(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
正面と反面とを有すると共に、前記正面から前記反面まで貫通し、穴径が０．２５ｍｍ以下にある絶縁層穴が形成されている絶縁層と、
前記絶縁層の前記正面と前記反面のそれぞれに、所定のパターンに形成される導電層と、
前記絶縁層穴内に挿し込まれて且つ前記絶縁層穴と平行するように延伸する貫通孔によって貫通されていると共に、前記導電層に電気的に接続するように設置される接続導体と、
前記導電層の前記絶縁層に接触している面の反対面に形成されている被覆層と、を有する回路基板であって、
前記導電層は、前記導電層を貫通し、前記絶縁層穴に連通するように形成される第１の導電層穴と、
前記導電層を貫通し、且つ前記絶縁層穴に連通しないように形成される第２の導電層穴と、を有しており、
前記被覆層は、ポリイミド系フォトレジストを含有し、前記第２の導電層穴及び前記接続導体を貫通する前記貫通孔を充満し、且つ少なくとも前記接続導体を貫通する前記貫通孔の内表面を覆うように形成されることを特徴とする回路基板。
【請求項２】
前記被覆層が含有するポリイミド系フォトレジストは、ネガ型ポリイミド系フォトレジストまたはポジ型ポリイミド系フォトレジストであることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
前記接続導体は、導電金属、導電ポリマーまたは導電金属と導電ポリマーとを組み合わせた材料により構成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の回路基板。
【請求項４】
前記絶縁層は、可撓性を有する材料により作成されたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の回路基板を有することを特徴とする多層回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は回路基板及び多層回路基板に関し、特に、フォトリソグラフィを用いて、電子デバイス接続用穴（孔、ホールなどともいう）を開けることができる回路基板及び多層回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子製品の小型化のため、回路基板に電子デバイスを取り付ける微小な穴を開ける必要がある。
【０００３】
現在、一般的に使用される回路基板として、例えば特許文献１に記載されるものが挙げられる。特許文献１には、図１に示されるように、両面を貫通する絶縁層穴ｂが形成されている絶縁層ａと、絶縁層ａの表面に形成される導電層ｃと、絶縁層穴ｂに詰め込む硬化物ｄと、導電層ｃ及び硬化物ｄを挟むように形成されているソルダーレジスト層ｅと、により構成されている回路基板が開示されている。硬化物ｄ及びソルダーレジスト層ｅは、それぞれエポキシ樹脂、エポキシ樹脂硬化剤、及び無機フィラーを含有する熱硬化性樹脂を硬化して作製されたものである。しかし、特許文献１に記載されている回路基板のソルダーレジスト層ｅはエポキシ樹脂を用いて形成されるため、機械またはレーザーによってしか穴を開けられず、そして機械で穴を開ける場合では開けられる穴径が穴開け工具の寸法に限られて、現今の回路基板に求められる例えば穴径が５０μｍ程度の微小な穴を開けることができない。
【０００４】
そのため、作製された回路基板に電子デバイスを取り付ける微小な穴を開けるべく、従来では、例えばソルダーレジスト層ｅに対し、導電層ｃに積層する前に微小な穴を開ける予定の位置に対応する箇所に予め露出穴を開けておき、ソルダーレジスト層ｅが導電層ｃに積層されて該露出穴から導電層ｃが露出している状態で該露出穴内に液状で感光性の光像形成性ソルダーレジストを塗布し、その感光性ソルダーレジストに対して、フォトリソグラフィを行って、該感光性ソルダーレジストを硬化し且つ開ける予定の微小な穴を開ける方法が使用されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】中国特許出願公開第１０３０３０９３１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、上記のように、従来では回路基板に電子デバイスを取り付けるための微小な穴を開けるには手順が複雑である上、エポキシ樹脂を用いて形成されるソルダーレジスト層は通気性が良くない欠点を持ち、そして回路基板全体の靱性も良くない。
上記問題点に鑑みて、本発明は、表面に微小な穴を簡単に開ける方法で穴開けでき、且つ靱性と通気性が従来より向上する回路基板及び多層回路基板の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成すべく、本発明は、正面と該正面に対向する反面（反対面）とを有すると共に、前記正面から前記反面まで貫通する絶縁層穴が形成されている絶縁層と、少なくとも前記絶縁層の前記正面と前記反面における一面において、所定のパターンに形成される導電層と、前記絶縁層穴内に挿し込まれて且つ前記絶縁層穴と平行するように延伸する貫通孔によって貫通されていると共に、前記導電層に電気的に接続するように設置される接続導体と、前記導電層の前記絶縁層に接触している面の反対面に形成されている被覆層と、を有する回路基板であって、前記導電層は、前記導電層を貫通し、前記絶縁層穴に連通するように形成される第１の導電層穴と、前記導電層を貫通し、且つ前記絶縁層穴に連通しないように形成される第２の導電層穴と、を有しており、前記被覆層は、ポリイミド系フォトレジストを含有し、前記第２の導電層穴を充満し、且つ少なくとも前記接続導体を貫通する前記貫通孔の内表面を覆うように形成されることを特徴とする回路基板を提供する。
【０００８】
また、本発明は、上記の回路基板を有することを特徴とする多層回路基板をも提供する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の回路基板によれば、ポリイミド系フォトレジストを含有する被覆層を有するので、該被覆層に対してフォトリソグラフィを行うだけで、該被覆層に微小な穴を開けることができる。また、エポキシ樹脂を絶縁層穴及び導電層穴に詰め込んでいないので、靱性と通気性が従来の回路基板より上回る。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】従来の回路基板の断面図である。
【図２】本発明の回路基板の第１の実施形態の構造を示す断面図である。
【図３】本発明の回路基板の第２の実施形態の構造を示す断面図である。
【図４】本発明の回路基板の第３の実施形態の構造を示す断面図である。
【図５】本発明の回路基板の第３の実施形態に対してフォトリソグラフィを行った後の構造を示す断面図である。
【図６】本発明の多層回路基板の好ましい実施形態の断面図である。
【図７】比較例１の回路基板の製造過程を示す断面図である。
【図８】比較例２の回路基板の製造過程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明は、正面と反面とを有すると共に、前記正面から前記反面まで貫通する絶縁層穴が形成されている絶縁層と、少なくとも前記絶縁層の前記正面と前記反面における一面において、所定のパターンに形成される導電層と、前記絶縁層穴内に挿し込まれて且つ前記絶縁層穴と平行するように延伸する貫通孔によって貫通されていると共に、前記導電層に電気的に接続するように設置される接続導体と、前記導電層の前記絶縁層に接触している面の反対面に形成されている被覆層と、を有する回路基板にある。
【００１２】
前記導電層は、前記導電層を貫通し、前記絶縁層穴に連通するように形成される第１の導電層穴と、前記導電層を貫通し、且つ前記絶縁層穴に連通しないように形成される第２の導電層穴と、を有している。
【００１３】
前記被覆層は、ポリイミド系フォトレジストを含有し、前記第２の導電層穴を充満し、且つ少なくとも前記接続導体を貫通する前記貫通孔の内表面を覆うように形成されている。また、本発明の回路基板の平均厚さは１０μｍ〜１０００μｍの範囲内にある。
【００１４】
以下、本発明の回路基板を構成する各層について説明する。
【００１５】
≪絶縁層≫
絶縁層の構成材料としては、例えばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、フッ素樹脂、または液晶ポリマーなどが挙げられ、また、前記絶縁層は可撓性を有する材料により作成されることが好ましく、更に、前記絶縁層の構成材料は、ポリイミド樹脂であることが好ましい。
【００１６】
前記絶縁層は平均厚さが５μｍ〜５０μｍの範囲内にあることが好ましく、そして絶縁層穴は平均穴径が０．２５ｍｍ以下にあることが好ましい。
【００１７】
≪導電層≫
導電層としては、例えば導電金属層、導電ポリマー層、または導電金属及び導電ポリマーを含有する複合材料層などが挙げられる。
【００１８】
該導電金属層としては、例えば銅箔、アルミ箔、金箔、銀箔、複合金属箔などが挙げられ、中でも、銅箔が好ましい。
【００１９】
また、前記絶縁層の前記正面及び前記反面それぞれに前記導電層が形成されていることが好ましい。
【００２０】
≪接続導体≫
接続導体の構成材料としては、例えば導電金属、導電ポリマー、または導電金属と導電ポリマーとの組み合わせ材料などが挙げられる。
【００２１】
該導電金属としては、例えば銅、スズ―鉛合金、ニッケル―金合金などが挙げられる。
【００２２】
≪被覆層≫
回路基板が絶縁層及び導電層に開けられた穴に含有する空気の熱膨張により変形されることを避けるために、被覆層は全ての前記絶縁層穴、前記第１の導電層穴、前記第２の導電層穴及び貫通孔に充満することが好ましい。
【００２３】
前記被覆層が含有するポリイミド系フォトレジストは、ネガ型ポリイミド系フォトレジストまたはポジ型ポリイミド系フォトレジストのどちらも使用することができる。
【００２４】
ネガ型ポリイミド系フォトレジストは、二重結合を有するポリイミドと、架橋剤と、光開始剤と、により構成される。
【００２５】
該二重結合を有するポリイミドとしては、例えば下記の式（１）または式（２）に示されるポリイミドなどが挙げられる。
【００２６】
【化１】
0006055012.tif 000002
【００２７】
【化２】
0006055012.tif 000003
【００２８】
式（１）におけるＲ9及び式（２）におけるＲ11としては、例えば、次のものなどが挙げられる。
【００２９】
【化３】
0006055012.tif 000004
【００３０】
Ｒ10としては、例えば、次のものなどが挙げられる。
【００３１】
【化４】
0006055012.tif 000005
【００３２】
Ｘ1としては、例えば、次のものなどが挙げられる。
【００３３】
【化５】
0006055012.tif 000006
【００３４】
Ｒ12としては、例えば、次のものなどが挙げられる。式中のｔ1は、１〜２０の範囲内にある。
【００３５】
【化６】
0006055012.tif 000007
【００３６】
架橋剤としては、例えばトリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌレートトリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリラート、２−ヒドロキシメチル−４，６−ジメチルフェノール、１，３，５−トリヒドロキシメチルベンゼン、３，５−ジヒドロキシメチル−４−メトキシトルエン［２，６−ビス（ヒドロキシメチル）−ｐ−クレゾール]、エトキシル化（３０）ビスフェノールＡジアクリレートなどからなる群より、一種または二種以上の化合物を選んで用いる。
【００３７】
光開始剤としては、例えばビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）フェニルホスフィンオキシド、ビス（２，６−ジフルオロ−３−（１−ヒドロピロール−１−イル）フェニル）チタノセン、２，４，６−トリメチルベンゾイル−ジフェニルホスフィンオキシドなどからなる群より、一種または二種以上の化合物を選んで用いる。
【００３８】
ポジ型ポリイミド系フォトレジストは、ヒドロキシル基または酸性基を有するポリイミドと、光酸発生剤とにより構成される。
【００３９】
ヒドロキシル基または酸性基を有するポリイミドとしては、例えば下記の式（３）に示されるポリイミドなどが挙げられる。
【００４０】
【化７】
0006055012.tif 000008
【００４１】
式（３）におけるＲ13としては、例えば次のものなどが挙げられる。
【００４２】
【化８】
0006055012.tif 000009
【００４３】
Ｒ14としては、例えば、次のものなどが挙げられる。
【００４４】
【化９】
0006055012.tif 000010
【００４５】
光酸発生剤としては、例えばニトロベンジル−９，１０−ジエトキシアントラセン−２−スルホン酸エステル、ジフェニルヨードニウム−９，８ジメトキシアントラセンスルホン酸エステルなどからなる群より、一種または二種以上の化合物を選んで用いる。
【００４６】
本発明の回路基板の製造方法は、先ず、正面と反面とを有する絶縁層と、少なくとも絶縁層の前記正面と前記反面における一面に所定のパターンに形成される導電層と、前記絶縁層に設置されている複数の接続導体とにより構成されている積層板を用意する。前記絶縁層は,前記正面から前記反面まで貫通するように形成されている絶縁層穴を有し、前記接続導体は、前記絶縁層穴内に挿し込まれて且つ前記絶縁層穴と平行するように延伸する前記貫通孔によって貫通されていると共に、前記導電層に電気的に接続するように設置されている。また、前記導電層は、前記導電層を貫通し、前記絶縁層穴に連通するように形成される第１の導電層穴と、前記導電層を貫通し、且つ前記絶縁層穴に連通しないように形成される第２の導電層穴と、を有している。
【００４７】
そして、ポリイミド系フォトレジストを用いて、前記導電層の前記第２の導電層穴を充満し、且つ少なくとも前記接続導体を貫通する前記貫通孔の内表面を覆うように被覆層を形成することにより、本発明の回路基板が得られる。
【００４８】
更に、本発明は上記の回路基板を有する多層回路基板を提供する。
【００４９】
該多層回路基板は、上記の回路基板に更に上記の導電層、銅箔積層板またはエポキシ樹脂層を形成することができる。該銅箔積層板としては、例えば、プリント回路基板に用いるパターン化された銅箔を有する片面基板、パターン化された銅箔を有する両面基板、パターン化された銅箔を有する多層基板、被覆層及び上記の片面基板を有する基板、被覆層及び上記の両面基板を有する基板、被覆層及び上記の多層基板を有する基板などが挙げられる。
【００５０】
以下、添付の図面を参照しながら、本発明の回路基板の好ましい実施形態について説明する。
【００５１】
＜第１の実施形態＞
本発明の第１の実施形態は、図２に示されるように、ポリイミド層２と、銅箔３と、複数の銅導体４と、被覆層とするポリイミド系フォトレジスト層５とを有する。
【００５２】
この第１の実施形態の回路基板は、先ず、正面２１と反面２２とを有するポリイミド層２と、ポリイミド層２の正面２１に所定のパターンに形成される銅箔３と、ポリイミド層２に設置されている複数の銅導体４とにより構成されている積層板を用意し、そして、ポリイミド系フォトレジストを用いて、銅箔３のポリイミド層２に接触している面の反対面に、下述する第２の銅箔穴３４を充満し且つ銅導体４を貫通する貫通孔４１の内表面を覆うように塗布して、ポリイミド系フォトレジスト層５を形成することにより作成できる。
【００５３】
ポリイミド層２は、正面２１から反面２２まで貫通するポリイミド層穴２３が複数形成されている。
【００５４】
銅箔３は、銅箔３を貫通し、いずれか１つのポリイミド層穴２３に連通するように形成される複数の第１の銅箔穴３３と、銅箔３を貫通し、且つポリイミド層穴２３に連通しないように形成される穴径複数の第２の銅箔穴３４と、を有している。
【００５５】
銅導体４は、ポリイミド層穴２３の表面に貼り付くように挿し込まれて、且つポリイミド層穴２３と平行するように延伸する貫通孔４１によって貫通されていると共に、銅箔３に電気的に接続するように設置される。
【００５６】
ポリイミド系フォトレジスト層５は、塗布で銅箔３のポリイミド層２に接触している面の反対面に、第２の銅箔穴３４を充満し、且つ銅導体４を貫通する貫通孔４１の内表面を覆うように形成される。
【００５７】
ポリイミド系フォトレジスト層５は、ネガ型ポリイミド系フォトレジストを含有し、ネガ型ポリイミド系フォトレジストは、光重合できるポリイミド樹脂及び感光剤を含有する。
【００５８】
＜第２の実施形態＞
本発明の第２の実施形態は、上記第１の実施形態と類似する構成を有するので、ここでは詳しい説明を省略し、その相違点のみを説明する。
【００５９】
図３に示されるように、この第２の実施形態は、ポリイミド層２の正面２１に第１の銅箔３１が形成され、反面２２に第２の銅箔３２が形成されている。
【００６０】
この第２の実施形態における第１の銅箔３１及び第２の銅箔３２は、いずれか１つのポリイミド層穴２３から第１の銅箔３１または第２の銅箔３２それぞれを貫通するように形成される複数の第１の銅箔穴３３と、第１の銅箔３１または第２の銅箔３２を貫通する一方、ポリイミド層穴２３に連通しないように形成される複数の第２の銅箔穴３４と、を有している。
【００６１】
また、ポリイミド系フォトレジスト層５は、第１の実施形態のように、第１の銅箔３１及び第２の銅箔３２のポリイミド層２に接触している面の反対面にそれぞれ形成されている。ポリイミド層穴２３内に挿し込まれる銅導体４は、ポリイミド層穴２３から第１の銅箔穴３３へ突出して該第１の銅箔穴３３が対応する第１の銅箔３１または第２の銅箔３２に電気的に接続している。
【００６２】
この第２の実施形態の回路基板は、ポリイミド層２の両面に第１の銅箔穴３３と第２の銅箔穴３４とをそれぞれ有する第１の銅箔３１と第２の銅箔３２とを形成し、そして、第１の銅箔３１及び第２の銅箔３２のポリイミド層２に接触している面の反対面にポリイミド系フォトレジストを用いて、銅箔３に第２の銅箔穴３４を充満し且つポリイミド層穴２３内に挿し込まれる銅導体４を貫通する貫通孔４１の内表面を覆うように塗布して、ポリイミド系フォトレジスト層５を形成することにより作成できる。
【００６３】
＜第３の実施形態＞
本発明の第３の実施形態は、上記第２の実施形態と類似する構成を有するので、ここでは詳しい説明を省略し、その相違点のみを説明する。
【００６４】
図４に示されるように、この第３の実施形態と上記第２の実施形態との相違点は、ポリイミド系フォトレジスト層５が第１の銅箔３１及び第２の銅箔３２のポリイミド層２において、全てのポリイミド層穴２３、第１の銅箔穴３３、第２の銅箔穴３４及び貫通孔４１を充満するように塗布形成されるところにある。
【００６５】
本実施形態の回路基板によれば、公知のフォトリソグラフィ方法で回路基板のポリイミド系フォトレジスト層５に穴を開けることができる。例えば、図５に示されるように、上記第３の実施形態に対して順次にプリベーク（温度８０℃、時間１０分）、露光（露光エネルギー８００ｍＪ／ｃｍ2、露光出力６６Ｗ、時間１６秒）、現像（温度３０±１℃、現像液成分１．０〜１．２ｗｔ％炭酸ナトリウム溶液、時間６０秒）、ポストベーク（温度２００℃）の処理を行うことにより、第３の実施形態のポリイミド系フォトレジスト層５を貫通するように、穴径が５０μｍのポリイミド系フォトレジスト層穴５１を形成できる。
【００６６】
また、上記第１の実施形態及び第２の実施形態に対しても、公知のフォトリソグラフィ方法で本発明の回路基板のポリイミド系フォトレジスト層５に穴を開けることができる。
【００６７】
上記の各実施形態の回路基板は、いずれもポリイミド系フォトレジストを含有するポリイミド系フォトレジスト層が被覆層として機能してるので、該ポリイミド系フォトレジスト層に対してフォトリソグラフィを行うだけで、該ポリイミド系フォトレジスト層に現今の回路基板が必要されている微小な穴を開けることができ、従来の回路基板より簡単に微小な穴を形成できる。
【００６８】
また、本発明の多層回路基板の好ましい実施形態は、図６に示されるように、上記第３の実施形態の回路基板の１面に銅金属層６が形成されているものである。
【００６９】
≪評価方法≫
＜評価に使用される「実施例」の作成＞
評価に使用される「実施例」の作成のため、図４に示されるように、先ず、正面２１と反面２２とを有する厚さが１２μｍのポリイミド層２（株式会社カネカ製、製品番号ＦＲＳ−５２２ＳＷ）と、ポリイミド層２の正面２１に所定のパターンに形成される厚さが１２μｍの第１の銅箔３１（三井金属製、製品番号３ＥＣ−Ｍ３Ｓ−ＨＴＥ)と、ポリイミド層２の反面２２に所定のパターンに形成される厚さが１２μｍの第２の銅箔３２（三井金属製、製品番号３ＥＣ−Ｍ３Ｓ−ＨＴＥ)と、ポリイミド層２に設置されている複数の銅導体４とにより構成されている積層板を用意する。
【００７０】
ポリイミド層２は、正面２１から反面２２まで貫通するように形成されている穴径が０．１ｍｍの複数のポリイミド層穴２３を有している。
【００７１】
銅導体４は、銅めっき膜を有しポリイミド層穴２３のサイズに合わせて作成されたものでポリイミド層穴２３の表面に貼り付くように挿し込まれ、且つポリイミド層穴２３と平行するように延伸する貫通孔４１によって貫通されていると共に、第１の銅箔３１及び第２の銅箔３２に電気的に接続するように設置されている。
【００７２】
また、第１の銅箔３１及び第２の銅箔３２は、第１の銅箔３１及び第２の銅箔３２それぞれを貫通し、いずれか１つのポリイミド層穴２３に連通するように形成される穴径が０．１ｍｍの複数の第１の銅箔穴３３と、第１の銅箔３１及び第２の銅箔３２それぞれを貫通し、且つポリイミド層穴２３に連通しないように形成される穴径が０．１ｍｍの複数の第２の銅箔穴３４と、を有している。
【００７３】
そして、第１の銅箔３１及び第２の銅箔３２のポリイミド層２に接触している面の反対面にポリイミド系フォトレジストを用いて、第１の銅箔３１及び第２の銅箔３２のポリイミド層２において、全てのポリイミド層穴２３、第１の銅箔穴３３、第２の銅箔穴３４及び貫通孔４１を充満するように塗布して、ポリイミド系フォトレジスト層５を形成することにより、「実施例」が得られる。
【００７４】
該ポリイミド系フォトレジストは、ネガ型ポリイミド系フォトレジストを含有し、ネガ型ポリイミド系フォトレジストは、１００重量部の変性され、感光性を有するポリイミドと、１０重量部のフェニルビス (２，４，６−トリメチルベンゾイル)ホスフィンオキシドと、３０重量部のペンタエリスリトールトリアクリレートと、により構成されている。
【００７５】
変性され、感光性を有するポリイミドの生成方法は以下の通りである。まず、反応基を有し、下記式（４）に示されるジアミン及び下記式（５）に示される二酸無水物を溶剤に溶解してから重合反応を行ってポリアミド酸を生成した。そして該ポリアミド酸を、共沸剤と共に溶液イミド化方法を用いて１２０℃で脱水環化反応を行って、側鎖に反応基が有する可溶性ポリイミド溶液を生成した。最後に、ビニル基を有する不飽和の感光基を備えるエポキシドで該ポリイミド溶液を変性することにより目的物が生成された。
【００７６】
【化１０】
0006055012.tif 000011
【００７７】
【化１１】
0006055012.tif 000012
【００７８】
そして、例えば、図５に示されるように、実施例に対して順次にプリベーク（温度８０℃、時間１０分）、露光（露光エネルギー８００ｍＪ／ｃｍ2、露光出力６６Ｗ、時間１６秒）、現像（温度３０±１℃、現像液成分１．０〜１．２ｗｔ％炭酸ナトリウム溶液、時間６０秒）、ポストベーク（温度２００℃）の処理を行うことにより、ポリイミド系フォトレジスト層５を貫通するように、穴径が５０μｍのポリイミド系フォトレジスト層穴５１を形成する。
【００７９】
＜評価に使用される「比較例」の作成＞
＜比較例１＞
「比較例１」の作成のため、図７（Ａ）に示されるように、先ず、厚さが１２μｍのポリイミド層ｆ（株式会社カネカ製、製品番号ＦＲＳ−５２２ＳＷ）と、ポリイミド層ｆを挟むようにそれぞれがポリイミド層ｆの両面に形成されている２つの厚さが１２μｍの銅箔ｇ（三井金属製、製品番号３ＥＣ−Ｍ３Ｓ−ＨＴＥ)と、複数の銅導体ｈと、により構成されている厚さが３６μｍの積層体を用意する。ポリイミド層ｆは、正面ｆ1と反面ｆ２とを有すると共に、正面ｆ1から反面ｆ２まで貫通するポリイミド層穴ｆ３が形成されている。銅箔ｇには、銅箔ｇを貫通する銅箔穴ｇ１が形成されている。ポリイミド層穴ｆ３は銅箔穴ｇ１と連通されている。複数の銅導体ｈは、ポリイミド層穴ｆ３の表面に貼り付くように挿し込まれて且つポリイミド層穴ｆ３と平行するように延伸する貫通孔ｈ１によって貫通されていると共に、銅箔ｇに電気的に接続するように設置されている。
【００８０】
そして、図７（Ｂ）に示されるように、エポキシ樹脂充填物ｉ（ビスフェノールＡのジグリシジルエーテル（ＤＧＥＢＡ）、カルボキシル基末端ブタジエンニトリルゴム（ＣＴＢＮ）及び４，４‘−ジアミノジフェニルスルホン（硬化剤））を用いて、ポリイミド層穴ｆ３、銅箔穴ｇ１及び貫通孔ｈ１を充満する。
【００８１】
更に、厚さが７．５μｍのポリイミド層ｊ1（株式会社カネカ製、製品番号ＮＰＩ）と、銅箔ｇに接触するジェル層ｊ２（ビスフェノールＡのジグリシジルエーテル（ＤＧＥＢＡ）、カルボキシル基末端ブタジエンニトリルゴム（ＣＴＢＮ）及び４，４‘−ジアミノジフェニルスルホン（硬化剤））と、により構成され、複合層穴ｊ３を有する厚さが２０μｍの複合層ｊを、熱圧着（圧着条件：温度１８０℃、圧力８０〜１００ｋｇ、時間１００秒）で、１つの銅箔ｇに圧着することにより、銅箔ｇに接着する。そして、１６０℃でジェル層ｊ２を硬化することにより複合層ｊを銅箔ｇに固定して、図７（Ｃ）に示される「比較例１（Ｉ）」が得られる。また、複合層穴ｊ３により、一部の銅箔が露出されている。ジェル層ｊ２は、一般の接着剤、例えばエポキシ樹脂またはアクリル樹脂などにより構成されるものである。
【００８２】
＜比較例２＞
「比較例２」の作成は、図８（Ａ）〜（Ｄ）に示されるように、比較例１において、更に複合層穴ｊ３により露出されている銅箔に液状感光性ソルダーレジスト（台湾太陽インキ社製、製品番号ＰＳＲ−２０００）を更に塗布し、その液状感光性ソルダーレジストに対して、フォトリソグラフィを行って、該液状感光性ソルダーレジストに平均穴径が５０μｍのマイクロ穴ｍを開けることにより実施する。「比較例２（ＩＩ）」が得られる。
【００８３】
＜通気性の測定（単位：ｂａｒｒｅｒ）＞
フォトリソグラフィされていない実施例のポリイミド系フォトレジスト層５、ジェル層ｊ２が硬化されて複合層穴ｊ３を有しない比較例１の複合層ｊ及び比較例２における硬化されてマイクロ穴ｍが開けられていない液状感光性ソルダーレジストそれぞれを、直径３ｃｍのサンプルになるように形成する。そして、それぞれを通気性測定器（ＹＡＮＡＣＯ社製、製品番号ＧＴＲ−１０）で通気性を測定する。該通気性測定器は、上チェンバーと、下チェンバーと、上チェンバー及び下チェンバーの間に設置されているバルブと、を有するものである。測定する時、先ず、バルブを閉めたあと、下チェンバーを１０-2ｔｏｒｒの真空度に設定し、上チェンバーに窒素を導入する。そして、サンプルを上チェンバー及び下チェンバーの間に設置して、バルブを開け、一定の測定時間が経ったあと、バルブを閉める。そして、下チェンバーにある気体を収集して、ガスクロマトグラフィー（ＧＣ）で下チェンバーにある気体の体積を測定する。そして、下記の算式で通気性Ｐを算出する。
【００８４】
Ｐ＝（ｑ×ｋ×ｌ）／［（ｐ1−ｐ2）×Ａ×ｔ］
ｑ：下チェンバーにある気体の体積、ｋ：補正率、ｌ：サンプルの厚さ（ｃｍ）、Ｐ１：測定時間に達した後の上チェンバーの気圧（ｃｍＨｇ）、Ｐ２：測定時間に達した後の下チェンバーの気圧（ｃｍＨｇ）、Ａ：サンプルの有効面積（ｃｍ２）、ｔ：測定時間（ｓｅｃ）。
【００８５】
＜絶縁破壊電圧の測定（単位：ｋｖ）＞
フォトリソグラフィされた実施例のポリイミド系フォトレジスト層５、比較例１の複合層及び比較例２における硬化された液状感光性ソルダーレジストそれぞれをサンプルとして用意する。そして、それぞれを高圧絶縁耐圧試験器（台湾Ｃｈｒｏｍａ社製、製品番号１９０５６／１９０５７）で、ＩＰＣ  ＴＭ−６５０２．５．６．２及びＡＴＳＭ  Ｄ１４９に記載されている測定方法及び測定条件に従って、絶縁破壊電圧を測定する。
【００８６】
＜リバウンド力の測定（単位：Ｎ）＞
実施例、比較例１及び比較例２におけるｙ領域の部分それぞれを、７ｃｍ×１ｃｍ長尺状のサンプルになるように形成する。そして、サンプルの距離が遠い両端における一端を折り目が生じないように曲げて、もう一端からの距離３ｃｍのところにテープで固定して、面積２ｃｍ×１ｃｍの重ねた部分を区切り、材料試験機（ＬＬＯＹＤ  ＩＮＳＴＲＵＭＥＮＴＳ社製、製品番号ＬＲＸ）で該重ねた部分を加圧することにより、リバウンド力を測定する。
【００８７】
＜１８０°耐折性の測定＞（単位：回）
実施例、比較例１及び比較例２におけるｙ領域それぞれをサンプルとして用意する。そして、それぞれを上記材料試験機でＴＰＣＡ−Ｆ−００１Ａ（Ｔａｉｗａｎ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ制定）及びＪＩＳ Ｃ ５０１６  ８．７に記載されている測定方法及び測定条件に従って、１８０°耐折性を測定する。
【００８８】
【表１】
0006055012.tif 000013
【００８９】
上記表１に記載の評価結果によれば、本発明は、エポキシ樹脂のかわりにポリイミドを用いて回路基板の穴に詰め込むので、回路基板の靱性であるリバウンド力と１８０°耐折性、及び被覆層の通気性が従来の回路基板より良くなった。更に、絶縁性も従来の回路基板より良くなった。
【産業上の利用可能性】
【００９０】
本発明の回路基板及び多層回路基板は、一般の回路基板を使用する電子製品に適用でき、特に、大量の電子デバイスに取り付けられるための回路基板、または体積が小さい電子製品が使用する回路基板に好適である。
【符号の説明】
【００９１】
２    ポリイミド層
３    銅箔
４    銅導体
５    ポリイミド系フォトレジスト層
６    銅金属層
２１    正面
２２    反面
２３    ポリイミド層穴
３１    第１の銅箔
３２    第２の銅箔
３３    第１の銅箔穴
３４    第２の銅箔穴
４１    貫通孔
５１    ポリイミド系フォトレジスト層穴
【図１】
0006055012.tif 000014
【図２】
0006055012.tif 000015
【図３】
0006055012.tif 000016
【図４】
0006055012.tif 000017
【図５】
0006055012.tif 000018
【図６】
0006055012.tif 000019
【図７】
0006055012.tif 000020
【図８】
0006055012.tif 000021