(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と陰極の間に、発光層を含む少なくとも１層の有機層が挟持された有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記有機層の少なくとも１層には、一般式（１）で表される配位子が金属原子に配位したリン光発光性の有機金属錯体が含有されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化１】
0006036696.tif 000101
〔一般式（１）中、環Ａ、環Ｂ及び環Ｃは５員または６員の芳香族炭化水素環または芳香族複素環を表し、ＺはＣＨまたはＮを表す。Ｃｙは５員または６員の芳香族炭化水素環、芳香族複素環、非芳香族炭化水素環または非芳香族複素環を表す。Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、シクロアルキルオキシ基、アミノ基、シリル基、アリールアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、非芳香族炭化水素環基または非芳香族複素環基を表す。ただし、Ｃｙ、Ｒ１及びＲ２が同時に無置換のフェニル基であることはない。Ｒａ、Ｒｂ及びＲｃはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アミノ基、シリル基、アリールアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、非芳香族炭化水素環基または非芳香族複素環基を表し、ｎａ及びｎｃは１または２を表し、ｎｂは１〜３の整数を表す。Ｒはシアノ基、置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アミノ基、シリル基、アリールアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、非芳香族炭化水素環基または非芳香族複素環基を表し、ｎ０は１〜５の整数を表す。ただし、Ｒがパーフルオロアルキル基であることはない。また、環ＣとＲが結合して、酸素又は硫黄を少なくとも１つ含有する縮合環を形成することはない。Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃ及びＲは互いに同じであっても異なっていても良い。〕
【請求項２】
陽極と陰極の間に、発光層を含む少なくとも１層の有機層が挟持された有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記有機層の少なくとも１層には、一般式（１−１）で表される配位子が金属原子に配位したリン光発光性の有機金属錯体が含有されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化２】
0006036696.tif 000102
〔一般式（１−１）中、環Ａ、環Ｂ及び環Ｃは５員または６員の芳香族炭化水素環または芳香族複素環を表し、ＺはＣＨまたはＮを表す。Ｃｙは５員または６員の芳香族炭化水素環、芳香族複素環、非芳香族炭化水素環または非芳香族複素環を表す。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、シクロアルキルオキシ基、アミノ基、シリル基、アリールアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、非芳香族炭化水素環基または非芳香族複素環基を表し、Ｒ３及びＲ４の少なくとも一方は、ハロゲン原子、シアノ基、置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、シクロアルキルオキシ基、アミノ基、シリル基、アリールアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、非芳香族炭化水素環基または非芳香族複素環基を表す。Ｒ３とＲ４は同じであっても異なっていても良い。ただし、Ｃｙ、Ｒ１及びＲ２が同時に無置換のフェニル基であることはない。Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃ及びＲｄはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アミノ基、シリル基、アリールアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、非芳香族炭化水素環基または非芳香族複素環基を表す。ただし、環ＣとＲｄが結合して、酸素又は硫黄を少なくとも１つ含有する縮合環を形成することはない。ｎａ及びｎｃは１または２を表し、ｎｂ及びｎｄは１〜３の整数を表す。Ｒａ、Ｒｂ、ＲｃおよびＲｄは互いに同じであっても異なっていても良い。〕
【請求項３】
請求項１又は２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
一般式（１）又は（１−１）中、Ｒ１及びＲ２の少なくとも一方がアルキル基であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項４】
陽極と陰極の間に、発光層を含む少なくとも１層の有機層が挟持された有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記有機層の少なくとも１層には、一般式（１）で表される配位子が金属原子に配位したリン光発光性の有機金属錯体が含有されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化３】
0006036696.tif 000103
〔一般式（１）中、環Ａ、環Ｂ及び環Ｃは５員または６員の芳香族炭化水素環または芳香族複素環を表し、ＺはＣＨまたはＮを表す。Ｃｙは５員または６員の芳香族炭化水素環、芳香族複素環、非芳香族炭化水素環または非芳香族複素環を表す。Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、シクロアルキルオキシ基、アミノ基、シリル基、アリールアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、非芳香族炭化水素環基または非芳香族複素環基を表し、Ｒ１及びＲ２の少なくとも一方が炭素原子数２以上のアルキル基である。Ｒａ、Ｒｂ及びＲｃはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アミノ基、シリル基、アリールアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、非芳香族炭化水素環基または非芳香族複素環基を表し、ｎａ及びｎｃは１または２を表し、ｎｂは１〜３の整数を表す。Ｒはハロゲン原子、シアノ基、置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アミノ基、シリル基、アリールアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、非芳香族炭化水素環基または非芳香族複素環基を表し、ｎ０は１〜５の整数を表す。ただし、環ＣとＲが結合して、酸素又は硫黄を少なくとも１つ含有する縮合環を形成することはない。Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃ及びＲは互いに同じであっても異なっていても良い。〕
【請求項５】
陽極と陰極の間に、発光層を含む少なくとも１層の有機層が挟持された有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記有機層の少なくとも１層には、一般式（１−１）で表される配位子が金属原子に配位したリン光発光性の有機金属錯体が含有されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化４】
0006036696.tif 000104
〔一般式（１−１）中、環Ａ、環Ｂ及び環Ｃは５員または６員の芳香族炭化水素環または芳香族複素環を表し、ＺはＣＨまたはＮを表す。Ｃｙは５員または６員の芳香族炭化水素環、芳香族複素環、非芳香族炭化水素環または非芳香族複素環を表す。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、シクロアルキルオキシ基、アミノ基、シリル基、アリールアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、非芳香族炭化水素環基または非芳香族複素環基を表し、Ｒ１及びＲ２の少なくとも一方が炭素原子数２以上のアルキル基である。Ｒ３及びＲ４の少なくとも一方は、ハロゲン原子、シアノ基、置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、シクロアルキルオキシ基、アミノ基、シリル基、アリールアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、非芳香族炭化水素環基または非芳香族複素環基を表す。Ｒ３とＲ４は同じであっても異なっていても良い。Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃ及びＲｄはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アミノ基、シリル基、アリールアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、非芳香族炭化水素環基または非芳香族複素環基を表す。ただし、環ＣとＲｄが結合して、酸素又は硫黄を少なくとも１つ含有する縮合環を形成することはない。ｎａ及びｎｃは１または２を表し、ｎｂ及びｎｄは１〜３の整数を表す。Ｒａ、Ｒｂ、ＲｃおよびＲｄは互いに同じであっても異なっていても良い。〕
【請求項６】
請求項１又は２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
一般式（１）又は（１−１）中、Ｒ１及びＲ２が共にアルキル基であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項７】
陽極と陰極の間に、発光層を含む少なくとも１層の有機層が挟持された有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記有機層の少なくとも１層には、一般式（１）で表される配位子が金属原子に配位したリン光発光性の有機金属錯体が含有されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化５】
0006036696.tif 000105
〔一般式（１）中、環Ａ、環Ｂ及び環Ｃは５員または６員の芳香族炭化水素環または芳香族複素環を表し、ＺはＣＨまたはＮを表す。Ｃｙは５員または６員の芳香族炭化水素環、芳香族複素環、非芳香族炭化水素環または非芳香族複素環を表す。Ｒ１及びＲ２は共に炭素原子数２以上のアルキル基を表す。Ｒａ、Ｒｂ及びＲｃはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アミノ基、シリル基、アリールアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、非芳香族炭化水素環基または非芳香族複素環基を表し、ｎａ及びｎｃは１または２を表し、ｎｂは１〜３の整数を表す。Ｒはハロゲン原子、シアノ基、置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アミノ基、シリル基、アリールアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、非芳香族炭化水素環基または非芳香族複素環基を表し、ｎ０は１〜５の整数を表す。ただし、環ＣとＲが結合して、酸素又は硫黄を少なくとも１つ含有する縮合環を形成することはない。Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃ及びＲは互いに同じであっても異なっていても良い。〕
【請求項８】
陽極と陰極の間に、発光層を含む少なくとも１層の有機層が挟持された有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記有機層の少なくとも１層には、一般式（１−１）で表される配位子が金属原子に配位したリン光発光性の有機金属錯体が含有されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化６】
0006036696.tif 000106
〔一般式（１−１）中、環Ａ、環Ｂ及び環Ｃは５員または６員の芳香族炭化水素環または芳香族複素環を表し、ＺはＣＨまたはＮを表す。Ｃｙは５員または６員の芳香族炭化水素環、芳香族複素環、非芳香族炭化水素環または非芳香族複素環を表す。Ｒ１及びＲ２は共に炭素原子数２以上のアルキル基を表す。Ｒ３及びＲ４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、シクロアルキルオキシ基、アミノ基、シリル基、アリールアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、非芳香族炭化水素環基または非芳香族複素環基を表し、Ｒ３及びＲ４の少なくとも一方は、ハロゲン原子、シアノ基、置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、シクロアルキルオキシ基、アミノ基、シリル基、アリールアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、非芳香族炭化水素環基または非芳香族複素環基を表す。Ｒ３とＲ４は同じであっても異なっていても良い。Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃ及びＲｄはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アミノ基、シリル基、アリールアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、非芳香族炭化水素環基または非芳香族複素環基を表す。ただし、環ＣとＲｄが結合して、酸素又は硫黄を少なくとも１つ含有する縮合環を形成することはない。ｎａ及びｎｃは１または２を表し、ｎｂ及びｎｄは１〜３の整数を表す。Ｒａ、Ｒｂ、ＲｃおよびＲｄは互いに同じであっても異なっていても良い。〕
【請求項９】
請求項１〜８の何れか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
一般式（１）又は（１−１）中、環Ｂがベンゼン環であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１０】
請求項１〜９の何れか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
一般式（１）又は（１−１）中、Ｃｙがベンゼン環であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１１】
陽極と陰極の間に、発光層を含む少なくとも１層の有機層が挟持された有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記有機層の少なくとも１層には、一般式（２）で表される有機金属錯体が含有されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化７】
0006036696.tif 000107
〔一般式（２）中、環Ａ、環Ｂ及び環Ｃは５員または６員の芳香族炭化水素環または芳香族複素環を表し、ＺはＣＨまたはＮを表す。Ｃｙは５員または６員の芳香族炭化水素環、芳香族複素環、非芳香族炭化水素環または非芳香族複素環を表す。Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、シクロアルキルオキシ基、アミノ基、シリル基、アリールアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、非芳香族炭化水素環基または非芳香族複素環基を表す。ただし、Ｃｙ、Ｒ１及びＲ２が同時に無置換のフェニル基であることはない。Ｒａ、Ｒｂ及びＲｃはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アミノ基、シリル基、アリールアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、非芳香族炭化水素環基または非芳香族複素環基を表し、ｎａ及びｎｃは１または２を表し、ｎｂは１〜３の整数を表す。Ｒはシアノ基、置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アミノ基、シリル基、アリールアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、非芳香族炭化水素環基または非芳香族複素環基を表し、ｎ０は１〜５の整数を表す。ただし、Ｒがパーフルオロアルキル基であることはない。また、環ＣとＲが結合して、酸素又は硫黄を少なくとも１つ含有する縮合環を形成することはない。Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃ及びＲは互いに同じであっても異なっていても良い。ＬはＭに配位したモノアニオン性の二座配位子のうちの１つまたは複数であり、Ｍは原子番号４０以上且つ元素周期表における８〜１０族の遷移金属原子を表し、ｍは２または３を表し、ｎは１〜３の整数を表す。ただし、ｍ≧ｎである。〕
【請求項１２】
陽極と陰極の間に、発光層を含む少なくとも１層の有機層が挟持された有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記有機層の少なくとも１層には、一般式（２−１）で表される有機金属錯体が含有されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化８】
0006036696.tif 000108
〔一般式（２−１）中、環Ａ、環Ｂ及び環Ｃは５員または６員の芳香族炭化水素環または芳香族複素環を表し、ＺはＣＨまたはＮを表す。Ｃｙは５員または６員の芳香族炭化水素環、芳香族複素環、非芳香族炭化水素環または非芳香族複素環を表す。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、シクロアルキルオキシ基、アミノ基、シリル基、アリールアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、非芳香族炭化水素環基または非芳香族複素環基を表し、Ｒ３及びＲ４の少なくとも一方は、ハロゲン原子、シアノ基、置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、シクロアルキルオキシ基、アミノ基、シリル基、アリールアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、非芳香族炭化水素環基または非芳香族複素環基を表す。Ｒ３とＲ４は同じであっても異なっていても良い。ただし、Ｃｙ、Ｒ１及びＲ２が同時に無置換のフェニル基であることはない。Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃ及びＲｄはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アミノ基、シリル基、アリールアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、非芳香族炭化水素環基または非芳香族複素環基を表す。ただし、環ＣとＲｄが結合して、酸素又は硫黄を少なくとも１つ含有する縮合環を形成することはない。ｎａ及びｎｃは１または２を表し、ｎｂ及びｎｄは１〜３の整数を表す。Ｒａ、Ｒｂ、ＲｃおよびＲｄは互いに同じであっても異なっていても良い。ＬはＭに配位したモノアニオン性の二座配位子のうちの１つまたは複数であり、Ｍは原子番号４０以上且つ元素周期表における８〜１０族の遷移金属原子を表し、ｍは２または３を表し、ｎは１〜３の整数を表す。ただし、ｍ≧ｎである。〕
【請求項１３】
請求項１１又は１２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
一般式（２）又は（２−１）中、Ｒ１及びＲ２の少なくとも一方がアルキル基であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１４】
陽極と陰極の間に、発光層を含む少なくとも１層の有機層が挟持された有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記有機層の少なくとも１層には、一般式（２）で表される有機金属錯体が含有されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化９】
0006036696.tif 000109
〔一般式（２）中、環Ａ、環Ｂ及び環Ｃは５員または６員の芳香族炭化水素環または芳香族複素環を表し、ＺはＣＨまたはＮを表す。Ｃｙは５員または６員の芳香族炭化水素環、芳香族複素環、非芳香族炭化水素環または非芳香族複素環を表す。Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、シクロアルキルオキシ基、アミノ基、シリル基、アリールアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、非芳香族炭化水素環基または非芳香族複素環基を表し、Ｒ１及びＲ２の少なくとも一方が炭素原子数２以上のアルキル基である。Ｒａ、Ｒｂ及びＲｃはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アミノ基、シリル基、アリールアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、非芳香族炭化水素環基または非芳香族複素環基を表し、ｎａ及びｎｃは１または２を表し、ｎｂは１〜３の整数を表す。Ｒはハロゲン原子、シアノ基、置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アミノ基、シリル基、アリールアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、非芳香族炭化水素環基または非芳香族複素環基を表し、ｎ０は１〜５の整数を表す。ただし、環ＣとＲが結合して、酸素又は硫黄を少なくとも１つ含有する縮合環を形成することはない。Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃ及びＲは互いに同じであっても異なっていても良い。ＬはＭに配位したモノアニオン性の二座配位子のうちの１つまたは複数であり、Ｍは原子番号４０以上且つ元素周期表における８〜１０族の遷移金属原子を表し、ｍは２または３を表し、ｎは１〜３の整数を表す。ただし、ｍ≧ｎである。〕
【請求項１５】
陽極と陰極の間に、発光層を含む少なくとも１層の有機層が挟持された有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記有機層の少なくとも１層には、一般式（２−１）で表される有機金属錯体が含有されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化１０】
0006036696.tif 000110
〔一般式（２−１）中、環Ａ、環Ｂ及び環Ｃは５員または６員の芳香族炭化水素環または芳香族複素環を表し、ＺはＣＨまたはＮを表す。Ｃｙは５員または６員の芳香族炭化水素環、芳香族複素環、非芳香族炭化水素環または非芳香族複素環を表す。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、シクロアルキルオキシ基、アミノ基、シリル基、アリールアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、非芳香族炭化水素環基または非芳香族複素環基を表し、Ｒ１及びＲ２の少なくとも一方が炭素原子数２以上のアルキル基である。Ｒ３及びＲ４の少なくとも一方は、ハロゲン原子、シアノ基、置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、シクロアルキルオキシ基、アミノ基、シリル基、アリールアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、非芳香族炭化水素環基または非芳香族複素環基を表す。Ｒ３とＲ４は同じであっても異なっていても良い。Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃ及びＲｄはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アミノ基、シリル基、アリールアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、非芳香族炭化水素環基または非芳香族複素環基を表す。ただし、環ＣとＲｄが結合して、酸素又は硫黄を少なくとも１つ含有する縮合環を形成することはない。ｎａ及びｎｃは１または２を表し、ｎｂ及びｎｄは１〜３の整数を表す。Ｒａ、Ｒｂ、ＲｃおよびＲｄは互いに同じであっても異なっていても良い。ＬはＭに配位したモノアニオン性の二座配位子のうちの１つまたは複数であり、Ｍは原子番号４０以上且つ元素周期表における８〜１０族の遷移金属原子を表し、ｍは２または３を表し、ｎは１〜３の整数を表す。ただし、ｍ≧ｎである。〕
【請求項１６】
請求項１１又は１２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
一般式（２）又は（２−１）中、Ｒ１及びＲ２が共にアルキル基であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１７】
陽極と陰極の間に、発光層を含む少なくとも１層の有機層が挟持された有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記有機層の少なくとも１層には、一般式（２）で表される有機金属錯体が含有されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化１１】
0006036696.tif 000111
〔一般式（２）中、環Ａ、環Ｂ及び環Ｃは５員または６員の芳香族炭化水素環または芳香族複素環を表し、ＺはＣＨまたはＮを表す。Ｃｙは５員または６員の芳香族炭化水素環、芳香族複素環、非芳香族炭化水素環または非芳香族複素環を表す。Ｒ１及びＲ２は共に炭素原子数２以上のアルキル基を表す。Ｒａ、Ｒｂ及びＲｃはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アミノ基、シリル基、アリールアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、非芳香族炭化水素環基または非芳香族複素環基を表し、ｎａ及びｎｃは１または２を表し、ｎｂは１〜３の整数を表す。Ｒはハロゲン原子、シアノ基、置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アミノ基、シリル基、アリールアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、非芳香族炭化水素環基または非芳香族複素環基を表し、ｎ０は１〜５の整数を表す。ただし、環ＣとＲが結合して、酸素又は硫黄を少なくとも１つ含有する縮合環を形成することはない。Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃ及びＲは互いに同じであっても異なっていても良い。ＬはＭに配位したモノアニオン性の二座配位子のうちの１つまたは複数であり、Ｍは原子番号４０以上且つ元素周期表における８〜１０族の遷移金属原子を表し、ｍは２または３を表し、ｎは１〜３の整数を表す。ただし、ｍ≧ｎである。〕
【請求項１８】
陽極と陰極の間に、発光層を含む少なくとも１層の有機層が挟持された有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記有機層の少なくとも１層には、一般式（２−１）で表される有機金属錯体が含有されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化１２】
0006036696.tif 000112
〔一般式（２−１）中、環Ａ、環Ｂ及び環Ｃは５員または６員の芳香族炭化水素環または芳香族複素環を表し、ＺはＣＨまたはＮを表す。Ｃｙは５員または６員の芳香族炭化水素環、芳香族複素環、非芳香族炭化水素環または非芳香族複素環を表す。Ｒ１及びＲ２は共に炭素原子数２以上のアルキル基を表す。Ｒ３及びＲ４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、シクロアルキルオキシ基、アミノ基、シリル基、アリールアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、非芳香族炭化水素環基または非芳香族複素環基を表し、Ｒ３及びＲ４の少なくとも一方は、ハロゲン原子、シアノ基、置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、シクロアルキルオキシ基、アミノ基、シリル基、アリールアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、非芳香族炭化水素環基または非芳香族複素環基を表す。Ｒ３とＲ４は同じであっても異なっていても良い。Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃ及びＲｄはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アミノ基、シリル基、アリールアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、非芳香族炭化水素環基または非芳香族複素環基を表す。ただし、環ＣとＲｄが結合して、酸素又は硫黄を少なくとも１つ含有する縮合環を形成することはない。ｎａ及びｎｃは１または２を表し、ｎｂ及びｎｄは１〜３の整数を表す。Ｒａ、Ｒｂ、ＲｃおよびＲｄは互いに同じであっても異なっていても良い。ＬはＭに配位したモノアニオン性の二座配位子のうちの１つまたは複数であり、Ｍは原子番号４０以上且つ元素周期表における８〜１０族の遷移金属原子を表し、ｍは２または３を表し、ｎは１〜３の整数を表す。ただし、ｍ≧ｎである。〕
【請求項１９】
請求項１１〜１８の何れか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
一般式（２）又は（２−１）中、環Ｂがベンゼン環であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２０】
請求項１１〜１９の何れか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
一般式（２）又は（２−１）中、Ｃｙがベンゼン環であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２１】
請求項１２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
一般式（２−１）が一般式（３）で表されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化１３】
0006036696.tif 000113
〔一般式（３）中、環Ａ及び環Ｃは５員または６員の芳香族炭化水素環または芳香族複素環を表し、Ｃｙは５員または６員の芳香族炭化水素環、芳香族複素環、非芳香族炭化水素環または非芳香族複素環を表す。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、シクロアルキルオキシ基、アミノ基、シリル基、アリールアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、非芳香族炭化水素環基または非芳香族複素環基を表し、Ｒ３及びＲ４の少なくとも一方は、ハロゲン原子、シアノ基、置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、シクロアルキルオキシ基、アミノ基、シリル基、アリールアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、非芳香族炭化水素環基または非芳香族複素環基を表す。Ｒ３とＲ４は同じであっても異なっていても良い。ただし、Ｃｙ、Ｒ１及びＲ２が同時に無置換のフェニル基であることはない。Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃ及びＲｄはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、あるいは置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アミノ基、シリル基、アリールアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、非芳香族炭化水素環基または非芳香族複素環基を表す。ただし、環ＣとＲｄが結合して、酸素又は硫黄を少なくとも１つ含有する縮合環を形成することはない。ｎａ及びｎｃは１または２を表し、ｎｂ及びｎｄは１〜３の整数を表す。Ｒａ、Ｒｂ、ＲｃおよびＲｄは互いに同じであっても異なっていても良い。ＬはＭに配位したモノアニオン性の二座配位子のうちの１つまたは複数であり、Ｍは原子番号４０以上且つ元素周期表における８〜１０族の遷移金属原子を表し、ｍは２または３を表し、ｎは１〜３の整数を表す。ただし、ｍ≧ｎである。〕
【請求項２２】
請求項１１〜２１の何れか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
一般式（２）、（２−１）又は（３）中、Ｍがイリジウムであることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２３】
請求項１１〜２２の何れか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記発光層には少なくとも１種のホスト化合物と少なくとも１種のゲスト化合物が含有されており、前記ゲスト化合物として一般式（２）、（２−１）または（３）で表される化合物が、前記発光層全体に対して１０重量％以上含有されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２４】
請求項１〜２３の何れか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記発光層には、フルオレン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、カルバゾール誘導体またはこれらの縮環化合物誘導体の炭化水素環の炭素原子の少なくとも一つが窒素原子で置換された誘導体が含有されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２５】
請求項１〜２４の何れか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
発光色が白色であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２６】
請求項１〜２５の何れか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする表示装置。
【請求項２７】
請求項１〜２５の何れか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする照明装置。
【請求項２８】
請求項１１〜２３の何れか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を製造する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、
一般式（２）、（２−１）または（３）で表される化合物を少なくとも１種含有する有機層をウェットプロセスを用いて形成することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、発光型の電子ディスプレイデバイスとして、エレクトロルミネッセンスディスプレイ（以下、ＥＬＤという）がある。ＥＬＤの構成要素としては、無機エレクトロルミネッセンス素子や有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子ともいう）が挙げられる。
無機エレクトロルミネッセンス素子は平面型光源として使用されてきたが、発光素子を駆動させるためには交流の高電圧が必要である。
一方、有機ＥＬ素子は発光する化合物を含有する発光層を陰極と陽極で挟んだ構成を有し、発光層に電子及び正孔を注入して、再結合させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出（蛍光・リン光）を利用して発光する素子であり、数Ｖ〜数十Ｖ程度の電圧で発光が可能であり、更に自己発光型であるために視野角に富み、視認性が高く、薄膜型の完全固体素子であるために省スペース、携帯性等の観点から注目されている。今後の実用化に向けて、更に低消費電力で効率がよく、高輝度に発光する有機ＥＬ素子の開発が望まれている。【０００３】
上記課題に対し、例えば、特許第３０９３７９６号公報では、スチルベン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体またはトリススチリルアリーレン誘導体に微量の蛍光体をドープし、発光輝度の向上、素子の長寿命化を達成する技術が開示されている。
また、８−ヒドロキシキノリンアルミニウム錯体をホスト化合物として、これに微量の蛍光体をドープした有機発光層を有する素子（例えば、特開昭６３−２６４６９２号公報）、８−ヒドロキシキノリンアルミニウム錯体をホスト化合物として、これにキナクリドン系色素をドープした有機発光層を有する素子（例えば、特開平３−２５５１９０号公報）等が知られている。【０００４】
以上のように、励起一重項からの発光を用いる場合、一重項励起子と三重項励起子の生成比が１：３であるため、発光性励起種の生成確率としては２５％であり、光の取り出し効率が約２０％であるため、外部取り出し量子効率（η）の限界は５％とされている。【０００５】
ところが、プリンストン大より励起三重項からのリン光発光を用いる有機ＥＬ素子の報告（Ｍ．Ａ．Ｂａｌｄｏ  ｅｔ  ａｌ．，Ｎａｔｕｒｅ、３９５巻、１５１〜１５４頁（１９９８年））がされて以来、室温でリン光を示す材料の研究が活発になってきており、例えば、Ｍ．Ａ．Ｂａｌｄｏ  ｅｔ  ａｌ．，Ｎａｔｕｒｅ、４０３巻、１７号、７５０〜７５３頁（２０００年）、また米国特許第６，０９７，１４７号明細書等にも開示されている。【０００６】
励起三重項を使用すると、内部量子効率の上限が１００％となるため、励起一重項の場合に比べて原理的に発光効率が４倍となり、冷陰極管とほぼ同等の性能が得られる可能性があることから、照明用途としても注目されている。
例えば、Ｓ．Ｌａｍａｎｓｋｙ  ｅｔ  ａｌ．，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１２３巻、４３０４頁（２００１年）等においては、イリジウム錯体系等重金属錯体を中心に多くの化合物が合成検討されている。【０００７】
また、前述のＭ．Ａ．Ｂａｌｄｏ  ｅｔ  ａｌ．，Ｎａｔｕｒｅ、４０３巻、１７号、７５０〜７５３頁（２０００年）においては、ドーパントとしてトリス（２−フェニルピリジン）イリジウムを用いた検討がされている。【０００８】
その他、Ｍ．Ｅ．Ｔｏｍｐｓｏｎ等は、Ｔｈｅ  １０ｔｈ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｗｏｒｋｓｈｏｐ  ｏｎ  Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ  ａｎｄ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ（ＥＬ’００、浜松）において、ドーパントとしてＬ２Ｉｒ（ａｃａｃ）、例えば、（ｐｐｙ）２Ｉｒ（ａｃａｃ）を、またＭｏｏｎ−Ｊａｅ  Ｙｏｕｎ．０ｇ、Ｔｅｔｓｕｏ  Ｔｓｕｔｓｕｉ等は、やはりＴｈｅ  １０ｔｈ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｗｏｒｋｓｈｏｐ  ｏｎ  Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ  ａｎｄ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ（ＥＬ’００、浜松）において、ドーパントとしてトリス（２−（ｐ−トリル）ピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｔｐｙ）３），トリス（ベンゾ［ｈ］キノリン）イリジウム（Ｉｒ（ｂｚｑ）３）等を用いた検討を行っている（なお、これらの金属錯体は一般にオルトメタル化イリジウム錯体と呼ばれている。）。
また、前記Ｓ．Ｌａｍａｎｓｋｙ  ｅｔ  ａｌ．，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１２３巻、４３０４頁（２００１年）や特開２００１−２４７８５９号公報等においても、各種イリジウム錯体を用いて素子化する試みがされている。【０００９】
これらの錯体は、下記でも示すが、発光ホスト材料（または単にホストともいう）と一緒に発光層内に分散、添加されて使用されるため、リン光ドーパントと呼ばれている。
有機ＥＬの性能（発光効率・発光寿命・発光色など）は、ドーパントのみならずホストによっても大きく変わるため、両者の開発は精力的に行われている。
例えば、高い発光効率を得るためにＴｈｅ  １０ｔｈ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｗｏｒｋｓｈｏｐ  ｏｎ  Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ  ａｎｄ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ（ＥＬ’００、浜松）では、Ｉｋａｉ等はホール輸送性の化合物をリン光性化合物のホストとして用いている。また、Ｍ．Ｅ．Ｔｏｍｐｓｏｎ等は各種電子輸送性材料をリン光性化合物のホストとして、これらに新規なイリジウム錯体をドープして用いている。【００１０】
また、イリジウム錯体の中心金属を白金としたオルトメタル化錯体も注目されている。この種の錯体に関しては、配位子に特徴を持たせた例が多数知られている。【００１１】
いずれの場合も発光素子とした場合の発光輝度や発光効率は、その発光する光がリン光に由来することから、従来の素子に比べ大幅に改良されるものであるが、素子の発光寿命については従来の蛍光方式の素子よりも低いという問題点があった。このように、リン光性の高効率の発光材料は、素子の発光寿命の改善が難しく、また、発光波長の短波化が困難であり、実用に耐えうる性能を十分に達成できていないのが現状である。【００１２】
ここで、配位子としてフェニルピラゾールを有する金属錯体は発光波長が短波な発光材料であることが開示されている（例えば、特許文献１参照）。また、配位子としてフェニルイミダゾールを有する金属錯体も発光波長が短波な発光材料であることが開示されている（例えば、特許文献２、３、４参照）。さらに、フェナンスリジン骨格のような１８π電子系の縮合芳香族複素環配位子とする金属錯体についての開示がある（例えば、特許文献５、６参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】国際公開２００４／０８５４５０号パンフレット
【特許文献２】国際公開２００６／０４６９８０号パンフレット
【特許文献３】米国特許公報２００６／０２５１９２３号パンフレット
【特許文献４】米国特許公報２０１１／００５７５５９号パンフレット
【特許文献５】国際公開２００７／０９５１１８号パンフレット
【特許文献６】国際公開２００８／１５６８６７９号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
ところで、近年、有機ＥＬ発光素子の低消費電力性に注目し、新たな用途として屋外表示装置用の白色バックライトや事業用の照明光源、あるいは大規模照明装置用の白色発光素子としての応用が検討されている。このような用途に使用するためには、従来以上に高輝度（２０００ｃｄ／ｍ２超）での長時間連続発光が求められることとなり、より一層の発光効率の向上と発光寿命の向上が課題となっている。
従来は、比較的中〜低輝度（１０００ｃｄ／ｍ２以下）での発光効率向上が注目されており、その限りにおいて発光寿命の向上も検討されてきた。しかし、高輝度での発光を前提とした場合には従来の発光素子では十分な発光効率が得られず、発光寿命も大幅に劣化してしまうことが明らかになってきた。【００１５】
このことは、上記した先行技術文献に記載の技術においても同様であり、フェニルピラゾールを有する金属錯体やフェニルイミダゾールを有する金属錯体などを青色発光ドーパントとして使用した場合、高輝度発光（２０００ｃｄ／ｍ２超）させるために高電流を通電すると、従来の素子構成のままでは高輝度発光域での発光効率が低下し、それと同時に発光寿命も大幅に低下する。【００１６】
従来の素子構成において高輝度発光域での発光効率が低下するのは、発光層内のリン光ドーパントのドーピング量が、電流に対して不十分なためであり、ドーパントのドーピング量を増やすことで発光効率を改善することができるが、この方法では、発光寿命を同時に改善することができない。【００１７】
そこで、本発明の主な目的は、高輝度発光域（２０００ｃｄ／ｍ２超）において高い発光効率を示し、且つ発光寿命の長い有機ＥＬ素子材料を用いた有機ＥＬ素子、照明装置及び表示装置を提供することである。更に、本発明の他の目的は、白色発光において、高い発光効率を示し、且つ駆動電圧が低く、発光寿命の長い有機ＥＬ素子材料を提供すること、及び上記のような有機ＥＬ素子を生産性の高いウェットプロセスで提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記課題を解決するため本発明によれば、
陽極と陰極の間に、発光層を含む少なくとも１層の有機層が挟持された有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記有機層の少なくとも１層には、一般式（１）で表される配位子が金属原子に配位したリン光発光性の有機金属錯体が含有されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子が提供される。【００１９】
【化１】
0006036696.tif 000002
【００２０】
一般式（１）中、環Ａ、環Ｂ及び環Ｃは５員または６員の芳香族炭化水素環または芳香族複素環を表し、ＺはＣＨまたはＮを表す。Ｃｙは５員または６員の芳香族炭化水素環、芳香族複素環、非芳香族炭化水素環または非芳香族複素環を表す。Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、シクロアルキルオキシ基、アミノ基、シリル基、アリールアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、非芳香族炭化水素環基または非芳香族複素環基を表す。ただし、Ｃｙ、Ｒ１及びＲ２が同時に無置換のフェニル基であることはない。Ｒａ、Ｒｂ及びＲｃはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アミノ基、シリル基、アリールアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、非芳香族炭化水素環基または非芳香族複素環基を表し、ｎａ及びｎｃは１または２を表し、ｎｂは１〜３の整数を表す。Ｒはシアノ基、置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アミノ基、シリル基、アリールアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、非芳香族炭化水素環基または非芳香族複素環基を表し、ｎ０は１〜５の整数を表す。ただし、Ｒがパーフルオロアルキル基であることはない。また、環ＣとＲが結合して、酸素又は硫黄を少なくとも１つ含有する縮合環を形成することはない。Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃ及びＲは互いに同じであっても異なっていても良い。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、高輝度発光域（２０００ｃｄ／ｍ２超）において、高い発光効率を示し、且つ駆動電圧が低く、発光寿命の長い有機ＥＬ素子を提供することができる。
また、当該発明者らの検討の結果、本発明により、素子駆動開始時の初期劣化を大幅に低減することができ、さらには素子駆動中の発光素子のダークスポット発生も大幅に低減させることに成功し、有用な有機ＥＬ素子を提供することができる。
また、該素子を用いた高効率な白色発光照明装置、表示装置用の白色発光光源を提供することができる。
さらに、生産性の高いウェットプロセスを用いた有機ＥＬ素子の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の表示装置の構成の一例を示した概略斜視図である。
【図２】図１に示す表示部Ａの構成の一例を示した概略斜視図である。
【図３】本発明の有機ＥＬ素子を用いた照明装置の一例を示す概略斜視図である。
【図４】本発明の有機ＥＬ素子を用いた照明装置の一例を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明の好ましい実施形態について説明する。
《有機ＥＬ素子の構成層》
本発明の有機ＥＬ素子の構成層について説明する。本発明において、有機ＥＬ素子の層構成の好ましい具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されない。
【００２４】
（ｉ）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
（ｉｉ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（ｉｉｉ）陽極／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極
（ｉｖ）陽極／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファー層／陰極
（ｖ）陽極／陽極バッファー層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファー層／陰極
【００２５】
本発明の有機ＥＬ素子においては、青色発光層の発光極大波長は４３０ｎｍ〜４８０ｎｍにあるものが好ましく、緑色発光層は発光極大波長が５１０ｎｍ〜５５０ｎｍ、赤色発光層は発光極大波長が６００ｎｍ〜６４０ｎｍの範囲にある単色発光層であることが好ましく、本発明の表示装置は、そのような有機ＥＬ素子を用いて構成されていることが好ましい。また、有機ＥＬ素子は、これらの少なくとも３層の発光層を積層して白色発光層としたものであってもよい。更に、発光層間には非発光性の中間層を有していてもよい。本発明の有機ＥＬ素子としては白色発光層であることが好ましく、本発明の照明装置はこれらを用いて構成されていることが好ましい。
【００２６】
本発明の有機ＥＬ素子を構成する各層について説明する。
【００２７】
《発光層》
本発明に係る発光層は、電極または電子輸送層、正孔輸送層から注入されてくる電子及び正孔が再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であってもよい。
【００２８】
発光層の膜厚の総和は特に制限はないが、膜の均質性や、発光時に不必要な高電圧を印加するのを防止し、かつ、駆動電流に対する発光色の安定性向上の観点から、好ましくは２ｎｍ〜５μｍの範囲に調整され、さらに好ましくは２ｎｍ〜２００ｎｍの範囲に調整され、特に好ましくは１０ｎｍ〜２０ｎｍの範囲に調整される。
【００２９】
発光層の形成には、後述する発光ドーパントやホスト化合物を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法、インクジェット法等の公知の薄膜化法により成膜して形成することができる。
【００３０】
本発明の有機ＥＬ素子の発光層には、発光ホスト化合物と、発光ドーパント（リン光ドーパント（リン光発光性ドーパントともいう）や蛍光ドーパント等）の少なくとも１種類とを含有することが好ましい。
【００３１】
（１）ホスト化合物（発光ホスト等ともいう）
本発明に用いられるホスト化合物について説明する。
本発明においてホスト化合物とは、発光層に含有される化合物の中でその層中での質量比が２０％以上であり、且つ室温（２５℃）においてリン光発光のリン光量子収率が、０．１未満の化合物と定義される。好ましくはリン光量子収率が０．０１未満である。
【００３２】
ホスト化合物としては、公知のホスト化合物を一種類単独で用いてもよく、または複数種併用して用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機ＥＬ素子をさらに高効率化することができる。また、後述する発光ドーパントを複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。
【００３３】
また、本発明に用いられる発光ホストとしては、低分子化合物でも、繰り返し単位をもつ高分子化合物でもよく、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物（蒸着重合性発光ホスト）でもよく、このような化合物を１種または複数種用いても良い。
【００３４】
以下に、本発明に好ましく用いられるホスト化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。
【００３５】
【化２】
0006036696.tif 000003
【００３６】
【化３】
0006036696.tif 000004
【００３７】
【化４】
0006036696.tif 000005
【００３８】
【化５】
0006036696.tif 000006
【００３９】
【化６】
0006036696.tif 000007
【００４０】
【化７】
0006036696.tif 000008
【００４１】
併用可能な公知のホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、且つ発光の長波長化を防ぎ、なお且つＴｇ（ガラス転移温度）が高いものが好ましい。
【００４２】
公知のホスト化合物の他の具体例としては、以下の文献に記載されている化合物が挙げられる。
特開２００１−２５７０７６号公報、同２００２−３０８８５５号公報、同２００１−３１３１７９号公報、同２００２−３１９４９１号公報、同２００１−３５７９７７号公報、同２００２−３３４７８６号公報、同２００２−８８６０号公報、同２００２−３３４７８７号公報、同２００２−１５８７１号公報、同２００２−３３４７８８号公報、同２００２−４３０５６号公報、同２００２−３３４７８９号公報、同２００２−７５６４５号公報、同２００２−３３８５７９号公報、同２００２−１０５４４５号公報、同２００２−３４３５６８号公報、同２００２−１４１１７３号公報、同２００２−３５２９５７号公報、同２００２−２０３６８３号公報、同２００２−３６３２２７号公報、同２００２−２３１４５３号公報、同２００３−３１６５号公報、同２００２−２３４８８８号公報、同２００３−２７０４８号公報、同２００２−２５５９３４号公報、同２００２−２６０８６１号公報、同２００２−２８０１８３号公報、同２００２−２９９０６０号公報、同２００２−３０２５１６号公報、同２００２−３０５０８３号公報、同２００２−３０５０８４号公報、同２００２−３０８８３７号公報等。
【００４３】
（２）発光ドーパント
本発明に係る発光ドーパントについて説明する。
【００４４】
本発明に係る発光ドーパントとしては、蛍光ドーパント（蛍光性化合物ともいう）、リン光ドーパント（リン光発光体、リン光性化合物、リン光発光性化合物等ともいう）を用いることができるが、より発光効率の高い有機ＥＬ素子を得る観点からは、本発明の有機ＥＬ素子の発光層や発光ユニットに使用される発光ドーパント（単に、発光材料ということもある）としては、上記のホスト化合物を含有すると同時に、リン光ドーパントを含有することが好ましい。
【００４５】
（２．１）リン光ドーパント
本発明に係るリン光ドーパントについて説明する。
本発明に係るリン光ドーパントは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には、室温（２５℃）にてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が、２５℃において０．０１以上の化合物であると定義されるが、好ましいリン光量子収率は０．１以上である。
【００４６】
上記リン光量子収率は、第４版実験化学講座７の分光ＩＩの３９８頁（１９９２年版、丸善）に記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明に係るリン光ドーパントは、任意の溶媒のいずれかにおいて上記リン光量子収率（０．０１以上）が達成されればよい。
【００４７】
リン光ドーパントの発光は原理としては２種挙げられ、一つはキャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーをリン光ドーパントに移動させることでリン光ドーパントからの発光を得るというエネルギー移動型、もう一つはリン光ドーパントがキャリアトラップとなり、リン光ドーパント上でキャリアの再結合が起こりリン光ドーパントからの発光が得られるというキャリアトラップ型であるが、いずれの場合においても、リン光ドーパントの励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件である。
【００４８】
本発明に係るリン光ドーパントは、好ましくは元素の周期表で８〜１０族の金属を含有する錯体系化合物であり、さらに好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、または白金化合物（白金錯体系化合物）、希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。
【００４９】
具体的には、本発明の実施形態におけるリン光ドーパントとしては、下記の一般式（１）又は一般式（１−１）で表される配位子（配位子化合物ともいう）を有する有機金属錯体や、一般式（２）、一般式（２−１）又は一般式（３）で表される有機金属錯体が用いられる。
以下、本発明に係る有機金属錯体の詳細について、順次説明する。
【００５０】
（２．１．１）有機金属錯体（金属錯体化合物ともいう）
本発明に係る有機金属錯体について説明する。
本発明者らは、有機ＥＬ素子の発光層に用いる有機ＥＬ素子材料に着目し、特に発光ドーパントとして用いる有機金属錯体について種々検討した。
【００５１】
本発明者らは、有機金属錯体の基本骨格に特定の置換基を導入することで、発光効率の低下原因となる発光ドーパントの励起子の相互作用を抑制し、発光ドーパントへの過剰な電子又は正孔の注入による寿命劣化の改善を図るという着目点の下に種々の錯体を検討した。
【００５２】
検討の結果、本発明で開示している特定の置換基の導入によって、発光ドーパントへの過剰な電子又は正孔の注入を抑制しつつ有機金属錯体上での電荷の再結合による励起子の生成が促進され、さらに、発光ドーパントの励起子の相互作用を抑制することで、発光効率が向上し、同時に発光素子の発光寿命も延ばすことができた。
【００５３】
さらに、予想外の効果として素子駆動開始時の初期劣化を大幅に低減する事が出来たうえ、さらには発光素子のダークスポットも大幅に低減させることに成功し、有用な有機ＥＬ素子を提供することが出来た。
【００５４】
本発明に係る一般式（２）、一般式（２−１）または一般式（３）で表される遷移金属錯体化合物は、各々Ｍで表される遷移金属元素の価数により、複数の配位子を有することができるが、前記配位子は全て同一でもよく、また、各々異なる構造を有する配位子を有していてもよい。
【００５５】
（２．１．２）従来公知の配位子
本発明では、一般式（１）又は一般式（１−１）で表される配位子と、従来公知の配位子と、を当業者が必要に応じて併用することができる。
【００５６】
本発明に記載の効果を好ましく得る観点からは、一の有機金属錯体は、好ましくは１〜２種類の配位子から構成され、更に好ましくは１種類の配位子から構成されている。
【００５７】
従来公知の配位子としては、種々の公知の配位子があるが、例えば、「Ｐｈｏｔｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ａｎｄ  Ｐｈｏｔｏｐｈｙｓｉｃｓ  ｏｆ  Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ」Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｇ社  Ｈ．Ｙｅｒｓｉｎ著  １９８７年発行、「有機金属化学−基礎と応用−」  裳華房社  山本明夫著  １９８２年発行  等に記載の配位子（例えば、ハロゲン配位子（好ましくは塩素配位子）、含窒素ヘテロ環配位子（例えば、ビピリジル、フェナントロリンなど）、ジケトン配位子など）が挙げられる。
【００５８】
（２．１．３）元素周期表の８〜１０族の遷移金属元素
本発明に係る、一般式（２）、一般式（２−１）または一般式（３）で表されるリン光発光性の有機金属錯体（金属錯体、金属錯体化合物ともいう）の形成に用いられる金属としては、元素周期表の８〜１０族の遷移金属元素（単に遷移金属ともいう、具体的にはＲｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔが挙げられる。）が用いられるが、中でも、イリジウムが好ましい遷移金属元素として挙げられる。
【００５９】
（２．１．４）本発明に係る有機金属錯体の含有層
本発明に係る一般式（２）、一般式（２−１）または一般式（３）で表される有機金属錯体は、発光層に含有されるものとして説明しているが、電荷を輸送する層（電荷輸送層）に含有されていれば良く、正孔輸送層または電子阻止層に含有されていても良い。
【００６０】
また、本発明に係る有機金属錯体が発光層に含有されている場合は、発光層中の発光ドーパントとして用いることにより、本発明の有機ＥＬ素子の外部取り出し量子効率の効率アップ（高輝度化）や発光寿命の長寿命化を達成することができる。
【００６１】
（２．１．５）一般式（１）で表される配位子化合物
まず、本発明に係る一般式（１）で表される配位子化合物について説明する。
【００６２】
【化８】
0006036696.tif 000009
【００６３】
一般式（１）で表される部分構造を有する配位子化合物において、環Ａ、環Ｂ及び環Ｃは５員または６員の芳香族炭化水素環または芳香族複素環を表し、ＺはＣＨまたはＮを表す。
６員の芳香族炭化水素環としてはベンゼン環、５員芳香族複素環としてはフラン環、チオフェン環、オキサゾール環、ピロール環、イミダゾール環、チアゾール環など、６員の芳香族複素環としてはピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環などが挙げられる。
【００６４】
Ｃｙは５員または６員の芳香族炭化水素環、芳香族複素環、非芳香族炭化水素環または非芳香族複素環を表す。
６員の芳香族炭化水素環としてはベンゼン環、５員芳香族複素環としてはオキサゾール環、チアゾール環、オキサジアゾール環、オキサトリアゾール環、イソオキサゾール環、テトラゾール環、チアジアゾール環、チアトリアゾール環、イソチアゾール環、チオフェン環、フラン環、ピロール環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、テトラゾール環など、６員の芳香族複素環としてはピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環など、５員非芳香族炭化水素環としてはシクロペンタン環、シクロペンテン環など、６員非芳香族炭化水素環としてはシクロヘキサン環、シクロヘキセン環、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン環、９，９，１０，１０−テトラメチル−９，１０−ジヒドロアントラセン、ビフェニレンなど、５員非芳香族複素環としてはピロリジン環、イミダゾリジン環、オキサゾリジン環など、６員非芳香族複素環としてはピペリジン環、ピペラジン環、モルホリル環、チオモルホリン環、テトラヒドロフラン環、１０Ｈ−フェノキサジン環、フェノキサチイン環、クロマン−２−オン環、２，３，４，９−テトラヒドロ−１Ｈ−カルバゾール環など、が挙げられる。
【００６５】
Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換されていてもよいアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等、又はこれらのアルキル基の水素原子が置換されているもの）、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アルケニル基（例えば、ビニル基、アリル基等）、アルキニル基（例えば、エチニル基、プロパルギル基等）、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等）、シクロアルキルオキシ基（例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、アミノ基（例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、２−ピリジルアミノ基等）、シリル基（例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等）、アリールアルキル基（ベンジル基、フェネチル基、ジフェニルメチル基、１，１−ジフェニルエチル基、１，２−ジフェニルエチル基など）、アリール基（例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等）、ヘテロアリール基（例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、トリアゾリル基（例えば、１，２，４−トリアゾール−１−イル基、１，２，３−トリアゾール−１−イル基等）、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、キノリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基（前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す）、キノキサリニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ｐ−クロロフェノキシ基、メシチルオキシ基、トリルオキシ基、キシリルオキシ基、ナフチルオキシ基、アントリルオキシ基、アズレニルオキシ基、アセナフテニルオキシ基、フルオレニルオキシ基、フェナントリルオキシ基、インデニルオキシ基、ピレニルオキシ基、ビフェニリルオキシ基等）、ヘテロアリールオキシ基（例えば、ピリジルオキシ基、ピリミジニルオキシ基、フリルオキシ基、ピロリルオキシ基、イミダゾリルオキシ基、ベンゾイミダゾリルオキシ基、ピラゾリルオキシ基、ピラジニルオキシ基、トリアゾリルオキシ基（例えば、１，２，４−トリアゾール−１−イルオキシ基、１，２，３−トリアゾール−１−イルオキシ基等）、オキサゾリルオキシ基、ベンゾオキサゾリルオキシ基、チアゾリルオキシ基、イソオキサゾリルオキシ基、イソチアゾリルオキシ基、フラザニルオキシ基、チエニルオキシ基、キノリルオキシ基、ベンゾフリルオキシ基、ジベンゾフリルオキシ基、ベンゾチエニルオキシ基、ジベンゾチエニルオキシ基、インドリルオキシ基、カルバゾリルオキシ基、カルボリニルオキシ基等）、非芳香族炭化水素環基（例えば１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−５−イル基、９，９，１０，１０−テトラメチル−９，１０−ジヒドロアントラセン−２−イル基、ビフェニレン−１−イル基等）、または非芳香族複素環基（例えばピロリジル基、イミダゾリジル基、オキサゾリジル基、モルホリル基、チオモルホリニル基、テトラヒドロフラン−２−イル基、１０Ｈ−フェノキサジン−３−イル基、フェノキサチイン−３−イル基、クロマン−２−オン−６−イル基、２，３，４，９−テトラヒドロ−１Ｈ−カルバゾール−７−イル基等）を表す。
【００６６】
Ｒａ、Ｒｂ及びＲｃはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換されていてもよいアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等、又はこれらのアルキル基の水素原子が置換されているもの）、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アルケニル基（例えば、ビニル基、アリル基等）、アルキニル基（例えば、エチニル基、プロパルギル基等）、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等）、シクロアルキルオキシ基（例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、アミノ基（例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、２−ピリジルアミノ基等）、シリル基（例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等）、アリールアルキル基（ベンジル基、フェネチル基、ジフェニルメチル基、１，１−ジフェニルエチル基、１，２−ジフェニルエチル基など）、アリール基（例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等）、ヘテロアリール基（例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、トリアゾリル基（例えば、１，２，４−トリアゾール−１−イル基、１，２，３−トリアゾール−１−イル基等）、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、キノリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基（前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す）、キノキサリニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ｐ−クロロフェノキシ基、メシチルオキシ基、トリルオキシ基、キシリルオキシ基、ナフチルオキシ基、アントリルオキシ基、アズレニルオキシ基、アセナフテニルオキシ基、フルオレニルオキシ基、フェナントリルオキシ基、インデニルオキシ基、ピレニルオキシ基、ビフェニリルオキシ基、等）、ヘテロアリールオキシ基（例えば、例えば、ピリジルオキシ基、ピリミジニルオキシ基、フリルオキシ基、ピロリルオキシ基、イミダゾリルオキシ基、ベンゾイミダゾリルオキシ基、ピラゾリルオキシ基、ピラジニルオキシ基、トリアゾリルオキシ基（例えば、１，２，４−トリアゾール−１−イルオキシ基、１，２，３−トリアゾール−１−イルオキシ基等）、オキサゾリルオキシ基、ベンゾオキサゾリルオキシ基、チアゾリルオキシ基、イソオキサゾリルオキシ基、イソチアゾリルオキシ基、フラザニルオキシ基、チエニルオキシ基、キノリルオキシ基、ベンゾフリルオキシ基、ジベンゾフリルオキシ基、ベンゾチエニルオキシ基、ジベンゾチエニルオキシ基、インドリルオキシ基、カルバゾリルオキシ基、カルボリニルオキシ基、等）、非芳香族炭化水素環基（例えば１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−５−イル基、９，９，１０，１０−テトラメチル−９，１０−ジヒドロアントラセン−２−イル基、ビフェニレン−１−イル基等）、または非芳香族複素環基（例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、オキサゾリジル基、モルホリル基、チオモルホリニル基、テトラヒドロフラン−２−イル基、１０Ｈ−フェノキサジン−３−イル基、フェノキサチイン−３−イル基、クロマン−２−オン−６−イル基、２，３，４，９−テトラヒドロ−１Ｈ−カルバゾール−７−イル基等）を表す。
【００６７】
ｎａ及びｎｃは１または２を表し、ｎｂは１〜３の整数を表す。
【００６８】
Ｒはハロゲン原子、シアノ基、置換されていてもよいアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等、又はこれらのアルキル基の水素原子が置換されているもの）、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アルケニル基（例えば、ビニル基、アリル基等）、アルキニル基（例えば、エチニル基、プロパルギル基等）、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等）、アミノ基（例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、２−ピリジルアミノ基等）、シリル基（例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等）、アリールアルキル基（例えば、ベンジル基、フェネチル基、ジフェニルメチル基、１，１−ジフェニルエチル基、１，２−ジフェニルエチル基等）、アリール基（例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等）、ヘテロアリール基（例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、トリアゾリル基（例えば、１，２，４−トリアゾール−１−イル基、１，２，３−トリアゾール−１−イル基等）、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、キノリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基（前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す）、キノキサリニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ｐ−クロロフェノキシ基、メシチルオキシ基、トリルオキシ基、キシリルオキシ基、ナフチルオキシ基、アントリルオキシ基、アズレニルオキシ基、アセナフテニルオキシ基、フルオレニルオキシ基、フェナントリルオキシ基、インデニルオキシ基、ピレニルオキシ基、ビフェニリルオキシ基等）、ヘテロアリールオキシ基（例えば、例えば、ピリジルオキシ基、ピリミジニルオキシ基、フリルオキシ基、ピロリルオキシ基、イミダゾリルオキシ基、ベンゾイミダゾリルオキシ基、ピラゾリルオキシ基、ピラジニルオキシ基、トリアゾリルオキシ基（例えば、１，２，４−トリアゾール−１−イルオキシ基、１，２，３−トリアゾール−１−イルオキシ基等）、オキサゾリルオキシ基、ベンゾオキサゾリルオキシ基、チアゾリルオキシ基、イソオキサゾリルオキシ基、イソチアゾリルオキシ基、フラザニルオキシ基、チエニルオキシ基、キノリルオキシ基、ベンゾフリルオキシ基、ジベンゾフリルオキシ基、ベンゾチエニルオキシ基、ジベンゾチエニルオキシ基、インドリルオキシ基、カルバゾリルオキシ基、カルボリニルオキシ基等）、非芳香族炭化水素環基、または非芳香族複素環基を表し、ｎ０は１〜５の整数を表す。
Ｒａ、Ｒｂ、ＲｃおよびＲはそれぞれ互いに同じであっても異なっていても良い。
また、Ｒａ、Ｒｂ、ＲｃおよびＲの中の任意の２つが結合して環状構造を形成していても良い。
【００６９】
（２．１．６）一般式（１−１）で表される配位子化合物
本発明に係る一般式（１−１）で表される配位子化合物について説明する。
本発明に係る一般式（１）で表される配位子化合物のなかでも好ましいのは一般式（１−１）で表される配位子化合物である。
【００７０】
【化９】
0006036696.tif 000010
【００７１】
一般式（１−１）で表される配位子化合物において、環Ａ、環Ｂ及び環Ｃは５員または６員の芳香族炭化水素環または芳香族複素環を表し、ＺはＣＨまたはＮを表す。
６員の芳香族炭化水素環としてはベンゼン環、５員芳香族複素環としてはフラン環、チオフェン環、オキサゾール環、ピロール環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環など、６員の芳香族複素環としてはピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環など、が挙げられる。
【００７２】
Ｃｙは５員または６員の芳香族炭化水素環、芳香族複素環、非芳香族炭化水素環または非芳香族複素環を表す。
６員の芳香族炭化水素環としてはベンゼン環、５員芳香族複素環としてはオキサゾール環、チアゾール環、オキサジアゾール環、オキサトリアゾール環、イソオキサゾール環、テトラゾール環、チアジアゾール環、チアトリアゾール環、イソチアゾール環、チオフェン環、フラン環、ピロール環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、テトラゾール環など、６員の芳香族複素環としてはピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環など、５員非芳香族炭化水素環としてはシクロペンタン環、シクロペンテン環など、６員非芳香族炭化水素環としてはシクロヘキサン環、シクロヘキセン環、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン環、９，９，１０，１０−テトラメチル−９，１０−ジヒドロアントラセン、ビフェニレンなど、５員非芳香族複素環としてはピロリジン環、イミダゾリジン環、オキサゾリジン環など、６員非芳香族複素環としてはピペリジン環、ピペラジン環、モルホリル環、チオモルホリン環、テトラヒドロフラン環、１０Ｈ−フェノキサジン環、フェノキサチイン環、クロマン−２−オン環、２，３，４，９−テトラヒドロ−１Ｈ−カルバゾール環など、が挙げられる。
【００７３】
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、あるいは置換されていてもよいアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等、又はこれらのアルキル基の水素原子が置換されているもの）、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アルケニル基（例えば、ビニル基、アリル基等）、アルキニル基（例えば、エチニル基、プロパルギル基等）、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等）、シクロアルキルオキシ基（例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、アミノ基（例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、２−ピリジルアミノ基等）、シリル基（例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等）、アリールアルキル基（例えば、ベンジル基、フェネチル基、ジフェニルメチル基、１，１−ジフェニルエチル基、１，２−ジフェニルエチル基等）、アリール基（例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等）、ヘテロアリール基（例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、トリアゾリル基（例えば、１，２，４−トリアゾール−１−イル基、１，２，３−トリアゾール−１−イル基等）、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、キノリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基（前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す）、キノキサリニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ｐ−クロロフェノキシ基、メシチルオキシ基、トリルオキシ基、キシリルオキシ基、ナフチルオキシ基、アントリルオキシ基、アズレニルオキシ基、アセナフテニルオキシ基、フルオレニルオキシ基、フェナントリルオキシ基、インデニルオキシ基、ピレニルオキシ基、ビフェニリルオキシ基等）、ヘテロアリールオキシ基（例えば、ピリジルオキシ基、ピリミジニルオキシ基、フリルオキシ基、ピロリルオキシ基、イミダゾリルオキシ基、ベンゾイミダゾリルオキシ基、ピラゾリルオキシ基、ピラジニルオキシ基、トリアゾリルオキシ基（例えば、１，２，４−トリアゾール−１−イルオキシ基、１，２，３−トリアゾール−１−イルオキシ基等）、オキサゾリルオキシ基、ベンゾオキサゾリルオキシ基、チアゾリルオキシ基、イソオキサゾリルオキシ基、イソチアゾリルオキシ基、フラザニルオキシ基、チエニルオキシ基、キノリルオキシ基、ベンゾフリルオキシ基、ジベンゾフリルオキシ基、ベンゾチエニルオキシ基、ジベンゾチエニルオキシ基、インドリルオキシ基、カルバゾリルオキシ基、カルボリニルオキシ基等）、非芳香族炭化水素環基（例えば、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−５−イル基、９，９，１０，１０−テトラメチル−９，１０−ジヒドロアントラセン−２−イル基、ビフェニレン−１−イル基等）、または非芳香族複素環基（例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、オキサゾリジル基、モルホリル基、チオモルホリニル基、テトラヒドロフラン−２−イル基、１０Ｈ−フェノキサジン−３−イル基、フェノキサチイン−３−イル基、クロマン−２−オン−６−イル基、２，３，４，９−テトラヒドロ−１Ｈ−カルバゾール−７−イル基等）を表す。
【００７４】
Ｒ３及びＲ４の少なくとも一方は、ハロゲン原子、シアノ基、置換されていてもよいアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等、又はこれらのアルキル基の水素原子が置換されているもの）、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アルケニル基（例えば、ビニル基、アリル基等）、アルキニル基（例えば、エチニル基、プロパルギル基等）、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等）、シクロアルキルオキシ基（例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、アミノ基（例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、２−ピリジルアミノ基等）、シリル基（例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等）、アリールアルキル基（ベンジル基、フェネチル基、ジフェニルメチル基、１，１−ジフェニルエチル基、１，２−ジフェニルエチル基等）、アリール基（例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等）、ヘテロアリール基（例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、トリアゾリル基（例えば、１，２，４−トリアゾール−１−イル基、１，２，３−トリアゾール−１−イル基等）、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、キノリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基（前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す）、キノキサリニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ｐ−クロロフェノキシ基、メシチルオキシ基、トリルオキシ基、キシリルオキシ基、ナフチルオキシ基、アントリルオキシ基、アズレニルオキシ基、アセナフテニルオキシ基、フルオレニルオキシ基、フェナントリルオキシ基、インデニルオキシ基、ピレニルオキシ基、ビフェニリルオキシ基等）、ヘテロアリールオキシ基（例えば、ピリジルオキシ基、ピリミジニルオキシ基、フリルオキシ基、ピロリルオキシ基、イミダゾリルオキシ基、ベンゾイミダゾリルオキシ基、ピラゾリルオキシ基、ピラジニルオキシ基、トリアゾリルオキシ基（例えば、１，２，４−トリアゾール−１−イルオキシ基、１，２，３−トリアゾール−１−イルオキシ基等）、オキサゾリルオキシ基、ベンゾオキサゾリルオキシ基、チアゾリルオキシ基、イソオキサゾリルオキシ基、イソチアゾリルオキシ基、フラザニルオキシ基、チエニルオキシ基、キノリルオキシ基、ベンゾフリルオキシ基、ジベンゾフリルオキシ基、ベンゾチエニルオキシ基、ジベンゾチエニルオキシ基、インドリルオキシ基、カルバゾリルオキシ基、カルボリニルオキシ基、ジアザカルバゾリルオキシ基、キノキサリニルオキシ基、ピリダジニルオキシ基、トリアジニルオキシ基、キナゾリニルオキシ基、フタラジニルオキシ基等）、非芳香族炭化水素環基（例えば、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−５−イル基、９，９，１０，１０−テトラメチル−９，１０−ジヒドロアントラセン−２−イル基、ビフェニレン−１−イル基等）、または非芳香族複素環基（例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、オキサゾリジル基、モルホリル基、チオモルホリニル基、テトラヒドロフラン−２−イル基、１０Ｈ−フェノキサジン−３−イル基、フェノキサチイン−３−イル基、クロマン−２−オン−６−イル基、２，３，４，９−テトラヒドロ−１Ｈ−カルバゾール−７−イル基等）を表す。
Ｒ３とＲ４は同じであっても異なっていても良い。
【００７５】
Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃ及びＲｄはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換されていてもよいアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等、又はこれらのアルキル基の水素原子が置換されているもの）、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アルケニル基（例えば、ビニル基、アリル基等）、アルキニル基（例えば、エチニル基、プロパルギル基等）、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等）、シクロアルキルオキシ基（例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、アミノ基（例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、２−ピリジルアミノ基等）、シリル基（例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等）、アリールアルキル基（ベンジル基、フェネチル基、ジフェニルメチル基、１，１−ジフェニルエチル基、１，２−ジフェニルエチル基など）、アリール基（例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等）、ヘテロアリール基（例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、トリアゾリル基（例えば、１，２，４−トリアゾール−１−イル基、１，２，３−トリアゾール−１−イル基等）、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、キノリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基（前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す）、キノキサリニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ｐ−クロロフェノキシ基、メシチルオキシ基、トリルオキシ基、キシリルオキシ基、ナフチルオキシ基、アントリルオキシ基、アズレニルオキシ基、アセナフテニルオキシ基、フルオレニルオキシ基、フェナントリルオキシ基、インデニルオキシ基、ピレニルオキシ基、ビフェニリルオキシ基等）、ヘテロアリールオキシ基（例えば、ピリジルオキシ基、ピリミジニルオキシ基、フリルオキシ基、ピロリルオキシ基、イミダゾリルオキシ基、ベンゾイミダゾリルオキシ基、ピラゾリルオキシ基、ピラジニルオキシ基、トリアゾリルオキシ基（例えば、１，２，４−トリアゾール−１−イルオキシ基、１，２，３−トリアゾール−１−イルオキシ基等）、オキサゾリルオキシ基、ベンゾオキサゾリルオキシ基、チアゾリルオキシ基、イソオキサゾリルオキシ基、イソチアゾリルオキシ基、フラザニルオキシ基、チエニルオキシ基、キノリルオキシ基、ベンゾフリルオキシ基、ジベンゾフリルオキシ基、ベンゾチエニルオキシ基、ジベンゾチエニルオキシ基、インドリルオキシ基、カルバゾリルオキシ基、カルボリニルオキシ基等）、非芳香族炭化水素環基（例えば、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−５−イル基、９，９，１０，１０−テトラメチル−９，１０−ジヒドロアントラセン−２−イル基、ビフェニレン−１−イル基等）、または非芳香族複素環基（例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、オキサゾリジル基、モルホリル基、チオモルホリニル基、テトラヒドロフラン−２−イル基、１０Ｈ−フェノキサジン−３−イル基、フェノキサチイン−３−イル基、クロマン−２−オン−６−イル基、２，３，４，９−テトラヒドロ−１Ｈ−カルバゾール−７−イル基等）を表す。
【００７６】
ｎａ及びｎｃは１または２を表し、ｎｂ及びｎｄは１〜３の整数を表す。
Ｒａ、Ｒｂ、ＲｃおよびＲｄはそれぞれ互いに同じであっても異なっていても良い。
また、Ｒａ、Ｒｂ、ＲｃおよびＲｄの中の任意の２つが結合して環状構造を形成していても良い。
【００７７】
（２．１．７）一般式（２）で表される化合物
本発明に係る一般式（２）で表されるリン光発光性の有機金属錯体について説明する。
本発明の、一般式（１）で表される化合物を配位子とするリン光発光性の有機金属錯体は、一般式（２）で表される化合物である。
【００７８】
【化１０】
0006036696.tif 000011
【００７９】
環Ａ、環Ｂ及び環Ｃは５員または６員の芳香族炭化水素環または芳香族複素環を表し、ＺはＣＨまたはＮを表す。
Ｃｙは５員または６員の芳香族炭化水素環、芳香族複素環、非芳香族炭化水素環または非芳香族複素環を表し、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、あるいは置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、シクロアルキルオキシ基、アミノ基、シリル基、アリールアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、非芳香族炭化水素環基または非芳香族複素環基を表す。Ｒａ、Ｒｂ及びＲｃはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、あるいは置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アミノ基、シリル基、アリールアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、非芳香族炭化水素環基または非芳香族複素環基を表し、ｎａ及びｎｃは１または２を表し、ｎｂは１〜３の整数を表す。
Ｒはハロゲン原子、シアノ基、置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アミノ基、シリル基、アリールアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、非芳香族炭化水素環基または非芳香族複素環基を表し、ｎ０は１〜５の整数を表す。
Ｒａ、Ｒｂ、ＲｃおよびＲは互いに同じであっても異なっていても良い。
【００８０】
環Ａ、環Ｂ、環Ｃ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃ、Ｒ、Ｃｙに関する詳細な説明は一般式（１）、（１−１）の説明におけるものと同じである。
【００８１】
ＬはＭに配位したモノアニオン性の二座配位子のうちの１つまたは複数である。
モノアニオン性の二座配位子の例を以下に示すが本発明はこれに限定されない。
【００８２】
【化１１】
0006036696.tif 000012
【００８３】
Ｍは原子番号４０以上且つ元素周期表における８〜１０族の遷移金属原子を表す。
具体的な金属原子としては、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔが挙げられる。
【００８４】
ｍは２または３を表し、ｎは１〜３の整数を表す。ただし、ｍ≧ｎである。
【００８５】
（２．１．８）一般式（２−１）で表される化合物
本発明に係る一般式（２−１）で表されるリン光発光性の有機金属錯体について説明する。
本発明の、一般式（２）で表されるリン光発光性の有機金属錯体として、好ましいものは、一般式（２−１）で表される化合物である。
【００８６】
【化１２】
0006036696.tif 000013
【００８７】
環Ａ、環Ｂ及び環Ｃは５員または６員の芳香族炭化水素環または芳香族複素環を表し、ＺはＣＨまたはＮを表す。
Ｃｙは５員または６員の芳香族炭化水素環、芳香族複素環、非芳香族炭化水素環または非芳香族複素環を表す。
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、シクロアルキルオキシ基、アミノ基、シリル基、アリールアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、非芳香族炭化水素環基または非芳香族複素環基を表し、Ｒ３及びＲ４の少なくとも一方は、ハロゲン原子、シアノ基、置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、シクロアルキルオキシ基、アミノ基、シリル基、アリールアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、非芳香族炭化水素環基または非芳香族複素環基を表す。Ｒ３とＲ４は同じであっても異なっていても良い。
Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃ及びＲｄはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アミノ基、シリル基、アリールアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、非芳香族炭化水素環基、または非芳香族複素環基を表し、ｎａ及びｎｃは１または２を表し、ｎｂ及びｎｄは１〜３の整数を表す。
Ｒａ、Ｒｂ、ＲｃおよびＲｄは互いに同じであっても異なっていても良い。
ＬはＭに配位したモノアニオン性の二座配位子のうちの１つまたは複数である。
Ｍは原子番号４０以上且つ元素周期表における８〜１０族の遷移金属原子を表す。
ｍは２または３を表し、ｎは１〜３の整数を表す。ただし、ｍ≧ｎである。
【００８８】
環Ａ、環Ｂ、環Ｃ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃ、Ｒｄ、Ｌ、Ｍ、ｍ、ｎ、Ｃｙに関する詳細な説明は一般式（１）、（１−１）、（２）の説明におけるものと同じである。
【００８９】
（２．１．９）一般式（３）で表される化合物
本発明に係る一般式（３）で表されるリン光発光性の有機金属錯体について説明する。
本発明の、一般式（２）で表されるリン光発光性の有機金属錯体として、より好ましいものは、一般式（３）で表される化合物である。
【００９０】
【化１３】
0006036696.tif 000014
【００９１】
環Ａ、及び環Ｃは５員または６員の芳香族炭化水素環または芳香族複素環を表し、Ｃｙは５員または６員の芳香族炭化水素環、芳香族複素環、非芳香族炭化水素環または非芳香族複素環を表す。
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、シクロアルキルオキシ基、アミノ基、シリル基、アリールアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、非芳香族炭化水素環基または非芳香族複素環基を表し、Ｒ３及びＲ４の少なくとも一方は、ハロゲン原子、シアノ基、置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、シクロアルキルオキシ基、アミノ基、シリル基、アリールアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、非芳香族炭化水素環基または非芳香族複素環基を表す。Ｒ３とＲ４は同じであっても異なっていても良い。
Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃ及びＲｄはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換されていてもよいアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アミノ基、シリル基、アリールアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、非芳香族炭化水素環基または非芳香族複素環基を表し、ｎａ及びｎｃは１または２を表し、ｎｂ及びｎｄは１〜３の整数を表す。
Ｒａ、Ｒｂ、ＲｃおよびＲｄは互いに同じであっても異なっていても良い。
ＬはＭに配位したモノアニオン性の二座配位子のうちの１つまたは複数である。
Ｍは原子番号４０以上且つ元素周期表における８〜１０族の遷移金属原子を表す。
ｍは２または３を表し、ｎは１〜３の整数を表す。ただし、ｍ≧ｎである。
【００９２】
環Ａ、環Ｃ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃ、Ｒｄ、Ｌ、Ｍ、ｍ、ｎ、Ｃｙに関する詳細な説明は一般式（１）、（１−１）、（２）の説明におけるものと同じである。
【００９３】
（２．１．１０）具体例
以下、本発明に係る前記一般式（２）、（２−１）または（３）で表される有機金属錯体の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。
【００９４】
【化１４】
0006036696.tif 000015
【００９５】
【化１５】
0006036696.tif 000016
【００９６】
【化１６】
0006036696.tif 000017
【００９７】
【化１７】
0006036696.tif 000018
【００９８】
【化１８】
0006036696.tif 000019
【００９９】
【化１９】
0006036696.tif 000020
【０１００】
【化２０】
0006036696.tif 000021
【０１０１】
【化２１】
0006036696.tif 000022
【０１０２】
【化２２】
0006036696.tif 000023
【０１０３】
【化２３】
0006036696.tif 000024
【０１０４】
【化２４】
0006036696.tif 000025
【０１０５】
【化２５】
0006036696.tif 000026
【０１０６】
【化２６】
0006036696.tif 000027
【０１０７】
【化２７】
0006036696.tif 000028
【０１０８】
【化２８】
0006036696.tif 000029
【０１０９】
【化２９】
0006036696.tif 000030
【０１１０】
【化３０】
0006036696.tif 000031
【０１１１】
【化３１】
0006036696.tif 000032
【０１１２】
【化３２】
0006036696.tif 000033
【０１１３】
【化３３】
0006036696.tif 000034
【０１１４】
【化３４】
0006036696.tif 000035
【０１１５】
【化３５】
0006036696.tif 000036
【０１１６】
【化３６】
0006036696.tif 000037
【０１１７】
【化３７】
0006036696.tif 000038
【０１１８】
【化３８】
0006036696.tif 000039
【０１１９】
【化３９】
0006036696.tif 000040
【０１２０】
【化４０】
0006036696.tif 000041
【０１２１】
【化４１】
0006036696.tif 000042
【０１２２】
【化４２】
0006036696.tif 000043
【０１２３】
【化４３】
0006036696.tif 000044
【０１２４】
【化４４】
0006036696.tif 000045
【０１２５】
【化４５】
0006036696.tif 000046
【０１２６】
【化４６】
0006036696.tif 000047
【０１２７】
【化４７】
0006036696.tif 000048
【０１２８】
【化４８】
0006036696.tif 000049
【０１２９】
【化４９】
0006036696.tif 000050
【０１３０】
【化５０】
0006036696.tif 000051
【０１３１】
【化５１】
0006036696.tif 000052
【０１３２】
【化５２】
0006036696.tif 000053
【０１３３】
【化５３】
0006036696.tif 000054
【０１３４】
【化５４】
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【０１３５】
【化５５】
0006036696.tif 000056
【０１３６】
【化５６】
0006036696.tif 000057
【０１３７】
【化５７】
0006036696.tif 000058
【０１３８】
【化５８】
0006036696.tif 000059
【０１３９】
【化５９】
0006036696.tif 000060
【０１４０】
【化６０】
0006036696.tif 000061
【０１４１】
これらの金属錯体は、例えば、Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｅｔｔｅｒ誌、ｖｏｌ３、Ｎｏ．１６、２５７９〜２５８１頁（２００１）、Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，第３０巻、第８号、１６８５〜１６８７頁（１９９１年）、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１２３巻、４３０４頁（２００１年）、Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，第４０巻、第７号、１７０４〜１７１１頁（２００１年）、Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，第４１巻、第１２号、３０５５〜３０６６頁（２００２年）、Ｎｅｗ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ．，第２６巻、１１７１頁（２００２年）、Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｅｔｔｅｒ誌、ｖｏｌ８、Ｎｏ．３、４１５〜４１８頁（２００６）、更にこれらの文献中に記載の参考文献等の方法を適用することにより合成できる。
【０１４２】
以下に、本発明に係る金属錯体の合成例を示すが、本発明はこれらに限定されない。
【０１４３】
（２．１．１１）一般式（２−１）で表される化合物（評価化合物１）の合成例
以下に、代表的な化合物の合成例を示す。
【０１４４】
＜Ｓｔｅｐ１：３，５−ジイソプロピル−［１，１’−ビフェニル］−４−アミンの合成＞
【０１４５】
【化６１】
0006036696.tif 000062
【０１４６】
５００ｍｌの四頭フラスコに２，６−ジイソプロピルアニリン４４．３ｇ（２５０ｍｍｏｌ）、ＤＭＦ１００ｍｌを入れ、温度計を取り付けた。この中に、攪拌しながらＮ−ブロモコハク酸イミド４４．５ｇ（２５０ｍｍｏｌ）を添加し、室温で４時間攪拌した。反応終了後、反応液に酢酸エチル３００ｍｌと水１００ｍｌを加え室温で１０分分散した。水層を分離後さらに酢酸エチル層を２回水洗した。硫酸マグネシウムで脱水乾燥後に減圧濃縮し、４-ブロモ−２，６−ジイソプロピルアニリン６０ｇ（収率９４％）を得た。
【０１４７】
５００ｍｌの四頭フラスコに窒素雰囲気下で４−ブロモ−２，６−ジイソプロピルアニリン６０ｇ（２３４ｍｍｏｌ）、フェニルボロン酸６１ｇ（５００ｍｍｏｌ）、トルエン２００ｍｌ、エタノール５０ｍｌを入れ、冷却管を取り付けた。これに、炭酸カリウム１１０ｇ（８００ｍｍｏｌ）を添加し、１時間ほど窒素ガスを吹き込んで窒素置換した。次いで、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）錯体１０．４ｇ（９ｍｍｏｌ）を添加し、１０時間加熱環流下に反応した。反応液は室温まで冷却後、不溶物をろ過除去し、次いで塩水で中性まで洗浄後に減圧濃縮した。
濃縮した後に得られた粗製物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：酢酸エチル＝９０：１０〜７０：３０）によって精製し、３，５−ジイソプロピル−［１，１’−ビフェニル］−４−アミン  ４４．４ｇ（収率７５％）を得た。
【０１４８】
＜Ｓｔｅｐ２：３−ブロモ−Ｎ−（３，５−ジイソプロピル−［１，１’−ビフェニル］−４−イル）ベンズアミドの合成＞
【０１４９】
【化６２】
0006036696.tif 000063
【０１５０】
５００ｍｌの四頭フラスコに３，５−ジイソプロピル−［１，１’−ビフェニル］−４−アミン  ４４．４ｇ（１７５ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン３０．３ｇ（３００ｍｍｏｌ）、トルエン２００ｍｌを入れ、温度計を取り付けた。この中に、攪拌しながら塩化−３−ブロモベンゾイル３９．５ｇ（１８０ｍｍｏｌ）を添加し、室温で４時間攪拌した。反応終了後、水２００ｍｌを添加し、室温で１時間攪拌後、ろ過、水洗した。得られた結晶を７０℃で１晩加熱乾燥し３−ブロモ−Ｎ−（３，５−ジイソプロピル−［１，１’−ビフェニル］−４−イル）ベンズアミド６４．９ｇ（収率８５％）を得た。
【０１５１】
＜Ｓｔｅｐ３：２−（３−ブロモフェニル）−１−（３，５−ジイソプロピル−［１，１’−ビフェニル］−４−イル）−１Ｈ−イミダゾールの合成＞
【０１５２】
【化６３】
0006036696.tif 000064
【０１５３】
３００ｍｌの四頭フラスコに３−ブロモ−Ｎ−（３，５−ジイソプロピル−［１，１’−ビフェニル］−４−イル）ベンズアミド６４．９ｇ（１４９ｍｍｏｌ）、塩化ホスホリル７１ｇ（６００ｍｍｏｌ）を入れ、冷却管、温度計を取り付けた。これを徐々に加熱し、６時間環流温度で反応した。反応終了後、揮発成分を減圧溜去し、塩化−３−ブロモ−Ｎ−（３，５−ジイソプロピル−［１，１’−ビフェニル］−４−イル）ベンズイミドイルを主成分とする飴状物を得た。
この中に、脱水テトラヒドロフラン１００ｍｌを添加し、次いでアミノアセタール６０ｇ（４５０ｍｍｏｌ）とトリエチルアミン４５．５ｇ（４５０ｍｍｏｌ）の混合物を室温で１時間かけて滴下し、滴下終了後、室温で２時間反応した。反応終了後、反応液に酢酸エチル２００ｍｌと水１００ｍｌを加え室温で１時間分散した。水層を分離後さらに酢酸エチル層を３回水洗した。硫酸マグネシウムで脱水乾燥後に減圧濃縮し、３−ブロモ−Ｎ’−（２，２−ジエトキシエチル）−Ｎ−（３，５−ジイソプロピル−［１，１’−ビフェニル］−４−イル）ベンズイミダミド粗製物  ８２ｇ（収率１００％）を得た。
５００ｍｌの四頭フラスコに前記ベンズイミダミド粗製物  ８２ｇとトルエン３００ｍｌを入れ溶解した。次いでリン酸３８ｇ（３８８ｍｍｏｌ）と水５０ｍｌを添加し徐々に加熱した。環流温度に達したところでそのまま２時間環流温度で反応した。その後、生成したエタノールと水を共沸溜去し、さらに２時間環流温度で反応した。再度、生成したエタノールと水を共沸溜去し、さらに２時間環流温度で反応し反応終了とした。反応液に水酸化カリウム５６ｇ（１．０ｍｏｌ）の８０ｍｌ水溶液を添加しアルカリ性とした。１時間ほど分散し、ケイソウ土を敷いたろ紙でろ過した。水層を分離し、さらに３回水洗し、次いで硫酸マグネシウムで脱水乾燥後に減圧濃縮し粗製物６７ｇ（収率９８％）を得た。
得られた粗製物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：酢酸エチル＝９０：１０〜７０：３０）によって精製し、２−（３−ブロモフェニル）−１−（３，５−ジイソプロピル−［１，１’−ビフェニル］−４−イル）−１Ｈ−イミダゾール  ４９．３ｇ（収率７２％）を得た。
【０１５４】
＜Ｓｔｅｐ４：１−（３，５−ジイソプロピル−［１，１’−ビフェニル］−４−イル）−２−（２’，６’−ジメチル−［１，１’−ビフェニル］−３−イル）−１Ｈ−イミダゾールの合成＞
【０１５５】
【化６４】
0006036696.tif 000065
【０１５６】
１００ｍｌの三頭フラスコに窒素雰囲気下で２−（３−ブロモフェニル）−１−（３，５−ジイソプロピル−［１，１’−ビフェニル］−４−イル）−１Ｈ−イミダゾール４．５９ｇ（１０ｍｍｏｌ）、フェニルボロン酸１．６５ｇ（１１ｍｍｏｌ）、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）０．２９ｇ（０．５ｍｍｏｌ）、Ｓ−Ｐｈｏｓ０．９１ｇ（１．０ｍｍｏｌ）、トルエン４０ｍｌを入れ、冷却管を取り付けた。これに、りん酸カリウム４．３ｇ（２０ｍｍｏｌ）と水５ｍｌを添加し、１時間ほど窒素ガスを吹き込んで窒素置換した。次いで、１５時間加熱環流下に反応した。反応液は室温まで冷却後、不溶物をろ過除去し、次いで塩水で中性まで洗浄後に減圧濃縮した。濃縮した後に得られた組成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：酢酸エチル＝９０：１０〜７０：３０）によって精製し、１−（３，５−ジイソプロピル−［１，１’−ビフェニル］−４−イル）−２−（２’，６’−ジメチル−［１，１’−ビフェニル］−３−イル）−１Ｈ−イミダゾール  ３．９７ｇ（収率８２％）を得た。
【０１５７】
＜Ｓｔｅｐ５：錯体Ａの合成＞
【０１５８】
【化６５】
0006036696.tif 000066
【０１５９】
窒素雰囲気下で１−（３，５−ジイソプロピル−［１，１’−ビフェニル］−４−イル）−２−（２’，６’−ジメチル−［１，１’−ビフェニル］−３−イル）−１Ｈ−イミダゾール  １．２１ｇ（２．５ｍｍｏｌ）を２−エトキシエタノール１２ｍｌに溶解した溶液に、塩化イリジウム３水和物、３５０ｍｇ（１．０ｍｍｏｌ）及び４ｍｌの水を加え、窒素雰囲気下で６時間還流した。反応液を冷却し、メタノール１５ｍｌを加え、析出した結晶を濾取した。得られた結晶を更にメタノールで洗浄し、乾燥後１．０４ｇ（収率８７％）の錯体Ａを得た。
【０１６０】
＜Ｓｔｅｐ６：錯体Ｂの合成＞
【０１６１】
【化６６】
0006036696.tif 000067
【０１６２】
窒素雰囲気下で錯体Ａ、９５６ｍｇ（０．４０ｍｍｏｌ）及び炭酸ナトリウム、２．０ｇを２−エトキシエタノール３０ｍｌに懸濁させた。この懸濁液にアセチルアセトン０．５ｇ（５．０ｍｍｏｌ）を加え、窒素雰囲気下で５時間還流した。反応液を冷却後、減圧濾過によって固形物を濾取した。次いで炭酸ナトリウム及び無機塩を水洗で除去すると、レモンイエローの結晶として錯体Ｂが得られた。得られた結晶を更にメタノール／水＝１／１混合溶液で洗浄し、乾燥後７０５ｍｇ（収率７０％）の錯体Ｂを得た。
【０１６３】
＜Step７：評価化合物１の合成＞
【０１６４】
【化６７】
0006036696.tif 000068
【０１６５】
窒素雰囲気下で錯体Ｂ、７００ｍｇ（０．５５ｍｍｏｌ）及び１−（３，５−ジイソプロピル−［１，１’−ビフェニル］−４−イル）−２−（２’，６’−ジメチル−［１，１’−ビフェニル］−３−イル）−１Ｈ−イミダゾール  ８２４ｍｇ（１．７ｍｍｏｌ）をエチレングリコール３０ｍｌに懸濁させた。窒素雰囲気下に反応温度１８０〜１９０℃の間で２時間反応させ、錯体Ｂの消失を確認したところで反応終了とした。反応液を冷却し、メタノール３０ｍｌを加え、析出した結晶を濾取した。得られた結晶を更にメタノールで洗浄し、乾燥後収量７７０ｍｇ（収率８５％）の粗生成物を得た。この粗生成物を少量のヘキサン−テトラヒドロフラン＝１：１に溶解し、シカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン−テトラヒドロフラン＝１：１）によって精製し７２０ｍｇ（収率８０％）の評価化合物１を得た。
【０１６６】
精製した化合物が目的物であることをＭＡＳＳ、１Ｈ−ＮＭＲにより確認した。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、重水素化テトラヒドロフラン）
（ケミカルシフトδ，ピーク形状，プロトン数）
：δ＝０．９８          （ｄ，  ９Ｈ，ＣＨ３−），
１．０３          （ｄ，  ９Ｈ，ＣＨ３−），
１．１１          （ｄ，  ９Ｈ，ＣＨ３−），
１．２９          （ｄ，  ９Ｈ，ＣＨ３−），
１．８１          （ｓ，  ９Ｈ，ＣＨ３−），
１．９０          （ｓ，  ９Ｈ，ＣＨ３−），
２．５０          （ｍ，  ３Ｈ，＞ＣＨ−），
２．９３          （ｍ，  ３Ｈ，＞ＣＨ−），
６．００          （ｄ，  ３Ｈ，イミダゾール環の＞ＣＨ）
６．３１          （ｄ，  ３Ｈ，ベンゼン環の＞ＣＨ），
６．８０          （ｍ，  ６Ｈ，ベンゼン環の＞ＣＨ），
６．８６          （ｍ，  ３Ｈ，ベンゼン環の＞ＣＨ），
６．９２          （ｍ，  ３Ｈ，ベンゼン環の＞ＣＨ），
６．９５          （ｄ，  ３Ｈ，イミダゾール環の＞ＣＨ）
７．０８          （ｓ，  ３Ｈ，ベンゼン環の＞ＣＨ），
７．３０          （ｍ，  ３Ｈ，ベンゼン環の＞ＣＨ），
７．３５〜７．４５（ｍ，  １８Ｈ，ベンゼン基の＞ＣＨ）
【０１６７】
日立製作所製Ｆ−４５００を用いて測定した例示化合物の溶液におけるＰＬ発光極大波長は、４６５ｎｍ（Ｔ＝７７Ｋ、２−メチルテトラヒドロフラン中）、４７３ｎｍ（室温、塩化メチレン中）であった。
【０１６８】
本発明のその他の化合物も上記の合成例と同様の合成方法を用い、適切な原料を用いることで収率良く合成することができる。
【０１６９】
（２．１．１２）従来公知のリン光ドーパントとの併用
本発明では、上記したリン光ドーパントと、従来公知のリン光ドーパントとを併用しても良く、併用することができる化合物としては、以下の化合物が挙げられる。
【０１７０】
【化６８】
0006036696.tif 000069
【０１７１】
【化６９】
0006036696.tif 000070
【０１７２】
【化７０】
0006036696.tif 000071
【０１７３】
【化７１】
0006036696.tif 000072
【０１７４】
（２．２）蛍光ドーパント（蛍光性化合物ともいう）
蛍光ドーパントとしては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、または希土類錯体系蛍光体等が挙げられる。
【０１７５】
次に、本発明の有機ＥＬ素子の構成層として用いられる、注入層、阻止層、電子輸送層等について説明する。
【０１７６】
《注入層：電子注入層、正孔注入層》
注入層は必要に応じて設け、電子注入層と正孔注入層があり、上記の如く陽極と発光層または正孔輸送層の間、及び陰極と発光層または電子輸送層との間に存在させてもよい。
【０１７７】
注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３〜１６６頁）に詳細に記載されており、正孔注入層（陽極バッファー層）と電子注入層（陰極バッファー層）とがある。
【０１７８】
陽極バッファー層（正孔注入層）は、特開平９−４５４７９号公報、同９−２６００６２号公報、同８−２８８０６９号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモルファスカーボンバッファー層、ポリアニリン（エメラルディン）やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファー層、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム錯体等に代表されるオルトメタル化錯体層等が挙げられる。また、特表２００３−５１９４３２や特開２００６−１３５１４５等に記載されているようなアザトリフェニレン誘導体も同様に正孔注入材料として用いることができる。
【０１７９】
陰極バッファー層（電子注入層）は、特開平６−３２５８７１号公報、同９−１７５７４号公報、同１０−７４５８６号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。上記バッファー層（注入層）はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるがその膜厚は０．１ｎｍ〜５μｍの範囲が好ましい。
【０１８０】
《阻止層：正孔阻止層、電子阻止層》
阻止層は、上記の如く有機化合物薄膜の基本構成層の他に必要に応じて設けられるものである。例えば、特開平１１−２０４２５８号公報、同１１−２０４３５９号公報、及び「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の２３７頁等に記載されている正孔阻止（ホールブロック）層がある。
【０１８１】
正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層の機能を有し、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。
【０１８２】
また、後述する電子輸送層の構成を必要に応じて、本発明に係わる正孔阻止層として用いることができる。
【０１８３】
本発明の有機ＥＬ素子の正孔阻止層は、発光層に隣接して設けられていることが好ましい。
【０１８４】
正孔阻止層には、前述のホスト化合物として挙げたカルバゾール誘導体、カルボリン誘導体、ジアザカルバゾール誘導体（カルボリン誘導体のカルボリン環を構成する炭素原子のいずれかひとつが窒素原子で置き換わったものを示す）を含有することが好ましい。
【０１８５】
また、本発明においては、有機ＥＬ素子が、発光色の異なる複数の発光層を有する場合、その発光極大波長が最も短波にある発光層が、全発光層中、最も陽極に近いことが好ましいが、このような場合、該最短波層と該層の次に陽極に近い発光層との間に正孔阻止層を追加して設けることが好ましい。更には、該位置に設けられる正孔阻止層に含有される化合物の５０質量％以上が、前記最短波発光層のホスト化合物に対しそのイオン化ポテンシャルが０．３ｅＶ以上大きいことが好ましい。
【０１８６】
イオン化ポテンシャルは化合物のＨＯＭＯ（最高被占分子軌道）レベルにある電子を真空準位に放出するのに必要なエネルギーで定義され、例えば下記に示すような方法により求めることができる。
【０１８７】
（１）米国Ｇａｕｓｓｉａｎ社製の分子軌道計算用ソフトウェアであるＧａｕｓｓｉａｎ９８（Ｇａｕｓｓｉａｎ９８、Ｒｅｖｉｓｉｏｎ  Ａ．１１．４，Ｍ．Ｊ．Ｆｒｉｓｃｈ，ｅｔ  ａｌ，Ｇａｕｓｓｉａｎ，Ｉｎｃ．，Ｐｉｔｔｓｂｕｒｇｈ  ＰＡ，２００２．）を用い、キーワードとしてＢ３ＬＹＰ／６−３１Ｇ＊を用いて構造最適化を行うことにより算出した値（ｅＶ単位換算値）の小数点第２位を四捨五入した値としてイオン化ポテンシャルを求めることができる。この計算値が有効な背景には、この手法で求めた計算値と実験値の相関が高いためである。
【０１８８】
（２）イオン化ポテンシャルは光電子分光法で直接測定する方法により求めることもできる。例えば、理研計器社製の低エネルギー電子分光装置「Ｍｏｄｅｌ  ＡＣ−１」を用いて、あるいは紫外光電子分光として知られている方法を好適に用いることができる。
【０１８９】
一方、電子阻止層とは広い意味では正孔輸送層の機能を有し、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。
【０１９０】
また、後述する正孔輸送層の構成を必要に応じて電子阻止層として用いることができる。本発明に係る正孔阻止層、電子輸送層の膜厚としては、好ましくは３ｎｍ〜１００ｎｍであり、更に好ましくは５ｎｍ〜３０ｎｍである。
【０１９１】
《正孔輸送層》
正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層または複数層設けることができる。
【０１９２】
正孔輸送材料としては、正孔の注入または輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。また、特表２００３−５１９４３２や特開２００６−１３５１４５等に記載されているようなアザトリフェニレン誘導体も同様に正孔輸送材料として用いることができる。
【０１９３】
正孔輸送材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第３級アミン化合物を用いることが好ましい。
【０１９４】
芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−４，４’−ジアミノフェニル；Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−〔１，１’−ビフェニル〕−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）；２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）プロパン；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン；Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ−ｐ−トリル−４，４’−ジアミノビフェニル；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−４−フェニルシクロヘキサン；ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン；ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタン；Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（４−メトキシフェニル）−４，４’−ジアミノビフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−４，４’−ジアミノジフェニルエーテル；４，４’−ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン；４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４’−〔４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベン；４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニルビニル）ベンゼン；３−メトキシ−４’−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベンゼン；Ｎ−フェニルカルバゾール、更には米国特許第５，０６１，５６９号明細書に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、４，４’−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル（ＮＰＤ）、特開平４−３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４’，４’’−トリス〔Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）等が挙げられる。
【０１９５】
更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、ｐ型−Ｓｉ、ｐ型−ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。また、銅フタロシアニンやトリス（２−フェニルピリジン）イリジウム錯体等に代表されるシクロメタル化錯体やオルトメタル化錯体等も正孔輸送材料として使用することができる。
【０１９６】
また、特開平１１−２５１０６７号公報、Ｊ．Ｈｕａｎｇ  ｅｔ．ａｌ．著文献（Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ  ８０（２００２），ｐ．１３９）に記載されているような、所謂ｐ型正孔輸送材料を用いることもできる。本発明においては、より高効率の発光素子が得られることからこれらの材料を用いることが好ましい。
【０１９７】
正孔輸送層は上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。この正孔輸送層は上記材料の１種または２種以上からなる一層構造であってもよい。
【０１９８】
また、不純物をドープしたｐ性の高い正孔輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平４−２９７０７６号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、同２００１−１０２１７５号公報の各公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。
【０１９９】
本発明においては、このようなｐ性の高い正孔輸送層を用いることが、より低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。
【０２００】
以下、本発明の有機ＥＬ素子の正孔注入層及び正孔輸送層の形成に好ましく用いられる化合物の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。
【０２０１】
【化７２】
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【０２０２】
【化７３】
0006036696.tif 000074
【０２０３】
【化７４】
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【０２０４】
【化７５】
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【０２０５】
【化７６】
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【０２０６】
《電子輸送層》
電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は単層または複数層設けることができる。
【０２０７】
従来、単層の電子輸送層、及び複数層とする場合は発光層に対して陰極側に隣接する電子輸送層に用いられる電子輸送材料（正孔阻止材料を兼ねる）としては、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して、単独または組み合わせて用いることができ、例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体等が挙げられる。
【０２０８】
更に、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。
【０２０９】
また８−キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ）、トリス（５，７−ジクロロ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）亜鉛（Ｚｎｑ）等、及びこれらの金属錯体の中心金属がＩｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｎ、ＧａまたはＰｂに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。
【０２１０】
その他、メタルフリーもしくはメタルフタロシアニン、またはそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。また、発光層の材料として例示したジスチリルピラジン誘導体も、電子輸送材料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様にｎ型−Ｓｉ、ｎ型−ＳｉＣ等の無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。
【０２１１】
電子輸送層は上記電子輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。電子輸送層は上記材料の１種または２種以上からなる一層構造であってもよい。
【０２１２】
また、不純物をドープしたｎ性の高い電子輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平４−２９７０７６号公報、同１０−２７０１７２号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、同２００１−１０２１７５号公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。
【０２１３】
本発明においては、このようなｎ性の高い電子輸送層を用いることがより低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。
【０２１４】
以下、本発明の白色有機ＥＬ素子の電子輸送層の形成に好ましく用いられる従来公知の化合物（電子輸送材料）の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。
【０２１５】
【化７７】
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【０２１６】
【化７８】
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【０２１７】
【化７９】
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【０２１８】
《陽極》
有機ＥＬ素子における陽極としては、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としては、Ａｕ等の金属、ＣｕＩ、インジウムチンオキシド（ＩＴＯ）、ＳｎＯ２、ＺｎＯ等の導電性透明材料が挙げられる。
【０２１９】
また、ＩＤＩＸＯ（Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ）等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は（１００μｍ以上程度）、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。
【０２２０】
あるいは、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等湿式成膜法を用いることもできる。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を１０％より大きくすることが望ましく、また陽極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましい。更に膜厚は材料にもよるが、通常１０ｎｍ〜１０００ｎｍ、好ましくは１０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。
【０２２１】
《陰極》
一方、陰極としては仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属（電子注入性金属と称する）、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）混合物、リチウム／アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。
【０２２２】
陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。なお、発光した光を透過させるため、有機ＥＬ素子の陽極または陰極のいずれか一方が透明または半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。
【０２２３】
また、陰極に上記金属を１ｎｍ〜２０ｎｍの膜厚で作製した後に、陽極の説明で挙げた導電性透明材料をその上に作製することで、透明または半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が透過性を有する素子を作製することができる。
【０２２４】
《支持基板》
本発明の有機ＥＬ素子に用いることのできる支持基板（以下、基体、基板、基材、支持体等とも言う）としては、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はなく、また透明であっても不透明であってもよい。支持基板側から光を取り出す場合には、支持基板は透明であることが好ましい。好ましく用いられる透明な支持基板としては、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができる。特に好ましい支持基板は、有機ＥＬ素子にフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムである。
【０２２５】
樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）、セルロースアセテートフタレート（ＴＡＣ）、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類またはそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリルあるいはポリアリレート類、アートン（商品名ＪＳＲ社製）あるいはアペル（商品名三井化学社製）といったシクロオレフィン系樹脂等を挙げられる。
【０２２６】
樹脂フィルムの表面には、無機物、有機物の被膜またはその両者のハイブリッド被膜が形成されていてもよく、ＪＩＳ  Ｋ  ７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度（９０±２）％ＲＨ）が０．０１ｇ／（ｍ２・２４ｈ）以下のバリア性フィルムであることが好ましく、更には、ＪＩＳ  Ｋ  ７１２６−１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が、１０−３ｍｌ／（ｍ２・２４ｈ・ａｔｍ）以下、水蒸気透過度が、１０−５ｇ／（ｍ２・２４ｈ）以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。
【０２２７】
バリア膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。更に該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。
【０２２８】
バリア膜の形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができるが、特開２００４−６８１４３号公報に記載されているような大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。
【０２２９】
不透明な支持基板としては、例えば、アルミ、ステンレス等の金属板、フィルムや不透明樹脂基板、セラミック製の基板等が挙げられる。
【０２３０】
本発明の有機ＥＬ素子の発光の室温における外部取り出し効率は、１％以上であることが好ましく、より好ましくは５％以上である。
【０２３１】
ここに、外部取り出し量子効率（％）＝有機ＥＬ素子外部に発光した光子数／有機ＥＬ素子に流した電子数×１００である。
【０２３２】
また、カラーフィルター等の色相改良フィルター等を併用しても、有機ＥＬ素子からの発光色を蛍光体を用いて多色へ変換する色変換フィルターを併用してもよい。色変換フィルターを用いる場合においては、有機ＥＬ素子の発光のλｍａｘは４８０ｎｍ以下が好ましい。
【０２３３】
《封止》
本発明に用いられる封止手段としては、例えば、封止部材と電極、支持基板とを接着剤で接着する方法を挙げることができる。
【０２３４】
封止部材としては、有機ＥＬ素子の表示領域を覆うように配置されておればよく、凹板状でも平板状でもよい。また透明性、電気絶縁性は特に問わない。
【０２３５】
具体的には、ガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。また、ポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。金属板としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブテン、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる一種以上の金属または合金からなるものが挙げられる。
【０２３６】
本発明においては、素子を薄膜化できるということからポリマーフィルム、金属フィルムを好ましく使用することができる。
【０２３７】
更には、ポリマーフィルムは、ＪＩＳ  Ｋ  ７１２６−１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が１×１０−３ｍｌ／（ｍ２・２４ｈ・ａｔｍ）以下、ＪＩＳ  Ｋ  ７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度（９０±２）％ＲＨ）が、１×１０−３ｇ／（ｍ２・２４ｈ）以下のものであることが好ましい。
【０２３８】
封止部材を凹状に加工するのは、サンドブラスト加工、化学エッチング加工等が使われる。
【０２３９】
接着剤として具体的には、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型接着剤、２−シアノアクリル酸エステル等の湿気硬化型等の接着剤を挙げることができる。また、エポキシ系等の熱及び化学硬化型（二液混合）を挙げることができる。また、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィンを挙げることができる。また、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を挙げることができる。
【０２４０】
なお、有機ＥＬ素子が熱処理により劣化する場合があるので、室温から８０℃までに接着硬化できるものが好ましい。また、前記接着剤中に乾燥剤を分散させておいてもよい。
【０２４１】
封止部分への接着剤の塗布は市販のディスペンサーを使ってもよいし、スクリーン印刷のように印刷してもよい。
【０２４２】
また、有機層を挟み支持基板と対向する側の電極の外側に該電極と有機層を被覆し、支持基板と接する形で無機物、有機物の層を形成し封止膜とすることも好適にできる。この場合、該膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。更に該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることが好ましい。これらの膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができる。
【０２４３】
封止部材と有機ＥＬ素子の表示領域との間隙には、気相及び液相では、窒素、アルゴン等の不活性気体やフッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することが好ましい。また真空とすることも可能である。また、内部に吸湿性化合物を封入することもできる。
【０２４４】
吸湿性化合物としては、例えば、金属酸化物（例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等）、硫酸塩（例えば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸コバルト等）、金属ハロゲン化物（例えば、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、フッ化セシウム、フッ化タンタル、臭化セリウム、臭化マグネシウム、沃化バリウム、沃化マグネシウム等）、過塩素酸類（例えば、過塩素酸バリウム、過塩素酸マグネシウム等）等が挙げられ、硫酸塩、金属ハロゲン化物及び過塩素酸類においては無水塩が好適に用いられる。
【０２４５】
《保護膜、保護板》
有機層を挟み支持基板と対向する側の前記封止膜、あるいは前記封止用フィルムの外側に、素子の機械的強度を高めるために保護膜、あるいは保護板を設けてもよい。特に封止が前記封止膜により行われている場合には、その機械的強度は必ずしも高くないため、このような保護膜、保護板を設けることが好ましい。これに使用することができる材料としては、前記封止に用いたのと同様なガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等を用いることができるが、軽量且つ薄膜化ということからポリマーフィルムを用いることが好ましい。
【０２４６】
《光取り出し》
有機ＥＬ素子は空気よりも屈折率の高い（屈折率が１．７〜２．１程度）層の内部で発光し、発光層で発生した光のうち１５％から２０％程度の光しか取り出せないことが一般的に言われている。これは、臨界角以上の角度θで界面（透明基板と空気との界面）に入射する光は、全反射を起こし素子外部に取り出すことができないことや、透明電極ないし発光層と透明基板との間で光が全反射を起こし、光が透明電極ないし発光層を導波し、結果として光が素子側面方向に逃げるためである。
【０２４７】
この光の取り出しの効率を向上させる手法としては、例えば、透明基板表面に凹凸を形成し、透明基板と空気界面での全反射を防ぐ方法（米国特許第４，７７４，４３５号明細書）、基板に集光性を持たせることにより効率を向上させる方法（特開昭６３−３１４７９５号公報）、素子の側面等に反射面を形成する方法（特開平１−２２０３９４号公報）、基板と発光体の間に中間の屈折率を持つ平坦層を導入し、反射防止膜を形成する方法（特開昭６２−１７２６９１号公報）、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法（特開２００１−２０２８２７号公報）、基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間（含む、基板と外界間）に回折格子を形成する方法（特開平１１−２８３７５１号公報）等がある。
【０２４８】
本発明においては、これらの方法を本発明の有機ＥＬ素子と組み合わせて用いることができるが、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法、あるいは基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間（含む、基板と外界間）に回折格子を形成する方法を好適に用いることができる。
【０２４９】
本発明はこれらの手段を組み合わせることにより、更に高輝度あるいは耐久性に優れた素子を得ることができる。
【０２５０】
透明電極と透明基板の間に低屈折率の媒質を光の波長よりも長い厚みで形成すると、透明電極から出てきた光は、媒質の屈折率が低いほど外部への取り出し効率が高くなる。
【０２５１】
低屈折率層としては、例えば、エアロゲル、多孔質シリカ、フッ化マグネシウム、フッ素系ポリマー等が挙げられる。透明基板の屈折率は一般に１．５〜１．７程度であるので、低屈折率層は屈折率がおよそ１．５以下であることが好ましい。また、更に１．３５以下であることが好ましい。
【０２５２】
また、低屈折率媒質の厚みは媒質中の波長の２倍以上となるのが望ましい。これは低屈折率媒質の厚みが、光の波長程度になってエバネッセントで染み出した電磁波が基板内に入り込む膜厚になると、低屈折率層の効果が薄れるからである。
【０２５３】
全反射を起こす界面もしくはいずれかの媒質中に回折格子を導入する方法は、光取り出し効率の向上効果が高いという特徴がある。この方法は回折格子が１次の回折や２次の回折といった所謂ブラッグ回折により、光の向きを屈折とは異なる特定の向きに変えることができる性質を利用して、発光層から発生した光のうち層間での全反射等により外に出ることができない光を、いずれかの層間もしくは、媒質中（透明基板内や透明電極内）に回折格子を導入することで光を回折させ、光を外に取り出そうとするものである。
【０２５４】
導入する回折格子は、二次元的な周期屈折率を持っていることが望ましい。これは発光層で発光する光はあらゆる方向にランダムに発生するので、ある方向にのみ周期的な屈折率分布を持っている一般的な１次元回折格子では、特定の方向に進む光しか回折されず、光の取り出し効率がさほど上がらない。
【０２５５】
しかしながら、屈折率分布を二次元的な分布にすることにより、あらゆる方向に進む光が回折され、光の取り出し効率が上がる。
【０２５６】
回折格子を導入する位置としては前述の通り、いずれかの層間もしくは媒質中（透明基板内や透明電極内）でもよいが、光が発生する場所である有機発光層の近傍が望ましい。
【０２５７】
このとき、回折格子の周期は媒質中の光の波長の約１／２〜３倍程度が好ましい。
【０２５８】
回折格子の配列は正方形のラチス状、三角形のラチス状、ハニカムラチス状等、２次元的に配列が繰り返されることが好ましい。
【０２５９】
《集光シート》
本発明の有機ＥＬ素子は基板の光取り出し側に、例えば、マイクロレンズアレイ状の構造を設けるように加工したり、あるいは所謂集光シートと組み合わせることにより、特定方向、例えば、素子発光面に対し正面方向に集光することにより、特定方向上の輝度を高めることができる。
【０２６０】
マイクロレンズアレイの例としては、基板の光取り出し側に一辺が３０μｍでその頂角が９０度となるような四角錐を２次元に配列する。一辺は１０μｍ〜１００μｍが好ましい。これより小さくなると回折の効果が発生して色付く、大きすぎると厚みが厚くなり好ましくない。
【０２６１】
集光シートとしては、例えば、液晶表示装置のＬＥＤバックライトで実用化されているものを用いることが可能である。このようなシートとして、例えば、住友スリーエム社製輝度上昇フィルム（ＢＥＦ）等を用いることができる。プリズムシートの形状としては、例えば、基材に頂角９０度、ピッチ５０μｍの△状のストライプが形成されたものであってもよいし、頂角が丸みを帯びた形状、ピッチをランダムに変化させた形状、その他の形状であってもよい。
【０２６２】
また、発光素子からの光放射角を制御するために、光拡散板・フィルムを集光シートと併用してもよい。例えば、（株）きもと製拡散フィルム（ライトアップ）等を用いることができる。
【０２６３】
《有機ＥＬ素子の製造方法》
本発明の有機ＥＬ素子の作製方法の一例として、陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極からなる有機ＥＬ素子の製造方法を説明する。
【０２６４】
まず適当な基体上に所望の電極物質、例えば、陽極用物質からなる薄膜を１μｍ以下、好ましくは１０ｎｍ〜２００ｎｍの膜厚になるように、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ陽極を作製する。
【０２６５】
次に、この上に有機ＥＬ素子材料である正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層等の有機化合物薄膜を形成させる。
【０２６６】
これら各層の形成方法としては、前記の如く蒸着法、ウェットプロセス（スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、印刷法）等があるが、均質な膜が得られやすく、且つピンホールが生成しにくい等の点から、本発明においてはスピンコート法、インクジェット法、印刷法等の塗布法による成膜が好ましい。
【０２６７】
本発明に係る有機ＥＬ材料を溶解または分散する液媒体としては、例えば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル等の脂肪酸エステル類、ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素類、シクロヘキサン、デカリン、ドデカン等の脂肪族炭化水素類、ＤＭＦ、ＤＭＳＯ等の有機溶媒を用いることができる。また分散方法としては、超音波、高剪断力分散やメディア分散等の分散方法により分散することができる。
【０２６８】
これらの層を形成後、その上に陰極用物質からなる薄膜を１μｍ以下、好ましくは、５０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲の膜厚になるように、例えば、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、陰極を設けることにより所望の有機ＥＬ素子が得られる。
【０２６９】
また作製順序を逆にして、陰極、電子輸送層、正孔阻止層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極の順に作製することも可能である。このようにして得られた多色の表示装置に、直流電圧を印加する場合には陽極を＋、陰極を−の極性として電圧２〜４０Ｖ程度を印加すると発光が観測できる。また交流電圧を印加してもよい。なお、印加する交流の波形は任意でよい。
【０２７０】
《用途》
本発明の有機ＥＬ素子は、表示デバイス、ディスプレイ、各種発光光源として用いることができる。発光光源として、例えば、照明装置（家庭用照明、車内照明）、時計や液晶用バックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるがこれに限定するものではないが、特に液晶表示装置のバックライト、照明用光源としての用途に有効に用いることができる。
【０２７１】
本発明の有機ＥＬ素子においては、必要に応じ成膜時にメタルマスクやインクジェットプリンティング法等でパターニングを施してもよい。パターニングする場合は、電極のみをパターニングしてもよいし、電極と発光層をパターニングしてもよいし、素子全層をパターニングしてもよく、素子の作製においては、従来公知の方法を用いることができる。
【０２７２】
本発明の有機ＥＬ素子や本発明に係る化合物の発光する色は、「新編色彩科学ハンドブック」（日本色彩学会編、東京大学出版会、１９８５）の１０８頁の図４．１６において、分光放射輝度計ＣＳ−１０００（コニカミノルタセンシング社製）で測定した結果をＣＩＥ色度座標に当てはめたときの色で決定される。
【０２７３】
また、本発明の有機ＥＬ素子が白色素子の場合には、白色とは、２度視野角正面輝度を上記方法により測定した際に、１０００ｃｄ／ｍ２でのＣＩＥ１９３１表色系における色度がＸ＝０．３３±０．０７、Ｙ＝０．３３±０．１の領域内にあることを言う。
【０２７４】
《表示装置》
本発明の表示装置について説明する。本発明の表示装置は、本発明の有機ＥＬ素子を具備したものである。本発明の表示装置は単色でも多色でもよいが、ここでは多色表示装置について説明する。
【０２７５】
多色表示装置の場合は発光層形成時のみシャドーマスクを設け、一面に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等で膜を形成できる。発光層のみパターニングを行う場合、その方法に限定はないが、好ましくは蒸着法、インクジェット法、スピンコート法、印刷法である。
表示装置に具備される有機ＥＬ素子の構成は、必要に応じて本発明の有機ＥＬ素子の中から選択される。また、有機ＥＬ素子の製造方法は、前述の本発明の有機ＥＬ素子の製造方法の一態様に示したとおりである。
得られた多色表示装置に直流電圧を印加する場合には、陽極を＋、陰極を−の極性として電圧２Ｖ〜４０Ｖ程度を印加すると発光が観測できる。また、逆の極性で電圧を印加しても電流は流れずに発光は全く生じない。交流電圧を印加する場合には、陽極が＋、陰極が−の状態になったときのみ発光する。なお、印加する交流の波形は任意でよい。
【０２７６】
多色表示装置は、表示デバイス、ディスプレイ、各種発光光源として用いることができる。表示デバイス、ディスプレイにおいて、赤、緑、青発光の３種の有機ＥＬ素子を用いることによりフルカラーの表示が可能となる。
表示デバイス、ディスプレイとしては、テレビ、パソコン、モバイル機器、ＡＶ機器、文字放送表示、自動車内の情報表示等が挙げられる。特に静止画像や動画像を再生する表示装置として使用してもよく、動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は単純マトリクス（パッシブマトリクス）方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでもよい。
発光光源としては家庭用照明、車内照明、時計や液晶用のバックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
【０２７７】
以下、本発明の有機ＥＬ素子を有する表示装置の一例を図面に基づいて説明する。
【０２７８】
図１は、本発明の有機ＥＬ素子から構成される表示装置の構成の一例を示した概略斜視図であって、有機ＥＬ素子の発光により画像情報の表示を行う、例えば、携帯電話等のディスプレイの模式図である。
図１に示すとおり、ディスプレイ１は、複数の画素を有する表示部Ａ、画像情報に基づいて表示部Ａの画像走査を行う制御部Ｂ等からなる。
制御部Ｂは表示部Ａと電気的に接続されている。
制御部Ｂは、複数の画素それぞれに対し、外部からの画像情報に基づいて走査信号と画像データ信号を送る。その結果、各画素が走査信号により走査線毎に画像データ信号に応じて順次発光し、画像情報が表示部Ａに表示される。
【０２７９】
図２は、図１に記載の表示部Ａの模式図である。
表示部Ａは基板上に、複数の走査線５及びデータ線６を含む配線部と、複数の画素３等とを有する。
表示部Ａの主要な部材の説明を以下に行う。
図２においては、画素３の発光した光が白矢印方向（下方向）へ取り出される場合を示している。
配線部の走査線５及び複数のデータ線６はそれぞれ導電材料から構成されている。走査線５とデータ線６は互いに格子状に直交して、その直交する位置で画素３に接続されている（詳細は図示していない）。
画素３は、走査線５から走査信号が送信されると、データ線６から画像データ信号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。
発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青領域の画素を適宜同一基板上に並列配置することによって、フルカラー表示が可能となる。
【０２８０】
《照明装置》
本発明の照明装置について説明する。本発明の照明装置は、本発明の有機ＥＬ素子を有する。
【０２８１】
本発明の有機ＥＬ素子は共振器構造を持たせた有機ＥＬ素子として用いてもよく、このような共振器構造を有した有機ＥＬ素子の使用目的としては、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるが、これらに限定されない。
また、レーザー発振をさせることにより前記用途に使用してもよい。更に、本発明の有機ＥＬ素子は照明用や露光光源のような一種のランプとして使用してもよいし、画像を投影するタイプのプロジェクション装置や、静止画像や動画像を直接視認するタイプの表示装置（ディスプレイ）として使用してもよい。
動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は、単純マトリクス（パッシブマトリクス）方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでもよい。異なる発光色を有する本発明の有機ＥＬ素子を２種以上使用することにより、フルカラー表示装置を作製することが可能である。
【０２８２】
また、本発明の有機ＥＬ材料は照明装置として、実質白色の発光を生じる有機ＥＬ素子に適用できる。複数の発光材料により複数の発光色を同時に発光させて混色により白色発光を得る。複数の発光色の組み合わせとしては、赤色、緑色、青色の３原色の３つの発光極大波長を含有させたものでもよいし、青色と黄色、青緑と橙色等の補色の関係を利用した２つの発光極大波長を含有したものでもよい。
また複数の発光色を得るための発光材料の組み合わせは、複数のリン光又は蛍光で発光する材料を複数組み合わせたもの、蛍光又はリン光で発光する発光材料と、発光材料からの光を励起光として発光する色素材料との組み合わせたもののいずれでもよいが、本発明に係る白色有機ＥＬ素子においては、発光ドーパントを複数組み合わせ混合するだけでよい。
【０２８３】
発光層、正孔輸送層あるいは電子輸送層等の形成時のみマスクを設け、マスクにより塗り分ける等単純に配置するだけでよく、他層は共通であるのでマスク等のパターニングは不要であり、一面に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等で電極膜等を形成でき、生産性も向上する。
この方法によれば、複数色の発光素子をアレー状に並列配置した白色有機ＥＬ装置と異なり、素子自体が発光白色である。
発光層に用いる発光材料としては特に制限はなく、例えば、液晶表示素子におけるバックライトであれば、ＣＦ（カラーフィルター）特性に対応した波長範囲に適合するように、本発明に係る金属錯体、また公知の発光材料の中から任意のものを選択して組み合わせて白色化すればよい。
【０２８４】
《本発明の照明装置の一態様》
本発明の有機ＥＬ素子を具備した、本発明の照明装置の一態様について説明する。
本発明の有機ＥＬ素子の非発光面をガラスケースで覆い、厚み３００μｍのガラス基板を封止用基板として用いて、周囲にシール材として、エポキシ系光硬化型接着剤（東亞合成社製ラックストラックＬＣ０６２９Ｂ）を適用し、これを陰極上に重ねて透明支持基板と密着させ、ガラス基板側からＵＶ光を照射して、硬化させて、封止し、図３、図４に示すような照明装置を形成することができる。
図３は、照明装置の概略図を示している。
図３に示すとおり、有機ＥＬ素子１０１はガラスカバー１０２で覆われている。ガラスカバー１０２での封止作業は、有機ＥＬ素子１０１を大気に接触させることなく窒素雰囲気下のグローブボックス（純度９９．９９９％以上の高純度窒素ガスの雰囲気下）で行われる。
図４は、照明装置の断面図を示している。
図４に示すとおり、陰極１０５及び有機ＥＬ層１０６は、透明電極付きガラス基板１０７上に形成されている。ガラスカバー１０２内には窒素ガス１０８が充填され、捕水剤１０９が設けられている。
【０２８５】
以下、実施例により本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されない。また、実施例において用いられる化合物の構造を下記に示す。
【０２８６】
【化８０】
0006036696.tif 000081
【０２８７】
【化８１】
0006036696.tif 000082
【０２８８】
【化８２】
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【０２８９】
【化８３】
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【０２９０】
【化８４】
0006036696.tif 000085
【０２９１】
【化８５】
0006036696.tif 000086
【実施例１】
【０２９２】
《青色発光有機ＥＬ素子１−１の作製》
１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上に、陽極としてＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を１００ｎｍ成膜した基板（ＮＨテクノグラス社製ＮＡ−４５）にパターニングを行った後、このＩＴＯ透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。【０２９３】
この透明支持基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方、モリブデン製抵抗加熱ボートに正孔注入材料１を２００ｍｇ入れ、別のモリブデン抵抗加熱ボートに正孔輸送材料１を２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにホスト化合物としてＯＣ−６を２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにドーパント化合物として比較化合物１を１００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートに電子輸送材料１を２００ｍｇ入れ、更に別のモリブデン製抵抗加熱ボートに電子輸送材料２を２００ｍｇ入れ、真空蒸着装置に取付けた。【０２９４】
次いで真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、正孔注入材料１の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で透明支持基板上に蒸着し、膜厚２０ｎｍの正孔注入層を設けた。【０２９５】
更に、真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、正孔輸送材料１の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で前記正孔注入層上に蒸着し、膜厚２０ｎｍの正孔輸送層を設けた。【０２９６】
更に、ホスト化合物としてのＯＣ−６とドーパント化合物としての比較化合物１の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸着速度０．２ｎｍ／秒、０．０１２ｎｍ／秒で前記正孔輸送層上に共蒸着して、膜厚４０ｎｍの発光層を設けた。なお、蒸着時の基板温度は室温であった。【０２９７】
更に、電子輸送材料１の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で前記発光層上に蒸着し、膜厚１０ｎｍの正孔阻止層を設けた。【０２９８】
その上に、更に、電子輸送材料２の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で前記正孔阻止層上に蒸着し、膜厚２０ｎｍの電子輸送層を設けた。なお、蒸着時の基板温度は室温であった。【０２９９】
引き続きフッ化リチウム０．５ｎｍ及びアルミニウム１１０ｎｍを蒸着して陰極を形成し、有機ＥＬ素子１−１を作製した。【０３００】
《青色発光有機ＥＬ素子１−２〜１−２８の作製》
有機ＥＬ素子１−１の作製において、各種材料を表１に示す化合物に変更した。
それ以外は同様にして、有機ＥＬ素子１−２〜１−２８を作製した。【０３０１】
【表１】
0006036696.tif 000087
【０３０２】
《有機ＥＬ素子１−１〜１−２８の評価》
得られた有機ＥＬ素子１−１〜１−２８を評価するに際しては、作製後の各有機ＥＬ素子の非発光面をガラスケースで覆い、厚さ３００μｍのガラス基板を封止用基板として用いて、周囲にシール材としてエポキシ系光硬化型接着剤（東亞合成社製ラックストラックＬＣ０６２９Ｂ）を適用し、これを前記陰極上に重ねて前記透明支持基板と密着させ、ガラス基板側からＵＶ光を照射して、硬化させて、封止して、図３及び図４に示すような照明装置を形成し、当該照明装置をサンプルとして評価した。
このようにして形成された各サンプルについて、以下の評価を行った。評価結果を表２に示す。【０３０３】
（１）外部取り出し量子効率
各有機ＥＬ素子を室温（約２３〜２５℃）、初期輝度２０００ｃｄ／ｍ２、４０００ｃｄ／ｍ２を与える電流で定電流駆動して、発光開始直後の駆動電流［ｍＡ］を測定することにより、外部取り出し量子効率（η）を算出した。ここで、発光輝度の測定はＣＳ−１０００（コニカミノルタセンシング製）を用いた。
外部取り出し量子収率は、有機ＥＬ素子１−１の発光輝度を１００とする相対値で表した。【０３０４】
（２）駆動電圧
各有機ＥＬ素子を室温（約２３〜２５℃）、初期輝度２０００ｃｄ／ｍ２、４０００ｃｄ／ｍ２を与える電流で定電流駆動して、発光開始直後の駆動電流［ｍＡ］を測定することにより、駆動電圧を測定した。ここで、発光輝度の測定はＣＳ−１０００（コニカミノルタセンシング製）を用いた。
駆動電圧は、有機ＥＬ素子１−１の駆動電圧を１００とする相対値で表した。
駆動電圧＝（各素子の駆動電圧／有機ＥＬ素子１−１の駆動電圧）×１００
駆動電圧の値が小さいほど、駆動電圧が低いことを示す。【０３０５】
（３）発光半減寿命
下記に示す測定法に従って、発光半減寿命の評価を行った。
各有機ＥＬ素子を室温（約２３〜２５℃）、初期輝度２０００ｃｄ／ｍ２を与える電流で定電流駆動して、発光輝度が初期輝度の１／２（１０００ｃｄ／ｍ２）になるのに要する時間（半減期）を求め、これを発光半減寿命の尺度とした。
発光半減寿命は、有機ＥＬ素子１−１の半減期を１００とする相対値で表した。【０３０６】
（４）初期劣化
下記に示す測定法に従って、初期劣化の評価を行った。
前記発光半減寿命の測定時に、各有機ＥＬ素子の発光輝度が初期輝度の９０％（１８００ｃｄ／ｍ２）に到達する時間を測定し、これを初期劣化の尺度とした。初期劣化の値は以下の計算式を基に計算した。
初期劣化の値＝（有機ＥＬ素子１−１の輝度９０％到達時間／ｈｒ）／（各有機ＥＬ素子の輝度９０％到達時間／ｈｒ）×１００
すなわち、初期劣化の値が小さいほど初期の劣化が小さいことを示す。【０３０７】
（５）ダークスポット
各有機ＥＬ素子を室温下、初期輝度２０００ｃｄ／ｍ２を与える電流で定電流駆動して連続点灯を行った際の発光面を目視で評価した。目視評価では、無作為に１０人の観測者を抽出し、連続点灯時間１０時間経過後の各素子におけるダークスポットを確認した人数を評価の指標とした。ダークスポットを確認した人数が５人以上の場合を「×」、ダークスポットを確認した人数が１〜４人の場合を「△」、ダークスポットを確認した人数が０人の場合を「○」とした。【０３０８】
【表２】
0006036696.tif 000088
【０３０９】
（６）まとめ
表２に示す通り、本発明の有機ＥＬ素子１−９〜１−２８は、比較例の有機ＥＬ素子１−１〜１−８と比較して、外部取り出し量子効率が高く、初期の輝度劣化が小さく、それに伴って長寿命であることがわかる。さらに、本発明の有機ＥＬ素子１−９〜１−２８においては、ダークスポットの生成も抑えられていることがわかる。
【実施例２】
【０３１０】
《青色発光有機ＥＬ素子２−１の作製》 
１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上に、陽極としてＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を１００ｎｍ成膜した基板（ＮＨテクノグラス社製ＮＡ−４５）にパターニングを行った後、このＩＴＯ透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。【０３１１】
この透明支持基板上に、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、Ｂａｙｅｒ社製、Ｂａｙｔｒｏｎ  Ｐ  Ａｌ  ４０８３）を純水で７０％に希釈した溶液を用い、３０００ｒｐｍ、３０秒の条件下でスピンコート法により薄膜を形成した後、２００℃にて１時間乾燥し、膜厚３０ｎｍの第１正孔輸送層とした。【０３１２】
この基板を窒素雰囲気下に移し、前記第１正孔輸送層上に、５０ｍｇの正孔輸送材料３を１０ｍｌのトルエンに溶解した溶液を用い、１０００ｒｐｍ、３０秒の条件下でスピンコート法により薄膜を形成した。更に１８０秒間紫外光を照射し、光重合・架橋を行った後、６０℃で１時間真空乾燥し、第２正孔輸送層とした。【０３１３】
この第２正孔輸送層上に、ホスト化合物として１００ｍｇのホスト材料１と、ドーパント化合物として１５ｍｇの比較化合物１とを１０ｍｌの酢酸ブチルに溶解した溶液を用い、６００ｒｐｍ、３０秒の条件下でスピンコート法により薄膜を形成した。更に１５秒間紫外光を照射し、光重合・架橋を行った後、６０℃で１時間真空乾燥し、膜厚約７０ｎｍの発光層とした。【０３１４】
次に、この発光層上に、５０ｍｇの電子輸送材料３を１０ｍｌのヘキサフルオロイソプロパノール（ＨＦＩＰ）に溶解した溶液を用い、１０００ｒｐｍ、３０秒の条件下でスピンコート法により薄膜を形成した。更に６０℃で１時間真空乾燥し、膜厚約３０ｎｍの電子輸送層とした。【０３１５】
続いて、この基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、フッ化カリウム０．４ｎｍを蒸着して陰極バッファー層を形成し、更にアルミニウム１１０ｎｍを蒸着して陰極を形成し、有機ＥＬ素子２−１を作製した。【０３１６】
《青色発光有機ＥＬ素子２−２〜２−２８の作製》
有機ＥＬ素子１−１の作製において、各種材料を表３に示す化合物に変更した。
それ以外は同様にして、有機ＥＬ素子２−２〜２−２８を作製した。【０３１７】
【表３】
0006036696.tif 000089
【０３１８】
《有機ＥＬ素子２−１〜２−２８の評価》
得られた有機ＥＬ素子２−１〜２−２８を評価するに際しては、これら有機ＥＬ素子を実施例１の有機ＥＬ素子と同様に封止し、図３及び図４に示すような照明装置を形成して評価した。
このようにして形成された各サンプルについて、外部取り出し量子効率、駆動電圧、発光半減寿命、初期劣化及びダークスポットを、実施例１と同様の方法で評価し、有機ＥＬ素子２−１の各特性値を１００とする相対値で表した。評価結果を表４に示す。【０３１９】
【表４】
0006036696.tif 000090
【０３２０】
表４に示す通り、本発明の有機ＥＬ素子２−９〜２−２８は、比較例の有機ＥＬ素子２−１〜２−８と比較して、外部取り出し量子効率が高く、初期の輝度劣化が小さく、それに伴って長寿命であることがわかる。さらに、本発明の有機ＥＬ素子２−９〜２−２８においては、ダークスポットの生成も抑えられていることがわかる。
【実施例３】
【０３２１】
《白色発光有機ＥＬ素子の３−１の作製》
１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上に、陽極としてＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を１００ｎｍ成膜した基板（ＮＨテクノグラス社製ＮＡ−４５）にパターニングを行った後、このＩＴＯ透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。【０３２２】
この透明支持基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方、モリブデン製抵抗加熱ボートに正孔注入材料１を２００ｍｇ入れ、別のモリブデン抵抗加熱ボートに正孔輸送材料１を２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにホスト化合物としてＯＣ−６を２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートに第１のドーパント化合物として比較化合物１を１００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートに第２のドーパント化合物としてＩｒ−９を１００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートに電子輸送材料１を２００ｍｇ入れ、更に別のモリブデン製抵抗加熱ボートに電子輸送材料２を２００ｍｇ入れ、真空蒸着装置に取付けた。【０３２３】
次いで真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、正孔注入材料１の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で透明支持基板上に蒸着し、膜厚２０ｎｍの正孔注入層を設けた。【０３２４】
更に、真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、正孔輸送材料１の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で前記正孔注入層上に蒸着し、膜厚２０ｎｍの正孔輸送層を設けた。【０３２５】
更に、ホスト化合物としてのＯＣ−６と第１のドーパント化合物としての比較化合物１と第２のドーパント化合物としてのＩｒ−９の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸着速度０．２ｎｍ／秒、０．０２０ｎｍ／秒、０．００１０ｎｍ／秒で前記正孔輸送層上に共蒸着して、膜厚４０ｎｍの発光層を設けた。なお、蒸着時の基板温度は室温であった。【０３２６】
更に、電子輸送材料１の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で前記発光層上に蒸着し、膜厚１０ｎｍの正孔阻止層を設けた。【０３２７】
その上に、更に、電子輸送材料２の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で前記正孔阻止層上に蒸着し、膜厚２０ｎｍの電子輸送層を設けた。なお、蒸着時の基板温度は室温であった。【０３２８】
引き続きフッ化リチウム０．５ｎｍ及びアルミニウム１１０ｎｍを蒸着して陰極を形成し、有機ＥＬ素子３−１を作製した。【０３２９】
《白色発光有機ＥＬ素子３−２〜３−２８の作製》
有機ＥＬ素子３−１の作製において、各種材料を表５に示す化合物に変更した。
それ以外は同様にして、有機ＥＬ素子３−２〜３−２８を作製した。【０３３０】
【表５】
0006036696.tif 000091
【０３３１】
《有機ＥＬ素子３−１〜３−２８の評価》
得られた有機ＥＬ素子３−１〜３−２８を評価するに際しては、これら有機ＥＬ素子を実施例１の有機ＥＬ素子と同様に封止し、図３及び図４に示すような照明装置を形成して評価した。
このようにして形成された各サンプルについて、外部取り出し量子効率、駆動電圧、発光半減寿命、初期劣化及びダークスポットを、実施例１と同様の方法で評価し、有機ＥＬ素子３−１の各特性値を１００とする相対値で表した。評価結果を表６に示す。【０３３２】
【表６】
0006036696.tif 000092
【０３３３】
表６に示す通り、本発明の有機ＥＬ素子３−９〜３−２８は、比較例の有機ＥＬ素子３−１〜３−８と比較して、外部取り出し量子効率が高く、初期の輝度劣化が小さく、それに伴って長寿命であることがわかる。さらに、本発明の有機ＥＬ素子３−９〜３−２８においては、ダークスポットの生成も抑えられていることがわかる。
【実施例４】
【０３３４】
《白色発光有機ＥＬ素子４−１の作製》
１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上に、陽極としてＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を１００ｎｍ成膜した基板（ＮＨテクノグラス社製ＮＡ−４５）にパターニングを行った後、このＩＴＯ透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。【０３３５】
この透明支持基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方、モリブデン製抵抗加熱ボートに正孔注入材料１を２００ｍｇ入れ、別のモリブデン抵抗加熱ボートに正孔輸送材料１を２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにホスト化合物としてＯＣ−１を２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートに第１のドーパント化合物として比較化合物１を１００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートに第２のドーパント化合物としてＩｒ−９を１００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートに第３のドーパント化合物としてＩｒ−２を１００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートに電子輸送材料１を２００ｍｇ入れ、更に別のモリブデン製抵抗加熱ボートに電子輸送材料２を２００ｍｇ入れ、真空蒸着装置に取付けた。【０３３６】
次いで真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、正孔注入材料１の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で透明支持基板上に蒸着し、２０ｎｍの正孔注入層を設けた。【０３３７】
更に、真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、正孔輸送材料１の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で前記正孔注入層上に蒸着し、膜厚２０ｎｍの正孔輸送層を設けた。【０３３８】
更に、ホスト化合物としてのＯＣ−１と第１のドーパント化合物としての比較化合物１の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸着速度０．２ｎｍ／秒、０．０２０ｎｍ／秒で前記正孔輸送層上に共蒸着して、膜厚２０ｎｍの青色発光層を設けた。なお、蒸着時の基板温度は室温であった。【０３３９】
更に、ホスト化合物としてのＯＣ−１と第２のドーパント化合物としてのＩｒ−９と第３のドーパント化合物としてのＩｒ−２の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸着速度０．２ｎｍ／秒、０．００１０ｎｍ／秒、０．０１０ｎｍ／秒で前記青色発光層上に共蒸着して、膜厚２０ｎｍの黄色発光層を設けた。なお、蒸着時の基板温度は室温であった。【０３４０】
更に、電子輸送材料１の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で前記発光層の上に蒸着し、膜厚１０ｎｍの正孔阻止層を設けた。【０３４１】
その上に、更に、電子輸送材料２の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で前記正孔阻止層の上に蒸着し、膜厚２０ｎｍの電子輸送層を設けた。なお、蒸着時の基板温度は室温であった。【０３４２】
引き続きフッ化リチウム０．５ｎｍ及びアルミニウム１１０ｎｍを蒸着して陰極を形成し、有機ＥＬ素子３−１を作製した。【０３４３】
《白色発光有機ＥＬ素子４−２〜４−２８の作製》
有機ＥＬ素子４−１の作製において、各種材料を表７に示す化合物に変更した。
それ以外は同様にして、有機ＥＬ素子４−２〜４−２８を作製した。【０３４４】
【表７】
0006036696.tif 000093
【０３４５】
《有機ＥＬ素子４−１〜４−２８の評価》
得られた有機ＥＬ素子４−１〜４−２８を評価するに際しては、これら有機ＥＬ素子を実施例１の有機ＥＬ素子と同様に封止し、図３及び図４に示すような照明装置を形成して評価した。
このようにして形成された各サンプルについて、外部取り出し量子効率、駆動電圧、発光半減寿命、初期劣化及びダークスポットを、実施例１と同様の方法で評価し、有機ＥＬ素子４−１の各特性値を１００とする相対値で表した。評価結果を表８に示す。【０３４６】
【表８】
0006036696.tif 000094
【０３４７】
表８に示す通り、本発明の有機ＥＬ素子４−９〜４−２８は、比較例の有機ＥＬ素子４−１〜４−８と比較して、外部取り出し量子効率が高く、初期の輝度劣化が小さく、それに伴って長寿命であることがわかる。さらに、本発明の有機ＥＬ素子４−９〜４−２８においては、ダークスポットの生成も抑えられていることがわかる。
【実施例５】
【０３４８】
《白色発光有機ＥＬ素子５−１の作製》
１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上に、陽極としてＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を１００ｎｍ成膜した基板（ＮＨテクノグラス社製ＮＡ−４５）にパターニングを行った後、このＩＴＯ透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。【０３４９】
この透明支持基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方、モリブデン製抵抗加熱ボートに正孔注入材料１を２００ｍｇ入れ、別のモリブデン抵抗加熱ボートに正孔輸送材料１を２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートに第１のホスト化合物としてＯＣ−１を２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートに第２のホスト化合物２としてＯＣ−６を２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートに第１のドーパント化合物として比較化合物１を１００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートに第２のドーパント化合物としてＩｒ−９を１００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートに第３のドーパント化合物としてＩｒ−２を１００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートに電子輸送材料１を２００ｍｇ入れ、更に別のモリブデン製抵抗加熱ボートに電子輸送材料２を２００ｍｇ入れ、真空蒸着装置に取付けた。【０３５０】
次いで真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、正孔注入材料１の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で透明支持基板上に蒸着し、膜厚２０ｎｍの正孔注入層を設けた。【０３５１】
更に、真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、正孔輸送材料１の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で前記正孔注入層上に蒸着し、膜厚２０ｎｍの正孔輸送層を設けた。【０３５２】
更に、ホスト化合物としてのＯＣ−１と第１のドーパント化合物としての比較化合物１の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸着速度０．２ｎｍ／秒、０．０２０ｎｍ／秒で前記正孔輸送層上に共蒸着して、膜厚２０ｎｍの青色発光層を設けた。なお、蒸着時の基板温度は室温であった。【０３５３】
更に、ホスト化合物としてのＯＣ−６）と第２のドーパント化合物としてのＩｒ−９と第３のドーパント化合物としてのＩｒ−２の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸着速度０．２ｎｍ／秒、０．００１０ｎｍ／秒、０．０１０ｎｍ／秒で前記青色発光層上に共蒸着して、膜厚２０ｎｍの黄色発光層を設けた。なお、蒸着時の基板温度は室温であった。【０３５４】
更に、電子輸送材料１の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で前記発光層上に蒸着し、膜厚１０ｎｍの正孔阻止層を設けた。【０３５５】
その上に、更に、電子輸送材料２の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で前記正孔阻止層上に蒸着し、膜厚２０ｎｍの電子輸送層を設けた。なお、蒸着時の基板温度は室温であった。【０３５６】
引き続きフッ化リチウム０．５ｎｍ及びアルミニウム１１０ｎｍを蒸着して陰極を形成し、有機ＥＬ素子３−１を作製した。【０３５７】
《白色発光有機ＥＬ素子５−２〜５−２８の作製》
有機ＥＬ素子５−１の作製において、各種材料を表９に示す化合物に変更した。
それ以外は同様にして、有機ＥＬ素子５−２〜５−２８を作製した。【０３５８】
【表９】
0006036696.tif 000095
【０３５９】
《有機ＥＬ素子５−１〜５−２８の評価》
得られた有機ＥＬ素子５−１〜５−２８を評価するに際しては、これら有機ＥＬ素子を実施例１の有機ＥＬ素子と同様に封止し、図３及び図４に示すような照明装置を形成して評価した。
このようにして形成された各サンプルについて、外部取り出し量子効率、駆動電圧、発光半減寿命、初期劣化及びダークスポットを、実施例１と同様の方法で評価し、有機ＥＬ素子５−１の各特性値を１００とする相対値で表した。評価結果を表１０に示す。【０３６０】
【表１０】
0006036696.tif 000096
【０３６１】
表１０に示す通り、本発明の有機ＥＬ素子５−９〜５−２８は、比較例の有機ＥＬ素子５−１〜５−８と比較して、外部取り出し量子効率が高く、初期の輝度劣化が小さく、それに伴って長寿命であることがわかる。さらに、本発明の有機ＥＬ素子５−９〜５−２８においては、ダークスポットの生成が抑えられていることもわかる。
【実施例６】
【０３６２】
《白色発光有機ＥＬ素子６−１の作製》
１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上に、陽極としてＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を１００ｎｍ製膜した基板（ＮＨテクノグラス社製ＮＡ−４５）にパターニングを行った後、このＩＴＯ透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。【０３６３】
この透明支持基板上に、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、Ｂａｙｅｒ社製、Ｂａｙｔｒｏｎ  Ｐ  Ａｌ  ４０８３）を純水で７０％に希釈した溶液を用い、３０００ｒｐｍ、３０秒の条件下でスピンコート法により薄膜を形成した後、２００℃にて１時間乾燥し、膜厚３０ｎｍの第１正孔輸送層とした。【０３６４】
この基板を窒素雰囲気下に移し、前記第１正孔輸送層上に、５０ｍｇの正孔輸送材料３を１０ｍｌのトルエンに溶解した溶液を用い、１０００ｒｐｍ、３０秒の条件下でスピンコート法により薄膜を形成した。更に１８０秒間紫外光を照射し、光重合・架橋を行った後、６０℃で１時間真空乾燥し、第２正孔輸送層とした。【０３６５】
この第２正孔輸送層上に、ホスト化合物として１００ｍｇのＯＣ−１と、第１のドーパント化合物として１０ｍｇの比較化合物１と、第２のドーパント化合物として１ｍｇのＩｒ−２と、第３のドーパント化合物として０．５ｍｇのＩｒ−９とを１０ｍｌのトルエンに溶解した溶液を用い、１０００ｒｐｍ、３０秒の条件下でスピンコート法により薄膜を形成した。更に６０℃で１時間真空乾燥し、膜厚約７０ｎｍの発光層とした。【０３６６】
次に、この発光層上に、５０ｍｇの電子輸送材料３を１０ｍｌのヘキサフルオロイソプロパノール（ＨＦＩＰ）に溶解した溶液を用い、１０００ｒｐｍ、３０秒の条件下でスピンコート法により薄膜を形成した。更に６０℃で１時間真空乾燥し、膜厚約３０ｎｍの電子輸送層とした。【０３６７】
続いて、この基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、フッ化カリウム０．４ｎｍを蒸着して陰極バッファー層を形成し、更にアルミニウム１１０ｎｍを蒸着して陰極を形成し、有機ＥＬ素子６−１を作製した。【０３６８】
なお、蒸着時の基板温度は室温であった。【０３６９】
《白色発光有機ＥＬ素子６−２〜６−２８の作製》
有機ＥＬ素子６−１の作製において、各種材料を表１１に示す化合物に変更した。
それ以外は同様にして、有機ＥＬ素子６−２〜６−２８を作製した。【０３７０】
【表１１】
0006036696.tif 000097
【０３７１】
《有機ＥＬ素子６−１〜６−２８の評価》
得られた有機ＥＬ素子６−１〜６−２８を評価するに際しては、これら有機ＥＬ素子を実施例１の有機ＥＬ素子と同様に封止し、図３及び図４に示すような照明装置を形成して評価した。
このようにして形成された各サンプルについて、外部取り出し量子効率、駆動電圧、発光半減寿命、初期劣化及びダークスポットを、実施例１と同様の方法で評価し、有機ＥＬ素子６−１の各特性値を１００とする相対値で表した。評価結果を表１２に示す。【０３７２】
【表１２】
0006036696.tif 000098
【０３７３】
表１２に示す通り、本発明の有機ＥＬ素子６−９〜６−２８は、比較例の有機ＥＬ素子６−１〜６−８と比較して、外部取り出し量子効率が高く、初期の輝度劣化が小さく、それに伴って長寿命であることがわかる。さらに、本発明の有機ＥＬ素子６−９〜６−２８においては、ダークスポットの生成も抑えられていることがわかる。
【実施例７】
【０３７４】
《白色発光有機ＥＬ素子７−１の作製》
１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上に、陽極としてＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を１００ｎｍ製膜した基板（ＮＨテクノグラス社製ＮＡ−４５）にパターニングを行った後、このＩＴＯ透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。【０３７５】
この透明支持基板上に、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、Ｂａｙｅｒ社製、Ｂａｙｔｒｏｎ  Ｐ  Ａｌ  ４０８３）を純水で７０％に希釈した溶液を用い、３０００ｒｐｍ、３０秒の条件下でスピンコート法により薄膜を形成した後、２００℃にて１時間乾燥し、膜厚３０ｎｍの第１正孔輸送層とした。【０３７６】
この基板を窒素雰囲気下に移し、前記第１正孔輸送層上に、５０ｍｇの正孔輸送材料３を１０ｍｌのトルエンに溶解した溶液を用い、１０００ｒｐｍ、３０秒の条件下でスピンコート法により薄膜を形成した。更に１８０秒間紫外光を照射し、光重合・架橋を行った後、６０℃で１時間真空乾燥し、第２正孔輸送層とした。【０３７７】
この第２正孔輸送層上に、ホスト化合物として１００ｍｇのホスト材料１と、第１のドーパント化合物として１０ｍｇの比較化合物１と、第２のドーパント化合物として１ｍｇのＩｒ−２と、第３のドーパント化合物として０．５ｍｇのＩｒ−２１とを１０ｍｌの酢酸ブチルに溶解した溶液を用い、１０００ｒｐｍ、３０秒の条件下でスピンコート法により薄膜を形成した。更に１５秒間紫外光を照射し、光重合・架橋を行った後、６０℃で１時間真空乾燥し、膜厚約７０ｎｍの発光層とした。【０３７８】
次に、この発光層上に、５０ｍｇの電子輸送材料４を１０ｍｌのメタノールに溶解した溶液を用い、１０００ｒｐｍ、３０秒の条件下でスピンコート法により薄膜を形成した。更に６０秒間紫外光を照射し、光重合・架橋を行った後、６０℃で１時間真空乾燥し、膜厚約３０ｎｍの電子輸送層とした。【０３７９】
続いて、この基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、フッ化カリウム０．４ｎｍを蒸着して陰極バッファー層を形成し、更にアルミニウム１１０ｎｍを蒸着して陰極を形成し、有機ＥＬ素子７−１を作製した。【０３８０】
なお、蒸着時の基板温度は室温であった。【０３８１】
《白色発光有機ＥＬ素子７−２〜７−２８の作製》
有機ＥＬ素子７−１の作製において、各種材料を表１３に示す化合物に変更した。
それ以外は同様にして、有機ＥＬ素子７−２〜７−２８を作製した。【０３８２】
【表１３】
0006036696.tif 000099
【０３８３】
《有機ＥＬ素子７−１〜７−２８の評価》
得られた有機ＥＬ素子７−１〜７−２８を評価するに際しては、これら有機ＥＬ素子を実施例１の有機ＥＬ素子と同様に封止し、図３及び図４に示すような照明装置を形成して評価した。
このようにして形成された各サンプルについて、外部取り出し量子効率、駆動電圧、発光半減寿命、初期劣化及びダークスポットを、実施例１と同様の方法で評価し、有機ＥＬ素子７−１の各特性値を１００とする相対値で表した。評価結果を表１４に示す。【０３８４】
【表１４】
0006036696.tif 000100
【０３８５】
表１４に示す通り、本発明の有機ＥＬ素子７−９〜７−２８は、比較例の有機ＥＬ素子７−１〜７−８と比較して、外部取り出し量子効率が高く、初期の輝度劣化が小さく、それに伴って長寿命であることがわかる。さらに、本発明の有機ＥＬ素子７−９〜７−２８においては、ダークスポットの生成も抑えられていることがわかる。
【産業上の利用可能性】
【０３８６】
以上のように、本発明は、高輝度発光域（２０００ｃｄ／ｍ２超）において高い発光効率を示し、且つ発光寿命の長い有機ＥＬ素子材料を用いた有機ＥＬ素子、照明装置及び表示装置を提供することに適している。更に、本発明は、白色発光において、高い発光効率を示し、且つ駆動電圧が低く、発光寿命の長い有機ＥＬ素子材料を提供すること、及びそのような有機ＥＬ素子材料を生産性の高いウェットプロセスで提供することに適している。
【符号の説明】
【０３８７】
１  ディスプレイ
３  画素
５  走査線
６  データ線
１０１  有機ＥＬ素子
１０２  ガラスカバー
１０５  陰極
１０６  有機ＥＬ層
１０７  透明電極付きガラス基板
１０８  窒素ガス
１０９  捕水剤
Ａ  表示部
Ｂ  制御部
【図１】
0006036696.tif 000114
【図２】
0006036696.tif 000115
【図３】
0006036696.tif 000116
【図４】
0006036696.tif 000117