(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波電力によりガスをプラズマ化し、プラズマの作用により被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、
減圧可能な処理容器と、
前記処理容器内に設けられ、被処理体を載置する載置台と、
前記載置台に設けられ、チャック電極に電圧を印加することにより被処理体を静電吸着する静電チャックと、
前記静電チャック内又は近傍に設けられ、円形のセンタゾーンと、その外周側に同心円状に設けられた２つ以上のミドルゾーンと、最外周に同心円状に設けられたエッジゾーンと、に分割されたヒータと、
前記ヒータの制御温度を、前記分割されたゾーン毎に調整する温度制御部と、
を備え、
前記ヒータは、前記センタゾーンから前記２つ以上のミドルゾーンまで外周側に行くほどゾーンの面積が小さくなり、最外周のミドルゾーンはその外周側の前記エッジゾーンより面積が小さいことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
高周波電力によりガスをプラズマ化し、プラズマの作用により被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、
減圧可能な処理容器と、
前記処理容器内に設けられ、被処理体を載置する載置台と、
前記載置台に設けられ、チャック電極に電圧を印加することにより被処理体を静電吸着する静電チャックと、
前記静電チャック内又は近傍に設けられ、円形のセンタゾーンと、その外周側に同心円状に設けられた２つ以上のミドルゾーンと、最外周に同心円状に設けられたエッジゾーンと、に分割されたヒータと、
前記ヒータの制御温度を、前記分割されたゾーン毎に調整する温度制御部と、
を備え、
前記ヒータは、前記センタゾーンから前記エッジゾーンまで外周側に行くほどゾーンの面積が小さくなることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】
高周波電力によりガスをプラズマ化し、プラズマの作用により被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、
減圧可能な処理容器と、
前記処理容器内に設けられ、被処理体を載置する載置台と、
前記載置台に設けられ、チャック電極に電圧を印加することにより被処理体を静電吸着する静電チャックと、
前記静電チャック内又は近傍に設けられ、円形のセンタゾーンと、その外周側に同心円状に設けられた２つ以上のミドルゾーンと、最外周に同心円状に設けられたエッジゾーンと、に分割されたヒータと、
前記ヒータの制御温度を、前記分割されたゾーン毎に調整する温度制御部と、
を備え、
前記温度制御部は、各ゾーンの設定温度に対する隣接ゾーンからの温度干渉を補正しながら前記ヒ−タの制御温度をゾーン毎に調整することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記温度制御部は、前記最外周のミドルゾーンのヒータのみをオフした状態でそれ以外のゾーンの前記ヒータの制御温度を調整することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記温度制御部は、各ゾーンの設定温度に対する前記静電チャックの表面温度のずれを補正しながら前記ヒ−タの制御温度をゾーン毎に調整することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記各ゾーンの設定温度に対する前記静電チャックの表面温度のずれを補正するための第１の補正値、及び前記各ゾーンの設定温度に対する隣接ゾーンからの温度干渉を補正するための第２の補正値を設定する温度設定部を更に備え、
前記温度制御部は、前記第１の補正値及び前記第２の補正値に基づき前記ヒータの制御温度をゾーン毎に調整することを特徴とする請求項３に記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
前記温度設定部は、前記各ゾーンの設定温度と、前記第１の補正値及び前記第２の補正値に基づきゾーン毎に算出された制御温度になるように前記各ゾーンのヒ−タに流す電流値と、の相関関係を予め記憶部に記憶し、
前記温度制御部は、前記各ゾーンのうち少なくとも一つのゾーンに設けられた温度センサにより検出された温度を計測したゾーンの設定温度とし、該ゾーンの設定温度と前記記憶部に記憶された前記相関関係とから前記各ゾーンのヒータに流す電流値を算出することを特徴とする請求項６に記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】
前記算出されたゾーン毎のヒータの電流値の少なくともいずれかが予め定められた閾値より低い場合、前記静電チャックの交換時期と判定する判定部を更に備えることを特徴とする請求項７に記載のプラズマ処理装置。
【請求項９】
前記いずれかのゾーンに設けられた温度センサは、円周上に３つ以上設けられていることを特徴とする請求項７は８に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１０】
前記載置台内又は近傍に設けられた前記ヒータと対向する位置に冷媒管を設け、該冷媒管内に冷媒を循環させる冷却装置を更に備えることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１１】
前記載置台は、直径が４５０ｍｍ以上の被処理体を載置し、
前記ヒータのミドルゾーンは、同心円状に３つ以上に分割されていることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１２】
高周波電力によりガスをプラズマ化し、プラズマの作用により被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理装置に設けられたヒータの温度制御方法であって、
前記プラズマ処理装置は、減圧可能な処理容器と、前記処理容器内に設けられ、被処理体を載置する載置台と、前記載置台に設けられ、チャック電極に電圧を印加することにより被処理体を静電吸着する静電チャックと、前記静電チャック内又は近傍に設けられ、円形のセンタゾーンと、その外周側に同心円状に設けられた２つ以上のミドルゾーンと、最外周に同心円状に設けられたエッジゾーンと、に分割されたヒータと、前記各ゾーンのヒ−タの設定温度と、該設定温度に対する前記静電チャックの表面温度のずれ及び前記各ゾーンの設定温度に対する隣接ゾーンからの温度干渉、を補正した前記各ゾーンの制御温度になるように前記ヒ−タに流す電流値と、の相関関係を予め記憶した記憶部とを備え、
前記各ゾーンのうち少なくとも一つのゾーンに設けられた温度センサにより検出された温度を、前記検出されたゾーンの設定温度として取得する工程と、
前記取得したゾーンの設定温度と前記記憶部に記憶された前記相関関係とから各ゾーンのヒータに流す電流値を算出する工程と、
前記算出された電流値を各ゾーンのヒータに流すことにより前記各ゾーンのヒータの温度を制御する工程と、
を含むヒータの温度制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマ処理装置及びヒータの温度制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
載置台に載置された被処理体の温度制御は、エッチングレート等の制御に不可欠であり、被処理体に対するプラズマ処理の均一性に影響を及ぼすため重要である。
【０００３】
載置台には、チャック電極に電圧を印加することにより被処理体を静電吸着する静電チャック（ＥＳＣ：Electrostatic Chuck）が設けられている。近年、静電チャック内にヒータを組み込んで、そのヒータからの発熱により静電チャックの表面温度を急速に変更することが可能なヒータ内蔵静電チャック機構が提案されている。例えば、特許文献１には、ヒータ内蔵静電チャック機構による温度制御技術が開示されている。特許文献１では、ヒータ内蔵静電チャック機構に含まれるヒ−タが円形のセンタゾーンとその外周側に同心円状に設けられたエッジゾーンの２ゾーンに分割され、ゾーン毎に温度制御されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−８５３２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、ヒ−タを２ゾーンに分割して温度制御する方法では、１ゾーンのヒ−タ面積が大きく、ゾーン毎に温度制御しただけでは同じゾーン内にて温度分布に不均一が生じ、エッチングレートやエッチング形状の均一性が図れないという課題があった。特に、センタゾーンとエッジゾーンとの境界部分にてエッチング特性が悪くなるという課題があった。
【０００６】
上記課題に対して、本発明の目的とするところは、静電チャック内又は近傍に設けられたヒ−タを４つ以上のゾーンに分割し、ゾーン毎にヒ−タを温度制御することが可能な、プラズマ処理装置及びヒータの温度制御方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、高周波電力によりガスをプラズマ化し、該プラズマの作用により被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、減圧可能な処理容器と、前記処理容器内に設けられ、被処理体を載置する載置台と、前記載置台に設けられ、チャック電極に電圧を印加することにより被処理体を静電吸着する静電チャックと、前記静電チャック内又は近傍に設けられ、円形のセンタゾーンと、その外周側に同心円状に設けられた２つ以上のミドルゾーンと、最外周に同心円状に設けられたエッジゾーンと、に分割されたヒータと、前記ヒータの制御温度を、前記分割されたゾーン毎に調整する温度制御部と、を備えることを特徴とするプラズマ処理装置が提供される。
【０００８】
前記ヒータは、前記センタゾーンから前記２つ以上のミドルゾーンまで外周側に行くほどゾーンの面積が小さくなり、最外周のミドルゾーンはその外周側の前記エッジゾーンより面積が小さくてもよい。
【０００９】
前記ヒータは、前記センタゾーンから前記エッジゾーンまで外周側に行くほどゾーンの面積が小さくてもよい。
【００１０】
前記温度制御部は、前記最外周のミドルゾーンのヒータのみをオフした状態でそれ以外のゾーンの前記ヒータの制御温度を調整してもよい。
【００１１】
前記温度制御部は、各ゾーンの設定温度に対する前記静電チャックの表面温度のずれを補正しながら前記ヒ−タの制御温度をゾーン毎に調整してもよい。
【００１２】
前記温度制御部は、各ゾーンの設定温度に対する隣接ゾーンからの温度干渉を補正しながら前記ヒ−タの制御温度をゾーン毎に調整してもよい。
【００１３】
前記各ゾーンの設定温度に対する前記静電チャックの表面温度のずれを補正するための第１の補正値、及び前記各ゾーンの設定温度に対する隣接ゾーンからの温度干渉を補正するための第２の補正値を設定する温度設定部を更に備え、前記温度制御部は、前記第１の補正値及び前記第２の補正値に基づき前記ヒータの制御温度をゾーン毎に調整してもよい。
【００１４】
前記温度設定部は、前記各ゾーンの設定温度と、前記第１の補正値及び前記第２の補正値に基づきゾーン毎に算出された制御温度になるように前記ヒ−タに流す電流値と、の相関関係を予め記憶部に記憶し、前記温度制御部は、前記各ゾーンのうち少なくとも一つのゾーンに設けられた温度センサにより検出された温度を前記計測したゾーンの設定温度とし、該ゾーンの設定温度と前記記憶部に記憶された前記相関関係とから前記各ゾーンのヒータに流す電流値を算出してもよい。
【００１５】
前記算出されたゾーン毎のヒータの電流値の少なくともいずれかが予め定められた閾値より低い場合、前記静電チャックの交換時期と判定する判定部を更に備えてもよい。
【００１６】
前記いずれかのゾーンに設けられた温度センサは、円周上に３つ以上設けられてもよい。
【００１７】
前記載置台内又は近傍に設けられた前記ヒータ近傍に冷媒管を設け、該冷媒管内に冷媒を循環させる冷却装置を更に備え、前記冷媒管は、前記ヒ−タの各ゾーンに対応して分割して配置されてもよい。
【００１８】
前記載置台は、直径が４５０ｍｍ以上の被処理体を載置し、前記ヒータのミドルゾーンは、同心円状に３つ以上に分割されてもよい。
【００１９】
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、高周波電力によりガスをプラズマ化し、該プラズマの作用により被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理装置に設けられたヒータの温度制御方法であって、前記プラズマ処理装置は、減圧可能な処理容器と、前記処理容器内に設けられ、被処理体を載置する載置台と、前記載置台に設けられ、チャック電極に電圧を印加することにより被処理体を静電吸着する静電チャックと、前記静電チャック内又は近傍に設けられ、円形のセンタゾーンと、その外周側に同心円状に設けられた２つ以上のミドルゾーンと、最外周に同心円状に設けられたエッジゾーンと、に分割されたヒータと、前記各ゾーンのヒ−タの設定温度と、該設定温度に対する前記静電チャックの表面温度のずれ及び前記各ゾーンの設定温度に対する隣接ゾーンからの温度干渉、を補正した前記各ゾーンの制御温度になるように前記各ゾーンのヒ−タに流す電流値と、の相関関係を予め記憶した記憶部とを備え、前記各ゾーンのうち少なくとも一つのゾーンに設けられた温度センサにより検出された温度を、前記検出されたゾーンの設定温度として取得する工程と、前記取得したゾーンの設定温度と前記記憶部に記憶された前記相関関係とから各ゾーンのヒータに流す電流値を算出する工程と、前記算出された電流値を各ゾーンのヒータに流すことにより前記各ゾーンのヒータの温度を制御する工程と、を含むヒータの温度制御方法が提供される。
【発明の効果】
【００２０】
以上説明したように本発明によれば、静電チャック内又は近傍に設けられたヒ−タを４つ以上のゾーンに分割し、ゾーン毎にヒ−タを温度制御することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】一実施形態に係るプラズマ処理装置の全体構成図。
【図２Ａ】図１の静電チャック近傍のヒータ内蔵静電チャック機構の拡大図。
【図２Ｂ】変形例１に係る静電チャック近傍のヒータ内蔵静電チャック機構の拡大図。
【図２Ｃ】変形例２に係る静電チャック近傍のヒータ内蔵静電チャック機構の拡大図。
【図３】一実施形態に係るプラズマ処理装置を用いたプロセス工程例を示した図。
【図４】ヒ−タを２ゾーンに分割した場合の温度制御によるプロセス結果を示した図。
【図５】ヒ−タを２ゾーン、４ゾーンに分割した場合の温度制御によるプロセス結果と予測値を示した図。
【図６】ヒ−タを２ゾーン及び４ゾーンに分割した場合の温度制御によるプロセス結果を示した図。
【図７】一実施形態に係るヒ−タの各ゾーンの面積比及び電源切替を説明するための図。
【図８】一実施形態に係る各ゾーンのヒ−タと温度センサの配置を示した図。
【図９】一実施形態に係る制御装置の機能構成図。
【図１０Ａ】一実施形態に係るヒ−タの設定温度Ｙ１に対する補正値α１、β１の算出方法を説明するための図。
【図１０Ｂ】一実施形態に係るヒ−タの設定温度Ｙ２に対する補正値α２、β２の算出方法を説明するための図。
【図１０Ｃ】一実施形態に係るヒ−タの設定温度Ｙ３に対する補正値α３、β３の算出方法を説明するための図。
【図１０Ｄ】一実施形態に係るヒ−タの設定温度Ｙ４に対する補正値α４、β４の算出方法を説明するための図。
【図１１】各ゾーンの設定温度に対する補正と各ゾーンへの入力電流値を説明するための図。
【図１２】一実施形態に係る温度制御を示したフローチャート。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００２３】
［プラズマ処理装置の全体構成］
まず、本発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置の全体構成について、図１を参照しながら説明する。プラズマ処理装置１は、下部２周波の容量結合型プラズマエッチング装置として構成されており、例えば表面がアルマイト処理（陽極酸化処理）されたアルミニウムからなる円筒形の真空チャンバ（処理容器）１０を有している。チャンバ１０は、接地されている。
【００２４】
チャンバ１０内には、被処理体としての半導体ウエハＷ(以下、ウエハＷと称呼する)を載置する載置台１２が設けられている。載置台１２は、たとえばアルミニウムからなり、絶縁性の筒状保持部１４を介してチャンバ１０の底から垂直上方に延びる筒状支持部１６に支持されている。載置台１２の上面であって静電チャック４０の周縁部には、エッチングの面内均一性を高めるために、例えばシリコンから構成されたフォーカスリング１８が配置されている。
【００２５】
チャンバ１０の側壁と筒状支持部１６との間には排気路２０が形成されている。排気路２０には環状のバッフル板２２が取り付けられている。排気路２０の底部には排気口２４が設けられ、排気管２６を介して排気装置２８に接続されている。排気装置２８は図示しない真空ポンプを有しており、チャンバ１０内の処理空間を所定の真空度まで減圧する。チャンバ１０の側壁には、ウエハＷの搬入出口を開閉する搬送用のゲートバルブ３０が取り付けられている。
【００２６】
載置台１２には、イオン引き込み用の第１高周波電源３１及びプラズマ生成用の第２高周波電源３２が整合器３３及び整合器３４を介して電気的に接続されている。第１高周波電源３１は、載置台１２上のウエハＷにプラズマのイオンを引き込むのに適した低めの周波数、例えば０．８ＭＨｚの第１高周波電力を載置台１２に印加する。第２高周波電源３２は、チャンバ１０内にてプラズマを生成するために適した周波数、例えば６０ＭＨｚの第２高周波電力を載置台１２に印加する。このようにして載置台１２は下部電極としても機能する。チャンバ１０の天井部には、後述するシャワーヘッド３８が接地電位の上部電極として設けられている。これにより、第２高周波電源３２からの高周波電力は載置台１２とシャワーヘッド３８との間に容量的に印加される。
【００２７】
載置台１２の上面にはウエハＷを静電吸着力で保持するための静電チャック４０が設けられている。静電チャック４０は導電膜からなる電極４０ａを一対の絶縁層４０ｂ（図２Ａ〜図２Ｃ参照）又は絶縁シートの間に挟み込んだものであり、電極４０ａには直流電圧源４２がスイッチ４３を介して電気的に接続されている。静電チャック４０は、直流電圧源４２からの電圧により、クーロン力でウエハＷを静電チャック上に吸着保持する。
【００２８】
伝熱ガス供給源５２は、Ｈｅガス等の伝熱ガスをガス供給ライン５４に通して静電チャック４０の上面とウエハＷの裏面との間に供給する。
【００２９】
天井部のシャワーヘッド３８は、多数のガス通気孔５６ａを有する電極板５６と、この電極板５６を着脱可能に支持する電極支持体５８とを有する。ガス供給源６２は、ガス供給配管６４を介してガス導入口６０ａからシャワーヘッド３８内にガスを供給し、多数のガス通気孔５６ａからチャンバ１０内に導入される。
【００３０】
チャンバ１０の周囲には、環状または同心円状に延在する磁石６６が配置され、磁力によりチャンバ１０内のプラズマ生成空間に生成されるプラズマを制御する。
【００３１】
載置台１２の内部には冷媒管７０が設けられている。この冷媒管７０には、チラーユニット７１から配管７２，７３を介して所定温度の冷媒が循環供給される。また、静電チャック４０の裏面には４分割されたヒータ７５が貼り付けられている。なお、ヒータ７５の構造については後述する。ヒータ７５には交流電源４４から所望の交流電圧が印加される。かかる構成によれば、チラーユニット７１による冷却とヒータ７５による加熱によってウエハＷを所望の温度に調整することができる。また、これらの温度制御は、制御装置８０からの指令に基づき行われる。
【００３２】
制御装置８０は、プラズマ処理装置１に取り付けられた各部、たとえば排気装置２８、交流電源４４、直流電圧源４２、静電チャック用のスイッチ４３、第１及び第２高周波電源３１，３２、整合器３３，３４、伝熱ガス供給源５２、ガス供給源６２及びチラーユニット７１を制御する。また、制御装置８０は、ヒータ７５の裏面に装着された温度センサ７７から検出されたセンサ温度を取得する。なお、制御装置８０は、図示しないホストコンピュータとも接続されている。
【００３３】
制御装置８０は、図示しないＣＰＵ（Central Processing Unit），ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）を有し、ＣＰＵは、たとえば図９に示した記憶部８３に格納された各種レシピに従ってプラズマ処理を実行する。レシピが格納される記憶部８３は、例えば半導体メモリ、磁気ディスク、または光学ディスクなどを用いてＲＡＭ、ＲＯＭとして実現されうる。レシピは、記憶媒体に格納して提供され、図示しないドライバを介して記憶部８３に読み込まれるものであってもよく、また、図示しないネットワークからダウンロードされて記憶部８３に格納されるものであってもよい。また、上記各部の機能を実現するために、ＣＰＵに代えてＤＳＰ（Digital  Signal  Processor）が用いられてもよい。なお、制御装置８０の機能は、ソフトウエアを用いて動作することにより実現されてもよく、ハードウエアを用いて動作することにより実現されてもよい。
【００３４】
かかる構成のプラズマ処理装置１において、エッチングを行なうには、先ずゲートバルブ３０を開口して搬送アーム上に保持されたウエハＷをチャンバ１０内に搬入する。ウエハＷは、図示しないプッシャーピンにより保持され、プッシャーピンが降下することにより静電チャック４０上に載置される。ウエハＷを搬入後、ゲートバルブ３０が閉じられ、ガス供給源６２からエッチングガスを所定の流量および流量比でチャンバ１０内に導入し、排気装置２８によりチャンバ１０内の圧力を設定値に減圧する。さらに、第１高周波電源３１及び第２高周波電源３２から所定のパワーの高周波電力を載置台１２に供給する。また、直流電圧源４２から電圧を静電チャック４０の電極４０ａに印加して、ウエハＷを静電チャック４０上に固定し、伝熱ガス供給源５２から静電チャック４０の上面とウエハＷの裏面との間に供給する。シャワーヘッド３８からシャワー状に導入されたエッチングガスは、第２高周波電源３２からの高周波電力によりプラズマ化され、これにより、上部電極（シャワーヘッド３８）と下部電極（載置台１２）との間のプラズマ生成空間にてプラズマが生成され、プラズマ中のラジカルやイオンによってウエハＷの主面がエッチングされる。また、第１高周波電源３１からの高周波電力によりウエハＷに向かってイオンを引き込むことができる。
【００３５】
プラズマエッチング終了後、ウエハＷがプッシャーピンにより持ち上げられ保持され、ゲートバルブ３０を開口して搬送アームがチャンバ１０内に搬入された後に、プッシャーピンが下げられウエハＷが搬送アーム上に保持される。次いで、その搬送アームがチャンバ１０の外へ出て、次のウエハＷが搬送アームによりチャンバ１０内へ搬入される。この処理を繰り返すことで連続してウエハＷが処理される。
【００３６】
（ヒータの構成）
ここで、ヒータ７５の構成について図２Ａを用いてさらに詳しく説明する。図２Ａは、図１の載置台１２及び静電チャック４０の拡大図である。静電チャック４０の裏面にはヒータ７５が貼り付けられている。ただし、ヒータ７５は、静電チャック４０内又は近傍に設けられてもよい。例えば、図２Ｂでは、ヒータ７５は、絶縁層４０ｂの内部に埋め込まれている。
【００３７】
ヒータ７５は、円形のセンタゾーンＡと、その外周側に同心円状に設けられた２つのミドルゾーン（内ミドルゾーンＢ、外ミドルゾーンＣ）と、最外周に同心円状に設けられたエッジゾーンＤとに分割されている（図８を参照）。本実施形態では、ミドルゾーンは２つに分割されているが、ミドルゾーンは３つ以上に分割されてもよい。特に、直径が４５０ｍｍ以上のウエハＷの場合、ヒータ７５のミドルゾーンは、同心円状に３つ以上に分割されていることが好ましい。ミドルゾーンでの温度制御性を高めるためである。
【００３８】
静電チャック４０と載置台１２とは接着剤により貼り合わされている。これにより、静電チャック４０に貼り付けられたヒータ７５は、接着層７４に埋め込まれた状態で、静電チャック４０と載置台１２との間にて固定される。図２Ａのように静電チャック４０の裏面にヒータ７５を貼り付けるタイプでは、接着層７４で静電チャック４０と載置台１２とを貼り合わせる直前まで自在にヒータ７５の配置（ヒータパターン）を変えることができる。接着層７４で貼り合わせた後であっても静電チャック４０と載置台１２とを剥がしてヒータパターンを変えた後、再びヒータ７５上に接着剤を付けて静電チャック４０と載置台１２とを接着させてもよい。
【００３９】
一方、静電チャック４０にヒータ７５を埋め込むタイプでは、絶縁層４０ｂにヒータ７５を埋め込んだ状態で焼き固める。よって、絶縁層４０ｂにヒータ７５を埋め込んだ後、ヒータパターンを変えることは不可能である。よって、本実施形態のように、４ゾーン以上にヒータ７５を分割して制御する場合には、ヒータパターンが複雑になるため、図２Ｂのヒータ７５を埋め込むタイプよりも、容易にヒータ７５の配置を変えられる、図２Ａのヒータ７５を貼り付けるタイプを採用することが好ましい。
【００４０】
また、図２Ａのヒータ７５を貼り付けるタイプでは、接着層７４にヒータ７５が埋め込まれている。図２Ｂの絶縁層４０ｂにヒータ７５を埋め込むタイプは、焼き固め時に絶縁層４０ｂのセラミックの薄い部分が割れてしまうためヒータ７５を静電チャック４０の端部近傍まで這わせることができない。しかし、図２Ａの接着層にはこのような制限がない。このため、ヒータ７５を静電チャック４０の端部近傍まで這わせることができる。この結果、図２Ａのヒータ７５を貼り付けるタイプでは、静電チャック４０の最外周まで均一に温度を制御することができる。
【００４１】
なお、図２Ｃに示したように、ヒータ７５近傍に設けられた冷媒管７０は、ヒータ７５の各ゾーンに対応して配置されていてもよい。これにより、対応して配置された冷媒管７０内を流れる冷媒による冷却及びヒータ７５による加熱によって温度制御性及び応答性を高めることができる。
【００４２】
(プラズマ処理)
以上、本実施形態に係るプラズマ処理装置１及びヒータ７５の構成について説明した。次に、本実施形態に係るプラズマ処理装置１にて実行されるプラズマ処理の一例を、図３を参照しながら説明する。
【００４３】
図３には、本実施形態に係るプラズマ処理装置１にて行われるプラズマ処理の各工程の一例を示す。プロセス条件の一つであるヒータの温度制御としては、比較例としてヒータを２分割した２ゾーン（センタ／エッジ）の設定温度が示される。
【００４４】
図３（ａ）に示したように、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）１０８上に、シリコン窒化膜（ＳｉＮ）１０６、アモルファスシリコン膜（α−Ｓｉ）１０４、反射防止膜（ＢＡＲＣ：Bottom Anti-Reflective Coating）１０２及びフォトレジスト膜１００が順に積層されている。シリコン酸化膜１０８は、ＴＥＯＳ(Tetraethoxysilan)を用いた、ＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)により形成された層間絶縁膜である。
【００４５】
アモルファスシリコン膜（α−Ｓｉ）１０４上に、例えば塗布処理によってＢＡＲＣ膜（反射防止膜）１０２が形成される。ＢＡＲＣ膜１０２は或る特定の波長の光、例えば、フォトレジスト膜１００に向けて照射されるＡｒＦエキシマレーザ光を吸収する色素を含む高分子樹脂からなり、フォトレジスト膜１００を透過したＡｒＦエキシマレーザ光がアモルファスシリコン膜１０４によって反射されて再びフォトレジスト膜１００に到達するのを防止する。フォトレジスト膜１００は、ＢＡＲＣ膜１０２上に、例えばスピンコータ（図示せず）を用いて形成される。フォトレジスト膜１００には、所定のホールを形成する位置に開口部を有するパターンが形成されている。
【００４６】
まず、図３（ｂ）に示したように、レジスト膜１００をマスクとしてＢＡＲＣ膜１０２がエッチングされる。これにより、レジストパターンの開口部はＢＡＲＣ膜１０２に転写される。本工程のプロセス条件は、圧力が５（ｍＴｏｒｒ）、第２高周波電力／第１高周波電力が２００／５０（Ｗ）、ガスがＣＦ４／Ｏ２、ヒータの設定温度がセンタ／エッジ＝６０／５０℃である。
【００４７】
次に、図３（ｃ）に示したように、レジスト膜１００及びＢＡＲＣ膜１０２をマスクとしてアモルファスシリコン膜１０４がエッチングされる。これにより、ＢＡＲＣ膜１０２のパターンがアモルファスシリコン膜１０４に転写される。本工程のプロセス条件は、圧力が２５（ｍＴｏｒｒ）、第２高周波電力／第１高周波電力が２００／１００（Ｗ）、ガスがＨＢｒ、ヒータの設定温度がセンタ／エッジ＝５０／４０℃である。
【００４８】
次に、図３（ｄ）に示したように、Ｏ２アッシングが実行され、レジスト膜１００及びＢＡＲＣ膜１０２が除去される。本工程のプロセス条件は、圧力が５０（ｍＴｏｒｒ）、第２高周波電力／第１高周波電力が７５０／０（Ｗ）、ガスがＯ２、ヒータの設定温度がセンタ／エッジ＝５０／４０℃である。
【００４９】
次に、図３（ｅ）に示したように、アモルファスシリコン膜１０４をマスクとしてシリコン窒化膜１０６がエッチングされる（メインエッチング）。これにより、アモルファスシリコン膜１０４のパターンがシリコン窒化膜１０６に転写される。本工程のプロセス条件は、圧力が２０（ｍＴｏｒｒ）、第２高周波電力／第１高周波電力が４００／３００（Ｗ）、ガスがＣＨ２Ｆ２／ＣＨ３Ｆ／Ｏ２、ヒータの設定温度がセンタ／エッジ＝３５／３５℃である。
【００５０】
次に、図３（ｆ）に示したように、アモルファスシリコン膜１０４及びシリコン窒化膜１０６をマスクとしてシリコン酸化膜１０８がエッチングされる（オーバーエッチング）。このとき、シリコン窒化膜１０６がシリコン酸化膜１０８に少し残った状態になる。本工程のプロセス条件は、圧力が２０（ｍＴｏｒｒ）、第２高周波電力／第１高周波電力が４００／３００（Ｗ）、ガスがＣＨ２Ｆ２／ＣＨ３Ｆ／Ｏ２、ヒータの設定温度がセンタ／エッジ＝３５／３５℃である。
【００５１】
最後に、図３（ｇ）に示したように、完全にシリコン窒化膜１０６が除去される（ブレイクスルーエッチング）。本工程のプロセス条件は、圧力が１０（ｍＴｏｒｒ）、第２高周波電力／第１高周波電力が２００／１５０（Ｗ）、ガスがＣｌ２、ヒータの設定温度がセンタ／エッジ＝３５／３５℃である。また、ブレイクスルーエッチング後、Ｏ２アッシングが実行される。これにより、デポジションが除去される。本工程のプロセス条件は、圧力が５０（ｍＴｏｒｒ）、第２高周波電力／第１高周波電力が７５０／０（Ｗ）、ガスがＯ２、ヒータの設定温度がセンタ／エッジ＝３５／３５℃である。
【００５２】
以上の工程により、レジストパターンが順次下層膜に転写され、最終的にシリコン酸化膜１０８に所定の開口幅を有するホールが形成される。
【００５３】
（ＣＤ値の計測結果：２ゾーン）
以上の工程にて、形成されるホールの直径（以下、ＣＤ(Critical Dimension)と称呼する。）のバラツキをウエハの中心から外周方向（径方向）に示した結果を図４に示す。計測は、円周方向に９０度ずつ離れた４点（十字の４ポイント）に対してウエハの中心から径方向に複数ポイント計測した。図４はこれらの計測ポイントを１つの軸に重ねた結果である。
【００５４】
図４の横軸はウエハの中心からの径方向の位置を示し、図４の縦軸は各位置に形成されたホールのＣＤ値を示す。図４（ａ）は、図３（ｃ）に示したアモルファスシリコン膜１０４のエッチング工程後に、アモルファスシリコン膜１０４に形成されたホールのＣＤ値を示し、図４（ｂ）は、図３（ｇ）の全工程後、シリコン酸化膜１０８に形成されたホールのＣＤ値を示す。なお、ヒータ７５は、ウエハの外周端から概ね１３０（ｍｍ）の位置にてセンタゾーン７５ｃとエッジゾーン７５ｅとに２分割されている。
【００５５】
図４（ａ）の結果から、アモルファスシリコン膜１０４のエッチング工程の段階で既に径方向のＣＤ値に最大で５（ｎｍ）程度の差異が生じている。ウエハの中心から径方向に温度制御の均一性が図られていないため、エッチングレートにバラツキが生じた結果であると考えられる。
【００５６】
また、図４（ｂ）の結果から、全工程後にはＣＤ値のバラツキがより顕著になった。特に、ウエハ中心付近でＣＤ値が大きくなっている点（ウエハ中心付近の太り）、及びウエハの最外周付近でＣＤ値が小さくなっている点（ウエハ最外周付近の細り）で温度制御が不十分であることがわかる。このようにウエハＷの中心付近に特異点があるのは、ウエハＷの中心付近の上方にてプラズマの密度が高く、特にラジカルの密度が高いからであり、ウエハの最外周領域に特異点があるのは、ウエハの外周側は熱が逃げにくくこもり易いからである。
【００５７】
以上の結果から、本実施形態では、温度が均一になりにくいウエハ中心付近及びウエハ最外周付近を温度制御の特異点として、特異点があるセンタゾーンＡ及びエッジゾーンＤはそれぞれが別々に温度制御可能なように分割した。更に、その間のミドル領域についても図４（ａ）及び図４（ｂ）の結果では外周側に向かってＣＤ値がなだらかに大きくなっていることから、１つのゾーンとして制御するとウエハ温度の面内均一性が保たれない。このため、本実施形態では、ミドル領域を２つのミドルゾーン（内ミドルゾーンＢ、外ミドルゾーンＣ）に分割した。このようにして、本実施形態に係るヒータ７５では、４つのゾーンに分割された構成を採用するが、これに限らず、ヒータ７５はミドル領域を３つ以上のゾーンに分割することによって全部で５つ以上のゾーンに分割してもよい。
【００５８】
（各ゾーンの設定温度）
次に、各ゾーンの設定温度について、図５を参照しながら説明する。図５（ａ）は、ヒータを２ゾーンに分割して温度制御した場合のヒータの設定温度とウエハ温度の面内均一性との関係を計測した結果である。図３で説明したプロセス中にセンターゾーンを６０℃に設定し、エッジゾーンのヒータの設定温度を４０℃、５０℃、６０℃、７０℃に設定した状態でプラズマ処理を行った際のウエハの温度の平均値である。温度が設定温度より高くなっているのは、プラズマからの入熱によるウエハの温度上昇である。いずれの場合もウエハ温度の面内均一性が図れなかった。特に、ミドルゾーンの温度が制御できないためにセンタの外周側とエッジ領域でバラツキが大きくなっていることがわかる。また、ヒータの設定温度が上がる程、ウエハの外周側にて熱が逃げにくくこもり、ウエハ温度が高くなっていることがわかる。
【００５９】
以上の結果を踏まえ、図５（ｂ）の曲線Ｓ１に、ヒータを４ゾーンに分割して温度制御した場合のヒータの設定温度とウエハ温度の面内均一性との関係を予測して示す。
【００６０】
図５（ｂ）の菱形のプロットは２ゾーンに分割されたヒータのセンタ及びエッジの温度を６０℃、４０℃に設定した場合のＣＤ値であり、図５（ｂ）の四角のプロットは２ゾーンに分割されたヒータのセンタ及びエッジの温度を６０℃、５０℃に設定した場合のＣＤ値である。これによれば、エッジゾーンの設定温度が上がるとエッジのＣＤ値が小さくなる。更に、センタゾーンの設定温度が上がるとセンタ側のＣＤ値は小さくなることも加味すると、センタ及びエッジの温度を６０℃、６０℃に設定した場合には、曲線Ｓ２になると予測される。
【００６１】
よって、ヒータを４ゾーンに分割した場合であって、各ゾーンの設定温度を７０℃、６０℃、７０℃、５０℃に設定した場合には、センタゾーンＡ、外ミドルゾーンＣでは設定温度が６０℃→７０℃に上がるためＣＤ値は下がると予測され、曲線Ｓ１のようにウエハ温度の面内均一性が図れると予測される。
【００６２】
（ＣＤ値の計測結果：４ゾーン）
以上に示した設定温度とＣＤ値との相関関係に基づき、図３の各工程について４ゾーンのヒータの設定温度の適正化を図り、最適温度をレシピに設定して、全工程の処理を行った。その結果を図６（ｂ）に示す。図６（ａ）に示した２ゾーンの場合の全工程の処理結果と比べると、４ゾーンのヒータの温度制御では、２ゾーンの場合のように「ウエハ中央付近の太り」及び「ウエハ最外周付近の細り」が見られず、ウエハ温度の面内均一性が図られている。なお、２ゾーン制御のときのＢＡＲＣ膜１０２のエッチング工程でのセンタゾーン／エッジゾーンの設定温度は、６０／５０℃であり、２ゾーン制御のときのシリコン窒化膜１０６のエッチング工程でのセンタゾーン／エッジゾーンの設定温度は、３５／３５℃であった。また、４ゾーン制御のときのＢＡＲＣ膜１０２のエッチング工程でのセンタゾーン／内ミドルゾーン／外ミドルゾーン／エッジゾーンの設定温度は、６０／４５／４５／４３℃であり、４ゾーン制御のときのシリコン窒化膜１０６のエッチング工程でのセンタゾーン／内ミドルゾーン／外ミドルゾーン／エッジゾーンの設定温度は、４０／４５／５０／５０℃であった。
【００６３】
（ゾーン面積）
次に、各ゾーンの面積について、図７を参照しながら説明する。図７（ａ）及び図７（ｂ）は、一実施形態に係るヒ−タを４分割した各ゾーンを示した図である。図７（ａ）では、センタゾーンＡの面積が最も大きく、センタゾーンＡからエッジゾーンＤまで外周側に行くほどゾーンの面積が小さくなる。つまり、最外周部のヒータの面積が最も小さくなる。これによれば、最外周部に行くに従って細かく温度調節ができるため温度の均一性を改善することができる。
【００６４】
図７（ｂ）では、センタゾーンＡの面積が最も大きく、センタゾーンＡから外ミドルゾーンＣまで外周側に行くほどゾーンの面積が小さくなるが、外ミドルゾーンＣはエッジゾーンＤより面積が小さくなっている。つまり、最外周部から２番目の外ミドルゾーンＣのヒータの面積が最も小さくなる。これによれば、最外周部より内側のミドルゾーンをより細かく温度調整できるため温度の均一性を改善することができる。
【００６５】
（電源の切り替え）
図７（ａ）及び図７（ｂ）で示したヒ−タ７５の構成では、ミドルゾーン（内ミドルゾーンＢ、外ミドルゾーンＣ）において、交流電源４４のオン、オフを切り替えることができる。例えば、図７（ｂ）に示した最もゾーン面積の小さい外ミドルゾーンＣの電源をオフすることにより、外ミドルゾーンＣから隣接ゾーンＤ，Ｂへの温度干渉を回避できる。これによって隣接ゾーンＤ、Ｂの温度の相関関係による制御が可能になり、ウエハＷの温度制御性を高めることができる場合がある。また、電源をオフすることにより消費エネルギーの低減を図ることができる。
【００６６】
一方、センタゾーンＡ及びエッジゾーンＤでは、交流電源４４のオン、オフの切り替えはできない。これは、前述したとおり、ウエハの中心付近はプラズマ密度が高く、ウエハの最外周領域は熱が逃げにくくこもり易いためにセンタゾーンＡ及びエッジゾーンＤには温度分布の特異点があり、温度制御が不可欠な領域と考えられるためである。
【００６７】
以上に説明したように、本実施形態に係るヒータ７５を設けたプラズマ処理装置１によれば、静電チャック４０内又は近傍に設けられたヒ−タ７５を４つ以上のゾーンに分割する。これにより、プラズマの状態や装置構成から特異点が生じるセンタゾーンＡと最外周のエッジゾーンＤとを別々に温度制御するとともに、ミドル領域を２つ以上に分割することによって、よりきめ細かくヒータの温度制御を行うことができる。この結果、ウエハ温度の面内均一性を図ることができる。ウエハのサイズが４５０ｍｍ以上になった場合には特にミドル領域の面積が大きくなるため、ミドル領域の温度制御が難しくなる。よって、ウエハのサイズが大きくなるほどミドル領域をウエハＷのサイズに応じて細かく分割して温度制御することは特に意義がある。
【００６８】
［ヒータの温度制御方法］
本実施形態のヒータ７５は、４つのゾーンに分割されており、両端のゾーンＡ、Ｄには隣接ゾーンが１つ、中央のミドルゾーンＢ，Ｃには隣接ゾーンが２つ存在する。よって、各ゾーンは隣接ゾーンからの温度干渉を受ける。特に中央のミドルゾーンＢ，Ｃは両側のゾーンから温度干渉を受けることになる。そこで、各ゾーンの設定温度に対する隣接ゾーンからの温度干渉を補正すれば、より精度の高い温度制御が可能となる。
【００６９】
また、静電チャック４０の表面はヒータ７５の上方に位置するため、各ゾーンのヒータ７５の設定温度に対して静電チャック４０の表面温度は必ずしも同じにはならず、ずれが生じる。よって、そのずれを補正すれば、より精度の高い温度制御が可能となる。
【００７０】
以下では、隣接ゾーンからの温度干渉、及びヒータ７５の温度と静電チャック４０の表面温度とのずれを補正し、補正後の温度にて各ゾーンのヒータを温度制御する温度制御方法について説明する。
【００７１】
なお、以下では、図１１に示したようにセンタゾーンＡ，内ミドルゾーンＢ、外ミドルゾーンＣ、エッジゾーンＤの設定温度に対する静電チャック４０の表面温度のずれを補正するための第１の補正値を、α１、α２、α３、α４で示す。また、センタゾーンＡ，内ミドルゾーンＢ、外ミドルゾーンＣ、エッジゾーンＤの隣接ゾーンからの温度干渉を補正するための第２の補正値をβ１、β２、β３、β４で示す。更に、これらの補正値を設定するために、温度センサ７７を用いる。温度センサ７７の位置は、図８（ａ）に示したように、本実施形態では内ミドルゾーンＢのヒータ裏面に設けられる。しかし、温度センサ７７の位置はこれに限らず、他ゾーンに設けられてもよい。また、温度センサ７７は１つに限られず、複数設けられてもよい。特に、温度センサ７７は円周上に３つ以上設けられることが好ましい。例えば、図８（ｂ）では、４つの温度センサ７７ａ、７７ｂ、７７ｃ、７７ｄが円周上に設けられている。これによって円周方向の温度分布をより正確に計測できる。
【００７２】
［制御装置８０の機能構成］
ヒータの温度制御方法は、制御装置８０により実行される。以下では、本実施形態に係る制御装置８０の機能構成について図９を参照しながら説明した後、その動作（温度制御）について図１２を参照しながら説明する。
【００７３】
図９は、制御装置８０の機能構成図である。制御装置８０は、取得部８１、記憶部８３、温度設定部８４、温度制御部８５、判定部８６及びプラズマ処理実行部８７を有する。
【００７４】
取得部８１は、温度センサ７７により検出されたヒータ７５裏面の温度を随時入力する。複数の温度センサ７７が設置されている場合には、複数の温度センサ７７からのセンサ値を入力する。
【００７５】
温度設定部８４は、各ゾーンの設定温度に対する静電チャック４０の表面温度のずれを補正するための第１の補正値α１、α２、α３、α４、及び各ゾーンの設定温度に対する隣接ゾーンからの温度干渉を補正するための第２の補正値β１、β２、β３、β４を算出し、記憶部８３に予め記憶しておく。算出方法については後述する。
【００７６】
記憶部８３には、各ゾーンの設定温度と、第１の補正値α１、α２、α３、α４、及び第２の補正値β１、β２、β３、β４に基づきゾーン毎に補正された温度になるようにヒ−タ７５に流す電流値と、の相関関係を予め記憶しておく。また、記憶部８３は、プロセスの手順と条件を設定したプロセスレシピを記憶する。例えば、プロセスレシピには、図３に示したプロセスの手順と各工程のプロセス条件が設定されてもよい。
【００７７】
温度制御部８５は、ヒータ７５の制御温度をゾーン毎に調整する。温度制御部８５は、各ゾーンの設定温度に対する静電チャック４０の表面温度のずれを補正しながらヒ−タ７５の制御温度をゾーン毎に調整してもよい。また、温度制御部８５は、各ゾーンの設定温度に対する隣接ゾーンからの温度干渉を補正しながらヒ−タ７５の制御温度をゾーン毎に調整してもよい。温度制御部８５は、これらの調整の一方のみを制御してもよく、両方を制御してもよい。これらの調整の際、記憶部８３に記憶された第１の補正値α１、α２、α３、α４、及び第２の補正値β１、β２、β３、β４の少なくともいずれかに基づきヒータ７５の制御温度をゾーン毎に調整してもよい。その際、温度制御部８５は、各ゾーンのうち少なくとも一つのゾーンに設けられた温度センサ７７により検出された温度を、温度検出されたゾーンの設定温度とし、記憶部８３に記憶された該ゾーンの設定温度と各ゾーンのヒータに流す電流値との相関関係から各ゾーンのヒータに流す電流値を算出する。
【００７８】
判定部８６は、算出されたゾーン毎のヒータの電流値の少なくともいずれかが予め定められた閾値より低い場合、静電チャック４０を交換すべき時期であると判定する。その理由は、ヒータ７５を繰り返し使用すると熱膨張等によりヒータ７５がセラミックの静電チャック４０から剥離し、その部分の温度が高温状態で維持されてしまい、その結果電流値が下がってしまうためである。なお、閾値は、予め記憶部８３に記憶されてもよい。
【００７９】
プラズマ処理実行部８７は、記憶部８３に記憶されたプロセスレシピに従いプラズマエッチング処理を実行する。
【００８０】
［補正値の算出］
次に、ヒータ設定温度Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３，Ｙ４の補正関数を求める。具体的には、第１の補正値α１，α２，α３，α４及び第２の補正値β１，β２，β３，β４を予め算出し、第１の補正値α１，α２，α３，α４及び第２の補正値β１，β２，β３，β４を用いて補正後のヒータ制御温度を求める方法について、図１０Ａ〜図１０Ｄ及び図１１を参照しながら説明する。図１０Ａは、本実施形態に係るヒ−タの設定温度Ｙ１に対する補正値α１、β１の算出方法を説明するための図である。図１０Ｂは本実施形態に係るヒ−タの設定温度Ｙ２に対する補正値α２、β２の算出方法、図１０Ｃは本実施形態に係るヒ−タの設定温度Ｙ３に対する補正値α３、β３の算出方法、図１０Ｄは本実施形態に係るヒ−タの設定温度Ｙ４に対する補正値α４、β４の算出方法を説明するための図である。図１１は、各ゾーンの設定温度に対する補正と各ゾーンへの入力電流値を説明するための図である。
【００８１】
以下のように、ヒータ制御温度を補正することにより、隣接ゾーンからの温度干渉及びヒータ７５の設定温度と静電チャック４０の表面温度とのずれを補正し、これらの要因を補正したヒータ７５の制御温度に対応するヒータへの入力電流値によりヒータの温度が精度よく制御される。
【００８２】
以下の説明では、変数Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３，Ｘ４はセンタゾーンＡ、内ミドルゾーンＢ、外ミドルゾーンＣ、エッジゾーンＤの各目標温度、つまり実際に制御すべき温度である静電チャック４０の各ゾーンにおける表面温度を示し、変数Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３，Ｙ４は各ゾーンにおけるヒータ７５の設定温度を示す。変数Ｚ１，Ｚ２，Ｚ３は隣接ゾーンからの温度干渉を示す隣接温度である。具体的には、図１０Ａに示したように、センタゾーンＡに対する隣接温度は変数Ｚ１で示される。また、図１０Ｂの内ミドルゾーンＢに対する隣接温度は変数Ｚ１，Ｚ２で示され、図１０Ｃの外ミドルゾーンＣに対する隣接温度は変数Ｚ２，Ｚ３で示され、図１０Ｄのエッジゾーンに対する隣接温度は変数Ｚ３で示される。
【００８３】
なお、自ゾーンの目標温度(静電チャック４０の表面温度)を示す変数Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３，Ｘ４及び隣接温度を示す変数Ｚ１，Ｚ２，Ｚ３は、赤外分光法ＩＲを用いて測定される。また、ヒータ７５の設定温度を示す変数Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３，Ｙ４は、蛍光温度計を用いて測定される。
【００８４】
例えば、センタゾーンＡのヒータに関して、ヒータ設定温度Ｙ１と目標温度Ｘ１との関係は、隣接ゾーンの温度Ｚ１の影響を考慮した場合、式（１）で示される。
【００８５】
Ｙ１＝α１Ｘ１＋β１（Ｚ１）・・・（１）
式（１）の直線を図１０Ａのグラフに示す。自ゾーンの静電チャック４０の表面温度を実測すると、隣接温度Ｚ１の影響を受けなければ、傾きα１は同じになる。ここでは、β１（Ｚ１）は一定と仮定する。温度センサ７７がセンタゾーンＡの裏面のセンサ温度Ｔ１を検出した場合、ヒータ設定温度Ｙ１は実測値であるセンサ温度Ｔ１と同値とすることができる。よって、ヒータ設定温度Ｙ１（＝センサ温度Ｔ１）及び静電チャック４０の表面温度の実測値Ｘ１を、少なくとも２つ異なる点で測定することにより、第１の補正値α１及び第２の補正値β１が算出される。
【００８６】
同様にして、内ミドルゾーンＢのヒータに関して、ヒータ設定温度Ｙ２と目標温度Ｘ２との関係は、隣接温度Ｚ１，Ｚ２の影響を考慮した場合、式（２）で示される。
【００８７】
Ｙ２＝α２Ｘ２＋β２（Ｚ１，Ｚ２）・・・（２）
式（２）の直線を図１０Ｂのグラフに示す。このとき、隣接温度Ｚ１及びＺ２は温度制御として想定される範囲内の特定の組み合わせで固定した値であり、β２（Ｚ１，Ｚ２）は一定としている。温度センサ７７が内ミドルゾーンＢの裏面のセンサ温度Ｔ２を検出した場合、ヒータ設定温度Ｙ２は実測値であるセンサ温度Ｔ２と同値とすることができる。よって、ヒータ設定温度Ｙ２（＝センサ温度Ｔ２）及び静電チャック４０の表面温度の実測値Ｘ２を、少なくとも２つ異なる点で測定することにより、第１の補正値α２及び第２の補正値β２が算出される。
【００８８】
同様にして、式（３）、式（４）から外ミドルゾーンＣ、エッジゾーンＤの温度制御のための第１の補正値α３、α４及び第２の補正値β３、β４を算出する。
【００８９】
Ｙ３＝α３Ｘ３＋β３（Ｚ２，Ｚ３）・・・（３）
Ｙ４＝α４Ｘ４＋β４（Ｚ３）・・・（４）
式（３）の直線を図１０Ｃのグラフに示し、式（４）の直線を図１０Ｄのグラフに示す。なお、ヒータ設定温度Ｙ３＝センサ温度Ｔ３、ヒータ設定温度Ｙ４＝センサ温度Ｔ４とする。
【００９０】
このようにして、想定される隣接ゾーンの温度設定値の組み合わせのすべてにおいて温度設定部８４は、図１１に示したすべての補正値を予め算出しておく。算出された第１の補正値α１、α２、α３、α４及び第２の補正値β１、β２、β３、β４は、記憶部８３に記憶される。また、記憶部８３には、各ゾーンの設定温度Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４と、第１の補正値α１、α２、α３、α４及び第２の補正値β１、β２、β３、β４に基づきゾーン毎に算出された制御温度になるようにヒ−タ７５の各ゾーンに流す電流値Ｉ１、Ｉ２、Ｉ３、Ｉ４と、の相関関係が予め記憶されている。
【００９１】
以上の補正値の算出方法によれば、予め隣接する各ゾーン間の温度変化に対する相対関係を予め測定しておき、１ゾーンの温度を実際に計測し、計測された温度をベース温度として各ゾーンのヒータ７５への入力電流値を求める。これにより、各ゾーンのヒータに対して補正された温度制御が可能になる。
【００９２】
なお、上記説明では、例えば内ミドルゾーンＢのヒータに関して、隣接ゾーンからの影響をβ２（Ｚ１，Ｚ２）として近似したが、隣接ゾーンだけでなくその外側ゾーンからの影響を考慮すると更に補正の精度が向上する。例えば内ミドルゾーンＢのヒータに関して言えば、センタゾーンＡ及び外ミドルゾーンＣだけでなく、エッジゾーンＤからの影響を考慮してβ２（Ｚ１，Ｚ２，Ｚ３）として近似すると更に補正の精度が高まる（式（６）参照）。同様にして下記の式（５）〜式（８）のように隣接だけでなくその外側の温度Ｚの組み合わせまでが含まれた補正値を予め算出しておけばよい。
【００９３】
Ｙ１＝α１Ｘ１＋β１（Ｚ１，Ｚ２，Ｚ３）・・・（５）
Ｙ２＝α２Ｘ２＋β２（Ｚ１，Ｚ２，Ｚ３）・・・（６）
Ｙ３＝α３Ｘ３＋β３（Ｚ１，Ｚ２，Ｚ３）・・・（７）
Ｙ４＝α４Ｘ４＋β４（Ｚ１，Ｚ２，Ｚ３）・・・（８）
更に、外ミドルゾーンＣの電源をオフにした場合、外ミドルゾーンＣからの温度干渉はなくなるため、各ゾーンのヒータ設定温度と目標温度との関係は式（９）〜式（１１）のようになる。
【００９４】
Ｙ１＝α１Ｘ１＋β１（Ｚ１，Ｚ３）・・・（９）
Ｙ２＝α２Ｘ２＋β２（Ｚ１，Ｚ３）・・・（１０）
Ｙ４＝α４Ｘ４＋β４（Ｚ１，Ｚ３）・・・（１１）
［制御装置の動作］
最後に、制御装置８０の動作、つまり、制御装置８０によって実行される温度制御について、図１２のフローチャートを参照しながら説明する。なお、ここでは、隣接ゾーンの温度をＺで表す。前述したように、各ゾーンの第１及び第２の補正値α１〜α４、β１〜β４は予め算出され、記憶部８３に記憶されている。また、補正後のヒータ設定温度Ｙ１〜Ｙ４に対応する入力電流値Ｉ１〜Ｉ４の相関関係も記憶部８３に記憶されている。
【００９５】
本処理が開始されると、まず、取得部８１は、内ミドルゾーンＢに取り付けられた温度センサ７７により検出されたセンサ温度Ｔ２を取得する（ステップＳ１００）。次に、温度設定部８４は、センサ温度Ｔ２をベース温度として、式（２）のヒータ設定温度Ｙ２にセンサ温度Ｔ２を代入し、目標温度Ｘ２に目標値を代入し、隣接ゾーンの温度Ｚを算出する（ステップＳ１０２）。
【００９６】
Ｙ２＝α２Ｘ２＋β２（Ｚ１，Ｚ２）・・・（２）
次に、温度設定部８４は、式（１）、式（３）、式（４）に基づき、Ｘ１、Ｘ３、Ｘ４に目標値を代入し、隣接ゾーンの温度影響Ｚを代入し、これによりヒータ設定温度Ｙ１、Ｙ３、Ｙ４を算出する（ステップＳ１０４）。
【００９７】
Ｙ１＝α１Ｘ１＋β１（Ｚ１）・・・（１）
Ｙ３＝α３Ｘ３＋β３（Ｚ２，Ｚ３）・・・（３）
Ｙ４＝α４Ｘ４＋β４（Ｚ３）・・・（４）
ついで、記憶部８３に記憶された各ゾーンの設定温度Ｙと電流値Ｉとの相関関係に基づき、温度制御部８５は、ヒータ設定温度Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４に対応するヒータの入力電流値Ｉ１、Ｉ２、Ｉ３、Ｉ４を算出し、ヒータの入力電流値Ｉ１、Ｉ２、Ｉ３、Ｉ４を各ゾーンのヒータに通電させることにより、各ゾーンのヒータ温度を制御する（ステップＳ１０６）。
【００９８】
次に、判定部８６は、ヒータの入力電流値Ｉ１、Ｉ２、Ｉ３、Ｉ４のうち、所定の閾値より低い入力電流値があるかを判定し、あると判定した場合、静電チャック４０を交換すべき時期であると判定し（ステップＳ１０８）、本処理を終了する。ないと判定された場合、直ちに本処理を終了する。
【００９９】
［効果］
以上に説明したように、本実施形態に係るヒータ７５を設けたプラズマ処理装置１によれば、静電チャック４０内又は近傍に設けられたヒ−タ７５は４つ以上のゾーンに分割される。これにより、プラズマの状態や装置構成から特異点が生じるセンタゾーンＡと最外周のエッジゾーンＤとを別々に温度制御するとともに、ミドル領域を２つ以上に分割することによって、よりきめ細かくヒータの温度制御を行うことができる。この結果、ウエハ温度の面内均一性を図ることができる。
【０１００】
また、各ゾーンは隣接ゾーンからの温度干渉を受ける。特に中央のゾーンで温度干渉が大きくなる。そこで、本実施形態に係るプラズマ処理装置１で実行され得る温度制御方法では、各ゾーンの設定温度に対する隣接ゾーンからの温度干渉を補正する。また、各ゾーンの設定温度に対し、ヒータ７５より上方に設置されている静電チャック４０の表面温度のずれを補正する。これにより、より精度の高い温度制御が可能となる。
【０１０１】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【０１０２】
以上ではプラズマ処理装置で実行されるプラズマ処理としてプラズマエッチングを例に挙げて説明したが、本発明はプラズマエッチングに限られず、例えば、化学気相蒸着(CVD: Chemical Vapor Deposition)によりウエハ上に薄膜を形成するプラズマＣＶＤ、プラズマ酸化、プラズマ窒化、スパッタリング、アッシング等を行うプラズマ処理装置にも適用可能である。
【０１０３】
また、本発明に係るプラズマ処理装置は、チャンバ内の平行平板電極間に生じる高周波の放電により容量結合プラズマ(CCP:Capacitively Coupled Plasma)を生成する容量結合型プラズマ処理装置に限られず、例えば、チャンバの上面または周囲にアンテナを配置して高周波の誘導電磁界の下で誘導結合プラズマ(ICP:Inductively Coupled Plasma)を生成する誘導結合型プラズマ処理装置、マイクロ波のパワーを用いてプラズマ波を生成するマイクロ波プラズマ処理装置等にも適用可能である。
【０１０４】
本発明においてプラズマ処理を施される被処理体は、半導体ウエハに限られず、例えば、フラットパネルディスプレイ(FPD:Flat Panel Display)用の大型基板、ＥＬ素子又は太陽電池用の基板であってもよい。
【符号の説明】
【０１０５】
１          プラズマ処理装置
１０        チャンバ
１２        載置台（下部電極）
３１        第１高周波電源
３２        第２高周波電源
３８        シャワーヘッド(上部電極)
４０        静電チャック
４４        交流電源
６２        ガス供給源
７０        冷媒管
７１        チラーユニット
７５        ヒ−タ
７７        温度センサ
８０        制御装置
８１        取得部
８３        記憶部
８４        温度設定部
８５        温度制御部
８６        判定部
８７        プラズマ処理実行部
１００      レジスト膜
１０２      ＢＡＲＣ膜
１０４      α−Ｓｉ膜
１０６      ＳｉＮ膜
１０８      ＳｉＯ２膜
Ａ          センタゾーン
Ｂ          内ミドルゾーン
Ｃ          外ミドルゾーン
Ｄ          エッジゾーン
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１０Ｃ】
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【図１０Ｄ】
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【図１１】
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【図１２】
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