(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ電力リミッタであって、
第１及び第２の面を有する信号基板であって、該信号基板の第１の面上に形成された信号入力ラインと、信号基板を貫通しかつ信号入力ラインに電気的に接続された信号入力ビアと、信号基板の第２の面上に形成されかつ信号入力ビアに電気的に接続された信号伝送ラインと、信号基板を貫通しかつ信号伝送ラインに電気的に接続された信号出力ビアと、信号基板の第１の面上に形成されかつ信号出力ビアに電気的に接続された信号出力ラインとを有する信号基板と、
第１の面及び第２の面を有し、信号基板に結合されて密閉されたキャビティを形成するトリガ基板であって、キャビティ内において信号基板の第２の面とトリガ基板の第２の面とが対向しており、トリガ基板の第２の面からキャビティ内に信号ラインの方向に延びる少なくとも１つのトリガプローブを備えているトリガ基板と
を備え、
キャビティ内にイオン化可能な気体が充填されており、
少なくとも１つのトリガプローブは、トリガメタルで皮膜されており、
信号入力ラインから信号伝送ラインを介して信号出力ラインに伝送される信号であってスレショルド電力レベルよりも大きい電力レベルを有する信号により、キャビティ内の気体がイオン化されて信号伝送ラインとトリガプローブとの間に短絡回路が形成される
よう構成されていることを特徴とするプラズマ電力リミッタ。
【請求項２】
請求項１記載のプラズマ電力リミッタにおいて、トリガプローブとして離間配置された複数のトリガプローブを備え、これらトリガプローブは、トリガ基板の第２の面から延びており、かつ全てがトリガメタルによって被膜されていることを特徴とするプラズマ電力リミッタ。
【請求項３】
請求項１記載のプラズマ電力リミッタにおいて、トリガ基板はシリコンで構成され、信号基板はInP、SiC、及びGaAsからなるグループから選択されたもので構成されていることを特徴とするプラズマ電力リミッタ。
【請求項４】
請求項１記載のプラズマ電力リミッタにおいて、トリガ基板は、該トリガ基板を貫通しトリガメタルに電気的に接続されたトリガプローブビアを備えており、該トリガプローブビアにより、イオン化された気体を横断してトリガメタルから流れる電流が接地電位に流れることを特徴とするプラズマ電力リミッタ。
【請求項５】
請求項１記載のプラズマ電力リミッタにおいて、該リミッタはさらに、トリガメタルに電気的に接続されたキャビティ内インターコネクトと、信号基板を貫通しかつキャビティ内インターコネクトに電気的に接続されたトリガビアとを備えていることを特徴とするプラズマ電力リミッタ。
【請求項６】
請求項１記載のプラズマ電力リミッタにおいて、該リミッタは、ウェハレベル製造技術を用いて製造され、他の回路要素と同時に形成されることを特徴とするプラズマ電力リミッタ。
【請求項７】
請求項６記載のプラズマ電力リミッタにおいて、該リミッタは、受信機のアンテナと低ノイズ増幅器との間の前段部分に設けられていることを特徴とするプラズマ電力リミッタ。
【請求項８】
請求項１記載のプラズマ電力リミッタにおいて、該リミッタは、電気的に従属接続された複数のプラズマ電力リミッタの１つであることを特徴とするプラズマ電力リミッタ。
【請求項９】
請求項８記載のプラズマ電力リミッタにおいて、複数のプラズマ電力リミッタは、異なる活性化スレショルドを有していることを特徴とするプラズマ電力リミッタ。
【請求項１０】
プラズマ電力リミッタであって、
第１及び第２の面を有する信号基板であって、該信号基板の第１の面上に形成された信号入力ラインと、信号基板を貫通しかつ信号入力ラインに電気的に接続された信号入力ビアと、信号基板の第２の面上に形成されかつ信号入力ビアに電気的に接続された信号伝送ラインと、信号基板を貫通しかつ信号伝送ラインに電気的に接続された信号出力ビアと、信号基板の第１の面上に形成されかつ信号出力ビアに電気的に接続された信号出力ラインとを有する信号基板と、
第１の面及び第２の面を有し、信号基板に結合されて密閉されたキャビティを形成するトリガ基板であって、キャビティ内において信号基板の第２の面とトリガ基板の第２の面とが対向しており、トリガ基板の第２の面からキャビティ内に信号ラインの方向に延びる離間配置された複数のトリガプローブを備えているトリガ基板と
を備え、
キャビティ内にイオン化可能な気体が充填されており、
複数のトリガプローブは、トリガメタルで皮膜されており、
信号入力ラインから信号伝送ラインを介して信号出力ラインに伝送される信号であってスレショルド電力レベルよりも大きい電力レベルを有する信号により、キャビティ内の気体がイオン化されて信号伝送ラインとトリガプローブとの間に短絡回路が形成され、
プラズマ電力リミッタは、ウェハレベル製造技術を用いて製造され、他の回路要素と同時に形成される
ことを特徴とするプラズマ電力リミッタ。
【請求項１１】
請求項１０記載のプラズマ電力リミッタにおいて、トリガ基板はシリコンで構成され、信号基板はInP、SiC、及びGaAsからなるグループから選択されたもので構成されていることを特徴とするプラズマ電力リミッタ。
【請求項１２】
請求項１０記載のプラズマ電力リミッタにおいて、該リミッタは、受信機のアンテナと低ノイズ増幅器との間の前段部分に設けられていることを特徴とするプラズマ電力リミッタ。
【請求項１３】
請求項１０記載のプラズマ電力リミッタにおいて、該リミッタは、電気的に従属接続された複数のプラズマ電力リミッタの１つであることを特徴とするプラズマ電力リミッタ。
【請求項１４】
請求項１３記載のプラズマ電力リミッタにおいて、複数のプラズマ電力リミッタは、異なる活性化スレショルドを有していることを特徴とするプラズマ電力リミッタ。
【請求項１５】
プラズマ電力リミッタであって、
第１及び第２の面を有する信号基板であって、該信号基板の第１の面上に形成された信号入力ラインと、信号基板を貫通しかつ信号入力ラインに電気的に接続された信号入力ビアと、信号基板の第２の面上に形成されかつ信号入力ビアに電気的に接続された信号伝送ラインと、信号基板を貫通しかつ信号伝送ラインに電気的に接続された信号出力ビアと、信号基板の第１の面上に形成されかつ信号出力ビアに電気的に接続された信号出力ラインとを有する信号基板と、
第１の面及び第２の面を有し、信号基板に結合されて密閉されたキャビティを形成するトリガ基板であって、キャビティ内において信号基板の第２の面とトリガ基板の第２の面とが対向しており、トリガ基板の第２の面からキャビティ内に信号ラインの方向に延びる少なくとも１つのトリガプローブを備えているトリガ基板と
を備え、
キャビティ内にイオン化可能な気体が充填されており、
少なくとも１つのトリガプローブは、トリガメタルで皮膜されており、
トリガ基板は、該トリガ基板を貫通しかつトリガメタルに電気的に接続されたトリガプローブビアであって、イオン化された気体を横断してトリガメタルから流れる電流を接地電位に流すトリガプローブビアを備えており、
信号入力ラインから信号伝送ラインを介して信号出力ラインに伝送される信号であってスレショルド電力レベルよりも大きい電力レベルを有する信号により、キャビティ内の気体がイオン化されて信号伝送ラインとトリガプローブとの間に短絡回路が形成され、
プラズマ電力リミッタは、ウェハレベル製造技術を用いて製造され、他の回路要素と同時に形成される
ことを特徴とするプラズマ電力リミッタ。
【請求項１６】
請求項１５記載のプラズマ電力リミッタにおいて、該リミッタはさらに、トリガメタルに電気的に接続されたキャビティ内インターコネクトと、信号基板を貫通しかつキャビティ内インターコネクトに電気的に接続されたトリガビアとを備えていることを特徴とするプラズマ電力リミッタ。
【請求項１７】
請求項１５記載のプラズマ電力リミッタにおいて、該リミッタは、受信機のアンテナと低ノイズ増幅器との間の前段部分に設けられていることを特徴とするプラズマ電力リミッタ。
【請求項１８】
請求項１５記載のプラズマ電力リミッタにおいて、該リミッタは、電気的に従属接続された複数のプラズマ電力リミッタの１つであることを特徴とするプラズマ電力リミッタ。
【請求項１９】
請求項１８記載のプラズマ電力リミッタにおいて、複数のプラズマ電力リミッタは、異なる活性化スレショルドを有していることを特徴とするプラズマ電力リミッタ。
【請求項２０】
請求項１５記載のプラズマ電力リミッタにおいて、トリガ基板はシリコンで構成され、信号基板はInP、SiC、及びGaAsからなるグループから選択されたもので構成されていることを特徴とするプラズマ電力リミッタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマ電力リミッタ(プラズマリミッタ)に関し、より詳細には、ウェハレベルの処理を用いてモノリシック製造することにより、他の回路と同一のウェハ上に集積化されたプラズマ電力リミッタに関する。
なお、本出願は、「マイクロプラズマリミッタ」と題して2013年4月18日に出願された米国出願第13/865921号、及び、「集積化されたマイクロプラズマリミッタ」と題して2012年3月31日に出願された米国仮出願第61/653840号を優先権主張している。
【背景技術】
【０００２】
[0003]  モノリシックミリ波集積回路（MMIC）等の、基板ウェハ上に形成された集積回路用のウェハレベルのパッケージングが提案された。ウェハレベルのパッケージのあるデザインでは、カバー用ウェハがボンディングリングを用いて基板ウェハ上に搭載されて溶接密閉されたキャビティを提供し、該キャビティ内に集積回路が提供されている。通常、多数の集積回路が基板ウェハ上に形成され、これら集積回路が１つのカバーウェハによってカバーされ、各集積回路は分離ボンディングリングによって囲まれている。そして、カバーウェハ及び基板ウェハはボンディングリング間でダイシングすなわち切り離され、各集積回路用のパッケージに分離される。ダイシングプロセスは通常、パッケージ間でカバーウェハを切断してその一部を取り除くためのソー（saw）すなわち切断具を必要としている。これにより、パッケージ間で基板ウェハが切断される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
[0004]  集積回路は、電磁パルス（EMP）等の高強度又は高電力信号に影響を受けやすい。これは、故意ではないランダム信号であるか又は故意で敵意のある信号であるかに依存していない。例えば、多数の受信機に備えられる高性能の電子回路は、高電力入力信号に対して高感度である。特に、受信機の前段部にあるアンテナの直後に配置される低ノイズ増幅器（LNA）は、アンテナが高強度の電力信号を受信すると、破壊される可能性がある。これは、受信機の周波数及びノイズ特性が増大するに連れて、到来する電力に対するLNAの感受性がより増大するからである。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
[0005]  高電力信号によって生じるダメージの影響に関するこのような問題点に鑑み、これらタイプの回路の前段部に配置されるプラズマ電力リミッタが既に開発された。典型的なプラズマ電力リミッタは、アルゴン等のイオン化可能な適宜の気体を包み込む密閉されたキャビティを備えている。なお、イオン化可能な気体は、イオン化されたときにプラズマとなって電流が流れる。到来する信号がイオン化可能な気体をイオン化するのに十分に高い強度である場合、該信号によって生じた電流が、プラズマによってシンキング(sinking)電極に向かい、これにより接地電位に流れてダメージを生じることがない。
【０００５】
[0006]  既知のプラズマ電力リミッタは、通常、受信機の前段部、又は、更なる処理のために信号を増幅する前に信号ロスを生じる他の回路の前段部に配置されるバルクデバイスである。したがって、いくつかのアプリケーションに対する特定回路の設計においては、このような電力リミッタを組み込むことができない。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１は、受信機の前段部を示す概略図である。
【図２】図２は、図１に示した回路に用いることができる複数の垂直プローブチップ(tips)を備えたウェハレベルの集積化されたプラズマリミッタの断面図である。
【図３】図３は、１つの垂直プローブチップを備えたウェハレベルの集積化されたプラズマリミッタの断面図である。
【図４】図４は、従属接続された複数のプラズマリミッタを備えたプラズマ電力リミッタのブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
[0011]  本発明に係る、集積化されたウェハレベルのプラズマ電力リミッタの実施例を以下に説明するが、該説明は、本発明の本質を単に説明するものであり、本発明を限定することを意図するものではないとともに、該リミッタの仕様又は利用を限定することを意図するものではない。例えば、本明細書は、受信機の前段部に設けられるプラズ電力マリミッタについて説明するが、説明されるプラズマ電力リミッタは、高強度の信号によってダメージを受ける可能性がある電子デバイスを備えた適宜の任意の回路において使用可能である。
【０００８】
[0012]  図1は、無線通信アプリケーション等の多数のアプリケーションを有する受信機１０の前段部(フロントエンド)の単純化した概略ブロック図である。受信機１０は、所定の周波数で動作しかつ適宜の信号源からの信号に応答する任意の受信機である。受信機１０は、アンテナ１２を備え、該アンテナ１２により処理すべき信号を受信する。アンテナ１２として、本明細書において説明する目的を達成するものであれば任意のアンテナを用いることができ、また、当業者によって理解されるように、意図する特定の周波数帯用に種々の構成を採用することができる。アンテナ１２によって受信された信号は、まずプラズマ電力リミッタ(プラズマリミッタ)１４に送られ、該リミッタにおいて、以下で説明するように、受信機１０中の敏感な電気回路を保護する。プラズマ電力リミッタ１４は、ウェハレベルパッケージングを用いて受信機１０の他の電気回路と同一のウェハ上に形成されたモノリシック集積回路であり、したがって、ウェハ上にこれら回路を形成するための製造ステップ中に該製造ステップと同一のステップを用いて形成される。
【０００９】
[0013]  所定のスレッショルド電力強度以下の信号は、プラズマ電力リミッタ(プラズマリミッタ)１４を通過して、アンテナ１２からの信号を以降の処理のために所定のレベルに増幅するLNA１６に受信される。そして、受信された信号は周波数ダウンコンバータ１８に送られて、高周波数の受信信号がデジタル信号に変換するのに適した中間周波数（IF）の信号に変換される。周波数ダウンコンバータ１８は、局部発振器（LO）３０、ミキサ２２、増幅器２４、バンドパスフィルタ（BPF）２６、及びシンセサイザ(Syth)３２を含んでいる。LNA１６によって増幅された信号は、ミキサ２２に送られて、局部発振器３０からのLO信号をシンセサイザ３２によって所定の周波数に同調された信号によって、受信信号の高周波数がIF周波数に低下される。IF信号は、BPF２６によって特定の周波数帯に帯域制限されるが、ミキサ２２とBPF２６の組み合わせにより、ダウンコンバート処理においてIF信号の所望の周波数制御が行われる。BPF２６からの帯域フィルタリングされたIF信号は、アナログ／デジタル変換器（ADC）４０に送られて、アナログ信号がデジタル信号に変換され、受信機１０の後段部で更なる処理が行われる。なお、ADC４０は、タイミング信号として、シンセサイザ３２から同調されたLO信号を受け取る。
【００１０】
[0014]  図２は、受信機１０のプラズマ電力リミッタ１４として利用可能なプラズマ電力リミッタ５０の断面図を示している。プラズマ電力リミッタ５０は、受信機１０用の特定の仕様であるが、これは例示であって限定を意図するものではなく、プラズマ電力リミッタ５０は、高強度すなわち高電力信号によりダメージを受ける送信回路等の回路を含んだ任意の回路装置に用いることができる。プラズマ電力リミッタ５０は、ボンディング層５６によってシールされた基板ウェハ５２及びカバーウェハ５４を含み、当業者に理解されるように、これらウェハ５２及び５４の間に密閉されたキャビティ(空間)５８が形成される。ウェハ５２及び５４は、グループIII-Vの半導体であるシリコン等の適宜の半導体ウェハである。例えば、カバーウェハ５４がシリコン、基板ウェハ５２がInP、SiC、又はGaAsで構成される。ボンディング層５６は、密閉されたキャビティ５８を提供するための層及び材料の適宜の組み合わせによって構成され、例えば、ゴールド層６０が基板ウェハ５２上に構成され、ゴールド層６２がカバーウェハ５４上に構成される。この場合、当業者に理解されるように、これら層６０及び６２をボンディングしてボンディング層５６を形成するために、低温ボンディングプロセスが用いられる。カバーウェハ５４の境界部６４は、密閉されたキャビティ５８の大きさを画定する範囲（ディメンジョン）を提供する。
【００１１】
[0015]  キャビティ５８を提供するためのシーリング処理において、ウェハ５２及び５４がチャンバ内に配置され、該チャンバにアルゴン等の不活性ガス等の適宜のイオン化可能な気体が提供され、キャビティ５８内に該気体が密封される。さらに、基板ウェハ５２にカバーウェハ５４がシールされる前に、カバーウェハ５４がマイクロマシン加工されて一連の垂直プローブチップ(tips)７０を形成する。本明細書においては、これらをプラズマトリガと称する。プローブチップ７０は、ウェハ５２及び５４を結合して一体化するときに、基板ウェハ５２の方向に延びる(突出する)ように形成される。これらプローブチップの制御される離間距離については、以下の説明から明らかになるであろう。さらに、ウェハ５２及び５４を結合して一体化する前に、金属被膜すなわち金属層７２がカバーウェハ５４上に形成され、高電力信号を低下させるための導電経路を提供すると共に、密閉キャビティ５８中の気体のイオン化によってプラズマが生成されたときに、集中化された電気信号を受け取るプローブチップ７０を長寿命化する。金属層７２は、アルミニウム、銅、タングステン、ニッケル、耐熱性金属等の適宜の導電製金属で構成される。
【００１２】
[0016]  ウェハ５２及び５４を結合して一体化する前に、基板ウェハ５２に該ウェハを貫通するビア８０が形成され、該ビア８０が銅等の適宜のビアメタル８２によってメタライズされる。１又は複数のマイクロストリップライン８４が、キャビティ５８に対向することになる基板ウェハ５２の表面に形成され、ビアメタル８２に電気的に接続される。マイクロストリップライン８４は、プラズマ電力リミッタ５０を備えている受信機１０又は他の構造における特定の周波数用としてのサイズ及びディメンジョンを有しており、これにより、マイクロストリップライン８４は、該ラインに沿って伝搬する信号に対して低インピーダンスを呈する。入力信号ライン８６が、キャビティ５８と反対側である基板ウェハ５２の底部表面上に形成され、アンテナ１２と直接接続される。出力信号ライン８８も、キャビティ５８と反対側である基板ウェハ５２の底部表面上に形成され、キャビティ５８と反対側の基板ウェハ５２の側上の出力ビアメタル８２に電気的に接続される。これにより、出力信号ライン８８は、マイクロストリップライン８４を介して伝搬される信号を受け取る。
【００１３】
[0017]  プラズマ電力リミッタ５０の動作中、アンテナ１２で受信した信号がキャビティ５８において気体がイオン化されることが無い程度に低い強度である場合、該受信信号は、マイクロストリップライン８４に沿って低ロス又はゼロロスでリミッタ５０を直接伝搬する。一方、受信信号の強度すなわちパワーがキャビティ５８において十分に高く気体がイオン化される場合、該キャビティは、信号が受信機１０の前段部の構成要素にダメージを与える電位よりも低い電位となるように設計されており、高強度信号のマイクロストリップライン８４に沿っての伝搬により、キャビティ５８内の気体がイオン化されてプラズマを発生させる。該プラズマは導電性であり、マイクロストリップライン８４からプローブチップ７０へ電流を流すことができる。キャビティ５８内の気体がイオン化されてキャビティ５８を横断する導電経路が生成された場合でも、依然として信号のパワーが所定のスレッショルド以上である必要があり、これは、気体を介して流れる電流を提供するために、気体をどの程度イオン化するかに関わっており、以下により詳細に説明する種々のファクタに基づいている。金属層７２は、グランドすなわち基準電位に電気的に接続されており、これにより、プローブチップ７０で受け取った電流は基準電位に流れることができる。
【００１４】
[0018]  プローブチップ７０は、プラズマ電力リミッタ５０を介して伝搬するパワーの値を決定する制御構造を提供する。プローブチップ７０を備えていない場合、マイクロストリップライン８４及び金属被膜７２は平行平面として動作し、これら平面の距離により、気体がイオン化されたときに電流がキャビティ５８を横断するかどうかを決定する。キャビティ５８内へ延びるプローブチップ７０を用いることにより、該プローブチップ７０が電磁界集中装置（コンセントレイタ）として機能し、これらプローブチップ７０とマイクロストリップライン８４との間の距離により、気体がイオン化されたときにマイクロストリップライン８４から金属被膜７２へ、どの程度電流が流れやすいかどうかを決定する。したがって、プローブチップ７０とマイクロストリップライン８４との間の距離及び使用される気体は、プラズマ電力リミッタ５０が活性化されるべき電力（パワー）レベルがどの程度であるかを設定するように、設計される。さらに、プラズマ電力リミッタ５０がいつ活性化されるかについて他のクライテリアが設計され、該クライテリアとして、プローブチップ７０の数、金属層７２の材料、プローブチップ７０間の距離、等が含まれる。金属層７２は、電流搬送特性だけでなく、長寿命化のために、プラズマにより生じるアーク放電環境への耐性に対する特性も考慮して、選択される。
【００１５】
[0019]  プラズマ電力リミッタ５０は、ウェハレベルの処理構成でイオン化可能な気体を用いて電流を低減するために適用可能な設計を提供する。プラズマトリガの位置、方向、サイズ等は、本発明の技術的範囲内において、異なる製造技術に対して変更することができる。
【００１６】
[0020]  図３は、プラズマ電力リミッタ１００の断面図を示しており、該リミッタ１００は、プラズマ電力リミッタ５０とは異なる設計であるが同一の原理により動作する。プラズマ電力リミッタ１００は、搭載目的のために、裏返す前の状態で示されており、プラズマトリガを備えたウェハは底部にあってトリガ基板１０２として示されており、信号ラインを備えたウェハは上部にあって信号基板１０４として示されている。これら基板１０２及び１０４は、ボンディング層１０６によってシールされており、ボンディング層１０６は、上述の例と同様に、ゴールド層１０８及び１１０を備え、イオン化可能な気体を包含する密閉キャビティを画定している。アンテナ１２で受信した信号は、基板１０４を貫通する入力ビア１１４に送られ、基板１０４を貫通する出力ビア１１６を介してキャビティ１１２を出る。これらビア１１４及び１１６は、キャビティ１１２内のマイクロストリップライン１１８によって電気的に接続されている。マイクロストリップライン８４は、本明細書で説明する機能を達成する金属であれば、任意で適宜の金属を用いることができる。窒化シリコン等の絶縁層１２０が、キャビティ１１２に対向する信号基板１０４の表面上に形成されてマイクロストリップライン８４用の電気的絶縁を提供し、また、窒化シリコン等の絶縁層１３４がキャビティ１１２に対向するトリガ基板１０２の表面上に形成されている。
【００１７】
[0021]  トリガ基板１０２は、電極１２６に電気的に接続された金属皮膜１２４を有するプラズマトリガ１２２を備えている。マイクロストリップライン１１８上を高電力信号が伝搬した結果、キャビティ１１２内の気体がイオン化されてプラズマが発生されると、キャビティ１１２を横切って流れる電流８がプラズマトリガ１２２によって受け取られる。リミッタ１００は、デバイスにとって適切な方法で該電流を低減する。例えば、電極１２６を、接地電位に電気的に接続されるトリガ基板１０２を貫通するメタルビア１２８に電気的に接続することができる。このようにする代わりに、電極１２６を、キャビティ１１２を交差するキャビティ内インターコネクト（ICIC）１３０に電気的に接続し、該インターコネクトを、基板１０４を貫通するメタル出力ビア１３２に電気的に接続してもよい。
【００１８】
[0022]  図示していないが、気体のイオン化によって生じる電流を受け取るマイクロストリップライン１１８から絶縁された絶縁層１２０上に、電極又は他のトップメタルを形成してもよい。この場合、電流は、ICIC１３０を介して又は介さずにビア１３２に流れ、また、ビア１２８に流れる。別の実施例では、電極１２６をプラズマトリガ１２２の周囲のリングから離間して配置し、気体のイオン化により電流が電極１２６とリングとの間のギャップを流れ、そして電流がプラズマ電力リミッタ１００により取り除かれるようにすることができる。
【００１９】
[0023]  複数のプラズマ電力リミッタを従属接続することができ、これらリミッタは相違する又は相違しない電力レベルを有して、これらリミッタの後段の回路に更なる保護を提供することができる。例えば、気体がイオン化されて電流がグランドに流れるよう構成されたプラズマリミッタで高強度信号を受信した場合でも、電流の一部分はプラズマリミッタの外部に流れて出力信号ラインに流れ、依然として高電力である可能性がある。このような信号を他のプラズ電力マリミッタで受信することにより、より一層の保護を提供することができる。従属接続された複数のプラズマ電力リミッタは、異なる電圧スレショルドで活性化されるように設計することができ、これにより、これらリミッタを備えた単一の集積回路を種々の異なるアプリケーション用に提供することができる。
【００２０】
[0024]  図４は、上述の従属接続されたプラズマ電力リミッタを示している。図４は、複数の一連のプラズマ電力リミッタ(プラズマリミッタ)１４２を備えたプラズマ電力リミッタ回路１４０のブロック図である。複数のプラズマ電力リミッタ１４２として、本明細書に記載した機能を有するものであれば任意のものを採用することができ、例えば、プラズマ電力リミッタ５０及び１００を用いることができる。複数のプラズマ電力リミッタ１４２は、同一又は非同一に設計することができ、異なる又は同一の活性化スレショルドを有することができる。また、各プラズマ電力リミッタ１４２において、複数のプラズマトリガを信号ラインから異なる距離に離間して配置することができる。さらに、複数のプラズマ電力リミッタ１４２それぞれにおけるプラズマトリガの数及びタイプを同一又は異ならせて、同一又は異なる活性化スレショルドを提供することもできる。
【００２１】
[0025]  上記説明は、単に本発明の例示的な実施例を記載するものである。上記説明並びに付随する図面及び特許請求の範囲に基づき、種々の変更、修正及び変形が、特許請求の範囲に規定される発明の技術的思想及び技術的範囲から逸脱することなく可能であることを、当業者であれば理解することができるであろう。
【図１】
0006049869.tif 000002
【図２】
0006049869.tif 000003
【図３】
0006049869.tif 000004
【図４】
0006049869.tif 000005