(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置を製造する際に用いる工程用フィルムであって、  前記工程用フィルムは、該工程用フィルムに半導体部材を固定した状態でバンプを形成した後、該半導体部材を剥離するために用いるものであり、 前記工程用フィルムの粘着力をＡとして  前記工程用フィルムを８０℃で４時間の熱処理後の粘着力をＢとしたとき、  ０．８≦Ｂ／Ａ≦２を満たし、  Ｂが、６０ｃＮ／２５ｍｍ以上、１０００ｃＮ／２５ｍｍ以下であり、  前記工程用フィルムの８０℃における弾性率が、１０００Ｐａ以上であることを特徴とする工程用フィルム。
【請求項２】
前記工程用フィルムは、粘着層と、基材層とを有する請求項１に記載の工程用フィルム。
【請求項３】
前記粘着層が、光硬化性樹脂を含む請求項２に記載の工程用フィルム。
【請求項４】
前記粘着層が、ウレタンアクリレートを含む請求項２または３のいずれかに記載の工程用フィルム。
【請求項５】
前記工程用フィルムを、３６５ｎｍ波長の紫外線を２００ｍＪ／ｃｍ照射する光照射処理後の粘着力が、５以上、５０ｃＮ／２５ｍｍ以下である請求項１ないし４のいずれか１項に記載の工程用フィルム。
【請求項６】
前記粘着層のＤＳＣでの発熱ピークの現れる温度が１２０℃以上である請求項１ないし５のいずれか１項に記載の工程用フィルム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、工程用フィルムおよび半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
現在、スマートホン、タブレット型端末、電子書籍等の普及により、従来よりも増して、薄型半導体パッケージの需要が高まっている。これに併せて、ＢＧＡ、フリップチップ等の半田バンプ（以下、単に「バンプ」とも言う。）により回路基板に接続するパッケージや、半導体チップの需要が高まっている。
ここで、例えばフリップチップの製造工程は、半導体ウエハの回路形成後、バンプを形成し、バックグラインドにより所定の厚みまで半導体ウエハを薄くして、その後ダイシングにより半導体ウエハを個片化する工程が主に採用されていた。
しかし、バンプ形成をバックグラインド前に行うと、バンプの厚みがあるために、均一の厚みにウエハを加工することが困難であった。
【０００３】
特許文献１には、バックグラインド後にバンプを形成する工程が提案されているが、バンプの安定的な形成が困難であり、半導体装置の歩留まりが低下するという不具合があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−２９４６３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的はバンプの形成を安定的に行うことができ、半導体装置の歩留まりを向上させるための工程用フィルムを提供すること、また、半導体装置の歩留まりを向上させる半導体装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
このような目的は、下記（１）〜（○）の本発明により達成される。
（１）半導体装置を製造する際に用いる工程用フィルムであって、前記工程用フィルムは、該工程用フィルムに半導体部材を固定した状態でバンプを形成した後、該半導体部材を剥離するために用いるものであり、８０℃で４時間熱処理した前記工程用フィルムの粘着力が、６０ｃＮ／２５ｍｍ以上、１０００ｃＮ／２５ｍｍ以下であることを特徴とする工程用フィルム。
（２）前記工程用フィルムは、粘着層と、基材層とを有する（１）に記載の工程用フィルム。
（３）前記粘着層が、光硬化性樹脂を含む（２）に記載の工程用フィルム。
（４）前記粘着層が、ウレタンアクリレートを含む（２）または（３）のいずれかに記載の工程用フィルム。
（５）前記工程用フィルムを、３６５ｎｍ波長の紫外線を２００ｍＪ／ｃｍ照射する光照射処理後の粘着力が、５以上、５０ｃＮ／２５ｍｍ以下である（１）〜（４）のいずれかに記載の工程用フィルム。
（６）前記粘着層のＤＳＣでの発熱ピークの現れる温度が１２０℃以上である請求項１〜５のいずれかに記載の工程用フィルム。  
（７）前記工程用フィルムの８０℃における弾性率が、１０００Ｐａ以上である（１）〜（６）のいずれかに記載の工程用フィルム。
（７）前記工程用フィルムに半導体部材を貼りつける工程、前記半導体部材にバンプをマウントする工程、前記半導体部材を前記工程用フィルムから剥がす工程、をこの順で含む半導体装置の製造方法。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、バンプの形成を安定的に行うことができ、半導体装置の歩留まりを向上させるための工程用フィルムを提供すること、また、半導体装置の歩留まりを向上させる半導体装置の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本発明の工程用フィルムは、半導体装置を製造する際に用いる工程用フィルムであって、  前記工程用フィルムは、該工程用フィルムに半導体部材を固定した状態でバンプを形成した後、該半導体部材を剥離するために用いるものであり、８０℃で４時間熱処理した前記工程用フィルムの粘着力が、６０ｃＮ／２５ｍｍ以上、１０００ｃＮ／２５ｍｍ以下であることを特徴とする。
【０００９】
このような工程用フィルムにより、半導体部材へのバンプの形成を安定的に、また選択的に行うことができる。つまり、こういうことである。本発明の工程用フィルムに半導体部材を固定した状態でバンプを形成することで、バンプ形成前に、半導体部材における不良を確認することができ、選択的にバンプを形成することができるため、半導体装置の歩留まりを向上させることができる。また、８０℃で４時間熱処理後の粘着力が、６０ｃＮ／２５ｍｍ以上、１０００ｃＮ／２５ｍｍ以下であることにより、バンプ形成において必要な熱処理により工程用フィルムが受ける熱履歴によっても、バンプ形成後に十分な密着力を有することができる。このため、バンプ形成後における半導体部材の不本意な剥離や、剥離を起因とする半導体部材の破壊等の不具合を抑制することができ、同時にバンプ形成時にも十分な密着力によって半導体部材を保持することができることにより、安定的なバンプの形成を実現することができる。ここで、工程用フィルムの粘着力は、被着体である半導体部材との粘着力である。
【００１０】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、前記工程用フィルムに半導体部材を貼りつける工程、前記半導体部材にバンプをマウントする工程、前記半導体部材を前記工程用フィルムから剥がす工程、をこの順で含む。
【００１１】
このような製造方法により、半導体部材へのバンプの形成を安定的にまた、選択的に行うことができる。つまり、工程用フィルムに半導体部材を固定した状態でバンプを形成することで、バンプ形成前に、半導体部材における不良を確認することができ、選択的にバンプを形成することができるため、半導体装置の歩留まりを向上させることができる。
【００１２】
以下、本発明の工程用フィルムについて詳細に説明する。
本発明の工程用フィルムは、半導体装置を製造する際に用いる工程用フィルムであって、  前記工程用フィルムは、該工程用フィルムに半導体部材を固定した状態でバンプを形成した後、該半導体部材を剥離するために用いるものであり、８０℃で４時間熱処理した前記工程用フィルムの粘着力が、６０ｃＮ／２５ｍｍ以上、１０００ｃＮ／２５ｍｍ以下であることを特徴とする。
【００１３】
本発明の工程用フィルムは、８０℃で４時間の熱処理後の粘着力が、６０ｃＮ／２５ｍｍ以上、１０００ｃＮ／２５ｍｍ以下であることを特徴とする。このような構造を有することにより、バンプ形成において必要な熱処理によって工程用フィルムが受ける熱履歴によっても、半導体部材との密着力が十分であり、バンプ形成を安定的に行うことができる。また、バンプ形成後においても半導体部材と十分な密着を保つことができるため、半導体部材の不本意な剥離を抑制することができ、半導体装置の製造における歩留まりを向上させることができる。
【００１４】
前記工程用フィルムは、８０℃で４時間の熱処理後の粘着力が、上記の範囲であれば特に限定されないが、１００以上、８００ｃＮ／２５ｍｍ以下が好ましく、２００以上、５００ｃＮ／２５ｍｍ以下がより好ましい。前記下限値以上であることで、被着体との密着性を得ることができ、前記上限値以下であることで、粘着剤の被着体への糊残りをより低下させるとの効果を得ることができる。
【００１５】
このような半導体部材と前記工程用フィルムの粘着力は、特に限定されないが、例えばＪＩＳ  Ｚ０２３７に準じた測定により求めることができる。
具体的には、テープをミラー（鏡面）ウエハ等の半導体部材に貼り付けた後、３０ｍｉｎ放置し、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎで引っ張り試験機にて１８０°ピールを行うことにより求めることができる。
【００１６】
また、前記工程用フィルムの粘着力をＡとして、前記工程用フィルムを８０℃で４時間の熱処理後の粘着力をＢとしたとき、０．８≦Ｂ／Ａ≦２を満たすことが好ましく、１≦Ｂ／Ａ≦１．５を満たすことがより好ましい。前記好ましい範囲内であることにより、バンプの形成をより安定的に行うことができる。
【００１７】
前記工程用フィルムは、粘着層と、基材層とを有することが好ましい。このような構成にすることにより、上述のような粘着性を設計して、さらに基材層にクッション性等を向上させる機能を追加することができる。
【００１８】
前記基材層としては、特に限定されないが、例えば樹脂材料から構成されることが好ましい。樹脂材料としては、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン系樹脂、エチレン・酢酸ビニル共重合体、アイオノマー、エチレン・(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン・(メタ)アクリル酸エステル共重合体等のオレフィン系共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート等のポリアルキレンテレフタレート系樹脂、スチレン系熱可塑性エラストマー、オレフィン系熱可塑性エラストマー、ポリビニルイソプレン、ポリカーボネート等の熱可塑性樹脂や、これらの熱可塑性樹脂の混合物が用いられる。これらの中でも、ポリプロピレンとエラストマーとの混合物、またはポリエチレンとエラストマーとの混合物が用いられることが好ましい。また、このエラストマーとして、一般式（１）で示されるポリスチレンセグメントと一般式（２）で示されるビニルポリイソプレンセグメントとから成るブロック共重合体が好ましい。このような樹脂材料を用いることにより、半導体部材を貼り合わせる際、およびバンプ形成の際に十分なクッション性を有することができる。
【００１９】
【化１】
0005949065.tif 000002
（式（１）中、ｎは２以上の整数）
【００２０】
【化２】
0005949065.tif 000003
（式（２）中、ｎは２以上の整数）
【００２１】
また、基材層は、工程用フィルムの物性を損ねない範囲内で、帯電防止剤、フィラーなどを添加することができる。
【００２２】
基材層の厚みは、特に限定されないが、５０μｍ以上、３００μｍ以下であるのが好ましい。基材層の厚みが前記下限値以上であることにより、半導体製造工程において、前記工程用フィルムが破れる等の不良を防止することができ、前記上限値以下であることで、工程用フィルムの供給時にロール形状で供給する場合、工程用フィルムのロールを小型化させることができ、併せて半導体装置の生産性を向上させることができる。さらに、半導体部材が薄ウエハ、薄チップ等である場合、８０μｍ以上、２００μｍ以下がより好ましい。前記上限値以下であることで、バンプ形成時における半導体部材の安定性がより向上し、前記下限値以上であることにより、十分なクッション性を持たせることができる。また、半導体部材が、ＢＧＡ等の半導体パッケージである場合、１００μｍ以上、２５０μｍ以下がより好ましい。前記下限値以上であることで、工程用フィルムをそのままダイシング加工する場合であっても、半導体部材の加工において十分なクッション性を与えることができ、また前記上限値以下であることで、工程用フィルムの生産性を向上させることができる。
【００２３】
また、基材層は、全光線透過量が、８０％以上、９９％以下が好ましく、８５％以上、９８％以下が好ましい。前記下限値以上であることにより、後述するように粘着層を光硬化させる場合に、粘着層に十分に光が照射され得る。一方、前記上限値以下であることにより、工程用フィルムの視認性が十分となり、作業性が向上する。
【００２４】
基材層の製造方法として、特に限定されないが、例えばカレンダー法、押出成形法などの一般的な成形方法が用いられる。基材層の粘着剤層側の面には、粘着剤層を構成する材料と反応する官能基、例えば、ヒドロキシル基またはアミノ基などが露出していることが好ましい。
【００２５】
前記粘着層は、前記粘着性を有しているものであれば特に限定されないが、アクリル系粘着剤、光硬化性樹脂、架橋剤等を含む樹脂組成物から構成されるものが好ましい。このような構成により、半導体部材へ粘着層が転写し難く、糊残りを防止することができる。また、半導体部材を工程用フィルムから剥がす際に、粘着層を光硬化させて粘着性を落とすことで、簡単に工程用フィルムから半導体部材を剥がすことができる。
【００２６】
アクリル系樹脂としては、例えば極性基を含有したアクリル系粘着剤を用いることが好ましい。極性基を含有したアクリル系粘着剤としては、例えば、カルボキシル基含有のアクリル酸ブチル等が好ましく、カルボキシル基含有のアクリル酸ブチルを用いることにより、半導体部材を剥がす際に糊残りを効果的に防止することができる。
【００２７】
また、光硬化性樹脂としては、光照射により硬化するものであれば特に限定されないが、例えばウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレートが挙げられ、中でもウレタンアクリレートを含むことが好ましい。ウレタンアクリレートは光硬化性樹脂の中でも、熱により硬化し難いことから、８０℃で４時間の熱処理によっても硬化が進まないことから、工程用フィルムの粘着性を上述のような設計にするのに好適である。前記ウレタンアクリレートは、ポリオールとイソシアネートの重合により得ることができる。
【００２８】
このようなウレタンアクリレートとしては、特に限定されないが、分子量が１０００以上、１００００以下が好ましく、２０００以上、６０００以下がより好ましい。前記下限値以上であることにより、熱処理に対する耐性がより向上し、前記上限値以下であることで、光硬化後の粘着力の低下が十分なものとなる。また、ウレタンアクリレートの光硬化性の官能基としては、ビニル基を含むものが好ましい。また、ウレタンアクリレートは、光硬化性の官能基を２以上、１０以下有するものが好ましく、４以上、６以下有するものがより好ましい。前記下限値以上であることにより、光硬化後の粘着力の低下が十分なものとなり、前記上限値以下であることにより、半導体部材に対する糊残りをより抑制することができる。
【００２９】
架橋剤として、例えば、エポキシ系架橋剤、イソシアネート系架橋剤、メチロール系架橋剤、キレート系架橋剤、アジリジン系架橋剤、メラミン系架橋剤、多価金属キレート系架橋剤などが挙げられる。これらの中でもイソシアネート系架橋剤が好ましく、半導体部材に対する糊残りをより抑制することができる。
【００３０】
イソシアネート系架橋剤として、特に限定されないが、例えば、多価イソシアネートのポリイソシアネート化合物およびポリイソシアネート化合物の三量体、ポリイソシアネート化合物とポリオール化合物とを反応させて得られる末端イソシアネート化合物の三量体または末端イソシアネートウレタンプレポリマーをフェノール、オキシム類などで封鎖したブロック化ポリイソシアネート化合物などが挙げられる。
【００３１】
多価イソシアネートとして、例えば、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、１，３−キシリレンジイソシアネート、１，４−キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４，４’−ジイソシアネート、ジフェニルメタン−２，４’−ジイソシアネート、３−メチルジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−４，４’−ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−２，４’−ジイソシアネート等が用いられる。これらの中でも２，４−トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４，４’−ジイソシアネート及びヘキサメチレンジイソシアネートから成る群より選択される少なくとも１種の多価イソシアネートが好ましい。
【００３２】
また、前記粘着層には、光重合開始剤が含んでもよい。光重合開始剤は、硬化成分の重合開始を容易とするために添加される。光重合開始剤として、例えば、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、ベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジベンジル、ジアセチル、β−クロールアンスラキノン等が挙げられる。
【００３３】
また、前記粘着層には、帯電防止剤を含んでも良い。帯電防止剤として、特に限定されないが、例えば、アニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、非イオン性界面活性剤、両イオン性界面活性剤などの界面活性剤が用いられる。また、温度依存性を示さない帯電防止剤として、例えば、カーボンブラック、銀、ニッケル、アンチモンドープスズ酸化物、スズドープインジウム酸化物などの粉体が用いられる。これらの中でも、カーボンブラック、銀、アンチモンドープスズ酸化物、スズドープインジウム酸化物が好ましい。このような帯電防止剤を含むことにより、半導体部材を剥がす際に、静電気により不良を発生させることを抑制することができる。
【００３４】
また、前記粘着層には、粘着付与剤を含んでも良い。粘着付与剤として、特に限定されないが、例えば、ロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール樹脂、スチレン樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族共重合系石油樹脂などが用いられる。これらの中でも、フェノール樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族共重合系石油樹脂が好ましい。
【００３５】
前記粘着剤層の厚みは、特に限定されないが、３μｍ以上３０μｍ以下であるのが好ましく、５μｍ以上２５μｍ以下であるのがより好ましい。粘着剤層の厚みが前記下限値以上であることにより、半導体製造工程において、半導体部材が不本意に剥離する等の不良を防止することができ、前記上限値以下であることで、工程用フィルムと、半導体装置の生産性を向上させることができる。さらに、半導体部材が薄ウエハ、薄チップ等である場合、５μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。前記上限値以下であることで、バンプ形成時における半導体部材の安定性がより向上し、前記下限値以上であることにより、十分なクッション性を持たせることができる。また、半導体部材が、ＢＧＡ等の半導体パッケージである場合、１０μｍ以上、２５μｍ以下が好ましい。前記下限値以上であることで、工程用フィルムをそのままダイシング加工する場合であっても、半導体部材の加工において十分なクッション性を与えることができ、また前記上限値以下であることで、工程用フィルムの生産性を向上させることができる。
【００３６】
また、前記粘着層は、ＤＳＣ測定により、１００℃以上でピークが観察されるものが好ましい。より好ましくは、１２０℃以上でピークが観察されるものが好ましい。ここで観察されるピークは、特に限定されないが、主に粘着層の光硬化樹脂の反応温度や光開始剤の融点に由来しているものであってもよい。前記好ましい範囲にピークが観察されることで、バンプの形成がより安定的になり、また上述のような粘着力をより簡便に設計することができる。
例えばＤＳＣでのピークは例えば５℃／ｍｉｎの速度で昇温させた際に各温度での発熱吸熱ピークを測定する。
【００３７】
前記工程用フィルムは、光照射処理をすることで、粘着力が低下することが好ましく、例えば３６５ｎｍ波長の紫外線を２００ｍＪ／ｃｍ照射する光照射処理後の粘着力が、１０以上、３０ｃＮ／２５ｍｍ以下であることが好ましい。前記下限値以上であることで、粘着層の光硬化後にも十分に半導体部材を保持することができるため、意図しない半導体部材の剥離を防止することができ、一方で前記上限値以下であることで、半導体部材を簡便に剥離させることができる。
【００３８】
前記工程用フィルムの８０℃における弾性率は、１０００Ｐａ以上であることが好ましく、２０００Ｐａ以上であることがより好ましい。前記好ましい範囲であることにより、バンプの形成がより安定的になる。このような工程用フィルムの弾性率は、特に限定されないが、例えばセイコーインスツルメント（株）製の動的粘弾性測定装置（ＤＭＡ）を用いて、昇温５℃／分、周波数１Ｈｚの条件で測定し、貯蔵弾性率を測定することができる。
【００３９】
前記工程用フィルムの製造方法は、特に限定されないが、例えば粘着層として用いられる樹脂組成物を適宜溶剤に溶解または分散させた塗工液を用いることが好ましい。基材層に対して、ロールコーティングやグラビアコーティングなどの公知のコーティング法により前記塗工液を塗布し、乾燥することにより粘着層が形成される。塗工後に保護層により粘着層をカバーしてもよい。また、保護層に粘着層を形成し、基材層に転写させることもできる。このような保護層としては、樹脂フィルムで構成されているものが好ましく、これらの中でも、ポリエステル系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリプロピレン系樹脂、ポリスチレン系樹脂等が好ましい。これらを用いることで、前記工程用フィルムの使用時における作業性が向上する。また、保護層の粘着層側の面には、離型処理を行っていることが好ましい。これにより、工程用フィルムの使用時に保護層をより好適に除去することができる。離型処理する方法は、特に限定されないが、例えば、シリコーン樹脂、アルキッド樹脂等の離型樹脂を塗布する方法を用いることができる。
【００４０】
以下、本発明の半導体装置の製造方法について詳細に説明する。
本発明の半導体装置の製造方法は、前記工程用フィルムに半導体部材を貼りつける工程、前記半導体部材にバンプをマウントする工程、前記半導体部材を前記工程用フィルムから剥がす工程、をこの順で含む。
【００４１】
半導体部材としては、特に限定されないが、半導体ウエハや、半導体ウエハをダイシングして個片化された半導体チップ、または半導体パッケージが複数形成されたＭＡＰ基板、ＭＡＰ基板を個片化した半導体パッケージ等が挙げられる。まず、これらの半導体部材について、バンプを形成する面と反対側の面を、前記工程用フィルムに貼りつける。このとき、半導体ウエハや、ＭＡＰ基板等、ある程度の大きさを有する半導体部材に対しては、市販のラミネーターを好適に用いることができる。また、個片化された半導体チップや、半導体パッケージ等の小さい半導体部材に対しては、マウンター等が好適に用いることができる。
【００４２】
次に、前記工程用フィルムに貼りつけた半導体部材に、バンプを形成する。このとき、半田バンプを半導体部材に十分に接着させるために、前記工程用フィルムに貼りつけた半導体部材を熱板の上に載せる等の方法により熱を加えて、半田バンプをマウントすることで、半導体部材上にバンプを形成する。このとき、熱板の温度は、７０℃以上１１０℃以下が好ましく、８０℃以上１００℃以下がより好ましい。前記下限値以上であることにより、半田バンプが十分に半導体部材に密着し、前記上限値以下であることにより、工程用フィルムの粘着力、弾性率の低下を抑えることができ、半田バンプの形成がより安定的になる。
【００４３】
さらに、半導体部材を前記工程用フィルムから剥がす。このとき、半導体部材への粘着層の転写による糊残りや、粘着力が強いことで半導体部材を剥がす際に半導体部材が破壊されることを防ぐために、工程用フィルムに光照射を行い、粘着層を硬化させることが好ましい。光照射は、工程用フィルムの半導体部材を貼りつけている方と反対側から照射することが好ましく、３６５ｎｍ波長の紫外線を１００ｍＪ／ｃｍ２以上、より好ましくは２００ｍＪ／ｃｍ２以上照射することが好ましい。このように光照射を行うことで、工程用フィルムの粘着力を十分に低下させることができる。半導体部材を前記工程用フィルムから剥がすときは、個片化された半導体チップや、半導体パッケージの場合は、ダイマウンターや、ダイピッカー等が好適に用いられ、半導体ウエハや、ＭＡＰ基板の場合は、テープリムーバー等が好適に用いられる。
【００４４】
また、半導体部材として、半導体ウエハや、ＭＡＰ基板等を工程用フィルムに貼りつけている場合、前記工程用フィルムを貼りつけて、半導体部材を前記工程用フィルムから剥がすまでに、ダイシングをすることで、半導体チップやＭＡＰ基板を個片化することもできる。このようなダイシングは、バンプマウントの前、またはバンプマウントの後に行うことができる。
【００４５】
以下、実施例および比較例を示して、本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【実施例】
【００４６】
（実施例１）
＜工程用フィルムの作製＞
基材層を構成する材料として、ポリプロピレン６０重量部、一般式（１）で示されるポリスチレンセグメントと一般式（２）で示されるビニルポリイソプレンセグメントとから成るブロック共重合体４０重量部を準備した。
【００４７】
【化３】
0005949065.tif 000004
（式（１）中、ｎは２以上の整数）
【００４８】
【化４】
0005949065.tif 000005
（式（２）中、ｎは２以上の整数）
【００４９】
上記の基材層を構成する材料を二軸混練機で混練した後、混練したものを押出し機で押し出して、厚み１５０μｍの基材層を作製した。
【００５０】
粘着層のベース樹脂として、アクリル酸２−エチルヘキシル３０重量部と酢酸ビニル７０重量部と、メタクリル酸２−ヒドロキシエチル３重量部とを共重合させて得られた重量平均分子量が１５００００の共重合体を準備した。
【００５１】
粘着層の硬化成分として、ウレタンアクリレート（商品名「紫光 ＵＶ−１７００Ｂ」、日本合成化学工業株式会社製）を、ベース樹脂１００重量部に対して２０重量部準備した。また、粘着層の光重合開始剤として、  ベンゾフェノン系光開始剤（商品名「イルガキュア６５１」、チバ・スペシャリティ・ケミカルズ株式会社製）を、ベース樹脂１００重量部に対して５重量部準備した。また、粘着層の架橋剤として、ポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン工業株式会社製）を、ベース樹脂１００重量部に対して６重量部準備した。
【００５２】
上記の粘着層のベース樹脂、硬化成分、光重合開始剤、および架橋剤が配合された樹脂溶液を作製した。この樹脂溶液を、乾燥後の粘着層の厚みが１０μｍになるようにして基材層にバーコート塗工した後、８０℃で５分間乾燥させて、所望の工程用フィルムを得た。
【００５３】
＜被着体への粘着に関する評価＞
作製後２３℃で７日間以上が経過した工程用フィルムを、被着体である半導体ウエハの鏡面に貼着した。貼着後２０分後、および１００℃のホットプレートで４時間加熱後において、工程用フィルムの半導体ウエハ鏡面に対する粘着力をそれぞれ１８０°剥離試験により測定した。１８０°剥離試験は、万能試験機（株式会社エー・アンド・デイ製、品名：テンシロン）を用いて、環境温度：２３℃、環境圧力：常圧、引張速度：３００ｍｍ／ｍｉｎの条件下で行われた。そして、得られた粘着力チャートの平均値を工程用フィルムの粘着力（ｃＮ／２５ｍｍ）とした。結果、初期の粘着力が３５０ｃＮ／２５ｍｍであり、熱処理後の粘着力が４５０ｃＮ／２５ｍｍであった。
【００５４】
＜バンプ付きチップの作製＞
先ず、２００μｍ厚の６インチ半導体ウエハの裏面を工程用フィルムの粘着剤層側に貼り付けて固定した。併せて、この工程用フィルムの縁部分を、リング形状のウエハリングに固定した。ここで、半導体ウエハの表側の電気回路面には、複数の１０ｃｍ×１０ｃｍサイズの半導体チップの領域が形成され、各半導体チップの領域にそれぞれ電気回路（回路パターン）を形成されている。また、これら各電気回路の周囲には、外部との電気的な接続を行うための電極も形成してされている。
【００５５】
次に、工程用フィルムをホットプレートで８０℃の温度に加熱しながら半導体ウエハの電気回路面に形成された電極上にバンプを形成した。つまり、上述した各電極上に、Ａｒプラズマによる表面処理を行った後に、キャピラリを用いてバンプボンディングを行った。バンプの材料は、Ｓｎ−Ｂｉ合金を用いた。
【００５６】
＜ダイシング性の評価＞
バンプボンディングされた半導体ウエハを、ダイシングソーを用いて１０ｍｍ×１０ｍｍのサイズにダイシングした。ダイシング条件を、以下に示す。ダイシング性評価は、ダイシング時において、周辺の△チップが飛んだものを×として、△チップが残っているものを○とした。結果を表１に示す。
（ダイシング条件）
ダイサー      ：ディスコ製ＤＡＤ３３５０
カット速度    ：６０ｍｍ／ｓｅｃ
ブレードハイト：  ０．０７ｍｍ
ブレード回転数：  ５００００ｒｐｍ
ブレード  ：  ＺＢＣ−ＸＨ  ２０５０  ２７ＨＥＤＤ（ディスコ製）
切削水量（ブレード）  ：  １Ｌ／ｍｉｎ
切削水量（シャワー）：  １Ｌ／ｍｉｎ
【００５７】
＜ピックアップ性の評価、および糊残りに関する評価＞
ダイシング後、工程用フィルムの半導体ウエハが貼り付けられている面と反対側の面から、３６５ｎｍ波長の紫外線を２００ｍＪ／ｃｍ２照射し、真空吸着するコレットを用いてダイシングされた半導体ウエハの表面を吸着し、４ｍｍ間隔の４本のニードルを工程用フィルムの下から５００μｍ突上げて、半導体チップを工程用フィルムからピックアップした。ピックアップ条件を、以下に示す。ピックアップ性の評価は、ダイシングされた半導体ウエハのうち、９９％以上ピックアップできたものを◎、９０％以上９９％未満ピックアップできたものを○、それ以外のものを×で評価した。また、糊残りの評価は、半導体チップの裏面を×５０の光学顕微鏡で観察し、粘着剤がチップ裏面に残っているか確認した。裏面に粘着剤が付いているものを×、付いていないものを○とした。結果を表１に示す。
（ピックアップ条件）
ピックアップ装置  ：  ヒューグルエレクトロニクス社製  ＤＥ−３５ｉ−８タイプ
ピン形状          ：  Ｒ１５０μｍ
【００５８】
（実施例２）
＜半導体チップの載せ換え作業＞
実施例１と同様にして工程用フィルムを作製し、実施例１と同様の２００μｍ厚の６インチ半導体ウエハの裏面を工程用フィルムの粘着剤層側に貼り付けて固定した。次に、半導体ウエハを、ダイシングソーを用いて１０ｍｍ×１０ｍｍのサイズにダイシングした。ダイシング条件は、実施例１と同様にした。ダイシング後、工程用フィルムの半導体ウエハが貼り付けられている面と反対側の面から、３６５ｎｍ波長の紫外線を２００ｍＪ／ｃｍ２照射した。次に、工程用フィルムをもう一枚用意し、真空吸着するコレットを用いてダイシングされた半導体ウエハの表面を吸着し、４ｍｍ間隔の４本のニードルを工程用フィルムの下から５００μｍ突上げて、半導体チップを工程用フィルムからピックアップし、もう一枚の工程用フィルムにチップを載せた。
【００５９】
＜バンプ付きチップの作製＞
次に、工程用フィルムに乗せ換えた半導体チップに、実施例１と同様にしてバンプボンディングを行った。
【００６０】
＜ピックアップ性の評価、および糊残りに関する評価＞
工程用フィルムの半導体ウエハが貼り付けられている面と反対側の面から、３６５ｎｍ波長の紫外線を２００ｍＪ／ｃｍ２照射し、実施例１と同様にピックアップを行い、ピックアップ性および糊残りの評価を行った。結果を表１に示す。
【００６１】
（比較例１）
粘着層のベース樹脂として、ＫＰ−３８２（日本カーバイド工業製）を準備した。
また、粘着層の架橋剤として、ポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン工業株式会社製）を、ベース樹脂１００重量部に対して６重量部準備した。
【００６２】
上記の粘着層のベース樹脂および架橋剤が配合された樹脂溶液を作製した。この樹脂溶液を、乾燥後の粘着層の厚みが２０μｍになるようにして実施例１と同様の基材層にバーコート塗工した後、８０℃で５分間乾燥させて、所望の工程用フィルムを得た。
【００６３】
＜被着体への粘着に関する評価＞
実施例１と同様に、工程用フィルムを半導体ウエハの鏡面に貼着し、初期の粘着力と熱処理後の粘着力を確認した。結果、初期の粘着力が１２００ｃＮ／２５ｍｍであり、熱処理後の粘着力が１５００ｃＮ／２５ｍｍであった。
【００６４】
＜バンプ付きチップの作製＞
実施例１と同様にして、得られた工程用フィルムに半導体ウエハを貼り付けて、バンプボンディングを行った。
【００６５】
＜ダイシング性の評価＞
バンプボンディングされた半導体ウエハを、実施例１と同様にして、ダイシングソーを用いて１０ｍｍ×１０ｍｍのサイズにダイシングを行い、ダイシング性の評価を行った。結果を表１に示す。
【００６６】
＜ピックアップ性の評価、および糊残りに関する評価＞
工程用フィルムの半導体ウエハが貼り付けられている面と反対側の面から、３６５ｎｍ波長の紫外線を２００ｍＪ／ｃｍ２照射し、実施例１と同様にピックアップを行い、ピックアップ性および糊残りの評価を行った。結果を表１に示す。
【００６７】
（比較例２）
粘着層のベース樹脂として、ＫＰ−２３４１（日本カーバイド工業製）を準備した。
また、粘着層の架橋剤として、ポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン工業株式会社製）を、ベース樹脂１００重量部に対して６重量部準備した。
【００６８】
上記の粘着層のベース樹脂および架橋剤が配合された樹脂溶液を作製した。この樹脂溶液を、乾燥後の粘着層の厚みが２０μｍになるようにして実施例１と同様の基材層にバーコート塗工した後、８０℃で５分間乾燥させて、所望の工程用フィルムを得た。
【００６９】
＜被着体への粘着に関する評価＞
実施例１と同様に、工程用フィルムを半導体ウエハの鏡面に貼着し、初期の粘着力と熱処理後の粘着力を確認した。結果、初期の粘着力が１０ｃＮ／２５ｍｍであり、熱処理後の粘着力が１５ｃＮ／２５ｍｍであった。
【００７０】
＜バンプ付きチップの作製＞
実施例１と同様にして、得られた工程用フィルムに半導体ウエハを貼り付けて、バンプボンディングを行った。
【００７１】
＜ダイシング性の評価＞
バンプボンディングされた半導体ウエハを、実施例１と同様にして、ダイシングソーを用いて１０ｍｍ×１０ｍｍのサイズにダイシングを行い、ダイシング性の評価を行った。結果を表１に示す。
【００７２】
＜ピックアップ性の評価、および糊残りに関する評価＞
工程用フィルムの半導体ウエハが貼り付けられている面と反対側の面から、３６５ｎｍ波長の紫外線を２００ｍＪ／ｃｍ２照射し、実施例１と同様にピックアップを行い、ピックアップ性および糊残りの評価を行った。結果を表１に示す。
【００７３】
【表１】
0005949065.tif 000006
【００７４】
表１に示すように、本発明に係る工程用フィルムは、バンプ付きの半導体部材を安定的に得ることができた。これにより、半導体装置の歩留まりを向上させることができた。