内側壁を構成する流路壁部材と吐出口を形成する吐出口部材とはノズルプレート１０６として一体的に形成されている。また、ノズルプレート１０６は、複数の樹脂層が順次基板１０３上に積層することで形成されていてもよい。
【００１７】
吐出エネルギー発生素子１０５は基板１０３の第一の面側に吐出口１０４と対応する位置に設けられている。この吐出エネルギー発生素子１０５は、基板１０３上に積層された複数の無機物層内に形成されることができる。また、ノズルプレート１０６に液体を吐出するための吐出口１０４（ノズルとも称す）が液体流路１１０と連通するように形成されている。
【００１８】
（実施形態１）
次に、図２（ａ）から図３（ｉ）に示した工程断面図を参照して本実施形態について説明する。なお、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。
【００１９】
まず、図２（ａ）に示すように、ノズルプレート１０６、流路型材１１１、保護層１１２、エッチングストップ層（不図示）、吐出エネルギー発生素子１０５、導体（不図示）、を有する基板１０３を用意する。
【００２０】
より具体的には、基板１０３の第一の面にエッチングストップ層を形成する。そして、該エッチングストップ層及び基板１０３の上に液体流路の型となる流路型材１１１を基板上に形成する。次に、流路型材１１１を覆うようにノズルプレートの材料を基板上に配置する。次に、フォトリソ法等により吐出口を形成し、ノズルプレート１０６を形成する。保護層１１２は少なくとも吐出口を保護する保護層であり、該保護層は吐出口とノズルプレートを覆うように設けることができる。
【００２１】
基板１０３としては、結晶方位＜１００＞の面を有するシリコン基板を用いることが好ましい。シリコン基板は単結晶シリコンウェハであることが好ましい。
【００２２】
流路型材１１１としては、溶媒や溶剤で溶出可能な材料を用いることが望ましく、例えば、ポジ型レジストを用いることができる。
【００２３】
ノズルプレート１０６としては、例えば、ネガ型感光性樹脂を用いることができる。
【００２４】
エッチングストップ層は、後述する第二のエッチングの際にエッチングのストップ層として機能する。該エッチングストップ層は、第二のエッチングにおいて基板１０３に対して十分に遅くエッチングされ、除去する際には基板１０３に対して十分に速くエッチングされることが望ましい。エッチングストップ層の材料としては、具体的には、例えば、アルミ又はシリコン酸化物等が適用可能である。また、エッチングストップ層の除去剤としては、例えばフッ化水素酸あるいはリン酸と硝酸等の混合物等を用いることにより、シリコン基板に対して、十分に速いエッチングレートの選択比が取れる。
【００２５】
吐出エネルギー発生素子１０５および吐出エネルギー発生素子１０５に駆動信号を送る導体（不図示）は基板１０３上に形成する。積層材料はプラズマを用いた化学気相蒸着（ＣＶＤ；Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、スパッタ蒸着などの成膜手法によって形成することができる。また、エッチングストップ層、吐出エネルギー発生素子、導体などのパターニングにはフォトレジストマスクを用いたエッチングを用いることができる。
【００２６】
ノズルプレート１０６側を保護膜で保護することが望ましい。
【００２７】
次に、図２（ｂ）に示すように、凹部１０１を形成する位置を規定する第一のエッチングマスク１１３を基板１０３の第二の面（裏面とも称す）側に形成する。
【００２８】
第一のエッチングマスク１１３はレジストパターンを用いて形成することができる。また、第一のエッチングマスク１１３は、後に凹部１０１となる部分に対応して開口部を有する。なお、第一のエッチングマスク１１３は基板１０３を用意する際に、あらかじめ形成されていてもよい。第一のエッチングマスク１１３の材料としては、例えば、ポリエーテルアミド樹脂を用いることができる。
【００２９】
次に、図２（ｃ）に示すように、基板１０３の第二の面に結晶異方性エッチングによって凹部１０１を形成する。
【００３０】
結晶異方性エッチングで用いるエッチング液（薬液）としては、例えば、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液（ＴＭＡＨ水溶液）や水酸化カリウム水溶液（ＫＯＨ）などが用いられるが、これらに限られるものではない。なお、凹部１０１は基板１０３を用意する際に、あらかじめ形成されていても良い。
【００３１】
凹部１０１は基板厚の６６％以下を除去することで形成されることが好ましい。
【００３２】
次に、図２（ｄ）に示すように、凹部１０１の斜面（側壁）に薬液先導孔１０７を形成する。
【００３３】
次に、図２（ｅ）に示すように、第二の結晶異方性エッチングを行い、凹部１０１を拡大する。すなわち、第二の面側から第二の結晶異方性エッチングを行い、凹部１０１の斜面を削り、凹部１０１を広げる。該第二の結晶異方性エッチングにより斜面が削られた凹部を拡大された凹部（１０１′）とも称す。該第二の結晶異方性エッチングにおいて、薬液先導孔１０７内にエッチング液が入り込み、薬液先導孔１０７からエッチングが進行することにより、凹部１０１の側壁がエッチングされ、凹部が拡大する。
【００３４】
図２（ｅ）において、凹部１０１の斜面は第二の結晶異方性エッチングにより削られ、拡大された凹部１０１′の底面の端部周辺には溝形状が形成されている。
【００３５】
また、この工程において、（１００）面と高次指数の結晶面とのエッチングレートの選択比が取れる薬液で結晶異方性エッチングを行うことで、凹部１０１底面の平坦性を保ちつつ凹部１０１を好ましく拡大することができる。また、（１１０）面のエッチングレートが大きいＴＭＡＨ濃度１８〜２３％の水溶液を用いることで、短時間で処理できるようになる。
【００３６】
薬液先導孔１０７の形状は溝状のものも含まれる。例えば、薬液先導孔１０７の形状が穴状の場合、該穴の基板面と平行な面による断面の形状は略矩形、略円形、略楕円形であり、その寸法は例えば約φ５〜９０μｍとすることができる。また、該薬液先導孔は、図５に示すように、凹部１０１の斜面に凹部１０１の底面を囲むように形成することができる。例えば図５に示すように基板の長手方向と短手方向の両方のチルトを低減するため、凹部１０１の斜面に凹部底面を囲むように薬液先導孔が設けられている。なお、いずれかの方向のチルトを低減する必要がなければその方向の斜面に薬液先導孔を形成しなくても良い。また、長手方向と短手方向で薬液先導孔間の間隔を変えても良い。薬液先導孔の寸法は、第二の結晶異方性エッチングの際における薬液の薬液先導孔への入り易さや所望の深さを形成するのに要する時間等を考慮して適宜選択することができる。また、上述のように、薬液先導孔は溝状になっていても良く、複数の穴同士が繋がっていてもよい。この場合、拡大された凹部の底面の平坦性が良くなるメリットがある。
【００３７】
また、薬液先導孔を斜面の外側（第二の面側又は開口側とも称す）に形成するほど、第一のエッチングマスク１１３の下側にまでエッチングが進み易くなり、基板の面積に対して凹部が占める割合が増える傾向にある。一方、薬液先導孔を斜面の内側（凹部底面側とも称す）に形成するほど、凹部底面がエッチングされて平坦性が低下する傾向にある。そのため、基板のエッチングレートを考慮して、両者のバランスが取れる位置に薬液先導孔を形成することが望ましい。また、薬液先導孔の深さについて、薬液先導孔が深すぎると凹部底面がエッチングされ易くなる。一方、薬液先導孔が浅すぎると、薬液先導孔を設ける効果が小さくなる。そのため、両者のバランスが取れる深さで薬液先導孔を形成することが望ましい。
【００３８】
薬液先導孔１０７は、例えば、レーザー加工や機械加工などにより形成することができる。
【００３９】
薬液先導孔１０７は、基板の面方向に垂直に形成することが好ましい。また、薬液先導孔１０７の底部は、凹部１０１の底面より深い位置となるように形成されることが好ましい。
【００４０】
次に、図３（ｆ）に示すように、第一のエッチングマスク１１３を除去する。
【００４１】
第一のエッチングマスク１１３は、例えば、ウェット剥離、ドライ剥離、あるいは両者の組み合わせによって除去することができる。例えば、第一のエッチングマスク１１３は、酸素を用いたアッシングにより除去することができる。
【００４２】
次に、図３（ｇ）に示すように、拡大された凹部１０１′の（１００）に液体供給口１０２を形成する位置を規定する第二のエッチングマスク１１４を形成する。
【００４３】
第二のエッチングマスク１１４は、例えば、スピンコート法やディップコート法、スプレーコート法等の成膜方法によって形成することができる。また、第二のエッチングマスクは、傾斜面に対する被覆性の観点から、スプレーコート法を用いることが好ましい。第二のエッチングマスクの材料は、ドライエッチングの際に耐エッチング膜として機能するものであれば特に制限されるものではないが、例えば、ノボラック樹脂誘導体やナフトキノンジアジド誘導体等が挙げられる。パターニングのための露光には例えばプロキシミティー露光およびプロジェクション露光およびステッパ露光を用いることが可能である。拡大された凹部１０１′の深さが深い場合には焦点深度の浅いプロジェクション露光を用いることが望ましい。
【００４４】
次に、図３（ｈ）に示すように、イオンを用いたドライエッチングにより、液体供給口１０２を形成する。
【００４５】
イオンを用いたドライエッチングは、リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）であることが好ましい。リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）とは、イオンを用いた方向性エッチングのことであり、電荷を提供しながら被エッチング領域に粒子を衝突させる方法のことである。ＲＩＥは加速したイオンによりエッチングを行う。例えば、イオン源に高密度のイオンを出せるＩＣＰ（誘導結合プラズマ）ドライエッチング装置を用いた場合、コーティングとエッチングを交互に行うこと（すなわち堆積／エッチングプロセス）によって基板に垂直な液体供給口が形成される。堆積／エッチングプロセスでは、エッチングするガスとして例えばＳＦ6ガスを用いることができ、コーティングガスとして例えばＣ4Ｆ8ガスを用いることができる。ボッシュプロセスは、ドライエッチング方法の一種であり、まず、基板１０３のエッチングされた部分をコーティングする。そして、ＲＩＥを用いてコーティング部の底面をエッチングすることで基板を露出させ、さらに基板１０３のエッチングを行う。このコーティングとエッチングを交互に繰り返すこと（すなわち堆積／エッチングプロセス）により、シリコン基板１０３に所望の液体供給口１０２を形成することができる。
【００４６】
また、本工程におけるドライエッチングは、基板１０３の表面側に設けられたエッチングストップ層（不図示）に到達するまで行われる。
【００４７】
次に、図３（ｉ）に示すように、第二のエッチングマスク及び保護層１１２を除去した後に、液体供給口１０２及び吐出口１０４を介してエッチングストップ層と流路型材１１１を除去する。
【００４８】
エッチングストップ層は、例えば、アルカリ性溶液あるいはリン酸と硝酸を含む混合物を用いて除去することができる。
【００４９】
その後、ダイサーによりシリコンウェハから各々の単位のチップ形態に分離することで、液体吐出ヘッドを完成させることができる。
【００５０】
（実施形態２）
次に、図４（ａ）から（ｃ）を参照して、本実施形態について説明する。
【００５１】
本実施形態は、凹部１０１を形成するまでは実施形態１と同じ工程である。
【００５２】
本実施形態では、図４（ａ）に示すように、凹部１０１の斜面に薬液先導孔１０７を形成する工程において、薬液先導孔１０７を以下の領域に形成することが好ましい。つまり、基板断面の斜面における薬液先導孔の位置が拡大された凹部１０１′の側壁上端と底面端との中点より外側あるいは中点となるように、かつ薬液先導孔の先端（底部）が拡大された凹部１０１′の底面よりも基板１０３の第一の面に近くなるように形成する（図６参照）。前記基板断面は、該薬液先導孔を通り、凹部１０１の開口の一辺に平行であり、前記基板に垂直な面による断面であることが好ましい。図６において、１２２は拡大された凹部１０１′の側壁上端を表し、１２１は拡大された凹部１０１′の底面端を表す。なお、外側とは凹部開口における外側のことである。
【００５３】
次に、図４（ｂ）に示すように、基板１０３の第二の面と該第二の面と繋がる拡大された凹部１０１′の側壁との角度が９０度以下になるまで結晶異方性エッチングを行う。
【００５４】
その後の工程は実施形態１と同じ工程である。
【００５５】
本実施形態のように加工を行うことで、図４（ｃ）に示すような、液体供給口１０２を設ける領域と凹部の側壁との距離をより広く設けた液体吐出ヘッドを得ることができる。このような液体吐出ヘッドでは、実装領域を確保したまま凹部１０１の側壁を大きく削ることができ、チルトの発生を低減することができる。また、結晶異方性エッチング処理時間が短時間となり、凹部１０１の底面の平坦性を保つことができる。
【００５６】
（実施例・比較例）
実施例としての凹部１０１の側壁を削る本実施形態の製法で作製した液体吐出ヘッドと、比較例としての凹部１０１の側壁を削らない従来製法で作製した液体吐出ヘッドとを評価した。
【００５７】
従来製法の比較例としては、結晶異方性エッチングで凹部を形成した後、凹部底部に液体供給口を形成し、液体吐出ヘッドを作製した。また、本実施形態の製法の実施例としては、拡大された凹部１０１′の側壁と該側壁に最も近い液体供給口１０２との距離が２００μｍ又は４００μｍになるまで凹部１０１の側壁を削ることにより、液体吐出ヘッドを作製した。それぞれの液体吐出ヘッドにおいて、拡大された凹部１０１′の側壁に最も近い液体供給口１０２の角度を表１に示す。表１に示すように、本実施形態によりチルトを低減することができることが確認された。
【００５８】
【表１】
0005932342.tif 000002
【００５９】
上述の実施例では、以下に示す方法により液体吐出ヘッドを得た。つまり図２（ａ）から図３（ｉ）に示した工程断面図に基づいて液体吐出ヘッドを作製した。以下に、本実施例における液体吐出ヘッドの製造例について説明する。
【００６０】
本実施形態では、基板として単結晶シリコンウェハを用意した。
【００６１】
図２（ａ）の工程において、エッチングストップ層として、シリコン酸化物を用いた。
【００６２】
図２（ｂ）の工程において、まず、ポリエーテルアミド樹脂を形成し、該ポリエーテルアミド樹脂をフォトレジストを用いてパターニングすることにより、第一のエッチングマスク１１３を形成した。
【００６３】
図２（ｃ）の工程において、８５℃のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液中に基板を浸漬させることにより第一の結晶異方性エッチングを行い、凹部１０１を形成した。
【００６４】
図２（ｄ）の工程において、薬液先導孔は、ＹＡＧレーザーの三倍波（ＴＨＧ：波長３５５ｎｍ）のレーザー光を用いて形成した。薬液先導孔の径は約φ４０μｍとし、ピッチは１００μｍとして、実施形態２に示すような配置位置で形成した。
【００６５】
図２（ｅ）の工程において、結晶異方性エッチングによって凹部１０１を拡大した。
【００６６】
図３（ｆ）の工程において、第一のエッチングマスク１１３は酸素を用いたアッシングにより除去した。
【００６７】
図３（ｇ）の工程において、第二のエッチングマスク１１４は以下のようにして形成した。まず、傾斜を有する面に対する被覆性に優れたスプレーコート法を用いて感光性ポジ型レジストを配置した。該感光性ポジ型レジストとしてはＡＺ−Ｐ４６２０（商品名、ＡＺエレクトロニックマテリアルズ社製）を用いた。液体供給口１０２の位置を規定するために、ウシオ電機製投影露光装置ＵＸ−４０２３（商品名）を用いて１０００ｍＪ／ｃｍ2の露光量で液体供給口の位置を規定するパターンのマスクを通して感光性ポジ型レジストを露光してパターニングした。
【００６８】
図３（ｈ）の工程において、ＭＵＣ−２１  Ｐｅｇａｓｕｓ（商品名、住友精密工業社製）を用い、ボッシュプロセスを用いたリアクティブイオンエッチングにより液体供給口を形成した。ここで、ボッシュプロセスのエッチングガスとしてＳＦ6ガス、コーティングガスとしてＣ4Ｆ8ガスを用いた。リアクティブイオンエッチングの条件としては、ＳＦ6流量を５０ｓｃｃｍから１０００ｓｃｃｍ、Ｃ4Ｆ8の流量を５０ｓｃｃｍから１０００ｓｃｃｍ、ガス圧力を０．５Ｐａから５０Ｐａの間で行った。
【００６９】
図３（ｉ）の工程において、アルカリ性溶液を用いてエッチングストップ層を除去した。
【００７０】
最後に、ダイサーによりシリコンウェハから各々の単位のチップ形態に分離することで、液体吐出ヘッドを得た。
【符号の説明】
【００７１】
１０１    凹部
１０１′  拡大された凹部
１０２    液体供給口
１０３    基板
１０４    吐出口
１０５    吐出エネルギー発生素子
１０６    ノズルプレート
１０７    薬液先導孔
１１０    液体流路
１１１    流路型材
１１２    保護層
１１３    第一のエッチングマスク
１１４    第二のエッチングマスク
１２０    中点
【図１】
0005932342.tif 000003
【図２】
0005932342.tif 000004
【図３】
0005932342.tif 000005
【図４】
0005932342.tif 000006
【図５】
0005932342.tif 000007
【図６】
0005932342.tif 000008