(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のメモリセルアレイと、
コントローラと、を有し、
前記コントローラは、第２のメモリセルアレイを有し、
前記第１のメモリセルアレイは、第１の領域と、第２の領域と、を有し、
前記第２のメモリセルアレイは、前記第１の領域の不良メモリセルのアドレス情報を記憶する機能を有し、
前記第２のメモリセルアレイは、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、キャパシタの一方の電極と電気的に接続され、
前記キャパシタの他方の電極は、第３の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、第４の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第５の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのチャネル形成領域は、シリコン半導体を有し、
前記第２のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、
前記酸化物半導体は、Ｉｎと、Ｍと、Ｚｎと、を有し、
前記Ｍは、Ｇａ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、又はＣｏから選ばれた一つの元素を示し、
前記酸化物半導体の水素濃度は、５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１のメモリセルアレイと、
コントローラと、を有し、
前記コントローラは、第２のメモリセルアレイを有し、
前記第１のメモリセルアレイは、第１の領域と、第２の領域と、を有し、
前記第２のメモリセルアレイは、前記第１の領域の不良メモリセルのアドレス情報を記憶する機能を有し、
前記第２のメモリセルアレイは、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、キャパシタの一方の電極と電気的に接続され、
前記キャパシタの他方の電極は、第３の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、第４の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第５の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのチャネル形成領域は、シリコン半導体を有し、
前記第２のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、
前記酸化物半導体は、Ｉｎと、Ｍと、Ｚｎと、を有し、
前記Ｍは、Ｇａ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、又はＣｏから選ばれた一つの元素を示し、
前記酸化物半導体は、真性化されたものであることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体記憶装置に係り、その一態様は冗長機能を有する半導体記憶装置に関す
る。
【背景技術】
【０００２】
不揮発性メモリとしてフラッシュメモリが知られている。フラッシュメモリは、フロー
ティングゲートに電荷を高電圧で注入する必要があり、データの書き込み及び消去のため
に昇圧回路を必要としている。フラッシュメモリは昇圧回路を使ってわざわざ高電圧を発
生させるため、消費電力が高いという問題点を有している。
【０００３】
フラッシュメモリに限らず、半導体メモリのメモリセルアレイには、データを記憶でき
ない不良メモリセルが含まれる。不良メモリセルがあるとデータを正確に記憶させること
ができないので、その対策として製造段階で不良メモリセルをレーザーで切断する方策な
どがとられている。レーザーカットは製造プロセスの変更を要しないという長所がある。
しかし、その処理を行うには検査工程が伴うため、特別な装置が必要であり、作業が繁雑
になるといった問題がある。
【０００４】
不良メモリセルを救済する他の方法としては、主メモリセルアレイに加えて冗長メモリ
セルアレイを備えておく方式がある（例えば、特許文献１参照）。この方式に従えば、主
メモリセルアレイにおける不良メモリセルのアドレス情報を冗長情報格納メモリセルアレ
イに記憶させておき、その記憶情報に基づいて、不良メモリセルが選択された場合には、
その不良メモリセルの代わりに冗長メモリセルが読み出される。
【０００５】
しかし、不良メモリセルのアドレス情報を記憶させる冗長情報格納メモリセルアレイは
、主メモリセルアレイと同じメモリセルで構成されるので、メモリ装置が本来備えるべき
記憶容量を削減することになってしまう。
【０００６】
さらに、主メモリセルと同じプロセスで作製され、同じ構造のメモリセルで冗長情報格
納メモリセルアレイが構成されるということは、主メモリセルと同じ確率で不良メモリセ
ルが発生することを意味している。そのため、冗長情報格納メモリセルアレイについても
、不良メモリセルの有無を検査する工程が必要となっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平１１−２３２８９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の一形態は、不良メモリセルに関する情報を主メモリセルアレイの記憶容量を割
いて記憶させなくても、不良メモリセルを非選択とすることが可能な半導体記憶装置を提
供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一形態は、メモリの駆動回路に不良メモリセルに関する情報を記憶する冗長制
御機能を設け、メモリセルアレイの欠陥を救済する半導体記憶装置である。すなわちこの
半導体記憶装置は、データを記憶させるために設けられた主メモリセルアレイの一部を使
って不良メモリセルのアドレス情報を記憶させるのではなく、メモリコントローラの中に
不良メモリセルのアドレス情報を記憶させる不揮発性のメモリを設けることで、かかる問
題点を解決するものである。
【００１０】
不良メモリセルのアドレス情報を保持するメモリコントローラは、不良メモリセルのア
ドレス情報を取得するために、わざわざメモリセルアレイまでアクセスしないで済み、処
理速度の向上に寄与することになる。
【００１１】
この半導体記憶装置において、デコーダー回路などの駆動回路部分は動作速度の速いト
ランジスタで構成する。例えばシリコン半導体を用いた絶縁ゲート型電界効果トランジス
タで駆動回路を構成する。
【００１２】
半導体記憶装置のメモリセルアレイを、フローティングゲートを備えたトランジスタで
構成することで、不揮発性メモリとすることができる。また、当該メモリセルアレイを、
ダイナミックＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）、スタティクＲＡＭ
又は強誘電体メモリの回路構成とした場合にも、同様に適用することができる。
【００１３】
メモリセルアレイは、仮想的には、データを記憶するメモリ領域と、冗長化のために割
り当てられた冗長メモリ領域に分割される。冗長メモリ領域のメモリセルは、メモリ領域
に不良メモリセルが含まれる場合に、その不良メモリセルが選択されないように代替する
ものである。この半導体記憶装置の冗長機能はメモリコントローラによって発揮される。
メモリコントローラは、不良メモリセルの所在を記憶するメモリを有しており、不良メモ
リセルが指定された場合は、その不良メモリセルではなく、冗長メモリ領域のメモリセル
を選択するよう動作する。
【００１４】
メモリコントローラのメモリは、上記と同様にフローティングゲート型のトランジスタ
で構成することもできるが、駆動回路（ロジック回路）と同じ駆動電圧で不揮発性メモリ
を動作させることができる点で以下のような構成を備えることが好ましい。
【００１５】
不良メモリセルのアドレス情報を記憶させるメモリを、２つのトランジスタと１つのキ
ャパシタで構成することができる。すなわち、第１トランジスタのゲート電極と第２トラ
ンジスタのドレイン電極を電気的に接続し、該ドレイン電極及び該ゲート電極とキャパシ
タを電気的に接続する回路構成とする。この場合、第２トランジスタをオフ電流の低いト
ランジスタで構成することで、キャパシタに充電した電荷を長時間保持させることが可能
となり、実質的に不揮発性メモリとして使用することができる。
【００１６】
不良メモリセルのアドレス情報を記憶させるメモリを不揮発性として使用するには、第
２トランジスタのオフ電流を、チャネル幅１μｍ当たりの換算で１００ａＡ／μｍ以下、
好ましくは１ａＡ／μｍ以下、より好ましくは１００ｚＡ／μｍ以下（１ｚＡ（ゼプトア
ンペア）は１×１０−２１Ａ）、さらに１０ｚＡ／μｍ以下とする。このようにすること
で、第２トランジスタのリークによってキャパシタが消失する電荷はほとんど無いものと
して扱うことができる。上述のようにキャパシタは、第２トランジスタのゲート電極とも
電気的に接続されているが、第２トランジスタは絶縁ゲート型のＭＯＳトランジスタであ
るので、ゲートリーク（ゲート絶縁膜のリーク）がほとんど無視できるレベルである限り
、キャパシタの電荷保持特性に何ら影響を与えることはない。
【００１７】
不良メモリセルのアドレス情報を記憶させるメモリを、主たるメモリセルアレイとは別
に設けることで、それぞれを異なるメモリ素子、メモリ回路で構成することができる。
【００１８】
メモリコントローラに設けるメモリセルアレイは、フローティングゲート型のトランジ
スタを用いないことで、高電圧を使ってデータを書き込む動作が不要となり、しかもダイ
ナミックＲＡＭで必要なリフレッシュ動作を必要とせずに、データの保持が可能となる。
【００１９】
本発明の一形態に係る半導体記憶装置は、ワード線及びビット線によってマトリクス状
にメモリセルが配列され、主メモリ領域と冗長メモリ領域とを有するメモリセルアレイと
、ワード線及びビット線の信号を制御する駆動回路と、駆動回路の動作を制御するメモリ
コントローラとを備えている。メモリコントローラは、主メモリ領域の中の不良メモリセ
ルのアドレス情報を記憶するメモリ部と、不良メモリセルのある行の代わりに冗長メモリ
領域の行を読み出すために冗長メモリ領域のアドレス情報を記憶する冗長アドレス記憶部
とを有している。
【００２０】
メモリコントローラのメモリ部は、第１トランジスタのゲート電極と第２トランジスタ
のドレイン電極とが電気的に接続され、該ドレイン電極及び該ゲート電極とキャパシタが
電気的に接続されているメモリセルによって構成されたものを適用することができる。ま
た、第１トランジスタのゲート電極と第２トランジスタのドレイン電極とが電気的に接続
され、該ドレイン電極及び該ゲート電極とキャパシタが電気的に接続されているメモリセ
ルを半導体記憶装置の主メモリとして用いることもできる。
【００２１】
第２トランジスタは、酸化物半導体層にチャネル領域が形成されるものが好ましい一態
様となる。それにより、第２トランジスタのチャネル幅１μｍ当たりのオフ電流は、１０
０ａＡ／μｍ以下、好ましくは１ａＡ／μｍ以下、より好ましくは１００ｚＡ／μｍ以下
、さらに１０ｚＡ／μｍ以下とすることができる。
【００２２】
本明細書において、「第１」、「第２」又は「第３」等の数詞の付く用語は、要素を区
別するために便宜的に付与しているものであり、数的に限定するものではなく、特に限定
されない限り配置及び段階の順序を限定するものでもない。
【００２３】
本明細書において、ある構成要素が他の構成要素の「上」にある、或いは「下」にある
と言及されたときには、その他の構成要素に直接的に形成されている場合もあるが、中間
に他の構成要素が存在する場合もあると理解されなければならない。
【００２４】
本明細書において、実施形態を説明するために用いられる用語において単数の表現は、
文脈上で明白に相違して意味していない限り、複数の表現を含む。「含む」または「有す
る」などの用語は、明細書中に記載された特徴、数字、ステップ、動作、構成要素、部分
品、またはこれらを組み合わせたものが存在することを指定しようとするものであり、１
つまたはそれ以上の他の特徴、数字、ステップ、動作、構成要素、部分品、またはこれら
を組み合わせたものなどの存在または付加の可能性をあらかじめ排除しないものであると
理解されなければならない。
【００２５】
本明細書において、特別に定義されない限り、技術的あるいは科学的な用語を含んで用
いられる全ての用語は、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者にとって
一般的に理解され得るものと同じ意味を有している。一般的に用いられる辞書に定義され
ているものと同じ用語は、関連技術の文脈上で有する意味と一致する意味を有するものと
解釈されなければならず、本出願で明白に定義しない限り、理想的あるいは過度に形式的
な意味として解釈されない。
【発明の効果】
【００２６】
メモリコントローラの中に不良アドレス情報を記憶させておくことで、従来の冗長対策
を施した半導体記憶装置のように、不良メモリセルに関する情報をメモリセルアレイまで
アクセスする必要がなく、処理動作を高速化することができる。さらに、メモリセルアレ
イの外側に、不良メモリセルに関する情報を記憶させる領域を設けることで、不良メモリ
セルに関する情報をメモリセルアレイの記憶容量を割いて記憶させなくても、不良メモリ
セルを非選択とすることが可能な半導体記憶装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】一実施形態に係る半導体記憶装置の構成（ＮＯＲ型）を示すブロック図。
【図２】一実施形態に係る半導体記憶装置のメモリコントローラの構成を示すブロック図。
【図３】一実施形態に係る半導体記憶装置の構成（ＮＡＮＤ型）を示すブロック図。
【図４】一実施形態に係る半導体記憶装置のメモリ回路の基本セルの一例を示す回路図。
【図５】図４で示す基本セルを用いてＮＯＲ型のメモリ回路を構成した一例を示す図。
【図６】図４で示す基本セルを用いてＮＡＮＤ型のメモリ回路を構成した一例を示す図。
【図７】図４で示す基本セルを用いてメモリ回路を構成した一例を示す図。
【図８】図４で示す基本セルを構成する２つのトランジスタとキャパシタを半導体基板上に形成した場合の構造の一例を示す図。
【図９】図８に示す構造を作製するための工程の一例を説明する図。
【図１０】酸化物半導体で形成されたトランジスタのゲート電圧対ドレイン電流の特性を示す図。
【図１１】一実施形態に係る半導体記憶装置により完成される電子機器の一例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
発明の実施の形態について図面を用いて以下に説明する。但し、本明細書で開示される
発明は以下の説明に限定されず、その発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその
形態及び詳細をさまざまに変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。したがっ
て、本明細書で開示される発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈される
ものではない。
【００２９】
実施の形態において図面を参照して説明をする場合には、同じ構成要素を指す符号を異
なる図面間で共通して用いる場合がある。なお、図面において示す構成要素、すなわち層
や領域等の厚さ、幅、相対的な位置関係等は、実施の形態において説明する上で明確性の
ために誇張して示される場合がある。
【００３０】
また、一般的に電圧とは、ある二点間における電位の差（電位差ともいう）のことをい
う。しかし、電圧及び電位の値は、回路図などにおいていずれもボルト（Ｖ）で表される
ことがあるため、区別が困難である。そこで、本明細書では、特に指定する場合を除き、
ある一点の電位と基準となる電位（基準電位ともいう）との電位差を、該一点の電圧とし
て用いる場合がある。
【００３１】
＜半導体記憶装置のシステム構成について（ＮＯＲ）＞
本発明の一実施形態に係る半導体記憶装置におけるメモリ回路の構成を図１に示す。図
１はＮＯＲ型の不揮発性メモリによって半導体記憶装置を構成する場合を例示する。なお
、図１で示すものと同様な構成は、ＮＡＮＤ型の不揮発性メモリによって半導体記憶装置
を構成する場合にも適用可能である。
【００３２】
図１に示すメモリ回路はメモリセルアレイ１００、Ｘ方向読み出しデコーダー１０６、
Ｘ方向書き込みデコーダー１０８、Ｙ方向読み出しデコーダー１１０、Ｙ方向読み出し回
路１１２、Ｙ方向書き込みデコーダー１１６、Ｙ方向書き込み回路１１４、メモリコント
ローラ１１８を有している。メモリセルアレイ１００は主メモリ領域１０２と冗長メモリ
領域１０４とに分けられている。
【００３３】
ＮＯＲ型メモリの場合、メモリセルアレイ１００に対して１行ずつ書き込み及び読み出
しを行うため、主メモリ領域１０２及び冗長メモリ領域１０４は行単位で書き込み及び読
み出しが行われるようになっている。
【００３４】
以下の説明ではメモリセルアレイ１００が、Ｘ方向を３２ビット、Ｙ方向を３２ビット
、合計１０２４ビットのマトリクスであるものとして説明する。もちろん、メモリセルア
レイ１００のビット数はこれに限定されず、任意のビット数とすることができる。
【００３５】
＜メモリコントローラについて＞
図２はメモリコントローラ１１８のブロック図を示す。メモリコントローラ１１８は、
Ｙアドレスラッチ１２０、Ｘアドレスラッチ１２２、冗長アドレス記憶部１２４、セレク
タ１３０、読み出し回路１３６、アドレスデコーダー１３２、メモリセルアレイ１３８、
書き込み回路１３４を含んで構成されている。冗長アドレス記憶部１２４は、冗長Ｘアド
レス１２６、冗長Ｘアドレス１２８を記憶している。
【００３６】
メモリコントローラ１１８に内蔵されるメモリセルアレイ１３８は、記憶データを所定
の期間保持することのできる不揮発性メモリで構成されている。不揮発性メモリを含むメ
モリセルアレイ１３８にメモリセルアレイ１００に含まれる不良メモリセルのアドレス情
報を記憶させておく。そして、メモリコントローラ１１８は、主メモリ領域１０２に含ま
れる不良メモリセルの代わりに冗長メモリ領域１０４のメモリセルを読み出すように、冗
長メモリ領域１０４のメモリセルのアドレス情報を冗長アドレス記憶部１２４に記憶させ
る。
【００３７】
メモリセルアレイ１３８の記憶容量は任意であるが、例えば主メモリ領域１０２の行数
分の記憶容量を有するように構成される。具体的には、メモリセルアレイ１３８は主メモ
リ領域１０２と同じ行数を有するように構成される。
【００３８】
主メモリ領域１０２において不良メモリセルのある行に相当するメモリセルアレイ１３
８の行に、不良メモリセルの存在を示すデータを記憶させておく。メモリコントローラ１
１８は、不良メモリセルが存在する行が呼び出されたとき、その行を選択せずに冗長メモ
リ領域１０４のアドレスを選択するように設定を行う。
【００３９】
例えば、冗長メモリ領域１０４を２行とした場合、主メモリ領域１０２には２行分の不
良が許容される。もちろん、冗長メモリ領域１０４の行数を増やせばその分、主メモリ領
域１０２において許容できる行数は増加する。メモリセルアレイ１３８に記憶させるデー
タは、例えば、主メモリ領域１０２の各行に対して、不良メモリセルを含まない行にはデ
ータ「００」を記憶させ、不良メモリセルを含む行にはデータ「０１」、「１０」を記憶
させるようにしておく。
【００４０】
このような構成を有するメモリコントローラ１１８は、以下に示すように動作してメモ
リセルアレイ１００の不良メモリセルを救済する。
【００４１】
まず製造工場において製品の出荷検査を行う。この工程において、メモリセルアレイ１
００の主メモリ領域１０２、冗長メモリ領域１０４に不良が含まれないかを検査する。こ
の検査はメモリセルアレイ１００の行毎に行われる。具体的には、この検査において、メ
モリセルアレイ１００の各行について不良メモリセルが１つ以上含まれるかどうかの判断
を行う。
【００４２】
検査において、冗長メモリ領域１０４の各行に不良があった場合は不良品として扱う。
主メモリ領域１０２の各行を検査し、不良メモリセルを含む行が２行以下の場合は、メモ
リコントローラ１１８の動作によって救済が可能となる。
【００４３】
なお、メモリコントローラ１１８には、あらかじめ冗長メモリ領域１０４の１行目のア
ドレスを冗長Ｘアドレス１２６に、冗長メモリ領域１０４の２行目のアドレスを冗長Ｘア
ドレス１２８に記憶させておく。この記憶は後で変更することが無いため、記憶の方法は
マスクＲＯＭの様なもので良いし、固定論理パターンでもよい。
【００４４】
検査の結果をふまえて、メモリセルアレイ１３８の各行にはデータ「００」、「０１」
、「１０」のいずれかが書き込み回路１３４によって書き込まれる。
【００４５】
例えば検査の結果、主メモリ領域１０２の５行目、１０行目に不良が検出された場合、
メモリセルアレイ１３８の５行目には「０１」、１０行目には「１０」が記憶される。そ
れ以外の行には「００」が記憶される。
【００４６】
＜半導体記憶装置の動作について＞
メモリセルアレイ１３８は不揮発性メモリセルで構成されているので、検査工程が終了
しても、記録されたデータはメモリコントローラ１１８の中に保持されたままである。こ
のような状況で、半導体記憶装置が実際に使用される時の動作は以下のようになる。
【００４７】
メモリコントローラ１１８にデータを書き込む又は読み出すメモリのアドレスが入力さ
れ、そのアドレス（Ｘアドレス、Ｙアドレス）がＸアドレスラッチ１２２、Ｙアドレスラ
ッチ１２０に一時的に記憶される。それと同時に、Ｘアドレスはアドレスデコーダー１３
２に入力され、メモリセルアレイ１３８から読み出し回路１３６によって、指定したアド
レス、つまり、アドレスデコーダー１３２に入力されたＸアドレスに相当するデータを読
み出し回路１３６によって読み出される。
【００４８】
メモリセルアレイ１３８から読み出されたデータが「００」であれば、セレクタ１３０
はＸアドレスラッチ１２２のデータをそのまま出力する。メモリセルアレイ１３８より読
み出されたデータが「０１」であればセレクタ１３０は冗長Ｘアドレス１２６のアドレス
データを選択する。また、メモリセルアレイ１３８より読み出されたデータが「１０」で
あればセレクタ１３０は冗長Ｘアドレス１２８のアドレスデータを選択する。
【００４９】
前述の例であれば、５行目のアドレスが入力された場合には冗長メモリ領域１０４の１
行目のアドレスが出力され、１０行目のアドレスが入力された場合には冗長メモリ領域１
０４の２行目のアドレスが出力され、その他の行のアドレスが入力された場合には、その
ままのアドレスが出力される。
【００５０】
このようにして主メモリ領域１０２の不良メモリセルを使用しないようにして、データ
をメモリセルアレイ１００に記憶させることができる。本実施の形態で示す半導体記憶装
置は、メモリセルアレイ１００に不良メモリセルのアドレス情報を記憶させる必要がない
ので、メモリセルアレイ１００が本来備えている記憶容量を減らさないですむという利点
がある。
【００５１】
＜半導体記憶装置のシステム構成について（ＮＡＮＤ）＞
上記の説明はメモリセルアレイ１００でＮＯＲ型の不揮発性メモリを構成する場合につ
いての説明であるが、同じ原理を使ってＮＡＮＤ型の不揮発性メモリを構成するメモリセ
ルに適用することもできる。
【００５２】
図３は、メモリセルアレイ１００でＮＡＮＤ型の不揮発性メモリを構成する場合におけ
る半導体記憶装置の構成を示す。ＮＡＮＤ型の不揮発性メモリをメモリセルアレイ１００
で構成する場合は、列ごとにデータの書き込み及び読み出しが行われるため、Ｘ方向に冗
長メモリ領域１０４が設けられるが、それ以外の構成及び動作は上記のＮＯＲ型の半導体
記憶装置と同様である。
【００５３】
＜メモリセルアレイの他の構成について（１）＞
メモリセルアレイ１００は、不揮発性メモリだけでなく、ダイナミックＲＡＭ、スタテ
ィックＲＡＭ、強誘電体メモリを構成することができ、いずれも同様に動作させて、メモ
リの冗長化を図ることができる。いずれにしても、メモリセルがマトリクス状に配列され
、主メモリ領域の行アドレス（または列アドレス）を指定して、指定された行アドレス（
または列アドレス）に不良メモリセルが存在する場合に、冗長メモリ領域の行アドレス（
または列アドレス）に置き換えられる構成のメモリセルアレイであれば、図２を参照して
説明するようなメモリコントローラ１１８を適用することができる。
【００５４】
＜メモリセルアレイの他の構成について（２）＞
メモリセルアレイ１００は、シリコン半導体を使ったトランジスタで構成する他に、シ
リコン半導体よりも禁制帯幅の広い半導体を使ったトランジスタを用いて構成することが
できる。禁制帯幅の広い半導体を用いることでトランジスタのオフ電流を下げることがで
き、新しい構成のメモリを実現することができる。シリコン半導体よりも禁制帯幅の広い
半導体としては、炭化珪素（ＳｉＣ）や窒化ガリウム（ＧａＮ）などが知られているが、
これらの半導体を使ったデバイスはプロセス温度がシリコン半導体に比べて高いので生産
性に難がある。
【００５５】
これに対して、酸化物半導体（好適には金属酸化物の半導体）は、禁制帯幅が２．５ｅ
Ｖ以上、好ましくは３ｅＶ以上であり、スパッタリング法や印刷法などの方法で容易に作
製することができ、しかもプロセス温度が低いという利点がある。
【００５６】
図４は、シリコン半導体により作製される電界効果型トランジスタと、禁制帯幅がシリ
コン半導体よりも広い化合物半導体で作製される電界効果トランジスタを組み合わせたメ
モリの基本セルの一例を示す。ここでは、禁制帯幅がシリコン半導体よりも広い酸化物半
導体で作製される電界効果トランジスタを第２トランジスタ１４４、シリコン半導体によ
り作製されるトランジスタを第１トランジスタ１４２として説明する。
【００５７】
図４において、基本セル１４０は、第２トランジスタ１４４のドレイン電極と第１トラ
ンジスタ１４２のゲート電極が電気的に接続されている。そして、第２トランジスタ１４
４のドレイン電極及び第１トランジスタ１４２のゲート電極はキャパシタ１４６の一方の
電極とも電気的に接続されている。
【００５８】
第２トランジスタ１４４が禁制帯幅２．５ｅＶ以上、好ましくは３ｅＶ以上の半導体、
例えば金属酸化物等でなる酸化物半導体を含む場合、第２トランジスタのオフ電流を極め
て小さくすることができる。このため、第２トランジスタ１４４をオフ状態とすることで
、キャパシタ１４６の電荷の漏出を防止することができる。それにより、第１トランジス
タ１４２のゲートの電位を長時間保持することができる。
【００５９】
上記のように、第１トランジスタ１４２のゲート電位の保持が長時間可能であることの
利点を生かすことにより、図４に示す回路を不揮発性メモリとして動作させることができ
る。
【００６０】
データを書き込む場合には、第２トランジスタ１４４のゲートをオンにして、キャパシ
タ１４６が所定の電位になるまで充電する。その後、第２トランジスタ１４４をオフにし
ても、第２トランジスタ１４４のオフ電流が極めて低ければキャパシタ１４６の電位はほ
とんど変動しない。キャパシタ１４６は第１トランジスタ１４２のゲート電極とも接続さ
れているが、ゲート電極は半導体と絶縁分離されているので、この部分のリーク電流もほ
とんど無視できる。これにより、図４で示すメモリ回路はデータが書き込まれた状態とな
り、その状態は第２トランジスタ１４４がオンとならない限り、長期間保持することが可
能となる。
【００６１】
データを読み出す場合には、端子ｃに読み出し電圧を印加して、第１トランジスタ１４
２の導通の有無を判定する。読み出し電圧は、キャパシタ１４６に所定の書き込み電圧が
充電されている場合の第１トランジスタ１４２の見かけ上のしきい値電圧と、キャパシタ
１４６が充電されていない場合（書き込まれていない場合）の第１トランジスタ１４２の
しきい値電圧との中間の電位である。
【００６２】
例えば、第１トランジスタ１４２をｎチャネル型とすると、第１トランジスタ１４２の
ゲート電極に「Ｈ」レベル電位が与えられている場合の見かけのしきい値Ｖｔｈ＿Ｈは、
第１トランジスタ１４２のゲート電極に「Ｌ」レベル電位が与えられている場合の見かけ
のしきい値Ｖｔｈ＿Ｌより低くなる。したがって、読み出し電圧をＶｔｈ＿ＨとＶｔｈ＿
Ｌの中間の電位Ｖ０とすることにより、第１トランジスタ１４２のオン・オフ状態（端子
ａ−ｂ間の導通、非導通）を判定することができ、メモリ回路に記憶させたデータを読み
出すことができる。
【００６３】
データの書き換えは、上記で説明したデータの書き込み動作と同様に行われる。つまり
、第２トランジスタ１４４をオン状態として、端子ｅから所定の電位をキャパシタ１４６
に印加するのみである。その後、第２トランジスタ１４４をオフ状態とすれば、上記と同
様に所定の書き込み電圧がキャパシタ１４６に保持される。
【００６４】
フローティングゲート構造を有する不揮発性メモリでは、フローティングゲートに充電
された電荷を、十数ボルトの高電圧をトランジスタに印加して引き抜く消去動作が必要と
なるが、図４で示すメモリ回路ではこのような消去動作は不要である。すなわち、キャパ
シタ１４６に充電された電荷をわざわざ引き抜くような消去動作をしなくても、容易にデ
ータの書き換えを行うことができる。このような特性により、図４で示すメモリ回路では
、２段階（１ビット）の情報を書き込む場合、５Ｖ以下、好ましくは３Ｖ以下で動作が可
能であり、高速かつ低電圧で、データの書き込み、読み出し、書き換えを行うことができ
る。
【００６５】
もっとも、第１トランジスタ１４２のゲート電極、キャパシタ１４６の一方の電極及び
第２トランジスタ１４４のドレイン電極が電気的に接続された構造は、第２トランジスタ
１４４がオフ状態のときには、電気的に周囲と絶縁分離されるので、フローティングゲー
ト構造と見ることもできる。
【００６６】
このような実質的にフローティングゲート構造と見なせる構造は、第２トランジスタ１
４４が、２．５ｅＶ以上、好ましくは３ｅＶ以上の広い禁制帯幅を持つ酸化物半導体で形
成されることにより、第２トランジスタ１４４のオフ電流がシリコン半導体で形成される
トランジスタの１０万分の１以下であることにより実現される。具体的には、酸化物半導
体を用いたトランジスタでは、後述するようにチャネル幅１μｍ当たりのオフ電流を、室
温で１００ｚＡ／μｍ（１×１０−１９Ａ／μｍ）以下、例えば１０ｚＡ（１×１０−２
０Ａ）とすることができるからである。例えば、第２トランジスタ１４４のオフ電流が１
０ｚＡ以下であり、キャパシタ１４６の容量が１０ｆＦである場合には、１０４秒以上の
データ保持が可能である。このような極めて低いオフ電流の値は、通常のシリコン半導体
では実現できない値である。
【００６７】
また、信頼性の面でも図４に示すメモリ回路は優れている。フローティングゲート構造
を有する不揮発性メモリは、高電圧を印加してフローティングゲートに電荷を注入するた
め、トンネル絶縁膜が劣化してしまい、そのために書き換え可能回数に上限がある。これ
に対し、上記のフローティングゲート構造と見なせる構造は、オフ電流が極めて低い第２
トランジスタ１４４のオン・オフにより電荷の出し入れを容易に行うことができるので、
原理的に劣化がない。
【００６８】
一方、第１トランジスタ１４２は、読み出し速度を速くするために高速で動作するトラ
ンジスタを用いることが好ましい。例えば、読み出し用トランジスタとしてスイッチング
速度が１ナノ秒以下のトランジスタを用いるのが好ましい。
【００６９】
いずれにしても、図４で示すメモリの基本セルは、２つのトランジスタと１つのキャパ
シタで構成されるので、単位メモリセル当たりの面積を小さくすることができる。例えば
、１メモリセルあたり６つのトランジスタを必要とするスタティクＲＡＭと比較して、十
分に小さくすることが可能である。
【００７０】
＜メモリセルアレイの具体的な構成について＞
図５は、図４で示すメモリ回路の基本セルをメモリセルとして用いたメモリ回路の一例
を示す。図５は基本セル１４０を用いてＮＯＲ型のメモリ回路を構成した例である。図５
は２×２のメモリセルアレイを示しているが、メモリセルの数はこれに限定されない。メ
モリセルはＸ方向書き込みデコーダー１０８、Ｘ方向読み出しデコーダー１０６、Ｙ方向
書き込み回路１１４、Ｙ方向読み出し回路１１２によって制御される。
【００７１】
基本セル１４０は、第２トランジスタ１４４、第１トランジスタ１４２及びキャパシタ
１４６により構成されている。第２トランジスタ１４４のドレイン電極は第１トランジス
タ１４２のゲート電極に電気的に接続され、このドレイン電極及びゲート電極とキャパシ
タ１４６の一方の電極が電気的に接続されている。
【００７２】
この基本セル１４０は、第１トランジスタ１４２のしきい値電圧をキャパシタに充電し
た電荷の有無により書き込み状態、非書き込み状態を判別している。データを書き込む場
合は、Ｘ方向書き込みデコーダー１０８により第２トランジスタ１４４をオンにして、Ｙ
方向書き込み回路１１４から書き込み信号を送り、キャパシタ１４６を充電する。データ
を読み出す場合は、Ｘ方向読み出しデコーダー１０６から読み出し電圧（ゲート電圧）を
第１トランジスタ１４２に印加して、Ｙ方向読み出し回路１１２により第１トランジスタ
１４２の導通を判断する。
【００７３】
キャパシタに充電された電荷が第２トランジスタ１４４のリークによりすぐに消失して
しまえばダイナミックＲＡＭと同様になる。しかし、第２トランジスタ１４４のオフリー
クが極めて小さい場合には、図５で示すメモリを実質的に不揮発性メモリとして機能させ
ることが可能となる。すなわち、基本セル１４０を用いてＮＯＲ型のメモリセルアレイを
構成することで、トランジスタにフローティングゲートを設けずに不揮発性のＮＯＲ型メ
モリを実現することができる。
【００７４】
図６は基本セル１４０を用いてＮＡＮＤ型のメモリ回路を構成する場合を示す。データ
の書き込み及び読み出しの動作は図５のメモリ回路の場合と同様である。ＮＡＮＤ型のメ
モリ回路の場合、列ごとにデータの書き込み及び読み出しが行われる点がＮＯＲ型のメモ
リ回路と異なっている。この場合も、第２トランジスタ１４４のオフ電流が小さい。
【００７５】
図７は図４で示すメモリの基本セルをマトリクス状に配列させたメモリ回路の一例を示
す。図７は２×２ビットでメモリセルアレイが構成されている場合を例示する。図７に示
すメモリ回路は、キャパシタ１４６に接続されるワード線Ｗ１、Ｗ２、第２トランジスタ
１４４のゲート電極に接続される信号線Ｓ１、Ｓ２、第２トランジスタ１４４及び第１ト
ランジスタ１４２に接続されるビット線ＢＬ１、ＢＬ２、第１トランジスタ１４２のソー
ス電極側に接続されるソース線ＳＬ１によりマトリクスが構成されている。ソース線ＳＬ
１は、隣り合うメモリセルの第１トランジスタ１４２のソース電極が同じソース線ＳＬ１
に接続され、配線の本数を減らすように構成されている。
【００７６】
ワード線Ｗ１、Ｗ２はＸ方向書き込みデコーダー１０８によって制御され、信号線Ｓ１
、Ｓ２はＸ方向読み出しデコーダー１０６によって制御され、ビット線ＢＬ１、ＢＬ２は
Ｙ方向読み出し回路１１２及びＹ方向書き込み回路１１４によって制御される。Ｙ方向読
み出し回路１１２とＹ方向書き込み回路１１４が同時にビット線ＢＬ１、ＢＬ２に信号を
送受信する場合はなく、スイッチＳＷ１１、ＳＷ１２、ＳＷ２１、ＳＷ２２によって接続
が制御される。
【００７７】
このメモリ回路の書き込みと読み出しの動作は概略次のようになる。例えば、メモリセ
ルＭ１１に「１」を、メモリセルＭ２１に「０」を書き込む場合には、信号線Ｓ１に選択
信号Ｖ１を与え、メモリセルＭ１１とＭ２１の第２トランジスタ１４４をオンにする。こ
のとき信号線Ｓ２は０Ｖの電位を与え、メモリセルＭ１２、Ｍ２２の第２トランジスタ１
４４がオフ状態となるようにする。
【００７８】
そして、スイッチＳＷ１２をオンにして、ビット線ＢＬ１に「１」の書き込み電圧Ｖ２
を与える（Ｖ２は第１トランジスタ１４２のしきい値電圧より高い電圧とする）。また、
スイッチＳＷ２２をオンにしてビット線ＢＬ２には「０」の書き込み電圧である０Ｖを与
える。その結果、メモリセルＭ１１のキャパシタ１４６はＶ２に充電され、メモリセルＭ
２１のキャパシタ１４６は０Ｖとなる。
【００７９】
その後、信号線Ｓ１の電位を０Ｖとして書き込み動作を終了する。このとき、スイッチ
ＳＷ１２、ＳＷ２２をオフとしてビット線ＢＬ１、ＢＬ２の電位を変化させる前に、信号
線Ｓ１の電位を０Ｖとしてキャパシタ１４６の電位変動がないようにする。
【００８０】
書き込み後において、メモリセルのしきい値は、データ”０”の場合にはＶｗ０、デー
タ”１”の場合にはＶｗ１となる。ここで、メモリセルのしきい値とは、第１トランジス
タ１４２のソース電極とドレイン電極の間の抵抗状態を変化させるために、ワード線Ｗ１
、Ｗ２に接続される端子に入力する電圧をいうものとする。なお、ここでは、Ｖｗ０＞０
＞Ｖｗ１とする。
【００８１】
データを読み出すには、ワード線Ｗ１に電位０Ｖを与え、ワード線Ｗ２には電位ＶＬを
与える。電位ＶＬはしきい値Ｖｗ１より低い電位とする。ワード線Ｗ１を電位０Ｖとする
と、「０」が書き込まれているメモリセルＭ２１の第１トランジスタ１４２はオフ状態と
なり、「１」が書き込まれているメモリセルＭ１１の第１トランジスタ１４２はオン状態
となる。ワード線Ｗ２を電位ＶＬとすると、メモリセルＭ１２、Ｍ２２の第１トランジス
タ１４２はいずれもオフ状態となり、データは読み出されない。
【００８２】
次に、スイッチＳＷ１１、ＳＷ２１をオンにしてＹ方向読み出し回路１１２とビット線
ＢＬ１、ＢＬ２を有効化する。ソース線ＳＬ１の電位は０Ｖとする。その結果、メモリセ
ルＭ１１は、第１トランジスタ１４２がオン状態であるため低抵抗状態となり、メモリセ
ルＭ２１は、第１トランジスタ１４２がオフ状態であるため高抵抗状態となる。ビット線
ＢＬ１と、ビット線ＢＬ２に接続されるＹ方向読み出し回路１１２は、ビット線−ソース
線間の抵抗状態の違いから、データを読み出すことができる。
【００８３】
この場合、第２トランジスタ１４４のオフ電流が極めて小さい場合、キャパシタ１４６
の電位変動はほとんどなく、書き込まれたデータを長時間保持させることができる。この
ことは、ダイナミックＲＡＭに必要なリフレッシュ動作を不要とするか、あるいはリフレ
ッシュ動作の頻度を極めて低くすることが可能となる。それにより、メモリ回路の動作に
必要な消費電力を少なくすることができる。また、半導体記憶装置の電源を切った場合で
も、長期にわたって記憶内容を保持することが可能となる。
【００８４】
さらに、データの書き込みは、キャパシタ１４６に充電すれば良いため、データの書き
込み、書き換え動作を高速化することができる。また、読み出し動作についても、第１ト
ランジスタ１４２を動作速度の速いシリコン半導体を用いたトランジスタとすることによ
り、読み出し速度を高速化することができる。
【００８５】
＜メモリコントローラのメモリ構成について＞
次いで、メモリコントローラ１１８に適用できるメモリの構成について説明する。不良
メモリセルのアドレスを記憶するメモリセルアレイ１３８は、データを保持しておく必要
性から不揮発性メモリで構成する。不揮発性メモリとしては、フローティングゲートを備
えたトランジスタで構成されるメモリを適用することができる。具体的にはＮＯＲ型、Ｎ
ＡＮＤ型の不揮発性メモリである。このような不揮発性メモリはシリコン半導体によるＭ
ＯＳＦＥＴで実現されるので、メモリコントローラの回路の中に作り込むことができる。
【００８６】
メモリコントローラ１１８に適用できるメモリとして図５〜図７に示すようなメモリ回
路を適用することもできる。これらのメモリ回路は書き込みトランジスタのオフ電流が小
さいことにより、第１トランジスタ１４２のゲート電極に電圧を印加するキャパシタに電
荷を蓄積することができるので、実質的に不揮発性メモリとして動作させることができる
。これらのメモリ回路は、フローティングゲート型のトランジスタで構成される不揮発性
メモリのように、書き込み及び消去に高電圧を必要としないので、消費電力を小さくする
ことができる。また、ダイナミックＲＡＭのように、キャパシタの電荷を保持するために
短い間隔でリフレッシュ動作をする必要がない。このように、低電圧駆動及び低消費電力
化を図る観点から図５〜図７に示すような不揮発性メモリ回路を適用することは好ましい
。
【００８７】
＜メモリセルアレイ１００と、メモリコントローラのメモリの組み合わせについて＞
本実施の形態における半導体記憶装置は、メモリコントローラに冗長機能を発揮させる
ためのメモリを設けたことを特徴の一つとしているが、メモリセルアレイ１００とメモリ
セルアレイ１３８の組み合わせは任意なものとすることができる。
【００８８】
例えば、シリコン半導体を用いたトランジスタでメモリセルアレイ１００を構成し、メ
モリコントローラ１１８のメモリセルアレイ１３８もシリコン半導体を用いたトランジス
タで構成することが可能である。この場合には、既存の生産ラインを使って製造すること
ができる。
【００８９】
また、シリコン半導体を用いたトランジスタでメモリセルアレイ１００を構成し、メモ
リコントローラ１１８のメモリセルアレイ１３８をシリコン半導体よりも禁制帯幅の広い
半導体を用いたトランジスタで構成することが可能である。そうすると、メモリコントロ
ーラ１１８において、トンネル電流を流してのデータの書き込み及び消去がないので、処
理速度を高めることができる。また、メモリコントローラ１１８に昇圧回路を設ける必要
がなく、電源線の引き回しを簡略化することができる。
【００９０】
また、メモリセルアレイ１００をシリコン半導体よりも禁制帯幅の広い半導体を用いた
トランジスタで構成し、メモリコントローラ１１８のメモリセルアレイ１３８も同様に、
シリコン半導体よりも禁制帯幅の広い半導体を用いたトランジスタで構成することができ
る。この場合、半導体記憶装置の駆動電圧を単一化することができる。すなわち論理回路
の駆動電圧とメモリ回路の動作に必要な電圧が同じであり、昇圧回路を省略することがで
きる。
【００９１】
＜ＯＳ−Ｓｉハイブリットとする場合のデバイス構造について＞
本発明の一実施形態に係る半導体記憶装置を、シリコン半導体で形成されるトランジス
タと、シリコン半導体よりも禁制帯幅の広い半導体で形成されるトランジスタとを組み合
わせて構成する一例を図８に示す。本例では、シリコン半導体よりも禁制帯幅の広い半導
体材料として酸化物半導体を用いる場合を示す。
【００９２】
図８（Ａ）は半導体記憶装置のメモリセルの一部分を示す平面図であり、図中のＡ１−
Ａ２切断線及びＢ１−Ｂ２切断線に対応する断面図を図８（Ｂ）に示す。以下の説明では
この両図を参照して説明する。
【００９３】
図８（Ａ）及び（Ｂ）は、酸化物半導体で形成される第２トランジスタ１４４と、シリ
コン半導体で形成される第１トランジスタ１４２及びキャパシタ１４６が電気的に接続さ
れた構造を示し、等価回路で示せば図４で示す基本セルと同じ接続構造となっている。な
お、上記トランジスタは、いずれもｎチャネル型トランジスタであるものとして説明する
が、ｐチャネル型トランジスタに置き換えることも可能である。
【００９４】
第１トランジスタ１４２は、半導体基板１５０に形成された絶縁ゲート型電界効果トラ
ンジスタである。第１トランジスタ１４２のゲート電極１５８は、ゲート絶縁層１５６に
よって半導体基板１５０から絶縁されるように設けられている。ゲート電極１５８の側面
側にはサイドウオール絶縁層１６０が設けられている。半導体基板１５０には、ゲート電
極１５８を挟む領域にソース領域及びドレイン領域を形成する不純物領域１５２が設けら
れている。不純物領域１５２の表層部には、ソース領域及びドレイン領域の低抵抗化のた
めにシリサイド層１５４が設けられていても良い。また、不純物領域１５２に接するよう
に素子分離絶縁層１５１が設けられている。
【００９５】
半導体基板１５０上には絶縁層１６２及び絶縁層１６４が設けられている。例えば、絶
縁層１６２は窒化シリコンで形成され、絶縁層１６４は酸化シリコンで形成される。これ
らの絶縁層は、ゲート電極１５８の頂部が露出するように、上面部が平坦化されている。
導電性材料で形成されるコンタクトプラグ１６６、１６８は、絶縁層１６２または絶縁層
１６２及び絶縁層１６４を貫通し、不純物領域１５２（若しくはシリサイド層１５４）と
コンタクトするように設けられている。そして、このコンタクトプラグ１６６、１６８と
それぞれ接するように配線１７０、１７２が、絶縁層１６２、絶縁層１６４上に設けられ
ている。なお、第１トランジスタ１４２は、半導体基板１５０が単結晶シリコンである場
合の他、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板に同様な構造が作り
込まれていても良い。
【００９６】
この平坦化された絶縁層の上に第２トランジスタ１４４が設けられている。第２トラン
ジスタ１４４のドレイン電極１７４は、第１トランジスタ１４２のゲート電極１５８が第
２トランジスタ１４４に向かって延在した領域で、これに接するように設けられている。
このようなゲート電極１５８とドレイン電極１７４とが直接接する構造により、構造が簡
略化されるばかりでなく、コンタクトプラグを絶縁層に埋設する工程が不要となる。
【００９７】
酸化物半導体層１７８は、ドレイン電極１７４とソース電極１７６と接するように設け
られている。第２トランジスタ１４４において、ドレイン電極１７４、ソース電極１７６
の端部は、酸化物半導体層１７８の被覆性を確保するためにテーパー形状であることが好
ましい。ここで、テーパー角は、例えば、３０°以上６０°以下とする。なお、テーパー
角とは、テーパー形状を有する層（例えば、ソース電極１７６またはドレイン電極１７４
）を、その断面（基板の表面と直交する面）に垂直な方向から観察した際に、当該層の側
面と底面がなす傾斜角を示す。
【００９８】
ドレイン電極１７４とソース電極１７６は所定の間隔をもって配設されているので、酸
化物半導体層１７８はその間の領域で、絶縁層１６４と接している。この構造において、
絶縁層１６４は化学的に安定な酸化シリコンで形成されているので、酸化物半導体層１７
８は酸化物を含む絶縁層１６４との接触によって界面の安定性が保たれる。
【００９９】
酸化物半導体層１７８はゲート絶縁層１８０で被覆される。ゲート絶縁層１８０上には
ドレイン電極１７４とソース電極１７６を重畳するようにゲート電極１８２が設けられて
いる。
【０１００】
なお、酸化物半導体層１７８は水素などの不純物が十分に除去されることにより、また
は、十分な酸素が供給されることにより、高純度化されているものであることが望ましい
。具体的には、例えば、酸化物半導体層１７８の水素濃度は５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃ
ｍ３以下、望ましくは５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、より望ましくは５×１０１
７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とする。なお、上述の酸化物半導体層１７８中の水素濃度は、
二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔ
ｒｏｓｃｏｐｙ）で測定したものである。このように、水素濃度が十分に低減されて高純
度化され、十分な酸素の供給により酸素欠乏に起因するエネルギーギャップ中の欠陥準位
が低減された酸化物半導体層１７８では、キャリア密度が１×１０１２／ｃｍ３未満、望
ましくは、１×１０１１／ｃｍ３未満、より望ましくは１．４５×１０１０／ｃｍ３未満
となる。例えば、室温でのオフ電流（ここでは、単位チャネル幅（１μｍ）あたりの値）
は１００ｚＡ／μｍ以下、望ましくは１０ｚＡ／μｍ以下となる。このように、ｉ型化（
真性化）または実質的にｉ型化された酸化物半導体を用いることで、極めて優れたオフ電
流特性の第２トランジスタ１４４を得ることができる。
【０１０１】
キャパシタ１４６は、ドレイン電極１７４、酸化物半導体層１７８、ゲート絶縁層１８
０、および電極１８４の積層構造を有している。このキャパシタ１４６の構造は、誘電率
の高い酸化物半導体層１７８とゲート絶縁層１８０の積層を誘電体として用いることによ
り、誘電体層の膜厚増加による容量減少を防ぐと共に、キャパシタ１４６の電極間の短絡
を防止することができる。
【０１０２】
また、第２トランジスタ１４４およびキャパシタ１４６の上には、パッシベーション層
１８６が設けられており、パッシベーション層１８６上には層間絶縁層１８８が設けられ
ている。
【０１０３】
図８で示す構造は、上記で説明したように、ゲート電極１５８とドレイン電極１７４を
直接接触させることで第１トランジスタ１４２と第２トランジスタ１４４を近接して設け
ることができるので、集積密度を高めることができる。
【０１０４】
次に、上記半導体記憶装置の作製方法の一例について図９を参照して説明する。ここで
、第１トランジスタ１４２は半導体基板１５０（例えば、シリコンウエハー）に作製され
る絶縁ゲート型電界効果トランジスタ、例えば図８で説明したようなトランジスタであれ
ばよい。トランジスタにスイッチング動作をさせるものであれば、第１トランジスタ１４
２のゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の微細な構造は公知の様々な構造を適用す
ることができる。
【０１０５】
図９（Ａ）に示すように、半導体基板１５０の上には、第１トランジスタ１４２が埋設
されるように、窒化シリコンを含む絶縁層１６２及び酸化シリコンを含む絶縁層１６４が
形成される。そして、ゲート電極１５８の頂部が露出するように平坦化加工が行われる。
平坦化加工は、化学機械研磨（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈ
ｉｎｇ）により行うことができる。さらに、絶縁層１６２及び／又は絶縁層１６４に、不
純物領域１５２（若しくはシリサイド層１５４）に達する貫通口を設け、コンタクトプラ
グ１６６、１６８を形成する。
【０１０６】
次に、図９（Ｂ）で示すように、ゲート電極１５８と接触するドレイン電極１７４及び
ドレイン電極１７４と離間して設けられるソース電極１７６を絶縁層１６２又は絶縁層１
６２及び絶縁層１６４上に形成する。ドレイン電極１７４及びソース電極１７６は、チタ
ン、モリブデン、タングステン、タンタルなどの金属、または当該金属の窒化物で形成す
る。ドレイン電極１７４及びソース電極１７６の端部はテーパー状に加工されていること
が好ましい。
【０１０７】
ドレイン電極１７４及びソース電極１７６と同じ膜から形成される、コンタクトプラグ
１６６、１６８と接触する配線１７０、１７２も形成する。
【０１０８】
図９（Ｃ）に示すように、ドレイン電極１７４及びソース電極１７６と接するように、
酸化物半導体層１７８を形成する。酸化物半導体層１７８はスパッタリング法、蒸着法な
どで形成する。その他にも、印刷法や塗布法などの湿式法によって酸化物半導体層１７８
を形成しても良い。酸化物半導体層１７８は第２トランジスタ、キャパシタを形成するの
に必要な大きさに部分的に形成されていれば良いが、半導体基板１５０の素子形成面の全
面に形成されていても良い。
【０１０９】
なお、酸化物半導体の材料として、四元系金属酸化物であるＩｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−
Ｏ系や、三元系金属酸化物であるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚ
ｎ−Ｏ系酸化物半導体、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体、Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系
酸化物半導体、Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体、Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半
導体や、二元系金属酸化物であるＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化
物半導体、Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体、Ｚｎ−Ｍｇ−Ｏ系酸化物半導体、Ｓｎ−Ｍｇ
−Ｏ系酸化物半導体、Ｉｎ−Ｍｇ−Ｏ系酸化物半導体や、Ｉｎ−Ｏ系酸化物半導体、Ｓｎ
−Ｏ系酸化物半導体、Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体などの酸化物半導体を用いることができる
。
【０１１０】
ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＞０）のように表記される酸化物半導体材料がある。ここ
で、Ｍは、ガリウム（Ｇａ）、アルミニウム（Ａｌ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、
マンガン（Ｍｎ）、コバルト（Ｃｏ）などから選ばれた一の金属元素または複数の金属元
素を示す。例えば、Ｍとしては、Ｇａ、ＧａおよびＡｌ、ＧａおよびＦｅ、ＧａおよびＮ
ｉ、ＧａおよびＭｎ、ＧａおよびＣｏなどを適用することができる。ＭにＧａを用いた、
ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＞０）で表記される酸化物半導体は、上記したＩｎ−Ｇａ
−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体材料の代表例である。なお、上述の組成は結晶構造から導き出
されるものであり、あくまでも一例に過ぎないことを付記する。
【０１１１】
酸化物半導体層１７８は、２５０℃から４５０℃の熱処理によって脱水化、脱水素化処
理を行うことが好ましい。酸化物半導体中に含まれる水素の一部はドナーとして振る舞う
ことが指摘されており、その他にも残留するＯＨ基、水分などがあるとトランジスタの信
頼性上好ましくないからである。
【０１１２】
酸化物半導体層１７８上にはゲート絶縁層１８０を形成する。ゲート絶縁層１８０は、
酸化シリコンで形成することが好ましく、その他に酸化ハフニウム膜又は酸化シリコン膜
と酸化ハフニウム膜の積層構造で形成することもできる。酸化物半導体層１７８に水素が
含まれないようにするために、ゲート絶縁層１８０の形成は水素が極力含まれない雰囲気
下で行われることが好ましい。そのような環境を実現可能な成膜法として、スパッタリン
グ法又は蒸着法を採用することが好ましい。
【０１１３】
また、ゲート絶縁層１８０の形成後、不活性ガス雰囲気下、または酸素雰囲気下で第２
の熱処理を行うのが望ましい。第２の熱処理を行うことで、トランジスタの電気的特性の
ばらつきを軽減することができる。また、ゲート絶縁層１８０が酸素を含む場合、酸化物
半導体層１７８に酸素を供給し、該酸化物半導体層１７８の酸素欠損を補填して、ｉ型（
真性）またはｉ型に限りなく近い酸化物半導体層を形成することもできる。
【０１１４】
その後、図９（Ｄ）に示すように、ゲート絶縁層１８０上において酸化物半導体層１７
８と重畳する領域にゲート電極１８２を形成し、ドレイン電極１７４と重畳する領域に電
極１８４を形成する。ゲート電極１８２および電極１８４は、ゲート絶縁層１８０上に導
電層を形成した後に、当該導電層を選択的にエッチングすることによって形成することが
できる。
【０１１５】
さらに、図８を参照して説明したように、パッシベーション層１８６、層間絶縁層１８
８を形成する。なお、上記層間絶縁層１８８は、その表面が平坦になるように形成するこ
とが望ましい。表面が平坦になるように層間絶縁層１８８を形成することで、半導体装置
を微細化した場合などにおいても、層間絶縁層１８８上に、電極や配線などを好適に形成
することができるためである。なお、層間絶縁層１８８の平坦化は、ＣＭＰ（化学機械研
磨）などの方法を用いて行うことができる。
【０１１６】
以上のようにして、図８に示す半導体記憶装置を作製することができる。
【０１１７】
上記のような工程を経て作製された第２トランジスタ１４４は、酸化物半導体層１７８
の水素濃度が、５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、望ましくは５×１０１８ａｔｏｍ
ｓ／ｃｍ３以下、より望ましくは５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下となる。また、酸
化物半導体層１７８のキャリア密度は、一般的なシリコンウェハにおけるキャリア密度（
１×１０１４／ｃｍ３程度）と比較して、十分に小さい値（例えば、１×１０１２／ｃｍ
３未満、より好ましくは、１．４５×１０１０／ｃｍ３未満）をとる。そして、これによ
り、オフ電流が十分に小さくなる。例えば、第２トランジスタ１４４の室温でのオフ電流
（ここでは、単位チャネル幅（１μｍ）あたりの値）は１００ｚＡ／μｍ以下、望ましく
は１０ｚＡ／μｍ以下となる。
【０１１８】
このように高純度化され、真性化された酸化物半導体層１７８を用いることで、第２ト
ランジスタ１４４のオフ電流を十分に低減することができる。そして、このような第２ト
ランジスタ１４４を用いることで、図４に示すメモリの基本セルは、極めて長期にわたり
記憶内容を保持することが可能となる。
【０１１９】
＜ＯＳＦＥＴのオフ電流が低いことの説明＞
上記で説明したように、高純度化を図った酸化物半導体で形成されたトランジスタのオ
フ電流を評価した結果の一例を図１０に示す。
【０１２０】
図１０はトランジスタのゲート電圧対ドレイン電流の特性を示すが、測定に用いたトラ
ンジスタのチャネル幅は１ｍである。ドレイン電圧ＶＤが＋１Ｖまたは＋１０Ｖの場合、
ゲート電圧ＶＧが−５Ｖから−２０Ｖの範囲では、トランジスタのオフ電流は、１×１０
−１２Ａ未満が観測されている。このオフ電流値を単位チャネル幅当たりに換算したトラ
ンジスタのオフ電流密度は１ａＡ／μｍ（１×１０−１８Ａ／μｍ）未満となる。
【０１２１】
この結果より、チャネル幅が１μｍよりもさらに小さいトランジスタを形成すれば、オ
フ電流もさらに下げることができることを示唆している。そして、上記したような方法で
オフ電流が低減されたトランジスタを用いて図４で示すようなメモリの基本セルを構成す
れば、キャパシタ１４６に充電した電荷を長期間保持することが可能であり、実質的に不
揮発性メモリセルとして動作可能である。
【０１２２】
＜応用例＞
図１１（Ａ）は、半導体記憶装置を用いたコンピュータの一例を示す。コンピュータは
、筐体２００、筐体２０２、表示部２０４、キーボード２０６などによって構成されてい
る。コンピュータには記憶媒体としてフラッシュメモリを用いたものはＳＳＤ（Ｓｏｌｉ
ｄ  Ｓｔａｔｅ  Ｄｒｉｖｅ）と呼ばれる記憶媒体を備えているが、本実施の形態で説明
する半導体記憶装置によってＳＳＤを実現することができる。
【０１２３】
従来のフラッシュメモリを用いたＳＳＤに比べ、本実施の形態で示す半導体記憶装置は
低電圧で動作可能であり、書き込み及び読み出し速度が速いばかりでなく、上記で説明し
たように上書き保存が可能であるので、ハードディスクドライブのように使い勝手が良い
というメリットがある。また、メモリの冗長機能が備えられているので、書き換えや書き
込みのときにトラブルが発生する頻度を下げることができる。
【０１２４】
図１１（Ｂ）は携帯電話機の一例を示す。携帯電話機は、筐体２０８と筐体２１０の２
つが重なって、横方向にスライドする構成を有している。筐体２１０は、表示パネル２１
２、スピーカー２１４、マイクロフォン２１６、ポインティングデバイス２１８、カメラ
用レンズ２２０、外部接続端子２２２などが備えられている。また、筐体２０８は、携帯
電話機の充電を行う太陽電池セル２２４、外部メモリスロット２２６などを備えられてい
る。また、アンテナは、筐体２１０に内蔵されている。携帯電話機には、相手先名やその
電話番号などを記録しておく電話帳機能を有する。
【０１２５】
本実施の形態で示す半導体記憶装置を携帯電話機に内蔵させることで、この電話帳機能
を実現することができる。従来のフラッシュメモリでも同様な機能を実現することができ
るが、本実施の形態で示す半導体記憶装置を用いれば、低電圧で動作可能であり、消費電
力を低減することができる。また、メモリの冗長機能が備えられているので、書き換えや
書き込みのときにトラブルが発生する頻度を下げることができる。さらに、本実施の形態
で示す半導体記憶装置は、メール機能や写真撮影機能を実現する場合にも用いることがで
きる。
【０１２６】
図１１（Ｃ）は、電子ペーパーを実装した電子書籍であり、筐体２２８と筐体２３０の
２つの筐体で構成されている。筐体２２８および筐体２３０には、それぞれ電子ペーパー
の表示部２３２および表示部２３４が設けられている。筐体２２８と筐体２３０は、連結
部２３６により接続されている。そして、連結部２３６がある場合、電子書籍を紙媒体の
書籍のように開閉することができる。また、筐体２２８は、電源２３８、操作キー２４０
、スピーカー２４２などを備えている。
【０１２７】
筐体２２８、筐体２３０の少なくとも一には、本実施の形態に示す半導体記憶装置が設
けられている。そのため、情報の書き込みおよび読み出しが高速で、長期間の記憶保持が
可能で、且つ消費電力が十分に低減された電子書籍が実現される。
【符号の説明】
【０１２８】
１００  メモリセルアレイ
１０２  主メモリ領域
１０４  冗長メモリ領域
１０６  Ｘ方向読み出しデコーダー
１０８  Ｘ方向書き込みデコーダー
１１０  Ｙ方向読み出しデコーダー
１１２  Ｙ方向読み出し回路
１１４  Ｙ方向書き込み回路
１１６  Ｙ方向書き込みデコーダー
１１８  メモリコントローラ
１２０  Ｙアドレスラッチ
１２２  Ｘアドレスラッチ
１２４  冗長アドレス記憶部
１２６  冗長Ｘアドレス
１２８  冗長Ｘアドレス
１３０  セレクタ
１３２  アドレスデコーダー
１３４  書き込み回路
１３６  読み出し回路
１３８  メモリセルアレイ
１４０  基本セル
１４２  第１トランジスタ
１４４  第２トランジスタ
１４６  キャパシタ
１５０  半導体基板
１５１  素子分離絶縁層
１５２  不純物領域
１５４  シリサイド層
１５６  ゲート絶縁層
１５８  ゲート電極
１６０  サイドウオール絶縁層
１６２  絶縁層
１６４  絶縁層
１６６  コンタクトプラグ
１６８  コンタクトプラグ
１７０  配線
１７２  配線
１７４  ドレイン電極
１７６  ソース電極
１７８  酸化物半導体層
１８０  ゲート絶縁層
１８２  ゲート電極
１８４  電極
１８６  パッシベーション層
１８８  層間絶縁層
２００  筐体
２０２  筐体
２０４  表示部
２０６  キーボード
２０８  筐体
２１０  筐体
２１２  表示パネル
２１４  スピーカー
２１６  マイクロフォン
２１８  ポインティングデバイス
２２０  カメラ用レンズ
２２２  外部接続端子
２２４  太陽電池セル
２２６  外部メモリスロット
２２８  筐体
２３０  筐体
２３２  表示部
２３４  表示部
２３６  連結部
２３８  電源
２４０  操作キー
２４２  スピーカー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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