(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の配線電極が形成された接続面と、電子部品の端子電極が形成された接続面とを異方性導電フィルムを介して接続する接続方法において、
前記異方性導電フィルムは、第１の絶縁性接着剤組成物に導電性粒子が含まれる導電性粒子含有層と、該第１の絶縁性接着剤組成物よりも最低溶融粘度が低い第２の絶縁性接着剤組成物に絶縁性粒子が含まれる絶縁性接着剤層とが積層されてなり、
前記絶縁性接着剤層は、該絶縁性接着剤層の表面から前記絶縁性粒子が突出しており、
前記絶縁性粒子の平均粒径に対する、該絶縁性粒子の絶縁性接着剤層表面から突出する長さの割合は、３０〜６０％であり、
前記絶縁性粒子の融点は、仮貼り時の加熱温度よりも高く、異方性導電接続時の加熱温度よりも低く設定され、
前記絶縁性粒子の直径が１０％変位したときの圧縮弾性率（１０％Ｋ値）は、４０００Ｎ／ｍｍ２以下であり、
前記絶縁性接着剤層の前記絶縁性粒子が突出する面と前記基板の配線電極が形成された接続面とを対峙させて前記異方性導電フィルムを前記基板上に仮貼りし、
前記異方性導電フィルム上に前記電子部品を配置し、
熱加圧により、前記基板の配線電極と前記電子部品の端子電極とを異方性導電接続する接続方法。
【請求項２】
前記絶縁性粒子の融点は、１０５〜１６５℃である請求項１記載の接続方法。
【請求項３】
前記絶縁性粒子の平均粒径は、３．０μｍ〜８．０μｍである請求項１又は２記載の接続方法。
【請求項４】
前記導電性粒子は、前記導電性粒子含有層中において単層又はランダムに配列されている請求項１乃至３の何れか１項記載の接続方法。
【請求項５】
前記絶縁性接着剤層の最低溶融粘度は、前記導電性粒子含有層の最低溶融粘度よりも低い請求項１乃至４の何れか１項記載の接続方法。
【請求項６】
基板の配線電極が形成された接続面と、電子部品の端子電極が形成された接続面とが異方性導電フィルムを介して接続されてなる接続構造体において、
前記異方性導電フィルムは、第１の絶縁性接着剤組成物に導電性粒子が含まれる導電性粒子含有層と、該第１の絶縁性接着剤組成物よりも最低溶融粘度が低い第２の絶縁性接着剤組成物に絶縁性粒子が含まれる絶縁性接着剤層とが積層されてなり、
前記絶縁性接着剤層は、該絶縁性接着剤層の表面から前記絶縁性粒子が突出しており、
前記絶縁性粒子の平均粒径に対する、該絶縁性粒子の絶縁性接着剤層表面から突出する長さの割合は、３０〜６０％であり、
前記絶縁性粒子の融点は、１０５〜１６５℃であり、
前記絶縁性粒子の直径が１０％変位したときの圧縮弾性率（１０％Ｋ値）は、４０００Ｎ／ｍｍ２以下であり、
前記絶縁性接着剤層の前記絶縁性粒子が突出する面と前記基板の配線電極が形成された接続面とが対峙している接続構造体。
【請求項７】
第１の絶縁性接着剤組成物に導電性粒子が含まれる導電性粒子含有層と、該第１の絶縁性接着剤組成物よりも最低溶融粘度が低い第２の絶縁性接着剤組成物に絶縁性粒子が含まれる絶縁性接着剤層とが積層されてなる異方性導電フィルムにおいて、
前記絶縁性接着剤層は、該絶縁性接着剤層の表面から前記絶縁性粒子が突出しており、
前記絶縁性粒子の平均粒径に対する、該絶縁性粒子の絶縁性接着剤層表面から突出する長さの割合は、３０〜６０％であり、
前記絶縁性粒子の融点は、１０５〜１６５℃であって、
前記絶縁性粒子の直径が１０％変位したときの圧縮弾性率（１０％Ｋ値）は、４０００Ｎ／ｍｍ２以下である異方性導電フィルム。
【請求項８】
第１の絶縁性接着剤組成物に導電性粒子が含まれる導電性粒子含有層と、該第１の絶縁性接着剤組成物よりも最低溶融粘度が低い第２の絶縁性の接着剤組成物に絶縁性粒子が含まれる絶縁性接着剤層とが積層されてなる異方性導電フィルムの製造方法において、
剥離フィルム上に、前記導電性粒子が含まれる第１の絶縁性接着剤組成物を塗布し、乾燥させることで前記導電性粒子含有層を成膜し、
前記導電性粒子含有層上に、前記絶縁性粒子が含まれる第１の絶縁性接着剤組成物を塗布して乾燥させて前記絶縁性接着剤層を成膜し、
前記絶縁性粒子を、前記絶縁性接着剤層の表面に散布し、
ラミネートにより、前記絶縁性粒子を前記絶縁性接着剤層の表面から突出させ、
前記絶縁性粒子の平均粒径に対する、該絶縁性粒子の絶縁性接着剤層表面から突出する長さの割合は、３０〜６０％であり、
前記絶縁性粒子の融点は、仮貼り時の加熱温度よりも高く、異方性導電接続時の加熱温度よりも低く設定され、
前記絶縁性粒子の直径が１０％変位したときの圧縮弾性率（１０％Ｋ値）は、４０００Ｎ／ｍｍ２以下である異方性導電フィルムの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板と電子部品とを接続する接続方法及びその接続方法によって接続されてなる接続構造体、並びに、この接続方法に用いる異方性導電フィルム及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Anisotropic Conductive Film）を介して基板の配線電極が形成された接続面と電子部品の端子電極（バンプ）が形成された接続面とを接続する方法がある。異方性導電フィルムを用いた接続方法では、基板の接続面上に異方性導電フィルムを仮貼りし、異方性導電フィルムと電子部品の接続面とを対峙させて異方性導電フィルム上に電子部品を配置して熱加圧を行う。これにより、異方性導電フィルム中の導電性粒子が、電子部品の端子電極と基板の配線電極との間に挟み込まれて押し潰される。その結果、電子部品の端子電極と基板の配線電極とは、導電性粒子を介して電気的に接続される。
【０００３】
端子電極と配線電極との間にない導電性粒子は、異方性導電フィルムの絶縁性接着剤組成物中に存在し、電気的に絶縁した状態を維持している。すなわち、端子電極と配線電極との間のみで電気的導通が図られることになる。
【０００４】
このような異方性導電フィルムを用いた接続方法においては、通常、基板に異方性導電フィルムを仮貼りする処理を行う。そして、仮貼り後の異方性導電フィルムの位置状態に不具合が生じている場合には、異方性導電フィルムを除去して再度仮貼りするリペア処理を行う。
【０００５】
異方性導電フィルムにリペア性を付与する様々な方法が提唱されている。例えば特許文献１には、接着剤中にアクリル粒子を添加することでリペア性を付与し、回路基板に接着した接着剤を除去する際、この接着剤にＳＰ値８〜１２の溶剤を塗布し、これによりアクリル粒子が膨潤又は溶解することで接着剤の残渣を除去する技術が記載されている。
【０００６】
また、例えば特許文献２には、絶縁性接着剤組成物に導電性粒子が含まれる導電性粒子含有層と、絶縁性接着剤組成物に導電性粒子が含まれない絶縁性接着剤層とが積層されてなる２層構造の異方性導電フィルムが記載されており、この異方性導電フィルムのベース樹脂の成分を調整することでリペア性を付与することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特願平７−７３９２１号公報
【特許文献２】特願２００４−４７２２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
このように、リペア性を付与した異方性導電フィルムであっても、高い接続信頼性を確保する必要がある。しかしながら、異方性導電フィルムのリペア性と接着性とは、相反する性質である。このため、リペア性を付与した異方性導電フィルムを使用した場合には、十分な接続信頼性を発現することが困難であった。
【０００９】
特に、近年、電気装置の小型化及び高性能化に伴い、電子部品や基板において電極のファインピッチ化が促進されているが、電子部品と基板とのファインピッチ接続においても、良好な接続信頼性を確保しつつ高い接続信頼性を得ることが求められていている。ファインピッチ接続の場合、接続面積は極めて狭小となるため、良好な接続信頼性を確保するためには、異方性導電フィルム中の導電性粒子数を増加させる必要があった。
【００１０】
しかしながら、導電性粒子を増加させた場合、熱加圧時、多数の導電性粒子が絶縁性接着剤組成物の流動に伴って移動することから、隣接する配線電極間及び隣接する端子電極間において導電性粒子が凝集し、これにより、短絡（ショート）が発生するおそれがあった。このような導電性粒子の凝集による短絡の発生を抑制して良好な絶縁信頼性を維持するとともに、優れた導通信頼性を確保するためには、熱加圧時の導電性粒子の移動を抑制して粒子捕捉率を向上させる必要があった。
【００１１】
そこで、多くのファインピッチ接続においては、溶融粘度の高い絶縁性接着剤組成物内に導電性粒子を固定することで、導電性粒子の移動を抑制した導電性粒子含有層と、導電性粒子を含まない絶縁性接着剤組成物のみからなる接着剤層とが積層されてなる２層構造の異方性導電フィルムを使用することが一般に行われている。
【００１２】
通常、ファインピッチ接続においては、高い粒子捕捉率を得る観点から、導電性粒子含有層と基板の接続面とを対峙させて異方性導電フィルムを仮貼りする。しかしながら、導電性粒子含有層の溶融粘度が高いことにより、仮貼りにおいては、基板の接続面に対して小さな付着（タック）力しか得られないため、接着性は、低くなる。また、接続構造体における接続信頼性は、低下してしまう。
【００１３】
本発明は、このような従来の実情に鑑みて提案されたものであり、異方性導電フィルムを高い接着力で仮貼りした後に優れたリペア性を発揮するとともに、優れた接続信頼性を得ることが可能な接続方法、この接続方法によって基板と電子部品とが接続されてなる接続構造体、この接続方法に適用される異方性導電フィルム及びこの異方性導電フィルムの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上述した課題を解決するために、本発明の接続方法は、基板の配線電極が形成された接続面と、電子部品の端子電極が形成された接続面とを異方性導電フィルムを介して接続する接続方法において、異方性導電フィルムは、第１の絶縁性接着剤組成物に導電性粒子が含まれる導電性粒子含有層と、第１の絶縁性接着剤組成物よりも最低溶融粘度が低い第２の絶縁性接着剤組成物に絶縁性粒子が含まれる絶縁性接着剤層とが積層されてなり、絶縁性接着剤層は、絶縁性接着剤層の表面から前記絶縁性粒子が突出しており、絶縁性粒子の平均粒径に対する、絶縁性粒子の絶縁性接着剤層表面から突出する長さの割合は、３０〜６０％であり、絶縁性粒子の融点は、仮貼り時の加熱温度よりも高く、異方性導電接続時の加熱温度よりも低く設定され、絶縁性粒子の直径が１０％変位したときの圧縮弾性率（１０％Ｋ値）は、４０００Ｎ／ｍｍ２以下であり、絶縁性接着剤層の絶縁性粒子が突出する面と基板の配線電極が形成された接続面とを対峙させて異方性導電フィルムを基板上に仮貼りし、異方性導電フィルム上に電子部品を配置し、熱加圧により、基板の配線電極と電子部品の端子電極とを異方性導電接続することを特徴とする。
【００１５】
また、上述した課題を解決するために、本発明の接続構造体は、基板の配線電極が形成された接続面と、電子部品の端子電極が形成された接続面とが異方性導電フィルムを介して接続されてなる接続構造体において、異方性導電フィルムは、第１の絶縁性接着剤組成物に導電性粒子が含まれる導電性粒子含有層と、第１の絶縁性接着剤組成物よりも最低溶融粘度が低い第２の絶縁性接着剤組成物に絶縁性粒子が含まれる絶縁性接着剤層とが積層されてなり、絶縁性接着剤層は、絶縁性接着剤層の表面から絶縁性粒子が突出しており、絶縁性粒子の平均粒径に対する、絶縁性粒子の絶縁性接着剤層表面から突出する長さの割合は、３０〜６０％であり、絶縁性粒子の融点は、１０５〜１６５℃であり、絶縁性粒子の直径が１０％変位したときの圧縮弾性率（１０％Ｋ値）は、４０００Ｎ／ｍｍ２以下であり、絶縁性接着剤層の絶縁性粒子が突出する面と基板の配線電極が形成された接続面とが対峙していることを特徴とする。
【００１６】
また、上述した課題を解決するために、本発明の異方性導電フィルムは、第１の絶縁性接着剤組成物に導電性粒子が含まれる導電性粒子含有層と、第１の絶縁性接着剤組成物よりも最低溶融粘度が低い第２の絶縁性接着剤組成物に絶縁性粒子が含まれる絶縁性接着剤層とが積層されてなる異方性導電フィルムにおいて、絶縁性接着剤層は、絶縁性接着剤層の表面から絶縁性粒子が突出しており、絶縁性粒子の平均粒径に対する、絶縁性粒子の絶縁性接着剤層表面から突出する長さの割合は、３０〜６０％であり、絶縁性粒子の融点は、１０５〜１６５℃であって、絶縁性粒子の直径が１０％変位したときの圧縮弾性率（１０％Ｋ値）は、４０００Ｎ／ｍｍ２以下であることを特徴とする。
【００１７】
また、上述した課題を解決するために、本発明の異方性導電フィルムの製造方法は、第１の絶縁性接着剤組成物に導電性粒子が含まれる導電性粒子含有層と、第１の絶縁性接着剤組成物よりも最低溶融粘度が低い第２の絶縁性の接着剤組成物に絶縁性粒子が含まれる絶縁性接着剤層とが積層されてなる異方性導電フィルムの製造方法において、剥離フィルム上に、導電性粒子が含まれる第１の絶縁性接着剤組成物を塗布し、乾燥させることで導電性粒子含有層を成膜し、導電性粒子含有層上に、絶縁性粒子が含まれる第１の絶縁性接着剤組成物を塗布して乾燥させて絶縁性接着剤層を成膜し、絶縁性粒子を、絶縁性接着剤層の表面に散布し、ラミネートにより、導電性粒子を絶縁性接着剤層の表面から突出させ、絶縁性粒子の平均粒径に対する、絶縁性粒子の絶縁性接着剤層表面から突出する長さの割合は、３０〜６０％であり、絶縁性粒子の融点は、仮貼り時の加熱温度よりも高く、異方性導電接続時の加熱温度よりも低く設定され、絶縁性粒子の直径が１０％変位したときの圧縮弾性率（１０％Ｋ値）は、４０００Ｎ／ｍｍ２以下であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、異方性導電フィルムを高い接着力で仮貼りした後に優れたリペア性を発揮するとともに、優れた接続信頼性を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の実施の形態に適用される異方性導電フィルムの短手方向（幅方向）の模式断面図である。
【図２】本発明の実施の形態に適用される接続方法を説明するための構造体の模式断面図である。
【図３】本発明の実施の形態に適用される接続方法を説明するための構造体の模式断面図である。
【図４】本発明の実施の形態に適用される接続方法を説明するための構造体の模式断面図である。
【図５】本発明の他の実施の形態に適用される異方性導電フィルムの短手方向（幅方向）の模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の具体的な実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２１】
本発明の実施の形態では、導電性粒子を含有する導電性粒子含有層と絶縁性接着剤層とを備える２層構造の異方性導電フィルムを介してＬＣＤ（Liquid Crystal Display）パネルを構成するガラス基板と電子部品の一種であるＩＣ（Integrated Circuit）チップとを圧着接続する接続方法を提供する。ガラス基板には、配線電極がファインピッチに形成されている。また、ＩＣチップには、配線電極の配線パターンに応じてバンプ（端子電極）が形成されている。そして、この接続方法によって、ガラス基板の配線電極とＩＣチップのバンプとを異方性導電接続することにより、接続構造体を得る。
【００２２】
図１は、本実施の形態に適用される異方性導電フィルム１の短手方向（幅方向）の模式断面図である。異方性導電フィルム１は、剥離フィルム（セパレータ）１１上に、絶縁性接着剤組成物１２ａに導電性粒子１２ｂが単層に配列される導電性粒子含有層１２が成膜され、導電性粒子含有層１２上に、絶縁性接着剤組成物１２ａよりも硬化開始前に溶融するときの粘度（最低溶融粘度）が低い絶縁性接着剤組成物１３ａに導電性粒子が含まれない絶縁性接着剤層１３が成膜されることで２層積層構造をなしている。
【００２３】
導電性粒子含有層１２においては、最低溶融粘度が高い絶縁性接着剤組成物１２ａによって多数の導電性粒子１２ｂがしっかりと固定されている。これにより、配線電極とバンプとのファインピッチ接続を容易に行うことができる。また、絶縁性接着剤層１３においては、最低溶融粘度が低い絶縁性接着剤組成物１３ａが、異方性導電フィルム１の仮貼り時、加熱温度が低くても高い接着力を発揮することができるため、接続時の熱圧着によって容易に溶融し、高い接続信頼性を発揮することができる。
【００２４】
絶縁性接着剤層１３には、絶縁性粒子１３ｂが含まれる。絶縁性粒子１３ｂは、絶縁性接着剤層１３の導電性粒子含有層１２に接しない側の面からその一部が突出するように絶縁性接着剤層１３に埋設されている。
【００２５】
絶縁性粒子１３ｂの平均粒径をｒ、絶縁性粒子１３ｂの絶縁性接着剤層１３表面からの突出している長さをｒａとし、絶縁性粒子１３ｂの絶縁性接着剤層１３表面からの突出率ｔをｒａ／ｒ×１００（％）で表す。突出率ｔは、３０〜６０％とすることが好ましく、４５〜５５％とすることがより好ましい。突出率ｔが３０％未満であると、絶縁性粒子１３ｂの突出部分とガラス基板の表面との間に隙間が十分に形成されないため、リペア性が悪くなる。一方、６０％を超えると、絶縁性粒子１３ｂが絶縁性接着剤層１３表面から剥離して、脱落するおそれがある。
【００２６】
絶縁性粒子１３ｂの硬さ（絶縁性粒子の直径が１０％変位したときの圧縮弾性率：１０％Ｋ値）は、４０００Ｎ／ｍｍ２以下が好ましい。圧縮弾性率（１０％Ｋ値が４０００Ｎ／ｍｍ２以下であることにより、加圧によって絶縁性粒子１３ｂを容易に押し潰すことができる。
【００２７】
従来、溶融粘度が高い導電性粒子含有層を基板に対して十分な接着力で仮貼するためには、仮貼り時であるにもかかわらず、比較的高温で熱圧着を行わなければならなかった。仮貼り時に加熱温度を高くすると、異方性導電フィルムの絶縁性接着剤組成物の流動性が増大し、これにより、基板と電子部品との間の絶縁性接着剤組成物の充填量が低下して接続信頼性が低下する。
【００２８】
また、仮貼り時に加熱温度を高くすると、その時点で絶縁性接着剤組成物の硬化反応が開始してしまう。そのため、硬化した絶縁性接着剤組成物が残存することで、リペア処理における作業性が低下するとともに、硬化した接着剤組成物が排除できないことにより、接続信頼性が低下する。
【００２９】
そこで、本実施の形態では、異方性導電フィルム１を、絶縁性接着剤層１３をガラス基板の表面と対峙させて貼付する。これにより、最低溶融粘度が低い絶縁性接着剤層１３の接着力によってガラス基板に対してしっかりと接着することができる。これとともに、絶縁性粒子１３ｂの突出部分とガラス基板の表面との間に隙間が形成された状態で、異方性導電フィルム１を貼付することができるため、異方性導電フィルム１をガラス基板の表面から容易に剥離することができる。このように、異方性導電フィルム１は、絶縁性粒子１３ｂを突出させた絶縁性接着剤層１３によって、高い接着性を確保しながら、優れたリペア性を発揮することができる。
【００３０】
本実施の形態では、このような２層積層構造の異方性導電フィルム１を介してガラス基板と電子部品とを接続する。具体的には、図２に示すように、ガラス基板１４上の配線電極１５が形成されている面上に、絶縁性粒子１３ｂが突出する絶縁性接着剤層１３の面をガラス基板１４に接触させるようにして異方性導電フィルム１を仮貼りする（仮貼工程）。そして、異方性導電フィルム１の位置合わせ状態を確認し、位置ずれ等の不具合が生じている場合には、異方性導電フィルム１を剥離し、再度、異方性導電フィルム１を正しい位置で仮貼りするリペア処理を行う（リペア工程）。次いで、図３に示すように、異方性導電フィルム１の導電性粒子含有層１２上にＩＣチップ１６を配置する（配置工程）。そして、図４に示すように、熱加圧により、ガラス基板１４とＩＣチップ１６とを圧着接続させ、接続構造体を得る（接続工程）。なお、この接続方法の詳細については、後述する。
【００３１】
絶縁性粒子１３ｂの融点は、仮貼工程での低温及び短時間での熱加圧の加熱温度よりも高く設定され、接続工程での熱加圧の加熱温度よりも低く設定することができる。これにより、仮貼工程では、絶縁性粒子１３ｂの形状を維持して貼付することができるとともに、接続工程では、容易に溶融して高い接着力により接続することができる。このような融点としては、１０５〜１６５℃とすることができる。
【００３２】
導電性粒子含有層１２の絶縁性接着剤組成物１２ａは、最低溶融粘度が絶縁性接着剤層１３の絶縁性接着剤組成物１３ａの最低溶融粘度の１０倍以上に調整されていることが好ましい。導電性粒子含有層１２の絶縁性接着剤組成物１２ａの最低溶融粘度は１００００〜１６０００Ｐａ・ｓとすることが好ましい。１００００Ｐａ・ｓ未満であると、多数の導電性粒子１３ｂを固定することができない。一方、１６０００Ｐａ・ｓを超えると、接続工程での熱加圧においても容易に溶融することができない。絶縁性接着剤層１３の絶縁性接着剤組成物１３ａの最低溶融粘度は７００〜１１００Ｐａ・ｓとすることが好ましい。７００Ｐａ・ｓ未満であると、仮貼工程での熱圧着においてもガラス基板１４に強固に接着してしまい、リペア処理が不可能になってしまう。一方、１１００Ｐａ・ｓを超えると、仮貼工程でガラス基板１４に対して優れた付着力（タック力）を発揮することができない。
【００３３】
導電性粒子含有層１２及び絶縁性接着剤層１３の最低溶融粘度をこのように調整することにより、仮貼工程では、最低溶融粘度の低い絶縁性接着剤層１３が、付着力を生じさせてガラス基板１４に対して十分な接着性を確保することができる。これとともに、絶縁性粒子１３ｂの突出部分とガラス基板１４との間に隙間を有した状態で絶縁性接着剤層１３がガラス基板１４に貼付されることにより、リペア工程では、異方性導電フィルム１をガラス基板１４から容易に剥離することができる。このように、異方性導電フィルム１は、絶縁性粒子１３ｂを突出させた絶縁性接着剤層１３によって、高い接着性を確保しながら、優れたリペア性を発揮することができる。
【００３４】
接続工程では、熱加圧が開始されると、最低溶融粘度の低い絶縁性接着剤層１３の絶縁性接着剤組成物１３ａが溶融してガラス基板１４に対して接着性を生じさせる。また、接続工程では、バンプ１７と配線電極１５との間にある絶縁性粒子１３ｂは、加圧によってバンプ１７に押し潰され、加熱されることで容易に溶融し、迅速に粒子形状が崩れる。そして、バンプ１７と配線電極１５との間において、導電性粒子１３ｂは、しっかりと挟持されて固定される。これにより、高い粒子捕捉率を得ることができる。このように、接続構造体において、優れた接続信頼性及び導通信頼性を発揮することができる。
【００３５】
導電性粒子含有層１２内において、導電性粒子１２ｂは、例えば単層に配列されて固定されている。これにより、仮貼工程では、導電性粒子１２ｂの移動を抑制することができる。接続工程において、隣接する配線電極１５間にある絶縁性粒子１３ｂは、溶融するものの、バンプ１７によって押し潰されないことから、バンプ１７と配線電極１５との間にある絶縁性粒子１３ｂが溶融した時点では、その粒子形状は、未だ維持されている。これにより、導電性粒子含有層１２内において単層に配列されていた導電性粒子１２ｂは、接続工程での熱加圧によって、絶縁性粒子１３ｂ上又は絶縁性粒子１３ｂの隙間に存在するように分散されて移動する。このようにして、接続工程では、導電性粒子１２ｂが凝集することによるショートの発生が抑制され、絶縁信頼性を良好に維持することができる。なお、導電性粒子含有層１２において、導電性粒子１２ｂは、単層に配列される場合に限定されず、例えば図５の他の実施の形態に示すように、ランダムに配列されてもよい（導電性粒子含有層１２’）。
【００３６】
絶縁性粒子１３ｂは、結晶性を有する樹脂粒子である。絶縁性粒子１３ｂの平均粒径は、３．０μｍ〜８．０μｍが好ましく、４．０μｍ〜７．０μｍであることがより好ましい。絶縁性粒子１３ｂの融点は、仮貼工程での加熱温度よりも高く設定され、接続工程での加熱温度よりも低く設定されることが好ましく、例えば１００〜１７０℃とすることができる。
【００３７】
絶縁性粒子１３ｂを構成する材料としては、例えば、ポリエチレン、ナイロン、シリコーン、特殊エチレン系コポリマー（ＥＭＭＡ）、ポリウレタン等を挙げることができる。
【００３８】
導電性粒子含有層１２の絶縁性接着剤組成物１２ａは、膜形成樹脂と、重合性アクリル系化合物と、有機過酸化物とを含有するバインダ成分からなる。
【００３９】
膜形成樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、ＥＶＡ等の熱可塑性エラストマー等を使用することができる。中でも、耐熱性、接着性のために、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノキシ樹脂、特にフェノキシ樹脂、例えばビスＡ型エポキシ樹脂、フルオレン骨格を有するフェノキシ樹脂を挙げることができる。
【００４０】
膜形成樹脂は、少なすぎるとフィルムを形成せず、多すぎると電気接続を得るための樹脂の排除性が低くなる傾向があるので、樹脂固形分（重合性アクリル系化合物と膜形成樹脂との合計）１００質量部に対し、３０〜８０質量部、より好ましくは４０〜７０質量部である。
【００４１】
重合性アクリル系化合物としては、例えば、ポリエチレングリコールジアクリレート、リン酸エステル型アクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、４−ヒドロキシブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、ｔ−ブチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、ビスフェノキシエタノールフルオレンジアクリレート、２−アクリロイロキシエチルコハク酸、ラウリルアクリレート、ステアリルアクリレート、イソボルニルアクリレート、トリシクロデカンジメタノールジメタクリレート、シクロヘキシルアクリレート、トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌレートトリアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、ｏ−フタル酸ジグリシジルエーテルアクリレート、エトキシ化ビスフェノールＡジメタクリレート、ビスフェノールＡ型エポキシアクリレート、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート等、及びこれらに相当する（メタ）アクリレートを挙げることができる。
【００４２】
重合性アクリル系化合物は、高い接着強度と導通信頼性とを得る点から、２官能アクリレート５〜４０質量部と、ウレタンアクリレート１０〜４０質量部と、リン酸エステル型アクリレート０．５〜５質量部とを併用することが好ましい。ここで、２官能アクリレートは硬化物の凝集力を向上させ、導通信頼性を向上させるために配合され、ウレタンアクリレートはポリイミドに対する接着性向上のために配合され、そしてリン酸エステル型アクリレートは金属に対する接着性向上のために配合される。
【００４３】
重合性アクリル系化合物の使用量は、少なすぎると導通信頼性が低くなり、多すぎると接着強度が低くなる傾向があるので、好ましくは樹脂固形分（重合性アクリル系化合物と膜形成樹脂との合計）１００質量部に対し、２０〜７０質量部、より好ましくは３０〜６０質量部である。
【００４４】
有機過酸化物としては、例えば、ジ（４−メチルベンゾイル）パーオキサイド（１分間半減期温度１２８．２℃）、ジ（３−メチルベンゾイル）パーオキサイド（１分間半減期温度１３１．１℃）、ジベンゾイル パーオキサイド（１分間半減期温度 １３０．０℃）、ｔ−ヘキシル パーオキシベンゾエート（１分間半減期温度 １６０．３℃）、ｔ−ブチル パーオキシベンゾエート（１分間半減期温度 １６６．８℃）、ジイソブチリル パーオキサイド（１分間半減期温度 ８５．１℃）、１，１，３，３−テトラメチルブチル パーオキシ−２−エチルヘキサノエート（１分間半減期温度 １２４．３℃）、ジラウロイル パーオキサイド（１分間半減期温度 １１６．４℃）、ジ（３，５，５−トリメチルヘキサノイル）パーオキサイド（１分間半減期温度 １１２．６℃）、ｔ−ブチル パーオキシピバレート（１分間半減期温度 １１０．３℃）、ｔ−ヘキシル パーオキシピバレート（１分間半減期温度 １０９．１℃）、ｔ−ブチル パーオキシネオヘプタノエート（１分間半減期温度 １０４．６℃）、ｔ−ブチル パーオキシネオデカノエート（１分間半減期温度 １０３．５℃）、ｔ−ヘキシル パーオキシネオデカノエート（１分間半減期温度 １００．９℃）、ジ（２−エチルヘキシル）パーオキシジカーボネート（１分間半減期温度 ９０．６℃）、ジ（４−ｔ−ブチルシクロヘキシル）パーオキシジカーボネート（１分間半減期温度 ９２．１℃）、１，１，３，３−テトラメチルブチル パーオキシネオデカノエート（１分間半減期温度 ９２．１℃）、ジ−ｓｅｃ−ブチル パーオキシジカーボネート（１分間半減期温度 ８５．１℃）、ジ−ｎ−プロピル パーオキシジカーボネート（１分間半減期温度 ８５．１℃）、クミル パーオキシネオデカノエート（１分間半減期温度 ８５．１℃）等を挙げることができる。これらは、２種以上を併用することができる。
【００４５】
有機過酸化物は、少なすぎると反応性が無くなり、多すぎると異方性導電フィルムの凝集力が低下する傾向があるため、重合性アクリル系化合物１００質量部に対し、好ましくは１〜１０質量部、より好ましくは３〜７質量部である。
【００４６】
導電性粒子含有層１２の導電性粒子１２ｂとしては、従来の異方性導電フィルムで用いられている導電性粒子を使用することができ、例えば、金粒子、銀粒子、ニッケル粒子等の金属粒子、ベンゾグアナミン樹脂やスチレン樹脂等の樹脂粒子の表面を金、ニッケル、亜鉛等の金属で被覆した金属被覆樹脂粒子等を挙げることができる。導電性粒子１２ｂの平均粒径としては、接続信頼性の観点から、好ましくは１〜２０μｍ、より好ましくは２〜１０μｍである。
【００４７】
導電性粒子含有層１２において、導電性粒子１２ｂの平均粒子密度は、接続信頼性及び絶縁信頼性の観点から、好ましくは５００〜５００００個／ｍｍ２、より好ましくは１０００〜３００００個／ｍｍ２である。
【００４８】
また、導電性粒子含有層１２には、他の添加組成物、例えば各種アクリルモノマー等の希釈用モノマー、充填剤、軟化剤、着色剤、難燃化剤、チキソトロピック剤、シランカップリング剤、シリカ微粒子等を含有させることができる。
【００４９】
シランカップリング剤を含有させることにより、有機材料と無機材料との界面における接着性が向上される。シリカ微粒子を含有させることにより、貯蔵弾性率、線膨張係数等を調整して接続信頼性を向上させることができる。
【００５０】
絶縁性接着剤層１３の絶縁性接着剤組成物１３ａは、膜形成樹脂と、重合性アクリル系化合物と、有機過酸化物とを含有するバインダ成分からなり、導電性粒子含有層１２の絶縁性接着剤組成物１２ａと同様の成分からなる。
【００５１】
そして、絶縁性接着剤組成物１２ａ，１３ａは、導電性粒子含有層１２の最低溶融粘度が絶縁性接着剤層１３の最低溶融粘度の１０倍以上となるように調整される。
【００５２】
剥離フィルム１１としては、例えば、ＰＥＴ（Poly Ethylene Terephthalate）、ＯＰＰ（Oriented Polypropylene）、ＰＭＰ（Poly-4-methlpentene−1）、ＰＴＦＥ（Polytetrafluoroethylene）等にシリコーン等の剥離剤を塗布してなり、異方性導電フィルム１の乾燥を防ぐとともに、異方性導電フィルム１の形状を維持する。
【００５３】
異方性導電フィルム１は、何れの方法で作製するようにしてもよいが、例えば以下の方法によって作製することができる。
【００５４】
膜形成樹脂と、重合性アクリル系化合物と、有機過酸化物とを含有する絶縁性接着剤組成物１２ａを調整する。絶縁性接着剤組成物１２ａをバーコーターによって剥離フィルム１１上に塗布する。この塗布物の表面近傍の所定の位置に、導電性粒子１２ｂを単層配列させる。導電性粒子１２ｂを単層配列させた塗布物をオーブンで加熱することによって乾燥させ、導電性粒子含有層１２を得る。
【００５５】
ここで、導電性粒子含有層１２において、導電性粒子１２ｂを単層に配列させる方法としては、例えば次のような方法を挙げることができる。すなわち、剥離フィルム１１上に形成された絶縁性接着剤組成物１２ａ上に噴霧方式により導電性粒子１２ｂを単層配列させる方法や、絶縁性接着剤組成物１２ａ上にスキージ等を用いて導電性粒子１２ｂを単層に配列する方法等を適宜使用することができる。また、例えば、絶縁性接着剤組成物１２ａ上に単層配列させた導電性粒子１２ｂを、ラミネータを用いて絶縁性接着剤組成物１２ａ内に押し込むようにしてもよい。
【００５６】
なお、導電性粒子含有層１２に代えて、導電性粒子１２ｂがランダムに分散されている導電性粒子含有層１２’とする場合には、絶縁性接着剤組成物１２ａに導電性粒子１２ｂを分散させる。これにより得られた導電性粒子含有組成物をバーコーターによって剥離フィルム１１上に塗布する。そして、塗布物をオーブンで加熱することによって乾燥させ、導電性粒子含有層１２’を得ることができる。
【００５７】
次に、膜形成樹脂と、重合性アクリル系化合物と、有機過酸化物とを含有する絶縁性接着剤組成物１３ａを調整する。絶縁性接着剤組成物１３ａをバーコーターによって導電性粒子含有層１２上に塗布する。この絶縁性の塗布物からなる層をオーブンで加熱することによって乾燥させて、導電性粒子含有層１２上に絶縁性接着剤層１３を得る。
【００５８】
絶縁性粒子１３ｂをトルエン、ヘキサン、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）等の分散媒に分散させることにより、絶縁性粒子１３ｂのスラリー溶液を調整する。絶縁性接着剤層１３の表面に対し、絶縁性粒子１３ｂのスラリー溶液を噴霧器により噴霧することで、絶縁性接着剤層１３の表面に絶縁性粒子１３ｂを散布する。その後、この導電性粒子含有層１２上に絶縁性接着剤層１３が積層された２層のフィルム積層体をラミネータによってラミネートする。これにより、絶縁性粒子１３ｂの頂部のみが絶縁性接着剤層１３から突出するように、絶縁性粒子１３ｂを絶縁性接着剤層１３に埋設させる。以上の処理により、異方性導電フィルム１を作製することができる。
【００５９】
次に、本実施の形態の接続構造体の製造方法、接続構造体及び接続方法について詳細に説明する。先ず、図２に示すように、ガラス基板１４上の配線電極１５が形成されている面と、絶縁性接着剤層１３の絶縁性粒子１３ｂが突出する面とを対峙させて異方性導電フィルム１をガラス基板１４上に仮貼りする（仮貼工程）。この仮貼りにおいては、加圧ボンダーの低温に加熱したヘッド部の加圧面（図示せず）を導電性粒子含有層１２上面に軽く押し当てて低圧で加圧する。加熱温度は、絶縁性粒子１３ｂが溶解せず、絶縁性接着剤組成物１２ａ，１３ａが流動するが硬化しない程度の低温（例えば６０〜８０℃のうちの所定の値）である。また、仮貼工程での加圧圧力は、例えば０．５ＭＰａ〜２ＭＰａのうちの所定の値である。また、仮貼工程での熱加圧時間は、例えば１〜３秒（sec）のうちの所定の時間である。
【００６０】
仮貼工程で異方性導電フィルム１を仮貼りした後、異方性導電フィルム１の位置合わせ状態を確認し、位置ずれ等の不具合が生じている場合には、この仮貼工程の後に、異方性導電フィルム１を剥離して再度異方性導電フィルム１を正しい位置で仮貼りするリペア処理を行う（リペア工程）。
【００６１】
仮貼工程において、ガラス基板１４に仮貼りする異方性導電フィルム１は、絶縁性接着剤層１３の表面から絶縁性粒子１３ｂが突出している。これにより、絶縁性粒子１３ｂの突出部分とガラス基板１４との間に隙間ができた状態で、この突出部分がガラス基板１４に付着することになる。このため、リペア工程では、異方性導電フィルム１をガラス基板１４から容易に剥離することができ、高いリペア性を発揮することができる。
【００６２】
次いで、図３に示すように、バンプ１７と配線電極１５とを対峙させるようにしてＩＣチップ１６を異方性導電フィルム１の導電性粒子含有層１２上に配置する（配置工程）。
【００６３】
そして、加圧ボンダーの加熱したヘッド部の加圧面（図示せず）をＩＣチップ１６の上面に押し当て、図４に示すように、ガラス基板１４とＩＣチップ１６とを圧着接続させる（接続工程）。
【００６４】
接続工程での加圧圧力は、例えば１．０ＭＰａ〜５．０ＭＰａのうちの所定の値である。また、接続工程での加熱温度は、絶縁性粒子１３ｂを溶融させるとともに絶縁性接着剤組成物１２ａ，１３ａを硬化させる温度（例えば温度１７０〜１９０℃のうちの所定の値）である。また、接続工程での熱加圧時間は、例えば３〜２０秒のうちの所定の時間である。
【００６５】
このようにして、配線電極１５とバンプ１７との間に導電性粒子１２ｂを挟持させ、絶縁性接着剤組成物１２ａ，１３ａを硬化させる。これにより、ガラス基板１４とＩＣチップ１６とを電気的及び機械的に接続する。そして、ガラス基板１４とＩＣチップ１６とが異方性導電接続されてなる接続構造体を得る。得られた接続構造体は、上述したように、絶縁信頼性を良好に維持しながら、優れた接続信頼性及び導通信頼性を発揮することができる。
【００６６】
以上、本実施の形態について説明したが、本発明が前述の実施の形態に限定されるものでないことは言うまでもなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
【００６７】
また、上述の実施の形態では、ガラス基板として、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）パネルを構成するガラス基板１を使用する場合について説明したが、ガラス基板は、これに限定されず、例えばＰＤＰ基板（ＰＤＰパネル）、有機ＥＬ基板（有機ＥＬパネル）等を構成するガラス基板であってもよい。
【００６８】
上述の実施の形態では、基板としてガラス基板を用いる場合について説明したが、リジット基板、フレキシブル基板等の他の基板であってもよい。また、上述の実施の形態では、電子部品としてＩＣチップを用いる場合について説明したが、ＣＯＦ、ＴＡＢ等の他の電子部品であってもよい。
【００６９】
また、上述の実施の形態では、本発明をＣＯＧ（Chip On Glass）に適用する場合について説明したが、本発明は、ＦＯＧ（Film On Glass）、ＦＯＢ（Film On Board）等の他の実装方法にも適用できる。
【実施例】
【００７０】
以下、本発明の具体的な実施例について実験結果を基に説明する。
【００７１】
＜実施例１＞
フェノキシ樹脂（ＹＰ−５０、新日鐵化学株式会社製）５０質量部、２官能アクリレートモノマー（ＤＣＰ、新中村化学工業株式会社製）１２質量部、単官能アクリレートモノマー（Ａ−ＳＡ、新中村化学工業株式会社製）５質量部、ウレタンアクリレート（Ｕ−２ＰＰＡ、新中村化学工業株式会社製）１５質量部、シリカ微粒子（アエロジルＲＹ２００、日本アエロジル株式会社製）１０質量部、リン酸エステル型アクリレート（ＰＭ−２、日本化薬株式会社製）３質量部、シランカップリング剤（ＫＢＭ−５０３、信越化学株式会社製）１質量部、及び有機過酸化物（パーオクタＯ、日油株式会社製）４質量部に、固形物濃度が５０％になるようにトルエンを加えて樹脂組成物を調整した。この樹脂組成物をバーコーターによって剥離フィルムであるＰＥＴフィルム上に塗布した。この塗布物内に、平均粒径３μｍ、樹脂コア、Ｎｉ／Ａｕメッキの導電性粒子（ＡＵＬ７０３、積水化学工業株式会社製）４．０質量部を単層に配列させた。なお、導電性粒子は、特開２００９−１３４９１４号公報の実施例１の噴霧方法に従い、単層に配列させた。この導電性粒子を配置させた塗布物をオーブンで加熱することによって乾燥させ、厚さ５μｍの導電性粒子含有層を得た。導電性粒子含有層は、導電性粒子の平均粒子密度が１５０００個／ｍｍ２、最低溶融粘度が１３０００Ｐａ・ｓであった。
【００７２】
フェノキシ樹脂（ＹＰ−５０、新日鐵化学株式会社製）２５質量部、フェノキシ樹脂（ｊＥＲ４００４、三菱化学株式会社）３０質量部、２官能アクリレートモノマー（ＤＣＰ、新中村化学工業株式会社製）１２質量部、単官能アクリレートモノマー（Ａ−ＳＡ、新中村化学工業株式会社製）５質量部、ウレタンアクリレート（Ｕ−２ＰＰＡ、新中村化学工業株式会社製）２０質量部、リン酸エステル型アクリレート（ＰＭ−２、日本化薬株式会社製）３質量部、シランカップリング剤（ＫＢＭ−５０３、信越化学株式会社製）１質量部、及び有機過酸化物（パーオクタＯ、日油株式会社製）４質量部に、固形物濃度が５０％になるようにトルエンを加えて樹脂組成物を調整した。この樹脂組成物をバーコーターによって導電性粒子含有層上に塗布し、これをオーブンで加熱することによって乾燥させ、厚さ９μｍ、最低溶融粘度８００Ｐａ・ｓの絶縁性接着剤層を得た。
【００７３】
平均粒径６．０μｍ、硬さ（圧縮弾性率：１０％Ｋ値）１５００Ｎ／ｍｍ２、融点１０５℃のポリエチレン製の絶縁性粒子（低密度ポリエチレン粒子ＬＥ−１０８０、住友精化株式会社製）を分散媒（イソプロピルアルコール）に分散させることにより、絶縁性粒子のスラリー液を調整した。絶縁性接着剤層の表面に対し、絶縁性粒子のスラリー液を噴霧器により噴霧することで、絶縁性接着剤層の表面に絶縁性粒子を散布した。
【００７４】
その後、この２層のフィルム積層体をラミネータによってラミネートし、絶縁性粒子の頂部のみが絶縁性接着剤層から突出するように、絶縁性粒子を絶縁性接着剤層に埋設させた（配置Ａ）。このような処理により、異方性導電フィルムを作製した。絶縁性粒子の平均粒径ｒ（＝６．０μｍ）に対する、絶縁性粒子の絶縁性接着剤層表面から突出する長さｒａの割合である突出率ｔ（ｒａ／ｒ×１００（％））は、５０％とした。
【００７５】
次に、作製した異方性導電フィルムを介してガラス基板とＩＣチップとを接続する処理を行った。先ず、ガラス基板上の配線電極が形成されている面と、絶縁性接着剤層の絶縁性粒子が突出する面とを対峙させて異方性導電フィルムをガラス基板上に仮貼りした（仮貼工程）。この仮貼りにおいては、加圧ボンダーの低温に加熱したヘッド部の加圧面を導電性粒子含有層上面に軽く押し当てて低圧で加圧した。加熱温度は、絶縁性粒子が溶解せず、絶縁性接着剤組成物が流動するが硬化しない程度の低温である７０℃とした。また、仮貼工程での加圧圧力は、１ＭＰａとした。また、仮貼工程での熱加圧時間は、２秒とした。
【００７６】
仮貼工程後、異方性導電フィルムを剥離して再度異方性導電フィルムを正しい位置で仮貼りするリペア処理を行った（リペア工程）。
【００７７】
次いで、ＩＣチップのバンプとガラス基板の配線電極とを対峙させるようにしてＩＣチップを異方性導電フィルムの導電性粒子含有層上に配置した（配置工程）。
【００７８】
そして、加圧ボンダーの加熱したヘッド部の加圧面をＩＣチップの上面に押し当ててガラス基板とＩＣチップとを圧着接続させた（接続工程）。
【００７９】
接続工程での加圧圧力は、１ＭＰａとした。また、接続工程での加熱温度は、１９０℃とした。また、接続工程での熱加圧時間は、１０秒とした。
【００８０】
このようにして、配線電極とバンプとの間に導電性粒子を挟持させ、絶縁性接着剤組成物を硬化させてガラス基板とＩＣチップとを電気的及び機械的に接続し、接続構造体を得た。
【００８１】
＜実施例２＞
実施例１の絶縁性粒子に代え、平均粒径５．９μｍ、硬さ（圧縮弾性率：１０％Ｋ値）２０００Ｎ／ｍｍ２、融点１６５℃のナイロン製の絶縁性粒子（ＳＰ−５００、東レ株式会社製）を用いた。それ以外は、実施例１と同様にして接続処理を行った。
【００８２】
＜参考例１＞
実施例１の絶縁性粒子に代え、平均粒径２．０μｍ、硬さ（圧縮弾性率：１０％Ｋ値）１５００Ｎ／ｍｍ２、融点１０５℃のポリエチレン製の絶縁性粒子（低密度ポリエチレン粒子ＬＥ−１０８０、住友精化株式会社製）を用いた。それ以外は、実施例１と同様にして接続処理を行った。
【００８３】
＜参考例２＞
実施例１の絶縁性粒子に代え、平均粒径１０．０μｍ、硬さ（圧縮弾性率：１０％Ｋ値）１５００Ｎ／ｍｍ２、融点１０５℃のポリエチレン製の絶縁性粒子（低密度ポリエチレン粒子ＬＥ−１０８０、住友精化株式会社製）を用いた。それ以外は、実施例１と同様にして接続処理を行った。
【００８４】
＜実施例３＞
実施例１の導電性粒子含有層に代え、導電性粒子を樹脂組成物内に分散させ、導電性粒子をランダムに配列させた導電性粒子含有層（厚さ６μｍ、導電性粒子密度２００００個／ｍｍ２、最低溶融粘度１３０００Ｐａ・ｓ）を作製した。また、実施例１の絶縁性粒子に代え、平均粒径４．５μｍ、硬さ（圧縮弾性率：１０％Ｋ値）２５００Ｎ／ｍｍ２のシリコーン樹脂粒子（トスパール１４５、モメンティブ パフォーマンス マテリアルズ ジャパン合同会社製）を用いた。
【００８５】
実施例１の絶縁性接着剤層におけるフェノキシ樹脂の配合量に代え、フェノキシ樹脂（ＹＰ−５０、東都化成株式会社製）３０質量部、フェノキシ樹脂（ｊＥＲ４００４、三菱化学株式会社）２５質量部とした。そして、厚さ１０μｍ、最低溶融粘度１０００Ｐａ・ｓの絶縁性接着剤層を得た。そして、接続工程での加圧圧力は、３ＭＰａとした。また、接続工程での加熱温度は、１７０℃とした。また、接続工程での熱加圧時間は、５秒とした。それ以外は、実施例１と同様にして接続処理を行った。
【００８６】
＜実施例４＞
実施例３の絶縁性粒子に代え、ＥＭＭＡ樹脂粒子（ソフトビーズＡ、平均粒径１０．０μｍ、住友精化株式会社製）を湿式ふるい振とう機（筒井理化学器械株式会社製）にて振動させ、平均粒径６．２μｍ、硬さ（圧縮弾性率：１０％Ｋ値）４００Ｎ／ｍｍ２、融点１００℃の粒子とした。この粒子を分散媒（イソプロピルアルコール）に分散させることにより調整したスラリー液の状態で、噴霧器により噴霧することで、絶縁性接着剤層に絶縁性粒子を埋設させた。それ以外は、実施例３と同様にして接続処理を行った。
【００８７】
＜実施例５＞
実施例３のシリコーン樹脂粒子に代え、硬さ（圧縮弾性率：１０％Ｋ値）４０００Ｎ／ｍｍ２、平均粒径６．４μｍのＰＭＭＡ樹脂粒子（マイクロスフェアー−Ｍ−１００、松本油脂製薬株式会社製）を用いた以外は、実施例３と同様にして接続処理を行った。
【００８８】
＜実施例６＞
絶縁性接着剤層の表面から絶縁性粒子を突出率ｔ＝６０％で突出させた以外は、実施例１と同様にして接続処理を行った。
【００８９】
＜実施例７＞
絶縁性接着剤層の表面から絶縁性粒子を突出率ｔ＝３０％で突出させた以外は、実施例１と同様にして接続処理を行った。
【００９０】
＜比較例１＞
絶縁性接着剤層に絶縁性粒子を埋設させずに絶縁性接着剤層を作製した。そして、剥離フィルム上に、絶縁性接着剤層と、導電性粒子含有層とがこの順に積層されてなる２層積層構造の異方性導電フィルムを作製した。そして、ガラス基板上の配線電極が形成されている面と、導電性粒子含有層とを対峙させて異方性導電フィルムをガラス基板上に仮貼りした。それ以外は、実施例１と同様にして接続処理を行った。
【００９１】
＜比較例２＞
絶縁性接着剤層に絶縁性粒子を埋設させずに絶縁性接着剤層を作製した。そして、剥離フィルム上に、導電性粒子含有層と、絶縁性接着剤層とがこの順に積層されてなる２層積層構造の異方性導電フィルムを作製した。そして、ガラス基板上の配線電極が形成されている面と、絶縁性接着剤層とを対峙させて異方性導電フィルムをガラス基板上に仮貼りした。それ以外は、実施例１と同様にして接続処理を行った。
【００９２】
＜比較例３＞
ガラス基板上の配線電極が形成されている面と、導電性粒子含有層とを対峙させて異方性導電フィルムをガラス基板上に仮貼りした。それ以外は、実施例１と同様にして接続処理を行った。
【００９３】
＜比較例４＞
絶縁性接着剤層の表面から絶縁性粒子を突出率ｔ＝２０％で突出させた以外は、実施例１と同様にして接続処理を行った。
【００９４】
＜比較例５＞
絶縁性接着剤層内に絶縁性粒子をランダムな状態で埋設させた。これにより、絶縁性接着剤層内に絶縁性粒子を完全に埋め込んだ。すなわち、層表面からは、絶縁性粒子を突出させなかった（配置Ｂ）。それ以外は、実施例１と同様にして接続処理を行った。
【００９５】
＜比較例６＞
膜乳化法により、疎水性モノマーである１，６−ヘキサンジオールジアクリレート（Ａ−ＨＤ−Ｎ、新中村化学工業株式会社製）と、疎水性モノマーであるウレタンアクリレート（ＡＨ６００、共栄社化学株式会社製）と、重合開始剤であるラウロリルパーオキサイド（パーロイルＬ、日油株式会社製）を乳化重合し、硬さ（圧縮弾性率：１０％Ｋ値）６４００Ｎ／ｍｍ２、平均粒径６．２μｍのアクリル系樹脂粒子を作製した。このアクリル系樹脂粒子を分散媒（イソプロピルアルコール）に分散させることにより調整したスラリー液の状態で、噴霧器により噴霧することで、絶縁性接着剤層に絶縁性粒子を埋設させた。この噴霧により、絶縁性粒子は、絶縁性接着剤層の表面からその頂部が突出（露出）するように配置された（配置Ａ）。それ以外は、実施例１と同様にして接続処理を行った。
【００９６】
＜比較例７＞
実施例１の絶縁性粒子に代え、絶縁性粒子として、平均粒径６．０μｍ、硬さ（圧縮弾性率：１０％Ｋ値）７０００Ｎ／ｍｍ２のベンゾグアナミン系樹脂粒子（エポスターＧＰＨ６０、日本触媒株式会社製）を用いた。それ以外は、実施例１と同様にして接続処理を行った。
【００９７】
＜比較例８＞
絶縁性接着剤層に絶縁性粒子を埋設させずに絶縁性接着剤層を作製した。そして、剥離フィルム上に、絶縁性接着剤層と、導電性粒子含有層とがこの順に積層されてなる２層積層構造の異方性導電フィルムを作製した。そして、ガラス基板上の配線電極が形成されている面と、導電性粒子含有層とを対峙させて異方性導電フィルムをガラス基板上に仮貼りした。それ以外は、実施例３と同様にして接続処理を行った。
【００９８】
＜比較例９＞
絶縁性接着剤層に絶縁性粒子を埋設させずに絶縁性接着剤層を作製した。そして、剥離フィルム上に、導電性粒子含有層と、絶縁性接着剤層とがこの順に積層されてなる２層積層構造の異方性導電フィルムを作製した。そして、ガラス基板上の配線電極が形成されている面と、絶縁性接着剤層とを対峙させて異方性導電フィルムをガラス基板上に仮貼りした。それ以外は、実施例３と同様にして接続処理を行った。
【００９９】
＜比較例１０＞
膜乳化法により、疎水性モノマーである１，６−ヘキサンジオールジアクリレートＡ−ＨＤ−Ｎ、新中村化学工業株式会社製）と、疎水性モノマーであるウレタンアクリレート（ＡＨ６００、共栄社化学株式会社製）と、重合開始剤であるラウロリルパーオキサイド（パーロイルＬ、日油株式会社製）を乳化重合し、圧縮弾性率：１０％Ｋ値６４００Ｎ／ｍｍ２、平均粒径６．２μｍのアクリル系樹脂粒子を作製した。このアクリル系樹脂粒子を溶剤に分散させることにより調整したスラリー溶液の状態で、噴霧器により噴霧することで、絶縁性接着剤層に絶縁性粒子を埋設させた。この噴霧により、絶縁性粒子は、絶縁性接着剤層の表面からその頂部が突出（露出）するように配置された（配置Ａ）。それ以外は、実施例３と同様にして接続処理を行った。
【０１００】
［仮圧着力測定］
実施例１〜７、比較例１〜１０、参考例１、２において、異方性導電フィルムをガラス基板に仮貼り後、引張強度５ｃｍ／ｍｉｎで９０℃方向に異方性導電フィルムを剥離し、その剥離強度（ｍＮ／ｃｍ）を、仮圧着力（ガラス基板に対する接着力）として、剥離強度試験機（テンシロン、オリエンテック社製）を用いて測定した。
【０１０１】
［リペア性評価］
仮貼り後の異方性導電フィルムを剥離した。このリペア作業では、仮貼りした異方性導電フィルムを、引張試験機（テンシロン、オリエンテック株式会社製）を用いて室温（２５℃）にて９０度方向に機械的に引き剥がした。ガラス基板上の異方性導電フィルムの仮貼り面積に対する、引き剥がし後のガラス基板上における異方性導電フィルムの残渣面積の割合（％）を測定した。異方性導電フィルムの残渣面積の割合が１０％未満を○、１０％以上を×としてリペア性を評価した。
【０１０２】
［仮貼り評価］
異方性導電フィルムの仮貼り時での総合評価として、仮圧着力（接着力）が高いとともにリペア処理を良好に行うことができる異方性導電フィルムを仮貼り状態が良好である（○）とし、仮圧着力が低い、リペア性が悪い（×）の少なくとも１つに当てはまる異方性導電フィルムを仮貼り状態が不良である（×）として評価した。
【０１０３】
［導通抵抗値評価］
実施例１〜７、比較例１〜１０、参考例１、２で作製した接続構造体について、初期（Initial）の抵抗と、温度６０℃、湿度９５％ＲＨ、２５０時間のＴＨテスト（Thermal Humidity Test）後の抵抗を測定した。測定は、デジタルマルチメーター（デジタルマルチメーター７５６１、横河電機社製）を用いて４端子法にて電流１ｍＡを流したときの接続抵抗を測定した。導通抵抗値が２．０Ω未満のものを○、接続抵抗が２．０Ω以上２．５Ω未満のものを△、接続抵抗が２．５Ω以上のものを×として評価した。
【０１０４】
［粒子捕捉率評価］
実施例１〜７、比較例１〜１０、参考例１、２の各接続構造体について、接続前にガラス基板の配線電極上にある導電性粒子の数（接続前粒子数）を次の式（１）により算出した。
接続前粒子数＝導電性粒子含有層における導電性粒子の粒子（面）密度（個／ｍｍ２）×端子の面積（ｍｍ２）        ・・（１）
【０１０５】
また、接続後に配線電極上にある導電性粒子の数（接続後粒子数）を金属顕微鏡にてカウントすることにより測定した。そして、次の式（２）により、導電性粒子の粒子捕捉率を算出した。
粒子捕捉率＝（接続後粒子数／接続前粒子数）×１００        ・・（２）
【０１０６】
実施例１〜７、比較例１〜１０、参考例１、２の条件及び各評価試験の結果をまとめたものを［表１］に示す。
【０１０７】
【表１】
0005972564.tif 000002
【０１０８】
実施例１〜７では、仮貼工程において、絶縁性粒子を含有させた絶縁性接着剤層をガラス基板側に配置して異方性導電フィルムを仮貼りした。そして、実施例１〜５では、絶縁性接着剤層において、絶縁性粒子の突出率ｔを５０％とし、実施例６では突出率ｔを６０％、実施例７では突出率ｔを３０％とした。これにより、実施例１〜７では、ガラス基板に対して付着力が得られるとともに、絶縁性粒子の突出部分とガラス基板との間に隙間ができることで、高い接着力が得られるとともにリペア性も良好であったと考えられる。また、実施例１〜７の接続工程においては、絶縁性粒子の１０％Ｋ値が４０００Ｎ／ｍｍ２以下であることから、熱加圧により、バンプと配線電極との間において、絶縁性粒子がスムーズに潰れて排除されるため、優れた接続信頼性を発揮することができたと考えられる。
【０１０９】
参考例１では、絶縁性粒子の平均粒径が小さすぎることから、リペア性が悪化した。また、参考例２では、絶縁性粒子の平均粒径が大きすぎることから、接続工程での熱圧着においてもバンプと配線電極との間において容易に潰れず排除されないことから、接続信頼性が良好でなかったと考えられる。
【０１１０】
一方、比較例１、３、８では、導電性粒子含有層をガラス基板側に配置して異方性導電フィルムを仮貼りした。導電性粒子含有層は、高粘度であることから、ガラス基板に対する付着性が低いため、リペア性及び接続信頼性は良好であったものの、仮圧着力（接着力）は、小さかった。
【０１１１】
比較例２、９では、絶縁性粒子を含有しない絶縁性接着剤層をガラス基板側に配置して異方性導電フィルムを仮貼りした。そのため、仮圧着力は高かったもののリペア性は悪化した。
【０１１２】
比較例４では、絶縁性接着剤層における絶縁性粒子の突出率ｔが低く、また、比較例５では、絶縁性粒子を突出させなかったことから、何れもリペア性が良好でなかった。
【０１１３】
比較例６、７、１０では、絶縁性粒子の圧縮弾性率（１０％Ｋ値）が高すぎるため、接続工程での熱加圧によっても、絶縁性粒子がバンプと配線電極との間において十分に潰れずに排除されないため、接続信頼性が悪かったと考えられる。
【符号の説明】
【０１１４】
１  異方性導電フィルム、１１  剥離フィルム、１２  導電性粒子含有層、１２ａ，１３ａ  絶縁性接着剤組成物、１２ｂ  導電性粒子  １３  絶縁性接着剤層、１４  ガラス基板、１５  配線電極、１６  ＩＣチップ、１７  バンプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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