(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の下面を洗浄する基板洗浄装置であって、
鉛直方向に沿う回転軸線の周りで回転可能に設けられる回転部材と、
前記回転部材を回転させる回転駆動装置と、
前記回転部材とともに回転可能に構成され、前記回転部材の下方で基板の外周端部に当接することにより基板を保持する保持部材と、
前記保持部材により保持される基板の上面上の空間を覆うように前記回転部材に設けられ、前記回転軸線を含む位置に開口を有する遮断部材と、
前記保持部材により保持される基板の上面に前記開口を通して気体を供給する気体供給機構と、
前記保持部材により保持される基板の下面を洗浄する洗浄機構とを備え、
前記遮断部材は、
前記開口の周囲で前記保持部材により保持された基板の上面に対向する対向下面と、
前記保持部材により保持された基板の上面における外周縁部に沿った環状領域に対向するように前記対向下面の周囲に形成された環状の下端部とを有し、
前記保持部材により保持された基板の上面と前記対向下面との間隔は、前記保持部材により保持された基板の上面と前記下端部との間隔よりも大きい、基板洗浄装置。
【請求項２】
前記気体供給機構は、前記開口を通るように設けられる気体供給管を含み、
前記気体供給管は、前記気体を吐出する吐出口が形成された吐出下端部を有し、
前記保持部材により保持された基板の上面と前記気体供給管の前記吐出下端部との間隔は、前記保持部材により保持された基板の上面と前記下端部との間隔よりも大きい、請求項１記載の基板洗浄装置。
【請求項３】
前記遮断部材は、
前記回転部材に取り付けられ、前記対向下面を有するとともに前記開口が形成された第１の部材と、
前記下端部を有する環状の第２の部材とを含み、
前記第２の部材は、前記下端部が前記第１の部材よりも下方に位置するように前記第１の部材に設けられ、
前記第１の部材は、前記保持部材を支持する、請求項１または２記載の基板洗浄装置。
【請求項４】
前記第２の部材は、
前記第１の部材に取り付けられる上端部をさらに有し、
前記第２の部材の内周面は、
前記上端部から前記下端部に向かって内径が漸次増加するように傾斜する、請求項３記載の基板洗浄装置。
【請求項５】
前記回転部材に取り付けられ、前記保持部材を支持するための支持部材をさらに備え、
前記遮断部材は、
前記支持部材の下側に設けられ、前記対向下面を有するとともに前記開口が形成された第３の部材と、
前記下端部を有する環状の第４の部材とを含み、
前記第４の部材は、前記下端部が前記第３の部材よりも下方に位置するように前記第３の部材に設けられる、請求項１または２記載の基板洗浄装置。
【請求項６】
前記第４の部材は、
前記第３の部材に取り付けられる上端部をさらに有し、
前記第４の部材の内周面は、前記上端部から前記下端部に向かって内径が漸次増加するように傾斜する、請求項５記載の基板洗浄装置。
【請求項７】
前記洗浄機構は、
前記保持部材により保持される基板の下面を洗浄するブラシを含み、
前記ブラシには、基板の下面に当接可能な突出部が形成され、
前記突出部は、上端部に向かって漸次減少する縦断面を有する、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板洗浄装置。
【請求項８】
前記洗浄機構は、前記保持部材により保持される基板の下面に向かって下方から洗浄液を吐出する洗浄液吐出ノズルを含み、
前記洗浄機構を基板の下面に対向する位置と基板の下面に対向しない予め定められた待機位置との間で移動させる洗浄機構移動装置と、
前記待機位置の上方に設けられ、前記洗浄機構が前記待機位置にある場合に、前記洗浄機構の前記洗浄液吐出ノズルから吐出される洗浄液を受けるように構成された液受け部材とをさらに備える、請求項１〜７のいずれか一項に記載の基板洗浄装置。
【請求項９】
露光装置に隣接するように配置され、基板に処理を行う基板処理装置であって、
基板に処理を行うための処理部と、
前記処理部と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、
前記処理部および前記受け渡し部の少なくとも一方は、基板の下面を洗浄する請求項１〜８のいずれか一項に記載の基板洗浄装置とを含む、基板処理装置。
【請求項１０】
前記処理部は、基板の上面に感光性材料からなる感光性膜を形成するように構成された感光性膜形成ユニットを含み、
前記基板洗浄装置は、前記感光性膜形成ユニットによる感光性膜の形成後であって前記露光装置による露光処理前または露光処理後の基板の下面を洗浄するように構成された、請求項９記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板洗浄装置およびそれを備えた基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。
【０００３】
このような基板処理装置においては、例えばスピンチャックにより基板が保持された状態で、基板の洗浄処理が行われる。スピンチャックとしては、基板の外周端部を保持する端面保持式のスピンチャックがある（例えば特許文献１参照）。
【０００４】
特許文献１に記載のスピンチャックは、主としてスピンモータ、回転軸、スピンプレート、遮断板および複数の保持部から構成される。
【０００５】
スピンモータの内部から下方に延びるように回転軸が設けられ、回転軸の下端部に円板形状を有するスピンプレートが取り付けられる。スピンプレートの下面に円板形状を有する遮断板が取り付けられる。スピンプレートの下方へ延びるように、複数の保持部がスピンプレートの外周縁部に取り付けられる。複数の保持部により基板が保持された状態で、保持された基板の上面が遮断板の下面に近づく。スピンプレートが鉛直軸の周りで回転することにより基板が水平姿勢で回転する。この状態で、基板の裏面がブラシ等により洗浄される。裏面洗浄処理の終了後、基板が高い速度で回転する。それにより、基板に付着する洗浄液が振り切られ、基板が乾燥する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−２６００３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
裏面洗浄処理時および乾燥処理時に基板が高い速度で回転すると、基板の中心部から基板の外周端部に向かう気流が発生し、遮断板と基板との間の空間が負圧になる。この場合、中央部分が遮断板に近づくように基板が変形する。そのため、遮断板と基板との間の間隔を小さくすると、基板の上面が遮断板に接触し、基板が損傷する可能性がある。このような理由から、遮断板と基板との間隔を小さくすることはできない。しかしながら、遮断板と基板との間隔が大きいと、裏面洗浄処理時および乾燥処理時に発生する洗浄液のミスト（微小液滴）または処理室内に飛散するパーティクル等が基板の上面に付着する可能性がある。
【０００８】
本発明の目的は、基板の損傷を防止するとともに基板の上面を清浄に保ちつつ基板の下面を洗浄することを可能にする基板洗浄装置および基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
（１）第１の発明に係る基板洗浄装置は、基板の下面を洗浄する基板洗浄装置であって、鉛直方向に沿う回転軸線の周りで回転可能に設けられる回転部材と、回転部材を回転させる回転駆動装置と、回転部材とともに回転可能に構成され、回転部材の下方で基板の外周端部に当接することにより基板を保持する保持部材と、保持部材により保持される基板の上面上の空間を覆うように回転部材に設けられ、回転軸線を含む位置に開口を有する遮断部材と、保持部材により保持される基板の上面に開口を通して気体を供給する気体供給機構と、保持部材により保持される基板の下面を洗浄する洗浄機構とを備え、遮断部材は、開口の周囲で保持部材により保持された基板の上面に対向する対向下面と、保持部材により保持された基板の上面における外周縁部に沿った環状領域に対向するように対向下面の周囲に形成された環状の下端部とを有し、保持部材により保持された基板の上面と対向下面との間隔は、保持部材により保持された基板の上面と下端部との間隔よりも大きいものである。
【００１０】
その基板洗浄装置においては、回転部材の下方で保持部材が基板の外周端部に当接することにより基板が保持される。保持部材により保持される基板の上面上の空間は、遮断部材により覆われる。回転駆動装置により回転部材が回転されることにより、保持部材により保持された基板が回転部材とともに回転する。この状態で、遮断部材の開口を通して基板の上面に気体が供給され、基板の下面が洗浄機構により洗浄される。
【００１１】
この場合、基板の環状領域の内側の領域と遮断部材の対向下面とが対向し、基板の環状領域と遮断部材の下端部とが対向する。保持部材により保持される基板が回転すると、保持部材により保持される基板の上面と遮断部材との間の雰囲気が、遮断部材の下端部と基板の上面との間の隙間を通して基板の側方の空間へ流れ出る。それにより、基板の上面上の空間が負圧になる。保持部材により保持される基板の回転速度が高くなるにつれて、基板の環状領域の内側の領域が遮断部材の対向下面に近づくように大きく湾曲する。
【００１２】
このような場合でも、基板の上面と遮断部材の対向下面との間隔が、基板の上面と遮断部材の下端部との間隔よりも大きいので、基板の環状領域の内側の領域が遮断部材の対向下面に接触しない。一方、保持部材が基板の外周端部に当接することにより基板が保持されるので、基板の環状領域は遮断部材の下端部に接触しない。
【００１３】
また、基板の上面と遮断部材の下端部との間隔が、基板の上面と遮断部材の対向下面との間隔よりも小さいので、基板の上面と遮断部材の下端部との間の隙間から遮断部材の対向下面に対向する基板の上面上の空間に処理液の液滴またはパーティクル等を含む雰囲気が流入することが防止される。
【００１４】
これらの結果、基板の上面が遮断部材に接触することによる基板の損傷の発生を防止するとともに基板の上面を清浄に保ちつつ基板の下面を洗浄することが可能になる。
【００１５】
（２）気体供給機構は、開口を通るように設けられる気体供給管を含み、気体供給管は、気体を吐出する吐出口が形成された吐出下端部を有し、保持部材により保持された基板の上面と気体供給管の吐出下端部との間隔は、保持部材により保持された基板の上面と下端部との間隔よりも大きくてもよい。
（３）遮断部材は、回転部材に取り付けられ、対向下面を有するとともに開口が形成された第１の部材と、下端部を有する環状の第２の部材とを含み、第２の部材は、下端部が第１の部材よりも下方に位置するように第１の部材に設けられ、保持部材は、第１の部材は、保持部材を支持してもよい。
【００１６】
この場合、第１の部材が保持部材を支持するので、保持部材とともに回転させるための構成を別途設ける必要がない。それにより、基板洗浄装置の部品点数の増加を抑制することが可能になる。また、第１の部材に第２の部材を設けることにより遮断部材を容易に作製することができる。
【００１７】
（４）第２の部材は、第１の部材に取り付けられる上端部をさらに有し、第２の部材の内周面は、上端部から下端部に向かって内径が漸次増加するように傾斜してもよい。
【００１８】
この場合、保持部材により保持される基板の上面と遮断部材との間の雰囲気が、第１の部材の対向下面および第２の部材の内周面に沿って遮断部材の下端部と基板の上面との間の隙間に円滑に導かれる。その結果、基板の上面上に乱流が発生しないので、保持部材による基板の保持状態の安定性が確保されるとともに基板の上面が乱流の影響を受けることが防止される。
【００１９】
（５）基板洗浄装置は、回転部材に取り付けられ、保持部材を支持するための支持部材をさらに備え、遮断部材は、支持部材の下側に設けられ、対向下面を有するとともに開口が形成された第３の部材と、下端部を有する環状の第４の部材とを含み、第４の部材は、下端部が第３の部材よりも下方に位置するように第３の部材に設けられてもよい。
【００２０】
この場合、保持部材が支持部材により支持され、支持部材の下側に第３の部材が設けられる。それにより、保持部材により保持される基板の上面と第３の部材の対向下面との間隔を、基板の上面と支持部材との間隔に比べて小さくすることができる。また、第３の部材に第４の部材を設けることにより遮断部材を容易に作製することができる。
【００２１】
（６）第４の部材は、第３の部材に取り付けられる上端部をさらに有し、第４の部材の内周面は、上端部から下端部に向かって内径が漸次増加するように傾斜してもよい。
【００２２】
この場合、保持部材により保持される基板の上面と遮断部材との間の雰囲気が、第３の部材の対向下面および第４の部材の内周面に沿って遮断部材の下端部と基板の上面との間の隙間に円滑に導かれる。その結果、基板の上面上に乱流が発生しないので、保持部材による基板の保持状態の安定性が確保されるとともに基板の上面が乱流の影響を受けることが防止される。
【００２３】
（７）洗浄機構は、保持部材により保持される基板の下面を洗浄するブラシを含み、ブラシには、基板の下面に当接可能な突出部が形成され、突出部は、上端部に向かって漸次減少する横断面を有してもよい。
【００２４】
この場合、突出部の横断面が上端部に向かって漸次減少するので、突出部を基板の下面に当接させる場合に、突出部を有しないブラシを基板の下面に押し当てる場合に比べてブラシと基板との接触面積を小さくすることができる。
【００２５】
それにより、ブラシから基板の下面に作用させる押圧力を小さくすることができる。その結果、基板の下面の洗浄時に、基板がずれるまたは変形することが防止される。
【００２６】
また、ブラシにおける基板との接触面積を小さくすることができるので、基板の下面の洗浄時に、ブラシに付着するパーティクルの数を低減することができる。それにより、ブラシから基板に転写されるパーティクルの数を低減することができる。
【００２７】
さらに、ブラシと基板との接触面積を小さくすることができるので、基板の下面の洗浄時に、ブラシと基板との間に作用する摩擦力を小さくすることができる。それにより、保持部材により保持される基板が保持力に抗してずれることが防止される。
【００２８】
（８）洗浄機構は、保持部材により保持される基板の下面に向かって下方から洗浄液を吐出する洗浄液吐出ノズルを含み、基板洗浄装置は、洗浄機構を基板の下面に対向する位置と基板の下面に対向しない予め定められた待機位置との間で移動させる洗浄機構移動装置と、待機位置の上方に設けられ、洗浄機構が待機位置にある場合に、洗浄機構の洗浄液吐出ノズルから吐出される洗浄液を受けるように構成された液受け部材とをさらに備えてもよい。
【００２９】
この場合、洗浄機構移動装置が洗浄機構を待機位置から基板の下面に対向する位置に移動させた後、基板の下面の洗浄が開始される。また、基板の下面の洗浄が終了した後、洗浄機構移動装置が洗浄機構を基板の下面に対向する位置から待機位置に移動させる。
【００３０】
基板の下面の洗浄が行われない間は、前回の洗浄時に用いられた洗浄液が洗浄液吐出ノズルの内部に残留する。このような場合でも、待機位置の上方には液受け部材が設けられるので、洗浄機構が待機位置にある状態で洗浄液吐出ノズルから洗浄液を吐出することが可能である。洗浄液吐出ノズルから洗浄液が吐出されることにより、洗浄液吐出ノズルの内部に残留する洗浄液が新たな洗浄液で置換される。その結果、洗浄液吐出ノズルの内部にバクテリアが発生することを防止することが可能となる。
【００３１】
（９）第２の発明に係る基板処理装置は、露光装置に隣接するように配置され、基板に処理を行う基板処理装置であって、基板に処理を行うための処理部と、処理部と露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、処理部および受け渡し部の少なくとも一方は、基板の下面を洗浄する上記の基板洗浄装置とを含むものである。
【００３２】
その基板処理装置においては、処理部により基板に所定の処理が行われ、受け渡し部により処理部と露光装置との間で基板の受け渡しが行われる。処理部および受け渡し部の少なくとも一方には、上記の基板洗浄装置が含まれる。
【００３３】
その基板洗浄装置においては、基板の上面が遮断部材に接触することによる基板の損傷の発生を防止するとともに基板の上面を清浄に保ちつつ基板の下面を洗浄することが可能である。それにより、基板の損傷を防止しつつ上面および下面が汚染されることに起因する基板の処理不良の発生を防止することができる。
【００３４】
（１０）処理部は、基板の上面に感光性材料からなる感光性膜を形成するように構成された感光性膜形成ユニットを含み、基板洗浄装置は、感光性膜形成ユニットによる感光性膜の形成後であって露光装置による露光処理前または露光処理後の基板の下面を洗浄するように構成されてもよい。
【００３５】
この場合、感光性膜形成ユニットによる感光性膜の形成後であって露光装置による露光処理前または露光処理後の基板の下面が基板洗浄装置により洗浄される。基板洗浄装置による基板の洗浄時には基板の上面が遮断部材に接触することが防止されるとともに基板の上面が清浄に保たれる。それにより、基板の上面に形成される感光性膜の変形および汚染が防止される。
【発明の効果】
【００３６】
本発明によれば、基板の損傷を防止するとともに基板の上面を清浄に保ちつつ基板の下面を洗浄することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。
【図２】図１の基板処理装置の一方の概略側面図である。
【図３】図１の基板処理装置の他方の概略側面図である。
【図４】図１の露光装置の位置から見たインターフェースブロックの概略側面図である。
【図５】裏面洗浄処理ユニットの構成を示す側面図である。
【図６】裏面洗浄処理ユニットの構成を示す概略平面図である。
【図７】スピンチャックの一例を示す縦断面図である。
【図８】図７（ａ）の基板をスピンプレートの位置から見た平面図である。
【図９】主として図５の流体供給管の構造を示す縦断面図である。
【図１０】（ａ）は図５の流体供給管の先端部近傍の構造を示す拡大縦断面図であり、（ｂ）は（ａ）の矢印ＹＡから見た流体供給管の先端部の平面図である。
【図１１】スピンチャックによる基板の保持動作を説明するための図である。
【図１２】スピンチャックによる基板の保持動作を説明するための図である。
【図１３】基板の裏面洗浄処理について説明するための側面図である。
【図１４】基板の裏面洗浄処理について説明するための側面図である。
【図１５】スピンチャックの他の構成例を示す縦断面図である。
【図１６】図５の洗浄ブラシの詳細を説明するための図である。
【図１７】（ａ）は主としてスピンチャックおよび洗浄機構を示す筐体内の概略平面図であり、（ｂ）は図５の洗浄機構カバーの働きを説明するための側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３８】
以下、本発明の実施の形態に係る基板洗浄装置およびそれを備えた基板処理装置について図面を用いて説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等をいう。本実施の形態では、基板洗浄装置の一例として、露光処理前の基板の裏面の洗浄処理を行う裏面洗浄処理ユニットを説明する。
【００３９】
（１）基板処理装置の構成
図１は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。なお、図１ならびに後述する図２〜図４には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。
【００４０】
図１に示すように、基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２およびインターフェースブロック１５を含む。また、インターフェースブロック１５に隣接するように露光装置１６が配置される。露光装置１６においては、基板Ｗに露光処理が行われる。
【００４１】
インデクサブロック９は、メインコントローラ（制御部）３０、複数のキャリア載置台４０およびインデクサロボットＩＲを含む。メインコントローラ３０は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２およびインターフェースブロック１５の動作を制御する。インデクサロボットＩＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＩＲＨが設けられる。
【００４２】
反射防止膜用処理ブロック１０は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１、反射防止膜用塗布処理部５０および第１のセンターロボットＣＲ１を含む。反射防止膜用塗布処理部５０は、第１のセンターロボットＣＲ１を挟んで反射防止膜用熱処理部１００，１０１に対向して設けられる。第１のセンターロボットＣＲ１には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２が上下に設けられる。
【００４３】
インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間には、雰囲気遮断用の隔壁１７が設けられる。この隔壁１７には、インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ１は、基板Ｗをインデクサブロック９から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からインデクサブロック９へ搬送する際に用いられる。
【００４４】
また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示せず）が設けられている。それにより、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２において基板Ｗが載置されているか否かの判定を行うことが可能となる。また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、固定設置された複数本の支持ピンが設けられている。なお、上記の光学式のセンサおよび支持ピンは、後述する基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ９にも同様に設けられる。
【００４５】
レジスト膜用処理ブロック１１は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１、レジスト膜用塗布処理部６０および第２のセンターロボットＣＲ２を含む。レジスト膜用塗布処理部６０は、第２のセンターロボットＣＲ２を挟んでレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に対向して設けられる。第２のセンターロボットＣＲ２には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ３，ＣＲＨ４が上下に設けられる。
【００４６】
反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間には、雰囲気遮断用の隔壁１８が設けられる。この隔壁１８には、反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ３は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられる。
【００４７】
現像処理ブロック１２は、現像用熱処理部１２０、露光後ベーク用熱処理部１２１、現像処理部７０および第３のセンターロボットＣＲ３を含む。露光後ベーク用熱処理部１２１はインターフェースブロック１５に隣接し、後述するように、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８を備える。現像処理部７０は第３のセンターロボットＣＲ３を挟んで現像用熱処理部１２０および露光後ベーク用熱処理部１２１に対向して設けられる。第３のセンターロボットＣＲ３には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ５，ＣＲＨ６が上下に設けられる。
【００４８】
レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間には、雰囲気遮断用の隔壁１９が設けられる。この隔壁１９には、レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ５は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられる。
【００４９】
インターフェースブロック１５は、送りバッファ部ＳＢＦ、裏面洗浄処理ユニットＢＣ、第４のセンターロボットＣＲ４、エッジ露光部ＥＥＷ、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰＡＳＳ−ＣＰ（以下、Ｐ−ＣＰと略記する）、基板載置部ＰＡＳＳ９およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲを含む。
【００５０】
裏面洗浄処理ユニットＢＣは、露光処理前の基板Ｗの裏面の洗浄処理（以下、裏面洗浄処理と呼ぶ）を行う。この裏面洗浄処理ユニットＢＣによれば、基板Ｗの損傷の発生を防止するとともに基板Ｗの上面を清浄に保ちつつ基板Ｗの下面を洗浄することが可能である。裏面洗浄処理ユニットＢＣの詳細については後述する。
【００５１】
ここで、基板Ｗの上面とは上方に向けられた基板Ｗの面をいい、基板Ｗの下面とは下方に向けられた基板Ｗの面をいう。また、基板Ｗの表面とは、反射防止膜用処理ブロック１０およびレジスト膜用処理ブロック１１において反射防止膜およびレジスト膜が形成される面（主面）をいい、基板Ｗの裏面とは、その反対側の面をいう。本実施の形態に係る基板処理装置５００の内部では、基板Ｗの表面が上方に向けられた状態で、基板Ｗに各種の処理が行われる。
【００５２】
第４のセンターロボットＣＲ４には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ７，ＣＲＨ８（図４）が上下に設けられ、インターフェース用搬送機構ＩＦＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＨ１，Ｈ２（図４）が上下に設けられる。インターフェースブロック１５の詳細については後述する。
【００５３】
本実施の形態に係る基板処理装置５００においては、Ｙ方向に沿ってインデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２およびインターフェースブロック１５が順に並設されている。
【００５４】
図２は、図１の基板処理装置５００の一方の概略側面図であり、図３は、図１の基板処理装置５００の他方の概略側面図である。なお、図２においては、基板処理装置５００の一側方に設けられるものを主に示し、図３においては、基板処理装置５００の他側方に設けられるものを主に示している。
【００５５】
まず、図２を用いて、基板処理装置５００の構成について説明する。図２に示すように、反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用塗布処理部５０（図１）には、３個の塗布ユニットＢＡＲＣが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＢＡＲＣは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック５１およびスピンチャック５１上に保持された基板Ｗに反射防止膜の塗布液を供給する供給ノズル５２を備える。
【００５６】
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用塗布処理部６０（図１）には、３個の塗布ユニットＲＥＳが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＲＥＳは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック６１およびスピンチャック６１上に保持された基板Ｗにレジスト膜の塗布液を供給する供給ノズル６２を備える。
【００５７】
現像処理ブロック１２の現像処理部７０（図１）には、５個の現像処理ユニットＤＥＶが上下に積層配置されている。各現像処理ユニットＤＥＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック７１およびスピンチャック７１上に保持された基板Ｗに現像液を供給する供給ノズル７２を備える。
【００５８】
インターフェースブロック１５内の一側方側には、エッジ露光部ＥＥＷが配置されている。エッジ露光部ＥＥＷは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９８およびスピンチャック９８上に保持された基板Ｗの外周縁部を露光する光照射器９９を備える。
【００５９】
次に、図３を用いて、基板処理装置５００の構成について説明する。図３に示すように、反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、２個の加熱ユニット（ホットプレート）ＨＰおよび２個の冷却ユニット（クーリングプレート）ＣＰがそれぞれ積層配置される。また、反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００６０】
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００６１】
現像処理ブロック１２の現像用熱処理部１２０には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが積層配置され、露光後ベーク用熱処理部１２１には２個の加熱ユニットＨＰ、２個の冷却ユニットＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が上下に積層配置される。また、現像用熱処理部１２０および露光後ベーク用熱処理部１２１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００６２】
次に、図４を用いてインターフェースブロック１５について詳細に説明する。図４は、図１の露光装置１６の位置から見たインターフェースブロック１５の概略側面図である。図４に示すように、インターフェースブロック１５内において、一側方には、送りバッファ部ＳＢＦおよび３個の裏面洗浄処理ユニットＢＣが積層配置される。また、インターフェースブロック１５内において、他側方の上部には、エッジ露光部ＥＥＷが配置される。エッジ露光部ＥＥＷのさらに上部には、主として裏面洗浄処理ユニットＢＣ、エッジ露光部ＥＥＷ、第４のセンターロボットＣＲ４およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲの動作を制御するローカルコントローラＬＣが配置される。ローカルコントローラＬＣはメモリＭを含む。メモリＭには、インターフェースブロック１５内に設けられる各構成要素の動作を制御するための情報が記憶される。
【００６３】
エッジ露光部ＥＥＷの下方において、インターフェースブロック１５内の略中央部には、戻りバッファ部ＲＢＦ、２個の載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ９が上下に積層配置される。
【００６４】
また、インターフェースブロック１５内の下部には、第４のセンターロボットＣＲ４およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲが設けられている。第４のセンターロボットＣＲ４は、送りバッファ部ＳＢＦ、裏面洗浄処理ユニットＢＣ、エッジ露光部ＥＥＷ、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ９の間で鉛直方向に移動可能かつ回転可能に設けられている。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ９の間で鉛直方向に移動可能かつ回転可能に設けられている。
【００６５】
（２）基板処理装置の動作
次に、本実施の形態に係る基板処理装置５００の動作について図１〜図４を参照しながら説明する。
【００６６】
（２−１）インデクサブロックから現像処理ブロックまでの動作
まず、インデクサブロック９から現像処理ブロック１２までの動作について簡単に説明する。
【００６７】
インデクサブロック９のキャリア載置台４０の上には、複数枚の基板Ｗを多段に収納するキャリアＣが搬入される。インデクサロボットＩＲは、ハンドＩＲＨを用いてキャリアＣ内に収納された未処理の基板Ｗを取り出す。その後、インデクサロボットＩＲはＸ方向に移動しつつＺ方向に平行な軸の周りで回転移動し、未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。
【００６８】
基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された未処理の基板Ｗは、反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により受け取られる。第１のセンターロボットＣＲ１は、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。
【００６９】
その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用塗布処理部５０に搬入する。この反射防止膜用塗布処理部５０では、露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるために、塗布ユニットＢＡＲＣにより基板Ｗ上に反射防止膜が塗布形成される。
【００７０】
次に、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用塗布処理部５０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ３に載置する。
【００７１】
基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により受け取られる。第２のセンターロボットＣＲ２は、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。
【００７２】
その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用塗布処理部６０に搬入する。このレジスト膜用塗布処理部６０では、塗布ユニットＲＥＳにより反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジスト膜が塗布形成される。
【００７３】
次に、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用塗布処理部６０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５に載置する。
【００７４】
基板載置部ＰＡＳＳ５に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。
【００７５】
基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１５の第４のセンターロボットＣＲ４により受け取られ、後述するように、インターフェースブロック１５および露光装置１６において所定の処理が施される。インターフェースブロック１５および露光装置１６において基板Ｗに所定の処理が施された後、その基板Ｗは、第４のセンターロボットＣＲ４により現像処理ブロック１２の露光後ベーク用熱処理部１２１に搬入される。
【００７６】
露光後ベーク用熱処理部１２１においては、基板Ｗに対して露光後ベーク（ＰＥＢ）が行われる。その後、第４のセンターロボットＣＲ４は、露光後ベーク用熱処理部１２１から基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ８に載置する。
【００７７】
基板載置部ＰＡＳＳ８に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを現像処理部７０に搬入する。現像処理部７０においては、露光された基板Ｗに対して現像処理が施される。
【００７８】
次に、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像処理部７０から現像処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを現像用熱処理部１２０に搬入する。その後、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像用熱処理部１２０から熱処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６に載置する。
【００７９】
基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により基板載置部ＰＡＳＳ４に載置される。基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗは反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により基板載置部ＰＡＳＳ２に載置される。
【００８０】
基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗは、インデクサブロック９のインデクサロボットＩＲによりキャリアＣ内に収納される。これにより、基板処理装置５００における基板Ｗの各処理が終了する。
【００８１】
（２−２）インターフェースブロックの動作
次に、インターフェースブロック１５の動作について詳細に説明する。
【００８２】
上述したように、インデクサブロック９に搬入された基板Ｗは、所定の処理を施された後、現像処理ブロック１２（図１）の基板載置部ＰＡＳＳ７に載置される。
【００８３】
基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１５の第４のセンターロボットＣＲ４により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、その基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷ（図４）に搬入する。このエッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの外周縁部に露光処理が施される。
【００８４】
次に、第４のセンターロボットＣＲ４は、エッジ露光部ＥＥＷからエッジ露光済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを裏面洗浄処理ユニットＢＣのいずれかに搬入する。裏面洗浄処理ユニットＢＣにおいては、上述したように露光処理前の基板Ｗに裏面洗浄処理が施される。
【００８５】
露光装置１６による露光処理の時間は、通常、他の処理工程および搬送工程よりも長い。その結果、露光装置１６が後の基板Ｗの受け入れをできない場合が多い。この場合、基板Ｗは送りバッファ部ＳＢＦ（図４）に一時的に収納保管される。本実施の形態では、第４のセンターロボットＣＲ４は、裏面洗浄処理ユニットＢＣから裏面洗浄処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを送りバッファ部ＳＢＦに搬送する。
【００８６】
次に、第４のセンターロボットＣＲ４は、送りバッファ部ＳＢＦに収納保管されている基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに搬入する。載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに搬入された基板Ｗは、露光装置１６内と同じ温度（例えば、２３℃）に維持される。
【００８７】
なお、露光装置１６が十分な処理速度を有する場合には、送りバッファ部ＳＢＦに基板Ｗを収納保管せずに、裏面洗浄処理ユニットＢＣから載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに基板Ｗを搬送してもよい。
【００８８】
続いて、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰで上記所定温度に維持された基板Ｗが、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの上側のハンドＨ１（図４）により受け取られ、露光装置１６内の基板搬入部１６ａ（図１）に搬入される。
【００８９】
露光装置１６において露光処理が施された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲにより基板搬出部１６ｂ（図１）から搬出される。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９に載置する。
【００９０】
基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された基板Ｗは、第４のセンターロボットＣＲ４により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、その基板Ｗを現像処理ブロック１２（図１）の露光後ベーク用熱処理部１２１に搬送する。
【００９１】
なお、現像処理ユニットＤＥＶ（図２）の故障等により、現像処理ブロック１２が一時的に基板Ｗの受け入れをできないときは、戻りバッファ部ＲＢＦに露光処理後の基板Ｗを一時的に収納保管することができる。
【００９２】
（３）裏面洗浄処理ユニット
次に、裏面洗浄処理ユニットＢＣについて図面を用いて詳細に説明する。図５および図６は、それぞれ裏面洗浄処理ユニットＢＣの構成を示す側面図および概略平面図である。図６には、裏面洗浄処理ユニットＢＣの一部の構成要素が模式的に示される。裏面洗浄処理ユニットＢＣは、略直方体形状を有する筐体９００を備え、その筐体９００の内部に以下の構成要素が設けられる。
【００９３】
図５および図６に示すように、裏面洗浄処理ユニットＢＣは、基板Ｗを水平に保持して回転させるスピンチャック６００を備える。スピンチャック６００は、スピンモータ２００、回転軸２１０、円板形状を有するスピンプレート５２０、プレート支持部材５１０、円環状部材５２５、マグネットプレート６１４ａ，６１４ｂおよび複数の基板保持機構７００を含む。
【００９４】
裏面洗浄処理ユニットＢＣの上部にスピンモータ２００が設けられる。スピンモータ２００は、モータ支持部材２００ｓにより支持される。モータ支持部材２００ｓには、鉛直方向に延びる貫通孔２００ｈが形成されている。モータ支持部材２００ｓは、モータ固定部２９０に取り付けられる。モータ固定部２９０は、裏面洗浄処理ユニットＢＣの筐体９００に取り付けられる。
【００９５】
スピンモータ２００の内部から下方に延びるように円筒形状を有する回転軸２１０が設けられている。回転軸２１０はスピンモータ２００の出力軸として機能する。
【００９６】
回転軸２１０の下端部にはプレート支持部材５１０が取り付けられている。後述するように、プレート支持部材５１０は円筒形状を有する。プレート支持部材５１０によりスピンプレート５２０が水平に支持されている。スピンプレート５２０の下面５２０ｕに円環状部材５２５が取り付けられている。スピンプレート５２０および円環状部材５２５の詳細は後述する。スピンモータ２００によって回転軸２１０が回転することにより、プレート支持部材５１０、スピンプレート５２０および円環状部材５２５が鉛直軸の周りで一体的に回転する。スピンプレート５２０の中央部には、円形の開口５２０ｏが形成されている。
【００９７】
モータ支持部材２００ｓの貫通孔２００ｈ、スピンモータ２００の回転軸２１０の内部、およびプレート支持部材５１０の内部には、流体供給管４００が挿通されている。流体供給管４００を通して、スピンチャック６００により保持される基板Ｗ上に液体および気体を供給することができる。流体供給管４００およびその周辺部材の構造の詳細は後述する。
【００９８】
スピンプレート５２０の外周縁部には、複数（図６においては５つ）の基板保持機構７００が回転軸２１０を中心として等角度間隔で設けられている。基板保持機構７００の個数は、５つ以上であることが望ましい。その理由については後述する。
【００９９】
各基板保持機構７００は、主として保持ピン７１０、支持部７２０、軸部７３０およびマグネット７９０から構成される。スピンプレート５２０に支持部７２０が設けられている。支持部７２０の内部で軸部７３０が回転可能に支持されている。軸部７３０の下端部に、略円柱形状を有する保持ピン７１０が取り付けられている。軸部７３０の上端部にマグネット７９０が取り付けられている。
【０１００】
各基板保持機構７００は、保持ピン７１０が基板Ｗの外周端部に当接する閉状態と、保持ピン７１０が基板Ｗの外周端部から離間する開状態とに切替可能である。本例では、マグネット７９０のＮ極が内側にある場合に各基板保持機構７００が閉状態となり、マグネット７９０のＳ極が内側にある場合に各基板保持機構７００が開状態となる。なお、図６では、基板保持機構７００における保持ピン７１０と軸部７３０との位置関係を明確にするため、支持部７２０およびマグネット７９０の図示を省略している。
【０１０１】
スピンプレート５２０の上方には、回転軸２１０を中心とする周方向に沿ってマグネットプレート６１４ａ，６１４ｂが配置される。マグネットプレート６１４ａ，６１４ｂは、外側にＳ極を有し、内側にＮ極を有する。マグネットプレート６１４ａ，６１４ｂは、マグネット昇降機構６１７ａ，６１７ｂによってそれぞれ独立に昇降し、基板保持機構７００のマグネット７９０よりも高い上方位置と基板保持機構７００のマグネット７９０とほぼ等しい高さの下方位置との間で移動する。
【０１０２】
マグネットプレート６１４ａ，６１４ｂの昇降により、各基板保持機構７００が開状態と閉状態とに切り替えられる。マグネットプレート６１４ａ，６１４ｂおよび基板保持機構７００の動作の詳細については後述する。
【０１０３】
スピンチャック６００の外方には、基板Ｗの裏面洗浄処理時および乾燥処理時に基板Ｗから飛散する洗浄液を受け止めるためのガード６１８が設けられている。ガード６１８は、スピンチャック６００の回転軸２１０に関して回転対称な形状を有する。また、ガード６１８は、ガード昇降機構６１８ａにより昇降する。ガード６１８により受け止められた洗浄液は、図示しない排液装置または回収装置により排液または回収される。
【０１０４】
ガード６１８の外方には、３つ以上（本例では３つ）の基板受け渡し機構６２０がスピンチャック６００の回転軸２１０を中心として等角度間隔で配置されている。各基板受け渡し機構６２０は、昇降回転駆動部６２１、回転軸６２２、アーム６２３および保持ピン６２４を含む。昇降回転駆動部６２１から上方に延びるように回転軸６２２が設けられ、回転軸６２２の上端部から水平方向に延びるようにアーム６２３が連結されている。アーム６２３の先端部に、基板Ｗの外周端部を保持するための保持ピン６２４が設けられている。
【０１０５】
昇降回転駆動部６２１により、回転軸６２２が昇降動作および回転動作を行う。それにより、保持ピン６２４が水平方向および鉛直方向に移動する。
【０１０６】
また、図５に示すように、裏面洗浄処理ユニットＢＣの下部には、洗浄ブラシ６３０が配置されている。洗浄ブラシ６３０は支持軸６３５の上端部に取り付けられている。支持軸６３５の下端部がブラシ保持部材６３１上に取り付けられている。ブラシ保持部材６３１は、ブラシ移動機構６３２によって駆動される。それにより、洗浄ブラシ６３０が水平方向および鉛直方向に移動する。
【０１０７】
洗浄ブラシ６３０の近傍におけるブラシ保持部材６３１の部分には洗浄ノズル６３３が取り付けられている。洗浄ノズル６３３は洗浄液供給管（図示せず）を通して筐体９００の内部に設けられた洗浄液供給部６３９に接続されている。洗浄液供給部６３９は、工場内の洗浄液供給源に接続されている。洗浄液供給部６３９は制御バルブ等を含み、例えばインターフェースブロック１５に設けられたローカルコントローラＬＣ（図４）により制御される。
【０１０８】
洗浄ノズル６３３の吐出口は洗浄ブラシ６３０の周辺に向けられており、吐出口から洗浄ブラシ６３０の周辺に向けて洗浄液が吐出される。なお、本例では洗浄液として純水が用いられる。以下の説明では、洗浄ブラシ６３０、支持軸６３５および洗浄ノズル６３３からなる構成要素を洗浄機構６３０Ｍと呼ぶ。
【０１０９】
筐体９００の内部において、ガード６１８の外方には、基板Ｗの裏面洗浄処理が行われない間、洗浄機構６３０Ｍを待機させるための洗浄機構待機位置６３０Ｐが定められている。洗浄機構待機位置６３０Ｐの上方には、洗浄機構待機位置６３０Ｐで待機する洗浄機構６３０Ｍの洗浄ノズル６３３から吐出される純水を受けるように洗浄機構カバー２７１が設けられている。洗浄機構カバー２７１は、カバー固定部２７０に取り付けられる。カバー固定部２７０は、裏面洗浄処理ユニットＢＣの筐体９００に取り付けられる。洗浄機構カバー２７１の詳細については後述する。
【０１１０】
洗浄機構待機位置６３０Ｐの下方には、洗浄機構カバー２７１によって受け止められた洗浄液を基板処理装置５００の外部に排出するための排液部６４０が設けられている。排液部６４０は、工場内の排液設備に接続されている。
【０１１１】
（４）スピンチャックの一例
図７（ａ），（ｂ）は、スピンチャック６００の一例を示す縦断面図である。図７（ａ）においては、スピンチャック６００の縦断面図とともにスピンプレート５２０が回転していない状態で保持される基板Ｗが示される。一方、図７（ｂ）においては、スピンチャック６００の縦断面図とともにスピンプレート５２０が、例えば６００ｒｐｍ以上の回転速度で回転している状態で保持される基板Ｗが示される。
【０１１２】
まず、円環状部材５２５の構造を説明する。図７（ａ）に示すように、本例の円環状部材５２５は、鉛直方向に一定の高さ５２５Ｈを有する。円環状部材５２５の上端部５２５ａがスピンプレート５２０の下面５２０ｕに取り付けられる。円環状部材５２５の内径が上端部５２５ａから下端部５２５ｃに向かって漸次径大となるように、円環状部材５２５の内周面５２５ｂが連続的に傾斜している。
【０１１３】
図８は、図７（ａ）の基板Ｗをスピンプレート５２０の位置から見た平面図である。図７（ａ）および図８に示すように、円環状部材５２５の下端部５２５ｃは、スピンチャック６００により保持された基板Ｗの上面における外周縁部に沿った環状領域Ｒ１に対向するように形成される。本例では、環状領域Ｒ１は、基板Ｗの上面における外周端部から一定幅ＷＤの領域に設定されている。
【０１１４】
基板Ｗの直径が３００ｍｍである場合に、幅ＷＤは、例えば１０ｍｍ以上１５ｍｍ以下に設定される。幅ＷＤは、基板Ｗの外周縁部におけるチップの非形成領域の幅とほぼ等しくなるように設定されてもよい。
【０１１５】
なお、環状領域Ｒ１は、基板Ｗの上面における外周端部から一定幅ＷＤの領域内に位置すればよい。例えば、基板Ｗの上面における外周端部から微小距離離間した位置から内側に向かって所定幅の領域に設定されてもよい。
【０１１６】
（５）図７（ａ），（ｂ）のスピンプレートおよび円環状部材による効果
（５−１）上記のように、円環状部材５２５の下端部５２５ｃがスピンプレート５２０よりも下方に位置するように、円環状部材５２５がスピンプレート５２０の下面５２０ｕに取り付けられる。この場合、スピンチャック６００により保持された基板Ｗの上面とスピンプレート５２０の下面５２０ｕとの間隔Ｇ２は、基板Ｗの上面と円環状部材５２５の下端部５２５ｃとの間隔Ｇ１よりも大きくなる。
【０１１７】
基板Ｗの直径が３００ｍｍである場合に、円環状部材５２５の高さ５２５Ｈは、例えば間隔Ｇ１が１ｍｍ程度になるようにかつ間隔Ｇ２が１８ｍｍ程度になるように設定される。
【０１１８】
図７（ｂ）および図８に示すように、基板Ｗを保持するスピンチャック６００が、例えば６００ｒｐｍ以上の回転速度で回転すると、基板Ｗの上面における環状領域Ｒ１の内側の領域（以下、中央領域と呼ぶ。）Ｒ２上の雰囲気が、円環状部材５２５の下端部５２５ｃと基板Ｗの環状領域Ｒ１との間の隙間を通して基板Ｗの側方の空間へ流れ出る。それにより、基板Ｗの中央領域Ｒ２上の空間が負圧になり、中央領域Ｒ２がスピンプレート５２０の下面５２０ｕに近づくように基板Ｗが湾曲する。
【０１１９】
基板Ｗの直径が３００ｍｍであり、スピンチャック６００が２０００ｒｐｍ以上の回転速度で回転する場合に、鉛直方向における基板Ｗの中心部ＷＣの上面位置と基板Ｗの外周縁部の上面位置との間の距離ＤＥは、例えば１．５ｍｍである。
【０１２０】
本例のスピンチャック６００においては、基板Ｗの中央領域Ｒ２とスピンプレート５２０の下面５２０ｕとの間隔Ｇ２が基板Ｗの環状領域Ｒ１と円環状部材５２５の下端部５２５ｃとの間隔Ｇ１よりも十分に大きいので、基板Ｗの中央領域Ｒ２はスピンプレート５２０に接触しない。一方、基板Ｗは外周端部に保持ピン７１０が当接することにより保持されるので、基板Ｗの環状領域Ｒ１は、円環状部材５２５の下端部５２５ｃに接触しない。
【０１２１】
また、本例のスピンチャック６００においては、基板Ｗの環状領域Ｒ１と円環状部材５２５の下端部５２５ｃとの間隔Ｇ１が基板Ｗの中央領域Ｒ２とスピンプレート５２０の下面５２０ｕとの間隔Ｇ２よりも十分小さく設定されている。それにより、後述する基板Ｗの裏面洗浄処理時および乾燥処理時に、基板Ｗの環状領域Ｒ１と円環状部材５２５の下端部５２５ｃとの間の隙間から基板Ｗの中央領域Ｒ２上の空間に洗浄液のミストおよびパーティクル等を含む雰囲気が流入することが防止される。
【０１２２】
これらの結果、基板Ｗの上面がスピンチャック６００に接触することによる基板Ｗの損傷の発生を防止するとともに、基板Ｗの上面を清浄に保ちつつ基板Ｗの下面を洗浄することが可能になる。
【０１２３】
（５−２）本例では、スピンチャック６００により保持される基板Ｗの上面上の空間がスピンプレート５２０および円環状部材５２５により覆われる。ここで、基板保持機構７００がスピンプレート５２０に設けられる。したがって、基板Ｗの上面上の空間を覆うための構成に加えて、基板保持機構７００を回転軸２１０とともに回転させるための構成を別途設ける必要がない。それにより、裏面洗浄処理ユニットＢＣの部品点数の増加が抑制される。また、スピンプレート５２０に円環状部材５２５を取り付けることにより、基板Ｗの上面上の空間を覆うための構成を容易に作製することができる。
【０１２４】
（５−３）上記のように、本例の円環状部材５２５の内周面５２５ｂは連続的に傾斜している。この場合、基板Ｗの中央領域Ｒ２上の雰囲気が、スピンプレート５２０の下面５２０ｕおよび円環状部材５２５の内周面５２５ｂに沿って円環状部材５２５の下端部５２５ｃと基板Ｗの上面との隙間に円滑に導かれる。その結果、基板Ｗの上面上に乱流が発生しないので、スピンチャック６００による基板Ｗの保持状態の安定性が確保されるとともに基板Ｗの上面に形成されたレジスト膜が乱流の影響を受けることが防止される。
【０１２５】
なお、円環状部材５２５の内径が上端部５２５ａから下端部５２５ｃに向かって漸次径大となるように、円環状部材５２５の内周面５２５ｂが階段状に形成されてもよい。この場合にも、上記と同様の効果を得ることができる。
【０１２６】
本実施の形態では、円環状部材５２５の内周面５２５ｂは必ずしも円環状部材５２５の内径が上端部５２５ａから下端部５２５ｃに向かって漸次径大となるように形成されなくてもよい。この場合、円環状部材５２５の構成が単純化する。
【０１２７】
（６）流体供給管の詳細
図５の流体供給管４００およびその周辺部材の構造の詳細を図９および図１０を参照しつつ説明する。図９は主として図５の流体供給管４００の構造を示す縦断面図である。図１０（ａ）は図５の流体供給管４００の先端部近傍の構造を示す拡大縦断面図であり、図１０（ｂ）は図１０（ａ）の矢印ＹＡから見た流体供給管４００の先端部の平面図である。
【０１２８】
上述のように、流体供給管４００は、モータ支持部材２００ｓ、スピンモータ２００、回転軸２１０およびプレート支持部材５１０に挿通されている。
【０１２９】
図９に示すように、流体供給管４００は、モータ支持部材２００ｓの上方で湾曲し、水平方向に延びている。以下の説明において、鉛直方向に延びる直管部の端部を先端部と呼び、水平方向に延びる直管部の端部を後端部と呼ぶ。
【０１３０】
流体供給管４００において、鉛直方向に延びる直管部の湾曲部近傍には、第１フランジＦＲ１が一体形成されている。また、後端部には第２フランジＦＲ２が一体形成されている。
【０１３１】
第１フランジＦＲ１がモータ支持部材２００ｓに固定され、第２フランジＦＲ２が管固定部２８０に固定される。管固定部２８０は、裏面洗浄処理ユニットＢＣの筐体９００に取り付けられる。これにより、流体供給管４００は、管固定部２８０、モータ支持部材２００ｓおよびモータ固定部２９０により、裏面洗浄処理ユニットＢＣの筐体９００に固定される。
【０１３２】
図１０（ａ），（ｂ）に示すように、流体供給管４００は、ガイド管４１０の内部に気体供給管４２０および液体供給管４３０が収容された構造を有する。気体供給管４２０は基板Ｗに気体（本例ではＮ２ガス）を供給するために用いられる。液体供給管４３０は基板Ｗに液体を供給するために用いられる。
【０１３３】
図１０（ａ）に示すように、気体供給管４２０は、その先端部がスピンプレート５２０の開口５２０ｏから僅かに下方に突出するように設けられる。これにより、円環状部材５２５と基板Ｗとの間にＮ２ガスを確実に供給することができる。同様に、液体供給管４３０は、その先端部がスピンプレート５２０の開口５２０ｏから僅かに下方に突出するように設けられる。これにより、円環状部材５２５と基板Ｗとの間に液体を確実に供給することができる。
【０１３４】
流体供給管４００の先端部の周辺部材について説明する。本例では、流体供給管４００が図９のモータ支持部材２００ｓおよび管固定部２８０に取り付けられた状態で、回転軸２１０とガイド管４１０との間に隙間ＧＡが形成されている。
【０１３５】
流体供給管４００の先端部近傍において、回転軸２１０には、略円筒形状を有するプレート支持部材５１０が取り付けられている。プレート支持部材５１０の内周面５１０ｈは、中心軸に沿って階段状に形成されている。
【０１３６】
プレート支持部材５１０を回転軸２１０に取り付ける際には、プレート支持部材５１０の内周面５１０ｈと回転軸２１０の外周面との間の隙間に円筒形状のパッド固定片５１２を嵌め込み、パッド固定片５１２をプレート支持部材５１０のねじ受け部５１１にネジ止めする。これにより、プレート支持部材５１０が回転軸２１０の先端部に確実に固定される。
【０１３７】
プレート支持部材５１０の下端部近傍には、フランジ５１０Ｆが形成されている。フランジ５１０Ｆとスピンプレート５２０とがネジ止めされることにより、スピンプレート５２０が回転軸２１０に固定される。
【０１３８】
図９に示すように、流体供給管４００の後端部には、上述のように第２フランジＦＲ２が形成されている。そして、第２フランジＦＲ２は管固定部２８０に固定される。また、流体供給管４００の後端部近傍には、供給管固定部４９０が設けられる。供給管固定部４９０において、気体供給管４２０および液体供給管４３０がガイド管４１０に固定される。
【０１３９】
気体供給管４２０および液体供給管４３０は、それぞれガイド管４１０の後端部から外部に延びている。ガイド管４１０の後端部から延びる気体供給管４２０の後端部は、図示しない気体供給装置に接続される。気体供給装置から気体供給管４２０にＮ２ガスが供給されることにより、基板ＷにＮ２ガスが供給される。ガイド管４１０の後端部から延びる液体供給管４３０の後端部は、図示しない液体供給装置に接続される。液体供給装置から液体供給管４３０に液体が供給されることにより、基板Ｗの上面に液体が供給される。本実施の形態においては、液体供給管４３０は設けられなくてもよい。
【０１４０】
（７）基板の保持動作
スピンチャック６００による基板Ｗの保持動作について説明する。図１１および図１２は、スピンチャック６００による基板Ｗの保持動作を説明するための図である。
【０１４１】
まず、図１１（ａ）に示すように、ガード６１８が基板保持機構７００よりも低い位置に移動する。そして、複数の基板受け渡し機構６２０（図５）の保持ピン６２４がガード６１８の上方を通ってスピンプレート５２０の下方に移動する。複数の保持ピン６２４上に第４のセンターロボットＣＲ４（図１）により基板Ｗが載置される。
【０１４２】
このとき、マグネットプレート６１４ａ，６１４ｂは上方位置にある。この場合、マグネットプレート６１４ａ，６１４ｂの磁力線Ｂは、基板保持機構７００のマグネット７９０の高さにおいて内側から外側に向かう。それにより、各基板保持機構７００のマグネット７９０のＳ極が内側に吸引される。したがって、各基板保持機構７００は開状態となる。
【０１４３】
続いて、図１１（ｂ）に示すように、複数の保持ピン６２４が基板Ｗを保持した状態で上昇する。これにより、基板Ｗが複数の基板保持機構７００の保持ピン７１０の間に移動する。
【０１４４】
続いて、図１２（ａ）に示すように、マグネットプレート６１４ａ，６１４ｂが下方位置に移動する。この場合、各基板保持機構７００のマグネット７９０のＮ極が内側に吸引される。それにより、各基板保持機構７００が閉状態となり、各基板保持機構７００の保持ピン７１０によって基板Ｗの外周端部が保持される。なお、各基板保持機構７００は、隣接する保持ピン６２４間で基板Ｗの外周端部を保持する。そのため、基板保持機構７００と保持ピン６２４とは互いに干渉しない。その後、複数の保持ピン６２４がガード６１８の外方に移動する。
【０１４５】
続いて、図１２（ｂ）に示すように、ガード６１８が基板保持機構７００により保持される基板Ｗを取り囲む高さに移動する。そして、基板Ｗの裏面洗浄処理が行われる。
【０１４６】
（８）裏面洗浄処理
図１３および図１４は、基板Ｗの裏面洗浄処理について説明するための側面図である。
【０１４７】
図１３に示すように、基板Ｗの裏面洗浄処理時には、スピンチャック６００により基板Ｗが回転するとともに、気体供給管４２０を通して円環状部材５２５と基板Ｗとの間にＮ２ガスが供給される。これにより、円環状部材５２５と基板Ｗとの間で、基板Ｗの中心部上から外側に向かうＮ２ガスの気流が形成される。なお、裏面洗浄処理時において、スピンチャック６００により保持される基板Ｗの回転速度は、例えば６００ｒｐｍ程度に設定される。
【０１４８】
その状態で、洗浄ブラシ６３０が基板Ｗの下面に接触する。そして、洗浄ブラシ６３０が基板Ｗの中心部下方と外周縁部下方との間で移動し、基板Ｗの下面の全域に接触する。基板Ｗと洗浄ブラシ６３０との接触部分には、洗浄ノズル６３３から純水が供給される。これにより、基板Ｗの下面の全体が洗浄ブラシ６３０により洗浄され、基板Ｗの下面に付着する汚染物が取り除かれる。
【０１４９】
続いて、図１４（ａ）に示すように、マグネットプレート６１４ａが下方位置に配置され、マグネットプレート６１４ｂが上方位置に配置される。この場合、図１４（ａ），（ｂ）に示すように、マグネットプレート６１４ａの外方領域Ｕ１（図１４（ｂ））においては各基板保持機構７００が閉状態となり、マグネットプレート６１４ｂの外方領域Ｕ２（図１４（ｂ））においては各基板保持機構７００が開状態となる。すなわち、各基板保持機構７００の保持ピン７１０は、マグネットプレート６１４ａの外方領域Ｕ１を通過する際に基板Ｗの外周端部に接触した状態で維持され、マグネットプレート６１４ｂの外方領域Ｕ２を通過する際に基板Ｗの外周端部から離間する。
【０１５０】
したがって、マグネットプレート６１４ｂの外方領域Ｕ２において、基板Ｗの外周端部の下面側の部分を洗浄ブラシ６３０により洗浄することができる。
【０１５１】
なお、本例では、５つの基板保持機構７００のうちの少なくとも４つの基板保持機構７００がマグネットプレート６１４ａの外方領域Ｕ１に位置する。この場合、各基板保持機構７００の保持ピン７１０がマグネットプレート６１４ｂの外方領域Ｕ２を通過する際に基板Ｗの外周端部から離間しても、少なくとも４つの基板保持機構７００により基板Ｗが保持される。それにより、基板Ｗの保持状態の安定性が確保される。
【０１５２】
裏面洗浄処理の終了後、マグネットプレート６１４ａ，６１４ｂが下方位置に配置され、全ての基板保持機構７００により基板Ｗが保持される。その状態で、スピンチャック６００により基板Ｗがさらに高い速度（例えば、２０００ｒｐｍ〜２４００ｒｐｍ程度）で回転する。それにより、基板Ｗに付着する純水が振り切られ、基板Ｗが乾燥する（乾燥処理）。
【０１５３】
本実施の形態に係る裏面洗浄処理ユニットＢＣには、基板Ｗに液体を供給するための液体供給管４３０が設けられる。したがって、裏面洗浄処理時に液体供給管４３０を通して基板Ｗの上面に液体（例えば純水）を供給することにより、基板Ｗの下面と上面とを同時に洗浄することが可能である。
【０１５４】
（９）スピンチャックの他の例
次に、スピンチャック６００の他の例について説明する。図１５（ａ），（ｂ）は、スピンチャック６００の他の構成例を示す縦断面図である。図１５（ａ）においては、スピンチャック６００の縦断面図とともにスピンプレート５２０が回転していない状態で保持される基板Ｗが示される。一方、図１５（ｂ）においては、スピンチャック６００の縦断面図とともにスピンプレート５２０が高い速度で回転している状態で保持される基板Ｗが示される。
【０１５５】
以下、本例のスピンチャック６００について、図７（ａ），（ｂ）のスピンチャック６００と異なる点を説明する。図１５（ａ）に示すように、本例のスピンチャック６００は、図７（ａ），（ｂ）の円環状部材５２５に代えて、円筒形状を有する接続部材５２６、円板形状を有する内側遮断部材５２７および円環状の外側遮断部材５２８を含む。
【０１５６】
接続部材５２６の内径はスピンプレート５２０の開口５２０ｏの内径と等しく、接続部材５２６の外径はスピンプレート５２０の外径に比べて十分に小さい。
【０１５７】
接続部材５２６の軸心がスピンプレート５２０の中心軸に一致するように、接続部材５２６の上端部がスピンプレート５２０の下面に取り付けられる。さらに、接続部材５２６の下端部に内側遮断部材５２７が取り付けられる。内側遮断部材５２７の中央部には、スピンプレート５２０の開口５２０ｏと等しい内径を有する開口５２７ｏが形成されている。
【０１５８】
これにより、内側遮断部材５２７が接続部材５２６を挟んでスピンプレート５２０の下面に接続された状態で、プレート支持部材５１０の内部空間が、スピンプレート５２０の開口５２０ｏ、接続部材５２６の内部および内側遮断部材５２７の開口５２７ｏを通して内側遮断部材５２７の下方の空間に連通する。
【０１５９】
内側遮断部材５２７の外径は、接続部材５２６の外径よりも大きくスピンチャック６００により保持される基板Ｗの外径よりも小さい。
【０１６０】
内側遮断部材５２７から下方に向かうように、内側遮断部材５２７の外周縁部に外側遮断部材５２８が取り付けられる。外側遮断部材５２８の内径が上端部から下端部に向かって漸次径大となるように、外側遮断部材５２８の内周面５２８ｂの一部が連続的に傾斜している。
【０１６１】
外側遮断部材５２８の下端部は、スピンチャック６００により基板Ｗが保持された基板Ｗの上面における外周縁部に沿った環状領域Ｒ１に対向するように形成される。
【０１６２】
（１０）図１５（ａ），（ｂ）の内側遮断部材および外側遮断部材による効果
（１０−１）上記のように、外側遮断部材５２８の下端部が内側遮断部材５２７よりも下方に位置するように、外側遮断部材５２８が内側遮断部材５２７に取り付けられる。それにより、スピンチャック６００により保持された基板Ｗの中央領域Ｒ２と内側遮断部材５２７の下面５２７ｕとの間隔Ｇ３は、基板Ｗの環状領域Ｒ１と外側遮断部材５２８の下端部との間隔Ｇ１よりも大きい。
【０１６３】
基板Ｗの直径が３００ｍｍである場合に、接続部材５２６の高さ、内側遮断部材５２７の厚みおよび外側遮断部材５２８の高さは、例えば間隔Ｇ１が１ｍｍ程度になるようにかつ間隔Ｇ３が２．５ｍｍ程度になるように設定される。
【０１６４】
このように、本例のスピンチャック６００においても、基板Ｗの中央領域Ｒ２と内側遮断部材５２７の下面５２７ｕとの間隔Ｇ３が基板Ｗの環状領域Ｒ１と外側遮断部材５２８の下端部との間隔Ｇ１よりも大きいので、基板Ｗの中央領域Ｒ２は内側遮断部材５２７に接触しない。一方、基板Ｗは外周端部に保持ピン７１０が当接することにより保持されるので、基板Ｗの環状領域Ｒ１は、外側遮断部材５２８の下端部に接触しない。
【０１６５】
また、本例のスピンチャック６００においても、基板Ｗの環状領域Ｒ１と外側遮断部材５２８の下端部との間隔Ｇ１が基板Ｗの中央領域Ｒ２と内側遮断部材５２７の下面５２７ｕとの間隔Ｇ３よりも十分小さく設定されている。それにより、基板Ｗの裏面洗浄処理時および乾燥処理時に、基板Ｗの環状領域Ｒ１と外側遮断部材５２８の下端部との間の隙間から基板Ｗの中央領域Ｒ２上の空間に洗浄液のミストおよびパーティクル等を含む雰囲気が流入することが防止される。
【０１６６】
これらの結果、本例においても、基板Ｗの上面がスピンチャック６００に接触することによる基板Ｗの損傷の発生を防止するとともに、基板Ｗの上面を清浄に保ちつつ基板Ｗの下面を洗浄することが可能になる。
【０１６７】
（１０−２）本例では、スピンプレート５２０の下側に内側遮断部材５２７が設けられる。それにより、スピンチャック６００により保持される基板Ｗの上面と内側遮断部材５２７との間隔を、基板Ｗの上面とスピンプレート５２０との間隔に比べて小さくすることができる。また、内側遮断部材５２７に外側遮断部材５２８を取り付けることにより、基板Ｗの上面上の空間を覆うための構成を容易に作製することができる。
【０１６８】
（１０−３）上記のように、外側遮断部材５２８の内周面５２８ｂの一部は連続的に傾斜している。この場合、基板Ｗの中央領域Ｒ２上の雰囲気が、内側遮断部材５２７の下面５２７ｕおよび外側遮断部材５２８の内周面５２８ｂに沿って外側遮断部材５２８の下端部と基板Ｗの上面との隙間に円滑に導かれる。その結果、基板Ｗの上面上に乱流が発生しないので、スピンチャック６００による基板Ｗの保持状態の安定性が確保されるとともに基板Ｗの上面に形成されたレジスト膜が乱流の影響を受けることが防止される。
【０１６９】
なお、外側遮断部材５２８の内径が上端部から下端部に向かって漸次径大となるように、外側遮断部材５２８の内周面５２８ｂが階段状に形成されてもよい。この場合にも、上記と同様の効果を得ることができる。
【０１７０】
なお、外側遮断部材５２８の内周面５２８ｂは必ずしも外側遮断部材５２８の内径が上端部から下端部に向かって漸次径大となるように形成されなくてもよい。この場合、外側遮断部材５２８の構成が単純化する。
【０１７１】
（１１）洗浄ブラシの詳細
図１６は、図５の洗浄ブラシ６３０の詳細を説明するための図である。図１６（ａ）に洗浄ブラシ６３０の外観斜視図が示される。図１６（ａ）に示すように、円柱形状を有する固定部材ＢＳ上に洗浄ブラシ６３０が取り付けられている。洗浄ブラシ６３０は、円形の上面６７１およびその上面６７１から上方に向かう突出部６７２を有する。基板Ｗの裏面洗浄処理時には、洗浄ブラシ６３０の突出部６７２が基板Ｗの下面に当接することにより、基板Ｗの下面が洗浄される。
【０１７２】
突出部６７２は、洗浄ブラシ６３０の上面６７１の中心を通って外周端部の一側方から他側方に向かう直線に沿って延びるように形成されている。
【０１７３】
図１６（ｂ）に、図１６（ａ）のＫ−Ｋ線における洗浄ブラシ６３０の縦断面図が示される。図１６（ｂ）に示すように、突出部６７２は、上端部６７２ｔに向かって漸次減少する横断面を有する。洗浄ブラシ６３０は、例えばポリビニルアルコールからなるスポンジブラシである。
【０１７４】
基板Ｗの裏面洗浄処理前には、突出部６７２の上端部６７２ｔが洗浄ブラシ６３０の下端部に向かって予め定められた高さＤＨ分縮むように、基板Ｗの下面に対する洗浄ブラシ６３０の相対的な鉛直方向の位置（以下、鉛直方向洗浄位置と呼ぶ。）が定められる。定められた鉛直方向洗浄位置が、インターフェースブロック１５に設けられたローカルコントローラＬＣのメモリＭ（図４）に記憶される。基板Ｗの裏面洗浄処理時には、メモリＭに記憶された鉛直方向洗浄位置に基づいて図５のブラシ移動機構６３２の動作が制御される。高さＤＨは例えば１ｍｍである。
【０１７５】
基板Ｗの裏面洗浄処理時に、洗浄ブラシ６３０から基板Ｗの下面に作用する押圧力が大きいと、スピンチャック６００により保持される基板Ｗが局部的に押し上げられ、基板Ｗがずれるまたは変形する可能性がある。また、洗浄ブラシ６３０から基板Ｗの下面に作用する押圧力が大きいと、洗浄ブラシ６３０が基板Ｗに強く押し当てられることにより基板Ｗに損傷が発生する可能性がある。したがって、洗浄ブラシ６３０から基板Ｗの下面に作用させる押圧力はできる限り小さくすることが好ましい。
【０１７６】
図１６（ｃ）に裏面洗浄処理時における洗浄ブラシ６３０の外観斜視図が示され、図１６（ｄ）に裏面洗浄処理時における突出部６７２を有さない洗浄ブラシ６９０の外観斜視図が示される。図１６（ｃ），（ｄ）においては、洗浄ブラシ６３０，６９０における基板Ｗとの接触面がハッチングで示される。
【０１７７】
図１６（ｃ）に示すように、洗浄ブラシ６３０における基板Ｗとの接触面の面積は、洗浄ブラシ６９０における基板Ｗとの接触面の面積に比べて小さい。したがって、図１６（ｂ）の高さＤＨが一定である場合に、洗浄ブラシ６３０から基板Ｗの下面に作用させる押圧力は、洗浄ブラシ６９０から基板Ｗの下面に作用させる押圧力に比べて小さくなる。それにより、基板Ｗの裏面洗浄処理時に、スピンチャック６００により保持される基板Ｗがずれるまたは変形することが防止される。また、洗浄ブラシ６３０が基板Ｗに強く押し当てられることが防止され、基板Ｗの損傷が防止される。
【０１７８】
上記のように、洗浄ブラシ６３０における基板Ｗとの接触面の面積は、洗浄ブラシ６９０における基板Ｗとの接触面の面積に比べて小さい。そのため、基板Ｗの裏面洗浄処理時に洗浄ブラシ６３０に付着するパーティクルの数を洗浄ブラシ６９０に付着するパーティクルの数に比べて少なくすることができる。それにより、洗浄ブラシ６３０から基板Ｗに転写されるパーティクルの数を低減することができる。
【０１７９】
さらに、基板Ｗの裏面洗浄処理時に、洗浄ブラシ６３０と基板Ｗとの間に作用する摩擦力が、洗浄ブラシ６９０と基板Ｗとの間に作用する摩擦力に比べて小さくなる。したがって、スピンチャック６００により保持される基板Ｗが、複数の保持ピン７１０による保持力に抗してずれることが防止される。
【０１８０】
ポリビニルアルコールは高い柔軟性を有する。したがって、ポリビニルアルコールからなる洗浄ブラシ６３０を用いる場合には、洗浄ブラシ６３０から基板Ｗの下面に作用させる押圧力を十分に小さくすることができる。なお、洗浄ブラシ６３０の材料としては、ポリビニルアルコールの他に、ポリウレタンまたはナイロン等の柔軟性を有する材料を用いることもできる。
【０１８１】
（１２）洗浄機構カバー
図１７（ａ）は主としてスピンチャック６００および洗浄機構６３０Ｍを示す筐体９００内の概略平面図であり、図１７（ｂ）は図５の洗浄機構カバー２７１の働きを説明するための側面図である。なお、図１７（ｂ）では、図５および図１７（ａ）のカバー固定部２７０が点線で表される。また、図１７（ｂ）には、カバー固定部２７０、洗浄機構カバー２７１および洗浄機構６３０Ｍの側面図とともに、図４のローカルコントローラＬＣおよび図５の洗浄液供給部６３９の構成がブロック図で示される。
【０１８２】
図１７（ａ）に一点鎖線で示すように、基板Ｗの裏面洗浄処理が行われない間、洗浄機構６３０Ｍは筐体９００内の一側壁に近接する予め定められた洗浄機構待機位置６３０Ｐで待機状態となる。
【０１８３】
ブラシ移動機構６３２がブラシ保持部材６３１を駆動する。それにより、図１７（ａ）に太い実線で示すように、スピンチャック６００により保持された基板Ｗの下方で洗浄機構６３０Ｍが基板Ｗの中心部に向かって移動する。
【０１８４】
続いて、洗浄ブラシ６３０が基板Ｗの下面に当接し、基板Ｗの裏面洗浄処理が開始される。その後、洗浄機構６３０Ｍが基板Ｗの中心部から外周端部に向かって移動する。洗浄ブラシ６３０が基板Ｗの下面に接触している間、洗浄ノズル６３３から基板Ｗの下面に向かって洗浄液（本例では純水）が吐出される。それにより、基板Ｗの下面が洗浄される。
【０１８５】
続いて、洗浄機構６３０Ｍが基板Ｗの外周端部に到達すると、洗浄ノズル６３３からの洗浄液の吐出が停止され、洗浄機構６３０Ｍが洗浄機構待機位置６３０Ｐまで移動する。その後、次の基板Ｗの裏面洗浄処理が開始されるまで、洗浄機構６３０Ｍは洗浄機構待機位置６３０Ｐで再び待機状態となる。
【０１８６】
図１７（ｂ）に示すように、洗浄機構待機位置６３０Ｐの上方位置に洗浄機構カバー２７１が配置されている。上記のように、洗浄機構待機位置６３０Ｐの上方には、洗浄機構待機位置６３０Ｐで待機する洗浄機構６３０Ｍの洗浄ノズル６３３から吐出される純水を受けるように洗浄機構カバー２７１が設けられている。これにより、洗浄機構待機位置６３０Ｐで洗浄機構６３０Ｍの洗浄ノズル６３３から洗浄液が吐出される場合には、吐出された洗浄液が、洗浄機構カバー２７１により受け止められ、図５の排液部６４０に導かれる。
【０１８７】
図５および図１７（ｂ）に示すように、洗浄機構６３０Ｍにおいて、洗浄ノズル６３３の先端部は上方に向かう状態で保持される。そのため、基板Ｗの裏面洗浄処理が行われない間は、前回の裏面洗浄処理時に用いられた洗浄液の一部が洗浄ノズル６３３の内部に残留する。
【０１８８】
基板処理装置５００が長期（例えば、３日間以上）に渡って停止する場合には、洗浄ノズル６３３に残留する洗浄液中にバクテリアが発生する可能性がある。そこで、本実施の形態では、インターフェースブロック１５に設けられるローカルコントローラＬＣ（図４）が洗浄液供給部６３９を制御することにより、裏面洗浄処理の終了時点から次の裏面洗浄処理が開始されるまでの間一定期間（例えば２４時間）が経過するごとに、洗浄機構待機位置６３０Ｐで洗浄ノズル６３３から洗浄液が吐出される。
【０１８９】
この場合、基板処理装置５００が長期に渡って停止する場合でも、一定期間が経過するごとに洗浄ノズル６３３の内部に残留する洗浄液が新たな洗浄液で置換される。その結果、洗浄ノズル６３３の内部にバクテリアが発生することが防止される。
【０１９０】
洗浄機構待機位置６３０Ｐで洗浄ノズル６３３から洗浄液が吐出されるタイミングは、上記の例に限られない。例えば、基板Ｗの裏面洗浄処理が開始される直前に洗浄機構待機位置６３０Ｐで洗浄ノズル６３３から洗浄液が吐出されてもよい。この場合、裏面洗浄処理の直前に洗浄ノズル６３３の内部に残留する洗浄液が新たな洗浄液で置換される。それにより、裏面洗浄処理の開始時に、基板Ｗの下面に清浄な洗浄液を供給することができる。
【０１９１】
本例では、洗浄液供給部６３９が裏面洗浄処理ユニットＢＣの筐体９００の内部に設けられるが、裏面洗浄処理ユニットＢＣの外部に設けられてもよい。
【０１９２】
また、本例では、インターフェースブロック１５に設けられるローカルコントローラＬＣ（図４）が洗浄液供給部６３９を制御する。これに限らず、ローカルコントローラＬＣに代えて、図１のメインコントローラ３０が洗浄液供給部６３９を制御してもよい。
【０１９３】
（１３）他の実施の形態
（１３−１）上記の実施の形態においては、流体供給管４００は、ガイド管４１０の内部に気体供給管４２０および液体供給管４３０が収容された構造を有する。これに限らず、裏面洗浄処理時に基板Ｗの上面に洗浄液を供給する必要がない場合には、ガイド管４１０の内部に気体供給管４２０のみが収容されてもよい。また、基板Ｗの上面に洗浄液のみを供給する場合には、ガイド管４１０の内部に液体供給管４３０のみが収容されてもよい。
【０１９４】
（１３−２）裏面洗浄処理ユニットＢＣにおいては、基板Ｗの下面および外周端部が必ずしも洗浄ブラシ６３０で洗浄されなくてもよい。裏面洗浄処理ユニットＢＣにおいては、洗浄ブラシ６３０を基板Ｗの下面に接触させず、洗浄ノズル６３３から基板Ｗの下面の全域に純水等の洗浄液を供給することにより裏面洗浄処理が行われてもよい。
【０１９５】
（１３−３）上記の実施の形態では、裏面洗浄処理ユニットＢＣがインターフェースブロック１５内に配置されるが、裏面洗浄処理ユニットＢＣが図１に示す反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１および現像処理ブロック１２のいずれかのブロック内に配置されてもよい。あるいは、裏面洗浄処理ユニットＢＣを含む裏面洗浄処理ブロックを図１に示す現像処理ブロック１２とインターフェースブロック１５との間に設けてもよい。
【０１９６】
（１３−４）上記の露光装置１６においては、液浸法を用いて基板Ｗに露光処理が行われてもよいし、液浸法以外の方法で基板Ｗに露光処理が行われてもよい。これらの場合、基板Ｗの表面の汚染、および基板Ｗの裏面の汚染に起因する処理不良の発生が防止される。
【０１９７】
（１３−５）上記の実施の形態では、裏面洗浄処理ユニットＢＣは、レジスト膜が形成された後かつ露光装置１６による露光処理前の基板Ｗの下面を洗浄する。これに限らず、裏面洗浄処理ユニットＢＣは、レジスト膜が形成された後、露光装置１６による露光処理後の基板Ｗの下面を洗浄してもよい。
【０１９８】
（１３−６）裏面洗浄処理ユニットＢＣは、薬液を用いて基板を洗浄する薬液洗浄装置としても用いることができる。薬液とは、例えばＢＨＦ（バッファードフッ酸）、ＤＨＦ（希フッ酸）、フッ酸、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、酢酸、シュウ酸、過酸化水素水もしくはアンモニア等の水溶液、またはそれらの混合溶液をいう。また、リンス液とは、例えば純水、炭酸水、オゾン水、磁気水、還元水（水素水）もしくはイオン水、またはＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等の有機溶剤をいう。
【０１９９】
（１３−７）裏面洗浄処理ユニットＢＣにおいては、洗浄ブラシ６３０を支持する支持軸６３５に代えて、洗浄ブラシ６３０を鉛直軸の周りで回転させるためのモータが取り付けられてもよい。この場合、基板Ｗの裏面洗浄処理時に、洗浄ブラシ６３０が回転する状態で、その洗浄ブラシ６３０を基板Ｗの下面に当接させることにより、基板Ｗの下面を効率よく洗浄することができる。
【０２００】
（１３−８）上記の例では、裏面洗浄処理ユニットＢＣを基板処理装置５００に設ける場合について説明したが、これに限らず、裏面洗浄処理ユニットＢＣを他の基板処理装置に設けてもよく、または裏面洗浄処理ユニットＢＣを単独で用いてもよい。
【０２０１】
（１４）請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【０２０２】
上記実施の形態では、基板Ｗが基板の例であり、裏面洗浄処理ユニットＢＣが基板洗浄装置の例であり、回転軸２１０およびプレート支持部材５１０が回転部材の例であり、スピンモータ２００が回転駆動装置の例であり、基板保持機構７００の保持ピン７１０が保持部材の例である。
【０２０３】
また、図７の開口５２０ｏおよび図１５の開口５２７ｏが開口の例であり、図７のスピンプレート５２０および円環状部材５２５、ならびに図１５の内側遮断部材５２７および外側遮断部材５２８が遮断部材の例であり、流体供給管４００の気体供給管４２０が気体供給機構の例であり、気体供給管４２０の下端部が吐出下端部の例であり、洗浄機構６３０Ｍが洗浄機構の例である。
【０２０４】
さらに、図７の下面５２０ｕおよび図１５の下面５２７ｕが対向下面の例であり、環状領域Ｒ１が環状領域の例であり、図７の下端部５２５ｃおよび図１５の外側遮断部材５２８の下端部が下端部の例であり、図７の間隔Ｇ２および図１５の間隔Ｇ３が基板の上面と対向下面との間隔の例であり、図７および図１５の間隔Ｇ１が基板の上面と下端部との間隔の例である。
【０２０５】
また、スピンプレート５２０が第１の部材および支持部材の例であり、円環状部材５２５が第２の部材の例であり、円環状部材５２５の上端部５２５ａが上端部の例であり、円環状部材５２５の内周面５２５ｂが第２の部材の内周面の例であり、内側遮断部材５２７が第３の部材の例であり、外側遮断部材５２８が第４の部材の例であり、外側遮断部材５２８の上端部が第４の部材の上端部の例であり、外側遮断部材５２８の内周面５２８ｂが第４の部材の内周面の例である。
【０２０６】
さらに、洗浄ブラシ６３０がブラシの例であり、洗浄ブラシ６３０の突出部６７２がブラシの突出部の例であり、洗浄ノズル６３３が洗浄液吐出ノズルの例であり、洗浄機構待機位置６３０Ｐが待機位置の例であり、ブラシ移動機構６３２が洗浄機構移動装置の例であり、洗浄機構カバー２７１が液受け部材の例である。
【０２０７】
また、露光装置１６が露光装置の例であり、基板処理装置５００が基板処理装置の例であり、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２が処理部の例であり、インターフェースブロック１５が受け渡し部の例であり、レジスト膜が感光性膜の例であり、レジスト膜用処理ブロック１１内に設けられる塗布ユニットＲＥＳが感光性膜形成ユニットの例である。
【０２０８】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【産業上の利用可能性】
【０２０９】
本発明は、種々の基板の処理に有効に利用することができる。
【符号の説明】
【０２１０】
９  インデクサブロック
１０  反射防止膜用処理ブロック
１１  レジスト膜用処理ブロック
１２  現像処理ブロック
１５  インターフェースブロック
１６  露光装置
３０  メインコントローラ
５０  反射防止膜用塗布処理部
６０  レジスト膜用塗布処理部
７０  現像処理部
１００，１０１  反射防止膜用熱処理部
１１０，１１１  レジスト膜用熱処理部
１２０  現像用熱処理部
１２１  露光後ベーク用熱処理部
２００  スピンモータ
２１０  回転軸
２７１  洗浄機構カバー
４００  流体供給管
５００  基板処理装置
５１０  プレート支持部材
５２０  スピンプレート
５２０ｏ，５２７ｏ  開口
５２０ｕ，５２７ｕ  下面
５２５  円環状部材
５２５Ｈ  高さ
５２５ａ  上端部
５２５ｂ  内周面
５２５ｃ  下端部
５２７  内側遮断部材
５２８  外側遮断部材
５２８ｂ  内周面
６００  スピンチャック
６３０  洗浄ブラシ
６３０Ｍ  洗浄機構
６３０Ｐ  洗浄機構待機位置
６３２  ブラシ移動機構
６３３  洗浄ノズル
６３９  洗浄液供給部
６４０  排液部
６７２  突出部
７００  基板保持機構
７１０  保持ピン
ＢＡＲＣ  塗布ユニット
ＢＣ  裏面洗浄処理ユニット
ＤＥＶ  現像処理ユニット
Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３  間隔
ＩＲ  インデクサロボット
Ｒ１  環状領域
ＲＥＳ  塗布ユニット
Ｗ  基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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