(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（１）で表される化合物。
Ａ−Ｏ−ＣＨ２−Ｒｆ−ＣＨ２−Ｂ    （１）
式中Ａは下記式（ａ）で表される基、Ｂは下記式（ｂ）または（ｃ）または（ｄ）で表される基である。ここで、ｐは０または１または２であり、ｑは２〜１０の実数である。Ｒは炭素数１〜４のフルオロアルキル基である。Ａｒは無置換、または、置換基として炭素数１〜３０のアルキル基、または炭素数１〜３０のアルコキシ基を有する芳香族基である。Ｒｆは、−ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘＣＦ２ＣＦ２−、−ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｙＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−である。ｘ、ｙは、それぞれ０〜５０の実数である。
0005975368.tif 000009
0005975368.tif 000010
【請求項２】
Ｂが式（ｂ）で表される基であり、ｐが１または２である請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
Ｒｆが、−ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘＣＦ２ＣＦ２−（ｘは、０〜５０の実数）である請求項１に記載の化合物。
【請求項４】
Ｒｆが、−ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｙＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−（ｙは、０〜５０の実数）である請求項１に記載の化合物。
【請求項５】
式（１）の化合物を含有する潤滑剤。
Ａ−Ｏ−ＣＨ２−Ｒｆ−ＣＨ２−Ｂ    （１）
式中Ａは下記式（ａ）で表される基、Ｂは下記式（ｂ）または（ｃ）または（ｄ）で表される基である。ここで、ｐは０または１または２であり、ｑは２〜１０の実数である。Ｒは炭素数１〜４のフルオロアルキル基である。Ａｒは無置換、または、置換基として炭素数１〜３０のアルキル基、または炭素数１〜３０のアルコキシ基を有する芳香族基である。Ｒｆは、−ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘＣＦ２ＣＦ２−、−ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｙＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−である。ｘ、ｙは、それぞれ０〜５０の実数である。
0005975368.tif 000011
0005975368.tif 000012
【請求項６】
Ｂが式（ｂ）で表される基であり、ｐが１または２である請求項５に記載の潤滑剤。
【請求項７】
支持体上に少なくとも記録層、保護層を形成し、その表面にパーフルオロポリエーテル構造を有する化合物からなる潤滑層を有する磁気ディスクにおいて、該潤滑層が下記式（１）で表される化合物を含有することを特徴とする磁気ディスク。
Ａ−Ｏ−ＣＨ２−Ｒｆ−ＣＨ２−Ｂ    （１）
式中Ａは下記式（ａ）で表される基、Ｂは下記式（ｂ）または（ｃ）または（ｄ）で表される基である。ここで、ｐは０または１または２であり、ｑは２〜１０の実数である。Ｒは炭素数１〜４のフルオロアルキル基である。Ａｒは無置換、または、置換基として炭素数１〜３０のアルキル基、または炭素数１〜３０のアルコキシ基を有する芳香族基である。Ｒｆは、−ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘＣＦ２ＣＦ２−、−ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｙＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−である。ｘ、ｙは、それぞれ０〜５０の実数である。
0005975368.tif 000013
【請求項８】
Ｂが式（ｂ）で表される基であり、ｐが１または２である請求項７に記載の磁気ディスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シクロホスファゼン基と水酸基を有するフルオロポリエーテル化合物、およびこれを含有する潤滑剤、ならびにこれを用いた磁気ディスクに関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスクの記録密度の増大に伴い、記録媒体である磁気ディスクと情報の記録・再生を行うヘッドとの距離は殆ど接触するまで狭くなっている。磁気ディスク表面にはヘッドとの接触・摺動の際の摩耗抑制や、ディスク表面の汚染防止等の目的で、炭素保護膜や潤滑剤被膜が設けられている。
炭素保護膜は、一般にスパッタ法やＣＶＤ法で製膜される。ディスクの表面保護は、炭素保護膜と、この上層に位置する潤滑剤被膜の両者で担うことになるため、炭素保護膜と潤滑剤との相互作用が重要である。
潤滑剤としては一般に官能基を有するパーフルオロポリエーテルが用いられている。官能基としては、水酸基やアミノ基、さらにはシクロホスファゼン基などがある。具体的には、水酸基を有する潤滑剤としてＳｏｌｖａｙ  Ｓｏｌｅｘｉｓ製のＦｏｍｂｌｉｎ  Ｚｔｅｔｒａｏｌ、株式会社ＭＯＲＥＳＣＯ製のＰＨＯＳＦＡＲＯＬ  Ａ２０Ｈ、ＰＨＯＳＦＡＲＯＬ  ＡＤＯＨ、ＰＨＯＳＦＡＲＯＬ  Ａ２０Ｈ−ＤＤなどがある。後に述べるが、ここに挙げた潤滑剤４種は、ルイス酸への耐久性が低い。ルイス酸により分解し、それに伴う熱重量減少の大きさが懸念されており、耐分解性の改善が課題となっている。
ＰＨＯＳＦＡＲＯＬ  Ａ２０Ｈは水酸基とシクロホスファゼン基の両方を有するフルオロポリエーテル（特許文献１）、ＰＨＯＳＦＡＲＯＬ  ＡＤＯＨ（特許文献２）は、シクロホスファゼンに水酸基を２つもつパーフルオロポリエーテル鎖が一つ結合したものである。また、ＰＨＯＳＦＡＲＯＬ  Ａ２０Ｈ−ＤＤ（特許文献３）は、シクロホスファゼンに水酸基を２つもつパーフルオロポリエーテル鎖が２つ結合したものである。
Ｆｏｍｂｌｉｎ  Ｚｔｅｔｒａｏｌは、分子両末端に位置する水酸基によりディスクへの良好な吸着性を示し、ディスクが高速回転しても飛散せず、潤滑剤被膜を維持することができる。しかし、このパーフルオロポリエーテル化合物は、ルイス酸への耐久性が低く、ヘッドの部材中のＡｌ２Ｏ３と反応して、主鎖の切断が起こる（例えば非特許文献１参照）。この切断が進行すると化合物は低分子化し、最終的には磁気ディスク上から揮発・消失してしまうため、ヘッドとディスクの接触・摺動をともなう系では潤滑剤被膜を維持できなくなる。
一方、ＰＨＯＳＦＡＲＯＬ  Ａ２０ＨやＰＨＯＳＦＡＲＯＬ  ＡＤＯＨ、ＰＨＯＳＦＡＲＯＬ  Ａ２０Ｈ−ＤＤは、ディスクへの吸着に寄与する水酸基が分子の片末端に、さらにルイス酸によるパーフルオロポリエーテル主鎖の切断を抑制するシクロホスファゼン基が他方の末端に存在するため、ディスクが高速回転しても飛散せず、また、ヘッドの部材中のＡｌ２Ｏ３による化合物の分解も抑制し、ディスク上で潤滑剤被膜を維持することができる。しかし、Ｆｏｍｂｌｉｎ  Ｚｔｅｔｒａｏｌと同じくルイス酸への耐久性が低い主鎖をもつため、シクロホスファゼン基による主鎖の切断抑制効果も十分でなく、ヘッドの部材中のＡｌ２Ｏ３と反応して、主鎖の切断が起こる。この切断が進行すると化合物は低分子化し、最終的には磁気ディスク上から揮発・消失してしまうため、ヘッドとディスクの接触・摺動をともなう系では潤滑剤被膜を維持できなくなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第４１３７４４７号
【特許文献２】特許第４５７０６２２号
【特許文献３】ＷＯ２００８／１４０１２１
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ、１９９２年、２５巻、ｐ．６７９１−６７９９
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の課題は、磁気ヘッドと接触しても分解しない安定した化合物、これを用いた潤滑剤ならびに磁気ディスクを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は以下の発明に係る。
１．式（１）で表される化合物。
Ａ−Ｏ−ＣＨ２−Ｒｆ−ＣＨ２−Ｂ    （１）
式中Ａは下記式（ａ）で表される基、Ｂは下記式（ｂ）または（ｃ）または（ｄ）で表される基である。ここで、ｐは０または１または２であり、ｑは２〜１０の実数である。Ｒは炭素数１〜４のフルオロアルキル基である。Ａｒは無置換、または、置換基として炭素数１〜３０のアルキル基、または炭素数１〜３０のアルコキシ基を有する芳香族基である。Ｒｆは、−ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘＣＦ２ＣＦ２−、−ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｙＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−である。ｘ、ｙは、それぞれ０〜５０の実数である。
0005975368.tif 000002
２．Ｂが（ｂ）であり、ｐが１または２である上記１に記載の化合物。
３．式（１）の化合物を含有する潤滑剤。
４．上記２に記載の化合物を含有する潤滑剤。
５．支持体上に少なくとも記録層、保護層を形成し、その表面にパーフルオロポリエーテル構造を含有する化合物からなる潤滑層を有する磁気ディスクにおいて、該潤滑層として式（１）で表される化合物を含有する磁気ディスク。
６．上記５に記載の磁気ディスクにおいて、該潤滑層として上記２で表される化合物を含有する磁気ディスク。
【発明の効果】
【０００７】
本発明のシクロホスファゼン基と水酸基を有するフルオロポリエーテル化合物は、耐分解性に優れた潤滑剤である。また、本発明の化合物を潤滑剤として用いた磁気ディスクは、ヘッドとディスクの接触摺動においても優れた耐久性を有する。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
［１］本発明の式（１）で表されるフルオロポリエーテルは、分子の片方の末端にシクロホスファゼン基を有し、かつ他方の末端に水酸基または芳香族基を有するフルオロポリエーテル化合物である。
［１−１］合成方法１
式（１）で表される、片方の末端にシクロホスファゼン基を有し、かつ他方の末端に式（ｂ）で表される基を有する化合物は、例えば以下の方法により合成される。５つのＲＣ６Ｈ４Ｏ−で表される基と１つの塩素を有するシクロホスファゼンと、式ＨＯＣＨ２−Ｒｆ−ＣＨ２−（ｂ）で表わされるフルオロポリエーテルを、金属ナトリウムとともに加熱攪拌する。反応温度は５０〜１００℃、好ましくは６０〜８０℃である。反応時間は１０〜７０時間、好ましくは２０〜５０時間である。シクロホスファゼンに対して、フルオロポリエーテルを０．５〜３当量、金属ナトリウムを１〜４当量使用するのが好ましい。その後、例えば水洗およびカラムクロマトグラフィーによる精製を行い、目的化合物である片方の末端にシクロホスファゼン基を有し、かつ他方の末端に式（ｂ）で表わされる基を有するフルオロポリエーテル化合物が得られる。
シクロホスファゼンの置換基におけるＲは、炭素数１〜４のフルオロアルキル基であり、例えば、１，１，２，２−テトラフルオロエチル基、１，１，２，２，３，３−ヘキサフルオロプロピル基、１，１，２，２，３，３，４，４−オクタフルオロブチル基等を例示できる。Ｒの置換位置については、オルト位、メタ位、パラ位のいずれでも良い。
式ＨＯＣＨ２−Ｒｆ−ＣＨ２−（ｂ）で表わされるフルオロポリエーテルとしては、例えば
ＨＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＨ、
ＨＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｙＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＨ、
ＨＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ、
ＨＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｙＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ、
ＨＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ、
ＨＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｙＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨを例示することができる。ここでｘ、ｙは、それぞれ０〜５０の実数であり、好ましくは０〜３０より好ましくは０〜２０である。いずれも分子量分布を持つ化合物である。式（ｂ）で表わされる基のｐは０、１又は２であるが、好ましくは１又は２、特に好ましくは１である。
［１−２］合成方法２
式（１）で表される、片方の末端にシクロホスファゼン基を有し、かつ他方の末端に式（ｃ）で表される基を有する化合物は、合成方法１に記載の方法において、式ＨＯＣＨ２−Ｒｆ−ＣＨ２−（ｂ）で表わされるフルオロポリエーテルの代わりに、式ＨＯＣＨ２−Ｒｆ−ＣＨ２−（ｃ）で表わされるフルオロポリエーテルを用いることにより合成される。このような式ＨＯＣＨ２−Ｒｆ−ＣＨ２−（ｃ）で表わされるフルオロポリエーテルとしては、例えば
ＨＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）ｑＯＨ、
ＨＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｙＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）ｑＯＨ
を例示できる。ここでｘ、ｙは上記と同じである。ｑは２〜１０、好ましくは２〜６、更に、好ましくは２〜４の実数である。いずれも分子量分布を持つ化合物である。
［１−３］合成方法３
式（１）で表される、片方の末端にシクロホスファゼン基を有し、かつ他方の末端に式（ｄ）で表される基を有する化合物は、合成方法１に記載の方法において、式ＨＯＣＨ２−Ｒｆ−ＣＨ２−（ｂ）で表わされるフルオロポリエーテルの代わりに、式ＨＯＣＨ２−Ｒｆ−ＣＨ２−（ｄ）で表わされるフルオロポリエーテルを用いることにより合成される。このような式ＨＯＣＨ２−Ｒｆ−ＣＨ２−（ｄ）で表わされるフルオロポリエーテルとしては、例えば
ＨＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＡｒ、
ＨＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｙＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＡｒ
を例示できる。ここでｘ、ｙは上記と同じである。Ａｒは無置換、または、置換基として炭素数１〜３０のアルキル基、または炭素数１〜３０のアルコキシ基を有する芳香族基である。芳香族基としては例えば、フェニル、ナフチルを例示できる。
炭素数１〜３０のアルキル基としては例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチル、オクチル、テトラデシル、オクタデシル、エイコサニル、ペンタコサニル、ヘプタコサニル、トリアコンチルを例示できる。炭素数１〜３０のアルコキシ基としては例えば、上記アルキル基に対応するアルコキシ基を例示できる。置換基は芳香族基のオルト位、メタ位、パラ位のいずれかまたはすべてに置換していても良い。
［１−４］使用方法
本発明の化合物を磁気ディスク表面に塗布するには、化合物を溶剤に希釈して塗布する方法が好ましい。溶剤としては、例えば３Ｍ製ＰＦ−５０６０、ＰＦ−５０８０、ＨＦＥ−７１００，ＨＦＥ−７２００、ＤｕＰｏｎｔ製Ｖｅｒｔｒｅｌ−ＸＦ等が挙げられる。希釈後の化合物の濃度は１ｗｔ％以下、好ましくは０．００１〜０．１ｗｔ％である。
本発明の化合物を単独使用する以外にも、例えばＳｏｌｖａｙ  Ｓｏｌｅｘｉｓ製のＦｏｍｂｌｉｎ  ＺｄｏｌやＺｔｅｔｒａｏｌ、ＺｄｏｌＴＸ、ＡＭ、ダイキン工業製のＤｅｍｎｕｍ、Ｄｕｐｏｎｔ製のＫｒｙｔｏｘなどと任意の比率で混合して使用することもできる。
［１−５］用途
本発明の化合物は、磁気ディスク装置内の磁気ディスクの摺動特性を向上させるための潤滑剤としての用途が挙げられる。また、本発明の化合物は、水酸基による極性部位との水素結合やダングリングボンド（未結合手）との共有結合形成、加えてシクロホスファゼン基により炭素の不飽和結合との相互作用を形成することを特徴とする。したがって、磁気ディスク以外にも炭素保護膜を有する光磁気記録装置や磁気テープ等や、プラスチックなどの有機材料の表面保護膜、さらにはガラス、金属などの無機材料の表面保護膜としても応用できる。
［２］磁気ディスクについて
［２−１］磁気ディスクの構成
図１に本発明の磁気ディスクの断面の模式図を示す。
本発明の磁気ディスクは、まず支持体１上に少なくとも１層以上の記録層２、その上に保護層３、更にその上に本発明の化合物を含有する潤滑層４を最外層として有するという構成である。
支持体としてはアルミニウム合金、ガラス等セラミックス、ポリカーボネート等が挙げられる。
磁気ディスクの記録層である磁性層の構成材料としては鉄、コバルト、ニッケル等の強磁性体を形成可能な元素を中心として、これにクロム、白金、タンタル等を加えた合金、又はそれらの酸化物が挙げられる。これらはメッキ法、或いはスパッタ法等で形成される。保護層はカーボン、ＳｉＣ，ＳｉＯ２等の材質が挙げられる。これらはスパッタ法、或いはＣＶＤ法で形成される。
［２−２］潤滑層の形成方法
現在、流通している潤滑層の厚さは３０Å以下であるため、粘性が２０℃で１００ｍＰａ・ｓ程度以上の潤滑剤をそのまま塗布したのでは膜厚が大きくなりすぎる恐れがある。そこで塗布の際は溶剤に溶解したものを用いる。本発明の化合物を潤滑剤として単独で使用する場合も、例えばＳｏｌｖａｙ  Ｓｏｌｅｘｉｓ製のＦｏｍｂｌｉｎ  ＺｄｏｌやＺｔｅｔｒａｏｌ、Ｚｄｏｌ  ＴＸ、ＡＭ、ダイキン工業製のＤｅｍｎｕｍ、Ｄｕｐｏｎｔ製のＫｒｙｔｏｘなどと混合して使用する場合も、溶剤に溶解した方が必要な膜厚に制御しやすい。但し、濃度は塗布方法・条件、混合割合等により異なる。本発明の潤滑剤の膜厚は、５〜１５Åが好ましい。
下地層に対する潤滑剤の吸着を促進させるために、熱処理や紫外線処理を行うことができる。熱処理については、６０〜１５０℃、好ましくは８０〜１５０℃である。紫外線処理では、１８５ｎｍと２５４ｎｍの波長を主波長とする紫外線を用いるのが好ましい。
［２−３］応用
本発明の磁気ディスクは、ディスクを格納し、情報の記録・再生・消去を行うためのヘッドやディスクを回転するためのモーター等が装備されている磁気ディスクドライブとそのドライブを制御するための制御系からなる磁気ディスク装置に応用できる。
本発明の磁気ディスク、およびそれを応用した磁気ディスク装置の用途としては電子計算機、ワードプロセッサー等の外部メモリーが挙げられる。またナビゲーションシステム、ゲーム、携帯電話、ＰＨＳ等の各種機器、及びビルの防犯、発電所等の管理・制御システムの内部・外部記録装置等にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
図１は本発明の磁気ディスクの構成を示す断面模式図である。
【実施例】
【００１０】
以下、実施例および試験例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例等に限定されるものではない。なお、１９Ｆ−ＮＭＲは溶媒；なし、基準物質：生成物中のＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏを−１２９．７ｐｐｍとして、１Ｈ−ＮＭＲは溶媒：パーフルオロベンゼン、基準物質：Ｄ２Ｏの条件で測定した。
実施例１
Ａ−Ｏ−ＣＨ２−Ｒｆ−ＣＨ２−Ｂ（化合物Ｉ）の合成
式中Ａは下記式（ａ）で表される基であり、Ｂは下記式（ｂ）で表される基である。ｐは１、Ｒはｍ−ＣＦ３である。Ｒｆは−ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘＣＦ２ＣＦ２−である。
0005975368.tif 000003
0005975368.tif 000004
アルゴン雰囲気下、ジトリフルオロメチルベンゼン（１１４ｇ）、ペンタ−（トリフルオロメチルフェノキシ）−シクロトリホスホニトリルクロライド（１１４ｇ）、式ＨＯＣＨ２−Ｒｆ−ＣＨ２−（ｂ）で表わされるフルオロポリエーテルＨＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ（平均分子量２０００）４０ｇと金属ナトリウム（０．９ｇ）を加えて、７０℃で１９時間攪拌した。その後、水洗を行い、続いてカラムクロマトグラフィーにより精製することにより、目的化合物Ｉを４６ｇ得た。化合物Ｉは、無色透明液体であり、２０℃での密度は、１．７５ｇ／ｃｍ３であった。ＮＭＲを用いて行った化合物Ｉの同定結果を示す。１９Ｆ−ＮＭＲについては、化合物Ｉをそのまま分析に用いた。１Ｈ−ＮＭＲでは、化合物Ｉに無水トリフルオロ酢酸を加えて、水酸基をエステルに変成した試料について分析を行った。
１９Ｆ−ＮＭＲ（溶媒；なし）
δ＝−６４．６ｐｐｍ
〔１５Ｆ，［Ｐ３Ｎ３（ＯＣ６Ｈ４ＣＦ３）５］−ＯＣＨ２−〕
δ＝−８６．５ｐｐｍ、−１２４．２ｐｐｍ
〔４Ｆ，−ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ〕
δ＝−８６．１ｐｐｍ、−１２４．５ｐｐｍ
〔４Ｆ，［Ｐ３Ｎ３（ＯＣ６Ｈ４ＣＦ３）５］−ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２−〕
ｘ＝１２．６
１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：パーフルオロベンゼン、基準物質：Ｄ２Ｏ）：
δ＝３．９２〜４．０１ｐｐｍ
〔４Ｈ，−ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＣＯＣＦ３）ＣＨ２ＯＣＯＣＦ３〕，
δ＝３．９５〜３．９１ｐｐｍ
〔２Ｈ，［Ｐ３Ｎ３（ＯＣ６Ｈ４ＣＦ３）５］−ＯＣＨ２ＣＦ２−〕，
δ＝４．４７〜４．５３ｐｐｍ
〔２Ｈ，−ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＣＯＣＦ３）ＣＨ２ＯＣＯＣＦ３〕，
δ＝５．３１〜５．３６ｐｐｍ
〔１Ｈ，−ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＣＯＣＦ３）ＣＨ２ＯＣＯＣＦ３〕
実施例２
Ａ−Ｏ−ＣＨ２−Ｒｆ−ＣＨ２−Ｂ（化合物ＩＩ）の合成
実施例１に記載した合成方法において、式ＨＯＣＨ２−Ｒｆ−ＣＨ２−（ｂ）で表わされるフルオロポリエーテルとして、ＨＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｙＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ（平均分子量２０００）を４０ｇ用いた以外は実施例１と同様にして、化合物ＩＩを合成した。
化合物ＩＩは、無色透明液体であり、２０℃での密度は、１．７５ｇ／ｃｍ３であった。ＮＭＲを用いて行った化合物ＩＩの同定結果を示す。１９Ｆ−ＮＭＲについて、化合物ＩＩをそのまま分析に用いた。
１９Ｆ−ＮＭＲ（溶媒；なし）
δ＝−６４．６ｐｐｍ
〔１５Ｆ，［Ｐ３Ｎ３（ＯＣ６Ｈ４ＣＦ３）５］−ＯＣＨ２−〕
δ＝−１２０．３ｐｐｍ
〔４Ｆ，−ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ、［Ｐ３Ｎ３（ＯＣ６Ｈ４ＣＦ３）５］−ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−〕
δ＝−１２７．６ｐｐｍ
〔４Ｆ，−ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ、［Ｐ３Ｎ３（ＯＣ６Ｈ４ＣＦ３）５］−ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−〕
ｙ＝７．０
実施例３
Ａ−Ｏ−ＣＨ２−Ｒｆ−ＣＨ２−Ｂ（化合物ＩＩＩ）の合成
実施例１に記載した合成方法において、式ＨＯＣＨ２−Ｒｆ−ＣＨ２−（ｃ）で表わされるフルオロポリエーテルとしてＨＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）２ＯＨ（平均分子量２０００）を４７ｇ用いた以外は、実施例１と同様にして、化合物ＩＩＩを合成した。
化合物ＩＩＩは、無色透明液体であり、２０℃での密度は、１．７４ｇ／ｃｍ３であった。ＮＭＲを用いて行った化合物ＩＩＩの同定結果を示す。１９Ｆ−ＮＭＲについて、化合物ＩＩＩをそのまま分析に用いた。
１９Ｆ−ＮＭＲ（溶媒；なし）
δ＝−６４．１ｐｐｍ
〔１５Ｆ，［Ｐ３Ｎ３（ＯＣ６Ｈ４ＣＦ３）５］−ＯＣＨ２−〕
δ＝−８６．７ｐｐｍ
〔２Ｆ，−ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）２ＯＨ〕
δ＝−１２４．４ｐｐｍ
〔２Ｆ，−ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）２ＯＨ〕
δ＝−８６．３ｐｐｍ
〔２Ｆ，［Ｐ３Ｎ３（ＯＣ６Ｈ４ＣＦ３）５］−ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２−〕
δ＝−１２４．８ｐｐｍ
〔２Ｆ，［Ｐ３Ｎ３（ＯＣ６Ｈ４ＣＦ３）５］−ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２−］
ｘ＝９．８
実施例４
Ａ−Ｏ−ＣＨ２−Ｒｆ−ＣＨ２−Ｂ（化合物ＩＶ）の合成
実施例１に記載した合成方法において、式ＨＯＣＨ２−Ｒｆ−ＣＨ２−（ｄ）で表わされるフルオロポリエーテルとして、ＨＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−メトキシフェニル−ｐ（平均分子量２０００）を４０ｇ用いた以外は実施例１と同様にして、化合物ＩＶを合成した。
化合物ＩＶは、無色透明液体であり、２０℃での密度は、１．７５ｇ／ｃｍ３であった。ＮＭＲを用いて行った化合物ＩＶの同定結果を示す。１９Ｆ−ＮＭＲについて、化合物ＩＶをそのまま分析に用いた。
１９Ｆ−ＮＭＲ（溶媒；なし）
δ＝−６３．８ｐｐｍ
〔１５Ｆ，［Ｐ３Ｎ３（ＯＣ６Ｈ４ＣＦ３）５］−ＯＣＨ２−〕
δ＝−８６．２ｐｐｍ、−１２３．９ｐｐｍ
〔４Ｆ，−ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＡｒ〕
δ＝−８６．１ｐｐｍ、−１２４．５ｐｐｍ
〔４Ｆ，［Ｐ３Ｎ３（ＯＣ６Ｈ４ＣＦ３）５］−ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２−〕
ｘ＝９．４
試験例１  酸化アルミニウムに対する耐分解性の測定
実施例１で合成した化合物Ｉに２０重量％のＡｌ２Ｏ３（ＭＰバイオメディカルズ製、ＩＣＮ  Ａｌｕｍｉｎａ  Ｂ，Ａｋｔ．Ｉ、平均粒子径；１００μｍ）を入れ、強く振とうしたのち超音波でさらに良く混合した試料を用い、熱分析装置（ＴＧ／ＴＤＡ）を使用してＡｌ２Ｏ３の存在下における熱挙動の比較を実施した。試験は、試料２０ｍｇをアルミ製容器に入れ、窒素雰囲気下、２５０℃の一定温度で加熱し、１００分後、および２００分後の化合物の重量減少率を測定した。また比較のため、Ａｌ２Ｏ３を添加せずに、化合物Ｉを２０ｍｇ使用し、同様の熱分析を行った。さらに比較として、化合物Ｖ〔株式会社ＭＯＲＥＳＣＯ製、ＰＨＯＳＦＡＲＯＬＡＤＯＨ〕、化合物ＶＩ〔株式会社ＭＯＲＥＳＣＯ製、ＰＨＯＳＦＡＲＯＬ  Ａ２０Ｈ−２０００〕、化合物ＶＩＩ〔ＰＨＯＳＦＡＲＯＬ  Ａ２０Ｈ−ＤＤ〕、化合物ＶＩＩＩ〔Ｓｏｌｖａｙ  Ｓｏｌｅｘｉｓ製、Ｆｏｍｂｌｉｎ  Ｚｔｅｔｒａｏｌ−２０００Ｓ〕も用いた。
（化合物Ｖ）
Ａ−Ｏ−ＣＨ２−Ｒｆ−ＣＨ２−Ｂ
式中Ａは下記式（ａ）で表される基であり、Ｂは下記式（ｂ）で表される基である。ｐは１、Ｒはｍ−ＣＦ３である。Ｒｆは−ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ａ（ＣＦ２Ｏ）ｂＣＦ２−である。ここでａは１０．５、ｂは１０．１である。
0005975368.tif 000005
耐分解性の評価結果を表１に記す。この結果から、本発明のフルオロポリエーテル化合物は、化合物Ｖ〜ＶＩＩＩに比べて、優れた耐分解性を有することが確認された。
【表１】
0005975368.tif 000006
試験例２  ボンド率の測定
実施例１で合成した化合物ＩをＤｕＰｏｎｔ製Ｖｅｒｔｒｅｌ−ＸＦに溶解する。この溶液の化合物Ｉの濃度は０．１重量％である。直径２．５インチの磁気ディスクをこの溶液に１分間浸漬し、速度２ｍｍ／ｓで引き上げた。その後１５０℃の恒温槽に１０分間この磁気ディスクを入れ、ディスク表面に対する潤滑剤の吸着を促進させる。この後、Ｆｏｕｒｉｅｒ  Ｔｒａｎｓｆｏｒｍ  Ｉｎｆｒａｒｅｄ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ（ＦＴ−ＩＲ）でディスク上の化合物の平均膜厚を測定する。この膜厚をｆÅとする。次に、このディスクをＶｅｒｔｒｅｌ−ＸＦ中に１０分間浸漬し、速度１０ｍｍ／ｓで引き上げた後、室温下で静置して溶媒を揮発させる。この後、ディスク上に残った化合物の平均膜厚をＦＴ−ＩＲで測定する。この膜厚をｂÅとする。ディスクとの吸着性の強弱を示す指標として、一般に用いられているボンド率を採用した。ボンド率は、下記式で表される。
ボンド率（％）＝１００×ｂ／ｆ
また比較のため、化合物Ｖ〔ＰＨＯＳＦＡＲＯＬ  ＡＤＯＨ〕、さらには両末端にそれぞれ２つの水酸基を有するパーフルオロポリエーテル（Ｓｏｌｖａｙ  Ｓｏｌｅｘｉｓ製Ｆｏｍｂｌｉｎ  Ｚｔｅｔｒａｏｌ−２０００Ｓ，化合物ＶＩＩＩ）を使用した。
ＨＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｃ（ＣＦ２Ｏ）ｄＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ（化合物ＶＩＩＩ）
ここでｃは１０．１、ｄは１０．９である。
これらの化合物のボンド率を測定した。結果を表２に示す。これらの結果から、本発明のフルオロポリエーテル化合物Ｉは、磁気ディスクと強い吸着力で結合した潤滑層を形成できるという効果が確認された。
【表２】
0005975368.tif 000007
実施例５
磁気ディスクの作製
実施例１で得られた化合物ＩをＤｕＰｏｎｔ製Ｖｅｒｔｒｅｌ−ＸＦに溶解する。この溶液の化合物１の濃度は０．０５重量％である。直径２．５インチの磁気ディスクをこの溶液に１分間浸漬し、速度２ｍｍ／ｓで引き上げた。その後１５０℃で１０分間乾燥し、塗布された化合物の膜厚をＦＴ−ＩＲで測定した。
結果を表３に示す。この結果から、分解抑制効果を有する本発明の化合物を用いた磁気ディスクを作製できることが確認された。なお化合物ＶＩＩ〔ＰＨＯＳＦＡＲＯＬ  Ａ２０Ｈ−ＤＤ〕を用いて同様に磁気ディスクを作製した。
【表３】
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以上の結果より、本発明のシクロホスファゼン基と水酸基を有するパーフルオロポリエーテル化合物は、高い吸着性とヘッド部材のＡｌ２Ｏ３に対する分解抑制効果を両立する効果が認められ、さらに、これらの化合物を有する磁気ディスクを作製できることが確認された。
【産業上の利用可能性】
【００１１】
本発明のシクロホスファゼン基と水酸基を有するフルオロポリエーテル化合物は、耐分解性に優れた潤滑剤である。また、本発明の化合物を潤滑剤として用いた磁気ディスクは、ヘッドとディスクの接触摺動においても優れた耐久性を有する。
【符号の説明】
【００１２】
１  支持体
２  記録層
３  保護層
４  潤滑層
【図１】
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