(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の一般式（１）で表される重合単位を含むセルロース誘導体の少なくとも１種からなるポリマー材料を含有し、面内レタデーションＲｅ（５５０）が１３０ｎｍ以上１６０ｎｍ以下であり、逆波長分散特性Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）が０．８０以上０．８６以下であり、フィルム厚みが２０μｍ以上５０μｍ以下である、位相差フィルムであって、
前記セルロース誘導体における、脂肪族基又は不飽和脂肪族基を含むアルコキシル基の置換度（Ｄ１)の合計が、２．００以上２．７０以下であり、
前記セルロース誘導体における、２−ナフトイル基の置換度（Ｄ２）が、０．３０以上１．００以下であり、
前記ポリマー材料における、２−ナフトイル基の総置換度（Ｄ３）が０．４１以上０．５０以下であり、
前記置換度（Ｄ１)と前記置換度（Ｄ２）とが、Ｄ１＋Ｄ２≦３．０を満たすことを特徴とする位相差フィルム；
【化１】
0006010233.tif 000010
（一般式（１）中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立に、脂肪族基、不飽和脂肪族基又は２−ナフトイル基を含む）。
【請求項２】
前記セルロース誘導体では、一般式（１）のアルコキシル基が脂肪族アルキル基を有することを特徴とする請求項１に記載の位相差フィルム。
【請求項３】
前記セルロース誘導体では、一般式（１）のアルコキシル基がエチル基を有することを特徴とする請求項２に記載の位相差フィルム。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の位相差フィルムを少なくとも一枚含むことを特徴とする円偏光板。
【請求項５】
請求項４に記載の円偏光板を含むことを特徴とする画像表示装置。
【請求項６】
請求項１に記載の位相差フィルムの製造方法であって、
前記ポリマー材料を含有する製膜フィルムを、延伸倍率２０％以上２００％以下で延伸する工程を有することを特徴とする製造方法。
【請求項７】
前記延伸する工程では、前記製膜フィルムのガラス転位温度Ｔｇに対して、（Ｔｇ−１０）℃以上（Ｔｇ＋３０）℃以下の範囲の温度にて延伸することを特徴とする請求項６に記載の製造方法。
【請求項８】
下記の一般式（１）で表される重合単位を含むセルロース誘導体の少なくとも１種からなるポリマー材料を含有し、面内レタデーションＲｅ（５５０）が１３０ｎｍ以上１６０ｎｍ以下であり、逆波長分散特性Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）が０．８０以上０．８９以下であり、フィルム厚みが２０μｍ以上５０μｍ以下であり、ヘイズが２．００％以下である、位相差フィルムであって、
前記セルロース誘導体における、エチル基の置換度（Ｄ１)の合計が、２．００以上２．７０以下であり、
前記セルロース誘導体における、２−ナフトイル基の置換度（Ｄ２）が、０．３０以上１．００以下であり、
前記ポリマー材料における、２−ナフトイル基の総置換度（Ｄ３）が０．４０以上０．５０以下であり、
前記置換度（Ｄ１)と前記置換度（Ｄ２）とが、Ｄ１＋Ｄ２≦３．０を満たすことを特徴とする位相差フィルム；
【化２】
0006010233.tif 000011
（一般式（１）中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立に、エチル基又は２−ナフトイル基を含む）。
【請求項９】
請求項８に記載の位相差フィルムを少なくとも一枚含むことを特徴とする円偏光板。
【請求項１０】
請求項９に記載の円偏光板を含むことを特徴とする画像表示装置。
【請求項１１】
請求項８に記載の位相差フィルムの製造方法であって、
前記ポリマー材料を含有する製膜フィルムを、１５０℃以上１６０℃以下の範囲の温度にて延伸する工程を有することを特徴とする製造方法。
【請求項１２】
前記延伸する工程では、前記ポリマー材料を含有する製膜フィルムを、延伸倍率２０％以上６０％以下で延伸することを特徴とする請求項１１に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置及び有機ＥＬなどの画像表示装置に用いることの出来る位相差フィルムに関するものである。より詳細には、長波長側ほど面内レタデーションが大きい位相差フィルムに関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置及び有機ＥＬなどの画像表示装置の表示性能を向上させるために、種々の位相差フィルムが使用されている。中でも、長波長側ほど面内レタデーションが大きい位相差フィルム（以下「逆波長分散フィルム」と記す。）に関しては、反射型液晶表示装置、タッチパネルや有機ＥＬの反射防止層としての利用が可能である。【０００３】
反射防止層として逆波長分散フィルムを用いる場合、位相差は測定波長λの１／４程度であり、かつ、４５０ｎｍにおける面内レタデーションと５５０ｎｍにおける面内レタデーションとの比Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）は０．８１に近いことが好ましい。また、表示装置の薄型化を鑑みた場合、使用される逆波長分散フィルムは、２０〜５０μｍ程度の薄い膜厚であることが求められる。前記のような特性要求に対し、種々の位相差フィルムが開発されている。【０００４】
特許文献１には、セルロースアシレートとエチルセルロースとからなる逆波長分散フィルムが開示されている。ここに開示された位相差フィルムは、いずれもλ／４程度の面内レタデーションを有しており、反射防止層としての使用目的に合うものである。しかしながら、当該文献における逆波長分散フィルムは、逆波長分散特性を優れたものにしようとすればフィルム厚みが厚くなり、逆にフィルム厚みを薄くすれば逆波長分散特性Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）が１に近づくという、トレードオフの関係を有する。従って、フィルム厚み及び逆波長分散特性をともに満足させるためには、更なる改善を要する。【０００５】
特許文献２には、セルロースアシレートとエチルセルロースとからなる逆波長分散フィルムが開示されている。ここに開示された位相差フィルムは、反射防止層としての使用目的には、面内レタデーションの調整が必要であった。面内レタデーションはフィルム厚みに比例するため、フィルムの厚みを厚くすることにより、λ／４程度の面内レタデーションを達成することは可能である。しかし、厚みを調整することによって面内レタデーションを上昇させた場合、フィルムが厚くなってしまうため、更なる改善を要する。【０００６】
特許文献３には、セルロースアシレートとエチルセルロースとからなる逆波長分散フィルムが開示されている。ここに開示された位相差フィルムは、特許文献１及び２に記載の位相差フィルムに対し位相差発現性が高いため、フィルム厚みが薄い状態で同等の面内レタデーションを発現可能であるが、未だ６０〜７０μｍ程度の膜厚が必要であるため、更なる改善を要する。【０００７】
特許文献４には、最大吸収波長とモル吸光係数とが異なる、種々の芳香族及び脂肪族アシレートを置換基として有するセルロース誘導体が開示されている。ここに開示された位相差フィルムは、目的の逆波長分散特性の発現は可能であるものの、位相差発現性が非常に低く、目的の面内レタデーションの発現には８０μｍ程度まで膜厚を厚くする必要があるため、更なる改善を要する。【０００８】
特許文献５には、フィルムの厚み方向レタデーション（Ｒｔｈ）が大きいセルロース誘導体フィルムが開示されている。当該フィルムの材料にはセルロースエーテルの芳香族エステル化体が使用されているが、熱延伸等の加工技術は適用されておらず、本発明の重要特性である面内レタデーション及び逆波長分散特性に対する記述はなされていない。ここに開示されたフィルムは、溶液キャストにより作製した未延伸フィルムを直接使用するＶＡ型液晶用補償シートであり、本発明とは要求特性が異なるために、フィルム厚みも本発明の２倍程度の厚みを要する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００７−１２１３５１号公報（２００７年５月１７日公開）
【特許文献２】特開２００６−２８２８８５号公報（２００６年１０月１９日公開）
【特許文献３】特開２０１１−１１２８４２号公報（２０１１年６月９日公開）
【特許文献４】特許第４８９２３１３号（２００８年４月２４日公開）
【特許文献５】特開２００９−１３２７６４号公報（２００９年６月１８日公開）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、前記従来の問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、波長分散特性に優れ、λ／４程度の面内レタデーションを有し、かつ、膜厚が２０〜５０μｍと薄い、逆波長分散フィルムを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
＜１＞
下記の一般式（１）で表される重合単位を含むセルロース誘導体の少なくとも１種からなるポリマー材料を含有し、面内レタデーションＲｅ（５５０）が１３０ｎｍ以上１６０ｎｍ以下であり、逆波長分散特性Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）が０．８０以上０．８６以下であり、フィルム厚みが２０μｍ以上５０μｍ以下である、位相差フィルムであって、
前記セルロース誘導体における、脂肪族基又は不飽和脂肪族基を含むアルコキシル基の置換度（Ｄ１)の合計が、２．００以上２．７０以下であり、
前記セルロース誘導体における、２−ナフトイル基の置換度（Ｄ２）が、０．３０以上１．００以下であり、
前記ポリマー材料における、２−ナフトイル基の総置換度（Ｄ３）が０．４１以上０．５０以下であり、
前記置換度（Ｄ１)と前記置換度（Ｄ２）とが、Ｄ１＋Ｄ２≦３．０を満たすことを特徴とする位相差フィルムである；【００１２】
【化１】
0006010233.tif 000002
【００１３】
（一般式（１）中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立に、脂肪族基、不飽和脂肪族基又は２−ナフトイル基を含む）。【００１４】
＜２＞
前記セルロース誘導体では、一般式（１）のアルコキシル基が脂肪族アルキル基を有することを特徴とする＜１＞に記載の位相差フィルム。【００１５】
＜３＞
前記セルロース誘導体では、一般式（１）のアルコキシル基がエチル基を有することを特徴とする＜２＞に記載の位相差フィルム。【００１６】
＜４＞
＜１＞〜＜３＞のいずれかに記載の位相差フィルムを少なくとも一枚含むことを特徴とする円偏光板。
【００１７】
＜５＞
＜４＞に記載の円偏光板を含むことを特徴とする画像表示装置。
【００１８】
＜６＞
＜１＞に記載の位相差フィルムの製造方法であって、
前記ポリマー材料を含有する製膜フィルムを、延伸倍率２０％以上２００％以下で延伸する工程を有することを特徴とする製造方法。
【００１９】
＜７＞
前記延伸する工程では、前記製膜フィルムのガラス転位温度Ｔｇに対して、（Ｔｇ−１０）℃以上（Ｔｇ＋３０）℃以下の範囲の温度にて延伸することを特徴とする＜６＞に記載の製造方法。
【００２０】
＜８＞
下記の一般式（１）で表される重合単位を含むセルロース誘導体の少なくとも１種からなるポリマー材料を含有し、面内レタデーションＲｅ（５５０）が１３０ｎｍ以上１６０ｎｍ以下であり、逆波長分散特性Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）が０．８０以上０．８９以下であり、フィルム厚みが２０μｍ以上５０μｍ以下であり、ヘイズが２．００％以下である、位相差フィルムであって、
前記セルロース誘導体における、エチル基の置換度（Ｄ１)の合計が、２．００以上２．７０以下であり、
前記セルロース誘導体における、２−ナフトイル基の置換度（Ｄ２）が、０．３０以上１．００以下であり、
前記ポリマー材料における、２−ナフトイル基の総置換度（Ｄ３）が０．４０以上０．５０以下であり、
前記置換度（Ｄ１)と前記置換度（Ｄ２）とが、Ｄ１＋Ｄ２≦３．０を満たすことを特徴とする位相差フィルムである；【００２１】
【化２】
0006010233.tif 000003
【００２２】
（一般式（１）中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立に、エチル基又は２−ナフトイル基を含む）。【００２３】
＜９＞
＜８＞に記載の位相差フィルムを少なくとも一枚含むことを特徴とする円偏光板。
【００２４】
＜１０＞
＜９＞に記載の円偏光板を含むことを特徴とする画像表示装置。
【００２５】
＜１１＞
＜８＞に記載の位相差フィルムの製造方法であって、
前記ポリマー材料を含有する製膜フィルムを、１５０℃以上１６０℃以下の範囲の温度にて延伸する工程を有することを特徴とする製造方法。
【００２６】
＜１２＞
前記延伸する工程では、前記ポリマー材料を含有する製膜フィルムを、延伸倍率２０％以上６０％以下で延伸することを特徴とする＜１１＞に記載の製造方法。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば、逆波長分散特性が優れ、λ／４程度の面内レタデーションを有し、かつ、膜厚が２０〜５０μｍと薄い、逆波長分散フィルムを製造することを可能となる。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
本発明の一実施形態について説明すると以下の通りであるが、本発明はこれに限定されるものではない。本明細書中、数値範囲に関して「Ａ〜Ｂ」と記載した場合、当該記載は「Ａ以上Ｂ以下」を意図する。
【００３１】
一実施形態において、本発明の位相差フィルムは、下記の一般式（１）で表される重合単位を含むセルロース誘導体の少なくとも１種からなるポリマー材料を含有し、面内レタデーションＲｅ（５５０）が１３０ｎｍ以上１６０ｎｍ以下であり、逆波長分散特性Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）が０．８０以上０．８６以下であり、フィルム厚みが２０μｍ以上５０μｍ以下である、位相差フィルムであって、
前記セルロース誘導体における、脂肪族基又は不飽和脂肪族基を含むアルコキシル基の置換度（Ｄ１)の合計が、２．００以上２．７０以下であり、
前記セルロース誘導体における、２−ナフトイル基の置換度（Ｄ２）が、０．３０以上１．００以下であり、
前記ポリマー材料における、２−ナフトイル基の総置換度（Ｄ３）が０．４１以上０．５０以下であり、
前記置換度（Ｄ１)と前記置換度（Ｄ２）とが、Ｄ１＋Ｄ２≦３．０を満たすことを特徴とする位相差フィルムである；
【００３２】
【化３】
0006010233.tif 000004
【００３３】
（一般式（１）中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立に、脂肪族基、不飽和脂肪族基又は２−ナフトイル基を含む。）。
【００３４】
このとき、前記ポリマー材料は、１種類のセルロース誘導体からなるものであってもよいし、複数種類のセルロース誘導体からなるものであってもよい。
【００３５】
例えば、本発明の位相差フィルムは、一般式（１）で表される重合単位を含む複数種類のセルロース誘導体の混合物からなるポリマー材料を含有し、面内レタデーションＲｅ（５５０）が１３０ｎｍ以上１６０ｎｍ以下であり、逆波長分散特性Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）が０．８０以上０．８６以下であり、フィルム厚みが２０μｍ以上５０μｍ以下である、位相差フィルムであって、
前記セルロース誘導体における、脂肪族基又は不飽和脂肪族基を含むアルコキシル基の置換度（Ｄ１)の合計が、２．００以上２．７０以下であり、
前記セルロース誘導体における、２−ナフトイル基の置換度（Ｄ２）が、０．３０以上１．００以下であり、
前記ポリマー材料における、２−ナフトイル基の総置換度（Ｄ３）が０．４１以上０．５０以下であり、
前記置換度（Ｄ１)と前記置換度（Ｄ２）とが、Ｄ１＋Ｄ２≦３．０を満たすことを特徴とする位相差フィルムであってもよい。
【００３６】
別の実施形態において、本発明の位相差フィルムは、下記の一般式（１）で表される重合単位を含むセルロース誘導体の少なくとも１種からなるポリマー材料を含有し、面内レタデーションＲｅ（５５０）が１３０ｎｍ以上１６０ｎｍ以下であり、逆波長分散特性Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）が０．８０以上０．８９以下であり、フィルム厚みが２０μｍ以上５０μｍ以下であり、ヘイズが２．００％以下である、位相差フィルムであって、
前記セルロース誘導体における、エチル基の置換度（Ｄ１)の合計が、２．００以上２．７０以下であり、
前記セルロース誘導体における、２−ナフトイル基の置換度（Ｄ２）が、０．３０以上１．００以下であり、
前記ポリマー材料における、２−ナフトイル基の総置換度（Ｄ３）が０．４０以上０．５０以下であり、
前記置換度（Ｄ１)と前記置換度（Ｄ２）とが、Ｄ１＋Ｄ２≦３．０を満たすことを特徴とする位相差フィルムである；
【００３７】
【化４】
0006010233.tif 000005
【００３８】
（一般式（１）中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立に、エチル基又は２−ナフトイル基を含む。）。
【００３９】
このとき、前記ポリマー材料は、１種類のセルロース誘導体からなるものであってもよいし、複数種類のセルロース誘導体からなるものであってもよい。
【００４０】
例えば、本発明の位相差フィルムは、一般式（１）で表される重合単位を含む複数種類のセルロース誘導体の混合物からなるポリマー材料を含有し、面内レタデーションＲｅ（５５０）が１３０ｎｍ以上１６０ｎｍ以下であり、逆波長分散特性Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）が０．８０以上０．８９以下であり、フィルム厚みが２０μｍ以上５０μｍ以下であり、ヘイズが２．００％以下である、位相差フィルムであって、
前記セルロース誘導体における、エチル基の置換度（Ｄ１)の合計が、２．００以上２．７０以下であり、
前記セルロース誘導体における、２−ナフトイル基の置換度（Ｄ２）が、０．３０以上１．００以下であり、
前記ポリマー材料における、２−ナフトイル基の総置換度（Ｄ３）が０．４０以上０．５０以下であり、
前記置換度（Ｄ１)と前記置換度（Ｄ２）とが、Ｄ１＋Ｄ２≦３．０を満たすことを特徴とする位相差フィルムであってもよい。
【００４１】
以下、各成分について説明する。
【００４２】
（Ａ）セルロース誘導体
前記セルロース誘導体とは、一般式（１）に記載のように、セルロースを構成する単量体であるβ-グルコース骨格が有する３つのヒドロキシル基を公知の各種変換反応によりアルコール誘導体（ＯＲn）に変換したものである。
【００４３】
前記セルロース誘導体を効果的に選定することで、製膜フィルム、及び、当該製膜フィルムを延伸して作製される延伸フィルムに高い透明性と光学特性（面内レタデーション発現性及び逆波長分散性）を付与することが可能となる。
【００４４】
前記セルロース誘導体は、置換基の形態により、各種脂肪族及び芳香族のエステル、アルコキシル、アミド、ウレタン、カーボネート、カーバメート等であり得、各種置換基が同一分子内に混合していてもよい。延伸フィルムの良好な面内レタデーションと逆波長分散性との両立の観点から、一般式（１）に示すＲ１〜Ｒ３は、脂肪族アルキル基または２−ナフトイル基であることが好ましく、セルロース誘導体は、脂肪族アルキル基と２−ナフトイル基とを同一分子内に含む骨格を有していることが好ましい。脂肪族アルキル基を含む骨格を有すると、延伸フィルムの位相差発現性が著しく向上するため好ましい。
【００４５】
脂肪族アルキル基は、特には限定されないが、セルロース誘導体の有機溶剤に対する可溶性付与の観点からエチル基を有していることが特に好ましい。
【００４６】
２−ナフトイル基は、逆波長分散性の発現に優れた効果を発揮する。ナフトイル基には、ナフタレン環上におけるカルボニル基の置換部位により、１−ナフトイル基と２−ナフトイル基との２種が存在するが、２−ナフトイル基のみが、良好な逆波長分散性を発現する。また、２−ナフトイル基は、ナフタレン環上に置換基を有していても良い。置換基としては特に限定されず、アルコキシル基、エステル基、アミド基、ニトリル基、ハロゲン等が適用可能である。
【００４７】
前記セルロース誘導体は、熱延伸することにより、その他のセルロース誘導体では通常トレードオフである、良好な面内レタデーションと逆波長分散性との両立が可能であるため、良好な逆波長分散性と面内レタデーションとを保持した状態にて、大幅な薄膜化が可能となる。また、セルロース誘導体は、単一の誘導体に限定されず、相溶化が可能であれば２種以上の誘導体の混合物であっても良い。
【００４８】
なお、本明細書では、位相差フィルムに含まれる、一般式（１）で表されるセルロース誘導体のことを「ポリマー材料」とも呼ぶ。当該「ポリマー材料」は、１種類のセルロース誘導体からなるものである場合もあるし、複数種類のセルロース誘導体の混合物からなる場合もある。また、本発明の位相差フィルムは、上述した「ポリマー材料」以外の構成を含んでいてもよい。
【００４９】
（Ｂ）セルロース誘導体の変換反応
前記のセルロース誘導体を作製するための変換反応としては、公知の合成法を適時用いることが出来る。以下に１例を記載するが、これに限定されるものではない。最も簡便な方法は、市販のセルロースエーテル（例：エチルセルロース）と芳香族アシルクロリド（例：２−ナフトイルクロリド）とをピリジン存在下で共存させた状態にて、加熱し、反応物を水及び有機溶剤にて洗浄することにより、エチルセルロース中のヒドロキシル基が芳香族エステル化された目的のセルロース誘導体を得ることが出来る。
【００５０】
（Ｃ）セルロース置換度
Ｄ（具体的には、Ｄ１〜Ｄ３）は、セルロース分子中の２、３、６位に存在する３個の水酸基が、平均してどれだけ置換されているかを表す、最大３の正数である。この場合、セルロース分子中の２、３、６位に存在する３個の水酸基の各々の置換度が略同一であってもよいし、セルロース分子中の２、３、６位に存在する３個の水酸基の何れかの置換度が高く、その他の水酸基の置換度が低くてもよい。
【００５１】
置換度（Ｄ１）は、セルロース分子中の２、３、６位に存在する３個の水酸基が、位相差フィルムに含まれる各種類のセルロース誘導体において、平均してどれだけアルコキシル化されているかを表す、最大３の正数である。この場合、セルロース分子中の２、３、６位に存在する３個の水酸基の各々の置換度が略同一であってもよいし、セルロース分子中の２、３、６位に存在する３個の水酸基の何れかの置換度が高く、その他の水酸基の置換度が低くてもよい。
【００５２】
置換度（Ｄ２）は、セルロース分子中の２、３、６位に存在する３個の水酸基が、位相差フィルムに含まれる各種類のセルロース誘導体において、平均してどれだけ芳香族アシル化されているかを表す、最大３の整数である。この場合、セルロース分子中の２、３、６位に存在する３個の水酸基の各々の置換度が略同一であってもよいし、セルロース分子中の２、３、６位に存在する３個の水酸基の何れかの置換度が高く、その他の水酸基の置換度が低くてもよい。
【００５３】
総置換度（Ｄ３）は、セルロース分子中の２、３、６位に存在する３個の水酸基が、位相差フィルムに含まれるポリマー材料において、平均してどれだけ芳香族アシル化されているかを表す、最大３の整数である。例えば、ポリマー材料が、１種類のセルロース誘導体からなるものである場合、総置換度（Ｄ３）は、セルロース分子中の２、３、６位に存在する３個の水酸基が、当該１種類のセルロース誘導体において、平均してどれだけ芳香族アシル化されているかを表す、最大３の整数になる。一方、ポリマー材料が、複数種類のセルロース誘導体の混合物からなるものである場合、総置換度（Ｄ３）は、セルロース分子中の２、３、６位に存在する３個の水酸基が、当該複数種類のセルロース誘導体の混合物全体において、平均してどれだけ芳香族アシル化されているかを表す、最大３の整数になる。
【００５４】
Ｄの値は、周知の方法によって計算することができる。例えば、アルコキシ基がエトキシ基である場合、アルコキシル基の置換度Ｄ１は、「Cellulose Communications 6, 73-79(1999)」に記載の方法（核磁気共鳴分光法：ＮＭＲ）にて定量することができる。なお、当該文献は、参考として本明細書中に援用される。
【００５５】
上述したように、置換度（Ｄ１）および置換度（Ｄ２）は、ポリマー材料を構成する各種類のセルロース誘導体における置換度を意図しており、一方、総置換度（Ｄ３）は、ポリマー材料全体における置換度を意図している。具体的に、ポリマー材料が１種類のセルロース誘導体からなるものである場合、ポリマー材料における総置換度（Ｄ３）の値は、１種類のセルロース誘導体における置換度（Ｄ２）の値と同じになる。一方、ポリマー材料が複数種類のセルロース誘導体の混合物からなるものである場合、ポリマー材料における総置換度（Ｄ３）の値は、各種類のセルロース誘導体の置換度（Ｄ２）の各々の値に基づいて決定される。
【００５６】
以下に、総置換度（Ｄ３）、置換度（Ｄ１）および置換度（Ｄ２）の各々について、更に詳細に説明する。
【００５７】
まず、総置換度（Ｄ３）について説明する。
【００５８】
ポリマー材料における２−ナフトイル基の導入量（換言すれば、総置換度（Ｄ３））は、最適な量である必要がある。最適な量は、導入する芳香族アシル基によって異なるが、本発明の構成要素である２−ナフトイル基の場合、総置換度（Ｄ３）は、０．４０以上０．５０以下であり得るが、最適な逆波長分散特性を発現するには、より好ましくは０．４１以上０．５０以下であり、より好ましくは０．４２以上０．５０以下であり、より好ましくは０．４２以上０．４８以下であり、より好ましくは０．４４以上０．４８以下であり、最も好ましくは０．４５以上０．４７以下である。
【００５９】
総置換度（Ｄ３）が０．４０よりも小さいと、逆波長分散発現性が低すぎるため好ましくなく、総置換度（Ｄ３）が０．５０よりも大きいと、逆波長分散発現性が高すぎるか又は後述の負の複屈折を有するセルロース誘導体となってしまうため、共に実用レベルの特性を満たさず好ましくない。
【００６０】
次いで、置換度（Ｄ１）について説明する。
【００６１】
セルロースエーテルは、そのアルコキシル基の置換度（Ｄ１）により溶剤に対する溶解性と位相差発現性とが大きく変化するが、逆波長分散性の発現を目的とした芳香族アシル基導入反応に無置換のヒドロキシル基が適量必要であるため、中程度のアルコキシル基の置換度（Ｄ１＝２．００〜２．７０）を有することが好ましい。
【００６２】
アルコキシル基の置換度（Ｄ１）が２．００を下回ると、目的のセルロース誘導体が溶解する溶剤の種類が限定される上に、フィルム強度が脆くなる傾向を示す。一方、アルコキシル基の置換度（Ｄ１）が２．７０を超えると、芳香族アシル基の導入量が低下することによる逆波長分散性の低下を招き、かつ製膜時及び熱延伸時にフィルムの透明性が低下するため、好ましくない。そのため、アルコキシル基の置換度（Ｄ１）は、２．００以上２．７０以下であり、好ましくは２．２０以上２．７０以下であり、より好ましくは２．２０以上２．６５以下であり、より好ましくは２．３０以上２．６５以下であり、より好ましくは２．３０以上２．６０以下である。
【００６３】
本発明では、前記の範囲のアルコキシル基の置換度（Ｄ１）を有するセルロースエーテル骨格中に残されたＯＨ基に２−ナフトイル基を導入することにより、セルロース誘導体における主鎖成分（セルロースエーテル骨格）と側鎖成分（２−ナフトイル基）とが直交する。これによって、両成分の複屈折に関して加成性が成り立ち、各成分の複屈折により発現する面内レタデーションの波長分散性の差により、逆波長分散性を発現する。
【００６４】
更に、最適な倍率で製膜フィルムを熱延伸することにより、延伸フィルムにおいて正の複屈折を生じさせ、延伸フィルムにおいて正の面内レタデーションを発現させることが必要であるが、セルロース誘導体における側鎖成分の導入量が多すぎると延伸フィルムの最大複屈折方向が変わり、負の複屈折と負の面内レタデーション、及び、正常波長分散性を有する延伸フィルム（負の複屈折を有するセルロース誘導体を含む延伸フィルム）になってしまい、所望の特性を発現することが出来ない。
【００６５】
次いで、置換度（Ｄ２）について説明する。
【００６６】
本発明では、前記の範囲のアルコキシル基の置換度（Ｄ１）を有するセルロースエーテル骨格中に残されたＯＨ基に２−ナフトイル基が導入される。この場合、残されたＯＨ基の略全てに２−ナフトイル基が導入されてもよいし、残されたＯＨ基の一部に２−ナフトイル基が導入されてもよい。
【００６７】
置換度（Ｄ２）は、所望の総置換度（Ｄ３）の値を容易に実現するという観点から、０．３以上１．０以下であり、好ましくは０．３５以上０．７０以下である。
【００６８】
ポリマー材料が１種類のセルロース誘導体からなるものである場合（換言すれば、ポリマー材料における総置換度（Ｄ３）の値と、当該ポリマー材料を構成する１種類のセルロース誘導体における置換度（Ｄ２）の値とが同じ場合）、置換度（Ｄ２）は、０．４０以上０．５０以下であり得るが、最適な逆波長分散特性を発現するには、より好ましくは０．４１以上０．５０以下であり、より好ましくは０．４２以上０．５０以下であり、より好ましくは０．４２以上０．４８以下であり、より好ましくは０．４４以上０．４８以下であり、最も好ましくは０．４５以上０．４７以下である。
【００６９】
上述したように、ポリマー材料は、１種類のセルロース誘導体からなるものである場合と、複数種類のセルロース誘導体の混合物からなるものである場合と、に大別することができる。
【００７０】
ポリマー材料が１種類のセルロース誘導体からなるものである場合、ポリマー材料における２−ナフトイル基の総置換度（Ｄ３）の値は、１種類のセルロース誘導体における２−ナフトイル基の置換度（Ｄ２）の値と同じになる。一方、ポリマー材料が複数種類のセルロース誘導体の混合物からなるものである場合、ポリマー材料における２−ナフトイル基の総置換度（Ｄ３）の値は、各種類のセルロース誘導体の２−ナフトイル基の置換度（Ｄ２）の各々の値に基づいて算出することができる。この点について、以下に説明する。
【００７１】
最適な総置換度（Ｄ３）の値は、２種以上のセルロース誘導体を用いた場合に関しては実証済みであるが（後述する実施例を参照）、１種類のセルロース誘導体を用いた場合においても、最適な総置換度（Ｄ３）を、下記に示す計算シミュレーション法により算出可能である。また、１種類のセルロース誘導体を用いた場合、計算シミュレーションによって最適な総置換度（Ｄ３）を計算すれば、当該値に基づいて、面内レタデーション及び波長分散特性を算出することができる。
【００７２】
具体的には、まず、セルロース誘導体（例えば、実施例における、参考例１、４、実施例２、３、５〜７のセルロース誘導体１及び２）の面内レタデーション及び波長分散特性を実験的に測定する。次いで、別途実験的に測定した当該セルロース誘導体に含まれる主鎖成分（セルロースエーテル骨格）単独の面内レタデーション及び波長分散特性の各々を、前記セルロース誘導体の面内レタデーション及び波長分散特性の各々から差し引き、当該セルロース誘導体に含まれる側鎖成分（２−ナフトイル基）の面内レタデーション及び波長分散特性を算出する。つまり、前記によって、様々な構成の主鎖成分（セルロースエーテル骨格）に由来する面内レタデーション及び波長分散特性のデータと、様々な構成の側鎖成分（２−ナフトイル基）に由来する面内レタデーション及び波長分散特性のデータとを蓄積した、データベースを作製することができる。
【００７３】
所望のセルロース誘導体の面内レタデーション及び波長分散特性のデータは、前述の加成性に基づき、上述したデータベースの中から、所望のセルロース誘導体に該当する主鎖成分（セルロースエーテル骨格）の面内レタデーション及び波長分散特性のデータと、所望のセルロース誘導体に該当する側鎖成分（２−ナフトイル基）の面内レタデーション及び波長分散特性のデータと、を足し合せることにより、算出できる。
【００７４】
上述した計算シミュレーション法によれば、本願発明の効果を得るための最も好ましい総置換度（Ｄ３）は、０．４６となる。
【００７５】
総置換度（Ｄ３）が０．４６である単独のセルロース誘導体を実現するためには（例えば、後述する想定実施例８など参照）、置換度（Ｄ１）が２．５４であるセルロースエーテルを用いて、当該セルロースエーテル中に残されたＯＨ基を完全に２−ナフトイル化する手法が、最も簡便かつ理想的である。しかしながら、当該セルロースエーテルを入手または合成することが困難であることから、当該手法は、現実的ではない。
【００７６】
総置換度（Ｄ３）が０．４６である単独のセルロース誘導体を、後述する合成例２に記載のセルロースエーテル（Ｄ１＝２．３７）等の低アルコキシ置換度のセルロースエーテルを用いて実現することも理論上は可能であるが、２−ナフトイル化反応を途中で停止する必要があり、合成法の観点から再現性が低下するとともに、セルロース誘導体中にＯＨ基が残存することによりフィルムの吸水率が高くなって電子機器用の光学フィルムとしては好ましくない課題を生ずる可能性があることから、当該手法は、現実的ではない。
【００７７】
前記理由から、最適な総置換度（Ｄ３）の達成が単一のセルロース誘導体では困難である場合には、複数種類のセルロース誘導体によって、最適な総置換度（Ｄ３）を達成すればよい。例えば、合成例１に示すセルロース誘導体（Ｄ１＝２．６０、Ｄ２＝０．４０）と合成例２に示すセルロース誘導体（Ｄ１＝２．３７、Ｄ２＝０．６２）とを適切な配合比（重量比、より好ましくは、モル比）にて混合することにより、総置換度（Ｄ３）を０．４６にし、最適な逆波長分散性を発現することが可能である。
【００７８】
本手法の場合、何れのセルロース誘導体も単独では最適な効果を発現することは困難であるが、同一の骨格を有するために相溶性が高く、何れもほぼ完全に芳香族アシル化されているために各々のセルロース誘導体の合成、及び、フィルム特性の再現性も容易であり、かつ、フィルム中にＯＨ基がほぼ残存していないためにフィルム特性上好ましい。
【００７９】
既に説明したように、総置換度（Ｄ３）は、発明を構成するセルロース誘導体が有する芳香族アシル基の総置換度を表す。発明を構成するセルロース誘導体が１種類の場合は、その１種セルロース誘導体の置換度（Ｄ２）の値が、芳香族アシル基の総置換度（Ｄ３）となる（Ｄ２＝Ｄ３）。一方、発明を構成するセルロース誘導体が２種以上の混合物である場合は、芳香族アシル基の総置換度（Ｄ３）は、各種類のセルロース誘導体の各置換度（Ｄ２）の総和となる。
【００８０】
総置換度（Ｄ３）の値は、前述の核磁気共鳴分光法（ＮＭＲ）を適用することにより、測定することが可能である。
【００８１】
（Ｄ）面内レタデーション：Ｒｅ（λ）
Ｒｅ（λ）とは、λｎｍにおける面内レタデーションを表し、下式（１）にて定義される。
【００８２】
Ｒｅ（λ）＝ΔＮｘｙ（λ）×ｄ    （１）
ここで、ΔＮｘｙ（λ）は、λｎｍにおける複屈折、ｄは、フィルムの厚みを表す。ここでいう複屈折とは、フィルム面内の屈折率のうち最大の屈折率と最小の屈折率との差である。
【００８３】
本発明の位相差フィルムをフィルム反射防止層に使用する場合、位相差フィルムの面内レタデーションは、測定波長のおよそ１／４程度であることが好ましい。特に５５０ｎｍでのレタデーションＲｅ（５５０）は、１３０ｎｍ以上１６０ｎｍ以下であり、好ましくは１３０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下である。
【００８４】
本発明の位相差フィルムを反射防止層に使用する場合、位相差フィルムの逆波長分散特性Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）は、０．８０以上０．８６以下であってもよいし、０．８０以上０．８９以下であってもよい。面内レタデーションおよび波長分散特性がこの範囲を外れると、ある特定の波長領域での反射防止が不十分となるため好ましくない。
【００８５】
（Ｅ）フィルム厚み
本発明の位相差フィルムを反射防止層として使用した場合の層全体の厚みを考慮すると、位相差フィルムは２０μｍ以上５０μｍ以下であり、好ましくは２０μｍ以上４０μｍ以下である。
【００８６】
位相差フィルムの厚みは、所望の面内レタデーション及び逆波長分散特性を満足する限りさらに薄くても構わない。しかしながら、フィルムが薄くなるとフィルムの強度及びハンドリング性に課題を生じる点を考慮しなければならない。逆にソルベントキャスト法によりフィルム厚みが厚いフィルムを製造する場合、溶剤の乾燥時間が長くなるため生産性が悪くなる。
【００８７】
（Ｆ）ヘイズ
本発明の位相差フィルム（例えば、延伸フィルム）のヘイズの値は、特に限定されないが、２．００％以下であることが好ましく、１．００％以下であることがより好ましく、０．５０％以下であることが最も好ましい。ヘイズの値が、前記範囲内であれば、延伸フィルムの全光線透過率を増大させて延伸フィルムの透明性を向上させることができるという利点があるため、好ましい。
【００８８】
（Ｇ）第三成分
本実施の形態の位相差フィルムは、フィルム化の際に、必要に応じて少量の可塑剤や熱安定剤、紫外線安定剤等の添加剤を第３成分として加えられもよい。特に、得られた位相差フィルムが脆い場合、延伸などの加工特性を改善する目的で可塑剤を加えることは有効である。これら第三成分の配合量は、所望の光学特性を損なわない範囲で任意である。
【００８９】
（Ｈ）セルロース誘導体の分子量
本発明で使用される樹脂（セルロース誘導体）の分子量は、フィルム成型が可能な限り特に限定されるものではない。例えば、靱性に優れたフィルムを得るためには、樹脂の数平均分子量が、１０，０００以上３００，０００以下であることが好ましい。天然樹脂を原料とした樹脂を用いる場合、入手容易性の観点から、樹脂の数平均分子量が、２０，０００以上２００，０００以下であることがさらに好ましい。分子量が小さすぎると、フィルムが脆くなり、一方、分子量が高すぎると、溶媒への樹脂の溶解性が悪く、樹脂溶液の固形分濃度が低くなり溶液キャスト時の溶剤使用量が多くなるため、製造上好ましくない。
【００９０】
（Ｉ）製膜方法
本発明の位相差フィルムは、未延伸である製膜フィルム（未延伸フィルムとも呼ぶ）を延伸することにより製造されることが好ましい。未延伸である製膜フィルムは、周知の方法にしたがって作製することができる。
【００９１】
未延伸フィルムの代表的な成型方法としては、溶融した樹脂をＴダイなどから押出してフィルム化する溶融押出法と、樹脂を溶解した有機溶剤を支持体上にキャストし加熱により有機溶剤を乾燥してフィルム化するソルベントキャスト法と、を挙げることができる。厚み精度の良い位相差フィルムが比較的容易に得られるという理由から、ソルベントキャスト法を用いることが好ましい。
【００９２】
ソルベントキャスト法を採用する場合の溶剤は、特に限定されない。乾燥効率の観点からは沸点が低い溶剤ほど好ましく、具体的には、１００℃以下の低沸点の溶剤が好ましい。具体的には、ケトン系溶剤、エステル系溶剤が使用可能である。また塩化メチレンなどのハロゲン化炭化水素溶剤は、樹脂材料を溶解しやすく沸点も低いため、好適である。とくに塩化メチレンは、沸点が４０℃と低く、なおかつ、乾燥中の火災等に対する安全性も高いので、本発明の位相差フィルムを製造する際に用いる溶剤として特に好ましい。
【００９３】
本発明において用いる溶剤は、塩化メチレンを単独で使用することが、回収及び再利用の観点から好ましいが、塩化メチレン７０〜９９重量％と、炭素数３以下のアルコール１〜３０重量％と、を含む混合溶剤を用いることも可能である。
【００９４】
混合溶剤を使用する場合、前記炭素数３以下のアルコールとしては、エチルアルコールが安全で、沸点も低く好ましい。さらに、コストを抑制するため、炭素数３以下のアルコール１００重量部のうち、エチルアルコール以外の炭素数３以下のアルコールを１〜１０重量部含むことが好ましい。前記エチルアルコール以外の炭素数３以下のアルコールとしては、安全性や沸点の観点から、イソプロピルアルコールを用いることが特に好ましい。また、ここで言う溶剤とは乾燥工程や延伸工程においてフィルムにかかる最大温度よりも沸点が低い溶剤を指す。
【００９５】
（Ｊ）延伸倍率
本発明の位相差フィルムを得るためには、前記で得られた未延伸フィルムを公知の延伸方法にしたがって、少なくとも１軸に延伸して配向処理を行うことが好ましい。延伸方法としては、１軸または２軸の熱延伸法を採用することができる。本発明の位相差フィルムを得るためには、縦１軸延伸を採用することが好ましい。また、反射防止層として本発明の位相差フィルムを使用する場合には、１軸性が重要となるため、自由端１軸延伸が好ましい。
【００９６】
延伸倍率Ｘは、下式（２）で表される。ここでＬ０は未延伸フィルムの長さ、Ｌは延伸フィルムの長さである。
Ｘ＝（Ｌ−Ｌ０）／Ｌ０×１００  （２）
本発明の位相差フィルムを製造する際の延伸倍率は、２０％以上２００％以下であることが好ましく、２０％以上１５０％以下であることがより好ましく、２０％以上１００％以下であることがより好ましく、３０％以上１００％以下であることがより好ましい。
【００９７】
延伸倍率が２００％よりも大きいと、延伸フィルムの面内レタデーションが目標数値範囲より大きくなり過ぎる上に、ポリマー材料が配向し過ぎることにより延伸方向に対して垂直方向（ＴＤ方向）の強度が極端に低下するために好ましくない。また、延伸倍率が高くなるに伴い、フィルムの厚みが減少する。前記の（１）式に示したように、面内レタデーションは、フィルムの厚みｄに比例するため、極端な高延伸倍率では、所望の面内レタデーションを実現できない可能性がある。
【００９８】
一方、延伸倍率が２０％よりも低いと、延伸フィルムの複屈折が小さくなり、所望の面内レタデーションを有するフィルムの厚みが厚くなってしまう。
【００９９】
セルロース誘導体の置換基であるアルコキシル基がエチル基である場合には、本発明の位相差フィルムを製造する際の延伸倍率は、２０％以上６０％以下であることが好ましく、３０％以上５０％以下であることがより好ましい。当該構成であれば、セルロース誘導体の置換基であるアルコキシル基がエチル基である場合に、フィルムの破断を防いだ上で、所望の面内レタデーションを好適に実現することができる。
【０１００】
（Ｋ）延伸温度
延伸温度は、フィルムのガラス転移温度Ｔｇに対して、（Ｔｇ−３０）℃以上（Ｔｇ＋３０）℃以下の範囲で選択されることが好ましい。特に好ましい延伸温度は、（Ｔｇ−１０）℃以上（Ｔｇ＋３０）℃以下の範囲である。
【０１０１】
更に具体的に、延伸温度は、１４０℃以上１７０℃以下であることが好ましく、１５０℃以上１６０℃以下であることがより好ましい。
【０１０２】
延伸温度が上述した温度範囲内の値であれば、延伸時のフィルムの白化を防止でき、また、得られた位相差フィルムの位相差のばらつきを小さくすることができ、かつ、最適な逆波長分散性、面内レタデーション、ヘイズ値（具体的には、低いヘイズ値）を、全て両立して発現することが出来る。
【０１０３】
（Ｌ）ソルベントキャスト法の基材
ソルベントキャスト法によりフィルム化する際、樹脂を前記溶剤に溶解したのち、当該溶剤を支持体にキャストし、溶剤を乾燥してフィルムとする。
【０１０４】
樹脂を溶解した溶剤の好ましい粘度は、１０ポイズ以上５０ポイズ以下、さらに好ましくは１５ポイズ以上５０ポイズ以下である。好ましい支持体としては、ステンレス鋼のエンドレスベルト、ポリイミドフィルム、２軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム等のようなフィルムを用いることができる。
【０１０５】
キャスト後の乾燥は、支持体上にフィルムを担持したまま行うことも可能であるが、必要に応じて、自己支持性を有するまで予備乾燥されたフィルムを支持体から剥離し、さらに乾燥することもできる。
【０１０６】
乾燥には、一般にはフロート法や、テンターあるいはロール搬送法が利用できる。フロート法の場合、フィルム自体が複雑な応力を受け、光学特性の不均一が生じやすい。またテンター法の場合、フィルムの両端を支えているピンあるいはクリップの距離により、溶剤の乾燥に伴う幅収縮と自重を支えるための張力とを均衡させる必要があり、複雑な幅の拡縮制御を行う必要がある。
【０１０７】
一方、ロール搬送の場合、安定なフィルム搬送のためのテンションは原則的にフィルムの流れ方向（ＭＤ方向）にかかるため、応力の方向を一定にしやすい利点を有する。従って、フィルムの乾燥は、ロール搬送法によることが最も好ましい。また、溶剤の乾燥時にフィルムが水分を吸収しないよう、湿度を低く保った雰囲気で乾燥することは、機械的強度と透明度とが高い本発明の位相差フィルムを得るために、有効な方法である。
【０１０８】
（Ｍ）円偏光板、及び、画像表示装置
本発明の位相差フィルムは、反射防止層として用いることができる。反射防止層の一形態として、本発明の位相差フィルムを含む円偏光板が挙げられる。円偏光板とは、無偏光の光を円偏光に変換する光学素子である。円偏光板の構成として、偏光子の吸収軸と本発明の位相差フィルムの遅相軸とが４５°をなすように貼合した積層体が挙げられる。この際に用いられる粘着層及び偏光子保護フィルムは、任意の構成であり得る。これらの反射防止層は、液晶表示装置及び有機ＥＬなどの画像表示装置に有用に使用され得る。また、本発明の位相差フィルムを、偏光子保護フィルムとして兼用することもできる。
【０１０９】
（Ｎ）位相差フィルムの製造方法
本実施の形態の位相差フィルムの製造方法は、下記の一般式（１）で表される重合単位を含むセルロース誘導体の少なくとも１種からなるポリマー材料を含有し、面内レタデーションＲｅ（５５０）が１３０ｎｍ以上１６０ｎｍ以下であり、逆波長分散特性Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）が０．８０以上０．８９以下であり、フィルム厚みが２０μｍ以上５０μｍ以下であり、ヘイズが２．００％以下である、位相差フィルムであって、
前記セルロース誘導体における、脂肪族基又は不飽和脂肪族基を含むアルコキシル基の置換度（Ｄ１)の合計が、２．００以上２．６０以下であり、
前記セルロース誘導体における、２−ナフトイル基の置換度（Ｄ２）が、０．４０以上１．００以下であり、
前記ポリマー材料における、２−ナフトイル基の総置換度（Ｄ３）が０．４０以上０．５０以下であり、
前記置換度（Ｄ１)と前記置換度（Ｄ２）とが、Ｄ１＋Ｄ２≦３．０を満たすことを特徴とする位相差フィルム、の製造方法であり、
【０１１０】
【化５】
0006010233.tif 000006
【０１１１】
（一般式（１）中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立に、脂肪族基、不飽和脂肪族基又は２−ナフトイル基を含む）、
前記ポリマー材料を含有する製膜フィルムを、１５０℃以上１６０℃以下の範囲の温度にて延伸する工程を有することを特徴とする製造方法である。
【０１１２】
このとき、前記延伸する工程では、前記ポリマー材料を含有する製膜フィルムを、延伸倍率３０％以上５０％以下で延伸することが好ましい。
【０１１３】
本実施の形態の位相差フィルムの製造方法の詳細については、上述した「（Ｉ）製膜方法」、「（Ｊ）延伸倍率」、「（Ｋ）延伸温度」および「（Ｌ）ソルベントキャスト法の基材」にて既に説明したので、ここでは、その説明を省略する。
【０１１４】
本発明は、以下のように構成することもできる。
【０１１５】
〔１〕
下記の一般式（１）で表されるセルロース誘導体を含有し、レタデーションＲｅ（５５０）が１３０ｎｍ以上１６０ｎｍ以下、逆波長分散特性Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）が０．８０以上０．９２以下であり、フィルム厚みが３０μｍ以上５０μｍ以下であることを特徴とする位相差フィルムに関する。
【０１１６】
（式中、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立に脂肪族もしくは不飽和脂肪族基もしくは芳香族炭化水素基を含む。Ｒ３は芳香族炭化水素を含む。Ｒ１及びＲ２を含むアルコキシル基の置換度（Ｄ１)の合計が２．０〜２．５、Ｒ３を含む芳香族エステル置換度（Ｄ２)が０．５〜１．０でありＤ１＋Ｄ２≦３．０を満たす。ｎは平均重合度を表す。）
【０１１７】
【化６】
0006010233.tif 000007
【０１１８】
〔２〕
前記セルロース誘導体において、一般式（１）のＲ１及びＲ２が脂肪族アルキル基を有することを特徴とする〔１〕に記載の位相差フィルム。
【０１１９】
〔３〕
前記セルロース誘導体において、一般式（１）のＲ３が多環芳香族炭化水素を含む芳香族エステル基を有することを特徴とする〔２〕に記載の位相差フィルム。
【０１２０】
〔４〕
前記セルロース誘導体において、一般式（１）のＲ１及びＲ２がエチル基を有することを特徴とする〔３〕に記載の位相差フィルム。
【０１２１】
〔５〕前記セルロース誘導体において、一般式（１）のＲ３がナフチル基を有することを特徴とする〔４〕に記載の位相差フィルム。
【０１２２】
〔６〕
延伸倍率３０％以上２００％以下で延伸して得られることを特徴とする〔１〕〜〔５〕のいずれか１つに記載の位相差フィルム。
【０１２３】
〔７〕
延伸時の温度が、該フィルムのガラス転位温度Ｔｇに対して（Ｔｇ−１０）から（Ｔｇ＋３０）℃の範囲であることを特徴とする〔６〕に記載の位相差フィルム。
【０１２４】
〔８〕
〔１〕〜〔７〕のいずれか１つに記載の位相差フィルムを少なくとも一枚含むことを特徴とする円偏光板。
【０１２５】
〔９〕
〔８〕に記載の円偏光板を含むことを特徴とする画像表示装置。
【実施例】
【０１２６】
以下、本発明の実施例を説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。【０１２７】
＜１．測定方法＞
本明細書に記載の特性値等は、以下の評価法によって得られたものである。【０１２８】
（１）面内レタデーション及び逆波長分散特性
シンテック社製ＯＰＴＩＰＲＯを使用し、面内レタデーション及び波長分散特性を測定した。【０１２９】
（２）厚み
アンリツ製電子マイクロメーターを使用し、厚みを測定した。【０１３０】
（３）ガラス転移温度（Ｔｇ）
ブルカー・エイエックスエス社製熱機械分析装置ＴＭＡ−４０００ＳＡを使用し、ガラス転移温度を測定した。具体的には、窒素雰囲気下において、５ｍｍ×２０ｍｍに裁断したフィルムに対して３ｇの引張荷重をかけた状態で、３℃／ｍｉｎの条件にてフィルムを昇温させた。得られた実測グラフ（Ｘ軸方向に温度のデータをプロットし、Ｙ軸方向の伸び実測値のデータをプロットした実測グラフ）のフィルム伸び始め前後における２つの接線の交点をＴｇと定義し、当該Ｔｇを算出した。【０１３１】
（４）ヘイズ
ヘイズメーター（日本電色工業株式会社製  ＮＤＨ−３００Ａ）を使用し、ヘイズを測定した。【０１３２】
＜２．セルロース誘導体＞
以下に、セルロース誘導体の具体的な合成方法を説明する。【０１３３】
（合成例１）（セルロース誘導体１：エチルセルロース−２−ナフトエートの合成：Ｄ１＝２．６０、Ｄ２＝０．４０）
セルロースエーテルとして、エチルセルロース（１１．７４ｇ：５０ｍｍｏｌ、Ｄ１＝２．６０）を４つ口リアクターに計量した後マグネティック攪拌子を投入し、４つ口リアクターに、ジムロート冷却管、滴下漏斗、熱電対、窒素封入バルーンを取り付け、４つ口リアクター内の窒素置換を行った。【０１３４】
ピリジン（２０１ｍｌ：２５００ｍｍｏｌ）を投入した後、８０℃加熱下において、エチルセルロースが溶解するまでマグネティックスターラーにて２０００ｒｐｍにて攪拌した。【０１３５】
溶液が透明になったのを確認した後、１，４−ジオキサン１００ｍｌに溶かした和光純薬製２−ナフトイルクロリド（４７．７ｇ：２５０ｍｍｏｌ）を滴下した。滴下後に８ｈ攪拌した後、反応溶液を５００ｍｌのメタノール中に滴下、攪拌して均一溶液を作製した。この均一溶液を１Ｌの純水に滴下、攪拌することにより、白色沈殿を発生させ、当該白色沈殿をろ過後に再度１Ｌの純水にて攪拌洗浄を行った。【０１３６】
次に、白色沈殿を５００ｍｌのメタノールで洗浄、ろ過する工程を２回実施した後に、白色沈殿を、真空オーブンを用いて６０℃にて５ｈ真空乾燥させ、目的の粉末状のセルロース誘導体を得た（モル収率８７％、１２．８７ｇ）。【０１３７】
樹脂をブルカー製４００ＭＨｚ−１Ｈ−ＮＭＲにて分析し、目的のセルロース誘導体であることを確認するとともに、置換度を計算した結果、ナフトイル置換度Ｄ２＝０．４０であった。【０１３８】
（合成例２）（セルロース誘導体２：エチルセルロース−２−ナフトエートの合成：Ｄ１＝２．３７、Ｄ２＝０．６２）
セルロースエーテルとして、エチルセルロース（１１．４２ｇ：５０ｍｍｏｌ、Ｄ１＝２．３７）を使用した以外は合成例１と同様の手法を適用し、目的の粉末状のセルロース誘導体を得た（モル収率９３％、１５．１１ｇ）。【０１３９】
樹脂をブルカー製４００ＭＨｚ−１Ｈ−ＮＭＲにて分析し、目的のセルロース誘導体であることを確認するとともに、置換度を計算した結果、ナフトイル置換度Ｄ２＝０．６２であった。【０１４０】
（想定合成例３）（セルロース誘導体２：エチルセルロース−２−ナフトエートの合成：Ｄ１＝２．３７、Ｄ２＝０．４６）
セルロースエーテルとして、エチルセルロース（１１．４２ｇ：５０ｍｍｏｌ、Ｄ１＝２．３７）を使用し、合成例２と同様の手法を適用し目的の粉末状のセルロース誘導体を得ることが可能である（想定モル収率８５％、１２．７４ｇ）。【０１４１】
樹脂をブルカー製４００ＭＨｚ−１Ｈ−ＮＭＲにて分析し目的のセルロース誘導体であることを確認するとともに、置換度を計算すれば、ナフトイル置換度Ｄ２＝０．４６となる。【０１４２】
なお、ナフトイル置換度Ｄ２等は、複屈折の加成性に基づいた計算シミュレーション法（例えば、EKISHO, Vol.9, No.4, (2005）, 227-236参照）などによって算出することができる。【０１４３】
（合成例４）（セルロース誘導体２：エチルセルロース−２−ナフトエートの合成：Ｄ１＝２．３７、Ｄ２＝０．５３）
セルロースエーテルとして、エチルセルロース（１１．４２ｇ：５０ｍｍｏｌ、Ｄ１＝２．３７）を使用し、合成例２と同様の手法を適用し目的の粉末状のセルロース誘導体を得た（モル収率９５％、１４．６９ｇ）。【０１４４】
樹脂をブルカー製４００ＭＨｚ−１Ｈ−ＮＭＲにて分析し目的のセルロース誘導体であることを確認するとともに、置換度を計算した結果、ナフトイル置換度Ｄ２＝０．５３であった。【０１４５】
（合成例５）（セルロース誘導体１：エチルセルロース−２−ナフトエートの合成：Ｄ１＝２．６０、Ｄ２＝０．３４）
芳香族アシル化剤として２−ナフトイルクロリド（１９．０６ｇ：１００ｍｍｏｌ）を使用した以外は合成例１と同様の手法を適用し目的の粉末状のセルロース誘導体を得た（モル収率８２％、１１．７５ｇ）。【０１４６】
樹脂をブルカー製４００ＭＨｚ−１Ｈ−ＮＭＲにて分析し目的のセルロース誘導体であることを確認するとともに、置換度を計算した結果、ナフトイル置換度Ｄ２＝０．３４であった。【０１４７】
（合成例６）（セルロース誘導体１：エチルセルロース−２−ナフトエートの合成：Ｄ１＝２．６０、Ｄ２＝０．３２）
芳香族アシル化剤として２−ナフトイルクロリド（１９．０６ｇ：１００ｍｍｏｌ）を使用した以外は合成例１と同様の手法を適用し目的の粉末状のセルロース誘導体を得た（モル収率８２％、１１．７２ｇ）。【０１４８】
樹脂をブルカー製４００ＭＨｚ−１Ｈ−ＮＭＲにて分析し目的のセルロース誘導体であることを確認するとともに、置換度を計算した結果、ナフトイル置換度Ｄ２＝０．３２であった。【０１４９】
（合成例７）（セルロース誘導体１：エチルセルロース−１−ナフトエートの合成：Ｄ１＝２．６０、Ｄ２＝０．４０）
芳香族アシル化剤として１−ナフトイルクロリド（４７．７ｇ：２５０ｍｍｏｌ）を使用した以外は合成例１と同様の手法を適用し目的の粉末状のセルロース誘導体を得た（モル収率９３％、１３．７６ｇ）。【０１５０】
樹脂をブルカー製４００ＭＨｚ−１Ｈ−ＮＭＲにて分析し目的のセルロース誘導体であることを確認するとともに、置換度を計算した結果、ナフトイル置換度Ｄ２＝０．４０であった。【０１５１】
（合成例８）（セルロース誘導体１：エチルセルロースベンゾエートの合成：Ｄ１＝２．６０、Ｄ２＝０．４０）
芳香族アシル化剤としてベンゾイルクロリド（３５．２ｇ：２５０ｍｍｏｌ）を使用した以外は合成例１と同様の手法を適用し目的の粉末状のセルロース誘導体を得た（モル収率８４％、１１．４８ｇ）。【０１５２】
樹脂をブルカー製４００ＭＨｚ−１Ｈ−ＮＭＲにて分析し目的のセルロース誘導体であることを確認するとともに、置換度を計算した結果、ベンゾイル置換度Ｄ２＝０．４０であった。【０１５３】
（合成例９）（セルロース誘導体１：エチルセルロース−４−フルオロベンゾエートの合成：Ｄ１＝２．６０、Ｄ２＝０．４０）
芳香族アシル化剤として４−フルオロベンゾイルクロリド（３９．６ｇ：２５０ｍｍｏｌ）を適用した以外は合成例１と同様の手法を適用し目的の粉末状のセルロース誘導体を得た（モル収率８３％、１１．８１ｇ）。【０１５４】
樹脂をブルカー製４００ＭＨｚ−１Ｈ−ＮＭＲにて分析し目的のセルロース誘導体であることを確認するとともに、置換度を計算した結果、４−フルオロベンゾイル置換度Ｄ２＝０．４０であった。【０１５５】
（合成例１０）（セルロース誘導体１：エチルセルロース−４−ニトロベンゾエートの合成：Ｄ１＝２．６０、Ｄ２＝０．４０）
芳香族アシル化剤として４−ニトロベンゾイルクロリド（４６．４ｇ：２５０ｍｍｏｌ）を適用した以外は合成例１と同様の手法を適用し目的の粉末状のセルロース誘導体を得た（モル収率８９％、１３．１０ｇ）。【０１５６】
樹脂をブルカー製４００ＭＨｚ−１Ｈ−ＮＭＲにて分析し目的のセルロース誘導体であることを確認するとともに、置換度を計算した結果、４−ニトロベンゾイル置換度Ｄ２＝０．４０であった。【０１５７】
（合成例１１）（セルロース誘導体１：エチルセルロース−４−フェニルベンゾエートの合成：Ｄ１＝２．６０、Ｄ２＝０．３４）
芳香族アシル化剤として４−フェニルベンゾイルクロリド（５４．０１ｇ：２５０ｍｍｏｌ）を適用した以外は合成例１と同様の手法を適用し目的の粉末状のセルロース誘導体を得た（モル収率７９％、１１．７０ｇ）。【０１５８】
樹脂をブルカー製４００ＭＨｚ−１Ｈ−ＮＭＲにて分析し目的のセルロース誘導体であることを確認するとともに、置換度を計算した結果、４−フェニルベンゾイル置換度Ｄ２＝０．３４であった。【０１５９】
＜３．製膜フィルム＞
以下に、上述したセルロース誘導体を用いた製膜フィルムの作製方法を説明する。【０１６０】
（製膜フィルムの例１）（フィルム１の作製：Ｄ３＝０．４０）
合成例１で精製した樹脂を塩化メチレン超脱水体（和光純薬製）に溶解して１ｗｔ％の希釈溶液を作製し、アドバンテック社の硬質濾紙Ｎｏ．４を用いた吸引ろ過にて希釈溶液から不溶物をろ過した後、希釈溶液をエバポレーターで濃縮して、４．１ｗｔ％の塗布液を得た。【０１６１】
該塗布液を２軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム（以下ＰＥＴフィルムと書く）上に流延した後、乾燥後の厚みがおよそ４０〜５０μｍとなるように、塗布液をバーコーターで均一な膜状に塗布した。【０１６２】
８０℃の乾燥雰囲気下で５分、１００℃の乾燥雰囲気下で５分、１２０℃の乾燥雰囲気下で１０分乾燥させ、塩化メチレンを除いた。乾燥後、得られたフィルムをＰＥＴフィルムから剥離した。得られたフィルムを５００ｍｍ×３００ｍｍアルミ製の枠に固定し１１０℃の乾燥雰囲気にて１５分乾燥させ、残存塩化メチレンを除き、フィルム１とした。フィルム１のガラス転移温度を測定したところ、１４５℃であった。【０１６３】
（製膜フィルムの例２）（フィルム２の作製：Ｄ３＝０．４２）
合成例１で作製した樹脂（Ｄ２＝０．４０）と合成例２で作製した樹脂（Ｄ２＝０．６２）とを、重量比９：１の割合で混合した樹脂（Ｄ３＝０．４２）を適用した以外は、製膜フィルムの例１と同様の手法を適用し、フィルム２を作製した。フィルム２のガラス転移温度を測定したところ、１４５℃であった。【０１６４】
（製膜フィルムの例３）（フィルム３の作製：Ｄ３＝０．４４）
合成例１で作製した樹脂（Ｄ２＝０．４０）と合成例２で作製した樹脂（Ｄ２＝０．６２）とを、重量比８：２の割合で混合した樹脂（Ｄ３＝０．４４）を適用した以外は、製膜フィルムの例１と同様の手法を適用し、フィルム３を作製した。フィルム３のガラス転移温度を測定したところ、１４５℃であった。【０１６５】
（製膜フィルムの例４）（フィルム４の作製：Ｄ３＝０．４６）
合成例１で作製した樹脂（Ｄ２＝０．４０）と合成例２で作製した樹脂（Ｄ２＝０．６２）とを、重量比７：３の割合で混合した樹脂（Ｄ３＝０．４６）を適用した以外は、製膜フィルムの例１と同様の手法を適用し、フィルム４を作製した。フィルム４のガラス転移温度を測定したところ、１４５℃であった。【０１６６】
（想定製膜フィルムの例５）（フィルム５の作製：Ｄ３＝０．４６）
想定合成例３の樹脂を適用する以外は、製膜フィルムの例１と同様の手法を適用し、フィルム５を作製する。フィルム５のガラス転移温度は、１４５℃となる。【０１６７】
（製膜フィルムの例６）（フィルム６の作製：Ｄ３＝０．５３）
合成例４で作製した樹脂を適用した以外は、製膜フィルムの例１と同様の手法を適用し、フィルム６を作製した。フィルム６のガラス転移温度を測定したところ、１４５℃であった。【０１６８】
（製膜フィルムの例７）（フィルム７の作製：Ｄ３＝０．３４）
合成例５で作製した樹脂を適用した以外は、製膜フィルムの例１と同様の手法を適用し、フィルム７を作製した。フィルム７のガラス転移温度を測定したところ、１４５℃であった。【０１６９】
（製膜フィルムの例８）（フィルム８の作製：Ｄ３＝０．３２）
合成例６で作製した樹脂を適用した以外は、製膜フィルムの例１と同様の手法を適用し、フィルム８を作製した。フィルム８のガラス転移温度を測定したところ、１４５℃であった。【０１７０】
（製膜フィルムの例９）（フィルム９の作製：Ｄ３＝０．４０）
合成例７で作製した樹脂を適用した以外は、製膜フィルムの例１と同様の手法を適用し、フィルム９を作製した。フィルム９のガラス転移温度を測定したところ、１４３℃であった。【０１７１】
（製膜フィルムの例１０）（フィルム１０の作製：Ｄ３＝０．４０）
合成例８で作製した樹脂を適用した以外は、製膜フィルムの例１と同様の手法を適用し、フィルム１０を作製した。フィルム１０のガラス転移温度を測定したところ、１４５℃であった。【０１７２】
（製膜フィルムの例１１）（フィルム１１の作製：Ｄ３＝０．４０）
合成例９で作製した樹脂を適用した以外は、製膜フィルムの例１と同様の手法を適用し、フィルム１１を作製した。フィルム１１のガラス転移温度を測定したところ、１４５℃であった。【０１７３】
（製膜フィルムの例１２）（フィルム１２の作製：Ｄ３＝０．４０）
合成例１０で作製した樹脂を適用した以外は、製膜フィルムの例１と同様の手法を適用し、フィルム１２を作製した。フィルム１２のガラス転移温度を測定したところ、明確なＴｇは観測出来なかった。【０１７４】
（製膜フィルムの例１３）（フィルム１３の作製：Ｄ３＝０．３４）
合成例１１で作製した樹脂を適用した以外は、製膜フィルムの例１と同様の手法を適用し、フィルム１３を作製した。フィルム１３のガラス転移温度を測定したところ、１５０℃であった。【０１７５】
＜４．延伸フィルム＞
以下に、上述した製膜フィルムを用いた延伸フィルムの作製方法を説明する。【０１７６】
（参考例１）
フィルム１を１４５℃にて３０％自由端１軸延伸を行った。延伸フィルムの中央部より５０ｍｍ×４０ｍｍのフィルムを切り出し測定に用いた。結果を表１に示す。【０１７７】
（実施例２）
フィルム１を１５５℃にて４０％自由端１軸延伸を行った。延伸フィルムの中央部より５０ｍｍ×４０ｍｍのフィルムを切り出し測定に用いた。結果を表１に示す。【０１７８】
（実施例３）
フィルム１を１５５℃にて５０％自由端１軸延伸を行った。延伸フィルムの中央部より５０ｍｍ×４０ｍｍのフィルムを切り出し測定に用いた。結果を表１に示す。【０１７９】
（参考例４）
フィルム１を１６５℃にて４０％自由端１軸延伸を行った。延伸フィルムの中央部より５０ｍｍ×４０ｍｍのフィルムを切り出し測定に用いた。結果を表１に示す。【０１８０】
（実施例５）
フィルム２を１５５℃にて５０％自由端１軸延伸を行った。延伸フィルムの中央部より５０ｍｍ×４０ｍｍのフィルムを切り出し測定に用いた。結果を表１に示す。【０１８１】
（実施例６）
フィルム３を１５５℃にて５０％自由端１軸延伸を行った。延伸フィルムの中央部より５０ｍｍ×４０ｍｍのフィルムを切り出し測定に用いた。結果を表１に示す。【０１８２】
（実施例７）
フィルム４を１５５℃にて５０％自由端１軸延伸を行った。延伸フィルムの中央部より５０ｍｍ×４０ｍｍのフィルムを切り出し測定に用いた。結果を表１に示す。【０１８３】
（想定実施例８）
フィルム５を１５５℃にて５０％自由端１軸延伸を行う。延伸フィルムの中央部より５０ｍｍ×４０ｍｍのフィルムを切り出し測定に用いる。結果を表１に示す。【０１８４】
なお、延伸フィルムの各種パラメータは、複屈折の加成性に基づいた計算シミュレーション法（例えば、EKISHO, Vol.9, No.4, (2005）, 227-236参照）などによって算出することができる。【０１８５】
（比較例１）
フィルム６を１５５℃にて５０％自由端１軸延伸を行った。延伸フィルムの中央部より５０ｍｍ×４０ｍｍのフィルムを切り出し測定に用いた。結果を表２に示す。【０１８６】
（比較例２）
フィルム７を１５５℃にて３０％自由端１軸延伸を行った。延伸フィルムの中央部より５０ｍｍ×４０ｍｍのフィルムを切り出し測定に用いた。結果を表２に示す。【０１８７】
（比較例３）
フィルム８を１５５℃にて５０％自由端１軸延伸を行った。延伸フィルムの中央部より５０ｍｍ×４０ｍｍのフィルムを切り出し測定に用いた。結果を表２に示す。【０１８８】
（比較例４）
フィルム９を１５３℃にて５０％自由端１軸延伸を行った。延伸フィルムの中央部より５０ｍｍ×４０ｍｍのフィルムを切り出し測定に用いた。結果を表２に示す。【０１８９】
（比較例５）
フィルム１０を１５５℃にて３０％自由端１軸延伸を行った。延伸フィルムの中央部より５０ｍｍ×４０ｍｍのフィルムを切り出し測定に用いた。結果を表２に示す。【０１９０】
（比較例６）
フィルム１１を１５５℃にて４０％自由端１軸延伸を行った。延伸フィルムの中央部より５０ｍｍ×４０ｍｍのフィルムを切り出し測定に用いた。結果を表２に示す。【０１９１】
（比較例７）
フィルム１２を１６５℃にて４０％自由端１軸延伸を行った。延伸フィルムの中央部より５０ｍｍ×４０ｍｍのフィルムを切り出し測定に用いた。結果を表２に示す。【０１９２】
（比較例８）
フィルム１３を１６０℃にて５０％自由端１軸延伸を行った。延伸フィルムの中央部より５０ｍｍ×４０ｍｍのフィルムを切り出し測定に用いた。結果を表２に示す。【０１９３】
【表１】
0006010233.tif 000008
【０１９４】
【表２】
0006010233.tif 000009
【０１９５】
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態および実施例にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態および実施例にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１９６】
本発明は、液晶表示装置及び有機ＥＬなどの画像表示装置に利用することができる。