(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のモジュールと、各モジュールは、対応するオフチップ・パワー・エンティティへの、または対応するオフチップ・パワー・エンティティからのパワーを処理するように構成されている、
前記複数のモジュールが設けられている集積回路の温度を感知するように構成されている温度センサと、
感知された前記温度に応答して前記複数のモジュールの各々によって処理されるパワーを調整するように構成されている熱制御装置と、ここにおいて、前記熱制御装置および前記複数のモジュールは、単一の集積回路に設けられている、さらに前記熱制御装置は、前記複数のモジュールの各々によって処理される前記パワーを調整するために、各モジュールの電流スケーリングファクタを調整するように構成されている、
を備える装置。
【請求項２】
前記熱制御装置は、しきい値より高い感知された前記温度に応答して少なくとも１つのモジュールの前記電流スケーリングファクタを低減するように構成されている、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記熱制御装置は、各モジュールの前記電流スケーリングファクタを最小電流スケーリングファクタにまで低減するように構成されている、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記熱制御装置は、前記最小電流スケーリングファクタに低減されたすべてのモジュールの前記電流スケーリングファクタに応答して、第１のしきい値より大きい第２のしきい値より高い感知された前記温度に応答して、ユーザ・インターフェース・パワー消費エンティティに対応する全てのモジュールをさらにシャットダウンするように構成されている、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記熱制御装置は、前記第２のしきい値より大きい第３のしきい値より高い感知された前記温度に応答して、全てのパワー・エンティティをさらにシャットダウンするように構成されている、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
複数のモジュールと、各モジュールは、対応するオフチップ・パワー・エンティティへの、または対応するオフチップ・パワー・エンティティからのパワーを処理するように構成されている、
前記複数のモジュールが設けられている集積回路の温度を感知するように構成されている温度センサと、
感知された前記温度に応答して前記複数のモジュールの各々によって処理されるパワーを調整するように構成されている熱制御装置と、ここにおいて、前記熱制御装置および前記複数のモジュールは、単一の集積回路に設けられている、さらに前記熱制御装置は、第１のしきい値より高い感知された前記温度に応答して、連続して前記複数のモジュールの電流スケーリングファクタを低減するように構成されており、前記連続は、複数のスケーリング優先順位レジスタによって決定される、
を備える装置。
【請求項７】
複数のモジュールと、各モジュールは、対応するオフチップ・パワー・エンティティへの、または対応するオフチップ・パワー・エンティティからのパワーを処理するように構成されている、
前記複数のモジュールが設けられている集積回路の温度を感知するように構成されている温度センサと、
感知された前記温度に応答して前記複数のモジュールの各々によって処理されるパワーを調整するように構成されている熱制御装置と、ここにおいて、前記熱制御装置および前記複数のモジュールは、単一の集積回路に設けられている、さらに前記熱制御装置は、第１のしきい値より高い感知された前記温度に応答して、並行して前記複数のモジュールの電流スケーリングファクタを低減するように構成されている、
を備える装置。
【請求項８】
複数のモジュールと、各モジュールは、対応するオフチップ・パワー・エンティティへの、または対応するオフチップ・パワー・エンティティからのパワーを処理するように構成されている、
前記複数のモジュールが設けられている集積回路の温度を感知するように構成されている温度センサと、
感知された前記温度に応答して前記複数のモジュールの各々によって処理されるパワーを調整するように構成されている熱制御装置と、ここにおいて、前記熱制御装置および前記複数のモジュールは、単一の集積回路に設けられている、さらに前記熱制御装置は、前記モジュールによって処理されるオーディオ信号パワーを調整するために、モジュールの増幅器利得を調整するように構成されている、
を備える装置。
【請求項９】
複数のモジュールが設けられているパワー・マネジメント集積回路（ＰＭＩＣ）の温度を感知することと、各モジュールは、前記ＰＭＩＣからの対応するパワー・エンティティ・オフチップへの、または、対応するパワー・エンティティ・オフチップからのパワーを処理するように構成されている、
感知された前記温度に応答して、前記複数のモジュールの各々によって処理されるパワーを調整することと、ここにおいて、前記調整することは、前記ＰＭＩＣに設けられた熱制御装置によって実施される、さらに前記パワーを前記調整することは、前記複数のモジュールの各々によって処理される前記パワーを調整するために各モジュールの電流スケーリングファクタを調整することを備える、
を備える方法。
【請求項１０】
前記電流スケーリングファクタを前記調整することは、しきい値より高い感知された前記温度に応答して少なくとも１つのモジュールの前記電流スケーリングファクタを低減すること備える、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記電流スケーリングファクタを前記調整することは、各モジュールの前記電流スケーリングファクタを最小電流スケーリングファクタにまで低減することをさらに備える、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記最小電流スケーリングファクタにまで低減されたすべてのモジュールの前記電流スケーリングファクタに応答して、第１のしきい値より大きい第２のしきい値より高い、感知された前記温度に応答して、ユーザ・インターフェース・パワー消費エンティティに対応するすべてのモジュールをシャットダウンすることをさらに備える、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
コンピュータに集積回路の温度を管理させるためのコードを格納するコンピュータ・プログラム製品であって、前記コードは、
コンピュータに、少なくとも１つの対応するオフチップ・パワー・エンティティへの、または少なくとも１つの対応するオフチップ・パワー・エンティティからのパワーを処理する複数のモジュールに優先順位を割当てさせるためのコードと、
コンピュータに、前記複数のモジュールが設けられている集積回路の前記温度を決定させるためのコードと、
コンピュータに、決定された前記温度に応答して前記複数のモジュールの各々によって処理されるパワーを調整させるためのコードと、ここにおいて、前記コンピュータに前記パワーを調整させるための前記コードは、コンピュータに優先順位を割当てさせるためのコードとともに、単一のチップ上に統合されたメモリに設けられる、
コンピュータに、最小電流スケーリングファクタを、前記複数のモジュールの各々に割当てさせるためのコードと
を備える、
コンピュータ・プログラム製品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本開示は、パワー・マネジメント集積回路（ＰＭＩＣ：power management integrated circuit）のための熱管理に関わる。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  パワー・マネジメント集積回路（ＰＭＩＣ）は、具体的には、システムのパワー消費（power consumption）を管理するように設計されている回路である。特に、ＰＭＩＣは、バッテリのようなパワー・サプライ（a power supply）からのロー電圧（raw voltage）を処理し得、そして次にＰＭＩＣから離れた複数のオフチップ・パワー消費エンティティ（off-chip power consumption entities）を駆動するために調節された電圧（regulated voltages）を供給し得る。現在のＰＭＩＣは、システムがさらに複雑であるために、ますます統合されてきている。典型的なＰＭＩＣは、スイッチド・モード・バッテリ・チャージャ（ＳＭＢＣ：switched-mode battery charger）、バックライト・ディスプレイ・ドライバ（back light display drivers）（ＷＬＥＤ）、バック・レギュレータ（buck regulator）、オーディオ増幅器（audio amplifier）、およびフラッシュＬＥＤドライバのような、オフチップ・パワー消費エンティティを駆動するための、多数の高出力（high-power）のオンチップ・モジュールを含み得る。オンチップ・モジュールは、オフチップ・エンティティへの、またはオフチップ・エンティティからのパワーを処理するときに、相当のパワーを損失し（dissipate）得る。
【０００３】
[0003]  いくつかのシステムの実施では、パワー消費エンティティに対する同時使用のシナリオは、ＰＭＩＣのパワー損失（power dissipation）に急速に拍車をかけ得、そして次にチップの温度が、パッケージおよびシリコンの熱限界（thermal limits）（例えば１５０°Ｃ）を超えるようになり得る。例えば、典型的なＰＭＩＣでは、最大パワー損失は、全てのパワー消費エンティティが同時に動作する場合に、最大８ワットまでになることができる。他方で、接合部（またはダイ）温度（junction (or die) temperature）を１２５°Ｃ未満に保つためには、典型的なパッケージのシータＪＡ（theta-JA）および最大８５°Ｃまでの周囲温度（ambient temperature）を想定すると、ダイ上の最大許容パワー損失（maximum allowable power dissipation）は、２ワットに近づき得る。
【０００４】
[0004]  ＰＭＩＣパワー損失を管理し、接合部温度が最大限度を超えないことを確実にするために、従来技術は、別個のエンティティ、例えばＰＭＩＣの外部ピン（external pins）によってＰＭＩＣに結合されている別個のマイクロプロセッサによる、ＰＭＩＣのソフトウェア制御およびモニタリングを必要とし得る。マイクロプロセッサがインターフェースを介してＰＭＩＣと通信する必要があるため、ＰＭＩＣの熱制御へのこのアプローチが重大な待ち時間（latency）をもたらし得ることが、理解されるだろう。そして、このような待ち時間は、特定の同時の使用事例に関しては、望ましくないことに、ＰＭＩＣのサーマル・シャットダウン（thermal shutdown）を引き起こすだろう。代わりに、従来技術は、ＰＭＩＣ自体における粗雑な温度モニタリングおよびモジュール制御を実施することを含み得る。しかしながら、このような粗雑な技術は、別個のマイクロプロセッサを使用して実施され得る、より精緻なアルゴリズムの制御および柔軟性を提供しない。
【０００５】
[0005]  このような結果を考慮すると、ＰＭＩＣの熱管理のために改良された技術を提供することが望ましいだろう。
【発明の概要】
【０００６】
[0006]  本開示の一態様は、複数のモジュールと、各モジュールは、対応するオフチップ・パワー・エンティティへの、または対応するオフチップ・パワー・エンティティからのパワーを処理するように構成されており、複数のモジュールが設けられている集積回路の温度を感知するように構成されている温度センサと、感知された温度に応答して複数のモジュールの各々によって処理される最大パワーを調整するように構成されている熱制御装置（a thermal controller）と、ここにおいて、熱制御装置および複数のモジュールは単一の集積回路に設けられている、を備える装置を提供する。
【０００７】
[0007]  本開示の他の態様は、複数のモジュールが設けられているパワー・マネジメント集積回路（ＰＭＩＣ）の温度を感知することと、各モジュールは、ＰＭＩＣからの対応するパワー・エンティティ・オフチップへの、または対応するパワー・エンティティ・オフチップからのパワーを処理するように構成されており、感知された温度に応答して複数のモジュールの各々によって搬送される最大パワーを調整することと、ここにおいて、調整することは、ＰＭＩＣに設けられている熱制御装置によって実施される、を備える方法を提供する。
【０００８】
[0008]  本開示の更なる他の態様は、少なくとも１つの対応するオフチップ・パワー・エンティティへの、または少なくとも１つの対応するオフチップ・パワー・エンティティからのパワーを処理するための手段と、パワーを処理するための手段が設けられている集積回路の温度を感知するための手段と、感知された温度に応答して複数のモジュールの各々によって処理されるパワーを調整するための手段と、ここにおいて、調整するための手段とパワーを処理するための手段は単一の集積回路に設けられている、を備える装置を提供する。
【０００９】
[0009]  本開示の更なる他の態様は、コンピュータに集積回路の温度を管理させるためのコードを格納するコンピュータ・プログラム製品であって、このコードは、コンピュータに、少なくとも１つの対応するオフチップ・パワー・エンティティへの、または、少なくとも１つの対応するオフチップ・パワー・エンティティからのパワーを処理する複数のモジュールに優先順位（priorities）を割当てさせるためのコードと、コンピュータに、複数のモジュールが設けられている集積回路の温度を決定させるためのコードと、コンピュータに、決定された温度に応答して複数のモジュールの各々によって処理されるパワーを調整させるためのコードと、ここにおいて、コンピュータにパワーを調整させるためのコードは、コンピュータに優先順位を割当てさせるためのコードと、単一のチップ上に統合されたメモリに設けられる、を備える、コンピュータ・プログラム製品を提供する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】[0010]  図１は、パワー・マネジメント集積回路（ＰＭＩＣ）を使用するベースライン・システムの一例を示す。
【図２】[0011]  図２は、ＰＭＩＣの温度プロファイルを示しており、ＰＭＩＣは、過熱からＰＭＩＣを自己防御するためにＰＭＩＣ上のモジュールを粗く管理し得る。
【図３】[0012]  図３は、本開示に係るＰＭＩＣの１つの例示的な実施形態を示す。
【図４】[0013]  図４は、本開示に係る熱制御装置の１つの例示的な実施形態を示す。
【図５】[0014]  図５は、熱シーケンサ（thermal sequencer）によって起動時に実施される動作の１つの例示的な事例を示す。
【図６】[0015]  図６は、ここに説明される自律制御装置（autonomous controller）による熱管理に起因するＰＭＩＣの１つの例示的な温度プロファイルを示す。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
[0016]  添付図面に関連して以下に記載される詳細な説明は、本発明の例示的な実施形態の説明として意図され、本発明が実施されることができる唯一の実施形態を表すことは意図されない。本明細書の全体にわたって使用される「例示的な（exemplary）」という用語は、「例、実例、または例示としての役割をする」ことを意味し、他の例示的な実施形態に対して必ずしも好ましい、または有利である、として解釈されるべきではない。詳細な説明は、本発明の例示的な実施形態の完全な理解を提供することを目的とした特定の詳細を含む。本発明の例示的な実施形態は、これらの特定の詳細なしで実施され得ることが当業者に明らかになるであろう。いくつかの事例では、周知の構造およびデバイスが、ここに示される例示的な実施形態の新規性を曖昧にすることを避けるために、ブロック図形式で示される。
【００１２】
[0017]  図１は、パワー・マネジメント集積回路（ＰＭＩＣ）１０１を使用するベースライン・システム１００の一例を示す。図１は例としての目的のためにのみ示されており、図１に明確に示されているエンティティまたはシステムだけに本開示の範囲を限定することを意図するものではないことに、留意されたい。システム１００は、エンティティを含む任意の電気システムであり得、これのパワーは、ＰＭＩＣ上のモジュールによって処理される、または管理される。これらは、例えば、ＰＭＩＣがパワー・サプライ・エンティティからパワーを受信するそのパワー・サプライ・エンティティと、ＰＭＩＣがパワーをオフチップ・パワー消費エンティティに搬送するそのオフチップ・パワー消費エンティティと、を含み得る。本明細書および請求項では、特に断りのない限り、「パワー・エンティティ（power entity）」は、ＰＭＩＣに結合されているパワー消費エンティティおよびパワー・サプライ・エンティティの両方を示し、一方で、「オフチップ・パワー・エンティティ（off-chip power entity）」は、このようなパワー・エンティティがＰＭＩＣと同じ集積回路に設けられていないことを示す。「モジュール（module）」は、ＰＭＩＣに結合された対応するパワー・エンティティとインターフェースをとるように設計されているＰＭＩＣの機能的なブロックを示す。モジュールがパワー消費エンティティに結合されている場合、そのモジュールは、パワー消費エンティティに電流を調達する（source）ように構成され得る。
【００１３】
[0018]  図１では、ＰＭＩＣ１０１は、バッテリ１３６に結合されているサプライ処理モジュール（a supply processing module）１１６を含み、これは、ＰＭＩＣ１０１にロー電圧を供給する。ＰＭＩＣ１０１は、また、例えば、外部チャージャ（an external charger）、アダプタなどを含む他のパワー・ソース（power sources）（図示されていない）からパワーを受信し得る。バッテリ１３６または他のパワー・ソースから受信されたロー電圧を使用して、ＰＭＩＣ１０１は、ＰＭＩＣ１０１からさまざまなパワー消費エンティティ・オフチップにパワーを供給するために、調節された、および制御された電圧を生成し得る。ＰＭＩＣ１０１は、また、パワー消費エンティティに提供される電圧をモニタし得、例えば許容され得る動作限界、熱的条件などに依存して、供給される電圧を時間と共に変化させ得る。
【００１４】
[0019]  図１に示されているパワー消費エンティティは、マイクロプロセッサ１５０と、ＬＥＤ１３４と、オーディオ出力ユニット１３８と、ここでは明確に列挙されていない他のパワー消費エンティティ１４０とを含む。当業者であれば、本開示の技術が、図１には明確に示されていないまたはここで述べられていないエンティティ、例えば他のユーザ・インターフェース・エンティティ、デジタル信号プロセッサ、モデム回路など、に容易に適用され得ることを、理解するだろう。
【００１５】
[0020]  特に、図１において、ＬＥＤ１３４は、ＰＭＩＣ１０１内のオンチップＬＥＤドライバ１１４に結合されている。ＬＥＤ１３４は、例えば、白色ＬＥＤ、フラッシュＬＥＤなどを使用するバックライト・ディスプレイを含み得る。ＰＭＩＣ１０１は、オーディオ出力ユニット１３８に搬送されるオーディオ信号パワーを制御するように結合されているオーディオ・ドライバ１１８をさらに含む。オーディオ出力ユニット１３８は、例えば、スピーカー、ステレオまたはモノラルのヘッドフォンなどを含み得る。ＰＭＩＣ１０１は、サプライ電圧を必要とする他のパワー消費エンティティ１４０に結合されている電圧レギュレータ１２０をさらに含み得る。
【００１６】
[0021]  さらに、マイクロプロセッサ１５０は、ＰＭＣ１０１に結合されている。マイクロプロセッサ１５０は、ＰＭＩＣ１０１とは別個の集積回路上に配置されており、ＰＭＩＣ１０１から調節されたパワーを受信し得、および、ＰＭＩＣ１０１の動作を制御するために、ＰＭＩＣ１０１に命令を提供し得る。例えば、ＰＭＩＣ１０１上のモジュール１１２は、直列バス・インターフェース（ＳＢＩ：serial bus interface）を使用してマイクロプロセッサ１５０と通信するように構成され得る。マイクロプロセッサ１５０は、リアルタイムに、ＰＭＩＣ１０１に結合されたさまざまなパワー・エンティティに供給される電流を管理するために、ＰＭＩＣ１０１と通信し得る。モジュール１１２は、マイクロプロセッサ１５０にパワーをさらに供給し得る。
【００１７】
[0022]  上記で説明されたように、ＰＭＩＣ上の高出力ＰＭＩＣモジュールのための特定の同時システム使用のシナリオ（certain concurrent system use scenarios）が、ＰＭＩＣダイにおけるパワー損失に急速に拍車をかけ得、ＰＭＩＣがそれの熱限界（例えば１５０°Ｃ）を超過することを容易に引き起こし得ることが、理解されるだろう。例えば、典型的なＰＭＩＣでは、最大パワー損失は、全ての高出力モジュールが同時に使用される場合に、最大８ワットまでになり得る。しかしながら、（接合部ツー周囲温度抵抗（junction-to-ambient thermal resistance）として定義される）典型的なパッケージのシータＪＡ（package theta-JA）に関しては、最大８５°Ｃの周囲温度（max 85°Ｃ ambient temperature）で接合部温度（junction temperature）を１２５°Ｃ未満に保つために、最大許容可能パワー損失は、たった約２ワットであるべきである。
【００１８】
[0023]  これらの結果を考慮すると、ＰＭＩＣにとって、ダイにおけるパワー損失を有効に管理すること、接合部温度が動作限界を超過しないように防ぐことが、重要となる。図１のシステム１００において、温度センサ１１０は、ダイにおける接合部温度をモニタするためにＰＭＩＣ１０１に設けられる。温度センサ１１０は、マイクロプロセッサ１５０に、マイクロプロセッサ・インターフェース１１２を介して、測定値を報告するようにさらに構成されている。図１のシステム１００において、マイクロプロセッサ１５０は、ＰＭＩＣ１０１上の接合部温度が動作限界を超過しないことを確実にするために、温度センサ１１０によって作成された測定値に応答して、実時間で、インターフェース１３２にわたってＰＭＩＣ１０１におけるさまざまなモジュールを管理し得る。
【００１９】
[0024]  代わりに、特定のパワー・マネジメント装置は、オンチップの温度センサを含み得、特定の温度しきい値が超過されるとモジュールを粗くモニタしシャットダウンするための、自己防御回路（self-protection circuitry）を含み得る。図２は、ＰＭＩＣの温度プロファイルを示しており、ここにおいて、ＰＭＩＣ１０１は、装置を自己防御するために、ＰＭＩＣ１０１上のモジュールを実時間で粗く管理している。図２では、測定温度対時間（measured temperature versus time）の仮説的な変動（a hypothetical variation）を示している例示的なプロファイルが示されている。異なるステージが、例示的な温度レジームを示しており、ここにおいて、ＰＭＩＣ１０１は、ダイの接合部温度を管理するために、異なる動作を実行し得る。図２における種々のステージおよび温度限界の列挙は、例示的な目的のためにのみ示されているのであり、本開示の範囲を限定することは意図されないことに留意されたい。
【００２０】
[0025]  図２において、ステージ０は、ＰＭＩＣ１０１に対する通常の動作温度範囲に、例えば温度Ｔ１未満に、対応し得る。ステージ１は、接合部温度が、例えばＴ１およびＴ２間で上昇される状況に対応し得る。ステージ２は、例えばＴ２およびＴ３間の温度範囲に対応しており、ＰＭＩＣ１０１は、特定のユーザ・インターフェース（ＵＩ）パワー消費エンティティにパワーを供給するためのモジュールを、このようなユーザ・インターフェース・エンティティが典型的に最大のパワーを消費し得るため、自動的にシャットオフし始め得る。例えば、ステージ２では、ＰＭＩＣ１０１上のＬＥＤドライバ１１４およびオーディオ・ドライバ１１８は、接合部温度がさらに上昇するのを防ぐために、ＬＥＤ１３４およびオーディオ出力１３８へのパワーをそれぞれシャットオフするように命令され得る。他の例示的なユーザ・インターフェース・モジュールは、バックライト、クラスＤの増幅器、およびバイブレータ・モータ・ドライバを含み得る。特定の実施では、ＰＭＩＣ１０１上の自動ハードウェア制御は、接合部温度がステージ２の最小しきい値を超過すると、高出力ユーザ・インターフェース・モジュールを完全にシャットダウンするようにプログラムされ得る。ステージ３は、例えばＴ２およびＴ３間の温度範囲に対応し得、ここにおいてＰＭＩＣ１０１は、完全にシャットダウンされるように命令される。
【００２１】
[0026]  特定の実施では、温度センサ１１０は、検出された温度範囲の指示、例えば、ステージ２の温度の検出を示している独立した信号等、を提供し得る。代わりに、温度センサ１１０は、簡潔な温度読取り（temperature reading）を提供し得、マイクロプロセッサ１５０またはＰＭＩＣ１０１は、対応する温度ステージを決定するためにその温度読取りを使用し得る。
【００２２】
[0027]  例示的な温度プロファイル２０１の軌道の後に、ＵＩの機能がシャットダウンされると、ＰＭＩＣ１０１の温度は、ステージ３からステージ０まで冷却し得ることが判る。ステージ０では、ＰＭＩＣ１０１は、通常の動作を再開することが許可され得る。ＰＭＩＣ１０１がステージ３においてシャットダウンする場合、それは、ＰＭＩＣ１０１、およびマイクロプロセッサ１５０を含む他のチップによって使用される調節された供給電圧をすべてシャットダウンし得ることに、留意されたい。このような熱シャットダウンのイベントの後にＰＭＩＣ１０１を再起動させるために、パワー・ボタン・プレスのようなパワー・オン・トリガーが使用され得る。
【００２３】
[0028]  図１および図２に説明されているベースラインの実施では、マイクロプロセッサ１５０には、検出された接合部温度に応答して、モジュール電流設定（module current settings）を調整するようにＰＭＩＣ１０１に命令するソフトウェアが提供され得ることに、留意されたい。かくして、ＰＭＩＣ１０１の熱管理は、緊密なモニタリングおよびマイクロプロセッサ１５０とのソフトウェア相互作用（software interaction）を必要とするだろう。しかしながら、ソフトウェアにおいて熱管理機能を実施することは、測定された温度およびＰＭＩＣ１０１へのマイクロプロセッサの命令がインターフェース１３２にわたって往復して通信されなければならないので、一般に、大きな待ち時間をもたらす。更に、マイクロプロセッサ１５０が、例えばソフトウェアの故障のために「ロックアップ（locked up）」される、または、そうでなければ遅い応答時間を有する、という特定のシナリオにおいては、ＰＭＩＣ１０１の接合部温度は、何らかの事情で、許容範囲のレベルを超えて上昇することを許可され得る。
【００２４】
[0029]  代わりに、粗雑な熱管理シャットダウン技術が適用される場合、図２を参照して上述したように、別個のマイクロプロセッサ制御が、ＰＭＩＣの自己防御のために必要とされない。しかしながら、より多くの制御が、例えばパワー・サプライからＰＭＩＣ１０１によって受信される、また、パワー消費エンティティなどにＰＭＩＣ１０１によって調達される、電流の量に対して与えられ得るように、このような粗雑な技術より、ＰＭＩＣ１０１上に設けられている熱管理回路に、より良い精度が提供されることが望ましい。上昇した温度に応答して対応する電流を低減する時に、モジュールに割当てられ得る相対的な優先順位を特定するための技術を有することが、さらに望ましい。
【００２５】
[0030]  本開示に従えば、ＰＭＩＣと直接的に統合される自律熱制御装置を提供する技術が、提供される。このような自律熱制御装置は、様々な機能が与えられ得、測定された接合部温度に基づいてＰＭＩＣ上のパワー・モジュールを直接的に管理し得、このことによって、命令および熱管理データを別個のオフチップのマイクロプロセッサと通信することに関わる待ち時間を低減する。
【００２６】
[0031]  図３は、本開示に係るＰＭＩＣ３０１の例示的な実施形態を示す。図３では、熱制御装置３２０は、ＰＭＩＣ３０１と統合され、即ち、ＰＭＩＣ３０１の残りの部分（rest）として同じ集積回路ダイに設けられている。熱制御装置３２０は、また、ＰＭＩＣ３０１と統合されており、この結果、図１のマイクロプロセッサ１５０のようなオフチップのエンティティによる実時間の制御を必要としないため、「自律した（autonomous）」熱制御装置としてここで説明され得る。熱制御装置３２０は、熱センサ３１０から、ＰＭＩＣ３０１の接合部温度の測定値を受信する。温度測定値に基づいて、熱制御装置３２０は、ＰＭＩＣ１０１へのパワー・ソースによって搬送されるパワー、および、ＰＭＩＣ３０１によってさまざまなオフチップ・パワー消費エンティティに搬送されるパワーを処理するために、ＰＭＩＣ３０１上のさまざまなモジュール３３０．１乃至３３０．Ｎにわたって精度の高い制御を実施し得る。
【００２７】
[0032]  １つの例示的な実施形態では、熱制御装置３２０の機能は、例えば、ＰＭＩＣ３０１の組み込まれたマイクロコントローラ（図３に示されていない）によって実行され得る。特に、組み込まれたマイクロコントローラは、ＰＭＩＣ３０１に固有のものであり得、自律熱制御装置の機能を実施するためのソフトウェアは、組み込まれたマイクロコントローラにアクセス可能な不揮発性のメモリに格納され得る。１つの例示的な実施形態では、組み込まれたマイクロコントローラは、例えば、ＰＭＩＣ上のワンタイム・プログラマブル（one-time-programmable）（ＯＴＰ）の不揮発性のメモリに格納されることができる所定のシーケンスの一部としてＰＭＩＣ内の異なるレジスタに、一連の読み書きを実行することができる限定された命令のセットを提供され得る。
【００２８】
[0033]  特定の例示的な実施形態では、マイクロコントローラは、プログラマブル起動シーケンス（a programmable boot sequencer）（ＰＢＳ）としても機能し得、これは、電源を入れる（power-up）間に順々に異なる動作（例えば、所定の順序でレギュレータの電源を入れること（turning on）、または、起動時にマイクロプロセッサからの指示なしでＰＭＩＣを事前設定するためにＳＢＩレジスタ書込み（SBI register writes）を行うこと等）を実施するようにプログラムされることを装置に許可するように設計され得る。
【００２９】
[0034]  図４は、本開示に従って、熱制御装置３２０の１つの例示的な実施形態３２０．１を示している。この例示的な実施形態３２０．１は例としての目的のためにのみ示されており、図４に開示されている特定の機能を必ず有する自律熱制御装置に本開示の範囲を限定することは意図されていないことに、留意されたい。
【００３０】
[0035]  上記に説明されたように、特定の使用事例の間の複数の高出力モジュールの同時の起動のために、接合部温度は、第１の所定の温度しきい値を超過し得る。熱制御装置３２０．１内の熱シーケンサ４５０は、温度が第１のしきい値を超過すると起動され得る。熱シーケンサ４５０、または（ここでは「プログラマブル起動シーケンサ（programmable boot sequencer）」と区別されている）「シーケンサ」は、所定のしきい値を超過する温度に応答して、複数のモジュールによって処理される電流を連続して低減し（sequentially scale down）得る。
【００３１】
[0036]  １つの例示的な実施形態では、プログラム可能な優先順位の割当ては、電流の低減が複数のモジュールにわたって実施される順序を決定し得る。例えば、第１の優先順位の高いモジュールによって調達される、または受信される電流は、低減される第２の優先順位の低いモジュールによって電流が調達される、または受信される前に、低減され得る。本明細書および請求項では、「優先順位の高い（high-priority）」という用語は、モジュールの電流は、他の「優先順位の低い（lower-priority）」モジュールの電流を低減する前に、最初に順々に低減されるべきであることを示す。
【００３２】
[0037]  １つの例示的な実施形態では、熱制御装置は、複数の熱優先順位レジスタ（thermal priority register）４１０．１乃至４１０．Ｎを含み得る。各優先順位レジスタは、対応するモジュールに割当てられるプログラム可能な優先順位の値を格納する。この方法で、熱制御装置は、順序に従ってモジュールの電流が削減されるその順序を特定するようにプログラムされ得る。例えば、最も強力なパワー消費エンティティに対応するモジュール、例えば、スイッチド・モード・バッテリ・チャージャ（ＳＭＢＣ）、は、熱優先順位レジスタを使用して最も高い優先順位を割当てられ得、逆に、より低いパワー損失を引き起こすエンティティに対応するモジュール、例えば、フラッシュＬＥＤ、ＷＬＥＤ、およびオーディオ増幅器、は、引き続いて、より低い優先順位を割当てられ得る。例示的な実施形態では、優先順位の割当てはプログラム可能であり、したがって、これらは例えばマイクロプロセッサ１５０からのソフトウェアを使用して、ユーザの要求に基づいて、設定されることができる。代わりに、これらは、ＮＶメモリにハードコード化され（hard-coded）得る。
【００３３】
[0038]  １つの例示的な実施形態では、熱制御装置は、最小スケーリングファクタ（ＳＦ：scaling factor）レジスタ４２０．１乃至４２０．Ｎのバンク（a bank）を含み得る。１つの例示的な実施形態では、各ＳＦレジスタは、各モジュールに対応する最小スケーリングファクタ（ｍｉｎＳＦ）によってプログラムされ得る。ＳＦレジスタは、最小電流を設定し得、これはシーケンサが、次の優先順位のモジュールの電流スケーリングファクタを低減することに向かう前の熱イベントの間に、各モジュールをこの最小電流の状態にする。例えば、ＳＭＢＣモジュールによって提供されるバッテリに電流をチャージするための最小スケーリングファクタは、完全な２Ａｍｐのデフォルト電流（a full 2-Amp default current）を５００ｍＡほど（no less than 500 mA）にスケールダウンするように、設定され得、この後に、熱制御装置３２０．１は、熱優先順位レジスタ４１０によって特定されるように、次に低い優先順位のモジュールによって調達される電流を低減するように進むべきである。
【００３４】
[0039]  １つの例示的な実施形態では、接合部温度が、ＰＭＩＣの通常動作に対して許容可能な温度範囲に対応し得る第２のしきい値未満に下がると、シーケンサは、モジュール電流を低減するのを止め、熱制御装置内のレジスタ（図示されていない）に、適切な電流スケーリングファクタで、ラッチし（latch in the appropriate current scaling factors to registers (not shown) in the thermal controller）得る。
【００３５】
[0040]  本明細書および請求項では、電流スケーリングファクタ、または代わりに、「最大の（maximum）」電流スケーリングファクタは、オフチップ・パワー・エンティティに対応するＰＭＩＣ上のモジュールによって処理される、（例えば、モジュールから受信される、またはモジュールによって調達される）最大の電流量の測定であり得ることに、留意されたい。本開示の技術は、各モジュールの電流スケーリングファクタ以外のパワー消費パラメータを制御することに適用可能であることが、意図される。例えば、エンティティの平均電流消費量、平均パワー消費量、ピーク対平均パワー消費量、（オーディオ増幅器の場合の）増幅器利得、（例えば、ＳＭＰＳ、ＳＭＢＣ、またはバックライトＷＬＥＤドライバに対応する）モジュール内のレギュレータのスイッチング周波数などのうちの、いくつかまたはすべては、本開示の技術に従って、モニタ、調整、および／または制御され得る。
【００３６】
[0041]  図５は、起動時に熱シーケンサによって実施され得る動作の１つの例示的な事例を示している。図５は例としての目的のためにのみ示されており、示されている任意の特定の熱シーケンサ・スキームに本開示の範囲を限定することは意図されないことに留意されたい。図５に示されているスキームへの変更は、ここに開示されている原理を考慮して、当業者によって容易になされ得、このような代替例の実施形態は、本開示の範囲内であることが意図される。
【００３７】
[0042]  図５では、ブロック５０１において、熱シーケンサがオフの状態、およびリセットされた状態である。リセットされた状態では、全ての格納されたスケーリングファクタ（ＳＦ)値が、所定のデフォルト値、例えば、全てのパワー・エンティティのためのフルスケールの電流（full-scale current）に対応する値に従って設定され得ることに、留意されたい。
【００３８】
[0043]  ブロック５０２では、温度ＴがＴ１より大きいか、またはＴ１と等しいかどうかがチェックされる。イエスの場合、動作はブロック５０３に進む。ノーの場合、動作はブロック５０２でチェックを続け得る。
【００３９】
[0044]  ブロック５０３では、熱シーケンサが起動され、ブロック５０４において、温度ＴがＴＲＥＳより小さいかどうかがチェックされる。イエスの場合、熱シーケンサが起動される必要は無いと判断され得、動作はブロック５０１に戻る。ノーの場合、動作はブロック５０５に進む。
【００４０】
[0045]  温度がリセットされたしきい値ＴＲＥＳ未満に下る場合、全てのラッチされたＳＦ値は、それ等のオリジナルのデフォルト値に戻され得ることが理解されるだろう。このようにして、装置の温度が周囲の温度に、または例えば１０°Ｃまたは２０°ＣだけＴ０しきい値を著しく下回る任意の温度に戻ると、モジュールは、それらのフルパフォーマンス機能（full performance capabilities）に、自動的に戻されることができる。熱制御装置は、例えば他の熱イベントがＴ１より高いダイ接合部温度を再び強いる（push）まで、リセットと共に（along with the reset）機能しない状態（disabled）となる。１つの例示的な実施形態では、ＴＲＥＳは、Ｔ０未満であり得る。
【００４１】
[0046]  ブロック５０５では、温度（Ｔ)がしきい値Ｔ１より高いかどうかがチェックされる。ノーの場合、熱シーケンサはチェックを続ける。イエスの場合、熱シーケンサはブロック５０６に進む。
【００４２】
[0047]  ブロック５０６では、第１のモジュールＳＦ（１）に関わる電流スケーリングファクタは、ステップ・サイズによって減少され得る。１つの例示的な実施形態では、ステップ・サイズは、予め決定され得、かつ、固定の値に設定され得るか、ステップ・サイズは、ソフトウェア制御を介してプログラム可能であり得る。
【００４３】
[0048]  ブロック５０８では、温度（Ｔ)がＴ１より低いしきい値Ｔ０より低いかどうかがチェックされる。イエスの場合、熱シーケンサはブロック５１２へと続き得る。ノーの場合、シーケンサはブロック５１０へと続き得る。しきい値Ｔ０は通常の動作温度範囲の高い方の範囲（upper range）に対応するように選択され得、Ｔ＜Ｔ０の場合、更なる電流スケーリングファクタの低減は実施される必要がないことが、理解されるだろう。この結果、Ｔ＜Ｔ０の場合、ブロック５１２において、熱シーケンサは、例えば次の使用のために熱制御装置内の複数のレジスタに、既存の電流スケーリングファクタ値においてラッチする（latch）。
【００４４】
[0049]  ブロック５１０において、ＳＦ（１）が第１のモジュールのｍｉｎＳＦ（１）に関わる最小スケーリングファクタより大きいかこれと等しいかが、チェックされる。イエスの場合、シーケンサはブロック５０６に戻る。ノーの場合、シーケンサは、次のモジュール、例えばモジュール２のための処理（図５に明示されていない処理）へと進む。所定のモジュールに関わる最小スケーリングファクタは、電流スケーリングファクタが低減され得る最小レベルに対応するように選択され得ることが、理解されるだろう。１つの例示的な実施形態では、ＳＦ（１）が、ｍｉｎＳＦ(１）まで低減されると、シーケンサは、その時にはこれ以上ＳＦ（１）を低減せず、代わりに、温度が上昇し続ける場合に、次のモジュールのための電流スケーリングファクタを低減すること（例えばＳＦ（ｎ）にわたるサイクリング、ここにおいてｎはＰＭＩＣの全てのモジュールを示す１からＮのインデックスである）に進む。１つの例示的な実施形態では、モジュール１乃至Ｎの順序付けは、図４を参照して説明されるように、レジスタ４１０．１乃至４１０．Ｎによって規定されている通りであり得る。
【００４５】
[0050]  １つの例示的な実施形態では、１からＮの全てのモジュールｎのための処理は、モジュール１を参照して説明されていることに類似して進み得る。例えば、モジュール１のためのブロック５０４乃至５１０に類似したブロックは、１からＮのすべてのモジュールｎに対して提供され得る。図５では、モジュール２乃至Ｎ−１のための処理が、簡潔にするために示されておらず、代わりにブロック５１０および５１４間の省略（ellipses）によって、同様にブロック５２２および５０４間の省略によって、示される。
【００４６】
[0051]  モジュール特有のパラメータは、モジュール特有の処理ブロックの全てに提供され得、例えば、各モジュールは、異なる関連したスケーリングファクタＳＦ（ｎ）および異なる最小のスケーリングファクタｍｉｎＳＦ(ｎ）を有し得る。１つの例示的な実施形態では、これらの値は、図４を参照して前述されたように、レジスタ４１０および４２０をプログラミングすることによって設定され得る。
【００４７】
[0052]  ブロック５２４乃至５２０は、例えば図４の優先順位レジスタ４１０．１乃至４１０．Ｎを使用して特定されるように、最も低い優先順位のモジュールに対応する、モジュールＮのためのプロセスを示す。
【００４８】
[0053]  ブロック５２０の後、ＳＦ（Ｎ）がｍｉｎＳＦ（Ｎ）より大きくないかこれと等しい場合に（if SF(N) is not greater than or equal to minSF(N)）、シーケンサはブロック５３０に進む。ブロック５３０では、ＴがＴ１より大きいしきい値温度Ｔ２より大きいかどうかがチェックされる。ノーの場合、シーケンサはチェックを続ける。イエスの場合、シーケンサはブロック５４０に進み、ここで自己防御スキームが適用され得、ここにおいてＰＭＩＣのモジュールは、選択的にシャットダウンされる。Ｔ２より大きい温度Ｔは、モジュール電流スケーリングファクタを低減するために熱制御装置によって行われる動作に関わらず温度が上昇していることを示し、この場合、自己防御スキームが開始される必要があり得ることが、理解されるだろう。
【００４９】
[0054]  ブロック５４０では、全てのユーザ・インターフェース（ＵＩ）モジュールがシャットダウンされ、シーケンサはブロック５５０に進む。
【００５０】
[0055]  ブロック５５０では、ＴがＴ２より大きいしきい値温度Ｔ３より大きいかどうかがチェックされる。ノーの場合、シーケンサはチェックを続ける。イエスの場合、ＰＭＩＣ全体はブロック５６０でシャットダウンされ得る。ＰＭＩＣ全体が自己防御のために熱制御装置によってシャットダウンされる場合、再起動されるために、例えばパワー・ボタンまたはチャージャ挿入（charger insertion）から、パワー・オン・トリガーを受信する必要があり得ることに、留意されたい。
【００５１】
[0056]  本開示を考慮すると、当業者であれば、図５に示されているもの以外のＰＭＩＣ温度を低減するための代替の熱シーケンサ・スキームを容易に導出し得ることが、意図される。例えば、熱シーケンサの代替の例示的な実施形態は、ヒステリシス（hysteresis）、および／または、代替のモジュール優先順位づけスキーム（例えば、ここにおいて、全てのモジュールに関わるスケーリングファクタは、異なるステップ・サイズを有する各モジュールによって、ロックステップにおいて同時に低減される）や、示されているものより少ないまたは多い温度しきい値等を、組み込むかもしれないし、組み込まないかもしれない。更に、図５には明確に示されていないさまざまな温度チェックが、代替の例示的な実施形態において実施され得る。例えば、代替の例示的な実施形態では、ブロック５０４における温度チェックは、実施される必要がない。このような代替の例示的な実施形態は、本開示の範囲内であることが意図される。
【００５２】
[0057]  図６は、自律した制御装置３２０．１による熱管理に起因するＰＭＩＣの例示的な温度プロファイルを示している。温度の変数Ｔ０、Ｔ１等は、図２を参照して前述されたものと同じ変数に対応する必要はないことに留意されたい。図６では、ＰＭＩＣ温度対時間の仮説的な変動（a hypothetical variation）を示す例示的なプロファイル６０１が示されている。時間ｔ０からｔ１まで、測定温度は、Ｔ０からＴ１へと増加することが判る。時間ｔ１では、測定温度が第１のしきい値Ｔ１を超過するとき、熱シーケンサが起動される。１つの例示的な実施形態では、熱シーケンサが、図５を参照して前述されたような動作を実施し得る。
【００５３】
[0058]  時間ｔ１における熱シーケンサの起動の後に、温度変化の割合（rate）は、例えば図５を参照して前述されたように、熱シーケンサによって実施される動作のために、時間ｔ１からｔ３の間で低減していることが判る。時間ｔ２では、温度は、Ｔ１未満に戻ることが判り、一方で時間ｔ３では、温度がＴ０未満に戻る。１つの例示的な実施形態では、熱シーケンサによって適用される温度低減スキーム（temperature reduction scheme）は、ヒステリシスを組み込み得、例えばモジュールの電流スケーリングファクタは、温度がＴ１を超過すると低減され得、温度がＴ１より低いＴ０より高い状態のままである限り、低減され続け得る。
【００５４】
[0059]  本開示を考慮すると、当業者であれば、上記の技術のいずれかが、単独で、または互いに組み合されて、およびここに明示されていない他の技術と組み合わされて実施され得ることを、理解するだろう。当業者は、情報および信号が、さまざまな異なる技術および技法のうちの何れかを使用して表され得ることを理解するであろう。例えば、上記の説明を通して参照され得るデータ、命令群、コマンド、情報、信号、ビット、シンボル、およびチップは、電圧、電流、電磁波、磁界または磁気粒子、光学界または光学粒子、またはそれら任意の組み合わせによって表わされ得る。
【００５５】
[0060]  当業者はさらに、本明細書に開示された態様と関係して記述されている様々な実例となる論理ブロック、モジュール、回路、アルゴリズムステップが電子ハードウェア、コンピュータソフトウェアまたは両方の組み合わせとして実行されることを認識するであろう。ハードウェアおよびソフトウェアの互換性を明確に例示するために、多様な例示的なコンポーネント、ブロック、モジュール、回路、およびステップが、一般にそれらの機能の観点から上記で説明されている。このような機能が、ハードウェアとして実施されるか、またはソフトウェアとして実施されるかは、システム全体に課せられる設計制約および特定のアプリケーションに依存する。当業者は、各特定のアプリケーションに関して、多様な方法で、説明された機能を実施することができるが、このような実施の決定は、本発明の例示的な実施形態の範囲から逸脱を引き起こしていると解釈されるべきでない。
【００５６】
[0061]  ここに開示された実施形態に関連して説明されたさまざまな例示的な、論理ブロック、モジュール、および回路は、汎用プロセッサ、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、フィールド・プログラマブル・ゲート・アレイ（ＦＰＧＡ）または他のプログラマブル論理デバイス、ディスクリート・ゲートまたはトランジスタ・ロジック、ＶＬＳＩライブラリエレメント、ディスクリート・ハードウェア・コンポーネント、またはここに説明された機能を実行するように設計されたこれらの任意の組み合わせで、実施または実行され得る。汎用プロセッサはマイクロプロセッサであり得るが、代替で、プロセッサは任意の従来のプロセッサ、コントローラ、マイクロコントローラ、もしくは状態機械（state machine）であり得る。プロセッサはまた、コンピューティング・デバイスの組み合わせ、例えば、ＤＳＰとマイクロプロセッサの組み合わせ、複数のマイクロプロセッサ、ＤＳＰコアと結合された１つ以上のマイクロプロセッサ、または任意の他のそのような構成として、実施され得る。
【００５７】
[0062]  ここで開示された実施形態に関連して説明されたアルゴリズムまたは方法のステップは、ハードウェアにおいて、プロセッサによって実行されるソフトウェアモジュールにおいて、またはその２つの組み合わせにおいて、直接具現化（embodied）され得る。ソフトウェアモジュールは、ランダム・アクセス・メモリ（ＲＡＭ）、フラッシュ・メモリ、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）、電気的プログラマブルＲＯＭ（ＥＰＲＯＭ）、電気的消去可能プログラマブルＲＯＭ（ＥＥＰＲＯＭ）、レジスタ、ハード・ディスク、リムーバル・ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、または当該技術分野において周知であるその他任意の形状の記憶媒体において存在し得る。例示的な記憶媒体は、プロセッサがこの記憶媒体から情報を読み取り、またこの記憶媒体に情報を書き込むことができるように、プロセッサに結合される。代替において、記憶媒体は、プロセッサに組み込まれ得る。プロセッサおよび記憶媒体はＡＳＩＣに存在し得る。ＡＳＩＣは、ユーザ端末内に存在し得る。代替において、プロセッサおよび記憶媒体は、個別コンポーネントとして、ユーザ端末に存在し得る。
【００５８】
[0063]  １つまたは複数の例示的な実施形態では、説明された機能は、ハードウェア、ソフトウェア、ファームウェア、またはこれらの任意の組み合わせで実施され得る。ソフトウェアにおいて実施された場合、この機能は、コンピュータ可読媒体上の１つまたは複数の命令またはコードとして記憶または送信され得る。コンピュータ可読媒体は、ある場所から別の場所へのコンピュータ・プログラムの転送を容易にする任意の媒体を含む通信媒体とコンピュータ記憶媒体との両方を含む。記憶媒体は、コンピュータによってアクセスされることができる任意の利用可能な媒体であり得る。限定ではなく例として、このようなコンピュータ可読媒体は、ＲＡＭ、ＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、ＣＤ−ＲＯＭまたは他の光ディスク記憶装置、磁気ディスク記憶装置またはその他の磁気記憶デバイス、または、データ構造または命令の形式で所望のプログラムコードを記憶または搬送するために使用可能であり、かつコンピュータによってアクセスされ得るその他任意の媒体を備え得る。また、任意の接続は、コンピュータ可読媒体と適切に称され得る。例えば、ソフトウェアが、ウェブサイト、サーバ、または同軸ケーブル、ファイバ光ケーブル、ツイスト・ペア、デジタル加入者線（ＤＳＬ）、または赤外線、無線、マイクロ波のようなワイヤレス技術を使用している他の遠隔ソースから送信された場合、同軸ケーブル、ファイバ光ケーブル、ツイスト・ペア、ＤＳＬ、または赤外線、無線、およびマイクロ波のような無線技術は、媒体の定義に含まれる。ここで使用される場合、ディスク（disk）およびディスク（disc）は、コンパクトディスク（ＣＤ）、レーザーディスク（登録商標）、光ディスク、デジタル多目的ディスク（ＤＶＤ）、フロッピー（登録商標）ディスク、およびブルーレイ（登録商標）ディスクを含み、ここでディスク（disks）は、通常磁気的にデータを再生し、一方ディスク（discs）は、レーザーを用いて光学的にデータを再生する。上記したものの組み合わせもまた、コンピュータ可読媒体の範囲内に含まれるべきである。
【００５９】
[0064]  開示された例示的な実施形態の上記説明は、いかなる当業者であっても、本発明の製造または使用を可能にするように提供される。これらの例示的な実施形態に対する様々な変更は当業者には容易に明らかであり、本明細書において定義された包括的な原理は、本発明の精神または範囲を逸脱することなく他の実施形態に適用可能である。したがって、本発明は、ここに示された実施形態に限定されることは意図されず、ここに開示される原理および新規な特徴と一致する最も広い範囲を与えられるべきである。
以下に、本願出願の当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
［Ｃ１］
複数のモジュールと、各モジュールは、対応するオフチップ・パワー・エンティティへの、または対応するオフチップ・パワー・エンティティからのパワーを処理するように構成されている、
前記複数のモジュールが設けられている集積回路の温度を感知するように構成されている温度センサと、
感知された前記温度に応答して前記複数のモジュールの各々によって処理されるパワーを調整するように構成されている熱制御装置と、ここにおいて、前記熱制御装置および前記複数のモジュールは、単一の集積回路に設けられている、
を備える装置。
［Ｃ２］
前記熱制御装置を動作するための命令が、組込まれたマイクロコントローラに格納される、Ｃ１に記載の装置。
［Ｃ３］
前記熱制御装置を動作するためのハードコード化された有限状態機械を備えるデジタル論理さらに備える、Ｃ１に記載の装置。
［Ｃ４］
前記装置は、前記熱制御装置に関わる動作を実装するためのデジタル論理を備える単一の集積回路から成る、Ｃ１に記載の装置。
［Ｃ５］
前記熱制御装置は、前記複数のモジュールの各々によって処理される前記パワーを調整するために、各モジュールの電流スケーリングファクタを調整するように構成されている、Ｃ１に記載の装置。
［Ｃ６］
前記熱制御装置は、しきい値より高い感知された前記温度に応答して少なくとも１つのモジュールの前記電流スケーリングファクタを低減するように構成されている、Ｃ５に記載の装置。
［Ｃ７］
前記熱制御装置は、各モジュールの前記電流スケーリングファクタを最小電流スケーリングファクタにまで低減するように構成されている、Ｃ６に記載の装置。
［Ｃ８］
前記熱制御装置は、前記最小電流スケーリングファクタに低減されたすべてのモジュールの前記電流スケーリングファクタに応答して、第１のしきい値より大きい第２のしきい値より高い感知された前記温度に応答して、ユーザ・インターフェース・パワー消費エンティティに対応する全てのモジュールをさらにシャットダウンするように構成されている、Ｃ７に記載の装置。
［Ｃ９］
前記熱制御装置は、前記第２のしきい値より大きい第３のしきい値より高い感知された前記温度に応答して、全てのパワー・エンティティをさらにシャットダウンするように構成されている、Ｃ８に記載の装置。
［Ｃ１０］
前記熱制御装置は、第１のしきい値より高い感知された前記温度に応答して、連続して前記複数のモジュールの電流スケーリングファクタを低減するように構成されており、前記連続は、複数のスケーリング優先順位レジスタによって決定される、Ｃ１に記載の装置。
［Ｃ１１］
前記熱制御装置は、第１のしきい値より高い感知された前記温度に応答して、並行して前記複数のモジュールの電流スケーリングファクタを低減するように構成されている、Ｃ１に記載の装置。
［Ｃ１２］
少なくとも１つのパワー・エンティティは、スイッチド・モードのバッテリ・チャージャ、または線形モードのバッテリ・チャージャを備える、Ｃ１に記載の装置。
［Ｃ１３］
少なくとも１つのパワー消費エンティティは、バックライト・ディスプレイ・ドライバ、フラッシュＬＥＤドライバ、またはオーディオ増幅器を備える、Ｃ１に記載の装置。
［Ｃ１４］
少なくとも１つのパワー・エンティティは、ユーザ・インターフェース・パワー消費エンティティである、Ｃ１に記載の装置。
［Ｃ１５］
前記組込まれたマイクロコントローラは、さらに、プログラマブル起動シーケンサとして構成されている、Ｃ２に記載の装置。
［Ｃ１６］
前記熱制御装置は、前記モジュールによって処理されるオーディオ信号パワーを調整するために、モジュールの増幅器利得を調整するように構成されている、Ｃ１に記載の装置。
［Ｃ１７］
前記熱制御装置は、前記モジュールによって処理される前記パワーを調整するために、モジュールのスイッチング周波数を調整するように構成されている、Ｃ１に記載の装置。
［Ｃ１８］
複数のモジュールが設けられているパワー・マネジメント集積回路（ＰＭＩＣ）の温度を感知することと、各モジュールは、前記ＰＭＩＣからの対応するパワー・エンティティ・オフチップへの、または、対応するパワー・エンティティ・オフチップからのパワーを処理するように構成されている、
感知された前記温度に応答して、前記複数のモジュールの各々によって処理されるパワーを調整することと、ここにおいて、前記調整することは、前記ＰＭＩＣに設けられた熱制御装置によって実施される、
を備える方法。
［Ｃ１９］
前記パワーを調整することは、前記複数のモジュールの各々によって処理される前記パワーを調整するために各モジュールの電流スケーリングファクタを調整することを備える、Ｃ１８に記載の方法。
［Ｃ２０］
前記電流スケーリングファクタを前記調整することは、しきい値より高い感知された前記温度に応答して少なくとも１つのモジュールの前記電流スケーリングファクタを低減すること備える、Ｃ１９に記載の方法。
［Ｃ２１］
前記電流スケーリングファクタを前記調整することは、各モジュールの前記電流スケーリングファクタを最小電流スケーリングファクタにまで低減することをさらに備える、Ｃ２０に記載の方法。
［Ｃ２２］
前記最小電流スケーリングファクタにまで低減されたすべてのモジュールの前記電流スケーリングファクタに応答して、第１のしきい値より大きい第２のしきい値より高い、感知された前記温度に応答して、ユーザ・インターフェース・パワー消費エンティティに対応するすべてのモジュールをシャットダウンすることをさらに備える、Ｃ２１に記載の方法。
［Ｃ２３］
少なくとも１つの対応するオフチップ・パワー・エンティティへの、または少なくとも１つの対応するオフチップ・パワー・エンティティからのパワーを処理するための手段と、
前記パワーを処理するための手段が設けられている集積回路の温度を感知するための手段と、
感知された前記温度に応答して複数のモジュールの各々によって処理されるパワーを調整するための手段と、ここにおいて、前記調整するための手段と前記パワーを処理するための手段は、単一の集積回路に設けられている、
を備える装置。
［Ｃ２４］
コンピュータに集積回路の温度を管理させるためのコードを格納するコンピュータ・プログラム製品であって、前記コードは、
コンピュータに、少なくとも１つの対応するオフチップ・パワー・エンティティへの、または少なくとも１つの対応するオフチップ・パワー・エンティティからのパワーを処理する複数のモジュールに優先順位を割当てさせるためのコードと、
コンピュータに、前記複数のモジュールが設けられている集積回路の温度を決定させるためのコードと、
コンピュータに、決定された前記温度に応答して前記複数のモジュールの各々によって処理されるパワーを調整させるためのコードと、ここにおいて、前記コンピュータに前記パワーを調整させるための前記コードは、コンピュータに優先順位を割当てさせるためのコードとともに、単一のチップ上に統合されたメモリに設けられる、を備える、
コンピュータ・プログラム製品。
［Ｃ２５］
コンピュータに、最小電流スケーリングファクタを、前記複数のモジュールの各々に割当てさせるためのコードをさらに備える、Ｃ２４に記載のコンピュータ・プログラム製品。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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