(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板に接合されているろう材と、
前記ろう材を介して前記半導体基板に接続されている放熱板であって、前記ろう材を介して前記半導体基板に接続されている領域の外側に形成されているとともに前記ろう材に接触する突起部を有する放熱板と、
前記半導体基板と、前記ろう材と、前記突起部を封止する樹脂、
を有する半導体装置。
【請求項２】
前記放熱板と前記ろう材の間に配置されたスペーサブロックをさらに有し、
前記放熱板が、前記スペーサブロックと前記ろう材を介して前記半導体基板に接続されており、
前記突起部が、前記ろう材と前記スペーサブロックに接触する請求項１の半導体装置。
【請求項３】
半導体装置を製造する方法であって、
半導体基板と、前記半導体基板に接合されているろう材と、前記ろう材を介して前記半導体基板に接続されている放熱板を有する半製品を樹脂によってモールドする工程を有し、
前記放熱板は、前記放熱板がろう材を介して前記半導体基板に接続されている領域の外側に形成されている突起部を有し、
前記工程では、前記樹脂によって、前記半導体基板と、前記ろう材と、前記突起部を封止し、
前記工程では、前記樹脂によって押されて前記突起部が傾斜することによって、前記突起部が前記ろう材に接触する、
方法。
【請求項４】
前記半製品が、前記放熱板と前記ろう材の間に配置されたスペーサブロックをさらに有し、
前記半製品では、前記放熱板が、前記スペーサブロックと前記ろう材を介して前記半導体基板に接続されており、
前記工程では、前記突起部を、前記ろう材と前記スペーサブロックに接触させる請求項３の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、半導体装置が開示されている。この半導体装置において、半導体チップの下面は、下側ヒートシンクにはんだ接合されている。半導体チップの上面は、上側ヒートシンクにはんだ接合されている。半導体チップとはんだは、モールド樹脂により封止されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−１６５５３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１のように放熱板に半導体基板がはんだ接合されている半導体装置において、放熱性のさらなる向上が望まれている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板に接合されているろう材と、前記ろう材を介して前記半導体基板に接続されている放熱板であって、前記ろう材を介して前記半導体基板に接続されている領域の外側に形成されているとともに前記ろう材に接触する突起部を有する放熱板と、前記半導体基板と、前記ろう材と、前記突起部を封止する樹脂を有する。
【０００６】
この半導体装置では、半導体基板で発生した熱が、ろう材を介して放熱板に伝わる。また、ろう材に突起部が接触しているため、ろう材から突起部を経由する経路でも放熱板に熱が伝わる。このように、この半導体装置では、半導体基板から放熱板に熱が伝わる経路が広い。したがって、この半導体装置によれば、より好適に半導体基板の温度上昇を抑制することができる。
【０００７】
また、本発明は、半導体装置を製造する方法を提供する。この方法は、半導体基板と、前記半導体基板に接合されているろう材と、前記ろう材を介して前記半導体基板に接続されている放熱板を有する半製品を樹脂によってモールドする工程を有する。前記放熱板は、前記放熱板がろう材を介して前記半導体基板に接続されている領域の外側に形成されている突起部を有する。前記工程では、前記樹脂によって、前記半導体基板と、前記ろう材と、前記突起部を封止する。前記工程では、前記樹脂によって押されて前記突起部が傾斜することによって、前記突起部が前記ろう材に接触する。
【０００８】
この方法によれば、半導体基板の放熱経路が広い半導体装置を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施形態の半導体装置１０の縦断面図。
【図２】実施形態の半導体装置１０の製造工程の説明図。
【図３】実施形態の半導体装置１０の製造工程の説明図。
【図４】変形例の半導体装置の縦断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
図１に示す実施形態の半導体装置１０は、半導体基板２０と、下側放熱板３０と、スペーサブロック４０と、上側放熱板５０と、樹脂層７０を有している。
【００１１】
半導体基板２０は、半導体層と、半導体層の下面に形成されている下部電極（図示省略）と、半導体層の上面に形成されている上部電極（図示省略）を有している。下部電極は、半導体層の下面全域に形成されている。上部電極は、半導体層の上面の中央部に形成されている。すなわち、上部電極の面積は、半導体層の上面の面積よりも小さい。
【００１２】
下側放熱板３０は、半導体基板２０の下側に配置されている。下側放熱板３０は、Ｃｕ等の熱伝導率が高い金属により構成されている。下側放熱板３０は、はんだ層６２（すなわち、ろう材）によって半導体基板２０の下部電極に接続されている。すなわち、はんだ層６２は、半導体基板２０の下部電極に接合されているとともに、下側放熱板３０の上面に接合されている。
【００１３】
スペーサブロック４０は、半導体基板２０の上側に配置されている。スペーサブロック４０は、Ｃｕ等の熱伝導率が高い金属により構成されている。スペーサブロック４０は、はんだ層６４によって半導体基板２０の上部電極に接続されている。すなわち、はんだ層６４は、半導体基板２０の上部電極に接合されているとともに、スペーサブロック４０の下面に接合されている。
【００１４】
上側放熱板５０は、スペーサブロック４０の上側に配置されている。上側放熱板５０は、Ｃｕ等の熱伝導率が高い金属により構成されている。上側放熱板５０は、本体５２と、２つの突起部５４を有している。２つの突起部５４は、本体５２の下面５２ａから下側に突出している。下面５２ａのうち、２つの突起部５４に挟まれた領域は、スペーサブロック４０を実装するための実装面５６となっている。実装面５６は、はんだ層６６によってスペーサブロック４０の上面に接続されている。すなわち、はんだ層６６は、スペーサブロック４０の上面に接合されているとともに、上側放熱板５０の実装面５６に接合されている。各突起部５４は、スペーサブロック４０側に傾斜している。各突起部５４の先端は、はんだ層６４とスペーサブロック４０に接触している。なお、図示していないが、半導体基板２０の上面には、上述した上部電極の他に、図示しない信号入出力用の電極が形成されている。上記のようにスペーサブロック４０を介して上側放熱板５０を半導体基板２０の上部電極に接続することで、上側放熱板５０が信号入出力用の電極や配線と接触することを防止することができる。
【００１５】
樹脂層７０は、下側放熱板３０の上面と、はんだ層６２と、半導体基板２０と、はんだ層６４と、スペーサブロック４０と、はんだ層６６と、上側放熱板５０の下面を覆っている。
【００１６】
下側放熱板３０と上側放熱板５０は、半導体基板２０に通電するための電極を兼ねている。半導体基板２０に通電すると、半導体基板２０が発熱する。半導体基板２０で発生した熱は、図１の矢印１００に示す経路で下側放熱板３０に伝わる。半導体基板２０の下部電極は半導体基板２０の下面全域に形成されているので、矢印１００に示すように、半導体基板２０から下側放熱板３０に向かって熱が拡散しながら伝わる。したがって、半導体基板２０から下側放熱板３０に効率的に熱が伝わる。
【００１７】
また、半導体基板２０で発生した熱は、図１の矢印１０２に示す経路で上側放熱板５０に伝わる。さらに、突起部５４がはんだ層６４及びスペーサブロック４０に接触しているため、矢印１０４に示す経路でも半導体基板２０から上側放熱板５０に熱が伝わる。このように、半導体装置１０では、上側の放熱経路がスペーサブロック４０に限定されず、突起部５４を介した経路でも上側放熱板５０に熱が伝わる。このため、矢印１０２、１０４に示すように、半導体基板２０から上側放熱板５０に向かって熱が拡散しながら伝わる。したがって、半導体基板２０から上側放熱板５０に効率的に熱が伝わる。
【００１８】
以上に説明したように、この半導体装置１０では、半導体基板２０の上部電極の面積が小さくても、半導体基板２０から上側放熱板５０に効率的に熱を伝えることができる。したがって、この半導体装置１０では、半導体基板２０の温度上昇を効果的に抑制することができる。
【００１９】
次に、半導体装置１０の製造方法について説明する。まず、図２に示す上側放熱板５０を用意する。この段階では、上側放熱板５０の突起部５４は、下面５２ａに対して略垂直に立設されている。次に、はんだ付けによって、図２に示すように上側放熱板５０、スペーサブロック４０、半導体基板２０及び下側放熱板３０を接続する。すなわち、はんだ層６２によって、半導体基板２０の下部電極を下側放熱板３０の上面に接続する。はんだ層６４によって、半導体基板２０の上部電極をスペーサブロック４０の下面に接続する。はんだ層６６によって、スペーサブロック４０の上面を、上側放熱板５０の実装面５６に接続する。以下では、図２に示す部材を、半製品１２という。
【００２０】
次に、図３に示すように、半製品１２を、成形型８０のキャビティ８２内に設置する。成形型８０には、キャビティ８２に繋がるランナー８４が形成されている。各突起部５４は、ランナー８４に対向する位置にセットされる。すなわち、突起部５４の外側の表面（すなわち、スペーサブロック４０と対向している表面と反対側の表面）が、ランナー８４に対向する。次に、ランナー８４を通してキャビティ８２内に樹脂を充填する。すると、ランナー８４からキャビティ８２内に流入する樹脂の圧力によって、図３に示すように、各突起部５４がスペーサブロック４０側に傾斜するように変形する。すなわち、各突起部５４が樹脂に押されて動く。その結果、各突起部５４の先端が、はんだ層６２とスペーサブロック４０に接触する。このように各突起部５４が樹脂に押されてスペーサブロック４０側に傾斜すると、スペーサブロック４０の厚みや位置（特に図３の縦方向の位置）にばらつき（誤差）がある場合でも、各突起部５４が確実にスペーサブロック４０及びはんだ層６２と接触することができる。また、キャビティ８２内に充填された樹脂は、下側放熱板３０の上面と、はんだ層６２と、半導体基板２０と、はんだ層６４と、スペーサブロック４０と、はんだ層６６と、上側放熱板５０の下面を封止する。キャビティ８２内に充填された樹脂が固化すると、図１の樹脂層７０となる。これによって、図１の半導体装置１０が完成する。
【００２１】
なお、上述した実施形態では、半導体基板２０がスペーサブロック４０を介して上側放熱板５０に接続されていたが、スペーサブロック４０が存在せず、半導体基板２０がはんだ層のみを介して上側放熱板５０に接続されていてもよい。例えば、図４に示すように、上側放熱板５０に凸状の台座部５８を設け、はんだ層６８によって台座部５８に半導体基板２０を接続してもよい。この構成でも、上側放熱板５０が半導体基板２０の上面の信号制御用の電極や配線と接触することを防止することができる。また、この構造でも、各突起部５４がはんだ層６８に接触していることによって、半導体基板２０から上側放熱板５０へ効果的に放熱することができる。
【００２２】
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例をさまざまに変形、変更したものが含まれる。
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【符号の説明】
【００２３】
１０：半導体装置
１２：半製品
２０：半導体基板
３０：下側放熱板
４０：スペーサブロック
５０：上側放熱板
５４：突起部
６２：はんだ層
６４：はんだ層
６６：はんだ層
７０：樹脂層
８０：成形型
８２：キャビティ
８４：ランナー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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