(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に搭載された半導体素子と、
前記半導体素子の前記基板に対向する面の反対側の面の外周部のみに設けられた水素化アモルファスカーボンで形成された炭素系接着層と、
前記炭素系接着層と接し、前記基板と前記半導体素子とを封止する封止樹脂と、
を備えたことを特徴とする半導体モジュール。
【請求項２】
基板に搭載された半導体素子と、
前記半導体素子の前記基板に対向する面の反対側の面の外周部と側面のみに設けられた水素化アモルファスカーボンで形成された炭素系接着層と、
前記炭素系接着層と接し、前記基板と前記半導体素子とを封止する封止樹脂と、
を備えたことを特徴とする半導体モジュール。
【請求項３】
基板に搭載された半導体素子と、
前記半導体素子の前記基板に対向する面の反対側の面の外周角部のみに設けられた水素化アモルファスカーボンで形成された炭素系接着層と、
前記炭素系接着層と接し、前記基板と前記半導体素子とを封止する封止樹脂と、
を備えたことを特徴とする半導体モジュール。
【請求項４】
基板に搭載された半導体素子と、
前記半導体素子の前記基板に対向する面の反対側の面の外周角部と側面のみに設けられた水素化アモルファスカーボンで形成された炭素系接着層と、
前記炭素系接着層と接し、前記基板と前記半導体素子とを封止する封止樹脂と、
を備えたことを特徴とする半導体モジュール。
【請求項５】
前記炭素系接着層は、前記封止樹脂と接する面が粗化されたことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の半導体モジュール。
【請求項６】
前記炭素系接着層は、水酸基が付与されたことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の半導体モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、エポキシ樹脂等でトランスファーモールド成形する半導体モジュールにおける、素子と封止樹脂の接着力向上に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体モジュールにおいては、半導体材料の一つであるＳｉＣ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｃａｒｂｉｄｅ）で半導体素子を形成した場合、トランスファーモールドで使用するエポキシ樹脂等の封止樹脂が直接半導体素子に接していた（例えば、特許文献１参照）。【０００３】
一方、ＳｉＣ膜はダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）との接着性が優れるので、タングステンカーボン（ＷＣ）系基材を用いる場合、接着力改善のために、そのＷＣ基材上にＳｉＣ膜等の接着層を形成してから、ＤＬＣ膜を成膜する方法が広く採用されていた（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特公平６−８０７４８号公報（第２頁、第１図）
【特許文献２】特開２００４−３５３５９号公報（第２頁）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来の半導体モジュールでは、半導体素子を作り込む材料がＳｉＣやＧａＮ（Ｇａｌｌｉｕｍ  ｎｉｔｒｉｄｅ）のようなワイドバンドギャップ半導体材料の場合、これらＳｉＣやＧａＮとエポキシ樹脂との接着力が、Ｓｉとエポキシ樹脂との接着力と比較して、相対的に弱いために、実使用時の温度履歴を模擬したヒートサイクル試験（−４０℃〜１５０℃、２６００サイクル）や、素子の高温動作状態を模擬したパワーサイクル試験（Ｔｊ＝８５〜１７５℃、２５０ｋサイクル）において、半導体素子と封止材料であるエポキシ樹脂とが素子端部から剥離するという問題点があった。【０００６】
この発明は、上述のような問題点を解決するためになされたもので、半導体モジュールの長期間の使用や、環境負荷により発生するエポキシ樹脂の剥離を抑制し、信頼性の高い半導体モジュールを得るものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明に係る半導体モジュールは、基板に搭載された半導体素子と、前記半導体素子の前記基板に対向する面の反対側の面の外周部、側面部、または外周角部に設けられた水素化アモルファスカーボンで形成された炭素系接着層と、前記炭素系接着層と接し、前記基板と前記半導体素子とを封止する封止樹脂とを備えたものである。
【発明の効果】
【０００８】
この発明は、半導体素子の外周部に炭素系接着層を設けたことで、半導体素子の外周部におけるエポキシ樹脂の剥離を抑制したので、半導体モジュールの長期間の使用や、環境負荷による劣化を抑制し、信頼性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】この発明の実施の形態１の半導体モジュールを示す断面構造模式図である。
【図２】この発明の実施の形態１の半導体モジュールの半導体素子と炭素系接着層の上面構造模式図と断面構造模式図である。
【図３】この発明の実施の形態１の炭素系接着層表面処理のプロセスを示すフロー図である。
【図４】この発明の実施の形態１の炭素系接着層表裏面結合状態を示す断面構造模式図である。
【図５】この発明の実施の形態３の半導体モジュールの半導体素子と炭素系接着層との上面構造模式図と断面構造模式図である。
【図６】この発明の実施の形態３の半導体モジュールの別の半導体素子と炭素系接着層との上面構造模式図と断面構造模式図である。
【図７】この発明の実施の形態４の炭素系接着層表面状態を示す断面構造模式図である。
【図８】この発明の実施の形態４の他の炭素系接着層表面処理のプロセスを示すフロー図である。
【図９】この発明の炭素系接着層とその他構成の接着強度の比較図である。
【図１０】この発明の実施の形態６のベルヌーイ式真空吸着治具を用いた場合の実装工程でのチップ搬送工程の概略図である。
【図１１】この発明の実施の形態６の半導体モジュールの半導体素子と炭素系接着層の上面構造模式図と断面構造模式図である。
【図１２】この発明の実施の形態７の半導体モジュールの半導体素子と炭素系接着層との上面構造模式図と断面構造模式図である。
【図１３】この発明の実施の形態７の別の半導体モジュールの半導体素子と炭素系接着層との上面構造模式図と断面構造模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
実施の形態１．
図１は、この発明の実施の形態１の半導体モジュールを示す断面構造模式図である。図２はこの発明の実施の形態１の半導体モジュールの半導体素子と炭素系接着層との上面構造模式図と断面構造模式図である。図１において、半導体モジュール１００は、半導体素子１、炭素系接着層２、封止樹脂であるモールド樹脂３、基板である冷却基板６を備えている。炭素系接着層２は、半導体素子１の表面側の外周部で半導体素子１とモールド樹脂３との接着力を強化するためのもので、水素化アモルファスカーボン（H:α-C）が考えられる。
【００１１】
図１に示すように、半導体素子１の裏面側は、はんだ４で冷却基板６と接合されている。また、半導体素子１の表面側の中央部は、はんだ４で端子板５と接合されている。そして、半導体素子１の表面側の外周部には、炭素系接着層２が形成されている。
【００１２】
冷却基板６は、例えば、銅／窒化アルミ／銅の三層で構成されている。そして、冷却基板６の半導体素子１と接合されていない裏面側には、シリコン系絶縁シート７が接合されている。シリコン系絶縁シート７を介して半導体モジュール１００から外部へ排熱するための銅で形成された放熱板８が配置されている。このような形態の半導体モジュールを例えば、エポキシ樹脂のようなモールド樹脂３によりトランスファーモールドすることで半導体モジュール１００が構成されている。
【００１３】
図２（ａ）には半導体素子の上面構造模式図を、図２（ｂ）には半導体素子の断面構造模式図を示す。図２（ａ）、図２（ｂ）に示すように、半導体素子１の表面側に形成されるモールド樹脂３が剥離しやすい半導体素子１の表面側の外周部を覆うように炭素系接着層２を形成している。炭素系接着層２の幅は、３００〜１０００μｍ程度あれば良い。炭素系接着層２の幅が３００μｍ以下では、炭素系接着層２が形成されても十分な接着力が得られず、モールド樹脂３の剥離が発生する。炭素系接着層２の幅が１０００μｍ以上では、モールド樹脂３との接着性は向上するが、半導体素子１の炭素系接着層２が形成されていない領域のチップ表面積が減少し端子板５との接続のための接続面積が減少して抵抗増化や接続不良の原因となる。
【００１４】
炭素系接着層２の膜厚は、１０〜２０ｎｍ程度あれば良い。炭素系接着層２の膜厚が１０ｎｍ以下では、膜厚ばらつきの影響により半導体素子１の表面側の外周部に炭素系接着層２が形成されない領域が発生する。そして、この部分では半導体素子１とモールド樹脂３とが直接接触するため、モールド樹脂３の剥離を抑制できない。
【００１５】
また、炭素系接着層２の膜厚が２０ｎｍ以上では、炭素系接着層２の形成により半導体素子１の表面側の外周部からの剥離は抑制される。しかし、必要以上の膜厚の炭素系接着層２を形成することは、金属製のマスクを使用して選択的に作製する場合、炭素系接着層２のマスク下への回り込みが発生し、炭素系接着層２の幅にこの回り込み分が追加された形になるため、炭素系接着層２が形成されていない領域のチップ表面積を減少させる。そして、端子板５との接続のための接続面積が減少して抵抗増化や接続不良の原因となる。
【００１６】
このように、半導体素子１の表面側の外周部を炭素系接着層２で覆うことで、モールド樹脂３との接着性を向上することが可能となり、半導体素子１の表面側の外周部を基点としたモールド樹脂３の剥離が抑制できる。
【００１７】
図３は、この発明の実施の形態１の炭素系接着層表面処理のプロセスを示すフロー図である。図３に示すプロセスフローにおいて、ウエハプロセス工程終了後、基板の表面を洗浄する基板表面洗浄工程を行う。この処理により、ウエハプロセス工程による表面汚染、コンタミネーションを除去し、清浄な表面を露出形成する。次に、炭素系接着層２を選択的に作製するためのマスクをセットするマスクセット工程を行う。この処理により、炭素系接着層２を選択的に作製するための領域を確保する。次に、炭素系接着層２の成膜を行うための接着層成膜工程を行う。この処理により、マスクを用いて半導体素子１の表面に炭素系接着層２を選択的に形成する。このように、チップ表面にモールド樹脂３の接着性強化のための表面処理を施した後、モジュール実装工程が実施される。
【００１８】
マスクセット工程において、次工程の接着層成膜工程で炭素系接着層２を形成するときに、炭素系接着層２を形成したい部分を開口したステンレス製ステンシルマスクを用い、マスクの開口部を半導体素子１の表面側の外周部に位置合わせすることで、半導体素子１の表面側の外周部のみ選択的に炭素系接着層２を形成することができる。この炭素系接着層２は、例えば、イオンアシストする形式のスパッタ法や蒸着法、バイアス印加タイプのプラズマＣＶＤ等で形成することができる。また、炭素系接着層２の成膜する膜厚としては、１０〜２０ｎｍとする。また、このようにして作製した炭素系接着層２の構造としては、ＳＰ２構造とＳＰ３構造とで形成され、ＳＰ２の割合が５割程度である。
【００１９】
図４は、この発明の実施の形態１の炭素系接着層表裏面結合状態を示す断面構造模式図である。図４に示すように、炭素系接着層２の表面は、大気中放置により炭素系接着層２表面と結合した自然に水酸基が形成される。そして、この水酸基により炭素系接着層２とモールド樹脂３とは水素結合により接着する。また、炭素系接着層２の裏面は、半導体素子１と炭素系接着層２との格子間隔の差が小さいので接着性良く堆積させることができる。
【００２０】
以上のように構成された半導体モジュールにおいては、半導体素子１の表面側の外周部に炭素系接着層２を設けることにより、モールド樹脂３との接着性が向上する。これにより、半導体素子１上に形成したモールド樹脂３の半導体素子１の表面側の外周部を基点とした剥離が抑制され、ヒートサイクル、パワーサイクル試験での劣化が無く信頼性が向上する。
【００２１】
実施の形態２．
本実施の形態２においては、実施の形態１で用いた炭素系接着層２をＳＰ２構造のグラファイト構造よりもＳＰ３構造の割合が多くなるような水素化アモルファスカーボン（H:α-C）とした点が異なる。このように、ＳＰ２構造のグラファイト構造よりもＳＰ３構造の割合が多くなるような水素化アモルファスカーボン（H:α-C）としたことで、同じＳＰ３構造を持つＳｉＣ基板を用いた半導体素子１に、より強固に炭素系接着層２を形成することができ、モールド樹脂３の剥離を抑制できる。
【００２２】
この炭素系接着層２は、例えば、イオンアシストする形式のスパッタ法や蒸着法、バイアス印加タイプのプラズマＣＶＤ等で形成することができる。また、バイアス印加タイプのプラズマＣＶＤを用いた形成では、成膜中の水素ガスの割合を増やすことで、ＳＰ３構造の割合の多い炭素系接着層２を形成することができる。
【００２３】
一方、炭素系接着層２の８割以上をＳＰ３構造としてしまうと、形成する炭素系接着層２自体が強固になってしまい、半導体素子作製時の残渣や、凹凸のある半導体素子表面に形成した膜が接着しなくなるので良くない。
【００２４】
以上のように構成された半導体モジュールにおいては、半導体素子１の表面側の外周部にＳＰ３構造を多く含む炭素系接着層２を設けることにより、モールド樹脂３との接着性を保持したまま、ＳｉＣで構成される半導体素子１とも接着性がさらに向上する。これにより、半導体素子１上に形成したモールド樹脂３の半導体素子１の表面側の外周部を基点とした剥離が抑制され、ヒートサイクル、パワーサイクル試験での劣化が無く信頼性が向上する。
【００２５】
さらに、成膜中の水素ガスの割合を変化させながら炭素系接着層２を成膜することで、炭素系接着層２のＳｉＣ基板表面側をＳＰ３構造リッチに、モールド樹脂３であるエポキシ樹脂に接する表面側をＳＰ２構造リッチとすることもできる。炭素系接着層２をこのような構成とすることで、炭素系接着層２が接する材料に適した組成とすることができ、さらに接着性が向上する。
【００２６】
実施の形態３．
本実施の形態３においては、実施の形態１で用いた炭素系接着層２を、半導体素子１を切断処理後に形成した点が異なる。このように、半導体素子１を切断処理後に炭素系接着層２を形成することで半導体素子１の表面側の外周部だけでなく、半導体素子１の側面に対しても炭素系接着層２を形成したことで、モールド樹脂３は半導体素子１の表面だけでなく側面でも炭素系接着層２と接着するため、より強固に炭素系接着層２を形成することができ、モールド樹脂３の剥離を抑制できる。
【００２７】
図５は、この発明の実施の形態３の半導体モジュールの半導体素子と炭素系接着層との上面構造模式図と断面構造模式図である。図５（ａ）には半導体素子の上面構造模式図を、図５（ｂ）には半導体素子の断面構造模式図を示す。図５に示すように、ウェハのダイシング領域で基板厚方向に半分程度切断してから、炭素系接着層２を形成したい部分を開口したステンレス製ステンシルマスクを用い、マスクの開口部を半導体素子１の表面側の外周部に位置合わせすることにより、図５（ａ）、図５（ｂ）に示すようにモールド樹脂が剥離しやすい半導体素子の表面側の外周部と側面の一部に炭素系接着層２を選択的に形成する。
【００２８】
図６は、この発明の実施の形態３の半導体モジュールの別の半導体素子と炭素系接着層との上面構造模式図と断面構造模式図である。図６（ａ）には半導体素子の上面図を、図６（ｂ）には半導体素子の断面図を示す。
【００２９】
図５では、側面の一部に炭素系接着層２を形成したが、チップ切断後にステンシルマスクを被せて炭素系接着層２を形成すれば、図６（ａ）、図６（ｂ）のように半導体素子１の側面全面に炭素系接着層２を形成することができる。
【００３０】
以上のように構成された半導体モジュールにおいては、半導体素子１の表面側の外周部と半導体素子１の側面にも炭素系接着層２を設けることにより、炭素系接着層２とモールド樹脂３との接触面積が増加することにより、モールド樹脂３との接着性がさらに向上する。これにより、半導体素子１上に形成したモールド樹脂３の半導体素子１の表面側の外周部を基点とした剥離が抑制され、ヒートサイクル、パワーサイクル試験での劣化が無く信頼性が向上する。
【００３１】
実施の形態４．
本実施の形態４においては、実施の形態１で用いた炭素系接着層２の表面をプラズマエッチングにより粗化した点が異なる。このように、炭素系接着層２の表面をプラズマエッチングにより粗化することで、炭素系接着層２の表面の実質的な接着面積が増加し、モールド樹脂３との接着力を増加させるため、より強固に形成することができる。
【００３２】
図７は、この発明の実施の形態４の炭素系接着層表面状態を示す断面構造模式図である。図７に示すように、炭素系接着層２の表面は、プラズマエッチングにより粗化することで、実質的な接着面積が増加する。
【００３３】
図８は、この発明の実施の形態４の他の炭素系接着層表面処理のプロセスを示すフロー図である。ここで、図８に示すプロセスフローにおいて、炭素系接着層２を形成後、平行平板型のリアクティブ・イオンエッチングやイオンミリング装置、大気圧プラズマ装置を用いて炭素系接着層２の表面をプラズマに曝すことで粗化することができる。このとき、炭素系接着層２を形成する時のマスクを継続して使用すると、半導体素子端子部のダメージを防止することができる。
【００３４】
以上のように構成された半導体モジュールにおいては、炭素系接着層２の表面を粗化することにより、炭素系接着層２の表面の実質的な接着面積が増加し、モールド樹脂３との接着性がさらに向上する。これにより、半導体素子１上に形成したモールド樹脂３の半導体素子１の表面側の外周部を基点とした剥離が抑制され、ヒートサイクル、パワーサイクル試験での劣化が無く信頼性が向上する。
【００３５】
実施の形態５．
本実施の形態５においては、実施の形態１で用いた炭素系接着層２の表面に積極的に水酸基を付与した点が異なる。このように、炭素系接着層２の表面に水酸基を付与することで、炭素系接着層２の表面の実質的な接着力が増加し、モールド樹脂３との接着力を増加させるため、より強固に形成することができる。
【００３６】
炭素系接着層２の表面を、図４に示した大気中放置で自然に形成される炭素系接着層２表面と結合する水酸基を、大気圧プラズマ装置を用いて、積極的に水酸基付与することで、モールド樹脂３との接着力を増加させ、より信頼性の高いモジュールとすることができる。
【００３７】
ここで、図８に示すプロセスフローにおいて、炭素系接着層２を形成後、例えば、窒素ガスを用いた大気圧プラズマ装置を用いてプラズマ照射すると、炭素系接着層２の表面に水酸基を付与することができる。なお、トーチ型の大気圧プラズマ装置を用いれば、炭素系接着層２を形成する時に使用したマスクを継続使用する必要はない。今回は窒素ガスを用いたが、アルゴンガス等の不活性ガスでも、空気、あるいは、これらの混合ガスを用いてもよい。
【００３８】
図８に示したような作製工程を経て作製された炭素系接着層２は、例えば、ＳｉＣ基板を用いた半導体素子１表面上に形成した場合、ＳｉＣ基板を用いた半導体素子１と炭素系接着層２との格子間隔に大きな差異がないので接着性良く堆積させることができる。また、ＳｉＣ基板を用いた半導体素子１と接している反対面側である炭素系接着層２表面の吸着水の存在により、この半導体素子１をトランスファーモールドするモールド樹脂３とも水素結合により強固に接着する。この吸着水は、図８に示した水酸基付与工程において、炭素系接着層２の表面は窒素ガスを動作ガスとして大気圧プラズマ処理をすることで、炭素系接着層２の表面に水酸基を形成させ、その上に吸着水を付着させることができる。
【００３９】
以上のように構成された半導体モジュールにおいては、炭素系接着層２の表面に水酸基を付与することにより、モールド樹脂３との接着性がさらに向上する。これにより、半導体素子１上に形成したモールド樹脂３の半導体素子１の表面側の外周部を基点とした剥離が抑制され、ヒートサイクル、パワーサイクル試験での劣化が無く信頼性が向上する。さらに、実施の形態４に示した、炭素系接着層２の表面を粗化した後、その粗化した炭素系接着層２に水酸基付与しても良い。これにより、さらに、モールド樹脂３との接着性が向上し、モールド樹脂３の半導体素子１の表面側の外周部を基点とした剥離が抑制され、ヒートサイクル、パワーサイクル試験での劣化が無く信頼性が向上する。
【００４０】
図９に、この発明の炭素系接着層とその他構成の接着強度の比較図である。接着強度の評価は、半導体素子基板にモールド樹脂をプリンカップ形状に形成し、剪断剥離強度測定を実施した。ＳｉＣ基板に直接モールド樹脂を接着した場合は、剪断剥離強度が５．６ＭＰａであり、シリコン基板上にモールド樹脂を接着した場合の強度の１７．９ＭＰａの１／３以下と小さな値である。
【００４１】
一方、水素化アモルファスカーボン膜を形成した場合の接着強度は１０ＭＰａと水素化アモルファスカーボン膜を形成しない場合の約２倍に大きくなる（実施の形態１）。さらに、水素化アモルファスカーボン膜を表面粗化した場合の接着強度は、１２．８ＭＰａ（実施の形態４）となり、水酸基を付与した場合は１６．８ＭＰａ（実施の形態５）となり、シリコン基板とほぼ同等の値になる。
【００４２】
実施の形態６．
本実施の形態６においては、実施の形態１〜５で用いた半導体素子１の外周部に形成された炭素系接着層２を半導体素子１の実装工程を考慮し、半導体素子１の外周角部近傍に形成した点が異なる。このように、炭素系接着層２を半導体素子１の外周角部近傍に形成することで、半導体素子１表面の四辺の一部が接触する治具を用いた実装工程においても、治具との接触による炭素系接着層２の損傷を抑制することができ、モールド樹脂３との接着力の低下を防止できる。
【００４３】
半導体素子１形成後、実装工程で半導体素子１を取り扱い、ヒートスプレッダに接合する工程で、真空吸着治具でチップケースからチップを取り出してヒートスプレッダに載せる作業工程がある。このとき、真空吸着治具で半導体素子１中央を吸着させると半導体素子１の表面が汚れる可能性があるため、後工程でチップ表面の洗浄が必要となる。しかしながら、後工程において半導体素子１表面の洗浄が不可の場合、半導体素子１表面を汚さないように、例えば、ベルヌーイ式真空吸着治具を用いて作業を行う必要がある。このときに、半導体素子１外周部全域に炭素系接着層２を形成しておくと、半導体素子１表面の四辺の一部が真空吸着治具に接触し、炭素系接着層２を損傷してしまう可能性がある。そして、炭素系接着層２に損傷を与えてしまうと、この損傷部位を起点として、信頼性試験においてモールド樹脂３が半導体素子１から剥離してしまうことになる。
【００４４】
図１０には、この発明の実施の形態６のベルヌーイ式真空吸着治具を用いた場合の実装工程でのチップ搬送工程の概略図である。図１０（ａ）にベルヌーイ式真空吸着治具の断面構造模式図を、図１０（ｂ）にはベルヌーイ式真空吸着治具の下面構造模式図を示す。図１０において、ベルヌーイ式真空吸着治具は、コレット１１、横滑り防止突起１２、送風口１３を備える。そして、横滑り防止突起１２と半導体素子１の四辺とが接触する構造となっている。このような構造とすることで、半導体素子１を吸着し搬送できる。
【００４５】
図１０に示すようなベルヌーイ式真空吸着治具を用いる場合は、大きな剥離応力が発生する半導体素子１の四辺近傍に炭素系接着層２を設け、真空吸着治具に接触する半導体素子１の辺部には炭素系接着層２は設けない。
【００４６】
図１１は、この発明の実施の形態６の半導体モジュールの半導体素子と炭素系接着層の上面構造模式図と断面構造模式図である。図１１（ａ）には半導体素子の上面構造模式図を、図１１（ｂ）には半導体素子の断面構造模式図を示す。図１１において、本実施の形態１で用いた炭素系接着層２を、半導体素子１の外周角部近傍である表面側の外周角部に形成したもので、半導体素子１の表面側外周全周に渡り炭素系接着層２が連続して形成されていないところが異なる。
【００４７】
炭素系接着層２の辺方向の形成長さは、１０μｍ以上あれば良い。また、一辺における炭素系接着層２が形成されていない領域の長さはチップ搬送用の、例えば、ベルヌーイ式真空吸着治具の横滑り防止突起１２の幅よりも広ければよく、真空吸着治具の形状により異なる。例えば、真空吸着治具の横滑り防止突起１２の幅が１ｍｍ、治具内にチップの位置精度が±１ｍｍである場合には、炭素系接着層２の不連続部分の長さを３ｍｍ程度とすれば良い。チップの一辺の長さが５ｍｍ程度以上であれば、このような寸法で良い。なお、炭素系接着層２の厚み、半導体素子１の表面の形成幅は、それぞれ、１０〜２０ｎｍ程度、３００〜１０００μｍ程度あれば良い。
【００４８】
以上のように構成された半導体モジュールにおいては、半導体素子１の表面側の外周部の外周角部に炭素系接着層２を設けることにより、モールド樹脂３との接着性が向上する。これにより、半導体素子１上に形成したモールド樹脂３の半導体素子１の表面側の外周部を基点とした剥離が抑制され、ヒートサイクル、パワーサイクル試験での劣化が無く信頼性が向上する。
【００４９】
また、真空吸着治具に接触する半導体素子１の辺部に炭素系接着層２が形成されていないので、真空吸着時に炭素系接着層２を損傷することがなく、半導体モジュールの製造工程で発生する損傷による信頼性の劣化を抑制することができる。
【００５０】
さらに、炭素系接着層２の半導体素子１上における形成面積を小さくすることができるので、炭素系接着層２自身の膜応力による炭素系接着層２の剥離を抑制することができる。
【００５１】
また、炭素系接着層２を形成した半導体素子１の変形を抑制できるので、半導体素子１の実装時に半導体素子１の傾きを抑制できるので、生産性を向上することができる。
【００５２】
実施の形態７．
本実施の形態７においては、実施の形態３で用いた切断処理後の半導体素子１に形成した炭素系接着層２を半導体素子１の外周角部近傍に形成した点が異なる。このように、半導体素子１の外周角部近傍に対応する側面部にも炭素系接着層２を形成することで、モールド樹脂３の剥離をより抑制することができる。
【００５３】
図１２は、この発明の実施の形態７の半導体モジュールの半導体素子と炭素系接着層との上面構造模式図と断面構造模式図である。図１２（ａ）には半導体素子の上面構造模式図を、図１２（ｂ）には半導体素子の断面構造模式図を示す。図１２に示すように、ウェハのダイシング領域で基板厚方向に半分程度切断してから、炭素系接着層２を形成したい部分を開口したステンレス製ステンシルマスクを用い、マスクの開口部を半導体素子１の表面側の外周部に位置合わせすることにより、図１２（ａ）、図１２（ｂ）に示すようにモールド樹脂３が剥離しやすい半導体素子１の表面側の外周角部と側面の一部に炭素系接着層２を選択的に形成する。
【００５４】
炭素系接着層２の辺方向の形成長さは、１０μｍ以上あれば良い。また、一辺における炭素系接着層２が形成されていない領域の長さはチップ搬送用の、例えば、ベルヌーイ式真空吸着治具の横滑り防止突起１２の幅よりも広ければよく、真空吸着治具の形状により異なる。例えば、真空吸着治具の横滑り防止突起１２の幅が１ｍｍ、治具内にチップの位置精度が±１ｍｍである場合には、炭素系接着層２の不連続部分の長さを３ｍｍ程度とすれば良い。チップの一辺の長さが５ｍｍ程度以上であれば、このような寸法で良い。なお、炭素系接着層２の厚み、半導体素子１表面の形成幅は、それぞれ、１０〜２０ｎｍ程度、３００〜１０００μｍ程度あれば良い。
【００５５】
半分程度切断する深さは半導体基板厚の残し厚みが１０μｍ以上あればよく、例えば、半導体基板厚が３００μｍの場合、２９０μｍ程度切り込んでも良い。一方、切断深さを浅く切る場合には、深さは１０μｍ程度以上あれば、半導体素子１の側面上部を炭素系接着層２で被覆できる。このとき、炭素系接着層２は半導体素子１表面から裏面方向へ、５μｍ程度以上側面が被覆できていれば、モールド樹脂３の剥離を抑制できる。
【００５６】
図１３は、この発明の実施の形態７の別の半導体モジュールの半導体素子と炭素系接着層との上面構造模式図と断面構造模式図である。図１３（ａ）には半導体素子の上面構造模式図を、図１３（ｂ）には半導体素子の断面構造模式図を示す。
【００５７】
図１２では、側面の一部に炭素系接着層２を形成したが、チップ切断後にステンシルマスクを被せて炭素系接着層２を形成すれば、図１３（ａ）、図１３（ｂ）のように半導体素子１の側面全面に炭素系接着層２を形成することができる。炭素系接着層２の辺方向の形成長さは、１０μｍ以上あれば良い。また、一辺における炭素系接着層２が形成されていない領域の長さはチップ搬送用の、例えば、ベルヌーイ式真空吸着治具の横滑り防止突起１２の幅よりも広ければよく、真空吸着治具の形状により異なる。例えば、真空吸着治具の横滑り防止突起１２の幅が１ｍｍ、治具内にチップの位置精度が±１ｍｍである場合には、炭素系接着層２の不連続部分の長さを３ｍｍ程度とすれば良い。チップの一辺の長さが５ｍｍ程度以上であれば、このような寸法で良い。なお、炭素系接着層２の厚み、半導体素子１表面の形成幅は、それぞれ、１０〜２０ｎｍ程度、３００〜１０００μｍ程度あれば良い。
【００５８】
以上のように構成された半導体モジュールにおいては、半導体素子１の表面側の外周部の外周角部に炭素系接着層２を設けることにより、モールド樹脂３との接着性が向上する。これにより、半導体素子１上に形成したモールド樹脂３の半導体素子１の表面側の外周部を基点とした剥離が抑制され、ヒートサイクル、パワーサイクル試験での劣化が無く信頼性が向上する。
【００５９】
また、真空吸着治具に接触する半導体素子１の辺部に炭素系接着層２が形成されていないので、真空吸着時に炭素系接着層２を損傷することがなく、半導体モジュールの製造工程で発生する損傷による信頼性の劣化を抑制することができる。
【００６０】
さらに、半導体素子１上における炭素系接着層２の形成面積を小さくすることができるので、炭素系接着層２自身の膜応力による炭素系接着層２の剥離を抑制することができる。
【００６１】
また、炭素系接着層２を形成した半導体素子１の変形を抑制できるので、半導体素子１の実装時に半導体素子１の傾きを抑制できるので、生産性を向上することができる。
【００６２】
さらに、半導体素子１の表面側の外周部と半導体素子１の側面にも炭素系接着層２を設けることにより、炭素系接着層２とモールド樹脂３との接触面積が増加することにより、モールド樹脂３との接着性がさらに向上する。これにより、半導体素子１上に形成したモールド樹脂３の半導体素子１の表面側の外周部を基点とした剥離が抑制され、ヒートサイクル、パワーサイクル試験での劣化が無く信頼性が向上する。
【００６３】
なお、実施の形態１から実施の形態５においてはトランスファーモールド樹脂に対する接着力改善効果があることを記載したが、ケース型のパッケージの組合せとなる、ＳｉＣ基板表面とシリコン樹脂やゴム材料、ポリイミド樹脂でも同様の効果がある。
【００６４】
なお、実施の形態６および実施の形態７においても、トランスファーモールド樹脂に対する接着力改善効果があることを記載したが、ケース型のパッケージの組合せとなる、ＳｉＣ基板表面とシリコン樹脂やゴム材料、ポリイミド樹脂でも同様の効果がある。
【符号の説明】
【００６５】
１  半導体素子、２  炭素系接着層、３  モールド樹脂、４  はんだ、５  端子板、
６  冷却基板、７  絶縁シート、８  放熱板、１１  コレット、１２  横滑り防止突起、１３  送風口、１４  空気流れ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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