(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁体層と配線電極とを備えた多層基板と、
前記多層基板の一方主面に実装された部品と、
前記部品を被覆して前記一方主面に設けられた樹脂層と、
前記樹脂層の表面と前記多層基板の側面の少なくとも一部とを被覆して設けられたシールド電極とを備え、
前記配線電極は前記多層基板内に前記シールド電極から所定間隔をあけて配置されたキャパシタ用ビア電極を有し、
前記シールド電極と前記キャパシタ用ビア電極とを用いて第１のキャパシタが形成されている
ことを特徴とする高周波モジュール。
【請求項２】
前記キャパシタ用ビア電極が複数設けられ、
前記配線電極は前記キャパシタ用ビア電極どうしを電気的に接続する第１のキャパシタ用面内電極を有する、
ことを特徴とする請求項１に記載の高周波モジュール。
【請求項３】
前記配線電極は、第２のキャパシタ用面内電極を複数有し、
前記キャパシタ用ビア電極と前記第２のキャパシタ用面内電極が前記多層基板内において電気的に接続されている
ことを特徴とする請求項１または２に記載の高周波モジュール。
【請求項４】
前記キャパシタ用ビア電極は、複数の前記絶縁体層に形成された層間接続用のビア導体が積層方向に接続されて形成されている
ことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の高周波モジュール。
【請求項５】
前記ビア導体は円形状の横断面を有し、少なくとも１つの前記ビア導体の径が他の前記ビア導体の径と異なるように形成されていることを特徴とする請求項４に記載の高周波モジュール。
【請求項６】
少なくとも１つの前記ビア導体の横断面の中心を通る中心軸が積層方向に隣接配置されている他の前記ビア導体の横断面の中心を通る中心軸とずれて配置されていることを特徴とする請求項４または５に記載の高周波モジュール。
【請求項７】
前記第１のキャパシタを構成する前記キャパシタ用ビア電極と前記シールド電極との間には、平面視で他の配線が配置されない
ことを特徴とする請求項４ないし６のいずれかに記載の高周波モジュール。
【請求項８】
前記第１のキャパシタを構成する前記キャパシタ用ビア電極と前記シールド電極との間の距離は、前記部品と前記シールド電極との距離と比べて狭い
ことを特徴とする請求項４ないし７のいずれかに記載の高周波モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、所定の高周波回路を備える高周波モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、図７に示すように、セラミックや樹脂により形成された多層基板５０１の一方主面５０１ａに各種の部品５０２が実装され、これらの部品５０２を被覆する樹脂層５０３にシールド電極５０４が形成された高周波モジュール５００が提供されている（例えば特許文献１参照）。各部品５０２それぞれは、多層基板５０１の一方主面５０１ａに形成されたランド電極５０５にはんだ等の接合材を用いて接続され、多層基板５０１内に形成されたビア電極５０６および面内電極５０７，５０８を介して、多層基板５０１の他方主面５０１ｂに形成された外部接続端子５０９に電気的に接続されている。また、シールド電極５０４は、樹脂層５０３の表面と多層基板５０１の側面５０１ｃとを被覆するように形成され、多層基板５０１の側面５０１ｃにおいてその側面５０１ｃに露出するグランド接続用の面内電極５０８と接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−１８７７７９号公報（段落０００２，０００３、図１６など）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、一般的に、多層基板５０１内のビア電極５０６および面内電極５０７，５０８が組み合わされることにより、高周波モジュール５００が備える所定の高周波回路の一部を構成するキャパシタやインダクタなどの回路素子が形成される。具体的には、例えば面内電極５０７，５０８が積層方向に所定の距離をあけて平行に配置されることにより多層基板５０１内にキャパシタが形成される。したがって、多層基板５０１内にキャパシタを形成するために所定の面積を有する面内電極５０７，５０８を配置するスペースを確保する必要があるので、多層基板５０１の平面視サイズが大きくなり、高周波モジュール５００の小型化の妨げとなっている。【０００５】
また、各ビア電極５０６のうち、グランド接続されない高周波信号の伝送用のビア電極５０６がシールド電極５０４に近接配置されると、当該ビア電極５０６とシールド電極５０４との間に不要な寄生容量が生じるおそれがある。この場合、シールド電極５０４は多層基板５０１内のグランド接続用の面内電極５０８に接続されて接地されるため、当該ビア電極５０６により不要な接地容量が形成され、この不要容量を介して高周波信号が漏洩したり、モジュール外部からノイズが侵入することにより、高周波モジュール５００の特性が劣化するおそれがある。したがって、多層基板５０１内におけるビア電極５０６の設計の自由度が制限されるという問題があった。【０００６】
この発明は、上記した課題に鑑みてなされたものであり、高周波モジュールを小型化できると共に、多層基板内の配線電極の設計の自由度を向上することができる技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記した目的を達成するために、本発明のモジュールは、絶縁体層と配線電極とを備えた多層基板と、前記多層基板の一方主面に実装された部品と、前記部品を被覆して前記一方主面に設けられた樹脂層と、前記樹脂層の表面と前記多層基板の側面の少なくとも一部とを被覆して設けられたシールド電極とを備え、前記配線電極は前記多層基板内に前記シールド電極から所定間隔をあけて配置されたキャパシタ用ビア電極を有し、前記シールド電極と前記キャパシタ用ビア電極とを用いて第１のキャパシタが形成されていることを特徴としている。【０００８】
このように構成された発明では、多層基板の側面の少なくとも一部に形成されたシールド電極と第１のキャパシタ用ビア電極とにより所定の高周波回路の一部を構成する第１のキャパシタが形成されているため、多層基板内において面内電極が組み合わされてキャパシタが形成される構成と比較すると、多層基板の一方主面から平面視したときの第１のキャパシタのサイズを小さくすることができるので、高周波モジュールを小型化することができる。また、グランド接続されない高周波信号の伝送用の第１のキャパシタ用ビア電極が積極的にシールド電極に近接配置されて第１のキャパシタが形成されることにより、多層基板内の配線電極の設計の自由度を向上することができる。【０００９】
また、前記キャパシタ用ビア電極が複数設けられ、前記配線電極は前記キャパシタ用ビア電極どうしを電気的に接続する第１のキャパシタ用面内電極を有してもよい。【００１０】
このように構成すると、第１のキャパシタを形成するシールド電極と各第１のキャパシタ用ビア電極とが対向する部分の面積を増大させることができるので、第１のキャパシタの容量値を大きくすることができる。【００１１】
また、前記配線電極は、第２のキャパシタ用面内電極を複数有し、前記キャパシタ用ビア電極と前記第２のキャパシタ用面内電極が前記多層基板内において電気的に接続されていてもよい。【００１２】
このようにすれば、面内電極のみでキャパシタを形成する場合に比べ、多層基板の一方主面から平面視したときの第２のキャパシタ用面内電極のサイズを小さくすることができるので、高周波モジュールの小型化を図ることができる。【００１３】
また、前記キャパシタ用ビア電極は、複数の前記絶縁体層に形成された層間接続用のビア導体が積層方向に接続されて形成されていてもよい。【００１４】
このようにすれば、第１のキャパシタの積層方向における容量形成領域を増大させることができるので、高周波モジュールを大型化することなく第１のキャパシタの容量値を増大させることができる。【００１５】
また、前記ビア導体は円形状の横断面を有し、少なくとも１つの前記ビア導体の径が他の前記ビア導体の径と異なるように形成されていてもよい。また、少なくとも１つの前記ビア導体の横断面の中心を通る中心軸が積層方向に隣接配置されている他の前記ビア導体の横断面の中心を通る中心軸とずれて配置されていてもよい。【００１６】
このようにすれば、各ビア導体それぞれとシールド電極との距離を調整することができるので、第１のキャパシタの容量値を容易に調整することができる。【００１７】
前記第１のキャパシタを構成する前記キャパシタ用ビア電極と前記シールド電極との間には、平面視で他の配線が配置されないことがよい。【００１８】
このように構成すると、高周波モジュールを小型化することができる。また、多層基板内の配線電極の設計精度を向上することができる。【００１９】
前記第１のキャパシタを構成する前記キャパシタ用ビア電極と前記シールド電極との間の距離は、前記部品と前記シールド電極との距離と比べて狭くてもよい。【００２０】
このように構成すると、部品の下のスペースが空くため、設計自由度を向上できる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、所定の高周波回路の一部を構成する第１のキャパシタが、多層基板の側面の少なくとも一部に形成されたシールド電極と第１のキャパシタ用ビア電極とにより形成されているので、多層基板の一方主面から平面視したときのサイズを小さくすることができ、高周波モジュールの小型化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の第１実施形態にかかる高周波モジュールの断面図である。
【図２】図１の高周波モジュールが備えるＬＣフィルタを示す回路図である。
【図３】本発明の第２実施形態にかかる高周波モジュールの断面図である。
【図４】本発明の第３実施形態にかかる高周波モジュールの左側断面図である。
【図５】本発明の第４実施形態にかかる高周波モジュールの要部拡大図である。
【図６】図５の変形例を示す要部拡大図である。
【図７】従来の高周波モジュールを示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
＜第１実施形態＞
本発明にかかる高周波モジュールの第１実施形態について、図１および図２を参照して説明する。なお、図１では本発明にかかる主要な構成のみが図示されており、説明を簡易なものとするために、その他の構成は図示省略されている。また、後の説明で参照する図３〜図５についても、図１と同様に主要な構成のみが図示されているが、以下の説明においてはその説明は省略する。
【００２４】
図１に示す高周波モジュール１は、所定の高周波回路を備え、携帯電話や携帯情報端末などの通信携帯端末が備えるマザー基板に搭載されるものであり、この実施形態では、多層基板２と、所定の高周波回路を形成するスイッチＩＣやフィルタ、抵抗、キャパシタ、インダクタなどの各種の部品３と、樹脂層４と、シールド電極５とを備え、高周波アンテナスイッチモジュールとして形成されている。
【００２５】
また、各種の部品３は、多層基板２の一方主面２１に設けられたランド電極６にはんだ等の接合材を用いて実装される。そして、各種の部品３と、多層基板２の他方主面２２に形成された複数の外部接続端子８とは、多層基板２に設けられた各ビア電極７１，７２、各面内電極７３〜７５を介して相互に電気的に接続される。
【００２６】
樹脂層４は、エポキシ樹脂等の一般的な熱硬化性のモールド用の樹脂により、各部品３を被覆して多層基板２の一方主面２１上に設けられている。また、シールド電極５は、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ等の金属材料がスパッタリングあるいは蒸着されたり、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ等の金属材料を含む導電ペーストが塗布されることにより、樹脂層４の表面と多層基板２の側面２３の少なくとも一部を被覆して設けられている。
【００２７】
多層基板２は、この実施形態では、アルミナおよびガラスなどの混合粉末が有機バインダおよび溶剤などと一緒に混合されたスラリーが成型器によりシート化されたセラミックグリーンシートを複数（この実施形態では１１層）して形成されている。なお、所定形状に切り取られたセラミックグリーンシートに、レーザー加工などによりビアホールが形成され、形成されたビアホールに各種金属材料を含む導電ペーストが充填され、あるいはビアフィルめっきが施されることによりビア電極７１，７２が形成される。また、セラミックグリーンシートの主面上に導電ペーストを印刷することにより、種々の面内電極７３〜７５、ランド電極６、外部接続端子８が形成される。これらの各電極や外部接続端子を形成したセラミックグリーンシートを複数枚積層し、約１０００℃前後の低い温度で、各電極や外部接続端子と同時に焼成することにより多層基板２は形成されている。なお、セラミックグリーンシートは焼成後、絶縁体層２ａ〜２ｋを構成し、各面内電極７３〜７５のうち、グランド接続用の第２のキャパシタ用面内電極７３は、多層基板２の側面２３に露出してシールド電極５に電気的に接続されている。
【００２８】
また、ビア電極７１，７２および面内電極７３〜７５を使用して構成したインダクタやキャパシタが組み合わされることにより、多層基板２内に高周波モジュール１が備える高周波回路であるＬＣフィルタ９（ローパスフィルタ）が形成されている。図２に示すように、ＬＣフィルタ９は、インダクタＬと第２のキャパシタＣ１とにより形成されて入出力端子間Ｉｎ，Ｏｕｔ間に直列接続された並列共振回路と、出力端子Ｏｕｔ側の端部に一端が接続され他端がグランド接続された第２のキャパシタＣ２と、入力端子Ｉｎ側の端部に一端が接続され他端がグランド接続されたキャパシタＣ３とを有している。
【００２９】
図１に示すように、インダクタＬは、絶縁体層２ｄ〜２ｆそれぞれに形成されたビア電極７２と面内電極７５とが積層方向に螺旋状に接続されることにより形成されている。また、第２のキャパシタＣ１は、絶縁体層２ｄ，２ｅそれぞれに形成された第２のキャパシタ用面内電極７４が積層方向に所定間隔をあけて対向配置されることにより形成されている。また、第２のキャパシタＣ２は、絶縁体層２ｂ，２ｃそれぞれに形成された第２のキャパシタ用面内電極７３，７４が積層方向に所定間隔をあけて対向配置されることにより形成されている。
【００３０】
図１に記載したように、キャパシタＣ３は、第１のキャパシタＣ３ａと、第２のキャパシタＣ３ｂとが多層基板２内において電気的に接続されることにより形成されている。第１のキャパシタＣ３ａは、多層基板２側面に形成されたシールド電極５から所定間隔をあけて配置されたキャパシタ用ビア電極７１と、シールド電極５とにより形成されている。そして、キャパシタ用ビア電極７１は、多層基板２の複数（４層）の絶縁体層２ｄ〜２ｇに形成された層間接続用のビア導体７１ａが積層方向に接続されて形成されている。また、第２のキャパシタＣ３ｂは、絶縁体層２ｉ，２ｊに形成された第２のキャパシタ用面内電極７３、７４が積層方向に所定間隔をあけて対向配置されることにより形成されている。
【００３１】
そして、第１のキャパシタＣ３ａを形成するシールド電極５と、第２のキャパシタＣ３ｂを形成する第２のキャパシタ用面内電極７３とが多層基板２の側面２３において電気的に接続されている。第１のキャパシタＣ３ａを形成するキャパシタ用ビア電極７１と、第２のキャパシタ用面内電極７４とがビア電極７２および面内電極７５を介して電気的に接続さている。このような構成にすることにより、第１のキャパシタＣ３ａと第２のキャパシタＣ３ｂとを並列接続したキャパシタＣ３を形成することができる。
【００３２】
このように、第１のキャパシタＣ３ａと第２のキャパシタＣ３ｂとが多層基板２内において並列接続されてキャパシタＣ３が形成されることにより、第２のキャパシタ用面内電極７３，７４のみで形成したキャパシタに比べて第２のキャパシタ用面内電極７３，７４の面積を小さくすることができる。これにより、高周波モジュール１の小型化を図ることができる。
【００３３】
また、複数のビア導体７１ａが接続されて形成されたキャパシタ用ビア電極７１により、第１のキャパシタＣ３ａの積層方向における容量形成領域を増大させることができるので、高周波モジュール１を大型化することなく第１のキャパシタＣ３ａの容量値を大きくすることができる。また、図１および図２に示すように、インダクタＬを構成する面内電極７５と第１のキャパシタＣ３ａを構成するキャパシタ用ビア電極７１が電気的に接続されているため、キャパシタ用ビア電極７１をＬＣフィルタ９のインダクタＬの一部として使用することができる。これにより、インダクタＬを小型化することができ、高周波モジュール１を小型化することができる。
【００３４】
また、グランド接続されない高周波信号の伝送用のキャパシタ用ビア電極７１が積極的にシールド電極５に近接配置されて第１のキャパシタＣ３ａが形成されることにより、従来の構成と比較すると、キャパシタ用ビア電極７１をシールド電極５に近接配置することができるので、多層基板２内の各配線電極の設計の自由度を向上することができる。また、大面積の面内電極７３，７４を配置できない場所にキャパシタ用ビア電極７１を配置して第１のキャパシタＣ３ａを形成することができるので、高周波モジュール１の大きさを維持した状態で、多層基板２内により大きな容量値を有する第１のキャパシタＣ３ａを形成することができる。
【００３５】
また、キャパシタ用ビア電極７１には、ＬＣフィルタ９を形成するための各電極７２〜７５のみが接続されるので、モジュール外部のノイズの影響を低減することができる。
【００３６】
なお、インダクタＬのパターン形状は、上記した多層基板２内に積層方向に設けられた螺旋形状に限らず、渦巻き状や、ミアンダ状、ライン状など、どのように形成されてもよい。また、各絶縁体層２ａ〜２ｋそれぞれに形成されるビア電極７１，７２および面内電極７３〜７５により、他のインダクタやキャパシタなどの回路素子がさらに形成されていてもよい。また、これらの回路素子が組み合わされてフィルタ回路や整合回路などの各種回路がさらに形成されていてもよい。
【００３７】
また、多層基板２は、樹脂やセラミック、ポリマー材料などを用いた、プリント基板、ＬＴＣＣ、アルミナ系基板、複合材料基板などの多層基板により形成することができ、高周波モジュール１の使用目的に応じて、適宜最適な材質を選択して多層基板２を形成すればよい。このように、ランド電極６、ビア電極７１，７２、面内電極７３〜７５、外部接続端子８により本発明の「配線電極」が形成されている。
【００３８】
＜第２実施形態＞
次に、図３を参照して本発明の第２実施形態について説明する。
【００３９】
この実施形態が上記した第１実施形態と異なるのは、図２のＬＣフィルタ９の第２のキャパシタＣ２が第１のキャパシタＣ４により形成され、キャパシタＣ３が第１のキャパシタＣ５により形成されている点である。その他の構成は上記した第１実施形態と同様の構成であるため、同一符号を引用することによりその構成の説明は省略する。
【００４０】
第１のキャパシタＣ４，Ｃ５は、多層基板２の側面に形成されたシールド電極５から所定間隔をあけて配置されたキャパシタ用ビア電極７１と、シールド電極５とにより形成されている。そして、キャパシタ用ビア電極７１は、多層基板２の複数（８層）の絶縁体層２ｄ〜２ｇに形成された層間接続用のビア導体７１ａが積層方向に接続されて形成されている。
【００４１】
このように、ビア電極をキャパシタ用電極として用いた第１のキャパシタＣ４，Ｃ５によりＬＣフィルタ９の一部が構成されることにより、ＬＣフィルタ９の平面視サイズをさらに小さくして、高周波モジュール１をさらに小型化することができる。また、多層基板２内にインダクタやキャパシタを配置した場合、インダクタで発生する磁界の広がりが近接して配置されたキャパシタ用電極により妨げられ、インダクタのＱ値が低下するという問題があった。しかし、本実施形態のように、平板状の第２のキャパシタ用面内電極７３をなくしたり面積を小さくすることにより、インダクタＬの上下に平板状の第２のキャパシタ用面内電極７３を配置しない構成にすることができるので、インダクタＬのＱ値の低下を抑制でき、ＬＣフィルタ９の通過損失を改善することができる。
【００４２】
＜第３実施形態＞
次に、図４を参照して本発明の第３実施形態について説明する。
【００４３】
この実施形態が上記した第２実施形態と異なるのは、キャパシタ用ビア電極７１が、多層基板２内に複数（４個）配置して設けられ、シールド電極５と複数のキャパシタ用ビア電極７１とでキャパシタＣ４，Ｃ５を形成している点である。なお、各キャパシタ用ビア電極７１は、多層基板２の側面（シールド電極５）に沿って配列して設けられ、キャパシタ用ビア電極７１どうしは、絶縁体層２ｇに形成された第１のキャパシタ用面内電極７６（配線電極）により多層基板２内において電気的に接続されている。その他の構成は上記した第１および第２実施形態と同様の構成であるため、同一符号を引用することによりその構成の説明は省略する。なお、キャパシタＣ４とキャパシタＣ５を構成するキャパシタ用ビア電極どうしは電気的に接続されていない。
【００４４】
このように、複数のキャパシタ用ビア電極７１どうしが第１のキャパシタ用面内電極７６により互いに電気的に接続されることにより、シールド電極５と各キャパシタ用ビア電極７１とが対向する部分の面積を増大させることができるので、第１のキャパシタＣ４，Ｃ５それぞれの容量値を大きくすることができる。そのため、多層基板２内に形成していた第２のキャパシタ用面内電極を無くすか、あるいは小さくすることができるため、高周波モジュールをさらに小型化することができる。
【００４５】
なお、それぞれ異なる絶縁体層に形成された複数の第１のキャパシタ用面内電極７６により複数のキャパシタ用ビア電極７１どうしが電気的に接続されるようにしてもよい。このように、第１のキャパシタ用面内電極７６の数を調整することにより、第１のキャパシタＣ４，Ｃ５それぞれを形成するシールド電極５と対向する電極の面積の大きさを調整することができるので、各第１のキャパシタＣ４，Ｃ５の容量値を容易に調整することができる。
【００４６】
＜第４実施形態＞
次に、図５を参照して本発明の第４実施形態について説明する。
【００４７】
この実施形態が上記した第１実施形態と異なるのは、図５に示すように、キャパシタ用ビア電極７１を形成する円形状の横断面を有する各ビア導体７１ａ，７１ｂのうち、少なくとも１つのビア導体７１ｂの径が他のビア導体７１ａの径と異なるように形成されている点である。その他の構成は上記した第１実施形態と同様の構成であるため、同一符号を引用することによりその構成の説明は省略する。
【００４８】
このようにすると、ビア導体７１ｂとシールド電極５との距離を調整することができるので、第１のキャパシタＣ３ａの容量値を容易に調整することができる。なお、図５では、各ビア導体７５ａ，７５ｂの横断面の中心を通る中心軸ＣＬ１は直線状に配置されるが、図６に示すように、例えばビア導体７１ｃの横断面の中心を通る中心軸ＣＬ２を、積層方向に隣接配置されている他のビア導体７１ａの横断面の中心を通る中心軸ＣＬ１とずらして配置し、ビア導体７１ｃをシールド電極５に近接配置するようにしても構わない。その様な構成にすることにより、容量値の調整範囲を広くすることができる。また、この場合には，中心軸ＣＬ１，ＣＬ２をずらして配置するビア導体７１ａ，７１ｃの横断面の径が互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。
【００４９】
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて、上記したもの以外に種々の変更を行なうことが可能である。例えば、第１のキャパシタを構成するキャパシタ用ビア電極７１とシールド電極５との間には、平面視で他の配線が配置されないように構成してもよい。こうすると、高周波モジュールを小型化することができ、多層基板内の配線電極の設計精度を向上することができる。
【００５０】
また、第１のキャパシタを構成するキャパシタ用ビア電極７１とシールド電極５との間の距離は、部品３とシールド電極５との距離と比べて狭くしてもよい。この場合、部品の下のスペースが空くため、設計自由度を向上できる。
【００５１】
また、上記した実施形態が備える構成をどのように組み合わせてもよく、キャパシタ用ビア電極７１を形成するビア導体７１ａの数は上記した例に限定されるものではなく、必要な容量値に応じて適宜１個〜複数個のビア導体７１ａが接続されるようにして容量値が調整を調整すればよい。また、並設されて第１のキャパシタ用面内電極７６により電気的に接続されるキャパシタ用ビア電極７１の本数も図４に示す例に限定されるものではなく、必要な容量値に応じて適宜１本〜複数本のキャパシタ用ビア電極７１が接続されるようにして容量値を調整すればよい。
【００５２】
また、樹脂層４の全表面がシールド電極５により被覆されている必要はなく、例えば、樹脂層４の表面の一部が被覆されないようにシールド電極５が形成され、露出する樹脂層４の表面にマーキング等が施されていてもよい。また、多層基板２の全側面２３がシールド電極５により被覆されていてもよい。
【００５３】
また、上記した実施形態では、ＬＣフィルタ９の一部が第１のキャパシタＣ３ａ，Ｃ４，Ｃ５で構成されているが、整合回路などの他の高周波回路が第１のキャパシタＣ３ａ，Ｃ４，Ｃ５備えていてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
本発明は、所定の高周波回路を備える高周波モジュールに広く適用することができる。
【符号の説明】
【００５５】
１    高周波モジュール
２    多層基板
２ａ〜２ｋ    絶縁体層
２１    一方主面
２３    側面
３    部品
４    樹脂層
５    シールド電極
６    ランド電極（配線電極）
７１    キャパシタ用ビア電極（配線電極）
７１ａ，７１ｂ，７１ｃ    ビア導体
７２    ビア電極（配線電極）
７３，７４    第２のキャパシタ用面内電極（配線電極）
７５    面内電極（配線電極）
７６    第１のキャパシタ用面内電極（配線電極）
８    外部接続端子（配線電極）
９    ＬＣフィルタ
Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３ｂ    第２のキャパシタ
Ｃ３ａ，Ｃ４，Ｃ５    第１のキャパシタ
ＣＬ１，ＣＬ２    中心軸
【要約】
高周波モジュールを小型化できると共に、多層基板内の配線電極の設計の自由度を向上することができる技術を提供する。
所定の高周波回路の一部を構成する第１のキャパシタＣ３ａが、平面視方向に形成されたシールド電極５とキャパシタ用ビア電極７１とにより形成されている。そのため、多層基板２の平面視サイズを小さくすることができ、高周波モジュール１の小型化を図ることができる。また、シールド電極５に近接配置されるキャパシタ用ビア電極７１により第１のキャパシタＣ３ａが形成され、従来の構成のように、高周波信号の伝送用のキャパシタ用ビア電極７１をシールド電極５から離して配置する必要がないので、多層基板２内の配線電極の設計の自由度を向上することができる。【図１】
0005975198.tif 000002
【図２】
0005975198.tif 000003
【図３】
0005975198.tif 000004
【図４】
0005975198.tif 000005
【図５】
0005975198.tif 000006
【図６】
0005975198.tif 000007
【図７】
0005975198.tif 000008