(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）
【化１】
0005927875.tif 000015
（式中、Ａｒは、炭素数６〜３０のアリール基であって、該炭素数６〜３０のアリール基は炭素数１〜３６の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、炭素数１〜３６の直鎖、分岐若しくは環状のアルコキシ基、炭素数１〜３６のアリールオキシ基、炭素数１〜３６のトリアルキルシリル基、炭素数１〜３６のトリアリールシリル基、９−カルバゾリル基、又はハロゲン原子を置換基として有していてもよい。Ａ及びＢは各々独立して、少なくとも１つのＣ＝Ｎ結合を有する炭素数３〜２０のヘテロアリール基であって、該少なくとも１つのＣ＝Ｎ結合を有する炭素数３〜２０のヘテロアリール基は炭素数１〜３６の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、炭素数１〜３６の直鎖、分岐若しくは環状のアルコキシ基、炭素数１〜３６のアリールオキシ基、炭素数１〜３６のトリアルキルシリル基、炭素数１〜３６のトリアリールシリル基、９−カルバゾリル基、又はハロゲン原子を置換基として有していてもよい。Ｘ１及びＸ２は各々独立して炭素原子又は窒素原子を表す。Ｒ１、Ｒ２及びＲ４〜Ｒ７は各々独立して水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルコキシ基、炭素数６〜３０のアリール基（該炭素数６〜３０のアリール基は、炭素数１〜３６の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、炭素数１〜３６の直鎖、分岐若しくは環状のアルコキシ基、炭素数１〜３６のアリールオキシ基、炭素数１〜３６のトリアルキルシリル基、炭素数１〜３６のトリアリールシリル基、９−カルバゾリル基、若しくはハロゲン原子を置換基として有していてもよい）、又は炭素数４〜２０のヘテロアリール基（該炭素数４〜２０のヘテロアリール基は、炭素数１〜３６の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、炭素数１〜３６の直鎖、分岐若しくは環状のアルコキシ基、炭素数１〜３６のアリールオキシ基、炭素数１〜３６のトリアルキルシリル基、炭素数１〜３６のトリアリールシリル基、９−カルバゾリル基、若しくはハロゲン原子を置換基として有していてもよい）を表す。Ｒ３は水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、又は炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルコキシ基を表す。Ｒ８及びＲ９は各々独立してハロゲン原子、炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルコキシ基、又は炭素数６〜３０のアリール基（該炭素数６〜３０のアリール基は、炭素数１〜３６の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、炭素数１〜３６の直鎖、分岐若しくは環状のアルコキシ基、炭素数１〜３６のアリールオキシ基、炭素数１〜３６のトリアルキルシリル基、炭素数１〜３６のトリアリールシリル基、９−カルバゾリル基、若しくはハロゲン原子を置換基として有していてもよい）を表す。ｍ及びｎは各々独立して０又は１の整数を表し［但し、ｍ＋ｎは１又は２である］、ｐ及びｑは各々独立して０〜４の整数を表す。）
で表されるアミン化合物。
【請求項２】
前記一般式（１）において、Ａ及びＢは、各々独立して、イミダゾリル基、チアゾリル基、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、１，３，５−トリアジル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾチアゾリル基、及びキノキサリル基（これらの基は、炭素数１〜３６の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、炭素数１〜３６の直鎖、分岐若しくは環状のアルコキシ基、炭素数１〜３６のアリールオキシ基、炭素数１〜３６のトリアルキルシリル基、炭素数１〜３６のトリアリールシリル基、９−カルバゾリル基、若しくはハロゲン原子を置換基として有していてもよい）から選ばれる置換基であることを特徴とする請求項１に記載のアミン化合物。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のアミン化合物を発光層、正孔輸送層又は正孔注入層のいずれかに用いることを特徴とする有機ＥＬ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、新規なアミン化合物及びそれを用いた有機ＥＬ素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子は、有機薄膜を１対の電極で狭持した面発光型素子であり、薄型軽量、高視野角、高速応答性といった特徴を有し、各種表示素子への応用が期待されている。また最近では、携帯電話のディスプレイ等、一部実用化も始まっている。有機ＥＬ素子とは、陽極から注入された正孔と、陰極から注入された電子とが発光層で再結合する際に発する光を利用した素子であり、その構造は正孔輸送層、発光層、電子輸送層等を積層した多層積層型が主流である。ここで、正孔輸送層や電子輸送層といった電荷輸送層は、それ自体は発光するわけではないが、発光層への電荷注入を容易にし、また、発光層に注入された電荷や発光層で生成した励起子のエネルギーを閉じ込めるといった役割を果たしている。
従って、電荷輸送層は有機ＥＬ素子の低駆動電圧化及び発光効率を向上させる上で非常に重要である。
【０００３】
正孔輸送材料には、適当なイオン化ポテンシャルと正孔輸送能を有するアミン化合物が用いられ、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル］ビフェニル（以下、ＮＰＤと略す）がよく知られている。しかしながら、ＮＰＤを正孔輸送層に用いた素子の駆動電圧、発光効率及び耐久性は十分ではなく、新しい材料の開発が求められている。さらに、近年では発光層に燐光発光材料を用いた有機ＥＬ素子の開発も進められており、燐光発光を用いた素子では、三重項準位が高い正孔輸送材料が必要とされている。三重項準位という点からもＮＰＤは十分ではなく、例えば、緑色の発光を有する燐光発光材料とＮＰＤを組み合わせた有機ＥＬ素子では、発光効率が低下することが報告されている（例えば、非特許文献１参照）。
【０００４】
このような背景から、最近では分子内にカルバゾール環を導入したアミン化合物が報告されている。カルバゾール環を導入したアミン化合物は、ＮＰＤと比較して高い三重項準位を有すると共に、正孔輸送性に優れることから有用な分子骨格であるが、これまでに報告されている化合物の多くは、カルバゾール環の３位にアミノ基が導入された３−アミノカルバゾール化合物である（例えば、特許文献１，２参照）。カルバゾール環の３位は、電子ドナー性である窒素原子のパラ位となるため、３位に置換されたアミノ基はカルバゾール環の窒素原子によって活性化されることになる。即ち、３−アミノカルバゾール化合
物のイオン化ポテンシャルは、通常のアミン化合物と比較して低くなってしまう。従って、これまでに報告されている３−アミノカルバゾール化合物を正孔輸送層に用いた場合、発光層への正孔注入障壁が大きくなり、有機ＥＬ素子の駆動電圧が高くなるという問題があった。
【０００５】
上記の背景から、アミノ基はカルバゾール環の２位に結合した方が適切なイオン化ポテンシャルとなる可能性があった。カルバゾール環の２位がアミノ基で置換された化合物については、２−ジトリルアミノカルバゾール類が電子写真感光体における電荷輸送材料として例示されている（例えば、特許文献３参照）。しかしながら、例示されている化合物はガラス転移温度が低く、有機ＥＬ素子に使用した場合、高温駆動時の耐久性に問題があった。また、有機電子デバイス用の材料として、７−フェニル−２−アミノカルバゾール化合物も開示されている（例えば、特許文献４参照）。しかし、アミノ基のパラ位であるカルバゾール環の７位にフェニル基が置換した特許文献４に記載の化合物は、パイ電子の共役が広がるため、分子のエネルギーギャップが小さく、また、三重項準位も低い。従って、緑色発光を有する燐光発光材料と組み合わせた素子では、十分な発光効率を得ること
ができない。
【０００６】
また、素子の耐久性は、正孔輸送層に電子を受容できるドーパントをドープすることで、向上することが報告されている（例えば、非特許文献２参照）。有機ＥＬ素子の駆動時には、発光層内で正孔と再結合しなかった電子が正孔輸送層に注入されるといった現象も起こるため、正孔輸送層への電子注入に伴うアミン化合物の不可逆的還元が素子の劣化要因の一つとして考えられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００６−２８１７６公報
【特許文献２】特開２００６−２９８８９８公報
【特許文献３】特開２００３−３１６０３５公報
【特許文献４】国際公開２００６／１０８４９７パンフレット
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ，２００４年，９５巻，７７９８頁
【非特許文献２】Ｊａｐａｎｅｓｅ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ，１９９５年，３４巻，Ｌ８２４頁
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、有機ＥＬ素子の正孔輸送材料に適したアミン化合物、さらには発光効率が高く、耐久性に優れた有機ＥＬ素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らは鋭意検討した結果、下記一般式（１）で表されるアミン化合物が正孔輸送特性に優れると共に、電子受容安定性のある該化合物を正孔輸送層に用いた有機ＥＬ素子は駆動電圧が低く、さらに発光効率及び耐久性に優れることを見出し、本発明を完成するに至った。即ち、本発明は、一般式（１）
【００１１】
【化１】
0005927875.tif 000002
【００１２】
（式中、Ａｒは炭素数１〜３６の置換基又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数６〜３０のアリール基を表す。Ａ及びＢは各々独立して炭素数１〜３６の置換基又はハロゲン原子を有していてもよい少なくとも１つのＣ＝Ｎ結合を有する炭素数３〜２０のヘテロアリール基を表す。Ｘ１及びＸ２は各々独立して炭素原子又は窒素原子を表す。Ｒ１、Ｒ２及びＲ４〜Ｒ７は各々独立して水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルコキシ基、炭素数１〜３６の置換基又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数６〜３０のアリール基、又は炭素数１〜３６の置換基又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数４〜２０のヘテロアリール基を表す。Ｒ３は水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、又は炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルコキシ基を表す。Ｒ８及びＲ９は各々独立してハロゲン原子、炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルコキシ基、又は炭素数１〜３６の置換基又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数６〜３０のアリール基を表す。ｍ及びｎは各々独立して０又は１の整数を表し［但し、ｍ＋ｎは１又は２である］、ｐ及びｑは各々独立して０〜４の整数を表す。）
で表されるアミン化合物及びその用途に関するものである。
【００１３】
以下、本発明に関し詳細に説明する。
【００１４】
本発明の一般式（１）で表されるアミン化合物において、Ａｒは炭素数１〜３６の置換基又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数６〜３０のアリール基を表す。
【００１５】
Ａｒで示される炭素数１〜３６の置換基又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数６〜３０のアリール基において、炭素数６〜３０のアリール基としては、特に限定するものではないが、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、フェナントリル基、ベンゾフルオレニル基、ジベンゾフルオレニル基、フルオランテニル基、ピレニル基、クリセニル基、ペリレニル基、ピセニル基等を挙げることができ、炭素数１〜３６の置換基又はハロゲン原子としては、直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、直鎖、分岐若しくは環状のアルコキシ基、アリールオキシ基、トリアルキルシリル基、トリアリールシリル基、９−カルバゾリル基、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素を挙げることができるが、置換位置、置換個数については特に限定はない。
【００１６】
直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ステアリル基、トリクロロメチル基、トリフルオロメチル基、シクロプロピル基、シクロヘキシル基等を例示することができるが、これらに限定されるものではない。
【００１７】
直鎖、分岐若しくは環状のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ステアリルオキシ基等を例示することができるが、これらに限定されるものではない。
【００１８】
アリールオキシ基としては、フェノキシ基、４−メチルフェニルオキシ基、３−メチルフェニルオキシ基、４−ビフェニルオキシ基、３−ビフェニルオキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基等を例示することができるが、これらに限定されるものではない。
【００１９】
トリアルキルシリル基としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリブチルシリル基等を例示することができるが、これらに限定されるものではない。
【００２０】
トリアリールシリル基としては、トリフェニルシリル基、トリ（４−メチルフェニル）シリル基、トリ（３−メチルフェニル）シリル基、トリ（４−メチルフェニル）シリル基、トリ（４−ビフェニル）シリル基等を例示することができるが、これらに限定されるものではない。
【００２１】
Ａｒの具体例としては、フェニル基、４−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、２−メチルフェニル基、４−エチルフェニル基、３−エチルフェニル基、２−エチルフェニル基、４−ｎ−プロピルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、２−イソプロピルフェニル基、４−ｎ−ブチルフェニル基、４−イソブチルフェニル基、４−ｓｅｃ−ブチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−ｎ−ペンチルフェニル基、４−イソペンチルフェニル基、４−ネオペンチルフェニル基、４−ｎ−ヘキシルフェニル基、４−ｎ−オクチルフェニル基、４−ｎ−デシルフェニル基、４−ｎ−ドデシルフェニル基、４−シクロペンチルフェニル基、４−シクロヘキシルフェニル基、４−トリチルフェニル基、３−トリチルフェニル基、４−トリフェニルシリルフェニル基、３−トリフェニルシリルフェニル基、２，４−ジメチルフェニル基、２，５−ジメチルフェニル基、３，４−ジメチルフェニル基、３，５−ジメチルフェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、２，３，５−トリメチルフェニル基、２，３，６−トリメチルフェニル基、３，４，５−トリメチルフェニル基、４−メトキシフェニル基、３−メトキシフェニル基、２−メトキシフェニル基、４−エトキシフェニル基、３−エトキシフェニル基、２−エトキシフェニル基、４−ｎ−プロポキシフェニル基、３−ｎ−プロポキシフェニル基、４−イソプロポキシフェニル基、２−イソプロポキシフェニル基、４−ｎ−ブトキシフェニル基、４−イソブトキシフェニル基、２−ｓｅｃ−ブトキシフェニル基、４−ｎ−ペンチルオキシフェニル基、４−イソペンチルオキシフェニル基、２−イソペンチルオキシフェニル基、４−ネオペンチルオキシフェニル基、２−ネオペンチルオキシフェニル基、４−ｎ−ヘキシルオキシフェニル基、２−（２−エチルブチル）オキシフェニル基、４−ｎ−オクチルオキシフェニル基、４−ｎ−デシルオキシフェニル基、４−ｎ−ドデシルオキシフェニル基、４−ｎ−テトラデシルオキシフェニル基、４−シクロヘキシルオキシフェニル基、２−シクロヘキシルオキシフェニル基、４−フェノキシフェニル基、２−メチル−４−メトキシフェニル基、２−メチル−５−メトキシフェニル基、３−メチル−４−メトキシフェニル基、３−メチル−５−メトキシフェニル基、３−エチル−５−メトキシフェニル基、２−メトキシ−４−メチルフェニル基、３−メトキシ−４−メチルフェニル基、２，４−ジメトキシフェニル基、２，５−ジメトキシフェニル基、２，６−ジメトキシフェニル基、３，４−ジメトキシフェニル基、３，５−ジメトキシフェニル基、３，５−ジエトキシフェニル基、３，５−ジ−ｎ−ブトキシフェニル基、２−メトキシ−４−エトキシフェニル基、２−メトキシ−６−エトキシフェニル基、３，４，５−トリメトキシフェニル基、４−（９−カルバゾリル）フェニル基、３−（９−カルバゾリル）フェニル基、４−フルオロフェニル基、３−フルオロフェニル基、２−フルオロフェニル基、２，３−ジフルオロフェニル基、２，４−ジフルオロフェニル基、２，５−ジフルオロフェニル基、２，６−ジフルオロフェニル基、３，４−ジフルオロフェニル基、３，５−ジフルオロフェニル基、４−（１−ナフチル）フェニル基、４−（２−ナフチル）フェニル基、３−（１−ナフチル）フェニル基、３−（２−ナフチル）フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、６−メチル−２−ナフチル基、４−フェニル−１−ナフチル基、６−フェニル−２−ナフチル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１０−フェニル−９−アントリル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、９，９−ジエチル−２−フルオレニル基、９，９−ジ−ｎ−プロピル−２−フルオレニル基、９，９−ジ−ｎ−オクチル−２−フルオレニル基、９，９−ジフェニル−２−フルオレニル基、９，９’−スピロビフルオレニル基、９−フェナントリル基、２−フェナントリル基、ベンゾフルオレニル基、ジベンゾフルオレニル基、フルオランテニル基、ピレニル基、クリセニル基、ペリレニル基、ピセニル基、４−ビフェニリル基、３−ビフェニリル基、２−ビフェニリル基、ｐ−ターフェニル基、ｍ−ターフェニル基、ｏ−ターフェニル基等を例示することができるが、これらに限定されるものではない。
【００２２】
一般式（１）で表されるアミン化合物において、ガラス転移温度が高く、緑色発光を有する燐光発光材料と比較して高い三重項準位を有することが好ましい点から、Ａｒは炭素数１〜３６の置換基又はハロゲン原子を有していてもよい４−ビフェニリル基、３−ビフェニリル基、ｍ−ターフェニル基、４−（９−カルバゾリル）フェニル基、又は２−フルオレニル基であることが好ましい。
【００２３】
一般式（１）で表されるアミン化合物において、Ａ及びＢは各々独立して炭素数１〜３６の置換基又はハロゲン原子を有していてもよい少なくとも１つのＣ＝Ｎ結合を有する炭素数３〜２０のヘテロアリール基を表す。
【００２４】
Ａ及びＢで示される炭素数１〜３６の置換基又はハロゲン原子を有していてもよい少なくとも１つのＣ＝Ｎ結合を有する炭素数３〜２０のヘテロアリール基において、少なくとも１つのＣ＝Ｎ結合を有する炭素数３〜２０のヘテロアリール基としては、電子受容性を有し、還元に対して安定であれば特に制限は無く、例えば、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、１，３，５−トリアジル基、ベンゾイミダゾリル基、インダゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、２，１，３−ベンゾチアジアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾイソオキサゾリル基、２，１，３−ベンゾオキサジアゾリル基、キノリル基、イソキノリル基、キノキサリル基、キナゾリル基、アクリジニル基、１，１０−フェナントロリル基等を挙げることができ、炭素数１〜３６の置換基又はハロゲン原子としては、特に限定するものではないが、前記Ａｒで例示した炭素数１〜３６の置換基又はハロゲン原子を挙げることができる。
【００２５】
Ａ及びＢの具体例としては、１−イミダゾリル基、２−フェニル−１−イミダゾリル基、２−フェニル−３，４−ジメチル−１−イミダゾリル基、２，３，４−トリフェニル−１−イミダゾリル基、２−（２−ナフチル）−３，４−ジメチル−１−イミダゾリル基、２−（２−ナフチル）−３，４−ジフェニル−１−イミダゾリル基、１−メチル−２−イミダゾリル基、１−エチル−２−イミダゾリル基、１−フェニル−２−イミダゾリル基、１−メチル−４−フェニル−２−イミダゾリル基、１−メチル−４，５−ジメチル−２−イミダゾリル基、１−メチル−４，５−ジフェニル−２−イミダゾリル基、１−フェニル−４，５−ジメチル−２−イミダゾリル基、１−フェニル−４，５−ジフェニル−２−イミダゾリル基、１−フェニル−４，５−ジビフェニリル−２−イミダゾリル基、１−メチル−３−ピラゾリル基、１−フェニル−３−ピラゾリル基、１−メチル−４−ピラゾリル基、１−フェニル−４−ピラゾリル基、１−メチル−５−ピラゾリル基、１−フェニル−５−ピラゾリル基、２−チアゾリル基、４−チアゾリル基、５−チアゾリル基、３−イソチアゾリル基、４−イソチアゾリル基、５−イソチアゾリル基、２−オキサゾリル基、４−オキサゾリル基、５−オキサゾリル基、３−イソオキサゾリル基、４−イソオキサゾリル基、５−イソオキサゾリル基、２−ピリジル基、３−メチル−２−ピリジル基、４−メチル−２−ピリジル基、５−メチル−２−ピリジル基、６−メチル−２−ピリジル基、３−ピリジル基、４−メチル−３−ピリジル基、４−ピリジル基、２−ピリミジル基、５−ピリミジル基、ピラジル基、１，３，５−トリアジル基、４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン−２−イル基、１−ベンゾイミダゾリル基、２−メチル−１−ベンゾイミダゾリル基、２−フェニル−１−ベンゾイミダゾリル基、１−メチル−２−ベンゾイミダゾリル基、１−フェニル−２−ベンゾイミダゾリル基、１−メチル−５−ベンゾイミダゾリル基、１，２−ジメチル−５−ベンゾイミダゾリル基、１−メチル−２−フェニル−５−ベンゾイミダゾリル基、１−フェニル−５−ベンゾイミダゾリル基、１，２−ジフェニル−５−ベンゾイミダゾリル基、１−メチル−６−ベンゾイミダゾリル基、１，２−ジメチル−６−ベンゾイミダゾリル基、１−メチル−２−フェニル−６−ベンゾイミダゾリル基、１−フェニル−６−ベンゾイミダゾリル基、１，２−ジフェニル−６−ベンゾイミダゾリル基、１−メチル−３−インダゾリル基、１−フェニル−３−インダゾリル基、２−ベンゾチアゾリル基、４−ベンゾチアゾリル基、５−ベンゾチアゾリル基、６−ベンゾチアゾリル基、７−ベンゾチアゾリル基、３−ベンゾイソチアゾリル基、４−ベンゾイソチアゾリル基、５−ベンゾイソチアゾリル基、６−ベンゾイソチアゾリル基、７−ベンゾイソチアゾリル基、２，１，３−ベンゾチアジアゾリル−４−イル基、２，１，３−ベンゾチアジアゾリル−５−イル基、２−ベンゾオキサゾリル基、４−ベンゾオキサゾリル基、５−ベンゾオキサゾリル基、６−ベンゾオキサゾリル基、７−ベンゾオキサゾリル基、３−ベンゾイソオキサゾリル基、４−ベンゾイソオキサゾリル基、５−ベンゾイソオキサゾリル基、６−ベンゾイソオキサゾリル基、７−ベンゾイソオキサゾリル基、２，１，３−ベンゾオキサジアゾリル−４−イル基、２，１，３−ベンゾオキサジアゾリル−５−イル基、２−キノリル基、３−キノリル基、５−キノリル基、６−キノリル基、１−イソキノリル基、４−イソキノリル基、５−イソキノリル基、２−キノキサリル基、３−フェニル−２−キノキサリル基、６−キノキサリル基、２，３−ジメチル−６−キノキサリル基、２，３−ジフェニル−６−キノキサリル基、２−キナゾリル基、４−キナゾリル基、２−アクリジニル基、９−アクリジニル基、１，１０−フェナントロリン−３−イル基、１，１０−フェナントロリン−５−イル基等を例示することができるが、これらに限定されるものではない。
【００２６】
一般式（１）で表されるアミン化合物において、還元に対する安定性及び耐熱性が高いことが好ましい点から、Ａ及びＢは各々独立して炭素数１〜３６の置換基又はハロゲン原子を有していてもよいイミダゾリル基、チアゾリル基、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、１，３，５−トリアジル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾチアゾリル基、又はキノキサリル基から選ばれる置換基であることが好ましい。
【００２７】
一般式（１）で表されるアミン化合物において、Ｘ１及びＸ２は各々独立して炭素原子又は窒素原子を表す。
【００２８】
一般式（１）で表されるアミン化合物において、Ｒ１、Ｒ２及びＲ４〜Ｒ７は各々独立して水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルコキシ基、炭素数１〜３６の置換基又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数６〜３０のアリール基、又は炭素数１〜３６の置換基又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数４〜２０のヘテロアリール基を表す。
【００２９】
Ｒ１、Ｒ２及びＲ４〜Ｒ７で示されるハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、又はヨウ素原子が挙げられる。
【００３０】
Ｒ１、Ｒ２及びＲ４〜Ｒ７で示される炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基としては、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ステアリル基、トリクロロメチル基、トリフルオロメチル基、シクロプロピル基、シクロヘキシル基等を例示することができるが、これらに限定されるものではない。
【００３１】
Ｒ１、Ｒ２及びＲ４〜Ｒ７で示される炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルコキシ基としては、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ステアリルオキシ基等を例示することができるが、これらに限定されるものではない。
【００３２】
Ｒ１、Ｒ２及びＲ４〜Ｒ７で示される炭素数１〜３６の置換基又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数６〜３０のアリール基としては、特に限定するものではないが、前記Ａｒで例示した炭素数１〜３６の置換基又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数６〜３０のアリール基が挙げられる。
【００３３】
Ｒ１、Ｒ２及びＲ４〜Ｒ７で示される炭素数１〜３６の置換基又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数４〜２０のヘテロアリール基において、炭素数４〜２０のヘテロアリール基としては、酸素原子、窒素原子及び硫黄原子のうち少なくとも一つのヘテロ原子を含有する芳香族基であり、特に限定するものではないが、例えば、２−ピリジル基、３−ピリジル基、４−ピリジル基、３−キノリル基、４−キノリル基、２−フリル基、３−フリル基、２−チエニル基、３−チエニル基、２−オキサゾリル基、２−チアゾリル基、２−ベンゾオキサゾリル基、２−ベンゾチアゾリル基、２−ベンゾチオフェニル基、３−ベンゾチオフェニル基、２−ベンゾイミダゾリル基、２−ジベンゾチオフェニル基、３−ジベンゾチオフェニル基、２−ジベンゾフラニル基、３−ジベンゾフラニル基等を例示することができ、炭素数１〜３６の置換基又はハロゲン原子としては、特に限定するものではないが、前記Ａｒで例示した炭素数１〜３６の置換基又はハロゲン原子を挙げることができる。
【００３４】
一般式（１）で表されるアミン化合物において、Ｒ３は水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、又は炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルコキシ基を表す。
【００３５】
Ｒ３で示されるハロゲン原子、炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、又は炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルコキシ基としては、それぞれ前記Ｒ１、Ｒ２及びＲ４〜Ｒ７で例示したハロゲン原子、炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、又は炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルコキシ基が挙げられる。
【００３６】
一般式（１）で表されるアミン化合物において、Ｒ８及びＲ９は各々独立してハロゲン原子、炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルコキシ基、又は炭素数１〜３６の置換基又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数６〜３０のアリール基を表す。
【００３７】
Ｒ８及びＲ９で示されるハロゲン原子、炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、又は炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルコキシ基としては、それぞれ前記Ｒ１、Ｒ２及びＲ４〜Ｒ７で例示したハロゲン原子、炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、又は炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルコキシ基が挙げられる。
【００３８】
Ｒ８及びＲ９で示される炭素数１〜３６の置換基又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数６〜３０のアリール基としては、特に限定するものではないが、前記Ａｒで例示した炭素数１〜３６の置換基又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数６〜３０のアリール基が挙げられる。
【００３９】
一般式（１）で表されるアミン化合物において、ｍ及びｎは各々独立して０又は１の整数を表す。但し、ｍ＋ｎは１又は２である。
【００４０】
一般式（１）で表されるアミン化合物において、ｐ及びｑは各々独立して０〜４の整数を表す。
【００４１】
以下に好ましい化合物を例示するが、これらの化合物に限定されるものではない。
【００４２】
【化２】
0005927875.tif 000003
【００４３】
【化３】
0005927875.tif 000004
【００４４】
【化４】
0005927875.tif 000005
【００４５】
【化５】
0005927875.tif 000006
【００４６】
【化６】
0005927875.tif 000007
【００４７】
【化７】
0005927875.tif 000008
【００４８】
【化８】
0005927875.tif 000009
【００４９】
前記一般式（１）で表されるアミン化合物は、例えば、公知の方法（Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，１９９８年，第３９巻，２３６７頁）によって合成することができる。具体的には、下記のルートにより合成することができる。
【００５０】
（ルートａ）２位がハロゲン化された９Ｈ−カルバゾール化合物とハロゲン化芳香族化合物を、塩基の存在下、銅触媒又はパラジウム触媒を用いて反応させた生成物（２−ハロゲン化−９−置換カルバゾール）に、２級アミン化合物を、塩基の存在下、銅触媒又はパラジウム触媒を用いて反応させる。
【００５１】
（ルートｂ）２位がハロゲン化された９Ｈ−カルバゾール化合物とハロゲン化芳香族化合物を、塩基の存在下、銅触媒又はパラジウム触媒を用いて反応させた生成物（２−ハロゲン化−９−置換カルバゾール）に、１級アミン化合物を、塩基の存在下、銅触媒又はパラジウム触媒を用いて反応させて２級アミンを得る。さらに得られた２級アミンにハロゲン化芳香族化合物を、塩基の存在下、銅触媒又はパラジウム触媒を用いて反応させる。
【００５２】
本発明の前記一般式（１）で表されるアミン化合物は、有機ＥＬ素子の発光層、正孔輸送層又は正孔注入層として使用することができる。
【００５３】
特に、前記一般式（１）で表されるアミン化合物は、正孔輸送能に優れることから、正孔輸送層及び／又は正孔注入層として使用した際に、有機ＥＬ素子の低駆動電圧化、高発光効率化及び耐久性の向上を実現することができる。また、前記一般式（１）で表される
アミン化合物は、従来材料と比較して三重項準位が高いため、蛍光発光材料だけでなく、燐光発光材料を発光層に用いた素子においても高い発光効率を得ることができる。
【００５４】
前記一般式（１）で表されるアミン化合物を有機ＥＬ素子の正孔注入層及び／又は正孔輸送層として使用する際の発光層には、従来から使用されている公知の蛍光若しくは燐光発光材料を使用することができる。発光層は１種類の発光材料のみで形成されていても、ホスト材料中に１種類以上の発光材料がドープされていてもよい。
【００５５】
前記一般式（１）で表されるアミン化合物からなる正孔注入層及び／又は正孔輸送層を形成する際には、必要に応じて２種類以上の材料を含有若しくは積層させてもよく、例えば、酸化モリブデン等の酸化物、７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン、２，３，５，６−テトラフルオロ−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン、ヘキサシアノヘキサアザトリフェニレン等の公知の電子受容性材料を含有若しくは積層させてもよい。
【００５６】
前記一般式（１）で表されるアミン化合物を有機ＥＬ素子の発光層として使用する場合には、アミン化合物を単独で使用、公知の発光ホスト材料にドープして使用、又は公知の発光ドーパントをドープして使用することができる。
【００５７】
前記一般式（１）で表されるアミン化合物を含有する正孔注入層、正孔輸送層又は発光層を形成する方法としては、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法等の公知の方法を適用することができる。
【発明の効果】
【００５８】
本発明による一般式（１）で表されるアミン化合物は、従来材料以上の高い正孔輸送能力を有すると共に、電子受容安定性があるため、有機ＥＬ素子の低駆動電圧化、高発光効率化、耐久性の向上を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】実施例１５で得られた化合物（Ａ５９）のサイクリックボルタンメトリー測定結果を示す。
【実施例】
【００６０】
以下、本発明を実施例に基づきさらに詳細に説明するが、本発明はこれら実施例により限定されるものではない。
【００６１】
１Ｈ−ＮＭＲ及び１３Ｃ−ＮＭＲ測定は、バリアン社製  Ｇｅｍｉｎｉ２００を用いて行った。
【００６２】
ＦＤＭＳ測定は、日立製作所製  Ｍ−８０Ｂを用いて行った。
【００６３】
還元特性は、北斗電工製のＨＡ−５０１及びＨＢ−１０４を使用したサイクリックボルタンメトリーで評価した。
【００６４】
有機ＥＬ素子の発光特性は、作製した素子に直流電流を印加し、ＴＯＰＣＯＮ社製のＬＵＭＩＮＡＮＣＥＭＥＴＥＲ（ＢＭ−９）の輝度計を用いて評価した。
【００６５】
合成例１  （２−（４−クロロフェニル）ニトロベンゼンの合成［下記式（２）参照］）
窒素気流下、５００ｍＬの三口フラスコに、ｏ−ブロモニトロベンゼン  ２５．０ｇ（１２３．０ｍｍｏｌ）、ｐ−クロロフェニルボロン酸  ２１．１ｇ（１３５．３ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム  ０．７１ｇ（０．６１ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン  １００ｍＬ、２０ｗｔ％の炭酸ナトリウム水溶液  １６２ｇ（炭酸ナトリウムとして３０７．５ｍｍｏｌ）を加え、８時間加熱還流した。室温まで冷却した後、水層と有機層を分液し、有機層を飽和塩化アンモニウム水溶液で洗浄し、さらに飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄した。有機相を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、濾過により不溶物を除去した溶液を減圧下に濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン）で精製し、２−（４−クロロフェニル）ニトロベンゼンを２７．２ｇ単離した（収率９４％）。
【００６６】
化合物の同定は、１Ｈ−ＮＭＲ測定、１３Ｃ−ＮＭＲ測定により行った。
【００６７】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ（ｐｐｍ）；  ７．８７（ｄ，１Ｈ），７．３６−７．６６（ｍ，５Ｈ），７．２１−７．２７（ｍ，２Ｈ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ（ｐｐｍ）；  １４８．９８，１３５．８５，１３５．１２，１３４．３７，１３２．４５，１３１．７９，１２９．２３，１２８．８４，１２８．５３，１２４．２１
合成例２  （２−クロロカルバゾールの合成［下記式（２）参照］）
窒素気流下、２００ｍＬのナス型フラスコに、合成例１で得た２−（４−クロロフェニル）ニトロベンゼン  １０．０ｇ（４２．７ｍｍｏｌ）を仕込み、亜リン酸トリエチルを５０ｍＬ加えた後、１５０℃で２４時間攪拌した。減圧下に亜リン酸トリエチルを留去し、残渣にｏ−キシレンを加えて再結晶することにより、２−クロロカルバゾールの白色粉末を５．１ｇ（２５．６ｍｍｏｌ）単離した（収率６０％）。
【００６８】
化合物の同定は、１Ｈ−ＮＭＲ測定、１３Ｃ−ＮＭＲ測定により行った。
【００６９】
１Ｈ−ＮＭＲ（Ａｃｅｔｏｎｅ−ｄ６）δ（ｐｐｍ）；  １０．４６（ｂｒ−ｓ，１Ｈ），８．１０（ｄ，２Ｈ），７．３７−７．５５（ｍ，３Ｈ），７．１５−７．２４（ｍ，２Ｈ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（Ａｃｅｔｏｎｅ−ｄ６）δ（ｐｐｍ）；  １４１．３５，１４１．１５，１３１．３３，１２６．７０，１２３．１７，１２２．６４，１２１．９２，１２０．８４，１２０．０９，１１９．７８，１１１．８１，１１１．４３
【００７０】
【化９】
0005927875.tif 000010
【００７１】
合成例３  （２−クロロ−Ｎ−（４−ビフェニリル）カルバゾールの合成）
窒素気流下、５０ｍＬの三口フラスコに、合成例２で得た２−クロロカルバゾール  ４．０ｇ（１９．８ｍｍｏｌ）、４−ブロモビフェニル  ５．５ｇ（２３．７ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム  ３．８３ｇ（２７．７ｍｍｏｌ）、ｏ−キシレン  ２０ｍＬを加え、スラリー状の反応液に酢酸パラジウム  ４４ｍｇ（０．１９ｍｍｏｌ）、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン  ０．１４ｇ（０．６９ｍｍｏｌ）を添加して１３０℃で２４時間攪拌した。室温まで冷却後、析出した沈殿を濾取し、得られた固体を水で洗浄し、さらにメタノールで洗浄した。減圧乾燥した後、ｎ−ブタノールで再結晶し、２−クロロ−Ｎ−（４−ビフェニリル）カルバゾールの白色粉末を４．９ｇ（１３．８ｍｍｏｌ）単離した（収率６９％）。
【００７２】
化合物の同定は、１Ｈ−ＮＭＲ測定、１３Ｃ−ＮＭＲ測定により行った。
【００７３】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ（ｐｐｍ）；  ８．０７（ｄ，１Ｈ），８．００（ｄ，１Ｈ），７．７７（ｄ，２Ｈ），７．６５（ｄ，２Ｈ），７．５４（ｄ，２Ｈ），７．２１−７．４１（ｍ，８Ｈ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ（ｐｐｍ）；  １４１．３８，１４１．１８，１４０．７２，１４０．０８，１３６．１７，１３１．７５，１２８．９９，１２８．６６，１２７．７４，１２７．２７，１２７．１６，１２６．２３，１２２．８２，１２１．９９，１２１．１９，１２０．４７，１２０．２９，１１０．０５，１０９．９８
合成例４  （Ｎ−フェニル−Ｎ−（２−（Ｎ−（４−ビフェニリル））カルバゾリル）アミンの合成）
窒素気流下、１００ｍＬの三口フラスコに合成例３で得られた２−クロロ−Ｎ−（４−ビフェニリル）カルバゾール  ９．５ｇ（２６．８ｍｍｏｌ）、アニリン  ３．７ｇ（４０．２ｍｍｏｌ）、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド  ３．６ｇ（３７．５ｍｍｏｌ）、ｏ−キシレン  ６０ｍＬを加え、スラリー状の反応液に酢酸パラジウム  ６０ｍｇ（０．２６ｍｍｏｌ）、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン  １８９ｍｇ（０．９３ｍｍｏｌ）を添加して１３０℃で１０時間攪拌した。室温まで冷却後、純水を３５ｍＬ添加し攪拌した。水層と有機層を分液し、有機層を純水で洗浄し、その後飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、濾過によって不溶物を除去した溶液を減圧下に濃縮し茶色の固体を得た。ｏ−キシレンで再結晶し、Ｎ−フェニル−Ｎ−（２−（Ｎ−（４−ビフェニリル））カルバゾリル）アミンの白色粉末を８．０ｇ（１９．４ｍｍｏｌ）単離した（収率７２％）。
【００７４】
化合物の同定は、１Ｈ−ＮＭＲ測定、１３Ｃ−ＮＭＲ測定により行った。
【００７５】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ（ｐｐｍ）；  ７．９５−８．０４（ｍ，２Ｈ），７．７４（ｄ，２Ｈ），７．１８−７．６６（ｍ，１２Ｈ），６．９９−７．１２（ｍ，４Ｈ），６．８７（ｔ，１Ｈ），５．７７（ｂｒ，１Ｈ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ（ｐｐｍ）；  １４３．６２，１４２．１９，１４１．７３，１４１．０２，１４０．２１，１３６．７９，１２９．３７，１２８．９５，１２８．４９，１２７．６３，１２７．２３，１２７．１４，１２４．７９，１２３．７７，１２１．１１，１２０．７１，１２０．１２，１１９．４５，１１８．００，１１７．２７，１１２．３８，１０９．６３，９９．０３
合成例５  （２−（４−ブロモフェニル）−４，５−ジフェニル−１Ｈ−イミダゾールの合成）
２００ｍＬの三口フラスコに、４−ブロモベンズアルデヒド  １０ｇ（５４．０ｍｍｏｌ）、ジフェニルエタンジオン  １１．３ｇ（５４．０ｍｍｏｌ）、酢酸アンモニウム  ２０．８ｇ（２７０．２ｍｍｏｌ）、酢酸  １００ｍＬを加え、１１０℃で１２時間攪拌した。室温まで冷却後、反応液を水  ２００ｍＬに添加した。析出した白色粉末を濾取し、水で洗浄し、さらにメタノールで洗浄することにより、２−（４−ブロモフェニル）−４，５−ジフェニル−１Ｈ−イミダゾールの白色粉末を２０．０ｇ（５３．４ｍｍｏｌ）得た（収率９８％）。
【００７６】
化合物の同定は、ＦＤＭＳにより行った。
【００７７】
ＦＤＭＳ（ｍ／ｚ）；  ３７４（Ｍ＋）
合成例６  （１−メチル−２−（４−ブロモフェニル）−４，５−ジフェニル−イミダゾールの合成）
１００ｍＬの三口フラスコに、合成例５で得た２−（４−ブロモフェニル）−４，５−ジフェニル−１Ｈ−イミダゾール  １０ｇ（２６．７ｍｍｏｌ）、ヨードメタン  ４．１ｇ（２９．３ｍｍｏｌ）、ベンジルトリエチルアンモニウムクロリド  ８．１ｇ（２９．３ｍｍｏｌ）、４８％濃度の水酸化ナトリウム水溶液  ２．４ｇ（水酸化ナトリウム固体として１．１５ｇ）、ジメチルスルホキシド  ４０ｍＬを加え、７０℃で３時間攪拌した。室温まで冷却後、反応液に水  ４０ｍＬを添加した。析出した白色粉末を濾取し、水で洗浄し、さらにメタノールで洗浄することにより、１−メチル−２−（４−ブロモフェニル）−４，５−ジフェニル−イミダゾールの白色粉末を８．２ｇ（２１．９ｍｍｏｌ）得た（収率８１％）。
【００７８】
化合物の同定は、１Ｈ−ＮＭＲ測定、１３Ｃ−ＮＭＲ測定により行った。
【００７９】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ（ｐｐｍ）；  ７．６１（ｓ，４Ｈ），７．１３−７．５４（ｍ，１０Ｈ），３．４７（ｓ，３Ｈ）  １３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ（ｐｐｍ）；  １４６．６６，１３７．９４，１３４．３９，１３１．７３，１３０．８９，１３０．７８，１３０．４３，１２９．７９，１２９．０４，１２８．６６，１２８．０９，１２６．８８，１２６．４１，１２３．０２，３３．２９
合成例７  （１−メチル−２−（４−ブロモフェニル）ベンゾイミダゾールの合成）
５０ｍＬの三口フラスコに、２−（４−ブロモフェニル）−１Ｈ−ベンゾイミダゾール  ２ｇ（７．３ｍｍｏｌ）、ヨードメタン  １．１ｇ（８．０ｍｍｏｌ）、ベンジルトリエチルアンモニウムクロリド  ２．２ｇ（８．０ｍｍｏｌ）、４８％濃度の水酸化ナトリウム水溶液  ０．６ｇ（水酸化ナトリウム固体として０．２９ｇ）、ジメチルスルホキシド  １０ｍＬを加え、７０℃で５時間攪拌した。室温まで冷却後、反応液に水  １０ｍＬを添加した。析出した白色粉末を濾取し、水で洗浄し、さらにメタノールで洗浄することにより、１−メチル−２−（４−ブロモフェニル）ベンゾイミダゾールの白色粉末を１．４ｇ（５．１ｍｍｏｌ）得た（収率７０％）。
【００８０】
化合物の同定は、ＦＤＭＳにより行った。
【００８１】
ＦＤＭＳ（ｍ／ｚ）；  ２８６（Ｍ＋）
合成例８  （１−（４−ブロモフェニル）−２−フェニルベンゾイミダゾールの合成）
窒素気流下、１００ｍＬの三口フラスコに、２−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール  ３．０ｇ（１５．４ｍｍｏｌ）、ｐ−ブロモヨードベンゼン  ８．６ｇ（３０．８ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅  ０．５８ｇ（３．０ｍｍｏｌ）、炭酸セシウム  １０．０ｇ（３０．８ｍｍｏｌ）、ジメチルホルムアミド  ３０ｍＬを加え、室温で３０分間攪拌した。その後、１２０℃で３６時間攪拌した。室温まで冷却後、酢酸エチルを５０ｍＬ加え、不溶物を濾過した。濾液を水で洗浄し、さらに飽和食塩水で洗浄した後、減圧下に濃縮し残渣を得た。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、１−（４−ブロモフェニル）−２−フェニルベンゾイミダゾールの白色粉末を１．７ｇ（４．９ｍｍｏｌ）単離した（収率３２％）。
【００８２】
化合物の同定は、ＦＤＭＳにより行った。
【００８３】
ＦＤＭＳ（ｍ／ｚ）；  ３４８（Ｍ＋）
実施例１  （化合物（Ａ２）の合成）
窒素気流下、２００ｍＬの三口フラスコに、合成例２で得た２−クロロカルバゾール  ７．８ｇ（３９．０ｍｍｏｌ）、４−（２−ピリジル）ブロモベンゼン  ９．０ｇ（３９．０ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム  ７．５ｇ（５４．６ｍｍｏｌ）、ｏ−キシレン  ７５ｍＬを加え、スラリー状の反応液に酢酸パラジウム  ８７ｍｇ（０．３９ｍｍｏｌ）、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン  ２７５ｍｇ（１．３ｍｍｏｌ）を添加して１３０℃で１５時間攪拌した。室温まで冷却後、水  ３０ｍＬを加え、有機層を分離した。有機層を水で洗浄し、さらに飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過して不溶物を除去した。濾過で得られた溶液を２００ｍＬの三口フラスコに仕込んだ。溶液に、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ビフェニリル）アミン  １２．５ｇ（３９．０ｍｍｏｌ）、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド  ５．２ｇ（５４．６ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム  ８７ｍｇ（０．３９ｍｍｏｌ）、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン  ２７５ｍｇ（１．３６ｍｍｏｌ）を添加して１３０℃で８時間攪拌した。室温まで冷却後、水  ３０ｍＬを加えた。析出した沈殿を濾取し、得られた沈殿物を水で洗浄し、さらにエタノールで洗浄した。減圧乾燥した後、ｏ−キシレンで再結晶し、化合物（Ａ２）の白色粉末を１７．９ｇ（２８．０ｍｍｏｌ）単離した（収率７２％）。
【００８４】
化合物の同定は、ＦＤＭＳ、１Ｈ−ＮＭＲ測定、１３Ｃ−ＮＭＲ測定により行った。
【００８５】
ＦＤＭＳ（ｍ／ｚ）；  ６３９（Ｍ＋）
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ（ｐｐｍ）；  ８．６３（ｄ，  １Ｈ），８．１３（ｄ，  ２Ｈ），８．０５（ｄ，  ２Ｈ），７．７３（ｄ，  ２Ｈ），７．５４−７．６２（ｍ，  ６Ｈ），７．１０−７．４９（ｍ，  ２０Ｈ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ（ｐｐｍ）；  １５６．３８，１４９．７０，１４７．２６，１４６．０２，１４１．６６，１４１．１８，１４０．６０，１３８．２３，１３８．０９，１３６．８８，１３４．９６，１２８．６９，１２８．４２，１２７．７２，１２６．９２，１２６．７３，１２６．６２，１２５．４７，１２３．６４，１２３．４４，１２２．３４，１２１．１３，１２０．５６，１２０．３６，１１９．９４，１１９．８５，１１９．０３，１０９．８０，１０６．９２
実施例２  （化合物（Ａ４５）の合成）
窒素気流下、１００ｍＬの三口フラスコに、合成例２で得た２−クロロカルバゾール  ３．２ｇ（１６．０ｍｍｏｌ）、合成例６で得た１−メチル−２−（４−ブロモフェニル）−４，５−ジフェニル−イミダゾール  ６．０ｇ（１６．０ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム  ３．１ｇ（２２．４ｍｍｏｌ）、ｏ−キシレン  ４０ｍＬを加え、スラリー状の反応液に酢酸パラジウム  ３５ｍｇ（０．１６ｍｍｏｌ）、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン  １１３ｍｇ（０．５６ｍｍｏｌ）を添加して１３０℃で２０時間攪拌した。室温まで冷却後、水  ２０ｍＬを加え、有機層を分離した。有機層を水で洗浄し、さらに飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過して不溶物を除去した。濾過で得られた溶液を１００ｍＬの三口フラスコに仕込んだ。溶液に、Ｎ−（４−ビフェニリル）−Ｎ−（ｐ−トリル）アミン  ４．１ｇ（１６．０ｍｍｏｌ）、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド  ２．１ｇ（２２．４ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム  ３５ｍｇ（０．１６ｍｍｏｌ）、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン  １１３ｍｇ（０．５６ｍｍｏｌ）を添加して１３０℃で４時間攪拌した。室温まで冷却後、水  ２０ｍＬを加えた。析出した沈殿を濾取し、得られた沈殿物を水で洗浄した、さらにエタノールで洗浄した。減圧乾燥した後、ｏ−キシレンで再結晶し、化合物（Ａ４５）の淡黄色粉末を７．９０ｇ（１０．８ｍｍｏｌ）単離した（収率６８％）。
【００８６】
化合物の同定は、ＦＤＭＳにより行った。
【００８７】
ＦＤＭＳ（ｍ／ｚ）；  ７３２（Ｍ＋）
実施例３  （化合物（Ａ５２）の合成）
窒素気流下、２００ｍＬの三口フラスコに、合成例２で得た２−クロロカルバゾール  ５．０ｇ（２４．７ｍｍｏｌ）、合成例７で得た１−メチル−２−（４−ブロモフェニル）ベンゾイミダゾール  ７．０ｇ（２４．７ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム  ４．８ｇ（３４．７ｍｍｏｌ）、ｏ−キシレン  ７５ｍＬを加え、スラリー状の反応液に酢酸パラジウム  ５５ｍｇ（０．２４ｍｍｏｌ）、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン  １７４ｍｇ（０．８６ｍｍｏｌ）を添加して１３０℃で１８時間攪拌した。室温まで冷却後、水  ３０ｍＬを加え、有機層を分離した。有機層を水で洗浄し、さらに飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過により不溶物を除去した。濾過で得られた溶液を２００ｍＬの三口フラスコに仕込んだ。溶液に、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ビフェニリル）アミン  ７．９ｇ（２４．７ｍｍｏｌ）、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド  ３．３ｇ（３４．５ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム  ５５ｍｇ（０．２４ｍｍｏｌ）、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン  １７４ｍｇ（０．８６ｍｍｏｌ）を添加して１３０℃で５時間攪拌した。室温まで冷却後、水  ３０ｍＬを加えた。析出した沈殿を濾取し、得られた沈殿物を水で洗浄し、さらにエタノールで洗浄した。減圧乾燥した後、ｏ−キシレンで再結晶し、化合物（Ａ５２）の淡黄色粉末を１０．２ｇ（１４．８ｍｍｏｌ）単離した（収率６０％）。
【００８８】
化合物の同定は、ＦＤＭＳにより行った。
【００８９】
ＦＤＭＳ（ｍ／ｚ）；  ６９２（Ｍ＋）
実施例４  （化合物（Ａ５７）の合成）
窒素気流下、５０ｍＬの三口フラスコに、合成例２で得た２−クロロカルバゾール  ２．０ｇ（７．２ｍｍｏｌ）、合成例８で得た１−（４−ブロモフェニル）−２−フェニルベンゾイミダゾール  ２．５ｇ（７．２ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム  １．４ｇ（１０．１ｍｍｏｌ）、ｏ−キシレン  ２０ｍＬを加え、スラリー状の反応液に酢酸パラジウム  １６ｍｇ（０．０７ｍｍｏｌ）、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン  ４９ｍｇ（０．２４ｍｍｏｌ）を添加して１３０℃で１８時間攪拌した。室温まで冷却後、水  １０ｍＬを加え、有機層を分離した。有機層を水で洗浄し、さらに飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過により不溶物を除去した。濾過で得られた溶液を５０ｍＬの三口フラスコに仕込んだ。溶液に、Ｎ−（４−ビフェニリル）−Ｎ−（ｐ−トリル）アミン  １．８ｇ（７．２ｍｍｏｌ）、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド  ９６８ｍｇ（１０．１ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム  １６ｍｇ（０．０７ｍｍｏｌ）、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン  ４９ｍｇ（０．２４ｍｍｏｌ）を添加して１３０℃で６時間攪拌した。室温まで冷却後、水  １０ｍＬを加えた。析出した沈殿を濾取し、得られた沈殿物を水で洗浄し、さらにエタノールで洗浄した。減圧乾燥した後、ｏ−キシレンで再結晶し、化合物（Ａ５７）の白色粉末を３．２ｇ（４．７ｍｍｏｌ）単離した（収率
６６％）。
【００９０】
化合物の同定は、ＦＤＭＳにより行った。
【００９１】
ＦＤＭＳ（ｍ／ｚ）；  ６９２（Ｍ＋）
実施例５  （化合物（Ａ５９）の合成）
窒素気流下、１００ｍＬの三口フラスコに、合成例２で得た２−クロロカルバゾール  ６．９ｇ（３４．４ｍｍｏｌ）、４−（２−ベンゾチアゾリル）ブロモベンゼン  １０．０ｇ（３４．４ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム  ６．６ｇ（４８．１ｍｍｏｌ）、ｏ−キシレン  ６０ｍＬを加え、スラリー状の反応液に酢酸パラジウム  ７７ｍｇ（０．３４ｍｍｏｌ）、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン  ２４３ｍｇ（１．２ｍｍｏｌ）を添加して１３０℃で２０時間攪拌した。室温まで冷却後、水  ３０ｍＬを加え、有機層を分離した。有機層を水で洗浄し、さらに飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過により不溶物を除去した。濾過で得られた溶液を５０ｍＬの三口フラスコに仕込んだ。溶液に、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ビフェニリル）アミン  １１．０ｇ（３４．４ｍｍｏｌ）、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド  ４．６ｇ（４８．１ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム  ７７ｍｇ（０．３４ｍｍｏｌ）、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン  ２４３ｍｇ（１．２ｍｍｏｌ）を添加して１３０℃で５時間攪拌した。室温まで冷却後、水  ２０ｍＬを加えた。析出した沈殿を濾取し、得られた沈殿物を水で洗浄し、さらにエタノールで洗浄した。減圧乾燥した後、ｏ−キシレンで再結晶し、化合物（Ａ５９）の淡黄色粉末を１８．８ｇ（２７．１ｍｍｏｌ）単離した（収率７９％）。化合物の同定は、ＦＤＭＳにより行った。
【００９２】
ＦＤＭＳ（ｍ／ｚ）；  ６９５（Ｍ＋）
実施例６  （化合物（Ｂ３）の合成）
窒素気流下、５０ｍＬの三口フラスコに、合成例４で得たＮ−フェニル−Ｎ−（２−（Ｎ−（４−ビフェニリル））カルバゾリル）アミン  ３．０ｇ（７．３ｍｍｏｌ）、４−（２−ピリジル）ブロモベンゼン  １．７ｇ（７．３ｍｍｏｌ）、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド  ０．９８ｇ（１０．２ｍｍｏｌ）、ｏ−キシレン  １５ｍＬを加え、スラリー状の反応液に酢酸パラジウム  １６ｍｇ（０．０７ｍｍｏｌ）、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン  ４９ｍｇ（０．２４ｍｍｏｌ）を添加して１３０℃で５時間攪拌した。室温まで冷却後、水  １０ｍＬを加え、有機層を分離した。有機層を水で洗浄し、さらに飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過によって不溶物を除去した溶液を減圧下に濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエンとヘキサンの混合溶媒）で精製し、化合物（Ｂ３）のガラス状固体を３．４ｇ（６．２ｍｍｏｌ）単離した（収率８５％）。
【００９３】
化合物の同定は、ＦＤＭＳにより行った。
【００９４】
ＦＤＭＳ（ｍ／ｚ）；  ５６３（Ｍ＋）
実施例７  （化合物（Ｂ１０）の合成）
窒素気流下、５０ｍＬの三口フラスコに、合成例４で得たＮ−フェニル−Ｎ−（２−（Ｎ−（４−ビフェニリル））カルバゾリル）アミン  ０．９０ｇ（２．２ｍｍｏｌ）、合成例７で得た１−メチル−２−（４−ブロモフェニル）ベンゾイミダゾール  ０．６２ｇ（２．２ｍｍｏｌ）、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド  ０．２８ｇ（３．０ｍｍｏｌ）、ｏ−キシレン  １０ｍＬを加え、スラリー状の反応液に酢酸パラジウム  ５ｍｇ（０．０２ｍｍｏｌ）、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン  １４ｍｇ（０．０７ｍｍｏｌ）を添加して１３０℃で５時間攪拌した。室温まで冷却後、水  ５ｍＬを加え、有機層を分離した。有機層を水で洗浄し、さらに飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過によって不溶物を除去した。濾過で得られた溶液を減圧下に濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエンとヘキサンの混合溶媒）で精製し、化合物（Ｂ１０）のガラス状固体を０．９２ｇ（１．５ｍｍｏｌ）単離した（収率７２％）。
【００９５】
化合物の同定は、ＦＤＭＳにより行った。
【００９６】
ＦＤＭＳ（ｍ／ｚ）；  ６１６（Ｍ＋）
実施例８  （化合物（Ｂ１３）の合成）
窒素気流下、５０ｍＬの三口フラスコに、合成例４で得たＮ−フェニル−Ｎ−（２−（Ｎ−（４−ビフェニリル））カルバゾリル）アミン  ０．８２ｇ（２．０ｍｍｏｌ）、合成例８で得た１−（４−ブロモフェニル）−２−フェニルベンゾイミダゾール  ０．６９ｇ（２．０ｍｍｏｌ）、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド  ０．２７ｇ（２．８ｍｍｏｌ）、ｏ−キシレン  １０ｍＬを加え、スラリー状の反応液に酢酸パラジウム  ５ｍｇ（０．０２ｍｍｏｌ）、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン  １４ｍｇ（０．０７ｍｍｏｌ）を添加して１３０℃で５時間攪拌した。室温まで冷却後、水  ５ｍＬを加え、有機層を分離した。有機層を水で洗浄し、さらに飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過によって不溶物を除去した。濾過で得られた溶液を減圧下に濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエンとヘキサンの混合溶媒）で精製し、化合物（Ｂ１３）のガラス状固体を０．８２ｇ（１．２ｍｍｏｌ）単離した（収率６０％）。
【００９７】
化合物の同定は、ＦＤＭＳにより行った。
【００９８】
ＦＤＭＳ（ｍ／ｚ）；  ６７８（Ｍ＋）
実施例９  （化合物（Ｂ１４）の合成）
窒素気流下、５０ｍＬの三口フラスコに、合成例４で得たＮ−フェニル−Ｎ−（２−（Ｎ−（４−ビフェニリル））カルバゾリル）アミン  １．５ｇ（３．６ｍｍｏｌ）、合成例６で得た１−メチル−２−（４−ブロモフェニル）−４，５−ジフェニル−イミダゾール  １．３ｇ（３．６ｍｍｏｌ）、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド  ０．４８ｇ（５．０ｍｍｏｌ）、ｏ−キシレン  １５ｍＬを加え、スラリー状の反応液に酢酸パラジウム  ７ｍｇ（０．０３ｍｍｏｌ）、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン  ２１ｍｇ（０．１０ｍｍｏｌ）を添加して１３０℃で７時間攪拌した。室温まで冷却後、水  １０ｍＬを加え、有機層を分離した。有機層を水で洗浄し、飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過によって不溶物を除去した。濾過で得られた溶液を減圧下に濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエンとヘキサンの混合溶媒）で精製し、化合物（Ｂ１４）のガラス状固体を２．０ｇ（２．８ｍｍｏｌ）単離した（収率７９％）。
【００９９】
化合物の同定は、ＦＤＭＳにより行った。
【０１００】
ＦＤＭＳ（ｍ／ｚ）；  ７１８（Ｍ＋）
実施例１０  （化合物（Ｂ１９）の合成）
窒素気流下、５０ｍＬの三口フラスコに、合成例４で得たＮ−フェニル−Ｎ−（２−（Ｎ−（４−ビフェニリル））カルバゾリル）アミン  ３．７ｇ（９．０ｍｍｏｌ）、４−（２−ベンゾチアゾリル）ブロモベンゼン  ２．６ｇ（９．０ｍｍｏｌ）、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド  １．２ｇ（１２．６ｍｍｏｌ）、ｏ−キシレン  ２５ｍＬを加え、スラリー状の反応液に酢酸パラジウム  ２０ｍｇ（０．０９ｍｍｏｌ）、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン  ６３ｍｇ（０．３１ｍｍｏｌ）を添加して１３０℃で５時間攪拌した。室温まで冷却後、水  １０ｍＬを加え、有機層を分離した。有機層を水で洗浄し、さらに飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過によって不溶物を除去した。濾過で得られた溶液を減圧下に濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエンとヘキサンの混合溶媒）で精製し、化合物（Ｂ１９）のガラス状固体を４．５ｇ（７．３ｍｍｏｌ）単離した（収率８２％）。
【０１０１】
化合物の同定は、ＦＤＭＳにより行った。
【０１０２】
ＦＤＭＳ（ｍ／ｚ）；  ６１９（Ｍ＋）
実施例１１  （化合物（Ａ２）の還元特性評価）
過塩素酸テトラブチルアンモニウムの濃度が０．１ｍｏｌ／Ｌである無水テトラヒドロフラン溶液に、化合物（Ａ２）を０．００１ｍｏｌ／Ｌの濃度で溶解させ、サイクリックボルタンメトリーで還元電位を測定した。作用電極にはグラッシーカーボン、対極に白金線、参照電極にＡｇＮＯ３のアセトニトリル溶液に浸した銀線を用いた。化合物（Ａ２）は、フェロセンの酸化還元電位を基準として−２．８８Ｖ  ｖｓ．Ｆｃ／Ｆｃ＋に還元波が観測され、電子受容性を有することが確認された。
【０１０３】
実施例１２  （化合物（Ａ４５）の還元特性評価）
実施例１１において、化合物（Ａ２）の代わりに化合物（Ａ４５）を用いた他は、実施例１１と同じ方法で還元特性を評価したところ、化合物（Ａ４５）は、フェロセンの酸化還元電位を基準として−２．９８Ｖ  ｖｓ．Ｆｃ／Ｆｃ＋に還元波が観測され、電子受容性を有することが確認された。
【０１０４】
実施例１３  （化合物（Ａ５２）の還元特性評価）
実施例１１において、化合物（Ａ２）の代わりに化合物（Ａ５２）を用いた他は、実施例１１と同じ方法で還元特性を評価したところ、化合物（Ａ５２）は、フェロセンの酸化還元電位を基準として−２．９３Ｖ  ｖｓ．Ｆｃ／Ｆｃ＋に還元波が観測され、電子受容性を有することが確認された。
【０１０５】
実施例１４  （化合物（Ａ５７）の還元特性評価）
実施例１１において、化合物（Ａ２）の代わりに化合物（Ａ５７）を用いた他は、実施例１１と同じ方法で還元特性を評価したところ、化合物（Ａ５７）は、フェロセンの酸化還元電位を基準として−２．９５Ｖ  ｖｓ．Ｆｃ／Ｆｃ＋に還元波が観測され、電子受容性を有することが確認された。
【０１０６】
実施例１５  （化合物（Ａ５９）の還元特性評価）
実施例１１において、化合物（Ａ２）の代わりに化合物（Ａ５９）を用いた他は、実施例１１と同じ方法で還元特性を評価したところ、化合物（Ａ５９）は、フェロセンの酸化還元電位を基準として−２．４８Ｖ  ｖｓ．Ｆｃ／Ｆｃ＋に還元波が観測され、電子受容性を有することが確認された。サイクリックボルタンメトリー測定の結果を図１に示す。
【０１０７】
実施例１６  （化合物（Ｂ３）の還元特性評価）
実施例１１において、化合物（Ａ２）の代わりに化合物（Ｂ３）を用いた他は、実施例１１と同じ方法で還元特性を評価したところ、化合物（Ｂ３）は、フェロセンの酸化還元電位を基準として−３．０８Ｖ  ｖｓ．Ｆｃ／Ｆｃ＋に還元波が観測され、電子受容性を有することが確認された。
【０１０８】
実施例１７  （化合物（Ｂ１３）の還元特性評価）
実施例１１において、化合物（Ａ２）の代わりに化合物（Ｂ１３）を用いた他は、実施例１１と同じ方法で還元特性を評価したところ、化合物（Ｂ１３）は、フェロセンの酸化還元電位を基準として−３．１５Ｖ  ｖｓ．Ｆｃ／Ｆｃ＋に還元波が観測され、電子受容性を有することが確認された。
【０１０９】
実施例１８  （化合物（Ｂ１４）の還元特性評価）
実施例１１において、化合物（Ａ２）の代わりに化合物（Ｂ１４）を用いた他は、実施例１１と同じ方法で還元特性を評価したところ、化合物（Ｂ１４）は、フェロセンの酸化還元電位を基準として−３．１８Ｖ  ｖｓ．Ｆｃ／Ｆｃ＋に還元波が観測され、電子受容性を有することが確認された。
【０１１０】
実施例１９  （化合物（Ｂ１９）の還元特性評価）
実施例１１において、化合物（Ａ２）の代わりに化合物（Ｂ１９）を用いた他は、実施例１１と同じ方法で還元特性を評価したところ、化合物（Ｂ１９）は、フェロセンの酸化還元電位を基準として−２．７５Ｖ  ｖｓ．Ｆｃ／Ｆｃ＋に還元波が観測され、電子受容性を有することが確認された。
【０１１１】
比較例１  （比較化合物（ａ）の還元特性評価）
実施例１１において、化合物（Ａ２）の代わりに化合物（ａ）を用いた他は、実施例１１と同じ方法で還元特性を評価したところ、化合物（ａ）は、フェロセンの酸化還元電位を基準として−３．３０Ｖ  ｖｓ．Ｆｃ／Ｆｃ＋まで走引したが、還元波は観測されなかった。
【０１１２】
【化１０】
0005927875.tif 000011
【０１１３】
実施例２０  （化合物（Ａ２）の素子評価）
厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を積層したガラス基板を、アセトン及び純水による超音波洗浄、イソプロピルアルコールによる沸騰洗浄を行なった。さらに、紫外線／オゾン洗浄を行ない、真空蒸着装置へ設置後、１×１０−４Ｐａになるまで真空ポンプにて排気した。まず、ＩＴＯ透明電極上にＮＰＤを蒸着速度０．３ｎｍ／秒で蒸着し、２０ｎｍの正孔注入層とした。引続き、化合物（Ａ２）を蒸着速度０．３ｎｍ／秒で３０ｎｍ蒸着した後、燐光ドーパント材料であるトリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）とホスト材料である４，４’−ビス（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（ＣＢＰ）を重量比が１：１１．５になるように蒸着速度０．２５ｎｍ／秒で共蒸着し、２０ｎｍの発光層とした。次に、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ）を蒸着速度０．３ｎｍ／秒で蒸着し、１０ｎｍのエキシトンブロック層とした後、さらに、Ａｌｑ３（トリス（８−キノリノラト）アルミニウム）を０．３ｎｍ／秒で蒸着し、３０ｎｍの電子輸送層とした。引続き、電子注入層として沸化リチウムを蒸着速度０．０１ｎｍ／秒で０．５ｎｍ蒸着し、さらに、アルミニウムを蒸着速度０．２５ｎｍ／秒で１００ｎｍ蒸着して陰極を形成した。窒素雰囲気下、封止用のガラス板をＵＶ硬化樹脂で接着し、評価用の有機ＥＬ素子とした。このように作製した素子に２０ｍＡ／ｃｍ２の電流を印加し、駆動電圧及び外部量子効率を測定した。結果を表１に示す。
【０１１４】
実施例２１  （化合物（Ａ４５）の素子評価）
化合物（Ａ２）を化合物（Ａ４５）に変更した以外は実施例２０と同じ方法で有機ＥＬ素子を作製した。２０ｍＡ／ｃｍ２の電流を印加した際の駆動電圧及び外部量子効率を表１に示す。
【０１１５】
実施例２２  （化合物（Ａ５２）の素子評価）
化合物（Ａ２）を化合物（Ａ５２）に変更した以外は実施例２０と同じ方法で有機ＥＬ素子を作製した。２０ｍＡ／ｃｍ２の電流を印加した際の駆動電圧及び外部量子効率を表１に示す。
【０１１６】
実施例２３  （化合物（Ａ５７）の素子評価）
化合物（Ａ２）を化合物（Ａ５７）に変更した以外は実施例２０と同じ方法で有機ＥＬ素子を作製した。２０ｍＡ／ｃｍ２の電流を印加した際の駆動電圧及び外部量子効率を表１に示す。
【０１１７】
実施例２４  （化合物（Ａ５９）の素子評価）
化合物（Ａ２）を化合物（Ａ５９）に変更した以外は実施例２０と同じ方法で有機ＥＬ素子を作製した。２０ｍＡ／ｃｍ２の電流を印加した際の駆動電圧及び外部量子効率を表１に示す。
【０１１８】
実施例２５  （化合物（Ｂ３）の素子評価）
化合物（Ａ２）を化合物（Ｂ３）に変更した以外は実施例２０と同じ方法で有機ＥＬ素子を作製した。２０ｍＡ／ｃｍ２の電流を印加した際の駆動電圧及び外部量子効率を表１に示す。
【０１１９】
実施例２６  （化合物（Ｂ１３）の素子評価）
化合物（Ａ２）を化合物（Ｂ１３）に変更した以外は実施例２０と同じ方法で有機ＥＬ素子を作製した。２０ｍＡ／ｃｍ２の電流を印加した際の駆動電圧及び外部量子効率を表１に示す。
【０１２０】
比較例２  （ＮＰＤの素子評価）
化合物（Ａ２）をＮＰＤに変更した以外は実施例２０と同じ方法で有機ＥＬ素子を作製した。２０ｍＡ／ｃｍ２の電流を印加した際の駆動電圧及び外部量子効率を表１に示す。
【０１２１】
【表１】
0005927875.tif 000012
【０１２２】
実施例２７  （化合物（Ａ２）の素子寿命評価）
厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を積層したガラス基板を、アセトン及び純水による超音波洗浄、イソプロピルアルコールによる沸騰洗浄を行なった。さらに、紫外線／オゾン洗浄を行ない、真空蒸着装置へ設置後、１×１０−４Ｐａになるまで真空ポンプにて排気した。まず、ＩＴＯ透明電極上に銅フタロシアニンを蒸着速度０．１ｎｍ／秒で蒸着し、１０ｎｍの正孔注入層とした。引続き、ＮＰＤを蒸着速度０．３ｎｍ／秒で２５ｎｍ蒸着し、その後、化合物（Ａ２）を蒸着速度０．１ｎｍ／秒で５ｎｍ蒸着した。続いて、燐光ドーパント材料であるトリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）とホスト材料である４，４’−ビス（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（ＣＢＰ）を重量比が１：１１．５になるように蒸着速度０．２５ｎｍ／秒で共蒸着し、３０ｎｍの発光層とした。次に、ＢＡｌｑ（ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（ｐ−フェニルフェノラート）アルミニウム）を蒸着速度０．３ｎｍ／秒で蒸着し、５ｎｍのエキシトンブロック層とした後、さらにＡｌｑ３（トリス（８−キノリノラト）アルミニウム）を０．３ｎｍ／秒で蒸着し、４５ｎｍの電子輸送層とした。引続き、電子注入層として沸化リチウムを蒸着速度０．０１ｎｍ／秒で０．５ｎｍ蒸着し、さらにアルミニウムを蒸着速度０．２５ｎｍ／秒で１００ｎｍ蒸着して陰極を形成した。窒素雰囲気下、封止用のガラス板をＵＶ硬化樹脂で接着し、評価用の有機ＥＬ素子とした。このように作製した素子に６．２５ｍＡ／ｃｍ２の電流を印加し、輝度半減時間を評価した。結果を表２に示す。
【０１２３】
実施例２８  （化合物（Ａ５７）の素子寿命評価）
化合物（Ａ２）を化合物（Ａ５７）に変更した以外は実施例２７と同じ方法で有機ＥＬ素子を作製した。６．２５ｍＡ／ｃｍ２の電流を印加した際の輝度半減時間を表２に示す。
【０１２４】
実施例２９  （化合物（Ａ５９）の素子寿命評価）
化合物（Ａ２）を化合物（Ａ５９）に変更した以外は実施例２７と同じ方法で有機ＥＬ素子を作製した。６．２５ｍＡ／ｃｍ２の電流を印加した際の輝度半減時間を表２に示す。
【０１２５】
参考例１  （参考化合物（ａ）の素子寿命評価）
化合物（Ａ２）を参考化合物（ａ）に変更した以外は実施例２７と同じ方法で有機ＥＬ素子を作製した。６．２５ｍＡ／ｃｍ２の電流を印加した際の輝度半減時間を表２に示す。
【０１２６】
【化１１】
0005927875.tif 000013
【０１２７】
【表２】
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【図１】
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