(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ドナー基板に有機ＥＬ膜を形成する成膜室と、
前記有機ＥＬ膜の一部を前記ドナー基板から素子基板に転写する転写室と、
前記ドナー基板から前記有機ＥＬ膜の残部を取り除くドライクリーニング室と
を含む転写ユニットを少なくとも１つ有し、
前記転写ユニットは、前記ドナー基板を搬送する環状の経路を有し、
前記成膜室、前記転写室、及び前記ドライクリーニング室は、前記経路においてこの順に配置され、前記成膜室、前記転写室、及び前記ドライクリーニング室に対し、前記ドナー基板をこの順に繰り返し搬送する搬送部を更に有する
有機ＥＬデバイスの製造装置。
【請求項２】
前記転写ユニットが、
前記転写室に連結され前記素子基板を前記転写室に搬入する搬入室と、
前記転写室に連結され前記素子基板を前記転写室から搬出する搬出室と、
を更に有し、
前記転写ユニットでは、
前記搬入室、前記転写室、及び前記搬出室が、この順に一列に連結されている
請求項１に記載の有機ＥＬデバイスの製造装置。
【請求項３】
前記搬入室には、前記成膜室が連結され、
前記搬出室には、前記ドライクリーニング室が連結され、
前記搬入室では、前記素子基板と前記ドナー基板との貼り合わせが行われ、
前記搬出室では、前記素子基板と前記ドナー基板との分離が行われる
請求項２に記載の有機ＥＬデバイスの製造装置。
【請求項４】
前記ドライクリーニング室では、
前記ドナー基板から除去された前記有機ＥＬ膜の形成材料を付着させるための回収基板が、前記ドナー基板の前記有機ＥＬ膜と対向して配置される
請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機ＥＬデバイスの製造装置。
【請求項５】
前記回収基板は透明基板であり、
前記ドライクリーニング室には、
前記回収基板を冷却する冷却部と、前記回収基板を介して前記有機ＥＬ膜に光を照射する照射部とが設けられ、
前記ドナー基板がドライクリーニングされるときには、前記冷却部によって前記回収基板が冷却されつつ、前記有機ＥＬ膜が照射された前記光によって加熱される
請求項４に記載の有機ＥＬデバイスの製造装置。
【請求項６】
前記回収基板は、前記回収基板に付着した前記有機ＥＬ膜の形成材料が、該回収基板から脱離しない温度にまで前記冷却部によって冷却される
請求項５に記載の有機ＥＬデバイスの製造装置。
【請求項７】
前記転写ユニットは、
複数の前記回収基板が収められるストック室を更に備える
請求項４〜６のいずれか一項に記載の有機ＥＬデバイスの製造装置。
【請求項８】
前記転写ユニットは、
ドライクリーニング後の前記ドナー基板を検査する検査室を更に備え、
ドライクリーニング後の前記ドナー基板における前記有機ＥＬ膜の残部が所定量以下となるまで、前記ドナー基板に対するドライクリーニングを繰り返し行う
請求項１〜７のいずれか一項に記載の有機ＥＬデバイスの製造装置。
【請求項９】
成膜室にてドナー基板に有機ＥＬ膜を形成する成膜工程と、
転写室にて前記有機ＥＬ膜の一部を前記ドナー基板から素子基板に転写する転写工程と、
ドライクリーニング室にて前記ドナー基板から前記有機ＥＬ膜の残部を除去するドライクリーニング工程とを有し、
前記成膜工程、前記転写工程、及び前記ドライクリーニング工程の間では、この順に各工程が進行することに伴って、前記ドナー基板を搬送する環状の経路であって、前記成膜室、前記転写室、及び前記ドライクリーニング室がこの順に配置された前記経路において前記ドナー基板を搬送する環状搬送工程を更に有し、
前記ドナー基板に対して、前記成膜工程、前記転写工程、前記ドライクリーニング工程、及び前記環状搬送工程を繰り返し行う
有機ＥＬデバイスの製造方法。
【請求項１０】
前記素子基板を前記転写工程のために搬入する搬入工程と、
前記素子基板を前記転写工程から搬出する搬出工程と、
前記搬入工程、前記転写工程、及び前記搬出工程の間では、この順に各工程が進行することに伴って、前記素子基板を一つの方向に搬送する転写搬送工程とを更に有する
請求項９に記載の有機ＥＬデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬデバイスの製造装置、及び該有機ＥＬデバイスの製造装置にて用いられる有機ＥＬデバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、例えば特許文献１に記載のように、有機ＥＬ（Electroluminescence ）デバイスの発光層を形成する方法として転写法が提案されている。以下、図１０を参照して、転写法について説明する。
【０００３】
図１０（ａ）に示されるように、転写法では、有機ＥＬデバイスを構成する素子が形成された素子基板Ｓと、該素子基板Ｓに対して発光層を転写するドナー基板ＳＤとが用いられる。素子基板Ｓの基材である支持基板８１上には、有機ＥＬデバイスの画素領域を規定する格子状のスペーサ８２が形成されている。スペーサ８２によって囲まれた複数の画素領域の各々には、陽極８３と正孔輸送層８４とが、この順に積層されている。一方、ドナー基板ＳＤの基材である透明基板９１には、上述した画素領域と互いに向い合う位置に、複数の光熱変換層９２が形成されている。光熱変換層９２は、レーザ光を熱量に変換するクロムやモリブデン等の金属から形成されている。また、透明基板９１上には、光熱変換層９２と該光熱変換層９２以外の部分とを覆うように、有機ＥＬ材料からなる転写層９３が積層されている。
【０００４】
そして、複数の画素領域の各々に対して転写層９３の転写が行われる際には、まず、素子基板Ｓにおける複数の画素領域の各々とドナー基板ＳＤに形成された光熱変換層９２とが互いに向い合うように、真空雰囲気にて素子基板Ｓとドナー基板ＳＤとが貼り合わせられる。次いで、図１０（ｂ）に示されるように、ドナー基板ＳＤの裏面の全体にレーザ光が照射されることによって、光熱変換層９２が発熱し、その後、転写層９３のうちで光熱変換層９２に積層された部位のみが選択的に画素領域に転写される。これにより、素子基板Ｓにおける複数の画素領域の各々に発光層８５が形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−１７７０３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、上記転写が終了すると、素子基板Ｓとドナー基板ＳＤとが分離された後、ドナー基板ＳＤは、透明基板９１上に再度転写層９３が形成され、他の素子基板Ｓに対する転写に再利用される。この際、先に行われた転写の工程にて転写層９３の一部分のみが選択的に転写されることから、転写が終了した後のドナー基板ＳＤには、転写されなかった転写層９３が残っていることになる。そのため、ドナー基板ＳＤの再利用を可能にするためには、ドナー基板ＳＤに対して再び転写層９３が形成される前に、透明基板９１上に残っている転写層９３が取り除かれる必要がある。
【０００７】
こうした転写層９３を取り除く方法としては、転写後のドナー基板ＳＤを大気中に取り出した後、洗浄液にてクリーニングする方法が考えられる。しかしながら、該方法によれば、転写層９３を除去することは可能であるものの、ドナー基板ＳＤから洗浄液を除去するための乾燥処理を別途行う必要がある。また、光熱変換層９２の表面が洗浄液に曝されてしまうことから、光熱変換層９２の光熱変換機能が失われるおそれもある。さらにまた、一旦大気中に取り出されたドナー基板ＳＤが再び上記真空雰囲気に戻されるため、真空室の昇圧と降圧とを行う必要がある。このように、転写層９３を取り除く以外の処理を行わなければならないため、ドナー基板をより効率よく再利用のできる転写方法の開発が望まれている。
【０００８】
なお、上記問題は、ドナー基板及び素子基板の構造が上述とは異なっていても、ドナー基板から素子基板への有機ＥＬ膜の転写であれば、共通に生じるものである。
この発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、ドナー基板を再利用する際の効率を高めることのできる有機ＥＬデバイスの製造装置、及び有機ＥＬデバイスの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
以下、上記課題を解決するための手段、及びその作用効果を記載する。
本発明の一態様は、有機ＥＬデバイスの製造装置が、ドナー基板に有機ＥＬ膜を形成する成膜室と、前記有機ＥＬ膜の一部を前記ドナー基板から素子基板に転写する転写室と、前記ドナー基板から前記有機ＥＬ膜の残部を取り除くドライクリーニング室とを含む転写ユニットを少なくとも１つ有し、前記転写ユニットは、前記ドナー基板を搬送する環状の経路を有し、前記成膜室、前記転写室、及び前記ドライクリーニング室は、前記経路においてこの順に配置され、前記成膜室、前記転写室、及び前記ドライクリーニング室に対し、前記ドナー基板をこの順に繰り返し搬送する搬送部を更に有する。
【００１０】
本発明の一態様では、転写後のドナー基板に付着した有機ＥＬ膜の残部をドライクリーニングにて除去するとともに、同一のドナー基板に対して成膜、転写、及びドライクリーニングの各処理をこの順に繰り返すようにしている。そのため、上述した洗浄液を用いたクリーニングのように、ドナー基板の乾燥、真空雰囲気への再搬入等、ドナー基板に形成された有機ＥＬ膜の除去以外の処理を行わずともドナー基板の再利用が可能になることから、ドナー基板を再利用する際の効率を高めることができる。しかも、成膜室、転写室、及びドライクリーニング室がこの順に環状の経路上に配置されているため、ドライクリーニングされたドナー基板に対して再度有機ＥＬ膜を形成するときには、転写室を介さずにドライクリーニング室から成膜室に向けてドナー基板を搬送することができる。それゆえに、素子基板と他のドナー基板とに対する転写処理が転写室にて行われていたとしても、ドナー基板をドライクリーニング室から成膜室に搬送することができる。こうした構成によっても、ドナー基板を再利用する際の効率を高めることができる。
【００１１】
本発明の一態様は、前記転写ユニットが、前記転写室に連結され前記素子基板を前記転写室に搬入する搬入室と、前記転写室に連結され前記素子基板を前記転写室から搬出する搬出室と、を更に有し、前記転写ユニットでは、前記搬入室、前記転写室、及び前記搬出室が、この順に一列に連結されている。
【００１２】
本発明の一態様では、転写ユニットにおいて、素子基板を転写室に搬入する搬入室と、転写室と、同素子基板を転写室から搬出する搬出室とが一列に連結されている。そのため、ドナー基板は、環状に連結された成膜室、転写室、及びドライクリーニング室を環状に搬送される一方、素子基板は、搬入室、転写室、及び搬出室を連結方向に搬送される。これにより、ドナー基板と素子基板とが、各別の搬送経路に沿って搬送されることから、ドナー基板を再利用する際の搬送が、素子基板の搬送によって影響されにくくなる。したがって、ドナー基板を再利用する際の効率を高めることができる。
【００１３】
本発明の一態様は、前記搬入室には、前記成膜室が連結され、前記搬出室には、前記ドライクリーニング室が連結され、前記搬入室では、前記素子基板と前記ドナー基板との貼り合わせが行われ、前記搬出室では、前記素子基板と前記ドナー基板との分離が行われる。
【００１４】
本発明の一態様では、搬入室に対して成膜室が連結されるとともに、搬入室では、素子基板とドナー基板との貼り合わせが行われる。加えて、搬出室に対してドライクリーニング室が連結されているとともに、搬出室では、素子基板とドナー基板との分離が行われる。そのため、転写に必要とされる成膜後のドナー基板が直接搬入室に搬入されるとともに、該搬入室にて素子基板とドナー基板との貼り合わせができる。また、ドライクリーニングの必要な転写後のドナー基板は、搬出室での分離とともに、該搬出室から直接ドライクリーニング室に搬入される。これにより、ドナー基板を再利用する際の効率を高めることができる。
【００１５】
本発明の一態様は、前記ドライクリーニング室では、前記ドナー基板から除去された前記有機ＥＬ膜の形成材料を付着させるための回収基板が、前記ドナー基板の前記有機ＥＬ膜と対向して配置される。
【００１６】
本発明の一態様では、ドナー基板のドライクリーニングを行うときに、回収基板が、有機ＥＬ膜に対向して配置される。そのため、ドナー基板から除去された有機ＥＬ膜の形成材料における少なくとも一部が、回収基板に付着する。それゆえに、ドナー基板による転写に用いられなかった有機ＥＬ膜の形成材料に対して再精製を行うことができるようになる。
【００１７】
本発明の一態様は、前記回収基板は透明基板であり、前記ドライクリーニング室には、前記回収基板を冷却する冷却部と、前記回収基板を介して前記有機ＥＬ膜に光を照射する照射部とが設けられ、前記ドナー基板がドライクリーニングされるときには、前記冷却部によって前記回収基板が冷却されつつ、前記有機ＥＬ膜が照射された前記光によって加熱される。
【００１８】
本発明の一態様では、照射部から出力された光をドナー基板の加熱に用いるとともに、透明な回収基板を介して有機ＥＬ膜に光を照射するようにしている。そのため、ドナー基板から除去された有機ＥＬ膜の形成材料が、照射部に付着することを抑えられる。それゆえに、照射部の汚染が抑えられるとともに、回収基板による上記形成材料の回収率を、照射部への付着が抑えられる分だけ高めることができる。
【００１９】
ここで、回収基板を介して有機ＥＬ膜に対して光を照射すると、加熱の対象である有機ＥＬ膜ばかりでなく、回収基板までもが加熱されてしまうことになる。これにより、一旦回収基板に付着した上記形成材料が、回収基板を脱離して、再びドナー基板に付着してしまうおそれがある。この点、上記一態様によれば、回収基板を冷却部によって冷却しつつ、有機ＥＬ膜への光の照射を行うようにしているため、上記形成材料が、再びドナー基板に付着することを抑えられる。
【００２０】
本発明の一態様は、前記回収基板が、前記回収基板に付着した前記有機ＥＬ膜の形成材料が、該回収基板から脱離しない温度にまで前記冷却部によって冷却される。
本発明の一態様では、回収基板に一旦付着した形成材料が、該回収基板から脱離しない温度にまで冷却される。そのため、ドナー基板から脱離した形成材料の回収率が高められるとともに、形成材料が、一旦ドライクリーニングされたドナー基板に対して再付着することを抑えられる。
【００２１】
本発明の一態様は、前記転写ユニットが、複数の前記回収基板が収められるストック室を更に備える。
本発明の一態様では、複数の回収基板が収められるストック室を備えている。そのため、回収基板をストックするための空間を別途用意せずとも、有機ＥＬ膜の形成材料が付着した複数の回収基板を収めておくことができる。
【００２２】
本発明の一態様は、前記転写ユニットが、ドライクリーニング後の前記ドナー基板を検査する検査室を更に備え、ドライクリーニング後の前記ドナー基板における前記有機ＥＬ膜の残部が所定量以下となるまで、前記ドナー基板に対するドライクリーニングを繰り返し行う。
【００２３】
本発明の一態様では、ドライクリーニング後のドナー基板を検査する検査室を備えるとともに、ドナー基板に付着している有機ＥＬ膜の残部が所定量以下となるまで、ドナー基板に対するドライクリーニングを繰り返し行うようにしている。そのため、ドナー基板に対するドライクリーニングがより確実に行われるようになる。それゆえに、クリーニング後に形成された有機ＥＬ膜の量及び膜質にばらつきが生じにくくなり、ひいては、素子基板に形成された発光層の特性におけるばらつきを抑えることができる。
【００２４】
本発明の一態様は、有機ＥＬデバイスの製造方法が、成膜室にてドナー基板に有機ＥＬ膜を形成する成膜工程と、転写室にて前記有機ＥＬ膜の一部を前記ドナー基板から素子基板に転写する転写工程と、ドライクリーニング室にて前記ドナー基板から前記有機ＥＬ膜の残部を除去するドライクリーニング工程とを有し、前記成膜工程、前記転写工程、及び前記ドライクリーニング工程の間では、この順に各工程が進行することに伴って、前記ドナー基板を搬送する環状の経路であって、前記成膜室、前記転写室、及び前記ドライクリーニング室がこの順に配置された前記経路において前記ドナー基板を搬送する環状搬送工程を更に有し、前記ドナー基板に対して、前記成膜工程、前記転写工程、前記ドライクリーニング工程、及び前記環状搬送工程を繰り返し行う。
【００２５】
本発明の一態様では、転写後のドナー基板に付着した有機ＥＬ膜の残部をドライクリーニングにて除去するとともに、同一のドナー基板に対して成膜、転写、及びドライクリーニングの各処理をこの順に繰り返すようにしている。そのため、上述した洗浄液を用いたクリーニングのように、ドナー基板の乾燥、真空雰囲気への再搬入等、ドナー基板に形成された有機ＥＬ膜の除去以外の処理を行わずともドナー基板の再利用が可能になることから、ドナー基板を再利用する際の効率を高めることができる。
【００２６】
本発明の一態様は、前記素子基板を前記転写工程のために搬入する搬入工程と、前記素子基板を前記転写工程から搬出する搬出工程と、前記搬入工程、前記転写工程、及び前記搬出工程の間では、この順に各工程が進行することに伴って、前記素子基板を一つの方向に搬送する転写搬送工程とを更に有する。
【００２７】
本発明の一態様では、素子基板の搬入工程と、転写工程と、同素子基板を搬出する搬出工程との間で、素子基板が一つの方向に搬送される。つまり、ドナー基板と、素子基板とが、各別の搬送経路に沿って搬送されることから、ドナー基板を再利用する際の搬送、すなわち、ドナー基板の再利用にかかわる工程の進行が、素子基板の搬送によって影響されにくくなる。したがって、ドナー基板を再利用する際の効率を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の有機ＥＬデバイスの製造装置を具体化した一実施形態である有機ＥＬデバイス製造装置の全体構成を示す平面図。
【図２】有機ＥＬデバイス製造装置が有する転写ユニットの構成を示す平面図。
【図３】転写ユニットが有する貼り合わせ室、転写室、及び分離室の概略構造を示す概略図。
【図４】（ａ）（ｂ）緑色用ドナー基板から素子基板への発光層の転写を工程順に示す工程図。
【図５】転写ユニットが有するクリーニング室の概略構造を示す概略図。
【図６】有機ＥＬデバイスの製造方法において行われる処理を処理の対象となる基板毎に示したフローチャート。
【図７】（ａ）〜（ｆ）転写ユニットにおける緑色用ドナー基板の搬送態様を示す作用図。
【図８】他の実施形態における有機ＥＬデバイス製造装置が有する転写ユニットの構成を示す平面図。
【図９】ドナー基板に対するクリーニング処理の手順を示すフローチャート。
【図１０】（ａ）（ｂ）従来のドナー基板から素子基板への発光層の転写を工程順に示す工程図。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
本発明における有機ＥＬデバイスの製造装置、及び有機ＥＬデバイスの製造方法を具体化した一実施形態について、図１〜図９を参照して説明する。
［有機ＥＬデバイスの製造装置］
まず、本発明における有機ＥＬデバイスの製造装置を具体化した一実施形態の全体構成について、図１を参照して説明する。
【００３０】
図１に示されるように、有機ＥＬデバイス製造装置１０は、基板取り付け室１１、ロードロック室１２、陽極側機能層形成部１３、基板反転室１４、緑色発光層転写ユニットＵＧ、赤色発光層転写ユニットＵＲ、基板反転室１５、陰極側機能層形成部１６、電極形成部１７、ロードロック室１８、及び基板取り外し室１９が順に連結されてなる。また、基板取り付け室１１には、トレイ導入室Ｔ１が、ロードロック室１２とは反対側に連結され、基板取り外し室１９には、トレイ導出室Ｔ２が、ロードロック室１８とは反対側に連結されている。トレイ導入室Ｔ１とトレイ導出室Ｔ２とは、トレイ導入室Ｔ１及びトレイ導出室Ｔ２の各々から垂直に延びる短通路と、これら短通路と直交し、且つこれら短通路を繋ぐ長通路とからなるトレイ戻り通路Ｔ３によって連結されている。なお、各処理室等１１〜１９，ＵＧ，ＵＲ，Ｔ１〜Ｔ３の各々は、隣接する処理室等１１〜１９，ＵＧ，ＵＲ，Ｔ１〜Ｔ３とゲートバルブを介して接続されている。
【００３１】
トレイ導入室Ｔ１は、トレイ戻り通路Ｔ３を介してトレイ導出室Ｔ２から搬送されたトレイＴＲを基板取り付け室１１に搬出する。
基板取り付け室１１は、内部を大気圧雰囲気とした状態で、外部から素子基板Ｓを搬入する。素子基板Ｓは、例えば、支持基板と、支持基板上の各画素領域に、陽極と各画素領域を区画するスペーサとを有している。基板取り付け室１１は、トレイ導出室Ｔ２から搬入されたトレイＴＲにおける所定位置に素子基板Ｓを取り付け、そして、内部を減圧雰囲気とした状態で、素子基板Ｓが取り付けられたトレイＴＲをロードロック室１２に搬出する。
【００３２】
ロードロック室１２は、内部を基板取り付け室１１よりも減圧した状態で、基板取り付け室１１からトレイＴＲを搬入するとともに、該トレイＴＲを陽極側機能層形成部１３に搬出する。ロードロック室１２は、基板取り付け室１１と陽極側機能層形成部１３との間に配置されることで、陽極側機能層形成部１３内の圧力が変動することを抑える。
【００３３】
陽極側機能層形成部１３は、正孔注入層形成室１３ａと正孔輸送層形成室１３ｂとを有する。正孔注入層形成室１３ａは、フレームマスクを用いた真空蒸着によって、正孔注入層を素子基板Ｓの陽極上に形成する。正孔注入層は、例えばトリアゾール誘導体等からなる。
【００３４】
正孔輸送層形成室１３ｂは、フレームマスクを用いた真空蒸着によって、正孔輸送層を上記正孔注入層上に形成する。正孔輸送層は、例えばポルフィリン誘導体等からなる。なお、上記正孔注入層形成室１３ａ及び正孔輸送層形成室１３ｂでは、蒸着源が各処理室１３ａ，１３ｂの下方に配置されるとともに、素子基板Ｓは、該素子基板Ｓの陽極形成面を蒸着源側に向けた状態で、蒸着源の上方に配置されている。
【００３５】
基板反転室１４は、トレイＴＲ及び素子基板Ｓを反転させる。これにより、素子基板Ｓは、該素子基板Ｓの陽極形成面が、基板反転室１４の底面側を向いた状態から、基板反転室１４の上面側を向いた状態になる。
【００３６】
緑色発光層転写ユニットＵＧは、レーザ光等の光を用いた熱転写によって、有機ＥＬ膜である緑色発光層を所定の画素領域の正孔輸送層上に選択的に形成する。赤色発光層転写ユニットＵＲは、上記緑色発光層転写ユニットＵＧと同様、レーザ光等の光を用いた熱転写によって、有機ＥＬ膜である赤色発光層を所定の画素領域の正孔輸送層上に形成する。なお、赤色発光層は、上記緑色発光層が形成されなかった画素領域に対して選択的に転写される。
【００３７】
基板反転室１５は、上記基板反転室１４と同様、トレイＴＲ及び素子基板Ｓを反転させる。これにより、素子基板Ｓは、該素子基板Ｓの陽極形成面が、基板反転室１５の上面側を向いた状態から、基板反転室１５の底面側を向いた状態になる。こうした基板反転室１４，１５を設けることにより、素子基板Ｓに対する真空蒸着を用いた各種膜の形成と、転写による発光層の形成とが可能になる。
【００３８】
陰極側機能層形成部１６は、青色発光層形成室１６ａ、電子輸送層形成室１６ｂ、及び電子注入層形成室１６ｃとを有する。青色発光層形成室１６ａは、フレームマスクを用いた真空蒸着によって、青色発光層を素子基板Ｓの表面全体に形成する。青色発光層は、上記画素領域の全てを覆うように形成される。青色発光層は、例えば、４，４−ビス［２−｛４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）等からなる。
【００３９】
電子輸送層形成室１６ｂは、フレームマスクを用いた真空蒸着によって、青色発光層の全体を覆うように電子輸送層を形成する。電子輸送層は、例えばオキサジアゾール誘導体からなる。電子注入層形成室１６ｃは、フレームマスクを用いた真空蒸着によって、電子輸送層上に電子注入層を形成する。電子注入層は、例えばフッ化リチウムからなる。
【００４０】
電極形成部１７は、陰極形成室１７ａと透明電極形成室１７ｂとを有する。陰極形成室１７ａは、フレームマスクを用いた真空蒸着によって、電子輸送層及び電子注入層の全体を覆うように陰極を形成する。陰極は、例えばマグネシウムと銀との積層膜からなる。透明電極形成室１７ｂは、スパッタ法によって、陰極の全体を覆うように透明電極を形成する。透明電極は、例えばインジウム亜鉛酸化物からなる。
【００４１】
ロードロック室１８は、透明電極形成室１７ｂからトレイＴＲを搬入するとともに、該トレイＴＲを基板取り外し室１９に搬出する。ロードロック室１８は、透明電極形成室１７ｂと基板取り外し室１９との間に配置されることで、透明電極形成室１７ｂ内の圧力が変動することを抑える。
【００４２】
基板取り外し室１９は、内部を減圧雰囲気とした状態で、トレイＴＲから素子基板Ｓを取り外すとともに、トレイＴＲをトレイ導出室Ｔ２に搬出する。また、基板取り外し室１９は、内部を大気圧雰囲気とした状態で、素子基板Ｓを有機ＥＬデバイス製造装置１０から搬出する。なお、搬出された素子基板Ｓには、例えば封止工程、及びカラーフィルタ基板の取り付け工程等が行われることで、有機ＥＬデバイスが完成する。
【００４３】
トレイ導出室Ｔ２は、トレイＴＲをトレイ戻り通路Ｔ３に搬出する。これにより、トレイＴＲが、トレイ導入室Ｔ１にまで搬送されることで、有機ＥＬデバイス製造装置１０内での素子基板Ｓの搬送に再び用いられる。
【００４４】
なお、有機ＥＬデバイスの製造が行われるときには、２つのロードロック室１２，１８によって挟まれた各処理室１３〜１７の内部は、該ロードロック室１２，１８と同程度に減圧された真空雰囲気に維持されている。また、同各処理室１３〜１７では、搬入されたトレイＴＲを一旦停止した状態にて、素子基板Ｓに対する各種処理を施した後、トレイＴＲを再び搬送することで次の処理室１４〜１８に搬出する。
【００４５】
［転写ユニットの構成］
上記緑色発光層転写ユニットＵＧ、及び赤色発光層転写ユニットＵＲの構成について、図２を参照してより詳しく説明する。なお、緑色発光層転写ユニットＵＧと、赤色発光層転写ユニットＵＲとは、有機ＥＬデバイス製造装置１０における配置、処理対象となる素子基板Ｓの状態、及び素子基板Ｓに転写する発光層が異なっている。しかしながら、ドナー基板から素子基板Ｓに対して各発光層を転写する構成、ドナー基板をクリーニングする構成、及びクリーニングされたドナー基板に再び発光層を転写させるための搬送を行う構成については同一である。そのため以下では、緑色発光層転写ユニットＵＧについて説明することで、赤色発光層転写ユニットについての説明に代えることとする。
【００４６】
図２に示されるように、緑色発光層転写ユニットＵＧには、トレイＴＲ上に取り付けられた素子基板Ｓと緑色用ドナー基板ＳＧとの貼り合わせを行う貼り合わせ室２１が搭載されている。貼り合わせ室２１は、素子基板Ｓの陽極形成面と緑色用ドナー基板ＳＧに形成された有機ＥＬ膜である転写層とが対向するように、素子基板Ｓと緑色用ドナー基板ＳＧとを貼り合わせる。なお、貼り合わせ室２１が搬入室を構成している。
【００４７】
貼り合わせ室２１には、緑色用ドナー基板ＳＧに形成された転写層を素子基板Ｓに熱転写する転写室２２が、ゲートバルブＧＶを介して連結されている。なお、貼り合わせ室２１における転写室２２の反対側には、上記基板反転室１４が接続されている。
【００４８】
転写室２２における上記貼り合わせ室２１の反対側には、素子基板Ｓと緑色用ドナー基板ＳＧとを分離する分離室２３が、ゲートバルブＧＶを介して連結されている。分離室２３は、素子基板Ｓと緑色用ドナー基板ＳＧとを分離させた後、各基板Ｓ，ＳＧを互いに異なる処理室に対して搬出する。なお、分離室２３における転写室２２の反対側には、上記赤色発光層転写ユニットＵＲの貼り合わせ室が接続されている。なお、分離室２３が搬出室を構成している。
【００４９】
これら貼り合わせ室２１、転写室２２、及び分離室２３は、一つの方向、つまり、有機ＥＬデバイス製造装置１０における素子基板Ｓの搬送方向に一列に連結されている。
貼り合わせ室２１には、転写層形成室２５が、転写層搬送室２４を介して上記一つの方向と直交する方向に連結されている。隣接する処理室２１，２４，２５同士は、ゲートバルブＧＶを介して連結されている。転写層搬送室２４には、転写層搬送ロボット２４Ｒが搭載されている。転写層搬送ロボット２４Ｒは、成膜室としての転写層形成室２５に処理前の緑色用ドナー基板ＳＧを搬送し、処理後の緑色用ドナー基板ＳＧを転写層形成室２５から貼り合わせ室２１に搬送する。
【００５０】
転写層形成室２５は、該転写層形成室２５の下方に配置された蒸発源から、蒸発源の上方に配置された緑色用ドナー基板ＳＧの一面に対して緑色発光層の形成材料を真空蒸着させ、これにより、転写層を形成する。緑色発光層は、例えばジ（２−ナフチル）アントラセンとクマリン６とからなる。なお、転写層形成室２５が、成膜室を構成している。
【００５１】
分離室２３には、ドライクリーニング室２７が、クリーニング搬送室２６を介して上記一つの方向と直交する方向に連結されている。隣接する処理室２３，２６，２７同士は、ゲートバルブＧＶを介して連結されている。
【００５２】
クリーニング搬送室２６には、クリーニング搬送ロボット２６Ｒが搭載されている。クリーニング搬送ロボット２６Ｒは、ドライクリーニング室２７に処理前の緑色用ドナー基板ＳＧを搬送し、処理後の緑色用ドナー基板ＳＧを上記転写層搬送ロボット２４Ｒに受け渡す。クリーニング搬送室２６は、平面視にて、上記一つの方向に直交する転写室２２の対称軸Ａに対して、上記転写層搬送室２４と線対称となる位置に配置されている。
【００５３】
ドライクリーニング室２７は、例えばレーザ光を用いた加熱によって、ドナー基板に付着した転写層の残部を取り除く。また、ドライクリーニング室２７は、上記対称軸Ａに対して、上記転写層形成室２５と線対称となる位置に配置されている。
【００５４】
上記２つの搬送室２４，２６間には、搬送ロボット２４Ｒ，２６Ｒ間での緑色用ドナー基板ＳＧの受け渡しを行うための中間搬送室２８が連結されている。中間搬送室２８では、ドライクリーニング後の緑色用ドナー基板ＳＧが、搬送ロボット２６Ｒから上記搬送ロボット２４Ｒに受け渡される。なお、上記各処理室２１〜２３，２５，２７に設けられた基板搬送機構、及び搬送ロボット２４Ｒ，２６Ｒによって、搬送部が構成されている。
【００５５】
このように、緑色発光層転写ユニットＵＧの有する転写層形成室２５、転写室２２、及びドライクリーニング室２７は、上記貼り合わせ室２１、分離室２３、及び搬送室２４，２８，２６を介して、この順に環状に連結されている。一方、同緑色発光層転写ユニットＵＧの有する貼り合わせ室２１、転写室２２、及び分離室２３は、この順に一列に連結されている。つまり、こうした緑色発光層転写ユニットＵＧでは、素子基板Ｓが搬送される経路の他に、緑色用ドナー基板ＳＧが搬送される経路を有している。これにより、緑色発光層転写ユニットＵＧでは、転写室２２を介することなく、ドライクリーニング室２７から転写層形成室２５にまで搬送することができる。そのため、素子基板Ｓと他の緑色用ドナー基板ＳＧとに対する転写処理が転写室２２にて行われていたとしても、緑色用ドナー基板ＳＧをドライクリーニング室２７から転写層形成室２５に搬送することができる。これにより、緑色用ドナー基板ＳＧを再利用する際の効率を高めることができる。
【００５６】
また、こうした構成では、図２に示されるように、貼り合わせ室２１、転写室２２、及び分離室２３における素子基板Ｓに対する処理と、転写層形成室２５及びドライクリーニング室２７における緑色用ドナー基板ＳＧに対する処理とを同時に行うことができる。なお、同図２に示されるように、有機ＥＬデバイス製造装置１０では、貼り合わせ室２１、転写室２２、分離室２３、ドライクリーニング室２７、及び転写層形成室２５の各々において同時に処理を行うことができる。つまり、緑色発光層転写ユニットＵＧでは、５枚のドナー基板に対してそれぞれに異なる処理を同時に行うことができる。
【００５７】
しかも、緑色発光層転写ユニットＵＧでは、緑色用ドナー基板ＳＧへの転写層の形成、素子基板Ｓに対する転写層の転写、及び緑色用ドナー基板ＳＧのドライクリーニングをこの順に繰り返すようにしている。そのため、洗浄液を用いたクリーニングのように、緑色用ドナー基板ＳＧの乾燥、真空雰囲気への再搬入等、緑色用ドナー基板ＳＧに形成された転写層の除去以外の処理を行わずとも、緑色用ドナー基板ＳＧの再利用が可能になることから、緑色用ドナー基板ＳＧを再利用する際の効率を高めることができる。
【００５８】
また、転写層形成室２５が、貼り合わせ室２１に連結されているとともに、ドライクリーニング室２７が、分離室２３に連結されている。これにより、転写に必要とされる成膜後の緑色用ドナー基板ＳＧが直接貼り合わせ室２１に搬入されるとともに、該貼り合わせ室２１にて素子基板Ｓと緑色用ドナー基板ＳＧとの貼り合わせができる。他方、ドライクリーニングの必要な転写後の緑色用ドナー基板ＳＧは、分離室２３での分離とともに、該分離室２３から直接ドライクリーニング室２７に搬入される。これにより、緑色用ドナー基板ＳＧを再利用する際の効率を高めることができる。
【００５９】
上記クリーニング搬送室２６における中間搬送室２８の反対側には、複数の回収基板ＳＣを収容するストック室２９が連結されている。ストック室２９に収められた回収基板ＳＣには、ドライクリーニング室２７にて緑色用ドナー基板ＳＧから除去された転写層の形成材料が付着している。これにより、有機ＥＬデバイス製造装置１０は、回収基板ＳＣをストックするための空間を別途用意せずとも、酸化等の形成材料の変化を抑えつつ、複数の回収基板ＳＣを収めておくことができる。
【００６０】
なお、上述のように、緑色発光層転写ユニットＵＧを構成する各処理室２１〜２９内の圧力は、上記ロードロック室１２，１８と同程度に減圧されている。こうした減圧は、各処理室２１〜２９の各々に連結された図示されない排気部によって行われている。なお、上記転写層搬送室２４、クリーニング搬送室２６、及び中間搬送室２８は、これら３つの搬送室２４，２６，２８に対して一つの排気部が連結されている。排気部は、例えば各種真空ポンプと、真空ポンプの排気流量を調節するバルブとから構成されている。そのため、緑色発光層転写ユニットＵＧでは、処理室２１〜２８によって、一つの真空系が形成されることになる。また、各処理室２１〜２９は、ゲートバルブＧＶによって互いに連通されていない状態とすることができるため、各処理室２１〜２９における処理を、該処理に応じた各異なる圧力条件にて行うことも可能である。
【００６１】
［貼り合わせ室、転写室、及び分離室の構成］
上記貼り合わせ室２１、転写室２２、及び分離室２３について、図３を参照してより詳しく説明する。
【００６２】
図３に示されるように、貼り合わせ室２１の底面近傍には、トレイＴＲ及び素子基板Ｓを転写室２２側に搬送する基板搬送機構を構成する搬送ローラ２１Ｒが設置されている。上記基板反転室１４から貼り合わせ室２１に対してトレイＴＲが搬入されると、トレイＴＲは、搬送ローラ２１Ｒの回転によって所定の位置にまで搬送され、そして、トレイＴＲは、該搬送ローラ２１Ｒの回転が停止されることで所定の位置にて一旦停止される。
【００６３】
そして、転写層が形成された緑色用ドナー基板ＳＧが貼り合わせ室２１に搬入されると、図示されないアライメント装置によって、上記所定の位置にて停止している素子基板Ｓと緑色用ドナー基板ＳＧとの位置合わせが行われ、その後、素子基板Ｓと緑色用ドナー基板ＳＧとの貼り合わせが行われる。
【００６４】
素子基板Ｓと緑色用ドナー基板ＳＧとが貼り合わせられると、上記搬送ローラ２１Ｒが再び回転することで、トレイＴＲが、ゲートバルブＧＶを介して貼り合わせ室２１から転写室２２へ搬出される。
【００６５】
転写室２２の底面近傍には、貼り合わせ室２１と同様、トレイＴＲを分離室２３側に搬送する基板搬送機構を構成する搬送ローラ２２Ｒが設置されている。また、転写室２２の上方には、転写層を加熱するレーザ光照射部３１が設置されている。レーザ光照射部３１は、レーザ光Ｌを出力するレーザ３１ａと、緑色用ドナー基板ＳＧに対して相対的にレーザ３１ａを移動させる移動部３１ｂとを有する。レーザ３１ａは、緑色用ドナー基板ＳＧにおける転写層が形成されていない面側からレーザ光Ｌを照射することで、上述した光熱変換層を介して転写層を加熱する。また、移動部３１ｂは、転写室２２内におけるトレイＴＲの搬送方向の一端から他端まで移動することができ、且つ、転写室２２内における上記搬送方向とは直交する方向の一端から他端まで移動することもできる。
【００６６】
転写室２２内では、トレイＴＲが、所定の速度にて転写室２２内を搬送されている間に、レーザ３１ａからのレーザ光Ｌの照射が行われる。なお、トレイＴＲの搬送速度、つまり、搬送ローラ２２Ｒの回転速度は、素子基板Ｓに対して転写される領域の大きさ、該領域に含まれる転写層の量、転写層の目標加熱温度、及び、レーザ光Ｌの強度等によって決定される。
【００６７】
素子基板Ｓに対する転写層の転写が行われるときには、緑色用ドナー基板ＳＧに対してレーザ光照射部３１が相対移動することによって、緑色用ドナー基板ＳＧにおけるレーザ光照射部３１に対向する面の全体に対してレーザ光Ｌの照射が行われる。
【００６８】
ここで、上記素子基板Ｓ及び緑色用ドナー基板ＳＧの構造と、緑色用ドナー基板ＳＧから素子基板Ｓへの転写とについて、図４を参照してより詳しく説明する。
図４（ａ）に示されるように、素子基板Ｓの基材である支持基板４１上には、上記素子基板Ｓと同様、画素領域を規定する格子状のスペーサ４２が形成され、スペーサ４２によって囲まれた複数の画素領域の各々には、陽極４３、正孔注入層４４、及び正孔輸送層４５が、この順に積層されている。
【００６９】
一方、緑色用ドナー基板ＳＧの基材である透明基板５１には、緑色発光層を成膜する画素領域と向い合う位置を除く領域に、反射層５２が形成されている。透明基板５１は、例えばガラス基板からなり、反射層５２は、例えばアルミニウム、銀、金、白金、イリジウムの単体、あるいは、これらの合金からなる。
【００７０】
透明基板５１上には、光熱変換層５３が、透明基板５１における上記画素領域と互いに向かい合う位置を埋め込み、且つ、反射層５２上を覆うように形成されている。光熱変換層５３は、レーザ光を熱量に変換するタングステン、モリブデン、タンタル、チタン、クロム、炭素の単体、あるいは、これらの合金から形成されている。また、光熱変換層５３は、上記単体及び合金の単層膜であってもよいし、積層膜であってもよい。光熱変換層５３の積層膜は、例えば、モリブデン層と炭素層とがこの順に透明基板５１に対して積層された積層膜や、チタン層とモリブデン層とがこの順に透明基板５１に対して積層された積層膜である。
【００７１】
なお、上記反射層５２と光熱変換層５３との各々が、上述したいずれの材料からなる場合であっても、照射されたレーザ光に占める反射されるレーザ光の割合は、光熱変換層５３よりも反射層５２において大きくなる。
【００７２】
光熱変換層５３上には、保護層５４が、光熱変換層５３の全体を覆うように形成されている。保護層５４は、例えば酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化チタン、フッ化リチウム、フッ化マグネシウム、炭化ケイ素等のレーザ光を透過する材料からなる。保護層５４上には、有機ＥＬ材料からなる緑色転写層５５が積層されている。
【００７３】
保護層５４は、緑色用ドナー基板ＳＧがドライクリーニングされる際に、光熱変換層５３に対してレーザ光が直接照射されることを防ぐ。これにより、光熱変換層５３が、レーザ光の照射によって変形することや消耗することが抑えられる。また、保護層５４は、緑色用ドナー基板ＳＧに対する貼り合わせ、分離、及び搬送等の機械的な操作が繰り返し行われることで、光熱変換層５３が変形すること等を抑える。また、保護層５４によれば、光熱変換層５３と緑色転写層５５とが直に接しないことから、光熱変換層５３と緑色転写層５５との反応を避けることができる。
【００７４】
加えて、保護層５４として、例えば上記酸化ケイ素や酸化アルミニウム等を選択した場合、透明基板５１と、反射層５２及び光熱変換層５３からなる金属層とにおける熱膨張係数の差により、レーザ光の加熱によって緑色用ドナー基板ＳＧが変形することを抑えられる。なお、保護層５４の形成材料として、該金属層と透明基板５１との熱膨張係数の差よりも、保護層５４と透明基板５１との熱膨張係数の差が小さくなるような材料を選択すれば、レーザ光の加熱による緑色用ドナー基板ＳＧの変形は、少なからず抑えることができる。
【００７５】
そして、複数の画素領域の各々に対して緑色転写層５５の転写が行われる際には、まず、素子基板Ｓにおける複数の画素領域の各々と、緑色用ドナー基板ＳＧにおける透明基板５１上に直接形成された光熱変換層５３とが互いに向い合うように、上記貼り合わせ室２１にて素子基板Ｓと緑色用ドナー基板ＳＧとが貼り合わせられる。
【００７６】
次いで、緑色用ドナー基板ＳＧの裏面の全体にレーザ光が照射されることによって、光熱変換層５３が発熱する。このとき、光熱変換層５３だけでなく、反射層５２も少なからず発熱する。しかしながら、反射層５２では、光熱変換層５３と比較して、照射されるレーザ光に占める反射されるレーザ光の割合が相対的に大きいことから、反射層５２の発熱量は、光熱変換層５３の発熱量よりも小さい。そのため、光熱変換層５３における発熱量は、緑色転写層５５の転写を生じさせる熱量となる一方、反射層５２における発熱量は、緑色転写層５５の転写を生じさせない熱量となる。
【００７７】
これにより、図４（ｂ）に示されるように、転写層５５のうちで、透明基板５１に直接形成された光熱変換層５３上の部位のみが選択的に画素領域に転写されることで、素子基板Ｓにおける所定の画素領域に緑色発光層４６が形成される。
【００７８】
また、図３に示されるように、分離室２３の底面近傍には、上記貼り合わせ室２１と同様、トレイＴＲを赤色発光層転写ユニットＵＲの貼り合わせ室に搬送する基板搬送機構を構成する搬送ローラ２３Ｒが設置されている。転写室２２から分離室２３に対してトレイＴＲが搬入されると、トレイＴＲは、搬送ローラ２３Ｒの回転によって所定の位置まで搬送され、そして、トレイＴＲは、該搬送ローラ２３Ｒの回転が停止されることで所定の位置にて一旦停止される。そして、素子基板Ｓと緑色用ドナー基板ＳＧとの分離が行われる。
【００７９】
上述のように、転写室２２におけるトレイＴＲの搬送速度は、転写にかかわる各種の条件による制約を受けるものである。これに対し、貼り合わせ室２１と分離室２３とにおけるトレイＴＲの搬送速度には、こうした制約がない。しかも、貼り合わせ室２１及び分離室２３における搬送速度が高いほど、１枚の素子基板Ｓ当たりの有機ＥＬデバイス製造装置１０の動作時間が短くなる。そのため、本上記有機ＥＬデバイス製造装置１０では、転写室２２内でのトレイＴＲの搬送速度、つまり、搬送ローラ２２Ｒの回転速度よりも、貼り合わせ室２１内及び分離室２３内におけるトレイＴＲの搬送速度、つまり、搬送ローラ２１Ｒ，２３Ｒの回転速度を大きくしている。
【００８０】
［ドライクリーニング室の構成］
上記ドライクリーニング室２７について、図５を参照してより詳しく説明する。
図５に示されるように、ドライクリーニング室２７の上方には、緑色用ドナー基板ＳＧを保持するドナー基板保持部２７ａが設置されている。緑色用ドナー基板ＳＧの上記保護層５４上には、素子基板Ｓに転写されなかった緑色転写層５５が残っている。緑色用ドナー基板ＳＧは、緑色転写層５５の残る保護層５４をドライクリーニング室２７の底面側に向けて、上記ドナー基板保持部２７ａに保持される。
【００８１】
ドナー基板保持部２７ａの下方には、上記緑色転写層５５と対向するように回収基板ＳＣを保持する回収基板保持部２７ｂが設置されている。回収基板ＳＣは、例えばレーザ光Ｌを透過するガラス基板等の透明基板からなる。
【００８２】
回収基板保持部２７ｂの下方には、照射部としてのレーザ光照射部６１が設置されている。レーザ光照射部６１は、緑色用ドナー基板ＳＧの緑色転写層５５に対して回収基板ＳＣを介してレーザ光Ｌを照射する。レーザ光照射部６１は、レーザ光Ｌを出力するレーザ６１ａと、レーザ６１ａを移動させる移動部６１ｂとを有している。移動部６１ｂは、ドライクリーニング室２７内を移動することによって、緑色用ドナー基板ＳＧに残った緑色転写層５５の全体に対してレーザ光Ｌを照射する。
【００８３】
保護層５４上に残った緑色転写層５５は、その全体が、該保護層５４を介して上記光熱変換層５３上に形成されている。これにより、緑色転写層５５に対するレーザ光Ｌの照射によって緑色転写層５５が加熱されることに加えて、光熱変換層５３の発熱によって、緑色転写層５５の全体が加熱されるため、緑色転写層５５が緑色用ドナー基板ＳＧから脱離しやすくなる。
【００８４】
緑色用ドナー基板ＳＧのドライクリーニングを行うときには、回収基板ＳＣが、緑色転写層５５に対向して配置される。そのため、緑色用ドナー基板ＳＧの加熱によって該緑色用ドナー基板ＳＧから脱離した緑色転写層５５の形成材料における大部分が、回収基板ＳＣに付着し、回収基板ＳＣ上に再付着層５５Ａが形成される。それゆえに、緑色用ドナー基板ＳＧによる転写に用いられなかった緑色転写層５５の形成材料に対して再精製を行うことができるようになる。
【００８５】
また、回収基板保持部２７ｂには、該回収基板保持部２７ｂを冷却することで、回収基板ＳＣを冷却する冷却部６２が接続されている。冷却部６２は、例えば、回収基板保持部２７ｂ内に形成された図示されない冷媒通路に対して、一定温度の冷媒を供給する。これにより、冷却部６２は、回収基板保持部２７ｂを介して回収基板ＳＣを冷却する。緑色用ドナー基板ＳＧのドライクリーニングが行われるとき、回収基板ＳＣの温度は、例えば、一旦回収基板ＳＣに付着した緑色転写層５５の形成材料が、回収基板ＳＣから脱離しない温度にまで冷却される。
【００８６】
緑色転写層５５へのレーザ光Ｌの照射は、回収基板ＳＣを介して行われるため、緑色用ドナー基板ＳＧから脱離した緑色転写層５５の形成材料が、レーザ光照射部６１に付着することを抑えられる。それゆえに、レーザ光照射部６１の汚染を抑えるとともに、回収基板ＳＣによる上記形成材料の回収率を、レーザ光照射部６１への付着が抑えられる分だけ高めることができる。
【００８７】
しかも、回収基板ＳＣに一旦付着した形成材料が、該回収基板ＳＣから離れない温度にまで冷却部６２によって回収基板ＳＣを冷却しつつ、緑色転写層５５への光の照射を行うようにしている。そのため、レーザ光Ｌによって回収基板ＳＣが加熱されたとしても、緑色転写層５５の形成材料が、再び緑色用ドナー基板ＳＧに付着することを抑えられる。
【００８８】
［有機ＥＬデバイス製造装置の作用］
上記有機ＥＬデバイス製造装置１０の作用として、有機ＥＬデバイス製造装置１０の動作の一つである有機ＥＬデバイスの製造にかかわる動作、並びに、有機ＥＬデバイスの製造方法を具体化した一実施形態について、図６及び図７を参照して説明する。なお、図７には、図６にて破線で囲まれた処理が行われる際の、ドナー基板の搬送態様を示している。また、図７にて、ハッチングの付されたドナー基板が、１つのドナー基板の搬送態様を示している。
【００８９】
図６に示されるように、素子基板Ｓが有機ＥＬデバイス製造装置１０に搬入されると、素子基板Ｓは、上記基板取り付け室１１及びロードロック室１２を介して正孔注入層形成室１３ａにまで搬送される。正孔注入層形成室１３ａにて、素子基板Ｓに対して正孔注入層が形成される（ステップＳ１０１）。正孔注入層が形成されると、素子基板Ｓが正孔輸送層形成室１３ｂに搬入され、そして、素子基板Ｓの正孔注入層上に正孔輸送層が形成される（ステップＳ１０２）。
【００９０】
正孔輸送層が形成されると、素子基板Ｓが、基板反転室１４を介して緑色発光層転写ユニットＵＧの貼り合わせ室２１に搬入される。そして、素子基板Ｓと、緑色転写層の形成された緑色用ドナー基板ＳＧとが貼り合わせられる（ステップＳ２０１：成膜工程、ステップＳ１０３）（図７（ａ）（ｂ）参照）。
【００９１】
素子基板Ｓと緑色用ドナー基板ＳＧとが貼り合わせられると、素子基板Ｓと緑色用ドナー基板ＳＧとが転写室２２に搬入され（搬入工程）、そして、素子基板Ｓに対して緑色転写層の転写が行われることで、素子基板Ｓ上に緑色発光層が形成される（ステップＳ１０４：転写工程）（図７（ｃ）参照）。
【００９２】
緑色発光層が形成されると、素子基板Ｓと緑色用ドナー基板ＳＧとが分離室２３に搬入され（搬出工程）、そして、素子基板Ｓと緑色用ドナー基板ＳＧとが分離される（ステップＳ１０５）（図７（ｄ）参照）。このうち、緑色用ドナー基板ＳＧは、ドライクリーニング室２７に搬入され、そして、緑色用ドナー基板ＳＧに残った緑色転写層のドライクリーニングが行われる（ステップＳ２０２：ドライクリーニング工程）（図７（ｅ）参照）。このとき、緑色用ドナー基板ＳＧから除去された緑色転写層の形成材料は、緑色用回収基板によって回収される（ステップＳ３０１）。そして、緑色用ドナー基板ＳＧは、ドライクリーニング室２７から搬出された後、再び転写層形成室２５に搬入されることで、該緑色用ドナー基板ＳＧに対する緑色転写層の形成が行われる。
【００９３】
一方、緑色用回収基板ＳＣは、ストック室２９に収められる（ステップＳ２０１：成膜工程、ステップＳ３０２）（図７（ｆ）参照）。なお、ストック室２９にストックされた緑色用回収基板ＳＣには、例えばストック室２９中に収められた緑色用回収基板ＳＣが所定の枚数になったときに、緑色発光層材料を再精製する処理が行われる（ステップＳ３０３）。なお、上記搬入工程、転写工程、及び搬出工程の間にて、素子基板Ｓを上記一つの方向に搬送される転写搬送工程が行われている。また、上記成膜工程、転写工程、及びドライクリーニング工程の間にて、緑色用ドナー基板ＳＧを環状に搬送する環状搬送工程が行われている。
【００９４】
他方、緑色用ドナー基板ＳＧと分離された素子基板Ｓは、赤色発光層転写ユニットＵＲの貼り合わせ室２１に搬入される。そして、素子基板Ｓと、赤色転写層の形成された赤色用ドナー基板ＳＲとが貼り合わせられる（ステップＳ４０１：成膜工程、ステップＳ１０６）（図７（ａ）（ｂ）参照）。
【００９５】
素子基板Ｓと赤色用ドナー基板ＳＲとが貼り合わせられると、素子基板Ｓと赤色用ドナー基板ＳＲとが転写室２２に搬入され（搬入工程）、そして、素子基板Ｓに対して赤色転写層の転写が行われることで、素子基板Ｓ上に赤色発光層が形成される（ステップＳ１０７：転写工程）（図７（ｃ）参照）。
【００９６】
赤色発光層が形成されると、素子基板Ｓと赤色用ドナー基板ＳＲとが分離室２３に搬入され（搬出工程）、そして、素子基板Ｓと赤色用ドナー基板ＳＲとが分離される（ステップＳ１０８）（図７（ｄ）参照）。このうち、赤色用ドナー基板ＳＲは、ドライクリーニング室２７に搬入され、そして、赤色用ドナー基板ＳＲに残った赤色転写層のドライクリーニングが行われる（ステップＳ４０２：ドライクリーニング工程）（図７（ｅ）参照）。
【００９７】
このとき、赤色用ドナー基板ＳＲから除去された赤色転写層の形成材料は、赤色用回収基板ＳＣによって回収される（ステップＳ５０１）。そして、赤色用ドナー基板ＳＲは、再び転写層形成室２５に搬入されることで、該赤色用ドナー基板ＳＲに対する赤色転写層の形成が行われる。一方、赤色用回収基板ＳＣは、ストック室２９に収められる（ステップＳ４０１：成膜工程、ステップＳ５０２）（図７（ｆ）参照）。なお、ストック室２９にストックされた赤色用回収基板にＳＣは、例えばストック室２９中に収められた赤色用回収基板ＳＣが所定の枚数になったときに、赤色発光層材料を再精製する処理が行われる（ステップＳ５０３）。
【００９８】
なお、上記緑色発光層の転写時と同様、上記搬入工程、転写工程、及び搬出工程の間にて、素子基板Ｓが上記一つの方向に搬送される転写搬送工程が行われている。また、上記成膜工程、転写工程、及びドライクリーニング工程の間にて、赤色用ドナー基板ＳＲが環状に搬送される環状搬送工程が行われている。
【００９９】
他方、赤色用ドナー基板ＳＲと分離された素子基板Ｓは、基板反転室１５を介して青色発光層形成室１６ａに搬入され、そして、素子基板Ｓに対して青色発光層が形成される（ステップＳ１０９）。
【０１００】
青色発光層が形成されると、素子基板Ｓは、電子輸送層形成室１６ｂに搬入され、そして、素子基板Ｓに対する電子輸送層の形成が行われる（ステップＳ１１０）。電子輸送層が形成されると、素子基板Ｓは、電子注入層形成室１６ｃに搬入され、そして、素子基板Ｓに対して電子注入層が形成される（ステップＳ１１１）。
【０１０１】
電子注入層が形成されると、素子基板Ｓは、陰極形成室１７ａに搬入され、そして、素子基板Ｓに対して陰極が形成される（ステップＳ１１２）。陰極が形成されると、素子基板Ｓは、透明電極形成室１７ｂに搬入され、そして、素子基板Ｓに対して透明電極が形成される（ステップＳ１１３）。
【０１０２】
透明電極が形成されると、素子基板Ｓは、ロードロック室１８及び基板取り外し室１９を介して有機ＥＬデバイス製造装置１０から搬出される。
以上説明したように、上記実施形態によれば、以下に列挙する効果を得ることができる。
【０１０３】
（１）転写後のドナー基板ＳＧ，ＳＲに付着した転写層の残部をドライクリーニングにて除去するとともに、同一のドナー基板ＳＧ，ＳＲに対して成膜、転写、及びドライクリーニングの各処理をこの順に繰り返すようにしている。そのため、上述した洗浄液を用いたクリーニングのように、ドナー基板の乾燥、真空雰囲気への再搬入等、ドナー基板に形成された転写層の除去以外の処理を行わずとも、ドナー基板ＳＧ，ＳＲの再利用が可能になることから、ドナー基板ＳＧ，ＳＲを再利用する際の効率を高めることができる。しかも、成膜室、転写室、及びドライクリーニング室がこの順に環状に連結されているため、ドライクリーニングされたドナー基板ＳＧ，ＳＲに対して再度転写層を形成するときには、転写室２２を介さずにドライクリーニング室２７から転写層形成室２５に向けてドナー基板ＳＧ，ＳＲを搬送することができる。それゆえに、素子基板Ｓと他のドナー基板とに対する転写処理が転写室２２にて行われていたとしても、ドナー基板ＳＧ，ＳＲをドライクリーニング室２７から転写層形成室２５に搬送することができる。こうした構成によっても、ドナー基板ＳＧ，ＳＲを再利用する際の効率を高めることができる。
【０１０４】
（２）貼り合わせ室２１に対して転写層形成室２５が連結されるとともに、貼り合わせ室２１では、素子基板Ｓとドナー基板ＳＧ，ＳＲとの貼り合わせが行われる。加えて、分離室２３に対してドライクリーニング室２７が連結されているとともに、分離室２３では、素子基板Ｓとドナー基板ＳＧ，ＳＲとの分離が行われる。そのため、転写に必要とされる成膜後のドナー基板ＳＧ，ＳＲが直接貼り合わせ室２１に搬入されるとともに、該貼り合わせ室２１にて素子基板Ｓとドナー基板ＳＧ，ＳＲとの貼り合わせができる。また、ドライクリーニングの必要な転写後のドナー基板ＳＧ，ＳＲは、分離室２３での分離とともに、該分離室２３から直接ドライクリーニング室２７に搬入される。これにより、ドナー基板ＳＧ，ＳＲを再利用する際の効率を高めることができる。
【０１０５】
（３）ドナー基板ＳＧ，ＳＲのドライクリーニングを行うときに、回収基板ＳＣが、転写層に対向して配置される。そのため、ドナー基板ＳＧ，ＳＲから除去された転写層の形成材料における少なくとも一部が、回収基板ＳＣに付着する。それゆえに、ドナー基板ＳＧ，ＳＲによる転写に用いられなかった転写層の形成材料に対して再精製を行うことができるようになる。
【０１０６】
（４）レーザ光照射部６１から出力されたレーザ光Ｌを緑色用ドナー基板ＳＧの加熱に用いるとともに、透明な回収基板ＳＣを介して転写層にレーザ光Ｌを照射するようにしている。そのため、緑色用ドナー基板ＳＧから除去された緑色転写層５５の形成材料が、レーザ光照射部６１に付着することを抑えられる。それゆえに、レーザ光照射部６１の汚染を抑えるとともに、回収基板ＳＣによる上記形成材料の回収率を、レーザ光照射部６１への付着が抑えられる分だけ高めることができる。
【０１０７】
（５）回収基板ＳＣを冷却部６２によって冷却しつつ、緑色転写層５５へのレーザ光Ｌの照射を行うようにしているため、上記形成材料が、再び緑色用ドナー基板ＳＧに付着することを抑えられる。
【０１０８】
（６）回収基板ＳＣに一旦付着した形成材料が、該回収基板ＳＣから脱離しない温度にまで回収基板ＳＣが冷却される。そのため、緑色用ドナー基板ＳＧから脱離した形成材料の回収率が高められるとともに、形成材料が、一旦ドライクリーニングされた緑色用ドナー基板ＳＧに対して再付着することを抑えられる。
【０１０９】
（７）複数の回収基板ＳＣが収められる真空雰囲気のストック室２９を備えている。そのため、回収基板ＳＣをストックするための空間を別途用意せずとも、酸化等の形成材料の変化を抑えつつ、複数の回収基板ＳＣを収めておくことができる。
【０１１０】
なお、上記実施形態は、以下のように適宜変更して実施することができる。
・貼り合わせ室２１に対して転写層形成室２５が連結されるとともに、分離室２３に対してドライクリーニング室２７が連結されるようにした。これに限らず、転写室２２に対して転写層形成室２５とドライクリーニング室２７とが連結されるようにしてもよい。要は、転写層形成室２５、転写室２２、及びドライクリーニング室２７が、この順に環状に連結されていればよい。この場合、転写室２２にて、素子基板Ｓとドナー基板ＳＧ，ＳＲとの貼り合わせ、及び分離が行われるようにすればよい。
【０１１１】
・ドナー基板ＳＧ，ＳＲのドライクリーニングを行うときに、ドライクリーニング室２７内に回収基板ＳＣが配置されていなくともよい。こうした構成によっても、ドナー基板ＳＧ，ＳＲのクリーニングを行うことは可能である。
【０１１２】
・ドナー基板ＳＧ，ＳＲと回収基板ＳＣとの間にレーザ光照射部６１を配置してもよい。こうした構成によれば、レーザ光照射部６１からのレーザ光Ｌによって回収基板ＳＣが加熱されないことから、回収基板ＳＣに付着した転写層の形成材料が、再びドナー基板ＳＧ，ＳＲに付着することを抑えられる。
【０１１３】
・回収基板ＳＣを冷却する冷却部６２を割愛してもよい。こうした構成であっても、ドナー基板ＳＧ，ＳＲに対して回収基板ＳＣを対向して配置すれば、ドナー基板ＳＧ，ＳＲから脱離した転写層の形成材料を少なからず回収できる。
【０１１４】
・回収基板ＳＣは、付着した転写層の形成材料が、回収基板ＳＣから脱離しない温度にまで冷却されなくともよい。回収基板ＳＣの温度が、脱離しない温度よりも高くとも、冷却部６２による冷却が行われていない場合と比較して、冷却が行われている分だけ、形成材料の回収率が高められ、且つ、形成材料が、ドナー基板ＳＧ，ＳＲに対して再付着することを抑えられる。
【０１１５】
・ドナー基板ＳＧ，ＳＲのドライクリーニングに際しては、ドナー基板ＳＧ，ＳＲから脱離した転写層の形成材料における少なくとも一部が回収基板ＳＣに付着すればよい。こうした構成であっても、ドナー基板ＳＧ，ＳＲから脱離した転写層の形成材料を少なからず再精製することができる。
【０１１６】
・ストック室２９は、クリーニング搬送室２６ではなく、緑色発光層転写ユニットＵＧの備える他の処理室に連結されてもよい。
・有機ＥＬデバイス製造装置１０は、ストック室２９を有しない構成であってもよい。こうした構成によれば、ストック室２９を割愛した分だけ、有機ＥＬデバイス製造装置１０の構成を簡素化し、且つ、設置面積を小さくすることができる。
【０１１７】
・緑色発光層転写ユニットＵＧ及び赤色発光層転写ユニットＵＲが、ドライクリーニングされたドナー基板ＳＧ，ＳＲの転写層形成面を検査する検査室７１を有するようにしてもよい。なお、図８には、このうち緑色発光層転写ユニットＵＧを代表して示している。検査室７１には、緑色用ドナー基板ＳＧの転写層形成面の性状を検査するための検査装置、例えば光学式スキャナを有している。また、検査室７１は、ドライクリーニング室２７における上記転写層形成室２５とは反対側に連結されているものの、緑色発光層転写ユニットＵＧの有する他の処理室に連結されてもよい。
【０１１８】
なお、検査室７１を有する場合、緑色用ドナー基板ＳＧのクリーニング処理は、例えば図９に示される手順にて行うことができる。
すなわち、ドナー基板のドライクリーニング処理では、まず、例えば、有機ＥＬデバイス製造装置１０に搭載された制御装置に記憶されたクリーニング回数をリセットすることで、クリーニング回数ｎを０とする（ステップＳ６０１）。クリーニング回数がリセットされると、緑色用ドナー基板ＳＧがドライクリーニング室２７に搬入され、そして、レーザ光Ｌの照射による緑色用ドナー基板ＳＧのドライクリーニングが行われる（ステップＳ６０２、Ｓ６０３）。
【０１１９】
ドライクリーニングが終了すると、緑色用ドナー基板ＳＧが検査室７１に搬入され、ドライクリーニングが完了しているか否かの検査が行われる（ステップＳ６０４、Ｓ６０５）。該検査では、例えば、上記光学式スキャナに緑色用ドナー基板ＳＧを走査させることによって緑色転写層５５の付着量を算出し、該付着量が所定の閾値以下であったときにドライクリーニングが完了したものとする。
【０１２０】
ドライクリーニングが完了したときには、緑色用ドナー基板ＳＧが、検査室から搬出され、そして、緑色用ドナー基板ＳＧが、再び転写層形成室２５に搬入される（ステップＳ６０５：ＹＥＳ、ステップＳ６０６）。これに対し、ドライクリーニングが完了しないときには、上記クリーニング回数ｎに対して１を加算して、該クリーニング回数を上記制御装置に記憶させる（ステップＳ６１１）。そして、クリーニング回数がｍ回未満であるときには、緑色用ドナー基板ＳＧが、再びドライクリーニング室２７に搬入される（ステップＳ６１２：ＹＥＳ、ステップＳ６０２）。他方、クリーニング回数がｍ回以上であるときには、緑色用ドナー基板ＳＧを有機ＥＬデバイス製造装置１０から搬出する（ステップＳ６１２：ＮＯ、ステップＳ６１３）。
【０１２１】
こうした構成によれば、以下のような効果を得ることができる。
（８）ドライクリーニング後の緑色用ドナー基板ＳＧの転写層形成面を検査する検査室７１を備えるとともに、緑色用ドナー基板ＳＧに付着している転写層の量が所定量以下となるまで、緑色用ドナー基板ＳＧに対するドライクリーニングを繰り返し行うようにしている。そのため、緑色用ドナー基板ＳＧに対するドライクリーニングがより確実に行われるようになる。それゆえに、ドライクリーニング後に形成された転写層の量及び膜質にばらつきが生じにくくなり、ひいては、素子基板Ｓに形成された発光層の特性におけるばらつきを抑えることができる。
【０１２２】
・上記検査室７１に搭載される検査装置は、光学式スキャナに限らず、緑色用ドナー基板ＳＧの表面を検査可能な他の装置として具体化してもよい。
・検査室７１での検査の結果、緑色用ドナー基板ＳＧに付着する緑色用ドナー基板ＳＧの付着量が所定の閾値を超えているときには、上述のようにドライクリーニングを繰り返し行うことに代えて、緑色用ドナー基板ＳＧを新しいドナー基板と交換するようにしてもよい。
【０１２３】
・ドナー基板ＳＧ，ＳＲのドライクリーニングが十分でなく、同ドナー基板ＳＧ，ＳＲに対して複数回クリーニング処理を行うときには、ドライクリーニングの回数を重ねる毎に、ドライクリーニングの条件をより転写層が除去されやすい条件に変更するようにしてもよい。
【０１２４】
・正孔注入層と正孔輸送層とを各別の処理室にて形成するようにしたが、同一の処理室にて形成するようにしてもよい。こうした構成によれば、処理室を１つ減らすことができる分だけ、有機ＥＬデバイス製造装置１０の設置面積を小さくすることができる。
【０１２５】
・基板反転室１４，１５は、素子基板Ｓの反転を行うことなく上記各種膜の形成が可能であれば、割愛してもよい。
・青色発光層と電子輸送層とを各別の処理室にて形成するようにしたが、同一の処理室にて形成するようにしてもよい。こうした構成によれば、処理室を１つ減らすことができる分だけ、有機ＥＬデバイス製造装置１０の設置面積を小さくすることができる。
【０１２６】
・トレイ戻り通路Ｔ３を割愛してもよい。
・緑色発光層転写ユニットＵＧ、赤色発光層転写ユニットＵＲの順で接続し、そして、緑色発光層を形成した後に、赤色発光層を形成するようにしたが、赤色発光層を先に形成するようにしてもよい。
【０１２７】
・青色発光層を形成する青色発光層転写ユニットを有するようにしてもよい。なお、青色発光層転写ユニットは、該転写ユニットの有する転写層形成室にて形成される膜が異なるものの、それ以外の構成は上記緑色発光層転写ユニットＵＧと同様とすることができる。この場合、緑色発光層、赤色発光層、及び青色発光層の形成順序は適宜変更可能である。
【０１２８】
・有機ＥＬデバイス製造装置１０は、上記転写ユニットを少なくとも一つ有していればよい。
・転写ユニットＵＧ，ＵＲでは、５枚のドナー基板に対して同時に処理が行われていなくともよく、５未満の所定枚数のドナー基板に対して処理が行われるようにしてもよい。
【０１２９】
・転写室２２及びドライクリーニング室２７に搭載された光源は、上記レーザ光照射部３１，６１に限らず、例えば各種ランプであってもよい。要は、転写層の熱転写が可能な光源であればよい。
【０１３０】
・素子基板Ｓとドナー基板ＳＧ，ＳＲとは、貼り合わせなくともよい。素子基板Ｓの陽極形成面と、ドナー基板ＳＧ，ＳＲの転写層形成面とが対向するように、これらを離間させて配置するようにしてもよい。要は、所望とする位置に転写層の転写が可能となればよい。
【０１３１】
・上記クリーニング搬送室２６と転写層搬送室２４とは、上記対称軸Ａに対して線対称でなくともよい。また、ドライクリーニング室２７と転写層形成室２５とも、対称軸Ａに対して線対称でなくともよい。要は、貼り合わせ室２１からの転写層形成室２５の分岐方向と、分離室２３からのドライクリーニング室２７の分岐方向とが同じであればよい。こうした構成によっても、分岐方向が同一でない構成と比較して、転写層形成室２５とドライクリーニング室２７との間の搬送室を短くすることができる。これにより、ドライクリーニング室２７から転写層形成室２５までの搬送時間を短くすることで、ドナー基板の再利用効率を高めることができる。
【０１３２】
・搬送室２４，２６を連結する中間搬送室２８を割愛するとともに、ドライクリーニング室２７と転写層形成室２５とに接続された搬送室を設けるようにしてもよい。また、転写層搬送室２４を割愛して、転写層形成室２５から貼り合わせ室に対して直接ドナー基板を搬入する構成であってもよいし、クリーニング搬送室２６を割愛して、分離室２３からドライクリーニング室２７に直接ドナー基板を搬入する構成であってもよい。また、転写室２２、転写層形成室２５、及びドライクリーニング室２７が直接連結されていてもよいし、これら処理室２２，２５，２７のいずれか２つが直接連結されていてもよい。要は、転写室２２、転写層形成室２５、及びドライクリーニング室２７が直接連結されているにせよ、あるいは、転写層搬送室２４、クリーニング搬送室２６、及び中間搬送室２８等の真空室を介して連結されているにせよ、成膜室としての転写層形成室２５、転写室２２、及びドライクリーニング室２７が、１つの真空系を構成するようにこの順に環状に連結されていればよい。
【０１３３】
・転写ユニットＵＧ，ＵＲを構成する処理室２１〜２８は、同一平面上に設置されていなくともよい。例えば、貼り合わせ室２１の上方に、転写層搬送室を介して転写層形成室が連結され、且つ、分離室２３の上方にクリーニング搬送室を介してドライクリーニング室が連結され、転写層搬送室とクリーニング搬送室とが中間搬送室を介して連結された構成であってもよい。また、例えば、貼り合わせ室２１の下方に、転写層搬送室を介して転写層形成室が連結され、且つ、分離室２３の下方にクリーニング搬送室を介してドライクリーニング室が連結され、転写層搬送室とクリーニング搬送室とが中間搬送室を介して連結された構成であってもよい。
【０１３４】
・素子基板Ｓを転写室２２に搬入する搬入室が、転写ユニットＵＧ，ＵＲを構成する転写層形成室２５、ドライクリーニング室２７、転写層搬送室２４、クリーニング搬送室２６、及び中間搬送室２８のいずれかであり、且つ、該搬入室が、素子基板Ｓを転写室２２から搬出する搬出室であってもよい。
【０１３５】
・素子基板Ｓを転写室２２に搬入する搬入室が、転写ユニットＵＧ，ＵＲを構成する転写層形成室２５、ドライクリーニング室２７、転写層搬送室２４、クリーニング搬送室２６、及び中間搬送室２８のいずれかであり、且つ、搬入室とは異なる上記処理室が、素子基板Ｓを転写室２２から搬出する搬出室であってもよい。
【０１３６】
・上述のように環状に連結された転写層形成室、転写室、及びドライクリーニング室を含むドナー基板の搬送にかかわる処理室群と、素子基板を転写室に搬入する搬入室、転写室、及び、素子基板を転写室から搬出する搬出室を含んで環状に連結された素子基板の搬送にかかわる処理室群とが、転写室を介して連結された構成であってもよい。
【０１３７】
・レーザ光照射部３１，６１は、対象物に対する露光が一括で可能であれば、移動部３１ｂ，６１ｂを割愛してもよい。
・上記転写を行うときには、レーザ光Ｌの照射を転写が必要な領域にのみ選択的に行うようにしてもよい。
【０１３８】
・有機ＥＬデバイスを構成する各層は、上記以外の公知の材料にて形成することが可能であり、また、各層の形成方法も真空蒸着やスパッタ以外の方法としてもよい。
【符号の説明】
【０１３９】
１０…有機ＥＬデバイス製造装置、１１…基板取り付け室、１２，１８…ロードロック室、１３…陽極側機能層形成部、１３ａ…正孔注入層形成室、１３ｂ…正孔輸送層形成室、１４，１５…基板反転室、１６…陰極側機能層形成部、１６ａ…青色発光層形成室、１６ｂ…電子輸送層形成室、１６ｃ…電子注入層形成室、１７…電極形成部、１７ａ…陰極形成室、１７ｂ…透明電極形成室、１９…基板取り外し室、２１…貼り合わせ室、２２…転写室、２３…分離室、２４…転写層搬送室、２４Ｒ…転写層搬送ロボット、２５…転写層形成室、２６…クリーニング搬送室、２６Ｒ…クリーニング搬送ロボット、２７…ドライクリーニング室、２７ａ…ドナー基板保持部、２７ｂ…回収基板保持部、２８…中間搬送室、２９…ストック室、３１，６１…レーザ光照射部、３１ａ，６１ａ…レーザ、３１ｂ，６１ｂ…移動部、４１，８１…支持基板、４２，８２…スペーサ、４３，８３…陽極、４４…正孔注入層、４５，８４…正孔輸送層、４６…緑色発光層、５１，９１…透明基板、５２…反射層、５３，９２…光熱変換層、５４…保護層、５５，９３…転写層、５５Ａ…再付着層、６２…冷却部、７１…検査室、８５…発光層、ＧＶ…ゲートバルブ、Ｌ…レーザ光、Ｓ…素子基板、ＳＣ…回収基板、ＳＧ…緑色用ドナー基板、ＳＲ…赤色用ドナー基板、ＴＲ…トレイ、Ｔ１…トレイ導入室、Ｔ２…トレイ導出室、Ｔ３…トレイ戻り通路、ＵＧ…緑色発光層転写ユニット、ＵＲ…赤色発光層転写ユニット。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0005913974.tif 000008
【図８】
0005913974.tif 000009
【図９】
0005913974.tif 000010
【図１０】
0005913974.tif 000011