(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上に配置される第１セルと、
前記基板の上に配置される第２セルと、
前記基板の上に配置され、前記第１セル及び前記第２セルの間に介される第３セルと、
前記基板の中央領域に配置される第３セルに配置され、第１セル及び前記第２セルの間に配置され、前記第１セル及び前記第２セルに連結される第１バスバーと、
前記基板の縁に配置される第１セルのうち最外郭のセルに配置される第２バスバーと、
前記基板の縁に配置される第２セルのうち最外郭のセルに配置される第３バスバーと、を含み、
前記第２バスバー及び第３バスバーは、第１セル、第２セル、及び第３セルが配置されない非活性領域で連結部により連結され、
前記第３セルは、
裏面電極と、
光吸収部と、
バッファと、
ウィンドウと、を含み、
前記第１バスバーは前記第３セルのウィンドウの上に配置され、
前記第１セルは互いに直列に連結され、
前記第２セルは互いに直列に連結され、
前記第１セルは前記第１バスバーにより前記第２セルに並列に連結され、
前記第１バスバーは前記第３セルを通じて前記第１セル及び前記第２セルに接続され、
前記第３セルの面積は、前記第１セルの面積及び前記第２セルの面積の合計より大きいことを特徴とする、太陽光発電装置。
【請求項２】
前記第１セルは、
前記基板の上に配置される第１裏面電極と、
前記第１裏面電極の上に配置される第１光吸収部と、
前記第１光吸収部の上に配置される第１ウィンドウと、を含み、
前記第２セルは、
前記基板の上に配置される第２裏面電極と、
前記第２裏面電極の上に配置される第２光吸収部と、
前記第２光吸収部の上に配置される第２ウィンドウと、を含むことを特徴とする、請求項１に記載の太陽光発電装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽光発電装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
最近、エネルギーの需要が増加するにつれて、太陽光エネルギーを電気エネルギーに変換させる太陽電池に対する開発が進められている。
【０００３】
特に、ガラス基板、金属裏面電極層、ｐ型ＣＩＧＳ系光吸収層、高抵抗バッファ層、ｎ型ウィンドウ層などの多数個の層を含む。
【０００４】
また、太陽電池は、互いに直列または並列に連結される構造を有する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、電流の損失を減らし、単純な構造を有し、かつ並列に連結されるセルを含む太陽光発電装置を提供することをその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一実施形態に係る太陽光発電装置は、基板と、上記基板の上に配置される第１セルと、上記基板の上に配置される第２セルと、上記第１セル及び上記第２セルの間に配置され、上記第１セル及び上記第２セルに連結される第１バスバーと、を含む。
【０００７】
本発明の一実施形態に係る太陽光発電装置は、基板と、上記基板の上に配置される第１セルと、上記基板の上に配置され、上記第１セルに離隔して配置される第２セルと、上記第１セル及び上記第２セルの間に介され、上記第１セル及び上記第２セルに電気的に連結されるバスバーと、を含む。
【０００８】
本発明の一実施形態に係る太陽光発電装置は、第１方向に延びる第１バスバーと、上記第１バスバーと並んで延びる第２バスバーと、上記第１バスバーと並んで延びて、上記第２バスバーと電気的に連結される第３バスバーと、上記第１バスバー及び上記第２バスバーの間に介される多数個の第１セルと、上記第１バスバー及び上記第３バスバーの間に介される多数個の第２セルと、を含む。
【発明の効果】
【０００９】
本発明による太陽光発電装置は、中央部分に第１バスバーを配置し、第１バスバーの両側にセルを配置させる。また、本発明による太陽光発電装置は、基板の両端に第２バスバー及び第３バスバーを配置させる。
【００１０】
これによって、両側に配置されるセルは並列に連結される。この際、太陽光によって生成される電流は、両端から中央の第１バスバーに移動したり、中央の第１バスバーから両端の第２バスバー及び第３バスバーに移動する。
【００１１】
したがって、一端から他端に電子が移動する太陽電池に比べて、本発明に係る太陽光発電装置は短い電子の移動経路を有する。
【００１２】
したがって、本発明による太陽光発電装置は向上した効率を有する。
【００１３】
また、本発明による太陽光発電装置は、中央部分に配置される第１バスバーを用いて互いに反対方向に電子を移動させる。
【００１４】
したがって、本発明による太陽光発電装置は、直列連結形態に配置されるセルを並列に連結させる。したがって、本発明に係る太陽光発電装置は、単純な構造でセルを配置させながらセルを並列に連結する。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施形態に係る太陽光発電装置を示す平面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る太陽光発電装置を示す回路図である。
【図３】図１において、Ａ−Ａ′に沿って切断した断面を示す断面図である。
【図４】本発明の他の実施形態に係る太陽光発電装置を示す平面図である。
【図５】本発明の他の実施形態に係る太陽光発電装置を示す回路図である。
【図６】図４において、Ｂ−Ｂ′に沿って切断した断面を示す断面図である。
【図７】本発明の他の実施形態に係る太陽光発電装置を示す平面図である。
【図８】本発明の他の実施形態に係る太陽光発電装置を示す回路図である。
【図９】図７において、Ｃ−Ｃ′に沿って切断した断面を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明を説明するに当たって、各基板、膜、電極、溝、部材、バー、または層などが、各基板、電極、膜、溝、部材、バー、または層などの“上（on）”に、または“下（under）”に形成されることと記載される場合において、“上（on）”と“下（under）”は、“直接（directly）”または“他の構成要素を介して（indirectly）”形成されるものを全て含む。また、各構成要素の上または下に対する基準は、図面を基準として説明する。図面における各構成要素のサイズは説明の便宜のために誇張することがあり、実際に適用されるサイズを意味するものではない。
【００１７】
図１は、本発明の実施形態に係る太陽光発電装置を示す平面図である。図２は、本発明の実施形態に係る太陽光発電装置を示す回路図である。図３は、図１において、Ａ−Ａ′に沿って切断した断面を示す断面図である。
【００１８】
図１乃至図３を参照すると、実施形態に係る太陽光発電装置は、支持基板１０、多数個の第１セルＣ１、多数個の第２セルＣ２、第３セルＣ３、第１バスバー２０、第２バスバー３０、第３バスバー４０、及び連結部５０を含む。
【００１９】
上記支持基板１０はプレート形状を有する。上記支持基板１０は、上記第１セルＣ１、上記第２セルＣ２、上記第３セルＣ３、上記第１乃至第３バスバー２０、３０、４０、及び上記連結部５０を支持する。
【００２０】
上記支持基板１０は、ガラス基板、プラスチック基板、または金属基板でありうる。より詳しくは、上記支持基板１０は、ソーダライムガラス基板でありうる。
【００２１】
上記第１セルＣ１は、上記支持基板１０の上に配置される。上記第１セルＣ１は、互いに直列に連結される。上記第１セルＣ１は、第１方向に延びる形状を有する。即ち、上記第１セルＣ１は互いに並んで配置される。
【００２２】
上記第１セルＣ１は平面視して、上記第１バスバー２０及び上記第２バスバー３０の間に配置される。
【００２３】
図３に示すように、各々の第１セルＣ１は、第１裏面電極１１０、第１光吸収部１２０、第１バッファ１３０、第１高抵抗バッファ１４０、及び第１ウィンドウ１５０を含む。
【００２４】
上記第１裏面電極１１０は、上記支持基板１０の上に配置される。上記第１裏面電極１１０は導電体であり、上記第１裏面電極１１０に使われる物質の例としては、モリブデンなどが挙げられる。
【００２５】
上記第１光吸収部１２０は、上記第１裏面電極１１０の上に配置される。上記第１光吸収部１２０は、I−III−VI族系化合物を含むことができる。例えば、上記第１光吸収部１２０は、銅−インジウム−ガリウム−セレナイド系（Ｃｕ（Ｉｎ、Ｇａ）Ｓｅ２；ＣＩＧＳ系）結晶構造、銅−インジウム−セレナイド系、または銅−ガリウム−セレナイド系結晶構造を有することができる。
【００２６】
上記第１光吸収部１２０のエネルギーバンドギャップ（band gap）は、約１ｅＶ乃至１．８ｅＶでありうる。
【００２７】
上記第１バッファ１３０は、上記第１光吸収部１２０の上に配置される。上記第１バッファ１３０に使われる物質の例としては、硫化カドミウムなどが挙げられる。
【００２８】
上記第１高抵抗バッファ１４０は、上記第１バッファ１３０の上に配置される。上記第１高抵抗バッファ１４０に使われる物質の例としては、ドーピングされないジンクオキサイドなどが挙げられる。
【００２９】
上記第１ウィンドウ１５０は、上記第１高抵抗バッファ１４０の上に配置される。上記第１ウィンドウ１５０に使われる物質の例としては、アルミニウムドーピングされたジンクオキサイドなどが挙げられる。
【００３０】
上記第２セルＣ２は、上記支持基板１０の上に配置される。上記第２セルＣ２は、上記第１セルＣ１が配置される領域に隣接した領域に配置される。上記第２セルＣ２は平面視して、上記第１バスバー２０及び上記第３バスバー４０の間に配置される。
【００３１】
上記第２セルＣ２は、互いに直列に連結される。上記第２セルＣ２は、上記第１方向に延びる形状を有する。即ち、上記第２セルＣ２は、互いに並んで上記第１方向に延びる。
【００３２】
即ち、上記第１セルＣ１及び上記第２セルＣ２は平面視して、上記第１バスバー２０を挟んで互いに反対側に配置される。
【００３３】
図３に示すように、各々の第２セルＣ２は、第２裏面電極２１０、第２光吸収部２２０、第２バッファ２３０、第２高抵抗バッファ２４０、及び第２ウィンドウ２５０を含む。
【００３４】
上記第２裏面電極２１０は、上記支持基板１０の上に配置される。上記第２裏面電極２１０は導電体であり、上記第２裏面電極２１０に使われる物質の例としては、モリブデンなどが挙げられる。
【００３５】
上記第２光吸収部２２０は、上記第２裏面電極２１０の上に配置される。上記第２光吸収部２２０はI−III−VI族系化合物を含むことができる。上記第２光吸収部２２０のエネルギーバンドギャップ（band gap）は約１ｅＶ乃至１．８ｅＶでありうる。
【００３６】
上記第２バッファ２３０は、上記第２光吸収部２２０の上に配置される。上記第２バッファ２３０に使われる物質の例としては、硫化カドミウムなどが挙げられる。
【００３７】
上記第２高抵抗バッファ２４０は、上記第２バッファ２３０の上に配置される。上記第２高抵抗バッファ２４０に使われる物質の例としては、ドーピングされないジンクオキサイドなどが挙げられる。
【００３８】
上記第２ウィンドウ２５０は、上記第２高抵抗バッファ２４０の上に配置される。上記第２ウィンドウ２５０に使われる物質の例としては、アルミニウムドーピングされたジンクオキサイドなどが挙げられる。
【００３９】
上記第３セルＣ３は、上記支持基板１０の上に配置される。また、上記第３セルＣ３は、上記支持基板１０及び上記第１バスバー２０の間に介される。
【００４０】
上記第３セルＣ３は、上記第１セルＣ１及び上記第２セルＣ２の間に配置される。同様に、上記第１セルＣ１及び上記第２セルＣ２は平面視して、上記第３セルＣ３を挟んで互いに反対側に配置される。
【００４１】
上記第３セルＣ３は、上記第１セルＣ１が配置される領域及び上記第２セルＣ２が配置される領域の間の領域に配置される。上記第３セルＣ３は、上記第１方向に長く延びる形状を有する。
【００４２】
上記第３セルＣ３は、上記第１セルＣ１及び上記第２セルＣ２に連結される。より詳しくは、上記第３セルＣ３は、上記第１セルＣ１及び上記第２セルＣ２に電気的に連結される。より詳しくは、上記第３セルＣ３は、上記第３セルＣ３に最も隣接した第１セルＣ１′及び上記第３セルＣ３に最も隣接した第２セルＣ２′に連結される。
【００４３】
また、上記第３セルＣ３は、上記第１バスバー２０に連結される。上記第３セルＣ３は、上記第１バスバー２０に直接接触することができる。上記第３セルＣ３は、上記第１バスバー２０に電気的に連結される。
【００４４】
図３に示すように、上記第３セルＣ３は、第３裏面電極３１０、第３光吸収部３２０、第３バッファ３３０、第３高抵抗バッファ３４０、及び第３ウィンドウ３５０を含む。
【００４５】
上記第３裏面電極３１０は、上記支持基板１０の上に配置される。上記第３裏面電極３１０は導電体であり、上記第３裏面電極３１０に使われる物質の例としては、モリブデンなどが挙げられる。
【００４６】
上記第３光吸収部３２０は、上記第３裏面電極３１０の上に配置される。上記第３光吸収部３２０は、I−III−VI族系化合物を含むことができる。上記第３光吸収部３２０のエネルギーバンドギャップ（band gap）は約１ｅＶ乃至１．８ｅＶでありうる。
【００４７】
上記第３バッファ３３０は、上記第３光吸収部３２０の上に配置される。上記第３バッファ３３０に使われる物質の例としては、硫化カドミウムなどが挙げられる。
【００４８】
上記第３高抵抗バッファ３４０は、上記第３バッファ３３０の上に配置される。上記第３高抵抗バッファ３４０に使われる物質の例としては、ドーピングされないジンクオキサイドなどが挙げられる。
【００４９】
上記第３ウィンドウ３５０は、上記第３高抵抗バッファ３４０の上に配置される。上記第３ウィンドウ３５０に使われる物質の例としては、アルミニウムドーピングされたジンクオキサイドなどが挙げられる。
【００５０】
また、上記第３裏面電極３１０は、隣接する第１セルＣ１′の第１ウィンドウ１５０と連結される。より詳しくは、上記第３裏面電極３１０は、隣接する第１セルＣ１′の第１ウィンドウ１５０から延びる第１接続電極１５１に連結される。
【００５１】
また、上記第３裏面電極３１０は、隣接する第２セルＣ２′の第２ウィンドウ２５０と連結される。より詳しくは、上記第３裏面電極３１０は、隣接する第２セルＣ２′の第２ウィンドウ２５０から延びる第２接続電極２５１に連結される。
【００５２】
これによって、上記第３セルＣ３は上記第１セルＣ１に直列に連結され、同時に上記第２セルＣ２に直列に連結される。
【００５３】
上記第３セルＣ３の平面積は上記第１セルＣ１の平均面積より大きく、上記第２セルＣ２の平均面積より大きい。より詳しくは、上記第３セルＣ３の面積は、上記第１セルＣ１の平均面積及び上記第２セルＣ２の平均面積の合計より等しいか大きい。
【００５４】
好ましくは、上記第３セルＣ３の有効面積（上記第１バスバー２０が覆う面積を除いた上記第３セルＣ３の平面積）は、上記各々の第１セルＣ１の平面積及び上記各々の第２セルＣ１の平面積の合計と実質的に同一でありえる。
【００５５】
これによって、上記第３セルＣ３の電流量は、各々の第１セルＣ１の電流量及び各々の第２セルＣ２の電流量の合計と等しいか大きい。
【００５６】
したがって、上記第３セルＣ３によって、全体太陽光発電装置の出力が低下しない。
【００５７】
上記第１バスバー２０は、上記支持基板１０の中央部分に配置される。例えば、上記第１バスバー２０は、上記支持基板１０の中央に配置される。
【００５８】
上記第１バスバー２０は、上記第３セルＣ３の上に配置される。上記第１バスバー２０は、上記第１セルＣ１及び上記第２セルＣ２の間に配置される。上記第１バスバー２０は、上記第１セルＣ１が配置される領域及び上記第２セルＣ２が配置される領域の間の領域に配置される。
【００５９】
上記第１バスバー２０は、上記第３セルＣ３に接続される。上記第１バスバー２０は、上記第３セルＣ３に電気的に連結される。上記第１バスバー２０は、上記第３セルＣ３に接触する。より詳しくは、上記第１バスバー２０は、上記第３セルＣ３に直接的に接触できる。
【００６０】
また、上記第１バスバー２０は、上記第３ウィンドウ３５０に接続される。上記第１バスバー２０は、上記第３ウィンドウ３５０に電気的に連結される。上記第１バスバー２０は、上記第３ウィンドウ３５０に接触する。より詳しくは、上記第１バスバー２０は、上記第３ウィンドウ３５０に直接的に接触できる。
【００６１】
上記第１バスバー２０は、上記第３セルＣ３を通じて上記第１セルＣ１及び上記第２セルＣ２に電気的に連結される。
【００６２】
上記第１バスバー２０は、上記第３セルＣ３に対応して延びる。上記第１バスバー２０は、上記第１方向に延びる。
【００６３】
上記第２バスバー３０は、上記支持基板１０の縁に配置される。また、上記第２バスバー３０は、上記第１セルＣ１のうちの１つに配置される。より詳しくは、上記第２バスバー３０は、最外郭に配置される第１セルＣ１″の上に配置される。
【００６４】
また、上記第２バスバー３０は、上記第１セルＣ１に連結される。より詳しくは、上記第２バスバー３０は、上記第１セルＣ１に電気的に連結される。より詳しくは、上記第２バスバー３０は最外郭に配置される第１セルＣ１″に直接接触する。即ち、上記第２バスバー３０は、上記最外郭に配置される第１セルＣ１″の第１ウィンドウに直接接触して、上記第１セルＣ１に電気的に連結される。
【００６５】
上記第３バスバー４０は、上記第２セルＣ２に連結される。より詳しくは、上記第３バスバー４０は、上記第２セルＣ２に電気的に連結される。より詳しくは、上記第３バスバー４０は、最外郭に配置される第２セルＣ２″に直接接触する。即ち、上記第３バスバー４０は、上記最外郭に配置される第２セルＣ２″の第２ウィンドウに直接接触して、上記第２セルＣ２に電気的に連結される。
【００６６】
上記連結部５０は、上記第２バスバー３０及び上記第３バスバー４０を連結する。上記連結部５０は、上記第１セルＣ１、上記第２セルＣ２、及び上記第３セルＣ３が配置されない領域である非活性領域に配置される。
【００６７】
上記連結部５０は、上記第２バスバー３０及び上記第３バスバー４０と一体形成される。
【００６８】
上記第１乃至第３バスバー２０、３０、４０及び上記連結部５０は導電体からなる。上記第１乃至第３バスバー２０、３０、４０及び上記連結部５０は、例えば、導電テープである。上記第１乃至第３バスバー２０、３０、４０及び上記連結部５０に使われる物質の例としては、銅、銀、またはアルミニウムなどが挙げられる。
【００６９】
上記第１セルＣ１で生成された電子は、外郭から上記第１バスバー２０に移動する。即ち、上記第１セルＣ１から生成された電子は、上記第２バスバー３０から上記第１バスバー２０に、上記第１方向に対し、実質的に垂直な第２方向に移動する。即ち、上記第１セルＣ１から生成された電流は、中央部分から外郭に流れる。
【００７０】
同様に、上記第２セルＣ２で生成された電子は、外郭から上記第１バスバー２０に移動する。即ち、上記第２セルＣ２から生成された電子は、上記第３バスバー４０から上記第１バスバー２０に、上記第１方向に対し、実質的に垂直な第２方向に移動する。即ち、上記第２セルＣ２から生成された電流は、中央部分から外郭に流れる。
【００７１】
即ち、本発明に係る太陽光発電装置は、生成される電子が外郭から中央部分の第１バスバー２０に移動する。
【００７２】
したがって、本発明に係る太陽光発電装置は、一端から他端に電子が移動する太陽電池に比べて、短い電子の移動経路を有する。
【００７３】
したがって、本発明に係る太陽光発電装置は、向上した効率を有する。
【００７４】
また、本発明に係る太陽光発電装置は、中央部分に配置される第１バスバー２０を用いて互いに反対方向に電子を移動させる。
【００７５】
したがって、本発明に係る太陽光発電装置は、直列連結形態に配置されるセルを並列に連結させる。即ち、本発明に係る太陽光発電装置は、上記第１セルＣ１及び上記第２セルＣ２を上記第２方向に一列に配置する。
【００７６】
したがって、本発明に係る太陽光発電装置は、単純な構造でセルを配置させながら、上記第１セルＣ１及び上記第２セルＣ２を並列に連結する。
【００７７】
また、本実施形態では、３個のバスバーが開示されており、バスバーの間に多数個のセルが各々配置される構造を中心として説明したが、より多くの数のバスバーの間に多数個のセルが各々配置できる。
【００７８】
例えば、５個のバスバーが互いに並んで配置され、５個のバスバーの間に多数個の第１セル、多数個の第２セル、多数個の第３セル、及び多数個の第４セルが各々配置できる。
【００７９】
この際、上記第１セルは互いに直列に連結され、上記第２セルも直列に連結される。同様に、上記第３セルも互いに直列に連結され、上記第４セルも互いに直列に連結される。
【００８０】
また、上記第１セル、上記第２セル、上記第３セル、及び上記第４セルは、互いに並列に連結される。ここで、上記５個のバスバーのうち、中央のバスバーと両外郭のバスバーとが互いに電気的に連結され、残りのバスバーが電気的に連結される。
【００８１】
図４は、本発明の他の実施形態に係る太陽光発電装置を示す平面図である。図５は、本発明の他の実施形態に係る太陽光発電装置を示す回路図である。図６は、図４において、Ｂ−Ｂ′に沿って切断した断面を示す断面図である。本実施形態では、前述した実施形態を参照し、第３セルについて追加的に説明する。本実施形態の説明において、前述した実施形態の説明は、変更された部分を除いて、本質的に結合できる。
【００８２】
図４乃至図６を参照すると、第３セルＣ３は実質的に発電をしない。即ち、上記第３セルＣ３は太陽光を用いて、生成された電子を第１バスバー２０に伝達することができない。
【００８３】
第３ウィンドウ３５０は、隣接する第１セルＣ１′の第１裏面電極１１０に連結される。また、上記第３ウィンドウ３５０は、隣接する第２セルＣ２′の第２裏面電極２１０に連結される。
【００８４】
より詳しくは、上記第３ウィンドウ３５０から延びる第１接続電極３５２は上記第１裏面電極１１０と接触し、上記第３ウィンドウ３５０から延びる第２接続電極３５３は上記第２裏面電極２１０に接触する。
【００８５】
これによって、上記第１バスバー２０は、上記第３ウィンドウ３５０及び上記第１接続電極３５２を通じて第１セルＣ１に連結される。また、上記第１バスバー２０は、上記第３ウィンドウ３５０及び上記第２接続電極３５３を通じて第２セルＣ２に連結される。
【００８６】
上記第３セルＣ３は実質的に発電をしないため、広い面積を有する必要がない。したがって、上記第３セルＣ３の平面積は、上記第１バスバー２０の平面積と実質的に同一でありえる。
【００８７】
上記第１セルＣ１及び上記第２セルＣ２で発生した電子は、中央部分から外郭部分に移動する。即ち、上記第１セルＣ１及び上記第２セルＣ２で生成された電流は、外郭部分から中央部分に流れる。
【００８８】
したがって、第２バスバー３０が最外郭に配置される第１セルＣ１″の第１ウィンドウに接触する場合、上記第１ウィンドウ１５０で生成される電流は、上記第２バスバー３０を通じて流れることができる。
【００８９】
即ち、実質的に、上記第１バスバー２０は隣接する第１セルＣ１′の第１裏面電極１１０に連結され、上記第２バスバー３０は最外郭に配置される第１セルＣ１″の第１ウィンドウに連結される。これによって、上記第１セルＣ１の全体が発電することができる。
【００９０】
同様に、上記第２セルＣ２の全体が発電することができる。
【００９１】
したがって、本発明に係る太陽光発電装置は、向上した効率を有する。
【００９２】
図７は、本発明の他の実施形態に係る太陽光発電装置を示す平面図である。図８は、本発明の他の実施形態に係る太陽光発電装置を示す回路図である。図９は、図７において、Ｃ−Ｃ′に沿って切断した断面を示す断面図である。本実施形態では、前述した実施形態を参照し、連結電極について追加的に説明する。本実施形態の説明において、前述した実施形態の説明は変更された部分を除いて、本質的に結合できる。
【００９３】
図７乃至図９を参照すると、本発明に係る太陽光発電装置は、第３セルＣ３を含まず、連結電極３０１を含む。
【００９４】
上記連結電極３０１は、第１セルＣ１及び第２セルＣ２の間に配置される。上記連結電極３０１は、上記第１セルＣ１が配置される領域及び上記第２セルＣ２が配置される領域の間に配置される。上記連結電極３０１は、上記支持基板１０の上に配置される。
【００９５】
上記連結電極３０１は、上記第１セルＣ１及び上記第２セルＣ２に連結される。より詳しくは、上記連結電極３０１は、隣接する第１セルＣ１′の第１裏面電極１１０と連結され、隣接する第２セルＣ２′の第２裏面電極２１０と連結される。より詳しくは、上記連結電極３０１は上記第１裏面電極１１０及び上記第２裏面電極２１０と一体形成される。
【００９６】
上記連結電極３０１は導電体からなり、上記連結電極３０１に使われる物質の例としては、モリブデンなどが挙げられる。
【００９７】
第１バスバー２０は、上記連結電極３０１の上に配置される。上記第１バスバー２０は、上記連結電極３０１に直接接触する。上記第１バスバー２０は、上記連結電極３０１を通じて上記第１セルＣ１及び上記第２セルＣ２に連結される。
【００９８】
上記連結電極３０１は、上記第１裏面電極１１０及び上記第２裏面電極２１０と一体形成され、上記第１バスバー２０は上記連結電極３０１を通じて上記第１セルＣ１及び上記第２セルＣ２に連結される。
【００９９】
これによって、上記第１バスバー２０及び上記第１セルＣ１の間の短絡が防止され、接続抵抗が減少する。
【０１００】
同様に、上記第１バスバー２０及び上記第２セルＣ２の間の短絡が防止され、接続抵抗が減少する。
【０１０１】
したがって、本発明に係る太陽光発電装置は、向上した効率を有する。
【０１０２】
以上、本発明を好ましい実施形態をもとに説明したが、これは単なる例示であり、本発明を限定するのでない。本発明の本質的な特性を逸脱しない範囲内で、多様な変形及び応用が可能であることが同業者にとって明らかである。例えば、実施形態に具体的に表れた各構成要素は変形して実施することができ、このような変形及び応用にかかわる差異点も、特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。
【産業上の利用可能性】
【０１０３】
本発明は、太陽光発電分野に利用可能である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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