(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
青色光を発する発光素子と、
上記青色光により励起されて緑色光を発する量子ドット蛍光体と、
上記青色光により励起されて赤色光を発するＭｎ４＋賦活フッ素錯体蛍光体とを備え、
上記量子ドット蛍光体が発する緑色光の発光スペクトルのピーク波長は５２０ｎｍ以上かつ５４０ｎｍ以下であることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
上記緑色光の発光スペクトルの半値幅は、２５ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
上記赤色光の発光スペクトルの半値幅は、１０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の発光装置。
【請求項４】
上記発光素子を封止する分散材をさらに備え、
上記量子ドット蛍光体および上記Ｍｎ４＋賦活フッ素錯体蛍光体は、上記分散材に分散されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項５】
上記分散材は、透明な樹脂材料で構成されていることを特徴とする請求項４に記載の発光装置。
【請求項６】
上記量子ドット蛍光体は、ＣｄＳｅ、ＣｄＳ、ＣｄＴｅ、ＩｎＰ、ＩｎＮ、ＡｌＩｎＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＩｎＮ、ＣｕＩｎＧａＳｅのうち少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項７】
上記Ｍｎ４＋賦活フッ素錯体蛍光体は、一般式ＭＩ２（ＭＩＩ１−ｈＭｎｈ）Ｆ６で表され、
上記一般式において、ＭＩは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、ＲｂおよびＣｓのうち少なくとも１種のアルカリ金属元素を含み、
ＭＩＩは、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、ＴｉおよびＺｒのうち少なくとも１種の４価の金属元素を含み、
ｈは、０．００１以上かつ０．１以下であることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項８】
上記Ｍｎ４＋賦活フッ素錯体蛍光体は、Ｋ２（Ｓｉ１−ｈＭｎｈ）Ｆ６であることを特徴とする請求項７に記載の発光装置。
【請求項９】
上記Ｍｎ４＋賦活フッ素錯体蛍光体は、一般式ＭＩＩＩ（ＭＩＩ１−ｈＭｎｈ）Ｆ６で表され、
上記一般式において、ＭＩＩＩは、Ｍｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａのうち少なくとも１種のアルカリ土類金属元素を含み、
ＭＩＩは、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、ＴｉおよびＺｒのうち少なくとも１種の４価の金属元素を含み、
ｈは、０．００１以上かつ０．１以下であることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項１０】
上記Ｍｎ４＋賦活フッ素錯体蛍光体は、Ｂａ（Ｓｉ１−ｈＭｎｈ）Ｆ６であることを特徴とする請求項９に記載の発光装置。
【請求項１１】
上記青色光のピーク波長は、４２０ｎｍ以上かつ４８０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１から１０のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項１２】
上記青色光のピーク波長は、４４０ｎｍ以上かつ４６０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１１に記載の発光装置。
【請求項１３】
請求項１から１２のいずれか１項に記載の発光装置を備えることを特徴とする画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子と波長変換部材とを備えた発光装置、および当該発光装置を備えた画像表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、（ｉ）発光ダイオード（Light Emitting Diode，ＬＥＤ）などの半導体発光素子と、（ｉｉ）当該半導体発光素子からの励起光を蛍光に変換する波長変換部材（例えば、蛍光体粒子を樹脂に分散させた部材）と、を組み合わせた発光装置が開発されている。当該発光装置は、小型であり、かつ、消費電力が白熱電球よりも少ないという利点を有している。それゆえ、当該発光装置は、各種画像表示装置または照明装置の光源として実用化されている。
【０００３】
このような発光装置としては、青色ＬＥＤと黄色蛍光体とを組み合わせたものが一般的に用いられている。黄色蛍光体としては、Ｃｅ賦活ＹＡＧ（イットリウムアルミニウムガーネット）蛍光体が、発光効率が高いために広く用いられている。
【０００４】
ところで、発光装置を画像表示装置として用いる場合、蛍光体の発光スペクトルの半値幅が狭まるにつれ、画像表示装置の色再現域が広がる。しかしながら、Ｃｅ賦活ＹＡＧ蛍光体の発光スペクトルの半値幅は、１００ｎｍ程度と比較的広い。このため、Ｃｅ賦活ＹＡＧ蛍光体を黄色蛍光体として用いる方式の半導体発光装置を、画像表示装置の液晶バックライトとした場合、色再現域の広さが十分ではない。
【０００５】
具体的には、上記の画像表示装置は、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）に用いられる色域であるｓＲＧＢの色域に対しては、ほぼ全域をカバーすることができる。しかし、広色域液晶ディスプレイに用いられる色域であるＡｄｏｂｅＲＧＢの色域に対しては、カバー率が著しく低くなる。
【０００６】
より具体的には、Ｃｅ賦活ＹＡＧ黄色蛍光体を用いる方式の半導体発光装置を液晶バックライトとして用いた画像表示装置の色域は、ＡｄｏｂｅＲＧＢの色域に対して７０％程度のカバー率にとどまる。したがって、上記半導体発光装置は、広色域液晶ディスプレイに用いるには適さない。
【０００７】
ここで、ｓＲＧＢの色域とは、ＣＩＥ（Commission Internationale de l'Eclairage）１９３１色度座標上において、（ＣＩＥｘ，ＣＩＥｙ）＝（０．６４０，０．３３０）、（０．３００，０．６００）、（０．１５０，０．０６０）である３点の色度点で囲まれた三角形により定義された色域である。
【０００８】
一方、ＡｄｏｂｅＲＧＢの色域とは、ＣＩＥ１９３１色度座標上において、（ＣＩＥｘ，ＣＩＥｙ）＝（０．６４０，０．３３０）、（０．２１０，０．７１０）、（０．１５０，０．０６０）である３点の色度点で囲まれた三角形により定義された色域である。ｓＲＧＢの色域とＡｄｏｂｅＲＧＢの色域とを比較すると、ＡｄｏｂｅＲＧＢの色域の方が、緑色の色再現域が大きく広がっている。
【０００９】
ＡｄｏｂｅＲＧＢに対応するような広色域液晶ディスプレイのバックライトとして用いる半導体発光装置としては、緑色蛍光体と赤色蛍光体との２色の蛍光体を組み合わせて用いる構成のものが適している。さらに、それらの蛍光体の発光スペクトルの半値幅が狭いことが好ましい。
【００１０】
例えば特許文献１および２には、蛍光体としてＥｕ賦活βＳｉＡｌＯＮ蛍光体とＭｎ４＋賦活フッ化物錯体とを組み合わせて用いた半導体発光装置が開示されている。当該組み合わせによれば、従来一般的であった、蛍光体として黄色蛍光体を用いた構成と比較して、画像表示装置を構成した場合に広い色再現域が実現可能となる。
【００１１】
これは、Ｅｕ賦活βＳｉＡｌＯＮ蛍光体の発光スペクトルの半値幅と、Ｍｎ４＋賦活フッ素錯体蛍光体の半値幅が、いずれもＣｅ賦活ＹＡＧ蛍光体のものより狭いことに起因する。具体的には、Ｅｕ賦活βＳｉＡｌＯＮ蛍光体の発光スペクトルの半値幅は、５５ｎｍ以下である。また、Ｍｎ４＋賦活フッ素錯体蛍光体の半値幅は１０ｎｍ以下である。
【００１２】
Ｅｕ賦活βＳｉＡｌＯＮ蛍光体の発光スペクトルの半値幅は、５５ｎｍ以下であり、Ｃｅ賦活ＹＡＧ黄色蛍光体の発光スペクトルの半値幅より狭い。しかし、より発光スペクトルの半値幅の狭い蛍光体と組み合わせることにより、さらに色再現域の広い画像表示装置が実現可能となる。
【００１３】
特許文献３には、青色ＬＥＤと緑色、赤色発光する２種類の量子ドット蛍光体を組み合わせる構成が開示されている。しかし、特許文献３に記載されている構成は、赤色発光する量子ドット蛍光体が緑発光する量子ドット蛍光体の緑色光を吸収してしまい、発光装置の発光効率が著しく低下するという課題を有する。
【００１４】
特許文献４〜６には、波長変換部の中に分散させる蛍光体として、量子ドット蛍光体とＭｎ４＋賦活フッ素錯体蛍光体とを組み合わせて用いる構成が開示されている。Ｍｎ４＋賦活フッ素錯体蛍光体は、量子ドット蛍光体とは異なり、緑色光を吸収しない。したがって、特許文献４〜６に記載されている構成によれば、緑色発光する蛍光体が発する緑色光が、赤色発光する蛍光体に吸収されるという問題は解決される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１５】
【特許文献１】ＷＯ２００９／１１０２８５号公報（２００９年９月１１日公開）
【特許文献２】特開２０１０−９３１３２号公報（２０１０年４月２２日公開）
【特許文献３】特開２０１１−１４２３３６号公報（２０１１年７月２１日公開）
【特許文献４】特開２０１２−１６３９３６号公報（２０１２年８月３０日公開）
【特許文献５】特表２０１３−５１９２３２号公報（２０１３年５月２３日公開）
【特許文献６】特表２０１３−５３４０４２号公報（２０１３年８月２９日公開）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
しかしながら、特許文献４〜６には、Ｍｎ４＋賦活フッ素錯体蛍光体と量子ドット蛍光体とを組み合わせる発光装置について、色再現域の広い画像表示装置を実現できるようにするための最適な構成については何も開示されていない。
【００１７】
そこで本発明では、色再現域の広い画像表示装置を実現できる発光装置、および当該発光装置を備えた画像表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る発光装置は、青色光を発する発光素子と、上記青色光により励起されて緑色光を発する量子ドット蛍光体と、上記青色光により励起されて赤色光を発するＭｎ４＋賦活フッ素錯体蛍光体とを備え、上記量子ドット蛍光体が発する緑色光の発光スペクトルのピーク波長は５２０ｎｍ以上かつ５４０ｎｍ以下である。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の一態様によれば、色再現域の広い画像表示装置を実現できる発光装置を提供することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】実施形態１に係る発光装置を示す断面図である。
【図２】ヒトの視感度曲線を示すグラフである。
【図３】赤色蛍光体の発光スペクトルおよび励起スペクトルを示すグラフである。
【図４】（ａ）〜（ｆ）は、いずれも緑色蛍光体の発光スペクトルおよび励起スペクトルを示すグラフである。
【図５】（ａ）〜（ｆ）は、いずれも比較例である緑色蛍光体の発光スペクトルおよび励起スペクトルを示すグラフである。
【図６】実施形態１の各実施例および各比較例に係る発光装置のパラメータを示す表である。
【図７】（ａ）〜（ｆ）は、いずれも実施例に係る発光装置の発光スペクトルを示すグラフである。
【図８】（ａ）〜（ｆ）は、いずれも比較例に係る発光装置の発光スペクトルを示すグラフである。
【図９】（ａ）は別の比較例に係る緑色蛍光体の発光スペクトルを示すグラフであり、（ｂ）は上記緑色蛍光体を用いた発光装置の発光スペクトルを示すグラフである。
【図１０】（ａ）は、実施形態２に係る画像表示装置の分解斜視図であり、（ｂ）は、（ａ）に示されている画像表示装置が備える液晶表示装置の分解斜視図である。
【図１１】カラーフィルタの透過スペクトルを示すグラフである。
【図１２】実施形態２の各実施例および各比較例に係る画像表示装置のパラメータを示す表である。
【図１３】各実施例および各比較例の画像表示装置の色域と、ＡｄｏｂｅＲＧＢの色域とを比較するグラフである。
【図１４】各実施例および各比較例の画像表示装置の輝度を示す表である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
〔実施形態１〕
実施形態１について、図１〜図９に基づいて説明すれば、以下の通りである。本実施形態では、画像表示装置のバックライトとして用いることで、発光効率が高く、かつ色再現域が広い画像表示装置を実現することができる発光装置について説明する。
【００２２】
（発光装置１０）
図１は、本実施形態に係る発光装置の一例である発光装置１０を示す断面図である。図１に示すように、発光装置１０は、発光素子１１と、赤色蛍光体１２と、緑色蛍光体１３と、プリント配線基板１４と、樹脂枠１５と、分散材１６とを備える。
【００２３】
（発光素子１１）
発光素子１１は、青色光を発する発光素子である。発光素子１１としては、後述の赤色蛍光体１２および緑色蛍光体１３に吸収されて蛍光を生じさせるような一次光（励起光）を発するものであれば、特に限定されない。発光素子１１として、例えば窒化ガリウム（ＧａＮ）系半導体を用いることができる。
【００２４】
発光素子１１から発せられる一次光（励起光）のピーク波長は、４２０ｎｍ以上かつ４８０ｎｍ以下であることが好ましく、４４０ｎｍ以上かつ４６０ｎｍ以下であることがより好ましい。一次光（励起光）のピーク波長が４２０ｎｍ以上かつ４８０ｎｍ以下の範囲内である場合には、発光素子１１の発光効率が高くなる。また、一次光（励起波長）のピーク波長が４４０ｎｍ以上かつ４６０ｎｍ以下である場合には、発光素子１１の発光効率が特に高く、かつ後述する赤色蛍光体１２の励起スペクトルおよび後述する青色カラーフィルタ１２６ｂの透過スペクトルとの波長整合性がよいため、発光装置１０の発光効率を向上することができる。
【００２５】
（赤色蛍光体１２）
赤色蛍光体１２は、発光素子１１が発する青色光により励起されて赤色光を発するＭｎ４＋賦活フッ素錯体蛍光体である。Ｍｎ４＋賦活フッ素錯体蛍光体が発する赤色光の発光スペクトルの半値幅は１０ｎｍ以下と非常に狭い。それゆえ、本実施形態に係る発光装置１０は、赤色領域の色再現性に優れる。
【００２６】
赤色蛍光体１２として用いるＭｎ４＋賦活フッ素錯体蛍光体としては、例えば、以下の一般式（Ａ）または一般式（Ｂ）で表わされる蛍光体を用いることができる。Ｍｎ４＋賦活フッ素錯体蛍光体は、一般式（Ａ）および一般式（Ｂ）のいずれの式で示されるものであっても、上記した通り、発光スペクトルの半値幅は１０ｎｍ以下と極めて狭い。これは、発光イオンであるＭｎ４＋の性質に起因するものである。
【００２７】
一般式（Ａ）：ＭＩ２（ＭＩＩ１−ｈＭｎｈ）Ｆ６
上記一般式（Ａ）において、ＭＩはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、ＲｂおよびＣｓからなる群より選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属元素である。ＭＩＩはＧｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、ＴｉおよびＺｒからなる群より選ばれる少なくとも１種の４価の金属元素である。また、０．００１≦ｈ≦０．１であることが好ましい。
【００２８】
一般式（Ａ）において、発光強度の高さ、および蛍光体結晶の安定性の高さから、ＭＩはＫであることが好ましい。また、同様の理由から、ＭＩＩはＴｉまたはＳｉを含むことが好ましい。
【００２９】
また、一般式（Ａ）において、ｈの値はＭｎの組成比（濃度）、すなわちＭｎ４＋の濃度を示す。ｈの値が０．００１未満である場合には、発光イオンであるＭｎ４＋の濃度が足りず、十分な明るさが得られないという不具合がある。一方、ｈの値が０．１を超える場合には、濃度消光などにより、明るさが大きく低下するという不具合がある。
【００３０】
すなわち、一般式（Ａ）で表されるＭｎ４＋賦活フッ素錯体蛍光体は、Ｋ２（Ｔｉ１−ｈＭｎｈ）Ｆ６またはＫ２（Ｓｉ１−ｈＭｎｈ）Ｆ６であり、ｈは０．００１以上かつ０．１以下であることが好ましい。
【００３１】
一般式（Ｂ）：ＭＩＩＩ（ＭＩＩ１−ｈＭｎｈ）Ｆ６
上記一般式（Ｂ）において、ＭＩＩＩはＭｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａからなる群より選ばれる少なくとも１種のアルカリ土類金属元素である。ＭＩＩはＧｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、ＴｉおよびＺｒからなる群より選ばれる、少なくとも１種の４価の金属元素である。また、０．００１≦ｈ≦０．１であることが好ましい。
【００３２】
一般式（Ｂ）において、蛍光体の発光効率が高く、熱および外力により劣化しにくいことから、ＭＩＩＩは少なくともＢａを含む事が好ましい。同様の理由で、ＭＩＩはＴｉまたはＳｉを含むことが好ましい。
【００３３】
特に、Ｍｎ４＋賦活フッ素錯体蛍光体が一般式（Ａ）および（Ｂ）のいずれの形で表される場合であっても、ＭＩＩがＳｉであれば、蛍光体の水に対する溶解度が低く、蛍光体の耐水性が高くなるため、より好ましい。また、一般式（Ｂ）において、Ｍｎの組成比（濃度）を示すｈの値は、上述した一般式（Ａ）におけるｈと同じく０．００１≦ｈ≦０．１であることが好ましい。
【００３４】
（緑色蛍光体１３）
特許文献１および２に記載されている半導体発光装置より緑色の色再現域を広げるために、緑色蛍光体として量子ドット蛍光体を用いる構成が考えられる。量子ドット蛍光体は、量子ドットの粒径を揃えることにより、発光スペクトルの半値幅を理論的には１５ｎｍ程度まで狭くすることが可能である。また、半値幅が４０ｎｍ以下程度の狭線幅の緑色蛍光体は、すでに実現されている。
【００３５】
本実施形態において、緑色蛍光体１３は、発光素子１１が発する青色光により励起されて緑色光を発する量子ドット蛍光体である。緑色蛍光体１３が発する緑色光の発光スペクトルのピーク波長は、５２０ｎｍ以上かつ５４０ｎｍ以下である。
【００３６】
緑色蛍光体１３の発光スペクトルのピーク波長が５２０ｎｍ未満または５４０ｎｍを超える場合は、発光装置１０を画像表示装置のバックライトとして用いた場合に、ＡｄｏｂｅＲＧＢの色域に対するカバー率が悪化するなど、画像表示装置の色再現域が悪くなる。
【００３７】
よって、緑色蛍光体として量子ドット蛍光体を用いることで、緑色蛍光体の発光スペクトルの半値幅が５５ｎｍ程度である特許文献１や２の組み合わせより、さらに緑色の色再現域を広げることが可能である。
【００３８】
緑色蛍光体１３の発光スペクトルの半値幅は、画像表示装置の色再現域を広げる意味合いでは、可能な限り狭いことが好ましい。しかし、量子ドット蛍光体の発光スペクトルの半値幅を狭くするためには、量子ドットの製造工程において、許容される粒径のばらつきを小さくする必要がある。この場合、許容される粒径のばらつきを外れた量子ドットは、緑色蛍光体として用いることができない。
【００３９】
その結果、量子ドット蛍光体の製造歩留まりが低下し、その分高コストになるため、量子ドット蛍光体の半値幅を狭めると、実用性が失われるという課題を有する。
【００４０】
このため、本実施形態における緑色蛍光体１３が発する緑色光の発光スペクトルの半値幅は、２５ｎｍ以上である。このように設計すれば、緑色蛍光体１３の製造工程において、許容される粒径のばらつきの範囲が広くなる。その結果、緑色蛍光体１３の製造における歩留まりが向上し、緑色蛍光体１３の製造コスト、ひいては発光装置１０の製造コストを低く抑えられる。
【００４１】
本実施形態では、上述した通り、赤色蛍光体１２の発光スペクトルの半値幅が１０ｎｍ以下と極めて狭い。このため、緑色蛍光体１３の発光スペクトルの半値幅が広がっても、緑色蛍光体１３の発光スペクトルと赤色蛍光体１２の発光スペクトルとの重なりが小さい。このため、発光装置１０を用いた画像表示装置の色再現性が低下しにくい。すなわち、緑色蛍光体１３の発光スペクトルの半値幅を２５ｎｍ以上に限定しても、高い色再現性を有する画像表示装置が実現可能となる。
【００４２】
また、図２は、ヒトの視感度曲線を示すグラフである。緑色蛍光体１３の発光スペクトルのピーク波長が５２０ｎｍ未満である場合には、緑色蛍光体１３が発する緑色光のピーク波長が、図２に示すヒトの視感度曲線のピーク波長から大きく外れることになる。このため、発光装置１０の発光効率が悪くなる。
【００４３】
量子ドット蛍光体を構成する半導体結晶材料は、効率よく可視光発光できる蛍光体材料であることが好ましい。このような材料として、例えばＩＩ−ＶＩ族化合物半導体、ＩＩＩ族窒化物半導体、カルコパイライト材料を挙げることができる。より具体的には、ＣｄＳｅ、ＣｄＳ、ＣｄＴｅ、ＩｎＰ、ＩｎＮ、ＡｌＩｎＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＩｎＮ、ＣｕＩｎＧａＳｅなどが挙げられる。
【００４４】
量子ドット蛍光体の粒径または物質組成を調節することで、量子ドット蛍光体のエネルギーバンドギャップを調節することができ、様々な波長の蛍光を取り出すことができる。
【００４５】
（発光装置１０を構成する他の部材）
プリント配線基板１４は、発光素子１１が載置されるとともに、発光素子１１を駆動させる電気回路が形成されている基板である。樹脂枠１５は、プリント配線基板１４上に載置された、樹脂製の枠である。
【００４６】
分散材１６は、発光素子１１を封止する部材である。赤色蛍光体１２および緑色蛍光体１３は、分散材１６に分散されている。分散材１６は、樹脂枠１５の内側に充填されている。
【００４７】
例えば、赤色蛍光体１２が量子ドット蛍光体である場合に、緑色蛍光体１３を赤色蛍光体１２と同じ分散材に分散させると、緑色蛍光体１３が発した緑色光を赤色蛍光体１２が吸収することで、発光装置の発光効率が著しく低下するという問題が生じる。
【００４８】
本実施形態に係る赤色蛍光体１２は、Ｍｎ４＋賦活フッ素錯体蛍光体である。Ｍｎ４＋賦活フッ素錯体蛍光体は、緑色光を吸収しない。そのため、緑色蛍光体１３を赤色蛍光体１２と同じ分散材に分散させても上述の問題は生じない。したがって、単一の分散材に赤色蛍光体１２および緑色蛍光体１３を分散させることで、発光装置１０の構造を簡略化することができる。
【００４９】
分散材１６の材質は、特に限定されないが、例えばメチル系シリコーン樹脂、フェニル系シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂などの樹脂材料、低融点ガラスなどのガラス材料、有機無機ハイブリッドガラスなどを適宜用いることができる。特に、分散材１６が樹脂材料で構成される場合、分散材１６の製造時の温度が、他の材料に比べて低温であるため好ましい。
【００５０】
分散材１６が例えばメチル系シリコーン樹脂であった場合、メチル系シリコーン樹脂１００％に対して緑色蛍光体１３を重量比で１〜３０重量％の範囲内の混合比率で混合することが好ましい。さらに、メチル系シリコーン樹脂１００％に対して緑色蛍光体１３を重量比で５〜２０重量％の範囲内の混合比率で混合することがより好ましい。
【００５１】
一方、赤色蛍光体１２については、メチル系シリコーン樹脂に対して重量比で１〜６０重量％の範囲内の混合比率で混合することが好ましい。また、メチル系シリコーン樹脂に対して赤色蛍光体１２を重量比で５〜３０重量％の範囲内の混合比率で混合することがより好ましい。
【００５２】
緑色蛍光体１３および赤色蛍光体１２を上述の範囲の重量比で混合することで、緑色蛍光体１３および赤色蛍光体１２の濃度が、緑色光および赤色光を発する上で適切な密度になる。
【００５３】
（赤色蛍光体１２の製造例）
赤色蛍光体１２の製造例を、図３を参照して説明する。図３は、赤色蛍光体１２の発光スペクトルおよび励起スペクトルを示すグラフである。
【００５４】
（製造例Ｒ１：Ｍｎ４＋賦活フッ素錯体蛍光体の製造例）
上記の一般式（Ａ）において、ＭＩがＫであり、ＭＩＩがＳｉであり、ｈ＝０．０６であるＭｎ４＋賦活フッ素錯体蛍光体を、以下の手順により調製した。
【００５５】
まず、塩化ビニル樹脂製の反応槽の中央に、フッ素樹脂系イオン交換膜の仕切り（隔膜）を設け、イオン交換膜を挟む２室の各々に、いずれも白金板である陽極と陰極とを設置した。反応槽の陽極側に、フッ化マンガン（ＩＩ）を溶解させたフッ化水素酸水溶液、陰極側にフッ化水素酸水溶液を入れた。
【００５６】
上記陽極および陰極を電源につなぎ、電圧３Ｖ、電流０．７５Ａで電解を行った。電解を終えた後、陽極側の反応液に、フッ化水素酸水溶液に飽和させたフッ化カリウムの溶液を過剰に加えると、Ｋ２ＭｎＦ６が黄色の固体生成物として生成した。当該固体生成物をろ別、回収することで、Ｋ２ＭｎＦ６を得た。
【００５７】
次に、４．８ｇの二酸化ケイ素を、１００ｃｍ３の４８質量％フッ化水素酸水溶液に溶解させ、フッ化ケイ素を含む水溶液を調製した。当該水溶液を室温まで放冷した後、ふた付きの樹脂容器に入れ、７０℃に保った水浴中で１時間以上保持し、加温した。このフッ化ケイ素を含む水溶液に、上記のＫ２ＭｎＦ６粉末を１．１９ｇ加えて撹拌して溶解させ、フッ化ケイ素とＫ２ＭｎＦ６とを含む水溶液（第１溶液）を調製した。
【００５８】
また、１３．９５ｇのフッ化カリウムを、４０ｃｍ３の４８質量％フッ化水素酸水溶液に溶解させ、室温まで放冷し、フッ化カリウムを含む水溶液（第２溶液）を調製した。
【００５９】
その後、撹拌した第１溶液に、第２溶液を約２．５分間かけて少しずつ加え、１０分間程度撹拌すると、淡橙色の固体が生成した。この固体生成物をろ別し、ろ別した固体生成物を、少量の２０質量％フッ化水素酸水溶液で洗浄した。その後、固体生成物をさらにエタノールで洗浄した上で、真空乾燥した。その結果、１５．１８ｇのＭｎ４＋賦活フッ素錯体蛍光体が得られた。
【００６０】
上記Ｍｎ４＋賦活フッ素錯体蛍光体のＸ線回折パターンを、（株）リガク製のＸ線回折装置により、ＣｕのＫ−α線を用いて調べたところ、Ｋ２ＳｉＦ６相が生成していることが確認された。
【００６１】
また、上記Ｍｎ４＋賦活フッ素錯体蛍光体の発光スペクトルを測定した。具体的には、まず、上記Ｍｎ４＋賦活フッ素錯体蛍光体を、幅１０ｍｍ×長さ１０ｍｍ×深さ５０ｍｍの大きさの石英セルに、タッピングにより最密充填した。その後、石英セル内のＭｎ４＋賦活フッ素錯体蛍光体について、蛍光分光光度計（（株）堀場製作所製：Ｆｌｕｏｒｏｍａｘ４）を用いて、波長４４５ｎｍの光により励起した場合の発光スペクトルを測定した。
【００６２】
測定の結果、上記Ｍｎ４＋賦活フッ素錯体蛍光体について、図３に実線で示す発光スペクトルが得られた。図３に示す発光スペクトルを解析した結果、上記Ｍｎ４＋賦活フッ素錯体蛍光体の発光スペクトルのピーク波長は６３０ｎｍ、半値幅は８ｎｍであることが確認された。
【００６３】
また、励起光の波長を変動させた場合における、上記Ｍｎ４＋賦活フッ素錯体蛍光体のピーク波長６３０ｎｍの発光強度を励起波長でプロットすることによって、図３に破線で示す励起スペクトルが得られた。
【００６４】
（量子ドット蛍光体の製造例）
緑色蛍光体１３としての量子ドット蛍光体の製造例を、図４の（ａ）〜（ｆ）を参照して説明する。図４の（ａ）〜（ｆ）は、いずれも以下の製造例により製造された量子ドット蛍光体の発光スペクトルおよび励起スペクトルを示すグラフである。
【００６５】
量子ドット蛍光体を得る工程は、特に制限されず、公知の量子ドット蛍光体の製造方法を用いることができる。手法が簡便であり、且つ、低コストであるという観点では、化学合成法を用いることが好ましい。化学合成法では、生成物質の構成元素を含む複数の出発物質を媒体に分散させた上で、これらを反応させることにより目的の生成物質を得ることができる。
【００６６】
このような化学合成法としては、たとえば、ゾルゲル法（コロイド法）、ホットソープ法、逆ミセル法、ソルボサーマル法、分子プレカーサ法、水熱合成法、または、フラックス法などが挙げられる。化合物半導体材料からなる半導体ナノ粒子を好適に製造できるという観点では、ホットソープ法を用いることが好ましい。
【００６７】
以下では、ホットソープ法を用いて、ＣｄＳｅコアおよびＺｎＳシェルを有するＣｄＳｅ／ＺｎＳ半導体ナノ粒子である量子ドット蛍光体を製造する方法の一例を示す。
【００６８】
（製造例ＱＤ１−１：ピーク波長５２５ｎｍ、半値幅２５ｎｍの量子ドット）
まず、ＣｄＳｅコアを合成した。３ｍｌのトリオクチルホスフィン（ＴＯＰ）に１ｍｍｏｌのセレン化トリオクチルホスフィン（ＴＯＰＳｅ）、および１ｍｍｏｌのジメチルカドミウムを不活性雰囲気中で混合し、混合溶液を得た。
【００６９】
次に、５ｇの酸化トリオクチルホスフィン（ＴＯＰＯ）を、窒素雰囲気で３５０℃に加熱した上記混合溶液に注入した。上記混合溶液の温度は約２６０℃まで下がるとともに、ＴＯＰＯと反応し、ＣｄＳｅナノクリスタルが形成された。上記混合溶液とＴＯＰＯとを６０分間反応させた後、反応溶液をただちに室温まで冷却し、反応を停止させた。
【００７０】
この反応溶液に対して、（ｉ）貧溶媒の脱水エタノール１０ｍｌを加えることにより量子ドット蛍光体を析出させるという操作と、（ｉｉ）４０００ｒｐｍで１０分間遠心分離することにより量子ドット蛍光体を沈殿させるという操作と、（ｉｉｉ）脱水トルエンを加えることにより量子ドット蛍光体を再溶解させるという操作と、という３つの操作を含む分級工程を、１０回行なった。上記工程の条件を要約すると、反応時間は６０分、分級工程は１０回である。
【００７１】
続いて、ＺｎＳシェルを合成した。上記の手法により合成したＣｄＳｅコア溶液に、シェル層の原料である３ｍｍｏｌの酢酸亜鉛および３ｍｍｏｌの硫黄を含む３ｍｌのＴＯＰ溶液を加えて１５０℃で２時間反応させた後、室温まで冷却した。これにより、ＣｄＳｅ／ＺｎＳの量子ドット蛍光体を得ることができた。
【００７２】
上記の手順により作製したＣｄＳｅ／ＺｎＳ量子ドット（以下、製造例ＱＤ１−１の量子ドットと記す）の発光スペクトルを測定した。具体的には、まず、製造例ＱＤ１−１の量子ドットをトルエン溶液に分散させた溶液を、幅１０ｍｍ×長さ１０ｍｍ×深さ５０ｍｍの大きさの石英セルに充填した。そして、上記石英セル内のＣｄＳｅ／ＺｎＳ量子ドットについて、蛍光分光光度計（（株）堀場製作所製：Ｆｌｕｏｒｏｍａｘ４）を用いて、波長４４５ｎｍの光により励起した場合の発光スペクトルを測定した。
【００７３】
測定の結果、製造例ＱＤ１−１の量子ドット蛍光体について、図４の（ａ）に実線で示す発光スペクトルが得られた。図４の（ａ）に示す発光スペクトルを解析した結果、製造例ＱＤ１−１の量子ドット蛍光体の発光スペクトルのピーク波長は５２５ｎｍであり、半値幅は２５ｎｍであることが確認された。
【００７４】
また、励起光の波長を変動させた場合における、上記製造例ＱＤ１−１の量子ドット蛍光体のピーク波長５２５ｎｍの発光強度を励起波長でプロットすることによって、図４の（ａ）に破線で示す励起スペクトルが得られた。
【００７５】
（製造例ＱＤ１−２：ピーク波長５２５ｎｍ、半値幅３５ｎｍの量子ドット）
製造例ＱＤ１−１と同様に、ホットソープ法を用いてＣｄＳｅ／ＺｎＳ半導体ナノ粒子である量子ドット蛍光体を作製した。本製造例においては、反応時間は６０分、分級工程は５回とし、それ以外の条件は製造例ＱＤ１−１と同様にした。
【００７６】
製造例ＱＤ１−２の量子ドットについて、上記製造例ＱＤ１−１と同様にして発光スペクトルおよび励起スペクトルを測定した。測定の結果、製造例ＱＤ１−２の量子ドット蛍光体については、図４の（ｂ）に示す発光スペクトルおよび励起スペクトルが得られた。図４の（ｂ）を解析した結果、製造例ＱＤ１−２で得られた量子ドット蛍光体の発光スペクトルのピーク波長は５２５ｎｍであり、半値幅は３５ｎｍであることが確認された。
【００７７】
（製造例ＱＤ１−３：ピーク波長５２５ｎｍ、半値幅４５ｎｍの量子ドット）
製造例ＱＤ１−１と同様に、ホットソープ法を用いてＣｄＳｅ／ＺｎＳ半導体ナノ粒子である量子ドット蛍光体を作製した。本製造例においては、反応時間は６０分、分級工程は２回とし、それ以外の条件は製造例ＱＤ１−１と同様にした。
【００７８】
製造例ＱＤ１−３の量子ドットについて、上記製造例ＱＤ１−１と同様にして発光スペクトルおよび励起スペクトルを測定した。その結果、製造例ＱＤ１−３の量子ドット蛍光体については、図４の（ｃ）に示す発光スペクトルおよび励起スペクトルが得られた。図４の（ｃ）を解析した結果、製造例ＱＤ１−３で得られた量子ドット蛍光体の発光スペクトルのピーク波長は５２５ｎｍであり、半値幅は４５ｎｍであることが確認された。
【００７９】
（製造例ＱＤ２−１：ピーク波長５３５ｎｍ、半値幅２５ｎｍの量子ドット）
製造例ＱＤ１−１と同様に、ホットソープ法を用いてＣｄＳｅ／ＺｎＳ半導体ナノ粒子である量子ドット蛍光体を作製した。本製造例においては、反応時間は７０分、分級工程は１０回とし、それ以外の条件は製造例ＱＤ１−１と同様にした。
【００８０】
製造例ＱＤ２−１の量子ドットについて、上記製造例ＱＤ１−１と同様にして発光スペクトルおよび励起スペクトルを測定した。その結果、製造例ＱＤ２−１の量子ドット蛍光体については、図４の（ｄ）に示す発光スペクトルおよび励起スペクトルが得られた。図４の（ｄ）を解析した結果、製造例ＱＤ２−１で得られた量子ドット蛍光体の発光スペクトルのピーク波長は５３５ｎｍであり、半値幅は２５ｎｍであることが確認された。
【００８１】
（製造例ＱＤ２−２：ピーク波長５３５ｎｍ、半値幅３５ｎｍの量子ドット）
製造例ＱＤ１−１と同様に、ホットソープ法を用いてＣｄＳｅ／ＺｎＳ半導体ナノ粒子である量子ドット蛍光体を作製した。本製造例においては、反応時間は７０分、分級工程は５回とし、それ以外の条件は製造例ＱＤ１−１と同様にした。
【００８２】
製造例ＱＤ２−２の量子ドットについて、上記製造例ＱＤ１−１と同様にして発光スペクトルおよび励起スペクトルを測定した。その結果、製造例ＱＤ２−２の量子ドット蛍光体については、図４の（ｅ）に示す発光スペクトルおよび励起スペクトルが得られた。図４の（ｅ）を解析した結果、製造例ＱＤ２−２で得られた量子ドット蛍光体の発光スペクトルのピーク波長は５３５ｎｍであり、半値幅は３５ｎｍであることが確認された。
【００８３】
（製造例ＱＤ２−３：ピーク波長５３５ｎｍ、半値幅４５ｎｍの量子ドット）
製造例ＱＤ１−１と同様に、ホットソープ法を用いてＣｄＳｅ／ＺｎＳ半導体ナノ粒子である量子ドット蛍光体を作製した。本製造例においては、反応時間は７０分、分級工程は２回とし、それ以外の条件は製造例ＱＤ１−１と同様にした。
【００８４】
製造例ＱＤ２−３の量子ドットについて、上記製造例ＱＤ１−１と同様にして発光スペクトルおよび励起スペクトルを測定した。その結果、製造例ＱＤ２−３の量子ドット蛍光体については、図４の（ｆ）に示す発光スペクトルおよび励起スペクトルが得られた。図４の（ｆ）を解析した結果、製造例ＱＤ２−３で得られた量子ドット蛍光体の発光スペクトルのピーク波長は５３５ｎｍであり、半値幅は４５ｎｍであることが確認された。
【００８５】
（緑色蛍光体の比較製造例１）
本実施形態に係る緑色蛍光体１３と比較するための緑色蛍光体の製造例を、図５の（ａ）〜（ｆ）を参照して説明する。図５の（ａ）〜（ｆ）は、いずれも比較例である緑色蛍光体の発光スペクトルおよび励起スペクトルを示すグラフである。
【００８６】
（比較製造例ＱＤ１−１：ピーク波長５１５ｎｍ、半値幅２５ｎｍの量子ドット）
本実施形態に係る緑色蛍光体と比較するため、製造例ＱＤ１−１と同様に、ホットソープ法を用いてＣｄＳｅ／ＺｎＳ半導体ナノ粒子である量子ドット蛍光体を作製した。本比較製造例においては、反応時間は５０分、分級工程は１０回とし、それ以外の条件は製造例ＱＤ１−１と同様にして、比較製造例ＱＤ１−１の量子ドット蛍光体を作製した。
【００８７】
比較製造例ＱＤ１−１の量子ドットについて、上記製造例ＱＤ１−１と同様にして発光スペクトルを測定した。その結果、比較製造例ＱＤ１−１の量子ドット蛍光体については、図５の（ａ）に示す発光スペクトルが得られた。図５の（ａ）に示す発光スペクトルを解析した結果、比較製造例ＱＤ１−１で得られた量子ドット蛍光体の発光スペクトルのピーク波長は５１５ｎｍであり、半値幅は２５ｎｍであることが確認された。
【００８８】
（比較製造例ＱＤ１−２：ピーク波長５１５ｎｍ、半値幅３５ｎｍの量子ドット）
比較製造例ＱＤ１−１と同様に、ホットソープ法を用いてＣｄＳｅ／ＺｎＳ半導体ナノ粒子である量子ドット蛍光体を作製した。本比較製造例においては、反応時間は５０分、分級工程は５回とし、それ以外の条件は製造例ＱＤ１−１と同様にした。
【００８９】
比較製造例ＱＤ１−２の量子ドットについて、上記製造例ＱＤ１−１と同様にして発光スペクトルを測定した。その結果、比較製造例ＱＤ１−２の量子ドット蛍光体については、図５の（ｂ）に示す発光スペクトルが得られた。図５の（ｂ）に示す発光スペクトルを解析した結果、比較製造例ＱＤ１−２で得られた量子ドット蛍光体の発光スペクトルのピーク波長は５１５ｎｍであり、半値幅は３５ｎｍであることが確認された。
【００９０】
（比較製造例ＱＤ１−３：ピーク波長５１５ｎｍ、半値幅４５ｎｍの量子ドット）
比較製造例ＱＤ１−１と同様に、ホットソープ法を用いてＣｄＳｅ／ＺｎＳ半導体ナノ粒子である量子ドット蛍光体を作製した。本比較製造例においては、反応時間は５０分、分級工程は２回とし、それ以外の条件は製造例ＱＤ１−１と同様にした。
【００９１】
比較製造例ＱＤ１−３の量子ドットについて、上記製造例ＱＤ１−１と同様にして発光スペクトルを測定した。その結果、比較製造例ＱＤ１−３の量子ドット蛍光体については、図５の（ｃ）に示す発光スペクトルが得られた。図５の（ｃ）に示す発光スペクトルを解析した結果、比較製造例ＱＤ１−３で得られた量子ドット蛍光体の発光スペクトルのピーク波長は５１５ｎｍであり、半値幅は４５ｎｍであることが確認された。
【００９２】
（比較製造例ＱＤ２−１：ピーク波長５４５ｎｍ、半値幅２５ｎｍの量子ドット）
比較製造例ＱＤ１−１と同様に、ホットソープ法を用いてＣｄＳｅ／ＺｎＳ半導体ナノ粒子である量子ドット蛍光体を作製した。本比較製造例においては、反応時間は８０分、分級工程は１０回とし、それ以外の条件は製造例ＱＤ１−１と同様にした。
【００９３】
比較製造例ＱＤ２−１の量子ドットについて、上記製造例ＱＤ１−１と同様にして発光スペクトルを測定した。その結果、比較製造例ＱＤ２−１の量子ドット蛍光体については、図５の（ｄ）に示す発光スペクトルが得られた。図５の（ｄ）に示す発光スペクトルを解析した結果、比較製造例ＱＤ２−１で得られた量子ドット蛍光体の発光スペクトルのピーク波長は５４５ｎｍであり、半値幅は２５ｎｍであることが確認された。
【００９４】
（比較製造例ＱＤ２−２：ピーク波長５４５ｎｍ、半値幅３５ｎｍの量子ドット）
比較製造例ＱＤ１−１と同様に、ホットソープ法を用いてＣｄＳｅ／ＺｎＳ半導体ナノ粒子である量子ドット蛍光体を作製した。本比較製造例においては、反応時間は８０分、分級工程は５回とし、それ以外の条件は製造例ＱＤ１−１と同様にした。
【００９５】
比較製造例ＱＤ２−２の量子ドットについて、上記製造例ＱＤ１−１と同様にして発光スペクトルを測定した。その結果、比較製造例ＱＤ２−２の量子ドット蛍光体については、図５の（ｅ）に示す発光スペクトルが得られた。図５の（ｅ）に示す発光スペクトルを解析した結果、比較製造例ＱＤ２−２で得られた量子ドット蛍光体の発光スペクトルのピーク波長は５４５ｎｍであり、半値幅は３５ｎｍであることが確認された。
【００９６】
（比較製造例ＱＤ２−３：ピーク波長５４５ｎｍ、半値幅４５ｎｍの量子ドット）
比較製造例ＱＤ１−１と同様に、ホットソープ法を用いてＣｄＳｅ／ＺｎＳ半導体ナノ粒子である量子ドット蛍光体を作製した。本比較製造例においては、反応時間は８０分、分級工程は２回とし、それ以外の条件は製造例ＱＤ１−１と同様にした。
【００９７】
比較製造例ＱＤ２−３の量子ドットについて、上記製造例ＱＤ１−１と同様にして発光スペクトルを測定した。その結果、比較製造例ＱＤ２−３の量子ドット蛍光体については、図５の（ｆ）に示す発光スペクトルが得られた。図５の（ｆ）に示す発光スペクトルを解析した結果、比較製造例ＱＤ２−３で得られた量子ドット蛍光体の発光スペクトルのピーク波長は５４５ｎｍであり、半値幅は４５ｎｍであることが確認された。
【００９８】
（発光装置の実施例および比較例）
発光装置の実施例Ｄ１−１〜３，実施例Ｄ２−１〜３、比較例Ｄ１−１〜３、比較例Ｄ２−１〜３について、図６〜図８を参照して説明する。図６は、実施例Ｄ１−１〜３，実施例Ｄ２−１〜３，比較例Ｄ１−１〜３および比較例Ｄ２−１〜３に係る発光装置のパラメータを示す表である。
【００９９】
図７の（ａ）〜（ｆ）は、その順で、実施例Ｄ１−１〜３，実施例Ｄ２−１〜３に係る発光装置の発光スペクトルを示すグラフである。図８の（ａ）〜（ｆ）は、その順で、比較例Ｄ１−１〜３，比較例Ｄ２−１〜３に係る発光装置の発光スペクトルを示すグラフである。
【０１００】
実施例Ｄ１−１〜３，実施例Ｄ２−１〜３，比較例Ｄ１−１〜３，比較例Ｄ２−１〜３において、発光素子１１は、発光ピーク波長４４５ｎｍの青色ＬＥＤ（Ｃｒｅｅ社製）である。赤色蛍光体１２は、上記製造例Ｒ１で得られたＭｎ４＋フッ素錯体蛍光体である。緑色蛍光体１３は、上記各製造例で得られた量子ドット蛍光体である。分散材１６は、シリコーン樹脂（信越化学工業（株）製：ＫＥＲ−２５００）である。
【０１０１】
具体的に、本実施例に係る発光装置の製造手順を、実施例Ｄ１−１を例に説明する。まず、シリコーン樹脂と製造例Ｒ１で得られたＭｎ４＋フッ素錯体蛍光体とを混合し、樹脂組成物を得た。ここで、シリコーン樹脂の含有量を１００重量％としたときのＭｎ４＋フッ素錯体の含有量は、１５．９重量％とした。
【０１０２】
次に、上記製造例ＱＤ１−１で作成した量子ドットをトルエン溶液に分散させ、５重量％の濃度に濃度調整した量子ドット分散溶液を得た。得られた量子ドット分散溶液を、上記樹脂組成物（シリコーン樹脂＋赤色蛍光体）１００重量％に対して１０重量％だけ混合し、蛍光体分散樹脂を得た。
【０１０３】
そして、青色ＬＥＤの周囲を上記の蛍光体分散樹脂で封止した。その後、上記青色ＬＥＤおよび蛍光体分散樹脂を、８０℃で３０分、１２０℃で１時間加熱することにより、図１に示した発光装置１０と同様の構造を有する発光装置を作製した。
【０１０４】
実施例Ｄ１−２〜３，実施例Ｄ２−１〜３，比較例Ｄ１−１〜３，比較例Ｄ２−１〜３に係る発光装置の製造手順についても、上記実施例Ｄ１−１と同様である。それぞれの実施例および比較例において、シリコーン樹脂の重量に対するＭｎ４＋フッ素錯体の重量比、および、シリコーン樹脂の重量に対する量子ドット蛍光体の重量比については、図６を参照されたい。
【０１０５】
得られた発光装置を駆動電流２０ｍＡで駆動させ、分光光度計（大塚電子製：ＭＣＰＤ−７０００）により発光スペクトルを測定したところ、図７の（ａ）〜（ｆ）および図８の（ａ）〜（ｆ）に示す発光スペクトルが得られた。得られた発光スペクトルから色度座標を計算したところ、図６の「発光装置色度座標」に示す色度座標が得られた。
【０１０６】
尚、それぞれの実施例および比較例において、Ｍｎ４＋フッ素錯体蛍光体および量子ドット蛍光体の分散量は、図７の（ａ）〜（ｆ）および図８の（ａ）〜（ｆ）に示す発光スペクトルが後述する液晶パネルを透過した時に、白色点が１０，０００Ｋ付近の白色となるように調整されている。
【０１０７】
（緑色蛍光体および発光装置の別の比較製造例）
本実施形態に係る緑色蛍光体１３および発光装置と比較するための、別の比較製造例を、図９の（ａ），（ｂ）を参照して説明する。図９の（ａ）は、本比較製造例に係る緑色蛍光体の発光スペクトルを示すグラフである。図９の（ｂ）は、本比較製造例に係る緑色蛍光体を用いた発光装置の発光スペクトルを示すグラフである。
【０１０８】
（比較製造例Ｂ１：Ｅｕ賦活βＳｉＡｌＯＮの製造例）
本実施形態に係る緑色蛍光体と比較するため、以下の手順により、組成式Ｓｉ６−ｚ’Ａｌｚ’Ｏｚ’Ｎ８−ｚ’において、ｚ’＝０．０６の材料に、Ｅｕが０．１０ａｔ．％賦活されたＥｕ賦活βＳｉＡｌＯＮ蛍光体を作製した。
【０１０９】
はじめに、原料粉末として、４５μｍの篩を通した金属Ｓｉ、窒化アルミニウムおよび酸化ユーロピウムを、それぞれ９３．５９：５．０２：１．３９の重量比となるように秤量した。
【０１１０】
次に、窒化ケイ素焼結体製の乳鉢と乳棒とを用いて１０分以上混合し、粉体凝集体を得た。そして、当該粉体凝集体を、直径２０ｍｍ、高さ２０ｍｍの大きさである窒化ホウ素製のるつぼに自然落下させて入れた。
【０１１１】
次に、上記るつぼを、黒鉛抵抗加熱方式の加圧電気炉にセットした。そして、当該加圧電気炉において、拡散ポンプによって焼成雰囲気を真空とし、上記るつぼを室温から８００℃まで毎時５００℃の温度上昇率によって昇温した。そして、８００℃において純度９９．９９９体積％の窒素を導入することによって、加圧電気炉内の圧力を０．５ＭＰａとした。そして、上記るつぼを毎時５００℃の温度上昇率で１３００℃まで昇温した。
【０１１２】
その後、上記るつぼを毎分１℃の温度上昇率によって１６００℃まで昇温し、１６００℃の温度を８時間に亘って保持した。以上の工程によって合成した試料をメノウ製乳鉢によって粉砕し、粉末試料を得た。
【０１１３】
次に、これらの粉末に再度の加熱処理を施した。はじめに、１６００℃において焼成した粉末を、窒化ケイ素製の乳鉢と乳棒とを用いて粉砕した。そして、当該粉末を、直径２０ｍｍ、高さ２０ｍｍの大きさである窒化ホウ素製のるつぼに自然落下させて入れた。
【０１１４】
次に、上記るつぼを、黒鉛抵抗加熱方式の加圧電気炉にセットした。そして、当該加圧電気炉において、拡散ポンプによって焼成雰囲気を真空とし、上記るつぼを室温から８００℃まで毎時５００℃の温度上昇率によって加熱した。そして、８００℃において純度９９．９９９体積％の窒素を導入して、加圧電気炉内の圧力を１ＭＰａとした。そして、上記るつぼを毎時５００℃の温度上昇率によって１９００℃まで昇温し、１９００℃の温度を８時間に亘って保持した。その結果として蛍光体試料を得た。
【０１１５】
そして、得られた蛍光体試料をメノウ製乳鉢によって粉砕し、さらに５０％フッ化水素酸と７０％硝酸との１：１混酸中において、６０℃の温度において処理することによって、蛍光体粉末を得た。
【０１１６】
次に、当該蛍光体粉末について、製造例Ｒ１と同様にして粉末Ｘ線回折測定を行った。その結果、当該蛍光体粉末はβ型ＳｉＡｌＯＮ構造を有することを確認できた。
【０１１７】
また、比較製造例Ｂ１のＥｕ賦活βＳｉＡｌＯＮ蛍光体を、上記製造例Ｒ１と同様にして発光スペクトルを測定した。その結果、比較製造例Ｂ１のＥｕ賦活βＳｉＡｌＯＮ蛍光体については、図９の（ａ）に示す発光スペクトルが得られた。図９の（ａ）より、比較製造例Ｂ１で得られたＥｕ賦活βＳｉＡｌＯＮ蛍光体の発光スペクトルのピーク波長は５３９ｎｍであり、半値幅は５１ｎｍであった。
【０１１８】
（比較例Ｂ１）
シリコーン樹脂と、製造例Ｒ１で得られたＭｎ４＋フッ素錯体蛍光体と、比較製造例Ｂ１で得られたＥｕ賦活βＳｉＡｌＯＮ蛍光体とを混合し、蛍光体分散樹脂を得た。ここで、シリコーン樹脂の含有量を１００重量％としたときのＭｎ４＋フッ素錯体の含有量を１０．２重量％、Ｅｕ賦活βＳｉＡｌＯＮ蛍光体の含有量を５．６重量％とした。
【０１１９】
次に、発光ピーク波長４４５ｎｍの青色ＬＥＤ（Ｃｒｅｅ社製）を用意し、その周囲を上で得られた蛍光体分散樹脂で封止した。その後、上記青色ＬＥＤおよび蛍光体分散樹脂を、８０℃で３０分、１５０℃で１時間加熱することにより、図１と同様の構造を有する発光装置を作製した。
【０１２０】
得られた発光装置を、駆動電流２０ｍＡで駆動したところ、図９の（ｂ）に示す発光スペクトルが得られた。得られた発光スペクトルから色度座標を計算したところ、ＣＩＥ１９３１色度座標で（ＣＩＥｘ，ＣＩＥｙ）＝（０．２６１，０．２２９）であった。
【０１２１】
画像表示装置のバックライトとして、上述した発光装置１０を用いることで、発光効率が高く、かつ色再現域が広い画像表示装置を実現することができる。詳細については、実施形態２において述べる。
【０１２２】
〔実施形態２〕
実施形態２について、図１０〜図１４に基づいて説明すれば、以下の通りである。本実施形態では、実施形態１に係る発光装置を備える画像表示装置について説明する。なお、説明の便宜上、前記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
【０１２３】
（画像表示装置１００）
図１０の（ａ）は、本実施形態に係る画像表示装置の一例である画像表示装置１００の分解斜視図である。図１０の（ｂ）は、図１０の（ａ）に示されている画像表示装置１００が備える液晶表示装置１２０ａの分解斜視図である。図１１は、画像表示装置１００が備えるカラーフィルタの透過スペクトルを示すグラフである。
【０１２４】
図１０の（ａ）に示すように、画像表示装置１００は、発光装置１０と、導光板１１０と、液晶表示部１２０とを備える。導光板１１０は、透明または半透明の導光板である。液晶表示部１２０は、画像を表示する表示部であり、複数の液晶表示装置１２０ａを備える。
【０１２５】
画像表示装置１００では、導光板１１０の側面に、発光装置１０が複数配置されている。また、導光板１１０に隣接して、液晶表示部１２０が設けられている。発光装置１０からの出射光１３０は、導光板１１０内で散乱され、散乱光１４０として液晶表示部１２０の全面に照射されるように構成されている。
【０１２６】
図１０の（ｂ）に示すように、液晶表示部１２０を構成する液晶表示装置１２０ａは、偏光板１２１と、透明導電膜１２３ａ（薄膜トランジスタ１２２を有する）と、配向膜１２４ａと、液晶層１２５と、配向膜１２４ｂと、上部薄膜電極１２３ｂと、色画素を表示するためのカラーフィルタ１２６と、上部偏光板１２７とが順次積層されている。
【０１２７】
カラーフィルタ１２６は、透明導電膜１２３ａの各画素に対応する大きさの部分に分割されている。また、カラーフィルタ１２６は、赤色光を透過する赤色カラーフィルタ１２６ｒ、緑色光を透過する緑色カラーフィルタ１２６ｇおよび青色光を透過する青色カラーフィルタ１２６ｂを備えている。
【０１２８】
本実施形態に係る画像表示装置１００は、図１０の（ｂ）に示すカラーフィルタ１２６のように、それぞれ赤色光、緑色光、青色光を透過するフィルタを備えることが好ましい。この場合、各色カラーフィルタは、例えば図１１に示した透過スペクトルを示すものを好適に用いることができる。後述の実施例においても、図１１に示した透過スペクトルを示すカラーフィルタを用いている。
【０１２９】
（画像表示装置の実施例）
図１０の（ａ），（ｂ）に示した構造を有する画像表示装置を作製した実施例、および比較例について、以下に説明する。図１２は、各実施例および各比較例に係る画像表示装置のパラメータを示す表である。各実施例および各比較例に係る画像表示装置のバックライト光源として、実施形態１に係る各実施例の発光装置を、図１２に示す組み合わせで用いた。また、カラーフィルタとしては、図１１に示した透過率を示すカラーフィルタを用いた。
【０１３０】
（画像表示装置の色再現域の比較）
各実施例および各比較例の画像表示装置における、画面上表示光のＣＩＥ１９３１色度座標での白色点、赤色点、緑色点、青色点の色度座標、およびＡｄｏｂｅＲＧＢカバー率を図１２に示す。
【０１３１】
ここで、赤色点、緑色点、青色点とは、ディスレイ上にそれぞれ赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ、青色カラーフィルタを透過する光のみを表示させた場合のディスプレイ上の色度点である。白色点とは、それぞれのカラーフィルタを透過する光をすべて同時に表示させた場合のディスプレイ上の色度点である。ＡｄｏｂｅＲＧＢカバー率とは、ＡｄｏｂｅＲＧＢの色域の面積に対する、上記赤色点、緑色点、青色点で囲まれる色域がカバーする面積の割合である。
【０１３２】
なお、図１２に示される色度点およびＡｄｏｂｅＲＧＢカバー率は、大塚電子製ＭＣＰＤ−７０００を用いて測定したスペクトルデータから計算した。
【０１３３】
図１２に示す各実施例および各比較例のパラメータから、各実施例の画像表示装置は、各比較例の画像表示装置より高いＡｄｏｂｅＲＧＢカバー率を有することが分かる。これは、本発明において使用した量子ドットからなる緑色蛍光体の発光ピーク波長が、Ｍｎ４＋賦活蛍光体と組み合わせる構成において適切な波長に設定されていることに起因する。
【０１３４】
上記効果を図１３の（ａ）〜（ｄ）を用いて説明する。図１３の（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ実施例ＤＩＳ１−１、実施例ＤＩＳ２−１、比較例ＤＩＳ１−１、比較例ＤＩＳ２−１の画像表示装置の色域と、ＡｄｏｂｅＲＧＢの色域とを比較するグラフである。
【０１３５】
図１３の（ａ）〜（ｄ）のそれぞれにおいて、（ＣＩＥｘ，ＣＩＥｙ）＝（０．２，０．７）の近傍の色域が、緑色の色域である。図１３の（ａ）および（ｂ）と、図１３の（ｃ）および（ｄ）とを比較すると、実施例ＤＩＳ１−１および実施例ＤＩＳ２−１の画像表示装置は、比較例ＤＩＳ１−１、比較例ＤＩＳ２−１の画像表示装置と比較して、緑色の色域においてＡｄｏｂｅＲＧＢの色域とマッチングがよいことが分かる。
【０１３６】
（画像表示装置の輝度の比較）
各実施例の画像表示装置の輝度と、比較例ＤＩＳ１−１〜３の画像表示装置の輝度とを比較した。各実施例および比較例ＤＩＳ１−１〜３の画像表示装置において、それぞれのカラーフィルタを透過する光をすべて同時に表示させた状態で、当該画像表示装置の液晶表示部に設置した分光光度計により輝度を測定した。
【０１３７】
各実施例および各比較例の画像表示装置に用いられている発光装置は、実施形態１で説明した通り、白色点が１０，０００Ｋ付近の白色となるように、赤色蛍光体および緑色蛍光体の分散量が調整されている。したがって、以下のデータは、各実施例および各比較例の画像表示装置について、１０，０００Ｋ付近の白色での輝度を比較したものである。
【０１３８】
図１４は、上記実施例および上記比較例の画像表示装置の輝度を示す表である。図１４に示すように、各実施例の画像表示装置は、比較例ＤＩＳ１−１〜３の画像表示装置と比較して、輝度が高いことが分かる。
【０１３９】
各比較例の画像表示装置では、当該画像表示装置が備える発光装置が発する緑色光のピーク波長が、人の視感度曲線（図２参照）のピーク波長から外れている。一方、各実施例の画像表示装置では、当該画像表示装置が備える発光装置が発する緑色光のピーク波長が、ヒトの視感度曲線のピーク波長に近い。
【０１４０】
このため、各実施例の画像表示装置は、各比較例の画像表示装置より高い発光効率を実現できている。
【０１４１】
以上の色再現域の比較、および画面上輝度の比較で明らかなように、本実施形態に係る画像表示装置によれば、色再現性と発光効率の高い画像表示装置が実現できる。
【０１４２】
〔実施形態３〕
実施形態３について説明する。実施形態３は、実施形態１で説明した発光装置の別実施形態である。本実施形態に係る発光装置は、発光素子１１以外については発光装置１０と同じであるため、説明を省略する。
【０１４３】
本実施形態に係る発光装置において、発光素子から発せられる一次光（励起光）のピーク波長は、４２０ｎｍ以上かつ４４０ｎｍ以下である。このようなピーク波長の一次光（励起光）を発する発光素子によっても、色再現域の広い画像表示装置を実現できる発光装置を提供することができる。
【０１４４】
ただし、実施形態１の発光装置１０は、上述した通り、一次光（励起光）のピーク波長と、赤色蛍光体１２の励起スペクトルおよび青色カラーフィルタ１２６ｂの透過スペクトルとの波長整合性がよいため、本実施形態の発光装置より発光効率が高い。
【０１４５】
〔実施形態４〕
実施形態４について説明する。実施形態４は、実施形態１で説明した発光装置の別実施形態である。本実施形態に係る発光装置は、緑色蛍光体１３以外については発光装置１０と同じである為、説明を省略する。
【０１４６】
本実施形態に係る発光装置においては、緑色蛍光体１３として、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ半導体ナノ粒子ではなく、発光スペクトルのピーク波長が５２５ｎｍ、半値幅が６５ｎｍである、市販のＩｎＰ系量子ドットを用いている。
【０１４７】
ＩｎＰ系量子ドットは、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ半導体ナノ粒子と比較して、発光スペクトルの半値幅が広い。このため、本実施形態の発光装置を用いた画像表示装置は、発光装置１０を用いた画像表示装置より色再現性が低くなる。
【０１４８】
しかし、ＩｎＰ系量子ドットは、Ｃｄを含まない。したがって、本実施形態の発光装置は、発光装置１０より環境負荷が小さくなるという利点がある。
【０１４９】
〔まとめ〕
本発明の態様１に係る発光装置（１０）は、青色光を発する発光素子（１１）と、上記青色光により励起されて緑色光を発する量子ドット蛍光体（緑色蛍光体１３）と、上記青色光により励起されて赤色光を発するＭｎ４＋賦活フッ素錯体蛍光体（赤色蛍光体１２）とを備え、上記量子ドット蛍光体が発する緑色光の発光スペクトルのピーク波長は５２０ｎｍ以上かつ５４０ｎｍ以下である。
【０１５０】
上記の構成によれば、発光装置は、発光素子が発する青色光と、青色光により励起された量子ドット蛍光体が発する緑色光と、青色光により励起されたＭｎ４＋賦活フッ素錯体蛍光体が発する赤色光とを発する。このうち、緑色光のピーク波長は、５２０ｎｍ以上かつ５４０ｎｍ以下である。
【０１５１】
緑色光のピーク波長が５２０ｎｍ未満または５４０ｎｍを超える場合は、ＡｄｏｂｅＲＧＢの色域に対するカバー率が悪化するなど、画像表示装置の色再現性が悪くなる。すなわち、緑色光のピーク波長が５２０ｎｍ以上かつ５４０ｎｍ以下であれば、本発明に係る発光装置を備える画像表示装置の色再現性が高くなる。
【０１５２】
したがって、色再現域の広い画像表示装置を実現できる発光装置を提供することができるという効果を奏する。
【０１５３】
本発明の態様２に係る発光装置は、上記態様１において、上記緑色光の半値幅は、２５ｎｍ以上であることが好ましい。
【０１５４】
上記の構成によれば、上記緑色光を発する量子ドット蛍光体について、許容されるサイズのばらつきの範囲が広くなる。したがって、量子ドット蛍光体の歩留まりが向上するという効果を奏する。
【０１５５】
本発明の態様３に係る発光装置は、上記態様１または２において、上記赤色光の半値幅は、１０ｎｍ以下であることが好ましい。
【０１５６】
上記の構成によれば、赤色光の半値幅は１０ｎｍ以下と極めて狭い。したがって、本発明に係る発光装置を備える画像表示装置の色再現性が向上するという効果を奏する。
【０１５７】
本発明の態様４に係る発光装置は、上記態様１から３のいずれかにおいて、上記発光素子を封止する分散材（１６）をさらに備え、上記量子ドット蛍光体および上記Ｍｎ４＋賦活フッ素錯体蛍光体は、上記分散材に分散されていることが好ましい。
【０１５８】
上記の構成によれば、量子ドット蛍光体およびＭｎ４＋賦活フッ素錯体蛍光体は、発光素子を封止する単一の分散材に分散している。
【０１５９】
赤色光を発する蛍光体が量子ドット蛍光体である場合、緑色光を発する蛍光体を、赤色光を発する蛍光体と同じ分散材に分散させると、緑色光を発する蛍光体が発した緑色光を、赤色光を発する蛍光体が吸収することで、発光装置の発光効率が著しく低下する。
【０１６０】
一方、Ｍｎ４＋賦活フッ素錯体蛍光体は緑色光を吸収しない。そのため、緑色光を発する量子ドット蛍光体を、Ｍｎ４＋賦活フッ素錯体蛍光体と同じ分散材に分散させても、上述の問題は生じない。したがって、発光装置の構造を簡略化することができるという効果を奏する。
【０１６１】
本発明の態様５に係る発光装置は、上記態様４において、上記分散材は、透明な樹脂材料で構成されていることが好ましい。
【０１６２】
上記の構成によれば、分散材は透明な樹脂材料で構成されているため、ガラスまたは石英などで構成する場合に比べて低温で製造することができるという効果を奏する。
【０１６３】
本発明の態様６に係る発光装置は、上記態様１から５のいずれかにおいて、上記量子ドット蛍光体は、ＣｄＳｅ、ＣｄＳ、ＣｄＴｅ、ＩｎＰ、ＩｎＮ、ＡｌＩｎＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＩｎＮ、ＣｕＩｎＧａＳｅのうち少なくとも１つを含むことが好ましい。
【０１６４】
上記の構成によれば、効率よく可視光発光できる材料を用いて量子ドット蛍光体を構成することができる。
【０１６５】
本発明の態様７に係る発光装置は、上記態様１から６のいずれかにおいて、上記Ｍｎ４＋賦活フッ素錯体蛍光体は、一般式ＭＩ２（ＭＩＩ１−ｈＭｎｈ）Ｆ６で表され、上記一般式において、ＭＩは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、ＲｂおよびＣｓのうち少なくとも１種のアルカリ金属元素を含み、ＭＩＩは、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、ＴｉおよびＺｒのうち少なくとも１種の４価の金属元素を含み、ｈは、０．００１以上かつ０．１以下であってもよい。
【０１６６】
上記の構成によれば、ｈにより規定されるＭｎ４＋イオンの濃度が、過不足ない適切な濃度となる。したがって、Ｍｎ４＋賦活フッ素錯体蛍光体の発光強度が高くなるという効果を奏する。
【０１６７】
本発明の態様８に係る発光装置は、上記態様７において、上記Ｍｎ４＋賦活フッ素錯体蛍光体は、Ｋ２（Ｓｉ１−ｈＭｎｈ）Ｆ６であることが好ましい。
【０１６８】
上記の構成によれば、Ｍｎ４＋賦活フッ素錯体蛍光体は、（ｉ）発光強度が高く、（ｉｉ）蛍光体結晶の安定性が高く、かつ（ｉｉｉ）耐水性が高くなるという効果を奏する。
【０１６９】
本発明の態様９に係る発光装置は、上記態様１〜６のいずれかにおいて、上記Ｍｎ４＋賦活フッ素錯体蛍光体は、一般式ＭＩＩＩ（ＭＩＩ１−ｈＭｎｈ）Ｆ６で表され、上記一般式において、ＭＩＩＩは、Ｍｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａのうち少なくとも１種のアルカリ土類金属元素を含み、ＭＩＩは、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、ＴｉおよびＺｒのうち少なくとも１種の４価の金属元素を含み、ｈは、０．００１以上かつ０．１以下であってもよい。
【０１７０】
上記の構成によれば、態様７と同様、ｈにより規定されるＭｎ４＋イオンの濃度が、過不足ない適切な濃度となる。したがって、Ｍｎ４＋賦活フッ素錯体蛍光体の発光強度が高くなるという効果を奏する。
【０１７１】
本発明の態様１０に係る発光装置は、上記態様９において、上記Ｍｎ４＋賦活フッ素錯体蛍光体は、Ｂａ（Ｓｉ１−ｈＭｎｈ）Ｆ６であることが好ましい。
【０１７２】
上記の構成によれば、Ｍｎ４＋賦活フッ素錯体蛍光体は、（ｉ）発光効率が高く、（ｉｉ）熱および外力により劣化しにくく、かつ（ｉｉｉ）耐水性が高くなるという効果を奏する。
【０１７３】
本発明の態様１１に係る発光装置は、上記態様１から１０のいずれかにおいて、上記青色光のピーク波長は、４２０ｎｍ以上かつ４８０ｎｍ以下であることが好ましい。
【０１７４】
上記の構成によれば、発光素子の発光効率が高いため、発光装置の発光効率を向上することができる。
【０１７５】
本発明の態様１２に係る発光装置は、上記態様１１において、上記青色光のピーク波長は、４４０ｎｍ以上かつ４６０ｎｍ以下であることがより好ましい。
【０１７６】
上記の構成によれば、発光素子の発光効率が特に高く、かつ赤色蛍光体の励起スペクトルおよび青色カラーフィルタの透過スペクトルとの波長整合性がよいため、発光装置の発光効率をさらに向上することができる。
【０１７７】
本発明の態様１３に係る画像表示装置（１００）は、上記態様１から１２のいずれかの発光装置を備える。
【０１７８】
上記の構成によれば、色再現性の高い画像表示装置を提供できるという効果を奏する。
【０１７９】
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
〔本発明の別の表現〕
なお、本発明は、以下のようにも表現できる。
【０１８０】
すなわち、本発明の一態様に係る半導体発光装置は、青色光を発する半導体発光素子と、青色光により励起され緑色光を発する量子ドット蛍光体と、青色光によって励起され赤色光を発するＭｎ４＋賦活フッ素錯体蛍光体と含み、上記緑色光の発光スペクトルのピーク波長が５２０ｎｍ〜５４０ｎｍで半値幅は２５ｎｍ以上であり、上記赤色光の発光スペクトルの半値幅が１０ｎｍ以下である。
【０１８１】
また、本発明の一態様に係る半導体発光装置において、上記半導体発光素子は、上記量子ドット蛍光体とＭｎ４＋賦活フッ素錯体蛍光体が分散した分散材により封止されている。
【０１８２】
また、本発明の一態様に係る半導体発光装置において、上記分散材は、樹脂材料からなる透明部材である。
【０１８３】
また、本発明の一態様に係る半導体発光装置において、上記量子ドット蛍光体を構成する材料は、ＣｄＳｅ、ＣｄＳ、ＣｄＴｅである。
【０１８４】
また、本発明の一態様に係る半導体発光装置において、上記量子ドット蛍光体を構成する材料は、ＩｎＰ、ＩｎＮ、ＡｌＩｎＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＩｎＮ、ＣｕＩｎＧａＳｅである。
【０１８５】
また、本発明の一態様に係る半導体発光装置において、上記Ｍｎ４＋賦活フッ素錯体蛍光体は、ＭＩ２（ＭＩＩ１−ｈＭｎｈ）Ｆ６（ＭＩはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、ＲｂおよびＣｓからなる群より選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属元素、ＭＩＩはＧｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、ＴｉおよびＺｒからなる群より選ばれる少なくとも１種の４価の金属元素を示し、０．００１≦ｈ≦０．１である。）である。
【０１８６】
また、本発明の一態様に係る半導体発光装置は、上記Ｍｎ４＋賦活フッ素錯体蛍光体は、Ｋ２（Ｓｉ１−ｈＭｎｈ）Ｆ６（０．００１≦ｈ≦０．１）である。
【０１８７】
また、本発明の一態様に係る画像表示装置は、上記のいずれかの態様の半導体発光装置を用いたものである。
【産業上の利用可能性】
【０１８８】
本発明は、励起光を蛍光に変換する蛍光体を用いた発光装置、および当該発光装置を用いた画像表示装置に利用することができる。
【符号の説明】
【０１８９】
１０  発光装置
１１  発光素子
１２  赤色蛍光体（Ｍｎ４＋賦活フッ素錯体蛍光体）
１３  緑色蛍光体（量子ドット蛍光体）
１６  分散材
１００  画像表示装置
【要約】
【課題】色再現域の広い画像表示装置を実現できる発光装置、および当該発光装置を備えた画像表示装置を提供する。
【解決手段】発光装置（１０）は、青色光を発する発光素子（１１）と、上記青色光により励起されて緑色光を発する緑色蛍光体（１３）と、上記青色光により励起されて赤色光を発する赤色蛍光体（１２）とを備え、上記緑色蛍光体が発する緑色光の発光スペクトルのピーク波長は５２０ｎｍ以上かつ５４０ｎｍ以下である。
【選択図】図１【図１】
0005952938.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
0005952938.tif 000009
【図９】
0005952938.tif 000010
【図１０】
0005952938.tif 000011
【図１１】
0005952938.tif 000012
【図１２】
0005952938.tif 000013
【図１３】
0005952938.tif 000014
【図１４】
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