(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の上に第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜の上に第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記第２の絶縁膜をエッチングすることにより垂直の側面を有する第１の開口を形成し、前記第１の開口に前記第１の絶縁膜の上面を露出させる工程と、
前記第２の絶縁膜の上と前記第１の開口にマスク膜を形成する工程と、
前記マスク膜をエッチバックすることにより、前記第２の絶縁膜の上面が露出し、前記第１の開口の前記側面を覆い、かつ、前記第１の絶縁膜の前記上面の一部が露出するように前記マスク膜を残す工程と、
前記マスク膜をマスクにして前記第１の絶縁膜をエッチングすることにより、前記第１の開口の下の前記第１の絶縁膜に第２の開口を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜の前記上面の前記マスク膜を除去し、前記第１の絶縁膜の前記上面と前記第２の絶縁膜の前記垂直の側面とを露出させる工程と、
前記第１の開口及び前記第２の開口の内部と前記第２の絶縁膜の上に導電膜を形成する工程と、
化学機械研磨法で前記導電膜を研磨することにより、前記第２の絶縁膜の上から前記導電膜を除去すると共に、前記第１の開口と前記第２の開口の内部に前記導電膜を導電体として残す工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１の開口は、溝状の形状を有し、
前記第２の開口は、溝状の形状を有し、
前記第１の開口と前記第２の開口の内部に残した前記導電体は、配線であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１の開口を形成する工程において、前記第２の絶縁膜の前記エッチングをドライエッチングにより行い、
前記ドライエッチングのエッチングガスとして、前記第２の絶縁膜のエッチングレートが前記第１の絶縁膜のエッチングレートよりも速いガスを使用することを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１の絶縁膜を形成する工程の前に、前記半導体基板の上に第１の拡散防止膜を形成する工程を有し、
前記第２の開口を形成する工程は、前記マスク膜をマスクにしてエッチングした形状の前記第１の絶縁膜をマスクにして、前記第１の拡散防止膜をエッチングする工程を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記導電膜を導電体として残す工程の後に、
前記第２の絶縁膜の上と前記導電体の上を覆うように第２の拡散防止膜を形成する工程と、
前記第２の拡散防止膜の上に第３の絶縁膜を形成する工程と、
前記第３の絶縁膜と前記第２の拡散防止膜を貫通するホールを形成して、前記導電体の表面を露出させる工程と
を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
LSI等の半導体装置の微細化に伴い、半導体装置における配線の形成方法としてダマシン法が採用されつつある。ダマシン法は、絶縁膜の開口に導電膜を埋め込むことにより配線を形成するものであり、エッチングにより導電膜をパターニングする必要がないため、微細な配線を形成するのに有利である。
【０００３】
但し、導電膜の埋め込み不良によって配線にボイドが形成されると、ボイドが原因で配線抵抗が高くなり、半導体装置の歩留まりが低下する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−１５３５４３号公報
【特許文献２】特開２０１１−１５５２２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
半導体装置の製造方法において、半導体装置の歩留まりを向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
以下の開示の一観点によれば、半導体基板の上に第１の絶縁膜を形成する工程と、前記第１の絶縁膜の上に第２の絶縁膜を形成する工程と、前記第２の絶縁膜をエッチングすることにより垂直の側面を有する第１の開口を形成し、前記第１の開口に前記第１の絶縁膜の上面を露出させる工程と、前記第２の絶縁膜の上と前記第１の開口にマスク膜を形成する工程と、前記マスク膜をエッチバックすることにより、前記第２の絶縁膜の上面が露出し、前記第１の開口の前記側面を覆い、かつ、前記第１の絶縁膜の前記上面の一部が露出するように前記マスク膜を残す工程と、前記マスク膜をマスクにして前記第１の絶縁膜をエッチングすることにより、前記第１の開口の下の前記第１の絶縁膜に第２の開口を形成する工程と、前記第１の絶縁膜の前記上面の前記マスク膜を除去し、前記第１の絶縁膜の前記上面と前記第２の絶縁膜の前記垂直の側面とを露出させる工程と、前記第１の開口及び前記第２の開口の内部と前記第２の絶縁膜の上に導電膜を形成する工程と、化学機械研磨法で前記導電膜を研磨することにより、前記第２の絶縁膜の上から前記導電膜を除去すると共に、前記第１の開口と前記第２の開口の内部に前記導電膜を導電体として残す工程とを有する半導体装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
以下の開示によれば、第２の開口を形成するときにマスク膜で第１の開口の側面を覆うので、第２の開口の幅が第１の開口のそれよりも狭くなる。よって、第２の開口の開口端から第２の絶縁膜が張り出すのを防止でき、第２の絶縁膜の張り出しが原因で導電体にボイドが形成されるのを抑制でき、ひいては半導体装置の歩留まりを向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１（ａ）、（ｂ）は、サンプルの製造途中の断面図（その１）である。
【図２】図２（ａ）、（ｂ）は、サンプルの製造途中の断面図（その２）である。
【図３】図３は、サンプルの製造途中の断面図（その３）である。
【図４】図４（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態に係る半導体装置の製造途中の断面図（その１）である。
【図５】図５（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態に係る半導体装置の製造途中の断面図（その２）である。
【図６】図６（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態に係る半導体装置の製造途中の断面図（その３）である。
【図７】図７（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態に係る半導体装置の製造途中の断面図（その４）である。
【図８】図８（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態に係る半導体装置の製造途中の断面図（その５）である。
【図９】図９（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態に係る半導体装置の製造途中の断面図（その６）である。
【図１０】図１０（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態に係る半導体装置の製造途中の断面図（その７）である。
【図１１】図１１（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態に係る半導体装置の製造途中の断面図（その８）である。
【図１２】図１２は、第１実施形態における第４の導電体とその周囲の拡大断面図である。
【図１３】図１３は、第１実施形態においてホールの幅が広くなる要因の一例について説明するための平面図である。
【図１４】図１４（ａ）、（ｂ）は、比較例に係る半導体装置の製造途中の断面図（その１）である。
【図１５】図１５は、比較例に係る半導体装置の製造途中の断面図（その２）である。
【図１６】図１６（ａ）、（ｂ）は、第２実施形態に係る半導体装置の製造途中の断面図（その１）である。
【図１７】図１７（ａ）、（ｂ）は、第２実施形態に係る半導体装置の製造途中の断面図（その２）である。
【図１８】図１８（ａ）、（ｂ）は、第２実施形態に係る半導体装置の製造途中の断面図（その３）である。
【図１９】図１９（ａ）、（ｂ）は、第２実施形態に係る半導体装置の製造途中の断面図（その４）である。
【図２０】図２０（ａ）、（ｂ）は、第２実施形態に係る半導体装置の製造途中の断面図（その５）である。
【図２１】図２１は、第２実施形態に係る半導体装置の製造途中の断面図（その６）である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本実施形態の説明に先立ち、本願発明者が行った調査結果について説明する。
【００１０】
図１〜図３は、その調査におけるサンプルの製造途中の断面図である。その調査では、以下のようにしてダマシン法により配線を形成し、その配線中のボイドの発生要因を特定した。
【００１１】
まず、図１（ａ）に示すように、銅配線１の上に拡散防止絶縁膜８としてCVD法で炭化シリコン膜を５５nm〜６５nmの厚さに形成した後、その拡散防止絶縁膜８の上に第１の絶縁膜２として低誘電率絶縁膜を形成する。
【００１２】
低誘電率絶縁膜は、比誘電率が酸化シリコンの比誘電率（約４．１）よりも低い絶縁膜であり、この例ではCVD法により比誘電率が約２．７〜３．０のSiOC膜を３８０nm〜４２０nm程度の厚さに形成する。
【００１３】
低誘電率絶縁膜は、誘電率が低いため配線間容量の低減には有利であるものの、機械的に脆弱でその表面に傷が付き易い。
【００１４】
そこで、第１の絶縁膜２の上に第２の絶縁膜３を形成し、第１の絶縁膜２の表面に傷が付くのを第２の絶縁膜３で防止する。この例では、第２の絶縁膜３として、第１の絶縁膜２よりも弾性率が高く機械的に強固な膜である炭化シリコン（SiC）膜をCVD法で５５nm〜６５nm程度の厚さに形成する。
【００１５】
次に、図１（ｂ）に示すように、第２の絶縁膜３の上に第１のレジスト膜４を形成した後、その第１のレジスト膜４を露光、現像することにより、第１のレジスト膜４に第１のレジスト開口４ａを形成する。
【００１６】
そして、第１のレジスト開口４ａを通じて第１の絶縁膜２と第２の絶縁膜３とをドライエッチングし、これらの絶縁膜にホール２ａを形成する。
【００１７】
その後に、第１のレジスト膜４を除去する。
【００１８】
続いて、図２（ａ）に示すように、第２の絶縁膜３の上に第２のレジスト膜５を形成し、更にその第２のレジスト膜５を露光、現像することにより、第２のレジスト膜５に第２のレジスト開口５ａを形成する。
【００１９】
そして、CF4ガスとO2ガスとの混合ガスをエッチングガスとして使用しながら、第２のレジスト開口５ａを通じて第１の絶縁膜２の途中の深さまでドライエッチングする。これにより、第２の絶縁膜３に第１の開口３ｂが形成されると共に、第１の絶縁膜２に第１第２の開口２ｂが形成される。
【００２０】
ここで、ドライエッチングは異方的エッチングであるため、第１の絶縁膜２と第２の絶縁膜３の各々の厚さ方向に優先的にエッチングが進行する。
【００２１】
しかし、機械的に脆弱な低誘電率絶縁膜から形成される第１の絶縁膜２においては横方向にもエッチングが進行するため第２の開口２ｂの側面が第１の開口３ｂよりも後退し、点線円Xに示すように第２の開口２ｂの開口端に第２の絶縁膜３が張り出すようになる。
【００２２】
次いで、エッチングガスをCHF3ガスとO2ガスとの混合ガスに切り替えてホール２ａの下の拡散防止絶縁膜８を除去し、ホール２ａに銅配線１の表面を露出させる。
【００２３】
この後に、第２のレジスト膜５を除去する。
【００２４】
次に、図２（ｂ）に示すように、ホール２ａ、第１の開口３ｂ、及び第２の開口２ｂのそれぞれの内面と、第２の絶縁膜３の上面とに、バリアメタル膜６としてスパッタ法によりタンタル膜を１２nm〜１８nm程度の厚さに形成する。
【００２５】
更に、バリアメタル膜６の上にシード層７ｘとしてスパッタ法で銅膜を５５nm〜６５nm程度の厚さに形成した後、そのシード層７ｘを給電層にする電解メッキにより導電膜７として銅膜を形成する。
【００２６】
ここで、既述のように、第２の開口２ｂの開口端において第２の絶縁膜３が張り出しているため、第２の絶縁膜３によって導電膜７の形成が阻害され、導電膜７にボイド７ｖが形成される。
【００２７】
その後に、図３に示すように、第２の絶縁膜３の上の余分なバリアメタル膜６と導電膜７とをCMP法により除去し、これらの膜をホール２ａ、第１の開口３ｂ、及び第２の開口２ｂの内部のみに導電体７ａとして残す。
【００２８】
そのCMPにおいては、第２の絶縁膜３の上にバリアメタル膜６や導電膜７の研磨残を残さないようにオーバー研磨が行われる。
【００２９】
このようにオーバー研磨を行っても、第１の絶縁膜２は第２の絶縁膜３により保護されるため、第１の絶縁膜２にスクラッチと呼ばれる微細な研磨傷が付くのを防止できる。第２の絶縁膜２の上方には後で絶縁膜が積層されるが、このようにスクラッチの発生を防止することでその絶縁膜の表面にスクラッチを反映した凹部が形成されるのを防止し、当該凹部に銅の研磨残渣が残って配線同士が電気的にショートする危険性を低減できる。
【００３０】
また、上記の導電体７ａにおいて、第２の開口２ｂ内に形成された部分は配線として供せられ、ホール２ａ内に形成された部分はその配線と銅配線１とを接続するコンタクトプラグとして供される。このようにコンタクトプラグと配線とを形成するダマシン法はデュアルダマシン法とも呼ばれる。
【００３１】
以上により、調査で使用したサンプルの基本構造が完成した。
【００３２】
この例では、機械的に脆弱な第１の絶縁膜２を保護するために、第１の絶縁膜２よりも機械的に強固な第２の絶縁膜３を形成した。
【００３３】
しかし、このような第１の絶縁膜２と第２の絶縁膜３の材料の相違に起因して、図２（ｂ）を参照して説明したように第２の絶縁膜３が第２の開口２ｂの開口端から張り出し、これが原因で導電体７ａにボイド７ｖが生じることが明らかとなった。
【００３４】
以下に、本実施形態について説明する。
【００３５】
（第１実施形態）
本実施形態では、ダマシン法におけるボイドの発生を以下のようにして抑制する。
【００３６】
図４〜図１１は、本実施形態に係る半導体装置の製造途中の断面図である。
【００３７】
最初に、図４（ａ）に示す断面構造を得るまでの工程について説明する。
【００３８】
まず、シリコン基板２０に素子分離用の溝を形成し、その溝に素子分離絶縁膜２１として酸化シリコン膜を埋め込む。このような素子分離構造はSTI(Shallow Trench Isolation)と呼ばれるが、これに代えてLOCOS(Local Oxidation of Silicon)により素子分離を行ってもよい。また、シリコン基板２０は半導体基板の一例である。
【００３９】
次いで、シリコン基板２０にp型不純物をイオン注入してpウェル２２を形成する。
【００４０】
更に、シリコン基板２０の表面を熱酸化することにより、ゲート絶縁膜２３となる熱酸化膜を形成する。そして、その熱酸化膜の上にCVD法によりポリシリコン膜を形成し、そのポリシリコン膜をパターニングしてゲート電極２４を形成する。
【００４１】
続いて、ゲート電極２４をマスクにしながらシリコン基板２０にn型不純物をイオン注入することにより、低濃度のn型ソースドレインエクステンション２５を形成する。
【００４２】
次いで、シリコン基板２０の上側全面に絶縁膜を形成し、その絶縁膜をエッチバックしてゲート電極２４の横に絶縁性サイドウォール２６を形成する。その絶縁膜として、例えば、CVD法により酸化シリコン膜を形成する。
【００４３】
そして、この絶縁性サイドウォール２６とゲート電極２４とをマスクにしてシリコン基板２０にn型不純物をイオン注入することにより、高濃度のn型ソースドレイン領域２８を形成する。
【００４４】
次に、シリコン基板１の上側全面に金属膜としてコバルト膜を形成し、その金属膜をアニールしてシリコンと反応させ、n型ソースドレイン領域２８の表層に金属シリサイド膜２９を形成する。その後、素子分離絶縁膜２１等の上において未反応となっている金属膜をウエットエッチングして除去する。
【００４５】
以上により、MOSトランジスタTRの基本構造が完成する。
【００４６】
続いて、図４（ｂ）に示すように、シリコン基板２０の上側全面にCVD法によりカバー絶縁膜３１と層間絶縁膜３２とをこの順に形成し、層間絶縁膜３２の上面をCMP法により研磨して平坦化する。なお、カバー絶縁膜３１としては酸窒化シリコン膜を形成し、層間絶縁膜としては酸化シリコン膜を形成する。
【００４７】
更に、カバー絶縁膜３１と層間絶縁膜３２とをパターニングすることによりn型ソースドレイン領域２８の上にコンタクトホール３２ａを形成し、そのコンタクトホール３２ａ内にコンタクトプラグ３５を形成する。
【００４８】
そのコンタクトプラグ３５の形成方法は特に限定されない。例えば、コンタクトホール３２ａの内面にバリアメタル膜としてチタン膜と窒化チタン膜とをこの順にスパッタ法で形成した後、そのバリアメタル膜の上にCVD法でタングステン膜を形成することによりコンタクトプラグ３５を形成し得る。
【００４９】
次に、図５（ａ）に示すように、層間絶縁膜３２とコンタクトプラグ３５のそれぞれの上に第１の拡散防止絶縁膜３７としてCVD法で炭化シリコン膜を２５nm〜３５nm程度の厚さに形成する。その炭化シリコン膜を成膜するための成膜ガスは特に限定されない。本実施形態では、その成膜ガスとしてSi(CH3)4ガスを使用する。
【００５０】
また、第１の拡散防止絶縁膜３７は炭化シリコン膜に限定されず、窒化シリコン膜を第１の拡散防止絶縁膜３７として形成してもよい。
【００５１】
更に、第１の拡散防止絶縁膜３７の上に、Si(CH3)3Hガスを成膜ガスとして使用するCVD法によりSiOC膜を１８０nm〜２００nm程度の厚さに形成し、そのSiOC膜を第１の絶縁膜３８とする。第１の絶縁膜３８はSiOC膜に限定されないが、半導体装置の動作速度の高速化を図るために低誘電率絶縁膜を第１の絶縁膜３８として形成するのが好ましい。そのような低誘電率絶縁膜の材料としては、上記のSiOC膜の他に、多孔性の酸化シリコンの一種であるNano Clustering Silica（日揮触媒化成株式会社製）もある。
【００５２】
また、動作速度の高速化が要求されない場合には、これらの低誘電率絶縁膜に代えて酸化シリコン膜を第１の絶縁膜３８として形成してもよい。
【００５３】
更に、その第１の絶縁膜３８の上に第２の絶縁膜４０としてCVD法で炭化シリコン膜を５５nm〜６５nm程度の厚さに形成する。
【００５４】
第２の絶縁膜４０は、第１の絶縁膜３８の表面を保護するハードマスクとしての役割を担うものであり、第１の絶縁膜４０よりも弾性率が高い膜であるのが好ましい。そのような膜としては、上記の炭化シリコン膜の他に窒化シリコン膜もある。
【００５５】
次いで、図５（ｂ）に示すように、第２の絶縁膜４０の上に第１のレジスト膜４２を形成し、それを露光、現像して第１のレジスト開口４２ａを形成する。
【００５６】
そして、第１のレジスト膜４２をマスクにして第２の絶縁膜４０をドライエッチングすることにより、第２の絶縁膜４０に第１の幅W1を有する第１の開口４０ａを形成し、その第１の開口４０ａに第１の絶縁膜３８の上面３８ｘを露出させる。
【００５７】
そのドライエッチングで使用し得るエッチングガスとしては、CHF3ガスとO2ガスとの混合ガスがある。このエッチングガスを使用した場合、第２の絶縁膜４０のエッチングレートは第１の絶縁膜３８のそれよりも速くなり、第１の絶縁膜３８と第２の絶縁膜４０との間でエッチング選択比が得られるため、このエッチングは第１の絶縁膜３８の上面３８ｘで停止する。
【００５８】
よって、本工程では第１の絶縁膜３８には開口が形成されず、第１の絶縁膜３８と第２の絶縁膜４０の材料の違いが原因でその開口端から第２の絶縁膜４０が張り出すことがない。
【００５９】
なお、このエッチングを第１の絶縁膜３８の上面３８ｘで正確に停止させる必要はなく、第２の絶縁膜４０の張り出しが生じない程度の僅かなエッチング深さであれば第２の絶縁膜３８をエッチングしてもよい。これについては後述の各実施形態でも同様である。
【００６０】
また、上記のようにエッチング選択比のあるエッチングガスを使用する代わりに、エッチング時間でエッチング深さを制御することにより、第１の絶縁膜３８の上面でエッチングを停止させてもよい。
【００６１】
なお、ドライエッチングに代えてウエットエッチングにより第１の開口４０ａを形成することも考えられる。しかし、ウエットエッチングは等方的エッチングであり、第１の開口４０ａの第１の幅W1が広がるおそれがあるので、微細な第１の開口４０ａを形成できるドライエッチングで本工程を行うのが好ましい。
【００６２】
この後に、第１のレジスト膜４２は除去される。
【００６３】
次に、図６（ａ）に示すように、第２の絶縁膜４０と第１の開口４０ａに第２のレジスト膜４５を形成した後、第２のレジスト膜４５を露光、現像して第２のレジスト開口４５ａを形成し、当該開口４５ａに第１の絶縁膜３８の上面３８ｘの一部を露出させる。
【００６４】
本実施形態では、第２のレジスト開口４５ａを第１の開口４０ａの内側に形成すると共に、既述の第１の幅W1よりも狭い幅に第２のレジスト開口４５ａを形成することにより、第１の開口４０ａの側面を第２のレジスト膜４５で覆う。
【００６５】
次に、図６（ｂ）に示すように、第２のレジスト膜４５をマスク膜に使用しながら、第２のレジスト開口４５ａを通じて第１の拡散防止絶縁膜３７と第１の絶縁膜３８とをドライエッチングし、これらの絶縁膜に第２の開口３８ａを形成する。
【００６６】
ここで、上記のように第１の開口４０ａの側面を第２のレジスト膜４５で覆ったため、第２の開口３８ａは第１の開口４０ａよりも狭くなる。
【００６７】
これにより、第２の開口３８ａは、第１の開口４０ａの幅W1よりも狭い第２の幅W2を有することになり、第２の開口３８ａの開口端から第２の絶縁膜４０が張り出すことはない。
【００６８】
なお、本工程で使用するエッチングガスは特に限定されない。本実施形態では、第１の絶縁膜３８に対するエッチングガスとして、C4F6ガスとO2ガスとの混合ガスを使用する。なお、これに代えてC4F8ガスとO2ガスとの混合ガスを使用してもよい。
【００６９】
また、第１の拡散防止絶縁膜３７に対するエッチングガスとしてはCHF3ガスとO2ガスとの混合ガスを使用する。
【００７０】
この後に、第２のレジスト膜４５を除去する。
【００７１】
続いて、図７（ａ）に示すように、第１の開口４０ａと第２の開口３８ａの各々の内面と第２の絶縁膜４０の上に第１のバリアメタル膜４７としてスパッタ法によりタンタル膜を１２nm〜１８nm程度の厚さに形成する。なお、タンタル膜に代えて窒化タンタル膜を第１のバリアメタル膜４７として形成してもよい。
【００７２】
更に、第１のバリアメタル膜４７の上に第１のシード層４８ｘとしてスパッタ法で銅膜を５５nm〜６５nm程度の厚さに形成する。そして、第１のシード層４８ｘを給電層にする電解メッキにより第１の導電膜４８として銅膜を形成し、第１の導電膜４８で第１の開口４０ａと第２の開口３８ａを埋める。
【００７３】
次に、図７（ｂ）に示すように、第２の絶縁膜４０の上の余分な第１のバリアメタル膜４７と第１の導電膜４８とをCMP法により除去し、これらの膜を第１の開口４０ａと第２の開口３８ａの内部にのみ第１の導電体５０ａ及び第２の導電体５０ｂとして残す。
【００７４】
そのCMPにおいては、第２の絶縁膜４０の上に第１のバリアメタル膜４７や第１の導電膜４８の研磨残を残さないようにオーバー研磨が行われる。このようにオーバー研磨を行っても、第１の絶縁膜３８は第２の絶縁膜４０により保護されているため、第１の絶縁膜４０にスクラッチが付くのを防止できる。
【００７５】
特に、SiOC膜のような低誘電率絶縁膜は脆弱でスクラッチが付きやすいため、このように第２の絶縁膜４０で保護する実益がある。
【００７６】
更に、上記の低誘電率絶縁膜は吸湿することによりその誘電率が高くなり易いが、本工程において第１の絶縁膜３８の上に第２の絶縁膜４０を残すことにより、第１の絶縁膜３８が吸湿するのを第２の絶縁膜４０で防止することもできる。
【００７７】
なお、第１の絶縁膜３８のスクラッチや吸湿が問題にならない場合には、本工程のCMPにより第２の絶縁膜４０を除去してもよい。これについては後述の各実施形態でも同様である。
【００７８】
また、上記した第１の導電体５０ａと第２の導電体５０ｂは、それぞれ一層目の銅配線として供せられる。このうち、第１の導電体５０ａは、その下面においてコンタクトプラグ３５と電気的に接続される。一方、第２の導電体５０ｂは、第１の導電体５０ａから間隔をおいて形成される。
【００７９】
また、銅配線として供される第１の導電体５０ａと第２の導電体５０ｂにはプラグ部分が形成されていないが、このように配線部分のみを絶縁膜の開口に残す方法はシングルダマシン法と呼ばれる。
【００８０】
続いて、図８（ａ）に示すように、第２の絶縁膜４０、第１の導電体５０ａ、及び第２の導電体５０ｂの各々の上に第２の拡散防止絶縁膜５２としてCVD法で炭化シリコン膜を５５nm〜６５nmの厚さに形成する。その炭化シリコン膜用の成膜ガスとしては、例えば、Si(CH3)4がある。
【００８１】
なお、炭化シリコン膜に代えて窒化シリコン膜を第２の拡散防止絶縁膜５２として形成してもよい。
【００８２】
そして、第２の拡散防止絶縁膜５２の上に、成膜ガスとしてSi(CH3)3Hを使用するCVD法によりSiOC膜を３８０nm〜４２０nmの厚さに形成し、そのSiOC膜を第３の絶縁膜５３とする。
【００８３】
SiOC膜のような低誘電率絶縁膜を第３の絶縁膜５３として形成することで半導体装置の動作速度の高速化が図られる。なお、第３の絶縁膜５３として形成し得る低誘電率絶縁膜の材料には既述のNano Clustering Silicaもある。
【００８４】
また、動作速度の高速化が要求されない場合には、低誘電率絶縁膜に代えて酸化シリコン膜を第３の絶縁膜５３として形成してもよい。
【００８５】
更に、その第３の絶縁膜５３の上に第４の絶縁膜５４としてCVD法で炭化シリコン膜を５５nm〜６５nm程度の厚さに形成する。
【００８６】
第４の絶縁膜５４は、第３の絶縁膜５３の表面を保護するハードマスクとしての役割を担うものであり、第３の絶縁膜５３よりも弾性率が高い膜であるのが好ましい。そのような膜としては、上記の炭化シリコン膜の他に窒化シリコン膜もある。
【００８７】
次に、図８（ｂ）に示すように、第４の絶縁膜５４の上に第３のレジスト膜５５を形成した後、その第３のレジスト膜５５を露光、現像して第３のレジスト開口５５ａを形成する。
【００８８】
そして、その第３のレジスト開口５５ａを通じて第３の絶縁膜５３と第４の絶縁膜５４の各々をドライエッチングすることにより、第２の導電体５０ｂの上方に第３の幅W3を有するホール５３ａを形成する。
【００８９】
そのドライエッチングにおいては絶縁膜毎にエッチングガスが切り替えられ、第４の絶縁膜５４のエッチングガスとしてはCHF3ガスとO2ガスとの混合ガスを使用する。
【００９０】
そして、第３の絶縁膜５３のエッチングガスとしてはC4F6ガスとO2ガスとの混合ガスを使用する。そのエッチングガスを使用したとき、第２の拡散防止絶縁膜５２のエッチング速度は第３の絶縁膜５３のそれよりも遅くなるため、このエッチングは第２の拡散防止絶縁膜５２の上面で停止する。そのため、ホール５３ａの下方において第２の導電体５０ｂがエッチング雰囲気に曝されず、第２の導電体５０ｂ中の銅がエッチング雰囲気に飛散する危険性を低減できる。
【００９１】
この後に、第３のレジスト膜５５を除去する。
【００９２】
次いで、図９（ａ）に示すように、第４の絶縁膜５４の上に第４のレジスト膜５６を形成し、その第４のレジスト膜５６を露光、現像して第４のレジスト開口５６ａを形成する。
【００９３】
そして、第４のレジスト膜５６をマスクに使用しながら、ホール５３ａの周囲の第４の絶縁膜５４をドライエッチングすることにより、第４の絶縁膜５４に第３の開口５４ａを形成し、第３の開口５４ａに第３の絶縁膜５３の上面５３ｘを露出させる。
【００９４】
第３の開口５４ａはホール５３ａに繋がるように形成され、本実施形態では第３の開口５４ａの第４の幅W4をホール５３ａの幅W3よりも広くする。なお、幅の広さはこれに限定されず、第３の幅W3と第４の幅W4とを同一の幅としてもよい。
【００９５】
このドライエッチングで使用するエッチングガスは特に限定されない。本実施形態では、CHF3ガスとO2ガスとの混合ガスをそのエッチングガスとして使用する。このエッチングガスを使用した場合、第４の絶縁膜５４のエッチングレートは第３の絶縁膜５３のそれよりも速くなり、第３の絶縁膜５３と第４の絶縁膜５４との間でエッチング選択比が得られるため、このエッチングは第３の絶縁膜５３の上面５３ｘで停止する。
【００９６】
よって、本工程では第３の絶縁膜５３に開口が形成されず、第３の絶縁膜５３と第４の絶縁膜５４の材料の違いが原因でその開口端から第４の絶縁膜５４が張り出すことがない。
【００９７】
なお、このエッチングを第３の絶縁膜５３の上面５３ｘで正確に停止させる必要はなく、第４の絶縁膜５４の張り出しが生じない程度の僅かなエッチング深さであれば第４の絶縁膜５４をエッチングしてもよい。これについては後述の各実施形態でも同様である。
【００９８】
また、上記のようにエッチング選択比のあるエッチングガスを使用する代わりに、エッチング時間でエッチング深さを制御することにより、第３の絶縁膜５３の上面でエッチングを停止させてもよい。
【００９９】
また、ホール５３ａ内には第４のレジスト膜５６が形成されているため、このドライエッチングによりホール５３ａの下の第２の拡散防止絶縁膜５２が消失する危険性が低減され、第２の導電体５０ｂの銅がエッチング雰囲気に拡散するのを防止できる。
【０１００】
そして、本工程をドライエッチングで行うことにより、ウエットエッチングを使用する場合のように第３の開口５４ａの幅が広がるのを防止でき、微細な第３の開口５４ａを形成することが可能となる。
【０１０１】
この後に、第４のレジスト膜５６は除去される。
【０１０２】
次に、図９（ｂ）に示すように、第４の絶縁膜５４と第３の開口５４ａに第５のレジスト膜５７を形成した後、第５のレジスト膜５７を露光、現像して第５のレジスト開口５７ａを形成し、当該開口５７ａに第３の絶縁膜５３の上面５３ｘの一部を露出させる。
【０１０３】
その第５のレジスト開口５７ａは、第３の開口５４ａの内側に形成される。また、第５のレジスト開口５７ａの幅を既述の第４の幅W4よりも狭くすることにより、第３の開口５４ａの側面を第５のレジスト膜５７で覆う。
【０１０４】
続いて、図１０（ａ）に示すように、第５のレジスト膜５７をマスク膜に使用しながら、第５のレジスト開口５７ａを通じて第３の絶縁膜５３をその途中の深さまでドライエッチングし、ホール５３ａよりも浅い第４の開口５３ｂを形成する。
【０１０５】
本実施形態では、上記のように第３の開口５４ａの側面を第５のレジスト膜５７で覆ったため、第４の開口５３ｂは第３の開口５４ａよりも狭くなる。
【０１０６】
これにより、第４の開口５３ｂは、第４の開口５４ａの幅W4よりも狭い第５の幅W5を有することになり、第４の開口５３ｂの開口端から第４の絶縁膜５４が張り出すことはない。
【０１０７】
本工程で使用するエッチングガスは特に限定されないが、C4F6ガスとO2ガスとの混合ガスをそのエッチングガスとして使用し得る。なお、これに代えてC4F8ガスとO2ガスとの混合ガスを使用してもよい。
【０１０８】
また、ホール５３ａ内には第５のレジスト膜５７が形成されているため、このドライエッチングによりホール５３ａの下の第２の拡散防止絶縁膜５２が消失する危険性が低減され、第２の導電体５０ｂの銅がエッチング雰囲気に拡散するのを防止できる。
【０１０９】
その後、第５のレジスト膜５７を除去する。
【０１１０】
次いで、図１０（ｂ）に示すように、エッチングガスとしてCHF3ガスとO2ガスとの混合ガスを使用するドライエッチングによりホール５３ａの下の第２の拡散防止絶縁膜５２を除去し、ホール５３ａに第２の導電体５０ｂの表面を露出させる。
【０１１１】
次に、図１１（ａ）に示すように、ホール５３ａ、第３の開口５４ａ及び第４の開口５３ｂの各々の内面と第４の絶縁膜５４の上に第２のバリアメタル膜６１としてスパッタ法によりタンタル膜を１２nm〜１８nm程度の厚さに形成する。
【０１１２】
なお、第２のバリアメタル膜６１はタンタル膜に限定されず、窒化タンタル膜を第２のバリアメタル膜６１として形成してもよい。
【０１１３】
そして、第２のバリアメタル膜６１の上に第２のシード層６２ｘとしてスパッタ法で銅膜を５５nm〜６５nm程度の厚さに形成した後、第２の導電膜６２として銅膜を形成し、第２の導電膜６２でホール５３ａ、第３の開口５４ａ及び第４の開口５３ｂの各々を埋める。なお、第２の導電膜６２は、第２のシード層６２ｘを給電層にする電解メッキにより形成され得る。
【０１１４】
続いて、図１１（ｂ）に示すように、第４の絶縁膜５４の上の余分な第２のバリアメタル膜６１と第２の導電膜６２とをCMP法により除去する。
【０１１５】
これにより、第１の導電体５０ａの上方では、第３の開口５４ａと第４の開口５３ｂの内部に、第２のバリアメタル膜６１と第２の導電膜６２とがシングルダマシン法により第３の導電体６４ａとして残される。
【０１１６】
一方、第２の導電体５０ｂの上方においては、ホール５３ａ、第３の開口５４ａ及び第４の開口５３ｂの各々の内部に、第２のバリアメタル膜６１と第２の導電膜６２とがデュアルダマシン法により第４の導電体６４ｂとして残される。
【０１１７】
その第４の導電体６４ｂのうち、ホール５３ａ内に形成された部分は、その下の第２の導電体５０ｂと接続する銅プラグとして供せられる。そして、第３の開口５４ａと第４の開口５３ｂ内に形成された部分の第４の導電体６４ｂは二層目の銅配線として供せられる。
【０１１８】
また、本工程におけるCMPにおいては研磨残を残さないようにオーバー研磨が行われるが、第３の絶縁膜５３は第４の絶縁膜５４により保護されているため、第３の絶縁膜５３にスクラッチが付くのを防止できる。
【０１１９】
特に、第３の絶縁膜５３は脆弱な低誘電率絶縁膜で形成されているため、このように第４の絶縁膜５４で保護する実益がある。
【０１２０】
なお、本実施形態のように第４の絶縁膜５４を残すことにより第３の絶縁膜５３が吸湿するのを第４の絶縁膜５４で抑制できるが、第３の絶縁膜５３の吸湿が問題にならない場合には本工程のCMPで第４の絶縁膜５４を除去してもよい。これについては後述の各実施形態でも同様である。
【０１２１】
この後は、必要に応じて３層目の銅配線を形成する工程が行われるが、その詳細は省略する。
【０１２２】
以上により、本実施形態に係る半導体装置の基本構造が完成した。
【０１２３】
上記した本実施形態によれば、図６（ｂ）に示したように、シングルダマシン用の第２の開口３８ａの幅W2を、その上の第１の開口４０ａの幅W1よりも狭くした。これにより、第２の開口３８ａの開口端から第２の絶縁膜４０が張り出さなくなるので、その張り出しが原因で第１の導電体５０ａ（図７（ｂ）参照）と第２の導電体５０ｂにボイドが形成される危険性を低減できる。
【０１２４】
同様の理由により、図１１（ｂ）に示したように、デュアルダマシン法用の第４の開口５３ｂをその上の第３の開口５４ａよりも狭くしたことで、第４の導体６４ｂにボイドが形成されるのを防止することが可能となる。
【０１２５】
このようにボイドの発生を抑制することにより、半導体装置の不良数が低減し、ひいては半導体装置の歩留まりを向上させることが可能となる。
【０１２６】
更に、第１の開口４０ａを形成する工程（図５（ｂ））と第３の開口５４ａを形成する工程（図９（ａ））をドライエッチングで行うことでこれらの開口の幅が広がるのを防止したので、第１〜第４の導電体５０ａ、５０ｂ、６４ａ、６４ｂの微細化も可能となる。
【０１２７】
また、本実施形態によれば以下のような効果も奏される。
【０１２８】
図１２は、第４の導電体６４ｂとその周囲の拡大断面図である。
【０１２９】
上記のように第１の幅W1を第２の幅W2よりも広くすると、第２の導電体５０ｂの上面の面積が拡大するため、第２の導電体５０ｂとホール５３ａとの位置合わせマージンを増やすことができ、第２の導電体５０ｂからホール５３ａが脱落する危険が少なくなる。
【０１３０】
特に、幅W3が広い場合に第２の導電体５０ｂからホール５３ａが脱落し易くなるので、上記のように位置合わせマージンを拡大させる実益がある。
【０１３１】
図１３は、ホール５３ａの幅W3が広くなる要因の一例について説明するための平面図である。
【０１３２】
この例では、第２の導電体５０ｂの配線幅S1と比較して、第４の導電体６４ｂの配線幅S2を広くすると共に、一つの第４の導電体６４ｂの下に複数のホール５３ａを形成する場合を示す。
【０１３３】
この場合、幅が広い第２の開口５３ｂをエッチングするために長時間を要するので、その下のホール５３ａもエッチング雰囲気に長時間曝され、各ホール５３ａの幅W3が拡大し易い。このような場合であっても、本実施形態では上記のように各ホール５３ａが第２の導電体５０ｂから脱落する危険性が少ない。
【０１３４】
ところで、上記した本実施形態では、図６（ａ）、（ｂ）に示したように、それぞれ別々のレジスト膜４２、４５をエッチングのマスクにして第１の開口４０ａと第２の開口３８ａとを形成した。
【０１３５】
これに対し、以下の比較例のように、同一のレジスト膜をエッチングのマスクに用いて、第１の開口４０ａと第２の開口３８ａとを一括して形成することも考えられる。
【０１３６】
図１４〜図１５は、比較例に係る半導体装置の製造途中の断面図である。なお、図１４〜図１５において、本実施形態と同じ要素には本実施形態におけるのと同じ符号を付し、以下ではその説明を省略する。
【０１３７】
この比較例では、図１４（ａ）に示すように、第１のレジスト膜４２をマスクに用いながら、第１の拡散防止絶縁膜３７、第１の絶縁膜３８、及び第２の絶縁膜４０を一括してドライエッチングし、第１の開口４０ａと第２の開口３８ａとを形成する。
【０１３８】
このドライエッチングは、異方性エッチングであるため、基板に対して垂直な方向に優先的に進行する。しかし、第２の絶縁膜４０よりも脆弱な第１の絶縁膜３８においては基板横方向にもある程度エッチングが進行し、第２の開口３８ａの開口端に突出部Aが形成される。
【０１３９】
その後に、第１のレジスト膜４２を除去する。
【０１４０】
次いで、図１４（ｂ）に示すように、第２の絶縁膜４０の上に第２のレジスト膜４５を形成する。
【０１４１】
そして、第２のレジスト膜４５をマスクにして第２の絶縁膜４０をドライエッチングすることにより、第１の開口４０ａの幅を第２の開口３８ａの幅よりも広くする。
【０１４２】
その後に、図１５に示すように、本実施形態と同じ工程を行うことにより、第１の開口３８ａと第２の開口４０ａの内部に第１の導電体５０ａを形成する。このとき、上記した突出部Ａによって第２の開口３８ａへの導電膜４８の埋め込みが阻害され、ボイド４８ｖが形成されてしまう。
【０１４３】
このように、図１４（ａ）の工程において、第１の絶縁膜３８と第２の絶縁膜４０の各々のマスクとして同一のレジスト膜４２を用い、これらの絶縁膜を一括してエッチングしたのでは、第１の導電体５０ａにボイド４８ａが形成されるのを防ぐのが難しい。
【０１４４】
また、この比較例では、第２の絶縁膜４０をエッチングして第１の開口４０ａを形成する際に、第２の開口３８ａの内部において第１の絶縁膜３８が露出されている。そのため、露出された第１の絶縁膜３８もエッチングされ、露出された第１の絶縁膜３８が変性する等のダメージを受けたり、第２の開口３８ａが変形したりしてしまう。
【０１４５】
この場合、ダメージにより第１の絶縁膜３８の比誘電率が上昇して配線間容量が増大してしまう。また、形状の変化により第２の開口３８ａ内部の側壁に凹凸が形成され、導電体４８の埋め込みが阻害されてボイドの発生原因になってしまう。
【０１４６】
一方、第１実施形態では、図５（ｂ）、図６（ａ）、（ｂ）のように、第１の開口４０ａを形成した後に第２の開口３８ａを形成する。そのため、第１の開口４０ａの形成の際に、第２の開口３８ａ内の第１の絶縁膜３８がエッチングされてダメージを受けたり、第２の開口３８ａが変形したりすることはない。
【０１４７】
（第２実施形態）
第１実施形態では、図６（ｂ）に示したように、第２の開口３８ａを形成するときのエッチングのマスク膜として第２のレジスト膜４５を形成した。また、図１０（ａ）に示したように、第４の開口５３ｂを形成するときのマスク膜として第５のレジスト膜５７を形成した。
【０１４８】
このようにレジスト膜をマスク膜にする第１実施形態とは異なり、本実施形態では、以下のようにサイドウォールをマスク膜とする。
【０１４９】
図１６〜図２１は、本実施形態に係る半導体装置の製造途中の断面図である。なお、図１６〜図２１において、第１実施形態と同じ要素には第１実施形態におけるのと同じ符号を付し、以下ではその説明を省略する。
【０１５０】
最初に、図１６（ａ）に示す断面構造を得るまでの工程について説明する。
【０１５１】
まず、第１実施形態の図４（ａ）〜図５（ｂ）の工程を行った後、第２の絶縁膜４０の上と第１の開口４０ａに第１のマスク膜７０を形成する。第１のマスク膜７０の材料は特に限定されないが、第１の絶縁膜３８と第２の絶縁膜４０の各々とエッチング選択比が生じる絶縁膜を第１のマスク膜７０として形成する。
【０１５２】
次いで、図１６（ｂ）に示すように、ドライエッチングにより第１のマスク膜７０を選択的にエッチバックし、第１の開口４０ａの側面にのみ第１のマスク膜７０をサイドウォール形状に残す。
【０１５３】
これにより、第１の絶縁膜３８の上面３８ｘのうちの一部が第１のマスク膜７０から露出することになる。
【０１５４】
次に、図１７（ａ）に示すように、第２の絶縁膜４０と第１のマスク膜７０とをマスクにしながら、これらの膜で覆われていない部分の第１の拡散防止絶縁膜３７と第１の絶縁膜３８とをドライエッチングすることにより第２の開口３８ａを形成する。
【０１５５】
ここで、第１の開口４０ａの側面を覆うように第１のマスク膜７０を残したため、第２の開口３８ａの幅W2は第１の開口４０ａの幅W1よりも狭くなり、第２の開口３８ａの開口端から第２の絶縁膜４０が張り出すのを防止できる。
【０１５６】
本工程で使用するエッチングガスは特に限定されない。本実施形態では、第１実施形態と同様に、第１の絶縁膜３８に対するエッチングガスとして、C4F6ガスとO2ガスとの混合ガスを使用する。なお、これに代えてC4F8ガスとO2ガスとの混合ガスを使用してもよい。
【０１５７】
また、第１の拡散防止絶縁膜３７に対するエッチングガスとしてはCHF3ガスとO2ガスとの混合ガスを使用する。
【０１５８】
その後に、図１７（ｂ）に示すようにウエットエッチングによりマスク膜７０を除去する。
【０１５９】
続いて、図１８（ａ）に示すように、第１実施形態で説明した図７（ａ）、（ｂ）の工程を行うことにより第１の導電体５０ａと第２の導電体５０ｂとを形成する。
【０１６０】
このとき、上記のように第２の開口３８ａの開口端から第２の絶縁膜４０が張り出していないため、第１の開口３８ａ内への第１の導電膜４８の形成が阻害されず、第１の導電体５０ａや第２の導電体５０ｂにボイドが形成される危険性を低減することができる。
【０１６１】
次に、図１８（ｂ）に示すように、シリコン基板２０の上側に第２の拡散防止絶縁膜５２、第３の絶縁膜５３、及び第４の絶縁膜５４を形成した後、第３の絶縁膜５３にホール５３ａを形成し、更に第４の絶縁膜５４に第３の開口５４ａを形成する。
【０１６２】
本工程は、第１実施形態の図８（ａ）〜図９（ａ）におけるのと同様なので、その詳細は省略する。
【０１６３】
次いで、図１９（ａ）に示すように、第４の絶縁膜５４の上と第３の開口５４ａに第２のマスク膜７３を形成する。第２のマスク膜７３の材料としては、第３の絶縁膜５３と第４の絶縁膜５４の各々とエッチング選択比が生じる材料を使用するのが好ましい。
【０１６４】
また、第２のマスク膜７３は、ホール５３ａ内にも形成される。
【０１６５】
次に、図１９（ｂ）に示すように、ドライエッチングにより第２のマスク膜７３を選択的にエッチバックし、第３の開口５４ａの側面に第２のマスク膜７３をサイドウォール形状に残す。
【０１６６】
これにより、第３の絶縁膜５３の上面５３ｘのうちの一部が第２のマスク膜７３から露出することになる。
【０１６７】
なお、ホール５３ａのアスペクト比が第３の開口５４ａのそれよりも高いため、本工程ではホール５３ａの第２のマスク膜７３は完全には除去されずに残存する。
【０１６８】
続いて、図２０（ａ）に示すように、第４の絶縁膜５４と第２のマスク膜７３とをマスクにしながら、これらの膜で覆われていない部分の第３の絶縁膜５３をその途中の深さまでドライエッチングし、ホール５３ａよりも浅い第４の開口５３ｂを形成する。
【０１６９】
本実施形態では、第３の開口５４ａの側面を覆うように第２のマスク膜７３を残したので、第４の開口５３ｂの第５の幅W5は、第３の開口５４ａの第４の幅W4よりも狭くなる。
【０１７０】
また、本工程で使用し得るエッチングガスとしては、例えば、C4F6ガスとO2ガスとの混合ガスがある。なお、これに代えてC4F8ガスとO2ガスとの混合ガスを使用してもよい。
【０１７１】
次いで、図２０（ｂ）に示すように、ウエットエッチングにより第２のマスク膜７３を除去する。
【０１７２】
この後は、第１実施形態で説明した図１１（ａ）、（ｂ）の工程を行うことにより、図２１に示すように、第３の導電体６４ａと第４の導電体６４ｂとを形成する。
【０１７３】
第１実施形態と同様に、第４の開口５３ｂの開口端から第４の絶縁膜５４が張り出していないので、第２の導電膜６２で第４の開口５３ａを良好に埋め込むことができ、第３の導電体６４ａや第４の導電体６４ｂにボイドが形成される危険性を低減することができる。
【０１７４】
以上により、本実施形態に係る半導体装置の基本構造が完成する。
【０１７５】
上記した本実施形態によれば、図１７（ａ）に示したように、第１のマスク膜７０がエッチングマスクとなるため、第１の開口４０ａよりも狭い幅の第２の開口３８ａを形成できる。よって、第１実施形態と同様に、第２の開口３８ａの開口端から第２の絶縁膜４０が張り出すのを防止でき、ボイドの発生を伴わずに第２の開口３８ａ内に第１の導電体５０ａ（図１８（ａ）参照）や第２の導電体５０ｂを形成できる。
【０１７６】
第１実施形態と同様の理由により、二層目の銅配線として供せられる第３の導電体６４ａや第４の導電体６４ｂにおいてもボイドの発生を抑制できる。また、図１４〜図１５で説明した比較例とは異なり、本実施形態では、第１の開口４０ａの形成の際に、第２の開口３８ａ内の第１の絶縁膜３８がエッチングされてダメージを受けたり、第２の開口３８ａが変形したりすることはない。
【０１７７】
以上説明した各実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
【０１７８】
（付記１）  半導体基板の上に第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜の上に第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記第２の絶縁膜をエッチングすることにより第１の開口を形成し、該第１の開口に前記第１の絶縁膜の上面を露出させる工程と、
前記第１の開口の側面を覆い、かつ、前記第１の絶縁膜の前記上面の一部が露出するマスク膜を形成する工程と、
前記マスク膜をマスクにして前記第１の絶縁膜をエッチングすることにより、前記第１の開口の下の前記第１の絶縁膜に第２の開口を形成する工程と、
前記第１の開口と前記第２の開口の内部に導電体を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【０１７９】
（付記２）  前記マスク膜を形成する工程は、
前記第２の絶縁膜の上と前記第１の開口に前記マスク膜としてレジスト膜を形成する工程と、
前記第１の開口内の前記レジスト膜の一部をパターニングして、前記第１の絶縁膜の前記上面の一部を露出させる工程とを有することを特徴とする付記１に記載の半導体装置の製造方法。
【０１８０】
（付記３）  前記マスク膜を形成する工程は、
前記第２の絶縁膜の上と前記第１の開口に前記マスク膜を形成する工程と、
前記マスク膜をエッチバックすることにより、前記第１の開口の側面に前記マスク膜を残す工程とを有することを特徴とする付記１に記載の半導体装置の製造方法。
【０１８１】
（付記４）  前記第２の開口に重なるホールを前記第１の絶縁膜に形成する工程を更に有することを特徴とする付記１乃至付記３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【０１８２】
（付記５）  前記第１の開口を形成する工程は、前記ホールの周囲の前記第２の絶縁膜をエッチングすることにより行われることを特徴とする付記４に記載の半導体装置の製造方法。
【０１８３】
（付記６）  前記第２の開口を形成する工程において、前記第２の開口を、前記ホールよりも浅く形成することを特徴とする付記５に記載の半導体装置の製造方法。
【０１８４】
（付記７）  前記第１の開口を形成する工程において、前記第２の絶縁膜の前記エッチングをドライエッチングにより行うことを特徴とする付記１乃至付記６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【０１８５】
（付記８）  前記ドライエッチングのエッチングガスとして、前記第２の絶縁膜のエッチングレートが前記第１の絶縁膜のエッチングレートよりも速いガスを使用することを特徴とする付記７に記載の半導体装置の製造方法。
【０１８６】
（付記９）  前記導電体を形成する工程は、
前記第１の開口及び前記第２の開口の内部と前記第２の絶縁膜の上に導電膜を形成する工程と、
化学機械研磨法で前記導電膜を研磨することにより、前記第２の絶縁膜の上から前記導電膜を除去すると共に、前記第１の開口と前記第２の開口の内部に前記導電膜を前記導電体として残す工程とを有することを特徴とする付記１乃至付記８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【０１８７】
（付記１０）  半導体基板の上方に配線を形成する形成する工程と、
前記配線の上に拡散防止絶縁膜を形成する工程とを更に有し、
前記第１の絶縁膜を形成する工程において、前記拡散防止絶縁膜の上に前記第１の絶縁膜を形成し、
前記第２の開口を形成した後に、該第２の開口の下の前記拡散防止絶縁膜を除去する工程を有することを特徴とする付記１乃至付記９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【符号の説明】
【０１８８】
１…銅配線、２…第１の絶縁膜、２ａ…ホール、２ｂ…第２の開口、３…第２の絶縁膜、３ｂ…第１の開口、４…第１のレジスト膜、４ａ…レジスト開口、５…第２のレジスト膜、６…バリアメタル膜、７…導電膜、７ａ…導電体、７ｖ、４８ｖ…ボイド、７ｘ…シード層、２０…シリコン基板、２１…素子分離絶縁膜、２２…pウェル、２３…ゲート絶縁膜、２４…ゲート電極、２５…n型ソースドレインエクステンション、２６…絶縁性サイドウォール、２８…n型ソースドレイン領域、２９…金属シリサイド膜、３１…カバー絶縁膜、３２…層間絶縁膜、３２ａ…コンタクトホール、３５…コンタクトプラグ、３７…第１の拡散防止絶縁膜、３８…第１の絶縁膜、３８ａ…第２の開口、３８ｘ…上面、４０…第２の絶縁膜、４０ａ…第１の開口、４２…第１のレジスト膜、４２ａ…第１のレジスト開口、４５…第２のレジスト膜、４５ａ…第２のレジスト開口、４７…第１のバリアメタル膜、４８ｘ…第１のシード層、４８…第１の導電膜、５０ａ…第１の導電体、５０ｂ…第２の導電体、５２…第２の拡散防止絶縁膜、５３…第３の絶縁膜、５３ａ…ホール、５３ｂ…第４の開口、５４…第４の絶縁膜、５４ａ…第３の開口、５５…第３のレジスト膜、５５ａ…第３のレジスト開口、５６…第４のレジスト膜、５６ａ…第４のレジスト開口、５７…第５のレジスト膜、５７ａ…第５のレジスト開口、６１…第２のバリアメタル膜、６２…第２の導電膜、６２ｘ…第２のシード層、６４ａ…第３の導電体、６４ｂ…第４の導電体、７０…第１のマスク膜、７３…第２のマスク膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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