(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の未硬化樹脂を型により成形して硬化させて、前記基板上に硬化した樹脂のパターンを形成するインプリント装置であって、
前記基板上のショットに前記未硬化樹脂を塗布する塗布部と、
前記基板を保持して可動で、前記基板を保持するための保持面の周囲に配置された補助板を含む基板保持部と、
前記型と前記ショットに塗布された前記未硬化樹脂との押し付けに際し、前記塗布部による塗布位置から前記押し付けが実施される押し付け位置までの前記基板保持部の駆動による前記ショットの移動に伴って、前記型と前記基板との間の隙間空間に気体を供給する複数の供給口を含む気体供給部と、
前記未硬化樹脂が塗布された前記ショットが前記押し付け位置に向かって移動している間において、前記基板または前記補助板のいずれかが、前記複数の供給口のうちの前記気体を供給している前記供給口に対向するように、前記気体を供給する前記供給口を選択し、かつ前記ショットの移動方向を制御する制御部と、
を備えることを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記基板上での前記押し付けの対象となる前記ショットの位置に関する条件に基づいて、前記気体を供給する前記供給口と、前記ショットの移動方向とを切り替えることを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記複数の供給口は、前記ショットの移動方向に沿って、前記塗布位置と前記押し付け位置との間に配置される第１供給口と、前記型を挟んで前記第１供給口の反対側に配置される第２供給口とを含み、
前記条件は、前記ショットの移動方向にて、前記ショットから、前記塗布位置から前記押し付け位置に向かう方向とは反対側にある前記基板または前記補助板のいずれかの端部までの第１距離と、前記押し付け位置から前記第１供給口までの第２距離との関係であることを特徴とする請求項２に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記第１距離が前記第２距離よりも大きい場合には、前記未硬化樹脂が塗布された前記ショットが前記押し付け位置に移動しているときに、前記第１供給口により前記気体を供給させることを特徴とする請求項３に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記第１距離が前記第２距離と同一またはそれよりも小さい場合には、前記未硬化樹脂が塗布された前記ショットを前記第２供給口による供給位置を超えるまで移動させ、その後、前記ショットの移動方向を逆方向とし、前記ショットが前記押し付け位置に移動しているときに、前記第２供給口より前記気体を供給させることを特徴とする請求項３に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記塗布部により前記基板上の複数の前記ショットに対して前記未硬化樹脂を塗布させ、前記隙間空間に前記気体が供給されている間に連続して前記複数のショットに対する前記押し付けを実施させることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項７】
基板上の未硬化樹脂を型により成形して硬化させて、前記基板上に硬化した樹脂のパターンを形成するインプリント方法であって、
前記基板上のショットに前記未硬化樹脂を塗布する工程と、
前記未硬化樹脂が塗布された位置から前記型と前記ショットに塗布された前記未硬化樹脂との押し付けが実施される押し付け位置までの前記ショットの移動に伴って、前記型と前記基板との間の隙間空間に気体を供給する工程と、
前記未硬化樹脂が塗布されたショットが前記押し付け位置に向かって移動している間において、前記基板、または前記基板の周囲に配置される補助板のいずれかが、複数の供給口のうち前記気体を供給している供給口に対向するように、前記気体を供給する前記供給口を選択し、かつ前記ショットの移動方向を制御する工程と、
を含むことを特徴とするインプリント方法。
【請求項８】
請求項１ないし６のいずれか１項に記載のインプリント装置、または請求項７に記載のインプリント方法を用いて基板上に樹脂のパターンを形成する工程と、
前記工程で前記パターンを形成された基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント装置およびインプリント方法、ならびにそれを用いた物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスやＭＥＭＳなどの微細化の要求が進み、従来のフォトリソグラフィー技術に加え、基板上の未硬化樹脂を型（モールド）で成形し、樹脂のパターンを基板上に形成する微細加工技術が注目を集めている。この技術は、インプリント技術とも呼ばれ、基板上に数ナノメートルオーダーの微細な構造体を形成することができる。例えば、インプリント技術の１つとして、光硬化法がある。この光硬化法を採用したインプリント装置では、まず、基板（ウエハ）上のインプリント領域であるショットに紫外線硬化樹脂（インプリント材、光硬化性樹脂）を塗布する。次に、この樹脂（未硬化樹脂）を型により成形する。そして、紫外線を照射して樹脂を硬化させたうえで引き離すことにより、樹脂のパターンが基板上に形成される。
【０００３】
このようなインプリント装置では、型と基板上の樹脂との押し付け時にて型に形成されている微細な凹凸パターンに樹脂が充填される際に、気泡が残留して未充填部分が発生することに起因し、樹脂パターンが正常に形成されない場合がある。そこで、従来、押し付け時に型と基板とに挟まれた隙間空間を特殊な気体（ガス）で満たすことで、気泡の残留を抑止するインプリント装置が提案されている。特許文献１は、基板上の粘性液体（樹脂）に近接した位置に、可溶性または拡散性の高い気体を移送するステップを含むインプリントリソグラフィ法を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２０１１−５１４６５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ここで、特許文献１に示すように型と基板との隙間空間を特殊なガスで満たすことで気泡の残留を抑える効果を得るためには、隙間空間内でのガス濃度を、ある程度高い値に維持する必要がある。そこで、この隙間空間内のガス濃度を特に短時間で高めるために、従来、型に対して基板を移動（走査）させる際に同時にガスを供給させることで、隙間空間にガスを引き込む方法が存在する。このとき、基板に向かってガスを供給する供給口は、基板面の上方、または基板ステージ（基板保持部）における基板の外周端近傍の表面の上方のいずれかに位置している。そして、ガスを効率良く引き込ませるためには、基板面と外周端近傍の表面との高さが一致していることが望ましい。そのため、一般には、基板ステージ上の外周端近傍の表面には、基板面との高さを合わせるための補助板を設置する。しかしながら、基板ステージの大型化を避けるため、設置する補助板の表面積は、可能な限り小さいことが望ましいのであるが、基板上のショットの位置によっては、ガスを供給している間に供給口の下に補助板が位置しない状況も起こり得る。このように供給口の下に基板面も補助板の表面も存在しない状況が生じると、ガスを効率的に隙間空間に引き込ませることが難しい。
【０００６】
本発明は、このような状況を鑑みてなされたものであり、基板を搭載する基板ステージの大型化を抑制しつつ、型の凹凸パターンでの未充填部分の発生を抑える際の効率化に有利なインプリント装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明は、基板上の未硬化樹脂を型により成形して硬化させて、基板上に硬化した樹脂のパターンを形成するインプリント装置であって、基板上のショットに未硬化樹脂を塗布する塗布部と、基板を保持して可動で、基板を保持するための保持面の周囲に配置された補助板を含む基板保持部と、型とショットに塗布された未硬化樹脂との押し付けに際し、塗布部による塗布位置から押し付けが実施される押し付け位置までの基板保持部の駆動によるショットの移動に伴って、型と基板との間の隙間空間に気体を供給する複数の供給口を含む気体供給部と、未硬化樹脂が塗布されたショットが押し付け位置に向かって移動している間において、基板または補助板のいずれかが、複数の供給口のうちの気体を供給している供給口に対向するように、気体を供給する供給口を選択し、かつショットの移動方向を制御する制御部と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、例えば、基板を搭載する基板ステージの大型化を抑制しつつ、型の凹凸パターンでの未充填部分の発生を抑える際の効率化に有利なインプリント装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の第１実施形態に係るインプリント装置の構成を示す図である。
【図２】第１実施形態にてＤ１＞Ｄ２の条件を満たす場合の動作を示す図である。
【図３】従来のＤ１≦Ｄ２の条件を満たす場合の動作を示す図である。
【図４】第１実施形態にてＤ１≦Ｄ２の条件を満たす場合の動作を示す図である。
【図５】第１実施形態に係るガス供給工程の流れを示すフローチャートである。
【図６】第２実施形態にてＤ１＞Ｄ２の条件を満たす場合の動作を示す図である。
【図７】第２実施形態にてＤ１≦Ｄ２の条件を満たす場合の動作を示す図である。
【図８】第２実施形態にて各条件が混在する場合の動作を示す図である。
【図９】第２実施形態に係るガス供給工程の流れを示すフローチャートである。
【図１０】第２実施形態に係るガス供給工程の流れを示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明を実施するための形態について図面などを参照して説明する。
【００１１】
（第１実施形態）
まず、本発明の第１実施形態に係るインプリント装置について説明する。図１は、本実施形態に係るインプリント装置１の構成を示す概略図である。インプリント装置１は、物品としての半導体デバイスなどのデバイスの製造に使用され、被処理基板であるウエハ上（基板上）の未硬化樹脂をモールド（型）で成形し、ウエハ上に樹脂のパターンを形成する装置である。なお、ここでは光硬化法を採用したインプリント装置とする。また、以下の図においては、ウエハ上の樹脂に対して紫外線を照射する照明系の光軸に平行にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直な平面内に互いに直交するＸ軸およびＹ軸を取っている。インプリント装置１は、まず、光照射部２と、モールド保持機構３と、ガス供給機構４と、ウエハステージ５と、塗布部６と、制御部７とを備える。
【００１２】
光照射部２は、インプリント処理の際に、モールド８に対して紫外線９を照射する。この光照射部２は、不図示であるが、光源と、この光源から発せられた紫外線９をインプリントに適切な光に調整し、モールド８に照射する照明光学系とを含む。光源は、水銀ランプなどのランプ類を採用可能であるが、モールド８を透過し、かつ後述の樹脂（紫外線硬化樹脂）１０が硬化する波長の光を発する光源であれば、特に限定するものではない。照明光学系は、レンズ、ミラー、アパーチャ、または照射と遮光を切り替えるためのシャッターなどを含み得る。なお、本実施形態では、光硬化法を採用するために光照射部２を設置しているが、例えば熱硬化法を採用する場合には、この光照射部２に換えて、熱硬化性樹脂を硬化させるための熱源部を設置することとなる。
【００１３】
モールド８は、外周形状が多角形（好適には、矩形または正方形）であり、ウエハ１１に対する面には、例えば回路パターンなどの転写すべき凹凸パターンが３次元状に形成されたパターン部８ａを含む。なお、パターンサイズは、製造対象となる物品により様々であるが、微細なものでは十数ナノメートルのパターンも含まれる。また、モールド８の材質は、紫外線９を透過させることが可能で、かつ熱膨張率の低いことが望ましく、例えば石英とし得る。さらに、モールド８は、紫外線９が照射される面に、平面形状が円形で、かつ、ある程度の深さのキャビティを有する場合もある。
【００１４】
モールド保持機構３は、モールド８を保持するモールドチャック１２と、このモールドチャック１２を移動自在に保持するモールド駆動機構１３と、不図示であるが、モールド８（パターン部８ａ）の形状を補正する倍率補正機構とを有する。モールドチャック１２は、モールド８における紫外線９の照射面の外周領域を真空吸着力や静電力により引き付けることでモールド８を保持し得る。モールドチャック１２は、例えば真空吸着力によりモールド８を保持する場合、外部に設置された不図示の真空ポンプに接続され、この真空ポンプの排気により吸着圧を適宜調整することで、モールド８に対する吸着力（保持力）を調整し得る。モールド駆動機構１３は、モールド８とウエハ１１上の樹脂１０との押し付けまたは引き離しを選択的に行うようにモールド８を各軸方向に移動させる。このモールド駆動機構１３に採用可能な動力源としては、例えばリニアモーターまたはエアシリンダーがある。また、モールド駆動機構１３は、モールド８の高精度な位置決めに対応するために、粗動駆動系や微動駆動系などの複数の駆動系から構成され得る。さらに、モールド駆動機構１３は、Ｚ軸方向だけでなく、Ｘ軸方向やＹ軸方向またはθ（Ｚ軸周りの回転）方向の位置調整機能や、モールド８の傾きを補正するためのチルト機能などを有する構成もあり得る。なお、インプリント装置１における押し付けおよび引き離しの各動作は、モールド８をＺ軸方向に移動させることで実現してもよいが、ウエハステージ５をＺ軸方向に移動させることで実現してもよく、または、その双方を相対的に移動させてもよい。また、モールド駆動機構１３の駆動時におけるモールド８の位置は、不図示であるが、モールド８とウエハ１１との間の距離を計測する光学式変位計などの位置計測部により計測可能である。倍率補正機構は、モールドチャック１２におけるモールド８の保持側に設置され、モールド８の側面に対して外力または変位を機械的に与えることによりモールド８（パターン部８ａ）の形状を補正する。さらに、モールドチャック１２およびモールド駆動機構１３は、平面方向の中心部（内側）に、光照射部２から照射された紫外線９がウエハ１１に向かい通過可能とする開口領域１４を有する。
【００１５】
ガス供給機構（気体供給部）４は、押し付け動作時にモールド８とウエハ１１との隙間空間にガス（気体）を供給する。これは、パターン部８ａの凹凸パターンに樹脂１０が充填される時間を短縮させたり、充填された部分に気泡が残留することを抑止させたりする充填性の向上を図るためである。また、ガス供給機構４は、引き離し力を可能な限り低減させる離型性の向上を図るために、引き離し動作時にも同様にガスを供給し得る。このガス供給機構４は、モールド８の四方側面の近傍に設置され、ウエハステージ５側に向かってガス１５を供給（放出）する複数の供給口１６（図２参照）と、各供給口１６にそれぞれ接続され、ガス１５の供給量や濃度などを調節するガス制御部１７とを備える。特に、本実施形態のガス供給機構４は、モールド８のＸ軸方向の両側面近傍にそれぞれ設置される第１供給口１６ａと第２供給口１６ｂとの２つの供給口１６を備えるものとする。このうち、第１供給口１６ａは、第１ガス制御部１７ａに、一方、第２供給口１６ｂは、第２ガス制御部１７ｂにそれぞれ接続され、各ガス制御部１７ａ、１７ｂは、制御部７にそれぞれ接続されている。ここで、採用し得るガス１５としては、上記のような充填性と離型性との観点から、樹脂１０での溶解性や拡散性に優れる気体、例えば、ヘリウム、二酸化炭素、窒素、水素、キセノン、または凝縮性ガスなどが望ましい。
【００１６】
ウエハ１１は、例えば、単結晶シリコン基板やＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板、またはガラス基板である。このウエハ１１上のパターン形成領域である複数のショットには、それぞれパターン部８ａにより樹脂１０のパターン（パターンを含む層）が成形される。
【００１７】
ウエハステージ（基板保持部）５は、ウエハ１１を保持して可動であり、例えば、モールド８とウエハ１１上の樹脂１０との押し付けの際のパターン部８ａとショットとの位置合わせなどを実施する。このウエハステージ５は、ウエハ１１を吸着力により保持するウエハチャック１８と、ウエハ１１の外周を取り囲むように設置される補助板（同面板）１９と、ウエハチャック１８を機械的に保持し、各軸方向に移動可能とするステージ駆動機構２０とを有する。ウエハチャック１８は、例えば、高さの揃った複数のピンでウエハ１１の裏面を支持し、ピン以外の部分を真空排気により減圧することでウエハ１１を保持する。補助板１９は、ウエハチャック１８に載置されたウエハ１１の表面に合わせた表面高さを有し、ウエハ１１の外周端部における樹脂パターンの厚さの均一化を図るなどのために用いられる。ステージ駆動機構２０は、駆動中および静止中の振動が少ない動力源であり、採用可能な動力源としては、例えばリニアモータまたは平面モータなどがある。このステージ駆動機構２０も、Ｘ軸およびＹ軸の各方向に対して、粗動駆動系や微動駆動系などの複数の駆動系から構成し得る。さらに、Ｚ軸方向の位置調整のための駆動系や、ウエハ１１のθ方向の位置調整機能、またはウエハ１１の傾きを補正するためのチルト機能などを有する構成もあり得る。また、ウエハステージ５は、その側面にＸ、Ｙ、Ｚ、ωｘ、ωｙ、ωｚの各方向に対応した複数の参照ミラー２１を備える。これに対して、インプリント装置１は、これらの参照ミラー２１にそれぞれヘリウムネオンなどのビームを照射することでウエハステージ５の位置を測定する複数のレーザー干渉計（位置計測機構）２２を備える。なお、図１では、参照ミラー２１とレーザー干渉計２２との１つの組のみを図示している。レーザー干渉計２２は、ウエハステージ５の位置を実時間で計測し、後述する制御部７は、このときの計測値に基づいてウエハ１１（ウエハステージ５）の位置決め制御を実行する。なお、位置計測機構としては、上記のような干渉計測長器の他にも半導体レーザーを用いたエンコーダなどが採用可能である。
【００１８】
塗布部６は、モールド保持機構３の近傍に設置され、ウエハ１１上に存在するショット上に、樹脂（未硬化樹脂）１０を塗布する。この樹脂１０は、紫外線９を受光することにより硬化する性質を有する紫外線硬化樹脂（光硬化性樹脂、インプリント材）であり、半導体デバイス製造工程などの各種条件により適宜選択される。この塗布部６は、塗布方式としてインクジェット方式を採用し、未硬化状態の樹脂１０を収容する容器２３と、液滴吐出部２４とを含む。容器２３は、その内部を樹脂１０の硬化反応を起こさないような、例えば若干の酸素を含む雰囲気としつつ、樹脂１０を管理可能とするもので、また、その材質は、樹脂１０にパーティクルや化学的な不純物を混入させないようなものとすることが望ましい。液滴吐出部２４は、例えばピエゾタイプの吐出機構（インクジェットヘッド）を含む。この塗布部６は、制御部７からの動作指令に基づいて塗布位置や塗布量などを調整可能とする。
【００１９】
制御部７は、インプリント装置１の各構成要素の動作および調整などを制御し得る。制御部７は、例えばコンピュータなどで構成され、インプリント装置１の各構成要素に回線を介して接続され、プログラムなどにしたがって各構成要素の制御を実行し得る。本実施形態の制御部７は、少なくともガス供給機構４とウエハステージ５との動作を制御する。なお、制御部７は、インプリント装置１の他の部分と一体で（共通の筐体内に）構成してもよいし、インプリント装置１の他の部分とは別体で（別の筐体内に）構成してもよい。
【００２０】
また、インプリント装置１は、ウエハ１１上に形成されているアライメントマークと、モールド８に形成されているアライメントマークとのＸ軸、Ｙ軸方向への位置ずれを計測するアライメント計測系２５を備える。また、インプリント装置１は、ウエハステージ５を載置し、基準平面を形成する定盤２６と、モールド保持機構３を固定するブリッジ定盤２７と、定盤２６から延設され、床面からの振動を除去する除振器２８を介してブリッジ定盤２７を支持する支柱２９とを備える。さらに、インプリント装置１は、共に不図示であるが、モールド８を装置外部とモールド保持機構３との間で搬入出させるモールド搬送機構や、ウエハ１１を装置外部とウエハステージ５との間で搬入出させる基板搬送機構などを含み得る。
【００２１】
次に、インプリント装置１によるインプリント処理（インプリント方法）について説明する。まず、制御部７は、基板搬送機構によりウエハ１１をウエハチャック１８上に載置させ、固定させる。次に、制御部７は、ステージ駆動機構２０を駆動させてウエハ１１の位置を適宜変更させつつ、アライメント計測系２５によりウエハ１１上のアライメントマークを順次計測させ、ウエハ１１の位置を高精度に検出する。そして、制御部７は、その検出結果から各転写座標を演算し、この演算結果に基づいて所定のショットごとに逐次パターンを形成させる。ある１つのショットに対するパターン形成の流れとして、制御部７は、まず、ステージ駆動機構２０により塗布部６の液滴吐出部２４の下にウエハ１１上の塗布位置（ショット上の特定の位置）を位置決めさせる。その後、塗布部６は、ウエハ１１上のショットに樹脂１０を塗布する（塗布工程）。次に、制御部７は、ステージ駆動機構２０によりパターン部８ａ直下の押し付け位置にショットが位置するようにウエハ１１を移動させ、位置決めさせる。次に、制御部７は、パターン部８ａとショットとの位置合わせなどを実施した後、モールド駆動機構１３を駆動させ、ショット上の樹脂１０にパターン部８ａを押し付ける（押型工程）。この押し付けにより、樹脂１０は、パターン部８ａの凹凸パターンに充填される。なお、制御部７は、押し付け完了の判断を、モールド保持機構３の内部に設置された不図示の荷重センサにより行う。この状態で、光照射部２は、モールド８の背面（上面）から紫外線９を所定時間照射し、モールド８を透過した紫外線９により樹脂１０を硬化させる（硬化工程）。そして、樹脂１０が硬化した後、制御部７は、モールド駆動機構１３を再駆動させ、パターン部８ａをウエハ１１から引き離す（離型工程）。これにより、ウエハ１１上のショットの表面には、パターン部８ａの凹凸パターンに倣った３次元形状の樹脂パターン（層）が形成される。このような一連のインプリント動作をウエハステージ５の駆動によりショットを変更しつつ複数回実施することで、インプリント装置１は、１枚のウエハ１１上に複数の樹脂パターンを形成することができる。
【００２２】
上記の押型工程では、モールド８とウエハ１１上の樹脂１０とを押し付ける際、樹脂１０は、パターン部８ａの凹凸パターンに満遍なく充填される必要がある。これは、凹凸パターン内に充填された樹脂１０に気泡が残留した状態で樹脂１０の硬化を実施すると、ショット上に形成される樹脂パターンが所望の形状ではなくなり、結果的に製造される半導体デバイスなどの物品自体に影響を及ぼすためである。そこで、押し付け時（少なくとも押し付け開始時）には、上記のとおり、ガス供給機構４がモールド８とウエハ１１との隙間空間にガス１５を供給する。これにより、一定の時間を経ることで、ガス１５自身の持つ拡散効果からパターン部８ａ近傍のガス濃度が例えば７０％以上と十分高くなるため、気泡の残留を効率的に抑えることができる。しかしながら、このようなガス充填方式にて気泡の残留を抑える方法では、従来、モールド８とウエハ１１との隙間空間のガス濃度が十分高くなるまでに一定の待ち時間が必要となる。例えば、この待ち時間は、モールド８の周囲構成や必要となるガス濃度によっても異なるが、一般的なインプリント装置を想定すれば、１秒から数十秒以上となる。すなわち、この待ち時間は、インプリント装置としての生産性に影響を及ぼし得るため、極力短くすることが望ましい。そこで、本実施形態のインプリント装置１は、モールド８とウエハ１１との隙間空間におけるガス濃度をより迅速に高めるために、ガス１５の供給時には以下のような動作を実施する。
【００２３】
まず、今回のインプリント処理の対象となる対象ショット３０がウエハ１１上に存在すると想定し、この対象ショット３０上に樹脂１０が塗布された後（塗布工程後）のインプリント装置１の動作を、図２から図４までの図を用いて各時系列で説明する。図２から図４までの各図は、全て、対象ショット３０に樹脂１０が塗布された後、対象ショット３０がパターン部８ａ直下の押し付け位置まで移動するまでのガス供給機構４によるガス１５の供給動作とウエハステージ５の駆動動作とを示す概略断面図である。なお、これらの図では、モールド８を挟んでＸ軸方向に配置されている第１供給口１６ａと第２供給口１６ｂとに対して、対象ショット３０は、樹脂１０が塗布された後にＸ軸方向＋側から−側の押し付け位置に移動するものとする。このうち、図２は、対象ショット３０がウエハ１１上の移動方向側（Ｘ軸方向−側）に存在する場合の動作を示す図である。ここで、対象ショット３０の移動方向（Ｘ軸方向）において、対象ショット３０の位置からＸ軸方向＋側のウエハ１１または補助板１９の端部までの距離をＤ１（第１距離）とし、パターン部８ａから第１供給口１６ａまでの距離をＤ２（第２距離）とする。このとき、図２に示す動作は、ウエハ１１上における対象ショット３０の位置が、第１距離が第２距離よりも大きい（Ｄ１＞Ｄ２）との条件を満たす場合の動作ということができる。まず、図２（ａ）に示すように、液滴吐出部２４から樹脂１０を塗布された対象ショット３０は、ウエハステージ５の駆動により液滴吐出部２４に直近の第１供給口１６ａに向かって移動される。次に、図２（ｂ）に示すように、対象ショット３０が第１供給口１６ａ付近に位置したところで、第１ガス制御部１７ａは、第１供給口１６ａからガス１５の供給を開始させ、対象ショット３０は、引き続き押し付け位置まで移動される。そして、図２（ｃ）に示すように、第１供給口１６ａから供給されたガス１５は、ウエハ１１の移動に伴ってモールド８とウエハ１１との隙間空間に引き込まれ、特にパターン部８ａ付近のガス濃度が効率的に高められる。なお、隙間空間でのガス濃度は、モールド８とウエハ１１との隙間が狭いほうがより高く維持されるため、隙間間隔は、０．１〜１ｍｍ程度とすることが望ましい。このように、上記のＤ１＞Ｄ２の条件を満たす場合の動作であれば、対象ショット３０が押し付け位置まで移動する間、ガス１５を供給中の第１供給口１６ａの直下（供給位置）には、常にウエハ１１または補助板１９が対向する。したがって、図２に示す動作では、第１供給口１６ａの直下から押し付け位置の直下までの間でモールド８とウエハ１１との隙間空間は維持される。
【００２４】
これに対して、ウエハ１１上の対象ショット３０の位置が、図２における場合とは反対に、ウエハ１１上の移動方向の下流側（Ｘ軸方向＋側）に存在する場合について考える。図３は、図２および後述の図４に対応する比較の形態として、対象ショット３０がウエハ１１上の移動方向の下流側に存在する場合の従来の動作を示す図である。この図３に示す動作は、図２の説明にて定義した各距離Ｄ１、Ｄ２を用いると、ウエハ１１上における対象ショット３０の位置が、第１距離が第２距離と同一またはそれよりも小さい（Ｄ１≦Ｄ２）との条件を満たす場合の動作ということができる。この場合も、まず、図３（ａ）に示すように、液滴吐出部２４から樹脂１０を塗布された対象ショット３０は、ウエハステージ５の駆動により液滴吐出部２４に直近の第１供給口１６ａに向かって移動される。また、図３（ｂ）に示すように、対象ショット３０が第１供給口１６ａ付近に位置したところで、第１ガス制御部１７ａは、第１供給口１６ａからガス１５の供給を開始させ、対象ショット３０は、引き続き押し付け位置まで移動される。しかしながら、図３（ｃ）に示すように、対象ショット３０が押し付け位置まで移動したとき、ガス１５を供給中の第１供給口１６ａの直下には、ウエハ１１または補助板１９のいずれも存在しない。したがって、第１供給口１６ａの直下から押し付け位置までの間では、モールド８とウエハ１１との間で隙間空間を形成することができず、ガス１５を対象ショット３０の移動に伴わせて効率的に引き込むことができない。すなわち、図３に示す動作では、特にパターン部８ａ付近のガス濃度を効率的に高めることが難しい。また、特に図３（ｃ）に示す状態では、第１供給口１６ａからのガス１５がウエハステージ５の外側に大量に漏れ出すため、例えば、ウエハステージ５の位置を計測するレーザー干渉計２２の光路にガス１５が侵入し、計測値に影響を与える可能性もある。
【００２５】
ここで、図３（ｃ）に示すようなウエハステージ５の外側へのガス１５の流出を避けるために、例えば、補助板１９のＸＹ平面での表面積を大きくすることが考えられる。これにより、ウエハ１１上のいずれの対象ショット３０が押し付け位置に移動しても、第１供給口１６ａの直下にはウエハ１１または補助板１９が存在するため、常にモールド８とウエハ１１（または補助板１９）との間で、隙間空間が形成されることとなる。しかしながら、補助板１９の大型化は、ウエハステージ５、ひいてはインプリント装置１全体の大型化につながり、結果的にインプリント装置１のフットプリントの増大やコストアップなどを引き起こす。そこで、本実施形態では、特にウエハ１１上における対象ショット３０の位置がＤ１≦Ｄ２の条件を満たす場合には、インプリント装置１は、図４に示すような動作を実施する。
【００２６】
図４は、図３に示す従来の動作と比較した、対象ショット３０がウエハ１１上の移動方向の下流側に存在する場合の本実施形態の動作を示す図である。まず、図４（ａ）に示すように、液滴吐出部２４から樹脂１０を塗布された対象ショット３０は、ウエハステージ５の駆動により液滴吐出部２４に直近の第１供給口１６ａに向かって移動される。このとき、本実施形態では、第１ガス制御部１７ａは、対象ショット３０が第１供給口１６ａ付近に位置しても、第１供給口１６ａからガス１５の供給を開始させない。そして、図４（ｂ）に示すように、対象ショット３０は、第１供給口１６ａとはモールド８を挟んで反対側の第２供給口１６ｂを超えるまで（望ましくは第２供給口１６ｂの直下を若干超えるまで）そのまま移動され、その位置で一旦停止される。次に、図４（ｃ）に示すように、対象ショット３０は、ウエハステージ５の駆動により移動方向を逆方向に切り替え、停止位置に直近の第２供給口１６ｂに向かって移動される。そして、対象ショット３０が第２供給口１６ｂ付近に位置したところで、第２ガス制御部１７ｂは、第２供給口１６ｂからガス１５の供給を開始させ、対象ショット３０は、引き続き押し付け位置まで移動される。そして、図４（ｄ）に示すように、第２供給口１６ｂから供給されたガス１５は、ウエハ１１の移動に伴ってモールド８とウエハ１１との隙間空間に引き込まれ、特にパターン部８ａ付近のガス濃度が効率的に高められる。さらに、第２供給口１６ｂから供給されたガス１５がウエハステージ５の外側へ流出することも回避させることができる。
【００２７】
次に、本実施形態における塗布工程後の上記動作を含むガス１５の供給開始から終了までのガス供給工程の全体的な流れについて説明する。図５は、塗布工程後からパターン形成工程を挟んで実施されるガス供給工程の流れを示すフローチャートである。まず、塗布工程が完了すると、制御部７は、ウエハ１１上における対象ショット３０の位置が、上記Ｄ１とＤ２との関係でいずれの条件を満たすか判断する（ステップＳ１００）。ここで、制御部７は、図２に示すようなＤ１＞Ｄ２の条件を満たすと判定した場合、次に、ウエハステージ５により第１供給口１６ａに向かって対象ショット３０を移動させる（ステップＳ１０１：図２（ａ）参照）。次に、制御部７は、対象ショット３０が第１供給口１６ａ付近に位置したところで、第１ガス制御部１７ａに対し、第１供給口１６ａからガス１５の供給を開始させる（ステップＳ１０２：図２（ｂ）参照）。ここで、制御部７は、引き続きウエハステージ５により押し付け位置まで対象ショット３０を移動させる（ステップＳ１０３：図２（ｃ）参照）。次に、制御部７は、押型工程、硬化工程、および離型工程を含む一連のパターン形成工程に移行する（ステップＳ１０４）。そして、制御部７は、パターン形成工程完了後、第１ガス制御部１７ａに対し、第１供給口１６ａからのガス１５の供給を終了させ（ステップＳ１０５）、次に処理すべき対象ショット３０がウエハ１１上に存在するかを判断する工程などの次工程へと移行する。
【００２８】
一方、制御部７は、ステップＳ１００にて、図４に示すようなＤ１≦Ｄ２の条件を満たすと判定した場合、次に、ウエハステージ５により、第２供給口１６ｂに向かって対象ショット３０を移動させる（ステップＳ１０６：図４（ａ）参照）。そして、制御部７は、対象ショット３０の位置が第２供給口１６ｂを超えた時点で一旦停止させる（図４（ｂ）参照）。次に、制御部７は、ウエハステージ５の駆動により移動方向を逆方向に切り替え、停止位置に直近の第２供給口１６ｂに向かって対象ショット３０を移動させる（ステップＳ１０７）。次に、制御部７は、対象ショット３０が第２供給口１６ｂ付近に位置したところで、第２ガス制御部１７ｂに対し、第２供給口１６ｂからガス１５の供給を開始させる（ステップＳ１０８：図４（ｃ）参照）。ここで、制御部７は、引き続きウエハステージ５により押し付け位置まで対象ショット３０を移動させる（ステップＳ１０９：図４（ｄ）参照）。次に、制御部７は、ステップＳ１０４と同様に、押型工程、硬化工程、および離型工程を含む一連のパターン形成工程に移行する（ステップＳ１１０）。そして、制御部７は、パターン形成工程完了後、第２ガス制御部１７ｂに対し、第２供給口１６ｂからのガス１５の供給を終了させ（ステップＳ１１１）、次に処理すべき対象ショット３０がウエハ１１上に存在するかを判断する工程などの次工程へと移行する。
【００２９】
このように、インプリント装置１では、ウエハ１１上に形成される樹脂パターンでの未充填部分の発生を抑えるために、モールド８とウエハ１１上の樹脂１０との押し付けの際に、ガス供給機構４によりモールド８とウエハ１１との隙間空間にガス１５を供給する。このとき、対象ショット３０がウエハ１１上のどの位置に存在していても、上記のとおり隙間空間を維持させることができるので、ガス濃度をより短時間で効率的に高めることができる。例えば、図４に示す動作のように、対象ショット３０の移動方向を変更させる（折り返す）動作が含まれていても、その移動時間は、従来の充填時間（上記のとおり１秒から数十秒以上）と比較して十分に短い。したがって、インプリント装置１は、生産性（スループット）を向上させることができる。さらに、インプリント装置１は、隙間空間を維持させるために補助板１９を大型化させる必要がないため、ウエハステージ５を小型にしたままでよく、装置全体の大型化を抑制できる。
【００３０】
以上のように、本実施形態によれば、ウエハを搭載するウエハステージの大型化を抑制しつつ、モールドの凹凸パターンでの未充填部分の発生を抑える際の効率化に有利なインプリント装置を提供することができる。
【００３１】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態に係るインプリント装置について説明する。第１実施形態では、インプリント装置１は、１度に１つの対象ショット３０に対してインプリント処理を実施し、そのインプリント処理をウエハ１１上に存在する複数のショット分繰り返す。これに対して、本実施形態に係るインプリント装置の特徴は、１度に複数の対象ショット３０に対してインプリント処理を実施する点にある。すなわち、本実施形態のインプリント装置は、ガス供給機構４による１度のガス供給中に複数の対象ショット３０に対するインプリント処理を実施するものである。ここで、第１実施形態では、１度の対象ショット３０の数が１つであるため、ウエハ１１上における対象ショット３０の位置は、上記と同様に各距離Ｄ１、Ｄ２を用いて言えば、Ｄ１＞Ｄ２と、Ｄ１≦Ｄ２との２つの条件を満たす場合で考慮することができた。これに対して、本実施形態では、１度の対象ショット３０の数が複数であるため、ウエハ１１上における対象ショット３０の位置は、以下の３つの条件を満たす場合で考慮する必要がある。すなわち、第１の条件は、複数の対象ショット３０のうち全てがＤ１＞Ｄ２の条件を満たす場合である。また、第２の条件は、複数の対象ショット３０のうち全てがＤ１≦Ｄ２の条件を満たす場合である。さらに、本実施形態に特有の条件として、第３の条件は、複数の対象ショット３０に、Ｄ１＞Ｄ２の条件を満たすものと、Ｄ１≦Ｄ２の条件を満たすものとが混在する場合である。そこで、以下、これら３つの条件のそれぞれについて詳説する。
【００３２】
図６から図８までの各図は、比較のために、図２や図４に示す説明図に対応し、それぞれ隣接した２つの対象ショット３０ａ、３０ｂ上に樹脂１０が塗布された後（塗布工程後）の本実施形態のインプリント装置１の動作を各時系列で説明する図である。なお、本実施形態のインプリント装置の構成は、第１実施形態に係るインプリント装置１の構成と同一であるため、各構成要素には同一の符号を付し、説明を省略する。また、これらの各図において、ウエハ１１上の２つの対象ショット３０ａ、３０ｂは一例であり、１度の対象ショット３０の数などは、これに限定するものではない。
【００３３】
まず、図６は、第１の条件であるウエハ１１上における全ての対象ショット３０ａ、３０ｂの位置がＤ１＞Ｄ２の条件を満たす場合の動作を示す図である。まず、図６（ａ）に示すように、液滴吐出部２４から連続して樹脂１０を塗布された対象ショット３０ａ、３０ｂは、ウエハステージ５の駆動により液滴吐出部２４に直近の第１供給口１６ａに向かって移動される。次に、図６（ｂ）に示すように、対象ショット３０ａ（移動開始時点でパターン部８ａに最も近い位置に存在する対象ショット）が第１供給口１６ａ付近に位置したところで、第１ガス制御部１７ａは、第１供給口１６ａからガス１５の供給を開始させる。そして、図６（ｃ）に示すように、対象ショット３０ａ、３０ｂは、引き続き押し付け位置に向かって移動され、対象ショット３０ａが押し付け位置に到達した時点で停止する。この場合も、第１供給口１６ａから供給されたガス１５は、ウエハ１１の移動に伴ってモールド８とウエハ１１との隙間空間に引き込まれ、特にパターン部８ａ付近のガス濃度が効率的に高められる。次に、図６（ｄ）に示すように、対象ショット３０ａに対して押型工程および硬化工程が実施され、その後、図６（ｅ）に示すように、離型工程が実施される。そして、図６（ｆ）に示すように、引き続き隣接する対象ショット３０ｂに対しても、ウエハステージ５により押し付け位置に移動された後、押型工程、硬化工程、および離型工程が実施される。今回の樹脂１０が塗布された全ての対象ショット３０へのパターン形成が完了したら、次回のインプリント処理対象となる複数の対象ショット３０を液滴吐出部２４の直下に順次移動させる。このように、第１の条件を満たす場合の動作であれば、連続で樹脂１０が塗布された全ての対象ショット３０のパターン形成が完了するまで、ガス１５を供給中の第１供給口１６ａの直下には、常にウエハ１１または補助板１９が対向する。したがって、図６に示す動作では、第１供給口１６ａの直下から押し付け位置の直下までの間でモールド８とウエハ１１との隙間空間は維持される。
【００３４】
次に、図７は、第２の条件であるウエハ１１上における全ての対象ショット３０ａ、３０ｂの位置がＤ１≦Ｄ２の条件を満たす場合の動作を示す図である。まず、図７（ａ）に示すように、液滴吐出部２４から連続して樹脂１０を塗布された対象ショット３０ａ、３０ｂは、ウエハステージ５の駆動により液滴吐出部２４に直近の第１供給口１６ａに向かって移動される。このとき、第１ガス制御部１７ａは、対象ショット３０ａ、３０ｂのいずれもが第１供給口１６ａ付近に位置しても、第１供給口１６ａからガス１５の供給を開始させない。そして、図７（ｂ）に示すように、対象ショット３０ａ、３０ｂは、第１供給口１６ａとはモールド８を挟んで反対側の第２供給口１６ｂを超えるまで（望ましくは第２供給口１６ｂの直下を若干超えるまで）そのまま移動され、その位置で一旦停止される。次に、図７（ｃ）に示すように、対象ショット３０ａ、３０ｂは、ウエハステージ５の駆動により移動方向を逆方向に切り替え、停止位置に直近の第２供給口１６ｂに向かって移動される。そして、対象ショット３０ｂ（移動開始時点でパターン部８ａから最も遠い位置に存在する対象ショット）が第２供給口１６ｂ付近に位置したところで、第２ガス制御部１７ｂは、第２供給口１６ｂからガス１５の供給を開始させる。そして、図７（ｄ）に示すように、対象ショット３０ａ、３０ｂは、引き続き押し付け位置に向かって移動され、対象ショット３０ｂが押し付け位置に到達した時点で停止する。この場合も、第２供給口１６ｂから供給されたガス１５は、ウエハ１１の移動に伴ってモールド８とウエハ１１との隙間空間に引き込まれ、特にパターン部８ａ付近のガス濃度が効率的に高められる。次に、図７（ｅ）に示すように、対象ショット３０ｂに対して押型工程および硬化工程が実施され、その後、図７（ｆ）に示すように、離型工程が実施される。そして、図７（ｇ）に示すように、引き続き隣接する対象ショット３０ａに対しても、ウエハステージ５により押し付け位置に移動された後、押型工程、硬化工程、および離型工程が実施される。ここでも、今回の樹脂１０が塗布された全ての対象ショット３０へのパターン形成が完了したら、次回のインプリント処理対象となる複数の対象ショット３０を液滴吐出部２４の直下に順次移動させる。このように、第２の条件を満たす場合の動作でも、第１の条件と同様に、連続で樹脂１０が塗布された全ての対象ショット３０のパターン形成が完了するまで、ガス１５を供給中の第１供給口１６ａの直下には、常にウエハ１１または補助板１９が対向する。したがって、図７に示す動作では、第２供給口１６ｂの直下から押し付け位置の直下までの間でモールド８とウエハ１１との隙間空間は維持される。
【００３５】
さらに、図８は、第３の条件であるウエハ１１上における全ての対象ショット３０ａ、３０ｂのうち対象ショット３０ａの位置がＤ１（Ｄ１ａ）＞Ｄ２の条件を満たし、対象ショット３０ｂの位置がＤ１（Ｄ１ｂ）≦Ｄ２の条件を満たす場合の動作を示す図である。まず、図８（ａ）に示すように、液滴吐出部２４から連続して樹脂１０を塗布された対象ショット３０ａ、３０ｂは、ウエハステージ５の駆動により液滴吐出部２４に直近の第１供給口１６ａに向かって移動される。次に、図８（ｂ）に示すように、対象ショット３０ａが第１供給口１６ａ付近に位置したところで、第１ガス制御部１７ａは、第１供給口１６ａからガス１５の供給を開始させる。そして、図８（ｃ）に示すように、対象ショット３０ａ、３０ｂは、引き続き押し付け位置に向かって移動され、このうち対象ショット３０ａが押し付け位置に到達した時点で停止する。この場合も、第１供給口１６ａから供給されたガス１５は、ウエハ１１の移動に伴ってモールド８とウエハ１１との隙間空間に引き込まれ、特にパターン部８ａ付近のガス濃度が効率的に高められる。ここで、図８（ｄ）に示すように、まず対象ショット３０ａに対して押型工程および硬化工程が実施され、その後、図８（ｅ）に示すように、離型工程が実施される。なお、１度の対象ショット３０の数が３つ以上で、そのうち対象ショット３０ａ以外で位置がＤ１＞Ｄ２の条件を満たすものが存在する場合、図６に示す例のように、そのままウエハステージ５の駆動により押し付け位置に移動させ、連続してパターンを形成する。次に、対象ショット３０ａに対するパターン形成が完了したら、図８（ｆ）に示すように、第１ガス制御部１７ａは、第１供給口１６ａからのガス１５の供給を停止させる。そして、対象ショット３０ａ、３０ｂは、第１供給口１６ａとはモールド８を挟んで反対側の第２供給口１６ｂを超えるまで（望ましくは第２供給口１６ｂの直下を若干超えるまで）そのまま移動され、その位置で一旦停止される。次に、図８（ｇ）に示すように、対象ショット３０ａ、３０ｂは、ウエハステージ５の駆動により移動方向を逆方向に切り替え、停止位置に直近の第２供給口１６ｂに向かって移動される。そして、対象ショット３０ｂが第２供給口１６ｂ付近に位置したところで、第２ガス制御部１７ｂは、第２供給口１６ｂからガス１５の供給を開始させる。引き続き、図８（ｈ）に示すように、対象ショット３０ａ、３０ｂは、押し付け位置に向かって移動され、対象ショット３０ｂが押し付け位置に到達した時点で停止する。この場合も、第２供給口１６ｂから供給されたガス１５は、ウエハ１１の移動に伴ってモールド８とウエハ１１との隙間空間に引き込まれ、特にパターン部８ａ付近のガス濃度が効率的に高められる。そして、引き続き隣接する対象ショット３０ａに対しても、ウエハステージ５により押し付け位置に移動された後、押型工程、硬化工程、および離型工程が実施される。ここでも、今回の樹脂１０が塗布された全ての対象ショット３０へのパターン形成が完了したら、次回のインプリント処理対象となる複数の対象ショット３０を液滴吐出部２４の直下に順次移動させる。このように、第３の条件を満たす場合の動作でも、連続で樹脂１０が塗布された全ての対象ショット３０のパターン形成が完了するまで、ガス１５を供給中の第１供給口１６ａの直下には、常にウエハ１１または補助板１９が対向する。したがって、図８に示す動作では、第１供給口１６ａまたは第２供給口１６ｂのいずれかの直下から押し付け位置の直下までの間でモールド８とウエハ１１との隙間空間は維持される。
【００３６】
次に、本実施形態における塗布工程後の上記動作を含むガス１５の供給開始から終了までのガス供給工程の全体的な流れについて説明する。図９は、本実施形態における塗布工程後からパターン形成工程を挟んで実施されるガス供給工程の流れを示すフローチャートである。まず、ウエハ１１上の複数（２つ）の対象ショット３０ａ、３０ｂに対して塗布工程が完了すると、制御部７は、全ての対象ショット３０ａ、３０ｂの位置が、上記Ｄ１とＤ２との関係でいずれの条件を満たすか判断する（ステップＳ２００）。ここで、制御部７は、全ての対象ショット３０ａ、３０ｂの位置が図６に示すようなＤ１＞Ｄ２の条件を満たすと判定した場合には、以下のステップＳ２０１に移行する。まず、制御部７は、ウエハステージ５により第１供給口１６ａに向かって対象ショット３０ａ、３０ｂを移動させる（ステップＳ２０１：図６（ａ）参照）。次に、制御部７は、最初に処理対象となる対象ショット３０ａが第１供給口１６ａ付近に位置したところで、第１ガス制御部１７ａに対し、第１供給口１６ａからガス１５の供給を開始させる（ステップＳ２０２：図６（ｂ）参照）。ここで、制御部７は、引き続きウエハステージ５により押し付け位置まで対象ショット３０ａを移動させる（ステップＳ２０３：図６（ｃ）参照）。次に、制御部７は、押型工程、硬化工程、および離型工程を含む一連のパターン形成工程に移行する（ステップＳ２０４：図６（ｄ）、（ｅ）参照）。さらに、制御部７は、次に処理対象となる対象ショット３０ｂを、引き続きウエハステージ５により押し付け位置に移動させ（ステップＳ２０５：図６（ｆ）参照）、押型工程、硬化工程、および離型工程を実施する（ステップＳ２０６）。次に、制御部７は、今回の全ての対象ショット３０ａ、３０ｂに対してパターン形成が完了したかどうかを判断する（ステップＳ２０７）。ここで、対象ショット３０の数が３つ以上である場合、対象ショット３０ａ、３０ｂの他にもパターンを形成していないものが存在するため、その場合には（ＮＯ）、制御部７は、ステップＳ２０５に戻り、残りの対象ショットに対するパターン形成を実施させる。一方、制御部７は、全ての対象ショット３０ａ、３０ｂに対してパターン形成が完了したと判定した場合には（ＹＥＳ）、第１ガス制御部１７ａに対し、第１供給口１６ａからのガス１５の供給を終了させる（ステップＳ２０８）。そして、制御部７は、次に処理すべき複数の対象ショット（対象ショット群）がウエハ１１上に存在するかを判断する工程などの次工程へと移行する。
【００３７】
次に、制御部７は、ステップＳ２００にて、全ての対象ショット３０ａ、３０ｂの位置が図７に示すようなＤ１≦Ｄ２の条件を満たすと判定した場合には、以下のステップＳ２０９に移行する。まず、制御部７は、ウエハステージ５により第２供給口１６ｂに向かって対象ショット３０ａ、３０ｂを移動させる（ステップＳ２０９：図７（ａ）参照）。そして、制御部７は、対象ショット３０ｂの位置が第２供給口１６ｂを超えた時点で一旦停止させる（図７（ｂ）参照）。次に、制御部７は、ウエハステージ５の駆動により移動方向を逆方向に切り替え、停止位置に直近の第２供給口１６ｂに向かって対象ショット３０ａ、３０ｂを移動させる（ステップＳ２１０）。次に、制御部７は、最初に処理対象となる対象ショット３０ｂが第２供給口１６ｂ付近に位置したところで、第２ガス制御部１７ｂに対し、第２供給口１６ｂからガス１５の供給を開始させる（ステップＳ２１１：図７（ｃ）参照）。ここで、制御部７は、引き続きウエハステージ５により押し付け位置まで対象ショット３０ｂを移動させる（ステップＳ２１２：図７（ｄ）参照）。次に、制御部７は、押型工程、硬化工程、および離型工程を含む一連のパターン形成工程に移行する（ステップＳ２１３：図７（ｅ）、（ｆ）参照）。さらに、制御部７は、次の処理対象となる対象ショット３０ａを、引き続きウエハステージ５により押し付け位置に移動させ（ステップＳ２１４：図７（ｇ）参照）、押型工程、硬化工程、および離型工程を実施する（ステップＳ２１５）。次に、制御部７は、今回の全ての対象ショット３０ａ、３０ｂに対してパターン形成が完了したかどうかを判断する（ステップＳ２１６）。ここで、対象ショット３０の数が３つ以上である場合、対象ショット３０ａ、３０ｂの他にもパターンを形成していないものが存在するため、その場合には（ＮＯ）、制御部７は、ステップＳ２１４に戻り、残りの対象ショットに対するパターン形成を実施させる。一方、制御部７は、全ての対象ショット３０ａ、３０ｂに対してパターン形成が完了したと判定した場合には（ＹＥＳ）、第２ガス制御部１７ｂに対し、第２供給口１６ｂからのガス１５の供給を終了させる（ステップＳ２１７）。そして、この場合も制御部７は、次に処理すべき複数の対象ショット（対象ショット群）がウエハ１１上に存在するかを判断する工程などの次工程へと移行する。
【００３８】
さらに、制御部７は、ステップＳ２００にて、全ての対象ショット３０ａ、３０ｂのうち、図８に示すように、Ｄ１＞Ｄ２の条件を満たすものと、Ｄ１≦Ｄ２の条件を満たすものとが混在すると判定した場合には、以下のステップＳ２１８に移行する。図１０は、図９に示すフローチャート内の工程のうち、特にステップＳ２１８以下の工程を抽出したフローチャートである。ここでは、図８を参照し、２つの対象ショット３０ａ、３０ｂのうち、対象ショット３０ａの位置がＤ１（Ｄ１ａ）＞Ｄ２の条件を満たし、対象ショット３０ｂの位置がＤ１（Ｄ１ｂ）≦Ｄ２の条件を満たすものと想定する。まず、制御部７は、ウエハステージ５により第１供給口１６ａに向かって対象ショット３０ａ、３０ｂを移動させる（ステップＳ２１８：図８（ａ）参照）。次に、制御部７は、Ｄ１＞Ｄ２の条件を満たす対象ショット３０ａが第１供給口１６ａ付近に位置したところで、第１ガス制御部１７ａに対し、第１供給口１６ａからガス１５の供給を開始させる（ステップＳ２１９：図８（ｂ）参照）。ここで、制御部７は、引き続きウエハステージ５により押し付け位置まで対象ショット３０ａを移動させる（ステップＳ２２０：図８（ｃ）参照）。次に、制御部７は、押型工程、硬化工程、および離型工程を含む一連のパターン形成工程に移行する（ステップＳ２２１：図８（ｄ）、（ｅ）参照）。次に、制御部７は、全ての対象ショット３０のうち、対象ショット３０ａ以外でＤ１＞Ｄ２の条件を満たす対象ショットに対してパターン形成が完了したかどうかを判断する（ステップＳ２２２）。すなわち、図８に示す例で言えば、Ｄ１＞Ｄ２の条件を満たすものは対象ショット３０ａのみであるが、対象ショット３０の数が３つ以上である場合、対象ショット３０ａ以外にもパターンを形成していないものが存在する場合もある。そこで、その場合には（ＮＯ）、制御部７は、ステップＳ２２０に戻り、残りの対象ショットに対するパターン形成を実施させる。一方、制御部７は、Ｄ１＞Ｄ２の条件を満たす全ての対象ショット３０に対してパターン形成が完了したと判定した場合には（ＹＥＳ）、第１ガス制御部１７ａに対し、第１供給口１６ａからのガス１５の供給を終了させる（ステップＳ２２３）。
【００３９】
引き続き、制御部７は、ウエハステージ５により第２供給口１６ｂに向かって対象ショット３０ａ、３０ｂを移動させる（ステップＳ２２４：図８（ｆ）参照）。そして、制御部７は、対象ショット３０ｂの位置が第２供給口１６ｂを超えた時点で一旦停止させる。次に、制御部７は、ウエハステージ５の駆動により移動方向を逆方向に切り替え、停止位置に直近の第２供給口１６ｂに向かって対象ショット３０ａ、３０ｂを移動させる（ステップＳ２２５）。次に、制御部７は、次の処理対象となる対象ショット３０ｂが第２供給口１６ｂ付近に位置したところで、第２ガス制御部１７ｂに対し、第２供給口１６ｂからガス１５の供給を開始させる（ステップＳ２２６：図８（ｇ）参照）。ここで、制御部７は、引き続きウエハステージ５により押し付け位置まで対象ショット３０ｂを移動させる（ステップＳ２２７：図８（ｈ）参照）。次に、制御部７は、押型工程、硬化工程、および離型工程を含む一連のパターン形成工程に移行する（ステップＳ２２８）。次に、制御部７は、全ての対象ショット３０のうち、対象ショット３０ｂ以外でＤ１≦Ｄ２の条件を満たす対象ショットに対してパターン形成が完了したかどうかを判断する（ステップＳ２２９）。ここでも、図８に示す例で言えば、Ｄ１≦Ｄ２の条件を満たすものは対象ショット３０ｂのみであるが、対象ショット３０の数が３つ以上である場合、対象ショット３０ｂ以外にもパターンを形成していないものが存在する場合もある。そこで、その場合には（ＮＯ）、制御部７は、ステップＳ２２７に戻り、残りの対象ショットに対するパターン形成を実施させる。一方、制御部７は、Ｄ１≦Ｄ２の条件を満たす全ての対象ショット３０に対してパターン形成が完了したと判定した場合には（ＹＥＳ）、第２ガス制御部１７ｂに対し、第２供給口１６ｂからのガス１５の供給を終了させる（ステップＳ２３０）。そして、この場合も制御部７は、次に処理すべき複数の対象ショット（対象ショット群）がウエハ１１上に存在するかを判断する工程などの次工程へと移行する。
【００４０】
このように、本実施形態によれば、ウエハ１１上の複数の対象ショット３０に対して、１度のガス供給中に連続してパターンを形成することができる。すなわち、塗布位置である液滴吐出部２４の直下と押し付け位置であるパターン部８ａの直下との間での対象ショット３０の移動が大幅に減少するので、インプリント装置１は、第１実施形態と同様の効果を奏すると共に、さらに生産性を向上させることができる。
【００４１】
（物品の製造方法）
物品としてのデバイス（半導体集積回路素子、液晶表示素子等）の製造方法は、上述したインプリント装置を用いて基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板）にパターンを形成する工程を含む。さらに、該製造方法は、パターンを形成された基板をエッチングする工程を含み得る。なお、パターンドメディア（記録媒体）や光学素子などの他の物品を製造する場合には、該製造方法は、エッチングの代わりにパターンを形成された基板を加工する他の処理を含み得る。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００４２】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【符号の説明】
【００４３】
１      インプリント装置
４      ガス供給機構
５      ウエハステージ
６      塗布部
７      制御部
８      モールド
１０    樹脂
１１    ウエハ
１５    ガス
１６ａ  第１供給口
１６ｂ  第２供給口
１９    補助板
３０    対象ショット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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