(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の材料で筒状に形成されたタンクと、
前記第１の材料よりも引張り強さの大きい第２の材料で形成され、前記タンクを覆う筒状部と、
前記筒状部の軸方向の一端側に設けられ、第２の材料で形成され、挿通孔を備える第１蓋部と、
前記筒状部の軸方向の他端側に設けられ、第２の材料で形成された第２蓋部と、
前記タンク内部と連通するように、且つ前記挿通孔を挿通するように設置され、第１の材料で形成されたノズルと、を含み、
前記第２の材料の膨張率は、前記第１の材料の膨張率よりも大きく、
前記筒状部は、前記第１蓋部に固定され、
前記第２蓋部は、前記タンクに固定され、
前記第１蓋部は、前記筒状部の温度、前記第１蓋部の温度、および、前記第２蓋部の温度がターゲット物質の融点以上の所定温度のときに前記筒状部が前記第２蓋部と接触し、かつ、前記所定温度よりも低いときに前記筒状部と前記第２蓋部との間に隙間が存在するように、前記タンクに固定されるターゲット供給装置。
【請求項２】
請求項１に記載のターゲット供給装置において、
前記ノズルは、前記タンクと一体的に形成されたノズル本体部と、前記ターゲット物質を出力するためのノズル孔を有し、前記ノズル本体部の先端に着脱自在に取り付けられるノズル先端部とを備え、
前記ノズル先端部は、前記第１蓋部を貫通して前記タンクに結合されたノズル先端部用結合部材によって、前記ノズル本体部に取り付けられ、
前記ノズル先端部および前記ノズル先端部用結合部材は、前記タンクの材料と膨張率が略等しい材料により形成されるターゲット供給装置。
【請求項３】
請求項２に記載のターゲット供給装置において、
前記第１蓋部は、前記筒状部に固定され、
前記第２蓋部は、前記タンクに固定され、
前記筒状部は、前記筒状部の温度、前記第１蓋部の温度、および、前記第２蓋部の温度が前記ターゲット物質の融点以上の所定温度のときに前記第１蓋部と前記ノズル先端部との間に隙間が存在するように、前記第２蓋部に固定されるターゲット供給装置。
【請求項４】
請求項１または２に記載のターゲット供給装置において、
前記筒状部の内周面と前記タンクの外周面との間に配置された熱伝導部材を備えるターゲット供給装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、ターゲット供給装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度のＥＵＶ光を生成するための装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
【０００３】
ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマを用いたＬＰＰ（Ｌａｓｅｒ  Ｐｒｏｄｕｃｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）方式の装置と、放電によって生成されるプラズマを用いたＤＰＰ（Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ  Ｐｒｏｄｕｃｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）方式の装置と、軌道放射光を用いたＳＲ（Ｓｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎ  Ｒａｄｉａｔｉｏｎ）方式の装置との３種類の装置が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許第７４０５４１６号明細書
【概要】
【０００５】
本開示の一態様によるターゲット供給装置は、第１の材料で筒状に形成されたタンクと、第１の材料よりも引張り強さの大きい第２の材料で形成され、タンクを覆う筒状部と、筒状部の軸方向の一端側に設けられ、第２の材料で形成され、挿通孔を備える第１蓋部と、筒状部の軸方向の他端側に設けられ、第２の材料で形成された第２蓋部と、タンク内部と連通するように、且つ挿通孔を挿通するように設置され、第１の材料で形成されたノズルと、を含み、第２の材料の膨張率は、第１の材料の膨張率よりも大きく、筒状部は、第１蓋部に固定され、第２蓋部は、タンクに固定され、第１蓋部は、筒状部の温度、第１蓋部の温度、および、第２蓋部の温度がターゲット物質の融点以上の所定温度のときに筒状部が第２蓋部と接触し、かつ、所定温度よりも低いときに筒状部と第２蓋部との間に隙間が存在するように、タンクに固定されてもよい。
ここで、材料に引張り応力（荷重／断面積）を与えると、この材料は破断し得る。この
破断するときの応力を、引張り強さ（Ｎ／ｍｍ２）と言い得る。                                                                                
【図面の簡単な説明】
【０００６】
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
【図１】図１は、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。
【図２】図２は、第１実施形態に係るターゲット供給装置が適用されるＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。
【図３】図３は、第１実施形態に係るターゲット生成器およびカバー部材の構成を概略的に示す。
【図４】図４は、第１実施形態に係るターゲット供給装置の構成を概略的に示す。
【図５Ａ】図５Ａは、第２実施形態に係るターゲット生成器およびカバー部材の構成を概略的に示し、ターゲット生成器およびカバー部材が加熱されていない状態を示す。
【図５Ｂ】図５Ｂは、図５Ａに示すターゲット生成器およびカバー部材がターゲット物質の融点以上の温度に加熱された状態を示す。
【図６Ａ】図６Ａは、第３実施形態に係るターゲット生成器およびカバー部材の構成を概略的に示し、ターゲット生成器およびカバー部材が加熱されていない状態を示す。
【図６Ｂ】図６Ｂは、図６Ａに示すターゲット生成器およびカバー部材がターゲット物質の融点以上の温度に加熱された状態を示す。
【図７Ａ】図７Ａは、第４実施形態に係るターゲット生成器およびカバー部材の構成を概略的に示し、ターゲット生成器およびカバー部材が加熱されていない状態を示す。
【図７Ｂ】図７Ｂは、図７Ａに示すターゲット生成器およびカバー部材がターゲット物質の融点以上の温度に加熱された状態を示す。
【実施形態】
【０００７】
内容
１．概要
２．ＥＵＶ光生成装置の全体説明
２．１  構成
２．２  動作
３．ターゲット供給装置を備えたＥＵＶ光生成装置
３．１  用語の説明
３．２  第１実施形態
３．２．１  概略
３．２．２  構成
３．２．３  動作
３．３  第２実施形態
３．３．１  概略
３．３．２  構成
３．３．３  動作
３．４  第３実施形態
３．４．１  概略
３．４．２  構成
３．４．３  動作
３．５  第４実施形態
３．５．１  概略
３．５．２  構成
３．５．３  動作
【０００８】
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成および動作の全てが本開示の構成および動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
【０００９】
１．概要
本開示の実施形態においては、ターゲット供給装置は、第１の材料で筒状に形成されたタンクと、前記第１の材料よりも引張り強さの大きい第２の材料で形成され、前記タンクを覆う筒状部と、前記筒状部の軸方向の一端側に設けられ、第２の材料で形成され、挿通孔を備える第１蓋部と、前記筒状部の軸方向の他端側に設けられ、第２の材料で形成された第２蓋部と、前記タンク内部と連通するように、且つ前記挿通孔を挿通するように設置され、第１の材料で形成されたノズルと、を含んでもよい。
【００１０】
ここで、タンクとノズルとを含むターゲット生成器がターゲット物質と反応しやすい材料で形成されている場合、ターゲット生成器とターゲット物質とが反応して生成された合金が、ノズルに詰まり得る。このため、ターゲット生成器は、ターゲット物質と反応しにくい材料で形成されてもよい。ターゲット物質がスズの場合、このスズと反応しにくい材料は、モリブデンであってもよい。そして、ターゲット生成器は、モリブデンを焼結することにより形成されてもよい。
ところで、ターゲット生成器からターゲット物質を出力する場合、ターゲット生成器内に、高い圧力が加わり得る。例えば、ターゲット生成器内に、１０ＭＰａ以上の圧力が加わり得る。ターゲット生成器が焼結により形成されている場合、この圧力によって、ターゲット生成器が破損し得る。そして、ターゲット生成器の破片が飛散して、ターゲット生成器周辺の装置が損傷し得る。
本開示の実施形態によれば、高張力材で形成された筒状部、第１の蓋部、および、第２の蓋部を含むカバー部材によってターゲット生成器を覆うため、圧力によってターゲット生成器が破損した場合であっても、カバー部材が破損することを防止し得る。したがって、ターゲット生成器の破片の飛散が抑制され、ターゲット生成器周辺の装置の損傷を抑制し得る。
【００１１】
２．ＥＵＶ光生成装置の全体説明
２．１  構成
図１は、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成装置１の構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい。ＥＵＶ光生成装置１およびレーザ装置３を含むシステムを、以下、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１を参照に、以下に詳細に説明されるように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ＥＵＶ光生成装置１は、ターゲット供給装置７をさらに含んでもよい。ターゲット供給装置７は、例えばチャンバ２に取り付けられていてもよい。ターゲット供給装置７から供給されるターゲットの材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、またはそれらのうちのいずれか２つ以上の組合せ等を含んでもよいが、これらに限定されない。
【００１２】
チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔をレーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３２が通過してもよい。あるいは、チャンバ２には、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３２が透過する少なくとも１つのウインドウ２１が設けられてもよい。チャンバ２の内部には例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１焦点および第２焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１焦点がプラズマ生成位置またはその近傍（プラズマ生成領域２５）に位置し、その第２焦点が露光装置の仕様によって規定される所望の集光位置（中間焦点（ＩＦ）中間焦点２９２）に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には、パルスレーザ光３３が通過するための貫通孔２４が設けられてもよい。
【００１３】
ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御システム５を含んでいてもよい。また、ＥＵＶ光生成装置１は、ターゲットセンサ４を含んでもよい。ターゲットセンサ４は、ターゲットの存在、軌道、位置等を検出してもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有してもよい。
【００１４】
さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２内部と露光装置６内部とを連通させるための接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャが形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャがＥＵＶ集光ミラー２３の第２焦点位置に位置するように配置されてもよい。
【００１５】
さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光光学系２２、ドロップレット２７を回収するためのターゲット回収装置２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置や姿勢等を調節するためのアクチュエータとを備えてもよい。
【００１６】
２．２  動作
図１を参照に、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過して、チャンバ２に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内に進み、レーザ光集光光学系２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのドロップレット２７に照射されてもよい。
【００１７】
ターゲット供給装置７からは、ドロップレット２７がチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力されてもよい。ドロップレット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスレーザ光が照射され得る。パルスレーザ光３３が照射されたドロップレット２７はプラズマ化し、そのプラズマからＥＵＶを含む光２５１（以下、「ＥＵＶ光を含む光」を「ＥＵＶ光」と表現する場合がある）が放射され得る。ＥＵＶ光２５１は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって集光されるとともに反射されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３で反射されたＥＵＶ光２５２は、中間焦点２９２を通って露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのドロップレット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスレーザ光が照射されてもよい。
【００１８】
ＥＵＶ光生成制御システム５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括してもよい。ＥＵＶ光生成制御システム５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたドロップレット２７のイメージデータ等を処理してもよい。ＥＵＶ光生成制御システム５は、例えば、ドロップレット２７を出力するタイミングやドロップレット２７の出力速度等を制御してもよい。また、ＥＵＶ光生成制御システム５は、例えば、レーザ装置３のレーザ発振タイミングやパルスレーザ光３２の進行方向やパルスレーザ光３３の集光位置等を制御してもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御を追加してもよい。
【００１９】
３．ターゲット供給装置を備えたＥＵＶ光生成装置
３．１  用語の説明
以下、ノズルの先端に近い側の方の温度を遠い方の温度よりも高くすることを、「軸方向に温度勾配を付ける」と説明し得る。
【００２０】
３．２  第１実施形態
３．２．１  概略
本開示の第１実施形態によれば、ターゲット供給装置は、焼結材料により形成されたターゲット生成器と、カバー部材とを備えてもよい。ターゲット生成器のノズルは、ノズル本体部と、ノズル先端部とを備えてもよい。ノズル本体部は、タンクと一体的に形成されてもよい。ノズル先端部は、ノズル孔を有し、ノズル本体部の先端に着脱自在に取り付けられてもよい。
【００２１】
ここで、ターゲット生成器内では、ターゲット物質と当該ターゲット物質に含まれる酸素原子との結合によって、酸化物が析出し得る。この酸化物は、ノズル孔に詰まり得る。ノズル孔は非常に小さいため、詰まった酸化物を除去することは困難となり得る。
本実施形態のターゲット供給装置によれば、ノズル孔を有するノズル先端部がノズル本体部に対して着脱自在に構成されているため、酸化物がノズル孔に詰まった場合でも、ノズル先端部を交換するだけの簡単な方法で対応し得る。
【００２２】
また、ノズル先端部をノズル本体部に取り付けるために、ノズル先端部用結合部材を用いてもよい。ノズル先端部用結合部材は、第１蓋部に挿通されてタンクに結合されてもよい。ノズル先端部およびノズル先端部用結合部材は、タンクの材料と膨張率が略等しい第１の材料により形成されてもよい。
【００２３】
本実施形態のターゲット供給装置によれば、タンクとノズル先端部とノズル先端部用結合部材とが略同じ温度であれば、これらの膨張量はほぼ等しくなる。このため、ターゲット生成器の加熱前後において、タンクとノズル先端部用結合部材との結合状態が維持され得るとともに、ノズル先端部とノズル本体部との接触状態（シール状態）が維持され得る。したがって、ノズル先端部とノズル本体部との間から、ターゲット物質が漏れる不具合を抑制し得る。
【００２４】
３．２．２  構成
図２は、ターゲット供給装置を備えるＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。図３は、ターゲット生成器およびカバー部材の構成を概略的に示す。図４は、ターゲット供給装置の構成を概略的に示す。
ＥＵＶ光生成装置１Ａは、図２に示すように、チャンバ２と、ターゲット供給装置７Ａとを備えてもよい。ターゲット供給装置７Ａは、ターゲット生成部７０Ａと、ターゲット制御装置８０Ａとを備えてもよい。
ターゲット生成部７０Ａは、図２〜図４に示すように、ターゲット生成器７１Ａと、カバー部材９Ａと、圧力調整器７４Ａと、加熱部７５Ａと、図示しないピエゾ押出部と、を備えてもよい。
【００２５】
ターゲット生成器７１Ａは、生成器本体７１０Ａと、ノズル先端部７３０Ａとを備えてもよい。
生成器本体７１０Ａおよびノズル先端部７３０Ａは、液体のターゲット物質２７０と反応しにくい焼結材料（第１の材料）で形成されてもよい。例えば、液体のターゲット物質２７０がスズである場合、これと反応しにくい焼結材料は、モリブデン、タングステン、タンタルであってもよい。
【００２６】
生成器本体７１０Ａは、図３に示すように、筒状に形成されたタンク７１１Ａを備えてもよい。
タンク７１１Ａの中空部は、ターゲット物質２７０を収容する収容空間７１３Ａであってもよい。
タンク７１１Ａの上面には、Ｏリング用溝７１４Ａが設けられてもよい。Ｏリング用溝７１４Ａは、円環状に形成されてもよい。
タンク７１１Ａには、ノズル本体部７１８Ａが設けられてもよい。ノズル本体部７１８Ａは、タンク７１１Ａの下面中央から下方に延びる筒状に形成されてもよい。ノズル本体部７１８Ａの中空部は、収容空間７１３Ａ内のターゲット物質２７０がノズル先端部７３０Ａに送られるための貫通孔７１９Ａであってもよい。ノズル本体部７１８Ａおよびノズル先端部７３０Ａは、貫通孔７１９Ａと収容空間７１３Ａとが連通するように設置されたノズル７１２Ａを構成してもよい。
【００２７】
ノズル先端部７３０Ａは、孔が形成された部材７３１Ａと、固定部材７３２Ａとを備えてもよい。
孔が形成された部材７３１Ａは、平面部分の外形寸法が貫通孔７１９Ａの直径よりも大きく形成されてもよい。固定部材７３２Ａは、平面部分の外形寸法が、孔が形成された部材７３１Ａの平面部分の外形寸法よりも大きく形成されてもよい。固定部材７３２Ａの上面には、嵌合用溝７３３Ａが設けられてもよい。嵌合用溝７３３Ａは、当該嵌合用溝７３３Ａの内部に孔が形成された部材７３１Ａが嵌め込まれたときに、孔が形成された部材７３１Ａの上面と固定部材７３２Ａの上面とが同一面を形成するように、設けられてもよい。
また、ノズル先端部７３０Ａの中央には、孔が形成された部材７３１Ａの上面と固定部材７３２Ａの下面とを連通する錐状孔７３４Ａが設けられてもよい。錐状孔７３４Ａは、上から下に向かうに従って径寸法が大きくなる円錐状に形成されてもよい。錐状孔７３４Ａの上端には、ノズル孔７３５Ａが形成されてもよい。ノズル孔７３５Ａの径は、６μｍ以上３０μｍ以下であってもよい。
【００２８】
ノズル先端部７３０Ａは、ノズル先端部用結合部材としての第１ボルト７２５Ａによって、タンク７１１Ａに対して固定されてもよい。第１ボルト７２５Ａは、生成器本体７１０Ａおよびノズル先端部７３０Ａの材料と同じ材料で形成されてもよい。すなわち、生成器本体７１０Ａと第１ボルト７２５Ａとノズル先端部７３０Ａとは、膨張率が同じ材料で形成されてもよい。第１ボルト７２５Ａは、固定部材７３２Ａの下側からボルト用挿通孔７３６Ａおよび後述するボルト用挿通孔９１６Ａに挿通されて、タンク７１１Ａに螺合されてもよい。第１ボルト７２５Ａと、第１蓋部としての下面部９１２Ａのボルト用挿通孔９１６Ａの内面との間には隙間があってもよい。
このように第１ボルト７２５Ａがタンク７１１Ａに取り付けられることで、ノズル先端部７３０Ａはタンク７１１Ａに固定される。それによりノズル孔７３５Ａの中心がタンク７１１Ａの中心軸上に位置し、かつ、孔が形成された部材７３１Ａとノズル本体部７１８Ａとの間が面シールされてもよい。
【００２９】
加熱部７５Ａは、図４に示すように、第１ヒータ７５１Ａと、第１ヒータ電源７５２Ａと、第１温度センサ７５３Ａと、第１温度コントローラ７５４Ａと、第２ヒータ７５５Ａと、第２ヒータ電源７５６Ａと、第２温度センサ７５７Ａと、第２温度コントローラ７５８Ａと、第３ヒータ７５９Ａと、第３ヒータ電源７６０Ａと、第３温度センサ７６１Ａと、第３温度コントローラ７６２Ａとを備えてもよい。
【００３０】
第１ヒータ７５１Ａは、主に孔が形成された部材７３１Ａおよび固定部材７３２Ａを加熱してもよい。第１温度センサ７５３Ａは、主に固定部材７３２Ａの温度（孔が形成された部材７３１Ａの温度に近い値）を検出して、当該検出された温度に対応する信号を第１温度コントローラ７５４Ａに送信してもよい。
第２ヒータ７５５Ａは、後述する筒状部９１１Ａの外周面の下端側を加熱してもよい。第２温度センサ７５７Ａは、主に筒状部９１１Ａにおけるチャンバ２の内部に位置する部分の温度（ノズル本体部７１８Ａ内のターゲット物質２７０の温度に近い値）を検出してもよい。
第３ヒータ７５９Ａは、筒状部９１１Ａの外周面の上端側を加熱してもよい。第３温度センサ７６１Ａは、主に筒状部９１１Ａにおけるチャンバ２の外部に位置する部分の温度（タンク７１１Ａ内のターゲット物質２７０の温度に近い値）を検出してもよい。
【００３１】
カバー部材９Ａは、図３に示すように、カバー本体９１Ａと、第２蓋部としての蓋部材９２Ａとを備えてもよい。
カバー本体９１Ａおよび蓋部材９２Ａは、生成器本体７１０Ａ、第１ボルト７２５Ａ、ノズル先端部７３０Ａの材料よりも引張り強さが大きい高張力材（第２の材料）で形成されてもよい。例えば、モリブデンよりも引張り強さの大きい高張力材は、ＳＵＳ（ステンレス鋼）、鉄、インコネル（登録商標）、ハステロイ（登録商標）であってもよい。カバー本体９１Ａと蓋部材９２Ａとは、生成器本体７１０Ａ、第１ボルト７２５Ａ、ノズル先端部７３０Ａの材料よりも熱膨張率が大きい材料で形成されてもよい。カバー本体９１Ａと蓋部材９２Ａとは、同じ材料で形成されてもよい。
【００３２】
カバー本体９１Ａは、筒状部９１１Ａと、当該筒状部９１１Ａと一体的に形成された第１蓋部としての下面部９１２Ａとを備えてもよい。筒状部９１１Ａは、円筒状に形成されてもよい。下面部９１２Ａは、筒状部９１１Ａの軸方向の一端側（下端側）に設けられてもよい。
筒状部９１１Ａの上面には、円環状のＯリング用溝９１３Ａが設けられてもよい。筒状部９１１Ａの外周面には、取付部９１４Ａが設けられてもよい。取付部９１４Ａは、外側に突出するように設けられてもよい。取付部９１４Ａは、筒状部９１１Ａの外周方向に沿って連続的に設けられていてもよいし、断続的に設けられてもよい。
下面部９１２Ａの中央には、挿通孔９１５Ａが設けられてもよい。
【００３３】
タンク７１１Ａがカバー本体９１Ａの筒状部９１１Ａ内に位置し、かつ、ノズル本体部７１８Ａが挿通孔９１５Ａに挿通するように、生成器本体７１０Ａが収容されてもよい。
このとき、筒状部９１１Ａとタンク７１１Ａとの間が面シールされ、筒状部９１１Ａの上面がタンク７１１Ａの上面と略同一面上に位置し、下面部９１２Ａとタンク７１１Ａとの間が面シールされてもよい。また、挿通孔９１５Ａとノズル本体部７１８Ａとが面シールされ、下面部９１２Ａの下面からノズル本体部７１８Ａが突出してもよい。
カバー本体９１Ａと生成器本体７１０Ａとは、第２ボルト９３１Ａによって固定されてもよい。第２ボルト９３１Ａは、カバー本体９１Ａおよび蓋部材９２Ａの材料と同じ材料で形成されてもよい。第２ボルト９３１Ａは、下面部９１２Ａの下側からボルト用挿通孔９１７Ａに挿通されて、タンク７１１Ａに螺合されてもよい。
カバー本体９１Ａは、取付部９１４Ａよりも下端側がチャンバ２の挿通孔２０Ａを介してチャンバ２の内部に位置する状態で、取付部９１４Ａがチャンバ２に固定されてもよい。
【００３４】
蓋部材９２Ａは、円板状に形成されてもよい。蓋部材９２Ａは、筒状部９１１Ａの軸方向の他端側（上端側）に設けられてもよい。
蓋部材９２Ａは、カバー本体９１Ａおよび蓋部材９２Ａの材料と同じ材料で形成された第３ボルト９３５Ａによってタンク７１１Ａに固定されてもよい。第３ボルト９３５Ａは、蓋部材９２Ａの上側からボルト用挿通孔９２１Ａに挿通されて、タンク７１１Ａに螺合されてもよい。第３ボルト９３５Ａと、蓋部材９２Ａのボルト用挿通孔９２１Ａの内面との間には隙間があってもよい。
このとき、蓋部材９２Ａと、タンク７１１Ａおよび筒状部９１１Ａとが面シールされてもよい。Ｏリング用溝７１４Ａに第１Ｏリング９４１Ａを嵌め込むことで、生成器本体７１０Ａと蓋部材９２Ａとの間をシールしてもよい。Ｏリング用溝９１３Ａに第２Ｏリング９４２Ａを嵌め込むことで、筒状部９１１Ａと蓋部材９２Ａとの間をシールしてもよい。第１Ｏリング９４１Ａは、メタルＯリングであってもよい。第２Ｏリング９４２Ａは、樹脂製のＯリングであってもよい。
【００３５】
圧力調整器７４Ａには、図２に示すように、不活性ガスボンベ７４２Ａが接続されてもよい。圧力調整器７４Ａは、蓋部材９２Ａを貫通する配管７４１Ａを介して、ターゲット生成器７１Ａに連結されてもよい。圧力調整器７４Ａは、ターゲット制御装置８０Ａに電気的に接続されてもよい。圧力調整器７４Ａは、不活性ガスボンベ７４２Ａから供給される不活性ガスの圧力を制御して、ターゲット生成器７１Ａ内の圧力を調節するよう構成されてもよい。不活性ガスは、アルゴン等の希ガスまたは窒素のいずれかであってもよい
【００３６】
ピエゾ押出部は、それぞれ図示しない、ピエゾ素子と、ピエゾ素子電源とを備えてもよい。ピエゾ素子は、チャンバ２内において、ノズル本体部７１８Ａの外周面に設けられてもよい。ピエゾ素子の代わりに、高速でノズル本体部７１８Ａに押圧力を加えることが可能な機構が設けられてもよい。ピエゾ素子電源は、チャンバ２の壁部に設けられた図示しない導入端子を介して、ピエゾ素子に接続されてもよい。ピエゾ素子電源は、ターゲット制御装置８０Ａに接続されてもよい。
【００３７】
チャンバ２の設置形態によっては、予め設定されるターゲット物質２７０の出力方向（ノズル７１２Ａの軸方向（設定出力方向１０Ａと称する））は、必ずしも重力方向１０Ｂと一致するとは限らない。重力方向１０Ｂに対して、斜め方向や水平方向に、ターゲット物質２７０が出力されるよう構成されてもよい。なお、第１実施形態および後述する第２〜第４実施形態では、設定出力方向１０Ａが重力方向１０Ｂと一致するようにチャンバ２が設置されてもよい。
【００３８】
３．２．３  動作
ＥＵＶ光生成時には、加熱部７５Ａによってターゲット生成器７１Ａがターゲット物質２７０の融点以上の温度に加熱されている状態において、ターゲット制御装置８０Ａは、圧力調整器７４Ａに信号を送信して、ターゲット生成器７１Ａ内の圧力を所定の圧力に調節するよう構成されてもよい。
この所定の圧力とは、ノズル孔７３５Ａにターゲット物質２７０によるメニスカス面が形成される程度の圧力でよく、この状態ではドロップレット２７は出力されなくともよい。
【００３９】
ターゲット物質２７０の融点以上の温度は、ターゲット物質２７０がスズの場合には２３２℃以上、ガドリニウムの場合には１３１２℃以上、テルビウムの場合には１３５６℃以上であってもよい。
例えば、ターゲット制御装置８０Ａは、以下の制御を行ってターゲット物質２７０を加熱する。
ターゲット制御装置８０Ａは、第１，第２，第３ヒータ７５１Ａ，７５５Ａ，７５９Ａの目標温度Ｔ１ｔ，Ｔ２ｔ，Ｔ３ｔを、それぞれおよそ３７０℃，３６０℃，３５０℃に設定してもよい。
【００４０】
次に、ターゲット制御装置８０Ａは、第１，第２，第３温度コントローラ７５４Ａ，７５８Ａ，７６２Ａに、目標温度Ｔ１ｔ，Ｔ２ｔ，Ｔ３ｔを設定して、第１，第２，第３ヒータ７５１Ａ，７５５Ａ，７５９Ａの温度を制御してもよい。第１，第２，第３温度センサ７５３Ａ，７５７Ａ，７６１Ａは、第１，第２，第３ヒータ７５１Ａ，７５５Ａ，７５９Ａが加熱した部分の温度を検出してもよい。この後、第１，第２，第３温度センサ７５３Ａ，７５７Ａ，７６１Ａは、当該温度に対応する信号を第１，第２，第３温度コントローラ７５４Ａ，７５８Ａ，７６２Ａを介して、ターゲット制御装置８０Ａに送信してもよい。
【００４１】
ターゲット制御装置８０Ａは、第１，第２，第３温度センサ７５３Ａ，７５７Ａ，７６１Ａが検出した温度が、それぞれの目標温度Ｔ１ｔ，Ｔ２ｔ，Ｔ３ｔとほぼ等しくなるように、第１，第２，第３温度コントローラ７５４Ａ，７５８Ａ，７６２Ａを制御してもよい。
以上の処理によって、ターゲット生成器７１Ａ内のターゲット物質２７０には、軸方向の温度分布が付き得る。
【００４２】
その後、ターゲット制御装置８０Ａは、例えば、オンデマンド方式でドロップレット２７を生成するためのドロップレット生成信号をピエゾ素子電源に送信してもよい。ドロップレット生成信号を受信したピエゾ素子電源は、ピエゾ素子に対して所定のパルス状の電力を供給してもよい。
電力の供給を受けたピエゾ素子は、電力の供給タイミングに合わせて変形し得る。これにより、ノズル本体部７１８Ａが高速で押圧され、ドロップレット２７が出力され得る。ターゲット生成器７１Ａ内が所定の圧力に維持されていれば、電力供給のタイミングに合わせてドロップレット２７が出力され得る。
【００４３】
ターゲット制御装置８０Ａは、コンティニュアスジェット方式でジェットを生成するよう、ターゲット生成器７１Ａ内の圧力を調節するよう構成されてもよい。このときのターゲット生成器７１Ａ内の圧力は上述の所定の圧力よりも高い圧力であってもよい。
あるいは、ターゲット制御装置８０Ａは、ドロップレットを生成するための振動信号をピエゾ素子電源に送信してもよい。振動信号を受信したピエゾ素子電源は、ピエゾ素子に対して当該ピエゾ素子を振動させるための電力を供給してもよい。
電力の供給を受けたピエゾ素子は、ノズル７１２Ａを高速で振動させ得る。これにより、ジェットは、一定周期で分断され、ドロップレットとして出力され得る。そして、このように出力されたドロップレットにパルスレーザ光が照射されることで、ＥＵＶ光が生成されてもよい。
【００４４】
上述のように、高張力材で形成したカバー部材９Ａでターゲット生成器７１Ａを覆う構成としている。そのため、ＥＵＶ光の生成時にターゲット生成器７１Ａに高い圧力がかかり、ターゲット生成器７１Ａが破損した場合であっても、カバー部材９Ａが破損することを防止し得る。したがって、ターゲット生成器７１Ａの破片の飛散が抑制され、ターゲット生成器７１Ａ周辺の装置の損傷を抑制し得る。
【００４５】
ノズル孔７３５Ａを有するノズル先端部７３０Ａを、ノズル本体部７１８Ａに対して着脱自在に構成してもよい。
これにより、ターゲット物質２７０の酸化物が発生してノズル孔７３５Ａに詰まった場合でも、ノズル先端部７３０Ａを交換するだけの簡単な方法で対応し得る。
【００４６】
第１ボルト７２５Ａによって、ノズル先端部７３０Ａをノズル本体部７１８Ａに取り付けてもよい。第１ボルト７２５Ａは、固定部材７３２Ａを介してタンク７１１Ａに螺合されてもよい。ノズル先端部７３０Ａおよび第１ボルト７２５Ａは、ノズル本体部７１８Ａの材料と膨張率が同じ材料より形成されてもよい。
これにより、ターゲット生成器７１Ａの加熱前後において、タンク７１１Ａと第１ボルト７２５Ａとの螺合状態が維持され得るとともに、ノズル本体部７１８Ａとノズル先端部７３０Ａとの間の面シールが維持され得る。したがって、ノズル本体部７１８Ａとノズル先端部７３０Ａとの間から、ターゲット物質２７０が漏れる不具合を抑制し得る。
【００４７】
ターゲット供給装置７Ａのターゲット制御装置８０Ａは、ターゲット物質２７０に軸方向の温度勾配を付けるように、第１，第２，第３ヒータ７５１Ａ，７５５Ａ，７５９Ａを制御してもよい。
これにより、ターゲット生成器７１Ａの貫通孔７１９Ａ内でのターゲット物質２７０の酸化物の析出を抑制し得る。したがって、酸化物が当該貫通孔７１９Ａ内に詰まる可能性が低減し得る。さらには、ドロップレット２７の出力方向の変化等の不具合を抑制し得る。
【００４８】
なお、筒状部９１１Ａと下面部９１２Ａとを別体で構成して、これらをボルトなどで固定してもよい。また、筒状部９１１Ａと下面部９１２Ａとを別体とした場合、筒状部９１１Ａと蓋部材９２Ａとを一体的に構成してもよい。
さらには、ノズル先端部７３０Ａをタンク７１１Ａに固定するために、圧入や係合でノズル先端部７３０Ａをタンク７１１Ａに固定してもよい。
これらの各構成は、後述する各実施形態においても適用してもよい。
【００４９】
３．３  第２実施形態
３．３．１  概略
本開示の第２実施形態によれば、カバー部材の筒状部および第１，第２蓋部は、ターゲット生成器の材料（第１の材料）よりも膨張率が大きい材料（第２の材料）により形成されてもよい。筒状部は、第１蓋部に固定され、第２蓋部は、ターゲット生成器のタンクに固定されてもよい。第１蓋部は、カバー部材の温度がターゲット物質の融点以上の所定温度のときに、筒状部が第２蓋部と接触し、かつ、前記所定温度よりも低いときに筒状部と第２蓋部との間に隙間が存在するように、タンクに固定されてもよい。
【００５０】
ここで、ターゲット供給装置からターゲット物質を出力する場合、ターゲット物質を液体にするために、ターゲット生成器がターゲット物質の融点以上の所定温度に加熱され得る。この加熱は、カバー部材の内部に配置されたヒータによって行われてもよいし、カバー部材の外周面に配置されたヒータによって行われてもよい。ヒータがカバー部材の内部あるいは外周面のいずれに配置されている場合にも、カバー部材は、ターゲット生成器とほぼ同じ温度に加熱され得る。
本実施形態のターゲット供給装置によれば、ターゲット生成器およびカバー部材が加熱されると、カバー部材の膨張量は、ターゲット生成器の膨張量よりも大きくなり得る。そして、ターゲット生成器およびカバー部材が、ターゲット物質の融点以上の所定温度まで加熱されると、筒状部が第１蓋部から伸びるように変形して第２蓋部に接触し得る。この筒状部と第２蓋部との接触により、カバー部材内が密閉されることとなる。
【００５１】
３．３．２  構成
図５Ａは、第２実施形態に係るターゲット生成器およびカバー部材の構成を概略的に示し、ターゲット生成器およびカバー部材が加熱されていない状態を示す。図５Ｂは、図５Ａに示すターゲット生成器およびカバー部材がターゲット物質の融点以上の温度に加熱された状態を示す。
【００５２】
第２実施形態では、ターゲット生成器およびカバー部材以外の構成については、第１実施形態と同様のため、ターゲット生成器およびカバー部材について、詳細に説明し得る。
ターゲット供給装置７Ｃを構成するターゲット生成器７１Ｃは、図５Ａに示すように、生成器本体７１０Ｃと、ノズル先端部７３０Ｃとを備えてもよい。
生成器本体７１０Ｃおよびノズル先端部７３０Ｃは、スズのターゲット物質２７０と反応しにくいモリブデンで形成されてもよい。
生成器本体７１０Ｃは、筒状に形成されたタンク７１１Ｃと、タンク７１１Ｃの下面中央から下方に延びる筒状のノズル本体部７１８Ｃとを備えてもよい。ノズル本体部７１８Ｃは、貫通孔７１９Ａを有してもよい。ノズル本体部７１８Ｃおよびノズル先端部７３０Ｃは、ノズル７１２Ｃを構成してもよい。
ノズル先端部７３０Ｃは、孔が形成された部材７３１Ｃと、固定部材７３２Ｃとを備えてもよい。孔が形成された部材７３１Ｃおよび固定部材７３２Ｃは、モリブデンで形成され、第１ボルト７２５Ａによってタンク７１１Ｃに固定されてもよい。
【００５３】
カバー部材９Ｃは、カバー本体９１Ｃと、第２蓋部としての蓋部材９２Ｃとを備えてもよい。
カバー本体９１Ｃおよび蓋部材９２Ｃは、生成器本体７１０Ｃ、第１ボルト７２５Ａ、ノズル先端部７３０Ｃの材料よりも引張り強さが大きいＳＵＳで形成されてもよい。
カバー本体９１Ｃは、筒状部９１１Ｃと、この筒状部９１１Ｃの軸方向の一端側（下端側）に設けられた第１蓋部としての下面部９１２Ｃとを備えてもよい。筒状部９１１Ｃの外周面には、取付部９１４Ｃが設けられてもよい。
【００５４】
ここで、ターゲット生成器７１Ｃを構成するモリブデンの熱膨張係数（膨張率）は、２０℃以上３７０℃以下の範囲では、約５．４×１０−６となり得る。カバー部材９Ｃを構成するＳＵＳの熱膨張係数は、２０℃以上３７０℃以下の範囲では、約１７．５×１０−６となり得る。例えば、ターゲット生成器７１Ｃの高さ寸法（ターゲット生成器７１Ｃの下面からターゲット生成器７１Ｃの上面までの寸法）と、カバー部材９Ｃの内部空間の高さ寸法（下面部９１２Ｃの上面から蓋部材９２Ｃの下面までの寸法）とを１００ｍｍにしたときに、温度が２０℃から３７０℃まで上昇すると、ターゲット生成器７１Ｃとカバー部材９Ｃは膨張し得る。このとき、カバー部材９Ｃの熱膨張係数がターゲット生成器７１Ｃの熱膨張係数よりも大きいため、３７０℃のときには、カバー部材９Ｃの内部空間の高さ寸法が、ターゲット生成器７１Ｃの高さ寸法よりもおよそ０．４２３ｍｍ大きくなり得る。
【００５５】
そこで、２０℃のときに、以下のようにターゲット生成器７１Ｃがカバー部材９Ｃ内に収容されるように、ターゲット生成器７１Ｃおよびカバー部材９Ｃを形成してもよい。
カバー本体９１Ｃの内部には、タンク７１１Ｃが筒状部９１１Ｃ内に位置し、かつ、ノズル本体部７１８Ｃが挿通孔９１５Ａに挿通するように、生成器本体７１０Ｃが収容されてもよい。このとき、筒状部９１１Ｃの上面がタンク７１１Ｃの上面よりも、寸法ΔＬ１だけ下方に位置してもよい。この寸法ΔＬ１は、およそ０．４２３ｍｍであってもよい。
また、挿通孔９１５Ａとノズル本体部７１８Ｃとが面シールされ、下面部９１２Ｃの下面からノズル本体部７１８Ｃが突出してもよい。カバー本体９１Ｃと生成器本体７１０Ｃとは、第２ボルト９３１Ａによって固定されてもよい。
【００５６】
蓋部材９２Ｃは、第３ボルト９３５Ａによってタンク７１１Ｃに固定されてもよい。このとき、蓋部材９２Ｃとタンク７１１Ｃとを面シールするとともに、Ｏリング用溝７１４Ａに嵌め込まれた第１Ｏリング９４１Ａによって蓋部材９２Ｃとタンク７１１Ｃとの間をシールしてもよい。一方、筒状部９１１Ｃの上面と蓋部材９２Ｃの下面との間には、寸法ΔＬ１の隙間が形成されてもよい。また、Ｏリング用溝９１３Ａに嵌め込まれた第２Ｏリング９４２Ａは、蓋部材９２Ａに接触してもよいし、接触していなくてもよい。
【００５７】
３．３．３  動作
図示しないターゲット制御装置は、図５Ａに示すような、ターゲット生成器７１Ｃおよびカバー部材９Ｃが２０℃の状態（加熱されていない状態）において、第１，第２，第３ヒータ７５１Ａ，７５５Ａ，７５９Ａの目標温度Ｔ１ｔ，Ｔ２ｔ，Ｔ３ｔを、それぞれおよそ３７０℃，３６０℃，３５０℃に設定してもよい。このような設定によって、加熱されたターゲット生成器７１Ｃ内のターゲット物質２７０には、軸方向の温度分布が付き得る。
ここで、ターゲット生成器７１Ｃおよびカバー部材９Ｃは、加熱されるとそれぞれ膨張し得る。また、下面部９１２Ｃがタンク７１１Ｃに固定され得るが、筒状部９１１Ｃは、タンク７１１Ｃおよび蓋部材９２Ｃのいずれにも固定されない状態となり得る。このため、上述したような熱膨張係数の違いによって、カバー部材９Ｃの内部空間の高さ寸法、すなわち筒状部９１１Ｃの高さ寸法の増加量が、ターゲット生成器７１Ｃの高さ寸法の増加量よりも寸法ΔＬ１だけ大きくなり得る。これにより、図５Ｂに示すように、筒状部９１１Ｃの上面とカバー本体９１Ｃの下面とが接触して面シールされ得るとともに、つぶれた第２Ｏリング９４２Ａによってもシールされ得る。
その後、第１実施形態と同様の動作によって、ＥＵＶ光が生成され得る。
【００５８】
上述のように、カバー部材９Ｃは、ターゲット生成器７１Ｃの材料よりも膨張率が大きい材料により形成されてもよい。蓋部材９２Ｃは、タンク７１１Ｃに固定されてもよい。カバー部材９Ｃの温度がターゲット物質２７０の融点以上の例えば３７０℃のときに、筒状部９１１Ｃが蓋部材９２Ｃと接触し、カバー部材９Ｃが加熱されていないときに筒状部９１１Ｃと蓋部材９２Ｃとの間に隙間が存在するように、下面部９１２Ｃがタンク７１１Ｃに固定されてもよい。
これにより、ＥＵＶ光の生成のために、ターゲット生成器７１Ｃおよびカバー部材９Ｃが、ターゲット物質２７０の融点以上の所定温度まで加熱されると、筒状部９１１Ｃが伸びるように変形して蓋部材９２Ｃに接触し得る。
【００５９】
３．４  第３実施形態
３．４．１  概略
本開示の第３実施形態によれば、カバー部材は、ターゲット生成器の材料（第１の材料）よりも膨張率が大きい材料（第２の材料）により形成されてもよい。カバー部材の第２蓋部は、タンクに固定されてもよい。カバー部材の温度がターゲット物質の融点以上の所定温度のときに、第１蓋部とノズル先端部との間に隙間が存在するように、筒状部が第２蓋部に固定されてもよい。
本実施形態のターゲット供給装置によれば、カバー部材がターゲット物質の融点以上の所定温度まで加熱されることで膨張した場合、第１蓋部とタンクとの間に隙間が形成され得るものの、第１蓋部とノズル先端部との間に隙間が設けられた状態を維持し得る。このため、第１蓋部とノズル先端部とが接触せず、ノズル先端部がノズル本体部から離れる方向に付勢されることを抑制し得る。したがって、ノズル先端部とノズル本体部との間から、ターゲット物質が漏れる不具合を抑制する。
【００６０】
３．４．２  構成
図６Ａは、第３実施形態に係るターゲット生成器およびカバー部材の構成を概略的に示し、ターゲット生成器およびカバー部材が加熱されていない状態を示す。図６Ｂは、図６Ａに示すターゲット生成器およびカバー部材がターゲット物質の融点以上の温度に加熱された状態を示す。
【００６１】
第３実施形態では、カバー部材以外の構成については、第２実施形態と同様のため、カバー部材について、詳細に説明し得る。
ターゲット供給装置７Ｄを構成するカバー部材９Ｄは、カバー本体９１Ｄと、第２蓋部としての蓋部材９２Ｄとを備えてもよい。
カバー本体９１Ｄおよび蓋部材９２Ｄは、ＳＵＳで形成されてもよい。カバー本体９１Ｄは、筒状部９１１Ｄと、第１蓋部としての下面部９１２Ｄとを備えてもよい。下面部９１２Ｄは、ボルト用挿通孔９１６Ａを備え、ボルト用挿通孔９１７Ａ（図３）を備えなくてもよい。蓋部材９２Ｄには、複数のボルト用挿通孔９２２Ｄが設けられてもよい。ボルト用挿通孔９２２Ｄは、ボルト用挿通孔９２１Ａの外側に設けられてもよい。
【００６２】
ここで、ターゲット供給装置７Ｄのターゲット生成器７１Ｃの材料であるモリブデンと、カバー部材９Ｄの材料であるＳＵＳとは、上述のように熱膨張係数に差異がある。このため、温度が２０℃から３７０℃まで上昇すると、カバー部材９Ｄの内部空間の高さ寸法が、ターゲット生成器７１Ｃの高さ寸法よりもおよそ０．４２３ｍｍ大きくなり得る。
【００６３】
そこで、図６Ａに示す２０℃のとき、および、図６Ｂに示す３７０℃のときに、固定部材７３２Ｃと下面部９１２Ｄとの間に隙間が設けられるように、ノズル先端部７３０Ｃをターゲット生成器７１Ｃに固定してもよい。
ターゲット生成器７１Ｃおよびカバー部材９Ｄが加熱されていない２０℃の状態において、カバー本体９１Ｄの内部には、タンク７１１Ｃが筒状部９１１Ｄ内に位置し、かつ、ノズル本体部７１８Ｃが挿通孔９１５Ａに挿通するように、生成器本体７１０Ｃが収容されてもよい。挿通孔９１５Ａとノズル本体部７１８Ｃとが面シールされ、下面部９１２Ｄの下面からノズル本体部７１８Ｃが突出してもよい。また、タンク７１１Ｃと下面部９１２Ｄとが面シールされてもよい。
【００６４】
また、タンク７１１Ｃに対して筒状部９１１Ｄが滑るような構成としてもよい。例えば、タンク７１１Ｃの外径と筒状部９１１Ｄの内径との寸法差が、１０μｍ以上７０μｍ以下となるように、タンク７１１Ｃおよび筒状部９１１Ｄを形成してもよい。さらには、タンク７１１Ｃの外周面と筒状部９１１Ｄの内周面とのうち少なくとも一方は、表面粗さが３．２μｍ以下となるように加工されてもよい。
蓋部材９２Ｄは、第３ボルト９３５Ａによってタンク７１１Ｃに固定されてもよい。このとき、蓋部材９２Ｄとタンク７１１Ｃとを面シールするとともに、第１Ｏリング９４１Ａによって蓋部材９２Ｄとタンク７１１Ｃとの間をシールしてもよい。また、蓋部材９２Ｄは、ボルト用挿通孔９２２Ｄに挿通された第４ボルト９３６Ｄによって筒状部９１１Ｄに固定されてもよい。第４ボルト９３６Ｄと、蓋部材９２Ｄのボルト用挿通孔９２２Ｄの内面との間には隙間があってもよい。このとき、蓋部材９２Ｄと筒状部９１１Ｄとを面シールするとともに、第２Ｏリング９４２Ａによって蓋部材９２Ｄと筒状部９１１Ｄとの間をシールしてもよい。
ノズル先端部７３０Ｃは、ボルト用挿通孔７３６Ａおよびボルト用挿通孔９１６Ａに挿通された第１ボルト７２５Ａによって、タンク７１１Ｃに固定されてもよい。
【００６５】
３．４．３  動作
図示しないターゲット制御装置は、図６Ａに示すような、ターゲット生成器７１Ｃおよびカバー部材９Ｄが２０℃の状態（加熱されていない状態）において、第１，第２，第３ヒータ７５１Ａ，７５５Ａ，７５９Ａの目標温度Ｔ１ｔ，Ｔ２ｔ，Ｔ３ｔを、それぞれおよそ３７０℃，３６０℃，３５０℃に設定してもよい。
ここで、筒状部９１１Ｄが蓋部材９２Ｄに固定され得るが、下面部９１２Ｄは、タンク７１１Ｃに固定されない状態となり得る。このため、上述したような熱膨張係数の違いによって、カバー部材９Ｄの内部空間の高さ寸法、すなわち筒状部９１１Ｄの高さ寸法の増加量が、ターゲット生成器７１Ｃの高さ寸法の増加量よりも寸法ΔＬ２だけ大きくなり得る。これにより、図６Ｂに示すように、下面部９１２Ｄがタンク７１１Ｃから離れて下面部９１２Ｄとタンク７１１Ｃとの間に隙間が形成され得るが、当該下面部９１２Ｄと固定部材７３２Ｃとの接触が防止され得る。
その後、第１実施形態と同様の動作によって、ＥＵＶ光が生成され得る。
【００６６】
上述のように、カバー部材９Ｄは、ターゲット生成器７１Ｃの材料よりも膨張率が大きい材料により形成されてもよい。蓋部材９２Ｄは、タンク７１１Ｃに固定されてもよい。カバー部材９Ｄの温度がターゲット物質２７０の融点以上の例えば３７０℃のとき、および、カバー部材９Ｄが加熱されていないときに、下面部９１２Ｄとノズル先端部７３０Ｃとの間に隙間が存在するように、筒状部９１１Ｄが蓋部材９２Ｄに固定されてもよい。
これにより、ＥＵＶ光の生成のために、ターゲット生成器７１Ｃおよびカバー部材９Ｄが、ターゲット物質２７０の融点以上の所定温度まで加熱されることで、筒状部９１１Ｄが伸びるように変形した場合でも、下面部９１２Ｄとノズル先端部７３０Ｃとの間に隙間が設けられた状態を維持し得る。このため、下面部９１２Ｄによってノズル先端部７３０Ｃがノズル本体部７１８Ｃから離れる方向に付勢されることを抑制し得る。したがって、ノズル先端部７３０Ｃとノズル本体部７１８Ｃとの間から、ターゲット物質２７０が漏れる不具合を抑制し得る。
【００６７】
筒状部９１１Ｄが、タンク７１１Ｃに対して滑るような構成としている。このため、筒状部９１１Ｄが膨張により変形した場合に、タンク７１１Ｃに傷が付いたり、タンク７１１Ｃが破損したりすることを抑制し得る。
【００６８】
３．５  第４実施形態
３．５．１  概略
本開示の第４実施形態によれば、ターゲット供給装置は、カバー部材の内周面とターゲット生成器の外周面との間に配置された熱伝導部材を備えてもよい。
本実施形態のターゲット供給装置によれば、ターゲット物質を溶融するためのヒータをカバー部材の外周面に配置しても、熱伝導部材を介してターゲット生成器内を効率よく加熱することが可能となり、ターゲット物質の温度制御の安定性が向上し得る。
【００６９】
３．５．２  構成
図７Ａは、第４実施形態に係るターゲット生成器およびカバー部材の構成を概略的に示し、ターゲット生成器およびカバー部材が加熱されていない状態を示す。図７Ｂは、図７Ａに示すターゲット生成器およびカバー部材がターゲット物質の融点以上の温度に加熱された状態を示す。
【００７０】
第４実施形態では、ターゲット生成器およびカバー部材以外の構成については、第１実施形態と同様のため、ターゲット生成器およびカバー部材について、詳細に説明する。
ターゲット供給装置７Ｅを構成するターゲット生成器７１Ｅは、図７Ａに示すように、生成器本体７１０Ｅと、ノズル先端部７３０Ｃとを備えてもよい。
【００７１】
生成器本体７１０Ｅは、モリブデンによって筒状に形成されてもよい。生成器本体７１０Ｅにおける軸方向の一端側（下端側）は、下端から上方に向かって内径が徐々に大きくなるノズル本体部７１８Ｅを構成してもよい。ノズル本体部７１８Ｅの中空部は、貫通孔７１９Ｅであってもよい。
また、生成器本体７１０Ｅにおけるノズル本体部７１８Ｅよりも上方の部分は、軸方向の全範囲にわたって内径が同じ大きさのタンク７１１Ｅを構成してもよい。タンク７１１Ｅの中空部は、収容空間７１３Ｅであってもよい。
ノズル先端部７３０Ｃは、孔が形成された部材７３１Ｃと生成器本体７１０Ｅの下面との間が面シールされるように、第１ボルト７２５Ａによって、生成器本体７１０Ｅに固定されてもよい。
ノズル本体部７１８Ｅおよびノズル先端部７３０Ｃは、貫通孔７１９Ｅと収容空間７１３Ｅとが連通するように設置されたノズル７１２Ｅを構成してもよい。
【００７２】
カバー部材９Ｅは、カバー本体９１Ｅと、第２蓋部としての蓋部材９２Ｅとを備えてもよい。
カバー本体９１Ｅおよび蓋部材９２Ｅは、ＳＵＳで形成されてもよい。カバー本体９１Ｅは、筒状部９１１Ｅと、第１蓋部としての下面部９１２Ｅとを備えてもよい。
下面部９１２Ｅの中央には、挿通孔９１５Ｅが設けられてもよい。挿通孔９１５Ｅの内径は、固定部材７３２Ｃの外径よりも若干大きくてもよい。挿通孔９１５Ｅの外側には、複数のボルト用挿通孔９１７Ｅが設けられてもよい。ボルト用挿通孔９１７Ｅの外側には、例えば円環状のＯリング用溝９１８Ｅが設けられてもよい。
【００７３】
ここで、ターゲット生成器７１Ｅを構成するモリブデンと、カバー部材９Ｅを構成するＳＵＳとは、上述のように熱膨張係数に差異があるため、温度が２０℃から３７０℃まで上昇すると、カバー部材９Ｅの内部空間の高さ寸法が、ターゲット生成器７１Ｅの高さ寸法よりもおよそ０．４２３ｍｍ大きくなり得る。
【００７４】
そこで、図７Ａに示すように、２０℃のときに、以下のようにターゲット生成器７１Ｅがカバー部材９Ｅ内に収容されるように、ターゲット生成器７１Ｅおよびカバー部材９Ｅを形成してもよい。
カバー本体９１Ｅの内部には、タンク７１１Ｅが筒状部９１１Ｅ内に位置し、かつ、ノズル先端部７３０Ｃが挿通孔９１５Ｅに挿通するように、生成器本体７１０Ｅが収容されてもよい。
このとき、生成器本体７１０Ｅの外周面と筒状部９１１Ｅの内周面との間に隙間が形成されてもよい。また、筒状部９１１Ｅの上面がタンク７１１Ｅの上面よりも、寸法ΔＬ３だけ下方に位置してもよい。この寸法ΔＬ３は、およそ０．４２３ｍｍであってもよい。
また、カバー本体９１Ｅと生成器本体７１０Ｅとは、ボルト用挿通孔９１７Ｅに挿通された第２ボルト９３１Ｅによって固定されてもよい。さらに、Ｏリング用溝９１８Ｅに嵌め込まれた第３Ｏリング９４３Ｅによって、下面部９１２Ｅにおけるボルト用挿通孔９１７Ｅよりも外側の領域と生成器本体７１０Ｅの下面との間をシールしてもよい。
【００７５】
蓋部材９２Ｅは、第３ボルト９３５Ａによってタンク７１１Ｅに固定されてもよい。このとき、蓋部材９２Ｅとタンク７１１Ｅとを面シールするとともに、第１Ｏリング９４１Ａによって蓋部材９２Ｅとタンク７１１Ｅとの間をシールしてもよい。一方、筒状部９１１Ｅの上面と蓋部材９２Ｅの下面との間には、寸法ΔＬ３の隙間が形成されてもよい。また、第２Ｏリング９４２Ａは、筒状部９１１Ｅと蓋部材９２Ｅとの間をシールしてもよい。
【００７６】
生成器本体７１０Ｅの外周面と筒状部９１１Ｅの内周面との隙間には、熱伝導部材９５Ｅが設けられてもよい。熱伝導部材９５Ｅは、熱を伝達する機能を有してもよい。例えば、熱伝導部材９５Ｅは、銅系の金属酸化物を含む熱伝導グリースであってもよい。
【００７７】
３．５．３  動作
図示しないターゲット制御装置は、図７Ａに示すような、ターゲット生成器７１Ｅおよびカバー部材９Ｅが２０℃の状態（加熱されていない状態）において、第１，第２，第３ヒータ７５１Ａ，７５５Ａ，７５９Ａの目標温度Ｔ１ｔ，Ｔ２ｔ，Ｔ３ｔを、それぞれおよそ３７０℃，３６０℃，３５０℃に設定してもよい。
ここで、下面部９１２Ｅが生成器本体７１０Ｅに固定され得るが、筒状部９１１Ｅは、生成器本体７１０Ｅおよび蓋部材９２Ｅのいずれにも固定されない状態となり得る。このため、筒状部９１１Ｅの高さ寸法の増加量がターゲット生成器７１Ｅの高さ寸法の増加量よりも寸法ΔＬ３だけ大きくなり得る。これにより、図７Ｂに示すように、筒状部９１１Ｅの上面とカバー本体９１Ｅの下面とが接触して面シールされ得るとともに、つぶれた第２Ｏリング９４２Ａによってもシールされ得る。
その後、第１実施形態と同様の動作によって、ＥＵＶ光が生成され得る。
【００７８】
上述のように、生成器本体７１０Ｅの外周面と筒状部９１１Ｅの内周面との隙間に、熱伝導部材９５Ｅを設けてもよい。
これにより、第２ヒータ７５５Ａおよび第３ヒータ７５９Ａをカバー部材９Ｅの外周面に配置しても、熱伝導部材９５Ｅを介してターゲット生成器７１Ｅ内を効率よく加熱することが可能となり、ターゲット物質２７０の温度制御の安定性が向上し得る。
【００７９】
第１Ｏリング９４１Ａは、生成器本体７１０Ｅの上面と蓋部材９２Ｅの下面との間をシールしてもよい。また、第２Ｏリング９４２Ａは筒状部９１１Ｅの上面と蓋部材９２Ｅの下面との間をシールしてもよい。さらに、第３Ｏリング９４３Ｅは、下面部９１２Ｅにおけるボルト用挿通孔９１７Ｅよりも外側の領域と生成器本体７１０Ｅの下面との間をシールしてもよい。
これにより、熱伝導部材９５Ｅである熱伝導グリースからガスが発生しても、当該ガスがカバー部材９Ｅの外部や収容空間７１３Ｅ内に漏れることを抑制し得る。
【００８０】
熱伝導部材９５Ｅとして熱伝導グリースを適用しているため、熱膨張により筒状部９１１Ｅが生成器本体７１０Ｅに対して動いた場合でも、筒状部９１１Ｅや生成器本体７１０Ｅが傷ついたり破損したりすることを抑制し得る。
【００８１】
なお、熱伝導部材９５Ｅとしては、銅薄膜やスズであってもよい。スズの場合には、２０℃のときには固体であるが、３７０℃のときには溶融し得る。スズが溶融した場合でも、第１Ｏリング９４１Ａ、第２Ｏリング９４２Ａ、第３Ｏリング９４３Ｅのシールによって、スズがカバー部材９Ｅの外部や収容空間７１３Ｅ内に漏れることを抑制し得る。
【００８２】
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
【００８３】
本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾句「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「ＥＵＶ光生成装置１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。
【符号の説明】
【００８４】
７Ａ，７Ｃ，７Ｄ，７Ｅ…ターゲット供給装置、９２Ａ，９２Ｃ，９２Ｄ，９２Ｅ…第２蓋部としての蓋部材、９５Ｅ…熱伝導部材、７１１Ａ，７１１Ｃ，７１１Ｅ…タンク、２７０…ターゲット物質、７１２Ａ，７１２Ｃ，７１２Ｅ…ノズル、７１８Ａ，７１８Ｃ，７１８Ｅ…ノズル本体部、７１９Ａ，７１９Ｅ…貫通孔、７２５Ａ…ノズル先端部用結合部材としての第１ボルト、７３０Ａ，７３０Ｃ…ノズル先端部、７３５Ａ…ノズル孔、９１１Ａ，９１１Ｃ，９１１Ｄ，９１１Ｅ…筒状部、９１２Ａ，９１２Ｃ，９１２Ｄ，９１２Ｅ…第１蓋部としての下面部、９１５Ａ，９１５Ｅ…挿通孔。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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