(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体の上に画像を作成する画像形成装置であって、
（ａ）
基材と、
基材の上に配置された電荷発生層と、
前記電荷発生層の上に配置された電荷輸送分子を含む電荷輸送層とを含み、前記電荷輸送分子が、
【化１】
0005898579.tif 000006
（式中、Ｘは、アルキル、アルコキシ、アリール、またはハロゲンであり、Ｘのうち少なくとも１つが存在する）；
【化２】
0005898579.tif 000007
（式中、Ｘ、およびＹは、独立して、アルキル、アルコキシ、アリール、またはハロゲンであり、Ｙのうち少なくとも１つが存在し、Ｘのうち少なくとも１つが存在する）；
【化３】
0005898579.tif 000008
（式中、Ｘ、ＹおよびＺは、独立して、アルキル、アルコキシ、アリール、またはハロゲンであり、ＹおよびＺのうち、少なくとも１つが存在し、Ｘのうち少なくとも１つが存在する）
およびこれらの混合物からなる群から選択される電荷輸送分子であり、光感受性である静電画像形成体と；
前記静電画像形成体の表面の帯電よりも前に前記静電画像形成体の表面を露光するように、静電帯電デバイスの前に配置された、前記静電画像形成体の表面を選択的に露光するための単一の露光デバイスと；
前記静電画像形成体の表面を帯電させるための単一の静電帯電デバイスと；を備える、表面に静電潜像を受け入れるための電荷保持表面を有し、前記静電画像形成体の露光した表面には電荷が受け入れられず、前記静電画像形成体の露光していない表面には電荷が受け入れられる、静電画像形成デバイスと；
（ｂ）前記電荷保持表面に現像材料を塗布し、前記静電潜像を現像し、前記電荷保持表面に現像した画像を作成するための現像要素と；
（ｃ）前記電荷保持表面から複写基材へと現像した前記画像を転写するための転写要素と；
（ｄ）現像した前記画像を前記複写基材に融合させるための融合要素と、
を備え、
前記静電帯電デバイスが、前記露光デバイスと前記現像要素との間に配置されている、画像形成装置。
【請求項２】
前記電荷輸送分子が、前記電荷輸送層中に３０重量％〜５０重量％の量で存在する、請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記電荷輸送層が、ポリマーバインダーを更に含む、請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記電荷輸送層は、厚みが２ミクロン〜４０ミクロンである、請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記電荷輸送層は、厚みが２０ミクロン〜３０ミクロンである、請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記電荷輸送分子が、Ｎ，Ｎ，Ｎ’Ｎ’−テトラ（４−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミンを含む、請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項７】
前記電荷輸送分子が、前記電荷輸送層中、１重量％〜６０重量％の量で存在する、請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項８】
前記露光デバイスが、ラスタ出力スキャナ（ＲＯＳ）および発光ダイオード（ＬＥＤ）アレイからなる群から選択される、請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項９】
前記静電帯電デバイスが、コロトロン、スコロトロン、バイアス電荷ローラーからなる群から選択される、請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項１０】
記録媒体の上に画像を作成する画像形成装置であって、
（ａ）
基材と、
基材の上に配置された電荷発生層と、
前記電荷発生層の上に配置された電荷輸送分子を含む電荷輸送層とを含み、前記電荷輸送分子が、
【化４】
0005898579.tif 000009
（式中、Ｘは、アルキル、アルコキシ、アリール、またはハロゲンであり、Ｘのうち少なくとも１つが存在する）；
【化５】
0005898579.tif 000010
（式中、ＸおよびＹは、独立して、アルキル、アルコキシ、アリール、またはハロゲンであり、Ｙのうち少なくとも１つが存在し、Ｘのうち少なくとも１つが存在する）；
【化６】
0005898579.tif 000011
（式中、Ｘ、ＹおよびＺは、独立して、アルキル、アルコキシ、アリール、またはハロゲンであり、ＹおよびＺのうち、少なくとも１つが存在し、Ｘのうち少なくとも１つが存在する）
およびこれらの混合物からなる群から選択される電荷輸送分子であり、光感受性である静電画像形成体と；
前記静電画像形成体の表面の帯電よりも前に前記静電画像形成体の表面を露光するように、静電帯電デバイスの前に配置された、前記静電画像形成体の表面を選択的に露光するための露光デバイスと；
前記静電画像形成体の表面を帯電させるための静電帯電デバイスと；を備える、表面に静電潜像を受け入れるための電荷保持表面を有し、前記静電画像形成体の露光した表面には電荷が受け入れられず、前記静電画像形成体の露光していない表面には電荷が受け入れられる、静電画像形成デバイスと；
（ｂ）前記電荷保持表面に現像材料を塗布し、前記静電潜像を現像し、前記電荷保持表面に現像した画像を作成するための現像要素と；
（ｃ）前記電荷保持表面から複写基材へと現像した前記画像を転写するための転写要素と；
（ｄ）現像した前記画像を前記複写基材に融合させるための融合要素と、
を備え、
前記静電帯電デバイスが、前記静電画像形成デバイス中で唯一の帯電デバイスであり、前記露光デバイスの前には静電帯電デバイスが存在しない、画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
ここに開示されている実施形態は、新規画像形成体、つまり、１工程の帯電プロセスによって静電潜像を作成することができる、静電潜像を作成する部材に関する。ある実施形態では、画像形成装置を操作することが可能な速度を制限し、画像形成装置の形状を制限してしまう光放電期を必要としない、静電潜像を作成する新しい方式を提供する。
【背景技術】
【０００２】
従来の電子写真式印刷では、電荷保持表面（典型的には感光体として知られる）を静電的に帯電させ、次いで、元々の画像をもつ光パターンになるように露光し、これによって表面を選択的に光放電する。この光放電工程は、電荷担体のトランジットタイムおよび必要な表面電位低下量によって決定される期間行われる。この期間は、光放電期と呼ばれる。光放電期の後、感光体の上に、帯電した領域と放電した領域のパターンが得られ、このパターンが静電電荷パターン（潜像として知られる）を作り出し、このパターンは元々の画像と同じ形である。この潜像を、静電引力によって引き寄せられる精密に分割された粉末（トナーとして知られる）と接触させることによって現像する。トナーは、感光体表面の静電電荷によって、画像領域に保持される。このように、トナー画像は均一に作られ、元々の光画像が再生されるか、または印刷される。次いで、トナー画像を、基材または支持部材（例えば、紙）に直接転写してもよく、または、中間転写体を用いて転写し、画像を中間転写体に貼り付け、再生されるか、または印刷されるべき画像の永久的な記録を作り出してもよい。現像の後、電荷保持表面に残った過剰量のトナーを表面から取り除く。このプロセスは、オリジナルから複写する光レンズ、またはラスタ出力スキャナ（ＲＯＳ）のような電気的に作成または保存したオリジナルを印刷する光レンズに有用であり、帯電した表面を、種々の方法で画像の形に放電させてもよい。
【０００３】
このように、現行のゼログラフィー印刷が、複数の工程、例えば、感光体を帯電させることと、この感光体を選択的に露光して光放電を誘発させることと、光放電によって潜像を作成するのに十分な時間をかけることと、潜像を現像することと、現像した画像を転写し、融合させることと、感光体を消去し、洗浄することとを含むことがわかるだろう。この一連の工程によって、形状および空間が制限され、ひいては、システムの小型化を制限する。この産業の将来的な傾向は、より小さく、より速い機械を用いることに集中する。したがって、小型化を制限しない機械（例えば、帯電中に１工程で潜像を作成することができる印刷装置）を得るためのエンジン構造を再設計することが必要である。
【０００４】
さらに、従来のゼログラフィーでは、露光した後の電荷担体のトランジットタイムも、システムを操作可能な速度を制限してしまう。システムの速度が高まるにつれて、光放電に使うことが可能な時間が短くなり、したがって、表面電位の低下量も小さくなる。この問題に対処するために、新しい正孔輸送分子および画像形成層の設計によって、放電時間を短くしている。しかし、もっと新しい分子や設計によって最速になったとしても、露光後に、固有の低磁場トランジットタイムによって制限されてしまう。この制限を克服するために、放電工程を完全になくし、１つの帯電工程で潜像を作り出すことが提案された。米国特許出願第１２／８８７，４３４号（Ｋｌｅｎｋｌｅｒら、２０１０年９月２１日出願）は、ピクセルとして整列したデジタル割り当て可能な金属パッドを、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）バックプレーンと薄い誘電表面層ではさんで使用することによって、帯電プロセス中に潜像を作成することができる画像形成体を開示しており、このとき、各ピクセルパッドを、個々に選択的に隔離するか、またはトランジスタバックプレーンによって接地面と接続させることができる。デバイスの誘電性表面をコロナ源（例えば、コロトロン）で露光している間に、画像状の様式でピクセルパッドを選択的に接地することによって、静電潜像画像を画像形成体の誘電性表面の上に作成することができる。イオン化したコロナガスは、誘電層の下にある接地されたピクセルに対し、選択的に静電的に引き寄せられるだろう。したがって、スコロトロンでの電荷受容性は、エネルギーを加えられたバックプレーンによって選択的に制御される。しかし、このような実施形態は複雑であり、高速ゼログラフィーも提供するさらに単純な設計を達成することが依然として必要である。
【発明の概要】
【０００５】
本明細書に示した局面によれば、基材と、基材の上に配置された電荷発生層と、電荷発生層の上に配置されている電荷輸送分子を含む電荷輸送層とをさらに備え、光感受性である静電画像形成体を提供することと；静電画像形成体の表面を選択的に露光することと；静電画像形成体の表面を帯電させることとを含み、静電画像形成体の露光した表面には電荷が受け入れられず、静電画像形成体の露光していない表面には電荷が受け入れられる、静電潜像を作成する方法が提供される。本明細書で使用する場合、「光感受性」とは、光の吸収によって、光を吸収する材料の中の電子が高いエネルギー状態に励起し、この材料の中の電子を移動させることを意味し、光感受性は、物質を流れる電流が、その光の強度および波長に対して増えているか、または減っているであろうその増加量によって測定することができる。
【０００６】
別の実施形態では、基材と、基材の上に配置された電荷発生層と、電荷発生層の上に配置されている電荷輸送分子を含む電荷輸送層とを含む、光感受性である静電画像形成体と；静電画像形成体の表面を選択的に露光するための露光デバイスと；静電画像形成体の表面を帯電させるための静電帯電デバイスとを備え、静電画像形成体の露光した表面には電荷が受け入れられず、静電画像形成体の露光していない表面には電荷が受け入れられる、静電画像形成デバイスが提供される。
【０００７】
さらに別の実施形態では、（ａ）基材と、基材の上に配置された電荷発生層と、電荷発生層の上に配置されている電荷輸送分子を含む、光感受性である電荷輸送層と；静電画像形成体の表面を選択的に露光するための露光デバイスと；静電画像形成体の表面を帯電させるための静電帯電デバイスとを備える、表面に静電潜像を受け入れるための電荷保持表面を有し、静電画像形成体の露光した表面には電荷が受け入れられず、静電画像形成体の露光していない表面には電荷が受け入れられる、静電画像形成デバイスと；（ｂ）電荷保持表面に現像材料を塗布し、静電潜像を現像し、電荷保持表面に現像した画像を作成するための現像要素と；（ｃ）電荷保持表面から複写基材へと現像した画像を転写するための転写要素と；（ｄ）現像した画像を複写基材に融合させるための融合要素とを備える、記録媒体の上に画像を作成するための画像形成装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、従来の画像形成体の断面である。
【図２】図２は、本実施形態の静電潜像形成体の断面である。
【図３】図３は、電気的測定およびゴースト発生実験を行うためのゼログラフィースキャナである。
【図４】図４は、前露光を行なったときの電荷受容性を示すグラフである。
【図５】図５は、前露光を行わなかったときの電荷受容性を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
従来の感光体によるゼログラフィープロセスには、電荷の移動性が制限される（したがって、システムの応答時間および印刷速度が制限される）、システムの小型化を制限しない光放電期が必要であるといった欠点がある。これらの問題に対するいくつかの解決策が何年にもわたって提案されてきたが、これらの解決策では、問題を完全に解決することができない。
【００１０】
本実施形態は、帯電工程の前に露光デバイス（例えば、レーザーラスタ出力スキャナ（ＲＯＳ）または発光ダイオード（ＬＥＤ）アレイを含み、帯電受容性をＲＯＳによって制御することができる感光体を含む静電画像形成デバイスを提供する。この組み合わせによって、帯電を受ける前に、感光体が、例えば、コロトロン、スコロトロンまたはバイアス電荷ローラーによって選択的に露光される。感光体の光感受性の電荷受容性によって、従来の帯電後光放電を必要とせずに潜像を作り出し、光放電期の必要性がなく、露光後の電荷担体のトランジットタイムに起因するシステムの小型化および速度の制限が避けられる。このように、本実施形態は、従来のデバイスでは達成されないような、小型化した高速ゼログラフィーも可能にする単純な設計を提供する。
【００１１】
この実施形態では、感光体の電荷受容性は、正孔輸送分子が感光体に組み込まれる場合、光感受性電荷受容性を示す正孔輸送分子を用いて制御され、したがって、電荷受容性の制御は、画像形成体をあらかじめ露光しておくことによって可能になる。帯電工程の前に割り当て可能な露光デバイスを用いることによって、帯電工程の中で潜像を全体的に作成することができ、電荷輸送層の表面に正孔が達するまで待つ必要がなくなる。露光される領域は、帯電デバイスによって供給される電荷を受け入れず、支持体を現像するのに十分な画像電圧を与える。帯電前に露光していない領域は、帯電デバイスからイオンを受け入れ、使用可能なバックグラウンド電位になるまで帯電する。さらに、画像電圧は、速度が大きくなるにつれて小さくなり、したがって、高速ゼログラフィーが可能になる。帯電工程中に潜像が全体的に作成され、露光工程と現像工程との間に時間をあける必要がなくなる。
【００１２】
したがって、本実施形態は、静電画像形成体を提供することと、静電画像形成体表面を選択的に露光することと、静電画像形成体表面を帯電させることとを含み、静電画像形成体の露光した表面には電荷が受け入れられず、１つの帯電工程中に静電画像が作成される、静電潜像を作成する方法を提供する。このような実施形態では、静電画像形成体は、基材と、基材の上に配置された電荷発生層と、電荷発生層の上に配置された電荷輸送層とを備え、電荷輸送層が電荷輸送分子を含む。
【００１３】
図１は、従来のゼログラフィー画像作成装置５を示し、この装置では、スコロトロン帯電の後、光放電によって静電潜像が作られる。図からわかるように、従来の画像作成装置５は、表面に静電潜像を受け入れるための電荷保持表面１２と、電荷保持表面１２に現像材料を塗布し、静電潜像を現像し、電荷保持表面１２に現像した画像を作成するための現像要素１５と、電荷保持表面１２から複写基材２２へと現像した画像を転写するための転写要素２０と、現像した画像を複写基材２２に融合させるための融合要素２５とを備える、静電画像形成デバイス１０を含む。
【００１４】
静電画像形成デバイスは、画像形成体３０と、静電画像形成体の表面を帯電させるための静電帯電デバイス３５と、静電画像形成体３０の表面を露光するための露光デバイス４０とを備える。図１では、静電画像形成体３０の電荷保持表面１２は、帯電され、次いで、放電され、元々の画像と同じ形である静電電荷パターン（潜像として知られる）を作成しなければならない。この潜像を、静電引力によって引き寄せられる精密に分割された粉末（トナーとして知られる）と接触させることによって現像する。トナーは、画像形成体表面の静電電荷によって、画像領域に保持される。次いで、トナー画像を、基材または支持部材（例えば、紙）に直接転写してもよく、または、中間転写体２０を用いて転写し、画像を中間転写体２０に貼り付け、再生されるか、または印刷されるべき画像の永久的な記録を作り出してもよい。現像の後、電荷保持表面に残った過剰量のトナーを、例えば、クリーニングブラシ４５によって表面１２から取り除く。
【００１５】
図２は、本実施形態のゼログラフィー画像形成装置５０を示す。図からわかるように、本実施形態の画像形成装置５０は、構成部品および構造が従来の画像形成装置のものと似ているが、ただし、静電画像形成デバイス１０中の露光デバイス４０および静電帯電デバイス３５は、従来の画像作成装置５中に見られるものと比較して逆の順に配置されている。このような実施形態では、帯電中に潜像が作成される。電荷受容性は、露光に依存して変動する電荷受容性をもつ電荷または正孔輸送分子を用い、表面帯電前に画像形成体を選択的に前露光することによって制御される。静電画像形成体の選択的に露光された表面には電荷が受け入れられないため、静電画像を１つの帯電工程で作成することができる。このように、従来の光放電ではなく、電荷受容性の制御を用いることによって、このプロセスは、光放電時間によって制限されない。これらの実施形態では、露光デバイスによって、約１００ｅｒｇ／ｃｍ２〜約５０００ｅｒｇ／ｃｍ２、または約１０００ｅｒｇ／ｃｍ２〜約３０００ｅｒｇ／ｃｍ２の強度の光が得られる。これらの実施形態では、露光デバイスは、レーザーラスタ出力スキャナ（ＲＯＳ）および発光ダイオード（ＬＥＤ）アレイからなる群から選択される。静電充電器は、コロトロン、スコロトロンおよびバイアス電荷ローラーからなる群から選択されてもよい。
【００１６】
この実施形態では、画像形成体は、基材と、基材の上に配置された電荷発生層と、電荷発生層の上に配置された電荷輸送層とを備え、電荷輸送層は、電荷輸送分子を含む。特定の実施形態では、電荷輸送分子は、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（４−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミンである。
【００１７】
また、電荷輸送層は、電気的に不活性なポリマー材料（例えば、ポリカーボネートバインダー）中に溶解または分子単位で分散する添加剤として有用な任意の適切な電荷輸送要素または活性化化合物を含み、固溶体を形成してもよく、それによって、この材料を電気的に活性にしてもよい。「溶解する」とは、例えば、低分子がポリマーに溶解し、均一相を形成し、溶液を形成することを指し、分子単位で分散するとは、ある実施形態では、例えば、電荷輸送分子がポリマーに分散し、低分子が分子単位でポリマーに分散することを指す。電荷輸送要素を、他の方法では、電荷発生材料から光によって発生した正孔を注入することができず、これらの正孔を輸送することができないような膜形成ポリマー材料に加えてもよい。この添加は、電気的に不活性なポリマー材料を、電荷発生材料から光によって発生した正孔を注入し、電荷輸送層の上の表面電荷を放電させるためにこれらの正孔を輸送することができる材料に変える。高い移動性の電荷輸送要素は、協働して分子間の電荷を輸送し、最終的に、電荷輸送層の表面に対して輸送する有機化合物の低分子を含んでいてもよい。
【００１８】
電荷輸送要素の例は、以下の式／構造のアリールアミン
【化１】
0005898579.tif 000002
（式中、Ｘは、アルキル、アルコキシ、アリール、およびこれらの誘導体のような適切な炭化水素；ハロゲン、またはこれらの混合物、特に、ＣｌおよびＣＨ３からなる群から選択される置換基である）、および以下の式の分子
【化２】
0005898579.tif 000003
であり、式中、Ｘ、ＹおよびＺは、独立して、アルキル、アルコキシ、アリール、ハロゲン、またはこれらの混合物であり、ＹおよびＺのうち、少なくとも１つが存在する。
【００１９】
アルキルおよびアルコキシは、例えば、炭素原子を１〜約２５個、より特定的には、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、および対応するアルコキシドなどの炭素を１〜約１２個含んでいる。アリールは、例えば、フェニルなどの炭素原子を６〜約３６個含んでいてもよい。ハロゲンとしては、塩素、臭素、ヨウ素、フッ素が挙げられる。ある実施形態では、置換アルキル、アルコキシ、アリールを選択してもよい。
【００２０】
ある特定の適切な電荷輸送材料は、以下の式のＮ，Ｎ，Ｎ’Ｎ’−テトラ（４−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミンである。
【化３】
0005898579.tif 000004
【００２１】
電荷輸送層のために選択可能な特定のアリールアミンの例としては、限定されないが、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）；Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ−ｐ−トリル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＭ−ＴＰＤ）；Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（アルキルフェニル）−１，１−ビフェニル−４，４’−ジアミン（アルキルは、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ヘキシルなどからなる群から選択される）；Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（ハロフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ハロ置換基は、クロロ置換基である）；Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｐ−トリル−［ｐ−ターフェニル］−４，４”−ジアミン；Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｍ−トリル−［ｐ−ターフェニル］−４，４”−ジアミン；Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｏ−トリル−［ｐ−ターフェニル］−４，４”−ジアミン；Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（４−イソプロピルフェニル）−［ｐ−ターフェニル］−４，４”−ジアミン；Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（２−エチル−６−メチルフェニル）−［ｐ−ターフェニル］−４，４”−ジアミン；Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（２，５−ジメチルフェニル）−［ｐ−ターフェニル］−４，４’−ジアミン；Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−クロロフェニル）−［ｐ−ターフェニル］−４，４”−ジアミンなどが挙げられる。
【００２２】
この実施形態では、電荷輸送分子は、電荷輸送層中、電荷輸送層の合計重量を基準として、約１重量％〜約６０重量％、または約３０重量％〜約５０重量％の量で存在する。電荷輸送層は、厚みが約２ミクロン〜約４０ミクロン、または約２０ミクロン〜約３０ミクロンであってもよい。
【００２３】
本実施形態は、従来の感光体によるシステムと比べ、種々の利点を与える。特に、静電画像の作成に、帯電後の光によって誘発される放電期や、感光体の設計に固有の電荷輸送の必要がない。これにより、光放電による画像形成ではなく、帯電および潜像作成を同時に行うため、高速操作および省スペース設計が可能になる。
【実施例】
【００２４】
（実施例１）
（試作品の製造）
図３に示されるように、８４ｍｍのドラムスキャナ６０を用い、電気試験部品５５を製造した。帯電デバイス６５は、スコロトロンであり、露光デバイス９０は、６３０ｎｍ  ＬＥＤラインスキャン照明器であった。消去ランプ７０は、７８０ｎｍでフィルタリングしたＸｅｎｏｎ  Ｌａｍｐであった。露光システムは、スコロトロンの前に配置され、消去ランプは、ＥＳＶ１（７５）およびＥＳＶ２（８０）と書かれている静電電圧計（ＥＳＶ）の後に配置された。ＥＳＶ３（８５）は、消去ランプの後に配置された。試験部品５５は、以下のタイミングで製造し、最大速度２４０ＲＰＭが可能である（表１）。
【表１】
0005898579.tif 000005
【００２５】
（感光体の製造）
以下の手順にしたがって画像形成体を調製した。金属化したＭＹＬＡＲ基材を提供し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン（ＨＯＧａＰｃ）／ポリ（ビスフェノール−Ｚカーボネート）光発生層を基材の上に機械によってコーティングした。電荷輸送層は、褐色瓶に、５０重量％の高品質Ｎ，Ｎ，Ｎ’Ｎ’−テトラ（４−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（化合物１）、５０重量％のポリマーバインダー、ＦＰＣ−０１７０ポリマー（Ｍｉｔｓｕｂｉｓｈｉ  Ｇａｓ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏ．から入手可能）を入れることによって調製された。
【００２６】
次いで、得られた混合物を塩化メチレンに溶解し、１５重量％の固形分を含む溶液を作成した。この溶液を光発生層に塗布し、乾燥させ（１２０℃で１分間）、厚みが３０ミクロンの層を作成した。次いで、画像形成体を直径８４ｍｍの裸のアルミニウムドラムに取り付け、接地した。
【００２７】
（試験方法）
上の測定システムを用い、感光体を取り付け、光ダイオードによって、図４に示されるような「オン状態」によって測定する場合、露光ラインスキャナのエネルギーを３．９ｍａに設定し、光ダイオードによって、図５に示されるような「オフ状態」で測定する場合、０ｍａに設定した。この設定によって、「オン状態」の場合、感光体に対し、６３０ｎｍの光を３０００ｅｒｇ／ｃｍ２与えた。ドラムの速度を２４０ＲＰＭに設定した。次いで、オン状態およびオフ状態の場合に、電荷受容性（図３のＥＳＶ１およびＥＳＶ２のような）を測定した。
【００２８】
（結果）
オフ状態には、非常に高い電荷受容性（約４５０Ｖ）が得られ、この値は、従来の放電領域の現像（ＤＡＤ）ゼログラフィーの帯電した状態と等価である（図４）。オン状態には、非常に低い電荷受容性（約４０Ｖ）が得られ、これは、従来のＤＡＤゼログラフィーの放電した状態と等価である（図５）。
【図１】
0005898579.tif 000012
【図２】
0005898579.tif 000013
【図３】
0005898579.tif 000014
【図４】
0005898579.tif 000015
【図５】
0005898579.tif 000016