(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象物が載置される載置部を具備した基体と、前記載置部の少なくとも一部を被覆した被膜とを備え、
前記載置部は、底面と、該底面から突出した複数の突起部と、該複数の突起部と同じ高さで前記底面から突出しているとともに前記複数の突起部を取り囲んだ環状凸部とを有し、前記被膜は、前記突起部の頂面を被覆した第１領域と、前記環状凸部の頂面を被覆しているとともに前記第１領域よりも厚みが小さい第２領域とを有することを特徴とする載置用部材。
【請求項２】
請求項１に記載の載置用部材において、
前記被膜は、前記載置部の少なくとも一部を被覆した第１膜と該第１膜の一部を被覆した第２膜とを含んでおり、
前記第１領域は、前記突起部の頂面を被覆する前記第１膜と該第１膜を被覆する前記第２膜とを含んでおり、
前記第２領域は、前記環状凸部の頂面を被覆する前記第１膜からなることを特徴とする載置用部材。
【請求項３】
請求項２に記載の載置用部材において、
前記第１膜の厚みは、前記第２膜の厚みよりも小さいことを特徴とする載置用部材。
【請求項４】
請求項１に記載の載置用部材において、
前記被膜は、前記環状凸部の側面を被覆しているとともに前記第２領域よりも厚みが大きい第３領域をさらに有することを特徴とする載置用部材。
【請求項５】
請求項１に記載の載置用部材において、
前記第１領域と前記第２領域との厚みの差は、１μｍ以上３μｍ以下であることを特徴とする載置用部材。
【請求項６】
請求項１に記載の載置用部材において、
前記突起部および前記第１領域は、前記対象物を支持する支持部を構成しており、
前記環状凸部および前記第２領域は、前記対象物と前記載置部との間の空間に対するシール部を構成していることを特徴とする載置用部材。
【請求項７】
対象物が載置される載置部であって、底面と該底面から突出した複数の突起部と該複数
の突起部を取り囲むとともに該複数の突起部と同じ高さで前記底面から突出した環状凸部とを有する前記載置部を具備した基体を準備する工程と、
前記突起部の頂面を被覆する第１領域および前記環状凸部の頂面を被覆するとともに前記第１領域よりも厚みが小さい第２領域を有する被膜を前記載置部に形成する工程とを備えることを特徴とする載置用部材の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の載置用部材の製造方法において、
前記被膜を前記載置部に形成する工程では、
前記突起部の頂面および前記環状凸部の頂面を被覆する第１膜を形成した後、前記突起部および前記環状凸部のうち前記突起部のみの頂面の前記第１膜を被覆する第２膜を形成することによって、前記第１膜および前記第２膜を含む前記第１領域ならびに前記第１膜からなる前記第２領域を有する前記被膜を形成することを特徴とする載置用部材の製造方法。
【請求項９】
請求項７に記載の載置用部材の製造方法において、
前記基体を準備する工程では、
前記複数の突起部の頂面と前記環状凸部の頂面とを同時に研磨加工することによって、前記複数の突起部と前記環状凸部とを同じ高さにすることを特徴とする載置用部材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体集積回路または液晶表示装置の各製造工程において、ウェハまたはガラス基板等の各対象物に処理を施す際に対象物が載置される載置用部材およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路または液晶表示装置の各製造工程において、半導体集積回路の製造に用いられるウェハまたは液晶表示装置の製造に用いられるガラス基板等の対象物は、露光装置や検査装置等の載置用部材に載置されて、処理が施される。【０００３】
この載置用部材として、例えば特開平８−１９５４２８号公報には、真空吸着部を取り囲む環状のシール部を設け、シール部と試料との間に微小隙間が形成されるようにした真空吸着装置（載置用部材）が記載されている。【０００４】
ところで、シール部の頂面の表面粗さが大きいと、シール部の頂面における凹凸が大きくなって、試料との距離が大きい箇所がシール部の頂面に部分的に生じる。このため、例えば試料を真空吸着する際に、シール部において漏れが生じやすくなる。その結果、外部の空気が真空吸着部に吸い込まれて真空吸着部の負圧が低下しやすくなる。それ故、試料の吸着力が低下しやすい。【０００５】
したがって、漏れの少ないシール部を備えた載置用部材を提供することが要求されている。
【発明の概要】
【０００６】
本発明は、漏れの少ないシール部を備えた載置用部材を提供する要求に応えるものである。
【０００７】
本発明の一態様における載置用部材によれば、対象物が載置される載置部を具備した基体と、前記載置部の少なくとも一部を被覆した被膜とを備える。前記載置部は、底面と、該底面から突出した複数の突起部と、該複数の突起部と同じ高さで前記底面から突出しているとともに前記複数の突起部を取り囲んだ環状凸部とを有する。前記被膜は、前記突起部の頂面を被覆した第１領域と、前記環状凸部の頂面を被覆しているとともに前記第１領域よりも厚みが小さい第２領域とを有する。
【０００８】
本発明の一態様における載置用部材によれば、対象物が載置される載置部を具備した基体と、前記載置部の少なくとも一部を被覆した被膜とを備える。前記載置部は、底面と、該底面から突出した複数の突起部と、該複数の突起部と同じ高さで前記底面から突出しているとともに前記複数の突起部を取り囲んだ環状凸部とを有する。前記被膜は、前記突起部の頂面を被覆した第１領域を有しているとともに、前記環状凸部の頂面を露出させている。
【０００９】
本発明の一態様における載置用部材の製造方法によれば、対象物が載置される載置部であって、底面と該底面から突出した複数の突起部と該複数の突起部を取り囲むとともに該複数の突起部と同じ高さで前記底面から突出した環状凸部とを有する前記載置部を具備した基体を準備する工程と、前記突起部の頂面を被覆する第１領域および前記環状凸部の頂面を被覆するとともに前記第１領域よりも厚みが小さい第２領域を有する被膜を前記載置部に形成する工程とを備える。
【００１０】
本発明の一態様における載置用部材によれば、シール部の頂面の表面粗さを小さくできるため、漏れの少ないシール部を備えた載置用部材を提供することができる。
【００１１】
本発明の一態様における載置用部材の製造方法によれば、頂面の表面粗さが小さいシール部を形成することができるため、漏れの少ないシール部を備えた載置用部材を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一実施形態による載置用部材を示す斜視図である。
【図２】図１の載置用部材に対象物を載置した様子を示す斜視図である。
【図３】図１の載置用部材を、排気孔を含む断面で厚み方向に切断した断面図である。
【図４】図１の載置用部材を、挿通孔を含む断面で厚み方向に切断した断面図である。
【図５】図１の載置用部材の製造方法を説明する厚み方向に切断した断面図である。
【図６】図１の載置用部材の製造方法を説明する厚み方向に切断した断面図である。
【図７】本発明の他の実施形態による載置用部材を示す、厚み方向に切断した断面図である。
【図８】本発明の他の実施形態による載置用部材を示す、厚み方向に切断した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下に、本発明の一実施形態による載置用部材について、図１ないし図４を参照しつつ詳細に説明する。
【００１４】
図１および図２に示す載置用部材１は、半導体集積回路の製造工程または液晶表示装置の製造工程に用いられる露光装置や検査装置等の各種装置において、ウェハまたはガラス基板等の対象物２が載置される部材である。載置用部材１に載置された対象物２は、各種装置において各種処理が施される。例えば、露光装置は、載置用部材１と光源とを備えている。この露光装置は、光源から載置用部材１に吸着された対象物２に対して光を照射することによって、対象物２を露光して配線パターンを形成する。
【００１５】
本実施形態の載置用部材１は、対象物２を真空吸着する真空チャックである。この載置用部材１は、図３および図４に示すように、対象物２が載置される載置部３を有する基体４と、載置部３の少なくとも一部を被覆した被膜５と、基体４を厚み方向に貫通した、排気手段（図示せず）に接続される排気孔６と、基体４を厚み方向に貫通した、リフトピン（図示せず）が挿通される挿通孔７とを備えている。
【００１６】
載置用部材１の基体４は、例えばセラミックス、樹脂または金属等からなる。中でも、低熱膨張率、耐摩耗性および高剛性の観点から、基体４はセラミックスからなることが望ましい。このセラミックスとしては、アルミナ質焼結体、窒化珪素質焼結体、コージェライト質焼結体または炭化珪素質焼結体（ＳｉＣ系またはＳｉ−ＳｉＣ系）等の各種セラミック焼結体を用いることができる。中でも、ウェハの汚染抑制の観点から、セラミックスとして炭化珪素質焼結体を用いることが望ましい。本実施形態の基体４は、円板状である。この基体４の厚みは、例えば１ｍｍ以上５０ｍｍ以下である。また、基体４の幅（直径）は、例えば２５ｍｍ以上３５００ｍｍ以下である。
【００１７】
基体４の載置部３は、図３および図４に示すように、底面８と、底面８から突出した複数の突起部９と、複数の突起部９を取り囲んだ環状凸部１０とを有している。すなわち、底面８は、突起部９と環状凸部１０との間に配されており、突起部９は、環状凸部１０の内側に配されており、環状凸部１０は、載置部３の外縁に配されている。
【００１８】
突起部９は、頂面１１および側面１２を有しており、例えば円柱状である。突起部９の高さは、例えば３μｍ以上１０００μｍ以下であり、突起部９の幅（直径）は、例えば０．０１ｍｍ以上５ｍｍ以下である。なお、突起部９は、例えば三角柱状や四角柱状等の多角柱状であっても構わない。
【００１９】
環状凸部１０は、頂面１３および側面１４を有しており、例えば円環状である。この環状凸部１０は、複数の突起部９と同じ高さで底面８から突出している。この環状凸部１０の幅（外周と内周との間の距離）は、例えば０．０１ｍｍ以上５ｍｍ以下である。環状凸部１０の幅は、突起部９の幅と同じであっても異なっていてもよい。本実施形態においては、環状凸部１０の幅は、突起部９の幅よりも大きい。なお、環状凸部１０の一部は、平面視において、うねっていても構わないし、載置部３の内側に向かって突出していても構わない。また、複数の突起部９の高さに対する、環状凸部１０の高さの誤差は、±２０％以内である。
【００２０】
一方、被膜５は、セラミック膜、金属膜または樹脂膜からなる。セラミック膜は、例えば、酸化珪素、窒化珪素、窒化チタン、炭化チタン、アルミナまたはＤＬＣ（Diamond-Like Carbon）等のセラミック材料からなる。金属膜は、例えば、アルミニウム、クロムまたは金等の金属材料からなる。樹脂膜は、例えば、ポリイミド樹脂またはパラキシレン樹脂等の樹脂材料からなる。半導体集積回路の製造工程における露光装置に用いる場合は、ウェハの汚染抑制の観点から、酸化珪素もしくは窒化珪素等のＳｉ系材料、窒化チタンもしくは炭化チタン等のＴｉ系材料、またはＤＬＣ等のＣ系材料を被膜５に用いることが望ましい。中でも、窒化チタンによって被膜５を形成することが望ましい。その結果、耐摩耗性を高めて、パーティクルの発生を抑制できる。また、被膜５に導電性を付与することができる。
【００２１】
この被膜５は、突起部９の頂面１１を被覆した第１領域１２と、環状凸部１０の頂面１３を被覆した第２領域１６とを有している。被膜５は、突起部９の側面１２および環状凸部１０の側面１４を露出させている。突起部９および第１領域１５は、対象物２を支持する支持部１７を構成しており、環状凸部１０および第２領域１６は、対象物２と載置部３との間の空間１８に対するシール部１９を構成している。
【００２２】
上述した載置用部材１による対象物２の載置および吸着は、例えば以下のように行なわれる。まず、挿通孔７に挿通されたリフトピンの頂面を載置部３よりも上方に移動させた後、リフトピンに対象物２を載置する。次に、リフトピンの頂面を載置部３よりも下方に移動させて、対象物２を支持部１７の頂面２０に支持させる。このように対象物２を載置部３に載置する。この際に、対象物２と載置部３との間の空間１８は、シール部１９によって密閉される。したがって、空間１８と外部との間における空気等の流体の移動が抑制される。次に、排気手段を用いて、シール部１９によって密閉された空間１８の空気を排気孔６から排気する。そして、空間１８を真空状態に近づけることによって、対象物２を載置部３に真空吸着させることができる。
【００２３】
ここで、シール部１９の高さは、支持部１７の高さよりも小さい。この支持部１７とシール部１９との高さの差は、微小である。この高さの差に応じて、載置部３に載置された対象物２とシール部１９の頂面２１との間には微小隙間２２が形成される。この微小隙間２２は、隙間が微小であることから空気等の流体の移動量が極めて少ないため、静圧シールとして機能し、対象物２と載置部３との間の空間１８を密閉することができる。さらに、微小隙間２２によって、対象物２とシール部１９の頂面２１との間に隙間が生じて接触が抑制される。これにより、この接触に起因した対象物２の平面度の低下を抑制できるため、対象物２の処理精度を高めることができる。
【００２４】
この支持部１７とシール部１９との高さの差、すなわち微小隙間２２の上下方向（Ｚ方向）における距離は、例えば０．５μｍ以上２０μｍ以下である。さらに、この高さの差は、１μｍ以上３μｍ以下であることが望ましい。この高さの差が１μｍ以上であることによって、対象物２とシール部１９との接触をより抑制することができる。また、この高さの差が３μｍ以下であることによって、対象物２と載置部３との間の空間１８をより密閉することができる。
【００２５】
ところで、支持部１７とシール部１９との高さに差を生じさせるために突起部９と環状凸部１０との高さに差を生じさせる場合には、例えばブラスト加工等によって環状凸部１０の頂面１３を加工して、環状凸部１０の高さを突起部９の高さよりも小さくする必要がある。このため、環状凸部１０の頂面１３の表面粗さが大きくなり、ひいてはシール部１９の頂面２１の表面粗さが大きくなりやすい。
【００２６】
一方、本実施形態の載置用部材１においては、複数の突起部９の高さと環状凸部１０の高さとが同じであり、被膜５における突起部９の頂面１１を被覆した第１領域１５の厚みよりも、被膜５における環状凸部１０の頂面１３を被覆した第２領域１６の厚みが小さい。すなわち、突起部９と環状凸部１０との高さの差ではなく、第１領域１５と第２領域１６との厚みの差によって、支持部１７とシール部１９との高さに差を生じさせている。
【００２７】
その結果、環状凸部１０の高さを突起部９の高さよりも小さくするための環状凸部１０の頂面１３の加工が不要となる。このため、環状凸部１０の頂面１３の表面粗さを小さくし、シール部１９における空気等の流体の漏れを抑制できる。それ故、吸着力の優れた真空チャックである載置用部材１を得ることができる。
【００２８】
また、シール部１９の頂面２１は、被膜５の第１領域１５からなる。その結果、被膜５の第１領域１５が環状凸部１０の頂面１３の凹凸の影響を低減するため、シール部１９の頂面２１が環状凸部１０の頂面１３からなる場合と比較して、シール部１９の頂面２１の表面粗さを小さくすることができる。なお、表面粗さとしては、例えば算術平均粗さ（Ｒａ）を用いることができる。シール部１９の頂面２１の算術平均粗さ（Ｒａ）は、例えば０．００３μｍ以上０．０２μｍ以下である。また、算術平均粗さ（Ｒａ）の定義は、ＪＩＳＢ０６０１：２００１に準拠している。
【００２９】
本実施形態の載置用部材１において、被膜５は、載置部３の少なくとも一部を被覆した第１膜２３と第１膜２３の一部を被覆した第２膜２４とを含んでいる。第１領域１５は、突起部９の頂面１１を被覆する第１膜２３と第１膜２３を被覆する第２膜２４とを含んでいる。第２領域１６は、環状凸部１０の頂面１３を被覆する第１膜２３からなる。
【００３０】
その結果、第２膜２４の有無によって、第２領域１６の厚みを第１領域１５の厚みよりも小さくすることができる。このため、第２膜２４の厚みを調節することによって、支持部１７とシール部１９との高さの差を精度良く調節し、微小隙間２２の上下方向における距離を精度良く調節することができる。
【００３１】
この第１膜２３の厚みは、第２膜２４の厚みよりも小さいことが望ましい。その結果、シール部１９の頂面２１を被覆する第１領域１５の厚みを小さくすることによって、第１領域１５における部分的な厚みのばらつきを小さくして、第１領域１５をより平滑にすることができる。このため、微小隙間１８の距離を精度良く調節することができる。なお、第１膜２３の厚みは、例えば０．０１μｍ以上５０μｍ以下である。また、第２膜２４の厚みは、微小隙間２２の上下方向における距離と同じである。
【００３２】
第１膜２３および第２膜２４を構成する材料は、上述した被膜５を構成する材料から適宜選択される。第１膜２３および第２膜２４は、同じ材料を用いることができる。この場合、第１膜２３によって構成されたシール部１９の頂面２１と、第２膜２４によって構成された支持部１７の頂面２０とに同じ性質を付与することができる。このような例として、第１膜２３および第２膜２４の双方に窒化チタンを用いることができる。
【００３３】
また、第１膜２３および第２膜２４は、異なる材料を用いてもよい。この場合、第１膜２３によって構成されたシール部１９の頂面２１と、第２膜２４によって構成された支持部１７の頂面２０とに異なる性質を付与することができる。このように異材質のものを用いる例として、第１膜２３に酸化珪素を用いて、第２膜２４に窒化チタンを用いることができる。その結果、シール部１９の頂面２１に撥水性および絶縁性を付与し、支持部１７の頂面２０に導電性を付与することができる。
【００３４】
また、第１膜２３および第２膜２４は、１層からなるものを用いても構わないし、複数層からなるものを用いても構わない。複数層からなるものを用いる場合には、各層が異なる材料からなっても構わない。
【００３５】
本実施形態の載置用部材１において、環状凸部１０の頂面１３は、研磨加工された研磨面である。その結果、環状凸部１０の頂面１３の表面粗さを小さくすることができ、ひいてはシール部１９の頂面２１の表面粗さを小さくすることができる。この環状凸部１０の頂面１３の算術平均粗さ（Ｒａ）は、例えば０．００３μｍ以上０．０２μｍ以下である。
【００３６】
また、突起部９の頂面１１は、研磨加工された研磨面である。その結果、突起部９の頂面１１の表面粗さを小さくすることができ、ひいては支持部１７の頂面２０の表面粗さを小さくすることができる。この突起部９の頂面１１の算術平均粗さ（Ｒａ）は、環状凸部１０の頂面１３の算術平均粗さ（Ｒａ）と同じである。この環状凸部１０の頂面１３の算術平均粗さ（Ｒａ）に対する突起部９の頂面１１の算術平均粗さ（Ｒａ）の誤差は、±３０％以内である。
【００３７】
なお、複数の突起部９および環状凸部１０の間に配された底面８は、研削面、ブラスト加工面またはレーザー加工面である。この底面８の表面粗さは、研磨面である突起部９の頂面１１および環状凸部１０の頂面１３の表面粗さよりも大きい。この底面８の算術平均粗さ（Ｒａ）は、例えば０．３μｍ以上６．３μｍ以下である。
【００３８】
次に、上述した載置用部材１の製造方法について、基体４がセラミックスからなる場合を例に、図５および図６を参照しつつ詳細に説明する。
【００３９】
（１）図５（ａ）に示すように、基体４を準備する。具体的には、例えば以下のように行なう。
【００４０】
まず、セラミック粉末に純水と有機バインダーとを加えた後、ボールミルで湿式混合してスラリーを作製する。次に、スラリーをスプレードライにて造粒する。次に、造粒したセラミック粉末を種々の成形方法を用いて成形して成形体を作製した後、この成形体を切削加工することによって、成形体を所望の形状とする。次に、この成形体を例えば１０００℃以上２３００℃以下で焼成して焼結体を作製した後、この焼結体を研削加工することによって、焼結体を所望の形状とし、底面８、突起部９および環状凸部１０を有する載置部３を形成する。この載置部３は、研削加工の後にブラスト加工またはレーザー加工を行なうことによって形成しても構わない。この載置部３において、突起部９および環状凸部１０は同じ高さである。次に、この焼結体の突起部９の頂面１１および環状凸部１０の頂面１３を同時に研磨加工することによって、突起部９の頂面１１および環状凸部１０の頂面１３を研磨面とする。この研磨加工としては、例えばラップ加工またはポリッシュ加工を用いることができる。ラップ加工は、例えば、ダイヤモンドまたはアルミナ等の各種材料からなる研磨剤と、鋳鉄または錫等の各種材料からなるラップ盤とを用いて行なうことができる。
【００４１】
以上のようにして、基体４を作製することができる。
【００４２】
ところで、仮に、突起部９を環状凸部１０よりも高くした後に研磨加工を行なうと、環状凸部１０の頂面１３を研磨加工することが困難となりやすい。特に、環状凸部１０の一部が、平面視において、うねっている場合や載置部３の内側に向かって突出している場合等には、困難となりやすい。
【００４３】
一方、本実施形態においては、突起部９および環状凸部１０を同じ高さとした後、突起部９の頂面１１および環状凸部１０の頂面１３を同時に研磨加工しているため、環状凸部１０の頂面１３を容易に研磨加工することができる。
【００４４】
（２）図５（ｂ）ないし図６（ｃ）に示すように、基体４上に被膜５を形成して、載置用部材１を作製する。具体的には、例えば以下のように行なう。
【００４５】
まず、図５（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ法を用いて、光硬化性樹脂等からなる第１レジスト２５を基体４の載置部３に形成する。この第１レジスト２５は、底面８を被覆するとともに突起部９の頂面１１および環状凸部１０の頂面１３を露出させている。次に、図５（ｃ）に示すように、例えばＰＶＤ法、ＣＶＤ法、蒸着法、イオンプレーティング法またはスパッタリング法等の成膜法を用いて、突起部９の頂面１１および環状凸部１０の頂面１３を被覆する第１膜２３を形成する。次に、図５（ｄ）に示すように、第１レジスト２５を基体４の載置部３から除去する。次に、図６（ａ）に示すように、フォトリソグラフィ法を用いて、光硬化性樹脂等からなる第２レジスト２６を基体４の載置部３に形成する。この第２レジスト２６は、底面８および環状凸部１０の頂面１３の第１膜２３を被覆するとともに突起部９の頂面１１の第１膜２３を露出させている。次に、図６（ｂ）に示すように、例えばＰＶＤ法、ＣＶＤ法、蒸着法、イオンプレーティング法またはスパッタリング法等の成膜法を用いて、突起部９の頂面１１および環状凸部１０の頂面１３のうち突起部９の頂面１１のみの第１膜２３を被覆する第２膜２４を形成する。次に、図６（ｃ）に示すように、第２レジスト２６を基体４の載置部３から除去する。
【００４６】
以上のようにして、基体４上に被膜５を形成して、図１ないし図４に示した本実施形態の載置用部材１を作製することができる。
【００４７】
その結果、支持部１７よりも高さが小さいシール部１９の頂面２１における表面粗さを小さくし、漏れの少ないシール部１９を形成することができる。また、支持部１７とシール部１９との高さを精度良く調節することができ、微小隙間２２の上下方向における距離を精度良く調節することができる。
【００４８】
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良、組合せ等が可能である。
【００４９】
例えば、載置用部材１として真空チャックを用いた構成を例に説明したが、載置用部材１は、対象物２が載置される部材であればよく、例えば真空チャック以外のチャック（吸着部材）であってもよい。この場合に、載置用部材１として、対象物２を静電吸着する静電チャックを用いても構わないし、対象物２と載置部３との間に水を満たして吸着する吸着部材を用いても構わない。これらの場合には、対象物２と載置部３との間の空間１８は、空気以外の水素等の気体や水などの液体といった流体が満たされていてもよい。この場合には、この流体の漏れをシール部１９によって良好に抑制することができる。
【００５０】
また、被膜５が突起部９の側面１２および環状凸部１０の側面１４を露出させた構成を例に説明したが、図７に示すように、被膜５は、環状凸部１０の側面１４を被覆する第３領域２７と、突起部９の側面１２を被覆する第４領域２８とを有していてもよい。この場合、被膜５の材料を適宜選択することによって、シール部１９の側面および支持部１７の側面に、絶縁性や導電性といった所望の特性を付与することができる。第３領域２７および第４領域２８は、例えば、第１膜２３および第２膜２４からなる。このような被膜５は、上述した実施形態の工程（２）において、第１レジスト２５および第２レジスト２６から突起部９の側面１２および環状凸部１０の側面１４を露出させることによって、形成することができる。
【００５１】
また、被膜５が突起部９の頂面１１を被覆した第１領域１５と環状凸部１０の頂面１３を被覆した第２領域１６とを有する構成を例に説明したが、図８に示すように、被膜５が第１領域１５を有しているとともに環状凸部１０の頂面１３を露出させていても構わない。この場合、突起部９と環状凸部１０が同じ高さであるため、被膜５の有無によって、支持部１７とシール部１９との高さの差が生じ、微小隙間２２が形成される。この場合においても、突起部９と環状凸部１０とが同じ高さであるから、環状凸部１０の頂面１３を、ブラスト加工等のように表面粗さが大きくなる加工を行なわないで形成することができるため、シール部１９の頂面２１における表面粗さを小さくすることができる。この環状凸部１０の頂面１３は、研磨面であることが望ましい。このような被膜５は、上述した実施形態の工程（２）において、第１レジスト２５で突起部９の頂面１１を被覆することによって、形成することができる。図８に示す被膜５は第１膜２３および第２膜２４からなるが、被膜５は第１膜２３のみからなるものであっても構わない。この場合には、被膜５が１つの膜からなるため、被膜５を容易に形成することができるとともに、被膜５内部における剥離を低減することができる。
【００５２】
また、フォトリソグラフィ法を用いて第１レジスト２５および第２レジスト２６を形成することによって被膜５を形成した構成を例に説明したが、第１レジスト２５および第２レジスト２６の代わりにマスクを用いてもよい。このマスクとしては、例えばステンレス等の金属板または樹脂板にパターンを形成したものを用いることができる。
【符号の説明】
【００５３】
１  載置用部材
２  対象物
３  載置部
４  基体
５  被膜
６  排気孔
７  挿通孔
８  底面
９  突起部
１０  環状凸部
１１  突起部の頂面
１２  突起部の側面
１３  環状凸部の頂面
１４  環状凸部の側面
１５  被膜の第１領域
１６  被膜の第２領域
１７  支持部
１８  対象物と載置部との間の空間
１９  シール部
２０  支持部の頂面
２１  シール部の頂面
２２  微小隙間
２３  第１膜
２４  第２膜
２５  第１レジスト
２６  第２レジスト
２７  第３領域
２８  第４領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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