(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
変形パターン認識方法であって、
ａ）基板が１つ以上の処理デバイスによって処理されるときに、各々が前記１つ以上の処理デバイスによって引き起こされる可能性がある前記基板の変形に関連付けられた１つ以上の変形パターンを提供するステップと、
ｂ）少なくともＮ個のアライメントマークを含む第１のパターンを基板に転写するステップであって、各々のアライメントマークが前記第１のパターン内のそれぞれの所定の名目位置に配置されるステップと、
ｃ）前記１つ以上の処理デバイスによって前記基板を処理するステップと、
ｄ）前記Ｎ個のアライメントマークの位置を測定し、アライメントマークの前記それぞれの名目位置を前記アライメントマークの前記それぞれの測定位置と比較することで前記それぞれの名目位置からの前記Ｎ個のアライメントマークの各々のアライメントマークの変位を決定するステップと、
ｅ）前記１つ以上の変形パターンのうち少なくとも１つを前記アライメントマーク変位測定値に適合させるステップと、
ｆ）各々の適合する変形パターンについて前記対応する適合の精度を表す精度値を決定するステップと、
ｇ）前記決定した精度値を用いて、関連付けられた変形パターンが前記アライメントマーク変位測定値内に存在するか否かを決定するステップと
を含み、
少なくとも２つの変形パターンが提供され、前記少なくとも２つの変形パターンが特徴的なパターンフィーチャを含む変形パターンの第１のサブセットと、前記特徴的なパターンを含まない変形パターンの第２のサブセットとを含み、ｅ）に先立って、前記方法が前記測定されたアライメントマーク変形が前記特徴的なパターンフィーチャを含むか否かを決定するステップを含み、前記特徴的なパターンフィーチャが存在するときには前記第１のサブセットの前記変形パターンのみがｆ）で使用され、前記特徴的なパターンフィーチャが存在しないときには前記第２の前記サブセットの変形パターンのみがｆ）で使用され
る、変形パターン認識方法。
【請求項２】
変形パターンが前記アライメントマーク変位測定値内に存在するか否かを決定するステップが、関連付けられた精度値が所定のしきい値を超えているかそれ未満であるかを決定するステップを含む、請求項１に記載の変形パターン認識方法。
【請求項３】
前記１つ以上の変形パターンが前記Ｎ個のアライメントマークに関連付けられた一組のパターン変位の形式で提供され、変形パターンを前記アライメントマーク変位測定値に適合させるステップがパターン変位の前記それぞれの組を前記アライメントマーク変位測定値と比較するステップを含む、請求項１に記載の変形パターン認識方法。
【請求項４】
前記１つ以上の変形パターンが第１のモデルの一組のパラメータ値の形式で提供され、変形パターンを前記アライメントマーク変位測定値に適合させるステップが、
前記第１のモデルを前記アライメントマーク変位測定値に適合させて前記アライメントマーク変位測定値に対応するパラメータ値を得るステップと、
前記アライメントマーク変位測定値に対応する前記得られたパラメータ値を前記それぞれの変形パターンの前記一組のパラメータ値と比較するステップとを含む、請求項１に記載の変形パターン認識方法。
【請求項５】
前記少なくとも１つの変形パターンが、前記アライメントマーク変位測定値に大きさに関して適合する、請求項１に記載の変形パターン認識方法。
【請求項６】
前記少なくとも１つの変形パターンが、前記アライメントマーク変位測定値に配向に関して適合する、請求項１に記載の変形パターン認識方法。
【請求項７】
パターン転写方法であって、
１）各々が関連付けられた変形パターンに従って変形した基板へのパターンの転写方法を規定する各補正レシピを前記１つ以上の変形パターンの各々に提供するステップと、
２）請求項１に記載の前記変形パターン認識方法の方法ステップを実行して、前記アライメントマーク変位測定値内に前記１つ以上の変形パターンのうちいずれが存在するかを決定するステップと、
３）前記第１のパターンに対して前記第２のパターンを整列させるために、前記アライメントマーク変位測定値内に存在する前記適合した変形パターンの前記補正レシピを用いて第２のパターンを前記基板に転写するステップとを含む方法。
【請求項８】
関連付けられた変形パターンの補正レシピが、
４）前記第１のパターンを含む１つ以上の基板を前記関連付けられた変形パターンの対象とするステップと、
５）異なる補正レシピを用いて前記第２のパターンを前記１つ以上の基板に転写するステップと、
６）前記第１及び第２のパターンの間で最小のオーバレイエラーをもたらす補正レシピを選択するステップと
を実行することで決定される、請求項７に記載のパターン転写方法。
【請求項９】
前記第１及び第２のパターンの間で最小のオーバレイエラーをもたらす補正レシピが検出されるまで前記補正レシピが変動する、請求項８に記載のパターン転写方法。
【請求項１０】
処理デバイスモニタリング方法であって、
１）請求項１に記載の前記変形パターン認識方法の前記方法ステップを実行して、前記アライメントマーク変位測定値内に前記１つ以上の変形パターンのうちいずれが存在するかを決定するステップと、
２）前記対応する１つ以上の処理デバイスが前記基板の処理中に使用されていたか否か、及び／又は前記基板の処理中に誤動作していたか否かを決定するために、前記適合した変形パターンの前記得られた精度値を用いるステップとを含む処理デバイスモニタリング方法。
【請求項１１】
パターニングデバイスから基板上にパターンを転写するリソグラフィ装置であって、
基板を保持する基板テーブルと、
基準位置に対する前記基板上のアライメントマークの位置を測定するアライメントセンサと、
前記アライメントセンサによって測定された前記基板上の前記アライメントマークの前記位置を基準にして前記基板上への転写を制御する制御ユニットとを備え、
前記制御ユニットが、処理デバイスによって基板が処理されるときに前記処理デバイスによって引き起こされることがある前記基板の変形を表す少なくとも１つの変形パターンを記憶する記憶媒体を備え、前記制御ユニットが、
前記リソグラフィ装置を制御して少なくともＮ個のアライメントマークを含む第１のパターンを基板に転写し、
前記アライメントマークのそれぞれの名目位置を前記アライメントマークの前記それぞれの測定位置と比較することで前記それぞれの名目位置からの前記Ｎ個のアライメントマークの各々のアライメントマーク変位を決定するために、前記Ｎ個のアライメントマークの位置を表すデータを前記アライメントセンサから受信し、各々のアライメントマーク変位が前記基板の前記処理の結果としての前記基板のそれぞれの局所変形を表し、
前記アライメントマーク変位測定値に前記少なくとも１つの変形パターンを適合させ、
各々の適合した変形パターンの精度値を決定し、各々の精度値が前記対応する適合の前記精度を表し、
前記アライメントマーク変位測定値内に関連付けられた変形パターンが存在するか否かを決定するために、前記得られた精度値を用いるように構成され、
少なくとも２つの変形パターンが前記制御ユニットの記憶媒体に記憶され、前記少なくとも２つの変形パターンが特徴的なパターンフィーチャを含む変形パターンの第１のサブセットと、前記特徴的なパターンを含まない変形パターンの第２のサブセットとを含み、前記制御ユニットが前記測定されたアライメントマーク変形が前記特徴的なパターンフィーチャを含むか否かを決定し、前記特徴的なパターンフィーチャが存在するときには前記第１のサブセットの前記変形パターンのみが前記精度値を決定するときに使用され、前記特徴的なパターンフィーチャが存在しないときには前記第２の前記サブセットの変形パターンのみが前記精度値を決定するときに使用される、リソグラフィ装置。
【請求項１２】
前記制御ユニットが各々の記憶された変形パターンの補正レシピを記憶する記憶媒体を備え、各々の補正レシピが、前記基板の変形を補償するために、前記関連付けられた変形パターンに従って変形した基板にパターンを転写する方法を規定し、前記制御ユニットが、前記第１のパターンに対して前記第２のパターンを整列させるために、前記アライメントマーク変位測定値内に存在する前記適合した変形パターンの前記補正レシピを用いて前記リソグラフィ装置を制御するようにさらに構成された、請求項１１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１３】
前記制御ユニットが、前記適合した変形パターンの前記得られた精度値を用いて、１つ以上の処理デバイスが前記基板の処理中に使用されていたか否か、及び／又は前記基板の処理中に誤動作していたか否かを決定するようにさらに構成された、請求項１１に記載のリソグラフィ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（関連出願の相互参照）
[0001]  本出願は、２０１２年８月２９日出願の米国仮出願第６１／６９４，６６５号の利益を主張し、その全体が参照によって本明細書に組み込まれる。
【０００２】
[0002]  本発明は、基板の変形パターンの認識方法、第１のパターンに対して第２のパターンを基板に転写する方法、１つ以上の処理デバイスをモニタリングする方法、及びパターニングデバイスから基板上にパターンを転写するように構成されたリソグラフィ装置に関する。
【背景技術】
【０００３】
[0003]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが与えられる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所与の方向（「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行に同期的にスキャンしながら、パターンを所与の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。
【０００４】
[0004]  その後、複数のパターンが基板に転写されるときに、後続のパターンを互いに整列させることが望ましい。後続のパターンを以前に転写されたパターンに整列させるために、以前に転写されたパターンの位置を知ることが望ましい。ウェーハ上のパターンの位置を決定するために、基板上の所定の位置にアライメントマークが転写される。アライメントマークの位置を測定することで、以前に転写されたパターンに対する後続のパターンを基板に転写するために用いる情報が得られる。
【０００５】
[0005]  以前に転写されたパターンに対する後続のパターンを正確に転写するために用いる以前に転写されたパターンの位置情報は、パターンの全領域を用いてアライメントマークを配置するわけではないために、普通、アライメントマークの位置測定から得た位置情報に１対１では対応していない。その結果、アライメントマークは、普通、パターンの縁部又はいわゆるスクライブレーン内に配置され、一方、デバイスを製造するために用いるパターンの中央領域は互いに整列しているということが重要である。
【０００６】
[0006]  これを解決するために、アライメントマークの測定位置にモデルを適合させることができる。このモデルを用いて、以前に転写されたパターンに対して後続のパターンを正確に転写するための以前に転写されたパターンの位置情報を決定することができる。
【０００７】
[0007]  以前に転写されたパターンの位置情報をより正確に決定する試みで、高次アライメントモデルのような先進アライメントモデル、（拡張）ゾーンアライメント及び格子アライメントが使用される。しかしながら、これらのモデルの成功はアライメントマークの分布と数とに依存する。
【０００８】
[0008]  しかしながら、多数のアライメントマークを使用することは、リソグラフィ装置のスループットに悪影響を与える。さらに、公知の先進アライメントモデルは極めて外れ値を示しやすい。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
[0009]  第１のパターンに対して正確に第２のパターンを転写する方法を提供することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
[0010]  本発明のある実施形態によれば、変形パターン認識方法であって、以下のステップ、すなわち
ａ）基板が１つ以上の処理デバイスで処理されるときに、各々が上記１つ以上の処理デバイスによって引き起こされる可能性がある基板の変形に関連付けられた１つ以上の変形パターンを提供するステップと、
ｂ）少なくともＮ個のアライメントマークを含む第１のパターンを基板に転写するステップであって、各々のアライメントマークが上記第１のパターン内のそれぞれの所定の名目位置に配置されるステップと、
ｃ）上記１つ以上の処理デバイスで基板を処理するステップと、
ｄ）Ｎ個のアライメントマークの位置を測定し、アライメントマークのそれぞれの名目位置を上記アライメントマークのそれぞれの測定位置と比較することでそれぞれの名目位置からのＮ個のアライメントマークの各々のアライメントマークの変位を決定するステップと、
ｅ）１つ以上の変形パターンのうち少なくとも１つをアライメントマーク変位測定値に適合させるステップと、
ｆ）各々の適合する変形パターンについて対応する適合の精度を表す精度値を決定するステップと、
ｇ）決定した精度値を用いて、関連付けられた変形パターンがアライメントマーク変位測定値内に存在するか否かを決定するステップと
を含む変形パターン認識方法が提供される。
【００１１】
[0011]  本発明の別の実施形態によれば、パターン転写方法であって、以下のステップ、すなわち
１）各々が関連付けられた変形パターンに従って変形した基板へのパターンの転写方法を規定する各補正レシピを１つ以上の変形パターンの各々に提供するステップと、
２）本発明に記載の変形パターン認識方法の方法ステップを実行して、アライメントマーク変位測定値内に１つ以上の変形パターンのうちいずれが存在するかを決定するステップと、
３）第１のパターンに対して第２のパターンを整列させるために、アライメントマーク変位測定値内に存在する適合した変形パターンの補正レシピを用いて第２のパターンを基板に転写するステップと
を含む方法が提供される。
【００１２】
[0012]  本発明の別の実施形態によれば、処理デバイスモニタリング方法であって、以下のステップ、すなわち
１）請求項１に記載の変形パターン認識方法の方法ステップを実行して、アライメントマーク変位測定値内に１つ以上の変形パターンのうちいずれが存在するかを決定するステップと、
２）対応する１つ以上の処理デバイスが基板の処理中に使用されていた、及び／又は基板の処理中に誤動作していたか否かを決定するために、適合した変形パターンの得られた精度値を用いるステップと
を含む処理デバイスモニタリング方法が提供される。
【００１３】
[0013]  本発明のさらに別の実施形態によれば、パターニングデバイスから基板上にパターンを転写するリソグラフィ装置であって、
基板を保持する基板テーブルと、
基準位置に対する基板上のアライメントマークの位置を測定するためのアライメントセンサと、
上記アライメントセンサによって測定された基板上のアライメントマークの位置を基準にして基板上への転写を制御する制御ユニットとを備え、
制御ユニットが、処理デバイスで基板が処理されるときに処理デバイスによって引き起こされることがある基板の変形を表す少なくとも１つの変形パターンを記憶するための記憶媒体を備え、制御ユニットが、
リソグラフィ装置を制御して少なくともＮ個のアライメントマークを含む第１のパターンを基板に転写し、
上記アライメントマークのそれぞれの名目位置をアライメントマークのそれぞれの測定位置と比較することでそれぞれの名目位置からのＮ個のアライメントマークの各々のアライメントマーク変位を決定するために、Ｎ個のアライメントマークの位置を表すデータをアライメントセンサから受信し、各々のアライメントマーク変位が基板の処理の結果としての基板のそれぞれの局所変形を表し、
アライメントマーク変位測定値に少なくとも１つの変形パターンを適合させ、
各々の適合した変形パターンの精度値を決定し、各々の精度値が対応する適合の精度を表し、
アライメントマーク変位測定値内に関連付けられた変形パターンが存在するか否かを決定するために、得られた精度値を用いる
ように構成されたリソグラフィ装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
[0014]  対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照しながら以下に本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。
【００１５】
【図１】[0015]本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置を示す。
【図２】[0016]図２（ａ）及び図２（ｂ）は、図１の装置内の基板上に提供できる様々な形態のアライメントマークを示す。
【図３】[0017]１つ以上の処理デバイス内での基板の処理によって引き起こされる可能性がある基板の変形に関連付けられた変形パターンの一例を示す。
【図４】[0018]各々が基板の処理の結果としての基板のそれぞれの局所変形を表すアライメントマーク変位測定値を含む基板の一例を示す。
【図５】[0019]特徴的なパターンフィーチャを含む図４のアライメントマーク変位測定値を示す。
【図６】[0020]変形パターンのパターン変位とアライメントマーク変位測定値との間の精度値の決定方法を示す。
【図７】[0021]図３の変形パターンと変形パターンの様々な角度配向のアライメントマーク変位測定値との間の決定された総合精度値を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
[0022]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、
−  放射ビームＢ（例えばＵＶ放射又はＤＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
−  パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構築され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続された支持構造又はパターニングデバイス支持体（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
−  基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築され、特定のパラメータに従って基板Ｗを正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴａ又はＷＴｂと、
−  パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ以上のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳとを備える。
【００１７】
[0023]  照明システムは、放射の誘導、整形、又は制御を行うための、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型等の光学コンポーネント、及び／又はそれらの任意の組合せなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。
【００１８】
[0024]  支持構造は、パターニングデバイスを支持、すなわちその重量を支えている。支持構造は、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。この支持構造は、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造は、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造は、パターニングデバイスが例えば投影システムなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。
【００１９】
[0025]  本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。
【００２０】
[0026]  パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型（alternating）位相シフトマスク、ハーフトーン型（attenuated）位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。
【００２１】
[0027]  本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義と見なすことができる。
【００２２】
[0028]  本明細書で示すように、本装置は透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。あるいは、装置は反射タイプでもよい（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する）。
【００２３】
[0029]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のパターニングデバイステーブル）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、１つ以上の他のテーブルを露光に使用している間に１つ以上のテーブルで予備工程を実行することができる。図１の例の２つの基板テーブルＷＴａ及びＷＴｂはこの例示である。本明細書に開示された本発明の実施形態は自立して使用できるが、本発明は特にシングル又はマルチステージ装置の露光前測定ステージに追加の機能を提供できる。
【００２４】
[0030]  リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を充填するように、基板の少なくとも一部を水などの比較的高い屈折率を有する液体で覆えるタイプでもよい。液浸液は、例えばマスクと投影システムの間など、リソグラフィ装置の他の空間に適用することもできる。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるために当技術分野で周知である。本明細書で使用する「液浸」という用語は、基板などの構造を液体に沈めなければならないという意味ではなく、露光中に投影システムと基板の間に液体が存在するというほどの意味である。
【００２５】
[0031]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤの助けにより、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。
【００２６】
[0032]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するアジャスタＡＤを備えていてもよい。通常、イルミネータＩＬの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。イルミネータＩＬを用いて放射ビームを調節し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。
【００２７】
[0033]  放射ビームＢは、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスによってパターニングされる。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを横断した放射ビームＢは、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦させる。第２のポジショナＰＷと位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ）を用いて、基板テーブルＷＴａ／ＷＴｂは、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路に位置決めするように正確に移動できる。同様に、第１のポジショナＰＭと別の位置センサ（図１には明示されていない）を用いて、例えばマスクライブラリからの機械的な取り出し後又はスキャン中などに放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを正確に位置決めできる。一般に、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）を用いて実現できる。同様に、基板テーブルＷＴａ／ＷＴｂの移動は、第２のポジショナＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、又は固定してもよい。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークは専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分の間の空間に位置してもよい（スクライブレーンアライメントマークとして知られている）。同様に、マスクＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、マスクアライメントマークをダイ間に配置してもよい。
【００２８】
[0034]  図示の装置は、以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
【００２９】
[0035]  １．ステップモードにおいては、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴａ／ＷＴｂは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一静的露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴａ／ＷＴｂがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で結像されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
【００３０】
[0036]  ２．スキャンモードにおいては、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴａ／ＷＴｂは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられるパターンがターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一動的露光）。支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴａ／ＷＴｂの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分の（スキャン方向における）高さが決まる。
【００３１】
[0037]  ３．別のモードでは、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴａ／ＷＴｂを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴａ／ＷＴｂを移動させるごとに、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に適用できる。
【００３２】
[0038]  上述した使用モードの組合せ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。
【００３３】
[0039]  リソグラフィ装置ＬＡは、２つの基板テーブルＷＴａ及びＷＴｂと基板テーブルをその間で交換できる２つのステーション（露光ステーション及び測定ステーション）とを有するいわゆるデュアルステージタイプである。露光ステーションで一方の基板テーブル上の１つの基板が露光されている間に、測定ステーションで他方の基板テーブル上に別の基板を装着でき、したがって、様々な準備ステップを実行できる。準備ステップは、レベルセンサＬＳを用いた基板表面のマッピングと、アライメントセンサＡＳを用いた基板上のアライメントマークの位置の測定とを含んでもよい。これによって装置のスループットが大幅に増大する。位置センサＩＦが、基板テーブルが測定ステーション及び露光ステーションにあるときの基板テーブルの位置を測定できない場合、第２の位置センサを提供して両方のステーションで基板テーブルの位置の追跡を可能にすることができる。
【００３４】
[0040]  この装置は、本明細書に記載する様々なアクチュエータ及びセンサのすべての移動及び測定を制御するリソグラフィ装置制御ユニットＬＡＣＵをさらに含む。ＬＡＣＵはまた、装置の動作に関連する所望の計算を実施する信号処理及びデータ処理能力を含む。実際、制御ユニットＬＡＣＵは、各々が装置内のサブシステム又はコンポーネントのリアルタイムデータ取得、処理及び制御を扱う多数のサブユニットのシステムとして実現されるであろう。例えば、１つの処理サブシステムを基板ポジショナＰＷのサーボ制御専用にしてもよい。別々のユニットを用いて粗動及び微動アクチュエータ、又は異なる軸を扱ってもよい。別のユニットを位置センサＩＦの読み出し専用にしてもよい。装置の全体の制御を上記サブシステム処理ユニットと通信する中央制御ユニット又は中央制御装置によって実行させ、オペレータとその他の装置をリソグラフィ製造プロセスに従事させることができる。
【００３５】
[0041]  図２（ａ）は、それぞれＸ位置及びＹ位置の測定のために基板Ｗ上に提供されたアライメントマーク２０２、２０４の例を示す。この例の各々のマークは、基板に塗布又はエッチングされる製品層内に形成された一連のバーを含む。各バーは規則的な間隔を空け、格子線の役割を果たすので、マークは周知の空間的周期（ピッチ）を有する回折信号と見なすことができる。Ｘ方向のマーク２０２上のバーはＹ軸に平行でＸ方向の周期性を提供する一方、Ｙ方向のマーク２０４上のバーはＸ軸に平行でＹ方向の周期性を提供する。アライメントセンサＡＳ（図１に示す）は、各マークを放射線スポット２０６、２０８で光学的にスキャンし、正弦波などの周期的に変化する信号を得る。この信号の位相が分析されてアライメントセンサに対するマークの位置、ひいては基板Ｗの位置が測定され、アライメントセンサは装置の基準フレームＲＦに対して固定される。スキャン運動は幅広の矢印によって概略的に示され、スポット２０６又は２０８の前進位置が点線の輪郭で示されている。アライメントパターン内のバー（格子線）のピッチは通常、基板上に形成される製品フィーチャのピッチよりもはるかに大きく、アライメントセンサＡＳは、パターンを基板に塗布するために用いる露光放射線よりもはるかに長い放射線波長（又は普通は複数の波長）を使用する。微細位置情報が得られるが、バーの数が多ければ、反復信号の位相を正確に測定できる。
【００３６】
[0042]  粗及び微細マークを提供でき、したがって、アライメントセンサは周期的信号の様々な周期と周期内の正確な位置（位相）とを区別することができる。また、様々なピッチのマークをこのために使用できる。また、これらの技術は当業者であれば周知であり、本明細書では詳述しない。そのようなセンサの設計と動作は当技術分野では周知であり、各リソグラフィ装置は独自の設計のセンサを有してもよい。本発明のために、アライメントセンサＡＳは一般的に米国特許第６９６１１１６号（den Boef他）に記載の形態であるものとするが、本発明のある実施形態はその他のタイプのアライメントマーク及びセンサにも適用可能である。図２（ｂ）は、Ｘ位置及びＹ位置が照明スポット２０６を用いた１回の光学スキャンによって得られる同様のアライメントシステムで使用する改良型マークを示す。マーク２１０は、Ｘ及びＹ軸の両方に対して４５度に配置されたバーを有する。このＸ及びＹ方向の組合せ測定は、参照によりその内容が本明細書に組み込まれる米国特許第８，２０８，１２１号（Bijnen他）に記載の技術を用いて実行できる。
【００３７】
[0043]  第１のパターンを基板に転写する際、上記第１のパターンは、各々が第１のパターン内のそれぞれの所定の名目位置に配置された少なくともＮ個のアライメントマーク、例えば、図２（ａ）又は図２（ｂ）のアライメントマークを含んでいてもよい。普通、基板はその後１つ以上の処理デバイス内で処理され、その結果、基板は変形することがある。基板の変形は、処理デバイス又は処理に使用される処理デバイスの処理チャンバによっては繰り返されることがある。処理は、基板のエッチング、研磨、洗浄、ドーピングなどを含む。すべての処理デバイスが基板の変形を付与するわけではない。したがって、１つの処理デバイスだけが基板の変形のほぼ全部又は全部の原因であるという可能性はある。しかしながら、幾つかの処理デバイスが基板全体の変形に寄与する可能性がある。図１のような、基板にパターンを転写するためのリソグラフィ装置は、本明細書では処理デバイスと考えることができ、したがって、やはり、基板への第１のパターン転写後の基板の変形を引き起こす可能性がある。
【００３８】
[0044]  変形が反復可能なときには、上記１つ以上の処理デバイス内の基板の処理に特徴的な基板の変形パターンが存在する。変形パターンを決定することで、決定された変形パターンは１つ以上の処理デバイスによる上記処理のテンプレート又は指紋の役割を果たすことができる。変形パターンは１つ以上の較正基板を用いて決定でき、その変形は正確に測定される。
【００３９】
[0045]  変形パターンは、図１のリソグラフィ装置制御ユニットＬＡＣＵの一部であってもよい制御ユニット内に記憶できる。変形パターンを記憶するために、制御ユニットは専用の記憶場所を含んでいてもよい。
【００４０】
[0046]  変形パターンの一例を図３に示す。図３は、未変形基板Ｗの輪郭を示す。基板の変形パターンは、この例では、基板Ｗ上のベクトルＶによって示される一組のパターン変位によって形成され、数個のベクトルだけが参照記号Ｖで示されている。各ベクトルＶは、他のベクトルに対する方向と大きさで基板の局所変位を示し、局所変位の大きさはそれぞれのベクトルの長さに正比例する。図３の例の変形パターンは、特徴的なパターンフィーチャとしての２つの隣接する渦巻きＶＯ１及びＶＯ２を含み、渦巻きＶＯ１は渦巻きＶＯ２の回転方向と逆の回転方向を有する。変形パターンのその他の特徴的なパターンフィーチャも考えられる。
【００４１】
[0047]  基板の処理後、図１を参照して上述したように、アライメントセンサＡＳを用いて、Ｎ個のアライメントマークの位置が測定される。測定値に基づいて、アライメントマークのそれぞれの名目位置を上記アライメントマークのそれぞれの位置測定値と比較することで、名目位置からのアライメントマークの変位をＮ個のアライメントマークの各々について決定することができ、各アライメントマークの変位は基板の処理の結果としての基板のそれぞれの局所変形を表す。
【００４２】
[0048]  Ｎ個のアライメントマークの変位の一例を図４に関連して示す。図４には、未変形の基板Ｗが示され、ベクトルＶＥがアライメントマークの変位を示す。
【００４３】
[0049]  本発明のある実施形態の基本は、変形パターン認識方法を用いてアライメントマーク変位測定値内の１つ以上の変形パターンの存在を決定することである。このために、変形パターンがアライメントマーク変位測定値に適合される。対応する適合を示す各適合変形パターンの精度値を決定し、例えば、精度値が所定のしきい値を超えているか否かを決定することで、アライメントマーク変位測定値内に対応する変形パターンが存在するか否かを決定できる。
【００４４】
[0050]  実際、変形パターンはアライメントマーク変位測定値と１００％完璧に一致する訳ではない。これは、図３の変形パターンを図４のアライメントマーク変位測定値と比較することで理解できる。この差は、基板の回転方向の結果、及び／又は変形の全体の大きさの差に基づく場合があるが、ベクトル間の相互関係はほぼ同じままである。差は、測定エラー、ランダム変動、及び／又はマークの変形によってさらに引き起こされる可能性がある。しかしながら、本発明の変形パターン認識方法を適用する利点は、上記の差があるにもかかわらず、変形パターンの検出が容易であるということである。
【００４５】
[0051]  図５に、図４のアライメントマーク変位測定値が特徴的なパターンフィーチャとしての２つの隣接する渦巻きＶＯ１’及びＶＯ２’を含むことが示されている。しかしながら、アライメントマーク変位測定値内に存在するパターンは図３の変形パターンに対して回転されている。
【００４６】
[0052]  したがって、この例の図３の変形パターンを図４のアライメントマーク変位測定値に適合させるステップは、２つのパターンの最良の一致が見つかるアライメントマーク変位測定値に対して変形パターンの角度配向を検出するステップを含む。
【００４７】
[0053]  最良の一致は、例えば、異なる角度配向での２つのパターンの間の類似性を決定することで検出でき、最大値を検出できる。その場合、類似性は最良の適合を検出する、すなわち、精度値が最大である適合を検出するための精度値としての役割を果たす。特定の配向についての類似性を決定するために、変形パターンのベクトル及びアライメントマーク変位測定値の対応するベクトルを、互いに、例えば、検出プロセスをベクトル長などのその他のパラメータにのみ影響されないようにする方向などの方向で比較することができる。方向の類似性は、２つのベクトルの間の余弦によって表すことができる。
【００４８】
[0054]  図６は、特定の配向の変形パターンとアライメントマーク変位測定値について互いに近接する２つのベクトルＶ１、ＶＥ１を示す。ベクトルＶ１は、例えば、変形パターンに属するベクトルで、ベクトルＶＥ１は、アライメントマーク変位測定値に属する。好都合なことに、両方のベクトルの原点は同じ場所にあるが、実際には、これはそうでなくてもよい。ベクトルＶ１が（ｘ１，ｙ１）で表され、ベクトルＶＥ１が（ｘ２，ｙ２）で表される場合、２つのベクトルＶ１、ＶＥ１の方向の類似性を表す角度αの余弦は以下のように表すことができる。
【数１】
0006006420.tif 000002
【００４９】
[0055]  特定の配向について、対応するベクトルの複数のペアに関して類似性を決定し、その後結合して類似性の値、すなわち、精度値を生成することができる。異なる配向の変形パターンとアライメントマーク変位測定値について類似性が決定されると、類似性、すなわち、精度値が角度配向の関数として描画されるグラフが作成できる。その一例を図７に示す。
【００５０】
[0056]  図３〜図５の例に属する図７の例では、アライメントマーク変位測定値に関する変形パターンの時計回りの約２１０度の回転について最大類似性ＭＡＸが検出される。
【００５１】
[0057]  変形パターンの配向の上記適合に加えて、変更パターンをアライメントマーク変位測定値に関して適合させることができる。これは、対応する各ベクトルのサイズを比較し、変形パターンとアライメントマーク変位測定値との間の最小のエラーを生じる変形パターンのサイズを検出することで実行できる。
【００５２】
[0058]  また、適合条件として、アライメントマーク変位測定値への大きさの適合だけを要求することも可能である。
【００５３】
[0059]  さらに、配向及び大きさ以外の方法で変形パターンをアライメントマーク変位測定値に適合させることも可能である。例えば、位置に関する適合が可能である。
【００５４】
[0060]  ある実施形態では、変形パターンは、ベクトル形式以外の形式で、例えば、変形パターンの数学的記述として与えることもできる。その場合、アライメントマーク変位測定値は類似した数学的記述で表現され、したがって、２つの数学的記述を互いに照合して変形パターンをアライメントマーク変位測定値に適合させることができる。言い換えれば、あるモデルがアライメントマーク変位測定値に適合され、変形パターンを記述する類似のモデルが上記適合モデルに適合される。
【００５５】
[0061]  言い換えれば、変形パターンは、第１のモデルの一組のパラメータ値の形式で提供され、変形パターンをアライメントマーク変位測定値に適合させるステップは、
第１のモデルをアライメントマーク変位測定値に適合させてアライメントマーク変位測定値に対応するパラメータ値を得るステップと、
アライメントマーク変位測定値に対応する得られたパラメータ値を変形パターンの一組のパラメータ値と比較するステップとを含む。
【００５６】
[0062]  複数の処理デバイスが並列に使用されるときには、又は、例えば、処理デバイスが複数の処理チャンバを有するときには、処理の結果として複数の異なる変形パターンが生成される可能性がある。その場合、本発明の変形パターン認識方法を拡張して各々が基板の可能な生起する変形の１つに関連付けられた複数の変形パターンを使用することができる。次に、図３の単一の変形パターンに関して上述したように、複数の変形パターンの各々をアライメントマーク変位測定値に適合させることができる。適合に関連付けられた精度値が所定のしきい値を超えているか否かを決定することで、アライメントマーク変位測定値内にそれぞれの変形パターンが存在するか否かを決定することができる。精度値は、例えば、類似性に基づいていてもよい（図７を参照）。
【００５７】
[0063]  複数の利用可能な変形パターンでは、アライメントマーク変位測定値内に同時に存在できるのは複数の変形パターンのうち１つだけである。また、基板の変形が１つ以上の変形パターンの組み合わせである可能性もある。しきい値を慎重に選択することで両方のケースに対応できる。しかしながら、アライメントマーク変位測定値内に複数の変形パターンが存在する場合、アライメントマーク変位測定値に複数の変形パターンの組み合わせを適合させて基板の全体の変形への各々の存在する変形パターンの寄与を検出することが望ましい。
【００５８】
[0064]  図３及び図５に示すように、この例は渦巻きの存在の形式の特徴的なパターンフィーチャを含む。複数の変形パターンを使用するときには、複数の変形パターンを、特徴的なパターンフィーチャを含む変形パターンの第１のサブセットと、特徴的なパターンを含まない変形パターンの第２のサブセットに分割することができる。この例では、複数の変形パターンを渦巻きを含む変形パターンと渦巻きの存在を欠く変形パターンに分割できる。特に利用可能な変形パターンが多数ある場合に、変形パターン認識プロセスを高速化するために、アライメントマーク変位測定値が特徴的なパターンフィーチャ、例えば、渦巻きを含むか否かを最初に決定して、結果に基づいて、アライメントマーク変位測定値に適合させる変形パターンの数を減らし、それによって、必要な時間を低減することができる。したがって、アライメントマーク変位測定値が特徴的なフィーチャを含むときには、変形パターンの第１のサブセットだけがアライメントマーク変位測定値に適合され、アライメントマーク変位測定値が特徴的なフィーチャを含まないときには、変形パターンの第２のサブセットだけがアライメントマーク変位測定値に適合される。１つのサブセットは１つ以上の変形パターンを含んでいてもよい。
【００５９】
[0065]  例えば、図３の変形パターンは特徴的なパターンフィーチャとしての渦巻きを含む。さらに渦巻きを持たない少なくとも１つの利用可能な変形パターンがある場合、この方法は、最初に、アライメントマーク変位測定値に渦巻きが存在するかを分析し、図３の変形パターンをアライメントマーク変位測定値に適合させることが有用であるか否かを決定することができる。その結果、存在する可能性がある変形パターンを適合させるだけの手順でアライメントマーク変位測定値をより迅速に分析することができる。
【００６０】
[0066]  上記の変形パターン認識方法を用いて変形パターンの存在についての情報を得るときに、この情報を様々な方法で使用することができる。
【００６１】
[0067]  例えば、アライメントマーク変位測定値内の変形パターンの存在は、どの処理デバイスを使用するか、及び／又はこれらの使用デバイスが誤動作しているか否かに関する情報を含むため、処理デバイスモニタリング方法内で使用できる。簡単な例では、図３の変形パターンは特定の処理デバイス又は特定の一連の処理デバイスに関連していてもよい。その結果、上記処理デバイス又は一連の処理デバイスが使用されるときに、対応する変形パターンを検出する期待が生まれる。対応する処理デバイスが使用されていたが変形パターンが存在しないときには、その不在は処理デバイスの誤動作を示す。次に、この情報を用いて、処理デバイスの保守を実行できる。変形パターンの存在又は不在はそれぞれの適合の対応する精度値を用いて決定できる。また、精度値の変化は、しきい値を超えている場合でも、誤動作している処理デバイス、又は少なくとも誤動作の可能性を示す。さらに、特定の変形パターンの存在は、誤動作している処理デバイスが処理中に使用されたことを示す場合がある。
【００６２】
[0068]  また、変形パターンごとの補正レシピを決定して第２のパターンを基板に転写するパターン転写方法内でこの情報を使用できる。補正レシピは、１つ以上の処理デバイス内の基板の処理の結果としての基板のそれぞれの変形を考慮して第１のパターンに第２のパターンを整列させるために、第２のパターンを基板に転写すべき方法を規定する。
【００６３】
[0069]  補正レシピは１つ以上の較正基板に基づいて極めて正確に決定できる。その場合、第１のパターンを含む較正基板には関連付けられた変形パターンが適合され、その後、異なる補正レシピを用いて第２のパターンが基板に転写される。次に、第１及び第２のパターンの間で最小のオーバレイエラーを生んだ補正レシピがどれであるかを決定することで最適な補正レシピを検出することができる。
【００６４】
[0070]  従来技術の方法がアライメントマーク変位測定値にアライメントモデルを適合させ、適合したアライメントモデルに基づいて補正レシピを決定する場合、本発明のある実施形態によるパターン転写方法は、アライメントマーク変位測定値を１つ以上の変形パターンに適合させ、次に、適合した変形パターンに基づいて関連付けられた補正レシピを適用する。したがって、本発明のある実施形態によるパターン転写方法は、パターン認識を適用し、その後、前もって決定した関連付けられた補正レシピを使用する。その結果、既存の変形パターンを検出するのに用いられるアライメントマークの数は少なくなり、正しい補正レシピを得るプロセスは従来技術の方法よりも高速化される。これは、リソグラフィ装置の獲得可能なスループットにとって有益である。さらに、外れ値の存在はパターン認識プロセスに最小限の影響しか与えないため、補正レシピの精度はそのようなランダムなエラーの影響を受けないか又は最小限しか受けない。したがって、製造プロセスの全体の精度、すなわち、オーバレイエラーの量が改善される。本発明のある実施形態を用いて、例えば、その他のアライメントマーク変位測定値と比較して対応するパターン変位との類似性が低いことからどのアライメントマーク変位測定値が外れ値と考えられるかを決定することさえ可能である。したがって、個々のマーク変位測定値の類似性は、例えば、所定の外れ値のしきい値未満であってもよい。個々の類似性をモニタすることで、例えば、基板上の外れ値の分布をモニタすることができる。
【００６５】
[0071]  本発明のある実施形態の別の利点は、測定エラー、ランダム変動、及び／又はマークの変形によって引き起こされる後続の基板の変形間の差が、個々の測定データではなく変形パターンの認識に基づく補正レシピの使用に与える影響が少なくなるか又は全くないという点である。したがって、基板レベルでの補正を用いて、基板間の変動は低減される。さらに、リソグラフィ装置によって露光される前の基板に補正が使用される。これは、補正が一括平均アライメントデータに基づく従来技術の方法と比較して有益である。
【００６６】
[0072]  アライメントマーク変位測定値内に複数の変形パターンが存在するときには、存在する変形パターンに関連付けられた補正レシピの同様の組み合わせを用いて第２のパターンを基板に転写しなければならないことは当業者には明らかであろう。
【００６７】
[0073]  図１の制御ユニットＬＡＣＵを用いて、制御ユニットが、処理デバイス内で基板が処理されるときに上記処理デバイスによって引き起こされることがある上記基板の変形を表す少なくとも１つの変形パターンを記憶するように構成された記憶場所又は媒体を備え、上記制御ユニットが、
リソグラフィ装置を制御して少なくともＮ個のアライメントマークを含む第１のパターンを基板に転写し、
アライメントマークのそれぞれの名目位置を上記アライメントマークのそれぞれの測定位置と比較することでそれぞれの名目位置からのＮ個のアライメントマークの各々のアライメントマーク変位を決定するために、Ｎ個のアライメントマークの位置を表すデータをアライメントセンサから受信し、各々のアライメントマーク変位が基板の処理の結果としての基板のそれぞれの局所変形を表し、
アライメントマーク変位測定値に少なくとも１つの変形パターンを適合させ、
各々の適合した変形パターンの精度値を決定し、各々の精度値が対応する適合の精度を表し、
アライメントマーク変位測定値内に関連付けられた変形パターンが存在するか否かを決定するために、得られた精度値を用いる
ように構成された本発明の実施形態による異なる方法を実行することができる。
【００６８】
[0074]  また、制御ユニットは、各々の記憶された変形パターンの補正レシピを記憶するように構成された記憶場所又は媒体を含んでいてもよく、各々の補正レシピは関連付けられた変形パターンに従って変形した基板にパターンを転写する方法を規定して基板の変形を補償し、制御ユニットは、アライメントマーク変位測定値内に存在する適合した変形パターンの補正レシピを用いてリソグラフィ装置を制御して第１のパターンに第２のパターンを整列させるようにさらに構成されている。
【００６９】
[0075]  ある実施形態では、制御ユニットは、適合した変形パターンの得られた精度値を用いて、１つ以上の処理デバイスが基板の処理中に使用されていた、及び／又は基板の処理中に誤動作していたか否かを決定するようにさらに構成されている。
【００７０】
[0076]  本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
【００７１】
[0077]  光リソグラフィの分野での本発明の実施形態の使用に特に言及してきたが、本発明は文脈によってはその他の分野、例えばインプリントリソグラフィでも使用することができ、光リソグラフィに限定されないことを理解されたい。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイス内のトポグラフィが基板上に作成されたパターンを画定する。パターニングデバイスのトポグラフィは基板に供給されたレジスト層内に刻印され、電磁放射、熱、圧力又はそれらの組合せを印加することでレジストは硬化する。パターニングデバイスはレジストから取り除かれ、レジストが硬化すると、内部にパターンが残される。
【００７２】
[0078]  本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、イオンビーム又は電子ビームなどの粒子ビームのみならず、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ若しくは１２６ｎｍ、又はこれら辺りの波長を有する）及び極端紫外線光（ＥＵＶ）放射（例えば、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。
【００７３】
[0079]  「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折、反射、磁気、電磁気及び静電気光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか一つ、又はその組合せを指すことができる。
【００７４】
[0080]  以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明の実施形態は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の１つ以上のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はこのようなコンピュータプログラムを内部に記憶したデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスク）の形態をとることができる。
【００７５】
[0081]  上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。
【図１】
0006006420.tif 000003
【図２（ａ）】
0006006420.tif 000004
【図２（ｂ）】
0006006420.tif 000005
【図３】
0006006420.tif 000006
【図４】
0006006420.tif 000007
【図５】
0006006420.tif 000008
【図６】
0006006420.tif 000009
【図７】
0006006420.tif 000010