(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極と負極を備える発光素子と、
該発光素子とフリップチップで接続する配線層を具備し、該発光素子を載置する接続部材と、
前記発光素子および前記接続部材の一部を封止し、前記発光素子を中心とする球形の形状を有する透光性部材と、を有する発光デバイスにおいて、
前記接続部材は、前記発光素子を載置する上面及び、該上面より大きい面積の下面を有し、前記上面に平行な面で切断した断面の面積が前記上面から前記下面に向けて漸増する側面を有し、
前記上面の面積は、前記発光素子の、前記接続部材へ載置される面の面積以下であり、
前記接続部材は、前記配線層と基台を兼ねる２つの金属電極と、その間に配置された絶縁体とから形成され、
前記上面には、前記発光素子の前記正極と前記負極が前記絶縁体を挟んで前記２つの金属電極とそれぞれ直接フリップチップ実装されていることを特徴とする発光デバイス。
【請求項２】
前記接続部材は錐台形状又は側面の傾斜が上から下に行くに従って緩やかになる形状を備え、
前記上面および前記下面は矩形であり、
前記上面を前記下面へ投影した場合、対向する１対の辺が重なり、他の１対の辺は重ならならないで、かつ前記下面は該投影された前記上面を包含することを特徴とする請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項３】
前記接続部材における、前記上面を前記下面へ投影した場合に重なる辺を含む側面をそれぞれ向い合せる方向に複数個を基板の同一平面上に並べて実装配置されていることを特徴とする請求項２に記載の発光デバイス。
【請求項４】
前記透光性部材は一部に蛍光体粒子を備え、該蛍光体粒子は前記発光素子の各面に沿って一様な厚さで配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の発光デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光デバイスに関し、特に光取出し効率および放熱特性の向上を図った発光デバイス関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、照明装置等様々な分野で発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）を用いた発光デバイスが使用されるにつれ、ＬＥＤの発光層で発光した光をＬＥＤ外部に取り出す際の光取出し効率の向上が重要な課題となってきている。また、ＬＥＤ素子自体も高出力化の傾向にあり、その放熱が問題となってきている。
【０００３】
図１１に、特許文献１に開示された、従来技術として一般的な発光デバイス９００の構成を示す。
【０００４】
図１１を参照して、発光素子９１０は、基板９１２を上方に電極９２０を下方にしていわゆるフェースダウンで接続端子９３０上にフリップチップ実装されており、接続端子９３０と半導体層９１４上の電極９２０とは、はんだバンプ９４０で接続されている。このとき、発光素子９１０の両端部は、接続端子９３０の外縁部の位置とほぼ同じとなっている。そして、発光素子９１０および接続端子９３０の一部は、保護部材としての透明封止樹脂９５０で覆われており、発光素子９１０で発光した光は、発光素子９１０から図中白抜き矢印で示すように上方に向けて出射される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開昭５６−０７９４８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、発光素子９１０から発光した光は、基板９１２側のみならず、半導体層９１４の側方および下方（実装面側）からも取り出すのが光取出し効率の観点から望ましいところ、従来の発光デバイス９００は基本的に上方に向けて光を取り出す構成であるため、接続端子９３０の形状はかかる点についての考慮がなされていない。透明封止樹脂９５０もいわゆる砲弾型であり、発光素子９１０から下方に向かった光の光路に対する配慮はなされていないから、透明封止樹脂９５０と空気層との界面での全反射により反射され、透明封止樹脂９５０内で反射を繰り返して、あるいは発光素子９１０に吸収されて損失になる可能性が大きい。
【０００７】
また、従来の発光デバイス９００においては、接続端子９３０が発光素子９１０の電極９２０から下方に一定断面積で延伸する柱状であるため、放熱経路の熱抵抗を下げることが困難であるという問題があった。
【０００８】
本発明は、以上のような背景技術に鑑み、発光素子を接続端子にフリップチップ実装する場合において、発光素子の基板側からのみならず実装面側からも光を取り出して光の取出し効率の向上を図り、同時に効率的な放熱も実現することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述した課題を解決するために、本発明による発光デバイスは、正極と負極を備える発光素子と、発光素子とフリップチップで接続する配線層を具備し、発光素子を載置する接続部材と、発光素子および接続部材の一部を封止し、発光素子を中心とする球形の形状を有する透光性部材と、を有する発光デバイスにおいて、接続部材は、発光素子を載置する上面及び、該上面より大きい面積の下面を有し、前記上面に平行な面で切断した断面の面積が前記上面から下面に向けて漸増する側面を有し、上面の面積は、発光素子の、接続部材へ載置される面の面積以下であり、接続部材は、配線層と基台を兼ねる２つの金属電極と、その間に配置された絶縁体とから形成され、上面には、発光素子の正極と負極が絶縁体を挟んで前記２つの金属電極とそれぞれ直接フリップチップ実装され、透光性部材は、発光素子および接続部材の側面の一部を封止していることを特徴とする。
【００１０】
本発明によれば、発光素子を載置する接続端子の上面の面積が発光素子の面積以下であるため、発光素子の実装面側より発光した光を、発光素子と接続端子が重ならない空間から取り出せるので、光の取出し効率を向上させることができる。また、透光性部材の形状が発光素子を中心とする球形状であるため、発光素子から出射した光は透光性部材と空気層との界面に略垂直に入射するので全反射が起こりにくく、その結果光の損失を低減して光の取出し効率を向上させることができる。さらに、接続端子は発光素子の載置面から末広がりに広がる形状をなしているので、発光素子から発光デバイスの実装面までの熱抵抗を減少させ、発光素子からの熱を効率的に放熱することが可能となる。
【００１１】
また、好ましくは、接続部材は錐台形状又は側面の傾斜が上から下に行くに従って緩やかになる形状を備え、上面および下面は矩形であり、上面を下面へ投影した場合、対向する１対の辺が重なり、他の１対の辺は重ならないで、かつ下面は投影された上面を包含する。
【００１２】
また、好ましくは、接続部材における、上面を下面へ投影した場合に重なる辺を含む側面をそれぞれ向い合せる方向に複数個を基板の同一平面上に並べて実装配置されている。
【００１３】
また、好ましくは、透光性部材は一部に蛍光体粒子を備え、蛍光体粒子は発光素子の各面に沿って一様な厚さで配置されている。
【００１６】
また、好ましくは、前記接続部材は、配線層と基台を兼ねる２つの電極と、その間に配置された絶縁体とから形成される。この場合、接続端子の熱抵抗、配線抵抗をさらに下げることができる。
【００１７】
また、好ましくは、接続部材の側面の少なくとも一部を被覆する絶縁性の反射部材をさらに有する。この場合、発光素子から下方に向けて出射した光を効率よく反射させて発光素子の外側に向かわせることができるので、光の取出し効率がさらに向上する。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、発光素子を接続端子にフリップチップ実装する場合において、発光素子の基板側からのみならず実装面側からも光を取り出して光の取出し効率の向上を図り、同時に効率的な放熱も実現することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の第１の実施形態にかかる発光デバイスの斜視図である。
【図２】本発明の第１の実施形態にかかる発光デバイスの断面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態にかかる発光デバイスの作用を説明するための図である。
【図４】本発明の第２の実施形態にかかる発光デバイスの斜視図である。
【図５】本発明の第２の実施形態にかかる発光デバイスの作用を説明するための図である。
【図６】本発明の第３の実施形態にかかる発光デバイスの斜視図である。
【図７】本発明の第４の実施形態にかかる発光デバイスの斜視図である。
【図８】本発明の第４の実施形態にかかる発光デバイスの断面図である。
【図９】本発明の第５の実施形態にかかる発光デバイスの断面図である。
【図１０】本発明の第６の実施形態にかかる発光デバイスの断面図である。
【図１１】従来の発光デバイスの構成を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、図面を用いて本発明の実施形態について説明する。
【００２１】
以下の説明では、同一の部品および構成要素には同一の符号を付してある。したがって、それらの名称および機能も同じであるので、それらについての詳細な説明は繰り返さない。
【００２２】
また、以下の図面においては、各部構成の寸法比率は説明に応じて適宜誇張して描かれており、必ずしも実際の寸法比率を示すものではない。
【００２３】
（第１の実施形態）
図１および図２を参照して、本発明の第１の実施形態にかかる発光デバイスの構成について説明する。
【００２４】
図１を参照して、本実施形態の発光デバイス１００は、接続部材としての基台１２０の上面に発光素子１１０が載置され、その発光素子１１０を中心として略球形状の透光性部材としての透明封止樹脂１４０が発光素子１１０および基台１２０の一部を覆っている。配線層１３０は、発光素子１１０の電極と接続され、発光素子１１０に電源を供給するために外部へと引き出された導体層であり、基台１２０上に形成されている。
【００２５】
図２を参照して、発光素子１１０は図１１同様基板を上方に半導体層を下方に向け、いわゆるフェースダウンで、基台１２０上にフリップチップ実装されており、はんだバンプ１５０によって、配線層１３０と発光素子１１０の正極・負極の電極との間が接続されている。
【００２６】
発光素子１１０は表面および裏面の両面から出射するタイプの発光ダイオード（ＬＥＤ）であり、たとえば、サファイア等の透明基板上にＮ型層、発光層、Ｐ型層をこの順に積層し、正極・負極の電極を形成したものを用いることができる。
【００２７】
基台１２０は、たとえば、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、窒化アルミ（ＡｌＮ）などのセラミックを切削加工して製造することができる。基台１２０の形状は、後述するように熱の伝導を考慮して、上面が小さく下面が大きい略錐台形状をなしている。つまり、基台１２０は上面に平行な面で切断した断面の面積が上面から下面に向けて漸増する形状をなしている。また、発光素子１１０の下面からの光の取出しを考慮して、基台１２０上面の面積は発光素子１１０の面積より小さくされており、発光素子１１０の実装面側（はんだバンプ１５０と接続された側）の周辺部が基台１２０の上面からはみ出すようにされている。
【００２８】
配線層１３０は、たとえば銅配線にＮｉメッキ、その上にＡｇメッキを施して反射率を高くしたものを好適に用いることができ、発光素子１１０の正極・負極に接続すべく２本帯状に基台１２０上に形成されている。配線層１３０は、たとえばガラスエポキシ基板などにはんだ付けなどで表面実装可能なように基台１２０の下面裏へ折り返されている。そ
して、両配線層１３０に所定の電源を接続することにより、発光デバイス１００は光を出射する。
【００２９】
なお、本実施形態では、２本の配線層１３０を相対する２つの側面に形成しているが、これらはいずれの側面に形成してもよい。また、２本の配線層１３０を帯状に形成しているが、これを側面全体にわたって形成してもよい。このようにすれば、熱の伝導率を上げる上で、また配線層の抵抗を下げる上で好ましい。
【００３０】
発光素子１１０と、はんだバンプ１５０を含む発光素子１１０と配線層１３０との接続部、および基台１２０の一部は、透明封止樹脂１４０によって覆われている。透明封止樹脂１４０は、後述するように光の取出し効率を考慮し、発光素子１１０を中心とする球形状をなしている。球形状の透明封止樹脂１４０は、たとえば、基台１２０上に発光素子１１０を実装後、基台１２０の上方から透明封止樹脂材料を滴下し固化させて得ることができる。滴下直後の透明封止樹脂材料は表面張力により球形状となるからである。ここで言う「球形状」とは、球、または球に類似した形状を有し、透明封止樹脂の中心にある発光素子１１０から発される光が、透明封止樹脂１４０と空気層との境界を垂直に近い状態で透過する形状を指す。また透明封止樹脂１４０と基台１２０との接続部の一部もしくは全部の樹脂が垂れ下がることがあるが、これによって透明封止樹脂１４０が球形状であることを否定されることはない。
【００３１】
発光素子１１０および透明封止樹脂１４０の大きさは特に限定されるものではないが、一例として、発光素子１１０の縦×横×厚さを０．５ｍｍ×０．５ｍｍ×１００μｍ、透明封止樹脂１４０の直径を１．５ｍｍ程度とすることができる。
【００３２】
また、透明封止樹脂１４０の材料としては、透光性のあるエポキシ樹脂やシリコーン樹脂などを用いることができる。
【００３３】
つづけて、図３を参照して本実施形態の発光デバイスの作用について説明する。
【００３４】
図３は、図２において発光素子１１０から出射した光の光線を点線矢印で、発光素子１１０から発生した熱の伝導経路を白抜き矢印で示している。
【００３５】
本実施形態の発光デバイス１００の発光素子１１０は、先述したように、光の取出し効率向上のため上方のみならず側方および下方に向かって、すなわち全周方向に光を放射するようにされている。そして、基台１２０上面の面積は発光素子１１０の面積より小さくなっており、かつ透明封止樹脂１４０を球形状とし、透明封止樹脂１４０の略中央に埋設された発光素子１１０から出射した光の光軸と、透明封止樹脂１４０とその周囲の空気層との界面とを互いに垂直に近い状態で均質化させることにより、全反射を低減させてさらに光取出し効率の向上を図っている。
【００３６】
図３に示すように、発光素子１１０の実装面側の周辺部から出射した光の一部は透明封止樹脂１４０を通過して直接外部へ出射し、また一部は配線層１３０で反射して外部へ取り出される。
【００３７】
以上のように本実施形態の発光デバイス１００によれば、発光素子１１０を基台１２０にフリップチップ実装する場合において、極力光取出し効率の向上を図ることができる。
【００３８】
一方、発光素子１１０から発生した熱は、はんだバンプ１５０を介し、図３の白抜き矢印で示すように基台１２０を下方に向かって伝導していく。このとき、発光素子１１０が載置される基台１２０の上面の面積は上述のように発光素子１１０の面積より小さく構成
されているので、発光素子１１０で発生した熱を効率よく基台に伝達するという点では不利になる。
【００３９】
そこで本実施形態では、先述したように基台１２０を上面より下面が大きい略錐台形状に形成し、上面に平行な面で切断した断面の面積が上面から下面に向けて漸増する形状としている。基台１２０の形状としてこのような形状を採用することにより基台１２０全体の熱抵抗を下げることができるので、上面で受けた発光素子１１０からの熱を基台１２０を介して迅速に下方に伝達させ、発光デバイス１００を実装する基板などに速やかに放散させることができる。
【００４０】
以上のように本実施形態によれば、発光素子を載置する基台の上面の面積が発光素子の面積より小さいので、発光素子の実装面側より発光した光を、発光素子と基台が重ならない空間から取り出せるので、光の取出し効率を向上させることができる。また、透明封止樹脂の形状が発光素子を中心とする球形状であるため、発光素子から出射した光は透明封止樹脂と空気層との界面に略垂直に入射するので全反射が起こりにくく、その結果光の損失を低減して光の取出し効率を向上させることができる。さらに、基台は発光素子の載置面から末広がりに広がる錐台形状をなしているので、発光素子から発光デバイスの実装面までの熱抵抗を減少させ、発光素子からの熱を効率的に放熱することが可能となる。
【００４１】
（第２の実施形態）
図４および図５を参照して、本発明の第２の実施形態について説明する。
【００４２】
本実施形態の発光デバイス２００は、第１の実施形態における基台１２０の形状を変更して、さらに放熱性を向上させたものである。
【００４３】
図４において基台２２０は、熱の流れをさらに円滑すべく、側面の傾斜が上面から下面に向けて緩やかになるようにされている。すなわち、基台２２０を上面に垂直な面で切断した断面における側面に相当する曲線は、その接線の傾きが上面から下面にむけて漸減するようにされている。このような加工は、アルミナなどのセラミックで作製された基台を切削あるいはブラスト加工などして行うことができる。
【００４４】
配線層２３０は、熱の伝導も考慮して、基台２２０の側面全体にわたって形成している。
【００４５】
図５は、図３と同様に発光素子１１０から放射された光線、および熱の伝導経路を図示したものである。
【００４６】
図５において、基台２２０の側面の傾斜が上面から下面に向けて緩やかになるようにされている。基台２２０をこのように加工することにより、従来技術に比べ上面からの熱を効率よく円滑に下方かつ側方に逃がすことができる。
【００４７】
また、発光素子１１０の実装面側から下方に向けて出射した光を配線層２３０で反射させて外部に取り出す場合において、基台２２０の側面が上にいくに従って発光素子１１０の実装面と垂直に近づいていくことから、第一の実施形態に比べて基台２２０の上部が細い形状となっている為に放熱性は劣るが、発光素子１１０の近くで反射し発光素子に戻る光が更に減るために、光の取り出し効率をさらに上げることが出来る。
【００４８】
（第３の実施形態）
図６を参照して、本発明の第３の実施形態について説明する。
本実施形態の発光デバイス３００の基台３２０は、第２の実施形態における基台２２０の
相対する２つの側面を垂直に切り取った形状とされており、電極３３０は、テーパー形状となっている側面全面にわたって形成されている。
【００４９】
本実施形態は、発光デバイスの光取出し効率の向上、効率的な放熱に加えて、実装密度の向上を図ったものである。
【００５０】
すなわち、照明用途等においては、ガラスエポキシ等の基板に多数の発光デバイスを並べて実装する必要があるが、本実施形態の発光デバイス３００は２つの側面が垂直にされているので、これらの面を向い合せる方向に並べることにより発光デバイス３００間の間隔を狭めることができる。したがって、実装密度を向上させることができ、高輝度が要求される用途において適したものとすることができる。
【００５１】
また、発光素子１１０の実装面側の周辺部発光面のうち、基台３２０の垂直な側面に対峙する発光面から出射した光は基台３２０の側面に遮られることなく下方に放射する。したがって、たとえば発光デバイス３００を実装する基板においてその放射光を反射させて光の取出し効率を図るようなことも可能となる。
【００５２】
なお、本実施形態では、２つの側面の傾斜が、第２の実施形態同様上面から下面に向けて緩やかになるようにされているが、これに限られず、第１の実施形態同様直線状としてもよい。
【００５３】
（第４の実施形態）
図７および図８を参照して本発明の第４の実施形態について説明する。
【００５４】
本実施形態の発光デバイス４００は、第２の実施形態における配線層、および基台をまとめて金属電極としたものである。
【００５５】
図７、図８において、基台４２０は、発光素子１１０の正極・負極に接続される２つの金属電極４３０が絶縁層４５０を介して一体的に形成された構成となっている。発光素子１１０は、はんだバンプ１５０を介して金属電極４３０上に直接実装される。
【００５６】
基台４２０は、絶縁材料を金属板で挟み一体的に貼り合わせた後、切削等で加工して形成することができる。
【００５７】
金属電極４３０の材料としては、たとえば、熱伝導性、電気伝導性に優れた銅、銅合金、アルミニウムなどを用いることができ、絶縁層４５０としては、たとえばエポキシ、ポリイミド等の絶縁材料や、部分的に空気を用いることができる。
【００５８】
本実施形態によれば、基台４２０の台座部分全体が、発光素子１１０の正極・負極に接続される金属電極４３０として形成されているため、さらに熱抵抗、配線抵抗を下げることができる。その結果、特に高出力発光デバイスとしてより適したものとすることができる。
【００５９】
基台４２０の形状を、側面の傾斜が上面から下面に向けて緩やかになるような形状にして、第２の実施形態と同様最適な放熱設計とすることができ、また上面からの熱を効率よく円滑に下方かつ側方に逃がすことができる。しかしながら、基台４２０の形状はこれに限られず、第１の実施形態同様直線状としてもよい。
【００６０】
（第５の実施形態）
図９を用いて、本発明の第５の実施形態について説明する。
【００６１】
本実施形態の発光デバイス５００は、第２の実施形態における基台２２０の側面全体を反射部材としての反射層５６０でコーティングしたものである。反射層５６０は、白色インクなどの高反射材料を基台２２０の側面全体に塗布して形成することができる。
【００６２】
図９を参照して、反射層５６０は、はんだバンプ１５０と配線層２３０の接続領域を除く基台２２０の全側面を覆ってコーティングされている。本実施形態では発光素子１１０下部の基台２２０表面にも反射層５６０を形成している。したがって、同図における点線矢印で示すように、発光素子１１０の実装面側の周辺部から出射した光、および発光素子１１０下面から周辺部に導出した光は、基台２２０の側面の反射層５６０で反射され外側に向けて放射されるので、発光デバイス５００の光取出し効率を向上させることができる。特に、反射層に近い発光素子１１０の直下あるいはその近傍における光の損失を低減させることができる。
【００６３】
なお、反射層５６０は必ずしも基台２２０の側面全体に設ける必要はなく、必要に応じて側面の一部に形成してもよいし、また配線層２３０を除いてコーティングするようにしてもよい。
【００６４】
（第６の実施形態）
図１０を用いて、本発明の第６の実施形態について説明する。
【００６５】
本実施形態の発光デバイス６００は、第２の実施形態において、略球形状の透明封止樹脂内に波長変換部材としての蛍光体粒子６７０を略均一に含有させ、蛍光体層６４０を形成したものである。蛍光体層６４０は、たとえば基台２２０上に発光素子１１０を実装後、基台２２０の上方から蛍光体粒子６７０を含有させた透明封止樹脂材料を滴下し、略球形状に固化させて得ることができる。
【００６６】
発光デバイスにおいては、発光素子から出射した光を蛍光体により波長変換し、白色光等のさまざまな色を得るということが一般的に行われている。このような発光デバイスでは、発光素子を埋設する透明封止樹脂に蛍光体を一様に含有させることにより、発光素子の周囲に配された蛍光体が、発光素子から出射された光の一部を吸収して他の色の光を発光し波長変換する。発光デバイスは、波長変換された光と発光素子から直接出射された光との混合等により所望の色の光を放射する。
【００６７】
本実施形態は、本発明をこのような波長変換型発光デバイスに適用したものである。
【００６８】
発光素子１１０、蛍光体粒子６７０の材料等は特に限定されないが、一例として、発光素子１１０を波長４５０ｎｍ程度（青色）のＩｎＧａＮ等の窒化物系化合物半導体とし、蛍光体粒子６７０を青色光を吸収して黄色光を発光するＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）系蛍光体とし、発光デバイス６００の発光色を疑似白色とすることができる。
【００６９】
本実施形態で例示するように、本発明は、波長変換型発光デバイスに適用した場合においても、発光素子の基板側からのみならず実装面側からも光を取り出して光の取出し効率の向上を図り、同時に効率的な放熱も実現することが可能となる。したがって、本実施形態は、蛍光体材料が熱の影響で変質することを防止する観点からも有用である。
【００７０】
なお、本実施形態では、蛍光体粒子６７０を透明封止樹脂内に略均一に含有させているが、これに限られず、たとえば蛍光体粒子６７０を発光素子１１０の各面に沿って一様な厚さだけ配すなどして、透明封止樹脂内の一部にのみ蛍光体粒子６７０を設けることもで
きる。
【００７１】
この場合、発光素子１１０を覆い、発光素子から出射された光の波長を変換する蛍光体層が、発光素子１１０と透明封止樹脂との間に設けたられることになり、蛍光体層で波長変換された光束を、透明封止樹脂と空気層との界面に対して点光源に近い状態とすることができる。そのため、発光素子１１０から放射された光が、蛍光体層をとりまく透明封止樹脂から空気層へと入射する場合において、臨界角以下の光線が増え、透明封止樹脂と空気層との界面での全反射が低減されて、さらなる光取出し効率の向上を図ることが可能となる。
【００７２】
（そのほかの実施形態）
なお、上記各実施形態は適宜に組み合わせることができる。
【００７３】
たとえば、第１から第５の実施形態において第６の実施形態を採用し、透明封止樹脂内に蛍光体粒子を含有させ、波長変換型発光デバイスとすることが可能である。また、第４の実施形態において第５の実施形態を適用し、金属電極に反射層を形成してもよい。また、第１から第３の実施形態では対向する側面に配線層を形成していたが、隣り合う面に形成してもよい。
【００７４】
上記各実施形態においては、発光素子と基台の配線層との間の接続方法として、はんだバンプを用いた構成を例示して説明したが、必要に応じ通常のはんだ接続を採用してもよい。
【００７５】
上記実施形態において、基台の上面および下面を矩形形状とし、全体の形状を四角錐台形状としているが、これに限られず、たとえば上面、下面を円、楕円、三角形、その他の多角形でもよいし、円錐台形状や四角錐台形状以外の多角錐台形状としてもよい。また、上面、下面を同じ形状とする必要もなく、基台への発光素子の搭載および発光デバイスの基板等への実装を勘案して最適な形状を選択し、異なる形状としてもよい。さらに、上面は下面に対して傾いていても良い。
【００７６】
第１から第３および第５、第６実施形態における配線層は、基台上面から側面を経由して下面まで配置されているが、上面と側面のみでもよい。
【００７７】
上記各実施形態では傾斜する側面は２面又は４面に設けているが、１面のみでもよい。また、図６の例では、垂直面を対抗する２面としたが、１面のみでもよいし、対向しない２面でもよい。
【符号の説明】
【００７８】
１００  発光デバイス
１１０  発光素子
１２０  基台
１３０  配線層
１４０  透明封止樹脂
１５０  はんだバンプ
２００  発光デバイス
２２０  基台
２３０  配線層
３００  発光デバイス
３２０  基台
３３０  配線層
４００  発光デバイス
４２０  基台
４３０  金属電極
４５０  絶縁層
５００  発光デバイス
５６０  反射層
６００  発光デバイス
６４０  蛍光体層
６７０  蛍光体粒子
９００  発光デバイス
９１０  発光素子
９１２  基板
９１４  半導体層
９２０  電極
９３０  接続端子
９４０  はんだバンプ
９５０  透明封止樹脂
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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