(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に、電極部とランド部ならびに前記電極部と前記ランド部とを連結する下部配線部が形成され、前記下部配線部を覆う絶縁材料層の上に、その一部が前記ランド部に接触する上部配線部が形成されている入力装置において、
前記電極部と前記ランド部ならびに前記下部配線部が透光性の導電材料層で一体に形成され、前記下部配線部の幅方向の寸法が、前記ランド部の前記幅方向の寸法よりも小さく形成されており、
前記下部配線部から前記ランド部の一部にかけて、前記導電材料層の上に金属層が連続して積層され、導電性金属を含む前記上部配線部が、前記ランド部の前記金属層が積層されていない領域で前記導電材料層に接触していることを特徴とする入力装置。
【請求項２】
前記ランド部の一部に積層されている前記金属層の幅寸法の最大値が、前記下部配線部と前記ランド部との境界部における前記下部配線層の幅寸法よりも大きく形成されている請求項１記載の入力装置。
【請求項３】
前記導電材料層がＩＴＯであり、前記金属層が銅を含む請求項１または２記載の入力装置。
【請求項４】
前記上部配線部が銀ペーストから形成されている請求項１ないし３のいずれかに記載の入力装置。
【請求項５】
前記上部配線部がＩＴＯとその上の金とで形成されている請求項１ないし３のいずれかに記載の入力装置。
【請求項６】
前記金属層は、前記ランド部の縁部の少なくとも一部に沿って、前記導電材料層に積層されている請求項１ないし５のいずれかに記載の入力装置。
【請求項７】
前記ランド部の一部に積層されている前記金属層は、前記下部配線部から離れるにしたがって幅寸法が徐々に広く形成されている請求項１ないし５のいずれかに記載の入力装置。
【請求項８】
それぞれが異なる前記電極部に導通する複数の前記ランド部が、同じ前記上部配線部に接触している請求項１ないし７のいずれかに記載の入力装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透光性の電極部から連続して形成されたランド部が、その上の階層に位置する上部配線層に接続された構造を有する入力装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１に記載された入力装置は、表示領域とこれを囲む加飾領域を有している。表示領域では、透明基板の表面に、Ｘ方向とＹ方向の双方へ一定の間隔を空けて配置された第１の透明電極と、前記第１の透明電極の間に位置してＸ方向に連続して延びる第２の透明電極とが形成されている。
【０００３】
前記加飾領域では、透明基板に、第２の透明電極のそれぞれからＸ方向へ一体に延びる配線層と、第１の透明電極のそれぞれからＸ方向へ一体に延びる第１の配線層が形成されている。前記配線層と前記第１の配線層は、絶縁層で覆われており、絶縁層の表面にＹ方向へ延びる複数の第２の配線層が形成されている。絶縁層の複数箇所にコンタクトホールが形成されており、コンタクトホールを介して第１の配線層と第２の配線層とが接触して導通している。
【０００４】
第２の配線層は複数本設けられており、Ｙ方向に延びる同一の列内に並んでいる複数の第１の電極層のそれぞれから延びる第１の配線が共通の第２の配線と接触して導通している。この配線構造では、Ｙ方向に延びる複数の列の同じ列内に位置する第１の透明電極が共通の第２の配線層を介して導通されているため、第１の電極層が複数列のＹ方向電極として機能している。また、第２の透明電極がＸ方向電極として機能している。
【０００５】
特許文献１の図２には、第１の配線と第２の配線との接合構造が示されている。
図２（ｂ）に示す接合構造では、第１の配線がＩＴＯ（Indium Tin Oxide）で形成されており、銀ペーストで形成された第２の配線が、ＩＴＯの第１の配線に直接に接合されている。
【０００６】
図２（ｃ）に示す接合構造では、ＩＴＯで形成された第１の配線の上に金属層が積層されており、第２の配線が金属層に接合されている。金属層は、Ｃｕ（銅）、ＣｕＮｉ（銅−ニッケル合金）、Ｃｕ／ＣｕＮｉ（Ｃｕの上にＣｕＮｉが積層された積層体）、ＣｕＮｉ／Ｃｕ／ＣｕＮｉ（３層の積層体）などで形成されており、第２の配線は銀ペーストで形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１３−１６７９９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献１の図２（ｂ）に記載された接合構造は、第１の配線のＩＴＯと第２の配線の銀ペーストが接触しているため、接触抵抗が安定する利点がある。一方で、この接合構造における第１の配線のパターンは、第２の配線との接触部で面積が広く、この接触部から延びる配線部で幅寸法が急激に小さくなるのが一般的である。しかし、ＩＴＯは比抵抗が高いため、第１の配線の接触部と配線部との境界部でＩＴＯの断面積が急激に変化する構造であると、静電気などに起因する予期せぬ大電流が流れたときに、この境界部に電流が集中して、静電破壊を生じることがある。
【０００９】
次に、図２（ｃ）の構造は、第１の配線のＩＴＯの上に金属層が積層されているため、電気抵抗が低下し、前記境界部における静電破壊を防止しやすい。しかしながら、金属層と第２の配線の銀ペーストとの接触抵抗が不安定であり、接触抵抗にばらつきが発生しやすい欠点がある。特に、第２の配線に比較して金属層の膜厚が極端に薄い構造であると、第２の配線を構成する金属が金属層に拡散することにより接触抵抗が不安定になりやすい。また、第２の配線に銀が含まれていると、銀が金属層に拡散しやすく、接触抵抗はさらに不安定になる。
【００１０】
本発明は上記従来の課題を解決するものであり、上下の配線部の接触を安定させ、しかも配線部の静電破壊などを防止しやすい構造の入力装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、基板の表面に、電極部とランド部ならびに前記電極部と前記ランド部とを連結する下部配線部が形成され、前記下部配線部を覆う絶縁材料層の上に、その一部が前記ランド部に接触する上部配線部が形成されている入力装置において、
前記電極部と前記ランド部ならびに前記下部配線部が透光性の導電材料層で一体に形成され、前記下部配線部の幅方向の寸法が、前記ランド部の前記幅方向の寸法よりも小さく形成されており、
前記下部配線部から前記ランド部の一部にかけて、前記導電材料層の上に金属層が連続して積層され、導電性金属を含む前記上部配線部が、前記ランド部の前記金属層が積層されていない領域で前記導電材料層に接触していることを特徴とするものである。
【００１２】
本発明の入力装置は、下部配線部が透光性の導電性材料層とその上に積層された金属層との積層体で形成されており、前記金属層がランド部の一部まで延びている。導電性金属を含む上部配線部がランド部を形成する透光性の導電材料層に直接に接触しているため、接触抵抗が安定する。また、ランド部から下部配線部にかけて幅寸法が変化する境界部で、導電材料層に金属層が積層されているため、境界部での抵抗値を下げることができ、静電気などに起因する大電流が流れることがあっても境界部の破壊を防止しやすい。
【００１３】
本発明は、前記ランド部の一部に積層されている前記金属層の幅寸法の最大値が、前記下部配線部と前記ランド部との境界部における前記下部配線層の幅寸法よりも大きく形成されているものとして構成される。
【００１４】
本発明は、例えば前記導電材料層がＩＴＯであり、前記金属層が銅を含むものである。また、前記上部配線部が銀ペーストから形成されている。または、前記上部配線部がＩＴＯとその上の金とで形成されている。
【００１５】
本発明の入力装置は、前記金属層が、前記ランド部の縁部の少なくとも一部に沿って、前記導電材料層に積層されている。
【００１６】
または、前記ランド部の一部に積層されている前記金属層は、前記下部配線部から離れるにしたがって幅寸法が徐々に広く形成されている。
【００１７】
本発明の入力装置は、それぞれが異なる前記電極部に導通する複数の前記ランド部が、同じ前記上部配線部に接触しているものとして構成できる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明は、電極部ならびに下部配線層と一体に形成されたランド部と、導電性金属を含む上部配線部との接触抵抗を安定させることができる。また大きな電流が流れたときに、下部配線層とランド部との境界部に破壊が生じるのを防止しやすくなる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の実施の形態の入力装置を備えた小型電子機器の正面図、
【図２】入力装置の配線構造を示す拡大正面図、
【図３】ランド部と上部配線部との接合部を示す部分拡大正面図、
【図４】図３をＩＶ−ＩＶ線で切断した断面図、
【図５】ランド部と下部配線部を示す部分拡大正面図、
【図６】他の実施の形態のランド部と下部配線部を示す部分拡大正面図、
【図７】さらに他の実施の形態のランド部と下部配線部を示す部分拡大正面図、
【発明を実施するための形態】
【００２０】
図１に本発明の入力装置１０を搭載した小型電子機器１が示されている。小型電子機器１は、携帯電話、携帯情報端末などとして使用される。
【００２１】
小型電子機器1は合成樹脂製の筐体２を有している。筐体２の内部には、カラー液晶表示装置などの表示装置と、各種電子回路を実装した回路基板などが収納されている。表示装置の表示側である前方（図１の紙面前方）に入力装置１０が配置されている。
【００２２】
入力装置１０は透過型のタッチパネルである。図４の断面図にも示されているように、入力装置１０の前方（Ｚ１方向）に表面パネル３が設けられている。表面パネル３は、透光性のアクリル系などの合成樹脂材料であり、例えばＰＭＭＡ（ポリメタクリル酸メチル）で形成されている。またはガラス板で形成されている。表面パネル３は筐体２の前方を覆っており、筐体２と共に小型電子機器１の外形を形成している。
【００２３】
図１に示すように、表面パネル３は、中央の四角い領域が表示・操作領域３ａであり、透光性である。表示装置の表示画面は、表示・操作領域３ａを透して前方から目視可能である。表面パネル３は、表示・操作領域３ａを囲む加飾領域３ｂを有している。加飾領域３ｂでは、表面パネル３の装置内方（図４のＺ２方向）に向く面に着色部が形成されており、表面パネル３が部分的に非透光性となっている。着色部は、塗装、スパッタ、着色フィルムの張り合わせなどの工程で形成されている。
【００２４】
図４に示すように、入力装置１０と表面パネル３は、高透明性接着剤（ＯＣＡ）などの透光性の接着剤層４で接着されて固定されている。本明細書での透光性とは、表示装置の表示内容を透視できる程度の光透過率を有していることを意味し、例えば全光線透過率が８０％以上であり、好ましくは９０％以上である。
【００２５】
図１と図４に示すように、入力装置１０は検知基板１１を有している。検知基板１１は、タッチセンサを形成するのに適した強度と耐熱性を有する合成樹脂であるＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）で形成される。またはＣＯＰ（環状ポリオレフィン）なども使用可能である。
【００２６】
図１と図４に示すように、検知基板１１は、装置の前方に向けられた検知表面１１ａを有している。図１に示すように、検知表面１１ａに、複数の第１の電極部２１と、複数の第２の電極部３１が形成されている。電極部２１，３１は、透光性の無機導電材料層であり、実施の形態では、ＩＴＯで形成された導電材料層で構成されている。電極部２１，３１の輪郭は目視しにくいものであるが、図１では、電極部２１，３１の輪郭を実線で示している。
【００２７】
小型電子機器１ならびに入力装置１０は、Ｙ方向が縦方向であり、Ｘ方向が横方向である。
【００２８】
第１の電極部２１は、縦方向（Ｙ方向）と横方向（Ｘ方向）に一定の間隔で規則的に配列して形成されている。図１に示すように、第１の電極部２１は、Ｘ１行、Ｘ２行、Ｘ３行、Ｘ４行、Ｘ５行、Ｘ６行の各行に沿ってＸ方向へ並んで配列している。第２の電極部３１は、第１の電極部２１の間に位置して縦方向に連続して延びて形成されている。第２の電極部３１は、Ｙ１列、Ｙ２列、Ｙ３列、Ｙ４列に沿って細長形状に形成されている。
【００２９】
図２に示すように、Ｘ１行に沿って並んでいる複数の第１の電極部２１のそれぞれから下部配線部２２ａが一体に延びている。Ｘ２行に沿って並んでいる複数の第１の電極部２１のそれぞれからは下部配線部２２ｂが一体に延び出ている。同様に、Ｘ３行に沿って並んでいる第１の電極部２１、Ｘ４行に沿って並んでいる第１の電極部２１、Ｘ５行に沿って並んでいる第１の電極部２１、Ｘ６行に沿って並んでいる第１の電極部２１からは、それぞれ下部配線部２２ｃ，２２ｄ，２２ｅ，２２ｆが延び出ている。
【００３０】
下部配線部２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄ，２２ｅ，２２ｆは、表示・操作領域３ａにおいて縦方向（Ｙ方向）へ平行に延びている。加飾領域３ｂには、複数のランド部２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄ，２３ｅ，２３ｆが形成されている。ランド部２３ａは下部配線部２２ａと一体に形成され、ランド部２３ｂは下部配線部２２ｂと一体に形成されている。同様に、ランド部２３ｃ，２３ｄ，２３ｅ，２３ｆは、下部配線部２２ｃ，２２ｄ，２２ｅ，２２ｆと一体に形成されている。ランド部２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄ，２３ｅ，２３ｆは四角形状である。
【００３１】
図３と図５にランド部２３ｅ，２３ｆが拡大して示され、図４の拡大断面図に、ランド部２３ｆと下部配線部２２ｆの断面が現れている。
【００３２】
複数の第１の電極部２１と、下部配線部２２ａ，２２ｂ，２２ｃ・・・ならびにランド部２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，・・・は、検知基板１１の検知表面１１ａに形成されている。第１の電極部２１はＩＴＯ層２４で形成されており、下部配線部２２ａ，２２ｂ，２２ｃ・・・とランド部２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，・・・は、第１の電極部２１から連続するＩＴＯ層２４で形成されている。
【００３３】
図５に示すように、ランド部２３ｅ，２３ｆは、下部配線部２２ｅ，２２ｆの端末部に一体に形成されている。下部配線部２２ｅ，２２ｆの配線方向に沿う単位長さ当たりの面積は、ランド部２３ｅ，２３ｆが下部配線部２２ｅ，２２ｆよりも大きくなっている。図５では、下部配線部２２ｅ，２２ｆの幅寸法がｄ１で示されているが、本明細書での下部配線部の幅寸法とは、下部配線部とランド部との境界部において測定された寸法を意味している。また、前記境界部とは、一定の幅寸法ｄ１で延びる下部配線部２２ｅ，２３ｅから、ランド部に至るために幅寸法が大きくなるように変化し始める起点を意味している。
【００３４】
図５に示すように、ランド部２３ｅ，２３ｆの前記幅寸法ｄ１の測定方向と同じ方向の幅寸法Ｄ２は、前記幅寸法ｄ１よりも十分に大きい。
【００３５】
これは、他のランド部２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄと下部配線部２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄとの関係においても同じである。
【００３６】
図４に示すように、加飾領域３ｂに引き回されている下部配線層２２ｆは、ＩＴＯ層２４の上に金属層２５が積層された積層体２６で構成されている。金属層２５は、Ｃｕ（銅）、ＣｕＮｉ（銅−ニッケル合金）、Ｃｕ／ＣｕＮｉ（Ｃｕの上にＣｕＮｉが積層された積層体）、ＣｕＮｉ／Ｃｕ／ＣｕＮｉ（３層の積層体）など、ＩＴＯ層２４よりも電気抵抗の低い金属材料で形成されている。
【００３７】
図４に示すように、下部配線部２２ｆに積層された金属層２５が、ランド部２３ｆの一部まで連続して延びており、ランド部２３ｆの一部が、前記積層体２６で形成された積層領域２７ｆとなっている。積層領域２７ｆは、四角形状のランド部２３ｆのひとつの辺に沿って形成されている。図５では、積層体２６で構成されている下部配線部２２ｆと積層領域２７ｆとがハッチングを付して示されている。
【００３８】
図５に示すように、積層領域２７ｆに積層されている金属層２５の前記幅寸法ｄ１と同じ方向での幅寸法はＤ２である。また、積層領域２７ｆに形成されている金属層２５の幅寸法の最小値はＤ１で、積層領域２７ｆの幅寸法の最大値がＤ２であり、最大値Ｄ２が前記幅寸法ｄ１よりも十分に大きく形成されている。
【００３９】
図５に示すように、他のランド部２３ｅと下部配線部２２ｅとの間にも積層領域２７ｅが設けられている。積層領域２７ｅは四角形状のランド部２３ｅのひとつの辺に沿って形成されている。ここでも、積層領域２７ｅに形成されている金属層２５の幅寸法の最小値がＤ１で、最大値がＤ２である。また、Ｄ２は、積層領域２７ｅの金属層２５の前記幅寸法ｄ１と同じ方向の寸法である。最大値Ｄ２は前記幅寸法ｄ１よりも十分に大きく形成されている。
【００４０】
また、その他の下部配線部２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄとランド部２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄとの間にも同様にして積層領域２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｄ（図示省略）が形成されている。
【００４１】
図２に示すように、第２の電極部３１には、Ｙ方向に延びる連続配線部３２が形成されている。第２の電極部３１と連続配線部３２は、検知基板１１の検知表面１１ａに形成されている。連続配線部３２は、第２の電極部３１から連続するＩＴＯ層３３で形成されている。図４の断面図に示すように、加飾領域３ｂに位置する連続配線部３２は、ＩＴＯ層３３と金属層３４との積層体で構成されている。金属層３４の金属材料は、前記金属層２５と同じである。
【００４２】
図４に示すように、加飾領域３ｂでは、検知基板１１の上に絶縁材料層１２が積層されている。絶縁材料層１２はノボラック樹脂などの有機絶縁材料で形成されている。絶縁材料層１２には、エッチング処理によりコンタクトホール１２ａが形成されている。図３と図４に示すように、コンタクトホール１２ａは、ランド部２３ｅ，２３ｆの中央部に形成されており、下部配線部２２ｅ，２２ｆと積層領域２７ｅ，２７ｆならびにランド部２３ｅ，２３ｆの周囲部分が絶縁材料層１２で覆われている。この構造は、他のランド部２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄにおいても同じである。
【００４３】
図３と図４に示すように、絶縁材料層１２の表面に上部配線部３５ｆが形成されている。上部配線部３５ｆは一定の幅寸法で横方向（Ｘ方向）へ延びているが、上部配線部３５ｆの一部は接合部３６ｆとなっている。接合部３６ｆは四角形状であり、前記ランド部２３ｆとほぼ同じ大きさで形成されている。そして、接合部３６ｆの一部は、前記コンタクトホール１２ａを介して前記ランド部２３ｆを構成するＩＴＯ層２４に直接に接触して導通している。
【００４４】
図３に示すように、絶縁材料層１２の表面に、前記上部配線部３５ｆと平行に形成された上部配線部３５ｅが形成されており、その一部が接合部３６ｅとなっている。接合部３６ｅは四角形状であり、前記ランド部２３ｅとほぼ同じ大きさで形成されている。接合部３６ｅの一部はコンタクトホール１２ａ内にて、その下側に位置するランド部２３ｅを構成するＩＴＯ層２４と直接に接触して導通している。
【００４５】
図２に示すように、絶縁材料層１２の表面には、他の上部配線部３５ａ，３５ｂ，３５ｃ，３５ｄが、前記上部配線部３５ｅ，３５ｆと平行に形成されており、それぞれに接合部３６ａ，３６ｂ，３６ｃ，３６ｄ（図示省略）が形成され、その一部がコンタクトホール１２ａを介して、その下側に位置するランド部２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄのＩＴＯ層２４に直接に接触して導通している。
【００４６】
上部配線部３５ａ，３５ｂ，３５ｃ，３５ｄ，３５ｅ，３５ｆと接合部３６ａ，３６ｂ，３６ｃ，３６ｄは銀ペーストを硬化させたもので形成されている。銀ペーストはバインダー樹脂に導電性金属である銀フィラーが混入しているものである。絶縁材料層１２の表面の全域に銀ペーストを印刷工程で塗工した後にバインダー樹脂を硬化させ、その後にエッチング処理することで、上部配線部３５ａ，３５ｂ，３５ｃ，３５ｄ，３５ｅ，３５ｆと接合部３６ａ，３６ｂ，３６ｃ，３６ｄ，３６ｅ，３６ｆが形成される。
【００４７】
図２に示すように、Ｘ６行上に並ぶ複数の第１の電極部２１のそれぞれと一体に形成されているランド部２３ｆが、共通の上部配線部３５ｆに接触して導通している。同様に、Ｘ５行上に並ぶ複数の第１の電極部２１のそれぞれと一体に形成されているランド部２３ｅが、共通の上部配線部３５ｅに接触して導通している。同様に、Ｘ４行上、Ｘ３行上、Ｘ２行上、Ｘ１行上に並ぶ第１の電極部２１と一体のランド部２３ｄ，２３ｃ，２３ｂ，２３ａが、上部配線部３５ｄ，３５ｃ，３５ｂ，３５ａにそれぞれ接触して導通している。
【００４８】
したがって、Ｘ１行上に並ぶ複数の第１の電極部２１は、上部配線部３５ａで連結されて同じ電位に設定され、Ｘ２行上に並ぶ複数の第１の電極部２１は、上部配線部３５ｂで連結されて同じ電位に設定される。同様に、Ｘ３行上に並ぶ複数の第１の電極部２１は同じ電位に設定され、Ｘ４行上に並ぶ複数の第１の電極部２１は同じ電位に設定され、Ｘ５行上に並ぶ複数の第１の電極部２１は同じ電位に設定され、Ｘ６行上に並ぶ複数の第１の電極部２１は同じ電位に設定される。
【００４９】
図１に示すように、検知基板１１の一部にコネクタ部１３が設けられている。それぞれの第２の電極部３１から延びる連続配線部３２は、コネクタ部１３に形成された複数の第２のランド部のそれぞれに導通している。コネクタ部１３には複数の第１のランド部が設けられ、第１のランド部から延びる導電層の上に前記絶縁材料層１２が形成されている。絶縁材料層１２には、前記導電層の上にコンタクトホールが形成され、絶縁材料層１２の上面に形成されている上部配線部３５ａ，３５ｂ，３５ｃ，３５ｄ，３５ｅ，３５ｆが、前記コンタクトホールを介してそれぞれの導電層に接合されて、それぞれの第１のランド部と導通している。
【００５０】
この入力装置１０は、表示・操作領域３ａを透して表示装置の表示画面を目視しながら、指や手を表示・操作領域３ａにおいて表面パネル３の表面に接触させまたは接近させることで入力操作を行うことができる。
【００５１】
第１の電極部２１と第２の電極部３１との間に静電容量が形成されている。相互容量検出方式では、第１の電極部２１に対してＸ１，Ｘ２，Ｘ３，・・・行ごとに順番に矩形波の電圧が一定周期で印加され、第２の電極部３１が検知電極として使用される。あるいは、第２の電極部３１に対してＹ１，Ｙ２，Ｙ３，・・・列ごとに順番に矩形波の電圧が一定周期で印加され、第１の電極部２１が検知電極として使用される。
【００５２】
駆動電極である第１の電極部２１または第２の電極部２２に電圧が印加されると、矩形波の立ち上がりと立下りのタイミングで、検知電極である第１の電極部２１または第２の電極部２２に電流が流れる。このときの電流量は、電極部間の静電容量によって決められる。指や手が表面パネル３の前方に接近すると、指または手と電極部との間に大きな静電容量が形成されるため、駆動電極部に電圧を印加したときに検知電極部に流れる電流が変化する。どの駆動電極部に電圧を印加しているかの情報と、検出された電流量とから、入力装置１０のどの部分に指または手が接近しているのかを制御部で判別することができる。
【００５３】
また、自己容量検出方式では、第１の電極部２１と第２の電極部２２が駆動電極と検知電極の双方の動作を行う。
【００５４】
図３と図４に示すように、下部配線部２２ｆと一体のランド部２３ｆと上部配線部３５ｆとの接触部では、ＩＴＯ層２４の上に積層されている金属層２５が絶縁材料層１２に覆われており、コンタクトホール１２ａ内では、銀ペーストから形成された上部配線部３５ｆが、ランド部２３ｆを構成するＩＴＯ層２４に直接に接触している。そのため、ランド部２３ｆと上部配線部３５ｆとの接触抵抗が安定する。
【００５５】
図４に示すように、ＩＴＯ層２４と金属層２５と上部配線部３５ｆとでは膜厚が大きく相違している。ＩＴＯ層２４はスパッタ工程や蒸着工程で形成されるため、膜厚は０．２μｍ程度であり、金属層２５もスパッタ工程などで形成されるため膜厚は０．１μｍ程度である。これに対し、銀ペーストを使用した印刷工程で形成される上部配線部３５ｆの膜厚は５〜１０μｍであり、上部配線部３５ｆの膜厚は金属層２５の膜厚の５０〜１００倍である。
【００５６】
そのため、上部配線部３５ｆが金属層２５に直接に接触していると、上部配線部３５ｆに含まれている導電材料層が金属層２５の内部に拡散し、しかも金属層２５はきわめて薄い構成であるため、接触抵抗が不安定になり、複数のランド部ごとに接触抵抗のばらつきが発生するようになる。特に、上部配線部３５ｆが銀を含んでいる場合には、銀が金属層２５の内部に拡散しやすく、接触抵抗のばらつきが顕著になる。これに対し、図３と図４に示すように、上部配線部３５ｆが、ＩＴＯ層２４に直接に接触している構造では、接触抵抗を安定させることができる。
【００５７】
一方で、ＩＴＯ層２４は比抵抗が大きな材料である。よって、ランド部２３ｆから下部配線部２２ｆにかけて幅寸法が極端に減少する境界部がＩＴＯ層２４のみで形成されている場合には、例えば静電気を帯びた指や手が表面パネル３に接近し、第１の電極部２１に短時間に大電流が与えられたときなどに、前記境界部でＩＴＯ層２４に静電破壊現象が発生するおそれがある。
【００５８】
しかしながら、本発明の実施の形態では、図５に示すように、ランド部２３ｆから下部配線部２２ｆにかけて幅寸法が極端に減少する境界部が、ＩＴＯ層２４と金属層２５との積層体２６で形成されて比抵抗が低くなっている。そのため、幅寸法が極端に低下している境界部での静電破壊現象を防止しやすくなる。
【００５９】
これは、図３と図５に示す他のランド部２３ｅと下部配線部２２ｅとの積層領域２７ｅにおいても同じであり、さらに他のランド部２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄと下部配線部２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄとの積層領域２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｄにおいても同じである。
【００６０】
なお、前記実施の形態では、上部配線部３５ａ，３５ｂ，３５ｃ，・・・が銀ペーストで形成されている例について説明したが、上部配線部３５ａ，３５ｂ，３５ｃ，・・・に含まれる導電性金属が金（Ａｕ）の場合であっても同じである。すなわち、膜厚の薄い金属層２５に金が直接に接合される構造も接触抵抗が不安定になるため、金がＩＴＯ層２４に接合されることが好ましい。さらには、上部配線部３５ａ，３５ｂ，３５ｃ，・・・が、ＩＴＯ層の上に金が積層された構造であると、コンタクトホール１２ａ内でＩＴＯ層２４の膜厚が増加された状態で金が接触するために、さらに接触抵抗を安定させることができる。
【００６１】
次に、図５に示す実施の形態では、ＩＴＯ層２４と金属層２５との積層体２６で形成された積層領域２７ｅ，２７ｆが、四角形状のランド部２３ｅ，２３ｆのひとつの辺に沿って形成されているが、積層領域２７ｅ，２７ｆが四角形状の２辺以上に連続して形成されていてもよい。例えば図６に示すように、積層領域２７ｅ，２７ｆが四角形状のランド部２３ｅ，２３ｆの全周に連続して形成されていてもよい。
【００６２】
図７に示す実施の形態では、ランド部２３ｅ，２３ｆが、四角形領域と、下部配線部２２ｅ，２２ｆに向けて幅寸法が徐々に小さくなる三角形領域とで構成されている。そして、ランド部２３ｅ，２３ｆの一部である三角形域は、ＩＴＯ層２４と金属層２５とが積層された積層領域１２７ｅ，１２７ｆとなっている。
【００６３】
図７では、下部配線部２２ｅ，２２ｆの幅寸法がｄ１であり、積層領域１２７ｅ，１２７ｆの前記幅寸法ｄ１と同じ向きでの幅寸法が、下部配線部２２ｅ，２２ｆから離れるにしたがって徐々に広くなっている。この幅寸法の最大値はＤ３であり、下部配線部２２ｅ，２２ｆの幅寸法ｄ１よりも大きく形成されている。
【００６４】
この実施の形態では、ランド部２３ｅ，２３ｆの一部が下部配線部２２ｅ，２２ｆに向けて幅寸法が徐々に減少する形状であり、この減少部分が積層体２６で形成されているため、ランド部２３ｅ，２ｆと下部配線部２２ｅ，２２ｆとの境界部での静電破壊現象が生じにくくなる。
【００６５】
なお、図５に示す幅寸法Ｄ２のｄ１に対する比、または図７に示す幅寸法Ｄ３のｄ１に対する比は、３倍以上が好ましく、さらに好ましくは５倍以上である。
【符号の説明】
【００６６】
１  小型電子機器
２  筐体
３  表面パネル
３ａ  表示・操作領域
３ｂ  加飾領域
１０  入力装置
１１  検知基板
１２  絶縁材料層
１２ａ  コンタクトホール
２１  第１の電極部
２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄ，２２ｅ，２２ｆ  下部配線部
２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄ，２３ｅ，２３ｆ  ランド部
２４  ＩＴＯ層
２５  金属層２５
２６  積層体
２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｄ，２７ｅ，２７ｆ  積層領域
３１  第２の電極部
３５ａ，３５ｂ，３５ｃ，３５ｄ，３５ｅ，３５ｆ  上部配線部
ｄ１  下部配線部の幅寸法
Ｄ２，Ｄ３  境界部の幅寸法の最大値
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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