(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下地層上に順に配設された、導電膜、Ａｌを主成分とし反射防止膜として機能する窒化金属膜および透明膜で構成される積層配線と、
前記積層配線を覆う絶縁膜と、を備え、
前記透明膜は、平面視での端縁の位置が、前記窒化金属膜の端縁の位置と同一または前記窒化金属膜の端縁より内側に位置するように、前記窒化金属膜上に配設された、タッチパネル。
【請求項２】
前記透明膜は、前記絶縁膜よりも屈折率が高い、請求項１記載のタッチパネル。
【請求項３】
前記透明膜は、屈折率が１．７〜２．４の材料から選択され、膜厚が３０〜７０ｎｍに設定される、請求項２記載のタッチパネル。
【請求項４】
前記積層配線は、その終端部が外部との電気的接続のための端子部として使用され、
前記端子部は、
前記絶縁膜、前記透明膜および前記窒化金属膜を貫通して前記導電膜に達する開口部を有する、請求項１記載のタッチパネル。
【請求項５】
前記窒化金属膜の面内の膜厚分布の最大膜厚と最小膜厚との比率（最小膜厚／最大膜厚）が、０．６を超えるように設定される、請求項１記載のタッチパネル。
【請求項６】
前記タッチパネルは、投射容量方式のタッチパネルであり、
前記積層配線は、
前記タッチパネルを構成する静電容量検出のための検知用配線である、請求項１記載のタッチパネル。
【請求項７】
前記窒化金属膜は、窒化度が窒素の組成比で３０〜５０ａｔ％である、請求項１記載のタッチパネル。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれか１項に記載のタッチパネルを備えた表示装置。
【請求項９】
下地層上に順に配設された、導電膜、Ａｌを主成分とし反射防止膜として機能する窒化金属膜および透明膜で構成される積層配線と、
前記積層配線を覆う絶縁膜と、を備え、
前記透明膜は、平面視での端縁の位置が、前記窒化金属膜の端縁の位置と同一または前記窒化金属膜の端縁より内側に位置するように、前記窒化金属膜上に配設された、表示モジュール。
【請求項１０】
（ａ）下地層上に導電膜と、Ａｌを主成分とし反射防止膜として機能する窒化金属膜と、キャップ膜とを順に形成する工程と、
（ｂ）前記キャップ膜上に所定のパターンを有するレジストマスクを形成する工程と、
（ｃ）前記レジストマスクをエッチングマスクとして、前記キャップ膜、前記窒化金属膜および前記導電膜をエッチングによりパターニングする工程と、
（ｄ）前記工程（ｃ）の後に、前記レジストマスクを除去する工程と、を備え、
前記所定のパターンは配線パターンを含み、該配線パターンによってパターニングされた前記窒化金属膜および前記導電膜を少なくとも含む積層配線を備えたタッチパネルの製造方法。
【請求項１１】
（ｅ）前記工程（ｄ）の後に、前記キャップ膜を除去する工程と、
（ｆ）前記キャップ膜を除去した後、前記積層配線上を絶縁膜で覆う工程と、を備える、請求項１０記載のタッチパネルの製造方法。
【請求項１２】
前記工程（ａ）は、
前記キャップ膜を透明膜で形成する工程を含み、
（ｅ）前記工程（ｄ）の後に、前記キャップ膜を含む前記積層配線上を絶縁膜で覆う工程と、を備える、請求項１０記載のタッチパネルの製造方法。
【請求項１３】
前記工程（ａ）は、
前記キャップ膜を透明膜で形成する工程を含み、
（ｅ）前記工程（ｃ）の後に、
前記透明膜の平面視での端縁の位置が、前記窒化金属膜の端縁の位置と同一または前記窒化金属膜の端縁より内側に位置するように、前記透明膜をエッチングする工程をさらに備える、請求項１０記載のタッチパネルの製造方法。
【請求項１４】
（ｆ）前記工程（ｅ）の後に、
前記窒化金属膜の平面視での端縁の位置を、前記導電膜の端縁の位置に近づけるように前記窒化金属膜をエッチングする工程をさらに備える、請求項１３記載のタッチパネルの製造方法。
【請求項１５】
前記工程（ａ）は、
前記キャップ膜を反射率が３０％以上の膜で形成する工程を含み、
前記所定のパターンは識別記号のパターンを含み、
前記工程（ｃ）は、
前記識別記号のパターンによって前記キャップ膜、前記窒化金属膜および前記導電膜をエッチングによりパターニングする工程を含み、
前記識別記号のパターンによってパターニングされた前記窒化金属膜および前記導電膜を少なくとも含む積層体で前記識別記号が構成される、請求項１０記載のタッチパネルの製造方法。
【請求項１６】
（ａ）下地層上に導電膜と、Ａｌを主成分とし反射防止膜として機能する窒化金属膜と、透明膜と、反射率が３０％以上の非低反射膜とを順に形成する工程と、
（ｂ）前記非低反射膜上に所定のパターンを有するレジストマスクを形成する工程と、
（ｃ）前記レジストマスクをエッチングマスクとして、前記非低反射膜、前記透明膜、
前記窒化金属膜および前記導電膜をエッチングによりパターニングする工程と、
（ｄ）前記工程（ｃ）の後に、前記レジストマスクを除去する工程と、
（ｅ）前記工程（ｄ）の後に、前記非低反射膜を除去する工程と、を備え、
前記所定のパターンは配線パターンを含み、該配線パターンによってパターニングされた前記窒化金属膜および前記導電膜を少なくとも含む積層配線を備えたタッチパネルの製造方法。
【請求項１７】
前記所定のパターンは識別記号のパターンを含み、
前記工程（ｃ）は、
前記識別記号のパターンによって前記非低反射膜、前記透明膜、前記窒化金属膜および前記導電膜をエッチングによりパターニングする工程を含み、
前記識別記号のパターンによってパターニングされた前記窒化金属膜および前記導電膜を少なくとも含む積層体で前記識別記号が構成される、請求項１６記載のタッチパネルの製造方法。
【請求項１８】
（ｆ）前記工程（ｃ）の後に、
前記透明膜の平面視での端縁の位置が、前記窒化金属膜の端縁の位置と同一または前記窒化金属膜の端縁より内側に位置するように、前記透明膜をエッチングする工程をさらに備える、請求項１６記載のタッチパネルの製造方法。
【請求項１９】
（ｇ）前記工程（ｆ）の後に、
前記窒化金属膜の平面視での端縁の位置を、前記導電膜の端縁の位置に近づけるように前記窒化金属膜をエッチングする工程をさらに備える、請求項１８記載のタッチパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置およびその製造方法に関し、特に屋外での使用に適した表示装置を提供することを目的とする。
【背景技術】
【０００２】
屋外で用いられる表示装置においては、太陽光下での使用等、表示装置外部からの入射光量が高い環境においても良好な表示特性が求められている。一方、表示装置の配線は、低抵抗で加工が容易であることが求められ、当該要求を満たす金属としてアルミニウム（Ａｌ）合金を用いて形成されることが多くなっている。
【０００３】
しかし、アルミニウム合金は反射率が高く、表示装置外部からの入射光量が高い環境においては、入射した光がアルミニウム合金配線に反射し、良好な表示特性が得られないという問題がある。
【０００４】
表示面側から入射する光の反射を低減するために、アルミニウム合金配線上に反射防止膜を配設することが考えられており、例えば特許文献１にはアルミニウム膜と窒化アルミニウム膜とで構成される反射防止膜が開示されている。
【０００５】
特許文献１には、窒化アルミニウム膜の窒化度を高めることで反射率が低くなることが開示されており、窒化アルミニウム膜は反射防止膜としての機能を有していると言える。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１０−７９２４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ここで、アルミニウム合金配線上に反射防止膜として窒化アルミニウム膜を配設した構成を採る場合、当該窒化アルミニウム膜が、加工プロセス中のアルカリ処理、例えばアルカリ性処理液を用いたレジスト材の剥離処理時にエッチングされ、膜厚が減少することで反射率が高くなるという問題がある。
【０００８】
本発明は上記のような問題点を解消するためになされたもので、配線表面に形成された反射防止膜の機能を損なうことのない表示装置の製造方法を提供することにより、屋外で使用する場合でも表示画像の視認性に優れた表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係るタッチパネルの態様は、下地層上に順に配設された、導電膜、Ａｌを主成分とし反射防止膜として機能する窒化金属膜および透明膜で構成される積層配線と、前記積層配線を覆う絶縁膜と、を備え、前記透明膜は、平面視での端縁の位置が、前記窒化金属膜の端縁の位置と同一または前記窒化金属膜の端縁より内側に位置するように、前記窒化金属膜上に配設される。
【００１０】
本発明に係るタッチパネルの製造方法の態様は、下地層上に導電膜と、Ａｌを主成分とし反射防止膜として機能する窒化金属膜と、キャップ膜とを順に形成する工程（ａ）と、前記キャップ膜上に所定のパターンを有するレジストマスクを形成する工程（ｂ）と、前記レジストマスクをエッチングマスクとして、前記キャップ膜、前記窒化金属膜および前記導電膜をエッチングによりパターニングする工程（ｃ）と、前記工程（ｃ）の後に、前記レジストマスクを除去する工程（ｄ）とを備え、前記所定のパターンは配線パターンを含み、該配線パターンによってパターニングされた前記窒化金属膜および前記導電膜を少なくとも含む積層配線を備えている。
【発明の効果】
【００１１】
本発明に係るタッチパネルによれば、Ａｌを主成分とし反射防止膜として機能する窒化金属膜上に透明膜を有するので、窒化金属膜が加工中のアルカリ処理によってエッチングされ、膜厚が減少することで反射率が高くなって反射防止膜としての機能が損なわれることが防止され、屋外で使用する場合でも視認性に優れたタッチパネルを得ることができる。
【００１２】
本発明に係るタッチパネルの製造方法によれば、Ａｌを主成分とし反射防止膜として機能する窒化金属膜上にキャップ膜を有するので、レジストマスクを除去する際のアルカリ処理によって窒化金属膜がエッチングされ、膜厚が減少することで反射率が高くなって反射防止膜としての機能が損なわれることを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明に係る表示装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】本発明に係る表示装置の断面図である。
【図３】本発明に係る表示装置のタッチパネルの断面図である。
【図４】本発明に係る実施の形態１のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。
【図５】本発明に係る実施の形態１のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。
【図６】本発明に係る実施の形態１のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。
【図７】本発明に係る実施の形態１のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。
【図８】本発明に係る実施の形態１のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。
【図９】本発明に係る実施の形態１のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。
【図１０】本発明に係る実施の形態１のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。
【図１１】本発明に係る実施の形態２のタッチパネルの下層配線の構成を示す断面図である。
【図１２】本発明に係る実施の形態２のタッチパネルの下層配線の構成を示す断面図である。
【図１３】本発明に係る実施の形態３のタッチパネルの下層配線の構成を示す断面図である。
【図１４】本発明に係る実施の形態３のタッチパネルの下層配線の構成を示す断面図である。
【図１５】パターニング直後の下層配線を示す断面図である。
【図１６】パターニングの問題点を説明する断面図である。
【図１７】パターニングの問題点を説明する断面図である。
【図１８】本発明に係る実施の形態３のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。
【図１９】本発明に係る実施の形態３のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。
【図２０】本発明に係る実施の形態３のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。
【図２１】本発明に係る実施の形態３のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。
【図２２】本発明に係る実施の形態３のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。
【図２３】本発明に係る実施の形態３のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。
【図２４】本発明に係る実施の形態３のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。
【図２５】本発明に係る実施の形態３のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。
【図２６】本発明に係る実施の形態４のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。
【図２７】本発明に係る実施の形態４のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。
【図２８】本発明に係る実施の形態４のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。
【図２９】本発明に係る実施の形態４のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。
【図３０】本発明に係る実施の形態４のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。
【図３１】本発明に係る実施の形態４のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。
【図３２】本発明に係る実施の形態４のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。
【図３３】本発明に係る実施の形態４のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。
【図３４】本発明に係る実施の形態４のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。
【図３５】本発明に係る実施の形態４のタッチパネルの製造工程を説明する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
＜表示装置の全体構成＞
図１は本発明に係る表示装置１００の全体構成を示す平面図であり、図２は、図１におけるＡ−Ａ線での断面図である。
【００１５】
図１および図２に示す表示装置１００は、屋外で使用することを前提としてタッチパネルによる入力が可能な構成となっており、手指等によるポインティング機能を有している。
【００１６】
図２に示すように表示装置１００は、例えば液晶ディスプレイ等の表示モジュール１１と、表示モジュール１１の表示面側に配置されたタッチパネル１２と、タッチパネル１２の表面をキズ等から保護するための保護ガラス１３と、これらを収納する筐体１４とを備えている。タッチパネル１２は、ＧＵＩ（グラフィカルユーザーインタフェース）機器を構成する表示モジュールと組み合わせて用いることで、表示装置にポインティング機能を持たせることができる。
【００１７】
タッチパネル１２は、投射容量方式のタッチパネルであり、ガラスやＰＥＴ（polyethylene terephthalate）等で構成される透明基板上に、列方向（図１のＹ方向）に延在するように配置されたＸ位置検知用配線２と、Ｘ位置検知用配線２の上方に配設され、Ｘ位置検知用配線２と立体的に交差するように行方向（図１のＸ方向）に延在して配置されたＹ位置検知用配線３とで構成されるマトリクス配線を有した構成となっている。
【００１８】
図１に示されるように、Ｘ位置検知用配線２およびＹ位置検知用配線３は、引き出し配線４を介してタッチパネル１２の端縁部に設けた外部との信号入出力用の端子部５に電気的に接続され、タッチパネル１２は、端子部５を介して図示されない制御基板などと電気的に接続されることとなる。
【００１９】
なお、以下の実施の形態ではＸ位置検知用配線２を下層配線（透明基板側）、Ｙ位置検知用配線３を上層配線として説明するが、上下逆に配置されていても良い。
【００２０】
＜実施の形態１＞
以下、タッチパネル１２の断面構成を用いて、本発明に係る実施の形態１について説明する。図３は、図１に示すＢ−Ｂ線でのタッチパネル１２の断面構成を示す図である。
【００２１】
図３に示すように、タッチパネル１２は、ガラスやＰＥＴ等で構成される透明基板２０上に、下層側に低抵抗導電膜３１を、上層側に低反射膜３２を配設した積層膜で構成される下層配線３０が配設され、下層配線３０を覆うように層間絶縁膜２１が配設された構成となっている。下層配線３０が図１に示すＸ位置検知用配線２に相当する。なお、透明基板２０は、下層配線３０を形成するための下地とも言えるので、下地層と呼称する場合もある。
【００２２】
そして、層間絶縁膜２１上には、下層側に低抵抗導電膜４１を、上層側に低反射膜４２を配設した積層膜で構成される上層配線４０が配設され、上層配線４０を覆うように保護膜２２が配設された構成となっている。上層配線４０が図１に示すＹ位置検知用配線３に相当する。なお、層間絶縁膜２１は、上層配線４０を形成するための下地とも言えるので、下地層と呼称する場合もある。
【００２３】
下層配線３０の低抵抗導電膜３１は、低抵抗材料であるＡｌ系合金、例えばＡｌＮｉＮｄで構成され、その厚さは例えば３００ｎｍである。
【００２４】
下層配線３０の低反射膜３２は、例えば窒化度が窒素の組成比で３０〜５０ａｔ％（atomic％）である窒化度が高い窒化Ａｌ（アルミニウム）膜で構成され、その厚さは例えば５０ｎｍである。
【００２５】
層間絶縁膜２１は、例えばＳｉＯ２で構成され、その厚さは例えば６００ｎｍである。
【００２６】
上層配線４０の低抵抗導電膜４１は、低抵抗材料であるＡｌ（アルミニウム）系合金、例えばＡｌＮｉＮｄで構成され、その厚さは例えば４００ｎｍである。
【００２７】
上層配線４０の低反射膜４２は、例えば窒化度が窒素の組成比で３０〜５０ａｔ％（atomic％）である窒化度が高い窒化Ａｌ膜で構成され、その厚さは例えば５０ｎｍである。
【００２８】
なお、窒化Ａｌ膜は、窒化度を窒素の組成比で３０〜５０ａｔ％の条件より適宜選択することで、反射率を５０％以下とすることが可能であり、例えば窒化度を窒素の組成比で約４５ａｔ％とすることで、反射率を３０％以下にすることができる。また、窒化度に応じて膜厚を調整することで最適な低反射膜を得ることができる。
【００２９】
保護膜２２は、例えばＳｉＯ２で構成され、その厚さは例えば３００ｎｍである。
【００３０】
なお、上記では低反射膜３２および４２をＡｌＮで構成した例について説明したが、これに限定されるものではなく、Ａｌを主成分として他の金属を添加したＡｌ系合金を窒化した金属（窒化金属）であっても良い。他の金属としては、例えば８族遷移金属のＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉや、希土類元素のＮｄなどが挙げられる。
【００３１】
なお、上記ではＹ位置検知用配線３である上層配線４０は、下層配線３０より配線長が長くなることから、配線抵抗低減のため、低抵抗導電膜４１は低抵抗導電膜３１より厚膜としているが、下層配線４０および上層配線４０の導電膜の膜厚は必要とする抵抗より任意に決定すれば良い。
【００３２】
また上記では、低抵抗導電膜３１および４１をＡｌ系合金で構成した例について説明したが、これに限定されるものではなく、例えばＡｇで構成しても良い。
【００３３】
また、プロセス完了時の低反射膜３２および４２の設定膜厚に対する膜厚分布を、最小膜厚／最大膜厚＞０．６程度に抑えることで反射分布のバラツキを小さくできる。
【００３４】
層間絶縁膜２１の膜厚は、所望の静電容量等により任意に決定すれば良く、保護膜２２についてはドライエッチングプロセス処理時のレジスト膜との選択比および処理時間等により決定すれば良いが、厚い方が下層配線３０との色目および反射率の差が小さくなる場合が多いので、厚さは１μｍ前後、望ましくは１．３μｍ以上に設定する。
【００３５】
次に、タッチパネル１２の製造工程を順に示す断面図である図４〜図１０を用いて、本発明に係る実施の形態１の表示装置の製造方法について説明する。
【００３６】
まず、図４に示す工程において、ガラスやＰＥＴ等で構成される透明基板２０上に、スパッタリング法によりＡｌＮｉＮｄターゲットを用いて、ＡｌＮｉＮｄ膜３１１を３００ｎｍの厚さに成膜する。引き続き、同一の成膜装置を用いて、Ｎ２ガスを含んだ雰囲気中で、ＡｌＮｉＮｄ膜３１１の上に、スパッタリング法によりＡｌＮｉＮｄターゲットを用いて窒化度が高い窒化Ａｌ合金膜３２１を５０ｎｍの厚さに成膜する。
【００３７】
なお、窒化Ａｌ合金膜３２１の窒化度が低い場合は反射膜となり低反射膜が形成できず、また逆に窒化度が高い場合は透明膜となり低反射膜とならないので、使用する成膜装置でのＮ２分圧と反射特性との関係を事前に取得し、所望の反射率の低反射膜が得られるように成膜条件を決定することが望ましい。
【００３８】
さらに、窒化Ａｌ合金膜３２１の上に、スパッタリング法により非結晶質のＩＴＯ（インジウム酸化スズ）膜３３１を成膜する。なお、スパッタリング法の代わりに塗布等の方法を用いても良い。
【００３９】
次に、ＩＴＯ膜３３１上にレジスト材を塗布した後、下層配線のパターンを露光し、現像することで、図５に示すように下層配線のレジストマスクＲＭ１をパターニングする。
【００４０】
次に、図６に示すように、レジストマスクＲＭ１をエッチングマスクとして、例えば蓚酸溶液を用いてＩＴＯ膜３３１をエッチングしてキャップ膜３３をパターニングする。引き続き、レジストマスクＲＭ１およびキャップ膜３３をエッチングマスクとして、例えば、燐酸と硝酸と酢酸との混酸を用いて、窒化Ａｌ合金膜３２１およびＡｌＮｉＮｄ膜３１１をエッチングして、それぞれ低反射膜３２および低抵抗導電膜３１をパターニングする。
【００４１】
なお、窒化Ａｌ合金膜３２１とＡｌＮｉＮｄ膜３１１とを同時にエッチングする場合は、窒化Ａｌ合金膜３２１の窒化度を、上記混酸でエッチング可能な範囲内に設定する。
【００４２】
次に、図７に示すように、レジストマスクＲＭ１を、例えばモノエタノールアミンとジメチルスルホキシドの混合液等を用いて除去し、続いて、例えば蓚酸溶液を用いてキャップ膜３３を除去することにより、図８に示す下層配線３０が形成される。
【００４３】
次に、図９に示すように、例えばＣＶＤ（chemical vapor deposition）法により下層配線３０を覆うようにＳｉＯ２膜を成膜することで層間絶縁膜２１を形成する。
【００４４】
次に、層間絶縁膜２１上に上層配線４０を形成するが、下層配線３０とは膜厚が異なるのみであるので、製造工程の説明は省略する。
【００４５】
上層配線４０の形成後に、例えばＣＶＤ法により上層配線４０を覆うようにＳｉＯ２膜を成膜することで保護膜２２を形成する。
【００４６】
その後、図１０に示すように、下層配線３０の端子部５（図１）の上方の層間絶縁膜２１および保護膜２２を除去し、さらに低反射膜３２を除去して低抵抗導電膜３１に達する開口部ＯＰを形成する。なお、上層配線４０の端子部５では、保護膜２２および低反射膜４２を除去することで低抵抗導電膜４１に達する開口部が形成されることとなる。この開口部を介して制御基板等が電気的に接続される。
【００４７】
なお、層間絶縁膜２１および保護膜２２の除去にドライエッチングを用いる場合、低反射膜３２（および４２）も同じドライエッチングで除去することは可能であり、低反射膜３２（および４２）のエッチングに要する時間分だけエッチング時間を増やしてやれば良い。なお、層間絶縁膜２１および保護膜２２の除去にはドライエッチングを用い、低反射膜３２（および４２）の除去にはアルカリ液を用いたウエットエッチングを用いても良い。
【００４８】
以上説明した製造方法においては、低反射膜を構成する窒化Ａｌ合金膜の上にはＩＴＯ膜でキャップ膜（エッチング保護膜として機能する膜）が形成されるので、アルカリ性のレジスト剥離液によるレジスト除去時に、窒化Ａｌ合金膜がレジスト剥離液に直接曝されることが抑制され、窒化Ａｌ合金膜がレジスト剥離液によってエッチングされることで、膜厚が薄くなり、反射率が高くなって低反射膜としての機能が低下、消失することを防止できる。このため、設計した反射率範囲を保った低反射の配線パターンを有し、屋外で使用する場合でも表示画像の視認性に優れたタッチパネルを安定して提供することが可能となる。
【００４９】
＜変形例＞
以上の説明では、非結晶質のＩＴＯ膜でキャップ膜を構成する例を示したが、これに限定されるものではなく、キャップ膜除去時に低反射膜と低抵抗導電膜がダメージを受けない方法で除去できる材質のキャップ膜を選択すれば良い。例えば、キャップ膜として非結晶質のＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）を用いた場合は蓚酸系の液で除去することができ、Ｃｒ（クロム）を用いた場合は、硝酸第２セリウムアンモニウム系の液で除去することができ、何れも低反射膜と低抵抗導電膜にダメージを与えない。
【００５０】
また、上記では窒化Ａｌ合金膜のエッチングを燐酸と硝酸と酢酸との混酸で行う例を示したが、アルカリ液を用いてエッチングしても良く、ドライエッチングを用いても良い。
【００５１】
窒化Ａｌ合金膜を、低抵抗導電膜をエッチング不可能な溶液でエッチングする場合は、上記混酸を用いる場合よりも、高い窒化度で窒化Ａｌ合金膜を形成することができ、さらなる低反射化も可能である。
【００５２】
また、上記ではレジストマスクを用いて低反射膜と低抵抗導電膜をパターニングする構成を示したが、キャップ膜が低反射膜および低抵抗導電膜に対するエッチング選択性が高い材質で構成される場合は、キャップ膜のパターニング後にレジストマスクを除去し、パターニングされたキャップ膜をエッチングマスクとして低反射膜および低抵抗導電膜をパターニングしても良い。
【００５３】
また、キャップ膜が低抵抗導電膜のみに対してエッチング選択性が高い材質で構成される場合は、低反射膜のパターニング後にレジストマスクを除去し、パターニングされたキャップ膜をエッチングマスクとして低抵抗導電膜をパターニングしても良い。
【００５４】
また、上記では、層間絶縁膜２１や保護膜２２をＳｉＯ２で構成する例を示したが、配線部以外の光透過部において透過光の色づきが問題ない絶縁膜を用いれば良く、例えば塗布型のＳＯＧ（spin on glass）膜などを用いても良い。なお、ＳＯＧ膜を層間絶縁膜２１に用いることで上層配線４０が下層配線３０と交差する場所での断線が抑制できる。
【００５５】
＜実施の形態２＞
次に、本発明に係る実施の形態２について、図１１および図１２を用いて説明する。図１１は、下層配線３０Ａと層間絶縁膜２１を形成した状態のタッチパネル１２の構成を示す断面図である。
【００５６】
図１１に示すように、下層配線３０Ａは、透明基板２０上に低抵抗導電膜３１を配設し、低抵抗導電膜３１上に低反射膜３２を配設し、低反射膜３２上に透明キャップ膜３３Ａを配設した積層膜で構成され、下層配線３０Ａを覆うように層間絶縁膜２１が配設されている。
【００５７】
低抵抗導電膜３１は、ＡｌＮｉＮｄで構成され、その厚さは例えば３００ｎｍである。低反射膜３２は、窒化度が高い窒化Ａｌ合金で構成され、その厚さは例えば５０ｎｍである。また、透明キャップ膜３３Ａは、例えばＳｉＯ２で構成されている。
【００５８】
下層配線３０Ａの製造方法は、図４〜図１０を用いて説明した実施の形態１の製造方法において、図４を用いて説明した工程で、窒化Ａｌ合金膜３２１の上に形成するＩＴＯ膜３３１の代わりにＣＶＤ法を用いてＳｉＯ２膜を形成する。
【００５９】
次に、当該ＳｉＯ２膜上にレジスト材を塗布した後、図４を用いて説明したようにレジストマスクをパターニングし、当該レジストマスクをエッチングマスクとして、ドライエッチングによりＳｉＯ２膜をエッチングして透明キャップ膜３３Ａをパターニングする。その後、エッチングマスクは除去するものの、透明キャップ膜３３Ａは除去せず、透明キャップ膜３３Ａをエッチングマスクとして、窒化Ａｌ合金膜３２１およびＡｌＮｉＮｄ膜３１１をエッチングして、それぞれ低反射膜３２および低抵抗導電膜３１をパターニングすることで、下層配線３０Ａを得る。
【００６０】
下層配線３０Ａを覆うようにＳｉＯ２膜を成膜することで層間絶縁膜２１を形成し、層間絶縁膜２１上に上層配線を形成するが、下層配線３０Ａとは膜厚が異なるのみであるので、製造工程の説明は省略する。
【００６１】
その後、図１２に示すように、下層配線３０Ａの端子部５（図１）の上方の層間絶縁膜２１および保護膜２２を除去し、さらに透明キャップ膜３３Ａ、低反射膜３２を除去して低抵抗導電膜３１に達する開口部ＯＰ１を形成する。なお、上層配線の端子部では、保護膜および低反射膜を除去することで低抵抗導電膜に達する開口部が形成されることとなる。
【００６２】
なお、透明キャップ膜３３ＡをＳｉＯ２で構成する場合は、ドライエッチングによる透明キャップ層３３Ａのパターニング時に、同時に窒化Ａｌ合金膜をエッチングすることも可能である。このドライエッチングでは、例えばＣＦ４とＯ２の混合ガスを用いる。この場合、低抵抗導電膜のエッチング時のエッチング時間を低減できるのでサイドエッチング量の少ない配線を得ることができる。
【００６３】
透明キャップ膜は除去しないので、窒化Ａｌ合金膜および低抵抗導電膜とのエッチングの選択性を透明キャップ膜に持たせる必要はなく、透明キャップ膜の材料および加工プロセスの選択肢が広がり、製造コストを低減することが可能となる。
【００６４】
さらに、透明キャップ膜として層間絶縁膜（上層配線の場合は保護膜）よりも高い屈折率、例えば屈折率が約１．７〜２．４の材料を選択し、膜厚を３０ｎｍ〜７０ｎｍとすることで、光路長Ｌを０．０５〜０．１７μｍに設定し、積層配線の反射率をさらに低下させることが可能となる。
【００６５】
例えば、窒化Ａｌ合金膜とＡｌＮｉＮｄ膜の積層膜上に層間絶縁膜としてＳｉＯ２膜を１０００ｎｍの厚さに形成し、標準イルミナントＤ６５を照射した場合の反射輝度Ｙが１５．０であるのに対し、透明キャップ膜として、屈折率が１．６８〜２．１０、膜厚５０ｎｍのＩＺＯ膜を低反射膜上に残した場合、反射輝度Ｙは６．７となる。なお、標準イルミナントＤ６５は、膜の反射輝度を評価する場合に使用される光源である。
【００６６】
よく知られている低反射の窒化Ａｌの成膜方法としては、窒素を含むガスを用いたスパッタリング法が挙げられるが、それを用いた場合、反射率は窒素ガスの混合割合等により設定が可能であるが、窒素ガスの混合割合を増加し、低反射率にするに従い低反射膜の面内での窒化度のばらつきが大きくなり反射率の面内分布が大きくなる。従って、低反射膜の窒化Ａｌの窒化度を高くした場合は、低反射膜の面内の窒化度ばらつきが増大し反射率のばらつきも増加する可能性がある。
【００６７】
しかし、下層配線および上層配線を、透明キャップ膜を有する積層構造とすることにより、窒化Ａｌ膜（窒化Ａｌ合金膜においても同じ）の窒化度を低く設定できるので、低反射膜の面内の窒化度ばらつきを抑制し、反射率が均一な低反射配線を実現できる。また、窒化度を低く設定できることにより、窒化Ａｌ膜（窒化Ａｌ合金膜においても同じ）のエッチングが容易となり安定した加工プロセスを実現できる。
【００６８】
なお、屈折率が約１．７〜２．４の透明キャップ膜の材料としては、ＩＺＯ、ＩＴＯ、ＳｎＯ、ＺｎＯ，ＩｎＯなどの透明導電膜や、ＳｉＮ、Ａｌ２Ｏ３、透明ＡｌＮ（組成比１：１）、ＴａＯ、ＮｂＯ、ＴｉＯ等の透明誘電膜が挙げられる。
【００６９】
透明キャップ膜の材料として、端子部の開口工程でのエッチングではエッチングが困難な材料、例えば結晶化ＩＴＯ等を選択した場合は、結晶化前に端子部の透明キャップ膜を除去する工程を追加する。
【００７０】
一方、端子部での開口工程でのエッチングでエッチングが容易な材料を選択する場合は、端子部の透明キャップ膜の除去工程を追加せずに端子部を形成ができるので、写真製版工程を追加せずとも良く、低コストの製造フローを実現可能である。
【００７１】
＜変形例＞
なお、上記では下層配線が透明キャップ膜を有した積層構造として説明したが、上層配線が透明キャップ膜を有した積層構造であっても良く、また、下層配線、上層配線共に透明キャップ膜を有した積層構造であっても良い。
【００７２】
また、上記では、層間絶縁膜２１や保護膜２２をＳｉＯ２で構成する例を示したが、配線部以外の光透過部において透過光の色づきが問題ない絶縁膜を用いれば良く、例えば塗布型のＳＯＧ（spin on glass）膜などを用いても良い。なお、ＳＯＧ膜を層間絶縁膜２１に用いることで上層配線が下層配線と交差する場所での断線が抑制できる。
【００７３】
＜実施の形態３＞
次に、本発明に係る実施の形態３について、図１３〜図２５を用いて説明する。図１３は、下層配線３０Ｂと層間絶縁膜２１を形成した状態のタッチパネル１２の構成を示す断面図であり、図１４は、下層配線３０Ｂを透明キャップ膜３３Ｂ側から見た平面図である。
【００７４】
図１３に示すように、下層配線３０Ｂは、透明基板２０上に低抵抗導電膜３１を配設し、低抵抗導電膜３１上に低反射膜３２を配設し、低反射膜３２上に透明キャップ膜３３Ｂを配設した積層膜で構成され、下層配線３０Ｂを覆うように層間絶縁膜２１が配設されている。
【００７５】
ここで、図１３および図１４に示すように、透明キャップ膜３３Ｂは、その端縁が低反射膜３２の端縁よりも平面視で内側となるように低反射膜３２上に配設されており、透明キャップ膜３３Ｂの端縁と低反射膜３２の端縁との距離はＷ１で表される。なお、距離Ｗ１がゼロの場合も許容範囲である。
【００７６】
また、図１３および図１４では、透明キャップ膜３３Ｂの端縁は、低抵抗導電膜３１の端縁よりも内側に位置するように透明キャップ膜３３Ｂが配設された状態を示しているが、低反射膜３２に対する配置関係を満たしていれば、低抵抗導電膜３１との配置関係は限定されるものではない。
【００７７】
次に、図１５〜図２３を用いて、本発明に係る実施の形態３の表示装置の製造方法について説明する。
【００７８】
実施の形態１において、図４〜図６を用いて説明した工程を経て、レジストマスクＲＭ１を用いて透明キャップ膜３３Ｂ、低反射膜３２および低抵抗導電膜３１を順次エッチングした状態のパターン端部の詳細図を図１５に示す。
【００７９】
本実施の形態では透明キャップ膜３３Ｂは例えばＩＺＯ、低反射膜３２は窒化度の高い窒化Ａｌ合金、低抵抗導電膜３１はＡｌＮｉＮｄで構成されているものとする。
【００８０】
透明キャップ膜３３ＢのＩＺＯは蓚酸溶液を用いてエッチングし、低反射膜３２と低抵抗導電膜３１は燐酸と硝酸と酢酸の混酸を用いてエッチングする。このときのエッチングにより、低反射膜３２および低抵抗導電膜３１の端縁が、透明キャップ膜３３Ｂの端縁より内側に位置することとなる。その結果、図１５に破線で示すように、庇状の透明キャップ膜３３Ｂの下側に空間ＳＰが形成されてしまう。
【００８１】
この状態でレジストマスクＲＭ１を除去し、下層配線３０ＢをＣＶＤ法により形成した層間絶縁膜２１で覆うと、層間絶縁膜２１のステップカバレッジが悪く、上層配線４０が下層配線３０Ｂの上方を乗り越える部分で断線するという問題がある。
【００８２】
この現象を、図１６を用いて模式的に説明する。図１６に示すように下層配線３０Ｂを覆うように設けた層間絶縁膜２１は、下層配線３０Ｂ上と透明基板２０上との段差部分で、庇状の透明キャップ膜３３Ｂの下側の空間ＳＰ（図１５）であった部分に入り込むような形状となり、その結果、段差部分に括れ部ＷＰが生じる。この状態で層間絶縁膜２１上に上層配線４０の低抵抗導電膜４１を形成すると、括れ部ＷＰに低抵抗導電膜４１が入り込み低抵抗導電膜４１にも括れ部が生じ、場合によってはその部分で低抵抗導電膜４１が断線する可能性がある。
【００８３】
また、層間絶縁膜２１を塗布型のＳＯＧ膜などを用いて形成する場合も、庇状の透明キャップ膜３３Ｂの下側の空間ＳＰ（図１５）の存在により塗布不良領域が発生し、層間絶縁膜２１を均一に形成できないという問題がある。
【００８４】
この現象を、図１７を用いて模式的に説明する。図１７に示すように下層配線３０Ｂを形成した透明基板２０上に液状の絶縁材を塗布した場合、庇状の透明キャップ膜３３Ｂの下側の空間ＳＰ（図１５）に絶縁材が充填されず、下層配線３０Ｂの端縁部から透明キャップ膜３３Ｂの上部にかけて充填不良部が発生する。このような現象を「膜はじき」とも呼称し、塗布不良領域が発生することとなる。
【００８５】
本実施の形態では上記のような現象を抑制するため、レジストマスクＲＭ１を除去する前に、図１８に示すように透明キャップ膜３３Ｂの庇状となった部分を、蓚酸溶液を用いて除去する。この際に、透明キャップ膜３３Ｂの端縁が低反射膜３２の端縁より配線内部側に位置するようにエッチング時間を設定する。図１８では、除去された透明キャップ膜３３Ｂを破線で示している。
【００８６】
次に、図１９に示すようにレジストマスクＲＭ１を除去した後、下層配線３０Ｂを覆うように層間絶縁膜２１を形成することで、図１３に示したように透明キャップ膜３３Ｂが庇状となって突出することを解消した下層配線３０Ｂを得ることができる。
【００８７】
この結果、下層配線３０Ｂを覆う層間絶縁膜２１のステップカバレッジが改善され、図１６を用いて説明したような、上層配線４０が下層配線３０Ｂの上方を乗り越える部分で断線するという問題や、図１７を用いて説明したような塗布型の層間絶縁膜の塗布不良領域の発生を抑制できる。
【００８８】
また、層間絶縁膜として塗布型の絶縁膜を用いる場合でも低抵抗導電膜の側壁と透明キャップ膜下側に広い空間が形成されないのでキャップ膜下側の空間への塗布膜の充填不良部を基点とする膜はじき等の塗布不良を抑制できる。
【００８９】
また、上述した製造方法を用いることで、透明キャップ膜３３Ｂの突出した庇部が乖離して異物となり製造装置を汚染することも抑制できるので、製造ラインの安定稼動を実現できる。
【００９０】
＜変形例＞
図２０にはレジストマスクＲＭ１の除去後に、アルカリ溶液を用いた低反射膜３２のエッチングを行うことで、低抵抗導電膜３１の端縁より配線外側に位置する低反射膜３２の端縁の突出量を軽減する工程を示している。
【００９１】
また、図２１には、低反射膜３２の端縁の突出量を軽減させた後、下層配線３０Ｂを覆うように層間絶縁膜２１を形成した状態を示しており、低反射膜３２の端縁の突出量を軽減することで、層間絶縁膜の被覆性を向上させることができる。
【００９２】
ただし、低反射膜３２が透明キャップ膜３３Ｂの端縁より内側までエッチングされない程度の条件でエッチング処理することが望ましい。
【００９３】
従来方法では塗布型の層間絶縁膜を用いないと上層配線の断線の発生率を低減できない場合でも、本変形例の製造方法を用いることで堆積型の層間絶縁膜を用いる場合でも、上層配線の断線の発生率を低減できる。このため、プロセスの選択肢が広がり、製造に適した低コストのプロセス構築が可能となる。
【００９４】
また、図２２にはレジストマスクＲＭ１の除去後に、燐酸と硝酸と酢酸との混酸を用いて、低反射膜３２と低抵抗導電膜３１をさらにエッチングして、低反射膜３２の端縁の突出量を軽減すると共に、低抵抗導電膜３１の端縁の位置も配線内部側に移動させるようにしても良い。
【００９５】
また、図２３にはレジストマスクＲＭ１の除去後に、ドライエッチングにより低抵抗導電膜３１の端縁より配線外側に位置する低反射膜３２の端縁の突出量を軽減する工程を示している。
【００９６】
なお、ドライエッチングを用いる場合、透明キャップ膜３３Ｂの端縁と低反射膜３２の端縁がほぼ一致するようにエッチングされるため、反射低減と上層絶縁膜の被覆性を考慮すると、低抵抗導電膜３１の端縁と低反射膜３２の端縁の位置もほぼ一致することが望ましい。従って、低反射膜３２がエッチングされ過ぎないようにエッチング時間等のエッチング条件を設定する。
【００９７】
これは、図２２を用いて説明した、混酸を用いたエッチングの場合も同様である。すなわち、低反射膜３２がエッチングされ過ぎて、透明キャップ膜３３Ｂの端縁よりも内側となると、混酸により低抵抗導電膜３１の横方向（水平方向）のエッチングも進み、結果として、透明キャップ膜３３Ｂの端縁が庇状に突出することとなる。この結果、上層絶縁膜の被覆性が低下する。従って、低反射膜３２がエッチングされ過ぎないようにエッチング時間等のエッチング条件を設定する。
【００９８】
なお、上記では、透明キャップ膜３３Ｂ上のレジストマスクＲＭ１の除去後に、低反射膜３２の突出量を軽減する処理を行う例を示したが、低反射膜３２のエッチング方法によっては、透明キャップ膜３３Ｂ上のレジストマスクＲＭ１パターンの除去前に処理するようにしても良い。
【００９９】
また、図２４には、低反射膜３２の端縁の突出量を軽減する処理を行った後に、透明キャップ膜３３Ｂを除去し、低反射膜３２と低抵抗導電膜３１との積層構造による下層配線３０とする構成としても良い。
【０１００】
図２５には、低反射膜３２の端縁の突出量を軽減させた後、透明キャップ膜３３Ｂを除去した下層配線３０Ｂを覆うように層間絶縁膜２１を形成した状態を示しており、低反射膜３２の端縁の突出量を軽減することで、層間絶縁膜の被覆性を向上させることができる。
【０１０１】
また、以上説明した実施の形態３およびその変形例では、下層配線に対して適用することで層間絶縁膜の被覆性を改善する構成を示したが、上層配線が水分等により腐食されるのを抑制する観点から上層配線に対して同様の処理を適用し、保護膜の被覆性を改善する構成としても良く、上層配線、下層配線の両方に適用しても良い。
【０１０２】
＜実施の形態４＞
次に、本発明に係る実施の形態４について、図２６〜図３５を用いて説明する。図２６〜図３０は、タッチパネル１２の製造工程を順に示す断面図である。
【０１０３】
まず、図２６に示す工程において、ガラスやＰＥＴ等で構成される透明基板２０上に、スパッタリング法によりＡｌＮｉＮｄターゲットを用いて、ＡｌＮｉＮｄ膜３１１を３００ｎｍの厚さに成膜する。引き続き、同一の成膜装置を用いて、Ｎ２ガスを含んだ雰囲気中で、ＡｌＮｉＮｄ膜３１１の上に、スパッタリング法によりＡｌＮｉＮｄターゲットを用いて窒化度が高い窒化Ａｌ合金膜３２１を５０ｎｍの厚さに成膜する。窒化Ａｌ合金膜３２１の窒化度は、実施の形態１と同様の条件より選択すれば良い。
【０１０４】
さらに、窒化Ａｌ合金膜３２１の上に、スパッタリング法により厚さ１０〜３０ｎｍのＣｒ膜３３２を成膜する。
【０１０５】
なお、窒化Ａｌ合金膜３２１およびＡｌＮｉＮｄ膜３１１との選択エッチングが可能な材料であり、形成時の反射率として３０％以上で、さらにはレジスト塗布状態でのパネル識別記号（パネルＩＤ）形成用の露光装置のフォーカス動作用の光源の波長に対する反射率が２０％以上である材質であれば、Ｃｒ膜３３２に限定されるものではない。
【０１０６】
次に、Ｃｒ膜３３２上にレジスト材を塗布した後、下層配線のパターンを露光し、現像することで、図２７に示すように下層配線のレジストマスクＲＭ１をパターニングする。このとき配線パターンに加えパネルＩＤおよび基板識別記号（基板ＩＤ）のパターンもＩＤ形成用の露光装置にて露光し、パターニングする。
【０１０７】
次に、図２８に示すように、レジストマスクＲＭ１をエッチングマスクとして、例えば硝酸と硝酸セリウムアンモニウムの混合液を用いてＣｒ膜３３２をエッチングして非低反射キャップ膜３３Ｃをパターニングする。ここで、「非低反射」とはＩＤ形成用の露光装置でのフォーカス動作が可能な最低反射率よりも高い反射率のことを指すものと定義する。
【０１０８】
また、レジストマスクＲＭ１をエッチングマスクとして、パネルＩＤおよび基板ＩＤについても対応する部分のＣｒ膜３３２をエッチングしてパターニングする。
【０１０９】
引き続き、レジストマスクＲＭ１および非低反射キャップ膜３３Ｃをエッチングマスクとして、例えば、燐酸と硝酸と酢酸との混酸を用いて、窒化Ａｌ合金膜３２１およびＡｌＮｉＮｄ膜３１１をエッチングして、それぞれ低反射膜３２および低抵抗導電膜３１をパターニングする。
【０１１０】
なお、窒化Ａｌ合金膜３２１とＡｌＮｉＮｄ膜３１１とを同時にエッチングする場合は、窒化Ａｌ合金膜３２１の窒化度を、上記混酸でエッチング可能な範囲内に設定する。
【０１１１】
次に、図２９に示すように、レジストマスクＲＭ１を、例えばモノエタノールアミンとジメチルスルホキシドの混合液等を用いて除去し、続いて、例えば硝酸第２セリウムアンモニウム系の液で非低反射キャップ膜３３Ｃを除去することにより、図３０に示す下層配線３０が形成される。また、このとき、パネルＩＤおよび基板ＩＤ上の非低反射キャップ膜も除去することでパネルＩＤおよび基板ＩＤを形成する。以後の工程は、実施の形態１と同様なので省略する。
【０１１２】
なお、実施の形態３において説明した低反射膜の突出量の低減処理の工程を追加しても良い。
【０１１３】
ここで、タッチパネルの製造においては複数のタッチパネルを１つのマザー基板上に配列形成して、それらの複数のタッチパネルに対する各種工程を同時に行い、所定の工程が終了した後に、マザー基板を分割して個々のタッチパネルに分離する方式を採る。
【０１１４】
このように、複数のタッチパネルを配置したマザー基板をアレイ基板と呼称し、アレイ基板での工程においては、タッチパネルおよびアレイ基板を識別するために、それぞれにパネルＩＤおよび基板ＩＤを付与する。
【０１１５】
このＩＤ形成用の露光装置は配線等の露光装置とは異なる装置であり、基板に対するフォーカス動作も異なる場合が多い。そのため、低反射膜を有する配線パターンを形成する場合、配線パターンを形成するための露光装置においては低反射膜に対するフォーカスは問題なくても、ＩＤ形成用の露光装置では、反射率が低く反射光の強度が低いために、低反射膜に対するフォーカス動作が困難となり、パネルＩＤおよび基板ＩＤを安定して形成できない可能性がある。
【０１１６】
しかし、実施の形態４の製造方法では、キャップ膜を非低反射膜で構成することで、充分な反射光を得ることができて、ＩＤ形成用の露光装置においても安定したフォーカス動作が可能となる。このため、反射率のバラツキによるフォーカスエラー等に起因する露光装置の停止を防止でき、安定した装置稼動が可能になる。また、基板ＩＤを形成することで製品の製造処理の追跡性を確保できるので不具合発生時の調査が容易となり安定した製造プロセスを構築できる。
【０１１７】
＜変形例＞
以上説明した実施の形態４においてはキャップ膜は単層膜で構成した例を示したが、多層膜で構成しても良い。以下、図３１〜図３５を用いて、キャップ膜を多層膜で構成する場合の製造方法について説明する。
【０１１８】
まず、図３１に示す工程において、ガラスやＰＥＴ等で構成される透明基板２０上に、スパッタリング法によりＡｌＮｉＮｄターゲットを用いて、ＡｌＮｉＮｄ膜３１１を３００ｎｍの厚さに成膜する。引き続き、同一の成膜装置を用いて、Ｎ２ガスを含んだ雰囲気中で、ＡｌＮｉＮｄ膜３１１の上に、スパッタリング法によりＡｌＮｉＮｄターゲットを用いて窒化度が高い窒化Ａｌ合金膜３２１を５０ｎｍの厚さに成膜する。窒化Ａｌ合金膜３２１の窒化度は、実施の形態１と同様の条件より選択すれば良い。
【０１１９】
さらに、窒化Ａｌ合金膜３２１の上に、スパッタリング法により非結晶質のＩＴＯ膜３３４を成膜する。なお、スパッタリング法の代わりに塗布等の方法を用いても良い。
【０１２０】
次に、ＩＴＯ膜３３４の上に、スパッタリング法により厚さ１０〜３０ｎｍのＭｏ膜３３５を成膜する。
【０１２１】
次に、Ｍｏ膜３３５の上にレジスト材を塗布した後、下層配線のパターンを露光し、現像することで、図３２に示すように下層配線のレジストマスクＲＭ１をパターニングする。このとき配線パターンに加えパネルＩＤおよび基板識別記号（基板ＩＤ）のパターンもＩＤ形成用の露光装置にて露光し、パターニングする。
【０１２２】
次に、図３３に示すように、レジストマスクＲＭ１をエッチングマスクとして、例えば燐酸と硝酸と酢酸との混酸を用いてＭｏ膜３３５をエッチングして、非低反射膜３５をパターニングする。引き続き、レジストマスクＲＭ１および非低反射膜３５をエッチングマスクとして、例えば、蓚酸溶液を用いてＩＴＯ膜３３４をエッチングして透明膜３４をパターニングする。
【０１２３】
引き続き、レジストマスクＲＭ１、非低反射膜３５および透明膜３４をエッチングマスクとして、例えば、燐酸と硝酸と酢酸との混酸を用いて、窒化Ａｌ合金膜３２１およびＡｌＮｉＮｄ膜３１１をエッチングして、それぞれ低反射膜３２および低抵抗導電膜３１をパターニングする。
【０１２４】
なお、窒化Ａｌ合金膜３２１とＡｌＮｉＮｄ膜３１１とを同時にエッチングする場合は、窒化Ａｌ合金膜３２１の窒化度を、上記混酸でエッチング可能な範囲内に設定する。
【０１２５】
次に、図３４に示すように、レジストマスクＲＭ１を、例えばモノエタノールアミンとジメチルスルホキシドの混合液等を用いて除去することで非低反射膜３５と透明膜３４とで構成されるキャップ膜３３Ｄを得る。
【０１２６】
その後、図３５に示すように、例えば燐酸と硝酸と酢酸との混酸を用いて非低反射膜３５を除去することにより下層配線３０Ｄが形成される。また、このとき、パネルＩＤおよび基板ＩＤ上の非低反射膜も除去することでパネルＩＤおよび基板ＩＤを形成する。以後の工程は、実施の形態１と同様なので省略する。
【０１２７】
非低反射膜３５をエッチングにより除去する際には透明膜３４が配線パターン上を覆っているので、低反射膜３２や低抵抗導電膜３１は、エッチング時間に応じて横方向（水平方向）のエッチングが進行するが消失することはない。
【０１２８】
なお、実施の形態３において説明した透明キャップ膜および低反射膜の突出量の低減処理の工程を追加しても良い。
【０１２９】
ただし、本実施の形態では透明キャップ膜の突出量の低減処理を行っても非低反射キャップ膜の除去の際のエッチング量によっては透明キャップ膜より内側に低反射膜の端縁が形成される場合があるので、層間絶縁膜としては被覆性の高い材料、形成方法を選択することが望ましい。
【０１３０】
また、非低反射キャップ膜の除去のエッチング時間を短くするために非低反射キャップ膜は反射率が確保できる範囲で、できるだけ薄い方が望ましい。
【０１３１】
また、実施の形態２に示したように透明キャップ膜を低反射膜上に残した配線構造を採っても良い。
【０１３２】
上記の多層キャップ膜を用いた製造方法により、非低反射キャップ膜は低反射膜を構成する窒化Ａｌ合金膜と低抵抗導電膜とのエッチング選択性が必要なくなり、製造ラインで使用される材料から選択することができ、低コストのライン構成が可能となる。
【０１３３】
なお、以上説明した実施の形態１〜４では、タッチパネルの配線に本発明を適用した例を示したが、液晶ディスプレイの配線に適用しても良く、さらには液晶ディスプレイの表示面側の反射を低減する遮光層に適用しても良い。
【０１３４】
なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。
【符号の説明】
【０１３５】
２０  透明基板、２１  層間絶縁膜、２２  保護膜、３０，３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃ，３０Ｄ  下層配線、３１  低抵抗導電膜、３２  低反射膜、３３，３３Ｄ  キャップ膜、３３Ａ，３３Ｃ  透明キャップ膜、３３Ｄ  非低反射キャップ膜、４０  上層配線、４１  低抵抗導電膜、４２  低反射膜、ＲＭ１  レジストマスク。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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