(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つの部品をともにクランプするクランプデバイスであって、
前記２つの部品を互いに対する位置合わせされた位置に動かすアライナと、
前記２つの部品を前記位置合わせされた位置で維持するクランプと、
前記２つの部品を、前記位置合わせされた位置から、ある切り離された位置に導くディスコネクトと、
電流を運動エネルギーに変換するアクチュエータと、を備え、
前記アライナ、前記クランプ、および前記ディスコネクトは、前記アクチュエータによって駆動され、
前記クランプデバイスは、前記２つの部品の１つに固定され、
前記アライナは、回転可能部材を備え、
前記アクチュエータは、前記回転可能部材を回転させ、
前記回転可能部材は、前記２つの部品の他の１つが持つ凹所と協働して前記回転可能部材の回転によって前記２つの部品を位置合わせされた位置に動かす突出またはエッジ、または前記２つの部品の他の１つが持つ突出と協働して前記回転可能部材の回転によって前記２つの部品を位置合わせされた位置に動かす凹所を備える、クランプデバイス。
【請求項２】
前記凹所は、Ｖ溝である、請求項１に記載のクランプデバイス。
【請求項３】
２つの部品をともにクランプするクランプデバイスであって、
前記２つの部品を互いに対する位置合わせされた位置に動かすアライナと、
前記２つの部品を前記位置合わせされた位置で維持するクランプと、
前記２つの部品を、前記位置合わせされた位置から、ある切り離された位置に導くディスコネクトと、
電流を運動エネルギーに変換するアクチュエータと、を備え、
前記アライナ、前記クランプ、および前記ディスコネクトは、前記アクチュエータによって駆動され、
前記クランプは、偏心して回転可能である回転可能デバイスを備え、
前記アクチュエータは、前記回転可能デバイスをクランプ位置まで回転させることによって前記２つの部品を互いに押す、クランプデバイス。
【請求項４】
前記回転可能デバイスは、円筒状部材を備える、請求項３に記載のクランプデバイス。
【請求項５】
前記回転可能デバイスは、前記円筒状部材に対して回転可能である円筒状外側シェルを備える、請求項４に記載のクランプデバイス。
【請求項６】
前記回転可能デバイスは、前記円筒状部材と前記円筒状外側シェルとの間にころ軸受を備える、請求項５に記載のクランプデバイス。
【請求項７】
前記クランプは、前記２つの部品の１つに固定され、
前記アライナは、回転可能部材を備え、前記アクチュエータは、前記回転可能部材を回転させ、
前記回転可能部材は、前記２つの部品の他の１つが持つ凹所と協働して前記回転可能部材の回転によって前記２つの部品を位置合わせされた位置に動かす突出、または前記２つの部品の他の１つが持つ突出と協働して前記回転可能部材の回転によって前記２つの部品を位置合わせされた位置に動かす凹所を備え、
前記回転可能部材は、前記回転可能デバイスを前記クランプ位置に運ぶキャリアを備える、請求項３〜６のいずれか１項に記載のクランプデバイス。
【請求項８】
前記回転可能デバイスは、前記回転可能デバイスを回転させるカムに連結され、前記キャリアは、前記カムをつかみかつ前記カムを前記回転可能デバイスが前記クランプ位置にある位置に動かす凹所である、請求項７に記載のクランプデバイス。
【請求項９】
前記ディスコネクトは、前記２つの部品を互いから分離する持上げ部材を備える、請求項３〜８のいずれか１項に記載のクランプデバイス。
【請求項１０】
前記ディスコネクトは、前記持上げ部材が前記２つの部品を互いから分離する際に、前記２つの部品間の分離を制限する抑制部材を備える、請求項９に記載のクランプデバイス。
【請求項１１】
前記ディスコネクトは、前記持上げ部材が前記２つの部品を互いから分離するために、前記持上げ部材を押す１つ以上の更なる回転可能デバイスを備える、請求項９または１０に記載のクランプデバイス。
【請求項１２】
前記アライナは、回転可能部材を備え、
前記回転可能部材は、前記２つの部品のうちの第１部分が持つ凹所と協働して前記回転可能部材の回転によって前記２つの部品を位置合わせされた位置に動かす突出、または前記２つの部品のうちの第１部分が持つ突出と協働して前記回転可能部材の回転によって前記２つの部品を位置合わせされた位置に動かす凹所を備え、
前記アクチュエータは、前記回転可能部材を回転させ、
前記回転可能部材は、前記持上げ部材が前記２つの部品を互いから分離するために、前記１つ以上の更なる回転可能デバイスを運んで前記持上げ部材を押すキャリアを備える、請求項１１に記載のクランプデバイス。
【請求項１３】
照明システムと、放射源と、該照明システムおよび該放射源をともにクランプする請求項１〜１２のいずれか１項に記載のクランプデバイスと、を備える、アセンブリ。
【請求項１４】
請求項１３に記載のアセンブリを備える、リソグラフィ投影システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[001]  本発明は、クランプデバイス、そのようなクランプデバイスを含むアセンブリ、およびそのようなアセンブリを含むリソグラフィ投影装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
[002]  リソグラフィ投影装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ投影装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、または１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。
【０００３】
[003]  リソグラフィは、ＩＣならびに他のデバイスおよび／または構造の製造における重要なステップの１つとして広く認識されている。しかし、リソグラフィを使用して作成されるフィーチャの寸法が小さくなるにつれ、リソグラフィは、小型ＩＣあるいは他のデバイスおよび／または構造を製造できるようにするための、より重要な要因になりつつある。
パターンプリンティングの限界の理論的な推定値は、式（１）に示す分解能のレイリー基準によって与えることができる：
【数１】
0006055614.tif 000002
ここで、λは、使用される放射の波長であり、ＮＡは、パターンを印刷するために使用される投影システムの開口数である。ｋ１は、レイリー定数とも呼ばれるプロセス依存調整係数であり、ＣＤは、印刷されたフィーチャのフィーチャサイズ（またはクリティカルディメンジョン）である。式（１）から、フィーチャの最小印刷可能サイズの縮小は、３つの方法、すなわち露光波長λを短くすること、開口数ＮＡを大きくすること、またはｋ１の値を小さくすること、によって達成可能であるということになる。
【０００４】
[004]  露光波長を短くし、ひいては最小印刷可能サイズを縮小するために、極端紫外線（ＥＵＶ）放射を使用することが提案されている。ＥＵＶ放射は、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲内、例えば、１３ｎｍ〜１４ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射である。また、１０ｎｍ未満、例えば、６．７ｎｍや６．８ｎｍなどの５ｎｍ〜１０ｎｍの範囲の波長を有するＥＵＶ放射を使用できることがさらに提案されている。そのような放射は、極端紫外線または軟Ｘ線と呼ばれる。可能な放射源としては、例えば、レーザ生成プラズマ源、放電プラズマ源、または電子蓄積リングによって与えられるシンクロトロン放射に基づく放射源が含まれる。
【０００５】
[005]  ＥＵＶ放射は、プラズマを使用して生成することができる。ＥＵＶ放射を生成するように構築された放射システムは、燃料を励起してプラズマを提供するレーザと、プラズマを収容するソースコレクタ装置とを含むことができる。
【０００６】
[006]  プラズマは、例えば、レーザビームを適切な材料（例えば、スズ）の粒子、適切なガス流または蒸気流（Ｘｅガス、Ｌｉ蒸気など）などの燃料に誘導することによって生成することができる。結果として得られるプラズマは、放射コレクタを使用して集光される放射、例えば、ＥＵＶ放射を放出する。放射コレクタは、垂直入射放射ミラーとすることができ、この垂直入射放射ミラーは、放射を受け、その放射をビームに集束させる。ソースコレクタ装置は、真空環境を提供してプラズマを支持するように配置された囲い構造またはチャンバを含むことができる。そのような放射システムは、通常、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源と呼ばれる。
【０００７】
[007]  あるいは、プラズマは、電界に、例えば、アノードとカソードとの間に燃料液体の小滴を注入することによって生成することができる。小滴が所定の位置にある場合、レーザが小滴に衝突し、小滴は蒸発する。その後、ＥＵＶ放射を放出するプラズマを生成する放電が、アノードとカソードとの間に発生する。
【０００８】
[008]  通常、ＥＵＶ放射を生成するように構築された放射システムは、リソグラフィ投影装置と別に製造される。これは、リソグラフィ投影装置が使用可能となる前に、放射システムおよびリソグラフィ投影装置が位置合わせされ、接続されることが必要であることを意味する。
【０００９】
[009]  放射システムとリソグラフィ投影装置とを互いに位置合わせし接続するのには、かなりの空間および電子回路を必要とする。この空間は、放射システムおよび／またはリソグラフィ投影装置の他の部分の存在により得られない場合がある。
【発明の概要】
【００１０】
[0010]  放射システムおよびリソグラフィ投影装置のアライメントおよび接続に要する電子回路の量を制限することが望ましい。
【００１１】
[0011]  一態様は、２つの部品をともにクランプするように構築および配置されたクランプデバイスであって、２つの部品を互いに対する位置合わせされた位置に動かすように構築および配置されたアライメント機構またはアライナと、２つの部品を前記位置合わせされた位置で維持するように構築および配置されたクランプ機構またはクランプと、２つの部品を、前記位置合わせされた位置から、ある切り離された位置に導くように構築および配置されたディスコネクト機構またはディスコネクトと、電流を運動エネルギーに変換するように構築および配置されたアクチュエータと、を備え、アライメント機構（アライナ）、クランプ機構（クランプ）、およびディスコネクト機構（ディスコネクト）は、アクチュエータによって駆動されるように構築および配置される、クランプデバイスを提供することである。
【００１２】
[0012]  さらなる一態様は、２つの部品をともにクランプするように構築および配置されたクランプデバイスであって、２つの部品を互いに対する位置合わせされた位置に動かすように構築および配置されたアライメント機構またはアライナと、２つの部品を前記位置合わせされた位置で維持するように構築および配置されたクランプ機構またはクランプと、２つの部品を、クランプ機構とともに働きながら、前記位置合わせされた位置から、ある切り離された位置に導くように構築および配置されたディスコネクト機構またはディスコネクトと、電流を運動エネルギーに変換するように構築および配置されたアクチュエータと、を備え、アライメント機構（アライナ）、クランプ機構（クランプ）、およびディスコネクト機構（ディスコネクト）は、アクチュエータによって駆動されるように構築および配置される、クランプデバイスを提供することである。
【００１３】
[0013]  照明システムと放射源とを含むアセンブリ内に、クランプデバイスを設けることができ、クランプデバイスは、照明システムおよび放射源をともにクランプするように構築および配置される。リソグラフィ投影装置内に、アセンブリを設けることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
[0014]  本発明のさまざまな態様の実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参照符号は対応する部分を示す。
【００１５】
【図１】[0015]  図１は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ投影装置を示す。
【図２】[0016]  図２は、図１のリソグラフィ投影装置をより詳細に示す。
【図３】[0017]  図３は、図１のリソグラフィ投影装置のソースコレクタ装置の一実施形態をより詳細に示す。
【図４】[0018]  図４は、クランプデバイスの一実施形態の斜視図である。
【図５】[0019]  図５は、図４のクランプデバイスの上面図である。
【図６】[0020]  図６は、図４のクランプデバイスの側面図である。
【図７】[0021]  図７は、図４〜図６のクランプデバイスの変形例の斜視図である。
【図８】[0022]  図８は、図７のクランプデバイスの側面図である。
【図９】[0023]  図９は、図４〜図６のクランプデバイスの別の変形例の斜視図である。
【図１０】[0024]  図１０は、図９のクランプデバイスの側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
[0025]  図１は、本発明の一実施形態に係るソースコレクタ装置ＳＯを含むリソグラフィ投影装置１００を概略的に示している。このリソグラフィ投影装置は、放射ビームＢ（例えば、ＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスクまたはレチクル）ＭＡを支持するように構成され、かつパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに連結されたサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ基板を正確に位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに連結された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば、反射投影システム）ＰＳと、を備える。
【００１７】
[0026]  照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するための、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。
【００１８】
[0027]  サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ投影装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスＭＡを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。
【００１９】
[0028]  「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。放射ビームに付与されたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定機能層に対応する場合がある。
【００２０】
[0029]  パターニングデバイスは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レベンソン型(alternating)位相シフト、およびハーフトーン型(attenuated)位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。
【００２１】
[0030]  照明システムなどの投影システムは、使われている露光放射にとって、あるいは真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。ＥＵＶに対して真空を用いることが望ましいことがある。というのは、他のガスは放射を吸収し過ぎる場合があるからである。従って、真空壁および真空ポンプを用いて、真空環境をビーム経路全体に提供することができる。
【００２２】
[0031]  本明細書に示されているとおり、リソグラフィ投影装置は、反射型のもの（例えば、反射型マスクを採用しているもの）である。
【００２３】
[0032]  リソグラフィ投影装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルは並行して使うことができ、または予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。
【００２４】
[0033]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは、ソースコレクタ装置ＳＯから極端紫外線放射ビームを受ける。ＥＵＶ光を生成する方法としては、ＥＵＶ範囲の１つ以上の発光線を用いて材料を少なくとも１つの元素、例えばキセノン、リチウム、またはスズを有するプラズマ状態に変換することが含まれるが、必ずしもこれに限定されない。レーザ生成プラズマ（「ＬＰＰ」）と呼ばれることが多いそのような方法において、必要な線発光素子を有する材料の液滴、流れ、またはクラスタなどの燃料をレーザビームで照射することによって、必要なプラズマを生成することができる。ソースコレクタ装置ＳＯは、燃料を励起するレーザビームを供給するための図１に示されないレーザを含むＥＵＶ放射システムの一部であってよい。結果として得られるプラズマは、出力放射、例えばＥＵＶ放射を放出し、この出力放射は、ソースコレクタ装置内に配置される放射コレクタを使用して集光される。例えば、ＣＯ２レーザを使用して燃料励起のためのレーザビームを供給する場合、レーザおよびソースコレクタ装置は、別個の構成要素であってもよい。
【００２５】
[0034]  そのような場合には、レーザは、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームは、レーザからソースコレクタ装置へ、例えば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源が、ＤＰＰ源と呼ばれることが多い放電生成プラズマＥＵＶジェネレータである場合、放射源は、ソースコレクタ装置の一体部分とすることもできる。
【００２６】
[0035]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタを含むことができる。一般に、イルミネータＩＬの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、ファセット視野ミラーデバイスおよびファセット瞳ミラーデバイスといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。
【００２７】
[0036]  放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡから反射された後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＰＳ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサＰＳ１を使い、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることもできる。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１およびＭ２と、基板アライメントマークＰ１およびＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。
【００２８】
[0037]  例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。
１．ステップモードにおいては、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。
２．スキャンモードにおいては、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。
３．別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００２９】
[0038]  上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
【００３０】
[0039]  図２は、ソースコレクタ装置ＳＯと、照明システムＩＬと、投影システムＰＳとを備えるリソグラフィ投影装置１００をより詳細に示している。ソースコレクタ装置ＳＯは、真空環境をソースコレクタ装置ＳＯの囲い構造２２０内に維持することができるように構築および配置される。ＥＵＶ放射放出プラズマ２１０は、放電生成プラズマ源によって形成することができる。ＥＵＶ放射は、ガスまたは蒸気、例えば、Ｘｅガス、Ｌｉ蒸気またはＳｎ蒸気によって生成することができ、非常に高温のプラズマ２１０が生成されて電磁スペクトルのＥＵＶ範囲の放射を放出する。非常に高温のプラズマ２１０は、例えば、少なくとも部分的にイオン化されたプラズマをもたらす放電によって生成される。Ｘｅ、Ｌｉ、Ｓｎ蒸気または他の適切なガスまたは蒸気の、例えば１０Ｐａの分圧が、放射を効率よく発生させるために必要となり得る。一実施形態において、励起されたスズ（Ｓｎ）のプラズマを設けてＥＵＶ放射を生成する。
【００３１】
[0040]  高温のプラズマ２１０が放出する放射は、放射源チャンバ２１１の開口内または開口の後ろに位置決めされる任意のガスバリアまたは汚染物質トラップ２３０（場合によっては汚染物質バリアまたはフォイルトラップとも呼ばれる）を介して、放射源チャンバ２１１からコレクタチャンバ２１２内に送られる。汚染物質トラップ２３０は、チャネル構造を含むことができる。また、汚染物質トラップ２３０は、ガスバリア、またはガスバリアとチャネル構造の組合せを含むことができる。本明細書でさらに示される汚染物質トラップまたは汚染物質バリア２３０は、当該技術分野で公知のように、チャネル構造を少なくとも含む。
【００３２】
[0041]  コレクタチャンバ２１１は、いわゆるかすめ入射コレクタとすることができる放射コレクタＣＯを含むことができる。放射コレクタＣＯは、上流放射コレクタ側２５１と下流放射コレクタ側２５２とを有する。コレクタＣＯを横切る放射は、格子スペクトルフィルタ２４０で反射されて仮想放射源点ＩＦに集束することが可能である。仮想放射源点ＩＦは、一般に中間焦点と呼ばれ、ソースコレクタ装置は、中間焦点ＩＦが囲い構造２２０の開口２２１に、または開口２２１の付近に位置するように配置される。仮想放射源点ＩＦは放射放出プラズマ２１０の像である。
【００３３】
[0042]  その後、放射は照明システムＩＬを横切る。照明システムＩＬは、パターニングデバイスＭＡにおける放射ビーム２１の所望の角度分布およびパターニングデバイスＭＡにおける放射強度の所望の均一性を与えるように配置されたファセット視野ミラーデバイス２２およびファセット瞳ミラーデバイス２４を含むことができる。サポート構造ＭＴによって保持されるパターニングデバイスＭＡで放射ビーム２１が反射されると、パターン形成されたビーム２６が形成され、パターン形成されたビーム２６は、投影システムＰＳによって、反射エレメント２８および３０を介して、ウェーハステージまたは基板テーブルＷＴによって保持された基板Ｗ上に結像される。
【００３４】
[0043]  一般に、図示されたエレメントより数の多いエレメントが照明光学ユニットＩＬおよび投影システムＰＳに存在してよい。格子スペクトルフィルタ２４０は、リソグラフィ投影装置のタイプによって任意で存在してよい。さらに、図示されたミラーより数の多いミラーが存在してよい。例えば、図２に示すものと比較して、投影システムＰＳ内に追加の１つ〜６つの反射エレメントが存在してよい。
【００３５】
[0044]  図２に示すコレクタ光学系ＣＯは、コレクタ（またはコレクタミラー）の単なる一例として、かすめ入射リフレクタ２５３、２５４および２５５を有する入れ子式コレクタとして描かれている。かすめ入射リフレクタ２５３、２５４および２５５は、光軸Ｏの周りで軸方向に対称的に配置され、このタイプのコレクタ光学系ＣＯは、ＤＰＰ源と呼ばれることが多い放電生成プラズマ源と組み合わせて使用されることが好ましい。
【００３６】
[0045]  あるいは、ソースコレクタ装置ＳＯは、図３に示すように、ＬＰＰ放射システムの一部とすることができる。レーザＬＡは、キセノン（Ｘｅ）、スズ（Ｓｎ）、またはリチウム（Ｌｉ）などの燃料内にレーザエネルギーを堆積させるように配置され、それによって電子温度が数１０ｅＶの高電離プラズマ２１０が生成される。イオンの脱励起および再結合中に生成されたエネルギー放射は、プラズマから放出され、囲い構造２２０において近垂直入射コレクタ光学系ＣＯによって集光され、開口２２１上に集束される。
【００３７】
[0046]  図４〜図６は、クランプデバイス３０１の一実施形態を示している。クランプデバイス３０１は、ベースプレート３０２と、電気エネルギーを運動エネルギーに変換するように構築および配置された２つのアクチュエータ３０４、３０４’とを含む。ベースプレート３０２は、貫通孔（図示せず）を備える。また、ベースプレート３０２は、アライナと呼ばれることもあるアライメント機構を備え、このアライメント機構は、２つのアーム３０６、３０６’と、２つの回転可能部材、例えば、回転可能アライメントディスク３０８、３０８’とを含む。ディスク３０８、３０８’は、アーム３０６、３０６’上に取り付けられる。アクチュエータ３０４、３０４’の各々は、回転可能ディスク３０８、３０８’の各々に固定することができる。ディスク３０８、３０８’は、それぞれ、第１エッジ３１０、３１０’と、第２エッジ３１２、３１２’と、半径部分３１４ｒａｄ、３１４’ｒａｄおよび接線部分３１４ｔａｎ、３１４’ｔａｎを有するガイド３１４、３１４’とを有する。アクチュエータ３０４、３０４’は、第１軸Ａ、Ａ’を中心にディスク３０８、３０８’を回転させるように構築および配置される。
【００３８】
[0047]  本実施形態において、クランプデバイス３０１は、クランプと呼ばれることもあるクランプ機構を有し、このクランプ機構は、２組の更なる回転ディスク３１６、３１６’を含む。これらの更なる回転ディスク３１６、３１６’は、それぞれ更なるアーム３１８、３１８’上に偏心して取り付けることができ、これは、回転軸が更なるディスク３１６、３１６’の中心軸から距離をおいて位置することを意味する。更なるアーム３１８、３１８’は、ベースプレート３０２上に設けられる。一方の組の更なるディスク３１６は、第２軸Ｂを中心に回転可能であり、他方の組の更なるディスク３１６’は、別の第２軸Ｂ’を中心に回転可能である。第２軸Ｂ、Ｂ’は、本実施形態において平行であるが、それぞれ第１軸Ａ、Ａ’から距離をおいて位置し、これは図５から分かるように実際に力増倍器(force multiplier)を形成する。本実施形態において、クランプ機構（クランプ）は、それぞれの組の更なる回転可能ディスク３１６、３１６’に連結される２つのヒンジ３２０、３２０’を含む。ヒンジ３２０、３２０’もまた第２軸Ｂ、Ｂ’を中心に回転可能であり、ガイド３１４、３１４’に嵌合するカム３２２、３２２’をそれぞれ有する。ディスク３１６、３１６’の１つ以上は内側部分３１６ｉｎ、３１６ｉｎ’および外側部分３１６ｏｕｔ、３１６ｏｕｔ’を含むことができ、それらの間に、ころ軸受(roller bearing)（図示せず）を設けることができる。
【００３９】
[0048]  クランプデバイス３０１の本実施形態は、ディスコネクトとも呼ばれるディスコネクト機構を含み、このディスコネクト機構は１組の持上げアーム３２４、３２４’を含む。持上げアーム３２４、３２４’は、ベースプレート３０２上にそれぞれ第３軸Ｃ、Ｃ’を中心に回転可能に取り付けられる。更なる回転可能カム３２６、３２６’の組が、ディスコネクト機構（ディスコネクト）において、第２軸Ｂ、Ｂ’を中心に回転可能に設けられ、各組はヒンジ３２０、３２０’のうちの１つに連結される。ある位置まで回転すると、カム３２６、３２６’は持上げアーム３２４、３２４’の一部を押し、それによって持上げアーム３２４、３２４’の他の部分（図では見えない）がベースプレート３０２に載っているオブジェクト３２８を持ち上げる。ベースプレート３０２は、非持上げ位置で持上げアーム３２４、３２４’を維持するように配置された１つ以上のバネ３３０をさらに有する。
【００４０】
[0049]  オブジェクト３２８は、追加プレート３３２とコーン３３４とを含む。コーン３３４は２つの端部を有し、これらの端部のうちの１つが更なるプレート３３２を通る穴（図示せず）を画定し、この穴は、ベースプレート３０２の穴に対応する。クランプデバイス３０１およびオブジェクト３２８が位置合わせされた位置でともにクランプされる際に密封を形成可能であるように、これらの穴のうちの１つまたは両方がＯリングを備えることが望ましい。更なるプレート３３２は、４つのバネ、本実施形態では、板バネ３３６、３３６’を有し、これらのバネのうちの２つが図４に示されている。また、オブジェクト３２８は、２つのＶ溝３４０、３４０’を有するアライメントプレート３３８を有し、Ｖ３４０、３４０’の各々は、本実施形態において、多数のボール移送ユニット３４１、３４１’を含む。これらのボール移送ユニット３４１、３４１’は、図５に示すように、使用中、回転可能ディスク３０８、３０８’の第１エッジ３１０、３１０’および第２エッジ３１２、３１２’と協働する。
【００４１】
[0050]  本実施形態において、透過アライメントプレート３４２、３４２’がオブジェクト３２８に固定され、光源３４４、３４４’がクランプデバイス３０１に固定される。回転可能ディスク３０８、３０８’および更なる回転可能ディスク３１６、３１６’は、小さい貫通孔３４５Ａ、３４５Ａ’、３４５Ｂ、３４５Ｂ’をそれぞれ有し、これらを通って、光源３４４、３４４’からの光ビーム３４６、３４６’がそれぞれの光路に沿ってアライメントプレート３４２、３４２’まで伝播することができる。透過アライメントプレート３４２、３４２’は、それぞれ光源３４４、３４４’からの白色光ビーム３４６、３４６’を透過させる白色中心３４８、３４８’を有する。アライメントプレート３４２、３４２’は、４つの着色領域３５０、３５０’、３５２、３５２’、３５４、３５４’、３５６、３５６’をさらに有する。これらの着色領域の各々は、主に白色光ビーム３４６、３４６’のうちの１色を透過させる。光ビーム３４６、３４６’の光路の下流に、センサ（図示せず）がそれぞれ配置され、クランプデバイス３０１に固定される。これらのセンサは、アライメントプレート３４２、３４２’が４色のうちのどの色を透過させるかを検出するように、または白色光が透過していることを検出するように構築および配置される。
【００４２】
[0051]  センサによって検出された色によって、クランプデバイス３０１と少なくともおおよそ位置合わせされる位置に、オブジェクト３２８を近づけることができる。クランプデバイス３０１およびオブジェクト３２８がおおよそ位置合わせされると、オブジェクト３２８は、クランプデバイス３０１上にスライドされる。
【００４３】
[0052]  図７〜図１０は、図４〜図６のクランプデバイス３０１の実施形態の２つの変形例を示している。図７および図８では、１つ以上の発光ダイオード（ＬＥＤ）３５８、３５８’がそれぞれのアライメントプレート３４２、３４２’の近くに位置し、カメラ３６０、３６０’がそれぞれのアクチュエータ３０２の近くに位置する。図７および図８の実施形態において、カメラ３６０、３６０’およびＬＥＤ３５８、３５８’はクランプデバイス３０１に対して固定され、この場合、アライメントプレート３４２、３４２’はオブジェクト３２８に対して固定される。しかし、あるいは、アライメントプレート３４２、３４２’はクランプデバイス３０１に対して固定されてもよく、この場合、カメラ３６０、３６０’およびＬＥＤ３５８、３５８’はオブジェクト３２８に対して固定される。
【００４４】
[0053]  図９および図１０において、透過アライメントプレートの代わりに反射アライメントプレート３４２、３４２’が使用される。図９および図１０の実施形態において、カメラ３６０、３６０’およびＬＥＤ３５８、３５８’はクランプデバイス３０１に対して固定され、この場合、アライメントプレート３４２、３４２’はオブジェクト３２８に対して固定される。しかし、この逆もまた可能であり得る。
【００４５】
[0054]  オブジェクト３２８がベースプレート３０２上にスライドされると、回転可能ディスク３０８、３０８’はそれぞれのアクチュエータ３０４、３０４’によって回転され、それによって第１エッジ３１０、３１０’および第２エッジ３１２、３１２’は、位置合わせされた位置の方へオブジェクト３２８が導かれるように、ボール移送ユニット３４０，３４０’を押す。位置合わせされた位置へオブジェクト３２８が導かれる間、ガイド３１４、３１４’の接線部分３１４ｔａｎ、３１４’ｔａｎは、それぞれのカム３２２、３２２’に沿って移動する。
【００４６】
[0055]  位置合わせされた位置に達すると、ヒンジ３２０、３２０’のカム３２２、３２２’は、それぞれガイド３１４、３１４’の半径部分３１４ｒａｄ、３１４’ｒａｄに到達する。回転可能ディスク３０８、３０８’は、ヒンジ３２０、３２０’のカム３２２、３２２’に対するキャリアとして機能する。従って、アクチュエータ３０４、３０４’が回転可能ディスク３０８、３０８’をさらに回転させる間、カム３２２、３２２’は、ヒンジ３２０、３２０’が軸Ａ、Ａから距離をおいた軸Ｂ、Ｂ’を中心に回転可能であるという事実により、ガイド３１４、３１４’の半径部分３１４ｒａｄ、３１４’ｒａｄによって内側へ導かれる。ヒンジ３２０、３２０’およびそれらのカム３２２、３２２’が板バネ３３６、３３６’を押し下げるまで、更なる回転可能ディスク３１６、３１６’は、ヒンジ３２０、３２０’およびカム３２２、３２２’とともに回転する。板バネ３３６、３３６’を押し下げている間、アクチュエータは、通常、板バネ３３６、３３６’からの抵抗を感じる。というのは、特定の設計によって決まるある死点を更なる回転可能ディスク３１６、３１６’が通過するまで、板バネ３３６、３３６’は更なる回転可能ディスク３１６、３１６’に反力を作用させるからである。この死点を通過した後、回転可能ディスク３１６、３１６’は、アクチュエータ３０４、３０４’の力を借りずに、ある安定した、クランプされた位置にとどまる。
【００４７】
[0056]  通常、オブジェクト３２８は、照明システムＩＬに直接的または間接的に接続され、ベースプレート３０２は、ソースコレクタ装置ＳＯまたは少なくともその一部に直接的または間接的に接続される。
【００４８】
[0057]  クランプされた位置にクランプデバイス３０１がある場合、ソースＳＯの囲い構造２２０内および照明システムＩＬ内に真空環境を生成することができる。
【００４９】
[0058]  オブジェクト３２８がクランプデバイス３０１から切り離される際、アクチュエータ３０４、３０４’は、位置合わせされた位置にオブジェクト３２８を動かし、続いてあるクランプされた位置にオブジェクト３２８を動かすのに用いられる方向と反対の方向に回転する。カム３２６、３２６’は、持上げアーム３２４、３２４’を押す位置へ動かされる。これによって、持上げアーム３２４、３２４’はベースプレート３０２に載っているオブジェクト３２８を持ち上げる一方、オブジェクト３２８の移動のためのスペースは更なる回転可能ディスク３１６、３１６’によって制限されたままであり、オブジェクト３２８とベースプレート３０２が制御されていない状態で互いから「跳んで」離れるのを防いでいる。
【００５０】
[0059]  本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ投影装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ投影装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
【００５１】
[0060]  光リソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、当然のことながら、本発明は、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、光リソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィにおいては、パターニングデバイス内のトポグラフィによって、基板上に創出されるパターンが定義される。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層の中にプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せによってレジストは硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。
【００５２】
[0061]  「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つまたはこれらの組合せを指すことができる。
【００５３】
[0062]  以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。例えば、本発明は、上記に開示した方法を表す１つ以上の機械読取可能命令のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形態、またはこのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスク）の形態であってもよい。上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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