(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の内部電極がセラミック層を介して積層された構造を有するセラミック素体と、前記内部電極と導通する外部電極であって、前記セラミック素体の端面から側面に回り込むように前記セラミック素体の端部に形成された外部電極とを備えた積層セラミック電子部品において、
前記セラミック素体の側面に回り込んだ前記外部電極の回り込み部の先端領域と、前記セラミック素体の表面を構成するセラミックとの界面に、
ＳｉＯ2を２６ｍｏｌ％以上４５ｍｏｌ％未満含有し、かつ、
下記の式（１）：
モル比＝(ＴｉＯ2＋ＺｒＯ2)／(ＳｉＯ2＋ＴｉＯ2＋ＺｒＯ2)  ……（１）
で表されるモル比の値が０．１５４以上０．１６１以下である無機物質が存在していること
を特徴とする積層セラミック電子部品。
【請求項２】
複数の内部電極がセラミック層を介して積層された構造を有するセラミック素体と、前記内部電極と導通する外部電極であって、前記セラミック素体の端面から側面に回り込むように前記セラミック素体の端部に形成された外部電極とを備えた積層セラミック電子部品において、
前記セラミック素体の側面に回り込んだ前記外部電極の回り込み部の先端領域と、前記セラミック素体の表面を構成するセラミックとの界面に、
ＳｉＯ2を４５ｍｏｌ％以上含有し、かつ、
下記の式（１）：
モル比＝（ＴｉＯ2＋ＺｒＯ2）／（ＳｉＯ2＋ＴｉＯ2＋ＺｒＯ2）  ……（１）で表されるモル比の値が０．０２２以上０．０３３以下である無機物質が存在していること
を特徴とする積層セラミック電子部品。
【請求項３】
前記界面に存在する前記無機物質が、Ｂ2Ｏ3をＳｉＯ2とのモル比が下記の式（２）：
０．２５≦Ｂ2Ｏ3／ＳｉＯ2≦０．５  ……（２）
で表されるような範囲となるように含有していること
を特徴とする請求項１または２記載の積層セラミック電子部品。
【請求項４】
前記先端領域が、前記セラミック素体の側面に回り込んだ前記外部電極の回り込み部の先端から１０μｍ以内の領域であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の積層セラミック電子部品。
【請求項５】
前記外部電極が、表面にめっき膜層を備えたものであることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の積層セラミック電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミック電子部品に関し、詳しくは、セラミック層を介して内部電極が積層された構造を有するセラミック素体と、その端面から側面に回り込むような態様で配設された外部電極とを備えた積層セラミック電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
代表的なセラミック電子部品の一つに、例えば、図３に示すような構造を有する積層セラミックコンデンサがある。
【０００３】
この積層セラミックコンデンサは、図３に示すように、誘電体層であるセラミック層５１を介して複数の内部電極５２（５２ａ，５２ｂ）が積層されたセラミック積層体（セラミック素体）６０の両端面５３ａ，５３ｂに、内部電極５２（５２ａ，５２ｂ）と導通するように外部電極５４（５４ａ，５４ｂ）が配設された構造を有している。
【０００４】
ところで、このような積層セラミックコンデンサを製造する場合、外部電極５４（５４ａ，５４ｂ）は、セラミック積層体（セラミック素体）の両端面に導電性ペーストを塗布して焼成する方法により形成されるのが一般的である。
【０００５】
このような外部電極の形成に用いられる導電性ペーストとして、例えば、少なくとも金属粉末、ＢａＯ−ＳｒＯ−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラスフリットを含んでなる導電性ペーストであって、ガラスフリットが酸化物換算で、ＢａＯ：１０〜５０重量％、ＳｒＯ：５〜４０重量％、ＺｎＯ：１０〜３０重量％、Ｂ2Ｏ3：１５〜３０重量％、ＳｉＯ2：３〜２０重量％を含有するとともに、金属粉末１００重量％に対して、ガラスフリットを０．５〜１０重量％含有する導電性ペーストが提案されている（特許文献１参照）。
【０００６】
そして、この導電性ペーストを用いて外部電極を形成することにより、焼成時にガラスフリットがセラミック積層体を構成するセラミック中に浸透しにくくなるとされている。これは、特許文献１の導電性ペーストに用いられているガラスフリットの、ＢａＯ、ＳｒＯの含有量が多く、セラミック素体と反応しにくいことによるものと考えられる。
【０００７】
また、他の導電性ペーストとして、銅粉末、ニッケル粉末、銅−ニッケル合金粉末およびそれらの混合物から選択される少なくとも１つの導電性粉末と、無鉛、無ビスマスおよび無カドミウムであり、５３０〜６５０℃の軟化点、９．０〜１１．５ｐｐｍ／℃の熱膨張係数を有するガラスフリットとを含み、導電性粉末およびガラスフリットが有機媒質中に分散された導電性ペーストが提案されている（特許文献２参照）。
【０００８】
そして、この特許文献２の導電性ペーストによれば、緻密性が高く、セラミック素体との密着性に優れた外部電極を形成することができるとされている。
【０００９】
しかしながら、上記特許文献１の導電性ペーストは、用いられているガラスフリット中のＳｉＯ2量が少ないため、特許文献１の導電性ペーストを用いて形成した外部電極に含まれるガラスがめっき液に溶解しやすく、外部電極にめっきを施す工程で、めっき液が外部電極やセラミック素体に浸入し、積層セラミック電子部品の機械強度を低下させるという問題点がある。
【００１０】
また、上記特許文献２の導電性ペーストについても、特許文献１の導電性ペーストについて述べた上記問題点と同様の問題点がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００３−７７３３６号公報
【特許文献２】特開２００４−２２８０７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は、上記課題を解決するものであり、外部電極にめっきが施される場合にも、めっき液が外部電極やセラミック素体に浸入することによる機械強度の低下を防止することが可能で、信頼性の高い積層セラミック電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するために、本発明の積層セラミック電子部品は、
複数の内部電極がセラミック層を介して積層された構造を有するセラミック素体と、前記内部電極と導通する外部電極であって、前記セラミック素体の端面から側面に回り込むように前記セラミック素体の端部に形成された外部電極とを備えた積層セラミック電子部品において、
前記セラミック素体の側面に回り込んだ前記外部電極の回り込み部の先端領域と、前記セラミック素体の表面を構成するセラミックとの界面に、
ＳｉＯ2を２６ｍｏｌ％以上４５ｍｏｌ％未満含有し、かつ、
下記の式（１）：
モル比＝(ＴｉＯ2＋ＺｒＯ2)／(ＳｉＯ2＋ＴｉＯ2＋ＺｒＯ2)  ……（１）
で表されるモル比の値が０．１５４以上０．１６１以下である無機物質が存在していること
を特徴としている。
【００１４】
また、本発明の他の積層セラミック電子部品は、
複数の内部電極がセラミック層を介して積層された構造を有するセラミック素体と、前記内部電極と導通する外部電極であって、前記セラミック素体の端面から側面に回り込むように前記セラミック素体の端部に形成された外部電極とを備えた積層セラミック電子部品において、
前記セラミック素体の側面に回り込んだ前記外部電極の回り込み部の先端領域と、前記セラミック素体の表面を構成するセラミックとの界面に、
ＳｉＯ2を４５ｍｏｌ％以上含有し、かつ、
下記の式（１）：
モル比＝(ＴｉＯ2＋ＺｒＯ2)／(ＳｉＯ2＋ＴｉＯ2＋ＺｒＯ2)  ……（１）
で表されるモル比の値が０．０２２以上０．０３３以下である無機物質が存在していること
を特徴としている。
【００１５】
また、本発明の積層セラミック電子部品においては、前記界面に存在する前記無機物質が、Ｂ2Ｏ3をＳｉＯ2とのモル比が下記の式（２）：
０．２５≦Ｂ2Ｏ3／ＳｉＯ2≦０．５  ……（２）
で表される範囲となるように含有していること
が好ましい。
【００１６】
外部電極の先端領域と、セラミック素体の表面を構成するセラミックとの界面に存在する無機物質中のＢ2Ｏ3とＳｉＯ2のモル比を上述のように規定することにより、上記界面（以下、単に「外部電極先端領域とセラミック素体の界面」ともいう）に存在するガラスが結晶化したり、耐酸性が低下したりすることを抑制、防止して、より確実に、機械強度の低下を防止することが可能になり、本発明をさらに実効あらしめることができる。
【００１７】
また、本発明の積層セラミック電子部品においては、前記先端領域が、前記セラミック素体の側面に回り込んだ前記外部電極の回り込み部の先端から１０μｍ以内の領域であることが好ましい。
【００１８】
前記先端領域を、上述の外部電極の回り込み部の先端から１０μｍ以内の領域とすることにより、確実に本発明の効果を奏させることが可能になり、本発明をより実効あらしめることができる。
【００１９】
また、前記外部電極が、表面にめっき膜層を備えたものであることが好ましい。
【００２０】
外部電極の表面にめっき膜層が設けられた積層セラミック電子部品は、めっき工程を経て作製されることになるが、本発明の積層セラミック電子部品は、上述のような構成を備えており、セラミック素体の側面に回り込んだ外部電極の回り込み部の先端領域（すなわち、応力がかかって、クラックなどの起点となりやすい領域）と、セラミック素体の表面を構成するセラミックとの界面に、上述のような無機物質が存在していることから、界面に存在するセラミックとガラスの反応層やセラミック素体の表面のセラミックの、めっき工程におけるめっき液への溶出や、めっき液の外部電極やセラミック素体への浸入を抑制して、機械的強度が高く、信頼性の高い積層セラミック電子部品を提供することが可能になる。
【発明の効果】
【００２１】
上述のように、本発明の積層セラミック電子部品においては、上述のように、「外部電極先端領域とセラミック素体の界面」に、ＳｉＯ2を２６ｍｏｌ％以上４５ｍｏｌ％未満含有するとともに、上述の式（１）により求められるモル比＝（ＴｉＯ2＋ＺｒＯ2）／（ＳｉＯ2＋ＴｉＯ2＋ＺｒＯ2）の値が０．１５４以上０．１６１以下である無機物質が存在しているので、「外部電極先端領域とセラミック素体の界面」に存在するセラミックとガラスの反応層や、セラミック素体の表面のセラミックの溶出を、より確実に抑制して、耐めっき性を向上させることが可能になる。
したがって、本発明によれば、外部電極にめっきが施される場合にも、めっき液が外部電極やセラミック素体に浸入することによる機械強度の低下を抑制、防止して、信頼性の高い積層セラミック電子部品を提供することが可能になる。
【００２２】
また、本発明の他の積層セラミック電子部品のように、「外部電極先端領域とセラミック素体の界面」に、ＳｉＯ2を４５ｍｏｌ％以上含有するとともに、上述の式（１）により求められるモル比＝（ＴｉＯ2＋ＺｒＯ2）／（ＳｉＯ2＋ＴｉＯ2＋ＺｒＯ2）の値が０．０２２以上０．０３３以下である無機物質を存在させるようにした場合にも、「外部電極先端領域とセラミック素体の界面」に存在するセラミックとガラスの反応層や、セラミック素体の表面のセラミックの溶出を、より確実に抑制して、耐めっき性を向上させることが可能になり、機械強度に優れた、信頼性の高い積層セラミック電子部品を提供することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の実施形態にかかる積層セラミックコンデンサの構成を示す正面断面図である。
【図２】図１に示した積層セラミックコンデンサの要部を拡大して示す図である。
【図３】従来の積層セラミック電子部品の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下に本発明の実施形態を示して、本発明の特徴とするところをさらに詳しく説明する。
【００２５】
［実施形態］
この実施形態では、図１に示すような構造を有する積層セラミックコンデンサを製造する場合を例にとって説明する。
【００２６】
この積層セラミックコンデンサは、図１に示すように、誘電体層であるセラミック層１を介して複数の内部電極２（２ａ，２ｂ）が積層されたセラミック素体（積層セラミックコンデンサ素子）１０の両側の端面３（３ａ，３ｂ）に、内部電極２（２ａ，２ｂ）と導通するように外部電極４（４ａ，４ｂ）が配設された構造を有している。
【００２７】
なお、外部電極４（４ａ，４ｂ）は、セラミック素体１０の両側の端面３（３ａ，３ｂ）から、稜線部を越えてセラミック素体の４つの側面１５にまで回り込むように配設されている。
【００２８】
外部電極４（４ａ，４ｂ）は、導電性ペーストを焼き付けてなる外部電極本体１１と、外部電極本体１１の表面に形成されたＮｉめっき膜層１２と、Ｎｉめっき膜層１２の表面に形成されたＳｎめっき膜層１３とを備えてなる多層構造とされている。
【００２９】
この積層セラミックコンデンサのセラミック素体１０を構成するセラミック層１は、ペロブスカイト構造を有する誘電体セラミック（この実施形態ではＢａＴｉＯ3系セラミック）から形成されている。内部電極２（２ａ，２ｂ）はＮｉを導電成分とする卑金属電極である。
【００３０】
次に、この積層セラミック電子部品（積層セラミックコンデンサ）の製造方法について説明する。
【００３１】
［１］セラミック素体の作製
（１）Ｂａ、Ｔｉを主成分とするペロブスカイト型化合物（ＢａＴｉＯ3系セラミック粉末）に対して、有機バインダー、有機溶剤、可塑剤、および分散剤を所定の割合で混合したセラミックスラリーを調製した。
それからこのセラミックスラリーを樹脂フィルム上に、乾燥後の厚みが４．０μｍとなるように塗布して、セラミックグリーンシートを作製した。
【００３２】
（２）平均粒径０．３μｍのＮｉ粉末５０重量部と、ブチルカルビトールにエチルセルロース１０重量部を溶解した樹脂溶液４５重量部と、残部の分散剤および増粘剤とを配合することにより、内部電極形成用の導電性ペースト（内部電極ペースト）を作製した。
なお、内部電極ペーストを構成する導電成分としては、Ｎｉ粉末以外にも、Ｎｉ合金、Ｃｕ、Ｃｕ合金などの卑金属粉末を適宜用いることが可能である。場合によっては、Ａｇなどの貴金属粉末を用いることも可能である。
【００３３】
（３）上記（１）の工程で作製したセラミックグリーンシートを、焼成後に、所定の厚みを有する外層部が形成されるように所定枚数積層して、下側外層部を形成した。
【００３４】
（４）上記（１）の工程で使用したセラミックグリーンシートに、上記（２）の工程で作製したＮｉを導電成分とする導電性ペースト（内部電極ペースト）を、焼成後のセラミック素子の大きさ（３．２ｍｍ（長さ）×１．６ｍｍ（幅））に対応するようなパターンで、乾燥後の厚みが２μｍとなるようにスクリーン印刷により塗布した電極パターン形成セラミックグリーンシートを、上記（３）の工程で形成した下側外層部上に所定枚数（この実施形態では３５０枚）積層した。
【００３５】
（５）上記（４）の工程で積層した電極パターン形成セラミックグリーンシート上に、焼成後に所定の厚みを有する外層部が形成されるように所定枚数積層して、上側外層部を形成することにより未焼成積層ブロックを形成した。
【００３６】
（６）上記（５）の工程で作製した未焼成積層ブロックを所定の位置でカットすることにより、未焼成セラミック素体を得た。
【００３７】
（７）上記（６）の工程で得た未焼成セラミック素体を、バッチ炉を使用して、窒素雰囲気中、４００℃、１０時間の条件で脱脂処理した後、窒素−水素−水蒸気混合雰囲気中、トップ温度１２００℃、酸素分圧１０-9〜１０-10ＭＰａの条件で焼成し、外部電極形成前の焼成済みのセラミック素体を得た。
【００３８】
なお、このセラミック素体は、長さ（Ｌ）：３．２ｍｍ、幅（Ｗ）：１．６ｍｍ、厚さ（Ｔ）：１．６ｍｍの寸法を有する直方体形状のものである。
【００３９】
［２］外部電極の形成
（１）外部電極を形成するために用いる導電性ペーストとして、
（ａ）Ｃｕ粉末７０重量部と、
（ｂ）ＳｉＯ2、ＴｉＯ2およびＺｒＯ2含有量が、表１に示す割合になるように調整したホウケイ酸亜鉛系ガラスフリット１０重量部と、
（ｃ）ブチルカルビトールにエチルセルロース２０重量部を溶かした樹脂溶液２０重量部と
を分散・混合することにより、外部電極形成用の導電性ペーストを作製した。
【００４０】
（２）上述のようにして作製した導電性ペーストを、セラミック素体に浸漬塗布の方法で塗布した。例えば、定盤に所定の厚さで外部電極形成用の導電性ペーストを塗布し、その上から保持冶具により保持したセラミック素体の一方の端面側を浸漬し、セラミック素体の端面および端面から側面に回り込む領域に外部電極ペーストを塗布した。なお、外部電極ペーストの塗布厚みは、乾燥後における、セラミック素体の端面への導電性ペーストの塗布厚みが５０μｍになるように調整した。
そして、塗布した導電性ペーストを乾燥させた後、同様にして、セラミック素体の他方の端面側を浸漬し、セラミック素体の他方側の端面と、端面から側面に回り込む領域に導電性ペーストを塗布した。
【００４１】
（３）セラミック素体に塗布した外部電極形成用の導電性ペーストを焼成するため、セラミック素体を熱処理した。
熱処理は、トップ温度（８８０℃）で、酸素起電力が２８０ｍＶの条件で行い、セラミック素体の両端部に、Ｃｕ焼き付け電極（外部電極本体）を形成した。
なお、熱処理工程では、外部電極の酸化を抑制するため、キャリアガスをＮ2とし、ＴＯＰ温度ではキャリアガス（Ｎ2）中にＨ2を添加して起電力＝６００−９００ｍＶとなるように雰囲気を調整して焼成を行った。
【００４２】
（４）形成された外部電極本体に対して、湿式電解めっきの方法でＮｉめっきを行って、外部電極の表面にＮｉめっき膜を形成し、さらに湿式電解めっきの方法でＳｎめっきを行って、Ｎｉめっき膜上にＳｎめっき膜を形成した。
これにより、図１および２に示すような構成を備えた積層セラミックコンデンサを得た。
【００４３】
［３］評価
上述のようにして作製した積層セラミックコンデンサについて、回り込み部先端領域の界面に存在する無機物質の組成分析および抗折試験を行い、特性を評価した。
【００４４】
（１）回り込み部先端領域の界面に存在する無機物質の組成分析
上述のようにして作製した積層セラミックコンデンサ（試料）について、図２に示すように、外部電極４の、セラミック素体１０の側面１５に回り込んだ回り込み部１４の先端領域（以下、単に「回り込み部先端領域」ともいう）１４ａと、セラミック素体１０の表面を構成するセラミックとの界面に存在する無機物質２０の組成を、以下に説明する方法で調べた。
なお、この実施形態では、図２に模式的に示すように、外部電極４のセラミック素体１０の側面１５への回り込み部１４の先端から１０μｍ以内の領域を、「回り込み部先端領域」１４ａとした。
【００４５】
この実施形態では、積層セラミックコンデンサ（試料）の、長さＬと、幅Ｗとにより規定される面であるＬＷ面の中央部の、外部電極の回り込み部先端領域と、セラミック素体の界面部を、ＦＩＢ（Focused Ion Beam）を用いて加工処理した後、ＴＥＭ−ＥＤＳ（透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を利用したエネルギー分散型X線分光分析（ＥＤＳ））の方法で無機成分、すなわち、Ｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、およびＺｒＯ2の定量を行った（ｎ＝１０）。
【００４６】
具体的には、図１に示される積層セラミックコンデンサ（試料）を、長さＬと、幅Ｗとにより規定される面であるＬＷ面から、厚さＴ方向の寸法が１／２になるまで研磨して露出させた露出面の、「外部電極の回り込み部の先端から１０μｍ以内の領域と、セラミック素体との界面」に存在する物質について、試料あたり任意の１０箇所で、Ｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、およびＺｒＯ2の定量を行った。なお、表１のＢ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、およびＺｒＯ2の値は平均値を示している。
【００４７】
（２）機械強度の測定（抗折試験）
上述のようにして作製した積層セラミックコンデンサ（試料）について、３点曲げにて抗折試験を行った。試料数は２０個とした（ｎ＝２０）。
【００４８】
抗折試験の条件は以下の通りである。
（ａ）押し冶具の降下スピード ：０．１［ｍｍ／ｓｅｃ］
（ｂ）押し冶具先端の半径（Ｒ）   ：０．２［ｍｍ］
（ｃ）試料の押し位置      ：セラミック素体の中央
（ｄ）試料数              ：ｎ＝２０
【００４９】
上述のように、試料（積層セラミックコンデンサ）の中央部に、先端の半径が０．２ｍｍの押し冶具により、０．１（ｍｍ／ｓｅｃ）の速さで荷重を加え、試料が破断したときの荷重を抗折強度として測定した。
【００５０】
表１に、界面部（外部電極の回り込み部の先端から１０μｍ以内の先端領域と、セラミック素体の表面を構成するセラミックとの界面部）における、Ｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、およびＺｒＯ2の定量結果、Ｂ2Ｏ3／ＳｉＯ2の値（モル比）、界面部における、（ＴｉＯ2＋ＺｒＯ2）／（ＳｉＯ2＋ＴｉＯ2＋ＺｒＯ2）の値（モル比）、抗折試験により調べた抗折強度を示す。
【００５１】
なお、表１において，試料番号に＊を付した試料番号１〜５、８の試料は本発明の要件を満たさない試料であり、他の試料（試料番号６、７、９〜２２の試料）は本発明の要件を満たす試料である。
【００５２】
【表１】
0006024830.tif 000002
【００５３】
表１に示すように、外部電極の回り込み部の先端から１０μｍ以内の先端領域と、セラミック素体の表面を構成するセラミックとの界面部に、ＳｉＯ2が２６ｍｏｌ％以上４５ｍｏｌ％未満の範囲で存在し、かつ、(ＴｉＯ2＋ＺｒＯ2)／(ＳｉＯ2＋ＴｉＯ2＋ＺｒＯ2)  の値が０．１５４以上である無機物質が存在している、試料番号６、７、９、１０および試料番号１５〜１８の試料の場合、抗折強度が大きい積層セラミックコンデンサが得られることが確認された。
【００５４】
これは、ＳｉＯ2が２６ｍｏｌ％以上４５ｍｏｌ％未満の割合で存在している場合、耐酸性を向上させると想定されるＴｉＯ2、ＺｒＯ2の比率を０．１５４以上とすることにより、外部電極の回り込み部先端領域における、Ｎｉめっきに対する耐溶出性が向上し、抗折強度が向上したものと考えられる。
【００５５】
また。表１に示すように、外部電極の回り込み部の先端から１０μｍ以内の先端領域と、セラミック素体の表面を構成するセラミックとの界面部に、ＳｉＯ2が４５ｍｏｌ％以上存在し、かつ、(ＴｉＯ2＋ＺｒＯ2)／(ＳｉＯ2＋ＴｉＯ2＋ＺｒＯ2)の値が０．０２２以上である無機物質が存在している、試料番号１１〜１４および試料番号１９〜２２の試料の場合、抗折強度が大きい積層セラミックコンデンサが得られることが確認された。
【００５６】
これは、ＳｉＯ2が４５ｍｏｌ％以上の場合、耐酸性に優れたＳｉＯ2の比率が高いため、界面部の耐酸性が向上し、(ＴｉＯ2＋ＺｒＯ2)／(ＳｉＯ2＋ＴｉＯ2＋ＺｒＯ2)の値（モル比）が０．０２２以上であれば、十分な抗折強度を得ることが可能になったものと考えられる。
【００５７】
また、例えば、試料番号１４〜２２の試料のように、界面のＢ2Ｏ3とＳｉＯ2の比率により、積層セラミックコンデンサ（試料）の機械強度（抗折強度）が変化しているが、これは、外部電極の回り込み部の先端から１０μｍ以内の先端領域と、セラミック素体の表面を構成するセラミックとの界面部に存在するガラスが結晶化したり、耐酸性が低下したりすることによるものと考えられる。
【００５８】
すなわち、Ｂ2Ｏ3／ＳｉＯ2の比が０．２の、試料番号１５の試料の場合、界面部に存在するガラスが結晶化し、界面部におけるガラス部分では組成ずれが発生して、ガラスがめっき液に溶解しやすくなり、結果として、機械強度の低下が発生したものと考えられる。
【００５９】
また、Ｂ2Ｏ3／ＳｉＯ2の比が０．６の、試料番号１８，２２の試料の場合も機械強度が低下しているが，これは、界面部のガラス組成が、耐めっき液性の低いガラス組成であるため、界面部のガラスがめっき液に溶解し、機械強度が低下したものと考えられる。
上記結果から、Ｂ2Ｏ3／ＳｉＯ2の比率は、０．２５≦Ｂ2Ｏ3／ＳｉＯ2≦０．５であることがより望ましいことが分かる。
【００６０】
一方、試料番号１〜５の試料の場合、外部電極の回り込み部の先端から１０μｍ以内の先端領域と、セラミック素体の表面を構成するセラミックとの界面部のＳｉＯ2量は２５〜４５ｍｏｌ％の範囲にあるが、試料番号１〜５の試料の場合、(ＴｉＯ2＋ＺｒＯ2)／(ＳｉＯ2＋ＴｉＯ2＋ＺｒＯ2)の値（モル比）が０．０００〜０．１３８と、本発明の要件を満たしておらず、抗折強度が２２〜３８Ｎと低いことが確認された。
【００６１】
なお、上記実施形態では、積層セラミックコンデンサを例にとって説明したが、本発明は、積層セラミックコンデンサに限らず、例えば、積層型ＬＣ複合部品、積層バリスタなどの、セラミック素体の内部に電極（内部電極）を備え，かつ、セラミック素体の端面から側面に回り込むような態様で外部電極を備えた種々の積層セラミック電子部品に適用することが可能である。
【００６２】
本発明はさらにその他の点においても上記実施形態に限定されるものではなく、発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。
【符号の説明】
【００６３】
１                        セラミック層
２（２ａ，２ｂ）          内部電極
３（３ａ，３ｂ）          セラミック素体の端面
４（４ａ，４ｂ）          外部電極
１０                      セラミック素体
１１                      外部電極本体
１２                      Ｎｉめっき膜層
１３                      Ｓｎめっき膜層
１４                      回り込み部
１４ａ                    回り込み部の先端領域
１５                      セラミック素体の側面
２０                      境界部の無機物質
【図１】
0006024830.tif 000003
【図２】
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【図３】
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