(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第1面と第2面を有するシリコン層、第1有機層、及び第2有機層；
前記第1有機層及び第2有機層と電気的に結合することで電流路を画定する第1電極と第2電極；
前記電流路中に設けられ、かつ、前記シリコン層の第1面と前記第1有機層との間の接合部に形成される第1ヘテロ接合；並びに、
前記電流路中に設けられ、かつ、前記シリコン層の第2面と前記第2有機層との間の接合部に形成される第2ヘテロ接合；
を有し、
前記第1有機層は、前記シリコン層及び前記第2有機層に対してそれぞれ異なるバンドオフセットを有し、
前記第1有機層は、前記シリコン層と前記第1有機層との間での電子の輸送を防止する電子阻止層として構成され、
前記第2有機層は、前記シリコン層と前記第2有機層との間での正孔の輸送を防止する正孔阻止層として構成され、
前記第1有機層と第2有機層のうちの少なくとも1層は、フェナンスレンキノン(PQ)を有する、
光電変換デバイス。
【請求項２】
前記第1有機層と第2有機層のうちの少なくとも1層と前記シリコン層との間に設けられた保護層をさらに有する、請求項1に記載の光電変換デバイス。
【請求項３】
前記保護層は有機物である、請求項2に記載の光電変換デバイス。
【請求項４】
前記第1有機層と第2有機層のうちの少なくとも1層は、前記シリコン層の表面を保護する、請求項1に記載の光電変換デバイス。
【請求項５】
前記第1電極と第2電極のうちの少なくとも1つが透明である、請求項1に記載の光電変換デバイス。
【請求項６】
光電変換デバイスを作製する方法であって：
第1面と第2面を有するシリコン層上に第1有機層と第2有機層を堆積する工程；
第1電極と第2電極を前記第1有機層と前記第2有機層に電気的に結合することで電流路を画定する工程；
を有し、
第1ヘテロ接合が、前記電流路中であって前記シリコン層の第1面と前記第1有機層との間に形成され、
第2ヘテロ接合が、前記電流路中であって前記シリコン層の第2面と前記第2有機層との間に形成され、
前記第1有機層は、前記シリコン層及び前記第2有機層に対してそれぞれ異なるバンドオフセットを有し、
前記第1有機層は、前記シリコン層と前記第1有機層との間での電子の輸送を防止する電子阻止層として構成され、
前記第2有機層は、前記シリコン層と前記第2有機層との間での正孔の輸送を防止する正孔阻止層として構成され、
前記第1有機層と第2有機層のうちの少なくとも1層は、フェナンスレンキノン(PQ)を有する、
方法。
【請求項７】
当該光電変換デバイスは500℃未満の温度で作製される、請求項6に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光電変換デバイスの分野に関し、より詳細には、当該デバイスにおけるヘテロ接合の形成及び利用、並びに当該へテロ接合を生成及び改善する有機材料の使用に関する。
【背景技術】
【０００２】
光電変換デバイスを作製及び使用することは長く望まれてきた。係るデバイスは、電磁放射線の検出、電磁放射線の電気エネルギーへの変換、電気エネルギーの光エネルギー及び/又は他の望ましい利用への変換にとって有用である。
【０００３】
光電変換デバイスは電磁放射線に対して敏感である。電磁放射線の存在下では、光電変換デバイスは、電磁放射線を電気エネルギーに変換する。太陽電池は光電変換デバイスの一例である。
【０００４】
より効率的な光電変換デバイスの形態の中には結晶シリコンから構築されるものがある。しかし結晶シリコン光電変換デバイスの製造は高価である。他の光電変換デバイスは、費用を抑えるために非シリコン材料で製造されて良い。しかしこれらの光電変換デバイスは、電磁放射線の電気エネルギーへの変換が効率的ではない。特許文献1は、製造コスト削減の目的で、有機材料から光電変換デバイスを作製するために有機材料を用いる例である。特許文献1は、有機へテロ接合について開示しているが、現状の結晶シリコンデバイスにおいて観測される、電磁放射線の電気エネルギーへの変換効率を実現していない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許第7868405号明細書
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】S.  Avasthi他、DOI:  10.1109/PVSC.2009.5411419
【非特許文献２】Applied  Physics  Letters誌、第96巻、pp.222109、2010年
【非特許文献３】Japanese.  Journal  of  Applied  Physics誌、第31巻、pp.3518-3522、1993年
【非特許文献４】Physics  of  semiconductor  devices（第2版）、Wiley出版、1969年
【非特許文献５】Synthetic  Metals誌、第85巻、1997年、pp.1369-  1370
【非特許文献６】Science誌、第249巻、1990年、pp.1146
【非特許文献７】Applied  Physics  Letters誌、第91巻、2007年
【非特許文献８】D.  Iencinella他、doi:10.1016/j.solmat.2004.09.020
【非特許文献９】Journal  of  Achievements  in  Materials  and  Manufacturing  Engineering誌、第31巻、pp.77、2008年
【非特許文献１０】Surface  Science  (2011)  doi:10.1016/j.susc.2011.04.024
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
光電変換デバイスにおいて利用されるヘテロ接合が、製造コストを削減して、かつその光電変換デバイスの効率と性能を改善することを可能にするために必要とされている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
光電変換デバイス及び当該光電変換デバイスの作製方法が開示されている。一の実施例では、当該デバイスは、シリコン層、第1有機層、及び第2有機層を有する。前記シリコン層は第1面と第2面を有する。第1電極と第2電極が、前記第1有機層及び第2有機層と電気的に結合する。第1ヘテロ接合が、前記シリコン層のうちのいずれかの面と前記第1有機層との間の接合部に形成される。第2ヘテロ接合が、前記シリコン層のうちのいずれかの面と前記第2有機層との間の接合部に形成される。前記シリコン層は、p-n接合が存在しない状態で形成されて良い。少なくとも1層の有機層が、電子阻止層又は正孔阻止層として構成されて良い。少なくとも1層の有機層は、フェナンスレンキノン(PQ)を有して良い。保護層が、前記第1有機層と第2有機層のうちの少なくとも1層と前記シリコン層との間に設けられて良い。前記保護層は有機物であって良い。前記第1有機層と第2有機層のうちの少なくとも1層は、前記シリコン層の表面を保護して良い。当該デバイスは、前記第1電極と第2電極のうちの少なくとも1つと結合する少なくとも1つの透明電極層をも有して良い。
【０００９】
他の実施例では、当該光電変換デバイスは、ヘテロ接合を形成するように構成された有機層と接するシリコン層を有する。第1電極は前記シリコン層と電気的に結合する。第2電極は前記有機層と電気的に結合する。前記有機層は荷電担体阻止層として構成される。当該デバイスはまた前記シリコン内に形成されるp-n接合をも有して良い。前記有機層はドーピングされなくて良い。前記有機層は溶液処理されて良い。前記有機層は、ポリ3-ヘキシルチオフェン(P3HT)を有して良い。当該デバイスはまた、前記有機層と前記シリコン層との間に設けられた保護層をも有して良い。前記保護層は有機物から形成されて良い。前記有機層は保護層であって良い。前記有機層は、フェナンスレンキノン(PQ)を有して良い。当該デバイスは、前記第1電極と第2電極のうちの少なくとも1つと結合する少なくとも1つの透明電極層をも有して良い。
【００１０】
他の実施例では、当該光電変換デバイスは、ヘテロ接合を形成するように構成されたシリコン層と有機層を有する。第1電極は前記シリコン層と電気的に結合する。第2電極は前記有機層と電気的に結合する。前記シリコン層は、シリコン混晶、多結晶シリコン、微結晶シリコン、プロトクリスタル(protocrystalline)シリコン、高純度金属シリコン(upgraded  metallurgical  silicon)、リボンシリコン、薄膜シリコン、及びこれらの組み合わせからなる群から選ばれる材料で構成される。前記シリコン層はp-n接合が存在しない状態で形成されて良い。少なくとも1層の有機層が、電子阻止層又は正孔阻止層として構成されて良い。少なくとも1層の有機層は、フェナンスレンキノン(PQ)を有して良い。保護層が、前記第1有機層と第2有機層のうちの少なくとも1層と前記シリコン層との間に設けられて良い。前記保護層は有機物であって良い。前記第1有機層と第2有機層のうちの少なくとも1層は、前記シリコン層の表面を保護して良い。当該デバイスは、前記第1電極と第2電極のうちの少なくとも1つと結合する少なくとも1つの透明電極層をも有して良い。
【００１１】
他の実施例では、当該光電変換デバイスは、ヘテロ接合を形成するように構成された有機層と接するシリコン層を有する。第1電極は前記シリコン層と電気的に結合する。第2電極は前記有機層と電気的に結合する。前記シリコン層はp-n接合が存在しない状態で形成されて良い。前記シリコン層はテクスチャ化された表面を有するように形成される。前記有機層もまたテクスチャ化された表面を有するように形成されて良い。前記有機層のテクスチャ化された表面は、前記シリコン層のテクスチャ化された表面と適合して良い。他の実施例では、当該光電変換デバイスは、ヘテロ接合を形成するように構成された有機層と接するシリコン層を有する。他の実施例では、当該光電変換デバイスは、ヘテロ接合を形成するように構成された有機層と接するシリコン層を有する。第1電極は前記シリコン層と電気的に結合する。第2電極は前記有機層と電気的に結合する。前記有機層はテクスチャ化された表面を有するように形成される。
【００１２】
他の実施例では、当該光電変換デバイスは、ヘテロ接合を形成するように構成された有機層と接するシリコン層を有する。第1電極は前記シリコン層と電気的に結合する。第2電極は前記有機層と電気的に結合する。前記有機層は前記シリコン層上で作製される。それにより前記有機層の最高被占有軌道(HOMO)は、前記シリコン層の価電子帯上端(Ev)と一致することで、正孔の透過を容易にし、かつ、前記有機層の最低空軌道(LUMO)は、前記シリコン層の伝導帯下端(Ec)とは一致しない。前記シリコン層はp-n接合が存在しない状態で形成されて良い。他の実施例では、当該光電変換デバイスは、ヘテロ接合を形成するように構成された有機層と接するシリコン層を有する。第1電極は前記シリコン層と電気的に結合する。第2電極は前記有機層と電気的に結合する。前記有機層は前記シリコン層上で作製される。それにより前記有機層の最低空軌道(LUMO)は、前記シリコン層の伝導帯下端(Ec)とは一致することで、電子の透過を容易にし、かつ、前記有機層の最高被占有軌道(HOMO)は、前記シリコン層の価電子帯上端(Ev)と一致しない。前記シリコン層はp-n接合が存在しない状態で形成されて良い。
【００１３】
他の実施例では、当該光電変換デバイスは、ヘテロ接合を形成して、前記シリコンの表面を保護するように構成された有機層と接するシリコン層を有する。一つの電極が、前記シリコン層を貫流する電流路を画定する。前記シリコン層はp-n接合が存在しない状態で形成されて良い。前記有機層は前記流路から外れた位置に設けられる。前記有機層は、少なくとも1つの荷電担体を阻止するように構成されて良い。前記有機層は、フェナンスレンキノン(PQ)を有して良い。
【００１４】
他の実施例では、光電変換デバイスを作製する方法が開示されている。当該方法は、シリコン層上に第1有機層と第2有機層を堆積する工程を有する。前記シリコン層は第1面と第2面を有する。第1電極と第2電極は、前記第1有機層及び前記第2有機層と電気的に結合する。第1ヘテロ接合が、前記シリコン層の第1面と前記第1有機層との間の接合部に形成される。第2ヘテロ接合が、前記シリコン層の第2面と前記第2有機層との間の接合部に形成される。当該光電変換デバイスは500℃未満の温度で作製されて良い。前記シリコン層はp-n接合が存在しない状態で形成されて良い。
【００１５】
他の実施例では、光電変換デバイスを作製する方法は、シリコン層上に有機層を堆積する工程、及び、ヘテロ接合を形成する工程を有する。第1電極は前記シリコン層と電気的に結合する。第2電極は前記有機層と電気的に結合する。前記有機層は、荷電担体阻止層として構成される。当該光電変換デバイスは500℃未満の温度で作製されて良い。前記シリコン層はp-n接合が存在しない状態で形成されて良い。
【００１６】
他の実施例では、光電変換デバイスを作製する方法は、シリコン層上に有機層を堆積する工程、及び、ヘテロ接合を形成する工程を有する。第1電極は前記シリコン層と電気的に結合する。第2電極は前記有機層と電気的に結合する。前記シリコン層は、シリコン混晶、多結晶シリコン、微結晶シリコン、プロトクリスタル(protocrystalline)シリコン、高純度金属シリコン(upgraded  metallurgical  silicon)、リボンシリコン、薄膜シリコン、及びこれらの組み合わせからなる群から選ばれる材料で構成される。前記シリコン層はp-n接合が存在しない状態で形成されて良い。当該光電変換デバイスは500℃未満の温度で作製されて良い。前記シリコン層はp-n接合が存在しない状態で形成されて良い。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】明るい条件と暗い条件での光電変換デバイスの機能の概略である。
【図２】照射された状態でかつ外部の電源と接続した図1の光電変換デバイスのバンド図である。
【図３】暗い状態でかつ外部電圧が印加された図1の光電変換デバイスのバンド図である。
【図４】電子阻止層のバンドが位置合わせされた状態を表す図である。
【図５】正孔阻止層のバンドが位置合わせされた状態を表す図である。
【図６】p-n接合と電子阻止層を備える光電変換デバイスの実施例の概略図である。
【図７】暗い状態でかつ外部電圧が印加された図6の光電変換デバイスのバンド図である。
【図８】p-n接合と正孔阻止層を備える光電変換デバイスの実施例の概略図である。
【図９】暗い状態でかつ外部電圧が印加された図8の光電変換デバイスのバンド図である。
【図１０】p-n接合、正孔阻止層、及び保護層を備える光電変換デバイスの実施例の概略図である。
【図１１】p-n接合、電子阻止層、及び保護層を備える光電変換デバイスの実施例の概略図である。
【図１２】金属−有機物−シリコン接合、及び、n型シリコン上に電子阻止層を有する光電変換デバイスの実施例の概略図である。
【図１３】暗い状態でかつ外部電圧が印加された図12の光電変換デバイスのバンド図である。
【図１４】金属−有機物−シリコン接合、及び、p型シリコン上に正孔阻止層を有する光電変換デバイスの実施例の概略図である。
【図１５】暗い状態でかつ外部電圧が印加された図14の光電変換デバイスのバンド図である。
【図１６】p-n接合が存在しない状態でn型シリコン上に金属−シリコンの「ショットキー」接合の光電変換デバイスの実施例（太陽電池）の構造を表す概略図である。
【図１７】p-n接合が存在しない状態でn型シリコン上に金属−P3HT−シリコンのヘテロ接合の光電変換デバイスの実施例（太陽電池）の構造を表す概略図である。
【図１８】図16と図17の光電変換デバイスの電流−電圧特性を示すグラフである。
【図１９】金属−有機物−シリコン接合、及び、n型シリコン上に電子阻止層と正孔を阻止する背面電場を有する光電変換デバイスの実施例の概略図である。
【図２０】暗い状態でかつ外部電圧が印加された図19の光電変換デバイスのバンド図である。
【図２１】電子阻止層、正孔阻止層、及び保護されたシリコン表面を備えるシリコン−有機物ヘテロ接合の光電変換デバイスの実施例（太陽電池）の構造を表す概略図である。
【図２２】テクスチャ化されていない太陽電池と比較して、テクスチャ化された太陽電池による反射が改善されることを示す概略図である。
【図２３】テクスチャ化されていない太陽電池と比較して、テクスチャ化された太陽電池による吸収が改善されることを示す概略図である。
【図２４】背面反射体を備えるテクスチャ化されていない太陽電池と比較して、背面反射体を備えるテクスチャ化された太陽電池による吸収が改善されることを示す概略図である。
【図２５】テクスチャ化された光電変換デバイスの実施例の概略図である。
【図２６】他のテクスチャ化された光電変換デバイスの実施例の概略図である。
【図２７】他のテクスチャ化された光電変換デバイスの実施例の概略図である。
【図２８】p-n接合が存在しない状態でn型シリコン上に設けられたP3HT−シリコンヘテロ接合の光電変換デバイスの実施例（太陽電池）の上部の上部透明電極の構造の（上から見た）概略図である。
【図２９】図28の光電変換デバイスの断面図である。
【図３０】シリコン層上に堆積された従来の保護層を備える光電変換デバイスの一部の概略図である。
【図３１】有機層−たとえばPQ−により保護された光電変換デバイスの一部の概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
＜定義＞
本明細書において用いられる「ホモ接合」とは、同一材料から作られるp-n接合である。
【００１９】
本明細書において用いられる「ヘテロ接合」とは、異なる電子バンド構造を有する材料間の界面である。
【００２０】
本明細書において用いられる「担体阻止層」とは、電子阻止層、正孔阻止層、又は電子と正孔の両方を阻止する層のいずれかを指称する。
【００２１】
本明細書において用いられる「電子阻止層」とは、シリコンに対する正孔の通り抜けを可能にするが、シリコンに対する電子の通り抜けを防止する材料である。これは、材料の「最高被占有軌道」(HOMO)/価電子帯端部(Ev)とシリコンの価電子帯端部(Ev)とを一致すること、及び、材料の「最低空軌道」(LUMO)/伝導帯端部(Ec)を、シリコンの伝導帯端部(Ec)よりも実質的に大きくすることによって実現されて良い（図4参照）。
【００２２】
本明細書において用いられる「正孔阻止層」とは、シリコンに対する電子の通り抜けを可能にするが、シリコンに対する正孔の通り抜けを防止する材料である。これは、材料のLUMO/伝導帯端部(Ec)とシリコンの価電子帯端部(Ec)とを一致させること、及び、材料のHOMO/価電子帯端部(Ev)を、シリコンの価電子帯端部(Ev)よりも実質的に大きくすることによって実現されて良い（図5参照）。
【００２３】
本明細書において用いられる「表面保護」とは、半導体表面上での電気的に活性なバンド中間の欠陥の除去である。
【００２４】
本明細書において用いられる「低温」とは、約500℃よりも低い温度で、より好適には約160℃よりも低い温度である。
【００２５】
光電変換の基礎となる物理は典型的には、1)電磁放射線の吸収及び電荷の生成、並びに2)内部電場を用いた正の電荷（正孔）と負の電荷（電子）の分離の2段階過程である。無機の太陽電池は典型的には、光を吸収する結晶材料又は多結晶材料で作られる。光を生成する荷電担体を分離するため、p-n接合が、内部電場を発生させるデバイス中に作製される。光吸収及び電荷の分離により、そのデバイスには、開回路電圧(VOC)及び短絡回路電流(ISC)が与えられる。それによりそのデバイスは、光から電気を生成することが可能となる。しかしp-n接合の作製は特にシリコンにおいては高価である。P-n接合の作製は、高温で、エネルギーを消費し、かつ高価な工程である。
【００２６】
明るい状態での光電変換デバイスは、次式で表されるように、電流密度(J)が電極にわたってかかる電圧(V)に依存するダイオードとして取り扱われて良い。
J=J0exp(qV/nkT-1)-JSC
開回路条件(J=0)での太陽電池の電圧出力−開回路電圧(VOC)−は、次式を用いて評価されて良い。
VOC=(kT/q)ln(JSC/J0)
ここで、JSCは短絡回路電流密度で、VOCは開回路電圧である。これらの2つは、光電変換デバイスにおいて重要なパラメータである。一旦パラメータJSCがその理論上の最大値に到達すると、VOCをさらに増大させるのにJ0を減少させることが求められる。
【００２７】
図1は、光電変換デバイスの構造と、その明るい条件での動作（図2）及び暗い条件での動作（図3）を表している。光電変換デバイスは、陽極1A、p型シリコン層1B、n型シリコン層1C、及び陰極1Dを有する。電極1Aと電極1Dのうちの少なくとも1つは透明であって良い。電磁放射線の照射下では、一部の電流路が電力を発生させる一方で、他の電流路は「損失」電流路である。光電変換デバイス内部での損失の原因を決定し、かつ損失を減少させることが望ましい。図2は、照射された状態でかつ外部の電源1Iと接続した図1の光電変換デバイスのバンド図である。図3は、暗い状態で、かつ外部電圧1Nと接続した図1の光電変換デバイスのバンド図である。以下の参照符号が用いられる。
【００２８】
1E：陽極のフェルミ準位
1F：シリコンの伝導帯下端(Ec)
1G：シリコンの価電子帯上端(Ev)
1H：陰極のフェルミ準位
1I：外部電源
1J：電子再結合電流（損失機構）
1K：光により誘起される電子流
1L：光により誘起される正孔流
1M：正孔再結合電流（損失機構）
1N：暗い状態でデバイスに印加される外部電圧
「損失」経路（1Jと1M）は厳密に、電磁放射線の存在しない状態−たとえば暗い状態において外部電圧が印加されたとき（たとえば図3参照）−に活性な経路と判断された。この「暗電流」は、電磁放射線の存在しない状態で光電変換デバイスのJ0を測定することによって検査しうると考えられた。よってJ0は、太陽電池の再結合による損失機構の多くの実効的な指標であることがわかった。J0を検査することによって、光電変換デバイスにおける再結合による損失が測定された。J0を減少させることによって、光電変換デバイスが電磁放射線に曝露されるときに開回路電圧が増大し、かつ、光電変換デバイスの全体の効率が改善される。
【００２９】
図4は、シリコン層と電子阻止層との間でのバンドの位置合わせを表す図である。図5は、シリコン層と正孔阻止層との間でのバンド位置合わせを表す図である。以下の参照符号が用いられる。
【００３０】
2A：シリコンの伝導帯下端(Ec)
2B：シリコンの価電子帯上端(Ev)
2C：電子阻止層のLUMO又は伝導帯下端
2D：電子阻止層のHOMO又は価電子帯上端
2E：電子の輸送が妨害される
2F：正孔の輸送が可能となる
2G：正孔阻止層のLUMO又は伝導帯下端
2H：正孔阻止層のHOMO又は価電子帯上端
2I：電子の輸送が可能される
2J：正孔の輸送が妨害される
シリコンp-n接合光電変換デバイスにおいてJ0を減少させる一の方法は、シリコンp-n接合のp側と陽極3Aとの間に電子阻止層3Bを導入することである。
【００３１】
図6は、p-n接合と電子阻止層を備える光電変換デバイスの実施例の概略図である。光電変換デバイスは、陽極3A、電子阻止層3B、p型Si層3C、n型Si層3D、及び陰極3Eを有する。電極3A及び電極3Eのうちの少なくとも1つは透明であって良い。
【００３２】
図7は、暗い状態でかつ外部電圧が印加された図6の光電変換デバイスのバンド図である。以下の参照符号が用いられる。
【００３３】
3F：陽極のフェルミ準位
3G：電子阻止層のLUMO又は伝導帯下端
3H：電子阻止層のHOMO又は価電子帯上端
3I：シリコンの価電子帯端部
3K：陰極のフェルミ準位
3L：電子の再結合電流が減少する（損失機構）
3M：正孔の再結合電流（損失機構）
電子阻止層3Bは、p-nダイオードのp側コンタクトでの電子の再結合に起因する損失を抑制することがわかった。一のそのような電子阻止層は、たとえばN,N’−ジフェニル−N,N’−ビス（3−メチル−フェニル）−1,1−ビフェニル−4,4’ジアミン(TPD)のような有機材料であって良い（非特許文献1参照）。
【００３４】
シリコンp-n接合光電変換デバイスにおいてJ0を減少させる他の方法は、シリコンp-n接合のn側に正孔阻止層を導入することである。図8は、p-n接合と正孔阻止層を備える光電変換デバイスの実施例の概略図である。光電変換デバイスは、陽極4A、p型シリコン層4B、n型シリコン層4C、正孔阻止層4D、及び陰極4Eを有する。電極4A及び電極4Eのうちの少なくとも1つは透明であって良い。
【００３５】
図9は、暗い状態でかつ外部電圧が印加された図8の光電変換デバイスのバンド図である。以下の参照符号が用いられる。
【００３６】
4F：陽極のフェルミ準位
4G：正孔阻止層のLUMO又は伝導帯下端
4H：正孔阻止層のHOMO又は価電子帯上端
4I：シリコンの伝導帯端部
4J：シリコンの価電子帯端部
4K：陰極のフェルミ準位
4L：電子再結合電流（損失機構）
4M：正孔再結合電流（損失機構）
正孔阻止層4Dは、p-n接合のn側コンタクトでの正孔の再結合に起因する損失を抑制する（図9参照）。一部の実施例では、正孔阻止層は有機材料であって良い。
【００３７】
シリコン表面でのシリコン原子の価電子が満たされていないため、電気的に活性なギャップ中間での欠陥状態が生じる。シリコン表面でのこれらの「表面状態」は、J0を増大させる再結合損失を引き起こす。従ってJ0は、表面状態の除去−たとえばシリコン表面の保護−によってさらに減少すると判断した。表面状態は、シリコン表面上での満たされていない価電子を満たすことによって除去されると判断した。シリコン表面上の満たされていないシリコン価電子と化学的に相互作用する材料は、表面状態を除去して、その表面を保護すると判断した。この層は、電流経路内であってシリコン表面と担体阻止層との間に設けられる。従ってこの層は、その層を通り抜ける担体の輸送を妨害してはならない。有機材料を用いた一の具体例は非特許文献2に開示されている。π共役の有機材料であるフェナンスレンキノン（以降”PQ”と略記する）が、シリコン表面を保護し、かつ光電変換デバイスにおける効率を改善するものとして示された。
【００３８】
図10は、p-n接合、正孔阻止層、及び保護層を備える光電変換デバイスの実施例の概略図である。当該光電変換デバイスは、陽極5A、p型シリコン層5B、n型シリコン層5C、保護層5D、正孔阻止層5E、及び陰極5Fを有する。電極5Aと電極5Eのうちの少なくとも1つは透明であって良い。図11は、p-n接合、電子阻止層、及び保護層を備える光電変換デバイスの実施例である。当該光電変換デバイスは、陽極5G、電子阻止層5H、保護層5I、p型シリコン層5B、n型シリコン層5C、及び陰極5Jを有する。電極5Gと電極5Jのうちの少なくとも1つは透明であって良い。
【００３９】
保護層5Iと5Dは、p側上の電子阻止層5H（図11）又はn側上の正孔阻止層5E（図10）と併用されることで、シリコンp-n接合の光電変換デバイスのJ0をさらに減少させうる。担体（電子と正孔の両方）阻止層はまた、シリコン上の欠陥状態を除去する保護層であっても良い。たとえば一の層が両方の機能を実現して良い。
【００４０】
J0は、上述の手法を併用することによってさらに減少しうる。たとえば、シリコンp-n接合の光電変換デバイスは、p型シリコンとその電極との間に電子阻止層を加えることによって、n型シリコンとその電極との間に正孔阻止層を加えることによって、かつ、（別個の保護層が必要な場合には）両側に保護層を加えることによってJ0の顕著な減少は実現されうる。
【００４１】
アモルファスシリコン（及びアモルファスシリコン混晶）を用いることによってシリコン上に担体阻止層と保護層を形成することが可能である。さらにこの方法は、シリコン光電変換デバイスの作製に適用されて良い。典型的には、結晶シリコン基板はn型で、そのn型結晶シリコン基板上には真性アモルファスシリコンが成長する。これに続いて、p型アモルファスシリコン層が成長する。この接合は、真性薄膜とのヘテロ接合又は”HIT”接合（非特許文献3参照）と呼ばれる。結晶シリコンの他の面では、他の真性アモルファスシリコン層が堆積される。真性層上では、n型アモルファスシリコン層が成長する。これによりp-n接合が作製される。この保護されたコンタクトを作製する方法は裏面と呼ばれる。当該方法は、小数担体の再結合を減少させて、効率を増大させるのを容易にする。アモルファスシリコンの最終層上に電極を堆積することで、HIT接合が完成する。金属又は透明導電性ポリマーは電極に適している。HIT接合が有効である一方、アモルファスシリコンを必要とされるように用いることで、HIT接合の作製が複雑になり、かつ、そのような複雑性によって顕著なコストが加わる。HIT接合の作製には、プラズマ化学気相成長の利用が求められる。この方法は、真空条件下で実行されなければならず、プラズマシステムを利用し、かつ、危険な気体を含む。コストがかからずにより安全な方法によってシリコンを保護することが望ましい。
【００４２】
従来のシリコンp-n接合の光電変換デバイスでは、光により生成される担体を分離して、その担体の集合を容易にする電場が、p-n接合によって生成される。p-n接合は、高温及びコストのかかる拡散プロセスによって作製される。このコストのかかる工程は、電場を生成するため、p-n接合の代わりに金属−シリコン「ショットキー」接合を用いることによって省略される（非特許文献4参照）。しかしその結果得られたJ0は多数担体電流に起因して非常に大きくなり、そのためVOCが低くて低効率のデバイスとなる。
【００４３】
大きなJ0もまた、多数担体を阻止する担体阻止層−つまりn型シリコン基板にとっては電子阻止層6B（図12）で、p型シリコン基板7Cにとっては正孔阻止層（図14）−を加えて「ショットキー」接合を改善することによって減少しうると判断した。担体阻止層は有機材料であって良い。その結果作製される金属/有機物/シリコンヘテロ接合は有効に、従来の光電変換デバイスにおけるp-n接合に取って代わり、かつ、光により生成される担体を分離して、その担体の集合を容易にする電場を生成しうる。
【００４４】
図12は、p-n接合を有する代わりに金属−有機物−シリコン接合とn型シリコン上の電子阻止層を用いて、光により生成される担体を分離する光電変換デバイスの実施例の概略図である。当該光電変換デバイスは、陽極6A、電子阻止層6B、n型シリコン層6C、及び陰極6Dを有する。電極6Aと電極6Dのうちの少なくとも1つは透明であって良い。図13は、暗い状態でかつ外部電圧が印加された図12の光電変換デバイスのバンド図である。以下の参照符号が用いられる。
【００４５】
6E：陽極のフェルミ準位
6F：電子阻止層のLUMO又は伝導帯下端
6G：電子阻止層のHOMO又は価電子帯上端
6H：シリコンの伝導帯端部
6I：シリコンの価電子帯端部
6J：陰極のフェルミ準位
6K：電子再結合電流が減少する（損失機構）
6L：正孔再結合電流（損失機構）
図14は、p-n接合を有する代わりに金属−有機物−シリコン接合とp型シリコン上の正孔阻止層を用いて、光により生成される担体を分離する光電変換デバイスの実施例の概略図である。当該光電変換デバイスは、陽極7A、p型シリコン層7B、正孔阻止層7C、及び陰極7Dを有する。電極7Aと電極7Dのうちの少なくとも1つは透明であって良い。図15は、暗い状態でかつ外部電圧が印加された図14の光電変換デバイスのバンド図である。以下の参照符号が用いられる。
【００４６】
7A：陽極のフェルミ準位
7F：正孔阻止層のLUMO又は伝導帯下端
7G：正孔阻止層のHOMO又は価電子帯上端
7H：シリコンの伝導帯端部
7I：シリコンの価電子帯端部
7J：陰極のフェルミ準位
7K：電子再結合電流（損失機構）
7L：正孔再結合電流が減少する（損失機構）
上述したヘテロ接合構造において有機正孔阻止層を用いることによって、当該光電変換デバイスは、従来のp-n接合に基づく光電変換デバイスよりもかなり安価に製造することができる。より低いコストが可能になる理由は、p-n接合の形成において必要とされる高温及び高価な拡散プロセスが、室温及び（たとえばスピンコーティング、スプレイコーティング又は張り合わせによる）シリコン上への低コストの堆積に置き換わるからである。利用可能な有機材料は幅広いため、少なくとも1層の有機物層を備えるそのようなヘテロ接合の光電変換デバイスを含む光電変換デバイスは、具体的に用途に最適化可能であり、かつシリコンホモ接合で可能なものよりも効率が大きくなりうる。
【００４７】
シリコン−有機物ヘテロ接合光電変換デバイスの一実施例は、n型シリコン基板上の電子阻止層としてポリ3-ヘキシルチオフェン（以降では”P3HT”と略記する）の有機物層を有する。しかしP3HTに代わりうる有機分子は幅広いことに留意して欲しい。P3HT−シリコン界面は、効率的な光電変換動作のための2つの重要な位置合わせ基準を満足する。その2つの重要な位置合わせ基準とは、a)シリコン内で光により生成された電子が金属で再結合するのを阻止する伝導帯での大きなバリア、及び、b)電子とは異なり、光により生成された正孔が、容易に界面を流れて陽極で収集されるような小さな価電子バリア、である。
【００４８】
図16は、p-n接合が存在しない状態でn型シリコン上に金属−シリコンの「ショットキー」接合の光電変換デバイスの構造を表す概略図である。図17は、p-n接合が存在しない状態でn型シリコン上に金属−P3HT−シリコンのヘテロ接合の太陽電池の構造を表す概略図である。以下の参照符号が用いられる。
【００４９】
8A：n型シリコン
8B：金属グリッド（陽極）
8C：陰極
8D：透明導体（陽極の一部）
8E：P3HT層（電子阻止有機物）
図18は、図16と図17の光電変換デバイスの電流−電圧特性を示すグラフである。以下の参照符号が用いられる。
【００５０】
8F：縦軸は、[mA/cm2]で表される電流密度である
8G：横軸は、[V]で表される供給電圧である
8H：図16の構造の電流−電圧特性
8I：図17の構造の電流−電圧特性
金属−シリコンショットキー接合と比較してJ0が減少することで、P3HT−シリコンヘテロ接合（図17）は、光電変換を改善し、かつ、開回路電圧を、ショットキー接合の0.30[V]から、金属−有機物−シリコンヘテロ接合光電変換デバイスの0.59にまで増大させる。
【００５１】
光電変換用にシリコン−有機物ヘテロ接合を形成するこれまでの取り組みでは、高濃度ドーピングがされた「金属のような」有機材料が用いられてきた。この有機材料は透明導体として機能する。たとえば非特許文献5、6、及び7に記載された実験は、ドーピングされて金属に近い有機層を利用している。他方上述したシリコンと有機物のヘテロ接合は半導体有機層を用いている。
【００５２】
またシリコン−有機物ヘテロ接合を作製するこれまでの取り組みの多くは、単結晶シリコンに依拠してきた（非特許文献7参照）。非特許文献7には、ヘテロ接合は他の種類のシリコンを用いたこれらの方法によって作成されて良いことが記載されている。たとえば様々なシリコン混晶（SiGe、SiC、SiGeC等）、多結晶シリコン、微結晶シリコン、プロトクリスタル(protocrystalline)シリコン、高純度金属シリコン、リボンシリコン、薄膜シリコン、及びこれらの組み合わせを用いてヘテロ接合光電変換デバイスを作製することが予測される。またこれらの種類のシリコンからなるヘテロ接合は、太陽電池、ダイオード、及びトランジスタを含む光電変換デバイスにおいて用いられ得ることも予測される。
【００５３】
金属−シリコン「ショットキー」デバイスにおいては、小数担体電流は、多数担体の再結合電流よりもはるかに小さい。たとえばn型シリコン上のショットキーデバイスにおいては、電子電流は正孔電流よりもはるかに大きい。しかし多数担体電流、電子電流、及び正孔電流はそれぞれ、小数担体の再結合電流、正孔電流、及び電子電流が大きくなるレベルにまで減少する。シリコンドーピングが増大し、かつシリコンでの少数担体の再結合寿命が増大することで、小数担体の再結合電流は小さくなる。小数担体の長い再結合寿命を実現する一の方法は、良好な品質のシリコン基板−たとえばフロートゾーンシリコン−を用いることである。
【００５４】
金属−有機物−シリコンヘテロ接合光電変換デバイスでの小数担体の再結合電流は、当該デバイスの他端に別の担体阻止層（n型シリコン基板については正孔阻止層で、p型シリコン基板については電子阻止層）を加えることによってさらに減少しうることが予測される。このような別の担体阻止層は、小数担体（n型シリコンにおける正孔及びp型シリコンにおける電子）の再結合に起因する損失を減少させ、かつ、当該光電変換デバイスのVOCと全体的な効率を改善する。第2阻止層は、従来のシリコンp-n接合の光電変換デバイスにおいて用いられてきた背面電場に替わるものと考えることができる。この阻止層は有機材料で作られて良い。
【００５５】
図19は、金属−有機物−シリコン接合、及び、n型シリコン上に電子阻止層と正孔を阻止する背面電場を有する光電変換デバイスの実施例の概略図である。当該光電変換デバイスは、陽極9A、電子阻止層9B、n型シリコン層9C、正孔阻止層9D、及び陰極9Eを有する。電極9Aと電極9Eのうちの少なくとも1つは透明であって良い。図20は、暗い状態でかつ外部電圧が印加された図19の光電変換デバイスのバンド図である。以下の参照符号が用いられる。
【００５６】
9F：陽極のフェルミ準位
9G：電子阻止層のLUMO又は伝導帯下端
9H：電子阻止層のHOMO又は価電子帯上端
9I：シリコンの伝導帯端部
9J：シリコンの価電子帯端部
9L：正孔阻止層のLUMO又は伝導帯下端
9M：正孔阻止層のHOMO又は価電子帯上端
9M：陰極のフェルミ準位
9N：電子再結合電流が減少する（損失機構）
9O：正孔再結合電流が減少する（損失機構）
小数担体電流は、適切な化学結合構造を有する材料によってシリコン表面を保護することによってさらに減少させることができる。これは、有機物を含むがそれに限定されない材料の組によって実現されうる。この保護層は、電流経路内であってシリコン表面と担体阻止層との間に設けられる。従ってその保護層は、その保護層を通り抜ける担体の輸送を妨害してはならない。たとえばPQは、シリコン表面を保護し、かつ光電変換デバイスにおける効率を改善することが示された（非特許文献1参照）。この保護層は、J0をさらに減少させ、かつ当該光電変換デバイスの性能をさらに改善するシリコン−有機物ヘテロ接合の一部として加えられて良い。
【００５７】
図21は、電子阻止層、正孔阻止層、及び保護されたシリコン表面を備えるシリコン−有機物ヘテロ接合の光電変換デバイスの実施例（太陽電池）の構造を表す概略図である。当該光電変換デバイスは、陽極10A、任意の第1中間層10B、電子阻止有機層10C、正孔の伝導を可能にする任意の保護層10D、シリコン層10E、電子の伝導を可能にする任意の保護層10F、正孔阻止有機層10G、任意の第2中間層10H、及び陰極10Iを有する。電極10Aと電極10Iのうちの少なくとも1つは透明であって良い。
【００５８】
シリコン表面上の欠陥状態を除去する保護層は担体（電子又は正孔）阻止層であっても良い−つまり一の層が両方の機能を実現しうる−ことに留意して欲しい。
【００５９】
有機材料によるシリコンの保護は、超清浄オーブン又は他の高価な装置を用いることなく低温で実行されて良い。従って、シリコン表面を保護するのに有機物を用いることで、性能の効率が増大するだけではなく、製造コスト及び製造設備投資が抑えられる。
【００６０】
上述のヘテロ接合光電変換デバイスは、表面テクスチャ化を用いることによってその光電変換デバイスの効率を改善することを可能にすることが予測される。光電変換デバイスにおける表面テクスチャ化とは、複数のミクロンサイズの無作為構造によってシリコン表面を粗くすることを指称する。前記表面テクスチャ化の結果、概ね短絡電流と全体的な効率が向上する。この向上は3つの機構から生じる。
【００６１】
i)テクスチャ化された表面には、反射された入射光線が他の面に衝突してその太陽電池へ入射しやすくなるように角度が与えられる。それによりシリコン表面からの全体的な反射は減少する（たとえば図22参照）。参照番号11Aは、如何にしてテクスチャ化されていない表面が光を反射するのかを示している。参照番号11Bは、如何にしてテクスチャ化された表面が光の反射を減少させるのかを示している。
【００６２】
ii)その太陽電池へ入射する屈折光線は、その太陽電池の法線に対してある角度をなして伝播する。それにより、その入射する屈折光線は、飛び出す機会を得る前に、吸収材料中でより長い距離を進行することが可能となる。この結果、吸収確率が増大する（図23参照）。参照番号11Cは、テクスチャ化されていないシリコンでは、ほとんどの光が法線入射することを示している。参照番号11Cは、テクスチャ化されたシリコン表面では、光が法線に対してある角度をなして入射することを示している。
【００６３】
波長の長い光はシリコンによって効率的に吸収されない。一の解決法は厚いシリコンウエハを用いることだが、その解決法は高価である。代替法は、背面上に反射材料−たとえば背面での非吸収光を前面へ向かうように反射させる背面反射体（通常は背面金属）−を有することである。テクスチャ化された前面は、この光が内部反射される確率を増大させることで、吸収確率を改善する（図24参照）。参照番号11Eは、如何にしてテクスチャ化されていないシリコンでは、背面反射体から反射された光が失われるのかを示している。参照番号11Fは、如何にしてテクスチャ化されたシリコンでは、背面反射体から反射された光が散乱されて戻されるのかを示している。
【００６４】
結晶シリコン太陽電池では、表面のテクスチャ化は、アルカリ溶液−たとえばKOH、及びNaOH、TMAH（非特許文献8参照）−中でのシリコンの異方性エッチングを用いて実行される。多結晶では、表面のテクスチャ化は、マスクされた反応性イオンエッチングと酸による湿式エッチングの組み合わせにより実行される（非特許文献9参照）。他の種類の太陽電池も、表面のテクスチャ化のために同様の手法を用いる。実質的に任意の種類の既知のシリコンエッチング法が、上述のデバイスのテクスチャ化に適用されて良い。図25は、従来の化学的/機械的にテクスチャ化されたシリコン12Aを備える光電変換デバイスの概略図である。
【００６５】
与えられる一の方法は、シリコンの代わりに有機物をテクスチャ化することによってコストを回避することである。有機物は柔らかい材料である。よって有機物は、鋳型で押印し、堆積条件を調節することによって凹みうる。その結果、その有機物が粗い表面を形成する結果として自動的にテクスチャ化された表面を形成する。図26は、シリコン層12C上に堆積された有機層12Bを備える光電変換デバイスの概略図である。有機層12Bはテクスチャ化された表面を備えるように形成される。この例では、シリコン層12Cはテクスチャ化された表面を有していない。シリコン層と有機層の両方のテクスチャ化を組み合わせたものが用いられても良い。この場合、シリコンのテクスチャ化は従来手法を用いて実行され、かつ、有機物のテクスチャ化は、鋳型による凹みを利用すること、及び/又は、その有機物が粗い表面を形成する結果として自動的にテクスチャ化された表面を形成するように堆積条件を調節することによって実行される。図27は、シリコン層12E上に堆積された有機層12Dを備える光電変換デバイスの概略図である。有機層12Dは、上述のテクスチャ化された表面を有するように形成される。シリコン層12Eもまた、（たとえば従来の化学的/機械的に）テクスチャ化された表面を有するように形成される。あるいはその代わりにテクスチャ化されたシリコン表面上部に堆積された有機物自体は滑らかな表面を有して良い。
【００６６】
本願において示したヘテロ接合デバイスにおける電磁放射線の吸収はシリコン内で起こる。放射線が、実質的な損失無しでシリコンに到達することを可能にするためには、複数の電極のうちの一は少なくとも一部が透明−つまり光を通過させることが可能−である必要がある。たとえば本願で説明したデバイスでは、陽極が半透明で、かつ、2層で構成される。第1層は導電性ポリマーPEDOT:PSS（ポリ（3,4-エチレンジオキシチオフェン）ポリ（スチレンスルホネート））で構成され、かつ、第2層は不透明な電極で作られるグリッドである（図28,29参照）。前記不透明な電極は金属であって良い。不連続な金属グリッドが放射線の一部（1%乃至40%）を遮蔽してしまうものの、その不連続な金属グリッドは、電流経路の電気抵抗を減少させることによって当該光電変換デバイスの電気手エネルギー出力を改善する。陽極の積層体から最適な性能を得るため、PEDOT:PSS層と金属グリッドの両方の特性が最適化されて良い。
【００６７】
裸のシリコン層はシリコン価電子を満たしていないため、再結合中心として働くギャップ中間に欠陥状態を生じさせる。そのため、光電変換デバイスの性能が劣化する。従来の光電変換デバイスでは、熱酸化膜又はシリコン窒化物層は、再結合中心を減少させる−たとえば表面を保護する−のに用いられる。しかしこの方法は、高温と特化した超清浄装置を必要とする。有機材料が裸のシリコン基板上に堆積されることで、顕著にコストを削減しながらシリコンを保護することが可能となる。
【００６８】
PQは、シリコンを保護するのに有効な有機分子である（非特許文献2及び非特許文献10参照）。しかし有機分子は様々な潜在的保護層を供することが分かる。PQが選ばれた理由は、PQは、π電子共役系で、かつ大きなバンドギャップを有して半導体のように振る舞うと考えられたからである。同様な特性を有する任意の有機物が、シリコンを保護するのに用いられて良い。図30は、従来の保護層を備える光電変換デバイスの一部の概略図である。当該光電変換デバイスは、シリコン層14B上に堆積される従来の保護層−たとえばシリコン窒化物、シリコン酸化物等−14Aを有する。図31は、有機層−たとえばPQ−により保護された光電変換デバイスの一部の概略図である。当該光電変換デバイスは、シリコン層14B上に形成された有機保護層14Cを有する。保護層は、少なくとも1つの担体を阻止するように構成される。
【００６９】
PQを用いた保護法は、高真空での熱蒸着を利用して裸のシリコン上に有機層を堆積することを必要とする。堆積前に、シリコン表面が、確立された溶媒とRCA洗浄を用いることによって完全に洗浄される（たとえばウエハは、蒸留水に漬けた状態で準備され、続いて75℃又は80℃で水酸化アンモニウム、過酸化水素、及び水の1:1:5溶液によって15分間洗浄し、その後25℃でHFと水の1:100溶液に短く1分間浸漬され、続いて75℃又は80℃で塩酸、過酸化水素、及び水の1:1:5溶液によって15分間洗浄される）。これに続いて、これまでの洗浄工程中に生成された酸化膜を剥離するため、短く（たとえば1分間）蒸留水に浸漬される。続いてシリコンは、基準圧が5×10-7Torr未満の蒸着システムに搬入される。一旦は基準圧で、その後有機層は、非常に低い堆積速度（0.2〜0.3Å/s）で熱的に堆積される。そのシステムは、12時間真空下でチャンバ内に放置されることで、有機層とシリコン表面とが反応して、そのシリコン表面が保護される。
【００７０】
＜例＞p-nが存在せず、電子阻止層としてP3HTを備えるn型シリコン上での金属−有機物−シリコンの作製
図17は、金属−P3HT−シリコンヘテロ接合の光電変換デバイスの実施例の構造を表す概略図である。当該光電変換デバイスは、陽極8B（金属グリッド）、透明導体（陽極の一部）8D、有機電子阻止層(P3HT)8E、n型シリコン層8A、及び陰極8Cを有する。図18の曲線8Iは、図17の光電変換デバイスの電流−電圧特性を表している。
【００７１】
作製方法はシリコン基板から開始される。基板は、標準的なシリコン洗浄技術を用いて慎重に洗浄される。任意の既知の洗浄方法が用いられて良い。たとえばアセトン/メタノール/プロパノール-2でのリンスと、それに続くRCA洗浄が用いられても良い（たとえばウエハは、蒸留水に漬けた状態で準備され、続いて75℃又は80℃で水酸化アンモニウム、過酸化水素、及び水の1:1:5溶液によって15分間洗浄し、その後25℃でHFと水の1:100溶液に短く1分間浸漬され、続いて75℃又は80℃で塩酸、過酸化水素、及び水の1:1:5溶液によって15分間洗浄される）。これに続いて、表面上の化学酸化物コーティングを除去するため、希釈HF（約1:100）にシリコンが浸漬される。シリコンが洗浄及び準備された直後、適切な溶媒中のヘテロ接合に用いられる有機材料の溶液は、シリコン表面のうちの一面上でスピンコーティングされる。たとえばシクロベンゼン中で溶解するP3HTが、結晶シリコンウエハの洗浄及び準備された表面の上面にスピンコーティングされて良い。一旦有機層が空気中で乾燥されると、上部電極と下部電極が堆積される。任意の適切な電極が用いられて良い。例に限定されず、適切な金属電極には、Pd、Al、及び同様の金属が含まれる。光が陽極を透過することを可能にするため、透明導体である有機物が堆積される。そのような透明電極は、ポリ（3,4-エチレンジオキシチオフェン）ポリ（スチレンスルホネート）（以降PEDOT:PSSと略記）を含むが、これに限定されない。構造に依存して、効率を改善するために一部の熱処理が適用されて良い。例に限定されず、典型的な処理には、約30℃〜約150℃で約0分〜約10分試料を加熱する処理が含まれる。熱処理は典型的には、真空下少ない酸素/湿気の少ない環境で行われる。係るデバイスは、100mW/cm2の光励起で0.59[V]という大きな開回路電圧を実現する。短絡回路電流は29[mA/cm2]で、かつ充填因子は0.59である。これは10.1%のエネルギー効率であることを意味する。
【図１．１】
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【図１．２】
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【図１．３】
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【図２．１】
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【図２．２】
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【図３．１】
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【図３．２】
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【図４．１】
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【図４．２】
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【図５．１】
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【図５．２】
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【図６．１】
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【図６．２】
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【図７．１】
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【図７．２】
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【図８．１】
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【図８．２】
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【図８．３】
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【図９．１】
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【図９．２】
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【図１０】
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【図１１．１】
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【図１１．２】
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【図１１．３】
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【図１２．１】
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【図１２．２】
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【図１２．３】
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【図１３．１】
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【図１３．２】
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【図１４．１】
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【図１４．２】
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