(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィ装置のための支持装置であって、
オブジェクトを支持するオブジェクトホルダと、
前記オブジェクトホルダの半径方向外側の抽出本体であって、前記支持装置の上面から流体を抽出する抽出開口を有し、前記オブジェクトホルダから実質的に分離するように前記オブジェクトホルダから離間している、抽出本体と、を備え、
前記抽出本体は、前記オブジェクトホルダを取り囲みかつ前記抽出開口の半径方向内側に配置される突起を有し、
前記抽出本体は、使用時に、前記突起の上面上に液体の層が保持されるとともに、前記オブジェクトホルダ上に支持されたオブジェクトの下面と液体の層が接触するように構成されている、支持装置。
【請求項２】
前記支持装置は、使用時に、前記液体の層の毛管圧が、前記突起の半径方向外側と前記突起の半径方向内側との間の圧力差よりも大きいことによって、前記流体が前記突起の半径方向外側から前記突起の半径方向内側に流れるのを防ぐように構成されている、及び／又は、
前記抽出本体は、真空又は気体を備える中間ギャップによって前記オブジェクトホルダから離間している、及び／又は、
前記支持装置は、使用時に、前記抽出本体の一部が、前記オブジェクトホルダ上に支持されたオブジェクトの周縁部の下に延出するように構成されている、
請求項１に記載の支持装置。
【請求項３】
リソグラフィ装置のための支持装置であって、
オブジェクトホルダと、
前記オブジェクトホルダの半径方向外側の抽出本体であって、前記支持装置の上面から流体を抽出する抽出開口を有し、複数の外周方向に離間した接合部によって前記オブジェクトホルダに接続されて前記接合部間では前記オブジェクトホルダから離間するようになっており、少なくとも１つの前記接合部が前記抽出開口よりも半径方向内側に配置された、抽出本体と、
を備える、支持装置。
【請求項４】
前記接合部の少なくとも１つは、前記オブジェクトホルダの上面から部分的にのみ前記抽出本体の底面へと延出して、前記少なくとも１つの接合部の直下で前記抽出本体が前記オブジェクトホルダから離間するようになっている、及び／又は、
前記接合部の少なくとも１つは、前記接合部への及び／又は前記接合部間での熱エネルギの供給、及び／又は、前記接合部からの及び／又は前記接合部間での熱エネルギの除去、を行う接合部調節システムを有する、及び／又は、
前記接合部は、合計すると、前記オブジェクトホルダと前記抽出本体との間の外周部の多くても１０％に沿って延出し、前記接合部は、前記外周部の全周に沿って実質的に均等に分散している、
請求項３に記載の支持装置。
【請求項５】
前記抽出本体は、本体及び前記本体の上面に位置決めされたカバーリングを有する、請求項１から４のいずれか一項に記載の支持装置。
【請求項６】
前記抽出本体は、前記抽出本体への熱エネルギの供給及び／又は前記抽出本体からの熱エネルギの除去を行う抽出本体調節システムを有する、請求項１から５のいずれか一項に記載の支持装置。
【請求項７】
前記抽出本体調節システムは、別々に制御可能である複数の調節ユニットを有し、
前記複数の調節ユニットの各々は、前記抽出本体の各調節領域への熱エネルギの供給及び／又は前記抽出本体の各調節領域からの熱エネルギの除去を行う、請求項６に記載の支持装置。
【請求項８】
前記抽出開口の半径方向内側にあり、前記オブジェクトホルダの上面から液体を抽出する液体抽出部を備える、請求項１から７のいずれか一項に記載の支持装置。
【請求項９】
前記抽出本体は、前記液体抽出部の少なくとも一部を有する、及び／又は、
前記液体抽出部は、前記液体抽出部への熱エネルギの供給及び／又は前記液体抽出部からの熱エネルギの除去を行う液体抽出部調節システムを有する、
請求項８に記載の支持装置。
【請求項１０】
前記抽出本体は、前記抽出本体への熱エネルギの供給及び／又は前記抽出本体からの熱エネルギの除去を行う抽出本体調節システムを有し、前記液体抽出部調節システム及び前記抽出本体調節システムが別々に制御可能である、請求項９に記載の支持装置。
【請求項１１】
熱伝導率を有するテーブル材料で形成されたテーブルであって、前記テーブルの凹部内に前記抽出本体が位置決めされ、前記抽出本体と前記テーブルとの間にギャップがある、テーブルと、
前記抽出本体の上面から前記テーブルの上面まで前記ギャップにまたがる部材であって、前記テーブル材料の前記熱伝導率よりも低い熱伝導率を有する熱抵抗材料の熱抵抗層を含む部材と、
を備える、請求項１から１０のいずれか一項に記載の支持装置。
【請求項１２】
前記部材のうち、前記抽出本体の前記上面上よりも前記テーブルの前記上面上にある部分の方が大きい、及び／又は、
前記部材は、前記抽出本体の前記上面に沿って内側に延出するよりも前記テーブルの前記上面に沿って外側に長く延出する、及び／又は、
前記部材は、前記テーブルの前記上面の実質的に全体にわたって延出する、請求項１１に記載の支持装置。
【請求項１３】
前記部材は、熱適合材料の熱適合層を有し、前記熱適合材料の２５℃での比熱容量が前記テーブル材料の２５℃での比熱容量よりも小さい、及び／又は、
前記熱適合材料の熱伝導率は、前記テーブル材料の前記熱伝導率よりも高い、及び／又は、
前記熱抵抗層は、前記熱適合層と、前記テーブルの前記上面及び前記抽出本体の前記上面の双方と、の間にある、及び／又は、
前記熱抵抗材料の２５℃での比熱容量は、前記テーブル材料の比熱容量よりも大きい、請求項１１又は１２に記載の支持装置。
【請求項１４】
請求項１から１３のいずれか一項に記載の前記支持装置を備える、リソグラフィ装置。
【請求項１５】
リソグラフィ装置を用いたデバイス製造方法であって、
支持装置によって基板を支持しながら、パターニングデバイスによってパターニングしたビームを前記基板上に投影することを含み、
前記支持装置は、
オブジェクトを支持するオブジェクトホルダと、
前記オブジェクトホルダの半径方向外側の抽出本体であって、前記支持装置の上面から流体を抽出する抽出開口を有し、前記オブジェクトホルダから実質的に分離するように前記オブジェクトホルダから離間している、抽出本体と、を備え、
前記抽出本体は、前記オブジェクトホルダを取り囲む環状部を形成しかつ前記抽出開口の半径方向内側に配置される突起を有し、
前記抽出本体は、使用時に、前記突起の上面上に液体の層が保持されるとともに、前記オブジェクトホルダ上に支持されたオブジェクトの下面と液体の層が接触するように構成されている、方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（関連出願の相互参照）
[0001]  本出願は、２０１２年５月２９日に出願されて全体が引用により本願に含まれる米国仮出願６１／６５２，５８２号の利益を主張する。本出願は、２０１２年６月２９日に出願されて全体が引用により本願に含まれる米国仮出願６１／６６６，３４８号の利益を主張する。
【０００２】
[0002]  本発明は、支持装置、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
[0003]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが与えられる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所与の方向（「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行に同期的にスキャンしながら、パターンを所与の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。
【０００４】
[0004]  投影システムの最終要素と基板の間の空間を充填するように、リソグラフィ投影装置内の基板を水などの比較的高い屈折率を有する液体に液浸することが提案されている。ある実施形態では、液体は蒸留水であるが、別の液体を使用することもできる。本発明の実施形態は、液体について説明されている。しかし別の流体、特にウェッティング流体、非圧縮性流体及び／又は屈折率が空気より高い、望ましくは屈折率が水より高い流体が適切なこともある。気体を除く流体が特に望ましい。そのポイントは、露光放射は液体中の方が波長が短いので、結像するフィーチャの小型化を可能にすることである（液体の効果は、システムの有効開口数（ＮＡ）を大きくでき、焦点深さも大きくすることと見なすこともできる）。固体粒子（例えば石英）が懸濁している水、又はナノ粒子の懸濁（例えば最大１０ｎｍの最大寸法の粒子）がある液体などの、他の液浸液も提案されている。懸濁粒子は、これが懸濁している液体と同様の屈折率又は同じ屈折率を有しても、有していなくてもよい。適切になり得る他の液体は、芳香族などの炭化水素、フルオロハイドロカーボン、及び／又は水溶液である。
【０００５】
[0005]  基板又は基板及び基板テーブルを液体の浴槽に浸すこと（例えば米国特許ＵＳ４，５０９，８５２号参照）は、スキャン露光中に加速すべき大きい塊の液体があることでもある。これには、追加のモータ又はさらに強力なモータが必要であり、液体中の乱流が望ましくない予測不能な効果を引き起こすことがある。
【０００６】
[0006]  液浸装置では、液浸流体は、流体ハンドリングシステム、デバイス構造又は装置によってハンドリングされる。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、液浸流体を供給することができ、それ故、流体供給システムである。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、少なくとも部分的に液浸流体を閉じ込めることができ、それにより、流体閉じ込めシステムである。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、流体へのバリアを形成することができ、それにより、流体閉じ込め構造などのバリア部材である。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、ガスのフローを生成又は使用して、例えば、液浸流体のフロー及び／又は位置を制御するのを助けることができる。ガスのフローは、液浸流体を閉じ込める封止を形成することができ、したがって、流体ハンドリング構造を封止部材と呼ぶこともできる。このような封止部材は、流体閉じ込め構造であってもよい。ある実施形態では、液浸液は、液浸流体として使用される。この場合、流体ハンドリングシステムは、液体ハンドリングシステムであってもよい。上記説明に関して、本節で流体に関して定義されたフィーチャへの言及は、液体に関して定義されたフィーチャを含むと考えてもよい。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
[0007]  リソグラフィ装置における液浸液のハンドリングでは、液体のハンドリングについて１つ以上の問題がある。通常、基板及び／又はセンサ等のオブジェクトと、このオブジェクト（例えば基板及び／又はセンサ）の縁部を囲むテーブル（例えば基板テーブル又は測定テーブル）と、の間には、ギャップが存在する。米国特許ＵＳ２００５−０２６４７７８号は、そのギャップを材料によって充填すること、又は液体源若しくは低圧源を設けてギャップを液体で故意に充填することによって、ギャップが液体供給システムの下を通過する際に泡が混入するのを回避すること及び／又はギャップに入る液体を除去することを開示する。
【０００８】
[0008]  例えば、リソグラフィ装置のオブジェクトホルダの温度プロファイルの安定性を向上させることが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
[0009]  １つの態様によれば、リソグラフィ装置のための支持装置が提供される。この装置は、オブジェクトを支持するように構成されたオブジェクトホルダと、オブジェクトホルダの半径方向外側の抽出本体であって、支持装置の上面から流体を抽出するように構成された抽出開口を含み、オブジェクトホルダから実質的に分離するようにオブジェクトホルダから離間している、抽出本体と、を含む。抽出本体が突起を含み、突起が、オブジェクトホルダを取り囲むと共に、使用時に液体の層が突起上に保持されてオブジェクトホルダ上に支持されたオブジェクトと接触するように構成されている。
【００１０】
[0010]  １つの態様によれば、リソグラフィ装置のための支持装置が提供される。この装置は、オブジェクトホルダと、オブジェクトホルダの半径方向外側の抽出本体であって、支持装置の上面から流体を抽出するように構成された抽出開口を含み、複数の外周方向に離間した接合部によってオブジェクトホルダに接続されて接合部間ではオブジェクトホルダから離間するようになっている、抽出本体と、を含む。
【００１１】
[0011]  １つの態様によれば、リソグラフィ装置を用いたデバイス製造方法が提供される。この方法は、支持装置によって基板を支持しながら、パターニングデバイスによってパターニングしたビームを基板上に投影することを含み、支持装置が、オブジェクトを支持するように構成されたオブジェクトホルダと、オブジェクトホルダの半径方向外側の抽出本体であって、支持装置の上面から流体を抽出するように構成された抽出開口を含み、オブジェクトホルダから実質的に分離するようにオブジェクトホルダから離間している、抽出本体と、を含み、抽出本体が突起を含み、突起が、オブジェクトホルダを取り囲むと共に、使用時に液体の層が突起上に保持されてオブジェクトホルダ上に支持されたオブジェクトと接触するように構成されている。
【００１２】
[0012]  １つの態様によれば、リソグラフィ装置を用いたデバイス製造方法が提供される。この方法は、支持装置によって基板を支持しながら、パターニングデバイスによってパターニングしたビームを基板上に投影することを含み、支持装置が、オブジェクトホルダと、オブジェクトホルダの半径方向外側の抽出本体であって、支持装置の上面から流体を抽出するように構成された抽出開口を含み、複数の外周方向に離間した接合部によってオブジェクトホルダに接続されて接合部間ではオブジェクトホルダから離間するようになっている、抽出本体と、を含む。
【００１３】
[0013]  １つの態様によれば、支持装置が提供される。これは、熱伝導率を有するテーブル材料で形成されたテーブルと、テーブルの凹部内に位置決めされた本体であって、本体とテーブルとの間にギャップがある、本体と、本体の上面からテーブルの上面までギャップにまたがる部材であって、テーブル材料の熱伝導率よりも低い熱伝導率を有する熱抵抗材料の熱抵抗層を含む部材と、を含む。
【００１４】
[0014]  １つの態様によれば、リソグラフィ装置を用いたデバイス製造方法が提供される。この方法は、支持装置によって基板を支持しながら、パターニングデバイスによってパターニングしたビームを基板上に投影することを含み、支持装置が、熱伝導率を有するテーブル材料で形成されたテーブルと、テーブルの凹部内に位置決めされた本体であって、本体とテーブルとの間にギャップがある、本体と、本体の上面からテーブルの上面までギャップにまたがる部材であって、テーブル材料の熱伝導率よりも低い熱伝導率を有する熱抵抗材料の熱抵抗層を含む部材と、を含む。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
[0015]  対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照しながら以下に本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。
【図１】[0016]  本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す。
【図２】[0017]  リソグラフィ投影装置において使用される液体供給システムを示す。
【図３】[0017]  リソグラフィ投影装置において使用される液体供給システムを示す。
【図４】[0018]  リソグラフィ投影装置において使用される別の液体供給システムを示す。
【図５】[0019]  リソグラフィ投影装置において使用される別の液体供給システムを示す。
【図６】[0020]  ある実施形態の支持装置の一部を断面図で示す。
【図７】[0020]  ある実施形態の支持装置の一部を断面図で示す。
【図８】[0020]  ある実施形態の支持装置の一部を断面図で示す。
【図９】[0021]  ある実施形態の支持装置の一部を平面図で示す。
【図１０】[0022]  ある実施形態の支持装置の一部を断面図で示す。
【図１１】[0022]  ある実施形態の支持装置の一部を断面図で示す。
【図１２】[0022]  ある実施形態の支持装置の一部を断面図で示す。
【図１３】[0022]  ある実施形態の支持装置の一部を断面図で示す。
【図１４】[0022]  ある実施形態の支持装置の一部を断面図で示す。
【図１５】[0023]  ある実施形態の熱調節システムを断面図で示す。
【図１６】[0023]  ある実施形態の熱調節システムを断面図で示す。
【図１７】[0023]  ある実施形態の熱調節システムを断面図で示す。
【図１８】[0023]  ある実施形態の熱調節システムを断面図で示す。
【図１９】[0023]  ある実施形態の熱調節システムを断面図で示す。
【図２０】[0024]  ある実施形態の支持装置の一部を断面図で示す。
【図２１】[0024]  ある実施形態の支持装置の一部を断面図で示す。
【図２２】[0024]  ある実施形態の支持装置の一部を断面図で示す。
【図２３】[0024]  ある実施形態の支持装置の一部を断面図で示す。
【図２４】[0024]  ある実施形態の支持装置の一部を断面図で示す。
【図２５】[0024]  ある実施形態の支持装置の一部を断面図で示す。
【図２６】[0024]  ある実施形態の支持装置の一部を断面図で示す。
【図２７】[0024]  ある実施形態の支持装置の一部を断面図で示す。
【図２８】[0024]  ある実施形態の支持装置の一部を断面図で示す。
【図２９】[0024]  ある実施形態の支持装置の一部を断面図で示す。
【図３０】[0024]  ある実施形態の支持装置の一部を断面図で示す。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
[0025]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、
−  放射ビームＢ（例えばＵＶ放射又はＤＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
−  パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
−  例えば１つ以上のセンサを支持するためのセンサテーブル、又は、基板（例えばレジストコート基板）Ｗを保持するように構成され、特定のパラメータに従って例えば基板Ｗのテーブルの表面を正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板支持装置６０のような支持テーブルと、
−  パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ以上のダイの一部を含む）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳと、を備える。
【００１７】
[0026]  照明システムＩＬは、放射の誘導、整形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組合せなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。
【００１８】
[0027]  支持構造ＭＴはパターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスＭＡが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。この支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造ＭＴは、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡが例えば投影システムＰＳなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。
【００１９】
[0028]  本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。
【００２０】
[0029]  パターニングデバイスＭＡは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型（alternating）位相シフトマスク、ハーフトーン型（attenuated）位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。
【００２１】
[0030]  本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義と見なすことができる。
【００２２】
[0031]  本明細書で示すように、本装置は、（例えば透過マスクを使用する）透過タイプである。あるいは、装置は、（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する）反射タイプでもよい。
【００２３】
[0032]  リソグラフィ装置は、例えば２つ以上の基板テーブル又は１つ以上の基板テーブルと１つ以上のセンサ若しくは測定テーブルとの組み合わせ等、２つ以上のテーブル（又はステージ又は支持部）を有するタイプとすることができる。このような「多ステージ」の機械では、多数のテーブルを並行して使用するか、又は１つ以上のテーブルを露光に使用している間に１つ以上の他のテーブルに準備ステップを実行する場合がある。リソグラフィ装置は、基板テーブル、センサテーブル及び測定テーブルと同様に並行使用可能な２つ以上のパターニングデバイステーブル（又はステージ（複数のステージ）若しくは支持部（複数の支持部））を有してもよい。
【００２４】
[0033]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源ＳＯとリソグラフィ装置とは、例えば放射源ＳＯがエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源ＳＯはリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤの助けにより、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源ＳＯが水銀ランプの場合は、放射源ＳＯがリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。
【００２５】
[0034]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するアジャスタＡＤを備えていてもよい。通常、イルミネータＩＬの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。イルミネータＩＬを用いて放射ビームを調節し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。放射源ＳＯと同様、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一部を形成すると考えてもよいし、又は考えなくてもよい。例えば、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一体化部分であってもよく、又はリソグラフィ装置とは別の構成要素であってもよい。後者の場合、リソグラフィ装置は、イルミネータＩＬをその上に搭載できるように構成することもできる。任意選択として、イルミネータＩＬは着脱式であり、（例えば、リソグラフィ装置の製造業者又は別の供給業者によって）別に提供されてもよい。
【００２６】
[0035]  放射ビームＢは、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスＭＡによってパターニングされる。パターニングデバイスＭＡを横断した放射ビームＢは、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦させる。第２のポジショナＰＷと位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ）の助けを借りて、基板支持装置６０は、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路に位置決めできるように正確に移動できる。同様に、第１のポジショナＰＭと別の（図１には明示されていない）位置センサを用いて、マスクライブラリからの機械的な取り出し後又はスキャン中などに放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めできる。一般に、支持構造ＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けにより実現できる。同様に、基板支持装置６０の移動は、第２のポジショナＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。（スキャナとは対照的に）ステッパの場合、支持構造ＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、又は固定してもよい。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分Ｃの間の空間に位置してもよい（スクライブレーンアライメントマークとして知られている）。同様に、パターニングデバイスＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、パターニングデバイスアライメントマークをダイ間に配置してもよい。
【００２７】
[0036]  図示の装置は、以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
【００２８】
[0037]  １．ステップモードでは、放射ビームＢに与えられたパターン全体を１回でターゲット部分Ｃに投影（すなわち１回の静的露光）する間、支持構造ＭＴ及び基板支持装置６０は基本的に静止したままである。次いで基板支持装置６０をＸ方向及び／又はＹ方向にシフトさせて、異なるターゲット部分Ｃの露光を可能とする。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって１回の静的露光で結像されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。
【００２９】
[0038]  ２．スキャンモードでは、放射ビームＢに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影（すなわち１回の動的露光）しながら、支持構造ＭＴ及び基板支持装置６０を同期的にスキャンする。支持構造ＭＴに対する基板支持装置６０の速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大率（縮小率）及び像反転特性により決定することができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって１回の動的露光におけるターゲット部分Ｃの（非スキャン方向の）幅が限定され、スキャン動作の長さ（及び露光フィールドのサイズ）によってターゲット部分Ｃの（スキャン方向の）高さが決定する。
【００３０】
[0039]  ３．別のモードでは、支持構造ＭＴは基本的に静止したままでプログラマブルパターニングデバイスを保持するが、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影しながら基板支持装置６０を移動又はスキャンする。このモードでは、一般にパルス放射源が使用され、基板支持装置６０の各移動の後に又はスキャン中の連続放射パルスの間に必要に応じてプログラマブルパターニングデバイスを更新する。この動作モードは、上述のタイプのプログラマブルミラーアレイ等のプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００３１】
[0040]  上述した使用モードの組合せ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。
【００３２】
[0041]  投影システムＰＡの最終要素と基板との間に液体を供給するための機構は、３つの大まかなカテゴリに分類することができる。これらは、浴槽タイプの機構、いわゆる局所液浸（localized immersion）システム、及び、オールウェット（all-wet）液浸システムである。浴槽タイプの機構では、実質的に基板Ｗの全体、及び任意選択として基板支持装置６０の一部を、液体の浴槽内に浸漬する。
【００３３】
[0042]  局所液浸システムは、基板の局所領域にのみ液体が供給される液体供給システムを使用する。液体によって充填される空間は、平面視で基板の上面よりも小さく、液体で充填される容積は、この容積の下を基板Ｗが移動する間、投影システムＰＳに対して実質的に静止したままである。図２から図５は、そのようなシステムで使用可能である様々な供給デバイスを示す。液体を局所領域に封止するために封止フィーチャが存在する。これを構成するために提案された１つの方法が、ＰＣＴ特許出願公報ＷＯ９９／４９５０４号に開示されている。
【００３４】
[0043]  オールウェット機構では、液体は閉じ込められない。基板の上面全体及び基板テーブルの全部又は一部が液浸液に覆われる。少なくとも基板を覆っている液体の深さは小さい。液体は、基板上の液体の薄膜等の膜であり得る。液浸液は、投影システム及び投影システムに面する対向表面（かかる対向表面は基板及び／又は基板テーブルの表面であり得る）の領域に対して又はこの領域内に供給され得る。このようなシステムにおいて、図２から図５の液体供給デバイスのいずれも使用可能である。しかしながら、液体を局所領域にのみ封止するための封止フィーチャは存在しないか、活性化されないか、通常より効率が低いか、又は効果的でない。
【００３５】
[0044]  図２及び図３に示すように、液体は少なくとも１つの入口によって基板上に、好ましくは最終要素に対する基板の移動方向に沿って供給される。液体は、投影システムの下を通過した後に少なくとも１つの出口によって除去される。基板が要素の下で−Ｘ方向にスキャンされると、液体は要素の＋Ｘ側で供給され、−Ｘ側で回収される。最終要素の周りに様々な向き及び数の入口及び出口を位置決めすることが可能である。その一例を図３に示す。この場合、最終要素の周りに規則的なパターンで、各側に入口及び出口を有する４つのセットが設けられている。なお、図２及び図３においては液体のフローの方向を矢印で示している。
【００３６】
[0045]  図４に、局所液体供給システムを用いた別の液浸リソグラフィソリューションを示す。液体は、投影システムＰＳの各側にある２つの溝状入口によって供給され、これらの入口の半径方向外側に配置された複数の個別の出口によって除去される。図４では、液体及び基板のフローの方向を矢印で示している。
【００３７】
[0046]  提案されている別の機構は、液体供給システムにおいて、投影システムの最終要素と、基板、基板テーブル、又はそれら双方との間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延出する液体閉じ込め構造を設ける。図５に、そのような機構を示す。
【００３８】
[0047]  図５は、投影システムの最終要素と基板支持装置６０又は基板Ｗとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延出する液体閉じ込め構造ＩＨを有する局所液体供給システム又は流体ハンドリングシステムを概略的に示す。（以下の文章において、基板Ｗの表面への言及は、特別に明記しない限り、これに加えて又はこの代わりに基板テーブルの表面を指すことに留意されたい。）一実施形態において、液体閉じ込め構造ＩＨと基板Ｗの表面との間に封止が形成され、これは、気体封止又は液体封止等の非接触封止であり得る（気体封止を有するこのようなシステムは、欧州特許出願公報ＥＰ−Ａ−１，４２０，２９８号に開示されている）。
【００３９】
[0048]  液体閉じ込め構造ＩＨは、投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗとの間の空間１１に液体を少なくとも部分的に含む。空間１１は、投影システムＰＳの最終要素の下に位置決めされてこれを取り囲む液体閉じ込め構造ＩＨによって少なくとも部分的に形成されている。液体は、液体入口１３によって、投影システムＰＳの下にあり液体閉じ込め構造ＩＨ内にある空間に供給される。液体は液体出口１３によって除去され得る。
【００４０】
[0049]  液体は、使用中にバリア部材ＩＨの底部と基板Ｗの表面との間に形成される気体封止１６によって空間１１内に封じ込めることができる。気体封止内の気体は、入口１５を介してバリア部材ＩＨと基板Ｗとの間のギャップに圧力下で供給される。気体は出口１４を介して抽出される。気体入口１５に対する過圧、出口１４での真空レベル、及びギャップの幾何学的形状は、液体を閉じ込める高速気体フロー１６が内側に存在するように構成される。バリア部材ＩＨと基板Ｗとの間の液体にかかる気体の力が、液体を空間１１内に封じ込める。かかるシステムは、米国特許出願公報ＵＳ２００４−０２０７８２４号に開示されている。これは引用により全体が本願に含まれるものとする。一実施形態では、液体閉じ込め構造ＩＨは気体封止を有しない。
【００４１】
[0050]  本発明のある実施形態は、例えば米国特許出願公報ＵＳ２００６−０１５８６２７号、ＵＳ２００６−００３８９６８号、ＵＳ２００８−０２１２０４６号、ＵＳ２００９−０２７９０６０号、ＵＳ２００９−０２７９０６２号、ＵＳ２００４−０２０７８２４号、ＵＳ２０１０−０３１３９７４号、及びＵＳ２０１２−０１２０３７６号に開示されたものを含むいずれかの流体ハンドリング構造に適用される。これらの内容は引用により全体が本願に含まれるものとする。
【００４２】
[0051]  コントローラ５００は、リソグラフィ装置の全体的な動作を制御し、特に、以下でさらに説明する動作プロセスを実行する。コントローラ５００は、中央処理装置、揮発性及び不揮発性の記憶手段、キーボード及びスクリーン等の１つ以上の入力及び出力デバイス、リソグラフィ装置の様々な部分に対する１つ以上のネットワーク接続及び１つ以上のインタフェースを含む適切にプログラミングされた汎用コンピュータとして具現化することができる。コントロール側コンピュータとリソグラフィ装置との間の１対１の関係は必須ではないことは認められよう。本発明のある実施形態では、１つのコンピュータが多数のリソグラフィ装置を制御することができる。本発明のある実施形態では、多数のネットワーク化コンピュータを用いて１つのリソグラフィ装置を制御することができる。コントローラ５００は、１つ以上の関連付けられたプロセスデバイス及び基板ハンドリングデバイスを制御するように構成されて、それらのデバイスのリソセル（lithocell）又はクラスタの一部をリソグラフィ装置が形成することも可能である。コントローラ５００は、リソセル又はクラスタの監督制御システム及び／又は製造工場の全体的な制御システムに従属するように構成することもできる。ある実施形態では、コントローラは、本発明のある実施形態を実行するように装置を動作させる。ある実施形態では、コントローラ５００は、後にステップ２で用いるために本明細書に記載するステップ１の結果を記憶するメモリを有する。
【００４３】
[0052]  図６は本発明のある実施形態を示す。図６は支持装置及びオブジェクトを貫通する断面図である。ある実施形態において、支持装置は基板支持装置６０であり、オブジェクトは基板Ｗである。支持装置はオブジェクトホルダを含む。オブジェクトホルダはオブジェクトを保持するように構成されている。以下の記載では、支持装置が基板支持装置６０であると共に、オブジェクトホルダが基板Ｗを保持する基板ホルダ６１である状況で、本発明の一実施形態を説明する。しかしながら、ある実施形態では、オブジェクトホルダは例えばセンサを保持するセンサホルダであり、基板支持装置６０は任意選択として基板を保持することができないオブジェクトホルダのための支持装置である。
【００４４】
[0053]  図６に示すように、基板Ｗは基板ホルダ６１によって保持されている。ある実施形態では、基板ホルダ６１は１つ以上の突起６２（例えば節）を含む。基板ホルダ６１はピンプルテーブル又は節テーブルと呼んでもよい。
【００４５】
[0054]  基板支持装置６０は抽出本体６５を含む。抽出本体６５は基板ホルダ６１の半径方向外側にある。図６において、基板支持装置６０及び基板Ｗの図の下の矢印は半径方向外側の方向を示す。ある実施形態では、抽出本体６５は、平面視で基板ホルダ６１を取り囲むような形状である。ある実施形態では、抽出本体６５は閉じた形状を形成している。形状は特に限定されず、例えば環状又は多角形であり得る。
【００４６】
[0055]  基板Ｗの縁部が結像されている場合、又は基板Ｗが最初に投影システムＰＳの下を移動する等の他の場合、液体１１は、基板Ｗの縁部と基板支持装置６０の縁部との間のギャップ５の上を少なくとも部分的に通る。この結果、液溜め１１からの液体がギャップ５内に入る可能性がある。
【００４７】
[0056]  基板ホルダ６１によって基板Ｗと基板支持装置６０との間に加わる負圧は、基板Ｗを確実に適正位置にしっかり保持するのに役立つ。しかしながら、液体が基板Ｗと基板ホルダ６１との間に入ると、特に基板Ｗを取り外す際に問題を生じることがある。
【００４８】
[0057]  抽出本体６５は、基板支持装置６０の上面６９からの流体を抽出するように構成されている。抽出開口６６を設けることで、液体供給システムＩＨの液体１１内に混入する気体の泡が減る。このような泡の１つ以上は基板Ｗの結像に悪影響を及ぼす恐れがある。抽出開口６６は、基板Ｗと基板支持装置６０との間のギャップ５内の気体が流体ハンドリング構造ＩＨの液溜め１１内に漏れるのを低減させるために設けられている。気体が液溜め１１内に漏れると、これによって液溜め１１内に泡が浮遊する可能性がある。このような泡が投影ビームの経路内にあると、結像エラーを招きかねない。抽出開口６６は、基板Ｗの縁部と、基板Ｗが配置されている基板支持装置６０の凹部の縁部との間のギャップ５から、気体を除去するためのものである。
【００４９】
[0058]  抽出開口６６は、主として気体（約２０から１００ノルマルリットル／分（Ｎｌ／分））と、少量のみの液浸液（約１から１００ｍｌ／分、任意選択として１０から２０ｍｌ／分）と、を抽出する。かかる２相フローによって、液浸液は蒸発し、基板Ｗの縁部を取り囲む基板支持装置６０を冷却する。このため、基板Ｗが変形し、最終的にはオーバーレイ性能の低下につながる場合がある。
【００５０】
[0059]  ある実施形態において、抽出本体６５は、実質的に基板ホルダ６１から分離されるように基板ホルダ６１から離間している。抽出本体６５は、基板ホルダ６１から実質的に熱的に分離及び／又は実質的に機械的に分離されている。一実施形態では、実質的に基板ホルダ６１の全体が、実質的に抽出本体６５の全体から離間している。
【００５１】
[0060]  抽出本体６５は実質的に基板ホルダ６１から分離されていると規定することにより、抽出本体６５にかかっている熱負荷が基板ホルダ６１の熱機械的挙動に及ぼす影響が小さくなる。特に、抽出本体６５の冷却が基板ホルダ６１に与える影響は小さくなる。上述のように、蒸発による冷却は、抽出本体６５の抽出開口６６を通る２相フローによって行うことができる。従って、基板ホルダ６１の温度プロファイルの安定性を向上させることができる。
【００５２】
[0061]  ある実施形態では、オブジェクトホルダはセンサを保持するように構成されたセンサホルダであり、抽出本体は縁部封止部材である。ある実施形態では、縁部封止部材は、この縁部封止部材とセンサとの間のギャップを通るはずである液浸液を抽出する抽出開口を含む。
【００５３】
[0062]  ある実施形態では、オブジェクトホルダは基板を保持するように構成された基板テーブルであり、抽出本体はセンサホルダである。センサは基板に隣接して配置される。センサ及び基板は異なる支持部によって支持される。ある実施形態では、センサホルダは、基板テーブルとセンサとの間のギャップを通るはずである液浸液を抽出する抽出開口を含む。
【００５４】
[0063]  ある実施形態において、抽出本体６５はチャネル６８を含む。チャネル６８は、通路６７を介して抽出開口６６と流体連通している。抽出開口６６は、基板Ｗの縁部の外周（例えば円周）で１つ以上の個別の位置に設けてもよい。抽出開口６６は、平面視でスリット又は円形の開口又は他のいずれかの形状であり得る。ある実施形態では、３つの個別の円形開口を設けて、抽出本体６５から基板支持装置６０に２相フローを抽出する。抽出開口６６の直径は２ｍｍとすればよい。チャネル６８は、基板支持装置６０の上面６９から開口６６を介して流体を抽出するように、負圧に接続されている。
【００５５】
[0064]  ある実施形態では、抽出本体６５は、基板ホルダ６１に対して接続せずに基板ホルダ６１から切り離されている。抽出本体６５は、どの場所でも基板ホルダ６１と直接接触しない。これによって、抽出本体６５と基板ホルダ６１との間の熱伝達、特に伝導による熱伝達が低減する。ある実施形態では、基板Ｗと基板支持装置６０との間のギャップ５は、このギャップ５を通って基板ホルダ６１の底部に至る液体損失を最小限とするように狭くなっている。
【００５６】
[0065]  ある実施形態では、抽出本体６５は基板ホルダ６１に接続されている。図７は本発明のそのような実施形態を示す。抽出本体６５は実質的に基板ホルダ６１から分離されている。抽出本体６５は封止によって基板ホルダ６１に柔軟に（non-rigidly）接続されている。封止は、抽出本体６５と基板ホルダ６１との間の中間ギャップ７５をまたぐように構成されている。
【００５７】
[0066]  ある実施形態では、封止はステッカ７０を含む。ステッカ７０は、中間ギャップ７５を介した液体損失を低減させるために配置されている。ある実施形態では、ステッカ７０は中間ギャップ７５を封止する。ある実施形態において、封止は、例えば溶接、ボルト締め、又は真空クランプによって形成される。抽出開口６６は、封止よりも上方で、基板ホルダ６１と抽出本体６５との間のギャップから流体を抽出するように構成されている。
【００５８】
[0067]  ある実施形態では、ステッカ７０は接着層７１及びフィルム層７２を含む。接着層７１は、フィルム層７２を基板ホルダ６１及び抽出本体６５に接着する。ステッカ７０は、流体が基板ホルダ６１と抽出本体６５との間の中間ギャップ７５内に入るのを防止することに役立つ。中間ギャップ７５は、基板ホルダ６１と抽出本体６５との間の良好な熱的接触を防ぐ。ある実施形態では、ステッカ７０の厚さは５０マイクロメートル以下であるか、１０マイクロメートル以下であるか、又は約１０マイクロメートルである。
【００５９】
[0068]  ある実施形態では、抽出本体６５は、真空又は気体を含む中間ギャップ７５によって基板ホルダ６１から離間している。中間ギャップ７５内が真空であるか又は真空に近いと、抽出本体６５と基板ホルダ６１との間の熱伝達が低減する。
【００６０】
[0069]  図８は本発明のある実施形態を示す。図８に示すように、ある実施形態では、基板支持装置６０は基板テーブルＷＴを含む。基板ホルダ６１は、基板テーブルＷＴのオブジェクトホルダ凹部内に位置決めされている。オブジェクトホルダが基板ホルダ６１である状況では、オブジェクトホルダ凹部は基板テーブルＷＴの基板ホルダ凹部８５である。抽出本体６５の少なくとも一部は、基板ホルダ凹部８５内に位置決めされている。図８に示すように、ある実施形態では、抽出本体６５の実質的に全てが基板ホルダ凹部８５内に位置決めされている。しかしながら、必ずしもそうである必要はない。以下で説明するように、さらに例えば図１２に示すように、ある実施形態では、抽出本体６５の一部は基板ホルダ凹部８５を超えて延出している。
【００６１】
[0070]  図８に示すように、抽出本体６５は界面８１で基板テーブルＷＴに接続されている。界面８１は、抽出本体６５と基板テーブルＷＴとの間の接続を与える。基板ＷＴの加速力は、界面８１を介して抽出本体６５に伝達される。界面８１は、基板テーブルＷＴからの加速力を抽出本体６５に伝達する程度に強固な接続を与える。抽出本体６５と基板テーブルＷＴとの間の熱伝達を低減するため、界面８１における接続の強固さは最小限であることが望ましい。
【００６２】
[0071]  ある実施形態において、界面８１は、抽出本体６５の底面８２及び／又は半径方向の表面（例えば半径方向外側の縁部）である。これは図８に示されている。ある実施形態では、界面８１は抽出本体６５の外面である。
【００６３】
[0072]  界面８１における接続の形態は特に限定されない。ある実施形態では、抽出本体６５は、真空クランプ、ボルト締め、のり付け、及び／又は運動学的な板ばね結合によって、基板テーブルＷＴに接続されている。
【００６４】
[0073]  ある実施形態において、界面８１は１つ以上の節を含む。ある実施形態では、節と基板テーブルＷＴとの間の接続面積は、節と抽出本体６５との間の接続表面よりも小さい。これによって節に追加の可撓性が与えられる。
【００６５】
[0074]  ある実施形態では、ギャップ５の表面に疎水性コーティングが設けられている。疎水性コーティングは、基板支持装置６０の上面６９から中間ギャップ７５を通る液体の損失を低減するのに役立つ。
【００６６】
[0075]  ある実施形態において、抽出本体６５は基板ホルダ６１と同じ材料で生成される。ある実施形態では、基板ホルダ６１及び抽出本体６５の双方は、例えばＳｉＣ、ＳｉＳｉＣ、又はダイアモンド状の材料で形成される。抽出本体６５の材料を基板ホルダ６１の材料と一致させることで、基板ホルダ６１と抽出本体６５との間の熱機械的クロストークを低減することができる。
【００６７】
[0076]  ある実施形態において、抽出本体６５は基板テーブルＷＴと同じ材料で生成される。ある実施形態では、抽出本体６５及び基板テーブルＷＴの双方は、例えばZerodur（登録商標）等のガラスセラミック又はコーディエライトから形成される。
【００６８】
[0077]  図９は本発明のある実施形態を平面視で示す。ある実施形態において、抽出本体６５は、外周方向に離間した複数の接合部９１によって基板ホルダ６１に接続されている。接合部９１間では、抽出本体６５は基板ホルダ６１から離間している。
【００６９】
[0078]  抽出本体６５が接合部９１によってのみ基板ホルダ６１に接続されていると規定することで、基板ホルダ６１と抽出本体６５との間の熱伝達が低減される。これによって、抽出本体６５での蒸発冷却が基板ホルダ６１に及ぼす影響が小さくなる。その結果として、蒸発冷却が基板Ｗに及ぼす影響が小さくなる。基板ホルダ６１の熱プロファイルの安定性が向上する。
【００７０】
[0079]  接合部９１の間にギャップ９２が形成されている。ギャップ９２は真空又は気体を含み得る。ギャップ９２は、抽出本体６５と基板ホルダ６１との間の熱伝達、特に伝導による熱伝達を低減させる。ある実施形態では、ギャップ９２の表面に疎水性コーティングが設けられている。
【００７１】
[0080]  接合部９１は、抽出本体６５と基板ホルダ６１との間に最小限に強固な接続を与える。この接続は、基板ホルダ６１から抽出本体６５に加速力を伝達させるのに充分な強固さとすればよい。ある実施形態において、この強固さは、基板ホルダ６１と抽出本体６５との間の熱機械的クロストークを低減するように最小限とする。
【００７２】
[0081]  例えば図８及び図１２に示すように、ある実施形態では、基板ホルダ６１は、例えば一連の節によって基板テーブルＷＴに接続されている。節によって、基板テーブルＷＴから基板ホルダ６１に加速力を伝達することができると共に、節の間には、基板テーブルＷＴと基板ホルダ６１との間の熱伝達を低減するギャップが設けられる。
【００７３】
[0082]  図１０は本発明のある実施形態を示す。ある実施形態では、接合部９１の少なくとも１つは、基板ホルダ６１の上面から部分的にのみ抽出本体６５の底面８２へと延出する。接合部９１の少なくとも１つの直下で、抽出本体６５は基板ホルダ６１から離間している。接合部９１の少なくとも１つの下に、基板ホルダ６１と抽出本体６５との間にギャップ１０６が設けられている。真空又は気体を含み得るギャップ１０６は、基板ホルダ６１と抽出本体６５との間の熱伝達を低減させる。ギャップ１０６はギャップ９２と流体連通している。
【００７４】
[0083]  ある実施形態では、接合部９１は基板ホルダ６１の上面から抽出本体６５の底面８２まで延出する。ある実施形態では、接合部９１は、基板ホルダ６１及び／又は抽出本体６５と一体である。ある実施形態では、接合部９１は、基板ホルダ６１及び／又は抽出本体６５と別の部品ではない。ある実施形態では、抽出開口６６は接合部９１よりも上に位置決めされている。
【００７５】
[0084]  ある実施形態では、接合部９１の少なくとも１つは、接合部９１への及び／又は接合部９１間での熱エネルギの供給及び／又は接合部９１からの及び／又は接合部９１間での熱エネルギの除去を行うように構成された接合部調節システム１０１を含む。接合部調節システム１０１は、いかなるタイプの熱調節システムであってもよい。適切な熱調節システムについて、以下でさらに詳しく記載し、図１５から図１９に示している。図１５から図１９は、抽出本体６５の本体に適用される適切な熱調節システムを示す。特に、図１５から図１９は、抽出開口６６と流体連通しているチャネル６８に適用される熱調節システムを示す。これらの熱調節システムは接合部９１に適用され得る。
【００７６】
[0085]  ある実施形態において、接合部９１は、合計すると、基板ホルダ６１と抽出本体６５との間の外周部の多くても１０％に沿って延出している。外周部は、接合部９１間のギャップ９２に沿って延出する。基板ホルダ６１と抽出本体６５との間の中間ギャップ７５の外周部の少なくとも９０％は、接合部９１間のギャップ９２から成る。図９において、中間ギャップ７５は、２本の点線間の領域として表されている。２本の点線は、基板ホルダ６１及び抽出本体６５の縁部に対応する。接合部９１が外周部の多くても１０％に沿って延出していると規定することにより、基板ホルダ６１と抽出本体６５との間の熱伝達を許容可能レベルまで低減させることができる。
【００７７】
[0086]  ある実施形態において、接合部９１は、基板ホルダ６１と抽出本体６５との間の機械的な強固さを与える。ある実施形態では、接合部９１は、合計すると、外周部の少なくとも２％又は少なくとも５％に沿って延出している。これによって接合部９１は、基板ホルダ６１と抽出本体６５との間に許容可能レベルの機械的強固さを与えることができる。
【００７８】
[0087]  図９及び図１０に示す基板支持装置６０に、例えば図８に示すような基板テーブルＷＴを設けてもよい。
【００７９】
[0088]  接合部９１の数は特に限定されない。ある実施形態では、基板支持装置６０は、６、８、１０、１２、１４又はそれ以上の接合部９１を含む。接合部９１の数は基数又は偶数であり得る。抽出本体６５は、接合部９１と同数のセグメント９３に分けられている。各セグメント９３は、ある接合部９１から隣接する接合部９１まで抽出本体６５に沿って延出する。各セグメント９３は、ギャップ９２によって基板ホルダ６１から離間している。
【００８０】
[0089]  抽出本体６５は、接合部９１によってのみ機械的及び熱的に基板ホルダ６１に接続されている。これによって、抽出本体６５から基板ホルダ６１への熱的クロストークを低減させる。基板ホルダ６１と抽出本体６５との間の熱伝導が低減する。
【００８１】
[0090]  抽出本体６５の温度が変動すると、基板ホルダ６１の外縁に機械的応力がかかる可能性がある。これは機械的クロストークによるものである。この機械的クロストークの結果、基板ホルダ６１及び基板Ｗの局所変形が生じる恐れがある。
【００８２】
[0091]  図９に示す実施形態において、抽出本体６５と基板ホルダ６１との間の機械的クロストークは、従来のシステムとは異なるように作用する。セグメント化された抽出本体６５では、機械的応力は、接合部９１の位置でのみ基板ホルダ６１に伝達される。基板ホルダ６１に加わる応力は、抽出本体６５の各セグメント９３の伸長（又は収縮）並びに接合部９１の強固さにより決定する。
【００８３】
[0092]  各セグメント９３の伸長は、主としてそのセグメント９３の平均温度に影響される。セグメント９３の伸長を軽減するため、望ましくは、そのセグメント９３内の全ての局所歪みの和をゼロまで低減させるべきである。この場合、基板ホルダ６１に機械的応力はかからない。上述の伸長という用語は、温度の変動によってセグメント９３の長さが伸びることを意味するために用いる。望ましくは、温度変動によるセグメント９３の収縮も低減させるべきである。
【００８４】
[0093]  ある実施形態では、セグメント９３の少なくとも１つは抵抗センサ９４を含む。抵抗センサ９４は薄膜抵抗センサであり得る。抵抗センサ９４は、セグメント９３の平均温度を測定するように構成されている。抵抗センサ９４は、抽出本体６５の表面上に又は表面に位置決めされている。例えば抵抗センサ９４は、抽出本体６５の上面１０５上若しくは上面１０５に、又は底面８２上若しくは底面８２に位置決めされ得る。
【００８５】
[0094]  ある実施形態では、セグメント９３の少なくとも１つは、抽出本体６５に熱エネルギを与えるように構成されたヒータを含む。ある実施形態では、コントローラ５００は、セグメント９３の平均温度を維持するように、抵抗センサ９４による測定に基づいてヒータを制御するように構成されている。ある実施形態では、抵抗センサ９４を用いて抽出本体６５に熱を与える。これは、例えば抵抗センサ９４に電流を印加することで実行可能である。この場合、ヒータを追加する必要はない。
【００８６】
[0095]  抵抗センサ９４は、この抵抗センサ９４の実質的に全長にわたって電気抵抗を測定する。ある実施形態において、抵抗センサ９４は、２つの隣接する接合部９１の間に位置決めされている。抵抗センサ９４は、そのセグメント９３の平均温度を測定する。セグメント９３の平均温度はセグメント９３の伸長（又は収縮）に対応する。
【００８７】
[0096]  抵抗センサ９４の熱応答は、その質量が小さいために極めて高速である。抵抗センサ９４と、任意選択として別個のヒータと、を用いることで、例えば従来のセンサ及びフレックスフォイルヒータを用いる場合に比べて、制御性能を向上させることができる。ある実施形態では、抵抗センサ９４の代わりに薄膜ヒータが用いられる。
【００８８】
[0097]  ある実施形態において、ギャップ９２は真空を含む。ある実施形態では、ギャップ９２は基板支持装置６０の上面で開放している。しかしながら、必ずしもそうである必要はない。ある実施形態では、ギャップ９２は覆われているか又は閉じていてもよい。例えば、ギャップ９２の上からステッカ等の薄膜材料／封止を適用するか、又はギャップ９２を熱伝導率の低い材料で閉鎖してもよい。
【００８９】
[0098]  図１１は本発明のある実施形態を示す。ある実施形態において、抽出本体６５は、本体１１１及びカバーリング１１２を含む。カバーリング１１２は、本体１１１の上面１１５に位置決めされている。ある実施形態では、カバーリング１１２は本体１１１と一体である。ある実施形態では、カバーリング１１２は本体１１１とは別個の部分である。カバーリング１１２を、通常の使用時に液体供給デバイスＩＨと接触するはずの抽出本体６５の上に設けることで、抽出開口６６、通路６７、及びチャネル６８における熱負荷が液体供給デバイスＩＨに及ぼす熱的な影響が小さくなる。
【００９０】
[0099]  図１２は本発明のある実施形態を示す。ある実施形態において、カバーリング１１２は、本体１１１の半径方向の範囲を超えて半径方向外側に延出している。断面で見ると、抽出本体６５は階段状のプロファイルを有する。
【００９１】
[00100]  カバーリング１１２が本体１１１の半径方向の範囲を超えて半径方向外側に延出していると規定することにより、リソグラフィ装置の使用時に液溜め１１と接触する基板テーブルＷＴの上面１２２が小さくなる。ある実施形態では、基板テーブルＷＴの上面１２２に疎水性コーティングが設けられている。疎水性コーティングは、基板テーブルＷＴに対する蒸発負荷を低減するのに役立つ。液溜め１１が基板テーブルＷＴの上面１２２に接触すると、疎水性コーティングが劣化する可能性がある。結果として、液体損失が増えると共に、蒸発負荷が大きくなる恐れがある。蒸発負荷によって、基板テーブルＷＴの変形が生じることがある。
【００９２】
[00101]  カバーリング１１２は基板テーブルＷＴを保護することができる。液溜め１１がカバーリング１１２に接触すると、カバーリング１１２に対する蒸発負荷が発生する（これに対応して、基板テーブルＷＴの上面１２２に対する蒸発負荷が軽減する）。流体ハンドリング構造ＩＨによる熱負荷が基板テーブルＷＴに及ぼす影響は小さくなる。これが基板テーブルＷＴの温度プロファイルの安定性を向上させる。
【００９３】
[00102]  ある実施形態では、本体１１１の半径方向範囲よりも半径方向外側に延出するカバーリング１１２の一部は、基板テーブルＷＴのカバーリング凹部１２５内に位置決めされている。ある実施形態では、カバーリング凹部１２５は基板ホルダ凹部８５の半径方向外側にある。カバーリング凹部１２５が基板ホルダ凹部８５よりも浅いことで、カバーリング凹部１２５及び基板ホルダ凹部８５が基板テーブルＷＴの階段状凹部を形成するようになっている。
【００９４】
[00103]  ある実施形態では、基板Ｗが基板ホルダ６１によって保持されると、基板Ｗの上面は抽出本体６５の上面１０５と実質的に同一平面になる。ある実施形態では、抽出本体６５の上面１０５は基板テーブルＷＴの上面１２２と実質的に同一平面である。
【００９５】
[00104]  ある実施形態では、カバーリング１１２は実質的に、基板テーブルＷＴの上面１２２における基準マーカ１２１まで延出している。しかしながら、必ずしもそうである必要はない。ある実施形態では、基準マーカ１２１は基板テーブルＷＴのカバーリング凹部１２５から離間している。
【００９６】
[00105]  ある実施形態では、カバーリング１１２と基板テーブルＷＴの上面１２２における基準マーカ１２１（又は上面１２２）との間のギャップ１２３に、薄膜封止１２４がまたがっている。薄膜封止１２４は様々な構成をとり、これは図７を参照して示したステッカ７０の様々なあり得る構成と同じであり得る。
【００９７】
[00106]  カバーリング１１２が、通常は液体供給デバイスＩＨと接触するはずの基板テーブルＷＴの一部を覆うように延出していると規定することで、基板テーブルＷＴにおける熱負荷が、液体供給デバイスＩＨと、特にリソグラフィ装置の液体レンズと、に与える影響が低減される。これによってリソグラフィ装置のオーバーレイ及び焦点が向上する。ある実施形態では、カバーリング１１２は、接合部９１と同様の方法で熱的に調節される。ある実施形態では、カバーリング１１２は、基板テーブルＷＴの予想される加熱源及び／又は冷却源に対して熱遮蔽を与えるように配置されている。これは、カバーリング１１２と基板テーブルＷＴとの間に断熱を行うことで達成し得る。
【００９８】
[00107]  ある実施形態では、カバーリング１１２の厚さは少なくとも３ｍｍである。ある実施形態では、カバーリング１１２は、リソグラフィ装置の使用時にカバーリング１１２の底部とカバーリング１１２の直下にある基板テーブルＷＴの表面との間の接触が実質的に必要ないような強固さとなる厚さを有する。しかしながら、ある実施形態では、カバーリング１１２の底面と基板テーブルＷＴの対向表面との間に、非剛性の局所接続を設ける。ある実施形態では、基板テーブルＷＴと抽出本体６５のカバーリング１１２との間の熱伝達を低減させるように、非剛性の局所接続は極めて低い熱伝導率を有する。
【００９９】
[00108]  図１３は本発明のある実施形態を示す。ある実施形態では、基板支持装置６０は液体抽出部１３０を含む。液体抽出部１３０は、抽出開口６６の半径方向内側にある。液体抽出部１３０は、基板ホルダ６１の上面から液体を抽出するように構成されている。
【０１００】
[00109]  液体抽出部１３０を設けることで、結像後に液体がギャップ５を通って基板Ｗの下方へと流れて基板ホルダ６１から基板Ｗを効率的に取り外すのを妨げることを防止するのに役立つ。液体抽出部１３０を設けることにより、液体が基板Ｗの下方に流れることで起こり得る問題を軽減又は排除する。液体抽出部１３０は、抽出開口６６と同様に、負圧によって流体を除去する。
【０１０１】
[00110]  液体抽出部１３０は、開口１３１及びチャネル１３３を含む。チャネル１３３は通路１３２を介して開口１３１と流体連通している。開口１３１は、基板Ｗの縁部の周りで１つ以上の別個の位置に設けてもよく、平面視でスリット又は円形の開口又は他のいずれかの形状とすればよい。ある実施形態では、例えば基板Ｗの縁部の周囲に３つの別個の（円形の）開口１３１を設ける。
【０１０２】
[00111]  図１４は本発明のある実施形態を示す。ある実施形態では、抽出本体６５は液体抽出部１３０の少なくとも一部を含む。ある実施形態では、チャネル１３３は抽出本体６５内に設けられている。ある実施形態では、通路１３２は、抽出本体６５と基板ホルダ６１との間の中間ギャップ７５をまたいでいる。ある実施形態では、中間ギャップ７５は、基板ホルダ６１の底部への液体損失が最小とするように狭くなっている。
【０１０３】
[00112]  液体抽出部１３０の少なくとも一部を抽出本体６５内に設けることで、液体抽出部１３０における熱負荷が基板ホルダ６１に与える影響が小さくなる。
【０１０４】
[00113]  ある実施形態では、液体抽出部１３０は、液体抽出部１３０に熱エネルギを供給する及び／又は液体抽出部１３０から熱エネルギを除去するように構成された液体抽出部調節システムを含む。液体抽出部調節システムは熱調節システムである。適切な熱調節システムについては、以下で説明し、図１５から図１９に示している。図１５から図１９においては、チャネル６８が抽出本体６５の抽出開口６６と流体連通している熱調節システムの状況において熱調節システムを示す。これらの熱調節システムは、液体抽出部１３０、特に液体抽出部１３０のチャネル１３３に、等しく適用可能である。
【０１０５】
[00114]  ある実施形態において、抽出本体６５は基板ホルダ６１と基板テーブルＷＴとの間に設けられている。ある実施形態では、抽出開口６６は、基板支持装置６０の上面６９から気体及び液体の双方を抽出するように構成されている。ある実施形態では、抽出本体６５と基板ホルダ６１との間の空間は、外周部で連続しており、抽出本体６５の上面１０５から抽出本体６５の底面８２まで連続している。
【０１０６】
[00115]  図１５から図１９は、本発明のある実施形態に従った熱調節システムを示す。図１５から図１９において、熱調節システムは抽出本体６５の抽出部の部分に適用される。熱調節システムは、液体抽出部１３０及び／又は接合部９１及び／又は基板支持装置６０の他の部分に適用することができる。図１５から図１９に示す熱調節システムは、相互に組み合わせてもよい。
【０１０７】
[00116]  ある実施形態では、抽出本体６５は、抽出本体６５に熱エネルギを供給及び／又は抽出本体６５から熱エネルギを除去するように構成された抽出部調節システムを含む。抽出部調節システムは熱調節システムである。
【０１０８】
[00117]  図１５は、本発明のある実施形態に従った熱調節システムを示す。ある実施形態では、熱調節システムは、別々に制御可能である複数の調節ユニットを含む。複数の調節ユニットの各々は、抽出本体６５の各調節領域に熱エネルギを供給及び／又は抽出本体６５の各調節領域から熱エネルギを除去するように構成されている。ある実施形態では、調節ユニットはヒータ／温度センサ１５１を含む。ある実施形態では、ヒータ／温度センサは、抽出本体６５の抽出開口６６に流体連通しているチャネル６８に隣接して位置決めされている。
【０１０９】
[00118]  ヒータ／温度センサ１５１は、別々に制御可能である。温度センサは、チャネル６８の温度を検知するように構成されている。ヒータは、チャネル６８に熱エネルギを供給するように構成されている。ある実施形態では、チャネル６８（又は基板支持装置６０の他の構成要素）を特定の（例えば所定の）温度に維持するように、コントローラ５００がヒータ／温度センサ１５１を制御する。
【０１１０】
[00119]  図１６は、本発明のある実施形態に従った熱調節システムを示す。ある実施形態では、熱調節システムは、図１６の図示における抽出本体６５等の構成要素の温度を制御するように構成された流体移送チャネル１６１のネットワークを含む。ある実施形態では、流体移送チャネル１６１は熱調節液を移送する。熱調節液は例えば水とすることができる。流体移送チャネル１６１は、抽出本体６５の温度を特定の（例えば所定の）温度に維持する。ある実施形態では、流体移送チャネル１６１内の熱調節液の温度を制御するように、流体移送チャネル１６１に又はその近傍に１つ以上のヒータ／温度センサ（図示せず）を配置する。
【０１１１】
[00120]  ある実施形態では、流体移送チャネル１６１は相変化材料を移送する。かかるシステムでは、相変化材料が所望の設定点温度において相を変化させ、従って相を変化させない流体よりもはるかに高効率で熱を伝達することができるように、相変化材料が選択される。
【０１１２】
[00121]  ある実施形態において、流体移送チャネル１６１は流体として二酸化炭素を移送する。流体移送チャネル１６１は冷却チャネルと称してもよい。ある実施形態では、流体移送チャネル１６１は、二酸化炭素が高くても３０℃、任意選択として高くても２２℃の沸点を有するような圧力下で二酸化炭素を収容している。二酸化炭素は、抽出本体６５の温度を維持するのに役立つ。例えば、流体移送チャネル１６１内に収容されている二酸化炭素の沸点を超える抽出本体６５の過剰な熱は、二酸化炭素に伝達させることができる。この過剰な熱は二酸化炭素を沸騰させる。
【０１１３】
[00122]  図１７は、本発明のある実施形態に従った熱調節システムを示す。ある実施形態において、熱調節システムはヒートパイプ１７１を含む。ある実施形態では、ヒートパイプ１７１はチャネル６８の周りに位置決めされている。ヒートパイプ１７１をチャネル６８の周りに設けることによって、チャネル６８の温度を容易に制御することができる。これは、ヒートパイプ１７１の「伝導率」が極めて高いことによるものである。
【０１１４】
[00123]  ある実施形態において、ヒートパイプ１７１の少なくとも一部は、チャネル６８と基板ホルダ６１との間に位置決めされている。これによって抽出本体６５と基板ホルダ６１との間の熱伝達を低減させる。ヒートパイプ１７１内の圧力が均一であるために、ヒートパイプ１７１の温度は極めて均一である。ヒートパイプ１７１は、蒸発して気体になることで熱エネルギを吸収することができる作動流体を収容している。この気体は、ヒートパイプ１７１の空洞に沿って低温領域に移動する。次いで気体は凝結して作動流体に戻り、ヒートパイプ１７１の芯によって吸収される。この凝結は熱エネルギを放出する。次いで作動流体はヒートパイプ１７１の高温領域に戻る。このため、ヒートパイプ１７１の温度は実質的に均一のままである。
【０１１５】
[00124]  ある実施形態では、ヒートパイプ１７１は、水、アセトン、エタノール、メタノール、アンモニア、２−ブタン、ＤＭＥ、１，１，１，２−テトラフルオロエタン、及びプロパンから成る群から選択された作動流体を含む。他の作動流体が適切な場合もある。
【０１１６】
[00125]  図１９は、本発明のある実施形態に従った熱調節システムを示す。図１９に示すように、熱調節システムは、ヒートパイプ１７１及び少なくとも１つのヒータ／温度センサ１５１を含んでもよい。ヒータ／温度センサは、ヒートパイプ１７１にエネルギを与えるように構成されている。これによって、ヒートパイプ１７１内の作動流体の飽和圧力を設定する。
【０１１７】
[00126]  図１８は、本発明のある実施形態に従った熱調節システムを示す。図１８に示す実施形態では、ヒータ／温度センサ１５１を流体移送チャネル１６１と組み合わせる。ある実施形態において、熱調節システムは抽出本体６５内でチャネル６８の周りに設けられている。ある実施形態では、コントローラ５００が、ヒータ／温度センサ１５１によってチャネル６８に供給される熱エネルギを制御する。
【０１１８】
[00127]  ヒータ／温度センサ１５１に供給されるエネルギは電気的なものとすることができる。ヒータ／温度センサ１５１は、この電気エネルギを熱エネルギに変換する。ヒータ／温度センサ１５１に供給される電気エネルギが小さすぎる場合、ヒータ／温度センサ１５１によって供給される熱エネルギも小さすぎることになる。ヒータ／温度センサ１５１に供給される電気エネルギが大きすぎる場合、ヒータ／温度センサ１５１によって供給される熱エネルギも大きすぎることになる。このため、抽出本体６５の温度が低すぎるか又は高すぎる結果となる可能性がある。ヒータ／温度センサ１５１を別々に制御可能であると規定することにより、この潜在的なエラーを低減させることができる。
【０１１９】
[00128]  流体移送チャネル１６１のネットワークをさらに設けることで、抽出本体６５の温度の安定性を向上させることができる。ヒータ／温度センサ１５１によって過剰な熱が供給された場合、この過剰な熱は、例えば流体移送チャネル１６１内に収容されている二酸化炭素の蒸発によって吸収される。
【０１２０】
[00129]  ある実施形態では、コントローラ５００は、流体移送チャネル１６１内の二酸化炭素の圧力を約６×１０６Ｐａに制御するように構成されている。流体移送チャネル１６１内で、二酸化炭素の代わりに又は二酸化炭素に加えて、別の流体を用いてもよい。
【０１２１】
[00130]  図２０は本発明のある実施形態を示す。ある実施形態において、抽出本体６５は、この抽出本体６５の外縁部に縁部ヒータ２０１を含む。ある実施形態では、抽出本体６５は、この抽出本体６５の内面に縁部ヒータ２０２を含む。ある実施形態では、基板ホルダ６１は、この基板ホルダ６１の外縁部に位置決めされた縁部ヒータ２０３を含む。ある実施形態では、縁部ヒータ２０１、２０２、２０３はコントローラ５００によって別々に制御可能である。縁部ヒータ２０１、２０２、２０３は、基板支持装置６０の温度プロファイルの安定性を維持するのに役立つ。縁部ヒータ２０１、２０２、２０３の各々は温度センサを含むことができる。
【０１２２】
[00131]  図２１から図２６は、上述のフィーチャを組み合わせることで形成された本発明の具体的な実施形態を示す。本明細書に記載された実現可能なフィーチャの他の組み合わせによって、さらに別の具体的な実施形態を形成することも可能である。
【０１２３】
[00132]  図２１は、本発明のある実施形態を示す。図２１に示す実施形態では、基板ホルダ６１に液体抽出部１３０が設けられている。基板ホルダ６１は、流体移送チャネル１６１のネットワークによって熱的に調節される。抽出本体６５は、流体移送チャネル１６１のネットワークによって熱的に調節される。抽出本体６５のカバーリング１１２は、流体移送チャネル１６１によって熱的に調節される。
【０１２４】
[00133]  図２２は、本発明のある実施形態を示す。図２２に示す実施形態では、基板ホルダ６１に液体抽出部１３０が設けられている。基板ホルダ６１は、この基板ホルダ６１の温度を制御するように構成された流体移送チャネル１６１のネットワークを含む。基板ホルダ６１は、この基板ホルダ６１の外縁部に位置決めされた縁部ヒータ２０３を含む。抽出本体６５は、この抽出本体６５の外縁部及び内縁部に位置決めされた縁部ヒータ２０１、２０２を含む。
【０１２５】
[00134]  図２３は、本発明のある実施形態を示す。図２３に示す実施形態では、基板ホルダ６１に液体抽出部１３０が設けられている。基板ホルダ６１は、流体移送チャネル１６１のネットワークによって熱的に調節される。抽出本体６５は、この抽出本体６５の外縁部及び内縁部に縁部ヒータ２０１、２０２を含む。
【０１２６】
[00135]  図２４は、本発明のある実施形態を示す。図２４に示す実施形態では、液体抽出部１３０の一部は抽出本体６５に設けられている。チャネル１３３は抽出本体６５に設けられている。通路１３２の一部は抽出本体６５に設けられている。基板ホルダ６１は、この基板ホルダ６１の温度を制御するように構成された流体移送チャネル１６１のネットワークを含む。抽出本体６５は、この抽出本体６５の外縁部及び内縁部に縁部ヒータ２０１、２０２を含む。縁部ヒータ２０１、２０２は、抽出本体６５の温度を制御するように構成されている。図２４に示す実施形態は、縁部ヒータ２０１、２０２の代わりに流体移送チャネル１６１を用いることで変更してもよい。
【０１２７】
[00136]  図２５は、本発明のある実施形態を示す。図２５に示す実施形態では、液体抽出部１３０の一部は抽出本体６５に設けられている。チャネル１３３は抽出本体６５に設けられている。通路１３２の一部は抽出本体６５に設けられている。抽出本体６５は、基板ホルダ６１の階段形状に対応した階段形状を有する。液体抽出部１３０のチャネル１３３は、基板ホルダ６１の一部の直下にある抽出本体６５の部分に設けられている。
【０１２８】
[00137]  図２５に示す実施形態では、基板ホルダ６１は、この基板ホルダ６１の温度を制御するように構成された流体移送チャネル１６１のネットワークを含む。基板ホルダ６１は、この基板ホルダの外縁部に縁部ヒータ２０３を含む。抽出本体６５は、この抽出本体６５の外縁部及び内縁部に縁部ヒータ２０１、２０２を含む。図２５に示す実施形態は、縁部ヒータ２０１、２０２，２０３の代わりに流体移送チャネル１６１を用いることで変更してもよい。
【０１２９】
[00138]  図２６は、本発明のある実施形態を示す。図２６に示す実施形態では、液体抽出部１３０の一部は抽出本体６５に設けられている。チャネル１３３は抽出本体６５に設けられている。通路１３２の一部は抽出本体６５に設けられている。抽出本体６５は、図２５と同様に、基板ホルダ６１の階段形状に対応した階段形状を有する。基板ホルダ６１は、この基板ホルダ６１の温度を制御するように構成された流体移送チャネル１６１のネットワークを含む。抽出本体６５は、この抽出本体６５の外縁部及び内縁部に位置決めされた縁部ヒータ２０１、２０２を含む。液体抽出部１３０のチャネル１３３を開口１３１に接続する通路１３２の半径方向外側で、基板ホルダ６１に流体移送チャネル１６１が設けられている。図２６に示す実施形態は、縁部ヒータ２０１、２０２の代わりに流体移送チャネル１６１を用いることで変更してもよい。
【０１３０】
[00139]  図２４から図２６に示す実施形態では、カバーリング１１２は、１つ以上のヒータ／温度センサ、単相調節、２相調節、１つ以上のペルチェ要素、１つ以上の流体移送チャネル、又はこれらの構成要素のいずれかの組合せによって、熱的に調節することができる。
【０１３１】
[00140]  リソグラフィ装置の使用中、基板テーブルＷＴは液体閉じ込め構造ＩＨに対して移動して、液体閉じ込め構造ＩＨが基板テーブルＷＴの直上の位置にくるようにする。ある実施形態では、基板テーブルＷＴは液体閉じ込め構造ＩＨに対して移動するように駆動される。空間１１内の液体の温度は、絶対温度で数千度以内に制御する必要があり得る。その理由は、空間１１内の液体の温度がリソグラフィ装置の有効レンズ屈折率に影響を与えるからである。
【０１３２】
[00141]  基板テーブルＷＴが液体閉じ込め構造ＩＨに対して移動して、液体閉じ込め構造ＩＨが基板テーブルＷＴの直上の位置にくるようにすると、空間１１内の液体と基板テーブルＷＴとの間で熱が伝達され得る。この熱伝達によって、空間１１内の液体の温度が変動するという望ましくないことが起こる可能性がある。基板テーブルＷＴと空間１１内の液体との間の熱伝達を低減させる支持装置６０を提供することが望ましい。
【０１３３】
[00142]  図２７は、本発明のある実施形態に従った支持装置６０の一部を断面で示す。支持装置６０は、基板テーブルＷＴ等のテーブル及び本体２７１を含む。本体２７１は、基板テーブルＷＴの凹部２７９内に位置決めされている。本体２７１と基板テーブルＷＴとの間にギャップ２７３がある。
【０１３４】
[00143]  図２７に示すように、支持装置６０は、ギャップ２７３にまたがる部材２７４を含む。部材２７４は封止部材又は封止と称してもよい。部材２７４は、本体２７１の上面２７７から基板テーブルＷＴの上面１２２まで延出する。部材２７４の一部は本体２７１の上面２７７上にある。部材２７４の一部は基板テーブルＷＴの上面１２２上にある。
【０１３５】
[00144]  基板テーブルＷＴは、熱伝導率を有するテーブル材料で形成されている。部材２７４は熱抵抗層２７５を含む。熱抵抗層２７５は熱抵抗材料で形成されている。熱抵抗材料の熱伝導率はテーブル材料の熱伝導率よりも低い。
【０１３６】
[00145]  部材２７４は、液体閉じ込め構造ＩＨが基板テーブルＷＴの直上にある場合に、基板テーブルＷＴと空間１１内の液体との間の熱伝達を低減させる。熱抵抗層２７５は、基板テーブルＷＴから空間１１内の液体への熱伝達、及び空間１１内の液体から基板テーブルＷＴへの熱伝達に対する抵抗として機能する。熱抵抗層２７５の熱伝導係数が低いので、テーブル材料から空間１１内の液体への熱伝達は、リソグラフィ装置の使用中に基板テーブルＷＴが空間１１内の液体と直接接触している状態に比べて著しく低減される。部材２７４は、空間１１内の液体と基板テーブルＷＴとの間の熱伝達を著しく低減させる熱遮蔽（例えば熱的分離又は断熱）を与える。
【０１３７】
[00146]  部材２７４は、本明細書に記載する実施形態のいずれか、特に図６から図２６を参照して記載したもののいずれかと組み合わせることができる。ある実施形態では、本体２７１は上述のような抽出本体６５である。ある実施形態では、本体２７１は、例えば基板ホルダ６１又はセンサであり得る。本体２７１が抽出本体６５である場合、本体２７１の上面２７７は抽出本体６５の上面１０５に相当する。
【０１３８】
[00147]  ある実施形態では、抽出本体６５及び基板ホルダ６１は相互に熱的に分離されていない。ある実施形態では、抽出本体６５及び基板ホルダ６１は単一の構成要素を形成する。部材２７４は、その単一の構成要素から基板テーブルＷＴの上面１２２まで延出し得る。ある実施形態では、ギャップ２７３は上述のような中間ギャップ７５に相当する。ある実施形態では、凹部２７９は上述のような基板ホルダ凹部８５に相当する。
【０１３９】
[00148]  図２７に示すように、ある実施形態では、本体２７１は複数の節２７２を介して基板テーブルＷＴに接続されている。節２７２の代わりに、本体２７１は、真空クランプ、ボルト、のり、及び／又は運動学的な板ばね結合等の他の手段によって基板テーブルＷＴに接続してもよい。
【０１４０】
[00149]  図２８は、本発明のある実施形態に従った支持装置６０を断面で示す。ある実施形態では、部材２７４のうち、本体２７１の上面２７７上よりも基板テーブルＷＴの上面１２２上にある部分の方が大きい。ある実施形態では、部材２７４は、本体２７１の上面２７７に沿って半径方向内側に延出するよりも、基板ＷＴの上面１２２に沿って半径方向外側に長く延出する。これは、図２７を参照すると、距離Ｄ２が距離Ｄ１よりも大きいことを意味する。
【０１４１】
[00150]  距離Ｄ２は、部材２７４が基板テーブルＷＴの上面１２２に沿って（例えば半径方向の）外側に延出する範囲を示す。距離Ｄ２は、凹部２７９の内縁部から部材２７４の外縁部まで外側（半径）方向に測定される。図２７の下部の矢印は、（半径方向の）外側方向を表す。距離Ｄ１は、部材２７４が本体２７１の上面２７７に沿って（半径方向の）内側に延出する範囲に相当する。距離Ｄ１は、本体２７１の外縁部から部材２７４の内縁部まで計算される。
【０１４２】
[00151]  部材２７４のうち、本体２７１の上面２７７上よりも基板テーブルＷＴの上面１２２上にある部分の方が大きいと規定することにより、部材２７４は、基板テーブルＷＴと液体閉じ込め構造ＩＨの空間１１内の液体との間の熱伝達をいっそう効率的に低減させる。
【０１４３】
[00152]  図２８に示すように、ある実施形態では、部材２７４は、基板テーブルＷＴの上面１２２の実質的に全体にわたって延出している。ある実施形態では、部材２７４は実質的に連続している。部材２７４は、基板テーブルＷＴ上にある１つ以上のセンサ等の１つ以上の構成要素を取り囲んでもよい。部材２７４は、空間１１内の液体が基板テーブルＷＴと直接接触するのを防ぐことができる。部材２７４は、基板テーブルＷＴの上面１２２と空間１１内の液体との間の全地点の熱伝達を低減させることができる。
【０１４４】
[00153]  ある実施形態では、部材２７４は熱適合層２７６を含む。熱適合層２７６は熱適合材料で形成されている。ここで、熱適合材料という用語は、熱適合層２７６を形成する材料を指し示すために用いられる。熱適合材料は、その温度を空間１１内の液体と同一の温度に適合させる。熱適合材料の２５℃での比熱容量は、テーブル材料の２５℃での比熱容量よりも小さい。基板テーブルＷＴが液体閉じ込め構造ＩＨに対して移動して、液体閉じ込め構造ＩＨが基板テーブルＷＴの直上の位置にくると、空間１１内の液体は部材２７４と調節接触し得る。空間１１内の液体が、熱適合層２７６を含む部材２７４と接触すると、部材２７４はその温度を液体の温度に比較的迅速に適合させる。
【０１４５】
[00154]  ある実施形態において、熱適合層２７６は熱抵抗層２７５より上に位置決めされている。ある実施形態では、熱適合層２７６は部材２７４の上面を形成する。空間１１内の液体は熱適合層２７６に直接接触する。熱適合層２７６の比熱容量が小さいので、空間１１内の液体の温度変動は極めて小さい。熱適合層２７６の比熱容量が小さいとは、熱適合層２７６が空間１１内の液体と実質的に同じ温度となる前に、空間１１内の液体と熱適合層２７６との間で伝達されるエネルギが比較的少量であることを意味する。比較的少量のエネルギ伝達のために、空間１１内の液体の温度変動は比較的小さい。
【０１４６】
[00155]  ある実施形態では、熱適合材料の熱伝導率はテーブル材料の熱伝導率よりも高い。熱適合層２７６と空間１１内の液体との間の熱伝達では、伝達係数が高い場合がある。液体が熱適合層２７６に接触すると、部材２７４は、高い伝達係数が一つの原因となって、その温度を液体の温度に迅速に適合させる。
【０１４７】
[00156]  ある実施形態において、熱適合層２７６の厚さは、５０マイクロメートル以下、２０マイクロメートル以下、又は１０マイクロメートル以下である。熱適合層２７６は薄いので、全体的な熱容量が小さく、例えば基板テーブルＷＴの上面１２２と基板ＷＴとの間の同一平面の関係に著しい影響を与えない。空間１１内の液体が熱適合層２７６と接触した場合、部材２７４と液体との間の熱伝達による液体の温度変動は比較的小さい。
【０１４８】
[00157]  ある実施形態において、熱適合材料の２５℃での比熱容量は、８００Ｊ／ｋｇＫ以下、又は６００Ｊ／ｋｇＫ以下である。比熱容量が小さいことにより、液体が部材２７４と接触した場合の液体の温度変動は比較的小さい。
【０１４９】
[00158]  ある実施形態では、熱適合材料は、ステンレス鋼及びチタンから成る群から選択される。ある実施形態では、熱適合材料に用いられ得る材料は、アルミニウム、ＳｉＳｉＣ、（カプセル化）熱分解黒鉛、及びアルミノケイ酸ガラスセラミック（Zerodur（登録商標）等）を含む。これらの材料は比熱容量が大きいので、ステンレス鋼及びチタンよりも良好でない場合がある。ある実施形態では、熱適合材料は耐水性である。ある実施形態では、熱適合材料は比較的高い熱抵抗を有する。
【０１５０】
[00159]  ステンレス鋼の熱伝導率は、約１６〜２４Ｗ／ｍＫである。チタンの熱伝導率は、約１５〜２３Ｗ／ｍＫである。熱適合材料の熱伝導率はテーブル材料の熱伝導率よりも大きい場合がある。ある実施形態では、熱適合材料の熱伝導率は比較的低い。例えばステンレス鋼及びチタンは、耐水性であり比熱容量が小さい他の金属に比べて、比較的低い熱伝導率を有する。
【０１５１】
[00160]  ある実施形態では、熱適合層２７６と、基板テーブルＷＴの上面１２２及び本体２７１の上面２７７の双方と、の間に、熱抵抗層２７５がある。液体は、熱適合層２７６と接触するが、熱抵抗層２７５とは接触しない。
【０１５２】
[00161]  ある実施形態では、熱抵抗材料の２５℃での比熱容量はテーブル材料の熱容量よりも大きい。
【０１５３】
[00162]  ある実施形態では、熱抵抗層２７５の厚さは、５０マイクロメートル以下、２０マイクロメートル以下、又は１０マイクロメートル以下である。熱抵抗層２７５は薄いので、部材２７４の全体的な熱容量は比較的小さい。部材２７４が液体に接触した場合、部材２７４の熱容量が小さいので液体の温度変動は比較的小さい。
【０１５４】
[00163]  ある実施形態では、熱抵抗材料の熱伝導率は、０．５Ｗ／ｍＫ以下、０．１Ｗ／ｍ以下、又は０．０５Ｗ／ｍＫ以下である。熱伝導率が比較的低く、従って熱抵抗が大きいので、部材２７４、特に熱抵抗層２７５は、液体閉じ込め構造ＩＨが基板テーブルＷＴの直上にある場合に基板テーブルＷＴのテーブル材料と空間１１内の液体との間の熱伝達を低減させる。
【０１５５】
[00164]  ある実施形態では、熱抵抗材料は接着剤である。熱抵抗層２７５は、熱適合層２７６を基板テーブルＷＴ及び本体２７１に接着するように作用することができる。ある実施形態では、部材２７４はステッカである。
【０１５６】
[00165]  ある実施形態では、熱抵抗材料は、アクリレートポリマー、シリル終端ポリエステル（ＭＳ  Ｐｏｌｙｍｅｒ（登録商標）等）、及びエポキシから成る群から選択される。ある実施形態では、熱抵抗材料として別の材料を用いてもよい。エポキシは、約０．０５Ｗ／ｍＫ〜約０．３５Ｗ／ｍＫの範囲内の熱伝導率を有し得る。エポキシの２５℃での比熱容量は約１０００Ｊ／ｋｇＫである。
【０１５７】
[00166]  ある実施形態では、テーブル材料は、コーディエライト又はZerodur（登録商標）とすることができる。Zerodur（登録商標）の２５℃での比熱容量は約８２０Ｊ／ｋｇＫである。Zerodur（登録商標）の熱伝導率は約１．５Ｗ／ｍＫである。
【０１５８】
[00167]  ある実施形態では、部材２７４の全体の厚さは１００マイクロメートル以下、５０マイクロメートル以下、２０マイクロメートル以下、又は１０マイクロメートル以下である。部材２７４の全熱容量が比較的小さくなるように、部材２７４は全体の厚さが薄い。これによって、部材２７４と接触する液体の温度変動を低減させる。ある実施形態では、部材２７４は薄いので、基板テーブルＷＴの平坦な上面１２２に著しい悪影響を与えないようになっている。
【０１５９】
[00168]  ある実施形態では、部材２７４の平均熱伝導率は、２５Ｗ／ｍＫ以下、１５Ｗ／ｍＫ以下、又は１０Ｗ／ｍＫ以下である。平均熱伝導率は、部材２７４の一部分でなく全体としての熱伝導率を指す。液体閉じ込め構造ＩＨが基板テーブルＷＴの直上にある場合に基板テーブルＷＴのテーブル材料と空間１１内の液体との間の熱伝達を低減させるように、部材２７４は低い平均熱伝導率を有する。
【０１６０】
[00169]  ある実施形態では、部材２７４の２５℃での平均比熱容量は、１５００Ｊ／ｋｇＫ以下、１０００Ｊ／ｋｇＫ以下、又は７５０以下である。２５℃での平均比熱容量は、部材２７４の一部分でなく全体としての２５℃での比熱容量を指す。部材２７４がその温度を、部材２７４に接触する液体の温度に比較的迅速に適合させるように、部材２７４は小さい平均比熱容量を有する。
【０１６１】
[00170]  図２９は、本発明のある実施形態に従った支持装置６０を断面で示す。図２９に示すように、ある実施形態では、基板テーブルＷＴは部材凹部２９１を含む。部材２７４は、少なくとも部分的に部材凹部２９１内にある。部材凹部２９１は、部材２７４が基板テーブルＷＴの上面１２２よりも上にある範囲を（仮にあったとして）縮小する。ある実施形態では、部材凹部２９１の深さは、部材２７４の全体の厚さと実質的に等しい。ある実施形態では、部材２７４は基板テーブルＷＴの上面１２２と実質的に同一平面である。ある実施形態では、基板が基板テーブルＷＴにおいて基板ホルダ６１に保持されている場合、部材２７４の上面は基板Ｗと実質的に同一平面である。
【０１６２】
[00171]  図３０は、ある実施形態の支持装置の一部を断面で示す。抽出本体６５は、基板ホルダ６１から実質的に熱的に分離され、及び／又は実質的に機械的に分離されている。
【０１６３】
[00172]  ある実施形態では、抽出本体６５は突起３０を含む。突起３０は、オブジェクトホルダ（例えば基板ホルダ６１）を取り囲むように構成されている。突起３０は、使用時に、突起３０上に液体３２の層が維持されて、オブジェクトホルダ（例えば基板ホルダ６１）上に支持されたオブジェクト（例えば基板Ｗ）と接触するように構成されている。
【０１６４】
[00173]  ある実施形態では、突起３０は、その上面３１が環状部を形成するように構成してもよい。環状部は、抽出本体６５の内側領域の周りに延出する。環状部は基板ホルダ６１を取り囲む。これによって製造を容易にすることができる。ある実施形態では、突起３０は、基板Ｗに実質的に垂直な方向に延出している。ある実施形態では、突起３０の上面３１は、基板Ｗの下面に対向する。
【０１６５】
[00174]  ある実施形態において、突起３０は、突起３０の上面３１と基板ホルダ６１に支持された基板Ｗの下面との間の分離距離が約２０μｍ以下であるように構成してもよい。ある実施形態では、突起は、突起３０の上面３１と基板ホルダ６１に支持された基板Ｗの下面との間の分離距離が１０μｍ以下であるように構成してもよい。
【０１６６】
[00175]  使用時に、液体３２の層は突起３０上で、突起３０の上面３１と基板Ｗの下面との間に維持される。突起３０は、使用時に、液体が突起３０の半径方向外側から突起３０の半径方向内側に流れるのを液体３２の層によって防ぐように構成されている。これは、突起３０上に維持される液体３２の層の毛管圧が、突起３０の半径方向外側と突起３０の半径方向内側との間の圧力差による力よりも大きいために達成され得る。毛管圧は、基板Ｗと突起３０との間のギャップに液体３２の層を通すのに必要な力であり、ギャップが小さいと大きくなる。毛管圧は、液体３２の層とこれを取り囲む気体（例えば空気）との間の界面での圧力の差によって生じる。
【０１６７】
[00176]  突起３０の上面３１と基板Ｗの下面との間の分離距離が大きすぎる（例えば２０μｍよりも大きいか、又は１０μｍよりも大きい）場合、液体３２の層の毛管圧は、液体が突起３０の半径方向外側から突起３０の半径方向内側まで流れるのを防ぐのに充分な大きさでない。分離距離が小さくなると、毛管圧は大きくなるので、液体が突起３０の半径方向外側から突起３０の半径方向内側まで流れるのを防ぐ機能が向上する。
【０１６８】
[00177]  突起３０の上面３１は、基板Ｗの下面に接触しない。このような接触は、基板Ｗの平坦性に悪影響を及ぼすので望ましくない。このため、突起３０の上面３１と基板Ｗの下面との間の目標分離距離に下限を設けることが望ましい場合がある。例えば、ある実施形態において、突起３０は、突起３０の上面３１と基板Ｗの下面との間の分離距離が２μｍ以上であるように構成されている。
【０１６９】
[00178]  ある実施形態では、突起３０の上面３１は抽出本体６５の上面１０５よりも低い。これによって、基板Ｗの外周領域が突起３０の直上に位置決めされるように、基板Ｗを位置決めすることができる。基板Ｗの上面は、抽出本体６５の上面１０５と実質的に同一平面とすることができる。
【０１７０】
[00179]  ある実施形態において、基板支持装置６０は、使用時に抽出本体６５の一部が、オブジェクトホルダ（例えば基板ホルダ６１）上に支持されたオブジェクト（例えば基板Ｗ）の周縁部の下に延出するように構成されている。これを示す図３０では、抽出本体６５の内側周縁領域が半径方向で基板Ｗの外側周縁領域に重なって図示されている。基板Ｗの上及び／又は抽出本体６５の上から流れる液体は、抽出本体６５と基板Ｗとの間のギャップ５を通って流れ得る。ギャップ５を通って流れる液体は、抽出本体６５の抽出開口６６、通路６７、及びチャネル６８を介して抽出することができる。抽出本体６５が基板Ｗの下まで達すると規定することで、かかる液体が基板ホルダ６１に到達することを防止する。
【０１７１】
[00180]  ある実施形態では、図３０に示すように、基板ホルダ６１は実質的にいかなる種類の液体抽出部も含まない。ある実施形態では、基板ホルダ６１は使用時に、液浸リソグラフィ装置に用いられる液体と実質的に接触しない。液体は、基板ホルダ６１とは分けられた抽出本体６５のみによって抽出される。基板Ｗは、基板ホルダ６１によってのみ支持され、抽出本体６５には支持されない。ある実施形態では、（基板ホルダ６１により実行される）基板支持機能と、（抽出本体６５により実行される）液体捕獲機能と、の間は完全に分離している。ある実施形態では、基板ホルダ６１は抽出本体６５とは別個の本体である。液体３２の層によって突起３０に加わる熱負荷は最小限である。
【０１７２】
[00181]  基板ホルダ６１は、基板Ｗを支持すると共に正確な位置決めを実行する機能を果たす。基板ホルダ６１が実質的に液体と接触しないように基板支持装置６０を配置することによって、基板ホルダ６１が基板Ｗを位置決めする精度を高めることができる。これは、基板ホルダ６１が、例えば液体の蒸発のために生じる熱負荷により実質的に影響を受けないからである。
【０１７３】
[00182]  突起３０を設けることで、液体が基板ホルダ６１に接触する可能性が回避され、これによって基板ホルダ６１の精度を高める。
【０１７４】
[00183]  ある実施形態では、抽出本体６５の内側周縁領域と基板Ｗの外側周縁領域との重なりの範囲は約０．５ｍｍ以上である。ある実施形態では、抽出本体６５の内側周縁領域と基板Ｗの外側周縁領域との重なりの範囲は約３ｍｍ以下である。
【０１７５】
[00184]  ある実施形態では、抽出本体６５はチャネル３００を含むことがある。チャネル３００は、チャネル３００を抽出本体６５の通路８０に接続する通路３０１に接続されている。チャネル３００及び通路３０１は任意選択である。通路８０は、基板Ｗの下面と抽出本体６５の上面との間に設けられている。通路８０は、突起３０の半径方向外側に隣接して位置決めされている。通路８０は基板Ｗの下に延出している。
【０１７６】
[00185]  ある実施形態においては、通路８０から通路３０１を通ってチャネル３００内に流体を吸引するように、チャネル３００は真空と連通している。ある実施形態では、チャネル３００は過圧と連通し、通路３０１はチャネル３００を中間ギャップ７５に接続する。ある実施形態では、液体３２の層を半径方向外側に突起３０から落とすように、真空又は過圧が制御される。これは、例えば基板Ｗを取り外す前に実行され得る。これによって基板Ｗの除去を容易にし、乾燥した基板を搬出することができる。
【０１７７】
[00186]  ある実施形態では、チャネル３００を用いて、突起３０の半径方向外側の圧力と突起３０の半径方向内側の圧力との間の差を制御し、この圧力差が液体３２の層の毛管圧より小さくなるようにする。これによって液体３２の層を突起３０の上に保持する。
【０１７８】
[00187]  ある実施形態では、通路３０１は、チャネル３００を抽出本体６５の通路８０に接続しない。この代わりに、ある実施形態では、通路３０１はチャネル３００を、抽出本体６５と基板ホルダ６１との間の中間ギャップ７５に接続する。この場合、チャネルは過圧に連通している。ある実施形態では、通路３０１は通路８０をチャネル６８に接続するが、この場合チャネル３００は省略してもよい。
【０１７９】
[00188]  突起３０に加わる流体３２の層の毛管圧によって、基板Ｗの外側周縁が下方向に引っ張られる可能性がある。これによって基板Ｗの平坦性が低下するリスクがある。平坦性は、約１０ｎｍの範囲内の量だけ低減し得る。基板Ｗの平坦性に対する毛管圧の影響は、予測して補償することができる。
【０１８０】
[00189]  通路８０内で突起３０の近傍に泡が集まる可能性がある。これは、突起３０の半径方向外側に隣接した領域において、流体流の双方向の速度が特に低いからである。ある実施形態では、チャネル３００及び通路３０１を用いて、抽出本体６５の通路８０のこのかど部からそのような泡又は気体ポケットを吸引することができる。
【０１８１】
[00190]  ある実施形態において、抽出本体６５は、この抽出本体６５の温度を制御するように構成された流体移送チャネル１６１のネットワーク等の熱調節システムを含む。ある実施形態では、流体移送チャネル１６１は熱調節液を移送する。熱調節液は例えば水であってもよい。流体移送チャネル１６１は、抽出本体６５の温度を特定の（例えば所定の）温度に維持する。ある実施形態では、流体移送チャネル１６１内の熱調節液の温度を制御するように、流体移送チャネル１６１に又はその近傍に１つ以上のヒータ／温度センサ（図示せず）を位置決めすることができる。
【０１８２】
[00191]  基板ホルダ及び抽出部が同一の本体の一部として形成されている（すなわち中間ギャップ７５が存在しない）基板支持装置では、かかる流体移送チャネルを設けることによって、抽出によって生じる熱負荷が原因となる最大基板変位を約２分の１に低減し得る。あるいは、基板ホルダから抽出部を熱的に分離することで（すなわち中間ギャップ７５を設けることで）、抽出によって生じる熱負荷が原因となる最大基板変位を約６分の１に低減し得る。従って、基板ホルダから抽出部を熱的に分離することは、流体移送チャネルを設けることに比べて、基板変位の低減において約３倍効果的である。
【０１８３】
[00192]  熱的分離と流体移送チャネル（又は縁部ヒータ等の代替的な温度制御機構）とを組み合わせることの効果は、個々の効果の和よりも大きい。特に、（例えば図３０に示すように）中間ギャップ７５を流体移送チャネル１６１と組み合わせて設けることによって、抽出による最大基板変位は約８０分の１に低減することがわかっている（これは２ｘ６＝１２よりも著しく大きい）。その理由を以下で説明する。
【０１８４】
[00193]  中間ギャップ７５を設けることによる熱的分離は最大基板変位を約６分の１に低減させるが、基板支持装置６０全体の温度差は約１０倍大きくなり、これは望ましくない。抽出本体６５に流体移送チャネル１６１を設けることは、基板支持装置６０全体の温度差を小さくするために効果的である。従って、中間ギャップ７５及び流体移送チャネル１６１を設けることによって、最大基板変位は上述の程度まで低減する。ある実施形態では、中間ギャップは少なくとも０．２ｍｍである。ある実施形態では、中間ギャップは少なくとも０．５ｍｍである。ある実施形態では、中間ギャップは多くとも３ｍｍである。
【０１８５】
[00194]  ある実施形態において、抽出本体６５は、この抽出本体６５の外縁部に縁部ヒータ２０１を含む。ある実施形態では、抽出本体６５は、この抽出本体６５の下面に縁部ヒータ２０４を含む。ある実施形態では、縁部ヒータ２０１、２０４は、コントローラ５００によって別々に制御可能である。縁部ヒータ２０１、２０４は、基板支持装置６０の温度プロファイルの安定性の維持に役立つ。縁部ヒータ２０１、２０４の各々は温度センサを含むことができる。縁部ヒータ２０１、２０４は、流体移送チャネル１６１に加えて又はその代わりに用いることができる。
【０１８６】
[00195]  図面に示したフィーチャは相互に組み合わせてもよい。一例としてのみ、図３０のフィーチャを、図８の界面８１及び／又は図１１のカバーリング１１２と組み合わせることができる。
【０１８７】
[00196]  ある実施形態では、支持装置が提供される。これは、熱伝導率を有するテーブル材料で形成されたテーブルと、テーブルの凹部内に位置決めされた本体であって、本体とテーブルとの間にギャップがある、本体と、本体の上面からテーブルの上面までギャップにまたがる部材であって、テーブル材料の熱伝導率よりも低い熱伝導率を有する熱抵抗材料の熱抵抗層を含む部材と、を含む。
【０１８８】
[00197]  ある実施形態では、部材のうち、本体の上面上よりもテーブルの上面上にある部分の方が大きい。
【０１８９】
[00198]  ある実施形態では、部材は、本体の上面に沿って内側に延出するよりもテーブルの前記上面に沿って外側に長く延出している。
【０１９０】
[00199]  ある実施形態では、部材は、テーブルの前記上面の実質的に全体にわたって延出している。
【０１９１】
[00200]  ある実施形態では、部材は、テーブル材料の２５℃での比熱容量よりも小さい２５℃での比熱容量を有する熱適合材料の熱適合層を含む。
【０１９２】
[00201]  ある実施形態では、熱適合材料の熱伝導率はテーブル材料の熱伝導率よりも高い。
【０１９３】
[00202]  ある実施形態では、熱抵抗層は、熱適合層と、テーブルの上面及び本体の上面の双方と、の間にある。
【０１９４】
[00203]  ある実施形態では、熱抵抗材料の２５℃での比熱容量は、テーブル材料の比熱容量よりも大きい。
【０１９５】
[00204]  ある実施形態では、熱抵抗材料は接着剤である。
【０１９６】
[00205]  ある実施形態では、支持装置がさらに、オブジェクトを支持するように構成されたオブジェクトホルダを含み、本体がオブジェクトホルダの半径方向外側の抽出本体であり、抽出本体が、支持装置の上面から流体を抽出するように構成された抽出開口を含み、抽出本体が、オブジェクトホルダから実質的に分離するようにオブジェクトホルダから離間し、抽出本体が突起を含み、突起が、オブジェクトホルダを取り囲むと共に、使用時に液体の層が突起上に保持されてオブジェクトホルダ上に支持されたオブジェクトと接触するように構成されている。
【０１９７】
[00206]  ある実施形態では、抽出本体はオブジェクトホルダから分離するようにオブジェクトホルダから切り離されている。
【０１９８】
[00207]  ある実施形態において、突起は、使用時に液体の層によって液体が突起の半径方向外側から突起の半径方向内側に流れるのを防ぐように構成されている。
【０１９９】
[00208]  ある実施形態において、抽出本体は、真空又は気体を含む中間ギャップによってオブジェクトホルダから離間している。
【０２００】
[00209]  ある実施形態において、オブジェクトホルダ及び抽出本体の少なくとも一部はテーブルのオブジェクトホルダ凹部内に位置決めされ、抽出本体は界面においてテーブルに接続されている。
【０２０１】
[00210]  ある実施形態において、界面は抽出本体の底面及び／又は半径方向の面である。
【０２０２】
[00211]  ある実施形態において、抽出本体は、真空クランプ、ボルト、のり、及び／又は運動学的な板ばね結合によってテーブルに接続されている。
【０２０３】
[00212]  ある実施形態において、支持装置はさらにオブジェクトホルダを含み、本体はオブジェクトホルダの半径方向外側の抽出本体であり、抽出本体は、支持装置の上面から流体を抽出するように構成された抽出開口を含み、抽出本体は、複数の外周方向に離間した接合部によってオブジェクトホルダに接続されて接合部間ではオブジェクトホルダから離間するようになっている。
【０２０４】
[00213]  ある実施形態において、接合部の少なくとも１つは、オブジェクトホルダの上面から部分的にのみ抽出本体の底面へと延出して、少なくとも１つの接合部の直下で抽出本体がオブジェクトホルダから離間するようになっている。
【０２０５】
[00214]  ある実施形態において、接合部の少なくとも１つは、接合部への及び／又は接合部間での熱エネルギの供給及び／又は接合部からの及び／又は接合部間での熱エネルギの除去を行うように構成された接合部調節システムを含む。
【０２０６】
[00215]  ある実施形態において、接合部は、合計すると、オブジェクトホルダと抽出本体との間の外周部の多くても１０％に沿って延出する。
【０２０７】
[00216]  ある実施形態において、オブジェクトホルダ及び抽出本体の少なくとも一部は、テーブルのオブジェクトホルダ凹部内に位置決めされている。
【０２０８】
[00217]  ある実施形態において、抽出本体は突起を含み、この突起は、オブジェクトホルダを取り囲むと共に、使用時に液体の層が突起上に保持されてオブジェクトホルダ上に支持されたオブジェクトと接触するように構成されている。
【０２０９】
[00218]  ある実施形態において、突起は、使用時に液体の層によって液体が突起の半径方向外側から突起の半径方向内側に流れるのを防ぐように構成されている。
【０２１０】
[00219]  ある実施形態において、突起の上面は抽出本体の上面よりも低い。
【０２１１】
[00220]  ある実施形態において、支持装置は、使用時に抽出本体の一部が、オブジェクトホルダ上に支持されたオブジェクトの周縁部の下に延出するように構成されている。
【０２１２】
[00221]  ある実施形態において、抽出本体は、本体及びこの本体の上面に位置決めされたカバーリングを含み、カバーリングの上に部材がある。
【０２１３】
[00222]  ある実施形態において、カバーリングは記本体の半径方向の範囲を超えて半径方向外側に延出している。
【０２１４】
[00223]  ある実施形態において、カバーリングは実質的に、支持装置のテーブルの上面における基準マーカまで延出している。
【０２１５】
[00224]  ある実施形態において、抽出本体は、抽出本体への熱エネルギの供給及び／又は抽出本体からの熱エネルギの除去を行うように構成された抽出本体調節システムを含む。
【０２１６】
[00225]  ある実施形態において、抽出本体調節システムは、別々に制御可能である複数の調節ユニットを含み、複数の調節ユニットの各々が、抽出本体の各調節領域への熱エネルギの供給及び／又は抽出本体の各調節領域からの熱エネルギの除去を行うように構成されている。
【０２１７】
[00226]  ある実施形態において、抽出本体調節システムは、抽出本体の温度を制御するように構成された流体移送チャネルのネットワークを含む。
【０２１８】
[00227]  ある実施形態において、抽出本体調節システムは、高くても３０℃、又は高くても２２℃の沸点を有するような圧力で二酸化炭素を含有する冷却チャネルを含む。
【０２１９】
[00228]  ある実施形態において、抽出本体調節システムはヒートパイプを含む。
【０２２０】
[00229]  ある実施形態において、特許請求の範囲のいずれかの支持装置は、抽出開口の半径方向内側にあり、オブジェクトホルダの上面から液体を抽出するように構成された液体抽出部を含む。
【０２２１】
[00230]  ある実施形態において、抽出本体は液体抽出部の少なくとも一部を含む。
【０２２２】
[00231]  ある実施形態において、液体抽出部は、この液体抽出部への熱エネルギの供給及び／又は液体抽出部からの熱エネルギの除去を行うように構成された液体抽出部調節システムを含む。
【０２２３】
[00232]  ある実施形態において、抽出本体は、抽出本体への熱エネルギの供給及び／又は抽出本体からの熱エネルギの除去を行うように構成された抽出本体調節システムを含み、液体抽出部調節システム及び抽出本体調節システムは別々に制御可能である。
【０２２４】
[00233]  ある実施形態において、液体抽出部調節システムは、液体抽出部の温度を制御するように構成された流体移送チャネルのネットワークを含む。
【０２２５】
[00234]  ある実施形態において、抽出本体とオブジェクトホルダとの間の空間は、外周部で連続しており、抽出本体の上面から抽出本体の底面まで連続している。
【０２２６】
[00235]  ある実施形態において、オブジェクトホルダは基板ホルダである。
【０２２７】
[00236]  ある実施形態においては、リソグラフィ装置を用いたデバイス製造方法が提供される。この方法は、支持装置によって基板を支持しながら、パターニングデバイスによってパターニングしたビームを前記基板上に投影することを含み、支持装置が、熱伝導率を有するテーブル材料で形成されたテーブルと、テーブルの凹部内に位置決めされた本体であって、本体とテーブルとの間にギャップがある、本体と、本体の上面からテーブルの上面までギャップにまたがる部材であって、テーブル材料の熱伝導率よりも低い熱伝導率を有する熱抵抗材料の熱抵抗層を含む部材と、を含む。
【０２２８】
[00237]  本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
【０２２９】
[00238]  本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、４３６ｎｍ、４０５ｎｍ、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ若しくは１２６ｎｍ、又はこれら辺りの波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折及び反射光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか一つ、又はその組合せを指すことができる。
【０２３０】
[00239]  以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明の実施形態は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の１つ以上のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はこのようなコンピュータプログラムを内部に記憶したデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスク）の形態をとることができる。さらに機械読み取り式命令は、２つ以上のコンピュータプログラムで実現することができる。２つ以上のコンピュータプログラムを、１つ以上の異なるメモリ及び／又はデータ記憶媒体に記憶することができる。
【０２３１】
[00240]  １つ以上のコンピュータプログラムがリソグラフィ装置の少なくとも１つのコンポーネント内にある１つ以上のコンピュータプロセッサによって読み出される時に、本明細書に記載するあらゆるコントローラは各々、又は組み合わせて動作可能になる。コントローラは各々、又は組み合わせて、信号を受信、処理、送信するのに適した任意の構成を有する。１つ以上のプロセッサは、コントローラの少なくとも１つと通信するように構成されている。例えば、各コントローラは、上記方法のための機械読み取り式命令を含むコンピュータプログラムを実行する１つ以上のプロセッサを含むことができる。コントローラは、そのようなコンピュータプログラムを記憶するデータ記憶媒体及び／又はそのような媒体を収容するハードウェアを含むことができる。したがって、コントローラは、１つ以上のコンピュータプログラムの機械読み取り式命令に従って動作することができる。
【０２３２】
[00241]  本発明の１つ以上の実施形態は、任意の液浸リソグラフィ装置に、特に液浸液が槽の形態で提供されるか、基板の局所的な表面領域のみに提供されるか、基板及び／又は基板テーブル上に閉じ込められないかにかかわらず、上述したタイプに適用することができるが、それに限定されない。閉じ込められない構成では、液浸液は基板及び／又は基板テーブルの表面上に流れることができ、したがって実質的に基板テーブル及び／又は基板の覆われていない表面全体が濡れる。このように閉じ込められていない液浸システムでは、液体供給システムが液浸液を閉じ込めることができない、又はある割合の液浸液閉じ込めを提供することができるが、実質的に液浸液の閉じ込めを完成しない。
【０２３３】
[00242]  本明細書で想定するような液体供給システムは、広義に解釈されたい。特定の実施形態では、これは、液体を投影システムと基板及び／又は基板テーブルの間の空間に提供する機構又は構造の組み合わせでよい。これは、１つ以上の構造、１つ以上の液体開口を含む１つ以上の流体開口、１つ以上の気体開口、又は２相流のための１つ以上の開口の組み合わせを備えてよい。開口は各々、液浸空間への入口（若しくは流体ハンドリング構造からの出口）、又は液浸空間からの出口（若しくは流体ハンドリング構造への入口）であり得る。実施形態では、空間の表面が基板及び／又は基板テーブルの一部でよいか、空間の表面が基板及び／又は基板テーブルの表面を完全に覆ってよいか、空間が基板及び／又は基板テーブルを囲んでよい。液体供給システムは任意選択で、液体の位置、量、品質、形状、流量又は任意の他の特徴を制御する１つ以上の要素をさらに含むことができる。
【０２３４】
[00243]  上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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