(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（３、２０３、３０３）及び反射コーティングを備える、マイクロリソグラフィ投影露光装置で使用するミラー（１、２０１、３０１）であって、
前記反射コーティングは、第１層群（１９、２１９、３１９）及び第２層群（２１、２２１、３２１）を備え、
前記第２層群（２１、２２１、３２１）は、前記基板（３、２０３、３０３）と前記第１層群（１９、２１９、３１９）との間に配置され、
前記第１層群（１９、２１９、３１９）及び第２層群（２１、２２１、３２１）は、上下に配置された複数の交互の第１層（９、２０９、３０９）及び第２層（１１、２１１、３１１）を備え、前記第１層（９、２０９、３０９）は第１材料を含み、
５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲の波長を有する放射線に関する前記第１材料の屈折率は、前記第２層（１１、２１１、３１１）に含まれる第２材料の屈折率よりも高い、ミラー（１、２０１、３０１）において、
前記第１層群（１９、２１９、３１９）は、２１個以上の数の層を備えることで、５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲の波長を有する放射線の照射時に前記第２層群（２１、２２１、３２１）に達する放射線が２０％未満となるようにし、
前記第２層群（２１、２２１、３２１）は、前記ミラー（１、２０１、３０１）の波面収差の補正のために表面形態を補正するための層厚変動を有することを特徴とするミラー。
【請求項２】
請求項１に記載のミラーにおいて、
前記第１層群（１９、２１９、３１９）は、前記ミラー（１、２０１、３０１）にわたる入射放射線の入射角の変動を考慮した層厚変動を有することを特徴とするミラー。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のミラーにおいて、
前記第２層群（２１、２２１、３２１）は、前記基板に直接隣接することを特徴とするミラー。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載のミラーにおいて、
前記第１材料はＳｉであり、前記第２材料はＭｏ及びＲｕからなる群から選択されることを特徴とするミラー。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載のミラーにおいて、
前記第２層群（２１、３２１）の層の数は、前記ミラー（１、３０１）の少なくとも２つの場所（１５、１７）で異なることを特徴とするミラー。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載のミラーにおいて、
前記第２層群（２２１）は、前記ミラー（２０１）の表面形態の補正のための層厚変動を有する補正層（２２５）を有し、前記第２層群（２２１）の前記層厚変動は、前記補正層（２２５）の前記層厚変動の結果として５０％を超える程度まで生じることを特徴とするミラー。
【請求項７】
請求項６に記載のミラーにおいて、
前記補正層（２２５）は前記第１層群（２１９）に隣接することを特徴とするミラー。
【請求項８】
請求項７に記載のミラーにおいて、
前記補正層（２２５）は石英を含むことを特徴とするミラー。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載のミラー（１、２０１、３０１）を備えるマイクロリソグラフィ投影露光装置用の投影対物レンズ。
【請求項１０】
請求項９に記載の投影対物レンズを備えるマイクロリソグラフィ投影露光装置。
【請求項１１】
基板（３、２０３、３０３）及び層群を備える反射コーティングを備えるミラー（１、２０１、３０１、４０１）の波面収差の補正のために表面形態を補正する方法であって、
ａ．前記ミラーの前記表面形態の補正のための、前記反射コーティングの層厚変動を生成又は変更するステップと、
ｂ．前記反射コーティングに層群（１９、２１９、３１９）を塗布するステップであり、該群が２１個以上の数の層を備えることで、５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲の波長を有する放射線の照射時に前記層群を透過する放射線が２０％未満となるようにするステップと
を少なくとも含み、前記反射コーティング及び前記層群は、上下に配置された複数の交互の第１層（９、２０９、３０９）及び第２層（１１、２１１、３１１）を備え、前記第１層（９、２０９、３０９）は第１材料を含み、
５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲の波長を有する放射線に関する前記第１材料の屈折率は、前記第２層（１１、２１１、３１１）に含まれる第２材料の屈折率よりも高い方法を含む、マイクロリソグラフィ投影露光装置の投影光学ユニット（４３１）の結像特性を補正する方法。
【請求項１２】
基板及び層群を備える反射コーティングを備えるミラー（１、２０１、３０１、４０１）の波面収差の補正のために表面形態を補正する方法であって、
ａ．補正層（２２５）を塗布するステップと、
ｂ．前記ミラーの前記表面形態の補正（２２５）のための、前記反射コーティング及び前記補正層を備える層系の層厚変動を生成又は変更するステップであり、前記層系の前記層厚変動を前記補正層（２２５）の層厚変動により５０％を超える程度まで生成するステップと、
ｃ．前記層系に前記層群（２１９）を塗布するステップであり、該層群（２１９）が２１個以上の数の層を備えることで、５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲の波長を有する放射線の照射時に前記層系に達する放射線が２０％未満となるようにするステップと
を少なくとも含み、前記層群（２１９）及び前記反射コーティングは、上下に配置された複数の交互の第１層（２０９）及び第２層（２１１）を備え、前記第１層（２０９）は第１材料を含み、
５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲の波長を有する放射線に関する前記第１材料の屈折率は、前記第２層（２１１）に含まれる第２材料の屈折率よりも高い方法を含む、マイクロリソグラフィ投影露光装置の投影光学ユニット（４３１）の結像性を補正する方法。
【請求項１３】
請求項１１又は１２に記載の方法において、
前記表面形態を補正する方法は、層全体を除去せずに行われることを特徴とする方法。
【請求項１４】
請求項１１〜１３のいずれか１項に記載の方法において、
前記ミラーの前記表面形態の補正のための、前記反射コーティング又は該反射コーティング及び前記補正層（２２５）を備える前記層系の層厚変動を生成又は変更するステップは、イオンビームを使用して加工するステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項１５】
請求項１１〜１４のいずれか１項に記載の方法において、
前記第１材料はＳｉであり、前記第２材料はＭｏ及びＲｕからなる群から選択されることを特徴とする方法。
【請求項１６】
マイクロリソグラフィ投影露光装置の投影光学ユニット（４３１）の結像特性を補正する方法であって、
ａ．前記投影光学ユニット（４３１）の波面収差を求めるステップと、
ｂ．前記投影光学ユニット（４３１）の前記波面収差から少なくとも１つのミラーの補正表面形態を計算するステップと、
ｃ．請求項１１〜１５のいずれか１項に記載の方法に従って前記少なくとも１つのミラー（４０１）の表面形態を補正するステップと
を含む方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板及び反射コーティングを備えるマイクロリソグラフィ投影露光装置で使用するミラー、マイクロリソグラフィ投影露光装置で使用する投影対物レンズ、マイクロリソグラフィ投影露光装置、また基板及び反射コーティングを備えるミラーの表面形態を補正する方法にも関する。
【背景技術】
【０００２】
マイクロリソグラフィ投影露光装置は、フォトリソグラフィ法により微細構造コンポーネントを製造する役割を果たす。この場合、構造担持マスク、いわゆるレチクルが、投影光学ユニットを用いて感光層に結像される。このような投影光学ユニットを用いて結像できる最小特徴サイズは、使用される結像光の波長によって決まる。使用される結像光の波長が短いほど、投影光学ユニットを用いて結像できる構造が小さい。近年では、１９３ｎｍの波長を有する結像光又は極紫外（ＥＵＶ）領域、すなわち５ｎｍ〜３０ｎｍの波長を有する結像光が主に使用されている。１９３ｎｍの波長を有する結像光が使用される場合、屈折光学素子及び反射光学素子の両方がマイクロリソグラフィ投影露光装置内で用いられる。これに対して、５ｎｍ〜３０ｎｍの波長を有する結像光が使用される場合、反射光学素子（ミラー）が専ら用いられる。
【０００３】
感光層への構造担持マスクの良好な結像を可能にするために、投影光学ユニットの結像収差を可能な限り減らす必要がある。したがって、特に投影露光ニット内で使用するミラーの表面形態を高精度で確保する必要がある。
【０００４】
この目的で、個別ミラー又は投影光学ユニットの光学特性を非常に精密に測定する必要がある。これは、例えば、特許文献１に記載のような干渉測定法により行われる。このような測定は、多くの場合はミラーの使用条件に可能な限りよく対応した条件下で実行される。これは特に、測定に使用する光の波長に関係する。特定の波長を有する結像光に対するミラーの正確な影響を、特にこの波長を有する光を使用して非常に正確に測定することができる。異なる波長を有する光を使用した測定の場合、測定波長と結像波長との間の差に起因する不確定性が生じ得る。したがって、５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲の波長を有する結像光と共に使用するミラーも、多くの場合は対応する放射線を使用して測定される。
【０００５】
しかしながら、ミラーが測定放射線を反射するためには、ミラーに適切な反射コーティングを設ける必要がある。これには、表面形態に対する反射コーティングの影響、例えば応力の導入等も測定時に同様に考慮に入れられるというさらなる利点がある。
【０００６】
しかしながら、反射コーティングを有するミラーの測定には、ミラーの表面形態の補正がより困難になるという欠点がある。このような補正は、例えばイオンビームを使用した適当な表面除去により実行される。しかしながら、反射コーティングが除去により変更されてしまっているので、これは反射率の低下につながり得る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】欧州特許出願公開第１３０６６９８号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、ミラーと、使用される結像光の波長に対応する波長を有する放射線を使用して測定できるこのようなミラーを製造する方法であって、該ミラーの表面形態を補正することができるにもかかわらず該ミラーが高い反射率を有する方法とを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この目的は、マイクロリソグラフィ投影露光装置で使用するミラーであって、基板及び反射コーティングを備え、反射コーティング自体はさらに第１層群及び第２層群を備えるミラーにより達成される。この場合、第２層群は、基板と第１層群との間に配置される。さらに、第１層群及び第２層群の両方が、上下に配置された複数の交互の第１層及び第２層を備え、第１層は第１材料を含み、５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲の波長を有する放射線に関する第１材料の屈折率は、第２層に含まれる第２材料の屈折率よりも高い。この場合、第１層群は、２１個以上の数の層を備えるよう構成されることで、５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲の波長を有する放射線の照射時に第２層群に達する放射線が２０％未満となるようにし、第２層群は、ミラーの表面形態の補正のための層厚変動を有する。これにより達成されるのは、ミラーの表面形態の補正のための層厚変動を有する第２層群が、ミラーの反射率特性に大きな影響を及ぼさないことである。そうでなければ、第２層群で反射した放射線の少なくとも一部領域での位相関係が、反射放射線の最適な位相関係が悪影響を受けて反射放射線の強度の低下が生じるようなものとなってしまう。
【００１０】
このようなミラーは、第１に、使用される結像光の波長に対応する波長を有する放射線を反射する役割を果たす反射コーティングをミラー基板に設けることにより得られる。さらに別のステップにおいて、このように構成されたミラーは、別個に測定されるか又は光学系の測定全体に関して測定され、使用される結像光の波長に対応する波長を有する放射線が用いられる。得られた測定結果に基づき、ミラーの表面形態を適切に補正するために、表面補正が決定されて反射コーティングの対応の層厚変動が生成される。この補正は、多くの場合にミラーの反射率に悪影響を及ぼすので、さらに別のステップにおいて、加工された反射コーティングに層群が塗布され、この群は、２１個以上の数の層を備えることで、５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲の波長を有する放射線の照射時にこの層群を透過する放射線が２０％未満となるようにする。
【００１１】
この場合、反射コーティング及び層群はいずれも、上下に配置された複数の交互の第１層及び第２層を有し、第１層は第１材料を含み、５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲の波長を有する放射線に関する第１材料の屈折率は、第２層に含まれる第２材料の屈折率よりも高い。これにより得られる本発明によるミラーは、補正済み表面形態を有し、反射率が表面形態の補正により大幅に低下していない。
【００１２】
表面形態の補正のための層厚変動は、使用される結像光の波長のオーダとほぼ同じであり、すなわち、１３．５ｎｍの波長では、表面形態の層厚変動は１ｎｍ〜１５ｎｍである。
【００１３】
一実施形態では、第１層群は、ミラーにわたる入射放射線の入射角の変動を考慮に入れた層厚変動を有する。特に良好な反射率をこれにより利用可能とすることができる。入射角の変動を考慮に入れた層厚変動は、層の全厚の±１０％の範囲内にある。
【００１４】
さらに別の実施形態では、第２層群は基板に直接隣接する。これには、ミラーの層の総数が少なくて済むことで、特に単純且つ迅速に製造できるという利点がある。
【００１５】
一構成では、第１材料はケイ素であり、第２材料はルテニウム又はモリブデンである。これらの材料は、良好に加工することができ高い反射率を可能にするので、５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲の波長を有する放射線を反射するための積層体に特に良好に使用することができる。
【００１６】
第２層群の層の数が、ミラーの少なくとも２つの場所で異なれば特に有利である。波面収差の特に大きな補正をこれにより達成することができる。
【００１７】
本発明によるミラーの特定の一形態では、第２層群は、ミラーの表面形態の補正のための層厚変動を有する補正層を有し、さらに、第２層群の層厚変動は、補正層の層厚変動の結果として５０％を超える程度まで（to the extent of more than 50 %）生じる。ミラーの表面形態の補正のための層厚変動を有する補正層の使用には、表面プロファイルの特に良好な設定を可能にする材料を補正層に選択することができるという利点がある。したがって、石英層を補正層として使用することができ、石英層は、表面プロファイルを得るためにイオンビームを使用して特に良好に加工することができる。
【００１８】
本発明によるミラーを備える投影対物レンズと、このような投影対物レンズを備えるマイクロリソグラフィ投影露光装置とには、ミラーに関してすでに上述した利点がある。
【００１９】
本発明は、基板及び反射コーティングを備えるミラーの表面形態を補正する方法にも関する。この場合、本方法は、
ａ．ミラーの表面形態の補正のための、反射コーティングの層厚変動を生成又は変更するステップと、
ｂ．反射コーティングに層群を塗布するステップであり、該群が２１個以上の数の層を備えることで、５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲の波長を有する放射線の照射時に該層群を透過する放射線が２０％未満となるようにするステップと
を少なくとも含む。
【００２０】
反射コーティング及び層群はいずれも、上下に配置された複数の交互の第１層及び第２層を有し、第１層は第１材料を含み、５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲の波長を有する放射線に関する第１材料の屈折率は、第２層に含まれる第２材料の屈折率よりも高い。本方法は特に、補正済み表面形態を有し、反射率が表面形態の補正により大幅に低下していない、ミラーの提供を可能にする。
【００２１】
本発明は、基板及び反射コーティングを備えるミラーの表面形態を補正する方法であって、
ａ．補正層を塗布するステップと、
ｂ．ミラーの表面形態の補正のための、反射コーティング及び補正層を備える層系の層厚変動を生成又は変更するステップであり、層系の層厚変動を補正層の層厚変動により５０％を超える程度まで生成するステップと、
ｃ．層系に層群を塗布するステップであり、層群が２１個以上の数の層を備えることで、５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲の波長を有する放射線の照射時に層系に達する放射線が２０％未満となるようにするステップと
を少なくとも含む方法をさらに含む。
【００２２】
反射コーティング及び層群はいずれも、上下に配置された複数の交互の第１層及び第２層を有し、第１層は第１材料を含み、５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲の波長を有する放射線に関する第１材料の屈折率は、第２層に含まれる第２材料の屈折率よりも高い。本方法は特に、補正済み表面形態を有し、反射率が表面形態の補正により大幅に低下していない、ミラーの提供を可能にする。ミラーの表面形態の補正のための層厚変動を有する補正層の塗布、又は補正層の塗布及びその後の補正層の層厚変動の変更には、表面プロファイルの特に良好な設定を可能にする材料を補正層に選択することができるという利点がある。したがって、石英層を補正層として使用することができ、石英層は、表面プロファイルを得るためにイオンビームを使用して特に良好に加工することができる。
【００２３】
本発明による方法には、層全体を除去しなくても行うことができので、表面補正の特に効率的で迅速な製造を可能にするという利点がある。
【００２４】
本発明はさらに、投影光学ユニットのミラーの表面形態を補正する上述の方法を含む、マイクロリソグラフィ投影露光装置の投影光学ユニットの結像特性を補正する方法に関する。したがって、このような結像特性を補正する方法には、表面形態を補正する方法に関して上述した利点がある。
【００２５】
本発明はさらに、マイクロリソグラフィ投影露光装置の投影光学ユニットの結像特性を補正する方法であって、
ａ．投影光学ユニットの波面収差を求めるステップと、
ｂ．投影光学ユニットの波面収差から少なくとも１つのミラーの補正表面形態を計算するステップと、
ｃ．上述の方法に従って少なくとも１つのミラーの表面形態を補正するステップと
を含む方法に関する。このような結像特性を補正する方法には、表面形態を補正する方法に関してすでに上述した利点がある。
【００２６】
図面を参照して本発明をより詳細に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】第１実施形態における本発明によるミラーを製造する方法を示す。
【図２】補正層を有するさらに別の実施形態における本発明によるミラーを製造する方法を示す。
【図３】層厚変動を有する本発明によるミラーを製造する方法の実施形態を示す。
【図４】本発明によるミラーを用いることができる例示的な投影光学ユニットを示す。
【図５ａ】補正対象表面の平面図を概略的に示す。
【図５ｂ】図５ａに示す補正対象表面の断面を示す。
【図６】ミラーの表面形態を補正する方法をフローチャートに基づいて示す。
【図７】ミラーの表面形態の補正により投影光学ユニットの結像品質を補正する方法をフローチャートに基づいて示す。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
参照符号は、図１に示す対象物に１桁又は２桁の数字を設けるよう選択してある。それ以降の図に示す対象物は３桁以上の参照符号を有し、下２桁は対象物を指し、それよりも前の桁はその対象物が示されている図の番号を指す。したがって、複数の図に示されている同一の対象物の参照符号は、下２桁に関して対応している。例として、参照符号３、２０３、及び３０３は、図１、図２、及び図３においてミラー基板を特定する。
【００２９】
図１は、表面形態の補正前の初期状態における、マイクロリソグラフィ投影露光装置で使用するミラーの実施形態を左側に示す。ミラー１は、基板３及び層群５を備える。この場合、基板３はＳｉＯ２（石英）からなる。層群５は、異なる材料を含む複数の個別層を備える。ミラー１が５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲の波長を有する放射線７の反射用に具現される場合、層群５は、上下に配置された複数の交互の第１層９及び第２層１１を備え、第１層９は第１材料を含み、５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲の波長を有する放射線に関する第１材料の屈折率は、第２層１１に含まれる第２材料の屈折率よりも高い。通常、ケイ素が第１材料として使用され、モリブデン又はルテニウムが第２材料として使用される。他の材料の組み合わせ、例えばモリブデン及びベリリウム、ルテニウム及びベリリウム、又はランタン及びＢ４Ｃ等も同様に可能である。ミラーの良好な反射率を達成するために、層群５は、２１個以上、特に５１個以上の層を通常は備える。図１において、また後続の図においても、明確化のために層群は常に数個の個別層のみで示されている。しかしながら、本発明の意味内では、層群は、２１個以上の層、特に５１個以上の層を有する群であることを理解されたい。すでに説明した層に加えて、層群５は、拡散を防止するための中間層又は酸化及び腐食を防止するための被覆層を備えることもできる。このような補助層の図示は省いてある。
【００３０】
図１の中央に、表面形態の補正が行われた後のミラー１を示す。表面形態のこのような補正は、例えばイオンビームの照射により行うことができる。層群５における第１層９及び第２層１１の材料の一部が、この加工により除去されることで、ミラー１の表面形態が補正済み表面プロファイル１３に従うようになる。加工の結果としてさらに、層群が、大きな除去が実行された場所１７とは異なる数の層を場所１５に含むようになった。この状態では、ミラー１は、補正加工前よりもマイクロリソグラフィ投影露光装置でのビーム誘導の目的により適した補正済み表面形態を有するが、コーティングの反射率も表面加工により悪影響を受けている。これを再度修正するために、さらに別の層群が塗布されることで、図１の右側部分のようなミラー１が得られる。したがって、このようにして製造されたミラー１は、第１層群１９及び第２層群２１を有し、第２層群２１は、基板３と第１層群１９との間に配置される。第１層群１９も同様に、上下に配置された複数の交互の第１層９及び第２層１１を備え、第１層は第１材料を含み、５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲の波長を有する放射線に関する第１材料の計算指数（calculation index）は、第２層１１に含まれる第２材料の屈折率よりも高い。第１層群１９が２１個以上の層を備えることで、入射放射線７から第１層群１９を通過して第２層群２１に達する部分２３が入射放射線の強度の２０％未満となるようにする。このようにして達成できるのは、ミラーの表面形態の補正のための層厚変動を有する第２層群１１が、ミラー１の反射率特性に大きな影響を及ぼさないことである。そうでなければ、第２層群２１で反射した放射線の少なくとも一部領域での位相関係が、反射放射線の最適な位相関係が悪影響を受けて反射放射線の強度の低下が生じるようなものとなってしまう。
【００３１】
図２は、補正済み表面形態を有するミラーを製造する本発明による方法のさらに別の実施形態を示す。図１に対応する方法で、図２の左側領域に、ミラー２０１をその初期形態で示す。この初期形態では、ミラー２０１は、ミラー基板２０３及び層群２０５を備え、層群２０５は、上下に配置された複数の交互の第１層２０９及び第２層２１１から構成される。図２の中央領域は、適当な補正層２２５が追加された後のミラー２０１を示す。補正層２２５は、層厚変動を有するので、補正済み表面プロファイル２１３が得られる。この場合、補正層２２５の層厚変動は、厚さが変わる補正層２２５をミラーの種々の場所に塗布することにより、又は代替的若しくは補足的に、最初に補正層を塗布してから補正済み表面プロファイル２１３を適当な材料除去、例えばイオンビームの照射等により設定することにより、もたらすことができる。図１に示す例示的な実施形態とは対照的に、ミラーの表面形態の補正のための層厚変動を有する補正層２２５の使用には、表面プロファイル２１３の特に良好な設定を可能にする材料を補正層用に選択することができるという利点がある。したがって、例として、石英層を補正層２２５として使用することができ、石英層は、表面プロファイル２１３を得るためにイオンビームを使用して特に良好に加工することができる。これに対して、ミラーの初期状態で既に存在している層群２０５の場合、５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲の波長を有する放射線に関して特に良好な反射率を達成するために選択される材料が使用される。これは、干渉測定に基づき補正済み表面プロファイルを決定するために必要である。このような測定のために、ミラーは良好な反射率を有する必要がある。したがって、左側に図示する未補正状態で、ミラーの良好な反射率を可能にする層のための材料が既に使用されている。この材料は、必ずしも良好に加工できるわけではないので、図１に示す実施形態における表面プロファイル１３の設定が困難であり得る。この困難は、適切な材料から構成される補正層２２５の使用により克服される。図２の右側部分は、この場合も最終状態のミラー２０１を示し、これは、補正層２２５及び既に予め存在しているさらに他の層を備える第２群２２１に、第１層群２１９を塗布した後の状態である。群２１９及び２２１の両方が、上下に配置された複数の交互の第１層２０９及び第２層２１１を備え、第１層は第１材料を含み、５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲の波長を有する放射線に関する第１材料の屈折率は、第２層２１１に含まれる第２材料の屈折率よりも高い。第１材料は通常はケイ素であり、第２材料は、例えばモリブデン又はルテニウムであり得る。他の材料の組み合わせ、例えばモリブデン及びベリリウム、ルテニウム及びベリリウム、又はランタン及びＢ４Ｃ等も同様に可能である。第１層群２１９は、このとき、補正済み表面プロファイル２１３に従う表面形態を有する。第１層群２１９の上面におけるこの補正済み表面プロファイル２１３は、第１層群２１９が実質的に一定の厚さを有し、補正済み表面プロファイル２１３をすでに有する補正層２２５に塗布されていることから得られる。したがって、補正層２２５を備える第２層群２２１が、補正層の層厚変動により実質的に生成された層厚変動を有することが明らかである。本願の文脈において、層又は層群の層厚変動は、層又は層群の最大厚と層又は層群の最小厚との間の差を意味すると理解されたい。層厚変動を図２に参照符号２２７で示す。図２に示す例示的な実施形態では、第２層群２２１の層厚変動２２７は、補正層２２５の層厚変動により専ら生じる。しかしながら、図１及び図２に示す例示的な実施形態を相互に組み合わせることで、補正済み表面プロファイル２１３を設定するための層厚変動の一部が補正層２２５の層厚変動の結果として生じ、別の部分が補正層と基板との間に配置された交互層の層厚変動の結果として生じるようにすることも可能である。
【００３２】
図３は、図１に示す実施形態の変形形態を示す。ミラーの初期形態では、図３の左側領域に示すように、ミラーは、ミラーにわたって層厚変動をすでに示している層群３０５を有する。このような層厚変動は、入射放射線３０７の入射角がミラーにわたって比較的大きく変動する場合に通常は使用される。それにもかかわらず、入射放射線３０５の入射角に応じて第１層３０９及び第２層３１１の異なる層厚が最適であるので、このように、ミラーの全点で良好な反射率を設定できることが確実であり得る。図１を参照してすでに説明した手順に従った方法で、補正済み表面プロファイル３１３が、このミラーの場合も適切な処理法を用いて作製される。さらに別の層群が、続いてこのように加工されたミラーに塗布されることで、図３の右側領域に示すようなミラー３０１が得られる。ミラーはこの場合もやはり、第１層群３１９及び第２層群３２１を備える。ミラーにわたって層厚変動を示す層群３０５のように、第１群３１９も、ミラーにわたる入射放射線３０７の入射角の変動を補償するためにミラーにわたる層厚変動を有する。この結果として、第１群３１９の層のうち基板３０３から最も遠くにある上面３２９は、基板からの距離の第１最大変動を有し、その変動の一部は層厚変動の結果として生じ、別の部分は補正済み表面プロファイル３１３の結果として生じるものである。本願の文脈において、基板からの距離の最大変動は、基板からの最大距離と基板からの最小距離との間の差を意味するものと理解されたい。表面プロファイル３１３は、したがって第１群３１９の層のうち基板の最も近くにある下面３３０も、結像放射線の波長の範囲内にある基板からの距離の変動を有する。これは、放射線３０７の波面が補正済み表面プロファイル３１３を用いて補正されることが意図されることにより得られる。約１３．５ｎｍの波長を有する放射線の場合、約１ｎｍ〜１５ｎｍの最大変動が通常はこの目的に十分である。ミラーにわたる入射放射線３０７の入射角の変動を考慮に入れた第１群３１９の層厚変動は、通常は第１群３１９の全層の総厚の１０％未満である。
【００３３】
図４は、投影光学ユニット４３１の例示的な実施形態を示す。投影光学ユニット４３１を用いて、物体平面４３５に配置された構造担持マスク４３３が、像平面４３９における像４３７に結像される。露光の結果として化学的に変化する感光層が、像平面４３９に配置される。これは、いわゆるリソグラフィステップと称する。この例示的な実施形態では、投影露光ユニット４３１は、構造担持マスク４３３を像平面４３９に結像するために使用される６個のミラー４０１を備える。このような投影対物レンズ４３１は、通常は回折限界があるので、投影光学ユニットの波面収差が十分に小さい場合にのみ最大限の分解能を達成することができる。回折限界投影光学ユニットの場合、ＲＭＳ値（平方自乗平均）が結像光の波長の１／１４未満である必要がある。これを達成するために、ミラー４０１の表面形態を非常に精密に設定しなければならない。さらに、ミラー４０１を同様に非常に性格に位置決めしなければならない。
【００３４】
図示の実施形態のように、光学コンポーネントとしてミラーのみを備える投影光学ユニットに加えて、本発明を、いわゆる反射屈折投影対物レンズの場合に用いることもできる。反射屈折投影対物レンズは、反射光学素子及び屈折光学素子の両方を含む。このタイプの投影対物レンズは、結像光が１９３ｎｍ又は２４８ｎｍの範囲の波長を有する場合に通常は使用される。
【００３５】
図５ａ及び図５ｂは、例としてミラーの補正対象表面形態を示す。実際の表面形態と所望の表面形態との間の偏差を、図５ａに輪郭線５４１を用いて示す。さらに、図５ｂは、図５ａの線５４３に沿ったこの偏差の高さプロファイルを示す。図示のこのような偏差は、例えば干渉測定法を用いて求めることができる。
【００３６】
図６は、ミラーの表面形態を補正する本発明による方法を例としてフローチャートに基づいて示す。第１に、ステップ６５１において、実際の表面形態を有するミラーが製造される。このミラーは、このとき、基板と層群を備える反射コーティングとをすでに備えている。その後、ステップ６５３において、ミラーの実際の表面形態が正確に測定される。例えば欧州特許出願公開第１３０６６９８号明細書に記載のような干渉測定法が、通常はこの目的で使用される。ステップ６５５において、測定された実際の表面形態が、続いて所望の表面形態と比較される。２つの表面形態が所望の公差内で対応する場合、本方法をすでに終了する。公差外の表面形態の偏差がある場合、次にステップ６５７において、表面形態の補正が実施される。この方法ステップ６５７は、図１〜図３において説明したステップ、すなわち適宜、補正層を塗布するステップと、補正済み表面プロファイルを設定するステップと、さらに別の層群を塗布するステップとを含む。表面形態のこの補正後に、実際の表面形態がステップ６５９において再度測定される。ステップ６６１において、この実際の表面形態が、続いて所望の表面形態と再度比較される。方法ステップ６６３において、実際の表面形態がこのとき公差内で所望の表面形態に対応するか否かを判定するために、続いて検査が行われる。結果が肯定である場合、本方法をこの時点で終了する。公差外の偏差が依然として生じる場合、本方法は、ステップ６５７において表面形態の補正を再度続ける。実際の表面形態と所望の表面形態との間の補正すべき偏差の大きさに応じて、ステップ６５７、６５９、６６１、及び６６３のこの説明した補正ループを繰り返し適用することが必要であり得る。従来技術から既知であるようなミラーの表面形態を補正する他の方法とは対照的に、本発明による方法は、層全体を除去する方法ステップを必ずしも含まない。したがって、本方法は、特に迅速且つ費用効果的に実行することができる。しかしながら、例えば反射コーティングの損傷が生じた場合、本方法をこのようなステップで補うことも考えられる。
【００３７】
図７は、マイクロリソグラフィ投影露光装置の投影光学ユニットの結像特性を補正する本発明による方法を、フローチャートに基づいて説明する。第１ステップ７６５において、投影光学ユニットに必要な複数のＮ個のミラーが製造される。製造確度が原因で、これらＮ個のミラーは、所望の表面形態から逸脱し得る表面形態を有する。任意のステップ７６７において、Ｎ個のミラーの目下の実際の表面形態が、干渉測定法を用いて測定される。このさらなる方法から、所望の表面形態からの実際の表面形態の偏差がさほど大きくない場合、Ｎ個のミラー全部の実際の表面形態の正確な知識が本方法の実行に絶対に必要というわけではないことが明らかとなる。したがって、適宜ステップ７６７を省くことができる。次のステップ７６９において、投影光学ユニットがＮ個のミラーから組み立てられる。投影光学ユニットの結像特性が、続いてステップ７７１において測定される。このステップ７７１では、投影対物レンズ全体の波面収差が測定される。これも同様に、干渉測定法を用いて、例えば欧州特許出願公開第１３０６６９８号明細書に記載の方法等により行われる。方法ステップ７７３において、投影光学ユニットの波面収差が十分に小さいか否かを判定するために、続いて検査が行われる。投影光学ユニットの良好な結像品質を得るために、波面収差のＲＭＳ値が使用される結像光の波長の１／１４未満である必要がある。波面収差がすでに十分に小さい場合、本方法をこの時点で終了する。そうでなければ、投影光学ユニットの補正を行う必要がある。投影光学ユニット内の個別ミラーの位置を変更するのに加えて、投影光学ユニットの１つ又は複数のミラーの表面形態の補正により波面収差の補正を行うことが可能である。この場合、投影光学ユニットの全ミラーの表面形態の補正を実行することが絶対に必要というわけではない。投影光学ユニットの特定の光学的設計に応じて、表面形態の補正がミラーのうちの若干数に、特に１つだけに実行されれば十分であり得る。投影光学ユニットの光学的設計から、例えば、特定のミラーの表面形態が変更される場合の投影光学ユニットの波面収差の変わり方を判定することが可能である。例えば、第１ミラーの場合には表面形態のごく僅かな変化しか波面収差の補正に必要ないが、異なる第２のミラーの場合にはそれよりもはるかに大きな表面形態の変化が必要であることが分かり得る。さらに、投影光学ユニットの波面収差の特定のプロファイルは、投影光学ユニットの結像ビーム経路内で特定の位置を有するミラーの表面形態の変更を用いてしか補正できない。こうした理由で、次のステップ７７５は、表面形態の変更により波面収差の補正をもたらすのに特に適した補正ミラーの適切な選択を行うことを含む。続いてステップ７７７において、補正表面形態が、測定された波面収差及び投影光学ユニットの光学的設計を用いて、この補正ミラーの選択のために計算される。Ｎ個のミラー全部の実際の表面形態がステップ７６７において測定され、Ｎ個のミラー全部の正確な位置が分かっている場合、補正ミラーの表面形態を絶対的に計算することができる。ステップ７６７における実際の表面形態の測定が省かれた場合、補正ミラーの表面形態において必要な相対的変化のみが波面収差及び光学的設計から決定され得る。両方の場合を合わせた用語を、以下で補正表面形態とする。したがって、補正表面形態は、補正ミラーの絶対的表面形態又は補正ミラーの表面形態において必要な相対的変化を意味すると理解することができる。絶対的な実際の表面形態及び全ミラーの位置が必ずしも十分に正確に分かっているとは限らないので、表面形態において必要な変化のみを計算する方が単純な場合が多い。したがって、場合によっては未知の実際の表面形態に関する必要な差のみが計算される。ステップ７７９は、先行するステップで選択された１つ又は複数の補正ミラーを取り外すことにある。次に、ステップ７８１において、１つ又は複数の補正ミラーの表面形態の補正が、計算された補正表面形態を用いて実行される。この場合、１つ又は複数の補正ミラーの表面形態の補正は、図１〜図３を参照して説明したような補正法を用いて行われる。次のステップ７８３において、こうして処理された補正ミラーは、投影光学ユニットに再度組み込まれる。投影光学ユニットの結像品質を、続いて方法ステップ７７１において再度判定することができる。その後、方法ステップ７７３において、測定された波面収差が十分に小さいか否かを判定するために検査が行われることで、十分な結像品質が確保される。その場合、本発明による方法をこの時点で終了する。そうでない場合、ステップ７７５、７７７、７７９、７８１、及び７８３を含むさらに別の補正ループが実行される。投影光学ユニットの波面収差に関する厳しい要件により、十分な結像品質が得られるまで説明した補正ループを繰り返し実行しなければならない必要があり得る。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５ａ−５ｂ】
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【図６】
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【図７】
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