(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップをダイボンディングする平面をＸ−Ｙ平面とし、前記半導体チップを保持し搬送するコレットの前記Ｘ−Ｙ平面に直交するＺ軸方向距離を補正するためのキャリブレート用ターゲット治具において、
前記コレットの前記Ｘ−Ｙ平面内に固定される治具本体と、
前記治具本体の上面から突起して、前記治具本体の上面に降下する塵の大きさを越える高さに形成され、前記コレットのＺ軸方向先端部と接触するターゲットマークと、
を備えることを特徴とするキャリブレート用ターゲット治具。
【請求項２】
前記ターゲットマークは、前記治具本体の上面で前記コレットの底面先端部に接触するように形成されていることを特徴とする請求項１記載のキャリブレート用ターゲット治具。
【請求項３】
前記ターゲットマークは、前記治具本体の上面で前記コレットの底面先端部に複数個所で点接触するように形成されていることを特徴とする請求項１記載のキャリブレート用ターゲット治具。
【請求項４】
オートキャリブレート機能を備え、半導体チップをリードフレームにマウントするダイボンディング用の半導体製造装置において、
前記リードフレームを加熱する加熱手段と、
前記リードフレームにマウントされる半導体チップを保持し搬送するコレットと、
半導体チップをダイボンディングする平面をＸ−Ｙ平面とし、これと直交するＺ軸方向について、前記コレットの所定位置と前記リードフレームのチップマウント面との距離を予め設定したコレット制御手段と、
前記加熱手段による熱により生じる前記チップマウント面でのＺ軸方向の変動距離に比例して上下変動する位置に配置された、前記請求項１〜３のいずれかに記載のキャリブレート用ターゲット治具と、
を備え、
前記コレットを前記Ｚ軸方向に移動させてターゲットマークに前記コレットのＺ軸方向先端部を接触させ、前記コレット制御手段に予め設定した前記コレットの所定位置と前記リードフレームの前記チップマウント面との距離を補正することを特徴とする半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップのダイボンディング工程で使用されるキャリブレート用ターゲット治具、およびオートキャリブレート機能を備えたダイボンディング用の半導体製造装置に関し、とくにリードフレームに半導体チップを確実に接着するためのキャリブレート用ターゲット治具、および当該ターゲット治具を用いたダイボンディング用の半導体製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程では、半導体チップを連続してリードフレームに接着する半導体製造装置として、従来からダイボンディング装置（以下、ＤＢ装置という。）が使用される。
【０００３】
ＤＢ装置は、リードフレームを加熱する加熱ステージと、複数のリードフレームを連続して搬送するフィード用レール等の送り装置とを備えている。各リードフレームには、加熱ステージ上で溶融した状態の半田がアイランドなどの半導体素子搭載部に載せられ、送り装置によって搬送されてくる。
【０００４】
半導体チップは、ＤＢ装置の例えば手前側にセッティングされたダイシング済みのウェハから、バキューム式の吸着コレットを用いて一つずつＤＢ装置に移動されて、所定の位置にダイボンディングされる。その際、半導体チップがウェハシートの裏面から突き上げられると、そのウェハの上方から吸着コレットによって真空吸着されてＤＢ装置まで搬送される。吸着コレットが保持している半導体チップは、ＤＢ装置で加熱されたリードフレームの所定位置まで下降してそこで押圧されることによって、半田層を介して半導体チップのマウントが完了する。
【０００５】
図４は、従来の半導体製造装置の概略構成を示す断面図である。
吸着コレット１は、ＤＢ装置まで水平方向に移動し、その後、制御された所定の距離だけ下降する。このとき、リードフレーム２はフィード用レール（図示せず）によって搬送され、リードフレーム２上で溶融状態の半田３に対応する位置に半導体チップ４をマウントすることができる。加熱ステージ５は、リードフレーム２を所定温度に保持しており、その上面がレール上蓋６によって覆われている。このレール上蓋６は、リードフレーム２上での半田３の放熱を防ぐとともに、外部への雰囲気ガスの飛散を防いでいる。
【０００６】
レール上蓋６には所定の大きさの開口６ａが形成されていて、吸着コレット１は半導体チップ４を保持した状態で開口６ａまで移動する。その後、レール上蓋６の開口６ａからリードフレーム２上の半田３の位置まで自動的に下降して、各リードフレーム２の所定位置に半導体チップ４を固着する。その際、吸着コレット１を搬送制御するＤＢ装置側のコレット制御手段（図示せず）では、吸着コレット１が半導体チップ４を搬送して開口６ａの上まで到達した際の半田３の表面までの距離が予め設定されている。あるいは、半導体チップ４を吸着していない状態で、吸着コレット１をレール上蓋６に接触させて、レール上蓋６の位置を基準位置として記憶させてもよい。
【０００７】
そして、コレット制御手段では、コレット制御手段に予め設定された距離に基づいて、吸着コレット１をＺ軸方向にリードフレーム２に向かって下降させ、吸着コレット１に吸着された半導体チップ４をリードフレーム２上に移動する。このとき、半導体チップ４をリードフレーム２に対して所定の圧力で押し付ける圧接動作を行ってリードフレーム２上に半導体チップ４をマウントする。
【０００８】
半導体チップ４をリードフレーム２上に確実にマウントし、しかも半田３による固着状態を安定させるには、上記のように、半導体チップ４を所定の圧力でリードフレーム２に押し付ける圧接動作が必要であり、加圧不足や過剰な加圧とならないように、吸着コレット１のＺ軸方向の移動距離の制御が必要である。
【０００９】
しかしながら、こうしたＤＢ装置では、加熱ステージ５でのヒータ加熱による熱膨張でフィード用レール等が上下変動し、リードフレーム２のマウント位置の高さ（Ｚ軸方向の距離）が変化する場合がある。そのため、吸着コレット１で保持された半導体チップ４をリードフレーム２上に連続してマウントし、しかも半田３による固着状態を安定させるには、吸着コレット１が半導体チップ４を搬送して開口６ａの上まで到達した位置からリードフレーム２の半田３の表面までの距離を調整するキャリブレート機能が必要である。すなわち、キャリブレート機能とは、コレット制御手段に予め設定された距離、すなわち、吸着コレット１が半導体チップ４を搬送して開口６ａの上まで到達した位置から半田の表面までの距離を、半導体チップ４をマウントする際に補正する機能である。
【００１０】
キャリブレートを行うには、吸着コレット１が半導体チップ４を保持しない状態で、その先端部分をレール上蓋６の上面、あるいはフィード用レールの周辺の固定面に接触させることで、下降する吸着コレット１の上下方向（Ｚ軸方向）での位置を補正できる。こうしたオートキャリブレート機能は、従来からＤＢ装置に付帯されている一般的なものである。
【００１１】
このようなキャリブレートを行うことにより、吸着コレット１が半導体チップ４を搬送して開口６ａの上まで到達した位置から半田の表面までの距離を補正することができる。そして、吸着コレットに吸着された半導体チップをリードフレームに対して所定の圧力で押し付ける圧接動作を、レールなどの熱膨張の前後で変更する必要がない。
【００１２】
図５は、従来の半導体製造装置のレール上蓋に吸着コレットを押し当てた状態を示す断面図である。
ダイシング済みのウェハから半導体チップ４を吸着する際には、ダイシング時のシリコン屑などの塵がチップ表面に残らないよう、レール上蓋６の手前側に置かれたウェハ（図示せず）側からフィード用レールの方向にエアブローが行われる。そのとき、ウェハ側からシリコン屑などの塵７がレール上蓋６まで吹き飛ばされ、図５に示すように、レール上蓋６の上面に付着しているおそれがあった。また、エアブローによる以外にも、半導体チップ４を吸着コレット１で保持して搬送するため、吸着コレット１あるいは半導体チップ４自体から、そのダイシングにともなうシリコン屑が塵７として、レール上蓋６に落下する。
【００１３】
特許文献１には、ボンディング工程でのステージ高さのティーチング時間を短縮して、ボンディング工程での作業効率を向上させるボンディング装置および半導体装置の製造方法の発明が記載されている。
【００１４】
特許文献２のツール状態検出装置は、保持したチップをワークとしてのリードフレームにボンディングする際に、リードフレームへの着地を検出することで、ボンディング荷重等を適切に制御するものにおいて、ボンディングツールの着地状態を判断する為に用意された既存のランディングセンサを有効利用することによって、ボンディングヘッドに設けられたボンディングツールの状態を検出するものである。
【００１５】
特許文献３のダイボンダでは、コレットホルダおよびコレットは、ピックアップポジション（Ｐａ）とボンディングポジション（Ｐｃ）との間を往復動作するが、コレットホルダおよびコレットがボンディングポジション（Ｐｃ）に到着した時に、供給配管への冷却流体の供給流量を増大して、コレットホルダおよびコレットを冷却する。これにより、コレットホルダおよびコレットの伸縮による高さ位置の変化を小さくして、ピックアップ精度およびボンディング精度の向上が可能になり、ダメージなく半導体チップをボンディングすることができる。
【００１６】
特許文献４に記載されたチップ搭載装置は、コレットをチップ搭載対象面等に接触させてその位置を把握するために、第１可動部を固定部に対して下降させることにより行い、接触の際に第２可動部が第１可動部に対して持ち上げられるときのずれの大きさを精度のよい第２高さ検知手段で読み取って、チップの厚さにバラツキがあっても正確な高さ方向の位置精度でチップの搭載を行う。
【００１７】
特許文献５では、稼動中において温度変動があっても、チップを高精度にボンディングすることができるダイボンダおよびダイボンディング方法が開示されている。この発明によれば、補正制御手段では、その検出されたコレット吸着面の高さ（検出高さ）と、基本制御手段で設定されているコレット吸着面の高さ（基準高さ）とを比較する。高さ検出手段にて、ボンディングポジション（Ｑ）においてコレット吸着面の高さを検出することができ、この検出したコレット吸着面の高さに基づいて制御手段にてボンディングポジション（Ｑ）での鉛直方向移動量を制御することができ、ボンディングポジション（Ｑ）での鉛直方向移動量の補正の信頼性の向上を図る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１８】
【特許文献１】特開２００３−３３２３６３号公報（段落番号［０００２］〜［０００５］参照）
【特許文献２】特開２００９−１９４０４７号公報（段落番号［００４１］〜［００５５］、図２〜図５参照）
【特許文献３】特開２００３−１７４０４２号公報（段落番号［００２６］〜［００３８］、図１〜図３参照）
【特許文献４】特開２００４−２７３８０５号公報（段落番号［００１６］〜［００２６］、図３〜図６参照）
【特許文献５】特開２００９−１８８０７９号公報（段落番号［００３１］〜［００５３］、図１，２参照）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
図５において、レール上蓋６の上面に塵７が付着したままで、吸着コレット１を下降させてレール上蓋６に接触させるキャリブレート動作が行われると、この塵７が吸着コレット１の先端部分に付着してしまう。そのため、そのような状態の吸着コレット１がつぎに半導体チップ４を吸着すれば、塵７で半導体チップ４の表面素子を損傷するおそれがあった。
【００２０】
図６は、傾斜した状態で半導体チップが吸着された従来の半導体製造装置を示す断面図である。ここに示す半導体チップ４ａのように、吸着コレット１の先端部分に傾いた状態で吸着され、そのままの状態でマウントされれば、半導体チップ４がリードフレーム２に対して傾斜した状態で被着され、あるいはリードフレーム２上に半田３がはみ出してしまう。すなわち、半導体チップの確実な接着が困難になり、半導体装置に欠陥が生じるといった問題があった。
【００２１】
図４〜図６に示す吸着コレット１は、いずれも半導体チップ４の上面と接触して真空吸着する平型コレットであるが、半導体チップの上面には回路パターン面が形成されている場合があり、そこに吸着コレット１を接触させたくない場合には、つぎに示す角錐型コレットが使用される。
【００２２】
図７は、角錐型の吸着コレットで半導体チップを吸着した状態を示す図である。
角錐型の吸着コレット８は、下端部に複数（例えば、４つ）の傾斜面８ａで囲まれた凹部９が形成され、これらの傾斜面８ａによって半導体チップ４ａの外周が位置決める。各傾斜面８ａは、下端から上方に向かって徐々に対向する傾斜面８ａの間隔が狭くなるように傾いていて、半導体チップ４ａを吸着して凹部９内に保持するように、バキューム孔９ａと連通している。
【００２３】
このような吸着コレット８でキャリブレート動作を行ったとき、塵７が吸着コレット８の傾斜面８ａに付着していれば、塵７で半導体チップ４ａの表面素子を損傷するおそれは無くても、半導体チップ４ａは傾いた状態で吸着されてしまう。したがって、角錐型の吸着コレット８を用いた場合でも、リードフレーム２上での半導体チップ４ａの確実な接着が困難であった。
【００２４】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、コレットの先端に塵が付着しにくいキャリブレート用ターゲット治具を提供することを目的とする。
また、本発明の別の目的は、レール上蓋などのキャリブレート位置にターゲット治具を設けて、コレットの先端に塵が付着しないようにした半導体製造装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２５】
本発明では、上記問題を解決するために、半導体チップをダイボンディングする平面をＸ−Ｙ平面とし、前記半導体チップを保持し搬送するコレットの前記Ｘ−Ｙ平面に直交するＺ軸方向距離を補正するためのキャリブレート用ターゲット治具において、前記コレットの前記Ｘ−Ｙ平面内に固定される治具本体と、前記治具本体の上面から突起して、前記治具本体の上面に降下する塵の大きさを越える高さに形成され、前記コレットのＺ軸方向先端部と接触するターゲットマークと、を備えることを特徴とするキャリブレート用ターゲット治具が提供される。
【００２６】
また、本発明の半導体製造装置は、オートキャリブレート機能を備え、半導体チップをリードフレームにマウントするダイボンディング用の半導体製造装置において、前記リードフレームを加熱する加熱手段と、前記リードフレームにマウントされる半導体チップを保持し搬送するコレットと、半導体チップをダイボンディングする平面をＸ−Ｙ平面とし、これと直交するＺ軸方向について、前記コレットの所定位置と前記リードフレームのチップマウント面との距離を予め設定したコレット制御手段と、前記加熱手段による熱により生じる前記チップマウント面でのＺ軸方向の変動距離に比例して上下変動する位置に配置された、前述のキャリブレート用ターゲット治具と、を備え、前記コレットを前記Ｚ軸方向に移動させてターゲットマークに前記コレットのＺ軸方向先端部を接触させ、前記コレット制御手段に予め設定した前記コレットの所定位置と前記リードフレームの前記チップマウント面との距離を補正することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、キャリブレートを行う場合にコレットの先端に塵が付着しない。したがって、半導体チップが傾斜して被着され、あるいはリードフレームに半田がはみ出すなどの不具合を除去し、リードフレーム上に半導体チップを確実に接着できる。また、コレットに吸着される半導体チップの表面に傷をつけるおそれがない。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の実施の形態に係るキャリブレート用ターゲット治具であって、（Ａ）は平面図、（Ｂ）はＢ−Ｂ線に沿って示す側断面図である。
【図２】本発明のターゲット治具を用いたダイボンディング用の半導体製造装置を示す平面図である。
【図３】本発明の半導体製造装置におけるキャリブレート動作を説明するための断面図である。
【図４】従来の半導体製造装置の概略構成を示す断面図である。
【図５】従来の半導体製造装置のレール上蓋に吸着コレットを押し当てた状態を示す断面図である。
【図６】傾斜した状態で半導体チップが吸着された従来の半導体製造装置を示す断面図である。
【図７】角錐型の吸着コレットで半導体チップを吸着した状態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、図面を参照してこの発明の実施の形態について説明する。図１は、本発明の実施の形態に係るキャリブレート用ターゲット治具であって、（Ａ）は平面図、（Ｂ）はＢ−Ｂ線に沿って示す側断面図である。
【００３０】
キャリブレート用のターゲット治具１０は、横１０ｃｍ、縦１〜２ｃｍ程度の長方形の治具本体１１の上面に「＋」文字状のターゲットマーク１２が突起して形成されたものであって、治具本体１１の厚みは２ｍｍ程度のものである。治具本体１１には、その左右方向端部近傍にそれぞれ取付穴１３ａ，１３ｂが形成されている。このターゲット治具１０は、取付穴１３ａ，１３ｂにより後述する図２に示すダイボンディング用の半導体製造装置（ＤＢ装置）の上蓋に固定され、半導体チップを保持し搬送する吸着コレットのＸ−Ｙ平面内に固定され、そのＺ軸方向距離を補正するために使用されるものである。
【００３１】
ターゲット治具１０のターゲットマーク１２は、治具本体１１の表面に突起して形成されている。ターゲットマーク１２の治具本体１１表面からの高さは、ＤＢ装置の上蓋等に付着する塵（後述する図３参照）の想定する最大の寸法より高く形成しておく。例えば、塵の寸法の最大値を２００［μｍ］であると想定すると、ターゲットマーク１２の治具本体１１表面からの高さを５００［μｍ］とする。
【００３２】
また、図１に示す例では、ターゲットマーク１２を「＋」文字状に形成した。このとき、ターゲットマーク１２自体に曲面（Ｒ）加工が施されるとともに、ターゲットマーク１２からの突起幅が、治具本体１１の表面に降下した塵の大きさと比較して狭く形成されている。例えば、「＋」文字状の突起部分を５０〜１００［μｍ］の幅に形成した。これらにより、ターゲットマーク１２は「＋」文字状の上面に塵が乗りにくい形状となる。なお、治具本体１１は金属板から削り出しの方法で作成されるが、その表面のターゲットマーク１２は、治具本体１１を放電加工することによって形成できる。
【００３３】
ここでは、上述した図７に示す角錐型の吸着コレット８をターゲット治具１０と接触させてキャリブレート動作を行う場合を考慮すると、ターゲットマーク１２の大きさが吸着コレット８の凹部９より長く形成されていればよい。ターゲットマーク１２が吸着コレット８の凹部９より短い場合には、ターゲットマーク１２が吸着コレット８の下端部（Ｚ軸方向先端部）に形成された凹部９内に入ってしまい、治具本体１１の表面に降下した塵が傾斜面８ａと接触してしまうからである。
【００３４】
そこで、この例では、ターゲットマーク１２の上下および左右の長さを８０００［μｍ］とした。こうして、ターゲット治具１０の治具本体１１から突起するターゲットマーク１２は、キャリブレート動作に際して下降してくる吸着コレット１，８（図４〜図７参照）のＺ軸方向先端部と確実に接触し、その先端に塵が付着しないように形成されている。
【００３５】
図２は、本発明のターゲット治具を用いたダイボンディング用の半導体製造装置を示す平面図である。
この半導体製造装置は、オートキャリブレート機能を備えたＤＢ装置２０であって、ＤＢ装置２０の手前側には半導体ウェハ３１が配置されている。この半導体ウェハ３１は、例えば所定の載置台（図示せず）に、チップ分割された状態でウェハシート３０に貼付けられて保持されている。なお半導体ウェハ３１は、ウェハシート３０と一体の状態でチップごとにダイシングされている。
【００３６】
ＤＢ装置２０は、図の左から右方向に配置された入口レール２１、第１のヒータブロック２２、第２のヒータブロック２３、および出口レール２４から構成されている。このＤＢ装置２０には、各ブロック２１〜２４を貫通して形成されたフィードレールに沿って、５個の送り爪２５ａ〜２５ｅが設けられ、入口レール２１から連続して供給されるリードフレーム２を搬送している。
【００３７】
第１のヒータブロック２２は、半導体チップを接着するべきリードフレーム２が予備加熱される場所である。リードフレーム２は、ここで所定温度まで加熱されたのち、送り爪２５ｂによって第２のヒータブロック２３に供給される。
【００３８】
第１、第２のヒータブロック２２，２３は、いずれも放熱防止用のレール上蓋２２ａ，２３ａによって覆われている。第２のヒータブロック２３のレール上蓋２３ａには、２つの開口６ａ，６ｂが形成されていて、一方の開口６ａからは溶融状態の半田がリードフレーム２に供給され、他方の開口６ｂからは半導体チップ４がリードフレーム２にマウントされる。出口レール２４では、半導体チップ４がマウントされたリードフレーム２が取り出される。
【００３９】
ターゲット治具１０は、２つの送り爪２５ｃ，２５ｄの間の、第２のヒータブロック２３のレール上蓋２３ａのうえに固着されている。このターゲット治具１０の取付穴１３ａは、第２のヒータブロック２３の送り爪２５ｃ側にあって、半田供給のための位置決めピン２６ａによりレール上蓋２３ａ上にターゲット治具１０が固定される。この位置決めピン２６ａは、リードフレーム２に対して溶融半田の搬入位置を決める際に使用される。また、ターゲット治具１０の送り爪２５ｄ側にはもう一方の取付穴１３ｂがあって、リードフレーム２に対して半導体チップのマウント位置を決めるための別の位置決めピン２６ｂが取付穴１３ｂに挿入される。
【００４０】
図２において、リードフレーム２とウェハシート３０との間に記された矢印Ａ１，Ａ２は、前述した吸着コレット１のＸ−Ｙ平面内での搬送経路を示しており、図示しないコレット制御手段にはリードフレーム２のチップマウント面とのＺ軸方向での基準位置が教示されている。ウェハシート３０から分離された半導体チップは、半導体ウェハ３１から矢印Ａ１に沿って第２のヒータブロック２３の開口６ｂまで、吸着コレット１によって運ばれる。一方、ＤＢ装置２０のフィードレールに沿ってリードフレーム２が搬送されるとき、第２のヒータブロック２３では、その部材（例えば加熱ステージなど）の熱膨張によって、その上下方向（Ｚ軸方向）位置に変動が生じている。
【００４１】
そこで、この変動量をダイボンディング工程に先立って予め把握し、半導体チップ４のボンディングの基準位置を補正するキャリブレートがなされない場合は、チップ破壊あるいは半田付け不良などの不都合が発生する。したがって、つぎにターゲット治具１０を用いたキャリブレート機能について説明する。
【００４２】
図３は、本発明の半導体製造装置におけるキャリブレート動作を説明するための断面図である。
吸着コレット１は、第２のヒータブロック２３の開口６ｂまで移動したあと、半導体チップ４とともに制御された所定の距離（Ｌ）だけ下降し、リードフレーム２の所定位置に半導体チップ４を自動的に載置する。その際、加熱ステージ５も加熱によって膨張し、これに伴って、リードフレーム２のマウント位置自体が上下方向（Ｚ軸方向）に変動する。しかも、その温度が安定するまでに１５〜２０分程度の時間が必要である。
【００４３】
ターゲット治具１０は、上述したように、第２のヒータブロック２３のレール上蓋２３ａに固着されている。このため、第２のヒータブロック２３とともにその表面位置が変動する。すなわち、第２のヒータブロック２３による熱でＤＢ装置２０が膨張した場合、レール上蓋２３ａに固着されたターゲット治具１０は、リードフレーム２の上下位置が変化する変動距離に比例して上下する。
【００４４】
したがって、ＤＢ装置２０によって連続して半導体チップ４をダイボンディングするには、吸着コレット１をターゲット治具１０のターゲットマーク１２と接触させて、キャリブレート動作をする必要がある。前述した吸着コレット１に対するキャリブレート動作は、図２の矢印Ａ２に沿って吸着コレット１を半導体ウェハ３１の方向に復帰させる際に、ターゲット治具１０を用いて実施される。こうしたキャリブレート動作によって、吸着コレット１が降下すべき距離（Ｌ）について、その運転開始直後から熱膨張による変動分が把握できる。
【００４５】
ターゲット治具１０には、レール上蓋２３ａに降下して付着する塵の最大寸法を２００［μｍ］であると想定して、高さが５００［μｍ］の「＋」文字状の突起部を有するターゲットマーク１２が形成されている。このターゲットマーク１２からリードフレーム２の上下方向でのダイボンディングの基準位置を吸着コレット１に教示すれば、吸着コレット１が半導体チップを保持する際の上述した不都合は解消できる。上述したキャリブレート動作は、ＤＢ装置２０が連続動作を開始してから２０分程度の間でだけ、熱膨張による上下の位置変動が大きいことを考慮すると、動作開始直後から例えば５分間隔に３〜４回程度のタイミングで実施することが好ましい。
【００４６】
なお、本発明のターゲット治具におけるターゲットマークは、「＋」文字状のものに限らない。例えば一本線（−）、アスタリスク（＊）などでもよい。塵の滞留を防ぐためには、単純な形状の方がよい。あるいは、吸着コレットの最下部（ターゲットマークに接触する部分）に点接触するように、複数の点（ドット）状の突起部からなるターゲットマークが形成されていてもよい。
【符号の説明】
【００４７】
１，８  吸着コレット
２  リードフレーム
３  半田
４，４ａ  半導体チップ
５  加熱ステージ
６，２２ａ，２３ａ  レール上蓋
６ａ，６ｂ  開口
７  塵
８ａ  傾斜面
９  凹部
１０  ターゲット治具
１１  治具本体
１２  ターゲットマーク
１３ａ，１３ｂ  取付穴
２０  ＤＢ装置（ダイボンディング用の半導体製造装置）
２１  入口レール
２２  第１のヒータブロック
２３  第２のヒータブロック
２４  出口レール
２５ａ〜２５ｅ  送り爪
２６ａ，２６ｂ  位置決めピン
３０  ウェハシート
３１  半導体ウェハ
【図１】
0005874428.tif 000002
【図２】
0005874428.tif 000003
【図３】
0005874428.tif 000004
【図４】
0005874428.tif 000005
【図５】
0005874428.tif 000006
【図６】
0005874428.tif 000007
【図７】
0005874428.tif 000008