(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持層、前記支持層の２つの対向する表面の上にそれぞれ配置された２つの離型層、および前記２つの離型層をそれぞれ覆う２つの下地金属層を含む基板を提供するステップと、
各前記下地金属層の上に、複数の開口を含み、且つ前記下地金属層の対応部分を露出するパターン化金属層を形成するステップと、
各前記パターン化金属層の上に第１パターン化ソルダレジスト層を形成し、前記下地金属層の露出部分を覆うステップと、
各前記パターン化金属層の上に、対応する第１パターン化ソルダレジスト層を覆い、且つ誘電体層および金属箔を含む積層をラミネートして、各前記誘電体層が対応するパターン化金属層と対応する金属箔の間に配置されるステップと、
前記離型層から各前記下地金属層を分離して、前記支持層を除去するステップと、
各前記下地金属層を除去して、各前記パターン化金属層および各前記第１パターン化ソルダレジスト層を露出するステップと
を含む基板構造の製造方法。
【請求項２】
各前記下地金属層を除去する方法が、エッチング法を含む請求項１に記載の基板構造の製造方法。
【請求項３】
前記基板を提供するステップが、さらに、
各前記下地金属層の上にエッチング停止層を形成するステップを含む請求項２に記載の基板構造の製造方法。
【請求項４】
各前記下地金属層を除去するステップの後に、各前記エッチング停止層を除去して、各前記パターン化金属層および各前記第１パターン化ソルダレジスト層を露出するステップをさらに含む請求項３に記載の基板構造の製造方法。
【請求項５】
各前記エッチング停止層が、ニッケル層を含む請求項３に記載の基板構造の製造方法。
【請求項６】
各前記下地金属層の上に前記パターン化金属層を形成する方法が、アディティブ法を含む請求項１〜５のいずれか１項に記載の基板構造の製造方法。
【請求項７】
各前記第１パターン化ソルダレジスト層および各前記金属箔の上に、対応するパターン化金属層を部分的に覆う第２パターン化ソルダレジスト層を形成するステップと、
各前記パターン化金属層の上に表面仕上げ層を形成し、前記パターン化金属層の露出部分を覆うステップと
をさらに含む請求項１〜６のいずれか１項に記載の基板構造の製造方法。
【請求項８】
各前記パターン化金属層および各前記金属箔の上に表面仕上げ層を形成するステップをさらに含む請求項１〜７のいずれか１項に記載の基板構造の製造方法。
【請求項９】
各前記表面仕上げ層が、プリフラックス（ＯＳＰ）層、無電解ニッケル浸漬金（ＥＮＩＧ）層、浸漬銀（Ｉ‐Ａｇ）層、浸漬錫（Ｉ‐Ｓｎ）層、浸漬ビスマス（Ｉ‐Ｂｉ）層、ホットエアソルダレベリング（ＨＡＳＬ）層、電解Ｎｉ／Ａｕメッキ層、無電解Ｐｄ／Ｎｉ層、無電解Ｐｄ／Ｃｕ層、または電解Ｓｎ‐Ｂｉ合金メッキ層を含む請求項８に記載の基板構造の製造方法。
【請求項１０】
各前記離型層が、フッ素離型膜、ポリエチレン（ＰＥ）離型膜またはポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）離型膜を含む請求項１〜９のいずれか１項に記載の基板構造の製造方法。
【請求項１１】
複数の凹部を有する第１表面、および前記第１表面と対向する第２表面を含む誘電体層と、
前記第２表面の上に配置された金属箔と、
前記第１表面の上に配置され、それぞれ前記凹部に対応してこれらを露出する複数の開口を有するパターン化金属層と、
各前記凹部および対応する開口に充填され、上面が前記パターン化金属層の上面と同一平面上にある第１パターン化ソルダレジスト層と
を含む基板構造。
【請求項１２】
前記第１パターン化ソルダレジスト層および前記金属箔の上に配置され、前記パターン化金属層の一部を覆う第２パターン化ソルダレジスト層と、
前記パターン化金属層の露出した部分を覆う表面仕上げ層と
をさらに含む請求項１１に記載の基板構造。
【請求項１３】
前記パターン化金属層および前記金属箔を覆う表面仕上げ層をさらに含む請求項１１又は１２に記載の基板構造。
【請求項１４】
各前記表面仕上げ層が、ＯＳＰ層、Ｎｉ／Ａｕ層、銀層、錫層、ビスマス層、Ｐｄ／Ｎｉ層、Ｐｄ／Ｃｕ層、またはＳｎ‐Ｂｉ合金層を含む請求項１３に記載の基板構造。
【請求項１５】
支持層、前記支持層の２つの対向する表面の上にそれぞれ配置された２つの離型層、および前記２つの離型層をそれぞれ覆う２つの下地金属層を含む基板を提供するステップと、
各前記下地金属層の上に第１パターン化ソルダレジスト層を形成するステップと、
各前記下地金属層の上に、対応する第１パターン化ソルダレジスト層を覆い、且つ誘電体層および金属箔を含む積層をラミネートし、各前記誘電体層が対応する下地金属層と対応する金属箔の間に配置されるステップと、
前記離型層から各前記下地金属層を分離して、前記支持層を除去するステップと、
各前記下地金属層をパターン化して、各前記積層の上に、各前記第１パターン化ソルダレジスト層を少なくとも部分的に露出するパターン化金属層を形成するステップと
を含む基板構造の製造方法。
【請求項１６】
各前記下地金属層をパターン化するステップが、エッチング法を含む請求項１５に記載の基板構造の製造方法。
【請求項１７】
各前記金属箔および露出した各前記第１パターン化ソルダレジスト層の上に、対応するパターン化金属層を部分的に覆う第２パターン化ソルダレジスト層を形成するステップと、
各前記パターン化金属層の上に表面仕上げ層を形成して、前記パターン化金属層の露出部分を覆うステップと
をさらに含む請求項１５又は１６に記載の基板構造の製造方法。
【請求項１８】
各前記パターン化金属層および各前記金属箔の上に表面仕上げ層を形成するステップをさらに含む請求項１５又は１６に記載の基板構造の製造方法。
【請求項１９】
各前記離型層が、フッ素離型膜、ポリエチレン（ＰＥ）離型膜またはポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）離型膜を含む請求項１５又は１６に記載の基板構造の製造方法。
【請求項２０】
複数の凹部を有する第１表面、および前記第１表面と対向する第２表面を含む誘電体層と、
前記第２表面の上に配置された金属箔と、
前記第１表面の上に配置された離型層と、
各前記凹部に充填され、上面が前記離型層の表面と同一平面上にある第１パターン化ソルダレジスト層と、
前記離型層の表面の上に配置され、第１パターン化ソルダレジスト層を少なくとも部分的に露出するパターン化金属層と
を含む基板構造。
【請求項２１】
前記第１パターン化ソルダレジスト層および前記金属箔の上に配置され、前記パターン化金属層の一部を覆う第２パターン化ソルダレジスト層と、
前記パターン化金属層の露出部分を覆う表面仕上げ層と
をさらに含む請求項２０に記載の基板構造。
【請求項２２】
前記パターン化金属層および前記金属箔を覆う表面仕上げ層をさらに含む請求項２０又は２１に記載の基板構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板構造およびその製造方法に関するものであり、特に、全体の厚さが比較的薄い基板構造およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
チップパッケージの目的は、露出したチップを保護すること、チップ内の接触密度を減らすこと、そして、チップに対し優れた熱分散を提供することである。一般的なパッケージ方法は、ワイヤボンディング（wire bonding）またはフリップチップボンディング（flip chip bonding）によりチップをパッケージキャリアに取り付けて、チップ上の接点をパッケージ基板に電気接続する。そのため、パッケージ基板を介してチップ上の接点を再配分し、次の階層の外部装置の接点分布と符合させる。
【０００３】
一般的に、パッケージ基板の製造は、以下のように行われる。コア（core）層をコア材料として使用して、フルアディティブ法（fully additive process）、セミアディティブ法（semi-additive process）、サブトラクティブ法（subtractive process）、または他の任意のプロセスを行い、コア誘電体層の上にパターン化回路層およびパターン化誘電体層を交互に積み重ねる。したがって、コア層は、パッケージキャリアの全体の厚さの中で非常に大きな割合を占めるため、コア層の厚さを減らせなければ、パッケージ構造の厚さを減らすのは非常に困難である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明が提供する基板構造は、分離型基板を含む単層構造である。
【０００５】
本発明が提供する基板構造の製造方法は、上述した基板構造の製造に使用される。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る基板構造の製造方法は、以下のステップを含む。基板を提供する。基板は、支持層と、２つの離型層と、２つの下地金属層とを含む。２つの離型層は、それぞれ支持層の２つの対向する表面の上に配置される。２つの下地金属層は、それぞれ２つの離型層を覆う。各下地金属層の上にパターン化金属層を形成する。各パターン化金属層は、複数の開口を含み、下地金属層の対応部分を露出する。各パターン化金属層の上に第１パターン化ソルダレジスト層を形成し、下地金属層の露出部分を覆う。各パターン化金属層の上に積層をラミネートする。各積層は、対応する第１パターン化ソルダレジスト層を覆い、誘電体層および金属箔を含む。各誘電体層は、対応するパターン化金属層と対応する金属箔の間に配置される。離型層から各下地金属層を分離する。この時、対応する下地金属層の上に各積層が配置されている。各下地金属層を除去して、各パターン化金属層および各第１パターン化ソルダレジスト層を露出する。
【０００７】
本発明に係る基板構造は、誘電体層と、金属箔と、パターン化金属層と、第１パターン化ソルダレジスト層とを含む。誘電体層は、第１表面および第１表面と対向する第２表面を含む。第１表面は、複数の凹部を有する。金属箔は、第２表面の上に配置される。パターン化金属層は、第１表面の上に配置される。パターン化金属層は、複数の開口を有する。開口は、それぞれ凹部に対応してこれらを露出する。第１パターン化ソルダレジスト層は、各凹部および対応する開口に充填される。第１パターン化ソルダレジスト層の上面は、パターン化金属層の上面と実質的に同一平面上にある。
【０００８】
本発明に係る基板構造の製造方法は、以下のステップを含む。基板を提供する。基板は、支持層と、２つの離型層と、２つの下地金属層とを含む。２つの離型層は、それぞれ支持層の２つの対向する表面の上に配置される。２つの下地金属層は、それぞれ２つの離型層を覆う。各下地金属層の上に第１パターン化ソルダレジスト層を形成する。各下地金属層の上に積層をラミネートする。各積層は、対応する第１パターン化ソルダレジスト層を覆い、誘電体層および金属箔を含む。各誘電体層は、対応する下地金属層と対応する金属箔の間に配置される。離型層から各下地金属層を分離する。この時、対応する下地金属層の上に各積層が配置されている。各下地金属層をパターン化して、対応する積層の上にパターン化金属層を形成する。各パターン化金属層は、各第１パターン化ソルダレジスト層を少なくとも部分的に露出する。
【０００９】
本発明に係る基板構造は、誘電体層と、金属箔と、第１パターン化ソルダレジスト層と、パターン化金属層とを含む。誘電体層は、第１表面および第１表面と対向する第２表面を含む。第１表面は、複数の凹部を有する。金属箔は、第２表面の上に配置される。第１パターン化ソルダレジスト層は、各凹部に充填される。第１パターン化ソルダレジスト層の上面は、第１表面と実質的に同一平面上にある。パターン化金属層は、第１表面の上に配置され、第１パターン化ソルダレジスト層を少なくとも部分的に露出する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の基板構造は、対称的に、分離型基板の上で、それぞれ基板構造の製造プロセスを実行する。したがって、基板を分離した後、互いから独立した２つの基板構造を得ることができるため、製造時間を節約し、生産効率を上げることができる。また、本発明の分離型基板は、基板の支持層とパターン化金属層の間に離型層を接続するため、積層を形成した後、離型層の分離性を利用して、支持層を容易に除去することができる。したがって、コア層の上に複数の積層を積み重ねることによって形成される従来の基板構造と比較して、本発明の基板構造は、全体の厚さが比較的薄いため、このような基板構造を使用することによって、パッケージ構造の全体の厚さをより薄くすることができる。
【００１１】
本発明の上記および他の目的、特徴、および利点をより分かり易くするため、図面と併せた幾つかの実施形態を以下に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１Ａ】本発明の１つの実施形態に係る基板構造の製造方法のプロセスを示す概略的断面図である。
【図１Ｂ】本発明の１つの実施形態に係る基板構造の製造方法のプロセスを示す概略的断面図である。
【図１Ｃ】本発明の１つの実施形態に係る基板構造の製造方法のプロセスを示す概略的断面図である。
【図１Ｄ】本発明の１つの実施形態に係る基板構造の製造方法のプロセスを示す概略的断面図である。
【図１Ｅ】本発明の１つの実施形態に係る基板構造の製造方法のプロセスを示す概略的断面図である。
【図１Ｆ】本発明の１つの実施形態に係る基板構造の製造方法のプロセスを示す概略的断面図である。
【図１Ｇ】本発明の１つの実施形態に係る基板構造の製造方法のプロセスを示す概略的断面図である。
【図２】本発明の別の実施形態に係る基板構造を示す概略的断面図である。
【図３Ａ】本発明の別の実施形態に係る基板構造の製造方法のプロセスを示す概略的断面図である。
【図３Ｂ】本発明の別の実施形態に係る基板構造の製造方法のプロセスを示す概略的断面図である。
【図３Ｃ】本発明の別の実施形態に係る基板構造の製造方法のプロセスを示す概略的断面図である。
【図３Ｄ】本発明の別の実施形態に係る基板構造の製造方法のプロセスを示す概略的断面図である。
【図３Ｅ】本発明の別の実施形態に係る基板構造の製造方法のプロセスを示す概略的断面図である。
【図３Ｆ】本発明の別の実施形態に係る基板構造の製造方法のプロセスを示す概略的断面図である。
【図４】本発明の別の実施形態に係る基板構造を示す概略的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明の前記および他の技術内容、特徴および効果は、添付の図面を参照しながら以下の詳細な実施形態に明白に開示される。以下の実施形態において、「上」、「下」、「前」、「後」、「左」、「右」等の方向を示すための用語は、単に添付の図面における方向を指す。そのため、方向性の用語は、説明のために用いるものであって、本発明を限定するものではない。また、以下の実施形態において、同一の、または類似する参照番号は、同一の、または類似する構成要素を示す。
【００１４】
図１Ａ〜図１Ｇは、本発明の１つの実施形態に係る基板構造の製造方法のプロセスを示す概略的断面図である。本実施形態の基板構造は、分離型基板を含む単層構造である。本実施形態において、基板構造の製造方法は、以下のステップを含む。まず、図１Ａを参照すると、基板１０５を提供する。図１Ａに示すように、基板１０５は、支持層１１０と、２つの離型層１２０と、２つの下地金属層１３０とを含む。２つの離型層１２０は、それぞれ支持層１１０の２つの対向する表面の上に配置される。２つの下地金属層１３０は、それぞれ２つの離型層１２０を覆う。つまり、各離型層１２０は、支持層１１０と対応する下地金属層１３０の間に配置される。一般的に、離型層１２０は、表面分離性を有する薄膜であるため、接着性を示さない、あるいは、特殊な状況において特定の材料に対してのみ僅かな接着性を示す。本実施形態において、離型層１２０は、例えば、フッ素離型膜、ポリエチレン（polyethylene, PE）離型膜、またはポリエチレンテレフタレート（polyethylene terephthalate, PET）離型膜、あるいはアルミニウム箔である。しかしながら、本発明はこれに限定されない。また、本実施形態は、図１Ａに示すように、各下地金属層１３０の上にエッチング停止（etch stop）層１７０をさらに形成する。エッチング停止層１７０は、例えば、ニッケル層であり、電気メッキによって各下地金属層１３０の上に形成される。
【００１５】
次に、図１Ｂを参照すると、各下地金属層１３０の上にパターン化金属層１４０を形成する。各パターン化金属層１４０は、複数の開口１４２を含み、対応する下地金属層１３０を部分的に露出する。本実施形態において、パターン化金属層１４０を形成するステップは、例えば、まず、下地金属層１３０の上に、下地金属層１３０の一部を露出するパターン化フォトレジスト層を形成することを含む。次に、パターン化フォトレジスト層がマスクとして機能し、電気メッキにより下地金属層１３０の露出部分にパターン化金属層１４０を形成する。つまり、本実施形態のパターン化金属層１４０は、アディティブ（additive）法によって形成される。このような製造プロセスによって形成されたパターン化金属層１４０は、ファインピッチ（fine-pitch）回路の要件を容易に満たすことができる。さらに、この方法でパターン化金属層１４０を形成した時、対応するパターン化フォトレジスト層の厚さでパターン化金属層１４０の厚さを容易に制御することができる。したがって、使用者は、パターン化金属層１４０の厚さを制御することによって、このような製造プロセスで形成された基板構造の厚さを調整することができる。もちろん、本発明の別の実施形態において、パターン化金属層１４０は、エッチング法等のサブトラクティブ（subtractive）法で形成されてもよい。
【００１６】
次に、図１Ｃを参照すると、第１パターン化ソルダレジスト層１５０を各パターン化金属層１４０の上に形成し、開口１４２によって露出した下地金属層１３０の一部を覆う。本実施形態において、離型層１２０は、さらに、パターン化金属層１４０および第１パターン化ソルダレジスト層１５０を覆うため、続いてこの上にラミネートされる誘電体層１６２からパターン化金属層１４０および第１パターン化ソルダレジスト層１５０を容易に分離することができる。離型層１２０の材料は、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）またはアルミニウム箔を含む。その後、図１Ｄに示すように、各パターン化金属層１４０の上に積層１６０をラミネートする。各積層１６０は、対応するパターン化金属層１４０および対応する第１パターン化ソルダレジスト層１５０を覆う。詳しく説明すると、各積層１６０は、誘電体層１６２と、金属箔１６４とを含む。各積層１６０は、誘電体層１６２によって対応するパターン化金属層１４０の上にラミネートされる。つまり、各誘電体層１６２は、対応するパターン化金属層１４０と対応する金属箔１６４の間に配置される。
【００１７】
次に、図１Ｅを参照すると、図１Ｅに示すように、離型層１２０の分離性を利用して、各下地金属層１３０を離型層１２０から分離し、支持層１１０を除去して、互いに独立した２つの構造ＡおよびＢを形成する。言及すべきこととして、図１Ｆ〜図２に示した後続の製造ステップでは、構造Ａを例として図示する。しかしながら、当業者であれば理解できるように、図１Ｆ〜図２に示した製造プロセスは、構造ＡおよびＢの両方に適用可能である。
【００１８】
次に、図１Ｅの下地金属層１３０を除去し、図１Ｆに示すように、パターン化金属層１４０および第１パターン化ソルダレジスト層１５０を露出する。本実施形態において、下地金属層１３０の除去方法は、図１Ｅのエッチング停止層１７０をエッチング法の終点として使用し、下地金属層１３０を除去するステップを含む。そして、剥離工程等によりエッチング停止層１７０を除去して、パターン化金属層１４０および第１パターン化ソルダレジスト層１５０を露出する。
【００１９】
その後、図１Ｇに示すように、第１パターン化ソルダレジスト層１５０および金属箔１６４の上に、第２パターン化ソルダレジスト層１８０を形成する。第２パターン化ソルダレジスト層１８０はパターン化金属層１４０の一部を覆う。次に、パターン化金属層１４０の上に表面仕上げ（surface finish）層１９０を形成し、第２パターン化ソルダレジスト層１８０によって露出したパターン化金属層１４０の一部を覆う。このようにして、基板構造１００の製造を完了させることができる。本実施形態において、表面仕上げ層１９０は、プリフラックス（organic solderability preservatives, OSP）層、無電解ニッケル浸漬金（electroless nickel and immersion gold, ENIG）層、浸漬銀（immersion silver, I-Ag）層、浸漬錫（immersion tin, I-Sn）層、浸漬ビスマス（immersion bismuth, I-Bi）層、ホットエアソルダレベリング（hot air solder leveling, HASL）層、電解ニッケル金メッキ（nickel and gold electroplating）層、無電解Ｐｄ／Ｎｉ（electroless Pd/Ni）層、無電解Ｐｄ／Ｃｕ（electroless Pd/Cu）層、または電解Ｓｎ‐Ｂｉ合金メッキ（Sn-Bi alloy electroplating）層である。
【００２０】
図２は、本発明の別の実施形態に係る基板構造を示す概略的断面図である。もちろん、本発明の別の実施形態において、基板構造の製造プロセスは、以下の通りであってもよい。下地金属層１３０を除去した後、すなわち、図１Ｆの製造ステップの後、図２に示すように、パターン化金属層１４０および金属箔１６４の上に表面仕上げ層１９０を直接形成して、表面仕上げ層１９０がパターン化金属層１４０および金属箔１６４を覆うことにより、図２の基板構造１００ａを形成する。同様にして、本実施形態の表面仕上げ層１９０は、ＯＳＰ層、ＥＮＩＧ層、Ｉ‐Ａｇ層、Ｉ‐Ｓｎ層、Ｉ‐Ｂｉ層、ＨＡＳＬ層、電解Ｎｉ／Ａｕ層、無電解Ｐｄ／Ｎｉ層、無電解Ｐｄ／Ｃｕ層、または電解Ｓｎ‐Ｂｉ合金メッキ層である。
【００２１】
構造上、上述した製造プロセスによって形成された基板構造は、誘電体層１６２と、金属箔１６４と、パターン化金属層１４０と、第１パターン化ソルダレジスト層１５０とを含む。誘電体層１６２は、第１表面１６２ａおよび第１表面１６２ａと対向する第２表面１６２ｂを含む。第１表面１６２ａは、複数の凹部１６２ｃを有する。金属箔１６４は、第２表面１６２ｂの上に配置され、パターン化金属層１４０は、第１表面１６２ａの上に配置される。パターン化金属層１４０は、複数の開口１４２を有する。開口１４２は、それぞれ凹部１６２ｃに対応してこれらを露出する。第１パターン化ソルダレジスト層１５０は、それぞれ凹部１６２ｃおよび対応する開口１４２に充填される。第１パターン化ソルダレジスト層１５０の上面は、パターン化金属層１４０の上面と実質的に同一平面上にある。
【００２２】
また、本発明の１つの実施形態において、基板構造１００は、図１Ｇに示すように、第２パターン化ソルダレジスト層１８０と、表面仕上げ層１９０とを含む。第２パターン化ソルダレジスト層１８０は、第１パターン化ソルダレジスト層１５０および金属箔１６４の上に配置され、パターン化金属層１４０の一部を覆う。表面仕上げ層１９０は、第２パターン化ソルダレジスト層１８０によって露出したパターン化金属層１４０の一部を覆う。本発明の別の実施形態において、基板構造１００ａは、第２パターン化ソルダレジスト層１８０を設置する必要はなく、代わりに、図２に示すように、表面仕上げ層１９０がパターン化金属層１４０および金属箔１６４を直接覆う。表面仕上げ層１９０は、ＯＳＰ層、Ｎｉ／Ａｕ層、銀層、錫層、ビスマス層、Ｐｄ／Ｎｉ層、Ｐｄ／Ｃｕ層、またはＳｎ‐Ｂｉ合金層であるが、本発明はこれに限定されない。
【００２３】
図３Ａ〜図３Ｆは、本発明の別の実施形態に係る基板構造の製造方法のプロセスを示す概略的断面図である。言及すべきこととして、本実施形態の基板構造の製造方法は、上述した実施形態とほぼ類似する。したがって、上述した実施形態の内容の一部を本実施形態にも適用することができるため、同じ技術内容については説明を省略する。省略した部分の説明は、上述した実施形態を参照することができるため、本実施形態では繰り返し説明しない。
【００２４】
本実施形態の基板構造の製造方法は、以下のステップを含む。まず、図３Ａを参照すると、基板２０５を提供する。本実施形態の基板２０５は、上述した実施形態の基板１０５と類似しており、支持層２１０と、２つの離型層２２０と、２つの下地金属層２３０とを含む。２つの離型層２２０は、それぞれ支持層２１０の２つの対向する表面の上に配置される。２つの下地金属層２３０は、それぞれ２つの離型層２２０を覆う。すなわち、各離型層２２０は、支持層２１０と対応する下地金属層２３０の間に配置される。上述した実施形態において言及したように、離型層２２０は、フッ素離型膜、ＰＥ離型膜またはＰＥＴ離型膜等であるが、本発明はこれに限定されない。
【００２５】
次に、図３Ｂを参照すると、各下地金属層２３０の上に第１パターン化ソルダレジスト層２５０を形成する。また、本実施形態において、離型層２２０は、さらに、下地金属層２３０および第１パターン化ソルダレジスト層２５０を覆うため、続いてこの上にラミネートされる誘電体層２６２から下地金属層２３０および第１パターン化ソルダレジスト層２５０を容易に分離することができる。離型層２２０の材料は、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）またはアルミニウム箔等を含む。そして、図３Ｃに示すように、各下地金属層２３０の上に積層２６０をラミネートする。各積層２６０は、対応する下地金属層２３０および対応する第１パターン化ソルダレジスト層２５０を覆う。詳しく説明すると、上述した実施形態において言及したように、各積層２６０は、誘電体層２６２と、金属箔２６４とを含む。各積層２６０は、誘電体層２６２によって対応する下地金属層２３０の上にラミネートされるため、各誘電体層２６２は、対応する下地金属層２３０と対応する金属箔２６４の間に配置される。
【００２６】
図３Ｃおよび図３Ｄを同時に参照すると、上述した実施形態と同様に離型層２２０の分離性を利用して、離型層２２０から各下地金属層２３０を分離し、図３Ｄに示すように、支持層２１０を除去して、互いに独立した構造ＡおよびＢを形成する。言及すべきこととして、後続の製造ステップにおいて、図３Ｄ〜図４は、いずれも独立した構造Ａしか例として図示していない。しかしながら、当業者であれば理解できるように、図３Ｄ〜図４に示した製造プロセスは、構造ＡおよびＢの両方に適用可能である。次に、図３Ｅを参照すると、エッチング法等により下地金属層２３０をパターン化して、積層２６０の上にパターン化金属層２３０ａを形成する。パターン化金属層２３０ａは、図３Ｅに示すように、第１パターン化ソルダレジスト層２５０の少なくとも一部を露出する。
【００２７】
その後、図３Ｆに示すように、露出した第１パターン化ソルダレジスト層２５０および金属箔２６４の上に、第２パターン化ソルダレジスト層２８０を形成する。第２パターン化ソルダレジスト層２８０はパターン化金属層２３０ａの一部を覆う。次に、パターン化金属層２３０ａの上に表面仕上げ層２９０を形成して、第２パターン化ソルダレジスト層２８０により露出したパターン化金属層２３０ａの一部を覆う。このようにして、基板構造２００の製造を完了することができる。本実施形態において、表面仕上げ層２９０は、上述した実施形態において言及したように、ＯＳＰ層、ＥＮＩＧ層、Ｉ‐Ａｇ層、Ｉ‐Ｓｎ層、Ｉ‐Ｂｉ層、ＨＡＳＬ層、電解Ｎｉ／Ａｕ層、無電解Ｐｄ／Ｎｉ層、無電解Ｐｄ／Ｃｕ層、または電解Ｓｎ‐Ｂｉ合金メッキ層等であるが、本発明はこれに限定されない。
【００２８】
図４は、本発明の別の実施形態に係る基板構造を示す概略的断面図である。また、基板構造の製造プロセスは、以下の通りであってもよい。下地金属層２３０をパターン化して、パターン化金属層２３０ａを形成した後、すなわち、図３Ｅに示した製造ステップの後、図４に示すように、パターン化金属層２３０ａおよび金属箔２６４の上に表面仕上げ層２９０を直接形成し、表面仕上げ層２９０がパターン化金属層２３０ａおよび金属箔２６４を覆うことによって、図４の基板構造２００ａを形成する。同様にして、本実施形態の表面仕上げ層２９０は、ＯＳＰ層、ＥＮＩＧ層、Ｉ‐Ａｇ層、Ｉ‐Ｓｎ層、Ｉ‐Ｂｉ層、ＨＡＳＬ層、電解Ｎｉ／Ａｕメッキ層、無電解Ｐｄ／Ｎｉ層、無電解Ｐｄ／Ｃｕ層、または電解Ｓｎ‐Ｂｉ合金メッキ層である。
【００２９】
以上からわかるように、本実施形態の製造プロセスと図１Ａ〜図２に示した製造プロセスの間の主な相違点は、以下の通りである。上述した実施形態では、アディティブ法等により下地金属層１３０の上にパターン化金属層１４０を直接形成し、基板を分離した後（つまり、支持層１１０を除去して２つの独立した構造ＡおよびＢを形成した後）、構造ＡおよびＢの上の下地金属層１３０をそれぞれ除去して、パターン化金属層１４０を露出する。本実施形態では、基板を分離した後、エッチング等のサブトラクティブ法を下地金属層２３０に直接施して、パターン化金属層２３０ａを形成する。したがって、当業者は、実際の製造要件に応じて、適切な製造方法を選択することができる。例えば、ファインピッチ回路の要求がある場合、図１Ａ〜図２に示した製造プロセスを用いて本発明の基板構造１００および１００ａを形成することが検討され、生産効率またはコストを考慮する必要がある場合、図３Ａ〜図４に示したより簡単なステップの製造プロセスを用いて本発明の基板構造２００および２００ａを形成することが検討される。もちろん、本発明は、上述した製造方法の適用範囲を限定する意図はない。
【００３０】
構造上、上述した製造プロセスによって形成された基板構造は、誘電体層２６２と、金属箔２６４と、第１パターン化ソルダレジスト層２５０と、パターン化金属層２３０ａとを含む。誘電体層２６２は、第１表面２６２ａおよび第１表面２６２ａと対向する第２表面２６２ｂを含む。第１表面２６２ａは、複数の凹部２６２ｃを有する。金属箔２６４は、第２表面２６２ｂの上に配置される。第１パターン化ソルダレジスト層２５０は、各凹部２６２ｃに充填され、第１パターン化ソルダレジスト層２５０の上面は、第１表面２６２ａと実質的に同一平面上にある。パターン化金属層２３０ａは、第１表面２６２ａの上に配置され、第１パターン化ソルダレジスト層２５０の少なくとも一部を露出する。
【００３１】
また、本発明の１つの実施形態において、基板構造２００は、図３Ｆに示すように、第２パターン化ソルダレジスト層２８０と、表面仕上げ層２９０とを含む。第２パターン化ソルダレジスト層２８０は、第１パターン化ソルダレジスト層２５０および金属箔２６４の上に配置され、パターン化金属層２３０ａの一部を覆う。表面仕上げ層２９０は、第２パターン化ソルダレジスト層２８０によって露出したパターン化金属層２３０ａの一部を覆う。本発明の別の実施形態において、基板構造２００ａは、第２パターン化ソルダレジスト層２８０を設置する必要はなく、代わりに、図４に示すように、表面仕上げ層２９０がパターン化金属層２３０ａおよび金属箔２６４を直接覆う。表面仕上げ層２９０は、ＯＳＰ層、Ｎｉ／Ａｕ金層、銀層、錫層、ビスマス層、Ｐｄ／Ｎｉ層、Ｐｄ／Ｃｕ層、またはＳｎ‐Ｂｉ合金層であるが、本発明はこれに限定されない。
【産業上の利用可能性】
【００３２】
本発明の基板構造は、対称的に、分離型基板上で、それぞれ基板構造の製造プロセスを実行する。したがって、基板を分離した後、互いから独立した２つの基板構造を得ることができるため、製造時間を節約し、生産効率を上げることができる。また、本発明の基板は、支持層とパターン化金属層の間に離型層を接続するため、積層を形成した後、離型層の分離性を利用して、支持層を容易に除去することができる。したがって、コア層の上に複数の積層を積み重ねることによって形成される従来の基板構造と比較して、本発明の基板構造は、全体の厚さが比較的薄いため、このような基板構造を使用することによって、パッケージ構造の全体の厚さをより薄くすることができる。
【００３３】
また、本発明は、さらに、アディティブ法およびサブトラクティブ法によってパターン化回路層を形成することができる２つの基板構造の製造方法を提供したので、使用者は、製造プロセスまたは製品の実際の要求に応じて、適切な基板構造およびその製造方法を選択することができる。そのため、本発明は、基板構造の設計および製造における柔軟性を高めることができる。
【００３４】
以上のごとく、この発明を実施形態により開示したが、もとより、この発明を限定するためのものではなく、当業者であれば容易に理解できるように、この発明の技術思想の範囲内において、適当な変更ならびに修正が当然なされうるものであるから、その特許権保護の範囲は、特許請求の範囲および、それと均等な領域を基準として定めなければならない。
【符号の説明】
【００３５】
１００、１００ａ、２００、２００ａ    基板構造 
１０５、２０５    基板
１１０、２１０    支持層
１２０、２２０    離型層
１３０、２３０    下地金属層
１４０、２３０ａ    パターン化金属層
１４２    開口
１５０、２５０    第１パターン化ソルダレジスト層
１６０、２６０    積層
１６２、２６２    誘電体層
１６２ａ、２６２ａ    第１表面
１６２ｂ、２６２ｂ    第２表面
１６２ｃ、２６２ｃ    凹部
１６４、２６４    金属箔
１７０    エッチング停止層
１８０、２８０    第２パターン化ソルダレジスト層
１９０、２９０    表面仕上げ層
A、B     構造
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図１Ｄ】
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【図１Ｅ】
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【図１Ｆ】
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【図１Ｇ】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
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【図３Ｆ】
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【図４】
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