(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化物化合物半導体材料のためのエピタキシ基板（１１，１２，１３）であって、基板（１）の上に直接的に核形成層（２）を有し、前記核形成層（２）が、カラム構造を有しＡｌＯＮからなる１層の第１の層（２１）を備えており、前記核形成層（２）上にＳｉＮ層が設けられており、
前記カラム構造は、前記基板（１）からの距離が大きくなるにつれて減少する酸素含有量を有する、エピタキシ基板（１１，１２，１３）。
【請求項２】
前記第１の層（２１）が、前記基板（１）の側の面において連続的に形成されており、前記基板（１）とは反対側の面に、前記基板（１）から延びるカラム（２１０）を備えている、
請求項１に記載のエピタキシ基板（１１，１２，１３）。
【請求項３】
前記カラム（２１０）それぞれが、５ｎｍ以上２００ｎｍ以下の直径と、０．５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の高さとを有する、
請求項２に記載のエピタキシ基板（１１，１２，１３）。
【請求項４】
前記カラム（２１０）が、前記基板（１）の側の前記第１の層（２１）の面において結晶粒界によって互いに隔てられている、
請求項２または請求項３に記載のエピタキシ基板（１１，１２，１３）。
【請求項５】
前記カラム（２１０）が、１０９ｃｍ−２を超える欠陥密度を有する、
請求項２から請求項４のいずれかに記載のエピタキシ基板（１１，１２，１３）。
【請求項６】
前記カラム構造が、０．１％以上３０％以下の酸素含有量を有する、
請求項１から請求項５のいずれかに記載のエピタキシ基板（１１，１２，１３）。
【請求項７】
前記核形成層（２）が、ＡｌＮまたはＧａＮ系材料を含んだ少なくとも１層の第２の層（２２）を、前記第１の層（２１）の上に備えている、
請求項１から請求項６のいずれかに記載のエピタキシ基板（１１，１２，１３）。
【請求項８】
前記核形成層（２）の上に、ＧａＮ系材料のバッファ層（３）もしくはＳｉＮ層（４）またはその両方が形成されている、
請求項１から請求項７のいずれかに記載のエピタキシ基板（１１，１２，１３）。
【請求項９】
前記基板（１）が、サファイア基板、シリコン基板、またはＳｉＣ基板である、
請求項１から請求項８のいずれかに記載のエピタキシ基板（１１，１２，１３）。
【請求項１０】
請求項１から請求項９のいずれかに記載のエピタキシ基板（１１，１２，１３）を備えているオプトエレクトロニクス半導体チップ（１００）であって、前記エピタキシ基板（１１，１２，１３）の上に、活性層（６）を有し窒化物化合物半導体材料系の半導体積層体（５）が形成されており、前記活性層（６）が、前記半導体チップ（１００）の動作時に光を生成する、または光を検出することができる、オプトエレクトロニクス半導体チップ（１００）。
【請求項１１】
請求項１から請求項９のいずれかに記載のエピタキシ基板（１１，１２，１３）を製造する方法であって、
Ａ）  基板（１）を形成するステップと、
Ｂ）  カラム構造を有しＡｌＯＮからなる１層の第１の層（２１）を備えた核形成層（２）を、７００℃以上１０００℃以下の温度において前記基板（１）の上に直接的に形成するステップと、
を含んでいる、方法。
【請求項１２】
前記カラム構造を形成する目的で、前記第１の層（２１）が有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ）によって形成される、
請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
方法ステップＢにおいて、前記第１の層（２１）が、以下のサブステップ、すなわち、
−  Ｏ２を含むガス源を供給するサブステップ、
−  アルミニウムをベースとし酸素を含む有機金属ガス源を供給するサブステップ、
−  前記核形成層（２）の側の前記基板（１）の表面（１０）を酸素によって終端するサブステップ、
−  前記核形成層（２）の側の前記基板（１）の前記表面（１０）の上にアルミニウム酸化物を堆積させるサブステップ、
のうちの１つまたは複数によって、形成される、
請求項１１または請求項１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
ＡｌＮまたはＧａＮ系材料からなる、前記核形成層（２）の少なくとも１層の第２の層（２２）が、前記第１の層（２１）の上に形成される、
請求項１１から請求項１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
前記核形成層（２）の前記第２の層（２２）が、スパッタリングによって前記第１の層（２１）の上に形成される、
請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記核形成層（２）を作製した直後に、間にアニーリングステップを行うことなく、さらなる層（３，４）が形成される、
請求項１１から請求項１５のいずれかに記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
エピタキシ基板、エピタキシ基板の製造方法、およびエピタキシ基板を備えたオプトエレクトロニクス半導体チップを提供する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＩＩ族窒化物材料系の半導体材料は、一般的には、非ネイティブ基板（例えばサファイア（Ａｌ２Ｏ３））上にヘテロエピタキシャルに堆積させる。従来技術によると、ヘテロエピタキシ工程の開始時、慣習的に、ＩＩＩ族窒化物材料（特に、ＡｌＮやＧａＮ）からなる核形成層を堆積させ、この核形成層の上に、例えば発光ダイオード（ＬＥＤ）の所望のＩＩＩ族窒化物層構造をエピタキシャル成長させる。核形成層は、従来の方式では、４５０℃より高く６９０℃より低い温度で非ネイティブ基板の上にエピタキシャルに堆積させる。核形成層を成長させる前に、一般には基板上でサーマルクリーニングステップも実行する。
【０００３】
従来、核形成層およびそれに続く層構造の両方を、有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ）によって堆積させる。この場合、特に、次のパラメータ、すなわち、温度、層厚さ、基板表面との相互作用、核形成層のエピタキシの前のサーマルクリーニングの場合における吸収相との相互作用、核形成層のエピタキシの後の再結晶ステップ、を制御するときに問題が生じうる。
【０００４】
さらには、高温で行われるサーマルクリーニングステップと、大幅に低い温度における核形成層の堆積との間、および、核形成層の堆積と、所望のＩＩＩ族窒化物積層体の成長（同様に大幅に高い温度で行われる）との間において、工程温度を調整する目的で、極めて時間のかかる温度調整（いわゆる温度ランピング（temperature ramp））が必要である。ＭＯＶＰＥ工程時に、高温測定や反射光測定などのインサイチュ監視（in-situ monitoring）によって、核形成層を成長させているときの表面温度および成長速度を求める試みがなされるが、これは技術的に難しい。
【０００５】
しかしながら、核形成層における望ましくない変動と、サーマルクリーニング時における望ましくない変動（使用される非ネイティブ基板における変動に起因する）は、従来、容認されている。これらは、実験的に求めて最小にする、または最適化する必要がある。
【０００６】
ＭＯＶＰＥによって核形成層を形成する代わりの方法として、ＡｌＮからなる核形成層をスパッタリングによって堆積させる方法も、例えば特許文献１から公知である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】米国特許第６，６９２，５６８号明細書
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】T. Metzger et al., Phys. Status Solidi A 162, 529, 1997
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
特定の実施形態の少なくとも１つの目的は、窒化物化合物半導体材料のためのエピタキシ基板を提供することである。特定の実施形態のさらなる目的は、エピタキシ基板の製造方法と、エピタキシ基板を備えたオプトエレクトロニクス半導体チップとを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
これらの目的は、独立特許請求項による主題および方法によって達成される。主題および本方法の有利な実施形態および修正形態は、従属請求項に記載されており、以下の説明および図面においてさらに論じる。
【００１１】
少なくとも一実施形態によると、エピタキシ基板は、核形成層を備えている。エピタキシ基板（いわゆる擬似基板と称されることもあり、特に、少なくとも核形成層が上に配置された基板を備えている）は、窒化物化合物半導体材料の半導体積層体の成長基板として使用される。基板（例えば、サファイア、シリコン、またはＳｉＣを含んでいる、またはこれらの材料からなることができる）は、特に、核形成層の成長基板として使用され、核形成層は基板の上に直接形成される。したがって、特に、本明細書に記載されているエピタキシ基板の基板は、いわゆる非ネイティブ基板（窒化物化合物半導体材料を含んでいない）とすることができる。核形成層は、例えばオプトエレクトロニクス半導体チップを製造する目的で、窒化物化合物半導体材料の半導体積層体をエピタキシ法（例えばＭＯＶＰＥまたはＭＢＥ（分子線エピタキシ））によって上に成長させることのできる表面を提供する。
【００１２】
「ＧａＮ系材料」、「（Ｉｎ，Ａｌ，Ｇａ）Ｎ系化合物半導体材料」、「窒化物化合物半導体材料」などの用語は、特に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料系の材料ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）（すなわち例えばＧａＮ、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＩｎＧａＮ）を含む材料を包含する。
【００１３】
核形成層は、少なくとも１層の第１の層を備えており、この第１の層は、アルミニウム酸窒化物（ＡｌＯＮ）であり、カラム構造を有する。ＡｌＯＮからなる、核形成層の第１の層は、基板の上に直接形成されている。カラム構造は、特に、核形成層の第１の層が、基板から離れる方向に延びるカラムを備えているように形成することができる。カラム構造のカラムは、さらなる層（特に、窒化物化合物半導体材料からなる半導体層）を高い結晶品質で上に形成することのできる結晶表面を提供することができる。
【００１４】
窒化物化合物半導体材料のためのエピタキシ基板の製造方法においては、基板を形成する。さらなる方法ステップにおいて、ＡｌＯＮからなる少なくとも１層の第１の層を備えた核形成層を、基板の表面の上に直接形成する。
【００１５】
以下に説明されている特徴および実施形態は、エピタキシ基板と、エピタキシ基板の製造方法とに等しくあてはまる。
【００１６】
別の実施形態によると、核形成層、および特に、ＡｌＯＮからなる第１の層は、７００℃以上１０００℃以下の温度で形成される。約１０００℃の上限温度は、臨界限界を表しており、なぜなら、１０００℃を超える温度で形成される半導体層はもはや核形成層として形成されないためである。８００℃以上の温度が好ましい。さらには、９００℃以下の温度が特に適している。特に、８２５℃以上、かつ／または、８７５℃以下の温度、すなわち例えば８５０℃を中心として±２５℃の範囲内の温度が特に好ましい。カラム構造を有しＡｌＯＮからなる、核形成層の少なくとも１層の第１の層は、記載した温度において、好ましくはＭＯＶＰＥによって、特に好ましくはスパッタリングによって、堆積させることができる。この代替方法として、ＭＢＥ、ハイドライド気相成長法（ＨＶＰＥ）、化学蒸着法（ＣＶＤ）、または原子層堆積法（ＡＬＤ）も可能である。
【００１７】
（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎからなる公知の核形成層（低い温度で堆積され、いわゆる低温核形成層）の場合とは異なり、本明細書に記載されている方法においては、核形成層は大幅に高い温度で形成される。本明細書に記載されている核形成層では、上述した長時間の温度ランピング（temperature ramp）（制御するのが難しいが、低温核形成層を形成する前および後のさまざまな方法ステップにおける温度領域が異なるため必要である）を回避することができる。例えば、本明細書に記載されている方法においては、核形成層、および特に、カラム構造を有しＡｌＯＮからなる少なくとも１層の第１の層を堆積させるときの温度と、核形成層の上にさらなる層を堆積させるときの温度との差を、２００℃未満、好ましくは１５０℃未満とすることができる。
【００１８】
核形成層を形成する目的で、特に、ＡｌＯＮからなる少なくとも１層の第１の層を形成する目的で、例えば、Ｏ２と混合されるＮ２もしくはＨ２またはその両方をベースとするガス源を使用することができる。さらには、蒸気圧飽和器（vapor pressure saturator）（バブラー）、すなわちいわゆるＨ２Ｏバブラーを通じてキャリアガスに加えられるＨ２Ｏを使用することも可能である。さらには、例えば、アルミニウムをベースとし酸素を含む有機金属ガス源、例えば、ジエチルアルミニウムエトキシド、またはジエチルアルミニウムエトキシドとトリメチルアルミニウムの混合物を使用することも可能である。核形成層、特に少なくとも１層の第１の層を成長させる方法において供給される酸素含有ガスの量を制御することによって、ＡｌＯＮからなる少なくとも１層の第１の層における酸素濃度を制御することができる。
【００１９】
さらには、例えば、核形成層が上に形成される基板の表面を酸素によって終端する（terminated）ことも可能である。この目的のため、例えば、基板を、Ｏ２プラズマ中で調整することができる。このように基板表面を酸素によって終端することにより、ＡｌＮ核形成層を作製するために従来使用されているガス源によってもＡｌＯＮが成長する。特に、サファイア基板をＯ２プラズマによって調整することができ、なぜなら、サファイア表面を酸素によって終端することにより、特にサファイアとＡｌＮの界面にＡｌＯＮを成長させることができるためである。さらには、例えば原子層堆積法によって基板の上にアルミニウム酸化物を堆積させることも可能であり、これによってもＡｌＯＮの形成が促進される。
【００２０】
酸素を供給するための上述した酸素源または方法は、互いに組み合わせることもでき、例えば、酸素による表面の調整と、酸素を含むガスの供給を組み合わせることができる。酸素によって基板表面を調整する、基板の表面の上にアルミニウム酸化物を堆積させる、酸素または酸素を含むガスの供給量を制御する、のうちの少なくとも１つを行うことによって、ＡｌＯＮからなる少なくとも１層の第１の層における酸素含有量を制御することが可能である。
【００２１】
別の実施形態によると、ＡｌＯＮからなる少なくとも１層の第１の層のカラム構造は、０．１％以上３０％以下の酸素含有量を有する。酸素濃度は、成長方向に変化する、またはカラムごとに変化してよいが、つねに指定した範囲内であることが好ましい。核形成層の少なくとも１層の第１の層の酸素含有量は、核形成層の少なくとも１層の第１の層のカラム構造において基板からの距離が大きくなるにつれて減少するように制御されることが好ましい。核形成層、特に、ＡｌＯＮからなる第１の層における酸素濃度は、例えば、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）によって測定することができる。
【００２２】
ＡｌＯＮからなる少なくとも１層の第１の層は、擬似連続的なＡｌＯＮ層が形成されるように密集したカラム構造のカラムを有することができる。言い換えれば、このことは、基板の側の面に少なくとも１層の第１の層を連続的に形成することができ、基板とは反対側の面に、基板から離れる方向に延びるカラムを備えていることができることを意味する。基板の側の面は、例えば連続的な層（すなわち、隙間のない、または実質的に隙間のない層）として形成することができる。さらには、基板の側の、ＡｌＯＮからなる少なくとも１層の第１の層の面が、隙間（例えば含有空気）を備えていることも可能である。ＡｌＯＮからなる少なくとも１層の第１の層が連続的であるかまたは少なくとも擬似連続的である場合、基板の側の面において個々のカラムは結晶粒界のみによって互いに隔てられていることが好ましい。したがって、個々のカラムは、少なくとも１層の第１の層が個々の島の形で成長し始めて、これらの島が基板表面に沿って互いの方に成長して互いに接触する一方で、基板から離れる方向に延びるカラムが形成されることによって生じる。
【００２３】
ＡｌＯＮからなる少なくとも１層の第１の層のカラムは、一般には１０９ｃｍ−２を超える欠陥密度を有する。結晶欠陥は、主として刃状転位（edge dislocations）によって形成されるが、小さい割合のらせん転位も発生しうる。一般には、本明細書に記載されている核形成層における結晶欠陥のタイプは、１：５以上１：１００以下の比率で、らせん転位と刃状転位とに分けられる。公知の核形成層と比較すると、本明細書に記載されている核形成層、および特に、ＡｌＯＮからなる少なくとも１層の第１の層においては、結晶欠陥におけるらせん転位の割合を、刃状転位と比較して極めて低く維持することができる。これは有利であり、特にその理由として、らせん転位とは異なり、刃状転位は、例えば核形成層の上に形成されるＳｉＮ層によって排除することができ、すなわち刃状転位は以降の半導体層の中まで侵入しない。このようなＳｉＮ層は、従来、多数の開口部（これらの開口部においては下層がシード表面として機能する）が形成されている連続的な層として形成される。
【００２４】
別の実施形態によると、カラムそれぞれは、５ｎｍ以上２００ｎｍ以下の直径を有する。カラムは、１０ｎｍ以上、特に好ましくは２０ｎｍ以上の直径を有することが好ましい。さらには、カラムは、１００ｎｍ以下、特に好ましくは５０ｎｍ以下の直径を有することが好ましい。特に、直径は、２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下とすることができる。さらに、カラムは、０．５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の高さを有する。この場合、カラムの高さは、ＡｌＯＮからなる少なくとも１層の第１の層の高さ全体の一部のみを構成していることが好ましく、第１の層の高さ全体は、例えば、１ｎｍ以上２００ｎｍ以下とすることができる。ＡｌＯＮからなる少なくとも１層の第１の層の高さ全体は、好ましくは５ｎｍ以上、特に好ましくは１０ｎｍ以上とすることができる。さらに、ＡｌＯＮからなる少なくとも１層の第１の層の高さ全体は、好ましくは１００ｎｍ以下、特に好ましくは５０ｎｍ以下とすることができる。特に、高さ全体は、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下とすることができる。特に、カラムは、基板からの距離が大きくなるにつれて次第に細くなることができる。個々のカラムの寸法（すなわちカラムの高さもしくは直径またはその両方）は、成長方向に変化する、もしくは、カラムごとに変化する、またはその両方であってよい。
【００２５】
高解像度のＸ線回折による核形成層の特性評価においては、カラム構造を有しＡｌＯＮからなる少なくとも１層の層における結晶欠陥の高い密度と、特定の欠陥のタイプと、カラムの配置構造との組合せによって、例えば非特許文献１に記載されているように、当業者に公知であるＸＲＤロッキングカーブまたはオメガ走査において、いわゆる相関ピークの形成につながる。ＡｌＯＮ系の層において相関ピークが検出されることは、対象のＡｌＯＮ層が本発明の意味におけるカラム構造を有することを明らかに示している。
【００２６】
別の実施形態によると、核形成層は、ＡｌＯＮからなる第１の層の上に少なくとも１層の第２の層を備えている。少なくとも１層の第２の層は、ＡｌＮ系またはＧａＮ系の材料を含んでいることが好ましい。特に、少なくとも１層の第２の層は、ＡｌＯＮからなる少なくとも１層の第１の層のカラム構造に第２の層が続いているように、または、第２の層が第１の層のカラム構造を覆っているように、第１の層を覆うことができる。さらには、複数のさらなる層を、複数の第２の層の形で、少なくとも１層の第１の層の上に形成することも可能である。複数の第２の層は、同じ材料または異なる材料を含んでいることができ、交互に堆積させる、もしくは反復的に数回堆積させる、またはその両方とすることができる。ＡｌＯＮからなる少なくとも１層の第１の層と、少なくとも１層の第２の層または多数の第２の層との積層体は、全体として、窒化物化合物半導体材料系のさらなる半導体層を成長させるためのエピタキシ基板の核形成層として使用される。少なくとも１層の第２の層または複数の第２の層の堆積は、カラム構造を有しＡｌＯＮからなる少なくとも１層の第１の層の堆積と同じ工程において実行することができる。この代替方法として、少なくとも１層の第２の層または複数の第２の層を、１つまたは複数の個別の工程において堆積させることができる。少なくとも１層の第２の層または複数の第２の層の堆積技術は、カラム構造を有しＡｌＯＮからなる少なくとも１層の第１の層の場合と同じ堆積技術、または異なる堆積技術とすることができる。好ましくはＡｌＮまたはＧａＮ系の材料からなる少なくとも１層の第２の層は、ＡｌＯＮからなる少なくとも１層の上にスパッタリングによって形成されることが好ましい。
【００２７】
別の実施形態によると、核形成層を作製した直後に、その上にさらなる層を形成し、このときアニーリングステップは必要ない。このさらなる層は、例えば、エピタキシ基板の上に成長させる、窒化物化合物半導体材料の半導体積層体の層、バッファ層、またはＳｉＮ層とすることができる。逆に、公知の低温核形成層の場合には、核形成層の再結晶を達成する目的で、核形成層を形成した直後にアニーリングステップが必要である。従来技術においては、再結晶によってのみ、さらなる半導体層を成長させるための適切な表面（すなわち適切な結晶面）を形成することができるが、本明細書に記載されている核形成層の場合、このことは必要ではない。
【００２８】
別の実施形態によると、エピタキシ基板は、例えばＧａＮ系材料からなるバッファ層を、核形成層の上に備えている。バッファ層は、例えば、核形成層をオーバーモールドする役割と、核形成層とその上に形成される半導体積層体との間に中間層を形成する役割を果たすことができる。バッファ層は、特に、１０００℃を超える温度で堆積させることができる。すでに上述したように、１０００℃を超える温度で形成される半導体層は、もはや核形成層を形成しない。
【００２９】
別の実施形態によると、エピタキシ基板は、核形成層の上に、またはオプションとして核形成層の上のバッファ層の上に、ＳｉＮ層を備えている。ＳｉＮ層は、例えば、インサイチュ（ｉｎ−ｓｉｔｕ）法によって堆積させることができ、開口部を有するように核形成層の表面の上に形成することができ、開口部においては下層の半導体層が露出しており、さらなる半導体層のためのシード点を形成している。すでに上述したように、このようにインサイチュ法によって堆積させるＳｉＮ層によって、刃状転位（核形成層または場合によってはバッファ層に存在する）の少なくとも一部分を排除することができる。
【００３０】
本明細書に記載されている方法においては、核形成層、および特に、カラム構造を有しＡｌＯＮからなる少なくとも１層の第１の層の層厚さおよび温度に関するプロセスウィンドウが、低温核形成層の場合と比較して相当に改善される。この理由として、核形成層、および特に、カラム構造を有しＡｌＯＮからなる少なくとも１層の第１の層を形成するときに酸素が利用可能であるためと考えられる。酸素は、特に、基板（例えばサファイア基板）の表面との相互作用につながり、したがって、基板表面の望ましくない終端を防止することができる。このようにすることで、従来のＡｌＮ核形成層やＧａＮ核形成層に優る利点が得られる。この結果として、その後にエピタキシャル成長によって堆積させる半導体層（例えばオプトエレクトロニクス半導体チップ）の材料品質が改善される。これらの結果は再現可能であることが研究によって示された。
【００３１】
別の実施形態によると、オプトエレクトロニクス半導体チップは、本明細書に記載されているエピタキシ基板を備えている。窒化物化合物半導体材料系の半導体積層体（半導体チップの動作時に光を生成する、または光を検出することのできる活性層を有する）が、エピタキシ基板の上に形成されている。半導体積層体は、特に、ＭＯＶＰＥ法によって形成することができる。
【００３２】
オプトエレクトロニクス半導体チップは、特に、発光半導体チップとして、またはフォトダイオードチップとして、形成することができる。半導体積層体は、活性領域として、例えば従来のｐｎ接合部、ダブルヘテロ構造、単一量子井戸構造（ＳＱＷ構造）、または多重量子井戸構造（ＭＱＷ）を有することができる。半導体積層体は、活性領域に加えて、さらなる機能層および機能領域、例えば、ｐ型またはｎ型にドープされた電荷キャリア輸送層、ドープされていないかｐ型またはｎ型にドープされた閉じ込め層、クラッド層または導波層、障壁層、平坦化層、バッファ層、保護層、電極のうちの少なくとも１つ、およびこれらの層の組合せを備えていることができる。活性領域またはさらなる機能層および機能領域に関連する、本明細書に記載されている構造部は、特に、その構造および機能に関して当業者に公知であり、したがってここではこれ以上詳しく説明しない。
【００３３】
成長工程は、特に、ウェハレベルにおいて行うことができる。言い換えれば、エピタキシ基板の基板をウェハの形において形成することができ、この上に大きな領域にわたり核形成層を形成し、その上に半導体積層体を形成する。さらなる方法ステップにおいて、エピタキシ基板および成長した半導体積層体を、個々の半導体チップに分離することができ、この場合、半導体チップの側面を分離によって形成することができる。
【００３４】
さらに、分離する前に、半導体積層体をキャリア基板の上に移載することができ、少なくともエピタキシ基板の基板を薄くする、すなわち少なくとも部分的または完全に除去することができる。
【００３５】
その他の利点、有利な実施形態、および修正形態は、以下に図面を参照しながら説明する例示的な実施形態において明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】一実施形態による、窒化物化合物半導体材料のためのエピタキシ基板を示している。
【図２】さらなる例示的な実施形態による、核形成層に関する測定結果を示している。
【図３】さらなる例示的な実施形態による、核形成層に関する測定結果を示している。
【図４】さらなる例示的な実施形態による、核形成層に関する測定結果を示している。
【図５】さらなる例示的な実施形態によるエピタキシ基板を示している。
【図６】さらなる例示的な実施形態によるエピタキシ基板を示している。
【図７】さらなる例示的な実施形態による、エピタキシ基板を備えたオプトエレクト。
【発明を実施するための形態】
【００３７】
例示的な実施形態および図面において、同じ要素、同じタイプの要素、または同じ機能の構成要素には、それぞれ同じ参照数字を付してある。図示した要素と、それらの互いのサイズの比率は、正しい縮尺ではないものとみなされたい。むしろ、便宜上、または深く理解できるようにする目的で、個々の要素（例えば、層、構成部品、構成要素、領域）を、誇張して大きく示してあることがある。
【００３８】
図１は、エピタキシ基板１１の例示的な実施形態を示している。
【００３９】
エピタキシ基板１１は、半導体積層体（例えばオプトエレクトロニクス半導体チップ）の成長基板として形成されている。これを目的として、エピタキシ基板１１は基板１を備えており、この基板１は、図示した例示的な実施形態においてはサファイア基板、特に、サファイアウェハである。この代替形態として、基板１を、例えばＳｉＣ基板またはシリコン基板とすることもできる。基板１の表面１０の上に、核形成層２（図示した例示的な実施形態においては、ＡｌＯＮからなる少なくとも１層の第１の層２１によって形成されている）が形成されている。
【００４０】
エピタキシ基板１１を作製するためには、基板１を形成する。核形成層を形成する前に、表面１０をクリーニングすることもできる。例えばＭＯＶＰＥシステムにおいては、このクリーニングは、純粋な水素雰囲気下における約１０８０℃での脱離ステップにおいて実行することができる。このようなクリーニングステップの継続時間は、一般には約５分とすることができる。次いで、基板１の温度を、７００℃以上１０００℃以下の温度まで下げる。例えば、ＭＯＶＰＥ法によって核形成層２を形成する目的には、８５０℃の温度が有利であることが判明した。
【００４１】
核形成層２の少なくとも１層の第１の層２１を堆積させる目的で、トリメチルアルミニウムおよびジエチルアルミニウムエトキシドを、有利に選択された所望のモル比で反応炉に供給し、このときＮＨ３も添加する。反応炉内において基板１の温度は、７００℃以上１０００℃以下である。特に適切な成長温度は、例えば８５０℃である。これによって、カラム構造を有しＡｌＯＮからなる少なくとも１層の第１の層２１が、基板１の表面１０の上に形成される。この場合、第１の層２１は、基板の側の面（連続的かつ少なくとも擬似連続的に形成されている）を有し、その一方で、基板１とは反対側の、少なくとも１層の第１の層２１の面は、基板１から離れる方向に延びるカラム２１０を備えたカラム構造を有する。上述した温度と上述したガス源を使用しての約２５分の成長時間の間に、カラム構造を有し、かつ約１５ｎｍの高さのＡｌＯＮ層２１が形成されることが判明した。
【００４２】
説明した方法に代えて、または説明した方法に加えて、例えば、Ｏ２と混合されるＮ２もしくはＨ２またはその両方をベースとするガス源を使用することができる。さらに、Ｈ２Ｏバブラーを介して酸素源として水を供給することも可能である。さらには、例えば、基板１の表面１０をＯ２プラズマによって調整することも可能である。このようにすることで、基板表面１０の酸素終端が達成され、これにより、たとえ酸素を含まないガス源を使用しているときにも、特に、基板１とその上に成長する核形成層２との間の界面にアルミニウム酸窒化物が成長する。さらには、核形成層２、および特に、ＡｌＯＮからなる少なくとも１層の層２１を形成する前に、例えば原子層堆積法によって基板表面１０の上にアルミニウム酸化物を堆積させることも可能であり、これによってもＡｌＯＮの形成が促進される。
【００４３】
成長パラメータを制御下で調整する、または変化させることによって、特に、５ｎｍ以上２００ｎｍ以下の直径と、０．５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の高さとを有するカラムを備えたカラム構造を形成することができ、この場合、個々のカラムの寸法は、成長方向に変化する、もしくは、カラムごとに変化する、またはその両方であってよい。カラムは、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の直径、特に好ましくは、２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の直径を有することが好ましい。特に、カラム２１０は、基板１からの距離が大きくなるにつれて次第に細くなることもできる。ＡｌＯＮからなる少なくとも１層の第１の層２１、好ましくはカラム２１０における酸素濃度は、０．１％以上３０％以下であることが好ましく、この酸素濃度は、成長方向に変化する、またはカラムごとに変化してよい。例えば、少なくとも１層の第１の層２１を成長させるときに使用される１種類または複数種類の酸素含有ガス源を減らすことによって、基板１からの距離が大きくなるにつれて酸素濃度が低くなるようにすることができる。
【００４４】
カラム２１０は、一般には１０９ｃｍ−２を超える欠陥密度を有し、結晶欠陥は、主として刃状転位によって形成される。結晶欠陥は、１：５〜１：１００の比率で、らせん転位と刃状転位とに分けられることが判明した。
【００４５】
図２は、上述した方法によって作製された、カラム構造を有しＡｌＯＮからなる、上述した第１の層２１によって形成される核形成層２の高さプロファイルを、原子間力顕微鏡法（ＡＦＭ）によって測定した結果を示しており、この図２は、長さＬ＝２μｍのセクションに沿って、平均高さ値を中心とした高さ変動ΔＨ（単位：ナノメートル）を示している。基板１として、１ｍｍの厚さと、結晶のｍ面の方向に０．３゜のミスカットを有する０００１方向とを有する６インチのサファイア基板を使用した。形成された核形成層の高さは約１７ｎｍであり、カラムの高さは０．５ｎｍ〜２ｎｍであった。ＡＭＦ測定では、カラムによって覆われた核形成層の表面を明瞭に見ることができる。
【００４６】
図３は、Ｘ線回折（ＸＲＤ）によって行われた、ＡｌＮの００２面におけるこのような核形成層の２つの測定結果を示している。測定結果３０１は、いわゆるロッキングカーブ光学（rocking curve optics）による測定結果であり、測定結果３０２は、いわゆる３軸光学（triple axis optics）によって行われ、したがって、角度分解能は改善されているが強度が低い。特に、測定結果３０２は、２５ａｒｃｓｅｃ未満の半値全幅を有する一般的な相関ピークを示している。
【００４７】
図４においては、曲線４０１は、ロッキングカーブ光学によるいわゆるΩ−２Θ走査を示しており、ピーク４０３はＡｌＮの００２面に対応し、ピーク４０４はサファイアの００６面に対応する。曲線４０２は、厚さ１７ｎｍのＡｌＮ層のシミュレーションであり、この場合、５．０１２６２ｎｍの格子定数ｃと、９６．１％の緩和構造（relaxed structure）を想定した。
【００４８】
図５は、エピタキシ基板１２の別の例示的な実施形態を示しており、このエピタキシ基板１２は、図１のエピタキシ基板１１とは異なり、カラム構造を有しＡｌＯＮからなる少なくとも１層の第１の層２１の上に少なくとも１層の第２の層２２を有する核形成層２を備えている。少なくとも１層の第２の層２２（第１の層２１と同じ工程において、または個別の工程において堆積させることができる）は、図示した例示的な実施形態においては、ＡｌＮを含んでいる。第２の層２２は、スパッタリングによって第１の層２１の上に形成されることが好ましい。この場合、第２の層２２は第１の層２１を覆っており、第１の層２１のカラム構造の輪郭を少なくとも部分的にたどる。この代替形態として、第１の層２１のカラム構造が平坦化されるように、少なくとも１層の第２の層２２が第１の層２１を覆うことも可能である。少なくとも１層の第２の層２２を堆積させるステップは、第１の層２１を成長させる場合に近い温度、特に、７００℃以上１０００℃以下の温度で行うことが好ましい。
【００４９】
さらには、カラム構造を有しＡｌＯＮからなる少なくとも１層の第１の層２１の上に多数の第２の層を堆積させることも可能である。追加の第２の層は、交互に堆積させる、または反復的に数回堆積させることもでき、少なくとも１層の第１の層２１とさらなる第２の層２２とからなる積層体全体が核形成層２を形成する。
【００５０】
図６は、エピタキシ基板１３の別の例示的な実施形態を示しており、エピタキシ基板１３は、図１のエピタキシ基板１１とは異なり、図示した例示的な実施形態においては、核形成層２の上に、ドープされていないＧａＮからなるバッファ層３を備えている。ＡｌＯＮからなる少なくとも１層の層２１のカラム構造の上には、１０００℃を超える温度で（したがって核形成層２の成長温度より約１５０℃高い温度で）バッファ層３が成長している。欠陥を減少させるため、バッファ層３の上に、インサイチュ法によって堆積させたＳｉＮの層４が形成されている。ＳｉＮ層４は、一般には開口部（図示していない）を備えており、開口部においては、底面に露出しているバッファ層３が、その上に形成される半導体積層体のためのシード領域を形成している。この代替形態として、ＳｉＮ層を核形成層２の上に直接形成することも可能である。
【００５１】
図７は、オプトエレクトロニクス半導体チップ１００の例示的な実施形態を示しており、この半導体チップ１００は、純粋に一例として、図６の例示的な実施形態のエピタキシ基板１３を備えている。この代替形態として、上述したエピタキシ基板１１，１２の一方によってエピタキシ基板を形成することもできる。窒化物化合物半導体材料の半導体積層体５（光を放出または光を検出するための活性層６を備えている）が、ＭＯＶＰＥ法によってエピタキシ基板１３の上に形成されている。オプトエレクトロニクス半導体チップ１００は、相応して、発光半導体チップまたはフォトダイオードチップとして形成されている。
【００５２】
半導体積層体５、および特に活性領域６には、一例として示した電気コンタクト７を介して接触することができる。半導体積層体５および活性領域６は、例えば、発明の概要のセクションに説明したように構成することができる。
【００５３】
本明細書に記載されているエピタキシ基板１１，１２，１３の核形成層２（公知の低温核形成層よりも高い温度で形成することができる）のため、制御するのが難しい長時間の温度ランピングを回避することが可能であり、これらの温度ランピングは、従来技術においては、核形成層を形成するステップと、この形成ステップの前に実行される方法ステップと、形成ステップの後に実行される方法ステップとの間で温度を適合させる目的で必要である。このようにすることで、核形成層としての、本明細書に記載されているＡｌＯＮカラム構造の層厚さおよび温度に関するプロセスウィンドウを、低温核形成層の場合と比較して相当に改善することができる。核形成層２の少なくとも１層の第１の層２１を成長させるときに使用される酸素は、基板表面（例えばサファイア基板の場合にはサファイア表面）との相互作用につながり、これにより、サファイア表面の望ましくない終端が回避される。この結果として、以降にエピタキシャル成長させる、窒化物化合物半導体材料系の半導体積層体の材料品質を改善することができる。
【００５４】
図面に記載されている例示的な実施形態および特徴は、互いに組み合わせることもできる。例示的な実施形態に提示されている特徴に加えて、またはこれに代えて、図面に関連して説明したエピタキシ基板と、エピタキシ基板の製造方法と、本オプトエレクトロニクス半導体チップは、発明の概要のセクションの説明によるさらなる特徴を有することもできる。
【００５５】
ここまで、本発明について例示的な実施形態に基づいて説明してきたが、本発明はこれらの例示的な実施形態に限定されない。本発明は、任意の新規の特徴および特徴の任意の組合せを包含しており、特に、特許請求項における特徴の任意の組合せを含んでいる。これらの特徴または特徴の組合せは、それ自体が特許請求項あるいは例示的な実施形態に明示的に記載されていない場合であっても、本発明に含まれる。
【００５６】
関連出願
本特許出願は、独国特許出願第１０２０１２１０３６８６．１号の優先権を主張し、この文書の開示内容は参照によって本明細書に組み込まれている。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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