(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力側から出力側に向かって延伸する同軸ケーブルと、
前記同軸ケーブルと固定接続されて延伸し、前記出力側に近づくと別のプローブ針との間隔が狭くなるプローブ針と、
複数の前記プローブ針の前記出力側を互いに固定する固定樹脂部と、
前記同軸ケーブルの前記出力側端と前記固定樹脂部の入力側端までの間について前記プローブ針を被覆し、前記同軸ケーブルよりも径が小さい同軸管と、
を備え、
前記同軸ケーブルは、
内部導体と、
前記内部導体を被覆するケーブル用絶縁体と、
前記ケーブル用絶縁体を被覆する外部導体と、
前記外部導体を被覆する保護被覆と、
を含み、
前記同軸管は、
前記同軸ケーブルの前記内部導体と前記プローブ針とを接続する接続部を被覆する第１絶縁体と、前記第１絶縁体を被覆する第１銅管とを有し、前記同軸ケーブルよりも径が小さい第１同軸管と、
前記第１同軸管と前記出力側との間に設けられ、前記プローブ針を被覆する第２絶縁体と、前記第２絶縁体を被覆する第２銅管とを有し、前記第１同軸管よりも径が小さい第２同軸管と、
を含むことを特徴とするプローブカード。
【請求項２】
入力側から出力側に向かって延伸する同軸ケーブルと、
前記同軸ケーブルと接続されて延伸し、前記出力側に近づくと別のプローブ針との間隔が狭くなるプローブ針と、
前記プローブ針を被覆し、前記同軸ケーブルよりも径が小さい同軸管と、
を備え、
前記同軸ケーブルは、
内部導体と、
前記内部導体を被覆するケーブル用絶縁体と、
前記ケーブル用絶縁体を被覆する外部導体と、
前記外部導体を被覆する保護被覆と、
を含み、
前記同軸管は、
前記同軸ケーブルの前記内部導体と前記プローブ針とを接続する接続部を被覆する第１絶縁体と、前記第１絶縁体を被覆する第１銅管とを有し、前記同軸ケーブルよりも径が小さい第１同軸管と、
前記第１同軸管と前記出力側との間に設けられ、前記プローブ針を被覆する第２絶縁体と、前記第２絶縁体を被覆する第２銅管とを有し、前記第１同軸管よりも径が小さい第２同軸管と、
を含むプローブカードの製造方法であって、
前記同軸ケーブルの前記内部導体と前記プローブ針とを接続する際に、前記第１同軸管が前記第２同軸管を被覆するようにスライドする工程と、
前記同軸ケーブルの前記内部導体と前記プローブ針とを接続して前記接続部を形成する工程と、
前記第１同軸管が前記接続部を被覆するようにスライドする工程と、
を備えることを特徴とするプローブカードの製造方法。
【請求項３】
入力側から出力側に向かって延伸する同軸ケーブルと、
前記同軸ケーブルと固定接続されて延伸し、前記出力側に近づくと別のプローブ針との間隔が狭くなるプローブ針と、
複数の前記プローブ針の前記出力側を互いに固定する固定樹脂部と、
前記同軸ケーブルの前記出力側端と前記固定樹脂部の入力側端までの間について前記プローブ針を被覆し、前記同軸ケーブルよりも径が小さい同軸管と、
前記同軸ケーブルよりも径が大きい第１同軸管と、
を備え、
前記同軸ケーブルは、
内部導体と、
前記内部導体を被覆するケーブル用絶縁体と、
前記ケーブル用絶縁体を被覆する外部導体と、
前記外部導体を被覆する保護被覆と、
を含み、
前記第１同軸管は、
前記同軸ケーブルの前記内部導体と前記プローブ針とを接続する接続部を被覆する第１絶縁体と、前記第１絶縁体を被覆する第１銅管とを含み、
前記同軸管は、
前記第１同軸管と前記出力側との間に設けられ、前記プローブ針を被覆する第２絶縁体と、前記第２絶縁体を被覆する第２銅管とを有する第２同軸管を含むことを特徴とするプローブカード。
【請求項４】
入力側から出力側に向かって延伸する同軸ケーブルと、
前記同軸ケーブルと接続されて延伸し、前記出力側に近づくと別のプローブ針との間隔が狭くなるプローブ針と、
前記プローブ針を被覆し、前記同軸ケーブルよりも径が小さい同軸管と、
前記同軸ケーブルよりも径が大きい第１同軸管と、
を備え、
前記同軸ケーブルは、
内部導体と、
前記内部導体を被覆するケーブル用絶縁体と、
前記ケーブル用絶縁体を被覆する外部導体と、
前記外部導体を被覆する保護被覆と、
を含み、
前記第１同軸管は、
前記同軸ケーブルの前記内部導体と前記プローブ針とを接続する接続部を被覆する第１絶縁体と、前記第１絶縁体を被覆する第１銅管とを含み、
前記同軸管は、
前記第１同軸管と前記出力側との間に設けられ、前記プローブ針を被覆する第２絶縁体と、前記第２絶縁体を被覆する第２銅管とを有する第２同軸管を含むプローブカードの製造方法であって、
前記同軸ケーブルの前記内部導体と前記プローブ針とを接続する際に、前記第１同軸管が前記第２同軸管を被覆するようにスライドする工程と、
前記同軸ケーブルの前記内部導体と前記プローブ針とを接続して前記接続部を形成する工程と、
前記第１同軸管が前記接続部を被覆するようにスライドする工程と、
を備えることを特徴とするプローブカードの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プローブカード及びそのプローブカードの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の半導体デバイスの高集積化、微細化に伴い、プローブカードに設けられる複数のプローブ針のピッチが狭くなっている。さらに、近年の半導体デバイスの高速化に伴い、優れた高周波数特性を確保する必要がある。
【０００３】
本発明に関連する技術として、例えば、特許文献１には、板面に複数の接続ランド、及び複数の接地用接続ランドが配設された基板と、第１プローブ針と、基板の板面上に配設されるとともに、第１プローブ針の中間部分を固定する固定樹脂部と、接続ランドと固定樹脂部の間の領域に配置されるとともに、接地用接続ランドに接合され、接地用接続ランド間を跨いで配設された導体板と、中心導体と外側導体を備えるとともに、中心導体の一端が導体板の領域上で第１プローブ針と接合され、中心導体の他端が複数の接続ランドのうち第１接続ランドと接合され、外側導体の一端が導体板と接合された同軸線と、を備えるプローブカードが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−１３９４７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、プローブカードの基板のインピーダンスは、予め定められた値となるように設計されている。例えば、５０Ωに設計されている。そして、基板からは、例えば、５０Ωにインピーダンスマッチングがなされた同軸ケーブルが引き出され、その先端部分に短い長さのプローブ針が接続されている。このとき、同軸ケーブルの径は、例えば、６００μｍ〜９６０μｍの範囲で比較的大きいため、プローブ針のピッチを狭くすることに限界がある。一方、プローブ針の径は、例えば、７０μｍであるため、プローブ針を延伸させて、狭ピッチを実現することも考えられる。この場合、プローブ針の長さが長くなる分、インピーダンスのミスマッチが大きくなるため、高周波数特性が悪化する。
【０００６】
本発明の目的は、プローブ針の狭ピッチを実現しつつ、優れた高周波数特性を確保するプローブカードを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係るプローブカードは、入力側から出力側に向かって延伸する同軸ケーブルと、前記同軸ケーブルと固定接続されて延伸し、前記出力側に近づくと別のプローブ針との間隔が狭くなるプローブ針と、複数の前記プローブ針の前記出力側を互いに固定する固定樹脂部と、前記同軸ケーブルの前記出力側端と前記固定樹脂部の入力側端までの間について前記プローブ針を被覆し、前記同軸ケーブルよりも径が小さい同軸管と、を備え、前記同軸ケーブルは、内部導体と、前記内部導体を被覆するケーブル用絶縁体と、前記ケーブル用絶縁体を被覆する外部導体と、前記外部導体を被覆する保護被覆と、を含み、前記同軸管は、前記同軸ケーブルの前記内部導体と前記プローブ針とを接続する接続部を被覆する第１絶縁体と、前記第１絶縁体を被覆する第１銅管とを有し、前記同軸ケーブルよりも径が小さい第１同軸管と、前記第１同軸管と前記出力側との間に設けられ、前記プローブ針を被覆する第２絶縁体と、前記第２絶縁体を被覆する第２銅管とを有し、前記第１同軸管よりも径が小さい第２同軸管と、を含むことを特徴とする。
【０００９】
また、本発明に係るプローブカードの製造方法は、入力側から出力側に向かって延伸する同軸ケーブルと、前記同軸ケーブルと接続されて延伸し、前記出力側に近づくと別のプローブ針との間隔が狭くなるプローブ針と、前記プローブ針を被覆し、前記同軸ケーブルよりも径が小さい同軸管と、を備え、前記同軸ケーブルは、内部導体と、前記内部導体を被覆するケーブル用絶縁体と、前記ケーブル用絶縁体を被覆する外部導体と、前記外部導体を被覆する保護被覆と、を含み、前記同軸管は、前記同軸ケーブルの前記内部導体と前記プローブ針とを接続する接続部を被覆する第１絶縁体と、前記第１絶縁体を被覆する第１銅管とを有し、前記同軸ケーブルよりも径が小さい第１同軸管と、前記第１同軸管と前記出力側との間に設けられ、前記プローブ針を被覆する第２絶縁体と、前記第２絶縁体を被覆する第２銅管とを有し、前記第１同軸管よりも径が小さい第２同軸管と、を含むプローブカードの製造方法であって、前記同軸ケーブルの前記内部導体と前記プローブ針とを接続する際に、前記第１同軸管が前記第２同軸管を被覆するようにスライドする工程と、前記同軸ケーブルの前記内部導体と前記プローブ針とを接続して前記接続部を形成する工程と、前記第１同軸管が前記接続部を被覆するようにスライドする工程と、を備えることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明に係るプローブカードは、入力側から出力側に向かって延伸する同軸ケーブルと、前記同軸ケーブルと固定接続されて延伸し、前記出力側に近づくと別のプローブ針との間隔が狭くなるプローブ針と、複数の前記プローブ針の前記出力側を互いに固定する固定樹脂部と、前記同軸ケーブルの前記出力側端と前記固定樹脂部の入力側端までの間について前記プローブ針を被覆し、前記同軸ケーブルよりも径が小さい同軸管と、前記同軸ケーブルよりも径が大きい第１同軸管と、を備え、前記同軸ケーブルは、内部導体と、前記内部導体を被覆するケーブル用絶縁体と、前記ケーブル用絶縁体を被覆する外部導体と、前記外部導体を被覆する保護被覆と、を含み、前記第１同軸管は、前記同軸ケーブルの前記内部導体と前記プローブ針とを接続する接続部を被覆する第１絶縁体と、前記第１絶縁体を被覆する第１銅管とを含み、前記同軸管は、前記第１同軸管と前記出力側との間に設けられ、前記プローブ針を被覆する第２絶縁体と、前記第２絶縁体を被覆する第２銅管とを有する第２同軸管を含むことを特徴とする。
【００１１】
また、本発明に係るプローブカードの製造方法は、入力側から出力側に向かって延伸する同軸ケーブルと、前記同軸ケーブルと接続されて延伸し、前記出力側に近づくと別のプローブ針との間隔が狭くなるプローブ針と、前記プローブ針を被覆し、前記同軸ケーブルよりも径が小さい同軸管と、前記同軸ケーブルよりも径が大きい第１同軸管と、を備え、前記同軸ケーブルは、内部導体と、前記内部導体を被覆するケーブル用絶縁体と、前記ケーブル用絶縁体を被覆する外部導体と、前記外部導体を被覆する保護被覆と、を含み、前記第１同軸管は、前記同軸ケーブルの前記内部導体と前記プローブ針とを接続する接続部を被覆する第１絶縁体と、前記第１絶縁体を被覆する第１銅管とを含み、前記同軸管は、前記第１同軸管と前記出力側との間に設けられ、前記プローブ針を被覆する第２絶縁体と、前記第２絶縁体を被覆する第２銅管とを有する第２同軸管を含むプローブカードの製造方法であって、前記同軸ケーブルの前記内部導体と前記プローブ針とを接続する際に、前記第１同軸管が前記第２同軸管を被覆するようにスライドする工程と、前記同軸ケーブルの前記内部導体と前記プローブ針とを接続して前記接続部を形成する工程と、前記第１同軸管が前記接続部を被覆するようにスライドする工程と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、出力側に近づくとプローブ針のピッチが狭くなるとともに、当該プローブ針が同軸ケーブルよりも径が小さい同軸管によって被覆されているためインピーダンスをマッチングさせることができる。これにより、プローブ針の狭ピッチを実現しつつ、優れた高周波数特性を確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施の形態において、プローブカードの概略断面図である。
【図２】本発明の実施の形態において、プローブカードの平面図であり、基板及び台座を省略した図である。
【図３】本発明の実施の形態において、同軸ケーブルと第１同軸管と第２同軸管とプローブ針との関係を示す図である。
【図４】本発明の実施の形態のプローブカードの作用を分かりやすくするために、比較例のプローブカードを示す図である。
【図５】本発明の実施の形態において、プローブカードの製造方法の手順を示すフローチャートである。
【図６】本発明の実施の形態において、プローブカードの製造方法の変形例の手順を示すフローチャートである。
【図７】本発明の実施の形態において、プローブカードの変形例である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下に図面を用いて、本発明に係る実施の形態を詳細に説明する。また、以下では、全ての図面において、同様の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。また、本文中の説明においては、必要に応じそれ以前に述べた符号を用いるものとする。
【００１５】
図１は、プローブカード１の概略断面図である。図２は、プローブカード１の平面図であり、基板２及び台座７を省略した図である。プローブカード１は、基板２と、基板２に接続される複数の同軸ケーブル３と、複数の同軸ケーブル３に接続される複数のプローブ針４と、複数のプローブ針４を被覆する複数の第１同軸管５、複数の第２同軸管６と、基板２上に配置される台座７と、台座７上に配置される固定樹脂部８とを備える。
【００１６】
基板２は、テスタ装置からの外部信号が入力される外部端子（不図示）を有する。基板２の裏面側には、同軸ケーブル３を接続するための接続ランド２１が設けられている。なお、基板２のインピーダンスは、予め定められた値に設計されており、例えば、５０Ωである。
【００１７】
図３は、同軸ケーブル３と第１同軸管５と第２同軸管６とプローブ針４との関係を示す図である。図３の下図左側に示されるのは、第２同軸管６の断面図であり、図３の下図中央に示されるのは、第１同軸管５の断面図であり、図３の下図右側に示されるのは、同軸ケーブル３の断面図である。
【００１８】
図３の下図右側に示されるように、同軸ケーブル３は、内部導体３１と、内部導体３１を被覆する誘電体３２と、誘電体３２を被覆する外部導体３３と、外部導体３３を被覆する保護被覆３４とを備える。内部導体３１と、誘電体３２と、外部導体３３と、保護被覆３４は、軸を同じにした入れ子構造である。内部導体３１は、例えば、銀めっき軟銅線、銀めっき銅被銅線を用いた単線や撚線で構成される。誘電体３２は、例えば、ポリエチレンを用いて構成される。外部導体３３は、例えば、銀めっき軟銅線、すずめっき軟銅線を用いた編組線で構成される。保護被覆３４は、例えば、ビニルを用いて構成される。なお、外部導体３３は、接地されて０Ｖ電位（グランドレベル）となっている。
【００１９】
同軸ケーブル３は、外部導体３３の内径をＤＡｍｍ、内部導体３１の直径をｄＡｍｍとし、誘電体３２の比誘電率をεＡとすると、その特性インピーダンスＺＡは、１３８／√εＡ×ｌｏｇ10（ＤＡ／ｄＡ）で定まる。ここで、同軸ケーブル３は、基板２のインピーダンスにマッチングさせており、そのインピーダンスは、例えば、５０Ωとなるように上記パラメータを設定している。また、同軸ケーブル３の径ＤＡallは、一例をあげると、６２０μｍ〜９６０μｍであり、同軸ケーブル３の長さＬＡallは、一例をあげると、５０ｍｍ〜１００ｍｍである。なお、同軸ケーブル３の端部は、基板２の裏面側の接続ランド２１において接続されるものとして説明する。また、同軸ケーブル３が基板２を貫通し、当該端部が基板２の表面側に設けられた接続ランド２１において接続されるものであってもよい。
【００２０】
ここで、図１及び図２に示されるように、４本の同軸ケーブル３は、入力側である基板２側から出力側である固定樹脂部８に向かって隣接している。なお、ここでは、同軸ケーブル３は、４本であるものとして説明するが、もちろん、４本以外であってもよい。
【００２１】
プローブ針４の基端部４Ｅは、同軸ケーブル３の内部導体３１と接続される。具体的には、半田付けによって接続固定され、接続部９が形成されることとなる。なお、接続部９の径は、接続のために必要な半田の量によって定まる。
【００２２】
ここで、図１及び図２に示されるように、４本のプローブ針４は、それぞれ対応する同軸ケーブル３の内部導体３１と接続され、固定樹脂部８に向かって隣接しながら延伸している。そして、４本のプローブ針４は、出力側である固定樹脂部８に向かってピッチ（間隔）が狭くなるように延びている。なお、図１及び図２では、４本のプローブ針４は、同一の高さ方向に隣接しているものとして説明するが、高さを変えて隣接させることもできる。このとき、プローブ針４のピッチは、さらに狭くすることも可能である。プローブ針４の径ＤＰは、一例を挙げると、７０μｍである。プローブ針４の長さの全体ＬＰallは、一例を挙げると、１７〜３３ｍｍであるが、第１同軸管５及び第２同軸管６によって被覆されていない部分の長さＬＰは、一例をあげると、５ｍｍ〜１０ｍｍである。
【００２３】
図３の下図中央に示されるように、第１同軸管５は、接続部９を被覆する第１絶縁チューブ５１と、第１絶縁チューブ５１を被覆する第１銅管５２とを備える。第１絶縁チューブ５１、第１銅管５２は、軸を同じにした入れ子構造である。第１絶縁チューブ５１は、例えば、ポリイミドを用いて構成される。第１銅管５２は、例えば、銅を用いて構成される。なお、第１銅管５２は、接地されて０Ｖ電位（グランドレベル）となっている。
【００２４】
第１同軸管５は、第１銅管５２の内径をＤＢｍｍ、第１絶縁チューブ５１の比誘電率をεＢとすると、その特性インピーダンスＺＢは、１３８／√εＢ×ｌｏｇ10（ＤＢ／ＤＰ）で定まる。ここで、第１同軸管５は、基板２のインピーダンスにマッチングさせており、そのインピーダンスは、例えば、５０Ωとなるように上記パラメータを設定している。ここで、第１同軸管５の径ＤＢallは、一例をあげると、例えば、３５０μｍであり、第１同軸管５の長さＬＢallは、一例をあげると、２〜３ｍｍである。なお、第１絶縁チューブ５１は、柔軟性を有する材料で構成され、接続部９を覆う内径を有しており、さらに第２同軸管６にスライドさせたときに第１絶縁チューブ５１が変形して第２同軸管６を被覆することが可能な内径を有することが好適である。
【００２５】
図３の下図左側に示されるように、第２同軸管６は、プローブ針４を被覆する第２絶縁チューブ６１と、第２絶縁チューブ６１を被覆する第２銅管６２とを備える。第２絶縁チューブ６１は、例えば、ポリイミドを用いて構成される。第２銅管６２は、例えば、銅を用いて構成される。なお、第２銅管６２は、接地されて０Ｖ電位（グランドレベル）となっている。
【００２６】
第２同軸管６は、第２銅管６２の内径をＤＣｍｍ、第２絶縁チューブ６１の比誘電率をεＣとすると、その特性インピーダンスＺＣは、１３８／√εＣ×ｌｏｇ10（ＤＣ／ＤＰ）で定まる。ここで、第２同軸管６は、基板２のインピーダンスにマッチングさせており、そのインピーダンスは５０Ωとなるように上記パラメータを設定している。なお、第１絶縁チューブ５１の比誘電率εＢと第２絶縁チューブ６１の比誘電率をεＣは、同じ値であるが、異なる値としてもよい。ここで、第２同軸管６の径ＤＣallは、一例をあげると、例えば、２８５μｍであり、第２同軸管６の長さＬＣallは、一例をあげると、１０〜２０ｍｍである。
【００２７】
台座７は、基板２の上に設けられ、固定樹脂部８を乗せるための部分である。台座７の高さは、例えば、１ｃｍである。
【００２８】
固定樹脂部８は、４本のプローブ針４が通過し、プローブ針４が動かないように固定する部分である。そして、固定樹脂部８の出力側からは、半導体デバイスを検査するためのプローブ針４の先端部４Ｔが突出するように取り付けられる。固定樹脂部８は、例えば、エポキシ樹脂で構成することができる。固定樹脂部８は、プローブ針４が半導体デバイスに当接した際の応力に耐えられるように所定の幅Ｗを有し、例えば、１ｃｍの幅を有している。
【００２９】
続いて、プローブカード１の作用について説明する。
【００３０】
図４は、本実施形態のプローブカード１の作用を分かりやすくするために、比較例のプローブカード１０を示す図である。比較例であるプローブカード１０は、プローブカード１と同様に、基板２から、基板２のインピーダンスにマッチングさせた同軸ケーブル３が出力側に向かって延伸している。そして、プローブカード１０では、プローブ針４のピッチを狭くするために、径が小さいプローブ針４の長さを例えば、２０〜３０ｍｍに伸ばし、狭ピッチを実現している。しかしながら、プローブ針４の長さが伸びる程、インピーダンスが大きくなるため、高周波数特性が悪化する。
【００３１】
しかしながら、本実施形態のプローブカード１によれば、同軸ケーブル３と固定樹脂部８との間におけるプローブ針４は、第１同軸管５及び第２同軸管６に被覆されている。すなわち、入力側にある基板２と出力側にある固定樹脂部８との間は、インピーダンスが５０Ωとなるようにマッチングされている。このため、基板２と固定樹脂部８との間において、高周波数特性が悪化することはなく、優れた高周波数特性を保つことができるとともにノイズ特性も向上する。また、出力側では、同軸ケーブル３の径ＤＡallよりも径が小さい第２同軸管６によってインピーダンスがマッチングされている。これにより、４本のプローブ針４のピッチを狭くすることができる。したがって、プローブカード１によれば、プローブ針４のピッチを狭くするとともに、優れた高周波数特性を確保することができるとともにノイズ特性も向上する。
【００３２】
次に、プローブカード１の製造方法について説明する。図５は、プローブカード１の製造方法の手順を示すフローチャートである。
【００３３】
まず、基板２を準備する（Ｓ２）。
【００３４】
そして、プローブ針４を準備し、プローブ針４が固定樹脂部８に近づくについてピッチが狭くなるように位置させて、固定樹脂部８においてプローブ針４を固定する（Ｓ４）。このとき、プローブ針４の先端部４Ｔは、固定樹脂部８から突出し、半導体デバイスのパッドに当接可能なように位置させる。
【００３５】
次に、プローブ針４の中心部４Ｍを第２同軸管６で被覆する（Ｓ６）。これにより、第２同軸部６が用いられている部分においても基板２のインピーダンスにマッチングさせているため、優れた高周波数特性を確保することができる。また、第２同軸管６は、同軸ケーブル３に比べて径が小さいため、第２同軸管６のピッチ、すなわち、プローブ針４のピッチを狭くすることができる。
【００３６】
次いで、接続部９を被覆するための第１同軸管５が一旦第２同軸管６を被覆するように、第１同軸管５を第２同軸管６側にスライドさせる（Ｓ８）。これにより、プローブ針４の基端部４Ｅが露出した状態となるため、同軸ケーブル３の内部導体３１と接続することが可能となる。
【００３７】
そして、プローブ針４の基端部４Ｅと同軸ケーブル３の内部導体３１とを半田付けにより接続し接続部９を形成する（Ｓ１０）。その後、第１同軸管５が接続部９を被覆するように第１同軸管５を接続部９側にスライドさせる（Ｓ１２）。これにより、第１同軸部５が用いられている部分においても基板２のインピーダンスにマッチングさせているため、優れた高周波数特性を確保することができる。
【００３８】
次に、基板２の接続ランド２１に同軸ケーブル３を接続する（Ｓ１４）。これにより、同軸ケーブル３が用いられている部分は、基板２のインピーダンスにマッチングさせているため、優れた高周波数特性を確保することができる。
【００３９】
続いて、上記プローブカード１の製造方法の作用について説明する。上述したように、最終的には、接続部９は、第１同軸管５により被覆されるため、第１同軸管５の部分においても基板２のインピーダンスにマッチングさせることで優れた高周波数特性を確保することができる。しかし、接続部９は、プローブ針４の基端部４Ｅと同軸ケーブル３の内部導体３１とが半田付けにより形成される部分であるため、半田付けを行う必要がある。ここで、上記プローブカード１の製造方法によれば、半田付けを行う前に、第１同軸管５は第２同軸管６側に一旦スライドさせて、プローブ針４の基端部４Ｅを露出させた状態としている。これにより、プローブ針４の基端部４Ｅと同軸ケーブル３の内部導体３１との半田付けを容易に行うことができるとともに、半田付けを終えて接続部９を形成した後は、第１同軸管５が接続部９を覆うようにスライドさせて、接続部９の部分においてもインピーダンスをマッチングさせているため、優れた高周波数特性を確保することができる。
【００４０】
なお、上記プローブカード１の製造方法の手順は、一例であって、各工程は、適宜入れ替えることができる。例えば、図５に例示される製造方法のうちＳ１４の工程とＳ４の工程を入れ替えて、図６に例示される製造方法とすることも可能である。
【００４１】
また、上記プローブカード１の変形例であるプローブカード１ａについて説明する。プローブカード１ａとプローブカード１の相違点は、第１同軸管５の径の大きさであるため、その相違点について説明する。図７は、プローブカード１ａにおいて、同軸ケーブル３と第１同軸管５と第２同軸管６とプローブ針４との関係を示す図である。
【００４２】
ここで、第１同軸管５の径ＤＢallは、一例をあげると、例えば、６５０μｍ〜１０００μｍであり、第１同軸管５の長さＬＢallは、一例をあげると、２〜３ｍｍである。このように、第１同軸管５の径ＤＢallは、同軸ケーブル３の径ＤＡallよりも大きい。本実施形態のプローブカード１ａにおいても、同軸ケーブル３と固定樹脂部８との間におけるプローブ針４は、第１同軸管５及び第２同軸管６に被覆されているため、基板２と固定樹脂部８との間において、高周波数特性が悪化することはなく、優れた高周波数特性を保つことができるとともにノイズ特性も向上する。また、出力側では、同軸ケーブル３の径ＤＡallよりも径が小さい第２同軸管６によってインピーダンスがマッチングされている。これにより、４本のプローブ針４のピッチを狭くすることができる。したがって、プローブカード１ａにおいても、プローブ針４のピッチを狭くするとともに、優れた高周波数特性を確保することができるとともにノイズ特性も向上する。
【符号の説明】
【００４３】
１，１ａ，１０  プローブカード、２  基板、３  同軸ケーブル、４  プローブ針、５  第１同軸管、６  第２同軸管、７  台座、８  固定樹脂部、９  接続部、２１  接続ランド、３１  内部導体、３２  誘電体、３３  外部導体、３４  保護被覆、５１  第１絶縁チューブ、５２  第１銅管、６１  第２絶縁チューブ、６２  第２銅管。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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