(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁膜上にＣｕを含有するＡｌ合金膜を堆積する第１工程と、
前記Ａｌ合金膜をドライエッチング加工することにより、表面にポリマーが付着したＡｌ合金配線を形成する第２工程と、
前記Ａｌ合金配線及び前記絶縁膜の上にＮＨ４Ｆ系の剥離液を供給し、前記剥離液を第１時間保持する第３工程と、
前記Ａｌ合金配線及び前記絶縁膜を水洗処理することにより前記剥離液を除去する第４工程と、
前記Ａｌ合金配線及び前記絶縁膜を乾燥させる第５工程と、
前記第５工程の後に、さらに前記第３工程から前記第５工程をｎ回繰り返す工程と、を具備し、
前記第３工程から前記第５工程および前記ｎ回繰り返す工程を経ることにより前記ポリマーを除去し、
前記ｎ回繰り返す工程において、ｍ回目の繰り返し工程における第３工程の剥離液の保持時間を第（ｍ＋１）時間とした場合、
前記第１時間から第（ｎ＋１）時間までの各時間を合計した合計時間は、前記Ａｌ合金配線に含有するＣｕが前記剥離液に溶解され、前記剥離液から前記Ａｌ合金配線の側壁に析出するＣｕ析出物の大きさが、前記Ａｌ合金配線の相互間の最小間隔の１／２より小さい時間であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
ただし、ｎには１以上の一つの整数が入れられ、ｍには１からｎまでのいずれかの整数が入れられる。
【請求項２】
絶縁膜上にＴｉＮ膜を堆積し、前記ＴｉＮ膜上にＣｕを含有するＡｌ合金膜を堆積する第１工程と、
前記Ａｌ合金膜及び前記ＴｉＮ膜をドライエッチング加工することにより、表面にポリマーが付着した配線を形成する第２工程と、
前記配線及び前記絶縁膜の上にＮＨ４Ｆ系の剥離液を供給し、前記剥離液を第１時間保持する第３工程と、
前記配線及び前記絶縁膜を水洗処理することにより前記剥離液を除去する第４工程と、
前記配線及び前記絶縁膜を乾燥させる第５工程と、
前記第５工程の後に、さらに前記第３工程から前記第５工程をｎ回繰り返す工程と、を具備し、
前記第３工程から前記第５工程および前記ｎ回繰り返す工程を経ることにより前記ポリマーを除去し、
前記ｎ回繰り返す工程において、ｍ回目の繰り返し工程における第３工程の剥離液の保持時間を第（ｍ＋１）時間とした場合、
前記第１時間から第（ｎ＋１）時間までの各時間を合計した合計時間は、前記Ａｌ合金配線に含有するＣｕが前記剥離液に溶解され、前記剥離液から前記Ａｌ合金配線の側壁に析出するＣｕ析出物の大きさが、前記Ａｌ合金配線の相互間の最小間隔の１／２より小さい時間であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
ただし、ｎには１以上の一つの整数が入れられ、ｍには１からｎまでのいずれかの整数が入れられる。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記ｎ回繰り返す前の１回目の第３工程で前記Ａｌ合金配線の側面に前記ポリマーを残すことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記第１時間及び前記第（ｎ＋１）時間それぞれは、前記最小間隔を有する前記Ａｌ合金配線の相互間に位置する前記剥離液のＣｕ濃度が飽和濃度に達しない時間であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４において、前記飽和濃度は１５００ｐｐｍであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ポリマーを除去する工程を有する半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図３（Ａ）〜（Ｄ）は、薬液処理装置によってポリマーの除去方法を説明するための模式図である。図４（Ａ）〜（Ｄ）は、図３に示すポリマーの除去方法を用いた半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【０００３】
まず、図示せぬシリコンウエハー（シリコン基板）上に絶縁膜１０を形成する。次いで、この絶縁膜１０上にＴｉＮ膜、Ｃｕを０．５原子％含有するＡｌ合金膜、ＴｉＮ膜を順に成膜した後に、そのＴｉＮ膜上にフォトレジスト膜を塗布し、このフォトレジスト膜を露光、現像する。これにより、ＴｉＮ膜上にはレジストパターンが形成される。次いで、このレジストパターンをマスクとしてＴｉＮ膜、Ａｌ合金膜及びＴｉＮ膜をドライエッチング加工することにより、絶縁膜１０上にＴｉＮ膜１４ａ、Ａｌ合金配線１５、ＴｉＮ膜１４ｂの順に積層した配線が形成される。この際、この配線の側面にポリマー１７が付着する（図４（Ａ）参照）。
【０００４】
次に、図３（Ａ）に示すように、絶縁膜１０が形成されたシリコンウエハーを薬液処理装置に保持し、このシリコンウエハーを矢印のように回転させながら絶縁膜１０及びＡｌ合金配線１５の上にＮＨ４Ｆ系の有機剥離液１１を供給する。これにより、絶縁膜１０及びＡｌ合金配線１５の全面上にＮＨ４Ｆ系の有機剥離液１１が盛られる（図３（Ｂ），図４（Ａ）参照）。
【０００５】
次に、図３（Ｂ）に示すように、２０秒毎にシリコンウエハーにパドリングを行う薬液処理を２分間施す。この処理を施している間に、Ａｌ合金配線１５の側面からポリマー１７が除去されながら、Ａｌ合金配線１５がポリマーの溶け込んだ有機剥離液１１にさらされる。これにより、Ａｌ合金配線に含まれているＣｕ１６が矢印１６ａのように有機剥離液１１に溶け込み、Ａｌ合金配線１５の相互間のスペースが狭い箇所でＣｕ析出物２０が析出してＡｌ合金配線間をショートさせてしまうことがある（図４（Ａ），（Ｂ）参照）。ポリマー１７は２分間の薬液処理で完全に除去される。また、Ｃｕ析出物２０は、ＴｉＮ膜１４ａの側壁に発生しやすく、ＴｉＮ膜１４ａから成長すると考えられる。
【０００６】
なお、パドリングとは、１回に１５〜３０°の回転角度だけシリコンウエハーを回転させ、シリコンウエハー上に盛られた有機剥離液１１を動かして撹拌させるものである。
【０００７】
次に、図３（Ｃ）に示すように、シリコンウエハーを矢印のように回転させながら、ノズル１２ａ，１２ｂから水１３をシリコンウエハー上のＡｌ合金配線１５及び絶縁膜１０に吐出し、水１３によって有機剥離液１１を洗い流して除去する水洗処理を行う（図４（Ｃ）参照）。この水洗処理は１分間行われる。
【０００８】
次に、図３（Ｄ）に示すように、シリコンウエハーを高速で矢印のように回転させて  Ａｌ合金配線１５及び絶縁膜１０を乾燥させる乾燥処理を３０秒間行う。これにより、Ａｌ合金配線１５及び絶縁膜１０の表面は乾燥され、Ａｌ合金配線間は、Ｃｕ析出物２０によってショートした状態となる（図４（Ｄ）参照）。なお、上記の半導体装置の製造方法に関連する技術が特許文献１，２に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００９−１２３９２５号公報
【特許文献２】特開平４−２３４１２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の幾つかの態様は、Ｃｕ析出物によるＡｌ合金配線間のショートによる不良発生を抑制できる半導体装置の製造方法に関連している。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一態様は、絶縁膜上にＣｕを含有するＡｌ合金膜を堆積する第１工程と、Ａｌ合金膜をドライエッチング加工することにより、表面にポリマーが付着し且つＡｌ合金膜からなるＡｌ合金配線を形成する第２工程と、Ａｌ合金配線及び前記絶縁膜の上にＮＨ４Ｆ系の有機剥離液を供給し、前記有機剥離液を第１時間保持することにより前記ポリマーの少なくとも一部を除去する第３工程と、Ａｌ合金配線及び前記絶縁膜を水洗処理することにより有機剥離液を除去する第４工程と、Ａｌ合金配線及び前記絶縁膜を乾燥させる第５工程と、第３工程から前記第５工程をｎ回繰り返す工程と、を具備し、ｎ回繰り返す工程において、ｍ回目の繰り返し工程における第３工程の有機剥離液の保持時間を第（ｍ＋１）時間とした場合、
前記第１時間から前記第（ｍ＋１）時間までの各時間を合計した合計時間は、前記Ａｌ合金配線に含有するＣｕが前記有機剥離液に溶解され、前記有機剥離液から前記Ａｌ合金配線の側壁に析出するＣｕ析出物の大きさが、前記Ａｌ合金配線の相互間の最小間隔の１／２より小さい時間であることを特徴とする半導体装置の製造方法である。
ただし、ｎには１以上の一つの整数が入れられ、ｍには１からｎまでのいずれかの整数が入れられる。
【００１２】
本発明の一態様は、絶縁膜上にＴｉＮ膜を堆積し、前記ＴｉＮ膜上にＣｕを含有するＡｌ合金膜を堆積する第１工程と、
前記Ａｌ合金膜及び前記ＴｉＮ膜をドライエッチング加工することにより、ＴｉＮ膜と、表面にポリマーが付着し且つ前記Ａｌ合金膜からなるＡｌ合金配線とを積層した配線を形成する第２工程と、
前記配線及び前記絶縁膜の上にＮＨ４Ｆ系の有機剥離液を供給し、前記有機剥離液を第１時間保持することにより前記ポリマーの少なくとも一部を除去する第３工程と、
前記配線及び前記絶縁膜を水洗処理することにより前記有機剥離液を除去する第４工程と、
前記配線及び前記絶縁膜を乾燥させる第５工程と、
前記第３工程から前記第５工程をｎ回繰り返す工程と、を具備し、
前記ｎ回繰り返す工程において、ｍ回目の繰り返し工程における第３工程の有機剥離液の保持時間を第（ｍ＋１）時間とした場合、
前記第１時間から前記第（ｍ＋１）時間までの各時間を合計した合計時間は、前記Ａｌ合金配線に含有するＣｕが前記有機剥離液に溶解され、前記有機剥離液から前記Ａｌ合金配線の側壁に析出するＣｕ析出物の大きさが、前記Ａｌ合金配線の相互間の最小間隔の１／２より小さい時間であることを特徴とする半導体装置の製造方法である。
ただし、ｎには１以上の一つの整数が入れられ、ｍには１からｎまでのいずれかの整数が入れられる。
【００１３】
また、本発明の一態様において、前記第１時間は、前記Ａｌ合金配線に含有するＣｕが前記有機剥離液に溶解され、前記有機剥離液から前記Ａｌ合金配線の側壁に析出するＣｕ析出物の大きさが、前記Ａｌ合金配線の相互間の最小間隔の１／２（ｎ＋１）より小さい時間であり、
前記第（ｍ＋１）時間は、前記Ａｌ合金配線に含有するＣｕが前記有機剥離液に溶解され、前記有機剥離液から前記Ａｌ合金配線の側壁に析出するＣｕ析出物の大きさが、前記Ａｌ合金配線の相互間の最小間隔の（ｍ＋１）／２（ｎ＋１）より小さい時間であるとよい。
【００１４】
また、本発明の一態様において、
前記ｎ回繰り返す前の１回目の第３工程で前記Ａｌ合金配線の側面に前記ポリマーを残すとよい。
【００１５】
また、本発明の一態様において、
前記第１時間及び前記第（ｍ＋１）時間それぞれは、前記最小間隔を有する前記Ａｌ合金配線の相互間に位置する前記有機剥離液のＣｕ濃度が１５００ｐｐｍに達しない時間であるとよい。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】（Ａ）〜（Ｈ）は薬液処理装置によるポリマーの除去方法を説明するための模式図。
【図２】（Ａ）〜（Ｆ）は図１に示すポリマーの除去方法を用いた半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図３】（Ａ）〜（Ｄ）は薬液処理装置によるポリマーの除去方法を説明するための模式図。
【図４】（Ａ）〜（Ｄ）は図３に示すポリマーの除去方法を用いた半導体装置の製造方法を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００１８】
図１（Ａ）〜（Ｈ）は、薬液処理装置によってポリマーの除去方法を説明するための模式図である。図２（Ａ）〜（Ｆ）は、図１に示すポリマーの除去方法を用いた半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【００１９】
まず、図示せぬシリコンウエハー（シリコン基板）上に図示せぬトランジスター等を形成し、このトランジスター等及びシリコンウエハーの上に絶縁膜１０を形成する。次いで、この絶縁膜１０上にＴｉＮ膜、Ｃｕを０．５原子％含有するＡｌ合金膜、ＴｉＮ膜を順に成膜した後に、そのＴｉＮ膜上にフォトレジスト膜を塗布し、このフォトレジスト膜を露光、現像する。これにより、ＴｉＮ膜上にはレジストパターンが形成される。次いで、このレジストパターンをマスクとしてＴｉＮ膜、Ａｌ合金膜及びＴｉＮ膜をドライエッチング加工することにより、絶縁膜１０上にＴｉＮ膜１４ａ、Ａｌ合金配線１５、ＴｉＮ膜１４ｂの順に積層した配線が形成される。この際、この配線の側面にポリマー１７が付着する（図２（Ａ）参照）。なお、本実施の形態では、Ｃｕを０．５原子％含有するＡｌ合金膜を用いているが、Ｃｕ及びＳｉを含有するＡｌ合金膜を用いてもよい。
【００２０】
次に、図１（Ａ）に示すように、絶縁膜１０が形成されたシリコンウエハーを薬液処理装置に保持し、このシリコンウエハーを矢印のように回転させながら絶縁膜１０及びＡｌ合金配線１５の上にＮＨ４Ｆ系の有機剥離液１１を供給する。これにより、絶縁膜１０及びＡｌ合金配線１５の全面上にＮＨ４Ｆ系の有機剥離液１１が盛られる（図１（Ｂ），図２（Ａ）参照）。なお、有機剥離液１１は、例えばＮＨ４Ｆ及び有機アミンを含む水溶液である。
【００２１】
次に、図１（Ｂ）に示すように、シリコンウエハーを回転させずに有機剥離液１１を第１時間保持する１回目の薬液処理を行う。この第１時間は、シリコンウエハー上の全てのＡｌ合金配線間のうちの最小間隔を有するＡｌ合金配線１５の相互間に位置する有機剥離液１１のＣｕ濃度が１５００ｐｐｍに達しない時間であるとよく、例えば１２秒間である。Ｃｕ濃度が１５００ｐｐｍに達するとＣｕ析出物が発生すると考えられ、Ｃｕ濃度が１５００ｐｐｍに達しない時間、例えば１２秒間であれば、Ａｌ合金配線１５の相互間にＣｕ析出物が発生しないと考えられる。
【００２２】
この１回目の処理を施している間に、Ａｌ合金配線１５の側面からポリマー１７が除去されながら、Ａｌ合金配線１５がポリマーの溶け込んだ有機剥離液１１にさらされ、Ａｌ合金配線に含まれているＣｕ１６が矢印１６ａのように有機剥離液１１に溶け込むが、Ａｌ合金配線１５の側面にポリマー１７は残される（図４（Ａ）参照）。
【００２３】
なお、本実施の形態では、第１時間を、Ａｌ合金配線１５の相互間にＣｕ析出物が発生しない時間としているが、第１時間を、Ａｌ合金配線１５の相互間にＣｕ析出物が発生する時間としてもよく、この場合は、Ａｌ合金配線１５の側壁に析出するＣｕ析出物の大きさが、Ａｌ合金配線１５の相互間の最小間隔の１／２より小さくなる時間とするとよい。
【００２４】
次に、図１（Ｃ）に示すように、シリコンウエハーを矢印のように回転させながら、ノズル１２ａ，１２ｂから水１３をシリコンウエハー上のＡｌ合金配線１５及び絶縁膜１０に吐出し、水１３によって有機剥離液１１を洗い流して除去する水洗処理を１０秒間行う（図２（Ｂ）参照）。
【００２５】
次に、図１（Ｄ）に示すように、シリコンウエハーを高速で矢印のように回転させて  Ａｌ合金配線１５及び絶縁膜１０を乾燥させる乾燥処理を１０秒間行う。これにより、Ａｌ合金配線１５及び絶縁膜１０の表面は乾燥される（図２（Ｃ）参照）。
【００２６】
次に、図１（Ｅ）に示すように、シリコンウエハーを矢印のように回転させながら絶縁膜１０及びＡｌ合金配線１５の上にＮＨ４Ｆ系の有機剥離液１１を供給する。これにより、絶縁膜１０及びＡｌ合金配線１５の全面上にＮＨ４Ｆ系の有機剥離液１１が盛られる（図１（Ｆ），図２（Ｄ）参照）。ここでの有機剥離液１１は、図１（Ａ）に示す有機剥離液と同様のものを用いるとよい。
【００２７】
次に、図１（Ｆ）に示すように、シリコンウエハーを回転させずに有機剥離液１１を第２時間保持する２回目の薬液処理を行う。この第２時間は、最小間隔を有するＡｌ合金配線１５の相互間に位置する有機剥離液１１のＣｕ濃度が１５００ｐｐｍに達しない時間であるとよく、例えば１５秒間である。
【００２８】
この２回目の処理を施している間に、Ａｌ合金配線１５の側面からポリマー１７が除去されながら、Ａｌ合金配線１５がポリマーの溶け込んだ有機剥離液１１にさらされ、Ａｌ合金配線に含まれているＣｕ１６が矢印１６ａのように有機剥離液１１に溶け込む（図２（Ｄ）参照）。そして、Ａｌ合金配線１５の側面のポリマー１７が完全に除去される。
【００２９】
なお、本実施の形態では、第２時間を、Ａｌ合金配線１５の相互間にＣｕ析出物が発生しない時間としているが、第２時間を、Ａｌ合金配線１５の相互間にＣｕ析出物が発生する時間としてもよく、この場合は、１回目の薬液処理の第１時間と２回目の薬液処理の第２時間を合わせて、Ａｌ合金配線１５の側壁に析出するＣｕ析出物の大きさが、Ａｌ合金配線１５の相互間の最小間隔の１／２より小さくなる時間とするとよい。
【００３０】
次に、図１（Ｇ）に示すように、シリコンウエハーを矢印のように回転させながら、ノズル１２ａ，１２ｂから水１３をシリコンウエハー上のＡｌ合金配線１５及び絶縁膜１０に吐出し、水１３によって有機剥離液１１を洗い流して除去する水洗処理を１分間行う（図２（Ｅ）参照）。
【００３１】
次に、図１（Ｈ）に示すように、シリコンウエハーを高速で矢印のように回転させて  Ａｌ合金配線１５及び絶縁膜１０を乾燥させる乾燥処理を３０秒間行う。これにより、Ａｌ合金配線１５及び絶縁膜１０の表面は乾燥される（図２（Ｆ）参照）。
【００３２】
ここまでの処理によりＡｌ合金配線１５の側面のポリマー１７が完全に除去される場合、薬液処理は２回で終了する。
【００３３】
しかし、ここまでの処理でポリマー１７が完全に除去されない場合は、ポリマー１７が完全に除去されるまで、図１（Ｅ）から図１（Ｈ）の処理をｎ回繰り返す。ただし、ｎは１以上の一つの整数である。回数の上限はなく、薬液コスト及び装置能力、ポリマー除去状態との兼ね合いで適宜決めることができる。但し、回数が多くなるとＡＬ合金配線の腐食が進むため回数はなるべく少ないことが望ましい。
【００３４】
このｎ回繰り返す工程において、ｍ回目の繰り返し工程における図１（Ｆ）に示す工程の有機剥離液１１の保持時間を第（ｍ＋２）時間とした場合、第１時間から第（ｍ＋２）時間までの各時間を合計した合計時間は、Ａｌ合金配線１５に含有するＣｕが有機剥離液１１に溶解され、有機剥離液１１からＡｌ合金配線１５の側壁に析出するＣｕ析出物の大きさが、Ａｌ合金配線１５の相互間の最小間隔の１／２より小さい時間とするとよい。ただし、ｍには１からｎまでのいずれかの整数が入れられる。
【００３５】
具体的に説明すると、ｎが２である場合、ｍには１から２までのいずれかの整数が入れられるので、ｍは１または２である。従って、ｍを１とすると、２回繰り返す工程において、１回目の繰り返し工程における図１（Ｆ）に示す工程の有機剥離液１１の保持時間を第３時間とした場合、第１時間から第３時間までの各時間を合計した合計時間は、有機剥離液１１からＡｌ合金配線１５の側壁に析出するＣｕ析出物の大きさが、Ａｌ合金配線１５の相互間の最小間隔の１／２より小さい時間とするとよい。また、ｍを２とすると、２回繰り返す工程において、２回目の繰り返し工程における図１（Ｆ）に示す工程の有機剥離液１１の保持時間を第４時間とした場合、第１時間から第４時間までの各時間を合計した合計時間は、有機剥離液１１からＡｌ合金配線１５の側壁に析出するＣｕ析出物の大きさが、Ａｌ合金配線１５の相互間の最小間隔の１／２より小さい時間とするとよい。
【００３６】
また、上記のｎ回繰り返す工程において第１時間、第２時間及び第（ｍ＋２）時間を以下のように設定するとよい。
【００３７】
第１時間は、Ａｌ合金配線１５に含有するＣｕが有機剥離液１１に溶解され、有機剥離液１１からＡｌ合金配線１５の側壁に析出するＣｕ析出物の大きさが、Ａｌ合金配線１５の相互間の最小間隔の１／２（ｎ＋２）より小さい時間であるとよい。
【００３８】
第２時間は、Ａｌ合金配線１５に含有するＣｕが有機剥離液１１に溶解され、有機剥離液１１からＡｌ合金配線１５の側壁に析出するＣｕ析出物の大きさが、Ａｌ合金配線の相互間の最小間隔の２／２（ｎ＋２）より小さい時間であるとよい。
【００３９】
第（ｍ＋２）時間は、Ａｌ合金配線１５に含有するＣｕが有機剥離液１１に溶解され、有機剥離液１１からＡｌ合金配線１５の側壁に析出するＣｕ析出物の大きさが、Ａｌ合金配線１５の相互間の最小間隔の（ｍ＋２）／２（ｎ＋２）より小さい時間であるとよい。
【００４０】
具体的に説明すると、ｎが２である場合、ｍには１から２までのいずれかの整数が入れられるので、ｍは１または２である。従って、ｍを１とすると、上記の２回繰り返す工程において第１時間、第２時間及び第３時間を以下のように設定するとよい。
第１時間は、有機剥離液１１からＡｌ合金配線１５の側壁に析出するＣｕ析出物の大きさが、Ａｌ合金配線１５の相互間の最小間隔の１／８より小さい時間であるとよい。
第２時間は、有機剥離液１１からＡｌ合金配線１５の側壁に析出するＣｕ析出物の大きさが、Ａｌ合金配線の相互間の最小間隔の２／８より小さい時間であるとよい。
第３時間は、有機剥離液１１からＡｌ合金配線１５の側壁に析出するＣｕ析出物の大きさが、Ａｌ合金配線１５の相互間の最小間隔の３／８より小さい時間であるとよい。
そして、ｎを２とし、ｍを２とすると、第４時間は、有機剥離液１１からＡｌ合金配線１５の側壁に析出するＣｕ析出物の大きさが、Ａｌ合金配線１５の相互間の最小間隔の４／８より小さい時間であるとよい。
【００４１】
また、上記の薬液処理が２回で終了する場合は、第１時間及び第２時間を以下のように設定するとよい。
【００４２】
第１時間は、Ａｌ合金配線１５に含有するＣｕが有機剥離液１１に溶解され、有機剥離液１１からＡｌ合金配線１５の側壁に析出するＣｕ析出物の大きさが、Ａｌ合金配線１５の相互間の最小間隔の１／４より小さい時間であるとよい。
【００４３】
第２時間は、Ａｌ合金配線１５に含有するＣｕが有機剥離液１１に溶解され、有機剥離液１１からＡｌ合金配線１５の側壁に析出するＣｕ析出物の大きさが、Ａｌ合金配線の相互間の最小間隔の１／２より小さい時間であるとよい。
【００４４】
本実施の形態によれば、Ａｌ合金配線間でＣｕ析出物が発生するのを抑制することにより、Ｃｕ析出物によるＡｌ合金配線間のショートによる不良発生を抑制でき、製品歩留まりを高くすることができる。
【００４５】
また、本実施の形態では、薬液処理間に水洗処理を挟むことにより、ポリマー１７の除去率を向上させることができる。有機剥離液１１と水が混ざることでポリマー１７を溶かす作用を高めることができるからと考えられる。
【００４６】
また、本実施の形態では、有機剥離液１１の使用量が従来技術に比べて多くなるが、全体の処理時間を従来技術に比べて少なくすることができる。有機剥離液１１と水が混ざることでポリマー１７を溶かす作用を高めることができるからと考えられる。
【００４７】
なお、本発明において、特定のＡ（以下「Ａ」という）の上に特定のＢ（以下「Ｂ」という）を堆積するというとき、Ａの上に直接Ｂが堆積される場合に限定されない。Ａの上に本発明の作用効果を阻害しない範囲で、他のものを介してＢが堆積される場合も含む。
【符号の説明】
【００４８】
１０…絶縁膜、１１…有機剥離液、１２ａ，１２ｂ…ノズル、１３…水、１４ａ，１４ｂ…ＴｉＮ膜、１５…Ａｌ合金配線、１６…Ｃｕ、１６ａ…矢印、１７…ポリマー、２０…Ｃｕ析出物。
【図１】
0006024164.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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