(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の主表面、外周端面、及び内周端面を有するドーナツ形状の磁気記録媒体用ガラス基板であって、
前記外周端面が外周側面部、及び前記外周側面部と前記主表面との間に配置された外周面取り部を有し、
前記一対の主表面と垂直で、かつ前記磁気記録媒体用ガラス基板の中心軸を通る断面において、
前記主表面と平行な軸をＸ軸とし、前記外周端面の最外周位置のＸ座標を０、前記外周端面の最外周位置よりも、前記磁気記録媒体用ガラス基板の中心軸側のＸ座標を正とした場合に、
前記外周端面のうち、Ｘ座標が５μｍの点と、Ｘ座標が１０μｍの点とを結んだ直線と、前記Ｘ軸とが形成する角度が８１°以上８５°以下、
前記外周端面のうち、Ｘ座標が１０μｍの点と、Ｘ座標が２０μｍの点とを結んだ直線と、前記Ｘ軸とが形成する角度が６９°以上８３°以下、
前記外周端面のうち、Ｘ座標が２０μｍの点と、Ｘ座標が３０μｍの点とを結んだ直線と、前記Ｘ軸とが形成する角度が５２°以上７２°以下、
前記外周端面のうち、Ｘ座標が３０μｍの点と、Ｘ座標が４０μｍの点とを結んだ直線と、前記Ｘ軸とが形成する角度が５１°以上６８°以下、
である磁気記録媒体用ガラス基板。
【請求項２】
前記外周端面のうち、Ｘ座標が５μｍの点と、Ｘ座標が１０μｍの点とを結んだ直線と、前記Ｘ軸とが形成する角度が８１°以上８４°以下、
前記外周端面のうち、Ｘ座標が１０μｍの点と、Ｘ座標が２０μｍの点とを結んだ直線と、前記Ｘ軸とが形成する角度が７５°以上８２°以下、
前記外周端面のうち、Ｘ座標が２０μｍの点と、Ｘ座標が３０μｍの点とを結んだ直線と、前記Ｘ軸とが形成する角度が５５°以上７２°以下、
前記外周端面のうち、Ｘ座標が３０μｍの点と、Ｘ座標が４０μｍの点とを結んだ直線と、前記Ｘ軸とが形成する角度が５１°以上６８°以下、
である請求項１に記載の磁気記録媒体用ガラス基板。
【請求項３】
５０℃以上３５０℃以下の温度域における平均熱膨張係数が５０×１０−７／℃未満のガラス材料からなる、請求項１または２記載の磁気記録媒体用ガラス基板。
【請求項４】
エネルギーアシスト磁気記録媒体用の磁気記録媒体用ガラス基板である、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の磁気記録媒体用ガラス基板。
【請求項５】
モル百分率表示で、ＳｉＯ２を６２％以上７４％以下、Ａｌ２Ｏ３を７％以上１８％以下、Ｂ２Ｏ３を２％以上１５％以下含有し、ＭｇＯを０以上１０％以下、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯのいずれか１成分以上を合計で１％以上２１％以下含有し、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯの含有量合計が８％以上２１％以下、上記７成分の含有量合計が９５％以上のガラス材料からなる請求項１乃至４の何れか一項に記載の磁気記録媒体用ガラス基板。
【請求項６】
モル百分率表示でＳｉＯ２を６２％以上７４％以下、Ａｌ２Ｏ３を７％以上１８％以下、Ｂ２Ｏ３を０以上２％未満、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯの含有量合計が５％以上１８％以下、上記７成分の含有量合計が９５％以上のガラス材料からなる請求項１乃至４の何れか一項に記載の磁気記録媒体用ガラス基板。
【請求項７】
モル百分率表示で、ＳｉＯ２を６０％以上７５％以下、Ａｌ２Ｏ３を７％以上１７％以下、Ｂ２Ｏ３を０以上２％未満、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯの含有量合計が１８％超２６％以下、上記７成分の含有量合計が９５％以上のガラス材料からなる請求項１乃至４の何れか一項に記載の磁気記録媒体用ガラス基板。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の磁気記録媒体用ガラス基板を含む磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体用ガラス基板、磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録装置は、磁気記録媒体用基板上に磁性層等を成膜した磁気記録媒体を備えており、該磁性層を用いて情報を記録することができる。
【０００３】
磁気記録装置に用いられる磁気記録媒体用基板としては、従来、アルミニウム合金基板が使用されてきたが、高記録密度化の要求に伴い、アルミニウム合金基板に比べて硬く、平坦性や平滑性に優れるガラス基板が主流となってきている。
【０００４】
そして、近年では年々高まる高記録密度化のニーズに応えるため、エネルギーアシスト磁気記録方式を用いた磁気記録媒体、すなわちエネルギーアシスト磁気記録媒体が検討されている。エネルギーアシスト磁気記録媒体についても、基板として磁気記録媒体用ガラス基板を用い、磁気記録媒体用ガラス基板の主表面上に磁性層等を配置した構成を有することができる。
【０００５】
エネルギーアシスト磁気記録媒体では、磁性層の磁性材料として磁気異方性係数Ｋｕの大きい（以下、「高Ｋｕ」とも記載する）規則合金が用いられている。そして、規則化の程度（規則度）を高めて高Ｋｕを実現するため、磁性層の成膜時、成膜前、または成膜後に、磁気記録媒体用ガラス基板を含む基材を６００℃〜７００℃程度の高温で熱処理を行う場合がある。
【０００６】
磁性層の成膜時、成膜前、または成膜後に高温での熱処理を行うのは、例えばエネルギーアシスト磁気記録媒体の磁性層の磁性材料として好適なＦｅＰｔ系合金等において、アニール温度を高くするほど保磁力を高められるためでもある。
【０００７】
磁気記録媒体用ガラス基板は、通常一対の主表面、外周端面、及び内周端面を有するドーナツ形状を有しており、外周端面は、主表面と略垂直な外周側面部、及び外周側面部と主表面との間に配置された外周面取り部を有している。
【０００８】
磁気記録媒体用ガラス基板の端面形状については、従来から各種検討がなされている。例えば特許文献１には、磁気ディスクのコロージョン対策に有効な磁気記録媒体用ガラス基板が開示されている。
【０００９】
具体的には、基板端面の研削加工工程を含む製造方法によって製造された磁気ディスク用ガラス基板であって、前記ガラス基板の端面は、側壁面と、該ガラス基板の両方の主表面と側壁面との間の２つの面取面とから形成され、２つの面取面のいずれにおいても面内の表面粗さＲａのばらつきが±０．０１μｍ以内であり、前記ガラス基板の端面は鏡面であって、表面粗さはＲｍａｘで１μｍ以下、かつ、Ｒａで０．１μｍ以下であり、前記ガラス基板の内周及び外周の面取面と側壁面の角度ばらつきが目標の角度に対して０．８度以内であることを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特許第５６３９２１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
ところで、磁気記録媒体用ガラス基板について、上述のような高温での熱処理時や、熱処理後の冷却時等に、急激な温度変化が加えられた際に、外周端面を起点として割れ等を生じる場合があった。このため、熱処理時に急激な温度変化が加えられた場合でも割れの発生を抑制できる磁気記録媒体用ガラス基板が求められていた。
【００１２】
そこで、本発明の一側面では上記従来技術が有する問題に鑑み、急激な温度変化が加えられた場合に割れが生じることを抑制した磁気記録媒体用ガラス基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の一側面では、一対の主表面、外周端面、及び内周端面を有するドーナツ形状の磁気記録媒体用ガラス基板であって、
前記外周端面が外周側面部、及び前記外周側面部と前記主表面との間に配置された外周面取り部を有し、
前記一対の主表面と垂直で、かつ前記磁気記録媒体用ガラス基板の中心軸を通る断面において、
前記主表面と平行な軸をＸ軸とし、前記外周端面の最外周位置のＸ座標を０、前記外周端面の最外周位置よりも、前記磁気記録媒体用ガラス基板の中心軸側のＸ座標を正とした場合に、
前記外周端面のうち、Ｘ座標が５μｍの点と、Ｘ座標が１０μｍの点とを結んだ直線と、前記Ｘ軸とが形成する角度が８１°以上８５°以下、
前記外周端面のうち、Ｘ座標が１０μｍの点と、Ｘ座標が２０μｍの点とを結んだ直線と、前記Ｘ軸とが形成する角度が６９°以上８３°以下、
前記外周端面のうち、Ｘ座標が２０μｍの点と、Ｘ座標が３０μｍの点とを結んだ直線と、前記Ｘ軸とが形成する角度が５２°以上７２°以下、
前記外周端面のうち、Ｘ座標が３０μｍの点と、Ｘ座標が４０μｍの点とを結んだ直線と、前記Ｘ軸とが形成する角度が５１°以上６８°以下、
である磁気記録媒体用ガラス基板を提供する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の磁気記録媒体用ガラス基板の一側面によれば、急激な温度変化が加えられた場合に割れが生じることを抑制した磁気記録媒体用ガラス基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施形態に係る磁気記録媒体用ガラス基板の説明図。
【図２】図１の磁気記録媒体用ガラス基板の断面図の一部拡大図。
【図３】面取り工程で用いる砥石の説明図。
【図４】端面研磨工程で用いる端面研磨装置の構成例の説明図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明するが、本発明は、下記の実施形態に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、下記の実施形態に種々の変形および置換を加えることができる。
（磁気記録媒体用ガラス基板）
本実施形態の磁気記録媒体用ガラス基板の一構成例について説明を行う。
【００１７】
本実施形態の磁気記録媒体用ガラス基板は、一対の主表面、外周端面、及び内周端面を有するドーナツ形状の磁気記録媒体用ガラス基板であって、外周端面が外周側面部、及び外周側面部と主表面との間に配置された外周面取り部を有することができる。  
ここで、一対の主表面と垂直で、かつ磁気記録媒体用ガラス基板の中心軸を通る断面において、主表面と平行な軸をＸ軸とし、外周端面の最外周位置のＸ座標を０、外周端面の最外周位置よりも、磁気記録媒体用ガラス基板の中心軸側のＸ座標を正とする。
【００１８】
この場合に、外周端面のうち、Ｘ座標が５μｍの点と、Ｘ座標が１０μｍの点とを結んだ直線と、前記Ｘ軸とが形成する角度を８１°以上８５°以下とすることができる。  
また、外周端面のうち、Ｘ座標が１０μｍの点と、Ｘ座標が２０μｍの点とを結んだ直線と、前記Ｘ軸とが形成する角度が６９°以上８３°以下とすることができる。  
また、外周端面のうち、Ｘ座標が２０μｍの点と、Ｘ座標が３０μｍの点とを結んだ直線と、前記Ｘ軸とが形成する角度が５２°以上７２°以下とすることができる。
【００１９】
まず、図１を用いて本実施形態の磁気記録媒体用ガラス基板（以下、単に「ガラス基板」とも記載する）の構造について説明する。
【００２０】
図１は本実施形態のガラス基板の斜視断面図を模式的に示している。図１はガラス基板１０の中心軸Ｏを通り、主表面１２１、１２２と垂直な面における断面を含む斜視断面図となっている。すなわち、図１では本実施形態のガラス基板の半分と、断面図とをあわせて示している。
【００２１】
図１から把握されるように、ガラス基板１０は外周が円形であり、中央部には外周と同心円となるように円形の開口部（中央開口部）１１が設けられた円板形状、すなわちドーナツ形状を有している。
【００２２】
そして、上下の面が主表面１２１、１２２となっている。また、ガラス基板１０は外周に位置する外周端面１３と、内周に位置する内周端面１４と、を有している。
【００２３】
外周端面１３、及び内周端面１４は主表面１２１、１２２側にそれぞれ面取り部を有することができる。すなわち、外周端面１３、及び内周端面１４は、それぞれ一対の面取り部を有することができる。具体的には外周端面１３は外周面取り部１３１、１３３を、内周端面１４は内周面取り部１４１、１４３をそれぞれ有することができる。
【００２４】
また、面取り部間には側面部を形成することができ、外周端面１３は外周側面部１３２を、内周端面１４は内周側面部１４２をそれぞれ有することができる。外周側面部１３２、及び内周側面部１４２はそれぞれ主表面１２１、１２２と略垂直になるように形成できる。
【００２５】
以上のように、外周端面１３は外周側面部１３２と、外周面取り部１３１、１３３とを含み、内周端面１４は内周側面部１４２と、内周面取り部１４１、１４３とを含むことができる。
【００２６】
なお、本実施形態のガラス基板１０のサイズは特に限定されるものではなく、ガラス基板の仕様にあわせて任意に選択することができる。本実施形態のガラス基板の直径Ｄは例えば４８ｍｍ、６５ｍｍ、または９５ｍｍ等のガラス基板に要求される仕様に応じたサイズとすることができる。特に、本実施形態のガラス基板の直径は、近年需要が高まっている６５ｍｍ以上であることが好ましい。
【００２７】
本発明の発明者らは、熱処理等を行う際に急激な温度変化が加えられた場合でも割れが生じることを抑制できるガラス基板について鋭意検討を行った。そして、熱処理等を行う際に急激な温度変化が加えられた際に生じている割れは、主に外周端面の熱膨張、または熱収縮により、外周端面に含まれる微小なクラックを起点として生じていることが分かった。
【００２８】
そこで、本発明の発明者らはさらに検討を行い、外周端面の形状、具体的には主表面と垂直で、かつガラス基板の中心軸を通る断面における外周端面の形状、すなわち外周端面の輪郭形状が所定の形状の場合に割れを抑制できることを見出した。
【００２９】
ここで、図２を用いて本実施形態のガラス基板の外周端面の形状を説明する。図２は、図１において点線で示した領域１５を拡大して示した図である。
【００３０】
図２は、図１に示したように、一対の主表面１２１、１２２と垂直で、かつガラス基板１０の中心軸Ｏを通る断面における外周端面周辺を拡大して示した図となる。
【００３１】
ここで、図２に示したように、主表面１２１と平行な軸をＸ軸とし、外周端面１３の最外周位置のＸ座標を０、外周端面１３の最外周位置よりも、磁気記録媒体用ガラス基板の中心軸側のＸ座標を正とする。
【００３２】
なお、外周端面１３は図１を用いて説明したように、外周側面部１３２と、外周面取り部１３１、１３３とを有しており、外周側面部１３２は一対の主表面１２１、１２２と略垂直になっている。このため、外周側面部１３２が主表面１２１、１２２と垂直な直線部分を含む場合には該直線部分を、Ｘ座標が０である最外周位置とすることができる。また、外周側面部１３２が主表面１２１、１２２と垂直な直線部分を含まない場合には、主表面１２１、１２２と垂直な外周側面部１３２の接線と、Ｘ軸との交点をＸ座標が０である最外周位置とすることができる。
【００３３】
この場合に、本実施形態のガラス基板１０は、外周端面１３のうち、Ｘ座標Ｘ５が５μｍの点Ｐ５と、Ｘ座標Ｘ１０が１０μｍの点Ｐ１０とを結んだ直線と、Ｘ軸とが形成する角度θ５−１０を８１°以上８５°以下とすることができる。
【００３４】
なお、図２中においてはＸ軸と平行で、Ｐ１０を通る直線ＸＡを示しており、直線ＸＡと、直線Ｐ５Ｐ１０とが作る角度が上記θ５−１０となる。
【００３５】
また、外周端面１３のうち、Ｘ座標Ｘ１０が１０μｍの点Ｐ１０と、Ｘ座標Ｘ２０が２０μｍの点Ｐ２０とを結んだ直線と、Ｘ軸とが形成する角度θ１０−２０を６９°以上８３°以下とすることができる。なお、図２中においてはＸ軸と平行で、Ｐ２０を通る直線ＸＢを示しており、直線ＸＢと、直線Ｐ１０Ｐ２０とが作る角度が上記θ１０−２０となる。
【００３６】
また、外周端面１３のうち、Ｘ座標Ｘ２０が２０μｍの点Ｐ２０と、Ｘ座標Ｘ３０が３０μｍの点Ｐ３０とを結んだ直線と、Ｘ軸とが形成する角度θ２０−３０を５２°以上７２°以下とすることができる。なお、図２中においてはＸ軸と平行で、Ｐ３０を通る直線ＸＣを示しており、直線ＸＣと、直線Ｐ２０Ｐ３０とが作る角度が上記θ２０−３０となる。
【００３７】
本実施形態のガラス基板は、外周面取り部から外周側面部にかけて上記形状を有することで、外周側面部から外周面取り部に向かって傾斜が徐々に変化する形状となっており、係る形状を有することで、急激な温度変化が加わった際に割れが生じることを抑制できる。
【００３８】
ところで、ガラス基板に磁性層等を成膜するために熱処理を行う場合、ガラス基板を支持部材により支持した状態で、熱処理を行い、工程によっては磁性層等が成膜される。
【００３９】
熱処理工程や、ガラス基板上に磁性層等を成膜する工程を実施している間は、主表面が支持部材で覆われないように、外周端面上の複数箇所にそれぞれ支持部材を押し当て、支持部材でガラス基板を挟み込むことで支持している。この際、支持部材の外周端面と対向する面は通常、外周端面のうち、主に外周側面部に対応した形状を有している。
【００４０】
そして、本実施形態のガラス基板の外周端面は上述のように、外周側面部と、外周面取り部との間で、面の傾きの変化がなだらかな形状を有するため、支持部材と外周端面との接触面積が広くなり、支持部材からガラス基板に加えられる力を分散できる。
【００４１】
このため、本実施形態のガラス基板によれば、支持部材によりガラス基板に力が局所的に加えられることを抑制でき、係る観点からも、急激な温度変化が加えられた場合の割れの発生を抑制することができる。
【００４２】
さらに、上述のように本実施形態のガラス基板によれば、θ５−１０、θ１０−２０が大きいので、ガラス基板と支持部材との接触面積を広くすることができ、ガラス基板に加えられる力を分散できることから、磁性層等を成膜する際に、ガラス基板の外周端面の外周側面部と外周面取り部との間においてチッピング、すなわち欠けが生じることを抑制できる。
【００４３】
一方、θ２０−３０が大きすぎると、結果として主表面と外周面取り部との間の角度を大きくすることが困難になるため、爪状の搬送ジグや収納カセットとの接触により、主表面と外周面取り部との間に於いてチッピングが発生しやすくなる。それに対し、本実施形態のガラス基板によれば、前記部分のチッピングの発生も抑制することができる。
【００４４】
ちなみに外周側面部と、外周面取り部との間の断面形状を、ある範囲の単一の曲率半径（例えばＲ＝０．６〜０．８ｍｍ）にすることで、θ５−１０、θ１０−２０の値を大きく（例えばそれぞれ８１°〜８５°、６９°〜８３°）することは可能であるが、一方、θ２０−３０が大きくなり過ぎ、好適な範囲（例えば５２°〜７２°）にすることができない。或いは、別の範囲の単一の曲率半径（例えばＲ＝０．１５〜０．５ｍｍ）にすることで、θ２０−３０の値を好適な範囲にすることは可能であるが、逆にθ５−１０またはθ１０−２０を充分に大きな範囲にすることができない。
【００４５】
また、磁性層等を成膜する際に、支持部材によりガラス基板を含む基材に対して電圧を印加する場合があるが、従来のガラス基板に磁性層を成膜する際には、支持部材とガラス基板との接触面積が十分ではなく、ガラス基板が安定せずアークが発生する場合があった。アークが発生すると、発塵し、製造した磁気記録媒体の検査において、ミッシングカウントが多くなる場合があった。
【００４６】
これに対して、本実施形態のガラス基板においては、外周端面が既述の構造を有するため、支持部材と外周端面との接触面積が広くなり、ガラス基板を安定して支持できる。このため、アークの発生を抑制し、ひいては発塵を抑制できるため、得られる磁気記録媒体において、ミッシングカウントを抑制することが可能になる。
【００４７】
また、本実施形態のガラス基板は、一対の主表面と垂直で、かつガラス基板の中心軸を通る断面において、主表面１２１と平行な軸をＸ軸とし、外周端面１３の最外周位置のＸ座標を０、外周端面１３の最外周位置よりも、ガラス基板の中心軸側のＸ座標を正とした場合に以下の構成を充足することがより好ましい。
【００４８】
外周端面１３のうち、Ｘ座標Ｘ５が５μｍの点Ｐ５と、Ｘ座標Ｘ１０が１０μｍの点Ｐ１０とを結んだ直線と、Ｘ軸とが形成する角度θ５−１０が８１°以上８４°以下であることがより好ましい。
【００４９】
また、外周端面１３のうち、Ｘ座標Ｘ１０が１０μｍの点Ｐ１０と、Ｘ座標Ｘ２０が２０μｍの点Ｐ２０とを結んだ直線と、Ｘ軸とが形成する角度θ１０−２０が７５°以上８２°以下であることがより好ましい。
【００５０】
外周端面１３のうち、Ｘ座標Ｘ２０が２０μｍの点Ｐ２０と、Ｘ座標Ｘ３０が３０μｍの点Ｐ３０とを結んだ直線と、Ｘ軸とが形成する角度θ２０−３０が５５°以上７２°以下であることがより好ましい。
【００５１】
外周端面１３のうち、Ｘ座標Ｘ３０が３０μｍの点Ｐ３０と、Ｘ座標Ｘ４０が４０μｍの点Ｐ４０とを結んだ直線と、Ｘ軸とが形成する角度θ３０−４０が５１°以上６８°以下であることがより好ましい。なお、図２中においてはＸ軸と平行で、Ｐ４０を通る直線ＸＤを示しており、直線ＸＤと、直線Ｐ３０Ｐ４０とが作る角度が上記θ３０−４０となる。
【００５２】
図２では図１に示した外周端面１３のうち、外周面取り部１３１と外周側面部１３２との周辺を拡大した図を示している。しかし、図１に示したように、本実施形態のガラス基板の外周端面１３は、一対の外周面取り部１３１、１３３と、外周側面部１３２とを有している。このため、一方の外周面取り部１３１と外周側面部１３２との部分だけではなく、もう一方の外周面取り部１３３と外周側面部１３２との部分についてもここまで説明したものと同様の構成を有することができる。
【００５３】
本実施形態のガラス基板についてはガラス材料については特に限定されるものではなく、各種ガラス材料を用いることができる。ただし、ガラス基板に用いるガラス材料についても、急激な温度変化が加えられた場合でも、割れを生じにくいガラス基板を用いることがより好ましい。
【００５４】
このため、本実施形態のガラス基板は、５０℃以上３５０℃以下の温度域における平均熱膨張係数が５０×１０−７／℃未満であるガラス材料からなることがより好ましい。
【００５５】
これは、５０℃以上３５０℃以下の温度域における平均熱膨張係数が、５０×１０−７／℃未満の場合、温度変化に伴うガラス基板の膨張、収縮を抑制できるため、急激な温度変化が加えられた場合でも、外周端面の形状と相まって、割れを抑制できるからである。
【００５６】
なお、５０℃以上３５０℃以下の温度域における平均熱膨張係数の下限値は特に限定されるものではなく、本実施形態のガラス基板には、例えば５０℃以上３５０℃以下の温度域における熱膨張係数が０より大きいガラス材料を用いることができる。
【００５７】
本実施形態のガラス基板のガラス材料としては、モル百分率表示で、ＳｉＯ２を６２％以上７４％以下、Ａｌ２Ｏ３を７％以上１８％以下、Ｂ２Ｏ３を２％以上１５％以下含有し、ＭｇＯを０以上１０％以下、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯのいずれか１成分以上を合計で１％以上２１％以下含有し、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯの含有量合計が８％以上２１％以下、上記７成分の含有量合計が９５％以上であるものを、好適に用いることができる。
【００５８】
また、本実施形態のガラス基板のガラス材料としては、モル百分率表示でＳｉＯ２を６２％以上７４％以下、Ａｌ２Ｏ３を７％以上１８％以下、Ｂ２Ｏ３を０以上２％未満、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯの含有量合計が５％以上１８％以下、上記７成分の含有量合計が９５％以上であるものを好適に用いることができる。
【００５９】
また、本実施形態のガラス基板のガラス材料としては、モル百分率表示で、ＳｉＯ２を６０％以上７５％以下、Ａｌ２Ｏ３を７％以上１７％以下、Ｂ２Ｏ３を０以上２％未満、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯの含有量合計が１８％超２６％以下、上記７成分の含有量合計が９５％以上であるものを好適に用いることができる。
【００６０】
本実施形態のガラス基板は、ここまで説明したように急激な温度変化を加えた場合でも割れが生じることを抑制できる。このため、製造工程で急激な温度変化を加える場合がある、エネルギーアシスト磁気記録媒体用のガラス基板として、特に好適に用いることができる。そして、エネルギーアシスト磁気記録媒体を製造する際には、磁性層に含まれるＦｅＰｔ系等の磁性層合金（磁性材料）の規則化促進のため、磁性層の成膜時等に６００℃〜７００℃程度の高温で熱処理を行うのが一般的である。
【００６１】
既述のように、特にエネルギーアシスト磁気記録媒体を製造する際に、６００℃〜７００℃程度の高温で熱処理を行う際に、ガラス基板に急激な温度変化が加わる場合があり、従来のガラス基板においては、割れを生じる場合があった。これに対して、本実施形態のガラス基板によれば、外周端面の形状を所定の形状としているため、急激な温度変化が加えられた場合でも割れが生じることを抑制することができる。
【００６２】
このため、本実施形態のガラス基板は、エネルギーアシスト磁気記録媒体用の磁気記録媒体用ガラス基板として、特に好適に用いることができる。
【００６３】
ただし、本実施形態のガラス基板の用途は、エネルギーアシスト磁気記録媒体用のガラス基板に限定されるものではなく、各種磁気記録媒体用のガラス基板として好適に用いることができる。
【００６４】
次に、ここまで説明した本実施形態の磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法（以下、単に「ガラス基板の製造方法」とも記載する）の一構成例について簡単に説明する。
【００６５】
なお、本実施形態のガラス基板の製造方法によれば、既述の磁気記録媒体用ガラス基板を製造することができる。このため、磁気記録媒体用ガラス基板において説明した内容と重複する部分については一部記載を省略する。
【００６６】
本実施形態のガラス基板の製造方法は、例えば以下の工程１〜工程５を含むことができる。
（工程１）ガラス素板から、中央部に円孔を有する円板形状のガラス基板に加工する形状付与工程。
（工程２）ガラス基板の内周と外周の端面部分の面取りを行う面取り工程。
（工程３）ガラス基板の端面（内周端面及び外周端面）を研磨する端面研磨工程。
（工程４）ガラス基板の主表面を研磨する主表面研磨工程。
（工程５）ガラス基板を洗浄して乾燥する洗浄・乾燥工程。
【００６７】
ここで、（工程１）の形状付与工程は、フロート法、フュージョン法、プレス成形法、ダウンドロー法またはリドロー法で成形されたガラス素板を、中央部に円孔を有する円板形状のガラス基板に加工するものである。なお、用いるガラス素板は、アモルファスガラスでもよく、結晶化ガラスでもよく、ガラス基板の表層に強化層を有する強化ガラスでもよい。
【００６８】
（工程２）の面取り工程は、内周端面、及び外周端面の面取りを行うことができる。面取り工程を行うことで、図１を用いて説明したように、内周端面１４に内周面取り部１４１、１４３を、外周端面１３に外周面取り部１３１、１３３を形成できる。
【００６９】
なお、既述の外周端面１３の形状を有するガラス基板とする場合、外周面取り部１３１、１３３を形成する際に、外周側面部１３２と、外周面取り部１３１、１３３との間の角部を半径が０．３ｍｍ以上０．４ｍｍ以下の円の円弧曲線とすることが好ましい。そして、係る曲線の角部を含む外周端面を後述する端面研磨工程で条件を適切に選択し必要十分な研磨量を研磨し、単一曲率半径の円弧曲線を修正加工することで、既述のガラス基板の外周端面の形状とすることができる。
【００７０】
ガラス基板の外周端面の面取りは、通常、図３（Ａ）に示したように略円柱形状を有し、その周面に複数の溝３２が形成された砥石３１を用いて行われる。
【００７１】
そして、図３（Ａ）に示したように、溝３２内にガラス基板１０の外周端部を収容した状態で、ガラス基板１０、および砥石３１を、ガラス基板１０の中心軸Ｏ、および砥石３１の中心軸３３を回転軸として回転することで面取りを行うことができる。
【００７２】
このため、溝３２は、形成するガラス基板の外周端面の形状に対応した断面形状を有することとなる。上述のように外周側面部１３２と、外周面取り部１３１、１３３との間の角部を半径が０．３ｍｍ以上０．４ｍｍ以下の円の円弧曲線とする場合、これに対応した断面形状の溝３２とする必要がある。
【００７３】
砥石３１の、中心軸３３、および溝３２を通る面３４での、溝３２の断面図を図３（Ｂ）に示す。上述のように外周側面部１３２と、外周面取り部１３１、１３３との間の角部を所定の半径の円の円弧形状とする場合、溝３２は、外周側面部１３２と、外周面取り部１３１、１３３との間の角部を研削する部分３５Ａ、３５Ｂについて、対応した曲面形状にすることとなる。
【００７４】
また、溝３２は、側壁部角度３６Ａ、３６Ｂを、外周面取り部の面取り角度に対応する、角度とすることで、所定の面取り角度の外周面取り部を形成できる。
【００７５】
なお、ここでは外周端面の面取り工程を中心に説明したが、内周端面についても同様に、形成する内周端面の形状に合わせた溝を有する略円柱形状の砥石を用いて面取りを行うことができる。
【００７６】
（工程３）の端面研磨工程は、ガラス基板の端面（側面部と面取り部）を端面研磨することができる。
【００７７】
図４に、端面研磨工程において用いる端面研磨装置の構成例を説明する。
【００７８】
端面研磨工程では、被研磨物であるガラス基板を積層したガラス基板積層体４１、４２を用意することができる。ガラス基板積層体４１、４２は、ガラス基板の対向する主表面間にスペーサーを配置し、積層することができる。
【００７９】
なお、図４では２つのガラス基板積層体４１、４２について、同時に端面研磨を行う例を示したが、係る形態に限定されるものではなく、１つのガラス基板積層体について端面研磨を行ってもよい。また、当然のことながら２つのガラス基板積層体４１、４２は互いに接触しないように配置されている。
【００８０】
そして、ガラス基板積層体４１、４２の外周端面に対して円柱形状のブラシ４３、４４が接触するように配置することができる。この際、ブラシ４３、４４をガラス基板積層体４１、４２に対して、十分に押し当てるようにして配置することが好ましい。
【００８１】
なお、ブラシ４３、４４はそれぞれ、図中の高さ方向Ａ、Ｂに沿って移動することができ、ガラス基板積層体に含まれるすべてのガラス基板の端面を研磨できる。
【００８２】
ブラシ４３、４４については特に限定されないが、ブラシ４３のブラシ毛の線径と、ブラシ４４のブラシ毛の線径とは異なることが好ましい。ブラシ毛の線径が異なるブラシを組み合わせて用いることで、外周面取り部と外周側面部との間の角部を丸めつつ、主表面側の外周面取り部表面を研磨することができるからである。例えばブラシ毛の線径が０．３ｍｍのブラシと、ブラシ毛の線径が０．２ｍｍのブラシとを組み合わせて用いることが好ましい。
【００８３】
ガラス基板積層体４１、４２、およびブラシ４３、４４を、ガラス基板積層体４１、４２と、ブラシ４３、４４とが接触した状態で、それぞれを図中に示した回転方向Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆの方向に回転させることで、ガラス基板積層体４１、４２中のガラス基板の外周端面を研磨できる。
【００８４】
端面研磨工程においては、ガラス基板の外周端面について、４０μｍ以上、７０μｍ以下の研磨量で研磨することが好ましい。既述の面取り工程で、外周側面部と、外周面取り部との間の角部を、所定の円弧曲線としたガラス基板の外周端面について、ブラシ毛を例えば上述の線径のように組み合わせて用い、上記研磨量を研磨することで、既述のガラス基板の外周端面の形状とすることができる。
【００８５】
（工程４）の主表面研磨工程では、例えば両面研磨装置により、ドーナツ形状を有するガラス基板の主表面に研磨液が供給され、ドーナツ形状を有するガラス基板の上下主表面を同時に研磨できる。主表面研磨工程は、一次ポリッシュ（一次研磨）のみでもよく、一次ポリッシュ及び二次ポリッシュを行うものでもよく、二次ポリッシュの後に三次ポリッシュを行うものでもよい。
【００８６】
なお、（工程４）の主表面研磨工程では、上記主表面の一次研磨等を実施する前に主表面のラップ（例えば遊離砥粒ラップ、固定砥粒ラップ等）が実施されてもよい。この場合、一次ラップのみでもよく、二次ラップ等複数のラップ工程を実施することもできる。
【００８７】
また、各工程間にガラス基板の洗浄（工程間洗浄）やガラス基板表面のエッチング（工程間エッチング）を実施してもよい。ここで、主表面のラップとは、広義の主表面研磨である。
【００８８】
（工程５）の洗浄・乾燥工程は、研磨後のガラス基板を洗浄し、乾燥する工程である。具体的な洗浄方法は特に限定されるものではない。例えば、洗剤を用いたスクラブ洗浄、洗剤溶液に浸漬した状態での超音波洗浄、純水に浸漬した状態での超音波洗浄等により洗浄を行うことができる。また、乾燥方法についても特に限定されるものではなく、例えば、イソプロピルアルコール蒸気にて乾燥することができる。
【００８９】
さらに、上記各工程間にガラス基板の洗浄（工程間洗浄）やガラス基板表面のエッチング（工程間エッチング）を実施してもよい。また、ガラス基板に高い機械的強度が求められる場合、ガラス基板の表層に強化層を形成する強化工程（例えば、化学強化工程）を工程３、４で挙げた研磨工程前、または研磨工程後、あるいは研磨工程間で実施してもよい。
【００９０】
ここまで説明した工程１〜５は記載した順番に行う必要はなく、例えば、形状付与工程の前に主表面研磨工程を行ってもよい。また、各工程は１回ずつに限定されるものではなく、要求されるガラス基板の仕様等に応じて任意の回数実施することができる。例えば、形状付与工程後に主表面研磨工程を行い、その後に面取り工程と端面研磨工程を行った後、再度主表面研磨工程を実施することもできる。
【００９１】
以上に説明した本実施形態の磁気記録媒体用ガラス基板によれば、外周端面の形状を所定の形状としているため、急激な温度変化が加えられた場合に割れが生じることを抑制することができる。
【００９２】
また、本実施形態のガラス基板によれば、ガラス基板の熱処理等を行う際の、ガラス基板と支持部材との接触面積を広くすることができ、ガラス基板に加えられる力を分散できる。
【００９３】
このため、係る観点からもガラス基板に急激な温度変化が加えられた場合に、割れが生じることを抑制できる。
【００９４】
さらに、磁性層等を成膜するため、支持部材でガラス基板を支持している際に、ガラス基板の外周端面においてチッピング、すなわち欠けが生じることを抑制できる。
【００９５】
また、本実施形態のガラス基板においては、外周端面が既述の構造を有するため、支持部材と外周端面との接触面積が広くなり、ガラス基板を安定して支持できる。このため、磁性層等を成膜する際に、支持部材によりガラス基板を含む基材に対して電圧を印加した場合でも、アークの発生を抑制し、発塵を抑制できる。従って、得られる磁気記録媒体において、ミッシングカウントを抑制することが可能なる。
［磁気記録媒体］
次に、本実施形態の磁気記録媒体の一構成例について説明する。
【００９６】
本実施形態の磁気記録媒体は、既述の磁気記録媒体用ガラス基板を含むことができる。
【００９７】
以下に本実施形態の磁気記録媒体の一構成例を説明するが、既述の磁気記録媒体用ガラス基板は、各種記録方式の磁気記録媒体に適用することができるため、本実施形態の磁気記録媒体の構成は特に限定されるものではない。
【００９８】
本実施形態の磁気記録媒体は、既述のガラス基板の主表面の上に、垂直磁化膜となる垂直磁性層等を成膜することにより作製できる。垂直磁性層を形成する磁性材料としては、ＣｏＣｒＰｔ系合金、ＦｅＰｔ系合金等が挙げられる。
【００９９】
本実施形態の磁気記録媒体は、具体的には例えば既述のガラス基板の主表面に、垂直磁性層、保護層、潤滑膜が形成された構成を有することができる。垂直磁性層は垂直磁気記録方式に対応した材料を用いることができる。なお、記録密度を更に向上させたい場合は、エネルギーアシスト磁気記録方式（例えば、熱アシスト磁気記録方式、マイクロ波アシスト磁気記録方式など）が好ましく、この場合には、垂直磁性層にはエネルギーアシスト磁気記録方式に対応した材料を用いることができる。
【０１００】
垂直記録方式の場合には、磁気ヘッドからの記録磁界を環流させる役割を果たす軟磁性材料からなる軟磁性下地層を形成するのが一般的である。軟磁性下地層は、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ等を含む軟磁性材料が用いられる。具体的には、ＦｅＣｏ系合金、ＦｅＮｉ系合金、ＦｅＡｌ系合金、ＦｅＣｒ系合金、ＦｅＴａ系合金、ＦｅＭｇ系合金、ＦｅＺｒ系合金、ＦｅＣ系合金、ＦｅＮ系合金、ＦｅＳｉ系合金、ＦｅＰ系合金、ＦｅＮｂ系合金、ＦｅＨｆ系合金、ＦｅＢ系合金等が用いられる。
【０１０１】
また、ガラス基板の主表面における吸着ガスや吸着水分の影響、あるいはガラス基板に含まれる成分の拡散等による軟磁性下地層の腐食を抑制するために、ガラス基板１０と軟磁性下地層との間に、密着層を設けてもよい。密着層を形成する材料としては、Ｃｒ、Ｃｒ合金、Ｔｉ、Ｔｉ合金等が挙げられ、厚さ２ｎｍ以上４０ｎｍ以下程度が好ましい。密着層は、例えば、スパッタリングによる成膜により形成することができる。
【０１０２】
軟磁性下地層と垂直磁性層との間に、配向制御層を設けることにより、垂直磁性層の結晶粒を微細化し、記録再生特性を向上させることができる。配向制御層は、ＲｕやＲｕ合金、Ｐｔ、Ａｕ及びＡｇを含む材料ならびにＣｏＣｒ系合金、ＴｉまたはＴｉ合金等の材料を用いることができ、膜厚は２ｎｍ以上２０ｎｍ以下程度が好ましい。この配向制御層は、垂直磁性層のエピタキシャル成長を容易にする機能及び軟磁性下地層と垂直磁性層との磁気交換結合を断つ機能を有している。
【０１０３】
更に、軟磁性下地層と配向制御層との間に、配向制御層の結晶粒径を制御するためのシード層を設けてもよい。シード層は、例えば、ＮｉＷ系合金を用いることができる。垂直磁性層は、磁化容易軸がガラス基板における主表面に対して垂直方向に向いている磁性膜であり、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ等を含む材料により形成されている。
【０１０４】
垂直磁性層は、高い固有媒体ノイズの原因となる粒間交換結合を低減するため、良好に隔離された微粒子構造、即ち、グラニュラ構造とすることが好ましい。具体的には、ＣｏＣｒＰｔ系合金等に、酸化物（ＳｉＯ２、ＳｉＯ、Ｃｒ２Ｏ３、ＣｏＯ、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２等）や、Ｃｒ、Ｂ、Ｔａ、Ｚｒ等を添加することが好ましい。
【０１０５】
垂直磁性層は、磁性層と非磁性層とが交互に積層された構造としてもよい。この場合、非磁性層は、例えば、ＲｕまたはＲｕ合金の材料を用い、厚さ０．６ｎｍ以上１．２ｎｍ以下とすることにより、磁性層をＡＦＣ結合（反強磁性交換結合）させることができる。
【０１０６】
垂直磁性層の腐食を防ぎ、かつ、磁気ヘッドが媒体に接触した際において、磁気ディスクの表面の損傷を防ぐため、垂直磁性層の上に保護層が形成される。保護層は、Ｃ、ＺｒＯ２、ＳｉＯ２等を含む材料により形成されており、スパッタリング、ＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等による成膜により形成することができる。
【０１０７】
保護層の表面には、磁気ヘッドと磁気記録媒体との摩擦を低減するため、潤滑膜を配置できる。潤滑膜は、例えば、パーフルオロポリエーテル、フッ素化アルコール、フッ素化カルボン酸などを用いることができる。これら潤滑膜は、ディップ法、スプレー法等により形成することができる。
【０１０８】
以上に説明した本実施形態の磁気記録媒体は、既述の磁気記録媒体用ガラス基板を含んでいる。すなわち、急激な温度変化が加えられた場合に割れが生じることを抑制した磁気記録媒体用ガラス基板を含んでいる。このため、磁性層を成膜する際等に、ガラス基板に割れが生じることを抑制し、生産性良く本実施形態の磁気記録媒体を製造することができる。
【実施例】
【０１０９】
以下に具体的な実施例を挙げて説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【０１１０】
まず、以下の実験例における、磁気記録媒体用ガラス基板の評価方法について説明する。
【０１１１】
（１）外周端面の形状
以下の各実験例で作製したガラス基板の外周端面の形状について、輪郭形状測定器（東京精密社製  型式：ＣＯＮＴＯＵＲＥＣＯＲＤ  １６００ＤＨ）により測定を行った。なお、測定の際の触針先端Ｒは３０μｍ、スキャン速度は０．３ｍｍ/ｓｅｃとした。
【０１１２】
測定に当たっては、図２を用いて説明したように、一対の主表面と垂直で、かつ前記磁気記録媒体用ガラス基板の中心軸を通る断面において、主表面と平行な軸をＸ軸とした。そして、各ガラス基板の外周端面の輪郭形状における最外周位置のＸ座標を０、外周端面の最外周位置よりも、ガラス基板の中心軸側のＸ座標を正とした。
【０１１３】
以下の各実験例において、作製したガラス基板について、図２を用いて説明した以下の各角度を測定、算出した。
【０１１４】
外周端面１３のうち、Ｘ座標Ｘ５が５μｍの点Ｐ５と、Ｘ座標Ｘ１０が１０μｍの点Ｐ１０とを結んだ直線と、Ｘ軸とが形成する角度θ５−１０。
【０１１５】
外周端面１３のうち、Ｘ座標Ｘ１０が１０μｍの点Ｐ１０と、Ｘ座標Ｘ２０が２０μｍの点Ｐ２０とを結んだ直線と、Ｘ軸とが形成する角度θ１０−２０。
【０１１６】
外周端面１３のうち、Ｘ座標Ｘ２０が２０μｍの点Ｐ２０と、Ｘ座標Ｘ３０が３０μｍの点Ｐ３０とを結んだ直線と、Ｘ軸とが形成する角度θ２０−３０。
【０１１７】
外周端面１３のうち、Ｘ座標Ｘ３０が３０μｍの点Ｐ３０と、Ｘ座標Ｘ４０が４０μｍの点Ｐ４０とを結んだ直線と、Ｘ軸とが形成する角度θ３０−４０。
（２）急激な温度変化による割れ発生率評価
各実験例で作製したガラス基板に、急激な温度変化を加えた際の割れ発生率について、以下の手順により評価を実施する。
【０１１８】
各実験例において作製したガラス基板について、電気炉で２３０℃まで加熱後、冷却することなく電気炉から取り出す。そして、予め水温が２０℃、深さ１０ｍｍとなるように水を張った水槽内の水に、ガラス基板をガラス基板の主表面に対し平行の方向に移動させ、すなわち水面とガラス基板の主表面とが垂直になるように保ちながら投入する。
【０１１９】
水に投入した際に、ガラス基板に外周部分から５ｍｍ以上の長さの割れ、またはクラックが発生した場合に割れが発生したと判定する。
【０１２０】
各実験例について、１００枚のガラス基板を同様にして試験し、試験に供した１００枚のガラス基板中、割れが発生したと判断されたガラス基板の割合、すなわち、外周部分から５ｍｍ以上の長さの割れ、またはクラックが発生したガラス基板の割合を割れ発生率とする。
【０１２１】
割れ発生率評価試験では、上述のようにガラス基板を、２３０℃まで加熱後、３秒以内に水温が２０℃の水に投入している。このため、ガラス基板にはおよそ７０℃／秒の急激な温度変化が加えられていることになる。エネルギーアシスト磁気記録媒体を製造する工程において最も急激な温度変化は、例えばＦｅ−Ｐｔ系合金膜の規則化に要する６００℃程度の温度から、保護層を成膜するための２００℃程度に保持されたＣＶＤチャンバーに移送する際に生じる。ただし、係る温度変化は十数秒から、数十秒程度をかけて行われる。このため、係る温度変化に要する時間を１５秒と見積もったとしても温度変化は２７℃／秒程度である。
【０１２２】
そこで、実際の磁気記録媒体の製造工程において、急激な温度変化を与えた場合に割れが発生することをより確実に抑制するため、ここでは磁気記録媒体を製造する際の温度勾配よりも大きな温度勾配を与えて評価を行っている。
（３）磁性層成膜後の外周チッピング発生率
後述のように、各実験例で作製したガラス基板の主表面上に磁性層等を成膜し、磁気記録媒体の作製を行っている。
【０１２３】
そこで、磁性層成膜後のガラス基板の外周端部についてチッピングの発生率の評価を実施している。目視で確認し、チッピングを含むガラス基板についてはチッピングが発生したと判断する。各実験例について、１００００枚のガラス基板について試験を行い、該１００００枚のガラス基板中、チッピングが発生したガラス基板の割合をチッピング発生率とする。
【０１２４】
なお、評価に当たっては、外周面取り部と外周側面部との間、及び主表面と外周面取り部との間に分けて、それぞれ評価を行った。外周面取り部と外周側面部との間におけるチッピングの発生率を表３中では、外周面取り部−外周側面部間と記載している。また、主表面と外周面取り部との間におけるチッピングの発生率を表３中では、主表面−外周面取り部間と記載している。
（４）磁気記録媒体の評価
作製した磁気記録媒体について、ミッシングビットによる磁気ディスク評価を実施している。
【０１２５】
ミッシングビットは、線記録密度１６００ｋＢＰＩ、トラック密度５００ｋＴＰＩ（面記録密度８００Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ２）の条件で記録し、再生した際の信号強度を測定して評価する。
【０１２６】
再生の際に得られる出力が、合格の閾値（第一の閾値）以下であるものをミッシングビットとし、第一の閾値以下だが修正可能な第二の閾値（第一の閾値の８０％）以上のものをコレクダブル・ミッシングビット（Ｃｏｒｒｅｃｔａｂｌｅ Ｍｉｓｓｉｎｇ Ｂｉｔ）、修正不可能なもの（第一の閾値の８０％未満）をアンコレクタブル・ミッシングビット（Ｕｎｃｏｒｒｅｃｔａｂｌｅ Ｍｉｓｓｉｎｇ Ｂｉｔ）とする。
【０１２７】
そして、各実験例において作製した５００枚の磁気記録媒体について測定し、１面当たりの個数として算出する。
【０１２８】
磁気ディスクの評価は、このように測定されたコレクダブル・ミッシングビット、アンコレクタブル・ミッシングビットに基づき、それぞれＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄのランクで示す。具体的には、表１に示されるように、コレクダブル・ミッシングビットについては０．３以下（個／面）の場合、アンコレクタブル・ミッシングビットについては０．１以下（個／面）の場合、ランクＡとする。
【０１２９】
また、コレクダブル・ミッシングビットについては０．３より多く０．４以下（個／面）の場合、アンコレクタブル・ミッシングビットについては０．１より多く０．２以下（個／面）の場合、ランクＢとする。
【０１３０】
また、コレクダブル・ミッシングビットについては０．４より多く０．７以下（個／面）の場合、アンコレクタブル・ミッシングビットについては０．２より多く０．３以下（個／面）の場合、ランクＣとする。
【０１３１】
また、コレクダブル・ミッシングビットについては０．７（個／面）を超えた場合、アンコレクタブル・ミッシングビットについては０．３（個／面）を超えた場合、ランクＤとする。
【０１３２】
次に、各実験例における磁気記録媒体用ガラス基板、磁気記録媒体の製造方法について説明する。なお、実験例１〜実験例５が実施例となり、実験例６〜９が比較例となる。
［実験例１］
以下の順に各工程を実施して、磁気記録媒体用ガラス基板、および磁気記録媒体の作製を行う。
（１）磁気記録媒体用ガラス基板
（形状付与工程）
フロート法で成形された、ＳｉＯ２を主成分とする表２に示したガラス組成Ａを有するアルミノシリケートガラス素板を用意する。そして、該ガラス素板から、外径６５ｍｍ、内径２０ｍｍ、板厚０．８ｍｍの磁気記録媒体用ガラス基板が得られるように、中央部に円孔を有するドーナツ形状を有するガラス基板に加工する。
【０１３３】
なお、内径とは、中央開口部の直径を意味する。
（面取り工程）
形状付与工程で得られたガラス基板の内周端面と外周端面とに、それぞれ内周面取り部、及び外周面取り部を形成する。
【０１３４】
面取り工程では、内周端面を研削するための内周端面研削用砥石、および外周端面を研削するための外周端面研削用砥石を用いている。内周端面研削用砥石、および外周端面研削用砥石としてはいずれも、図３（Ａ）に示したように略円柱形状を有し、その周面に沿って溝３２を有する砥石を用いている。
【０１３５】
そして、外周端面研磨用砥石は、図３（Ｂ）に示すように、砥石３１の、中心軸３３、および溝３２を通る面３４での、溝３２の断面形状は、外周側面部１３２と、外周面取り部１３１、１３３との間の角部を研削する部分３５Ａ、３５Ｂについて、半径０．４０ｍｍの円弧形状としている。すなわちＲが０．４０ｍｍの曲線としている。なお、表３中では砥石底Ｒとして示している。また、側壁部角度３６Ａ、３６Ｂを４３°としている。
【０１３６】
内周端面研磨用砥石は、溝３２の断面形状が、内周側面部１４２と、内周面取り部１４１、１４３との間の角部を研削する部分３５Ａ、３５Ｂについて、半径０．１５ｍｍの円弧形状としている。すなわちＲが０．１５ｍｍの曲線とした。また、側壁部角度３６Ａ、３６Ｂを４３°としている。
【０１３７】
なお、面取り加工は、内周側面部、外周側面部、共に２段階で行い、１段階目の砥石は粒度＃３２５、２段階目の砥石は粒度＃８００のダイヤモンドの電着砥石をそれぞれ用いている。
（主表面研磨工程：一次ラップ工程）
研磨具として鋳鉄定盤と、アルミナ砥粒を含有する研削液とを用いて、１６Ｂ型両面研磨装置により、ガラス基板の上下の主表面の研削を行う。１次ラップ工程終了後、ガラス基板を洗浄し、研削液その他の汚れを除去する。
（端面研磨工程：外周端面研磨工程）
外周側面部と外周面取り部とを、研磨ブラシと平均粒子直径（以下、平均粒径と略す）が約１．５μｍの酸化セリウム砥粒を含有する研磨剤とを用いて研磨し、外周側面及び外周面取り部の疵を除去し、鏡面となるように外周端面を研磨加工する。
【０１３８】
より具体的には、図４に示した端面研磨装置を用いて、外周端面の研磨を行っている。
【０１３９】
ガラス基板積層体４１、４２は、厚さ０．４ｍｍの樹脂製スペーサーを介して、主表面研磨工程（一次ラップ工程）までを終えたガラス基板を１００枚積層して形成する。
【０１４０】
また、ブラシ４３としてはナイロン製の毛径０．３ｍｍのロール状研磨ブラシを、ブラシ４４としてはナイロン製の毛径０．２ｍｍのロール状研磨ブラシを用いている。
【０１４１】
そして、ガラス基板積層体４１、４２の外周にブラシ４３、４４を、各ブラシのブラシ押し込み量が４ｍｍとなるように押し当てて、ガラス基板積層体４１、４２とブラシ４３、４４を回転させて外周端面の研磨量が６０μｍとなるように研磨を行う。
【０１４２】
なお、平均粒径は、レーザー回折・散乱法によって求めた粒度分布における積算値５０％での粒径を意味する。なお、本明細書の他の部分でも、平均粒径は同様の意味を有する。
（端面研磨工程：内周端面研磨工程）
内周端面については、ガラス基板の内周側面部と内周面取り部とを、研磨ブラシと平均粒径約１．５μｍの酸化セリウム砥粒を含有する研磨剤とを用いて研磨を行っている。これにより、内周側面及び内周面取り部の疵を除去し、鏡面となるように内周端面を研磨加工している。
【０１４３】
外周端面、および内周端面を研磨後はガラス基板を洗浄し、研磨剤その他の汚れを除去する。
（主表面研磨工程：二次ラップ工程）
研磨具として平均粒径４μｍのダイヤモンド粒子を含有する固定砥粒工具と、界面活性剤を含有する研削液とを用いて、１６Ｂ型両面研磨装置によりガラス基板の上下の主表面を研削する。
【０１４４】
主表面研磨工程（二次ラップ工程）終了後、ガラス基板を洗浄し、研削液その他の汚れを除去を行う。
（主表面研磨工程：一次ポリッシュ工程）
主表面研磨工程（一次ポリッシュ工程）では、研磨具として、軟質ウレタン製研磨パッド（スウェード系研磨パッド）と、平均粒径が約１．０μｍの酸化セリウムを主成分として含有する研削液とを用いて、１６Ｂ型の両面研磨装置によりガラス基板の上下の主表面をポリッシュする。
【０１４５】
メインの研磨加工圧力は１２ｋＰａ、下定盤回転数は３０ｒｐｍ、上定盤回転数は下定盤と逆方向に１０ｒｐｍ、研磨キャリア公転数１０ｒｐｍ、自転数３ｒｐｍで、上下両主平面を板厚方向で合計３０μｍ研磨する。
【０１４６】
主表面研磨工程（一次ポリッシュ工程）終了後、ガラス基板を洗浄し、研削液その他の汚れを除去する。
（主表面研磨工程：二次ポリッシュ工程）
主表面研磨工程（二次ポリッシュ工程）では、研磨具として軟質ウレタン製の研磨パッドと、平均粒径が２０ｎｍのコロイダルシリカ砥粒を含有する研磨液を用いて、１６Ｂ型の両面研磨装置によりガラス基板の上下の主表面をポリッシュする。
【０１４７】
メインの研磨加工圧力を１０ｋＰａ、下定盤回転数を１０ｒｐｍ、上定盤回転数を下定盤と逆方向に５ｒｐｍ、研磨キャリア公転数を４．９ｒｐｍ、自転数１．７ｒｐｍとして上下両主平面を板厚方向で合計１μｍ研磨する。
【０１４８】
主表面研磨工程（二次ポリッシュ工程）終了後、ガラス基板を洗浄し、研削液その他の汚れを除去を行う。
（洗浄・乾燥工程）
主表面研磨工程（二次ポリッシュ工程）を行ったガラス基板は、アルカリ性洗剤によるスクラブ洗浄、アルカリ性洗剤溶液に浸漬した状態での超音波洗浄、純水に浸漬した状態での超音波洗浄、を順次行い（精密洗浄）、次いで、イソプロピルアルコール蒸気にて乾燥を行う。
【０１４９】
以上の手順により得られた磁気記録媒体用ガラス基板について、上述の外周端面の形状、急激な温度変化による割れ発生率の評価を実施する。結果を表３に示す。
（２）磁気記録媒体
得られたガラス基板を精密洗浄して表面のパーティクルを除去し、その後インライン型スパッタリング装置により、ガラス基板の主表面上に密着層を、Ｃｒをターゲットとして、１０ｎｍの膜厚で成膜する。
【０１５０】
なお、インライン型スパッタリング装置内では、ガラス基板の外周端面上の複数箇所にそれぞれ支持部材を押し当て、支持部材でガラス基板を挟み込むことで支持している。
【０１５１】
密着層の上には、軟磁性下地層を、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｚｒ−Ｔａ合金をターゲットとして、３０ｎｍの膜厚で形成する。
【０１５２】
次に、シード層を、ＮｉＷ合金をターゲットとして、１０ｎｍの膜厚で形成する。
【０１５３】
シード層の上には、配向制御層を、Ｒｕをターゲットとして、１０ｎｍの膜厚で形成する。
【０１５４】
配向制御層の上には、垂直磁性層としてＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２のグラニュラ構造層を１０ｎｍの膜厚で形成し、非磁性中間層としてＲｕ膜を０．６ｎｍの膜厚で形成し、更に磁性層としてＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２のグラニュラ構造層を６ｎｍの膜厚で形成する。
【０１５５】
上記の各層が積層されたガラス基板をインライン型スパッタリング装置から移送し、ＣＶＤ法により保護層としてカーボン膜を３ｎｍの膜厚で形成する。この後、ディップ法により、保護層の上に、パーフルオロポリエーテルの潤滑膜を２ｎｍの膜厚で形成する。
【０１５６】
得られた磁気記録媒体について、既述の評価を行う。結果を表３に示す。
［実験例２、実験例３］
（１）磁気記録媒体用ガラス基板
面取り工程において、外周端面研削用砥石の溝の形状が異なる点、及び端面研磨工程の外周端面の研磨量が異なる点以外は、実験例１と同様にしてガラス基板を作製し、評価を行う。
【０１５７】
なお、図３（Ａ）、（Ｂ）において、外周端面研削用の砥石３１の、中心軸３３、および溝３２を通る面３４での、溝３２の断面形状は、外周側面部１３２と、外周面取り部１３１、１３３との間の角部を研削する部分３５Ａ、３５Ｂについて、半径０．３０ｍｍの円弧形状としている。すなわちＲが０．３０ｍｍの曲線としている。
【０１５８】
また、表３に示すように、端面研磨工程の外周端面の研磨量が５０μｍ（実験例２）、または４０μｍ（実験例３）となるように研磨を行う。
【０１５９】
評価結果を表２に示す。
（２）磁気記録媒体
各実験例で作製した磁気記録媒体用ガラス基板を用いる点以外は、実験例１と同様にして磁気記録媒体を作製する。
【０１６０】
評価結果を表３に示す。
［実験例４、５］
（１）磁気記録媒体用ガラス基板
ガラス素板以外は、実験例２と同様にしてガラス基板を作製し、評価を行う。
【０１６１】
なお、実施例４は、フロート法で成形された、ＳｉＯ２を主成分とする表２に示したガラス組成Ｂを有するアルミノシリケートガラス素板を、また実施例５は同じく表２に示したガラス組成Ｃを有するアルミノシリケートガラス素板を用いる。
【０１６２】
評価結果を表２に示す。
（２）磁気記録媒体
各実験例で作製した磁気記録媒体用ガラス基板を用いる点以外は、実験例１と同様にして磁気記録媒体を作製する。
【０１６３】
評価結果を表３に示す。
［実験例６〜９］
（１）磁気記録媒体用ガラス基板
面取り工程において、外周端面研削用砥石の溝の形状が異なる点、及び端面研磨工程の外周端面の研磨量が異なる点以外は、実験例１と同様にしてガラス基板を作製し、評価を行う。
【０１６４】
なお、図３（Ａ）、（Ｂ）において、外周端面研削用の砥石３１の、中心軸３３、および溝３２を通る面３４での、溝３２の断面形状は、外周側面部１３２と、外周面取り部１３１、１３３との間の角部を研削する部分３５Ａ、３５Ｂについて、半径０．２０ｍｍ（実験例６）、半径０．１５ｍｍ（実験例７）、半径０．１０ｍｍ（実験例８）、および半径０．６０ｍｍ（実験例９）の円弧形状としている。すなわちＲが０．２０ｍｍ、０．１５ｍｍ、０．１０ｍｍ、および０．６０ｍｍの曲線としている。
【０１６５】
また、表３に示したように、端面研磨工程の外周端面の研磨量が実施例６、７，８，および９ではそれぞれ、２０μｍ、１５μｍ、１５μｍ、および３０μｍとなるように研磨を行う。具体的には、図４に示した端面研磨装置において、ガラス基板積層体４１、４２の外周にブラシ４３、４４を、各ブラシのブラシ押し込み量が実施例６および７では１．５ｍｍ、実施例８では２ｍｍ、実施例９では３ｍｍとなるように押し当てて、ガラス基板積層体４１、４２とブラシ４３、４４を回転させて上記研磨量となるように研磨を行っている。なお、ブラシ４３、４４としては、実施例６および７では共にナイロン製の毛径０．１５ｍｍ、実施例８では共にナイロン製の毛径０．２ｍｍ、実施例９では共にナイロン製の毛径０．３ｍｍのそれぞれロール状研磨ブラシを用いている。
【０１６６】
評価結果を表２に示す。
（２）磁気記録媒体
各実験例で作製した磁気記録媒体用ガラス基板を用いる点以外は、実験例１と同様にして磁気記録媒体を作製する。
【０１６７】
評価結果を表３に示す。
【０１６８】
【表１】
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【０１６９】
【表２】
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【０１７０】
【表３】
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表３に示した結果によると、ガラス基板の外周端面の形状について、θ５−１０、θ１０−２０、θ２０−３０がそれぞれ８１°以上８５°以下、６９°以上８３°以下、５２°以上７２°以下となっている実験例１〜実験例５のガラス基板はいずれも急激な温度変化による割れ発生率が５％以下と低くなっていることを確認できる。
【０１７１】
更に、ガラスの平均熱膨張係数が実験例１〜３より小さい実験例４および５は、外周端面形状が実験例２と同様だが、急激な温度変化による割れ発生率が実験例２より低く、０％となっている。
【０１７２】
これに対して、外周端面の形状のθ５−１０およびθ１０−２０が、上記範囲を満たさない実験例６〜８については、急激な温度変化による割れ発生率が１５％を超え、非常に高くなっていることを確認できる。なお、外周端面形状のθ５−１０およびθ１０−２０が上記範囲を満たしている実験例９では、急激な温度変化による割れ発生率は３％と比較的低い水準をしめす。
【０１７３】
以上の結果から、急激な温度変化による割れ発生率にはガラス基板の外周端面の形状が影響しており、所定の形状とすることで、割れ発生率を抑制できることを確認できる。
【０１７４】
また、外周端面の形状が上記形状である実験例１〜実験例５のガラス基板については、実験例６〜９のガラス基板と比較して、磁性層成膜後の外周チッピング発生率を低く抑制できることを確認できる。
【０１７５】
なお、外周端面形状のθ５−１０およびθ１０−２０が上記形状範囲外である実験例６〜８では外周側面と外周面取り面との間のチッピングの発生率が高く、外周端面形状のθ２０−３０が上記範囲外である実験例８および９では、主表面と外周面取り面との間のチッピング発生率が高くなっている。
【０１７６】
さらには、実験例１〜実験例５のガラス基板については、磁気記録媒体とした際のＣｏｒｒｅｃｔａｂｌｅ  Ｍｉｓｓｉｎｇ  Ｂｉｔ、Ｕｎｃｏｒｒｅｃｔａｂｌｅ  Ｍｉｓｓｉｎｇ  Ｂｉｔのランクについても、実験例６〜８のガラス基板よりも高くなることが確認できる。
【符号の説明】
【０１７７】
１０            磁気記録媒体用ガラス基板
１２１、１２２  主表面
１３            外周端面
１３１、１３３  外周面取り部
１３２          外周側面部
１４            内周端面
【要約】      （修正有）【課題】急激な温度変化が加えられた場合に割れが生じることを抑制した磁気記録媒体用ガラス基板を提供する。【解決手段】一対の主表面、外周端面及び内周端面を有するドーナツ形状の磁気記録媒体用ガラス基板であって、一対の主表面と垂直でかつ磁気記録媒体用ガラス基板の中心軸を通る断面において、主表面と平行な軸をＸ軸とし、外周端面の最外周位置のＸ座標を０、外周端面の最外周位置よりも磁気記録媒体用ガラス基板の中心軸側のＸ座標を正とした場合に、外周端面のうち、Ｘ座標が５μｍの点と、Ｘ座標が１０μｍの点とを結んだ直線と、Ｘ軸とが形成する角度が８１°以上８５°以下、Ｘ座標が１０μｍの点と、Ｘ座標が２０μｍの点とを結んだ直線と、Ｘ軸とが形成する角度が６９°以上８３°以下、Ｘ座標が２０μｍの点と、Ｘ座標が３０μｍの点とを結んだ直線と、Ｘ軸とが形成する角度が５２°以上７２°以下、である。【選択図】図２【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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