(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のメモリセルを含むメモリバンクと、
前記メモリバンクからデータを読み出す際にアクセス対象のメモリセルに流れる読出電流と所定の参照電流とを比較して出力データ信号を生成するリード／ライトアンプと、
を有し、
前記リード／ライトアンプは、
常時非選択状態のダミーメモリセルに流れるダミー寄生リーク電流に応じて前記参照電流の可変制御を行う参照電流生成部と、
アクセス対象のメモリセルに流れる前記読出電流と可変制御済みの前記参照電流とを比較して前記出力データ信号を生成するセンスアンプ部と、
を含み、
前記参照電流生成部は、
一定値の第１参照電流を生成する定電流源と、
前記ダミー寄生リーク電流に応じた可変値の第２参照電流を生成する可変電流源と、
を含み、前記第１参照電流と前記第２参照電流の和を可変制御済みの前記参照電流として出力する、
ことを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項２】
前記リード／ライトアンプは、アクセス対象のメモリセルが選択される前に当該メモリセルが接続されるビットラインにプリチャージ電流を供給するプリチャージ電流生成部をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項３】
前記メモリバンクは、アクセス対象のメモリセルを選択するワードラインを含み、
前記ダミーメモリセルは、ダミーのビット選択トランジスタと、ダミーのバイト選択トランジスタを含み、
前記ダミーのビット選択トランジスタのゲートと、前記ダミーのバイト選択トランジスタのゲートは、いずれも前記ワードラインに接続されている、
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体記憶装置。
【請求項４】
前記可変電流源は、前記ダミー寄生電流をミラーして前記第２参照電流を生成するカレントミラーを含むことを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の半導体記憶装置。
【請求項５】
前記ダミーメモリセルは、前記メモリバンクのメモリセルと同一の構造を有することを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載の半導体記憶装置。
【請求項６】
前記ダミーメモリセルは、前記メモリバンクのメモリセルに隣接して配置されていることを特徴とする請求項５に記載の半導体記憶装置。
【請求項７】
前記リード／ライトアンプは、前記メモリバンクに複数設けられたビットラインの一つを選択して前記センスアンプ部に繋がるデータラインに接続するマルチプレクサをさらに含むことを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれか一項に記載の半導体記憶装置。
【請求項８】
前記リード／ライトアンプは、前記センスアンプ部と前記データラインとの間を導通／遮断するスイッチ部をさらに有することを特徴とする請求項７に記載の半導体記憶装置。
【請求項９】
前記データラインは、複数設けられており、
前記センスアンプ部は、前記複数のデータライン毎に前記出力データ信号を生成して並列に出力することを特徴とする請求項８に記載の半導体記憶装置。
【請求項１０】
車載機器の動作を統括的に制御するマイコンと、
前記マイコンで実行される各種プログラムの格納領域や作業領域として利用される請求項１〜請求項９のいずれか一項に記載の半導体記憶装置と、
前記マイコンによって制御される被制御機器と、
バッテリの供給電圧から電源電圧を生成して前記車載機器の各部に供給する電源部と、
を有することを特徴とする車載機器。
【請求項１１】
請求項１０に記載の車載機器と、
前記車載機器に電力を供給するバッテリと、
を有することを特徴とする車両。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体記憶装置、並びに、これを用いた車載機器及び車両に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、不揮発性の半導体記憶装置として、ＥＥＰＲＯＭ［electrically erasable programmable read only memory］）が広く実用化されている。
【０００３】
なお、上記に関連する従来技術の一例としては、特許文献１を挙げることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−８７６６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、半導体記憶装置のリード／ライトアンプは、メモリセルからデータを読み出す際、メモリセルに流れる読出電流Ｉｍｅｍと所定の参照電流Ｉｒｅｆとを比較し、その比較結果に応じた論理レベルの出力データ信号ＤＯＵＴを生成する。
【０００６】
より具体的に述べると、出力データ信号ＤＯＵＴは、読出電流Ｉｍｅｍが参照電流Ｉｒｅｆよりも大きければデータ「０」に相当する論理レベル（例えばローレベル）となり、逆に、読出電流Ｉｍｅｍが参照電流Ｉｒｅｆよりも小さければデータ「１」に相当する論理レベル（例えばハイレベル）となる（図１２の左側を参照）。
【０００７】
ところで、大容量のＥＥＰＲＯＭから高温下でデータを読み出す際には、アクセス対象のメモリセルに読出電流Ｉｍｅｍが流れるだけでなく、これに繋がるアクセス対象外のメモリセルにも寄生リーク電流Ｉｌｅａｋが流れる。この寄生リーク電流Ｉｌｅａｋが参照電流Ｉｒｅｆよりも大きくなると、メモリセルのデータ内容に依らず、読出電流Ｉｍｅｍと寄生リーク電流Ｉｌｅａｋとの和が常に参照電流Ｉｒｅｆを上回ってしまうので、データ（特にデータ「１」）を正しく読み出すことができなくなる（図１２の右側を参照）。
【０００８】
なお、ＥＥＰＲＯＭの大容量化や動作環境の高温化に伴って、寄生リーク電流Ｉｌｅａｋは大きくなる傾向がある。そのため、高温動作保証が要求される車載用の不揮発性メモリＩＣや大容量化が要求される汎用の不揮発性メモリＩＣなどでは、寄生リーク電流Ｉｌｅａｋに起因する上記の問題点を解決する必要があった。
【０００９】
本発明は、本願の発明者により見出された上記の問題点に鑑み、データ読出精度を高めることが可能な半導体記憶装置、並びに、これを用いた車載機器及び車両を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の目的を達成するために、本明細書中に開示された半導体記憶装置は、複数のメモリセルを含むメモリバンクと、前記メモリバンクからデータを読み出す際にアクセス対象のメモリセルに流れる読出電流と所定の参照電流とを比較して出力データ信号を生成するリード／ライトアンプと、を有し、前記リード／ライトアンプは、常時非選択状態のダミーメモリセルに流れるダミー寄生リーク電流に応じて前記参照電流の可変制御を行う構成（第１の構成）とされている。
【００１１】
なお、上記第１の構成から成る半導体記憶装置において、前記リード／ライトアンプはアクセス対象のメモリセルが選択される前に当該メモリセルが接続されるビットラインにプリチャージ電流を供給するプリチャージ電流生成部と、前記ダミー寄生リーク電流に応じて前記参照電流の可変制御を行う参照電流生成部と、アクセス対象のメモリセルに流れる前記読出電流と可変制御済みの前記参照電流とを比較して前記出力データ信号を生成するセンスアンプ部と、を含む構成（第２の構成）にするとよい。
【００１２】
また、上記第２の構成から成る半導体記憶装置において、前記参照電流生成部は、一定値の第１参照電流を生成する定電流源と、前記ダミー寄生電流に応じた第２参照電流を生成する可変電流源と、を含み、前記第１参照電流と前記第２参照電流の和を前記参照電流として出力する構成（第３の構成）にするとよい。
【００１３】
また、上記第３の構成から成る半導体記憶装置において、前記可変電流源は、前記ダミー寄生電流をミラーして前記第２参照電流を生成するカレントミラーを含む構成（第４の構成）にするとよい。
【００１４】
また、上記第１〜第４いずれかの構成から成る半導体記憶装置において、前記ダミーメモリセルは、前記メモリバンクのメモリセルと同一の構造を有する構成（第５の構成）にするとよい。
【００１５】
また、上記第５の構成から成る半導体記憶装置において、前記ダミーメモリセルは、前記メモリバンクのメモリセルに隣接して配置された構成（第６の構成）にするとよい。
【００１６】
また、上記第２〜第６いずれかの構成から成る半導体記憶装置において、前記リード／ライトアンプは、前記メモリバンクに複数設けられたビットラインの一つを選択して前記センスアンプ部に繋がるデータラインに接続するマルチプレクサをさらに含む構成（第７の構成）にするとよい。
【００１７】
また、上記第７の構成から成る半導体記憶装置において、前記リード／ライトアンプは前記センスアンプ部と前記データラインとの間を導通／遮断するスイッチ部をさらに有する構成（第８の構成）にするとよい。
【００１８】
また、上記第８の構成から成る半導体記憶装置において、前記データラインは、複数設けられており、前記センスアンプ部は、前記複数のデータライン毎に前記出力データ信号を生成して並列に出力する構成（第９の構成）にするとよい。
【００１９】
また、本明細書中に開示された車載機器は、車載機器の動作を統括的に制御するマイコンと、前記マイコンで実行される各種プログラムの格納領域や作業領域として利用される上記第１〜第９いずれかの構成から成る半導体記憶装置と、前記マイコンによって制御される被制御機器と、バッテリの供給電圧から電源電圧を生成して前記車載機器の各部に供給する電源部と、を有する構成（第１０の構成）とされている。
【００２０】
また、本明細書中に開示された車両は、上記第１０の構成から成る車載機器と、前記車載機器に電力を供給するバッテリと、を有する構成（第１１の構成）とされている。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、データ読出精度を高めることが可能な半導体記憶装置、並びに、これを用いた車載機器及び車両を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】半導体記憶装置の一構成例を示すブロック図
【図２】メモリバンク１１とリード／ライトアンプ１４の概略構成を示すブロック図
【図３】メモリバンク１１の一構成例を示す回路図
【図４】メモリセルＭＣの縦構造を示す垂直断面図
【図５】スレッショルド電圧Ｖｔｈの分布状態図
【図６】リード／ライトアンプ１４の一構成例を示す回路図
【図７】参照電流生成部１４２の一構成例を示す回路図
【図８】ダミーメモリセルの一構成例を示す回路図
【図９】従来の課題が解消される様子を示す図
【図１０】半導体記憶装置１０を搭載した車載機器の一構成例を示すブロック図
【図１１】車載機器１を搭載した車両の一構成例を示す外観図
【図１２】従来の課題が発生する様子を示す図
【発明を実施するための形態】
【００２３】
＜半導体記憶装置＞
図１は、半導体記憶装置の一構成例を示すブロック図である。本構成例の半導体記憶装置１０は、メモリバンク１１と、メモリコントローラ１２と、データレジスタ１３と、リード／ライトアンプ１４と、アドレスレジスタ１５と、アドレスデコーダ１６と、電源電圧検出部１７と、高電圧生成部１８とを有するＳＰＩ［serial peripheral interface］方式のシリアルＥＥＰＲＯＭチップである。
【００２４】
メモリバンク１１は、メモリコントローラ１２によってリード／ライト制御されるメモリセルの集合体（例えば１〜３２ｋビット）である。
【００２５】
メモリコントローラ１２は、装置外部のマスタ（不図示）とＳＰＩシリアルデータ通信を行い、マスタから与えられる各種コマンドに応じてメモリバンク１１のリード／ライト制御などを行う。なお、シリアルデータ通信方式としては、４線式（ＣＳＢ、ＳＣＫ、ＳＩ、ＳＯ）のＳＰＩ方式に代えて、３線式（ＣＳ、ＳＫ、ＤＩＯ）のマイクロワイヤ方式や２線式（ＳＤＡ、ＳＣＬ）のＩ2Ｃ方式などを採用しても構わない。
【００２６】
データレジスタ１３は、メモリコントローラ１２の指示に基づいて、メモリバンク１１のリードデータやライトデータを一時的に格納する。具体的に述べると、メモリバンク１１から読み出されたリードデータは、データレジスタ１３に一時格納された後、データ出力端子ＳＯから外部出力される。一方、データ入力端子ＳＩから外部入力されたライトデータは、データレジスタ１３に一時格納された後、メモリバンク１１に書き込まれる。
【００２７】
リード／ライトアンプ１４は、センスアンプや書込電圧印加回路を含み、メモリコントローラ１２の指示に基づいて、メモリバンク１１に対するリード／ライト動作を行う。なお、本発明は、リード／ライトアンプ１４に含まれる回路システムのうち、主としてメモリバンク１１からデータを読み出すためのセンスアンプシステムに関するものである。
【００２８】
アドレスレジスタ１５は、メモリコントローラ１２の指示に基づいて、データ入力端子ＳＩから外部入力されたアドレスデータを一時的に格納する。
【００２９】
アドレスデコーダ１６は、メモリコントローラ１２の指示に基づいて、アドレスレジスタ１５に一時格納されたアドレスデータを読み出し、メモリバンク１１のワードラインやセンスラインを駆動する。
【００３０】
電源電圧検出部１７は、電源端子ＶＣＣに印加される電源電圧Ｖｃｃが所定の閾値電圧Ｖｔｈを上回っているか否かを検出し、その検出結果をメモリコントローラ１２に出力する。この検出結果を受けたメモリコントローラ１２は、例えば、電源電圧Ｖｃｃが閾値電圧Ｖｔｈを下回っている間、メモリバンク１１への書き込み動作を禁止する。このような構成とすることにより、減電異常時におけるメモリバンク１１への誤書き込みを防止することができる。
【００３１】
高電圧生成部１８は、メモリコントローラ１２の指示に基づいて、電源電圧Ｖｃｃから高電圧ＨＶ（＞Ｖｃｃ）を生成し、これをリード／ライトアンプ１４とアドレスデコーダ１６に供給する。高電圧生成部１８としては、チャージポンプ回路などを用いることができる。高電圧生成部１８は、メモリバンク１１への書き込み動作時にのみ駆動される。
【００３２】
なお、図１では示されていないが、半導体記憶装置１０には、電源投入時にメモリコントローラ１２、データレジスタ１３、及び、アドレスレジスタ１５を初期化するパワーオンリセット部も組み込まれている。
【００３３】
＜メモリバンク及びリード／ライトアンプ＞
［概略構成］
図２は、メモリバンク１１及びリード／ライトアンプ１４の概略構成を示すブロック図である。メモリバンク１１は、ｘ本のワードラインＷＬ１〜ＷＬｘとｙ本のセンスラインＳＬ１〜ＳＬｙを有し、（ｘ×ｙ）通りのアドレスＡＤＲ（１，１）〜ＡＤＲ（ｘ，ｙ）毎に任意のデータ（１バイト（＝８ビット））を格納することができる。なお、シリアルデータ通信方式としてマイクロワイヤ方式を採用する場合には、１アドレスに２バイトのデータを格納する構成が主流である。
【００３４】
リード／ライトアンプ１４は、メモリバンク１１からデータを読み出すためのセンスアンプシステムとして、プリチャージ電流生成部１４１と、参照電流生成部１４２と、センスアンプ部１４３と、スイッチ部１４４と、マルチプレクサ部１４５と、を含む。なお、図２では示されていないが、リード／ライトアンプ１４は、メモリバンク１１にデータを書き込むための書込電圧印加回路なども含んでいる。
【００３５】
プリチャージ電流生成部１４１は、アクセス対象のメモリセルが選択される前に当該メモリセルが接続されるビットラインにプリチャージ電流Ｉｐｒｅを供給する。
【００３６】
参照電流生成部１４２は、常時非選択状態のダミーメモリセルに流れる寄生リーク電流Ｉｄｍに応じて参照電流Ｉｒｅｆの可変制御を行う。この新規な特徴部分については、後ほど詳細に説明する。
【００３７】
センスアンプ部１４３は、アクセス対象のメモリセルに流れる読出電流Ｉｍｅｍと可変制御済みの参照電流Ｉｒｅｆとを比較して出力データ信号ＤＯＵＴを生成する。なお、センスアンプ部１４３は、４本のデータラインＤＬ１〜ＤＬ４毎に出力データ信号ＤＯＵＴ１〜ＤＯＵＴ４を生成して並列に出力する。すなわち、センスアンプ部１４３は、アクセス対象のメモリセルに格納されたデータ（１バイト（＝８ビット））のうち、上位または下位の４ビット分を同時に読み出すことができる。
【００３８】
スイッチ部１４４は、センスアンプ部１４３とデータラインＤＬ１〜ＤＬ４との間を導通／遮断する。
【００３９】
マルチプレクサ部１４５は、メモリバンク１１に複数設けられたビットラインＢＬ１〜ＢＬｚ（ただし、ｚ＝８×ｙ）のうち４本を選択して、センスアンプ部１４３に繋がるデータラインＤＬ１〜ＤＬ４に接続する。例えば、マルチプレクサ部１４５を形成するスイッチ群１４５（１Ｈ）のみがオンとされて、その余のスイッチ群１４５（１Ｌ、２Ｈ／２Ｌ、…、ｙＨ／ｙＬ）がいずれもオフとされた場合には、アドレスＡＤＲ（＊，１）（ただし、＊＝１，２，…，ｘ）の上位４ビットに相当するビットラインＢＬ１〜ＢＬ４がデータラインＤＬ１〜ＤＬ４と接続される。また、スイッチ群１４５（１Ｌ）のみがオンとされて、その余のスイッチ群１４５（１Ｈ、２Ｈ／２Ｌ、…、ｙＨ／ｙＬ）がいずれもオフとされた場合には、アドレスＡＤＲ（＊，１）の下位４ビットに相当するビットラインＢＬ５〜ＢＬ８がデータラインＤＬ１〜ＤＬ４と接続される。
【００４０】
［メモリバンク］
次に、メモリバンク１１の内部構成について、詳細な説明を行う。図３は、メモリバンク１１の一構成例を示す回路図である。図３に示すように、メモリバンク１１には、ワードラインＷＬ、センスラインＳＬ、ビットラインＢＬ、及び、共通ソースラインＡＳＧが張り巡らされており、これらの制御ラインには、メモリセルトランジスタＭＴとビット選択トランジスタＳＴから成るメモリセルＭＣが複数接続されている。
【００４１】
アドレスＡＤＲ（１，１）で指定される１バイト分のメモリセルＭＣ１〜ＭＣ８に着目して接続関係を説明する。ビット選択トランジスタＳＴ１〜ＳＴ８のドレインは、それぞれビットラインＢＬ１〜ＢＬ８に接続されている。ビット選択トランジスタＳＴ１〜ＳＴ８のソースは、それぞれメモリセルトランジスタＭＴ１〜ＭＴ８のドレインに接続されている。ビット選択トランジスタＳＴ１〜ＳＴ８のゲートは、いずれもワードラインＷＬ１に接続されている。メモリセルトランジスタＭＴ１〜ＭＴ８のソースは、いずれも共通ソースラインＡＳＧに接続されている。共通ソースラインＡＳＧは、共通トランジスタＣＴを介して接地端に接続されている。メモリセルトランジスタＭＴ１〜ＭＴ８のゲート（コントロールラインＣＬ１に相当）は、いずれもバイト選択トランジスタＢＴ１を介してセンスラインＳＬ１に接続されている。バイト選択トランジスタＢＴ１のゲートは、ワードラインＷＬ１に接続されている。
【００４２】
図４は、メモリセルＭＣの縦構造を示す垂直断面図である。先述した通り、メモリセルＭＣは、ビット選択トランジスタＳＴとメモリセルトランジスタＭＴを有する。
【００４３】
メモリセルトランジスタＭＴは、そのドレインＤＭとソースＳＭに挟まれたシリコン基板内の伝導チャネルとコントロールゲートＣＧとの間に、フローティングゲート（周囲と絶縁されたゲート）ＦＧを有する構造とされており、コントロールゲートＣＧからみたメモリセルトランジスタＭＴのスレッショルド電圧ＶｔｈがフローティングゲートＦＧに蓄積されている電荷量に応じて変化することを利用して、データの記憶が行われる。
【００４４】
なお、メモリセルトランジスタＭＴのフローティングゲートＦＧとドレインＤＭに挟まれた絶縁体は、その一部が薄くなっており、この部分（トンネル絶縁膜）を介するトンネル効果によって、フローティングゲートＦＧに対する電子の注入及び放出が行われる。
【００４５】
そして、メモリセルトランジスタＭＴのフローティングゲートＦＧに蓄積される電荷量を制御することにより、図５で示すように、メモリセルトランジスタＭＴのスレッショルド電圧Ｖｔｈを２つの状態に分布させ、この２つの分布にそれぞれ「０」と「１」を対応させることにより、１つのメモリセルＭＣに１ビットのデータが記憶される。
【００４６】
例えば、メモリセルＭＣ１にデータ「１」を書き込む場合（メモリセルＭＣ１のデータを消去する場合）には、ワードラインＷＬ１とセンスラインＳＬ１（コントロールラインＣＬ１）に高電圧ＨＶ（例えば１６Ｖ）が印加されて、ビットラインＢＬ１に接地電圧が印加されて、共通ソースラインＡＳＧが接地状態とされる。このとき、ビット選択トランジスタＳＴ１はオンとなり、メモリセルトランジスタＭＴ１のトンネル絶縁膜には高電圧ＨＶが印加される。従って、フローティングゲートＦＧに電子が注入されて、フローティングゲートＦＧが電子を蓄積した状態となる。このとき、メモリセルトランジスタＭＴ１のスレッショルド電圧Ｖｔｈは、図５の読出電圧ＶＲＤ（例えば１．２Ｖ）よりも高くなる。この状態は、メモリセルＭＣ１にデータ「１」が書き込まれた状態（メモリセルＭＣ１のデータが消去された状態）に相当する。
【００４７】
一方、メモリセルＭＣ１にデータ「０」を書き込む場合には、ワードラインＷＬ１とビットラインＢＬ１に高電圧ＨＶが印加されて、センスラインＳＬ１（コントロールラインＣＬ１）に接地電圧が印加されて、共通ソースラインＡＳＧがオープン状態とされる。このとき、ビット選択トランジスタＳＴ１はオンとなり、メモリセルトランジスタＭＴ１のトンネル絶縁膜には高電圧ＨＶが印加される。従って、フローティングゲートＦＧから電子が放出されて、フローティングゲートＦＧは電子が欠乏した状態となる。このとき、メモリセルトランジスタＭＴ１のスレッショルド電圧Ｖｔｈは、図５の読出電圧ＶＲＤよりも低くなる。この状態は、データ「０」が書き込まれた状態（データ「１」が消去された状態）に相当する。
【００４８】
なお、メモリセルＭＣ１からデータを読み出す際には、センスラインＳＬ１（コントロールラインＣＬ１）に読出電圧ＶＲＤを印加し、ワードラインＷＬ１に電源電圧Ｖｃｃを印加し、共通ソースラインＡＳＧに接地電圧を印加した状態で、ハイインピーダンスとされたビットラインＢＬ１に電流が流れるか否かを判定すればよい。ビットラインＢＬ１に電流が流れなければ、メモリセルトランジスタＭＴ１のスレッショルド電圧Ｖｔｈが読出電圧ＶＲＤよりも高い状態（すなわち、データ「１」が書き込まれた状態）であると判定することができる。一方、ビットラインＢＬ１に電流が流れれば、メモリセルトランジスタＭＴ１のスレッショルド電圧Ｖｔｈが読出電圧ＶＲＤよりも低い状態（すなわち、データ「０」が書き込まれた状態）であると判定することができる。
【００４９】
［リード／ライトアンプ］
図６は、リード／ライトアンプ１４の一構成例を示す回路図であり、特に、ビットラインＢＬ１及びデータラインＤＬ１に接続される構成要素が代表的に描写されている。先述した通り、リード／ライトアンプ１４は、メモリバンク１１からデータを読み出すためのセンスアンプシステムとして、プリチャージ電流生成部１４１と、参照電流生成部１４２と、センスアンプ部１４３と、スイッチ部１４４と、マルチプレクサ部１４５とを含む。
【００５０】
プリチャージ電流生成部１４１は、ＰチャネルＭＯＳ［metal oxide semiconductor］電界効果トランジスタ１４１ａを含む。トランジスタ１４１ａのソース及びバックゲートは、電源電圧Ｖｃｃの印加端に接続されている。トランジスタ１４１ａのゲートは、プリチャージ制御信号ＰＣＨＡＢ（ローアクティブ）の印加端に接続されている。トランジスタ１４１ａのドレインは、センスアンプ部１４３の入力端に接続されている。プリチャージ制御信号ＰＣＨＡＢがハイレベルであるときにはトランジスタ１４１ａがオフとなり、プリチャージ電流Ｉｐｒｅが停止される。逆に、プリチャージ制御信号ＰＣＨＡＢがローレベルであるときにはトランジスタ１４１ａがオンとなり、プリチャージ電流Ｉｐｒｅが供給される。
【００５１】
参照電流生成部１４２は、定電流源１４２ａと、可変電流源１４２ｂと、ダミーメモリセル１４２ｃと、を含む。
【００５２】
定電流源１４２ａは、一定値の第１参照電流Ｉｒｅｆ１（従来の参照電流Ｉｒｅｆに相当）を生成する。可変電流源１４２ｂは、ダミーメモリセル１４２ｃに流れるダミー寄生リーク電流Ｉｄｍに応じた第２参照電流Ｉｒｅｆ２を生成する。なお、第１参照電流Ｉｒｅｆ１と第２参照電流Ｉｒｅｆ２の和が参照電流Ｉｒｅｆとなる。
【００５３】
ダミーメモリセル１４２ｃは、常時非選択状態とされたＮ個（Ｎ≧１）のメモリセルである。ダミーメモリセル１４２ｃには、メモリバンク１１のメモリセルＭＣに流れる寄生リーク電流Ｉｌｅａｋと同一の挙動を示すダミー寄生リーク電流Ｉｄｍが流れる。なお、ダミーメモリセル１４２ｃの構成や配置レイアウトについては、後ほど詳細に説明する。
【００５４】
センスアンプ部１４３は、データラインＤＬ１用のセンスアンプ１４３ａを含む。センスアンプ１４３ａは、アクセス対象のメモリセルに流れる読出電流Ｉｍｅｍと所定の参照電流Ｉｒｅｆとを比較し、その比較結果に応じた論理レベルの出力データ信号ＤＯＵＴ１を生成する。
【００５５】
スイッチ部１４４は、Ｎチャネル型ＭＯＳ電界効果トランジスタ１４４ａ及び１４４ｂと、インバータ１４４ｃと、を含む。トランジスタ１４４ａのドレインは、センス抵抗１４２に接続されている。トランジスタ１４４ａのソースは、マルチプレクサ部１４５に接続されている。トランジスタ１４４ａのゲートは、インバータ１４４ｃの出力端に接続されている。インバータ１４４ｃの入力端は、センスアンプイネーブル信号ＳＡＥＮＢ（ローアクティブ）の印加端に接続されている。トランジスタ１４４ａのバックゲートは、接地端に接続されている。トランジスタ１４４ｂのドレインは、トランジスタ１４４ａのゲートに接続されている。トランジスタ１４４ｂのソース及びバックゲートは、接地端に接続されている。トランジスタ１４４ｂのゲートは、トランジスタ１４４ａのソースに接続されている。センスアンプイネーブル信号ＳＡＥＮＢがハイレベルであるときにはトランジスタ１４４ａがオフとなり、センスアンプ部１４３とデータラインＤＬ１との間が遮断される。一方、センスアンプイネーブル信号ＳＡＥＮＢがローレベルであるときにはトランジスタ１４４ａがオンとなり、センスアンプ部１４３とデータラインＤＬ１との間が導通される。なお、トランジスタ１４４ｂは、データラインＤＬ１の上限電位を１Ｖ程度に抑え込むためのクランプ素子として機能する。
【００５６】
マルチプレクサ部１４５を形成するスイッチ群１４５（１Ｈ）は、Ｎチャネル型ＭＯＳ電界効果トランジスタ１４５ａを含む。トランジスタ１４５ａのドレインは、データラインＤＬ１に接続されている。トランジスタ１４５ａのソースは、ビットラインＢＬ１に接続されている。トランジスタ１４５ａのゲートは、マルチプレクサ制御信号ＹＭＵＸ（１Ｈ）の印加端に接続されている。トランジスタ１４５ａのバックゲートは、接地端に接続されている。マルチプレクサ制御信号ＹＭＵＸ（１Ｈ）がハイレベルであるときにはトランジスタ１４５ａがオンとなり、ビットラインＢＬ１とデータラインＤＬ１との間が導通される。一方、マルチプレクサ制御信号ＹＭＵＸ（１Ｈ）がローレベルであるときにはトランジスタ１４５ａがオフとなり、ビットラインＢＬ１とデータラインＤＬ１との間が遮断される。
【００５７】
また、マルチプレクサ部１４５を形成するスイッチ群１４５（１Ｌ）は、Ｎチャネル型ＭＯＳ電界効果トランジスタ１４５ｂを含む。トランジスタ１４５ｂのドレインは、データラインＤＬ１に接続されている。トランジスタ１４５ｂのソースは、ビットラインＢＬ５に接続されている。トランジスタ１４５ｂのゲートは、マルチプレクサ制御信号ＹＭＵＸ（１Ｌ）の印加端に接続されている。トランジスタ１４５ｂのバックゲートは、接地端に接続されている。マルチプレクサ制御信号ＹＭＵＸ（１Ｌ）がハイレベルであるときにはトランジスタ１４５ｂがオンとなり、ビットラインＢＬ５とデータラインＤＬ１との間が導通される。一方、マルチプレクサ制御信号ＹＭＵＸ（１Ｌ）がローレベルであるときにはトランジスタ１４５ｂがオフとなり、ビットラインＢＬ５とデータラインＤＬ１との間が遮断される。
【００５８】
図７は、参照電流生成部１４２の一構成例を示す回路図である。本構成例の参照電流生成部１４２は、定電流源１４２ａと、可変電流源１４２ｂと、ダミーメモリセル１４２ｃと、を含む。
【００５９】
定電流源１４２ａは、Ｐチャネル型ＭＯＳ電界効果トランジスタＰ１１及びＰ１２と、Ｎチャネル型ＭＯＳ電界効果トランジスタＮ１１と、を含む。トランジスタＰ１１及びＰ１２のソースは、いずれも電源電圧の印加端に接続されている。トランジスタＰ１１及びＰ１２のゲートは、いずれもトランジスタＰ１１のドレインに接続されている。トランジスタＰ１１のドレインは、トランジスタＮ１１のドレインに接続されている。トランジスタＮ１１のソースは、接地端に接続されている。トランジスタＮ１１のゲートは、バイアス電圧ＶＢの印加端に接続されている。トランジスタＰ１２のドレインは、参照電流Ｉｒｅｆの出力端に相当する。
【００６０】
可変電流源１４２ｂは、Ｐチャネル型ＭＯＳ電界効果トランジスタＰ２１及びＰ２２とＮチャネル型ＭＯＳ電界効果トランジスタＮ２１及びＮ２２を含む。トランジスタＰ２１及びＰ２２のソースは、いずれも電源電圧の印加端に接続されている。トランジスタＰ２１及びＰ２２のゲートは、いずれもトランジスタＰ２１のドレインに接続されている。トランジスタＰ２１のドレインは、ダミーメモリセル１４２ｃに接続されている。トランジスタＰ２２のドレインは、トランジスタＮ２１のドレインに接続されている。トランジスタＮ２１及びＮ２２のゲートは、いずれもトランジスタＮ２１のドレインに接続されている。トランジスタＮ２１及びＮ２２のソースは、いずれも接地端に接続されている。トランジスタＮ２２のドレインは、定電流源１４２ａに含まれるトランジスタＰ１１のドレインに接続されている。
【００６１】
ダミーメモリセル１４２ｃは、メモリバンク１１の外周縁部を形成するメモリセル（ハッチング付きのメモリセル）に隣接して配置されている。このような配置レイアウトを採用することにより、寄生電流Ｉｌｅａｋとダミー寄生電流Ｉｄｍの温度特性を一致させることが可能となるだけでなく、メモリバンク１１の内部と外周縁部との間で素子の粗密を解消してメモリセル毎の特性ばらつきを解消することも可能となる。なお、ダミー寄生リーク電流Ｉｄｍが流れるダミービットラインＤＢＬは、可変電流源１４２ｂに含まれるトランジスタＰ２１のドレインに接続されている。
【００６２】
図８は、ダミーメモリセルの一構成例を示す回路図である。本構成例のダミーメモリセル１４２ｃは、基本的にメモリバンク１１のメモリセルと同一の構造を有しており、ダミーのメモリセルトランジスタＤＭＴとビット選択トランジスタＤＳＴから成るダミーメモリセルＤＭＣを複数含む。
【００６３】
ダミーアドレスＤＡＤＲ（１，ｙ＋１）で指定される１バイト分のダミーメモリセルＤＭＣ１〜ＤＭＣ８に着目して接続関係を説明する。ダミーのビット選択トランジスタＤＳＴ１〜ＤＳＴ８のドレインは、いずれもダミービットラインＤＢＬに接続されている。ダミーのビット選択トランジスタＤＳＴ１〜ＤＳＴ８のソースは、それぞれダミーのメモリセルトランジスタＤＭＴ１〜ＤＭＴ８のドレインに接続されている。ダミーのビット選択トランジスタＤＳＴ１〜ＤＳＴ８のゲートは、いずれもワードラインＷＬ１に接続されている。ダミーのメモリセルトランジスタＤＭＴ１〜ＤＭＴ８のソースは、いずれも共通ソースラインＡＳＧに接続されている。共通ソースラインＡＳＧは、共通トランジスタＣＴを介して接地端に接続されている。ダミーのメモリセルトランジスタＤＭＴ１〜ＤＭＴ８のゲートは、いずれもダミーのバイト選択トランジスタＤＢＴ１を介してダミーセンスラインＤＳＬに接続されている。ダミーセンスラインＤＳＬは、ダミーメモリセルＤＭＣ１〜ＤＭＣ８を常時非選択状態とするために接地端に接続されている。ダミーのバイト選択トランジスタＢＴ１のゲートは、ワードラインＷＬ１に接続されている。
【００６４】
このように、ワードラインＷＬ１〜ＷＬｘ毎に１バイト分のダミーメモリセル（ダミーアドレスＤＡＤＲ（１，ｙ＋１）〜ＤＡＤＲ（ｘ，ｙ＋１））を追加する構成であれば、メモリバンク１１のメモリセルを形成する際に用いられるマスキングパターンを流用することが可能となる。
【００６５】
上記構成から成る参照電流生成部１４２の動作について説明する。可変電流源１４２ｂは、２段のカレントミラー（トランジスタＰ２１及びＰ２２、並びに、トランジスタＮ２１及びＮ２２）を用いてダミー寄生電流Ｉｄｍを所定のミラー比でミラーすることにより第２参照電流Ｉｒｅｆ２を生成する。
【００６６】
一方、定電流源１４２ａは、トランジスタＮ１１を用いてバイアス電圧ＶＢに応じた一定の第１参照電流Ｉｒｅｆ１を生成すると共に、トランジスタＰ１１及びＰ１２から成るカレントミラーを用いて第１参照電流Ｉｒｅｆ１と第２参照電流Ｉｒｅｆ２との合算電流を所定のミラー比でミラーすることにより参照電流Ｉｒｅｆを生成する。
【００６７】
なお、カレントミラーの段数や各段のミラー比については、ダミーメモリセル１４２ｃの個数Ｎとメモリバンク１１に含まれるメモリセルの個数（ｘ×ｚ）（延いてはメモリバンク１１の記憶容量）を考慮して、第２参照電流Ｉｒｅｆ２が寄生リーク電流Ｉｌｅａｋと一致するように適宜設定すればよい。
【００６８】
このように、本構成例のリード／ライトアンプ１４は、寄生リーク電流Ｉｌｅａｋを補うように参照電流Ｉｒｅｆの可変制御を行う構成とされている。このような構成であれば高温下でもデータを正しく読み出すことが可能となる（図９を参照）。また、常温下であってもメモリバンク１１の大容量化に伴って寄生リーク電流Ｉｌｅａｋは増大するが、上記構成であれば、メモリバンク１１の大容量化が進んでもデータを正しく読み出すことが可能となる。従って、特に、高温動作保証が要求される車載用の不揮発性メモリＩＣや大容量化が要求される汎用の不揮発性メモリＩＣなどでは、上記の構成を採用することが好ましい。
【００６９】
また、寄生リーク電流Ｉｌｅａｋを補うように参照電流Ｉｒｅｆの可変制御を行う構成であれば、記憶容量や動作温度などに依ることなく、センスアンプ部１４３を共通の仕様で設計することが可能となる。
【００７０】
＜車載機器＞
図１０は半導体記憶装置１０を搭載した車載機器の一構成例を示すブロック図である。本構成例の車載機器１は、半導体記憶装置１０と、マイコン２０と、表示部３０と、ヒューマンインタフェイス部４０と、電源部５０と、を有する。
【００７１】
半導体記憶装置１０は、マイコン２０によって制御される被制御機器の一つであり、ＲＯＭ［read only memory］やＲＡＭ［random access memory］と共に、マイコン２０で実行される各種プログラムの格納領域や作業領域として利用される。
【００７２】
マイコン２０は、車載機器１の動作を統括的に制御する。
【００７３】
表示部３０は、マイコン２０によって制御される被制御機器の一つであり、画像や文字などを出力する。表示部３０としては、液晶表示パネル等を好適に用いることができる。
【００７４】
ヒューマンインタフェイス部４０は、マイコン２０によって制御される被制御機器の一つであり、ユーザ操作を受け付ける。ヒューマンインタフェイス部４０としては、キー、ボタン、及び、タッチパネル等を好適に用いることができる。
【００７５】
電源部５０は、バッテリ２からの供給電圧ＶｂａｔをＤＣ／ＤＣ変換して複数の内部電源電圧（電源電圧Ｖｃｃなど）を生成し、これらを車載機器１の各部に供給する。
【００７６】
＜車両＞
図１１は、車載機器１を搭載した車両の一構成例を示す外観図である。本構成例の車両Ｘは、車載機器Ｘ１１〜Ｘ１７と、これらの車載機器Ｘ１１〜Ｘ１７に電力を供給するバッテリ（図１１では不図示）と、を搭載している。
【００７７】
車載機器Ｘ１１は、エンジンに関連する制御（インジェクション制御、電子スロットル制御、アイドリング制御、酸素センサヒータ制御、及び、オートクルーズ制御など）を行うエンジンコントロールユニットである。
【００７８】
車載機器Ｘ１２は、ＨＩＤ［high intensity discharged lamp］やＤＲＬ［daytime running lamp］などの点消灯制御を行うランプコントロールユニットである。
【００７９】
車載機器Ｘ１３は、トランスミッションに関連する制御を行うトランスミッションコントロールユニットである。
【００８０】
車載機器Ｘ１４は、車両Ｘの運動に関連する制御（ＡＢＳ［anti-lock brake system］制御、ＥＰＳ［electric power Steering］制御、電子サスペンション制御など）を行うボディコントロールユニットである。
【００８１】
車載機器Ｘ１５は、ドアロックや防犯アラームなどの駆動制御を行うセキュリティコントロールユニットである。
【００８２】
車載機器Ｘ１６は、ワイパー、電動ドアミラー、パワーウィンドウ、電動サンルーフ、電動シート、及び、エアコンなど、標準装備品やメーカーオプション品として、工場出荷段階で車両Ｘに組み込まれている電子機器である。
【００８３】
車載機器Ｘ１７は、車載Ａ／Ｖ［audio/visual］機器、カーナビゲーションシステム、及び、ＥＴＣ［Electronic Toll Collection System］など、ユーザの任意で車両Ｘに装着される電子機器である。
【００８４】
なお、先に説明した半導体記憶装置１０は、車載機器Ｘ１１〜Ｘ１７のいずれにも組み込むことが可能である。
【００８５】
＜その他の変形例＞
なお、上記の実施形態では、高温動作保証が要求される車載用の不揮発性メモリＩＣに本発明を適用した構成を例に挙げて説明を行ったが、本発明の適用対象はこれに限定されるものではなく、大容量化が要求される汎用の不揮発性メモリＩＣなどにも広く適用することが可能である。
【００８６】
また、本明細書中に開示されている種々の技術的特徴は、上記実施形態のほか、その技術的創作の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることが可能である。すなわち、上記実施形態は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきであり、本発明の技術的範囲は、上記実施形態の説明ではなく、特許請求の範囲によって示されるものであり、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内に属する全ての変更が含まれると理解されるべきである。
【産業上の利用可能性】
【００８７】
本発明は、例えば、高温動作保証が要求される車載用の不揮発性メモリＩＣや大容量化が要求される汎用の不揮発性メモリＩＣなどのデータ読出精度を向上するための技術として好適に利用することが可能である。
【符号の説明】
【００８８】
１    車載機器
２    バッテリ
１０    半導体記憶装置
１１    メモリバンク
１２    メモリコントローラ
１３    データレジスタ
１４    リード／ライトアンプ
１４１    プリチャージ電流生成部
１４１ａ    Ｐチャネル型ＭＯＳ電界効果トランジスタ
１４２    参照電流生成部
１４２ａ    定電流源
１４２ｂ    可変電流源
１４２ｃ    ダミーメモリセル
１４３    センスアンプ部
１４３ａ    センスアンプ
１４４    スイッチ部
１４４ａ、１４４ｂ    Ｎチャネル型ＭＯＳ電界効果トランジスタ
１４４ｃ    インバータ
１４５（１Ｈ／１Ｌ、２Ｈ／２Ｌ、…、ｙＨ／ｙＬ）    マルチプレクサ部
１４５ａ、１４５ｂ    Ｎチャネル型ＭＯＳ電界効果トランジスタ
１５    アドレスレジスタ
１６    アドレスデコーダ
１７    電源電圧検出部
１８    高電圧生成部
２０    マイコン
３０    表示部
４０    ヒューマンインタフェイス部
５０    電源部
ＶＣＣ    電源端子
ＳＣＫ    クロック端子
ＣＳＢ    チップセレクト端子（ローアクティブ）
ＳＩ    データ入力端子
ＳＯ    データ出力端子
ＧＮＤ    接地端子
ＷＬ    ワードライン
ＣＬ    コントロールライン
ＳＬ、ＤＳＬ    センスライン
ＢＬ、ＤＢＬ    ビットライン
ＡＳＧ    共通ソースライン
ＭＣ、ＤＭＣ    メモリセル
ＳＴ、ＤＳＴ    ビット選択トランジスタ
ＭＴ、ＤＭＴ    メモリセルトランジスタ
ＢＴ、ＤＢＴ    バイト選択トランジスタ
ＣＴ    共通トランジスタ
ＤＳ、ＤＭ    ドレイン
ＳＳ、ＳＭ    ソース
Ｇ    ゲート
ＣＧ    コントロールゲート
ＦＧ    フローティングゲート
Ｘ    車両
Ｘ１１〜Ｘ１７    車載機器
【図１】
0006039919.tif 000002
【図２】
0006039919.tif 000003
【図３】
0006039919.tif 000004
【図４】
0006039919.tif 000005
【図５】
0006039919.tif 000006
【図６】
0006039919.tif 000007
【図７】
0006039919.tif 000008
【図８】
0006039919.tif 000009
【図９】
0006039919.tif 000010
【図１０】
0006039919.tif 000011
【図１１】
0006039919.tif 000012
【図１２】
0006039919.tif 000013