(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１金型と第２金型を型締することで形成されるキャビティ内に、基体に搭載された電子部品が配置されると共に、前記基体が第１金型と第２金型によって挟持された状態で、封止用樹脂を、樹脂通路を通じて前記キャビティ内に注入して、前記電子部品を封止する金型において、
前記基体を型締め時に押圧することで、前記基体の端面を押し出して、前記基体の端面と、前記端面に対向する前記第２金型の壁面との前記樹脂通路に通じる隙間を閉鎖する凸部が、前記第１金型に形成され、
前記樹脂通路は、前記壁面の位置から上流側に拡幅部が形成され、
前記凸部は、前記拡幅部の通路壁の位置より、前記拡幅部の中心側にはみ出して形成された金型。
【請求項２】
前記凸部は、前記樹脂通路の両脇に位置して前記基体を押圧する請求項１記載の金型。
【請求項３】
前記凸部は、前記基体の端面の方へ向かって突出高さが低くなるように形成された請求項１または２記載の金型。
【請求項４】
前記拡幅部には、前記基体の厚みに相当する深さの前記壁面が切り欠かれた第１拡幅部と、前記第１拡幅部から深さ方向に、前記壁面を残して切り欠いた第２拡幅部とが形成されている請求項１記載の金型。
【請求項５】
第１金型と第２金型を型締めすることにより形成されるキャビティ内に、基体に搭載された電子部品が配置されると共に、前記基体が第１金型と第２金型によって挟持された状態で、封止用樹脂を、樹脂通路を通じて前記キャビティ内に注入して、前記電子部品を封止する樹脂封止方法において、
前記基体に搭載された前記電子部品を、前記第２金型内に配置する工程と、
前記第１金型に形成された凸部であって、前記基体の端面に対向する前記第２金型の壁面の位置から前記樹脂通路の上流側に形成された拡幅部における通路壁の位置より、前記拡幅部の中心側にはみ出した凸部により、前記基体を型締め時に押圧することで、前記基体の端面を押し出して、前記基体の端面と、前記端面に対向する前記第２金型の壁面との前記封止用樹脂の前記樹脂通路に通じる隙間を閉鎖した状態で、前記第１金型と第２金型により前記基体を挟み込む工程と、
前記封止用樹脂を、前記樹脂通路を通じて前記キャビティ内に注入して、前記電子部品を封止する工程と、
前記第１金型と第２金型を型開きして前記電子部品を封止した成形品を取り出す工程とを含む成形品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基体に搭載された電子部品がキャビティ内に配置されると共に、基体が挟み込まれた状態で、樹脂通路を通じて封止用樹脂をキャビティ内に注入して、電子部品を封止する金型および成形品の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子や抵抗素子、コンデンサなどの電子部品は、保護を目的として封止用樹脂により封止される。
例えば、ＤＩＰ（(Dual Inline Package）やＱＦＰ（Quad Flat Package）、ＰＬＣＣ（Plastic leaded chip carrier）などのリードフレームに半導体素子を搭載した半導体装置、ＢＧＡ（Ball grid array）やＬＧＡ（Land grid array）などのサブストレート等の樹脂製基板に半導体素子を搭載した半導体装置は、封止用樹脂により封止される。
【０００３】
リードフレームに搭載された半導体素子を封止用樹脂にて封止するときには、リードフレームを上型と下型とで挟み込んだ状態で、半導体素子が位置するキャビティに封止用樹脂を注入する。
【０００４】
リードフレームを上型と下型とで挟み込んで、キャビティに封止用樹脂を注入すると、リードフレームの端面と、この端面に対向する金型の壁面との間の隙間に、封止用樹脂の樹脂通路であるランナーから封止用樹脂が浸入して、リードフレームの端面に封止用樹脂が付着する。リードフレームの端面に付着した封止用樹脂は、ランナー内の固化した封止用樹脂を除去する際に、ランナー内の封止用樹脂と一緒に取れるが、一部はリードフレームの端面に残ってしまうことがあり、残った封止用樹脂が樹脂バリとなることがある。
【０００５】
リードフレームの端面に樹脂バリが発生すると、封止後の後工程で、成形品を搬送する際に、例えば、封止後の工程の搬送レール等で搬送不良を発生させるおそれがある。
このような電子部品の封止に際して、樹脂バリを防止する技術が、特許文献１，２に記載にされている。
【０００６】
特許文献１に記載のリードフレームのモールド金型は、図８にて、キャビティインサート１０１０と、キャビティ部１０１２と、ゲートインサート１０１４と、センターインサート１０１６として示している。
ゲートインサート１０１４には、キャビティ部１０１２に連絡するゲート１０１８が設けられる。図中の想像線Ｌ１は、キャビティインサート１０１０にリードフレーム１０２０をセットした際の側縁位置を示している。
ゲートインサート１０１４とセンターインサート１０１６との境界位置には、リードフレーム１０２０の側縁にそって弾性体１０２２が設置される。この弾性体１０２２が、リードフレーム１０２０をクランプした際に潰れることにより、リードフレーム１０２０の側縁とモールド金型とのクリアランス部分が、閉止される。そして、クリアランス部分の閉止により、樹脂モールドの際にリードフレームの側縁に沿って、ゲート１０１８から樹脂が流れ出すことを防止する。
【０００７】
図９に示す特許文献２に記載のモールド成形方法及びモールド成形装置では、プランジャ１１１２を摺動させて樹脂タブレットを押し出すためのポット１１１４と、このポット１１１４の外周に配置され、下キャビティ１１１５を形成する下キャビティブロック１１１６によって支持される下センターブロック１１１７とを有する下側のモールド金型１１１１を備えている。
【０００８】
下キャビティブロック１１１６の上面には、モールド用樹脂のキャビティ内への注入口となるゲート１１１８が形成されている。下センターブロック１１１７の上面には、ポット１１１４からゲート１１１８へのモールド用樹脂の流路の一部を形成するランナー１１１９が形成されている。ポット１１１４の上端面は開口しており、この開口の縁部に樹脂の流出口１１２０が形成されている。流出口１１２０は、ランナー１１１９に通じている。
【０００９】
パッケージの際に使用されるリードフレーム１１３１は、リードフレーム部１１３１ａのポット１１１４側の端面に、ポット１１１４の開口、並びにランナー１１１９、更にはゲート１１１８を覆う大きさ、形態の延出部１１３１ｂを一体にかつ面一に設けた構成を有している。ポット１１１４の上端と直角に対面する上センターブロック１１２４の下面が平坦に形成されている。ポット１１１４の上面開口部、ランナー１１１９、ゲート１１１８の上面は、平坦で面一なリードフレーム１１３１の延出部１１３１ｂによって覆われている。
【００１０】
そのため、押し出されたモールド用樹脂は、ポット１１１４の流出口１１２０や上面の開口部、並びにランナー１１１９、ゲート１１１８を経て、延出部１１３１ｂの下面に沿って、下キャビティ１１１５、上キャビティ１１２２内に注入され、ポット１１１４から押し出されたモールド用樹脂は、常にリードフレーム１１３１の下面に沿って流れる。
従って、リードフレーム１１３１の端面から不要な樹脂が流れ出し、リードフレーム１１３１の端面に付着することが無い。その結果、従来のような付着した不要樹脂を作業者等が取り除く工程が不要である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開平５−１１１９４２号公報
【特許文献２】特開平１１−１１４９８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかし、特許文献１に記載のリードフレームのモールド金型では、シリコンゴム等による弾性体１０２２により、リードフレーム１０２０の側縁とモールド金型とのクリアランス部分とを閉止しているため、モールド成形を繰り返すと、弾性体１０２２が劣化してしまうおそれがある。弾性体１０２２が劣化すると、樹脂封止が完全でなくなるため、封止用樹脂が漏れるおそれがある。
【００１３】
また、特許文献２に記載のモールド成形方法及びモールド成形装置では、リードフレーム１１３１が、延出部１１３１ｂによって、ポット１１１４の開口、並びにランナー１１１９、更にはゲート１１１８を覆う大きさに形成されているため、ポット１１１４まで延びるリードフレーム１１３１が必要である。従って、リードフレーム１１３１を形成するための金属板のサイズを大きいものとする必要がある。そのため、電子部品を搭載する基体であるリードフレームを改良することなく、樹脂バリの発生が抑えられる技術の開発が望まれている。
【００１４】
そこで本発明は、基体を改良することなく樹脂バリの発生を、確実に抑えることができる金型および成形品の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明は、第１金型と第２金型を型締することで形成されるキャビティ内に、基体に搭載された電子部品が配置されると共に、前記基体が第１金型と第２金型によって挟持された状態で、封止用樹脂を、樹脂通路を通じて前記キャビティ内に注入して、前記電子部品を封止する金型において、前記基体を型締め時に押圧することで、前記基体の端面を押し出して、前記基体の端面と、前記端面に対向する前記第２金型の壁面との前記樹脂通路に通じる隙間を閉鎖する凸部が、前記第１金型に形成され、前記樹脂通路は、前記壁面の位置から上流側に拡幅部が形成され、前記凸部は、前記拡幅部の通路壁の位置より、前記拡幅部の中心側にはみ出して形成された金型であることを特徴とする。
【００１６】
また、本発明は、第１金型と第２金型を型締めすることにより形成されるキャビティ内に、基体に搭載された電子部品が配置されると共に、前記基体が第１金型と第２金型によって挟持された状態で、封止用樹脂を、樹脂通路を通じて前記キャビティ内に注入して、前記電子部品を封止する樹脂封止方法において、前記基体に搭載された前記電子部品を、前記第２金型内に配置する工程と、前記第１金型に形成された凸部であって、前記基体の端面に対向する前記第２金型の壁面の位置から前記樹脂通路の上流側に形成された拡幅部における通路壁の位置より、前記拡幅部の中心側にはみ出した凸部により、前記基体を型締め時に押圧することで、前記基体の端面を押し出して、前記基体の端面と、前記端面に対向する前記第２金型の壁面との前記封止用樹脂の前記樹脂通路に通じる隙間を閉鎖した状態で、前記第１金型と第２金型により前記基体を挟み込む工程と、前記封止用樹脂を、前記樹脂通路を通じて前記キャビティ内に注入して、前記電子部品を封止する工程と、前記第１金型と第２金型を型開きして前記電子部品を封止した成形品を取り出す工程とを含む成形品の製造方法であることを特徴とする。
【００１７】
本発明においては、第１の金型の凸部が、基体の型締め時に、基体を押圧する。この押圧により、基体の端面が押し出される。そのため、凸部により押し出された基体の端面により、樹脂通路に通じる隙間が閉鎖される。従って、基体の端面と、端面に対向する第２の金型との樹脂通路に通じる隙間が閉鎖されることで、樹脂通路からの封止用樹脂の浸入を防止することができる。よって、基体への樹脂バリの付着を防止することができるので、封止後の後工程にて、成形品をスムーズに搬送することができる。
更に、第１の金型に凸部を形成して、樹脂バリへの対策を施しているため、基体を改良することなく、問題を解決することができる。
また、拡幅部の中心側にはみ出した凸部の一部は、第２の金型と共に、基体を挟み込むことで、基体の端面を拡幅部に向かって膨らませることができる。従って、拡幅部の中心側にはみ出した凸部の一部が、基体の端面を拡幅部に向かうように押し出し、残余の凸部が、基体の端面を第２の金型の壁面に向かうように押し出すため、隙間の入り口の外側と内側との両方で閉鎖することができる。よって、封止用樹脂の隙間への浸入を、確実に、防止することができる。
【００１８】
前記凸部は、前記樹脂通路の両脇に位置して前記基体を押圧することが望ましい。
凸部が、樹脂通路の両脇に位置することで、樹脂通路から近い位置の基体の端面を押し出すことができる。従って、樹脂通路から連通する隙間の入り口で閉鎖することができるので、効果的に、封止用樹脂の隙間への浸入を防止することができる。
【００１９】
前記凸部は、前記基体の端面の方へ向かって突出高さが低くなるように形成されていることが望ましい。
凸部が、基体の端面の方へ向かって突出高さが低くなるように形成されていると、凸部が基体を押圧するときに、端面に対して遠い位置から近い位置まで順番に押圧することになる。従って、基体の板厚が徐々に端面まで移動させられるため、端面の押し出しを効果的に行うことができるので、膨らみ量を大きくすることができる。
【００２１】
前記拡幅部には、前記基体の厚みに相当する深さの前記壁面が切り欠かれた第１拡幅部と、前記第１拡幅部から深さ方向に、前記壁面を残して切り欠いた第２拡幅部とが形成されていることが望ましい。
拡幅部の中心側にはみ出した凸部の一部が、基体の端面を拡幅部に向かうように押し出し膨らませる。この膨らみの方向が、第２拡幅部にて残った壁面より規制される。従って、基体の端面の膨らみは、基体の端面の厚み分で制限され、余計な方向へ拡がらないため、端面の厚み分の隙間を確実に閉鎖することができる。よって、第２拡幅部は、封止用樹脂の隙間への浸入の防止を、更に確実なものとすることができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明は、第１の金型に形成された凸部により、基体の端面を押し出して樹脂通路に通じる隙間を閉鎖することで、基体を改良することなく樹脂バリの発生を抑えることができ、煩雑なメンテナンスが不要となる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の実施の形態に係る金型の上型を示す底面図である。
【図２】図１に示す上型と、半導体素子を搭載したリードフレームを重ね合わせた一部拡大図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る金型の下型に、半導体素子を搭載したリードフレームを配置した状態を示す平面図である。
【図４】上型キャビティブロック、カルブロック、下型キャビティブロックおよびポットブロックを示す一部断面図である。
【図５】ランナーを説明するための平面図である。
【図６】ランナーの拡幅部を説明するための透視した状態の斜視図である。
【図７】ポットブロックの樹脂通路を下型キャビティブロック側から見た図である。
【図８】特許文献１に記載のリードフレームのモールド金型を説明するための図である。
【図９】特許文献２に記載のモールド成形方法及びモールド成形装置を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
本発明の実施の形態に係る金型について、図面に基づいて説明する。
図１から図４に示すように、上型１０（第１金型）と、下型２０（第２金型）とは、リードフレーム１（基体）に搭載された半導体素子２（電子部品）を、樹脂封止するものである。
図２および図３に示すように、リードフレーム１は、半導体素子２が搭載されるダイパッド１ａと、半導体素子２とワイヤで結線され、半導体素子２と共に、樹脂封止されるインナーリード１ｂと、インナーリード１ｂからタイバー１ｃを介して外部に延びるアウターリード１ｄと、アウターリード１ｄの先端部同士を繋ぐフレーム枠１ｅとを備えている。
【００２５】
図１に示すように、上型１０は、下型２０（図３参照）と共にキャビティＣＶを形成する上型キャビティブロック１１０と、カル部１２１が形成されたカルブロック１２０と、を備えている。上型キャビティブロック１１０と、カルブロック１２０とは、上型サイドブロック１３０により囲まれている。
【００２６】
図３に示すように、下型２０は、上型１０と共にキャビティＣＶを形成する下型キャビティブロック２１０と、ポット２２１が形成されたポットブロック２２０と備えている。下型キャビティブロック２１０と、ポットブロック２２０とは、下型サイドブロック２３０により囲まれている。
【００２７】
図４に示すように、下型キャビティブロック２１０は、リードフレーム１が配置されるため、下型キャビティブロック２１０のブロック面２１１は、ポットブロック２２０のブロック面２２２より、リードフレーム１の厚みＴ１分低い位置となっている。
また、下型キャビティブロック２１０は、ポットブロック２２０側のリードフレーム１の板厚面である端面１ｆが、ポットブロック２２０に隙間なく対向するように形成されている。
ポットブロック２２０には、ポット２２１にて溶融させた封止用樹脂Ｒ０を、カル部１２１へ押し出すためのプランジャ２４０が配置されている。
【００２８】
図３および図４に示すように、ポットブロック２２０の端部および下型キャビティブロック２１０には、上型１０および下型２０を型締めしたときに、カルブロック１２０のカル部１２１に、一端部が連通すると共に、他端部がキャビティＣＶに連通するランナー３００が形成されている。
【００２９】
ここで、上型キャビティブロック１１０に形成された凸部１１１と、カル部１２１およびランナー３００による樹脂通路とについて、図面に基づいて詳細に説明する。
カル部１２１は、図４に示すように、ポットブロック２２０のポット２２１の上方に位置している。図２に示すように、カル部１２１は、円形空間部１２１ａから２本の細長空間１２１ｂが互いに反対の方向に延びている。その細長空間１２１ｂの先端部が、ランナー３００のポットブロック２２０に位置するポットブロック側ランナー３１０（図４参照）に連通している。
【００３０】
図４から図７に示すように、ポットブロック側ランナー３１０は、カルブロック１２０との対向面であるポットブロック２２０のブロック面２２２から、下型キャビティブロック２１０側に向かって、ポットブロック２２０の端部に形成された溝である。
ポットブロック側ランナー３１０には、封止用樹脂Ｒ０が流れる下流方向Ｆ１に向かうに従って通路底が深くなる第１通路部３１１が形成されている。ポットブロック側ランナー３１０には、第１通路部３１１を過ぎると通路底の深さが一定となる第２通路部３１２が形成されている。第２通路部３１２は、下型キャビティブロック２１０の下型キャビティブロック側ランナー３２０に連通する。
第２通路部３１２には、下型キャビティブロック２１０と対向するポットブロック２２０の壁面２２３から上流側となる位置であって、壁面２２３に面した位置に、拡幅部３１３が形成されている。
【００３１】
拡幅部３１３は、第２通路部３１２の下型キャビティブロック側ランナー３２０への出口部分において、リードフレーム１の端面１ｆと対向する第２通路部３１２の対向するそれぞれの通路壁が台形状に切り欠かれて形成されている。この切り欠かれた部分により、拡幅部３１３の対向する通路壁３１３ｗの間隔Ｗ１は、第２通路部３１２の拡幅部３１３以外の間隔Ｗ２より、幅広く形成されている。
拡幅部３１３には、フレーム枠１ｅの厚みに相当する深さのポットブロック２２０の壁面２２３が切り欠かれて、第１拡幅部３１３ａとして形成されている。また、拡幅部３１３には、第１拡幅部３１３ａから深さ方向に、壁面２２３を残して切り欠いた第２拡幅部３１３ｂが形成されている。
【００３２】
下型キャビティブロック側ランナー３２０は、ポットブロック２２０と接する下型キャビティブロック２１０の端面（壁面２１２（図４参照））の位置から、キャビティＣＶまで、繋がった溝である。
【００３３】
上型キャビティブロック１１０には、金型の一部を突出させた凸部１１１が一体的に形成されている。凸部１１１は、型締め時にリードフレーム１のフレーム枠１ｅを押圧するものである。凸部１１１は、樹脂通路（ランナー３００の下型キャビティブロック側ランナー３２０）の両脇に位置している。本実施の形態では、凸部１１１は、下型キャビティブロック側ランナー３２０の両脇となる位置であって、ポットブロック２２０の壁面２２３に沿った方向（図５においては、方向Ｆ２にて示す。）が拡幅部３１３の通路壁３１３ｗの位置より、拡幅部３１３の通路幅の中心側にはみ出している。
凸部１１１は、リードフレーム１のフレーム枠１ｅの端面１ｆの方へ向かって突出高さが低くなるように形成されている。
【００３４】
以上のように構成された本発明の実施の形態に係る金型を用いて成形品を製造する方法を、図面に基づいて説明する。
図３に示すように、半導体素子２が搭載されたリードフレーム１を、図示しない搬送装置が下型２０に搬送して配置する。次に、上型１０が下降、または下型２０が上昇して、上型１０と下型２０とによりリードフレーム１を型締めすることで挟持する。
【００３５】
次に、ポット２２１で溶融した封止用樹脂Ｒ０をプランジャ２４０の突き上げにより押し出す。そうすることで、封止用樹脂Ｒ０は、カルブロック１２０のカル部１２１と、ポットブロック２２０のポットブロック側ランナー３１０と、下型キャビティブロック２１０の下型キャビティブロック側ランナー３２０とから成るランナー３００を、リードフレーム１に沿って通過して、キャビティＣＶ（図１および図４参照）に注入される。封止用樹脂Ｒ０がキャビティＣＶへ流れ込むことで、半導体素子２が封止される。
このようにして、半導体素子２を封止した成形品が作製される。そして、成形品は、上型１０および下型２０が型開きされた後に、図示しない搬送装置により取り出され、ランナー３００の形状に成形された余分な封止用樹脂を除去するディゲーターに搬送される。
【００３６】
リードフレーム１が上型キャビティブロック１１０に配置されると、リードフレーム１の端面１ｆがポットブロック２２０の壁面２２３と対向する。しかし、リードフレーム１の公差などにより、リードフレーム１の端面１ｆと、ポットブロック２２０の壁面２２３との間に隙間Ｓ１（図４参照）が生じることがある。
リードフレーム１の端面１ｆと、ポットブロック２２０の壁面２２３との間に隙間Ｓ１（図４参照）が生じると、封止用樹脂Ｒ０が、ポットブロック側ランナー３１０から下型キャビティブロック側ランナー３２０に流れ込む際に、隙間Ｓ１に浸入して、リードフレーム１の端面１ｆに沿って拡がる。この隙間Ｓ１への封止用樹脂Ｒ０の浸入が、リードフレーム１の端面１ｆに付着する樹脂バリとなる。
【００３７】
しかし、本実施の形態に係る金型では、上型キャビティブロック１１０の凸部１１１が、リードフレーム１の型締め時に、リードフレーム１を押圧する。リードフレーム１が凸部１１１と下型キャビティブロック２１０との間で挟まれて、リードフレーム１の端面１ｆが押し出される。そのため、凸部１１１により押し出されたリードフレーム１の端面１ｆにより、隙間Ｓ１は閉鎖される。
【００３８】
従って、リードフレーム１の端面１ｆと、端面１ｆに対向するポットブロック２２０の壁面２２３との、樹脂通路であるランナー３００に通じる隙間が閉鎖されることで、ランナー３００からの封止用樹脂Ｒ０の浸入を防止することができる。よって、リードフレーム１への樹脂バリの付着を、リードフレーム１を改良することなく、確実に防止することができるので、封止後の後の工程にて、成形品をスムーズに搬送することができる。
【００３９】
また、凸部１１１が、上型キャビティブロック１１０の一部として形成され、凸部１１１がリードフレーム１を押圧している。そのため、特許文献１に記載のリードフレームのモールド金型のように、弾性体１０２２（図８参照）により、リードフレーム１０２０の側縁とモールド金型とのクリアランス部分を閉止した場合と異なり、凸部１１１は、堅牢である。従って、上型キャビティブロック１１０のメンテナンスの頻度を、かなり削減することができる。
【００４０】
上型キャビティブロック１１０の凸部１１１は、ランナー３００の両脇に位置してリードフレーム１を押圧するため、ランナー３００から近い位置のリードフレーム１の端面１ｆを押し出すことができる。従って、ランナー３００から連通する隙間Ｓ１の入り口で閉鎖することができるので、効果的に、封止用樹脂Ｒ０の隙間Ｓ１への浸入を防止することができる。
【００４１】
また、拡幅部３１３がポットブロック２２０の壁面２２３の位置から上流側に形成され、凸部１１１が、拡幅部３１３の通路壁３１３ｗの位置より、拡幅部３１３の中心側にはみ出して形成されている。そのため、拡幅部３１３の中心側にはみ出した凸部１１１の一部は、下型キャビティブロック２１０と共に、リードフレーム１を挟み込みことで、リードフレーム１の端面１ｆを拡幅部３１３に向かって膨らませることができる。
【００４２】
従って、拡幅部３１３の中心側にはみ出した凸部１１１の一部が、リードフレーム１の端面１ｆを拡幅部３１３に向かうように押し出し、残余の凸部１１１が、リードフレーム１の端面１ｆをポットブロック２２０の壁面２２３に向かうように押し出すため、隙間Ｓ１の入り口の外側と内側との両方で閉鎖することができる。よって、封止用樹脂Ｒ０の隙間Ｓ１への浸入を、確実に、防止することができる。
【００４３】
更に、拡幅部３１３には、リードフレーム１の厚みに相当する深さのポットブロック２２０の壁面２２３が切り欠かれた第１拡幅部３１３ａと、第１拡幅部３１３ａから深さ方向に、壁面２２３を残して切り欠いた第２拡幅部３１３ｂとが形成されている。
拡幅部３１３の中心側にはみ出した凸部１１１の一部が、リードフレーム１の端面１ｆを拡幅部３１３に向かうように押し出し膨らませる。この膨らみの方向が、一方ではカルブロック１２０により規制され、他方では第２拡幅部３１３ｂにて、残ったポットブロック２２０の壁面２２３より規制される。従って、端面１ｆの膨らみは、リードフレーム１の端面１ｆの厚み分で制限され、余計な方向へ拡がらないため、端面１ｆの厚み分の隙間Ｓ１を確実に閉鎖することができる。よって、第２拡幅部３１３ｂは、封止用樹脂Ｒ０の隙間Ｓ１への浸入の防止を、更に確実なものとすることができる。
【００４４】
ここで、凸部１１１は、リードフレーム１の端面１ｆの方へ向かって突出高さが低くなるように形成されているので、凸部１１１がリードフレーム１を押圧するときには、端面１ｆに対して遠い位置から近い位置まで順番に押圧することになる。従って、リードフレーム１の板厚が徐々に端面１ｆまで移動させられるため、端面１ｆの押し出しを効果的に行うことができるので、膨らみ量を大きくすることができる。
【００４５】
なお、本実施の形態では、基体としてリードフレームを例に説明したが、例えば、プリント配線基板や他の基板でも、本発明を適用することが可能である。
【産業上の利用可能性】
【００４６】
本発明は、基体に搭載された電子部品を封止する樹脂封止装置に好適である。
【符号の説明】
【００４７】
１  リードフレーム
１ａ  ダイパッド
１ｂ  インナーリード
１ｃ  タイバー
１ｄ  アウターリード
１ｅ  フレーム枠
１ｆ  端面
２  半導体素子
１０  上型
１１０  上型キャビティブロック
１１１  凸部
１２０  カルブロック
１２１  カル部
１２１ａ  円形空間部
１２１ｂ  細長空間
１３０  上型サイドブロック
２０  下型
２１０  下型キャビティブロック
２１１  ブロック面
２１２  壁面
２２０  ポットブロック
２２１  ポット
２２２  ブロック面
２２３  壁面
２３０  下型サイドブロック
２４０  プランジャ
３００  ランナー
３１０  ポットブロック側ランナー
３１１  第１通路部
３１２  第２通路部
３１３  拡幅部
３１３ａ  第１拡幅部
３１３ｂ  第２拡幅部
３１３ｗ  通路壁
３２０  下型キャビティブロック側ランナー
Ｒ０  封止用樹脂
ＣＶ  キャビティ
Ｆ１  下流方向
Ｆ２  方向
Ｗ１，Ｗ２  間隔
Ｓ１  隙間
【図１】
0005975086.tif 000002
【図２】
0005975086.tif 000003
【図３】
0005975086.tif 000004
【図４】
0005975086.tif 000005
【図５】
0005975086.tif 000006
【図６】
0005975086.tif 000007
【図７】
0005975086.tif 000008
【図８】
0005975086.tif 000009
【図９】
0005975086.tif 000010