(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、該絶縁層の一主面上に形成された導電層とを備え、
前記絶縁層は、互いの一部で接続した複数の第１無機絶縁粒子と、該第１無機絶縁粒子よりも粒径が大きく、該第１無機絶縁粒子と互いの一部で接続して、該第１無機絶縁粒子を介して互いに接続された複数の第２無機絶縁粒子と、複数の前記第１無機絶縁粒子および複数の前記第２無機絶縁粒子の周りに形成された間隙と、該間隙に配された樹脂部とを有しており、
前記絶縁層の前記一主面は、前記第２無機絶縁粒子の一部が前記絶縁層の前記一主面から突出して成る複数の第１凸部と、該複数の第１凸部の間に形成された複数の第１凹部とを具備しており、
前記導電層の一部は、前記第１凹部に配されている配線基板。
【請求項２】
請求項１に記載の配線基板において、
前記第１凹部の底面は、前記第１無機絶縁粒子から成る複数の第２凸部と、該複数の第２凸部の間に形成された複数の第２凹部とを具備しており、
前記導電層の一部は、前記第１凹部および前記第２凹部に配されている配線基板。
【請求項３】
請求項１に記載の配線基板において、
前記第１凸部を構成する前記第２無機絶縁粒子は、前記第１凸部をなす第１部分と、前記絶縁層内に入り込んだ第２部分とを有し、
前記第１部分の表面は、複数の突起部を有し、
前記導電層の一部は、前記複数の突起部の間に配されている配線基板。
【請求項４】
請求項３に記載の配線基板において、
前記第１凸部を構成する前記第２無機絶縁粒子における前記第２部分の表面は、曲面状である配線基板。
【請求項５】
請求項３に記載の配線基板において、
前記複数の第２無機絶縁粒子のうち、一部の前記第２無機絶縁粒子は、前記絶縁層の前記一主面において前記第１凸部を構成しており、他の一部の前記第２無機絶縁粒子は、前記絶縁層の内部に配されているとともに球状である配線基板。
【請求項６】
請求項１に記載の配線基板において、
前記間隙は、前記樹脂部が配された第１領域と、前記導電層の一部が配された第２領域とを有する配線基板。
【請求項７】
請求項１に記載の配線基板において、
前記第１凸部を構成する前記第２無機絶縁粒子は、前記第１凸部をなす第１部分と、前記絶縁層内に入り込んだ第２部分とを有し、
該第２部分の表面は、曲面状であり、
前記第１凹部の底面は、内面が曲面状である窪み部１６を有し、
該窪み部１６の曲率半径は、前記第２無機絶縁粒子の前記第２部分の表面の曲率半径と同じである配線基板。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれかに記載の配線基板と、該配線基板に実装された電子部品とを備えた実装構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器（たとえば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ機器およびその周辺機器）に使用される配線基板およびその実装構造体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子機器に使用される実装構造体としては、配線基板に電子部品を実装したものが知られている。
【０００３】
この配線基板としては、例えば特許文献１に開示されたもののように、樹脂材料から成る絶縁層を有する配線基板が用いられている。
【０００４】
ところで、従来の配線基板では、絶縁層に、電子部品よりも熱膨張率が大きい樹脂材料を使用しているために、配線基板とこの配線基板に実装される電子部品との熱膨張率差が大きくなってしまう。
【０００５】
その結果、電子部品の実装時や作動時に実装構造体に熱が加わると、その熱膨張差に起因して、配線基板と配線基板に実装される電子部品との間に熱応力が印加されやすい。したがって、配線基板と、実装される電子部品との間の接続信頼性が低下し、実装構造体の電気的信頼性が低下しやすくなるという問題点があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平８−１１６１７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記問題点に鑑みて、実装構造体の電気的信頼性を向上させる要求に応える配線基板およびその実装構造体を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の配線基板は、絶縁層と、該絶縁層の一主面上に形成された導電層とを備え、前記絶縁層は、互いの一部で接続した複数の第１無機絶縁粒子と、該第１無機絶縁粒子よりも粒径が大きく、該第１無機絶縁粒子と互いの一部で接続して、該第１無機絶縁粒子を介して互いに接続された複数の第２無機絶縁粒子と、複数の前記第１無機絶縁粒子および複数の前記第２無機絶縁粒子の周りに形成された間隙と、該間隙に配された樹脂部とを有しており、前記絶縁層の前記一主面は、前記第２無機絶縁粒子の一部が前記絶縁層の前記一主面から突出して成る複数の第１凸部と、該複数の第１凸部の間に形成された複数の第１凹部とを具備しており、前記導電層の一部は、前記第１凹部に配されている。
【０００９】
また、本発明の実装構造体は、上述した本発明の配線基板と該配線基板に実装された電子部品とを備える。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の配線基板によれば、前記絶縁層が、複数の第１無機絶縁粒子と、第１無機絶縁粒子よりも粒径が大きい複数の第２無機絶縁粒子とを有し、複数の第１無機絶縁粒子同士が互いの一部で接続するとともに、複数の第１無機絶縁粒子が複数の第２無機絶縁粒子同
士の間に介在して、複数の第２無機絶縁粒子が互いに接続されていることによって、第１無機絶縁粒子および第２無機絶縁粒子が互いに拘束し合った構造を構成することから、絶縁層の熱膨張率を低減することができる。その結果、配線基板とこの配線基板に実装される電子部品との接続部へ印加される熱応力を低減でき、ひいては配線基板と電子部品との接続信頼性を向上させることができる。
【００１１】
さらに、絶縁層の一主面は、第２無機絶縁粒子の一部が絶縁層の一主面から突出して成る複数の第１凸部と、複数の第１凸部の間に形成された複数の第１凹部とを具備しており、導電層の一部は、第１凹部に配されている。その結果、導電層の一部と第１凹部との間でアンカー効果を奏することによって、絶縁層と導電層との接着強度を向上させることができ、絶縁層と導電層との剥離の発生を低減できる。したがって、配線基板の電気的信頼性を向上させることができる。
【００１２】
また、本発明の実装構造体は、上述した本発明の配線基板と、この配線基板に実装された電子部品とを備える。その結果、実装構造体の電気的信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、本発明にかかる実装構造体の実施の形態の例を示す、厚み方向に切断した断面図である。
【図２】図２は、図１のＲ１部分を拡大して示した断面の上下を反転した図である。
【図３】図３は、図２のＲ２部分を拡大して示した断面の９０°右に回転した図である。
【図４】図４は、図３のＲ３部分を拡大して示した断面の９０°左に回転した図である。
【図５】図５（ａ）ないし（ｄ）は、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する断面図である。
【図６】図６（ａ）ないし（ｃ）は、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する断面図である。
【図７】図７は、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する断面図である。
【図８】図８は、図１とは異なる本発明の実装構造体の実施の形態の例を示す、厚み方向に切断した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
（第１実施形態）
＜実装構造体＞
以下に、本発明の第１実施形態に係る配線基板を含む実装構造体を、図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００１５】
図１に示した実装構造体１は、例えば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ装置またはその周辺機器などの電子機器に使用されるものである。この実装構造体１は、電子部品２と、この電子部品２が一主面に実装された配線基板３とを含んでいる。
【００１６】
電子部品２は、半田等の導電材料を含むバンプ４を介してフリップチップ実装され、例えばＩＣまたはＬＳＩ等の半導体素子を用いることができる。この電子部品２は、例えばシリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、ガリウム砒素リン、窒化ガリウムまたは炭化珪素等の半導体材料により形成されている。また、この電子部品２の厚みは、例えば０．０５ｍｍ以上１ｍｍ以下に設定され、電子部品２の熱膨張率は、例えば３ｐｐｍ／℃以上５ｐｐｍ／℃以下に設定されている。
【００１７】
なお、電子部品２の厚みは、電子部品２の破断面を走査型電子顕微鏡あるいは透過型電子顕微鏡で観察し、厚み方向（Ｚ方向）に沿った長さを１０箇所以上測定し、その平均値を算出することにて測定される。また、熱膨張率は、市販のＴＭＡ装置を用いて、ＪＩＳＫ７１９７−１９９１に準じた測定方法によって測定される。以下、各部材の厚みおよび熱膨張率は、電子部品２と同様に測定される。
【００１８】
配線基板３は、複数の絶縁層５と、この絶縁層５同士の間に介された複数の樹脂層６と、絶縁層５および樹脂層６を介して厚み方向に離間した複数の導電層７と、絶縁層５および樹脂層６を厚み方向に貫通し、厚み方向に離間した導電層７同士を電気的に接続するビア導体８とを含んでいる。この配線基板３の厚みは、例えば０．１ｍｍ以上０．８ｍｍ以下に設定されている。また、配線基板３の熱膨張率は、５ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下に設定されている。
【００１９】
絶縁層５は、導電層７を支持する支持部材、および導電層７同士の短絡を抑制する絶縁部材として機能するものである。この絶縁層５は、例えば平板状に形成されており、その厚みは、例えば５μｍ以上３０μｍ以下に設定され、例えば樹脂層６の厚みの３０％以上８０％以下に設定されている。また、絶縁層５のヤング率は、例えば１０ＧＰａ以上１００ＧＰａ以下に設定され、例えば樹脂層６のヤング率の１０倍以上１００倍以下に設定されている。さらに、絶縁層５の厚み方向および平面方向（ＸＹ平面方向）への熱膨張率は、例えば０ｐｐｍ／℃以上５ｐｐｍ／℃以下に設定され、誘電正接が例えば０．０００１以上０．０１以下に設定されている。
【００２０】
なお、ヤング率は、ナノインデンターを用いて、ＩＳＯ５２７−１：１９９３に準じた測定方法によって測定される。また、誘電正接は、ＪＩＳＲ１６２７−１９９６に準じた共振器法によって測定される。以下、各部材のヤング率および誘電正接は、絶縁層５と同様に測定される。
【００２１】
また、絶縁層５の導電層７が形成された一主面の算術平均粗さ（Ｒａ）は、例えば１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下に設定されている。なお、算術平均粗さ（Ｒａ）は、ＪＩＳＢ０６０１−２００１に準じて、例えば絶縁層５の破断面を走査型電子顕微鏡あるいは透過型電子顕微鏡で観察し、絶縁層５と導電層７との界面に直線を引いて、その直線からの最もずれが大きい点から１０点を選んで、ずれ量を測定し、平均値を算出することによって測定される。以下、各部材の算術平均粗さ（Ｒａ）は、絶縁層５の一主面と同様に測定される。
【００２２】
このような絶縁層５は、第１無機絶縁粒子９ａと、第１無機絶縁粒子９ａよりも粒径が大きい第２無機絶縁粒子９ｂと、樹脂部１０とを有している。そして、図２、図３および図４（特に図４）に示すように、複数の第１無機絶縁粒子９ａ同士、および第１無機絶縁粒子９ａと第２無機絶縁粒子９ｂとが互いの一部で接続している。また、第１無機絶縁粒子９ａ同士および第１無機絶縁粒子９ａと第２無機絶縁粒子９ｂとが接続することによって間隙Ｇが形成され、この間隙Ｇには、樹脂部１０が配されている。その結果、互いの一部で接続することによって、第１無機絶縁粒子９ａおよび第２無機絶縁粒子９ｂが互いに拘束し合った構造（骨格構造）を構成して絶縁層５のヤング率を高めることができる。
【００２３】
その結果、樹脂部１０のヤング率は、第１無機絶縁粒子９ａおよび第２無機絶縁粒子９ｂのヤング率よりも大きいことから、間隙Ｇに配された樹脂部１０が第１無機絶縁粒子９ａおよび第２無機絶縁粒子９ｂに印加される応力を緩和することによって、絶縁層５におけるクラックの発生を低減することができる。
【００２４】
なお、絶縁層５は、第１無機絶縁粒子９ａおよび第２無機絶縁粒子９ｂを、例えば６２体積％以上７５体積％以下含み、樹脂部１０を２５体積％以上３８体積％以下含む。また、絶縁層５は、第１無機絶縁粒子９ａおよび第２無機絶縁粒子９ｂの合計体積に対して第１無機絶縁粒子９ａを２０体積％以上９０体積％以下含み、前記合計体積に対して第２無機絶縁粒子９ｂを１０体積％以上８０体積％以下含んでいる。
【００２５】
また、絶縁層５の第１無機絶縁粒子９ａおよび第２無機絶縁粒子９ｂと樹脂部１０の体積比率、および第１無機絶縁粒子９ａおよび第２無機絶縁粒子９ｂの合計体積に対する第１無機絶縁粒子９ａ、第２無機絶縁粒子９ｂの体積比率は、以下のように測定する。まず、絶縁層５の断面を透過型電子顕微鏡で撮影し、撮影した画像から画像解析装置等を用いて、それぞれの面積比率（面積％）を測定する。次に、この測定値の平均値を算出することによって、体積比率を算出する。以下、各部材の体積比率は、上述した方法で測定される。
【００２６】
第１無機絶縁粒子９ａは、例えば酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウムまたは酸化カルシウム等の無機絶縁材料から成る。この第１無機絶縁粒子９ａの熱膨張率は、例えば０．５ｐｐｍ／℃以上１５ｐｐｍ／℃以下に設定される。また、第１無機絶縁粒子９ａのヤング率は、１０ＧＰａ以上１００ＧＰａ以下に設定されている。さらに、第１無機絶縁粒子９ａの誘電正接は、０．０００１以上０．００１以下に設定されている。
【００２７】
また、第１無機絶縁粒子９ａの平均粒子径は、３ｎｍ以上１１０ｎｍ以下であることが望ましい。その結果、第１無機絶縁粒子９ａの粒径が非常に微小であることから、比表面積が大きくなる。したがって、表面エネルギーが大きくなり、表面の原子が活発に運動するため、第１無機絶縁粒子９ａと他の第１無機絶縁粒子９ａとを強固に接続することができる。
【００２８】
なお、第１無機絶縁粒子９ａの平均粒子径は、以下のように測定する。まず、絶縁層５の破断面を電界放出型電子顕微鏡で観察し、２０粒子数以上５０粒子数以下の粒子を含むように拡大した断面を撮影する。次に、この拡大した断面にて各粒子の最大径を測定して平均することにより、平均粒子径が測定される。以下、各部材の平均粒子径は、第１無機絶縁粒子９ａと同様に測定される。
【００２９】
また、第１無機絶縁粒子９ａは、非晶質体を用いることが望ましい。第１無機絶縁粒子９ａを非晶質体とすることで、結晶構造に起因した熱膨張率の異方性を低減することができ、絶縁層５におけるラックの発生を低減できる。
【００３０】
一方、第２無機絶縁粒子９ｂは、例えば酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウムまたは酸化カルシウム等の無機絶縁材料から成る。これらの材料から成る第２無機絶縁粒子９ｂは、第１無機絶縁粒子９ａと同様に、熱膨張率は、例えば０．５ｐｐｍ／℃以上１５ｐｐｍ／℃以下に設定される。また、ヤング率は、１０ＧＰａ以上１００ＧＰａ以下に設定されて、誘電正接は、０．０００１以上０．００１以下に設定されている。
【００３１】
また、第２無機絶縁粒子９ｂは、第１無機絶縁粒子９ａと同じ材料で形成することが好ましい。その結果、粒子同士の接続が強固になり、絶縁層５に生じるクラックの発生を良好に低減することができる。なお、第２無機絶縁粒子９ｂは、第１無機絶縁粒子９ａと異なる材料で形成しても構わない。
【００３２】
また、第２無機絶縁粒子９ｂは、非晶質体を用いることが望ましい。その結果、第２無機絶縁粒子９ｂの結晶構造に起因した絶縁層５のクラックの発生を低減することができる。
【００３３】
ここで、第２無機絶縁粒子９ｂは、第１無機絶縁粒子９ａよりも粒径が大きい。その結果、第１無機絶縁粒子９ａ同士の接続が破壊されて生じた絶縁層５内のクラックの伸長において、このクラックが粒径の大きい第２無機絶縁粒子９ｂを迂回して伸長する分、その伸長に大きなエネルギーが必要となる。それゆえ、第１無機絶縁粒子９ａよりも粒径の大きい第２無機絶縁粒子９ｂによって、良好に絶縁層５のクラックの伸長を低減することができる。なお、このような第２無機絶縁粒子９の平均粒子径は、例えば０．５μｍ以上５μｍ以下に設定されている。
【００３４】
樹脂部１０は、上述したように、絶縁層５の間隙Ｇに配され、第１無機絶縁粒子９ａおよび第２無機絶縁粒子９ｂに印加される応力を緩和するものである。この樹脂部１０は、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂、ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、芳香族液晶ポリエステル樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂またはポリエーテルケトン樹脂等の樹脂材料により形成される。このような樹脂部１０は、第１無機絶縁粒子９ａおよび第２無機絶縁粒子９ｂよりもヤング率が小さく、そのヤング率は、例えば０．２ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下に設定され、樹脂部１０の誘電正接が例えば０．００５以上０．０２以下に設定され、樹脂部１０の平面方向および厚み方向への熱膨張率が例えば２０ｐｐｍ／℃以上１００ｐｐｍ／℃以下に設定されている。
【００３５】
一方、樹脂層６は、導電層７を支持する支持部材、および導電層７同士の短絡を抑制する絶縁部材として機能するものであり、樹脂材料を４０体積％以上１００体積％以下含む。それゆえ、樹脂層６は、絶縁層５無機絶縁材料と比較して、ヤング率が低いため、絶縁層５に印加される応力を低減するができる。したがって、絶縁層５の厚み方向に沿ったクラックの発生を低減し、このクラックに起因した導電層７の断線を低減できる。
【００３６】
樹脂層６の樹脂材料は、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂、ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、芳香族液晶ポリエステル樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂またはポリエーテルケトン樹脂等の樹脂材料により形成されたものを使用することができる。
【００３７】
また、樹脂層６は、例えば繊維により構成された基材を含まないことが望ましい。その結果、この基材に起因した厚みの増加を低減して配線基板３を薄型化するとともに、この基材に起因した配線基板３上面の凹凸を低減し、配線基板３両主面を平坦化することができる。なお、この基材とは、織布もしくは不織布または繊維を一方向に配列したものである。
【００３８】
なお、樹脂層６の厚みは、例えば５μｍ以上３０μｍ以下に設定され、樹脂層６のヤング率は、例えば０．２ＧＰａ以上２０ＧＰａ以下に設定され、樹脂層６の誘電正接は、例えば０．０１以上０．０２以下に設定され、樹脂層６の平面方向および厚み方向への熱膨張率は、例えば２０ｐｐｍ／℃以上１００ｐｐｍ／℃以下に設定されている。
【００３９】
また、樹脂層６内には、無機絶縁材料により形成された無機絶縁フィラー９ｃが分散されて配されていることが望ましい。その結果、樹脂層６のヤング率を絶縁層５のヤング率よりも低く設定することができるとともに、樹脂層６の熱膨張率を低減することができる。また、樹脂層６と無機絶縁層５との材料特性の違いを低減し、樹脂層６と無機絶縁層５との剥離の発生を低減することができる。
【００４０】
このような樹脂層６の無機絶縁フィラー９ｃとしては、例えば酸化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、水酸化アルミニウム、または炭酸カルシウム等の無機絶縁材料
により形成されたものを用いることができる。なかでも、絶縁層５を構成する無機絶縁材料と同一の無機絶縁材料を用いることが望ましい。その結果、樹脂層６と絶縁層５との材料特性の違いをより低減することができる。
【００４１】
なお、無機絶縁フィラー９ｃの平均粒子径は例えば０．５μｍ以上５．０μｍ以下に設定され、無機絶縁フィラー９ｃ熱膨張率は例えば０ｐｐｍ／℃以上１５ｐｐｍ／℃以下に設定されている。また、樹脂層６は、無機絶縁フィラー９ｃを、例えば１０体積％以上６０体積％以下含んでいる。
【００４２】
導電層７は、接地用配線、電力供給用配線および／または信号用配線として機能するものである。この導電層７は、一主面が絶縁層５に当接するとともに、他主面および側面が樹脂層６に当接している。導電層７としては、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケルまたはクロム等の導電材料により形成されたものを使用することができ、厚みが３μｍ以上２０μｍ以下に設定され、熱膨張率が例えば５ｐｐｍ／℃以上２５ｐｐｍ／℃以下に設定されている。
【００４３】
また、導電層７の厚みは、２μｍ以上３０μｍ以下に設定されており、隣接する導電層７の距離は、２μｍ以上３０μｍ以下に設定されている。なお、隣接する導電層７の距離は、例えば導電層７の破断面を走査型電子顕微鏡あるいは透過型電子顕微鏡で観察し、この拡大した断面にて、複数個所の隣接する導電層７の距離を測定して平均することによって測定される。以下、隣接する部材間の距離は、導電層７と同様に測定される。
【００４４】
ビア導体８は、厚み方向に互いに離間した導電層７同士を相互に接続するものであり、配線基板３の下面側から上面側に向って幅狭となる柱状に形成されている。それゆえ、配線基板３上面にて配線を微細化して配線密度を高めることができる。ビア導体８としては、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケルまたはクロムの導電材料により形成されたものを使用することができる。このビア導体８の熱膨張率は、例えば１４ｐｐｍ／℃以上１８ｐｐｍ／℃以下に設定されている。
【００４５】
ところで、本実施形態における絶縁層５は、樹脂層６と比較して、無機絶縁材料から成る第１無機絶縁粒子９ａおよび第２無機絶縁粒子９ｂを多く含み、無機絶縁材料を主成分としている。それゆえ、無機絶縁材料は樹脂材料と比較して熱膨張率が小さいことから、絶縁層５の熱膨張率が小さくなり、この絶縁層５を含む配線基板３と、電子部品２との熱膨張量の差を低減させることができる。その結果、電子部品２と配線基板３との接続信頼性を向上させ、ひいては実装構造体１の電気的信頼性を向上させることができる。
【００４６】
また、絶縁層５は、上述したように骨格構造をなしている。それゆえ、絶縁層５に熱が加わった際に、第１無機絶縁粒子９ａおよび第２無機絶縁粒子９ｂが、互いに拘束して、流動せずに樹脂部１０の熱膨張を抑制するため、第１無機絶縁粒子９ａおよび第２無機絶縁粒子９ｂを分散させた場合と比較して、絶縁層５の熱膨張を良好に低減することができる。その結果、配線基板３の熱膨張率を低減することができる。
【００４７】
また、図２および図３に示すように、絶縁層５において、導電層７が形成された一主面が、第２無機絶縁粒子９ｂの一部が突出して成る複数の第１凸部１１ａと、この複数の第１凸部１１ａの間に形成された第１凹部１１ｂとを具備し、導電層７の一部が、第１凹部１１ｂに配されている。それゆえ、導電層７の一部と第１凹部１１ｂとの間でアンカー効果を奏することによって、絶縁層５と導電層７との接着強度を向上させることができ、熱応力に起因した絶縁層５と導電層７との剥離の発生を低減することができる。
【００４８】
また、導電層７は第２無機絶縁粒子９ｂに直接接していることが望ましい。その結果、
第２無機絶縁粒子９ｂは、樹脂材料よりも誘電正接が小さい無機絶縁材料からなるため、導電層７は、従来の樹脂基板と比べて、誘電損失を低減することができる。したがって、導電層７は、高周波信号を良好に伝送することができる。
【００４９】
また、第２無機絶縁粒子９ｂは、特に、酸化珪素を含むことが望ましい。酸化珪素は、他の無機絶縁材料と比較して誘電正接が低いため、絶縁層５上に形成された導電層７の信号伝送特性を高めることができる。なお、この場合には、第２無機絶縁粒子９ｂは、酸化珪素を、例えば９７質量％以上１００質量％以下含んでいる。
【００５０】
なお、第１凸部１１ａの高さのは、例えば５０ｎｍ以上１μｍ以下であり、第１凸部１１ａの間の距離は、例えば０．５μｍ以上５μｍ以下に設定されている。
【００５１】
なお、第１凸部１１ａの高さは、導電層７の破断面を走査型電子顕微鏡あるいは透過型電子顕微鏡で観察し、複数個所の第１凸部１１ａの高さおよび隣接する第１凸部１１ａの距離を測定して平均することによって、測定される。以下、各部材の高さおよび隣接する各部材の距離も同様に測定される。
【００５２】
また、図３および図４に示すように、絶縁層５において、第１凹部１１ｂの底面は、複数の第１無機絶縁粒子９ａから成る複数の第２凸部１２ａと、この第２凸部１２ａの間に形成された第２凹部１２ｂとを具備し、導電層７の一部は、第１凹部１１ｂおよび第２凹部１２ｂに配されていることが望ましい。その結果、導電層７の一部は、絶縁層５の第１凹部だけでなく、第２凹部１２ｂでも保持されるように配されることから、導電層７の一部と第２凹部１２部との間において、さらなるアンカー効果を奏し、絶縁層５と導電層７との接着強度を向上させることができる。
【００５３】
また、導電層７は第１無機絶縁粒子９ａに直接接していることが望ましい。その結果、第２無機絶縁粒子９ａは、樹脂材料よりも誘電正接が小さい無機絶縁材料からなるため、導電層７は、従来の樹脂基板と比べて、誘電損失を低減することができる。したがって、導電層７は、高周波信号を良好に伝送することができる。
【００５４】
また、第１無機絶縁粒子９ａは、特に、酸化珪素を含むことが望ましい。酸化珪素は、他の無機絶縁材料と比較して誘電正接が低いため、絶縁層５上に形成された導電層７の信号伝送特性を高めることができる。なお、この場合に、第１無機絶縁粒子９ａは、酸化珪素を、例えば９７質量％以上１００質量％以下含んでいる。
【００５５】
また、第１無機絶縁粒子９ａの形状は、本実施形態のように球状であることが望ましい。その結果、第１無機絶縁粒子９ａの充填密度を高め、絶縁層５の内部構造を緻密かつ均一にすることができる。その結果、第２凸部１２ａおよび第２凹部１２ｂをより均一に形成することができ、当該個所に配された導電層７の誘電損失を低減し、高周波信号を良好に伝送することができる。
【００５６】
なお、第１部１１ｂの底面の算術平均粗さ（Ｒａ）は、例えば３０ｎｍ以上０．５μｍ以下であり、第２凸部１２ａの間の距離は、例えば１０ｎｍ以上２００ｎｍに設定されている。
【００５７】
このように、第２凸部１２ａおよび第２凹部１２ｂは従来の樹脂基板に比べて非常に微細な凹凸を形成できるので、導電層７を微細化することもできる。
【００５８】
また、第１凸部１１ａを構成する第２無機絶縁粒子９ｂは、第１凸部１１ａをなす第１部分１３ａと、絶縁層５内に入り込んだ第２部分１３ｂとを有し、第１部分１３ａの表面
は、複数の突起部１４を有し、導電層７の一部は、複数の突起部１４の間に配されていることが望ましい。その結果、導電層７は、第２無機絶縁粒子９ｂの突起部１４の間に保持されるように配されることから、導電層７と突起部１４との間でアンカー効果を奏して、第２無機絶縁粒子９ｂと導電層７との接着強度を高めることができる。
【００５９】
また、第２無機絶縁粒子９ｂの一部が絶縁層５内に配されていることによって、複数の第１無機絶縁粒子９ａおよび樹脂部１０に保持されて、絶縁層５と導電層７との接続部に印加する熱応力によって、第２無機絶縁粒子９ｂが絶縁層５から剥離することを良好に低減することができる。
【００６０】
なお、第２無機絶縁粒子９ｂの突起部１４の高さは、例えば１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下に設定される。また、第２無機絶縁粒子９ｂに対して、第２部分１３ｂは、例えば５体積％以上５０体積％以下に設定されている。
【００６１】
また、第１凸部１１ａを構成する第２無機絶縁粒子９ｂの第２部分１３ｂの表面は、曲面状であることが望ましい。その結果、第２無機絶縁粒子９ｂの第２部分１３ｂ側に印加される応力を分散することができる。それゆえ、第２無機絶縁粒子９ｂの表面を起点としたクラックの発生を低減することができる。ひいては、そのクラックが伸長することに起因した導電層７の断線を良好に低減することができる。
【００６２】
また、第２無機絶縁粒子９ｂのうち、一部の第２無機絶縁粒子９ｂは、絶縁層５の一主面において第１凸部１１ａを構成しており、他の一部の第２無機絶縁粒子９ｂは、絶縁層５の内部に配されているとともに球状であることが望ましい。その結果、絶縁層５の一主面において、絶縁層５と導電層７の接着強度を向上させることができるとともに、絶縁層５内において、第２無機絶縁粒子９ｂの表面が滑らかになり、この表面における応力が分散され、第２無機絶縁粒子９ｂの表面を起点としたクラックの発生を低減することができる。
【００６３】
また、絶縁層５の間隙Ｇは、前記樹脂部が配された第１領域１５ａと、導電層７の一部が配された第２領域１５ｂを有することが望ましい。その結果、絶縁層５と導電層７との接続面では、平面方向へのアンカー効果だけではなく、厚み方向へのアンカー効果も期待できる。
【００６４】
つまり、絶縁層５は、上述したように間隙Ｇが形成されている。この間隙Ｇは、複数の第１無機絶縁粒子９ａ同士、および第１無機絶縁粒子９ａと第２無機絶縁粒子９ｂとが互いの一部で接続していることから、ｘ、ｙおよびｚ方向にそれぞれ伸びた開気孔かつ網目状に形成することができる。そして、網目状に伸びた間隙Ｇに、導電層７の一部が入り込んだ構造とすることが可能とある。
【００６５】
それゆえ、導電層７の一部に絶縁層５中の第１無機絶縁粒子９ａが配されているとともに、絶縁層５中に導電層７の一部が配されていることから、絶縁層５と導電層７とが、互いに絡み合うように形成されている。その結果、平面方向のみならず、厚み方向への応力にも対抗することができ、熱応力に起因した導電層７の剥離の発生を良好に低減することができる。また、導電層７と第１無機絶縁粒子９ａとの接着面積も増加することから、導電層７と第１無機絶縁粒子９ａとの剥離の発生を低減することができ、ひいては絶縁層５と導電層７との剥離の発生を良好に低減することができる。
【００６６】
なお、絶縁層５の間隙Ｇの幅は、例えば１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下に設定されている。また、間隙Ｇの幅とは、絶縁層５の断面を透過型電子顕微鏡で観察し、複数の第１無機絶縁粒子９ａ同士および第１無機絶縁粒子９ａと第２無機絶縁粒子９ｂとで形成された間
隙Ｇを２０以上５０以下含むように拡大した断面を撮影し、この撮影した拡大断面における間隙Ｇの最大の間隔の平均値をいい、この平均値を間隙Ｇの幅とみなす。
【００６７】
また、絶縁層５の間隙Ｇに配される導電層７の割合は、例えば導電層の厚みの０．１％以上１０％以下であることが望ましい。その結果、絶縁層５間の絶縁性を良好に保持したまま、導電層７の高周波信号の伝送特性を向上させ、かつ導電層７の剥離の発生を低減することができる。なお、絶縁層５の間隙Ｇに配される導電層７の割合は、例えば絶縁層５の破断面を透過型電子顕微鏡にて観察して、絶縁層５の間隙Ｇに配される導電層７を２０以上５０以下含むように拡大した断面を撮影し、この撮影した拡大断面における導電層７の間隙Ｇに配された割合の平均値をいい、この平均値を絶縁層５の間隙Ｇに配される導電層７の割合とみなす。
【００６８】
また、間隙Ｇに配された導電層７と樹脂部１０との境界面は、曲面状であることが望ましい。その結果、樹脂部１０への応力集中を緩和し、絶縁層５において、クラックの発生や進展を低減することができる。
【００６９】
また、第１凹部１１ａの底面は、内面が曲面状である窪み部１６を有し、この窪み部１６の曲率半径が、第２無機絶縁粒子９ｂの第２部分１３ｂの表面の曲率半径と同じであることが望ましい。その結果、導電層７と窪み部１６との間でアンカー効果を奏し、両者の接着強度が向上し、導電層７の剥離の発生を良好に低減することができる。なお、このような窪み部１６は、第２無機絶縁粒子９ｂが剥離して形成されている。
【００７０】
かくして、上述した実装構造体１は、配線基板３を介して供給される電源や信号に基づいて電子部品２を駆動もしくは制御することにより、所望の機能を発揮する。
【００７１】
＜実装構造体の製造方法＞
次に、上述した実装構造体１の製造方法を、図５から図７を参照しつつ説明する。
【００７２】
（１）第１無機絶縁粒子９ａおよび第２無機絶縁粒子９ｂを含む固形分と、この固形分が分散した溶剤とを有する無機絶縁ゾル５ｘを準備する。
【００７３】
無機絶縁ゾル５ｘは、例えば固形分を１０体積％以上５０体積％以下含み、溶剤を５０％体積以上９０体積％以下含む。固形分を１０体積％以上とすることによって、無機絶縁ゾル５ｘの粘度を低く保持するとともに、固形分を５０体積％以下とすることによって、無機絶縁ゾル５ｘより形成される絶縁層の生産性を高く維持できる。
【００７４】
無機絶縁ゾル５ｘの固形分は、例えば第１無機絶縁粒子９ａを２０体積％以上９０体積％以下含み、第２無機絶縁粒子９ｂを１０体積％以上８０体積％以下含む。これにより、後述する（３）の工程にて、絶縁層５におけるクラックの発生を効果的に低減できる。
【００７５】
なお、第１無機絶縁粒子９ａは、例えば珪酸ナトリウム水溶液（水ガラス）等の珪酸化合物を精製し、化学的に酸化珪素を析出させることにより、作製することができる。この場合には、低温条件下で第１無機絶縁粒子９ａを作製することができるため、非晶質状態である第１無機絶縁粒子９ａを作製することができる。
【００７６】
一方、第２無機絶縁粒子９ｂは、酸化珪素から成る場合であれば、例えば珪酸ナトリウム水溶液（水ガラス）等の珪酸化合物を精製し、化学的に酸化珪素を析出させた溶液を火炎中に噴霧し、凝集物の形成を低減しつつ８００℃以上１５００℃以下に加熱することにより、作製することができる。それゆえ、第２無機絶縁粒子９ｂは、第１無機絶縁粒子９ａと比較して粒径が大きいことから、高温加熱時における凝集体の形成を低減しやすく、
高温加熱で容易に作製することができ、ひいては硬度を容易に高めることができる。
【００７７】
また、第２無機絶縁粒子９ｂを作製する際の加熱時間は、１秒以上１８０秒以下に設定されていることが望ましい。その結果、この加熱時間を短縮することにより、８００℃以上１５００℃以下に加熱した場合においても、第２無機絶縁粒子９ｂの結晶化を抑制し、非晶質状態を維持することができる。
【００７８】
一方、無機絶縁ゾル５ｘに含まれる溶剤は、例えばメタノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、エチレングリコール、エチレングリコールモノプロピルエーテル、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、キシレン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジメチルアセトアミドおよび／またはこれらから選択された２種以上の混合物を含んだ有機溶剤を使用することができる。
【００７９】
（２）図５（ａ）に示すように、樹脂材料または金属箔等により形成された支持シート１７を準備し、支持シート１７の主面に無機絶縁ゾル５ｘを塗布する。
【００８０】
無機絶縁ゾル５ｘの塗布は、例えばディスペンサー、バーコーター、ダイコーターまたはスクリーン印刷を用いて行なうことができる。このとき、上述した如く、無機絶縁ゾル５ｘの固形分が５０体積％以下に設定されていることから、無機絶縁ゾル５ｘの粘度が低く設定され、塗布された無機絶縁ゾル５ｘの平坦性を高くすることができる。
【００８１】
また、第１無機絶縁粒子９ａの粒径は、上述したように、３ｎｍ以上に設定されているため、これによっても無機絶縁ゾル５ｘの粘度が良好に低減され、塗布された無機絶縁ゾル５ｘの平坦性を向上させることができる。
【００８２】
（３）無機絶縁ゾル５ｘを乾燥させて溶剤を蒸発させる。
【００８３】
ここで、溶剤の蒸発に伴って無機絶縁ゾル５ｘが収縮するが、かかる溶剤は第１および第２無機絶縁粒子９ａ、９ｂの間隙Ｇに含まれており、第１および第２無機絶縁粒子９ａ、９ｂ自体には含まれていない。このため、無機絶縁ゾル５ｘが粒径の大きい第２無機絶縁粒子９ｂを含んでいると、その分、溶剤が充填される領域が少なくなり、無機絶縁ゾル５ｘの溶剤の蒸発時、無機絶縁ゾル５ｘの収縮量が小さくなる。すなわち、第２無機絶縁粒子９ｂによって無機絶縁ゾル５ｘの収縮が規制されることとなる。その結果、無機絶縁ゾル５ｘの収縮に起因するクラックの発生を低減することができる。また、仮にクラックが生じても、粒径の大きい第２無機絶縁粒子９ｂによってこのクラックの伸長を妨げることができる。
【００８４】
無機絶縁ゾル５ｘの乾燥は、例えば加熱および風乾によって行なわれる。乾燥温度が、例えば２０℃以上溶剤の沸点（２種類以上の溶剤を混合している場合には、最も沸点の低い溶剤の沸点）未満に設定され、乾燥時間が、例えば２０秒以上３０分以下に設定される。その結果、溶剤の沸騰が低減され、沸騰の際に生じる気泡の圧力によって第１および第２無機絶縁粒子９ａ、９ｂが押し出されることが抑制され、この粒子の分布をより均一にすることが可能となる。
【００８５】
（４）残存した無機絶縁ゾル５ｘの固形分を加熱し、第１無機絶縁粒子９ａ同士および第１無機絶縁粒子９ａと第２無機絶縁粒子９ｂとを互いの一部で接続させた無機絶縁構造体５’を作製する。
【００８６】
ここで、本実施形態における無機絶縁ゾル５ｘは、粒径が微小に設定された第１無機絶
縁粒子９ａを有している。その結果、無機絶縁ゾル５ｘの加熱温度が比較的低温、例えば第１無機絶縁粒子９ａおよび第２無機絶縁粒子９ｂの結晶化開始温度未満と低温であっても、第１無機絶縁粒子９ａ同士を強固に接続させることができる。
【００８７】
なお、第１無機絶縁粒子９ａ同士を強固に接続させることができる温度は、例えば第１無機絶縁粒子９ａの粒径を１１０ｎｍ以下に設定した場合は２５０℃程度であり、前記粒径を１５ｎｍ以下に設定した場合は１５０℃程度である。また、第１および第２無機絶縁粒子９ａ、９ｂに含まれる酸化珪素の結晶化開始温度は１３００℃程度である。
【００８８】
無機絶縁ゾル５ｘの加熱温度は、第１無機絶縁粒子９ａおよび第２無機絶縁粒子９ｂの結晶化開始温度未満に設定されていることが望ましい。その結果、結晶化した粒子が相転移によって収縮することを低減し、絶縁層５におけるクラックの発生を低減できる。
【００８９】
さらに、このように低温で加熱することによって、第１無機絶縁粒子９ａおよび第２無機絶縁粒子９ｂが粒子の形状を保持しつつ、第１無機絶縁粒子９ａ同士および第１無機絶縁粒子９ａと第２無機絶縁粒子９ｂとを近接領域のみで接続させることができる。その結果、第１無機絶縁粒子９ａ同士および第１無機絶縁粒子９ａと第２無機絶縁粒子９ｂとを接続させることができ、ひいては第１無機絶縁粒子９ａ同士の間に開気孔の間隙Ｇを容易に形成することができる。
【００９０】
なお、無機絶縁ゾル５ｘの加熱は、温度が例えば１００度以上７００度未満に設定され、時間が例えば０．５時間以上２４時間以下に設定されていることが望ましい。
【００９１】
（５）図５（ｂ）に示すように、無機絶縁構造体５’の支持シート１７と反対側の主面に未硬化の樹脂からなる樹脂前駆体６ｘを形成し、支持シート１７、無機絶縁構造体５’および樹脂前駆体６ｘを含む積層シート１８を作成する。次に、積層シート１８を支持体１９の一主面に積層して、この積層体２０を加熱加圧して樹脂前駆体６ｘを硬化させることによって、図５（ｃ）に示すように、樹脂層６を形成する。この際、この樹脂層６上に、無機絶縁構造体５’の間隙Ｇに樹脂前駆体６ｘの樹脂材料が充填された絶縁層５が形成される。その後、支持シート１７を絶縁層５から剥離し、絶縁層５の一主面を露出させる。
【００９２】
なお、樹脂前駆体６ａｘは、その厚みを適宜調整することにより、第１樹脂層６ａを所望の厚みとすることができる。また、未硬化の樹脂は、ＩＳＯ４７２：１９９９に準ずるＡ−ステージまたはＢ−ステージの状態である。
【００９３】
また、積層体２０の加熱加圧は、温度が樹脂層６に含まれる樹脂の硬化開始温度以上熱分解温度未満に設定されていることが望ましい。具体的には、積層体２０の加熱加圧は、温度が例えば１７０℃以上２３０℃以下に設定され、圧力が例えば２ＭＰａ以上３ＭＰａ以下に設定され、時間が例えば０．５時間以上２時間以下に設定されている。
【００９４】
ここで、加熱加圧することによって樹脂前駆体６ｘの樹脂材料を流動化させるために、良好に無機絶縁構造体５’の間隙Ｇ内に充填されることになる。
【００９５】
なお、硬化開始温度は、樹脂が、ＩＳＯ４７２：１９９９に準ずるＣ−ステージの状態となる温度である。また、熱分解温度は、ＩＳＯ１１３５８：１９９７に準ずる熱重量測定において、樹脂の質量が５％減少する温度である。
【００９６】
（６）図５（ｄ）に示すように、絶縁層５、樹脂層６を厚み方向に貫通するビア孔８ｘを形成する。具体的には、例えばＹＡＧレーザー装置または炭酸ガスレーザー装置を用い
て絶縁層５の一主面にレーザー光を照射することにより、絶縁層５、樹脂層６を貫通するビア孔８ｘを形成する。
【００９７】
（７）絶縁層５の露出した一主面を研磨する。その結果、第２無機絶縁粒子９ｂの一部が絶縁層５の一主面から突出して成る複数の第１凸部１１ａと、複数の第１凸部１１ａの間に形成された複数の第１凹部１１ｂとを形成することができる。また、絶縁層５の第１凹部１１ｂの底面には、第１無機絶縁粒子９ｂから成る複数の第２凸部１２ａと、該複数の第２凸部１２ａの間に形成された複数の第２凹部１２ｂとを形成することができる。さらに、第２無機絶縁粒子９ｂの表面に突起部１４を形成することができる。
【００９８】
絶縁層５の一主面の研摩は、例えばバフを使用して行なう。具体的には、研摩材と水とを混合したものを絶縁層５の一主面上に塗布した後に、バフを用いて、例えば２０秒間から５分間、機械的に研磨する。なお、バフは、例えば、布、皮、ゴム等の柔軟性の素材から成り、研摩材は、例えば、平均粒子径が０．２μｍ以上１μｍ以下の、例えばアルミナや炭化珪素などを使用する。その結果、バフが柔らかく、また研摩材が微細なことから、研磨した際に、微細な凹凸を形成することができ、後述する導電層７の形成において良好に微細な導電層７を形成することができる。
【００９９】
（８）絶縁層５の一主面およびビア孔をデスミア処理する。
【０１００】
具体的には、過マンガン酸溶液に、積層体２０を、例えば２分以上１０分以内で、含浸させることによってデスミア処理を行なう。この工程において、過マンガン酸溶液は、樹脂材料を溶かすため、ビア孔８ｘ中が良好にデスミア処理されるだけなく、絶縁層５の間隙Ｇに配された樹脂部１０の一部を溶かすことができる。その結果、後の導電層７の形成において、間隙Ｇ内に良好に導電層を形成することができる。
【０１０１】
ここで、第１無機絶縁粒子９ａおよび第２無機絶縁粒子９ｂは、過マンガン酸溶液には難溶性のため、積層体２０を過マンガン酸溶液に含浸させた場合には、絶縁層５において、間隙Ｇの樹脂部１０のみが除去される。その結果、絶縁層５の一主面において、間隙Ｇの大きさと同様の微細な凹凸を形成することできる。つまり、十分にビア孔８ｘにおいて、デスミア処理を施せるとともに、絶縁層５の一主面において、微細な凹凸を良好に形成することができる。
【０１０２】
また、第１無機絶縁粒子９ａは球状で形成されているため、絶縁層５が緻密に形成されている。それゆえ、積層体２０を過マンガン酸溶液に含浸させた場合に、極端に樹脂部１０を除去することを抑制できる。その結果、極端に樹脂部１０が除去されることによって、絶縁層５を挟んで形成された導電層７同士で、電気的に短絡することを良好に低減することができる。
【０１０３】
（９）図６（ａ）に示すように、絶縁層５の一主面およびビア孔８ｘにおいて、導電層７およびビア導体８を形成する。
【０１０４】
導電層７は、例えば無電解めっき法、電気めっき法、蒸着法、ＣＶＤ法またはスパッタリング法等を用いて導電材料を被着させた後、例えばフォトリソグラフィー技術、エッチング法等を用いて被着した導電材料をパターニングすることにより、形成することができる。
【０１０５】
ビア導体８は、例えば無電解めっき法、電気めっき法、蒸着法、ＣＶＤ法またはスパッタリング法等を用いてビア孔８ｘ内壁に導電材料を被着させることによって形成することができる。
【０１０６】
（１０）その後、必要に応じて、図６（ｂ）に示すように（１）ないし（９）の工程を繰り返し、図６（ｃ）に示すように、支持体１９を剥がして、所望の層数を有する配線基板３を作製することができる。
【０１０７】
（実装構造体）
（１１）図７に示すように、上述した配線基板３の樹脂層５が露出した面に、バンプ４を介して配線基板３に電子部品２をフリップチップ実装することにより、図１に示した実装構造体１を作製することができる。
【０１０８】
（第２実施形態）
次に、以下に、本発明の配線基板および実装構造体の実施の形態の第２の例（第２実施形態）について詳細に説明する。なお、上述した第１実施形態と同様の構成に関しては、記載を省略する。
【０１０９】
＜実装構造体＞
第２実施形態の実装構造体に係る絶縁層５は、この絶縁層５の間隙Ｇに配された樹脂部１０が、間隙Ｇに配された第１樹脂部と、間隙Ｇに配されるとともに、複数の第１無機絶縁粒子９ａ同士の接続部および第１無機絶縁粒子９ａと第２無機絶縁粒子９ｂとの接続部、ならびに第１無機絶縁粒子９ａおよび第２無機絶縁粒子９ｂの表面に配された第２樹脂部とを有している。そして、導電層７は、第１樹脂部１０および第２樹脂部と接触しているとともに、第２樹脂部は、導電層７と第１無機絶縁粒子９ａおよび第２無機絶縁粒子９ｂの境界面に介在している。
【０１１０】
その結果、第２樹脂部が、複数の第１無機絶縁粒子９ａ同士および第１無機絶縁粒子９ａと第２無機絶縁粒子９ｂとの接続部に配されていることによって、第１凸部１１ａおよび第２凸部１２ａを補強することから、導電層７の一部と、複数の第１凸部１１ａで形成された第１凹部１１ｂおよび複数の第２凸部１２ａで形成された第２凹部１２ｂとの間において、さらなるアンカー効果を奏する。また、導電層７が、導電層７と第１無機絶縁粒子９ａおよび第２無機絶縁粒子９ｂとの境界面に第２樹脂部を介していることから、良好に接着することができる。
【０１１１】
なお、第１樹脂部は、樹脂層６と同様の樹脂材料から成り、第２樹脂部は、例えばエポキシ樹脂、シアネート樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂等の樹脂材料から成る。
【０１１２】
そして、特に、第２樹脂部をシアネート樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂で形成すれば、導電層７と第１無機絶縁粒子９ａおよび第２無機絶縁粒子９ｂとの接着強度を向上させることができる。
【０１１３】
また、第１樹脂部は、絶縁層５の間隙Ｇ中に８０体積％以上９５体積％以下含まれ、第２樹脂部は、５体積％以上２０体積％以下含まれることが望ましい。
【０１１４】
その結果、導電層７が、第１無機絶縁粒子９ａおよび第２無機絶縁粒子９ｂと良好に接着するだけでなく、高周波信号を良好に伝送することができる。
【０１１５】
＜実装構造体の製造方法＞
次に、上述した第２実施形態の実装構造体１の製造方法を説明する。なお、上述した第１実施形態と同様の方法に関しては、記載を省略する。
【０１１６】
上述した工程（５）において、無機絶縁構造体５’の間隙Ｇに液状樹脂を充填させて、
この液状樹脂を乾燥させることが望ましい。
【０１１７】
このように、液状樹脂を含浸させた後に、この液状樹脂を乾燥させれば、液状樹脂の乾燥過程で、液状樹脂の液体分が蒸発する際に、液体分が第１無機絶縁粒子９ａおよび第２無機絶縁粒子９ｂの表面を流動して蒸発することから、その液体分と共に流動する樹脂分が間隙Ｇの周囲に付着することになる。そして、樹脂分は、特に、無機絶縁粒子等の粒子に対して濡れ性がよいことから、無機絶縁構造体５’の複数の第１無機絶縁粒子９ａ同士および複数の第１無機絶縁粒子９ａと複数の第２無機絶縁粒子９ｂとの接続部、および第１無機絶縁粒子９ａと第２無機絶縁粒子９ｂと支持シート１７との接続部に介在することになる。その結果、この樹脂分を熱硬化させることによって、上記接続部に第２樹脂部を形成することができる。また、その後に、樹脂前駆体６ｘを積層することによって、間隙Ｇの残存部に樹脂材料を充填して第１樹脂部を形成することができる。
【０１１８】
上述したように、無機絶縁構造体５’に第２樹脂部を予め形成しておくことによって、無機絶縁構造体５’と支持シート１７との接着強度を向上させるとともに、複数の第１無機絶縁粒子９ａ同士および複数の第１無機絶縁粒子９ａと複数の第２無機絶縁粒子９ｂとの接続部を補強し、ハンドリング性を向上させ、歩留まりを向上させることができる。
【０１１９】
このような第２樹脂部は、例えばシアネート樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂からなる樹脂材料で形成される。なお液状樹脂としては、樹脂材料を溶剤に対して５０％以下で溶剤と混合したもの、あるいは樹脂のみで液状のものが挙げられる。
【０１２０】
なお、液状樹脂とは、ＩＳＯ４７２：１９９９に準ずるＡ−ステージの状態にある樹脂である。
【０１２１】
また、その中でも、樹脂材料をシアネート樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂とすれば、これらの樹脂は、過マンガン酸溶液に難溶性であることから、デスミアの工程において、第１無機絶縁粒子９ａと第２無機絶縁粒子９ｂの表面に残存し、この後に形成される導電層７と第１無機絶縁粒子９ａと第２無機絶縁粒子９ｂとの接着強度を向上させることができる点で望ましい。
【０１２２】
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良、組み合わせ等が可能である。
【０１２３】
例えば、上述した本発明の実施形態は、配線基板としてコアレス基板を用いた構成を例に説明したが、図８に示すように、配線基板がコア基板を含んでいても構わない。
【０１２４】
また、上述した本発明の実施形態は、ソルダーレジスト層についての説明を省略したが、配線基板は上下面に樹脂材料を含むソルダーレジスト層を有していても構わない。
【０１２５】
また、上述した本発明の実施形態は、アンダーフィルについての説明を省略したが、配線基板と電子部品との間にアンダーフィルを有しても構わない。
【０１２６】
また、上述した本発明の実施形態は、電子部品の実装について、配線基板の樹脂層が露出した主面に電子部品を実装したが、配線基板の絶縁層が露出した主面に電子部品を実装しても構わない。
【符号の説明】
【０１２７】
１        実装構造体
２        電子部品
３        配線基板
４        バンプ
５        絶縁層
５’      無機絶縁構造体
５ｘ      無機絶縁ゾル５
６        樹脂層
６ｘ      樹脂前駆体
７        導電層
８        ビア導体
８ｘ      ビア孔
９ａ      第１無機絶縁粒子
９ｂ      第２無機絶縁粒子
１０      樹脂部
１１ａ    第１凸部
１１ｂ    第１凹部
１２ａ    第２凸部
１２ｂ    第２凹部
１３ａ    第１部分
１３ｂ    第２部分
１４      突起部
１５ａ    第１領域
１５ｂ    第２領域
１６      窪み部
１７      支持シート
１８      積層シート
１９      支持体
２０      積層体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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