(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
軸線方向に延びる中心電極と、前記軸線方向に延びる軸孔を有し前記軸孔に前記中心電極が配置される絶縁体と、前記絶縁体の外周に配置される主体金具と、 前記主体金具と電気的に接続し前記中心電極との間でギャップを形成する接地電極と、を有するスパークプラグの製造方法であって、
前記主体金具と前記絶縁体と前記中心電極とを組み付けた組立体を形成する組み付け工程と、
前記組立体の前記主体金具と前記中心電極との間に電圧を印加する印加工程と、
前記電圧の印加中に、前記組立体の先端部に向けた光センサから出力される出力値を用いて、前記絶縁体を貫通する放電と、前記絶縁体を貫通せずに前記絶縁体の表面を通る放電と、のいずれが生じたのかを判定する判定工程と、
前記判定工程によって、前記絶縁体を貫通する放電が生じていないと判定された場合に、前記接地電極と前記中心電極との間の前記ギャップを形成する工程と、
を備える、製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の製造方法であって、
前記絶縁体は、
前記軸線方向の先端側に向けて外径が小さくなる縮外径部と、
前記縮外径部の後端側に設けられた部分である大径部と、
を有し、
前記主体金具は、前記軸線方向の先端側に向けて内径が小さくなる縮内径部を有し、
前記組立体は、前記縮外径部と前記縮内径部との間に挟まれたパッキンを有し、
前記絶縁体の前記大径部と前記縮外径部との境界部から、前記主体金具の先端までの、前記軸線方向と平行な長さは、５ｍｍ以上、かつ、１３ｍｍ以下であり、
前記判定工程では、３２０ｎｍ以上の波長帯を用いて出力される前記出力値が用いられる、
製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の製造方法であって、
前記判定工程では、
前記組立体の中心軸上から前記組立体の前記先端部に向けた光センサである正面センサと、
前記組立体の前記中心軸から離れた位置から前記組立体の前記先端部に向けた光センサである側方センサと、
を含む複数の光センサが用いられる、製造方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載の製造方法であって、
前記判定工程では、前記組立体の中心軸から離れた位置から前記組立体の前記先端部に向けた光センサである第１側方センサと第２側方センサと、を含む複数の光センサが用いられ、
前記中心軸から前記第１側方センサに向かう方向と、前記中心軸から前記第２側方センサに向かう方向と、の間の角度は、１２０度以上である、
製造方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載の製造方法であって、
前記判定工程では、前記組立体の中心軸上から前記組立体の前記先端部に向けた正面センサが、前記光センサとして用いられ、
前記組立体の前記先端部では、前記主体金具と前記絶縁体との間に、前記中心軸を中心とし、先端側に向けて開口する環状の空間が形成されており、
前記正面センサは、前記主体金具の先端の内周側の輪郭と、前記絶縁体の外周側の輪郭とが、互いに離れて見える位置に配置されている、
製造方法。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１項に記載の製造方法であって、
前記判定工程では、前記組立体の前記中心軸から離れた位置から前記組立体の前記先端部に向けた光センサである側方センサが、前記光センサとして用いられ、
前記側方センサは、前記組立体の前記中心軸から見て、前記接地電極が配置されている方向とは異なる方向に、配置されている、製造方法。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか１項に記載の製造方法であって、
前記接地電極と前記中心電極との間の前記ギャップを形成する工程は、前記接地電極を曲げることによって前記ギャップを形成する工程である、
製造方法。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか１項に記載の製造方法であって、
前記判定工程で前記絶縁体を貫通する放電が生じたと判定されるための条件は、前記出力値が、明るさが所定の閾値以下であることを示すこと、を含む、製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スパークプラグの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、内燃機関に、スパークプラグが用いられている。スパークプラグとしては、例えば、軸線方向に延びる中心電極と、軸線方向に延びる軸孔を有し軸孔の先端側に中心電極が挿設される絶縁体と、絶縁体の外周に配置される主体金具と、主体金具と電気的に導通する接地電極と、を有するスパークプラグが知られている。また、スパークプラグを製造する際に、スパークプラグの不具合の検査が行われる場合がある。例えば、絶縁体の絶縁性能（すなわち、耐電圧性能）を検査する方法として、大気圧よりも高い圧力の雰囲気にさらすことによって放電を抑制した状態で、主体金具と中心電極との間に電位差を生じさせる方法が提案されている。主体金具と中心電極との間に電位差を生じさせた場合の電流の変化を利用して、絶縁体を貫通する放電（以下「貫通放電」と呼ぶ）が生じたか否かが判定される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−１８５９６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところが、主体金具と中心電極との間に電位差を生じさせる場合、絶縁体を貫通せずに、絶縁体の表面を通る放電が生じる場合がある（以下、「沿面放電」と呼ぶ）。沿面放電が生じた場合には、貫通放電が生じた場合と同様に、電流や電圧の波形が変化する。従って、貫通放電が生じない場合、すなわち、絶縁体の絶縁性能が十分である場合であっても、沿面放電が生じることによって、絶縁体を貫通する放電が生じたと誤判定される場合があった。
【０００５】
本発明の主な利点は、絶縁体を貫通する放電が生じたか否かの判定の精度を向上することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の態様または適用例として実現することが可能である。
［態様］
軸線方向に延びる中心電極と、前記軸線方向に延びる軸孔を有し前記軸孔に前記中心電極が配置される絶縁体と、前記絶縁体の外周に配置される主体金具と、 前記主体金具と電気的に接続し前記中心電極との間でギャップを形成する接地電極と、を有するスパークプラグの製造方法であって、
前記主体金具と前記絶縁体と前記中心電極とを組み付けた組立体を形成する組み付け工程と、
前記組立体の前記主体金具と前記中心電極との間に電圧を印加する印加工程と、
前記電圧の印加中に、前記組立体の先端部に向けた光センサから出力される出力値を用いて、前記絶縁体を貫通する放電と、前記絶縁体を貫通せずに前記絶縁体の表面を通る放電と、のいずれが生じたのかを判定する判定工程と、
前記判定工程によって、前記絶縁体を貫通する放電が生じていないと判定された場合に、前記接地電極と前記中心電極との間の前記ギャップを形成する工程と、
を備える、製造方法。
【０００７】
［適用例１］
軸線方向に延びる中心電極と、前記軸線方向に延びる軸孔を有し前記軸孔に前記中心電極が配置される絶縁体と、前記絶縁体の外周に配置される主体金具と、前記主体金具と電気的に接続し前記中心電極との間でギャップを形成する接地電極と、を有するスパークプラグの製造方法であって、
前記主体金具と前記絶縁体と前記中心電極とを組み付けた組立体を形成する組み付け工程と、
前記組立体の前記主体金具と前記中心電極との間に電圧を印加する印加工程と、
前記電圧の印加中に、前記組立体の先端部に向けた光センサから出力される出力値を用いて、前記絶縁体を貫通する放電が生じたか否かを判定する判定工程と、
を備える、製造方法。
【０００８】
この構成によれば、光センサからの出力値を用いて、絶縁体を貫通する放電が生じたか否かが判定される。従って、絶縁体を貫通せずに絶縁体の表面を通る放電が生じた場合に、絶縁体を貫通する放電が生じたと誤って判定されることを抑制できる。この結果、絶縁体を貫通する放電が生じたか否かの判定の精度を向上できる。
【０００９】
［適用例２］
適用例１に記載の製造方法であって、
前記絶縁体は、
前記軸線方向の先端側に向けて外径が小さくなる縮外径部と、
前記縮外径部の後端側に設けられた部分である大径部と、
を有し、
前記主体金具は、前記軸線方向の先端側に向けて内径が小さくなる縮内径部を有し、
前記組立体は、前記縮外径部と前記縮内径部との間に挟まれたパッキンを有し、
前記絶縁体の前記大径部と前記縮外径部との境界部から、前記主体金具の先端までの、前記軸線方向と平行な長さは、５ｍｍ以上、かつ、１３ｍｍ以下であり、
前記判定工程では、３２０ｎｍ以上の波長帯を用いて出力される前記出力値が用いられる、
製造方法。
【００１０】
この構成によれば、絶縁体の境界部から先端側の部分のうちの主体金具によって覆われている部分の長さが１３ｍｍ以下と短い場合であっても、絶縁体を貫通する放電が生じたか否かの判定の精度を向上できる。
【００１１】
［適用例３］
適用例１または２に記載の製造方法であって、
前記判定工程では、
前記組立体の中心軸上から前記組立体の前記先端部に向けた光センサである正面センサと、
前記組立体の前記中心軸から離れた位置から前記組立体の前記先端部に向けた光センサである側方センサと、
を含む複数の光センサが用いられる、製造方法。
【００１２】
この構成によれば、正面センサからの出力値と、側方センサからの出力値と、を用いることによって、絶縁体を貫通する放電が生じたか否かの判定の精度を向上できる。
【００１３】
［適用例４］
適用例１から３のいずれか１項に記載の製造方法であって、
前記判定工程では、前記組立体の中心軸から離れた位置から前記組立体の前記先端部に向けた光センサである第１側方センサと第２側方センサと、を含む複数の光センサが用いられ、
前記中心軸から前記第１側方センサに向かう方向と、前記中心軸から前記第２側方センサに向かう方向と、の間の角度は、１２０度以上である、
製造方法。
【００１４】
この構成によれば、第１側方センサからの出力値と、第２側方センサからの出力値と、を用いることによって、絶縁体を貫通する放電が生じたか否かの判定の精度を向上できる。
【００１５】
［適用例５］
適用例１から４のいずれか１項に記載の製造方法であって、
前記判定工程では、前記組立体の中心軸上から前記組立体の前記先端部に向けた正面センサが、前記光センサとして用いられ、
前記組立体の前記先端部では、前記主体金具と前記絶縁体との間に、前記中心軸を中心とし、先端側に向けて開口する環状の空間が形成されており、
前記正面センサは、前記主体金具の先端の内周側の輪郭と、前記絶縁体の外周側の輪郭とが、互いに離れて見える位置に配置されている、
製造方法。
【００１６】
この構成によれば、正面センサは、放電の位置に拘わらずに、放電による明るさを反映した出力値を適切に出力できるので、絶縁体を貫通する放電が生じたか否かの判定の精度を向上できる。
【００１７】
［適用例６］
適用例１から５のいずれか１項に記載の製造方法であって、
前記判定工程では、前記組立体の前記中心軸から離れた位置から前記組立体の前記先端部に向けた光センサである側方センサが、前記光センサとして用いられ、
前記側方センサは、前記組立体の前記中心軸から見て、前記接地電極が配置されている方向とは異なる方向に、配置されている、製造方法。
【００１８】
この構成によれば、側方センサからみて、放電が接地電極に隠れることが抑制されるので、絶縁体を貫通する放電が生じたか否かの判定の精度を向上できる。
【００１９】
［適用例７］
適用例１から６のいずれか１項に記載の製造方法であって、さらに、
前記判定工程によって、前記絶縁体を貫通する放電が生じていないと判定された場合に、前記接地電極を曲げることによって、前記接地電極と前記中心電極との間のギャップを形成する工程を有する、
製造方法。
【００２０】
この構成によれば、判定工程によって絶縁体を貫通する放電が生じていないと判定された場合に、接地電極を曲げることによってギャップが形成されるので、スパークプラグを適切に製造できる。
【００２１】
［適用例８］
適用例１から７のいずれか１項に記載の製造方法であって、
前記判定工程で前記絶縁体を貫通する放電が生じたと判定されるための条件は、前記出力値が、明るさが所定の閾値以下であることを示すこと、を含む、製造方法。
【００２２】
この構成によれば、適切な判定を実現できる。
【００２３】
なお、本発明は、種々の態様で実現することが可能であり、例えば、スパークプラグ用の組立体の検査方法、スパークプラグの製造方法、その製造方法によって製造されたスパークプラグ、等の態様で実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】スパークプラグの一例の断面図である。
【図２】スパークプラグ１００の製造方法の一例を示すフローチャートである。
【図３】検査装置９００の概略図である。
【図４】第１放電経路Ｐｔ１を示す概略図である。
【図５】第２放電経路Ｐｔ２を示す概略図である。
【図６】第１評価試験の結果を示すグラフである。
【図７】第２評価試験の結果を示すグラフである。
【図８】第３評価試験の結果を示すグラフである。
【図９】配置構成ＦＡ〜ＦＫと光センサ３００の配置と判定条件とを示す表である。
【図１０】組立体１００ｘの先端部分の概略図である。
【図１１】相対位置Ｐ１〜Ｐ６の説明図である。
【図１２】第４評価試験の結果を示すグラフである。
【図１３】中心軸ＣＬ上の位置から見た組立体１００ｘの先端部の概略図である。
【図１４】中心軸ＣＬから若干離れた位置から見た組立体１００ｘの先端部の概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
Ａ．実施形態：
Ａ−１．スパークプラグの構成：
図１は、実施形態の製造方法によって製造されるスパークプラグの一例の断面図である。図示されたラインＣＬは、スパークプラグ１００の中心軸を示している。図示された断面は、中心軸ＣＬを含む断面である。以下、中心軸ＣＬのことを「軸線ＣＬ」とも呼び、中心軸ＣＬと平行な方向を「軸線方向」とも呼ぶ。中心軸ＣＬを中心とする円の径方向を、単に「径方向」とも呼び、中心軸ＣＬを中心とする円の円周方向を「周方向」とも呼ぶ。中心軸ＣＬと平行な方向のうち、図１における下方向を先端方向Ｄ１と呼び、上方向を後端方向Ｄ２とも呼ぶ。先端方向Ｄ１は、後述する端子金具４０から電極２０、３０に向かう方向である。また、図１における先端方向Ｄ１側をスパークプラグ１００の先端側と呼び、図１における後端方向Ｄ２側をスパークプラグ１００の後端側と呼ぶ。
【００２６】
スパークプラグ１００は、絶縁体１０（以下「絶縁碍子１０」とも呼ぶ）と、中心電極２０と、接地電極３０と、端子金具４０と、主体金具５０と、導電性の第１シール部６０と、抵抗体７０と、被覆部２９０と、導電性の第２シール部８０と、先端側パッキン８と、タルク９と、第１後端側パッキン６と、第２後端側パッキン７と、を備えている。
【００２７】
絶縁体１０は、中心軸ＣＬに沿って延びて絶縁体１０を貫通する貫通孔１２（以下「軸孔１２」とも呼ぶ）を有する略円筒状の部材である。絶縁体１０は、アルミナを焼成して形成されている（他の絶縁材料も採用可能である）。絶縁体１０は、先端側から後端方向Ｄ２に向かって順番に並ぶ、脚部１３と、第１縮外径部１５と、先端側胴部１７と、鍔部１９と、第２縮外径部１１と、後端側胴部１８と、を有している。第１縮外径部１５の外径は、後端側から先端側に向かって、徐々に小さくなる。絶縁体１０の第１縮外径部１５の近傍（図１の例では、先端側胴部１７）には、後端側から先端側に向かって内径が徐々に小さくなる縮内径部１６が形成されている。第２縮外径部１１の外径は、先端側から後端側に向かって、徐々に小さくなる。
【００２８】
絶縁体１０の軸孔１２の先端側には、中心軸ＣＬに沿って延びる棒状の中心電極２０が挿入されている。中心電極２０は、先端側から後端方向Ｄ２に向かって順番に並ぶ、脚部２５と、鍔部２４と、頭部２３と、を有している。脚部２５の先端側の部分は、絶縁体１０の先端側で、軸孔１２の外に露出している。中心電極２０の他の部分は、軸孔１２内に配置されている。鍔部２４の先端方向Ｄ１側の面は、絶縁体１０の縮内径部１６によって、支持されている。また、中心電極２０は、電極母材２１と、電極母材２１の内部に埋設された芯材２２と、を有している。電極母材２１は、例えば、ニッケルを主成分として含む合金であるインコネル（「ＩＮＣＯＮＥＬ」は、登録商標）を用いて形成されている。芯材２２は、電極母材２１よりも熱伝導率が高い材料（例えば、銅を含む合金）で形成されている。
【００２９】
絶縁体１０の軸孔１２の後端側には、端子金具４０が挿入されている。端子金具４０は、導電材料（例えば、低炭素鋼等の金属）を用いて形成されている。端子金具４０は、後端側から先端方向Ｄ１に向かって順番で並ぶ、キャップ装着部４１と、鍔部４２と、脚部４３と、を有している。キャップ装着部４１は、絶縁体１０の後端側で、軸孔１２の外に露出している。脚部４３は、絶縁体１０の軸孔１２に挿入されている。
【００３０】
絶縁体１０の軸孔１２内において、端子金具４０と中心電極２０との間には、電気的なノイズを抑制するための、円柱状の抵抗体７０が配置されている。抵抗体７０と中心電極２０との間は、導電性の第１シール部６０が配置され、抵抗体７０と端子金具４０との間には、導電性の第２シール部８０が配置されている。中心電極２０と端子金具４０とは、抵抗体７０とシール部６０、８０とを介して、電気的に接続される。シール部６０、８０を用いることによって、積層される部材２０、６０、７０、８０、４０間の接触抵抗が安定し、中心電極２０と端子金具４０との間の電気抵抗値を安定させることができる。なお、抵抗体７０は、例えば、主成分であるガラス粒子（例えば、Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系のガラス）と、セラミック粒子（例えば、ＴｉＯ２）と、導電性材料（例えば、Ｍｇ）と、を用いて形成されている。シール部６０、８０は、例えば、抵抗体７０と同様のガラス粒子と、金属粒子（例えば、Ｃｕ）と、を用いて形成されている。
【００３１】
主体金具５０は、中心軸ＣＬに沿って延びて主体金具５０を貫通する貫通孔５９を有する略円筒状の部材である。主体金具５０は、低炭素鋼材を用いて形成されている（他の導電材料（例えば、金属材料）も採用可能である）。主体金具５０の貫通孔５９には、絶縁体１０が挿入されている。主体金具５０は、絶縁体１０の外周に固定されている。主体金具５０の先端側では、絶縁体１０の先端（本実施形態では、脚部１３の先端側の部分）が、貫通孔５９の外に露出している。主体金具５０の後端側では、絶縁体１０の後端（本実施形態では、後端側胴部１８の後端側の部分）が、貫通孔５９の外に露出している。
【００３２】
主体金具５０は、先端側から後端側に向かって順番に並ぶ、胴部５５と、座部５４と、変形部５８と、工具係合部５１と、加締部５３と、を有している。座部５４は、鍔状の部分である。胴部５５の外周面には、内燃機関（例えば、ガソリンエンジン）の取付孔に螺合するためのネジ部５２が形成されている。座部５４とネジ部５２との間には、金属板を折り曲げて形成された環状のガスケット５が嵌め込まれている。
【００３３】
主体金具５０は、変形部５８よりも先端方向Ｄ１側に配置された、縮内径部５６を有している。縮内径部５６の内径は、後端側から先端側に向かって、徐々に小さくなる。主体金具５０の縮内径部５６と、絶縁体１０の第１縮外径部１５と、の間には、先端側パッキン８が挟まれている。先端側パッキン８は、鉄製のＯリングである（他の材料（例えば、銅等の金属材料）も採用可能である）。
【００３４】
工具係合部５１の形状は、スパークプラグレンチが係合する形状（例えば、六角柱）である。工具係合部５１の後端側には、加締部５３が設けられている。加締部５３は、絶縁体１０の第２縮外径部１１よりも後端側に配置され、主体金具５０の後端（すなわち、後端方向Ｄ２側の端）を形成する。加締部５３は、径方向の内側に向かって屈曲されている。
【００３５】
主体金具５０の後端側では、主体金具５０の内周面と、絶縁体１０の外周面と、の間に、環状の空間ＳＰが形成されている。本実施形態では、この空間ＳＰは、主体金具５０の加締部５３および工具係合部５１と、絶縁体１０の第２縮外径部１１および後端側胴部１８と、に囲まれた空間である。この空間ＳＰ内の後端側には、第１後端側パッキン６が配置されている。この空間ＳＰ内の先端側には、第２後端側パッキン７が配置されている。本実施形態では、これらの後端側パッキン６、７は、鉄製のＣリングである（他の材料も採用可能である）。空間ＳＰ内における２つの後端側パッキン６、７の間には、タルク（滑石）９の粉末が充填されている。
【００３６】
スパークプラグ１００の製造時には、加締部５３が内側に折り曲がるように加締められる。そして、加締部５３が先端方向Ｄ１側に押圧される。これにより、変形部５８が変形し、パッキン６、７とタルク９とを介して、絶縁体１０が、主体金具５０内で、先端側に向けて押圧される。先端側パッキン８は、第１縮外径部１５と縮内径部５６との間で押圧され、そして、主体金具５０と絶縁体１０との間をシールする。以上により、内燃機関の燃焼室内のガスが、主体金具５０と絶縁体１０との間を通って外に漏れることが、抑制される。また、主体金具５０が、絶縁体１０に、固定される。
【００３７】
接地電極３０は、主体金具５０の先端（すなわち、先端方向Ｄ１側の端）に接合されている。本実施形態では、接地電極３０は、棒状の電極である。接地電極３０は、主体金具５０から先端方向Ｄ１に向かって延び、中心軸ＣＬに向かって曲がって、先端部３１に至る。先端部３１は、中心電極２０の先端面２０ｓ１（先端方向Ｄ１側の表面２０ｓ１）との間でギャップｇを形成する。また、接地電極３０は、主体金具５０に、電気的に導通するように、接合されている（例えば、レーザ溶接）。接地電極３０は、接地電極３０の表面を形成する母材３５と、母材３５内に埋設された芯部３６と、を有している。母材３５は、例えば、インコネルを用いて形成されている。芯部３６は、母材３５よりも熱伝導率が高い材料（例えば、純銅）を用いて形成されている。
【００３８】
また、スパークプラグ１００の先端部では、主体金具５０（ここでは、胴部５５）と絶縁体１０（ここでは、脚部１３）との間に、中心軸ＣＬを中心とし、先端方向Ｄ１に向けて開口する環状の空間Ｓｆが形成されている。
【００３９】
Ａ−２．スパークプラグの製造方法：
図２は、実施形態の製造方法の一例を示すフローチャートである。最初のステップＳ１００では、組立体が形成される。組立体は、図１に示す完成したスパークプラグ１００の接地電極３０を屈曲する前の状態のものである。組立体を形成する方法としては、公知の種々の方法を採用可能である。例えば、以下に説明する方法を採用可能である。
【００４０】
まず、絶縁体１０と中心電極２０と接地電極３０と端子金具４０と主体金具５０とを製造する。接地電極３０としては、この段階では、曲げる前の直線状の部材が製造される。これらの部材１０、２０、３０、４０、５０の製造方法としては、公知の種々の方法を採用可能であり、詳細な説明を省略する。なお、製造する代わりに、購入することによって、少なくとも一部の部材を準備してもよい。
【００４１】
次に、軸孔１２内の縮内径部１６によって支持される位置（図１）に、中心電極２０を配置する。そして、第１シール部６０の材料粉末と、抵抗体７０の材料粉末と、第２シール部８０の材料粉末とを、この順番に、軸孔１２内に充填する。そして、絶縁体１０を、各材料粉末に含まれるガラス成分の軟化点よりも高い所定温度まで加熱し、所定温度に加熱した状態で、軸孔１２の後端方向Ｄ２側の開口から、端子金具４０を軸孔１２に挿入する。この結果、各材料粉末が圧縮および焼結されて、第１シール部６０と、抵抗体７０と、第２シール部８０とのそれぞれが形成される。
【００４２】
次に、絶縁体１０に主体金具５０を固定する。固定方法としては、図１で説明した方法を採用可能である。次に、主体金具５０の先端に、屈曲前の直線状の接地電極３０を固定する。固定方法としては、例えば、溶接を採用可能である。なお、主体金具５０に接地電極３０を固定した後に、絶縁体１０に主体金具５０を固定してもよい。以上により、組立体が形成される。
【００４３】
図２のステップＳ１１０からＳ１４０では、絶縁体１０の絶縁性能（耐電圧性能）が、検査装置によって、検査される。この検査では、中心電極２０と主体金具５０との間に電圧を印加する場合に、絶縁体１０の絶縁が破壊されずに維持されるか否かが、検査される。図３は、検査装置９００の概略図である。検査装置９００は、組立体１００ｘが装着される試験台２００と、光センサ３００と、組立体１００ｘに電圧を印加する電源装置４００と、データ処理を実行する処理装置５００と、を有している。電源装置４００は、放電用の電圧を出力する電圧印加回路４１０と、出力される電圧の時間微分値を取得する微分回路４２０と、を有している。処理装置５００は、アナログ信号をデジタルデータに変換するＡＤコンバータ５１０と、データ処理を実行するデータ処理部５２０と、を有している。データ処理部５２０は、例えば、ＣＰＵと記憶装置とを有するコンピュータである。
【００４４】
図中では、試験台２００の概略断面図が示されている。図中の中心軸ＣＬと方向Ｄ１、Ｄ２とは、試験台２００に装着された組立体１００ｘの向きに合わせて、示されている。試験台２００の断面は、中心軸ＣＬを含む断面である。
【００４５】
試験台２００は、容器２１０と、窓部材２２０と、窓枠２３０と、を有している。容器２１０には、組立体１００ｘを取り付けるための取付孔２１２と、取付孔２１２に取り付けられた組立体１００ｘの先端部を収容する収容室２１４と、収容室２１４の先端方向Ｄ１側に配置された開口２１６と、が形成されている。開口２１６は、窓部材２２０によって塞がれている。窓部材２２０は、光を通す材料（ここでは、ガラス）を用いて形成されている。窓部材２２０の先端方向Ｄ１側には、窓枠２３０が配置されている。窓枠２３０は、窓部材２２０の縁を全周に亘って支持するループ状の部材である。窓部材２２０は、容器２１０と窓枠２３０とに挟まれた状態で、容器２１０に固定されている。窓部材２２０の先端方向Ｄ１側からは、窓部材２２０を通じて、組立体１００ｘの先端部を観察することが可能である。
【００４６】
窓部材２２０の先端方向Ｄ１側には、光センサ３００が配置されている。光センサ３００は、光の強度（すなわち、明るさ）に応じた出力値を出力するセンサである。本実施形態では、光センサ３００は、フォトダイオードであり、光の強度に応じた電流を出力する。光センサ３００は、窓部材２２０の先端方向Ｄ１側の中心軸ＣＬ上に、配置されている。光センサ３００の受光面（図示省略）は、中心軸ＣＬ上から、後端方向Ｄ２側を、すなわち、組立体１００ｘの先端部を、向いている。
【００４７】
電源装置４００の電圧印加回路４１０には、高圧ケーブル４３１、４３２が接続されており、これらの高圧ケーブル４３１、４３２は、組立体１００ｘの端子金具４０と主体金具５０とに、それぞれ、接続される。電圧印加回路４１０は、高圧ケーブル４３１、４３２を通じて、端子金具４０と主体金具５０との間に電圧を印加する。端子金具４０は中心電極２０に電気的に接続されているので、中心電極２０と主体金具５０との間に、電圧が印加される。中心電極２０と主体金具５０との間に電圧が印加されると、主体金具５０と絶縁体１０とに挟まれた空間Ｓｆで、放電が生じる場合がある。
【００４８】
図４、図５は、組立体１００ｘの先端部で生じ得る放電の経路を示す概略断面図である。図中には、組立体１００ｘの先端部の断面（具体的には、中心軸ＣＬを含む断面）が示されている。太線で示された経路Ｐｔ１、Ｐｔ２は、放電の経路の例を示している。
【００４９】
図４は、第１放電経路Ｐｔ１を示している。第１放電経路Ｐｔ１は、主体金具５０の内周面５０ｉから絶縁体１０の表面１０ｏに至り、絶縁体１０の表面１０ｏ上を先端方向Ｄ１に向かって進み、絶縁体１０の先端面１０１上を通って、中心電極２０に至る経路である。この第１放電経路Ｐｔ１は、沿面放電の経路の例である。
【００５０】
図示するように、主体金具５０の内周面５０ｉと、絶縁体１０の表面１０ｏとの間の空間Ｓｆは、先端側パッキン８でシールされた部分よりも先端方向Ｄ１側に形成されている。そして、先端側パッキン８の近傍では、主体金具５０の内周面５０ｉと絶縁体１０の表面１０ｏとの間の距離が、空間Ｓｆ内の他の部分よりも、小さい。従って、図４の第１放電経路Ｐｔ１のように、主体金具５０の内周面５０ｉのうちの先端側パッキン８の先端方向Ｄ１側の部分から、絶縁体１０の表面１０ｏを通って、中心電極２０に至る放電経路を通る放電が生じ得る。
【００５１】
また、図４の例では、主体金具５０は、縮内径部５６の先端方向Ｄ１側に、内径が先端方向Ｄ１に向かって大きくなる拡内径部５７を有している。拡内径部５７よりも先端方向Ｄ１側では、内径は、おおよそ一定である。拡内径部５７と縮内径部５６との間では、内径は、おおよそ一定である。縮内径部５６と拡内径部５７とは、径方向の内側に向かって突出する突出部を形成する。例えば、図４の例では、拡内径部５７の後端方向Ｄ２側の端が、突出部５６７を形成する。このような突出部を有する導電体に電圧が印加されると、突出部を通る放電が生じ易い。図４の第１放電経路Ｐｔ１は、この突出部５６７を通る経路である。
【００５２】
なお、組立体１００ｘの接地電極３０ｘの状態は、曲げられる前の直線状態である。接地電極３０ｘと中心電極２０との間の距離は、絶縁体１０の表面１０ｏと中心電極２０との間の距離よりも、遠い。従って、接地電極３０ｘと中心電極２０との間の放電は、主体金具５０と中心電極２０との間の放電よりも、生じ難い。また、図４のような沿面放電は、絶縁体１０の絶縁性能が良好である場合であっても、生じ得る。
【００５３】
図５は、第２放電経路Ｐｔ２を示している。図５の例では、絶縁体１０の脚部１３の途中に、表面１０ｏと軸孔１２とを連通する意図しない貫通孔１３１が形成されている。この意図しない貫通孔１３１は、放電によって形成された孔である。中心電極２０と主体金具５０との間に電圧が印加されると、このような貫通孔１３１を形成し、そして、形成した貫通孔１３１を通る放電、すなわち、絶縁体１０を貫通する放電が生じ得る。図中の第２放電経路Ｐｔ２は、主体金具５０の内周面５０ｉから絶縁体１０の表面１０ｏ上を通って貫通孔１３１に至り、貫通孔１３１よりも先端方向Ｄ１側を通らずに、貫通孔１３１を通って、軸孔１２内の中心電極２０に至る。この第２放電経路Ｐｔ２は、貫通放電の経路の例である。検査のための電圧印加によって貫通放電が生じることは、絶縁体１０の絶縁が破壊され易いこと、すなわち、絶縁体１０の絶縁性能が低いことを示している。
【００５４】
貫通放電の放電経路Ｐｔ２（図５）のうちの絶縁体１０の外部に露出する部分の長さは、沿面放電の放電経路Ｐｔ１（図４）のうちの絶縁体１０の外部に露出する部分の長さよりも、短い。従って、貫通放電が生じた場合には、沿面放電が生じた場合と比べて、放電が暗く見える。後述するように、図２の手順では、放電時の明るさの違いを利用して、貫通放電が生じたか否か、すなわち、絶縁体１０の絶縁性能が、検査される。
【００５５】
図２のステップＳ１１０では、まず、組立体１００ｘが試験台２００（図３）に装着される。そして、容器２１０の収容室２１４内は、図示しないガス流路を通じて二酸化炭素ガスが供給されることによって、３ＭＰａに加圧される。この結果、収容室２１４内では、放電が生じ難くなる。この状態で、電源装置４００の電圧印加回路４１０は、組立体１００ｘの端子金具４０と主体金具５０との間に、電圧を印加する。電圧が印加された場合であっても、放電が生じない場合がある。また、図４に示すような沿面放電が生じる場合がある。また、図５で説明したような貫通放電が生じる場合がある。
【００５６】
次のステップＳ１２０では、処理装置５００は、電圧を印加した時の光センサ３００からの出力値を取得する。具体的には、ＡＤコンバータ５１０は、光センサ３００からのアナログの出力信号（ここでは、電流値）を、デジタルデータに変換する。そして、データ処理部５２０は、変換されたデジタルデータを取得する。デジタルデータは、光センサ３００から出力される出力値、すなわち、光センサ３００によって測定された光の強度を表している。放電が生じなかった場合には、暗い強度を示すデジタルデータが取得される。沿面放電（図４）が生じた場合には、明るい強度を示すデジタルデータが取得される。貫通放電（図５）が生じた場合には、それらの間の強度を示すデジタルデータが取得される。なお、データ処理部５２０は、電圧印加が開始してから終了するまでの期間（以下「電圧印加期間」と呼ぶ）内の最も明るい強度を示す出力値を、放電の明るさを示す出力値として、取得する。
【００５７】
次のステップＳ１２５では、処理装置５００のデータ処理部５２０は、電源装置４００から判別信号を取得する。電源装置４００の微分回路４２０は、電圧印加回路４１０によって出力される電圧の微分値の絶対値を取得する（以下「絶対微分値」と呼ぶ）。そして、微分回路４２０は、電圧印加期間中に絶対微分値が所定の微分閾値を超えたか否かを示す信号を、判別信号として、処理装置５００に供給する。放電が生じなかった場合には、電圧は緩やかに変化するので、絶対微分値は、微分閾値以下である。放電が生じた場合には、放電が生じた時に電圧が急激に変化するので、絶対微分値は、微分閾値を超える。このように、電圧印加期間中に絶対微分値が微分閾値を超えることは、放電が生じたことを示し、電圧印加期間中に絶対微分値が微分閾値以下であることは、放電が生じなかったことを示している。
【００５８】
次のステップＳ１３０では、処理装置５００のデータ処理部５２０は、判別信号に応じて、放電が生じた否かを判定する。放電が生じていない場合（すなわち、絶対微分値が閾値以下である場合）、絶縁碍子１０の絶縁性能が良好であると推定される。この場合、次のステップＳ１５０で、接地電極３０が中心電極２０に向かって曲げられ、そして、ギャップｇが形成される。そして、スパークプラグ１００が完成し、図２の処理が終了する。
【００５９】
判別信号が、放電が生じたことを示す場合（Ｓ１３０：Ｙｅｓ）、次のステップＳ１４０で、処理装置５００のデータ処理部５２０は、ステップＳ１２０で取得した出力値が、光の強度が所定の明るさ閾値以下であることを示すか否かを、判定する。本実施形態では、光センサ３００の出力値（ここでは、電流値）は、光の強度と正の相関を有する。従って、データ処理部５２０は、出力値が、所定の出力閾値以下である場合に、出力値が、光の強度が明るさ閾値以下であることを示している、と判定する。出力閾値は、明るさ閾値に対応する閾値である。
【００６０】
光の強度が明るさ閾値を超えていると判定された場合（Ｓ１４０：Ｎｏ）、放電は、沿面放電（図４）であり、絶縁体１０の絶縁性能が良好であると推定される。この場合、次のステップＳ１５０で、接地電極３０が中心電極２０に向かって曲げられ、そして、ギャップｇが形成される。そして、スパークプラグ１００が完成し、図２の処理が終了する。
【００６１】
光の強度が明るさ閾値以下であると判定された場合（Ｓ１４０：Ｙｅｓ）、貫通放電（図５）が生じており、絶縁体１０の絶縁性能が低いと推定される。この場合、組立体１００ｘは、スパークプラグ１００の製造用の部材として採用されず（Ｓ１６０）、図２の処理が終了する。
【００６２】
このように、図２の製造方法では、組立体１００ｘの主体金具５０と中心電極２０との間の電圧の印加中に組立体１００ｘの先端に向けた光センサ３００から出力される出力値を用いて、絶縁体１０を貫通する貫通放電が生じたか否かが判定される。従って、沿面放電が生じた場合に、貫通放電が生じたと誤って判定されることを抑制できる。この結果、貫通放電が生じた否かの判定の精度を向上できる。
【００６３】
また、貫通放電が生じていないと判定された場合（Ｓ１４０：Ｎｏ）、接地電極３０ｘを曲げることによって、接地電極３０と中心電極２０との間のギャップｇが形成される（Ｓ１５０）。従って、適切にスパークプラグ１００を製造できる。また、貫通放電が生じたと判定された場合（Ｓ１４０：Ｙｅｓ）、組立体１００ｘは、スパークプラグ１００の部材として採用されないので（Ｓ１６０）、不具合を有するスパークプラグ１００が製造される可能性を低減できる。例えば、貫通放電が生じ易いスパークプラグ１００が製造されることを、抑制できる。
【００６４】
また、貫通放電が生じたと判定されるための条件は、光センサ３００からの出力値が、光の強度（すなわち、明るさ）が所定の明るさ閾値以下であることを示すことを含んでいる（Ｓ１４０）。従って、適切な判定を実現できる。
【００６５】
Ｂ．第１評価試験：
図６は、組立体１００ｘのサンプルを用いた第１評価試験の結果を示すグラフである。横軸は、組立体１００ｘのサンプルの種類を示し、縦軸は、光の強度を示している。光の強度は、光センサ３００からの出力値を示している。図６では、出力値が、所定値に対する比率で、示されている。出力値の取得は、図３の検査装置９００を用いて、以下の条件下で行った。
１）収容室２１４内に二酸化炭素を充填し、３ＭＰａに加圧した。
２）出力値としては、電圧印加期間内の最も明るい強度を示す出力値を採用した。
３）光センサ３００の受光面の面積は、主体金具５０の内周面５０ｉに囲まれた領域の面積（中心軸ＣＬと垂直な面の面積）とおおよそ同じ４０ｍｍ２であった。
【００６６】
判別信号に応じて放電が生じたと判定された複数のサンプルのそれぞれについて、絶縁体１０の脚部１３の意図しない貫通孔の有無を、液体浸透探傷検査によって確認した。そして、意図しない貫通孔が検出されなかった１００個のサンプルを、試験で貫通孔が形成されなかった組立体（以下「孔無組立体」と呼ぶ）の１００個のサンプルとして取得した。意図しない貫通孔が検出された１００個のサンプルを、試験で貫通孔が形成された組立体（以下「孔有組立体」と呼ぶ）の１００個のサンプルとして取得した。図６のグラフは、このようにして得られた２種類のサンプルのそれぞれの光の強度（出力値）の平均値と最大値と最小値とを示している。
【００６７】
図示するように、孔無組立体の光の強度は、孔有組立体の光の強度と比べて、明るかった。これは、図４、図５で説明したように、孔無組立体では、沿面放電が生じ、孔有組立体では、貫通放電が生じたからである。
【００６８】
また、図６に示すように、孔無組立体の光の強度の分布の幅（最大値−最小値）は、孔有組立体の光の強度の分布の幅（最大値−最小値）と比べて、小さい。この理由は、以下のように推定される。すなわち、沿面放電の放電経路は、サンプルに依らず、図４の第１放電経路Ｐｔ１とおおよそ同じである。従って、複数のサンプルの間の光の強度のバラツキが比較的小さい。一方、貫通放電が生じる場合、貫通孔１３１の位置（特に、先端方向Ｄ１の位置）は、サンプル毎に異なる。従って、放電経路Ｐｔ２（図５）のうちの絶縁体１０の外部に露出する部分の長さも、サンプル毎に異なる。この結果、複数のサンプルの間の光の強度のバラツキが比較的大きい。
【００６９】
また、図６の例では、孔無組立体のサンプルの光の強度の最小値ＶＬは、孔有組立体のサンプルの光の強度の最大値ＶＨよりも、大きい。従って、出力閾値（図２：Ｓ１４０）として、最大値ＶＨより大きく、かつ、最小値ＶＬよりも小さい値を採用することによって、貫通放電が生じたか否かを、高い精度で判定できる。図６の例では、出力閾値としては、例えば、孔無組立体の出力値の平均値の０．５倍の値を採用可能である。
【００７０】
なお、出力値（すなわち、光の強度）の分布は、スパークプラグ１００の構成と、光センサ３００の分光感度特性と、に応じて変化し得る。例えば、孔無組立体のサンプルの光の強度の最小値ＶＬが、孔有組立体のサンプルの光の強度の最大値ＶＨよりも、小さい場合があり得る。このような場合、明るさ閾値（すなわち、出力閾値）としては、種々の値を採用可能である。一般に、明るさ閾値が小さいほど、沿面放電が、貫通放電であると誤って判定される可能性を低減できる。例えば、明るさ閾値を図６の最小値ＶＬに決定すれば、孔無組立体が廃棄される可能性を低減できる。また、一般に、明るさ閾値が大きいほど、貫通放電が、沿面放電であると誤って判定される可能性を低減できる。例えば、明るさ閾値を最大値ＶＨに決定すれば、孔有組立体を用いてスパークプラグ１００が製造される可能性を低減できる。
【００７１】
Ｃ．第２評価試験：
図７は、組立体１００ｘのサンプルを用いた第２評価試験の結果を示すグラフである。横軸は、後述するカバー長ＬＡ（単位はｍｍ）を示し、縦軸は、貫通放電の検出率（単位は％）を示している。第２評価試験では、測定波長範囲（以下「測定波長帯」とも呼ぶ）が異なる４種類の光センサを用いて、カバー長ＬＡと検出率との関係を試験した。
【００７２】
カバー長ＬＡは、図４に示すように、絶縁体１０の先端側胴部１７と第１縮外径部１５との境界部１５７から、主体金具５０の先端５０ｆまでの、中心軸ＣＬと平行な長さである。第２評価試験では、カバー長ＬＡとして、４、５、６、８、１０、１２、１３、１４、１５、１６、１７（単位はｍｍ）が、試験された。これらのカバー長ＬＡは、主体金具５０の胴部５５の長さを変更することによって、実現された。図４の右部に示すように、先端側胴部１７と第１縮外径部１５との接続部分は面取りされている。この場合、中心軸ＣＬを含む断面上において、第１縮外径部１５の表面のうちの直線部分１５Ｌと、先端側胴部１７の表面のうちの直線部分１７Ｌとを、延長して得られる交点が、境界部１５７として採用される。なお、絶縁体１０の構成は、各カバー長ＬＡに、共通である。また、いずれのカバー長ＬＡのサンプルにおいても、絶縁体１０の先端面１０１は、主体金具５０の先端５０ｆよりも先端方向Ｄ１側に、位置していた。
【００７３】
貫通放電の検出率は、以下のように、算出された。第１評価試験と同様に、判別信号が放電の発生を示す複数のサンプルの中から、探傷検査によって孔無組立体の１００個のサンプルを取得した。そして、孔無組立体のサンプルの出力値の平均値の０．５倍の値を、出力閾値として採用した。次に、判別信号が放電の発生を示す複数のサンプルのそれぞれの出力値と出力閾値とを図２のステップＳ１４０と同様に比較することによって、貫通放電が生じたか否かを、出力値に基づいて判定した。そして、出力値に基づいて貫通放電が生じたと判定された１００個のサンプルを取得した。これら１００個のサンプルの探傷検査を行い、孔有組立体の数を数えた。１００個のサンプルに対する孔有組立体の数の割合を、貫通放電の検出率として算出した。出力閾値の決定と検出率の算出とは、波長範囲とカバー長ＬＡとの組合せ毎に、行われた。
【００７４】
光センサとしては、測定波長範囲が互いに異なる４種類のフォトダイオードが用いられた。４つの測定波長範囲は、以下の通りである。
第１波長範囲：１９０ｎｍ以上、かつ、１０００ｎｍ以下
第２波長範囲：３２０ｎｍ以上、かつ、１０００ｎｍ以下
第３波長範囲：１９０ｎｍ以上、かつ、６８０ｎｍ以下
第４波長範囲：３００ｎｍ以上、かつ、６８０ｎｍ以下
なお、測定波長範囲は、光の強度を測定可能な波長の範囲を示している。
【００７５】
図７に示すように、検出率は、カバー長ＬＡが長いほど高くなる傾向がある。この理由は、以下のように推定される。すなわち、図４に示すように、沿面放電は、絶縁体１０の先端面１０１を通る。従って、空間Ｓｆの外からは、カバー長ＬＡに拘わらずに、放電を見ることができる。この結果、沿面放電が生じた場合には、カバー長ＬＡに拘わらず、明るい強度が測定される。一方、図５に示すように、貫通放電は、空間Ｓｆの奥部分（すなわち、後端方向Ｄ２側の部分）で生じ得る。従って、空間Ｓｆの外からは、カバー長ＬＡが長いほど、放電が見えにくい。この結果、貫通放電が生じた場合には、カバー長ＬＡが長いほど、測定される光の強度が暗くなる。以上により、カバー長ＬＡが長いほど、沿面放電による光の強度と、貫通放電による光の強度と、の間の差が大きくなる。この結果、カバー長ＬＡが長いほど検出率が高くなる、と推定される。
【００７６】
また、図７に示すように、第２波長範囲（３２０ｎｍ以上の範囲）を用いる場合には、他の波長範囲（１９０ｎｍ以上の範囲、および、３００ｎｍ以上の範囲）を用いる場合と比べて、カバー長ＬＡの広い範囲に亘って、検出率が良好であった。従って、カバー長ＬＡの広い範囲で良好な検出率を実現するためには、測定波長範囲として、３２０ｎｍ以上の波長範囲を採用することが好ましい。
【００７７】
測定波長範囲の上限値については、以下の通りである。良好な検出率を実現した第２波長範囲の上限は、１０００ｎｍである。従って、測定波長範囲として、１０００ｎｍ以下の範囲を採用することが好ましい。また、第１波長範囲と第３波長範囲との間では、波長範囲の下限が同じであり、かつ、波長範囲の上限が異なっている。しかし、図７に示すように、第１波長範囲と第３波長範囲との間では、カバー長ＬＡに拘わらず、検出率は、おおよそ同じである。すなわち、波長範囲の上限が１０００ｎｍと６８０ｎｍとの間で変化した場合であっても、検出率の変化は小さいと推定される。従って、測定波長範囲として６８０ｎｍ以下の範囲を採用する場合にも、第２波長範囲と同様に、カバー長ＬＡの広い範囲で良好な検出率を実現できると推定される。例えば、測定波長範囲は、３２０ｎｍ以上、かつ、１０００ｎｍ以下であってよい。また、測定波長範囲は、３２０ｎｍ以上、かつ、６８０ｎｍ以下であってもよい。
【００７８】
また、図７に示すように、第２波長範囲を用いる場合に良好な検出率（ここでは、７０％以上）が得られるカバー長ＬＡは、５、６、８、１０、１２、１３、１４、１５、１６、１７（単位はｍｍ）であった。これらの値のうちの任意の値を、カバー長ＬＡの好ましい範囲（下限以上、かつ、上限以下）の下限として採用可能である。また、これらの値のうちの下限以上の任意の値を、カバー長ＬＡの好ましい範囲の上限として採用可能である。
【００７９】
なお、図７に示すように、第２波長範囲以外の波長範囲が用いられる場合、１３ｍｍ以下のカバー長ＬＡで、検出率が７０％未満であった。このように、カバー長ＬＡが１３ｍｍ以下である小型のスパークプラグを用いる場合には、測定波長範囲を上記の好ましい範囲に決定することによって、良好な検出率を実現可能である。この場合、カバー長ＬＡの好ましい範囲として、例えば、５ｍｍ以上、かつ、１３ｍｍ以下を採用可能である。
【００８０】
以上説明した測定波長範囲の好ましい範囲と、カバー長ＬＡの好ましい範囲とは、図２の製造方法に、適用可能である。
【００８１】
Ｄ．第３評価試験：
図８は、組立体１００ｘのサンプルを用いた第３評価試験の結果を示すグラフである。横軸は、光センサ３００の配置構成を表す符号ＦＡ〜ＦＫを示し、縦軸は、貫通放電の検出率（単位は％）を示している。第３評価試験では、１個以上の光センサ３００のそれぞれの配置と検出率との関係を試験した。なお、サンプルのカバー長ＬＡは、１１ｍｍであった。光センサの測定波長範囲は、３２０ｎｍ以上、かつ、１０００ｎｍ以下であった。絶縁体１０のうちの主体金具５０の先端５０ｆよりも先端方向Ｄ１側に突出する部分の中心軸ＣＬと平行な長さは、３ｍｍであった。
【００８２】
図９は、１１個の配置構成ＦＡ〜ＦＫのそれぞれの、光センサ３００の数と、光センサ３００の配置と、光センサ３００の出力値を用いる判定条件と、を示す表である。表に示す６つの位置Ｐ１〜Ｐ６は、組立体１００ｘに対する光センサ３００の相対位置を示している。
【００８３】
図１０、図１１は、相対位置Ｐ１〜Ｐ６の説明図である。図１０は、中心軸ＣＬから離れた位置から中心軸ＣＬを向いて見た組立体１００ｘの先端部分の概略を示している。図中では、接地電極３０ｘの図示が省略されている。図１１は、後端方向Ｄ２を向いて見た組立体１００ｘの先端部の概略を示している。図中には、主体金具５０の先端５０ｆと、接地電極３０ｘとが示されており、他の要素の図示は、省略されている。
【００８４】
第１位置Ｐ１は、図３で説明した光センサ３００の位置であり、組立体１００ｘの先端方向Ｄ１側における中心軸ＣＬ上の位置である。以下、第１位置Ｐ１を「正面位置Ｐ１」とも呼び、第１位置Ｐ１の光センサ３００を、「正面センサ３０１」とも呼ぶ。正面センサ３０１の受光面（図示省略）は、中心軸ＣＬ上から、組立体１００ｘの先端部を（具体的には、後端方向Ｄ２方向を）、向いている。
【００８５】
第２位置Ｐ２〜第６位置Ｐ６は、中心軸ＣＬから離れた位置であり、具体的には、組立体１００ｘの先端部から、中心軸ＣＬと垂直な方向に向かって、移動した位置である。以下、中心軸ＣＬから離れた位置Ｐ２〜Ｐ６を「側方位置Ｐ２〜Ｐ６」とも呼び、側方位置の光センサ３００を「側方センサ３０２」とも呼ぶ。側方センサ３０２の受光面（図示せず）は、中心軸ＣＬとは交差しておらず、中心軸ＣＬから離れた位置から、組立体１００ｘの先端部を、向いている。なお、第３評価試験では、側方センサ３０２が、絶縁体１０の表面１０ｏのうちの主体金具５０の先端５０ｆよりも先端方向Ｄ１側に突出した部分を観察できるように、側方位置Ｐ２〜Ｐ６は、絶縁体１０の当該突出部分から径方向の外側に移動した位置である。そして、側方センサ３０２の受光面は、中心軸ＣＬに向かう中心軸ＣＬと垂直な方向を、向いている。
【００８６】
図１１に示すように、第５位置Ｐ５は、中心軸ＣＬから見て接地電極３０ｘが配置されている方向の位置である。中心軸ＣＬから見て、第５位置Ｐ５は、接地電極３０ｘの後ろである。第５位置Ｐ５から組立体１００ｘを観察すると、絶縁体１０の一部が接地電極３０ｘの後ろに隠れる。第３位置Ｐ３は、中心軸ＣＬから見て、第５位置Ｐ５とは反対側の位置である。第２位置Ｐ２は、中心軸ＣＬから見て、第５位置Ｐ５に向かう方向と垂直な方向の位置である。第４位置Ｐ４は、中心軸ＣＬから見て、第２位置Ｐ２とは反対側の位置である。第６位置Ｐ６は、中心軸ＣＬから見て、第２位置Ｐ２と第５位置Ｐ５との間の位置である。
【００８７】
中心軸ＣＬから第２位置Ｐ２へ向かう方向と、中心軸ＣＬから第６位置Ｐ６へ向かう方向と、の間の鋭角Ａｇ２６は、３０度である。また、中心軸ＣＬから第３位置Ｐ３へ向かう方向と、中心軸ＣＬから第６位置Ｐ６へ向かう方向と、の間の鋭角Ａｇ３６は、１２０度である。以下、中心軸ＣＬから２つの側方位置へ向かう方向の間の鋭角を、「センサ間角度」と呼ぶ。
【００８８】
図９では、これらの相対位置Ｐ１〜Ｐ６を用いて、各配置構成ＦＡ〜ＦＫの光センサ３００の配置が表されている。例えば、第１配置構成ＦＡは、第１位置Ｐ１で構成され、第５配置構成ＦＥは、２個の位置Ｐ２、Ｐ４で構成され、第１１配置構成ＦＫは、３個の位置Ｐ１、Ｐ２、Ｐ４で構成されている。
【００８９】
判定条件は、貫通放電が生じたと判定するための条件である。第１条件Ｊ１は、センサ数が「１」である配置構成ＦＡ〜ＦＤに適用される。第２条件Ｊ２は、センサ数が「２」である配置構成ＦＥ〜ＦＪに適用される。第３条件Ｊ３は、センサ数が「３」である配置構成ＦＫに適用される。各条件Ｊ１、Ｊ２、Ｊ３は、以下の通りである。
第１条件Ｊ１：出力値が、沿面放電の発生時の出力値の５０％以下である。
第２条件Ｊ２：２個のセンサのそれぞれの出力値が、沿面放電の発生時の出力値の５０％以下である。
第３条件Ｊ３：３個のセンサのそれぞれの出力値が、沿面放電の発生時の出力値の５０％以下である。
【００９０】
各条件Ｊ１、Ｊ２、Ｊ３では、沿面放電の発生時の出力値の５０％の出力値が、出力閾値として用いられる。そして、全ての光センサ３００のそれぞれの出力値が出力閾値以下である場合に、すなわち、全ての光センサ３００の光の強度が明るさ閾値以下である場合に、貫通放電が生じたと判定される。少なくとも１つの光センサ３００の出力値が出力閾値を超える場合には、沿面放電が生じたと判定される。なお、これらの条件Ｊ１、Ｊ２、Ｊ３は、いずれも、図２のステップＳ１４０の判定条件として、採用可能である。
【００９１】
出力閾値は、以下のように、決定した。まず、正面位置Ｐ１に加えて、側方位置Ｐ２〜Ｐ６からも組立体１００ｘの先端部を観察可能な試験台を準備した（図示省略）。試験台の各位置Ｐ１〜Ｐ６には、光センサ３００を固定した。そして、組立体１００ｘを試験台に装着し、組立体１００ｘの先端部を収容する収容室内を、二酸化炭素ガスを用いて加圧した。また、組立体１００ｘの端子金具４０と主体金具５０とには、電源装置４００（図３）からの高圧ケーブル４３１、４３２を接続した。電源装置４００によって印加される電圧と、収容室内の圧力とを、常時に沿面放電が生じるように、調整した。この際、圧力が低いほど、沿面放電が生じ易い。そして、沿面放電が生じた複数のサンプルの中から、探傷検査によって孔無組立体の１００個のサンプルを取得した。そして、孔無組立体のサンプルの出力値の平均値の０．５倍の値を、出力閾値として採用した。出力閾値は、光センサ３００毎に決定した。
【００９２】
貫通放電の検出率は、以下のように、算出された。組立体１００ｘを試験台に装着し、電圧と収容室内の圧力（すなわち、二酸化炭素ガスの圧力）を、常時に沿面放電が生じた条件に合わせて、調整した。続いて、圧力を増大させた。これにより、沿面放電が抑制される。この状態で組立体１００ｘの中心電極２０と主体金具５０との間に電圧が印加される。そして、第１評価試験と同様に、各光センサ３００の出力値を取得し、判別信号が放電の発生を示す場合に、上記の条件Ｊ１〜Ｊ３に従って、貫通放電が生じたか否かを、出力値に基づいて判定した。そして、出力値に基づいて貫通放電が生じたと判定された１００個のサンプルを取得した。これら１００個のサンプルの探傷検査を行い、孔有組立体の数を数えた。１００個のサンプルに対する孔有組立体の数の割合を、貫通放電の検出率として算出した。
【００９３】
図８に示すように、センサ数が「１」である場合、正面位置Ｐ１で構成された第１配置構成ＦＡの検出率が、側方センサを用いる配置構成ＦＢ〜ＦＤの検出率よりも、良好であった。この理由は、以下のように推定される。側方センサ３０２から見て絶縁体１０の後ろで沿面放電が生じた場合、側方センサ３０２は、放電によって生じる光を受けることが難しい。さらに、第５位置Ｐ５では、側方センサ３０２から見て接地電極３０ｘに隠れる部分で沿面放電が生じた場合に、十分な光を受けることが難しい。従って、沿面放電が生じた場合であっても、側方センサ３０２の出力値は、暗い強度を示す場合がある。この結果、検出率が、比較的低くなる。一方、正面センサは、絶縁体１０の表面１０ｏのうちの中心軸ＣＬを囲む全周から、光を受けることができる。従って、沿面放電が生じた場合には、正面センサからは、明るい強度を示す出力値を取得可能である。この結果、検出率が、比較的高くなる。
【００９４】
センサ数が「２」である配置構成ＦＥ〜ＦＪに関しては、３つの配置構成ＦＥ、ＦＩ、ＦＪの検出率は、他の配置構成ＦＦ、ＦＧ、ＦＨの検出率よりも、良好であった。以下、この理由について、説明する。
【００９５】
第５位置Ｐ５を含む第６配置構成ＦＦの検出率が良好ではない理由は、第５位置Ｐ５の側方センサ３０２の視野が、接地電極３０ｘに遮られているからだと推定される。また、正面センサ３０１を含む第１０配置構成ＦＪの検出率が良好である理由は、正面センサ３０１が、絶縁体１０の表面１０ｏのうち中心軸ＣＬを囲む全周から、光を受けることができるからだと推定される。
【００９６】
２つの側方センサ３０２を有する配置構成ＦＥ〜ＦＩについては、以下の通りである。これらの配置構成ＦＥ〜ＦＩのそれぞれのセンサ間角度は、以下の通りである（第６配置構成ＦＦを除く）。
第５配置構成ＦＥ：  １８０度          、第７配置構成ＦＧ：    ９０度
第８配置構成ＦＨ：    ３０度          、第９配置構成ＦＩ：  １２０度
ここで、センサ間角度が１２０度以上である配置構成ＦＥ、ＦＩの検出率は、センサ間角度が１２０度未満の配置構成ＦＧ、ＦＨの検出率よりも、良好であった。この理由は、センサ間角度が１２０度以上である場合には、センサ間角度が１２０度未満である場合と比べて、絶縁体１０の表面１０ｏのうちの死角、すなわち、２つの側方センサ３０２から見えない領域が、小さいからだと推定される。
【００９７】
センサ数が「３」である第１１配置構成ＦＫの検出率は、試験された配置構成ＦＡ〜ＦＫの検出率のうち、最も良好であった。この理由は、第１１配置構成ＦＫが、絶縁体１０の表面１０ｏうち中心軸ＣＬを囲む全周を観察可能な正面位置Ｐ１と、センサ間角度が１８０度である２つの側方位置Ｐ２、Ｐ４と、を含んでいるからだと推定される。
【００９８】
以上のように、良好な検出率を実現するためには、以下の構成１〜構成３のうちの少なくとも１つを採用することが好ましい。
構成１：組立体１００ｘの中心軸ＣＬ上から、組立体１００ｘの先端部に向けた正面センサ３０１と、中心軸ＣＬから離れた位置から組立体１００ｘの先端部に向けた側方センサ３０２と、を含む複数の光センサを用いる。
構成２：組立体１００ｘの中心軸ＣＬから離れた位置から組立体１００ｘの先端部に向けた第１側方センサと第２側方センサとを含む複数の光センサを用いる。そして、第１側方センサと第２側方センサとのセンサ間角度は、１２０度以上である。
構成３：組立体１００ｘの中心軸ＣＬから離れた位置から組立体１００ｘの先端部に向けた側方センサを用いる。そして、側方センサは、中心軸ＣＬから見て、接地電極３０ｘが配置されている方向とは異なる方向に、配置されている。
【００９９】
これらの構成１〜構成３は、いずれも、組立体１００ｘに対する光センサ３００の相対的な位置関係を、光センサ３００の視野を考慮して、定めるものである。従って、これらの構成１〜構成３のうちの少なくとも１つを採用すれば、スパークプラグ１００の構成と検査装置９００の構成とに拘わらず（例えば、カバー長ＬＡと光センサ３００の測定波長範囲とに拘わらず）、検出率を向上できる、と推定される。
【０１００】
なお、図９に示す配置構成ＦＡ〜ＦＫから任意に選択された配置構成を、図２の製造方法に適用可能である。この場合、図２のステップＳ１４０には、上述の条件Ｊ１〜Ｊ３のうちの配置構成に対応付けられた条件を、適用可能である。なお、誤判定の可能性を低減するためには、図８に示す検出率が高い配置構成を採用することが好ましい。例えば、検出率が７０％以上である配置構成ＦＥ、ＦＩ、ＦＪ、ＦＫを採用することが好ましい。
【０１０１】
Ｅ．第４評価試験：
図１２は、組立体１００ｘのサンプルを用いた第４評価試験の結果を示すグラフである。横軸は、後述する意図しない貫通孔１３１（図５）の位置ＬＣ（単位はｍｍ）を示し、縦軸は、沿面放電の検出率（単位は％）を示している。第４評価試験では、意図しない貫通孔１３１の位置と検出率との関係を試験した。試験に利用した検査装置（例えば、試験台）と光センサ３００と組立体１００ｘとのそれぞれの構成は、第３評価試験で用いた構成と同じである。
【０１０２】
貫通孔１３１の位置ＬＣは、図５に示すように、絶縁体１０の先端側胴部１７と第１縮外径部１５との境界部１５７から、絶縁体１０の表面１０ｏ上の貫通孔１３１の位置までの、中心軸ＣＬと平行な長さを示している。以下、貫通孔１３１の位置ＬＣを「孔位置ＬＣ」とも呼ぶ。貫通放電によって形成される貫通孔１３１の孔位置ＬＣは、組立体１００ｘの先端部を収容する収容室内の圧力に応じて変化する。具体的には、圧力が高いほど、放電が生じ難い、すなわち、放電経路の距離が短くなる。従って、圧力が高いほど、孔位置ＬＣは、境界部１５７に近くなる。第４評価試験では、圧力を７段階に調整することによって、１、２、４、６、８、１０、１２（単位はｍｍ）の７つの孔位置ＬＣの試験が行われた（詳細は後述）。
【０１０３】
第４評価試験で用いられた組立体１００ｘ（図４）のカバー長ＬＡは、１１ｍｍであり、脚長ＬＢは、１４ｍｍであった。脚長ＬＢは、境界部１５７から、絶縁体１０の先端までの、中心軸ＣＬと平行な長さである。以上により、１３ｍｍの孔位置ＬＣは、主体金具５０の先端５０ｆに対応する位置である。孔位置ＬＣが１３ｍｍよりも大きい場合、貫通孔１３１は、主体金具５０の先端５０ｆよりも先端方向Ｄ１側に配置され、孔位置ＬＣが１３ｍｍよりも小さい場合、貫通孔１３１は、主体金具５０の先端５０ｆよりも後端方向Ｄ２側に配置されている。
【０１０４】
また、図１２に示すように、第４評価試験では、光センサ３００の配置として、図９で説明した第１配置構成ＦＡと第５配置構成ＦＥとが試験された。また、出力閾値の決定方法は、第３評価試験の方法と同じである。沿面放電の検出率の算出方法は、以下の通りである。第３評価試験と同様に、試験台に組立体１００ｘを装着し、電圧を印加した。そして、各光センサ３００の出力値を取得し、判別信号が放電の発生を示す場合に、上記の条件Ｊ１〜Ｊ３に従って、貫通放電が生じたか否かを、出力値に基づいて判定した。そして、貫通放電が生じたと出力値に基づいて判定されるまで、放電を繰り返した。このような放電の繰り返しを、１００個のサンプルについて、行った。これら１００個のサンプルの探傷検査を行い、各サンプル毎に意図しない孔の数を数えた。繰り返された各放電の判定結果が正しければ、孔の数は、１個である。しかし、貫通放電が生じたにも拘わらず、出力値に基づいて貫通放電が生じていないと誤って判定された場合には、孔の数が、誤判定に伴って、増加し得る。すなわち、２以上の孔の数は、１回以上の誤判定が生じたことを示している。ここで、１００個のサンプルに対する孔の数が１個のサンプルの数の割合、すなわち、誤判定が生じなかったと推定されるサンプルの割合を、検出率として算出した。なお、検出率の算出は、７つの孔位置ＬＣのそれぞれに対して、すなわち、７つの圧力のそれぞれに対して、行った。図１２のグラフの横軸は、圧力から想定される孔位置ＬＣである。各圧力で実際に生じた孔の孔位置ＬＣの測定値の小数点以下を四捨五入した値は、圧力から想定される孔位置ＬＣと、同じであった。
【０１０５】
図１２に示すように、孔位置ＬＣが後端方向Ｄ２側にある場合には、先端方向Ｄ１側にある場合と比べて、検出率が良好であった。この理由は、以下のように推定される。孔位置ＬＣが後端方向Ｄ２側にある場合には、先端方向Ｄ１側にある場合と比べて、貫通放電が生じた場合の光の強度が暗くなり易い。従って、貫通放電と沿面放電との間の光の強度の差が大きくなり易い。以上により、孔位置ＬＣが後端方向Ｄ２側にある場合には、良好な検出率が実現される、と推定される。
【０１０６】
また、孔位置ＬＣが、主体金具５０の先端５０ｆよりも後端方向Ｄ２側である場合、第５配置構成ＦＥは、第１配置構成ＦＡと比べて、良好な検出率を実現できた。この理由は、以下のように推定される。すなわち、側方センサ３０２から見ると、貫通放電は主体金具５０に隠れているので、側方センサ３０２は、貫通放電によって生じる光を受けることが困難である。一方、沿面放電は、主体金具５０の先端５０ｆよりも先端方向Ｄ１側を通るので、側方センサ３０２は、沿面放電によって生じる光を受けることができる。従って、貫通放電と沿面放電との間の明るさの差が、比較的大きい。この結果、側方センサ３０２を用いる第５配置構成ＦＥは、良好な検出率を実現できる。特に、第５配置構成ＦＥのセンサ間角度は１８０度であるので、絶縁体１０の表面１０ｏのうちの死角が小さい。従って、良好な検出率を容易に実現できる。一方、正面センサ３０１は、貫通放電によって生じる光と、沿面放電によって生じる光との、両方を受けることが可能である。従って、貫通放電と沿面放電との間の明るさの差が、比較的小さい。この結果、側方センサ３０２を用いずに正面センサ３０１を用いる第１配置構成ＦＡの検出率は、第５配置構成ＦＥの検出率と比べて、低くなり得る。
【０１０７】
なお、一般的には、互いに異なる位置に配置された光センサの総数が多いほど、検出率を向上できると推定される。
【０１０８】
Ｆ．正面センサ３０１の配置：
正面センサ３０１の位置としては、正面センサ３０１の受光面が中心軸ＣＬと交差する範囲内で、種々の位置を採用可能である。ここで、貫通放電が生じたか否かの判定の精度を向上するためには、絶縁体１０の表面１０ｏのうち中心軸ＣＬを囲む全周が視野に含まれる位置を採用することが好ましい。また、更に好ましい位置について、図１３、図１４を参照して説明する。
【０１０９】
図１３は、中心軸ＣＬ上の位置から見た組立体１００ｘの先端部の概略を示している。図中には、絶縁碍子１０と中心電極２０と主体金具５０とが示されており、接地電極３０ｘの図示は省略されている。図示するように、絶縁碍子１０と中心電極２０と主体金具５０とは、中心軸ＣＬを中心とする同心円状に、観察される。図中には、太線で輪郭１０９、５０９が示されている。輪郭１０９は、絶縁体１０の観察される部分の外周側の輪郭である（以下「絶縁輪郭１０９」と呼ぶ）。輪郭５０９は、主体金具５０の先端５０ｆの内周側の輪郭である（以下「金具輪郭５０９」と呼ぶ）。
【０１１０】
図５には、断面上の輪郭１０９、５０９の位置が示されている。図示するように、絶縁輪郭１０９は、空間Ｓｆの後端方向Ｄ２側の端の近傍の位置に対応する（ここでは、主体金具５０の拡内径部５７の後端方向Ｄ２側の端の近傍の位置）。金具輪郭５０９は、先端５０ｆの径方向内側の端に対応する。図１３に示すように、絶縁輪郭１０９と金具輪郭５０９とは、中心軸ＣＬを囲む全周に亘って、互いに離れて見えている。絶縁輪郭１０９と金具輪郭５０９との間には、空間Ｓｆが形成されている。すなわち、中心軸ＣＬ上の位置からは、空間Ｓｆを、中心軸ＣＬを囲む全周に亘って、観察可能である。また、中心軸ＣＬ上の位置からは、絶縁体１０の表面１０ｏのうちの外部に露出している部分のおおよそ全体、すなわち、先端側パッキン８よりも先端方向Ｄ１側の部分のおおよそ全体を、観察可能である。従って、中心軸ＣＬ上の位置からは、絶縁体１０の先端側パッキン８よりも先端方向Ｄ１側の部分の表面１０ｏ上の任意の位置で生じた放電を、観察可能である。従って、光センサ３００を、絶縁輪郭１０９と金具輪郭５０９とが、中心軸ＣＬを囲む全周に亘って、互いに離れて見える位置に配置することによって、貫通放電が生じたか否かの判定の精度を向上できる。
【０１１１】
図１４は、中心軸ＣＬから若干離れた位置から見た組立体１００ｘの先端部の概略を示している。図１３の例とは異なり、絶縁体１０と中心電極２０と主体金具５０とが、傾いて観察される。太線で示された輪郭１０９ｘは、絶縁体１０の観察される部分の外周側の輪郭である（以下「絶縁輪郭１０９ｘ」と呼ぶ）。図示するように、金具輪郭５０９の一部が、絶縁体１０の後ろに隠れている。すなわち、絶縁輪郭１０９ｘが、金具輪郭５０９と、接触している。この場合、空間Ｓｆの一部が、絶縁体１０の後ろに隠れてしまい、観察できない。すなわち、絶縁体１０の表面１０ｏの一部が、観察できない。従って、絶縁体１０の表面１０ｏのうちの隠れた部分で放電が生じた場合に、正しい判定を出来ない可能性がある。
【０１１２】
以上により、正面センサ３０１の位置としては、正面センサ３０１から組立体１００ｘの先端部を観察する場合に、絶縁輪郭と金具輪郭５０９とが、中心軸ＣＬを囲む全周に亘って、互いに離れて見える位置を採用することが好ましい。こうすれば、貫通放電が生じたか否かの判定の精度を向上できる。特に、正面センサ３０１の図示しない受光面の中心の位置から組立体１００ｘの先端部を観察する場合に、絶縁輪郭と金具輪郭５０９とが互いに離れて見える位置を採用することが好ましい。こうすれば、判定の精度を更に向上できる。なお、受光面の中心としては、受光面内に質量が均等に分布していると仮定した場合の重心の位置を採用可能である。
【０１１３】
Ｇ．変形例：
（１）測定波長範囲を好ましい範囲に調整する方法としては、好ましい測定波長範囲を実現する光センサを採用する方法に限らず、他の種々の方法を採用可能である。例えば、組立体１００ｘと光センサの受光面との間に、好ましい測定波長範囲内の光を透過し、好ましい測定波長範囲外の光を遮断する、光学フィルタを、配置してもよい。
【０１１４】
（２）側方センサ３０２の向きは、中心軸ＣＬと垂直な方向に限らず、中心軸ＣＬと斜めに交差する方向であってもよい。いずれの場合も、側方センサ３０２の位置と向きとしては、絶縁体１０の先端部の表面１０ｏを観察可能な位置と向きとを、採用することが好ましい。
【０１１５】
（３）スパークプラグ１００の製造方法としては、図２の方法に限らず、他の種々の方法を採用可能である。例えば、電圧の変化の代わりに、電流の変化に応じて、放電が生じたが否かを判定してもよい。また、電圧印加時に常に放電が生じるような条件下で、絶縁体１０の絶縁性能の検査を行ってもよい。この場合、図２のステップＳ１２５、Ｓ１３０を省略可能である。また、図３の微分回路４２０を省略可能である。
【０１１６】
組立体１００ｘを形成する工程（図２：Ｓ１００）において、絶縁体１０と中心電極２０と主体金具５０との組み付けの順序としては、任意の順序を採用可能である。例えば、絶縁体１０に主体金具５０を組み付けた後に、中心電極２０を絶縁体１０に組み付けてもよい。また、接地電極３０ｘを主体金具５０に接合する工程は、任意の段階で実行可能である。例えば、絶縁体１０の絶縁性能の検査が終わった後に、接地電極３０が主体金具５０に接合されてもよい（例えば、図２のステップＳ１４０とステップＳ１５０との間）。
【０１１７】
絶縁体１０の絶縁性能の検査を行う検査装置の構成としては、図３に示す構成に限らず、上述した検査方法を実現可能な任意の構成を採用可能である。例えば、ＡＤコンバータ５１０の代わりに、光センサ３００からの信号の強さが所定の閾値以下であるか否かを判定するディスクリミネータ回路を採用してもよい。
【０１１８】
（４）スパークプラグの構成としては、図１で説明した構成に限らず、種々の構成を採用可能である。例えば、中心電極２０のうちのギャップｇを形成する部分に、貴金属チップを設けても良い。また、接地電極３０のうちのギャップｇを形成する部分に、貴金属チップを設けてもよい。貴金属チップの材料としては、イリジウムや白金等の貴金属を含む合金を採用可能である。
【０１１９】
また、図１の構成では、接地電極３０の先端部３１が、中心電極２０の先端方向Ｄ１側を向く面である先端面２０ｓ１と対向して、ギャップｇを形成している。この代わりに、接地電極３０の先端部が、中心電極２０の外周面と対向して、ギャップを形成してもよい。また、接地電極３０と主体金具５０との間に、他の導電体が配置されていてもよい。この場合も、接地電極３０は、他の導電体を通じて、主体金具５０と電気的に接続される。
【０１２０】
以上、実施形態、変形例に基づき本発明について説明してきたが、上記した発明の実施の形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨並びに特許請求の範囲を逸脱することなく、変更、改良され得ると共に、本発明にはその等価物が含まれる。
【符号の説明】
【０１２１】
５...ガスケット、６...第１後端側パッキン、７...第２後端側パッキン、８...先端側パッキン、９...タルク、１０...絶縁体（絶縁碍子）、１０ｏ...表面、１１...第２縮外径部、１２...軸孔（貫通孔）、１３...脚部、１５...第１縮外径部、１５Ｌ...直線部分、１６...縮内径部、１７...先端側胴部、１７Ｌ...直線部分、１８...後端側胴部、１９...鍔部、２０...中心電極、２０ｓ１...先端面、２１...電極母材、２２...芯材、２３...頭部、２４...鍔部、２５...脚部、３０...接地電極、３０ｘ...接地電極、３１...先端部、３５...母材、３６...芯部、４０...端子金具、４１...キャップ装着部、４２...鍔部、４３...脚部、５０...主体金具、５０ｆ...先端、５０ｉ...内周面、５１...工具係合部、５２...ネジ部、５３...加締部、５４...座部、５５...胴部、５６...縮内径部、５７...拡内径部、５８...変形部、５９...貫通孔、６０...第１シール部、７０...抵抗体、８０...第２シール部、１００...スパークプラグ、１００ｘ...組立体、１０１...先端面、１０９、１０９ｘ...絶縁輪郭、１３１...貫通孔、１５７...境界部、２００...試験台、２１０...容器、２１２...取付孔、２１４...収容室、２１６...開口、２２０...窓部材、２３０...窓枠、２９０...被覆部、３００...光センサ、３０１...正面センサ、３０２...側方センサ、４００...電源装置、４１０...電圧印加回路、４２０...微分回路、４３１、４３２...高圧ケーブル、５００...処理装置、５０９...金具輪郭、５２０...データ処理部、５６７...突出部、９００...検査装置、ｇ...ギャップ、ＣＬ...軸線（中心軸）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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