(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（３）で表される銀錯体を含有する発光素子。
【化１】
0005949091.tif 000024
（３）
（式（３）中、
Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子または炭素原子数１〜６のヒドロカルビル基である。複数存在するＲ１およびＲ２はそれぞれ、同一であっても異なっていてもよい。
Ｒ３は、水素原子または炭素原子数１〜１２のアリール基である。複数存在するＲ３は、同一であっても異なっていてもよい。
Ｒ４は、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、メトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基またはｔｅｒｔ−ブトキシ基である。
Ｒ５は、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基またはドデシル基である。
Ｒ６は、水素原子、メチル基、エチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基またはメトキシ基である。
Ｒ７は、水素原子である。
Ｒ８は、水素原子、メチル基、ｓｅｃ−ブチル基またはｔｅｒｔ−ブチル基である。
複数存在するＲ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７およびＲ８はそれぞれ、同一であっても異なっていてもよい。）
【請求項２】
前記Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５、Ｒ６およびＲ８が、水素原子である、請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記Ｒ３が、炭素原子数１〜１２のアリール基である、請求項１または２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記式（３）で表される銀錯体のＳ１エネルギーとＴ１エネルギーの差が０．５０ｅＶ以下である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の発光素子。
【請求項５】
下記式（３）で表される銀錯体を含有する素子用インク。
【化２】
0005949091.tif 000025
（３）
（式（３）中、
Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子または炭素原子数１〜６のヒドロカルビル基である。複数存在するＲ１およびＲ２はそれぞれ、同一であっても異なっていてもよい。
Ｒ３は、水素原子または炭素原子数１〜１２のアリール基である。複数存在するＲ３は、同一であっても異なっていてもよい。
Ｒ４は、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、メトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基またはｔｅｒｔ−ブトキシ基である。
Ｒ５は、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基またはドデシル基である。
Ｒ６は、水素原子、メチル基、エチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基またはメトキシ基である。
Ｒ７は、水素原子である。
Ｒ８は、水素原子、メチル基、ｓｅｃ−ブチル基またはｔｅｒｔ−ブチル基である。
複数存在するＲ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７およびＲ８はそれぞれ、同一であっても異なっていてもよい。）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子、並びに、銀錯体および該銀錯体を含有する素子用インクに関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子（以下、「発光素子」と言う。）において、電子とホールが再結合することで、三重項励起子と一重項励起子が、理論上３：１の比で生成される。電子とホールの再結合により発生した三重項励起子から発光することができる材料として、イリジウム錯体を代表とする白金族金属錯体が広く知られている。近年、三重項励起子からの発光を示すイリジウムよりも安価な金属を用いた錯体として、銀錯体が知られており、発光素子のの発光材料として期待されている（非特許文献１）。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００３】
【非特許文献１】Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．６３８４−６３８６（２００８）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上記の銀錯体を用いて製造される発光素子の発光効率は、十分ではなかった。
【０００５】
そこで、本発明は、銀錯体を用いて製造される発光効率に優れる発光素子を提供することを目的とする。本発明はまた、発光効率に優れる発光素子の製造に有用な銀錯体および該銀錯体を含有する素子用インクを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、以下の発光素子、並びに、銀錯体および該銀錯体を含有する素子用インクを提供する。
【０００７】
［１］  下記式（１）で表される銀錯体を含有する発光素子。
【化１】
0005949091.tif 000002
（１）
（式（１）中、
Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子または炭素原子数１〜１８の１価の有機基である。複数存在するＲ１およびＲ２はそれぞれ、同一であっても異なっていてもよい。
Ｒ３は、水素原子または炭素原子数１〜３６の１価の有機基である。複数存在するＲ３は、同一であっても異なっていてもよい。
Ｌ１は、多座配位子である。Ｌ１が複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。
Ｘ1はアニオンである。Ｘ1が複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。
ａおよびｂは、それぞれ独立に、０．５〜１．５の数である。
ｃは０〜０．５の数である。）
［２］  前記Ｌ１が、リン原子を２個含有する多座配位子である、［１］に記載の発光素子。
［３］  前記Ｌ１が、リン原子を２個含有する多座配位子であり、かつ、該リン原子が３個の芳香族基とぞれぞれ結合している、［２］に記載の発光素子。
［４］  前記式（１）で表される銀錯体が、下記式（２）で表される銀錯体である、［１］〜［３］のいずれか一つに記載の発光素子。
【化２】
0005949091.tif 000003
（２）
（式（２）中、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｘ1、ａ、ｂおよびｃは、前記と同じ意味を表す。
Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７およびＲ８は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子または炭素原子数１〜１８の１価有機基である。複数存在するＲ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７およびＲ８はそれぞれ、同一であっても異なっていてもよい。）
［５］  前記式（２）で表される銀錯体が、下記式（３）で表される銀錯体である、［４］に記載の発光素子。
【化３】
0005949091.tif 000004
（３）
（式（３）中、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７およびＲ８は、前記と同じ意味を表す。）
［６］  前記Ｒ４が、ハロゲン原子または炭素原子数１〜１８の１価の有機基である、［４］または［５］に記載の発光素子。
［７］  前記Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７およびＲ８が、水素原子である、［４］〜［６］のいずれか一つに記載の発光素子。
［８］  前記Ｒ３が、炭素原子数１〜１２のアリール基である、［１］〜［７］のいずれか一つに記載の発光素子。
［９］  前記Ｌ１に分布する最高占有軌道の割合が１０％以上である、［１］〜［８］のいずれか一つに記載の発光素子。
［１０］  前記式（１）で表される銀錯体のＳ１エネルギーとＴ１エネルギーの差が０．５０ｅＶ以下である、［１］〜［９］のいずれか一つに記載の発光素子。
［１１］  下記式（２）で表される銀錯体。
【化４】
0005949091.tif 000005
（２）
（式（２）中、
Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子または炭素原子数１〜１８の１価の有機基である。複数存在するＲ１およびＲ２はそれぞれ、同一であっても異なっていてもよい。
Ｒ３は、水素原子または炭素原子数１〜３６の１価の有機基である。複数存在するＲ３は、同一であっても異なっていてもよい。
Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７およびＲ８は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子または炭素原子数１〜１８の１価有機基である。複数存在するＲ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７およびＲ８はそれぞれ、同一であっても異なっていてもよい。
Ｘ1はアニオンである。Ｘ1が複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。
ａおよびｂは、それぞれ独立に、０．５〜１．５の数である。
ｃは０〜０．５の数である。）
［１２］  下記式（１）で表される銀錯体を含有する素子用インク。
【化５】
0005949091.tif 000006
（１）
（式（１）中、
Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子または炭素原子数１〜１８の１価の有機基である。複数存在するＲ１およびＲ２はそれぞれ、同一であっても異なっていてもよい。
Ｒ３は、水素原子または炭素原子数１〜３６の１価の有機基である。複数存在するＲ３は、同一であっても異なっていてもよい。
Ｌ１は、多座配位子である。Ｌ１が複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。
Ｘ1はアニオンである。Ｘ1が複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。
ａおよびｂは、それぞれ独立に、０．５〜１．５の数である。
ｃは０〜０．５の数である。）
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、銀錯体を用いて製造される発光効率に優れる発光素子を提供することができる。本発明はまた、発光効率に優れる発光素子の製造に有用な銀錯体および該銀錯体を含有する素子用インクを提供することができる。また、本発明の好ましい実施形態によれば、芳香族系溶媒への溶解性に優れる銀錯体を提供することができる。更に、本発明の好ましい実施形態によれば、発光量子効率に優れる銀錯体を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明を説明する。
【００１０】
本明細書において、Ｍｅはメチル基、Ｅｔはエチル基、ｎ−Ｐｒはノルマルプロピル基、ｉ−Ｐｒはイソプロピル基、ｎ−Ｂｕはノルマルブチル基、ｉ−Ｂｕおよびｉｓｏ−ブチル基はイソブチル基、ｓ−Ｂｕおよびｓｅｃ−ブチル基はセカンダリブチル基、ｔ−Ｂｕおよびｔｅｒｔ−ブチル基はターシャリブチル基、ｎ−Ｈｅｘはノルマルヘキシル基、ｎ−Ｏｃｔはノルマルオクチル基、Ｐｈはフェニル基を、それぞれ表す。
【００１１】
本明細書において、ヒドロカルビル基が、直鎖状、分岐鎖状または環状の区別なく表記されている場合、直鎖状、分岐鎖状または環状のいずれであってもよいが、特に説明されていない場合は、直鎖状または分岐鎖状が好ましく、直鎖状がより好ましい。
【００１２】
本明細書における炭素原子数Ｃｘ〜Ｃｙの１価の有機基は、置換基を有していてもよい。なお、１価の有機基の炭素原子数には、置換基の炭素原子数は含まれない。本明細書における炭素原子数Ｃｘ〜Ｃｙの１価の有機基は、特に説明されていない場合は、置換基を有していないことが好ましい。
【００１３】
本明細書において、「置換基を有していてもよい」とは、その直後に記載された基を構成する水素原子の一部または全部が置換基で置換されていてもよいことを意味する。該置換基は、特に説明されていない場合は、ハロゲン原子、炭素原子数１〜３０のヒドロカルビル基、炭素原子数１〜３０のヒドロカルビルオキシ基、炭素原子数１〜３０のヒドロカルビルメルカプト基、炭素原子数１〜３０のヒドロカルビルカルボニル基および炭素原子数１２〜３０のジアリールアミノ基が挙げられ、これらの中でも、ハロゲン原子、炭素原子数１〜１８のヒドロカルビル基、炭素原子数１〜１８のヒドロカルビルオキシ基または炭素原子数１〜１８のヒドロカルビルメルカプト基であることが好ましく、ハロゲン原子、炭素原子数１〜１２のヒドロカルビル基または炭素原子数１〜１２のヒドロカルビルオキシ基であることがより好ましく、ハロゲン原子または炭素原子数１〜１２のヒドロカルビル基であることが特に好ましく、炭素原子数１〜８のヒドロカルビル基であることがとりわけ好ましい。置換基が複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよいが、同一であることが好ましい。
【００１４】
本明細書において、電荷記号を省略して記載することがある。例えば、式（１）におけるＡｇは、中性のＡｇに限定されるものではない。
【００１５】
本発明の発光素子は、下記式（１）で表される銀錯体を含有する。
【００１６】
【化６】
0005949091.tif 000007
（１）
（式（１）中、
Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子または炭素原子数１〜１８の１価の有機基である。複数存在するＲ１およびＲ２はそれぞれ、同一であっても異なっていてもよい。
Ｒ３は、水素原子または炭素原子数１〜３６の１価の有機基である。複数存在するＲ３は、同一であっても異なっていてもよい。
Ｌ１は、多座配位子である。Ｌ１が複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。
Ｘ1はアニオンである。Ｘ1が複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。
ａおよびｂは、それぞれ独立に、０．５〜１．５の数である。
ｃは０〜０．５の数である。）
【００１７】
Ａｇは銀であるが、１価のカチオン（即ち、Ａｇ＋）であることが好ましい。
【００１８】
Ｒ１におけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子およびヨウ素原子が挙げられ、好ましくはフッ素原子、塩素原子またはヨウ素原子であり、より好ましくはフッ素原子または塩素原子であり、更に好ましくはフッ素原子である。
【００１９】
Ｒ１における炭素原子数１〜１８の１価の有機基としては、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜１８のヒドロカルビル基、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜１８のヒドロカルビルオキシ基、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜１８のヒドロカルビルチオ基、および、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜１８の置換シリル基が挙げられる。
これらの炭素原子数１〜１８の１価の有機基の中でも、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜１２のヒドロカルビル基、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜１２のヒドロカルビルオキシ基、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜１２のヒドロカルビルチオ基または置換基を有していてもよい炭素原子数１〜１２の置換シリル基が好ましく、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜１２のヒドロカルビル基または置換基を有していてもよい炭素原子数１〜１２のヒドロカルビルオキシ基がより好ましく、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜６のヒドロカルビル基が更に好ましい。
【００２０】
Ｒ１における「置換基を有していてもよい炭素原子数１〜１８のヒドロカルビル基」におけるヒドロカルビル基としては、例えば、メチル基、エチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、１−ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、ベンジル基、α，α−ジメチルベンジル基、１−フェネチル基、２−フェネチル基、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、２，２−ジフェニルビニル基、２−フェニル−２−プロペニル基、フェニル基、２−トリル基、４−トリル基、２−ビフェニル基、３−ビフェニル基、４−ビフェニル基、フルオレニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、９−アントリル基、２−アントリル基、９−フェナントリル基および１−ピレニル基が挙げられる。
これらのヒドロカルビル基の中でも、好ましくは、メチル基、エチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、１−ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、フェニル基、２−トリル基または４−トリル基であり、より好ましくは、メチル基、エチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、１−ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基またはフェニル基であり、更に好ましくは、メチル基、エチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、１−ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基またはｔｅｒｔ−ブチル基であり、特に好ましくはメチル基である。
【００２１】
Ｒ１における「置換基を有していてもよい炭素原子数１〜１８のヒドロカルビルオキシ基」におけるヒドロカルビルオキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、１−プロパノキシ基、２−プロパノキシ基、１−ブトキシ基、２−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基、ドデシルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、シクロプロパノキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、１−アダマンチルオキシ基、２−アダマンチルオキシ基、ベンジルオキシ基、α,α−ジメチルベンジロキシ基、２−フェネチルオキシ基、１−フェネチルオキシ基、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、および２−ナフチルオキシ基が挙げられる。
これらのヒドロカルビルオキシ基の中でも、好ましくは、メトキシ基、エトキシ基、１−プロパノキシ基、２−プロパノキシ基、１−ブトキシ基、２−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基、ドデシルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基または３，７−ジメチルオクチルオキシ基であり、より好ましくは、メトキシ基またはエトキシ基である。
【００２２】
Ｒ１における「置換基を有していてもよい炭素原子数１〜１８のヒドロカルビルチオ基」におけるヒドロカルビルチオ基としては、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、１−プロピルチオ基、２−プロピルチオ基、１−ブチルチオ基、２−ブチルチオ基、イソブチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、デシルチオ基、ドデシルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基、シクロプロピルチオ基、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基、１−アダマンチルチオ基、２−アダマンチルチオ基、ベンジルチオ基、α,α−ジメチルベンジルチオ基、２−フェネチルチオ基、１−フェネチルチオ基、フェニルチオ基、１−ナフチルチオ基および２−ナフチルチオ基が挙げられる。
これらのヒドロカルビルチオ基の中でも、好ましくは、メチルチオ基、エチルチオ基、１−プロピルチオ基、２−プロピルチオ基、１−ブチルチオ基、２−ブチルチオ基、イソブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、デシルチオ基、ドデシルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基または３，７−ジメチルオクチルチオ基であり、より好ましくは、メチルチオ基またはエチルチオ基である。
【００２３】
Ｒ１における「置換基を有していてもよい炭素原子数１〜１８の置換シリル基」における置換シリル基とは、シリル基における水素原子の１個、２個または３個が、アルキル基、アリール基およびアリールアルキル基からなる群から選ばれる１個、２個または３個の基で置換されたシリル基をいう。置換シリル基としては、例えば、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリ−イソプロピルシリル基、ジメチル−イソプロピルシリル基、ジエチル−イソプロピルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、ヘプチルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリル基、ノニルジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、ドデシルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル基およびジメチルモノフェニルシリル基が挙げられる。
これらの置換シリル基の中でも、好ましくは、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基またはｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基であり、より好ましくはトリメチルシリル基である。
【００２４】
Ｒ１における１価の有機基が有していてもよい置換基（以下、「Ｒ１における任意の置換基」という場合がある。）としては、例えば、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシル基、メルカプト基、カルボキシ基、スルホ基、−ＯＰ（＝Ｏ）（ＯＨ）２で表される基、−ＯＰ（ＯＨ）２で表される基、ニトロ基、炭素原子数１〜１８のヒドロカルビル基、炭素原子数１〜１８のヒドロカルビルオキシ基および炭素原子数１〜１８のヒドロカルビルチオ基が挙げられる。
これらの置換基の中でも、好ましくは、ハロゲン原子、炭素原子数１〜１８のヒドロカルビル基または炭素原子数１〜１８のヒドロカルビルオキシ基であり、より好ましくは、フッ素原子、塩素原子、炭素原子数１〜１２のヒドロカルビル基または炭素原子数１〜１２のヒドロカルビルオキシ基であり、更に好ましくは、フッ素原子、炭素原子数１〜６のヒドロカルビル基または炭素原子数１〜６のヒドロカルビルオキシ基である。
【００２５】
Ｒ１における任意の置換基における炭素原子数１〜１８のヒドロカルビル基、炭素原子数１〜１８のヒドロカルビルオキシ基および炭素原子数が１〜１８のヒドロカルビルチオ基の具体例および好ましい例は、Ｒ１における炭素原子数１〜１８のヒドロカルビル基、炭素原子数１〜１８のヒドロカルビルオキシ基および炭素原子数が１〜１８のヒドロカルビルチオ基の具体例および好ましい例と同じである。
【００２６】
Ｒ１は、水素原子、ハロゲン原子または炭素原子数１〜１８の１価の有機基であるが、水素原子または炭素原子数１〜１８の有機基であることが好ましい。
【００２７】
Ｒ2におけるハロゲン原子、炭素原子数１〜１８の１価の有機基の具体例および好ましい例は、上記Ｒ1におけるハロゲン原子、炭素原子数１〜１８の１価の有機基の具体例および好ましい例と同じである。
【００２８】
Ｒ２における１価の有機基が有していてもよい置換基の具体例および好ましい例は、上記Ｒ１における１価の有機基が有していてもよい置換基の具体例および好ましい例と同じである。
【００２９】
Ｒ2は、水素原子、ハロゲン原子または炭素原子数１〜１８の１価の有機基であるが、水素原子または炭素原子数１〜１８の１価の有機基であることが好ましく、水素原子であることがより好ましい。
【００３０】
隣り合うＲ１とＲ２は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよく、隣り合う２つのＲ２は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。
【００３１】
Ｒ３における炭素原子数１〜３６の１価有機基としては、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜３６のアリール基、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜３６の１価の複素環基、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜３６の飽和ヒドロカルビル基、および、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜３６のヒドロカルビルオキシ基が挙げられる。
これらの炭素原子数１〜３６の１価有機基の中でも、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜１８のアリール基、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜１８の１価の複素環基または置換基を有していてもよい炭素原子数１〜１８の飽和ヒドロカルビル基が好ましく、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜１２のアリール基、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜１２の１価の複素環基または置換基を有していてもよい炭素原子数１〜１２の飽和ヒドロカルビル基がより好ましく、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜１２のアリール基または置換基を有していてもよい炭素原子数１〜１２の１価の複素環基が更に好ましく、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜１２のアリール基が特に好ましい。
【００３２】
Ｒ３における「置換基を有していてもよい炭素原子数１〜３６のアリール基」におけるアリール基としては、例えば、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、４−エチルフェニル基、４−プロピルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、４−ブチルフェニル基、４−ｔ−ブチルフェニル基、４−ヘキシルフェニル基、４−シクロヘキシルフェニル基、４−アダマンチルフェニル基、４−フェニルフェニル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基および９−アントラセニル基が挙げられる。
これらのアリール基の中でも、好ましくは、フェニル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、４−エチルフェニル基、４−プロピルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、４−ブチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基または４−ヘキシルフェニル基であり、より好ましくは、フェニル基または２−メチルフェニル基であり、更に好ましくはフェニル基である。
【００３３】
Ｒ３における「置換基を有していてもよい炭素原子数１〜３６の１価の複素環基」における１価の複素環基としては、例えば、ピラゾリル基、ベンゾピラゾリル基、チエニル基、ベンゾチエニル基、ピロリル基、ベンゾピロリル基、フリル基、ベンゾフリル基、ホスホリル基、ピリジル基、ピペリジル基、ピペラジル基、キノリル基、イソキノリル基、トリアジル基、キナゾリニル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、オキサゾリル基およびチエニル基が挙げられる。
これらの１価の複素環基の中でも、好ましくは、ピラゾリル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基、ホスホリル基またはピリジル基であり、より好ましくは、ピラゾリル基またはピリジル基であり、更に好ましくは１−ピラゾリル基である。
【００３４】
Ｒ３における「置換基を有していてもよい炭素原子数１〜３６の飽和ヒドロカルビル基」における飽和ヒドロカルビル基としては、例えば、メチル基、エチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、１−ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、オクタデシル基、２−エチルヘキシル基、および３，７−ジメチルオクチル基が挙げられる。
これらの飽和ヒドロカルビル基の中でも、好ましくは、メチル基、エチル基、１−プロピル基、１−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基またはオクタデシル基であり、より好ましくはメチル基である。
【００３５】
Ｒ３における「置換基を有していてもよい炭素原子数１〜３６のヒドロカルビルオキシ基」におけるヒドロカルビルオキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、１−プロパノキシ基、２−プロパノキシ基、１−ブトキシ基、２−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基、ドデシルオキシ基、オクタデシルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、シクロプロパノキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、１−アダマンチルオキシ基、２−アダマンチルオキシ基、ベンジルオキシ基、α,α−ジメチルベンジロキシ基、２−フェネチルオキシ基、１−フェネチルオキシ基、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、および２−ナフチルオキシ基が挙げられる。
これらのヒドロカルビルオキシ基の中でも、好ましくは、メトキシ基、エトキシ基、１−プロパノキシ基、２−プロパノキシ基、１−ブトキシ基、２−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基、ドデシルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基または３，７−ジメチルオクチルオキシ基であり、より好ましくは、メトキシ基またはエトキシ基である。
【００３６】
Ｒ３における１価の有機基が有していてもよい置換基の具体例および好ましい例は、上記Ｒ１における１価の有機基が有していてもよい置換基の具体例および好ましい例と同じである。なお、Ｒ３同士は互いに結合して、それぞれが結合するホウ素原子とともに環を形成してもよい。
【００３７】
式（１）で表される銀錯体において、ａ個存在する配位子としては、下記式１−１〜式１−１２で表される配位子が挙げられる。該配位子は１価のアニオンあることが好ましい。
【００３８】
【化７】
0005949091.tif 000008
【００３９】
式１−１〜式１−１２で表される配位子の中でも、式（１）で表される銀錯体の芳香族炭化水素系溶媒に対する溶解性がより優れるので、好ましくは、式１−１、式１−２、式１−５、式１−６、式１−９または式１−１０で表される配位子であり、より好ましくは、１−１、式１−５または式１−９で表される配位子である。
【００４０】
式（１）で表される銀錯体は、単核錯体、二核錯体または三核以上の錯体のいずれでもよいが、単核錯体または二核錯体であることが好ましく、単核錯体であることがより好ましい。
【００４１】
式（１）で表される銀錯体において、ａは、０．５〜１．５の数である。なお、ａは、式（１）で表される銀錯体においてＡｇの数を１とした場合の相対値である。すなわち、式（１）で表される銀錯体においては、１個のＡｇに対し、ａ個の構造を有する。ａは、好ましくは、０．５〜１．１の数であり、より好ましくは、０．５〜１．０の数であり、更に好ましくは、１．０である。
【００４２】
式（１）で表される銀錯体において、Ｘ1はアニオンである。Ｘ1は、例えば、フッ化物イオン、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、硫酸イオン、硝酸イオン、炭酸イオン、酢酸イオン、過塩素酸イオン、テトラフルオロボレートイオン、ヘキサフルオロホスフェートイオン、ヘキサフルオロアンチモンイオン、ヘキサフルオロヒ素イオン、メタンスルホン酸イオン、トリフルオロメタンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、ベンゼンスルホン酸イオン、パラトルエンスルホン酸イオン、ドデシルベンゼンスルホン酸イオン、テトラフェニルボレートイオン、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートイオン、テトラキス（３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル）ボレートイオン、および、これらのイオンの構造を有する繰り返し単位を含む高分子化合物が挙げられる。また、Ｘ1は、例えば、フェノールやパラフルオロフェノールに代表される、水酸基を有する有機化合物から、該水酸基の水素原子を除いてなるアニオン；チオフェノールやトリフェニルメタンチオールに代表される、メルカプト基を有する有機化合物から、該メルカプト基の水素原子を除いてなるアニオン；パラ−ｔｅｒｔ−ブチル安息香酸やトリフェニル酢酸に代表される、カルボキシル基を有する有機化合物から、該カルボキシル基の水素原子を除いてなるアニオン；ベンゼンスルホン酸やパラ−ｎ−ブチルベンゼンスルホン酸に代表される、スルホ基を有する有機化合物から、該スルホ基の水素原子を除いてなるアニオン；ジフェニルホスフィン酸やビス（４−メトキシフェニル）ホスフィン酸に代表される、Ｐ（＝Ｏ）ＯＨで表される２価の基を有する有機化合物から、該Ｐ（＝Ｏ）ＯＨで表される２価の基の水素原子を除いてなるアニオン等も挙げられる。
これらの中でも、発光素子の発光効率がより優れるため、好ましくは、フッ化物イオン、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、硝酸イオン、過塩素酸イオン、テトラフルオロボレートイオン、ヘキサフルオロホスフェートイオン、トリフルオロメタンスルホン酸イオン、テトラフェニルボレートイオン、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートイオン、テトラキス（３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル）ボレートイオン、または、これらのイオンの構造を有する繰り返し単位を含む高分子化合物であり、より好ましくは、フッ化物イオン、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、テトラフルオロボレートイオン、ヘキサフルオロホスフェートイオン、トリフルオロメタンスルホン酸イオン、テトラフェニルボレートイオンまたはテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートイオンであり、更に好ましくは、フッ化物イオン、塩化物イオン、臭化物イオンまたはヨウ化物イオンであり、特に好ましくは、塩化物イオン、臭化物イオンまたはヨウ化物イオンである。
【００４３】
式（１）で表される銀錯体において、ｃは、０〜０．５の数である。なお、ｃは、式（１）で表される銀錯体においてＡｇの数を１とした場合の相対値である。すなわち、式（１）で表される銀錯体においては、１個のＡｇに対し、ｃ個のＸ１を有する。ｃは、通常、式（１）で表される銀錯体が全体で中性になるように決定される。ｃは、好ましくは０または０．５であり、好ましくは０である。
【００４４】
式（１）で表される銀錯体において、Ｌ１は多座配位子であり、二座配位子または三座以上の配位子のいずれでもよいが、二座配位子、三座配位子または四座配位子が好ましく、二座配位子がより好ましい。また、該多座配位子としては、配位結合部位が、炭素原子、窒素原子、酸素原子、リン原子および硫黄原子からなる群より選ばれる１種以上の原子であることが好ましく、窒素原子、酸素原子、リン原子および硫黄原子からなる群より選ばれる１種以上の原子であることがより好ましく、窒素原子、酸素原子およびリン原子からなる群より選ばれる１種以上の原子であることが更に好ましく、窒素原子およびリン原子からなる群より選ばれる１種以上の原子であることが特に好ましく、リン原子であることがとりわけ好ましい。なお、該配位結合部位は、中性でも電荷を帯びていてもよいが、中性であることが好ましい。
【００４５】
Ｌ１の炭素原子数は、通常１０〜１５０であり、好ましくは１５〜１２５であり、より好ましくは２０〜１００であり、更に好ましくは２５〜７５であり、特に好ましくは３０〜６０である。
【００４６】
式（１）で表される銀錯体において、ｂは、０．５〜１．５の数である。なお、ｂは、式（１）で表される銀錯体においてＡｇの数を１とした場合の相対値である。すなわち、式（１）で表される銀錯体においては、１個のＡｇに対し、ｂ個のＬ１を有する。ｂは、好ましくは、０．５〜１．１の数であり、より好ましくは、０．９〜１．１の数であり、更に好ましくは、１．０である。
【００４７】
Ｌ１は、発光素子の発光効率がより優れるので、リン原子を２個含有する多座配位子であることが好ましい。
【００４８】
Ｌ1は、下記式（Ａ）で表される多座配位子であることが好ましい。
【００４９】
（Ｒ11）2Ｐ−Ｒ12−Ｐ（Ｒ11）2          （Ａ）
（式（Ａ）中、
Ｒ11は、置換基を有していてもよいヒドロカルビル基である。４個のＲ11は同一でも異なっていてもよい。
Ｒ12は、２価の有機基である。
隣り合う同士Ｒ11同士は互いに結合して、それぞれが結合するリン原子とともに環を形成してもよい。）
【００５０】
Ｒ11における置換基を有していてもよいヒドロカルビル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ノニル基、ドデシル基、ペンタデシル基、オクタデシル基、ドコシル基等の炭素原子数１〜３６のアルキル基；シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロノニル基、シクロドデシル基、ノルボニル基、アダマンチル基等の炭素原子数４〜３６の環状飽和炭化水素基；エテニル基、プロペニル基、３−ブテニル基、２−ブテニル基、２−ペンテニル基、２−ヘキセニル基、２−ノネニル基、２−ドデセニル基等の炭素原子数２〜２６のアルケニル基；フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、２−エチルフェニル基、２−プロピルフェニル基、２−イソプロピルフェニル基、２−ブチルフェニル基、２−イソブチルフェニル基、２−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、２−ヘキシルフェニル基、２−シクロヘキシルフェニル基、４−アダマンチルフェニル基、４−フェニルフェニル基、９−フルオレニル基等の炭素原子数６〜３６のアリール基；フェニルメチル基、１−フェニルエチル基、２−フェニルエチル基、１−フェニル−１−プロピル基、１−フェニル−２−プロピル基、２−フェニル−２−プロピル基、３−フェニル−１−プロピル基、４−フェニル−１−ブチル基、５−フェニル−１−ペンチル基、６−フェニル−１−ヘキシル基等の炭素原子数７〜３６のアラルキル基が挙げられる。
【００５１】
Ｒ11における置換基を有していてもよいヒドロカルビル基としては、好ましくは、置換基を有していてもよいアリール基であり、より好ましくは、置換基を有していてもよいフェニル基である。
【００５２】
Ｒ12における２価の有機としては、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜１８のアルカンジイル基、置換基を有していてもよい炭素原子数２〜１８のアルケンジイル基、置換基を有していてもよい炭素原子数２〜１８のアルキンジイル基、置換基を有していてもよい炭素原子数４〜１８のシクロアルカンジイル基、および、置換基を有していてもよい下記式ｒ１〜式ｒ１２のいずれかで表される基（より具体的には後述の式ｒ１'〜式ｒ１２'のいずれかで表される基）が挙げられる。なお、式ｒ１〜式ｒ１２および式ｒ１'〜式ｒ１２'で表される基は、置換基を有していてもよい。
【００５３】
【化８】
0005949091.tif 000009
（式中、
Ｙ1は、−（ＣＨ2）n−、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｎ（Ｒ50）−、−Ｃ（Ｒ51）2−、−Ｓｉ（Ｒ51）2−、−Ｏ（ＣＨ2）n−または−Ｏ（ＣＨ2）nＯ−で表される２価の基である。  Ｙ2は、−（ＣＨ2）n−、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（Ｒ51）2−またはＳｉ（Ｒ51）2−で表される２価の基である。
ｎは、１〜３の整数である。
Ｒ50は、置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリール基であり、Ｒ51は、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜３０のヒドロカルビル基である。
Ｙ1およびＲ51が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。）
【００５４】
Ｒ50における置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリール基としては、例えば、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、２−イソプロピルフェニル基、４−エチルフェニル基、４−プロピルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、４−ブチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−ヘキシルフェニル基、４−（２−エチルヘキシル）フェニル基、４−シクロヘキシルフェニル基、４−アダマンチルフェニル基、４−フェニルフェニル基、および９−フルオレニル基が挙げられる。
これらのアリール基の中でも、好ましくは、フェニル基、２−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、２−イソプロピルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基または４−ヘキシルフェニル基であり、より好ましくはフェニル基、２−メチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基または４−ヘキシルフェニル基であり、更に好ましくはフェニル基である。
【００５５】
Ｒ51における置換基を有していてもよい炭素原子数１〜３０のヒドロカルビル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、ペンタデシル基、オクタデシル基等の炭素原子数１〜１８のアルキル基；シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロノニル基、シクロドデシル基、ノルボニル基、アダマンチル基等の炭素原子数４〜１８の環状飽和炭化水素基；フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、２−イソプロピルフェニル基、４−エチルフェニル基、４−プロピルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、４−ｎ−ブチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−ヘキシルフェニル基、４−（２−エチルヘキシル）フェニル基、４−シクロヘキシルフェニル基、４−アダマンチルフェニル基、４−フェニルフェニル基、９−フルオレニル基等の炭素原子数６〜１８のアリール基が挙げられる。
これらのヒドロカルビル基の中でも、好ましくは、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、ペンタデシル基、オクタデシル基等の炭素原子数１〜１８のアルキル基；フェニル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、２−イソプロピルフェニル基、４−エチルフェニル基、４−プロピルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、４−ｎ−ブチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−ヘキシルフェニル基、４−（２−エチルヘキシル）フェニル基、４−シクロヘキシルフェニル基等の炭素原子数６〜１８のアリール基であり、より好ましくは、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等の炭素原子数１〜８のアルキル基またはフェニル基であり、更に好ましくはメチル基である。
【００５６】
Ｒ51が複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよいが、同一であることが好ましい。
【００５７】
【化９】
0005949091.tif 000010
（式中、
Ｙ3は、−（ＣＨ2）m−、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｎ（Ｒ52）−、−Ｃ（Ｒ53）2−、−Ｃ（Ｒ53）2−またはＳｉ（Ｒ53）2−で表される２価の基である。
ｍは、１または２である。
Ｒ52は、置換基を有していてもよい炭素原子数６〜１２のアリール基であり、Ｒ53は、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜１２のヒドロカルビル基である。
Ｒ53が複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。）
【００５８】
Ｒ52における置換基を有していてもよい炭素原子数６〜１２のアリール基の具体例および好ましい例示は、上記Ｒ50における置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリール基の具体例および好ましい例示のうち、炭素原子数が６〜１２であるものと同じである。
【００５９】
Ｒ53における置換基を有していてもよい炭素原子数１〜１２のヒドロカルビル基の具体例および好ましい例示構造は、上記Ｒ51における置換基を有していてもよい炭素原子数１〜３０のヒドロカルビル基の具体例および好ましい例示のうち、炭素原子数が１〜１２であるものと同じである。
【００６０】
Ｌ１がリン原子２個を含有する多座配位子である場合、該リン原子は、発光素子の発光効率がより優れるので、３個の芳香族基とそれぞれ結合していることが好ましい。具体的には、式（Ａ）において、Ｒ１１とＲ１２の組み合わせとして、Ｒ１１が置換基を有していてもよいアリール基であり、かつ、Ｒ12が式ｒ１〜式ｒ１２で表されるいずれかの基（好ましくは、式ｒ１'〜式ｒ１２'で表されるいずれかの基であることが好ましい。
【００６１】
Ｒ12は、式ｒ１、式ｒ２、式ｒ５、式ｒ６、式ｒ８または式ｒ９で表される基；式ｒ１０で表される基であって、式中のＹ1が−Ｏ−またはＮ（Ｒ50）−で表される２価の基；式ｒ１１で表される基であって、式中のＹ1が−Ｏ−またはＳ−で表される２価の基；式ｒ１２で表される基であって、式中のＹ1が−Ｏ−で表される２価の基あり、かつ、Ｙ2が−Ｃ（Ｒ51）2−で表される２価の基；式ｒ１２で表される基であって、式中のＹ1が−Ｏ−で表される２価の基あり、かつ、Ｙ2が−Ｓｉ（Ｒ51）2−で表される２価の基；のいずれかであることが好ましく、式ｒ１'、式ｒ５'または式ｒ１０'で表されるいずれかの基；式ｒ１２'で表される基であって、式中のＹ3が、−Ｃ（Ｒ53）2−で表される２価の基；式ｒ１２'で表される基であって、式中のＹ3が−Ｓｉ（ＣＨ3）2−で表される２価の基；のいずれかであることがより好ましく、式ｒ１'で表される基であることが更に好ましい。
【００６２】
Ｌ1の具体例としては、下記式ａ１〜式ａ４１で表される多座配位子が挙げられる。なお、式ａ１〜式ａ４１で表される多座配位子は、置換基を有していてもよい。
【００６３】
【化１０】
0005949091.tif 000011
【００６４】
【化１１】
0005949091.tif 000012
【００６５】
式ａ１〜式ａ４１で表される多座配位子の中でも、発光素子の発光効率がより優れるので、好ましくは、式ａ９〜式ａ４１で表されるいずれかの多座配位子であり、より好ましくは、式ａ９、式ａ１１〜式ａ１６、式ａ２５〜式ａ２８、式ａ３１、式ａ３３〜式ａ３８、式ａ４０および式ａ４１で表されるいずれかの多座配位子であり、更に好ましくは、式ａ１３、式ａ２５、式ａ３１および式ａ３３〜式ａ３８で表されるいずれかの多座配位子であり、特に好ましくは、式ａ１３で表される多座配位子である。
【００６６】
Ｌ1が、式ａ１３で表される多座配位子であるとき、式（１）で表される銀錯体は、下記式（２）で表される銀錯体である。
【００６７】
【化１２】
0005949091.tif 000013
（２）
（式（２）中、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｘ1、ａ、ｂおよびｃは、前記と同じ意味を表す。
Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７およびＲ８は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子または炭素原子数１〜１８の１価有機基である。複数存在するＲ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７およびＲ８はそれぞれ、同一であっても異なっていてもよい。）
【００６８】
式（１）で表される銀錯体（式（２）で表される銀錯体であってもよい。）において、ａ、ｂおよびｃの組み合わせとしては、ａおよびｂが１．０であり、かつ、ｃが０であることが好ましく、式（３）で表される銀錯体であることが好ましい。
【００６９】
【化１３】
0005949091.tif 000014
（３）
（式（３）中、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７およびＲ８は、前記と同じ意味を表す。）
【００７０】
Ｌ1は、発光素子の発光効率がより優れるため、嵩高い構造を有する多座配位子であることが好ましい。このため、Ｒ４が、ハロゲン原子または炭素原子数１〜１８の１価の有機基であることが好ましい。
【００７１】
Ｒ4におけるハロゲン原子および炭素原子数１〜１８の１価の有機基の具体例としては、上記Ｒ１におけるハロゲン原子および上記Ｒ1における有機基のうち炭素原子数１〜１８のヒドロカルビル基の具体例と同じものが挙げられる。
これらの中でも、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、トリフルオロメチル基、トリクロロメチル基、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜１２のヒドロカルビル基、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜１２のヒドロカルビルオキシ基、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜１２のヒドロカルビルチオ基または置換基を有していてもよいジアリールアミノ基が好ましく、フッ素原子、塩素原子、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜１２のヒドロカルビル基または置換基を有していてもよい炭素原子数１〜１２のヒドロカルビルオキシ基がより好ましい。
【００７２】
上記の中でも、Ｒ4としては、フッ素原子、塩素原子、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜８のヒドロカルビル基または置換基を有していてもよい炭素原子数１〜８のヒドロカルビルオキシ基が好ましく、フッ素原子、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜６のヒドロカルビル基または置換基を有していてもよい炭素原子数１〜６のヒドロカルビルオキシ基がより好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、メトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基またはｔｅｒｔ−ブトキシ基が更に好ましい。
【００７３】
Ｒ5における水素原子、ハロゲン原子および炭素原子数１〜１８の１価の有機基の具体例としては、上記Ｒ4における水素原子、ハロゲン原子および炭素原子数１〜１８の１価の有機基の具体例と同じものが挙げられる。
これらの中でも、水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、トリフルオロメチル基、トリクロロメチル基、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜１２のヒドロカルビル基、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜１２のヒドロカルビルオキシ基、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜１２のヒドロカルビルチオ基または置換基を有していてもよいジアリールアミノ基が好ましく、水素原子、フッ素原子、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜１２のヒドロカルビル基または置換基を有していてもよい炭素原子数１〜１２のヒドロカルビルオキシ基がより好ましく、水素原子、フッ素原子、トリフルオロメチル基、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基、シクロへキシル基、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ヘキシルオキシ基またはフェノキシ基が更に好ましく、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基またはドデシル基が特に好ましく、水素原子またはメチル基がとりわけ好ましく、水素原子がことさら好ましい。
【００７４】
Ｒ6における水素原子、ハロゲン原子および炭素原子数１〜１８の１価の有機基の具体例としては、上記Ｒ5における水素原子、ハロゲン原子および炭素原子数１〜１８の１価の有機基の具体例と同じものが挙げらる。
これらの中でも、水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、トリフルオロメチル基、トリクロロメチル基、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基、オクタデシル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、エテニル基、１−プロペニル基、３−ブテニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、フェニル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、２−メトキシフェニル基、３−メトキシフェニル基、４−メトキシフェニル基、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ヘキシルオキシ基、フェノキシ基、メチルチオ基、エチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、フェニルチオ基またはジフェニルアミノ基が好ましく、水素原子、フッ素原子、トリフルオロメチル基、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基、オクタデシル基、フェニル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ヘキシルオキシ基、フェノキシ基またはジフェニルアミノ基がより好ましく、水素原子、フッ素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、オクタデシル基、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ヘキシルオキシ基、フェノキシ基またはフェノキシ基が更に好ましく、水素原子、メチル基、エチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基またはメトキシ基が特に好ましく、水素原子がとりわけ好ましい。
【００７５】
Ｒ7における水素原子、ハロゲン原子および炭素原子数１〜１８の１価の有機基の具体例としては、上記Ｒ5における水素原子、ハロゲン原子および炭素原子数１〜１８の１価の有機基の具体例と同じものが挙げられる。
これらの中でも、水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、トリフルオロメチル基、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基、オクタデシル基、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ヘキシルオキシ基、フェノキシ基、メチルチオ基、エチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基またはフェニルチオ基が好ましく、水素原子、フッ素原子、トリフルオロメチル基、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基またはｔｅｒｔ−ブトキシ基がより好ましく、水素原子またはフッ素原子が更に好ましく、水素原子が特に好ましい。
【００７６】
Ｒ8における水素原子、ハロゲン原子および炭素原子数１〜１８の１価の有機基の具体例としては、上記Ｒ5における水素原子、ハロゲン原子および炭素原子数１〜１８の１価の有機基の具体例と同じものが挙げられる。
これらの中でも、水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、トリフルオロメチル基、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基、オクタデシル基、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ヘキシルオキシ基またはフェノキシ基が好ましく、水素原子、フッ素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、メトキシ基、エトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基またはｔｅｒｔ−ブトキシ基がより好ましく、水素原子、メチル基、ｓｅｃ−ブチル基またはｔｅｒｔ−ブチル基が更に好ましく、水素原子が特に好ましい。
【００７７】
複数存在するＲ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8はそれぞれ、同一であっても異なっていてもよい。すなわち、複数存在するＲ4は、同一であっても異なっていてもよく、複数存在するＲ5は、同一であっても異なっていてもよく、複数存在するＲ6は、同一であっても異なっていてもよく、複数存在するＲ7は、同一であっても異なっていてもよく、複数存在するＲ8は、同一であっても異なっていてもよい。好ましくは、複数存在するＲ4が同一であり、複数存在するＲ5が同一であり、複数存在するＲ6が同一であり、複数存在するＲ7が同一あり、かつ、複数存在するＲ8が同一である。
【００７８】
Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8の組み合わせとしては、Ｒ8が水素原子であることが好ましく、Ｒ7およびＲ8が水素原子であることがより好ましく、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8が水素原子であることが更に好ましく、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8が全て水素原子であることが特に好ましい。
【００７９】
Ｒ1およびＲ2の組み合わせとしては、Ｒ1およびＲ2が全て水素原子であることが好ましい。
【００８０】
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8の組み合わせとしては、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8の全てが水素原子であることが好ましい。
【００８１】
式（２）で表される銀錯体（式（３）で表される銀錯体であってもよい。）における下記式２−Ａに対応する多座配位子の具体例としては、下記式ａ５０〜式ａ８１、式ａ５５１、式ａ６１１、式ａ６２１および式ａ６３１で表される多座配位子が挙げられる。
【００８２】
【化１４】
0005949091.tif 000015
（２−Ａ）
【００８３】
【化１５】
0005949091.tif 000016
【００８４】
【化１６】
0005949091.tif 000017
【００８５】
これらの式２−Ａに対応する多座配位子の中でも、好ましくは、式ａ５０〜式ａ６７、式ａ７０、式ａ７１、式ａ７３、式ａ７５〜式ａ８１または式ａ５５１で表される多座配位子であり、より好ましくは、式ａ５０〜式ａ６７、式ａ７０、式ａ７３、式ａ７５、式ａ７６、式ａ８０、式ａ８１または式ａ５５１で表される多座配位子であり、更に好ましくは、式ａ５０〜式ａ５８、式ａ６１〜式ａ６４または式ａ５５１で表される多座配位子であり、特に好ましくは、式ａ５０〜式ａ５７または式ａ５５１で表される多座配位子である。
【００８６】
式（３）で表される銀錯体の具体例としては、下記式２−１〜式２−１９で表される銀錯体が挙げられる。
【００８７】
【化１７】
0005949091.tif 000018
【００８８】
【化１８】
0005949091.tif 000019
【００８９】
これらの式（３）で表される銀錯体の中でも、好ましくは、式２−１〜式２−１６で表される銀錯体のいずれかであり、より好ましくは、式２−１〜式２−１３で表される銀錯体のいずれかあり、更に好ましくは、式２−１〜式２−９で表される銀錯体のいずれかであり、特に好ましくは、式２−１〜式２−６で表される銀錯体のいずれかである。
【００９０】
式（１）で表される銀錯体は、発光素子の発光効率がより優れるため、多座配位子であるＬ１に分布する最高占有軌道の割合が１０％以上であることが好ましく、２５％以上であることがより好ましく、５０％以上であることが更に好ましく、６０％以上であることが特に好ましい。
【００９１】
本発明の発光素子が含有する式（１）で表される銀錯体は発光性を示すが、該銀錯体の発光寿命は長い方が、発光素子の発光効率がより優れるため好ましい。そのためには、Ｓ１エネルギーとＴ１エネルギーとの差が０．５０ｅＶ以下であることが好ましく、０．４０ｅＶ以下であることがより好ましく、０．３０ｅＶ以下であることが更に好ましく、０．２０ｅＶ以下であることが特に好ましい。
【００９２】
ここで、式（１）で表される銀錯体のＳ１エネルギーとＴ１エネルギーとの差の求め方について、以下で説明する。まず、密度汎関数法により式（１）で表される銀錯体の初期構造について構造最適化計算を行う。なお、構造最適化計算の際、汎関数としてＢ３ＬＹＰ、銀原子およびハロゲン原子には基底関数としてＬＡＮＬ２ＤＺ、銀原子およびハロゲン原子以外の原子には基底関数として６−３１Ｇ（ｄ）を用いる。計算プログラムはＧａｕｓｓｉａｎ０９（Ｇａｕｓｓｉａｎ  Ｉｎｃ．製）を用いる。
【００９３】
本明細書において、Ｓ１エネルギーとは、１電子励起状態において、基底状態を基準としたときの最低励起１重項状態のエネルギーである。Ｔ１エネルギーとは、１電子励起状態において、基底状態を基準としたときの最低励起３重項状態のエネルギーである。Ｓ１エネルギーおよびＴ１エネルギーは、上記の構造最適化計算により得られる最適化された構造に対して、時間依存密度汎関数法を適用し、一電子励起状態を計算することにより求めることができる。
【００９４】
本発明はまた、式（２）で表される銀錯体を提供する。式（２）で表される銀錯体は、発光効率に優れる発光素子の製造に有用である。
【００９５】
本発明の発光素子が含有する式（１）で表される銀錯体は、銀塩と、配位子と、を溶媒中で混合する等の通常の合成方法により製造することができる。即ち、ジクロロメタンやアセトニトリル等の溶媒中において、テトラフルオロホウ酸銀（Ｉ）やヘキサフルオロホスフェート銀（Ｉ）等の銀塩と、式（１）における多座配位子であるＬ１と、上記式（Ｉ）におけるａ個存在する配位子と、を反応させることで製造できる。式（２）で表される銀錯体は、式（１）におけるＬ１を、式（２）においてｂ個存在する配位子とすることで、製造することができる。
【００９６】
本発明の式（１）で表される銀錯体の製造方法について、式２−２で表される銀錯体を例に挙げて、具体的に説明する。
反応容器内を大気ガス雰囲気（不活性ガス雰囲気でもよい。）とした後、テトラフルオロホウ酸銀（Ｉ）（例えば、１ｍｍｏｌ）と、式ａ５０で表される多座配位子（銀塩とほぼ同モル量。例えば、１ｍｍｏｌ前後。）と、を溶媒（例えば、ジクロロメタンやアセトニトリル。該溶媒量は、例えば、テトラフルオロホウ酸銀１ｍｍｏｌに対して、２０ｍＬ）中でを撹拌する（例えば、室温で１０分程度撹拌する。）。その後、例えば、式１−１で表される配位子のカリウム塩を加え、４０℃〜７０℃に加熱して１０〜３０分程度撹拌する。得られた反応液をろ過し、得られたろ液を濃縮し、得られた残渣から再結晶等の精製（例えば、ジクロロメタン（良溶媒として機能する。）に該残渣を溶かして、ヘキサン（貧溶媒として機能する。）を徐々に拡散させて再結晶を行う。）を行うことにより、式２−２で表される銀錯体を製造することができる。
【００９７】
本発明の発光素子が含有する式（１）で表される銀錯体は、製造時に使用した中性の低分子が含有していてもよい。具体的には、反応液に、アセトニトリルや水分が含有するメタノールを用いた場合には、式（１）で表される銀錯体は、若干量のアセトニトリルや水を含有していてもよい。なお、アセトニトリルや水は、式（１）で表される銀錯体におけるＡｇ原子に配位結合していてもよい。
【００９８】
本発明の発光素子は、式（１）で表される銀錯体を含有する。以下、発光素子について説明する。
【００９９】
本発明の発光素子は、式（１）で表される銀錯体を含有するが、該銀錯体をそのまま含有していてもよいし、該銀錯体と共存成分との組成物の状態で成型したものを含有していてもよい。このうち、後者が好ましく、中でも、該錯体と共存成分との組成物の状態で膜状態に成型したものを含有することがより好ましい。
【０１００】
本発明の発光素子は、通常、基板と、陽極と陰極からなる一対の電極と、該電極間に挟持される１または２以上の層とを有する。該層のうち少なくとも１層が、式（１）で表される銀錯体を含有する。式（１）で表される錯体を含有する層は、有機層であることが好ましい。有機層の定義については後述する。
【０１０１】
本発明の発光素子の層構成としては、例えば、単層型（陽極／発光層／陰極）および多層型が挙げられる。多層型の発光素子の層構成としては、例えば、以下の層構成（ａ）〜（ｅ）が挙げられる。
（ａ）陽極／正孔注入層／（正孔輸送層）／発光層／陰極
（ｂ）陽極／発光層／電子注入層／（電子輸送層）／陰極
（ｃ）陽極／正孔注入層／（正孔輸送層）／発光層／電子注入層／（電子輸送層）／陰極（ｄ）陽極／発光層／（電子輸送層）／電子注入層／陰極
（ｅ）陽極／正孔注入層／（正孔輸送層）／発光層／（電子輸送層）／電子注入層／陰極
（ここで、／は各層が隣接して積層されていることを示す。以下同じ。）
【０１０２】
層構成（ａ）〜（ｅ）において、「（正孔輸送層）」および「（電子輸送層）」は、その位置にこれらの層がそれぞれ存在していてもしなくてもよい任意の層であることを意味する。
【０１０３】
本発明の発光素子において、層構成が単層型か多層型かを問わず、式（１）で表される銀錯体が含まれる層は、発光層であることが好ましく、有機層としての発光層であることがより好ましい。
【０１０４】
陽極は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層等の層に正孔を供給するものである。陽極の材料は、４．５ｅＶ以上の仕事関数を有する材料であることが好ましい。陽極の材料には、例えば、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、および、これらの組み合わせを用いることができる。
具体的には、例えば、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の導電性金属酸化物；金、銀、クロム、ニッケル等の金属；これらの導電性金属酸化物と金属との混合物および積層物；ヨウ化銅、硫化銅等の無機導電性物質；ポリアニリン類、ポリチオフェン類〔ポリ（３，４）エチレンジオキシチオフェン等〕、ポリピロール等の有機導電性材料；これらの各材料とＩＴＯとの組み合わせを用いることができる。
【０１０５】
陰極は、電子注入層、電子輸送層、発光層等の層に電子を供給するものである。陰極の材料には、例えば、金属、合金、金属ハロゲン化物、金属酸化物、電気伝導性化合物、および、これらの組み合わせを用いることができる。
具体的には、例えば、アルカリ金属（Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ等）およびそのフッ化物並びに酸化物、アルカリ土類金属（Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ等）およびそのフッ化物並びにその酸化物、金、銀、鉛、アルミニウム、合金および混合金属類〔ナトリウム−カリウム合金、ナトリウム−カリウム混合金属、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−アルミニウム混合金属、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−銀混合金属等〕、希土類金属〔イッテルビウム等〕を用いることができる。
陰極は、仕事関数の異なる２種類以上を積層してもよく、２種類以上を積層する場合、最も陽極に近い側の陰極の仕事関数は、最も陽極に遠い側の陰極の仕事関数より小さいことが好ましい。
【０１０６】
正孔注入層および正孔輸送層は、陽極から正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、または、陰極から注入された電子を障壁する機能を有する。
これらの層に用いられる材料としては、例えば、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン誘導体、スチリルアミン誘導体、芳香族ジメチリジン誘導体、ポルフィリン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）誘導体、有機シラン誘導体、および、これらの残基を含む重合体；アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマーが挙げられる。
正孔注入層および正孔輸送層は、それぞれが、これらの材料のうち１種または２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【０１０７】
電子注入層および電子輸送層は、陰極から電子を注入する機能、電子を輸送する機能、または、陽極から注入された正孔を障壁する機能を有する。
これらの層に用いられる材料としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレン誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、芳香環（ナフタレン、ペリレン等）のテトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、金属錯体（例えば、８−キノリノール誘導体の金属錯体、メタルフタロシアニンを配位子とする金属錯体、ベンゾオキサゾールを配位子とする金属錯体、ベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体）、有機シラン誘導体、および、アンモニウム塩やカルボン酸塩等のイオン性基を有する化合物が挙げられる。
電子注入層および電子輸送層は、それぞれが、これらの材料のうち１種または２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。また、電子注入層および前記電子輸送層は、それぞれが、フラーレンもしくはその誘導体、および／または、カーボンナノチューブもしくはその誘導体を含有していてもよい。
【０１０８】
電子注入層および電子輸送層の材料としては、絶縁体、半導体等の無機化合物も使用できる。電子注入層および電子輸送層が、絶縁体、半導体等の無機化合物で構成されていることで、電流のリークを有効に防止して、電子注入性を向上させることができる。
このような絶縁体としては、例えば、アルカリ金属カルコゲニド、アルカリ土類金属カルコゲニド、アルカリ金属のハロゲン化物およびアルカリ土類金属のハロゲン化物からなる群から選ばれる一種の金属化合物が挙げられ、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＢａＳまたはＣａＳｅであることが好ましい。
また、電子注入層および電子輸送層を構成する半導体としては、例えば、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔａ、ＳｂおよびＺｎからなる群から選ばれる一種の元素の酸化物、窒化物および酸化窒化物が挙げられる。
【０１０９】
発光層は、電界印加時に陽極、正孔注入層または正孔輸送層より正孔を注入することができ、陰極、電子注入層または電子輸送層より電子を注入することができる機能；注入した電荷（電子と正孔）を電界の力で移動させる機能；電子と正孔の再結合の場を提供し、これを発光につなげる機能のいずれかを有する。
発光層は、上記式（１）で表される銀錯体を含有することが好ましい。発光層は更に、上記式（１）で表される銀錯体以外のホスト材料（この場合、式（１）で表される銀錯体はゲスト材料となる。）を含有していることが好ましい。ホスト材料としては、例えば、フルオレン骨格を有する化合物、カルバゾール骨格を有する化合物、トリアリールアミン骨格を有する化合物、トリアリールホスフィン骨格を有する化合物、チオフェン骨格を有する化合物、ピリジン骨格を有する化合物、ピラジン骨格を有する化合物、トリアジン骨格を有する化合物およびアリールシラン骨格を有する化合物が挙げられる。また、ホスト材料として、後述する樹脂を用いてもよい。ホスト材料のＴ１エネルギーは、ゲスト材料のＴ１エネルギーより大きいことが好ましい。ホスト材料は、低分子化合物であってもよいし、高分子化合物であってもよい。該高分子化合物は、数平均分子量が２０００以上であることがより好ましい。ホスト材料は、更に電解質を含有してもよく、該電解質としては、例えば、支持塩（支持塩の例：トリフルオロメタンスルホン酸リチウム、過塩素酸リチウム、過塩素酸テトラブチルアンモニウム、ヘキサフルオロリン酸カリウムおよびテトラフルオロホウ酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム）を含有している溶媒（溶媒の例：プロピレンカーボネート、アセトニトリル、２−メチルテトラヒドロフラン、１，３−ジオキソフラン、ニトロベンゼン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、グリセリン、プロピルアルコールおよび水）、および、該溶媒で膨潤したゲル状の高分子（ゲル状の高分子の例：ポリエチレンオキシド、ポリアクリルニトリル、フッ化ビニリデンと六フッ化プロピレンの共重合体）が挙げられる。なお、ホスト材料と式（１）で表される銀錯体と有機溶媒と、を混合して塗布する、または、ホスト材料と式（１）で表される銀錯体を共蒸着することにより、式（１）で表される銀錯体とホスト材料とを含有する発光層を形成することができる。
【０１１０】
本発明の発光素子において、各層の形成方法としては、例えば、真空蒸着法〔抵抗加熱蒸着法、電子ビーム法等〕、スパッタリング法、ＬＢ法、分子積層法および塗布法が挙げられる。これらのうち、製造プロセスを簡略化できる点で、塗布法が好ましい。
【０１１１】
塗布法としては、例えば、スピンコート法、キャスティング法、ディップコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法およびインクジェット印刷法が挙げられ、これらのうち、スピンコート法、キャスティング法、ロールコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法またはインクジェット印刷法が好ましく、ロールコート法、スプレーコート法またはフレキソ印刷法がより好ましい。
【０１１２】
本発明の発光素子においては、一対の電極間に挟持される層のうち、有機層としての発光層を塗布法によって形成することが好ましく、有機層としての発光層、および、発光層以外に発光素子が含有する有機層の一層以上選ばれるを、塗布法によって形成することがより好ましく、有機層としての発光層、および、発光層以外に発光素子が含有する有機層のすべてを、塗布法によって形成することが更に好ましい。
【０１１３】
本明細書において、有機層とは、有機物を含有する層のことである。通常は、発光素子を構成する層のうち、上記の正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子注入層および電子輸送層等の層が有機物を含有することが好ましい。
【０１１４】
本発明の発光素子は、通常、有機層を含有する。有機層の厚さは、１ｎｍ〜１００μｍであることが好ましく、２ｎｍ〜１μｍであることがより好ましく、３ｎｍ〜２００ｎｍであることが更に好ましく、１０ｎｍ〜１２０ｎｍであることが特に好ましい。
【０１１５】
塗布法により各層を形成する手順の一例を挙げると、式（１）で表される銀錯体、または、上述した各層の材料を、溶媒と混合して塗布液を調製し、該塗布液を、任意の層（または電極）上に、塗布し、乾燥させることによって形成することができる。乾燥させる際は、加熱して乾燥させることが好ましい。
【０１１６】
上記の塗布液を調製するための溶媒としては、水や有機溶媒を使用することができ、好ましくは、有機溶媒を使用する。
【０１１７】
有機溶媒は、式（１）で表される銀錯体を溶解または均一に分散できるものが好ましい。有機溶媒としては、例えば、クロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン、ｍ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒；テトラヒドロフラン、２−メチルテトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、アニソール等のエーテル系溶媒；トルエン、キシレン、メシチレン、フェニルシクロヘキサン、ビシクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒；シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、アセトフェノン等のケトン系溶媒；酢酸エチル、酢酸ブチル、安息香酸メチル、酢酸フェニル等のエステル系溶媒；エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコールおよびその誘導体；メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒；Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒；アセトニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル系溶媒が挙げられる。また、これらの有機溶媒は、単独で用いてもよいし、複数を組み合わせて用いてもよい。
これらの有機溶媒の中でも、均一な膜が得られる観点から、芳香族炭化水素系溶媒、エーテル系溶媒、脂肪族炭化水素系溶媒、エステル系溶媒またはケトン系溶媒が好ましく、トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、トリメチルベンゼン、ｎ−プロピルベンゼン、イソプロピルベンゼン、ｎ−ブチルベンゼン、イソブチルベンゼン、ｓ−ブチルベンゼン、ｎ−ヘキシルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、１−メチルナフタレン、テトラリン、アニソール、エトキシベンゼン、シクロヘキサン、ビシクロヘキシル、シクロヘキセニルシクロヘキサノン、ｎ−ヘプチルシクロヘキサン、ｎ−ヘキシルシクロヘキサン、デカリン、安息香酸メチル、シクロヘキサノン、２−プロピルシクロヘキサノン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、４−ヘプタノン、２−オクタノン、２−ノナノン、２−デカノン、ジシクロヘキシルケトン、アセトフェノンまたはベンゾフェノンがより好ましい。
【０１１８】
塗布液中には、上記ホスト材料および／またはバインダー（例えば、樹脂である。）を含有させてもよい。この樹脂は、有機溶媒に溶解させてもよいし、有機溶媒に分散（懸濁）させてもよいが、有機溶媒に溶解させることが好ましい。
【０１１９】
樹脂としては、ポリビニルカルバゾール等の非共役系高分子、または、ポリオレフィン系高分子等の共役系高分子を使用することができる。具体的には、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタジエン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂およびシリコン樹脂が挙げられる。
【０１２０】
インクジェット印刷法においては、例えば、ノズルからの蒸発を押さえるために高沸点の溶媒〔アニソール、ビシクロヘキシルベンゼン等〕を用いることができる。また、溶液の粘度は、２５℃において、１〜１００ｍＰａ・ｓであることが好ましい。
【０１２１】
塗布後に溶媒を乾燥させることにより膜（層）が得られる。具体的には、例えば、風乾、加熱乾燥、減圧乾燥、加熱しながらの減圧乾燥および窒素ガスを吹き付けて行う乾燥が挙げられ、風乾または加熱乾燥が好ましく、加熱乾燥がより好ましい。
【０１２２】
本発明の発光素子は、例えば、照明用光源、サイン用光源、バックライト用光源、ディスプレイ装置、プリンターヘッドに用いることができる。ディスプレイ装置としては、公知の駆動技術および／または公知の駆動回路等を用い、セグメント型、ドットマトリクス型等の構成とすることができる。
【０１２３】
本発明はまた、式（１）で表される銀錯体を含有する素子用インクを提供する。該インクは発光素子用インクであることが好ましい。
【０１２４】
本発明のインクは、室温で液体状態である溶媒と、室温で固体である溶質と、からなる混合物であり、式（１）で表される銀錯体を溶質として含んでいればよく、好ましくは、式（１）で表される銀錯体以外に上述のホスト材料を溶質として含む。
【０１２５】
本発明のインクは、均一な溶液状態でも、溶液中に固体が分散した状態でもよいが、均一な溶液状態が好ましい。
【０１２６】
本発明のインクにおける式（１）で表される銀錯体の割合は、溶媒を除いた全体の重量（すなわち、溶質の重量）に対して、通常１０重量％〜１００重量％であり、好ましくは２０重量％〜５０重量％である。
【０１２７】
本発明のインクにおける式（１）で表される銀錯体の割合は、インク全体の重量（すなわち、溶媒と溶質の総重量）に対して、通常０．０１重量％〜８０重量％であり、好ましくは０．１重量％〜１０重量％であり、より好ましくは０．３重量％〜５重量％である。
本発明のインクの粘度は、選択する塗布法によって異なるが、インクジェット印刷法等のインクが吐出装置を経由するものの場合には、吐出時の目づまりや飛行曲がりを防止するために、粘度が２５℃において１〜２０ｍＰａ・ｓの範囲であることが好ましい。
【０１２８】
本発明のインクが含有する溶媒の具体例および好ましい例は、上述の有機溶媒が挙げられる。本発明のインクは、沸点が１００℃以上の溶媒を含有することが好ましく、沸点が１３０℃以上の溶媒を含有することがより好ましい。
【０１２９】
本発明のインクが２種類以上の溶媒を含有する場合、成膜性の観点から、最も沸点が高い溶媒が、溶媒の全重量の３０重量％〜９９重量％であることが好ましく、５０重量％〜９０重量％であることがより好ましい。
【実施例】
【０１３０】
次に、実施例を示して本発明を説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【０１３１】
ＮＭＲ測定には、Ｖａｒｉａｎ社製、３００ＭＨｚＮＭＲスペクトロメーターを用いた。
【０１３２】
ポリスチレン換算の数平均分子量および重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（以下、「ＧＰＣ」と言う。）（島津製作所製、商品名：ＬＣ−１０Ａｖｐ）により求めた。測定する高分子化合物は、約０．５重量％の濃度になるようテトラヒドロフランに溶解させ、ＧＰＣに３０μＬ注入した。ＧＰＣの移動相にはテトラヒドロフランを用い、０．６ｍＬ／分の流速で流した。カラムは、ＴＳＫｇｅｌ  ＳｕｐｅｒＨＭ−Ｈ（東ソー製）２本とＴＳＫｇｅｌ  ＳｕｐｅｒＨ２０００（東ソー製）１本を直列に繋げた。検出器には示差屈折率検出器（島津製作所製、商品名：ＲＩＤ−１０Ａ）を用いた。
【０１３３】
実施例１（銀錯体１の合成）
１，２−ビス［ビス（２−メチルフェニル）ホスフィノ］ベンゼンを、Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ  ２３，６０７７−６０７９（２００４）に記載の方法に従って合成した。
【０１３４】
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、テトラフルオロホウ酸銀（Ｉ）（１１１ｍｇ，０．５７０ｍｍｏｌ）、ジクロロメタン（５ｍＬ）および１，２−フェニレンビス［ビス（２−メチルフェニル）］ホスフィン（２８７ｍｇ，０．５７０ｍｍｏｌ）を加え、室温で５分間撹拌した。その後、ジフェニルビス（ピラゾール−１−イル）ボランのカリウム塩（１９３ｍｇ，０．５７０ｍｍｏｌ）を加え、４０℃で１０分間撹拌した。得られた反応液をろ過し、得られたろ液を濃縮し、得られた残渣を、クロロホルムを良溶媒として用い、ヘキサンを貧溶媒として用いる再結晶を２回行い、その後乾燥させることで、無色固体の銀錯体１を１３２ｍｇ（収率２５．４％）得た。
【０１３５】
【化１９】
0005949091.tif 000020
【０１３６】
実施例１で得られた銀錯体１の組成比は、元素分析から決定した。銀錯体１の元
素分析測定の結果を下記に示す。
【０１３７】
Ａｎａｌ．Ｃａｌｃｄ  ｆｏｒ  Ｃ52Ｈ48Ｎ4ＡｇＢＰ2・Ｈ2Ｏ（％）：Ｃ，６７．３３；Ｈ，５．４３；Ｎ，６．０４．ｆｏｕｎｄ：Ｃ，６７．６１；Ｈ，５．４１；Ｎ，５．８３．
【０１３８】
実施例１で得られた銀錯体１の１Ｈ−ＮＭＲデータ、３１Ｐ−ＮＭＲデータおよび１９Ｆ−ＮＭＲデータを下記に示す。
【０１３９】
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ（ｐｐｍ）＝７．４６−７．４３（ｍ，２Ｈ），７．３３−６．８２（ｍ，２６Ｈ），６．６５−６．５９（ｍ，６Ｈ），５．９４（ｔ，Ｊ＝１．８Ｈｚ，２Ｈ），１．９８（ｂｒ，１２Ｈ）．
【０１４０】
31Ｐ−ＮＭＲ（１２２ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ（ｐｐｍ）＝−２３．６（ｄ，Ｊ（31Ｐ−107Ａｇ，109Ａｇ）＝２８６，３３０Ｈｚ）．
【０１４１】
１９Ｆ−ＮＭＲ（２８２ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ（ｐｐｍ）検出されず．
【０１４２】
上記のＮＭＲデータから、実施例１で得られた銀錯体１は下記構造であると判断される。
【０１４３】
【化２０】
0005949091.tif 000021
【０１４４】
（発光量子効率の測定）
実施例１で合成した銀錯体１の発光量子効率は、錯体単体で９９％であった。
【０１４５】
なお、発光量子効率の測定は以下の方法で行った。
【０１４６】
大気雰囲気中、室温において、１８ｍｍ角、厚さ０．３ｍｍの２枚の石英板に、実施例１で合成した銀錯体１を約１．５ｍｇ挟み込み、直径１０ｍｍ程度の円形に引き伸ばして、発光量子効率の検体を作製した。大気雰囲気中、室温において、作製した発光量子効率の検体を量子効率測定装置（住友重機械メカトロニクス社製）の積分球に取り付け、発光量子効率を測定した。
【０１４７】
量子効率測定装置の機器構成は以下の通りである。
光源には、Ｋｉｍｍｏｎ社製のクラス３ＢのＨｅ−Ｃｄ式ＣＷレーザーを用いた。出射部には、ＯＦＲ社製のＮＤフィルターＦＤＵ０．５を挿入し、光ファイバーで積分球へ導いた。量子効率測定装置の積分球から検出された信号は、ポリクロメータおよびＣＣＤマルチチャンネル検出器を介し、ＫＥＹＴＨＬＥＹ社製の型式２４００ソースメーターを連結して、一般的なノート型ＰＣに接続してデータを受診した。
【０１４８】
発光量子効率測定時の条件は以下の通りである。
レーザー励起光を３２５ｎｍとし、積分時間を３００ｍｓ、励起光積分範囲を３１５〜３３５ｎｍ、ＰＬ波長積分範囲を３８０〜８００ｎｍとした。
【０１４９】
合成例１（正孔輸送性高分子材料の合成）
反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、下記式３−１で表される化合物（１．９８３ｇ、３．９８ｍｍｏｌ）、下記式３−２で表される化合物（１．５６１ｇ、３．４０ｍｍｏｌ）、下記式３−３で表される化合物（０．２５８ｇ、０．６０ｍｍｏｌ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（２．８ｍｇ）およびトルエン（４４ｍｌ）を混合し、１０５℃に加熱した。得られた反応液に２０重量％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液（１３．３ｍｌ）を滴下した後、１２時間還流させた。
【０１５０】
【化２１】
0005949091.tif 000022
【０１５１】
得られた反応液に、フェニルボロン酸（４９ｍｇ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（２．８ｍｇ）およびトルエン（４４ｍｌ）を加え、更に１７時間還流させた。得られた反応液にジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、８０℃で２時間撹拌した。得られた反応液を冷却後、水（５２ｍｌ）で２回、３重量％酢酸水溶液（５２ｍｌ）で２回、水（５２ｍｌ）で２回洗浄し、得られた溶液をメタノール（６２０ｍＬ）に滴下し、ろ取することで沈殿物が得られた。得られた沈殿物をトルエン（１２４ｍＬ）に溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムを順番に通すことにより精製した。得られた溶液をメタノール（６２０ｍｌ）に滴下し、撹拌することで沈殿物が得られた。得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、正孔輸送性高分子材料を１．９４ｇ得た。正孔輸送性高分子材料のポリスチレン換算数平均分子量は４．４×１０４であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は１．１×１０５であった。
【０１５２】
実施例２（発光素子１の作製と評価）
ガラス基板表面に形成された厚さが４５ｎｍのＩＴＯ陽極上に、正孔注入材料溶液を用いたスピンコート法によって、厚さが８０ｎｍの膜を得た。該膜が形成された基板を、窒素ガス雰囲気下において、１７０℃で１０分間加熱し、該基板を室温まで自然冷却させ、正孔注入層が形成された基板を得た。
【０１５３】
ここで、正孔注入材料溶液には、ポリチオフェン・スルホン酸系の正孔注入材料であるＡＱ−１２００（Ｐｌｅｘｔｒｏｎｉｃｓ社製）を用いた。
【０１５４】
次に、上記の正孔輸送性高分子材料をキシレンに溶解させ、０．６重量％の正孔輸送性高分子材料を含む正孔輸送材料溶液を得た。
【０１５５】
次に、正孔注入層が形成された基板上に、上記の正孔輸送層材料溶液を用いたスピンコート法によって、厚さが２５ｎｍの膜を得た。該膜が形成された基板を、窒素ガス雰囲気下において、２００℃で１５分間加熱し、該膜を不溶化させた後、該基板を室温まで自然冷却させ、正孔輸送層が形成された基板を得た。
【０１５６】
次に、実施例１で得られた銀錯体１と、２，８−ビス（ジフェニルホスホリル）ヂベンゾ［ｂ，ｄ]チオフェン（Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  Ｃｏｒｐ．製）と、をクロロベンゼンに溶解させ、１．９重量％の発光材料溶液（銀錯体１／２，８−ビス（ジフェニルホスホリル）ヂベンゾ［ｂ，ｄ]チオフェン＝３５重量％／６５重量％）を得た。なお、該発光材料溶液は、本発明のインクに該当する。
【０１５７】
次に、正孔輸送層が形成された基板上に、上記の発光材料溶液を用いたスピンコート法によって、厚さが７０ｎｍの膜を得た。該膜が形成された基板を、窒素ガス雰囲気下において、５０℃で１０分間加熱し、該基板を室温まで自然冷却させ、発光層が形成された基板を得た。
【０１５８】
次に、発光層が形成された基板上に、陰極として、フッ化リチウムを約１ｎｍ、次いでアルミニウムを約８０ｎｍ、真空蒸着法により蒸着して、発光素子１を作製した。
【０１５９】
得られた発光素子１に８．０Ｖの電圧を印加したところ、この素子から５２０ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られ、発光効率は１３ｃｄ／Ａであった。
【０１６０】
実施例３（インク１の作製）
実施例１で得られた銀錯体１（１００ｍｇ）にキシレン（１．０ｍＬ）を加えたところ、銀錯体１が完全に溶解したインク１が得られた。
【０１６１】
実施例４（インク２の作製）
実施例１で得られた銀錯体１（１０ｍｇ）にクロロホルム（１．０ｇ）を加えたところ、銀錯体１が完全に溶解したインク２が得られた。
【０１６２】
比較例１（銀錯体Ｃ１の合成）
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、テトラフルオロホウ酸銀（Ｉ）（１３．７ｍｇ，０．０７０４ｍｍｏｌ）、ジクロロメタン（２ｍＬ）およびトリフェニルホスフィン（３６．９ｍｇ，０．１４１ｍｍｏｌ）を加え、室温で５分間撹拌した。その後、ジフェニルビス（ピラゾール−１−イル）ボランのカリウム塩（１９．３ｍｇ，０．０５７２ｍｍｏｌ）を加え、４０℃で１０分間撹拌した。得られた反応液をろ過し、得られたろ液を濃縮し、得られた残渣をジエチルエーテルに懸濁させてろ過し、得られたろ液を濃縮して、無色固体の銀錯体Ｃ１を４９．５ｍｇ（収率９２．９％）得た。
【０１６３】
【化２２】
0005949091.tif 000023
【０１６４】
比較例１で得られた銀錯体Ｃ１の１Ｈ−ＮＭＲデータ、３１Ｐ−ＮＭＲデータおよび１９Ｆ−ＮＭＲデータを下記に示す。比較例１で得られた錯体の構造は、ＮＭＲデータから判断した。
【０１６５】
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ（ｐｐｍ）＝７．６３−７．６２（ｍ，２Ｈ），７．５９−７．５６（ｍ，２Ｈ），７．３８−６．９４（ｍ，４０Ｈ），６．１７（ｔ，Ｊ＝２．０Ｈｚ，２Ｈ）．
【０１６６】
31Ｐ−ＮＭＲ（１２２ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ（ｐｐｍ）＝１０．１（ｓ）．
【０１６７】
１９Ｆ−ＮＭＲ（２８２ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ（ｐｐｍ）検出されず．
【０１６８】
上記のＮＭＲデータから、比較例１で得られた銀錯体Ｃ１は上記構造であると判断される。
【０１６９】
比較例１で得られた銀錯体Ｃ１の発光量子効率を、上記実施例１で得られた銀錯体１と同様に測定したところ、錯体単体で１％であった。このため、銀錯体Ｃ１を用いた発光素子は、高い発光効率を示さない。
【０１７０】
＜計算例１＞
実施例１で得られた銀錯体１について、Ｇａｕｓｓｉａｎ０９プログラム（リビジョン  Ｄ．０２、Ｇａｕｓｓｉａｎ  Ｉｎｃ．製）の密度汎関数法を用い、構造最適化計算を行った。得られた最適化された構造に対し、同じくＧａｕｓｓｉａｎ０９プログラムを用いて、時間依存密度汎関数法を用いて１電子励起状態の計算を行った。構造最適化計算および１電子励起状態の計算はいずれも、汎関数としてＢ３ＬＹＰ、基底関数としてＡｇ原子に対してはＬＡＮＬ２ＤＺ、基底関数としてＡｇ原子以外の原子に対しては６−３１Ｇ（ｄ）を用いた。
１電子励起状態の計算の結果、Ｓ１エネルギーが３．４３ｅＶであり、Ｔ１エネルギーが３．２３ｅＶであり、Ｓ１エネルギーとＴ１エネルギーの差が０．２０ｅＶであった。また、１，２−フェニレンビス［ビス（２−メチルフェニル）］ホスフィンに分布する最高占有軌道の割合は、６８％であった。
【０１７１】
＜計算例Ｃ１＞
比較例１で得られた銀錯体Ｃ１についても、計算例１と同様に計算を行った。
１電子励起状態の計算の結果、Ｓ１エネルギーが４．３１ｅＶであり、Ｔ１エネルギーが３．５７ｅＶであり、Ｓ１エネルギーとＴ１エネルギーの差が０．７４ｅＶであった。また、２つのトリフェニルホスフィンに分布する最高占有軌道の割合は、それぞれ、１％であった。