(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板、金属基板及び封止材に囲まれた空間内に、発光素子を含む発光部を備えた、多角形状を有する発光装置であって、
前記封止材は、前記発光部の外周を囲むように設けられ、
前記発光素子は、前記支持基板上に設けられた第１の電極と、前記第１の電極上に設けられた発光性の有機化合物を含む層と、前記発光性の有機化合物を含む層上に設けられた第２の電極と、を備え、
前記支持基板及び前記第１の電極は、前記発光性の有機化合物が発する光に対して透光性を有し、
前記空間は、気体で充填されており、
前記第２の電極上に、前記第２の電極よりも放射率が高く、前記第２の電極と熱的に接続する第１の高放射層を有し、
前記金属基板の前記支持基板と対向する面に、前記金属基板よりも反射率が低い低反射層を有し、
前記支持基板において、前記空間と反対側の面は、第１の凹凸構造を有し、
前記支持基板において、前記空間側の面は、第２の凹凸構造を有し、
前記第１の凹凸構造は、半球状を有し、
前記第２の凹凸構造は、半球状を有し、
前記第２の凹凸構造の大きさは、前記第１の凹凸構造の大きさより小さく、
前記第２の凹凸構造上に、平坦化層を有し、
前記平坦化層上に、前記第１の電極を有することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記平坦化層の屈折率は、前記発光性の有機化合物を含む層の屈折率よりも高いことを特徴とする発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
有機エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ、以下ＥＬとも記す）現象を利用した発光装置、電子機器及び照明装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ現象を利用した発光素子（有機ＥＬ素子とも記す）の研究開発が盛んに行われている。有機ＥＬ素子の基本的な構成は、一対の電極間に発光性の有機化合物を含む層を挟んだものである。この素子に電圧を印加することにより、発光性の有機化合物からの発光を得ることができる。
【０００３】
薄型軽量化が容易であること、入力信号に対し高速に応答可能であること、直流低電圧電源を用いて駆動可能であること等の特徴を有する有機ＥＬ素子は、次世代のフラットパネルディスプレイや照明への応用が検討されている。有機ＥＬ素子をマトリクス状に配置した表示装置は、従来の液晶表示装置と比較して、視野角が広く視認性が優れる点に優位性があると考えられている。また、有機ＥＬ素子は、膜状に形成することが可能であるため、大面積の素子を容易に形成することができ、照明等に応用できる面光源としての利用価値も高い。
【０００４】
一方で、有機ＥＬ素子は、熱により、発光特性（輝度など）や信頼性が損なわれてしまうという課題がある。
【０００５】
有機ＥＬ素子は自発光型の素子であるため、駆動させることで発熱し、温度が上昇する。有機ＥＬ素子の輝度は、温度依存性があるため、有機ＥＬ素子の温度が上昇することで、輝度が低下してしまう場合がある。また、有機ＥＬ素子は、素子の温度が上昇することで、素子を構成する有機化合物が劣化し、素子の寿命が低下してしまう場合がある。
【０００６】
したがって、有機ＥＬ素子が発する熱を当該素子の外部に放出して、素子の温度上昇を抑制する技術について、研究開発が進められている。
【０００７】
例えば、特許文献１では、発光素子上に放熱層を備える有機ＥＬパネルが開示されている。
【０００８】
また、有機ＥＬ素子は、外部から侵入する水分や酸素などの不純物により、信頼性が損なわれてしまうという課題がある。
【０００９】
有機ＥＬ素子の外部から、水分や酸素などの不純物が、有機ＥＬ素子を構成する有機化合物や金属材料に侵入することで、有機ＥＬ素子の寿命は大幅に低減されてしまう場合がある。有機ＥＬ素子に用いる有機化合物や金属材料が、水分や酸素などの不純物と反応し、劣化してしまうためである。
【００１０】
したがって、不純物の侵入を防ぐために有機ＥＬ素子を封止する技術について、研究開発が進められている。
【００１１】
封止技術としては、例えば、有機ＥＬ素子を、該素子が形成された支持基板と薄膜の間に封止する技術（以下、膜封止とも記す）や、支持基板と封止基板とを樹脂やガラスフリット等を用いて貼り合わせ、有機ＥＬ素子を、該素子が形成された支持基板と封止基板の間に封止する技術が知られている。
【００１２】
膜封止は生産性が低いため、コストが高い等の問題がある。一方、樹脂やガラスフリット等を用いて、有機ＥＬ素子を一対の基板で封止する技術は、コストが低く、生産性が高いため、望ましい封止手法の一つと考えられている。
【００１３】
例えば、特許文献１では、発光素子等が形成された基板と、乾燥剤が貼り付けられた封止基板とが、紫外線硬化樹脂で貼り合わされた有機ＥＬパネルが開示されている。
【００１４】
封止基板としては、金属材料や合金材料を用いた金属基板が知られている。
【００１５】
また、有機ＥＬ素子が封止された空間について、該空間が気体で充填された、いわゆる中空封止や、該空間が固体や液体で充填された、いわゆる固体封止や液体封止が知られている。
【００１６】
＜液体封止を適用した発光装置＞
液体中の不純物を完全に除去することは難しいため、液体中に残留する水分や酸素等の不純物が、有機ＥＬ素子に悪影響を及ぼすという問題がある。
【００１７】
＜固体封止を適用した発光装置＞
発光装置が封止基板側から外力等の衝撃を受けた場合、固体を介して封止基板と接する有機ＥＬ素子は、外力の影響を受けやすい。これにより、素子の陽極と陰極間のショートや、素子の破壊が起こりやすいという問題がある。固体は液体や気体に比べて変形しにくく、外力等の衝撃を吸収又は緩和することが難しいためである。また、この問題は上述の膜封止を適用した場合にも生じる。
【００１８】
また、工程中に発光装置内に混入した固体由来の異物に応力が集中し、素子に押し当てられた異物が、素子の陽極と陰極間のショートを引き起こす可能性がある。
【００１９】
＜中空封止を適用した発光装置＞
中空封止を適用した発光装置は、封止基板と有機ＥＬ素子の間に気体で充填された空間が存在するため、封止基板側から外力等の衝撃を受けても有機ＥＬ素子に直接外力が加わり素子が破壊されることを抑制することができる。よって、固体封止や液体封止を適用した発光装置に比べ、中空封止を適用した発光装置は、歩留まりが高く、信頼性が高いと言える。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００２０】
【特許文献１】特開２００８−２３４８９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２１】
しかし、中空封止において、空間を充填する気体は熱伝導率が低いため、有機ＥＬ素子の発する熱が、有機ＥＬ素子から空間を伝導し封止基板に伝わる、さらには発光装置の外部に放出されることは難しい。つまり、有機ＥＬ素子の発する熱が、有機ＥＬ素子の外部に運ばれることは難しい。
【００２２】
熱を運ぶ方法としては、熱伝導のほかに、熱放射が挙げられる。物体から熱エネルギーが電磁波として放出される現象である熱放射は、２つの物体の間に媒介する物質が無い場合（例えば、真空である場合）でも、熱を伝えることができる。
【００２３】
しかし、封止基板として金属基板を用いる場合、金属材料や合金材料は反射率が高いため、放射率の高い層から放出された電磁波が金属基板で反射することで、熱エネルギーが有機ＥＬ素子に戻ってしまう場合がある。
【００２４】
例えば、特許文献１では、発光素子上に放熱層を備える。しかし、封止基板として金属基板を用いると、熱伝導及び熱放射によって放熱層から金属基板へと熱を運ぶことは難しく、有機ＥＬ素子の温度上昇を抑制することが難しい。
【００２５】
したがって、本発明の一態様は、水分や酸素などの不純物、及び外力による信頼性の低下を抑制しつつ、さらに熱による信頼性の低下も抑制できる、有機ＥＬ素子を用いた発光装置を提供することを目的の一とする。
【００２６】
また、本発明の一態様は、該発光装置を用いた信頼性の高い電子機器又は照明装置を提供することを目的の一とする。
【課題を解決するための手段】
【００２７】
有機ＥＬ素子は、一対の電極間に発光性の有機化合物を含む層（以下、ＥＬ層とも記す）を備える。下面射出（ボトムエミッション）構造の場合、支持基板上に、該ＥＬ層が発する光を透過する第１の電極を有し、該第１の電極上にＥＬ層を有し、該ＥＬ層上に第２の電極を有する。第２の電極の材料としては反射率が高い材料が好ましく、例えば、金属材料や合金材料が好適である。しかしながら、金属材料や合金材料は、一般に、熱伝導率は高いが、放射率及び透過率が低い。
【００２８】
また、中空封止を適用した下面射出構造の発光装置は、支持基板と、封止基板と、封止材とに囲まれた空間内に有機ＥＬ素子を有し、該空間は気体で充填されている。したがって、該空間を伝導させて、有機ＥＬ素子が発する熱を封止基板側に運ぶことは困難である。
【００２９】
封止基板としては、金属材料や合金材料を用いた金属基板を用いることができる。金属材料や合金材料は熱伝導性が高く、封止基板全体に熱を容易に伝導できるため、発光装置の局所的な温度上昇を抑制することができ、好ましい。しかし、前述の通り、金属材料や合金材料は反射率が高い。
【００３０】
本発明者らは、該発光装置において、第２の電極上に、該第２の電極と熱的に接続する放射率の高い層（高放射層とも記す）を有し、かつ、金属基板の支持基板と対向する面に反射率の低い層（低反射層とも記す）を有する構成に想到した。このような構成とすることにより、有機ＥＬ素子が発する熱を、放射率の高い層から反射率の低い層へ電磁波として放射することができ、かつ、該電磁波が反射され、有機ＥＬ素子に該熱が戻ることを抑制することができる。よって、有機ＥＬ素子の温度上昇を抑制することができる。
【００３１】
本明細書中において、ＡとＢが熱的に接続する構成とは、ＡとＢの間で熱が伝導する構成であれば良く、ＡとＢが直接接する構成だけでなく、ＡとＢが他の層を介して接する構成も含まれる。
【００３２】
本発明の一態様は、支持基板、金属基板及び封止材に囲まれた空間内に、発光素子を含む発光部を備え、封止材は、発光部の外周を囲むように設けられ、発光素子は、支持基板上に設けられた第１の電極と、第１の電極上に設けられた発光性の有機化合物を含む層と、発光性の有機化合物を含む層上に設けられた第２の電極と、を備え、支持基板及び第１の電極は、発光性の有機化合物が発する光に対して透光性を有し、空間は、気体で充填されており、第２の電極上に、第２の電極よりも放射率が高く、第２の電極と熱的に接続する第１の高放射層を有し、金属基板の支持基板と対向する面に、金属基板よりも反射率が低い低反射層を有する発光装置である。
【００３３】
上記の発光装置は、支持基板、金属基板及び封止材に囲まれた空間内に有機ＥＬ素子を有する。よって、発光装置の外部から水分や酸素などの不純物が侵入し、有機ＥＬ素子が劣化することを抑制できる。
【００３４】
かつ、上記の発光装置は、金属基板と有機ＥＬ素子の間に、気体で充填された空間が存在するため、金属基板が外力等の衝撃を受けても、有機ＥＬ素子に直接外力が加わり、素子が破壊されることを抑制することができる。
【００３５】
かつ、上記の発光装置は、第１の高放射層及び低反射層を有する。上記の発光装置において、有機ＥＬ素子が発する熱は、第２の電極から第１の高放射層に伝導する。そして、第１の高放射層から低反射層へ熱放射が起こるため、有機ＥＬ素子が発する熱が当該素子の外部に放出される。第１の高放射層から熱が電磁波として放出されても、低反射層において該電磁波は反射されにくく、有機ＥＬ素子に熱が戻ることは抑制される。よって、有機ＥＬ素子の温度上昇を抑制し、有機ＥＬ素子の発熱による発光装置の信頼性の低下を抑制することができる。
【００３６】
上記発光装置において、低反射層が、第１の高放射層と重なる領域に設けられていることが好ましい。このような構成とすることで、第１の高放射層から低反射層への経路が短くなるため、有機ＥＬ素子が発する熱を当該素子の外部に効率よく運ぶことができる。
【００３７】
また、上記発光装置において、第１の高放射層は、発光性の有機化合物を含む層（ＥＬ層）よりも熱伝導率が高いことが好ましい。第１の高放射層の熱伝導率がＥＬ層の熱伝導率よりも高いと、第２の電極において、熱はＥＬ層よりも第１の高放射層に伝導しやすい。よって、有機ＥＬ素子が発する熱を当該素子の外部により効率よく運ぶことができる。また、第１の高放射層の熱伝導率が高いほど、第１の高放射層全体に熱を容易に伝導でき、局所的な温度上昇を抑制することができるため、好ましい。さらに、低反射層へと熱を効率よく運ぶ（放射する）ことができる。
【００３８】
また、上記発光装置において、第２の電極と第１の高放射層は、発光性の有機化合物を含む層（ＥＬ層）よりも熱伝導率が高い第１の熱伝導層を介して熱的に接続することが好ましい。第１の熱伝導層はＥＬ層よりも熱伝導率が高いため、第２の電極において、熱がＥＬ層よりも第１の熱伝導層に伝導しやすい。よって、有機ＥＬ素子が発する熱を当該素子の外部により効率よく運ぶことができる。
【００３９】
第２の電極と第１の高放射層の密着性（又は接着性）が低いと、第２の電極（さらには第１の高放射層）の熱伝導率が高くても、第１の高放射層に十分に熱が伝導されない場合がある。このような場合に、上記構成は特に好ましく、第２の電極と第１の高放射層との間に第１の熱伝導層を設けることで、第２の電極と第１の熱伝導層との密着性が高く、第１の熱伝導層と第１の高放射層との密着性が高い構成を実現することができる。該構成を適用することで、第２の電極から第１の高放射層への熱の伝導が容易となり、有機ＥＬ素子が発する熱が当該素子の外部に放出されることを促進できる。よって、有機ＥＬ素子の温度上昇を抑制し、有機ＥＬ素子の発熱による発光装置の信頼性の低下を抑制することができる。
【００４０】
また、上記発光装置において、低反射層の熱伝導率が１Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることが好ましい。低反射層の熱伝導率が高いほど、低反射層全体に熱を容易に伝導でき、局所的な温度上昇を抑制することができるため、好ましい。さらに、金属基板へと熱を効率よく運ぶ（伝導する）ことができる。
【００４１】
また、上記発光装置において、低反射層と接する層が熱伝導性の高い層であると、低反射層から、低反射層と接する層への、熱の伝導を促進できる。したがって、低反射層と接する層が熱伝導性の高い層であることが好ましい。例えば、本発明の一態様の構成では、金属基板と低反射層とが接する。この構成は、低反射層から金属基板への熱の伝導が効率よく行われ、かつ、金属基板全体に熱を容易に伝導できるため好ましい。
【００４２】
また、低反射層と金属基板の密着性（又は接着性）が低い場合には、低反射層と金属基板との間に第２の熱伝導層を設けることが好ましい。具体的には、上記発光装置において、金属基板と低反射層が、低反射層よりも熱伝導率が高い第２の熱伝導層を介して熱的に接続することが好ましい。
【００４３】
低反射層と金属基板との間に第２の熱伝導層を設けることで、低反射層と第２の熱伝導層との密着性が高く、第２の熱伝導層と金属基板との密着性が高い構成を実現することができる。該構成を適用することで、低反射層から金属基板への熱の移動が容易となり、有機ＥＬ素子が発する熱が当該素子の外部に放出されることを促進できる。よって、有機ＥＬ素子の温度上昇を抑制し、有機ＥＬ素子の発熱による発光装置の信頼性の低下を抑制することができる。
【００４４】
また、上記発光装置において、金属基板の大気と接する面に、金属基板よりも放射率が高く、低反射層と重なる第２の高放射層を有することが好ましい。
【００４５】
金属基板よりも放射率が高い第２の高放射層を大気に接して設けることで、有機ＥＬ素子の発する熱が発光装置の外部に放出されることを促進できる。よって、有機ＥＬ素子の温度上昇を抑制し、有機ＥＬ素子の発熱による発光装置の信頼性の低下を抑制することができる。
【００４６】
また、上記発光装置において、第２の高放射層は、低反射層よりも熱伝導率が高いことが好ましい。ただし、低反射層と金属基板が第２の熱伝導層を介して熱的に接続する場合、第２の高放射層は、第２の熱伝導層よりも熱伝導率が高いことが好ましい。第２の高放射層の熱伝導率が低反射層（又は第２の熱伝導層）の熱伝導率よりも高いと、金属基板において、熱が低反射層（又は第２の熱伝導層）よりも第２の高放射層に伝導しやすい。よって、有機ＥＬ素子が発する熱を当該素子の外部により効率よく運ぶことができる。また、第２の高放射層の熱伝導率が高いほど、第２の高放射層全体に熱を容易に伝導でき、局所的な温度上昇を抑制することができるため、好ましい。さらに、大気へと熱を効率よく放射することができる。
【００４７】
また、上記発光装置において、第２の高放射層と接する層が熱伝導性の高い層であると、第２の高放射層と接する層から、第２の高放射層への熱の伝導を促進できる。したがって、第２の高放射層と接する層が熱伝導性の高い層であることが好ましい。例えば、本発明の一態様の構成では、金属基板と第２の高放射層とが接する。この構成は、金属基板から第２の高放射層への熱の伝導が効率よく行われ、かつ、金属基板全体に熱を容易に伝導できるため好ましい。
【００４８】
また、第２の高放射層と金属基板の密着性（又は接着性）が低い場合には、第２の高放射層と金属基板の間に第３の熱伝導層を設けることが好ましい。具体的には、金属基板と第２の高放射層が、低反射層よりも熱伝導率が高い第３の熱伝導層を介して熱的に接続することが好ましい。ただし、低反射層と金属基板が第２の熱伝導層を介して熱的に接続する場合、第３の熱伝導層は、第２の熱伝導層よりも熱伝導率が高いことが好ましい。第３の熱伝導層は低反射層（又は第２の熱伝導層）よりも熱伝導率が高いため、金属基板において、熱が低反射層（又は第２の熱伝導層）よりも第３の熱伝導層に伝導しやすい。よって、有機ＥＬ素子が発する熱を当該素子の外部により効率よく運ぶことができる。
【００４９】
また、第２の高放射層と金属基板との間に第３の熱伝導層を設けることで、第２の高放射層と第３の熱伝導層との密着性が高く、第３の熱伝導層と金属基板との密着性が高い構成を実現することができる。該構成を適用することで、金属基板から第２の高放射層への熱の伝導が容易となり、有機ＥＬ素子が発する熱が当該素子の外部に放出されることを促進できる。よって、有機ＥＬ素子の温度上昇を抑制し、有機ＥＬ素子の発熱による発光装置の信頼性の低下を抑制することができる。
【００５０】
また、本発明の一態様では、第１の高放射層や低反射層が乾燥剤を含む構成としても良い。特に、上記発光装置において、低反射層が乾燥剤を含むことが好ましい。
【００５１】
第１の高放射層や低反射層が乾燥剤を含むと、作製工程中等に発光装置の内部（空間内）に侵入し残留した水分を、該乾燥剤によって吸着することができる。よって、発光装置の内部に残留した水分により、有機ＥＬ素子が劣化することを抑制できる。
【００５２】
また、本発明の一態様は、上記構成の発光装置を表示部に有する電子機器である。また、本発明の一態様は、上記構成の発光装置を照明部に有する照明装置である。本発明の一態様の発光装置は、水分や酸素などの不純物、外力による信頼性の低下を抑制しつつ、さらに熱による信頼性の低下も抑制できるため、電子機器又は照明装置に適用することで、信頼性の高い電子機器又は照明装置を実現することができる。
【発明の効果】
【００５３】
水分や酸素などの不純物、外力による信頼性の低下を抑制しつつ、さらに熱による信頼性の低下も抑制できる、有機ＥＬ素子を用いた発光装置を提供することができる。また、該発光装置を用いた信頼性の高い電子機器又は照明装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の一態様の発光装置の一例を示す図。
【図２】本発明の一態様の発光装置の一例を示す図。
【図３】本発明の一態様の発光装置の一例を示す図。
【図４】本発明の一態様の発光装置の一例を示す図。
【図５】本発明の一態様の発光装置の一例を示す図。
【図６】ＥＬ層の一例を示す図。
【図７】本発明の一態様の電子機器及び照明装置の一例を示す図。
【図８】本発明の一態様の照明装置の一例を示す図。
【図９】本発明の一態様の電子機器の一例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００５５】
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
【００５６】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置について図１及び図２を用いて説明する。
【００５７】
本発明の一態様の発光装置は、支持基板と、封止基板である金属基板と、封止材とに囲まれた空間内に、発光部を備える。支持基板及び金属基板は互いに対向している。封止材は、発光部の外周を囲むように設けられている。発光部は、発光素子（有機ＥＬ素子）を備える。該空間は、気体で充填されている。該発光素子は、支持基板上に設けられた第１の電極と、第１の電極上に設けられた発光性の有機化合物を含む層（ＥＬ層）と、ＥＬ層上に設けられた第２の電極とを備える。該支持基板及び該第１の電極は、発光性の有機化合物が発する光に対して透光性を有する。さらに、第２の電極上に、第２の電極と熱的に接続する第１の高放射層を有する。かつ、金属基板の支持基板と対向する面に低反射層を有する。
【００５８】
第１の高放射層は、放射率が高い層である。具体的には、第１の高放射層は、第２の電極よりも放射率が高い層である。第１の高放射層は、放射率が０．２５以上であることが好ましく、０．５以上であることが特に好ましい。
【００５９】
低反射層は、反射率が低い層である。具体的には、低反射層は、金属基板よりも反射率が低い層である。低反射層は、反射率が０．７５以下であることが好ましく、０．５以下であることが特に好ましい。
【００６０】
ここで、反射率と放射率と透過率との和は１である。低反射層の透過率が高いと、第１の高放射層から電磁波として放出された熱は、低反射層を透過し、金属基板で反射し、再び低反射層を透過することで、有機ＥＬ素子に戻ってしまう恐れがある。したがって、低反射層は、透過率及び反射率が低い層（つまり、放射率が高い層）であることが好ましい。
【００６１】
本発明の一態様の発光装置において、支持基板、金属基板及び封止材に囲まれた空間内に発光素子を備える。よって、上記発光装置は、発光装置の外部から水分や酸素などの不純物が侵入し、発光素子が劣化することを抑制できる。かつ、上記の発光装置は、封止基板と発光素子の間に、気体で充填された空間が存在するため、封止基板が外力等の衝撃を受けても、発光素子に直接外力が加わり、素子が破壊されることを抑制することができる。
【００６２】
かつ、上記の発光装置は、第１の高放射層及び低反射層を有するため、有機ＥＬ素子が発する熱は、熱伝導率が高い第２の電極から第１の高放射層に伝導する。そして、第１の高放射層から低反射層へ熱放射が起こるため、有機ＥＬ素子が発する熱が当該素子の外部に放出される。第１の高放射層から熱が電磁波として放出されても、低反射層において該電磁波は反射されにくく、有機ＥＬ素子に熱が戻ることは抑制される。よって、有機ＥＬ素子の温度上昇を抑制し、有機ＥＬ素子の発熱による発光装置の信頼性の低下を抑制することができる。
【００６３】
以下に、本発明の一態様の発光装置における有機ＥＬ素子が発する熱の移動について、具体的に記す。
【００６４】
熱を運ぶ方法としては、大きく分けて熱伝導、対流、熱放射の３つが挙げられる。ここでは、有機ＥＬ素子が発する熱が有機ＥＬ素子の外部へ運ばれる方法として、熱伝導と熱放射を考える。
【００６５】
〈熱伝導〉
熱伝導は、物質の移動や放射によるエネルギー輸送なしに熱が物体の高温部から低温部に移る現象である。
【００６６】
有機ＥＬ素子において、最も空間側に設けられている第２の電極の材料としては金属材料や合金材料が用いられ、特に反射性が高い材料が好適である。金属材料や合金材料は、一般に、熱伝導率が高い。
【００６７】
しかし、本発明の一態様の発光装置において、空間は気体で充填されている。したがって、空間の熱伝導率は低く、有機ＥＬ素子が発する熱が、熱伝導によって、空間へと運ばれることは難しい。
【００６８】
〈熱放射〉
熱放射は、熱輻射、温度放射とも呼ばれる。熱放射は、物体から熱エネルギーが電磁波として放出される現象である。熱放射では、２つの物体の間に媒介する物質が無い場合（例えば、真空である場合）でも、熱を伝えることができる。
【００６９】
本発明の一態様の発光装置は、第２の電極上に、第２の電極と熱的に接続する第１の高放射層を有する。また、金属基板は、支持基板と対向する面に低反射層を有する。
【００７０】
第１の高放射層は、放射率が高い層である。低反射層は、反射率が低い層である。有機ＥＬ素子が発する熱は、第２の電極から第１の高放射層に伝導する。そして、第１の高放射層から低反射層へ熱放射が起こるため、有機ＥＬ素子が発する熱が当該素子の外部に放出される。また、第１の高放射層から熱が電磁波として放出されても、低反射層において該電磁波は反射されにくく、有機ＥＬ素子に熱が戻ることは抑制される。したがって、本発明の一態様のような中空封止の発光装置であっても、有機ＥＬ素子が発する熱が当該素子の外部に放出されることを促進できる。よって、本発明の一態様の発光装置は、有機ＥＬ素子の温度上昇を抑制し、有機ＥＬ素子の発熱による信頼性の低下を抑制することができる。
【００７１】
以下に本発明の一態様の発光装置の一例を示す。
【００７２】
（構成例１）
図１（Ａ）に本発明の一態様の発光装置の平面図を示す。図１（Ａ）におけるＡ−Ｂ間の断面図を図１（Ｂ）に示す。
【００７３】
図１（Ａ）（Ｂ）に示す発光装置は、支持基板８０１、金属基板８０６、及び封止材８０５に囲まれた空間８１０内に、発光部８０２が設けられている。
【００７４】
発光部８０２は、発光素子１３０（第１の電極１１８、ＥＬ層１２０、及び第２の電極１２２）を有する。隔壁１２４は、第１の電極１１８の端部を覆い、かつ発光素子１３０の発光領域と重なる位置に開口部が設けられている。第２の電極１２２上には、第２の電極１２２と熱的に接続する第１の高放射層１０１が設けられている。さらに、金属基板８０６の支持基板８０１と対向する面には、低反射層１０３が設けられている。
【００７５】
空間８１０は、気体で充填されている。特に、発光素子１３０に対して不活性である気体で充填されていることが好ましい。例えば、該気体としては、希ガスや窒素で充填されていることが好ましい。
【００７６】
第１の高放射層１０１は、放射率が高い層である。具体的には、第１の高放射層１０１は、第２の電極１２２よりも放射率が高い層である。第１の高放射層１０１は、放射率が０．２５以上であることが好ましく、０．５以上であることが特に好ましい。
【００７７】
低反射層１０３は、反射率が低い層である。具体的には、低反射層１０３は、金属基板８０６よりも反射率が低い層である。低反射層１０３は、０．７５以下であることが好ましく、０．５以下であることが特に好ましい。
【００７８】
本実施の形態の発光装置において、支持基板８０１、金属基板８０６及び封止材８０５に囲まれた空間８１０内に発光素子１３０を備える。よって、発光装置の外部から水分や酸素などの不純物が侵入し、発光素子１３０が劣化することを抑制できる。かつ、上記の発光装置は、金属基板８０６と発光素子１３０の間に、気体で充填された空間８１０が存在するため、金属基板８０６が外力等の衝撃を受けても、発光素子１３０に直接外力が加わり、発光素子１３０が破壊されることを抑制することができる。
【００７９】
かつ、本実施の形態の発光装置は、第１の高放射層１０１及び低反射層１０３を有するため、発光素子１３０が発する熱は、熱伝導率が高い第２の電極１２２から第１の高放射層１０１に伝導する。そして、第１の高放射層１０１から低反射層１０３へ熱放射が起こるため、発光素子１３０が発する熱が当該素子の外部に放出される。第１の高放射層１０１から熱が電磁波として放出されても、低反射層１０３において該電磁波は反射されにくく、発光素子１３０に熱が戻ることは抑制される。よって、発光素子の温度上昇を抑制し、発光素子の発熱による発光装置の信頼性の低下を抑制することができる。
【００８０】
低反射層１０３は、金属基板８０６における支持基板８０１と対向する面の少なくとも一部に形成されていれば良い。同様に、第１の高放射層１０１は、第２の電極１２２の表面の少なくとも一部に形成されていれば良い。特に、本実施の形態で示す発光装置のように、低反射層１０３が、第１の高放射層１０１と重なる領域に設けられていると、第１の高放射層１０１から低反射層１０３への経路が短くなるため、発光素子１３０が発する熱を効率よく当該素子の外部に運ぶことができ、好ましい。
【００８１】
［第１の高放射層１０１］
第１の高放射層１０１として用いることができる材料は、例えば、酸化アルミニウム、酸化真鍮、酸化クロム、酸化コバルト、酸化銅、酸化ニクロム、酸化鉄、酸化鋳鉄、酸化鉛、酸化マグネシウム、酸化モリブデン、酸化ニッケル、酸化スズ、酸化鋼、酸化チタン等の金属酸化物や、グラファイト、ダイヤモンド、フラーレン、カーボンナノチューブ、プラスチック、ダイヤモンドライクカーボン等の炭素を含む化合物や、炭化珪素等の炭化物や、窒化アルミニウム、窒化ホウ素等の窒化物や、鉛、ステンレス、ゴム等が挙げられる。
【００８２】
また、第２の電極１２２の表面を酸化することで、第１の高放射層１０１である金属酸化物を形成しても良い。
【００８３】
また、第１の高放射層１０１は、凹凸を有する構造とすることで、熱放射性を向上させても良い（図２（Ａ））。また、凹凸を有する第１の高放射層１０１の一態様としては図２（Ｂ）の構成も挙げられる。ＥＬ層１２０上に、表面に凹凸を有する金属膜１２１を形成することで、金属膜１２１の厚さ方向において、放射率に差をつけることができる。金属膜１２１としては、第２の電極１２２と同様の材料を用いることができる。
【００８４】
具体的には、図２（Ｂ）において、金属膜１２１は、ＥＬ層１２０と接する領域（放射率が低い領域）が第２の電極１２２として機能し、空間と接する領域（凹凸を有する領域、かつ放射率が高い領域）が第１の高放射層１０１として機能する。
【００８５】
さらに、第１の高放射層１０１は、熱伝導性が高いと好ましい。第１の高放射層１０１は、ＥＬ層１２０よりも熱伝導率が高いことが好ましい。特に、第１の高放射層１０１の熱伝導率は、第２の電極１２２の熱伝導率以上であることが好ましい。また、第１の高放射層１０１の熱伝導率が１Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることが好ましく、２５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることが特に好ましい。
【００８６】
第１の高放射層１０１の熱伝導率がＥＬ層１２０の熱伝導率よりも高いと、第２の電極１２２において、熱はＥＬ層１２０よりも第１の高放射層１０１に伝導しやすい。よって、発光素子１３０が発する熱を当該素子の外部により効率よく運ぶことができる。また、第１の高放射層１０１の熱伝導率が高いほど、第１の高放射層１０１全体に熱を容易に伝導でき、局所的な温度上昇を抑制することができるため、好ましい。さらに、低反射層１０３へと熱を効率よく運ぶ（放射する）ことができる。
【００８７】
第１の高放射層１０１として用いることができる熱伝導性の高い材料としては、例えば、グラファイト、ダイヤモンド、カーボンナノチューブ、ダイヤモンドライクカーボン、炭化珪素等が挙げられる。
【００８８】
［低反射層１０３］
低反射層１０３として用いることができる材料は、例えば、酸化アルミニウム、酸化真鍮、酸化クロム、酸化コバルト、酸化銅、酸化ニクロム、酸化鉄、酸化鋳鉄、酸化鉛、酸化マグネシウム、酸化モリブデン、酸化ニッケル、酸化スズ、酸化鋼、酸化チタン等の金属酸化物や、グラファイト、ダイヤモンド、フラーレン、カーボンナノチューブ、プラスチック、ダイヤモンドライクカーボン等の炭素を含む化合物や、炭化珪素等の炭化物や、窒化アルミニウム、窒化ホウ素等の窒化物や、鉛、ステンレス、ゴム等が挙げられる。
【００８９】
また、低反射層１０３は、空間８１０を満たしている気体より高い熱伝導性を有していることが好ましい。低反射層１０３の熱伝導率は、１Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることが好ましく、２５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることが特に好ましい。
【００９０】
低反射層１０３の熱伝導率が高いほど、低反射層１０３全体に熱を容易に伝導でき、局所的な温度上昇を抑制することができるため、好ましい。さらに、金属基板８０６へと熱を効率よく運ぶことができる。
【００９１】
低反射層１０３として用いることができる熱伝導性の高い材料としては、例えば、酸化アルミニウム、酸化真鍮、酸化クロム、酸化コバルト、酸化銅、酸化ニクロム、酸化鉄、酸化鋳鉄、酸化鉛、酸化マグネシウム、酸化モリブデン、酸化ニッケル、酸化スズ、酸化鋼、酸化チタン等の金属酸化物や、グラファイト、ダイヤモンド、フラーレン、カーボンナノチューブ、プラスチック、ダイヤモンドライクカーボン等の炭素を含む化合物や、炭化珪素等の炭化物や、窒化アルミニウム、窒化ホウ素等の窒化物や、鉛、ステンレス、ゴム等が挙げられる。
【００９２】
また、低反射層１０３は、凹凸を有する構造とすることで、熱放射性を向上させても良い。反射率と放射率と透過率との和は１であるため、熱放射性を高めることで、反射率を低下させることができる。
【００９３】
また、第１の高放射層１０１や低反射層１０３は、乾燥剤を含んでいても良い。乾燥剤を含むことで、作製工程中等に発光装置の内部（空間８１０内）に侵入し残留した水分を、該乾燥剤によって吸着することができる。よって、発光装置の内部に残留した水分により発光素子が劣化することを抑制できる。
【００９４】
乾燥剤には、公知の材料を用いることができる。乾燥剤としては、化学吸着によって水分等を吸収する材料（化学吸着型乾燥剤と記す）、物理吸着によって水分等を吸着する材料（物理吸着型乾燥剤と記す）のいずれを用いてもよい。例えば、アルカリ金属の酸化物、アルカリ土類金属の酸化物（酸化カルシウムや酸化バリウム等）、硫酸塩、金属ハロゲン化物、過塩素酸塩、ゼオライト、シリカゲル等が挙げられる。
【００９５】
化学吸着型乾燥剤は、水分等の吸着時に、化学反応により熱が発生する場合や、該乾燥剤自体が別の物質に変化し、体積変化が起こる場合がある。発光素子１３０へのダメージを抑制するため、発光素子１３０と近い位置に設けられる第１の高放射層１０１には、物理吸着型乾燥剤を用いることが好ましい。
【００９６】
また、金属基板８０６側に設けられる（発光素子１３０と離れた位置に設けられる）低反射層１０３に乾燥剤を含む構成は、発光素子１３０にダメージを与えにくいため、化学吸着型乾燥剤と物理吸着型乾燥剤のいずれも好適に用いることができ、好ましい。
【００９７】
（変形例１）
本発明の一態様では、図１（Ｃ）に示すように、金属基板８０６が凹部を有していても良い。また、金属缶を金属基板８０６として用いることができる。
【００９８】
また、空間８１０内に乾燥剤１２６を備えていても良い。乾燥剤１２６を備えることで、作製工程中等に発光装置の内部に侵入し残留した水分を、乾燥剤１２６によって吸着することができる。よって、発光装置の内部に残留した水分により発光素子１３０が劣化することを抑制できる。
【００９９】
（構成例２）
図３（Ａ）に示す本発明の一態様の発光装置は、第２の電極１２２と第１の高放射層１０１の間に、第１の熱伝導層１０２を有する。
【０１００】
第２の電極１２２と第１の高放射層１０１の密着性（又は接着性）が低いと、第２の電極１２２の熱伝導性が高くても、第１の高放射層１０１に十分に熱が伝導されない場合がある。このような場合には、第１の熱伝導層１０２を備えることが好ましい。
【０１０１】
第２の電極１２２と第１の高放射層１０１との間に第１の熱伝導層１０２を設けることで、第２の電極１２２と第１の熱伝導層１０２との密着性が高く、第１の熱伝導層１０２と第１の高放射層１０１との密着性が高い構成を実現することができる。該構成を適用することで、第２の電極１２２から第１の高放射層１０１への熱の伝導が容易となり、発光素子１３０が発する熱が当該素子の外部に放出されることを促進できる。よって、発光素子１３０の温度上昇を抑制し、発光素子１３０の発熱による発光装置の信頼性の低下を抑制することができる。
【０１０２】
第１の熱伝導層１０２は、ＥＬ層１２０よりも熱伝導率が高い。特に、第１の熱伝導層１０２の熱伝導率は、第２の電極１２２の熱伝導率以上であることが好ましい。また、第１の熱伝導層１０２の熱伝導率が１Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることが好ましく、２５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることがより好ましい。
【０１０３】
第１の熱伝導層１０２は、ＥＬ層１２０よりも熱伝導率が高いため、第２の電極１２２において、熱はＥＬ層１２０よりも第１の熱伝導層１０２へ伝導しやすい。よって、発光素子１３０が発する熱を当該素子の外部により効率よく運ぶことができる。
【０１０４】
第１の熱伝導層１０２に用いることができる材料としては、例えば、セラミックス材料、カーボンナノチューブ、ダイヤモンド、グラファイト、銀、銅、金、アルミニウム、シリコン、真鍮等が挙げられる。また、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂等の熱伝導性が高い樹脂を用いることが好ましい。また、金属フィラーやカーボン粉末を該熱伝導性が高い樹脂に含ませても良い。
【０１０５】
（構成例３）
図３（Ｂ）に示す本発明の一態様の発光装置は、低反射層１０３と金属基板８０６の間に、第２の熱伝導層１０４を有する。
【０１０６】
低反射層１０３と金属基板８０６の密着性（又は接着性）が低いと、低反射層１０３から金属基板８０６に十分に熱が伝導されない場合がある。このような場合には、第２の熱伝導層１０４を備えることが好ましい。
【０１０７】
低反射層１０３と金属基板８０６との間に第２の熱伝導層１０４を設けることで、低反射層１０３と第２の熱伝導層１０４との密着性が高く、第２の熱伝導層１０４と金属基板８０６との密着性が高い構成を実現することができる。該構成を適用することで、低反射層１０３から金属基板８０６への熱の伝導が容易となり、発光素子１３０が発する熱が当該素子の外部に放出されることを促進できる。よって、発光素子１３０の温度上昇を抑制し、発光素子１３０の発熱による発光装置の信頼性の低下を抑制することができる。
【０１０８】
第２の熱伝導層１０４は、低反射層１０３よりも熱伝導率が高い。第１の熱伝導層１０２の熱伝導率が１Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることが好ましく、２５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることがより好ましい。第２の熱伝導層１０４としては、第１の熱伝導層１０２と同様の材料を適用することができる。
【０１０９】
（構成例４）
図３（Ｃ）に示す本発明の一態様の発光装置は、金属基板８０６の大気と接する面に、第２の高放射層１０５を有する。
【０１１０】
なお、金属基板の大気と接する面は、第２の高放射層を全面に有することで、大気と直接接しない場合がある。よって、本発明の一態様では、金属基板が、第２の高放射層を介して大気と接する面を有する、と言える。
【０１１１】
熱放射性が高い第２の高放射層１０５を大気に接して設けることで、素子が発する熱が発光装置の外部に放出されることを促進できる。よって、素子の温度上昇を抑制し、素子の発熱による発光装置の信頼性の低下を抑制することができる。
【０１１２】
第２の高放射層１０５は、金属基板８０６よりも熱放射率が高い層である。第２の高放射層１０５は、熱放射率が０．２５以上であることが好ましく、０．５以上であることが特に好ましい。第２の高放射層１０５としては、第１の高放射層１０１と同様の材料を適用することができる。また、第２の高放射層１０５は、凹凸を有する構造とすることで、熱放射性を向上させても良い。
【０１１３】
また、第２の高放射層１０５は、低反射層１０３よりも熱伝導率が高いことが好ましい。ただし、低反射層１０３と金属基板８０６が第２の熱伝導層１０４を介して熱的に接続する場合、第２の高放射層１０５は、第２の熱伝導層１０４よりも熱伝導率が高いことが好ましい。
【０１１４】
第２の高放射層１０５の熱伝導率が、低反射層１０３（又は第２の熱伝導層１０４）の熱伝導率よりも高いと、金属基板８０６において、熱が、低反射層１０３（又は第２の熱伝導層１０４）より第２の高放射層１０５に伝導しやすい。よって、発光素子が発する熱を当該素子の外部により効率よく運ぶことができる。また、第２の高放射層１０５の熱伝導率が高いほど、第２の高放射層１０５全体に熱を容易に伝導でき、大気へと熱を効率よく放射することができる。
【０１１５】
（構成例５）
図３（Ｄ）に示す本発明の一態様の発光装置は、第２の高放射層１０５と金属基板８０６の間に、第３の熱伝導層１０６を有する。
【０１１６】
第２の高放射層１０５と金属基板８０６の密着性（又は接着性）が低いと、金属基板８０６から第２の高放射層１０５に十分に熱が伝導されない場合がある。このような場合には、第３の熱伝導層１０６を備えることが好ましい。
【０１１７】
第２の高放射層１０５と金属基板８０６との間に第３の熱伝導層１０６を設けることで、金属基板８０６と第３の熱伝導層１０６との密着性が高く、第３の熱伝導層１０６と第２の高放射層１０５との密着性が高い構成を実現することができる。該構成を適用することで、金属基板８０６から第２の高放射層１０５への熱の伝導が容易となり、発光素子１３０が発する熱が当該素子の外部に放出されることを促進できる。よって、発光素子１３０の温度上昇を抑制し、発光素子１３０の発熱による発光装置の信頼性の低下を抑制することができる。
【０１１８】
第３の熱伝導層１０６は、低反射層１０３よりも熱伝導率が高いことが好ましい。ただし、低反射層１０３と金属基板８０６が第２の熱伝導層１０４を介して熱的に接続する場合、第３の熱伝導層１０６は、第２の熱伝導層１０４よりも熱伝導率が高いことが好ましい。第３の熱伝導層１０６の熱伝導率が１Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることが好ましく、２５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることがより好ましい。第３の熱伝導層１０６としては、第１の熱伝導層１０２と同様の材料を適用することができる。
【０１１９】
第３の熱伝導層１０６は、低反射層１０３（又は第２の熱伝導層１０４）よりも熱伝導率が高いため、金属基板８０６において、熱は低反射層１０３（又は第２の熱伝導層１０４）よりも第３の熱伝導層１０６へ伝導しやすい。よって、発光素子１３０が発する熱を当該素子の外部により効率よく運ぶことができる。
【０１２０】
本発明の一態様では、第１の熱伝導層１０２、第２の熱伝導層１０４、第２の高放射層１０５及び第３の熱伝導層１０６を適宜組み合わせて用いることができる。例えば、図３（Ｅ）に示すように、本発明の一態様の発光装置は、第１の熱伝導層１０２、第２の熱伝導層１０４、第２の高放射層１０５及び第３の熱伝導層１０６全てを備えていても良い。
【０１２１】
＜本発明の一態様の発光装置に用いることができる材料＞
以下に、本発明の一態様の発光装置に用いることができる材料の一例を記す。なお、空間、熱放射層及び熱伝導層については先の記載を参酌できる。
【０１２２】
［支持基板８０１］
支持基板８０１は、発光素子１３０からの光を取り出す側の基板であるため、該光に対する透光性を有する材料を用いる。例えば、ガラス、石英、セラミック、サファイア、有機樹脂などの材料を用いることができる。
【０１２３】
ガラスとしては、例えば、無アルカリガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス等を用いることができる。
【０１２４】
有機樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリルニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、又はポリ塩化ビニル樹脂などを用いることができる。また、ガラス繊維に有機樹脂を含浸した基板や、無機フィラーを有機樹脂に混ぜた基板を使用することもできる。
【０１２５】
なお、支持基板８０１に含まれる不純物が支持基板８０１上に設けられる各素子に拡散することを抑制するため、支持基板８０１の表面に絶縁層を設けることや、支持基板８０１に加熱処理を行うことが好ましい。
【０１２６】
［金属基板８０６］
金属基板８０６には、金属材料や合金材料を用いることができる。例えば、ステンレス、アルミニウム、銅、ニッケル、アルミニウム合金から選ばれる材料を用いることが好ましい。
【０１２７】
［発光素子１３０］
第１の電極１１８に用いることができる透光性を有する材料としては、酸化インジウム、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、酸化インジウム酸化亜鉛、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などが挙げられる。
【０１２８】
また、第１の電極１１８として、金、白金、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、又はチタン等の金属材料を用いることができる。又は、それら金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等を用いても良い。又は、グラフェン等を用いても良い。なお、金属材料（又はその窒化物）を用いる場合、透光性を有する程度に薄くすれば良い。
【０１２９】
ＥＬ層１２０は、少なくとも発光層を有する。発光層には、発光性の有機化合物が含まれる。そのほか、電子輸送性の高い物質を含む層、正孔輸送性の高い物質を含む層、電子注入性の高い物質を含む層、正孔注入性の高い物質を含む層、バイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質）を含む層等を適宜組み合わせた積層構造を構成することができる。ＥＬ層の構成例は実施の形態４で詳細に説明する。
【０１３０】
第２の電極１２２は、光を取り出す側と反対側に設けられ、反射性を有する材料を用いて形成される。反射性を有する材料としては、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、又はパラジウム等の金属材料を用いることができる。そのほか、アルミニウムとチタンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金などのアルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）や銀と銅の合金などの銀を含む合金を用いることもできる。銀と銅の合金は、耐熱性が高いため好ましい。また、上記金属材料や合金に、ランタン、ネオジム、又はゲルマニウム等が添加されていても良い。
【０１３１】
［隔壁１２４］
隔壁１２４の材料としては、有機樹脂又は無機絶縁材料を用いることができる。有機樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、シロキサン樹脂、エポキシ樹脂、又はフェノール樹脂等を用いることができる。
【０１３２】
特に、隔壁１２４の作製が容易となるため、感光性の光によってエッチャントに不溶解性となるネガ型の感光性樹脂、あるいは光によってエッチャントに溶解性となるポジ型の感光性樹脂を用いることが好ましい。
【０１３３】
隔壁１２４は、第１の電極１１８の端部を覆って設けられている。隔壁１２４の上層に形成されるＥＬ層１２０や第２の電極１２２の被覆性を良好なものとするため、隔壁１２４の上端部又は下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにするのが好ましい。
【０１３４】
隔壁の形成方法は、特に限定されないが、フォトリソグラフィ法、スパッタ法、蒸着法、液滴吐出法（インクジェット法等）、印刷法（スクリーン印刷、オフセット印刷等）等を用いれば良い。
【０１３５】
［封止材８０５］
封止材８０５は、公知のシール材やガラスフリット等を用いて形成できる。具体的には、熱硬化樹脂、又は光硬化樹脂などの有機樹脂や、低融点ガラスなどの材料を用いることができる。また、シール材に乾燥剤が含まれていても良い。
【０１３６】
［乾燥剤１２６］
乾燥剤１２６には、公知の材料を用いることができる。乾燥剤としては、化学吸着によって水分等を吸収する物質、物理吸着によって水分等を吸着する物質のいずれを用いてもよい。例えば、アルカリ金属の酸化物、アルカリ土類金属の酸化物（酸化カルシウムや酸化バリウム等）、硫酸塩、金属ハロゲン化物、過塩素酸塩、ゼオライト、シリカゲル等が挙げられる。
【０１３７】
以上のように、本発明の一態様の発光装置は、発光装置の外部から水分や酸素などの不純物が侵入し、有機ＥＬ素子が劣化することを抑制できる。かつ、封止基板が外力等の衝撃を受けても、発光素子に直接外力が加わり、素子が破壊されることを抑制することができる。かつ、有機ＥＬ素子の温度上昇を抑制し、有機ＥＬ素子の発熱による発光装置の信頼性の低下を抑制することができる。
【０１３８】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０１３９】
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置について図４を用いて説明する。図４（Ａ）は、本発明の一態様の発光装置を示す平面図であり、図４（Ｂ）は、図４（Ａ）におけるＣ−Ｄ間の断面図である。
【０１４０】
本実施の形態の発光装置は、支持基板８０１上に、発光素子１３０（第１の電極１１８、ＥＬ層１２０、及び第２の電極１２２）を備える。具体的には、支持基板８０１上に第１の電極１１８を有し、第１の電極１１８上にＥＬ層１２０を有し、ＥＬ層１２０上に第２の電極１２２を有する。
【０１４１】
第１の端子８０９ａは、補助配線１６３及び第１の電極１１８と電気的に接続する。第１の電極１１８上には、補助配線１６３及び第１の端子８０９ａと重なる領域に、絶縁層１２５が設けられている。第１の端子８０９ａと第２の電極１２２は、絶縁層１２５によって電気的に絶縁されている。第２の端子８０９ｂは、第２の電極１２２と電気的に接続する。なお、本実施の形態では、補助配線１６３上に第１の電極１１８が形成されている構成を示すが、第１の電極１１８上に補助配線１６３を形成しても良い。
【０１４２】
支持基板８０１及び金属基板８０６は、封止材８０５によって貼り合わされている。空間８１０は、気体で充填されている。特に、発光素子１３０に対して不活性である気体で充填されていることが好ましい。また、空間８１０に、乾燥剤を有していても良い。
【０１４３】
また、第２の電極１２２上に、第２の電極と熱的に接続する第１の高放射層１０１を有する。さらに、金属基板８０６の支持基板８０１と対向する面に、低反射層１０３を有する。
【０１４４】
本実施の形態の発光装置において、支持基板８０１、金属基板８０６及び封止材８０５に囲まれた空間８１０内に発光素子１３０を備える。よって、発光装置の外部から水分や酸素などの不純物が侵入し、発光素子１３０が劣化することを抑制できる。かつ、上記の発光装置は、金属基板８０６と発光素子１３０の間に、気体で充填された空間８１０が存在するため、金属基板８０６が外力等の衝撃を受けても、発光素子１３０に直接外力が加わり、発光素子１３０が破壊されることを抑制することができる。
【０１４５】
かつ、本実施の形態の発光装置は、第１の高放射層１０１及び低反射層１０３を有するため、発光素子１３０が発する熱は、第２の電極１２２から第１の高放射層１０１に伝導し、第１の高放射層１０１から低反射層１０３へ熱放射が起こり、発光素子１３０が発する熱が当該素子の外部に放出される。第１の高放射層１０１から熱が電磁波として放出されても、低反射層１０３において該電磁波は反射されにくく、発光素子１３０に熱が戻ることは抑制される。よって、発光素子の温度上昇を抑制し、発光素子の発熱による発光装置の信頼性の低下を抑制することができる。
【０１４６】
また、有機ＥＬ素子は、屈折率が大気より高い領域で発光するため、光を大気中に取り出すときに有機ＥＬ素子内、又は有機ＥＬ素子と大気との境界面で全反射が生じる条件があり、有機ＥＬ素子の光取り出し効率は１００％より小さいという問題がある。
【０１４７】
具体的には、ＥＬ層の屈折率よりも小さい屈折率を有する媒体Ｂへ、媒体Ｂよりも屈折率の高い媒体Ａから光が入射する際に、入射する角度により全反射することがある。
【０１４８】
このとき、媒体Ａと媒体Ｂとの界面に凹凸の構造を設けることが好ましい。このような構成とすることで、媒体Ａから媒体Ｂに臨界角を超えて入射する光が全反射し、発光装置内を光が導波して光の取り出し効率が低下する現象を抑制することができる。
【０１４９】
例えば、支持基板８０１と大気との界面に凹凸の構造１６１ａを有することが好ましい。支持基板８０１の屈折率は大気の屈折率よりも大きい。よって、大気と支持基板８０１の界面に凹凸の構造１６１ａを設けることで、全反射の影響で大気に取り出せない光を低減し、発光装置の光の取り出し効率を向上させることができる。
【０１５０】
また、発光素子１３０と支持基板８０１との界面に凹凸の構造１６１ｂを有することが好ましい。
【０１５１】
しかし、有機ＥＬ素子において、第１の電極１１８が凹凸を有すると、第１の電極１１８上に形成されるＥＬ層１２０においてリーク電流が生じる恐れがある。したがって、本実施の形態では、ＥＬ層１２０の屈折率以上の屈折率を有する平坦化層１６２を、凹凸の構造１６１ｂと接して設ける。これによって、第１の電極１１８を平坦な膜とすることができ、第１の電極１１８の凹凸に起因するＥＬ層におけるリーク電流の発生を抑制することができる。また、平坦化層１６２と支持基板８０１との界面に、凹凸の構造１６１ｂを有するため、全反射の影響で大気に取り出せない光を低減し、発光装置の光の取り出し効率を向上させることができる。
【０１５２】
なお、図４（Ｂ）において、支持基板８０１、凹凸の構造１６１ａ及び凹凸の構造１６１ｂを異なる要素として示したが、本発明はこれに限られない。これらのうち二つ又は全てが一体に形成されていても良い。また、凹凸の構造１６１ｂは封止領域の内側に全てが形成されていても良い。
【０１５３】
なお、図４（Ａ）に示す発光装置の形状は八角形であるが、本発明はこれに限られない。発光装置は、その他の多角形または曲線をもつ形状としても良い。特に、発光装置の形状としては、三角形、四角形、正六角形などが好ましい。なぜなら、限られた面積に複数の発光装置を隙間無く設けることができるためである。また、限られた基板面積を有効に利用して発光装置を形成できるためである。また、発光装置が備える発光素子は一つに限られず、複数の発光素子を有していても良い。
【０１５４】
＜本発明の一態様の発光装置に用いることができる材料＞
以下に本発明の一態様の発光装置に用いることができる材料の一例を記す。なお、基板、発光素子、封止材、空間、及び熱放射層については、実施の形態１で例示した材料を適用することができる。
【０１５５】
［絶縁層１２５］
絶縁層１２５は、前述の隔壁１２４と同様の材料を用いて形成することができる。
【０１５６】
［補助配線１６３、第１の端子８０９ａ及び第２の端子８０９ｂ］
補助配線１６３、第１の端子８０９ａ及び第２の端子８０９ｂは、同一の工程で（同時に）形成すると、少ない工程数で発光装置を作製できるため好ましい。例えば、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、スカンジウム（Ｓｃ）、ニッケル（Ｎｉ）、から選ばれた材料又はこれらを主成分とする合金材料を用いて、単層で又は積層して形成すれば良い。
【０１５７】
［凹凸の構造１６１ａ、１６１ｂ］
凹凸の構造のパターンは、特に限定されず、例えば、半球状や、円錐、角錐（三角錐、四角錐等）などの頂点を有する形状とすることができる。凹凸の大きさ、高さは、特に、１μｍ以上であると、光の干渉による影響を抑制することができるため、好ましい。パターンは、隣り合う部分において隙間が生じないように設けられていることが好ましい。例えば、好ましい底面形状として、正六角形が挙げられる。
【０１５８】
凹凸の構造１６１ａ、１６１ｂは、支持基板８０１に直接作製することができる。その方法としては、例えば、エッチング法、砥粒加工法（サンドブラスト法）、マイクロブラスト加工法、液滴吐出法や、印刷法（スクリーン印刷やオフセット印刷などパターンが形成される方法）、スピンコート法などの塗布法、ディッピング法、ディスペンサ法、インプリント法、ナノインプリント法等を適宜用いることができる。
【０１５９】
凹凸の構造１６１ａ、１６１ｂの材料としては、例えば、樹脂を用いることができ、具体的には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリルニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル（ポリメチルメタクリレート）樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂、環状オレフィン系樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、又はポリ塩化ビニル樹脂などを用いることができる。また、これらを２以上組み合わせたものを用いても良い。アクリル樹脂は、可視光の透過率が高いため、好適に用いることができる。また、環状オレフィン系樹脂、及びシクロオレフィン樹脂は、可視光の透過率が高く耐熱性が優れているため、好適に用いることができる。
【０１６０】
また、凹凸の構造１６１ａ、１６１ｂとして、半球レンズ、マイクロレンズアレイや、凹凸構造が施されたフィルム、光拡散フィルム等を用いることもできる。例えば、支持基板８０１上に上記レンズやフィルムを、支持基板８０１又は該レンズもしくはフィルムと同程度の屈折率を有する接着剤等を用いて接着することで、凹凸の構造１６１ａ、１６１ｂを形成することができる。
【０１６１】
［平坦化層１６２］
平坦化層１６２は、凹凸の構造１６１ｂと接する面よりも、第１の電極１１８と接する面のほうが平坦である。したがって、第１の電極１１８を平坦な膜とすることができる。その結果、第１の電極１１８の凹凸に起因するＥＬ層１２０のリーク電流を抑制することができる。
【０１６２】
平坦化層１６２の材料としては、高屈折率の液体や樹脂等を用いることができる。平坦化層１６２は、透光性を有する。高屈折率の樹脂としては、臭素が含まれる樹脂、硫黄が含まれる樹脂などが挙げられ、例えば、含硫黄ポリイミド樹脂、エピスルフィド樹脂、チオウレタン樹脂、又は臭素化芳香族樹脂などを用いることができる。また、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）、ＴＡＣ（トリアセチルセルロース）なども用いることができる。高屈折率の液体としては、硫黄及びヨウ化メチレンを含む接触液（屈折液）などを用いることができる。成膜方法としては、材料にあった種々の方法を適用すれば良い。例えば、前述の樹脂を、スピンコート法を用いて成膜し、熱または光によって硬化させることで形成することができる。接着強度や加工のしやすさなどを考慮し適宜選択することができる。
【０１６３】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０１６４】
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置について図５を用いて説明する。図５（Ａ）は、本発明の一態様の発光装置を示す平面図であり、図５（Ｂ）は、図５（Ａ）におけるＥ−Ｆ間の断面図である。
【０１６５】
本実施の形態に係るアクティブマトリクス型の発光装置は、支持基板８０１上に、発光部８０２、駆動回路部８０３（ゲート側駆動回路部）、駆動回路部８０４（ソース側駆動回路部）及び封止材８０５を有する。発光部８０２及び駆動回路部８０３、８０４は、支持基板８０１、金属基板８０６及び封止材８０５で形成された空間８１０に封止されている。空間８１０は、気体で充填されている。特に、発光素子１３０に対して不活性である気体で充填されていることが好ましい。
【０１６６】
該発光装置は、支持基板８０１、金属基板８０６、及び封止材８０５に囲まれた空間８１０内に、発光部８０２（発光素子１３０）を備えることから、発光装置の外部から水分や酸素などの不純物が侵入し、発光素子１３０が劣化することを抑制できる。
【０１６７】
図５（Ｂ）に示す発光部８０２は、スイッチング用のトランジスタ１４０ａと、電流制御用のトランジスタ１４０ｂと、トランジスタ１４０ｂの配線（ソース電極またはドレイン電極）に電気的に接続された第１の電極１１８とを含む複数の発光ユニットにより形成されている。発光ユニットの発光領域において、第１の絶縁層１１４上にはカラーフィルタ１６０が設けられている。
【０１６８】
発光素子１３０は、第１の電極１１８、ＥＬ層１２０、及び第２の電極１２２によって構成されている。また、第１の電極１１８の端部を覆って隔壁１２４が形成されている。また、第２の電極１２２上に、第２の電極１２２と熱的に接続する第１の高放射層１０１が設けられている。また、金属基板８０６の支持基板８０１と対向する面には、低反射層１０３が設けられている。
【０１６９】
本実施の形態の発光装置において、支持基板８０１、金属基板８０６及び封止材８０５に囲まれた空間８１０内に発光素子１３０を備える。よって、発光装置の外部から水分や酸素などの不純物が侵入し、発光素子１３０が劣化することを抑制できる。かつ、上記の発光装置は、金属基板８０６と発光素子１３０の間に、気体で充填された空間８１０が存在するため、金属基板８０６が外力等の衝撃を受けても、発光素子１３０に直接外力が加わり、発光素子１３０が破壊されることを抑制することができる。
【０１７０】
かつ、本実施の形態の発光装置は、第１の高放射層１０１及び低反射層１０３を有するため、発光素子１３０が発する熱は、第２の電極１２２から第１の高放射層１０１に伝導し、第１の高放射層１０１から低反射層１０３へ熱放射が起こり、発光素子１３０が発する熱が当該素子の外部に放出される。第１の高放射層１０１から熱が電磁波として放出されても、低反射層１０３において該電磁波は反射されにくく、発光素子１３０に熱が戻ることは抑制される。よって、発光素子の温度上昇を抑制し、発光素子の発熱による発光装置の信頼性の低下を抑制することができる。
【０１７１】
支持基板８０１上には、駆動回路部８０３、８０４に外部からの信号（ビデオ信号、クロック信号、スタート信号、またはリセット信号等）や電位を伝達する外部入力端子を接続するための引き回し配線が設けられる。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ８０８（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）を設ける例を示している。なお、ＦＰＣ８０８にはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていてもよい。本明細書における発光装置は、発光装置本体だけでなく、発光装置本体にＦＰＣまたはＰＷＢが取り付けられた状態のものも範疇に含むものとする。
【０１７２】
駆動回路部８０３、８０４は、トランジスタを複数有する。図５では、駆動回路部８０３が、ｎチャネル型のトランジスタ１５２及びｐチャネル型のトランジスタ１５３を組み合わせたＣＭＯＳ回路を有する例を示している。駆動回路部の回路は、種々のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路又はＮＭＯＳ回路で形成することができる。また、本実施の形態では、発光部が形成された基板上に駆動回路が形成されたドライバー一体型を示すが、本発明はこの構成に限定されるものではなく、発光部が形成された基板とは別の基板に駆動回路を形成することもできる。
【０１７３】
＜本発明の一態様の発光装置に用いることができる材料＞
以下に本発明の一態様の発光装置に用いることができる材料の一例を記す。なお、基板、発光素子、封止材、空間、隔壁、及び熱放射層については、実施の形態１で例示した材料を適用することができる。
【０１７４】
［トランジスタ］
本発明の一態様の発光装置に用いるトランジスタ（トランジスタ１４０ａ、１４０ｂ、１５２、１５３等）の構造は特に限定されない。トップゲート型のトランジスタを用いても良いし、逆スタガ型などのボトムゲート型のトランジスタを用いても良い。また、チャネルエッチ型やチャネルストップ（チャネル保護）型としても良い。また、トランジスタに用いる材料についても特に限定されない。
【０１７５】
ゲート電極は、例えば、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらの元素を含む合金材料を用いて、単層で又は積層して形成することができる。
【０１７６】
ゲート絶縁層は、発光素子からの光を透過する材料で形成する。ゲート絶縁層は、例えば、プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法等を用いて、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン又は酸化アルミニウムを単層で又は積層して形成することができる。
【０１７７】
半導体層は、シリコン半導体や酸化物半導体を用いて形成することができる。シリコン半導体としては、単結晶シリコンや多結晶シリコンなどがあり、酸化物半導体としては、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物などを、適宜用いることができる。ただし、半導体層としては、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物である酸化物半導体を用いて、オフ電流の低い半導体層とすることで、後に形成される発光素子１３０のオフ時のリーク電流が抑制できるため、好ましい。
【０１７８】
ソース電極層及びドレイン電極層としては、例えば、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素を含む金属膜、又は該元素を含む金属窒化物膜（窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜）等を用いることができる。また、Ａｌ、Ｃｕなどの金属膜の下側又は上側の一方又は双方にＴｉ、Ｍｏ、Ｗなどの高融点金属膜又はそれらの金属窒化物膜（窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜）を積層させた構成としても良い。また、ソース電極層及びドレイン電極層は、導電性の金属酸化物で形成しても良い。導電性の金属酸化物としては酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３等）、酸化スズ（ＳｎＯ２等）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、酸化インジウム酸化亜鉛（Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ等）又はこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用いることができる。
【０１７９】
［第１の絶縁層１１４、第２の絶縁層１１６］
第１の絶縁層１１４及び第２の絶縁層１１６は、発光素子からの光を透過する材料で形成する。
【０１８０】
第１の絶縁層１１４は、トランジスタを構成する半導体への不純物の拡散を抑制する効果を奏する。第１の絶縁層１１４としては、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。
【０１８１】
第２の絶縁層１１６としては、カラーフィルタやトランジスタ起因の表面凹凸を低減するために平坦化機能を有する絶縁膜を選択するのが好適である。例えば、ポリイミド、アクリル、ベンゾシクロブテン等の有機材料を用いることができる。また、上記有機材料の他に、低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）等を用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層させることで、第２の絶縁層１１６を形成してもよい。
【０１８２】
［カラーフィルタ１６０］
第１の絶縁層１１４上には、発光素子１３０（の発光領域）と重なる位置に、着色層であるカラーフィルタ１６０が設けられている。カラーフィルタ１６０は、発光素子１３０からの発光色を調色する目的で設けられる。例えば、白色発光の発光素子を用いてフルカラーの表示装置とする場合には、異なる色のカラーフィルタを設けた複数の発光ユニットを用いる。その場合、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色を用いても良いし、これに黄色（Ｙ）を加えた４色とすることもできる。
【０１８３】
なお、本実施の形態では、カラーフィルタ方式を用いた発光装置を例に説明したが、本発明の構成はこれに限られない。例えば、塗り分け方式や、色変換方式を適用しても良い。
【０１８４】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０１８５】
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置に適用することができるＥＬ層の構成例について、図６を用いて説明する。
【０１８６】
ＥＬ層には公知の物質を用いることができ、低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもできる。なお、ＥＬ層を形成する物質には、有機化合物のみから成るものだけでなく、無機化合物を一部に含む構成も含めるものとする。
【０１８７】
図６（Ａ）では、第１の電極１１８及び第２の電極１２２の間にＥＬ層１２０を有する。図６（Ａ）に示すＥＬ層１２０は、第１の電極１１８側から、正孔注入層７０１、正孔輸送層７０２、発光層７０３、電子輸送層７０４及び電子注入層７０５の順で積層されている。
【０１８８】
ＥＬ層は、図６（Ｂ）に示すように、第１の電極１１８と第２の電極１２２との間に複数積層されていても良い。この場合、積層された第１のＥＬ層１２０ａと第２のＥＬ層１２０ｂとの間には、電荷発生層７０９を設けることが好ましい。このような構成を有する発光素子は、エネルギーの移動や消光などの問題が起こり難く、材料の選択の幅が広がることで高い発光効率と長い寿命とを併せ持つ発光素子とすることが容易である。また、一方のＥＬ層で燐光発光、他方で蛍光発光を得ることも容易である。この構造は上述のＥＬ層の構造と組み合わせて用いることができる。
【０１８９】
また、それぞれのＥＬ層の発光色を異なるものにすることで、発光素子全体として、所望の色の発光を得ることができる。例えば、２つのＥＬ層を有する発光素子において、第１のＥＬ層の発光色と第２のＥＬ層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光素子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。なお、補色とは、混合すると無彩色になる色同士の関係をいう。つまり、補色の関係にある色を発光する物質から得られた光を混合すると、白色発光を得ることができる。また、３つ以上のＥＬ層を有する発光素子の場合でも同様である。
【０１９０】
ＥＬ層１２０は、図６（Ｃ）に示すように、第１の電極１１８と第２の電極１２２との間に、正孔注入層７０１、正孔輸送層７０２、発光層７０３、電子輸送層７０４、電子注入バッファー層７０６、電子リレー層７０７、及び第２の電極１２２と接する複合材料層７０８を有していても良い。
【０１９１】
第２の電極１２２と接する複合材料層７０８を設けることで、特にスパッタリング法を用いて第２の電極１２２を形成する際に、ＥＬ層１２０が受けるダメージを低減することができるため、好ましい。
【０１９２】
電子注入バッファー層７０６を設けることで、複合材料層７０８と電子輸送層７０４との間の注入障壁を緩和することができるため、複合材料層７０８で生じた電子を電子輸送層７０４に容易に注入することができる。
【０１９３】
電子注入バッファー層７０６と複合材料層７０８との間に、電子リレー層７０７を形成することが好ましい。電子リレー層７０７は、必ずしも設ける必要は無いが、電子輸送性の高い電子リレー層７０７を設けることで、電子注入バッファー層７０６へ電子を速やかに送ることが可能となる。
【０１９４】
複合材料層７０８と電子注入バッファー層７０６との間に電子リレー層７０７が挟まれた構造は、複合材料層７０８に含まれるアクセプター性物質と、電子注入バッファー層７０６に含まれるドナー性物質とが相互作用を受けにくく、互いの機能を阻害しにくい構造である。したがって、駆動電圧の上昇を抑制することができる。
【０１９５】
以下に、それぞれの層に用いることができる材料を例示する。なお、各層は、単層に限られず、二層以上積層しても良い。
【０１９６】
〈正孔注入層７０１〉
正孔注入層７０１は、正孔注入性の高い物質を含む層である。
【０１９７】
正孔注入性の高い物質としては、例えば、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等の金属酸化物や、フタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）、銅（ＩＩ）フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の化合物等を用いることができる。
【０１９８】
また、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）などの高分子化合物や、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の酸を添加した高分子化合物を用いることができる。
【０１９９】
特に、正孔注入層７０１には、正孔輸送性の高い有機化合物と電子受容体（アクセプター）とを含む複合材料を用いることが好ましい。該複合材料は、該電子受容体によって該有機化合物に正孔が発生するため、正孔注入性及び正孔輸送性に優れている。該複合材料を用いることで、第１の電極１１８からＥＬ層１２０への正孔注入性が良好となり、発光素子の駆動電圧を低減することができる。
【０２００】
該複合材料は、正孔輸送性の高い有機化合物と電子受容体とを共蒸着することにより形成することができる。また、正孔注入層７０１は、同一膜中に、正孔輸送性の高い有機化合物と電子受容体とを含む構成だけでなく、正孔輸送性の高い有機化合物を含む層と、電子受容体を含む層とが積層されている構成も適用することができる。具体的には、電子受容体を含む層が、第１の電極１１８に接する構成とすれば良い。
【０２０１】
複合材料に用いる有機化合物は、電子よりも正孔の輸送性の高い有機化合物であれば良く、特に、１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する有機化合物であることが好ましい。複合材料に用いる有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素化合物、高分子化合物など、種々の化合物を用いることができる。
【０２０２】
芳香族アミン化合物としては、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ又はα−ＮＰＤ）、４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）等が挙げられる。
【０２０３】
カルバゾール誘導体としては、例えば、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、９−フェニル−３−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣｚＰＡ）等が挙げられる。
【０２０４】
芳香族炭化水素化合物としては、例えば、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）等が挙げられる。
【０２０５】
高分子化合物としては、例えば、ＰＶＫ、ＰＶＴＰＡ等が挙げられる。
【０２０６】
複合材料に用いることのできる電子受容体としては遷移金属酸化物や、元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化モリブデンが好ましい。酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすい。
【０２０７】
〈正孔輸送層７０２〉
正孔輸送層７０２は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。
【０２０８】
正孔輸送性の高い物質としては、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば良く、特に、１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。例えば、ＮＰＢ、ＢＰＡＦＬＰ等の芳香族アミン化合物、ＣＢＰ、ＣｚＰＡ、ＰＣｚＰＡ等のカルバゾール誘導体、ｔ−ＢｕＤＮＡ、ＤＮＡ、ＤＰＡｎｔｈ等の芳香族炭化水素化合物、ＰＶＫ、ＰＶＴＰＡ等の高分子化合物など、種々の化合物を用いることができる。
【０２０９】
〈発光層７０３〉
発光層７０３は、蛍光を発光する蛍光性化合物や燐光を発光する燐光性化合物を用いることができる。
【０２１０】
発光層７０３に用いることができる蛍光性化合物としては、例えば、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、ルブレン等が挙げられる。
【０２１１】
また、発光層７０３に用いることができる燐光性化合物としては、例えば、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、トリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）（アセチルアセトナト）ビス（３，５−ジメチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｒ−Ｍｅ）２（ａｃａｃ））等の有機金属錯体が挙げられる。
【０２１２】
なお、発光層７０３は、上述した発光性の有機化合物（発光物質、ゲスト材料）を他の物質（ホスト材料）に分散させた構成としてもよい。ホスト材料としては、各種のものを用いることができ、ゲスト材料よりも最低空軌道準位（ＬＵＭＯ準位）が高く、最高被占有軌道準位（ＨＯＭＯ準位）が低い物質を用いることが好ましい。
【０２１３】
ゲスト材料をホスト材料に分散させた構成とすることにより、発光層７０３の結晶化を抑制することができる。また、ゲスト材料の濃度が高いことによる濃度消光を抑制することができる。
【０２１４】
ホスト材料としては、具体的には、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）などの金属錯体、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）などの複素環化合物や、ＣｚＰＡ、ＤＮＡ、ｔ−ＢｕＤＮＡ、ＤＰＡｎｔｈなどの縮合芳香族化合物、ＮＰＢ等の芳香族アミン化合物等を用いることができる。
【０２１５】
また、ホスト材料は複数種用いることができる。例えば、結晶化を抑制するためにルブレン等の結晶化を抑制する物質をさらに添加してもよい。また、ゲスト材料へのエネルギー移動をより効率良く行うためにＮＰＢ、あるいはＡｌｑ等をさらに添加してもよい。
【０２１６】
また、発光層を複数設け、それぞれの層の発光色を異なるものにすることで、発光素子全体として、所望の色の発光を得ることができる。例えば、発光層を２つ有する発光素子において、第１の発光層の発光色と第２の発光層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光素子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。また、発光層を３つ以上有する発光素子の場合でも同様である。
【０２１７】
〈電子輸送層７０４〉
電子輸送層７０４は、電子輸送性の高い物質を含む層である。
【０２１８】
電子輸送性の高い物質としては、正孔よりも電子の輸送性の高い有機化合物であれば良く、特に、１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質であることが好ましい。
【０２１９】
電子輸送性の高い物質としては、例えば、Ａｌｑ、ＢＡｌｑなど、キノリン骨格又はベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等や、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）２）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）２）などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体などを用いることができる。また、ＴＡＺ、ＢＰｈｅｎ、ＢＣＰなども用いることができる。
【０２２０】
〈電子注入層７０５〉
電子注入層７０５は、電子注入性の高い物質を含む層である。
【０２２１】
電子注入性の高い物質としては、例えば、リチウム、セシウム、カルシウム、フッ化リチウム、フッ化セシウム、フッ化カルシウム、リチウム酸化物等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、又はそれらの化合物を用いることができる。また、フッ化エルビウムのような希土類金属化合物を用いることができる。また、上述した電子輸送層７０４を構成する物質を用いることもできる。
【０２２２】
なお、上述した正孔注入層７０１、正孔輸送層７０２、発光層７０３、電子輸送層７０４、電子注入層７０５は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。
【０２２３】
〈電荷発生層７０９〉
図６（Ｂ）に示す電荷発生層７０９は上述の複合材料で形成することができる。また、電荷発生層７０９は複合材料からなる層と他の材料からなる層との積層構造でもよい。この場合、他の材料からなる層としては、電子供与性物質と電子輸送性の高い物質とを含む層や、透明導電膜からなる層などを用いることができる。
【０２２４】
〈複合材料層７０８〉
図６（Ｃ）に示す複合材料層７０８は、前述の、正孔輸送性の高い有機化合物と電子受容体（アクセプター）とを含む複合材料を用いることができる。
【０２２５】
〈電子注入バッファー層７０６〉
電子注入バッファー層７０６には、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およびこれらの化合物（酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む）等の電子注入性の高い物質を用いることが可能である。
【０２２６】
また、電子注入バッファー層７０６が、電子輸送性の高い物質とドナー性物質を含んで形成される場合には、電子輸送性の高い物質に対して質量比で、０．００１以上０．１以下の比率でドナー性物質を添加することが好ましい。なお、ドナー性物質としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およびこれらの化合物の他、テトラチアナフタセン（略称：ＴＴＮ）、ニッケロセン、デカメチルニッケロセン等の有機化合物を用いることもできる。なお、電子輸送性の高い物質としては、先に説明した電子輸送層７０４の材料と同様の材料を用いて形成することができる。
【０２２７】
〈電子リレー層７０７〉
電子リレー層７０７は、電子輸送性の高い物質を含み、該電子輸送性の高い物質のＬＵＭＯ準位は、複合材料層７０８に含まれるアクセプター性物質のＬＵＭＯ準位と、電子輸送層７０４に含まれる電子輸送性の高い物質のＬＵＭＯ準位との間となるように形成する。また、電子リレー層７０７がドナー性物質を含む場合には、当該ドナー性物質のドナー準位も複合材料層７０８に含まれるアクセプター性物質のＬＵＭＯ準位と、電子輸送層７０４に含まれる電子輸送性の高い物質のＬＵＭＯ準位との間となるようにする。具体的なエネルギー準位の数値としては、電子リレー層７０７に含まれる電子輸送性の高い物質のＬＵＭＯ準位は−５．０ｅＶ以上、好ましくは−５．０ｅＶ以上−３．０ｅＶ以下とするとよい。
【０２２８】
電子リレー層７０７に含まれる電子輸送性の高い物質としてはフタロシアニン系の材料又は金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体を用いることが好ましい。
【０２２９】
電子リレー層７０７に含まれるフタロシアニン系材料としては、具体的にはＣｕＰｃ、ＰｈＯ−ＶＯＰｃ（Ｖａｎａｄｙｌ  ２，９，１６，２３−ｔｅｔｒａｐｈｅｎｏｘｙ−２９Ｈ，３１Ｈ−ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）等が挙げられる。
【０２３０】
電子リレー層７０７に含まれる金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体としては、金属−酸素の二重結合を有する金属錯体を用いることが好ましい。金属−酸素の二重結合はアクセプター性（電子を受容しやすい性質）を有するため、電子の移動（授受）がより容易になる。
【０２３１】
金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体としてはフタロシアニン系材料が好ましい。特に、分子構造的に金属−酸素の二重結合が他の分子に対して作用しやすく、アクセプター性が高い材料が好ましい。
【０２３２】
なお、上述したフタロシアニン系材料としては、フェノキシ基を有するものが好ましい。具体的にはＰｈＯ−ＶＯＰｃのような、フェノキシ基を有するフタロシアニン誘導体が好ましい。フェノキシ基を有するフタロシアニン誘導体は、溶媒に可溶である。そのため、発光素子を形成する上で扱いやすいという利点を有する。また、溶媒に可溶であるため、成膜に用いる装置のメンテナンスが容易になるという利点を有する。
【０２３３】
電子リレー層７０７はさらにドナー性物質を含んでいても良い。ドナー性物質としては、電子注入バッファー層７０６に含むことができるドナー性物質と同様の材料が挙げられる。電子リレー層７０７にこれらドナー性物質を含ませることによって、電子の移動が容易となり、発光素子をより低電圧で駆動することが可能になる。
【０２３４】
電子リレー層７０７にドナー性物質を含ませる場合、電子輸送性の高い物質としては上記した材料の他、複合材料層７０８に含まれるアクセプター性物質のアクセプター準位より高いＬＵＭＯ準位を有する物質を用いることができる。具体的なエネルギー準位としては、−５．０ｅＶ以上、好ましくは−５．０ｅＶ以上−３．０ｅＶ以下の範囲にＬＵＭＯ準位を有する物質を用いることが好ましい。このような物質としては例えば、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物（略称：ＰＴＣＤＡ）等のペリレン誘導体や、ピラジノ［２，３−ｆ］［１，１０］フェナントロリン−２，３−ジカルボニトリル（略称：ＰＰＤＮ）等の含窒素縮合芳香族化合物などが挙げられる。なお、含窒素縮合芳香族化合物は、安定であるため、電子リレー層７０７を形成する為に用いる材料として、好ましい材料である。
【０２３５】
以上により、本実施の形態のＥＬ層を作製することができる。
【０２３６】
本実施の形態は、他の実施の形態と自由に組み合わせることができる。
【０２３７】
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置を用いて完成させた様々な電子機器および照明装置の一例について、図７乃至図９を用いて説明する。
【０２３８】
本発明の一態様の発光装置は、水分や酸素などの不純物、外力による信頼性の低下を抑制しつつ、さらに熱による信頼性の低下も抑制できる。したがって、本発明の一態様の発光装置を適用することで、信頼性の高い電子機器及び照明装置を実現することができる。
【０２３９】
発光装置を適用した電子機器として、例えば、テレビジョン装置（テレビ、又はテレビジョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。これらの電子機器および照明装置の具体例を図７乃至図９に示す。
【０２４０】
図７（Ａ）は、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置７１００は、筐体７１０１に表示部７１０３が組み込まれている。表示部７１０３により、映像を表示することが可能であり、本発明の一態様の発光装置を表示部７１０３に用いることができる。本発明の一態様の発光装置を表示部７１０３に用いることで、信頼性の高いテレビジョン装置を実現することができる。また、ここでは、スタンド７１０５により筐体７１０１を支持した構成を示している。
【０２４１】
テレビジョン装置７１００の操作は、筐体７１０１が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機７１１０により行うことができる。リモコン操作機７１１０が備える操作キー７１０９により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部７１０３に表示される映像を操作することができる。また、リモコン操作機７１１０に、当該リモコン操作機７１１０から出力する情報を表示する表示部７１０７を設ける構成としてもよい。
【０２４２】
なお、テレビジョン装置７１００は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線又は無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）又は双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。
【０２４３】
図７（Ｂ）はコンピュータであり、本体７２０１、筐体７２０２、表示部７２０３、キーボード７２０４、外部接続ポート７２０５、ポインティングデバイス７２０６等を含む。なお、コンピュータは、本発明の一態様の発光装置をその表示部７２０３に用いることにより作製される。本発明の一態様の発光装置を表示部７２０３に用いることで、信頼性の高いコンピュータを実現することができる。
【０２４４】
図７（Ｃ）は携帯型遊技機であり、筐体７３０１と筐体７３０２の２つの筐体で構成されており、連結部７３０３により、開閉可能に連結されている。筐体７３０１には表示部７３０４が組み込まれ、筐体７３０２には表示部７３０５が組み込まれている。また、図７（Ｃ）に示す携帯型遊技機は、その他、スピーカ部７３０６、記録媒体挿入部７３０７、ＬＥＤランプ７３０８、入力手段（操作キー７３０９、接続端子７３１０、センサ７３１１（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン７３１２）等を備えている。もちろん、携帯型遊技機の構成は上述のものに限定されず、少なくとも表示部７３０４および表示部７３０５の両方、又は一方に本発明の一態様の発光装置を用いていればよく、その他付属設備が適宜設けられた構成とすることができる。本発明の一態様の発光装置を表示部７３０４又は／及び表示部７３０５に用いることで、信頼性の高い携帯型遊技機を実現することができる。図７（Ｃ）に示す携帯型遊技機は、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能や、他の携帯型遊技機と無線通信を行って情報を共有する機能を有する。なお、図７（Ｃ）に示す携帯型遊技機が有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。
【０２４５】
図７（Ｄ）は、携帯電話機の一例を示している。携帯電話機７４００は、筐体７４０１に組み込まれた表示部７４０２の他、操作ボタン７４０３、外部接続ポート７４０４、スピーカ７４０５、マイク７４０６などを備えている。なお、携帯電話機７４００は、本発明の一態様の発光装置を表示部７４０２に用いることにより作製される。本発明の一態様の発光装置を表示部７４０２に用いることで、信頼性の高い携帯電話機を実現することができる。
【０２４６】
図７（Ｄ）に示す携帯電話機７４００は、表示部７４０２を指などで触れることで、情報を入力することができる。また、電話を掛ける、或いはメールを作成するなどの操作は、表示部７４０２を指などで触れることにより行うことができる。
【０２４７】
表示部７４０２の画面は主として３つのモードがある。第１は、画像の表示を主とする表示モードであり、第２は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第３は表示モードと入力モードの２つのモードが混合した表示＋入力モードである。
【０２４８】
例えば、電話を掛ける、或いはメールを作成する場合は、表示部７４０２を文字の入力を主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合、表示部７４０２の画面のほとんどにキーボード又は番号ボタンを表示させることが好ましい。
【０２４９】
また、携帯電話機７４００内部に、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサを有する検出装置を設けることで、携帯電話機７４００の向き（縦か横か）を判断して、表示部７４０２の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。
【０２５０】
また、画面モードの切り替えは、表示部７４０２を触れること、又は筐体７４０１の操作ボタン７４０３の操作により行われる。また、表示部７４０２に表示される画像の種類によって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画のデータであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。
【０２５１】
また、入力モードにおいて、表示部７４０２の光センサで検出される信号を検知し、表示部７４０２のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モードから表示モードに切り替えるように制御してもよい。
【０２５２】
表示部７４０２は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部７４０２に掌や指で触れ、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。また、表示部に近赤外光を発光するバックライト又は近赤外光を発光するセンシング用光源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。
【０２５３】
図７（Ｅ）は卓上照明器具であり、照明部７５０１、傘７５０２、可変アーム７５０３、支柱７５０４、台７５０５、電源７５０６を含む。なお、卓上照明器具は、本発明の一態様の発光装置を照明部７５０１に用いることにより作製される。本発明の一態様の発光装置を照明部７５０１に用いることで、信頼性の高い卓上照明器具を実現することができる。なお、照明器具には天井固定型の照明器具又は壁掛け型の照明器具なども含まれる。
【０２５４】
図８は、本発明の一態様の発光装置を、室内の照明装置８１１に用いた例である。本発明の一態様の発光装置は大面積化も可能であるため、大面積の照明装置に用いることができる。その他、ロール型の照明装置８１２として用いることもできる。なお、図８に示すように、室内の照明装置８１１を備えた部屋で、図７（Ｅ）で説明した卓上照明器具８１３を併用してもよい。
【０２５５】
図９（Ａ）（Ｂ）は２つ折り可能なタブレット型端末である。図９（Ａ）は、開いた状態であり、タブレット型端末は、筐体９６３０、表示部９６３１ａ、表示部９６３１ｂ、表示モード切り替えスイッチ９０３４、電源スイッチ９０３５、省電力モード切り替えスイッチ９０３６、留め具９０３３、操作スイッチ９０３８、を有する。
【０２５６】
表示部９６３１ａは、一部をタッチパネルの領域９６３２ａとすることができ、表示された操作キー９０３７にふれることでデータ入力をすることができる。なお、表示部９６３１ａにおいては、一例として半分の領域が表示のみの機能を有する構成、残りの半分の領域がタッチパネルの機能を有する構成を示しているが該構成に限定されない。表示部９６３１ａの全ての領域がタッチパネルの機能を有する構成としても良い。例えば、表示部９６３１ａの全面にキーボードボタンを表示させてタッチパネルとし、表示部９６３１ｂを表示画面として用いることができる。
【０２５７】
また、表示部９６３１ｂにおいても表示部９６３１ａと同様に、表示部９６３１ｂの一部をタッチパネルの領域９６３２ｂとすることができる。また、タッチパネルのキーボード表示切り替えボタン９６３９が表示されている位置に指やスタイラスなどでふれることで表示部９６３１ｂにキーボードボタンを表示することができる。
【０２５８】
また、タッチパネルの領域９６３２ａとタッチパネルの領域９６３２ｂに対して同時にタッチ入力することもできる。
【０２５９】
また、表示モード切り替えスイッチ９０３４は、縦表示または横表示などの表示の向きを切り替え、白黒表示やカラー表示の切り替えなどを選択できる。省電力モード切り替えスイッチ９０３６は、タブレット型端末に内蔵している光センサで検出される使用時の外光の光量に応じて表示の輝度を最適なものとすることができる。タブレット型端末は光センサだけでなく、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサなどの他の検出装置を内蔵させてもよい。
【０２６０】
また、図９（Ａ）では表示部９６３１ａと表示部９６３１ｂの表示面積が同じ例を示しているが特に限定されず、一方の表示部のサイズと他方の表示部のサイズが異なっていてもよく、表示の品質も異なっていてもよい。例えば一方が他方よりも高精細な表示を行える表示パネルとしてもよい。
【０２６１】
図９（Ｂ）は、閉じた状態であり、タブレット型端末は、筐体９６３０、太陽電池９６３３、充放電制御回路９６３４、バッテリー９６３５、ＤＣＤＣコンバータ９６３６を有する。なお、図９（Ｂ）では充放電制御回路９６３４の一例としてバッテリー９６３５、ＤＣＤＣコンバータ９６３６を有する構成について示している。
【０２６２】
なお、タブレット型端末は２つ折り可能なため、未使用時に筐体９６３０を閉じた状態にすることができる。従って、表示部９６３１ａ、表示部９６３１ｂを保護できるため、耐久性に優れ、長期使用の観点からも信頼性の優れたタブレット型端末を提供できる。
【０２６３】
また、この他にも図９（Ａ）（Ｂ）に示したタブレット型端末は、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示する機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示する機能、表示部に表示した情報をタッチ入力操作又は編集するタッチ入力機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、等を有することができる。
【０２６４】
タブレット型端末の表面に装着された太陽電池９６３３によって、電力をタッチパネル、表示部、または映像信号処理部等に供給することができる。なお、太陽電池９６３３は、筐体９６３０の一面または二面に設けることで、効率的なバッテリー９６３５の充電を行う構成とすることができるため好適である。なお、バッテリー９６３５としては、リチウムイオン電池を用いると、小型化を図れる等の利点がある。
【０２６５】
また、図９（Ｂ）に示す充放電制御回路９６３４の構成及び動作について、図９（Ｃ）にブロック図を示し説明する。図９（Ｃ）には、太陽電池９６３３、バッテリー９６３５、ＤＣＤＣコンバータ９６３６、コンバータ９６３７、スイッチＳＷ１乃至ＳＷ３、表示部９６３１について示しており、バッテリー９６３５、ＤＣＤＣコンバータ９６３６、コンバータ９６３７、スイッチＳＷ１乃至ＳＷ３が、図９（Ｂ）に示す充放電制御回路９６３４に対応する箇所となる。
【０２６６】
まず外光により太陽電池９６３３により発電がされる場合の動作の例について説明する。太陽電池で発電した電力は、バッテリー９６３５を充電するための電圧となるようＤＣＤＣコンバータ９６３６で昇圧または降圧がなされる。そして、表示部９６３１の動作に太陽電池９６３３からの電力が用いられる際にはスイッチＳＷ１をオンにし、コンバータ９６３７で表示部９６３１に必要な電圧に昇圧または降圧をすることとなる。また、表示部９６３１での表示を行わない際には、スイッチＳＷ１をオフにし、スイッチＳＷ２をオンにしてバッテリー９６３５の充電を行う構成とすればよい。
【０２６７】
なお太陽電池９６３３については、発電手段の一例として示したが、特に限定されず、圧電素子（ピエゾ素子）や熱電変換素子（ペルティエ素子）などの他の発電手段によるバッテリー９６３５の充電を行う構成であってもよい。例えば、無線（非接触）で電力を送受信して充電する無接点電力電送モジュールや、また他の充電手段を組み合わせて行う構成としてもよい。
【０２６８】
以上のように、本発明の一態様の発光装置を適用して電子機器や照明装置を得ることができる。本発明の一態様の発光装置の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
【０２６９】
なお、本実施の形態に示す構成は、先の実施の形態に示した構成を適宜組み合わせて用いることができる。
【符号の説明】
【０２７０】
１０１    第１の高放射層
１０２    第１の熱伝導層
１０３    低反射層
１０４    第２の熱伝導層
１０５    第２の高放射層
１０６    第３の熱伝導層
１１４    第１の絶縁層
１１６    第２の絶縁層
１１８    第１の電極
１２０    ＥＬ層
１２０ａ    第１のＥＬ層
１２０ｂ    第２のＥＬ層
１２１    金属膜
１２２    第２の電極
１２４    隔壁
１２５    絶縁層
１２６    乾燥剤
１３０    発光素子
１４０ａ    トランジスタ
１４０ｂ    トランジスタ
１５２    トランジスタ
１５３    トランジスタ
１６０    カラーフィルタ
１６１ａ    凹凸の構造
１６１ｂ    凹凸の構造
１６２    平坦化層
１６３    補助配線
７０１    正孔注入層
７０２    正孔輸送層
７０３    発光層
７０４    電子輸送層
７０５    電子注入層
７０６    電子注入バッファー層
７０７    電子リレー層
７０８    複合材料層
７０９    電荷発生層
８０１    支持基板
８０２    発光部
８０３    駆動回路部
８０４    駆動回路部
８０５    封止材
８０６    金属基板
８０８    ＦＰＣ
８０９ａ    第１の端子
８０９ｂ    第２の端子
８１０    空間
８１１    照明装置
８１２    照明装置
８１３    卓上照明器具
７１００    テレビジョン装置
７１０１    筐体
７１０３    表示部
７１０５    スタンド
７１０７    表示部
７１０９    操作キー
７１１０    リモコン操作機
７２０１    本体
７２０２    筐体
７２０３    表示部
７２０４    キーボード
７２０５    外部接続ポート
７２０６    ポインティングデバイス
７３０１    筐体
７３０２    筐体
７３０３    連結部
７３０４    表示部
７３０５    表示部
７３０６    スピーカ部
７３０７    記録媒体挿入部
７３０８    ＬＥＤランプ
７３０９    操作キー
７３１０    接続端子
７３１１    センサ
７３１２    マイクロフォン
７４００    携帯電話機
７４０１    筐体
７４０２    表示部
７４０３    操作ボタン
７４０４    外部接続ポート
７４０５    スピーカ
７４０６    マイク
７５０１    照明部
７５０２    傘
７５０３    可変アーム
７５０４    支柱
７５０５    台
７５０６    電源
９０３３    留め具
９０３４    スイッチ
９０３５    電源スイッチ
９０３６    スイッチ
９０３７    操作キー
９０３８    操作スイッチ
９６３０    筐体
９６３１    表示部
９６３１ａ    表示部
９６３１ｂ    表示部
９６３２ａ    タッチパネルの領域
９６３２ｂ    タッチパネルの領域
９６３３    太陽電池
９６３４    充放電制御回路
９６３５    バッテリー
９６３６    ＤＣＤＣコンバータ
９６３７    コンバータ
９６３９    ボタン
ＳＷ１    スイッチ
ＳＷ２    スイッチ
ＳＷ３    スイッチ
【図１】
0005918509.tif 000002
【図２】
0005918509.tif 000003
【図３】
0005918509.tif 000004
【図４】
0005918509.tif 000005
【図５】
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【図６】
0005918509.tif 000007
【図７】
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【図８】
0005918509.tif 000009
【図９】
0005918509.tif 000010