(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面中央部に半導体素子が搭載される搭載部を有する絶縁基板と、該絶縁基板の上面に前記搭載部の外周部を互いに隣接して前記半導体素子の外周辺に直角な方向に延在する複数の配線導体と、前記絶縁基板の上面に被着されており、前記外周部における前記配線導体の一部を前記外周辺に沿って互いに並設された複数の半導体素子接続パッドとして露出させる開口部を有するとともに前記配線導体の残余の部分を被覆するソルダーレジスト層とを具備して成る配線基板であって、前記開口部は、並設された前記半導体素子接続パッド間の開口縁において、該開口縁の両端部から前記半導体素子接続パッド間の中間位置に向かって漸次幅が小さくなっていく切り欠きが形成されていることを特徴とする配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子等を搭載するための配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子集積回路素子等の半導体素子を搭載するための配線基板は、図３（ａ）および（ｂ）に示すように、上面中央部に半導体素子Ｓを搭載するための搭載部１１ａを有する絶縁基板１１と、絶縁基板１１の上面に、搭載部１１ａの外周部を互いに隣接して半導体素子Ｓの外周辺に直角な方向に延在するとともに絶縁基板１１の下面に導出する複数の配線導体１２と、絶縁基板１１の上面に被着されており、搭載部１１ａの外周部における配線導体１２の一部を露出させる開口部１３ａを有するとともに、残余の配線導体１２を被覆するソルダーレジスト層１３とを具備している。
【０００３】
開口部１３ａから露出された配線導体１２の一部は、半導体素子Ｓの外周辺に沿って互いに並設された複数の半導体素子接続パッド１４として機能する。また、絶縁基板１１の下面に露出する配線導体１２は、外部の電気回路基板に接続するための外部接続パッド１５として機能する。そして、半導体素子Ｓの電極Ｔを半導体素子接続パッド１４に半田を介して接続するとともに、外部接続パッド１５を外部の電気回路基板の配線導体に半田を介して接続することにより半導体素子Ｓが外部の電気回路基板に電気的に接続され、半導体素子Ｓと外部の電気回路基板との間で配線導体１２に信号を伝送することにより半導体素子Ｓが作動する。なお、上述のようにして半導体素子Ｓが配線基板２０に搭載される場合、半導体素子Ｓと配線基板２０との間の隙間を封止樹脂により充填しておき水分や異物等が隙間に浸入することを防止することで半導体素子Ｓの作動を安定化させている。
【０００４】
ところで、半導体素子Ｓと配線基板２０との間の隙間に封止樹脂を充填する際に、搭載部１１ａにおける半導体素子接続パッド１４よりも内側部分に封止樹脂をあらかじめ山状に被着させておき、それぞれが対応する半導体素子Ｓの電極Ｔと、半導体素子接続パッド１４とが対向するように位置決めされた半導体素子Ｓを、搭載部１１ａの上方から下方へ下降させて電極Ｔと半導体素子接続パッド１４とを接合すると同時に、山状に被着された封止樹脂を半導体素子Ｓと配線基板２０との隙間に押し広げていく方法がとられる場合がある。このように、封止樹脂が搭載部１１ａの中央部から外周部に向けて押し広げられることで半導体素子Ｓと配線基板２０との隙間が充填される。
【０００５】
ところが、封止樹脂が搭載部１１ａの中央部から外周部に向けて押し広げられる際に、図４に示すように、互いに並設された半導体素子接続パッド１４間のソルダーレジスト層１３の開口縁１６において、封止樹脂が気泡Ｂを巻き込んで滞留させてしまい、半導体素子接続パッド１４と気泡Ｂとが接触状態となる場合があった。このように、半導体素子接続パッド１４と気泡Ｂとが接触状態になっていると、半導体素子接続パッド１４間の電気的な絶縁性が不十分となる恐れがあった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１１−１９９２０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、半導体素子搭載時に半導体素子と配線基板との隙間に封止樹脂が充填される配線基板について、並設された半導体素子接続パッド間のソルダーレジスト層の開口縁において半導体素子接続パッドと封止樹脂中の気泡との接触をなくすことで、並設された半導体素子接続パッド間の電気的な絶縁性が良好な配線基板を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の配線基板は、上面中央部に半導体素子が搭載される搭載部を有する絶縁基板と、絶縁基板の上面に搭載部の外周部を互いに隣接して半導体素子の外周辺に直角な方向に延在する複数の配線導体と、絶縁基板の上面に被着されており、外周部における配線導体の一部を外周辺に沿って互いに並設された複数の半導体素子接続パッドとして露出させる開口部を有するとともに配線導体の残余の部分を被覆するソルダーレジスト層とを具備して成る配線基板であって、開口部は、並設された半導体素子接続パッド間の開口縁において、開口縁の両端部から半導体素子接続パッド間の中間位置に向かって漸次幅が小さくなっていく切り欠きが形成されていることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の配線基板によれば、ソルダーレジスト層の開口部が、並設された半導体素子接
続パッド間の開口縁において、開口縁の両端部から半導体素子接続パッド間の中間位置に向かって漸次幅が小さくなっていく切り欠きが形成されていることから、封止樹脂が搭載部の中央部から外周部に向けて押し広げられる際に、半導体素子接続パッド間の開口縁において気泡を巻き込んだ場合でも、気泡が半導体素子接続パッドと接触状態となることなく切り欠きの中に誘導されていく。このため、半導体素子接続パッド間の開口縁において半導体素子接続パッドと封止樹脂中の気泡との接触をなくすことが可能となり、並設された半導体素子接続パッド間の電気的な絶縁性が良好な配線基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１（ａ）および（ｂ）は、本発明の配線基板の実施の形態の一例を示す概略断面図および平面図である。
【図２】図２は、図１に示す配線基板の要部拡大平面図である。
【図３】図３（ａ）および（ｂ）は、従来の配線基板の実施の形態の一例を示す概略断面図および平面図である。
【図４】図４は、図３に示す配線基板の要部拡大平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
次に、本発明の実施形態の一例を図１（ａ）および（ｂ）を基に説明する。図１（ａ）に示すように本例の配線基板は、主として絶縁基板１と、配線導体２とソルダーレジスト層３とを具備している。
【００１２】
絶縁基板１は、例えばガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた電気絶縁材料から成る。絶縁基板１は、この例では単層構造であるが、同一または異なる電気絶縁材料から成る複数の絶縁層を多層に積層した多層構造であってもよい。
【００１３】
絶縁基板１は、その上面中央部に半導体素子Ｓが搭載される搭載部１ａを有している。搭載部１ａは半導体素子Ｓに対応する大きさおよび形状をしている。また、絶縁基板１の下面は、外部の電気回路基板と接続するための接続面となっている。
【００１４】
配線導体２は、絶縁基板１の上面を搭載部１ａの外周部において互いに隣接して半導体素子Ｓの外周辺に直角な方向に延在するとともに絶縁基板１を貫通して絶縁基板１の下面に導出している。このような、配線導体２は、例えば銅めっきから成り、周知のサブトラクティブ法やセミアディティブ法により形成されている。
【００１５】
配線導体２は、その一部が搭載部１ａの外周部において、ソルダーレジスト層３に形成された開口部３ａから露出されて半導体素子接続パッド４として機能する。また、絶縁基板１の下面に導出した部位に外部の電気回路基板に接続するための外部接続パッド５を有している。そして、半導体素子Ｓの電極Ｔを半導体素子接続パッド４に半田を介して接続するとともに、外部接続パッド５を外部の電気回路基板の配線導体に半田を介して接続することにより半導体素子Ｓが外部の電気回路基板に電気的に接続され、半導体素子Ｓと外部の電気回路基板との間で配線導体２に信号を伝送することにより半導体素子Ｓが作動する。
【００１６】
半導体素子接続パッド４は、図１（ｂ）に示すように、半導体素子Ｓの電極Ｔに対応するように配置されている。この例では、絶縁基板１の中央部から外周部に向けて延在する複数の配線導体２のそれぞれの一部が開口部３ａから露出されることで、開口部３ａ内に複数の半導体素子接続パッド４が並設されている。
【００１７】
ソルダーレジスト層３は、アクリル変性エポキシ樹脂等の感光性を有する熱硬化性樹脂を硬化させた電気絶縁材料から成る。ソルダーレジスト層３は、搭載部１ａにおける配線導体２の一部を露出させる開口部３ａを有しているとともに、配線導体２の残余の部分を被覆している。これにより半導体素子接続パッド４に半導体素子Ｓの電極Ｔを接続可能とするとともに配線導体２の残余の部分を外部環境より保護している。
【００１８】
開口部３ａは、並設された半導体素子接続パッド４間の開口縁６において、半導体素子接続パッド４間の中間位置に向かって幅が細くなっていく切り欠き７が形成されている。これにより、半導体素子Ｓと配線基板１０との間の隙間に封止樹脂を充填する際に、図２に示すように、並設された半導体素子接続パッド４間の開口縁６において封止樹脂が気泡Ｂを巻き込んだ場合でも、気泡Ｂが切り欠き７の中に誘導されることで、半導体素子接続パッド４と気泡Ｂとが接触状態となることを回避することができる。なお、切り欠き７の開口幅Ｗは２０μｍ以上であり、奥行きＬは１５μｍ以上であることが好ましい。開口幅Ｗが２０μｍより小さく、奥行きＬが１５μｍより小さいと、気泡Ｂを半導体素子接続パッド４に接触しないように切り欠き７内に完全に誘導することが困難になる恐れがある。
【００１９】
このように、本発明の配線基板１０によれば、半導体素子接続パッド４と気泡Ｂとの接触を回避することで、半導体素子接続パッド４間の電気的な絶縁性を良好なものにすることができる。
【符号の説明】
【００２０】
１            絶縁基板
１ａ          搭載部
２            配線導体
３            ソルダーレジスト層
３ａ          開口部
４            半導体素子接続パッド
６            開口縁
７            切り欠き
１０          配線基板
Ｓ            半導体素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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