(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに同一の一連の処理を行うための複数の単位ブロックに、キャリアから払い出された同一ロット内の基板を受け渡し機構により振り分けるように構成され、
各単位ブロックは、基板に対して処理液を供給する液処理モジュールと、基板に紫外線を照射するための紫外線照射モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送する基板搬送機構と、を備えている基板処理装置において、
前記紫外線照射モジュールの光源の照度を検出する照度検出部と、
前記複数の単位ブロックのうちの一の単位ブロックの紫外線照射モジュールについて照度検出値が設定値以下になったときに、当該一の単位ブロックへの基板の受け渡しを止めると共に、後続の基板を他の単位ブロックに受け渡すように前記受け渡し機構を制御し、また前記一の単位ブロックに既に受け渡された基板に対しては、照射時間を前記照度検出値に応じた長さに調整して照射を行うように前記紫外線照射モジュールを制御する制御部と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記制御部は、紫外線照射モジュールの光源の使用時間を監視し、一の単位ブロックの紫外線照射モジュールについて照度検出値が設定値よりも高い値であり、かつ一の単位ブロックにおける紫外線照射モジュールの光源の使用時間が設定時間に達したときに、当該一の単位ブロックへの基板の受け渡しを止めると共に、後続の基板を他の単位ブロックに受け渡すように前記受け渡し機構を制御し、また前記一の単位ブロックに既に受け渡された基板に対しては、前記光源の使用時間が設定時間に達する前までの照射時間で照射を行うように前記紫外線照射モジュールを制御するように構成されていることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記制御部は、一の単位ブロックの紫外線照射モジュールについて照度検出値が設定値以下になったときに、他の全ての単位ブロックが使用できないときには、キャリアからの基板の払い出し、あるいは払い出し途中のキャリアの基板をすべて払い出した後の、続くキャリアからの基板の払い出しを止めると共に、キャリアから払い出された基板については前記一の単位ブロックに搬入して、照射時間を前記照度検出値に応じた長さに調整して照射を行うように前記紫外線照射モジュールを制御することを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記制御部は、使用できなかった他の少なくとも一つの単位ブロックが使用可能となった後は、キャリアからの基板の払い出しを再開するように制御することを特徴とする請求項３記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記液処理モジュールは、処理液を塗布して塗布膜を形成するモジュールであり、
単位ブロックは、塗布膜が形成された基板を加熱処理する加熱モジュールを備え、
紫外線照射モジュールは、加熱処理を行った基板の周縁部を露光するための周縁露光モジュールであることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記液処理モジュールは洗浄液を供給して洗浄を行う洗浄処理モジュールであり、
紫外線照射モジュールは、洗浄前もしくは洗浄後の基板に紫外線を照射する紫外線照射モジュールであることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
互いに同一の一連の処理を行うための複数の単位ブロックに、キャリアから払い出された同一ロット内の基板を受け渡し機構により振り分けるように構成され、
各単位ブロックは、基板に対して処理液を供給する液処理モジュールと、基板に紫外線を照射するための紫外線照射モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送する基板搬送機構と、を備えている基板処理装置において、
前記紫外線照射モジュールの光源の照度を検出する工程と、
前記複数の単位ブロックのうちの一の単位ブロックの紫外線照射モジュールについて照度検出値が設定値以下になったときに、当該一の単位ブロックへの基板の受け渡しを止めると共に、後続の基板を他の単位ブロックに受け渡すように前記受け渡し機構を制御する工程と、
前記一の単位ブロックに既に受け渡された基板に対しては、照射時間を前記照度検出値に応じた長さに調整して照射を行う工程と、
前記一の単位ブロックに既に受け渡された基板に対する照射を終了した後、当該一の単位ブロックにおける紫外線照射モジュールの光源を交換する工程と、を含むことを特徴とする基板処理方法。
【請求項８】
紫外線照射モジュールの光源の使用時間を監視する工程を更に含み、
一の単位ブロックの紫外線照射モジュールについて照度検出値が設定値よりも高い値であり、かつ一の単位ブロックにおける紫外線照射モジュールの光源の使用時間が設定時間に達したときには、当該一の単位ブロックへの基板の受け渡しを止めると共に、後続の基板を他の単位ブロックに受け渡すように前記受け渡し機構を制御し、また前記一の単位ブロックに既に受け渡された基板に対しては、前記光源の使用時間が設定時間に達する前までの照射時間で照射を行うことを特徴とする請求項７記載の基板処理方法。
【請求項９】
一の単位ブロックの紫外線照射モジュールについて照度検出値が設定値以下になったときに、他の全ての単位ブロックが使用できないときには、キャリアからの基板の払い出し、あるいは払い出し途中のキャリアの基板をすべて払い出した後の、続くキャリアからの基板の払い出しを止めると共に、キャリアから払い出された基板については前記一の単位ブロックに搬入して、照射時間を前記照度検出値に応じた長さに調整して照射を行うことを特徴とする請求項７または８記載の基板処理方法。
【請求項１０】
使用できなかった他の少なくとも一つの単位ブロックの紫外線照射モジュールについて光源の交換作業が終了して使用可能となった後は、キャリアからの基板の払い出しを再開することを特徴とする請求項９記載の基板処理方法。
【請求項１１】
前記液処理モジュールは、処理液を塗布して塗布膜を形成するモジュールであり、
単位ブロックは、塗布膜が形成された基板を加熱処理する加熱モジュールを備え、
紫外線照射モジュールは、加熱処理を行った基板の周縁部を露光するための周縁露光モジュールであることを特徴とする請求項７ないし１０のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項１２】
前記液処理モジュールは洗浄液を供給して洗浄を行う洗浄処理モジュールであり、
紫外線照射モジュールは、洗浄前もしくは洗浄後の基板に紫外線を照射する紫外線照射モジュールであることを特徴とする請求項７ないし１０のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項１３】
互いに同一の一連の処理を行うための複数の単位ブロックに、キャリアから払い出された同一ロット内の基板を受け渡し機構により振り分けるように構成され、
各単位ブロックは、基板に対して処理液を供給する液処理モジュールと、基板に紫外線を照射するための紫外線照射モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送する基板搬送機構と、を備えている基板処理装置に用いられるコンピュータプログラムを記憶した記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項７ないし１２のいずれか一項に記載された基板処理方法を実行するようにステップ群が組み込まれていることを特徴とする記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に対して液処理を行うモジュールと紫外線照射を行うモジュールとを用いた基板処理装置及び基板処理方法の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造工程の一つであるフォトレジスト工程においては、半導体ウエハ（以下、ウエハという）の表面にレジストを塗布し、このレジストを所定のパターンで露光した後に現像してレジストパターンを形成している。このレジストパターンの形成は、レジストなどの各種の塗布膜の形成処理及び現像処理を行う塗布、現像装置に露光処理を行う露光装置を接続したシステムにより行っている。
【０００３】
塗布、現像装置に設けられるモジュールの一つとして、ウエハのパターン領域の外側である周縁部のレジスト膜が現像時に残らないように、レジスト膜が形成された後のウエハの周縁部を露光する周縁露光モジュールがある。このモジュールは、例えば水銀ランプやキセノンランプを光源としてウエハの周縁部に対して紫外線を照射するものであるが、ランプには使用寿命がある。このためランプの交換時期を決め、交換時期が到来したときにアラームを出力し、ランプを交換するようにしている。
【０００４】
一方このようなランプ交換などのメンテナンスを行っているときにもウエハの処理を継続できるように、周縁露光モジュールなどを含む単位ブロックを二重化することが検討されている（特許文献１）。この場合、ウエハを両方の単位ブロックに振り分けて搬送すると共に、一方の単位ブロックをメンテナンスするときには、あるいは一方の単位ブロックにトラブルが発生したときなどには、特許文献２のように他方の単位ブロックを使用することができる。
【０００５】
ところでランプの使用寿命が過ぎると、当該ランプを全く使用できなくなることから、露光前の塗布膜を形成するための処理を行っているウエハを下流側に流すことができなくなってしまうし、それら残留ウエハを回収しなければならず、装置の運転効率が落ちてしまう。一方、ランプ個々に使用寿命のばらつきがあることから、ランプの交換時期についてはマージンを見て実際の使用寿命よりも早めの時期が設定される。このため周縁露光モジュールのランニングコストが高くなり、またメンテナンス頻度が高くなっていた。また、ランプの照度が落ちてきたときに、その低下分に応じて露光時間を長くして周縁露光を行うこと（積算露光）も知られているが、この場合にも使用寿命に達して照度が下限値を下回ると、上記の処理を行っているウエハを流すことができなくなってしまうし、積算露光は、処理の時間が長いのでスループットの低下の要因になる。
【０００６】
さらにウエハ等の基板に紫外線を照射する処理としては、周縁露光の他に有機物を除去する処理やシリコン酸化膜などの絶縁膜を改質する処理がある。このような処理を行う紫外線照射モジュールは、例えば枚葉洗浄を行うモジュールや、シリコン酸化膜用の薬液塗布モジュールなどと一緒に、搬送路を含むブロック内に配置される場合がある。このような場合においても同様の課題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００８−２７７５２８
【特許文献２】特開２００９−２７８１３８
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は基板に対して紫外線を照射して処理を行うにあたり、紫外線照射モジュールの光源の交換周期を長くすることができ、またスループットの低下を抑えることのできる技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る基板処理装置は、互いに同一の一連の処理を行うための複数の単位ブロックに、キャリアから払い出された同一ロット内の基板を受け渡し機構により振り分けるように構成され、
各単位ブロックは、基板に対して処理液を供給する液処理モジュールと、基板に紫外線を照射するための紫外線照射モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送する基板搬送機構と、を備えている基板処理装置において、
前記紫外線照射モジュールの光源の照度を検出する照度検出部と、
前記複数の単位ブロックのうちの一の単位ブロックの紫外線照射モジュールについて照度検出値が設定値以下になったときに、当該一の単位ブロックへの基板の受け渡しを止めると共に、後続の基板を他の単位ブロックに受け渡すように前記受け渡し機構を制御し、また前記一の単位ブロックに既に受け渡された基板に対しては、照射時間を前記照度検出値に応じた長さに調整して照射を行うように前記紫外線照射モジュールを制御する制御部と、を備えたことを特徴とする。
【００１０】
本発明の基板処理方法は、互いに同一の一連の処理を行うための複数の単位ブロックに、キャリアから払い出された同一ロット内の基板を受け渡し機構により振り分けるように構成され、
各単位ブロックは、基板に対して処理液を供給する液処理モジュールと、基板に紫外線を照射するための紫外線照射モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送する基板搬送機構と、を備えている基板処理装置において、
前記紫外線照射モジュールの光源の照度を検出する工程と、
前記複数の単位ブロックのうちの一の単位ブロックの紫外線照射モジュールについて照度検出値が設定値以下になったときに、当該一の単位ブロックへの基板の受け渡しを止めると共に、後続の基板を他の単位ブロックに受け渡すように前記受け渡し機構を制御する工程と、
前記一の単位ブロックに既に受け渡された基板に対しては、照射時間を前記照度検出値に応じた長さに調整して照射を行う工程と、
前記一の単位ブロックに既に受け渡された基板に対する照射を終了した後、当該一の単位ブロックにおける紫外線照射モジュールの光源を交換する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１１】
本発明の記憶媒体は、互いに同一の一連の処理を行うための複数の単位ブロックに、キャリアから払い出された同一ロット内の基板を受け渡し機構により振り分けるように構成され、
各単位ブロックは、基板に対して処理液を供給する液処理モジュールと、基板に紫外線を照射するための紫外線照射モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送する基板搬送機構と、を備えている基板処理装置に用いられるコンピュータプログラムを記憶した記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、上述の基板処理方法を実行するようにステップ群が組み込まれていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明は、液処理モジュール及び紫外線照射モジュールを含み、互いに同一の一連の処理を行うための複数の単位ブロックに、基板を振り分けて受け渡すようにしている。そして一の単位ブロックの紫外線照射モジュールの照度検出値が設定値以下になった後は他の単位ブロックを使用し、前記一の単位ブロックに既に受け渡された基板に対しては、照射時間を照度検出値に応じた長さに調整して照射を行うようにし、その後紫外線照射モジュールの光源を交換するようにしている。
【００１３】
従って光源の使用寿命のばらつきを考慮してマージンをもって光源の交換を定期的に行う場合に比べて、当該光源をその使用寿命に近い時期、あるいは使用寿命まで使用することができる。このためコストの低廉化が図れ、またメンテナンス頻度も少なくなる。また照射時間を調整することにより、通常よりも照射時間が長くなるが、このようないわゆる積算照射の対象となる基板は、一の単位ブロックに既に搬入された基板だけであるから、全体のスループットの低下を抑えることができる。
【００１４】
更に一の単位ブロックの紫外線照射モジュールの光源の使用時間が設定時間に達したときに、その単位ブロックへの基板の受け渡しを止め、一の単位ブロックに既に受け渡された基板に対しては、通常の照射を行うようにすれば、積算照射の手法を兼用しているので、設定時間を長く設定することができる。そしてこのように積算照射と使用時間の設定を併用することで、積算照射を行う確率が低くなり、積算照射による基板の処理時間の長期化の影響の低減が期待できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】第１の実施の形態の基板処理装置を示す平面図である。
【図２】前記基板処理装置を示す側面図である。
【図３】前記基板処理装置を示す縦断側面図である。
【図４】周縁露光モジュールを示す斜視図である。
【図５】前記基板処理装置の制御部を示す説明図である。
【図６】本発明の基板処理工程を説明するフローチャートである。
【図７】第１の実施の形態に係る基板処理装置の光源の照度が劣化した際の処理工程を示す説明図である。
【図８】第１の実施の形態に係る基板処理装置の光源の照度が劣化した際の処理工程を示す説明図である。
【図９】第１の実施の形態に係る基板処理装置の光源の照度が劣化した際の処理工程を示す説明図である。
【図１０】ランプ交換中に照度が劣化した際の処理工程を示す説明図である。
【図１１】ランプ交換中に照度が劣化した際の処理工程を示す説明図である。
【図１２】ランプ交換中に照度が劣化した際の処理工程を示す説明図である。
【図１３】第２の実施の形態の基板処理装置を示す斜視図である。
【図１４】紫外線照射モジュールを示す斜視図である。
【図１５】紫外線照射モジュールを示す縦断側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
[第１の実施の形態]
本発明に係る基板処理装置及びその方法に係る第１の実施の形態について説明する。先ず図１〜図３を参照しながら基板処理装置（塗布、現像装置）の全体の概要について説明しておく。この装置は、キャリアブロックＳ１と、処理ブロックＳ２と、インターフェイスブロックＳ３と、を直線状に接続して構成されている。インターフェイスブロックＳ３にはさらに露光ステーションＳ４が接続されている。以降の説明ではブロックＳ１〜Ｓ３の配列方向を前後方向とする。
【００１７】
キャリアブロックＳ１は、同一のロットの基板であるウエハＷを複数枚含むキャリアＣを装置内に搬入出する役割を有し、キャリアＣの載置台１１と、開閉部１２と、開閉部１２を介してキャリアＣからウエハＷを搬送するための搬送機構である移載機構１３とを備えている。
【００１８】
処理ブロックＳ２は、ウエハＷに液処理を行う第１〜第６の単位ブロックＢ１〜Ｂ６が下から順に積層されて構成されている。説明の便宜上ウエハＷに下層側の反射防止膜を形成する処理を「ＢＣＴ」、ウエハＷにレジスト膜を形成する処理を「ＣＯＴ」、露光後のウエハＷにレジストパターンを形成するための処理を「ＤＥＶ」と夫々表現する場合があり、図２では単位ブロックを「層」と表現して記載の繁雑化を避けている。
【００１９】
この例では、下からＢＣＴ層、ＣＯＴ層、ＤＥＶ層が２層ずつ積み上げられており、ＣＯＴ層（Ｂ３、Ｂ４）を代表して図１を参照しながら説明する。キャリアブロックＳ１からインターフェイスブロックＳ３へ向かう搬送領域Ｒ３の左右の一方側には棚ユニットＵ１〜Ｕ６が前後方向に配置され、他方側には夫々液処理モジュールであるレジスト塗布モジュール２４と、保護膜形成モジュール２５とが前後に並べて設けられている。レジスト塗布モジュール２４は２つのカップユニット２１を備え、このカップユニット２１内にウエハＷを保持して、薬液ノズルからレジスト液をウエハＷ上に供給し、スピンコーティングが行われるように構成されている。また保護膜形成モジュール２５は保護膜を形成するための薬液により、同様にしてカップモジュール２２を用いて処理が行われるように構成されている。
【００２０】
前記搬送領域Ｒ３には、ウエハＷを搬送するための基板搬送機構である搬送アームＡ３が設けられている。この搬送アームＡ３は、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、且つ搬送領域Ｒ３の長さ方向に移動自在に構成されており、単位ブロックＢ３の各モジュール間でウエハＷの受け渡しを行うことができる。また、前記棚ユニットＵ１〜Ｕ６は、搬送領域Ｒ３の長さ方向に沿って配列され、棚ユニットＵ１〜Ｕ５は、ウエハＷの加熱処理を行う加熱モジュール２６が例えば２段に積層されて構成されている。棚ユニットＵ６は、互いに積層された周縁露光モジュール４により構成される。この周縁露光モジュール４は紫外線照射モジュールに相当し、レジスト塗布後のウエハＷの周縁部を紫外線を照射して露光するためのものである。
【００２１】
他の単位ブロックＢ１、Ｂ２、Ｂ５及びＢ６は、ウエハＷに供給する薬液が異なること及び周縁露光モジュール４の代わりに加熱モジュール２６が設けられることなどを除き、単位ブロックＢ３、Ｂ４と同様に構成される。単位ブロックＢ１、Ｂ２は、レジスト塗布モジュール２４、保護膜形成モジュール２５の代わりに反射防止膜形成モジュールを備え、単位ブロックＢ５、Ｂ６は、現像モジュールを備える。図３では各単位ブロックＢ１〜Ｂ６の搬送アームはＡ１〜Ａ６として示している。
【００２２】
処理ブロックＳ２におけるキャリアブロックＳ１側には、各単位ブロックＢ１〜Ｂ６に跨って上下に伸びるタワーＴ１と、タワーＴ１に対してウエハＷの受け渡しを行うための昇降自在な受け渡し機構である受け渡しアーム３０とが設けられている。タワーＴ１は、互いに積層された複数のモジュールにより構成されている。これらのモジュールとしては、実際には各単位ブロックの高さ位置に設けられた受け渡しモジュールと、ウエハＷの受け渡しを行う温調モジュール、複数枚のウエハＷを一時的に保管するバッファモジュールと、ウエハＷの表面を疎水化する疎水化処理モジュールなどが設けられているが、説明を簡素化するために、これらモジュールは受け渡しアーム３０と各単位ブロックＢ１〜Ｂ６の搬送アームＡ１〜Ａ６との間でウエハＷを受け渡すための受け渡しモジュールＴＲＳとする。
【００２３】
インターフェイスブロックＳ３は単位ブロックＢ１〜Ｂ６に跨って上下に伸びるタワーＴ２、Ｔ９、Ｔ１０を備えており、タワーＴ２とタワーＴ９に対してウエハＷの受け渡しを行うための昇降自在な受け渡し機構であるインターフェイスアーム３Ａと、タワーＴ２とタワーＴ１０に対してウエハＷの受け渡しを行うための昇降自在な受け渡し機構であるインターフェイスアーム３Ｂと、タワー２と露光装置Ｓ４の間でウエハＷの受け渡しを行うためのインターフェイスアーム３Ｃが設けられている。タワーＴ２は、受け渡しモジュールＴＲＳ、が互いに積層されて構成されている。尚Ｔ９、Ｔ１０もタワーであるがここでは説明を省略する。
【００２４】
この基板処理装置及び露光ステーションＳ４からなるシステムの通常時におけるウエハＷの搬送経路の概略について簡単に説明する。ウエハＷは、キャリアＣ→移載機構１３→タワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳ→受け渡しアーム３０→タワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳ→単位ブロックＢ１（Ｂ２）→単位ブロックＢ３（Ｂ４）→インターフェイスブロックＳ３→露光ステーションＳ４→インターフェイスブロックＳ３→タワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳ→移載機構１３→キャリアＣの順で流れていく。
【００２５】
処理ブロックＳ２内のウエハＷの流れについてより詳しく述べると、反射防止膜を形成する単位ブロックＢ１、Ｂ２、レジスト膜を形成する単位ブロックＢ３、Ｂ４及び現像を行う単位ブロックＢ５、Ｂ６は二重化されており、これら二重化された単位ブロックに対して、同じロット内の複数のウエハＷが振り分けられて、つまり交互に単位ブロックに搬送される。例えばウエハＷを単位ブロックＢ１に受け渡す場合には、タワーＴ１のうちの受け渡しモジュールＴＲＳのうち、単位ブロックＢ１に対応する受け渡しモジュールＴＲＳ１（搬送アームＡ３によりウエハＷの受け渡しが可能な受け渡しモジュール）に対して、受け渡しアーム３０によりウエハＷが受け渡されることになる。タワーＴ１における受け渡しアーム３０の受け取り元のモジュールは、移載機構１３により搬入される受け渡しモジュールＴＲＳ０である。
【００２６】
また単位ブロックＢ２に対応する受け渡しモジュールをＴＲＳ２とすれば、受け渡しモジュールＴＲＳ０のウエハＷは受け渡しアーム３０により受け渡しモジュールＴＲＳ２に受け渡される。従って同じロット内のウエハＷは、受け渡しアーム３０により受け渡しモジュールをＴＲＳ１、ＴＲＳ２に対して交互に振り分けられることになる。  
また単位ブロックＢ１あるいはＢ２にて反射防止膜の形成を終えたウエハＷは、例えば受け渡しモジュールＴＲＳ１あるいはＴＲＳ２を介して、受け渡しアーム３０により単位ブロックＢ３に対応する受け渡しモジュールＴＲＳ３と単位ブロックＢ４に対応する受け渡しモジュールＴＲＳ４との間で交互に振り分け搬送されることになる。
【００２７】
なおＴＲＳ、ＴＲＳｎ（ｎ＝自然数）で表示してある受け渡しモジュールはウエハＷを複数枚保持できる構造についても含んでいる。  
更に受け渡しモジュールＴＲＳは１つのモジュールで構成されるものに限らず、複数のモジュールで構成されていてもよい。  
更にまた露光を終えたウエハＷは、インターフェイスブロックＳ３の受け渡しアームにより、タワーＴ２の受け渡しモジュールＴＲＳを介して単位ブロックＢ５、Ｂ６に対して交互に搬入されることになる。
【００２８】
続いて周縁露光モジュール４０について説明する。図４に示すように周縁露光モジュール４０は長方形状の基台４０と、紫外線照射部である露光部４２と、を備え、この基台４０の上にはウエハＷを水平に保持して鉛直軸周りに回転させると共に、基台４０の長さ方向に伸びるガイド機構４７に反って駆動機構により移動可能な回転台４１が設けられる。  
基台４０は図４において手前側が搬送領域Ｒ３に臨むように配置されており、鎖線で示すウエハＷの位置が搬送アームＡ３により回転台４１との間で受け渡しが行われる受け渡し位置であり、点線で示す奥側のウエハＷの位置が処理位置である。
【００２９】
露光部４２は、基台４０の下方に設けられたランプハウス４５を備えており、ランプハウス４５には、例えば紫外線を照射する光源である紫外線ランプ、例えば水銀ランプやキセノンランプなどが設けられている。ランプハウス４５からは、光源の光例えば紫外線を光照射端４４に導く光路部材４６が伸び出しており、光照射端４４は、ミラーやレンズの光学系部材と露光領域を区画形成するためのマスクとを備えていると共に、処理位置に置かれたウエハＷの表面の周縁部を露光するようにウエハＷの上方に配置されている。
【００３０】
また基台４０には、処理位置に置かれたウエハＷの周縁を検出するように、当該周縁の通過領域の上下に夫々発光部及び受光部を設けてなる周縁検出部４９が設けられている。
【００３１】
後述の制御系を説明するための図５も参照すると、ウエハＷの周縁部の通過領域の下方側であって、光照射端４４の真下（光照射端４４の光照射領域）には、当該光照射端４４からの光照度を検出する照度検出部６０が設けられている。ウエハＷの周縁部の通過領域と照度検出部６０との間には、当該照度検出部６０に対する光照射端４４からの光を受光あるいは遮光するためのシャッタ６１が配置されている。
【００３２】
周縁露光モジュール４における処理について述べておくと、単位モジュールＢ３（Ｂ４）の搬送アームＡ３（Ａ４）から回転台４１にウエハＷが受け渡され、回転台４１が奥側に移動してウエハＷが処理位置に置かれる。次いでウエハＷを１回転させて周縁検出部４９によりウエハＷの周縁を光学的に検出する。その後ウエハＷの表面の周縁部に対して露光部４２からの紫外線（詳しくは光照射端４４）により露光を行うと共にウエハＷを回転させて、ウエハＷの全周に亘って露光(周縁露光)を行う。ウエハＷを回転させるにあたっては、周縁検出部４９の検出結果に基づいて移動部５０により回転台４１の位置（ガイド機構４７の伸びる方向の位置）を調整し、これにより露光幅が均一になるようにしている。その後ウエハＷは移動部５０により受け渡し位置まで戻り、搬送アームＡ３（Ａ４）に受け取られることになる。
【００３３】
図５は基板処理装置の制御系のうち、本発明に関連が深い部位について示しておく。図５の中段の図は、単位ブロックＢ３、Ｂ４を模式的に示しており、既述の受け渡しアーム３０、単位ブロックＢ３、Ｂ４内の搬送アームＡ３、Ａ４は制御部１００からの制御信号により制御される。制御部１００は、一つのコンピュータに相当するものに限らず、ホストコンピュータ、各機構をコントロールするコントローラを合わせたシステムに相当するものであってもよい。
【００３４】
図５の上段の図は、周縁露光装置の主要部を模式的に示しており、回転台４１を回転させる回転機構４３及び回転台４１を移動させる移動部５０は、制御部１００からの制御信号により制御される。また露光部４２の光源９（より具体的にはランプ）は、制御部１００からの制御信号によりオン、オフされ、またその照度が調整されるようになっている。照度検出部６０は、制御部１００に照度検出値を送信するように構成される。
【００３５】
制御部１００は、ＣＰＵ５１、プログラム５２、搬送スケジュール５４、メモリ５３、時間カウンタ５５、アラーム発生部５８がバス５７に接続されている。搬送スケジュール５４は、どのウエハＷがどのモジュールに置かれるのかを時系列データとして並べたものである。処理レシピ５６は、各処理を行うモジュールの処理条件を書き込んだデータである。  
プログラム５２は、搬送スケジュール５４を参照して移載機構１３、受け渡しアーム３０、各搬送アームＡ１〜Ａ６、インターフェイスブロックＳ３内のインターフェイスアーム３Ａ〜３Ｃなどに制御信号を出力するためのプログラム、処理レシピ５６を参照しながら各モジュールを制御するためのプログラム、単位ブロックＢ１〜Ｂ６の例えば処理モジュールに不具合が発生したときに、ウエハＷの搬送をどのように行うか、その処理モジュールに対してどのような対応をとるかといったステップを備えたプログラムなど、基板処理装置を運転するために必要なプログラムが含まれる。
【００３６】
そしてこのプログラム５２の中には、周縁露光モジュール４の照度が設定値を下回った場合、あるいは使用時間が設定時間を越えた場合についての処理を実行するためのプログラムが含まれており、このプログラムにより後述の作用説明のように運転されることとなる。  
なお、搬送スケジュール５４、処理レシピ５６及びプログラム５２は、メモリに格納されているが、図５では便宜上、それらを格納しているメモリ部分を省略して示している。
【００３７】
制御部１００内のメモリ５３は、周縁露光装置の照度設定値、使用時間の設定時間などが記憶され、時間カウンタ５５は周縁露光モジュール４においてランプを交換した後の使用時間をカウントするためのものである。使用時間をカウントするためには、時間カウンタとしての機器であるカウンタ（タイマ）をバス５７に接続する手法を用いてもよいが、ソフトウエアにより時間をカウントしてもよい。あるいは例えば周縁露光モジュール４内にカウンタを設け、そのカウント値をホストコンピュータに送信するようにしてもよく、この場合、カウンタは制御部１００の一部を構成するものとする。アラーム発生部５８は搬送スケジュール５４や処理レシピ５６の変更を行う際にアラームを発しオペレータに通知するためのものである。
【００３８】
キャリアブロックＳ１内のキャリアＣから取り出されたウエハＷがキャリアＣに戻るまでの一連の全体の工程については既に記載していることから、ここでは本発明に関連する露光前のウエハＷに対する搬送を含めた処理ブロックＳ２の処理の様子について説明する。先ず同一のロット内のウエハＷは既述のように単位ブロックＢ１、Ｂ２に振り分けられて、互いに同一の処理が行われて反射防止膜が形成され、その後、搬送アームＡ１あるいはＡ２により、単位ブロックＢ１、Ｂ２ごとに対応するタワーＴ１内の受け渡しモジュールＴＲＳ１あるいはＴＲＳ２に搬送される。
【００３９】
続いて受け渡しアーム３０により受け渡しモジュールＴＲＳ１あるいはＴＲＳ２に載置されているウエハＷを、単位ブロックＢ３、Ｂ４に夫々対応するタワーＴ１内の受け渡しモジュールＴＲＳ３、ＴＲＳ４に順次振り分けて(交互に)受け渡す。このような振り分け搬送は、図５に示す制御部１００の搬送スケジュール５４に基づいて行われ、例えばロット内のウエハＷに割り当てられた番号の奇数番が単位ブロックＢ３に、偶数番が単位ブロックＢ４に受け渡されることになる。
【００４０】
例えば受け渡しモジュールＴＲＳ３に受け渡されたウエハＷは、単位ブロックＢ３内の搬送アームＡ３によりレジスト塗布モジュール２４に受け渡され、ここでレジストが塗布される。なお、より詳しくは例えば前段の受け渡しモジュールＴＲＳ１あるいはＴＲＳ２にウエハＷの温調機能が付加されており、レジスト塗布前のウエハＷはレジスト液の塗布に適した温度になるように調整されている。次いでこのウエハＷは加熱モジュール２６にて加熱処理され、更に保護膜形成モジュール２５にて保護膜用の薬液が塗布され、更に加熱モジュール２６にて加熱処理される。この例では加熱モジュール２６は加熱プレートに隣接して移載アームを兼用する冷却プレートが設けられ、加熱処理の後にこの冷却プレートにより冷却される。
【００４１】
その後ウエハＷは周縁露光モジュール４に搬入され、既述のようにウエハＷを回転台４１により回転させながら露光部４２により周縁露光が行われる。しかる後このウエハＷは、搬送アームＡ３によりインターフェイスブロックＳ３側のタワーＴ２における受け渡しモジュールＴＲＳ３´に受け渡され、その後インターフェイスブロックＳ３内のアーム３Ｃを介してパターン露光を行う露光ステーションＳ４に移載される。またタワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳ４に受け渡されたウエハＷについても、単位ブロックＢ４内に搬入されて同様の処理が行われる。
【００４２】
次に周縁露光モジュール４の状態とウエハＷの搬送との関係について、図６〜図９を参照しながら進める。図６はウエハＷの搬送あるいは処理の流れをフローチャートの形態で示した図である。既述のようにウエハＷが露光位置に置かれる前に、シャッタ６１を開き、周縁露光モジュール４の露光部４２からの露光の照度を照度検出部６０により検出し、制御部１００のプログラム５２により照度検出値が予め設定した照度設定値よりも低いか否かを監視する（ステップＳ１）。通常時における露光部４２の照度を基準照度とすると、ランプ９の使用寿命が近くなると照度が徐々に低くなり、やがて露光時間を調整しても露光できないほどの照度になる。この照度を下限照度とすると、前記照度設定値は、前記基準照度と下限照度との間の値に相当する値である。
【００４３】
照度検出値が照度設定値よりも高い値であればステップＳ１にて「ＹＥＳ」となるので、次にランプ９の使用時間（新品のランプ９をオンにしている経過時間）が設定時間を越えているか否かを判断する（ステップＳ２）。設定時間は、例えばランプ９の仕様により規定される使用寿命としてもよい。この場合、実際にはランプ９個々の間で使用寿命のばらつきがあるため、使用時間が設定時間に達したときにまだ使用できるランプ９もあれば、使用時間が設定時間に達する前に使用できなくなるランプ９もあると考えられる。使用時間の監視だけを行った場合には、後者のランプ９を用いていると、突然ランプ９が使用できなくなる事態となるが、この実施形態では、露光部４２の照度についてもステップＳ１で監視しているため、このような事態とはならない。また前記設定時間は、ランプ９の仕様により規定される使用寿命よりも少し長い時間としてもよいし、あるいは前記使用寿命よりもわずかに短い時間としてもよい。
【００４４】
ステップＳ２にてランプ９の使用時間が設定時間に達していなければ、通常の処理を進める。即ち、図７に示すように単位ブロックＢ１あるいはＢ２にて処理が終了したウエハＷが受け渡しアーム３０によりタワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳ３、ＴＲＳ４に振り分けて受け渡され、その後単位ブロックＢ３、Ｂ４に搬入される。ウエハＷの振り分けは受け渡しモジュールＴＲＳ３、ＴＲＳ４に受け渡される時点で実施され、受け渡しモジュールＴＲＳ３（ＴＲＳ４）に置かれたウエハＷは夫々単位ブロックＢ３（Ｂ４）の搬送アームＡ３（Ａ４）により搬送される。このため受け渡しモジュールＴＲＳ３（ＴＲＳ４）は、単位ブロックＢ３（Ｂ４）の構成モジュールの一つとして捉えることもできる。  
単位ブロックＢ３、Ｂ４に搬入されたウエハＷは、既述のように処理され、そして周縁露光モジュール４にて通常の露光処理が行われる（ステップＳ３）。
【００４５】
一方、照度検出値が照度設定値以下になるとステップＳ１にて「ＮＯ」となり、アラーム発生部５８が駆動されてアラームが発生し（ステップＳ４）、通常時と異なる特殊モードが実行される（ステップＳ５）。アラームとしては、例えば警報音や塗布、現像装置に設けた警報ランプの点灯などが挙げられる。また塗布、現像装置の操作画面に、どの単位ブロックにて露光部４２の照度が低くなったのかという情報を表示するようにしてもよい。  
前記特殊モードでは、照度が低くなった露光部４２が属する単位ブロックを異常単位ブロックと便宜上呼ぶとすると、異常単位ブロックへのウエハＷの搬入を停止すると共に、当該異常単位ブロックに搬入される予定であったウエハＷに対しては、単位ブロックＢ３、Ｂ４のうちの正常な単位ブロックに搬入する(図８)。このようなウエハＷの搬送の変更は、制御部１００内の前記搬送スケジュール５４を書き換えることにより行われる。
【００４６】
搬送スケジュール５４は、ウエハＷの搬送先のモジュール群を時系列で記載しているデータであることから、搬送スケジュール５４を書き換えたときに、受け渡しアーム３０が既に搬送元である受け渡しモジュールＴＲＳ１あるいはＴＲＳ２に対する受け渡し動作を開始した後においては、当該受け渡し動作にかかわるウエハＷについては、単位ブロックＢ２またはＢ３へ搬入される。なお、この場合、ソフトウエアを工夫して、受け渡し動作にかかわるウエハＷであっても、正常な単位ブロック（Ｂ３またはＢ４）に搬入するようにしてもよい。
【００４７】
また既に異常単位ブロック（Ｂ３またはＢ４）に搬入されているウエハＷについては、周縁露光時間を調整する以外は、通常の場合と同様にして処理が行われる（ステップＳ６）。周縁露光モジュール４においては、露光量は｛照度×回転速度×露光角度×照射マスク開口領域／露光部周長｝で算出される。ランプ９の照度が照度設定値を下回った際には、周縁露光を行う際の回転台４１の回転速度を｛基準照度×通常の場合の回転速度／照度検出値｝により算出される速度に変更して、ウエハＷ周縁部の単位面積あたりの光照射時間が延びるように変更して、照度設定値を下回ったランプ９によっても十分に周縁露光を行うように調整する。異常単位ブロックに残されたウエハＷの処理を終えた後には、ステップＳ７にてランプ９を消灯して、周縁露光モジュール４のランプ９の交換を行う。また図９に示すように正常な単位ブロック（Ｂ３またはＢ４）においては搬入を継続して通常の場合と同様に処理が行われる。
【００４８】
さらにランプ９の照度は設定値より大きいが、ランプ９の使用時間が設定時間を越えた場合には、ステップＳ１にて「ＹＥＳ」となり、ステップＳ２にて「ＮＯ」となる。アラーム発生部５８が駆動されてアラームが発生し（ステップＳ４）、既述のステップＳ５と同様に以上単位ブロックにウエハＷの搬入を停止（ステップＳ９）した後、既に搬入されているウエハＷについては、通常の場合と同様にして処理が行われ（ステップＳ１０）、ステップＳ７にてランプ９を消灯して、周縁露光モジュール４のランプ９の交換を行う。
【００４９】
なお図６に示すフローにおいて、ステップＳ１及びステップＳ２の順序は逆であってもよい。
【００５０】
上述の実施の形態によれば、レジスト膜を含む塗布膜を形成するモジュール及び周縁露光モジュール４を含み、互いに同一の一連の処理を行うための複数の単位ブロックに、ウエハＷを振り分けて受け渡すようにしている。そして一の単位ブロックの周縁露光モジュール４の照度検出値が設定値以下になった後は他の単位ブロックを使用し、前記一の単位ブロックに既に受け渡されたウエハＷに対しては、露光時間を照度検出値に応じた長さに調整して周縁露光を行うようにし、その後周縁露光モジュール４のランプ９を交換するようにしている。
【００５１】
従ってランプ９の使用寿命のばらつきを考慮してマージンをもってランプ９の交換を定期的に行う場合に比べて、当該ランプ９をその使用寿命に近い時期まで使用することができる。このためコストの低廉化が図れ、またメンテナンス頻度も少なくなる。また露光時間を調整することにより、通常よりも露光時間が長くなるが、このようないわゆる積算照射（積算露光）の対象となるウエハＷは、一の単位ブロックに既に搬入されたウエハＷだけであるから、全体のスループットの低下を抑えることができる。
【００５２】
更に一の単位ブロックの周縁露光モジュール４のランプ９の使用時間が設定時間に達したときに、その単位ブロックへのウエハＷの受け渡しを止め、一の単位ブロックに既に受け渡されたウエハＷに対しては、通常の周縁露光を行うようにすれば、積算露光の手法を兼用しているので、使用時間を長く設定することができる。そしてこのように積算露光と使用時間の設定を併用することで、積算露光を行う確率が低くなり、積算露光によるウエハＷの処理時間の長期化の影響の低減が期待できる。
【００５３】
また図６のフローチャートでは、ランプ９の交換あるいはメンテナンス等を行っている際に照度検出値が照度設定値以下になった場合については、極めて低い確率であるため想定していないが、その際の処理工程について図１０〜図１２を用いて説明する。図１０に示すように単位ブロックＢ３、Ｂ４のうちの、一方、例えば単位ブロックＢ４で何らかのトラブルが発生し、あるいはメンテナンス等が行われていて、当該単位ブロックＢ３に対するウエハＷの搬入が停止しているときに他方の単位ブロックＢ３において周縁露光モジュール４の照度検出値が設定値以下になった場合の対処の一例について説明する。
【００５４】
この場合には、搬送アーム３０による当該単位ブロックＢ３への搬入を停止するのではなく、キャリアブロックＳ１に置けるキャリアＣからウエハＷの払い出しを停止する。そして既にキャリアＣから払い出されたウエハＷについては単位ブロックＢ３に搬入し、当該単位ブロックＢ３だけでウエハＷの処理を続行する。周縁露光モジュール４においては、既述のステップＳ５にて述べたように積算露光モードにより周縁露光処理を継続する。
【００５５】
なお、制御部１００のメモリ５３に、既述の照度設定値よりも低い、照度下限値を記憶しておき、照度検出値が照度下限値に達した場合には、ウエハＷの処理を停止する。既にウエハＷの搬入が停止されている単位ブロックＢ４のメンテナンスが終了して、稼動可能になった後、図１２に示すように、アラームを発生しオペレータに通知して、キャリアブロックＳ１のキャリアＣからのウエハＷの払い出しを再開し、単位ブロックＢ４にウエハＷを搬入する。単位ブロックＢ３内に既に搬入されているウエハＷについては、当該単位ブロックＢ３にて処理を行い、周縁露光モジュール４では積算露光が行われている。単位ブロックＢ３内のウエハＷ処理が終了した後、速やかにランプ９の交換を行う。
【００５６】
この実施の形態によれば、各単位モジュールに異常が発生しているとはいえ、周縁露光モジュール４のランプ９の照度が設定値以下になった単位モジュールを活用してウエハＷを処理しているため生産効率の低下を抑えることができる利点がある。このような対処法を実施するにあたって、上述の例では同じ一連の処理を行う単位モジュールが２層配置されている場合であるが、３層以上設けられている場合までも含めて一般化した手法として説明すれば、次のようになる。即ち、複数の単位モジュールの一の単位ブロックの周縁露光モジュール４について照度検出値が設定値以下になったときに、他の全ての単位ブロックが使用できないときには、キャリアＣからのウエハＷの払い出しを止めるという処理になる。そして既にキャリアＣから払い出されたウエハＷについては前記一の単位ブロックに搬入して、周縁露光時間を前記照度検出値に応じた長さに調整して周縁露光を行うこととなる。  
またキャリアＣからウエハＷの払い出しを停止するのではなく、キャリアＣ内のウエハＷはすべて払い出し処理を行い。次のキャリアＣからの払い出しを停止してもよい。
【００５７】
[第２の実施の形態]
上述の実施の形態は、本発明を塗布、現像装置に適用したものであるが、本発明は塗布、現像装置に限らず他の基板処理装置に適用してもよい。具体例としては、ドライエッチング等の後に行われるウエット式の洗浄装置を挙げることができる。この洗浄装置は、例えば基板を洗浄液で洗浄する複数の枚葉式の洗浄モジュールと紫外線照射モジュール（以下「ＵＶ照射モジュール」という）と、これらモジュール間で基板を搬送する基板搬送機構と、を備えた単位ブロックを複数段例えば２段積層した構成とすることができる。
【００５８】
ＵＶ照射モジュールは、基板に紫外線を照射することにより基板の表面に付着している有機物を除去するためのものであり、具体的な構造については後述する。
前記洗浄モジュールは、カップ体内に配置されたスピンチャックと、スピンチャックに保持された基板の中心に洗浄液を吐出するノズルと、を備え、スピンチャックを回転させて洗浄液を基板表面全体に広げて当該表面を洗浄するように構成されている。洗浄モジュールの処理としては、薬液による洗浄、続く純水による洗浄、その後の乾燥プロセス（スピン乾燥）などを挙げることができる。
図１３は、基板処理装置である洗浄装置の外観を示しており、洗浄液のボトルなどを収納するケミカルブロック９０の上に洗浄用の単位ブロックＢ１１、Ｂ１２が２段積層されている。
【００５９】
各単位ブロックＢ１１、Ｂ１２は、図１に示すように直線搬送路に沿って移動する基板搬送機構と、直線搬送路の左右両側に各々当該直線搬送路に沿って並ぶように配列された複数の洗浄モジュールと、前記基板搬送機構によるアクセス位置に設けられたＵＶ照射モジュールと、を備えている。レイアウトの一例としては、洗浄モジュールが左一列に６台並び、また右側には５台の洗浄モジュールと１台のＵＶ照射モジュールとが配置された例を挙げることができる。
【００６０】
図１３において、単位ブロックを除いては先の実施の形態と同様であり、対応する部位には同じ符号を付してある。  
ここでＵＶ照射モジュールの具体例について図１４、図１５を参照しながら説明する。ＵＶ照射モジュールは、矩形の基台７０の上に、ウエハＷを水平に保持して鉛直軸周りに回転させると共に、基台７０の手前側の受け渡し位置と、奥側の処理位置とをガイドレール７２に沿って移動可能な回転台７１が設けられる。ウエハＷの処理位置の上方には、紫外線照射部７３が、基台７０の幅方向に伸びるように設けられている。紫外線照射部７３には、光源である紫外線ランプ（以下「ＵＶランプ」という）７４が設けられており、処理位置のウエハＷに対して、ウエハＷの中心を通りウエハＷを横断する帯状の紫外線を照射する。ウエハＷの通過領域の下方側であって、ＵＶランプの真下には、当該ＵＶランプ７４からの光照度を検出する照度検出部７５が設けられている。照度検出部は、例えばガイドレール７２の左右に各一つ設けられる。ウエハＷの通過領域と照度検出部７５との間には、当該照度検出部７５に対するＵＶランプ７４からの光を受光あるいは遮光するためのシャッタ７６が配置されている。
【００６１】
第２の実施の形態に係る基板処理装置では、キャリアＣより搬入されたウエハＷは、処理ブロックＳ２内の受け渡しアーム３０により夫々の単位ブロックＢ１１、Ｂ１２へと振り分けられる。単位ブロックＢ１１（Ｂ１２）に搬入されたウエハＷは、洗浄モジュールにて洗浄処理が行われた後、ＵＶ照射モジュールに搬入される。ＵＶ照射モジュールに搬入されたウエハＷは、処理位置に移動された後、回転台７１により回転されると共に、紫外線が照射され、ウエハＷの表面全体に紫外線が照射される。
【００６２】
ここでウエハＷがＵＶ照射モジュールの処理位置に搬送される前に、シャッタ７６を開き、ＵＶ照射モジュールのＵＶランプ７４の照度を照度検出部７５により検出する。一の単位ブロックのＵＶ照射モジュールの照度検出値が設定値以下であった後は、キャリアＣから搬入されるウエハＷを他の単位ブロックに振り分けて処理を行い、前記一の単位ブロックに既に受け渡されたウエハＷに対しては、照射時間を照度検出値に応じた長さに調整してＵＶ照射を行うようにし、その後ＵＶ照射モジュールのＵＶランプ７４を交換する。このようにすることで同様の効果を得ることができる。
【００６３】
また第２の実施形態における単位ブロックに、基板の表面に撥水性保護膜を形成するためのモジュールを設け、ＵＶ照射モジュールは前記撥水性保護膜を除去するためのモジュールとして使用するようにしてもよい。この場合には、基板の表面に薬液により撥水性保護膜を形成し、次いで基板の表面を洗浄モジュールにて洗浄し、しかる後にＵＶ照射モジュールにて保護膜を剥離することになる。
本発明はこのような場合にも適用できるが、絶縁膜であるシリコン酸化膜の前駆体を含む薬液を基板に塗布して絶縁膜を形成し、その後この絶縁膜をＵＶ照射モジュールにてＵＶを照射することで絶縁膜を改質するというプロセスを実施する基板処理装置についても適用することができる。この場合には、単位ブロックは、例えば絶縁膜である塗布膜を形成するモジュール、基板を加熱板の上に載せて加熱する加熱モジュール及びＵＶ照射モジュールが配置されることになる。
【符号の説明】
【００６４】
４                周縁露光モジュール
９                ランプ
２６              加熱モジュール
３０              受け渡しアーム
４１、７１        回転台
４２              露光部
４５              ランプハウス
７３              紫外線照射部
７４              ＵＶランプ
６０、７５        照度検出部
１００            制御部
Ｂ１〜Ｂ６        単位ブロック
Ｓ２              処理ブロック
Ｗ                ウエハＷ
【図１】
0005954125.tif 000002
【図２】
0005954125.tif 000003
【図３】
0005954125.tif 000004
【図４】
0005954125.tif 000005
【図５】
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【図６】
0005954125.tif 000007
【図７】
0005954125.tif 000008
【図８】
0005954125.tif 000009
【図９】
0005954125.tif 000010
【図１０】
0005954125.tif 000011
【図１１】
0005954125.tif 000012
【図１２】
0005954125.tif 000013
【図１３】
0005954125.tif 000014
【図１４】
0005954125.tif 000015
【図１５】
0005954125.tif 000016