(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に配置された複数のデータ線と複数のゲート線との交点のそれぞれに対応して配置される複数の画素と、
前記基板上に配置された第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜の上層に前記第１絶縁膜の少なくとも一部と接して配置され、前記第１絶縁膜とは異なる材質の膜である第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜上に前記複数の画素のそれぞれに対応して配置され、側部に第３絶縁膜が配置される複数のＭＥＭＳシャッターと、
前記複数のゲート線及び前記複数のデータ線に電位を供給する複数の端子であって、前記複数の端子の上部に配置された前記第１絶縁膜及び前記第２絶縁膜の開口部から前記電位の供給を受ける前記複数の端子と、を含み、
前記第２絶縁膜は、前記第１絶縁膜及び前記第３絶縁膜とは異なるエッチングレートを有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記ＭＥＭＳシャッターは、開口部を有するシャッター、前記シャッターに接続された第１バネ、前記第１バネに接続された第１アンカー、第２バネ、及び前記第２バネに接続された第２アンカーを有し、
前記第１アンカーと前記第２アンカーとの電位差によって、前記第１バネと前記第２バネとが静電駆動されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記ＭＥＭＳシャッターは、前記ＭＥＭＳシャッターのそれぞれに対応して接続されるスイッチング素子を有し、
前記第１アンカーと前記第２アンカーとの電位差は、前記スイッチング素子によって供給されることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記基板と接合される光透過部を有する対向基板と、
前記対向基板と対向して配置されるバックライトと、をさらに含み、
前記シャッターの前記開口部と、前記対向基板の前記光透過部との重なる部分から前記バックライトから供給される光を透過させることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項５】
基板上に複数のスイッチング素子及び複数の端子を形成し、
前記複数のスイッチング素子及び前記複数の端子上に第１絶縁膜を形成し、
前記複数の端子上の前記第１絶縁膜をエッチングして前記複数の端子の一部を露出させ、
前記第１絶縁膜上に、前記第１絶縁膜とは異なる材質の膜である第２絶縁膜を形成し、
前記複数の端子上の前記第２絶縁膜をエッチングして前記複数の端子の一部を露出させ、
前記第２絶縁膜上に、前記複数のスイッチング素子によってそれぞれ駆動され、開口部を有するシャッター、前記シャッターに接続された第１バネ、前記第１バネに接続された第１アンカー、第２バネ、及び前記第２バネに接続された第２アンカーを有する複数のＭＥＭＳシャッターを形成し、
前記複数のＭＥＭＳシャッター及び前記複数の端子上に第３絶縁膜を形成し、
前記複数の端子上の前記第３絶縁膜をエッチングして前記複数の端子の一部を露出させることを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項６】
基板上に複数のスイッチング素子及び複数の端子を形成し、
前記複数のスイッチング素子及び前記複数の端子上に第１絶縁膜を形成し、
前記第１絶縁膜上に、前記第１絶縁膜とは異なる材質の膜である第２絶縁膜を形成し、
前記複数の端子上の前記第１絶縁膜及び前記第２絶縁膜をエッチングして前記複数の端子の一部を露出させ、
前記第２絶縁膜上に、前記複数のスイッチング素子によってそれぞれ駆動され、開口部を有するシャッター、前記シャッターに接続された第１バネ、前記第１バネに接続された第１アンカー、第２バネ、及び前記第２バネに接続された第２アンカーを有する複数のＭＥＭＳシャッターを形成し、
前記複数のＭＥＭＳシャッター及び前記複数の端子上に第３絶縁膜を形成し、
前記複数の端子上の前記第３絶縁膜をエッチングして前記複数の端子の一部を露出させることを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項７】
基板上に複数のスイッチング素子及び複数の端子を形成し、
前記複数のスイッチング素子及び前記複数の端子上に第１絶縁膜を形成し、
前記複数の端子上の前記第１絶縁膜をエッチングして前記複数の端子の一部を露出させ、
前記第１絶縁膜上に、前記第１絶縁膜とは異なる材質の膜である第２絶縁膜を形成し、
前記第２絶縁膜上に、前記複数のスイッチング素子によってそれぞれ駆動され、開口部を有するシャッター、前記シャッターに接続された第１バネ、前記第１バネに接続された第１アンカー、第２バネ、及び前記第２バネに接続された第２アンカーを有する複数のＭＥＭＳシャッターを形成し、
前記複数のＭＥＭＳシャッター及び前記複数の端子上に第３絶縁膜を形成し、
前記複数の端子上の前記第２絶縁膜及び前記第３絶縁膜をエッチングして前記複数の端子の一部を露出させることを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記第２絶縁膜は、前記第１絶縁膜及び前記第３絶縁膜とは異なるエッチングレートを有する成膜材料を用いて形成することを特徴とする請求項５乃至７のいずれか一項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記第２絶縁膜は、複数の層からなる積層構造に形成することを特徴とする請求項５乃至８のいずれか一項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１絶縁膜及び前記第３絶縁膜は、ＣＶＤ法を用いてシリコン窒化膜を形成することを特徴とする請求項５乃至９のいずれか一項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記基板上の前記複数のスイッチング素子が形成された面と対向して対向基板がシール材を介して接合されることを特徴とする請求項５乃至１０のいずれか一項に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、メカニカルシャッターを用いた表示装置及び表示装置の製造方法
に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）技術を応用したメカニカルシャッター（以下「ＭＥＭＳシャッター」という。）を用いた表示装置が注目されてきている。ＭＥＭＳシャッターを用いた表示装置（以下「ＭＥＭＳ表示装置」という。）とは、画素ごとに設けたＭＥＭＳシャッターを、ＴＦＴを用いて高速で開閉することによってシャッターを透過する光の量を制御し、画像の明暗の調整を行う表示装置である（例えば、特許文献１参照。）。ＭＥＭＳ表示装置においては時間階調方式を採用し、赤色、緑色及び青色のＬＥＤバックライトからの光を順次切り替えることにより画像の表示を行うことが主流である。よって、ＭＥＭＳ表示装置は、液晶表示装置に用いられる偏光フィルムやカラーフィルタなどを必要とせず、液晶表示装置と比較してバックライトの光の利用効率は約１０倍、消費電力は１／２以下になり、また、色再現性が優れている点に特徴がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−１９７６６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ＭＥＭＳ表示装置においては、ＭＥＭＳシャッターを駆動するためのスイッチング素子、及びスイッチング素子を駆動するゲートドライバやデータドライバを構成するＴＦＴが基板上に形成される。基板上にはＴＦＴへ外部から信号を供給するための端子が同時に形成される。通常、ＭＥＭＳ表示装置においては、ＴＦＴ及び端子が形成されたＴＦＴ基板上にＴＦＴ及び端子を覆うパッシベーション膜（絶縁膜）を形成し、そのパッシベーション膜上にＭＥＭＳシャッターを形成する。ＭＥＭＳシャッターは、端子と電気的に接続される部分以外が絶縁膜で覆われる。このとき、ＭＥＭＳシャッターの可動部が中空構造を有することから、可動部の側部及び下部にも絶縁膜を形成するために、ＭＥＭＳシャッターを形成したＴＦＴ基板の全面にＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等により絶縁膜を形成する。その後、ＴＦＴ基板に対向基板を貼り合わせる。ＴＦＴ基板に形成された端子には外部から信号を供給する必要があるため、対向基板が端子上部を覆わないようにＴＦＴ基板と対向基板とを張り合わせる。
【０００５】
ＴＦＴ基板上に形成した端子には外部から信号及び電源を供給するために、端子上の絶縁膜を除去して端子を露出させる必要がある。このような絶縁膜は、フォトリソプロセスとエッチングプロセスとの組合せ等により除去することができる。しかしながら、パッシベーション膜として上述した下層の絶縁膜と、この下層の絶縁膜上に形成されるＭＥＭＳシャッターを覆う上層の絶縁膜とは被膜性や絶縁性に優れることからいずれも同じ窒化膜を用いることが多く、上層の絶縁膜のみを除去して下層の絶縁膜を十分な膜厚を残してエッチングすることが難しい。下層の絶縁膜までエッチングが進むと、ＴＦＴ基板に形成された配線が露出し、絶縁不良や導通不良の原因となる虞がある。
【０００６】
そこで、本発明は上述した問題を鑑みてなされてものであり、ＴＦＴ基板の表面を保護する絶縁膜の膜減りを抑制しつつ、端子上の絶縁膜を除去することができ、ＴＦＴ基板の信頼性向上を図ることができる表示装置及びその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一実施形態によると、基板上に配置された複数のデータ線と複数のゲート線との交点のそれぞれに対応して配置される複数の画素と、前記基板上に配置された第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜の上層に前記第１絶縁膜の少なくとも一部と接して配置され、前記第１絶縁膜とは異なる材質の膜である第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜上に前記複数の画素のそれぞれに対応して配置され、側部に第３絶縁膜が配置される複数のＭＥＭＳシャッターと、前記複数のゲート線及び前記複数のデータ線に電位を供給する複数の端子であって、前記複数の端子の上部に配置された前記第１絶縁膜及び前記第２絶縁膜の開口部から前記電位の供給を受ける前記複数の端子と、を含むことを特徴とする表示装置が提供される。
【０００８】
前記第２絶縁膜は、前記第１絶縁膜及び前記第３絶縁膜とは異なるエッチングレートを有してもよい。
【０００９】
前記ＭＥＭＳシャッターは、開口部を有するシャッター、前記シャッターに接続された第１バネ、前記第１バネに接続された第１アンカー、第２バネ、及び前記第２バネに接続された第２アンカーを有し、前記第１アンカーと前記第２アンカーとの電位差によって、前記第１バネと前記第２バネとが静電駆動されてもよい。
【００１０】
前記ＭＥＭＳシャッターは、前記ＭＥＭＳシャッターのそれぞれに対応して接続されるスイッチング素子を有し、前記第１アンカーと前記第２アンカーとの電位差は、前記スイッチング素子によって供給されてもよい。
【００１１】
前記基板と接合される光透過部を有する対向基板と、前記対向基板と対向して配置されるバックライトと、をさらに含み、前記シャッターの前記開口部と、前記対向基板の前記光透過部との重なる部分から前記バックライトから供給される光を透過させてもよい。
【００１２】
また、本発明の一実施形態によると、基板上に複数のスイッチング素子及び複数の端子を形成し、前記複数のスイッチング素子及び前記複数の端子上に第１絶縁膜を形成し、前記複数の端子上の前記第１絶縁膜をエッチングして前記複数の端子の一部を露出させ、前記第１絶縁膜上に、前記第１絶縁膜とは異なる材質の膜である第２絶縁膜を形成し、前記複数の端子上の前記第２絶縁膜をエッチングして前記複数の端子の一部を露出させ、前記第２絶縁膜上に、前記複数のスイッチング素子によってそれぞれ駆動され、開口部を有するシャッター、前記シャッターに接続された第１バネ、前記第１バネに接続された第１アンカー、第２バネ、及び前記第２バネに接続された第２アンカーを有する複数のＭＥＭＳシャッターを形成し、前記複数のＭＥＭＳシャッター及び前記複数の端子上に第３絶縁膜を形成し、前記複数の端子上の前記第３絶縁膜をエッチングして前記複数の端子の一部を露出させることを特徴とする表示装置の製造方法が提供される。
【００１３】
また、本発明の一実施形態によると、基板上に複数のスイッチング素子及び複数の端子を形成し、前記複数のスイッチング素子及び前記複数の端子上に第１絶縁膜を形成し、前記第１絶縁膜上に、前記第１絶縁膜とは異なる材質の膜である第２絶縁膜を形成し、前記複数の端子上の前記第１絶縁膜及び前記第２絶縁膜をエッチングして前記複数の端子の一部を露出させ、前記第２絶縁膜上に、前記複数のスイッチング素子によってそれぞれ駆動され、開口部を有するシャッター、前記シャッターに接続された第１バネ、前記第１バネに接続された第１アンカー、第２バネ、及び前記第２バネに接続された第２アンカーを有する複数のＭＥＭＳシャッターを形成し、前記複数のＭＥＭＳシャッター及び前記複数の端子上に第３絶縁膜を形成し、前記複数の端子上の前記第３絶縁膜をエッチングして前記複数の端子の一部を露出させることを特徴とする表示装置の製造方法が提供される。
【００１４】
また、本発明の一実施形態によると、基板上に複数のスイッチング素子及び複数の端子を形成し、前記複数のスイッチング素子及び前記複数の端子上に第１絶縁膜を形成し、前記複数の端子上の前記第１絶縁膜をエッチングして前記複数の端子の一部を露出させ、前記第１絶縁膜上に、前記第１絶縁膜とは異なる材質の膜である第２絶縁膜を形成し、前記第２絶縁膜上に、前記複数のスイッチング素子によってそれぞれ駆動され、開口部を有するシャッター、前記シャッターに接続された第１バネ、前記第１バネに接続された第１アンカー、第２バネ、及び前記第２バネに接続された第２アンカーを有する複数のＭＥＭＳシャッターを形成し、前記複数のＭＥＭＳシャッター及び前記複数の端子上に第３絶縁膜を形成し、前記複数の端子上の前記第２絶縁膜及び前記第３絶縁膜をエッチングして前記複数の端子の一部を露出させることを特徴とする表示装置の製造方法が提供される。
【００１５】
前記第２絶縁膜は、前記第１絶縁膜及び前記第３絶縁膜とは異なるエッチングレートを有する成膜材料を用いて形成してもよい。
【００１６】
前記第２絶縁膜は、複数の層からなる積層構造に形成してもよい。
【００１７】
前記第１絶縁膜及び前記第３絶縁膜は、ＣＶＤ法を用いてシリコン窒化膜を形成してもよい。
【００１８】
前記基板上の前記複数のスイッチング素子が形成された面と対向して対向基板がシール材を介して接合されてもよい。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の表示装置及びその製造方法によると、ＴＦＴ基板の表面を保護する絶縁膜の膜減りを抑制しつつ、端子上の絶縁膜を除去することができ、ＴＦＴ基板の信頼性向上を図ることができる表示装置及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の一実施形態に係る表示装置を示す図であり、（ａ）は、表示装置の斜視図であり、（ｂ）は、表示装置の平面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る表示装置の回路ブロック図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る表示装置に用いるＭＥＭＳシャッターの構成を示す図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る表示装置に用いるＭＥＭＳシャッターの構成を示す図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る表示装置に対する一般的な表示装置の表示部及び端子部の一例を示す断面図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る表示装置に対する一般的な表示装置の端子部の製造工程を示す図であり、（ａ）は第１の絶縁膜を形成する工程を示す断面図であり、（ｂ）は第２の絶縁膜を形成する工程を示す断面図であり、（ｃ）は基板に対向基板を接合する工程を示す断面図であり、（ｄ）は端子開口部を形成する工程を示す断面図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る表示装置に対する一般的な表示装置の表示部及び端子部の製造工程を示す図であり、（ａ）は第２の絶縁膜を形成する工程を示す断面図であり、（ｂ）は端子開口部を形成する工程を示す断面図である。
【図８】本発明の第１の実施形態に係る表示装置の表示部及び端子部を示す断面図である。
【図９】本発明の第１の実施形態に係る表示装置の端子部の製造工程を示す図であり、（ａ）は第１絶縁膜及び第２絶縁膜を形成する工程を示す断面図であり、（ｂ）は端子を開口する部分を形成する工程を示す断面図であり、（ｃ）は第３絶縁膜を形成する工程を示す断面図であり、（ｄ）は基板に対向基板を接合する工程を示す断面図であり、（ｅ）は端子を開口する工程を示す断面図である。
【図１０】本発明の第１の実施形態に係る表示装置の表示部及び端子部の製造工程において第３絶縁膜を形成する工程を示す断面図である
【図１１】本発明の第２の実施形態に係る表示装置の端子部の製造工程を示す図であり、（ａ）は第１絶縁膜及び第２絶縁膜を形成する工程を示す断面図であり、（ｂ）は端子を開口する部分を形成する工程を示す断面図であり、（ｃ）は第３絶縁膜を形成する工程を示す断面図であり、（ｄ）は基板に対向基板を接合する工程を示す断面図であり、（ｅ）は端子を開口する工程を示す断面図である。
【図１２】本発明の第３の実施形態に係る表示装置の端子部の製造工程を示す図であり、（ａ）は第１絶縁膜及び第２絶縁膜を形成する工程を示す断面図であり、（ｂ）は第３絶縁膜を形成する工程を示す断面図であり、（ｃ）は基板に対向基板を接合する工程を示す断面図であり、（ｄ）は端子を開口する工程を示す断面図である。
【図１３】本発明の第４の実施形態に係る表示装置の端子部の製造工程を示す図であり、（ａ）は第１絶縁膜及び下層の第２絶縁膜を形成する工程を示す断面図であり、（ｂ）は上層の第２絶縁膜を形成する工程を示す断面図であり、（ｃ）は第３絶縁膜を形成する工程を示す断面図であり、（ｄ）は基板に対向基板を接合する工程を示す断面図であり、（ｅ）は端子を開口する工程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、図面を参照しながら、本発明の表示装置の実施形態について説明する。なお、本発明の表示装置は、以下の実施形態に限定されることはなく、種々の変形を行ない実施することが可能である。
【００２２】
図１（ａ）及び（ｂ）に本発明の一実施形態に係る表示装置１００を示す。図１（ａ）は、表示装置の斜視図であり、（ｂ）は、表示装置の平面図である。本実施形態に係る表示装置１００は、基板１０１及び対向基板１０９を有している。基板１０１は、表示部１０１ａ、駆動回路１０１ｂ、１０１ｃ及び１０１ｄ、並びに端子部１０１ｅを有している。基板１０１と対向基板１０９とは、シール材等を用いて接合される。
【００２３】
図２に本発明の一実施形態に係る表示装置１００の回路ブロック図を示す。図２に示す本発明の一実施形態に係る表示装置１００には、コントローラ１２０から画像信号及び制御信号が供給される。また、図２に示す本発明の一実施形態に係る表示装置１００には、コントローラ１２０によって制御されるバックライト１２２から光が供給される。なお、コントローラ１２０及びバックライト１２２を含んで本発明の表示装置１００を構成するようにしてもよい。
【００２４】
図２に示すとおり、表示部１０１ａは、ゲート線（Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｎ）とデータ線（Ｄ１、Ｄ２、・・・、Ｄｍ）との交点に対応する位置に、マトリクス状に配置されたメカニカルシャッター（ＭＥＭＳシャッター）２０２、スイッチング素子２０４、及び保持容量２０６を有する画素２００を有している。駆動回路１０１ｂ、１０１ｃは、データドライバであり、スイッチング素子２０４へデータ線（Ｄ１、Ｄ２、・・・、Ｄｍ）を介してデータ信号を供給する。駆動回路１０１ｄは、ゲートドライバであり、スイッチング素子２０４へゲート線（Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｎ）を介してゲート信号を供給する。なお、本実施形態においては、図１に示すように、データドライバである駆動回路１０１ｂ、１０１ｃが、表示部１０１ａを挟むように配置されているが、この構成に限定されるものではない。スイッチング素子２０４は、データ線（Ｄ１、Ｄ２、・・・、Ｄｍ）から供給されるデータ信号に基づきＭＥＭＳシャッター２０２を駆動する。
【００２５】
ここで、図３及び図４を参照して、ＭＥＭＳシャッター２０２の構成について説明する。図３は、本発明の一実施形態に係る表示装置１００に用いるＭＥＭＳシャッター２０２の構成を示す図である。図４は、本発明の一実施形態に係る表示装置１００に用いるＭＥＭＳシャッター２０２の構成を示す図である。説明の便宜上、図３には、一つのＭＥＭＳシャッター２０２を示すが、本発明の一実施形態に係る表示装置１００には、基板１０１上に図３に示すＭＥＭＳシャッター２０２がマトリクス状に配置されている。
【００２６】
ＭＥＭＳシャッター２０２は、シャッター２１０、第１バネ２１６、２１８、２２０、２２２、第２バネ２２４、２２６、２２８、２３０、及びアンカー部２３２、２３４、２３６、２３８、２４０、２４２を有している。シャッター２１０は開口部２１２、２１４を有しており、シャッター２１０本体は遮光部となる。また、図示していないが、対向基板１０９は、光を透過させる光透過部を有しており、シャッター２１０の開口部２１２、２１４と対向基板１０９の光透過部とが平面方向に概略重なり合うように配置され、シール材等を介して基板１０１に対向基板１０９が接合される。表示装置１００は、対向基板１０９の背面から供給され対向基板１０９の光透過部を透過する光が、シャッター２１０の開口部２１２、２１４を透過し、人間の目に視認されるように構成される。なお、本実施形態に示すＭＥＭＳシャッター２０２は、本発明の表示装置１００に用いることのできるＭＥＭＳシャッターの一例に過ぎず、スイッチング素子で駆動することのできるＭＥＭＳシャッターであれば図示した構成に限らず、如何なる態様のものでも用いることができる。
【００２７】
シャッター２１０の一方の側は、第１バネ２１６、２１８を介してアンカー部２３２、２３４に接続されている。アンカー部２３２、２３４は、第１バネ２１６、２１８とともに、シャッター２１０を基板１０１の表面から浮遊した状態に支持する機能を有する。アンカー部２３２は第１バネ２１６と電気的に接続されており、且つ、アンカー部２３４は第１バネ２１８と電気的に接続されている。アンカー部２３２、２３４には、スイッチング素子２０４からバイアス電位が供給され、第１バネ２１６、２１８にバイアス電位が供給される。また、第２バネ２２４、２２６は、アンカー部２３６に電気的に接続されている。アンカー部２３６は、第２バネ２２４、２２６を基板１０１の表面から浮遊した状態に支持する機能を有する。アンカー部２３６には、グランド電位が供給され、第２バネ２２４、２２６にグランド電位が供給される。尚、アンカー部２３６には、上記グランド電位の替りに所定の電位を供給する構成でもよい。（以下の説明でのグランド電位でも同様である。）
【００２８】
また、シャッター２１０の他方の側は、第１バネ２２０、２２２を介してアンカー部２３８、２４０に接続されている。アンカー部２３８、２４０は、第１バネ２２０、２２２とともに、シャッター２１０を基板１０１の表面から浮遊した状態に支持する機能を有する。アンカー部２３８は第１バネ２２０と電気的に接続されており、且つ、アンカー部２４０は第１バネ２２２と電気的に接続されている。アンカー部２３８、２４０には、スイッチング素子２０４からバイアス電位が供給され、第１バネ２２０、２２２にバイアス電位が供給される。また、第２バネ２２８、２３０は、アンカー部２４２に電気的に接続されている。アンカー部２４２は、第２バネ２２８、２３０を基板１０１の表面から浮遊した状態に支持する機能を有する。アンカー部２４２は第２バネ２２８、２３０と電気的に接続されている。アンカー部２４２には、グランド電位が供給され、第２バネ２２８、２３０にグランド電位が供給される。
【００２９】
上述したように、本実施形態においては、スイッチング素子２０４からアンカー部２３２、２３４にバイアス電位が供給され、第１バネ２１６、２１８にバイアス電位が供給され、且つ、アンカー部２３６には、グランド電位が供給され、第２バネ２２４、２２６にグランド電位が供給される。第１バネ２１６、２１８と第２バネ２２４、２２６との間の電位差により、第１バネ２１６と第２バネ２２４とが静電駆動され、互いが引き寄せあうように移動し、且つ、第１バネ２１８と第２バネ２２６とが静電駆動され、互いが引き寄せあうように移動し、シャッター２１０が移動する。
【００３０】
また、同様に、スイッチング素子２０４からアンカー部２３８、２４０にバイアス電位が供給され、第１バネ２２０、２２２にバイアス電位が供給され、且つ、アンカー部２４２には、グランド電位が供給され、第２バネ２２８、２３０にグランド電位が供給される。第１バネ２２０、２２２と第２バネ２２８、２３０との間の電位差により、第１バネ２２０と第２バネ２２８とが静電駆動され、互いが引き寄せあうように移動し、且つ、第１バネ２２２と第２バネ２３０とが静電駆動され、互いが引き寄せあうように移動し、シャッター２１０が移動する。
【００３１】
なお、本実施形態においては、シャッター２１０の両側に第１バネ、第２バネ及びアンカー部を接続し配置した例について説明したが、本発明の表示装置１００はこの構成に限定されるものではない。例えば、シャッター２１０の一方側に第１バネ、第２バネ及びアンカー部を接続し配置し、シャッター２１０の他方側には第１バネ及びアンカー部のみを接続し配置し、他方側の第１バネ及びアンカー部はシャッターを基板から浮遊した状態に支持する機能を持たせ、シャッター２１０の一方側の第１バネ及び第２バネを静電駆動し、シャッター２１０を動作させるようにしてもよい。
【００３２】
ここで、本発明の一実施形態に係る表示装置１００に至る経緯として、図５乃至図７を参照し、一般的なＭＥＭＳシャッターを用いた表示装置の構成について説明する。
【００３３】
以下、図５を参照し、本発明の一実施形態に係る表示装置１００に対する一般的な表示装置の表示部及び端子部の構成について説明する。図５は、一般的な表示装置の表示部及び端子部の一例を示す断面図である。図５においては、上述した本発明に係る表示装置１００の構成と同じ構成については同じ符号を付与して示している。また、図５上部において、説明の便宜上、表示部に対応する領域を“Ａ”と示し、端子部に対応する領域を“Ｂ”と示している。図５に示す“Ａ”の領域は、図４に示すＭＥＭＳシャッター２０２におけるＡ−Ａ’線によって示す箇所に対応する。
【００３４】
図５に示すように、ＴＦＴが形成された基板１０１上には第１の絶縁膜１１３が形成される。なお、第１の絶縁膜１１３の形成される基板１０１には、既にゲート線（Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｎ）、データ線（Ｄ１、Ｄ２、・・・、Ｄｍ）、データドライバ１０１ｂ、１０１ｃ、ゲートドライバ１０１ｄ、スイッチング素子２０４、及び端子１０２等が形成され、ＴＦＴ基板を構成している。図５に示すように、表示部に対応する領域Ａにおいては、基板１０１上に第１の絶縁膜１１３が形成され、端子部に対応する領域Ｂにおいては、基板１０１上に形成された端子１０２上に第１の絶縁膜１１３が形成される。第１の絶縁膜１１３としては、カバレッジが高く、絶縁耐圧が高いことから、例えばシリコン窒化膜（ＳｉＮ）を、ＣＶＤ法等により形成してもよい。ＣＶＤ法によれば、２００℃程度の温度で、第１の絶縁膜１１３としてシリコン窒化膜を基板１０１上に形成することができる。また、第１の絶縁膜１１３は、表示装置１００において不要に光を反射したり遮光したりすることがないように光を透過させる透光性を有する材料が適している。このため、透光性を有する膜を用いることが好ましい。
【００３５】
第１の絶縁膜１１３上に、表示部に対応する領域Ａにおいて、シャッター２１０、第１バネ２１８、第２バネ２２６、及びアンカー部２３４が形成される。図５に示すとおり、シャッター２１０は、ａ−Ｓｉ（２１０ａ）及び遮光用のＡｌＳｉ（２１０ｂ）の積層体を有し、アンカー部２３４も、ａ−Ｓｉ（２３４ａ）及びＡｌＳｉ（２３４ｂ）の積層体を有してもよい。また、第１バネ２１８及び第２バネ２２６は、ａ−Ｓｉ（２２６ａ）を用いて形成されてもよい。なお、シャッター２１０、第１バネ２１８、第２バネ２２６、及びアンカー部２３４は、ＭＥＭＳシャッター２０２として動作可能な構造を有していれば、この構造及び材料に限定されるものではない。
【００３６】
シャッター２１０、第１バネ２１８、第２バネ２２６、及びアンカー部２３４が形成された基板１０１上に、第２の絶縁膜１１５が形成される。第２の絶縁膜１１５は、図示したように、シャッター２１０、第１バネ２１８、第２バネ２２６、及びアンカー部２３４の側部や下部を覆うように形成される。これにより、ＭＥＭＳシャッター２０２の動作時に、ａ−Ｓｉからなるシャッター２１０、第１バネ２１８、及び第２バネ２２６が変位して他の部分と接触して離れなくなること（スティッキング）や短絡することを防ぐことができる。第２の絶縁膜１１５は、第１の絶縁膜１１３と同様に、透光性を有し、且つ、カバレッジ及び絶縁耐圧が高いことから、シリコン窒化膜を用いてＣＶＤ法等により形成してもよい。ＣＶＤ法を用いることにより、２００℃程度の温度で、基板１０１上、並びに、基板１０１から離隔して形成されたシャッター２１０、第１バネ２１８、及び第２バネ２２６の側部や下部にも第２の絶縁膜１１５が形成される。なお、第２の絶縁膜１１５は、短絡を防ぐ構造を有し、ＭＥＭＳシャッター２０２の静電駆動動作を良好に行うことができるものであれば、図５に図示した構造及び上述した材料に限定されない。
【００３７】
端子１０２上に形成された第１の絶縁膜１１３及び第２の絶縁膜１１５は、端子１０２が露出されるようにエッチングにより除去され、図５に図示したように端子１０２を露出させる端子開口部（端子露出部）１０２ｋが形成される。
【００３８】
以下、図６及び図７を参照し、本発明に係る表示装置１００に対する一般的な表示装置における端子部の製造工程について説明する。
【００３９】
図６は、一般的な表示装置の端子部の製造工程を示す図であり、（ａ）は第１の絶縁膜１１３を形成する工程を示す断面図であり、（ｂ）は第２の絶縁膜１１５を形成する工程を示す断面図であり、（ｃ）は基板１０１に対向基板１０９を接合する工程を示す断面図であり、（ｄ）は端子開口部１０２ｋを形成する工程を示す断面図である。図７は、一般的な表示装置の表示部及び端子部の製造工程を示す図であり、（ａ）は第２の絶縁膜１１５を形成する工程を示す断面図であり、（ｂ）は端子開口部１０２ｋを形成する工程を示す断面図である。
【００４０】
図６（ａ）に図示したように、まず、端子１０２が形成された基板１０１上に第１の絶縁膜１１３を形成し、端子開口部１０２ｋが形成される位置の第１の絶縁膜１１３をエッチングにより除去する。第１の絶縁膜１１３は、上述したように、ＣＶＤ法を用いてシリコン窒化膜を形成してもよい。シリコン窒化膜をＣＶＤ法により形成することにより、基板１０１上に２００℃程度の温度で第１の絶縁膜１１３を形成することができる。エッチング方法として、シリコン窒化膜からなる第１の絶縁膜１１３をエッチングする場合には、ＣＦ４ガスやＳＦ６ガス等のフッ素を含むガスと、Ｏ２ガスとの混合ガス等を用いたＲＩＥ法によるドライエッチングを適用してもよい。
【００４１】
次に、図６（ｂ）に図示したように、第１の絶縁膜１１３上に第２の絶縁膜１１５を形成する。このとき、図７（ａ）に図示したように、第１の絶縁膜１１３上には、シャッター２１０、第１バネ２１８、第２バネ２２６、及びアンカー部２３４が形成されており、これらの側部及び下部を覆うように第２の絶縁膜１１５が形成される。第２の絶縁膜１１５についても、上述した第１の絶縁膜１１３と同様に、透光性を有し、且つ、カバレッジが高く、絶縁耐圧が高いことから、ＣＶＤ法を用いてシリコン窒化膜を形成してもよい。
【００４２】
次に、図６（ｃ）に図示したように、シール材１０８を介して基板１０１上に、対向基板１０９が接合される。対向基板１０９は、例えば、ガラス基板とガラス基板上に配置された反射膜から構成してもよい。反射膜は、基板１０１と対向するガラス基板の面上に配置され、ガラス基板に接する側の反射率が高く、基板１０１と対向する側の反射率が低くなるように形成してもよい。この反射膜は、図示していないが、対向基板１０９の裏面側（基板１０１と対向する面を上面としたときの対向基板１０９の下面側）に配置されたバックライトからの光を透過させる光透過部を有する。光透過部は、反射膜に設けられた開口部であってもよい。バックライトからの光は、対向基板１０９のガラス基板を通過して反射膜に形成された光透過部を通過した後、基板１０１に形成されたＭＥＭＳシャッター２０２に到達する。このとき、シャッター２１０の開口部２１２、２１４と対向基板１０９の光透過部とが平面方向に重なり合うように基板１０１と対向基板１０９とが接合されることにより、シャッター２１０の開口部２１２、２１４を通過する光量を、ＭＥＭＳシャッター２０２の動作によって制御することが可能となる。なお、対向基板１０９の反射膜は、上述したように、ガラス基板に接する面の反射率を高いものとすることにより、バックライトからの光を反射させて光量を増やすことができ、基板１０１と対向する面の反射率を低いものとすることにより、不要な光の反射を抑えることができる。
【００４３】
基板１０１と対向基板１０９とをシール材１０８により接合した後、基板１０１と対向基板１０９との間の空間に、ダンピング材を封入してもよい。ダンピング材としては、例えば、シリコンオイルを用いてもよい。ダンピング材は、ＭＥＭＳシャッター２０２の動作を妨げることなく、且つ腐食等を起こさないように所望の粘性を有する材料や封入条件を選択してもよい。これにより、外部からの衝撃によるＭＥＭＳシャッター２０２の過度な振動等を抑制し、ＭＥＭＳシャッター２０２の一部が他の部分と接触して離れなくなるスティッキングを抑制することができる。
【００４４】
次に、図６（ｄ）及び図７（ｂ）に図示したように、端子１０２上の第２の絶縁膜１１５を、エッチングにより除去して端子１０２を露出させる端子開口部１０２ｋを形成する。端子開口部１０２ｋにより、端子１０２が外部端子（図示せず）と電気的に接続され、外部回路（図示せず）からの電源や信号の供給を受けることが可能となる。エッチング方法としては、上述した第１の絶縁膜１１３のエッチング方法と同様に、ＣＦ４ガスやＳＦ６ガス等のフッ素を含むガスと、Ｏ２ガスとの混合ガス等を用いたＲＩＥ法によるドライエッチングを適用してもよい。
【００４５】
しかし、第２の絶縁膜１１５をエッチングにより除去する際に、端子１０２を覆う第１の絶縁膜１１３と第２の絶縁膜１１５とが、例えばいずれも同じシリコン窒化膜である場合、第１の絶縁膜１１３と第２の絶縁膜１１５とでエッチングレートが同じであるため、第２の絶縁膜１１５のみを除去し、基板１０１を保護する第１の絶縁膜１１３を十分な膜厚を有して残留させることが難しい。図６（ｄ）及び図７（ｂ）に図示したように、端子部の第１の絶縁膜１１３を必要以上に削り過ぎてしまうことがある。これにより、ＴＦＴ基板である基板１０１に形成された配線等が露出し、絶縁不良や導通不良の原因となる虞がある。
【００４６】
そこで、本発明者は、表示装置の端子部におけるＴＦＴ基板の表面保護膜（絶縁膜）の膜減りを抑制し、ＴＦＴ基板の信頼性を向上させることのできる表示装置を考察し、以下に示す本発明の実施形態に係る表示装置に至った。
【００４７】
（第１の実施形態）
以下、図８乃至図１０を参照して、本発明の第１の実施形態に係る表示装置の端子部の製造工程について、説明する。
【００４８】
図８は、本発明の第１の実施形態に係る表示装置１００の表示部１０１ａ及び端子部１０１ｅを示す断面図である。図９は、本発明の第１の実施形態に係る表示装置１００の端子部１０１ｅの製造工程を示す図であり、（ａ）は第１絶縁膜１０３及び第２絶縁膜１０４を形成する工程を示す断面図であり、（ｂ）は端子１０２を開口する部分を形成する工程を示す断面図であり、（ｃ）は第３絶縁膜１０５を形成する工程を示す断面図であり、（ｄ）は基板１０１に対向基板１０９を接合する工程を示す断面図であり、（ｅ）は端子１０２を開口する工程を示す断面図である。図１０は、本発明の第１の実施形態に係る表示装置１００の表示部１０１ａ及び端子部１０１ｅの製造工程において、第３絶縁膜１０５を形成する工程を示す断面図である。
【００４９】
図８に示すように、本発明の第１の実施形態に係る表示装置１００は、表示部１０１ａにおいて、ＴＦＴ基板である基板１０１上に配置された第１絶縁膜１０３上に第２絶縁膜１０４が配置され、第２絶縁膜１０４上に、ＭＥＭＳシャッター２０２が配置される。ＭＥＭＳシャッター２０２は、シャッター２１０、第１バネ２１８、第２バネ２２６、及びアンカー部２３４を含む。第２絶縁膜１０４が配置された基板１０１上及びＭＥＭＳシャッター２０２の側部には、第３絶縁膜１０５が配置される。表示部１０１ａ上には、対向基板１０９がシール材１０８を介して基板１０１に接合される。また、端子部１０１ｅにおいては、基板１０１上に配置された端子１０２上に、第１絶縁膜１０３が配置され、第１絶縁膜１０３上に第２絶縁膜１０４が配置され、第１絶縁膜１０３及び第２絶縁膜１０４を開口する開口部である端子開口部１０２ｋにより、端子１０２の一部が露出される。この端子開口部１０２ｋにより、端子１０２を外部端子（図示せず）と電気的に接続することができるため、外部回路（図示せず）からの電源や信号の供給を受けることが可能となる。
【００５０】
以下、図９及び図１０を参照し、本発明に係る表示装置１００の端子部１０１ｅ及び表示部１０１ａの製造工程について説明する。
【００５１】
図９（ａ）に示すように、端子１０２の形成された基板１０１上に第１絶縁膜１０３を形成し、端子開口部１０２ｋの形成される位置の第１絶縁膜１０３をエッチングにより除去した後、第２絶縁膜１０４を形成する。第１絶縁膜１０３は、ＴＦＴ基板である基板１０１の表面を保護する絶縁膜である。第１絶縁膜１０３は、上述した第１の絶縁膜１１３と同様に、透光性を有し、且つ、カバレッジや絶縁耐圧が高いことから、シリコン窒化膜を用いてＣＶＤ法により形成してもよい。ＣＶＤ法によれば、２００℃程度の温度で、シリコン窒化膜からなる第１絶縁膜１０３を基板１０１上に形成することができる。これにより、ＴＦＴ基板の信頼性を損なうことなく、端子１０２の形成された基板１０１上に第１絶縁膜１０３を形成できる。第１絶縁膜１０３を形成した後、端子開口部１０２ｋの形成される位置の第１絶縁膜１０３をエッチングにより除去する。エッチング方法としては、第１絶縁膜１０３がシリコン窒化膜であるとき、ＣＦ４ガスやＳＦ６ガス等のフッ素系ガスと、Ｏ２ガスとの混合ガス等を用いたＲＩＥ法によるドライエッチングを適用してもよい。
【００５２】
端子開口部１０２ｋが形成される位置の第１絶縁膜１０３を除去した後、第１絶縁膜１０３上に第２絶縁膜１０４を形成する。第２絶縁膜１０４は、第１絶縁膜１０３に対して、後述するエッチング工程において所望の選択比が得られる材料を用いればよく、特に材料についての制限はない。例えば、第１絶縁膜１０３にシリコン窒化膜を用いる場合には、第２絶縁膜１０４にシリコン窒化膜とは異なるエッチングレートを有するシリコン酸化膜（ＳｉＯ）を用いてもよい。第２絶縁膜１０４にシリコン酸化膜を用いる場合には、ＣＶＤ法等によって形成することができる。また、第２絶縁膜１０４は、例えばシリコン窒化膜である第１絶縁膜１０３と所望の選択比がとれるようであれば、シリコン酸窒化膜（ＳｉＯＮ）や樹脂であってもよい。このとき、第１絶縁膜１０３と第２絶縁膜１０４との選択比は、第２絶縁膜１０４／第１絶縁膜１０３＝５〜１０程度であることが望ましい。また、第２絶縁膜１０４の膜厚を厚く形成することにより、第１絶縁膜１０３と第２絶縁膜１０４とでエッチング条件を異なるようにしてもよい。これにより、後述するエッチング工程において、第１絶縁膜１０３を十分な膜厚を残したまま、端子１０２を露出させる端子開口部１０２ｋを形成することができる。
【００５３】
次に、図９（ｂ）に示すように、端子開口部１０２ｋが形成される位置の第２絶縁膜１０４をエッチングにより除去して端子１０２を露出させる。エッチング方法として、第２絶縁膜１０４の材料に応じたエッチャントを用いたウェットエッチングあるいはエッチングガスを用いたドライエッチングを用いることができる。第２絶縁膜１０４にシリコン酸化膜を用いる場合、ＨＦ希釈水溶液や、ＮＨ４Ｆ水溶液をエッチング液として用いるウェットエッチングを挙げることができる。また、ＣＦ４ガスやＳＦ６ガス等のフッ素系ガスと、Ｏ２ガスとの混合ガス等を用いたＲＩＥ法によるドライエッチングを適用してもよい。
【００５４】
次に、図９（ｃ）及び図１０に示すように、第２絶縁膜１０４上に第３絶縁膜１０５を形成する。第３絶縁膜１０５は、図７（ａ）に示して上述した第２の絶縁膜１１５と同様に、シャッター２１０、第１バネ２１８、第２バネ２２６、及びアンカー部２３４の側部や下部を覆うように形成される。これにより、ＭＥＭＳシャッター２０２の動作時に、ａ−Ｓｉからなるシャッター２１０、第１バネ２１８、及び第２バネ２２６が変位し、他の部分と接触して離れなくなることや短絡することを防ぐことができる。従って、第３絶縁膜１０５は、カバレッジが高く、絶縁耐圧が高いことから、第１絶縁膜１０３と同様に、シリコン窒化膜を用いてＣＶＤ法により形成してもよい。ＣＶＤ法によってシリコン窒化膜を形成することにより、２００℃程度の温度で、基板１０１上、並びに、基板１０１から離隔して形成されたシャッター２１０、第１バネ２１８、及び第２バネ２２６の側部や下部に第３絶縁膜１０５を形成することができる。第３絶縁膜１０５は、第２絶縁膜１０４に対して、後述するエッチング工程において所望の選択比が得られる材料を用いて、短絡を防ぐ構造を有してＭＥＭＳシャッター２０２の静電駆動動作を良好に行うことができるものであれば、上述した構造及び材料に限定されない。なお、第２絶縁膜１０４と第３絶縁膜１０５との選択比は、第３絶縁膜１０５／第２絶縁膜１０４＝１０〜２０程度であることが望ましい。
【００５５】
次に、図９（ｄ）に示すように、シール材１０８を介して基板１０１上に対向基板１０９を接合した後、図９（ｅ）に示すように、第３絶縁膜１０５をエッチングにより除去して、端子１０２を露出させる端子開口部１０２ｋを形成する。エッチング方法としては、第３絶縁膜１０５の材料に応じたエッチャントを用いたウェットエッチングあるいはエッチングガスを用いたドライエッチングを用いることができる。なお、第２絶縁膜１０４がシリコン酸化膜であり、第３絶縁膜１０５がシリコン窒化膜である場合には、ＣＦ４ガスやＳＦ６ガス等のフッ素系ガスと、Ｏ２ガスとの混合ガス等を用いたＲＩＥ法によるドライエッチングを適用してもよい。また、ウェットエッチングの場合には、リン酸溶液等を用いてもよい。このとき、シール材１０８は、これらのエッチャントまたはエッチングガスによりエッチングされない材料を用いるものとする。上述したように、第２絶縁膜１０４は、第３絶縁膜１０５及び第１絶縁膜１０３とは異なるエッチングレートを有することから、図９（ｅ）に示すように、第２絶縁膜１０４をエッチングストッパとすることができ、第１絶縁膜１０３をエッチングすることなく、第３絶縁膜１０５のエッチングを終了させることができる。
【００５６】
従って、本発明の第１の実施形態によれば、端子部１０１ｅにおいて端子１０２を露出させて端子開口部１０２ｋを形成する際に、基板１０１に形成されたＴＦＴや配線等を露出させることなく端子１０２を覆う第３絶縁膜１０５を除去することができるため、配線等の絶縁不良や導通不良を防止することができ、ＴＦＴ基板の信頼性を維持することができる。
【００５７】
なお、図示していないが、第１絶縁膜１０３を十分な膜厚を残してエッチングすることができる場合には、第３絶縁膜１０５のみならず第２絶縁膜１０４までをもエッチングにより除去してもよい。
【００５８】
（第２の実施形態）
以下、図１１を参照して、本発明の第２の実施形態に係る表示装置１００の端子部１０１ｅの製造工程について説明する。なお、上述した第１の実施形態に係る表示装置１００の端子部１０１ｅの製造工程と同様の工程については説明を省略する。
【００５９】
図１１は、本発明の第２の実施形態に係る表示装置１００の端子部１０１ｅの製造工程を示す図であり、（ａ）は第１絶縁膜１０３及び第２絶縁膜１０４を形成する工程を示す断面図であり、（ｂ）は端子１０２を開口する部分を形成する工程を示す断面図であり、（ｃ）は第３絶縁膜１０５を形成する工程を示す断面図であり、（ｄ）は基板１０１に対向基板１０９を接合する工程を示す断面図であり、（ｅ）は端子１０２を開口する工程を示す断面図である。
【００６０】
図１１（ａ）に示すように、端子１０２の形成された基板１０１上に第１絶縁膜１０３及び第２絶縁膜１０４を形成する。上述した第１の実施形態とは異なり、第１絶縁膜１０３をエッチングすることなく、第２絶縁膜１０４を第１絶縁膜１０３上に形成する。このとき、第１絶縁膜１０３と第２絶縁膜１０４とは、互いに異なるエッチングレートを有する材料を用いるものとする。また、第１絶縁膜１０３及び第２絶縁膜１０４は、上述した第１の実施形態に係る第１絶縁膜１０３及び第２絶縁膜１０４と同様の材料及び方法を用いて形成してもよい。
【００６１】
次に、図１１（ｂ）に示すように、端子開口部１０２ｋが形成される位置の第１絶縁膜１０３及び第２絶縁膜１０４を、エッチングにより除去して端子１０２を露出させる。エッチング方法として、ＣＦ４ガスやＳＦ６ガス等のフッ素系ガスと、Ｏ２ガスとの混合ガス等を用いたＲＩＥ法によるドライエッチングを適用してもよい。
【００６２】
次に、図１１（ｃ）に示すように、第２絶縁膜１０４上に第３絶縁膜１０５を形成する。第２絶縁膜１０４と第３絶縁膜１０５とは、異なるエッチングレートを有する材料を用いるものとする。また、第３絶縁膜１０５は、上述した第１の実施形態に係る第３絶縁膜１０５と同様の材料及び方法を用いて形成してもよい。
【００６３】
次に、図１１（ｄ）に示すように、シール材１０８を介して基板１０１上に対向基板１０９を接合した後、図１１（ｅ）に示すように、第３絶縁膜１０５をエッチングにより除去して、端子１０２を露出させる端子開口部１０２ｋを形成する。エッチング方法としては、上述した第１の実施形態と同様に、第３絶縁膜１０５の材料に応じたエッチャントを用いたウェットエッチングあるいはエッチングガスを用いたドライエッチングを用いることができる。このとき、第２絶縁膜１０４が、第３絶縁膜１０５及び第１絶縁膜１０３とは異なるエッチングレートを有することから、第２絶縁膜１０４をエッチングストッパとすることができ、第１絶縁膜１０３をエッチングすることなく、第３絶縁膜１０５のエッチングを終了させることができる。
【００６４】
従って、本発明の第２の実施形態によれば、端子部１０１ｅにおいて端子１０２を露出させて端子開口部１０２ｋを形成する際に、基板１０１に形成されたＴＦＴや配線等を露出させることなく端子１０２を覆う第３絶縁膜１０５を除去することができるため、上述した第１の実施形態と同様に、配線等の絶縁不良や導通不良を防止することができ、ＴＦＴ基板の信頼性を維持することができる。
【００６５】
（第３の実施形態）
以下、図１２を参照して、本発明の第３の実施形態に係る表示装置１００の端子部１０１ｅの製造工程について説明する。なお、上述した第１の実施形態に係る表示装置１００の端子部１０１ｅの製造工程と同様の工程については説明を省略する。
【００６６】
図１２は、本発明の第３の実施形態に係る表示装置１００の端子部１０１ｅの製造工程を示す図であり、（ａ）は第１絶縁膜１０３及び第２絶縁膜１０４を形成する工程を示す断面図であり、（ｂ）は第３絶縁膜１０５を形成する工程を示す断面図であり、（ｃ）は基板１０１に対向基板１０９を接合する工程を示す断面図であり、（ｄ）は端子１０２を開口する工程を示す断面図である。
【００６７】
図１２（ａ）に示すように、端子１０２の形成された基板１０１上に第１絶縁膜１０３を形成した後、第２絶縁膜１０４を形成する。第１絶縁膜１０３は、上述した第１の実施形態と同様に、端子開口部１０２ｋの形成される位置の第１絶縁膜１０３をエッチングにより除去する。端子開口部１０２ｋが形成される位置の第１絶縁膜１０３を除去した後、第１絶縁膜１０３上に第２絶縁膜１０４を形成する。上述した第１の実施形態と同様に、第１絶縁膜１０３と第２絶縁膜１０４とは、互いに異なるエッチングレートを有する材料を用いるものとする。また、第１絶縁膜１０３及び第２絶縁膜１０４は、上述した第１の実施形態に係る第１絶縁膜１０３及び第２絶縁膜１０４と同様の材料及び方法を用いて形成してもよい。
【００６８】
次に、図１２（ｂ）に示すように、第２絶縁膜１０４上に第３絶縁膜１０５を形成する。第２絶縁膜１０４と第３絶縁膜１０５とは、異なるエッチングレートを有する材料を用いるものとする。また、第３絶縁膜１０５は、上述した第１の実施形態に係る第３絶縁膜１０５と同様の材料及び方法を用いて形成してもよい。
【００６９】
次に、図１２（ｃ）に示すように、シール材１０８を介して基板１０１上に対向基板１０９を接合した後、図１２（ｄ）に示すように、第２絶縁膜１０４及び第３絶縁膜１０５をエッチングにより除去して、端子１０２を露出させる端子開口部１０２ｋを形成する。エッチング方法としては、上述した第１の実施形態と同様に、第３絶縁膜１０５の材料に応じたエッチャントを用いたウェットエッチングあるいはエッチングガスを用いたドライエッチングを用いることができる。このとき、第２絶縁膜１０４が、第３絶縁膜１０５及び第１絶縁膜１０３とは異なるエッチングレートを有することから、第２絶縁膜１０４をエッチングストッパとすることができ、第１絶縁膜１０３をエッチングすることなく、第３絶縁膜１０５のエッチングを終了させることができる。
【００７０】
従って、本発明の第３の実施形態によれば、端子部１０１ｅにおいて端子１０２を露出させて端子開口部１０２ｋを形成する際に、基板１０１に形成されたＴＦＴや配線等を露出させることなく端子１０２を覆う第２絶縁膜１０４及び第３絶縁膜１０５を除去することができるため、上述した第１及び第２の実施形態と同様に、配線等の絶縁不良や導通不良を防止することができ、ＴＦＴ基板の信頼性を維持することができる。
【００７１】
（第４の実施形態）
以下、図１３を参照して、本発明の第４の実施形態に係る表示装置１００の端子部１０１ｅの製造工程について説明する。なお、上述した第１の実施形態に係る表示装置１００の端子部１０１ｅの製造工程と同様の工程については説明を省略する。
【００７２】
図１３は、本発明の第４の実施形態に係る表示装置１００の端子部１０１ｅの製造工程を示す図であり、（ａ）は第１絶縁膜１０３及び下層の第２絶縁膜１０４ａを形成する工程を示す断面図であり、（ｂ）は上層の第２絶縁膜１０４ｂを形成する工程を示す断面図であり、（ｃ）は第３絶縁膜１０５を形成する工程を示す断面図であり、（ｄ）は基板１０１に対向基板１０９を接合する工程を示す断面図であり、（ｅ）は端子１０２を開口する工程を示す断面図である。
【００７３】
なお、本実施形態においては、上述した第１乃至第３の実施形態に係る第２絶縁膜１０４が２層の積層構造であることを示すために、説明の便宜上、下層の第２絶縁膜１０４ａと上層の第２絶縁膜１０４ｂとして示している。このため、下層の第２絶縁膜１０４ａと上層の第２絶縁膜１０４ｂとは、下層と上層の上下が逆となることもあり、これに限定されるものではない。また、第２絶縁膜１０４が２層以上の積層構造を有するものであってもよい。
【００７４】
図１３（ａ）に示すように、端子１０２の形成された基板１０１上に第１絶縁膜１０３を形成した後、下層の第２絶縁膜１０４ａを形成し、端子開口部１０２ｋの形成される位置の第１絶縁膜１０３及び下層の第２絶縁膜１０４ａをエッチングにより除去する。第１絶縁膜１０３及び下層の第２絶縁膜１０４ａは、図１１（ａ）及び（ｂ）に示して上述した第２の実施形態に係る製造工程と同様に形成することができるため、詳細な製造工程については説明を省略する。従って、第１絶縁膜１０３と下層の第２絶縁膜１０４ａとは、上述した第１の実施形態に係る第１絶縁膜１０３及び第２絶縁膜１０４と同様に、互いに異なるエッチングレートを有する材料を用いるものとする。また、第１絶縁膜１０３及び下層の第２絶縁膜１０４ａは、上述した第１の実施形態に係る第１絶縁膜１０３及び第２絶縁膜１０４と同様の材料及び方法を用いて形成してもよい。
【００７５】
次に、図１３（ｂ）に示すように、下層の第２絶縁膜１０４ａ上に上層の第２絶縁膜１０４ｂを形成する。上層の第２絶縁膜１０４ｂは、下層の第２絶縁膜１０４ａと同様に、上述した第１の実施形態に係る第２絶縁膜１０４と同様の材料及び方法を用いて形成してもよい。従って、下層の第２絶縁膜１０４ａが例えばシリコン酸化膜であるとき、上層の第２絶縁膜１０４ｂもまたシリコン酸化膜であってもよいし、シリコン酸窒化膜であってもよい。
【００７６】
次に、図１３（ｃ）に示すように、上層の第２絶縁膜１０４ｂ上に第３絶縁膜１０５を形成する。上層の第２絶縁膜１０４ｂと第３絶縁膜１０５とは、異なるエッチングレートを有する材料を用いるものとする。また、第３絶縁膜１０５は、上述した第１の実施形態に係る第３絶縁膜１０５と同様の材料及び方法を用いて形成してもよい。
【００７７】
次に、図１３（ｄ）に示すように、シール材１０８を介して基板１０１上に対向基板１０９を接合した後、図１３（ｅ）に示すように、上層の第２絶縁膜１０４ｂ及び第３絶縁膜１０５をエッチングにより除去して、端子１０２を露出させる端子開口部１０２ｋを形成する。エッチング方法としては、上述した第１の実施形態と同様に、第３絶縁膜１０５の材料に応じたエッチャントを用いたウェットエッチングあるいはエッチングガスを用いたドライエッチングを用いることができる。このとき、第２絶縁膜１０４が、第３絶縁膜１０５及び第１絶縁膜１０３とは異なるエッチングレートを有することから、第２絶縁膜１０４をエッチングストッパとすることができ、第１絶縁膜１０３をエッチングすることなく、第３絶縁膜１０５のエッチングを終了させることができる。
【００７８】
従って、本発明の第４の実施形態によれば、端子部１０１ｅにおいて端子１０２を露出させて端子開口部１０２ｋを形成する際に、基板１０１に形成されたＴＦＴや配線等を露出させることなく端子１０２を覆う第２絶縁膜１０４ａ及び第３絶縁膜１０５を除去することができるため、上述した第１乃至第３の実施形態と同様に、配線等の絶縁不良や導通不良を防止することができ、ＴＦＴ基板の信頼性を維持することができる。
【００７９】
（第５の実施形態）
上述の第１乃至第４の実施形態においては、第２絶縁膜１０４（１０４ａも含む）が、端子１０２の近傍から表示部側まで延在して形成されているが、シール材１０８から表示部側の領域においては、第２絶縁膜１０４を形成しない構成にしてもよい。シール材１０８から表示部側の領域にの第２絶縁膜１０４を除去する工程を含むようにしてもよい。このような構成においても、ＴＦＴ基板の表面を保護する絶縁膜の膜減りを抑制しつつ、端子上の絶縁膜を除去することができる。
【００８０】
以上、本発明の第１乃至第５の実施形態によれば、ＴＦＴ基板の表面を保護する絶縁膜の膜減りを抑制しつつ、端子上の絶縁膜を除去することができる。従って、本実施形態に係る表示装置及びその製造方法によれば、ＴＦＴ基板を製造する際の歩留まりを向上させ、その信頼性を向上させることができる。
【符号の説明】
【００８１】
１００  表示装置
１０１  基板
１０２  端子
１０３  第１絶縁膜
１０４  第２絶縁膜
１０５  第３絶縁膜
１０８  シール材
１０９  対向基板
１０１ａ  表示部
１０１ｂ、１０１ｃ  データドライバ
１０１ｄ  ゲートドライバ
１０１ｅ  端子部
１２０  コントローラ
１２２  バックライト
２００  画素
２０２  ＭＥＭＳシャッター
２０４  スイッチング素子
２０６  保持容量
２１０  シャッター
２１２、２１４  開口部
２１６、２１８、２２０、２２２  第１バネ
２２４、２２６、２２８、２３０  第２バネ
２３２、２３４、２３６、２３８、２４０、２４２  アンカー部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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