(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面に１個の電極が形成され、前記第１面と表裏をなす第２面に２個以上の電極が形成された半導体素子と、
前記半導体素子を搭載する搭載面を有するとともにＬ字型の切り欠きを有する第１ダイパッド及び当該第１ダイパッドと一体に形成され前記第１ダイパッドから所定の第１方向に延在する第１リードを有する１個の第１リードフレームと、
前記第１リードフレームとは隔離して配置され、前記第１ダイパッドの切り欠きである前記Ｌ字型のうち、縦棒の部分の切り欠きに対応する部分を有する形状である第２ダイパッド及び当該第２ダイパッドと一体に形成され前記第２ダイパッドから前記第１方向に延在する第２リードを有する１又は２以上の第２リードフレームと、
前記第１リードフレーム及び第２リードフレームとは隔離して配置された接続部並びに当該接続部から前記第１方向に延在する第３リードを有する第３リードフレームとを備える樹脂封止型半導体装置であって、
前記半導体素子は、前記第２面が前記第１ダイパッド及び前記第２ダイパッドに対向し、かつ、前記第１ダイパッド及び前記第２ダイパッドを跨いだ状態で前記第１ダイパッド及び前記第２ダイパッドに搭載され、
前記半導体素子の前記第２面に形成された電極のうちの１個の電極は、前記第１リードフレームの前記第１ダイパッドに直接電気接続され、
前記半導体素子の前記第２面に形成された他の電極は、前記１又は２以上の第２リードフレームの前記第２ダイパッドに直接電気接続され、
前記半導体素子の前記第１面に形成された電極は、板状の接続用クリップを介して前記第３リードフレームの前記接続部に電気接続されてなり、
前記Ｌ字型の切り欠きのうち縦棒に位置する箇所に前記第２ダイパッドが位置し、前記Ｌ字型の切り欠きのうち横棒に位置する箇所であって、前記第２ダイパッドと前記第１ダイパッドとの間に、前記第３リードフレームの前記接続部が位置し、
前記第１リードフレームの大きさは前記第２リードフレームよりも大きくなり、かつ、前記第２リードフレームの大きさは第３リードフレームよりも大きくなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置において、
前記半導体素子は、前記第１ダイパッド及び前記第２ダイパッドを跨いだ状態で前記第１ダイパッド及び前記第２ダイパッドに搭載されたときに、前記第２面に形成された電極のうちの前記１個の電極が、前記第１リードフレームの第１ダイパッドに対向する位置に存在するとともに前記第２面に形成された前記他の電極が、前記１又は２以上の第２リードフレームの前記第２ダイパッドに対向する位置に存在するように、前記１個の電極及び他の電極がそれぞれ形成されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の樹脂封止型半導体装置において、
前記半導体素子は、ソース電極、ゲート電極及びドレイン電極を有する３端子型の半導体素子であって、
前記第２面に形成された電極のうちの前記１個の電極は、前記ソース電極であり、前記第２面に形成された前記他の電極は、前記ゲート電極であり、前記第１面に形成された前記電極は、前記ドレイン電極であることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項４】
請求項１又は２に記載の樹脂封止型半導体装置において、
前記半導体素子は、エミッター電極、ゲート電極及びコレクター電極を有する３端子型の半導体素子であって、
前記第２面に形成された電極のうちの前記１個の電極は、前記エミッター電極であり、前記第２面に形成された前記他の電極は、前記ゲート電極であり、前記第１面に形成された前記電極は、前記コレクター電極であることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項５】
請求項１又は２に記載の樹脂封止型半導体装置において、
前記半導体素子は、エミッター電極、ベース電極及びコレクター電極を有する３端子型の半導体素子であって、
前記第２面に形成された電極のうちの前記１個の電極は、前記エミッター電極であり、前記第２面に形成された前記他の電極は、前記ベース電極であり、前記第１面に形成された前記電極は、前記コレクター電極であることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項６】
請求項１又は２に記載の樹脂封止型半導体装置において、
前記半導体素子は、カソード電極、ゲート電極及びアノード電極を有する３端子型の半導体素子であって、
前記第２面に形成された電極のうちの前記１個の電極は、前記カソード電極であり、前記第２面に形成された前記他の電極は、前記ゲート電極であり、前記第１面に形成された前記電極は、前記アノード電極であることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。                                                                    
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂封止型半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一方の面（第１面という。）に１個の電極が形成され、第１面と表裏をなす他方の面（第２面という。）に２個以上の電極が形成された半導体素子をダイパッドに取り付けた構造を有する樹脂封止型半導体装置が従来より知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
図１１は、従来の樹脂封止型半導体装置９００を説明するために示す図である。図１１（ａ）は樹脂封止型半導体装置９００の平面図であり、図１１（ｂ）は樹脂封止型半導体装置９００の側面図である。
【０００４】
従来の樹脂封止型半導体装置９００は、図１１に示すように、第１面に１個の電極（ドレイン電極Ｄ）が形成され、第２面に２個の電極（ソース電極Ｓ及びゲート電極Ｇ）が形成された半導体素子９１０と、半導体素子９１０を搭載するための搭載面を有するダイパッド９２２及びダイパッド９２２から所定の第１方向（図１１においてはｙ軸に沿った下方向とする。）に延在する第１リード９２４を有する１個の第１リードフレーム９２０と、それぞれが接続部９３２ａ，９３２ｂ及び当該接続部９３２ａ，９３２ｂから第１方向に延在する第２リード９３４ａ，９３４ｂを有する２個の第２リードフレーム９３０ａ，９３０ｂとを備える。
【０００５】
従来の樹脂封止型半導体装置９００においては、半導体素子９１０は第１面が裏面（ダイパッド９２２に対向する側の面）、第２面が表面となるようにしてダイパッド９２２上に搭載される。これにより、半導体素子９１０の第１面に形成されたドレイン電極Ｄは、ダイパッド９２２に直接電気接続されることによって、第１リードフレーム９２０に電気接続されることとなる。一方、半導体素子９１０の第２面に形成されたソース電極Ｓ及びゲート電極Ｇは、ワイヤーなどの電気接続部材９５０，９５２を介して第２リードフレーム９３０ａ，９３０ｂの接続部９３２ａ，９３２ｂに電気接続されることとなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００８−９１５２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従来の樹脂封止型半導体装置９００においては、半導体素子９１０の第２面に形成された２個の電極（ソース電極Ｓ及びゲート電極Ｇ）のそれぞれを第２リードフレーム９３０ａ，９３０ｂの接続部９３２ａ，９３２ｂに電気接続するために、２本の電気接続部材を用いる必要がある。
【０００８】
このように、従来の樹脂封止型半導体装置９００は、３個の電極のうちのうちの２個の電極（ソース電極及びゲート電極）が電気接続部材９５０，９５２によって第２リードフレーム９３０ａ，９３０ｂの接続部９３２ａ，９３２ｂに接続された構成であるために、電気接続部材が２本必要となり、当該樹脂封止型半導体装置９００を製造する際の工数が多く、作業時間と手間がかかることから、生産性が低いという問題がある。また、電気接続部材９５０，９５２は、経年変化などにより接続部から外れたりする場合もあり、信頼性という点においても問題がある。したがって、生産性の向上と信頼性の向上とを図るには、電気接続部材による接続をできる限り少なくすることが好ましい。また、電気接続部材が２本必要であるため、部品点数が多くコストの面においても問題がある。
【０００９】
そこで、本発明はこのような問題を解決するためになされたもので、生産性の向上と信頼性の向上とを図ることを可能とするとともにコストの削減をも可能とする樹脂封止型半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
［１］本発明の樹脂封止型半導体装置は、第１面に１個の電極が形成され、前記第１面と表裏をなす第２面に２個以上の電極が形成された半導体素子と、前記半導体素子を搭載する搭載面を有するとともに切り欠きを有する第１ダイパッド及び当該第１ダイパッドと一体に形成され前記第１ダイパッドから所定の第１方向に延在する第１リードを有する１個の第１リードフレームと、前記第１リードフレームとは隔離して配置され、前記第１ダイパッドの切り欠きに対応する形状を有する第２ダイパッド及び当該第２ダイパッドと一体に形成され前記第２ダイパッドから前記第１方向に延在する第２リードを有する１又は２以上の第２リードフレームと、前記第１リードフレーム及び第２リードフレームとは隔離して配置された接続部並びに当該接続部から前記第１方向に延在する第３リードを有する第３リードフレームとを備える樹脂封止型半導体装置であって、前記半導体素子は、前記第２面が前記第１ダイパッド及び前記第２ダイパッドに対向し、かつ、前記第１ダイパッド及び前記第２ダイパッドを跨いだ状態で前記第１ダイパッド及び前記第２ダイパッドに搭載され、前記半導体素子の前記第２面に形成された電極のうちの１個の電極は、前記第１リードフレームの前記第１ダイパッドに直接電気接続され、前記半導体素子の前記第２面に形成された他の電極は、前記１又は２以上の第２リードフレームの前記第２ダイパッドに直接電気接続され、前記半導体素子の前記第１面に形成された電極は、電気接続子を介して前記第３リードフレームの前記接続部に電気接続されてなることを特徴とする。
【００１１】
［２］本発明の樹脂封止型半導体装置において、前記半導体素子は、前記第１ダイパッド及び前記第２ダイパッドを跨いだ状態で前記第１ダイパッド及び前記第２ダイパッドに搭載されたときに、前記第２面に形成された電極のうちの前記１個の電極が、前記第１リードフレームの第１ダイパッドに対向する位置に存在するとともに前記第２面に形成された前記他の電極が、前記１又は２以上の第２リードフレームの前記第２ダイパッドに対向する位置に存在するように、前記１個の電極及び他の電極がそれぞれ形成されていることが好ましい。
【００１２】
［３］本発明の樹脂封止型半導体装置において、前記半導体素子は、ソース電極、ゲート電極及びドレイン電極を有する３端子型の半導体素子であって、前記第２面に形成された電極のうちの前記１個の電極は、前記ソース電極であり、前記第２面に形成された前記他の電極は、前記ゲート電極であり、前記第１面に形成された前記電極は、前記ドレイン電極であることが好ましい。
【００１３】
［４］本発明の樹脂封止型半導体装置において、前記半導体素子は、エミッター電極、ゲート電極及びコレクター電極を有する３端子型の半導体素子であって、前記第２面に形成された電極のうちの前記１個の電極は、前記エミッター電極であり、前記第２面に形成された前記他の電極は、前記ゲート電極であり、前記第１面に形成された前記電極は、前記コレクター電極であることもまた好ましい。
【００１４】
［５］本発明の樹脂封止型半導体装置において、前記半導体素子は、エミッター電極、ベース電極及びコレクター電極を有する３端子型の半導体素子であって、前記第２面に形成された電極のうちの前記１個の電極は、前記エミッター電極であり、前記第２面に形成された前記他の電極は、前記ベース電極であり、前記第１面に形成された前記電極は、前記コレクター電極であることもまた好ましい。
【００１５】
［６］本発明の樹脂封止型半導体装置において、前記半導体素子は、カソード電極、ゲート電極及びアノード電極を有する３端子型の半導体素子であって、前記第２面に形成された電極のうちの前記１個の電極は、前記カソード電極であり、前記第２面に形成された前記他の電極は、前記ゲート電極であり、前記第１面に形成された前記電極は、前記アノード電極であることもまた好ましい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の樹脂封止型半導体装置は、半導体素子の第２面に形成されている各電極が、第１ダイパッド又は第２ダイパッドに直接接続され、第１面に形成されている電極だけが電気接続子によって接続される構成となっているため、電気接続子は１本で済む。このため、本発明の樹脂封止型半導体装置によれば、生産性の向上と信頼性の向上とを図ることが可能となるとともに部品点数を減らすことができるためにコストの削減も可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１０１を説明するために示す図である。
【図２】実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１０１に用いられる半導体素子１１１の外観構成を模式的に示す図である。
【図３】実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置１０２を説明するために示す図である。
【図４】実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置１０２に用いられる半導体素子１１２の外観構成を模式的に示す図である。
【図５】実施形態３に係る樹脂封止型半導体装置１０３を説明するために示す図である。
【図６】実施形態３に係る樹脂封止型半導体装置１０３に用いられる半導体素子１１３の外観構成を模式的に示す図である。
【図７】実施形態４に係る樹脂封止型半導体装置１０４を説明するために示す図である。
【図８】実施形態４に係る樹脂封止型半導体装置１０４に用いられる半導体素子１１４の外観構成を模式的に示す図である。
【図９】ゲート電極Ｇが半導体素子における第２面の左下の隅部に形成されている半導体素子１１５を用いた場合の樹脂封止型半導体装置１０５を説明するために示す図である。
【図１０】電気接続部材としてワイヤー以外の接続部材を用いた場合の樹脂封止型半導体装置１０６を説明するために示す図である。
【図１１】従来の樹脂封止型半導体装置９００を説明するために示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の実施形態について説明する。
【００１９】
［実施形態１］
図１は、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１０１を説明するために示す図である。図１（ａ）は樹脂封止型半導体装置１０１の平面図であり、図１（ｂ）は樹脂封止型半導体装置１０１の側面図である。
【００２０】
図２は、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１０１において使用する半導体素子１１１の外観構成を模式的に示す図である。図２（ａ）は半導体素子１１１の一方の面（第１面とする。）を模式的に示す図であり、図２（ｂ）は半導体素子１１１の他方の面（第２面とする。）を模式的に示す図である。なお、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１０１において使用する半導体素子１１１はパワーＭＯＳＦＥＴであるとする。
【００２１】
実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１０１は、図１に示すように、半導体素子（パワーＭＯＳＦＥＴ）１１１と、第１リードフレーム１２０と、第２リードフレーム１３０と、第３リードフレーム１４０とを有している。
【００２２】
半導体素子１１１は、図２に示すように、第１面にドレイン電極Ｄが形成され（図２（ａ）参照。）、第１面と表裏をなす第２面にソース電極Ｓとゲート電極Ｇとが形成されている（図２（ｂ）参照。）。なお、ゲート電極Ｇは第２面の隅部に形成され、半導体素子１１１においては、図２（ｂ）に示すように、当該半導体素子１１１を第２面の側から見たときに、半導体素子１１１の右下の隅部に形成されているものとする。
【００２３】
第１リードフレーム１２０は、図１に示すように、半導体素子１１１を搭載するための搭載面を有するとともにＬ字型の切り欠き１２２ａを有する第１ダイパッド１２２と、当該第１ダイパッド１２２と一体に形成され、当該第１ダイパッド１２２から所定の第１方向（図１においてはｙ軸に沿った下方向とする。）に延在する第１リード１２４とを有している。
【００２４】
第２リードフレーム１３０は、第１リードフレーム１２０とは隔離して配置され、第１ダイパッド１２２の切り欠き１２２ａに対応する形状を有する第２ダイパッド１３２と、当該第２ダイパッド１３２と一体に形成され、当該第２ダイパッド１３２から第１方向に延在する第２リード１３４とを有している。
【００２５】
第３リードフレーム１４０は、第１リードフレーム１２０及び第２リードフレーム１３０とは隔離して配置され、接続部１４２と、接続部１４２から第１方向に延在する第３リード１４４とを有している。
【００２６】
なお、第１リードフレーム１２０は、半導体素子１１１のソース電極Ｓを接続するためのリードフレームであり、第２リードフレーム１３０は、半導体素子１１１のゲート電極Ｇを接続するためのリードフレームであり、第３リードフレーム１４０は、半導体素子１１１のドレイン電極Ｄを接続するためのリードフレームである。
【００２７】
また、第１リードフレーム１２０から延在する第１リード１２４、第２リードフレーム１３０から延在する第２リード１３４及び第３リードフレーム１４０から延在する第３リード１４４は、図１（ａ）に示すような位置関係となるように設けられている。すなわち、第１リード１２４は、図１（ａ）における右端側に設けられ、第２リード１３４は、図１における左端側に設けられ、第３リード１４４は、第１リード１２４と第２リード１３４との間に設けられている。
【００２８】
第１リード１２４、第２リード１３４及び第３リード１４４のこのような位置関係は、当該樹脂封止型半導体装置１０１を電子機器などに搭載する際の配線上の都合などを考慮して設定されているものであるとして、ここでは、当該位置関係は変更しないものとする。これは、後述する実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置１０２においても同様である。
【００２９】
半導体素子１１１は、第１面の側が表面（露出する側の面）、第２面の側が裏面（第１ダイパッド１２２に対向する側の面）となるようにして、第１ダイパッド１２２及び第２ダイパッド１３２を跨いだ状態で第１ダイパッド１２２及び第２ダイパッド１３２に搭載される。このとき、半導体素子１１１は、第２面のうちのゲート電極Ｇが形成されている隅部のみが第２ダイパッド１３２に接触し、それ以外の領域は第１ダイパッド１２２に接触した状態となるように、第１ダイパッド１２２に搭載される。
【００３０】
これにより、半導体素子１１１のソース電極Ｓは第１ダイパッド１２２に直接電気接続され、それによってソース電極Ｓは第１リード１２４に電気接続された状態となる。また、半導体素子１１１のゲート電極Ｇは第２ダイパッド１３２に直接電気接続され、それによって、ゲート電極Ｇは第２リード１３４に電気接続された状態となる。
【００３１】
半導体素子１１１をこのように第１ダイパッド１２２及び第２ダイパッド１３２に搭載すると、ドレイン電極Ｄは表面（露出する側の面）に存在することとなるため、当該ドレイン電極Ｄは、電気接続部材としてのワイヤー１５０によって、第３リードフレーム１４０の接続部１４２に電気接続される。これにより、ドレイン電極Ｄは第３リード１４４に電気接続された状態となる。なお、ワイヤー１５０は、ドレイン電極Ｄ及び第３リードフレーム１４０の接続部１４２に対して半田付けなどによって接続される。
【００３２】
実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１０１は、図１に示すように、ソース電極Ｓ及びゲート電極Ｇは、第１ダイパッド１２２及び第２ダイパッド１３２にそれぞれ直接電気接続され、ドレイン電極Ｄだけがワイヤー１５０によって電気接続される構成となっているため、電気接続部材としてのワイヤーは１本で済む。このため、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１０１によれば、生産性の向上と信頼性の向上とを図ることが可能となるとともに部品点数を減らすことができるためにコストの削減も可能となる。
【００３３】
［実施形態２］
上記実施形態１においては、半導体素子としてパワーＭＯＳＦＥＴを使用した樹脂封止型半導体装置について説明したが、半導体素子としてはパワーＭＯＳＦＥＴに限られるものではなく、パワーＭＯＳＦＥＴ以外の半導体素子を使用した樹脂封止型半導体装置においても適用可能である。
【００３４】
図３は、実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置１０２を説明するために示す図である。図３（ａ）は樹脂封止型半導体装置１０２の平面図であり、図３（ｂ）は樹脂封止型半導体装置１０２の側面図である。
【００３５】
図４は、実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置１０２において使用する半導体素子１１２の外観構成を模式的に示す図である。図４（ａ）は半導体素子１１２の第１面を模式的に示す図であり、図４（ｂ）は半導体素子１１２の第２面を模式的に示す図である。なお、実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置１０２において使用する半導体素子１１２は、ＩＧＢＴであるとする。
【００３６】
半導体素子（ＩＧＢＴ）１１２は、図４に示すように、第１面にコレクター電極Ｃが形成され（図４（ａ）参照。）、第１面と表裏をなす第２面にエミッター電極Ｅとゲート電極Ｇとが形成されている（図４（ｂ）参照。）。なお、ゲート電極Ｇは、図４（ｂ）に示すように、当該半導体素子１１２を第２面の側から見たときは、右下の隅部に形成されているものとする。
【００３７】
一方、第１リードフレーム１２０、第２リードフレーム及び第３リードフレーム１３０は、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１０１と同様の構成となっており、同一構成要素には同一符号を付している。なお、実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置１０２においては、第１リードフレーム１２０は、エミッター電極Ｅを接続するためのリードフレームであり、第２リードフレーム１３０は、ゲート電極Ｇを接続するためのリードフレームであり、第３リードフレーム１４０は、コレクター電極Ｃを接続するためのリードフレームである。
【００３８】
また、第１リードフレーム１２０から延在する第１リード１２４、第２リードフレーム１３０から延在する第２リード１３４及び第３リードフレーム１４０から延在する第３リード１４４は、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１０１と同様に、第１リード１２４は、図３（ａ）における右端側に設けられ、第２リード１３４は、図３（ａ）における左端側に設けられ、第３リード１４４は、第１リード１２４と第２リード１３４との間に設けられている。
【００３９】
半導体素子１１２は、第１面の側が表面（露出する側の面）、第２面の側が裏面（第１ダイパッド１２２に対向する側の面）となるようにして、第１ダイパッド１２２及び第２ダイパッド１３２を跨いだ状態で第１ダイパッド１２２及び第２ダイパッド１３２に搭載される。このとき、半導体素子１１２は、第２面のうちのゲート電極Ｇが形成されている隅部のみが第２ダイパッド１３２に接触し、それ以外の領域は第１ダイパッド１２２に接触した状態となるように、第１ダイパッド１２２に搭載される。
【００４０】
これにより、半導体素子１１２のエミッター電極Ｅは第１ダイパッド１２２に直接電気接続され、それによってエミッター電極Ｅは第１リード１２４に電気接続された状態となる。また、半導体素子１１２のゲート電極Ｇは第２ダイパッド１３２に直接電気接続され、それによってゲート電極Ｇは第２リード１３４に電気接続された状態となる。
【００４１】
半導体素子１１２をこのように第１ダイパッド１２２及び第２ダイパッド１３２に搭載すると、コレクター電極Ｃは表面（露出する側の面）に存在することとなるため、当該コレクター電極Ｃは、電気接続部材としてのワイヤー１５０によって、第３リードフレーム１４０の接続部１４２に電気接続される。これにより、コレクター電極Ｃは第３リード１４４に電気接続された状態となる。なお、ワイヤー１５０は、コレクター電極Ｃ及び第３リードフレーム１４０の接続部１４２に対して半田付けなどによって接続される。
【００４２】
実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置１０２は、図３に示すように、エミッター電極Ｅ及びゲート電極Ｇは、第１ダイパッド１２２及び第２ダイパッド１３２にそれぞれ直接電気接続され、コレクター電極Ｃだけがワイヤー１５０によって電気接続される構成となっているため、電気接続部材としてのワイヤーは１本で済む。このため、実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置１０２によれば、生産性の向上と信頼性の向上とを図ることが可能となるとともに部品点数を減らすことができることによりにコストの削減も可能となる。
【００４３】
［実施形態３］
図５は、実施形態３に係る樹脂封止型半導体装置１０３を説明するために示す図である。図５（ａ）は樹脂封止型半導体装置１０３の平面図であり、図３（ｂ）は樹脂封止型半導体装置１０３の側面図である。
【００４４】
図６は、実施形態３に係る樹脂封止型半導体装置１０３において使用する半導体素子１１３の外観構成を模式的に示す図である。図６（ａ）は半導体素子１１３の第１面を模式的に示す図であり、図６（ｂ）は半導体素子１１３の第２面を模式的に示す図である。なお、実施形態３に係る樹脂封止型半導体装置１０３において使用する半導体素子１１３は、バイポーラトランジスターであるとする。
【００４５】
半導体素子（バイポーラトランジスター）１１３は、図６に示すように、第１面にコレクター電極Ｃが形成され（図６（ａ）参照。）、第１面と表裏をなす第２面にエミッター電極Ｅとベース電極Ｂとが形成されている（図６（ｂ）参照。）。なお、ベース電極Ｂは、図６（ｂ）に示すように、当該半導体素子１１３を第２面の側から見たときは、右下の隅部に形成されているものとする。
【００４６】
一方、第１リードフレーム１２０、第２リードフレーム及び第３リードフレーム１３０は、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１０１と同様の構成となっており、同一構成要素には同一符号を付している。なお、実施形態３に係る樹脂封止型半導体装置１０３においては、第１リードフレーム１２０は、エミッター電極Ｅを接続するためのリードフレームであり、第２リードフレーム１３０は、ベース電極Ｂを接続するためのリードフレームであり、第３リードフレーム１４０は、コレクター電極Ｃを接続するためのリードフレームである。
【００４７】
また、第１リードフレーム１２０から延在する第１リード１２４、第２リードフレーム１３０から延在する第２リード１３４及び第３リードフレーム１４０から延在する第３リード１４４は、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１０１と同様に、第１リード１２４は、図５（ａ）における右端側に設けられ、第２リード１３４は、図５（ａ）における左端側に設けられ、第３リード１４４は、第１リード１２４と第２リード１３４との間に設けられている。
【００４８】
半導体素子１１３は、第１面の側が表面（露出する側の面）、第２面の側が裏面（第１ダイパッド１２２に対向する側の面）となるようにして、第１ダイパッド１２２及び第２ダイパッド１３２を跨いだ状態で第１ダイパッド１２２及び第２ダイパッド１３２に搭載される。このとき、半導体素子１１３は、第２面のうちのベース電極Ｂが形成されている隅部のみが第２ダイパッド１３２に接触し、それ以外の領域は第１ダイパッド１２２に接触した状態となるように、第１ダイパッド１２２に搭載される。
【００４９】
これにより、半導体素子１１３のエミッター電極Ｅは第１ダイパッド１２２に直接電気接続され、それによってエミッター電極Ｅは第１リード１２４に電気接続された状態となる。また、半導体素子１１３のベース電極Ｂは第２ダイパッド１３２に直接電気接続され、それによってベース電極Ｂは第２リード１３４に電気接続された状態となる。
【００５０】
半導体素子１１３をこのように第１ダイパッド１２２及び第２ダイパッド１３２に搭載すると、コレクター電極Ｃは表面（露出する側の面）に存在することとなるため、当該コレクター電極Ｃは、電気接続部材としてのワイヤー１５０によって、第３リードフレーム１４０の接続部１４２に電気接続される。これにより、コレクター電極Ｃは第３リード１４４に電気接続された状態となる。なお、ワイヤー１５０は、コレクター電極Ｃ及び第３リードフレーム１４０の接続部１４２に対して半田付けなどによって接続される。
【００５１】
実施形態３に係る樹脂封止型半導体装置１０３は、図５に示すように、エミッター電極Ｅ及びベース電極Ｂは、第１ダイパッド１２２及び第２ダイパッド１３２にそれぞれ直接電気接続され、コレクター電極Ｃだけがワイヤー１５０によって電気接続される構成となっているため、電気接続部材としてのワイヤーは１本で済む。このため、実施形態３に係る樹脂封止型半導体装置１０３によれば、生産性の向上と信頼性の向上とを図ることが可能となるとともに部品点数を減らすことができることによりにコストの削減も可能となる。
【００５２】
［実施形態４］
図７は、実施形態４に係る樹脂封止型半導体装置１０４を説明するために示す図である。図５（ａ）は樹脂封止型半導体装置１０４の平面図であり、図３（ｂ）は樹脂封止型半導体装置１０４の側面図である。
【００５３】
図８は、実施形態４に係る樹脂封止型半導体装置１０４において使用する半導体素子１１４の外観構成を模式的に示す図である。図８（ａ）は半導体素子１１４の第１面を模式的に示す図であり、図８（ｂ）は半導体素子１１４の第２面を模式的に示す図である。なお、実施形態４に係る樹脂封止型半導体装置１０４において使用する半導体素子１１４は、カソード電極、ゲート電極及びアノード電極を有する３端子型のサイリスターであるとする。
【００５４】
半導体素子（サイリスター）１１４は、図８に示すように、第１面にアノード電極Ａが形成され（図８（ａ）参照。）、第１面と表裏をなす第２面にカソード電極Ｋとゲート電極Ｇとが形成されている（図８（ｂ）参照。）。なお、ゲート電極Ｇは、図８（ｂ）に示すように、当該半導体素子１１４を第２面の側から見たときは、右下の隅部に形成されているものとする。
【００５５】
一方、第１リードフレーム１２０、第２リードフレーム及び第３リードフレーム１３０は、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１０１と同様の構成となっており、同一構成要素には同一符号を付している。なお、実施形態４に係る樹脂封止型半導体装置１０４においては、第１リードフレーム１２０は、カソード電極Ｋを接続するためのリードフレームであり、第２リードフレーム１３０は、ゲート電極Ｇを接続するためのリードフレームであり、第３リードフレーム１４０は、アノード電極Ａを接続するためのリードフレームである。
【００５６】
また、第１リードフレーム１２０から延在する第１リード１２４、第２リードフレーム１３０から延在する第２リード１３４及び第３リードフレーム１４０から延在する第３リード１４４は、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１０１と同様に、第１リード１２４は、図７（ａ）における右端側に設けられ、第２リード１３４は、図７（ａ）における左端側に設けられ、第３リード１４４は、第１リード１２４と第２リード１３４との間に設けられている。
【００５７】
半導体素子１１４は、第１面の側が表面（露出する側の面）、第２面の側が裏面（第１ダイパッド１２２に対向する側の面）となるようにして、第１ダイパッド１２２及び第２ダイパッド１３２を跨いだ状態で第１ダイパッド１２２及び第２ダイパッド１３２に搭載される。このとき、半導体素子１１４は、第２面のうちのゲート電極Ｇが形成されている隅部のみが第２ダイパッド１３２に接触し、それ以外の領域は第１ダイパッド１２２に接触した状態となるように、第１ダイパッド１２２に搭載される。
【００５８】
これにより、半導体素子１１４のカソード電極Ｋは第１ダイパッド１２２に直接電気接続され、それによってカソード電極Ｋは第１リード１２４に電気接続された状態となる。また、半導体素子１１４のゲート電極Ｇは第２ダイパッド１３２に直接電気接続され、それによってゲート電極Ｇは第２リード１３４に電気接続された状態となる。
【００５９】
半導体素子１１４をこのように第１ダイパッド１２２及び第２ダイパッド１３２に搭載すると、アノード電極Ａは表面（露出する側の面）に存在することとなるため、当該アノード電極Ａは、電気接続部材としてのワイヤー１５０によって、第３リードフレーム１４０の接続部１４２に電気接続される。これにより、アノード電極Ａは第３リード１４４に電気接続された状態となる。なお、ワイヤー１５０は、アノード電極Ａ及び第３リードフレーム１４０の接続部１４２に対して半田付けなどによって接続される。
【００６０】
実施形態４に係る樹脂封止型半導体装置１０４は、図７に示すように、カソード電極Ｋ及びゲート電極Ｇは、第１ダイパッド１２２及び第２ダイパッド１３２にそれぞれ直接電気接続され、アノード電極Ａだけがワイヤー１５０によって電気接続される構成となっているため、電気接続部材としてのワイヤーは１本で済む。このため、実施形態４に係る樹脂封止型半導体装置１０４によれば、生産性の向上と信頼性の向上とを図ることが可能となるとともに部品点数を減らすことができることによりにコストの削減も可能となる。
【００６１】
なお、本発明は上記各実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形実施可能となるものである。たとえば、下記に示すような変形実施も可能である。
【００６２】
（１）上記実施形態１〜実施形態４に係る樹脂封止型半導体装置においては、半導体素子１１１，１１２,１１３，１１４をそれぞれ第２面の側から見たときに、それぞれのゲート電極Ｇ（半導体素子１１３においてはベース電極Ｂ）が半導体素子１１１，１１２，１１３，１１４における第２面の右下の隅部に存在するような構成としたが、このような構成の半導体素子に限られるものではない。例えば、従来技術で示したような半導体素子９１０（図１１参照。）の使用も可能となる。すなわち、従来技術で示したような半導体素子９１０は、当該半導体素子９１０を第２面の側から見たときに、ゲート電極Ｇが半導体素子における第２面の左下の隅部に形成されている半導体素子であって、このような構成の半導体素子の使用も可能である。
【００６３】
図９は、ゲート電極Ｇが半導体素子における第２面の左下の隅部に形成されている半導体素子１１５を用いた場合の樹脂封止型半導体装置１０５を説明するために示す図である。なお、図９においては、半導体素子１１５としてパワーＭＯＳＦＥＴを例にとって説明するが、半導体素子１１５としては、ＩＧＢＴ、バイポーラトランジスター、サイリスターなどであってもよい。なお、バイポーラトランジスターの場合は、ゲート電極Ｇをベース電極Ｂとして考えればよい。
【００６４】
半導体素子を第２面の側から見たときに、ゲート電極Ｇが当該半導体素子における第２面の左下の隅部に形成されている半導体素子１１５を使用する場合は、当該半導体素子１１５に対して、図９（ａ）〜図９（ｃ）に示すような操作を行ったのちに、当該半導体素子１１５を図９（ｄ）に示すように、第１ダイパッド１２２及び第２ダイパッド１３２に搭載すればよい。
【００６５】
すなわち、図９（ａ）に示すように第２面が表面となっている状態の半導体素子１１５を、ｘｙ座標上の例えばｙ軸に沿った仮想的な軸Ｌ（例えば半導体素子１１５の右端辺とする。）を回転軸として矢印ａ方向に１８０度回転させて裏返して、第１面が表面となるようにする（図９（ｂ）参照。）。続いて、図９（ｂ）に示す状態の半導体素子１１５をｘｙ平面上で矢印ｂ方向に９０度回転させる。これによって、半導体素子１１５のゲート電極Ｇを半導体素子１１５の左下の隅部に位置させることができる（図９（ｃ）参照。）。
【００６６】
そして、図９（ｃ）に示す状態となっている半導体素子１１５を、図９（ｄ）に示すように、第１ダイパッド１２２及び第２ダイパッド１３２に搭載することにより、半導体素子１１５のゲート電極Ｇを第２ダイパッド１３２に対向させることができ、ゲート電極Ｇを第２ダイパッド１３２に直接電気接続することができる。
【００６７】
なお、図９（ａ）に示すような半導体素子１１５のゲート電極Ｇを第２ダイパッド１３２に対向させるようにするための操作は、図９に示すような操作に限られるものではなく、図示は省略するが、例えば、半導体素子１１５の上端辺を回転軸として１８０度回転させて裏返して、第１面が表面となるようにしたのちに、当該半導体素子１１５をｘｙ平面上で反時計方向に９０度回転させるようにしてもよい。これによっても、半導体素子１１５のゲート電極Ｇを半導体素子１１５の左下の隅部に位置させることができる。このように、図９（ａ）に示すような半導体素子１１５のゲート電極Ｇを第２ダイパッド１３２に対向させるようにするための操作は、特に限定されるものではなく、要は、半導体素子１１５を第１ダイパッド１２２及び第２ダイパッド１３２に搭載する際に、半導体素子１１５のゲート電極Ｇが第２ダイパッド１３２に対向するように半導体素子１１５を配置すればよい。
【００６８】
ところで、半導体素子１１５の外形が長方形である場合には、図９に示すように半導体素子１１５を取り付けると、半導体素子１１５が縦長として第１ダイパッド１２２及び第２ダイパッド１３２に搭載されることとなるが、第１ダイパッド１２２を、縦長の半導体素子１１５の搭載が可能となるような形状としておけば、半導体素子１１５を縦長の状態で搭載することは可能である。
【００６９】
（２）上記各実施形態においては、ドレイン電極Ｄ、コレクター電極Ｃ又はアノード電極Ａを第３リードフレーム１４０の接続部１４２に電気接続する際は、電気接続部材としてワイヤー１５０を用いたが、ワイヤーに限られるものではなく、例えば、接続用クリップなどの接続子を用いてもよい。
【００７０】
図１０は、電気接続部材としてワイヤー以外の接続部材を用いた場合の樹脂封止型半導体装置１０５を説明するために示す図である。なお、図１０においては、半導体素子としてパワーＭＯＳＦＥＴ１１１を用いた場合を例にとって説明する。図１０は（ａ）平面図であり、図１０（ｂ）は側面図である。図１０に示すように、ドレイン電極Ｄは第３リードフレーム１４０の接続部１４２に接続用クリップ１６０を用いて接続されている。このような構成としても実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１０１と同様の効果を得ることができる。なお、実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置１０２、実施形態３に係る樹脂封止型半導体装置１０３及び実施形態４に係る樹脂封止型半導体装置１０４においても、ワイヤー１５０の代わりに接続用クリップ１６０の使用が可能であることは勿論である。
【００７１】
（３）実施形態１及び実施形態２においては、３端子型の半導体素子を使用した樹脂封止型半導体装置について説明したが、３端子型の半導体素子に限られるものではなく、本発明は、４端子又は５端子以上の端子を有する半導体素子を使用した樹脂封止型半導体装置にも適用することができる。
【００７２】
（４）各実施形態における、各電極（ソース電極Ｓ、ゲート電極Ｇ、ドレイン電極Ｄ、エミッター電極Ｅ、ゲート電極Ｇ、コレクター電極Ｃ、エミッター電極Ｅ、ベース電極Ｂ、コレクター電極Ｃ、カソ−ド電極Ｋ、ゲート電極Ｇ、アノード電極Ａ）の形状及び配置位置は例示であり、本発明は、上記以外の種々の形状及び配置位置の電極を有する半導体素子を使用した樹脂封止型半導体装置にも適用することができる。
【符号の説明】
【００７３】
１０１，１０２，１０３，１０４，１０５・・・樹脂封止型半導体装置、１１１，１１２，１１３，１１４，１１５・・・半導体素子、１２０・・・第１リードフレーム、１２２・・・第１ダイパッド、１２４・・・第１リード、１３０・・・第２リードフレーム、１３２・・・第２ダイパッド、１３４・・・第２リード、１４０・・・第３リードフレーム、１４２・・・接続部、１５０・・・電気接続部材（ワイヤー）、１６０・・・電気接続部材（接続用クリップ）、Ａ・・・アノード電極、Ｂ・・・ベース電極、Ｃ・・・コレクター電極、Ｄ・・・ドレイン電極、Ｅ・・・エミッター電極、Ｇ・・・ゲート電極、Ｋ・・・カソード電極、Ｓ・・・ソース電極
【図１】
0005921072.tif 000002
【図２】
0005921072.tif 000003
【図３】
0005921072.tif 000004
【図４】
0005921072.tif 000005
【図５】
0005921072.tif 000006
【図６】
0005921072.tif 000007
【図７】
0005921072.tif 000008
【図８】
0005921072.tif 000009
【図９】
0005921072.tif 000010
【図１０】
0005921072.tif 000011
【図１１】
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