(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力信号を増幅して出力信号を第１端子に出力する増幅部と、
一端が第２端子に接続された抵抗と、
テスト信号を生成して前記抵抗の他端に供給するテスト信号生成部と、
前記第２端子における前記テスト信号の振幅を検出する検出部と、
前記増幅部及び前記テスト信号生成部の出力を制御する制御部とを備え、
前記テスト信号生成部は、余弦波の１波長の波形を前記テスト信号として生成し、
前記テスト信号の周波数は、可聴帯域の最低周波数よりも低い、
ことを特徴とする半導体集積回路。
【請求項２】
入力信号を増幅して出力信号を第１端子に出力する増幅部と、
一端が前記第１端子に接続された抵抗と、
テスト信号を生成して前記抵抗の他端に供給するテスト信号生成部と、
前記第１端子における前記テスト信号の振幅を検出する検出部と、
前記増幅部及び前記テスト信号生成部の出力を制御する制御部とを備え、
前記テスト信号生成部は、余弦波の１波長の波形を前記テスト信号として生成し、
前記テスト信号の周波数は、可聴帯域の最低周波数よりも低い、
ことを特徴とする半導体集積回路。
【請求項３】
前記制御部は、前記検出部の検出結果に基づいて、前記増幅部のゲインを制御することを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体集積回路。
【請求項４】
前記制御部は、
テスト期間において、前記テスト信号を出力するように前記テスト信号生成部を制御するとともに、出力インピーダンスをハイインピーダンス状態とするように前記増幅部を制御し、
前記テスト期間以外の期間において、出力インピーダンスをハイインピーダンス状態とするように前記テスト信号生成部を制御するとともに、前記出力信号を出力するように前記増幅部を制御する、
ことを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか1項に記載の半導体集積回路。
【請求項５】
前記検出部は、前記第２端子における前記テスト信号の振幅と、前記抵抗の他端における前記テスト信号の振幅とを検出することを特徴とする請求項１に記載の半導体集積回路。
【請求項６】
前記余弦波の１波長の波形は、前記余弦波の上側ピークから次の上側ピークまでの波形であることを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか1項に記載の半導体集積回路。
【請求項７】
第１外部端子と、
所定の電位が供給される第２外部端子と、
一端が前記第１外部端子に接続された内部負荷と、
入力信号を増幅して出力信号を前記内部負荷の他端に出力する増幅部と、
一端が前記第１外部端子に接続された抵抗と、
テスト信号を生成して前記抵抗の他端に供給するテスト信号生成部と、
前記第１外部端子における前記テスト信号の振幅を検出する検出部と、
前記増幅部及び前記テスト信号生成部の出力を制御する制御部とを備え、
前記テスト信号生成部は、余弦波の１波長の波形を前記テスト信号として生成し、
前記テスト信号の周波数は、可聴帯域の最低周波数よりも低い、
ことを特徴とする信号増幅装置。
【請求項８】
第１外部端子と、
所定の電位が供給される第２外部端子と、
一端が前記第１外部端子に接続された内部負荷と、
入力信号を増幅して出力信号を前記内部負荷の他端に出力する増幅部と、
一端が前記内部負荷の他端に接続された抵抗と、
テスト信号を生成して前記抵抗の他端に供給するテスト信号生成部と、
前記内部負荷の他端における前記テスト信号の振幅を検出する検出部と、
前記増幅部及び前記テスト信号生成部の出力を制御する制御部とを備え、
前記テスト信号生成部は、余弦波の１波長の波形を前記テスト信号として生成し、
前記テスト信号の周波数は、可聴帯域の最低周波数よりも低い、
ことを特徴とする信号増幅装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、テスト信号を外部負荷に供給してインピーダンスを測定する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
入力信号を増幅して外部負荷に出力する信号増幅回路において、テスト信号を外部負荷に供給し、外部負荷がステレオプラグであるか、モノラルプラグであるかを判別する技術が知られている（特許文献１）。この技術では、テスト信号の周波数を可聴帯域外の高周波数に設定することによって、テスト信号が利用者に聞こえないようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許４１８２８０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、外部負荷として接続されるスピーカやヘッドホンは、リアクタンス成分を含んでおり、周波数によってインピーダンスが変化する。従って、テスト信号を可聴帯域外の高周波に設定すると、高周波数のインピーダンスが可聴帯域におけるインピーダンスとずれてしまう可能性がある。従って、必要な可聴帯域におけるインピーダンスを正確に求めることができない。また、高周波数では、外部負荷においてテスト信号が減衰してしまい、高いＳＮ比でインピーダンスを測定することが困難になるおそれがある。さらに、テスト信号を生成する回路の周波数特性を可聴帯域外の高周波数まで伸ばす必要があり、信号増幅回路を構成するトランジスタなどの部品を高周波数に対応させる必要があった。
また、外部負荷を保護する観点から、信号増幅装置では、出力信号を保護抵抗などの内部負荷を介して外部負荷に供給するのが一般的である。この場合、テスト信号を内部負荷を介して外部負荷に供給すると、内部負荷と外部負荷の合計のインピーダンスを計測することになり、外部負荷のインピーダンスを正確に計測できないといった問題があった。
本発明は、外部負荷のインピーダンスの計測精度を向上することを解決課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
以上の課題を解決するために本発明に係る半導体集積回路は、第１外部端子、所定の電位が供給される第２外部端子、及び一端が前記第１外部端子に接続された内部負荷を備えた信号増幅装置に用いられるものであって、前記内部負荷の他端に接続される第１端子と、
前記第１外部端子に接続される第２端子と、入力信号を増幅して出力信号を前記第１端子に出力する増幅部と、一端が前記第２端子に接続された抵抗と、テスト信号を生成して前記抵抗の他端に供給するテスト信号生成部と、を備える。
この発明によれば、半導体集積回路において、出力信号を出力する第１端子とテスト信号を出力する第２端子とが独立して設けられており、第２端子は第１外部端子に接続されている。従って、出力信号は、第１端子→内部負荷→第１外部端子→外部負荷といった経路で外部負荷に供給される一方、テスト信号は、第２端子→第１外部端子→外部負荷といった経路で外部負荷に供給される。この結果、テスト信号は内部負荷には供給されないので、外部負荷のインピーダンスの計測精度が向上する。
上述した半導体集積回路において、前記第２端子における前記テスト信号の振幅を検出する検出部と、前記増幅部及び前記テスト信号生成部の出力を制御する制御部と、を備えることが好ましい。
また、上述した半導体集積回路において、前記制御部は、前記検出部の検出結果に基づいて、前記増幅部のゲインを制御することが好ましい。この結果、テスト信号は内部負荷に供給されないので、正確な外部負荷のインピーダンスに応じて増幅部のゲインを調整することができる。
また、上述した半導体集積回路において、前記制御部は、テスト期間において、前記テスト信号を出力するように前記テスト信号生成部を制御するとともに、出力インピーダンスをハイインピーダンス状態とするように前記増幅部を制御し、前記テスト期間以外の期間において、出力インピーダンスをハイインピーダンス状態とするように前記テスト信号生成部を制御するとともに、前記出力信号を出力するように前記増幅部を制御する、ことが好ましい。
また、上述した半導体集積回路において、前記所定の電位は接地電位であり、前記検出部は、前記第２端子における前記テスト信号の振幅と、前記抵抗の他端における前記テスト信号の振幅とを検出することが好ましい。
また、上述した半導体集積回路において、前記テスト信号生成部は、前記余弦波の１波長の波形を前記テスト信号として生成することが好ましい。
この発明によれば、テスト信号として余弦波の１波長の波形を採用するので、短時間で外部負荷のインピーダンスの測定が終了する。従って、利用者にテスト信号が異音として感知されないようにできる。
【０００６】
ここで、余弦波の１波長の波形は、前記余弦波の上側ピークから次の上側ピークまでの波形であることが好ましい。この場合には、テスト信号の肩の部分をなだらかに変化させることができるので、高調波成分の発生を抑制することができる。
【０００７】
また、前記入力信号は音声信号であり、前記テスト信号の周波数は、可聴帯域の最高周波数よりも低いことが好ましい。テスト信号の周波数が可聴帯域内にある場合は、外部負荷がヘッドホンやスピーカとして動作する周波数でインピーダンスを測定できるので、正確に外部負荷のインピーダンスを計測することが可能となる。また、テスト信号の周波数が可聴帯域の最低周波数よりも低い場合は、テスト信号が浮遊容量、浮遊インダクタンスあるいは配線抵抗などによって殆ど減衰しないので、正確に外部負荷のインピーダンスを計測することが可能となる。
【０００８】
また、本発明に係る信号増幅装置は、上述した半導体集積回路と、前記第１外部端子と、前記第２外部端子と、前記内部負荷と、を備えることを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施形態に係る信号増幅装置の構成を示すブロック図である。
【図２】アンプの出力段の構成を示す回路図である。
【図３】テスト信号の波形を説明するための説明図である。
【図４】テスト信号の比較例を説明するための説明図である。
【図５】テスト信号の比較例を説明するための説明図である。
【図６】テスト信号の比較例を説明するための説明図である。
【図７】テスト信号のスぺクラムを説明するための説明図である。
【図８】テスト期間以外の期間において出力信号が供給される経路を示す説明図である。
【図９】テスト期間においてテスト信号が供給される経路を示す説明図である。
【図１０】変形例に係るテスト信号の波形を説明するための説明図である。
【図１１】変形例に係る信号増幅装置の構成を示すブロック図である。
【図１２】変形例に係る半導体集積回路の構成を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
＜１．実施形態＞
以下、図面を参照しつつ、本発明に係る実施形態を説明する。図１は、本発明の実施形態に係る信号増幅装置１の主要構成を示すブロック図である。信号増幅装置１は、ＩＣ又はＩＣモジュールなどで構成される半導体集積回路１０と、第１外部端子ＴＡ、第２外部端子ＴＢ、及び内部負荷７１を備える。
第１外部端子ＴＡ及び第２外部端子ＴＢは、例えば、ヘッドホンのジャックとプラグの接続点に相当する。第１外部端子ＴＡ及び第２外部端子ＴＢには外部負荷２が接続される。外部負荷２としては、インピーダンスが相違するヘッドホンやスピーカなどが該当する。この例では、第１外部端子ＴＡからテスト信号ＴＳ又は出力信号Ｓoutが出力され、第２外部端子ＴＢには接地電位（所定の電位）が供給される。半導体集積回路１０は、テスト期間においてテスト信号ＴＳを外部負荷２に供給し、外部負荷２のインピーダンスに応じてテスト期間以外の期間において出力信号Ｓoutの振幅を調整するようになっている。
【００１１】
内部負荷７１は、第１外部端子ＴＡと半導体集積回路１０との間に設けられており、高域周波数のノイズを除去するフェライトビーズや、大振幅の信号からスピーカやヘッドホンなどの外部負荷２を保護するための保護抵抗などを含んで構成してもよい。
【００１２】
半導体集積回路１０は、内部負荷７１と接続される第１端子Ｔ１と、第1外部端子ＴＡに接続される第２端子Ｔ２とを備える。
また、半導体集積回路１０は、差動形式の入力信号Ｓinを増幅してシングルエンド形式の出力信号Ｓoutを生成し、第１端子Ｔ１に供給する増幅部２０を備える。より具体的には、増幅部２０は、第１制御信号ＣＴＬ１に基づいて、入力信号Ｓinの振幅を調整する信号調整部２１とアンプ２２とを備える。この例では、アンプ２２のゲインは固定であり、増幅部２０のゲインは、信号調整部２１によって制御される。なお、この例では、入力信号Ｓinを差動形式としたが、シングルエンド形式であってもよいことは勿論である。この場合、信号調整部２１及びアンプ２２はシングルエンド形式で構成される。
【００１３】
また、アンプ２２には、テスト期間においてハイレベルとなり、テスト期間以外の期間においてローレベルとなる第２制御信号ＣＴＬ２が供給される。アンプ２２の出力段は、例えば、図２に示すようにＰチャネルトランジスタ２２１とＮチャネルトランジスタ２２２とが直列に接続されており、テスト期間ではＰチャネルトランジスタ２２１のゲート電位が電源電圧Ｖｄｄにプルアップされ、Ｎチャネルトランジスタ２２２のゲート電位が接地電位にプルダウンされる。一方、テスト期間以外の期間では、Ｐチャネルトランジスタ２２１及びＮチャネルトランジスタ２２２のゲートは適切にバイアスされ、出力信号Ｓoutが低インピーダンスで出力される。これにより、テスト期間では、増幅部２０の出力インピーダンスがハイインピーダンス状態となり、テスト期間以外の期間では、増幅部２０から出力信号Ｓoutが第１外部端子ＴＡに出力され、内部負荷７１を介してヘッドホンなどの外部負荷２に供給される。
【００１４】
さらに、半導体集積回路１０は、テスト信号生成部３０、抵抗４０、ＡＤ変換部５０、及び制御部６０を備える。テスト信号生成部３０は、差動形式のテスト信号ＴＳを発生する信号発生器３１とアンプ３２を備える。
ここで、テスト信号ＴＳについて図３を参照して説明する。テスト信号ＴＳは、連続する余弦波Ｆから１波長の波形Ｆ１を切り出した部分を含むものとなっている。より具体的には、テスト信号ＴＳは、余弦波Ｆの上側ピークＰ１（以下、第１の上側ピークＰ１と称する）から次の上側ピークＰ２（以下、第２の上側ピークと称する）までの１波長の波形Ｆ１を切り出して、第１の上側ピークＰ１と第２の上側ピークＰ２を、出力信号Ｓoutの振幅中心電位Ｖｃとなるようにレベルシフトさせたものである。なお、この例では、信号発生器３１で発生するテスト信号ＴＳを差動形式としたが、シングルエンド形式であってもよいことは勿論である。この場合、信号発生器３１及びアンプ３２はシングルエンド形式で構成される。また、振幅中心電位Ｖｃは、例えば、第２外部端子ＴＢに所定の電位として供給される接地電位ＧＮＤである。
【００１５】
このようにテスト信号ＴＳを生成したのは、利用者に異音を感じさせないためである。ヘッドホンやスピーカで再生しても利用者が気づかないようにするためには、１）テスト信号ＴＳの周波数成分を可聴帯域において人の聴覚で感じられない程度に小さくすること、
２）テスト信号ＴＳの発生時間を人の聴覚で感じられない程度に短くすることが必要である。
【００１６】
例えば、図４に示すようにテスト信号ＴＳの波形を連続した余弦波とすると、その周波数成分は基本周波数ｆにおいて大きなエネルギーを持つため、人の聴覚で感じられ易くなる。基本周波数ｆのエネルギーを低くするためには、テスト信号ＴＳの振幅を小さくすればよい。しかしながら、人の聴覚で感じられない程度にテスト信号ＴＳの振幅を小さくすると、外部負荷２のインピーダンスを計測する際に、ＳＮ比が低下し、測定されたインピーダンスが不正確になる。
また、例えば、図５に示すようにテスト信号ＴＳの波形を方形波にすると、テスト信号ＴＳの周波数成分は基本周波数ｆ及びその高調波において大きなエネルギーを持つため、人の聴覚で感じられ易くなる。
【００１７】
そこで、本実施形態では、テスト信号ＴＳを余弦波から切り出した１波長Ｆ１とすることで、テスト信号ＴＳの発生時間を短くし、且つ、高調波成分を殆ど発生しないようにしたのである。例えば、図６に示すように余弦波の半波長を切り出した波形Ｗと、テスト信号ＴＳとを比較すると、肩の部分ＳＤにおいて波形Ｗの方が急峻に変化していることが分かる。従って、余弦波の半波長を切り出した波形Ｗは高調波成分が発生するが、テスト信号ＴＳはなだらかに変化するため、高調波成分が殆ど発生しない。
この結果、テスト信号ＴＳのスぺクトラムは図７に示すものとなり、図４に示す余弦波が連続する場合と比較すると、大幅に基本波周波数ｆのエネルギーを低減することができる。しかも、発生時間が短いのでテスト信号ＴＳの振幅Ｖｘ（図３参照）を大きく設定することができ、高いＳＮ比で外部負荷２のインピーダンスを測定することが可能となる。
本実施形態ではテスト信号ＴＳの基本周波数ｆは３Ｈｚである。可聴帯域は２０Ｈｚ〜２０ＫＨｚであるので、テスト信号ＴＳの基本周波数ｆは可聴帯域の最低周波数よりも低い。一般にテスト信号ＴＳの周波数が高くなるほど、浮遊容量、浮遊インダクタンスあるいは配線抵抗の影響を受けてテスト信号ＴＳのレベルが減衰してしまうため、外部負荷２のインピーダンスの測定誤差が大きくなる。一方、可聴帯域の最低周波数よりも低い周波数では、浮遊容量、浮遊インダクタンスあるいは配線抵抗の影響を受けてテスト信号ＴＳが減衰することが殆どない。しかも、テスト信号ＴＳは高調波成分が極めて小さいので、可聴帯域において異音として人が感じる高調波が発生しない。これにより、利用者が気にならないテスト信号ＴＳを用いて、正確に外部負荷２のインピーダンスを測定することが可能となる。
【００１８】
説明を図１に戻す。次に、アンプ３２は、所定のゲインでテスト信号ＴＳを増幅して、抵抗４０に供給する。また、アンプ３２の出力段は、アンプ２２と同様に、例えば、図２に示すように構成されている。そして、第２制御信号ＣＴＬ２がハイレベルとなるテスト期間において、Ｐチャネルトランジスタ２２１及びＮチャネルトランジスタ２２２のゲートは適切にバイアスされ、第２制御信号ＣＴＬ２がローレベルとなるテスト期間以外の期間においてオフ状態となるように構成されている。これにより、テスト期間ではテスト信号生成部３０からテスト信号ＴＳが、抵抗４０を介してヘッドホンなどの外部負荷２に供給され、テスト期間以外の期間では、テスト信号生成部３０の出力側がハイインピーダンス状態になることに伴って第２端子Ｔ２がハイインピーダンス状態となる。
【００１９】
次に、ＡＤ変換部５０は、第２端子Ｔ２の電位をＡＤ変換して得た検出データＤを制御部６０に出力する。即ち、ＡＤ変換部５０は、テスト期間において第２端子Ｔ２におけるテスト信号ＴＳの振幅を検出する検出部として機能する。
【００２０】
次に、制御部６０には、外部装置から第１外部端子ＴＡ及び第２外部端子ＴＢにヘッドホンなどの外部負荷２が接続されるとアクティブになる検知信号ＣＴＬが供給される。制御部６０は、検知信号ＣＴＬがアクティブになった後、所定時間だけ第２制御信号ＣＴＬ２をハイレベルとする。第２制御信号ＣＴＬ２がハイレベルの期間がテスト期間となる。
そして、テスト期間における検出データＤに基づいて、外部負荷２のインピーダンスを測定し、外部負荷２のインピーダンスに応じて第１制御信号ＣＴＬ１を生成する。より具体的は、図３に示すようにテスト信号ＴＳの振幅が最大（信号レベルが最小）となる時刻Ｔｘにおける検出データＤに基づいて、インピーダンスを算出すればよい。
【００２１】
信号発生器３１で生成するテスト信号ＴＳの振幅は既知であり、アンプ３２のゲインも既知である。従って、テスト信号生成部３０から出力されるテスト信号ＴＳの振幅も既知である。ここで、テスト信号生成部３０から出力されるテスト信号ＴＳの振幅をＶ２、第２端子におけるテスト信号ＴＳの振幅をＶ１、抵抗４０のインピーダンスをＺｙ、外部負荷２のインピーダンスをＺｘとすれば、外部負荷２のインピーダンスＺｘは、以下に示す式（１）で与えられる。
Ｚｘ＝ＺｙＶ１／（Ｖ２−Ｖ１）…（１）
【００２２】
制御部６０は、式（１）に従ってインピーダンスＺｘを算出し、インピーダンスＺｘに応じた第１制御信号ＣＴＬ１を生成し、増幅部２０のゲインを調整する。この結果、異なる種類の外部負荷２が接続されても、適切な音量を出力することができる。
【００２３】
本実施形態によれば、テスト期間以外の期間では、図８に示すように第１端子Ｔ１から出力される出力信号Ｓoutが内部負荷７１を介して外部負荷２に供給される一方、第２端子Ｔ２はハイインピーダンス状態となる。従って、テスト信号ＴＳと独立して出力信号Ｓoutを外部負荷２に供給することができる。また、内部負荷７１を介して出力信号Ｓoutを供給するので、外部負荷２が故障などの理由で短絡したとしても、半導体集積回路１０を保護することができ、更に、大振幅の出力信号Ｓoutが半導体集積回路１０から出力されても外部負荷２を保護することができる。
【００２４】
次に、テスト期間では、図９に示すように第１端子Ｔ１はハイインピーダンス状態となる一方、第２端子Ｔ２から出力されるテスト信号ＴＳは内部負荷７１を通らずに、外部負荷２に直接供給される。この結果、内部負荷７１の影響を受けることなく、外部負荷２のインピーダンスを正確に特定することができ、異なる種類の外部負荷２が接続されても、適切な音量を出力することが可能となる。
【００２５】
＜２．変形例＞
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下に述べる各種の変形が可能である。また、上述した実施形態と各変形例は適宜組み合わせてもよいことは勿論である。
【００２６】
（１）上述した実施形態では、振幅中心電位Ｖｃを基準として負側にピークを有するテスト信号ＴＳを一例として説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、テスト信号ＴＳは、余弦波の１波長を切り出した波形であれば、どのタイミングで切り出してもよい。例えば、テスト信号ＴＳを、図１０に示すように余弦波Ｆの下側ピークＰ３（以下、第１の下側ピークＰ３と称する）から次の下側ピークＰ４（以下、第２の下側ピークＰ４と称する）までの１波長の波形Ｆ１を切り出して、第１の下側ピークＰ３と第２の下側ピークＰ４を、出力信号Ｓoutの振幅中心電位Ｖｃとなるようにレベルシフトさせた波形としてもよい。
また、上述した実施形態においては、テスト信号ＴＳの基本周波数ｆを可聴帯域の最低周波数である２０Ｈｚよりも小さく設定したが、本発明はこれに限定されるものではなく、利用者に気づかれないのであれば、テスト信号ＴＳの周波数をどのように設定してもよい。但し、テスト信号ＴＳの減衰を考慮して、可聴帯域の最高周波数である２０ＫＨｚよりも低いことが好ましい。
加えて、上述した実施形態では可聴帯域を２０Ｈｚ〜２０ＫＨｚとしたが、信号増幅回路１の使用目的によって可聴帯域は相違する。例えば、電話においては、可聴帯域が３００Ｈｚ〜３．５ＫＨｚあるいは、１００Ｈｚ〜７ＫＨｚとなる。
【００２７】
（２）上述した実施形態では、半導体集積回路１０に第２端子Ｔ２が設けられており、第２端子Ｔ２と第１外部端子ＴＡと接続して、内部負荷７１を迂回してテスト信号ＴＳを外部負荷２に供給したが、本発明はこれに限定されるものではなく、テスト期間において外部負荷２にテスト信号ＴＳを供給し、テスト期間以外の期間において外部負荷２に出力信号Ｓoutを供給するのであれば、どのような構成であってもよい。
例えば、図１１に示す信号増幅回路１Ｚのように、半導体集積回路１０Ｚには第２端子Ｔ２が設けられておらず、抵抗４０が第１端子Ｔ１に接続されているものであってもよい。この場合には、テスト信号ＴＳが内部負荷７１を介して外部負荷２に供給される。内部負荷７１の大きさが小さい場合には、この変形例においても、外部負荷２のインピーダンスを必要な精度で測定することが可能である。また、内部負荷７１の大きさが既知であれば、これを考慮して、外部負荷２のインピーダンスを計測してもよい。
この場合にもテスト信号ＴＳとして余弦波の１波長Ｆ１を切り出したものを用いるので、テスト信号ＴＳをヘッドホンやスピーカなどに供給しても、利用者に気づかれないようにできる。
【００２８】
（３）上述した実施形態では、テスト信号生成部３０から出力されるテスト信号ＴＳの振幅Ｖ２は既知であるとしたが、本発明はこれに限定されるものではなく、テスト信号生成部３０から出力されるテスト信号ＴＳの振幅Ｖ２を測定して外部負荷２のインピーダンスを特定してもよい。
【００２９】
例えば、図１２に示す半導体集積回路１０Ａを用いて、信号増幅装置１を構成してもよい。この場合、テスト信号生成部３０から出力されるテスト信号ＴＳの振幅Ｖ２をＡＤ変換して検出データＤａを出力するＡＤ変換部５０Ａと、第２端子Ｔ２におけるテスト信号ＴＳの振幅Ｖ１をＡＤ変換して検出データＤｂを出力するＡＤ変換部５０Ｂを設け、制御部６０は、検出データＤａ及び検出データＤｂに基づいて、外部負荷２のインピーダンスを特定すればよい。
【００３０】
このように、テスト信号ＴＳの振幅Ｖ２を測定すると、テスト信号生成部３０の製造ばらつき、温度特性、あるいは経時変化によってテスト信号ＴＳの振幅Ｖ２が変化しても、これを実測するので、より正確に外部負荷２のインピーダンスを測定することができる。
【００３１】
（４）上述した実施形態及び変形例では、制御部６０は、式（１）に基づいて外部負荷２のインピーダンスを算出することとしたが、本発明はこれに限定されるものではなく、第２端子Ｔ２におけるテスト信号ＴＳの振幅Ｖ１に基づいて、第１制御信号ＣＴＬ１を生成してもよい。テスト信号生成部３０から出力されるテスト信号ＴＳの振幅Ｖ２は固定であるので、外部負荷２のインピーダンスと第２端子Ｔ２におけるテスト信号ＴＳの振幅Ｖ１とは、１対１に対応する。そして、外部負荷２のインピーダンスに応じて増幅部２０のゲインを決定するので、予めテスト信号ＴＳの振幅Ｖ１と増幅部２０のゲインの関係を定めておけば、インピーダンスを算出しなくても、第１制御信号ＣＴＬ１を直接生成することができる。具体的には、テスト信号ＴＳの振幅Ｖ１と第１制御信号ＣＴＬ１の大きさとをテーブルに記憶しておき、テーブルを参照して第１制御信号ＣＴＬ１を生成すればよい。
【００３２】
（５）上述した実施形態では、２極タイプのプラグについて説明したが、３極又は４極タイプのプラグに適用してもよいことは勿論である。ところで、４極タイプのプラグは、先端から、Ｌｃｈ、Ｒｃｈ、ＧＮＤ、ＭＩＣが配置される第１態様と、先端からＬｃｈ、Ｒｃｈ、ＭＩＣ、ＧＮＤが配置される第２態様が存在する。この場合、先端から３番目の電極に、第１態様ではＧＮＤが接続される一方、第２態様ではＭＩＣが接続される。上述した実施形態を４極タイプのプラグに適用した場合には、先端から３番目の電極のインピーダンスを算出することによって、第１態様と第２態様とを判別することができる。第１態様ではＧＮＤと接続されるためインピーダンスはゼロとなるが、第２態様ではマイクが接続されるため、マイクのインピーダンスが算出される。したがって、インピーダンスに基づいてプラグの種類を判別することが可能となる。
【符号の説明】
【００３３】
１，１Ｚ……信号増幅装置、２……外部負荷、１０，１０Ａ，１０Ｚ……半導体集積回路、２０……増幅部、２１……信号調整部、２２……アンプ、３０……テスト信号生成部、３１……信号発生器、３２……アンプ、４０……抵抗、５０……ＡＤ変換部、６０……制御部、７１……内部負荷、ＴＡ……第１外部端子、ＴＢ……第２外部端子、Ｔ１……第１端子、Ｔ２……第２端子、Ｓin……入力信号、Ｓout……出力信号、ＣＴＬ１……第１制御信号、ＣＴＬ２……第２制御信号。
【図１】
0005924116.tif 000002
【図２】
0005924116.tif 000003
【図３】
0005924116.tif 000004
【図４】
0005924116.tif 000005
【図５】
0005924116.tif 000006
【図６】
0005924116.tif 000007
【図７】
0005924116.tif 000008
【図８】
0005924116.tif 000009
【図９】
0005924116.tif 000010
【図１０】
0005924116.tif 000011
【図１１】
0005924116.tif 000012
【図１２】
0005924116.tif 000013