(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に半導体層を形成する工程と、
ＳｉとＣｌを分子構造に含むガスを用いて、前記半導体層の一部をエッチングしつつ前記エッチングで生じたＳｉ系反応生成物で前記半導体層を覆うエッチング工程と、
前記エッチング工程の後に、前記基板をＭＯＣＶＤ装置のチャンバ内に搬送する工程と、
前記チャンバ内で前記Ｓｉ系反応生成物を除去する除去工程と、
前記除去工程の後に、前記チャンバ内で前記半導体層に対して結晶成長を行う結晶成長工程とを備え、
前記除去工程では、前記基板をアニールしつつ、前記基板にハロゲン系の反応性ガスを供給することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記半導体層はＡｌを含む活性層であり、
前記結晶成長工程では前記活性層の左右に電流ブロック層を形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記半導体デバイスは、レーザ部と変調部を有し、
前記電流ブロック層は、前記レーザ部では前記活性層の左右に形成され、前記変調部では前記変調部の一部として形成されることを特徴とする請求項２に記載の半導体デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば光通信などに用いられる半導体デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、半導体をドライエッチングするとエッチング残渣としてエッチング反応生成物（Ｓｉ系反応生成物）が発生することが開示されている。特許文献１には、このＳｉ系反応生成物を除去する技術が開示されている。具体的には、化合物半導体の一部をドライエッチングした後、酸溶液にてＳｉ系反応生成物を除去する。Ｓｉ系反応生成物を除去した後には電流ブロック層を結晶成長する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−０５７１４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に開示の技術では、Ｓｉ系反応生成物を除去した清浄なウエハを結晶成長のためのチャンバに移動しなければならない。この移動時にウエハは大気中に露出させられるので半導体表面が変質してしまう問題があった。
【０００５】
特に、Ａｌなどの反応性の高い原子を含む半導体が大気中に露出すると、半導体表面が変質しやすい。変質した半導体表面に対し結晶成長すると半導体表面との界面の結晶品質が低下し、半導体デバイスの特性や信頼性が低下する問題があった。
【０００６】
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、半導体デバイスの特性や信頼性の低下を防止できる半導体デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本願の発明に係る半導体デバイスの製造方法は、基板に半導体層を形成する工程と、ＳｉとＣｌを分子構造に含むガスを用いて、該半導体層の一部をエッチングしつつ該エッチングで生じたＳｉ系反応生成物で該半導体層を覆うエッチング工程と、該エッチング工程の後に、該基板をＭＯＣＶＤ装置のチャンバ内に搬送する工程と、該チャンバ内で該Ｓｉ系反応生成物を除去する除去工程と、該除去工程の後に、該チャンバ内で該半導体層に対して結晶成長を行う結晶成長工程とを備え、該除去工程では、該基板をアニールしつつ、該基板にハロゲン系の反応性ガスを供給することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、Ｓｉ系反応生成物を除去した清浄な半導体層が大気中に露出することを防止できるので、半導体デバイスの特性や信頼性が低下することを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】基板に半導体層を形成した後のウエハの断面図である。
【図２】ＳｉＯ２マスクを形成した後のウエハの断面図である。
【図３】エッチング工程後のウエハの断面図である。
【図４】ＭＯＣＶＤ装置の概略図である。
【図５】Ｓｉ系反応生成物を除去した後のウエハの断面図である。
【図６】電流ブロック構造を形成した後のウエハの断面図である。
【図７】コンタクト層を形成した後のウエハの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
実施の形態．
図を参照して本発明の実施の形態に係る半導体デバイスの製造方法を説明する。本発明の実施の形態では半導体デバイスとして半導体レーザ素子を製造する。まず、基板に半導体層を形成する。図１は、基板に半導体層を形成した後のウエハの断面図である。基板１０はｐ型ＩｎＰで形成されている。基板１０の上に、ＭＯＣＶＤ法によりｐ型ＩｎＰでクラッド層１２を形成する。次いで、クラッド層１２の上にＡｌＧａＩｎＡｓで活性層１４を形成する。次いで、活性層１４の上にｎ型ＩｎＰでクラッド層１６を形成する。このように本発明の実施の形態では、半導体層として、クラッド層１２、活性層１４、及びクラッド層１６を形成する。
【００１１】
次いで、ＳｉＯ２マスクを形成する。図２は、ＳｉＯ２マスクを形成した後のウエハの断面図である。ＳｉＯ２マスク１８は、レジストパターンを用いたフォトエッチングにより、所定のパターンにパターニングする。
【００１２】
次いで、ＳｉＯ２マスク１８をマスクとして半導体層の一部をエッチングし、垂直メサを形成する。この工程をエッチング工程と称する。図３は、エッチング工程後のウエハの断面図である。エッチング工程ではまずウエハをＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）装置のチャンバ内へ搬送する。そして、ＳｉとＣｌを分子構造に含むガスと、Ａｒガスとを用いたＲＩＥ（反応性イオンエッチング）を実施する。ＳｉとＣｌを分子構造に含むガスとしては、例えばＳｉＣｌ４を用いることができる。
【００１３】
このエッチングは、半導体層（クラッド層１２、活性層１４、及びクラッド層１６）の一部をエッチングしつつエッチングで生じたＳｉ系反応生成物２０で半導体層を覆うものである。Ｓｉ系反応生成物２０は、ＳｉＣｌ４ガスのＳｉが半導体層の構成要素と反応して生成されたＳｉ化合物である。図３には、Ｓｉ系反応生成物２０で覆われた半導体層を有するウエハ２２が示されている。
【００１４】
次いで、基板（ウエハ２２）をＭＯＣＶＤ装置のチャンバ内へ搬送する。図４は、ＭＯＣＶＤ装置の概略図である。ＭＯＣＶＤ装置は、チャンバ３０内にステージ３２を有している。ステージ３２にはウエハ２２が固定されている。チャンバ３０には原料３４と原料３６の保管部が接続されており、これらをチャンバ３０内に導入できるようになっている。また、チャンバ３０には排気ポンプ３８が接続されており、チャンバ３０内の排気が可能となっている。
【００１５】
次いで、チャンバ３０内でＳｉ系反応生成物２０を除去する。この工程を除去工程と称する。図５は、Ｓｉ系反応生成物２０を除去した後のウエハの断面図である。除去工程では、ウエハを高温に維持してハロゲン系の反応性ガスを用いてＳｉ系反応生成物２０を除去する。このように除去工程では、ＭＯＣＶＤ装置内で「インサイチュ（ｉｎ  ｓｉｔｕ）エッチング」を行う。
【００１６】
次いで、チャンバ３０内で所定の結晶成長を行う。この工程を結晶成長工程と称する。結晶成長工程では、メサ側面に電流ブロック構造を形成する。図６は、電流ブロック構造を形成した後のウエハの断面図である。電流ブロック構造４０は、ＭＯＣＶＤ法によりｐ型ＩｎＰ層で電流ブロック層４２、ｎ型ＩｎＰ層で電流ブロック層４４、ｐ型ＩｎＰ層で電流ブロック層４２を順次成長することで形成する。こうして、活性層１４の左右に電流ブロック層４２、４４を形成する。
【００１７】
次いで、ＳｉＯ２マスク１８を除去する。次いで、ＭＯＣＶＤ法によりｎ型ＩｎＰでクラッド層４６を形成する。次いで、ＭＯＣＶＤ法によりｎ型ＩｎＧａＡｓでコンタクト層４８を形成する。図７は、コンタクト層４８を形成した後のウエハの断面図である。こうして、本発明の実施の形態に係る半導体デバイスである半導体レーザ素子の基本構造が完成する。
【００１８】
ところで、半導体層（特に活性層）の側面が変質した状態で電流ブロック層を形成すると、半導体レーザ素子の動作時に半導体層側面の変質部分（酸化箇所）をリーク電流が流れることがある。リーク電流が流れると、発光効率や信頼性が低下してしまうことがあった。
【００１９】
ところが、本発明の実施の形態に係る半導体デバイスの製造方法によれば、ＳｉとＣｌを分子構造に含むガスを用いてエッチング工程を実施するので、エッチング工程中及びその後はＳｉ系反応生成物２０で半導体層（クラッド層１２、活性層１４、及びクラッド層１６）を保護できる。よって、ウエハをＲＩＥ装置からＭＯＣＶＤ装置へ移動する際に半導体層が酸化するなどして変質することを防止できる。
【００２０】
また、ＭＯＣＶＤ装置内でＳｉ系反応生成物２０を除去したあと、連続してその場で結晶成長を行うのでＳｉ系反応生成物２０を除去した後に半導体層が変質することも防止できる。よって、清浄な半導体層に対して結晶成長を施すことができるので半導体デバイスの特性や信頼性が低下することを防止できる。また、リーク電流を抑制し半導体デバイスのエネルギー消費量を削減できる。
【００２１】
本発明の実施の形態では、ＡｌＧａＩｎＡｓで形成された活性層１４を有する埋込型半導体レーザ素子の製造工程を説明したが、本発明はこれに限定されない。すなわち、本発明は半導体層の変質を抑制して結晶成長するものであるため、半導体層の一部をエッチングしその後に半導体層に結晶成長を施す工程を有する製造工程に対し応用できる。
【００２２】
例えば、本発明は、レーザ部と変調部を有する半導体デバイスの製造に応用できる。この場合、電流ブロック層は、レーザ部では活性層の左右に形成し変調部では変調部の一部として形成する。
【００２３】
本発明の実施の形態では、除去工程においてハロゲン系の反応性ガスを用いたが、アニール処理によりＳｉ系反応生成物２０を除去してもよい。また、活性層１４は必ずしもＡｌを含む必要はないし、半導体層の種類も上述のものに限定されない。
【符号の説明】
【００２４】
１０  基板、  １２  クラッド層、  １４  活性層、  １６  クラッド層、  １８  ＳｉＯ２マスク  ２０  Ｓｉ系反応生成物、  ２２  ウエハ、  ３０  チャンバ、  ３２  ステージ、  ４０  電流ブロック構造、  ４２，４４  電流ブロック層、  ４６  クラッド層、  ４８  コンタクト層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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