(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属基板と、
前記金属基板の表面が酸化されてなる酸化膜と、
前記金属基板の一方の主表面側の前記酸化膜上に設けられた絶縁樹脂層と、
前記絶縁樹脂層上に設けられた配線層と、を備え、
少なくとも一部の前記酸化膜の膜厚が他の部分の前記酸化膜の膜厚よりも厚く、
前記酸化膜の膜厚が他より厚い部分において、前記金属基板の一方の主表面に凹凸が形成されていることを特徴とする素子搭載用基板。
【請求項２】
発熱量の異なる複数個の半導体素子の搭載に用いられ、
前記酸化膜の膜厚が他の部分より厚い部分が前記複数個の半導体素子のうち、発熱量が相対的に大きい半導体素子が搭載される搭載予定領域である請求項１に記載の素子搭載用基板。
【請求項３】
前記酸化膜の膜厚が周囲より厚い部分の上に設けられた前記絶縁樹脂層の膜厚が他の部分の前記絶縁樹脂層の膜厚より薄い部分を有する請求項１または２に記載の素子搭載用基板。
【請求項４】
前記酸化膜の膜厚が他の部分より厚い部分の表面が、他の部分の表面と同じか、もしくは他の部分の表面よりも金属基板側に位置する請求項１または２に記載の素子搭載用基板。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の素子搭載用基板と、
前記素子搭載用基板の前記配線層が形成された側の主表面上に搭載され、前記配線層と電気的に接続された半導体素子と、
を備えたことを特徴とする半導体モジュール。
【請求項６】
金属基板の所定領域に突起部を形成する工程と、
前記金属基板の表面に酸化処理を施して、前記突起部が形成された領域の膜厚が他の領域の膜厚よりも厚い酸化膜を形成する工程と、
前記酸化膜上に絶縁樹脂層を積層する工程と、
前記絶縁樹脂層上に金属層を積層し、当該金属層を選択的に除去して配線層を形成する工程と、
を含むことを特徴とする素子搭載用基板の製造方法。
【請求項７】
前記酸化処理は、陽極酸化処理である請求項６に記載の素子搭載用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、素子搭載用基板、半導体モジュールおよび素子搭載用基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
パワー系半導体素子の発熱を放熱するためには、絶縁層として放熱特性に優れたセラミクス材料を用いることが望ましいが、セラミクス基板はコストが非常に高い。制御系半導体素子はパワー系半導体素子よりも発熱が小さいため、パワー系半導体素子と制御系半導体素子とを高価なセラミクス基板の上に搭載することはオーバースペックであるばかりか、パワー系半導体素子と制御系半導体素子と熱伝導が良好なセラミクス基板の上に混載するとパワー系半導体素子で生じた熱が制御系半導体素子に伝播することにより、制御系半導体素子が高温となり、制御系半導体素子が暴走するという問題が生じる。このような課題を解決する手段として、絶縁樹脂にセラミクスフィラーを充填した絶縁樹脂層が特許文献１に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−３０３９４０号公報
【特許文献２】特開平５−１９１００１号公報
【特許文献３】特開２００８−１５９６４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１にも記載されている通り、フィラーを充填した絶縁層で放熱特性と絶縁耐圧特性とを両立させることは困難な技術である。【０００５】
本発明はこうした課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、発熱量の多い半導体素子であるパワー系半導体素子と発熱量の少ない半導体素子である制御系半導体素子とが混載されている素子搭載用基板において、パワー系半導体素子搭載部で必要とされる放熱特性および絶縁耐圧特性を満足するとともに、パワー系半導体素子の発熱が制御系半導体素子に伝播することを抑制することができる技術の提供にある。ここで、パワー系半導体素子にはたとえばパワーＭＯＳＦＥＴ、ＩＧＢＴ、などのパワートランジスタやLED素子、制御系半導体素子にはたとえばゲートドライブＩＣや照度センサを用いることができる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のある態様は、素子搭載用基板である。当該素子搭載用基板は、金属基板と、金属基板の表面が酸化されてなる酸化膜と、金属基板の一方の主表面側の酸化膜上に設けられた絶縁樹脂層と、絶縁樹脂層上に設けられた配線層と、を備え、少なくとも一部の前記酸化膜の膜厚が他の部分の前記酸化膜の膜厚よりも厚いことを特徴とする。【０００７】
本発明の他の態様は、半導体モジュールである。当該半導体モジュールは、上述した態様の素子搭載用基板と、当該素子搭載用基板の配線層が形成された側の主表面上に搭載され、配線層と電気的に接続された半導体素子と、を備えたことを特徴とする。【０００８】
本発明のさらに他の態様は、素子搭載用基板の製造方法である。当該素子搭載用基板の製造方法は、金属基板の所定領域に突起部を形成する工程と、金属基板に形成された突起部の表面を粗化する工程と、金属基板の表面に酸化処理を施して酸化膜を形成する工程と、酸化膜上に絶縁樹脂層を積層する工程と、絶縁樹脂層上に金属層を積層し、当該金属層を選択的に除去して配線層を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、発熱量の少ない半導体素子である制御系半導体素子の温度上昇を引き起こすことなく、発熱量の多い半導体素子であるパワー系半導体素子の絶縁耐圧と放熱性の両方を確保できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施の形態１に係る素子搭載用基板を含む半導体モジュールの概略構成を示す断面模式図である。
【図２】図２（Ａ）〜図２（Ｄ）は、実施の形態１に係る素子搭載用基板および半導体モジュールの製造方法を説明するための工程模式図である。
【図３】図３（Ａ）〜図３（Ｃ）は、実施の形態１に係る素子搭載用基板および半導体モジュールの製造方法を説明するための工程模式図である。
【図４】図４（Ａ）〜図４（Ｂ）は、実施の形態１に係る素子搭載用基板および半導体モジュールの製造方法を説明するための工程模式図である。
【図５】実施の形態２に係る素子搭載用基板を含む半導体モジュールの概略構成を示す断面模式図である。
【図６】図６（Ａ）〜図２（Ｃ）は、実施の形態２に係る素子搭載用基板および半導体モジュールの製造方法を説明するための工程模式図である。
【図７】実施の形態３に係る素子搭載用基板を含む半導体モジュールの概略構成を示す断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素、部材、処理には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。また、実施の形態は、発明を限定するものではなく例示であって、実施の形態に記述されるすべての特徴やその組み合わせは、必ずしも発明の本質的なものであるとは限らない。
【００１２】
（実施の形態１）
図１は、実施の形態１に係る素子搭載用基板を含む半導体モジュールの概略構成を示す断面模式図である。本実施の形態に係る半導体モジュール１は、素子搭載用基板１００と、素子搭載用基板１００の一方の主表面上に搭載された半導体素子２００，２１０を備える。半導体素子２００は、例えばトランジスタ、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）、ＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）等のパワー系半導体素子である。半導体素子２１０は、例えば制御ＩＣ等の制御系半導体素子である。
【００１３】
素子搭載用基板１００は、金属基板１１０と、酸化膜１２０と、絶縁樹脂層１３０と、配線層１４０とを備える。
【００１４】
金属基板１１０は、アルミニウム、アルミニウム合金などの熱伝導性が良好な金属で構成された基板である。本実施の形態では、金属基板１１０はアルミニウム基板である。金属基板１１０の厚さは、例えば０．５ｍｍ〜２ｍｍである。
【００１５】
酸化膜１２０は、金属基板１１０の表面が酸化されてなる絶縁性の膜である。本実施の形態では、酸化膜１２０は、酸化アルミニウム（アルミナ）で構成されている。酸化膜１２０は、金属基板１１０の上面および下面を被覆している。素子搭載用基板１００の主表面を平面視したときに、半導体素子２００と重畳する領域、言い換えると半導体素子２００の下部において金属基板１１０の配線層１４０が設けられた側の主表面（金属基板１１０の上面）を被覆する酸化膜１２０（以下、この領域を酸化膜１２０ａと呼んで他の部分と区別する）の膜厚Ｈ１が当該領域の周囲の酸化膜１２０の膜厚Ｈ２より厚い。本実施の形態では、酸化膜１２０ａは半導体素子２００と重畳する領域全体に形成されているが、酸化膜１２０ａは半導体素子２００と重畳する領域の一部に形成されていてもよい。また、酸化膜１２０ａは半導体素子２００と重畳しない領域の一部を含んで形成されてもよい。
【００１６】
酸化膜１２０ａの膜厚Ｈ１は、酸化膜１２０ａを除く酸化膜１２０の膜厚Ｈ２に対して、例えば１．０２倍から２倍である。
【００１７】
金属基板１１０の一方の主表面側の酸化膜１２０上には、絶縁樹脂層１３０が設けられている。絶縁樹脂層１３０は、酸化膜１２０の上面上に積層されている。絶縁樹脂層１３０としては、例えばＢＴレジン等のメラミン誘導体、液晶ポリマー、エポキシ樹脂、ＰＰＥ樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、フェノール樹脂、ポリアミドビスマレイミド等の熱硬化性樹脂が例示される。素子搭載用基板１００の放熱性向上の観点から、絶縁樹脂層１３０は高熱伝導性を有することが望ましい。このため、絶縁樹脂層１３０は、アルミナ、窒化アルミニウム、シリカ、などを高熱伝導性フィラーとして含有することが好ましい。これにより、特にパワー系半導体素子である半導体素子２００で発生した熱を効率的に放熱することができる。
【００１８】
しかし、絶縁樹脂層１３０の厚さは、例えば、５０μｍ〜２５０μｍである。上述したように、酸化膜１２０ａの膜厚が周囲より厚くなっている分だけ、半導体素子２００の下部における絶縁樹脂層１３０の膜厚Ｈ３は、半導体素子２１０の下部における絶縁樹脂層１３０の膜厚Ｈ４より薄くなっている。
【００１９】
絶縁樹脂層１３０上には、配線層１４０が設けられている。配線層１４０は、例えば銅で構成され、所定の配線パターン形状を有する。配線層１４０の厚さは、例えば１０μｍ〜１５０μｍである。
【００２０】
素子搭載用基板１００の配線層１４０が形成された側の主表面上には、半導体素子２００，２１０が搭載されている。半導体素子２００，２１０は、下面側の素子電極（図示せず）が、たとえばはんだ１５０を介して配線層１４０（電極）と電気的に接続されている。はんだの換わりに金属ペースト、もしくは接着剤などを用いてもよい。また、半導体素子２００，２１０の上面側の素子電極（図示せず）は、それぞれ、たとえばアルミニウム線１５２により配線層１４０にワイヤボンディング接続されている。アルミニウム線の換わりに銅線や金線などを用いてもよい。なお、本実施の形態では、半導体素子２１０の上面側の素子電極の一つに接続されたアルミニウム線１５２と、半導体素子２００の上面側の素子電極の一つに接続されたアルミニウム線１５２とが配線層１４０の一部にともに接続されている。例えば、半導体素子２００の動作を制御するための制御信号が半導体素子２１０から半導体素子２００に送信され、半導体素子２００は当該制御信号にしたがってスイッチング動作を行う。
【００２１】
（素子搭載用基板および半導体モジュールの製造方法）
実施の形態１に係る素子搭載用基板を含む半導体モジュールの製造方法について、図２（Ａ）〜図２（Ｄ）、図３（Ａ）〜図３（Ｃ）および図４（Ａ）〜図４（Ｂ）を参照して説明する。
【００２２】
まず、図２（Ａ）に示すように、アルミニウムを主材料とする金属板１０９を用意する。金属板１０９は、個々の金属基板１１０に打ち抜き加工される前の大板サイズであり、例えば１００ｍｍ〜１０００ｍｍ四方の大きさである。続いて、図２（Ｂ）に示すように、上述した半導体素子２００の搭載予定領域に複数の突起部１１１を形成する。突起部１１１の高さは、例えば、０．１〜０．２ｍｍである。突起部１１１を形成する手法は特に限定されないが、例えば、プレスによる金型加工が挙げられる。
【００２３】
次に、図２（Ｃ）に示すように、金属板１０９を例えば硫酸溶液４００中に浸漬して、金属板１０９の表面にエッチング処理（スライトエッチング）を施す。金属板１０９に形成された突起部１１１には金属板１０９の凹凸加工の際に大きな加工歪みが発生し、結晶にダメージが加わる。そのため、突起部１１１には、金属板１０９の他の領域に比べて微小な結晶粒が多く形成される。したがって、金属板１０９の表面にエッチング処理を施すと、突起部１１１の表面に他の領域に比べてより微細な凹凸が形成される。
【００２４】
次に、金属板１０９の表面に酸化処理を施して酸化膜１２０を形成する。本実施の形態では、図２（Ｄ）に示すように、電源（図示せず）の正極に接続した金属板１０９を、例えばシュウ酸溶液４１０に浸漬する。また、電源の負極に接続した陰極端子４２０を金属板１０９の両主表面側にそれぞれ所定の間隔で対向配置し、シュウ酸溶液４１０に浸漬する。そして、金属板１０９に陽極酸化処理を施して、金属板１０９の表面に酸化アルミニウムからなる酸化皮膜を形成する。なお、金属板１０９の酸化処理は、中性またはアルカリ性の処理液中で陽極としての金属板１０９と陰極との間に交流を印加し、プラズマ放電（マイクロアーク）を発生させることで金属板１０９の表面を酸化するプラズマ酸化処理により行ってもよい。
【００２５】
金属板１０９の酸化処理によって、金属板１０９の表層が酸化膜１２０となる。その結果、図３（Ａ）に示すように、金属板１０９の表面が酸化膜１２０で被覆された状態となる。上述のように、金属板１０９は、突起部１１１の表面に他の領域に比べてより微細な凹凸が形成されている。したがって、突起部１１１が他の領域に比べてより酸化されやすい。そのため、突起部１１１が形成された領域には、他の領域よりも膜厚の厚い酸化膜１２０ａが形成される。
【００２６】
次に、図３（Ｂ）に示すように、金属板１０９の上面側に設けられた酸化膜１２０上に、絶縁樹脂フィルムからなる絶縁樹脂層１３０を配置する。また、絶縁樹脂層１３０の上方に銅箔等の金属箔１４１を配置する。そして、プレス装置を用いて、金属基板１１０、絶縁樹脂層１３０および金属箔１４１を圧着する。
【００２７】
次に、図３（Ｃ）に示すように、周知のフォトリソグラフィ法およびエッチング法により、金属箔１４１を選択的に除去し、所定パターンの配線層１４０を形成する。
【００２８】
続いて、図４（Ａ）に示すように、打ち抜き加工または切断加工により、素子搭載用基板１００に個片化する。以上の工程により、本実施の形態に係る素子搭載用基板１００が形成される。
【００２９】
次に、図４（Ｂ）に示すように、配線層１４０上にはんだ１５０を介して半導体素子２００，２１０を搭載する。また、ワイヤボンディング法を用いて、半導体素子２００，２１０の上面側の素子電極をアルミニウム線１５２を介して配線層１４０の所定領域に電気的に接続する。以上の工程により、本実施の形態に係る半導体モジュール１が形成される。
【００３０】
以上説明したように、局所的に酸化膜１２０の膜厚を厚くすることで、熱伝導および絶縁耐圧が周囲に比べて高い領域を形成することができる。この領域の上方に発熱源となる半導体素子２００を搭載することにより、半導体素子２００の下部の放熱性と絶縁耐圧の両方を確保することができる。一方、発熱量が相対的に少ない半導体素子２１０の下部では、絶縁樹脂層１３０の厚さが半導体素子２００の下部の絶縁樹脂層１３０に比べて厚くなっている。このため、半導体素子２００で生じた熱が金属基板１１０を伝導し、さらに、半導体素子２１０に伝導することが抑制されている。したがって、半導体素子２００が発熱しても、金属基板１１０を介して半導体素子２１０が温度上昇しにくくなっている。この結果、半導体素子２１０の動作信頼性を向上させることができる。
【００３１】
また、本実施の形態に係る半導体モジュール１は、上述した素子搭載用基板１００に半導体素子２００（パワー系半導体素子）および半導体素子２１０（制御系半導体素子）を搭載することにより、制御系半導体素子の温度上昇を引き起こすことなく、パワー系半導体素子の絶縁耐圧と放熱性の両方を確保している。このため、半導体モジュール１の動作信頼性の向上を図ることができる。
【００３２】
（実施の形態２）
図５は、実施の形態２に係る素子搭載用基板を含む半導体モジュールの概略構成を示す断面模式図である。先に示した実施の形態との相違点について、以下に述べる。この実施の形態では、酸化膜１２０の膜厚が他の部分より厚い部分の表面が、他の部分の表面と同じか、もしくは他の部分の表面よりも金属基板１１０側に位置することを特徴とする。
【００３３】
（素子搭載用基板および半導体モジュールの製造方法）
実施の形態２に係る素子搭載用基板を含む半導体モジュールの製造方法について、実施の形態１に係る素子搭載用基板を含む半導体モジュールの製造方法との相違点に関して、図６（Ａ）〜図６（Ｃ）を参照して説明する。
【００３４】
まず、図６（Ａ）に示すように、アルミウムを主材料とする金属板１０９を用意する。金属板１０９は、個々の金属基板１１０に打ち抜き加工される前の大板サイズであり、例えば１００ｍｍ〜１０００ｍｍ四方の大きさである。
【００３５】
続いて、図６（Ｂ）に示すように、上述した半導体素子２００の搭載予定領域に複数の突起部１１１を形成する。突起部１１１の高さは例えば、０．１〜０．２ｍｍである。この時、突起部１１１の先端は突起部１１１の形成されない金属板１０９の表面に対して、金属板１０９側に位置する。突起部１１１を形成する手法は特に限定されないが、例えば、プレスによる金型加工が挙げられる。
【００３６】
以降、図６（Ｃ）に示すように、実施の形態１と同様の方法で金属板１０９の表層に酸化膜１２０を形成する。
【００３７】
図６（Ｂ）に示した、突起部１１１の先端が突起部１１１の形成されない金属板１０９の表面に対して金属板１０９側に位置するような金属板１０９を用いることにより、図６（Ｃ）に示すような酸化膜１２０の膜厚が他の部分より厚い部分、すなわち酸化膜１２０ａの表面が、他の部分の表面と同じか、もしくは他の部分の表面よりも金属板１０９側に位置する金属板１０９を形成することができる。金属１０９は、打ち抜き加工などの個片化工程により図５に示す金属基板１１０となる。
【００３８】
以上、説明したように、突起部１１１の先端が突起部１１１の形成されない金属基板１１０の表面に対して、金属基板１１０側に位置するように金属基板１１０に突起部１１１を設け、局所的に酸化膜１２０の膜厚を厚くすることで、酸化膜１２０の膜厚が他の部分より厚い部分である酸化膜１２０ａの表面が、他の部分の表面と同じか、もしくは他の部分の表面よりも金属基板１１０側に位置する金属基板１１０を形成することができる。
【００３９】
酸化膜１２０ａの表面が、他の部分表面と同じか、もしくは他の部分の表面よりも金属基板１１０側に位置することにより、酸化膜１２０ａでは酸化膜１２０の膜が厚い分、他の部分に対して絶縁耐圧を高くすることが可能となる。また、配線層１４０側の絶縁樹脂層１３０の表面を平面にした場合に、酸化膜１２０ａでは、酸化膜１２０上の絶縁樹脂層１３０の膜厚を厚くすることが可能になり絶縁耐圧を高くすることが可能となる。以上のことにより、金属基板１１０の絶縁耐圧を向上し、絶縁破壊を抑制することが可能となることから、信頼性を向上することができる。
【００４０】
（実施の形態３）
図７は、実施の形態３に係る素子搭載用基板を含む半導体モジュールの概略構成を示す断面模式図である。図７において、半導体素子４００は青色ＬＥＤ素子、半導体素子４０１は緑色ＬＥＤ素子、半導体素子４０２は赤色ＬＥＤ素子、半導体素子４０３は白色ＬＥＤ素子である。半導体素子４１０はＬＥＤ素子を制御するために用いられる照度センサであり、半導体モジュール３００はＬＥＤモジュールである。それぞれのＬＥＤ素子は、素子ごとに分離された酸化膜１２０の膜厚が周囲より厚い部分１２０ａ１〜１２０ａ４に搭載されている。このことにより、ＬＥＤ素子の発熱が個々に分離されるので隣り合ったＬＥＤへ熱が伝わりにくく、隣り合ったＬＥＤの発熱によるＬＥＤ動作特性の影響を抑制することが可能となる。たとえば、周辺のＬＥＤの発熱により周囲温度が上昇すると光度が低下する赤色 ＬＥＤの光度低下を本構造では抑制することが可能である。また、熱に弱い照度センサを熱的に分離しつつＬＥＤ素子と同一基板に搭載することができるので、ＬＥＤモジュールの小型化が可能となる。
【００４１】
図７には、それぞれのＬＥＤ素子が素子毎に分離された膜厚の厚い酸化膜１２０ａ１〜１２０ａ４の上方に搭載された形態を開示したが、複数のＬＥＤが素子毎に分離されていない（同一の）膜厚の厚い酸化膜、たとえば酸化膜１２０ａ１の上方に搭載されてもよい。この形態によると、個々に分離された場合と比較して放熱性の良い膜厚の厚い酸化膜１２０ａ１が大面積に形成され、モジュール全体としての放熱性が向上する効果がある。同種のＬＥＤを複数個搭載する場合には、より放熱効果が高い本形態が適している。
【００４２】
また、図７には、ＬＥＤ素子を４つ搭載した例を示したが、ＬＥＤモジュールに搭載されるＬＥＤ素子の種類の組み合わせ及び個数はこれに限らない。また、ＬＥＤモジュールには、バリスタなどの受動素子が搭載されていてもよい。膜厚の厚い酸化膜１２０ａ１〜１２０ａ４をＬＥＤ毎に分離する形態および１つの膜厚の厚い酸化膜上に複数のＬＥＤを搭載する形態を開示したが、例えば上記のような青色／緑色／赤色／白色の各ＬＥＤを搭載したＬＥＤモジュールにおいて、赤色ＬＥＤに相当する酸化膜のみを分離し、青色／緑色／白色の各ＬＥＤは同一の厚膜酸化膜上に搭載してもよい。
【００４３】
本発明は、上述した実施の形態や変形例に限定されるものではなく、当業者の知識に基づいて各種の設計変更等のさらなる変形を加えることも可能であり、そのような変形が加えられた実施形態も本発明の範囲に含まれ得るものである。
【００４４】
なお、本実施の形態に係る発明は、以下に記載する項目によって特定されてもよい。
【００４５】
［項目１］
金属基板と、
前記金属基板の表面が酸化されてなる酸化膜と、
前記金属基板の一方の主表面側の前記酸化膜上に設けられた絶縁樹脂層と、
前記絶縁樹脂層上に設けられた配線層と、を備え、
少なくとも一部の前記酸化膜の膜厚が他の部分の前記酸化膜の膜厚よりも厚いことを特徴とする素子搭載用基板。
【００４６】
［項目２］
前記酸化膜の膜厚が他の部分より厚い部分が発熱源となる半導体素子が搭載される搭載予定領域である項目１に記載の素子搭載用基板。
【００４７】
［項目３］
前記酸化膜の膜厚が周囲より厚い部分の上に設けられた前記絶縁樹脂層の膜厚が他の部分の前記絶縁樹脂層の膜厚より薄い部分を有する項目１または２に記載の素子搭載用基板。
【００４８】
［項目４］
前記酸化膜の膜厚が他の部分より厚い部分の表面が、他の部分の表面と同じか、もしくは他の部分の表面よりも金属基板側に位置する項目１または２に記載の素子搭載用基板。
【００４９】
［項目５］
前記酸化膜の膜厚が他より厚い部分において、前記金属基板の一方の主表面に凹凸が形成されている項目１乃至４のいずれか１項に記載の素子搭載用基板。
【００５０】
［項目６］
請求項１乃至５のいずれか１項にに記載の素子搭載用基板と、
前記素子搭載用基板の前記配線層が形成された側の主表面上に搭載され、前記配線層と電気的に接続された半導体素子と、
を備えたことを特徴とする半導体モジュール。
【００５１】
［項目７］
金属基板の所定領域に突起部を形成する工程と、
前記金属基板の表面に酸化処理を施して酸化膜を形成する工程と、
前記酸化膜上に絶縁樹脂層を積層する工程と、
前記絶縁樹脂層上に金属層を積層し、当該金属層を選択的に除去して配線層を形成する工程と、
を含むことを特徴とする素子搭載用基板の製造方法。
【００５２】
［項目８］
前記酸化処理は、陽極酸化処理である項目７に記載の素子搭載用基板の製造方法。
【符号の説明】
【００５３】
１  半導体モジュール、１００  素子搭載用基板、１０９  金属板、１１０  金属基板、１１１  突起部、１２０  酸化膜、１３０  絶縁樹脂層、１４０  配線層、１４１  金属箔、２００，２１０  半導体素子。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
本発明は、素子搭載用基板、半導体モジュールおよび素子搭載用基板の製造方法に利用される。
【図１】
0005999376.tif 000002
【図２】
0005999376.tif 000003
【図３】
0005999376.tif 000004
【図４】
0005999376.tif 000005
【図５】
0005999376.tif 000006
【図６】
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【図７】
0005999376.tif 000008