(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマアーク溶接に用いられるプラズマトーチであって、
棒状の電極と、
当該電極の周囲に設けられ、プラズマガスを噴出する円筒形状の第１ノズルと、
当該第１ノズルの周囲に設けられ、プラズマガスを囲むようにシールドガスを円環状に噴出する円筒形状の第２ノズルと、
円環状に噴出されるシールドガスの内側において前記第１ノズルの先端面に向けて不活性ガスを噴出する第３ノズルと、を備え、
前記第３ノズルは、不活性ガスを前記第１ノズルの先端面に平行なガス流となるように噴出し、前記第２ノズルの円周方向から円環状に噴出されるシールドガスの内側に、円周方向で均等に離れて配置されることを特徴とするプラズマトーチ。
【請求項２】
前記第３ノズルから噴出される不活性ガスとして、前記シールドガスと同じガスを用いることを特徴とする請求項１に記載のプラズマトーチ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アーク溶接方法及びプラズマトーチに関する。詳しくは、アーク溶接方法及びプラズマアーク溶接に用いられるプラズマトーチに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、プラズマアーク溶接が知られている。プラズマアーク溶接には、プラズマトーチが用いられる。プラズマトーチとしては、例えば特許文献１、２に記載されたものがある。
特許文献１に記載されたプラズマトーチは、アーク発生用の中心電極と、中心電極を囲繞してプラズマ形成用の動作ガスを噴出するノズルと、を有し、少なくとも中心電極の先端部とノズルの噴出口とを中心電極の長手軸方向と略直交する方向で細長形状に構成している。
また特許文献２に記載されたプラズマトーチは、溶接トーチの先端部に備えられたメインノズルを用いて、溶融池を大気から保護する第１のガス（シールドガス）を流すと共に、溶接トーチの外部に設けられた１つ又は複数の外部ノズルを用いて、溶接トーチの先端部に形成されたアーク部分に向けて、第１のガスとは組成の異なる第２のガス（プラズマガス）を噴射する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−２８４５８０号公報
【特許文献２】特開２００５−１７７８２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ここで、亜鉛めっき鋼板にプラズマアーク溶接を施す際には、高温で亜鉛めっきが蒸発することでヒュームが発生する。このとき、シールドガスとプラズマガスとの間でヒュームの対流が発生し、ヒュームがノズルの先端面に付着してヒュームとノズルの先端面の金属とが化合して合金化層が形成される。合金化層は融点が低いためノズルが消耗し易くなり、ノズル損傷により溶接品質が安定しないおそれがある。また、合金化層形成によりノズルの耐久性も低下する。【０００５】
本発明は上記課題を解決するためのもので、その目的は、シールドガスの内側において高温で亜鉛めっきが蒸発することにより発生して対流するヒュームがノズルの先端面に付着することを防止し、溶接品質を安定化させると共にノズルの耐久性低下を抑制することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
（１）プラズマアーク溶接に用いられるプラズマトーチ（例えば、後述のプラズマトーチ１）であって、棒状の電極（例えば、後述の電極１０）と、当該電極の周囲に設けられ、プラズマガス（例えば、後述のプラズマガスＰＧ）を噴出する円筒形状の第１ノズル（例えば、後述の第１ノズル１１）と、当該第１ノズルの周囲に設けられ、プラズマガスを囲むようにシールドガス（例えば、後述のシールドガスＳＧ）を円環状に噴出する円筒形状の第２ノズル（例えば、後述の第２ノズル１２）と、円環状に噴出されるシールドガスの内側において前記第１ノズルの先端面に向けて不活性ガス（例えば、後述の不活性ガスＦＧ）を噴出する第３ノズル（例えば、後述の第３ノズル１３）と、を備え、前記第３ノズルは、不活性ガスを前記第１ノズルの先端面に平行なガス流となるように噴出し、前記第２ノズルの円周方向から円環状に噴出されるシールドガスの内側に、円周方向で均等に離れて配置されることを特徴とするプラズマトーチ。
【０００９】
（１）の発明によると、不活性ガスが、第３ノズルからワークへ向けて円環状に噴出されるシールドガスの内側において第１ノズルの先端面に向けて噴出され、不活性ガスの層が形成される。
これにより、シールドガスの内側において高温で亜鉛めっきが蒸発することにより発生して対流するヒュームが、不活性ガスの層によって第１ノズルの先端面に付着することが防止される。よって、ヒュームが第１ノズルの先端面に付着してヒュームと第１ノズルの先端面の金属とが化合して合金化層が形成されることを抑制できる。
また、不活性ガスが、第３ノズルからワークへ向けて円環状に噴出されるシールドガスの内側において第１ノズルの先端面に向けて噴出されるので、不活性ガスがシールドガスに干渉することはない。
したがって、第１ノズルが消耗し難くなり溶接品質を安定化できると共に、合金化層の形成が抑制されてノズルの耐久性低下を抑制できる。
また、第３ノズルから噴出される不活性ガスが第１ノズルの先端面に平行なガス流となり、不活性ガスの層が形成される。不活性ガスの第１ノズルの先端面に平行なガス流は、第１ノズルの先端面の前面において、ガス流が第１ノズルの先端面で反射されず保護すべき表面に沿った安定した流れとなり、安定した不活性ガスの層を形成できる。これにより、シールドガスの内側において高温で亜鉛めっきが蒸発することにより発生して対流するヒュームが、不活性ガスの層によって第１ノズルの先端面に付着することを防止できる。
更に、円周方向で均等に離れて配置された第３ノズルの１本ごとに第１ノズルの先端面を均等に分担して覆うように不活性ガスの層を形成するため、第３ノズルから噴出される不活性ガスは、第１ノズルの先端面の全面を覆う安定した不活性ガスの層を形成できる。これにより、シールドガスの内側において高温で亜鉛めっきが蒸発することにより発生して対流するヒュームが、不活性ガスの層によって第１ノズルの先端面に付着することを防止できる。
【００１０】
（２）前記第３ノズルから噴出される不活性ガスとして、前記シールドガスと同じガスを用いることを特徴とする（１）に記載のプラズマトーチ。
【００１１】
（２）の発明によると、不活性ガスとしてシールドガスと同じガスを用いるので、多種類のガスを用意する必要が無く、低コスト化を図れる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、シールドガスの内側において高温で亜鉛めっきが蒸発することにより発生して対流するヒュームがノズルの先端面に付着することを防止でき、溶接品質を安定化できると共にノズルの耐久性低下を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るプラズマトーチの概略構成を示す模式図であり、（ａ）が側方断面図であり、（ｂ）が底面図である。
【図２】従来技術のプラズマトーチにヒュームが発生した状態を示す概略図である。
【図３】上記実施形態に係る不活性ガスの層の形成状態を示す概略図である。
【図４】本発明に関連するプラズマトーチの概略構成を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下に図面を参照して本発明の実施形態を説明する。
【００２１】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係るプラズマトーチ１の概略構成を示す模式図であり、（ａ）が側方断面図であり、（ｂ）が底面図である。
プラズマトーチ１は、棒状の電極１０と、電極１０の周囲に設けられてプラズマガスＰＧを噴出する円筒形状の第１ノズル１１と、第１ノズル１１の周囲に設けられてシールドガスＳＧを噴出する円筒形状の第２ノズル１２と、円環状に噴出されるシールドガスＳＧの内側において第１ノズル１１の先端面１１ｃに向けて不活性ガスＦＧを噴出する第３ノズル１３と、を備える。
【００２２】
第１ノズル１１は、円筒形状部材であり、棒状の電極１０を収容するもので、電極１０の先端に合わせて縮径する中心孔１１ａを有する。中心孔１１ａの先端には、噴出口１１ｂが形成される。噴出口１１ｂからはプラズマガスＰＧが噴出される。プラズマガスＰＧを噴出する噴出口１１ｂの周りには平環状面の第１ノズル１１の先端面１１ｃが形成される。
【００２３】
第２ノズル１２は、円筒形状部材であり、第１ノズル１１を囲い、その中心孔１２ａ内に第１ノズル１１を収容する。第２ノズル１２は、第１ノズル１１の先端面１１ｃを有する先端部１１ｄよりも後退して設けられ、第２ノズル１２から第１ノズル１１の先端部１１ｄが突出する。第１ノズル１１の先端部１１ｄは、噴出口１２ｂの内側において先端に向かうにつれて縮径して突出する。第１ノズル１１の先端部１１ｄに到達前の外周と第２ノズル１２の内周との間には、環状の噴出口１２ｂが形成される。環状の噴出口１２ｂからは、第１ノズル１１の外周と第２ノズル１２の内周との間の隙間を通って供給されたシールドガスＳＧが噴出される。
【００２４】
第３ノズル１３は、第１ノズル１１及び第２ノズル１２とは異なり小径であり、第２ノズル１２の円周方向から円環状に噴出されるシールドガスＳＧの外側から内側に、円周方向で均等に離れて４本配置される。すなわち、第３ノズル１３のそれぞれは、第２ノズル１２の外周側から円周方向で９０°ごとに離れて延出され、図１（ｂ）に示すように、第１ノズル１１の先端部側に内径方向に屈曲して延びる。内径方向に屈曲した第３ノズル１３からは、不活性ガスＦＧが第１ノズル１１の先端面１１ｃに平行なガス流となるように噴出される。
なお、第３ノズル１３から噴出される不活性ガスＦＧとして、シールドガスＳＧと同じガスを用いることが好ましい。
【００２５】
次に、プラズマトーチ１を用いたプラズマアーク溶接について、図２及び図３を参照して説明する。プラズマアーク溶接は、厚みが薄い板材である第１ワークと、厚みが第１ワークよりも厚い板材である第２ワークと、を突き合わせ溶接して、テーラードブランク材を形成する。第１、第２ワークとしては、亜鉛めっき鋼板等が用いられる。
【００２６】
まず、通電させた電極１０の放電を受けて発生させたプラズマガスＰＧ（アーク）を第１ノズル１１の噴出口１１ｂから噴出させ、このプラズマガスＰＧを第１、第２ワークに供給する。
また同時に、シールドガスＳＧを第２ノズル１２の噴出口１２ｂから、プラズマガスＰＧの周囲を囲むように第１、第２ワークへ向けて円環状に噴出させる。シールドガスＳＧは、プラズマガスＰＧから離れる方向に拡がりながら、プラズマガスＰＧの外周表面に沿って流れ、溶融池の表面に対して外径方向に離散するように吹き付けられる。
これにより、プラズマガスＰＧが、シールドガスＳＧの外側の大気に接触することが防止される。
【００２７】
このとき、亜鉛めっき鋼板を用いた第１、第２ワークにプラズマアーク溶接を施す際には、高温で亜鉛めっきが蒸発することでヒュームＨＧが発生する。
図２は、従来技術のプラズマトーチ１００にヒュームＨＧが発生した状態を示す概略図である。図２に示すように、シールドガスＳＧとプラズマガスＰＧとの間でヒュームＨＧの対流が発生するので、ヒュームＨＧが第１ノズル１１１の先端面１１１ｃに付着してヒュームＨＧと第１ノズル１１１の先端面１１１ｃの金属とが化合して合金化層が形成される場合がある。
合金化層が形成されてしまうと、合金化層は融点が低いため第１ノズル１１１が消耗し易くなり、第１ノズル１１１の損傷により溶接品質が安定しないおそれがある。また、合金化層形成により第１ノズル１１１の耐久性も低下するおそれもある。
【００２８】
そこで、本実施形態では、シールドガスＳＧと同じガスを用いた不活性ガスＦＧを、第３ノズル１３から噴出させる。第３ノズル１３は、不活性ガスＦＧを第１ノズル１１の先端面１１ｃに平行なガス流となるように噴出し、更に４本の第３ノズル１３は、第２ノズル１２の円周上等間隔空けた４方向から不活性ガスＦＧを噴出する。これより、不活性ガスＦＧの第１ノズル１１の先端面１１ｃに平行なガス流は、第１ノズル１１の先端面１１ｃの前面において、ガス流が第１ノズルの先端面で反射されず保護すべき表面に沿った安定した流れとなり、安定した不活性ガスＦＧの層を形成する。また各第３ノズル１３が噴出する不活性ガスＦＧは、第１ノズル１１の先端面１１ｃを均等に分担して覆うことができ、４本の第３ノズル１３では、第１ノズル１１の先端面１１ｃの全面を覆う安定した不活性ガスＦＧの層を形成する。
図３は、本実施形態に係る不活性ガスＦＧの層の形成状態を示す概略図である。図３に示すように、シールドガスＳＧの内側で発生して対流するヒュームＨＧが、不活性ガスＦＧの層によって第１ノズル１１の先端面１１ｃに付着することが防止される。
よって、ヒュームＨＧが第１ノズル１１の先端面１１ｃに付着してヒュームＨＧと第１ノズル１１の先端面１１ｃの金属とが化合して合金化層が形成されることを抑制できる。したがって、第１ノズル１１が消耗し難くなり溶接品質を安定化できると共に、合金化層の形成が抑制されて第１ノズル１１の耐久性低下を抑制できる。
なお、第１ノズル１１の先端面１１ｃの全面を覆う安定した不活性ガスＦＧの層を形成した不活性ガスＦＧは、シールドガスＳＧとプラズマガスＰＧとの間の旋回流となる。
【００２９】
以上の実施形態によれば以下の効果を奏する。
（１）本実施形態によると、不活性ガスＦＧが、第３ノズル１３から第１、第２ワークへ向けて円環状に噴出されるシールドガスＳＧの内側において第１ノズル１１の先端面１１ｃに平行に吹き付けられ、不活性ガスＦＧの層を第１ノズル１１の先端面１１ｃの前面に形成する。
これにより、シールドガスＳＧの内側において高温で亜鉛めっきが蒸発することにより発生して対流するヒュームＨＧが、不活性ガスＦＧの層によって第１ノズル１１の先端面１１ｃに付着することが防止される。よって、ヒュームＨＧが第１ノズル１１の先端面１１ｃに付着してヒュームＨＧと第１ノズル１１の先端面１１ｃの金属とが化合して合金化層が形成されることを抑制できる。
また、不活性ガスＦＧが、第３ノズル１３から第１、第２ワークへ向けて円環状に噴出されるシールドガスＳＧの内側において第１ノズル１１の先端面１１ｃに平行に吹き付けられるので、不活性ガスＦＧがシールドガスＳＧに干渉することはない。
したがって、第１ノズル１１が消耗し難くなり溶接品質を安定化できると共に、合金化層の形成が抑制されて第１ノズル１１の耐久性低下を抑制できる。
【００３０】
（２）本実施形態によると、不活性ガスＦＧとしてシールドガスＳＧと同じガスを用いるので、多種類のガスを用意する必要が無く、低コスト化を図れる。
【００３１】
（３）本実施形態によると、第３ノズル１３から噴出される不活性ガスＦＧが第１ノズル１１の先端面１１ｃに平行なガス流となり、不活性ガスＦＧの層を形成する。不活性ガスＦＧの第１ノズル１１の先端面１１ｃに平行なガス流は、第１ノズル１１の先端面１１ｃの前面において、ガス流が第１ノズルの先端面で反射されず保護すべき表面に沿った安定した流れとなり、安定した不活性ガスＦＧの層を形成できる。これにより、シールドガスＳＧの内側において高温で亜鉛めっきが蒸発することにより発生して対流するヒュームＨＧが、不活性ガスＦＧの層によって第１ノズル１１の先端面１１ｃに付着することを防止できる。
【００３２】
（４）本実施形態によると、円周方向で均等に離れて４本配置された第３ノズル１３の１本ごとに第１ノズル１１の先端面１１ｃを均等に分担して覆うように不活性ガスの層を形成するため、４本配置された第３ノズル１３から噴出される不活性ガスＦＧは第１ノズル１１の先端面１１ｃの全面を覆う安定した不活性ガスＦＧの層を形成できる。これにより、シールドガスＳＧの内側において高温で亜鉛めっきが蒸発することにより発生して対流するヒュームＨＧが、不活性ガスＦＧの層によって第１ノズル１１の先端面１１ｃに付着することを防止できる。
【００３３】
（本発明に関連するプラズマトーチ）
図４は、本発明に関連するプラズマトーチ１ａの概略構成を示す模式図である。
プラズマトーチ１ａは、棒状の電極１０と、電極１０の周囲に設けられてプラズマガスＰＧを噴出する円筒形状の第１ノズル１１と、第１ノズル１１の周囲に設けられてプラズマガスＰＧを囲むようにシールドガスＳＧを軸線方向に円環状に噴出する第１噴出口１２ｃと第１ノズル１１の先端面１１ｃに向けてシールドガスＳＧを内径方向に噴出する第２噴出口１２ｄとを有する第２ノズルと、を備える。
【００３４】
第１ノズル１１は、円筒形状部材であり、棒状の電極１０を収容するもので、電極１０の先端に合わせて縮径する中心孔１１ａを有する。中心孔１１ａの先端には、噴出口１１ｂが形成される。噴出口１１ｂからはプラズマガスＰＧが噴出される。プラズマガスＰＧを噴出する噴出口１１ｂの周りには第１ノズル１１の先端面１１ｃが形成される
【００３５】
第２ノズル１２は、円筒形状部材であり、第１ノズル１１を囲い、その中心孔１２ａ内に第１ノズル１１を収容する。第２ノズル１２は、第１ノズル１１の先端面１１ｃを有する先端部１１ｄよりも後退して設けられ、第２ノズル１２から第１ノズル１１の先端部１１ｄが突出する。第１ノズル１１の先端部１１ｄに到達前の外周と第２ノズルの内周との間の隙間を通ってシールドガスＳＧを供給する。
第２ノズル１２は、第１ノズル１１の先端面１１ｃを有する先端部１１ｄよりも後退した位置で軸線方向に開口した複数の第１噴出口１２ｃと、第１噴出口１２ｃから第１ノズル１１の先端部１１ｄをカバー部１２ｅで囲って第１ノズル１１の先端面１１ｃの位置に内径方向に全周的に開口した第２噴出口１２ｄと、を有する。シールドガスＳＧは、軸線方向に開口した複数の第１噴出口１２ｃと、内径方向に全周的に開口した第２噴出口１２ｄとに分かれて、第１噴出口１２ｃから軸線方向に円環状に噴出され、第２噴出口１２ｄから内径方向に噴出される。
【００３６】
次に、プラズマトーチ１ａを用いたプラズマアーク溶接について、図２及び図４を参照して説明する。プラズマアーク溶接は、厚みが薄い板材である第１ワークと、厚みが第１ワークよりも厚い板材である第２ワークと、を突き合わせ溶接して、テーラードブランク材を形成する。第１、第２ワークとしては、亜鉛めっき鋼板等が用いられる。
【００３７】
まず、通電させた電極１０の放電を受けて発生させたプラズマガスＰＧを第１ノズル１１の噴出口１１ｂから噴出させ、このプラズマガスＰＧを第１、第２ワークに供給する。
また同時に、シールドガスＳＧを第２ノズル１２の第１噴出口１２ｃから、プラズマガスＰＧの周囲を囲むように第１、第２ワークへ向けて円環状に噴出させる。第１噴出口１２ｃから噴出されるシールドガスＳＧは、プラズマガスＰＧから離れる方向に拡がりながら、プラズマガスＰＧの外周表面に沿って流れ、溶融池の表面に対して外径方向に離散するように吹き付けられる。
これにより、プラズマガスＰＧが、噴出口１１ｂから噴出されるシールドガスＳＧの外側の大気に接触することが防止される。
【００３８】
このとき、亜鉛めっき鋼板を用いた第１、第２ワークにプラズマアーク溶接を施す際には、高温で亜鉛めっきが蒸発することで第１の実施形態と同様にヒュームＨＧが発生する。
図２は、従来技術のプラズマトーチ１００にヒュームＨＧが発生した状態を示す概略図である。図２に示すように、シールドガスＳＧとプラズマガスＰＧとの間でヒュームＨＧの対流が発生するので、ヒュームＨＧが第１ノズル１１１の先端面１１１ｃに付着してヒュームＨＧと第１ノズル１１１の先端面１１ｃの金属とが化合して合金化層が形成される場合がある。
合金化層が形成されてしまうと、合金化層は融点が低いため第１ノズル１１１が消耗し易くなり、第１ノズル１１１の損傷により溶接品質が安定しないおそれがある。また、合金化層形成により第１ノズル１１１の耐久性も低下するおそれもある。
【００３９】
そこで、本実施形態では、シールドガスＳＧを、第２ノズル１２の内向きに全周的に開口した第２噴出口１２ｄから内径方向に噴出させる。第２噴出口１ｄは、シールドガスＳＧを第１ノズル１１の先端面１１ｃに平行なガス流となるように噴出し、更に第２噴出口１２ｄは第２ノズル１２の円周上に全周的に開口しているので、第１ノズル１１の先端面１１ｃの全面を覆う安定したシールドガスＳＧの層を形成する。
図４にはシールドガスＳＧの層の形成状態をも示した。図４に示すように、第１噴出口１２ｃから第１、第２ワークへ向けて噴出されるシールドガスＳＧの内側で発生して対流するヒュームＨＧが、第２噴出口１２ｄから内径方向に噴出されるシールドガスＳＧの層によって第１ノズル１１の先端面１１ｃに付着することが防止される。
よって、ヒュームＨＧが第１ノズル１１の先端面１１ｃに付着してヒュームＨＧと第１ノズル１１の先端面１１ｃの金属とが化合して合金化層が形成されることを抑制できる。したがって、第１ノズル１１が消耗し難くなり溶接品質を安定化できると共に、合金化層の形成が抑制されて第１ノズル１１の耐久性低下を抑制できる。
なお、第２噴出口１２ｄから噴出され第１ノズル１１の先端面１１ｃの全面を覆う安定したシールドガスＳＧの層を形成したシールドガスＳＧは、第１噴出口１２ｃから第１、第２ワークへ向けて噴出されるシールドガスＳＧとプラズマガスＰＧとの間の旋回流となる。
【００４０】
以上のプラズマトーチ１ａによれば以下の効果を奏する。
（５）本プラズマトーチ１ａによると、シールドガスＳＧが、第２噴出口１２ｄから内径方向に第１ノズル１１の先端面１１ｃに平行に噴出し、シールドガスＳＧの層を第１ノズル１１の先端面１１ｃの前面に形成する。
これにより、第１噴出口１２ｃからプラズマガスＰＧを囲むように第１、第２ワークへ向けて円環状に噴出するシールドガスＳＧの内側において高温で亜鉛めっきが蒸発することにより発生して対流するヒュームＨＧが、第２噴出口１２ｄから噴出されるシールドガスＳＧの層によって第１ノズル１１の先端面１１ｃに付着することが防止される。よって、ヒュームＨＧが第１ノズル１１の先端面１１ｃに付着してヒュームＨＧと第１ノズル１１の先端面１１ｃの金属とが化合して合金化層が形成されることを抑制できる。
また、第１噴出口１２ｃよりも内側に第２噴出口１２ｄが位置し、第１噴出口１２ｃ及び第２噴出口１２ｄのそれぞれから噴出されるシールドガスＳＧ同士が干渉することはない。
したがって、第１ノズル１１が消耗し難くなり溶接品質を安定化できると共に、合金化層の形成が抑制されて第１ノズル１１の耐久性低下を抑制できる。
また、第１の実施形態のように第３ノズル１３といった他の部品を設けないので、プラズマトーチ１ａの小型化を図れる。
また、第１噴出口１２ｃ及び第２噴出口１２ｄから同じシールドガスを噴出させるので、多種類のガスを用意する必要が無く、低コスト化を図れる。
【００４２】
なお、本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の目的を達成できる範囲で変形、改良等を行っても、本発明の範囲に包含される。
例えば、第１の実施形態における第３ノズル１３の本数は、少なくとも１本以上あればよく、好ましくは第１ノズル１１の先端面１１ｃの全面に不活性ガスＦＧの層を形成できるように４本以上あるとよい。
第１の実施形態における第３ノズル１３から噴出される不活性ガスＦＧは、シールドガスＳＧと同じものでもよいし、異なるものでもよい。
また、上述のプラズマトーチ１ａにおける第２ノズル１２の第１噴出口１２ｃの形態は、第１ノズル１１の先端面１１ｃの全面にシールドガスＳＧの層を形成できれば複数の開口等でもよくその形状等は限定されない。
【符号の説明】
【００４３】
１…プラズマトーチ
１０…電極
１１…第１ノズル（アーク電極）
１１ａ…中心孔
１１ｂ…噴出口
１１ｃ…先端面
１１ｄ…先端部
１２…第２ノズル
１２ａ…中心孔
１２ｂ…噴出口
１２ｃ…第１噴出口
１２ｄ…第２噴出口
１２ｅ…カバー部
１３…第３ノズル
１００…プラズマトーチ
１１１…第１ノズル
１１１ｃ…先端面
【図１】
0005898238.tif 000002
【図２】
0005898238.tif 000003
【図３】
0005898238.tif 000004
【図４】
0005898238.tif 000005