(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳｒＴｉＯ３系粒界絶縁型の半導体セラミックで形成された複数の半導体セラミック層と複数の内部電極層とが交互に積層されて焼結されてなる積層焼結体と、該積層焼結体の両端部に前記内部電極層と電気的に接続された外部電極とを有するバリスタ機能付き積層型半導体セラミックコンデンサにおいて、
前記半導体セラミックは、結晶粒子の平均粒径Ｄaveが１．０μｍ以下であり、かつ、前記結晶粒子の粒径バラツキを示す変動係数ＣＶが３０％以下であることを特徴とするバリスタ機能付き積層型半導体セラミックコンデンサ。
【請求項２】
前記半導体セラミックは、ＳｒサイトとＴｉサイトとの配合モル比ｍが０．９９０≦ｍ≦１．０１０であり、ドナー元素が結晶粒子中に固溶されると共に、アクセプタ元素が、前記Ｔｉ元素１００モルに対し０．７モル以下（ただし、０モルを含まず。）の範囲で粒界層中に存在していることを特徴とする請求項１記載のバリスタ機能付き積層型半導体セラミックコンデンサ。
【請求項３】
前記アクセプタ元素は、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、及びＣｒのうちの少なくとも１種の元素であることを特徴とする請求項２記載のバリスタ機能付き積層型半導体セラミックコンデンサ。
【請求項４】
前記ドナー元素は、Ｌａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｄｙ、Ｎｂ、及びＴａ中から選択された少なくとも１種の元素であることを特徴とする請求項２又は請求項３記載のバリスタ機能付き積層型半導体セラミックコンデンサ。
【請求項５】
低融点酸化物が、前記Ｔｉ元素１００モルに対し０．１モル以下の範囲で含有されていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載のバリスタ機能付き積層型半導体セラミックコンデンサ。
【請求項６】
前記低融点酸化物が、ＳｉＯ２であることを特徴とする請求項５記載のバリスタ機能付き積層型半導体セラミックコンデンサ。
【請求項７】
前記内部電極は、Ｎｉを主成分とすることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載のバリスタ機能付き積層型半導体セラミックコンデンサ。
【請求項８】
Ｓｒ化合物、Ｔｉ化合物、及びドナー化合物を所定量秤量して混合粉砕した後、焼成後の結晶粒子の平均粒径Ｄaveが１．０μｍ以下となるように仮焼処理を行って仮焼粉末を作製する仮焼粉末作製工程と、
前記仮焼粉末に少なくともアクセプタ化合物及び分散剤を添加して混合し、熱処理を行って熱処理粉末を作製する熱処理粉末作製工程と、
前記熱処理粉末をスラリー化してセラミックスラリーを作製するスラリー作製工程と、
焼成後の結晶粒子の粒径バラツキを示す変動係数ＣＶが３０％以下となるように、前記セラミックスラリーにフィルタ処理を施すフィルタ処理工程と、
前記フィルタ処理されたセラミックスラリーに成形加工を施してセラミックグリーンシートを作製し、その後導電膜とセラミックグリーンシートとを交互に積層して積層体を形成する積層体形成工程と、
還元雰囲気下、前記積層体に一次焼成処理を行った後、弱還元雰囲気下、大気雰囲気下、又は酸化性雰囲気下で二次焼成処理を行う焼成工程とを含むことを特徴とするバリスタ機能付き積層型半導体セラミックコンデンサの製造方法。
【請求項９】
前記フィルタ処理工程は、孔径が円換算で３０μｍ以下のフィルタに前記セラミックスラリーを通過させてフィルタ処理を行うことを特徴とする請求項８記載のバリスタ機能付き積層型半導体セラミックコンデンサの製造方法。
【請求項１０】
前記フィルタは、孔径が円換算で５μｍ以上であることを特徴とする請求項９記載のバリスタ機能付き積層型半導体セラミックコンデンサの製造方法。
【請求項１１】
前記フィルタ処理を複数回行うことを特徴とする請求項８乃至請求項１０のいずれかに記載のバリスタ機能付き積層型半導体セラミックコンデンサの製造方法。
【請求項１２】
前記分散剤の含有量は、前記仮焼粉末１００重量部に対し１〜３重量部であることを特徴とする請求項８乃至請求項１１のいずれかに記載のバリスタ機能付き積層型半導体セラミックコンデンサの製造方法。
【請求項１３】
前記一次焼成処理における焼成温度は、前記仮焼処理における仮焼温度よりも低いことを特徴とする請求項８乃至請求項１２のいずれかに記載のバリスタ機能付き積層型半導体セラミックコンデンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はバリスタ機能付き積層型半導体セラミックコンデンサとその製造方法に関し、より詳しくはＳｒＴｉＯ３系粒界絶縁型の半導体セラミックを利用したバリスタ機能を有するバリスタ機能付き積層型半導体セラミックコンデンサとその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年のエレクトロニクス技術の発展に伴い、携帯電話やノート型パソコン等の携帯用電子機器や、自動車などに搭載される車載用電子機器の普及と共に、電子機器の小型化、多機能化が求められている。【０００３】
一方、電子機器の小型化、多機能化を実現するために、各種ＩＣ、ＬＳＩなどの半導体素子が多く用いられるようになってきており、それに伴って電子機器のノイズ耐力が低下しつつある。【０００４】
このため半導体素子の電源ラインにバイパスコンデンサとしてフィルムコンデンサ、積層型セラミックコンデンサ、積層型半導体セラミックコンデンサなどを配し、これにより電子機器のノイズ耐力を確保することが行われている。【０００５】
特に、カーナビやカーオーディオ、車載ＥＣＵ等では、静電容量が１ｎＦ程度のコンデンサを外部端子に接続し、これにより高周波ノイズを吸収することが広く行われている。【０００６】
しかしながら、これらのコンデンサは、高周波ノイズの吸収に対しては優れた性能を示すが、コンデンサ自体は高電圧パルスや静電気を吸収する機能を有さない。このため斯かる高電圧パルスや静電気が電子機器内に侵入すると、電子機器の誤動作や半導体素子の破損を招くおそれがある。特に、静電容量が１ｎＦ程度の低容量になると、ＥＳＤ（Electro-Static Discharge：「静電気放電」）耐圧が極端に低くなり(例えば、２ｋＶ〜４ｋＶ程度)、コンデンサそのものの破損を招くおそれがある。【０００７】
そこで、従来では、図４（ａ）に示すように、外部端子１０１とＩＣ等の半導体素子１０２とを接続する電源ライン１０３に接続されたコンデンサ１０４に対し、ツェナーダイオード１０５を並列に接続したり、或いは図４（ｂ）に示すように、前記コンデンサ１０４に対し、バリスタ１０６を並列に接続することにより、ＥＳＤ対策を講じている。【０００８】
しかしながら、このようにコンデンサ１０４に対しツェナーダイオード１０５やバリスタ１０６を並列接続した場合は、部品個数が増加しコスト高を招く上に、設置スペースを確保しなければならず、デバイスの大型化を招くおそれがある。【０００９】
一方、ＳｒＴｉＯ３系粒界絶縁型の積層型半導体セラミックコンデンサは、バリスタ特性を有することが知られており、一定の電圧以上の電圧が印加されると大きな電流が流れることから、ＥＳＤ対策品としても注目されている。【００１０】
したがって、この種の積層型半導体セラミックコンデンサが、ＥＳＤに対する耐性を有し、半導体素子１０２の保護をも担うことができれば、図４のツェナーダイオード１０５やバリスタ１０６に代え、図５に示すように、１個の積層型半導体セラミックコンデンサ１０７のみで賄うことができる。そしてこれにより、部品点数の削減や低コスト化と共に、設計の標準化も容易となり、付加価値を有するコンデンサの提供が可能となる。【００１１】
そして、特許文献１では、ＳｒＴｉＯ３系粒界絶縁型半導体セラミックに用いられるセラミック粉末であって、比表面積が４．０ｍ２／ｇ以上８．０ｍ２／ｇ以下であり、累積９０％粒径Ｄ９０が１．２μｍ以下であるセラミック粉末が提案されている。【００１２】
この特許文献１では、Ｓｒ化合物、Ｔｉ化合物、及びドナー化合物を所定量秤量して混合粉砕し、仮焼処理を行って仮焼粉末を作製した後、分散剤をアクセプタ化合物と共に仮焼粉末に添加し、所定時間湿式で混合しながら分散させ、その後熱処理を行うことにより、比表面積が４．０ｍ２／ｇ以上８．０ｍ２／ｇ以下であり、かつ累積９０％粒径Ｄ９０が１．２μｍ以下の熱処理粉末を作製している。【００１３】
そして、特許文献１では、上記熱処理粉末を使用することにより、焼成後の結晶粒子が粗大化するのを抑制し、これにより良好なＥＳＤ耐圧を有する半導体セラミックコンデンサを得ようとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】国際公開２０１２／１７６７１４号（請求項１〜３、段落番号〔００４０〕〜〔００４９〕）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
しかしながら、本発明者の研究結果により、特許文献１では、初期の絶縁性は良好であってもＥＳＤが繰り返し発生すると絶縁性の低下を招き、所望の耐久性を確保することが困難になることが分かった。その理由は以下のように考えられる。【００１６】
上述したように特許文献１では、比表面積が４．０ｍ２／ｇ以上８．０ｍ２／ｇ以下であり、かつ累積９０％粒径Ｄ９０が１．２μｍ以下の熱処理粉末を使用し、焼結体である半導体セラミックを作製している。【００１７】
しかしながら、この熱処理粉末は、仮焼粉末とアクセプタ化合物とを混合させる際に分散剤を添加し、結晶粒子の凝集を抑制しているものの、セラミックスラリーの作製過程で結晶粒子が凝集して結晶粒子の粗大化を招き、このため結晶粒子の粒径バラツキが大きくなる。そして、このような粒径バラツキの大きな熱処理粉末を使用して半導体セラミックを作製すると、半導体セラミック中には局所的に粗大化した結晶粒子が存在し、このためＥＳＤが繰り返し発生すると、絶縁抵抗の顕著な低下を招き、ＥＳＤに対する耐久性（ＥＳＤ耐性）が劣化するものと思われる。【００１８】
一方、携帯用電子機器や車載用電子機器の高性能化と共に、半導体セラミックコンデンサのより一層の耐久性・信頼性が求められている。そして、そのためには極めて厳しい条件下でもＥＳＤ耐性を確保できるのが望ましく、例えば１０００回程度のＥＳＤが繰り返し発生しても耐性を確保できる耐久性の良好なバリスタ機能付き積層型半導体セラミックコンデンサの出現が求められている。【００１９】
本発明はこのような事情に鑑みなされたものであって、繰り返しＥＳＤが生じても絶縁性の低下を抑制でき、所望の電気特性を確保できる耐久性に優れたバリスタ機能付き積層型半導体セラミックコンデンサ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明者は、上記目的を達成するために、ＳｒＴｉＯ３系粒界絶縁型の積層型半導体セラミックコンデンサについて鋭意研究を行ったとこところ、結晶粒子の平均粒径Ｄaveが１．０μｍ以下であり、かつ、結晶粒子の粒径バラツキを示す変動係数ＣＶが３０％以下の半導体セラミックを使用することにより、繰り返しＥＳＤが生じても絶縁性の低下を抑制でき、かつ所望の電気特性を確保できる耐久性に優れた積層型半導体セラミックコンデンサを得ることができるという知見を得た。【００２１】
本発明はこれらの知見に基づきなされたものであって、本発明に係るバリスタ機能付き積層型半導体セラミックコンデンサ（以下、単に「積層型半導体セラミックコンデンサ」という。）は、ＳｒＴｉＯ３系粒界絶縁型の半導体セラミックで形成された複数の半導体セラミック層と複数の内部電極層とが交互に積層されて焼結されてなる積層焼結体と、該積層焼結体の両端部に前記内部電極層と電気的に接続された外部電極とを有するバリスタ機能付き積層型半導体セラミックコンデンサにおいて、前記半導体セラミックは、結晶粒子の平均粒径Ｄaveが１．０μｍ以下であり、かつ、前記結晶粒子の粒径バラツキを示す変動係数ＣＶが３０％以下であることを特徴としている。【００２２】
このように半導体セラミック中の結晶粒子の平均粒径Ｄaveと変動係数ＣＶとを規定することにより、半導体セラミック層は局所的に粗大化した結晶粒子が存在するのを回避することができ、結晶粒子は微粒で粒度分布の均一性が向上することから、ＥＳＤが繰り返し発生しても、絶縁性の低下を抑制することが可能となり、所望の電気特性を有する耐久性に優れた積層型半導体セラミックコンデンサを得ることができる。【００２３】
また、本発明の積層型半導体セラミックコンデンサは、前記半導体セラミックは、ＳｒサイトとＴｉサイトとの配合モル比ｍは０．９９０≦ｍ≦１．０１０であり、ドナー元素が結晶粒子中に固溶されると共に、アクセプタ元素が、前記Ｔｉ元素１００モルに対し０．７モル以下（ただし、０モルを含まず。）の範囲で粒界層中に存在しているのが好ましい。【００２４】
また、本発明の積層型半導体セラミックコンデンサは、前記アクセプタ元素が、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、及びＣｒのうちの少なくとも１種の元素であるのが好ましい。【００２５】
また、本発明の積層型半導体セラミックコンデンサは、前記ドナー元素が、Ｌａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｄｙ、Ｎｂ、及びＴａ中から選択された少なくとも１種の元素であるのが好ましい。【００２６】
また、本発明の積層型半導体セラミックコンデンサは、低融点酸化物が、前記Ｔｉ元素１００モルに対し０．１モル以下の範囲で含有されているのが好ましい。【００２７】
さらに、本発明の積層型半導体セラミックコンデンサは、前記低融点酸化物が、ＳｉＯ２であるのが好ましい。【００２８】
また、本発明の積層型半導体セラミックコンデンサは、前記内部電極が、Ｎｉを主成分とするのが好ましい。【００２９】
また、上記積層型半導体セラミックコンデンサは、Ｓｒ化合物、Ｔｉ化合物、及びドナー化合物を所定量秤量して混合粉砕し、仮焼処理を行って仮焼粉末を作製し、その後分散剤をアクセプタ化合物と共に添加して湿式混合した後、熱処理を行って熱処理粉末を作製し、この熱処理粉末をスラリー化して得たセラミックスラリーにフィルタ処理を施し、これにより凝集等により生じた結晶粒子中の粗粒を除去し、この粗粒が除去されたセラミックスラリーを使用して作製することができる。【００３０】
すなわち、本発明に係る積層型半導体セラミックコンデンサの製造方法は、Ｓｒ化合物、Ｔｉ化合物、及びドナー化合物を所定量秤量して混合粉砕した後、焼成後の平均粒径Ｄaveが１．０μｍ以下となるように仮焼処理を行って仮焼粉末を作製する仮焼粉末作製工程と、前記仮焼粉末に少なくともアクセプタ化合物及び分散剤を添加して混合し、熱処理を行って熱処理粉末を作製する熱処理粉末作製工程と、前記熱処理粉末をスラリー化してセラミックスラリーを作製するスラリー作製工程と、焼成後の結晶粒子の粒径バラツキを示す変動係数ＣＶが３０％以下となるように、前記セラミックスラリーにフィルタ処理を施すフィルタ処理工程と、前記フィルタ処理されたセラミックスラリーに成形加工を施してセラミックグリーンシートを作製し、その後導電膜とセラミックグリーンシートとを交互に積層して積層体を形成する積層体形成工程と、還元雰囲気下、前記積層体に一次焼成処理を行った後、弱還元雰囲気下、大気雰囲気下、又は酸化性雰囲気下で二次焼成処理を行う焼成工程とを含むことを特徴としている。【００３１】
また、本発明の積層型半導体セラミックコンデンサの製造方法は、前記フィルタ処理工程は、孔径が円換算で３０μｍ以下のフィルタに前記セラミックスラリーを通過させてフィルタ処理を行うのが好ましい。【００３２】
これによりセラミックスラリー中の凝集等により生じた粗粒を効果的に除去することができる。【００３３】
また、本発明の積層型半導体セラミックコンデンサの製造方法は、前記フィルタは、孔径が円換算で５μｍ以上であるのが好ましい。【００３４】
これによりフィルタに目詰まりが生じるのを抑制でき、作業効率の低下を極力回避しつつ所望の積層型半導体セラミックコンデンサを得ることができる。【００３５】
また、本発明の積層型半導体セラミックコンデンサの製造方法は、前記フィルタ処理を複数回行うのが好ましい。【００３６】
これにより、結晶粒子に粒径バラツキが生じるのをより一層効果的に抑制することができる。【００３７】
また、本発明の積層型半導体セラミックコンデンサの製造方法は、前記分散剤の含有量は、前記仮焼粉末１００重量部に対し１〜３重量部であるのが好ましい。【００３８】
これにより、所望の分散状態でセラミックスラリーにフィルタ処理を施すことが可能となる。【００３９】
また、本発明の積層型半導体セラミックコンデンサの製造方法は、前記一次焼成処理における焼成温度は、前記仮焼処理における仮焼温度よりも低いのが好ましい。【００４０】
これにより一次焼成処理で結晶粒子の粒成長が促進されることが殆どなく、結晶粒子の粗大化が抑制され、結晶粒子の粒径は仮焼粉末作製時の仮焼温度によって制御することが可能となる。
【発明の効果】
【００４１】
上記積層型半導体セラミックコンデンサによれば、ＳｒＴｉＯ３系粒界絶縁型の半導体セラミックで形成された複数の半導体セラミック層と複数の内部電極層とが交互に積層されて焼結されてなる積層焼結体と、該積層焼結体の両端部に前記内部電極層と電気的に接続された外部電極とを有するバリスタ機能付き積層型半導体セラミックコンデンサにおいて、前記半導体セラミックは、結晶粒子の平均粒径Ｄaveが１．０μｍ以下であり、かつ、前記結晶粒子の粒径バラツキを示す変動係数ＣＶが３０％以下であるので、半導体セラミック層は局所的に粗大化した粒子が存在するのを回避することができ、結晶粒子は微粒で粒度分布の均一性が向上する。したがって、ＥＳＤが繰り返し発生しても、絶縁性の低下を抑制することが可能となり、所望の電気特性を有する耐久性に優れた積層型半導体セラミックコンデンサを得ることができる。【００４２】
そしてその結果、コンデンサとツェナーダイオードの機能を１個の積層型半導体セラミックコンデンサで実現することが可能となり、部品点数が削減され、低コスト化が可能となり、設計の標準化も容易となり、ＥＳＤ耐性が良好で信頼性に優れた付加価値を有する積層型半導体セラミックコンデンサを実現することが可能となる。【００４３】
また、本発明の積層型半導体セラミックコンデンサの製造方法によれば、Ｓｒ化合物、Ｔｉ化合物、及びドナー化合物を所定量秤量して混合粉砕した後、焼成後の平均粒径Ｄaveが１．０μｍ以下となるように仮焼処理を行って仮焼粉末を作製する仮焼粉末作製工程と、前記仮焼粉末に少なくともアクセプタ化合物及び分散剤を添加して混合し、熱処理を行って熱処理粉末を作製する熱処理粉末作製工程と、前記熱処理粉末をスラリー化してセラミックスラリーを作製するスラリー作製工程と、焼成後の結晶粒子の粒径バラツキを示す変動係数ＣＶが３０％以下となるように、前記セラミックスラリーにフィルタ処理を施すフィルタ処理工程と、前記フィルタ処理されたセラミックスラリーに成形加工を施してセラミックグリーンシートを作製し、その後導電膜とセラミックグリーンシートとを交互に積層して積層体を形成する積層体形成工程と、還元雰囲気下、前記積層体に一次焼成処理を行った後、弱還元雰囲気下、大気雰囲気下、又は酸化性雰囲気下で二次焼成処理を行う焼成工程とを含むので、結晶粒子同士の凝集によって粗大化した粒子をフィルタ処理によって除去することができ、微粒かつ粒径バラツキが抑制された半導体セラミックが得られる。そしてこれによりＥＳＤが繰り返し発生しても絶縁性の低下が抑制された所望の電気特性を有する耐久性・信頼性に優れた積層型半導体セラミックコンデンサを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明に係る積層型半導体セラミックコンデンサの一実施の形態を模式的に示す断面図である。
【図２】本実施例で作製された積層型半導体セラミックコンデンサを模式的に示す斜視図である。
【図３】図２の縦断面図である。
【図４】電源ラインに配されたバイパスコンデンサにツェナーダイオード又はバリスタを並列接続した場合の電気回路図である。
【図５】コンデンサにバリスタ機能を持たせた積層型半導体セラミックコンデンサを電源ラインに接続した場合の電気回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００４５】
次に、本発明の実施の形態を詳説する。
【００４６】
図１は本発明に係る積層型半導体セラミックコンデンサの一実施の形態を模式的に示す断面図である。
【００４７】
この積層型半導体セラミックコンデンサは、部品素体（積層焼結体）４と、該部品素体４の両端部に形成された外部電極３ａ、３ｂとを備えている。
【００４８】
部品素体４は、ＳｒＴｉＯ３系粒界絶縁型の半導体セラミックで形成された複数の半導体セラミック層１ａ〜１ｇと複数の内部電極層２ａ〜２ｆとが交互に積層されて焼結されてなる積層焼結体からなり、内部電極層２ａ、２ｃ、２ｅは、部品素体４の一方の端面に露出すると共に、一方の外部電極３ａと電気的に接続され、内部電極層２ｂ、２ｄ、２ｆは、部品素体４の他方の端面に露出すると共に、他方の外部電極３ｂと電気的に接続されている。
【００４９】
半導体セラミック層１ａ〜１ｇは、主成分がＳｒＴｉＯ３系材料からなり、ドナー元素が結晶粒子中に固溶されると共に、アクセプタ元素が、粒界層中に存在している。すなわち、半導体セラミック層１ａ〜１ｇは、微視的には半導体セラミックからなる複数の結晶粒子と、結晶粒子の周囲に形成される粒界層とからなり（図示せず）、結晶粒子同士が粒界層を介して静電容量を形成する。そしてこれらが内部電極層２ａ、２ｃ、２ｅと内部電極層２ｂ、２ｄ、２ｆとの対向面間で直列に、或いは並列に繋がることで、全体として所望の静電容量を得ている。
【００５０】
尚、内部電極層２ａ〜２ｆに使用される内部電極材料は、特に限定されるものではないが、通常は低コストで良導電性を有するＮｉを主成分とした卑金属材料が好んで使用される。
【００５１】
また、外部電極３ａ、３ｂに使用される外部電極材料も、特に限定されるものではなく、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｉｎやこれらを含有した合金類を使用することができる。そして、外部電極３ａ、３ｂは、これらの外部電極材料を使用して単層構造又は多層構造に形成することができ、また、これらの外表面にＡｇ層を形成するのも好ましく、さらにはこれらを下地電極としてＮｉやＳｎ等からなるめっき皮膜を形成し、外部電極３ａ、３ｂとしてもよい。
【００５２】
そして、上記積層型半導体セラミックコンデンサは、半導体セラミック層１ａ〜１ｇを形成する半導体セラミックが、結晶粒子の平均粒径Ｄaveは１．０μｍ以下であり、かつ、前記結晶粒子の粒径バラツキを示す変動係数ＣＶが３０％以下とされている。
【００５３】
このように半導体セラミックを形成する結晶粒子の平均粒径Ｄaveと粒径バラツキを規定することにより、半導体セラミック層は局所的に粗大化した結晶粒子が存在することもなく、結晶粒子は微粒で粒度分布のバラツキが抑制されることから、繰り返しＥＳＤが生じても所望のＥＳＤ耐圧を確保できる良好な耐久性を有する積層型半導体セラミックコンデンサを得ることができる。
【００５４】
以下、結晶粒子の平均粒径Ｄave及び結晶粒子の変動係数ＣＶを上述のように規定した理由を述べる。
【００５５】
（１）結晶粒子の平均粒径Ｄave
結晶粒子の粒径バラツキは後述するように変動係数ＣＶで評価することができるが、結晶粒子の平均粒径Ｄaveが１．０μｍを超えると、結晶粒子の粒度分布が過度に広がり、変動係数ＣＶを３０％以下に抑制するのが困難となる。そしてその結果、粒径バラツキが大きくなることから、初期の絶縁性は良好であってもＥＳＤが繰り返し発生すると絶縁性の低下を招き、所望の耐久性を確保することが困難となる。
【００５６】
そこで、本実施の形態では、結晶粒子の平均粒径Ｄaveが１．０μｍ以下となるようにしている。
【００５７】
（２）結晶粒子の変動係数ＣＶ
結晶粒子の粒径バラツキは、数式（１）に示すように、標準偏差σと平均粒径Ｄaveとの比を百分率で表した変動係数ＣＶで評価することができる。
【００５８】
ＣＶ＝（σ／Ｄave）×１００  ...（１）
【００５９】
この変動係数ＣＶが３０％を超えると、結晶粒子の一次粒径の平均が１．０μｍ以下であっても、凝集等により粗大化した結晶粒子が半導体セラミック中に局所的に偏在することから、初期の絶縁性は良好であっても繰り返しＥＳＤが発生すると絶縁性の低下を招き、所望の十分な耐久性を確保することが困難である。
【００６０】
そこで、本実施の形態では、変動係数ＣＶを３０％以下に規定している。
【００６１】
このように上記積層型半導体セラミックコンデンサでは、半導体セラミック層１ａ〜１ｇを形成する半導体セラミックが、結晶粒子の平均粒径Ｄaveは１．０μｍ以下であり、かつ、結晶粒子の粒径バラツキを示す変動係数ＣＶが３０％以下であるので、半導体セラミック層１ａ〜１ｇ中で局所的に粗大化した結晶粒子が存在するのを回避することができ、結晶粒子は微粒で粒度分布の均一性が向上する。したがって、ＥＳＤが繰り返し発生しても、絶縁性の低下を抑制することが可能となり、所望の電気特性を有する耐久性に優れた積層型半導体セラミックコンデンサを得ることができる。
【００６２】
そしてその結果、コンデンサとツェナーダイオードの機能を１個の積層型半導体セラミックコンデンサで実現することが可能となり、部品点数が削減され、低コスト化が可能となり、設計の標準化も容易となり、ＥＳＤ耐性が良好で信頼性に優れた付加価値を有する積層型半導体セラミックコンデンサを実現することができる。
【００６３】
尚、本実施の形態では、ＳｒサイトとＴｉサイトとの配合モル比ｍは特に限定されるものではないが、０．９９０≦ｍ≦１．０１０となるように調製するのが好ましい。
【００６４】
すなわち、Ｓｒを化学量論組成よりも過剰に含有させることにより、結晶粒子に固溶されずに結晶粒界に析出したＳｒが粒成長を抑制し、これにより微粒の結晶粒子が得られる。そして結晶粒子が微粒化することによって結晶粒界に酸素が行き渡りやすくなり、ショットキー障壁の形成を促進し、良好な絶縁性の確保に寄与する。
【００６５】
ただし、配合モル比ｍは１．０１０を超えると、結晶粒子に固溶されなかったＳｒの結晶粒界への析出が増加し、粒界絶縁層の厚みが過度に厚くなって静電容量の低下を招くおそれがある。
【００６６】
一方、配合モル比ｍが０．９９０未満になると、Ｔｉの含有モル量が過剰となり、結晶粒子が粗大化傾向となり、絶縁性の低下を招くおそれがある。
【００６７】
したがって、配合モル比ｍは特に限定されないものの、０．９９０≦ｍ≦１．０１０となるように調製するのが好ましい。
【００６８】
尚、ドナー元素は、上述したように還元雰囲気で焼成処理を行ってセラミックを半導体化するために結晶粒子中に固溶させているが、その含有量は特に限定されない。ただし、ドナー元素がＴｉ元素１００モルに対し０．２モル未満の場合は静電容量の過度の低下を招くおそれがある。一方、ドナー元素がＴｉ元素１００モルに対し１．２モルを超えると焼成温度の許容温度幅が狭くなるおそれがある。
【００６９】
したがって、ドナー元素の含有モル量はＴｉ元素１００モルに対し０．２〜１．２モル、好ましくは０．４〜１．０モルがよい。
【００７０】
そして、このようなドナー元素としては、特に限定されるものではなく、例えば、例えば、Ｌａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｄｙ、Ｎｂ、及びＴａ等を使用することができる。
【００７１】
また、アクセプタ元素は、上述したように粒界絶縁層中に存在する。粒界絶縁層は、電気的に活性化するエネルギー準位（粒界準位）を形成してショットキー障壁の形成を促進し、これにより絶縁抵抗が向上し、良好な絶縁性を有する積層型半導体セラミックコンデンサを得ることができる。ただし、アクセプタ元素の含有モル量がＴｉ元素１００モルに対し０．７モルを超えると、ＥＳＤ耐圧の低下を招き、好ましくない。
【００７２】
したがって、アクセプタ元素の含有モル量をＴｉ元素１００モルに対し０．７モル以下（ただし、０モルを含まず。）、好ましくは０．３〜０．５モルが好ましい。
【００７３】
そして、このようなアクセプタ元素としては、特に限定されるものではないが、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ等を使用することができ、特にＭｎが好んで使用される。
【００７４】
また、上記半導体セラミック層１ａ〜１ｇ中に、Ｔｉ元素１００モルに対し、０．１モル以下の範囲で低融点酸化物を添加するのも好ましく、このような低融点酸化物を添加することにより、焼結性を向上させることができると共に上記アクセプタ元素の結晶粒界への偏析を促進することができる。
【００７５】
尚、低融点酸化物の含有モル量を上記範囲としたのは、その含有モル量がＴｉ元素１００モルに対し、０．１モルを超えると静電容量の過度の低下を招き、所望の電気特性が得られないおそれがあるからである。
【００７６】
また、低融点酸化物としては、特に限定されるものではなく、ＳｉＯ２、Ｂやアルカリ金属元素（Ｋ、Ｌｉ、Ｎａ等）を含有したガラスセラミック、銅−タングステン塩等を使用することができるが、ＳｉＯ２が好んで使用される。
【００７７】
次に、上記積層型半導体セラミックコンデンサの製造方法の一実施の形態を説明する。
【００７８】
まず、セラミック素原料としてＳｒＣＯ３等のＳｒ化合物、ＬａやＳｍ等のドナー元素を含有したドナー化合物、及び、例えば比表面積が１０ｍ２／ｇ以上（平均粒径：約０．１μｍ以下）のＴｉＯ２等、微粒のＴｉ化合物をそれぞれ用意し、所定量秤量する。
【００７９】
次いで、この秤量物１００重量部に対し、例えば１〜３重量部の分散剤を添加し、ＰＳＺ（Partially Stabilized Zirconia；「部分安定化ジルコニア」）ボール等の粉砕媒体及び純水と共にボールミルに投入し、該ボールミル内で十分に湿式混合してスラリーを作製する。
【００８０】
次に、このスラリーを蒸発乾燥させた後、大気雰囲気下、所定温度（例えば、１３５０℃〜１４５０℃）で２時間程度、仮焼処理を施し、ドナー元素が固溶した仮焼粉末を作製する。
【００８１】
次いで、ＭｎやＣｏ等のアクセプタ元素を含有したアクセプタ化合物を所定量秤量し、必要に応じてＳｉＯ２等の低融点酸化物を所定量秤量する。次いでこれらアクセプタ化合物及び低融点酸化物を前記仮焼粉末と混合し、さらには所定量の分散剤及び純水を添加し、再度前記粉砕媒体と共にボールミルに投入し、該ボールミル内で十分に湿式で混合し、混合物を得る。
【００８２】
上記分散剤は、混合物中の結晶粒子が互いに凝集して粗大化するのを回避するために添加される。すなわち、分散剤を添加しない場合は、後述するフィルタ処理を行っても、結晶粒子同士が凝集して粒径の粗大化を招き、焼成後の結晶粒子の平均粒径Ｄaveを１．０μｍ以下に抑制することが困難となり、また、粒径バラツキも大きくなって変動係数ＣＶを３０％以下に抑制するのが困難となる。
【００８３】
そこで、本実施の形態では、アクセプタ化合物等に加え、分散剤を仮焼粉末に添加し、所定時間（例えば、４８〜６４時間）、湿式で十分に混合し、混合物を得ている。
【００８４】
尚、分散剤の含有量は、混合物中の結晶粒子の凝集を回避できる程度でよく、例えば仮焼粉末１００重量部に対し１〜３重量部の分散剤を添加することができる。
【００８５】
また、分散剤の種類は、特に限定されるものではないが、通常はポリカルボン酸アンモニウム塩等の有機系分散剤を好んで使用することができる。
【００８６】
次いで、上記混合物を蒸発乾燥させた後、大気雰囲気下、所定温度（例えば、５００〜７００℃）で５時間程度、熱処理を行い、熱処理粉末を作製する。
【００８７】
次に、この熱処理粉末にトルエン、アルコール等の有機溶媒や有機バインダ、可塑剤、界面活性剤等を適宜添加して十分に湿式で混合し、これによりセラミックスラリーを得る。
【００８８】
次に、セラミックスラリーにフィルタ処理を施し、セラミックスラリー中の粗粒を除外する。すなわち、混合物の作製時に分散剤を添加していることから、熱処理粉末中の結晶粒子は凝集することなく分散した状態を維持しているが、その後のセラミックスラリー作製時に凝集して粗大化した粒子が形成され、このため粒径バラツキが大きくなる。
【００８９】
そこで、セラミックスラリーをフィルタに通過させてフィルタ処理を行い、これにより凝集等により形成された粗粒を除外し、変動係数ＣＶが３０％以下となるように粒径バラツキを抑制している。
【００９０】
ここで、前記フィルタの孔径としては、変動係数ＣＶが３０％以下となるように粗粒を排除できるのであれば特に限定されるものではないが、凝集した粗粒を効果的に取り除くためには、フィルタの孔径は円換算で３０μｍ以下が好ましい。
【００９１】
ただし、フィルタの孔径が過度に小さくなると、目詰まり等により作業効率の低下を招くおそれがあることから、フィルタの孔径は円換算で５μｍ以上が好ましく、１０μｍ以上がより好ましい。  
【００９２】
また、フィルタ処理を複数回繰り返し行うのも好ましく、これにより、より一層、凝集等により形成された粗粒を効果的に取り除くことができ、変動係数ＣＶが更に低下し、粒径バラツキを抑制することができる。
【００９３】
次に、ドクターブレード法、リップコータ法、ダイコータ法等の成形加工法を使用してセラミックスラリーに成形加工を施し、セラミックグリーンシートを作製する。
【００９４】
次いで、Ｎｉ等を主成分とした内部電極用導電性ペーストを使用してセラミックグリーンシート上にスクリーン印刷法、グラビア印刷法、又は真空蒸着法、スパッタリング法などを用いた転写等を施し、前記セラミックグリーンシートの表面に所定パターンの導電膜を形成する。
【００９５】
次いで、導電膜が形成されたセラミックグリーンシートを所定方向に複数枚積層すると共に、導電膜の形成されていない外装用のセラミックグリーンシートを積層した後、圧着し、所定寸法に切断して積層体を作製する。
【００９６】
そしてこの後、窒素雰囲気下、３００〜５００℃の温度で２時間程度、脱バインダ処理を行なう。次いで、Ｈ２ガスとＮ２ガスが所定の流量比（例えば、Ｈ２／Ｎ２＝０．０２５／１００〜１／１００）となるように還元雰囲気とされた焼成炉を使用し、該焼成炉内で、１２００〜１２５０℃の温度で２時間程度、一次焼成を行い、積層体を半導体化する。
【００９７】
このように一次焼成処理における焼成温度（１２００〜１２５０℃）を、仮焼処理における仮焼温度（１３５０〜１４５０℃）よりも低くすることにより、一次焼成処理において結晶粒子の粒成長が促進されることがほとんどなく、結晶粒子の粗大化を抑制することができ、これによりＳｒとＴｉとの配合モル比ｍと相俟って結晶粒子の平均粒径Ｄaveを容易に１．０μｍ以下にすることができる。
【００９８】
そして、このように積層体を半導体化した後、大気雰囲気下、６００〜９００℃の低温で１時間程度、二次焼成を行い半導体セラミックに再酸化処理を施し、酸素を結晶粒界に拡散させる。そしてこれにより結晶粒界は絶縁化されて粒界絶縁層となり、該結晶粒界にショットキー障壁が形成され、絶縁抵抗を向上させることができ、内部電極２が埋設された積層焼結体からなる部品素体４が作製される。
【００９９】
その後、部品素体４の両端部に外部電極用導電性ペーストを塗布し、焼付処理を行い、外部電極３ａ、３ｂを形成し、これにより積層型半導体セラミックコンデンサが製造される。
【０１００】
このように本実施の形態では、一次焼成処理における焼成温度（１２００〜１２５０℃）を、前記仮焼処理における仮焼温度（１３５０〜１４５０℃）よりも低くしているので、一次焼成時に結晶粒子が粗大化するのを極力抑制できることから、ＳｒとＴｉとの配合モル比ｍと相俟って結晶粒子の平均粒径Ｄaveを１．０μｍ以下とすることができる。
【０１０１】
しかも、Ｓｒ化合物、Ｔｉ化合物、及びドナー化合物を所定量秤量して混合粉砕し、仮焼処理を行って仮焼粉末を作製した後、アクセプタ化合物を添加して熱処理を行い、熱処理粉末を作製し、この熱処理粉末に分散剤を含有した溶媒を添加してセラミックスラリー化し、このセラミックスラリーにフィルタ処理を施し、凝集等している粗粒を除去し、これらの粗粒が除去されたセラミックスラリーを使用しているので、半導体セラミック中の結晶粒子の変動係数ＣＶを３０％以下に低下させることができ、これにより粒径バラツキを抑制することができる。
【０１０２】
このように結晶粒子の平均粒径Ｄaveが１．０μｍ以下であり、かつ結晶粒子の粒径バラツキを示す変動係数ＣＶが３０％以下の半導体セラミックを使用して積層型半導体セラミックコンデンサを作製することにより、繰り返しＥＳＤが生じても絶縁性が低下することもなく所望の電気特性を有する耐久性に優れた積層型半導体セラミックコンデンサを得ることができる。そしてその結果、コンデンサとツェナーダイオードの機能を１個の積層型半導体セラミックコンデンサで実現することが可能となり、部品点数が削減され、低コスト化が可能となり、設計の標準化も容易となり、信頼性に優れた付加価値を有する積層型半導体セラミックコンデンサを実現することができる。
【０１０３】
尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。例えば、上記実施の形態では、固溶体を固相法で作製しているが、固溶体の作製方法は特に限定されるものではなく、例えば水熱合成法、ゾル・ゲル法、加水分解法、共沈法等任意の方法を使用することができる。
【０１０４】
次に、本発明の実施例を具体的に説明する。
【実施例】
【０１０５】
〔試料の作製〕
セラミック素原料としてＳｒＣＯ３、比表面積が３０ｍ２／ｇ（平均粒径：約３０ｎｍ）のＴｉＯ２、及びドナー化合物としてのＬａＣｌ３を用意した。そして、ＳｒサイトとＴｉサイトとの配合モル比ｍ（＝Ｓｒサイト／Ｔｉサイト）が１．０００となるようにＳｒＣＯ３及びＴｉＯ２を秤量し、Ｌａの含有量がＴｉ元素１００モルに対し０．８モルとなるようにＬａＣｌ３を秤量した。【０１０６】
次いで、これらの秤量物１００重量部に対し３重量部のポリカルボン酸アンモニウム塩を分散剤として添加した後、粉砕媒体として直径２ｍｍのＰＳＺボール及び純水と共にボールミルに投入し、該ボールミル内で１６時間湿式混合してスラリーを作製した。【０１０７】
次に、このスラリーを蒸発乾燥させた後、大気雰囲気下、１４００℃の仮焼温度で２時間仮焼処理を行い、Ｌａが結晶粒子に固溶した仮焼粉末を得た。【０１０８】
次に、アクセプタ元素としてのＭｎ元素の含有量が、Ｔｉ元素１００モルに対し０．３モルとなるようにＭｎＣＯ３を秤量し、Ｓｉの含有モル量が、Ｔｉ元素１００モルに対し０．１モルとなるようにＳｉＯ２を秤量し、これら秤量物を前記仮焼粉末に添加し、さらに分散剤としてのポリカルボン酸アンモニウム塩を、仮焼粉末１００重量部に対し０〜３重量部となるように、前記仮焼粉末に添加した。次いで、再び直径２ｍｍのＰＳＺボール及び純水と共にボールミルに投入し、該ボールミル内で４８〜６４時間湿式混合して結晶粒子を分散させ、混合物を得た。尚、本実施例では、ＭｎＣＯ３を仮焼粉末に添加しているが、ＭｎＣｌ２溶液やＭｎゾル溶液を添加してもよい。【０１０９】
次いで、この混合物を蒸発乾燥させ、大気雰囲気下、６００℃で５時間、熱処理を行い、分散剤等の有機成分を除去し、熱処理粉末を得た。【０１１０】
次に、トルエン、アルコール等の有機溶媒、及び適量の分散剤を前記熱処理粉末に添加し、再び直径２ｍｍのＰＳＺボールと共にボールミルに投入し、該ボールミル内にて湿式で１６時間混合した。そしてこの後、有機バインダとしてのポリビニルビチラール（ＰＶＢ）や可塑剤としてのジオクチルフタレート（ＤＯＰ）、更にはカチオン性界面活性剤を適量添加し、湿式で１．５時間混合処理を行い、これによりセラミックスラリーを作製した。【０１１１】
そしてこの後、孔径が１０μｍのフィルタにセラミックスラリーを０〜２回通過させてフィルタ処理を行った。【０１１２】
次に、リップコータ法を使用し、フィルタ処理がなされたセラミックスラリーに成形加工を施し、セラミックグリーンシートを作製した。次いで、Ｎｉを主成分とする内部電極用導電性ペーストを使用してセラミックグリーンシート上にスクリーン印刷を施し、前記セラミックグリーンシートの表面に所定パターンの導電膜を形成した。【０１１３】
次いで、導電膜の形成されたセラミックグリーンシートを所定方向に１０枚積層した後、導電膜の形成されていない外装用のセラミックグリーンシートを上下に付与し、その後厚みが０．７ｍｍ程度となるように熱圧着し、セラミックグリーンシートと内部電極とが交互に積層されたブロック体を得た。【０１１４】
そしてこの後、このブロック体を所定寸法に切断して積層体とし、該積層体を窒素雰囲気中、温度４００℃で２時間、脱バインダ処理を行なった。次いで、Ｈ２：Ｎ２＝１：１００の流量比に調整された還元雰囲気下、１２００〜１２５０℃の焼成温度で２時間、積層体に一次焼成を施し、積層体を半導体化した。【０１１５】
次に、大気雰囲気下、７００℃の温度で１時間、二次焼成を行って再酸化処理を施し、これにより粒界に酸素を分散させて粒界絶縁層を形成し、その後、端面を研磨して部品素体を作製した。【０１１６】
次いで、この部品素体の両端部にスパッタリングを施し、Ｎｉ−Ｃｒ層、Ｎｉ−Ｃｕ層、Ａｇ層からなる三層構造の下地電極を形成した。次いで、電解めっきを施し、下地電極の表面にＮｉ皮膜及びＳｎ皮膜を順次形成して外部電極を形成し、これにより試料番号１〜８の試料を得た。【０１１７】
図２は、試料の斜視図であり、部品素体５１の両端部に外部電極５２ａ、５２ｂが形成されている。試料の外径寸法は、いずれも長さＬ：１．０ｍｍ、幅Ｗ：０．５ｍｍ、厚みＴ：０．５ｍｍであった。【０１１８】
〔試料の評価〕
試料番号１〜８の各試料をそれぞれ３個ずつ用意し、幅（Ｗ）方向が垂直方向に沿うような姿勢で保持し、試料の周囲を樹脂で固め、試料の長さＬと、厚さＴにより規定されるＬＴ面を樹脂から露出させた。その後、研磨機により、各試料のＬＴ面を研磨し、各試料を幅（Ｗ）方向の１／２程度の深さまで研磨し、さらに研磨面をケミカルエッチングし、図３に示すように、結晶粒子観察用の試料断面を得た。【０１１９】
次いで、内部電極５３間に挟まれた半導体セラミック層５４の略中央部（図３中、Ｐで示す。）をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）で撮像し、ＳＥＭ画像を得た。そして、ＪＩＳＲ１６７０に準拠し、このＳＥＭ画像から円相当径に換算した結晶粒径を求めた。そして、各試料３個の平均値を算出して平均粒径Ｄaveとし、平均粒径Ｄave及び各試料の標準偏差σに基づいて変動係数ＣＶを算出した。【０１２０】
また、試料１〜８の各試料について、インピーダンスアナライザ（アジレント・テクノロジー社製：ＨＰ４１９４Ａ）を使用し、周波数１ｋＨｚ、電圧１Ｖの条件で静電容量を測定し、さらに５０Ｖの直流電圧を１分間印加し、その漏れ電流から初期絶縁抵抗ＩＲ０を測定した。【０１２１】
また、試料１〜８の各試料について、ＥＳＤのイミュニティ試験規格であるＩＥＣ６１０００−４−２（国際規格）に準拠し、３０ｋＶの接触放電を正逆１０回、１００回、２００回、及び１０００回繰り返し印加した。次いで、接触放電後に５０Ｖの直流電圧を１分間印加し、その漏れ電流から接触放電後の絶縁抵抗ＩＲをそれぞれ測定した。【０１２２】
表１は、試料番号１〜８のセラミックスラリーの製造条件、接触放電後結晶粒子の平均粒径Ｄave、変動係数ＣＶ、静電容量、初期絶縁抵抗ＩＲ０、及び接触放電後の絶縁抵抗ＩＲを示している。尚、絶縁抵抗ＩＲは、常用対数（logＩＲ）で表示している。【０１２３】
【表１】
0005975370.tif 000002
【０１２４】
試料番号１は、熱処理粉末作製前の混合物作製時に分散剤を添加せず、またフィルタ処理も行っていないため、結晶粒子の平均粒径Ｄaveは１．８μｍと粗大化し、変動係数ＣＶも７０％となって粒径バラツキも大きくなった。このため、初期絶縁抵抗logＩＲ０が８．３であり、接触放電を正逆１０回繰り返した時点では絶縁抵抗logＩＲは８．１であるが、接触放電を正逆１００回繰り返すと絶縁抵抗logＩＲは６．２に低下して絶縁性を損ない、耐久性が劣化するのが分かった。【０１２５】
試料番号２は、接触放電を正逆２００回繰り返すと絶縁抵抗logＩＲは６．５に低下し、ＥＳＤに対する耐久性に劣ることが分かった。これはフィルタ処理を１回行っていることから、結晶粒子の平均粒径Ｄaveは１．２μｍと小さくすることができるものの、試料番号１と同様、分散剤を添加していないことから平均粒径Ｄaveは１．０μｍを超えており、しかも変動係数ＣＶも６０％となって粒径バラツキも大きく、粗粒が局所的に偏在するためと思われる。【０１２６】
試料番号３は、接触放電を正逆１０００回繰り返すと絶縁抵抗logＩＲは６．３となって絶縁性が低下し、繰り返しＥＳＤに対し未だ十分な耐久性が得られないことが分かった。これはフィルタ処理を２回行っていることから、結晶粒子の平均粒径Ｄaveは０．９３μｍとなり、１．０μｍ以下に抑制できるものの、試料番号１及び２と同様、分散剤を添加していないことから変動係数ＣＶが５５％となって粒径バラツキが大きく、粗粒が局所的に偏在するためと思われる。【０１２７】
試料番号４は、仮焼粉末１００重量部に対し１重量部の分散剤を添加しているものの、フィルタ処理を行っていないため、接触放電を正逆１０００回繰り返すと、絶縁抵抗logＩＲは６．８となって絶縁性が低下し、繰り返しＥＳＤに対し十分な耐久性が得られないことが分かった。これは混合物作製時に分散剤を添加しているものの、その後のセラミックスラリー作製時に結晶粒子が凝集し、斯かる凝集した結晶粒子に起因して粒径バラツキが大きくなり、変動係数ＣＶが４８％と大きくなったためと思われる。【０１２８】
また、試料番号７は、仮焼粉末１００重量部に対し３重量部の分散剤を添加しているものの、フィルタ処理を行っていないため、試料番号４と同様の理由から接触放電を正逆１０００回繰り返すと、絶縁抵抗logＩＲは６．５となって絶縁性が低下し、繰り返しＥＳＤに対し未だ十分な耐久性が得られないことが分かった。【０１２９】
これに対し試料番号５、６及び８の各試料は、熱処理粉末作製前の混合物作製時に分散剤を添加し、かつ少なくとも１回のフィルタ処理を行っているので、結晶粒子の平均粒径Ｄaveは０．７３〜０．８５μｍ、変動係数ＣＶは１５〜３０％といずれも本発明範囲内となり、接触放電を正逆１０００回繰り返しても、絶縁抵抗logＩＲは８．０〜８．９となって８以上の良好な絶縁性を確保することができ、繰り返しＥＳＤに対し良好な耐久性が得られることが分かった。【０１３０】
特に、試料番号５、６、及び８から明らかなように、フィルタ処理の回数又は／及び分散剤の添加量を多くすることにより、接触放電を正逆１０００回繰り返しても初期絶縁抵抗logＩＲ０と略同様の絶縁抵抗logＩＲを確保できることが分かった。
【産業上の利用可能性】
【０１３１】
繰り返しＥＳＤが生じても所望の絶縁性を確保でき、所望の電気特性と良好な耐久性を有し、信頼性の優れたバリスタ機能付き積層型半導体セラミックコンデンサが実現でき、コンデンサとツェナーダイオードとを１素子で担うことができる。
【符号の説明】
【０１３２】
１ａ〜１ｇ  半導体セラミック層
２ａ〜２ｆ  内部電極層
３ａ、３ｂ  外部電極
４  部品素体（積層焼結体）
【図１】
0005975370.tif 000003
【図２】
0005975370.tif 000004
【図３】
0005975370.tif 000005
【図４】
0005975370.tif 000006
【図５】
0005975370.tif 000007