(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、
複数の導体層と誘電体薄膜とを有し前記絶縁基板の一方主面上に形成された薄膜キャパシタと、
絶縁基板の一方主面に前記薄膜キャパシタを被覆して積層された絶縁保護層と、
前記薄膜キャパシタと平面視で重なる位置において前記絶縁保護層を厚み方向に貫通して前記薄膜キャパシタを覗くように形成された引出用貫通孔と、
前記引出用貫通孔の内壁面に延在するように前記絶縁保護層の一方主面に形成されて前記薄膜キャパシタの前記導体層に接続された引出用電極膜と、
前記絶縁保護層に積層された再配線層と、
前記再配線層内に設けられ、前記薄膜キャパシタに電気的に接続された少なくとも１つの薄膜回路素子とを備え、
前記再配線層は、
前記絶縁保護層の一方主面に前記引出用電極膜を被覆して積層された第１樹脂層部と、
前記第１樹脂層部に積層された第２樹脂層部と、
前記引出用電極膜と平面視で重なる位置において前記第１樹脂層部を厚み方向に貫通して前記引出用電極膜を覗くように形成された再配線用貫通孔と、
前記再配線用貫通孔の内壁面に延在するように前記第１樹脂層部の一方主面に形成されて前記引出用電極膜に接続された再配線用電極膜とを備え、
前記再配線用貫通孔内には、前記第２樹脂層部を形成する樹脂が充填され、
前記再配線用貫通孔は、前記厚み方向からの平面視で前記薄膜キャパシタとずれた位置に形成されている
ことを特徴とする複合電子部品。
【請求項２】
前記薄膜キャパシタの一端が接続された第１外部端子と、
前記薄膜キャパシタの他端が接続された第２外部端子と、
前記薄膜回路素子である第１の薄膜抵抗の一端が接続された第３外部端子と、
前記薄膜回路素子である第２の薄膜抵抗の一端が接続された第４外部端子と、を備え、
前記薄膜キャパシタの前記一端と前記第１の薄膜抵抗の他端とが接続され、
前記薄膜キャパシタの前記他端と前記第２の薄膜抵抗の他端とが接続されていることを特徴とする請求項１に記載の複合電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜キャパシタと、該薄膜キャパシタに電気的に接続された薄膜回路素子とを備える複合電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、絶縁基板の一方主面上に薄膜キャパシタが形成された電子部品が知られている。例えば、特許文献１には図５に示すような電子部品が開示されている。特許文献１に記載の電子部品１００では、Ｓｉ層１０１ａの一方主面にＳｉＯ２膜１０１ｂが形成された絶縁基板１０１に、密着層１０２を介して薄膜キャパシタ１０３が形成される。薄膜キャパシタ１０３は、密着層１０２上に下部導体１０３ａ、誘電体薄膜１０３ｂ、上部導体１０３ｃの順で積層されて成り、この薄膜キャパシタ１０３を被覆するようにバリア層１０４が設けられる。バリア層１０４は、誘電体バリア層１０４ａと無機バリア層１０４ｂの多層構造を有し、薄膜キャパシタ１０３の上部導体１０３ｃの外部接続領域と下部導体１０３ａの外部接続領域を露出させた状態で薄膜キャパシタ１０３を被覆している。さらに、バリア層１０４を覆うように樹脂保護層１０５が形成され、樹脂保護層１０５を貫通して上面に引き出された電極パッド１０６ａ，１０６ｂが薄膜キャパシタ１０３の上部導体１０３ｃおよび下部導体１０３ａのうちのいずれか一方の外部接続領域に接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２００６／１１７９１２号（段落００２９〜００３１、図１等参照）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、近年の電子機器の小型・高機能化に伴って、これに搭載される電子部品の小型・高機能化に向けた開発が進められている。例えば、従来の電子部品１００に、他の薄膜回路素子を内蔵させた上で薄膜キャパシタ１０３と当該他の薄膜回路素子とを電気的に接続することで電子部品１００の高機能化を図ることができる。また、電子部品１００を多層構造にして、前記他の薄膜回路素子を薄膜キャパシタ１０３とは異なる層に形成することで、絶縁基板１０１の主面の面積を小さくすることができる。これらの場合、薄膜キャパシタ１０３と前記他の薄膜回路素子とを、面内導体と層間接続導体とを用いて電気的に接続させることになるが、成膜技術が使用される電子部品１００においては、面内導体と層間接続導体とを成膜技術を用いて一括で形成するのが効率がよい。【０００５】
しかしながら、上記したような薄膜キャパシタと他の薄膜回路素子とが形成された複合電子部品においては、薄膜キャパシタと他の薄膜回路素子とを接続する配線電極（面内導体、層間接続導体）などを薄膜で形成した場合に、当該配線パターンの形成に起因する薄膜キャパシタへの応力については何ら検討されていなかった。【０００６】
本発明は、上記した課題に鑑みてなされたものであり、薄膜キャパシタと該薄膜キャパシタに電気的に接続される薄膜回路素子とを備える複合電子部品において、薄膜キャパシタに接続される配線電極の形成に起因する薄膜キャパシタへの応力を低減することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記した目的を達成するために、本発明の複合電子部品は、絶縁基板と、複数の導体層と誘電体薄膜とを有し前記絶縁基板の一方主面上に形成された薄膜キャパシタと、絶縁基板の一方主面に前記薄膜キャパシタを被覆して積層された絶縁保護層と、前記薄膜キャパシタと平面視で重なる位置において前記絶縁保護層を厚み方向に貫通して前記薄膜キャパシタを覗くように形成された引出用貫通孔と、前記引出用貫通孔の内壁面に延在するように前記絶縁保護層の一方主面に形成されて前記薄膜キャパシタの前記導体層に接続された引出用電極膜と、前記絶縁保護層に積層された再配線層と、前記再配線層内に設けられ、前記薄膜キャパシタに電気的に接続された少なくとも１つの薄膜回路素子とを備え、前記再配線層は、前記絶縁保護層の一方主面に前記引出用電極膜を被覆して積層された第１樹脂層部と、前記第１樹脂層部に積層された第２樹脂層部と、前記引出用電極膜と平面視で重なる位置において前記第１樹脂層部を厚み方向に貫通して前記引出用電極膜を覗くように形成された再配線用貫通孔と、前記再配線用貫通孔の内壁面に延在するように前記第１樹脂層部の一方主面に形成されて前記引出用電極膜に接続された再配線用電極膜とを備え、前記再配線用貫通孔内には、前記第２樹脂層部を形成する樹脂が充填され、前記再配線用貫通孔は、前記厚み方向からの平面視で前記薄膜キャパシタとずれた位置に形成されていることを特徴としている。【０００８】
この構成によると、再配線用貫通孔内には第２樹脂層部の樹脂が充填されるため、高湿度や高温の環境下では、再配線用貫通孔内の樹脂が膨張することがある。ここで、再配線用電極膜のうち再配線用貫通孔の内壁面に延在する部分は薄膜なので、再配線用貫通孔内の樹脂が膨張すると変形しやすい。このとき、当該変形に伴い発生する応力は、再配線用貫通孔の周囲に伝搬するため、再配線用貫通孔の近くに薄膜キャパシタを配置すると、薄膜キャパシタに応力が作用する。しかしながら、本発明では、再配線用貫通孔を再配線層の厚み方向からの平面視で薄膜キャパシタとずれた位置に形成することで、再配線用貫通孔と薄膜キャパシタとの距離を離すことができるため、薄膜キャパシタに作用する応力を低減することができる。【０００９】
また、前記薄膜キャパシタの一端が接続された第１外部端子と、前記薄膜キャパシタの他端が接続された第２外部端子と、前記薄膜回路素子である第１の薄膜抵抗の一端が接続された第３外部端子と、前記薄膜回路素子である第２の薄膜抵抗の一端が接続された第４外部端子と、を備え、前記薄膜キャパシタの前記一端と前記第１の薄膜抵抗の他端とが接続され、前記薄膜キャパシタの前記他端と前記第２の薄膜抵抗の他端とが接続されていてもよい。この場合、薄膜キャパシタに作用する応力を低減しつつ、複合電子部品をバイアス電圧の効果を利用する容量素子として使用することができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、再配線用貫通孔を再配線層の厚み方向からの平面視で薄膜キャパシタとずれた位置に形成することで、再配線用貫通孔と薄膜キャパシタとの距離を離すことができるため、薄膜キャパシタに作用する応力を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の一実施形態にかかる複合電子部品の断面図である。
【図２】図１の薄膜キャパシタと再配線用貫通孔との配置関係を説明するための図である。
【図３】図１の複合電子部品の回路構成図である。
【図４】再配線用貫通孔の周囲に作用する応力を説明するための図である。
【図５】従来の電子部品の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の一実施形態にかかる複合電子部品１について、図１〜図３を参照して説明する。なお、図１は複合電子部品１の断面図、図２は薄膜キャパシタ３と再配線用貫通孔６ｃとの配置関係を説明するための図、図３は複合電子部品１の回路構成図である。
【００１３】
この実施形態にかかる複合電子部品１は、図１に示すように、絶縁基板２と、該絶縁基板２の一方主面上に形成された薄膜キャパシタ３と、絶縁基板２の一方主面に薄膜キャパシタ３を被覆して積層された絶縁保護層４と、該絶縁層に積層された再配線層５と、再配線層５内に設けられた薄膜回路素子９ａ，９ｂ（薄膜回路素子９ｂは図示せず）とを備え、薄膜キャパシタ３と薄膜回路素子９ａ，９ｂとが電気的に接続されている。
【００１４】
絶縁基板２は、例えば、Ｓｉ基板であり、上面（本発明の「一方主面」に相当）が表面酸化されてＳｉＯ２膜が形成されている。
【００１５】
薄膜キャパシタ３は、絶縁基板２の一方主面に、下部電極膜３ａ、誘電体膜３ｂ、上部電極膜３ｃの順に積層されて成る。この実施形態では、下部電極膜３ａおよび上部電極膜３ｃそれぞれがＰｔ膜で形成され、誘電体膜３ｂはチタン酸バリウムストロンチウム（（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ３；以下「ＢＳＴ」という）で形成される。ここで、下部電極膜３ａおよび上部電極膜３ｃそれぞれが、本発明の「導体層」に相当する。また、誘電体膜３ｂが、本発明の「誘電体膜」に相当する。なお、誘電体膜３ｂを形成する材料はＢＳＴに限らず、ＢａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＰｂＴｉＯ３、ＳｉＯ２誘電体など、種々の誘電体材料を使用することができる。また、下部電極膜３ａおよび上部電極膜３ｃも、誘電体材料の種類に応じて、例えば、Ｃｕ膜、Ａｌ膜、Ｔｉ膜を使用してもよい。
【００１６】
絶縁保護層４は、絶縁基板２の一方主面に、ＳｉＯ２で形成された無機保護層４ａ、感光性ポリイミド系樹脂保護層４ｂの順に積層されて成る。また、絶縁保護層４には、薄膜キャパシタ３の上部電極膜３ｃと平面視で重なる位置において、絶縁保護層４を厚み方向に貫通して上部電極膜３ｃを覗くように第１貫通孔６ａ（本発明の「引出用貫通孔」に相当）が形成される。また、下部電極膜３ａと平面視で重なる位置において、絶縁保護層４を厚み方向に貫通して下部電極膜３ａを覗くように第２貫通孔６ｂ（本発明の「引出用貫通孔」に相当）が形成される。
【００１７】
絶縁保護層４の上面には、薄膜キャパシタ３の上部電極膜３ｃに接続された第１引出配線７ａ（本発明の「引出用電極膜」に相当）が形成されるとともに、下部電極膜３ａに接続された第２引出配線７ｂ（本発明の「引出用電極膜」に相当）が形成される。例えば、第１引出配線７ａは、絶縁保護層４の上面から第１貫通孔６ａの内壁面に延在するように形成される。そして、第１引出配線７ａの延在する部分が、第１貫通孔６ａ内で、上部電極膜３ｃの第１貫通孔６ａから覗く領域および第１貫通孔６ａの内壁面を被覆することで、第１引出配線７ａが上部電極膜３ｃに接続される。ここで、第１引出配線７ａは、絶縁保護層４の一方主面に形成される部分並びに第１貫通孔６ａの内壁面に形成される部分がスパッタ等の成膜技術により一括で形成される。なお、第２引出配線７ｂも第１引出配線７ａと同様の構成である。
【００１８】
再配線層５は、絶縁保護層４の上面に第１、第２引出配線７ａ，７ｂを被覆して積層された第１樹脂層部５ａと、該第１樹脂層部５ａに積層された第２樹脂層部５ｂとを備える。第１樹脂層部５ａおよび第２樹脂層部５ｂは、フェノール樹脂やエポキシ樹脂、ポリイミドなどで形成された樹脂層の単層または多層構造でそれぞれ形成されている。
【００１９】
第１樹脂層部５ａの一方主面には、第１、第２引出配線７ａ，７ｂと同様に、成膜技術を用いて第１、第２、第３再配線８ａ，８ｂ，８ｃが形成される。第１再配線８ａ（本発明の「再配線用電極膜」に相当）を例として説明すると、第１樹脂層部５ａには、第１引出配線７ａと平面視で重なる位置において第１樹脂層部５ａを厚み方向に貫通して第１引出配線７ａを覗くように第３貫通孔６ｃ（本発明の「再配線用貫通孔」に相当）が形成される。第１再配線８ａは、第３貫通孔６ｃの内壁面に延在するように第１樹脂層部５ａの一方主面に形成される。具体的には、第１第配線８ａの延在する部分は、第３貫通孔６ｃ内で、第１引出配線７ａの第３貫通孔６ｃから覗く領域および第３貫通孔６ｃの内壁面を被覆するように形成され、これにより、第１再配線８ａが第１引出配線７ａに接続される。また、第３再配線８ｃは、第１再配線８ａと同様に第２引出配線７ｂに接続される。
【００２０】
ここで、第３貫通孔６ｃは、薄膜キャパシタ３への応力を低減するために、図２に示すように、第１樹脂層部５ａの厚み方向からの平面視で薄膜キャパシタ３に重ならない位置に形成されている。なお、図２は薄膜キャパシタ３と再配線用貫通孔６ｃとの配置関係を説明するための図であって、厳密に図１における長さ、大小等と対応するものではない。
【００２１】
第１樹脂層部５ａには、さらに、第１、第２の薄膜抵抗９ａ，９ｂ（それぞれ本発明の「薄膜回路素子」に相当）が設けられる。例えば、第１の薄膜抵抗９ａは、図１に示すように、第１再配線８ａと第２再配線８ｂとの間に挿入されて両者に直列接続される。
【００２２】
第２樹脂層部５ｂは、第１樹脂層部５ａに第１、第２、第３再配線８ａ，８ｂ，８ｃを被覆して積層される。ここで、第２再配線８ｂの一部（第１樹脂層部５ａの上面に形成された部分の一部）と、第３再配線８ｃの一部（第１樹脂層部５ａの上面に形成された部分の一部）とをそれぞれ露出させるための開口部１０ａ，１０ｂが設けられる。そして、開口部１０ａから露出した第２再配線８ｂ上にはＮｉ／Ａｕめっきにより外部電極１１ａ（本発明の「第３外部端子」に相当し、以下、第３外部端子１１ａと称する）が形成され、開口部１０ｂから露出した第３再配線８ｃ上にはＮｉ／Ａｕめっきにより外部電極１１ｂ（本発明の「第２外部端子」に相当し、以下、第２外部端子１１ｂと称する）が形成される。なお、第２樹脂層部５ｂには、第２、第３外部端子１１ａ，１１ｂと同様の構成により、後述する第１、第４外部端子が形成されている。
【００２３】
このように構成された複合電子部品１は、第１、第２外部端子１１ｂ，１１ｃを入出力端子とし、バイアス電圧の効果を利用する容量素子として使用される。具体的には、図３に示すように、第３、第４外部端子ａ，１１ｄ間の電圧を調整して、第１、第２の薄膜抵抗９ａ，９ｂを介して薄膜キャパシタ３の両端に印加される電圧を任意に調整することにより薄膜キャパシタ３の容量を調整する可変容量素子として使用することができる。
【００２４】
（複合電子部品の製造方法）
次に、複合電子部品１の製造方法の一例について説明する。まず、表面酸化でＳｉＯ２膜が形成された絶縁基板２の一方主面に、薄膜キャパシタ３の下部電極膜３ａを形成するＰｔ膜をスパッタリングにより成膜する。次に、誘電体膜３ｂを形成するために、Ｂａ、Ｓｒ、Ｔｉの各有機金属塩あるいは金属アルコキシドを有機溶剤に溶かした溶液をＰｔ膜上に塗布した後、仮焼し誘電体層を形成する。次に、誘電体層上にスパッタリングで上部電極膜３ｃを形成するＰｔ膜を成膜する。次に、薄膜キャパシタ３として所望の容量を得るために、Ｐｔ膜、誘電体層、Ｐｔ膜の順に積層されたものを所定のサイズに成形する。具体的には、これらの積層体上にフォトレジストを塗布し、所定のフォトマスクで露光・現像してレジストパターンを形成した後、リアクティブイオンエッチングで加工することにより、所望の容量を有する薄膜キャパシタ３を形成する。その後、熱処理により結晶粒成長させて誘電体膜３ｂの特性を発揮できるようにする。なお、誘電体層は、上記の他、スパッタリング法やＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法で形成してもかまわない。
【００２５】
次に、絶縁基板２の一方主面に薄膜キャパシタ３を被覆するように、絶縁保護層４を形成する。この場合、無機保護層４ａ、樹脂保護層４ｂの順に積層する。
【００２６】
次に、絶縁保護層４の所定の位置に第１、第２貫通孔６ａ，６ｂを形成する。例えば、感光性樹脂を用いた樹脂保護層４ｂを所定のフォトマスクで露光・現像して樹脂保護層４ｂに第１、第２貫通孔６ａ，６ｂを形成した後、樹脂保護層４ｂをレジストとして無機保護層４ａをリアクティブイオンエッチングすることにより、無機保護層４ａにも第１、第２貫通孔６ａ，６ｂを形成することができる。
【００２７】
次に、第１、第２貫通孔６ａ，６ｂが形成された絶縁保護層４の上面に、スパッタリングによりＣｕ／Ｔｉ膜を成膜し、該Ｃｕ／Ｔｉ膜をエッチングにより所望のパターンに形成して、第１引出配線７ａ、第２引出配線７ｂを形成する。これにより、例えば第１引出配線７ａの絶縁保護層４の一方主面上の部分（面内導体部分）と第１貫通孔６ａの内壁面に延在する部分（層間接続部分）とが一括で形成される。
【００２８】
次に、第１、第２引出配線７ａ,７ｂを被覆するように、絶縁保護層４の一方主面に第１樹脂層部５ａを積層する。このとき、第１樹脂層部５ａは、複数の樹脂層を積層して形成されるが、その積層過程で、第１、第２の薄膜抵抗９ａ，９ｂを形成する。なお、第１、第２の薄膜抵抗９ａ，９ｂは、例えば、蒸着リフトオフ法により形成することができる。ここで、第１、第２引出配線７ａ，７ｂは薄膜で形成されているため、一般的なビア導体と異なり、第１、第２貫通孔６ａ,６ｂに導体が充填されていない。そのため、第１樹脂層部５ａを形成する際、該第１樹脂層部５ａの樹脂が、第１、第２貫通孔６ａ,６ｂ内に入り込む。
【００２９】
次に、第１、第２貫通孔６ａ，６ｂと同じ要領で第３貫通孔６ｃを形成するとともに、第１、第２引出配線７ａ,７ｂと同じ要領で第１、第２、第３再配線８ａ，８ｂ，８ｃを形成する。このとき、第３貫通孔６ｃを、第１樹脂層部５ａの厚み方向からの平面視で薄膜キャパシタ３に重ならない位置に形成する。
【００３０】
次に、第１、第２、第３再配線８ａ，８ｂ，８ｃを被覆するように第１樹脂層部５ａの一方主面に第２樹脂層部５ｂを積層する。このとき、所定の配線（例えば、第２、第３再配線８ｂ，８ｃ）の第１、第２、第３、第４外部端子１１ａ,１１ｂ，１１ｃ,１１ｄを形成する部分が露出するように積層する。なお、この場合も第１、第２貫通孔６ａ,６ｂと同様に、第３貫通孔６ｃ内に第２樹脂層部５ｂを形成する樹脂が入り込む。
【００３１】
最後に、これらの露出した部分にＮｉ／Ａｕめっきを施すことにより第１、第２、第３、第４外部端子１１ａ,１１ｂ，１１ｃ,１１ｄを形成して複合電子部品１が完成する。
【００３２】
ところで、第１、第２、第３再配線８ａ，８ｂ，８ｃを上記したように薄膜で形成した場合、従来では、薄膜キャパシタの絶縁抵抗が下がるという問題が発生していた。そこで、発明者は、第１樹脂層部５ａに形成する貫通孔６ｃを、平面視で薄膜キャパシタ３に重ならない位置に形成することにより、薄膜キャパシタ３の絶縁抵抗の低下を改善できることを見出した。これは、以下の理由によるものと考えられる。
【００３３】
すなわち、図４に示すように、例えば、第１再配線８ａのように、面内導体部分（第１樹脂層部５ａの一方主面上に形成される部分）と層間接続部分（第３貫通孔６ｃに形成される部分）とをスパッタリングにより一括で形成する場合、第１再配線８ａは、第３貫通孔６ｃに覗く第１引出配線７ａを被覆する部分（引出被覆部分）は、第３貫通孔６ｃの内壁面を被覆する部分（内壁被覆部分）よりもその膜厚が厚く形成される。
【００３４】
そして、複合電子部品１が完成した状態では、第３貫通孔６ｃ内に第２樹脂層部５ｂの樹脂が入り込んで充填される。このような構成によると、例えば、複合電子部品１が高温や高湿の環境下に晒された場合、第３貫通孔６ｃに入り込んだ樹脂が膨張する。ここで、第１再配線８ａは、引出被覆部分が内壁被覆部分よりも膜厚が厚いため、第３貫通孔６ｃ内の樹脂が膨張すると、図４に示すように、その膨張力により第１再配線８ａの内壁被覆部分が押し広げられ、これに伴って、第１再配線８ａの引出被覆部分が上方に押し上げられるように変形する。そのため、例えば、第３貫通孔６ｃの真下に薄膜キャパシタ３が位置すると、第１再配線８ａの上記変形に伴い薄膜キャパシタ３に対して上方に引張り応力が作用する。このような引張り応力は、薄膜キャパシタ３の上部電極膜３ｃと誘電体膜３ｂとの密着または下部電極膜３ｃと誘電体膜３ｂとの密着を低下させることになる。そうすると、下部または上部電極膜３ａ,３ｃが、誘電体膜３ｂに十分に接していない状態が生じて薄膜キャパシタ３の絶縁抵抗の低下として現れる。なお、発明者の実験によれば、第３貫通孔６ｃを平面視で薄膜キャパシタ３に重ならない位置に配置すること、薄膜キャパシタ３の絶縁抵抗の低下が改善することが確認された。なお、図４は第３貫通孔６ｃの周囲に作用する応力を説明するための図である。
【００３５】
したがって、上記した実施形態によれば、第３用貫通孔６ｃを第１樹脂層部５ａの厚み方向からの平面視で薄膜キャパシタ３とずれた位置（重ならない位置）に形成することで、第３貫通孔６ｃと薄膜キャパシタ３との距離を離すことができるため、薄膜キャパシタ３に作用する応力を低減することができる。また、薄膜キャパシタ３に作用する積層方向の引張り応力が低減することで、薄膜キャパシタ３の上部電極膜３ｃと誘電体膜３ｂとの密着または下部電極膜３ｃと誘電体膜３ｂとの密着が確保されて薄膜キャパシタ３の絶縁抵抗の低下を防止できる。
【００３６】
なお、本発明は上記した各実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて、上記したもの以外に種々の変更を行なうことが可能である。例えば、上記した実施形態では、第１、第２の薄膜抵抗９ａ，９ｂを再配線層５の第１樹脂層部５ａに形成する場合について説明したが、どちらも第１樹脂層部５ａおよび第２樹脂層部５ｂのいずれかに形成されていればよい。
【００３７】
薄膜回路素子については、上記した第１、第２の薄膜抵抗９ａ，９ｂに限らず、例えば、薄膜で形成されたインダクタであってもかまわない。
【産業上の利用可能性】
【００３８】
また、本発明は、薄膜キャパシタと、該薄膜キャパシタに電気的に接続された薄膜回路素子とを備える種々の複合電子部品に広く適用することができる。
【符号の説明】
【００３９】
１        複合電子部品
２        絶縁基板
３        薄膜キャパシタ
４        絶縁保護層
５        再配線層
５ａ      第１樹脂層部
５ｂ      第２樹脂層部
６ａ      第１貫通孔（引出用貫通孔）
６ｃ      第３貫通孔（再配線用貫通孔）
９ａ      第１の薄膜抵抗
９ｂ      第２の薄膜抵抗
１１ａ    外部電極（第３外部端子）
１１ｂ    外部電極（第２外部端子）
１１ｃ    第１外部端子
１１ｄ    第４外部端子
【要約】
薄膜キャパシタと薄膜回路素子とを備える複合電子部品において、薄膜キャパシタに作用する応力を低減する。
複合電子部品１は、一方主面に薄膜キャパシタ３が形成された絶縁基板２と、薄膜キャパシタ３を被覆して積層された絶縁保護層４と、絶縁保護層４に形成されて薄膜キャパシタ３に接続された第１引出配線７ａと、絶縁保護層４に積層された第１樹脂層部５ａと、第１樹脂層部５ａに設けられた第１、第２の薄膜抵抗９ａ，９ｂと、第１樹脂層部５ａを厚み方向に貫通し第１引出配線７ａを覗くように形成された第３貫通孔６ｃと、第１樹脂層部５ａに形成されて第２貫通孔６ｃを介して第１引出配線７ａに接続された第１再配線８ａと、第１樹脂層部５ａに積層された第２樹脂層部５ｂとを備え、第３貫通孔６ｃ内に第２樹脂層部５ｂの樹脂が充填され、第３貫通孔６ｃは、平面視で薄膜キャパシタ３とずれた位置に形成されている。【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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