(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板の第１の面に位置する電極と、
前記第１基板の前記第１の面に形成される第１樹脂突起と、
前記第１基板の前記第１の面に形成される第２樹脂突起と、
前記電極と接続し、前記第１樹脂突起の少なくとも一部を覆う第１の部分と、前記第２樹脂突起の少なくとも一部を覆う第２の部分と、を有する第１配線と、
第２基板と、
前記第２基板の第２の面に位置する第２配線と、
前記第２基板の前記第２配線と接する突起電極であって、前記第１の部分および前記第２の部分と接する前記突起電極と、
を含み、
前記第１の部分および前記第２の部分は、前記第２配線と接し、
前記第１樹脂突起及び前記第２樹脂突起は、前記第１配線が形成されない部分において凹部が形成されている、電子部品。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１樹脂突起と前記第２樹脂突起とは、間隔を有して形成されている、電子部品。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記突起電極の材質の展性は、前記第２配線の材質の展性よりも高い、電子部品。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項において、
前記突起電極の材質の導電率は、前記第２配線の材質の導電率よりも高い、電子部品。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項において、
前記第２配線は、酸化インジウムスズを含み、前記突起電極は、金または銅を含む、電子部品。
【請求項６】
請求項１、請求項３から請求項５のいずれか１項において、
前記第１樹脂突起と前記第２樹脂突起とは連続し、一体的に形成されている、電子部品。
【請求項７】
第１の面に電極が位置している第１基板を準備する工程と、
前記第１基板の前記第１の面に第１樹脂突起を形成する工程と、
前記第１基板の前記第１の面に第２樹脂突起を形成する工程と、
前記電極と接続し、前記第１樹脂突起の少なくとも一部を覆う第１の部分と、前記第２樹脂突起の少なくとも一部を覆う第２の部分と、を有する第１配線を形成する工程と、
第２の面に位置する第２配線と、前記第２配線と接する突起電極と、を有する第２基板を準備する工程と、
前記突起電極が前記第１の部分および前記第２の部分と接するように、かつ、前記第１の部分および前記第２の部分が前記第２配線と接するように、前記第１基板と前記第２基板とを接続する工程と、
を含み、
前記第１樹脂突起及び前記第２樹脂突起を形成する工程は、前記第１配線が形成されない部分において凹部を形成することを含む、電子部品の製造方法。
【請求項８】
請求項７において、
前記第１樹脂突起と前記第２樹脂突起とは、間隔を有して形成される、電子部品の製造方法。
【請求項９】
請求項７において、
前記第１樹脂突起と前記第２樹脂突起とは、連続して一体的に形成される、電子部品の製造方法。
【請求項１０】
請求項７から請求項９のいずれか１項において、
前記第１基板と前記第２基板とを接続する工程の前では、前記突起電極の形状は、錐状である、電子部品の製造方法。
【請求項１１】
請求項７から請求項１０のいずれか１項において、
前記第１基板と前記第２基板とを接続する工程は、前記第１基板および前記第２基板を位置合わせする工程を含み、
前記位置合わせする工程は、前記第１の部分と前記第２の部分との間の領域と、前記突起電極と、が対向するように前記第１基板および前記第２基板を位置合わせする、電子部品の製造方法。
【請求項１２】
請求項７から請求項１１のいずれか１項において、
前記第１基板と前記第２基板とを接続する工程後の前記第１樹脂突起および前記第２樹脂突起の形状は、前記第１基板と前記第２基板とを接続する工程前の前記第１樹脂突起および前記第２樹脂突起の形状と異なる、電子部品の製造方法。
【請求項１３】
請求項７から請求項１２のいずれか１項において、
前記第１基板と前記第２基板とを接続する工程後の前記突起電極の形状は、前記第１基板と前記第２基板とを接続する工程前の前記突起電極の形状と異なる、電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品及び電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、液晶表示装置等のガラス基板へのＣＯＧ実装用半導体装置またはプラスチック等からなるフィルム基板へのＣＯＦ実装用半導体装置として、樹脂突起と、その上に形成された複数の配線から構成された外部端子を有する半導体装置が知られている（特許文献１）。このような半導体装置を用いることで、外部端子を配線基板に押し当てて電気的に接続する際、外部端子の樹脂突起の弾性力でもって物理的ダメージを回避しながら導通性を確保することができる。
【０００３】
このような半導体装置は、近年、液晶表示装置等の高解像度化の要求によって、外部端子数が増加している。これによれば、配線基板と接着される実装面において外部端子が占める面積が増加するため、配線基板と半導体装置との間に接着剤が介在する領域が減少し、接続信頼性が低下する可能性がある。また、半導体装置側の外部端端子（例えばＡｕ）と基板側の端子の膜種の組み合わせによっても接続信頼性が低下する可能性がある。
【０００４】
以上から、上述の半導体装置が配線基板に実装された電子部品であって、半導体装置及び配線基板の接続信頼性がより向上した電子部品とその製造方法が望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−８１３５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、以上のような問題点に鑑みてなされたものであり、本発明のいくつかの態様によれば、半導体装置及び配線基板の接続信頼性がより向上した電子部品とその製造方法を提供することができる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（１）本形態に係る電子部品は、第１基板と、前記第１基板の第１の面に位置する電極と、前記第１基板の前記第１の面に形成される第１樹脂突起と、前記第１基板の前記第１の面に形成される第２樹脂突起と、前記電極と接続し、前記第１樹脂突起の少なくとも一部を覆う第１の部分と、前記第２樹脂突起の少なくとも一部を覆う第２の部分と、を有する第１配線と、第２基板と、前記第２基板の第２の面に位置する第２配線と、前記第２基板の前記第２配線と接する突起電極であって、前記第１の部分および前記第２の部分と接する前記突起電極と、を含む。
【０００８】
本発明によれば、半導体装置及び配線基板の接続信頼性がより向上した電子部品を提供することができる。
【０００９】
（２）本形態に係る電子部品は、第１基板と、前記第１基板の第１の面に位置する電極と、前記第１基板の前記第１の面に形成され、凹部を有する樹脂突起と、前記電極と接続し、前記凹部を覆う第３の部分を有する第１配線と、第２基板と、前記第２基板の第２の面に位置する第２配線と、前記第２基板の前記第２配線と接する突起電極であって、前記第３の部分と接する前記突起電極と、を含む。
【００１０】
本発明によれば、半導体装置及び配線基板の接続信頼性がより向上した電子部品を提供することができる。
【００１１】
（３）本形態に係る電子部品において、前記突起電極の材質の展性は、前記第２配線の材質よりも高くてもよい。
【００１２】
（４）本形態に係る電子部品において、前記突起電極の材質の導電率は、前記第２配線の材質よりも高くてもよい。
【００１３】
（５）本形態に係る電子部品において、前記第２配線は、酸化インジウムスズを含み、前記突起電極は、金または銅を含んでいてもよい。
【００１４】
（６）本形態に係る電子部品の製造方法は、第１の面に電極が位置している第１基板を準備する工程と、前記第１基板の前記第１の面に第１樹脂突起を形成する工程と、前記第１基板の前記第１の面に第２樹脂突起を形成する工程と、前記電極と接続し、前記第１樹脂突起の少なくとも一部を覆う第１の部分と、前記第２樹脂突起の少なくとも一部を覆う第２の部分と、を有する第１配線を形成する工程と、第２の面に位置する第２配線と、前記第２配線と接する突起電極と、を有する第２基板を準備する工程と、前記突起電極が、前記第１の部分および前記第２の部分と接するように、前記第１基板と前記第２基板とを接続する工程と、を含む。
【００１５】
本発明によれば、半導体装置及び配線基板の接続信頼性がより向上した電子部品の製造方法を提供することができる。
【００１６】
（７）本形態に係る電子部品の製造方法は、第１の面に電極が位置している第１基板を準備する工程と、前記第１基板の前記第１の面に、凹部を有する樹脂突起を形成する工程と、前記電極と接続し、前記凹部を覆う第３の部分を有する第１配線を形成する工程と、第２の面に位置する第２配線と、前記第２基板の前記第２配線と接する突起電極と、を有する第２基板を準備する工程と、前記突起電極が、前記第３の部分と接するように、前記第１基板と前記第２基板とを接続する工程と、を含む。
【００１７】
本発明によれば、半導体装置及び配線基板の接続信頼性がより向上した電子部品の製造方法を提供することができる。
【００１８】
（８）本形態に係る電子部品の製造方法において、前記第１基板と前記第２基板とを接続する工程の前では、前記突起電極の形状は、錐状であってもよい。
【００１９】
（９）本形態に係る電子部品の製造方法において、前記第１基板と前記第２基板とを接続する工程は、前記第１基板及び前記第２基板を位置合わせする工程を含み、前記位置合わせする工程は、前記第１の部分と前記第２の部分との間の領域と、前記突起電極と、が対向するように前記第１基板及び前記第２基板を位置合わせしてもよい。
【００２０】
（１０）本形態に係る電子部品の製造方法において、前記第１基板と前記第２基板とを接続する工程は、前記第１基板および前記第２基板を位置合わせする工程を含み、前記位置合わせする工程は、前記第３の部分と、前記突起電極と、が対向するように前記第１基板および前記第２基板を位置合わせしてもよい。
【００２１】
（１１）本形態に係る電子部品の製造方法において、前記第１基板と前記第２基板とを接続する工程後の前記第１樹脂突起および前記第２樹脂突起の形状は、前記第１基板と前記第２基板とを接続する工程前の前記第１樹脂突起および前記第２樹脂突起の形状と異なっていてもよい。
【００２２】
（１２）本形態に係る電子部品の製造方法において、前記第１基板と前記第２基板とを接続する工程後の前記樹脂突起の形状は、前記第１基板と前記第２基板とを接続する工程前の前記樹脂突起の形状と異なっていてもよい。
【００２３】
（１３）本形態に係る電子部品の製造方法において、前記第１基板と前記第２基板とを接続する工程後の前記突起電極の形状は、前記第１基板と前記第２基板とを接続する工程前の前記突起電極の形状と異なっていてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本実施形態に係る電子部品に適用される半導体装置を模式的に示す平面図及び断面図。
【図２】本実施形態に係る電子部品に適用される半導体装置の変形例を模式的に示す平面図及び断面図。
【図３】本実施形態に係る電子部品に適用される半導体装置の製造方法を模式的に示す断面図。
【図４】本実施形態に係る電子部品に適用される配線基板を模式的に示す断面図。
【図５】本実施形態に係る電子部品に適用される配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。
【図６】本実施形態に係る電子部品及び電子部品の製造方法を模式的に示す断面図。
【図７】本実施形態に係る電子部品の一例を模式的に示す斜視図。
【図８】本実施形態に係る電子部品及び電子部品の製造方法の変形例を模式的に示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下に、本発明を適用した実施形態の一例について図面を参照して説明する。ただし、本発明は以下の実施形態のみに限定されるものではない。本発明は、以下の実施形態及びその変形例を自由に組み合わせたものを含むものとする。
【００２６】
本実施形態に係る電子部品は、半導体装置と配線基板とを含む。したがって、まず本実施形態に係る電子部品に適用される半導体装置及び配線基板をそれぞれ説明した後に、本実施形態に係る電子部品を説明する。
【００２７】
１．１  半導体装置
以下、図面を参照して、本実施形態に係る電子部品に適用される半導体装置１００について説明する。
【００２８】
半導体装置１００は、後述される配線基板２００に実装される半導体装置である。
【００２９】
図１（Ａ）は、本実施形態に係る電子部品に適用される半導体装置１００を模式的に示す平面図である。図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示す半導体装置１００のＩＢ−ＩＢ線の要部を模式的に示す断面図である。図１（Ｃ）は、図１（Ａ）に示す半導体装置１００のＩＣ−ＩＣ線の要部を模式的に示す断面図である。
【００３０】
図１（Ａ）に示すように、本実施形態に係る電子部品に適用される半導体装置１００は、半導体基板である第１基板１０を有する。図１（Ａ）に示すように、第１基板１０は、チップ状をなしていてもよい。第１基板１０は、例えば、長手方向の２つの辺と短手方向の２つの辺（長手方向の辺よりも短い辺）とを有する半導体チップであってもよい。あるいは、第１基板１０は、複数の第１基板１０からなる半導体ウエハーであってもよい（図示せず）。例えば、第１基板１０は、シリコン基板であってもよい。図１（Ｂ）に示すように、第１基板１０には、集積回路１が形成される。集積回路１の構成は特に限定されないが、例えば、トランジスター等の能動素子や、抵抗、コイル、コンデンサー等の受動素子を含んでいてもよい。
【００３１】
図１（Ｂ）に示すように、第１基板１０は、第１の面１１を有する。第１の面１１は、後述される電極１４等が形成される面である。
【００３２】
図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示すように、第１基板１０は、第１の面１１上に電極１４が形成される。電極１４は、第１基板１０の内部に形成された集積回路１と内部配線（図示せず）によって電気的に接続されていてもよい。電極１４は、第１基板１０の内部配線の一部であってもよい。図１（Ａ）に示すように、電極１４は複数形成されていてもよい。例えば、図１（Ａ）に示すように、複数の電極１４は、第１基板１０の周縁部に沿って形成されていてもよい。電極１４の材質は、導電性を有する限り、特に限定されない。例えば、電極１４は、アルミニウム（Ａｌ）又は銅（Ｃｕ）等の金属で形成されていてもよい。電極１４は、単層の導電層であってもよいし、アルミニウム等の金属拡散を防止するバリア層を含む、複数の導電層の積層体であってもよい。
【００３３】
図１（Ｂ）に示すように、第１基板１０は、第１の面１１の上に形成された絶縁層１６を有する。絶縁層１６はパッシベーション膜であってもよい。絶縁層１６は、電極１４の少なくとも一部を、それぞれ露出させるように形成されていてもよい。つまりは、絶縁層１６は、電極１４の上に位置する開口部１６ａを有していてもよい。絶縁層１６は、電気的絶縁性を有する膜であれば、特に限定されない。例えば、絶縁層１６は、ＳｉＯ２やＳｉＮ等の無機絶縁膜であってもよい。あるいは、絶縁層１６は、ポリイミド樹脂等の有機絶縁膜であってもよい。
【００３４】
図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示すように、本実施形態に係る電子部品３００に適用される半導体装置１００は、第１の面１１の上方に（絶縁層１６の上に）形成された第１樹脂突起２１と第２樹脂突起２２と、を有する。図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示すように、第１樹脂突起２１及び第２樹脂突起２２は、電極１４に隣接して形成される。また、第１樹脂突起２１及び第２樹脂突起２２は互いに離間して形成される。第１樹脂突起２１及び第２樹脂突起２２は、互いに同じ方向に延びるように形成されていてもよい。第１樹脂突起２１及び第２樹脂突起２２の延びる方向は、後述される第１配線３０が延びる方向と直交する方向であってもよい。ここで、第１樹脂突起２１及び第２樹脂突起２２でもって樹脂部２０とするとき、図１（Ａ）に示すように、樹脂部２０は、複数形成されていてもよい。
【００３５】
図１（Ｂ）に示すように、第１樹脂突起２１及び第２樹脂突起２２の間隔を間隔ａとする。図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示すように、第１樹脂突起２１は、第２樹脂突起２２よりも電極１４に近い位置に形成される。言い換えれば、電極１４と第２樹脂突起２２との間に第１樹脂突起２１が配置される。
【００３６】
第１樹脂突起２１及び第２樹脂突起２２の間隔を間隔ａは、後述される配線基板２００の突起電極１３０の幅Ａよりも小さくなるように設定される。第１樹脂突起２１及び第２樹脂突起２２の間隔ａは特に限定されないが、例えば、５μｍ以上、３０μｍ以下の範囲で形成してもよい。
【００３７】
第１樹脂突起２１及び第２樹脂突起２２の形状は、第１の面１１の上方において突起する形状であればよく、特に限定されるものではない。第１樹脂突起２１及び第２樹脂突起２２の形状は、実質的に同じ形状であってもよい。図１（Ａ）に示すように、第１樹脂突起２１及び第２樹脂突起２２は、複数の電極１４が並設された方向に沿って延びるように形成されていてもよい。図１（Ｂ）に示すように、第１樹脂突起２１及び第２樹脂突起２２の表面は、曲面であってもよい。図１（Ｂ）に示すように、第１樹脂突起２１及び第２樹脂突起２２は、第１樹脂突起２１及び第２樹脂突起２２が延びる方向に対して垂直な断面において、略半円の断面形状を有していてもよい。
【００３８】
ここで、図１（Ｂ）に示すように、第１樹脂突起２１及び第２樹脂突起２２は、絶縁層１６からの最大の高さが高さｂとなるように形成される。ここで、高さｂとは、第１樹脂突起２１及び第２樹脂突起２２の後述される第１配線３０が形成される部分の高さであって、かつ、最大のもの（最も厚みを有する部分）とする。第１樹脂突起２１及び第２樹脂突起２２は、実質的に高さが同じとなるように形成される。第１樹脂突起２１及び第２樹脂突起２２の高さｂは特に限定されないが、例えば、５μｍ以上、３０μｍ以下の範囲で形成してもよい。
【００３９】
また、ここで、図１（Ｂ）に示すように、第１樹脂突起２１の頂点（最大の高さとなる位置）をＰ１とし、第２樹脂突起２２の頂点（最大の高さとなる位置）をＰ２とし、Ｐ１とＰ２との間隔を間隔ｃとする。間隔ｃは特に限定されないが、後述される突起電極１３０の幅Ａ以上であってもよい。これによれば、第１基板１０及び第２基板１１０を位置合わせする工程において、位置合わせ許容範囲をより広く設定することができ、適切な接合のために必要となされるアライメント精度を抑制することができる。詳細は後述される。
【００４０】
また、図１（Ｃ）に示すように、第１樹脂突起２１及び第２樹脂突起２２の後述される第１配線３０が形成されない部分において、凹部（図示の例では、凹部２１ａ）が形成されていてもよい。凹部の深さは、特に限定されない。これによれば、外部端子の配線間の距離が大きくなり、マイグレーションを防止することができる。また、接着剤を介して、半導体装置を配線基板へ押し当てて実装する際、凹部から不要な接着剤が排出されるため、接着剤の排出性が向上する。
【００４１】
第１樹脂突起２１及び第２樹脂突起２２の材料は特に限定されず、既に公知となっているいずれかの樹脂材料を適用することができる。例えば、第１樹脂突起２１及び第２樹脂突起２２は、公知の感光性樹脂材料から形成されていてもよい。具体的には、第１樹脂突起２１及び第２樹脂突起２２は、ポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ；ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ；ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｅ）、フェノール樹脂等の樹脂で形成されていてもよい。
【００４２】
図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示すように、本実施形態に係る電子部品３００に適用される半導体装置１００は、電極１４と接続し、第１樹脂突起２１の少なくとも一部を覆う第１の部分３１と、第２樹脂突起２２の少なくとも一部を覆う第２の部分３２と、を有する第１配線３０を有する。図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示すように、第１配線３０は、絶縁層１６の開口部１６ａ内の電極１４に接続し（導通し）、開口部１６ａから絶縁層１６の上を介して第１樹脂突起２１及び第２樹脂突起２２の上に至るように設けられる。つまりは、図１（Ｂ）に示すように、第１配線３０は、第１樹脂突起２１及び第２樹脂突起２２の頂点Ｐ１及びＰ２を連続して覆うように形成される。第１配線３０の平面視における形状は特に限定されず、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示すように、電極１４から第１樹脂突起２１及び第２樹脂突起２２に延びるように形成されていてもよい。
【００４３】
また、図１（Ｂ）に示すように、第１樹脂突起２１と第２樹脂突起２２を連続して覆うことで、第１の部分３１及び第２の部分３２から構成される凹部３６が形成される。凹部３６は、第１樹脂突起２１の頂点Ｐ１と第２樹脂突起２２の頂点Ｐ２との間の領域に形成される。凹部３６は、第１配線３０の絶縁層１６の上に形成された底面部分と、その底面部分に連続した両側面部分（第１樹脂突起２１及び第２樹脂突起２２の上に形成された部分）から構成される。凹部３６の幅は、Ｐ１とＰ２との間隔ｃと等しい。
【００４４】
第１配線３０の構造及び材料は、特に限定されるものではない。例えば、第１配線３０は単層で形成されていてもよい。あるいは、図１（Ｂ）に示すように、第１配線３０は、複数の層の積層体となるように形成されていてもよい。第１配線３０は、例えば、樹脂などの材料と密着性の高い第１の導電層３０ａと、導電性の高い第２の導電層３０ｂとを含んでいてもよい。具体的には、第１の導電層３０ａは、チタンタングステン（ＴｉＷ）、チタンナイトライド（ＴｉＮ）、チタン（Ｔｉ）及びニッケルクロム合金（Ｎｉ−Ｃｒ）などの少なくとも１つを含む層であってもよい。第２の導電層３０ｂは、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）及び銅（Ｃｕ）などの少なくとも１つを含む層であってもよい。
【００４５】
以上により、本実施形態に係る電子部品に適用される半導体装置１００が構成される。
【００４６】
（変形例）
なお、本実施形態に係る電子部品に適用される半導体装置１００の構造は、上記において説明したものに限られない。以下において、変形例に係る半導体装置１０１について、図面を参照しながら説明する。
【００４７】
図２（Ａ）及び図２（Ｂ）は、半導体装置１００の変形例である半導体装置１０１を説明する図である。図２（Ａ）は、半導体装置１０１を模式的に示す平面図である。図２（Ｂ）は、図２（Ａ）に示す半導体装置１０１のＩＩＢ−ＩＩＢ線の要部を模式的に示す断面図である。
【００４８】
図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に示すように、第１樹脂突起２１及び第２樹脂突起２２は、連続し、一体的な部材である樹脂突起２３であってもよい。
【００４９】
図２（Ｂ）に示すように、樹脂突起２３は、第１基板１０の第１の面１１の上方（絶縁層１６の上）に形成され、凹部２６を有する。図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に示すように、樹脂突起２３は、２つの頂点Ｐ１及びＰ２を有する。言い換えれば、樹脂突起２３は、第１の突起部分２３ａ（Ｐ１）及び第２の突起部分２３ｂ（Ｐ２）を有する。凹部２６は、第１の突起部分２３ａ及び第２の突起部分２３ｂによって形成される窪み部分であり、第１の突起部分２３ａ（Ｐ１）及び第２の突起部分２３ｂ（Ｐ２）の間に設けられる。ここで、図２（Ｂ）に示すように、凹部２６の高さ（最も薄い部分の厚み）を高さｄとする。図２（Ｂ）に示すように、高さｄは、高さｂよりも低い（ｄ＜ｂ）。
【００５０】
図２（Ｂ）に示すように、第１配線３０は、電極１４と接続し、凹部２６を覆う第３の部分３３を有する。第３の部分３３は、凹部２６を覆う配線であれば、特に限定されない。例えば、図２（Ｂ）に示すように、第３の部分３３は、樹脂突起２３の第１の突起部分２３ａ（Ｐ１）から第２の突起部分２３ｂ（Ｐ２）までを覆う部分であってもよい。
【００５１】
なお、上記の樹脂突起２３及び第１配線３０以外の構成に関しては、既に半導体装置１００において説明された各部材と同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【００５２】
１．２  半導体装置の製造方法
以下、図面を参照して、本実施形態に係る電子部品に適用される半導体装置１００の製造方法について説明する。
【００５３】
図３（Ａ）〜図３（Ｅ）は、本実施形態に係る電子部品に適用される半導体装置１００の製造方法の一例を模式的に説明する要部の断面図である。
【００５４】
図３（Ａ）に示すように、電極１４及び絶縁層１６が第１の面１１に形成された第１基板１０（半導体ウエハーまたはチップ）を準備する。第１基板１０の内部には集積回路１が形成されている。第１基板１０、電極１４及び絶縁層１６との詳細な構成は、上述されているために省略する。
【００５５】
図３（Ｂ）に示すように、電極１４及び絶縁層１６の上に、樹脂前駆体組成物からなる樹脂材料膜５０が形成される。樹脂材料膜５０は、熱硬化性を有した熱硬化性樹脂組成物であってもよいし、感光性を有した感光性樹脂組成物であってもよい。以下の本実施の形態では、感光性を有した樹脂材料膜５０を用いた場合の製造方法の一例について後述する。
【００５６】
樹脂材料膜５０は、第１基板１０の第１の面１１の上方において全面的に塗布されて形成されてもよい。また、樹脂材料膜５０は、塗布された後、プリベークされてもよい。また、樹脂材料膜５０は、例えばシート状物であってもよい。樹脂材料膜５０は、ポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ；ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ；ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｅ）、フェノール樹脂、アクリル樹脂等の樹脂であってもよい。
【００５７】
次に、図３（Ｃ）に示すように、樹脂材料膜５０を図示しないマスク等の露光装置によって露光した後、現像液によって現像し、パターニングを行って、第１の樹脂層５１及び第２の樹脂層５２を形成する。第１の樹脂層５１は、後述される熱処理工程（キュアリング）の後に第１樹脂突起２１となる樹脂層であり、第２の樹脂層５２は、後述される熱処理工程（キュアリング）の後に第２樹脂突起２２となる樹脂層である。第１の樹脂層５１及び第２の樹脂層５２の配置は、キュアリング（熱処理）の後、第１樹脂突起２１及び第２樹脂突起２２が所望の間隔ａでもって配置されるように設定される。
【００５８】
本工程における露光現像処理工程は、公知のフォトリソグラフィー技術を用いることができる。例えば、樹脂材料膜５０がポジ型のレジストである場合、マスク（図示せず）は、第１樹脂突起２１及び第２樹脂突起２２が形成される領域において、樹脂材料膜５０が露光処理されないように配置される。また、樹脂材料膜５０がネガ型のレジストである場合は、第１樹脂突起２１及び第２樹脂突起２２が形成される領域においてマスクが配置されない。マスクは、遮光性を有していればよく、例えば、クロム等の遮光膜が形成されたガラス板であってもよい。マスクが所定配置に配置された後、図示しない光源ランプから例えば紫外線の照射が行われて、露光処理が行われる。現像処理工程に用いられる現像液は、不要な樹脂層を除去できる公知の現像液であればよく、例えば、有機アルカリ現像液であってもよい。
【００５９】
第１樹脂突起２１及び第２樹脂突起２２を形成する工程は、図３（Ｄ）に示すように、熱処理工程において、第１の樹脂層５１及び第２の樹脂層５２を（キュアリング）することによって、第１の樹脂層５１及び第２の樹脂層５２を変形させる工程をさらに含む。
【００６０】
加熱する手段は特に限定されず、図示しない熱源から赤外線を照射することによって加熱してもよい。第１の樹脂層５１及び第２の樹脂層５２が加熱されることによって粘性が低下し、第１の樹脂層５１及び第２の樹脂層５２の自重と表面張力の作用によって、第１の樹脂層５１及び第２の樹脂層５２は形状を変形させることができる。その結果、図３（Ｄ）に示すように、上面形状が滑らかな曲線を有し、その断面が略半円形状である第１樹脂突起２１及び第２樹脂突起２２が形成される。
【００６１】
次に、図３（Ｅ）に示すように、開口部１６ａの内側に位置する電極１４の上から絶縁層１６上を介し、第１樹脂突起２１及び第２樹脂突起２２の上に至るまで、第１配線３０を形成する。その形成には、公知の技術を用いることができ、例えばスパッタリングを適用してもよい。その後、所望の形状にパターニング（エッチング）され、第１配線３０が形成される。例えば、図示はしないが、第１の導電層３０ａを構成する第１の導電膜をスパッタリングにて形成し、その上に第２の導電層３０ｂを構成する第２の導電膜をスパッタリングにて形成してもよい。そして、第２の導電膜をパターニングし、第２の導電層３０ｂを形成してもよい。そして、第２の導電層３０ｂをエッチングマスクとして、第１の導電膜をエッチングし、第１の導電層３０aを形成してもよい。
【００６２】
第１基板１０が半導体ウエハーである場合、第１配線３０が形成された後、所望のサイズに切断（ダイシング）され、半導体装置１００を形成してもよい（図示せず）。
【００６３】
以上の工程により、本実施形態に係る電子部品に適用される半導体装置１００を製造することができる。
【００６４】
（変形例）
以下、変形例に係る半導体装置１０１の製造方法について説明する。
【００６５】
半導体装置１０１の製造方法は、上述された半導体装置１００の製造方法の第１の樹脂層５１及び第２の樹脂層５２を形成する工程においてのみ相違する。
【００６６】
図３（Ｃ）に示すように、樹脂材料膜５０をパターニングして第１の樹脂層５１及び第２の樹脂層５２が形成されるが、変形例に係る半導体装置１０１の製造方法においては、熱処理後に、第１の樹脂層５１及び第２の樹脂層５２が一体化して樹脂突起２３となるように配置される。第１の樹脂層５１及び第２の樹脂層５２を熱処理する工程において、上述されたように、第１の樹脂層５１及び第２の樹脂層５２が加熱されることによって粘性が低下し、第１の樹脂層５１及び第２の樹脂層５２の自重と表面張力の作用によって、第１の樹脂層５１及び第２の樹脂層５２は形状を変形させる。言い換えれば、第１の樹脂層５１及び第２の樹脂層５２は、水平方向（第１の面１１の面内方向）に広がるように変形する。したがって、第１樹脂突起２１及び第２樹脂突起２２を形成する場合の第１の樹脂層５１及び第２の樹脂層５２の配置よりも、第１の樹脂層５１及び第２の樹脂層５２の配置をより近接して配置することで、熱処理後には一体化した樹脂突起２３が形成される。
【００６７】
以上の工程により、変形例に係る半導体装置１０１を製造することができる。
【００６８】
２．１  配線基板
以下、図面を参照して、本実施形態に係る電子部品に適用される配線基板２００について説明する。
【００６９】
配線基板２００は、半導体装置１００（１０１）が実装される配線基板である。
【００７０】
図４は、本実施形態に係る電子部品に適用される配線基板２００を模式的に説明する断面図である。
【００７１】
図４に示すように、本実施形態に係る電子部品に適用される配線基板２００は、第２配線１２０が形成される第２の面１１１を有する第２基板１１０と、第２基板１１０の第２配線１２０の上方に形成される突起電極１３０と、を含む。
【００７２】
図４に示すように、第２基板１１０は、後述される第２配線１２０が形成される第２の面１１１を有する。第２基板１１０は、光透過性を有する材料または構成であってもよい。例えば、第２基板１１０の材料は、無機系の材料であることができる。このとき、第２基板１１０は、ガラス基板やセラミックス基板であってもよい。第２基板１１０が、ガラス基板である場合、配線基板２００は、電気光学パネル（液晶パネル・エレクトロルミネッセンスパネル等）の一部であってもよい。また、第２基板１１０は、ガラス基板の上にアモルファスシリコンから形成されたＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）素子が形成されていてもよい。あるいは、第２基板１１０は、有機系の材料であってもよく、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）からなる基板又はフィルムであってもよい。あるいは、第２基板１１０としてポリイミド樹脂からなるフレキシブル基板を使用してもよい。フレキシブル基板としてＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）や、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）技術で使用されるテープを使用してもよい。
【００７３】
第２配線１２０は、図４に示すように、第２の面１１１の上に形成された配線であり、電気的接続部１２１を有する。図示はされないが、第２配線１２０は、複数形成されていてもよい。電気的接続部１２１は、第２配線１２０のうち、後述される突起電極１３０が形成される部分である。第２配線１２０は、例えば、液晶を駆動する電極（走査電極、信号電極、対向電極等）に電気的に接続されていてもよい。第２配線１２０は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタンタングステン（ＴｉＷ）などの金属膜、金属化合物膜、又は、それらの複合膜によって形成されていてもよい。また、第２配線１２０は、その一部が第２基板１１０の内側を通るように形成されていてもよい。
【００７４】
第２配線１２０は、図４に示すように、電気的接続部１２１において、中間層１２２が形成されていてもよい。中間層１２２は、第２配線１２０と突起電極１３０との間に形成される導電層である。中間層は、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、チタンタングステン（ＴｉＷ）、チタンナイトライド（ＴｉＮ）などの金属膜、又は、それらの複合膜によって形成されていてもよい。中間層１２２を設けることにより、第２配線１２０と突起電極１３０との密着性を向上させることができる。
【００７５】
突起電極１３０は、図４に示すように、第２配線１２０の電気的接続部１２１の上方に形成されていてもよい。図４に示すように、中間層１２２が形成される場合、突起電極１３０は、中間層１２２の上に形成されていてもよい。突起電極１３０は、図４に示すように、先端部分１３１を有し、先端部分１３１に近いほど径が細くなる形状を有する。なお、図示はされないが、先端部分１３１においては、実質的に丸みを有する形状を有していてもよいし、部分的に平坦面を有していてもよい。突起電極１３０は、例えば、円錐や四角錐のような錐状形状であってもよい。
【００７６】
また、図示はされないが、突起電極１３０は、第２基板１１０の第２の面１１１の上において第２配線１２０と当接するように形成されていてもよい。
【００７７】
ここで、図４に示すように、第２配線１２０が延びる方向における突起電極１３０の幅（最も長い部分）を幅Ａとし、突起電極１３０の最大の高さ（最も厚みを有する部分）を高さＢとする。突起電極１３０が円錐であり、突起電極１３０の接地する面の形状が円である場合、突起電極１３０の幅Ａは、該円の直径とする。幅Ａは特に限定されないが、例えば、５μｍ以上、３０μｍ以下であってもよい。また、高さＢは、第１基板１０と第２基板１１０とを接続した場合に、突起電極１３０が、少なくとも第１の部分３１及び第２の部分３２と接するように適宜設定される。
【００７８】
突起電極１３０の形状の寸法は、半導体装置１００が配線基板２００に実装される際に、排出したい接着剤２５０の量を考慮して決定してもよい。半導体装置１００が配線基板２００に実装される場合、第１基板１０と第２基板１１０との間に接着剤２５０を設けて、第１基板１０及び第２基板１１０を押圧力によって接触させる（図６（Ｂ）参照）。この工程において突起電極１３０を押し付けることにより排出したい接着剤２５０の体積と同じ体積となるように、突起電極１３０の形状の寸法を決定してもよい。詳細は後述される。
【００７９】
突起電極１３０の材質の展性は、第２配線１２０の材質よりも高くてもよい。言い換えれば、突起電極１３０は、第２配線１２０よりも高い圧力などによって破壊されずに箔状に広げられる材質から形成される。また、突起電極１３０の材質の導電率は、第２配線１２０の材質よりも高くてもよい。言い換えれば、突起電極１３０は、第２配線１２０よりも電気を通しやすい材質から形成される。更に、突起電極１３０の材質の弾性率は、第２配線１２０の材質よりも低くてもよい。言い換えると、突起電極１３０は第２配線１２０よりも変形しやすくてもよい。突起電極１３０は、例えば、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）及び銅（Ｃｕ）などの少なくとも１つを含む。このような材質を選択することによれば、第１基板１０と第２基板１１０とを接続した場合、突起電極１３０が変形しやすいため、より確実に第１基板１０及び第２基板１１０を押圧することができる。言い換えれば、突起電極１３０は、コンプライアントバンプであってもよい。
【００８０】
以上により、本実施形態に係る電子部品に適用される配線基板２００が構成される。
【００８１】
２．２  配線基板の製造方法
以下、図面を参照して、本実施形態に係る電子部品に適用される配線基板２００の製造方法について説明する。
【００８２】
図５（Ａ）〜図５（Ｃ）は、本実施形態に係る電子部品に適用される配線基板２００の製造方法を模式的に説明する断面図である。
【００８３】
図５（Ａ）に示すように、第２配線１２０が形成された第２基板１１０を準備する。準備する工程は、第２基板１１０の上に、第２配線１２０を形成する工程を含んでいてもよい。その形成には、公知の技術を用いることができ、例えばスパッタリングを適用してもよい。その後、所望の形状にパターニング（エッチング）され、第２配線１１０が形成される。また、第２配線１２０を形成する工程は、熱処理する工程を含む。熱処理する工程は、第２配線１２０が形成される第２基板１１０の材質及び構成を考慮して温度設定することを含む。例えば、第２基板１１０が、ガラス基板からなり、ガラス基板の上にアモルファスシリコンから形成されたＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）素子が形成され、第２配線１２０の材質が、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）であった場合、熱処理の温度は、４００℃以下に設定される。望ましくは、熱処理の温度は、１５０℃以下に設定される。
【００８４】
図５（Ａ）に示すように、中間層１２２となる導電層１２２ａが形成されていてもよい。この場合、まず、第２配線１２０となる第１導電膜を形成し、その上に導電層１２２ａとなる第２導電膜を形成する。次に、第２導電膜の上にレジストを形成し、第２導電膜をパターニングし、導電層１２２ａを形成する。次に、レジストを除去し、導電層１２２ａをマスクとして第１導電膜をパターニングし、第２配線１２０を形成してもよい。
【００８５】
次に、図５（Ａ）に示すように、第２配線１２０が形成された第２の面１１１の上に、突起電極１３０の材質からなる導電層１３０ａを形成する。導電層１３０ａの形成には、公知の技術を用いることができ、例えばスパッタリングを適用してもよい。
【００８６】
次に、図５（Ｂ）に示すように、レジスト層１４０をマスクとして形成し、等方エッチングを行うことにより突起電極１３０を形成してもよい図４参照。等方エッチングには、ウェットエッチング又はプラズマエッチングを適用することができる。等方エッチングの後、レジスト層１４０は適宜除去される。
【００８７】
図５（Ｃ）に示すように、突起電極１３０をマスクとして、導電層１２２ａをエッチングし、中間層１２２を形成してもよい。
【００８８】
なお、以上においては、等方エッチングを適用した場合について説明したが、配線基板２００の製造方法はこれに限定されず、例えば、公知のインクジェット技術により導電材料の液滴を滴下することで突起電極１３０を形成したり、公知のフォトリソグラフィー技術等により突起電極１３０を形成したりしてもよい。
【００８９】
３．１  電子部品の製造方法
以下、図面を参照して、本実施の形態に係る電子部品３００の製造方法について説明する。
【００９０】
図６（Ａ）〜図６（Ｃ）は、本実施の形態に係る電子部品３００の製造方法を説明する図であり、図６（Ｃ）は、本実施の形態に係る電子部品３００を説明する図である。
【００９１】
図６（Ａ）に示すように、本実施の形態に係る電子部品３００の製造方法は、半導体装置１００を準備する工程（Ｓ１）と、配線基板２００を準備する工程（Ｓ２）と、半導体装置１００の第１基板１０と配線基板２００の第２基板１１０とを接続する工程（Ｓ３）と、を有する。
【００９２】
半導体装置１００を準備する工程（Ｓ１）は、「１．１  半導体装置」及び「１．２  半導体装置の製造方法」の項で説明したように、電極１４が形成される第１の面１１を有する第１基板１０を準備する工程（図３（Ａ）参照）と、第１基板１０の第１の面１１の上方に第１樹脂突起２１を形成する工程（図３（Ｂ）〜図３（Ｄ）参照）と、第１基板１０の第１の面１１の上方に第２樹脂突起２２を形成する工程（図３（Ｂ）〜図３（Ｄ）参照）と、電極１４と接続し、第１樹脂突起２１の少なくとも一部を覆う第１の部分３１と、第２樹脂突起２２の少なくとも一部を覆う第２の部分３２と、を有する第１配線３０を形成する工程（図３（Ｅ）参照）と、を含む。なお、半導体装置１００を準備する工程（Ｓ１）の詳細は上述されているため、省略する。
【００９３】
配線基板２００を準備する工程（Ｓ２）は、「２．１  配線基板」及び「２．２  配線基板の製造方法」の項で説明したように、第２配線１２０が形成された第２の面１１１と、第２配線１２０の上方に形成される突起電極１３０と、を有する第２基板１１０を準備する工程（図５（Ａ）及び図５（Ｂ）参照）を含む。なお、配線基板２００を準備する工程（Ｓ２）の詳細は上述されているため、省略する。
【００９４】
半導体装置１００の第１基板１０と配線基板２００の第２基板１１０とを接続する工程（Ｓ３）は、第１基板１０及び第２基板１１０を位置合わせする工程（Ｓ３−１）と、第１基板１０及び第２基板１１０の間に接着剤を配置する工程（Ｓ３−２）と、第１基板１０と第２基板１１０とを接続する工程（Ｓ３−３）と、を含む。
【００９５】
位置合わせする工程（Ｓ３−１）は、図６（Ａ）に示すように、第１の部分３１と第２の部分３２との間の領域（図示の例では、「幅ｃ」で示される領域）である凹部３６と、突起電極１３０と、が対向するように（例えば、第１の面１１の法線方向から見た場合にオーバーラップするように）第１基板１０及び第２基板１１０を位置合わせする。ここで、本実施形態に係る電子部品の製造方法においては、突起電極１３０の先端部分１３１が、少なくとも凹部３６とオーバーラップするように位置合わせすればよい。
【００９６】
接着剤を配置する工程（Ｓ３−２）は、図６（Ａ）に示すように、半導体装置１００の第１の面１１と、配線基板２００の第２の面１１１との間に接着剤２５０を設ける。本工程では、予め、配線基板２００側に接着剤２５０を設けておいてもよいが、特に限定されるものではなく、半導体装置１００側に設けられていてもよい。接着剤２５０は、例えば、フィルム状の接着剤を利用してもよい。接着剤２５０は、絶縁性の接着剤であってもよい。接着剤２５０は、公知のＮＣＦ（Ｎｏｎ−ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）接着剤であってもよい。
【００９７】
第１基板１０と第２基板１１０とを接続する工程（Ｓ３−３）は、図６（Ｂ）に示すように、突起電極１３０が、第１の部分３１及び第２の部分３２と接するように、第１基板１０と第２基板１１０との間に押圧力を加えることで押圧して、突起電極１３０と第１配線３０とを接続させる。
【００９８】
本工程において、半導体装置１００と配線基板２００と加えられた押圧力によって、図６（Ｂ）に示すように、第１樹脂突起２１及び第２樹脂突起２２を弾性変形させることができる。言い換えれば、第１基板１０と第２基板１１０とを接続する工程後の第１樹脂突起２１及び第２樹脂突起２２の形状は、本工程前の第１樹脂突起２１及び第２樹脂突起２２の形状と異なる。したがって、第１樹脂突起２１及び第２樹脂突起２２の弾性力によって、発生する応力を緩和しつつ、突起電極１３０と第１配線３０とを押し付けることができるため、半導体装置の信頼性を低下させることなく、電気的な接続信頼性の高い電子部品を提供することができる。
【００９９】
また、本工程において、半導体装置１００と配線基板２００と加えられた押圧力によって、図６（Ｃ）に示すように、突起電極１３０を弾性変形させてもよい。言い換えれば、第１基板１０と第２基板１１０とを接続する工程後の突起電極１３０の形状は、本工程前の突起電極１３０の形状と異なってもよい。上述のように、突起電極１３０は金（Ａｕ）など展性が比較的高い材質からなる。したがって、図６（Ｃ）に示すように、突起電極１３０は、第１基板１０側に押し付けられた場合、先端部分１３１が平坦化してもよい。これによれば、突起電極１３０を確実に第１樹脂突起２１と第２樹脂突起２２との間に埋め込むことができるため、突起電極１３０によって接着剤２５０をより確実に押し出すことできる。つまりは、接着剤２５０の排出性がより向上し、突起電極１３０と第１配線３０との間に接着剤２５０が残留しにくくなり、ボイドが形成されにくくすることができるため、半導体装置の信頼性を低下させることなく、電気的な接続信頼性の高い電子部品を提供することができる。
【０１００】
次に、図６（Ｂ）及び図６（Ｃ）に示すように、第１基板１０と第２基板１１０とを接続する工程（Ｓ３−３）の後、接着剤２５０を硬化させて、接着層２５１を形成してもよい。接着層２５１によって、第１基板１０（半導体装置１００）と第２基板１１０（配線基板２００）との接合状態を維持してもよい。
【０１０１】
図６（Ｂ）及び図６（Ｃ）に示すように、以上の工程により、本実施形態に係る電子部品３００を製造することができる。また、図示はしないが、さらに検査工程や切り出し工程等を経て、本実施の形態に係る電子部品３００を製造してもよい。
【０１０２】
図７には、電子部品３００の一例として、表示デバイスである場合の電子部品３００を示す。表示デバイスは、ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示デバイスであってもよい。また、表示デバイスは、液晶表示デバイスであって、例えば、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）液晶デバイスであってもよい。そして、半導体装置１００は、表示デバイスである電子部品３００を制御するドライバーＩＣであってもよい。
【０１０３】
本実施の形態に係る電子部品３００の製造方法は、例えば、以下の特徴を有する。
【０１０４】
本実施の形態に係る電子部品３００の製造方法によれば、接続信頼性が向上した電子部品３００の製造方法を提供することができる。詳細は後述される。
【０１０５】
本実施形態に係る電子部品３００の製造方法によれば、錐状の形状の突起電極１３０を備えた配線基板２００と半導体装置１００とを接続する。これによれば、突起電極１３０と第１配線３０とが電気的に接続する領域における接着剤２５０を積極的に押し出して排出することができるため、突起電極１３０と第１配線３０とが電気的に接続する領域に接着剤２５０が残留しにくく、かつ、空気が残留するボイドが形成されにくい。したがって、電子部品３００の製造方法によれば、半導体装置１００と配線基板２００との電気的な接続信頼性を向上させることができる。
【０１０６】
また、本実施の形態に係る電子部品３００の製造方法によれば、第１基板１０及び第２基板１１０を位置合わせ工程において、突起電極１３０の先端部分１３１と、第１の部分３１と第２の部分３２との間の領域（凹部３６）と対向させる。一般的に、ＩＣチップなどの半導体装置を配線基板に実装する場合、半導体装置の外部端子と、配線基板の電気的接続部とをポイントとポイントで接続するため、比較的高いアライメント精度が要求される。これに対し、本実施形態に係る電子部品３００の製造方法によれば、突起電極１３０は先端部分１３１を有する錐状の形状であり、第１配線３０には、凹部３６が形成される。言い換えれば、エリア（凹部３６）に対してポイント（先端部分１３１）を位置合わせすればよい。これによれば、第１基板１０と第２基板１１０との接続工程において、凹部３６が、突起電極１３０の位置を補正するガイドとしての機能を奏することができる。したがって、電子部品３００の製造方法によれば、位置合わせ許容範囲をより広く設定することができ、適切な接合のために必要となされるアライメント精度を抑制することができる。
【０１０７】
また、本実施の形態に係る電子部品３００の製造方法によれば、第１基板１０と第２基板１１０とを接続する工程後の第１樹脂突起２１、第２樹脂突起２２及び突起電極１３０の形状は、本工程前の形状と異なっていてもよい。これによれば、第１基板１０と第２基板１１０とを接続する工程において、第１基板１０側の第１樹脂突起２１及び第２樹脂突起２２と、第２基板１１０側の突起電極１３０との相互の弾性変形によって、応力を緩和し、第１基板１０や第２基板１１０に対する物理的ダメージを緩和しつつ、第１基板１０及び第２基板１１０を確実に電気的に接続させることができる。したがって、電子部品３００の製造方法によれば、半導体装置１００と配線基板２００との電気的な接続信頼性を向上させることができる。
【０１０８】
また、本実施の形態に係る電子部品３００の製造方法によれば、配線基板２００側の構成の材料選択性を向上させることで、電子部品３００の設計の自由度を高めることができる。以下に詳細を説明する。
【０１０９】
例えば、第２基板１１０がガラス基板であって、アモルファスシリコンから形成されたＴＦＴ素子が形成され、第２配線１２０の材質が、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）であった場合、高い温度のプロセスを経ると、第２配線１２０の表面は、グレイン状態が変化し、表面がより平坦化した第２配線１２０が形成される。したがって、低温プロセスによる第２配線１２０の場合、第２配線１２０の表面における微細な凹凸に接着剤が入り込んで硬化することで接着力が高まるアンカー効果は小さくなる。以上の理由から、このような構成の配線基板２００に対して半導体装置１００を実装する場合、接着剤による接続信頼性が著しく低下する。
【０１１０】
これに対し、本実施の形態に係る電子部品３００の製造方法によれば、突起電極１３０が、第１の部分３１及び第２の部分３２と接するように、第１基板１０と第２基板１２０とを接続するため、突起電極１３０が凹部３６に入り込み、アンカー効果を生じさせることができる。したがって、電子部品３００の製造方法によれば、接続強度を向上させることができることから、上記の材質及び構成の配線基板２００であっても、半導体装置１００と配線基板２００との接続信頼性を向上させることができる。言い換えれば、配線基板２００側の構成の材料選択性を向上させることで、電子部品３００の設計の自由度を高めることができる。
【０１１１】
（変形例）
以下において、「１．１  半導体装置」の（変形例）の項で説明した半導体装置１０１を適用した電子部品３００の製造方法について、図面を参照しながら説明する。
【０１１２】
図８（Ａ）及び図８（Ｂ）は、半導体装置１０１を適用した場合の電子部品３００の製造方法を説明する図である。
【０１１３】
図８（Ａ）に示すように、半導体装置１０１を適用した場合、位置合わせする工程（Ｓ３−１）は、凹部２６（第１の突起部分２３ａ（Ｐ１）及び第２の突起部分２３ｂ（Ｐ２）の間の領域）を覆う第３の部分３３と、突起電極１３０と、が対向するように（例えば、第１の面１１の法線方向から見た場合にオーバーラップするように）第１基板１０及び第２基板１１０を位置合わせする。好適には、突起電極１３０の先端部分１３１が、凹部２６の領域内に位置するように位置合わせする。
【０１１４】
第１基板１０と第２基板１１０とを接続する工程（Ｓ３−３）では、図８（Ｂ）に示すように、突起電極１３０が、第３の部分３３と接するように、第１基板１０と第２基板１１０との間に押圧力を加えることで押圧して、突起電極１３０と第１配線３０とを接続させる。本工程において、樹脂突起２３は、図８（Ｂ）に示すように、第１樹脂突起２１及び第２樹脂突起２２と同様に弾性変形してもよい。また、図示はされないが、突起電極１３０も同様に弾性変形し、先端部分１３１の一部が平坦化していてもよい。
【０１１５】
半導体装置１０１を適用した場合の電子部品３００の製造方法も、半導体装置１００を適用した電子部品３００の製造方法と同様の特徴及び効果を備える。
【０１１６】
また、半導体装置１０１を適用した場合の電子部品３００の製造方法によれば、突起電極１３０が押し当てられる凹部２６には、第１基板１０と突起電極１３０との間に樹脂突起２３が形成されている。これによれば、押圧時において、より応力を緩和することができる。したがって、半導体装置１０１と配線基板２００との接続信頼性をより向上させることができる。
【０１１７】
３．２  電子部品
以下、図面を参照して、本実施の形態に係る電子部品３００について説明する。なお、本実施の形態に係る電子部品３００は、半導体装置１００と配線基板２００とを含む。半導体装置１００と配線基板２００は上述されているため、その詳細は省略する。
【０１１８】
図６（Ｂ）及び図６（Ｃ）は、本実施の形態に係る半導体装置１００を適用した電子部品３００を説明する図である。また、図８は、変形例に係る半導体装置１０１を適用した場合の電子部品３００を説明する図である。
【０１１９】
図６（Ｂ）及び図６（Ｃ）に示すように、電子部品３００の突起電極１３０は、第１配線３０の第１の部分３１及び第２の部分３２と接する。言い換えれば、突起電極１３０は、第１配線３０が延びる方向において、第１の部分３１及び第２の部分３２に挟まれるように形成される。
【０１２０】
図６（Ｂ）に示すように、突起電極１３０は、円錐または四角錐の錐状であってもよい。言い換えれば、第１配線３０が延びる方向において、突起電極１３０の断面形状は、二等辺三角形であってもよい。この場合、絶縁層１６と突起電極１３０の先端部分１３１との間には、第１配線３０のみが配置され、樹脂層は形成されない。
【０１２１】
また、図６（Ｃ）に示すように、突起電極１３０は、先端部分１３１が平坦化していてもよい。第１配線３０が延びる方向において、突起電極１３０の断面形状は、台形であってもよい。この場合、絶縁層１６と突起電極１３０の先端部分である平坦面１３１との間には、第１配線３０のみが配置され、樹脂層は形成されない。
【０１２２】
次に、図８（Ｂ）に示すように、変形例に係る半導体装置を適用した電子部品３００の突起電極１３０は、第１配線３０の第３の部分３３と接する。言い換えれば、突起電極１３０は、樹脂突起２３に覆われるように形成される。この場合、絶縁層１６と突起電極１３０の先端部分１３１との間には、第１配線３０及び樹脂突起２３（凹部２６）が配置される。
【０１２３】
以上により、本実施形態に係る電子部品３００が構成される。
【０１２４】
本実施の形態に係る電子部品３００は、例えば、以下の特徴を有する。
【０１２５】
本実施の形態に係る電子部品３００によれば、第１の部分３１及び第２の部分３２と接する突起電極１３０を有する。これによれば、電子部品３００は、半導体装置１００（１０１）と配線基板２００との電気的接続部において、突起電極１３０が、第１配線３０の凹部３６（凹部２６）に入り込んだ構造となっているため、物理的なアンカー効果が生じる。したがって、接続強度を向上させることができることから、半導体装置１００（１０１）及び配線基板２００の接続信頼性がより向上した電子部品３００を提供することができる。
【０１２６】
また、本実施の形態に係る電子部品３００によれば、配線基板２００側の構成の材料選択性を向上させることで、電子部品３００の設計の自由度を高めることができる。「３．１  電子部品の製造方法」の項で説明したように、例えば、第２基板１１０がガラス基板であって、アモルファスシリコンから形成されたＴＦＴ素子が形成され、第２配線１２０の材質が、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）であった場合は、接着剤による半導体装置１００及び配線基板２００の接続信頼性が低下する。しかしながら、本実施形態に係る電子部品によれば、上述のように、突起電極１３０と凹部３６によるアンカー効果を生じさせることができるため、接続強度を向上させることができる。したがって、設計の自由度を高めることができる電子部品３００を提供することができる。
【０１２７】
なお、上述した実施形態及び変形例は一例であって、これらに限定されるわけではない。例えば各実施形態及び各変形例は、複数を適宜組み合わせることが可能である。
【０１２８】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、さらに種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【符号の説明】
【０１２９】
１  集積回路、１０  第１基板、１１  第１の面、１２  第２の面、１４  電極、１６  絶縁層、１６ａ  開口部、２０  樹脂部、２１  第１樹脂突起、２２  第２樹脂突起、２３  樹脂突起、２３ａ  第１の突起部分、２３ｂ  第２の突起部分、２６  凹部、３０  第１配線、３０ａ  第１の導電層、３０ｂ  第２の導電層、３１  第１の部分、３２  第２の部分、３３  第３の部分、３６  凹部、５０  樹脂材料膜、５１  第１の樹脂層、５２  第２の樹脂層、１００、１０１  半導体装置、１１０  第２基板、１１１  第２の面、１２０  第２配線、１２１  電気的接続部、１２２  中間層、１３０  突起電極、１３１  先端部分、１４０  レジスト層、２００  配線基板、２５０  接着剤、２５１  接着層、３００  電子部品。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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