(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板上に形成された感光膜に露光され、パターン種別、パターン寸法、及び描画率を含むパターン情報を取得するパターン情報取得部と、
前記基板のモニタ領域を、前記感光膜の被露光部が膜厚方向に一部残るように半現像処理された状態で、該被露光部の膜減り量を算出する膜減り量算出部と、
予め取得された膜減り量と予測パターン寸法との関係を、パターン種に対応させて記憶した複数の膜減り量・予測寸法テーブルと、
予め取得されたパターン寸法補正量と補正現像条件との関係を、パターン種別、パターン寸法、及び描画率に対応させて記憶した複数の寸法補正量・補正現像条件テーブルと、
前記取得されたパターン情報から前記膜減り量・予測寸法テーブルの何れかと前記複数の寸法補正量・補正現像条件テーブルの何れかとを選択する補正テーブル選択機構と、
前記選択された前記膜減り量・予測寸法テーブルを参照し、前記算出された膜減り量から、標準現像条件で現像処理した場合の予測パターン寸法を算出する寸法予測部と、
前記算出された予測パターン寸法を所望の値に補正するためのパターン寸法補正量を算出する寸法補正量算出部と、
前記選択された寸法補正量・補正現像条件テーブルを参照し、前記算出されたパターン寸法補正量から、該パターン寸法補正量分の寸法変動を生じさせる補正現像条件を算出する補正現像条件算出部と、
前記被処理基板を略水平に保持する基板保持機構と、現像液吐出開口及び現像液吸引開口を有する現像液吐出吸引機構と、前記被処理基板と前記現像液吐出吸引機構とを相対的に略水平移動させる走査機構とを具備し、前記算出された補正現像条件で前記被処理基板のパターン領域を現像する現像機構と、
を具備したことを特徴とする、現像処理装置。
【請求項２】
被処理基板上に形成された感光膜に露光され、パターン種別、パターン寸法、及び描画率を含むパターン情報を取得するパターン情報取得部と、
前記基板の少なくとも一部を、前記感光膜の被露光部が膜厚方向に一部残るように半現像処理された状態で、該被露光部の膜減り量を算出する膜減り量算出部と、
予め取得された膜減り量と予測パターン寸法との関係を記憶した膜減り量・予測寸法テーブルと、
前記膜減り量・予測寸法テーブルを参照し、前記算出された膜減り量から、標準現像条件で現像処理した場合の予測パターン寸法を算出する寸法予測部と、
前記算出された予測パターン寸法を所望の値に補正するためのパターン寸法補正量を算出する寸法補正量算出部と、
予め取得されたパターン寸法補正量と補正現像条件との関係を、パターン種別、パターン寸法、及び描画率に対応させて記憶した複数の寸法補正量・補正現像条件テーブルと、
前記取得されたパターン情報から前記複数の寸法補正量・補正現像条件テーブルの何れかを選択する補正テーブル選択機構と、
前記選択された寸法補正量・補正現像条件テーブルを参照し、前記算出されたパターン寸法補正量から、該パターン寸法補正量分の寸法変動を生じさせる補正現像条件を算出する補正現像条件算出部と、
前記算出された補正現像条件で前記被処理基板を現像する現像機構と、
を具備したことを特徴とする、現像処理装置。
【請求項３】
前記膜減り量・予測寸法テーブルはパターン種に応じて複数設けられ、前記テーブル選択機構により、前記取得されたパターン情報に応じて何れかが選択されるものであることを特徴とする、請求項２記載の現像処理装置。
【請求項４】
前記半現像処理された領域は前記基板上のモニタ領域であり、前記補正現像条件で現像する領域は前記基板上のパターン領域であることを特徴とする、請求項２又は３に記載の現像処理装置。
【請求項５】
予め取得された補正現像条件とパターン間寸法分布との関係と、該補正現像条件とから、標準現像条件におけるパターン間寸法分布と補正現像条件におけるパターン間寸法分布との差が、許容パターン間寸法差を満足するか否かを判定するパターン間寸法差確認部と、許容パターン間寸法差を満足しない場合に、許容パターン間寸法差を満足する補正現像条件で、且つ許容パターン寸法を同時に満たすパターン寸法補正量を再算出する寸法補正量調整部と、を更に具備したことを特徴とする、請求項２〜４の何れかに記載の現像処理装置。
【請求項６】
前記算出された補正現像条件で現像処理された前記被処理基板のパターン寸法測定結果を取得する仕上り寸法取得部と、
前記選択された寸法補正量・補正現像条件テーブルを、前記取得されたパターン寸法測定結果により更新する補正テーブル更新機構と、
を更に具備したことを特徴とする、請求項２〜４の何れかに記載の現像処理装置。
【請求項７】
前記現像機構は、
前記被処理基板を略水平に保持する基板保持機構と、現像液吐出開口及び現像液吸引開口を有する現像液吐出吸引機構と、前記被処理基板と前記現像液吐出吸引機構とを相対的に略水平移動させる走査機構と、を具備したものであることを特徴とする、請求項２〜６の何れかに記載の現像処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、マスク製造プロセスや半導体製造プロセス、更には液晶基板製造プロセスやカラーフィルタ製造プロセスなどの分野に使用される基板の現像処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの微細化が進むに伴い、パターン寸法に必要となる精度が高くなっている。取り分け、パターンの原版となるフォトマスクには、非常に高い寸法精度が必要とされている。
【０００３】
パターン寸法が変動する要因としては、フォトマスクを作製する際に用いる基板に塗布されるレジストの感度や、描画，現像，エッチングなどの各工程における処理の再現性などが挙げられる。中でもレジストの感度差は、レジスト精製や塗布、保管環境などの管理が難しい要因により発生していると考えられ、高精度な寸法制御を行う上で大きな問題となっている。
【０００４】
レジストの感度差を補正する方法として、予め取得した露光部の膜減りとパターン寸法との関係式を用いて最終寸法を予測し、所望寸法を得るための補正現像時間を求める方法がある。しかし、マスク工程はウェハ工程と異なり、寸法・被覆率などのレイアウトが多種多様で、ロバスト性の高いプロセスであってもレイアウトによって寸法制御精度が大きく異なる。このため、フォトマスクの製造においては、レジストの感度差に起因する寸法変動の補正精度が十分に得られない可能性がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−１２７９８２号公報
【特許文献２】特開２００９−１７０５０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
発明が解決しようとする課題は、感光膜に感度のバラツキがあっても高精度のフィードフォワード寸法補正を行うことができ、感光膜に形成されるパターンの高い寸法精度を達成できる現像処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実施形態の現像処理装置は、被処理基板上に形成された感光膜に露光されたレイアウトの、パターン種別、パターン寸法、及び描画率を含むパターン情報を取得するパターン情報取得部と、前記基板の少なくとも一部を、前記感光膜の被露光部が膜厚方向に一部残るように半現像処理された状態で、該被露光部の膜減り量を算出する膜減り量算出部と、予め取得された膜減り量と予測パターン寸法との関係を記憶した膜減り量・予測寸法テーブルを基に、前記算出された膜減り量から、標準現像条件で現像処理した場合の予測パターン寸法を算出する寸法予測部と、前記算出された予測パターン寸法を所望の値に補正するためのパターン寸法補正量を算出する寸法補正量算出部と、予め取得されたパターン寸法補正量と補正現像条件との関係を記憶した寸法補正量・補正現像条件テーブルを基に、前記算出されたパターン寸法補正量から、該パターン寸法補正量分の寸法変動を生じさせる補正現像条件を算出する補正現像条件算出部と、前記算出された補正現像条件で前記被処理基板を現像する現像機構とを備えている。そして、寸法補正量・補正現像条件テーブルをパターン種別、パターン寸法、及び描画率に対応させて複数設けると共に、取得されたパターン情報から複数の寸法補正量・補正現像条件テーブルの何れかを選択する補正テーブル選択機構を設け、選択された寸法補正量・補正現像条件テーブルに基づいて、補正現像条件算出部で補正現像条件を算出する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１の実施形態に係わる現像処理装置の概略構成を示すブロック図。
【図２】図１の現像処理装置に用いた現像機構の概略構成を示す平面図。
【図３】図２の矢視Ａ−Ａ’断面図。
【図４】図２の矢視Ｂ−Ｂ’断面図。
【図５】図１の現像処理装置に用いた補正テーブルの一例を示す模式図。
【図６】第１の実施形態を説明するための処理フローを示す図。
【図７】第２の実施形態に係わる現像処理装置の概略構成を示すブロック図。
【図８】第３の実施形態に係わる現像処理装置の概略構成を示すブロック図。
【図９】第３の実施形態を説明するための処理フローを示す図。
【図１０】第３の実施形態を説明するためのもので、パターン寸法と膜減り量との関係を示す図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、実施形態の現像処理装置を、図面を参照して説明する。
【００１０】
（第１の実施形態）
第１の実施形態として、フォトマスクを作製するためにレジストが塗布され、電子線を用いてパターンが露光された被処理基板を現像処理する場合を説明する。本実施形態では、現像ノズルから現像液の吐出・吸引及びリンス液の吐出を同時に行いつつ、ノズルを被処理基板に対して略水平に走査して現像処理する現像方法・装置を使用する場合を例に挙げて説明する。但し、被露光部のレジストが膜厚方向に一部残るように現像することができる現像方法・装置であれば、例に挙げた現像方法・装置に限定されるものではない。
【００１１】
図１は、第１の実施形態に係わる現像処理装置の概略構成を示すブロック図である。
【００１２】
本装置は、被処理基板上の感光膜を現像するための現像機構１０と、感光膜の膜厚を測定するＣＣＤカメラ１１と、被処理基板上に形成すべきパターンの情報を取得するパターン情報取得部１２と、ＣＣＤカメラ１１及びパターン情報取得部１２から得られる情報を基に現像機構１０における現像条件を設定する制御部３０と、から構成されている。
【００１３】
現像機構１０は、図２乃至図４に示すように構成されている。図２は、現像機構１０の概略構成を示す平面図、図３は図２の矢視Ａ−Ａ’断面図、図４は図２の矢視Ｂ−Ｂ’断面図である。
【００１４】
図２に示すように、現像機構１０は、現像液Ｌ１の吐出及び吸引を行いながら被処理基板１００上を走査方向Ｓに平行移動することによってレジスト膜１０１を現像する現像ヘッド２０と、現像ヘッド２０に取り付けられ、レジスト膜１０１の膜厚を測定する膜厚測定部１１（ＣＣＤカメラ）と、現像ヘッド２０を被処理基板１００と垂直な方向に移動させて、現像ヘッド２０と被処理基板１００との間のギャップを調整するギャップ調整機構１３と、現像ヘッド２０を走査方向Ｓに移動させる移動機構１４とを備えている。
【００１５】
図３に示すように、被処理基板１００は、例えば石英ガラス等の透明基板であり、補助板１０２と上面の高さが等しくなるように保持されている。また、被処理基板１００の上面には、例えば１６０ｎｍの厚さで感光剤が均一に塗布されて、露光装置により所定のパターンが露光されたレジスト膜１０１が形成されている。本実施形態では、ポジ型の感光剤を用い、現像処理によって現像される部分は、露光装置により露光された露光部である。なお、ネガ型の感光剤を用いても良く、その場合には現像処理によって現像される部分は、露光装置により露光されていない未露光部である。
【００１６】
現像ヘッド２０は、図４に示すように、現像ヘッド２０の中央部に設けられた現像液吐出部である現像液吐出ノズル２１と、現像液吐出ノズル２１の両側にそれぞれ設けられた現像液吸引部である現像液吸引ノズル２２と、現像液吸引ノズル２２の外側にそれぞれ設けられたリンス液吐出ノズル２３とを備える。なお、本実施形態では、現像ヘッド２０は、移動機構１４により平行移動されるが、現像ヘッド２０と被処理基板１００とが相対的に移動すれば良く、被処理基板１００を移動させても良いし、現像ヘッド２０及び被処理基板１００の両方を移動させても良い。
【００１７】
現像液吐出ノズル２１は、現像液貯蔵用のタンク（図示せず）に接続された電磁バルブ２４ａが開かれると、タンクから供給される現像液Ｌ１を被処理基板１００上に吐出する。リンス液吐出ノズル２３は、リンス液貯蔵用のタンク（図示せず）に接続された電磁バルブ２４ｂが開かれると、タンクから供給されるリンス液Ｌ２を被処理基板１００上に吐出する。現像液吸引ノズル２２は、ポンプ２５が駆動されると、レジスト膜１０１上の現像液Ｌ１及びリンス液Ｌ２を吸引する。
【００１８】
ＣＣＤカメラ１１は、現像ヘッド２０に取り付けられており、受光した反射光に応じてその反射光の輝度を測定し、その輝度を示す輝度情報を制御部３０に送る。そして、膜減り量算出部３１により、レジスト膜１０１の膜減りが算出されるようになっている。
【００１９】
制御部３０は、膜減り量算出部３１、寸法予測部３２，寸法補正量算出部３３，補正現像条件算出部３４，膜減り量・予測寸法テーブル３５、寸法補正量・補正現像条件テーブル３６、及び補正テーブル選択部３７等から構成されている。
【００２０】
膜減り量算出部３１では、被処理基板上のパターン領域以外の一部（モニタ領域）のレジスト膜１０１を半現像した状態で、ＣＣＤカメラ１１の撮像信号から被処理基板上のレジスト膜１０１の膜減り量が算出される。具体的には、ＣＣＤカメラ１１で得られる半減像前の輝度と半現像後の輝度とを比較することによりレジスト膜１０１の膜減り量が算出される。寸法予測部３２では、膜減り量算出部３１で算出された膜減り量から、膜減り量・予測寸法テーブル３２を基にパターン寸法が算出される。寸法補正量算出部３３では、寸法予測部３２で算出された予測パターン寸法を所望の値に補正するためのパターン寸法補正量が算出される。補正現像条件算出部３４では、寸法補正量算出部３３で算出されたパターン寸法補正量から、寸法補正量・補正現像条件テーブル３６を基にパターン寸法補正量分の寸法変動を生じさせる補正現像条件が算出される。
【００２１】
ここで、膜減り量・予測寸法テーブル３５は、予め取得されたパターン寸法補正量と補正現像条件との関係を記憶したものであり、図５に示すように、パターン種別、パターン寸法、及び描画率などに応じて複数の関係が記憶されている。また、寸法補正量・補正現像条件テーブル３６は、予め取得されたパターン寸法補正量と補正現像条件との関係を記憶したものであり、テーブル３５と同様に複数種の関係が記憶されている。そして、各テーブル３５，３６は、パターン情報取得部１２により取得されたパターン情報を基に、補正テーブル選択機構３７により最適なテーブルが選択されるようになっている。
【００２２】
次に、本装置を用いた現像処理方法について、図６の処理フローを参照して説明する。なお、図６では、現像機構、制御部、及び記憶部に対応する処理を各部に分けて記載している。図中の矢印は処理の流れである。
【００２３】
まず、処理開始時に、処理対象となるフォトマスクのパターン情報をパターン情報取得部１２により取得する。パターン情報としては、パターン種別，パターン寸法，描画率，被覆率，許容寸法幅，許容スルーピッチ差（マスクＰＰＥ：近接領域でのプロセスによる許容幅），レイヤ名称などが挙げられるが、パターン情報はこれらに限定されるものではなく、またこれら全てを取得する必要はない。また、取得機構としては、オペレータによる手入力やバーコードの読み取り、製造システムのネットワークからダウンロードするなどが挙げられる。
【００２４】
パターン情報取得後、現像ノズル２０を被処理基板１００上の一部を高速で走査させることにより、被露光部の一部で、膜厚測定に使用する箇所（以降モニタパターンと呼称）を含む部分を、レジスト膜１０１が膜厚方向に一部残るように現像処理を行う（半現像）。この際、膜厚測定機構（ＣＣＤカメラ１１）が十分な感度を持つ範囲内で、なるべく多くの膜減りが生じるように現像処理条件を決めることで、寸法補正精度を高めることができる。
【００２５】
ＣＣＤカメラ１１の撮像信号に基づいて、膜減り量算出部２１によりレジスト膜１０１の膜減り量を算出する。モニタパターンの膜厚を測定する方法・装置として、本実施形態では、レジストを感光させない波長の単色光源を照明として、モニタパターンのレジスト膜１０１で干渉した光をＣＣＤカメラ１１で取得し、ＣＣＤ画像の輝度情報から膜厚を算出するが、この方法・装置に限定されるものではなく、反射分光膜厚計やエリプソメータ、ＡＦＭなどを用いてもよい。モニタパターン現像による膜減り量を算出するため、モニタパターンの膜厚測定は、現像前と現像後との両方で実施する機構とすることが望ましい。しかし、これに限らず、現像前の膜厚は予め他の装置で測定された値や、レジスト塗布スペック値などを使用してもよい。また、光源及びＣＣＤカメラ１１を校正するために、適宜リファレンス測定を実施する機構とすることが望ましい。
【００２６】
次いで、先に得られたパターン情報を基に、補正テーブル選択機構３７により、好適な膜減り量・予測寸法テーブル３５の何れかを選択し、選択したテーブルを基に、パターン寸法予測部３２により予測寸法を算出する。
【００２７】
モニタパターンの膜減り量は、レジストの感度、即ち同一の系で標準的な現像を行った場合の寸法と相関を持つため、膜減り量から寸法を予測することができる。この際に使用される膜減り量・予測寸法テーブル３５は、被処理基板１００のレイアウトに好適な、例えば、１６０ｎｍのライン／スペース（Ｌ／Ｓ）のレイアウトで描画率が２０％であれば、前記図５の中からパターン種別：Ｌ／Ｓ、パターン寸法：〜２００ｎｍ、描画率：１０〜３０％で表される領域で使用するべきテーブルＢを、取得したパターン情報から選択する。ここで示したテーブルを分ける際に使用するパターン情報の種類や数値、分割数はあくまで一例であり、本実施形態の内容はこれに限定されるものではない。補正テーブルは、ある区分けで有限個を持つだけではなく、パターン情報によって関数化されていてもよい。
【００２８】
次いで、得られた予測寸法を基に、寸法補正量算出部３３によりパターン寸法補正量を算出する。予測寸法が、例えばターゲット寸法−３ｎｍと算出されれば、所望の寸法に補正するための寸法補正量は＋３ｎｍとなる。この場合は、標準の現像条件よりも＋３ｎｍに仕上がるような現像条件を算出する。この際に使用される寸法補正量・補正現像条件テーブル３６に関しても、膜減り量・予測寸法テーブル３５と同様に、被処理基板１００のレイアウトに好適なテーブルを、取得したパターン情報から選択する。テーブルの分け方に関しては、膜減り量・予測寸法テーブル３５と同様でもよいし、異なるパターン情報の種類や数値などを使用する機構を有していてもよい。
【００２９】
補正現像条件としては、現像時間や現像液温度、現像液流速、現像液濃度などが挙げられるが、これらに限定されることなく、これらの組み合わせも含めて変更することができる。補正現像条件で現像した際に、ターゲットとしているパターンの寸法以外に、周辺回路のような太いパターンや、補助パターンのような細いパターンも含めた露光特性が変動しないよう、補正現像条件で現像した際のスルーピッチ変化分がある範囲内に収まるか否かを判定する機構があってもよい。この際に使用される補正現像条件−スルーピッチテーブルに関しても、被処理基板のレイアウトに好適なテーブルを、取得したパターン情報から選択する機構があってもよい。
【００３０】
次いで、制御部３０から出力された補正現像条件を用いて、被処理基板１００のパターン領域に対して補正現像処理を実施する。このとき、補正現像処理を複数ステップに分けて実施してもよく、それぞれのステップで異なる補正現像条件を使用してもよい。
【００３１】
ここで、寸法の変動要因であるレジストの感度差は、レジスト精製や塗布、保管環境などにより発生していると考えられ、これらは管理が非常に難しく、高精度な寸法制御を行う上で大きな問題となっている。このレジスト感度を、例えばマスク内に配置されたモニタパターン（露光部）の現像速度をもとに算出し、標準の現像条件で現像した場合の予測寸法をメインパターンの現像前に算出することにより、メインパターンの寸法が所望の値に仕上がるように現像条件を自動で調整し、パターン寸法をフィードフォワード補正することができる。この補正の際に非常に重要となるのが補正テーブル（膜減り量と予測パターン寸法との関係及びパターン寸法補正量と補正現像条件との関係）である。
【００３２】
しかし、フォトマスクにおいては、被処理基板のパターンレイアウト（ＬＳレイアウト、ＣＨレイアウト、パターン寸法、描画率、被覆率など）により、同一の処理条件で加工を行ってもパターン寸法が異なる場合があることがよく知られている。そして、多種多様なパターンレイアウトを加工する処理装置においては、単一の補正テーブルではフィードフォワード補正が適正に機能しない可能性がある。
【００３３】
これに対し本実施形態では、補正テーブルを複数用意し、パターン情報によりレイアウトに好適な補正テーブルを自動的に選択することにより、より高精度なパターン寸法フィードフォワード補正を行うことができる。
【００３４】
このように本実施形態によれば、感光膜に感度のバラツキがあっても高精度のフィードフォワード寸法補正を行うことができる。しかも、膜減り量・予測寸法テーブル３５及び寸法補正量・補正現像条件テーブル３６をそれぞれ複数用意し、現像処理の際にパターン情報を取得し、現像処理するレイアウトに好適な補正テーブルを選択してフィードフォワード寸法補正を行うため、より高い寸法制御精度を達成することができる。
【００３５】
（第２の実施形態）
図７は、第２の実施形態に係わる現像処理装置を示す概略構成図である。なお、図１と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
【００３６】
本実施形態が先に説明した第１の実施形態と異なる点は、寸法差確認部４１と寸法補正量調整部４２を設けたことである。
【００３７】
予め取得された補正現像条件とパターン間寸法分布（Ｌ／Ｓの寸法をマトリクスで振ったときのスルーピッチの分布）との関係が求められており、寸法差確認部４１では、標準現像条件におけるパターン間寸法分布と補正現像条件におけるパターン間寸法分布との差が、許容パターン間寸法差（リソグラフィにおける複数種のパターン間でのパターン寸法に許されるバラツキ量であり、リソグラフィ裕度を満たすように設定されている）を満足するか否かを判定する。即ち、スルーピッチのプロセス差分のレンジが許容パターン間寸法差内にあるか否かを判定する。
【００３８】
寸法差確認部４１で寸法補正量が許容範囲と判定された場合は、第１の実施形態と同様に補正現像条件算出部３４でパターン寸法補正量から補正現像条件が算出される。寸法差確認部４１で許容パターン間寸法差を満足しないと判定された場合は、寸法補正量調整部４２で、許容パターン間寸法差を満足する補正現像条件で、且つ許容パターン寸法を同時に満たすパターン寸法補正量を再算出する。そして、再算出された寸法補正量を基に補正現像条件算出部３４により補正現像条件が算出されるようになっている。
【００３９】
このような構成であれば、先の第１の実施形態と同様の効果が得られるのは勿論のこと、複数の基板上に形成されたレジスト膜の感度にバラツキがあったとしても、所望のリソグラフィ尤度を確保し、パターンカテゴリ間の寸法差を抑えると共に、パターン寸法を高精度に制御することができる。即ち、第１の実施形態の効果に加え、マスクＰＰＥ互換性を満足するパターン寸法フィードフォワード補正を行うことができる。
【００４０】
（第３の実施形態）
図８は、第３の実施形態に係わる現像処理装置を示す概略構成図である。なお、図１と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
【００４１】
本実施形態が先の第１の実施形態と異なる点は、補正現像結果に応じてテーブルを更新することである。即ち、前記図１の構成に加え、最終的に作製されたパターンの寸法を取得する仕上がり寸法取得部５１と、仕上がり寸法取得部５１のデータに基づいてテーブル３５，３６を更新する補正テーブル更新部５２が設けられている。
【００４２】
次に、本装置を用いた現像処理方法について、図９の処理フローを参照して説明する。なお、図９では、現像機構、制御部、及び記憶部に対応する処理を各部に分けて記載している。図中の矢印は処理の流れである。
【００４３】
補正現像条件を算出して補正現像処理を行うまでは第１の実施形態と同様である。これに加え本実施形態では、第１の実施形態のようにして現像処理が完了した後に、最終的に作製されたパターンの寸法を仕上がり寸法取得部５１により取得する。そして、この仕上がり寸法を反映させるために、補正テーブル更新部５２により各テーブル３５，３６にフィードバックし、テーブル３５，３６を補正するようになっている。
【００４４】
テーブルの補正方法としては、膜減り量・予測寸法テーブル３５に寸法測定結果を追加して関数を最適化したり、寸法補正量・補正現像条件テーブル３６にゲインとオフセットをかけたりすることが挙げられるが、本実施形態はこれらに限定されるものではない。さらに、パターン情報を基に、補正テーブルの区分けをさらに細かくし、パターン情報に対してきめ細かい補正テーブルを作成してもよい。
【００４５】
図１０（ａ）は、更新前のテーブルと更新後のテーブルとの関係を示す図である。○はパターン寸法測定結果であり、×は外れ値である。破線は補正テーブルＢの特性であり、実線は更新された補正テーブルＢの特性である。テーブルを更新することにより、膜減り量とパターン寸法測定結果との関係がより正確になる。
【００４６】
また、補正現像した被処理基板の実際の寸法のうち、異常値であるものを除去することで補正テーブルの劣化を防ぎ、より高精度なパターン寸法フィードフォワード補正を行うことができる。なお、補正テーブルを更新することにより、実際に測定されるパターン寸法の結果も変わってしまうが、更新されたテーブルの方が実際のパターン寸法結果に近いものとなる。
【００４７】
図１０（ｂ）は、更新前のテーブルと細分化されたテーブルとの関係を示す図である。○はパターン寸法測定結果（描画率１０〜２０％）であり、△はパターン寸法測定結果（描画率２０〜３０％）であり、×は外れ値である。破線は補正テーブルＢの特性であり、実線は細分化された補正テーブルＢ’の特性である。
【００４８】
補正テーブルＢを用いて現像した場合、描画率１０〜３０％において膜減り量とパターン寸法との関係は比較的近いものとなる。しかし、描画率１０〜２０％と２０〜３０％を調べると、描画率１０〜２０％は補正テーブルＢと良く一致しているが、描画率２０〜３０％は補正テーブルＢよりも補正テーブルＢ’の方により近いものとなる。この場合、補正テーブルを描画率１０〜２０％と２０〜３０％に細分化することにより、より正確な寸法制御が可能となる。
【００４９】
このように本実施形態によれば、先の第１の実施形態と同様の効果が得られるのは勿論のこと、補正現像を行った被処理基板１００の寸法測定結果を取得し、補正テーブル３５，３６にフィードバックすることにより、補正テーブルの精度をより高めることや、より詳細なパターン情報に対応できるように補正テーブルを細分化することが可能となる。即ち、補正テーブルを、補正現像した被処理基板の実際の寸法を用いて調整することにより、多様なパターンレイアウトに適した、より高精度なパターン寸法フィードフォワード補正を行うことができる。
【００５０】
（変形例）
なお、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではない。
【００５１】
実施形態では、膜減り量・予測寸法テーブル及び寸法補正量・現像条件デーブルの両方共に複数種を用意したが、寸法補正量・現像条件デーブルを複数にするのみで十分な効果が得られる場合は、膜減り量・予測寸法テーブルは一つにしても良い。
【００５２】
また、本実施形態はフォトマスクの製造に対して特に有効であるが、必ずしもフォトマスクに限らず半導体装置の製造（半導体ウェハ上に形成されたパターンの現像）に適用することも可能である。
【００５３】
実施形態では、膜減り量の算出のために被処理基板上の一部（モニタ領域）を半現像したが、これに限らず被処理基板上の全面を半現像してもよい。この場合、第１の現像条件で半現像した後、半現像による膜減りの結果に応じて追加の第２の現像条件を設定し、この第２の現像条件でパターン領域に対して再度の現像を行うようにすれば良い。
【００５４】
本発明の幾つかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００５５】
１０…現像機構
１１…ＣＣＤカメラ（膜厚測定部）
１２…パターン情報取得部
１３…ギャップ調整機構
１４…移動機構
２０…現像ヘッド
２１…現像液吐出ノズル
２２…現像液吸引ノズル
２３…リンス液吐出ノズル
２４ａ，２４ｂ…電磁バルブ
２５…ポンプ
３０…制御部
３１…膜減り量算出部
３２…寸法予測部
３３…寸法補正量算出部
３４…現像所受け件算出部
３５…膜減り量・予測寸法テーブル
３６…寸法補正量・補正現像条件テーブル
３７…補正テーブル選択部
４１…寸法差確認部
４２…寸法補正量調整部
５１…仕上がり寸法取得部
５２…補正テーブル更新部
１００…被処理基板
１０１…レジスト膜
１０２…補助板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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