(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被焼成物が載置される載置面を有する基材部と、
前記基材部の前記載置面を被覆するとともに、表面粗さＲａが５μｍ未満で、希土類酸化物を含む膜部と
を備え、
前記膜部は、
気孔率が１７％以上であり、前記希土類酸化物の含有量が１０重量％以上であるとともに、前記載置面において前記被焼成物が載置される部位の表面粗さＲａが、前記被焼成物が載置されない部位の表面粗さＲａより小さくなるように形成されていること
を特徴とする焼成治具。
【請求項２】
前記膜部は、
前記載置面において前記被焼成物が載置される部位の表面粗さＲａが５μｍ未満となるように形成される一方、前記被焼成物が載置されない部位の表面粗さＲａが５μｍ以上となるように形成されること
を特徴とする請求項１に記載の焼成治具。
【請求項３】
基材部において被焼成物が載置される載置面を、表面粗さＲａが５μｍ未満で、希土類酸化物を含む膜部で被覆する工程を含み、
前記膜部は、
気孔率が１７％以上であり、前記希土類酸化物の含有量が１０重量％以上であるとともに、前記載置面において前記被焼成物が載置される部位の表面粗さＲａが、前記被焼成物が載置されない部位の表面粗さＲａより小さくなるように形成されていること
を特徴とする焼成治具の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
開示の実施形態は、焼成治具および焼成治具の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば積層セラミックコンデンサなどの電子部品を製造する過程には、電子部品を焼成する工程が含まれる。かかる焼成工程では、被焼成物である電子部品を焼成治具に載せて、窯炉内で焼成するようにしている。
【０００３】
上記した焼成治具においては、焼成時に被焼成物と反応してしまうのを防止するため、難反応性の膜部で被覆し、膜部の上に被焼成物を載せるようにした技術が提案されている（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−２６３６７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記した電子部品にあっては、焼成時、例えば電子部品の外部電極に含まれるガラス成分が溶融し、溶融したガラス成分が電子部品と焼成治具との間に侵入することがある。
【０００６】
このような場合、膜部の濡れ性が比較的高いと、ガラス成分が膜部の上に広がり、被焼成物と焼成治具の膜部とを付着させてしまうことがある。上記した付着が生じると、焼成後に被焼成物を焼成治具から降ろす際、膜部が被焼成物側にくっ付いて、焼成治具から剥離してしまうおそれがあった。
【０００７】
実施形態の一態様は、上記に鑑みてなされたものであって、膜部の濡れ性を低下させることで、焼成時に被焼成物と付着し難くすることができる焼成治具および焼成治具の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
実施形態の一態様に係る焼成治具は、基材部と、膜部とを備える。基材部は、被焼成物が載置される載置面を有する。膜部は、前記基材部の前記載置面を被覆するとともに、表面粗さＲａが５μｍ未満で、希土類酸化物を含む。また、前記膜部は、気孔率が１７％以上であり、前記希土類酸化物の含有量が１０重量％以上であるとともに、前記載置面において前記被焼成物が載置される部位の表面粗さＲａが、前記被焼成物が載置されない部位の表面粗さＲａより小さくなるように形成されている。
【発明の効果】
【０００９】
実施形態の一態様によれば、膜部の濡れ性を低下させることで、焼成時に被焼成物と付着し難くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、実施形態に係る焼成治具を示す模式斜視図である。
【図２Ａ】図２Ａは、図１に示すセッターおよび被焼成物の模式正面図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、図２Ａに示すセッターおよび被焼成物の模式平面図である。
【図３】図３は、図２ＢのIII−III線拡大模式断面図である。
【図４】図４は、膜部を基材部に形成する処理手順を示すフローチャートである。
【図５】図５は、実施形態に係る焼成治具のセッターの変形例を示す、セッターの模式平面図である。
【図６】図６は、実施形態に係る焼成治具のセッターのさらなる変形例を示す、セッターの模式平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、添付図面を参照して、本願の開示する焼成治具および焼成治具の製造方法の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。
【００１２】
図１は、実施形態に係る焼成治具を示す模式斜視図である。なお、以下においては、説明を分かり易くするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
【００１３】
図１に示すように、焼成治具１は、基台１０と、セッター２０とを備える（いずれも後述）。そして、焼成治具１のセッター２０の上には、被焼成物３０が載置されている。
【００１４】
被焼成物３０は、例えば積層セラミックコンデンサなどの電子部品である。すなわち、上記した焼成治具１は、電子部品用の焼成治具である。なお、上記では、被焼成物３０を積層セラミックコンデンサとしたが、これは例示であって限定されるものではない。すなわち、被焼成物３０は、例えばチップインダクタや半導体基板など、焼成が行われる電子部品であればどのような種類のものであってもよい。
【００１５】
焼成治具１は、セッター２０に被焼成物３０が載置された状態で、図示しない窯炉内に配置され、被焼成物３０を焼成する焼成工程が行われる。
【００１６】
ところで、焼成治具においては、例えば被焼成物が載せられるセッターを難反応性の膜部で被覆することで、焼成時に被焼成物と反応するのを防止するようにしている。しかしながら、被焼成物たる電子部品にあっては、焼成時、例えば電子部品の外部電極に含まれるガラス成分が溶融し、溶融したガラス成分が電子部品と焼成治具との間に侵入することがある。このような場合、膜部の濡れ性が比較的高いと、ガラス成分が膜部の上に広がり、被焼成物と焼成治具の膜部とを付着させてしまうことがあった。
【００１７】
そこで、本実施形態に係る焼成治具１にあっては、膜部の濡れ性を低下させることで、焼成時に被焼成物３０と付着し難くすることができる構成とした。以下、その焼成治具１について詳しく説明する。
【００１８】
焼成治具１の基台１０は、プレート部１１と、支持部１２とを備える。プレート部１１は、上面にセッター２０を載せることが可能な形状、具体的に例えば略平板状で、かつ平面視略矩形状とされる。
【００１９】
支持部１２は、複数個（例えば４個。図１では１個見えず）あり、プレート部１１の下面側の適宜位置に形成される。具体的に支持部１２は、プレート部１１の下面の四隅部分からＺ軸の負方向に向けて突出するように形成され、プレート部１１を支持する。
【００２０】
上記のように構成されたプレート部１１および支持部１２は、耐火物で一体成型される。具体的には、粉状または粘土状の耐火物を図示しない金型に流し込んで加圧する、いわゆるプレス成型によって、プレート部１１および支持部１２が一体に形成された基台１０が完成する。耐火物は、例えばアルミナ、ムライト、ジルコニア等であり、比較的高温（例えば１５００℃以上）に耐えることが可能で、かつ通気性を有する素材とされる。
【００２１】
なお、基台１０は、図１に示す形状に限定されるものではない。すなわち、基台１０は、例えばさや（匣鉢）やラックなどであってもよく、要はセッター２０を載せることが可能な形状であればよい。さらに、基台１０とセッター２０とは、別体である必要はなく、一体化するように構成してもよい。
【００２２】
図２Ａは、図１に示すセッター２０および被焼成物３０を、Ｙ軸の負側から見たときの模式正面図であり、図２Ｂは、図２Ａに示すセッター２０および被焼成物３０の模式平面図である。
【００２３】
図２Ａに示すように、セッター２０は、基材部２１と、膜部２２とを備える。なお、図２Ａにおいては、理解の便宜のため、膜部２２をＺ軸方向に誇張して模式的に示した。また、図２Ｂでは、基材部２１において膜部２２が形成される部位を斜線で示した。
【００２４】
基材部２１は、図２Ａ，２Ｂによく示すように、平面視において略矩形状に形成されるとともに、Ｚ軸方向における厚さが比較的薄い、薄板状とされる。このように、基材部２１が薄板状とされることで、基材部２１、ひいては焼成治具１自体を軽量化させることができる。
【００２５】
基材部２１は、基台１０と同様、耐火物をプレス成型することによって製作される。基材部２１用の耐火物としては、基台１０と同じく、例えばアルミナ、ムライト、ジルコニア等が用いられ、比較的高温（例えば１５００℃以上）に耐えることが可能で、かつ通気性を有する素材とされる。
【００２６】
このように、基台１０のプレート部１１およびセッター２０の基材部２１を、通気性を有する耐火材で製作することで、焼成工程において、窯炉内の熱風が基台１０およびセッター２０を通って被焼成物３０の下面側にも到達する。これにより、被焼成物３０の焼成を効率良く行うことができる。また、基台１０およびセッター２０が通気性を有することで、脱バインダーのときに、被焼成物３０からバインダーを効率良く除去することができる。
【００２７】
上記の如く構成された基材部２１にあっては、Ｚ軸方向における上面２１ａに、被焼成物３０が載置される。以下、基材部２１において、被焼成物３０が載置される上面２１ａを「載置面２１ａ」という。
【００２８】
膜部２２は、基材部２１の載置面２１ａの全面を被覆するように形成され、Ｚ軸方向の厚さが例えば５０〜５００μｍとされる。具体的に例えば、膜部の厚さが５０μｍ未満で比較的薄いと、濡れ性に及ぼす影響が十分ではなく、逆に５００μｍよりも厚いと、膜内での亀裂や膜部の基材部に対する剥離が生じるおそれがある。以上の理由から、膜部２２の厚さは、上記した５０〜５００μｍが好ましい。
【００２９】
また、膜部２２は、被焼成物３０と接する接触面２２ａが平滑化されている。具体的に膜部２２は、接触面２２ａの表面粗さＲａが例えば５μｍ未満とされる。膜部２２の接触面２２ａを、上記の如く表面粗さＲａが５μｍ未満の平滑な面とすることで、膜部２２の濡れ性が低下し、よって焼成時に被焼成物３０と焼成治具１のセッター２０とを付着し難くすることができる。なお、表面粗さＲａは、ＪＩＳ  Ｂ０６０１：２０１３に記載された「算術平均粗さＲａ」として測定される値である。
【００３０】
これについて、図３を参照しつつ説明する。図３は、図２ＢのIII−III線拡大模式断面図である。なお、セッター２０の膜部２２と被焼成物３０との離間距離は数μｍ程度の極小であるが、理解し易くするため、図３においては、セッター２０と被焼成物３０との間隔をＺ軸方向に誇張して模式的に示した。また、後述する被焼成物３０から溶融するガラス成分Ｇについても模式的に示した。
【００３１】
先ず被焼成物３０について説明すると、被焼成物３０は、上述したように積層セラミックコンデンサであり、セラミック誘電体層３１と、内部電極層３２と、外部電極３３とを備える。セラミック誘電体層３１および内部電極層３２は、交互に積層されるように配置されてコンデンサ素子本体を構成する。
【００３２】
外部電極３３は、コンデンサ素子本体のＸ軸方向における両側面に配置される（図３では、両側面の外部電極３３のうち、一方のみを示す）。そして、外部電極３３は、内部電極層３２と電気的に接続されて、コンデンサ回路が構成されることとなる。
【００３３】
上記した外部電極３３は、ＡｇとＰｄとを含む合金またはＣｕ，Ｎｉなどの金属成分と、カルシア（ＣａＯ）やシリカ（ＳｉＯ２）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）などのガラス成分とを含んでいる。そのため、被焼成物３０は、焼結工程時に加熱されると、外部電極３３のガラス成分が溶融し、そのガラス成分が外部電極３３の表面に現れ、被焼成物３０とセッター２０との間に侵入する。なお、図３においては、外部電極３３から溶融したガラス成分を符号Ｇで示している。
【００３４】
ここで、膜部２２は、上記したように、接触面２２ａの表面粗さＲａが例えば５μｍ未満となるように平滑化されることから、膜部２２の濡れ性が低下し、よってガラス成分Ｇは、図３に示す如く略球体状になり、膜部２２との接触面積が減少する、言い換えれば、膜部２２と点接触する。ガラス成分Ｇと膜部２２との接触面積が減少することで、焼成時に被焼成物３０とセッター２０の膜部２２とを付着し難くすることができる。
【００３５】
なお、膜部２２において、表面粗さＲａが例えば５μｍ以上で平滑化されない場合、膜部２２の濡れ性が比較的高くなる。したがって、ガラス成分Ｇは、図３に想像線で示すように、膜部２２の接触面２２ａ上に広がり、膜部２２との接触面積が増大することとなる、言い換えれば、膜部２２と面接触することとなる。接触面積が増大すると、被焼成物３０と膜部２２とが付着し易くなり、結果として焼成後に被焼成物３０を焼成治具１から降ろす際、膜部２２が被焼成物３０側にくっ付いて、焼成治具１から剥離してしまう。
【００３６】
本実施形態に係る焼成治具１にあっては、上記したように、焼成時に被焼成物３０と膜部２２とを付着し難くしたことから、膜部２２が被焼成物３０側にくっ付いて、焼成治具１から剥離することもない。
【００３７】
膜部２２の説明を続けると、膜部２２は、希土類酸化物を含むように構成される。膜部２２に含まれる希土類酸化物としては、例えば酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）を用いることができる。
【００３８】
希土類酸化物は、化学的に安定しているため、ガラス成分Ｇに対して溶解度が小さく、焼成時に被焼成物３０と反応し難い、いわゆる難反応性を有する。したがって、膜部２２が希土類酸化物を含むように構成することで、焼成時に膜部２２が被焼成物３０と反応し難くすることができる。また、膜部２２にあっては、ガラス成分Ｇに対する溶解度が小さいことから、ガラス成分Ｇと濡れ難くすることができる。
【００３９】
なお、上記では、希土類酸化物として酸化イットリウムを挙げたが、これは例示であって限定されるものではなく、例えば酸化ランタン（Ｌａ２Ｏ３）、酸化セリウム（ＣｅＯ２）、酸化ネオジウム（Ｎｄ２Ｏ３）、酸化イッテルビウム（Ｙｂ２Ｏ３）、酸化ルテチウム（Ｌｕ２Ｏ３）、酸化サマリウム（Ｓｍ２Ｏ３）など、その他の希土類元素の酸化物であってもよい。
【００４０】
また、膜部２２は、上記した希土類酸化物の含有量が１０重量％以上であり、好ましくは３０重量％以上、より好ましくは１００重量％とされる。なお、膜部２２においては、希土類酸化物の含有量が１０重量％以上で１００重量％未満の場合、希土類酸化物以外に、ジルコニア（ＺｒＯ２）が含まれることとなる。
【００４１】
希土類酸化物は比較的高価な素材であるが、膜部２２においては、希土類酸化物の含有量を例えば１０重量％とすれば、コストを抑えつつ、被焼成物３０と反応し難い性質を有するように構成することができる。
【００４２】
また、膜部２２においては、希土類酸化物の含有量を１０重量％から増加するように構成してもよく、その場合、含有量の増加に伴って被焼成物３０との難反応性を向上させることができる。すなわち、膜部２２における希土類酸化物の含有量を例えば３０重量％以上とすれば、コストを抑制しながらも膜部２２の難反応性を向上させることができ、さらに、希土類酸化物の含有量を例えば１００重量％とすれば、膜部２２の難反応性をより一層向上させることができる。
【００４３】
なお、図示は省略するが、希土類酸化物の含有量が例えば１０重量％の膜部の上に、希土類酸化物の含有量が例えば１００重量％の膜部を薄く形成して、多層の膜部にしてもよく、この場合は、コストの抑制と難反応性の向上とを両立させることができる。
【００４４】
また、膜部２２は、気孔率が１７％以上の多孔質となるように形成され、より詳しくは気孔率が１７％以上で、かつ４０％以下、より好ましくは気孔率が２０％以上で、かつ３０％以下の多孔質となるように形成される。
【００４５】
このように、膜部２２を気孔率が１７％以上の多孔質とすることで、焼結時における膜部２２の熱膨張量を低減でき、温度変化による寸法変化を抑制することができる。これにより、基材部２１と膜部２２との間の熱膨張差を低減させることができ、よって例えば焼結時に膜部２２に亀裂が生じて、膜部２２が基材部２１から剥離するなどの不具合が生じるのを防止することができる。
【００４６】
次いで、上記した膜部２２を基材部２１に形成する処理について説明する。図４は、膜部２２を基材部２１に形成する処理手順を示すフローチャートである。
【００４７】
先ず、基材部２１を図示しない成膜装置にセットし、成膜処理を行う（ステップＳ１）。成膜処理では、基材部２１の載置面２１ａを膜部２２で被覆する処理が行われる。具体的に膜部２２は、溶射法によって成膜される溶射膜であり、詳しくは例えばプラズマ溶射によって加熱した溶射材、すなわち希土類酸化物等を吹き付けることによって成膜される。なお、この成膜処理において、膜部２２は気孔率が１７％以上の多孔質となるように形成される。
【００４８】
上記したように、溶射法を用いることで、基材部２１に膜部２２を容易に成膜することができる。なお、上記では、膜部２２を溶射法で成膜するようにしたが、これに限定されるものではなく、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法やＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）法など、その他の成膜手法を用いてもよい。また、膜部２２の基材部２１に対する密着性を向上させるため、成膜処理の前に、基材部２１を予めブラスト処理して、基材部２１の表面を粗くしておいてもよい。
【００４９】
次いで、ステップＳ１で成膜された膜部２２に対して、研磨処理を行う（ステップＳ２）。研磨処理では、膜部２２の表面粗さＲａが５μｍ未満となるまで、膜部２２の接触面２２ａを研磨する処理が行われる。これにより、表面粗さＲａが５μｍ未満の膜部２２が基材部２１に形成されることとなる。
【００５０】
なお、上記した研磨処理では、例えばベルトサンダー、ディスクグラインダーやストレートグラインダーなどの研磨機を用いて研磨作業が行われるが、これに限定されるものではなく、例えばサンドペーパーなどを用いて手作業で研磨してもよい。
【００５１】
次に、本実施形態の検証例を示す。なお、かかる検証は、焼成治具１および被焼成物３０に対して以下の熱サイクル試験を実行することで行われた。
【００５２】
先ず、被焼成物３０たる電子部品を焼成治具１のセッター２０に置き、９００度の環境下にする。具体的に例えば、環境温度を１．５時間かけて９００度まで昇温させ、その後９００度が０．５時間維持される。次いで、環境温度を０．５時間かけて昇温前の温度まで降温させる。
【００５３】
上記した一連の昇温、温度維持、降温の処理を１サイクルとして、この１サイクルを５０回繰り返す。そして、被焼成物３０を焼成治具１（具体的にはセッター２０）から降ろし、被焼成物３０と焼成治具１との付着の有無、膜部２２の基材部２１に対する剥離の有無、膜部２２の亀裂の有無を確認する。上記した熱サイクル試験によって得られた、検証結果を下記の表１に示す。
【００５４】
なお、表１においては、付着等の現象が全く無く特に良好なものを◎とし、付着等が無く良好なものを○、付着等が僅かに確認されたものを△、付着等が多く確認されたものを×として４段階で評価した。なお、上記した４段階評価のうち、◎および○を、焼成治具としての規準を満たしている評価とする。
【００５５】
【表１】
0005995809.tif 000002
【００５６】
上記の表１の「実施形態１」に示すように、膜部２２において、表面粗さＲａが４μｍ、希土類酸化物の含有量が１００重量％、気孔率が３０％、厚さが１００μｍである場合、被焼成物３０と焼成治具１との付着、膜部２２の基材部２１に対する剥離、膜部２２の亀裂はいずれも見られず、大変良好な結果を得た。
【００５７】
表１の「実施形態２」では、表面粗さＲａが４μｍ、希土類酸化物の含有量が１００重量％、気孔率が１７％、厚さが１００μｍである膜部２２について検証した。この場合であっても、被焼成物３０と焼成治具１との付着、膜部２２の基材部２１に対する剥離、膜部２２の亀裂はいずれも見られず、良好であった。
【００５８】
表１の「実施形態３，４」では、「実施形態１」で１００重量％だった希土類酸化物の含有量を、１０重量％または３０重量％に変えて検証した。いずれの場合であっても、被焼成物と焼成治具との付着、膜部の剥離および亀裂は見られず、良好であった。なお、「実施形態３，４」および「比較例４」において、膜部が希土類酸化物以外に含有するその他の成分は、ジルコニア（ＺｒＯ２）である。
【００５９】
これに対し、表１の「比較例１」に示すように、膜部において、表面粗さＲａが８μｍ、希土類酸化物の含有量が１００重量％、気孔率が３２％、厚さが１００μｍである場合、膜部の剥離や亀裂は見られなかったが、被焼成物と焼成治具との付着が確認された。
【００６０】
また、「比較例２」に示すように、「比較例１」で８μｍだった表面粗さＲａを５μｍに変えた場合であっても、同様に、膜部の剥離や亀裂は見られなかったが、被焼成物と焼成治具との付着が確認された。
【００６１】
これは、膜部において、表面粗さＲａが５μｍ以上で平滑化されていないため、膜部の濡れ性が比較的高くなり、被焼成物から溶融したガラス成分によって被焼成物が膜部に付着したものと考えられる。
【００６２】
また、表１の「比較例３」に示すように、膜部において、表面粗さＲａが７μｍ、希土類酸化物の含有量が１００重量％、気孔率が１５％、厚さが６００μｍである場合、被焼成物と焼成治具との付着、膜部の剥離および亀裂の全てが見られ、特に膜部の剥離および亀裂が多く確認された。
【００６３】
被焼成物が膜部に付着してしまうのは、上述した通り、膜部において、表面粗さＲａが５μｍ以上で平滑化されず、かつ膜部の厚さが５００μｍを超えるためと考えられる。また、比較例３では、気孔率が１７％未満であるため、基材部と膜部との間に比較的大きな熱膨張差が生じ、よって焼結時に膜部に亀裂が生じて、膜部が基材部から剥離したものと考えられる。
【００６４】
また、表１の「比較例４」に示すように、膜部において、表面粗さＲａが５μｍ、希土類酸化物の含有量が５重量％、気孔率が３０％、厚さが４５μｍである場合、膜部の剥離や亀裂は見られなかったが、被焼成物と焼成治具との付着が多く確認された。
【００６５】
これは、膜部において、表面粗さＲａが５μｍ以上で平滑化されず、かつ希土類酸化物の含有量が１０重量％未満であり、さらに膜部の厚さが５０μｍ未満であるため、膜部の濡れ性が比較例１〜３の膜部よりも高くなり、ガラス成分が膜部上に広範に広がって、被焼成物が膜部に付着したものと考えられる。
【００６６】
上述してきたように、本実施形態に係る焼成治具１は、基材部２１と、膜部２２とを備える。基材部２１は、被焼成物３０が載置される載置面２１ａを有する。膜部２２は、基材部２１の載置面２１ａを被覆するとともに、表面粗さＲａが５μｍ未満で、希土類酸化物を含む。これにより、焼成治具１において、膜部２２の濡れ性を低下させることで、焼成時に被焼成物３０と付着し難くすることができる。
【００６７】
図５は、実施形態に係る焼成治具１のセッター２０の変形例を示す、セッター２０の模式平面図である。図５においては、基材部２１の載置面２１ａにおいて被焼成物３０が載置される部位を破線Ａで囲んで示した。また、以下においては、破線Ａで囲まれた部位Ａを「載置部位Ａ」という。
【００６８】
実施形態に係る焼成治具１では、膜部２２が基材部２１の載置面２１ａの全面を被覆するようにしたが、図５に示す例では、膜部２２は、載置部位Ａのみを被覆するように形成される。すなわち、載置面２１ａにおいて、載置部位Ａ以外の部位Ｂには、膜部２２が形成されないようにする。
【００６９】
これにより、基材部２１の載置面２１ａにおける膜部２２の面積が減少することから、膜部２２用の溶射材、すなわち希土類酸化物の量を減少でき、コストを抑制することができる。さらに、膜部２２は、研磨処理において研磨されるが、その研磨する面積も少なくすることができ、膜部２２の形成に要する時間を短縮することができる。
【００７０】
なお、図５では、載置面２１ａにおける載置部位Ａを、平面視において被焼成物３０の全てを含むような大きさに設定したが、これに限定されるものではない。図６は、実施形態に係る焼成治具１のセッター２０のさらなる変形例を示す、セッター２０の模式平面図である。
【００７１】
図６に示すように、載置される被焼成物３０が複数ある場合、被焼成物３０ごとに載置部位Ａ１，Ａ２を設定するようにしてもよい。この場合、載置部位Ａ１、Ａ２のみを膜部２２で被覆することとなる。これにより、載置面２１ａにおける膜部２２の面積および研磨する面積をより一層減少させることができ、よってコストを抑制できるとともに、膜部２２の形成に要する時間を短縮することができる。
【００７２】
また、上記では、載置面２１ａにおける載置部位Ａや載置部位Ａ１，Ａ２のみを膜部２２で被覆するようにしたが、変形例はこれに限定されるものではない。すなわち、例えば膜部２２が載置面２１ａの全面を被覆するようにし、載置部位Ａや載置部位Ａ１，Ａ２のみを研磨するようにしてもよい。
【００７３】
このように、膜部２２は、載置面２１ａにおいて被焼成物３０が載置される部位Ａ，Ａ１，Ａ２の表面粗さＲａが５μｍ未満となるように形成される一方、被焼成物３０が載置されない部位（図５，６において符号Ｂで示す）の表面粗さＲａが５μｍ以上となるように形成されるようにしてもよい。
【００７４】
膜部２２を上記の如く構成した場合であっても、膜部２２において研磨する面積を少なくすることができ、膜部２２の形成に要する時間を短縮することができる。
【００７５】
さらに、載置部位Ａ，Ａ１，Ａ２のＺ軸方向における高さを、載置されない部位Ｂよりも被焼成物３０側へ高くするようにしてもよい。これにより、研磨すべき載置部位Ａ，Ａ１，Ａ２が他の部位Ｂに比べて高くなることから、載置部位Ａ，Ａ１，Ａ２を容易に研磨することができる。
【００７６】
また、図示は省略するが、載置面２１ａに格子状の溝を設けるようにしてもよい。具体的には、例えばＸ軸方向に対して平行なＭ本（Ｍは１以上の整数）の溝と、Ｙ軸方向に対して平行なＮ本（Ｎは１以上の整数）の溝を設け、溝で囲まれた部位のみを研磨処理するように構成してもよい。このように構成した場合であっても、膜部２２において研磨する面積を少なくすることができ、膜部２２の形成に要する時間を短縮することができる。
【００７７】
なお、上記では、セッター２０側に膜部２２を形成するように構成したが、これに限定されるものではない。すなわち、例えば仮にセッター２０を用いず、基台１０のプレート部１１に被焼成物３０を直接載置する場合、プレート部１１の上面に膜部２２を形成するようにしてもよい。
【００７８】
また、図１では、一つの焼成治具１を示したが、これに限定されるものではなく、例えば焼成治具１を複数段積み重ね、複数段の焼成治具１に載置された多数の被焼成物３０を一度に焼成するようにしてもよい。
【００７９】
さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。
【符号の説明】
【００８０】
１  焼成治具
１０  基台
１１  プレート部
１２  支持部
２０  セッター
２１  基材部
２１ａ  （基材部の）載置面
２２  膜部
３０  被焼成物
３１  セラミック誘電体層
３２  内部電極層
３３  外部電極
Ａ，Ａ１，Ａ２  載置部位
Ｇ  ガラス成分
【図１】
0005995809.tif 000003
【図２Ａ】
0005995809.tif 000004
【図２Ｂ】
0005995809.tif 000005
【図３】
0005995809.tif 000006
【図４】
0005995809.tif 000007
【図５】
0005995809.tif 000008
【図６】
0005995809.tif 000009