(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する第１主面及び第２主面を備え、前記第１主面側に凹部からなる空隙が１以上形成された基板を準備する工程と、
前記第１主面側に、エネルギー付与により気体を発泡する気体発泡剤を含む接着層を介して支持基板を配置する工程と、
前記第２主面側から、前記基板の一部又は全部を薄化して、前記第２主面側に開口した固定部と、該固定部の開口を塞ぐように配置された薄肉部とを形成する工程と、
前記接着層にエネルギーを付与して、前記支持基板を前記第１主面側から剥離する工程とを備え、
前記空隙の少なくとも１つは、前記薄肉部となる領域に形成されたことを特徴とするメンブレン構造体の製造方法。
【請求項２】
対向する第１主面及び第２主面を備え、前記第１主面側に凹部からなる空隙が１以上形成された基板を準備する工程と、
前記第１主面側に、エネルギー付与により膨潤する接着層を介して支持基板を配置する工程と、
前記第２主面側から、前記基板の一部又は全部を薄化して、前記第２主面側に開口した固定部と、該固定部の開口を塞ぐように配置された薄肉部とを形成する工程と、
前記接着層にエネルギーを付与して、前記支持基板を前記第１主面側から剥離する工程とを備え、
前記空隙の少なくとも１つは、前記薄肉部となる領域に形成されたことを特徴とするメンブレン構造体の製造方法。
【請求項３】
前記薄肉部の厚みは、５０μｍ以下であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のメンブレン構造体の製造方法。
【請求項４】
前記基板の前記第１主面側には前記空隙が複数形成されており、
前記固定部と前記薄肉部の境界領域における前記空隙は、他の領域に比べて密に形成されたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載のメンブレン構造体の製造方法。
【請求項５】
前記第１主面側に加工層を備え、前記空隙は前記加工層表面に形成されたことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項記載のメンブレン構造体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、メンブレン構造体の製造方法に関し、エネルギー付与により接着力が低下する接着層を用いて薄肉部を支持して行うメンブレン構造体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）に注目が集まり、既存のデバイスが小型化されるようになってきた。ＭＥＭＳは、通常、微細な可動部を備えているが、この可動部は微細であるがゆえに非常に脆弱であり、製造過程で破損することがあった。
【０００３】
ＭＥＭＳを含むメンブレン構造体の製造工程においては、従来、基板全体を研磨等により薄く加工する際に基板を支持する技術として、例えば、半導体基板に気体発泡により接着力を低下させる発泡層を備えた粘着シートを貼り合せて支持し、粘着シートが貼り合わされた面とは反対側の面を薄型加工するものがある（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−３１７６３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、本発明者が従来の半導体基板の製造方法をメンブレン構造体の製造方法へ適用しようと試みたところ、薄型加工によって基板にメンブレン状の薄肉部を形成した後、基板を支持する支持基板を剥離するために、気体発泡により接着力が低下する粘着剤を剥離しようと紫外線などのエネルギーを付与すると、発泡により生じた気体の圧力により、薄肉部が破壊されてしまう現象が見られた。
【０００６】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、支持基板を剥離する際に生じ得るメンブレン構造体の破損を軽減することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一実施形態に係るメンブレン構造体の製造方法は、対向する第１主面及び第２主面を備え、前記第１主面側に１以上の凹部が形成された基板を準備する工程と、前記第１主面側に、エネルギー付与により接着力が低下する層を含む接着層を介して支持基板を配置する工程と、前記第２主面側から、前記基板の一部又は全部を薄化して、前記第２主面側に開口した固定部と、該固定部の開口を塞ぐように配置された薄肉部とを形成する工程と、前記接着層にエネルギーを付与して、前記支持基板を前記第１主面側から剥離する工程とを備え、前記凹部の少なくとも１つは、前記薄肉部となる領域に形成されたことを特徴とする。
【０００８】
前記接着層と前記基板の前記第１主面との間には、前記凹部により空隙が形成されていてもよい。
【０００９】
前記接着層は、エネルギー付与により気体を発泡する気体発泡剤を含んでもよい。
【００１０】
前記接着層は、エネルギー付与により膨潤する接着剤を含んでもよい。
【００１１】
前記薄肉部の厚みは、５０μｍ以下であってもよい。
【００１２】
前記基板の前記第１主面側には前記凹部が複数形成されており、前記固定部と前記薄肉部の境界領域における前記凹部は、他の領域に比べて密に形成されていてもよい。
【００１３】
前記第１主面側に加工層を備え、前記凹部は前記加工層表面に形成されていてもよい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、メンブレン構造体の製造過程において、支持基板を剥離する際のメンブレン構造体の破損を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の一実施形態に係るメンブレン構造体の第１例の模式図である。
【図２】本発明の一実施形態に係るメンブレン構造体の第２例の模式図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係るメンブレン構造体の製造工程を示す断面図である。
【図４】本発明の第２の実施形態に係るメンブレン構造体の製造工程を示す断面図である。
【図５】従来のメンブレン構造体の製造工程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、図面を参照し、本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々なる態様で実施することができる。
【００１７】
（メンブレン構造体）
本発明の一実施形態に係るメンブレン構造体の構成について、図１及び図２を参照して説明する。図１は、本発明の一実施形態に係るメンブレン構造体１００の第１例の模式図であり、（ａ）は、メンブレン構造体１００の（ｂ）に示すＡ−Ａ´線から見た断面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示すメンブレン構造体１００の平面図である。図２は、本発明の一実施形態に係るメンブレン構造体１１０の第２例の模式図であり、（ａ）は、メンブレン構造体１１０の（ｂ）に示すＢ−Ｂ´線から見た断面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示すメンブレン構造体１１０の平面図である。
【００１８】
図１に図示したように、本発明の一実施形態に係るメンブレン構造体１００は、対向する第１主面及び第２主面を備え、第２主面側に開口した固定部１０３と、この固定部１０３の開口を塞ぐように配置された薄肉部１０２とを備え、薄肉部１０２の第１主面側に一つ以上の凹部１０１−１〜１０１−５を有する。ここで、「固定部」とは、「薄肉部」よりも厚さの厚い部分であり、「薄肉部」に対して段差を有して構成される部分とする。一例として、薄肉部１０２の厚さは１５μｍ程度であり、固定部１０３の厚さは２００μｍ程度であってもよい。
【００１９】
また、図２に図示したように、本発明の一実施形態に係るメンブレン構造体１１０は、対向する第１主面及び第２主面を備え、第２主面側に開口した固定部１１３と、この固定部１１３の開口を塞ぐように配置された薄肉部１１２とを備え、第１主面側に加工層１１４を有し、この加工層１１４に一つ以上の凹部１１１−１〜１１１−６を有する。メンブレン構造体１１０は、後述する製造工程により、基板１１５及び基板１１５上に成膜された加工層１１４をエッチング等によりパターニングして形成される。
【００２０】
本発明の一実施形態に係るメンブレン構造体１００、１１０は、例えば、マイクロ流路、力学量センサ、シリコンマイク、液体吐出デバイス、メンブレンフィルターなどのＭＥＭＳや、微細加工に用いる金型などである。なお、薄肉部１０２、１１２には貫通孔が形成されていてもよいが、薄肉部１０２、１１２に貫通孔等が実質的に存在しない構造体であっても有効に用いることができる。
【００２１】
（メンブレン構造体の製造方法）
以下、図１及び図２に図示した本発明の一実施形態に係るメンブレン構造体１００、１１０の製造方法について、図３を参照して説明する。図３は、本発明の第１の実施形態に係るメンブレン構造体１２０の製造工程を示す断面図である。
【００２２】
（第１の実施形態）
１．基板準備工程
図３（ａ）に図示したように、メンブレン構造体１２０を形成するための基板１２４を準備する。以下では、基板１２４としてＳＯＩ（Silicon on Insulator）基板を用いる例を用いて本発明の一実施形態に係るメンブレン構造体１２０の製造方法を説明するが、これに限らず、シリコン基板、ガラス基板、金属基板、樹脂基板等であってもよい。基板１２４は、活性層１２３、ＢＯＸ（Buried Oxide）層１２２、及び支持層１２１の３層構造を有する。活性層１２３は、後述する工程において形成される薄肉部１２６の厚さを規定する層であり、その厚さは７μｍ〜５０μｍであり、好ましくは１０μｍ〜３０μｍである。ここでは、活性層１２３の厚さを１５μｍ、ＢＯＸ層１２２の厚さを０．５μｍ、支持層１２１の厚さを２００μｍ〜７２５μｍ程度とする。
【００２３】
２．凹部形成工程
図３（ｂ）に図示したように、基板１２４の第１主面である活性層１２３側に、１以上の凹部１２５−１〜１２５−４を形成する。凹部１２５−１〜１２５−４の少なくとも１つは、後述する工程により形成される薄肉部１２６となる領域に形成される。凹部１２５−１〜１２５−４は、後述する支持基板２０３の剥離時に機能層２０２に含まれる気体発生剤から発生する気体を収容することの可能な空間として収容室の役割をすることにより、気体の圧力を緩衝する。凹部１２５−１〜１２５−４は、例えば、エッチングにより形成することができる。凹部１２５−１〜１２５−４の形状に制限はないが、気体を収容したときに薄肉部１２６にかかる応力を考慮すると、円または多角形の角部が円みを帯びている形状が好ましい。凹部１２５−１〜１２５−４の容積は、気体の発生量や凹部１２５−１〜１２５−４の数及び密度等に応じて適宜設定すればよい。
【００２４】
例えば、凹部１２５−１〜１２５−４の深さを１μｍ〜５μｍの範囲、凹部１２５−１〜１２５−４の開口の最大内接円の直径を５μｍ〜１ｍｍの範囲としてもよい。後述するように接着剤層２０１と基板１２４の第１主面との間には、凹部により空隙が形成されることが好ましいが、凹部１２５−１〜１２５−４のアスペクト比を１以上、より好ましくは２以上とするとよい。各凹部１２５−１〜１２５−４は独立していてもよいし、流路を介して凹部１２５−１〜１２５−４同士が連結されていてもよい。図示していないが、凹部１２５−１〜１２５−４は、後に薄肉部１２６となる領域と固定部１２７となる領域の境界に、他の領域に比べて密に配置してもよい。これにより、薄肉部１２６となる領域と固定部１２７となる領域の境界に生じる応力を緩和できる。
【００２５】
３．支持基板配置工程
基板１２４の第１主面である活性層１２３側に、エネルギー付与により気体を発生する気体発生剤を含有する機能層２０２を介して支持基板２０３を配置する。機能層２０２は、第１主面に直接形成してもよいし、支持基板２０３に形成してもよい。なお、ここで、「機能層」とは、光や熱等のエネルギー付与により所望の機能を実現することの可能な層であれば、エネルギー付与により気体を発生させる気体発生剤を含有する層に限らず、光エネルギーを熱エネルギーに変換する光熱変換材料を含む層や、エネルギー付与により膨潤する材料を含む層であってもよく、これらの機能を複数実現可能な材料を含むものであってもよい。機能層２０２は、第１主面に直接接触するように配置してもよいし、図３（ｃ）に図示したように、紫外線硬化型樹脂や熱可塑性樹脂などの別の接着剤層２０１を介して配置してもよい。また、接着剤層２０１が、エネルギー付与により接着力が低下するものであってもよい。支持基板２０３は、基板１２４の第１主面に形成された接着剤層２０１及び機能層２０２を含む接着層を介して基板１２４と接合される。接着剤層２０１と基板１２４の第１主面との間には、凹部により空隙が形成されることが好ましい。
【００２６】
機能層２０２に付与するエネルギーとしては、例えば、光や熱を挙げることができる。機能層２０２に含まれる気体発生剤は、公知の材料を用いることができ、例えば、アゾ化合物やアジド化合物であってもよい。また、気体発生剤は、炭素粉末を接着剤に混ぜて塗布し乾燥させたものであって、近赤外光等を吸収して熱に変換できる光熱変換材料であってもよい。光熱変換材料は、光吸収剤及び熱分解性樹脂を含み、光吸収剤としての炭素粉末により光が吸収されて熱に変わり、その熱により炭素粉末を結合している有機バインダー成分の温度が急上昇して脱ガス及び炭化して結合力を失う結果、光熱変換材料のほぼ全体がバラバラの炭素粉末又は炭素片に変化するものを用いてもよい。なお、ここで、機能層２０２の厚さは、基板１２４と支持基板２０３との分離を可能にするかぎり限定されないが、例えば、１μｍ以上である。１μｍ未満であると、十分な光吸収を行うために要求される光吸収剤の濃度が高くなり、これにより成膜性が悪くなり、結果として、隣接層との接着不良を起こす虞があるからである。
【００２７】
支持基板２０３は、レーザー光などの放射エネルギーを透過することができるものが好ましく、例えば、透過率が５０％以上であることが望ましい。具体的には、ガラス基板、樹脂基板などであってもよい。支持基板２０３の厚さは、４００μｍ〜６００μｍ程度であってもよい。
【００２８】
基板１２４と支持基板２０３との接合は、一例として、機能層２０２が形成された支持基板２０３上に、予め紫外線硬化型樹脂である接着剤層２０１を形成し、基板１２４の第１主面と紫外線硬化型樹脂である接着剤層２０１とを接触させて紫外線硬化型樹脂を硬化させることにより、基板１２４と支持基板２０３とを接合させてもよい。また、基板１２４の第１主面に、例えば、紫外線硬化型樹脂を塗布して接着剤層２０１を形成し、接着剤層２０１上に機能層２０２が形成された支持基板２０３を配置して紫外線硬化型樹脂である接着剤層２０１を硬化させることにより、基板１２４と支持基板２０３とを接合してもよい。
【００２９】
４．メンブレン形成工程
図３（ｄ）に図示したように、基板１２４の第２主面である支持層１２１側から、基板１２４の一部又は全部を薄化して、第２主面側に開口した固定部１２７と、固定部１２７の開口を塞ぐように配置された薄肉部１２６とを形成する。基板１２４の薄化は、エッチングや研削などの公知の方法を用いて行うことができる。通常、ＢＯＸ層１２２をエッチングストッパ層として用いたドライエッチングにより基板１２４の一部を除去するとよい。また、一例として、第２主面である支持層１２１を研磨等により薄化してメンブレン構造体１２０としての所望の厚さに加工した後、ＢＯＸ層１２２をエッチングストッパ層として用いて支持層１２１をエッチングし、薄膜部１２６及び固定部１２７を形成してもよい。
【００３０】
５．支持基板剥離工程
支持基板２０３を基板１２４から剥離するために、機能層２０２に含まれる気体発生剤の材料に応じて適切なエネルギーを付与する。例えば、基板１２４の第２主面側から紫外線を照射する。紫外線照射に伴い、機能層２０２に含まれる気体発生剤から気体が発生する。このとき、気体の圧力により、メンブレン状の活性層１２３が圧迫されることがある。本実施形態では、基板１２４の第１主面側に凹部１２５−１〜１２５−４を設けているため、発生した気体が凹部１２５−１〜１２５−４内に収容され、薄肉部１２６にかかる応力を分散し、薄肉部１２６の破損を抑制することができる。
【００３１】
このように、本実施形態によれば、メンブレン状の基板１２４を破損させることなく機能層２０２の粘着力を低下させることができるため、基板１２４から接着剤層２０１、機能層２０２、及び支持基板２０３を容易に剥離することができる。これにより、図３（ｅ）に図示したように、図１に図示した第１例に係るメンブレン構造体１００と同様の構成を有するメンブレン構造体１２０を形成することができる。
【００３２】
また、図３に図示していないが、図２に図示した第２例に係るメンブレン構造体１１０を形成する場合には、上述したメンブレン構造体１２０の製造工程のうち、基板準備工程において、基板１２４の第１主面側に加工層を形成しておき、この加工層に凹部１２５−１〜１２５−４を形成する。加工層は、金属、樹脂などを用いることができる。加工層は、支持基板２０３の剥離工程後に除去することもできるので、基板１２４の第１主面側に加工を施したくない場合に好適である。
【００３３】
以上のように、本発明の第１の実施形態に係るメンブレン構造体１２０の製造方法によれば、基板１２４の第１主面にパターンを形成しておくことにより、支持基板２０３を剥離する際に機能層２０２から放出される気体を収容することができるため、放出される気体の圧力によりメンブレン構造体１２０が破損することを防止することができる。従って、メンブレン構造体１２０の製造工程における歩留まりを向上させることができる。
【００３４】
（第２の実施形態）
以下、本発明の第２の実施形態に係るメンブレン構造体１３０の製造方法について、図４及び図５を参照して説明する。図４は、本発明の第２の実施形態に係るメンブレン構造体１３０の製造工程を示す断面図である。図５は、従来のメンブレン構造体の製造工程を示す断面図であり、図４に図示した第２の実施形態に係るメンブレン構造体１３０の製造工程の比較例として図示したものである。以下、第１の実施形態と同様の工程を用いる場合は、詳細な説明について省略する。
【００３５】
１．基板準備工程
図４（ａ）に図示したように、メンブレン構造体１３０を形成するための基板１３４として、第１の実施形態と同様に、活性層１３３、ＢＯＸ層１３２、支持層１３３の３層構造を有するＳＯＩ基板を用意する。
【００３６】
２．凹部形成工程
図４（ｂ）に図示したように、基板１３４の第１主面である活性層１３３側に、１以上の凹部１３５−１〜１３５−５をエッチングにより形成する。ＢＯＸ層１３２をエッチングストッパ層として用いて形成される活性層１３３を貫通する凹部１３５−２、１３５−３、１３５−４と、活性層１３３を貫通しない凹部１３５−１、１３５−５とを形成してもよい。活性層１３３を貫通する凹部１３５−２、１３５−３、１３５−４は、例えば、基板の第１主面側と第２主面側とを連通する通孔である。
【００３７】
３．支持基板配置工程
図４（ｃ）に図示したように、基板１３４の第１主面である活性層１３３側に、エネルギー付与により気体を発生する気体発生剤を含有する機能層２０２を形成し、この機能層２０２を介して支持基板２０３を配置する。第１の実施形態と同様に、機能層２０２は、第１主面上に直接形成してもよいし、図４（ｃ）に図示したように、紫外線硬化型樹脂や熱可塑性樹脂などの別の接着剤層２０１を介して配置してもよい。
【００３８】
４．メンブレン形成工程
図４（ｄ）に図示したように、基板１３４の第２主面である支持層１３１側から、ＢＯＸ層１３２をエッチングストッパ層として用いてエッチングすることにより、複数の凹部１３６−１〜１３６−５を形成する。このとき、第１主面側に凹部１３５−１〜１３５−５が形成された部分に対向する第２主面側に、凹部１３５−１〜１３５−５にそれぞれ対応させて凹部１３６−１〜１３６−５を形成する。また、第１の実施形態と同様に、支持層１３１を研磨等により薄化して所望の厚さに加工した後、凹部１３６−１〜１３６−５を形成してもよい。
【００３９】
５．支持基板剥離工程
支持基板２０３を基板１３４から剥離するために、機能層２０２に含まれる気体発生剤の材料に応じて適切なエネルギーを付与する。例えば、支持基板２０３側からレーザー光を照射することにより、機能層２０２に熱分解を起こさせて粘着性を低下させ、支持基板２０３を剥離する。このとき、機能層２０２の気体発生剤が熱分解により気体を放出させるため、気体の圧力により接着剤層２０１が膨張し、メンブレン状の活性層１３３を圧迫することがある。
【００４０】
ここで、図４（ａ）〜（ｄ）に図示した本発明の第２の実施形態に係るメンブレン構造体１３０の製造工程の比較例として、図５（ａ）〜（ｄ）を参照し、従来のメンブレン構造体の製造工程を説明する。図５（ａ）に図示したＳＯＩ基板である基板３３４の活性層３３３側から、図５（ｂ）に図示したように、ＢＯＸ層３３２をエッチングストッパ層として用いてエッチングすることにより、活性層３３３を貫通する凹部３３５−１、３３５−２、３３５−３を形成する。図５（ｃ）に図示したように、図４（ｃ）に図示した工程と同様に、基板３３４の第１主面である活性層３３３側に接着剤層２０１を介して気体発生剤を含有する機能層２０２を形成し、この機能層２０２を介して支持基板２０３を配置する。図５（ｄ）に図示したように、基板３３４の第２主面である支持層３３１側から、ＢＯＸ層３３２をエッチングストッパ層として用いてエッチングすることにより、複数の凹部３３６−１〜３３６−５を形成する。このとき、図５（ｄ）に図示したように、支持層３３１側の凹部３３６−１〜３３６−５が形成された部分に対向する活性層３３３側に、パターンの形成されていない部分Ｘと、凹部３３５−１〜３３５−３のようにパターンの形成された部分Ｙとが形成される。
【００４１】
図５（ｄ）に図示した支持基板２０３を基板３３４から剥離するために、図４（ｄ）に図示して上述した支持基板剥離工程と同様に、支持基板２０３側からレーザー光を照射すると、機能層２０２から発生する気体により、接着剤層２０１が膨張する。図５（ｄ）に図示した活性層３３３側にパターンの形成されていない部分Ｘは、接着剤層２０１との間に気体を逃す部分がなく、緩衝となるものもないため、膨張した接着剤層２０１の圧力によりメンブレン状の部分Ｘが破損する虞がある。
【００４２】
一方、図４（ｄ）に図示した活性層１３３側にパターンの形成されている部分Ｃにおいては、凹部１３５−１、１３５−５が気体を収容し、膨張した接着剤層２０１の圧力を分散させることができるため、メンブレン状の部分Ｃの破損を防ぐことができる。このように、図５に図示した従来のメンブレン構造体の製造方法と比較すると、本発明の第２の実施形態に係る製造方法によれば、基板１３４の第２主面側に形成されるパターンに対応させて基板１３４の第１主面側にパターンを形成しておくことにより、メンブレン状の部分Ｃを破損させることなく、基板１３４から、接着剤層２０１、機能層２０２及び支持基板２０３を剥離することができることがわかる。
【００４３】
６．貫通孔形成工程
図４（ｅ）に図示したように、支持基板２０３を剥離した後、ＢＯＸ層１３２をエッチング法を用いて除去することにより、活性層１３３に形成された凹部１３５−２〜１３５−４と支持層１３１に形成された凹部１３６−２〜１３６−４とをそれぞれ連通させて基板１３４の第１主面と第２主面とを貫通する貫通孔を形成する。また、ダイシング等により活性層１３３を薄化し、図４（ｅ）に図示した薄肉部Ｄを形成してもよい。
【００４４】
以上のような製造工程により、図４（ｅ）に図示した本発明の第２の実施形態に係るメンブレン構造体１３０が形成される。本発明の第２の実施形態に係るメンブレン構造体１３０の製造方法によれば、基板１３４の第２主面側に形成されるパターンに対応させて基板１３４の第１主面側にパターンを形成しておくことにより、支持基板２０３を剥離する際に機能層２０２から放出される気体を収容することができるため、放出される気体の圧力によってメンブレン構造体１３０の薄肉部が破損することを防止することができる。従って、メンブレン構造体１３０の製造工程における歩留まりを向上させることができる。
【００４５】
なお、上述した本発明の第１の実施形態及び第２の実施形態に係るメンブレン構造体１２０、１３０の製造方法においては、気体発生剤を含有する機能層２０２を用いて基板１２４、１３４と支持基板２０３とを接合・剥離する方法を述べたが、これに限らず、例えば、エネルギーとして熱を付与すると熱膨潤により剥離が可能となる接着剤を用いて基板１２４、１３４と支持基板２０３とを接合・剥離してもよい。熱膨潤により剥離する接着剤を用いた場合も、上述した本発明の第１の実施形態及び第２の実施形態に係る製造方法と同様に、メンブレン構造体１２０、１３０の薄肉部となる領域であって、接着剤が接する基板１２４、１３４の第１主面に予め凹部１２５−１〜１２５−４、１３５−１〜１３５−５を形成しておくことにより、支持基板２０３を剥離する際に、熱によって膨張した接着剤の圧力を分散さることができるため、メンブレン構造体１２０、１３０の破損を防止することができる。
【００４６】
以上のように、本発明の一実施形態に係るメンブレン構造体１００、１１０、１２０、１３０の製造方法によれば、メンブレン構造体１００、１１０、１２０、１３０の製造過程において支持基板２０３を剥離する際のメンブレン構造体１００、１１０、１２０、１３０の破損を防止することができる。
【符号の説明】
【００４７】
１００、１１０、１２０、１３０  メンブレン構造体
１０１、１１１、１２５、１３５、１３６  凹部
１０２、１１２、１２６  薄肉部
１０３、１１３、１２７  固定部
１１４  加工層
１２４、１３４  基板
２０１  接着剤層
２０２  機能層
２０３  支持基板
【図１】
0005983010.tif 000002
【図２】
0005983010.tif 000003
【図３】
0005983010.tif 000004
【図４】
0005983010.tif 000005
【図５】
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