(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板上に、柱状の導電体を形成するとともに、電子部品の配置位置を規制する位置規制部材を形成する工程と、
前記位置規制部材により規制された前記配置位置に前記電子部品を配置する工程と、
前記電子部品、前記位置規制部材及び前記柱状の導電体を樹脂層により埋め込む工程と、
前記支持基板を除去する工程とを有し、
前記柱状の導電体及び前記位置規制部材を形成する工程の前に、前記支持基板上に有機膜を形成する工程と；前記柱状の導電体を形成するための第１の開口部と前記位置規制部材を形成するための第２の開口部とを前記有機膜に形成する工程とを有し、
前記柱状の導電体及び前記位置規制部材を形成する工程では、前記第１の開口部内に前記柱状の導電体を形成するとともに前記第２の開口部内に前記位置規制部材を形成し、
前記柱状の導電体及び前記位置規制部材を形成する工程の後、前記電子部品を配置する工程の前に、前記有機膜を除去する工程を更に有する
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の電子装置の製造方法において、
前記支持基板上に前記有機膜を形成する工程の前に、前記支持基板上に熱剥離シートを形成する工程と；前記熱剥離シート上に第１の膜を形成する工程とを更に有し、
前記支持基板を除去する工程では、前記熱剥離シートとともに前記支持基板を除去し、
前記支持基板を除去する工程の後に、前記第１の膜をエッチング除去する工程を更に有する
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の電子装置の製造方法において、
前記支持基板上に前記有機膜を形成する工程の前に、前記支持基板上に熱剥離シートを形成する工程と；前記熱剥離シート上に第１の膜を形成する工程とを更に有し、
前記柱状の導電体及び前記位置規制部材を形成する工程の後、前記電子部品を配置する工程の前に、前記柱状の導電体及び前記位置規制部材により覆われていない部分の前記第１の膜をエッチング除去する工程を更に有する
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１記載の電子装置の製造方法において、
前記支持基板上に前記有機膜を形成する工程の前に、前記支持基板上に熱剥離シートを形成する工程を更に有し、
前記柱状の導電体及び前記位置規制部材を形成する工程では、前記熱剥離シート上に前記柱状の導電体及び前記位置規制部材を直接形成する
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の電子装置の製造方法において、
前記電子部品は、電極が形成されている側の面である第１の主面と、前記第１の主面の反対側の面である第２の主面とを有し、
前記第２の主面側から前記第１の主面側に向かって前記電子部品の寸法が徐々に小さくなるように、前記電子部品の側面がテーパ状になっている
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の電子装置の製造方法において、
前記柱状の導電体及び前記位置規制部材を形成する工程の後に、前記位置規制部材を補強する補強膜を形成する工程を更に有する
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近時、ウェハレベルパッケージ（Wafer Level Package、ＷＬＰ）が提案されている。
【０００３】
ウェハレベルパッケージは、低コスト化、小型化に寄与し得るため、大きな注目を集めている。
【０００４】
ウェハレベルパッケージは、半導体チップ等の電子部品を樹脂層（封止樹脂層）により埋め込むことにより形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−１２６７１号公報
【特許文献２】特開２００５−６４４４７号公報
【特許文献３】特開２００４−２８１６１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、提案されているウェハレベルパッケージでは、比較的大きな位置ずれが生じる場合があり、微細化、高密度化、高集積化等が必ずしも容易ではなかった。
【０００７】
本発明の目的は、微細化、高密度化、高集積化等を実現し得る電子装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
実施形態の一観点によれば、支持基板上に、柱状の導電体を形成するとともに、電子部品の配置位置を規制する位置規制部材を形成する工程と、前記位置規制部材により規制された前記配置位置に前記電子部品を配置する工程と、前記電子部品、前記位置規制部材及び前記柱状の導電体を樹脂層により埋め込む工程と、前記支持基板を除去する工程とを有し、 前記柱状の導電体及び前記位置規制部材を形成する工程の前に、前記支持基板上に有機膜を形成する工程と；前記柱状の導電体を形成するための第１の開口部と前記位置規制部材を形成するための第２の開口部とを前記有機膜に形成する工程とを有し、前記柱状の導電体及び前記位置規制部材を形成する工程では、前記第１の開口部内に前記柱状の導電体を形成するとともに前記第２の開口部内に前記位置規制部材を形成し、前記柱状の導電体及び前記位置規制部材を形成する工程の後、前記電子部品を配置する工程の前に、前記有機膜を除去する工程を更に有することを特徴とする電子装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
開示の電子装置の製造方法によれば、電子部品の配置位置を規制する位置規制部材が設けられている。しかも、位置規制部材と柱状の導電体とは一緒に形成される。このため、電子部品と柱状の導電体との位置ずれを解消することができ、位置ずれマージンを十分に小さくすることができる。従って、電子装置の微細化、高密度化、高集積化等を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、第１実施形態による電子装置を示す断面図である。
【図２】図２は、第１実施形態による電子装置を示す平面図である。
【図３】図３は、第１実施形態による電子装置を実装した状態を示す断面図である。
【図４】図４は、第１実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その１）である。
【図５】図５は、第１実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その２）である。
【図６】図６は、第１実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その３）である。
【図７】図７は、第１実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その４）である。
【図８】図８は、第１実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その５）である。
【図９】図９は、第１実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その６）である。
【図１０】図１０は、第１実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その７）である。
【図１１】図１１は、第１実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その８）である。
【図１２】図１２は、第１実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その９）である。
【図１３】図１３は、第１実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その１０）である。
【図１４】図１４は、第１実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その１１）である。
【図１５】図１５は、第１実施形態の変形例（その１）による電子装置を示す断面図である。
【図１６】図１６は、第１実施形態の変形例（その１）による電子装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図１７】図１７は、第１実施形態の変形例（その２）による電子装置を示す平面図である。
【図１８】図１８は、第１実施形態の変形例（その３）による電子装置を示す平面図である。
【図１９】図１９は、第１実施形態の変形例（その４）による電子装置を示す平面図である。
【図２０】図２０は、第１実施形態の変形例（その５）による電子装置を示す断面図である。
【図２１】図２１は、第１実施形態の変形例（その５）による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その１）である。
【図２２】図２２は、第１実施形態の変形例（その５）による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その２）である。
【図２３】図２３は、第１実施形態の変形例（その５）による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その３）である。
【図２４】図２４は、第１実施形態の変形例（その５）による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その４）である。
【図２５】図２５は、第２実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その１）である。
【図２６】図２６は、第２実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その２）である。
【図２７】図２７は、第２実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その３）である。
【図２８】図２８は、第２実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その４）である。
【図２９】図２９は、第２実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その５）である。
【図３０】図３０は、第２実施形態の変形例による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その１）である。
【図３１】図３１は、第２実施形態の変形例による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その２）である。
【図３２】図３２は、第２実施形態の変形例による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その３）である。
【図３３】図３３は、第２実施形態の変形例による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その４）である。
【図３４】図３４は、第３実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その１）である。
【図３５】図３５は、第３実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その２）である。
【図３６】図３６は、第３実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その３）である。
【図３７】図３７は、参考例による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その１）である。
【図３８】図３８は、参考例による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その２）である。
【図３９】図３９は、参考例による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その３）である。
【図４０】図４０は、参考例による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その４）である。
【図４１】図４１は、参考例による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その５）である。
【図４２】図４２は、参考例による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その６）である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
参考例による電子装置の製造方法について図３７乃至図４２を用いて説明する。図３７乃至図４２は、参考例による電子装置の製造方法を示す工程断面図である。
【００１３】
まず、図３７（ａ）に示すように、支持基板１５６上に熱剥離シート１５８を貼り付ける。熱剥離シート１５８は、加熱することにより粘着力が低下するシートである。次に、図３７（ｂ）に示すように、熱剥離シート１５８上に例えば厚さ２００μｍ程度の銅箔１１８を貼り付ける。次に、図３８（ａ）に示すように、銅箔１１８上にフォトレジスト膜１６４を形成する。次に、図３８（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ技術を用いて、フォトレジスト膜１６４をパターニングする。次に、図３９（ａ）に示すように、フォトレジスト膜１６４をマスクとし、銅箔１１８をウェットエッチングする。これにより、銅（Ｃｕ）により形成された柱状の導電体（銅ポスト）１１８ａが形成される。この後、図３９（ｂ）に示すように、フォトレジスト膜１６４を剥離する。
【００１４】
次に、チップマウンタを用い、熱剥離シート１５８上に電子部品１１２ａ、１１２ｂを配置する（図４０（ａ）参照）。次に、図４０（ｂ）に示すように、電子部品１１２ａ、１１２ｂ及び柱状の導電体１１８ａを埋め込むように樹脂層１１０を形成する。次に、例えば１７０℃で加熱することにより、熱剥離シート１５８の粘着力を低下させる。そして、支持基板１５６を熱剥離シート１５８とともに除去する。次に、樹脂層１１０の一方の面側（図４１（ａ）の紙面下側）に絶縁膜１２０を形成し、電子部品１１２ａ、１１２ｂの電極１１４や貫通電極１１８ａに達する開口部１２２を形成する。次に、開口部１２２内にビア１２４を形成するとともに、ビア１２４と一体に形成された配線１２６を形成する。次に、配線１２６を覆うように絶縁膜１２８を形成し、配線１２６に達する開口部１３０を絶縁膜１２８に形成する。次に、開口部１３０内にビア１３２を埋め込むとともに、ビア１３２と一体に形成された電極パッド１３４を形成する。次に、絶縁膜１３６を形成し、電極パッド１３４を露出する開口部１３８を絶縁膜１３６に形成する。こうして、多層配線構造（再配線層）１１１が形成される。
【００１５】
次に、図４１（ｂ）に示すように、貫通電極１１８ａが露出するまで樹脂層１１０を研削する。次に、図４２に示すように、樹脂層１１０上に絶縁膜１４２を形成し、貫通電極１１８ａに達する開口部１４４を絶縁膜１４２に形成する。次に、電極パッド１３４に接続された半田バンプ１４０と、貫通電極１１８ａに接続された半田バンプ１４６とを形成する。
【００１６】
このような参考例による電子装置の製造方法では、ウェットエッチングでパターニングすることにより貫通電極１１８ａを形成するため、微細且つ高精度に貫通電極１１８ａを形成することは困難であった。また、貫通電極１１８ａと電子部品１１２ａ、１１２ｂとの間の位置関係を高精度に設定するも困難であった。このため、十分なマージンを考慮して再配線層１１１を形成せざるを得ず、微細化、高密度化、高集積化等の要請に十分に応え得なかった。
【００１７】
［第１実施形態］
第１実施形態による電子装置及びその製造方法を図１乃至図１４を用いて説明する。
【００１８】
（電子装置）
まず、本実施形態による電子装置について図１乃至図３を用いて説明する。図１は、本実施形態による電子装置を示す断面図である。図２は、本実施形態による電子装置を示す平面図である。図３は、本実施形態による電子装置を実装した状態を示す断面図である。
【００１９】
図１に示すように、樹脂層（モールド樹脂層、封止樹脂層）１０には、電子部品（チップ、機能性チップ）１２ａ、１２ｂが埋め込まれている。樹脂層１０の材料としては、例えばエポキシ樹脂が用いられている。樹脂層１０には、例えば無機フィラーが含まれている。かかる無機フィラーとしては、例えばシリカフィラー等が用いられている。電子部品１２ａ、１２ｂとしては、例えば半導体素子等が挙げられる。半導体素子１２ａ、１２ｂは、例えばベアチップの半導体素子（半導体チップ）である。半導体素子１２ａ、１２ｂとしては、例えばＬＳＩ（Large Scale Integration）等が挙げられる。また、電子部品１２ａ、１２ｂとして、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）等を用いてもよい。電子部品１２ａ，１２ｂのサイズは、例えば１０ｍｍ×１２ｍｍ程度である。
【００２０】
電子部品１２ａ，１２ｂの一方の面側（図１における紙面下側）には、電極（表面電極、外部接続電極）１４が形成されている。電極１４の材料としては、例えばＡｕが用いられている。電極１４のサイズは、例えば８０μｍ×８０μｍ程度とする。
【００２１】
電子部品１２ａ、１２ｂの厚さは、例えば３００μｍ程度とする。
【００２２】
樹脂層１０の厚さは、電子部品１２ａ、１２ｂの厚さに対して、例えば１００μｍ以上厚く設定されている。ここでは、樹脂層１０の厚さを例えば４００μｍ程度とする。
【００２３】
なお、電子部品１２ａ、１２ｂの他方の面側（図１における紙面上側）が、樹脂層１０から露出していてもよい。
【００２４】
電子部品１２ａ、１２ｂの周囲には、位置規制部材（ガイド部材、チップガイド、位置規制構造体、位置規制構造物）１６が存在している。位置規制部材１６は、電子部品１２ａ、１２ｂを配置する際に電子部品１２ａ、１２ｂの配置位置を規制するためのものである。換言すれば、電子部品１２ａ、１２ｂを配置する際に電子部品１２ａ、１２ｂをガイド（案内）するためのものである。位置規制部材１６は、樹脂層１０に埋め込まれている。位置規制部材１６の平面形状は、例えば枠状となっている（図２参照）。位置規制部材１６は、柱状の導電体１８と同一の材料により、柱状の導電体１８を形成するのと同時に形成されたものである。位置規制部材１６の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）が用いられている。位置規制部材１６のパターンの幅は、例えば５０μｍ程度とする。位置規制部材１６の高さは、例えば２００μｍ程度とする。
【００２５】
位置規制部材１６と電子部品１２ａ、１２ｂとの間に遊びが存在しない場合には、位置規制部材１６により規制された配置位置に電子部品１２ａ、１２ｂを配置するのが必ずしも容易ではない。このため、位置規制部材１６と電子部品１２ａ、１２ｂとの間には遊びが存在している。かかる遊びの寸法は、例えば２０μｍ程度とする。
【００２６】
樹脂層１０には、柱状の導電体（貫通電極、導電性ポスト）１８が埋め込まれている。柱状の導電体１８は、上述したように、位置規制部材１６と同一の材料により、位置規制部材１６を形成するのと同時に形成されたものである。柱状の導電体１８の材料としては、例えばＣｕが用いられている。柱状の導電体１８の径は、例えば２００μｍ程度とする。柱状の導電体１８の高さは、例えば２００μｍ程度とする。
【００２７】
位置規制部材１６と柱状の導電体１８とは、位置規制部材１６を形成するための開口部６６ａ（図５参照）と柱状の導電体１８を形成するための開口部６６ｂ（図５参照）が形成されたフォトレジスト膜６４（図５参照）を用いて同時に形成されたものである。開口部６６ａと開口部６６ｂとは、同一のフォトマスクに形成されたパターンをフォトレジスト膜６４に転写することにより形成されるため、開口部６６ａと開口部６６ｂとの間の位置ずれは極めて小さい。このため、位置規制部材１６と柱状の導電体１８との間の位置ずれは極めて小さい。
【００２８】
上述したように、電子部品１２ａ、１２ｂと位置規制部材１６との間には遊びが設けられているが、かかる遊びの寸法は十分に小さい。また、上述したように、位置規制部材１６と柱状の導電体１８との間の位置ずれは極めて小さい。このため、電子部品１２ａ、１２ｂと柱状の導電体１８との間の位置ずれは、十分に解消されている。即ち、電子部品１２ａ、１２ｂの電極１４と柱状の導電体１８との間の位置ずれは、十分に解消されている。
【００２９】
電子部品１２ａ，１２ｂ、位置規制部材１６及び柱状の導電体１８が埋め込まれた樹脂層１０の一方の面側（図１における紙面下側）には、絶縁膜（樹脂層）２０が形成されている。絶縁膜２０の材料としては、例えば感光性のポリイミドが用いられている。絶縁膜２０の厚さは、例えば５μｍ程度とする。
【００３０】
絶縁膜２０には、電子部品１２ａ，１２ｂの電極１４や柱状の導電体１８にそれぞれ達する開口部２２が形成されている。開口部２２の径は、例えば２０μｍ程度とする。
【００３１】
各々の開口部２２内には、ビア（導体プラグ）２４が形成されている。
【００３２】
絶縁膜２０の一方の面（図１における紙面下側の面）には、ビア２４と一体に形成された配線２６が形成されている。配線２６及びビア２４の材料としては、例えばＣｕが用いられている。
【００３３】
ビア２４及び配線２６が形成された絶縁膜２０の一方の面側（図１における紙面下側）には、絶縁膜（樹脂膜）２８が形成されている。絶縁膜２８の材料としては、例えば感光性のポリイミドが用いられている。絶縁膜２８の膜厚は、例えば５μｍ程度とする。
【００３４】
絶縁膜２８には、配線２６にそれぞれ達する開口部３０が形成されている。
【００３５】
各々の開口部３０内には、ビア（導体プラグ）３２が形成されている。
【００３６】
絶縁膜２８の一方の面側（図１における紙面下側）には、ビア３２と一体に形成された電極パッド３４が形成されている。電極パッド３４及びビア３２の材料としては、例えばＣｕが用いられている。
【００３７】
電極パッド３４が形成された絶縁膜２８の一方の面側（図１における紙面下側）には、絶縁膜（樹脂膜）３６が形成されている。樹脂層３６の材料としては、例えば感光性のポリイミドが用いられている。絶縁膜３６の厚さは、例えば１０μｍ程度である。
【００３８】
絶縁膜３６には、電極パッド３４を露出する開口部３８が形成されている。
【００３９】
こうして、電子部品１２ａ、１２ｂの電極１４や柱状の導電体１８に接続された多層配線構造（再配線層）１１が形成されている。
【００４０】
電極パッド３４の一方の面側（図１における紙面下側）には、例えば半田バンプ（半田ボール）４０が形成されている。半田バンプ４０は、電極パッド３４及び配線２６等を介して電子部品１２ａ，１２ｂの電極１４や柱状の導電体１８にそれぞれ電気的に接続されている。半田バンプ４０の材料としては、例えばＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ（錫−銀−銅）系の半田材料が用いられている。
【００４１】
電子部品１２ａ，１２ｂ、位置規制部材１６及び柱状の導電体１８が埋め込まれた樹脂層１０の他方の面側（図１における紙面上側）には、絶縁膜（樹脂膜）４２が形成されている。絶縁膜４２の材料としては、例えば感光性のポリイミドが用いられている。絶縁膜４２の膜厚は、例えば５μｍ程度とする。
【００４２】
絶縁膜４２には、柱状の導電体１８を露出する開口部４４が形成されている。
【００４３】
柱状の導電体１８の他方の面側（図１における紙面上側）には、例えば半田バンプ（半田ボール）４６が形成されている。半田バンプ４６の材料としては、例えばＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系の半田材料が用いられている。
【００４４】
こうして、本実施形態による電子装置（ウェハレベルパッケージ、電子部品が内蔵された擬似ウェハ）２が形成されている。
【００４５】
ウェハレベルパッケージ２は、例えば、図３に示すように、回路基板４８と回路基板５０との間に実装される。
【００４６】
回路基板４８の一方の面（図３における紙面上側の面）には、電極５２が形成されている。電極５２は、回路基板４８に形成された配線（図示せず）等に接続されている。電極５２の材料としては、例えば金（Ａｕ）が用いられる。回路基板４８としては、例えば樹脂基板やセラミックス基板等が用いられる。
【００４７】
ウェハレベルパッケージ２の電極パッド３４と回路基板４８の電極５０とは、例えば半田バンプ４０を用いて接合されている。
【００４８】
回路基板５０の一方の面（図３における紙面下側の面）には、電極５４が形成されている。電極５４は、回路基板５０に形成された配線（図示せず）等に接続されている。電極５４の材料としては、例えばＡｕが用いられる。回路基板５０としては、例えば樹脂基板やセラミックス基板等が用いられる。
【００４９】
ウェハレベルパッケージ２の柱状の導電体１８と回路基板５０の電極５４とは、例えば半田バンプ４６を用いて接合されている。
【００５０】
回路基板４８とウェハレベルパッケージ２との間には、封止樹脂（アンダーフィル剤）５３が充填されている。また、ウェハレベルパッケージ２と回路基板５０との間には、封止樹脂５５が充填されている。
【００５１】
こうして、本実施形態による電子装置が形成されている。
【００５２】
このように、本実施形態によれば、電子部品１２ａ、１２ｂの配置位置を規制する位置規制部材１６が設けられている。しかも、位置規制部材１６と柱状の導電体１８とは一緒に形成される。このため、本実施形態によれば、電子部品１２ａ、１２ｂと柱状の導電体１８との位置ずれを解消することができる。本実施形態によれば、位置ずれマージンを十分に小さくすることができるため、電子装置の微細化、高密度化、高集積化等を実現することができる。
【００５３】
（電子装置の製造方法）
次に、本実施形態による電子装置の製造方法を図４乃至図１４を用いて説明する。図４乃至図１４は、本実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図である。
【００５４】
まず、図４（ａ）に示すように、支持基板（台座）５６を用意する。支持基板５６としては、例えば半導体基板、樹脂基板、金属基板等を用いることができる。支持基板５６の厚さは、例えば０．１ｍｍ程度とする。
【００５５】
次に、支持基板５６上に、接着層（粘着層、仮接着層、仮接着テープ）５８を形成する。接着層５８としては、例えば熱剥離シート５８を用いる。熱剥離シート５８は、例えばポリエステルフィルムより成る基材（図示せず）と、基材の一方の主面に形成された熱剥離接着剤層（図示せず）と、基材の他方の主面に形成された感圧粘着剤層（図示せず）とを有している。熱剥離シート５８は、常温においては、熱剥離接着剤層が一般の感圧粘着剤層と同様に被着体に接着し、加熱すると、熱剥離接着剤層が発泡し、接着面積の低下により熱剥離接着剤層と被着体との接着力が低下して、熱剥離接着剤層が被着体から剥離されるシートである。かかる熱剥離シート５８としては、例えば日東電工株式会社製の熱剥離シート（製品名：リバアルファ）等を用いることができる。熱剥離シート５８を支持基板５６上に接着する際には、熱剥離シート５８のうちの感圧粘着材層側を支持基板５６に接着させる。熱剥離シート５６は、例えば１７０℃以上の温度で加熱すると熱剥離接着剤層の接着力が低下する。
【００５６】
次に、図４（ｂ）に示すように、接着層５８上に金属箔（金属膜、金属層、第１の層）６０を貼り付ける。接着層５８として、上述した熱剥離シートを用いた場合には、熱剥離シートの熱剥離接着剤層が金属箔６０に接着される。金属箔６０としては、例えばアルミニウム箔を用いる。アルミニウム箔の厚さは、例えば１０μｍ程度とする。
【００５７】
本実施形態において、金属箔６０の材料としてアルミニウムを用いるのは、後述する金属膜６２をエッチングストッパとして金属膜６０をエッチング除去することが可能であるためである。
【００５８】
なお、金属箔６０の材料は、アルミニウムに限定されるものではない。後述する金属膜６２とエッチング特性が異なる材料を、金属箔６０の材料として適宜用いることができる。
【００５９】
次に、図４（ｃ）に示すように、例えばスパッタリング法により、金属膜（第２の層）６２を形成する。金属膜６２としては、例えばＣｕ膜を形成する。金属膜６２の膜厚は、例えば１００ｎｍ程度とする。金属膜６２は、後工程において電解めっき法により位置規制部材１６及び柱状の導電体１８を形成する際にシード層として機能するものである。
【００６０】
次に、支持基板５６上の全面に、フォトレジスト膜（有機膜、感光性有機膜）６４を形成する。具体的には、金属膜６２上にドライフィルム・フォトレジストを貼り付けることにより、フォトレジスト膜６４を形成する。ドライフィルム・フォトレジストとしては、例えば、デュポンＭＲＣドライフィルム株式会社製のドライフィルム・フォトレジスト（製品名：リストン（登録商標）ＦＲＡ５１７−５０）等を用いることができる。リストン（登録商標）ＦＲＡ５１７−５０の厚さは、５０μｍである。従って、リストン（登録商標）ＦＲＡ５１７−５０を４層重ねれば、厚さ２００μｍのフォトレジスト膜６４が形成される。
【００６１】
また、ドライフィルム・フォトレジストとして、例えば旭化成イーマテリアルズ株式会社製のドライフィルム・フォトレジスト（製品名：ＳＵＮＦＯＲＴ（登録商標））等を用いることもできる。
【００６２】
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、フォトレジスト膜６４に開口部６６ａ、６６ｂを形成する（図５（ａ）参照）。開口部６６ａは、位置規制部材１６を形成するためのものである。このため、開口部６６ａは、位置規制部材１６の平面形状に形成される。開口部６６ｂは、柱状の導電体１８を形成するためのものである。このため、開口部６６ｂは、柱状の導電体１８の平面形状に形成される。開口部６６ａ、６６ｂは、同一のフォトマスクに形成されたパターンをフォトレジスト膜６６に転写することにより形成されるものであるため、開口部６６ａと開口部６６ｂとの間の位置ずれは極めて小さい。
【００６３】
次に、フォトレジスト膜６４をマスクとし、例えば電解めっき法により、開口部６６ａ、６６ｂ内にＣｕ膜を形成する。Ｃｕ膜の厚さは、例えば２００μｍ程度とする。こうして、開口部６６ａ内にＣｕの位置規制部材１６が形成される。また、開口部６６ｂ内にＣｕの柱状の導電体１８が形成される。即ち、位置規制部材１６と柱状の導電体１８とが同一の材料により同時に形成される。
【００６４】
上述したように、開口部６６ａと開口部６６ｂとの間の位置ずれは極めて小さい。このため、位置規制部材１６と柱状の導電体１８との間の位置ずれは極めて小さい。
【００６５】
この後、剥離液を用いて、フォトレジスト膜６４を剥離する（図６（ａ）参照）。剥離液としては、例えば３％水酸化ナトリウム水溶液等を用いることができる。
【００６６】
次に、例えばチップマウンタを用い、支持基板５６上に電子部品１２ａ、１２ｂを配置する（図６（ｂ）参照）。電子部品１２ａ、１２ｂを支持基板５６上に配置する際には、位置規制部材１６がガイド（案内）として用いられ、位置規制部材１６により規制された配置位置（配置箇所、配置領域）に電子部品１２ａ、１２ｂが配置される。
【００６７】
上述したように、位置規制部材１６と電子部品１２ａ、１２ｂとの間に遊びが存在しない場合には、位置規制部材１６により規制された配置位置に電子部品１２ａ、１２ｂを配置するのが困難である。このため、位置規制部材１６と電子部品１２ａ、１２ｂとの間には遊びが存在している。位置規制部材１６と電子部品１２ａ、１２ｂとの間に存在する遊びは、例えば２０μｍ程度である。このため、電子部品１２ａ、１２ｂの位置ずれは十分に解消されている。
【００６８】
上述したように、位置規制部材１６と柱状の導電体１８との間の位置ずれは極めて小さい。従って、電子部品１２ａ、１２ｂと柱状の導電体１８との間の位置ずれは十分に解消される。
【００６９】
次に、電子部品１２ａ、１２ｂが配置された支持基板５６上の全面に樹脂を供給し、例えば加熱加圧法により樹脂層（モールド樹脂層、封止樹脂層）１０を形成する（図７（ａ）参照）。樹脂層１０の材料としては、例えば熱硬化性のエポキシ樹脂を用いる。樹脂層１０には、例えば無機フィラーを含ませる。かかる無機フィラーとしては、例えばシリカフィラーやＢＮ（窒化ホウ素）フィラー等を用いる。樹脂層１０を形成する際の加熱温度は、例えば１２０℃程度とする。加熱時間は、例えば４００秒程度とする。樹脂層１０の厚さは、例えば６００μｍ程度とする。
【００７０】
熱剥離シート５８の接着力を低下させるための温度は、後述するように例えば１７０℃程度である。従って、樹脂層１０に対して１２０℃の熱処理を行っても、熱剥離シート５８が剥離してしまうことはない。
【００７１】
こうして、電子部品１２ａ，１２ｂ、位置規制部材１６及び柱状の導電体１８が樹脂層１０により埋め込まれる。
【００７２】
次に、熱剥離シート５８の粘着力を低下させるための熱処理を行う。熱処理温度は、例えば１７０℃程度とする。これにより、熱剥離シート５８の熱剥離接着剤層が発泡し、接着面積が低下するため、熱剥離シート５８の接着力が低下する。
【００７３】
次に、支持基板５６を、熱剥離シート５８とともに、金属箔６０から剥離する（図７（ｂ）参照）。熱剥離シート５８の粘着力が低下しているため、熱剥離シート５８は金属箔６０から容易に剥離し得る。
【００７４】
次に、例えばウェットエッチングにより、金属箔６０をエッチング除去する（図８（ａ）参照）。エッチング液としては、例えば希塩酸を用いる。この際、金属膜６２がエッチングストッパとして機能する。
【００７５】
次に、例えばウェットエッチングにより、金属膜６２をエッチング除去する（図８（ｂ）参照）。エッチング液としては、例えば硫酸を含む水溶液を用いる。金属膜６２をエッチングする際に、位置規制部材１６や柱状の導電体１８の一部も若干エッチングされる場合があるが、エッチング量が少なければ特段の問題は生じない。
【００７６】
こうして、電子部品１２ａ，１２ｂ、位置規制部材１６及び柱状の導電体１８が樹脂層１０中に埋め込まれた構造体（擬似ウェハ、樹脂基板）６８が得られる。
【００７７】
なお、このような技術は、擬似ＳＯＣ（System On Chip）技術と称される。
【００７８】
次に、熱処理を行うことにより、樹脂層１０をキュア（本硬化）する。熱処理温度は、例えば２００℃程度とする。熱処理時間は、例えば３０分程度とする。
【００７９】
こうして、厚さが６００μｍ程度、寸法が６インチ程度の構造体６８が形成される。
【００８０】
次に、構造体６８の一方の面側（図８（ｃ）における紙面下側の面）の全面に、例えばスピンコート法により、例えば感光性の樹脂膜（絶縁膜）２０を形成する（図８（ｃ）参照）。絶縁膜２０の材料としては、例えば感光性のポリイミド樹脂等を用いる。
【００８１】
次に、絶縁膜２０に対してプリベークを行う。プリベークの温度は、例えば１１０℃程度とする。プリベークの時間は、例えば１０分程度とする。
【００８２】
次に、開口部２２のパターンを絶縁膜２０に露光する。開口部２２は、後述するビア（導体プラグ）２４を埋め込むためのものである。
【００８３】
次に、絶縁膜２０に対して、現像を行う。現像液としては、例えばＴＭＡＨ（Tetra Methyl Ammonium Hydroxide）を用いる。
【００８４】
次に、絶縁膜２０に対して、キュアを行う。キュアの温度は、例えば２００℃程度とする。キュアの時間は、例えば３０分程度とする。
【００８５】
こうして、電子部品１２ａ、１２ｂの電極１４や柱状の導電体１８に達する開口部２２が形成された絶縁膜２０が得られる（図９（ａ）参照）。
【００８６】
次に、構造体６８の一方の面側（図９（ｂ）における紙面下側の面）の全面に、例えばスパッタリング法により、例えば膜厚５０ｎｍ程度の密着層（図示せず）を形成する。密着層の材料としては、例えばチタン（Ｔｉ）を用いる。
【００８７】
次に、構造体６８の一方の面側（図９（ｂ）における紙面下側の面）の全面に、例えばスパッタリング法により、例えば膜厚１００ｎｍ程度のシード層（図示せず）を形成する。シード層の材料としては、例えばＣｕを用いる。
【００８８】
次に、構造体６８の一方の面側（図９（ｂ）における紙面下側の面）の全面に、例えばスピンコート法により、フォトレジスト膜（図示せず）を形成する。
【００８９】
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、フォトレジスト膜に開口部（図示せず）を形成する。かかる開口部は、ビア２４及び配線２６を形成するためのものである。
【００９０】
次に、フォトレジスト膜をマスクとし、例えば電気めっき法により、例えばビア２４及び配線２６を形成する。ビア２４及び配線２６の材料としては、例えばＣｕを用いる。ビア２４及び配線２６は、一体的に形成される。
【００９１】
次に、例えばアッシングにより、フォトレジスト膜を剥離する。
【００９２】
次に、配線２６の周囲に露出している部分のシード層及び密着層をエッチング除去する。Ｃｕのシード層は、例えばウェットエッチングにより除去し得る。Ｔｉの密着層は、例えばドライエッチングにより除去し得る。
【００９３】
こうして、電子部品１２ａ，１２ｂの電極１４や柱状の導電体１８にビア２４を介して電気的に接続された配線（再配線層）２６が形成される（図９（ｂ）参照）。
【００９４】
次に、構造体６８の一方の面（図９（ｃ）における紙面下側の面）の全面に、例えばスピンコート法により、例えば感光性の樹脂膜（絶縁膜）２８を形成する（図９（ｃ）参照）。絶縁膜２８の材料としては、例えば感光性のポリイミド樹脂を用いる。
【００９５】
次に、絶縁膜２８に対してプリベークを行う。プリベークの温度は、例えば１１０℃程度とする。プリベークの時間は、例えば１０分程度とする。
【００９６】
次に、開口部３０のパターンを絶縁膜２８に露光する。開口部３０は、後述するビア（導体プラグ）３２を埋め込むためのものである。
【００９７】
次に、絶縁膜２８に対して、現像を行う。現像液としては、例えばＴＭＡＨを用いる。
【００９８】
次に、絶縁膜２８に対して、キュアを行う。キュアの温度は、例えば２００℃程度とする。キュアの時間は、例えば１時間３０分程度とする。
【００９９】
こうして、配線２６に達する開口部３０が形成された絶縁膜２８が得られる（図１０（ａ）参照）。
【０１００】
次に、例えばスパッタリング法により、例えば膜厚５０ｎｍ程度の密着層（図示せず）を形成する。密着層の材料としては、例えばＴｉを用いる。
【０１０１】
次に、例えばスパッタリング法により、例えば膜厚１００ｎｍ程度のシード層（図示せず）を形成する。シード層の材料としては、例えばＣｕを用いる。
【０１０２】
次に、全面に、例えばスピンコート法により、フォトレジスト膜（図示せず）を形成する。
【０１０３】
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、フォトレジスト膜に開口部（図示せず）を形成する。かかる開口部は、ビア３２及び電極パッド３４を形成するためのものである。
【０１０４】
次に、例えば電気めっき法により、例えばビア３２及び電極パッド３４を形成する。ビア３２及び電極パッド３４は、一体的に形成される。
【０１０５】
次に、例えばアッシングにより、フォトレジスト膜を剥離する。
【０１０６】
次に、電極パッド３４の周囲に露出している部分のシード層及び密着層を、例えばウェットエッチング又はドライエッチングにより除去する。
【０１０７】
こうして、ビア３２を介して配線２６にそれぞれ電気的に接続された電極パッド３４が形成される（図１０（ｂ）参照）。
【０１０８】
次に、構造体６８の一方の面（図１１（ａ）における紙面下側の面）の全面に、例えばスピンコート法により、例えば感光性の樹脂膜（絶縁膜）３６を形成する（図１１（ａ）参照）。絶縁膜３６の材料としては、例えば感光性のポリイミド樹脂を用いる。
【０１０９】
次に、絶縁膜３６に対してプリベークを行う。プリベークの温度は、例えば１１０℃程度とする。プリベークの時間は、例えば１０分程度とする。
【０１１０】
次に、開口部３８のパターンを絶縁膜３６に露光する。開口部３８は、後述する半田バンプ４０を形成するためのものである。
【０１１１】
次に、絶縁膜３６に対して、現像を行う。現像液としては、例えばＴＭＡＨを用いる。
【０１１２】
次に、絶縁膜３６に対して、キュアを行う。キュアの温度は、例えば２００℃程度とする。キュアの時間は、例えば３０分程度とする。
【０１１３】
こうして、電極パッド３４に達する開口部３８が形成された絶縁膜３６が得られる（図１１（ａ）参照）。絶縁膜３６の膜厚は、例えば１０μｍ程度とする。こうして、電子部品１２ａ、１２ｂの電極１４や柱状の導電体１８に接続された多層配線構造（再配線層）１１が形成される。
【０１１４】
次に、例えば裏面研削（Back Grinding）により、構造体６８の他方の面側（図１１（ｂ）における紙面上側の面側）の樹脂層１０を研磨（研削）する。これにより、構造体６８の他方の面側（図１１（ｂ）における紙面上側）に、位置規制部材１６及び柱状の導電体１８が露出する（図１１（ｂ）参照）。
【０１１５】
次に、構造体６８の他方の面（図１２（ａ）における紙面上側の面）の全面に、例えばスピンコート法により、例えば感光性の樹脂膜（絶縁膜）４２を形成する（図１２（ａ）参照）。絶縁膜４２の材料としては、例えば感光性のポリイミド樹脂を用いる。
【０１１６】
次に、絶縁膜４２に対してプリベークを行う。プリベークの温度は、例えば１１０℃程度とする。プリベークの時間は、例えば１０分程度とする。
【０１１７】
次に、開口部４４のパターンを絶縁膜４２に露光する。開口部４４は、後述する半田バンプ４６を形成するためのものである。
【０１１８】
次に、絶縁膜４２に対して、現像を行う。現像液としては、例えばＴＭＡＨを用いる。
【０１１９】
次に、絶縁膜４２に対して、キュアを行う。キュアの温度は、例えば２００℃程度とする。キュアの時間は、例えば３０分程度とする。
【０１２０】
こうして、柱状の導電体１８に達する開口部４４が形成された絶縁膜４２が得られる（図１２（ａ）参照）。絶縁膜４２の膜厚は、例えば１０μｍ程度とする。
【０１２１】
次に、開口部３８内に露出する電極パッド３４の一方の面（図１２（ｂ）における紙面下側の面）に、半田バンプ（半田ボール）４０を形成する。半田バンプ４０は、電極パッド３４及び配線２６等を介して電子部品１２ａ，１２ｂの電極１４や柱状の導電体１８にそれぞれ電気的に接続される。
【０１２２】
また、開口部４４内に露出する柱状の導電体１８の一方の面（図１２（ｂ）における紙面上側の面）に、半田バンプ（半田ボール）４６を形成する。
【０１２３】
複数のウェハレベルパッケージ２を一括して形成した場合には、この後、例えばダイシングを行うことにより、複数のウェハレベルパッケージ２が個片化される（図示せず）。
【０１２４】
こうして、本実施形態による電子装置（ウェハレベルパッケージ）２が得られる。
【０１２５】
次に、回路基板４８と回路基板５０との間に、ウェハレベルパッケージ２を配置する（図１３参照）。回路基板４８としては、例えば樹脂基板やセラミックス基板等が用いられている。回路基板４８の表面には、ウェハレベルパッケージ２のバンプ４０と接続するための電極５２が形成されている。電極５２の材料としては、例えばＡｕを用いる。電極５２は、回路基板４８に形成された配線（図示せず）等に接続されている。回路基板５０としては、例えば樹脂基板やセラミックス基板等が用いられている。回路基板５０の表面には、ウェハレベルパッケージ２のバンプ４６と接続するための電極５４が形成されている。電極５４の材料としては、例えばＡｕを用いる。電極５４は、回路基板５０に形成された配線（図示せず）等に接続されている。
【０１２６】
回路基板４８と回路基板５０との間にウェハレベルパッケージ２を配置する際には、ウェハレベルパッケージ２のバンプ４０と回路基板４８の電極５２とを互いに対向させる。また、ウェハレベルパッケージ２のバンプ４６と回路基板５０の電極５４とを互いに対向させる。
【０１２７】
次に、熱処理（リフロー）を行うことにより、ウェハレベルパッケージ２側の電極パッド３４と回路基板４８側の電極５２とを半田バンプ４０により接合する。また、ウェハレベルパッケージ２側の柱状の導電体１８と回路基板５０側の電極５４とを半田バンプ４６により接合する。熱処理温度は、例えば２３０℃程度とする。熱処理時間は、例えば３分程度とする。
【０１２８】
次に、回路基板４８とウェハレベルパッケージ２との間に封止樹脂）５３を充填する。また、ウェハレベルパッケージ２と回路基板５０との間に封止樹脂５５を充填する。
【０１２９】
こうして、ウェハレベルパッケージ２が三次元実装される（図１４参照）。
【０１３０】
このように本実施形態によれば、電子部品１２ａ、１２ｂの配置位置を規制する位置規制部材１６を設ける。しかも、位置規制部材１６と柱状の導電体１８とは一緒に形成される。このため、本実施形態によれば、電子部品１２ａ、１２ｂと柱状の導電体１８との位置ずれを解消することができる。本実施形態によれば、位置ずれマージンを十分に小さくすることができるため、電子装置の微細化、高密度化、高集積化等を実現することができる。
【０１３１】
（変形例（その１））
本実施形態による電子装置及びその製造方法の変形例（その１）について図１５及び図１６を用いて説明する。図１５は、本変形例による電子装置を示す断面図である。図１６は、本変形例による電子装置の製造方法を示す工程断面図である。
【０１３２】
本変形例による電子装置は、電子部品１２ｃ、１２ｄの側面がテーパ状になっているものである。
【０１３３】
図１に示す第１実施形態による電子装置の場合には、電子部品１２ａ、１２ｂの主面に対して、電子部品１２ａ、１２ｂの側面が垂直になっている。このような場合には、電子部品１２ａ、１２ｂと位置規制部材１６との間の遊びをある程度確保せざるを得ない。電子部品１２ａ、１２ｂと位置規制部材１６との間の遊びが過度に小さい場合には、電子部品１２ａ、１２ｂが位置規制部材１６にぶつかってしまい、位置規制部材１６により規制された配置位置に電子部品１２ａ、１２ｂを配置することが困難となるためである。
【０１３４】
これに対し、本変形例では、電子部品１２ａ、１２ｂが位置規制部材１６により規制された配置位置に配置されやすいように、電子部品１２ａ、１２ｂの側面（側壁、周縁部）がテーパ状になっている。即ち、電子部品１２ｃ、１２ｄの電極１４が形成された一方の面側（図１５の紙面下側の面側）の寸法が、電子部品１２ｃ、１２ｄの他方の面側（図１５の紙面上側の面側）の寸法より小さくなるように、電子部品１２ａ、１２ｂの側面がテーパ状になっている。このため、本変形例によれば、電子部品１２ｃ、１２ｄの他方の面（図１５の紙面上側の面）と位置規制部材１６との間の遊びを十分に小さくした場合であっても、位置規制部材１６により規制された配置位置に電子部品１２ｃ、１２ｄを容易に配置することが可能となる。本変形例によれば、電子部品１２ｃ、１２ｄの他方の面（図１５の紙面上側の面）と位置規制部材１６との間の遊びをより小さくすることができるため、電子部品１２ｃ、１２ｄと柱状の導電体１８との間の位置ずれをより十分に解消することができる。従って、本変形例によれば、電子装置の更なる微細化、高密度化、高集積化等を実現することが可能となる。
【０１３５】
次に、本変形例による電子装置の製造方法について図１６を用いて説明する。
【０１３６】
まず、支持基板５６上に熱剥離シート５８を形成する工程からフォトレジスト膜６４を剥離する工程までは、図４（ａ）乃至図６（ａ）を用いて上述した第１実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する（図１６（ａ）参照）。
【０１３７】
次に、例えばチップマウンタを用い、支持基板５６上に電子部品１２ｃ、１２ｄを配置する（図１６（ｂ）参照）。電子部品１２ｃ、１２ｄを支持基板５６上に配置する際には、位置規制部材１６がガイドとして用いられ、位置規制部材１６により規制された配置位置に電子部品１２ｃ、１２ｄが配置される。
【０１３８】
上述したように、電子部品１２ｃ、１２ｄの縁部（周縁部、側壁）は、テーパ状となっている。このため、本変形例によれば、電子部品１２ｃ、１２ｄの他方の面（図１６の紙面上側の面）と位置規制部材１６との間の遊びを十分に小さくした場合であっても、位置規制部材１６により規制された配置位置に電子部品１２ｃ、１２ｄを容易に配置することができる。
【０１３９】
この後の電子装置の製造方法は、図７（ａ）乃至図１２（ｂ）を用いて上述した第１実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する。
【０１４０】
こうして、本変形例による電子装置が製造される（図１５参照）。
【０１４１】
このように、本変形例によれば、電子部品１２ａ、１２ｂが位置規制部材１６により規制された配置位置に配置されやすいように、電子部品１２ａ、１２ｂの側面（側壁、周縁部）がテーパ状になっている。このため、本変形例によれば、電子部品１２ｃ、１２ｄの他方の面（図１５の紙面上側の面）と位置規制部材１６との間の遊びを十分に小さくした場合であっても、位置規制部材１６により規制された配置位置に電子部品１２ｃ、１２ｄを容易に配置することが可能となる。このため、本変形例によれば、電子部品１２ｃ、１２ｄの他方の面（図１５の紙面上側の面）と位置規制部材１６との間の遊びをより小さくすることができ、電子部品１２ｃ、１２ｄと柱状の導電体１８との間の位置ずれをより十分に解消することができる。従って、本変形例によれば、電子装置の更なる微細化、高密度化、高集積化等を実現することが可能となる。
【０１４２】
（変形例（その２））
本実施形態による電子装置及び製造方法の変形例（その２）について図１７を用いて説明する。図１７は、本変形例による電子装置を示す平面図である。
【０１４３】
本変形例による電子装置は、電子部品１２ａ、１２ｂの各角部の位置を規制するように位置規制部材１６ａを形成するものである。
【０１４４】
図１７に示すように、電子部品１２ａ、１２ｂの各角部の位置を規制するように部分構造物（部分構造体）７０が配されている。電子部品１２ａ、１２ｂの各角部の位置を規制するこれら複数の部分構造物７０により、位置規制部材１６ａが形成されている。
【０１４５】
このように、電子部品１２ａ、１２ｂの各角部の位置を規制する複数の部分構造物７０により、位置規制部材１６ａを形成するようにしてもよい。本変形例によっても、電子部品１２ａ、１２ｂの配置位置を規制することが可能である。
【０１４６】
（変形例（その３））
本実施形態による電子装置及び製造方法の変形例（その３）について図１８を用いて説明する。図１８は、本変形例による電子装置を示す平面図である。
【０１４７】
本変形例による電子装置は、電子部品１２ａ、１２ｂの周縁の各辺の位置を規制するように位置規制部材１６ｂを形成するものである。
【０１４８】
図１８に示すように、電子部品１２ａ、１２ｂの周縁の各辺の位置を規制するように部分構造物（部分構造体）７２が配されている。部分構造物７２は、１つの辺に対して例えば２つずつ配されている。電子部品１２ａ、１２ｂの周縁の各辺の位置を規制するこれら複数の部分構造物７２により、位置規制部材１６ｂが形成されている。
【０１４９】
このように、電子部品１２ａ、１２ｂの周縁の各辺の位置を規制する複数の部分構造物７２により、位置規制部材１６ｂを形成するようにしてもよい。本変形例によっても、電子部品１２ａ、１２ｂの配置位置を規制することが可能である。
【０１５０】
（変形例（その４））
本実施形態による電子装置及び製造方法の変形例（その４）について図１９を用いて説明する。図１９は、本変形例による電子装置を示す平面図である。
【０１５１】
本変形例による電子装置は、電子部品１２ａ、１２ｂの周縁の各辺の位置を規制するように位置規制部材１６ｃを形成するものである。
【０１５２】
図１９に示すように、電子部品１２ａ、１２ｂの周縁の各辺の位置を規制するように部分構造物（部分構造体）７４が配されている。部分構造物７４は、１つの辺に対して例えば１つずつ配されている。部分構造体７４の長手方向は、電子部品１２ａ、１２ｂの周縁の各辺に沿っている。電子部品１２ａ、１２ｂの周縁の各辺の位置を規制するこれら複数の部分構造物７４により、位置規制部材１６ｃが形成されている。
【０１５３】
このように、電子部品１２ａ、１２ｂの周縁の各辺の位置を規制する複数の部分構造物７４により、位置規制部材１６ｃを形成するようにしてもよい。本変形例によっても、電子部品１２ａ、１２ｂの配置位置を規制することが可能である。
【０１５４】
（変形例（その５））
本実施形態による電子装置及び製造方法の変形例（その５）について図２０乃至図２４を用いて説明する。図２０は、本変形例による電子装置を示す断面図である。
【０１５５】
本変形例による電子装置は、位置規制部材１６や柱状の導電体１８を補強する補強膜７６を形成するものである。
【０１５６】
図２０に示すように、位置規制部材１６の一方の面（図２０における紙面上側の面）及び位置規制部材１６の側面には、補強膜７６が形成されている。また、柱状の導電体１８の一方の面（図２０における紙面上側の面）及び柱状の導電体１８の側面には、補強膜７６が形成されている。かかる補強膜７６の材料としては、位置規制部材１６や柱状の導電体１８より硬度の高い材料が用いられている。補強膜７６の材料としては、例えばＴｉＮ膜を用いることができる。補強膜７６の膜厚は、例えば１μｍ程度とする。
【０１５７】
なお、補強膜７６の材料は、ＴｉＮに限定されるものではない。位置規制部材１６や柱状の導電体１８より硬度の高い材料を適宜用いることができる。例えば、クロム（Ｃｒ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、炭化タングステン（ＷＣ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、ダイヤモンド等を、補強膜７６の材料として用いてもよい。
【０１５８】
本変形例によれば、位置規制部材１６や柱状の導電体１８を補強する補強膜７６が形成されているため、位置規制部材１６や柱状の導電体１８の変形等を防止することができる。このため、本変形例によれば、電子部品１２ａ、１２ｂを所定の配置位置に確実に配置することができる。また、樹脂層１０により電子部品１２ａ、１２ｂ、位置規制部材１６及び柱状の導電体１８を埋め込む際に、位置規制部材１６や柱状の導電体１８が変形するのを防止することができる。このため、本実施形態によれば、電子部品１２ａ、１２ｂと柱状の導電体１８との位置ずれをより確実に解消することができる。従って、本変形例によれば、電子装置の微細化、高密度化、高集積化等をより確実に実現することができる。
【０１５９】
次に、本変形例による電子装置の製造方法について図２１乃至図２４を用いて説明する。図２１乃至図２４は、本変形例による電子装置の製造方法を示す工程断面図である。
【０１６０】
まず、支持基板５６上に熱剥離シート５６を形成する工程からフォトレジスト膜６４を剥離する工程までは、図４（ａ）乃至図６（ａ）を用いて上述した第１実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する。
【０１６１】
次に、全面に、例えばスパッタリング法により、補強膜７６を形成する（図２１（ａ）参照）。かかる補強膜７６の材料としては、位置規制部材１６より硬度の高い材料を用いる。補強膜７６の材料としては、例えばＴｉＮ膜を用いることができる。補強膜７６の膜厚は、例えば１μｍ程度とする。
【０１６２】
なお、補強膜７６の材料は、ＴｉＮに限定されるものではない。位置規制部材１６より硬度の高い材料を適宜用いることができる。例えば、Ｃｒ、ＢＮ、ＳｉＣ、ＷＣ、Ａｌ２Ｏ３、ダイヤモンド等を、補強膜７６の材料として用いてもよい。
【０１６３】
次に、例えばチップマウンタを用い、支持基板５６上に電子部品１２ａ、１２ｂを配置する（図２１（ｂ）参照）。電子部品１２ａ、１２ｂを支持基板５６上に配置する際には、補強膜７６により補強された位置規制部材１６がガイドとして用いられる。そして、補強膜７６により補強された位置規制部材１６により規制された配置位置に電子部品１２ａ、１２ｂが配置される。
【０１６４】
本変形例によれば、補強膜７６が形成されているため、電子部品１２ａ、１２ｂを支持基板５６上に配置する際に、位置規制部材１６が変形するのを防止することができる。このため、本変形例によれば、電子部品１２ａ、１２ｂを所定の配置位置に確実に配置することができる。
【０１６５】
また、補強膜７６が形成されているため、電子部品１２ａ、１２ｂ、位置規制部材１６及び柱状の導電体１８を樹脂層１０により埋め込む際に、位置規制部材１６や柱状の導電体１８が変形するのを抑制することができる。
【０１６６】
従って、本変形例によれば、電子部品１２ａ、１２ｂと柱状の導電体１８との位置ずれをより確実に解消することができる。
【０１６７】
この後の樹脂層１０を形成する工程から金属箔６０を除去する工程までは、図７（ａ）乃至図８（ａ）を用いて上述した第１実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する（図２２（ａ）乃至図２３（ａ）参照）。
【０１６８】
次に、図８（ｂ）を用いて上述した第１実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、金属膜６２をエッチング除去する。これにより、構造体６８の一方の面側（図２３の紙面下側）に補強膜７６の一部が露出された状態となる（図２３（ｂ）参照）。
【０１６９】
次に、図２４（ａ）に示すように、構造体６８の一方の面側（図２３の紙面下側）に露出している補強膜７６をエッチング除去する。エッチング液としては、例えば硫酸を含む水溶液を用いる。
【０１７０】
この後の電子装置の製造方法は、図８（ｃ）乃至図１２（ｂ）を用いて上述した第１実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する。
【０１７１】
こうして、本変形例による電子装置が製造される（図２４（ｂ）参照）。
【０１７２】
［第２実施形態］
第２実施形態による電子装置の製造方法を図２５乃至図２９を用いて説明する。図２５乃至図２９は、本実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図である。図１乃至図２４に示す第１実施形態による電子装置及びその製造方法と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
【０１７３】
まず、支持基板５６上に熱剥離シート５８を形成する工程から金属膜６２を形成する工程までは、図４（ａ）乃至図４（ｃ）を用いて上述した第１実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため説明を省略する。
【０１７４】
次に、図５（ａ）を用いて上述した第１実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、支持基板５６上の全面に、フォトレジスト膜６４を形成する。フォトレジスト膜６４の厚さは、例えば２００μｍ程度とする。
【０１７５】
次に、図５（ａ）を用いて上述した第１実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、フォトレジスト膜６４に開口部６６ａ、６６ｂを形成する（図２５（ａ）参照）。
【０１７６】
次に、図５（ｂ）を用いて上述した第１実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、開口部６６ａ、６６ｂ内にＣｕ膜を形成する（図２５（ｂ）参照）。Ｃｕ膜の厚さは、例えば２００μｍ程度とする。こうして、開口部６６ａ内にＣｕの位置規制部材１６が形成される。また、開口部６６ｂ内にＣｕの柱状の導電体１８が形成される。
【０１７７】
この後、図５（ｃ）を用いて上述した第１実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、フォトレジスト膜６４を剥離する（図２６（ａ）参照）。
【０１７８】
次に、位置規制部材１６及び柱状の導電体１８により覆われていない部分の金属膜６２をエッチング除去する（図２６（ｂ）参照）。エッチング液としては、例えば硫酸を含む水溶液を用いる。この際、位置規制部材１６及び柱状の導電体１８の表面も若干エッチングされるが、位置規制部材１６及び柱状の導電体１８のサイズは金属膜６２の膜厚と比較して十分に大きいため、特段の問題は生じない。
【０１７９】
次に、位置規制部材１６及び柱状の導電体１８により覆われていない部分の金属箔６０をエッチング除去する（図２７（ａ）参照）。エッチング液としては、例えば希塩酸を用いる。
【０１８０】
次に、図６（ｂ）を用いて上述した第１実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、支持基板５６上に電子部品１２ａ、１２ｂを配置する（図２７（ｂ）参照）。
【０１８１】
次に、図７（ａ）を用いて上述した第１実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、樹脂層１０を形成する（図２８（ａ）参照）。
【０１８２】
次に、図７（ｂ）を用いて上述した第１実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、熱剥離シート５８の粘着力を低下させるための熱処理を行う。
【０１８３】
次に、支持基板５６を、熱剥離シート５８とともに、樹脂層１０から剥離する（図２８（ｂ）参照）。
【０１８４】
次に、例えばウェットエッチングにより、金属箔６０をエッチング除去する（図２９（ａ）参照）。エッチング液としては、例えば希塩酸を用いる。
【０１８５】
こうして、電子部品１２ａ，１２ｂ、位置規制部材１６及び柱状の導電体１８が樹脂層１０中に埋め込まれた構造体６８が得られる。
【０１８６】
この後の電子装置の製造方法は、図８（ｃ）乃至図１２（ｂ）を用いて上述した第１実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する。
【０１８７】
こうして、本実施形態による電子装置が製造される（図２９（ｂ）参照）。
【０１８８】
このように、位置規制部材１６及び柱状の導電体１８から露出している金属膜６２や金属箔６０を、電子部品１２ａ、１２ｂを実装する前にエッチング除去するようにしてもよい。
【０１８９】
（変形例）
本実施形態の変形例による電子装置の製造方法を図３０乃至図３３を用いて説明する。図３０乃至図３３は、本変形例による電子装置の製造方法を示す工程断面図である。
【０１９０】
本変形例による電子装置の製造方法は、位置規制部材１６や柱状の導電体１８を補強する補強膜７６を形成するものである。
【０１９１】
まず、支持基板５６上に熱剥離シート５８を形成する工程から金属膜６２を形成する工程までは、図４（ａ）乃至図４（ｃ）を用いて上述した第１実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため説明を省略する。
【０１９２】
この後のフォトレジスト膜６４を形成する工程からフォトレジスト膜６４を剥離する工程までは、図２５（ａ）乃至図２６（ａ）を用いて上述した第２実施形態による電子装置の製造方法と同様
であるため説明を省略する（図３０（ａ）参照）。
【０１９３】
次に、図２１（ａ）を用いて上述した第１実施形態の変形例（その５）による電子装置の製造方法と同様にして、補強膜７６を形成する。
【０１９４】
次に、例えばドライエッチングにより、補強膜７６を異方性エッチングする。これにより、位置規制部材１６や柱状の導電体１８の側壁に補強膜７６が残存する（図３１（ａ）参照）。
【０１９５】
次に、図２６（ｂ）を用いて上述した第２実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、位置規制部材１６及び柱状の導電体１８により覆われていない部分の金属膜６２をエッチング除去する（図３１（ｂ）参照）。
【０１９６】
次に、図２７（ａ）を用いて上述した第２実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、位置規制部材１６及び柱状の導電体１８により覆われていない部分の金属箔６０をエッチング除去する（図３２（ａ）参照）。
【０１９７】
この後の電子装置の製造方法は、図２７（ｂ）乃至図２９（ｂ）を用いて上述した第２実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する。
【０１９８】
こうして、本実施形態による電子装置が製造される（図３３参照）。
【０１９９】
このように、位置規制部材１６や柱状の導電体１８を補強する補強膜７６を形成するようにしてもよい。
【０２００】
［第３実施形態］
第３実施形態による電子装置の製造方法を図３４乃至図３６を用いて説明する。図３４乃至図３６は、本実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図である。図１乃至図３３に示す第１又は第２実施形態による電子装置の製造方法と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
【０２０１】
本実施形態による電子装置は、熱剥離シート５８上に金属箔５８や金属膜６０を介することなく位置規制部材１６ｄや柱状の導電体１８ａを形成するものである。
【０２０２】
まず、図４（ａ）を用いて上述した第１実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、支持基板５６上に熱剥離シート５８を貼り付ける。
【０２０３】
次に、図５（ａ）を用いて上述した第１実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、フォトレジスト膜６４を形成する。フォトレジスト膜６４は、熱剥離シート５８上に直接形成される。
【０２０４】
次に、図５（ａ）を用いて上述した第１実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、フォトレジスト６４に開口部６６ａ、６６ｂを形成する。
【０２０５】
次に、開口部６６ａ内に位置規制部材１６ｄを形成するとともに、開口部６６ｂ内に柱状の導電体１８ａを形成する。位置規制部材１６ｄや柱状の導電体１８ａは、開口部６６ａ、６６ｂ内に導電体を充填することにより形成することができる。例えば、開口部６６ａ、６６ｂ内に導電体を含む液体を充填することにより、位置規制部材１６ｄや柱状の導電体１８ａを形成することが可能である。導電体を含む液体としては、例えば導電性インクを用いることができる。導電性インクは、金属粒子等の導電体を含むインクである。導電性インクは、インクジェット印刷技術を用いて、印刷することが可能である。ここでは、例えばインクジェット印刷技術を用いて、開口部６６ａ、６６ｂ内に導電性インクを充填する。導電性インクとしては、銅を含む導電性インクである銅インクを用いる。銅インクは、例えばアルテック株式会社により提供されている。また、銅インクは、石原薬品株式会社によっても開発されている。また、昭和電工株式会社等も導電性インクを開発している。
【０２０６】
次に、開口部６６ａ、６６ｂ内に充填された導電性インクに対して、エネルギービームを照射する。ここでは、例えば所定の波長の光を、開口部６６ａ、６６ｂ内に充填された導電性インクに対して照射する。そうすると、導電性インクの溶媒が気化するとともに、導電性インクに含まれている金属粒子が溶解して繋がり合い、金属により形成された位置規制部材１６ｄ及び柱状の導電体１８ａが形成される。
【０２０７】
このように、本実施形態では、導電体を含む液体を用いて位置規制部材１６ｄや柱状の導電体１８ａを形成する。
【０２０８】
次に、図６（ａ）を用いて上述した第１実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、フォトレジスト膜６４を剥離する（図３５（ｂ）参照）。
【０２０９】
次に、図６（ｂ）を用いて上述した第１実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、電子部品１２ａ、１２ｂを配置する。
【０２１０】
次に、図７（ａ）を用いて上述した第１実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、樹脂層１０を形成する。
【０２１１】
次に、図７（ｂ）を用いて上述した第１実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、支持基板５６を熱剥離シート５８とともに除去する（図３６（ａ）参照）。
【０２１２】
この後の電子装置の製造方法は、図８（ｃ）乃至図１２（ｂ）を用いて上述した第１実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため説明を省略する。
【０２１３】
こうして、本実施形態による電子装置が製造される（図３６（ｂ）参照）。
【０２１４】
このように、熱剥離シート５８上に金属箔５８や金属膜６０を介することなく位置規制部材１６ｄや柱状の導電体１８ａを形成するようにしてもよい。
【０２１５】
［変形実施形態］
上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
【０２１６】
例えば、上記実施形態では、再配線層１１を形成した後に、樹脂層１０の一方の面側（図１１における紙面上側の面）を研削する場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。例えば、樹脂層１０の一方の面側（図１１における紙面上側の面）を研削した後に、再配線層１１を形成するようにしてもよい。
【０２１７】
また、上記実施形態では、金属箔６０を熱剥離シート５８に貼り付けた後に金属箔６０上に金属膜６２を堆積する場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。金属箔６０上に金属膜６２が堆積されたものを、熱剥離シート５８に貼り付けるようにしてもよい。
【０２１８】
また、上記実施形態では、位置規制部材１６及び柱状の導電体１８の材料としてＣｕを用いたが、これに限定されるものではない。例えば、位置規制部材１６及び柱状の導電体１８の材料としてＣｕ合金を用いてもよい。また、位置規制部材１６及び柱状の導電体１８の材料として、Ａｇ等を用いてもよい。
【０２１９】
また、第３実施形態では、導電性インクにエネルギービームを照射する場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。例えば、導電性インクに対して熱処理を行うことにより、位置規制部材１６ｄや柱状の導電体１８ａを形成してもよい。
【０２２０】
また、第３実施形態では、導電体を含む液体、より具体的には、導電性インクを用いて位置規制部材１６ｄや柱状の導電体１８ａを形成する場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。例えば、導電性の粉体を用いて位置規制部材１６ｄや柱状の導電体１８ａを形成するようにしてもよい。導電性粉体は、導電性を有する微小球の集合体、即ち、導電性粒子の集合体である。かかる微小球の材料としては、例えばＣｕ合金やはんだ等を用いることができる。微小球の直径は、例えば数μｍ程度とする。微小球の融点より高い温度で加熱すると、微小球が溶解し、開口部６６ａ、６６ｂ内に隙間なく導電体が充填される。これにより、位置規制部材１６ｄや柱状の導電体１８ａを開口部６６ａ、６６ｂ内に形成することができる。
【０２２１】
また、第１実施形態及び第２実施形態では、電解めっき法により位置規制部材１６や柱状の導電体１８を形成する場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。例えば、導電体を含む液体や導電性粉体を用いて位置規制部材１６や柱状の導電体１８を形成するようにしてもよい。
【０２２２】
また、上記実施形態では、接着層５８として、加熱することにより粘着力が低下する熱剥離シートを用いる場合を例に説明したが、接着層５８は熱剥離シートに限定されるものではない。例えば、紫外線等を照射することにより粘着力が低下する材料を、接着層５８の材料として用いてもよい。
【０２２３】
また、第１及び第２実施形態では、金属箔５８の材料としてＡｌを用いる場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。例えば、金属箔５８の材料として、Ｃｕを用いてもよい。即ち、金属箔５８として銅箔を用いてもよい。この場合には、銅箔５８上にＣｕの金属膜６２を形成しなくてよい。銅箔５８をシード層として位置規制部材１６や柱状の導電体１８を電解めっき法により形成することが可能である。
【０２２４】
また、電子装置１２ａ、１２ｂを配置する際に、接着剤を用いてもよい。かかる接着剤としては、例えば、希釈したレジスト等を用いてもよい。接着剤としてレジストを用いて場合には、剥離液等を用いて容易に除去することが可能である。
【０２２５】
また、上記実施形態では、感光性の有機膜６４、即ち、フォトレジスト膜を用いる場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。非感光性の有機膜６４を形成し、レーザビーム等を用いて開口部６６ａ、６６ｂを非感光性の有機膜６４に形成するようにしてもよい。
【０２２６】
また、位置規制部材１６を放熱板（図示せず）等に接続するようにしてもよい。位置規制部材１６を放熱板に接続すれば、電子部品１２ａ、１２ｂから放出される熱を、位置規制部材１６を介して効率的に放熱することが可能となり、電子装置の更なる信頼性の向上に寄与することができる。
【０２２７】
上記実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
【０２２８】
（付記１）
支持基板上に、柱状の導電体を形成するとともに、電子部品の配置位置を規制する位置規制部材を形成する工程と、
前記位置規制部材により規制された前記配置位置に前記電子部品を配置する工程と、
前記電子部品、前記位置規制部材及び前記柱状の導電体を樹脂層により埋め込む工程と、
前記支持基板を除去する工程と
を有することを特徴とする電子装置の製造方法。
【０２２９】
（付記２）
付記１記載の電子装置の製造方法において、
前記柱状の導電体及び前記位置規制部材を形成する工程の前に、前記支持基板上に有機膜を形成する工程と；前記柱状の導電体を形成するための第１の開口部と前記位置規制部材を形成するための第２の開口部とを前記有機膜に形成する工程とを有し、
前記柱状の導電体及び前記位置規制部材を形成する工程では、前記第１の開口部内に前記柱状の導電体を形成するとともに前記第２の開口部内に前記位置規制部材を形成し、
前記柱状の導電体及び前記位置規制部材を形成する工程の後、前記電子部品を配置する工程の前に、前記有機膜を除去する工程を更に有する
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
【０２３０】
（付記３）
付記２記載の電子装置の製造方法において、
前記支持基板上に前記有機膜を形成する工程の前に、前記支持基板上に熱剥離シートを形成する工程と；前記熱剥離シート上に第１の膜を形成する工程とを更に有し、
前記支持基板を除去する工程では、前記熱剥離シートとともに前記支持基板を除去し、
前記支持基板を除去する工程の後に、前記第１の膜をエッチング除去する工程を更に有する
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
【０２３１】
（付記４）
付記２記載の電子装置の製造方法において、
前記支持基板上に前記有機膜を形成する工程の前に、前記支持基板上に熱剥離シートを形成する工程と；前記熱剥離シート上に第１の膜を形成する工程とを更に有し、
前記柱状の導電体及び前記位置規制部材を形成する工程の後、前記電子部品を配置する工程の前に、前記柱状の導電体及び前記位置規制部材により覆われていない部分の前記第１の膜をエッチング除去する工程を更に有する
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
【０２３２】
（付記５）
付記２記載の電子装置の製造方法において、
前記支持基板上に前記有機膜を形成する工程の前に、前記支持基板上に熱剥離シートを形成する工程を更に有し、
前記柱状の導電体及び前記位置規制部材を形成する工程では、前記熱剥離シート上に前記柱状の導電体及び前記位置規制部材を直接形成する
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
【０２３３】
（付記６）
付記２乃至５のいずれかに記載の電子装置の製造方法において、
前記柱状の導電体及び前記位置規制部材を形成する工程では、前記有機膜をマスクとし、電解めっき法により、前記柱状の導電体及び前記位置規制部材を形成する
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
【０２３４】
（付記７）
付記６記載の電子装置の製造方法において、
前記第１の膜は、第１の層と、前記第１の層上に形成され、前記第１の層とエッチング特性が異なり、前記柱状の導電体及び前記位置規制部材と同一の材料の第２の層とを有し、
前記柱状の導電体及び前記位置規制部材を形成する工程では、前記第２の層をシード層として前記柱状の導電体及び前記位置規制部材を形成する
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
【０２３５】
（付記８）
付記２乃至５のいずれかに記載の電子装置の製造方法において、
前記柱状の導電体及び前記位置規制部材を形成する工程では、導電体を含む液体又は導電性粉体を用いて前記柱状の導電体及び前記位置規制部材を形成する
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
【０２３６】
（付記９）
付記６乃至８のいずれかに記載の電子装置の製造方法において、
前記柱状の導電体及び前記位置規制部材は、Ｃｕを含む
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
【０２３７】
（付記１０）
付記８記載の電子装置の製造方法において、
前記導電体を含む液体は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、ＳｎＯ２、インジウム錫酸化物、カーボンナノチューブ、又は、グラフェンを含む
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
【０２３８】
（付記１１）
付記１乃至１０のいずれかに記載の電子装置の製造方法において、
前記電子部品は、電極が形成されている側の面である第１の主面と、前記第１の主面の反対側の面である第２の主面とを有し、
前記第２の主面側から前記第１の主面側に向かって前記電子部品の寸法が徐々に小さくなるように、前記電子部品の側面がテーパ状になっている
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
【０２３９】
（付記１２）
付記１乃至１１のいずれかに記載の電子装置の製造方法において、
前記柱状の導電体及び前記位置規制部材を形成する工程の後に、前記位置規制部材を補強する補強膜を形成する工程を更に有する
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
【０２４０】
（付記１３）
付記１乃至１２のいずれかに記載の電子装置の製造方法において、
前記支持基板を除去する工程の後、前記樹脂層の一方の面側に、絶縁膜を形成する工程と；前記絶縁膜に前記電子部品の電極に達する第３の開口部と前記柱状の導電体に達する第４の開口部とを形成する工程と；前記絶縁膜の一方の面側に、前記電子部品の前記電極又は前記柱状の導電体に接続された配線を形成する工程とを更に有する
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
【０２４１】
（付記１４）
付記１乃至１３のいずれかに記載の電子装置の製造方法において、
前記柱状の導電体及び前記位置規制部材を形成する工程では、前記電子部品の前記配置位置を囲うように前記位置規制部材を形成する
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
【０２４２】
（付記１５）
付記１乃至１３のいずれかに記載の電子装置の製造方法において、
前記柱状の導電体及び前記位置規制部材を形成する工程では、前記電子部品の各角部の位置を規制するように前記位置規制部材を形成する
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
【０２４３】
（付記１６）
付記１乃至１３のいずれかに記載の電子装置の製造方法において、
前記柱状の導電体及び前記位置規制部材を形成する工程では、前記電子部品の周縁の各辺の位置を規制するように前記位置規制部材を形成する
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
【０２４４】
（付記１７）
付記１記載の電子装置の製造方法において、
前記柱状の導電体が露出するまで前記樹脂層の一部を研削除去する工程を更に有する
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
【０２４５】
（付記１８）
電子部品と、
前記電子部品の配置位置を規制する位置規制部材と、
前記位置規制部材と同一の材料により形成された柱状の導電体と、
前記電子部品、前記位置規制部材及び前記柱状の導電体を埋め込む樹脂層と
を有することを特徴とする電子装置。
【０２４６】
（付記１９）
付記１８記載の電子装置において、
前記電子部品は、電極が形成されている側の面である第１の主面と、前記第１の主面の反対側の面である第２の主面とを有し、
前記第２の主面側から前記第１の主面側に向かって前記電子部品の寸法が徐々に小さくなるように、前記電子部品の側面がテーパ状になっている
ことを特徴とする電子装置。
【０２４７】
（付記２０）
付記１８又は１９記載の電子装置において、
前記位置規制部材を補強する補強膜を更に有する
ことを特徴とする電子装置。
【０２４８】
（付記２１）
付記１８乃至２０のいずれかに記載の電子装置において、
前記位置規制部材は、前記電子部品の周縁を囲っている
ことを特徴とする電子装置。
【０２４９】
（付記２２）
付記１８乃至２０のいずれかに記載の電子装置において、
前記位置規制部材は、前記電子部品の各角部の位置を規制するように形成されている
ことを特徴とする電子装置。
【０２５０】
（付記２３）
付記１８乃至２０のいずれかに記載の電子装置において、
前記位置規制部材は、前記電子部品の周縁の各辺の位置を規制するように形成されている
ことを特徴とする電子装置。
【符号の説明】
【０２５１】
２…電子装置
１０…樹脂層
１２ａ〜１２ｄ…電子部品
１４…電極
１６、１６ａ〜１６ｄ…位置規制部材
１８…柱状の導電体
２０…絶縁膜
２２…開口部
２４…ビア
２６…配線
２８…絶縁膜
３０…開口部
３２…ビア
３４…電極パッド
３６…絶縁膜
３８…開口部
４０…半田バンプ
４２…絶縁膜
４４…開口部
４６…半田バンプ
４８…回路基板
５０…回路基板
５２…電極
５３…封止樹脂
５４…電極
５５…封止樹脂
５６…支持基板
５８…接着層
６０…金属箔
６２…金属膜
６４…フォトレジスト膜
６６ａ、６６ｂ…開口部
６８…構造体
７０…部分構造物
７２…部分構造物
７４…部分構造物
７６…補強膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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