(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック多層基板と、
前記セラミック多層基板内において、間隔を隔てて端部同士が対向するように配置されている第１及び第２の放電電極と、
前記セラミック多層基板の外表面に形成されており、前記第１及び第２の放電電極に電気的に接続されている第１及び第２の外部電極とを備え、
前記第１及び第２の放電電極の端部同士が対向している対向部において、第１の放電電極の端部が、第２の放電電極の端部を囲むように開いている凹部を有する形状とされており、
前記凹部の端縁が円弧状の部分を有し、前記凹部の端縁における円弧状の形状が、第２の放電電極の端部のうち、前記第１の放電電極の端部に最も近い点を中心とした円の一部であり、前記第２の放電電極の先端が内角が鋭角である尖った形状とされている、ＥＳＤ保護装置。
【請求項２】
前記凹部の端縁が円弧状である、請求項１に記載のＥＳＤ保護装置。
【請求項３】
前記セラミック多層基板の内部に空洞が形成されており、前記第１及び第２の放電電極の端部同士が、該空洞内において対向している、請求項１または２に記載のＥＳＤ保護装置。
【請求項４】
前記第１及び第２の放電電極からなる放電電極対が複数対備えられている、請求項１〜３のいずれか１項に記載のＥＳＤ保護装置。
【請求項５】
前記複数対の放電電極のうち、少なくとも一対の放電電極対における第１の放電電極と、残りの少なくとも一対の放電電極対の第２の放電電極とが共通接続されており、前記少なくとも一対の放電電極対における第２の放電電極と、前記残りの少なくとも一対の放電電極対の第１の放電電極とが共通接続されている、請求項４に記載のＥＳＤ保護装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、静電気等からの保護を図るためのＥＳＤ保護装置に関し、より詳細には、セラミック多層基板内に、第１及び第２の放電電極を有する放電電極対が設けられているＥＳＤ保護装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子回路等の保護を図るために、様々なＥＳＤ保護装置が提案されている。例えば下記の特許文献１では、セラミック多層基板を用いたＥＳＤ保護装置が開示されている。このＥＳＤ保護装置では、セラミック多層基板内に、空洞部が設けられている。また、セラミック多層基板内では、第１及び第２の放電電極が設けられている。第１の放電電極の先端と、第２の放電電極との先端とが、空洞部内において対向している。第１の放電電極と第２の放電電極は、セラミック多層基板の外表面に設けられた第１及び第２の外部電極にそれぞれ電気的に接続されている。【０００３】
上記第１及び第２の放電電極は、矩形のストリップ状の平面形状を有している。また、特許文献１では、一方の放電電極の先端が尖っており、他方の放電電極が矩形のストリップ状の形状を有する構成も開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】ＷＯ２００８／１４６５１４
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載のようなＥＳＤ保護装置では、外部から静電気が加わり、放電を繰り返すうちに、放電特性が劣化するという問題があった。より具体的には、放電を繰り返すうちに、放電時の熱や衝撃等により、放電電極の端部が剥がれることがあった。そのため、放電開始電圧が上昇するという問題があった。【０００６】
本発明の目的は、放電が繰り返されたとしても、放電特性の劣化が生じ難い、ＥＳＤ保護装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係るＥＳＤ保護装置は、セラミック多層基板と、第１及び第２の放電電極と、第１及び第２の外部電極とを備える。第１及び第２の放電電極は、セラミック多層基板内において、間隔を隔てて端部同士が対向するように配置されている。第１及び第２の外部電極は、セラミック多層基板の外表面に形成されている。第１及び第２の外部電極は、第１及び第２の放電電極に電気的に接続されている。【０００８】
本発明では、第１及び第２の放電電極の端部同士が対向している対向部において、第１の放電電極の端部が、第２の放電電極の端部を囲むように開いている凹部を有する形状とされている。【０００９】
本発明においては、好ましくは、上記凹部の端縁は円弧状の部分を有していてもよい。より好ましくは、凹部の端縁は円弧状であることが望ましい。【００１０】
本発明に係るＥＳＤ保護装置の他の特定の局面では、上記第１の放電電極の上記凹部の端縁における円弧状の形状が、第２の放電電極の端部のうち、上記第１の放電電極の端部に最も近い点を中心とした円の一部である。【００１１】
本発明に係るＥＳＤ保護装置では、第２の放電電極の先端は、内角が鋭角である尖った形状とされていることが好ましい。【００１２】
本発明に係るＥＳＤ保護装置では、セラミック多層基板の内部に空洞が形成されており、第１及び第２の放電電極の端部同士が空洞内に対向していてもよい。【００１３】
本発明においては、好ましくは、第１及び第２の放電電極からなる放電電極対が複数対備えられていることが望ましい。この場合、上記複数対の放電電極のうち、少なくとも一対の放電電極対における第１の放電電極と、残りの少なくとも一対の放電電極対の第２の放電電極とが共通接続されており、上記少なくとも一対の放電電極対における第２の放電電極と、上記残りの少なくとも一対の放電電極対の第１の放電電極とが共通接続されていることがさらに好ましい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明に係るＥＳＤ保護装置では、第１の放電電極の端部が、第２の放電電極の端部を囲むように開いている凹部を有する形状とされているため、静電気が繰り返し加わり放電が繰り返されたとしても、第１の放電電極の端部が剥がれにくい。そのため、放電開始電圧の上昇すなわち放電特性の劣化を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は、本発明の第１の実施形態に係るＥＳＤ保護装置の模式的正面断面図である。
【図２】図２は、本発明の第１の実施形態に係るＥＳＤ保護装置の第１及び第２の放電電極の形状を説明するための模式的平面断面図である。
【図３】図３は、第１の実施形態における第１の放電電極と第２の放電電極との間で生じる放電現象を説明するための模式的平面図である。
【図４】図４は、本発明の第２の実施形態に係るＥＳＤ保護装置の第１及び第２の放電電極の形状を説明するための模式的平面断面図である。
【図５】図５は、本発明の第３の実施形態に係るＥＳＤ保護装置の第１及び第２の放電電極の形状を説明するための模式的平面断面図である。
【図６】図６は、本発明の第４の実施形態に係るＥＳＤ保護装置において、ある高さ位置に設けられている第１及び第２の放電電極を示す模式的平面断面図である。
【図７】図７は、本発明の第４の実施形態に係るＥＳＤ保護装置において、図６とは異なる高さ位置に設けられている第１及び第２の放電電極を説明するための模式的平面断面図である。
【図８】図８は、本発明の第４の実施形態に係るＥＳＤ保護装置を略図的に示す正面断面図である。
【図９】図９は、本発明の第５の実施形態に係るＥＳＤ保護装置の第１及び第２の放電電極が形成されている構造を示す模式的平面断面図である。
【図１０】図１０は、本発明の第６の実施形態に係るＥＳＤ保護装置の第１及び第２の放電電極が形成されている構造を示す模式的平面断面図である。
【図１１】図１１は、本発明の第１の実施形態の変形例における第１及び第２の放電電極の形状を説明するための模式的平面断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００１７】
図１は、本発明の第１の実施形態に係るＥＳＤ保護装置１を示す模式的正面断面図である。
【００１８】
ＥＳＤ保護装置１は、セラミック多層基板２を有する。セラミック多層基板２は、本実施形態では、直方体状の形状を有する。セラミック多層基板２の内部には空洞３が設けられている。
【００１９】
他方、セラミック多層基板２内のある高さ位置の平面上に、第１の放電電極４と、第２の放電電極５とが形成されている。第１の放電電極４の端部４ａと、第２の放電電極５の端部５ａとが空洞３内において対向している。端部４ａと端部５ａとが対向している部分が対向部である。
【００２０】
本実施形態では、第１，第２の放電電極４，５を接続するように、放電補助電極６が設けられている。放電補助電極６は、導電性を有しない無機材料により表面をコーティングされた金属粒子６ａと、半導体セラミック粒子６ｂとが分散されている構造を有する。このような粒子分散体により放電補助電極６が形成されている。具体的には、導電性を有しない無機材料により表面がコーティングされた金属粒子６ａと、半導体セラミック粒子６ｂと、バインダーとを含む厚膜ペーストを印刷して焼成することにより、放電補助電極６が形成されている。
【００２１】
放電補助電極６は、本発明では必須ではない。もっとも、放電補助電極６が設けられていることが好ましい。それによって、放電開始電圧を低めることができる。
【００２２】
さらに、本実施形態では空洞３の下方においては、下部シール層１０が設けられている。下部シール層１０上に、上述した放電補助電極６が形成されている。さらに、空洞３の上面側には、上部シール層１１が設けられている。下部シール層１０及び上部シール層１１は、セラミック多層基板２を構成しているセラミックスよりも焼結温度が高いセラミックスからなる。なお、下部シール層１０及び上部シール層１１は必ずしも設けられておらずともよい。
【００２３】
第１の放電電極４は、セラミック多層基板２の外表面に形成された第１の外部電極１２に図示されていない部分において電気的に接続されている。同様に、第２の放電電極５は、セラミック多層基板２の外表面に設けられた第２の外部電極１３に、図示しない部分において電気的に接続されている。
【００２４】
ＥＳＤ保護装置１の特徴は、第１の放電電極４と第２の放電電極５とが対向している部分における第１の放電電極４及び第２の放電電極５の形状にある。これを、図２を参照して説明する。なお、図２は、第１及び第２の放電電極４，５が設けられている高さ位置におけるセラミック多層基板２内の模式的平面断面図である。図２のＡ−Ａ線に沿う部分に相当する断面構造が、前述した図１に示されていることを指摘しておく。
【００２５】
図２においては、空洞３の外縁が円で示されている。そして、空洞３内において、第１の放電電極４の端部４ａと、第２の放電電極５の端部５ａとが対向している。ここで、第１の放電電極４の端部４ａは、第２の放電電極５側に向かって開いた凹部を有する形状とされている。より具体的には、本実施形態では、この凹部の端縁４ｂは半円状の形状を有する。すなわち、円弧状の形状を有する。
【００２６】
他方、第２の放電電極５の端部５ａは尖っており、その内角θ１は鋭角となっている。図３に拡大して示すように、上記凹部の端縁４ｂは、第２の放電電極５の先端を中心とする円弧を描くように形成されている。
【００２７】
ＥＳＤ保護装置において、第２の放電電極５がホット側であり、第２の放電電極５から第１の放電電極４に放電が生じるものとする。その場合、放電が繰り返されると、第１の放電電極４の端縁４ｂが損傷する。しかしながら、端縁４ｂが円弧状の形状を有している。従って、放電が繰り返されたとしても、従来のストリップ状の放電電極の先端部分に比べて、端部４ａが剥離しにくい。
【００２８】
例えば、図３の点Ｂにおいて放電が繰り返されて部分的な浮きが生じたとしても、第１の放電電極４の端部４ａが捲り上がろうとする力は、点Ｂの両側の放電電極部分により抑制されることになる。すなわち、点Ｂの両側の放電電極部分がセラミック多層基板に密着しているため、第１の放電電極４の端部４ａにおける剥離は進行し難い。これは、点Ｂに限らず、例えば点Ｃにおいて部分的な剥離が生じた場合でも同様である。
【００２９】
すなわち、第１の放電電極４の端部４ａが凹部を有する形状とされているため、放電が繰り返されたとしても、第１の放電電極４の端部４ａにおける剥離が生じ難い。そのため、放電特性の劣化を、より具体的には、放電開始電圧の上昇を効果的に抑制することができる。加えて、本実施形態では、端縁４ｂが、第２の放電電極５の先端を中心とする円弧状の形状を有している。先端から第１の放電電極４に至る最小対向距離部分が端縁４ｂの全長にわたり無数に存在する。従って、放電開始電圧の上昇をそれによっても効果的に抑制することができる。
【００３０】
さらに、第２の放電電極５の端部５ａの先端が尖っているため、電界集中効果が大きい。従って、第２の放電電極５の先端から放電が生じ易い。よって、放電開始電圧をさらに効果的に低めることができる。
【００３１】
よって、本実施形態によれば、放電が繰り返されたとしても、放電特性の劣化が生じ難い、ＥＳＤ保護装置１を提供することができる。
【００３２】
なお、図３では、端縁４ｂは半円を描くように形成されているが、導電ペーストの印刷等により第１の放電電極４を形成した場合、端縁４ｂが、略半円状であり、かつわずかな凹凸を有することがある。このように、円弧状の形状は、わずかな凹凸が端縁に存在する形状であってもよい。
【００３３】
また、本実施形態では、第２の放電電極５の端部５ａの先端が尖っていたが、図１１に示す変形例のように、第２の放電電極５の端部５ａの先端は丸みを帯びていてもよい。
【００３４】
図４は、第２の実施形態に係るＥＳＤ保護装置の第１及び第２の放電電極が形成されている部分を示す模式的平面断面図である。第２の実施形態のＥＳＤ保護装置２１では、セラミック多層基板２のある高さ位置において、複数の第１の放電電極４と、複数の第２の放電電極５とが対向している。すなわち、第１の放電電極４と第２の放電電極５とからなる放電電極対が複数設けられている。
【００３５】
このように、本発明においては、第１の放電電極４と第２の放電電極５とからなる放電電極対が複数設けられていてもよい。
【００３６】
なお、その他の構成は第１の実施形態と同様である。従って、同一部分については同一の参照番号を付することにより、詳細な説明は省略する。
【００３７】
図５は、本発明の第３の実施形態に係るＥＳＤ保護装置３１の模式的平面断面図である。第３の実施形態のＥＳＤ保護装置３１では、第２の実施形態のＥＳＤ保護装置２１と同様に複数の放電電極対が設けられている。もっとも、第３の実施形態では、３個の第１の放電電極４と３個の第２の放電電極５とからなる３個の第１のグループの放電電極対３４のほかに、第１及び第２の放電電極の配置が逆転された３個の第２のグループの放電電極対３５が形成されている。
【００３８】
第１の配線電極３２に、３個の第１の放電電極４と、３個の第２の放電電極５とが接続されている。第１の配線電極３２は、第１の外部電極に電気的に接続されている。
【００３９】
他方、第２の配線電極３３にも、３個の第２の放電電極５と、３個の第１の放電電極４とが接続されている。第２の配線電極３３は第２の外部電極に電気的に接続される。
【００４０】
図５に示すように、第１の配線電極３２に接続されている３個の第１の放電電極４と、第２の配線電極３３に接続されている３個の第２の放電電極５とにより３個の第１のグループの放電電極対３４が形成されている。同様に、第１の配線電極３２に接続されている３個の第２の放電電極５と、第２の配線電極３３に接続されている第１の放電電極４とにより３個の第２のグループの放電電極対３５が形成されている。
【００４１】
第１のグループの放電電極対３４と、第２のグループの放電電極対３５とでは、第１の放電電極と第２の放電電極との配置が反転されている。よって、ＥＳＤ保護装置３１は方向性を有しない。すなわち、第１の配線電極３２側がホット側となるように接続されてもよく、第２の配線電極３３側がホット側となるように接続されてもよい。よって、ＥＳＤ保護装置３１は、電子回路等に対して容易に接続することができる。
【００４２】
図６及び図７は、本発明の第４の実施形態に係るＥＳＤ保護装置を説明するための各模式的平面断面図である。図５に示したＥＳＤ保護装置３１では、セラミック多層基板２の同じ高さ位置において、第１のグループの放電電極対３４と、第２のグループの放電電極対３５とが構成されていた。
【００４３】
これに対して、第４の実施形態では、第１のグループの放電電極対３４と、第２のグループの放電電極対３５とが、セラミック多層基板２の異なる高さ位置に設けられている。
【００４４】
図６は、セラミック多層基板２のある高さ位置に設けられている第１のグループの放電電極対３４を示す模式的平面断面図である。図５に示したＥＳＤ保護装置３１の場合と同様に、配線電極３２に３個の第１の放電電極４が接続されている。第２の配線電極３３に、３個の第２の放電電極５が接続されている。それによって、第１のグループの放電電極対３４が構成されている。
【００４５】
他方、図７に示すように、セラミック多層基板２の異なる高さ位置において、配線電極３２Ａ及び配線電極３３Ａが形成されている。そして、配線電極３２Ａに、３個の第２の放電電極５が接続されている。他方、配線電極３３Ａに、３個の第１の放電電極４が形成されている。それによって、第２のグループの放電電極対３５が形成されている。
【００４６】
図８は、ＥＳＤ保護装置４１における第１のグループの放電電極対３４及び第２のグループの放電電極対３５が形成されている高さ位置を示す模式的正面断面図である。
【００４７】
なお、特に図示はしないが、第４の実施形態では、配線電極３２Ａが配線電極３２にセラミック多層基板２内またはセラミック多層基板２外で電気的に接続されている。同様に、第２の配線電極３３に配線電極３３Ａが電気的に接続されている。
【００４８】
ＥＳＤ保護装置４１も、ＥＳＤ保護装置３１と同様に方向性を有しない。従って、ＥＳＤ保護装置４１は、電子回路に容易に挿入することができる。
【００４９】
また、第１のグループの放電電極対３４と、第２のグループの放電電極対３５とがセラミック多層基板内において異なる高さ位置に設けられている。従って、セラミック多層基板２の平面積を小さくすることができる。よって、実装スペースの低減を図ることができる。
【００５０】
図９は、本発明の第５の実施形態に係るＥＳＤ保護装置における第１，第２の放電電極が形成されている部分を示す模式的平面断面図である。ＥＳＤ保護装置５１では、第１の実施形態と同様に、第１の放電電極４の凹部の端縁４ｂは、半円状の形状を有する。他方、第２の放電電極５の端部５ａは、矩形のストリップ状の形状を有する。従って、端部５ａの先端は対向方向と直交している直線状の形状を有している。そして、この端部５ａの中心Ｐを中心とする半径ｒの円のうち、半円部分が端縁４ｂに相当する。本実施形態においても、第１の実施形態と同様に、第１の放電電極４の端部４ａが凹部を有する形状とされているため、放電特性の劣化を抑制することができる。
【００５１】
もっとも、本実施形態では、第２の放電電極５の先端は尖っておらず、矩形のストリップ状の先端部分となっている。そのため、第１の放電電極４と第２の放電電極５との間の最小対向距離Ｒは、第２の放電電極５の先端のコーナー部Ｑと第１の放電電極４の端縁４ｂとの間の距離となる。この最小対向距離Ｒは、上記半径ｒよりも小さくなる。従って、本実施形態よりも、最少対向距離部分の数が無数にある第１の実施形態の方が望ましい。
【００５２】
図１０は、本発明の第６の実施形態に係るＥＳＤ保護装置の第１，第２の放電電極が対向している部分を示す模式的平面断面図である。ＥＳＤ保護装置６１では、第１の放電電極４の端部４ａの端縁４ｂは、その全体が円弧状ではない。
【００５３】
第２の放電電極５は、ＥＳＤ保護装置５１と同様に、ストリップ状の形状の先端部分を有する。これに対して、第１の放電電極４の端部４ａの端縁４ｂは、第２の放電電極５の端部５ａと平行に延びる直線状部分４ｂ１を有する。この直線状部分４ｂ１は、第２の放電電極５の直線状の端部５ａと対向している。また、端縁４ｂでは、直線状部分４ｂ１の両側に、中心角９０°の円弧状部分４ｂ２，４ｂ３が連ねられている。円弧状部分４ｂ２，４ｂ３は、第２の放電電極５の端部５ａのコーナー部Ｑ１，Ｑ２それぞれを中心とする円弧の一部である。このように、端縁４ｂは、その全体が円弧状である必要はなく、円弧状部分４ｂ２，４ｂ３を有するように形成されていてもよい。
【００５４】
また、本実施形態では、最小対向距離部分は、上記コーナー部Ｑ１，Ｑ２から円弧状部分４ｂ２，４ｂ３に至る部分と、直線状の端部５ａと直線状部分４ｂ１との間の部分に無数に存在する。従って、本実施形態においても、第１の実施形態と同様に、放電開始電圧の上昇を効果的に抑制することができる。
【００５５】
なお、第１〜第６の実施形態では、第１の放電電極４と第２の放電電極５とが、同じ高さ位置で対向していた。しかしながら、本発明においては、セラミック多層基板２のある高さ位置に第１の放電電極４の端部が位置し、第２の放電電極５の端部が異なる高さ位置に設けられていてもよい。すなわち、セラミック多層基板２内において、異なる高さ位置に第１及び第２の放電電極４，５が形成されていてもよい。
【００５６】
次に、具体的な実験例を説明することにより、上記各実施形態の効果を明らかにする。
【００５７】
（実施例１）
実施例１として、第１の実施形態に係るＥＳＤ保護装置１を作成した。
【００５８】
Ｂａ、Ａｌ及びＳｉを主体とするＢＡＳ材を所定の組成となるように混合し、８００℃〜１０００℃の温度で仮焼した。得られた仮焼粉末をジルコニウムボールミルで１２時間粉砕し、セラミック粉末を得た。このセラミック粉末に、トルエン及びエキネンからなる有機溶媒を加え混合した。さらに、バインダー及び可塑剤を加えスラリーを得た。このようにして得られたスラリーをドクターブレード法により成形し、厚さ３０μmのセラミックグリーンシートを得た。
【００５９】
電極ペーストの調製：第１，第２の放電電極４，５を構成するための電極ペーストを以下のようにして用意した。平均粒径２μｍのＣｕ粒子８０重量％と、エチルセルロースからなるバインダー樹脂とに溶剤を添加し、三本ロールで攪拌し、混合し、電極ペーストを得た。
【００６０】
放電補助電極６形成用ペーストの調製：平均粒径２μｍのＣｕ粒子の表面に平均粒径数ｎｍ〜数十ｎｍのＡｌ２Ｏ３粉末を付着させた。それによって、導電性を有さない無機材料により表面がコーティングされた金属粒子を用意した。この粒子に平均粒径１μｍの炭化ケイ素粉末を所定の割合で配合した。この配合物に、バインダー樹脂及び溶剤を、バインダー樹脂及び溶剤の合計の割合が全体の２０重量％となるように添加し、混合し、混合ペーストを得た。
【００６１】
空洞３を形成する樹脂ペーストとして、エチルセルロースに対し溶剤として有機溶剤を適宜の割合で含む樹脂ペーストを用意した。
【００６２】
下部シール層１０及び上部シール層１１を形成するためのセラミックペーストとして、アルミナ粉末と、溶剤としての有機溶剤が全体の１５重量％となるように混合してなるシール層形成用セラミックペーストを用意した。
【００６３】
上記のようにして用意したセラミック多層基板用のセラミックグリーンシートを複数枚用意した。得られた積層体上に、下部シール層１０を構成する部分にシール層形成用セラミックペーストをスクリーン印刷した。次に、補助電極形成用ペーストを、シール層形成用ペースト上に塗布した。しかるのち、上記電極ペーストを印刷し、図２に示す対向部を有する第１，第２の放電電極４，５を形成した。なお、第１，第２の放電電極４，５間の最小対向距離Ｒは３０μｍとした。
【００６４】
さらに、上記空洞形成用樹脂ペーストを塗布した。次に、空洞形成用樹脂ペーストが付与されている部分を覆うように、上部シール層１１を形成するためのシール層形成用ペーストを塗布した。さらに、上面に複数枚のセラミックグリーンシートを積層し、厚み方向に圧着した。
【００６５】
しかる後、上記積層体の第１，第２の端面に電極ペーストを塗布し、第１，第２の外部電極を形成した。電極ペーストとしては、Ｃｕペーストを用いた。
【００６６】
次に、上記積層体チップを焼成し、長さ１．０ｍｍ×幅０．５ｍｍ×厚み０．４ｍｍのＥＳＤ保護装置１を得た。
【００６７】
（実施例２〜実施例６）
前述した第２〜第６の実施形態のＥＳＤ保護装置を、実施例１と同様にして作成した。
【００６８】
（比較例）
対向端部が矩形形状とされていること以外は、実施例１と同様とした。
【００６９】
上記実施例１〜６及び比較例のＥＳＤ保護装置について、（１）ＥＳＤ放電応答性及び（２）ＥＳＤ繰り返し耐性を以下の要領で評価した。
【００７０】
（１）ＥＳＤに対する放電応答性
ＥＳＤに対する放電応答性は、ＩＥＣの規格、ＩＥＣ６１０００−４−２に定められている、静電気放電イミュニティ試験によって行った。接触放電にて８ｋＶの電圧を印加して試料の放電電極間で放電が生じるか否かを調べた。保護回路側で検出された放電が生じる放電開始電圧（Ｖ）を求めた。
【００７１】
（２）ＥＳＤ繰返し耐性
接触放電にて８ｋＶの電圧印加を１００回行い、続いて、ＥＳＤに対する放電応答性を（１）と同様として評価した。保護回路側で検出されたピーク電圧（Ｖ）を求め、下記の表１に示す。ＥＳＤ繰返し耐性におけるピーク電圧値が低いほど、繰り返し放電による放電応答性の劣化が生じ難いこと、すなわち放電開始電圧の上昇が抑制されていることを示す。
【００７２】
結果を下記の表１に示す。
【００７３】
【表１】
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【００７４】
表１から明らかなように、比較例のＥＳＤ保護装置では、初期のＥＳＤ放電応答性が十分でなく、さらに静電気が繰り返し印加された場合に、放電開始電圧が大幅に上昇した。
【００７５】
これに対して、実施例１〜６では、初期状態におけるＥＳＤ放電応答性において比較例に比べて優れているだけでなく、上記のように繰り返し放電が行なわれた後でも、ピーク電圧すなわち放電開始電圧の上昇を効果的に抑制することができた。
【符号の説明】
【００７６】
１…ＥＳＤ保護装置
２…セラミック多層基板
３…空洞
４…第１の放電電極
４ａ…端部
４ｂ…端縁
４ｂ１…直線状部分
４ｂ２，４ｂ３…円弧状部分
５…第２の放電電極
５ａ…端部
６…放電補助電極
６ａ…金属粒子
６ｂ…半導体セラミック粒子
１０…下部シール層
１１…上部シール層
１２…第１の外部電極
１３…第２の外部電極
２１，３１…ＥＳＤ保護装置
３２…第１の配線電極
３２Ａ…配線電極
３３…第２の配線電極
３３Ａ…配線電極
３４…第１のグループの放電電極対
３５…第２のグループの放電電極対
４１，５１，６１…ＥＳＤ保護装置
Ｑ，Ｑ１，Ｑ２…コーナー部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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