(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性基板上に転写パターンを形成するための薄膜を成膜する際に用いるマスクブランク製造用スパッタリング装置であって、
少なくとも一つ以上の成膜チャンバと、
前記成膜チャンバ内に配置される複数のスパッタリングカソードと、
前記複数のスパッタリングカソードと対向配置され、成膜中、基板が一定位置に配置されるように基板を保持する基板保持手段と、
前記複数のスパッタリングカソードを、複数種類の基板サイズに応じて、前記透光性基板の前記薄膜が形成される基板主表面に対して平行な面内を移動させるスパッタリングカソード移動手段と、
スパッタリングガスが前記複数のスパッタリングカソード間を通過して前記基板表面の近傍に供給するように設けられたスパッタリングガス供給手段と、
を備えたことを特徴とするマスクブランク製造用スパッタリング装置。
【請求項２】
前記スパッタリングカソードは、前記薄膜が形成される前記基板主表面と、前記スパッタリングカソードに取り付けられるスパッタリングターゲットの被スパッタ面が平行になるように対向配置されていることを特徴とする請求項１に記載のマスクブランク製造用スパッタリング装置。
【請求項３】
複数の基板サイズを含む領域に見合う数の前記スパッタリングカソードが配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のマスクブランク製造用スパッタリング装置。
【請求項４】
前記複数のスパッタリングカソードの個々に独立して電力を印加できる電力供給手段を備えていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のマスクブランク製造用スパッタリング装置。
【請求項５】
前記基板保持手段は、前記スパッタリングカソードの下方に位置するように配置され、かつ、複数の基板サイズに応じ、成膜される基板主表面の反対側の裏面に複数箇所に当接して基板を支持する基板支持手段と、該基板支持手段を昇降する昇降手段と、を備えたことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のマスクブランク製造用スパッタリング装置。
【請求項６】
前記スパッタリングカソードは、Ｘ軸方向に複数個並べられたスパッタリングカソードを構成するカソードユニットが、Ｙ軸方向に複数個並べて配置されており、前記スパッタリングカソード移動手段は、前記カソードユニット内の複数のスパッタリングカソードをＸ軸方向に移動させるＸ軸方向移動手段と、前記カソードユニットをＹ軸方向に移動させるＹ軸方向移動手段と、を備えたことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載のマスクブランク製造用スパッタリング装置。
【請求項７】
前記スパッタリングカソード、及び／又は前記カソードユニットが、前記透光性基板の主表面に対して垂直方向に移動可能なＺ軸方向移動手段を備えたことを特徴とする請求項６に記載のマスクブランク製造用スパッタリング装置。
【請求項８】
前記Ｘ軸方向移動手段は、前記カソードユニット内の複数のスパッタリングカソードに対応して、各スパッタリングカソードを移動するための伝動手段が設けられ、前記伝動手段に、前記スパッタリングカソードに電力供給手段からの電力を伝導する伝導手段が設けられていることを特徴とする請求項６に記載のマスクブランク製造用スパッタリング装置。
【請求項９】
前記基板保持手段は、前記スパッタリングカソードと同じ側に位置するように配置され、かつ、成膜される基板主表面の複数箇所に当接して、スパッタリングカソードの上方で前記基板を支持するように構成された基板支持手段を備え、前記スパッタリングガス供給手段は、前記基板主表面に対向して前記スパッタリングカソードの下方に配置していることを特徴とする請求項１乃至４、６乃至８のいずれか一項に記載のマスクブランク製造用スパッタリング装置。
【請求項１０】
前記基板保持手段は、前記スパッタリングカソードと同じ側に位置するように配置され、かつ、複数の基板サイズに応じ、成膜される基板主表面の複数箇所に当接して、前記スパッタリングカソードの上方で前記基板を支持するように構成された基板支持手段を備え、前記スパッタリングガス供給手段は、前記基板主表面に対向して前記スパッタリングカソードの下方に配置していることを特徴とする請求項１乃至４、６乃至８のいずれか一項に記載のマスクブランク製造用スパッタリング装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一項に記載のスパッタリング装置を用いて、透光性基板上に転写パターンを形成するための薄膜を成膜することを特徴とする表示装置用マスクブランクの製造方法。
【請求項１２】
透光性基板上に転写パターンを形成するための薄膜を成膜してマスクブランクを製造する表示装置用マスクブランクの製造方法であって、
前記薄膜は、前記基板に対して対向して設けられた複数のスパッタリングターゲットに対して、スパッタリングガスによりスパッタして成膜され、かつ、成膜時は、前記複数のスパッタリングカソードを、複数種類の基板サイズに応じて、前記透光性基板の前記薄膜が形成される基板主表面に対して平行な面内を移動させ、前記基板と前記スパッタリングターゲットが一定の位置関係にあるようにして成膜され、前記スパッタリングガスは、前記複数のスパッタリングターゲット間を通過して前記基板表面の近傍に供給するようにしたことを特徴とする表示装置用マスクブランクの製造方法。
【請求項１３】
前記薄膜は、遮光膜または、半透光膜または、半透光膜と遮光膜をこの順に設けた積層膜であることを特徴とする請求項１１または１２に記載の表示装置用マスクブランクの製造方法。
【請求項１４】
請求項１１乃至１３のいずれか一項に記載の表示装置用マスクブランクの製造方法により得られるマスクブランクの前記薄膜をパターニングして転写パターンを形成することを特徴とする表示装置用マスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示パネル等で使用されるカラーフィルターや薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板等の表示装置の部品製造に使用される大型マスク（表示装置用マスク）の原版である大型マスクブランク（表示装置用マスクブランク）の製造方法、該マスクブランクの製造に好適に用いられるスパッタリング装置、及び該マスクブランクを用いる表示装置用マスクの製造方法に関する。
さらには、液晶表示パネル等で使用されるカラーフィルターや薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板等の表示装置の部品製造に使用される大型マスク（表示装置用マスク）の原版である複数種類の基板サイズの大型マスクブランク（表示装置用マスクブランク）の製造方法、該マスクブランクの製造に好適に用いられるスパッタリング装置、及び該マスクブランクを用いる表示装置用マスクの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体装置の製造工程では、フォトリソグラフィー法を用いて微細パターンの形成が行われている。また、この微細パターンの形成には通常何枚ものフォトマスク（転写用マスク）と呼ばれている基板が使用される。この転写用マスクは、一般に透光性のガラス基板上に、金属薄膜等からなる微細パターンを設けたものであり、この転写用マスクの製造においてもフォトリソグラフィー法が用いられている。
【０００３】
フォトリソグラフィー法による転写用マスクの製造には、ガラス基板等の透光性基板上に転写パターン（マスクパターン）を形成するための薄膜（例えば遮光膜など）を有するマスクブランクが用いられる。このマスクブランクを用いた転写用マスクの製造は、マスクブランク上に形成されたレジスト膜に対し、所望のパターン描画を施す露光工程と、所望のパターン描画に従って前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する現像工程と、レジストパターンに従って前記薄膜をエッチングするエッチング工程と、残存したレジストパターンを剥離除去する工程とを有して行われている。上記現像工程では、マスクブランク上に形成されたレジスト膜に対し所望のパターン描画を施した後に現像液を供給して、現像液に可溶なレジスト膜の部位を溶解し、レジストパターンを形成する。また、上記エッチング工程では、このレジストパターンをマスクとして、ドライエッチング又はウェットエッチングによって、レジストパターンの形成されていない薄膜が露出した部位を溶解し、これにより所望のマスクパターンを透光性基板上に形成する。こうして、転写用マスクが出来上がる。
【０００４】
ところで、上記転写用マスクは、半導体装置の製造だけでなく、例えば、液晶表示パネル等で使用されるカラーフィルターや薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板等の表示装置の部品の製造にも使用される。近年、液晶表示パネル等の大型化や高画質化の傾向が著しく、また３次元（３Ｄ）液晶表示装置の出現などにより、これらの部品の製造に使用される大型マスクの原版である大型マスクブランクの欠陥品質や光学特性の面内均一性などの特性に対する要求は厳しくなるばかりである。
【０００５】
特許文献１には、大型の基板であっても均一な膜厚分布の薄膜を成膜することができるように、基板の搬送方向と直交して、少なくとも基板の全幅に相当する長さにわたり整列された複数個のターゲットセグメントから構成されたインライン型スパッタリング装置が開示されている。また、特許文献２には、大型基板に効率良く成膜を行うことができ、成膜分布の均一化を図れるように、基板の移動方向に対して垂直方向に所定の間隔で配置された複数のスパッタカソードからなるスパッタカソード群を備えたインライン型のスパッタリング装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−１２９４３６号公報
【特許文献２】特開２００５−２５６０３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、本発明者は、上記先行文献に開示されているようなインライン型スパッタリング装置を用いた大型マスクブランクの製造には、以下のような課題があることを見い出した。
【０００８】
上述したように、近年の液晶表示パネル等の大型化や高画質化などにより、大型マスクブランクの特性に対する要求は高まるばかりであり、例えば欠陥品質に関しては、第１０世代でサイズが６００ｎｍ以上の欠陥のないことが要求されるようになってきている。例えば具体的には、１２００ｍｍ×１４００ｍｍサイズで上記６００ｎｍ以上のサイズの欠陥個数が、１００個以下が実用上好ましいとされている。従来のインライン型スパッタリング装置では、成膜チャンバ内で、基板と対向する所定の位置に設置された固定ターゲットに対して基板を所定方向に搬送させながら基板表面に薄膜を成膜するため、成膜チャンバ内での基板搬送手段（可動部）による発塵を抑制することができず、欠陥品質の向上には限界があった。また、大型基板サイズであっても、膜厚分布や反射率ばらつきなどの光学特性の面内均一性の要求が厳しくなってきている。大型マスクブランクの場合、小さいサイズのもので３３０ｍｍ×４５０ｍｍから、大きいサイズは１２２０ｍｍ×１４００ｍｍまたはそれ以上のものまで、基板サイズが多種類あり、これら多種類のいずれの基板サイズに対しても光学特性の面内均一性が要求される。例えば、透明基板上に遮光膜と反射防止膜が形成されたバイナリ用マスクブランクにおいては、反射防止膜の表面反射率を１５％以下（波長λ：４３６ｎｍ）、その面内ばらつきを±３％以内にしなければならない。
【０００９】
また、透明基板上に半透光膜、遮光膜及び反射防止膜が形成された階調マスクブランク（グレートーンマスクとも言う。）においては、半透光膜の露光光透過率を５〜６０％（波長λ：３６５ｎｍ〜４３６ｎｍ）、その面内ばらつきを±１％以内にしなければならないという厳しい光学特性の均一性が要求されてきている。上記先行文献に開示されているようなインライン型スパッタリング装置では、基板の搬送方向と直交する方向で複数個のターゲットを配置しているものの、これら複数個のターゲット上を基板が搬送されながら成膜を行っているため、基板に対するターゲットからの粒子の方向性が一定ではなく、光学特性の面内均一性の向上には限界があり、大型マスクブランクに要求されている厳しい品質を得ることは困難であった。
【００１０】
そこで本発明は、このような従来の課題を解決するべくなされたものであり、その目的とするところは、第１に、大型サイズの基板であっても、なお且つ複数種類の基板サイズに対しても、いずれも欠陥品質が良好で、光学特性の面内均一性が良好な薄膜を形成できるマスクブランク製造用スパッタリング装置を提供することである。
【００１１】
また、第２に、大型サイズであっても、欠陥品質が良好で、光学特性の面内均一性が良好な表示装置用マスクブランクの製造方法を提供することである。
また、第３に、パターン欠陥の少ない、光学特性が良好な大型サイズの表示装置用マスクの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者は、上記課題を解決するため鋭意研究した結果、以下の本発明を完成したものである。
すなわち、上記課題を解決するため、本発明は以下の構成を有する。
（構成１）
透光性基板上に転写パターンを形成するための薄膜を成膜する際に用いるマスクブランク製造用スパッタリング装置であって、少なくとも一つ以上の成膜チャンバと、前記成膜チャンバ内に配置される複数のスパッタリングカソードと、前記複数のスパッタリングカソードと対向配置され、成膜中、基板が一定位置に配置されるように基板を保持する基板保持手段と、スパッタリングガスが前記複数のスパッタリングカソード間を通過して前記基板表面の近傍に供給するように設けられたスパッタリングガス供給手段と、を備えたことを特徴とするマスクブランク製造用スパッタリング装置である。
【００１３】
構成１の発明によれば、成膜チャンバ内で成膜中、スパッタリングカソードに装着されるスパッタリングターゲットに対して、基板が一定位置に配置されるように基板を保持する基板保持手段により基板が移動せず静止した状態で成膜が行われるため、基板搬送手段（可動部）による発塵が生じないので、欠陥品質を向上させることができる。しかも、基板に対して複数のスパッタリングカソードを対向配置するとともに、これら複数のスパッタリングカソード間を通過して基板表面の近傍にスパッタリングガスが供給されるようにスパッタリングガス供給手段を備えているため、大型サイズの基板であっても、なお且つ複数種類の基板サイズに対しても、いずれも光学特性の面内均一性が良好な薄膜を形成することができる。
【００１４】
（構成２）
前記スパッタリングカソードは、前記薄膜が形成される前記基板主表面と、前記スパッタリングカソードに取り付けられるスパッタリングターゲットの被スパッタ面が平行になるように対向配置されていることを特徴とする構成１に記載のマスクブランク製造用スパッタリング装置である。
構成２の発明にあるように、構成１に係るスパッタリング装置のスパッタリングカソードは、前記薄膜が形成される基板主表面と、スパッタリングカソードに取り付けられるスパッタリングターゲットの被スパッタ面が平行になるように対向配置され、ターゲットに対する基板の相対運動がないので、スパッタリングガスによりスパッタリングターゲットから叩き出された粒子は、インライン成膜のような斜め入射の粒子が少ないため、比較的直進性が高く、前記基板主表面に対して粒の成長方向が揃った薄膜が成膜されることになる。従って、基板主表面に堆積された薄膜の膜密度が高くなり、膜密度が高くなる分、所望の光学濃度を得るために必要とする膜厚の薄膜化が可能となるので、微細パターンの形成が可能となり、高いパターン線幅均一性が得られる。
【００１５】
（構成３）
複数の基板サイズを含む領域に見合う数の前記スパッタリングカソードが配置されていることを特徴とする構成１又は２に記載のマスクブランク製造用スパッタリング装置である。
構成３の発明にあるように、複数の基板サイズを含む領域に見合う数のスパッタリングカソードを配置することにより、大型サイズの基板で、なお且つ複数種類の基板サイズに応じて、スパッタリングカソード、スパッタリングターゲットを準備する必要がなく、１台のスパッタリング装置で対応することが可能であり、これら複数種類の基板サイズに対して、いずれも光学特性の面内均一性が良好な薄膜を形成することができる。
【００１６】
（構成４）
前記複数のスパッタリングカソードの個々に独立して電力を印加できる電力供給手段を備えていることを特徴とする構成１乃至３のいずれか一項に記載のマスクブランク製造用スパッタリング装置である。
構成４の発明にあるように、構成１のスパッタリング装置における複数のスパッタリングカソードの個々に独立して電力を印加できる電力供給手段を備えていることにより、複数種類の基板サイズや、成膜する薄膜の材料、要求される光学特性、並びに光学特性の均一性、膜厚の面内均一性、用途などに応じて、各スパッタリングカソードへの印加電力を制御することで、形成される薄膜の光学特性の均一性をより向上させることが可能になる。
【００１７】
（構成５）
前記基板保持手段は、前記スパッタリングカソードの下方に位置するように配置され、かつ、複数の基板サイズに応じ、成膜される基板主表面の反対側の裏面に複数箇所に当接して基板を支持する基板支持手段と、該基板支持手段を昇降する昇降手段と、を備えたことを特徴とする構成１乃至４のいずれか一項に記載のマスクブランク製造用スパッタリング装置である。
構成５の発明にあるように、構成１のマスクブランク製造用スパッタリング装置における基板保持手段を、スパッタリングカソードの下方に位置するように配置され、かつ、複数の基板サイズに応じ、成膜される基板主表面の反対側の裏面に複数箇所接して基板を支持する基板支持手段と、該基板支持手段を昇降する昇降手段とすることにより、表示装置用マスクブランクのような、複数の基板サイズ、重量の異なる基板に対応することができるとともに、従来のインライン型スパッタリング装置で成膜する際に使用していた基板サイズに応じた基板ホルダーを用意する必要がない。
【００１８】
（構成６）
前記複数のスパッタリングカソードを、複数種類の基板サイズに応じて、前記透光性基板の前記薄膜が形成される基板主表面に対して平行な面内を移動させるスパッタリングカソード移動手段を備えたことを特徴とする構成１乃至５のいずれか一項に記載のマスクブランク製造用スパッタリング装置である。
構成６の発明にあるように、複数のスパッタリングカソードを、複数種類の基板サイズに応じて、基板主表面に対して平行な面内を移動させるスパッタリングカソード移動手段を備えていることにより、複数種類の基板サイズに対応した異なるサイズのスパッタリングターゲットを準備する必要なく薄膜を成膜することができるので、製造コストが安くすみ、且つ、光学特性の面内均一性が良好な薄膜を形成することができる。
【００１９】
（構成７）
前記スパッタリングカソードは、Ｘ軸方向に複数個並べられたスパッタリングカソードを構成するカソードユニットが、Ｙ軸方向に複数個並べて配置されており、前記スパッタリングカソード移動手段は、前記カソードユニット内の複数のスパッタリングカソードをＸ軸方向に移動させるＸ軸方向移動手段と、前記カソードユニットをＹ軸方向に移動させるＹ軸方向移動手段と、を備えたことを特徴とする構成６に記載のマスクブランク製造用スパッタリング装置である。
構成７の発明にあるように、構成６に係るスパッタリング装置のスパッタリングカソードは、Ｘ軸方向に複数個並べられたスパッタリングカソードを構成するカソードユニットが、Ｙ軸方向に複数個並べて配置されており、前記スパッタリングカソード移動手段は、前記カソードユニット内の複数のスパッタリングカソードをＸ軸方向に移動させるＸ軸方向移動手段と、前記カソードユニットをＹ軸方向に移動させるＹ軸方向移動手段によって、基板サイズに応じて移動するので、基板サイズに応じた各スパッタリングカソードの位置制御性が良く、且つ、各スパッタリングカソードを移動させる駆動系も少なくて済むので、発塵も少なく、欠陥品質を向上させることができる。
【００２０】
（構成８）
前記スパッタリングカソード、及び／又は前記カソードユニットが、前記透光性基板の主表面に対して垂直方向に移動可能なＺ軸方向移動手段を備えたことを特徴とする構成７記載のマスクブランク製造用スパッタリング装置である。
構成８の発明にあるように、各スパッタリングカソード、及び／又はカソードユニットが、透光性基板の主表面に対して垂直方向に移動可能なＺ軸方向移動手段を備えているので、透光性基板の主表面に形成する薄膜の面内膜厚均一性向上のために、各スパッタリングカソードに搭載されるスパッタリングターゲットと、透光性基板との距離を制御することができるので、形成される薄膜の光学特性の均一性をより向上させることが可能となる。
【００２１】
（構成９）
前記Ｘ軸方向移動手段は、前記カソードユニット内の複数のスパッタリングカソードに対応して、各スパッタリングカソードを移動するための伝動手段が設けられ、前記伝動手段に、前記スパッタリングカソードに電力供給手段からの電力を伝導する伝導手段が設けられていることを特徴とする構成７記載のマスクブランク製造用スパッタリング装置である。
構成９の発明にあるように、各スパッタリングカソードを移動するための伝動手段に各スパッタリングカソードに電力供給手段からの電力を伝導する伝導手段が設けられているので、スパッタリング装置の簡素化が図れる。
【００２２】
（構成１０）
前記基板保持手段は、前記スパッタリングカソードと同じ側に位置するように配置され、かつ、成膜される基板主表面の複数箇所に当接して、スパッタリングカソードの上方で前記基板を支持するように構成された基板支持手段を備え、前記スパッタリングガス供給手段は、前記基板主表面に対向して前記スパッタリングカソードの下方に配置していることを特徴とする構成１乃至９のいずれか一に記載のマスクブランク製造用スパッタリング装置である。
構成１０の発明にあるように、基板保持手段を、スパッタリングカソードと同じ側に位置するように配置され、かつ、成膜される基板主表面に複数箇所接して基板を支持する基板支持手段とすること、及び、スパッタリングガス供給手段は、基板主表面に対応してスパッタリングカソードの下方に配置しているので、スパッタリングガス供給手段により成膜チャンバに導入されたスパッタリングガスが、基板を避けて引かれず、各スパッタリングカソード側から引かれることになるので、基板に対するスパッタリングガスの流れが均一になるので、薄膜の光学特性の均一性が良好になる。
【００２３】
（構成１１）
前記基板保持手段は、前記スパッタリングカソードと同じ側に位置するように配置され、かつ、複数の基板サイズに応じ、成膜される基板主表面の複数箇所に当接して、前記スパッタリングカソードの上方で前記基板を支持するように構成された基板支持手段を備え、前記スパッタリングガス供給手段は、前記基板主表面に対向して前記スパッタリングカソードの下方に配置していることを特徴とする構成１乃至９のいずれか一項に記載のマスクブランク製造用スパッタリング装置である。
構成１１の発明にあるように、基板保持手段を、スパッタリングカソードと同じ側に位置するように配置され、かつ、複数の基板サイズに応じ、成膜される基板主表面に複数箇所接して基板を支持する基板支持手段とすることにより、表示装置用マスクブランクのような、複数の基板サイズ、重量の異なる基板に対応することができるとともに、従来のインライン型スパッタリング装置で成膜する際に使用していた基板サイズに応じた基板ホルダーを用意する必要がない。また、スパッタリングガス供給手段は、基板主表面に対応してスパッタリングカソードの下方に配置しているので、スパッタリングガス供給手段により成膜チャンバに導入されたスパッタリングガスが、基板を避けて引かれず、各スパッタリングカソード側から引かれることになるので、基板に対するスパッタリングガスの流れが均一になるので、薄膜の光学特性の均一性が良好になる。
【００２４】
（構成１２）
構成１乃至１１のいずれか一項に記載のスパッタリング装置を用いて、透光性基板上に転写パターンを形成するための薄膜を成膜することを特徴とする表示装置用マスクブランクの製造方法である。
構成１２の発明によれば、基板に対して対向して設けられた複数のスパッタリングターゲット間を通過して基板表面の近傍にスパッタリングガスが供給されているので、基板表面に供給されるスパッタリングガスの分布の流れが生じないため、その結果、表示装置用マスクブランクのような大型サイズの基板であっても、光学特性の面内均一性が良好なマスクブランクを得ることができる。また、成膜時は、基板とスパッタリングターゲットが一定の位置関係にあるように、基板がスパッタリングターゲットに対して移動せず静止した状態で成膜が行われるので、欠陥品質が良好な表示装置用マスクブランクを得ることができる。
【００２５】
（構成１３）
透光性基板上に転写パターンを形成するための薄膜を成膜してマスクブランクを製造する表示装置用マスクブランクの製造方法であって、前記薄膜は、前記基板に対して対向して設けられた複数のスパッタリングターゲットに対して、スパッタリングガスによりスパッタして成膜され、かつ、成膜時は前記基板と前記スパッタリングターゲットが一定の位置関係にあるようにして成膜され、前記スパッタリングガスは、前記複数のスパッタリングターゲット間を通過して前記基板表面の近傍に供給するようにしたことを特徴とする表示装置用マスクブランクの製造方法である。
構成１３の発明によれば、基板に対して対向して設けられた複数のスパッタリングターゲット間を通過して基板表面の近傍にスパッタリングガスが供給されているので、基板表面に供給されるスパッタリングガスの分布の流れが生じないため、その結果、表示装置用マスクブランクのような大型サイズの基板であっても、光学特性の面内均一性が良好なマスクブランクを得ることができる。また、成膜時は、基板とスパッタリングターゲットが一定の位置関係にあるように、基板がスパッタリングターゲットに対して移動せず静止した状態で成膜が行われるので、欠陥品質が良好な表示装置用マスクブランクを得ることができる。
【００２６】
（構成１４）
前記薄膜は、遮光膜または、半透光膜または、半透光膜と遮光膜をこの順に設けた積層膜であることを特徴とする構成１２または１３記載の表示装置用マスクブランクの製造方法である。
構成１４の発明にあるように、透光性基板上に転写パターンを形成するための薄膜として、遮光膜を形成したバイナリマスクブランクや、半透光膜を形成した位相シフトマスクブランクやフォトマスクブランク、半透光膜と遮光膜の積層膜をこの順に形成した階調マスクブランクなどの表示装置用マスクブランクの製造に好適である。
【００２７】
（構成１５）
構成１２乃至１４のいずれか一項に記載の表示装置用マスクブランクの製造方法により得られるマスクブランクの前記薄膜をパターニングして転写パターンを形成することを特徴とする表示装置用マスクの製造方法である。
構成１２乃至１４のいずれか一項に記載の表示装置用マスクブランクの製造方法により得られる欠陥品質が良好で、光学特性の面内均一性が良好なマスクブランクを用いて、前記薄膜をパターニングして転写パターンを形成することにより、パターン欠陥の少ない、光学特性が良好な大型サイズの表示装置用マスクを得ることができる。
【発明の効果】
【００２８】
本発明に係るスパッタリング装置によれば、大型サイズの基板であっても、なお且つ複数種類の基板サイズに対しても、いずれも欠陥品質が良好で、光学特性の面内均一性が良好な薄膜を形成することができる。
また、本発明に係る表示装置用マスクブランクの製造方法によれば、大型サイズであっても、欠陥品質が良好で、光学特性の面内均一性が良好なマスクブランクを得ることができる。
【００２９】
また、本発明に係る表示装置用マスクの製造方法によれば、欠陥品質が良好で、光学特性の面内均一性が良好な本発明に係るマスクブランクを用いて、パターン欠陥の少ない、
光学特性が良好な大型サイズの表示装置用マスクを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明のマスクブランク製造用スパッタリング装置の一実施形態に係る全体概略構成図である。
【図２】本発明の第一の実施の形態であるマスクブランク製造用スパッタリング装置における成膜チャンバ内の基板に対する複数のスパッタリングカソードの配置関係を示す図である。
【図３】（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ本発明の第一の実施の形態であるマスクブランク製造用スパッタリング装置におけるスパッタリングガス供給手段、及び基板保持手段の構成を示す図である。
【図４】本発明の第一の実施の形態であるマスクブランク製造用スパッタリング装置におけるスパッタリングガス供給流路を示す図である。
【図５】（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ複数のスパッタリングカソードに異なる材料のスパッタリングターゲットを装着する場合のスパッタリングターゲットの配置を示す図である。
【図６】（ａ）本発明の第二の実施の形態であるマスクブランク製造用スパッタリング装置における成膜チャンバ内の大型基板に対する複数のスパッタリングカソードの配置関係を示す図である。（ｂ）本発明の第二の実施の形態であるマスクブランク製造用スパッタリング装置における成膜チャンバ内の中小型基板に対する複数のスパッタリングカソードの配置関係を示す図である。
【図７】本発明の第二の実施の形態であるマスクブランク製造用スパッタリング装置におけるスパッタリングガス供給手段、及び基板保持手段の構成を示す図である。
【図８】本発明の第二の実施の形態であるマスクブランク製造用スパッタリング装置におけるＸ軸方向移動手段及びＹ軸方向移動手段を示す図である。
【図９】本発明の第二の実施の形態であるマスクブランク製造用スパッタリング装置におけるＸ軸方向移動手段の詳細構成を示す図である。
【図１０】（ａ）及び（ｂ）は、実施例６のマスクブランクを製造する際に使用した本発明のマスクブランク製造用スパッタリング装置の構成を示す図である。
【図１１】図１０のマスクブランク製造用スパッタリング装置におけるＹ軸方向移動手段を示す図である。
【図１２】本発明のマスクブランク製造用スパッタリング装置における他の実施形態を示す図である。
【図１３】階調マスクの製造工程を示す断面図である。
【図１４】（ａ）及び（ｂ）は、実施例３のマスクブランクを製造する際に使用した本発明のマスクブランク製造用スパッタリング装置の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳述する。
［第１の発明（第一の実施の形態）］
まず、本発明のマスクブランク製造用スパッタリング装置について説明する。
図１は、本発明のスパッタリング装置の一実施形態に係る全体概略構成図である。
図１に示すスパッタリング装置は、マルチチャンバ型（クラスター型）のスパッタリング装置である。その構成としては、搬送チャンバ１を中心に、複数（図１では３つ）の成膜チャンバ２Ａ，２Ｂ，２Ｃがそれぞれ開閉ゲート（ゲートバルブ）３Ａ，３Ｂ，３Ｃを介して連結されている。また、上記搬送チャンバ１は、基板の搬入（ローディング）および搬出（アンローディング）用の減圧室（図示せず）とは開閉ゲート（ゲートバルブ）４を介して連結されている。
【００３２】
このような構成のスパッタリング装置の場合、まず、大気（クリーンルーム室内の空気）中に置かれている基板を室内が大気開放されている上記減圧室内に搬入した後、減圧室の真空減圧を行う。次に、これまで閉じていた開閉ゲート４、３Ａを開き、図示しない搬送装置（搬送ロボット）で上記減圧室から基板を所定の真空度に真空減圧されている搬送チャンバ１内へ搬入（ローディング５）し、該搬送チャンバ１を経由して、同じく所定の真空度に真空減圧されている第１の成膜チャンバ２Ａ内に搬入・設置される。ここで、上記開閉ゲート３Ａ、４は再度閉じられる。その後、成膜チャンバ２Ａ内に成膜ガス（スパッタリングガス）を導入し、所定ガス圧になったところで放電を開始して、スパッタリング法によって、基板上にパターン形成用の薄膜の成膜が行われる。
【００３３】
パターン形成用薄膜が複数層からなるものであり、同じスパッタリングターゲットで成膜可能な場合は、１層目を成膜後、基板をそのまま成膜チャンバ２Ａ内に置いたまま、２層目以降を成膜する。また、パターン形成用薄膜が複数層であり、２層目以降を異なるスパッタリングターゲットで成膜する必要がある場合には、別の例えば成膜チャンバ２Ｂで成膜を行う。この場合、開閉ゲート３Ａ、３Ｂを開き、搬送装置で成膜チャンバ２Ａから基板を取り出し、搬送チャンバ１を経由して、所定の真空度に真空減圧されている成膜チャンバ２Ｂに搬入・設置する。ここで、上記開閉ゲート３Ｂ、３Ａは閉じられる。その後、成膜チャンバ２Ｂ内に成膜ガス（スパッタリングガス）を導入し、所定ガス圧になったところで放電を開始して、スパッタリング法によって、２層目以降を成膜する。
なお、パターン形成用薄膜の２層目以降をもう一つの成膜チャンバ２Ｃを用いて同様に形成してもよい。
【００３４】
こうして、成膜すべきパターン形成用薄膜を全て成膜し終えたら、上記減圧室（図示せず）の開閉ゲート４と、その時点で基板が設置されている成膜チャンバの開閉ゲートを開き、搬送装置によって、その成膜チャンバから基板を取り出し、搬送チャンバ１を経由して、上記減圧室へ搬出（アンローディング６）する。そして、上記減圧室を大気開放して、基板（パターン形成用薄膜が形成されたマスクブランク）を取り出す。
以上のようにして、図１に示すスパッタリング装置によるパターン形成用薄膜のスパッタ成膜が行われる。
【００３５】
図２は、本発明の第一の実施の形態であるマスクブランク製造用スパッタリング装置における成膜チャンバ内の基板に対する複数のスパッタリングカソードの配置関係を示す図である。また、図３（ａ）、（ｂ）は、本発明の第一の実施の形態であるマスクブランク製造用スパッタリング装置におけるガス供給手段、及び基板保持手段の構成を示す図である。
【００３６】
図２及び図３（ａ）、（ｂ）に示すように、本発明のスパッタリング装置では、上記成膜チャンバ（例えば２Ａ）内で、基板１０と対向配置される複数のスパッタリングカソード７、・・・と、スパッタリングガスがこれら複数のスパッタリングカソード７、・・・間を通過して前記基板１０の表面近傍に供給されるように、スパッタリングガス供給手段９である、各スパッタリングカソード７の間に、一つのスパッタリングカソードに対して少なくとも一つ以上のスパッタリングガス導入管９１と、スパッタリングガス導入管９１により導入されたスパッタリングガスが、基板１０の表面近傍に供給するように、基板１０を挟んで基板の裏面側にターボ分子ポンプ（ＴＭＰ）９２とを備えている。尚、各スパッタカソード７には、スパッタカソード７にスパッタリングターゲット８を装着した際に、スパッタリングターゲット８を囲むように、スパッタシールド７５が備えられている。本発明のスパッタリング装置を用いて薄膜を成膜する場合には、上記複数のスパッタリングカソード７、・・・の夫々にスパッタリングターゲット８、・・・が装着される。また、本発明のスパッタリング装置は、成膜中、成膜チャンバ内で前記基板１０は移動せずに静止した状態で成膜が行われるようにするため、スパッタリングカソード７の下方に位置するように配置され、かつ、複数の基板サイズに応じ、成膜される基板主表面と反対側の裏面に複数箇所当接して基板１０を支持する基板支持手段９５を備えている。基板サイズに応じて少なくとも基板裏面の外縁部に当接するように、基板支持手段９５には、昇降手段（図示せず）を備えている。比較的大きな基板サイズに対して薄膜を成膜する際には、基板裏面の内側に位置する基板支持手段９５は、基板裏面に当接しないように、昇降手段により基板から離れた距離まで下降するようにする。なお、表示装置を転写に影響のない基板裏面の内側に基板支持手段９５が当接するようにしても構わない。また、基板支持手段９５に昇降手段を設けずに、基板サイズに応じて、基板支持手段９５が着脱自在に取り付けられるようにしても構わない。この基板支持手段９５の高さを変えることにより、基板１０とスパッタリングカソード７に装着されるスパッタリングターゲット８間との距離を簡単に調節することができる。
【００３７】
また、上記スパッタリングカソード７は、薄膜が形成される基板１０の主表面と、スパッタリングカソード７に取り付けられるスパッタリングターゲット８の被スパッタ面が平行になるように対向配置するようにしている。基板主表面とスパッタリングターゲット８の被スパッタ面が平行になるように対向配置しているので、スパッタリングガスによりスパッタリングターゲット８から叩き出された粒子は直進性が高く、基板主表面に対して粒の成長が揃った薄膜が成膜されることになる。従って、基板主表面に堆積された薄膜の膜密度が高くなり、膜密度が高くなる分、所望の光学濃度を得るために必要とする膜厚の薄膜化が可能となるので、微細パターンの形成が可能となり、高い線幅均一性が得られる。
【００３８】
上記スパッタリングカソード７は、複数の基板サイズを含む領域に見合う数のスパッタリングカソードを配置することが好ましい。例えば、図２では、スパッタ成膜を行う最大サイズの基板の大きさ（領域）を破線Ｓで示しているが、この最大サイズの基板の大きさに見合う、例えばこの最大サイズの基板の領域を十分にカバーするだけの数のスパッタリングカソード７を配置することが好ましい。これによって、大型サイズの基板で、なお且つ複数種類の基板サイズに対しても、１台のスパッタリング装置（もしくは１つの成膜チャンバ）で対応することが可能であり、これら複数種類の基板サイズに対して、いずれも光学特性の面内均一性が良好な薄膜を形成することができる。
【００３９】
また、本発明においては、上記複数のスパッタリングカソード７、・・・は、各カソードに装着されている各スパッタリングターゲット８間のターゲット間隔を考慮して、互いに一定の間隔をもって、あるいは互いに近接させた状態で配置することができるが、少なくとも成膜ガスが図４中の矢印ｇで示すように、これらカソード間を通過して基板面に対するほぼ垂直方向から基板１０の表面近傍に供給されるのに必要な間隙を少なくとも有している。
【００４０】
また、対向配置される上記スパッタリングカソード７に装着されるスパッタリングターゲット８と基板１０との間隔（距離）は、主にスパッタリングターゲット８のサイズに依存し、小さいサイズのスパッタリングターゲットの場合は上記間隔を小さく、大きいサイズの場合は上記間隔を大きくできる。本発明のスパッタリング装置においては、上記のようにスパッタリングターゲット８のサイズにもよるが、スパッタリングターゲット８と基板１０との距離は、通常、３０ｍｍ〜４００ｍｍ程度の範囲とすることが好適である。
【００４１】
また、本発明のスパッタリング装置においては、上記複数のスパッタリングカソード７、・・・の個々に独立して電力を印加できる電力供給手段を備えていることが好ましい。複数種類の基板サイズや、成膜する薄膜の材料、要求される光学特性、並びに光学特性の均一性、膜厚の面内均一性、用途などに応じて、各スパッタリングカソードへの印加電力を制御（オン・オフを含む）することで、形成される薄膜の光学特性の均一性をより向上させることが可能になる。
【００４２】
また、上記複数のスパッタリングカソード７、・・・の夫々に同じ材料のスパッタリングターゲット８を装着してもよいし、もしくは異なる材料のスパッタリングターゲット８を装着することもできる。各スパッタリングカソード７に２種類の異なる材料のスパッタリングターゲットを交互に装着（つまり１つおきに同じ材料）することにより、１つの成膜チャンバを用いて、ターゲットを交換しなくても、異なる材料の積層膜（例えばＭｏＳｉ系半透光膜とＣｒ系遮光膜の積層膜）を形成することができる。例えば、異なる材料のスパッタリングターゲットを装着する例としては、図５（ａ）のように、成膜する薄膜の材料がＭｏＳｉの場合、Ｓｉスパッタリングターゲット８１と、ＭｏＳｉ2スパッタリングターゲット８２とすることができる。また、異なる材料の積層膜を積層する場合の例としては、図５（ｂ）のように、Ｃｒスパッタリングターゲット８３と、ＭｏＳｉｘスパッタリングターゲット８４とすることができる。
【００４３】
本発明のスパッタリング装置によれば、成膜中、スパッタリングカソードに装着されるスパッタリングターゲットに対して、基板が一定位置に配置されるように保持する基板保持手段を備えているので、成膜チャンバ内でスパッタリングターゲットに対して基板が移動せず静止した状態で成膜が行われるので、基板搬送手段（可動部）による発塵が生じないため、欠陥品質を向上させることができる。しかも、本発明のスパッタリング装置は、基板に対して複数のスパッタリングカソードを対向配置するとともに、これら複数のスパッタリングカソード間を通過して基板表面の近傍にスパッタリングガスが供給されるスパッタリングガス供給手段を備えているので、基板面に対しほぼ垂直方向から成膜ガスが基板面全体に供給され、基板表面に供給されるスパッタリングガスの分布の流れが生じないため、その結果、大型サイズの基板であっても、なお且つ複数種類の基板サイズに対しても、いずれも光学特性の面内均一性が良好な薄膜を形成することができる。
【００４４】
［第１の発明（第二の実施の形態）］
本発明の第二の実施の形態に係わるマスクブランク製造用スパッタリング装置について説明する。尚、上述で説明した第一の実施の形態に係わるマスクブランク製造用スパッタリング装置と重複する構成については、以下、同一の名称、符号を用いて説明する。
【００４５】
図６（ａ）は、本発明の第二の実施の形態であるマスクブランク製造用スパッタリング装置における成膜チャンバ内の大型基板に対する複数のスパッタリングカソードの配置関係を示す図、図６（ｂ）は、本発明の第二の実施の形態であるマスクブランク製造用スパッタリング装置における成膜チャンバ内の中小型基板に対する複数のスパッタリングカソードの配置関係を示す図である。また、図７は、本発明の第二の実施の形態であるマスクブランク製造用スパッタリング装置におけるスパッタリングガス供給手段、及び基板保持手段の構成を示す図、図８は、本発明のマスクブランク製造用スパッタリング装置におけるＸ軸方向移動手段及びＹ軸方向移動手段を示す図である。また、図９は、
本発明の第二の実施の形態であるマスクブランク製造用スパッタリング装置におけるＸ軸方向移動手段の詳細構成を示す図である。
【００４６】
図６及び図７に示すように、本発明のマスクブランク製造用スパッタリング装置では、上記成膜チャンバ（例えば２Ａ）内で、基板Ｓと対向配置される複数のスパッタリングカソード７、・・・を備えている。また、スパッタリングガスがこれら複数のスパッタリングカソード７、・・・間を通過して前記基板Ｓの表面近傍に供給されるようにスパッタリングガス供給手段９を備えており、このスパッタリングガス供給手段９は、薄膜が形成される基板表面に対向して上記各スパッタリングカソード７の下方に配置され、各スパッタリングカソード７の下方に、一つのスパッタリングカソードに対して少なくとも一つ以上のスパッタリングガス導入管９１と、スパッタリングガス導入管９１により導入されたスパッタリングガスが、基板Ｓの表面近傍に供給されるように、成膜チャンバの下部にターボ分子ポンプ９２とを備えている。本発明のスパッタリング装置を用いて薄膜を成膜する場合には、上記複数のスパッタリングカソード７、・・・の夫々にスパッタリングターゲット８、・・・が装着される。なお、各スパッタリングカソード７にスパッタリングターゲット８が装着された際に、このスパッタリングターゲット８を囲むように覆うスパッタシールド７５が備えられている。
【００４７】
また、本発明のスパッタリング装置は、成膜中、成膜チャンバ内で前記基板Ｓは移動せずに静止した状態で成膜が行われるようにするため、スパッタリングカソード７と同じ側に位置するように配置され、かつ、複数の基板サイズに応じ、成膜される基板主表面の複数箇所に当接して、上記スパッタリングカソード７の上方で基板Ｓを支持する基板支持手段９５を備えている。基板サイズに応じて少なくとも基板主表面の外縁部に当接するように、基板支持手段９５には、昇降手段（図示せず）を備えている。比較的大きな基板サイズに対して薄膜を成膜する際には、基板主表面の内側に位置する基板支持手段９５は、基板主表面に当接しないように、昇降手段により基板から離れた距離まで下降するようにする。なお、表示装置の転写に影響のない基板主表面の内側に基板支持手段９５が当接するようにしても構わない。また、基板支持手段９５に昇降手段を設けずに、基板サイズに応じて、基板支持手段９５が着脱自在に取り付けられるようにしても構わない。この基板支持手段９５の高さを変えることにより、基板Ｓとスパッタリングカソード７に装着されるスパッタリングターゲット８間との距離を簡単に調節することができる。
【００４８】
また、本発明のスパッタリング装置は、上記複数のスパッタリングカソード７、・・・を、複数種類の基板サイズに応じて、基板Ｓの薄膜が形成される基板主表面に対して平行な面内を移動させるスパッタリングカソード移動手段を備えている。図７及び図８を参照して説明すると、成膜チャンバ内に配置される複数のスパッタリングカソード７、・・・は、Ｘ軸方向に複数個並べられたスパッタリングカソード７を構成するカソードユニット３０が、Ｙ軸方向に複数個並べて配置されている。上記スパッタリングカソード移動手段は、上記カソードユニット３０内の複数のスパッタリングカソード７をＸ軸方向に移動させるＸ軸方向移動手段と、上記カソードユニット３０をＹ軸方向に移動させるＹ軸方向移動手段とを備えている。尚、Ｘ軸方向を基板の短辺と平行な方向、Ｙ軸方向を基板の長辺と平行な方向とすることができる。また、Ｘ軸方向を基板の長辺と平行な方向、Ｙ軸方向を基板の短辺と平行な方向とすることもできる。
【００４９】
さらに図９を参照して、上記Ｘ軸方向移動手段を説明する。
上記Ｘ軸方向移動手段は、上記カソードユニット３０内の複数のスパッタリングカソードに対応して、各（個々の）スパッタリングカソード７を移動するための伝動手段であるシャフト部材３１が設けられている。各スパッタリングカソード７の下に取り付けられた係合部材３３は、上記シャフト部材３１の表面に螺刻されている凹凸と係合（螺合）するとともに、上記シャフト部材３１の下に設けられた案内レール３４とも係合する。また、上記シャフト部材３１の一端には、これを回転駆動させるためのカソード駆動用モータ３５が取り付けられている。交流電源３６によって上記カソード駆動用モータ３５が駆動すると、上記シャフト部材３１が回転し、これと係合する上記係合部材３３が移動するため、上記カソードユニット３０内のスパッタリングカソード７も同時にＸ軸方向へ移動する。
【００５０】
また、上記Ｙ軸方向移動手段は、上記カソードユニット３０の両端部においてＹ軸方向に沿って配置された２本の平行なカソードユニット搬送レール３２，３２と、上記カソードユニット３０を駆動するための駆動用モータ３７とから構成されている。カソードユニット駆動用モータ３７が図示していない電源によって駆動すると、上記カソードユニット３０が上記カソードユニット搬送レール３２上をＹ軸方向に移動する。
【００５１】
以上説明したように、上記Ｘ軸方向移動手段及びＹ軸方向移動手段を備えたスパッタリングカソード移動手段によって、上記カソードユニット３０内に複数個並べられた各スパッタリングカソード７をＸ軸方向に移動させるとともに、Ｙ軸方向への上記カソードユニット３０の移動によってカソードユニット３０内の複数のスパッタリングカソード７をカソードユニット３０毎にＹ軸方向へ移動させることができる。
【００５２】
前述の図６（ａ）は、成膜チャンバ２Ａ内の大型基板Ｓに対する複数のスパッタリングカソード７、・・・の配置関係を示し、図６（ｂ）は、成膜チャンバ２Ａ内の中小型基板Ｓに対する複数のスパッタリングカソード７、・・・の配置関係を示している。本発明の第二の実施の形態に係わるスパッタリング装置は、このようなスパッタリングカソード移動手段を備えていることで、複数種類の基板サイズに対応した異なるサイズのスパッタリングターゲットを準備する必要なく薄膜を成膜することができる。
【００５３】
また、本発明の第二の実施の形態に係わるスパッタリング装置においても、上述の第一の実施の形態と同様に、上記複数のスパッタリングカソード７、・・・の個々に独立して電力を印加できる電力供給手段を備えていることが好ましい。複数種類の基板サイズや、成膜する薄膜の材料、要求される光学特性、並びに光学特性の均一性、膜厚の面内均一性、用途などに応じて、各スパッタリングカソードへの印加電力を制御（オン・オフを含む）することで、形成される薄膜の光学特性の均一性をより向上させることが可能になる。
【００５４】
前述の図９に示す構成においては、上記スパッタリングカソード移動手段におけるＸ軸方向移動手段は、上記カソードユニット３０内の各スパッタリングカソード７を移動するための伝動手段であるシャフト部材３１が設けられており、この伝動手段であるシャフト部材３１に、上記スパッタリングカソード７に電力供給手段（スパッタ電源）３８からの電力を伝導する伝導手段が設けられている。具体的には、電力供給手段３８からのカソード電位ケーブル３９を上記シャフト部材３１を介して、アノード電位ケーブル４０を上記案内レール３４を介して夫々スパッタリングカソード７に配線することで、上記スパッタリングカソード７に電力供給手段３８からの電力が供給されるように構成している。このように各スパッタリングカソード７を移動するための伝動手段に、各スパッタリングカソード７に電力供給手段からの電力を伝導する伝導手段が設けられているので、スパッタリング装置の簡素化が図れる。
【００５５】
また、上述の第一の実施の形態と同様に、上記各スパッタリングカソード７は、薄膜が形成される基板Ｓの主表面と、スパッタリングカソード７に取り付けられるスパッタリングターゲット８の被スパッタ面が平行になるように対向配置することが好ましい。本発明のスパッタリング装置では、基板主表面に対して平行な面内をスパッタリングカソード７が移動するスパッタリングカソード移動手段を備えているので、基板主表面とスパッタリングターゲット８の被スパッタ面が平行になるように対向配置させることが簡単に実現できる。
【００５６】
このように基板主表面とスパッタリングターゲット８の被スパッタ面が平行になるように対向配置することにより、スパッタリングガスによりスパッタリングターゲット８から叩き出された粒子は直進性が高く、基板主表面に対して粒の成長が揃った薄膜が成膜されることになる。従って、基板主表面に堆積された薄膜の膜密度が高くなり、膜密度が高くなる分、所望の光学濃度を得るために必要とする膜厚の薄膜化が可能となるので、微細パターンの形成が可能となり、高い線幅均一性が得られる。
【００５７】
上記スパッタリングカソード７は、複数の基板サイズを含む領域に見合う数のスパッタリングカソードを配置することが好ましい。例えば、図６では、スパッタ成膜を行う最大サイズの基板の大きさ（領域）を破線Ｓで示しているが、この最大サイズの基板の大きさに見合う、例えばこの最大サイズの基板の領域を十分にカバーするだけの数のスパッタリングカソード７を配置することが好ましい。なお、本発明の第二の実施の形態のスパッタリング装置においては、スパッタリングカソード移動手段を備えているため、スパッタリングカソード移動手段によるスパッタリングカソード７の移動可能距離も考慮した数のスパッタリングカソード７を配置することができる。
【００５８】
また、上述の第一の実施の形態と同様に、対向配置される上記スパッタリングカソード７に装着されるスパッタリングターゲット８と基板１０との間隔（距離）は、主にスパッタリングターゲット８のサイズに依存し、小さいサイズのスパッタリングターゲットの場合は上記間隔を小さく、大きいサイズの場合は上記間隔を大きくできる。本発明のスパッタリング装置においては、上記のようにスパッタリングターゲット８のサイズにもよるが、スパッタリングターゲット８と基板１０との距離は、通常、３０ｍｍ〜４００ｍｍ程度の範囲とすることが好適である。
【００５９】
また、上述の第一の実施の形態と同様に、上記複数のスパッタリングカソード７、・・・の夫々に同じ材料のスパッタリングターゲット８を装着してもよいし、もしくは異なる材料のスパッタリングターゲット８を装着することもできる。各スパッタリングカソード７に２種類の異なる材料のスパッタリングターゲットを交互に装着（つまり１つおきに同じ材料）することにより、１つの成膜チャンバを用いて、ターゲットを交換しなくても、異なる材料の積層膜（例えばＭｏＳｉ系半透光膜とＣｒ系遮光膜の積層膜）を形成することができる。例えば、異なる材料のスパッタリングターゲットを装着する例としては、成膜する薄膜の材料がＭｏＳｉの場合、Ｓｉスパッタリングターゲットと、ＭｏＳｉ2スパッタリングターゲットとすることができる。また、異なる材料の積層膜を積層する場合の例としては、Ｃｒスパッタリングターゲットと、ＭｏＳｉXスパッタリングターゲットとすることができる。
【００６０】
また、図１０は、本発明のマスクブランク製造用スパッタリング装置における他の実施形態を示すもので、成膜チャンバ内に配置される複数のスパッタリングカソードは、Ｘ軸方向を長辺とする矩形状のスパッタリングカソード７がＹ軸方向に複数個並べて配置されている。各スパッタリングカソード７には同じく矩形状のスパッタリングターゲット８が装着されている。図１０（ａ）は、成膜チャンバ２Ａ内の大型基板Ｓに対する複数のスパッタリングカソード７、・・・の配置関係を示し、図１０（ｂ）は、成膜チャンバ２Ａ内の中小型基板Ｓに対する複数のスパッタリングカソード７、・・・の配置関係を示している。この実施形態においては、上記矩形状のスパッタリングカソード７の両端部においてＹ軸方向に沿って配置された２本の平行なカソードユニット搬送レール３２，３２と、上記スパッタリングカソード７を駆動するための駆動用モータとから構成されているスパッタリングカソード移動手段（Ｙ軸方向移動手段）を備えており、上記スパッタリングカソード駆動用モータが図示していない電源によって駆動すると、上記矩形状のスパッタリングカソード７が上記カソードユニット搬送レール３２上をＹ軸方向に移動する（図１１を参照）。
【００６１】
また、図１２も、本発明のマスクブランク製造用スパッタリング装置における他の実施形態を示すもので、上記スパッタリングカソード７が基板Ｓの主表面に対して垂直方向に移動可能なＺ軸方向移動手段を備えた構成を示している。上記Ｚ軸方向移動手段は、上記スパッタリングカソード７を垂直方向に移動する昇降手段５０と、基板主表面に対するスパッタリングカソード７の角度を調整する角度調整手段５１とを備えている。図１２は、一例として両脇の２個のスパッタリングカソード７を基板に近づけ、なお且つ基板主表面に向けるように角度を調整した状態を示している。
【００６２】
各スパッタリングカソード７が基板主表面に対して垂直方向に移動可能なＺ軸方向移動手段を備えていることにより、基板の主表面に形成する薄膜の面内膜厚均一性向上のために、各スパッタリングカソードに搭載されるスパッタリングターゲットと、基板との距離を制御することができるので、形成される薄膜の光学特性の均一性をより向上させることが可能となる。なお、図１２は各スパッタリングカソード７がＺ軸方向移動手段を備えている構成を示したが、これには限定されず、たとえばＸ軸方向に複数個並べられたスパッタリングカソード７を構成する前記カソードユニット３０がＺ軸方向移動手段を備える構成としてもよい。また、各スパッタリングカソードとカソードユニットのいずれもＺ軸方向移動手段を備える構成としてもよい。
【００６３】
以上説明したように、本発明の第二の実施の形態に係わるスパッタリング装置によれば、成膜中、スパッタリングカソードに装着されるスパッタリングターゲットに対して、基板が一定位置に配置されるように保持する基板保持手段を備えているので、成膜チャンバ内でスパッタリングターゲットに対して基板が移動せず静止した状態で成膜が行われるので、基板搬送手段（可動部による発塵が生じないため、欠陥品質を向上させることができる。しかも、本発明のスパッタリング装置は、基板に対して複数のスパッタリングカソードを対向配置するとともに、これら複数のスパッタリングカソードを、複数種類の基板サイズに応じて、基板主表面に対して平行な面内を移動させるスパッタリングカソード移動手段を備えていることにより、複数種類の基板サイズに対応した異なるサイズのスパッタリングターゲットを準備する必要なく薄膜を成膜することができるので、製造コストが安くすみ、且つ、光学特性の面内均一性が良好な薄膜を形成することができる。
【００６４】
［第２の発明］
本発明は、表示装置用マスクブランクの製造方法についても提供するものである。
すなわち、上述の本発明のマスクブランク製造用スパッタリング装置を用いて、透光性基板上に転写パターンを形成するための薄膜を成膜することを特徴とする表示装置用マスクブランクの製造方法である。
本発明によれば、複数種類の基板サイズに対応した異なるサイズのスパッタリングターゲットを準備する必要なく薄膜を成膜することができるので、製造コストが安くすみ、且つ、光学特性の面内均一性が良好な薄膜を形成することができる。また、成膜時は、基板とスパッタリングターゲットが一定の位置関係にあるように、基板がスパッタリングターゲットに対して移動せず静止した状態で成膜が行われるので、欠陥品質が良好な表示装置用マスクブランクを得ることができる。
【００６５】
また、本発明は、透光性基板上に転写パターンを形成するための薄膜を成膜してマスクブランクを製造する表示装置用マスクブランクの製造方法であって、前記薄膜は、前記基板に対して対向して設けられた複数のスパッタリングターゲットに対して、スパッタリングガスによりスパッタして成膜され、かつ、成膜時は前記基板と前記スパッタリングターゲットが一定の位置関係になるようにして成膜され、前記スパッタリングガスは、前記複数のスパッタリングターゲット間を通過して前記基板表面の近傍に供給するようにしたことを特徴とする表示装置用マスクブランクの製造方法である。
【００６６】
基板に対して対向して設けられた複数のスパッタリングターゲット間を通過して基板表面の近傍にスパッタリングガスが供給されているので、基板表面に供給されるスパッタリングガスの分布の流れが生じないため、その結果、表示装置用マスクブランクのような大型サイズの基板であっても、光学特性の面内均一性が良好なマスクブランクを得ることができる。また、成膜時は、基板とスパッタリングターゲットが一定の位置関係にあるように、基板がスパッタリングターゲットに対して移動せず静止した状態で成膜が行われるので、欠陥品質が良好な表示装置用マスクブランクを得ることができる。
【００６７】
表示装置用マスクブランクの場合、上記薄膜としては、遮光膜または、半透光膜または、半透光膜と遮光膜をこの順に設けた積層膜が用いられる。この場合の遮光膜は、遮光層の上に反射防止層を積層した構成のものも含まれる。
すなわち、本発明は、透光性基板上に転写パターンを形成するための薄膜として、遮光膜を形成した表示装置用バイナリマスクブランクや、半透光膜を形成した表示装置用位相シフトマスクブランク、表示装置用フォトマスクブランク、半透光膜と遮光膜の積層膜をこの順に形成した表示装置用階調マスクブランクなどの製造に好適である。
上記バイナリマスクブランクは、透光性基板上に遮光部と透光部（基板が露出している）を有する２階調マスクや、遮光部と透光部の他に、パターン転写に用いる露光光の解像限界以下の微細遮光パターンからなる半透光部を有する３階調マスクの製造に用いられる。
【００６８】
また、上記位相シフトマスクブランクは、透光性基板上にパターンの解像性を高めるために必要な所望の位相差（たとえば、１８０°±２０°）と、所望の透過率（たとえば、１％〜２０％）の特性を有する半透光部を有する位相シフトマスクの製造に用いられる。
【００６９】
また、上記フォトマスクブランクは、たとえば、特開２０１１−７５６５６号の日本公開特許公報に記載されるフォトマスクの製造に用いられる。このフォトマスクは、エッチング加工がなされる被加工体上に形成されたレジスト膜に対して、ライン・アンド・スペース・パターンを含む所定の転写パターンを転写させ、前記レジスト膜を前記エッチング加工におけるマスクとなるレジストパターンとなすフォトマスクであって、透光性基板上に形成されるライン・アンド・スペース・パターンのラインパターンが半透光部により設けられ、スペースパターンが透光部により設けられているフォトマスクを指す。上記フォトマスクにおける半透光部は、ライン・アンド・スペース・パターンのピッチ幅が小さくなった場合であっても、透光部を介してレジスト膜に照射される透過光の強度が低下することを抑制することができる透過率（たとえば１％〜３０％）を有する特徴を有する。
【００７０】
また、上記位相シフトマスクブランクやフォトマスクブランクにおいて、半透光膜上に遮光膜を形成して、透光性基板上に半透光部と遮光部と透光部を有する位相シフトマスクやフォトマスクを製造することもできる。
また、上記階調マスクブランクは、透光性基板上に遮光部と透光部の他に、露光光透過率を所定量低減させる半透光膜からなる少なくとも１つの半透光部を有する３階調以上の多階調マスクの製造に用いられる。
【００７１】
上記マスクブランク用透光性基板としては、使用する露光波長に対して透明性を有するものであれば特に制限されない。表示装置を製造する際に使用する露光光源としては、超高圧水銀灯が一般に使用され、露光波長としては、ｉ線（波長３６５ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）、ｇ線（波長４３６ｎｍ）を含むマルチ波長や、ｉ線（波長３６５ｎｍ）の場合がある。本発明では、合成石英基板、その他各種のガラス基板（例えば、ソーダライムガラス、アルミノシリケートガラス等）を用いることができる。
【００７２】
表示装置用大型マスクブランクの場合、小さいサイズのもので３３０ｍｍ×４５０ｍｍから、大きいサイズは１２２０ｍｍ×１４００ｍｍまたはそれ以上のものまで、基板サイズが多種類ある。本発明は、このような表示装置用マスクブランクとして使用される一辺が５００ｍｍ以上の大型基板サイズのマスクブランクの製造に好適である。
【００７３】
表示装置用マスクブランクに用いられる上記遮光膜の材料としては、クロム、タンタル、ルテニウム、タングステン、チタン、ハフニウム、モリブデン、ニッケル、バナジウム、ジルコニウム、ニオブ、パラジウム、ロジウム等の遷移金属単体あるいはその化合物を含む材料などを用いることができる。例えば、クロムや、クロムに酸素、窒素、炭素などの元素から選ばれる１種以上の元素を添加したクロム化合物で構成した遮光膜が挙げられる。また、例えば、タンタルに、酸素、窒素、ホウ素などの元素から選ばれる１種以上の元素を添加したタンタル化合物で構成した遮光膜が挙げられる。遮光膜を、遮光層と表面反射防止層の２層構造や、さらに遮光層と基板との間に裏面反射防止層を加えた３層構造としたものなどがある。また、遮光膜の膜厚方向における組成が連続的又は段階的に異なる組成傾斜膜としてもよい。
【００７４】
また、上記遮光膜として、遷移金属及びケイ素（遷移金属シリサイド、特にモリブデンシリサイドを含む）の化合物を含む材料を用いることもできる。
この遮光膜は、遷移金属及びケイ素の化合物を含む材料からなり、これらの遷移金属及びケイ素と、酸素及び／又は窒素を主たる構成要素とする材料が挙げられる。遷移金属には、モリブデン、タンタル、タングステン、チタン、ハフニウム、ニッケル、バナジウム、ジルコニウム、ニオブ、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、クロム等が適用可能である。特に、遮光膜をモリブデンシリサイドの化合物で形成する場合であって、遮光層（ＭｏＳｉ等）と表面反射防止層（ＭｏＳｉＯＮ等）の２層構造や、さらに遮光層と基板との間に裏面反射防止層（ＭｏＳｉＯＮ等）を加えた３層構造がある。
【００７５】
また、表示装置用マスクブランクに用いられる上記半透光膜の材料としては、クロム、タンタル、タングステン、チタン、モリブデン、珪素、ジルコニウム、アルミニウム等の金属単体あるいはその化合物を含む材料や、遷移金属及びケイ素（遷移金属シリサイド、特にモリブデンシリサイドを含む）の化合物を含む材料などを用いることができる。
この半透光膜は、例えば遷移金属及びケイ素（遷移金属シリサイドを含む）の化合物を含む材料からなり、これらの遷移金属及びケイ素と、酸素及び／又は窒素を主たる構成要素とする材料が挙げられる。遷移金属には、モリブデン、タンタル、タングステン、チタン、ハフニウム、ニッケル、バナジウム、ジルコニウム、ニオブ、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、クロム等が適用可能である。また、クロム、タンタル、タングステン、チタン、モリブデン、珪素、ジルコニウム、アルミニウム等の化合物の場合、これら金属に、酸素、窒素、炭素、フッ素などの元素から選ばれる１種以上の元素を添加した金属化合物が適用可能である。各元素の組成比や膜厚は、露光光に対して所定の透過率となるように調整される。
【００７６】
また、半透光膜上に遮光膜を有する形態の階調マスクブランク、位相シフトマスクブランク、フォトマスクブランクの場合、上記半透光膜の材料として上記遷移金属及びケイ素を含む材料を選択した場合、遮光膜の材料としては、半透光膜に対してエッチング選択性を有する（エッチング耐性を有する）特にクロムや、クロムに酸素、窒素、炭素などの元素を添加したクロム化合物で構成することが好ましい。半透光膜との積層構造で、所定の遮光性能（光学濃度）となるように、遮光膜材料の組成や膜厚は調整される。
また、上記半透光膜と遮光膜との間に、遮光膜や半透光膜に対してエッチング耐性を有するエッチングストッパー膜を設けてもよい。
【００７７】
［第３の発明］
本発明は、表示装置用マスクの製造方法についても提供するものである。
すなわち、本発明は、上述の本発明に係る表示装置用マスクブランクの製造方法により得られるマスクブランクの前記薄膜をパターニングして転写パターンを形成することを特徴とする表示装置用マスクの製造方法である。前記薄膜のパターニングはリソグラフィー法を用いて行うことができる。
本発明に係る表示装置用マスクブランクの製造方法により得られる欠陥品質が良好で、光学特性の面内均一性が良好なマスクブランクを用いて、前記薄膜をパターニングして転写パターンを形成することにより、近年の表示装置用マスクで要求されている高品質を満足するような、パターン欠陥の少ない、しかも光学特性が良好である大型サイズの表示装置用マスクを得ることができる。
【実施例】
【００７８】
以下、実施例により、本発明の実施の形態を更に具体的に説明する。
（実施例１）
使用する基板は、大型合成石英ガラス基板（大きさ１２２０ｍｍ×１４００ｍｍ、厚さ１３ｍｍ）である。
上記ガラス基板上に、前述の図１乃至図４に示す本発明に係るスパッタリング装置を用いて、以下の遮光膜の成膜を行った。
本発明に係るスパッタリング装置において、
・成膜チャンバ２Ａ内に、合計５９個のスパッタリングカソードを配置
・１つのスパッタリングカソードのサイズ：１辺１２５ｍｍの正六角形
・各スパッタリングカソードに９インチスパッタリングターゲット（２２９ｍｍφ）を配置（基板主表面とスパッタリングターゲットの被スパッタ面とが平行になるように配置）
・スパッタリングターゲットと基板間の距離：３００ｍｍ
とした。
【００７９】
具体的には、各スパッタリングカソードに装着するスパッタリングターゲットにクロム（Ｃｒ）ターゲットを用い、下地層、遮光層及び反射防止層で構成される遮光膜の成膜を行った。まず、アルゴン（Ａｒ）と窒素（Ｎ2）との混合ガス（ガス流量比＝８：２）をスパッタリングガスとし、膜厚１４ｎｍのＣｒＮ層（下地層）を成膜した。続いて、アルゴン（Ａｒ）とメタン（ＣＨ4）との混合ガス（ガス流量比＝９５：５）をスパッタリングガスとし、膜厚６１ｎｍのＣｒＣ層（遮光層）を成膜した。最後に、アルゴン（Ａｒ）と一酸化窒素（ＮＯ）との混合ガス（ガス流量比＝８５：１５）をスパッタリングガスとして、膜厚２５ｎｍのＣｒＯＮ層（反射防止層）を成膜し、合計膜厚１００ｎｍの３層積層構造のクロム系遮光膜を形成した。
なお、上記各スパッタリングガスは、成膜チャンバ内の複数のスパッタリングカソード間の間隙を通過して前記基板表面の近傍に供給されるようにした。また、成膜時のガス圧、各スパッタリングカソードに印加するＤＣ電源の電力は適宜調節して行った。この遮光膜は、超高圧水銀灯から放出される少なくともｉ線からｇ線にわたる波長領域において光学濃度（ＯＤ）が３．２となるように調整されている。
【００８０】
以上のようにして、表示装置用バイナリマスクブランクを作製した。
得られたバイナリマスクブランクの分光反射率を分光反射率計により測定したところ、超高圧水銀灯から放出される少なくともｉ線からｇ線にわたる波長領域において、膜面反射率は平均１０％であり、その変動幅は２％未満の範囲内であった。また、面内（均等３０箇所）について同様に膜面反射率を測定した結果、面内の膜面反射率のばらつきは±１．５％以内に収まっており、大型マスクブランクであっても、上記遮光膜における光学特性の均一性が良好であることが確認できた。
【００８１】
また、得られたバイナリマスクブランクに対し、６００ｎｍ感度の欠陥検査装置（パルステック社製）を用いて、マスクブランクの主表面の欠陥検査を行った結果、サイズが６００ｎｍ以上の欠陥数は７０個未満であり、本実施例により得られたバイナリマスクブランクは大型サイズであっても、欠陥品質が良好であることが確認できた。
【００８２】
次に、上記バイナリマスクブランクを用いて表示装置用マスクを作製した。
すなわち、上記バイナリマスクブランクの表面にレーザー描画用のポジ型レジスト膜を形成し、このレジスト膜に対し、所望のパターン描画、現像を行い、所定のレジストパターンを形成した。次いで、このレジストパターンをマスクとして、ウェットエッチングにより上記遮光膜をエッチングして転写パターンを形成した。
【００８３】
こうして得られた表示装置用バイナリマスクに対し、上記欠陥検査装置を用いて欠陥検査を行ったところ、パターン欠陥は検出されなかった。すなわち、本発明により得られる欠陥品質が良好で、光学特性の面内均一性が良好なマスクブランクを用いて、表示装置用マスクを作製することにより、近年の表示装置用マスクで要求されている高品質を満足するような、パターン欠陥の少ない、しかも光学特性が良好である大型サイズの表示装置用マスクが得られることを確認できた。
【００８４】
（実施例２）
使用する基板は、大型合成石英ガラス基板（大きさ１２２０ｍｍ×１４００ｍｍ、厚さ１３ｍｍ）である。
上記ガラス基板上に、前述の図１乃至図４に示す本発明に係るスパッタリング装置を用いて、以下のＭｏＳｉ半透光膜の成膜を行った。
なお、半透光膜の成膜は、実施例１の遮光膜の成膜を行った成膜チャンバ２Ａ以外の例えば成膜チャンバ２Ｂ内で行った。この成膜チャンバ２Ｂ内の構成は、使用するスパッタリングターゲット材料が異なる点以外は、実施例１の遮光膜の成膜を行った成膜チャンバ２Ａ内とまったく同様の構成とした。
【００８５】
具体的には、各スパッタリングカソードに装着するスパッタリングターゲットにモリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）との混合ターゲット（Ｍｏ：Ｓｉ＝２０原子％：８０原子％）を用い、アルゴン（Ａｒ）をスパッタリングガスとし、膜厚４．５ｎｍのＭｏＳｉ4膜（Ｍｏ：２０原子％、Ｓｉ：８０原子％）を成膜した。このとき、露光光源である超高圧水銀灯から放出される少なくともｉ線からｇ線にわたる波長領域における透過率が４０％となるように膜厚を調整した。
なお、上記スパッタリングガスは、成膜チャンバ内の複数のスパッタリングカソード間の間隙を通過して前記基板表面の近傍に供給されるようにした。また、成膜時のガス圧、各スパッタリングカソードに印加するＤＣ電源の電力は適宜調節して行った。
【００８６】
基板上に形成されたＭｏＳｉ半透光膜の分光透過率を分光光度計により測定したところ、超高圧水銀灯から放出される少なくともｉ線からｇ線にわたる波長領域において、半透光膜の透過率の変動幅は４％未満の範囲内であった。また、面内（均等３０箇所）について同様に半透光膜の透過率を測定した結果、面内の透過率のばらつきは±１％以内に収まっており、大型サイズの基板であっても、上記半透光膜における光学特性の均一性が良好であることが確認できた。
【００８７】
また、上記ＭｏＳｉ半透光膜を形成した基板に対し、６００ｎｍ感度の欠陥検査装置（パルステック社製）を用いて、ＭｏＳｉ半透光膜面の欠陥検査を行った結果、サイズが６００ｎｍ以上の欠陥数は６０個未満であり、欠陥品質が良好であることが確認できた。
【００８８】
次に、上記ＭｏＳｉ半透光膜の上に、実施例１と同じく成膜チャンバ２Ａ内で、以下の遮光膜の成膜を行った。
具体的には、各スパッタリングカソードに装着するスパッタリングターゲットにクロム（Ｃｒ）ターゲットを用い、下地層、遮光層及び反射防止層で構成される遮光膜の成膜を行った。まず、アルゴン（Ａｒ）と窒素（Ｎ2）との混合ガス（ガス流量比＝８：２）をスパッタリングガスとし、膜厚１４ｎｍのＣｒＮ層（下地層）を成膜した。続いて、アルゴン（Ａｒ）とメタン（ＣＨ4）との混合ガス（ガス流量比＝９５：５）をスパッタリングガスとし、膜厚５８ｎｍのＣｒＣ層（遮光層）を成膜した。最後に、アルゴン（Ａｒ）と一酸化窒素（ＮＯ）との混合ガス（ガス流量比＝８５：１５）をスパッタリングガスとして、膜厚２５ｎｍのＣｒＯＮ層（反射防止層）を成膜し、合計膜厚９７ｎｍの３層積層構造のクロム系遮光膜を形成した。
【００８９】
なお、成膜時のガス圧、各スパッタリングカソードに印加するＤＣ電源の電力は適宜調節して行った。この遮光膜は、上記ＭｏＳｉ半透光膜との積層構造において、超高圧水銀灯から放出される少なくともｉ線からｇ線にわたる波長領域において光学濃度（ＯＤ）が３．２となるように調整されている。
【００９０】
以上のようにして、ガラス基板上にＭｏＳｉ半透光膜及びＣｒ系遮光膜をこの順に積層した構造の表示装置用階調マスクブランクを作製した。
得られた階調マスクブランクの分光反射率を分光反射率計により測定したところ、超高圧水銀灯から放出される少なくともｉ線からｇ線にわたる波長領域において、膜面反射率は平均１０％であり、その変動幅は２％未満の範囲内であった。また、面内（均等３０箇所）について同様に膜面反射率を測定した結果、面内の膜面反射率のばらつきは±１．５％以内に収まっており、大型マスクブランクであっても、上記遮光膜（反射防止層）における光学特性の均一性が良好であることが確認できた。
【００９１】
また、得られた階調マスクブランクに対し、前記６００ｎｍ感度の欠陥検査装置を用いて、マスクブランクの主表面の欠陥検査を行った結果、サイズが６００ｎｍ以上の欠陥数は８５個未満であり、本実施例により得られた階調マスクブランクは大型サイズであっても、欠陥品質が良好であることが確認できた。
【００９２】
次に、上記階調マスクブランクを用いて表示装置用階調マスクを作製した。
図１３に示す製造工程にしたがって説明する。
まず、ガラス基板１０の上に半透光膜１１及び遮光膜１２を形成した上記階調マスクブランク上に、レーザー描画用のポジ型レジスト膜１３を形成した（図１３（ａ）参照）。
【００９３】
次に上記マスクブランク上に形成されたレジスト膜１３に対し、レーザー描画装置を用いて所望のパターン描画を行った後、現像して、遮光部となる領域上にレジストパターン１３ａを形成した（図１３（ｂ）参照）。
次に、上記レジストパターン１３ａをマスクとして、ウェットエッチングにより遮光膜１２のエッチングを行って遮光膜パターン１２ａを形成した（図１３（ｃ）参照）。
なお、Ｃｒ系遮光膜とＭｏＳｉ半透光膜とは、互いのエッチング条件に対して耐性を有している。
【００９４】
次に、残存するレジストパターン１３ａを剥離して、再び全面に上記と同じレジスト膜を形成し、パターン描画、現像して、半透光部となる領域上にレジストパターン１３ｂを形成した（図１３（ｄ）参照）。このレジストパターン１３ｂおよび露出している遮光膜パターン１２ａをマスクとして、透光部領域上の半透光膜１１をウェットエッチングにより除去した。
【００９５】
残存するレジストパターン１３ｂを剥離して、表示装置用階調マスク２０を得た（図１３（ｅ）参照）。この諧調マスク２０は、ガラス基板１０上に、半透光膜パターン１１ａと遮光膜パターン１２ａの積層膜からなる遮光部２１、ガラス基板１０が露出している透光部２２、および半透光膜パターン１１ａからなる半透光部２３を含む転写パターンが形成された３階調マスクである。
【００９６】
こうして得られた表示装置用階調マスクに対し、上記欠陥検査装置を用いて欠陥検査を行ったところ、パターン欠陥は検出されなかった。すなわち、本発明により得られる欠陥品質が良好で、光学特性の面内均一性が良好なマスクブランクを用いて、表示装置用マスクを作製することにより、近年の表示装置用マスクで要求されている高品質を満足するような、パターン欠陥の少ない、しかも光学特性が良好である大型サイズの表示装置用マスクが得られることを確認できた。
【００９７】
（実施例３）
上述の実施例１のスパッタリング装置におけるスパッタリングカソード及びスパッタリングターゲットを、図１４（ａ）、図１４（ｂ）に示すように、成膜チャンバ２Ａ内の下方に、合計３２個のスパッタリングカソードを配置させ、かつ、各スパッタリングカソード間にスパッタリングガス導入管を設けたスパッタリング装置を使用した以外は、上述の実施例１と同様にして表示装置用バイナリマスクブランクを作製した。
得られたバイナリマスクブランクの分光反射率を分光反射率計により測定したところ、超高圧水銀灯から放出される少なくともｉ線からｇ線にわたる波長領域において、膜面反射率は平均１０％であり、その変動幅は２％未満の範囲であった。また、面内（均等３０箇所）について同様に膜面反射率を測定した結果、面内の膜面反射率のばらつきは±１．０％以内に収まっており、大型マスクブランクであっても、上記遮光膜における光学特性の均一性が良好であることが確認できた。
【００９８】
これは、実施例１に記載のスパッタリング装置に比べて、基板主表面に薄膜（遮光膜）が形成される面側に、スパッタリングガス導入管とターボ分子ボンプが設けられているので、スパッタリングガス導入管より導入されたスパッタリングガスが、基板を避けてターボ分子ポンプに引かれず、各スパッタリングカソード間から引かれることになるので、基板に対するスパッタリングガスの流れが均一になることによるものと思われる。
また、得られたバイナリマスクブランクに対し、６００ｎｍ感度の欠陥検査装置（パルステック社製）を用いて、マスクブランクの主表面の欠陥検査を行った結果、サイズが６００ｎｍ以上の欠陥数は５０個未満であり、本実施例により得られたバイナリマスクブランクは大型サイズであっても、欠陥品質が良好であることが確認できた。
【００９９】
これは、スパッタリングターゲットの上方に基板を配置しているので、スパッタリングターゲットからの発塵が基板に堆積されないことによるものと思われる。
また、上述の実施例１と同様に得られたバイナリマスクブランクを用いて表示装置用マスクを作製したところ、パターン欠陥は検出されなかった、近年の表示装置用マスクで要求されている高品質をも満足するような、パターン欠陥の少ない、しかも光学特性が良好である大型サイズの表示装置用マスクが得られることが確認できた。
【０１００】
（比較例１）
本発明に係るスパッタリング装置に替えて従来のインライン型スパッタリング装置を用いて遮光膜の成膜を行ったこと以外は、上記実施例１と同様にして表示装置用バイナリマスクブランクを作製した。
なお、上記インライン型スパッタリング装置は、実施例１で使用した本発明のスパッタリング装置で用いているスパッタリングカソード及びスパッタリングターゲットと同じサイズのものを、基板の搬送方向と直交する基板の幅方向において複数個配置し、先行文献（特許文献１，２）におけるインライン型スパッタリング装置と同様の構成としたものを用いた。この遮光膜は、上述の実施例と同様に、超高圧水銀灯から放出される少なくともｉ線からｇ線にわたる波長領域において光学濃度（ＯＤ）が３．２となるように調整され、得られた遮光膜は、膜厚１５ｎｍのＣｒＮ層（下地層）、膜厚６５ｎｍのＣｒＣ層（遮光層）、膜厚２５ｎｍのＣｒＯＮ層（反射防止層）で、合計膜厚１０５ｎｍの連続組成傾斜膜となった。
上述の実施例１の遮光膜の膜厚と対比してもわかるように、同じ光学濃度（ＯＤ）３．２を得るために必要な膜厚は、比較例１の方が厚くならなければならず、これは、実施例１の遮光膜の膜密度に比べて低いことが要因と考えられる。
【０１０１】
また、得られたバイナリマスクブランクの分光反射率を分光反射率計により測定したところ、超高圧水銀灯から放出される少なくともｉ線からｇ線にわたる波長領域において、膜面反射率は平均１０％であったが、その変動幅は２％の範囲内であった。また、面内（均等３０箇所）について同様に膜面反射率を測定した結果、面内の膜面反射率のばらつきは±５％と大きく、大型サイズのマスクブランクに要求されている光学特性の均一性が得られない。
【０１０２】
また、得られたバイナリマスクブランクに対し、前記６００ｎｍ感度の欠陥検査装置を用いて、マスクブランクの主表面の欠陥検査を行った結果、サイズが６００ｎｍ以上の欠陥数は１２０個以上検出され、大型サイズのマスクブランクに要求されている欠陥品質が得られない。
【０１０３】
（実施例４）
使用する基板は、大型合成石英ガラス基板（大きさ１２２０ｍｍ×１４００ｍｍ、厚さ１３ｍｍ）である。
上記ガラス基板上に、前述の図１、図６乃至図９に示す本発明に係るスパッタリング装置を用いて、以下の遮光膜の成膜を行った。なお、実施例で使用したスパッタリング装置は、前述に説明した本発明の第二の実施の形態に係るスパッタリング装置において、Ｘ軸方向を基板の短辺と平行な方向、Ｙ軸方向を基板の長辺と平行な方向としたスパッタリング装置を使用した。
本発明に係るスパッタリング装置において、
・成膜チャンバ２Ａ内に、合計３２個のスパッタリングカソードを配置
・１つのスパッタリングカソードのサイズ：１辺１２５ｍｍの正六角形
・各スパッタリングカソードは、隣接するスパッタカソードとの距離が等しくなるように配置
・各スパッタリングカソード間の隙間：１４０ｍｍ
・各スパッタリングカソードに９インチスパッタリングターゲット（２２９ｍｍφ）を配置（基板主表面とスパッタリングターゲットの被スパッタ面とが平行になるように配置）
・スパッタリングターゲットと基板間の距離：３５０ｍｍ
とした。
【０１０４】
具体的には、各スパッタリングカソードに装着するスパッタリングターゲットにクロム（Ｃｒ）ターゲットを用い、下地層、遮光層及び反射防止層で構成される遮光膜の成膜を行った。まず、アルゴン（Ａｒ）と窒素（Ｎ2）との混合ガス（ガス流量比＝８：２）をスパッタリングガスとし、膜厚１４ｎｍのＣｒＮ層（下地層）を成膜した。続いて、アルゴン（Ａｒ）とメタン（ＣＨ4）との混合ガス（ガス流量比＝９５：５）をスパッタリングガスとし、膜厚６１ｎｍのＣｒＣ層（遮光層）を成膜した。最後に、アルゴン（Ａｒ）と一酸化窒素（ＮＯ）との混合ガス（ガス流量比＝８５：１５）をスパッタリングガスとして、膜厚２５ｎｍのＣｒＯＮ層（反射防止層）を成膜し、合計膜厚１００ｎｍの３層積層構造のクロム系遮光膜を形成した。
なお、上記各スパッタリングガスは、成膜チャンバ内の複数のスパッタリングカソード間の間隙を通過して前記基板表面の近傍に供給されるようにした。また、成膜時のガス圧、各スパッタリングカソードに印加するＤＣ電源の電力は適宜調節して行った。この遮光膜は、超高圧水銀灯から放出される少なくともｉ線からｇ線にわたる波長領域において光学濃度（ＯＤ）が３．２となるように調整されている。
【０１０５】
以上のようにして、表示装置用バイナリマスクブランクを作製した。
得られたバイナリマスクブランクの分光反射率を分光反射率計により測定したところ、超高圧水銀灯から放出される少なくともｉ線からｇ線にわたる波長領域において、膜面反射率は平均１０％であり、その変動幅は２％未満の範囲内であった。また、面内（均等３０箇所）について同様に膜面反射率を測定した結果、面内の膜面反射率のばらつきは±１．２％以内に収まっており、大型マスクブランクであっても、上記遮光膜における光学特性の均一性が良好であることが確認できた。
【０１０６】
また、得られたバイナリマスクブランクに対し、６００ｎｍ感度の欠陥検査装置（パルステック社製）を用いて、マスクブランクの主表面の欠陥検査を行った結果、サイズが６００ｎｍ以上の欠陥数は６０個未満であり、本実施例により得られたバイナリマスクブランクは大型サイズであっても、欠陥品質が良好であることが確認できた。
【０１０７】
次に、上記バイナリマスクブランクを用いて表示装置用マスクを作製した。
すなわち、上記バイナリマスクブランクの表面にレーザー描画用のポジ型レジスト膜を形成し、このレジスト膜に対し、所望のパターン描画、現像を行い、所定のレジストパターンを形成した。次いで、このレジストパターンをマスクとして、ウェットエッチングにより上記遮光膜をエッチングして転写パターンを形成した。
【０１０８】
こうして得られた表示装置用バイナリマスクに対し、上記欠陥検査装置を用いて欠陥検査を行ったところ、パターン欠陥は検出されなかった。すなわち、本発明により得られる欠陥品質が良好で、光学特性の面内均一性が良好なマスクブランクを用いて、表示装置用マスクを作製することにより、近年の表示装置用マスクで要求されている高品質を満足するような、パターン欠陥の少ない、しかも光学特性が良好である大型サイズの表示装置用マスクが得られることを確認できた。
【０１０９】
（実施例５）
使用する基板は、中小型合成石英ガラス基板（大きさ５２０ｍｍ×８００ｍｍ、厚さ１０ｍｍ）である。
各スパッタリングカソード間からスパッタリングガスが供給される程度の隙間を設けたこと、スパッタリングターゲットと基板間の距離を３００ｍｍとしたこと以外は、実施例４と同様にして表示装置用バイナリマスクブランクを作製した。得られたバイナリマスクブランクの分光反射率を分光反射率計により測定したところ、超高圧水銀灯から放出される少なくともｉ線からｇ線にわたる波長範囲において、膜面反射率は平均１０％であり、その変動幅は２％未満の範囲であった。また、面内（均等３０箇所）について同様に膜面反射率を測定した結果、面内の膜面反射率のばらつきは±０．８％以内に収まっており、中小型マスクブランクであっても、上記遮光膜における光学特性の均一性が良好であることが確認できた。
【０１１０】
また、得られたバイナリマスクブランクに対し、６００ｎｍ感度の欠陥検査装置（パルステック社製）を用いて、マスクブランクの主表面の欠陥検査を行った結果、サイズが６００ｎｍ以上の欠陥数は１５個未満であり、本実施例により得られたバイナリマスクブランクは中小型サイズであっても、欠陥品質が良好であることが確認できた。また、上述の実施例と同様に得られたバイナリマスクブランクを用いて表示装置用マスクを作成したところ、パターン欠陥は検出されなかった。近年の表示装置用マスクで要求されている高品質をも満足するような、パターン欠陥の少ない、しかも光学特性が良好である中小型サイズの表示装置用マスクが得られることが確認できた。
【０１１１】
（実施例６）
使用する基板は、大型合成石英ガラス基板（大きさ１２２０ｍｍ×１４００ｍｍ、厚さ１３ｍｍ）である。
上記ガラス基板上に、前述の図１０（ａ）に示す本発明に係るスパッタリング装置を用いて、以下の遮光膜の成膜を行った。
本発明に係るスパッタリング装置において、
・成膜チャンバ２Ａ内に、合計４個のスパッタリングカソードを配置
・１つのスパッタリングカソードのサイズ：３００ｍｍ×１４００ｍｍの矩形状
・各スパッタリングカソードは、隣接するスパッタリングカソードとの距離が等しくなるように配置
・各スパッタリングカソードに２５０ｍｍ×１３００ｍｍスパッタリングターゲットを配置（基板主表面とスパッタリングターゲットの被スパッタ面とが平行になるように配置）
・各スパッタリングカソード間の隙間：１３３ｍｍ
・スパッタリングターゲットと基板間の距離：４００ｍｍ
とした。
成膜条件は、実施例４と同様の条件で行い、表示装置用バイナリマスクブランクを作製した。
【０１１２】
得られたバイナリマスクブランクの分光反射率を分光反射率計により測定したところ、超高圧水銀灯から放出される少なくともｉ線からｇ線にわたる波長領域において、膜面反射率は平均１０％であり、その変動幅は２％未満の範囲内であった。また、面内（均等３０箇所）について同様に膜面反射率を測定した結果、面内の膜面反射率のばらつきは±１．５％以内に収まっており、大型マスクブランクであっても、上記遮光膜における光学特性の均一性が良好であることが確認できた。実施例４と比べると、面内の膜面反射率のばらつきが０．３％大きくなっているのは、矩形ターゲットは縦方向（Ｘ軸方向）が１枚のターゲットである為に、縦方向の膜厚調整ができないことが原因と考えられる。
【０１１３】
また、得られたバイナリマスクブランクに対し、６００ｎｍ感度の欠陥検査装置（パルステック社製）を用いて、マスクブランクの主表面の欠陥検査を行った結果、サイズが６００ｎｍ以上の欠陥数は７０個未満であり、本実施例により得られたバイナリマスクブランクは大型サイズであっても、欠陥品質が良好であることが確認できた。また、上述の実施例と同様に得られたバイナリマスクブランクを用いて表示装置用マスクを作成したところ、パターン欠陥は検出されなかった。近年の表示装置用マスクで要求されている高品質をも満足するような、パターン欠陥の少ない、しかも光学特性が良好である大型サイズの表示装置用マスクが得られることが確認できた。
【０１１４】
（実施例７）
使用する基板は、大型合成石英ガラス基板（大きさ１２２０ｍｍ×１４００ｍｍ、厚さ１３ｍｍ）である。
上記ガラス基板上に、前述の図１、図６乃至図９に示す本発明に係るスパッタリング装置を用いて、以下のＭｏＳｉ半透光膜の成膜を行った。なお、半透光膜の成膜は、実施例４の遮光膜の成膜を行った成膜チャンバ２Ａ以外の例えば成膜チャンバ２Ｂ内で行った。この成膜チャンバ２Ｂ内の構成は、使用するスパッタリングターゲット材料が異なる点以外は、実施例４の遮光膜の成膜を行った成膜チャンバ２Ａ内とまったく同様の構成とした。
【０１１５】
具体的には、各スパッタリングカソードに装着するスパッタリングターゲットにモリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）との混合ターゲット（Ｍｏ：Ｓｉ＝２０原子％：８０原子％）を用い、アルゴン（Ａｒ）をスパッタリングガスとし、膜厚４．５ｎｍのＭｏＳｉ4膜（Ｍｏ：２０原子％、Ｓｉ：８０原子％）を成膜した。このとき、露光光源である超高圧水銀灯から放出される少なくともｉ線からｇ線にわたる波長領域における透過率が４０％となるように膜厚を調整した。なお、上記スパッタリングガスは、成膜チャンバ内の複数のスパッタリングカソード間の間隙を通過して前記基板表面の近傍に供給されるようにした。また、成膜時のガス圧、各スパッタリングカソードに印加するＤＣ電源の電力は適宜調節して行った。
【０１１６】
基板上に形成されたＭｏＳｉ半透光膜の分光透過率を分光光度計により測定したところ、超高圧水銀灯から放出される少なくともｉ線からｇ線にわたる波長領域において、半透光膜の透過率の変動幅は４％未満の範囲内であった。また、面内（均等３０箇所）について同様に半透光膜の透過率を測定した結果、面内の透過率のばらつきは±１.２％以内に収まっており、大型サイズの基板であっても、上記半透光膜における光学特性の均一性が良好であることが確認できた。
【０１１７】
また、上記ＭｏＳｉ半透光膜を形成した基板に対し、６００ｎｍ感度の欠陥検査装置（パルステック社製）を用いて、ＭｏＳｉ半透光膜面の欠陥検査を行った結果、サイズが６００ｎｍ以上の欠陥数は６０個未満であり、欠陥品質が良好であることが確認できた。
【０１１８】
次に、上記ＭｏＳｉ半透光膜の上に、実施例４と同じく成膜チャンバ２Ａ内で、以下の遮光膜の成膜を行った。
具体的には、各スパッタリングカソードに装着するスパッタリングターゲットにクロム（Ｃｒ）ターゲットを用い、下地層、遮光層及び反射防止層で構成される遮光膜の成膜を行った。まず、アルゴン（Ａｒ）と窒素（Ｎ2）との混合ガス（ガス流量比＝８：２）をスパッタリングガスとし、膜厚１４ｎｍのＣｒＮ層（下地層）を成膜した。続いて、アルゴン（Ａｒ）とメタン（ＣＨ4）との混合ガス（ガス流量比＝９５：５）をスパッタリングガスとし、膜厚５８ｎｍのＣｒＣ層（遮光層）を成膜した。最後に、アルゴン（Ａｒ）と一酸化窒素（ＮＯ）との混合ガス（ガス流量比＝８５：１５）をスパッタリングガスとして、膜厚２５ｎｍのＣｒＯＮ層（反射防止層）を成膜し、合計膜厚９７ｎｍの３層積層構造のクロム系遮光膜を形成した。
【０１１９】
なお、成膜時のガス圧、各スパッタリングカソードに印加するＤＣ電源の電力は適宜調節して行った。この遮光膜は、上記ＭｏＳｉ半透光膜との積層構造において、超高圧水銀灯から放出される少なくともｉ線からｇ線にわたる波長領域において光学濃度（ＯＤ）が３．２となるように調整されている。
【０１２０】
以上のようにして、ガラス基板上にＭｏＳｉ半透光膜及びＣｒ系遮光膜をこの順に積層した構造の表示装置用階調マスクブランクを作製した。得られた階調マスクブランクの分光反射率を分光反射率計により測定したところ、超高圧水銀灯から放出される少なくともｉ線からｇ線にわたる波長領域において、膜面反射率は平均１０％であり、その変動幅は２％未満の範囲内であった。また、面内（均等３０箇所）について同様に膜面反射率を測定した結果、面内の膜面反射率のばらつきは±１．７％以内に収まっており、大型マスクブランクであっても、上記遮光膜（反射防止層）における光学特性の均一性が良好であることが確認できた。
【０１２１】
また、得られた階調マスクブランクに対し、前記６００ｎｍ感度の欠陥検査装置を用いて、マスクブランクの主表面の欠陥検査を行った結果、サイズが６００ｎｍ以上の欠陥数は９５個未満であり、本実施例により得られた階調マスクブランクは大型サイズであっても、欠陥品質が良好であることが確認できた。
【０１２２】
次に、上記階調マスクブランクを用いて、図１３に示す製造工程にしたがって表示装置用階調マスクを作製した。
得られた表示装置用階調マスクに対し、上記欠陥検査装置を用いて欠陥検査を行ったところ、パターン欠陥は検出されなかった。すなわち、本発明により得られる欠陥品質が良好で、光学特性の面内均一性が良好なマスクブランクを用いて、表示装置用マスクを作製することにより、近年の表示装置用マスクで要求されている高品質を満足するような、パターン欠陥の少ない、しかも光学特性が良好である大型サイズの表示装置用マスクが得られることを確認できた。
【０１２３】
なお、上述の実施例で示したスパッタリングカソードの形状は、正六角形を例に挙げて説明したが、これに限らず、正方形、正八角形などの正多角形や、長方形、菱形、台形などの多角形、円形、惰円形などにすることもできる。また、スパッタリングターゲットの形状も、円形に限らず、正方形、長方形などの矩形にすることもできる。さらに、上述の実施例のように、各スパッタリングカソード、各スパッタリングターゲットのサイズも全て同じサイズにすることもできるが、複数の異なるサイズのスパッタリングカソード、スパッタリングターゲットを使用することができる。
【０１２４】
また、上述の実施例では、スパッタリングガスとして不活性ガス（たとえば、アルゴンガス）と活性ガス（たとえば、窒素ガス、メタンガス、一酸化窒素ガス）の混合ガスを雰囲気ガスとする反応性スパッタリングによる表示装置用マスクブランクの製造方法と、それに使用するマスクブランク製造用スパッタリング装置について説明したが、これに限定されない。マスクブランク製造用スパッタリング装置に導入するスパッタリングガスの種類によっては、スパッタリングガスが複数のスパッタリングカソード間を通過して基板表面の近傍に供給するようなスパッタリングガス供給手段でなくてもよい。その場合においては、本発明のマスクブランク製造用スパッタリング装置は、以下の構成であってもよい。
【０１２５】
（構成Ａ）透光性基板上に転写パターンを形成するための薄膜を成膜する際に用いるマスクブランク製造用スパッタリング装置であって、
少なくとも一つ以上の成膜チャンバと、前記成膜チャンバ内に配置される複数のスパッタリングカソードと、前記複数のスパッタリングカソードと対向配置され、成膜中、基板が一定位置に配置されるように基板を保持する基板保持手段と、前記成膜チャンバ内にスパッタリングガスを供給するスパッタリングガス供給手段と、を備え、
さらに、前記複数のスパッタリングカソードを、複数種類の基板サイズに応じて、前記透光性基板の前記薄膜が形成される基板主表面に対して平行な面内を移動させるスパッタリングカソード移動手段を備えたことを特徴とするマスクブランク製造用スパッタリング装置。
【０１２６】
上記構成Ａのスパッタリング装置は、成膜チャンバ内で成膜中、スパッタリングカソードに装着されるスパッタリングターゲットに対して、基板が一定位置に配置されるように基板を保持する基板保持手段により基板が移動せず静止した状態で成膜が行われるため、従来のような基板搬送手段による発塵が生じないので、欠陥品質を向上させることができる。また、基板に対して複数のスパッタリングカソードを対向配置するとともに、これら複数のスパッタリングカソードを、複数種類の基板サイズに応じて、基板主表面に対して平行な面内を移動させるスパッタリングカソード移動手段を備えていることにより、複数種類の基板サイズに対応した異なるサイズのスパッタリングターゲットを準備する必要なく薄膜を成膜することができるので、製造コストが安くすみ、且つ、光学特性の面内均一性が良好な薄膜を形成することができる。
【０１２７】
なお、上述の構成Ａのスパッタリング装置は、さらに、上記構成７から１１の構成を有することもでき、その場合、上記構成７から１１に基づく効果を奏することができる。
【符号の説明】
【０１２８】
１  搬送チャンバ
２Ａ，２Ｂ，２Ｃ  成膜チャンバ
３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，４  開閉ゲート（ゲートバルブ）
５  ローディング
６  アンローディング
７  スパッタリングカソード
７５  スパッタシールド
８  スパッタリングターゲット
９  スパッタリングガス供給手段
９１  スパッタリングガス導入管
９５  基板支持手段
１０  基板
１１  半透光膜
１２  遮光膜
１３  レジスト膜
２０  表示装置用階調マスク
２１  遮光部
２２  透光部
２３  半透光部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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