(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一雰囲気種を持つ第一蒸着領域において少なくとも第一層を、分離領域によって第一雰囲気種から分離された第二雰囲気種を持つ第二蒸着領域において少なくとも第二層を、中断されない方法で、真空下においてスパッタリングによって蒸着することを含む、平板ガラス基板の上に多層被覆積層物を蒸着するための方法であって、平板ガラス基板が護送路に沿って分離領域を通って第一蒸着領域から第二蒸着領域まで移動する方法において、護送路がローラコンベアであること、及び平板ガラス基板の上に規定されたトンネル路の内側で、ガスが護送路の近くの分離領域中に注入されて二つの雰囲気種間の分離係数を増加することを特徴とする方法。
【請求項２】
分離領域内の雰囲気のガスがポンピングによって吸引されることを特徴とする請求書１に記載の方法。
【請求項３】
ガスが、穴を穿孔されたパイプを通して注入されることを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
ガスが二つの蒸着領域の各々の近くで注入されることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
ガスが護送路の方にかつそれに垂直に注入されることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
平板ガラス基板のための護送路が、分離領域を介して第一蒸着領域から第二蒸着領域の方へ開口を通って進むこと、及びガスが各蒸着領域の近くの注入器を通して、近い蒸着領域の開口の方に注入されることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
ガスが、護送路から１０ｍｍ〜１００ｍｍの距離に配置された注入器で注入されることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
ガスが、護送路から１５ｍｍ〜５０ｍｍの距離に配置された注入器で注入されることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
平板ガラス基板上に真空下で薄層をスパッタリングによって蒸着するためのモジュール式コータであって、少なくとも二つの蒸着領域と、それらの間にガス分離領域を有し、分離領域を介して一つの蒸着領域から他の蒸着領域の方へ開口を通って進むガラス基板のための護送路を有するものにおいて、ガス分離領域が護送路の近くに少なくとも一つのガス注入器を含むこと、被覆手段が護送路の上に配置され、ガラス基板がその上を護送されるときにガス分離領域内の護送路とともにトンネル路を規定すること、及び少なくとも一つのガス注入器が前記トンネル内に配置されることを特徴とするモジュール式コータ。
【請求項１０】
ガス分離領域が、ガス分離領域から外にガスを吸引するためのポンピング手段を含むことを特徴とする請求項９に記載のモジュール式コータ。
【請求項１１】
ガス注入器が、護送路方向に垂直な領域幅に沿って配置された穴を穿孔されたパイプを含むことを特徴とする請求項９又は１０に記載のモジュール式コータ。
【請求項１２】
ガス注入器が、護送路から１０ｍｍ〜１００ｍｍの距離に配置されることを特徴とする請求項９〜１１のいずれかに記載のモジュール式コータ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、平板ガラス基板の上に多層被覆積層物を真空下で蒸着するための方法、及び中断されない方法で、例えば２又は３又は４メートル幅、例えば３．２１メートル幅を有する大きなガラス基板の上に真空下で多層被覆積層物を蒸着するためのコータ装置に関する。ガラス基板又はガラスシートは、互いに数ｃｍを保ってコータ装置において互いに続く。従って、それらの間には空間が存在する。この装置は陰極スパッタリング装置又はＰＶＤ（物理蒸着）コータであり、マグネトロンとも称される磁気的に強化されたスパッタリング装置であってもよい。装置はまた、例えばＰＥＣＶＤ（プラズマ化学蒸着）であってもよい。
【背景技術】
【０００２】
多層被覆は、金属酸化物又は金属窒化物層のような誘電体層によって包囲された銀赤外反射層を一つ以上、特に三つ又はさらには四つ含むことができる。かかる多層被覆で被覆されたガラス基板は、太陽光制御板ガラスパネル又は低放射性板ガラスパネルを構成するために役立つことができる。被覆されたガラス基板は、別のガラス基板と組み合わされて断熱ガラスユニット（ＩＧＵ）を形成するか、又は別のガラス基板を積層されて例えばフロントガラスのような車両透明部を形成することができる。
【０００３】
表現「真空下」は、蒸着領域内の圧力が通常の雰囲気圧より有意に低い値、例えば０．１〜９９ｍＴｏｒｒ（１０−３Ｔｏｒｒ）、好ましくは例えば０．５〜１５ｍＴｏｒｒの圧力に低下されることを意味する。
【０００４】
被覆の同様の層（例えば金属層）の各層又は群は、スパッタリング領域、即ち蒸着領域に対応し、それは、蒸着される層に対応する陰極（ターゲット）のための一つ以上の位置（位置は蒸着源領域である）を含み、そこではアルゴンを単独で又は酸素もしくは窒素もしくは別の特定のガスとともに含む特定の雰囲気が減圧下で維持される。モジュール式コータの一つのモジュールは、一般的に、蒸着領域において必要な低レベルの圧力を維持するために三つのポンピング領域と関連した三つの（時には四つの）蒸着領域を含む。特に少なくとも三つの赤外反射層（銀層）を有する被覆のために新しい被覆積層物の層の増加した数及び高い複雑性のため、必要な蒸着領域の数が増加し、現在の装置は小さすぎるものになっている。
【０００５】
また、複数の被覆、例えば熱処理可能な被覆と熱処理不可能な被覆が同じライン上で製造されることができるようにコータの高いフレキシビリティが要求される。これは必要な位置の数を増加する。この要求はまた、被覆を生成するために必要な時間長さを減少することである。
【０００６】
マグネトロンのような真空下で操作するコータ上では、蒸着領域（又はチャンバー）（「被覆領域」とも称される）の間のガス分離システムが異なる工程を分離するために必要である。例えば、平板ガラス上の低放射性の単一、二重又は三重銀被覆の製造では、純粋なアルゴン注入を必要とする金属銀の蒸着、及び酸素（Ｏ２）又は窒素（Ｎ２）流れの注入を必要とする誘電体のスパッタリングは、互いに隣接する。ガス分離領域がなければ、金属スパッターチャンバーにおけるＯ２又はＮ２の分圧は高すぎるため、Ａｇ層のために良好な金属特性を得ることができないだろう。このため、これらの二つの蒸着領域は好ましくはポンピング手段を有するガス分離領域とも称される区域（この場合にはポンピング区域とも称される）によって分離される。蒸着領域間の分離の設計はコータのタイプに依存する。ガラス工業のための大面積コータの二つの主要な供給業者はＡＭＡＴ（例えば、ＢＯＣ）及びＶｏｎ  Ａｒｄｅｎｎｅである。
【０００７】
ＡＭＡＴタイプのモジュール式コータの場合、多数のポンプ作動トンネルによって分離が設けられている。トンネルは、チャンバー周囲に接合された伝導性限定開口である。三つのトンネルは各ガス分離領域に与えられる。開口は、様々な厚さのガラス（基板）に対応するために調整可能である。ポンピング間隙が開口間に形成される。各間隙は、専用の１６´´拡散ポンプ（ＤＰ）によってポンピングされる。標準的な設計の場合、合計で６つのＤＰが分離区域に接続される。この場合において、特に感受性の被覆のために追加の分離工程が、トンネルの各側上に２つのＤＰを有するトンネル区域を加えることによって実現されることができるだけである。標準的な分離区域の全長は約２０００ｍｍである。
【０００８】
Ｖｏｎ  Ａｒｄｅｎｎｅタイプのコータの場合、ガス分離領域は、工程が行なわれる「スパッター区域」に対抗して「ポンプ区域」と称される。ポンプ区域の幅は工程チャンバーと同等であり、７８０ｍｍに等しい。それは二つの分離トンネルを備える。トンネルの一つは、通過ラインの約２５ｍｍ上に位置された完全な金属プレートである。隣接工程チャンバー内への開口は、コータの上部側壁上に存在する。第二トンネルは、（ガラス移動方向に対して垂直な）コータの幅に沿って中央にスリットを有する金属プレートであり、その部分のガスのポンピングはスリットを通してなされる。ポンプ区域の二つの部分の各々は１〜３個のターボ分子ポンプ（Ｔｕｒｂｏ  Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｐｕｍｐｓ（ＴＭＰ））でポンピングされる。ポンプは二つの平行なラインに沿って蓋上に固定される。
【０００９】
二つのスパッターチャンバーの間に置かれた分離区域の性能は、分離係数又はガス分離係数（ＳＦ）と称される。それは、スパッターチャンバーを１０−５ｍｂａｒ以下の圧力レベルまで排気することによって測定される。アルゴンガスは、蒸着領域（領域１）内に５×１０−３ｍｂａｒ（充填圧力）の圧力レベルまで供給される。ガス分離領域の他方の側上の蒸着領域（領域２）では、圧力が測定される（試験圧力）。試験は、次に、領域２内に供給されるＡｒガスで繰り返され、圧力は領域１において測定される。平均ガス分離係数（ＳＦ）は、０．５（（充填圧力領域１／試験圧力領域２）＋（充填圧力領域２／試験圧力領域１））として計算されるだろう。この計算の場合、トンネルにはガラスが全く存在しない。実際、蒸着工程時に基板間に空間があるので、規則的にガラス基板のない瞬間が存在し、従って分離はガラス基板がなくても効果的でなければならず、分離係数はガラス基板なしで評価されなければならない。
【００１０】
存在する工業ライン上で、分離係数は測定される。ＡＭＡＴモジュール式コータ設計のための分離領域の値は２５〜５０である。単一のＶｏｎ  Ａｒｄｅｎｎｅタイプのポンプ区域に対する値は、ポンプの数及びトンネルプレートの高さに依存して３０〜２００である。２つのポンプ区域が並べられるとき、この係数は４００に増加する。
【００１１】
結果として、分離領域は全て同じ原理に基づくことに注意することができる。それは、二つの蒸着領域間に長い（７８０〜２０００ｍｍ）領域であり、そこでは伝導性は、通過ラインをトンネル（金属プレート）距離に調整することによって低下される。領域は多かれ少なかれ開口で開放し、そのそばにポンピングが設置される。これは全く静的な設計として規定されることができる。
【００１２】
従来技術のコータは、蒸着領域又はスパッターチャンバーの間の静的なガス分離で設計される。この構成は仕様に従って３０の最小ガス分離係数を与えるが、コータ上で測定される実際の値は最良の場合において４００前後である。
【発明の概要】
【００１３】
本発明の目的は、コータにおける二つの蒸着領域間のガス分離を改良することである。
【００１４】
本発明は、第一雰囲気種を持つ第一蒸着領域において少なくとも第一層を、分離領域によって第一雰囲気種から分離された第二雰囲気種を持つ第二蒸着領域において少なくとも第二層を真空下において蒸着することを含む、平板ガラス基板の上に多層被覆積層物を蒸着するための方法であって、平板ガラス基板が護送路に沿って分離領域を通って第一蒸着領域から第二蒸着領域まで移動する方法において、ガスが護送路の近くの分離領域中に注入されて二つの雰囲気種間の分離係数を増加することを特徴とする方法に関する。
【００１５】
表現「近く」は、約１ｍｍから約５００ｍｍまでの距離を意味する。ガスの注入はガスの調整可能な流れとして導入され、それは本発明の蒸着工程及び設定に対して容易に調整されることができる。ガスの注入された流れの流量の調整は分離係数の動的適応を可能にする。
【００１６】
好ましくは、分離領域内の雰囲気のガスはポンピングによって吸引される。これは分離係数を増加する。
【００１７】
本発明はまた、平板ガラス基板上に真空下で薄層を蒸着するためのモジュール式コータであって、少なくとも二つの蒸着領域と、それらの間にガス分離領域を有し、分離領域を介して一つの蒸着領域から他の蒸着領域の方へ開口を通って進むガラス基板のための護送路を有するものにおいて、ガス分離領域が護送路の近くに少なくとも一つのガス注入器を含むことを特徴とするモジュール式コータに関する。
【００１８】
好ましくは、ガス分離領域は、ガス分離領域から外にガスを吸引するためにさらなるポンピング手段を含む。これは、分離係数を増加するための都合の良い手段である。
【００１９】
好ましくは、被覆手段が護送路の上に配置され、ガラス基板がその上を護送されるときにガス分離領域内の護送路とともにトンネル路を規定し、少なくとも一つのガス注入器が前記トンネル内に配置される。これは、ガス注入の良好な効率を得るために好都合である。
【００２０】
コータがマグネトロンのような陰極スパッタリング装置である実施形態では、蒸着領域は、一つ以上の陰極線を有するスパッタリング領域である。
【００２１】
好ましくは、注入器は、護送路上を移動する基板を有するトンネルの一部を規定するために護送路の５〜５０ｍｍの距離に配置された屋根壁と護送路の間に配置される。好ましくは、ガス注入器は護送路の１０ｍｍ〜１００ｍｍ、有利には１５ｍｍ〜５０ｍｍ、例えば約２０ｍｍに配置される。ガスは護送路の上に注入されるが、それは、上で注入されるのに加えて、護送路の下で注入されることもできる。
【００２２】
本発明は、二つの蒸着領域を分離する低い伝導性のトンネルにおいてガスの調整可能な流れを注入することによってガス分離を改変するための動的な方法を提供する。分離を改良するために注入されるガスは、トンネルの上にポンプを理想的に接続することによってポンピングされることが好ましく、これは蒸着領域の圧力増加を制限する。
【００２３】
ガス分離領域にガスを注入すると分離係数を改良することは全く驚くべきことである。逆に、それは蒸着領域における蒸着工程を乱すだろうと誰しもが思うだろう。
【００２４】
我々は、驚くべきことに、本発明が２〜２０倍良好な高い分離係数を達成する可能性を与えることを見い出した。この改良はさらに、二つの主な要因（ガス分離領域の長さの減少及びターボ分子ポンプの数の減少）によるコスト減少と組み合されることができる。
【００２５】
本発明の別の利点は、このガス注入が分離係数をより容易に調整可能にし、アクセス可能な性能が高いので寸法が顕著に減少されることができることである。
【００２６】
分離係数の増加は、蒸着領域間の分離効率を調整するフレキシブルな方法を与え、動的な分離トンネルと称される。
【００２７】
本発明の他の利点は以下の通りである：
−  分離係数は従来技術の設計より有意に高い；
−  分離係数は注入されたガスの量を変えることにより調整されることができる；
−  分離係数は１から１００００まで変化させることができる；
−  従来技術の設計に等価な分離のために必要とされる空間が短かい；
−  蒸着チャンバーにおける圧力はポンピング能力によって制御されることができ、スパッタリング工程のために許容可能な値内に留めることができる（０．１〜９９ｍＴｏｒｒ、好ましくは０．５〜１５ｍＴｏｒｒ）；
−二つ以上の動的な分離トンネルは、極めて高い分離係数が必要とされる特別な用途のために互いに隣接して設置されることができる；
−  本発明によるガス分離領域によって分離される二つの蒸着領域は異なる圧力レベルで操作することができる。
【００２８】
護送路はエアクッション上の護送であることができる。好ましくは、実際には、護送路はローラコンベアである。ガラス基板の連続を運搬するためのローラコンベアの使用は、入るための狭い開口の使用を防止し、分離領域を残す。さらに、ガラス基板は、開口を必要な大きさにするために考慮されなければならない様々な系列の製造の間で異なる厚さを持つことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
以下の図面は説明目的だけのために与えられるが、それらは本発明の範囲を限定することはない。
【００３０】
【図１】図１は、分離領域を間に有する二つの蒸着領域を示す本発明の第一実施形態を示す。
【００３１】
【図２】図２は、分離領域を間に有する二つの蒸着領域を示す本発明の第二実施形態を示す。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
図１及び２は、分離領域又はチャンバー（Ｂ）を間に有する第一及び第二蒸着領域（Ａ）を形成する二つのチャンバーを含むモジュールを概略的に示す。蒸着領域の任意のポンピング手段は示されていない。分離領域は護送路の上に二つの区画（Ｄ）を含む。各区画（Ｄ）は、区画の内側の低レベルの圧力を維持し、分離係数を調整するために、上に少なくとも一つのポンピング手段（Ｃ）（それは活性化されたり、活性化されなかったりすることができる）を含む。
【００３３】
護送路（Ｈ）は、分離チャンバーの内側のローラコンベア（Ｆ）によって具体化される。第一蒸着領域（Ａ）と分離領域（Ｂ）の間に、ガラス基板の通過の余地を有する開口（Ｇ）がある。同様に、分離領域（Ｂ）と第二蒸着領域（Ａ）の間に開口（Ｇ）がある。
【００３４】
各ポンピング区画（Ｄ）は、護送路の約１０〜５０ｍｍ上に配置されたプレートの形の被覆手段によって下を閉じられ、従って二つの蒸着領域の間の護送路の上で基板（それが存在するとき）とともにトンネル路を形成する。各プレートには、ポンピング手段がトンネル路からガスを抽出することを可能にするスリット（Ｋ）がある。
【００３５】
ガス注入器（Ｅ）は、トンネル路の入口及び出口の近くに配置され、トンネル路を被覆するプレートに固定される。各ガス注入器は、ガスが護送路の方向にその約２０ｍｍ上に注入されるように穴を穿孔されたパイプである。
【００３６】
図２には、ガスが蒸着領域からポンピング区画を通して抽出されることを可能にする各蒸着領域（Ａ）とポンピング区画（Ｄ）の間に側部開口（Ｊ）も存在する。
【００３７】
ガス分離係数（ＳＦ）は、異なるパラメータを調整及び／又は組み合わせることによってさらに増加されることができる。それらのうち、通過ライン（Ｈ）の上の開口（図１の符号Ｇを参照）、分離トンネル（Ｂ）の長さ、コータの幅、及びポンプ（Ｃ）の存在のようなガス分離領域寸法を見い出すことができる。寸法変更及びポンピング能力の追加は、静的分離と称される分離を行なう一般的な方法である。分離チャンバー（領域）長さの３倍の減少はガス分離係数を約５０％減少する。ポンピング能力を二つに分割することは、他の全てのパラメータを一定にした場合に分離係数を１０％低下することができる。
【００３８】
従来技術と比較した本発明の効果を実施するために、我々は以下の試験を行なった。
【００３９】
分離領域における追加のポンピングなしの簡単な注入の効果を証明するために、我々は分離チャンバー内にアルゴンのような中性ガス注入を加える。実験によって、２０００ｓｃｃｍ（１分間あたりの標準立方センチメートル、ガス流量測定）の注入量が分離係数を約２．５倍増加しうることが示される。１０００ｓｃｃｍの注入量は分離係数を約２０倍増加しうる。これは、本発明で達成可能な分離係数についての大きなフレキシビリティを示す。
【００４０】
これらの結果は、分離領域へのポンピング能力の追加によって改良されることができる。もし我々が存在する設計で見い出されるものと同様のポンピング能力を考えるなら、分離領域におけるガス流れ注入とポンピング能力の両方についての改良は３．７５〜３０倍の分離係数の増加を表わす。
【００４１】
ポンピングチャンバーの上側の側部開口（図２，Ｊ）を閉じることにある、分離領域におけるポンピング区域の設計の変更は、分離係数の値を４０％改良することができる。
【００４２】
本発明は、短かいトンネル長さで標準的な分離係数値に等価な分離係数値を達成するか、又は標準的な分離領域長さで良好な分離係数値を達成する可能性を開く。本発明は、存在する設計ではコータを排気することなしには不可能である分離係数の調整を可能にする。
【００４３】
コータの内側の圧力のレベルはターボ分子ポンプによって有利に制御され、工程に適合した圧力レベルを確実にする。所望の分離係数の値は、注入されたガスの量の変化によって調整される。
【００４４】
ガスは注入器によって分離領域において注入され、ガスは分離領域自体から又は隣接する蒸着領域から来てもよい。
【００４５】
最も好適なガス注入システムは、（移動方向に垂直な）チャンバー幅に沿って固定された穴を穿孔されたパイプから作られる。好ましくは、二つの蒸着領域の各々の近くにガス注入器がある。穴からのガスの流れは護送路の方にかつそれに垂直に向けられてもよく、又は対応する蒸着領域の開口の方に向けられてもよい。
【００４６】
一つの実施形態では、注入器は約２０ｍｍ直径の金属管であり、それらの全長にわたって分布された穴を有し、管は護送路の２０ｍｍの距離に護送路の幅を横切って配置される。
【００４７】
分離領域においてガスを注入する他のいかなる方法も、注入装置の寸法又は幾何学的形状がどのようなものであれ本用途のために好適である。注入された流れは、質量流量計のような調整装置、又はガス流れを制御することができる他のいかなる装置によっても制御される。流量の適用可能な範囲は０〜１００００ｓｃｃｍ（標準立方センチメートル）であり、それは流量又は圧力を制御することによって得られる。ガスの放出角又はパイプにおける穴の配向は幾何学的な制約に従って変化することができる。もし二つ以上の注入器が使用されるなら、流れは、均一に分布されるか、又は異なる注入器パイプの間では分布されないようにすることができる。例えば、もし二つのパイプが図１で示されているように使用され、全流量が２０００ｓｃｃｍであるなら、一つのパイプにおける流量は１０００ｓｃｃｍであることができ、第二のものにおいて１０００ｓｃｃｍであることができるが、それは５００〜１５００ｓｃｃｍであるか又は他のいかなる分布であることもできる。
【００４８】
二つの蒸着領域を分離するためにガスを注入する原理は、いかなるタイプのガスに対しても有効であるが、当業者は、ガスの選択が分離される蒸着工程雰囲気に依存することがわかる。
【００４９】
本発明に従ってガス注入と組み合わせるために最も好適なポンピング手段は、分離チャンバーの蓋に固定された、２３００ｌ／ｓの公称ポンピング能力を有する四つのターボ分子ポンプに基づく。本発明が最良の利点をとる工程圧力範囲は、理想的には０．１〜１５ｍＴｏｒｒであることが好ましい。ポンプの数は０からチャンバーの周囲の利用可能な空間によって規定される最大量まで変化することができる。ＴＭＰ（ターボ分子ポンプ）のポンピング能力は、圧力範囲と適合するように設計されなければならない。二つの蒸着領域の間の分離係数をさらに改良するためにポンピングしながら本発明による分離領域におけるガス注入は、マグネトロンスパッタリング工程圧力に限定されない。約１００ｍＴｏｒｒまでの高い圧力で実行する工程は、機械式ポンプ又はルートのような真空ポンプ類を備えた動的トンネルによって互いから分離されることができる。この場合において、注入されたガスの流量は前述したものよりずっと大きい。
【００５０】
拡散ポンプ、機械ポンプのような他のタイプのポンプ、又は作用圧力に到達可能ないかなるポンプも好適である。
【００５１】
最も好適な幾何学的形状は、二つの区画（Ｄ）に分割された分離領域（Ｂ）に基づく。各区画は、分離領域の蓋の上に置かれた二つのポンプ（Ｃ）によってポンピングされる。区画の下部は、護送路の上にポンピングするためのスリット（Ｋ）を有するプレートである。スリット（Ｋ）のサイズは、０（ポンピングなし）と区画の全長（完全開放）の間で変化することができる。スリット開口は、図１及び２のようにトンネルの中央に位置される必要はない。ガス（Ｅ）の注入は、蒸着チャンバーとポンピングスリット（Ｋ）の間のコンベア（Ｆ）の上の分離チャンバーに位置される。トンネルの長さは１００〜２０００ｍｍで変化することができる。動的トンネルの開口（Ｇ）は基板厚さに依存し、護送路（Ｈ）の上に１〜１００ｍｍで変化することができる。開口（Ｇ）は第一蒸着領域（Ａ）と第二蒸着領域（Ｂ）の間で異なってもよい。理想的には、区画（Ｄ）は蒸着領域（Ａ）に対して直接的な開口（図２，Ｊ）を持たないが、存在するコータについてのポンプ区域設計の性能は、トンネル内にガスを注入し、本構成（ポンプ区域の側部の開口、図２のＪ）を使用してそれをポンピングすることによって改良されることができる。動的トンネルの幅は、理想的にはコータの幅に対応する。幅は基板の用途及びサイズに依存する。当業者は、スリットが幅方向に完全に開放されるなら、均一なポンピングが達成されることがわかる。しかしながら、スリット（Ｋ）の幅を減少すると、ポンピング能力を変更するだけだろう。
【実施例】
【００５２】
実施例１
この実施例は、分離係数に対するガス注入流量の影響を示す。
【００５３】
静的にポンピングされる分離システムに基づく従来技術の標準設計から出発して、我々は、本明細書で上述した記載に従ってガス分離係数（ＳＦ）を測定した。これらの値は、本発明に従った設計の変更後に得られた値と比較された。
【００５４】
参照設計は、二つの蒸着領域間でポンピングなしで１０００ｍｍ長さの分離トンネルからなる。Ａｒの１０００ｓｃｃｍの流れは、分離トンネルに隣接する各蒸着チャンバーに注入された。Ｏ２の４０ｓｃｃｍの流れは一つの蒸着チャンバーだけに注入され、Ｏ２の分圧は他の蒸着チャンバーで測定された。本発明によれば、Ａｒガスはトンネル内の分離領域（図１参照）に二つの異なる流量値で注入された。以下の表１は、分離トンネル内に注入されたＡｒの増加する流量に対して測定された結果を要約する。ＳＦは、ガスの注入なしの参照設計（Ａｒの０ｓｃｃｍ）に対して計算される。
【００５５】
0005984820.tif 000002
【００５６】
比較例１
比較例１は、ＳＦに対するトンネルのポンピングだけ（ガス注入なし）の影響を示す。
【００５７】
ここで、参照設計は、９０００〜１８０００ｌ／ｓの総ポンピング能力と比較してポンピングなしで３００ｍｍ長さの分離トンネルからなる。Ａｒの１０００ｓｃｃｍの流れは、トンネルに隣接する各蒸着チャンバーに注入された。Ｏ２の４０ｓｃｃｍの流れは一つの蒸着チャンバーに注入され、Ｏ２の分圧は他の蒸着チャンバーで測定された。以下の表２は、動的トンネルにおいて増加するポンピング能力に対して測定された結果を要約する。ＳＦは、参照設計（ポンピングなし）に対して計算された。
【００５８】
0005984820.tif 000003
【００５９】
実施例２
実施例２は、本発明による動的分離トンネル設計とＶｏｎ  Ａｒｄｅｎｎｅタイプ設計の従来技術の標準的なコータの比較を示す。
【００６０】
Ｖｏｎ  Ａｒｄｅｎｎｅタイプの従来技術コータの設計は本明細書において上述されている。分離トンネルの長さは７８０ｍｍである。それぞれ２３００ｌ／ｓの能力を有する四つのポンプがある。以下の表３は、両場合において実験的な絶対分離係数を与える。
【００６１】
0005984820.tif 000004
【００６２】
本発明は、全ての存在するマグネトロンコータにおいて実施されることができる。本発明はまた、工程の圧力（約０．１ｍＴｏｒｒ〜１００ｍＴｏｒｒ）がどのようなものであれ、効率的に分離されることが必要であるいかなる工程（ＰＥＣＶＤ）のためにも使用されることができる。主な利点は、本発明が小さな空間で良好な分離係数を可能にすることである。即ち、それは、投資のコストを制限するコンパクトなコータ設計で使用されることができるコンパクトなシステムであるが、一つの蒸着チャンバーにおいてマグネトロン被覆のような異なる工程を組み合わせ、ＰＥＣＶＤ（プラズマ化学蒸着）を次々と隣接して組み合わせることができる。
【図１】
0005984820.tif 000005
【図２】
0005984820.tif 000006