(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹部が形成された主面を有する樹脂基板と、
前記凹部内に形成された導電部と、を備えた回路基板であって、
前記樹脂基板は、前記凹部の底面から突出した突起を有し、
前記突起は、前記主面よりも高い位置に先端を有しており、
前記導電部は、前記突起を覆い前記主面よりも盛り上がっていることを特徴とする回路基板。
【請求項２】
第１の回路基板と第２の回路基板を備えた多層回路基板であって、
前記第１の回路基板は、
第１の凹部が形成された第１の主面を有する第１の樹脂基板と、
前記第１の凹部内に形成された第１の導電部と、を備え、
前記第１の樹脂基板は、前記第１の凹部の底面から突出した突起を有し、
前記突起は、前記第１の主面よりも高い位置に先端を有しており、
前記第２の回路基板は、
第２の凹部が形成された第２の主面と、前記第２の主面の反対側に位置し、前記第２の凹部に連通する貫通孔が開口する第３の主面と、を有する第２の樹脂基板と、
前記第２の凹部内に形成された第２の導電部と、
前記貫通孔内に形成され、前記第２の導電部に接続されたビアと、を備えており、
前記第１の導電部と前記ビアとが接続された状態で、前記第１の回路基板と前記第２の回路基板とが積層されていることを特徴とする多層回路基板。
【請求項３】
凸部を有するインプリントモールドを準備する第１の工程と、
前記インプリントモールドを樹脂基板に押し付けて、前記凸部に対応した凹部を前記樹脂基板に形成する第２の工程と、
前記凹部内に導電部を形成する第３の工程と、を備えた回路基板の製造方法であって、
前記凸部は、前記凸部の高さよりも相対的に大きい深さを持つ穴部を有し、
前記第２の工程は、前記穴部に対応した突起を前記樹脂基板に形成することを含み、
前記第３の工程は、前記導電部で前記突起を覆い前記第１の樹脂基板の主面よりも前記導電部を盛り上げることを含むことを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項４】
第１の回路基板を形成する第１の基板形成工程と、
第２の回路基板を形成する第２の基板形成工程と、
前記第１の回路基板と前記第２の回路基板を積層する積層工程と、を備えた多層回路基板の製造方法であって、
前記第１の基板形成工程は、
凸部を有するインプリントモールドを準備する第１の工程と、
前記インプリントモールドを第１の樹脂基板に押し付けて、前記凸部に対応した第１の凹部を前記第１の樹脂基板に形成する第２の工程と、
前記第１の凹部内に第１の導電部を形成する第３の工程と、を含み、
前記凸部は、前記凸部の高さよりも相対的に大きい深さを持つ穴部を有し、
前記第２の工程は、前記穴部に対応した突起を前記第１の樹脂基板に形成することを含み、
前記第３の工程は、前記第１の導電部で前記突起を覆い前記第１の樹脂基板の主面よりも前記第１の導電部を盛り上げることを含んでおり、
前記第２の基板形成工程は、
第２の樹脂基板の第２の凹部内に第２の導電部を形成する第４の工程と、
第２の凹部に連通する貫通孔を前記第２の樹脂基板に形成する第５の工程と、
前記貫通孔に導電性ペーストを充填する第６の工程と、を含み、
前記積層工程は、前記第１の導電部と前記導電性ペーストを密着させてから、前記導電性ペーストを硬化させることを含むことを特徴とする多層回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ランドを有する回路基板及びその回路基板を備えた多層回路基板、並びにそれらの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ビアを有する複数の回路基板を積層して熱プレス加工により一体化し、当該ビア同士を接続した多層回路基板が知られている（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−２４４６０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記の多層回路基板では、ビアの表面が回路基板の主面と同一平面上に位置しているため、回路基板の積層時の押付力が弱く、多層回路基板の層間接続の信頼性が低いという問題がある。
【０００５】
本発明が解決しようとする課題は、積層時の層間接続の信頼性向上を図ることが可能な回路基板及び多層回路基板、並びにそれらの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
［１］本発明に係る回路基板は、凹部が形成された主面を有する樹脂基板と、前記凹部内に形成された導電部と、を備えた回路基板であって、前記樹脂基板は、前記凹部の底面から突出した突起を有し、前記突起は、前記主面よりも高い位置に先端を有しており、前記導電部は、前記突起を覆い前記主面よりも盛り上がっていることを特徴とする。
【０００７】
［２］本発明に係る多層回路基板は、第１の回路基板と第２の回路基板を備えた多層回路基板であって、前記第１の回路基板は、第１の凹部が形成された第１の主面を有する第１の樹脂基板と、前記第１の凹部内に形成された第１の導電部と、を備え、前記第１の樹脂基板は、前記第１の凹部の底面から突出した突起を有し、前記突起は、前記第１の主面よりも高い位置に先端を有しており、前記第２の回路基板は、第２の凹部が形成された第２の主面と、前記第２の主面の反対側に位置し、前記第２の凹部に連通する貫通孔が開口する第３の主面と、を有する第２の樹脂基板と、前記第２の凹部内に形成された第２の導電部と、前記貫通孔内に形成され、前記第２の導電部に接続されたビアと、を備えており、前記第１の導電部と前記ビアとが接続された状態で、前記第１の回路基板と前記第２の回路基板とが積層されていることを特徴とする。
【０００９】
［３］本発明に係る回路基板の製造方法は、凸部を有するインプリントモールドを準備する第１の工程と、前記インプリントモールドを樹脂基板に押し付けて、前記凸部に対応した凹部を前記樹脂基板に形成する第２の工程と、前記凹部内に導電部を形成する第３の工程と、を備えた回路基板の製造方法であって、前記凸部は、前記凸部の高さよりも相対的に大きい深さを持つ穴部を有し、前記第２の工程は、前記穴部に対応した突起を前記樹脂基板に形成することを含み、前記第３の工程は、前記導電部で前記突起を覆い前記第１の樹脂基板の主面よりも前記導電部を盛り上げることを含むことを特徴とする。
【００１０】
［４］本発明に係る多層回路基板の製造方法は、第１の回路基板を形成する第１の基板形成工程と、第２の回路基板を形成する第２の基板形成工程と、前記第１の回路基板と前記第２の回路基板を積層する積層工程と、を備えた多層回路基板の製造方法であって、前記第１の基板形成工程は、凸部を有するインプリントモールドを準備する第１の工程と、前記インプリントモールドを第１の樹脂基板に押し付けて、前記凸部に対応した第１の凹部を前記第１の樹脂基板に形成する第２の工程と、前記第１の凹部内に第１の導電部を形成する第３の工程と、を含み、前記凸部は、前記凸部の高さよりも相対的に大きい深さを持つ穴部を有し、前記第２の工程は、前記穴部に対応した突起を前記第１の樹脂基板に形成することを含み、前記第３の工程は、前記第１の導電部で前記突起を覆い前記第１の樹脂基板の主面よりも前記第１の導電部を盛り上げることを含んでおり、前記第２の基板形成工程は、第２の樹脂基板の第２の凹部内に第２の導電部を形成する第４の工程と、第２の凹部に連通する貫通孔を前記第２の樹脂基板に形成する第５の工程と、前記貫通孔に導電性ペーストを充填する第６の工程と、を含み、前記積層工程は、前記第１の導電部と前記導電性ペーストを密着させてから、前記導電性ペーストを硬化させることを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明では、樹脂基板に形成された凹部の底面から突出した突起が、当該樹脂基板の主面よりも高い位置に先端を有しており、導電部は、その突起を覆い前記主面よりも盛り上がっている。このため、回路基板の積層時にこの導電部によって強い押付力を得ることができ、多層回路基板の層間接続の信頼性の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は、本発明の実施形態における多層回路基板の構成を示す断面図である。
【図２】図２は、図１に示す多層回路基板の分解図である。
【図３】図３は、図２のIII部の拡大図である。
【図４】図４は、図２のIII部の平面図である。
【図５】図５（ａ）〜図５（ｃ）は、本発明の実施形態における突起の第１〜第３変形例をそれぞれ示す断面図である。
【図６】図６は、本発明の実施形態における突起の第４変形例を示す平面図である。
【図７】図７（ａ）〜図７（ｂ）は、本発明の実施形態における突起の第５〜第６変形例をそれぞれ示す断面図である。
【図８】図８は、本発明の実施形態における多層回路基板の製造方法を示すフローチャートである。
【図９Ａ】図９Ａは、図８のステップＳ１１における第１の回路基板を示す断面図である（その１）。
【図９Ｂ】図９Ｂは、図８のステップＳ１１における第１の回路基板を示す断面図である（その２）。
【図９Ｃ】図９Ｃは、図８のステップＳ１２における第１の回路基板を示す断面図である。
【図９Ｄ】図９Ｄは、図８のステップＳ１３における第１の回路基板を示す断面図である。
【図１０Ａ】図１０Ａは、図８のステップＳ２１における第２の回路基板を示す断面図である（その１）。
【図１０Ｂ】図１０Ｂは、図８のステップＳ２１における第２の回路基板を示す断面図である（その２）。
【図１０Ｃ】図１０Ｃは、図８のステップＳ２２における第２の回路基板を示す断面図である。
【図１０Ｄ】図１０Ｄは、図８のステップＳ２３における第２の回路基板を示す断面図である。
【図１０Ｅ】図１０Ｅは、図８のステップＳ２４における第２の回路基板を示す断面図である。
【図１０Ｆ】図１０Ｆは、図８のステップＳ２５における第２の回路基板を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００１４】
先ず、本実施形態における多層回路基板（多層プリント配線板）１の構成について、図１〜図４を参照しながら説明する。図１及び図２は本実施形態における多層回路基板１の構成を示す断面図及び分解断面図、図３及び図４は図２のIII部の拡大図及び平面図である。
【００１５】
本実施形態における多層回路基板１は、図１に示すように、２枚の回路基板（プリント配線板）１０，２０を備えており、第１の回路基板１０の上に第２の回路基板２０を積層することで構成されている。なお、多層回路基板１を構成する単体の回路基板の数は特に限定されず、３枚以上の回路基板を積層することで多層回路基板１を構成してもよい。
【００１６】
第１の回路基板１０は、図１に示すように、第１の樹脂基板１１と、ランド１５，１６と、配線パターン１７，１８と、ビア１９と、を備えている。なお、第１の回路基板１０が有するランド、配線パターン及びビアの数や配置は、図１に示すものに限定されない。
【００１７】
第１の樹脂基板１１は、電気絶縁性を有するフレキシブルなフィルム部材であり、例えば、液晶ポリマ（ＬＣＰ）、熱可塑性ポリイミド（ＰＩ）等の熱可塑性樹脂から構成されている。なお、この第１の樹脂基板１１を、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミドトリアジン（ＢＴ）等の熱硬化性樹脂で構成してもよい。
【００１８】
本実施形態では、この第１の樹脂基板１１は、後述する導電性ペースト６０の焼結温度（Ｔ３）以上の軟化温度（Ｔ１）を有しており（Ｔ１≧Ｔ３）、例えば、２４０℃〜３００℃程度の軟化温度を有している（Ｔ１＝２４０℃〜３００℃）。
【００１９】
なお、本実施形態における樹脂基板の「軟化温度」とは、樹脂基板が軟化し始める温度である「熱変形温度」又は「ガラス転移温度」を意味する。「熱変形温度」（荷重撓み温度、ＨＤＴ（Heat Deflection Temperature））とは、試験法規格で規定された荷重を試験片に付与した状態で当該試験片を徐々に加熱し、一定の撓みが試験片に生じた時の温度である。一方、「ガラス転移温度」（Ｔｇ）とは、物質が温度の降下により急激にその粘度を増し、ほとんど流動性を失って非晶質固体となる変化をするときの温度である。「軟化温度」として、「熱変形温度」又は「ガラス転移温度」のいずれかを採用するかは適宜選択可能である。
【００２０】
図２に示すように、この第１の樹脂基板１１の上面１１ａには、第１〜第３の凹部１２〜１４が形成されている。また、第１の凹部１２の底面１２ａ（図３参照）と第１の樹脂基板１１の下面１１ｂとの間には、当該第１の樹脂基板１１を貫通する貫通孔１２１が形成されている。
【００２１】
なお、本実施形態における第１の樹脂基板１１の上面１１ａが、本発明における樹脂基板の主面の一例に相当し、本実施形態における第１の樹脂基板１１の第１の凹部１２が、本発明における樹脂基板の凹部の一例に相当する。また、本実施形態における第１の樹脂基板１１の上面１１ａが、本発明における第１の樹脂基板の第１の主面の一例に相当し、本実施形態における第１の樹脂基板１１の第１の凹部１２が、本発明における第１の樹脂基板の第１の凹部の一例に相当する。
【００２２】
本実施形態では、第１及び第２の凹部１２，１３に導電性材料が充填されることで、第１及び第２のランド１５，１６がそれぞれ形成されており、第３の凹部１４に導電性材料が充填されることで、第１の配線パターン１７が形成されている。また、貫通孔１２１内に導電性材料が充填されることで、ビア１９が形成されている。
【００２３】
一方、第１の樹脂基板１１の下面１１ｂには、第２の配線パターン１８が形成されており、この第２の配線パターン１８はビア１９を介して第１のランド１５と接続されている。本実施形態における第１の回路基板１０の第１のランド１５が、本発明における回路基板の導電部の一例に相当する。また、本実施形態における第１の回路基板１０の第１のランド１５が、本発明における第１の回路基板の第１の導電部の一例に相当する。
【００２４】
こうしたランド１５，１６、配線パターン１７，１８及びビア１９を構成する導電性材料としては、電気導電性を有する材料であれば特に限定されないが、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、Ａｕ−Ｓｎ合金、Ｓｎ−Ｐｂ合金、或いは、Ｓｎ基、Ｐｂ基、Ａｕ基、Ｉｎ基、Ａｌ基等のはんだ合金等の金属を例示することができる。或いは、後述する導電性ペースト６０を導電性材料として用いてもよい。
【００２５】
さらに、本実施形態では、図３及び図４に示すように、第１の樹脂基板１１が、第１の凹部１２内に形成された複数の円柱形状の突起１２２を有している。この突起１２２は、図３に示すように、第１の凹部１２の底面１２ａから上方に向かって突出している。また、この突起１２２は、第１の凹部１２の深さｄ１よりも相対的に大きな高さｈ１を有しており（ｈ１＞ｄ１）、第１の樹脂基板１１の上面１１ａよりも高さｈ２（＞０）分だけ高い位置に先端１２３を有している。なお、第１の凹部１２内における突起１２２の数や配置は、図３及び図４に示す例に特に限定されない。
【００２６】
こうした複数の突起１２２が第１の凹部１２内に設けられているので、当該第１の凹部１２内に充填された導電性材料が突起１２２の先端１２３を覆い、結果的に、第１のランド１５は、第１の樹脂基板１１の上面１１ａよりも高さｈ３（＞０）だけ盛り上がっている。
【００２７】
本実施形態では、このように、第１のランド１５を第１の樹脂基板１１の上面１１ａよりも盛り上げることで、２つの回路基板１０，２０を積層した際に、第１の回路基板１０の第１のランド１５と第２の回路基板２０のビア２８（後述）との間に強い押付力を発生させることができる。
【００２８】
因みに、図２に示すように、第２の凹部１３内にも、上述の突起１２２と同様の突起１３１が形成されており、この突起１３１は、第１の樹脂基板１１の上面１１ａよりも相対的に高くなっている。そして、当該第２の凹部１３内に充填された導電性材料がこの突起１３１を覆っており、結果的に、第２のランド１６も第１の樹脂基板１１の上面１１ａよりも盛り上がっている。
【００２９】
なお、第１の凹部１２内に形成された突起の形状は、図３及び図４に示すものに限定されない。例えば、図３及び図４に示す例では、突起１２２が円形の断面形状を有しているが、特にこれに限定されず、突起１２２が三角形の断面形状、矩形の断面形状、或いは多角形の断面形状等を有してもよい。
【００３０】
また、図３及び図４に示す例では、突起１２２が柱形状を有しているが、特にこれに限定されず、図５（ａ）〜図５（ｃ）のようにしてもよい。例えば、図５（ａ）に示すように、突起１２２Ａの全体が錐形状を有してもよいし、図５（ｂ）に示すように、突起１２２Ｂが先端のみに錐形状を有してもよいし、図５（ｃ）に示すように、突起１２２Ｃが先端のみに球面形状を有してもよい。或いは、図６に示すように、突起１２２Ｄの全体が壁形状を有してもよい。
【００３１】
また、突起１２２の高さも図３に示す例に特に限定されず、図７（ａ）や図７（ｂ）のようにしてもよい。例えば、図７（ａ）に示すように、中央側の突起１２２Ｅが外側の突起１２２Ｆよりも相対的に高くてもよいし、或いは、図７（ｂ）に示すように、中央側の突起１２２Ｇが第１の樹脂基板１１の上面１１ａよりも相対的に高く、外側の突起１２２Ｈが第１の樹脂基板１１の上面１１ａよりも相対的に低くてもよい。なお、図５〜図７は本実施形態における突起の変形例を示す図である。
【００３２】
一方、第２の回路基板２０は、図１に示すように、第２の樹脂基板２１と、ランド２５，２６と、配線パターン２７と、ビア２８と、を備えている。なお、第２の回路基板２０が有するランド、配線パターン及びビアの数や配置は、図１に示すものに限定されない。
【００３３】
第２の樹脂基板２１は、上述の第１の樹脂基板１１と同様に、電気絶縁性を有するフレキシブルなフィルム部材であり、例えば、液晶ポリマ（ＬＣＰ）、熱可塑性ポリイミド（ＰＩ）等の熱可塑性樹脂から構成されている。なお、この第２の樹脂基板２１を、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミドトリアジン（ＢＴ）等の熱硬化性樹脂で構成してもよい。
【００３４】
本実施形態では、上述の第１の樹脂基板１１と同様に、第２の樹脂基板２１は、後述する導電性ペースト６０の焼結温度（Ｔ３）以上の軟化温度(Ｔ２）を有しており（Ｔ２≧Ｔ３）、例えば、２４０℃〜３００℃程度の軟化温度を有している。
【００３５】
図２に示すように、この第２の樹脂基板２１の上面２１ａには、第１〜第３の凹部２２〜２４が形成されている。また、第１の凹部２２の底面２２ａと第２の樹脂基板２１の下面２１ｂとの間には、当該第２の樹脂基板２１を貫通する貫通孔２２１が形成されている。
【００３６】
なお、本実施形態における第２の樹脂基板２１の上面２１ａが本発明における第２の樹脂基板の第２の主面の一例に相当し、本実施形態における第２の樹脂基板２１の下面２１ｂが本発明における第２の樹脂基板の第３の主面の一例に相当する。また、本実施形態における第２の樹脂基板２１の第１の凹部２２が本発明における第２の樹脂基板の第２の凹部の一例に相当し、本実施形態における第２の樹脂基板２１の貫通孔２２１が本発明における第２の樹脂基板の貫通孔の一例に相当する。
【００３７】
本実施形態では、第１及び第２の凹部２２，２３に導電性材料が充填されることで、第１及び第２のランド２５，２６がそれぞれ形成されており、第３の凹部２４に導電性材料が充填されることで配線パターン２７が形成されている。本実施形態における第２の回路基板２０の第１のランド２５が、本発明における第２の回路基板の第２の導電部の一例に相当する。
【００３８】
こうしたランド２５，２６及び配線パターン２７を構成する導電性材料としては、上述の第１の回路基板１０のランド１５，１６、配線パターン１７，１８及びビア１９と同様に、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、Ａｕ−Ｓｎ合金、Ｓｎ−Ｐｂ合金、或いは、Ｓｎ基、Ｐｂ基、Ａｕ基、Ｉｎ基、Ａｌ基等のはんだ合金等の金属を例示することができる。或いは、後述する導電性ペースト６０を導電性材料として用いてもよい。
【００３９】
一方、貫通孔２２１内に導電性ペースト６０（図１０Ｆ参照）を充填して硬化させることで、ビア２８が形成されている。本実施形態では、この導電性ペースト６０は、第１の樹脂基板１１の軟化温度Ｔ１以下であり、且つ、第２の樹脂基板２１の軟化温度Ｔ２以下である焼結温度Ｔ３を有しており（Ｔ３≦Ｔ１、Ｔ３≦Ｔ２）、例えば、１８０℃〜２４０℃程度の焼結温度を有している。なお、導電性ペースト６０に代えて、導電性インクを用いてビア２８を形成してもよい。
【００４０】
こうした導電性ペースト６０の具体例としては、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、鉄（Ｆｅ）、タングステン（Ｗ）等から選択される少なくとも１種類の低電気抵抗の金属粒子と、錫（Ｓｎ）、ビスマス（Ｂｉ）、インジウム（Ｉｎ）、鉛（Ｐｂ）から選択される少なくとも１種類の低融点金属粒子と、を成分として含み、エポキシ、アクリル又はウレタン等を主成分とするバインダ成分を混合したペースト（メタライズペースト）を例示することができる。
【００４１】
この導電性ペースト６０は、常温で半硬化（未硬化も含む。）の軟質状態にあり、熱処理等によって完全に硬化すると共に接着する機能を有する。この導電性ペースト６０は加熱されると、２００℃以下で低融点金属が溶融して低電気抵抗の金属粒子と合金を形成すると共に、特に銅（Ｃｕ）や銀（Ａｇ）等と金属間化合物を形成する。
【００４２】
なお、導電性ペースト６０として、ナノレベルの粒子径を有する金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）又はニッケル（Ｎｉ）等のフィラーを、エポキシ、アクリル又はウレタン等を主成分とするバインダに混合したナノペーストを用いてもよい。
【００４３】
或いは、導電性ペースト６０として、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）又はニッケル（Ｎｉ）等の粒子を、エポキシ、アクリル又はウレタン等を主成分とするバインダに混合した粉体接触型ペーストを用いてもよい。
【００４４】
以上に説明した第１の回路基板１０と第２の回路基板２０は、図１及び図２に示すように、第１の回路基板１０の上に第２の回路基板２０を積層することで構成されているが、この際、第１の回路基板１０の第１のランド１５と第２の回路基板２０のビア２８とを接続させた状態で、２枚の回路基板１０，２０を積層する。これにより、第１の回路基板１０の第２の配線パターン１８と、第２の回路基板２０の第１のランド２５とが、第１の回路基板１０のビア１９及び第１のランド１５と第２の回路基板２０のビア２８を介して電気的に接続される。なお、第１の回路基板１０と第２の回路基板２０とを接着剤を介して積層してもよい。
【００４５】
次に、本実施形態における多層回路基板１の製造方法を、図８〜図１０Ｆを参照しながら説明する。
【００４６】
図８は本発明の実施形態における多層回路基板の製造方法を示すフローチャート、図９Ａ〜図９Ｄは図８のステップＳ１１〜Ｓ１３における第１の回路基板の断面図、図１０Ａ〜図１０Ｆは図８のステップＳ２１〜Ｓ２５における第２の回路基板の断面図である。
【００４７】
本実施形態では、図８に示すように、ステップＳ１０において第１の回路基板１０を形成し、ステップＳ２０において第２の回路基板２０を形成し、ステップＳ３０において、これら２枚の回路基板１０，２０を積層することで、多層回路基板１を形成する。
【００４８】
具体的には、先ず、図８のステップＳ１１において、図９Ａに示すように、第１のインプリントモールド８０を準備して、当該第１のインプリントモールド８０を用いて熱インプリント法によって第１の樹脂基板１１に第１〜第３の凹部１２〜１４を形成する。本実施形態における第１のインプリントモールド８０が、本発明におけるインプリントモールドの一例に相当する。
【００４９】
この第１のインプリントモールド８０は、例えば、シリコン（Ｓｉ）、石英（ＳｉＯ２）、シリコンカーバイト（ＳｉＣ）、グラッシーカーボン（ＧＣ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、タンタル（Ｔａ）等から構成されており、同図に示すように、本体部８１と、この本体部８１から突出した３つの凸部８２〜８４と、を有している。
【００５０】
第１の凸部８２は、第１の樹脂基板１１の第１の凹部１２に対応した形状を有しており、この第１の凸部８２の上には、第１の樹脂基板１１の貫通孔１２１に対応した柱部８２１が形成されている。また、この第１の凸部８２には、第１の樹脂基板１１の突起１２２に対応した穴部８２２が形成されている。
【００５１】
この穴部８２２は、第１の凸部８２の高さｈ４よりも相対的に大きな深さｄ２を有している。なお、第１の凸部８２の高さｈ４は、第１の樹脂基板１１の第１の凹部１２の深さｄ１と実質的に同一であり（ｈ４＝ｄ１）、穴部８２２の深さｄ２は、第１の樹脂基板１１の突起１２２の高さｈ１と実質的に同一となっている（ｄ２＝ｈ１）。
【００５２】
第２の凸部８３は、第１の樹脂基板１１の第２の凹部１３に対応し、突起１３１に対応した穴部８３１を有しており、この穴部８３１は、第２の凸部８３の高さよりも相対的に大きな深さを有している。また、第３の凸部８４は、第１の樹脂基板１１の第３の凹部１４に対応している。
【００５３】
こうした第１のインプリントモールド８０を、上述の軟化温度Ｔ１以上に加熱した第１の樹脂基板１１に押し付けて、第１の樹脂基板１１に第１〜第３の凸部８２〜８４及び柱部８２１の形状を転写することで、第１の樹脂基板１１に第１〜第３の凹部１２〜１４及び貫通孔１２１を形成する。
【００５４】
その後、第１の樹脂基板１１を軟化温度Ｔ１以下に冷却し、図９Ｂに示すように、第１のインプリントモールド８０を第１の樹脂基板１１から離型する。この際、必要に応じて、酸素プラズマ等を用いて貫通孔１２１内の残膜を除去してもよい。
【００５５】
なお、本実施形態では、熱インプリント法を用いて第１の樹脂基板１１に第１〜第３の凹部１２〜１４及び貫通孔１２１を形成したが、特にこれに限定されず、ＵＶインプリント法（光インプリント法）を用いてもよい。
【００５６】
次いで、図８のステップＳ１２において、第１〜第３の凹部１２〜１４及び貫通孔１２１を含めた第１の樹脂基板１１の表面１１ａ，１１ｂ全体に無電解めっき法によってシード層（不図示）を形成した後に、図９Ｃに示すように、電解めっき法によって第１の樹脂基板１１の表面１１ａ，１１ｂ全体に導電層３０を形成する。めっき液としては、高電流密度部のめっき析出を抑制するサプレッサ成分を含んだトレンチフィリングめっき液を用いることが好ましい。
【００５７】
なお、無電解めっき法に代えて、スパッタリング法や化学蒸着法（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition）を用いてシード層を形成してもよい。或いは、シード層を形成せずに、無電解めっき法、スパッタリング法、化学蒸着法によって導電層３０を形成してもよい。或いは、スクリーン印刷等の印刷法によって導電性ペーストを印刷することで導電層３０を形成してもよい。
【００５８】
次いで、図８のステップＳ１３において、図９Ｄに示すように、導電層３０の下面３０ａに、第２の配線パターン１８に対応した形状を有するレジスト層４０をフォトリソグラフィ等によって形成した後に、導電層３０に対して化学エッチングを行うことで、ランド１５，１６及び配線パターン１７，１８を形成する。エッチング液としては、例えば、塩化銅、塩化鉄、アルカリエッチング液、又は過酸化水素／硫酸系エッチング液等を用いることができる。
【００５９】
ここで、上述のように、本実施形態では、第１の凹部１２内に設けられた突起１２２が第１の樹脂基板１１の上面１１ａよりも相対的に高くなっており、導電層３０もこの突起１２２に倣って盛り上がって形成されている。そのため、導電層３０全体をエッチングすると、ランド１５が第１の樹脂基板１１の上面１１ａよりも盛り上がって形成される。
【００６０】
化学エッチングが完了したらレジスト層４０を剥離することで、図１及び図２に示す第１の回路基板１０が完成する。
【００６１】
次いで、図８のステップＳ２１において、図１０Ａに示すように、第２のインプリントモールド９０を準備し、この第２のインプリントモールド９０を用いて熱インプリント法によって第２の樹脂基板２１に凹部２２，２３，２４を形成する。
【００６２】
第２のインプリントモールド９０は、上述の第１のインプリントモールド８０と同様に、例えば、シリコン（Ｓｉ）、石英（ＳｉＯ２）、シリコンカーバイト（ＳｉＣ）、グラッシーカーボン（ＧＣ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、タンタル（Ｔａ）等から構成されており、同図に示すように、本体部９１と、この本体部９１から突出した３つの凸部９２〜９４と、を有している。第１〜第３の凸部９２〜９４は、第２の樹脂基板２１の第１〜第３の凹部２２〜２４にそれぞれ対応している。
【００６３】
この第２のインプリントモールド９０を、上述の軟化温度Ｔ２以上に加熱した第２の樹脂基板２１に押し付けて、第２の樹脂基板２１に第１〜第３の凸部９２〜９４の形状を転写することで、第２の樹脂基板２１に第１〜第３の凹部２２〜２４を形成する。
【００６４】
その後、第２の樹脂基板２１を軟化温度Ｔ２以下に冷却し、図１０Ｂに示すように、第２のインプリントモールド９０を第２の樹脂基板２１から離型する。
【００６５】
なお、本実施形態では、熱インプリント法を用いて第２の樹脂基板２１に第１〜第３の凹部２２〜２４を形成したが、特にこれに限定されず、ＵＶインプリント法（光インプリント法）を用いてもよい。
【００６６】
次いで、図８のステップＳ２２において、凹部２２〜２４を含めた第２の樹脂基板２１の上面２１ａ全体に無電解めっき法によってシード層（不図示）を形成した後に、図１０Ｃに示すように、電解めっき法によって第２の樹脂基板２１の上面２１ａ全体に導電層５０を形成する。
【００６７】
なお、無電解めっき法に代えて、スパッタリング法や化学蒸着法（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition）を用いてシード層を形成してもよい。或いは、シード層を形成せずに、無電解めっき法、スパッタリング法、化学蒸着法によって導電層５０を形成してもよい。或いは、スクリーン印刷等の印刷法によって導電性ペーストを印刷することで導電層５０を形成してもよい。
【００６８】
次いで、図８のステップＳ２３において、図１０Ｄに示すように、第２の樹脂基板２１の上面２１ａが露出するまで、導電層５０を研磨又はエッチングする。研磨の具体的な方法としては、例えば、テープ研磨、ラッピング研磨、化学機械研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishing）等を例示することができる。
【００６９】
次いで、図８のステップＳ２４において、図１０Ｅに示すように、第２の樹脂基板２１の下面２１ｂにおける所定の位置に向けてレーザ光を照射して、第２の樹脂基板２１を貫通する貫通孔２２１を形成する。この貫通孔２２１は、第２の樹脂基板２１の下面２１ｂと第１の凹部２２との間に形成されており、図１０Ｅに示す状態において、第１のランド２５の底面２５ａがこの貫通孔２２１を介して露出している。
【００７０】
このステップＳ２４で用いることのできるレーザ光としては、例えば、エキシマレーザ、炭酸ガス（ＣＯ２）レーザ、ＵＶレーザ等を使用することができる。なお、レーザ加工に代えて、ドリル加工やエッチングによって、貫通孔２２１を形成してもよい。また、レーザ加工の後に、薬液を用いたウェットデスミアやＣＦ４プラズマ等のドライデスミアを行ってもよい。
【００７１】
次いで、図８のステップＳ２５において、図１０Ｆに示すように、半硬化状態の導電性ペースト６０をディスペンス法によって貫通孔２２１内に充填する。この際、同図に示すように、導電性ペースト６０を第２の樹脂基板２１の下面２１ｂから突出させるように充填してもよい。これにより、２つの回路基板１０，２０を積層する際に、第１の回路基板１０の第１のランド１５と第２の回路基板２０のビア２８との間に発生する押付力を一層強めることができる。
【００７２】
なお、ディスペンス法に代えて、スクリーン印刷やスキージングを用いて導電性ペースト６０を貫通孔２２１内に充填してもよい。スキージングにより導電性ペーストを充填する場合は、表層に残存する導電性ペーストを研磨等の手段により除去する。また、図１０Ｆでは、図１０Ａ〜図１０Ｅと比較して、第２の回路基板２０を上下反転させて図示している。
【００７３】
次いで、図８のステップＳ３１において、導電性ペースト６０を半硬化状態としたままで、画像認識機能を備えたアライメント装置等を用いて、第１の回路基板１０と第２の回路基板２０を位置合わせしながら、第１の回路基板１０の上に第２の回路基板２０を積層する（図２参照）。
【００７４】
次いで、図８のステップＳ３２において、真空加熱圧着装置等を用いて、第１及び第２の回路基板１０，２０を、第１及び第２の樹脂基板１１，２１の軟化温度Ｔ１，Ｔ２以上の温度（２４０℃〜３００℃）まで加熱しながら圧着する。これにより、第１及び第２の樹脂基板１１，２１が軟化して相互に接合される。
【００７５】
この際、本実施形態では、導電性ペースト６０が第１及び第２の樹脂材料１１，２１の軟化温度Ｔ１，Ｔ２以下の焼結温度Ｔ３を有しているので、真空加熱圧着装置の加熱により、半硬化状態の導電性ペースト６０が硬化すると共に、第１の回路基板１０の第１のランド１５と第２の回路基板２０のビア２８との間や、第２の回路基板２０における第１のランド２５とビア２８との間で合金や金属間化合物が形成される。
【００７６】
なお、真空加熱圧着装置によって第１及び第２の樹脂基板１１，２１を圧着した後に一旦冷却し、別途オーブンにて半硬化状態の導電性ペースト６０を完全に硬化させてもよい。
【００７７】
以上のように、本実施形態では、第１の凹部１２内に設けられた突起１２２が第１の樹脂基板１１の上面１１ａよりも相対的に高くなっているので、第１のランド１５を第１の樹脂基板１１の上面１１ａよりも盛り上げて形成することができる。このため、２つの回路基板１０，２０を積層した際に、第１の回路基板１０の第１のランド１５と第２の回路基板２０のビア２８との間に発生する押付力を強めることができ、多層回路基板１の層間接続の信頼性の向上を図ることができる。
【００７８】
また、本実施形態では、第２の樹脂基板２１の貫通孔２２１に充填された導電性ペースト６０が半硬化な状態で第１の回路基板１０と第２の回路基板２０とを積層した後に、当該導電性ペースト６０を硬化させるので、第１の回路基板１０と第２の回路基板２０との機械的及び電気的な接続の信頼性の向上を図ることができる。
【００７９】
本実施形態における図８のステップＳ１１が本発明における第１及び第２の工程の一例に相当し、本実施形態における図８のステップＳ１２〜Ｓ１３が本発明における第３の工程の一例に相当する。また、本実施形態における図８のステップＳ２２〜Ｓ２３が本発明における第４の工程の一例に相当し、本実施形態における図８のステップＳ２４が本発明における第５の工程の一例に相当し、本実施形態における図８のステップＳ２５が本発明における第６の工程の一例に相当する。
【００８０】
なお、以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。
【００８１】
例えば、上述の実施形態では、第１の回路基板１０を多層回路基板１に用いる例について説明したが、特にこれに限定されない。例えば、単体（１枚）の回路基板１０にＩＣデバイス等の電子部品を実装してもよく、すなわち、第１の回路基板１０のパッド１５，１６に当該電子部品の端子を接続してもよい。
【符号の説明】
【００８２】
１…多層回路基板
１０…第１の回路基板
１１…第１の樹脂基板
１１ａ…上面
１１ｂ…下面
１２…第１の凹部
１２ａ…底面
１２１…貫通孔
１２２，１２２Ａ〜１２２Ｈ…突起
１２３…先端
１５…第１のランド
１９…ビア
２０…第２の回路基板
２１…第２の樹脂基板
２１ａ…上面
２１ｂ…下面
２２…第１の凹部
２２１…貫通孔
２５…第１のランド
２８…ビア
８０…第１のインプリントモールド
８２…第１の凸部
８２１…柱部
８２２…穴部
９０…第２のインプリントモールド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図９Ｃ】
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【図９Ｄ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１０Ｃ】
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【図１０Ｄ】
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【図１０Ｅ】
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【図１０Ｆ】
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