(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
アウトオブプレーン電極を形成する方法であって、
デバイス層の上側表面の上方に酸化物層を設けるステップと、
前記酸化物層の上側表面の上方に第１のキャップ層部分を設けるステップと、
前記第１のキャップ層部分を貫通して延び、前記酸化物層のところで止まる第１の電極周辺部画成トレンチをエッチングするステップと、
前記第１の電極周辺部画成トレンチ内に第１の材料部分を堆積するステップと、
前記堆積した第１の材料部分の上方に第２のキャップ層部分を堆積するステップと、
前記酸化物層の一部を気相リリースするステップと、
前記第２のキャップ層部分の上方に第３のキャップ層部分を堆積するステップと、
前記第２のキャップ層部分および前記第３のキャップ層部分を貫通して延びる第２の電極周辺部画成トレンチをエッチングするステップと、
前記第２の電極周辺部画成トレンチ内に第２の材料部分を堆積するステップであって、それにより、前記第１の材料部分および前記第２の材料部分を含むスペーサがアウトオブプレーン電極の周辺部を画成するようになる、ステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記第１のキャップ層部分および前記酸化物層を貫通して延びるエッチストップ周辺部画成トレンチをエッチングするステップと、
前記エッチストップ周辺部画成トレンチ内に第３の材料部分を堆積するステップであって、前記酸化物層の一部を気相リリースするステップが、前記第３の材料部分によって画成される境界まで前記酸化物層の一部を気相リリースするステップを含む、ステップと
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記堆積した第１の材料部分の上にエッチストップ層部分を堆積するステップをさらに含み、第２の電極周辺部画成トレンチをエッチングするステップが、
前記第２のキャップ層部分を貫通し前記エッチストップ層まで延びる第２の電極周辺部画成トレンチをエッチングするステップ
を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１のキャップ層部分、前記第２のキャップ層部分、および前記第３のキャップ層部分が、エピタキシャル堆積プロセスによって堆積される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第１の材料部分および前記第２の材料部分が、窒化シリコンからなる、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記堆積した第１の材料部分の上にエッチストップ層部分を堆積するステップをさらに含み、第２の電極周辺部画成トレンチをエッチングするステップが、
前記第２のキャップ層部分を貫通し前記エッチストップ層まで延びる第２の電極周辺部画成トレンチをエッチングするステップ
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第１のキャップ層および前記第２のキャップ層を貫通するベント孔をエッチングするステップをさらに含み、前記酸化物層の一部を気相リリースするステップが、
前記ベント孔を介して前記酸化物層の一部を気相リリースするステップ
を含む、請求項１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本出願は、２０１１年４月１４日出願の米国特許仮出願第６１／４７５、４６１号の利益を主張するものである。
[0001]本発明は、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスまたは半導体デバイスにおいて使用されるようなウェハおよび基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]静電ＭＥＭＳ共振器は、より小さいサイズの、より少ない電力消費の、かつ低コストのシリコン製造に対する可能性により、従来型の水晶共振器を置き換える将来有望な技術的な候補になっている。しかしながら、通常、このようなデバイスは、許容できないほど大きな動インピーダンス（Ｒｘ）に悩まされている。アウトオブプレーン（ｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ）方向、すなわち、デバイスが上に形成される基板によって規定される面に垂直な方向で動作するＭＥＭＳデバイスは、上部表面および底部表面において変換面積が大きいという利点を有し、動インピーダンスの低減をもたらす。その結果、アウトオブプレーンデバイスは、増々注目を集めており、ディジタルマイクロミラーデバイスおよび干渉変調器などの分野において著しい進歩をもたらしている。
【０００３】
[0003]アウトオブプレーン電極の潜在的な利点は、Ｒｘに影響する要因を考慮すると明らかである。Ｒｘを記述する方程式は、下記の通りである、
【０００４】
【数１】
0005913564.tif 000002
ここでは、「ｃｒ」は、共振器の実効減衰定数であり、
「η」は、変換効率であり、
「ｇ」は、電極間のギャップであり、
「Ａ」は、変換面積であり、
「Ｖ」は、バイアス電圧である。
【０００５】
[0004]インプレーン（ｉｎ−ｐｌａｎｅ）デバイスに関しては、「Ａ」はＨｘＬとして定義され、ただし、「Ｈ」はインプレーン構成要素の高さであり、「Ｌ」はインプレーン構成要素の長さである。このように、ηは、Ｈ／ｇの関数であり、Ｈ／ｇは、通常、約２０：１に制限されるエッチングアスペクト比によって制約される。しかし、アウトオブプレーンデバイスに関しては、「Ａ」はＬｘＷとして定義され、ただし、「Ｗ」はデバイスの幅である。したがって、ηは、アウトオブプレーンデバイスの高さの関数ではない。もっと正確に言えば、ηは、（ＬｘＷ）／ｇの関数である。したがって、デバイスの所望のフットプリントは、変換効率における主要な要因である。このように、アウトオブプレーンデバイスは、インプレーンデバイスと比較して、著しく大きな変換効率を実現する能力を有する。
【０００６】
[0005]旧来、アウトオブプレーン電極は、このようなデバイスを信頼性良く製造することが困難であるという理由で、十分には利用されていない。例えば、パッケージングは、アウトオブプレーン電極がパッケージングプロセス中に容易に損傷を受けるという理由で、アウトオブプレーンデバイスに対して困難である。アウトオブプレーン電極を組み込んでいるＭＥＭＳ共振器は、このようなデバイスが真空封止プロセスを必要とするという理由で、特に難しいものである。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
[0006]これゆえ、必要とされるものは、アウトオブプレーン電極を有する単純で信頼性の高いデバイスおよびこのデバイスを製造するための方法である。封止される真空を用いて容易に製造されるアウトオブプレーン電極を組み込んだデバイスは、さらに有利であるはずである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
[0007]一実施形態では、アウトオブプレーン電極を形成する方法は、デバイス層の上側表面の上方に酸化物層を設けるステップと、酸化物層の上側表面の上方に第１のキャップ層部分を設けるステップと、第１のキャップ層部分を貫通して延び、酸化物層のところで止まる第１の電極周辺部画成トレンチをエッチングするステップと、第１の電極周辺部画成トレンチ内に第１の材料部分を堆積するステップと、堆積した第１の材料部分の上方に第２のキャップ層部分を堆積するステップと、酸化物層の一部を気相リリースするステップと、第２のキャップ層部分の上方に第３のキャップ層部分を堆積するステップと、第２のキャップ層部分および第３のキャップ層部分を貫通して延びる第２の電極周辺部画成トレンチをエッチングするステップと、第２の電極周辺部画成トレンチ内に第２の材料部分を堆積するステップであって、それにより、第１の材料部分および第２の材料部分を含むスペーサがアウトオブプレーン電極の周辺部を画成するようになる、ステップとを含む。
【０００９】
[0008]さらなる実施形態では、アウトオブプレーン電極を有するデバイスは、ハンドル層の上方に位置するデバイス層と、第１のキャップ層部分をデバイス層の上側表面から間隔を空けて配置したキャップ層と、スペーサによって第１のキャップ層部分内に画成されたアウトオブプレーン電極とを含む。
【００１０】
[0009]さらに別の一実施形態では、アウトオブプレーン電極を形成する方法は、デバイス層の上側表面の上方に酸化物層を設けるステップと、酸化物層の上側表面の上方に第１のキャップ層部分をエピタキシャルに堆積するステップと、第１のキャップ層部分を貫通して延び、酸化物層のところで止まる第１の電極周辺部画成トレンチをエッチングするステップと、第１の電極周辺部画成トレンチ内に第１の絶縁性材料部分を堆積するステップと、堆積した第１の材料部分の上方に第２のキャップ層部分をエピタキシャルに堆積するステップと、酸化物層の一部にＨＦ気相エッチリリースを実行するステップと、第２のキャップ層部分の上方に第３のキャップ層部分をエピタキシャルに堆積するステップと、第２のキャップ層部分および第３のキャップ層部分を貫通して延びる第２の電極周辺部画成トレンチをエッチングするステップと、第２の電極周辺部画成トレンチ内に第２の絶縁性材料部分を堆積するステップであって、それにより、第１の材料部分および第２の材料部分を含むスペーサがアウトオブプレーン電極の周辺部を画成するようになる、ステップとを含む。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】[0010]アウトオブプレーン電極を画成するスペーサを組み込んだセンサデバイスの垂直横断面図であり、スペーサは本発明の原理に従って２つのトレンチ部分およびガスケット部分を含む。
【図２】[0011]デバイス層がエッチングされてインプレーン電極を画成する、ウェハを示す垂直横断面図である。
【図３】[0012]図２のウェハを示す上面図である。
【図４】[0013]トレンチが酸化物材料で充填され、酸化物層がデバイス層の上方に形成されている図２のウェハを示す図である。
【図５】[0014]図４のウェハを示す上面図である。
【図６】[0015]１つの開口部がデバイス層のコンタクト部分の上方の酸化物層中にエッチングされている図４のウェハを示す図である。
【図７】[0016]図６のウェハを示す上面図である。
【図８】[0017]第１のキャップ層部分が酸化物層の上方に形成され、トレンチが酸化物層中に形成されている図６のウェハを示す図である。
【図９】[0018]図８のウェハを示す上面図である。
【図１０】[0019]トレンチが絶縁性材料で充填され、絶縁性材料が第１のキャップ層部分の上方に層をやはり形成し、絶縁層の上方にエッチストップ層が形成されている図８のウェハを示す図である。
【図１１】[0020]図１０のウェハを示す上面図である。
【図１２】[0021]絶縁層およびエッチストップ層がアウトオブプレーン電極用のガスケットおよびデバイス層コンタクトを画成するようにエッチングされた後の図１０のウェハを示す図である。
【図１３】[0022]図１２のウェハを示す上面図である。
【図１４】[0023]第２のキャップ層部分が第１のキャップ層部分およびガスケットの上方に堆積され、第２のキャップ層部分が平坦化された後の図１２のウェハを示す図である。
【図１５】[0024]図１４のウェハを示す上面図である。
【図１６】[0025]気相エッチベント孔が第１のキャップ層部分および第２のキャップ層部分を貫通してエッチングされ、酸化物層の一部、デバイス層中の酸化物材料、および埋め込み酸化物層の一部がエッチングされ、それによってインプレーン電極を電気的に分離し、インプレーン電極の上方の第１のキャップ層部分をリリースした後の図１４のウェハを示す図である。
【図１７】[0026]図１６のウェハを示す上面図である。
【図１８】[0027]気相エッチベント孔が第３のキャップ層部分によってシールされた後の図１６のウェハを示す図である。
【図１９】[0028]図１８のウェハを示す上面図である。
【図２０】[0029]トレンチがガスケットの上側表面まで第３のキャップ層部分および第２のキャップ層部分を貫通して形成されている図１８のウェハを示す図である。
【図２１】[0030]図２０のウェハを示す上面図である。
【図２２】[0031]絶縁性材料が、トレンチの内部で、第３のキャップ層部分の上側表面に沿って堆積し、１つのコンタクト開口部がキャップ層のコンタクト部分を露出するように絶縁性材料を貫通してエッチングされている図２０のウェハを示す図である。
【図２３】[0032]図２２のウェハを示す上面図である。
【図２４】[0033]酸化物層までキャップ層部分を貫通して延びる電極画成トレンチ、およびデバイス層の上側表面までキャップ層部分および酸化物層を貫通して延びるエッチストップトレンチを含むウェハを示す垂直横断面図である。
【図２５】[0034]窒化物トレンチ部分が電極画成トレンチを充填する、窒化物エッチストップ部分がエッチストップトレンチを充填し、ガスケットが窒化物トレンチ部分および窒化物エッチストップ部分の上方に形成され、エッチベント孔がキャップ層を貫通して延びる図２４のウェハを示す垂直横断面図であり、ここでは、酸化物層のエッチングは、窒化物エッチストップ部分によって制約されている。
【図２６】[0035]デバイスのハンドル層まで延びる一方で、デバイス層およびキャップ層から分離される電気的コンタクトをデバイスの上側表面に設けるために処理されるウェハを示す垂直横断面図であり、ここでは、デバイス層とキャップ層との間の酸化物層のエッチングは、窒化物エッチストップ部分によって制約されている。
【図２７】デバイスのハンドル層まで延びる一方で、デバイス層およびキャップ層から分離される電気的コンタクトをデバイスの上側表面に設けるために処理されるウェハを示す垂直横断面図であり、ここでは、デバイス層とキャップ層との間の酸化物層のエッチングは、窒化物エッチストップ部分によって制約されている。
【図２８】デバイスのハンドル層まで延びる一方で、デバイス層およびキャップ層から分離される電気的コンタクトをデバイスの上側表面に設けるために処理されるウェハを示す垂直横断面図であり、ここでは、デバイス層とキャップ層との間の酸化物層のエッチングは、窒化物エッチストップ部分によって制約されている。
【図２９】デバイスのハンドル層まで延びる一方で、デバイス層およびキャップ層から分離される電気的コンタクトをデバイスの上側表面に設けるために処理されるウェハを示す垂直横断面図であり、ここでは、デバイス層とキャップ層との間の酸化物層のエッチングは、窒化物エッチストップ部分によって制約されている。
【図３０】デバイスのハンドル層まで延びる一方で、デバイス層およびキャップ層から分離される電気的コンタクトをデバイスの上側表面に設けるために処理されるウェハを示す垂直横断面図であり、ここでは、デバイス層とキャップ層との間の酸化物層のエッチングは、窒化物エッチストップ部分によって制約されている。
【図３１】デバイスのハンドル層まで延びる一方で、デバイス層およびキャップ層から分離される電気的コンタクトをデバイスの上側表面に設けるために処理されるウェハを示す垂直横断面図であり、ここでは、デバイス層とキャップ層との間の酸化物層のエッチングは、窒化物エッチストップ部分によって制約されている。
【図３２】デバイスのハンドル層まで延びる一方で、デバイス層およびキャップ層から分離される電気的コンタクトをデバイスの上側表面に設けるために処理されるウェハを示す垂直横断面図であり、ここでは、デバイス層とキャップ層との間の酸化物層のエッチングは、窒化物エッチストップ部分によって制約されている。
【図３３】デバイスのハンドル層まで延びる一方で、デバイス層およびキャップ層から分離される電気的コンタクトをデバイスの上側表面に設けるために処理されるウェハを示す垂直横断面図であり、ここでは、デバイス層とキャップ層との間の酸化物層のエッチングは、窒化物エッチストップ部分によって制約されている。
【図３４】デバイスのハンドル層まで延びる一方で、デバイス層およびキャップ層から分離される電気的コンタクトをデバイスの上側表面に設けるために処理されるウェハを示す垂直横断面図であり、ここでは、デバイス層とキャップ層との間の酸化物層のエッチングは、窒化物エッチストップ部分によって制約されている。
【図３５】デバイスのハンドル層まで延びる一方で、デバイス層およびキャップ層から分離される電気的コンタクトをデバイスの上側表面に設けるために処理されるウェハを示す垂直横断面図であり、ここでは、デバイス層とキャップ層との間の酸化物層のエッチングは、窒化物エッチストップ部分によって制約されている。
【図３６】デバイスのハンドル層まで延びる一方で、デバイス層およびキャップ層から分離される電気的コンタクトをデバイスの上側表面に設けるために処理されるウェハを示す垂直横断面図であり、ここでは、デバイス層とキャップ層との間の酸化物層のエッチングは、窒化物エッチストップ部分によって制約されている。
【図３７】デバイスのハンドル層まで延びる一方で、デバイス層およびキャップ層から分離される電気的コンタクトをデバイスの上側表面に設けるために処理されるウェハを示す垂直横断面図であり、ここでは、デバイス層とキャップ層との間の酸化物層のエッチングは、窒化物エッチストップ部分によって制約されている。
【図３８】デバイスのハンドル層まで延びる一方で、デバイス層およびキャップ層から分離される電気的コンタクトをデバイスの上側表面に設けるために処理されるウェハを示す垂直横断面図であり、ここでは、デバイス層とキャップ層との間の酸化物層のエッチングは、窒化物エッチストップ部分によって制約されている。
【図３９】[0036]図２６〜図３８に関して記述したものと実質的に同じプロセスを用いて製造可能なプルーフマスを有するＭＥＭＳデバイスを示す垂直横断面図であり、デバイスはプルーフマスの反対側のデバイス層内に２つの電気的に分離されたコンタクトを含み、かつ任意選択でアウトオブプレーン電極を含む。
【図４０】[0037]図２６〜図３８に関して記述したものと実質的に同じプロセスを用いて製造可能なプルーフマスを有するＭＥＭＳデバイスを示す垂直横断面図であり、デバイスは任意選択のアウトオブプレーン電極およびプルーフマスの反対側のデバイス層内の２つの電気的に分離されたコンタクトを有し、ここでは、デバイス層とハンドル層との間の埋め込み酸化物層のエッチングは、窒化物エッチストップ部分によって制約されている。
【図４１】[0038]図４０のデバイスを形成するために処理されるウェハを示す垂直横断面図である。
【図４２】図４０のデバイスを形成するために処理されるウェハを示す垂直横断面図である。
【図４３】図４０のデバイスを形成するために処理されるウェハを示す垂直横断面図である。
【図４４】図４０のデバイスを形成するために処理されるウェハを示す垂直横断面図である。
【図４５】図４０のデバイスを形成するために処理されるウェハを示す垂直横断面図である。
【図４６】図４０のデバイスを形成するために処理されるウェハを示す垂直横断面図である。
【図４７】図４０のデバイスを形成するために処理されるウェハを示す垂直横断面図である。
【図４８】図４０のデバイスを形成するために処理されるウェハを示す垂直横断面図である。
【図４９】図４０のデバイスを形成するために処理されるウェハを示す垂直横断面図である。
【図５０】図４０のデバイスを形成するために処理されるウェハを示す垂直横断面図である。
【図５１】図４０のデバイスを形成するために処理されるウェハを示す垂直横断面図である。
【図５２】図４０のデバイスを形成するために処理されるウェハを示す垂直横断面図である。
【図５３】図４０のデバイスを形成するために処理されるウェハを示す垂直横断面図である。
【図５４】図４０のデバイスを形成するために処理されるウェハを示す垂直横断面図である。
【図５５】図４０のデバイスを形成するために処理されるウェハを示す垂直横断面図である。
【図５６】図４０のデバイスを形成するために処理されるウェハを示す垂直横断面図である。
【図５７】図４０のデバイスを形成するために処理されるウェハを示す垂直横断面図である。
【図５８】図４０のデバイスを形成するために処理されるウェハを示す垂直横断面図である。
【図５９】図４０のデバイスを形成するために処理されるウェハを示す垂直横断面図である。
【図６０】図４０のデバイスを形成するために処理されるウェハを示す垂直横断面図である。
【図６１】図４０のデバイスを形成するために処理されるウェハを示す垂直横断面図である。
【図６２】図４０のデバイスを形成するために処理されるウェハを示す垂直横断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
[0039]本発明の原理の理解を深める目的で、図面に示され下記の明細書に説明される実施形態をここで参照する。本発明の範囲に対する限定がこれによってないものとすることが、理解される。本発明は、図示した実施形態に対するすべての変更形態および変形形態を含み、本発明に関係する当業者なら普通に思い付くはずであるように本発明の原理のさらに多くの用途を含むことが、さらに理解される。
【００１３】
[0040]図１は、ハンドル層１０２、埋め込み酸化物層１０４、およびデバイス層１０６を含む圧力センサ１００を表している。酸化物層１０８は、デバイス層１０６をキャップ層１１０から切り離す。不動態層１１２は、キャップ層１１０の上方に配置される。
【００１４】
[0041]デバイス層１０６内では、インプレーン電極１１４は、２つのエッチ部分１１６および１１８によって画成される。インプレーン電極１１４は、酸化物層１０８のエッチングした部分１２０によってキャップ層１１０から分離される。エッチングした部分１１６、１１８および１２０は、ベント孔１２２を介してエッチングされ、ベント孔はキャップ層１１０によって閉じられる。
【００１５】
[0042]アウトオブプレーン電極１２４は、インプレーン電極１１４の上方に配置され、エッチングした部分１２０によってインプレーン電極１１４から電気的に分離される。アウトオブプレーン電極１２４は、２つのスペーサ１２６および１２８によってキャップ層１１０の残りの部分から分離される。スペーサ１２６および１２８は、エッチングした部分１２０から上に向かって延びる下側窒化物部分１３０、および窒化物部分１３０からキャップ層１１０の上側表面まで延びる上側窒化物部分１３２を含む。
【００１６】
[0043]スペーサ１２６および１２８と同様に形成されたスペーサ１３４および１３６は、キャップ層１１０中のコネクタ１３８をキャップ層１１０の残りの部分から電気的に分離する。コネクタ１３８は、デバイス層１０６中のコネクタ１４０と電気的に通じている。コネクタ１４０は、下記により詳細に説明するように、インプレーン電極１１４と電気的に通じており、分離ポスト１４２および１４４によってデバイス層１０６の残りの部分から分離される。分離ポスト１４２および１４４は、埋め込み酸化物層１０４から酸化物層１０８まで延びる。ボンドパッドまたはトレース１４６は、不動態層１１２の上方に配置され、コネクタ１３８と電気的に通じている。
【００１７】
[0044]圧力センサ１００などのセンサを形成するプロセスが、図２〜図２３を参照して論じられる。最初に図２および図３を参照して、ハンドル層２０２、埋め込み酸化物層２０４、およびデバイス層２０６を含むＳＯＩウェハ２００は、インプレーン電極２０８およびインプレーン電極２０８用の下側コンタクト部分２１０を画成するために最初にエッチングされる。コネクタ２１２は、インプレーン電極２０８と下側コンタクト部分２１０との間にエッチングされる。インプレーン電極２０８は、トレンチ部分２１４によって画成され、一方で下側コンタクト部分２１０は、トレンチ部分２１６によって画成され、コネクタ２１２は、トレンチ部分２１８によって画成される。望まれる場合には、構造層またはハンドル層２０２は、減圧化学気相堆積（ＬＰＣＶＤ）層またはエピポリシリコン層であってもよい。
【００１８】
[0045]トレンチ部分２１４、２１６、および２１８は、次にコンフォーマル酸化物堆積を用いて図４および図５に示したようにトレンチ酸化物部分２２０で充填される。酸化物堆積は、さらに結果的にデバイス層２０６の上側表面に酸化物層２２２をもたらす。酸化物層２２２の厚さは、下記により詳細に説明するように２つの電極間のギャップを設定する。酸化物層２２２は、化学機械研磨（ＣＭＰ）などの任意の所望の技術によって平坦化されることがある。
【００１９】
[0046]図６および図７を参照して、コンタクト開口部２２４は、下側コンタクト部分２１０の上側表面を露出するように酸化物層２２２を貫通してエッチングされる。エピポリ堆積は、エピポリの下側中間コンタクト部分２２６でコンタクト開口部２２４を充填する一方で、図８および図９に示したように酸化物層２２２の上方に下側キャップ層部分２２８を堆積する。下側中間コンタクト部分２２６は、したがって、下側コンタクト部分２１０の上側表面から下側キャップ層部分２２８の上側表面まで延びる。一代替実施形態では、下側キャップ層部分２２８は、フュージョンボンディングプロセス続いて貼り合わせウェハのバルクを除去するためにグラインディング／ポリシングまたはスマートカット技術を用いて形成した単結晶シリコンであってもよい。この代替実施形態では、電気的コンタクトは、フュージョンの後で形成されなければならない。さらなる実施形態では、ポリシングしたポリシリコンデバイス層が使用されてもよい。
【００２０】
[0047]図８および図９は、下側キャップ層部分２２８のＣＭＰの後でエッチングされ得るトレンチ２３０および２３２をさらに示す。トレンチ２３０は、下側キャップ層部分２２８の上側表面から酸化物層２２２の上側表面まで延び、下側中間コンタクト部分２２６を画成する。トレンチ２３２は、下側アウトオブプレーン電極部分２３６を画成するトレンチ部分２３４、コネクタ２４０を画成するトレンチ部分２３８、および下側アウトオブプレーン電極部分２３６用の下側コンタクト部分２４４を画成するトレンチ部分２４２を含む。
【００２１】
[0048]低ストレス窒化物は、次に、トレンチ２３０および２３２をトレンチ窒化物部分２５０および２５２で充填するために使用され、一方で、低ストレス窒化物層２５４が、図１０および図１１に示したように下側キャップ層部分２２８の上側表面に堆積される。薄い酸化物層２５６は、低ストレス窒化物層２５４の上側表面に設けられる。薄い酸化物層２５６および窒化物層２５４は、次にパターニングされエッチングされて、図１２および図１３の構成をもたらす。図１２および図１３では、酸化物層２５６の残留部２５８および窒化物層２５４の残留部２６０は、下記により詳細に説明されるアウトオブプレーン電極用のガスケット２６２を形成する。酸化物層２５６の残留部２６４および窒化物層２５４の残留部２６６は、インプレーン電極２０８のコンタクト用のガスケット２６８を形成する。断面で見たときにガスケット２６２および２６８の横方向の広がりは、これらによって画成される構成要素に対して所望の分離特性を与えるように選択されることが可能である。
【００２２】
[0049]薄いエピポリ堆積層２７０は、次に下側キャップ部分２２８の上側表面およびガスケット２６２および２６８の上側表面に形成され、中間キャップ層部分２７２（図１４および図１５参照）を形成する。エピポリ堆積層は、Ｃａｎｄｌｅｒらによる「Ｌｏｎｇ−Ｔｅｒｍ  ａｎｄ  Ａｃｃｅｌｅｒａｔｅｄ  Ｌｉｆｅ  Ｔｅｓｔｉｎｇ  ｏｆ  ａ  Ｎｏｖｅｌ  Ｓｉｎｇｌｅ−Ｗａｆｅｒ  Ｖａｃｕｕｍ  Ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ  ｆｏｒ  ＭＥＭＳ  Ｒｅｓｏｎａｔｏｒｓ」、Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ、第１５巻、第６号、２００６年１２月に記載された方式で堆積されてもよい。中間キャップ層部分２７２は、望まれる場合には平坦化されてもよい。
【００２３】
[0050]図１６および図１７を参照して、ベント孔２７４が形成された後で、中間キャップ層部分２７２をインプレーン電極２０８からリリースするＨＦ気相エッチリリースが実行される。インプレーン電極２０８の上側表面と中間キャップ層部分２７２の下側表面との間の酸化物層２２２のエッチングした部分は、したがって、インプレーン電極２０８とアウトオブプレーン電極であろうとも下側表面との間のギャップを設定する。クリーン高温シールが、次にベント孔２７４をシールするためにエピ反応炉内で実行される。あるいは、ベント孔２７４は、酸化物、窒化物、シリコンマイグレーション、等を使用してシールされてもよい。得られた構成が、図１８および図１９に示され、ここでは、層部分２７６は、中間キャップ層部分２７２の上方に形成される。
【００２４】
[0051]トレンチ２８０およびトレンチ２８２は、次に図２０および図２１に表すようにエッチングされる。トレンチ２８０は、層部分２７６の上側表面からエッチストップとして作用するガスケット２６２の上側表面まで延びる。トレンチ２８２は、層部分２７６の上側表面からエッチストップとして作用するガスケット２６８の上側表面まで延びる。酸化物、窒化物、等とすることができるパッシベーション層２８４が、次に図２２〜図２３に表すように層部分２７６の上側表面に堆積される。堆積したパッシベーション材料は、パッシベーション部分２８６および２８８でトレンチ２８０および２８２をやはり充填する。パッシベーション部分２８６、ガスケット２６２、およびトレンチ窒化物部２５０は、このようにアウトオブプレーン電極２９０を画成するスペーサを形成する。
【００２５】
[0052]パッシベーション層２８４は、次に開口部２９２および２９４を作るためにエッチングされる。金属層が、次にパッシベーション層２８４の上に堆積されることがあり、ボンドパッドまたはトレースを作るためにエッチングされ、図１の圧力センサ１００の構成などの構成をもたらす。望まれる場合には、ピエゾ抵抗器が、パッシベーション層２８４の上にやはり堆積されてもよい。
【００２６】
[0053]上に記述したプロセスは、さらなる特徴を与えるためにさまざまな方法で変形されることがある。例として、図２４は、図８のウェハ２００とほぼ同じステップにおけるウェハ３００を表している。ウェハ３００は、ハンドル層３０２、埋め込み酸化物層３０４、デバイス層３０６、酸化物層３０８、および下側中間キャップ層部分３１０を含む。図２４は、アウトオブプレーン電極部分３１６を下側中間キャップ層部分３１０の残留部から分離するために使用される電極分離トレンチ３１２および３１４をさらに表している。ウェハ３００は、リリースストップトレンチ３１８および３２０をさらに含む。トレンチ３１８および３２０は、トレンチ３１２および３１４が形成された後で酸化物層３０８を貫通してエッチングすることによって形成される。トレンチ３１８および３２０は、時間に依存しないキャップフットプリントを与えるために使用される。
【００２７】
[0054]例として、図２５は、下側中間キャップ層部分３１０をリリースした後のウェハ３００を表している。図２５では、シリコンリッチ窒化物が堆積され、エッチングされており、リリースストップ窒化物部分３２２および３２４ならびに電極分離窒化物部分３２６および３２８を形成する。加えて、ベント孔３３０が下側中間キャップ層部分３１０を貫通して形成されており、酸化物層３０８の一部がエッチングされている。上述のステップは、図１０〜図１７に関して上に記述したものと類似のステップとして実質的に同様な方式で実現される。
【００２８】
[0055]しかしながら、ウェハ２００とウェハ３００との間の基本的な相違は、酸化物層３０８中に形成されたリリースストップ窒化物部分３２２および３２４がエッチストップとして機能することである。したがって、一旦、酸化物層３０８のエッチがリリースストップ窒化物部分３２２および３２４に達すると、埋め込み酸化物層３０４がエッチングされ続けているときでさえも、酸化物層３０８のさらなるエッチングが生じない。このように、ウェハ２００において、下側キャップ層部分２２８をデバイス層２０６からリリースするためにエッチングされる酸化物層２２２の領域は、ベント孔２７４（図１６〜図１７参照）の配置に応じており、比較的制御されていないエッチングプロセスであるが、ウェハ３００は、下側中間キャップ層部分３１０のリリースされた部分に対する正確なフットプリントを与えるリリースストップ窒化物部分３２２および３２４を含む。
【００２９】
[0056]図２〜図２３を参照して記述したプロセスのさらなる変形が、図２６〜図３７に描かれる。図２６は、図６におけるウェハ２００とほぼ同じプロセスステップのところのウェハ３５０を表している。ウェハ３５０は、ハンドル層３５２、埋め込み酸化物層３５４、デバイス層３５６、および酸化物層３５８を含む。ウェハ３００は、しかしながら、酸化物層３５８、デバイス層３５６、および埋め込み酸化物層３５４を完全に貫通するトレンチ３６０をエッチングすることによって、基板の電気的コンタクトを設けるように変形される。次に、下側キャップ層部分３６２（図２７参照）の形成は、ハンドル層３５２まで延びるエピポリコンタクト部分３６４をさらに形成する。ＣＭＰが、下側キャップ層部分３６２上に実行されることがある。
【００３０】
[0057]図２８に描いたように、リリースストップトレンチ３６６および３６８が、次に下側キャップ層部分３６２および酸化物層３５８を貫通してエッチングされ、電極分離トレンチ３７０および３７２ならびにコンタクト分離トレンチ３７４および３７６のエッチングが続く（図２９参照）。分離トレンチ３７０、３７２、３７４、および３７６は、下側キャップ層部分３６２だけを貫通して延びる。
【００３１】
[0058]低ストレス窒化物が、次にトレンチ３６６、３６８、３７０、３７２、３７４、および３７６をリリースストップ窒化物部分３７８および３８０、電極分離窒化物部分３８２および３８４、ならびにコンタクト分離部分３８６および３８８で充填するために使用される一方で、低ストレス窒化物層３９０が、図３０に示したように下側キャップ層部分３６２の上側表面に堆積される。薄い酸化物層３９２が、低ストレス窒化物層３９０の上側表面に設けられる（図３１）。薄い酸化物層３９２および窒化物層３９０は、次にパターニングされエッチングされて、図３２の構成をもたらす。図３２は、電極ガスケット３９４、コンタクトガスケット３９６、およびエッチストップガスケット３９８を示す。
【００３２】
[0059]薄いエピポリ堆積層４１０が、次に、下側キャップ層部分３６２の上側表面ならびにガスケット３９４、３９６、および３９８の上側表面に形成されて、中間キャップ層部分４１２を形成する。中間キャップ層部分４１２は、望まれる場合には平坦化されてもよい。
【００３３】
[0060]図３４を参照して、ベント孔４１４が形成された後で、中間キャップ層部分４１２をインプレーン電極４１６からリリースするＨＦ気相リリースが実行される。インプレーン電極４１６の上側表面と中間キャップ層部分４１２の下側表面との間の酸化物層３５８のエッチングされる部分は、リリースストップ窒化物部分３７８および３８０によって制約される。クリーン高温シールが、次にベント孔４１４をシールするためにエピ反応炉内で実行される。得られた構成が図３５に示され、ここでは、層部分４１８が中間キャップ層部分４１２の上方に形成される。
【００３４】
[0061]トレンチ４２０およびトレンチ４２２は、次に図３６に表すようにエッチングされる。トレンチ４２０は、層部分４１８の上側表面からエッチストップとして作用するガスケット３９４の上側表面まで延びる。トレンチ４２２は、層部分４１８の上側表面からエッチストップとして作用するガスケット３９６の上側表面まで延びる。酸化物、窒化物、等とすることができるパッシベーション層４２４が、次に、図３７に表すように層部分４１８の上側表面に堆積される。パッシベーション層４１８は、エッチングされて、アウトオブプレーン電極開口部（図示せず）および開口部４２６を作る。金属層が、次にパッシベーション層４２４の上に堆積されることがあり、図３８に示したように、エッチングされてボンドパッドまたはトレース４２８を作る。図３８では、ボンドパッド４２８は、エピ柱状部４３０を介してハンドル層３５２と電気的に通じている。
【００３５】
[0062]上に記述したさまざまなプロセスは、さまざまなデバイスが同じ基板の上に同時に作られることを可能にする。例として、図３９は、ハンドル層４５２、埋め込み酸化物層４５４、デバイス層４５６、酸化物層４５８、キャップ層４６０、およびパッシベーション層４６２を含むセンサデバイス４５０を表している。センサデバイス４５０は、電極分離部分４６４、コンタクト分離部分４６６、およびリリースまたはエッチストップ窒化物部分４６８をさらに含む。したがって、上に記述した同じシーケンスが、センサデバイス４５０を形成するために使用されることがある。
【００３６】
[0063]センサデバイス４５０は、例えば、図１の圧力センサ１００と同じプロセスを用いて作られるが、上に記述した実施形態とは異なる。例えば、デバイス４５０は、デバイス層４５６との電通を与える２つのパッド４７０および４７２を含む。したがって、プルーフマス４７４のインプレーン移動が、検出されることがある。アウトオブプレーン電極４７８が望まれる場合には、任意選択の第３のパッド４７６が設けられてもよい。センサデバイス４５０におけるもう１つの相違は、電極分離窒化物部分４６４が広がったエプロンを含むことである。
【００３７】
[0064]上述のプロセスに中間のステップを追加することによって、図４０の加速度計４９０が、上に記述したデバイスとともに同時に製造可能である。加速度計４９０は、図３９のセンサデバイス４５０とは、リリースまたはエッチストップ窒化物部分４９２が埋め込み酸化物層４９４内でのエッチングの量をより精密に制御するために含まれるという点で異なる。
【００３８】
[0065]加速度計４９０などのセンサを形成するためのプロセスが、図４１〜図６２を参照して論じられる。最初に図４１を参照して、ハンドル層５０２、埋め込み酸化物層５０４、およびデバイス層５０６を含むＳＯＩウェハ５００は、酸化物層５０８で最初に覆われる。次に、フォトレジスト層５１０が、酸化物層５０８の上側表面に設けられる（図４２）。ウェハ５００は、次にエッチングされて、フォトレジスト層５１０、酸化物層５０８、およびデバイス層５０６を貫通するエッチストップトレンチ５１２を形成する。図４３に示したように、トレンチ５１２は、次にハンドル層５０２の上側表面まで埋め込み酸化物層５０４を貫通して延ばされる。酸素を含有するプラズマが、フォトレジスト層５１０を酸化する（「灰化する」）ために使用されることがある。
【００３９】
[0066]図４４に示したように、窒化物層５１４が、次に酸化物層５０８の上側表面に堆積される。窒化物堆積は、さらに結果的に、窒化物エッチストップ柱状部５１６でトレンチ５１２を充填することになる。窒化物層５１４は、次にエッチストップとして酸化物層５０８を用いてエッチングされ、図４５の構成をもたらし、エッチストップとしてシリコンデバイス層５０６を使用する酸化物層５０８のエッチングが続き、図４６の構成をもたらす。
【００４０】
[0067]次に、図４７に示したように、構造画成トレンチ５１８が、デバイス層５０６を貫通してエッチングされる。トレンチ５１８は、プルーフマス５２４とともにデバイス層コンタクト部分５２０および５２２を画成する。犠牲エッチ孔５２６が、図４８に示したようにプルーフマス５２４中へとエッチングされる。図４９を参照して、コンフォーマル酸化物層５３０が、次にデバイス層５０６の上側表面に堆積される。コンフォーマル酸化物の堆積は、トレンチ５１８およびエッチ孔５２６をやはり充填する。開口部５３２および５３４（図５０参照）が、次に酸化物層５３０を貫通してエッチングされ、デバイス層コンタクト部分５２０および５２２を露出させる。
【００４１】
[0068]エピポリ堆積は、エピポリの下側中間コンタクト部分５３６および５３８でコンタクト開口部５３２および５３４を充填する一方で、図５１に示したように酸化物層５３０の上方に下側キャップ層部分５４０を堆積する。ＣＭＰが、下側キャップ層部分５４０上に実行されることがある。次に、図５２に示したように、エッチストップトレンチ５４２が、下側キャップ層部分５４０および酸化物層５３０を貫通して形成される。望まれる場合には、アウトオブプレーン電極トレンチ５４４は、下側キャップ層部分５４０を貫通して形成されてもよい（図５３参照）。
【００４２】
[0069]低ストレス窒化物は、次にトレンチ窒化物部分５４６および５４８でトレンチ５４２および５４４を充填するために使用される一方で、低ストレス窒化物層５５０が、図５４に示したように下側キャップ層部分５４０の上側表面に堆積される。窒化物部分５４６は、後のエッチのためのエッチストップを形成する。薄い酸化物層５５２が、低ストレス窒化物層５５０の上側表面に設けられる。エッチストップとして使用されるであろう薄い酸化物層５５２が、次にパターニングされエッチングされて、図５６のガスケット５５４をもたらす。
【００４３】
[0070]薄いエピポリ堆積層５６０が、次に下側キャップ部分５４０の上側表面およびガスケット５５４の上側表面に形成されて、中間キャップ層部分５６２を形成する（図５７参照）。中間キャップ層部分５６２は、望まれる場合には平坦化されてもよい。
【００４４】
[0071]図５８および図５９を参照して、ベント孔５６４が形成された後で、中間キャップ層部分５６２をプルーフマス５２４からリリースするＨＦ気相リリースが実行される。酸化物層５３０の水平方向エッチングは、エッチストップ窒化物部分５４６によって制限される。犠牲エッチ孔５２６は、埋め込み酸化物層５０４のエッチングによって、エッチングがプルーフマス５２４をハンドル層５０２からリリースすることを可能にする。埋め込み酸化物層５３４の水平方向エッチングは、エッチストップ窒化物柱状部５１６によって制限される。
【００４５】
[0072]クリーン高温シールが、次にベント孔５６４をシールするためにエピ反応炉内で実行される。得られる構成が図６０に示され、ここでは、層部分５６６が中間キャップ層部分５６２の上方に形成される。
【００４６】
[0073]トレンチ５６８およびトレンチ５７０は、次に図６１に表すようにエッチングされる。トレンチ５７０は、層部分５６６の上側表面からガスケット５５４、その中でエッチストップとして作用する酸化物層部分の上側表面まで延びる。トレンチ５６８は、層部分５６６の上側表面からエッチストップとして作用する酸化物層５３０の上側表面まで延びる。酸化物、窒化物、等とすることができるパッシベーション層５７２が、次に図６２に表すように層部分５６６の上側表面に堆積される。パッシベーション層５７２は、開口部５７４および５７６、ならびに任意選択で５７８を作るためにエッチングされる。金属層が、次にパッシベーション層５７２の上に堆積されることがあり、ボンドパッドまたはトレースを作るためにエッチングされ、図４０の加速度計４９０の構成などの構成をもたらす。
【００４７】
[0074]上に記述した手順およびその変形例は、共振器、慣性センサ、および薄膜キャップ中へと電気的に分離されたアウトオブプレーン電極を組み込みながらウェハレベルでパッケージングされる他のこのようなデバイスを可能にする。上に論じた原理に従って製造可能な他のセンサは、シリコンキャップ圧力センサを含む。
【００４８】
[0075]本発明が図面および上述の説明において詳細に図示され記載されてきたが、これ
らは、例示であり、特性を制限するものではないと考えるべきである。好ましい実施形態
だけが、提示されてきており、すべての変更形態、変形形態、および本発明の精神内にな
るさらなる適用例が、保護されるべきものであることが理解される。
以下に本明細書が開示する形態のいくつかを記載しておく。
[形態１]
アウトオブプレーン電極を形成する方法であって、
デバイス層の上側表面の上方に酸化物層を設けるステップと、
前記酸化物層の上側表面の上方に第１のキャップ層部分を設けるステップと、
前記第１のキャップ層部分を貫通して延び、前記酸化物層のところで止まる第１の電極周辺部画成トレンチをエッチングするステップと、
前記第１の電極周辺部画成トレンチ内に第１の材料部分を堆積するステップと、
前記堆積した第１の材料部分の上方に第２のキャップ層部分を堆積するステップと、
前記酸化物層の一部を気相リリースするステップと、
前記第２のキャップ層部分の上方に第３のキャップ層部分を堆積するステップと、
前記第２のキャップ層部分および前記第３のキャップ層部分を貫通して延びる第２の電極周辺部画成トレンチをエッチングするステップと、
前記第２の電極周辺部画成トレンチ内に第２の材料部分を堆積するステップであって、それにより、前記第１の材料部分および前記第２の材料部分を含むスペーサがアウトオブプレーン電極の周辺部を画成するようになる、ステップと
を含む方法。
[形態２]
前記第１のキャップ層部分および前記酸化物層を貫通して延びるエッチストップ周辺部画成トレンチをエッチングするステップと、
前記エッチストップ周辺部画成トレンチ内に第３の材料部分を堆積するステップであって、前記酸化物層の一部を気相リリースするステップが、前記第３の材料部分によって画成される境界まで前記酸化物層の一部を気相リリースするステップを含む、ステップと
をさらに含む、形態１に記載の方法。
[形態３]
前記堆積した第１の材料部分の上にエッチストップ層部分を堆積するステップをさらに含み、第２の電極周辺部画成トレンチをエッチングするステップが、
前記第２のキャップ層部分を貫通し前記エッチストップ層まで延びる第２の電極周辺部画成トレンチをエッチングするステップ
を含む、形態２に記載の方法。
[形態４]
前記第１のキャップ層部分、前記第２のキャップ層部分、および前記第３のキャップ層部分が、エピタキシャル堆積プロセスによって堆積される、形態１に記載の方法。
[形態５]
前記第１の材料部分および前記第２の材料部分が、窒化シリコンからなる、形態１に記載の方法。
[形態６]
前記堆積した第１の材料部分の上にエッチストップ層部分を堆積するステップをさらに含み、第２の電極周辺部画成トレンチをエッチングするステップが、
前記第２のキャップ層部分を貫通し前記エッチストップ層まで延びる第２の電極周辺部画成トレンチをエッチングするステップ
を含む、形態１に記載の方法。
[形態７]
前記第１のキャップ層および前記第２のキャップ層を貫通するベント孔をエッチングするステップをさらに含み、前記酸化物層の一部を気相リリースするステップが、
前記ベント孔を介して前記酸化物層の一部を気相リリースするステップ
を含む、形態１に記載の方法。
[形態８]
アウトオブプレーン電極を有するデバイスであって、
ハンドル層の上方に位置するデバイス層と、
第１のキャップ層部分を前記デバイス層の上側表面から間隔を空けて配置したキャップ層と、
スペーサによって前記第１のキャップ層部分内に画成されたアウトオブプレーン電極と
を備える、デバイス。
[形態９]
前記キャップ層が、エピタキシャルに堆積したキャップ層である、形態８に記載のデバイス。
[形態１０]
前記スペーサが、窒化シリコンからなる、形態８に記載のデバイス。
[形態１１]
前記スペーサが、
前記キャップ層の下側表面から上に向かって延びる第１の窒化シリコン部分と、
前記キャップ層の上側表面から下に向かって延びる第２の窒化シリコン部分と、
前記第１の窒化シリコン部分と前記第２の窒化シリコン部分との間に配置されたエッチストップ部分と
を含む、形態１０に記載のデバイス。
[形態１２]
第２のキャップ層部分と前記デバイス層の前記上側表面との間に配置された酸化物層部分と、
前記キャップ層内から下に向かって延び、前記酸化物層部分の境界を画成するエッチストップと
をさらに備える、形態８に記載のデバイス。
[形態１３]
前記スペーサが、
前記キャップ層の下側表面から上に向かって延びる第１の窒化シリコン部分と、
前記キャップ層の上側表面から下に向かって延びる第２の窒化シリコン部分と、
前記第１の窒化シリコン部分と前記第２の窒化シリコン部分との間に配置されたエッチストップ部分と
を含む、形態１２に記載のデバイス。
[形態１４]
前記デバイス層の下側表面とハンドル層の上側表面との間に配置された埋め込み酸化物層部分と、
前記デバイス層の前記上側表面から下に向かって延び、前記埋め込み酸化物層部分の境界を画成するエッチストップと
をさらに備える、形態１２に記載のデバイス。
[形態１５]
アウトオブプレーン電極を形成する方法であって、
デバイス層の上側表面の上方に酸化物層を設けるステップと、
前記酸化物層の上側表面の上方に第１のキャップ層部分をエピタキシャルに堆積するステップと、
前記第１のキャップ層部分を貫通して延び、前記酸化物層のところで止まる第１の電極周辺部画成トレンチをエッチングするステップと、
前記第１の電極周辺部画成トレンチ内に第１の絶縁性材料部分を堆積するステップと、
前記堆積した第１の材料部分の上方に第２のキャップ層部分をエピタキシャルに堆積するステップと、
前記酸化物層の一部にＨＦ気相エッチリリースを実行するステップと、
前記第２のキャップ層部分の上方に第３のキャップ層部分をエピタキシャルに堆積するステップと、
前記第２のキャップ層部分および前記第３のキャップ層部分を貫通して延びる第２の電極周辺部画成トレンチをエッチングするステップと、
第２の電極周辺部画成トレンチ内に第２の絶縁性材料部分を堆積するステップであって、それにより、前記第１の材料部分および前記第２の材料部分を含むスペーサがアウトオブプレーン電極の周辺部を画成するようになる、ステップと
を含む方法。
[形態１６]
前記第１のキャップ層部分および前記酸化物層を貫通して延びるエッチストップ周辺部画成トレンチをエッチングするステップと、
前記エッチストップ周辺部画成トレンチ内に第３の材料部分を堆積するステップとをさらに含み、前記酸化物層の一部にＨＦ気相エッチリリースを実行するステップが、前記第３の材料部分によって画成される境界までＨＦ気相エッチリリースを実行するステップを含む、形態１５に記載の方法。
[形態１７]
前記堆積した第１の絶縁性材料部分の上にエッチストップ層部分を堆積するステップをさらに含み、第２の電極周辺部画成トレンチをエッチングするステップが、
前記第２のキャップ層部分を貫通し前記エッチストップ層まで延びる第２の電極周辺部画成トレンチをエッチングするステップ
を含む、形態１６に記載の方法。
[形態１８]
前記第１の絶縁性材料部分および前記第２の絶縁性材料部分が、窒化シリコンからなる、形態１５に記載の方法。
[形態１９]
前記堆積した第１の材料部分の上にエッチストップ層部分を堆積するステップをさらに含み、第２の電極周辺部画成トレンチをエッチングするステップが、
前記第２のキャップ層部分を貫通し前記エッチストップ層まで延びる第２の電極周辺部画成トレンチをエッチングするステップ
を含む、形態１５に記載の方法。
[形態２０]
前記第１のキャップ層および前記第２のキャップ層を貫通するベント孔をエッチングするステップをさらに含み、前記酸化物層の一部にＨＦ気相エッチリリースを実行するステップが、
前記ベント孔を介して前記酸化物層の一部にＨＦ気相エッチリリースを実行するステップ
を含む、形態１５に記載の方法。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
0005913564.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
0005913564.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
0005913564.tif 000040
【図３９】
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【図４０】
0005913564.tif 000042
【図４１】
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【図４２】
0005913564.tif 000044
【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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【図５１】
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【図５２】
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【図５３】
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【図５４】
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【図５５】
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【図５６】
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【図５７】
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【図５８】
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【図５９】
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【図６０】
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【図６１】
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【図６２】
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