(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
中央部に開口領域を有するフレーム本体と、
該フレーム本体の開口領域に配置される半導体チップを搭載した絶縁基板と、
前記フレーム本体に形成した前記開口領域に少なくとも一部を露出させ且つ前記開口領域を形成する端面に対して直交する平面内において傾斜延長する傾斜部を有するリード部と、
前記リード部と前記半導体チップとの間に超音波接合したボンディングワイヤとを備え、
前記傾斜部は、前記ボンディングワイヤを超音波接合する際の前記端面に対して直交する方向に発生する振動成分を抑制する方向に延長していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記リード部は、前記開口領域とは反対側に前記フレーム本体の外側への移動を規制する移動規制部が形成され、前記フレーム本体に前記移動規制部に係合する受け部が形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記リード部は、前記開口領域を形成する端面に対して交差し互いに平行な傾斜端面を有する平行四辺形領域と、該平行四辺形領域の前記開口領域とは反対側の一辺から前記フレーム本体から外部に突出延長する端子部とで構成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記リード部は、前記開口領域を形成する端面に対して交差して延長する傾斜端面と、前記端面と直交する直交端面とで傾斜部が形成され、直交端面の開口領域とは反対側に前記フレーム本体の外側への移動を規制する段部が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記リード部は、少なくとも前記開口領域を形成する端面と交差する一辺がドッグレッグ形状の端面に形成されて前記傾斜部が構成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記リード部は、前記開口領域を形成する端面と交差する二辺のうちの一辺がドッグレッグ形状の端面に形成され、他辺が前記端面と直交する端面に形成されて前記傾斜部が構成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記リード部は、前記開口領域を形成する端面と交差する二辺が同一方向に折れ曲がるドッグレッグ形状の端面に形成されて前記傾斜部が構成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記リード部は、前記開口領域を形成する端面と交差する二辺が同一方向に湾曲する湾曲形状の端面に形成されて前記傾斜部が構成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記リード部は、前記傾斜部がボンディングワイヤ接合部とされていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１０】
中央部に開口領域を有するフレーム本体と、
該フレーム本体の開口領域に配置される半導体チップを搭載した絶縁基板と、
前記フレーム本体に形成した前記開口領域に少なくとも一部を露出させ且つ前記開口領域を形成する端面に対して交差する方向に延長する板部と、
該板部の少なくとも一方の側部に複数の凹凸部が形成されているリード部と、
前記リード部と前記半導体チップとの間に超音波接合したボンディングワイヤとを備え、
前記複数の凹凸部は方形波状とされ、前記ボンディングワイヤを超音波接合する際の前記端面に対して直交する方向に発生する振動成分を抑制する方向に延長していることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フレーム本体に形成した開口領域内に半導体チップを搭載した絶縁基板を配置し、フレーム本体に形成したリード部と半導体チップとをボンディングワイヤで接続するようにしたパワーデバイス、高周波用途のスイッチングＩＣなどの半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、電力変換用インバータ装置などのパワーデバイスや高周波用途のスイッチングＩＣなどではスイッチング素子として絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）やパワーＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）を内蔵した半導体チップやフリーホイーリングダイオード（ＦＷＤ）などの半導体チップを実装した絶縁基板をフレーム本体に形成した開口領域内に配置するようにしている。【０００３】
このような半導体装置として、従来、特許文献１に記載された電子装置が提案されている。この特許文献１に記載された電子装置は、電子装置を構成する制御部と駆動部とをリードフレームのアイランド部の搭載面に搭載し、制御部及び駆動部をそれぞれリードフレームの第１のリード部、第２のリード部にボンディングワイヤを介して電気的に接続し、制御部、駆動部、各ボンディングワイヤ、アイランド部及び第１及び第２のリード部をモールド樹脂により封止している。ここで、第１及び第２のリード部はボンディングワイヤが接合される方形のパッド部とこれに連接された細長い外部接続部とで構成されている。【０００４】
また、特許文献２には、支持部材によって支持された外部リードフレームの内側に絶縁材に支持された内側リードフレームを配置し、内側リードフレームに半導体チップをマウントし、この半導体チップがボンディングワイヤによって内側フレーム及び外側フレームに接続されている。ここで、外側フレームは、ボンディングワイヤを接合する円形部とこれに接続するリード部とを有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−３５３７４２号公報
【特許文献２】特開２００６−１４７９０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、前記特許文献１に記載された従来例にあっては、リード部の内側端部をアイランド部に対して所定空間を保って配置するようにしているので、この所定空間分全体の構成が大きくなり、小型化の要求に応えられないという未解決の課題がある。
また、特許文献２に記載された従来例にあっても、上記特許文献１に記載された発明と同様に、外側リードフレームの内側端が内側リードフレームの外側端に対して所定空間を保って配置するようにしているので、この所定空間部全体の構成が大きくなり、小型化の要求に応えられないという未解決の課題がある。
そこで、本発明は、上記従来例の未解決の課題に着目してなされたものであり、小型化が可能な半導体装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明に係る半導体装置の第１の態様は、中央部に開口領域を有するフレーム本体と、該フレーム本体の開口領域に配置される半導体チップを搭載した絶縁基板と、前記フレーム本体に形成した前記開口領域に少なくとも一部を露出させ且つ前記開口領域を形成する端面に対して直交する平面内において傾斜延長する傾斜部を有するリード部と、前記リード部と前記半導体チップとの間に超音波接合したボンディングワイヤとを備え、前記傾斜部は、前記ボンディングワイヤを超音波接合する際の前記端面に対して直交する方向に発生する振動成分を抑制する方向に延長している。
【０００８】
また、本発明に係る半導体装置の第２の態様は、前記リード部が、前記開口領域とは反対側に前記フレーム本体の外側への移動を規制する移動規制部を形成し、前記フレーム本体に前記移動規制部に係合する受け部を形成している。
【０００９】
また、本発明に係る半導体装置の第３の態様は、前記リード部が、前記開口領域を形成する端面に対して交差し互いに平行な傾斜端面を有する平行四辺形領域と、該平行四辺形領域の前記開口領域とは反対側の一辺から前記フレーム本体から外部に突出延長する端子部とで構成されている。
また、本発明に係る半導体装置の第４の態様は、前記リード部が、前記開口領域を形成する端面に対して交差して延長する傾斜端面と、前記端面と直交する直交端面とで傾斜部を形成し、直交端面の開口領域とは反対側に前記フレーム本体の外側への移動を規制する段部を形成した構成とされている。
【００１０】
また、本発明に係る半導体装置の第５の態様は、前記リード部が、少なくとも前記開口領域を形成する端面と交差する一辺をドッグレッグ形状の端面に形成して前記傾斜部を構成している。
また、本発明に係る半導体装置の第６の態様は、前記リード部が、前記開口領域を形成する端面と交差する二辺のうちの一辺をドッグレッグ形状の端面に形成し、他辺を前記端面と直交する端面に形成して前記傾斜部を構成している。
【００１１】
また、本発明に係る半導体装置の第７の態様は、前記リード部が、前記開口領域を形成する端面と交差する二辺を同一方向に折れ曲がるドッグレッグ形状の端面に形成して前記傾斜部を構成している。
また、本発明に係る半導体装置の第８の態様は、前記リード部が、前記開口領域を形成する端面と交差する二辺を同一方向に湾曲する湾曲形状の端面に形成して傾斜部を構成している。
また、本発明に係る半導体装置の第９の態様は、前記リード部が、前記傾斜部をボンディングワイヤ接合部としている。
【００１２】
また、本発明に係る半導体装置の第１０の態様は、中央部に開口領域を有するフレーム本体と、
該フレーム本体の開口領域に配置される半導体チップを搭載した絶縁基板と、
前記フレーム本体に形成した前記開口領域に少なくとも一部を露出させ且つ前記開口領域を形成する端面に対して交差する方向に延長する板部と、
該板部の少なくとも一方の側部に複数の凹凸部が形成されているリード部と、
前記リード部と前記半導体チップとの間に超音波接合したボンディングワイヤとを備え、前記複数の凹凸部は方形波状とされ、前記ボンディングワイヤを超音波接合する際の前記端面に対して直交する方向に発生する振動成分を抑制する方向に延長している。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、リード部と半導体チップとの間をボンディングワイヤで超音波接合する際に、接合時の振動がリード部に付加されたときに傾斜部又は凹部の延長方向での振動成分を抑制することができ、リード部を開口領域に露出させても超音波接合を良好に行うことができる。したがって、リード部の内側端を超音波接合時に振動の影響を受けないように開口領域から外側に離れた位置に配置する場合に比較してリード部を内側に寄せることができ、全体の構成をより小型化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の一部を省略した平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線上の断面図である。
【図３】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の一部を省略した平面図である。
【図４】図３のＢ−Ｂ線上の断面図である。
【図５】リード部の変形例を示す図である。
【図６】リード部の他の変形例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
図１は、本発明の第１の実施形態を示す半導体装置の一部を省略した平面図、図２は図１のＡ−Ａ線状の断面図である。
半導体装置１は、例えば平面からみて長方形状で、中央部に長方形の開口領域２を形成した例えば合成樹脂製のフレーム本体３と、このフレーム本体３の開口領域２内に配置されたアルミニウムなどの絶縁基板４とで構成されている。
【００１６】
フレーム本体３には、開口領域２に開口するように配置された複数例えば４個の厚みが例えば０．３〜０．６ｍｍ程度のリード部５ａ〜５ｄがこれらの形状に応じた形状の収容溝６ａ〜６ｄ内に配置されている。ここで、リード部５ａは、開口領域２に開口する開口端面５ａ１と開口領域２を形成する端面２ａに対して図１において右下がりとなる例えば４５度の傾斜角αで右下に傾斜延長する傾斜端面５ａ２と、傾斜端面５ａ２の左側に形成された端面２ａに対して直交して延長する直交端面５ａ３と、この直交端面５ａ３の外方端に形成された複数の段部５ａ４と段部５ａ４の最終段と傾斜端面５ａ２の外方端とに接続する細い外部接続端子部５ａ５とを備えている。そして、開口端面５ａ１、傾斜端面５ａ２、直交端面５ａ３及び段部５ａ４とで囲まれる領域が傾斜部５ａ６とされている。
【００１７】
また、リード部５ｂ〜５ｃは、リード部５ａの直交端面５ａ３が省略され、これに代えて傾斜端面５ｂ２〜５ｄ２と平行な傾斜端面５ｂ３〜５ｄ３で平行四辺形が形成されていることを除いてはリード部５ａと同様の構成を有する。ただし、リード部５ｄについては傾斜端面５ｄ２及び５ｄ３の端面２ａに対して図１において右下がりとなる約６０度の傾斜角に設定されている。
【００１８】
さらに、リード部５ｄは、リード部５ｂ及び５ｃの段部５ｂ４及び５ｃ４に対して段部５ｄ４の段数が１段とされていることを除いては同一の形状を有する。
また、フレーム本体３には、上記リード部５ａ〜５ｄの他に、３つのリード部７ａ〜７ｃが形成されている。
そして、これらリード部５ａ〜５ｄがフレーム本体３に形成された収容溝６ａ〜６ｄ内に配置されることにより、開口領域２内に抜け出すことなく配置されている。
【００１９】
一方、絶縁基板４には、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）やパワーＭＯＳＦＥＴ等のスイッチング素子を内蔵した半導体チップ８と、この半導体チップ８のスイッチング素子と逆並列に接続されるフリーホイーリングダイオード（ＦＷＤ）を内蔵した半導体チップ９とが所定数並列に配置されている。
そして、各半導体チップ８及び９とリード部５ａ〜５ｄ及び７ａ〜７ｃとがボンディングワイヤ１０によって電気的に接合されている。
これらボンディングワイヤ１０は、リード部５ａ〜５ｄについては傾斜部５ａ６〜５ｄ６が超音波接合時のパッドとして使用される。このボンディングワイヤ１０の接合は超音波溶接機を使用して行われる。この超音波溶接機は、そのヘッドをリード部５ａ〜５ｄに接触させて端面２ａと直交する方向すなわち図１の平面視で前後方向に細かく振動させて溶接を行う。
【００２０】
この超音波接合では、各リード部５ａ〜５ｄに前後方向の加振力が伝達されることにより、リード部５ａ〜５ｄが溝６ａ〜６ｄより離脱して開口領域２内へ移動しようとする。しかしながら、リード部５ａについては、傾斜端面５ａ２が右下がりに４５度の傾斜角を有するとともに、リード部５ａ〜５ｄがフレーム本体３の外側への移動を規制する移動規制部となる段部５ａ４が形成されている。
このため、超音波溶接機の前後方向の加振力によって傾斜部５ａ６が開口領域２側に抜き出る方向の分力は小さくなり、超音波接合時の加振力によってリード部５ａが開口領域２側に抜け出すことが確実に防止される。
【００２１】
リード部５ｂ〜５ｄについても傾斜部５ｂ６〜５ｄ６が右下がりの傾斜端面５ｂ２〜５ｄ２及び５ｂ３〜５ｄ３を有する平行四辺形で構成されているので、上記リード部５ａと同様に、超音波溶接機の前後方向の加振力によって傾斜部５ｂ６〜５ｄ６が開口領域２側に抜け出すことが確実に防止される。しかも、リード部５ａ〜５ｄは、厚みが０．３〜０．６ｍｍと比較的薄い場合でも、超音波接合時にリード部５ａ〜５ｄが振動することがなく、安定した接合を行うことができる。
リード部５ａ〜５ｃの傾斜端面５ａ２〜５ｃ２、５ｂ３、５ｃ３の傾斜の傾きが同一なため、隣接するリード部５ａ〜５ｃ間に等間隔の隙間をあけることができる。
【００２２】
よって、隣接するリード部５ａ〜５ｃ間は間隔を狭くすることができ、全体の構成を小型化することができる。
このように、上記第１の実施形態では、リード部５ａ〜５ｄを開口領域２内に開口する開口端面５ａ１〜５ｄ１を有するように開口領域２に接近した位置に形成することができ、前述した従来例のように開口領域２との間に空間領域を形成する必要がないので、この分全体の構成を小型化することができる。
【００２３】
なお、上記第１の実施形態においては、傾斜部５ａ６〜５ｄ６を形成する傾斜端面の傾斜角を右下がりの（時計回りに）４５度又は６０度に設定する場合について説明したが、これに限定されるものではなく傾斜角は右下がりの（時計回りに）１０度〜８０度の範囲内で任意に設定することができる。この場合、傾斜角が１０度未満である場合には隣接するリード部間の間隔が狭くなり、リード部の幅を確保することができず、傾斜角が８０度を超えると超音波接合時の加振力に対する移動抑制力が低下し、安定した超音波接合を行うことができない。
また、リード部５ａ〜５ｄの傾斜端面の傾斜角αは右下がり（時計回り）に傾斜させる場合に代えて左下がり（反時計回り）に傾斜させるようにしてもよい。
【００２４】
次に、本発明の第２の実施形態について図３を伴って説明する。
この第２の実施形態では、リード部５ａ〜５ｄの傾斜部の形状を変更したものである。
すなわち、第２の実施形態では、図３に示すように、５つのリード部１５ａ〜１５ｅの開口領域２を形成する端面２ａに対して交差する端面の一辺をドッグレッグ形状の端面１５ａ２〜１５ｅ２に変更するようにしている。
【００２５】
ここで、リード部１５ａについては、左側の一辺は端面２ａに開口する位置で端面２ａに直交する直交端面部１５ａ２１と、この直交端面部１５ａ２１の後端から右前方に傾斜する傾斜端面部１５ａ２２と、この傾斜端面部１５ａ２２の前端から前方に延長する直交端面部１５ａ２３とで２つのドッグレッグ形状を有する端面１５ａ２に形成されている。また、他辺は、端面２ａに直交する直交端面１５ａ３とされ、ドッグレッグ形状の端面１５ａ２と直交端面１５ａ３と開口端面１５ａ１とで囲まれる領域が傾斜端面を有する傾斜部１５ａ４とされている。さらに、ドッグレッグ形状の端面１５ａ２の前端から開口端面１５ａ１に平行な段部１５ａ５が形成され、直交端面１５ａ３の前端から開口端面１５ａ１に平行な段部１５ａ７が形成され、段部１５ａ５及び段部１５ａ７の前端に外部接続用端子部１５ａ６が形成されている。
ボンディングワイヤの超音波接合に発生するリード部５ａへの前後方向の加振に対して、段部１５ａ５は、リード部５ａの開口領域２への移動を抑制できる。
段部１５ａ７は、リード部５ａがフレーム本体３の外側への移動を規制できる。
【００２６】
また、リード部１５ｂ〜１５ｄについては、開口領域２を形成する端面２ａに開口する一辺がリード部１５ａに対して、前後方向の中央部が外側に膨出したドッグレッグ形状の端面１５ｂ２〜１５ｄ２に変更されている。これらドッグレッグ形状の端面１５ｂ２〜１５ｄ２と直交端面１５ｂ３〜１５ｄ３と開口端面１５ｂ１〜１５ｄ１とで囲まれる領域が傾斜端面を有する傾斜部１５ｂ４〜１５ｄ４とされている。また、ドッグレッグ形状の端面１５ｂ２〜１５ｄ２の前方端部に段部１５ｂ５〜１５ｄ５が形成され、これら段部１５ｂ５〜１５ｄ５の右端と直交端面１５ｂ３〜１５ｄ３の延長線上に外部接続端子部１５ｂ６〜１５ｄ６が形成されている。
段部１５ｂ５〜１５ｄ５は、リード部５ｂ〜５ｄがフレーム本体３の外側へ移動することを規制できる。
【００２７】
さらに、リード部１５ｅについては、リード部１５ｂ〜１５ｄの直交端面１５ｂ３〜１５ｄ３が端面２ａに開口する位置の直交端面１５ｅ３１、この直交端面１５ｅ３１の前方端から左前方に延長する傾斜端面１５ｅ３２、この傾斜端面１５ｅ３２の前方端から直交端面１５ｅ３１と平行に前方に延長する直交端面１５ｅ３３とでなる傾斜端面１５ｅ３が形成されている。これら傾斜端面１５ｅ３とドッグレッグ形状の端面１５ｅ２と開口端面１５ｅ１とで囲まれる領域が傾斜端面を有する傾斜部１５ｅ４とされている。そして、この傾斜端面１５ｅ３の前方端に段部１５ｅ５が形成され、この段部１５ｅ５の左端部とドッグレッグ形状の端面１５ｅ２の前方端面とに連接して前方に延長する外部接続端子部１５ｅ６が形成されている。
【００２８】
ここで、各リード部１５ａ〜１５ｅのドッグレッグ形状の端面１５ａ２〜１５ｅ２には、図３において、リード部１５ｅを代表して拡大図示したように、中央部の頂部にＲ面取り部１５ｆが形成されている。このように、Ｒ面取り部１５ｆを形成することにより、隣接するリード部間で放電が生じることを防止することができるとともに、樹脂成形時に樹脂封止材１１が回り込み易くなり、ショートモールド等の充填不足が生じることを防止することができる。
【００２９】
そして、各リード部１５ａ〜１５ｅがフレーム本体３に形成された収容溝１６ａ〜１６ｅ内に収容されている。
その他の構成については上述した第１の実施形態と同様の構成を有するので、図１との対応部分には同一符号を付し、その詳細説明はこれを省略する。
この第２の実施形態によると、リード部１５ａ〜１５ｄにドッグレッグ形状の端面１５ａ２〜１５ｅ２を形成したので、これらドッグレッグ形状の端面１５ａ２〜１５ｅ２で超音波接合時のリード部１５ａ〜１５ｅの前後方向の移動を確実に防止することができる。このため、前述した第１の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
【００３０】
なお、上記第１及び第２の実施形態においては傾斜部を傾斜端面やドッグレッグ形状の端面で形成する場合について説明した。しかしながら、本発明は上記構成に限定されるものではなく、図５及び図６に示すように、傾斜部の形状を種々変更することができる。
すなわち、図５（ａ）に示すように、同一方向に突出するドッグレッグ形状の一対の端面２５ａ，２５ｂを形成して傾斜部２５ｃを形成するようにしてもよく、段部２５ｄを形成してもよい。
【００３１】
また、図５（ｂ）に示すように、開口領域２を形成する端面２ａに開口する位置を端面２ａに直交する比較的短い直交端面２６ａ，２６ｂとし、これら直交端面２６ａ，２６ｂの前方端から右前方に傾斜延長する傾斜端面２６ｃ，２６ｄとでドッグレッグ形状の傾斜部２６ｅを形成するようにしてもよく、段部２６ｆを形成してもよい。
【００３２】
さらには、図５（ｃ）に示すように、左側に膨出する一対の湾曲端面２７ａ，２７ｂとで湾曲傾斜する傾斜部２７ｃを形成するようにしても良い。また、図５（ｄ）に示すように、湾曲端面２７ａ，２７ｂとこれとは逆に湾曲する湾曲端面２７ｄ，２７ｅとでＳ字状の傾斜部２７ｆを形成するようにしてもよい。ここで、図５（ｃ）及び（ｄ）の傾斜部２７ｃ及び２７ｆについては湾曲端面２７ａ，２７ｂや２７ｄ，２７ｅを端面２ａに対して傾斜する面に沿わせて傾斜させるようにしてもよく、段部２７ｈを形成してもよい。
図５（ａ）〜（ｄ）は、いずれも同一方向に突出および湾曲しているため、隣接するリード部間に等間隔の隙間をあけることができる。
よって、隣接するリード部の間隔を狭くすることができ、全体の構成を小型化することができる。
【００３３】
また、同一方向に突出および湾曲しているリード部の形状は、ボンディングワイヤの超音波接合時の加振力によって、リード部が開口領域２を形成する端面２ａに抜き出る方向の分力を小さくすることができる。よって、リード部が端面２ａに抜け出すこと防止することができる。
さらに、段部２５ｄ，２６ｆ，２７ｈを形成することで、ボンディングワイヤの超音波接合時の加振力によって、リード部がフレーム本体３の外側へ移動することを抑制することができる。
【００３４】
また、リード部の形状は、全体的にドッグレッグ形状としたり、湾曲形状としたりして傾斜部を形成する場合に限らず、図６に示すように、開口領域２の端面２ａからこの端面２ａと直交して前方に延長する長方形板部３０を形成し、この長方形板部３０の左右両側部に凹凸部や湾曲部を形成するようにしてもよい。
すなわち、図６（ａ）に示すように、長方形板部３０の左右両側部に三角波形状の凹凸部３１を形成したり、図６（ｂ）に示すように、長方形板部３０の左右両側部に方形波状で左右で位相が反転した凹凸部３２を形成したりすることもできる。この場合でも、ボンディングワイヤの超音波接合時の加振力によって、リード部が開口領域２を形成する端面２ａに抜き出る方向の分力を小さくすることができる。よって、リード部が端面２ａに抜け出すこと防止することができる。
【００３５】
また、図６（ｃ）に示すように、長方形板部３０の左右両側部に正弦波状の凹凸部３３を同位相で形成したり、図６（ｄ）に示すように、図６（ｃ）に対して周期が短い正弦波状の凹凸部３４を左右対称に形成したりすることもできる。
さらに、図６（ｅ）に示すように、長方形板部３０の左右両側部の一方に鋸歯状の凹凸部３５と鋸歯状の凹凸部３６を形成するようにしてもよい。ここで、鋸歯状の凹凸部３５は、端面２ａから前内側に傾斜延長する傾斜延長部３５ａと、この傾斜延長部３５ａの前方端から外方に延長する段部３５ｂとが前方側に連続して形成されている。鋸歯状の凹凸部３６は、鋸歯状の凹凸部３５が左右対称になった形状である。この場合、鋸歯状の凹凸部３５、３６は、図６（ｅ）に示すように隣接するリード部で鋸歯状の凹凸部３５、３６が対向しないように配置したり、図示しないが隣接するリード部で鋸歯状の凹凸部３５、３６が互いに対向するように配置したりすることができる。さらにまた、図６（ｆ）に示すように、図６（ｅ）の鋸歯状の凹凸部３５を左右両側部に形成するようにしてもよい。これら図６（ｅ）及び（ｆ）の場合でも、段部３５ｂ及び段部３６ｂが形成されていることによりよって、ボンディングワイヤの超音波接合時の加振力によって、リード部が開口領域２を形成する端面２ａに抜き出る方向の分力を小さくすることができる。よって、リード部が端面２ａに抜け出すこと防止することができる。
【００３６】
また、図６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｆ）は、リード部の形状がいずれも同一方向に凹凸部３１、３２、３３、３５を備えているため、隣接するリード部間に等間隔の隙間をあけることができる。よって、隣接するリード部の間隔を狭くすることができ、全体の構成を小型化することができる。
さらに、図６においては、凹凸部３１〜３６が前後方向に連続して形成されている場合について説明したが、これに限定されるものではなく、中途部に直線部や他の形状の凹凸部を形成するようにしてもよい。また、図６においては、凹凸部３１〜３６が長方形板部３０の側部に形成されている場合について説明したが、長方形板部３０に代えて開口領域２の端面２ａに対して交差する方向に傾斜延長する板部に凹凸部３１〜３６を形成するようにしてもよい。
【００３７】
要は、超音波溶接機によるボンディングワイヤの接合時の前後方向の加振に対してリード部の開口領域２内への移動を抑制することができる形状であれば、傾斜部を任意の形状に形成することができる。
また、前述した第２の実施形態におけるドッグレッグ形状の端面におけるＲ面取り部１５ｆは、第１の実施形態及び第２の実施形態におけるリード部５ａ〜５ｄ及び１５ａ〜１５ｅの各角部に適用することができる。
また、本発明は電力変換用インバータ装置や、高周波用途のスイッチングＩＣ等の任意の装置に使用する半導体装置に適用することができる。
【符号の説明】
【００３８】
１…半導体装置、２…開口領域、２ａ…端面、３…フレーム本体、４…絶縁基板、５ａ〜５ｄ…リード部、５ａ１〜５ｄ１…開口端面、５ａ２,５ｂ２，５ｂ３、５ｃ２，５ｃ３，５ｄ２，５ｄ３…傾斜端面、５ａ３…直交端面、５ａ４〜５ｄ４…段部、５ａ６〜５ｄ６…傾斜部、６ａ〜６ｄ…収容溝、８，９…半導体チップ、１０…ボンディングワイヤ、１１…樹脂封止材、１５ａ〜１５ｅ…リード部、１５ａ１〜１５ｅ１…開口端面、１５ａ２〜１５ｅ２…ドッグレッグ形状の端面、１５ａ３〜１５ｄ３…直交端面、１５ａ４〜１５ｅ４…傾斜部、１５ａ５〜１５ｄ５，１５ａ７…段部、１５ａ６〜１５ｄ６…外部接続端子部、２５ａ，２５ｂ…ドッグレッグ形状の端面、２５ｃ…傾斜部、２６ａ，２６ｂ…直交端面、２６ｃ，２６ｄ…傾斜端面、２６ｅ…ドッグレッグ状の傾斜部、２７ａ，２７ｂ，２７ｄ，２７ｅ…湾曲端面、２７ｃ，２７ｆ…傾斜部、２５ｄ，２６ｆ，２７ｈ…段部、３０…長方形板部、３１〜３６…凹凸部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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