(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に処理を施す複数の処理室と、
基板を処理する運転レシピを一覧で表示する表示部を有する操作部と、
前記運転レシピの有無を判定する処理と、前記運転レシピが有りの場合に、前記運転レシピ名とファイル作成日を取得する処理と、前記運転レシピが使用される前記処理室の情報を取得する処理と、を少なくとも実行する制御部と、を備え、
前記制御部は、前記処理室の情報を取得する処理では、前記運転レシピを展開する処理と、各処理室に付された番号のうち、一番小さい番号から一番大きい番号まで前記運転レシピに指定されているか確認する処理を実行し、
前記操作部は、前記処理室内の基板を処理する運転レシピを一覧で表示する際、前記複数の処理室のうち、前記運転レシピが使用される処理室を選択して前記表示部に表示する
基板処理装置。
【請求項２】
基板を処理する運転レシピの有無を判定する工程と、
前記運転レシピが有りの場合に、前記運転レシピ名とファイル作成日を取得する工程と、
前記運転レシピが使用される処理室の情報を取得する工程と、
基板を処理する運転レシピを一覧で表示する際、複数の処理室のうち、前記運転レシピが使用される処理室を選択して表示する工程と、
前記選択された運転レシピを実行して前記処理室内で基板を処理する工程と、を有し、
前記処理室の情報を取得する工程では、更に、前記運転レシピを展開する処理と、各処理室に付された番号のうち、一番小さい番号から一番大きい番号まで前記運転レシピに指定されているか確認する処理と、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項３】
基板を処理する運転レシピを一覧で表示する操作部と、前記操作部からの指示を受け付け、前記運転レシピから処理室の情報を取得する処理を少なくとも実行する制御部と、を備えたコントローラに、基板を処理する運転レシピを格納する手順と、
格納された前記運転レシピの有無を判定する手順と、
格納された前記運転レシピが有りの場合に、前記運転レシピ名とファイル作成日を取得する手順と、
格納された前記運転レシピから処理室の情報を取得する手順と、
取得された処理室の情報を基に、前記運転レシピを一覧で表示する際、前記運転レシピが使用される処理室を選択して表示する手順と、
を実行させるレシピ表示プログラムであって、
前記処理室の情報を取得する手順では、更に、
前記運転レシピを展開する手順と、
各処理室に付された番号のうち、一番小さい番号から一番大きい番号まで前記運転レシピに指定されているか確認する手順と、
を前記コントローラに実行させるレシピ表示プログラム。
【請求項４】
前記操作部は、更に、前記運転レシピを一覧で表示する際、ステップ番号と、運転レシピ名と、前記運転レシピ名を作成した日付と、から選択される少なくとも一つを表示するように構成されている請求項１記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記運転レシピを開始する指示を受け付け、前記運転レシピから処理室の情報を取得する処理を少なくとも実行するように構成されている請求項１記載の基板処理装置。
【請求項６】
更に、少なくとも前記運転レシピを格納する記憶部を有し、
前記制御部は、前記運転レシピを開始する指示を受け付け、指示された前記運転レシピが前記記憶部に格納されていない場合、処理を終了させるように構成されている請求項５記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の基板を一括処理する複数の処理室を備える基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の基板処理装置において、運転レシピ（プロセスレシピ）が装置本体の表示画面に表示されるものが知られており、例えば、特許文献１によれば、ユーザが運転レシピで使用される処理室としてのプロセスモジュールを画面上に運転レシピの内容として表示させている。
【０００３】
しかしながら、実際の内容と異なる運転レシピ名となっていた場合に、運転レシピが実際の内容と異なって意図しないプロセスモジュールで処理されたり、必要なプロセスモジュールで処理されないこととなり、品質の低下を招く恐れがあり、好ましくない。
【０００４】
なお、関連する従来の技術として、以下の文献が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第４１９９３２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、運転レシピで使用されるプロセスモジュールを適切に管理する基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様にかかる基板処理装置は、基板に処理を施す複数の処理室と、前記基板を搬送する第一搬送手段を備えた第一搬送室と、大気圧状態で前記基板を搬送する第二搬送手段を備えた第二搬送室と、前記第一搬送室と前記第二搬送室を連結する減圧可能な予備室と、前記第一搬送手段および前記第二搬送手段の搬送を制御する制御手段と、前記処理室内の基板を処理する運転レシピを設定する表示部を有する操作部と、を設け、前記操作部は、前記表示部において前記運転レシピ選択時に、前記運転レシピで使用する処理室を表示する。
【０００８】
また、本発明の他態様にかかる基板処理装置の表示方法は、基板に処理を施す複数の処理室と、前記基板を搬送する第一搬送手段を備えた第一搬送室と、大気圧状態で前記基板を搬送する第二搬送手段を備えた第二搬送室と、前記第一搬送室と前記第二搬送室を連結する減圧可能な予備室と、前記第一搬送手段および前記第二搬送手段の搬送を制御する制御手段と、前記処理室内の基板を処理する運転レシピを設定する表示部を有する操作部と、を設けた基板処理装置において、前記操作部は、前記表示部において前記運転レシピ選択時に、前記運転レシピで使用する処理室を表示する。
【０００９】
また、本発明の他態様にかかる半導体装置の製造方法は、基板を処理する運転レシピが一覧表示される表示部上で前記運転レシピを選択する選択工程と、前記選択された運転レシピを実行して基板を処理する処理工程と、を有し、前記選択工程では、前記表示部に前記運転レシピで使用される処理室が表示される。
【００１０】
また、本発明の他態様にかかるレシピ表示プログラムは、レシピファイルを開いて記憶部に格納されたレシピファイルからプロセスモジュールの情報を取得するステップと、前記取得されたプロセスモジュールの情報を表示部に表示するステップとを含む。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、運転レシピで使用されるプロセスモジュールを適切に管理することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施形態にかかるクラスタ型の基板処理装置の概略的な構成図である。
【図２】本発明の実施形態にかかるクラスタ型の基板処理装置の概略的な断面図である。
【図３】本発明の実施形態にかかる基板処理装置を制御するための制御用コントローラの構成を示すブロック図である。
【図４】本発明の実施形態にかかる基板処理装置の運転レシピ名一覧の操作画面における表示例を示す図である。
【図５】本発明の実施形態にかかる基板処理装置の運転レシピ名一覧作成処理を説明するフローチャートである。
【図６】本発明の実施形態にかかる基板処理装置の使用プロセスモジュール取得処理を説明するフローチャートである。
【図７】比較例にかかる基板処理装置の運転レシピ名一覧の操作画面における表示例を示す図である。
【図８】比較例にかかる基板処理装置の運転レシピ名一覧作成処理を説明するフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明を実施するための最良の形態において、基板処理装置は、一例として、半導体装置（ＩＣ）の製造方法における処理工程を実施する半導体製造装置として構成されている。尚、図１に、本発明の実施の形態に係る基板処理装置の一例であるクラスタ型の半導体製造装置の概略的な構成例を示す。図２に、図１のクラスタ型の半導体製造装置の概略的な断面構成例を示す。図１及び図２の構成では、ウェハ搬送用ロボットや処理室としてのプロセスモジュールが複数台、及びキャリア受渡し用のロードロック室が２式接続された構成となっている。
【００１４】
まず、図１及び図２を用いて、基板処理装置の概要を説明する。
【００１５】
尚、本発明が適用される基板処理装置１においては基板としてのウェハＷを搬送するキャリアとして、ＦＯＵＰ（ｆｒｏｎｔ  ｏｐｅｎｉｎｇ  ｕｎｉｆｉｅｄ  ｐｏｄ、以下、「ポッド」という）が使用されている。また、以下の説明において、前後左右は、図１を基準とする。すなわち、図１が示されている紙面に対して、前は紙面の下、後ろは紙面の上、左右は紙面の左右とする。
【００１６】
図１及び図２に示されているように、基板処理装置１は真空状態などの大気圧未満の圧力（負圧）に耐えるロードロックチャンバ構造に構成された真空搬送室としての第一の搬送室１１０を備えており、第一の搬送室１１０の筐体１１１は平面視が五角形で上下両端が閉塞した箱形状に形成されている。第一の搬送室１１０には負圧下で二枚のウェハＷを同時に移載可能な第一の搬送手段としての第一のウェハ移載機１１２が設置されている。前記第一のウェハ移載機１１２は、エレベータ１１３によって、第一の搬送室１１０の気密性を維持しつつ昇降できるように構成されている。
【００１７】
第一の搬送室１１０の筐体１１１の５枚の側壁のうち前側に位置する１枚の側壁には、搬入/搬出用の第一および第二の予備室兼冷却室１３１，１４１がそれぞれ室開閉手段としてのゲートバルブ１３４，１４４を介して連結されており、それぞれ負圧に耐え得るロードロックチャンバ構造に構成されている。さらに、基板予備室としての予備室兼冷却室１３１，１４１にはそれぞれ上下の基板載置台１３２，１３３，１４２，１４３が設置されている。
【００１８】
予備室兼冷却室１３１，１４１の前側には、大気圧下で用いられる大気搬送室としての第二の搬送室１２０がゲートバルブ１３０，１４０を介して連結されている。第二の搬送室１２０には二枚のウェハＷを同時に移載可能な第二のウェハ移載機１２２が設置されている。第二の搬送手段としての第二のウェハ移載機１２２は第二の搬送室１２０に設置されたエレベータ１２３によって昇降されるように構成されているとともに、リニアアクチュエータ１２４によって左右方向に往復移動されるように構成されている。
【００１９】
図１に示されているように、第二の搬送室１２０の左側には、基板位置調整機構としてのノッチ合せ装置１０７が設置されている。また、図２に示されているように、第二の搬送室１２０の上部にはクリーンエアを供給するエア供給機構としてのクリーンユニット１０６が設置されている。
【００２０】
図１及び図２に示されているように、第二の搬送室１２０の筐体１２１には、ウェハＷを第二の搬送室１２０に対して搬入搬出するためのウェハ搬入搬出口１０４と、前記ウェハ搬入搬出口１０４を閉塞する蓋１０５と、ポッドオープナ１０３がそれぞれ設置されている。ポッドオープナ１０３は、ロードポートとしてのＩＯステージ１００に載置されたポッド１０１のキャップ及び搬入搬出口１０４を閉塞する蓋１０５を開閉するキャップ開閉機構１０２を備えており、ＩＯステージ１００に載置されたポッド１０１のキャップ及びウェハ搬入搬出口１０４を閉塞する蓋１０５をキャップ開閉機構１０２によって開閉することにより、ポッド１０１のウェハ出し入れを可能にする。また、ポッド１０１は図示しない工程内搬送装置（ＡＧＶ/ＯＨＴ）によって、前記ＩＯステージ１００に供給及び排出されるようになっている。
【００２１】
図１に示されているように、第一の搬送室１１０の筐体１１１の５枚の側壁のうち背面側に位置する４枚の側壁には、ウェハＷに所望の処理を行う第一乃至第四の処理室としてのプロセスモジュールＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３，ＰＭ４がそれぞれゲートバルブ１６０，１６１，１６２，１６３を介して隣接して連結されている。プロセスモジュールＰＭ１，ＰＭ２，ＰＭ３，ＰＭ４は全て同一種のプロセスモジュールを連結することができる。一方、目的に応じてそれぞれ異なるプロセスモジュールを連結することもできる。
【００２２】
以下、本実施形態における基板処理装置１を使用した処理工程を説明する。
【００２３】
未処理のウェハＷは２５枚がポッド１０１に収納された状態で、処理工程を実施する基板処理装置１へ工程内搬送装置によって搬送されてくる。図１及び図２に示されているように、搬送されてきたポッド１０１はＩＯステージ１００の上に工程内搬送から受け渡されて載置される。ポッド１０１のキャップ及びウェハ搬入搬出口１０４を開閉する蓋１０５がキャップ開閉機構１０２によって取り外され、ポッド１０１のウェハ出し入れ口が開放される。
【００２４】
ポッド１０１がポッドオープナ１０３により開放されると、第二の搬送室１２０に設置された第二のウェハ移載機１２２はポッド１０１からウェハＷを１枚ピックアップする。そして、基板位置調整機構としてのノッチ合せ装置１０７へ移載し、ウェハＷの位置を調整する。ここでノッチ合せ装置１０７とは載置されたウェハＷをＸ方向、Ｙ方向及び円周方向に位置を調整する装置である。
【００２５】
前記ノッチ合せ装置１０７にてウェハＷの位置を調整していると同時に、前記第二のウェハ移載機１２２はポッド１０１から次のウェハＷをピックアップして第二の搬送室１２０に搬出する。
【００２６】
前記ノッチ合せ装置１０７にてウェハＷの位置調整が終了したら、前記第二のウェハ移載機１２２でノッチ合せ装置１０７上のウェハＷを第二の搬送室１２０に搬出すると共に、このとき第二のウェハ移載機１２２が保持しているウェハＷをノッチ合せ装置１０７へ移載する。そして、ウェハＷに対して位置調整を行う。
【００２７】
次にゲートバルブ１３０を開け、第一の予備室兼冷却室１３１に搬入し、ウェハＷを基板載置台１３３に移載する。この移載作業中には、第一の搬送室１１０側のゲートバルブ１３４は閉じられており、第一の搬送室１１０の負圧は維持されている。ここで、大気搬送モジュールがポッド１０１を載置するロードポートと、大気圧下で基板Ｗを搬送する大気搬送室としての第二の搬送室１２０と、基板予備室としての予備室兼冷却室１３１，１４１とで構成され、基板Ｗは大気搬送モジュール内で大気圧にて搬送される。
【００２８】
ウェハＷの基板載置台１３３への移載が完了すると、ゲートバルブ１３０が閉じられ、第一の予備室兼冷却室１３１が排気装置（図示せず）によって負圧に排気される。
【００２９】
第一の予備室兼冷却室１３１が負圧に排気されると同時に、第二のウェハ移載機１２２はノッチ合せ装置１０７からウェハＷをピックアップし、ゲートバルブ１４０を開けて第二の予備室兼冷却室１４１に搬入し、ウェハＷを基板載置台１４３に移載する。そしてゲートバルブ１４０を閉じ、第二の予備室兼冷却室１４１を排気装置（図示せず）によって負圧に排気する。
【００３０】
第二のウェハ移載機１２２により、上述のようにポッド１０１から前記第二の搬送室１２０を介して基板予備室である予備室兼冷却室１３１，１４１までの基板搬送が繰り返し実行される。しかしながら、第一の予備室兼冷却室１３１及び第二の予備室兼冷却室１４１が負圧の場合は、第一の予備室兼冷却室１３１及び第二の予備室兼冷却室１４１へのウェハＷの搬入を実行せずに第一の予備室兼冷却室１３１及び第二の予備室兼冷却室１４１の直前の所定の位置で停止する。
【００３１】
第一の予備室兼冷却室１３１が予め設定された圧力値に減圧されると、ゲートバルブ１３４が開かれる。続いて第一の搬送室１１０の第一のウェハ移載機１１２は基板載置台１３３からウェハＷをピックアップする。ピックアップ後、ゲートバルブ１３４を閉じて第一の基板予備室兼冷却室１３１を大気圧に戻し、次のウェハＷを搬入するための準備をする。
【００３２】
ゲートバルブ１３４を閉じて第一の基板予備室兼冷却室１３１を大気圧に復帰させるのと同時に、第一のプロセスモジュールＰＭ１のゲートバルブ１６０を開き、ウェハ移載機１１２がウェハＷを第一のプロセスモジュールＰＭ１に搬入する。そして第一のプロセスモジュールＰＭ１内にガス供給装置（図示せず）から処理ガスが供給され、所望の処理がウェハＷに施される。
【００３３】
続いて、第二の予備室兼冷却室１４１が予め設定された圧力値に減圧されると、ゲートバルブ１４４が開かれる。続いて第一の搬送室１１０の第一のウェハ移載機１１２は基板載置台１４３からウェハＷをピックアップする。
【００３４】
ピックアップ後、ゲートバルブ１４４を閉じて第二の予備室兼冷却室１４１を大気圧に戻し、次のウェハＷを搬入するための準備をする。
【００３５】
ゲートバルブ１４４を閉じて第二の予備室兼冷却室１４１を大気圧に復帰させるのと同時に、第二のプロセスモジュールＰＭ２のゲートバルブ１６１を開き、第一のウェハ移載機１１２がウェハＷを第二のプロセスモジュールＰＭ２に搬入する。そして、第二のプロセスモジュールＰＭ２内にガス供給装置（図示せず）から処理ガスが供給され、所望の処理がウェハＷに施される。
【００３６】
以下、同様にして第三のプロセスモジュールＰＭ３、第四のプロセスモジュールＰＭ４にウェハＷを搬入し、所望の処理を施す。
【００３７】
第一のプロセスモジュールＰＭ１において所望の処理が終了したら、第一のウェハ移載機１１２は第一のプロセスモジュールＰＭ１から搬出したウェハＷを第一の予備室兼冷却室１３１へ搬出する。このとき、第一の予備室兼冷却室１３１に未処理のウェハＷが存在する場合、第一のウェハ移載機は前記未処理ウェハＷを第一の予備室兼冷却室１３１から第一の搬送室１１０へ搬出する。
【００３８】
そしてゲートバルブ１３４を閉じ、処理済ウェハＷの冷却を開始すると同時に第一の予備室兼冷却室１３１に接続された不活性ガス供給装置（図示せず）から不活性ガスを導入し、第一の予備室兼冷却室１３１内の圧力を大気圧に戻す。
【００３９】
第一の予備室兼冷却室１３１において予め設定された冷却時間が経過し、且つ第一の基板予備室兼冷却室１３１内の圧力が大気圧に戻されると、ゲートバルブ１３０が開かれる。続いて、第二の搬送室１２０の第二のウェハ移載機１２２は基板載置台１３２から処理済のウェハＷをピックアップして第二の搬送室１２０に搬出し、ゲートバルブ１３０を閉じる。そして、第二の搬送室１２０のウェハ搬入搬出口１０４を通してポッド１０１に収納する。以上の動作が繰り返されることにより、ウェハＷが２５枚ずつ順次、処理されていく。
【００４０】
ポッド１０１内の全てのウェハＷに所望の処理が行われ、処理済の２５枚のポッド１０１への収納が完了すると、ポッド１０１のキャップとウェハ搬入搬出口１０４を閉塞する蓋１０５がポッドオープナ１０３によって閉じられる。閉じられたポッド１０１はロードポートとしてのＩＯステージ１００上から次の工程へ工程内搬送装置によって搬送されていく。
【００４１】
ここで、制御用コントローラが基板処理装置１に接続されており、制御用コントローラは搬送制御、プロセス制御を行う手段を持つように構成される。図３は図１及び図２に示す基板処理装置を制御するための制御用コントローラの構成を示すブロック図である。
【００４２】
図３において、制御用コントローラ１１は、操作部１２と統括制御コントローラ１３と第一のプロセスモジュールＰＭ１を制御するためのプロセスモジュールコントローラＰＭＣ（１）１４、第二のプロセスモジュールＰＭ２を制御するためのプロセスモジュールコントローラＰＭＣ（２）１５が、ＬＡＮ回路１６で接続されている。また、統括制御コントローラ１３には第一のウェハ移載機１１２を制御する真空ロボットコントローラ１３ａ、第二の移載機１２２を制御する大気ロボットコントローラ１３ｂ、マスフローコントローラＭＦＣ１３ｃなどが接続されている。さらに、プロセスモジュールコントローラＰＭＣ（１）１４には、マスフローコントローラＭＦＣ１４ａ、ＡＰＣ１４ｂ、温度調節器１４ｃ、バルブＩ／Ｏ１４ｄなどが接続されている。尚、ＭＦＣ１４ａはガスの流量を制御するためのマスフローコントローラであり、ＡＰＣ１４ｂはプロセスモジュールＰＭ内の圧力を制御するためのオートプレッシャーコントローラである。また、温度調節器１４ｃは処理室としてのプロセスモジュールＰＭ内の温度の制御を行うものであり、バルブＩ／Ｏ１４ｄはガスや排気用のバルブのＯＮ／ＯＦＦを制御するための入出力ポートである。また、ＰＭＣ（２）１５もＰＭＣ（１）１４と同様な構成である。尚、図示されていないが、第三のプロセスモジュールＰＭ３を制御するためのプロセスモジュールコントローラＰＭＣ（３）と第四のプロセスモジュールＰＭ４を制御するためのプロセスモジュールコントローラＰＭＣ（４）も同様な構成で、同じようにＬＡＮ回路１６に接続されている。
【００４３】
操作部１２は、表示部としての操作画面１２ａを有する。操作画面１２ａには、ユーザ（オペレータ）により所定のデータが入力される入力画面及び装置の状況等を示す表示画面が表示されるようになっており、システム制御コマンドの指示、モニタ表示、ロギングデータ、アラーム解析、及びパラメータ編集などの画面を表示する機能を有している。
【００４４】
記憶部１８は、ＬＡＮ回線１６に接続されており、操作画面１２ａに表示される操作部１２における操作を介して入力された指示データや各種レシピ（運転レシピ等）を格納する。
【００４５】
また、統括制御コントローラ１３は、システム全体の運用制御、真空ロボットコントローラ１３ａの制御、大気ロボットコントローラ１３ｂの制御、ＭＦＣ１３ｃやバルブやポンプなどを制御する排気系制御を行う。
【００４６】
次に、図３に示す制御用コントローラ１１の基本的な運用例について説明する。操作部１２からのコマンド指示を受けた統括制御コントローラ１３は、ウェハ搬送指示を大気ロボットコントローラ１３ｂに指示すると、該大気ロボットコントローラは、第二のウェハ移載機１２２を制御して、ウェハＷをポッド１０１からノッチ合せ装置１０７を介して予備室兼冷却室１３１，１４１に搬送させる。そして、統括制御コントローラ１３は、ウェハＷを搬送されると予備室兼冷却室１３１，１４１の排気制御（つまり、ポンプやバルブの制御）を実施する。そして、予備室兼冷却室１３１，１４１が所定の負圧力に達したところで、真空ロボットコントローラ１３ａに指示してウェハＷを該当する第一のプロセスモジュールＰＭ１へ搬送させる。続いて、ＰＭＣ（１）１４又はＰＭＣ（２）１５等に対して、ウェハＷに付加価値を与えるための運転レシピの実行指示を行い、ウェハＷに所定の処理が施される。処理済のウェハＷは、第一のプロセスモジュールＰＭ１から予備室兼冷却室１３１，１４１へ搬送され、更に大気圧に戻された後、元のポッド１０１に搬送される。尚、予め搬送先に異なるポッド指定されている場合、元のポッド１１０ではなく、指定されたポッドに搬送してもよい。
【００４７】
図４は、操作画面１２ａにおける運転レシピ名一覧３００の表示例を示す図である。
図４に示されているように、運転レシピ名一覧３００では、操作画面１２ａに、ステップ番号３０２、運転レシピ名３０４、日付３０６及び使用プロセスモジュール（使用ＰＭ）３０８等が表示されるようになっている。具体的には、ステップ番号３０２における運転レシピ名３０４が表示され、この運転レシピを作成した日付３０６と、この運転レシピ名３０４で示される運転レシピで指定（設定）されている使用ＰＭ３０８が表示される。
【００４８】
次に、制御用コントローラ１１によって実行される運転レシピ名一覧作成処理Ｓ１０について図４乃至図６に基づいて説明する。
図５は、運転レシピ名一覧作成処理Ｓ１０を説明するフローチャートである。また、図６は、使用プロセスモジュール取得処理Ｓ１０４を説明するフローチャートである。
【００４９】
先ず、操作部１２からレシピ開始指示を受けると、ステップＳ１０１において、制御用コントローラ１１は、実行する運転レシピが記憶部１８の指定されたフォルダに格納されているか否かが判定される。指定されたフォルダに運転レシピがない場合（ステップＳ１０１，Ｎｏ）、処理は終了される。
【００５０】
指定されたフォルダに運転レシピファイルがある場合（ステップＳ１０１，Ｙｅｓ）、ファイル名である運転レシピ名とファイル作成日である日付が取得され（ステップＳ１０２）、操作部１２の操作画面１２ａ上の運転レシピ名一覧３００に運転レシピ名３０４と日付３０６が追加される（ステップＳ１０３）。
【００５１】
次に、後述する運転レシピ名３０４で表示される運転レシピにより指定（設定）されている使用ＰＭ３０８を表示する使用プロセスモジュール取得処理がなされ（ステップＳ１０４）、再び、ステップＳ１０１からの処理が実行される。
【００５２】
次に、使用プロセスモジュール取得処理Ｓ１０４について詳述する。
【００５３】
操作画面１２ａの運転レシピ名一覧３００に運転レシピ名３０４と日付３０６が追加される（ステップＳ１０３）と、記憶部１８フォルダに格納された運転レシピファイルを開く（ステップＳ１０５）。なお、運転レシピファイルには、各運転レシピに対応する処理室としてのプロセスモジュールＰＭ番号が少なくとも格納されている。
【００５４】
本実施形態においては、例えば、第一の処理室としての第一のプロセスモジュールＰＭ１から順に、判断される（ステップＳ１０６、１０７）。
【００５５】
第一のプロセスモジュールＰＭ１が運転レシピファイルに指定されているか否かが判断され（ステップＳ１０８）、第一のプロセスモジュールＰＭ１が運転レシピファイルに指定されていなければ（ステップＳ１０８、Ｎｏ）、ステップＳ１１１へ進む。また、第一のプロセスモジュールＰＭ１が運転レシピファイルに指定されていれば（ステップＳ１０８、Ｙｅｓ）、運転レシピファイルからプロセスモジュールの情報が取得され、操作画面１２ａ上の運転レシピ名一覧３００の使用ＰＭ３０８に使用プロセスモジュール番号（ＰＭ番号）１が追加（表示）される（ステップＳ１０９）。
【００５６】
次に、前に判断されたＰＭ番号に１を足したＰＭ番号について運転レシピファイルに指定されているか否か判断される。具体的には、ＰＭ１に１を加えたＰＭ２について、すなわち第二の処理室としての第二のプロセスモジュールＰＭ２について運転レシピファイルに指定されているか否か判断される（ステップＳ１１０）。
【００５７】
次に、ステップＳ１１１にて、ステップＳ１１０にて判断されたＰＭ番号が最大ＰＭ番号より小さいか否か判断される（ステップＳ１１１）。ＰＭ番号が最大ＰＭ番号より小さければ（本実施形態においては最大ＰＭ番号４より小さければ）、再び、ステップＳ１０７からの処理が実行される。すなわち、第一から第四のプロセスモジュール（ＰＭ１からＰＭ４）まで、順に運転レシピファイルに格納されているか否か判断される。
【００５８】
運転レシピファイルに格納されているか否かＰＭ番号が最大ＰＭ番号まで繰り返し判断されたら、運転レシピファイルはクローズされ（ステップＳ１１２）、使用プロセスモジュール取得処理Ｓ１０は終了され、指定された使用ＰＭにおいて所定の運転レシピが実行され、次の運転レシピへ進み、再び、ステップＳ１０１からの処理が実行される。
【００５９】
次に、比較例に係る運転レシピ名一覧４００について詳述する。
図７に、比較例に係る運転レシピ名一覧４００の操作画面１２ａにおける表示例が示されている。また、図８は、比較例に係る運転レシピ名一覧作成処理Ｓ２０を説明するフローチャートである。
比較例に係る運転レシピ名一覧４００では、操作画面１２ａに、ステップ番号３０２、運転レシピ名３０４及び日付３０６等が表示されるようになっている。具体的には、ステップ番号３０２における運転レシピ名３０４が表示され、この運転レシピが作成された日付３０６が表示される。
すなわち、図８に示されているように、比較例に係る運転レシピ名一覧処理では、本実施形態に係る運転レシピ名一覧処理Ｓ１０の使用プロセスモジュール取得処理Ｓ１０４を有していない。
【００６０】
すなわち、比較例に係る運転レシピ名一覧処理Ｓ２０においては、操作画面１２ａに運転レシピ名３０４とこの運転レシピが作成された日付３０６しか表示されず、どの使用ＰＭで処理されたのか表示されないが、本実施形態に係る基板処理装置では、操作画面１２ａに運転レシピ名３０４とこの運転レシピが作成された日付３０６と使用ＰＭ３０８が表示される。これにより、指定（設定）されたプロセスモジュールを容易に且つ短時間で把握することができ、人的ミスを引き起こす恐れも軽減され、品質の低下を防止することが可能となる。
【００６１】
前述した実施形態では、基板処理装置として半導体製造装置を用いて説明した。しかしながら、本発明にかかる基板処理装置には半導体製造装置だけではなく、ＬＣＤ(Liquid Crystal Display)装置のようなガラス基板を処理する装置にも適用することができる。成膜処理には、例えば、ＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)、ＰＶＤ(Physical Vapor Deposition)、酸化膜、窒化膜を形成する処理、金属を含む膜を形成する処理などが含まれる。この他、基板処理装置には、露光装置、リソグラフ装置、塗布装置、プラズマを利用したＣＶＤ装置が含まれる。また、クラスタ型の基板処理装置について示したがインライン型の基板処理装置にも適用できることは言うまでもない。
【符号の説明】
【００６２】
１  基板処理装置
１１  制御コントローラ
１２  操作部
１２ａ  操作画面
１３  統括制御コントローラ
１８  記憶部
１１０  第一の搬送室（真空搬送室）
１１２  第一のウェハ移載機
１２０  第二の搬送室（大気搬送室）
１２２  第二のウェハ移載機
１３１  第一の予備室兼冷却室（基板予備室）
１４１  第二の予備室兼冷却室（基板予備室）
ＰＭ１  第一の処理室（第一のプロセスモジュール）
ＰＭ２  第二の処理室（第二のプロセスモジュール）
ＰＭ３  第三の処理室（第三のプロセスモジュール）
ＰＭ４  第四の処理室（第四のプロセスモジュール）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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