(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹部を有する第１の基板と、
前記第１の基板に対向配置された第２の基板と、
前記第２の基板の前記第１の基板側に実装された電子部品と、
前記凹部内に前記電子部品が収容された状態で、前記第１の基板及び前記第２の基板の各々の対向面間に、前記凹部の周囲を囲むように形成された接着剤と、
前記接着剤の内側面を被覆する第１の無機膜と、を有し、
前記電子部品は、前記第１の基板及び前記第２の基板の各々の対向面、並びに前記第１の無機膜により封止されており、
前記第１の基板と前記第２の基板とは、前記接着剤に形成された開口部内に配置された導電接合部を介して電気的に接続されており、
前記接着剤の前記導電接合部側の面を被覆する第３の無機膜を有する電子部品パッケージ。
【請求項２】
凹部を有する第１の基板と、
前記第１の基板に対向配置された第２の基板と、
前記第２の基板の前記第１の基板側に実装された電子部品と、
前記凹部内に前記電子部品が収容された状態で、前記第１の基板及び前記第２の基板の各々の対向面間に、前記凹部の周囲を囲むように形成された接着剤と、
前記接着剤の内側面を被覆する第１の無機膜と、を有し、
前記電子部品は、前記第１の基板及び前記第２の基板の各々の対向面、並びに前記第１の無機膜により封止されており、
前記第１の基板と前記第２の基板とは、前記接着剤の外側面よりも外側に配置された導電接合部を介して電気的に接続されており、
前記接着剤の前記導電接合部側の面を被覆する第３の無機膜を有する電子部品パッケージ。
【請求項３】
前記接着剤の外側面を被覆する第２の無機膜を有し、
前記第２の無機膜は、前記接着剤の外側面から前記第１の基板の側面及び前記第２の基板の側面に延在している請求項１記載の電子部品パッケージ。
【請求項４】
前記接着剤と前記第２の基板との間に前記第１の無機膜の一部が延在して形成されている請求項１乃至３の何れか一項記載の電子部品パッケージ。
【請求項５】
前記接着剤を介して対向する基板の各々の対向面のうち何れか一方の対向面には、前記電子部品の外側を囲むように第４の無機膜が形成されており、
前記第４の無機膜は、前記第１の無機膜と接している請求項１乃至４の何れか一項記載の電子部品パッケージ。
【請求項６】
前記第１の無機膜は金属膜である請求項１乃至５の何れか一項記載の電子部品パッケージ。
【請求項７】
電子部品パッケージとなる複数の領域を備えた第１のウェハの各領域に凹部を形成し、前記凹部の周囲を囲むように開口部を有する枠状の接着剤を形成する工程と、
前記第１のウェハの各領域に形成された前記接着剤の前記凹部側の側面を第１の無機膜で被覆する工程と、
前記第１のウェハの各領域に形成された前記接着剤の前記開口部の内側面を第３の無機膜で被覆する工程と、
前記電子部品パッケージとなる複数の領域を備えた第２のウェハの各領域に電子部品を実装する工程と、
各々の前記凹部内に各々の前記電子部品が収容された状態で、前記第１のウェハと前記第２のウェハとを前記接着剤を介して接合すると共に、前記接着剤の前記開口部内に配置された導電接合部を介して電気的に接続し、各々の前記電子部品を前記第１のウェハ及び前記第２のウェハの各々の対向面、並びに前記第１の無機膜により封止する工程と、を有する電子部品パッケージの製造方法。
【請求項８】
電子部品パッケージとなる複数の領域を備えた第１のウェハの各領域に凹部を形成し、前記凹部の周囲を囲むように枠状の接着剤を形成する工程と、
前記第１のウェハの各領域に形成された前記接着剤の内側面を第１の無機膜で被覆する工程と、
前記第１のウェハの各領域に形成された前記接着剤の外側面を第３の無機膜で被覆する工程と、
前記電子部品パッケージとなる複数の領域を備えた第２のウェハの各領域に電子部品を実装する工程と、
各々の前記凹部内に各々の前記電子部品が収容された状態で、前記第１のウェハと前記第２のウェハとを前記接着剤を介して接合すると共に、前記接着剤の外側面よりも外側に配置された導電接合部を介して電気的に接続し、各々の前記電子部品を前記第１のウェハ及び前記第２のウェハの各々の対向面、並びに前記第１の無機膜により封止する工程と、を有する電子部品パッケージの製造方法。
【請求項９】
前記第１の無機膜は金属膜である請求項７又は８記載の電子部品パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品を封止する電子部品パッケージ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子部品を封止する電子部品パッケージが知られている。例えば、電子部品の一例であるＭＥＭＳ素子を基板に搭載し、基板にＭＥＭＳ素子を囲むように接着剤を塗布してリッドを接着してＭＥＭＳ素子を封止した電子部品パッケージが知られている。
【０００３】
このような電子部品パッケージにおいて、基板とリッドを接着する接着剤の外側面に金属膜を形成する場合がある。接着剤の外側面に金属膜を形成することにより、電子部品パッケージ外部から電子部品パッケージ内のＭＥＭＳ素子が封止された空間に空気や水分等が進入することを防止できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−１３１３０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、接着剤の外側面に金属膜を形成しても、接着剤自体が含有するガスが電子部品パッケージ内のＭＥＭＳ素子が封止された空間に進入することは防止できない。その結果、ＭＥＭＳ素子の気密性が低下する問題があった。例えば、ＭＥＭＳ素子が真空封止されている場合には、真空度が低下することになる。
【０００６】
本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、気密性の高い電子部品パッケージ及びその製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本電子部品パッケージは、凹部を有する第１の基板と、前記第１の基板に対向配置された第２の基板と、前記第２の基板の前記第１の基板側に実装された電子部品と、前記凹部内に前記電子部品が収容された状態で、前記第１の基板及び前記第２の基板の各々の対向面間に、前記凹部の周囲を囲むように形成された接着剤と、前記接着剤の内側面を被覆する第１の無機膜と、を有し、前記電子部品は、前記第１の基板及び前記第２の基板の各々の対向面、並びに前記第１の無機膜により封止されており、前記第１の基板と前記第２の基板とは、前記接着剤に形成された開口部内に配置された導電接合部を介して電気的に接続されており、前記接着剤の前記導電接合部側の面を被覆する第３の無機膜を有することを要件とする。
【発明の効果】
【００１１】
開示の技術によれば、気密性の高い電子部品パッケージ及びその製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１の実施の形態に係る電子部品パッケージを例示する図である。
【図２】図１（ａ）の一部を拡大して例示する断面図である。
【図３】第１の実施の形態に係る電子部品パッケージの製造工程を例示する図（その１）である。
【図４】第１の実施の形態に係る電子部品パッケージの製造工程を例示する図（その２）である。
【図５】第１の実施の形態に係る電子部品パッケージの製造工程を例示する図（その３）である。
【図６】第１の実施の形態に係る電子部品パッケージの製造工程を例示する図（その４）である。
【図７】第１の実施の形態に係る電子部品パッケージの製造工程を例示する図（その５）である。
【図８】第１の実施の形態の変形例１に係る電子部品パッケージを例示する図である。
【図９】図８（ａ）の一部を拡大して例示する断面図である。
【図１０】第１の実施の形態の変形例２に係る電子部品パッケージを例示する図である。
【図１１】図１０（ａ）の一部を拡大して例示する断面図である。
【図１２】第２の実施の形態に係る電子部品パッケージを例示する図である。
【図１３】第２の実施の形態に係る電子部品パッケージの製造工程を例示する図（その１）である。
【図１４】第２の実施の形態に係る電子部品パッケージの製造工程を例示する図（その２）である。
【図１５】第２の実施の形態の変形例１に係る電子部品パッケージを例示する図である。
【図１６】第２の実施の形態の変形例２に係る電子部品パッケージを例示する図である。
【図１７】第３の実施の形態に係る電子部品パッケージを例示する図である。
【図１８】第３の実施の形態に係る電子部品パッケージの製造工程を例示する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。なお、各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。又、便宜上、平面図等において、断面図に対応するハッチングを施す場合がある。
【００１４】
〈第１の実施の形態〉
［第１の実施の形態に係る電子部品パッケージの構造］
まず、第１の実施の形態に係る電子部品パッケージの構造について説明する。図１は、第１の実施の形態に係る電子部品パッケージを例示する図であり、（ｂ）は平面図、（ａ）は（ｂ）のＡ−Ａ線に沿う断面図である。図２は、図１（ａ）の一部を拡大して例示する断面図である。なお、図１（ｂ）において、第２の基板３０、電子部品４０、及び突起電極４１は図示が省略されている。
【００１５】
図１及び図２を参照するに、電子部品パッケージ１０は、大略すると、第１の基板２０と、第２の基板３０と、電子部品４０と、突起電極４１と、接着剤５０と、無機膜５１と、導電接合部６０とを有する。
【００１６】
第１の基板２０は、基板本体２１と、基板本体２１の一方の面２１ａに形成されたパッド２２と、基板本体２１の他方の面２１ｂに形成されたパッド２３と、基板本体２１の一方の面２１ａから他方の面２１ｂに貫通する貫通孔２１ｘ内に形成された貫通配線２４とを有する。基板本体２１の一方の面２１ａ側には、凹部２１ｙが形成されている。
【００１７】
パッド２２とパッド２３とは、貫通配線２４を介して電気的に接続されている。パッド２２は、後述の第２の基板３０のパッド３３と電気的に接続される端子として機能する。パッド２３は、電子部品パッケージ１０を他の配線基板や半導体パッケージ等と電気的に接続する際の外部接続端子として機能する。
【００１８】
基板本体２１は、シリコン、セラミック、ガラス、ガラスクロスにエポキシ系樹脂等の絶縁性樹脂を含浸した材料（例えば、ＦＲ４材等）等から形成できる。基板本体２１の厚さは、例えば数１００μｍ程度とすることができる。パッド２２及び２３、貫通配線２４の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等を用いることができる。
【００１９】
第２の基板３０は、基板本体３１と、基板本体３１の一方の面３１ａに形成されたパッド３２及び３３とを有する。基板本体３１の一方の面３１ａは、第１の基板２０の基板本体２１の一方の面２１ａに対向配置されている。パッド３２は、平面視において基板本体３１の一方の面３１ａの接着剤５０と接する領域の内側に形成されており、パッド３３は、平面視において基板本体３１の一方の面３１ａの接着剤５０と接する領域の外側に形成されている。
【００２０】
基板本体３１は、シリコン、セラミック、ガラス、ガラスクロスにエポキシ系樹脂等の絶縁性樹脂を含浸した材料（例えば、ＦＲ４材等）等から形成できる。基板本体３１の厚さは、例えば数１００μｍ程度とすることができる。パッド３２及び３３の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等を用いることができる。なお、基板本体３１をシリコン等の半導体基板で構成し、半導体基板に電子部品４０を制御等する集積回路を形成してもよい。
【００２１】
電子部品４０は、第２の基板３０の基板本体３１の一方の面３１ａに実装されている。電子部品４０は突起電極４１を有し、突起電極４１は、例えばはんだ等（図示せず）により、パッド３２と電気的に接続されている。電子部品４０としては、例えば、加速度センサやジャイロセンサ、ＲＦスイッチ等のＭＥＭＳ素子、半導体素子、フィルタや水晶振動子等の受動素子等を用いることができる。突起電極４１の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等を用いることができる。
【００２２】
接着剤５０は、基板本体２１の一方の面２１ａと基板本体３１の一方の面３１ａとの間に、平面視において電子部品４０の外側を囲むように枠状に形成されている。基板本体２１と基板本体３１とは、凹部２１ｙ内に電子部品４０が収容された状態で、接着剤５０を介して接合されている。
【００２３】
接着剤５０の材料としては、例えば、粘着性を有したシート状の樹脂（例えば、ＮＣＦ（Non  Conductive  Film））や、ペースト状の樹脂（例えば、ＮＣＰ（Non  Conductive  Paste））等を用いることができる。接着剤５０として、シリコーン系樹脂やポリイミド系樹脂等を主成分とする有機系接着剤を用いても構わない。接着剤５０の厚さは、例えば、数１０μｍ程度とすることができる。
【００２４】
なお、図１（ｂ）において、凹部２１ｙ及び接着剤５０の平面形状は矩形状であるが、これには限定されない。例えば、凹部２１ｙ及び接着剤５０の平面形状は矩形の角部をＲ状にした形状としてもよいし、円形や楕円形、多角形等としてもよい。要は、電子部品４０の形状を考慮し、電子部品４０を収容可能な形状の凹部２１ｙを形成し、凹部２１ｙの周囲に任意の平面形状の枠状の接着剤５０を形成すればよい。なお、凹部２１ｙの内側面は基板本体２１の一方の面２１ａに対して傾斜していなくてもよく、例えば、基板本体２１の一方の面２１ａに対して略垂直であってもよい。
【００２５】
接着剤５０の電子部品４０側には、無機膜５１が形成されている。本実施の形態では、無機膜５１は、基板本体２１の一方の面２１ａの接着剤５０の電子部品４０側の領域から接着剤５０の内側面に形成され、更に基板本体３１の一方の面３１ａに延在している。但し、無機膜５１は、少なくとも接着剤５０の内側面を被覆するように形成すればよい。
【００２６】
無機膜５１の材料としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）等の金属やこれらの合金等を用いることができる。無機膜５１は、複数の無機膜を積層して形成してもよい。又、無機膜５１の材料として、シリコン（Ｓｉ）やアルミニウム（Ａｌ）等の酸化物、シリコン（Ｓｉ）やアルミニウム（Ａｌ）等の窒化物、セラミック、ガラス等を用いてもよい。無機膜５１の厚さは、例えば、１μｍ以下程度とすることができる。なお、無機膜５１は、本発明に係る第１の無機膜の代表的な一例である。
【００２７】
導電接合部６０は、第１の基板２０のパッド２２と第２の基板３０のパッド３３とを電気的に接続している。本実施の形態では、導電接合部６０は、接着剤５０の外側面よりも外側に配置されている。導電接合部６０の材料としては、例えば、はんだや導電性樹脂ペースト（例えば、Ａｇペースト）等の導電性材料を用いることができる。導電接合部６０の材料としてはんだを用いる場合は、例えば、Ｐｂを含む合金、ＳｎとＣｕの合金、ＳｎとＡｇの合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金等を用いることができる。導電接合部６０の材料として、インジウムを用いてもよい。
【００２８】
このように、電子部品パッケージ１０において、電子部品４０は、第１の基板２０の基板本体２１の一方の面２１ａ、第２の基板３０の基板本体３１の一方の面３１ａ、及び接着剤５０の内側面を被覆する無機膜５１により封止されている。第１の基板２０の基板本体２１の一方の面２１ａ、第２の基板３０の基板本体３１の一方の面３１ａ、及び接着剤５０の内側面を被覆する無機膜５１に封止された空間（以降、電子部品封止空間とする）は、例えば、真空とすることができる。電子部品封止空間に、アルゴンガスや窒素ガス等を充填してもよい。
【００２９】
仮に、電子部品パッケージ１０において、従来のように接着剤５０の外側面のみを被覆するように無機膜５１を形成すると、電子部品パッケージ１０外部から電子部品パッケージ１０内の電子部品封止空間に空気や水分等が進入することを防止できる。しかし、接着剤５０自体が含有するガス（例えばシロキサン等のガス）が電子部品パッケージ１０内の電子部品封止空間に進入することは防止できないため、電子部品４０の気密性が低下する。
【００３０】
本実施の形態では、接着剤５０の内側面を被覆するように無機膜５１を形成している。そのため、電子部品パッケージ１０外部から電子部品パッケージ１０内の電子部品封止空間に空気や水分等が進入することを防止できると共に、接着剤５０自体が含有するガスが電子部品封止空間に進入することを防止できる。
【００３１】
［第１の実施の形態に係る電子部品パッケージの製造方法］
次に、第１の実施の形態に係る電子部品パッケージの製造方法について説明する。図３〜図７は、第１の実施の形態に係る電子部品パッケージの製造工程を例示する図である。なお、各図において、Ｃは、最終的に個片化して複数の電子部品パッケージ１０を作製する際の切断位置を示している。つまり、切断位置Ｃに囲まれた各領域が、最終的に個片化されて複数の電子部品パッケージ１０となる。なお、実際には、所定幅のスクライブ領域（図示せず）が存在し、スクライブ領域（図示せず）の略中央部が切断位置Ｃとなる。
【００３２】
図３及び図４に示す工程では、電子部品パッケージ１０となる複数の領域（第１の基板２０となる複数の領域）を備えた第１のウェハを作製する。なお、前述のように、第１の基板２０の基板本体２１は、シリコン、セラミック、ガラス、ガラスクロスにエポキシ系樹脂等の絶縁性樹脂を含浸した材料等から形成できるが、以降の説明は、基板本体２１がシリコンから形成されている場合を例にして行う。
【００３３】
まず、図３に示す工程では、例えば６インチ（約１５０ｍｍ）、８インチ（約２００ｍｍ）、１２インチ（約３００ｍｍ）等のシリコンウェハ２１０を準備する。そして、シリコンウェハ２１０の一方の面２１０ａ（最終的に基板本体２１の一方の面２１ａとなる面）の、切断位置Ｃに囲まれた各領域（最終的に個片化されて各第１の基板２０となる領域）に、各々凹部２１ｙを形成する。
【００３４】
シリコンウェハ２１０の厚さは、例えば０．６２５ｍｍ（６インチの場合）、０．７２５ｍｍ（８インチの場合）、０．７７５ｍｍ（１２インチの場合）等であるが、バックサイドグラインダー等で適宜薄型化することができる。凹部２１ｙは、例えば、シリコンウェハ２１０の一方の面２１０ａに凹部２１ｙを形成する位置を開口するレジスト層を形成し、レジスト層をマスクとしてシリコンウェハ２１０の一方の面２１０ａを所定深さまでエッチングすることにより形成できる。
【００３５】
エッチングの一例としては、ＫＯＨ（水酸化カリウム）やＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）等のアルカリ性溶液を用いたウェットエッチングを挙げることができる。エッチングの他の例としては、ＳＦ６（六フッ化硫黄）を用いた反応性イオンエッチング（DRIE：Deep  Reactive  Ion  Etching）等のドライエッチングを挙げることができる。ドライエッチングの場合には、凹部２１ｙの内側面はシリコンウェハ２１０の一方の面２１０ａに対して略垂直となる。なお、サンドブラストにより凹部２１ｙを形成してもよい。
【００３６】
図４、図５（ａ）、図６（ａ）、及び図７は、図３のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。図４（ａ）に示す工程では、切断位置Ｃに囲まれた各領域の凹部２１ｙの外側に、シリコンウェハ２１０の一方の面２１０ａから他方の面２１０ｂに貫通する貫通孔２１ｘを形成する。貫通孔２１ｘは、例えば、凹部２１ｙと同様なウェットエッチングやドライエッチングにより形成できる。貫通孔２１ｘは、ＣＯ２レーザ等を用いたレーザ加工や、ドリル等を用いた機械加工により形成してもよい。貫通孔２１ｘの平面形状は例えば略円形とすることができ、貫通孔２１ｘの径は例えば４０〜６０μｍ程度とすることができる。なお、図３に示す工程と図４（ａ）に示す工程とを同一工程としてもよい。
【００３７】
図４（ａ）に示す工程の後、貫通孔２１ｘの内壁面を含むシリコンウェハ２１０の表面に絶縁膜（図示せず）を形成する。絶縁膜としては、例えば熱酸化膜（ＳｉＯ２）を用いることができる。熱酸化膜（ＳｉＯ２）は、シリコンウェハ２１０の表面近傍の温度を例えば１０００℃以上とするウェット熱酸化法により熱酸化することで形成できる。絶縁膜の厚さは、例えば１〜２μｍ程度とすることができる。なお、絶縁膜として、ＣＶＤ（Chemical  Vapor  Deposition）法等により、例えば二酸化珪素（ＳｉＯ２）や窒化珪素（ＳｉＮ）、ポリイミド（ＰＩ）等の膜を形成しても構わない。
【００３８】
次に、図４（ｂ）に示す工程では、貫通孔２１ｘ内に貫通配線２４を形成する。貫通配線２４は、例えば、貫通孔２１ｘ内に銅ペースト等の導電性ペーストを充填することにより形成できる。貫通配線２４は、銅等を用いた無電解めっき法や電解めっき法により形成してもよい。貫通配線２４の一端部及び他端部は、各々シリコンウェハ２１０の一方の面２１０ａ及び他方の面２１０ｂと略面一とすることができる。
【００３９】
次に、図４（ｃ）に示す工程では、シリコンウェハ２１０の一方の面２１０ａの貫通配線２４の一端部上にパッド２２を形成する。又、シリコンウェハ２１０の他方の面２１０ｂの貫通配線２４の他端部上にパッド２３を形成する。パッド２２とパッド２３とは、貫通配線２４を介して電気的に接続される。パッド２２及び２３は、例えば、銅等を用いた無電解めっき法や電解めっき法、スパッタ法、蒸着法等により形成できる。この工程により、切断位置Ｃに囲まれた各領域に、第１の基板２０に相当する構造体が作製される。なお、シリコンウェハ２１０は、本発明に係る第１のウェハの代表的な一例である。
【００４０】
次に、図５に示す工程では（（ｂ）は平面図、（ａ）は（ｂ）のＤ−Ｄ線に沿う断面図）、平面視において、シリコンウェハ２１０の一方の面２１０ａの切断位置Ｃに囲まれた各領域において、凹部２１ｙの周囲に枠状の接着剤５０を形成する。本実施の形態では、接着剤５０を、平面視において凹部２１ｙと貫通孔２１ｘとの間に枠状に形成する。
【００４１】
接着剤５０の材料としては、例えば、粘着性を有したシート状の樹脂（例えば、ＮＣＦ（Non  Conductive  Film））や、ペースト状の樹脂（例えば、ＮＣＰ（Non  Conductive  Paste））等を用いることができる。接着剤５０として、シリコーン系樹脂やポリイミド系樹脂等を主成分とする有機系接着剤を用いても構わない。接着剤５０の厚さは、例えば、数１０μｍ程度とすることができる。
【００４２】
接着剤５０の材料としてシート状の樹脂（例えば、ＮＣＦ（Non  Conductive  Film））を用いる場合には、シート状の樹脂を予め接着剤５０に対応する所定形状に加工し、シリコンウェハ２１０の一方の面２１０ａにラミネートして接着剤５０を形成できる。この方法で形成された接着剤５０は半硬化状態である。接着剤５０の材料としてペースト状の樹脂（例えば、ＮＣＰ（Non  Conductive  Paste））を用いる場合には、印刷法やフォトリソグラフィ法等により、シリコンウェハ２１０の一方の面２１０ａに所定形状の接着剤５０を形成できる。この方法で形成された接着剤５０は、プリベークすることにより半硬化状態にできる。
【００４３】
なお、図５に示す工程において、接着剤５０の内側面をシリコンウェハ２１０の一方の面２１０ａに対して傾斜するように形成してもよい。後述の図６に示す工程で、無機膜５１を容易に形成できる点で好適である。
【００４４】
次に、図６に示す工程では（（ｂ）は平面図、（ａ）は（ｂ）のＤ−Ｄ線に沿う断面図）、平面視において接着剤５０の凹部２１ｙ側に無機膜５１を形成する。本実施の形態では、無機膜５１を、シリコンウェハ２１０の一方の面２１０ａの接着剤５０の凹部２１ｙ側の領域から接着剤５０の内側面に形成し、更に接着剤５０の上面（シリコンウェハ２１０の一方の面２１０ａとは接しない側の面）に延在させる。但し、無機膜５１は、シリコンウェハ２１０の一方の面２１０ａの切断位置Ｃに囲まれた各領域において、少なくとも接着剤５０の内側面を被覆するように枠状に形成すればよい。
【００４５】
無機膜５１の材料としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）等の金属やこれらの合金等を用いることができる。無機膜５１は、複数の無機膜を積層して形成してもよい。又、無機膜５１の材料として、シリコン（Ｓｉ）やアルミニウム（Ａｌ）等の酸化物、シリコン（Ｓｉ）やアルミニウム（Ａｌ）等の窒化物、セラミック、ガラス等を用いてもよい。無機膜５１の厚さは、例えば、１μｍ以下程度とすることができる。無機膜５１は、例えば、無電解めっき法や電解めっき法、スパッタ法、蒸着法等により形成できる。
【００４６】
次に、図７（ａ）に示す工程では、電子部品パッケージ１０となる複数の領域（第２の基板３０となる複数の領域）を備えたシリコンウェハ３１０を準備する。シリコンウェハ３１０は、例えば、シリコンウェハ２１０と同形状とすることができる。なお、シリコンウェハ３１０は、本発明に係る第２のウェハの代表的な一例である。
【００４７】
そして、シリコンウェハ３１０の一方の面３１０ａ（最終的に基板本体３１の一方の面３１ａとなる面）の切断位置Ｃに囲まれた各領域に、めっき法等によりパッド３２及び３３を形成する。パッド３２は、シリコンウェハ３１０をシリコンウェハ２１０に接合する際に、シリコンウェハ２１０の凹部２１ｙと平面視で重複する位置に形成する。パッド３３は、シリコンウェハ３１０をシリコンウェハ２１０に接合する際に、シリコンウェハ２１０のパッド２２と平面視で重複する位置に形成する。
【００４８】
そして、シリコンウェハ３１０の切断位置Ｃに囲まれた各領域に電子部品４０を実装する。具体的には、突起電極４１が形成された電子部品４０を準備し、突起電極４１を、例えばはんだ等（図示せず）により、パッド３２と電気的に接続する。電子部品４０としては、例えば、加速度センサやジャイロセンサ等のＭＥＭＳ素子、半導体素子、スイッチ、フィルタ、水晶振動子等を用いることができる。又、パッド３３に導電接合部６０を形成する。導電接合部６０の材料としては、はんだや導電性樹脂ペースト（例えば、Ａｇペースト）等の導電性材料を用いることができる。導電接合部６０の材料としてはんだを用いる場合は、例えば、Ｐｂを含む合金、ＳｎとＣｕの合金、ＳｎとＡｇの合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金等を用いることができる。導電接合部６０の材料として、インジウムを用いてもよい。
【００４９】
その後、電子部品４０が実装され導電接合部６０が形成されたシリコンウェハ３１０の一方の面３１０ａを、図６（ａ）に示すシリコンウェハ２１０の一方の面２１０ａと対向配置する。この際、シリコンウェハ３１０のパッド３３とシリコンウェハ２１０のパッド２２とが対応する位置となるように配置する。これにより、シリコンウェハ３１０の切断位置Ｃに囲まれた各領域において、各々の電子部品４０は、各々の接着剤５０の内側の凹部２１ｙ内に配置される。
【００５０】
なお、基板本体３１として、シリコンに代えて、セラミック、ガラス、ガラスクロスにエポキシ系樹脂等の絶縁性樹脂を含浸した材料（例えば、ＦＲ４材等）等を用いてもよい。
【００５１】
次に、図７（ｂ）に示す工程では、シリコンウェハ２１０及び３１０を加熱しながら、シリコンウェハ３１０をシリコンウェハ２１０側に押圧する。これにより、シリコンウェハ３１０の一方の面３１０ａは、無機膜５１の一端と接する。又、シリコンウェハ３１０の一方の面３１０ａは、押圧により変形した接着剤５０の一端と接する。この状態で接着剤５０を硬化させることにより、各電子部品４０は、シリコンウェハ２１０の一方の面２１０ａ、シリコンウェハ３１０の一方の面３１０ａ（一方の面２１０ａの対向面）、及び接着剤５０の内側面を被覆する無機膜５１により封止される。
【００５２】
又、上記と同時に、シリコンウェハ２１０及び３１０を加熱した際に軟化した導電接合部６０が、シリコンウェハ２１０のパッド２２とシリコンウェハ３１０のパッド３３に挟持される。この状態で導電接合部６０を硬化させることにより、シリコンウェハ２１０のパッド２２とシリコンウェハ３１０のパッド３３とが導電接合部６０により電気的に接続される。
【００５３】
なお、無機膜５１は、シリコンウェハ３１０をシリコンウェハ２１０側に押圧する過程で弾性変形する。又、この弾性変形により、無機膜５１の一部が接着剤５０中に埋設される。この弾性変形を起こしやすくするために、無機膜５１は、シリコンウェハ２１０の一方の面２１０ａから接着剤５０の表面（側面及び上面の一部）まで延在して形成されている。
【００５４】
図７（ｂ）に示す工程の後、ダイシングブレード等を用いて図７（ｂ）に示す構造体を切断位置Ｃで切断して個片化することにより、図１及び図２に示す電子部品パッケージ１０が複数個完成する。
【００５５】
なお、接着剤５０及び無機膜５１を図５に示す工程でシリコンウェハ２１０の一方の面２１０ａに形成せず、図７（ａ）に示す工程でシリコンウェハ３１０の一方の面３１０ａに形成してもよい。
【００５６】
このように、第１の実施の形態に係る電子部品パッケージ１０では、電子部品４０を電子部品４０の周囲に枠状に形成された接着剤５０を介して第１の基板２０と第２の基板３０とで封止するが、接着剤５０の内側面には無機膜５１が形成されている。これにより、電子部品パッケージ１０外部から電子部品パッケージ１０内の電子部品封止空間に空気や水分等が進入することを防止できると共に、接着剤５０自体が含有するガスが電子部品封止空間に進入することを防止できる。すなわち、従来よりも気密性の高い電子部品パッケージを実現できる。
【００５７】
〈第１の実施の形態の変形例１〉
第１の実施の形態の変形例１では、第１の実施の形態よりも更に気密性を向上する例を示す。なお、第１の実施の形態の変形例１において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。
【００５８】
図８は、第１の実施の形態の変形例１に係る電子部品パッケージを例示する図であり、（ｂ）は底面図、（ａ）は（ｂ）のＥ−Ｅ線に沿う断面図である。図９は、図８（ａ）の一部を拡大して例示する断面図である。なお、図８（ｂ）において、第１の基板２０、接着剤５０、及び無機膜５１は図示が省略されている。
【００５９】
図８及び図９を参照するに、電子部品パッケージ１０Ａは、第２の基板３０が第２の基板３０Ａに置換された点が電子部品パッケージ１０（図１及び図２参照）と相違する。第２の基板３０Ａにおいて、基板本体３１の一方の面３１ａには、無機膜３４が形成されている。無機膜３４は、底面視において、基板本体３１の一方の面３１ａの電子部品４０の外側を囲むように枠状に形成されている。無機膜３４は、接着剤５０及び無機膜５１の第２の基板３０Ａ側の面と接するように枠状に形成されている。但し、無機膜３４は、少なくとも無機膜５１の第２の基板３０Ａ側の面と接するように形成すればよい。なお、無機膜３４は、本発明に係る第４の無機膜の代表的な一例である。
【００６０】
電子部品パッケージ１０Ａを製造するには、まず、第１の実施の形態の図３〜図６に示す工程と同様の工程を実行する。そして、第１の実施の形態の図７（ａ）に示す工程において、例えばめっき法等によりパッド３２及び３３を形成する際に無機膜３４を形成すればよい。無機膜３４の材料としては、無機膜５１と同様の材料を用いることができる。無機膜３４は、複数の層から形成してもよい。無機膜３４の厚さは、例えば、１μｍ以下程度とすることができる。但し、無機膜３４の材料や厚さは、必ずしも無機膜５１の材料や厚さと同一でなくてもよい。
【００６１】
その後、第１の実施の形態の図７（ｂ）に示す工程と同様の工程を実行し、更に切断位置Ｃで切断して個片化することにより、図８及び図９に示す電子部品パッケージ１０Ａが複数個完成する。
【００６２】
このように、無機膜５１の第２の基板３０Ａ側の面と接するように無機膜３４を形成することにより、第２の基板３０Ａを第１の基板２０側に押圧する際に、無機膜５１及び無機膜３４が変形して互いに密着する。そのため、電子部品４０の気密性を一層向上できる。
【００６３】
なお、接着剤５０及び無機膜５１を第２の基板３０Ａの基板本体３１の一方の面３１ａ側に形成した場合には、無機膜５１の第１の基板２０側の面と接するように第１の基板２０の基板本体２１の一方の面２１ａに無機膜３４を形成すればよい。つまり、無機膜３４は、接着剤５０を介して対向する第１の基板２０又は第２の基板３０Ａの各々の対向面のうち何れか一方の対向面に形成すればよい。
【００６４】
〈第１の実施の形態の変形例２〉
第１の実施の形態の変形例２では、第１の実施の形態とは異なる位置に接着剤５０及び無機膜５１を形成する例を示す。なお、第１の実施の形態の変形例２において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。
【００６５】
図１０は、第１の実施の形態の変形例２に係る電子部品パッケージを例示する図であり、（ｂ）は平面図、（ａ）は（ｂ）のＦ−Ｆ線に沿う断面図である。図１１は、図１０（ａ）の一部を拡大して例示する断面図である。なお、図１０（ｂ）において、第２の基板３０、電子部品４０、及び突起電極４１は図示が省略されている。
【００６６】
図１０及び図１１を参照するに、電子部品パッケージ１０Ｂは、接着剤５０及び無機膜５１が電子部品パッケージ１０（図１及び図２参照）とは異なる位置に形成されている。具体的には、電子部品パッケージ１０では、接着剤５０及び無機膜５１は、平面視において基板本体２１の一方の面２１ａの凹部２１ｙと貫通孔２１ｘとの間に枠状に形成されていた。一方、電子部品パッケージ１０Ｂでは、接着剤５０及び無機膜５１は、平面視において基板本体２１の一方の面２１ａの貫通孔２１ｘの外側（基板本体２１の一方の面２１ａの外縁部）に枠状に形成されている。
【００６７】
電子部品パッケージ１０Ｂを製造するには、まず、第１の実施の形態の図３及び図４に示す工程と同様の工程を実行する。そして、第１の実施の形態の図５及び図６に示す工程において、接着剤５０及び無機膜５１を図１０（ｂ）に対応する位置に形成する。その後、第１の実施の形態の図７に示す工程と同様の工程を実行し、更に切断位置Ｃで切断して個片化することにより、図１０及び図１１に示す電子部品パッケージ１０Ｂが複数個完成する。
【００６８】
このように、接着剤５０及び無機膜５１は、平面視において基板本体２１の一方の面２１ａの貫通孔２１ｘの内側に形成しても外側に形成しても同様の効果を奏する。但し、例えば、導電接合部６０からガスが発生するような場合には、電子部品パッケージ１０のように、接着剤５０及び無機膜５１を平面視において基板本体２１の一方の面２１ａの貫通孔２１ｘの内側（導電接合部６０の内側）に形成する方が電子部品４０の気密性を向上できる。
【００６９】
〈第２の実施の形態〉
第１の実施の形態では接着剤の内側面を被覆するように無機膜を形成する例を示したが、第２の実施の形態では接着剤の内側面を被覆するように無機膜を形成すると共に、接着剤の外側面を被覆するように他の無機膜を形成する例を示す。なお、第２の実施の形態において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。
【００７０】
図１２は、第２の実施の形態に係る電子部品パッケージを例示する図であり、（ｂ）は平面図、（ａ）は（ｂ）のＧ−Ｇ線に沿う断面図である。なお、図１２（ｂ）において、第２の基板３０、電子部品４０、及び突起電極４１は図示が省略されている。
【００７１】
図１２を参照するに、電子部品パッケージ１０Ｃは、接着剤５０が接着剤５２に置換され、無機膜５３が追加された点が電子部品パッケージ１０（図１及び図２参照）と相違する。
【００７２】
具体的には、電子部品パッケージ１０Ｃにおいて、接着剤５２は、基板本体２１の一方の面２１ａと基板本体３１の一方の面３１ａとの間に、平面視において電子部品４０の外側を囲むように枠状に形成されている。接着剤５２は１つの開口部５２ｘを有し、開口部５２ｘ内には複数の導電接合部６０が接着剤５２と接しないように配置されている。接着剤５２の材料や厚さ等は、接着剤５０と同様とすることができる。
【００７３】
無機膜５３は、第１の基板２０の側面、接着剤５２の外側面、及び第２の基板３０の側面の一部を被覆するように枠状に形成されている。但し、無機膜５３は、接着剤５２の外側面を被覆し、接着剤５２の外側面から第１の基板２０の側面の少なくとも一部及び第２の基板３０の側面の少なくとも一部に延在するように形成すればよい。無機膜５３の材料としては、無機膜５１と同様の材料を用いることができる。無機膜５３は、複数の層から形成してもよい。無機膜５３の厚さは、例えば、１μｍ以下程度とすることができる。但し、無機膜５３の材料や厚さは、必ずしも無機膜５１の材料や厚さと同一でなくてもよい。なお、無機膜５３は、本発明に係る第２の無機膜の代表的な一例である。
【００７４】
電子部品パッケージ１０Ｃを製造するには、まず、第１の実施の形態の図３及び図４に示す工程と同様の工程を実行する。次に、図１３に示す工程では、（図１３（ｂ）は平面図、図１３（ａ）は図１３（ｂ）のＨ−Ｈ線に沿う断面図）、平面視において、シリコンウェハ２１０の一方の面２１０ａの凹部２１ｙの周囲に開口部５２ｘを有する接着剤５２を形成する。接着剤５２は、図３に示す切断位置Ｃを含む領域に形成される。
【００７５】
開口部５２ｘを有する接着剤５２は、例えば、シート状の樹脂（例えば、ＮＣＦ（Non  Conductive  Film））を予め接着剤５２に対応する所定形状に加工し、シリコンウェハ２１０の一方の面２１０ａにラミネートして形成できる。又、ペースト状の樹脂（例えば、ＮＣＰ（Non  Conductive  Paste））を用いて、印刷法やフォトリソグラフィ法等により、シリコンウェハ２１０の一方の面２１０ａに開口部５２ｘを有する接着剤５２を形成してもよい。
【００７６】
次に、１の実施の形態の図６及び図７（ａ）に示す工程と同様の工程を実行後、図１４（ａ）に示す工程では、シリコンウェハ２１０及び３１０を加熱しながら、シリコンウェハ３１０をシリコンウェハ２１０側に押圧する。これにより、シリコンウェハ３１０の一方の面３１０ａは、無機膜５１の一端と接する。又、シリコンウェハ３１０の一方の面３１０ａは、押圧により変形した接着剤５２の一端と接する。この状態で接着剤５２を硬化させることにより、各電子部品４０は、シリコンウェハ２１０の一方の面２１０ａ、シリコンウェハ３１０の一方の面３１０ａ、及び接着剤５２の内側面を被覆する無機膜５１により封止される。
【００７７】
又、上記と同時に、シリコンウェハ２１０及び３１０を加熱した際に軟化した導電接合部６０が、シリコンウェハ２１０のパッド２２とシリコンウェハ３１０のパッド３３に挟持される。この状態で導電接合部６０を硬化させることにより、シリコンウェハ２１０のパッド２２とシリコンウェハ３１０のパッド３３とが導電接合部６０により電気的に接続される。
【００７８】
次に、図１４（ｂ）に示す工程では、図１４（ａ）に示す構造体の切断位置Ｃを含む切断位置Ｃ近傍を、シリコンウェハ２１０の他方の面２１０ｂ側からシリコンウェハ２１０及び３１０の厚さ方向にハーフダイシングし、溝１０ｘを形成する。つまり、図３に示す切断位置Ｃに沿って溝１０ｘを形成する。溝１０ｘは、例えば、ダイシングやルータ加工等により、シリコンウェハ２１０及び接着剤５２を貫通し、内底面がシリコンウェハ３１０の厚さ方向の途中に位置するように形成する。溝１０ｘの内側面は、シリコンウェハ２１０、接着剤５２、及びシリコンウェハ３１０の各々の露出面により形成される。
【００７９】
次に、図１４（ｃ）に示す工程では、溝１０ｘの内側面及び内底面に無機膜５３を形成する。つまり、シリコンウェハ２１０、接着剤５２、及びシリコンウェハ３１０の各々の露出面を連続的に被覆するように無機膜５３を形成する。無機膜５３の材料としては、無機膜５１と同様の材料を用いることができる。無機膜５３は、複数の層から形成してもよい。無機膜５３の厚さは、例えば、１μｍ以下程度とすることができる。但し、無機膜５３の材料や厚さは、必ずしも無機膜５１の材料や厚さと同一でなくてもよい。無機膜５３は、例えば、無電解めっき法や電解めっき法等により形成できる。
【００８０】
その後、図１４（ｃ）に示す構造体のシリコンウェハ３１０を切断位置Ｃで切断して個片化することにより、図１２に示す電子部品パッケージ１０Ｃが複数個完成する。
【００８１】
このように、接着剤５２の内側面を被覆する無機膜５１を形成すると共に、接着剤５２の外側面を被覆し、接着剤５２の外側面から第１の基板２０の側面の少なくとも一部及び第２の基板３０の側面の少なくとも一部に延在する無機膜５３を形成する。これにより、電子部品４０の気密性を一層向上できる。
【００８２】
〈第２の実施の形態の変形例１〉
第２の実施の形態の変形例１では、第２の実施の形態とは形状の異なる開口部を有する接着剤を形成する例を示す。なお、第２の実施の形態の変形例１において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。
【００８３】
図１５は、第２の実施の形態の変形例１に係る電子部品パッケージを例示する図であり、（ｂ）は平面図、（ａ）は（ｂ）のＩ−Ｉ線に沿う断面図である。なお、図１５（ｂ）において、第２の基板３０、電子部品４０、及び突起電極４１は図示が省略されている。
【００８４】
図１５を参照するに、電子部品パッケージ１０Ｄは、接着剤５２が接着剤５４に置換された点が電子部品パッケージ１０Ｃ（図１２参照）と相違する。具体的には、電子部品パッケージ１０Ｄにおいて、接着剤５４は、基板本体２１の一方の面２１ａと基板本体３１の一方の面３１ａとの間に、平面視において電子部品４０の外側を囲むように枠状に形成されている。接着剤５４は複数の開口部５４ｘを有し、各開口部５４ｘ内には１つの導電接合部６０が接着剤５４と接しないように配置されている。接着剤５４の材料や厚さ等は、接着剤５２と同様とすることができる。
【００８５】
電子部品パッケージ１０Ｄを製造するには、第２の実施の形態の図１３に示す工程において、接着剤５２に代えて、開口部５４ｘを有する接着剤５４を形成すればよい。他の工程は、第２の実施の形態の同様とすることができる。
【００８６】
このように、複数の開口部５４ｘを有する接着剤５４を形成し、各開口部５４ｘ内に１つの導電接合部６０を配置しても、第２の実施の形態と同様の効果を奏する。
【００８７】
なお、開口部５４ｘは必ずしも形成しなくてもよい。例えば、開口部５４ｘを有しない接着剤５４を形成する。そして、パッド２２（又はパッド２３）上に突起電極を形成する。そして、シリコンウェハ３１０をシリコンウェハ２１０側に押圧する際に、パッド２２（又はパッド２３）上に形成した突起電極により接着剤５４を突き破って突起電極の先端部をパッド２３（又はパッド２２）と当接させる。これにより、接着剤５４を突き破った突起電極を介して、パッド２２とパッド３３とを導通させることができる。
【００８８】
〈第２の実施の形態の変形例２〉
第２の実施の形態の変形例２では、各導電接合部６０の内側に枠状に形成した接着剤の内側面及び外側面に各々無機膜を形成する例を示す。なお、第２の実施の形態の変形例２において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。
【００８９】
図１６は、第２の実施の形態の変形例２に係る電子部品パッケージを例示する図であり、（ｂ）は平面図、（ａ）は（ｂ）のＪ−Ｊ線に沿う断面図である。なお、図１６（ｂ）において、第２の基板３０、電子部品４０、及び突起電極４１は図示が省略されている。
【００９０】
図１６を参照するに、電子部品パッケージ１０Ｅは、接着剤５２に代えて各導電接合部６０の内側のみに枠状に接着剤５０が形成されている点、及び接着剤５０の外側面に無機膜５５が形成されている点が電子部品パッケージ１０Ｃ（図１２参照）と相違する。
【００９１】
具体的には、電子部品パッケージ１０Ｅにおいて、無機膜５５は、接着剤５０の外側面（導電接合部６０側の面）を被覆するように形成されている。より詳しくは、無機膜５５は、基板本体２１の一方の面２１ａの接着剤５０の導電接合部６０側の領域から接着剤５０の外側面に形成され、更に基板本体３１の一方の面３１ａに延在している。但し、無機膜５５は、少なくとも接着剤５０の外側面（導電接合部６０側の面）を被覆するように形成すればよい。
【００９２】
無機膜５５の材料としては、無機膜５１と同様の材料を用いることができる。無機膜５５は、複数の層から形成してもよい。無機膜５５の厚さは、例えば、１μｍ以下程度とすることができる。但し、無機膜５５の材料や厚さは、必ずしも無機膜５１の材料や厚さと同一でなくてもよい。なお、無機膜５５は、本発明に係る第３の無機膜の代表的な一例である。
【００９３】
電子部品パッケージ１０Ｅを製造するには、第１の実施の形態の図６に示す工程において、無機膜５１を形成すると共に無機膜５５を形成すればよい。他の工程は、第１の実施の形態の同様とすることができる。
【００９４】
なお、図７（ｂ）に示す工程において、無機膜５５は、無機膜５１と同様に、シリコンウェハ３１０をシリコンウェハ２１０側に押圧する過程で弾性変形する。又、この弾性変形により、無機膜５１及び５５の一部が接着剤５０中に埋設される。この弾性変形を起こしやすくするために、無機膜５１及び５５は、シリコンウェハ２１０の一方の面２１０ａから接着剤５０の表面（側面及び上面の一部）まで延在して形成されている。
【００９５】
このように、各貫通孔２１ｘの内側に枠状に形成した接着剤５０の内側面及び外側面に各々無機膜５１及び５５を形成することにより、第２の実施の形態の効果に加えて更に以下の効果を奏する。すなわち、第１の基板２０と第２の基板３０を接着剤５０を介して接合する際に、硬化前の接着剤５０がパッド２２側に流れ出すことを防止できる。具体的には、例えば、硬化前の接着剤５０がパッド２２の表面を被覆し、パッド２２と導電接合部６０とが接触不良となることを防止できる。
【００９６】
なお、図１２に示す電子部品パッケージ１０Ｃにおいて、硬化前の接着剤５２がパッド２２側に流れ出すことを防止したい場合には、接着剤５２の開口部５２ｘの内側面（導電接合部６０側の２つの面）に各々無機膜５５を形成す必要がある。又、図１５に示す電子部品パッケージ１０Ｄにおいて、硬化前の接着剤５４がパッド２２側に流れ出すことを防止したい場合には、接着剤５４の各開口部５４ｘの内側面（導電接合部６０側の面）に無機膜５５を形成すればよい。
【００９７】
〈第３の実施の形態〉
第３の実施の形態では、ウェハレベルの電子部品をシリコンウェハに搭載後、個片化する例を示す。なお、第３の実施の形態において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。
【００９８】
図１７は、第３の実施の形態に係る電子部品パッケージを例示する図であり、（ｂ）は平面図、（ａ）は（ｂ）のＫ−Ｋ線に沿う断面図である。なお、図１７（ｂ）において、第２の基板３０Ｂは図示が省略されている。
【００９９】
図１７を参照するに、電子部品パッケージ１０Ｆは、大略すると、第１の基板２０Ａと、第２の基板３０Ｂと、電子部品形成基板４５と、接着剤５０と、無機膜５１と、導電接合部６０と、金属接合材６１とを有する。
【０１００】
第１の基板２０Ａは、基板本体２１と、基板本体２１の他方の面２１ｂに形成されたパッド２３と、基板本体２１の一方の面２１ａから他方の面２１ｂに貫通する貫通孔２１ｘ内に形成された貫通配線２４と、パッド２３と貫通配線２４とを電気的に接続する配線パターン２５とを有する。配線パターン２５は、基板本体２１の他方の面２１ｂに形成されている。第１の実施の形態とは異なり、第１の基板２０Ａには、パッド２２及び凹部２１ｙは形成されていない。
【０１０１】
第２の基板３０Ｂにおいて、基板本体３１の一方の面３１ａには凹部３１ｙが形成されている。電子部品形成基板４５は、ウェハレベルで電子部品４０を形成し、個片化したものである。電子部品４０は、電子部品形成基板４５の中央部近傍に形成されている。電子部品形成基板４５は、第１の基板２０Ａ及び第２の基板３０Ｂの各々の平面形状と略同一とされている。電子部品４０は、導電接合部６０を介して、貫通配線２４の基板本体２１の一方の面２１ａ側の端面と電気的に接続されている。
【０１０２】
電子部品形成基板４５の第１の基板２０Ａ側は、基板本体２１の一方の面２１ａの外縁部に枠状に形成された金属接合材６１により、第１の基板２０Ａと機械的に接合されている。金属接合材６１の材料としては、例えば、導電接合部６０と同様の材料を用いることができるが、異なる材料を用いても構わない。このように、電子部品４０の第１の基板２０Ａ側は、第１の基板２０Ａの基板本体２１の一方の面２１ａ、電子部品形成基板４５の第１の基板２０Ａ側の面、及び金属接合材６１の内側面により封止されている。
【０１０３】
電子部品形成基板４５の第２の基板３０Ｂ側は、電子部品４０の外側を囲むように電子部品形成基板４５の外縁部に枠状に形成された接着剤５０により、第２の基板３０Ｂと機械的に接合されている。接着剤５０の内側面には、無機膜５１が形成されている。このように、電子部品４０の第２の基板３０Ｂ側は、第２の基板３０Ｂの基板本体３１の一方の面３１ａ、電子部品形成基板４５の第２の基板３０Ｂ側の面、及び接着剤５０の内側面に形成された無機膜５１により封止されている。
【０１０４】
なお、凹部３１ｙは、電子部品４０が例えば加速度センサ等のＭＥＭＳ素子のように可動部を有する場合に、可動部の動作する空間を確保するために形成されている。従って、凹部３１ｙは必要に応じて形成すればよく、基板本体３１の一方の面３１ａを平坦面とする場合もある。
【０１０５】
電子部品パッケージ１０Ｆを製造するには、まず、図１８（ａ）に示す工程で、第１の実施の形態の図４に示す工程と同様の工程を実行して、シリコンウェハ２１０に貫通孔２１ｘ、パッド２３、貫通配線２４、及び配線パターン２５を形成する。
【０１０６】
そして、シリコンウェハ２１０の一方の面２１０ａに導電接合部６０及び金属接合材６１を形成する。導電接合部６０は、貫通配線２４のシリコンウェハ２１０の一方の面２１０ａ側の端部に形成する。又、金属接合材６１は、シリコンウェハ２１０の切断位置Ｃを含む切断位置Ｃ近傍に形成する。つまり、図３に示す切断位置Ｃに沿って金属接合材６１を形成する。
【０１０７】
導電接合部６０及び金属接合材６１の材料としては、第１の実施の形態において導電接合部６０の材料として例示した各材料を用いることができる。但し、金属接合材６１の材料として、導電接合部６０と異なる材料を用いても構わない。金属接合材６１を形成する領域には、めっき法やスパッタ法等によって例えばＣｕ層とＴｉ層を順次積層した下地金属層を設け、下地金属層上に金属接合材６１を形成すると好適である。
【０１０８】
更に、シリコンウェハ２１０の切断位置Ｃに囲まれた領域に対応するように各々電子部品４０が形成されたシリコンウェハ４００を作製する。シリコンウェハ４００の導電接合部６０及び金属接合材６１が接合される部位には、各々電極（図示せず）及び金属膜（図示せず）が形成されている。
【０１０９】
そして、シリコンウェハ４００を導電接合部６０及び金属接合材６１を介してシリコンウェハ２１０に接合する。導電接合部６０及び金属接合材６１にインジウムを用いた場合には、加熱等をせずに、シリコンウェハ４００をシリコンウェハ２１０に加圧するのみで接合できる。なお、シリコンウェハ４００は、本発明に係る電子部品形成ウェハの代表的な一例である。
【０１１０】
次に、図１８（ｂ）に示す工程では、シリコンウェハ４００のシリコンウェハ２１０と対向する面とは反対側の面に、各々の電子部品４０の外側を囲むように接着剤５０及び無機膜５１を枠状に形成する。接着剤５０は、シリコンウェハ４００の切断位置Ｃを含む切断位置Ｃ近傍に形成する。つまり、金属接合材６１と平面視において略重複する位置に形成する。無機膜５１は、接着剤５０の内側面に形成する。
【０１１１】
そして、第１の実施の形態の図７（ｂ）に示す工程と同様にして、シリコンウェハ３１０を接着剤５０及び無機膜５１を介してシリコンウェハ４００と接合する。この際、各々の電子部品４０が各々の接着剤５０の内側に配置されるようにする。これにより、電子部品４０のシリコンウェハ２１０側は、シリコンウェハ２１０の一方の面２１０ａ、シリコンウェハ４００のシリコンウェハ２１０側の面、及び金属接合材６１の内側面により封止される。又、電子部品４０のシリコンウェハ３１０側は、シリコンウェハ３１０の一方の面３１０ａ、シリコンウェハ４００のシリコンウェハ３１０側の面、及び接着剤５０の内側面に形成された無機膜５１により封止される。
【０１１２】
その後、ダイシングブレード等を用いて図１８（ｂ）に示す構造体を切断位置Ｃで切断して個片化することにより、図１７に示す電子部品パッケージ１０Ｆが複数個完成する。
【０１１３】
このように、ウェハレベルの電子部品をシリコンウェハに搭載することにより、電子部品パッケージ１０Ｆの製造工程を効率化できる。又、この際、接着剤５０の内側面に無機膜５１を形成することにより、第１の実施の形態と同様の効果を奏する。
【０１１４】
なお、金属接合材６１に代えて、金属接合材６１の形成位置に接着剤５０と同様の材料からなる他の接着剤を形成してもよい。この場合には、他の接着剤の内側面にも無機膜５１に相当する無機膜を形成すれば、第１の実施の形態と同様の気密性が得られる。
【０１１５】
以上、好ましい実施の形態及びその変形例について詳説したが、上述した実施の形態及びその変形例に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態及びその変形例に種々の変形及び置換を加えることができる。例えば、各実施の形態やその変形例は、適宜組み合わせることができる。
【符号の説明】
【０１１６】
１０、１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄ、１０Ｅ、１０Ｆ  電子部品パッケージ
２０、２０Ａ  第１の基板
２１、３１  基板本体
２１ａ  基板本体２１の一方の面
２１ｂ  基板本体２１の他方の面
２１ｘ  貫通孔
２１ｙ、３１ｙ  凹部
２２、２３、３２、３３  パッド
２４  貫通配線
２５  配線パターン
３０、３０Ａ、３０Ｂ  第２の基板
３１ａ  基板本体３１の一方の面
３４、５１、５３、５５  無機膜
４０  電子部品
４１  突起電極
４５  電子部品形成基板
５０、５２、５４  接着剤
５２ｘ、５４ｘ  開口部
６０  導電接合部
６１  金属接合材
２１０、３１０、４００  シリコンウェハ
２１０ａ  シリコンウェハ２１０の一方の面
２１０ｂ  シリコンウェハ２１０の他方の面
３１０ａ  シリコンウェハ３１０の一方の面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１４】
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【図１８】
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