(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基体上に、銀系金属膜および波長４００ｎｍにおける光の吸収係数が３/μｍ以下であり、厚さが２０〜１００ｎｍの範囲にあるダイヤモンド状炭素膜がこの順に積層された赤外線反射積層体、または、透明基体上に、ダイヤモンド状炭素薄膜、銀系金属膜およびダイヤモンド状炭素薄膜がこの順に積層され、それぞれのダイヤモンド状炭素薄膜の波長４００ｎｍにおける光の吸収係数が３/μｍ以下であり、厚さが２０〜１００ｎｍの範囲にある赤外線反射積層体の製造方法であって、常圧の雰囲気下において、対向する電極間に電圧を印加して低温プラズマを発生させ、窒素により１〜４０体積％の濃度に希釈されたアセチレンを分解することで反応生成物を堆積させる方法によりダイヤモンド状炭素膜を積層することを特徴とする赤外線反射積層体の製造方法。 
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光透過性に優れたダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ）薄膜を用いた赤外線反射積層体の製造方法に関するものである。 
【０００２】
具体的には、ＤＬＣ薄膜と銀系金属膜と組み合わせた積層体であり、熱線を反射して可視光を透過する窓材として利用可能な赤外線反射積層体の効率的な製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００３】
近年、ＤＬＣ薄膜による耐磨耗性や包装材料としてのガスバリア性の効果が注目されてきた。ＤＬＣ薄膜の製造方法としては化学気相成長（ＣＶＤ）法を用いることが多く、水素を含むことで可視光線透過率が高くなり、透明な光透過性の光学薄膜としての用途も期待されている。
【０００４】
ところで、ＤＬＣ薄膜は可視光域における短波長側の光の吸収があるため、膜厚が厚くなるほど茶色の色調となる傾向があった。このように、ＤＬＣ薄膜の光線透過率は、長波長側に較べて短波長側で低い傾向があるため、短波長側の光線透過率を向上させることが課題であった。
【０００５】
この課題に対して、高透明化する試みもなされて一定の成果が見られている。スパッタ法において、スパッタガスに窒素を用い、ＤＬＣ薄膜中に窒素を混入させ、後から焼成すると高透明化する方法（特許文献１）、減圧ＣＶＤ法において非常に遅い成膜速度で膜を形成する方法などである（非特許文献１）。
【０００６】
この様に、従来の方法においては、高光線透過率のＤＬＣ薄膜を得るとしても、スパッタ法や減圧ＣＶＤ法を用いるため、真空引きの時間や遅い成膜速度により、工業的な生産を行う場合には生産性の問題が生じていた。
【０００７】
ところで、熱線を反射して可視光を透過する窓材としての赤外線反射積層体は、銀系金属膜による反射膜と高屈折率の透明層を積層して作られていた。図２では透明基体上に銀系金属膜による反射膜、続いて透明層を形成したものを例示している。また、図３のように透明基体上に透明層、銀系金属膜による反射膜、透明層を形成したものもある。高屈折率透明層としては酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化亜鉛(ＺｎＯ)などの金属酸化物層が用いられる。製造方法としては主にスパッタ法が用いられていた。銀系金属膜による反射膜の成膜は、銀系金属膜の膜厚が薄いこと、銀系金属材料のスパッタ成膜速度が早いことなどから比較的生産性は良いが、金属酸化物のスパッタ法による成膜速度は低く、生産性が低かった。また、金属酸化物層から遊離した酸素が銀系反射膜を酸化して信頼性を低くするという問題点もあった。これに対して、ＤＬＣ薄膜を金属酸化物の代わりにして酸化による劣化を防ぐ事も試みられたが（非特許文献２）、グラファイトターゲットをスパッタする場合の成膜速度が著しく遅く、生産性を大きく下げていた。また、可視光線透過率が低く、特に短波長側の光の吸収があるために茶色の色調となりやすく、窓材としては適切でなかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００４-３１５８５４号公報
【非特許文献】
【０００９】
【非特許文献１】S. Yamamoto et al., Diamond & Related Materials 14 (2005) 1112-1115
【非特許文献２】K. Chiba et al., Applied Surface Science 246 (2005) 48-51
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の課題は、ＤＬＣ薄膜と銀系金属膜と組み合わせることにより熱線を反射して可視光を効率よく透過できる窓材として利用可能な赤外線反射積層体を提供するためのＤＬＣ薄膜を製造するに際し、ＤＬＣ薄膜の短波長における光吸収を減少させ、茶色系の色調になる事を避けながら、かつ量産性を高く安価に生産する製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、上記課題を解決するため、透明基体上に、銀系金属膜および波長４００ｎｍにおける光の吸収係数が３/μｍ以下であり、厚さが２０〜１００ｎｍの範囲にあるダイヤモンド状炭素膜がこの順に積層された赤外線反射積層体を提供する。
【００１２】
また、透明基体上に、ダイヤモンド状炭素薄膜、銀系金属膜およびダイヤモンド状炭素薄膜がこの順に積層され、それぞれのダイヤモンド状炭素薄膜の波長４００ｎｍにおける光の吸収係数が３/μｍ以下であり、厚さが２０〜１００ｎｍの範囲にあることを特徴とする赤外線反射積層体を提供する。
【００１３】
さらに、このためのＤＬＣ薄膜を生産するための方法として、常圧の雰囲気下において、対向する電極間に電圧を印加して低温プラズマを発生させ、窒素により１〜４０体積％の濃度に希釈されたアセチレンを分解することで反応生成物を堆積させる方法により、波長４００ｎｍにおける光の吸収係数が３/μｍ以下であるＤＬＣ薄膜を積層することを特徴とする赤外線反射積層体の製造方法を見出した。
【発明の効果】
【００１４】
本発明により、高い生産性を維持しつつ高い可視光線透過率を持つＤＬＣ薄膜を製造する事が可能になる。
【００１５】
また、本発明の製造方法によるＤＬＣ薄膜を銀系金属膜の反射膜と組み合わせれば、高い赤外線反射率を維持したまま、可視光において高い光線透過率を持ち、特に短波長側の高い光線透過率により茶色系の着色のない赤外線反射積層体を高い生産性で製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明に用いられる製造装置の一例である。
【図２】本発明を適用した赤外線反射積層体の構成である。
【図３】本発明を適用した赤外線反射積層体の他の構成である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
図１には本発明に用いる常圧ＣＶＤの装置の一例を示す。装置は常圧の大気中に置かれており、基体は外部から連続した空間である対向電極１、２の間に入っていく。対向電極１は接地されており、対向電極２には高周波電圧が印加されて、誘電体３を通して対向電極１との間に高電界を形成し、低温プラズマを生じる。雰囲気ガス供給配管５より供給されたアセチレンと窒素の混合気体である雰囲気ガスはプラズマ化して、対向電極１、２に間に設置した基体４の上にＤＬＣ薄膜を堆積させる。
【００１８】
雰囲気ガス供給管５と窒素供給配管９から流入し、排気配管８に吸入される気体の流れが周辺の空気が放電部に流入するのを防ぐエアカーテンを構成し、対向電極１、２間の空間において雰囲気ガスの純度を保っている。
【００１９】
なお、ＤＬＣ薄膜とは、炭素原子の混成軌道であるｓｐ２結合とｓｐ３結合が混在する炭素薄膜を言う。その割合としては、ラマン分光のピーク面積比でｓｐ３結合が２０〜８５％の範囲とされている（「ＤＬＣ成膜とその応用」名古屋大学大学院工学研究科 大竹尚登 ウェブバージョン２００８）。
【００２０】
雰囲気ガスとして、アセチレンを含む窒素との混合ガスを用いる。電極１と２の間に交流あるいは矩形パルス電圧を印加してプラズマ７を発生させてアセチレンを分解する。
【００２１】
具体的には、雰囲気ガスがアセチレンを１〜４０体積％の比率で含有しているものである。この場合、残りの９９〜６０体積％の比率は、窒素成分が占めることとなる。
【００２２】
アセチレンは、分子中の炭素比率が炭化水素の中でも高く、被膜形成速度が高いため、雰囲気ガスにアセチレンが原料ガス成分として含有されることにより、被膜形成効率が向上する。雰囲気ガスにおけるアセチレンガスの濃度としては、低いほど短波長側の光線透過率が高くなるが、同時に被膜形成効率が下がるため、１体積％を下限とする。また逆にアセチレンの濃度が高いほど短波長側の光線透過率は下がるので、４０体積％を上限とする。被膜形成速度と光線透過率のバランスからは、２〜１５体積％が望ましい。
【００２３】
前記雰囲気ガスの希釈ガスは、窒素である。原料ガスの反応に影響を及ぼさないように化学的活性が低く、アーク放電を抑えて放電電圧を下げるガスなら使用可能であるが、特に窒素はこの様な条件を満たしている上に安価で、形成される被膜に粒子を発生させにくく、多孔質化を防止して均一被膜を形成するのに好適である。これらを考慮してさらに最適化のために、窒素には他のアルゴンやヘリウムなどの不活性ガスを３０体積％以内で混合しても良い。
【００２４】
この様な雰囲気ガスの調整により、波長４００ｎｍにおける光の吸収係数を３／μｍ以下とでき、本願発明の目的とする赤外線反射積層体として用いる際のＤＬＣ薄膜の代表的な膜厚である波長４００ｎｍにおける光線透過率を、ＤＬＣ薄膜単独で８０％以上に保つことができる。波長４００ｎｍにおける光の吸収係数が３／μｍを越えると、波長４００ｎｍにおける光線透過率が下がり、黄色みが急激に強くなるため、赤外線反射積層体として使用することができなくなる。
【００２５】
常圧とは、大気圧若しくはその近傍の圧力をいい、具体的には、絶対圧として５０ｋ〜１５０ｋＰａの圧力範囲を指すものとする。この圧力範囲においては、真空容器および真空ポンプからなる大がかりな排気システムが不要である。また、大気圧中で成膜部から外部に向かう雰囲気ガスの流れにより成膜部分への外気の流入を防ぎ、雰囲気ガスの純度を維持することが可能となるため、複雑なシール機構を設けることなく、外部から連続的に成膜領域に基体を搬送でき、高い生産性が実現できる。また、常圧の高い分子密度を持つ事により、大量の雰囲気ガス分子が分解されて高い成膜速度が得られる。
【００２６】
低温プラズマとは、放電等により気体の一部が電離して電子のみがエネルギーの高い高温状態にあり、気体分子は室温と同等な状態をいう。常圧において低温プラズマを安定して発生させるには、一部の場所に放電が集中するアーク放電を防ぐ必要があり、雰囲気ガスの選択、すなわち窒素を主成分とする雰囲気ガスとすること、電極の少なくとも一方を誘電体覆うことが重要であり、さらには印加電圧の波形にも注意する必要がある。
【００２７】
電極部に誘電体を用いているので直流は使用せず、高周波を用いる。高周波電圧は、矩形波、正弦波または三角波の電圧波形を有することが好ましい。アーク放電の発生を防止するために、上記矩形波としては、具体的には、周波数２ｋＨｚ〜２０ｋＨｚ、パルス幅２〜１０μｓ、デューティ比（波形の半周期とパルス幅との時間の比）０．０１〜０．２のパルス波であることが好ましい。一方、上記正弦波または三角波は、所定のパルス幅とデューティ比を有する断続的なパルス波であってもよく、また、連続波であってもよいが、無電界時にイオンと電子とが再結合することによるダストの発生を抑制しつつ放電を維持する観点から、周波数１０ｋＨｚ〜５０ｋＨｚの連続波であることが好ましい。
【００２８】
図１において、基体４は対向電極の一方の電極側に置き、他方の電極に向いた側に膜を形成する。基体が厚い場合は、放電領域を狭めて放電を阻害しない様に、対向電極の間隔を広げて高電圧を印加すればよい。
【００２９】
本発明における基体材料としては、本発明の目的である透明性を活かすため、光線透過率の高い事が望ましい。プラスチックフィルムとしては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ナイロン６６などのポリアミド樹脂、ポリエチレンテレフテレート、ポリブチレンテレフタレートなどのポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、アクリル樹脂などを用いることができる。この中で、強度、耐熱性も備えているポリエチレンテレフテレートなどポリエステル樹脂は適している。
【００３０】
また、無機材料としては、硼酸珪酸ガラス、ソーダライムガラスなど量産性を備えて薄板化可能なガラスが用いられる。
【００３１】
プラスチックフィルムの場合は、成膜時の熱負荷を低減するために、１回当たりの成膜膜厚を薄くしておき、複数回に分けて成膜して望む膜厚としても良い。ガラスなど無機材料においては、熱の問題は考慮せず成膜可能である。
【００３２】
本願発明のＤＬＣ薄膜の製造方法を、銀系金属膜の反射膜と組み合わせて可視光透過率の高い赤外線反射積層体を高い生産性にて製造することができる。銀系金属膜と高屈折率の透明膜との積層において、スパッタ法により作成した高屈折透明膜である金属酸化物のの代わりに、上記の方法で製造したＤＬＣ薄膜を使用すれば、製造工程の中で成膜速度の低いことが問題であった高屈折率透明膜の生産性が飛躍的に増大する。銀系金属膜は従来の技術のままのスパッタ法を用いて形成される。
【００３３】
すなわち、図２の構成の場合には、スパッタ法により透明基体１４の上に銀系金属膜１６を形成した後、本発明によるＤＬＣ薄膜１５を形成する。銀系金属膜１６がＤＬＣ膜１５で覆われるため、信頼性に対しては有利であるが、要求される信頼性のレベルによっては形成の順は逆であっても良い。図３の構成においては、透明基体上１４に本発明のＤＬＣ薄膜１５を形成した後、スパッタ法により銀系金属膜１６を形成し、その上に本発明によるＤＬＣ薄膜１５を形成する。
【００３４】
さらに本発明の赤外線反射積層体は、これらＤＬＣ薄膜を積層した後に、通常のウェットコート手法により、アクリル系に代表されるハードコートによる保護層を必要に応じて積層しても良い。
【００３５】
銀系金属膜１６の膜厚としては、遠赤外線反射能を有するためにある程度の領域で連続性を持つ必要があることから、５ｎｍ以上であることが好ましく、充分な遠赤外線反射能を有するためには、１０ｎｍ以上がより好ましい。さらに、透明性の点から５０ｎｍ以下が好ましく、より透明性を増すには、２０ｎｍ以下がより好ましい。
【００３６】
銀系金属膜は純銀であっても良いが、化学的安定性を高める目的でＡｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｂｉ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ａｌなどとの単独や２種以上との合金であっても良い。混入量としては、その効果と銀の反射率の低下とのバランスで決めればよいが、５％以下が望ましく、１０％は超えないことが望ましい。
【００３７】
ＤＬＣ薄膜１５の膜厚は可視光域での光線透過率を向上させるために２０〜１００ｎｍの範囲にあることが必要であり、３０〜９０ｎｍがより好ましい。前述の、ＤＬＣ薄膜により銀系金属膜を挟む構成においては、ＤＬＣ薄膜のそれぞれの厚さが２０〜１００ｎｍの範囲にあることが必要である。
【００３８】
これらの膜を形成するにあたって、透明基体１４には予め付着特性や耐久性を改良するためのアンカーコートなどを形成しておいても良い。また、銀系金属膜１６やＤＬＣ薄膜１５形成後に保護コートやさらに光学特性を改良するための複数の銀系金属膜や透明膜を形成しても良い。銀系金属膜１６の上下には化学的劣化を防ぐため、銀への酸素の到達を防ぐための金属膜、あるいはそれ自身が酸化することで酸素の透過を防ぐ犠牲層など、銀の反射特性を劣化させない程度の薄いＴｉ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｎi、Ｃｒなどの金属層を付加してもよい。
【００３９】
この製造方法により、可視光線の短波長側の吸収の少ないＤＬＣ薄膜による透明層が形成されるため、光線透過率が高く色調が茶色系に偏らない高品質の赤外線反射積層体が高い生産性で製造できる。
【実施例】
【００４０】
（条件１）
図１の装置を用いた。対向電極１、２の放電部面積は５００ｃｍ２（幅（図の奥行きに相当）５００ｍｍ×長さ１００ｍｍ）である。電極間の隙間は１．０ｍｍとした。基体４には１９０×３００ｍｍ、厚さ１２５μｍのＰＥＴフィルム（東レ“ルミラー”Ｔ６０）を用い、速度３．６ｍ／ｍｉｎで電極１の上を通した。雰囲気ガスとして、アセチレン４体積％を含む窒素との混合ガスを雰囲気ガス供給配管５より供給して排気配管８より吸入した。電極１と２の間に電圧 １５ｋＶ、幅３μsの矩形パルスを周波数３０ｋＨｚで印加してプラズマ７を発生させてアセチレンを分解し、膜厚４０ｎｍのＤＬＣ薄膜を得た。膜厚は、エポキシ樹脂中に埋め込んで補強したサンプルを、ライカマイクロシステムズ社製ウルトラミクロトームＵＣ−７により切断して露出させた断面を、走査式電子顕微鏡（（株）日立ハイテクノロジーズＳ−４８００）にて加速電圧を５ｋＶとして測定した。電極の長さを送り速度で割って算出した成膜時間は約２秒であった。
分光光度計により測定した波長４００ｎｍでの光線透過率Ｔ、光線反射率Ｒ、基体の光線透過率ＴＦ、同光線反射率ＲＦ、ＤＬＣ薄膜の厚さｄより下記の近似的な式1、２により吸収係数ａを求めた。
【００４１】
式1において、１００％の入射光から光線反射率Ｒ（％）を除いたＤＬＣ薄膜に入射した光（１００％−Ｒ）は、ＤＬＣ膜の厚さｄ、吸収係数ａによる吸収と、基体による吸収ＡＦの結果、光線透過率Ｔ（％）となる。厳密には光線反射率Ｒ（％）は、ＤＬＣ薄膜表面、ＤＬＣ薄膜と基材界面、基材裏面とで多重に反射した光を含み、ＤＬＣ薄膜表面からの反射以外はＤＬＣ膜やフィルムの吸収を受けるが、ここでは光線透過率の高い領域を対象とするので、式１による近似とした。フィルムによる吸収ＡＦは式２の関係から、基材単独で測定した光線透過率ＴF、光線反射率ＲFの測定値より算出される。そして、成膜に要した時間とともに表１にまとめた。
【００４２】
測定器  島津製作所  分光光度計  ＭＰＣ−３１００ＰＣ
測定条件  波長範囲  ３８０ｎｍ〜２５００ｎｍ、サンプリングピッチ  １ｎｍ、スキャン速度  中速、絶対反射モード  
【００４３】
【数１】
0005900855.tif 000002
【００４４】
【数２】
0005900855.tif 000003
【００４５】
（条件２、３）
条件1において、アセチレンの濃度を３５体積％（条件２）、４５体積％（条件３）とし、膜厚を合わせる様に送り速度を調整した以外はすべて実施例1と同じ条件とした。
波長４００ｎｍでの吸収係数はそれぞれ２．６／μｍと３．４／μｍとなった。成膜時間は実施例1と同様に短い。
【００４６】
（条件４）
ＤＬＣ薄膜を作成する方法を以下のように変更した。
マグネトロンスパッタ装置のチャンバー中に基材フィルムをセットして１．５×１０−４Ｐａまで７０分かけて真空引きした後、アルゴンガスに水素を４体積％導入したスパッタガスを流し０．３Ｐａの圧力として、グラファイトターゲット（５６ｍｍ×２１２ｍｍ×５ｍｍｔ）を装着したカソードに直流電力２００Ｗを印加して搬送速度０．１ｍ／ｍｉｎにてＤＬＣ薄膜を成膜した。波長４００ｎｍでの吸収係数は４．３／μｍと大きくなった上に、成膜時間が長く生産性を低くする条件である。
【００４７】
（実施例１）
アクリル系ハードコートを有するフィルムとして東レフィルム加工(株)製“タフトップ”Ｃ０Ｔ０（１００μｍ厚）をスパッタ装置にセットして、到達圧力８×１０−３Ｐａまで真空引きした後、アルゴンガスを流し圧力０．５Ｐａとした。Ａｇ合金ターゲット（５６ｍｍ×２１２ｍｍ×５ｍｍｔ：１質量％Ａｕ含有）に直流電力２１０Ｗを印加して、搬送速度０．３ｍ／ｍｉｎにて、非ハードコート面に厚さ１４ｎｍの銀系金属膜を形成した。
次に条件１の方法にて膜厚４０ｎｍのＤＬＣ薄膜を積層した。
続いて、アクリル系ハードコート剤としてＪＳＲ(株)製“オプスター”Ｚ７５３５を希釈溶媒にメチルエチルケトンを用いて固形分濃度７．５質量％に希釈し、バーコーター（番手Ｎｏ．１０）を用いて塗布し、８０℃で３分乾燥した後、ＵＶ硬化（水銀ランプ使用、６７０ｍＪ／ｃｍ２）させた。ハードコート層の膜厚は０．６μｍであった。
このように作成した赤外線反射積層体の分光光度計により測定した波長４００ｎｍでの光線透過率と２．５μｍでの光線反射率を表１にまとめた。波長４００ｎｍでの光線透過率は５９％とこの種の用途としては高い値となった。また２．５μｍにおける光線反射率は８０％と高い値となった。
【００４８】
（実施例２）
実施例１と同様の方法で銀系金属膜を形成した上に、条件２によるＤＬＣ薄膜を形成した以外は、実施例１と同様の方法にて赤外線反射積層体を作成した。
【００４９】
（実施例３）
アクリル系ハードコートを有するフィルムとして東レフィルム加工(株)製“タフトップ”Ｃ０Ｔ０（１００μｍ厚）の非ハードコート面に、条件１の方法にて膜厚４０ｎｍのＤＬＣ薄膜を得た。次に、スパッタ装置にセットして、到達圧力８×１０−３Ｐａまで真空引きした後、アルゴンガスを流し圧力０．５Ｐａとした。Ａｇ合金ターゲット（５６ｍｍ×２１２ｍｍ×５ｍｍｔ：１質量％Ａｕ含有）に直流電力２１０Ｗを印加して、搬送速度０．３ｍ／ｍｉｎにて銀系金属膜を厚さ１４ｎｍ形成した。
さらに条件１の方法にて膜厚４０ｎｍのＤＬＣ膜を得た。
続いて、アクリル系ハードコート剤としてＪＳＲ(株)製“オプスター”Ｚ７５３５を希釈溶媒にメチルエチルケトンを用いて固形分濃度７．５質量％に希釈し、バーコーター（番手Ｎｏ．１０）を用いて塗布し、８０℃で３分乾燥した後、ＵＶ硬化（水銀ランプ使用、６７０ｍＪ／ｃｍ２）させた。ハードコート層の膜厚は０．６μｍであった。
分光光度計により測定した波長４００ｎｍでの光線透過率と２．５μｍでの光線反射率を表１にまとめた。波長４００ｎｍでの光線透過率は５５％とこの種の用途としては高い値となった。
【００５０】
（実施例４）
実施例１と同様の方法で銀系金属膜を形成した上に、条件１によるＤＬＣ薄膜の２回の成膜を続けて行い、ＤＬＣ薄膜を８０ｎｍ形成した以外は、実施例１と同様の方法にて赤外線反射積層体を作成した。
【００５１】
（比較例１）
実施例１と同様の方法で銀系金属膜を形成した上に、条件４によりスパッタリングでＤＬＣ薄膜を形成した以外は、実施例１と同様の方法にて赤外線反射積層体を作成した。
ＤＬＣ薄膜の黄色みが強く、波長４００ｎｍでの光線透過率は３１％と、低いものとなった。
【００５２】
（比較例２）
実施例１と同様の方法で銀系金属膜を形成した上に、条件３によりスパッタリングでＤＬＣ薄膜を形成した以外は、実施例１と同様の方法にて赤外線反射積層体を作成した。
ＤＬＣ薄膜の黄色みが強く、波長４００ｎｍでの光線透過率は４３％と、不十分なものであった。
【００５３】
（比較例３）
実施例１と同様の方法で銀系金属膜を形成した上に、条件１により、１５ｍ／ｍｉｎの基材搬送速度でＤＬＣ薄膜の成膜を行い、ＤＬＣ薄膜を１０ｎｍ形成した以外は、実施例１と同様の方法にて赤外線反射積層体を作成した。
波長４００ｎｍでの光線透過率は４５％と、不十分なものであった。
【００５４】
（比較例４）
実施例１と同様の方法で銀系金属膜を形成した上に、条件１によるＤＬＣ薄膜の４回の成膜を続けて行い、ＤＬＣ薄膜を１６０ｎｍ形成した以外は、実施例１と同様の方法にて赤外線反射積層体を作成した。  
【００５５】
【表１】
0005900855.tif 000004
【符号の説明】
【００５６】
１、２  対向電極
３  誘電体
４  基体
５  雰囲気ガス供給配管
６  雰囲気ガス
７  プラズマ化雰囲気ガス
８  排気配管
９  窒素供給配管
１０  高周波電源
１１  雰囲気ガス供給装置
１２  窒素供給装置
１３  ガス吸気装置
１４  透明基体
１５  ＤＬＣ薄膜
１６  銀系金属膜
【図１】
0005900855.tif 000005
【図２】
0005900855.tif 000006
【図３】
0005900855.tif 000007