(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
チオール末端基を有する分子を含む自己組織化単分子層（ＳＡＭ）を金属ベース担体の表面上に生成するための方法であって、
ａ）所望の分子のＳＡＭを、スタンプの隆起領域上に堆積させるステップと、
ｂ）ステップａ）において得られたスタンプの隆起領域のホットプレスにより、ＳＡＭを担体の表面上に転写するステップであって、９０℃以上〜スタンプの構成材料の融点未満の温度、および１０００Ｎ以上〜４００００Ｎ以下の力で、１分から２０分の間（これらの値を含む）の期間行われるステップ
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
ステップｂ）が、９５℃から１１５℃の間の温度、１０００Ｎの力で、５分から１０分の間（これらの値を含む）行われることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ＳＡＭが、以下の分子：
−  ４−（メチルスルファニル）チオフェノール（ＭｅＳＴＰ）、
−  ４−メトキシチオフェノール（ＭｅＯＴＰ）、
−  ４−メチルチオフェノール（ＭｅＴＰ）、
−  ４−アミノチオフェノール（ＡＴＰ）、
−  ４−ニトロチオフェノール（ＮＯＴＰ）、
−  システアミン（ＣＴ）、
−  １−デカンチオール（ＤＴ）、
−  １Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロデカンチオール（ＰＦＤＴ）、
−  １Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロオクタンチオール（ＰＦＯＴ）、および
−  ペンタフルオロベンゼンチオール（ＰＦＢＴ）
の少なくとも１種から得られることを特徴とする、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
担体が、金、銀、銅、ニッケル、白金、パラジウムおよびアルミニウムから選択される金属、または金属酸化物、好ましくはＩＴＯで作製されていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
スタンプが、シリコーン、好ましくはポリジメチルシロキサンで作製されていることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
ステップｂ）において、所望の温度への加熱が、担体の下に設置されたホットプレートを使用して得られることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
ステップｂ）における加熱が、スタンプに挿入された抵抗加熱器により得られることを特徴とする、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
担体が、有機電子回路のトランジスタのソース電極とドレイン電極の間に設置されること、ならびにステップｂ）における加熱が、これらのソース電極とドレイン電極の間に電流を通電することにより得られることを特徴とする、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
ステップａ）において、ＳＡＭが湿式処理により堆積され、次いでスタンプおよびＳＡＭが乾燥されることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チオール末端基を含む分子を含む注入自己組織化単分子層（ＳＡＭ）を金属担体の表面上に生成するための方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
金、銀、銅、ニッケル、白金、パラジウムおよびアルミニウム等の金属で作製された担体にグラフトされた末端チオールを含む分子の自己組織化単分子層（ＳＡＭ）は、トランジスタの電極と半導体材料との間の電子移動を最適化するために、有機電子トランジスタの製造に使用される。これらは、注入ＳＡＭである。
【０００３】
先行技術において、これらの注入ＳＡＭは、ＳＡＭを形成することを意図した分子、一般にはアルカンチオールの溶液を使用する方法により形成される。
【０００４】
したがって、Ｍｅｉｒａｖ  Ｃｏｈｅｎ−Ａｔｉｙａらは、金、銀および水銀等の各種金属の表面を溶液中に浸漬し、まだ金属表面が浸漬されている間にアルカンチオールをこの溶液に添加すると、アルカンチオールが金属表面上に吸着することを説明している。
【０００５】
ＳＡＭの形成中に開裂してＳＡＭをグラフトさせるのは、分子のチオール基のＳ−Ｈ結合である。
【０００６】
しかしながら、金属へのＳＡＭのグラフト中に分子の溶液が使用される場合、溶媒がグラフト領域を妨害してこの領域を減少させる。
【０００７】
具体的には、この方法により、金属領域の最大６０％が溶媒の蒸発後に被覆されているものとして測定され、これは逆に、金属表面の４０％が被覆されていないということである。
【０００８】
これは、トランジスタの電気性能の低下に反映される。
【０００９】
加えて、ピンホール、すなわちグラフトされた分子のない空隙、および他の欠陥が、湿式処理により堆積されたこれらの単分子層に形成し得る。
【００１０】
したがって、グラフトされた分子のないドメインにより隔てられたグラフトされた分子の比較的高密度のドメインが、金属表面上に形成し得る。
【００１１】
さらに、この方法では、特に金属領域のサイズが小さい場合（１００μｍのオーダー）、ＳＡＭを正確に位置付けることができない。
【００１２】
加えて、ｎ型およびｐ型半導体用のＳＡＭが異なり、またこれらのＳＡＭが隣り合って位置する場合、クロスコンタミネーションが生じる。
【００１３】
ＳＡＭは拡がり、互いに混合する。
【００１４】
また、金属は、湿式処理によりＳＡＭが形成される時に酸化することが観察され得る。
【００１５】
これは、例えば、銅、クロム、アルミニウムおよび銀等の金属で作製された表面の場合に生じる。
【００１６】
さらに、溶媒が表面の金属により弾かれ、これによって、グラフトされたＳＡＭに穴が出現し得る。
【００１７】
マイクロコンタクト印刷は、知られている別の方法である。
【００１８】
この方法は、ＳＡＭを形成するために使用されている。
【００１９】
したがって、Ｐａｒｋら、Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ、９５、１１３３１０（２００９）は、メチル基で終端された疎水性自己組織化単分子層を使用して、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）電極の表面エネルギーを局所的に変更するための方法を提案している。
【００２０】
この方法において、無水ヘキサン中のオクタデシルトリクロロシラン（ＯＴＳ）の溶液が、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）で作製されたスタンプの表面に塗布される。
【００２１】
次いで、スタンプが回転乾燥される。
【００２２】
次いで、「インク付き」スタンプを、ＩＴＯ基板表面と接触させ、８０℃で若干圧力を印加し、それによってＳｉ−Ｏ結合の自然形成を補助し、高密度の極めて局所的なＳＡＭを形成する。
【００２３】
ＳＡＭは、メチル官能基で終端された領域を形成する。
【００２４】
したがって、このプロセスにおいて、ＳＡＭを形成するために使用される分子はトリクロロシランであり、基板はＩＴＯで作製され、印加圧力は「若干」であるとされ、使用温度は８０℃である。
【００２５】
加えて、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）の性能において得られる改善は、組織化単分子層を含まないＯＬＥＤと比較して「僅か」であるされている。
【００２６】
一方、Ｌｅｅら、Ｊ．  Ｍａｔｅｒ．  Ｃｈｅｍ．  ２０１０、２０、６６３〜６６５は、マイクロコンタクトにより印刷されたナノ層を使用して得られたペンタセンベース低電圧トランジスタインバータを提供した。
【００２７】
この文献において、ペンタセンをベースとした薄膜トランジスタ（ＰＦＴ）が、マイクロコンタクト印刷により誘電材料の表面上に製造された。
【００２８】
このデバイスにおいては、７−オクテニルトリクロロシラン（７−ＯＴＳ）のＳＡＭが誘電酸化物材料ＡｌＯｘ上に印刷されて、誘電材料ＡｌＯｘの表面またはペンタセン／誘電材料界面の表面が改質された。
【００２９】
この文献において、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）で作製されたスタンプが、７−オクテニルトリクロロシラン（７−ＯＴＳ）溶液で選択的に処理され、ＰＤＭＳスタンプ上の７−ＯＴＳ単分子層が、調製された（ＡｌＯｘ）構造に、特定の圧力を使用せずに室温で転写された。
【００３０】
マイクロコンタクトにより形成された７−ＯＴＳから得られたＳＡＭを備えるインバータと、そのような組織化単分子層を有さないインバータとの間の違いは、７−ＯＴＳ分子で改質されたインバータの電圧利得が、７−ＯＴＳ  ＳＡＭで改質されていないインバータの電圧利得よりも低いこと、および、７−ＯＴＳ  ＳＡＭを有するインバータは０ボルトから−５ボルトの間の有効過渡電圧を有し、一方７−ＯＴＳ  ＳＡＭを有さないインバータは０ボルト付近の非常に僅かな過渡電圧しか有さないことであった。
【００３１】
要約すると、マイクロコンタクトにより組織化単分子層を形成する技術は、７−オクテニルトリクロロシランの組織化単分子層を形成するために、およびＡｌＯｘまたはＩＴＯ等の誘電材料上にしか適用されていない。これらの場合、関与する結合は、シラン基と金属酸化物との間の結合である。これらの種類の結合では、接触のみにより効果的なグラフトを得ることができる。しかしながら、本発明において形成されるべき結合は、硫黄原子と金属との間の結合である。この場合、グラフトを確実とするためには、圧力のみでは不十分である。加えて、先行技術においては、目的は半導体の成長であり、一方本発明においては、目的は電極内への電子の注入を改善することである。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【００３２】
【非特許文献１】Ｐａｒｋら、Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ、９５、１１３３１０（２００９）
【非特許文献２】Ｌｅｅら、Ｊ．  Ｍａｔｅｒ．  Ｃｈｅｍ．、２０１０、２０、６６３〜６６５
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００３３】
この先行技術とは対照的に、および湿式処理を使用してチオール基を含む分子をベースとしたＳＡＭを金属表面上に形成する上での問題を克服するために、本発明は、チオール基を含む分子の自己組織化単分子層を金属基板表面上に形成するための方法を使用することを提案する。
【課題を解決するための手段】
【００３４】
したがって、本発明は、チオール末端基を有する分子を含む注入自己組織化単分子層（ＳＡＭ）を金属ベース担体の表面上に生成するための方法であって、
ａ）所望の分子のＳＡＭを、スタンプの隆起領域上に堆積させるステップと、
ｂ）ＳＡＭが表面に堆積されたスタンプの隆起領域を、担体の表面に向けてホットプレスすることにより、ＳＡＭを担体の表面上に転写するステップと
を含むことを特徴とする方法を提供する。
【００３５】
好ましくは、ステップｂ）は、９０℃超およびスタンプの構成材料の融点未満の温度、ならびに１０００Ｎ以上および４００００Ｎ以下の圧力で、１分から２０分の間（これらの値を含む）行われる。
【００３６】
より好ましくは、ステップｂ）は、９５℃から１１５℃の間の温度、１０００Ｎの圧力で、５分から１０分の間（これらの値を含む）行われる。
【００３７】
ステップａ）のＳＡＭは、以下の分子：
−  ４−（メチルスルファニル）チオフェノール（ＭｅＳＴＰ）、
−  ４−メトキシチオフェノール（ＭｅＯＴＰ）、
−  ４−メチルチオフェノール（ＭｅＴＰ）、
−  ４−アミノチオフェノール（ＡＴＰ）、
−  ４−ニトロチオフェノール（ＮＯＴＰ）、
−  システアミン（ＣＴ）、
−  １−デカンチオール（ＤＴ）、
−  １Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロデカンチオール（ＰＦＤＴ）、
−  １Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロオクタンチオール（ＰＦＯＴ）、および
−  ペンタフルオロベンゼンチオール（ＰＦＢＴ）
の少なくとも１種から得られる。
【００３８】
担体に関しては、担体は、好ましくは、金、銀、銅、ニッケル、白金、パラジウムおよびアルミニウムから選択される金属、またはＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の金属酸化物で作製される。
【００３９】
スタンプに関しては、スタンプは、好ましくは、シリコーンまたはポリジメチルシロキサンで作製される。
【００４０】
ステップｂ）において、所望の温度への加熱は、担体の下に設置されたホットプレートを使用して得られてもよい。
【００４１】
しかしながら、ステップｂ）における加熱はまた、スタンプに挿入された抵抗加熱器により得られてもよい。
【００４２】
それにもかかわらず、本発明による方法が、担体が有機電子回路のトランジスタのソース電極とドレイン電極の間に設置される点で特筆すべきである場合、ステップｂ）における加熱は、有利には、これらのソース電極とドレイン電極の間に電流を通電することにより得られる。
【００４３】
ＳＡＭは、有利には、ステップａ）において湿式処理によりスタンプ上に堆積され、スタンプおよびＳＡＭはステップｂ）が実行される前に乾燥される。
【発明を実施するための形態】
【００４４】
以下の説明の記述を読めば、本発明がより良く理解され、また本発明の他の特徴および利点がより明確となる。
【００４５】
チオール末端基を含む分子から形成された自己組織化単分子層（注入ＳＡＭ）を金属担体の表面上に生成するための本発明による方法は、上にＳＡＭが堆積されたスタンプのホットプレスにより、ＳＡＭを金属担体の表面上に転写するステップを含む。
【００４６】
より正確には、ＳＡＭは、スタンプの隆起領域上に堆積される。
【００４７】
ＳＡＭは、分子のチオール末端基を介して担体の表面にグラフトされる。
【００４８】
金属担体は、好ましくは、金、銀、銅、ニッケル、白金、パラジウムおよびアルミニウムから選択される。最も好ましくは、金属担体は、金で作製される。
【００４９】
本発明の方法において好ましく使用されるチオール末端基を有する分子は、以下の分子である：
−  ｎ型半導体に対して、仕事関数、特に金の仕事関数を修正するために組織化単分子層形態で使用される、４−（メチルスルファニル）チオフェノール（ＭｅＳＴＰ）。この場合、ｎ型半導体に対する仕事関数は４．１９ｅＶである。
−  ｎ型半導体に対して、仕事関数、特に金の仕事関数を修正するために使用される、４−メトキシチオフェノール（ＭｅＯＴＰ）。この場合、ｎ型半導体に対する仕事関数は４．２４ｅＶである。
−  ｎ型半導体に対して、仕事関数、特に金の仕事関数を修正するために使用される、４−メチルチオフェノール（ＭｅＴＰ）。この場合、仕事関数は４．２８ｅＶである。
−  ｎ型半導体に対して、仕事関数、特に金の仕事関数を修正するために使用される、４−アミノチオフェノール（ＡＴＰ）。この場合、仕事関数は４．６４ｅＶである。
−  ｎ型半導体に対して、仕事関数、特に金の仕事関数を修正するために使用される、１デカンチオール（ＤＴ）。この場合、仕事関数は４．２９ｅＶである。
−  ｎ型半導体に対して、仕事関数、特に金の仕事関数を修正するために使用される、システアミン（ＣＴ）。この場合は、仕事関数は４．６８ｅＶである。
−  ｐ型半導体に対して、仕事関数、特に金の仕事関数を修正するために使用される、４−ニトロチオフェノール（ＮＯＴＰ）。この場合、仕事関数は４．８４ｅＶである。
−  ｐ型半導体に対して、仕事関数、特に金の仕事関数を修正するために使用される、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロデカンチオール（ＰＦＤＴ）。
−  ｐ型半導体に対して、仕事関数、特に金の仕事関数を修正するために使用される、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロオクタンチオール（ＰＦＯＴ）。および、
−  ｐ型半導体に対して、仕事関数、特に金の仕事関数を修正するために使用される、ペンタフルオロベンゼンチオール（ＰＦＢＴ）。この場合、仕事関数は５．５ｅＶである。
【００５０】
参考として、未処理の金の仕事関数は、４．７５ｅＶである。
【００５１】
本発明の方法は、電気性能、特に、金属、より好ましくは金、銀、銅、ニッケル、白金、パラジウムおよびアルミニウム層（２０ｎｍから１００ｎｍの間（これらの値を含む）の厚さ）と、有機半導体、例えばｐ型半導体であるペンタセン、またはｎ型半導体であるペリレン−ジイミドとの間の注入を改善するために、マイクロコンタクト印刷による担体の表面上へのＳＡＭの転写中に圧力および熱の両方を使用することにある。
【００５２】
したがって、好ましくは、マイクロコンタクト印刷によりＳＡＭを転写するステップは、９０℃超および表面上にＳＡＭが堆積されるスタンプの構成材料の融点未満の温度、ならびに１０００Ｎ以上および４００００Ｎ以下の圧力で、１分から２０分の間（これらの値を含む）行われる。
【００５３】
しかしながら、好ましくは、プロセスの工業化に関連した理由から、５分から１０分の間の印刷時間が好ましい。
【００５４】
したがって、この場合、ＳＡＭを転写するステップは、好ましくは、９５℃から１１５℃の間（これらの値を含む）の温度、１０００Ｎの圧力で、５分から１０分の間（これらの値を含む）の期間行われる。
【００５５】
ＳＡＭ転写に必要な加熱は、金属担体の下に設置されたホットプレートを使用して得られてもよい。
【００５６】
しかしながら、加熱は、上にＳＡＭが堆積されるスタンプに抵抗加熱器を挿入することにより得られてもよい。
【００５７】
加熱はまた、担体がすでに有機電子回路のトランジスタのソース電極とドレイン電極の間に設置されている場合、これらのソース電極とドレイン電極の間に電流を通電することにより得られてもよい。
【００５８】
転写を達成するために、上にＳＡＭが堆積される、例えばシリコーンまたはポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）で作製されたスタンプが使用される。
【００５９】
本発明においては、シリコーンスタンプを使用することが好ましい。
【００６０】
したがって、本発明の方法はまた、所望のＳＡＭを、スタンプの隆起領域上に堆積させるステップを含んでもよい。
【００６１】
この堆積は、当該技術分野において知られている様式で、湿式処理により行われてもよい。
【００６２】
次いで、ＳＡＭで被覆されたスタンプは、ＳＡＭが担体の金属表面上に転写される前に乾燥される。
【００６３】
ここで、本発明をより良く理解することができるように、純粋に例示的および非限定的な例を用いて、本発明のいくつかの実施形態を説明する。
例１（比較例）
４−（メチルスルファニル）チオフェノール（ＭｅＳＴＰ）を、エタノールに分散させた。次に、この溶液を、シリコーンで作製された型の上に分散させた。次いで、型の上に分子のみを残すために、エタノールを６０℃で蒸発させた。
【００６４】
次いで、シリコーンの型および試料を対向するように設置し、１０００Ｎの圧力を使用して、６０℃で１分間型を金試料の表面に押し付けた。
【００６５】
より正確には、試料は、金電極であった。この電極を酸素プラズマで事前に処理した。これは、機械的に、またはＵＶ下でオゾンにより処理されていてもよい。この処理は、本発明の方法を行う前に金属表面に均一性をもたらすように作用した。
【００６６】
しかしながら、電極はまた、ピラニア溶液（硫酸＋過酸化水素水（ｏｘｙｇｅｎａｔｅｄ  ｗａｔｅｒ））中で数分間洗浄し、次いで水中で洗浄してから、硫酸中で再構造化し、それにより表面をキャップ除去することによって、所望の表面状態にされていてもよい。
【００６７】
この再構造化は、電極の表面上に形成された酸化金を破壊するが、この酸化金は、チオールの吸着およびグラフトを妨げる。
例２（比較例）
手順は、例１の手順であったが、１００００Ｎの圧力を使用した。
例３（比較例）
手順は、例１の手順であったが、４００００Ｎの圧力を使用した。
例４〜６（比較例）
手順は、それぞれ例１、２および３の手順であったが、５分の印刷時間を使用した。
例７〜９（比較例）
手順は、それぞれ例１、２および３の手順であったが、１０分の印刷時間を使用した。
例１０〜１２（比較例）
手順は、それぞれ例１、２および３の手順であったが、１５分の印刷時間を使用した。
例１３〜１５（比較例）
手順は、それぞれ例１、２および３の手順であったが、印刷中、８０℃の温度を使用した。
例１６〜１８（比較例）
手順は、それぞれ例１、２および３の手順であったが、５分の印刷時間および８０℃の印刷温度を使用した。
例１９〜２１（比較例）
手順は、それぞれ例１、２および３の手順であったが、１０分の印刷時間および８０℃の印刷温度を使用した。
例２２〜２４（比較例）
手順は、それぞれ例１、２および３の手順であったが、１５分の印刷時間および８０℃の印刷温度を使用した。
例２５（比較例）
手順は、例１の手順であったが、１００℃の印刷温度を使用した。
例２６〜２７
手順は、それぞれ例２および３の手順であったが、１００℃の印刷温度を使用した。
例２８〜３０
手順は、それぞれ例１、２および３の手順であったが、５分の印刷時間および１００℃の印刷温度を使用した。
例３１〜３３
手順は、それぞれ例１、２および３の手順であったが、１０分の印刷時間および１００℃の印刷温度を使用した。
例３４〜３６
手順は、それぞれ例１、２および３の手順であったが、１５分の印刷時間および１００℃の印刷温度を使用した。
例３７〜３９
手順は、それぞれ例１、２および３の手順であったが、１分の印刷時間および１１５℃の印刷温度を使用した。
例４０〜４２
手順は、それぞれ例１、２および３の手順であったが、５分の印刷時間および１１５℃の印刷温度を使用した。
例４３〜４５
手順は、それぞれ例１、２および３の手順であったが、１０分の印刷時間および１１５℃の印刷温度を使用した。
例４６〜４８
手順は、それぞれ例１、２および３の手順であったが、１５分の印刷時間および１１５℃の印刷温度を使用した。
【００６８】
ＳＡＭが実際にグラフトされたか否かを決定するために、本発明による方法で処理された表面上の水の接触角を測定した。
【００６９】
水滴の接触角の測定により、表面の自由エネルギーを推定することができた。
【００７０】
この測定は、表面が変化したか否か、およびどのように変化したか、ならびにグラフトされた表面が本質的に極性または非極性か否かの指標を提供する。
【００７１】
参考として、ＳＡＭがグラフトされていない未処理の金の表面エネルギーは４２ｍＮ／ｃｍ２であり、未処理の金に対する水の接触角は７０度である。
【００７２】
電気接触もまた試験した。
【００７３】
上記例１〜４８に対するこれらの測定の結果を、以下の表１に示す。
【００７４】
【表１】
0006018584.tif 000002
【００７５】
未処理の金表面とＳＡＭがグラフトされた金表面（例２６〜４５）との間の水滴の接触角の明確な差が、この表から確認される。
例４９
また、マイクロコンタクト印刷中に加熱せずに試験を行った。
【００７６】
この試験は、１００００Ｎの圧力で、５分の印刷時間を使用して行った。
【００７７】
この場合、電気接触は非常に乏しかった。
例５０
手順は、例１の手順であったが、１１５℃の印刷温度を使用した。
【００７８】
ＳＡＭは良好にグラフトされ、得られた電気接触は良好であった。
例５１〜５９
手順は、例４６の手順であったが、それぞれ以下の分子を使用した：
−  ４−メトキシチオフェノール（ＭｅＯＴＰ）、
−  ４−メチルチオフェノール（ＭｅＴＰ）、
−  ４−アミノチオフェノール（ＡＴＰ）、
−  ４−ニトロチオフェノール（ＮＯＴＰ）、
−  システアミン（ＣＴ）、
−  １−デカンチオール（ＤＴ）、
−  １Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロデカンチオール（ＰＦＤＴ）、
−  １Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロオクタンチオール（ＰＦＯＴ）、および
−  ペンタフルオロベンゼンチオール（ＰＦＢＴ）。
【００７９】
得られた結果は、例４６において使用したＭｅＳＴＰで得られた結果と同一であった。
例６０
この例では、グラフトされた分子はＰＦＢＴであり、本発明の方法を使用して上にＰＦＢＴ分子がグラフトされた試料は、担体のＩＴＯ領域であった。
【００８０】
まず、試料を、１％酢酸溶液中での最初のキャップ除去処理に供した。
【００８１】
また、別の酸またはさらには塩基の溶液が使用されてもよい。
【００８２】
ＰＦＢＴをエタノールに分散させ、次いで得られた溶液をシリコーンの型の上に分散させた。
【００８３】
次いで、型の上に分子のみを残すために、エタノールを蒸発させた。
【００８４】
次いで、シリコーンの型および試料、またはより正確には試料のＩＴＯ領域を対向するように設置し、３５０００Ｎの圧力を使用して、１１５℃の温度で１０分間型をＩＴＯ領域の表面に押し付けた。
【００８５】
得られた試料を、上述のように試験した。
【００８６】
水滴接触角は９５°であり、ＰＦＢＴがＩＴＯ領域上にグラフトされたことを示した。
【００８７】
結論として、本発明の方法によって、有機トランジスタの生産のための、高密度、小型および高性能単分子層を、マイクロコンタクト印刷により形成することができる。