(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面電極の少なくとも一部が電気的絶縁被膜で被覆された半導体素子に検査電流を印加する電流印加装置であって、
前記半導体素子に検査電流を印加するために前記被膜を貫通して前記表面電極に接触する複数の突起を有する接触部と、
前記突起が前記被膜を貫通して前記表面電極に接触するように前記接触部を前記半導体素子に押し当てる押当て部とを備え、
前記接触部は、湾曲形状に形成された面上に中心部と周縁部とに分布して前記複数の突起を備え、前記押当て部による押圧により前記湾曲形状の面が平面状に変形され、
前記接触部の前記複数の突起を備えた面は、前記中心部が前記半導体素子に対して反対側に突出すると共に前記周縁部が半導体素子側に突出するように湾曲し、
前記押当て部による押圧方向に対する傾きが、前記中心部の突起より前記周縁部の突起の方が大きいことを特徴とする電流印加装置。
【請求項２】
前記接触部は、円盤状であることを特徴とする請求項１に記載の電流印加装置。
【請求項３】
前記突起は、錐台状からなることを特徴とする請求項１又は２に記載の電流印加装置。
【請求項４】
表面電極の少なくとも一部が電気的絶縁被膜で被覆された半導体素子を形成する形成工程と、
前記形成工程で形成された半導体素子に、湾曲形状に形成された面上に中心部と周縁部とに分布して複数の突起を備える接触部を押当て部により押し当てることによって前記接触部の湾曲形状の面を平面状に変形させ、前記突起によって前記被膜を削りながら貫通させて前記表面電極に接触させて検査電流を印加する電流印加工程と、
前記電流印加工程で検査電流が印加される半導体素子が、該検査電流に基づき、所定の性能を満たすか否かを判定する判定工程とを備え、
前記接触部の前記複数の突起を備えた面は、前記中心部が前記半導体素子に対して反対側に突出すると共に前記周縁部が半導体素子側に突出するように湾曲し、
前記押当て部による押圧方向に対する傾きが、前記中心部の突起より前記周縁部の突起の方が大きくされて、前記電流印加工程において、前記周縁部の突起は前記中心部の突起より、前記被膜を削る距離が大きくなることを特徴とする半導体素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子に検査電流を印加する電流印加装置及びこれを用いて検査する半導体素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体素子の検査に用いられる半導体素子検査装置は、半導体素子の電気的特性を検査するための検査電流を半導体素子に印加する電流印加装置を備える。従来、かかる電流印加装置として、一定の間隔で配置した複数の突起からなる突起群を有する平面状の接触部（プローブ）を介して検査電流を印加するものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
このような電流印加装置では、突起群を構成する各突起が半導体素子のアクティブ領域内の接触領域に接触するように、接触部をスプリングで半導体素子に押し当てながら検査電流を印加する。このとき、各突起の先端が、半導体素子の表面電極を被覆する電気的絶縁被膜を貫通して該表面電極と接触することにより、検査電流を半導体素子に印加することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２１８６７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記のように検査するとき、半導体素子の電気的特性をより正確に検査するためには、接触部の突起が表面電極と良好に接触することが必要である。
【０００６】
本発明の目的は、半導体素子に検査電流を印加する際に、接触部の突起と表面電極との電気的接触性を向上することができる電流印加装置と、これを用いて適正に検査された半導体素子を製造する方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の電流印加装置は、表面電極の少なくとも一部が電気的絶縁被膜で被覆された半導体素子に検査電流を印加する電流印加装置であって、前記半導体素子に検査電流を印加するために前記被膜を貫通して前記表面電極に接触する複数の突起を有する接触部と、前記突起が前記被膜を貫通して前記表面電極に接触するように前記接触部を前記半導体素子に押し当てる押当て部とを備え、前記接触部は、湾曲形状に形成された面上に中心部と周縁部とに分布して前記複数の突起を備え、前記押当て部による押圧により前記湾曲形状の面が平面状に変形され、前記接触部の前記複数の突起を備えた面は、前記中心部が前記半導体素子に対して反対側に突出すると共に前記周縁部が半導体素子側に突出するように湾曲し、前記押当て部による押圧方向に対する傾きが、前記中心部の突起より前記周縁部の突起の方が大きいことを特徴とする。
【０００８】
本発明の電流印加装置では、複数の突起が接触部の湾曲形状の面上に形成されていることから、複数の突起のうち、湾曲形状の面上で半導体素子の表面と略平行な領域に設けられた突起は、押当て部による押圧方向に向いていて、湾曲形状の面上で半導体素子の表面に対して傾いた領域に設けられた突起は、前記押圧方向に対して傾いた方向に向いている。ここで、突起の向きは、突起の基端の中心位置から先端への方向をいう。
【０００９】
そして、検査対象の半導体素子に検査電流を印加する際には、押当て部により接触部の湾曲面を半導体素子の表面に押圧すると、接触部の面が湾曲形状から平面状に変形させられる。これに伴い、接触部の湾曲形状の面上で半導体素子の表面に対して傾いた領域に設けられた突起は、その向きを押圧方向に変えることによって半導体素子の被膜を削りながら貫通して表面電極に接触する。このとき、半導体素子では、突起の先端により、突起の先端が接触する領域部分の被膜が削られるので、その削られた分、表面電極が大きく露出される。
【００１０】
したがって、本発明の電流印加装置によれば、従来の電流印加装置と比較して、半導体素子の表面電極が大きく露出されるので、半導体素子に検査電流を印加する際に、接触部の突起と該表面電極との電気的接触性が向上する。これにより、本発明の電流印加装置は、半導体素子の電気特性をより正確に検査することができる。
【００１３】
本発明によれば、接触部が湾曲形状を保持している通常状態では、前記接触部の周縁部に設けられた突起は、押当て部による押圧方向に対して傾いた方向に向いていて、突起が前記接触部の中心部から離れて周縁部に近いほど、前記押圧方向に対する傾きが大きい。
【００１４】
このため、検査時には、前記接触部を半導体素子に押圧して接触部の面を湾曲形状から平面状に変形させると、接触部の周縁部に近い位置に設けられた突起ほど、向きが押圧方向に変わる際の変位が大きいので、それらの突起の先端の移動距離が大きくなる。これにより、半導体素子は、周縁部に近い領域ほど、突起の先端によって被膜が大きく削られて、接触領域が大きく露出されることとなる。
【００１５】
したがって、半導体素子の周縁部においても、接触部の突起と表面電極との電気的接触性が向上して接触抵抗を低減することができる。
【００１６】
本発明の電流印加装置において、前記接触部は、円盤状であることが好ましい。また、本発明の電流印加装置において、前記突起は、錐体形状からなるものであってもよいが、錐台形状からなることがより好ましい。突起が錐体形状からなる場合には、半導体素子の被膜は、錐体形状の先端の１つの頂点の移動によって削られる。一方、突起が錐台形状からなる場合には、錐台形状の上端面の移動によって前記被膜を削ることにより、錐体形状の場合と比較して、被膜が大きく削られる。したがって、突起が錐台形状からなる場合には、表面電極の露出面積がさらに大きくなることによって、電気的接触性がさらに向上し、接触抵抗を低減することができる。
【００１７】
また、本発明の半導体素子製造方法は、表面電極の少なくとも一部が電気的絶縁被膜で被覆された半導体素子を形成する形成工程と、前記形成工程で形成された半導体素子に、湾曲形状に形成された面上に中心部と周縁部とに分布して複数の突起を備える接触部を押当て部により押し当てることによって前記接触部の湾曲形状の面を平面状に変形させ、前記突起によって前記被膜を削りながら貫通させて前記表面電極に接触させて検査電流を印加する電流印加工程と、前記電流印加工程で検査電流が印加される半導体素子が、該検査電流に基づき、所定の性能を満たすか否かを判定する判定工程とを備え、前記接触部の前記複数の突起を備えた面は、前記中心部が前記半導体素子に対して反対側に突出すると共に前記周縁部が半導体素子側に突出するように湾曲し、前記押当て部による押圧方向に対する傾きが、前記中心部の突起より前記周縁部の突起の方が大きくされて、前記電流印加工程において、前記周縁部の突起は前記中心部の突起より、前記被膜を削る距離が大きくなることを特徴とする。
【００１８】
本発明の半導体素子製造方法では、まず、形成工程において、表面電極の少なくとも一部が電気的絶縁被膜で被覆された半導体素子を形成する。
【００１９】
次に、電流印加工程において、前記形成工程で形成された半導体素子に、接触部を押し当てて突起によって半導体素子の被膜を貫通させて表面電極に接触させることにより、検査電流を印加する。
【００２０】
接触部を半導体素子に押し当てたとき、接触部の湾曲形状の面が平面状に変形される。これに伴って、接触部の湾曲形状の面上で半導体素子の表面と略平行な領域に設けられた突起が、その向きを押圧方向に変えることによって半導体素子の被膜を削りながら貫通して表面電極に接触する。このとき、半導体素子では、突起の先端により、突起の先端が接触する領域部分の被膜が削られるので、その削られた分、表面電極が大きく露出される。この結果、半導体素子に検査電流を印加する際に、接触部の突起と該表面電極との電気的接触性が向上し、半導体素子の電気特性をより正確に検査することができる。
【００２１】
そして、判定工程において、前記電流印加工程で検査電流が印加される半導体素子が、該検査電流に基づき、所定の性能を満たすか否かを判定する。
【００２２】
したがって、本発明の半導体素子製造方法によれば、前記電流印加工程において、半導体素子の電気特性をより正確に検査することができるので、適正に検査された半導体素子を製造することができる。
【００２３】
さらに、本発明の半導体素子製造方法では、半導体素子は、周縁部に近い領域ほど、突起の先端によって被膜が大きく削られて、接触領域が大きく露出されることとなる。したがって、半導体素子の周縁部においても、接触部の突起と表面電極との電気的接触性が向上して接触抵抗を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の一実施形態に係る電流印加装置の斜視図である。
【図２】図１の電流印加装置の分解斜視図である。
【図３】図１の電流印加装置における接触部と検査電流が印加される半導体素子の断面図である。
【図４】図１の電流印加装置における接触部の一部の拡大図である。
【図５】図３の接触部に設けられる突起の一例を示す図であり、（ａ）は正面図、（ｂ）は平面図である。
【図６】図１の電流印加装置により検査電流が印加される半導体素子の平面図である。
【図７】図３の接触部に設けられた突起の頂点の半導体素子表面上での移動を示す図である。
【図８】突起の変形例を示す図であり、（ａ）は正面図、（ｂ）は平面図、（ｃ）は突起の先端面の半導体素子表面上での移動を示す図である。
【図９】図１の電流印加装置を用いて適正に検査された半導体素子を製造する方法の工程を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。実施形態の電流印加装置は、外部電源から電流が供給されて、半導体素子を検査するための検査電流を半導体素子に印加するために用いられ、特に４００〜２０００［Ａ］程度の大電流のスイッチングに用いられるパワー半導体素子の検査に適している。半導体素子としては、例えば、ＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）やパワーＭＯＳＦＥＴが該当し、表面電極の少なくとも一部が電気的絶縁被膜で絶縁されている。本実施形態では、表面電極の電気的絶縁被膜とは反対側にアクティブ領域及び接触領域を備える半導体素子の場合について説明するが、これに限定されない。
【００２６】
図１及び図２に示すように、電流印加装置１は、外部電源（図示せず）に接続して、検査される半導体素子に印加する検査電流が供給される円盤状の接触部２と、接触部２を保持して該半導体素子に押し当てる押当て部３とを備える。
【００２７】
接触部２は、後述する突起群が設けられた接触面４を、検査される半導体素子が配置される側（以下、単に「素子側」という。）に有する。押当て部３は、ほぼ円筒形状を有しており、その内側に接触部２を保持する。押当て部３は、接触部２を、接触面４が該円筒形状の軸線の方向（以下、単に「軸線方向」という。）にほぼ垂直となるように保持しながら、軸線方向に沿って半導体素子に押し当てる。
【００２８】
押当て部３は、図２に示すように、円盤状の基部５と、基部５の素子側の面上で縦横に一定間隔で配列される多数のバネ付きピン６と、バネ付きピン６を軸線方向に垂直な方向に支持しながら軸線方向に沿って案内する円盤状の案内支持部７と、接触部２を案内支持部７の素子側に取り付けるためのリング状の取付け部８と、接触部２と取付け部８とを絶縁する絶縁プレート９と、接触部２を軸線方向に案内する円筒ピン１０とを備える。
【００２９】
案内支持部７は、基部５に対し、固定ネジ１１で平行に固定される。基部５には、円筒ピン１０の素子側と反対側の端部を挿入して位置決めするための位置決め孔１２と、固定ネジ１１が螺合されるネジ孔１３とが設けられる。
【００３０】
案内支持部７には、各バネ付きピン６を軸線方向と垂直な方向に支持しながら軸線方向に案内するバネ付きピン６と同数の貫通孔で構成される案内孔群１４と、円筒ピン１０を軸線方向と垂直な方向に支持しながら軸線方向に案内する貫通孔としての案内孔１５と、素子側の面に立設された円筒状の突出部１６とが設けられる。
【００３１】
案内支持部７の外周には、取付け部８を案内支持部７に固定するための雄ネジが設けられる。案内孔群１４の配列は、案内支持部７の素子側の面において、接触部２の接触面４に対応する矩形状のパターンを構成している。すなわち、案内孔群１４により案内される各バネ付きピン６により、接触部２の接触面４と反対側の面が、接触面４に丁度対応する領域において支持される。
【００３２】
案内孔１５及び突出部１６は、該矩形状パターンの対向する２辺の外側に位置する。接触部２には、案内孔１５及び突出部１６に対応する位置に、貫通孔１７及び１８が設けられる。接触部２の接触面４を構成している部分は、段差を経て素子側に出っ張っており、矩形状の台状部によって角形状の領域を形成している。
【００３３】
絶縁プレート９には、案内支持部７の突出部１６が挿入される開口孔１９と、接触面４を構成している台状部が挿入される開口部２０とが設けられる。絶縁プレート９は、取付け部８の内壁に収まる外径を有する。取付け部８の内壁には、案内支持部７の雄ネジに対応する雌ネジが設けられる。取付け部８の素子側の端面は、絶縁プレート９の外径よりやや小さい内径で開口している。
【００３４】
図３に示すように、接触部２は、例えば縦１［ｃｍ］、横１［ｃｍ］、厚さ６５０［μｍ］のＮｉ板２ａ上に、例えば厚さ５０［μｍ］の硬質Ｎｉ膜２ｂを形成してなり、硬質Ｎｉ膜２ｂが半導体素子２２に臨む接触面４を構成している。接触部２は、中心部が半導体素子２２とは反対側（Ｎｉ板２ａ側）に突出し、周縁部が半導体素子２２側（Ｎｉ膜２ｂ側）に突出するように湾曲していて、湾曲の高さＨが例えば１５［μｍ］に形成されている。
【００３５】
図４に示すように、上記接触部２の湾曲形状に形成された接触面４上には、複数の突起２１で構成される突起群が設けられている。突起２１は、接触面４上に所定のピッチＤが、例えば０．５［ｍｍ］程度の間隔で、行列状に配置される。接触部２に供給される検査電流は、各突起２１を介して、検査対象の半導体素子２２の表面電極２２ａに流入する。
【００３６】
図３に示すように、複数の突起２１のうち、接触面４上で半導体素子２２の表面と略平行な領域に設けられた突起２１ａは、押当て部３による押圧方向（図中の矢印で示す方向）に向き、接触面４上で半導体素子２２の表面に対して傾いた領域に設けられた突起２１ｂ，２１ｃは、前記押圧方向に対して傾いた方向に向いている。ここで、突起２１の向きとは、図５（ａ）に示すように、突起２１の基端の中心位置から先端への方向をいう。突起２１は、接触面４の中心部から離れて周縁部に近いほど、前記押圧方向に対する傾きが大きくなる、すなわち、突起２１ａ，２１ｂ，２１ｃの順でその傾きが大きくなる。
【００３７】
接触面４上の突起群は、検査対象の半導体素子２２の表面に押し当てられたとき、突起２１の先端が、図３に示す半導体素子２２の表面の電気的絶縁被膜２２ｂを貫通して、表面電極２２ａと良好に接触する。これにより、表面電極２２ａを介して、アクティブ領域２３の内側の接触領域２４に検査電流を印加することができる。
【００３８】
図５（ａ）は１つの突起２１の形状を示す正面図であり、図５（ｂ）はその平面図である。図５（ａ）に示すように、突起２１は、例えば縦１０［μｍ］、横１０［μｍ］、高さ５［μｍ］の四角錐の形状に形成されている。
【００３９】
電流印加装置１は、次のようにして組み立てることができる。すなわち、まず、案内支持部７の案内孔群１４にバネ付きピン６を装填し、案内支持部７を２本の固定ネジ１１で基部５に取り付ける。次に、円筒ピン１０を案内支持部７の案内孔１５に挿入し、さらに円筒ピン１０の端部を基部５の位置決め孔１２に挿入する。
【００４０】
次に、接触部２を、その貫通孔１７と１８とにそれぞれ円筒ピン１０と案内支持部７の突出部１６とが挿入されるようにして、案内支持部７の素子側に配置する。次に、絶縁プレート９を、その開口部２０に、接触部２の接触面４を構成している台状部が挿入され、かつ開口孔１９に、接触部２の貫通孔１８から突出する案内支持部７の突出部１６が挿入されるようにして、接触部２の素子側に配置する。
【００４１】
そして、取付け部８の雌ネジを案内支持部７の雄ネジに締結させることにより、取付け部８を案内支持部７に固定する。これにより、電流印加装置１の組立てが完了し、接触部２及び押当て部３は、図１の状態となる。
【００４２】
この状態において、接触部２の接触面４と反対側の面における接触面４に対応する領域が、多数のバネ付きピン６によって素子側に付勢されながら基部５上で支持されている。また、接触部２は、円筒ピン１０及び突出部１６によって軸線方向と垂直な方向に位置決めされ、かつ軸線方向に多少移動可能に案内されている。
【００４３】
このため、接触部２は、検査される半導体素子２２の表面に押し当てられたとき、該表面と接触面４との傾きに差がある場合には、その差が解消されるように、多少傾くことができる。
【００４４】
図６は、電流印加装置１により検査電流が印加される半導体素子２２の平面図である。図６に示すように、半導体素子２２は、その複数のセルが配置されたアクティブ領域２３を有する。アクティブ領域２３の内側に接触領域２４が設定されている。接触領域２４は、半導体素子２２の検査時に、電流印加装置１により検査電流が印加される部分である。
【００４５】
検査電流の印加時には、電流印加装置１の接触面４上の各突起２１が、接触領域２４内の複数の接触点２５でそれぞれ接触し、各突起２１から、対応する接触点２５の近傍に電流が流入する。
【００４６】
半導体素子２２への検査電流の印加時には、電流印加装置１が組み込まれた半導体検査装置により、電流印加装置１が、半導体素子２２に対して所定位置に位置するように位置決めされる。この位置において、押当て部３は、接触面４上の突起群が表面電極２２ａに接触するように、接触部２をバネ付きピン６の配列により半導体素子２２に、例えば２．１７［ＭＰａ］の圧力で押し当てる。
【００４７】
このとき、接触部２は、円筒ピン１０及び突出部１６により若干傾き可能に案内されているので、接触面４の半導体素子２２表面に対する多少の傾きは、各バネ付きピン６の収縮量の差異により吸収され、これにより、接触面４の各突起２１は、半導体素子２２表面に対してほぼ均等な押圧力で接触することができる。
【００４８】
そして、接触部２の接触面４を押当て部３により半導体素子２２に押し当てたとき、接触面４が湾曲形状から平面形状に変形させられる。このとき、図３に示すように、接触面４の中心部に設けられ、押圧前に押圧方向に向いている突起２１ａは、その向きを保ちながら被膜２２ｂを貫通して表面電極２２ａに接触する。
【００４９】
一方、接触面４の周縁部に設けられ、押圧前に押圧方向に対して傾いた方向に向いている突起２１ｂ，２１ｃは、接触面４の変形に伴ってその向きを押圧方向に変えることによって前記被膜２２ｂを削りながら被膜２２ｂを貫通して表面電極２２ａに接触する。このとき、接触部２の周縁部に設けられた突起２１ｂ，２１ｃは、図７に示すように、その先端が四角形の対角線方向に位置Ｐ１から位置Ｐ２へ移動するに伴い、先端が接触する領域部分の被膜２２ｂを削っていくので、表面電極２２ａが大きく露出される。尚、突起２１ｂ，２１ｃは、その先端が四角形の対角線方向に移動するのに伴って、図７に示すように、四角形の底面が対角線方向に延びた形状に変化する。
【００５０】
上記のように、本実施形態の電流印加装置１によれば、従来の電流印加装置と比較して、半導体素子２２の表面電極２２ａが大きく露出するので、半導体素子２２に検査電流を印加する際に、接触部２の突起２１の先端と半導体素子２２の表面電極２２ａとの電気的接触性が向上し、これにより、半導体素子２２の電気特性をより正確に検査することができる。
【００５１】
特に、突起２１は、接触面４の中心部から離れて周縁部に近いほど、押圧前に押圧方向に対する傾きが大きいので、押圧した際に向きが変わる際の変位が大きく、突起２１の先端の移動距離が大きくなる。例えば、突起２１の接触部２の中心部からの距離が０／０．３／０．５／０．６［ｃｍ］である場合には、押圧した際の突起２１の先端の移動距離は、それぞれ０／１／７／９［μｍ］となる。この結果、突起２１は、接触面４の中心部から離れて周縁部に近いほど、半導体素子２２の被膜２２ｂを大きく削ることができ、半導体素子２２の周縁部においても、接触部２の突起２１と表面電極２２ａとの電気的接触性が向上する。
【００５２】
例えば、従来の平面状の接触部を備える電流印加装置では、接触面の中心部の突起及び周縁部の突起の接触抵抗が２０〜２００［Ω］の範囲であり、特に周縁部の突起における接触不良が生じていた。しかしながら、本実施形態の電流印加装置１では、前記接触抵抗を２０〜４０［Ω］の範囲とすることができ、周縁部の突起２１における接触不良を解消し、全体として、接触抵抗を低減することができる。
【００５３】
本実施形態の電流印加装置１では、突起２１が四角錐の形状に形成されているが、図８（ａ）に示すように、頂部を平坦にした四角錐台の形状であることがより好ましい。さらに、突起２１が四角錐台の形状である場合には、先端面は、一辺の長さが半導体素子２２の凹凸表面の算術平均粗さＲａよりも大きいことが好ましい。
【００５４】
突起２１ｃが四角錐状の形状である場合には、図７に示すように、四角錐状の先端の１つの頂点が位置Ｐ１から位置Ｐ２へ移動することにより、半導体素子２２の被膜２２ｂが削られる。一方、突起２１ｃが四角錐台状の形状を備える場合には、図８（ｃ）に示すように、四角形の先端面が対角線方向に位置Ｐ３から位置Ｐ４へ移動する。この先端面の移動によって、半導体素子２２の被膜２２ｂが削られるので、突起２１は、四角錐状の形状である場合と比較して、表面電極２２ａの露出面積がさらに大きくなり、電気的接触性がさらに向上する。
【００５５】
また、突起２１の先端面の一辺が半導体素子２２の凹凸表面の算術平均粗さＲａよりも大きい寸法を備える場合には、突起２１の先端面が半導体素子２２の凹部を跨ぐ形で半導体素子２２の表面電極２２ａに接触させることができるので、電気的接触性がさらに向上する。
【００５６】
なお、突起２１の形状は、上記のようにして良好な接触による導通を確保できる形状であればよく、多角錐状、多角錐台状のものに限定されず、円錐状、円錐台状であってもよい。
【００５７】
最後に、本発明の半導体素子の製造方法について説明する。
【００５８】
図９に示すように、実施形態の製造方法は、半導体素子を形成する工程ＳＴ１と、この工程で形成された半導体素子の良否判定のために、上述した電流印加装置１を用いて検査電流を印加して検査する試験工程ＳＴ２と、この工程で検査電流が印加された半導体素子が破壊されたか否かを判別する工程ＳＴ３と、この工程での判別結果により良品と判定する工程ＳＴ４と、不良品を判定する工程ＳＴ５とを備える。
【００５９】
ここで、試験工程ＳＴ２は、本発明の製造方法における電流印加工程に相当し、判別工程ＳＴ３からＳＴ５が、本発明の製造方法において半導体素子が所定の性能を満たすか否かを判定する判定工程に相当する。
【００６０】
上記実施形態では、形成工程ＳＴ１において公知の製造技術により製造された半導体素子を検査対象として、工程ＳＴ２で電流印加試験を行う。これは、例えば、特開２００６−２８４４９０号公報に開示されているように、ＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）のＲＢＳＯＡ（逆バイアス安全動作領域）耐量の評価に用いられる試験方法であり、ＲＢＳＯＡは、ＩＧＢＴのターンオフに伴うコレクタ−エミッタ間電圧とコレクタ電流の非破壊動作範囲を表し、この範囲が広いほど逆バイアスに対する非破壊性能が高い。
【００６１】
従って、試験工程ＳＴ２では、電流印加装置１を用いて検査対象の半導体素子に大電流を印加する。例えば、ＲＢＳＯＡの設計値（定格電流）が５００アンペアである場合は、１０００アンペアの電流を印加する。そして、検査電流を印加された半導体素子が所定の性能を満たすか否かを検証することにより、当該半導体素子が破壊されたか否かを判別する（工程ＳＴ３）。その結果、半導体素子が破壊されていない場合は、良品と判定し（工程ＳＴ４）、半導体素子が破壊された場合は、不良品と判定する（工程ＳＴ５）。
【００６２】
本実施形態の方法によれば、上記のように、接触部の突起と半導体素子の表面電極２２ａとの電気的接触性に優れた電流印加装置を用いて適正に検査された半導体素子が製造される。
【符号の説明】
【００６３】
１…電流印加装置、  ２…接触部、  ３…押当て部、  ４…湾曲形状に形成された面、突起を備えた面、  ２１，２１ａ，２１ｂ，２１ｃ…突起、  ２２…半導体素子、  ２２ａ…表面電極、  ２２ｂ…被膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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