(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
チョクラルスキー法によって、ルツボ内に収容したシリコン融液からシリコン単結晶を引き上げるシリコン単結晶製造装置のチャンバーの外部に設置され、該チャンバーの上部に設けられた覗き窓を通して、前記シリコン融液の融液面の位置における結晶育成部を撮像し、シリコン単結晶の直径を検出するカメラを用いた直径検出装置において、前記カメラの取り付け位置及び取り付け角度を調整するカメラ位置の調整方法であって、
前記シリコン単結晶の引き上げ開始前に、既知の直径を持つ円を表示したディスプレイを、前記円の表示面が前記融液面と同じ高さ位置になるように配設し、前記カメラにより前記円の直径の値を検出し、該検出した直径の値と前記既知の直径の値が一致するように、前記カメラの取り付け位置及び取り付け角度を調整することで、前記カメラを適切な取り付け位置及び取り付け角度に調節することを特徴とするカメラ位置の調整方法。
【請求項２】
前記カメラ位置の調整方法は前記ディスプレイに表示する前記円の発光色及び直径を設定し、該設定された円を、外部デバイスを使用して前記ディスプレイ上に表示させることを特徴とする請求項１に記載のカメラ位置の調整方法。
【請求項３】
チョクラルスキー法によって、ルツボ内に収容したシリコン融液からシリコン単結晶を引き上げるシリコン単結晶製造装置のチャンバーの外部に設置され、該チャンバーの上部に設けられた覗き窓を通して、前記シリコン融液の融液面の位置における結晶育成部を撮像し、前記シリコン単結晶の直径を検出するカメラを用いた直径検出装置において、前記カメラの取り付け位置及び取り付け角度を調整するためのカメラ位置調整冶具であって、
上面に既知の直径を持つ円を表示するディスプレイを有するものであり、
該ディスプレイは、前記円の表示面が前記融液面と同じ高さ位置になるよう配設され、前記シリコン単結晶の引き上げ開始前に、前記カメラにより前記円の直径の値が検出され、該検出した直径の値と前記既知の直径の値が一致するように、前記カメラの取り付け位置及び取り付け角度を調整することで前記カメラを適切な取り付け位置及び取り付け角度に調節できるものであることを特徴とするカメラ位置調整冶具。
【請求項４】
前記カメラ位置調整治具は前記ディスプレイに表示する前記円の発光色及び直径を設定し、該設定された円を前記ディスプレイ上に表示させることが可能なデバイスを有するものであることを特徴とする請求項３に記載のカメラ位置調整冶具。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チョクラルスキー（Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ；ＣＺ）法により、ルツボ内に収容したシリコン融液から単結晶を引き上げる際の直径検出及び制御に利用される、カメラを用いた直径検出装置のカメラ位置及び角度を調整するためのカメラ位置調整冶具、並びにカメラ位置の調整方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、シリコン単結晶は主にチョクラルスキー法によって製造されている。シリコン単結晶製造に用いられる単結晶製造装置は、例えば図４に示すようなものを用いることができる。図４に示す単結晶製造装置１１は、主に、チャンバー１２と、内側の石英ルツボ及び外側の黒鉛ルツボの二重構造からなるルツボ１３、ルツボ１３を保持するルツボ保持軸１４、ルツボ１３の外周に設けられるヒーター１５、ヒーター１５の外周に設けられるヒーター断熱材１６、ルツボ保持軸１４と同軸上に設けられる、種結晶１７を保持するためのシードチャック１８及びシードチャック１８を引き上げるためのワイヤー１９から構成される。ルツボ保持軸１４はルツボ１３を回転及び昇降させるための機構（不図示）、ワイヤー１９はシードチャック１８を巻き上げ、巻き下げ、及び回転させるための機構（不図示）をそれぞれ有する。
【０００３】
次に、上記のシリコン単結晶製造装置を用いたシリコン単結晶の製造方法について説明する。まずルツボ１３に高純度シリコン多結晶を収容し、ヒーター１５でシリコンの融点である約１４２０℃まで加熱して溶融し、シリコン融液２０とする。次に、ワイヤー１９を巻き下げてシードチャック１８に保持される種結晶１７の先端とシリコン融液２０の液面を接触させる。その後、ルツボ保持軸１４及びワイヤー１９をそれぞれ所定の回転方向及び回転速度にて回転させながらワイヤー１９を所定の速度で巻き上げ、種結晶１７を引き上げることで、種結晶１７の下に円筒状のシリコン単結晶２１を成長させる。この時、シリコン単結晶２１の成長に伴ってシリコン融液２０は減少し融液面が下降するが、それに合わせてルツボ保持軸１４によりルツボ１３を上昇させることで融液面の高さ位置を一定に保つことができる。
【０００４】
上記のシリコン単結晶の製造方法において、所望の直径のシリコン単結晶を安定して製造することは、生産ロスを防止して製品歩留まりを高めるために重要である。そのため、単結晶引き上げ中は通常、チャンバー上部に配置された直径検出装置３１のカメラ３２で、覗き窓２２を通して単結晶の育成部を撮像し、撮像した画像をカメラ画像３３に表示する。そして、カメラ画像３３から直径を検出し、検出した直径値に対してシリコン単結晶２１の引き上げ速度、ルツボ１３の上昇速度、ヒーター１５にかけるパワーを変化させることにより、所望の結晶直径値となるように制御（以下、直径制御ともいう）を行っている。
【０００５】
以下に、直径制御において行われている、カメラを用いたシリコン単結晶の直径の検出方法について説明する。シリコン単結晶直径の検出は通常、１台のＴＶカメラを用いて行われる。このカメラは炉内の結晶と融液の界面に見られる高輝度の環状部分（以下、メニスカスリングと呼ぶ）を撮影している。撮影した映像から画像処理装置でメニスカスリングの最大径や位置を測定し、カメラの取り付けられている角度、シリコン単結晶とカメラの距離等の情報を基に、シリコン単結晶の直径値を算出している（特許文献１参照）。
【０００６】
しかしこの方法は、カメラ３２が適切な位置及び角度で固定されているという前提の下直径値が算出されているものであって、製造バッチ終了後のチャンバー１２の再セット作業によってカメラ３２の位置及び角度にわずかなずれが生じた場合や、結晶引き上げ中の融液面位置が予想と違った場合など、カメラ３２とシリコン単結晶２１の相対位置が変化した場合は、直径検出値と実際のシリコン単結晶の直径に誤差が発生する。
【０００７】
例として、カメラ３２の位置のズレによりカメラ３２とシリコン単結晶２１との距離が所定の位置より遠くなった場合の直径検出値の違いを図５に示す。図５（ａ）に示すように、シリコン単結晶２１の直径を検出するために、カメラ３２で領域Ａを撮像する。図５（ｂ）はカメラ位置が適切な位置の場合のカメラ画像３３、図５（ｃ）はカメラ位置が適切な位置よりシリコン単結晶２１から離れた位置である場合のカメラ画像３３を示している。図５（ｃ）においては、カメラ３２とシリコン単結晶２１との距離が適正位置より遠くなることによって、撮像されるシリコン単結晶２１は小さく映り、その結果、直径の検出値はシリコン単結晶２１の実際の直径より小さい値に検出されてしまう。
【０００８】
上記のような、１台のＴＶカメラを用いた直径検出方法における問題を解消するために、シリコン単結晶と融液面の接点であるシリコン単結晶の成長点における直径の両端にそれぞれ正対して設置した２台のカメラを用いて、シリコン単結晶の成長点の両端を炉外から撮影して直径を検出する方法が提案されている（特許文献２参照）。
【０００９】
しかし、絞り部形成時及びコーン部形成時、直胴部形成時の各製造工程において、単結晶直径を確実に精度良く検出するためには、各工程における最適な測定視野のカメラを必要とすることから、一部の工程、特に絞り部形成時及びコーン部形成時は、１台のカメラを用いた直径検出方法が用いられている。そのため、１台のカメラを用いた直径検出方法における検出誤差の問題は依然として残っている。
【００１０】
このように、特に絞り部形成時において絞り直径検出用カメラの検出誤差が発生することにより、目標としている絞り直径よりも太い、または細い絞り部が形成されてしまうことが起こり得る。絞り部形成は、直径を細くして引き上げることで結晶を無転位化する工程であることから、絞り部の直径が太い状態で引き上げた場合、無転位化が不十分でコーン形成時に有転位化してしまう場合がある。また、絞り部の直径が細い状態で引き上げた場合、シリコン単結晶の育成途中に絞り部が切れてしまう絞り切れが発生する。
【００１１】
さらに、コーン部形成時における直径検出誤差によりコーン部を目的とする形状に制御することができず、有転位化を発生させてしまう場合がある。このように、絞り部形成時の絞り切れやコーン部形成時の有転位化が発生すると、種付けから製造をやり直すこととなるため、シリコン単結晶製造における損失時間が増加する。上記の問題を解消し効率的にシリコン単結晶製造を行うためには、直径検出値に誤差が無い状態で、直径制御を行うことが重要となる。
【００１２】
ここで、カメラを用いた直径検出方法においてカメラの位置ズレによる検出誤差を解消するための方法としては、カメラの位置及び角度のズレを引上げ開始前に調整し、カメラが適切な位置及び角度となっている状態で結晶引き上げを開始することが挙げられる。
【００１３】
しかし、上記の調整を実施するにあたって、カメラでの直径検出に利用しているメニスカスリングは、結晶引き上げ中においてのみ見られる。従って、引き上げ開始前においてはカメラの位置及び角度の調整における適正な判断基準が無く、引き上げ開始前にカメラの位置及び角度を調整することは困難であった。
【００１４】
そのため、カメラ位置及び角度の調整は従来、引き上げ中のシリコン単結晶及び現在の直径検出値を確認しながら行われていたが、炉内の状況によって直径が変化するシリコン単結晶は、適正な判断基準としては不適であり、このことから安定した直径検出精度を確保することは難しかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１５】
【特許文献１】特開平０５−３１９９７９号公報
【特許文献２】特開２０１０−１００４５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
本発明は前述のような問題に鑑みてなされたもので、カメラを用いた直径検出装置において安定した直径検出精度をシリコン単結晶引き上げ開始前の段階で確保できるカメラ位置の調整方法及びカメラ位置調整治具を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記目的を達成するために、本発明によれば、チョクラルスキー法によって、ルツボ内に収容したシリコン融液からシリコン単結晶を引き上げるシリコン単結晶製造装置のチャンバーの外部に設置され、該チャンバーの上部に設けられた覗き窓を通して、前記シリコン融液の融液面の位置における結晶育成部を撮像し、シリコン単結晶の直径を検出するカメラを用いた直径検出装置において、前記カメラの取り付け位置及び取り付け角度を調整するカメラ位置の調整方法であって、前記シリコン単結晶の引き上げ開始前に、既知の直径を持つ円を表示したディスプレイを、前記円の表示面が前記融液面と同じ高さ位置になるように配設し、前記カメラにより前記円の直径の値を検出し、該検出した直径の値と前記既知の直径の値が一致するように、前記カメラの取り付け位置及び取り付け角度を調整することで、前記カメラを適切な取り付け位置及び取り付け角度に調整することを特徴とするカメラ位置の調整方法を提供する。
【００１８】
このように、シリコン単結晶の引上げを開始する前に、ディスプレイ上に表示された円を基準として、直径検出装置のカメラ位置を適切な場所に調整できるため、カメラの直径検出値の誤差がほぼ存在しない状態から引上げを開始することができる。そのため、育成中のシリコン単結晶の直径を終始高精度に検出することができ、所望の直径を持つシリコン単結晶を得ることができる。また、直径検出値の誤差がほとんどないため、絞り部形成時及びコーン部形成時に精度よく狙いの直径とすることができ、絞り切れ及び有転位化の発生を防止できる。
【００１９】
このとき、前記カメラ位置の調整方法は前記ディスプレイに表示する前記円の発光色及び直径を設定し、該設定された円を、外部デバイスを使用して前記ディスプレイ上に表示させることができる。
【００２０】
このようにすれば、ディスプレイに表示する円の直径と発光色を単結晶の引上げ条件やカメラに合わせた所定の条件に容易に設定できる。
【００２１】
また、上記目的を達成するために、本発明によれば、チョクラルスキー法によって、ルツボ内に収容したシリコン融液からシリコン単結晶を引き上げるシリコン単結晶製造装置のチャンバーの外部に設置され、該チャンバーの上部に設けられた覗き窓を通して、前記シリコン融液の融液面の位置における結晶育成部を撮像し、前記シリコン単結晶の直径を検出するカメラを用いた直径検出装置において、前記カメラの取り付け位置及び取り付け角度を調整するためのカメラ位置調整冶具であって、上面に既知の直径を持つ円を表示するディスプレイを有するものであり、該ディスプレイは、前記円の表示面が前記融液面と同じ高さ位置になるよう配設され、前記シリコン単結晶の引き上げ開始前に、前記カメラにより前記円の直径の値が検出され、該検出した直径の値と前記既知の直径の値が一致するように、前記カメラの取り付け位置及び取り付け角度を調整することで前記カメラを適切な取り付け位置及び取り付け角度に調整できるものであることを特徴とするカメラ位置調整冶具が提供される。
【００２２】
このようなものであれば、シリコン単結晶の引上げを開始する前に、ディスプレイ上の円を基準として直径検出装置のカメラ位置を適切な場所に調整できるため、カメラの直径検出値の誤差がほぼ存在しない状態から引上げを開始することができる。そのため、育成中のシリコン単結晶の直径を終始高精度に検出することができ、所望の直径を持つシリコン単結晶を得ることができる。また、直径検出値の誤差がほとんどないため、絞り部形成時及びコーン部形成時に精度よく狙いの直径とすることができ、絞り切れ及び有転位化の発生を防止できる。
【００２３】
このとき、前記カメラ位置調整治具は前記ディスプレイに表示する前記円の発光色及び直径を設定し、該設定された円を前記ディスプレイ上に表示させることが可能なデバイスを有するものであることが好ましい。
【００２４】
このようなものであれば、ディスプレイに表示する円の直径と発光色を単結晶の引上げ条件やカメラに合わせた所定の条件に容易に設定できるものとなる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明のカメラ位置の調整方法及びカメラ位置調整冶具であれば、シリコン単結晶の引上げを開始する前であっても、カメラ位置の調整基準となる円に合わせてカメラ位置を適切な場所に調整できる。そのため、カメラの直径検出値の誤差がほぼ存在しない状態から引上げを開始することができ、引上げ開始時から育成中のシリコン単結晶の直径を高精度に検出することができる。その結果、絞り部、コーン部、直胴部の全ての部位で所望の直径を持つシリコン単結晶を得ることができる。また、絞り部形成時及びコーン部形成時に直径検出値の誤差がほとんどなく、精度よく狙いの直径とすることができるため、絞り切れ及び有転位化の発生を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明のカメラ位置調整冶具の一例を示した概略図である。
【図２】本発明のカメラ位置調整冶具を設置したシリコン単結晶製造装置の一例を示した概略図である。
【図３】本発明のカメラ位置の調整方法を説明する図である。
【図４】一般的なシリコン単結晶製造装置及び直径検出装置の一例を示す概略図である。
【図５】従来のシリコン単結晶の直径の検出方法を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明について実施の形態を説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
上記したように、カメラによる直径検出においては、カメラの位置が適切な位置でなければ直径検出値に誤差が生じる。しかし従来、カメラの位置は、メニスカスリング等といったシリコン単結晶の引上げ中の直径を基準として調整しているため、シリコン単結晶の引上げが開始してからしか位置の調整をすることができなかった。従って、引上げ開始時にカメラが不適切な位置にある場合、カメラ位置の調整が完了するまで、正確な直径制御が困難になるという問題があった。更に、シリコン単結晶の直径は炉内の状況によって変化するため、引上げ中の単結晶の直径を基準としていては、安定した直径検出精度を得ることができないという問題があった。
【００２８】
そこで、本発明者はこのような問題を解決すべく鋭意検討を重ねた。その結果、シリコン単結晶の引上げ開始前に、カメラ位置の調整の基準となる円を、結晶育成部となる位置に表示して、円に合わせてカメラ位置を調整すれば、引上げ開始時から終了時まで高い直径検出精度を維持できることに想到し、本発明を完成させた。
【００２９】
以下、本発明のカメラ位置調整治具及びこれを使用したカメラ位置の調整方法について図１−３を参照して説明する。
まず、本発明のカメラ位置の調整方法で使用する本発明のカメラ位置調整治具について説明する。
【００３０】
図１に示すように、カメラ位置調整治具１は、主にディスプレイ２、ディスプレイ２を支持する設置部３から構成されている。ディスプレイ２は、その上面に任意の発光色で、既知の直径を持つ円５を表示できるものである。
【００３１】
このとき、カメラ位置調整治具１は、ＰＣ等のデバイス４を有する構成のものとすることができる。このデバイス４は、入力された円５の発光色及び直径の設定値をディスプレイ２に出力することにより、該設定値を反映した円５をディスプレイ２上に表示させることが可能なものである。
【００３２】
このようなものであれば、ディスプレイに表示する円の直径と発光色を単結晶の引上げ条件やカメラに合わせた所定の条件に容易に設定できるものとなる。
【００３３】
また、デバイス４に入力する設定値を、例えば実際に育成するシリコン単結晶の直径、メニスカスリングの色に設定して、ディスプレイ２に出力して円５を表示させることで、簡単にシリコン単結晶引き上げ中のカメラによる直径検出状況を再現することができる。従って、実際の引上げ時の状況に即した、より精度のよい直径検出を簡単に実施できるものとなる。
【００３４】
ここで、カメラ位置調整治具１が、図４に示したシリコン単結晶製造装置１１において使用される場合を以下に説明する。
図２に示すように、カメラ位置調整治具１は、設置部３を昇降可能なルツボ保持軸１４上に設置することができる。このように、引上げ開始前のルツボを保持していない状態のルツボ保持軸１４上にカメラ位置調節治具１が設置され、ルツボ保持軸１４を昇降することにより高さが調整されることで、ディスプレイ２の円５の表示面が融液面と同じ高さ位置になるよう配設される。
【００３５】
そして、直径検出装置３１のカメラ３２により円５の直径の値が検出され、検出した直径の値と予め設定してある既知の直径の値が一致するように、カメラ３２の取り付け位置及び取り付け角度を調整する。
【００３６】
このようなものであれば、シリコン単結晶の引上げを開始する前に、ディスプレイ上の円を基準として直径検出装置のカメラ位置を適切な場所に調整できるため、カメラの直径検出値の誤差がほぼ存在しない状態から引上げを開始することができる。そのため、育成中のシリコン単結晶の直径を終始高精度に検出することができ、所望の直径を持つシリコン単結晶を得ることができる。特に、直径検出値の誤差がほとんどないため、直胴部が形成される前に行われる絞り部形成時及びコーン部形成時に精度よく狙いの直径とすることができ、絞り切れ及び有転位化の発生を防止できる。
【００３７】
次に、上記のカメラ位置調整治具１を使用した場合の本発明のカメラ位置の調整方法について説明する。
まず、図２に示すように、カメラ位置調整治具１を引上げ開始前のルツボ保持軸上に設置及び固定する。この際、ディスプレイ２の円５の表示面を結晶引き上げ中の融液面に見立ててカメラ位置の調整を実施するため、表示面が結晶引き上げ時の融液面と同様の位置となるよう、ルツボ保持軸１４の昇降操作にて調節する。
【００３８】
次に、円５の発光色及び直径を設定し、該設定された円５をディスプレイ２上に表示させる。円５の発光色はカメラ３２が検出可能な色に設定する。カメラ３２が検出可能な色は、直径の検出に利用しているカメラ３２の種類やレンズ、絞り設定等の機器的構成に依存するため、それらの条件に合わせて適宜発光色を設定する。次に、円５の直径を設定する。ここで、例えば円５の直径を引き上げ中に検出が想定されるシリコン単結晶の直径値に設定することができる。
【００３９】
実際のシリコン単結晶の引き上げにおいて、カメラ３２で撮影し直径検出処理に利用しているのはメニスカスリングであるため、想定されるメニスカスリングの発光色及び直径を設定した円５をカメラ３２に検出させることで、シリコン単結晶引上げ開始前に疑似的にシリコン単結晶引き上げ中のカメラによる直径検出状況を再現することができる。
【００４０】
ここで、発光色及び直径を設定された円を、ＰＣ等の外部デバイスを使用してディスプレイ上に表示させることができる。
このようにすれば、ディスプレイ２に表示する円５の直径と発光色を単結晶の引上げ条件やカメラに合わせた所定の条件に容易に設定できるものとなる。
【００４１】
次に、円５をカメラ３２に検出させて得られた直径の検出値及びカメラ画像に対するカメラ３２の位置及び角度の調整方法について説明する。例として、絞り部形成からコーン形成時の直径検出に使用するカメラの位置及び角度の調整方法について、図３に示す。なお、以下に示す説明は、発明の趣旨を理解するために一例を挙げて説明するもので、本発明を限定するものではない。
【００４２】
カメラ位置及び角度の調整は、図３（ａ）に示すように、カメラ３２に円５を撮像させ検出された直径の検出値及びカメラ画像３３を確認しながら行う。図３（ａ）に示したＡで表される領域はカメラ３２の撮像範囲である。円５の既知の直径の値は、この場合、シリコン単結晶引き上げにおける絞り形成からコーン形成時の任意の直径値に設定でき、例えば１５．０ｍｍとすることができる。カメラ３２の位置のずれが発生していない場合における直径検出値は、ディスプレイ２上に表示した円５の既知の直径値と同値の１５．０ｍｍであることから、カメラ位置のずれによって発生した直径検出値の誤差は、実際の直径検出値と円の既知の直径１５．０ｍｍとの差分値で表すことができる。
【００４３】
差分値が正値であった場合、すなわち図３（ｂ）に示すように、例えばカメラ画像３３に映る直径の検出値が１６．０ｍｍとなり、１５．０ｍｍより大きい値である場合はカメラ３２が適正位置より近いと判断できる。この場合、図３（ｂ）に示すように、カメラ３２の位置及び角度を調節しながら、円５から遠ざけるように移動させればよい。
【００４４】
差分値が負値であった場合、すなわち図３（ｃ）に示すように、例えばカメラ画像３３に映る直径の検出値が１３．５ｍｍとなり、直径検出値が１５．０ｍｍよりも小さい値である場合はカメラ３２が適正位置より遠いと判断することができる。この場合、図３（ｃ）に示すように、カメラ３２の位置及び角度を調節しながら、円５に近づけるように移動させればよい。このように、直径の検出値を確認しながら、直径の検出値が円の直径の値である１５．０ｍｍと一致するように、カメラ３２の位置及び角度を調整することが可能である。
【００４５】
以上のような本発明のカメラ位置の調整方法であれば、シリコン単結晶の引上げを開始する前に、直径検出装置のカメラ位置を適切な場所に調整できるため、カメラの直径検出値の誤差がほぼ存在しない状態から引上げを開始することができる。そのため、育成中のシリコン単結晶の直径を高精度に検出することができ、所望の直径を持つシリコン単結晶を得ることができる。また、直径検出値の誤差がほとんどないため、絞り部形成時及びコーン部形成時に精度よく狙いの直径とすることができ、絞り切れ及び有転位化の発生を防止できる。
【実施例】
【００４６】
以下、本発明の実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００４７】
（実施例）
図１に示す本発明のカメラ位置調整冶具を、図２に示すようにシリコン単結晶製造装置の炉内に設置し、シリコン単結晶製造装置における絞り形成時の直径制御に使用される１台のカメラの位置及び角度が適正となるよう調整を引き上げ開始前に実施した。その後、カメラ位置調整冶具を取り外し、ルツボ保持具にルツボを固定した。次に、ルツボ内にシリコン多結晶を収容し、そのシリコン多結晶をヒーターで溶融してシリコン融液として、シリコン単結晶を製造した。このとき、絞り形成からコーン形成の工程における直径制御は本発明のカメラ位置調整方法により、カメラ位置を調整した１台のカメラで行った。
上記の工程を１０回繰り返し、絞り切れやコーン工程中の有転位化の発生回数をカウントしたところ、絞り切れやコーン工程中の有転位化は発生しなかった。
【００４８】
（比較例）
本発明のカメラ位置の調整方法を実施しないこと以外、実施例と同じ条件でシリコン単結晶製造を１０回繰り返し行った。
その結果、絞り切れ発生回数は３回、コーン工程中の有転位化が３回発生した。
【００４９】
以上のように、本発明を用いて直径検出誤差を無くすことにより、絞り部形成からコーン形成工程における直径を高精度で制御できるようになったため、絞り部形成時の直径やコーン部形状に起因した絞り切れやコーン部形成時の有転位化が発生する回数を低減することができた。
【００５０】
このように、本発明を用いてカメラ位置の調整を行うことにより、今まで結晶引き上げ中にしか実施できなかったカメラ位置の調整作業を結晶引き上げ開始前の段階で実施することができ、且つ、カメラ位置調整治具を用いることにより統一された調整基準を用いてカメラの位置ズレの判断及び調整を実施することができた。その結果、安定した直径検出精度を確保することができ、特に１台のカメラを使用した直径検出装置の直径検出精度が確保されたことで、精度良く直径を制御することが可能となったため、１台のカメラが用いられている工程、特に絞り形成からコーン形成の工程におけるトラブルが低減し、時間の損失が少なくなった。
【００５１】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【符号の説明】
【００５２】
１…カメラ位置調整冶具、  ２…ディスプレイ、
３…設置部、  ４…デバイス、  ５…円、
１１…シリコン単結晶製造装置、  １２…チャンバー、  １３…ルツボ、
１４…ルツボ保持軸、  １５…ヒーター、  １６…ヒーター断熱材、
１７…種結晶、  １８…シードチャック、  １９…ワイヤー
２０…シリコン融液、  ２１…シリコン単結晶、  ２２…覗き窓
３１…直径検出装置、  ３２…カメラ  ３３…カメラ画像。
【図１】
0006036709.tif 000002
【図２】
0006036709.tif 000003
【図３】
0006036709.tif 000004
【図４】
0006036709.tif 000005
【図５】
0006036709.tif 000006