(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電磁放射線を放射するように構成された変換器と、
前記電磁放射線を磁気媒体の表面上へ送信するように構成された導波管と、
その抵抗が前記導波管を介し伝播する電磁放射線の強度に比例するように前記導波管に近接して配置される光抵抗性材料の層と、を含み、
前記光抵抗性材料の層は前記導波管の第１の部分に近接して配置された第１の光抵抗性領域と前記導波管の第２の部分に近接して配置された第２の光抵抗性領域とを含む、ディスク駆動装置の熱アシスト磁気記録スライダ。
【請求項２】
前記光抵抗性材料の層は一連の蛇行線を含む、請求項１に記載のスライダ。
【請求項３】
前記光抵抗性材料の層は前記導波管を封入する光学被覆の表面に堆積される、請求項１に記載のスライダ。
【請求項４】
前記導波管は電磁放射線を前記磁気媒体の表面上へ送信するように構成された一次導波管と散乱された電磁放射線を受信するように構成された二次導波管とを含み、前記光抵抗性材料の層は前記二次導波管を直接被覆する、請求項１に記載のスライダ。
【請求項５】
前記変換器は約８００ｎｍの波長を含む電磁放射線を放射し、前記光抵抗性材料の層はアモルファスシリコンからなる、請求項１に記載のスライダ。
【請求項６】
前記変換器は４００〜７００ｎｍの範囲内の波長を含む電磁放射線を放射し、前記光抵抗性材料の層は硫化カドミウムからなる、請求項１に記載のスライダ。
【請求項７】
前記変換器は５〜８マイクロメートルの範囲内の波長を含む電磁放射線を放射し、前記光抵抗性材料の層は硫化鉛またはアンチモン化インジウムからなる、請求項１に記載のスライダ。
【請求項８】
前記変換器はレーザダイオードであり、
前記スライダはさらに、前記光抵抗性材料の層の測定された抵抗に基づき前記レーザダイオードを駆動するように構成されたレーザドライバを含む、請求項１に記載のスライダ。
【請求項９】
熱アシスト磁気記録スライダ内の電磁力を監視する方法であって、
電磁放射線を放射する工程と、
導波管を介し磁気媒体の表面上へ前記電磁放射線を送信する工程と、
前記導波管に隣接して配置された光抵抗性材料の層の抵抗を測定する工程と、
前記測定された抵抗に基づき、前記導波管を介し伝播する電磁放射線の強度を判断する工程と、
を含み、
前記光抵抗性材料の層は前記導波管の第１の部分に近接して配置された第１の光抵抗性領域と前記導波管の第２の部分に近接して配置された第２の光抵抗性領域とを含み、
前記光抵抗性材料の抵抗を測定する工程は、前記第１の光抵抗性領域に対応する第１の抵抗と前記第２の光抵抗性領域に対応する第２の抵抗とを測定する工程を含む、方法。
【請求項１０】
前記光抵抗性材料は一連の蛇行線を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記光抵抗性材料の層は前記導波管を封入する光学被覆の表面に堆積される、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
二次導波管を介し散乱した電磁放射線を受信する工程と、前記二次導波管に近接して配置された光抵抗性材料の抵抗を測定する工程と、をさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記電磁放射線を放射する工程は約８００ｎｍの波長を有する電磁放射線を放射する工程を含み、前記光抵抗性材料の層はアモルファスシリコンからなる、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
前記電磁放射線を放射する工程は４００〜７００ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射線を放射する工程を含み、前記光抵抗性材料の層は硫化カドミウムからなる、請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
前記電磁放射線を放射する工程は１５〜１０００マイクロメートルの範囲内の波長を有する電磁放射線を放射する工程を含み、前記光抵抗性材料の層はゲルマニウム銅合金からなる、請求項９に記載の方法。
【請求項１６】
前記電磁放射線を放射する工程はレーザダイオードを使用して電磁放射線を放射する工程を含み、
前記光抵抗性材料の層の測定された抵抗に基づき前記レーザダイオードを駆動する工程をさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１７】
熱アシスト磁気記録を使用してデータを格納するように構成された装置であって、
電磁放射線を放射する手段と、
前記電磁放射線を磁気媒体の表面上へ送信する手段と、
前記送信する手段に近接して配置された光抵抗性材料の層の抵抗を測定する手段と、
前記測定された抵抗に基づき、前記送信する手段を介し伝播する電磁放射線の強度を判断する手段と、を含み、
前記光抵抗性材料の層は、前記送信する手段の第１の部分に近接して配置された第１の光抵抗性領域と前記送信する手段の第２の部分に近接して配置された第２の光抵抗性領域とを含む、装置。
【請求項１８】
前記測定された抵抗に少なくとも部分的に基づき、放射された電磁放射線のパワーを調整する手段をさらに含む、請求項１７に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、データ記憶装置、具体的には熱アシスト磁気記録技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
データ記憶装置は、大規模データセンタ、ラップトップまたはデスクトップコンピュータ、タブレットコンピュータ、ディジタルビデオレコーダ、セットトップボックス、デジタル記録装置、ディジタルメディアプレイヤ、ビデオゲーム装置、ビデオゲームコンソール、セルラ電話などを含む広範囲の装置に組み込むことができる。データ記憶装置はハードディスクドライブ（ＨＤＤ）を含み得る。ＨＤＤは、正または負の磁化領域を有する１つまたは複数の磁気ディスクを含む。ビットデータは、ビットセルまたは磁気素子と呼ばれ得る画定された磁化領域に従って表され得る。データのブロックは回転ディスク表面上にトラックを形成するように構成される。磁気変換器はディスクからデータを読み取るために使用され得る。データをディスクへ格納するために様々な磁気記録技術が使用され得る。磁気記録技術の例として、水平磁気記録（ＬＭＲ：ｌｏｎｇｉｔｕｄｉｎａｌ  ｍａｇｎｅｔｉｃ  ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ）、垂直磁気記録（ＰＭＲ：ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ  ｍａｇｎｅｔｉｃ  ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ）、シングル磁気記録（ＳＭＲ：ｓｈｉｎｇｌｅｄ  ｍａｇｎｅｔｉｃ  ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ）が挙げられる。熱アシスト磁気記録（ＨＡＭＲ：ｈｅａｔ  ａｓｓｉｓｔｅｄ  ｍａｇｎｅｔｉｃ  ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ）はＬＭＲ、ＰＭＲまたはＳＭＲと共に使用され得る。
【０００３】
ディスクの面密度を増加させるために、磁気素子の大きさが低減され得る。しかし、より小さな磁気素子は熱的に不安定であり得る（すなわち、周囲温度ゆらぎにより消去され得る）。その状態を室温において維持する小さな磁気素子を有するために、小さな磁気素子は高保磁力材料からなり得る。しかし、従来の記録ヘッドにより生成された磁界を使用して室温において高保磁力材料へデータを書き込むことは困難かもしれない。ＨＡＭＲは、記録中に磁気素子の温度を増加させることによりデータを小さな高保磁力素子からなる磁気ディスクへ書き込めるようにする磁気記録技術である。したがって、ＨＡＭＲは従来のＬＭＲ、ＰＭＲ、ＳＭＲより高い面密度を可能にし得る。ＨＡＭＲはまた、熱アシスト（磁気）記録（ＴＡＲ：ｔｈｅｒｍａｌｌｙ  ａｓｓｉｓｔｅｄ  ｒｅｃｏｒｄｉｎｇまたはＴＡＭＲ：ｔｈｅｒｍａｌｌｙ  ａｓｓｉｓｔｅｄ  ｍａｇｎｅｔｉｃ  ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ）またはエネルギーアシスト型磁気記録（ＥＡＭＲ：ｅｎｅｒｇｙ  ａｓｓｉｓｔｅｄ  ｍａｇｎｅｔｉｃ  ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ）と呼ばれることがある。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００４】
一般的に、本開示はデータを格納する技術について説明する。特に、本開示は、記憶媒体を加熱するために使用される源の電力を監視することによりＨＡＭＲ中の記録を改善する技術について説明する。
【０００５】
本開示の一例によると、ディスク駆動装置の熱アシスト磁気記録スライダは、電磁放射線を放射するように構成された変換器と、電磁放射線を磁気媒体の表面上へ送信するように構成された導波管と、その抵抗が、導波管を介し伝播する電磁放射線の強度に比例するように導波管に近接して配置される光抵抗性材料（ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ  ｍａｔｅｒｉａｌ）の層とを含む。
【０００６】
本開示の別の例によると、熱アシスト磁気記録スライダ内の電磁気強度を監視する方法は、電磁放射線を放射する工程と、導波管を介し磁気媒体の表面上へ電磁放射線を送信する工程と、導波管に近接して配置された光抵抗性材料の層の抵抗を測定する工程と、測定された抵抗に基づき、導波管を介し伝播する電磁放射線の強度を判断する工程とを含む。
【０００７】
本開示の別の例によると、熱アシスト磁気記録を使用してデータを格納するように構成された装置は、電磁放射線を放射する手段と、電磁放射線を磁気媒体の表面上へ送信する手段と、送信手段に近接して配置された光抵抗性材料の層の抵抗を測定する手段と、測定された抵抗に基づき、送信手段を介し伝播する電磁放射線の強度を判断する手段とを含む。
【０００８】
１つまたは複数の例の詳細について添付図面と以下の明細書に記載する。他の機能、目的、および利点は本明細書と添付図面と特許請求の範囲から明白になる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本開示に記載される技術を利用し得る例示的ハードディスク駆動装置を示す概念図である。
【図２】本開示に記載される技術を利用し得る例示的スライダを示す概念図である。
【図３】本開示に記載される技術を利用し得る例示的スライダの断面図を示す概念図である。
【図４】本開示に記載される技術を利用し得る光抵抗性材料の例を示す概念図である。
【図５】本開示に記載される技術を利用し得る例示的スライダの断面図を示す概念図である。
【図６】本開示に記載される技術を利用し得る例示的スライダの断面図を示す概念図である。
【図７】本開示に記載される技術を利用し得る例示的スライダの断面図を示す概念図である。
【図８】本開示に記載される技術を利用し得る一次導波管の断面図を示す概念図である。
【図９】本開示に記載される技術を利用し得る二次導波管の断面図を示す概念図である。
【図１０】電磁力を監視する例示的技術を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
スライダ内のＨＡＭＲ記録ヘッドは、記録中に記憶媒体を加熱するためにレーザビームおよび／または近接場光学源を使用し得る。ＨＡＭＲヘッドの光送出経路内の光パワーは媒体の加熱温度プロファイルに影響を与え、したがってＨＡＭＲ記録中の記録品質に影響を与える。光パワーを監視および能動的に制御することで、ＨＡＭＲ記録品質、信頼性、ヘッド寿命を著しく改善することができる。
【００１１】
光パワー監視に使用される得る技術は、ヘッド構造内に追加の光学導波管を作製することと、スタンドアロン光検出器（すなわち、ダイオード）へ光パワーを送信するために追加の光学導波管を使用することとを含む。スタンドアロン光検出器はヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ：ｈｅａｄ  ｇｉｍｂａｌ  ａｓｓｅｍｂｌｙ）内に搭載され得る。しかし、追加の光導波管回路はヘッド作製を複雑にし得る。さらに、スタンドアロン光検出器は追加コストをＨＡＭＲヘッドの全体コストに加える。本開示は、ＨＡＭＲ電磁放射線送出経路の極近傍のＨＡＭＲスライダ内に薄膜ベースの光検出器を組み込む技術について説明する。一体化された薄膜光検出器を含むＨＡＭＲスライダは、ＨＧＡ内に搭載されるスタンドアロン光検出器と比較して、例えば低コスト、高速応答時間、より精密な光パワー監視を含むいくつかの利点を有し得る。
【００１２】
図１は、本開示に記載される技術を利用し得る例示的ハードディスク駆動装置を示す概念図である。ディスク駆動装置１００は内部または外部データ記憶装置としてホスト装置へ動作可能に接続され得る。ホスト装置の例としては、ラップトップまたはデスクトップコンピュータ、または同様な装置が挙げられ得る。ディスク駆動装置１００は、データ記録ディスクまたは媒体１０２、スピンドルアセンブリ１０４、スライダ１０６、アクチュエータアーム１０８、ボイスコイルモータアセンブリ１１０、ＶＣＭおよびモータプリドライバ１１２、スピンドルモータドライバ１１４、前置増幅器１１６、読み取り／書き込みデータチャネルユニット１１８、プロセッサユニット１２０、データバッファＲＡＭ１３２、ブートフラッシュ１３４、ホストインターフェースユニット１３６を含む。プロセッサユニット１２０は、ハードディスク制御装置１２２、インターフェースプロセッサ１２４、サーボプロセッサ１２６、命令ＳＲＡＭ１２８、データＳＲＡＭ１３０を含む。例示的ハードディスク駆動装置１００は個別機能ブロックを有して例示されるが、このような例示は説明目的のためのものであって、ハードディスク駆動装置１００を特定のハードウェアアーキテクチャに限定しないということに注意すべきである。同じように、プロセッサユニット１２０は、図１に示された例に基づく特定のハードウェアアーキテクチャに限定されるべきでない。ハードディスク駆動装置１００の機能は、ハードウェア、ファームウェア、および／またはソフトウェア実施形態の任意の組み合わせを使用して実現され得る。
【００１３】
ディスク１０２は、その片側または両側に堆積された磁性材料を有する１つまたは複数のディスクのスタックを含む。ディスク１０２は、磁性材料がその上に堆積され得る軽アルミ合金、セラミック／ガラスまたは他の好適な基板からなり得る。電磁気技術を利用して、データは磁性材料の領域を配向させることによりディスク１０２上に格納され得る。ディスク上に格納されたデータはデータブロックとして編成され得る。データブロックは通常、５１２バイトまたは４ＫＢの大きさであるが他の大きさでもよい。ディスク１０２へ書き込まれたデータは、Ｎ−１、Ｎ、Ｎ＋１として図１に示す一組の半径方向に離間された同心トラック内に配置される、データブロックは特定のトラックのセクタ内に配置され得る。
【００１４】
ディスク１０２の磁性材料は複数の磁気記録技術に従って構成され得る。磁気記録技術の例としては、水平磁気記録（ＬＭＲ）と垂直磁気記録（ＰＭＲ）が挙げられる。追加の磁気記録技術としては、シングル磁気記録（ＳＭＲ）と熱アシスト磁気記録（ＨＡＭＲ）が挙げられる。ＳＭＲは、トラックが部分的に重なるやり方で書き込まれるタイプのＰＭＲである。上述のように、ＨＡＭＲは、より高い面積記憶密度を実現するためにＬＭＲ、ＰＭＲ、またはＳＭＲ技術と共に使用され得る。
【００１５】
図１に示すように、ディスク１０２はスピンドルアセンブリ１０４へ結合され、固定された回転軸のまわりを方向Ｄに回転する。ディスク１０２は一定または可変速度で回転し得る。回転の典型的な速度は、毎分３，６００回転未満から１５，０００回転を越える範囲である。しかし、ディスク１０２はより高いまたは低い速度で回転し得、回転速度は磁気記録技術に基づき判断され得る。スピンドルアセンブリ１０４はスピンドルとモータを含み、スピンドルモータドライバ１１４へ結合される。スピンドルモータドライバ１１４は電気信号をスピンドルアセンブリ１０４へ供給する。スピンドルしたがってディスク１０２が回転する速度は電気信号の電圧または電流に比例し得る。スピンドルモータドライバ１１４はＶＣＭおよびモータプリドライバ１１２へ結合される。ＶＣＭおよびモータプリドライバ１１２は、ディスク１０２が所望の速度で回転するということを保証するためにフィードバック技術を使用するように構成され得る。例えば、ＶＣＭおよびモータプリドライバ１１２は、モータから電流および／または電圧信号を受信し、帰還回路を使用して、スピンドルモータドライバ１１４に供給される電気信号を調整するように構成され得る。
【００１６】
図１に示すように、ＶＣＭおよびモータプリドライバ１１２はまた、ボイスコイルモータアセンブリ１１０へ結合される。スピンドルモータドライバ１１４へ電気信号を供給することに加えて、ＶＣＭおよびモータプリドライバ１１２はまた、ボイスコイルモータアセンブリ１１０へ電気信号を供給するように構成される。ボイスコイルモータアセンブリ１１０は、アクチュエータアーム１０８がＶＣＭおよびモータプリドライバ１１２から受信される電気信号の電流または電圧に基づき旋回するように、アクチュエータアーム１０８へ動作可能に接続される。図１に示すように、スライダ１０６はアクチュエータアーム１０８へ結合される。したがって、ＶＣＭおよびモータプリドライバ１１２は、ディスク１０２に対するスライダ１０６の位置を調整する。ＶＣＭおよびモータプリドライバ１１２は、スライダ１０６がディスク１０２に対する所望の位置を維持するということを保証するためにフィードバック技術を使用し得る。一例では、ＶＣＭおよびモータプリドライバ１１２は、ボイスコイルモータアセンブリ１１０からの電磁界と電流を監視するためにＡ−Ｄ変換器を含む。
【００１７】
スライダ１０６は磁気記録技術（例えば、上述の例示的磁気記録技術の任意のもの）に従ってディスク１０２に対しデータを読み書きするように構成される。スライダ１０６は、ディスク１０２の一部として含まれる複数のディスクのそれぞれに対応する読み取りおよび書き込みヘッドを含み得る。さらに、スライダ１０６は、ディスク毎に１つまたは複数の読み取りおよび書き込みヘッドを含み得る。スライダ１０６は前置増幅器１１６へ結合される。前置増幅器１１６はまた、アーム電子回路（ＡＥ：ａｒｍ  ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ）と呼ばれることがある。前置増幅器１１６は、特定の読み取りまたは書き込み動作のために複数のヘッドから正しいヘッドを選択するように構成される。前置増幅器１１６は、書き込み動作中、書き込み電流によりヘッド１０６を駆動するように構成される。さらに、前置増幅器１１６は、プログラム可能なヘッドバイアス電流を使用する読み取り動作中、スライダ１０６からの読み取り信号を増幅するように構成される。前置増幅器１１６はまた、読み取りおよび書き込み動作のそれぞれの間、エラーを検知するように構成され得る。前置増幅器１１６はまた、読み取り動作中のサーマルアスペリティ（ＴＡ：ｔｈｅｒｍａｌ  ａｓｐｅｒｉｔｙ）回復のための信号適応フィルタ（ＳＡＦ：ｓｉｇｎａｌ  ａｄａｐｔｉｖｅ  ｆｉｌｔｅｒ）を含み得る。
【００１８】
前置増幅器１１６は、読み取り／書き込みデータチャネルユニット１１８からディスク１０２へ書き込まれるデータを受信する。前置増幅器１１６はディスク１０２から読み取ったデータを読み取り／書き込みデータチャネルユニット１１８へ供給する。データはホスト装置を起源とし、ホストインターフェースユニット１３６とプロセッサユニット１２０を介し読み取り／書き込みデータチャネルユニット１１８へ伝達され得る。ホストインターフェースユニット１３６はハードディスク駆動装置１００とホスト装置間の接続を提供する。ホストインターフェースユニット１３６は、コンピュータバスインターフェイスに従って定義された物理的および論理的特性に従って動作し得る。標準化インターフェースの例として、ＡＴＡ（ＩＤＥ、ＥＩＤＥ、ＡＴＡＰＩ、ＵｌｔｒａＤＭＡ、ＳＡＴＡ）、ＳＣＳＩ（パラレルＳＣＳＩ、ＳＡＳ）、ファイバーチャンネル、ＰＣＩｅ（ＳＯＰまたはＮＶＭｅを備えた）が挙げられる。
【００１９】
図１に示すように、プロセッサユニット１２０は、ハードディスク制御装置１２２、インターフェースプロセッサ１２４、サーボプロセッサ１２６、命令ＳＲＡＭ１２８、データＳＲＡＭ１３０を含む。命令ＳＲＡＭ１２８はプロセッサユニット１２０の一組の演算命令を格納し得る。命令は、ハードディスク駆動装置１００の電源が入れられると、ブートフラッシュ１３４から命令ＳＲＡＭ１２８へロードされ得る。データＳＲＡＭ１３０およびプロセッサユニット１２０へ結合されるデータバッファＲＡＭ１３２は、読み取りおよび書き込み動作中にデータのブロックをバッファするように構成される。例えば、ホストインターフェースユニット１３６から受信されたデータのブロックは、データブロックがディスク１０２へ書き込まれる前に、データＳＲＡＭ１３０とデータバッファＲＡＭ１３２へ連続的に格納され得る。命令ＳＲＡＭ１２８、データＳＲＡＭ１３０、データバッファＲＡＭ１３２、およびブートフラッシュ１３４は個別記憶ユニットとして例示されるが、命令ＳＲＡＭ１２８、データＳＲＡＭ１３０、データバッファＲＡＭ１３２、およびブートフラッシュ１３４の機能は他のタイプのメモリアーキテクチャに従って実現され得るということに注意すべきである。
【００２０】
ハードディスク制御装置１２２は通常、ホストインターフェースユニット１３６および読み取り／書き込みデータチャネルユニット１１８に対するデータのブロックの転送を管理するように構成されるプロセッサユニット１２０の一部を表す。上述のように、ハードディスク制御装置１２２は、データのバッファリングを管理する動作を行うように構成され得、規定されたコンピュータバスプロトコルに従ってホストインターフェースユニット１３６とインターフェースし得る。例えば、ハードディスク制御装置１２２は、ホストインターフェースユニット１３６からのデータのパケットを受信および解析し得る。さらに、ハードディスク制御装置１２２はホストと通信するように構成され得る。例えば、ハードディスク制御装置１２２は、エラーをホストへ報告し、ホストから受信された命令に基づきディスク１０２をフォーマット化するように構成され得る。
【００２１】
インターフェースプロセッサ１２４は通常、サーボプロセッサ１２６とハードディスク制御装置１２２間をインターフェースするように構成されるプロセッサユニット１２０の一部を表す。インターフェースプロセッサ１２２は障害予知解析（ＰＦＡ：ｐｒｅｄｉｃｔｉｖｅ  ｆａｉｌｕｒｅ  ａｎａｌｙｓｉｓ）アルゴリズム、データ回復手順を実行し、エラーを報告およびログ記録し、ｒｏｔａｔｉｏｎａｌ  ｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ  ｏｒｄｅｒｉｎｇ（ＲＰＯ）を行い、コマンドキューイングを行い得る。一例では、インターフェースプロセッサはＡＲＭプロセッサであり得る。
【００２２】
上述のように、データは通常、特定のトラックのセクタ内に含まれるブロックでディスク１０２へ書き込まれるまたはディスク１０２から読み取られる。ディスク１０２はまた、トラック内に１つまたは複数のサーボセクタを含み得る。サーボセクタは円周方向または角度方向に離間され得、サーボ信号を生成するために使用され得る。サーボ信号は、スライダ１０６とディスク１０２の特定のセクタまたはトラックとを位置合わせするために使用され得るディスク１０２から読み取られた信号である。サーボプロセッサ１２６は通常、スライダ１０６がディスク１０２に対して正しく位置決めされるということを保証するためにスピンドルアセンブリ１０４とボイスコイルモータアセンブリ１１０の動作を制御するように構成されたプロセッサユニット１２０の一部を表す。サーボプロセッサ１２６はサーボハードウェアアシストリアルタイムプロセッサ（ＳＨＡＲＰ：Ｓｅｒｖｏ  Ｈａｒｄｗａｒｅ  Ａｓｓｉｓｔ  Ｒｅａｌ−ｔｉｍｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）と呼ばれることがある。サーボプロセッサ１２６は、トラック上のスライダ位置、スライダシーク、スライダ設定、スピンドル開始、スピンドル速度のすべての組み合わせのための閉ループ制御を実現するように構成され得る。さらに、サーボプロセッサ１２６は、サーボ関連変数を計算するための一組の命令を含み得る。サーボ関連変数はさらに、スライダ１０６とディスク１０２のトラックとを位置合わせするために使用され得る。
【００２３】
図２は、本開示に記載される技術を利用し得る例示的スライダを示す概念図である。説明を簡単にするために、図２に示す部品は原寸に比例していなく、図２に示す要素の相対位置は構成されたスライダ内の要素の実際の位置を必ずしも反映しないかもしれないということに注意すべきである。以下に詳細に説明される図３、５、６、７は、本明細書に記載の技術を利用するように構成されたスライダ１０６がどのように構築され得るかに関する追加の詳細を与える。スライダ１０６は、ＨＡＭＲを使用してデータをディスク１０２へ記録するスライダの例である。スライダ１０６は、例えばアルミナ／チタン・カーバイド（Ａｌ２Ｏ／ＴｉＣ）の化合物などの複合材料を使用して作製され得る。図２に示すように、スライダ１０６はレーザドライバ２０２、レーザダイオード２０３、導波管２０４、光検出器２０６、書き込み回路２０８、書き込み変換器２１０読み取り変換器２１２、読み取り回路２１４を含む。
【００２４】
ディスク１０２に隣接するスライダ１０６の表面は空気軸受け表面（ＡＢＳ：Ａｉｒ  Ｂｅａｒｉｎｇ  Ｓｕｒｆａｃｅ）と呼ばれる。上述のように、ＨＡＭＲは、記録中に磁気素子の温度を増加させることにより、高異方性磁気素子を含む磁気ディスクへデータが書き込まれることを可能にする磁気記録技術である。図２に示すように、電磁エネルギーＥはスライダ１０６からＡＢＳを介しディスク１０２の表面上に放射され、これによりディスク１０２の表面を加熱する。ディスク１０２の表面は、例えば特別の成長促進（ｇｒｏｗｔｈ−ｅｎｈａｎｃｉｎｇ）副層上に成長されたコバルトクロム（ＣｏＣｒ）合金顆粒層、またはＣｏの膜と白金（Ｐｔ）またはパラジウム（Ｐｄ）の膜との多層交互膜を含む高異方性磁気素子からなり得る。ディスク１０２の表面はまた、ＦｅＰｔまたはＦｅＮｉＰｔなどのＬ１０規則合金を含み得る。
【００２５】
上述のように、ディスク１０２は複数の隣接し場合によっては部分的に重なるデータトラック（例えば、ＳＭＲトラック）を含み得る。導波管２０４は、隣接するトラックの加熱を最小にするやり方でデータが書き込まれる特定トラック上に電磁エネルギーＥの焦点を合わせるように構成される。図２に示す例では、導波管２０４はレーザダイオード２０３から電磁放射線を受信し、光導波管と近接場変換器とを含む。しかし、他の例では、レーザダイオード２０３は任意のタイプの電磁放射線源であり得、導波管２０４は、電磁放射線源により放射される電磁放射線の焦点をディスク１０２の特定のデータ領域へ合わせるように構成され得るということに注意すべきである。いくつかの例では、レーザダイオード２０３は、ＩｎＰベース、ＧａＡｓベース、またはＧａＮベースのダイオードであり得る。いくつかの例では、レーザダイオード２０３から放射されるレーザ光線の波長は約３７５ｎｍ（ナノメートル）から１７００マイクロメートルの範囲内であり得る。例えば、レーザダイオード２０３は約８００ｎｍの波長を有するレーザ光線を放射するように構成され得る。
【００２６】
レーザドライバ２０２はレーザダイオード２０３へ電力を供給するように構成される。すなわち、レーザドライバ２０２はレーザダイオード２０３へ電流を供給し得、レーザダイオード２０３により放射されたレーザ光線のパワーはレーザダイオード２０３の動作パラメータに基づく電流に比例し得る。上述のように、ＨＡＭＲヘッドの光送出経路内の光パワーはＨＡＭＲ記録中の記録品質に影響を与える。いくつかの場合には、レーザダイオード２０３のパワー変動は周囲温度変動に起因し得る。さらに、過剰温度がスライダ１０６の部品の使用寿命を損傷または低減し得る。例えば、レーザダイオード２０３の量子効率は過剰温度に起因する半導体材料のエージングにより低下し得る。図２に示すように、レーザドライバ２０２は光検出器２０６へ結合される。光検出器２０６は、その光吸収により、ＡＢＳへ送出された電磁力を判断するように構成される。光検出器２０６は、レーザドライバ２０２がレーザダイオード２０３により放射されたレーザ光線のパワーを調整し得るようにレーザドライバ２０２へフィードバックを与える。このフィードバック制御は、スライダ１０６の部品を破損または早期に老化させることなく十分な温度でディスク駆動装置１００がＨＡＭＲを実行できるようにする。一例では、パワー変化が光検出器２０３から測定されると、レーザダイオード２０２に供給される電流は、このパワー変化を補償するように変更することができる。例えば、レーザドライバ２０２からレーザダイオード２０３へ供給されるバイアス電流は、パワー変化を補償するために増加されることができる。
【００２７】
書き込み変換器２１０は書き込み回路２０８から受け取った電流に応じて磁束を生成するように構成される。書き込み回路２０８は前置増幅器１１６へ結合され得る。図２に示すように、書き込み回路２０８から延びるコイルは書き込み変換器２１０に巻きつけられる。書き込み変換器２１０は、ＮｉＦｅまたはＦｅＣｏＮｉなどの従来の高磁気モーメント材料で形成される書き込み磁極を含む。書き込み電流パルスが書き込み回路２０８からコイルを介し導かれると、書き込み変換器２１０は磁束（矢印により表される）をディスク１０２へ向ける。磁束はデータがディスク１０２へ記録されるようにする。書き込み回路２０８は、ディスクがＨＡＭＲ記録のための所望温度まで加熱されると磁束がディスク１０２に向けられるようにレーザドライバ２０２と連動して動作する。
【００２８】
読み取り変換器２１２は、ディスク１０２からの磁界を検知するように構成された磁気抵抗読み取りセンサを含む。磁気抵抗読み取りセンサは、例えばトンネリング磁気抵抗（ＴＭＲ：ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ  ｍａｇｎｅｔｏ  ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）センサ、面内通電型巨大磁気抵抗（ＣＩＰ−ＧＭＲ：ｃｕｒｒｅｎｔ−ｉｎ−ｐｌａｎｅ  ｇｉａｎｔ  ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）センサ、または面垂直通電型巨大磁気抵抗（ＣＰＰ−ＧＭＲ：ｃｕｒｒｅｎｔ−ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ−ｔｏ−ｐｌａｎｅ  ｇｉａｎｔ  ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）センサであり得る。読み取り回路２１４は読み取り変換器２１２からのデータを再生するように構成され、増幅器と復調器を含み得る。読み取り回路２１４は前置増幅器１１６へ結合され得る。いくつかの例では、前置増幅器１１６は増幅と復調を行い得る。このようにして、スライダ１０６は、ＨＡＭＲを使用してデータをディスク１０２へ記録し記録されたデータをディスク１０２から取り出すように構成されるスライダの例を表す。以下に詳細に説明される図３、５、６、および７は、例示的スライダ１０６がどのように構築され得るかに関する追加の詳細を与える。特に、図３、５、６、および７のそれぞれは光検出器２０６の実施例を示す。
【００２９】
図３は、本開示に記載される技術を利用し得る例示的スライダの断面図を示す概念図である。図３に示すように、読み取り変換器２１２、書き込み変換器２１０および導波管２０４は基板３０２上に一連の層として形成される。基板３０２は、例えばアルミナ／チタン・カーバイド（Ａｌ２Ｏ／ＴｉＣ）などのスライダ構築のための任意の好適な基板材料であり得る。スライダ１０６は基板３０２と読み取り変換器２１２間に絶縁層３０３を含み得る。絶縁層３０３は例えばＡｌ２Ｏ３またはＳｉＯ２などの絶縁材料からなり得る。
【００３０】
図３に示す例では、読み取り変換器２１２は遮蔽部３０４ａと３０４ｂおよび磁気抵抗読み取りセンサ３０６を含む。上述のように、磁気抵抗読み取りセンサはディスク１０２からの磁界を検知するように構成される。したがって、磁気抵抗読み取りセンサ３０６は上述の磁気抵抗読み取りセンサのうちの任意のもので有り得る。遮蔽部３０４ａと３０４ｂは、磁気抵抗読み取りセンサ３０６が外部磁界を雑音として受信するのを防止するように構成される。遮蔽部３０４ａと３０４ｂは磁気抵抗読み取りセンサ３０６のタイプに基づく材料から構成される。例えば、遮蔽部３０４ａと３０４ｂは、ＮｉＦｅ、ＦｅＳｉＡｌ、ＣｏＦｅＮｉ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮ、ＦｅＺｒＮまたはＣｏＺｒＴａＣｒなどの軟磁性材料で形成された磁気層または少なくともこれらの材料のうちの２つの多層であり得る。
【００３１】
図３に示すように、書き込み変換器２１０は下側磁気ヨーク３２０ａ、上側磁気ヨーク３２０ｂおよび磁極３１８を含む。導波管２０４は、実質的に書き込み変換器２１０内に組み込まれ、被覆３１２ａと３１２ｂ、コア３１４および近接場変換器３１６を含む。上述のように、書き込み変換器２１０は電流に応じて磁束を生成するように構成される。磁極３１８は書き込み磁極の例であり、ＮｉＦｅまたはＦｅＣｏＮｉなどの従来の高磁気モーメント材料で形成され得る。下側磁気ヨーク３２０ａと上側磁気ヨーク３２０ｂは、磁極３１８が下側磁気ヨーク３２０ａと上側磁気ヨーク３２０ｂに巻きつけられたコイル（図示せず）内の電流に応じて磁束をディスク１０２上へ向けるように構成される。さらに、下側磁気ヨーク３２０ａと上側磁気ヨーク３２０ｂは磁束の戻り経路を与える。図３に示す例では、下側磁気ヨーク３２０ａは戻り磁極として働く。
【００３２】
上述のように、導波管２０４は電磁エネルギーＥ（例えば、レーザ光）の焦点をディスク１０２上へ合わせるように構成される。コア３１４は、レーザダイオード２０３により放射された特定の波長の放射線に対して透過性である高屈折率誘電体材料からなり得る。例えば、コア３１４はＴｉＯ２および／またはＴａ２Ｏ５などの放射線透過材料からなり得る。被覆３１２ａと３１２ｂはコア３１４より低い屈折率を有する材料からなる。このようにして、特定の波長の電磁放射線は光学の原理に基づき導波管２０４を介し伝播する。被覆３１２ａと３１２ｂはＳｉＯ２および／またはＡｌ２Ｏ３からなり得る。いくつかの例では、被覆３１２ａおよび／または被覆３１２ｂは電磁放射線の特定の周波数に対し透明であるように構成され得る。近接場変換器３１６は、ディスク１０２の隣接トラックを加熱しないように電磁放射線のビームスポットの焦点を合わせるプラズモニック装置（ｐｌａｓｍｏｎｉｃ  ｄｅｖｉｃｅ）であり得る。すなわち、近接場変換器３１６は回折限界より小さなビームスポットを生成し得る。近接場変換器３１６は、例えばｃアパーチャ、ｅアンテナプラズモニック近接場源、または別の成形変換器（ｓｈａｐｅｄ  ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）のいずれかと協働し得る。被覆３１２ａと３１２ｂ、コア３１４および近接場変換器３１６の組成は源により放射される電磁放射線の波長に基づく。一例では、放射された電磁放射線は、可視スペクトル（４００〜７００ｎｍ）内の波長を有する電磁放射線を含み得る。一例では、放射された電磁放射線は約８００ｎｍの波長を有する電磁放射線を含み得る。別の例では、放射された電磁放射線は中赤外領域（５〜８マイクロメートル）内の波長を有する電磁放射線を含み得る。まだ別の例では、放射された電磁放射線は遠赤外領域（１５〜１０００マイクロメートル）内の波長を有する電磁放射線を含み得る。
【００３３】
図２に関し上に説明したように、光検出器２０６は光吸収により電磁力を測定するように構成される。一例では、光検出器２０６は導波管２０４内のパワーに対し線型に比例する光電流を測定する。図３に示す例では、光検出器２０６は光抵抗性材料の層３０８とコンタクトスタブ３１０を含む。光抵抗性材料３０８は、光抵抗性材料３０８の抵抗が、増加する強度の電磁放射線への露出に基づき変化するように構成される。一例では、光抵抗性材料３０８は、増加する強度の光への露出とともに低下する抵抗を有する薄膜半導体ベースの光抵抗性材料である。したがって、この例では、光抵抗性材料３０８は、光抵抗性効果は単一層の材料を使用することにより測定され得るという点で、光抵抗性装置または組み立てられたダイオードなどの光導電デバイスから区別され得る。光抵抗性材料３０８は、通常はスライダ製作と両立するスパッタリングまたは他の堆積技術を使用して堆積され得る。光抵抗性材料３０８はドープｐ−ｎ（またはｐ−ｉ−ｎ接合）および／または金属−半導体−金属（ＭＳＭ：ｍｅｔａｌ−ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ−ｍｅｔａｌ）構造であり得る。光抵抗性材料３０８は多結晶または単結晶形態にアニールまたは再結晶され得る。コンタクトスタブ３１０は光抵抗性材料３０８の抵抗が測定され得るように電気的接触を実現するように構成される。
【００３４】
図３に示すように、光抵抗性材料３０８は被覆３１２ｂに隣接して配置される。上述のように、被覆３１２ｂは電磁放射線の特定の周波数に対して透明となるように構成され得る。したがって、光抵抗性材料３０８はコア３１４を介し伝播する電磁放射線に晒され、光抵抗性材料３０８の抵抗はコア３１４を介し伝播する電磁放射線の強度に基づき増加または低下し得る。このようにして、光抵抗性材料３０８は、光抵抗性材料３０８の抵抗が導波管２０４を介し伝播する電磁放射線の強度に比例するように導波管２０４に近接して配置される光抵抗性材料の層である。一例では、光抵抗性材料３０８に由来する測定値が短期パワー変動を補償するために使用され得る。例えば、測定は、１ミリ秒で発生し得るモードホッピングによるパワー変動を補償するために使用され得る。さらに、別の例では、光抵抗性材料３０８は、照明効果に起因する抵抗値変化と熱効果に起因する抵抗値変化とを解析することにより、温度センサとして使用され得る。光抵抗性材料３０８は被覆３１２ｂに隣接して図３に示されるが、いくつかの例では、光抵抗性材料３０８は実質的に被覆３１２ｂに組み込まれ得るということに注意すべきである。例えば、光抵抗性材料３０８は被覆３１２ｂの表面上にコンフォーマル堆積（ｃｏｎｆｏｒｍａｌｌｙ  ｄｅｐｏｓｉｔｅ）される光抵抗性材料であり得る。
【００３５】
上述のように、源により放射される電磁放射線の波長は変化し得る。したがって、光抵抗性材料３０８の組成は、電磁放射線の特定の波長を検知できるように構成され得る。例えば、アモルファスシリコンは、約８００ｎｍの波長を有する電磁放射線を検知するための理想的材料候補であり得る。光抵抗性材料３０８は、レーザダイオード２０３などの源が約８００ｎｍの波長を有する放射線を放射するように構成される場合はアモルファスシリコンからなり得る。さらに、硫化カドミウム（ＣｄＳ）は可視スペクトル内の電磁放射線に特に敏感である。光抵抗性材料３０８は、レーザダイオード２０３などの源が可視スペクトル内の放射線を放射するように構成される場合はＣｄＳからなり得る。硫化鉛（ＰｂＳ）とアンチモン化インジウム（ＩｎＳｂ）は中赤外範囲内の電磁放射線に特に敏感である。光抵抗性材料３０８は、レーザダイオード２０３などの源が中赤外範囲内の波長を有する放射線を放射するように構成される場合はＰｂＳおよび／またはＩｎＳｂからなり得る。さらに、ゲルマニウム銅合金は遠赤外領域内の波長を有する電磁放射線の検知に有用であり得る。光抵抗性材料３０８は、レーザダイオード２０３などの源が遠赤外領域内の波長を有する放射線を放射するように構成される場合はゲルマニウム銅合金からなり得る。
【００３６】
光抵抗性材料３０８は完全な膜として堆積され、フォトリソグラフィ技術を使用してパターン化され得る。さらに、光抵抗性材料３０８の光抵抗性は、様々な確立されたドーピングとアニール技術により最適化することができる。光抵抗性材料３０８は、アプリケーションに応じて様々なやり方でパターン化されることができる。図４は、本開示に記載される技術を利用し得る光抵抗性材料の例を示す概念図である。図４に示す例では、光抵抗性材料３０８は蛇行線としてパターン化された薄膜である。蛇行線パターンは、所与の領域における長さ／抵抗を増加させ、したがって光抵抗性材料３０８からの信号レベルを増加させる。図４に示すように、光抵抗性材料３０８はリード３１０を使用することにより測定装置４０２へ結合される。測定装置４０２は光抵抗性材料３０８の抵抗を測定するように構成される。測定装置４０２は抵抗を測定するように構成される任意のタイプの装置であり得る。
【００３７】
図３は光抵抗性材料３０８が導波管２０４の「上」に配置される例を示すが、光抵抗性材料３０８は、光抵抗性材料３０８が導波管３０４を介し伝播する電磁放射線の強度を検知し得るように導波管２０４の近傍のどこにでも配置され得る。光抵抗性材料３０８は導波管３０４の上および／または下にまたはその側面に配置され得る。さらに、光抵抗性材料３０８は、個別の抵抗測定が導波管２０４経路に沿ってなされ得るように複数の個別領域を含み得る。１つまたは複数の差動信号が複数の個別領域から生じ得る。光抵抗性材料３０８と導波管３０４間の距離は電力予算に応じて変わり得る。
【００３８】
図５、６、および７は、本開示に記載される技術を利用し得る別の例示的スライダの断面図を示す概念図である。図５、６、および７に示す例では、同様な番号の素子は、図３に関して上に説明した素子と同様であり、簡潔さのために、同様な番号素子の説明は繰り返されない。図５に示す例では、光抵抗性材料３０８は材料３２２により被覆３１２ｂから分離される。材料３２２は透明な電気的絶縁材料であり得る。例えば、材料３２２はシリカの薄膜であり得る。
【００３９】
上述のように、光抵抗性材料３０８の複数の個別領域は導波管２０４の近傍に配置され得る。図６に示す例では、光抵抗性材料３０８ａは導波管２０４の「上」に配置され、光抵抗性材料３０８ｂは導波管２０４の「下」に配置される。図６は導波管２０４の近傍に配置される光抵抗性材料の２つの領域を示すが、いくつかの例では光抵抗性材料の追加の複数の領域が導波管２０４の近傍に配置され得るということに注意すべきである。例えば、導波管２０４の４つの側面のそれぞれの上に光抵抗性材料の領域を作製することが可能である。光抵抗性材料３０８ａと３０８ｂは、上記光抵抗性材料のありとあらゆる組み合わせからなり得る。光抵抗性材料３０８ａと３０８ｂのそれぞれは、それぞれのコンタクトスタブ３１０ａと３１０ｂへ結合される。このようにして、２つの独立した抵抗測定が行われ得る。差動信号は抵抗測定値に由来し得る。レーザダイオード２０３などの源から放射される電磁放射線のパワーを判断するために使用されることに加えて、一例では、差動信号はレーザダイオード２０３と導波管２０４との位置合わせに使用され得る。例えば、レーザダイオード２０３がスライダ１０６とは別個である例では、差動信号はＨＤＤ１００の組立中にレーザダイオード２０３をスライダ１０６に対して位置決めするために使用され得る。
【００４０】
図７に示す例では、スライダは二次導波管３２４を含む。二次導波管３２４は、漏洩電磁放射線（例えば、ディスク１０２から反射された電磁放射線）が測定に向けられ得るように導波管２０４と同様な材料からなり得る。いくつかの場合には、漏洩電磁放射線の変化はＡＢＳにおける光学的変化／劣化を示し得る。二次導波管３２４はＡＢＳに隣接して図７に示されるが、いくつかの例では、二次導波管２３４は、導波管２０４を介し伝播しない電磁放射線が監視され得るようにレーザダイオード２０３の近傍に配置され得る。図７に示す例では、光抵抗性材料３０８は二次導波管３２４を直接被覆する。他の例では、上述のように光抵抗性材料３０８は導波管２０４の近傍に配置され得るということに注意すべきである。図３、５、６、および７は個別例として説明されるが、図３、５、６、および７のそれぞれに示された例は容易に組み合わせられ得る。例えば、スライダは、一次導波管（例えば、一次導波管２０４）の近傍に配置される光抵抗性材料と二次導波管（例えば、導波管３２４）の近傍に配置された光抵抗性材料とを含み得る。ここで、一次導波管２０４は電磁エネルギーＥの焦点をディスクの特定領域上へ合わせるように構成され、二次導波管は散乱した電磁放射線を導くように構成される。簡潔さのために、図３、５、６、および７に示された例のありとあらゆる組み合わせは本明細書では図示および説明されない。
【００４１】
図８は、本開示に記載される技術を利用し得る一次導波管の断面図を示す概念図である。図９は、本開示に記載される技術を利用し得る二次導波管の断面図を示す概念図である。コア３１４、被覆３１２、二次導波管３２４、および光抵抗性材料３０８が層として図３、５、６、および７に示されるが、図８と９は、コア３１４、被覆３１２、二次導波管３２４、および光抵抗性材料３０８のそれぞれが３次元形状を形成し得、光抵抗性材料３０８は複数の側面上の導波管を囲み得るということを示す。
【００４２】
図１０は電磁力を監視する例示的技術１０００を示すフローチャートである。上述のレーザダイオード２０３などの源が電磁放射線を放射する（１００２）。電磁放射線は上述の波長のうちの任意のものを有する電磁放射線を含み得る。上述の測定装置４０２などの測定装置が光抵抗性材料の抵抗を測定する（１００４）。光抵抗性材料は上述のように導波管に近接して配置された層であり得る。光抵抗性材料は上述の例示的光抵抗性材料のうちの任意のものを含み得る。前置増幅器１１６などのＨＤＤ１００の１つまたは複数の部品は、測定された抵抗値を受信し、放射された電磁放射線の電磁気強度を判断し得る（１００６）。ＨＤＤ１００は光抵抗性材料の既知の特性に基づき電磁放射線を判断するように構成され得る。放射された電磁放射線は、判断された電磁気強度に基づき調整され得る（１００８）。このようにして、リアルタイムフィードバック（例えば、ミリ秒範囲内）が電磁放射線源のパワーレベルを調整するために使用され得る。例えば、レーザドライバ２０２により出力される電流が調整され得る。書き込み変換器２１０はデータをディスク１０２へ書き込む（１０１０）。データは、源の電力が調整されているときはいつでもディスク１０２へ書き込まれ得る（すなわち、その前、その最中、またはその後）。このようにして、スライダ１１６は、電磁放射線を放射し、導波管を介し電磁放射線を磁気媒体の表面上へ送信し、導波管に近接して配置された光抵抗性材料の抵抗を測定して、測定された抵抗に基づき、導波管を介し伝播する電磁放射線の強度を判断するように構成されたスライダの例を表す。
【００４３】
１つまたは複数の例では、説明された機能はハードウェア、ソフトウェア、ファームウェアまたはその任意の組み合わせで実施され得る。ソフトウェアで実施される場合、機能は、１つまたは複数の命令またはコードとして、コンピュータ可読媒体上に格納またはコンピュータ可読媒体上で送信され、ハードウェアベースのプロセッサユニットにより実行され得る。コンピュータ可読媒体は、データ記憶媒体などの有形の媒体に対応するコンピュータ可読記憶媒体、またはコンピュータプログラムの１つの場所から他への転送（例えば通信プロトコルに従う）を容易にする任意の媒体を含む通信媒体を含み得る。このようにして、コンピュータ可読媒体は通常、（１）非一時的な有形コンピュータ可読記憶媒体または（２）信号または搬送波などの通信媒体に対応し得る。データ記憶媒体は、命令、コード、および／または本開示に記載される技術の実施のためのデータ構造を取り出すために１つまたは複数のコンピュータまたは１つまたは複数のプロセッサによりアクセス可能な任意の入手可能媒体であり得る。コンピュータプログラム製品はコンピュータ可読媒体を含み得る。
【００４４】
一例としてそして限定するものではないが、このようなコンピュータ可読記憶媒体としては、ＲＡＭ、ＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、ＣＤ−ＲＯＭ、または他の光学ディスク記憶装置、磁気ディスク記憶装置、または他の磁気記憶装置、フラッシュメモリ、または命令またはデータ構造の形式の所望のプログラムコードを格納するために使用することができコンピュータによりアクセス可能な任意の他の媒体が挙げられる。また、任意の接続もコンピュータ可読媒体と称されることが適切である。例えば、命令が同軸ケーブル、光ファイバーケーブル、ツイストペア、デジタル加入者線（ＤＳＬ：ｄｉｇｉｔａｌ  ｓｕｂｓｃｒｉｂｅｒ  ｌｉｎｅ）、または赤外線、無線、マイクロ波などの無線技術を使用して、ウェブサイト、サーバまたは他のリモート源から送信される場合、同軸ケーブル、光ファイバーケーブル、ツイストペア、ＤＳＬまたは赤外線、無線、マイクロ波などの無線技術は媒体の定義に含まれる。しかし、コンピュータ可読記憶媒体とデータ記憶媒体は、接続、搬送波、信号、または他の一時的媒体を含まないがその代りに非一時的な有形の記憶媒体に向けられるということを理解すべきである。上記の組み合わせもまたコンピュータ可読媒体の範囲内に含まれるべきである。
【００４５】
命令は、１つまたは複数のデジタルシグナルプロセッサ（ＤＳＰ）、汎用マイクロプロセッサ、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、フィールドプログラマブルロジックアレイ（ＦＰＧＡ）、または他の等価な一体型または離散的論理回路などの１つまたは複数のプロセッサにより実行され得る。したがって、本明細書で使用される用語「プロセッサ」は、前述の構造のうちの任意なもの、または本明細書に記載の技術の実施に好適な任意の他の構造を指し得る。加えて、いくつかの態様では、本明細書に記載の機能は、符号化と復号化のために構成されたまたは複合コーデック内に組み込まれた専用ハードウェアおよび／またはソフトウェアモジュール内に設けられ得る。また、本技術は、１つまたは複数の回路または論理素子内に完全に実装することができるかもしれない。
【００４６】
本開示の技術は、無線ハンドセット、集積回路（ＩＣ）または一組のＩＣ（例えば、チップセット）を含む多種多様の装置または装置内に実装され得る。様々な部品、モジュールまたはユニットは、開示された技術を実行するように構成された装置の機能的態様を強調するために本開示に記載されるが必ずしも様々なハードウェアユニットにより実現されることを必要としない。むしろ、上述のように、様々なユニットは、好適なソフトウェアおよび／またはファームウェアと共に、ハードウェアユニット内に組み合わせられ得る、または上述のように１つまたは複数のプロセッサを含む共通のハードウェアユニットの集合により提供され得る。
【００４７】
様々な例が説明された。これらおよび他の例は以下の請求項の範囲内にある。
【符号の説明】
【００４８】
１００  ハードディスク駆動装置
１０２  ディスク
１０４  スピンドルアセンブリ
１０６  スライダ
１０８  アクチュエータアーム
１１０  ボイスコイルモータアセンブリ
１１２  モータプリドライバ
１１４  スピンドルモータドライバ
１１６  前置増幅器
１１８  書き込みデータチャネルユニット
１２０  プロセッサユニット
１２２  ハードディスク制御装置
１２４  インターフェースプロセッサ
１２６  サーボプロセッサ
１２８  命令ＳＲＡＭ
１３０  データＳＲＡＭ
１３２  データバッファＲＡＭ
１３４  ブートフラッシュ
１３６  ホストインターフェースユニット
２０２  レーザドライバ
２０３  レーザダイオード
２０４  導波管
２０６  光検出器
２０８  書き込み回路
２１０  書き込み変換器
２１２  読み取り変換器
２１４  読み取り回路
２３４  二次導波管
３０２  基板
３０３  絶縁層
３０４  導波管
３０６  磁気抵抗読み取りセンサ
３０８  光抵抗性材料
３１０  リード
３１２  被覆
３１４  コア
３１６  近接場変換器
３１８  磁極
３２０ａ  下側磁気ヨーク
３２０ｂ  上側磁気ヨーク
３２２  材料
３２４  二次導波管
４０２  測定装置
１０００  例示的技術
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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