(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
逆スタガ構造を有する薄膜トランジスタが形成された画素部と前記画素部周辺に配置されたシール部を備えた第１の基板と、前記第１の基板に対向する第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に充填された液晶層とを有し、前記第１の基板と前記第２の基板が前記シール部に設けられたシール材により接着された液晶表示装置であって、
前記第１の基板は少なくともＳｉＮx からなる保護絶縁膜及び有機層間絶縁膜と、前記シール部の外側に配置された端子部とを備え、
前記シール部は、前記薄膜トランジスタのゲート電極に接続されたゲート配線と、前記ゲート配線上に形成されたＳｉＮx からなるゲート絶縁膜と、前記画素部の前記薄膜トランジスタのチャネル領域となる薄膜と同層に前記ゲート絶縁膜上に形成された薄膜と、前記保護絶縁膜と、前記有機層間絶縁膜とからなり、前記有機層間絶縁膜、前記保護絶縁膜及び前記薄膜の一部に前記ゲート絶縁膜が露出した開口部を有し、
前記シール部の前記シール材は、前記第１基板上において前記開口部を通して前記ゲート絶縁膜のみと接して配置され、
前記端子部には、前記保護絶縁膜及び前記有機層間絶縁膜が無いことを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置の製造方法および液晶表示装置に係り、特に液晶層をシール材により封止する工程を含む製造方法およびシール部の構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、高解像度のディスプレイとして液晶表示装置が広く用いられている。この液晶表示装置は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等のスイッチング素子が形成された基板（以下、ＴＦＴ基板と呼ぶ）とカラーフィルタ、ブラックマトリクスが形成された基板（以下、カラーフィルタ基板と呼ぶ）との間に液晶を狭持している。そしてＴＦＴ基板とカラーフィルタ基板の周辺部がシール材により接着され、その中に液晶層が封止されている。
【０００３】
一般的な液晶表示装置では、シール材がＴＦＴ基板の周辺部まで延在する無機保護絶縁膜と接着されるが、近年、ＴＦＴ基板の開口率を向上させるために、無機保護絶縁膜上に有機層間絶縁膜を形成する構造が実用化されている。しかし有機層間絶縁膜とシール材の接着力は無機保護絶縁膜とシール材との接着力に比べて低下する。そこでＴＦＴ基板のシール部では有機層間絶縁膜を除去する工程を追加し、無機保護絶縁膜上にシール材を配置することにより接着性の向上を図っている。
【０００４】
有機層間絶縁膜を有する液晶表示装置の例が特許文献１に記載されている。特許文献１に記載された液晶表示装置を図１１に示す。図１１（ａ）は外周部の断面図、図１１（ｂ）は画素部の断面図である。この液晶表示装置のＴＦＴ構造は図１１（ｂ）に示すように、トップゲート型あるいはプレーナー型と呼ばれる構造である。トップゲート型（プレーナー型）ＴＦＴ構造の場合は、ガラス基板３１上にポリシリコン半導体層３２、ゲート絶縁膜３３、ゲート配線３４がこの順に形成され、その上面に無機材料からなる保護絶縁膜３５と有機層間絶縁膜３６が形成される。したがって、コンタクトホールを形成するためには、エッチング工程により有機層間絶縁膜３６及び保護絶縁膜３５の２層のみを除去すればよい。このとき、シール材３７が形成されるシール部も同一の層構造を有するので、シール部における有機層間絶縁膜３６及び保護絶縁膜３５も同様に除去される。しかし、さらにその下に形成されている無機層間絶縁膜３８は除去されずに残る。従って、コンタクトホール形成工程により、シール部において無機層間絶縁膜３８の下に形成されたゲート配線３４が露出されることはない。
【０００５】
次に、逆スタガ型ＴＦＴ構造を用いた有機層間絶縁膜を有する液晶表示装置の製造方法について図１２を用いて説明する。まず、無機材料からなる保護絶縁膜３５の上に感光性を有する有機層間絶縁膜３６−１を全面に塗布する。その後１回目のフォトリソグラフィ工程により、コンタクトホール及びシール部のパターンに対応した開口部３９を有機層間絶縁膜３６−１に形成する（図１２（ａ））。次に、この開口部３９を埋めるようにレジストを有機層間絶縁膜３６−１の上に全面に塗布する。続いて２回目のフォトリソグラフィ工程によりシール部の開口部３９を覆うようにレジスト膜４０をパターニングする（図１２（ｂ））。このレジスト膜４０をマスクとして用いて、エッチング工程によりコンタクトホール領域の保護絶縁膜３５及びゲート絶縁膜３３を除去し（図１２（ｃ））、最後にレジストの剥離を行っていた（図１２（ｄ））。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−１６７２５８号公報（〔００２０〕〜〔００５４〕、図１、図３）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述した逆スタガ型ＴＦＴ構造を用いた有機層間絶縁膜を有する液晶表示装置では、図１２（ｄ）に示すように、ゲート絶縁膜３３上に設けられたドレイン電極に接続されたドレイン配線４１と、ゲート配線３４と同層に設けられた共通電極４２のコンタクトホールを形成するためには、有機層間絶縁膜３６−１、保護絶縁膜３５及びゲート絶縁膜３３の除去を行わなければならない。このとき、シール部の有機層間絶縁膜３６−１の除去も同一の工程で行うとすると、シール部においても有機層間絶縁膜３６−１、保護絶縁膜３５及びゲート絶縁膜３３が除去され、シール部ではゲート配線３４が露出した状態となる。そのため、シール材と接触することによりゲート配線３４を構成する配線材料が腐食するという問題があった。そして腐食により液晶内に不純物が浸入して表示不良が発生し、またシール材と金属配線の接着性が低下するという問題があった。
【０００８】
この問題を回避するためには、図１２を用いて説明したように、コンタクトホールの形成とゲート絶縁膜３３を残したシール部分の形成を別個に行わなければならず、２回のフォトリソグラフィ工程が必要となることからプロセス工程が増加し、そのため製造コストが上昇するという問題があった。
【０００９】
本発明の目的は、ＴＦＴ基板とシール材との接着力が強く、信頼性の高い液晶表示装置を製造工程の増加なしに得ることができる液晶表示装置の製造方法、およびかかる液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の液晶表示装置は、逆スタガ構造を有する薄膜トランジスタが形成された画素部と画素部周辺に配置されたシール部を備えた第１の基板と、第１の基板に対向する第２の基板と、第１の基板と第２の基板との間に充填された液晶層とを有し、第１の基板と第２の基板がシール部に設けられたシール材により接着された液晶表示装置であって、第１の基板は少なくともＳｉＮx からなる保護絶縁膜及び有機層間絶縁膜と、シール部の外側に配置された端子部とを備え、シール部は、薄膜トランジスタのゲート電極に接続されたゲート配線と、ゲート配線上に形成されたＳｉＮx からなるゲート絶縁膜と、画素部の薄膜トランジスタのチャネル領域となる薄膜と同層にゲート絶縁膜上に形成された薄膜と、保護絶縁膜と、有機層間絶縁膜とからなり、有機層間絶縁膜、保護絶縁膜及び薄膜の一部にゲート絶縁膜が露出した開口部を有し、シール部のシール材は、第１基板上において前記開口部を通してゲート絶縁膜のみと接して配置され、端子部には、保護絶縁膜及び有機層間絶縁膜が無い。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の液晶表示装置の製造方法によれば、ＴＦＴ基板のコンタクトホールの形成と、シール部における有機層間絶縁膜の開口部の形成を同一の工程で行うことができるので、製造工程の増加を回避することができる。
【００１３】
また本発明の液晶表示装置は、ＴＦＴ基板とシール材との接着力が強く、かつ接着部の信頼性が高いという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る液晶表示装置の断面図。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係るＴＦＴ基板の製造方法を説明するための断面図。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係るＴＦＴ基板の製造方法を説明するための断面図。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係るＴＦＴ基板の製造方法を説明するための断面図。
【図５】本発明の第１の実施の形態に係るＴＦＴ基板の製造方法を説明するための断面図。
【図６】本発明の第１の実施の形態に係るＴＦＴ基板の製造方法を説明するための断面図。
【図７】本発明の第２の実施の形態に係るＴＦＴ基板の製造方法を説明するための断面図。
【図８】本発明の第３の実施の形態に係るＴＦＴ基板の断面図。
【図９】本発明の第４の実施の形態に係るＴＦＴ基板の製造方法を説明するための断面図。
【図１０】本発明の第４の実施の形態に係るＴＦＴ基板の製造方法を説明するための断面図。
【図１１】本発明に関連する液晶表示装置の断面図。
【図１２】本発明に関連するＴＦＴ基板の製造方法を説明するための断面図。
【符号の説明】
【００１５】
１    液晶表示装置
２    ＴＦＴ基板
３    カラーフィルタ基板
４    液晶層
５    画素部
６    Ｇ／Ｄ変換部
７    シール部
８    端子部
９    アモルファス・シリコン（ａ−Ｓｉ）膜
１０、３３    ゲート絶縁膜
１１    ソース電極
１２、３５    保護絶縁膜
１３、１３−１、１３−２、３６、３６−１    有機層間絶縁膜
１４、４１    ドレイン配線
１５、３４    ゲート配線
１６、４２    共通電極
１７    半導体接続層
１８、３７    シール材
２１、３１、５１    ガラス基板
２２、４０    レジスト膜
２３    ｎ＋ａ−Ｓｉ膜
２４    ソース配線
２５、３９    開口部
２６    透明導電膜
３２    ポリシリコン半導体層
３８    無機層間絶縁膜
５２    ブラックマトリクス（ＢＭ）
５３    色画素
５４    平坦化膜
５５    配向膜
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下に、図面を参照しながら、本発明の実施の形態について説明する。
【００１７】
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る液晶表示装置の断面図である。図１に示すように、液晶表示装置１はＴＦＴ基板２とカラーフィルタ基板３との間に液晶層４が狭持されている。ＴＦＴ基板２は画素部５と、ドレイン引出配線として用いるゲート配線とドレイン配線を接続するＧ／Ｄ変換部６、シール部７、及び端子部８から構成される。
【００１８】
画素部５にはアモルファス・シリコン（ａ−Ｓｉ）膜９からなるチャネル領域と、ゲート絶縁膜１０と、ゲート電極、ソース電極１１およびドレイン電極からなる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が形成されている。そしてＴＦＴ基板２の全面に保護絶縁膜１２及び有機層間絶縁膜１３が形成されている。ここで、ソース電極１１、およびドレイン電極に接続されたドレイン配線１４のコンタクト領域では保護絶縁膜１２と有機層間絶縁膜１３が除去されている。一方、ゲート電極に接続されたゲート配線１５と同層に位置する共通電極１６のコンタクト領域では、保護絶縁膜１２と有機層間絶縁膜１３に加えゲート絶縁膜１０が除去され、異なる深さのコンタクトホールが開口されている。
【００１９】
シール部７には、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のチャネル領域と同層上にアモルファス・シリコン（ａ−Ｓｉ）膜からなる半導体接続層１７が形成されている。そして半導体接続層１７上の保護絶縁膜１２及び有機層間絶縁膜１３が除去され、ゲート絶縁膜１０上に形成された半導体接続層１７が露出しておりシール材１８と接している。
【００２０】
Ｇ／Ｄ変換部６では、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のチャネル領域と同層上に形成されたドレイン配線１４がシール部７において露出しないようにするため、ドレイン配線１４をゲート配線１５に接合している。
【００２１】
端子部８は液晶表示装置１と外部回路を接続するための端子であり、ゲート配線１５と接続している。
【００２２】
一方、ＴＦＴ基板２に対向するカラーフィルタ基板３は、ガラス基板５１とその上に形成されたブラックマトリクス（ＢＭ）５２、色画素５３、有機材料からなる平坦化膜５４、及び配向膜５５からなる。そして本実施の形態による液晶表示装置は、ＴＦＴ基板２とカラーフィルタ基板３とが、ＴＦＴ基板２の周辺近傍に位置するシール部７に配置されたシール材１８により接着され、ＴＦＴ基板２とカラーフィルタ基板３との間に液晶層４を封入した構成となっている。
【００２３】
ここで一般にシール材１８はエポキシ樹脂等からなり、シール材１８との接着強度は半導体材料であるアモルファス・シリコン（ａ−Ｓｉ）膜が最も強く、次に透明導電膜が強く、有機層間絶縁膜１３は接着強度が最も弱い。本実施の形態ではシール材１８と接着する領域にアモルファス・シリコン（ａ−Ｓｉ）膜からなる半導体接続層１７を用いているので、シール材１８とＴＦＴ基板２との接着力を強化することができる。さらに半導体材料は金属材料からなる電極層とは異なり、シール材との接触により腐食することがないため、シール材１８との接続部分が経時的に劣化することがなく、信頼性の高い液晶表示装置が得られる。
【００２４】
図２から図６に第１の実施の形態によるＴＦＴ基板２の製造方法を示す。
【００２５】
まず図２（ａ）に示すように、ガラス基板２１上にゲート配線１５となる金属層を成膜する。金属材料としては、Ｃｒ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｕ等の純金属またはこれらを含む合金を用いることが出来る。また２種類以上のこれらの金属を使用して積層構造としてもよい。成膜方法は金属蒸着法等があるが、より好ましくはスパッタ法により成膜を行う。成膜後はフォトリソグラフィ工程により所望のパターンとなるようレジスト膜２２を形成し（図２（ａ））、金属層のエッチングを行うことによりゲート配線１５のパターンを形成する（図２（ｂ））。形成後に不要となったレジスト膜２２は剥離する（図２（ｃ））。
【００２６】
続いて図３（ａ）に示すように、ゲート絶縁膜１０をゲート配線１５の上に成膜する。ゲート絶縁膜１０にはＳｉＯ２膜やＳｉＮＸ膜などの無機材料からなる透明絶縁膜を用いることができる。成膜には例えば、ＣＶＤ法等を用いることができる。次に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のチャネル領域となるアモルファス・シリコン（ａ−Ｓｉ）膜９、ドレインおよびソースコンタクト領域となるｎ＋ａ−Ｓｉ膜２３をゲート絶縁膜１０上に連続して成膜する。成膜は、例えばＣＶＤ法等により行う。成膜後にフォトリソグラフィ工程により所望のパターンとなるようレジスト膜２２を形成し、エッチングを行うことにより所望のパターンを形成する（図３（ａ）（ｂ）（ｃ））。このときシール部７にも同時に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のチャネル領域を形成するアモルファス・シリコン（ａ−Ｓｉ）膜を用いて半導体接続層１７を形成する（図３（ｃ））。
【００２７】
次に、ドレイン配線１４およびソース配線２４となる金属膜を成膜する（図４（ａ））。金属膜としては、Ｃｒ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｕ等の純金属またはこれらを含む合金を用いることが出来る。また２種類以上のこれらの金属を使用して積層構造としてもよい。成膜方法は好ましくはゲート配線１５の成膜と同様にスパッタ法を用いることができる。成膜後にフォトリソグラフィ工程によりレジスト膜を形成し、エッチングを行うことにより薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のパターンを形成する（図４（ｂ））。その後、チャネルエッチングによりドレイン領域とソース領域の分離を行うことにより逆スタガ型ＴＦＴ構造が完成する（図４（ｃ））。チャネルエッチングはドライエッチング法により行うのが好ましい。図４ではレジスト剥離前にチャネルエッチングを実施しているが、レジスト剥離後にチャネルエッチングを実施することとしてもよい。
【００２８】
次に図５に示すように、ドレイン配線１４およびソース配線２４を形成した後に、その上に保護絶縁膜１２を成膜する。保護絶縁膜１２としては、無機材料または有機材料からなる透明絶縁膜を用いることが出来る。本実施の形態では、ＳｉＮＸ膜からなる無機絶縁膜をＣＶＤ法により成膜した。続いて、有機層間絶縁膜１３を成膜する。有機層間絶縁膜１３としては、例えばアクリル樹脂等を用いることができる。次にフォトリソグラフィ工程によりソース電極１１、ドレイン電極に接続されたドレイン配線１４、共通電極１６それぞれのコンタクト領域及びシール部７上のレジスト膜２２を除去する（図５（ａ））。このレジスト膜２２をマスクとして用いて有機層間絶縁膜１３のエッチングを行う（図５（ｂ））。このエッチングには例えば、酸素（Ｏ２）ガスによるドライエッチングを用いることができる。有機層間絶縁膜１３のエッチングレートを速くするため、より好ましくはＣＦ４ガスを添加してエッチングを行う。次に連続して、ソース電極１１及びドレイン配線１４上の保護絶縁膜１２、共通電極１６上の保護絶縁膜１２及びゲート絶縁膜１０をエッチング除去する（図５（ｃ））。エッチングには例えば、ＣＦ４ガスまたはＳＦ６ガスを用いたドライエッチング法により行う。このときシール部７においても保護絶縁膜１２はエッチング除去される。しかし保護絶縁膜１２の下部にはアモルファス・シリコン（ａ−Ｓｉ）膜からなる半導体接続層１７が形成されているため、半導体接続層１７がエッチングストッパーとして機能することにより、更にその下部にあるゲート絶縁膜１０はエッチング除去されることはない（図５（ｃ））。すなわち、本実施の形態に係る液晶表示装置は逆スタガ型ＴＦＴ構造を採用しているので、トップゲート型（プレーナー型）ＴＦＴ構造とは異なり、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のチャネル領域となるアモルファス・シリコン（ａ−Ｓｉ）膜９がゲート配線１５の上層に形成される。そのため、チャネル領域と同層に形成された半導体接続層１７をエッチングストッパーとして用いることができる。以上の工程により、ソース電極１１、ドレイン配線１４、共通電極１６上のコンタクトホールの形成、及びシール部７における有機層間絶縁膜１３の除去を同一の工程で行うことが出来る。
【００２９】
ここで、シール部７に形成された半導体接続層１７の面積は、保護絶縁膜１２および有機層間絶縁膜１３のエッチングにより開口された開口部２５の面積よりも大きいことが望ましい。その理由は以下の通りである。すなわち、ドライエッチングにより深さ方向のエッチングが進行するのと同時に横方向へのエッチングも進行する。このため初期のレジスト膜で形成した開口部２５の面積とエッチング後の開口部２５の面積を比較すると、エッチング後の開口部２５の面積の方が大きくなる。そこで、レジスト膜で形成する開口部２５の面積よりも半導体接続層１７の面積を大きく形成しておくことにより、コンタクトホールのエッチング中にサイドエッチングが進行しても、半導体接続層１７の下部に位置するゲート絶縁膜１０が露出されることはなく、半導体接続層１７でゲート絶縁膜１０は保護されることになるからである。
【００３０】
次に図６に示すように、コンタクトホールを形成した後に透明導電膜２６を成膜する。透明導電膜２６にはインジウムすず酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等を用いることが出来る。成膜方法はスパッタ法が好ましく用いられる。成膜後にフォトマスクを用いて透明導電膜２６のパターニングを行い、同時にシール部７に形成された透明導電膜２６を除去する。最後に、例えばポリイミド膜を用いた配向膜を形成することによりＴＦＴ基板２が完成する。
【００３１】
上述したように、本実施の形態の製造方法によれば、半導体接続層１７がエッチングストッパーとして機能するため、新たな工程を追加することなく、ソース電極１１、ドレイン配線１４、及び共通電極１６にコンタクトホールを形成する工程と同一の工程によりシール部７における有機層間絶縁膜１３を除去することができる。
【００３２】
次に、本発明の第２の実施の形態を説明する。第２の実施の形態は第１の実施の形態で用いた有機層間絶縁膜１３に感光性を持たせたことを特徴とするものである。図７は、本発明の第２の実施の形態に係るＴＦＴ基板２の製造方法を説明するための断面図である。保護絶縁膜１２を成膜するまでは第１の実施の形態と同じ工程により製造する。次にコンタクトホールを開口する工程において、感光性を有する有機層間絶縁膜１３−１を成膜する。成膜方法としてはスピンコーターやロールコーターによる塗布方法等を用いることができる。次にフォトリソグラフィ工程により有機層間絶縁膜１３−１を露光し現像を行う。この工程によりレジスト塗布工程を用いることなく、コンタクトホール形成領域及びシール部７のシール材１８形成領域の有機層間絶縁膜１３−１を除去することが出来る（図７（ａ））。
【００３３】
次に有機層間絶縁膜１３−１をマスクとして、保護絶縁膜１２、ゲート絶縁膜１０をエッチング除去する（図７（ｂ））。このときも第１の実施の形態と同様に、シール部７のシール材１８形成領域の保護絶縁膜１２はエッチング除去されるが、その下層に配置されたアモルファス・シリコン（ａ−Ｓｉ）膜からなる半導体接続層１７がエッチングストッパーとして作用するため、更にその下層に配置されたゲート絶縁膜１０はエッチング除去されることがない。したがって、ゲート絶縁膜１０が除去されたコンタクトホール形成領域、及び半導体接続層１７とゲート絶縁膜１０で覆われたシール部７からなる構造を、第１の実施の形態に比べてレジスト工程を１回省略した工程により作成することができる。
【００３４】
次に、本発明の第３の実施の形態を説明する。第３の実施の形態は第１の実施の形態で用いた保護絶縁膜１２と有機層間絶縁膜１３とを１層からなる有機層間絶縁膜１３−２に代替したことを特徴とするものである。図８は、本発明の第３の実施の形態に係るＴＦＴ基板２の断面図である。ドレイン配線１４及びソース配線２４となる金属膜を成膜する工程までは第１の実施の形態と同じ工程により製造する。次に有機層間絶縁膜１３−２を塗布法により成膜する。そして、コンタクトホールを開口するために、ソース電極１１、共通電極１６及びシール部７のシール材１８形成領域の有機層間絶縁膜１３−２を除去する。この工程はレジスト膜を用いた通常のフォトリソグラフィ工程とエッチング工程により行うことができるが、感光性を有する有機保護絶縁膜１３−２を用いた場合はフォトリソグラフィ工程だけで形成することができる。次にゲート絶縁膜１０をドライエッチング法等を用いて除去することにより、１回のフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程で、ソース電極１１、共通電極１６のコンタクトホールの開口及びシール部７のシール材１８形成領域の有機層間絶縁膜１３−２の除去を行うことができる。以上の工程により、無機材料を用いた保護絶縁膜１２を形成する工程を削減することができるので、さらに低コストで液晶表示装置を製造することができる。
【００３５】
次に、本発明の第４の実施の形態を説明する。第４の実施の形態はシール部７だけではなく端子部８における有機層間絶縁膜１３をも除去することを特徴とするものである。図９、１０は、本発明の第４の実施の形態に係るＴＦＴ基板２の製造方法を説明するための断面図である。
【００３６】
図９（ａ）に示すように、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のチャネル領域となるアモルファス・シリコン（ａ−Ｓｉ）膜９、ドレインおよびソースコンタクト領域となるｎ＋ａ−Ｓｉ膜２３を形成するまでの工程は第１の実施の形態と同じ工程で製造する。このとき本実施の形態では、シール部７のみならず端子部８にもアモルファス・シリコン（ａ−Ｓｉ）膜からなる半導体接続層１７を形成する。ここで、シール部７より表示エリア（画素）側に延びた半導体接続層１７はエッチング除去したあと最終的に残る有機層間絶縁膜１３および保護絶縁膜１２と一部が重なる位置に配置することが望ましい。後述するように有機層間絶縁膜１３のエッチング工程におけるサイドエッチングによる影響を防止するためである。次に、フォトリソグラフィ工程により所望のパターンとなるようレジスト膜２２を形成し、エッチング工程を行うことにより薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のパターンを形成する。続いて、有機層間絶縁膜１３を塗布するまでの工程を第１の実施の形態と同様の工程により行う。続いてコンタクトホールを形成するために、フォトリソグラフィ工程を用いて有機層間絶縁膜１３上にレジストパターンを形成する（図９（ａ））。形成したレジスト膜２２をマスクとして有機層間絶縁膜１３をパターンにそって除去する（図９（ｂ））。次に保護絶縁膜１２及びゲート絶縁膜１０を除去し、コンタクトホールを形成する（図９（ｃ））。このとき、端子部８及びシール部７に配置したアモルファス・シリコン（ａ−Ｓｉ）膜からなる半導体接続層１７は除去されず、ゲート絶縁膜１０に対するエッチングストッパーとして機能する。そのためコンタクトホールの形成とシール部７及び端子部８における保護絶縁膜１２と有機層間絶縁膜１３の除去を同一の工程で行うことが出来る。また上述したようにシール部７より表示エリア（画素）側に延びた半導体接続層１７の一部が有機層間絶縁膜１３および保護絶縁膜１２と重なる位置に配置している。そのため、サイドエッチングにより保護絶縁膜１２および有機層間絶縁膜１３の側面が後退しても、この重なる位置の下層に配置されたゲート絶縁膜１０は除去されることはない。
【００３７】
続いて同じレジストマスクを用いて端子部８及びシール部７における半導体接続層１７を除去する（図１０（ａ））。これはアモルファス・シリコン（ａ−Ｓｉ）膜を半導体接続層１７に用いた場合は、アモルファス・シリコン（ａ−Ｓｉ）膜は導電性を有することから、端子部８では端子同士が導通してしまう。そこで、かかる不良を回避するために端子部８における半導体接続層１７を除去することとしたものである。最後に第１の実施の形態と同じ工程により透明導電膜２６を形成し、第４の実施の形態に係るＴＦＴ基板２が完成する（図１０（ｂ））。
【００３８】
このような工程を採用することにより、シール部７の有機層間絶縁膜１３だけなく端子部８の有機層間絶縁膜１３もフォトリソグラフィ工程を追加することなく除去することができ、端子部８のリペア性を向上することができる。すなわち、一般に、液晶表示装置の端子と外部回路基板との接続にはＡＣＦ（異方性導電膜：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）接続が用いられているが、端子部に有機絶縁膜が残留した構成では段差が大きいことや、有機絶縁膜が存在することからリペア性が低下していた。しかし本実施の形態によれば、端子部８の有機絶縁膜も除去されるため、リペア性が向上する。また、本実施の形態に係るＴＦＴ基板２のシール部７においては、有機層間絶縁膜１３、無機材料からなる保護絶縁膜１２及び半導体接続層１７が除去されるが、シール材１８は無機材料からなるゲート絶縁膜１０と接着するので、強い接着強度を得ることができる。
【００３９】
本実施の形態においても第２の実施の形態と同様に、有機層間絶縁膜１３に感光性を持たせてフォトリソグラフィ工程により有機層間絶縁膜１３−１のパターニングを行うこととしてもよい。また第３の実施の形態と同様に、保護絶縁膜１２と有機層間絶縁膜１３に替えてを１層の有機層間絶縁膜１３−２を用いることとしてもよい。
【００４０】
本発明は上記実施の形態に限定されることなく、特許請求の範囲に記載した発明の範囲内で、種々の変形が可能であり、それらも本発明の範囲内に含まれるものであることはいうまでもない。
【図１】
0005900823.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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