(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）四塩化炭素を、金属及び有機リガンドを含む有効量の金属触媒錯体の存在下において、付加反応を促進してＣＦ３ＣＨＣｌＣＨ２ＣＣｌ３を含む生成物流を形成するのに有効な条件下で３，３，３−トリフルオロプロペンと接触させ；
（ｂ）ＨＦを、フッ素化反応を促進して、１，１，１，４，４，４−ヘキサフルオロ−２−ブテン及び１，１，１，４，４，４−ヘキサフルオロ−２−クロロブタンを含む生成物流混合物を形成するのに有効な条件下で、工程（ａ）において形成されるＣＦ３ＣＨＣｌＣＨ２ＣＣｌ３と接触させ；
（ｃ）前記１，１，１，４，４，４−ヘキサフルオロ−２−クロロブタンを、１，１，１，４，４，４−ヘキサフルオロ−２−ブテンを含む生成物流を形成するのに有効な条件下で脱塩化水素化する；
工程を含む、ヘキサフルオロ−２−ブテンの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本出願は、共に所有され共に係属している２０１０年３月２６日出願の米国仮特許出願６１／３１７，８７９（その開示事項は参照として本明細書中に包含する）からの国内優先権を主張する。
【背景技術】
【０００２】
ヘキサフルオロ−２−ブテン（ＨＦＯ−１３３６）は、低い地球温暖化係数の発泡剤、冷媒、及び溶媒である。本発明は、次の構造：
【０００３】
【化１】
0005913279.tif 000002
【０００４】
を有するシス異性体を含むこの化合物を製造する方法を提供する。
【発明の概要】
【０００５】
本発明は、容易に入手できる原材料である四塩化炭素（ＣＣｌ４）及び３，３，３−トリフルオロプロペン（ＴＦＰ）からヘキサフルオロ−２−ブテン（ＨＦＯ−１３３６）を製造する新規な方法である。ヘキサフルオロ−２−ブテンは、ＣＦ３ＣＨＣｌＣＨ２ＣＣｌ３及びＣＦ３ＣＨＣｌＣＨ２ＣＦ３などの中間体を経由して製造される。この方法において形成されるトランス異性体は、異性化触媒を用いることによってシス異性体に異性化することができる。
【０００６】
本発明の一態様は、
（ａ）四塩化炭素を、金属及び有機リガンドを含む有効量の金属触媒錯体の存在下において、付加反応を促進してＣＦ３ＣＨＣｌＣＨ２ＣＣｌ３を含む生成物流を形成するのに有効な条件下で３，３，３−トリフルオロプロペンと接触させ；
（ｂ）ＨＦを、フッ素化触媒の存在下又は不存在下において、フッ素化反応を促進して１，１，１，４，４，４−ヘキサフルオロ−２−ブテン及び／又は１，１，１，４，４，４−ヘキサフルオロ−２−クロロブタンを含む生成物流を形成するのに有効な条件下で、（ａ）において形成されるＣＦ３ＣＨＣｌＣＨ２ＣＣｌ３と接触させ；
（ｃ）場合によっては、１，１，１，４，４，４−ヘキサフルオロ−２−クロロブタンを、脱塩化水素化触媒の存在下又は不存在下において、１，１，１，４，４，４−ヘキサフルオロ−２−ブテンを含む生成物流を形成するのに有効な条件下で脱塩化水素化し；そして
（ｄ）場合によっては、しかしながら好ましくは、トランス−１，１，１，４，４，４−ヘキサフルオロ−２−ブテンからシス−１，１，１，４，４，４−ヘキサフルオロ−２−ブテン生成物を単離した後に、トランス−１，１，１，４，４，４−ヘキサフルオロ−２−ブテンを、相当量のシス−１，１，１，４，４，４−ヘキサフルオロ−２−ブテンを形成するのに有効な条件下で異性化触媒と接触させる；
工程を含む、シス−ヘキサフルオロ−２−ブテンの製造方法である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
四塩化炭素及び３，３，３−トリフルオロプロペンによって出発して、以下の反応工程：
（ａ）：CCl4＋CF3CH=CH2→CF3CHClCH2CCl3
（ｂ）：CF3CHClCH2CCl3＋HF→CF3CH=CHCF3(HFO-1336)＋CF3CHClCH2CF3＋HCl
（ｃ）：CF3CHClCH2CF3→HCl＋CF3CH=CHCF3（HFO-1336）
によって１，１，１，４，４，４−ヘキサフルオロ−２−ブテン（ＨＦＯ−１３３６）を製造することができる。
【０００８】
工程（ｂ）及び（ｃ）の反応中に、一般に２種類の異性体、即ちシス−ＣＦ３ＣＨ＝ＣＨＣＦ３及びトランス−ＣＦ３ＣＨ＝ＣＨＣＦ３が生成する。シス異性体は数多くの用途における好ましい生成物である。而して、シス異性体のシングルパス収率を増加させるために、プロセスに他の随意的な工程、即ち：
（ｄ）トランス−１３３６→シス−１３３６
を加えて、異性化触媒を用いてトランス−１３３６をシス−１３３６に異性化することができる。
【０００９】
詳細なプロセスの説明：
工程（ａ）：CCl4＋CF3CH=CH2→CF3CHClCH2CCl3：
この工程においては、四塩化炭素を、金属及び有機リガンドを含む有効量の金属触媒錯体の存在下において、付加反応を促進してＣＦ３ＣＨＣｌＣＨ２ＣＣｌ３を含む生成物流を形成するのに有効な条件下で３，３，３−トリフルオロプロペン（ＴＦＰ）と反応させる。
【００１０】
好ましい態様においては、金属触媒錯体はＣＦ３ＣＨＣｌＣＨ２ＣＣｌ３生成物のものよりも高い沸点を有し、金属は銅及び鉄からなる群から選択される遷移金属であり、有機リガンドは、４以上の炭素原子の骨格を有する第１級及び第２級アミン、３以上の炭素原子の骨格を有するニトリル、２以上の炭素原子の骨格を有するアミド、及び３以上の炭素原子の骨格を有するホスフェート又はホスファイトからなる群から選択される。特に、触媒及び有機リガンドの好ましい組合せを表１に与える。上記の組合せの混合物（例えば１７と１８の混合物）も非常に良好に機能することができる。
【００１１】
【表１】
0005913279.tif 000003
【００１２】
触媒錯体は、四塩化炭素とＴＦＰとの反応を触媒するのに十分な量で用いる。好ましくは、反応混合物中の触媒の濃度は、約０．０１〜約１０重量％、好ましくは約１〜約５重量％、より好ましくは約１．５〜約２．５重量％の範囲である。
【００１３】
好ましい選択率及び収率を達成するためには、反応中に触媒錯体の少なくとも一部の良好な混合を達成することが好ましい。この目的を達成するためは、四塩化炭素、ＴＦＰ、及び有機リガンドを含む反応器に触媒を加えることができ、或いは、四塩化炭素及びＴＦＰを、触媒及び有機リガンドを含む反応器に加えることができる。
【００１４】
反応は、四塩化炭素とＴＦＰの付加反応を連続プロセスで行うのに十分な運転条件下で行わなければならない。反応温度は、約４０℃〜約１８０℃、好ましくは約５０℃〜約１１０℃の範囲であってよい。反応圧力は、通常は、ＣＦ３ＣＨＣｌＣＨ２ＣＣｌ３生成物を含む生成物流を反応器から取り出すことによって維持する。一般に、圧力は所望の接触時間が達成されるように維持しなければならない。約１ｐｓｉｇ〜約４００ｐｓｉｇの反応圧力が好ましく、約５０〜約２００ｐｓｉｇの圧力が更により好ましいことが分かった。接触時間は、用いる触媒及び反応条件にしたがって変化する傾向がある。好適な結果は、約１０秒間〜約１０時間、好ましくは約１分間〜約５時間の接触時間を用いて得られた。好ましくは、反応器流出流は、有機物の分離のために１つ又は複数の蒸留カラムに供給する。
【００１５】
工程（ｂ）：CF3CHClCH2CCl3＋HF→CH=CHCF3(HFO-1336)＋CF3CHClCH2CF3＋HCl：
この工程においては、ＨＦを、フッ素化触媒の存在下において、フッ素化反応を促進して１，１，１，４，４，４−ヘキサフルオロ−２−ブテン及び／又は１，１，１，４，４，４−ヘキサフルオロ−２−クロロブタンを含む生成物流を形成するのに有効な条件下で、工程（ａ）において形成されるＣＦ３ＣＨＣｌＣＨ２ＣＣｌ３と反応させる。反応器から排出される流出流は、場合によっては未反応のＨＦ、及びＣＦ３ＣＨＣｌＣＨ２ＣＦ３のような更なる成分を含む可能性がある。フッ素化プロセスは、蒸気相又は液相中で行うことができる。
【００１６】
蒸気相フッ素化においては、ＨＦ（フッ化水素ガス）を、触媒床を通して連続的に供給する。ＨＦ流のみを供給する短い時間の後、ＣＦ３ＣＨＣｌＣＨ２ＣＣｌ３を、約１：３〜約１：２０、好ましくは約１：５〜約１：１５のＣＦ３ＣＨＣｌＣＨ２ＣＣｌ３／ＨＦのモル比で触媒床を通して連続的に供給する。ＨＦとＣＦ３ＣＨＣｌＣＨ２ＣＣｌ３との間の反応は、約１００℃〜約５００℃、好ましくは約２００℃〜約３５０℃の温度、及び約５ｐｓｉｇ〜約２００ｐｓｉｇ（ポンド／平方インチゲージ圧）、好ましくは約２０ｐｓｉｇ〜約１００ｐｓｉｇの圧力で行う。好適な蒸気相固体触媒としては、クロム、アルミニウム、コバルト、マンガン、ニッケル、及び鉄の酸化物、水酸化物、ハロゲン化物、オキシハロゲン化物、その無機塩、及びこれらの混合物が挙げられるが、これらに限定されない。
【００１７】
結晶質酸化クロム又はアモルファス酸化クロムのような酸化クロム（ＩＩＩ）が好ましく、アモルファス酸化クロムが最も好ましい。酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）は、種々の粒径で購入することができる商業的に入手可能な材料である。触媒は、活性炭のような基材上に担持させることができ、或いは非担持又は自立型であってよい。活性炭に加えて、有用な触媒担体としては、アルミナ、フッ素化アルミナ、フッ化アルミニウム、アルカリ土類金属酸化物、フッ素化アルカリ土類金属酸化物、酸化亜鉛、フッ化亜鉛、酸化スズ、及びフッ化スズが挙げられる。場合によっては、しかしながら好ましくは、金属酸化物触媒は、反応の前に十分に高い温度においてＨＦ流中でのフッ素化処理にかける。
【００１８】
液相フッ素化においては、液相フッ素化触媒を液体形態で反応器に充填し、場合によってはＨＦで活性化する。網羅的ではないリストとしては、ルイス酸、遷移金属ハロゲン化物、遷移金属酸化物、周期律表第ＩＶｂ族金属ハロゲン化物、第Ｖｂ族金属ハロゲン化物、及びこれらの組合せが挙げられる。液相フッ素化触媒の非排他的な例は、ハロゲン化アンチモン、ハロゲン化スズ、ハロゲン化タンタル、ハロゲン化チタン、ハロゲン化ニオブ、及びハロゲン化モリブデン、ハロゲン化鉄、フッ素化クロムハロゲン化物、フッ素化クロム酸化物、又はこれらの組合せである。
【００１９】
液相フッ素化触媒の具体的な非排他的な例は、ＳｂＣｌ５、ＳｂＣｌ３、ＳｂＦ５、ＳｎＣｌ４、ＴａＣｌ５、ＴｉＣｌ４、ＮｂＣｌ５、ＭｏＣｌ６、ＦｅＣｌ３、ＳｂＣｌ５のフッ素化種、ＳｂＣｌ３のフッ素化種、ＳｎＣｌ４のフッ素化種、ＴａＣｌ５のフッ素化種、ＴｉＣｌ４のフッ素化種、ＮｂＣｌ５のフッ素化種、ＭｏＣｌ６のフッ素化種、ＦｅＣｌ３のフッ素化種、又はこれらの組合せである。
【００２０】
五塩化アンチモンが最も好ましい。次に、活性化触媒を約３０℃〜約２００℃、好ましくは約５０℃〜約１２０℃の所望の反応温度に加熱し；圧力を約１５ｐｓｉｇ〜約２００ｐｓｉｇ、好ましくは約５０ｐｓｉｇ〜約１７５ｐｓｉｇに保持する。ＨＦのみを供給する短い時間の後、ＣＦ３ＣＨＣｌＣＨ２ＣＣｌ３の供給流を、約１：３〜約１：２０、好ましくは約１：５〜約１：１５のＣＦ３ＣＨＣｌＣＨ２ＣＣｌ３／ＨＦのモル比で触媒を通して連続的に供給する。必要な場合には、Ｃｌ２又は同様の酸化剤を連続的又はバッチ的に加えることによって、触媒を活性化状態に維持することができる。
【００２１】
フッ素化反応は、好ましくは、約７０％以上、好ましくは約９０％以上、最も好ましくは約９３％以上の転化率を達成するように行う。得られるＣＦ３ＣＨ＝ＣＨＣＦ３に関する選択率は、好ましくは約６０％以上、最も好ましくは約８０％以上である。
【００２２】
フッ素化は、好ましくは耐腐食性の反応容器内で行う。耐腐食性材料の例は、ハステロイ、ニッケル、インコロイ、インコネル、モネル、及びフルオロポリマーライニングである。容器は、固定触媒床を有していてよく、又は液体触媒を含んでいてよい。所望の場合には、運転中に窒素又はアルゴンのような不活性ガスを反応器内で用いることができる。好ましくは、反応器流出流は、苛性スクラバー又は蒸留カラム又は抽出器に供給して、ＨＣｌの副生成物及び未転化のＨＦを除去して酸を含まない有機生成物を生成させ、これを場合によっては更なる精製にかけることができる。
【００２３】
工程（ｃ）：CF3CHClCH2CF3→HCl＋CF3CH=CHCF3（HFO-1336）：
この工程においては、工程（ｂ）において副生成物として形成されるＣＦ３ＣＨＣｌＣＨ２ＣＦ３を、蒸気相反応器（脱塩化水素化触媒を含む）に供給して脱塩化水素化して、所望の生成物であるＨＦＯ−１３３６を生成させる。
【００２４】
触媒は、バルク又は担持形態の金属ハロゲン化物、ハロゲン化金属酸化物、中性（又はゼロの酸化状態）の金属又は金属合金、或いは活性炭であってよい。金属ハロゲン化物又は金属酸化物触媒においては、成分の金属としては、Ｃｒ３＋、Ｆｅ３＋、Ｍｇ２＋、Ｃａ２＋、Ｎｉ２＋、Ｚｎ２＋、Ｐｄ２＋、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、及びＣｓ＋が挙げられるが、これらに限定されない。成分のハロゲンとしては、Ｆ−、Ｃｌ−、Ｂｒ−、及びＩ−が挙げられるが、これらに限定されない。ハロゲン化処理としては、当該技術において公知の任意のもの、特にハロゲン化源としてＨＦ、Ｆ２、ＨＣｌ、Ｃｌ２、ＨＢｒ、Ｂｒ２、ＨＩ、及びＩ２を用いるものを挙げることができる。
【００２５】
中性、即ちゼロ価の金属及び金属合金の触媒においては、有用な金属としては、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｍｎ、及び合金又は混合物としての上記の組合せが挙げられるが、これらに限定されない。触媒は担持又は非担持であってよい。金属合金の有用な例としては、SS316、Monel 400、Inconel 825、Inconel 600、及びInconel 625が挙げられるが、これらに限定されない。
【００２６】
脱塩化水素化は、場合によっては酸化剤の存在下又は不存在下で行うことができる。酸化剤の有用な例としては酸素及び二酸化炭素が挙げられるが、これらに限定されない。酸化剤を使用することによって触媒の寿命を延ばすことができる。酸化剤は、純粋であっても、或いは反応器中に導入する前に窒素のような不活性ガスで希釈してもよい。酸化剤のレベルは、概して有機供給流の体積を基準として約１体積％〜約１０体積％、好ましくは約２体積％〜５体積％である。
【００２７】
反応温度は、約１５０℃〜約６００℃、好ましくは約２００℃〜約５００℃、更により好ましくは約２５０℃〜約４００℃の範囲であってよい。反応圧力は、好ましくは約０〜１５０ｐｓｉｇである。好ましくは、反応器流出流は、苛性スクラバー又は蒸留カラムに供給してＨＣｌの副生成物を除去して酸を含まない有機生成物を生成させ、これを場合によっては更なる精製にかけることができる。
【００２８】
工程（ｄ）：トランス−１３３６→シス−１３３６：
工程（ｂ）及び（ｃ）の反応中においては、一般に２種類の異性体、即ちシス−ＣＦ３ＣＨ＝ＣＨＣＦ３及びトランス−ＣＦ３ＣＨ＝ＣＨＣＦ３が生成する。シス異性体が好ましい生成物である。シス異性体のシングルパス収率を増加させるために、場合によっては、しかしながら好ましくは、トランス−１３３６を、異性化触媒を含む蒸気相反応器内でシス−１３３６に異性化する。３種類の触媒、即ち、ハロゲン化金属酸化物、ルイス酸金属ハロゲン化物、及びゼロ価の金属を異性化触媒として用いることができる。
【００２９】
ハロゲン化金属酸化物触媒（本明細書において時には便宜上のためにＨＭＯ触媒と呼ぶ）及びルイス酸触媒（本明細書において時には便宜上のためにＬＡ触媒と呼ぶ）である触媒に関しては、触媒は遷移金属又はＡｌを含み、好ましくは遷移金属が存在する場合には、それは約２１〜約５７の原子番号を有する遷移金属及びこれらの組合せからなる群から選択されることが一般に好ましい。
【００３０】
ＨＭＯ及びＬＡ触媒において用いるための遷移金属の中では、周期律表第ＶＩＢ族からの金属が幾つかの態様においては好ましく、この族の中ではＣｒが特に好ましい。一般に、遷移金属成分を含むＨＭＯ及びＬＡ触媒に関しては、金属は、好ましくは、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｖ、Ｎｂ、Ｆｅ、Ｌａ、Ｎｉ、Ｚｎ、及びこれらの組合せからなる群から選択される。一般に、希土類金属成分を含むＨＭＯ及びＬＡ触媒に関しては、金属は、好ましくはＣｅである。
【００３１】
一般に、ホウ素金属成分を含むＨＭＯ及びＬＡ触媒に関しては、金属は、好ましくは、Ａｌ、Ｔｉ、及びこれらの組合せから選択される。一般に、アルカリ土類金属成分を含むＨＭＯ及びＬＡ触媒に関しては、金属は好ましくはＭｇである。一般に、アルカリ金属成分を含むＨＭＯ及びＬＡ触媒に関しては、金属は、好ましくは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、及びこれらの組合せから選択される。中性金属触媒（本明細書において時には便宜上のためにＮＭ触媒と呼ぶ）に関しては、触媒は、第ＶＩＩ族及びＩＢ族から選択される１種類以上の遷移金属を含むことが一般に好ましく、幾つかの態様においてはＣｏ及びＰｄが好ましい。
【００３２】
好ましい態様においては、反応温度は、約５０℃〜約６００℃、好ましくは約１００℃〜約４００℃、更により好ましくは約１５０℃〜約３００℃の範囲であってよい。また、本発明方法に関して広範囲の圧力を用いることができることも意図される。しかしながら、幾つかの好ましい態様においては、反応は、約５ｔｏｒｒの真空乃至約２００ｐｓｉｇの範囲の圧力条件下で行う。また、本発明の好ましい反応のために広範囲の接触時間を用いることができることも意図される。しかしながら、幾つかの好ましい態様においては、滞留時間は好ましくは約０．５秒間〜約６００秒間である。
【００３３】
本発明の好ましい態様の一形態は、トランス−１３３６を、好ましくは少なくとも約１％、より好ましくは少なくとも約７０％、更により好ましくは少なくとも約９０％の転化率でシス形態に転化させ、一方で同時に、好ましくは、少なくとも約８０％、更により好ましくは少なくとも約９５％、及び幾つかの非常の好ましい態様においては少なくとも約９８％のシス形態の化合物への選択率を達成することを包含する。
【００３４】
以下の実施例は本発明の具体的な例示として与える。しかしながら、本発明は実施例において示す具体的な詳細に限定されないことを留意すべきである。
【実施例】
【００３５】
実施例１：
四塩化炭素及び３，３，３−トリフルオロプロペンからのＣＦ３ＣＨＣｌＣＨ２ＣＣｌ３の製造：
鉄線を充填した０．５インチ×４０インチの栓流反応器に、３，３，３−トリフルオロプロペン及び四塩化炭素の混合物（５０／５０モル％）を約１．５ｇ／分で供給した。また、触媒予備混合タンク（２Ｌ）中で調製した塩化第二鉄、トリブチルホスフェート、及び四塩化炭素の触媒混合物も、約２ｇ／分で反応器に同時に供給した。反応器を８０℃〜１００℃で運転し、約３０ｐｓｉｇに制御した。栓流反応器の流出流を蒸留カラムに供給し、大気圧以下の圧力及び約８０℃以下で運転した。この蒸留カラムから、未反応の四塩化炭素を微量の３，３，３−トリフルオロプロペンと共に留出し、触媒予備混合タンクに供給した。この蒸留からの塔底混合物を第２の蒸留に供給し、約５０ｍｍＨｇの真空下及び８０℃〜９０℃で運転した。粗ＣＦ３ＣＨＣｌＣＨ２ＣＣｌ３生成物をカラムの頂部から回収した。触媒混合物、塩化第二鉄、塩化第一鉄、及びトリブチルホスフェートを含む塔底混合物を、触媒予備混合タンクに戻し、反応器に再循環して戻した。粗ＣＦ３ＣＨＣｌＣＨ２ＣＣｌ３は１．４ｇのＣＦ３ＣＨＣｌＣＨ２ＣＣｌ３を含んでいた。収率は９０％より大きかった。
【００３６】
実施例２：
ＣＦ３ＣＨ＝ＣＨＣＦ３（ＨＦＯ−１３３６）及びＣＦ３ＣＨＣｌＣＨ２ＣＦ３の製造：
フッ素化Ｃｒ２Ｏ３触媒の存在下においてＣＦ３ＣＨＣｌＣＨ２ＣＣｌ３の蒸気相フッ素化を行った。Ｎ２、ＨＦ、及び有機物の供給システム、供給流気化器、過熱器、内径（ＩＤ）４インチのモネル反応器、酸スクラバー、乾燥機、及び生成物回収システムから構成される連続蒸気相フッ素化反応システムを用いて反応を研究した。反応器に約６．５Ｌのフッ素化Ｃｒ２Ｏ３触媒を装填した。次に、触媒上にＮ２パージを流しながら、反応器を約２５０℃の反応温度に加熱した。反応器は約３ｐｓｉｇの圧力であった。次に、気化器及び過熱器を通してＨＦ供給流をＮ２との共供給流として１５分間反応器に導入し、この時点でＮ２流を停止した。ＨＦの流速を０．３５ポンド／時に調節し、次に気化器及び過熱器を通してＣＦ３ＣＨＣｌＣＨ２ＣＣｌ３の反応器への供給を開始した。ＣＦ３ＣＨＣｌＣＨ２ＣＣｌ３の供給速度は約０．４４ポンド／時において一定に維持し、ＨＦ供給は、約１０：１のＨＦ：ＣＦ３ＣＨＣｌＣＨ２ＣＣｌ３のモル比にするために０．３５ポンド／時において一定に維持した。反応が開始すると、触媒床の温度が２５０℃〜２６０℃の範囲に上昇した。反応器の流出流中のＣＦ３ＣＨ＝ＣＨＣＦ３、ＣＦ３ＣＨＣｌＣＨ２ＣＦ３、及びＣＦ３ＣＨＣｌＣＨ２ＣＣｌ３の濃度は、それぞれ９２．９、４．９、及び１．１ＧＣ面積％であった。
【００３７】
実施例３：
ＣＦ３ＣＨＣｌＣＨ２ＣＦ３からのＣＦ３ＣＨ＝ＣＨＣＦ３（ＨＦＯ−１３３６）の製造：
３区域の電気炉中に浸漬した円筒形の内径３／４インチのモネル反応器を、ＣＦ３ＣＨＣｌＣＨ２ＣＦ３の脱塩化水素化反応において用いた。触媒床を通して反応器の内部に配置した５点式熱電対を用いてプロセス温度を記録した。２０ｃｃのフッ素化クロミア触媒を反応器中に充填した。垂直に設置した反応器の底部中にＣＦ３ＣＨＣｌＣＨ２ＣＦ３を１２ｇ／時の速度で供給し、触媒床に達する前に気化させた。３５０℃及び１気圧において反応を行った。流出ガスをガスサンプリング管に通して、ガスサンプリング管の内容物のＧＣ分析によって反応の進行を周期的にモニタリングするようにした。分析によって、流出ガスは約９１％のＣＦ３ＣＨ＝ＣＨＣＦ３、及び約８％のＣＦ３ＣＨＣｌＣＨ２ＣＦ３を含んでいたことが示された。
【００３８】
実施例４：
ＣＦ３ＣＨＣｌＣＨ２ＣＣｌ３からのＣＦ３ＣＨ＝ＣＨＣＦ３（ＨＦＯ−１３３６）の製造：
ＳｂＣｌ５の存在下においてＣＦ３ＣＨＣｌＣＨ２ＣＣｌ３の液相フッ素化を行った。約６１００ｇのＳｂＣｌ５を、内径２インチの充填カラム及び凝縮器を取り付けたテフロンライニング液相反応器（テフロンはE. I. DuPont de Nemours & Co.の商標である）内に含ませた。反応器は内径２．７５インチ×長さ３６インチであった。まず、大過剰のＣｌ２を反応器に加えて、触媒が５価状態であることを確保した。反応器を約８５℃〜８７℃に加熱した。まず、ＨＦの供給を開始した。１．３ポンドのＨＦが加えられた時点で、ＣＦ３ＣＨＣｌＣＨ２ＣＣｌ３の供給を開始した。ＣＦ３ＣＨＣｌＣＨ２ＣＣｌ３供給材料の純度は約９９ＧＣ面積％（ガスクロマトグラフ）であった。実験を７１時間連続的に運転した。この運転中において、塩素を運転中にわたって約４時間毎にバッチ供給して触媒を活性に保持した。供給は、１０／１のＨＦ／ＣＦ３ＣＨＣｌＣＨ２ＣＣｌ３の比のために平均で０．３５ポンド／時のＨＦ及び０．４４ポンド／時のＣＦ３ＣＨＣｌＣＨ２ＣＣｌ３であった。この実験に関する反応器温度範囲は７８℃〜９１℃であり、圧力範囲は８５ｐｓｉｇ〜１１５ｐｓｉｇ（ポンド／平方インチゲージ圧）であった。運転から回収された有機粗材料をガスクロマトグラフにかけた。有機相中のＣＦ３ＣＨ＝ＣＨＣＦ３及びＣＦ３ＣＨＣｌＣＨ２ＣＣｌ３の濃度は、それぞれ９７．９及び１．０ＧＣ面積％であった。
【００３９】
実施例５：
トランス−ＣＦ３ＣＨ＝ＣＨＣＦ３からのシス−ＣＦ３ＣＨ＝ＣＨＣＦ３の製造：
３区域の電気炉中に浸漬した円筒形の内径３／４インチのモネル反応器を、トランス−ＣＦ３ＣＨ＝ＣＨＣＦ３の異性化反応において用いた。触媒床を通して反応器の内部に配置した５点式熱電対を用いてプロセス温度を記録した。２０ｃｃのフッ素化クロミア触媒を反応器中に充填した。垂直に設置した反応器の底部中にトランス−ＣＦ３ＣＨ＝ＣＨＣＦ３を１２ｇ／時の速度で供給し、触媒床に達する前に気化させた。２５０℃及び１気圧において反応を行った。流出ガスをガスサンプリング管に通して、ガスサンプリング管の内容物のＧＣ分析によって反応の進行を周期的にモニタリングするようにした。分析によって、流出ガスは約６１％のシス−ＣＦ３ＣＨ＝ＣＨＣＦ３及び約４８％のトランス−ＣＦ３ＣＨ＝ＣＨＣＦ３を含んでいたことが示された。
【００４０】
好ましい態様を参照して本発明を特に示し且つ記載したが、本発明の精神及び範囲から逸脱することなく種々の変更及び修正を行うことができることは当業者に容易に認められるであろう。特許請求の範囲は、開示された態様、上記で議論したそれらの代替物、並びにそれに対する全ての均等物をカバーするように解釈すると意図される。
本発明は以下の態様を含む。
［１］
（ａ）四塩化炭素を、金属及び有機リガンドを含む有効量の金属触媒錯体の存在下において、付加反応を促進してＣＦ３ＣＨＣｌＣＨ２ＣＣｌ３を含む生成物流を形成するのに有効な条件下で３，３，３−トリフルオロプロペンと接触させ；
（ｂ）ＨＦを、フッ素化反応を促進して、シス−及びトランス−１，１，１，４，４，４−ヘキサフルオロ−２−ブテンを含む生成物流混合物を形成するのに有効な条件下で、工程（ａ）において形成されるＣＦ３ＣＨＣｌＣＨ２ＣＣｌ３と接触させ、混合物からシス−１，１，１，４，４，４−ヘキサフルオロ−２−ブテンを単離する；
工程を含む、シス−ヘキサフルオロ−２−ブテンの製造方法。
［２］
（ｃ）１，１，１，４，４，４−ヘキサフルオロ−２−クロロブタンを、１，１，１，４，４，４−ヘキサフルオロ−２−ブテンを含む生成物流を形成するのに有効な条件下で脱塩化水素化する；
工程を更に含む、［１］に記載の方法。
［３］
工程（ｂ）のフッ素化プロセスを蒸気相中で行う、［１］に記載の方法。
［４］
蒸気相固体触媒が酸化クロム（ＩＩＩ）である、［３］に記載の方法。
［５］
工程（ｂ）のフッ素化プロセスを液相中で行う、［１］に記載の方法。
［６］
液相フッ素化触媒が五塩化アンチモンである、［５］に記載の方法。