(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第1の導電膜を成膜する工程と、
前記第1の導電膜をパターニングすることにより、下層配線、下層配線端子、第一形成領域のアライメントマーク及び第二形成領域のアライメントマークを形成する工程と、
少なくとも前記第一形成領域の前記アライメントマークを覆い、少なくとも前記第二形成領域の前記アライメントマークを露出する層間平坦化膜を形成する工程と、
第2の導電膜を成膜する工程と、
前記第二形成領域の前記アライメントマークを用いて少なくとも上層配線と上層配線端子を形成する為のレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンを用いて前記第2の導電膜で形成される前記上層配線と前記上層配線端子をパターニングすると共に前記第二形成領域の前記アライメントマークをエッチングする工程と、
前記上層配線と前記上層配線端子上に保護膜を成膜する工程と、
前記第一形成領域の前記アライメントマークを用いて少なくとも前記保護膜に開口部を形成する工程と
を備えたことを特徴とするタッチパネル基板の製造方法。
【請求項２】
少なくとも前記第一形成領域の前記アライメントマークを覆い、少なくとも前記第二形成領域の前記アライメントマークを露出する層間平坦化膜を形成する工程は、
前記層間平坦化膜を塗布する工程と、
少なくとも前記第二形成領域の前記アライメントマーク上層の前記層間平坦化膜を除去する工程と、
を有することを特徴とする請求項１に記載のタッチパネル基板の製造方法。
【請求項３】
少なくとも前記第二形成領域の前記アライメントマーク上層の前記層間平坦化膜を除去する工程において、
前記下層配線端子の一部を開口するような開口部を設け、
前記上層配線と前記上層配線端子をパターニングすると共に前記第二形成領域の前記アライメントマークをエッチングする工程において、
前記下層配線端子の一部を開口するような前記開口部を介して前記下層配線端子と接続する下層配線端子パッドを形成することを特徴とする
請求項２に記載のタッチパネル基板の製造方法。
【請求項４】
少なくとも前記第一形成領域の前記アライメントマークを覆い、少なくとも前記第二形成領域の前記アライメントマークを露出する層間平坦化膜を形成する工程は、
前記第一形成領域の前記アライメントマークは被覆し、前記第二形成領域の前記アライメントマークを被覆しない様に層間平坦化膜を塗布する工程を有する
ことを特徴とする請求項１に記載のタッチパネル基板の製造方法。
【請求項５】
前記第二形成領域の前記アライメントマークは、前記第一形成領域の前記アライメントマークよりも基板の外側に配置されていることを特徴とする請求項４に記載のタッチパネル基板の製造方法。
【請求項６】
第1の導電膜を成膜する工程と、
第1の導電膜で形成される下層配線，下層配線端子，アライメントマークをパターニングする工程と、
層間平坦化膜を塗布する工程と、
第2の導電膜の成膜においてタッチパネル領域の膜厚より薄く、かつ、露光装置のアライメント光が透過する膜厚となるようにアライメントマーク領域の膜厚で形成する工程と、
前記アライメントマークを用いて少なくとも上層配線と上層配線端子を形成する為のレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンを用いて前記第2の導電膜で形成される上層配線と上層配線端子をパターニングする工程と、
を備えたことを特徴とするタッチパネル基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、平坦化膜の上層と下層に電極や配線等のパターンを形成してなる素子に関するものであり、具体的にはタッチパネルや液晶表示装置のアレイ基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置のアレイ基板や、タッチパネル等の電子デバイスにおいては、例えば、図１５の断面図に示すように、配線や電極が絶縁膜を介して異なるレイヤーに配置されている。ここで、図１５は、タッチパネルに用いられる基板の構造の断面図である。
【０００３】
図１５において、基板１上に、第１の導電膜からなる下層配線２や下層配線端子３が形成されており、その上を絶縁膜である層間平坦化膜６が覆っている。一般的に絶縁膜としては、ＣＶＤ法やスパッタ法により約０．１〜１μｍ厚の絶縁膜を形成する手法や、液状の樹脂を塗布後に焼成等することにより絶縁膜を形成する手法がある。特に、液状の素材を塗布する手法においては、下地の凹凸に関わらず絶縁膜の表面を平坦に形成することや、厚みを１μｍ以上、たとえば２〜３μｍとすることも比較的容易にできる。ここで図１５に示す絶縁膜も、このような塗布により形成される層間平坦化膜である。
【０００４】
さらに、この層間平坦化膜６上には、第２の導電膜からなる上層配線７や上層配線端子８が形成されており、それらを覆う保護膜９が形成されている。保護膜９には、下層配線端子３や上層配線端子８を露出するようなコンタクトホールである開口部ＣＨ１、ＣＨ２が開口されている。図示はしないが、その後もさらなる導電膜の成膜やパターニング工程を経ることによって素子が形成される。
【０００５】
そして、第２の導電膜からなる上層配線端子８や、その上層の開口部ＣＨ２を形成する際には、両方とも第１の導電膜からなるアライメントマーク（図示せず）を基にしてアライメントを行うのがよい。もし、上層配線を形成する際に第１の導電膜からなるアライメントマークを用い、コンタクトホールを形成する際には第２の導電膜からなるアライマントマークを用いるというふうにアライメントマークをレイヤーごとに変えていくと、各レイヤー間のズレが蓄積して最終的には大きなズレとなりうるからである。
【０００６】
ここで、層間平坦化膜を介して異なるレイヤーに各々パターンを形成する場合のアライメントについて、図１６を用いて説明する。図１６において、ガラス等の基板１上に、第１の導電膜からなるパターンとして下層配線２や下層配線端子３が形成されて、さらにその上層に層間平坦化膜６が形成されている。そして、層間平坦化膜６上に、第２の導電膜１０が成膜されて、さらにパターニングのために感光性のレジスト１１を塗布された状況を示している。
【０００７】
図１６において、第２の導電膜をパターニングするための露光の際に、下地の第１の導電膜からなる下層配線２等のパターンを基にアライメントすることは困難である。第１の導電膜からなるパターンは層間平坦化膜６に覆われているため、表面の凹凸で検知することはできないうえに、第２の導電膜１０でも覆われているため光学的にも検知しがたいからである。特に第２の導電膜１０が金属膜の場合には、露光の透過率は非常に低いものとなるため、その下層にある第１の導電膜により形成されたアライメントマークがあるにしても、それを光学的に検知することは非常に困難となる。
【０００８】
このような問題を解決するために、特許文献１では、第１の導電膜からなるアライメントマーク上の層間平坦化膜を除去して、当該アライメントマークを露出させることにより、層間平坦化膜上のパターン形成の際のアライメントを容易に行うことを可能とする技術が開示されている。
【０００９】
また、特許文献２には、上層の成膜の際にマスクデポ等の手段を用いて、複数あるアライメントマークのうち一部のアライメントマークのみに膜が堆積しないようにする技術が開示されている。これにより、膜に覆われていない方のアライメントマークを用いて上層のパターン形成を行うことが可能となるのである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００４−３１７７２８号公報（１７〜２０頁、図１、図８、図９）
【特許文献２】特開平６−１９６５４７号公報（図８）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
従来技術においては、アライメント性を向上させるために、下層のアライメントマークを直接あるいは光学的に露出させてから、上層のパターン形成を行う形態についての記載が見られる。これにより、層間平坦化膜の上層のパターン形成の際に下層のアライメントマークを用いたアライメントが可能となる。しかし、特許文献２においては、平坦化膜上に成膜する際に生じる問題についての記載は無い。
【００１２】
また、特許文献１に記載されている形態を適用する際には、第１の導電膜と第２の導電膜とが同じエッチング液でエッチングされるような材料からなる場合、特に第１の導電膜と第２の導電膜とが同じ材料である場合に問題が生じることとなる。具体的には、層間平坦化膜を除去することにより第１の導電膜で形成されたアライメントマークを露出した後に、第２の導電膜を成膜して上層配線７等のパターン以外の膜をエッチング除去するが、その際に露出していた当該アライメントマークも除去されてしまう問題が生じる。
【００１３】
この状況を図１７を用いて説明する。図１７は図１６と同様にタッチパネルの断面図を示したものである。図１７において、ガラス等の基板１上に、第１の導電膜からなるパターンとして下層配線２、下層配線端子３、アライメントマーク４が形成されて、さらにその上層に層間平坦化膜６が形成されている。層間平坦化膜６は一部が除去されることにより、たとえばアライメントマーク４が露出されている。そして、層間平坦化膜６と、露出したアライメントマーク４とを覆うようにして、第２の導電膜１０が成膜されている。
【００１４】
ここで、図１７においては、アライメントマーク４の凹凸を反映した表面形状を検出することが可能なので、当該表面形状を基にアライメントすることによりレジスト１１のパターニングがなされている。この状態において、レジスト１１に覆われていない第２の導電膜１０をエッチング除去する際に、第１の導電膜もエッチングされてしまう状況が生じうる。
【００１５】
この場合、第１の導電膜からなるアライメントマーク４を基にして第２の導電膜をパターニング形成することができるものの、第２の導電膜よりも上層の膜をパターニングする際には第１の導電膜からなるアライメントマーク４は消失していることになる。したがって、第２の導電膜よりも上層の膜をパターニングする際のアライメントマークとしては、第２の導電膜からなるアライメントマークを用いざるをえないこととなる。
【００１６】
そのため、第２の導電層より上層に形成される構造物のパターンは第２の導電層で形成されたアライメントマークを元にパターニングを行う為、第１の導電層で形成されたパターンとのアライメント精度が劣化するという問題があった。本発明は、第２の導電層のパターンと第１の導電層とのアライメント精度を有しつつ、第２の導電層よりも上層に形成される構造物のパターンと第１の導電層とのアライメント精度も向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明に係るタッチパネル基板の製造方法は、第1の導電膜を成膜する工程と、前記第1の導電膜をパターニングすることにより、下層配線、下層配線端子、第一形成領域のアライメントマーク及び第二形成領域のアライメントマークを形成する工程と、少なくとも前記第一形成領域の前記アライメントマークを覆い、少なくとも前記第二形成領域の前記アライメントマークを露出する層間平坦化膜を形成する工程と、第2の導電膜を成膜する工程と、前記第二形成領域の前記アライメントマークを用いて少なくとも上層配線と上層配線端子を形成する為のレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンを用いて前記第2の導電膜で形成される前記上層配線と前記上層配線端子をパターニングすると共に前記第二形成領域の前記アライメントマークをエッチングする工程と、前記上層配線と前記上層配線端子上に保護膜を成膜する工程と、前記第一形成領域の前記アライメントマークを用いて少なくとも前記保護膜に開口部を形成する工程とを備えたことを特徴とするタッチパネル基板の製造方法である。
【発明の効果】
【００１８】
第２の導電層のパターンと第１の導電層とのアライメント精度を有しつつ、第２の導電層の上層に形成された構造物のパターンと第１の導電層のパターンとのアライメント精度を向上させることが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】実施の形態１にかかるガラス基板上に配列されたタッチパネル概観
【図２】実施の形態１にかかるタッチパネルの概略平面図
【図３】実施の形態１にかかるタッチパネルのＡＡ断面図
【図４】実施の形態１にかかるアライメントマークの平面図
【図５】実施の形態１にかかるアライメントマークのＢＢ断面図
【図６】実施の形態１にかかる下層配線形成後の断面図
【図７】実施の形態１にかかる層間平坦化膜形成後の断面図
【図８】実施の形態１にかかる上層配線の写真製版後の断面図
【図９】実施の形態１にかかる上層配線形成後の断面図
【図１０】実施の形態１にかかる保護膜成膜後の断面図
【図１１】別のマスクを用いた場合のパネル断面図
【図１２】別の実施例の第2の導電膜成膜後の平面図及び断面図
【図１３】別の実施例の層間平坦化膜塗布後の平面図及び断面図
【図１４】別の実施例の第2の導電膜形成工程のアライメントマークの断面図
【図１５】タッチパネル基板の断面図
【図１６】タッチパネル基板の断面図
【図１７】タッチパネル基板の断面図
【発明を実施するための形態】
【００２０】
実施の形態１
タッチパネルを例にとって、本実施の形態１について説明する。図１に、ガラス等の基板１上に配列されたパターン概略を示す。ガラス基板には１つ以上のタッチパネル１００と、タッチパネルの形成に用いるアライメントマークを配置する領域１０１が設けられている。図２、図３に、タッチパネルの平面図と断面図を各々示す。
【００２１】
タッチパネル１００は第１の導電膜で形成された下層配線２及び下層配線端子３と、第１の導電膜上に形成された層間平坦化膜６と、層間平坦化膜６上に形成された第２の導電膜で形成された上層配線７と上層配線端子８と、第２の導電膜上に形成された保護膜９にて構成されている。
【００２２】
下層配線端子３は第１導電膜上の層間平坦化膜６及び保護膜９を除去したコンタクトホールである開口部ＣＨ１を介して、また、上層配線端子８は第２の導電膜上の保護膜９を除去したコンタクトホールである開口部ＣＨ２を介して、それぞれ外部回路との電気的接続を形成する。
【００２３】
図４にアライメントマーク領域の平面図を示す。また、図４においてＢ−Ｂで示した箇所の断面図を図５に示す。図５（ａ）〜（ｄ）は断面図の一例を各々示したものである。図４においてアライメントマーク領域１０１は、アライメントマーク第一形成領域１０２とアライメントマーク第二形成領域１０３とを有している。ここで、図５（ａ）から、アライメントマーク第二形成領域１０３は開口部ＣＨ３内に形成されている。
【００２４】
図５（ａ）に示すアライメントマーク第一形成領域１０２においては、第１の導電膜で形成されたアライメントパターン４と、その上層に少なくとも層間平坦化膜６が形成されている。
【００２５】
また、図５（ａ）に示すアライメントマーク第二形成領域１０３は、層間平坦化膜６に設けられた開口部ＣＨ３内に設けられており、開口部ＣＨ３内には保護膜９が形成されている。図１７で説明したように層間平坦化膜６の開口内においては製造工程の途中までは第１の導電膜で形成されたアライメントパターン４が形成されている。しかし、図５（ａ）に示すようにタッチパネル１００が完成した時点ではアライメントパターン４は消失している。
【００２６】
このように、アライメントマーク第二形成領域１０３においては第１の導電膜で形成されたアライメントパターン４は最終的に残存しないが、層間平坦化膜６の開口の方法によってはその痕跡を残すこともあり、図５（ｂ）〜図５（ｄ）にその一例を示す。
【００２７】
図５（ｂ）の様に第１の導電膜で形成したアライメントマーク４のパターンに沿ってガラス基板１がエッチングされる場合もあるが、この場合には第１の導電膜はエッチングされておりアライメントマーク４としては機能しない状態となっている。
【００２８】
なお、図５（ａ）、図５（ｂ）において保護膜９はアライメントマーク領域１０１において残存した状態を示したが、図５（ｃ）の様に保護膜９が除去されて、アライメントマーク第一形成領域１０２の第1の導電膜で形成したアライメントマーク４上には層間平坦化膜６のみが残存する構造でもよい。
【００２９】
さらには図５（ｄ）の様に保護膜９及び層間平坦化膜６が除去されて、アライメントマーク第一形成領域１０２において第1の導電膜で形成したアライメントマーク４が露出する構造でもよい。保護膜９が除去された構造において、保護膜のエッチング時に保護膜９と層間平坦化膜６の選択比が十分大きくかつ下層端子の開口部ＣＨ1において予め層間平坦化膜６の開口がなされている場合は図５（ｃ）となり、選択比が小さい場合または下層端子３の開口部ＣＨ1は層間平坦化膜６と保護膜９の開口処理を同時に行い形成した場合は図５（ｄ）の断面形状となる。
【００３０】
なお図５（ｃ）、図５（ｄ）においてはガラス基板１に第１導電膜で形成したアライメントパターンの跡５が残る場合について示したが、エッチング条件によって図５（ａ）の様に残らない場合もある。
【００３１】
また、アライメントマーク４として四角パターンを並べた形状を示したが、他のパターン例えば井桁（いげた）パターン等を用いてもよい。
【００３２】
次に、本実施の形態１における製造方法について説明する。ガラス等の基板１上に第１の導電膜、例えばＡｌ系合金をスパッタ法にて成膜する。次に写真製版処理で下層配線２、下層配線端子３及びアライメントマーク４等を形成するためのレジストパターンを形成する。次に、例えば燐酸と硝酸と酢酸の混液を用いて、レジストに覆われずに露出している第１の導電膜をエッチングする。次に、レジスト剥離液にて残存するレジストを除去する。
【００３３】
このようにして、下層配線２、下層配線端子３、アライメントマーク４が形成される。この状態を図６（ａ）、図６（ｂ）に示す。ここで、図６（ａ）は、図２のＡ−Ａで示されるように配線端子３、８を含むパネル１００の工程断面図である。また、図６（ｂ）は図４のＢ−Ｂで示されたアライメントマーク領域１０１の工程断面図である。
【００３４】
図６（ａ）において、第１の導電膜を用いた下層配線２と下層配線端子３がパネル内に形成されている。また、図６（ｂ）において、アライメントマーク領域１０１においてはアライメントマーク第一形成領域１０２とアライメントマーク第二形成領域１０３に第１の導電膜を用いたアライメントマーク４が形成されている。
【００３５】
なお、第１の導電膜としてＡｌ系合金を挙げたが、配線抵抗を低減できるＡｌ系合金の積層膜、Ｃｕ等の低抵抗金属の積層膜でもよい。
【００３６】
第1の導電膜のパターンを形成した後に、層間平坦化膜６として、例えば有機ＳｉＯ2系材料を塗布し焼成する。次に写真製版処理により、アライメントマーク形成領域１０３にて開口して層間平坦化膜６を露出するレジストパターン１１を形成する。本工程の写真製版処理では、アライメントマーク第一形成領域１０２とアライメントマーク第二形成領域１０３のどちらのアライメントマーク４を用いても同じ精度で重ね合わせが可能である。
【００３７】
次にドライエッチ法を用いてレジストパターン１１の開口部分で露出する層間平坦化膜６をエッチングする。その後、レジスト剥離液を用いて残存するレジストを除去する。この状態を図７（ａ）、図７（ｂ）に示す。
【００３８】
ここで、図７（ａ）は、図２のＡ−Ａで示された箇所の工程断面図であり、図７（ｂ）は図４のＢ−Ｂで示された箇所の工程断面図である。図７（ａ）において、パネル内では下層配線２及び下層配線端子３上には層間平坦化膜６が形成されている。
【００３９】
一方、図７（ｂ）において、アライメントマーク第一形成領域１０２では第１の導電膜で形成したアライメントマーク４上を層間平坦化膜６が覆っているが、アライメントマーク第二形成領域１０３においては層間平坦化膜６に開口部ＣＨ３が形成され、第１の導電膜で形成されたアライメントマーク４は露出している。
【００４０】
ここで、図示しないが、たとえば層間平坦化膜６と基板１の材料であるガラスとのエッチング選択比が低かったり、オーバーエッチング時間が長かったりするドライエッチング条件の場合には、アライメントマーク４で覆われていないガラス基板表面がエッチングされることがある。そのような場合には、アライメントマーク第二形成領域１０３は、図５（ｂ）〜図５（ｄ）に示したような構造となる。
【００４１】
なお、層間平坦化膜６として有機ＳｉＯ２系の平坦化膜を示したが、無機ＳｉＯ２系でもよくさらにはアクリル系やポリイミド系等の有機膜でもよい。
【００４２】
また、層間平坦化膜６のパターニングとしてレジストパターンを用いたドライエッチングにて形成する方法を示したが、層間平坦化膜６に感光機能を付加した材料を用いて層間平坦化膜６の塗布後に露光、現像にてパターニングする方法を用いてもよい。この場合、感光基による着色を抑制するためブリーチング露光などの追加処理をするのが好ましい。
【００４３】
次に層間平坦化膜６上に第２の導電膜１０、例えば第１の導電膜と同材料のＡｌ系合金をスパッタ法にて成膜する。次に写真製版処理で上層配線７及び上層配線端子８等のレジストパターン１１を形成する。この状態を図８に示す。
【００４４】
ここで、図８（ａ）は、図２のＡ−Ａで示された箇所の工程断面図であり、図８（ｂ）は図４のＢ−Ｂで示された箇所の工程断面図である。図８（ａ）において、パネル内では上層配線７及び上層配線端子８を形成するレジスト１１がパターニングされている。一方、図８（ｂ）において、アライメントマーク第一形成領域１０２、アライメントマーク第二形成領域１０３ではレジストパターンは形成されておらず、開口部ＣＨ３内で露出していたアライメントマーク４上を第２の導電膜１０が覆っている。
【００４５】
本工程の写真製版処理においては、層間保護膜を開口しているアライメントマーク第二形成領域１０３のアライメントマーク４を用いて行う。すなわち、図８（ｂ）に示されるように、第２の導電膜１０はアライメントマーク４上を覆っており、アライメントマーク４の凹凸を反映した表面形状をなしている。第２の導電膜１０で覆われたこの凹凸をアライメントマークとして用いることにより、上層配線７及び上層配線端子８等を形成するためのレジストパターン１１を形成するのである。これにより、第２の導電膜１０のパターニングは、第１の導電膜からなるアライメントマーク４を基にして行うことが可能となる。
【００４６】
次に例えば燐酸と硝酸と酢酸の混液を用いて第２の導電膜１０をエッチングする。次にレジスト剥離液にて残存するレジストを除去する。この状態を図９に示す。ここで、図９（ａ）は、図２のＡ−Ａで示された箇所の工程断面図であり、図９（ｂ）は図４のＢ−Ｂで示された箇所の工程断面図である。
【００４７】
図９（ａ）において、パネル内では上層配線７及び上層配線端子８が形成されている。
一方、図９（ｂ）において、アライメントマーク第二形成領域１０３では層間平坦化膜６を開口して露出されたアライメントマーク４が第２の導電膜１０のエッチングにおいて同時にエッチングされ除去されている。言い換えれば、この第１の導電膜からなるアライメントマーク４は、第２の導電膜１０のパターン形成の際のアライメントマークとして用い尽くされたことになる。
【００４８】
なお、第２の導電膜として第１の導電膜と同様に配線抵抗を低減できるＡｌ系合金を示したが、Ａｌ系合金の積層膜、Ｃｕ等の低抵抗金属の積層膜でも良い。また、第２の導電膜と第１の導電膜とは必ずしも同じ材料でなくとも、本発明の実施の形態による効果を奏することが可能である。
【００４９】
すなわち、第１の導電膜と第２の導電膜とのエッチング選択性が低いような関係であってもよい。たとえば、第１の導電膜がアルミで、第２の導電膜がモリブデンであって、第２の導電膜のエッチング液に燐酸と硝酸と酢酸の混液を使用してもよい。この場合、第２の導電膜であるモリブデンが溶解するだけでなく、第１の導電膜のアルミも溶解するが、本発明の実施の形態１による効果を享受することが可能である。
【００５０】
第２の導電膜のパターンを形成した後に保護膜９として例えば有機ＳｉＯ２系材料を塗布し焼成する。この状態を図１０に示す。ここで、図１０（ａ）は、図２のＡ−Ａで示された箇所の工程断面図であり、図１０（ｂ）は図４のＢ−Ｂで示された箇所の工程断面図である。
【００５１】
次に写真製版処理にて、下層配線端子３及び上層配線端子８部分を開口したレジストパターン（図示せず）を形成する。本工程の写真製版処理においては、アライメントマーク第一形成領域１０２の層間保護膜６に覆われているアライメントマーク４を用いて行う。先に第２の導電膜１０のパターニングの際に用いたアライメントマーク第二形成領域１０３のアライメントマークはエッチングにより除去されてしまったが、アライメントマーク第一形成領域１０２のアライメントマークは残存しているので、第２導電膜１０の上層のパターニングに関する本工程においても第１の導電膜のパターンを基にしたパターニングが可能となるのである。
【００５２】
その後はレジストパターンをエッチングマスクとして、ドライエッチング法を用いて保護膜９と層間平坦化膜６をエッチングした後にレジスト剥離液により残存するレジストを除去すれば、図２〜５に示す構造となる。
【００５３】
なお、保護膜として有機ＳｉＯ２系の平坦化膜を示したが、無機ＳｉＯ２系、アクリル系やポリイミド系等の有機膜でもよく、さらにはＣＶＤ法を用いた無機絶縁膜や複合膜でもよい。
【００５４】
本実施の形態１において、下層配線端子３を開口する開口部ＣＨ１は、保護膜９を成膜した後に形成したレジストパターンをエッチングマスクとして保護膜９と層間平坦化膜６を一括してエッチング除去することによって形成されている。
【００５５】
一方、コンタクトホールを開口する際に、保護膜９と層間平坦化膜６とを一括してエッチングするのではなく、保護膜９へのコンタクトホール開口工程と、層間平坦化膜６へのコンタクトホール開口工程とを別にしても良い。このような製造方法について、図１１を用いて説明する。
【００５６】
図１１（ａ）は、コンタクトホールＣＨ４が開口されている点を除くと図７（ａ）と同じである。別の言い方をすると、図７（ｂ）に示すアライメントマーク形成領域１０１において層間平坦化膜６を除去するのと同時に、下層配線端子３上の層間平坦化膜６も除去した場合に図１１（ａ）に示す構造となる。
【００５７】
図１１（ｂ）は、図１１（ａ）に示す構造に第２の導電膜１０を形成してパターニングを行い、上層配線７、上層配線端子８に加えてＣＨ４を覆うようにして下層配線端子パッド１２をも形成した構造である。なお、図１１（ｂ）は層間平坦化膜６に開口したコンタクトホールＣＨ４を介して、下層配線端子と接続する下層配線端子パッド１２が形成されている点を除くと図９（ａ）と同じである。別の言い方をすると、図９（ａ）において第２の導電膜１０のパターン形成の際に、上層配線７、上層配線端子８に加えて、ＣＨ４を覆うようにして下層配線端子パッド１２も形成すると、図１１（ｂ）に示す構造となる。
【００５８】
図１１（ｃ）は、図１１（ｂ）に示す構造に保護膜９を形成した後に保護膜９に開口部ＣＨ２を設けて下層配線端子パッド１２を露出したような構造である。また、開口部ＣＨ２は上層配線端子８上にも形成されている。
【００５９】
なお、図１１（ｃ）では下層配線端子パッド１２上において開口部ＣＨ４と開口部ＣＨ２とが重なっているが、第１の導電膜で形成された下層配線２と開口部ＣＨ４を介して電気的接続された第２の導電膜で形成された下層配線端子パッド１２上に開口部ＣＨ２が開口されていれば電気的接続関係は保たれるので、開口部ＣＨ４と開口部ＣＨ２は離れた場所に形成されていてもよい。
【００６０】
本実施の形態１では、層間平坦化膜６、上層配線７、保護膜９の全てについて下層配線形成時のアライメントマークを元に写真製版処理が行える為、各層間のパターンの重ねずれを小さくできるので加工精度のよいタッチパネルを提供することが出来る。
【００６１】
実施の形態２
層間平坦化膜を塗布した状態のガラス基板を示した図１２（ａ）と、その時のアライメントマーク領域の断面を示した図１２（ｂ）を用いて、本実施の形態２について説明する。なお、図１２（ｂ）は、図１２（ａ）においてＣ−Ｃで示した箇所の断面図である。また、製造工程という観点では、図１２（ｂ）は図７（ｂ）とほぼ対応する。
【００６２】
図１２（ａ）において、ガラス基板１上には複数のタッチパネル１００の形成領域があり、ガラス基板１の周縁部にはアライメントマーク領域１０１が形成されている。ガラス基板１上に層間平坦化膜が塗布されている領域が層間平坦化膜塗布領域１０４であり、各アライメントマーク領域１０１の一部を覆うような領域となっている。すなわち、各アライメントマーク領域１０１には層間平坦化膜６が塗布されている領域１０４と塗布されていない領域とがあることになる。
【００６３】
図１２（ｂ）のアライメントマーク形成領域１０１において、層間平坦化膜６が形成されており、第１の導電膜のパターンが覆われている領域がアライメントマーク形成領域１０２である。図１２（ｂ）におけるアライメントマーク第一形成領域１０２は図１２（ａ）における層間平坦化膜塗布領域１０４の一部である。一方で、層間平坦化膜６が形成されておらず、第１の導電膜のアライメントマーク４が露出している領域がアライメントマーク形成領域１０３である。
【００６４】
実施の形態１においては、アライメントマーク第一形成領域１０２とアライメントマーク第二形成領域１０３の位置関係は任意の配置関係をとっていたが、本実施の形態ではアライメントマーク第二形成領域１０３はアライメントマーク第一形成領域１０２よりも基板１の外側に配置されていることが、層間平坦化膜６を形成する上で望ましい配置である。
【００６５】
また、実施の形態１においては、アライメントマーク第二形成領域１０３における層間平坦化膜６の開口部ＣＨ３は写真製版等の処理によって実施したが、本実施の形態においては層間平坦化膜６の塗布時の条件設定により第１の導電膜で形成したアライメントマーク４を露出させることを特徴としている。すなわち、本実施の形態においては、層間平坦化膜６を塗布し終えた時点でアライメントマーク４は既に露出していることとなる。
【００６６】
塗布条件としては、層間平坦化膜材料を塗布するノズルのスキャン開始位置を領域１０３よりもガラス基板１の内側で、かつ、アライメントマーク第一形成領域１０２よりもガラス基板１の外側となるような領域に設定する。そして、スキャン終了位置は、スキャン開始位置に近接するガラス基板１の辺と対向する辺において、アライメントマーク第二形成領域１０３よりもガラス基板１の内側で、かつ、アライメントマーク第一形成領域１０２よりもガラス基板１の外側となるような領域に設定する。なお、スキャン開始位置とスキャン終了位置でのにじみ等の影響を受けないようにアライメントマーク第二形成領域１０３を配置することが望ましい。
【００６７】
本実施の形態では、層間平坦化膜のエッチング加工等を行わなくても、第２の導電膜のレジストパターン用に第１の導電膜で形成したアライメントマークを露出させることが可能である。したがって、工程の削減が可能となる。
【００６８】
さらに、層間平坦化膜を塗布する際のスキャン開始・終了位置はレシピにて設定が可能なので、他機種のパネル配置であっても簡単に対応することが可能である。その他の製造工程については、実施の形態１と同様としてよい。
【００６９】
実施の形態３
第２の導電膜をパターニングするための写真製版版処理をした後におけるアライメントマーク形成領域の断面を示した図１３ａと、第２の導電膜をパターニングした状態の断面を示した図１３（ｂ）を用いて、本実施の形態３について説明する。なお、工程という観点では、図１３（ａ）は図８（ｂ）と、図１３（ｂ）は図９（ｂ）とほぼ対応する。
【００７０】
図１３（ａ）において、アライメントマーク第二形成領域１０３では、層間平坦化膜６の開口部ＣＨ３内に形成されている第１の導電膜からなるパターン上を覆う第２の導電膜１０の上層にレジストパターン１１が形成されている。
【００７１】
図１３（ｂ）は、図１３（ａ）に示す構造から、レジストパターンをマスクとして第２の導電膜１０をエッチング除去して、さらに残存するレジストパターンを剥離除去した構造を示している。アライメントマーク第二形成領域１０３においては、第１の導電膜のパターンはエッチングによっても消失することなく、第２の導電膜１０に覆われたまま残存している。
【００７２】
本実施の形態においては、第２の導電膜のパターニング時にアライメントマーク第二形成領域１０３をレジストパターンで覆うことにより第１の導電膜で形成したアライメントマーク４が消失することを防止できる。したがって、同一のアライメントマークを用いることが出来る。すなわち、実施の形態１においては、第２の導電膜のパターニングの際には、アライメントマーク第二形成領域１０３のアライメントマークを用いる一方で、第２の導電膜１０よりも上層のパターニングの際にはアライメントマーク第一形成領域１０２のアライメントマークを用いていたが、本実施の形態においては、いずれのパターニングの場合においてもアライメントマーク第二形成領域１０３のアライメントマークを用いることができるのである。
【００７３】
実施の形態４
実施の形態１〜３においては、第１導電膜からなるアライメントマークを覆う層間平坦化膜を除去してアライメントマークを露出させる工程を有していた。本実施の形態においては、そのような工程すら削減できる点で実施の形態１〜３と異なる。
【００７４】
第２の導電膜を成膜した状態における本実施の形態４にかかるガラス基板を図１４（ａ）に示す。また、ガラス基板上に形成されるタッチパネルの断面を図１４（ｂ）に、アライメントマーク領域の断面を図１４（ｃ）に示す。
【００７５】
図１４（ｂ）に示すとおり、第２の導電膜１０はタッチパネル１００の形成領域においては膜厚ｄ１で形成されている。その一方で、図１４（ｃ）に示すようにアライメントマーク領域１０１においては、第２の導電膜１０はタッチパネル１００の領域における膜厚ｄ１より薄い膜厚ｄ２で成膜されている。膜厚ｄ２は露光装置のアライメント光が透過する膜厚であることが望ましく、さらにはアライメントマーク領域１０１において第２の導電膜は成膜されていなくてもよい。第２の導電膜１０において厚みを薄くした領域においては、下層のアライメントマーク４は物理的には層間平坦化膜６によって覆われているものの光学的には露出しているともいえる。
【００７６】
なお、スパッタ成膜にて、膜厚ｄ１＞ｄ２とする方法として、装置への膜防着用のスパッタ防着マスクの開口形状をパネル形成領域に設定する方法や、スパッタ時のマグネットスキャンスピードをアライメントマーク領域＞パネル領域に設定する方法や、スパッタ時のマグネットのスキャン領域をアライメントマーク領域までのスキャンとパネル領域までのスキャンとを組み合わせて設定する等の方法が挙げられる。
【００７７】
以上のように防着マスクの使用やスキャン領域の調整により第２の導電膜１０の膜厚に差を設ける場合には加工精度の点などから特に、アライメントマーク４は基板１の周辺に配置されるのが望ましい。
【００７８】
本実施の形態４においては層間平坦化膜６を開口したアライメントマーク第一形成領域１０３を形成する必要がなく、層間平坦化膜６に覆われた状態のアライメントマーク第一形成領域１０２のアライメントマーク４を用いて第２の導電膜のレジストパターンを形成する。
【００７９】
本実施の形態４では層間平坦化膜下の第１の導電膜で形成した第２の導電膜のレジストパターン用のアライメントマークを層間平坦化膜のエッチング加工処理等を行わなくても検出できるので工程の削減が可能となる。
【符号の説明】
【００８０】
１  基板
２  下層配線（第１の導電膜配線）、３  下層配線端子
４  第１のアライメントマーク、５  第１のアライメントマーク跡
６  層間平坦化膜
７  上層配線（第２の導電膜配線）、８  上層配線端子
９  保護膜
１０  第２の導電膜、１１  レジスト
１２  下層配線端子パッド
１００  タッチパネル
１０１  アライメントマーク領域
１０２  アライメントマーク第一形成領域
１０３  アライメントマーク第二形成領域
１０４  層間平坦化膜塗布領域
ＣＨ１、ＣＨ２、ＣＨ３、ＣＨ４  開口部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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