(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体面積率の異なる複数の領域をそれぞれ有する第１基板と第２基板とが積層された積層回路基板の製造方法であって、
一の面と前記一の面の反対側にある他の面とを有し、前記各領域に対応するビアホールが形成された接着樹脂シートであって、前記ビアホールが対応する領域の導体面積率に応じた開口面積比を有する接着樹脂シートの前記一の面を前記第１基板に向けて配置する第１の配置工程と、
前記各ビアホールに導電性ペーストを充填する充填工程と、
前記導電性ペーストが充填された後、前記接着樹脂シートの前記他の面上に前記第２基板を配置する第２の配置工程と、
加熱下で、前記第１基板と前記第２基板の積層方向に加圧する熱プレス処理を行う熱プレス工程と
を有することを特徴とする積層回路基板の製造方法。
【請求項２】
第１基板と第２基板とが積層された積層回路基板の製造方法であって、
前記第１基板上に、一の面の開口面積が他の面の開口面積よりも大きい複数の異形ビアホールを有する接着樹脂シートを、前記一の面を前記第１基板に向けて配置する第１の配置工程と、
前記異形ビアホールに導電性ペーストを充填する充填工程と、
前記導電性ペーストが充填された後、前記接着樹脂シートの前記他の面上に前記第２基板を配置する第２の配置工程と、
加熱下で、前記第１基板と前記第２基板の積層方向に加圧する熱プレス処理を行う熱プレス工程とを有し、
前記接着樹脂シートは、前記一の面の開口面積が前記他の面の開口面積と同じ複数のビアホールを更に有し、
前記接着樹脂シートの導体面積率が所定の基準比率以上となる第一領域にのみ、前記異形ビアホールが形成される
ことを特徴とする積層回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記接着樹脂シートは、下層シート部の上に上層シート部が貼り合わされたシートであ
り、
前記下層シート部は、前記第一領域に、第１の断面積を有する複数の第１貫通孔を有し、
前記上層シート部は、前記第一領域に、第１の断面積よりも小さな第２の断面積を有する複数の第２貫通孔を有し、
前記異形ビアホールは、前記第１貫通孔と前記第２貫通孔とを含む
ことを特徴とする請求項２に記載の積層回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記下層シート部の厚さは、前記上層シート部の厚さに比べて厚い
ことを特徴とする請求項３に記載の積層回路基板の製造方法。
【請求項５】
前記異形ビアホールは、前記一の面から前記他の面に向かってビア径が徐々に狭まるテーパ形状を有することを特徴とする請求項２に記載の積層回路基板の製造方法。
【請求項６】
導体面積率の異なる複数の領域をそれぞれ有する第１基板と第２基板とが積層された積層回路基板の製造方法であって、
前記第１基板上に、一の面の開口面積が他の面の開口面積よりも大きい複数の異形ビアホールを有する接着樹脂シートを、前記一の面を前記第１基板に向けて配置する第１の配置工程と、
前記異形ビアホールに導電性ペーストを充填する充填工程と、
前記導電性ペーストが充填された後、前記接着樹脂シートの前記他の面上に前記第２基板を配置する第２の配置工程と、
加熱下で、前記第１基板と前記第２基板の積層方向に加圧する熱プレス処理を行う熱プレス工程とを有し、
前記各領域の導体面積率の値に応じて、前記異形ビアホールにおける前記一の面の開口面積と前記他の面の開口面積との比を変える
ことを特徴とする積層回路基板の製造方法。
【請求項７】
前記接着樹脂シートの導体面積率が高い領域ほど、前記異形ビアホールにおける前記一の面の開口面積と前記他の面の開口面積との差を大きくする
ことを特徴とする請求項６に記載の積層回路基板の製造方法。
【請求項８】
基材を含んだ状態で絶縁樹脂が硬化している絶縁層と、
前記絶縁層を介して互いに貼り合わせ面同士が接着された第１基板および第２基板と、
前記絶縁層内に配置され、前記第１基板の貼り合わせ面に形成された第１の導体パッドと、前記第２基板の貼り合わせ面に形成された第２の導体パッドとの間を電気的に接続するビアとを備え、
前記第１基板及び前記第２基板の貼り合わせ面は、導体面積率が異なる複数の領域を有し、各領域の間にある前記絶縁樹脂の単位面積当たりの量が前記導体面積率に応じて異なることを特徴とする積層回路基板。
【請求項９】
前記複数の領域のうちの導体面積率が所定の基準比率以上となる第一領域の前記絶縁層の一部に形成された前記絶縁樹脂のみが硬化した部位が、前記ビアの外周部に隣接して形成される
ことを特徴とする請求項８に記載の積層回路基板。
【請求項１０】
積層回路基板を有する電子機器であって、
前記積層回路基板は、
基材を含んだ状態で絶縁樹脂が硬化している絶縁層と、
前記絶縁層を介して互いに貼り合わせ面同士が接着された第１基板および第２基板と、
前記絶縁層内に配置され、前記第１基板の貼り合わせ面に形成された第１の導体パッドと、前記第２基板の貼り合わせ面に形成された第２の導体パッドとの間を電気的に接続するビアとを備え、
前記第１基板及び前記第２基板の貼り合わせ面は、導体面積率が異なる複数の領域を有し、各領域の間にある前記絶縁樹脂の単位面積当たりの量が前記導体面積率に応じて異なることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層回路基板の製造方法、積層回路基板、および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
積層回路基板には、積層された複数の基板が含まれている。通常、これらの基板にはそれぞれ配線層に接続された導体パッドが設けられている。これらの基板を積層する方法として、基板間に介在させる絶縁層にビアを形成し、ビアを介して基板の導体パッド同士を電気的に接続する方法が知られている。具体的には、例えばレーザやドリル等によって、プリプレグ等の接着樹脂シートに対して、その厚さ方向に貫通する複数のビアホールを形成する。そして、これら複数のビアホールに導電性ペーストを充填し、導電性ペーストが充填された接着樹脂シートを基板（第１基板及び第２基板）の間に配置する。その後、加熱下で積層方向に加圧する処理（以下、「熱プレス処理」という。）を行う。これにより、第１基板および第２基板の各々に形成された導体パッドがビアを介して電気的に接続されるとともに、第１基板と第２基板とが互いに積層される。
【０００３】
図２１は、従来の積層回路基板を示した図である。図２１に示すように、従来の積層回路基板は、ビアホールに導電性ペースト２を充填した接着樹脂シート３が使用されている。この接着樹脂シート３が一組の基板４の間に配置されている。図２１は、熱プレス処理を行う前の状態を表している。各基板４の貼り合わせ面５に形成される導体パッド６は、その厚みの分だけ貼り合わせ面５から突出する。そのため、基板４の平面方向（面内方向）において互いに隣接する導体パッド６間には導体間隙部７が形成される。
【０００４】
導体間隙部７は、熱プレス処理を行う際に、軟化した接着樹脂シート３の樹脂が移動可能な空間として機能する。熱プレス処理において接着樹脂シート３に含まれる樹脂が軟化して導体間隙部７に流れ込むことで、接着樹脂シート３が潰れ易くなる。その結果、導電性ペースト２に含まれる金属粒子が加圧され易くなり、金属粒子の凝集状態が良好となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平０７−１７６８４６号公報
【特許文献２】特開昭６２−２４３３９５号公報
【特許文献３】特開２００５−３１０８７１号公報
【特許文献４】特開２００７−３３５７０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、積層回路基板において、単位面積当たりにおける導体部分の占有面積（以下、「導体面積率」という。）は、基板平面内において均一になるとは限らない。なお、上記導体部分には、導体パッドの他、配線パターン等を含む。図２１の例では、Ｂ領域は、Ａ領域に比べて、導体パッド６間のピッチが同一であるが、導体パッド６のサイズが大きい。Ｃ領域は、Ａ領域に比べて、導体パッド６のサイズが同一であるが、導体パッド６間のピッチが狭い。その結果、Ｂ領域およびＣ領域はＡ領域に比べて、導体面積率が高くなる。
【０００７】
基板の平面方向において、導体面積率が高い領域では、導体面積率の低い領域に比べて相対的に軟化した樹脂が移動可能な導体間隙部７の容積が少ない。そのため、熱プレス処
理時に接着樹脂シート３を充分に潰すことが困難となる。一方、導体面積率が低い領域では、軟化した樹脂が移動可能な導体間隙部７の容積が大きくなり、熱プレス処理時に接着樹脂シート３を潰し易くなる。このように、基板平面方向において、潰し易い領域と潰し難い領域とが混在することになる。その結果、熱プレス時に、導体面積率が低い領域では、導電性ペースト２に含まれる金属粒子が凝集不足となり、ビアのオープン不良を招く虞がある。
【０００８】
本件は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、ビアの接続不良を抑制可能な積層回路基板およびその製造方法に関する技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本件の一観点による積層回路基板の製造方法は、第１基板と第２基板とが積層された積層回路基板の製造方法であって、前記第１基板上に、一の面の開口面積が他の面の開口面積よりも大きい複数の異形ビアホールを有する接着樹脂シートを、前記一の面を前記第１基板上に向けて配置する第１の配置工程と、前記ビアホールに導電性ペーストを充填する充填工程と、導電性ペーストが充填された後、前記接着樹脂シートの前記他の面上に前記第２基板を配置する第２の配置工程と、加熱下で、前記第１基板と前記第２基板の積層方向に加圧する熱プレス処理を行う熱プレス工程とを有する。
【００１０】
また、本件の一観点による積層回路基板は、基材を含んだ状態で絶縁樹脂が硬化している絶縁層と、前記絶縁層を介して互いに貼り合わせ面同士が接着された第１基板および第２基板と、前記絶縁層内に配置され、前記第１基板の貼り合わせ面に形成された第１の導体パッドと、前記第２基板の貼り合わせ面に形成された第２の導体パッドとの間を電気的に接続するビアとを備え、導体面積率が所定の基準比率以上となる第一領域の前記絶縁層の一部に、前記絶縁樹脂のみが硬化した部位が形成されている。
【発明の効果】
【００１１】
本件によれば、ビアの接続不良を抑制可能な積層回路基板およびその製造方法に関する技術を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施形態１に係る積層回路基板の部分断面図である。
【図２】実施形態１に係る導体パッドの配置パターン例を模式的に示す図である。
【図３】実施形態１に係る積層回路基板の製造方法において、第１基板の上に接着樹脂シートを配置した状態を示す図である。
【図４】実施形態１に係る積層回路基板の製造方法において、ビアホールに導電性ペーストを充填した状態を示す図である。
【図５】実施形態１に係る積層回路基板の製造方法において、接着樹脂シートの上に第２基板を配置した状態を示す図である。
【図６】実施形態１に係る積層回路基板の製造方法において、熱プレス処理を行った状態を示す図である。
【図７】実施形態１に係る積層回路基板において、導体面積率Ｒｃｐの算出手法を説明する説明図である。
【図８】実施形態１に係る積層回路基板において、ビアの周辺構造を模式的に示す図である。
【図９Ａ】実施形態２に係る接着樹脂シートを説明するための説明図であり、接着樹脂シートのビアホールに導電性ペーストを充填する前の状態を示す図である。
【図９Ｂ】実施形態２に係る接着樹脂シートの変形例を説明するための説明図であり、接着樹脂シートのビアホールに導電性ペーストを充填した後の状態を示す図である。
【図１０Ａ】実施形態２に係る接着樹脂シートの変形例を説明するための説明図であり、接着樹脂シートのビアホールに導電性ペーストを充填する前の状態を示す図である。
【図１０Ｂ】実施形態２に係る接着樹脂シートを説明するための説明図であり、接着樹脂シートのビアホールに導電性ペーストを充填した後の状態を示す図である。
【図１１】実施形態３に係る接着樹脂シートの上面の一部を示す図である。
【図１２】実施形態３に係る積層回路基板の製造方法において接着樹脂シートの上に第２基板を配置した状態を示す図である。
【図１３】実施形態３に係る積層回路基板においてビアの周辺構造を模式的に示す図である。
【図１４】実施形態４に係る積層回路基板の製造方法において、第１基板の上に接着樹脂シートを配置した状態を示す図である。
【図１５】実施形態４に係る積層回路基板の製造方法において、接着樹脂シートの上にマスク部材を配置した状態を示す図である。
【図１６】実施形態４に係る積層回路基板の製造方法において、ビアホールに導電性ペーストを充填する状態を示す図である。
【図１７】実施形態４に係る積層回路基板の製造方法において、マスク部材を取り外した状態を示す図である。
【図１８】実施形態４に係る積層回路基板の製造方法において、接着樹脂シートの上に第２基板を配置した状態を示す図である。
【図１９】実施形態４に係る積層回路基板の製造方法において、熱プレス処理の状態を示す図である。
【図２０】実施形態に係る積層回路基板を内蔵した電子機器を示す図である。
【図２１】従来の積層回路基板の積層工程において、ビアホールに導電性ペーストを充填した接着樹脂シートを一組の基板の間に配置した状態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、図面を参照して、発明を実施するための形態（以下、実施形態という。）に係る積層配線基板およびその製造方法について説明する。
【００１４】
＜実施形態１＞
図１は、実施形態１に係る積層回路基板１の部分断面図である。積層回路基板１は、第１基板１１、第２基板１２、およびこれら各基板１１，１２の間に介在する絶縁層１３を備える。第１基板１１および第２基板１２の各々は、表面に配線パターン１０２を形成した絶縁基板を複数積層した多層基板である。第１基板１１および第２基板１２に係る絶縁基板は、例えばガラス繊維クロスなどといった基材にエポキシ樹脂などの絶縁樹脂を含浸させた半硬化状（Ｂステージ）のプリプレグを、熱プレス等によって硬化させたものである。プリプレグに用いる基材と絶縁樹脂の組み合わせは上記例に限られず、種々のものを用いることができる。
【００１５】
配線パターン１０２は、例えば銅といった導体により形成されており、各々所望の形状を有している。また、第１基板１１および第２基板１２の表面には、導体パッド１０３（「ランド」と称呼される場合もある。）が形成されている。導体パッド１０３は、配線パターン１０２と同様に、例えば銅といった導体により形成される。
【００１６】
第１基板１１および第２基板１２の各々における配線パターン１０２は、その導体パッド１０３、スルーホールビア１０４を介して相互に電気的に接続される。スルーホールビア１０４は、絶縁基板１０１を貫通するスルーホールの内壁に、例えば銅めっきを施すことで配線パターン１０２同士を立体接続しているが、これに限られない。例えば、銅めっきに代えて、もしくは銅めっきに加えて、銀粉末や銅粉末を含有する導電性ペーストをスルーホールに充填することによってスルーホールビア１０４を形成してもよい。
【００１７】
図１の例では、第１基板１１の上に第２基板１２が絶縁層１３を挟んで積層されている。以下、第１基板１１および第２基板１２の各表面のうち、絶縁層１３に近い方の表面を貼り合わせ面１１１，１２１と称する。第１基板１１の貼り合わせ面１１１と第２基板１２の貼り合わせ面１２１は、絶縁層１３を介して互いに接着される。一方、第１基板１１および第２基板１２の各表面のうち、絶縁層１３から離れた方の表面には、配線パターン１０２を被覆するようにオーバーコート層としてソルダーレジスト１０５が形成されている。ソルダーレジスト１０５は、例えば、エポキシ系、アクリル系、ポリイミド系等の絶縁性の樹脂又はこれらの混合樹脂等である。ソルダーレジスト１０５は、感光性樹脂であってもよいし、熱硬化性樹脂であってもよい。
【００１８】
次に、第１基板１１および第２基板１２の間に介在する絶縁層１３について説明する。絶縁層１３は、ガラス繊維クロス等といった基材にエポキシ樹脂等の熱硬化性の絶縁樹脂を含浸させた半硬化状（Ｂステージ）の接着樹脂シートを熱プレスにて硬化させることにより形成される。絶縁層１３の所定位置にはビア１４が形成されている。ビア１４は、第１基板１１の貼り合わせ面１１１に形成された導体パッド１０３（第１の導体パッド）と、第２基板１２の貼り合わせ面１２１に形成された導体パッド１０３（第２の導体パッド）との間を電気的に接続する。ビア１４の形成にあたっては、後述するように、接着樹脂シートを厚さ方向に貫通する貫通孔であるビアホールを形成し、このビアホールに充填した導電性ペーストを硬化（固化）させる。
【００１９】
図１から判るように、積層回路基板１の基板平面方向（面広がり方向）において、第１基板１１および第２基板１２の各貼り合わせ面１１１，１２１に形成される導体パターン（導体部分）は均一となっていない。ここで、積層回路基板１の基板平面方向とは、積層回路基板１の積層方向と直交する方向を指す。本明細書において、上記導体パターンには、貼り合わせ面１１１，１２１に形成される導体パッド１０３および配線パターン１０２が含まれる。
【００２０】
貼り合わせ面１１１，１２１に係る平面領域のうち、当該貼り合わせ面１１１，１２１の単位面積当たりにおける導体パターンの占有面積である導体面積率Ｒｃｐが所定の基準比率Ｒｃｐｂ以上となる領域を導体高密度領域Ｈｃｐと定義する。また、貼り合わせ面１１１，１２１に係る平面領域のうち、導体面積率Ｒｃｐが基準比率Ｒｃｐｂより低い領域を導体低密度領域Ｌｃｐと定義する。導体面積率Ｒｃｐは、貼り合わせ面１１１，１２１の全体、もしくは所定領域を導体パターンが占有する面積比率と言い換えることができる。
【００２１】
図２は、積層回路基板１の基板平面方向における導体パッド１０３の配置パターン例を模式的に示す図である。図２に示すように、破線で囲まれた領域Ａ〜Ｃを比較すると、Ｂ領域は、Ａ領域に比べて導体パッド１０３のピッチが同一で且つ導体パッド１０３一つ当たりの面積（以下、「パッドサイズ」という。）が大きい。また、Ｃ領域は、Ａ領域に比べて導体パッド１０３のパッドサイズが同一で且つ導体パッド１０３のピッチが狭い。その結果、Ｂ領域およびＣ領域は、Ａ領域に比べて、導体面積率Ｒｃｐが高くなっている。積層回路基板１の基板平面方向において、貼り合わせ面１１１，１２１の導体面積率Ｒｃｐが高い領域と低い領域が混在すると、第１基板１１および第２基板１２を積層する際に、ビア１４に電気的な接続不良が発生し易くなる。これは、導体高密度領域Ｈｃｐでは、熱プレス時に接着樹脂シートが潰れ難く、導電性ペーストに係る金属粒子の結合不足によるビア１４のオープン不良が生じ易い。一方、オープン不良を回避すべく導電性ペーストの充填量を増やすと導体低密度領域Ｌｃｐでのビア１４にショート不良が生じ易くなるからである。尚、図２に示す導体パッド１０３の配置パターンは導体面積率Ｒｃｐを説明するために例示として示したものであり、配置パターンの形状は図２の構成に限定されない。
【００２２】
次に、図面を参照して、実施形態１に係る積層回路基板１の積層工程について詳しく説明する。積層回路基板１の積層工程では、第１基板１１および第２基板１２を接着して積層する。図３〜図６は、積層回路基板１の積層工程を説明するための説明図である。図３は、第１基板１１の上に接着樹脂シート２０を配置した状態を示す図である。図４は、ビアホールに導電性ペーストＰを充填した状態を示す図である。図５は、接着樹脂シート２０の上に第２基板１２を配置した状態を示す図である。図６は、熱プレス処理を行った状態を示す図である。まず、積層配線基板１の製造に際して、上述した第１基板１１および第２基板１２が用意される。第１基板１１および第２基板１２は、例えば一括積層法等、公知の種々の方法を採用して作製することができる。
【００２３】
図３に示すように、接着樹脂シート２０は絶縁樹脂を用いた接着シートであり、夫々別体として用意された第１接着樹脂シート２１および第２接着樹脂シート２２が互いに貼り合されることで形成される。第１接着樹脂シート２１の厚さは、第２接着樹脂シート２２の厚さに比べて大きい。
【００２４】
第１接着樹脂シート２１および第２接着樹脂シート２２は、例えばガラス繊維クロス等といった基材にエポキシ樹脂等の熱硬化性の絶縁樹脂を含浸させた半硬化状（Ｂステージ）のプリプレグである。但し、第１接着樹脂シート２１および第２接着樹脂シート２２は、必ずしも基材を含む必要は無い。例えば、第１接着樹脂シート２１を上記プリプレグとし、第１接着樹脂シート２１に比べて薄い第２接着樹脂シート２２を熱硬化性の絶縁樹脂を半硬化状に成形したシート部材としてもよい。例えば、第１接着樹脂シート２１の厚さは５０μｍ程度であり、第２接着樹脂シート２２の厚さは２０μｍ程度である。但し、各接着樹脂シート２１，２２の厚さはこれらに限らず、他の値であってもよい。更に、第２接着樹脂シート２２も、第１接着樹脂シート２１と同様、基材に熱硬化性の絶縁樹脂を含浸させた半硬化状のプリプレグであってもよい。
【００２５】
接着樹脂シート２０の基材としては、クロス、メッシュ、不織布等といった種々の形態を有することができ、また、ガラス繊維クロスに限られず、他の材料、例えばアラミド繊維クロスなどを使用してもよい。また、接着樹脂シート２０における絶縁樹脂は、エポキシ樹脂に限られず、例えば、ポリイミド樹脂等を採用してもよい。第１接着樹脂シート２１に用いる絶縁樹脂と、第２接着樹脂シート２２に用いる絶縁樹脂は同種であってもよいし、異種であってもよい。
【００２６】
次に、接着樹脂シート２０には、接着樹脂シート２０を厚さ方向に貫通する貫通孔であるビアホールが形成される。接着樹脂シート２０は、別体としての第１接着樹脂シート２１および第２接着樹脂シート２２が積層されることで形成される。第１接着樹脂シート２１には第１ビアホール２１ａが形成され、第２接着樹脂シート２２には第２ビアホール２２ａが形成される。本実施形態では、第１ビアホール２１ａおよび第２ビアホール２２ａの平断面形状を円形としているが、これには限定されず、他の形状を採用してもよい。なお、本明細書内において「平断面」とは、積層回路基板１の平面方向（面広がり方向）に沿う方向の断面を指す。
【００２７】
第１ビアホール２１ａおよび第２ビアホール２２ａを形成する孔開け手法としては、例えばレーザによるアブレーション加工、ドリルによる切削加工、パンチング金型による打ち抜き加工等を適宜採用することができる。また、レーザの種類としては、例えばＵＶ−ＹＡＧレーザ、炭酸ガスレーザ、エキシマレーザ等を挙げることができる。
【００２８】
図３に示すように、接着樹脂シート２０は、第１接着樹脂シート２１および第２接着樹脂シート２２が、これらの順に第１基板１１の上に配置される。具体的には、まず、第１
接着樹脂シート２１が第１基板１１の上に位置決めされた上で仮付けされ、更に第１接着樹脂シート２１の上に第２接着樹脂シート２２が位置決めされた上で貼り合される。接着樹脂シート２０が第１基板１１上に配置された際に、第１ビアホール２１ａ、第２ビアホール２２ａ、および第１基板１１の導体パッド１０３が同心状に配置されるように各ビアホール２１ａ，２２ａの形成位置が調節される。
【００２９】
第１基板１１および第２基板１２の各貼り合わせ面１１１，１２１に挟まれた状態における接着樹脂シート２０の平面領域のうち、上述の導体高密度領域に対応する領域を「第一領域Ａｒｆ」と定義する。一方、接着樹脂シート２０の平面領域における第一領域Ａｒｆ以外の領域、つまり導体低密度領域に対応する領域を「第二領域Ａｒｓ」と定義する。なお、上述の「導体高密度領域Ｈｃｐ（導体低密度領域Ｌｃｐ）に対応する」とは、接着樹脂シート２０が各貼り合わせ面１１１，１２１の間に挟まれた際に、導体高密度領域Ｈｃｐ（導体低密度領域Ｌｃｐ）と上下方向に重なる状態を指す。
【００３０】
次に、第１接着樹脂シート２１に形成する第１ビアホール２１ａの開口径（以下、「第１ビア径」という。）と、第２接着樹脂シート２２における第２ビアホール２２ａの開口径（以下、「第２ビア径」という。）について説明する。まず、第２ビア径は、第２接着樹脂シート２２における第一領域Ａｒｆおよび第二領域Ａｒｓの何れにおいても所定の第１設定値Ｒｖ１に設定される。この第１設定値Ｒｖ１は、積層回路基板１に形成されるビア１４の直径に対する設計値である。ここでは便宜上、何れの箇所に形成されるビア１４においてもビア径の設計値は等しいものとする。そのため、第２接着樹脂シート２２では、全ての第２ビアホール２２ａに関して第２ビア径が同一となる。第１設定値Ｒｖ１は、例えば０．１５ｍｍ程度であるが、これに限らず、他の値であってもよい。また、第２接着樹脂シート２２における平面的な位置に応じて、第１設定値Ｒｖ１の数値を変更してもよい。
【００３１】
次に、第１ビアホール２１ａの第１ビア径について説明する。第１接着樹脂シート２１への第１ビアホール２１ａの孔開け加工は、第１ビアホール２１ａの位置が第一領域Ａｒｆと第二領域Ａｒｓの何れに属するかによって第１ビア径が相違する。例えば、接着樹脂シート２０の第二領域Ａｒｓでは、第１ビア径が上述した第１設定値Ｒｖ１に設定される。したがって、第１接着樹脂シート２１の第二領域Ａｒｓには、第１ビアホール２１ａと第２ビアホール２２ａが同径の貫通孔として形成される。一方、第１接着樹脂シート２１の第一領域Ａｒｆでは、第１ビア径が、第１設定値Ｒｖ１よりも大きな第２設定値Ｒｖ２に設定される。その結果、第１接着樹脂シート２１（下層シート部）の第一領域Ａｒｆには、第２接着樹脂シート２２（上層シート部）の第２ビアホール２２ａ（第２貫通孔）に比べてビア径が大きな第１ビアホール２１ａ（第１貫通孔）が形成される。言い換えると、第１接着樹脂シート２１（下層シート部）は、第一領域Ａｒｆに、第２設定値Ｒｖ２（第１の断面積）を有する複数の第１ビアホール２１ａ（第１貫通孔）を有する。そして、第２接着樹脂シート２２（上層シート部）は、第一領域Ａｒｆに、第２設定値Ｒｖ２よりも小さな第１設定値Ｒｖ１（第２の断面積）を有する複数の第２ビアホール２２ａ（第２貫通孔）を有する。第２設定値Ｒｖ２は、例えば０．３０ｍｍ程度であるが、これに限らず、他の値であってもよい。
【００３２】
以上より、接着樹脂シート２０には、一の面（第１接着樹脂シート２１の下面）の開口面積が、他の面（第２接着樹脂シート２２の上面）の開口面積よりも大きい複数の異形ビアホールが第一領域Ａｒｆに形成される。ここでいう異形ビアホールとは、第２ビアホール２２ａと、この第２ビアホール２２ａよりもビア径の大きな第１ビアホール２１ａとを含んで形成されている。第１ビアホール２１ａは第１貫通孔の一例であり、第２ビアホール２２ａは第２貫通孔の一例である。また、第１接着樹脂シート２１は下層シート部の一例であり、第２接着樹脂シート２２は上層シート部の一例である。
【００３３】
次に、第１接着樹脂シート２１および第２接着樹脂シート２２が、順次、第１基板１１の上に配置される（図３を参照）。その際、第１接着樹脂シート２１の第１ビアホール２１ａと、第２接着樹脂シート２２の第２ビアホール２２ａとにおける中心同士が上下に重なるように、第１接着樹脂シート２１および第２接着樹脂シート２２が重ねて配置される。これによって、接着樹脂シート２０全体で考えると、その第一領域Ａｒｆにおいては、ビア径の相対的な大きな面が、第１基板の貼り合わせ面１１１に向けて配置される。そして、第２接着樹脂シート２２に設けられた第２ビアホール２２ａの上端には、導電性ペーストＰの投入口２２ｄが形成されており、この投入口２２ｄからビアホール２１ａ，２２ａに導電性ペーストＰが充填される（図４を参照）。本実施形態においては、スキージ（図示省略）を用いたスクリーン印刷法を採用して導電性ペーストＰを充填するが、これには限定されない。また、導電性ペーストＰの充填時に第２接着樹脂シート２２表面の汚れを防止するため、第２接着樹脂シート２２の上面には例えばシリコーン系等の剥離剤を塗布したＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムが貼り付けられている。このＰＥＴフィルムは、導電性ペーストＰの充填が終了した後に剥離されるとよい。
【００３４】
導電性ペーストＰは、金属粒子（導電性フィラー）およびこの金属粒子が分散する液状のバインダー樹脂を含む。実施形態１では、金属粒子として銅粉末を用いているが、これには限定されない。例えば、金属粒子としては、銅の他、金、銀、パラジウム、ニッケル、錫、鉛等を用いてもよいし、二種以上の金属粒子を併用してもよい。バインダー樹脂としては、例えばエポキシ樹脂等といった熱硬化性樹脂が用いられる。但し、バインダー樹脂はこれに限られず、例えばポリイミド樹脂等、他の樹脂であってもよい。導電性ペーストＰは、液状のバインダー樹脂および金属粒子を混練することで得られる。導電性ペーストＰは、バインダー樹脂および金属粒子の他、例えばフラックス等を含むことができる。
【００３５】
ところで、導電性ペーストＰはある程度の粘度を有するため、例えばスキージのスキージング動作に伴い、一の投入口２２ｄから充填される導電性ペーストＰの充填量は、投入口２２ｄ（第２ビアホール２２ａ）の平断面積に依存する。
【００３６】
接着樹脂シート２０の第二領域Ａｒｓでは、第１ビアホール２１ａの第１ビア径が、第２ビアホール２２ａの第２ビア径と等しい。そのため、図４に示すように、第二領域Ａｒｓでは、一組のビアホール２１ａ，２２ａ（以下、これらを総称する場合には単に「ビアホール２０ａ」ともいう。）の内部空間は導電性ペーストＰによって満たされる。
【００３７】
一方、接着樹脂シート２０の第一領域Ａｒｆでは、第１ビアホール２１ａの第１ビア径が、第２ビアホール２２ａの第２ビア径に比べて大きい。よって、第１接着樹脂シート２１に形成された第１ビアホール２１ａのうち、第２接着樹脂シート２２の第２ビアホール２２ａに形成される投入口２２ｄと上下に重ならない部分に、導電性ペーストＰが充填されない空間２１ｄが形成される。この空間２１ｄは、投入口２２ｄから導電性ペーストＰが投入された際に、その導電性ペーストＰが充填されないことで形成される空間であり、以下「空洞部」と称する。空洞部２１ｄは、後述するように、熱プレス処理時に軟化する接着樹脂シート２０の絶縁樹脂を移動させる（逃がす）ための空間として機能する。空洞部２１ｄは、接着樹脂シート２０における平面領域のうちの第一領域Ａｒｆに設けられ、第二領域Ａｒｓには設けられない。
【００３８】
ビアホール２０ａへの導電性ペーストＰの充填が終了すると、図５に示すように、接着樹脂シート２０（具体的には、上層の第２接着樹脂シート２２）の上に第２基板１２が位置合わせされた上で配置される。その際、第２基板１２の貼り合わせ面１２１に形成された導体パッド１０３が、第２接着樹脂シート２２の第２ビアホール２２ａと上下に重なるように（例えば、同心状となるように）、第２基板１２の位置合わせがなされる。
【００３９】
次いで、接着樹脂シート２０を第１基板１１および第２基板１２に挟んだ状態で加熱下にて積層方向にプレスする熱プレス（以下、「熱プレス処理」ともいう。）を行う。この熱プレス処理は、図示しない公知の熱プレス機（例えば、真空プレス装置）を用いて行うことができる。熱プレス処理に際しての加熱温度や圧力は適宜、例えば接着樹脂シート２０の特性等を考慮して決定される。
【００４０】
熱プレス処理が開始されると、第１基板１１、接着樹脂シート２０、および第２基板１２を有する積層体が加熱される。その結果、まず、第２接着樹脂シート２２を形成する熱硬化性の絶縁樹脂、および第１接着樹脂シート２１の基材に含浸される熱硬化性の絶縁樹脂が溶解することで軟化する。軟化によって粘度が低下した接着樹脂シート２０に係る絶縁樹脂は、その周囲に存在する隙間空間へと流れ込む（図６を参照）。本実施形態では、熱プレス処理に際して、導電性ペーストＰのバインダー樹脂が接着樹脂シート２０に含まれる熱硬化性の絶縁樹脂よりも遅れて軟化するように、双方における絶縁樹脂の粘度および温度の関係を示す動的硬化特性が調整されている。
【００４１】
図５の符号Ｓ（Ｓ１，Ｓ２）は、貼り合わせ面１１１，１２１の導体パッド１０３同士の間、導体パッド１０３と配線パターン１０２の間に形成された空間、或いは配線パターン１０２同士の間に形成された空間を包括する「導体間隙部」を表す。貼り合わせ面１１１，１２１の導体高密度領域Ｈｃｐに設けられる導体間隙部を「Ｓ１」で表し、導体低密度領域Ｌｃｐに設けられる導体間隙部を「Ｓ２」で表す。
【００４２】
熱プレス処理によって接着樹脂シート２０が軟化した際、導体間隙部Ｓ１，Ｓ２に熱硬化性樹脂が流れ込むためのスペースが充分であれば、接着樹脂シート２０が潰れやすく、その潰れ量が確保される。これに伴い、接着樹脂シート２０のビアホール２０ａに充填された導電性ペーストＰが充分に加圧されるため、金属粒子同士の凝集性が向上してこれらが良好に結合する。その後、導電性ペーストＰのバインダー成分である熱硬化性の絶縁樹脂および接着樹脂シート２０を形成する熱硬化性の絶縁樹脂が硬化して一体化し、絶縁層１３を形成する。このようにして、ビアホール２０ａおよびその内部において互いに凝集、結合した導電性ペーストＰの金属粒子は、硬化したバインダー成分とともにビア１４を形成する。
【００４３】
図５に示す導体間隙部Ｓ１およびＳ２の容積を対比すると、導体低密度領域に形成される導体間隙部Ｓ２に比べて導体高密度領域Ｈｃｐに形成される導体間隙部Ｓ１の方が小さい。これに起因して、導体高密度領域Ｈｃｐにおいては、熱プレス処理時に溶解して軟化した接着樹脂シート２０の絶縁樹脂を移動させる（逃がす）隙間空間の容積が不足し、接着樹脂シート２０を充分に潰すことが難しくなる。その結果、導電性ペーストＰに上下から与えられる加圧力が減少してしまい、導電性ペーストＰに含まれる金属粒子同士の凝集不足、結合不足が起こり易くなる。
【００４４】
これに対して本実施形態に係る積層回路基板１によれば、接着樹脂シート２０の第一領域Ａｒｆにおいて第１ビア径を第２ビア径より大きくすることで、熱プレス処理を開始する前に予め導電性ペーストＰの周囲に空洞部２１ｄを形成することができる。そのため、熱プレス処理を行うことで軟化した第一領域Ａｒｆにおける接着樹脂シート２０の絶縁樹脂は、導体間隙部Ｓ１と空洞部２１ｄの双方に充填される（図６を参照）。これによって、導体間隙部Ｓ１だけでは不足なりがちな、軟化した絶縁樹脂を流し込むための隙間空間を、接着樹脂シート２０の第一領域Ａｒｆに形成される空洞部２１ｄによって補うことができる。
【００４５】
その結果、貼り合わせ面１１１，１２１に形成される導体パッド１０３および配線パタ
ーン１０２等の導体部分が高密度となっても、熱プレス処理時での接着樹脂シート２０が潰れやすくなる。よって、導電性ペーストＰに含まれる金属粒子が加圧され易くなり、金属粒子同士の凝集性が高まる。その結果、金属粒子同士が良好に結合するため、導体高密度領域Ｈｃｐに形成されるビア１４がオープン不良となることを抑制できる。そして、導体高密度領域Ｈｃｐにおけるビア１４のオープン不良を抑制できるが故に、一箇所のビア１４当たりに供給する導電性ペーストＰの供給量を過剰に増やす必要が無い。そのため、積層回路基板１の製造コストを低減でき、しかも導体低密度領域Ｌｃｐに対する導電性ペーストＰの供給過多を回避できる。したがって、導体低密度領域Ｌｃｐにおいては、ビアホールに供給された導電性ペーストＰが他の隣接するビアホールに流れ出すことがなく、それに起因するビア１４のショート不良も抑制できる。
【００４６】
また、積層回路基板１によれば、基板平面方向に導体面積率の高い領域と低い領域が混在してもビア１４の接続不良を防ぐことができるため、積層回路基板１の歩留まりが高まり、積層回路基板１の生産性の向上に寄与することができる。よって、積層回路基板１の製造コストの低減を図ることができる。
【００４７】
以上述べた積層回路基板１の製造方法につき、例えば積層回路基板１に関するＣＡＤ（Computer Aided Design）設計データを利用して導体面積率Ｒｃｐを求めることができる
。例えば、図７に示すように、第１基板１１（第２基板１２）の貼り合わせ面１１１（１２１）の平面領域を複数の区分領域Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４，・・・に区分し、その区分領域毎に導体面積率Ｒｃｐを夫々算出してもよい。例えば、区分領域Ｄ１においては、当該区分領域Ｄ１に形成される導体パッド１０３および配線パターン１０２の面積の和を、区分領域Ｄ１の面積で除すことで導体面積率Ｒｃｐが算出される。図中では、区分領域Ｄ１〜Ｄ４に基板平面領域を区分したが、その区分数は特に限定されない。また、図中では、配線パターン１０２の図示を省略している。
【００４８】
このようにして、積層回路基板１の平面領域を複数の区分領域に分け、この区分領域毎に、第１基板１１における貼り合わせ面１１１および第２基板１２における貼り合わせ面１２１の夫々について導体面積率Ｒｃｐを算出する。例えば、貼り合わせ面１１１および１２１の少なくとも何れかにおいて導体面積率Ｒｃｐが基準比率Ｒｃｐｂ以上となる区分領域を導体高密度領域とし、そうでない区分領域を導体低密度領域として判別してもよい。
【００４９】
基準比率Ｒｃｐｂは、熱プレス時における接着樹脂シート２０の潰れ量が不足して、導電性ペーストＰに含まれる金属粒子同士の結合不良が発生する確率が高くなると判断される導体面積率Ｒｃｐの閾値であり、本実施形態では７０％に設定している。そして、接着樹脂シート２０における平面領域のうち、貼り合わせ面１１１又１２１における導体面積率Ｒｃｐが７０％以上となる区分領域については、それに対応する第一領域Ａｒｆにおける少なくとも何れかの部位に空洞部２１ｄを形成する。これにより、積層回路基板１において、ビア１４の接続不良を抑制することができる。なお、本実施形態において基準比率Ｒｃｐｂの具体的数値は必ずしも７０％に限定されず、適宜変更することができる。
【００５０】
本実施形態においては、接着樹脂シート２０の導体面積率Ｒｃｐの値に応じて、接着樹脂シート２０の第一領域Ａｒｆに形成される第１ビアホール２１ａの第１ビア径（一の面の開口面積）と、第２ビアホール２２ａの第２ビア径（他の面の開口面積）との比を変えるようにした。より詳しくは、接着樹脂シート２０の導体面積率Ｒｃｐが高い領域ほど、異形ビアホールを形成する第１ビアホール２１ａの第１ビア径と第２ビアホール２２ａの第２ビア径との差を大きくする。これにより、導体高密度領域Ｈｃｐにおける導体面積率Ｒｃｐが高いほど、接着樹脂シート２０の第一領域Ａｒｆに形成される空洞部２１ｄの総容積をより多く確保することができる。接着樹脂シート２０の第一領域Ａｒｆに形成され
る空洞部２１ｄの総容積を増やすことで、導体高密度領域Ｈｃｐにおけるビア１４の接続不良を好適に抑止できる。
【００５１】
本実施形態では、第１接着樹脂シート２１（下層シート部）の厚さが第２接着樹脂シート２２（上層シート部）の厚さに比べて厚く設定されており、これら各接着樹脂シート２１，２２が積層されて接着樹脂シート２０が形成されている。そのため、接着樹脂シート２０の厚さ全体に対して第２接着樹脂シート２２の厚さが占める比率よりも、第１接着樹脂シート２１の厚さが占める比率が高くなる。第一領域Ａｒｆにおいて、接着樹脂シート２０の厚さ全体に対して第１接着樹脂シート２１の厚さが占める比率を高くすることで、空洞部２１ｄの容積を増やすことができるので、導体高密度領域Ｈｃｐにおけるビア１４の接続不良の抑制に有利である。
【００５２】
なお、実施形態１では、接着樹脂シート２０の第一領域Ａｒｆにおいて第１ビア径を第２ビア径より大きくすることで空洞部２１ｄを形成するようにしたが、接着樹脂シート２０のビアホールの形成とは別工程として空洞部２１ｄを形成してもよい。
【００５３】
（積層後における積層回路基板）
実施形態１に係る製造方法により製造された積層回路基板１の構造的な特徴について述べる。絶縁層１３は、半硬化状の接着樹脂シート２０が熱プレス処理によって硬化することで形成され、ビアホール２０ａに充填された導電性ペーストＰが硬化してビア１４が形成される。図８は、実施形態１に係る積層回路基板１においてビア１４の周辺構造を模式的に示す図である。図示の状態は、熱プレス処理が終了した後の状態を示す。図中左側は、絶縁層１３の第一領域Ａｒｆに属するビア１４（図中、１４Ａにて表す。）を示し、右側は第二領域Ａｒｓに属するビア１４（図中、１４Ｂにて表す。）を示す。
【００５４】
上述のように、積層回路基板１の製造方法では、貼り合わせ面１１１，１２１に係る導体低密度領域Ｌｃｐに対応する第二領域Ａｒｓに対しては空洞部２１ｄが形成されない。よって、絶縁層１３の第二領域Ａｒｓは、ビアを横断する高さにおけるビア横断面Ｓｃにおいて、ビア１４Ｂが形成される領域と、接着樹脂シート２０Ｃのガラス繊維クロスＧＣと硬化した絶縁樹脂ＲＥが一体化した領域とに区画される。図示の例では、接着樹脂シート２０のビアホール２０ａ（２１ａ，２２ａ）の壁面を境として、内側に形成されるビア１４Ｂの領域と、外側に形成される接着樹脂シート２０のガラス繊維クロスＧＣと硬化した絶縁樹脂ＲＥが一体化した領域とが画定される。図中の符号ＲＥ´は、熱プレス処理において接着樹脂シート２０から導体間隙部Ｓへと移動した後、硬化した絶縁樹脂を指す。
【００５５】
一方、接着樹脂シート２０における第一領域Ａｒｆでは、その一部に空洞部２１ｄ（図６を参照）が形成される。熱プレス処理の際に軟化する接着樹脂シート２０の絶縁樹脂は、その一部が空洞部２１ｄに移動した後（流れ込んだ後）に硬化する。空洞部２１ｄには、接着樹脂シート２０の基材であるガラス繊維クロスＧＣが存在しないため、ビア１４の外周部（周囲）に隣接してガラス繊維クロスＧＣを含まず且つ硬化した絶縁樹脂のみが存在する部分（以下、「樹脂単独存在部」という）ＲＥ´´が形成される。更に、この樹脂単独存在部ＲＥ´´の外周部に隣接して、ガラス繊維クロスＧＣおよび硬化した絶縁樹脂が一体化した領域が形成される。言い換えると、樹脂単独存在部ＲＥ´´は、第２ビアホール２２ａの壁面を境として内側に形成されるビア１４と、第１ビアホール２１ａの壁面を境として外側に形成されるガラス繊維クロスＧＣとの間に挟まれた領域に形成される。
【００５６】
以上より、熱プレス処理が開始される時点で空洞部２１ｄが形成されていた部分は、熱プレス処理を経て、接着樹脂シート２０のガラス繊維クロスＧＣが存在せずに且つ硬化した絶縁樹脂が存在する樹脂単独存在部ＲＥ´´を形成する。よって、絶縁層１３の第一領域Ａｒｆの一部に形成される硬化樹脂部ＲＥ´´は、熱プレス処理前に接着樹脂シート２
０に空洞部２１ｄが存在していたこと、即ち、本製造方法にて積層回路基板１が製造されたことを裏付ける証拠となり得る。
【００５７】
＜実施形態２＞
次に、実施形態２について説明する。図９Ａおよび図９Ｂは、実施形態２に係る接着樹脂シート２０Ａを説明するための説明図である。接着樹脂シート２０Ａは、ガラス繊維クロス等といった基材にエポキシ樹脂等の熱硬化性の絶縁樹脂を含浸させた半硬化状（Ｂステージ）のプリプレグである。図９Ａにおいて、左側に接着樹脂シート２０Ａの第一領域Ａｒｆに形成されたビアホール２０１を示し、右側に第二領域Ａｒｓに形成されたビアホール２０２を示す。両図に示す接着樹脂シート２０Ａは、第１基板１１の上に配置された状態を示す。図９Ａは、接着樹脂シート２０Ａのビアホール２０１，２０２に導電性ペーストＰを充填する前の状態を示し、図９Ｂは、同ビアホール２０１，２０２に導電性ペーストＰを充填した後の状態を示す。
【００５８】
まず、接着樹脂シート２０Ａの第二領域Ａｒｓについて説明する。第二領域Ａｒｓに形成されたビアホール２０２は、接着樹脂シート２０Ａを厚さ方向に貫通する貫通孔である。ビアホール２０２における平断面積は、接着樹脂シート２０Ａの厚さ方向に一定である。図示の例では、ビアホール２０２の平断面形状を円形としているが、これには限定されず、他の形状を採用してもよい。ビアホール２０２の直径（ビア径）は、例えば、実施形態１におけるビアホール２０２のビア径と同様に、第１設定値Ｒｖ１に設定してもよい。
【００５９】
接着樹脂シート２０Ａの第一領域Ａｒｆには、ビアホール２０１におけるビア径が互いに相違する、下層シート部２０３および上層シート部２０４が接着樹脂シート２０Ａの厚さ方向に並んで形成されている。接着樹脂シート２０Ａが第１基板１１の上に配置された状態で、下層シート部２０３は、接着樹脂シート２０Ａの下層部分を形成し、上層シート部２０４は接着樹脂シート２０Ａの上層部分を形成する。図示のように、接着樹脂シート２０Ａは、第１基板１１に向かって配置される方の面の開口面積が他方の開口面積よりも大きな異形ビアホールを有する。
【００６０】
ビアホール２０２の平断面形状は、上層シート部２０４に形成される部分（以下、「上層ビアホール部」という。）と、下層シート部２０３に形成される部分（以下、「下層ビアホール部」という。）とで同心状且つ直径の異なる円形をなしている。上層ビアホール部および下層ビアホール部は、双方の境界部分でビア径に段差が設けられており、上層ビアホール部よりも下層ビアホール部のビア径が大きい。例えば、ビアホール２０１の上層ビアホール部はビアホール２０２と同様にビア径が第１設定値Ｒｖ１に設定され、下層ビアホール部のビア径は上述した第２設定値Ｒｖ２に設定されてもよい。
【００６１】
第二領域Ａｒｓにおけるビアホール２０２の孔開け手法については、実施形態１と同様に例えばレーザ、ドリル、打ち抜き加工の手法を適宜選択するとよい。第一領域Ａｒｆにおけるビアホール２０１では、互いにビア径の異なる下層ビアホール部および上層ビアホール部を同心状に形成するため、レーザを用いると孔開け加工が容易となるので好ましい。
【００６２】
図９Ｂに示すように、接着樹脂シート２０Ａの第二領域Ａｒｓでは、ビアホール２０２のビア径が厚さ方向に一定である。そのため、ビアホール２０２の開口端から導電性ペーストＰを例えばスクリーン印刷法によって供給した際に、ビアホール２０２の全体に導電性ペーストＰが充填される結果、空洞部が形成されない。一方、接着樹脂シート２０Ａの第一領域Ａｒｆでは、下層ビアホール部のビア径が、上層ビアホール部のビア径よりも大きい。したがって、下層ビアホール部のうち上層ビアホール部の開口端に形成される投入口２０５と上下に重ならない部分に、導電性ペーストＰが充填されない空洞部２０６が形
成される。これにより、熱プレス処理の際に、積層回路基板１の導体高密度領域Ｈｃｐにおいても、接着樹脂シート２０Ａに係る絶縁樹脂が空洞部２０６に充填されるので、接着樹脂シート２０Ａが厚さ方向に潰れ易い。これにより、熱プレス処理に際して、導電性ペーストＰに含まれる金属粒子同士を良好に結合させることができ、ビア１４の接続不良を抑制できる。
【００６３】
次に、図１０Ａおよび図１０Ｂを参照して、接着樹脂シートの変形例について説明する。図１０Ａ，１０Ｂに示す接着樹脂シート２０Ｂは、第一領域Ａｒｆに形成されるビアホール２１０の形状が図９Ａ，９Ｂに示すものと相違する。第二領域Ａｒｓに形成されるビアホール２０２は接着樹脂シート２０Ａと共通であり、その詳しい説明を割愛する。図１０Ａ，１０Ｂに示す接着樹脂シート２０Ｂは、第１基板１１の上に配置されている。図１０Ａは、接着樹脂シート２０Ｂのビアホールに導電性ペーストＰを充填する前の状態を示し、図１０Ｂは、同ビアホールに導電性ペーストＰを充填した後の状態を示す。
【００６４】
接着樹脂シート２０Ｂの第一領域Ａｒｆに形成されたビアホール２１０は、接着樹脂シート２０Ｂが第１基板１１の上に配置された状態で、第１基板１１と面する接着樹脂シート２０Ｂの下面（一の面）から上面（他の面）に向かってビア径が徐々に狭まるテーパ形状を有する。図中、破線で示す仮想線によって、接着樹脂シート２０Ｂの下層を形成する下層シート部２０３と、上層を形成する上層シート部２０４とが画定される。
【００６５】
接着樹脂シート２０Ｂの第一領域Ａｒｆでは、図示のようにビアホール２１０をテーパ形状としても、上層シート部２０４に係る上層ビアホール部に比べて下層シート部２０３に係る下層ビアホール部のビア径を大きくすることができる。その結果、接着樹脂シート２０Ａの場合と同様に、下層ビアホール部のうち上層ビアホール部の開口端に形成される投入口２０５と上下に重ならない部分に空洞部２０６が形成される。これにより、熱プレス処理の際に、積層回路基板１の導体高密度領域においても導電性ペーストＰに含まれる金属粒子同士を良好に結合させることができ、ビア１４の電気的な接続不良を抑制できる。
【００６６】
以上のように、積層回路基板１に適用する接着樹脂シートは、実施形態１のように夫々別体としての第１接着樹脂シート２１および第２接着樹脂シート２２を積層せずに、一体的に成形してもよい。但し、実施形態１に係る接着樹脂シート２０によれば、第１接着樹脂シート２１および第２接着樹脂シート２２の夫々に貫通孔を形成するだけで足りるので、孔開け加工の容易性、加工精度の向上という観点から優れている。
【００６７】
＜実施形態３＞
次に、実施形態３について説明する。実施形態３では、絶縁層１３を形成する接着樹脂シートに形成する空洞部２０６を、互いに隣接するビアホール同士の間に双方のビアホールから離間した状態で設けられる貫通孔として形成する。
【００６８】
図１１は、実施形態３に係る接着樹脂シート２０Ｃの上面の一部を示す図である。図１１に示す例では、接着樹脂シート２０Ｃの左側が第一領域Ａｒｆに該当し、右側が第二領域Ａｒｓに該当する。接着樹脂シート２０Ｃは、実施形態２に係る接着樹脂シート２０Ａ，２０Ｂと同様、ガラス繊維クロス等といった基材にエポキシ樹脂等の熱硬化性の絶縁樹脂を含浸させた半硬化状（Ｂステージ）のプリプレグである。図１２は、接着樹脂シート２０Ｃの上に第２基板１２を配置した状態を示す図である。図１２の例において、図中左側の領域（導体高密度領域Ｈｃｐ）は、右側の領域（導体低密度領域Ｌｃｐ）に比べて導体パッド１０３のパッドサイズが大きい。図１１に示す接着樹脂シート２０Ｃのうち、第一領域Ａｒｆの部分が図１２に示す導体高密度領域Ｈｃｐに配置され、第二領域Ａｒｓの部分が導体低密度領域Ｌｃｐに配置される。
【００６９】
図１１に示すように、接着樹脂シート２０Ｃには、導電性ペーストＰを充填するためのビアホール２２０（図中、実線円にて示す）が、接着樹脂シート２０Ｃを厚さ方向に貫通して形成される。ビアホール２２０は、例えばビア径が第１設定値Ｒｖ１に設定されており、接着樹脂シート２０Ｃの厚さ方向にビア径が一定となっている。接着樹脂シート２０Ｃでは、その第一領域Ａｒｆに空洞部２０６（図中、破線円にて示す）が、ビアホール２２０と独立して設けられている。
【００７０】
空洞部２０６は、ビアホール２２０と同様、接着樹脂シート２０Ｃを厚さ方向に貫通する貫通孔であり、導電性ペーストＰは充填されない。図１１に示す例では、空洞部２０６は、互いに隣接するビアホール２２０に離間した状態（連通せずに独立した状態）で、当該隣接するビアホール２２０同士の間に形成される。但し、空洞部２０６の配置例は、図示のものに限られず、例えば、接着樹脂シート２０Ｃにおける第一領域Ａｒｆの少なくとも何れかの部位に設ければよい。また、ビアホール２２０の平面的な形成パターンに関しても、図１１に示すパターンに限定されるものではない。また、図１１に示す例では、空洞部２０６に係る貫通孔はビアホール２２０のビア径に比べて小さいが、これに限られず、当該ビア径と同等、或いはビア径よりも大きくてもよい。
【００７１】
接着樹脂シート２０Ｃに対して空洞部２０６に係る貫通孔を形成するタイミングは、ビアホール２２０を形成する工程と同時に実施されてもよいし、別工程として行われてもよい。ビアホール２２０に導電性ペーストＰを充填する前に空洞部２０６に係る貫通孔を形成する場合、例えば空洞部２０６の開口端を一時的にＰＥＴフィルム等によって塞いで、空洞部２０６に導電性ペーストＰが充填されることを防止するとよい。或いは、導電性ペーストＰが空洞部２０６に充填されないように、例えば図示しないノズル等によって導電性ペーストＰを吐出させることでビアホール２２０に導電性ペーストＰを充填してもよい。
【００７２】
また、ビアホール２２０に導電性ペーストＰを充填した後、接着樹脂シート２０Ｃに空洞部２０６を形成してもよい。例えば、まず、ビアホール２２０が形成された接着樹脂シート２０Ｃを第１基板１１の上に配置し、ビアホール２２０に導電性ペーストＰを充填する。その後、ビアホール２２０に導電性ペーストＰが充填された状態の接着樹脂シート２０Ｃに対して、空洞部２０６に係る貫通孔を例えばレーザ等によって形成してもよい。
【００７３】
次に、図１２に示すように、接着樹脂シート２０Ｃを第１基板１１および第２基板１２の間に挟んだ状態で熱プレス処理が行われる。熱プレス処理が開始されると、接着樹脂シート２０Ｃの第一領域Ａｒｆに形成された空洞部２０６に対し、軟化した接着樹脂シート２０Ｃの絶縁樹脂が移動する。よって、熱プレス処理時において軟化する接着樹脂シート２０Ｃの絶縁樹脂を移動させるための空間が充分に確保される。これにより、積層回路基板１の導体高密度領域Ｈｃｐにおいても、熱プレス処理の際に、接着樹脂シート２０Ｃを厚さ方向に潰し易く、その潰し量を充分に確保できる。したがって、導電性ペーストＰに含まれる金属粒子同士の結合性が高まり、ビア１４の接続不良を抑制できる。
【００７４】
（積層後における積層回路基板）
次に、実施形態３に係る製造方法により製造された積層回路基板１の構造的な特徴について述べる。実施形態３に係る積層回路基板１の製造方法では、空洞部２０６をビアホール２２０と独立した空間として設けるようにした。そのため、熱プレス処理の実施後に形成される硬化樹脂部ＲＥ´´の平面的な位置が実施形態１と相違する。
【００７５】
図１３は、実施形態３に係る積層回路基板１においてビア１４の周辺構造を模式的に示す図である。図示の積層回路基板１は、熱プレス処理が終了した後の状態を示す。図１３
中左側には、絶縁層１３の第一領域Ａｒｆに属するビア１４（図中、１４Ａにて表す。）を示し、図１３中右側には第二領域Ａｒｓに属するビア１４（図中、１４Ｂにて表す。）を示す。ビア横断面Ｓｃにおいて、絶縁層１３の第二領域Ａｒｓは、ビア１４Ｂが形成される領域と接着樹脂シート２０Ｃのガラス繊維クロスＧＣと硬化した絶縁樹脂ＲＥが一体化した領域とに区画される。図示の例では、接着樹脂シート２０のビアホール２２０の壁面を境として、内側に形成されるビア１４Ｂの領域と、外側に形成される接着樹脂シート２０Ｃのガラス繊維クロスＧＣと硬化した絶縁樹脂ＲＥが一体化した領域と、が画定される。
【００７６】
一方、絶縁層１３の第一領域Ａｒｆでは、熱プレス処理が開始される時点で空洞部２０６（図１２を参照）が形成されていた部位に、熱プレス処理の際に軟化した接着樹脂シート２０Ｃに係る熱硬化性の絶縁樹脂の一部が移動してから（流れ込んでから）硬化する。したがって、熱プレス処理が開始される時点で空洞部２０６が形成されていた部分は、熱プレス処理を経て、接着樹脂シート２０Ｃのガラス繊維クロスＧＣが存在せずに且つ硬化した絶縁樹脂が存在する樹脂単独存在部ＲＥ´´を形成する。図示の例では、樹脂単独存在部ＲＥ´´が、互いに隣接するビア１４Ａ同士の間に双方のビアから離間した状態で独立して形成される。以上述べた積層回路基板１に関する構造上の特徴は、積層回路基板１が実施形態３に係る製造方法によって製造されたことを裏付ける特徴となる。
【００７７】
＜実施形態４＞
次に、実施形態４について説明する。実施形態４では、接着樹脂シートに形成されたビアホールとマスク部材の開口との開口径の差を利用して、熱プレス処理時に軟化する接着樹脂シートに係る絶縁樹脂を移動させる（逃がす）ための空洞部を接着樹脂シートに形成する。
【００７８】
図１４は、第１基板１１の上に接着樹脂シート２０Ｄを配置した状態を示す図である。図１５は、接着樹脂シート２０Ｄの上にマスク部材３１を配置した状態を示す図である。図１６は、接着樹脂シート２０Ｄのビアホールに導電性ペーストＰを充填する状態を示す図である。図１７は、マスク部材３１を取り外した状態を示す図である。図１８は、接着樹脂シート２０Ｄの上に第２基板１２を配置した状態を示す図である。図１９は、熱プレス処理の状態を示す図である。
【００７９】
まず、図１４を参照して実施形態４における接着樹脂シート２０Ｄを説明する。接着樹脂シート２０Ｄは、例えば接着樹脂シート２０Ｃと同様、ガラス繊維クロス等といった基材にエポキシ樹脂等の熱硬化性の絶縁樹脂を含浸させた半硬化状（Ｂステージ）のプリプレグである。接着樹脂シート２０Ｄには、導電性ペーストＰを充填するためのビアホール２４０が所定位置に接着樹脂シート２０Ｄを厚さ方向に貫通して形成される。図１４では、図中左側の領域が第一領域Ａｒｆに該当し、図中右側の領域が第二領域Ａｒｓに該当する。接着樹脂シート２０Ｄに形成されるビアホール２４０は、第１基板１１の貼り合わせ面１１１に形成される導体パッド１０３と対応する位置に形成される。
【００８０】
次に、ビアホール２４０のビア径について説明する。ビアホール２４０のうち、接着樹脂シート２０Ｄの第一領域Ａｒｆに形成されるものを第１ビアホール２４０ａ、第二領域Ａｒｓに形成されるものを第２ビアホール２４０ｂとする。例えば、第２ビアホール２４０ｂのビア径は第１設定値Ｒｖ１に設定され、第１ビアホール２４０ａのビア径は第１設定値Ｒｖ１よりも大きな第２設定値Ｒｖ２に設定される。第１設定値Ｒｖ１および第２設定値Ｒｖ２については実施形態１と共通であり、ここでの詳しい説明は割愛する。なお、接着樹脂シート２０Ｄにおけるビアホール２４０（２４０ａ，２４０ｂ）の孔開け加工は、接着樹脂シート２０Ｄを第１基板１１の上に配置する前に行ってもよいし、第１基板１１の上への配置後に行ってもよい。また、図１４に示す例では、接着樹脂シート２０Ｄの
第１ビアホール２４０ａにおける下端と上端との開口面積が等しくなっているが、下端の開口面積が上端の開口面積よりも大きく形成されてもよい。
【００８１】
次いで、第１基板１１の上に配置された接着樹脂シート２０Ｄの上面に図示しないペースト供給装置（印刷装置）のマスク部材３１の下面（裏面）が重ね合わせられる（図１５を参照）。マスク部材３１は、例えばステンレス鋼板から構成されているが、例えばウレタンやプラスチック等、他の材料を用いてもよい。マスク部材３１には、ビアホール２４０を露出させる開口３２がビアホール２４０（２４０ａ，２４０ｂ）の位置に対応するように設けられる。ここでは、ビアホール２４０および開口３２の形状が円形状である場合を例に説明するが、他の形状を採用してもよい。マスク部材３１は、接着樹脂シート２０Ｄの上面に載置された際に、接着樹脂シート２０Ｄの各ビアホール２４０（２４０ａ，２４０ｂ）の中心と開口３２の中心とが一致するように作製されている。
【００８２】
次に、接着樹脂シート２０Ｄのビアホール２４０に対する導電性ペーストＰの充填について説明する。本実施形態における導電性ペーストＰの充填工程では、マスク部材を使用したスキージ法にて導電性ペーストＰをビアホール２４０に供給する。マスク部材３１は、その開口３２が各ビアホール２４０の位置に対応するように位置合わせされた状態で接着樹脂シート２０Ｄの上面に載置されている。ペースト充填装置は、スキージ３３と、このスキージ３３の下端をマスク部材３１の表面に突き当てた状態で、スキージ３３をマスク部材３１の表面に沿って移動可能な可動ユニット（図示省略）を備える。ペースト充填装置は、スキージ３３の表面およびマスク部材３１の表面の間に導電性ペーストＰを供給した状態で、スキージ３３をマスク部材３１の表面に沿って印刷方向に移動させる。その結果、図１６に示すように、導電性ペーストＰがマスク部材３１の表面に沿って運搬され、導電性ペーストＰが開口３２からビアホール２４０へと供給される。
【００８３】
マスク部材３１における開口３２の開口径は、接着樹脂シート２０Ｄの第二領域Ａｒｓに形成される第２ビアホール２４０ｂのビア径と等しい。その結果、第二領域Ａｒｓにおける第２ビアホール２４０ｂの開口面積はマスク部材３１の開口３２の開口面積と等しくなっている。接着樹脂シート２０Ｄの第二領域Ａｒｓでは、第２ビアホール２４０ｂにおける内部空間の全体が導電性ペーストＰによって満たされる結果、空洞部２０６は形成されない。一方、接着樹脂シート２０Ｄの第一領域Ａｒｆに形成される第１ビアホール２４０ａのビア径（開口面積）が、マスク部材３１の開口３２に係る開口径（開口面積）よりも大きい（図１５を参照）。その結果、第１ビアホール２４０ａのうちマスク部材３１の開口３２と上下に重ならない部分には、導電性ペーストＰが充填されない空間、即ち空洞部２０６が形成される（図１６を参照）。
【００８４】
その後、マスク部材３１を接着樹脂シート２０Ｄの上から取り外した後、接着樹脂シート２０Ｄの上に第２基板１２を配置する（図１７、１８を参照）。そして、第１基板１１および第２基板１２の間に接着樹脂シート２０Ｄを挟んだ状態でこれらを加熱加圧することにより熱プレス処理が行われる（図１９を参照）。その際、接着樹脂シート２０Ｄの第一領域Ａｒｆには空洞部２０６が形成されているので、熱プレス処理時に溶解して軟化する接着樹脂シート２０Ｄの絶縁樹脂を移動させるための空間を充分に確保できる。したがって、積層回路基板１の導体高密度領域Ｈｃｐにおいても、導電性ペーストＰに含まれる金属粒子同士が良好に結合され、以ってビア１４の電気的な接続不良を抑止することが可能となる。
【００８５】
＜電子機器＞
上述までの各実施形態に係る製造方法で形成された積層回路基板１は、種々の電子機器に適用されることができる。図２０は、実施形態に係る積層回路基板１を内蔵した電子機器１００の一例を示す図である。図２０に示す電子機器１００は、携帯電話を例として挙
げているが、これに限定されず、パーソナルコンピュータ、サーバー、情報処理端末（ＰＤＡ）、デジタルカメラ等、種々の電子機器に適用することができる。積層回路基板１は、電子機器１００の筐体１０１の内部に収容されている。また、積層回路基板１の表面には、例えば、半導体チップパッケージ等の電子部品が実装されている。
【００８６】
上述のように、積層回路基板１は、例えば実施形態１に係る図８で説明したように、基材を含んだ状態で絶縁樹脂が硬化している絶縁層１３と、絶縁層１３を介して互いに貼り合わせ面同士が接着された第１基板１１および第２基板１２と、ビア１４とを備える。ビア１４は、絶縁層１３内に配置され、第１基板１１の貼り合わせ面に形成された導体パッドと、第２基板１２の貼り合わせ面に形成された導体パッドとの間を電気的に接続する。そして、導体面積率Ｒｃｐが基準比率Ｒｃｐｂ以上となる第一領域Ａｒｆにおける絶縁層１３の一部に、絶縁樹脂のみが硬化した部位が形成されている。このような積層回路基板１によれば、基板平面方向に導体面積率の高い領域と低い領域が混在してもビア１４の接続不良を防ぐことができるため、積層回路基板１を備える電子機器１００の品質上の信頼性を担保することができる。また、ビア１４の接続不良を防ぐことで積層回路基板１の歩留まりが向上する。よって、積層回路基板１を適用する電子機器１００の生産性を高めることができ、電子機器１００の製造コストの低減に寄与することができる。
【００８７】
以上の各実施形態は、可能な限りこれらを組み合わせて実施する事ができる。また、以上の実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）
第１基板と第２基板とが積層された積層回路基板の製造方法であって、
前記第１基板上に、一の面の開口面積が他の面の開口面積よりも大きい複数の異形ビアホールを有する接着樹脂シートを、前記一の面を前記第１基板に向けて配置する第１の配置工程と、
前記異形ビアホールに導電性ペーストを充填する充填工程と、
前記導電性ペーストが充填された後、前記接着樹脂シートの前記他の面上に前記第２基板を配置する第２の配置工程と、
加熱下で、前記第１基板と前記第２基板の積層方向に加圧する熱プレス処理を行う熱プレス工程とを有することを特徴とする積層回路基板の製造方法。
（付記２）
前記接着樹脂シートは、前記一の面の開口面積が前記他の面の開口面積と同じ複数のビアホールを更に有し、
前記接着樹脂シートの導体面積率が所定の基準比率以上となる第一領域にのみ、前記異形ビアホールが形成されることを特徴とする付記１に記載の積層回路基板の製造方法。
（付記３）
前記接着樹脂シートは、下層シート部の上に上層シート部が貼り合わされたシートであり、
前記下層シート部は、前記第一領域に、第１の断面積を有する複数の第１貫通孔を有し、
前記上層シート部は、前記第一領域に、第１の断面積よりも小さな第２の断面積を有する複数の第２貫通孔を有し、
前記異形ビアホールは、前記第１貫通孔と前記第２貫通孔とを含むことを特徴とする付記２に記載の積層回路基板の製造方法。
（付記４）
前記下層シート部の厚さは、前記上層シート部の厚さに比べて厚いことを特徴とする付記３に記載の積層回路基板の製造方法。
（付記５）
前記異形ビアホールは、前記一の面から前記他の面に向かってビア径が徐々に狭まるテーパ形状を有することを特徴とする付記１に記載の積層回路基板の製造方法。
（付記６）
前記接着樹脂シートの導体面積率の値に応じて、前記異形ビアホールにおける前記一の面の開口面積と前記他の面の開口面積との比を変えることを特徴とする付記１に記載の積層回路基板の製造方法。
（付記７）
前記接着樹脂シートの導体面積率が高い領域ほど、前記異形ビアホールにおける前記一の面の開口面積と前記他の面の開口面積との差を大きくすることを特徴とする付記６に記載の積層回路基板の製造方法。
（付記８）
第１基板と第２基板とが積層された積層回路基板の製造方法であって、
前記第１基板上に、複数のビアホールを有する接着樹脂シートを配置する第１の配置工程と、
マスク部材を使用したスキージ法にて前記ビアホールに導電性ペーストを充填する充填工程と、
導電性ペーストが充填された後、前記接着樹脂シート上に前記第２基板を配置する第２の配置工程と、
加熱下で、前記第１基板と前記第２基板の積層方向に加圧する熱プレス処理を行う熱プレス工程とを有し、
前記ビアホールの開口面積は、対応する前記マスク部材の開口面積よりも大きいことを特徴とする積層回路基板の製造方法。
（付記９）
前記接着樹脂シートの導体面積率が所定の基準比率以上となる第一領域においては、前記ビアホールの開口面積が対応する前記マスク部材の開口面積よりも大きく、
前記導体面積率が前記基準比率未満となる第二領域においては、前記ビアホールの開口面積が対応する前記マスク部材の開口面積と等しいことを特徴とする付記８に記載の積層回路基板の製造方法。
（付記１０）
基材を含んだ状態で絶縁樹脂が硬化している絶縁層と、
前記絶縁層を介して互いに貼り合わせ面同士が接着された第１基板および第２基板と、
前記絶縁層内に配置され、前記第１基板の貼り合わせ面に形成された第１の導体パッドと、前記第２基板の貼り合わせ面に形成された第２の導体パッドとの間を電気的に接続するビアとを備え、
導体面積率が所定の基準比率以上となる第一領域の前記絶縁層の一部に、前記絶縁樹脂のみが硬化した部位が形成されていることを特徴とする積層回路基板。
（付記１１）
前記絶縁樹脂のみが硬化した部位は、前記ビアの外周部に隣接して形成されることを特徴とする付記１０に記載の積層回路基板。
（付記１２）
積層回路基板を有する電子機器であって、
前記積層回路基板は、
基材を含んだ状態で絶縁樹脂が硬化している絶縁層と、
前記絶縁層を介して互いに貼り合わせ面同士が接着された第１基板および第２基板と、
前記絶縁層内に配置され、前記第１基板の貼り合わせ面に形成された第１の導体パッドと、前記第２基板の貼り合わせ面に形成された第２の導体パッドとの間を電気的に接続するビアとを備え、
導体面積率が所定の基準比率以上となる第一領域の前記絶縁層の一部に、前記絶縁樹脂のみが硬化した部位が形成されていることを特徴とする電子機器。
【符号の説明】
【００８８】
１  積層回路基板
１１  第１基板
１２  第２基板
１３  絶縁層
１４  ビア
２０  接着樹脂シート
２１  第１接着樹脂シート
２２  第２接着樹脂シート
２１ａ  第１ビアホール
２２ａ  第２ビアホール
１０２  配線パターン
１０３  導体パッド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
0005874343.tif 000006
【図６】
0005874343.tif 000007
【図７】
0005874343.tif 000008
【図８】
0005874343.tif 000009
【図９Ａ】
0005874343.tif 000010
【図９Ｂ】
0005874343.tif 000011
【図１０Ａ】
0005874343.tif 000012
【図１０Ｂ】
0005874343.tif 000013
【図１１】
0005874343.tif 000014
【図１２】
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【図１３】
0005874343.tif 000016
【図１４】
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【図１５】
0005874343.tif 000018
【図１６】
0005874343.tif 000019
【図１７】
0005874343.tif 000020
【図１８】
0005874343.tif 000021
【図１９】
0005874343.tif 000022
【図２０】
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【図２１】
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