(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に、第１領域と第２領域を有する複数の半導体層を形成する工程と、
前記第２領域に選択エッチング層を形成する工程と、
前記第１領域に回折格子を形成しつつ、前記第２領域に前記選択エッチング層を貫通するへき開溝を前記回折格子と平行に形成する工程と、
前記回折格子と前記へき開溝を埋める上クラッド層を形成する工程と、
前記上クラッド層の上に、前記へき開溝の幅よりも幅が広い開口を前記へき開溝の直上に有する絶縁膜を形成する工程と、
前記選択エッチング層に対して、前記開口に露出した前記上クラッド層と、前記へき開溝を埋める前記上クラッド層と、前記へき開溝の底部に露出した前記複数の半導体層を選択エッチングする工程と、
前記選択エッチングする工程の後に、前記へき開溝に沿って前記基板をへき開する工程と、
を備えたことを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項２】
前記選択エッチングにより前記へき開溝の底部は前記基板に達したことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項３】
基板の上に複数の半導体層を形成する工程と、
前記複数の半導体層の上に、回折格子を形成するための第１パターンと、前記第１パターンと平行に伸びる方向に残しパターンである第２パターンを有する絶縁膜を形成する工程と、
前記第１パターンと前記第２パターンをマスクとして前記複数の半導体層をエッチングする工程と、
前記エッチングする工程の後に、前記第１パターンを除去する工程と、
前記第１パターンを除去した後に、前記第２パターンの上を避けて前記複数の半導体層の上に上クラッド層を選択成長し、前記第２パターンの上に前記上クラッド層の側面で構成されるへき開溝を形成する工程と、
前記へき開溝を形成した後に、前記第２パターンを除去する工程と、
前記第２パターンを除去した後に、前記へき開溝に沿って前記基板をへき開する工程と、
を備えたことを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項４】
前記絶縁膜を形成する工程では、前記第２パターンとして第１絶縁膜の上に第２絶縁膜を有する構成を形成し、前記第１パターンは前記第２絶縁膜と同じ材料で形成し、
前記第２絶縁膜は前記第１絶縁膜に対して選択エッチング可能であり、
前記第１パターンを除去する工程では、前記第２パターンの前記第２絶縁膜も除去され、
前記第２パターンを除去する工程では、前記第１絶縁膜が除去されることを特徴とする請求項３に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項５】
基板の上に複数の半導体層を形成する工程と、
前記複数の半導体層の上に、回折格子を形成するための第１パターンと、前記第１パターンと平行に伸びる方向に開口がある第２パターンを有する絶縁膜を形成する工程と、
前記第１パターンと前記第２パターンをマスクとして前記複数の半導体層をエッチングして、前記回折格子と、前記開口に沿ったへき開溝を形成しつつ、前記エッチングで表れた前記半導体層の側面と底面にポリマーを形成する工程と、
前記ポリマーを形成する工程の後に前記第１パターンを除去する工程と、
前記第１パターンを除去した後に前記第２パターンと前記へき開溝の中を避けて前記回折格子を埋め込むように上クラッド層を選択成長する工程と、
前記選択成長する工程の後に、前記第２パターンと、前記へき開溝の前記ポリマーを除去する工程と、
前記ポリマーを除去する工程の後に、前記へき開溝に沿って前記基板をへき開する工程と、を備え、
前記へき開溝は一度も半導体材料に埋め込まれることがないことを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項６】
前記エッチングではＳｉを含むエッチングガスを用い、
前記ポリマーとしてＳｉ系ポリマーを形成することを特徴とする請求項５に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項７】
基板の上に複数の半導体層を形成する工程と、
前記複数の半導体層の一部に回折格子を形成する工程と、
前記複数の半導体層に前記回折格子と平行にへき開溝を形成する工程と、
前記へき開溝の底面に向かってレーザ光を照射し前記へき開溝の底面の下にダメージ層を形成する工程と、
前記ダメージ層を形成する工程の後に、前記へき開溝に沿って前記基板をへき開する工程と、を備え、
前記ダメージ層を形成する工程の前に、前記へき開溝の斜面に反射膜を形成したことを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば光通信などに用いられる半導体レーザ素子の製造方法と半導体レーザ素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、発振波長を制御するための回折格子を有する半導体レーザ素子の製造方法が開示されている。この製造方法では、回折格子の周期的パターンと平行に、基板の切断位置を案内する溝を形成する。そして、この溝に沿って基板を切断することで、回折格子パターンに対して基板の切断面（へき開面）を平行にする。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開昭６１−２２０４９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に開示の製造方法では、溝を形成したい部分に収束イオンビームを照射し、溝を形成し、かつ溝内の結晶はアモルファス状態とする。そして、回折格子の埋め込み成長のために形成されるエピタキシャル層を当該アモルファスの上にも形成する。その後、アモルファスとその上のエピタキシャル層を、塩酸を含むエッチャントで選択的にエッチングする。しかしながらこのエッチングでは、エピタキシャル層のエッチング位置がアモルファスの直上からずれることがあった。また、溝を所望の深さまで形成できないこともあった。このように、特許文献１に開示の製造方法では、安定的に所望の形状の溝を形成できない問題があった。
【０００５】
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、回折格子の端面位相を制御した半導体レーザ素子の製造方法と半導体レーザ素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る半導体レーザ素子の製造方法は、基板の上に、第１領域と第２領域を有する複数の半導体層を形成する工程と、該第２領域に選択エッチング層を形成する工程と、該第１領域に回折格子を形成しつつ、該第２領域に該選択エッチング層を貫通するへき開溝を該回折格子と平行に形成する工程と、該回折格子と該へき開溝を埋める上クラッド層を形成する工程と、該上クラッド層の上に、該へき開溝の幅よりも幅が広い開口を該へき開溝の直上に有する絶縁膜を形成する工程と、該選択エッチング層に対して、該開口に露出した該上クラッド層と、該へき開溝を埋める該上クラッド層と、該へき開溝の底部に露出した該複数の半導体層を選択エッチングする工程と、該選択エッチングする工程の後に、該へき開溝に沿って該基板をへき開する工程と、を備えたことを特徴とする。
【０００７】
本発明に係る他の半導体レーザ素子の製造方法は、基板の上に複数の半導体層を形成する工程と、該複数の半導体層の上に、回折格子を形成するための第１パターンと、該第１パターンと平行に伸びる方向に残しパターンである第２パターンを有する絶縁膜を形成する工程と、該第１パターンと該第２パターンをマスクとして該複数の半導体層をエッチングする工程と、該エッチングする工程の後に、該第１パターンを除去する工程と、該第１パターンを除去した後に、該第２パターンの上を避けて該複数の半導体層の上に上クラッド層を選択成長し、該第２パターンの上に該上クラッド層の側面で構成されるへき開溝を形成する工程と、該へき開溝を形成した後に、該第２パターンを除去する工程と、該第２パターンを除去した後に、該へき開溝に沿って該基板をへき開する工程と、を備えたことを特徴とする。
【０００８】
本発明に係る他の半導体レーザ素子の製造方法は、基板の上に複数の半導体層を形成する工程と、該複数の半導体層の上に、回折格子を形成するための第１パターンと、該第１パターンと平行に伸びる方向に開口がある第２パターンを有する絶縁膜を形成する工程と、該第１パターンと該第２パターンをマスクとして該複数の半導体層をエッチングして、該回折格子と、該開口に沿ったへき開溝を形成しつつ、該エッチングで表れた該半導体層の側面と底面にポリマーを形成する工程と、該ポリマーを形成する工程の後に該第１パターンを除去する工程と、該第１パターンを除去した後に該第２パターンと該へき開溝の中を避けて該回折格子を埋め込むように上クラッド層を選択成長する工程と、該選択成長する工程の後に、該第２パターンと、該へき開溝の該ポリマーを除去する工程と、該ポリマーを除去する工程の後に、該へき開溝に沿って該基板をへき開する工程と、を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、半導体レーザ素子の回折格子とへき開面を平行に形成できる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施の形態１に係る半導体レーザ素子の斜視図である。
【図２】基板の上に半導体層を形成する工程を示す図である。
【図３】第２領域に選択エッチング層と酸化防止膜を形成することを示す図である。
【図４】絶縁膜とレジストパターンを形成したことを示す図である。
【図５】絶縁膜をエッチングしたことを示す図である。
【図６】エッチングによりへき開溝と回折格子を形成することを示す図である。
【図７】第２上クラッド層を形成することを示す図である。
【図８】パターニングされたレジストをマスクとして絶縁膜をエッチングしたことを示す図である。
【図９】選択エッチング後の半導体レーザ素子を示す図である。
【図１０】選択エッチング後の処理を示す図である。
【図１１】本発明の実施の形態２に係る半導体レーザ素子の斜視図である。
【図１２】絶縁膜を形成したことを示す図である。
【図１３】絶縁膜をパターニングするためのレジストパターンを形成したことを示す図である。
【図１４】絶縁膜をパターニングしたことを示す図である。
【図１５】エッチング後の半導体レーザ素子を示す図である。
【図１６】選択エッチングしたことを示す図である。
【図１７】第２上クラッド層を形成したことを示す図である。
【図１８】絶縁膜と電極を形成したことを示す図である。
【図１９】本発明の実施の形態３に係る半導体レーザ素子の斜視図である。
【図２０】絶縁膜を形成したことを示す図である。
【図２１】エッチング後の半導体レーザ素子を示す図である。
【図２２】レジストを形成したことを示す図である。
【図２３】レジストを除去したことを示す図である。
【図２４】第２上クラッド層を形成したことを示す図である。
【図２５】絶縁膜と電極を形成したことを示す図である。
【図２６】本発明の実施の形態４に係る半導体レーザ素子の斜視図である。
【図２７】基板の上に複数の半導体層を形成したことを示す図である。
【図２８】絶縁膜とレジストパターンを形成したことを示す図である。
【図２９】絶縁膜をエッチングした後にレジストパターンを除去したことを示す図である。
【図３０】回折格子を形成したことを示す図である。
【図３１】第２上クラッド層の上に絶縁膜を形成したことを示す図である。
【図３２】へき開溝を形成したことを示す図である。
【図３３】絶縁膜と電極を形成したことを示す図である。
【図３４】本発明の実施の形態５に係る半導体レーザ素子の斜視図である。
【図３５】絶縁膜及びレジストパターンを形成したことを示す図である。
【図３６】第１絶縁膜をエッチングし、その後レジストを除去したことを示す図である。
【図３７】エッチング後の半導体レーザ素子を示す図である。
【図３８】レジストに覆われない絶縁膜とポリマーをエッチングしたことを示す図である。
【図３９】第２上クラッド層を形成したことを示す図である。
【図４０】レジストを形成したことを示す図である。
【図４１】エッチングしてへき開溝を深堀りしたことを示す図である。
【図４２】絶縁膜と電極を形成したことを示す図である。
【図４３】本発明の実施の形態６に係る半導体レーザ素子の斜視図である。
【図４４】第２上クラッド層の側面で構成されるへき開溝が形成されることを示す図である。
【図４５】レジストと反射膜を形成したことを示す図である。
【図４６】反射膜の一部をリフトオフしたことを示す図である。
【図４７】レーザ光を照射することを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１に係る半導体レーザ素子の斜視図である。本発明の実施の形態１に係る半導体レーザ素子１０は、１．３μｍ帯ＩｎＰ系ＤＦＢレーザ素子で形成されている。半導体レーザ素子１０は、基板１２を備えている。基板１２はＩｎＰで形成されている。基板１２の上にはＩｎＰを用いた下クラッド層１４が形成されている。下クラッド層１４の上にはＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰのＭＱＷ構造を用いた活性層１６が形成されている。活性層１６の上にはＩｎＰを用いた第１上クラッド層１８が形成されている。
【００１６】
半導体レーザ素子１０は、その中央に形成されたリッジ部１０ａと、リッジ部１０ａよりも高さが低くリッジ部１０ａの左右に形成されたチャネル部１０ｂと、リッジ部１０ａとほぼ同じ高さでチャネル部１０ｂより外側に形成されたテラス部１０ｃを有する。リッジ部１０ａとチャネル部１０ｂを第１領域１０Ａと称する。テラス部１０ｃを第２領域１０Ｂと称する。リッジ部１０ａとテラス部１０ｃにおける第１上クラッド層１８の上にはＩｎＧａＡｓＰを用いた回折格子層２０が形成されている。回折格子層２０の上にはＩｎＰを用いた回折格子キャップ層２２が形成されている。回折格子層２０と回折格子キャップ層２２は図１のＡ−Ａ′方向に沿って周期的な回折格子構造を形成している。テラス部１０ｃにおける回折格子キャップ層２２の上にはＡｌＩｎＡｓを用いた選択エッチング層２４が形成されている。
【００１７】
選択エッチング層２４の上、及び回折格子キャップ層２２の上にはＩｎＰを用いた第２上クラッド層２６が形成されている。第１領域１０Ａと第２領域１０Ｂの表面は、ＳｉＯ２を用いた絶縁膜２８及びその上の電極３０で覆われている。
【００１８】
図１に示されるように、第２領域１０Ｂの端面部分３２は第１領域１０Ａの端面よりも一段奥に位置している。この端面部分３２には選択エッチング層２４、回折格子キャップ層２２、回折格子層２０、第１上クラッド層１８、活性層１６、下クラッド層１４、及び基板１２の断面が表れている。また、半導体レーザ素子１０を平面視すると、端面部分３２に沿って選択エッチング層２４が表れている。
【００１９】
続いて、半導体レーザ素子１０の製造方法について説明する。製造方法については図１のＡ−Ａ′線（リッジ部１０ａの共振器長方向の線）沿いの第１断面と、図１のＢ−Ｂ′線（テラス部１０ｃの共振器長方向の線）沿いの第２断面について説明する。なお、図１の半導体レーザ素子１０はへき開を終えたものであるが、製造方法の説明をする都合上、上述したどちらの線もへき開されるへき開面を跨ぐように引かれたものとする。
【００２０】
図２は、基板の上に半導体層を形成する工程を示す図である。半導体層とは、下クラッド層１４などの半導体で形成された層のいずれかを指す用語である。図２Ａは第１断面、図２Ｂは第２断面である（Ａ図が第１断面を示しＢ図が第２断面を示すのは、Ａ図とＢ図を備えた他の図についても同様である）。第１領域１０Ａ、及び第２領域１０Ｂには、下クラッド層１４、活性層１６、第１上クラッド層１８、回折格子層２０、及び回折格子キャップ層２２を形成する。こうして、基板１２の上に、第１領域１０Ａと第２領域１０Ｂを有する複数の半導体層を形成する。
【００２１】
次いで、第２領域１０Ｂに選択エッチング層と酸化防止膜を形成する。図３は、第２領域に選択エッチング層と酸化防止膜を形成することを示す図である。この工程では、第２領域１０Ｂにおける回折格子キャップ層２２の上に選択エッチング層２４を形成する。さらに、選択エッチング層２４の上に選択エッチング層２４の酸化を抑制する酸化防止膜４０をＩｎＰで形成する。
【００２２】
次いで、第１領域１０Ａと第２領域１０Ｂの表面に絶縁膜を形成し、その後レジストパターンを形成する。図４は、絶縁膜とレジストパターンを形成したことを示す図である。まず、第１領域１０Ａと第２領域１０Ｂの表面に、ＳｉＯ２を用いた絶縁膜４２を形成する。その後、絶縁膜４２の上にレジストパターン４４を形成する。レジストパターンは、まずスピンコートによりＥＢ露光用のレジストを形成し、その後ＥＢ露光にてリッジ部１０ａでは回折格子のパターン４４ａを形成し、テラス部１０ｃでは溝４４ｂを形成する。平面視で溝４４ｂの伸びる方向は、回折格子のパターン４４ａの伸びる方向と平行である。回折格子のパターン４４ａの周期は、半導体レーザ素子１０の出力波長に依存するが、例えば２００−２５０ｎｍで形成する。溝４４ｂの抜きパターンの幅は当該周期の１／８以下とする。
【００２３】
図４の一点破線は、将来へき開する部分を示す。図４から明らかなように、溝４４ｂはへき開する部分の上に形成する。回折格子のパターン４４ａはへき開する部分の上に形成する。次いで、このレジストパターン４４をマスクにＲＩＥ法等により絶縁膜４２をエッチングする。図５は、絶縁膜をエッチングしたことを示す図である。絶縁膜は、リッジ部１０ａにおいて回折格子のパターン４２ａを有し、テラス部１０ｃにおいて開口４２ｂを有する。その後レジストパターン４４を除去する。
【００２４】
次いで、絶縁膜４２をマスクとしてエッチングを行う。図６は、エッチングによりへき開溝と回折格子を形成することを示す図である。このエッチングにより、第１領域１０Ａのリッジ部１０ａに回折格子５２を形成しつつ、第２領域１０Ｂに選択エッチング層２４を貫通するへき開溝５０を回折格子５２と平行に形成する。回折格子５２は、回折格子キャップ層２２、回折格子層２０、及び第１上クラッド層１８の途中までエッチングして形成する。へき開溝５０は、少なくとも酸化防止膜４０と選択エッチング層２４をエッチングして形成する。このエッチングは、例えばＣＨ４／Ｈ２系のガスなどの選択エッチング性の少ないエッチングガスを用いたＲＩＥ法などで行う。        
【００２５】
次いで、絶縁膜４２を、フッ素系ガスによるドライエッチ又はフッ酸系薬液によるウェットエッチにより除去する。次いで、第２上クラッド層を形成する。図７は、第２上クラッド層を形成することを示す図である。第２上クラッド層５４は回折格子５２とへき開溝５０を埋めるように形成する。なお、第２上クラッド層５４の最表面付近にはキャリア濃度を上げ、コンタクト抵抗を下げるためにＩｎＧａＡｓ層を形成することがある。
【００２６】
次いで、第２上クラッド層の上に、開口を有する絶縁膜を形成する。図８は、パターニングされたレジストをマスクとして絶縁膜をエッチングしたことを示す図である。絶縁膜６０は第２上クラッド層５４の上に形成する。絶縁膜６０の上にレジスト６２を形成する。レジスト６２はへき開溝５０の直上に開口６２ａを有するようにパターニングする。開口６２ａの幅はへき開溝５０の幅より広い。そして、レジスト６２をマスクとして絶縁膜６０をエッチングする。このエッチングにより、第２上クラッド層５４の上に、へき開溝５０の幅よりも幅が広い開口６０ａをへき開溝５０の直上に有する絶縁膜６０を形成する。
【００２７】
次いで、絶縁膜６０をマスクに選択エッチングを実施する。図９は、選択エッチング後の半導体レーザ素子を示す図である。このエッチングでは、選択エッチング層２４に対するエッチレートを低く、選択エッチング層２４以外の半導体層に対するエッチレートを高くする。具体的には、例えばＣＨ４／Ｈ２系ガスに酸素を添加したエッチングガスを用いて、選択エッチング層２４の表面を酸化し選択エッチング層２４のエッチングレートを低下させる。そして、選択エッチング層２４に対して、開口６０ａに露出した第２上クラッド層５４と、へき開溝５０を埋める第２上クラッド層５４と、へき開溝５０の底部に露出した複数の半導体層を選択エッチングする。
【００２８】
へき開溝５０はこの選択エッチングにより深堀されてトレンチを形成する。選択エッチング後のへき開溝５０の底部は基板１２に達する。選択エッチングの後に、絶縁膜６０を除去する。図１０は、選択エッチング後の処理を示す図である。ドライエッチング等によりリッジ構造１０ａ、１０ｂを形成した後、図１０Ａに示すようにリッジ部１０ａには、電流を部分的に流すためにＣＶＤ、蒸着又はスパッタ等により絶縁膜２８及び電極３０を形成する。
【００２９】
次いで、へき開溝５０に沿って基板１２をへき開する。具体的には、へき開溝５０に対し３点支持法等を用いて荷重を印加する。基板１２の面側から荷重を印加することにより、へき開溝５０が押し広げられ、へき開溝５０先端に荷重が集中し、へき開溝５０を起点として基板１２をへき開する。こうして図１に示す半導体レーザ素子１０を製造する。
【００３０】
本発明の実施の形態１に係る半導体レーザ素子の製造方法では、回折格子の形成と同時に選択エッチング層２４を貫通するへき開溝５０を形成し、その後選択エッチング層２４をマスクにしてへき開溝をさらに深くする選択エッチングを実施する。つまり、選択エッチング層を導入することにより、所謂セルフアライメントでへき開溝を形成することができる。そして、選択エッチングにより基板１２のへき開位置を案内するのに十分に深いへき開溝５０を形成することができる。
【００３１】
このように本発明の実施の形態１に係る半導体レーザ素子の製造方法は、選択エッチングによりへき開溝５０内の物質を確実に除去でき、かつへき開溝５０が十分深いのでへき開溝５０に沿ったへき開が可能となる。よって、容易な方法で回折格子とへき開面を平行に形成し単一波長性の高い半導体レーザ素子を形成することができる。なお、結晶レベルでは、へき開溝を結晶軸に対し完全に平行には形成できない為、へき開によりへき開面にへき開段差が発生することは避けられない。しかしながら当該へき開段差はへき開溝５０下部で発生するため、レーザの発光点を有するリッジ部１０ａでは、結晶レベルで平坦な面を得ることが出来る。
【００３２】
さらに、図８の絶縁膜６０の開口６０ａの幅を、へき開溝５０の幅よりも広くすることにより、選択エッチングの際のアスペクト比を改善し、より確実にへき開溝５０を深堀することができる。
【００３３】
本発明の実施の形態１に係る半導体レーザ素子の製造方法及び半導体レーザ素子では、リッジ型でかつ活性層の上に回折格子層がある構造に限らず、埋め込み型や回折格子が活性層の下にある構造にも応用できる。また、回折格子層のある部分でへき開することとしたが、回折格子層がない部分でへき開してもよい。その他、本発明の特徴を失わない範囲で様々な変形が可能である。
【００３４】
実施の形態２．
本発明の実施の形態２に係る半導体レーザ素子の製造方法と半導体レーザ素子については、実施の形態１との相違点を中心に説明する。図１１は、本発明の実施の形態２に係る半導体レーザ素子の斜視図である。半導体レーザ素子１００の特徴は、選択成長により形成されたテラス部１０ｃにおける第２上クラッド層２６が斜面２６ａを有していることである。なお、斜面２６ａの角度は任意である。
【００３５】
続いて、半導体レーザ素子１００の製造方法について説明する。まず、基板１２の上に複数の半導体層を形成する。次いで、回折格子キャップ層の上に絶縁膜を形成する。図１２は、絶縁膜を形成したことを示す図である。図１２の一点破線はへき開位置を示す。図１２Ｂに示すように、テラス部１０ｃには第１絶縁膜１０２と第２絶縁膜１０４を形成する。へき開位置では、第１絶縁膜１０２の上に第２絶縁膜１０４を重ねて形成する。第１絶縁膜１０２は例えばＳｉＮであり、第２絶縁膜は例えばＳｉＯ２である。フッ酸系のウェットエッチングを行うと第１絶縁膜１０２に対して第２絶縁膜１０４を選択的にエッチングできる。一方、図１２Ａに示すように、リッジ部１０ａには第２絶縁膜１０４を形成する。
【００３６】
次いで、レジストパターンを形成する。図１３は、絶縁膜をパターニングするためのレジストパターンを形成したことを示す図である。図１３Ａに示すように、リッジ部１０ａのレジスト１０６ａには回折格子を形成するためのパターンを形成する。また、図１３Ｂに示すように、テラス部１０ｃのレジスト１０６ｂはへき開位置の上に残るようにパターニングする。テラス部１０ｃのレジスト１０６ｂは、回折格子を形成するためのレジスト１０６ａと平行に伸びるラインパターンである。
【００３７】
次いで、レジスト１０６をマスクに絶縁膜をパターニングする。図１４は、絶縁膜をパターニングしたことを示す図である。このパターニングはＲＩＥ等のドライエッチングで行う。このパターニングにより、複数の半導体層の上に、回折格子を形成するための第１パターン１０４ａと、第１パターンと平行に伸びる方向に残しパターンである第２パターン１０２ｂ、１０４ｂを形成する。その後レジスト１０６を除去する。
【００３８】
次いで、絶縁膜（第１パターン１０４ａと第２パターン１０２ｂ、１０４ｂ）をマスクに複数の半導体層のうち、回折格子キャップ層２２、回折格子層２０、第１上クラッド層１８をエッチングする。図１５は、エッチング後の半導体レーザ素子を示す図である。この工程では、回折格子キャップ層２２、回折格子層２０、第１上クラッド層１８の一部までエッチングする。エッチングには例えばＣＨ４／Ｈ２ガスを用いる。第１パターン１０４ａをマスクにエッチングするリッジ部１０ａでは回折格子を形成し、第２パターン１０２ｂ、１０４ｂをマスクにエッチングするテラス部１０ｃでは第１パターン１０４ａと平行の残しパターンが残る。
【００３９】
次いで、フッ酸系のウェットエッチングにより第２パターン１０２ｂに対して、第１パターン１０４ａと第２パターン１０４ｂを選択的にエッチングする。図１６は、選択エッチングしたことを示す図である。このエッチング後も第２パターン１０２ｂは残るので、第２パターンは維持される。
【００４０】
次いで、エピタキシャル成長により第２上クラッド層を形成する。図１７は、第２上クラッド層を形成したことを示す図である。第２上クラッド層１１０は、第２パターン１０２ｂの上を避けて複数の半導体層の上に形成する。第２上クラッド層１１０は複数の半導体層の上に選択的に形成するので、第２パターン１０２ｂの上には上クラッド層１１０の側面で構成されるへき開溝１１０ａが形成される。
【００４１】
へき開溝１１０ａを形成した後に、テラス部１０ｃの第１絶縁膜１０２（第２パターン１０２ｂ）を除去する。次いで、ドライエッチング等によりリッジ構造１０ａ、１０ｂを形成した後、絶縁膜と電極を形成する。図１８は、絶縁膜と電極を形成したことを示す図である。図１８Ａに示すようにリッジ部１０ａには、電流を部分的に流すためにＣＶＤ、蒸着又はスパッタ等により絶縁膜２８及び電極３０を形成する。
【００４２】
次いで、へき開溝１１０ａに沿って基板１２をへき開する。具体的には、へき開溝１１０ａに対し３点支持法等を用いて荷重を印加する。基板１２の面側から荷重を印加することにより、へき開溝１１０ａが押し広げられ、へき開溝１１０ａ先端に荷重が集中し、へき開溝１１０ａを起点として基板１２をへき開する。こうして図１１に示す半導体レーザ素子１００を製造する。
【００４３】
本発明の実施の形態２に係る半導体レーザ素子の製造方法によれば、複数の半導体層の上に、回折格子を形成するための第１パターン１０４ａと平行に伸びる方向に残しパターンである第２パターン１０２ｂ、１０４ｂを形成する。第２パターン１０２ｂ、１０４ｂはへき開位置に沿って形成される。第２パターン１０２ｂを避けて形成される第２上クラッド層１１０により、第２上クラッド層１１０の側面で構成されるへき開溝１１０ａを第２パターン１０２ｂに沿って形成できる。この方法によりへき開溝１１０ａを所望の位置に確実に形成できる。また、へき開実施までにへき開溝１１０ａは一度も埋め込まれることがないのでへき開溝１１０ａ内の物質を除去する必要がない。なお、へき開段差はへき開溝１１０ａ下部で発生するため、レーザの発光点を有するリッジ部１０ａでは、結晶レベルで平坦な面を得ることが出来る。
【００４４】
本発明の実施の形態２に係る半導体レーザ素子の製造方法と半導体レーザ素子は上述の特徴を失わない限りにおいて様々な変形が可能である。本発明の実施の形態２に係る半導体レーザ素子の製造方法と半導体レーザ素子は、少なくとも実施の形態１と同程度の変形が可能である。
【００４５】
実施の形態３．
本発明の実施の形態３に係る半導体レーザ素子の製造方法と半導体レーザ素子については、実施の形態１との相違点を中心に説明する。図１９は、本発明の実施の形態３に係る半導体レーザ素子の斜視図である。半導体レーザ素子２００の特徴は、第２領域１０Ｂにおける第２上クラッド層２０２が斜面２０２ａを有していることである。また、第２領域１０Ｂの端面部分２０４は第１領域１０Ａの端面よりも一段奥に位置している。この端面部分２０４には回折格子キャップ層２２、回折格子層２０、及び第１上クラッド層１８の断面が表れている。
【００４６】
続いて、半導体レーザ素子２００の製造方法について説明する。まず、基板１２の上に複数の半導体層を形成する。次いで、絶縁膜を形成する。図２０は、絶縁膜を形成したことを示す図である。複数の半導体層の上に、回折格子を形成するための第１パターン４２ａと、第１パターンと平行に伸びる方向に開口４２ｃがある第２パターン４２ｂを有する絶縁膜を形成する。
【００４７】
次いで、第１パターン４２ａと第２パターン４２ｂをマスクとして複数の半導体層をエッチングする。このエッチングでは、例えばＳｉＣｌ４などのＳｉを含むエッチングガスを用いる。図２１は、エッチング後の半導体レーザ素子を示す図である。このエッチングは、リッジ部１０ａでは回折格子を形成し、テラス部１０ｃでは第２パターン４２ｂの開口４２ｃに沿ったへき開溝５０を形成しつつ、エッチングで表れた半導体層の側面と底面にポリマー２１０を形成する。ポリマー２１０はエッチングガスと半導体層が反応することで形成される。従ってポリマー２１０は回折格子の内壁とへき開溝５０の内壁（側面と底面）に形成される。ポリマー２１０はＳｉ系ポリマーである。
【００４８】
次いで、へき開溝５０の内壁に形成されたポリマー及びその周辺の絶縁膜を保護するレジストを形成する。図２２は、レジストを形成したことを示す図である。図２２Ｂに示すように、レジスト２１２はポリマー２１０が形成されたへき開溝５０を埋めるとともに、へき開溝５０周辺の第２パターン４２ｂを覆う。
【００４９】
次いで、第１パターン４２ａをエッチングして除去する。このエッチングはフッ酸系のエッチャントを用いてレジスト２１２に覆われていない絶縁膜及びポリマーを除去する。次いで、レジスト２１２を除去する。図２３は、レジストを除去したことを示す図である。
【００５０】
次いで、第２上クラッド層を形成する。図２４は、第２上クラッド層を形成したことを示す図である。第２上クラッド層２０２は、第２パターン４２ｂとへき開溝５０の中を避けて回折格子を埋め込むように選択成長する。このような選択成長は、絶縁膜で形成された第２パターン４２ｂとポリマー２１０の上の第２上クラッド層の成長が阻害されることで可能となる。
【００５１】
次いで、第２パターン４２ｂと、へき開溝５０内のポリマー２１０を除去する。次いで、ドライエッチング等によりリッジ構造１０ａ、１０ｂを形成した後、絶縁膜と電極を形成する。図２５は、絶縁膜と電極を形成したことを示す図である。図２５Ａに示すようにリッジ部１０ａには、電流を部分的に流すためにＣＶＤ、蒸着又はスパッタ等により絶縁膜２８及び電極３０を形成する。
【００５２】
次いで、へき開溝５０に沿って基板１２をへき開する。具体的には、へき開溝５０に対し３点支持法等を用いて荷重を印加する。基板１２の面側から荷重を印加することにより、へき開溝５０が押し広げられ、へき開溝５０先端に荷重が集中し、へき開溝５０を起点として基板１２をへき開する。こうして図１９に示す半導体レーザ素子２００を製造する。
【００５３】
本発明の実施の形態３に係る半導体レーザ素子の製造方法によれば、へき開溝５０の内壁にポリマー２１０を形成することで、その後の第２上クラッド層２０２を形成する工程において、へき開溝５０内に第２上クラッド層２０２が侵入することを防止できる。従って、へき開溝５０は一度も半導体材料に埋め込まれることがないので、所望位置での確実なへき開が可能となる。なお、へき開段差はへき開溝５０下部で発生するため、レーザの発光点を有するリッジ部１０ａでは、結晶レベルで平坦な面を得ることが出来る。
【００５４】
本発明の実施の形態３に係る半導体レーザ素子の製造方法と半導体レーザ素子は上述の特徴を失わない限りにおいて様々な変形が可能である。本発明の実施の形態３に係る半導体レーザ素子の製造方法は、少なくとも実施の形態１と同程度の変形が可能である。
【００５５】
実施の形態４．
本発明の実施の形態４に係る半導体レーザ素子の製造方法と半導体レーザ素子については、実施の形態１との相違点を中心に説明する。図２６は、本発明の実施の形態４に係る半導体レーザ素子の斜視図である。半導体レーザ素子３００の特徴は、平面視で、活性層１６の端面は基板１２の端面よりも内側にあることである。つまり、活性層１６の端面を含む端面３００ａは、基板１２の端面３００ｂよりも一段奥まった場所にある。また、平面視で選択エッチング層３０２が露出している。
【００５６】
続いて、半導体レーザ素子３００の製造方法について説明する。本発明の実施の形態４に係る半導体レーザ素子の製造方法は、リッジ部の共振器長方向の断面（図２６のＡ−Ａ´に沿った断面であってへき開前のもの）を示しながら説明する。まず、基板の上に活性層を含む複数の半導体層を形成する。図２７は、基板の上に複数の半導体層を形成したことを示す図である。ここで、複数の半導体層には、下クラッド層１４、活性層１６、第１上クラッド層１８、回折格子層２０、及び回折格子キャップ層２２に加えて、選択エッチング層３０２が含まれる。
【００５７】
この工程では、一点破線で示すへき開位置を含むように選択エッチング層３０２を形成する。選択エッチング層３０２はＡｌＩｎＡｓで形成されている。選択エッチング層３０２の上には選択エッチング層３０２の酸化を防止するために酸化防止膜３０４を形成する。
【００５８】
次いで、絶縁膜とレジストパターンを形成する。図２８は、絶縁膜とレジストパターンを形成したことを示す図である。絶縁膜３０６は全面に形成する。そして、絶縁膜３０６の上にレジストパターン３０８を形成する。レジストパターン３０８はへき開位置に開口３０８ａを有し、へき開位置以外の場所に回折格子パターン３０８ｂを有する。
【００５９】
次いで、レジストパターン３０８をマスクにして絶縁膜３０６をエッチングする。その後、レジストパターン３０８を除去する。図２９は、絶縁膜をエッチングした後にレジストパターンを除去したことを示す図である。エッチングにはＲＩＥ法などを用いる。エッチングによりへき開位置には開口３０６ａが形成される。
【００６０】
次いで、絶縁膜３０６をマスクとして半導体層をエッチングし、複数の半導体層の一部に回折格子を形成する。図３０は、回折格子を形成したことを示す図である。このエッチングは、へき開位置以外の場所では、回折格子キャップ層２２、回折格子層２０、第１上クラッド層１８の途中までエッチングして回折格子５２を形成するものである。また、へき開位置に形成された開口３０６ａでは、少なくとも酸化防止膜３０４と選択エッチング層３０２までエッチングし、選択エッチング層３０２の開口３０２ａを形成する。このとき選択エッチング層の下層までエッチングしても良い。このエッチングには例えばＲＩＥ法などが用いられる。このエッチングでは、選択エッチング層３０２と回折格子層２０などを同時にエッチングするため、エッチングガスとして選択エッチング性の少ないＣＨ４／Ｈ２系ガスなどを採用する。
【００６１】
次いで、フッ酸系のドライエッチング又はフッ酸系の薬液により絶縁膜３０６をエッチングする。その後、第２上クラッド層を形成する。第２上クラッド層の最表面付近にはキャリア濃度を上げ、コンタクト抵抗を下げるためにＩｎＧａＡｓ層を形成することがある。次いで、第２上クラッド層の上に絶縁膜を形成する。図３１は、第２上クラッド層の上に絶縁膜を形成したことを示す図である。第２上クラッド層３０１の上に、へき開位置に開口３１０ａを有する絶縁膜３１０を形成する。開口３１０ａの幅は、選択エッチング層３０２の開口３０２ａの幅よりも広い。
【００６２】
次いで、絶縁膜３１０をマスクにして、複数の半導体層を少なくとも活性層までエッチングしてへき開溝を形成する。図３２は、へき開溝を形成したことを示す図である。へき開溝３２０を形成するためのエッチングは２つの段階に分けられる。第１段階は、絶縁膜３１０の開口３１０ａにより露出した第２上クラッド層３０１と酸化防止膜３０４をエッチングして選択エッチング層を露出させるものである。ここで、エッチングには、例えばＣＨ４／Ｈ２系ガスに酸素を添加したエッチングガスを用いる。そうすると、選択エッチング層３０２の表面を酸化して選択エッチング層３０２を残すことが可能となる。
【００６３】
そして引き続きエッチングを続けることで、選択エッチング層３０２を残しつつ、選択エッチング層３０２の開口３０２ａに露出した半導体層をエッチングする。具体的には、選択エッチング層３０２の開口３０２ａでは回折格子キャップ層２２、回折格子層２０、第１上クラッド層１８、活性層１６、下クラッド層１４、及び基板１２の一部までエッチングする。このエッチングは少なくとも活性層までエッチングすればよい。こうして既に形成してある回折格子５２と平行になるへき開溝３２０を形成する。図３２に示すように、このエッチングにより、一点破線で示すへき開位置には基板１２のみが残る。すなわち、このエッチングで活性層の端面を含む端面３００ａを出す。
【００６４】
次いで、ドライエッチング等によりリッジ構造１０ａ、１０ｂを形成した後、絶縁膜と電極を形成する。図３３は、絶縁膜と電極を形成したことを示す図である。図３３に示すようにリッジ部には、電流を部分的に流すためにＣＶＤ、蒸着又はスパッタ等により絶縁膜２８及び電極３０を形成する。次いで、へき開溝３２０に沿って基板１２をへき開する。この工程では基板１２のみをへき開する。こうして図２６に示す半導体レーザ素子３００を形成する。
【００６５】
本発明の実施の形態４に係る半導体レーザ素子の製造方法によれば、実質的に発光に寄与する活性層１６の端面を含む端面３００ａをエッチングで形成するので端面３００ａと回折格子５２を平行にできる。ところで、端面３００ａを出すためのエッチングは端面３００ａと回折格子５２の平行度が決まる重要な工程となる。この端面３００ａは、選択エッチング層３０２をマスクにしたエッチングで形成するので、端面３００ａは選択エッチング層３０２の開口の形を再現する。よって、端面３００ａを回折格子５２と平行に形成できる。なお、へき開作業自体は端面３００ａと回折格子５２の平行度に影響しないので精度が求められない。
【００６６】
本発明の実施の形態４に係る半導体レーザ素子の製造方法と半導体レーザ素子は上述の特徴を失わない限りにおいて様々な変形が可能である。本発明の実施の形態４に係る半導体レーザ素子の製造方法は、少なくとも実施の形態１と同程度の変形が可能である。
【００６７】
実施の形態５．
本発明の実施の形態５に係る半導体レーザ素子の製造方法と半導体レーザ素子については、実施の形態４との相違点を中心に説明する。図３４は、本発明の実施の形態５に係る半導体レーザ素子の斜視図である。半導体レーザ素子４００の特徴は、実施の形態４と同じく、平面視で、活性層１６の端面を含む端面４００ａが基板１２の端面４００ｂよりも内側にあることである。つまり、活性層１６の端面を含む端面４００ａは、基板１２の端面４００ｂよりも一段奥まった場所にある。実施の形態４の半導体レーザ素子との相違点は、選択エッチング層がなく、第２上クラッド層４０２に斜面４０２ａが形成されている点である。
【００６８】
続いて、半導体レーザ素子４００の製造方法について説明する。本発明の実施の形態５に係る半導体レーザ素子の製造方法は、リッジ部の共振器長方向の断面（図３４のＡ−Ａ´に沿った断面であってへき開前のもの）を示しながら説明する。図３５は、絶縁膜及びレジストパターンを形成したことを示す図である。図３５に示すように、基板１２の上に活性層１６を含む複数の半導体層を形成し、その上にスパッタ法やＣＶＤ法を用いて第１絶縁膜４１０を形成する。そして、第１絶縁膜４１０の上にレジストパターン４１２を形成する。レジストパターン４１２は、一点破線で示すへき開位置に開口４１２ａを有し、へき開位置以外の場所に回折格子パターン４１２ｂを有する。
【００６９】
次いで、レジストパターン４１２をマスクにして第１絶縁膜４１０をエッチングする。次いで、レジストパターン４１２を除去する。図３６は、第１絶縁膜をエッチングし、その後レジストを除去したことを示す図である。絶縁膜４１０は、開口４１０ａと回折格子パターン４１０ｂを有する。
【００７０】
次いで、絶縁膜４１０をマスクとして回折格子キャップ層２２、回折格子層２０、第１上クラッド層１８の一部をエッチングする。図３７は、エッチング後の半導体レーザ素子を示す図である。このエッチングでは、エッチングガスとしてＳｉＣｌ４ガスを用い、へき開位置にへき開溝４１４を形成し、へき開位置の前後に回折格子５２を形成する。そして、エッチングで表れた半導体層の側面と底面にポリマー４１８を形成する。ポリマー４１８はエッチングガスと半導体層が反応することで形成される。従って、ポリマー４１８は、回折格子５２の内壁とへき開溝４１４の内壁（側面と底面）に形成される。ポリマー４１８はＳｉ系ポリマーである。
【００７１】
次いで、へき開溝４１４の内壁に形成されたポリマー４１８及びその周辺の第１絶縁膜４１０を保護するレジストを形成する。次いでフッ酸系のエッチャントを使用し、レジストに覆われない絶縁膜とポリマーをエッチングする。図３８は、レジストに覆われない絶縁膜とポリマーをエッチングしたことを示す図である。レジスト４２０に覆われたポリマー４１８と第１絶縁膜４１０は、エッチング後も残る。
【００７２】
次いでレジスト４２０を除去する。その後第２上クラッド層を形成する。図３９は、第２上クラッド層を形成したことを示す図である。第２上クラッド層４０２は、第１絶縁膜４１０とへき開溝４１４の中を避けて回折格子５２を埋め込むように選択成長する。このような選択成長は、第１絶縁膜４１０とポリマー４１８の上の成長が阻害されることで可能となる。
【００７３】
次いで、へき開位置を開口するようにレジストを形成する。図４０は、レジストを形成したことを示す図である。レジスト４１６は開口４１６ａを有しその幅は第１絶縁膜４１０の開口４１０ａの幅より広くなっている。そのため、第１絶縁膜４１０の一部が表面に露出する。次いで、ドライエッチングにてへき開溝４１４を深堀りする。図４１は、エッチングしてへき開溝を深堀りしたことを示す図である。具体的には、第１絶縁膜４１０を残しつつ、回折格子キャップ層２２、回折格子層２０、第１上クラッド層１８、活性層１６、下クラッド層１４、及び基板１２の一部までエッチングする。このエッチングにより、活性層１６の端面を含む端面４００ａを出す。
【００７４】
次いで、ドライエッチング等によりリッジ構造１０ａ、１０ｂを形成した後、絶縁膜と電極を形成する。図４２は、絶縁膜と電極を形成したことを示す図である。図４２に示すようにリッジ部には、電流を部分的に流すためにＣＶＤ、蒸着又はスパッタ等により絶縁膜２８及び電極３０を形成する。次いで、へき開溝４１４に沿って基板１２をへき開する。この工程では基板１２のみをへき開する。こうして図３４に示す半導体レーザ素子４００を形成する。
【００７５】
本発明の実施の形態５に係る半導体レーザ素子の製造方法によれば、実質的に発光に寄与する端面４００ａをエッチングで形成するので、端面４００ａと回折格子５２を平行にできる。本発明の実施の形態５に係る半導体レーザ素子の製造方法は、エッチングで活性層の端面を出す点で、実施の形態４と類似する。
【００７６】
本発明の実施の形態５に係る半導体レーザ素子の製造方法と半導体レーザ素子は上述の特徴を失わない限りにおいて様々な変形が可能である。本発明の実施の形態５に係る半導体レーザ素子の製造方法は、少なくとも実施の形態１と同程度の変形が可能である。
【００７７】
実施の形態６．
本発明の実施の形態６に係る半導体レーザ素子の製造方法と半導体レーザ素子については、実施の形態１との相違点を中心に説明する。図４３は、本発明の実施の形態６に係る半導体レーザ素子の斜視図である。半導体レーザ素子５００の特徴は、複数の半導体層のうち、端面に露出する部分の一部５００ａは、端面に露出しない部分よりも割れやすく形成されたことである。一部５００ａはレーザ光を照射したことで、結晶がもろくなった部分である。また、第２上クラッド層５０２は、一部５００ａの上に斜面５０２ｂを有している。
【００７８】
続いて、半導体レーザ素子５００の製造方法について説明する。まず、前述した図１７に示す構造を形成する。形成方法は前述したので省略する。これにより図４４に示すように第２上クラッド層５０２の側面で構成されるへき開溝５０２ａが形成される。なお、へき開溝５０２ａは、回折格子と平行に形成する。
【００７９】
次いで、レジストと反射膜を形成する。図４５は、レジストと反射膜を形成したことを示す図である。まず、第２上クラッド層５０２の斜面５０２ｂにだけ抜きパターンを有するレジスト５０６を形成する。なお、レジスト５０６はへき開溝５０２ａの底面には形成する。
【００８０】
次いで、蒸着等により全面に反射膜５０８を形成する。反射膜５０８のうち、第２上クラッド層５０２の斜面５０２ｂに形成したものは側面の反射膜５０８ａと称する。反射膜５０８はレジスト５０６の上にも形成する。本発明の実施の形態６に係る製造方法では、反射膜５０８はＡｕで形成するが、レーザ光を反射する材料であれば特に限定されない。
【００８１】
次いで、リフトオフ法により、レジスト５０６を除去することでその上の反射膜５０８も除去する。図４６は、反射膜の一部をリフトオフしたことを示す図である。リフトオフが終わると、図４６Ｂに示すように側面の反射膜５０８ａだけが残る。なお、図４６Ａに示す絶縁膜２８と電極３０は適宜作成しておく。
【００８２】
次いで、へき開溝５０２ａの底面に向かってレーザ光を照射する。図４７は、レーザ光を照射することを示す図である。レーザ光は図４７Ｂに矢印で示す。このとき、レーザ光の一部は斜面５０２ｂの反射膜５０８ａに当たって反射され、へき開溝５０２ａの底面にレーザ光が集中する。このレーザ光照射により、へき開溝５０２ａの底面の下にダメージ層５１０を形成する。ダメージ層５１０とは、複数の半導体層のうちレーザ光を受けることで割れやすくなった部分である。
【００８３】
次いで、へき開溝５０２ａに沿って基板１２をへき開する。このときへき開溝５０２ａの底面の下にはダメージ層５１０が形成されているので、へき開溝５０２ａの底面の下に向かって基板１２をまっすぐへき開ことができる。つまり、ダメージ層５１０によってへき開方向を限定し、基板１２をへき開溝５０２ａに沿って形成することができる。そして、へき開溝５０２ａは回折格子５２と平行に形成されるので、回折格子５２と平行なへき開面を形成することができる。
【００８４】
本発明はダメージ層５１０を形成することで、へき開の進む方向を限定することを特徴とするものであり、この特徴を失わない限り様々な変形が可能である。例えば、レーザ光の広がりを抑制できる場合にはレーザ光をへき開溝の底面に集中させることが容易となるので、反射膜は形成しなくてもよい。また、本発明の実施の形態６に係る半導体レーザ素子の製造方法は、少なくとも実施の形態１と同程度の変形が可能である。
【００８５】
以上のすべての実施の形態では、１つの半導体レーザ素子の左右に他の半導体レーザ素子がないチップの状態でへき開を行うことを前提として説明した。チップの状態でへき開を行うのはサイドモードサプレッション比 （ＳＭＳＲ）を高めるためであるが、半導体レーザ素子が左右に並んだバーに対して本発明を実施してもよい。この場合、一回のへき開で複数の半導体レーザ素子の発光面が表れる。バーに対して本発明を実施した場合には、共振器長制御性の向上、及び窓構造を用いた半導体レーザ素子では、窓長の制御性が改善するという利点がある。なお、図中では回折格子の位相と溝の位置関係について記載していないが、ＳＭＳＲを最大にするためには、モード間の反射鏡損失差が最大となる位相でへき開するように溝の位置を選択すればよい。この位置関係は要求特性により適宜調整してかまわない。
【符号の説明】
【００８６】
１０  半導体レーザ素子、  １０ａ  リッジ部、  １０ｂ  チャネル層、  １０ｃ  テラス部、  １０Ａ  第１領域、  １０Ｂ  第２領域、  １２  基板、  １４  下クラッド層、  １６  活性層、  １８  第１上クラッド層、  ２０  回折格子層、  ２２  回折格子キャップ層、  ２４  選択エッチング層、  ２６  第２上クラッド層、  ２８  絶縁膜、  ３０  電極
【図１】
0005927916.tif 000002
【図２】
0005927916.tif 000003
【図３】
0005927916.tif 000004
【図４】
0005927916.tif 000005
【図５】
0005927916.tif 000006
【図６】
0005927916.tif 000007
【図７】
0005927916.tif 000008
【図８】
0005927916.tif 000009
【図９】
0005927916.tif 000010
【図１０】
0005927916.tif 000011
【図１１】
0005927916.tif 000012
【図１２】
0005927916.tif 000013
【図１３】
0005927916.tif 000014
【図１４】
0005927916.tif 000015
【図１５】
0005927916.tif 000016
【図１６】
0005927916.tif 000017
【図１７】
0005927916.tif 000018
【図１８】
0005927916.tif 000019
【図１９】
0005927916.tif 000020
【図２０】
0005927916.tif 000021
【図２１】
0005927916.tif 000022
【図２２】
0005927916.tif 000023
【図２３】
0005927916.tif 000024
【図２４】
0005927916.tif 000025
【図２５】
0005927916.tif 000026
【図２６】
0005927916.tif 000027
【図２７】
0005927916.tif 000028
【図２８】
0005927916.tif 000029
【図２９】
0005927916.tif 000030
【図３０】
0005927916.tif 000031
【図３１】
0005927916.tif 000032
【図３２】
0005927916.tif 000033
【図３３】
0005927916.tif 000034
【図３４】
0005927916.tif 000035
【図３５】
0005927916.tif 000036
【図３６】
0005927916.tif 000037
【図３７】
0005927916.tif 000038
【図３８】
0005927916.tif 000039
【図３９】
0005927916.tif 000040
【図４０】
0005927916.tif 000041
【図４１】
0005927916.tif 000042
【図４２】
0005927916.tif 000043
【図４３】
0005927916.tif 000044
【図４４】
0005927916.tif 000045
【図４５】
0005927916.tif 000046
【図４６】
0005927916.tif 000047
【図４７】
0005927916.tif 000048