(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳｉＣ基板の上に単結晶ＳｉＣから構成された微細機械共振器構造を形成する構造形成工程と、
前記微細機械共振器構造に対してガスエッチング処理を行い、前記微細機械共振器構造の表面を平滑化する表面処理工程と
を備えることを特徴とする微細機械共振器の作製方法。
【請求項２】
請求項１記載の微細機械共振器の作製方法において、
前記構造形成工程では、電気化学エッチングにより前記微細機械共振器構造を形成することを特徴とする微細機械共振器の作製方法。
【請求項３】
請求項１または２記載の微細機械共振器の作製方法において、
前記表面処理工程では、水素で希釈した塩化水素でガスエッチングを行い、前記ガスエッチングは、１４５０℃未満の温度条件で行うことを特徴とする微細機械共振器の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＳｉＣより構成された微細な構造を作製する微細機械構造の作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
機械的な動作で種々の機能を発揮するマイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）が、センサーなどさまざまな応用で使用されている。現在、ＭＥＭＳは、主にＳｉを用いて作製されている。これに対し、Ｓｉに比較して、高いヤング率，高温での高い降伏強度、高い化学的安定性などの特徴を有する炭化ケイ素（ＳｉＣ）が、ＭＥＭＳの材料として注目を集めている。ＳｉＣを用いたＭＥＭＳ（ＳｉＣ−ＭＥＭＳ）の研究開発は、Ｓｉ上に堆積した３Ｃ−ＳｉＣや、多結晶ＳｉＣ，アモルファスＳｉＣが中心であった。しかしながら、３Ｃ−ＳｉＣは、結晶欠陥を多く含み、また、多結晶ＳｉＣ，アモルファスＳｉＣは、単結晶ＳｉＣに比べると、上述した特性が劣るという問題がある。
【０００３】
これに対し、高品質ＳｉＣ単結晶ウエハーを用いてＭＥＭＳを作る研究も一部行われている。高品質ＳｉＣ単結晶ウエハーを用いる場合、微細加工は難しいが、結晶欠陥が少なく、ＳｉＣ本来の特性が得られる。発明者らは、単結晶ＳｉＣウエハーにＳｉＣのｐ層およびｎ層を積層し、光電気化学エッチングもしくは電気化学エッチングを用い、ｐ層またはｎ層の選択的エッチングを行うことで、薄膜（メンブレン）やブリッジ、カンチレバーなどのＭＥＭＳの基本構造を作製する技術を提案している（非特許文献１参照）。
【０００４】
単結晶ＳｉＣで作製したカンチレバー共振器は、２３００００という非常に高いＱ値を持つ素晴らしい共振特性を持つ。これは、Ｓｉ基板上に形成した３Ｃ−ＳｉＣ薄膜により形成したカンチレバー共振器のＱ値の約１０倍であり、また、Ｓｉカンチレバー共振器の２０倍に相当する（非特許文献１参照）。この結果は、高感度センサーなど、ＭＥＭＳの応用上、極めて有用な特性である。このように、高温環境下で利用可能な厳環境ＭＥＭＳ用材料として、ＳｉＣが期待を集めている。
【０００５】
現在、ＳｉＣを材料としたＭＥＭＳである微細機械共振器は、半導体装置の製造技術を利用して作製されている（非特許文献１，２参照）。この１例について説明する。
【０００６】
まず、ｐ型ＳｉＣ基板を用意する（第１工程）。ｐ型ＳｉＣ基板の代わりに、ｎ型もしくは半絶縁型のＳｉＣ基板の上に、ｐ型ＳｉＣをエピタキシャル成長した基板を用いてもよい。
【０００７】
次に、ｐ型ＳｉＣ基板の主表面に、機械共振器となるｎ型ＳｉＣ層を形成する（第２工程）。例えば、エピタキシャル成長もしくはイオン注入法により、ｎ型ＳｉＣ層を形成すればよい。次に、形成したｎ型ＳｉＣ層の上に、公知のフォトリソグラフィー技術により、所定の形状のマスクパターンを形成する（第３工程）。
【０００８】
次に、形成したマスクパターンをマスクとし、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）などにより、ｎ型ＳｉＣ層を選択的にエッチング除去し、マスクパターン形成領域以外のｐ型ＳｉＣ表面を露出させる（第４工程）。マスクパターンの下には、ｎ型ＳｉＣ層による機械共振器構造が形成された状態となる。次に、マスクパターンを除去する（第５工程）。
【０００９】
次に、ｐ型ＳｉＣ基板に接続する電極を形成する（第６工程）。例えば、ｐ型ＳｉＣ基板の裏面に電極を形成すればよい。また、ｎ型もしくは半絶縁型のＳｉＣ基板を用いた場合は、エピタキシャル成長したｐ型ＳｉＣ層の露出している部分に電極を形成すればよい。
【００１０】
次に、ｎ型ＳｉＣ層による機械共振器構造の下部のｐ型ＳｉＣを除去し、ｎ型ＳｉＣによる機械共振器を可動可能にする（第７工程）。例えば、上述した電極を用いた電気化学エッチングにより、露出しているｐ型ＳｉＣの選択的なエッチングを実施すればよい。次に、十分に洗浄し、また、上記電極が、後のプロセスで必要なければ酸などを用いて電極を除去する（第８工程）。
【００１１】
次に、機械共振器を可動可能にするためのｐ型ＳｉＣのエッチングが不十分であり、ポーラスあるいはスポンジ状のＳｉＣが残留している場合がある（非特許文献１参照）。この残留物を除去するために、熱酸化を行う（第９工程）。ＳｉＣ単結晶の熱酸化速度は非常に遅く、一方、上記ＳｉＣ残留物は表面積／体積比が非常に大きいため、ＳｉＣ単結晶の熱酸化が無視できる程度の時間の処理時間で、上記残留物の酸化が完了する。残留物は、酸化により、ＳｉＯ2となる。酸化を行った後に、残留物をウエットエッチングで除去する。熱酸化には表面清浄化や表面変質層の除去効果もある（非特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【００１２】
【非特許文献１】足立  亘平、渡辺  直樹、岡本  創、山口  浩司、木本  恒暢、須田  淳、「高いＱ値を持つ単結晶４Ｈ−ＳｉＣマイクロカンチレバー」、応用物理学会、ＳｉＣおよび関連ワイドギャップ半導体研究会  第２１回講演会予稿集、P-102、２０１２年。
【非特許文献２】Kohei Adachi, et al. , "Single-crystalline 4H-SiC micro cantilevers with a high quality factor", Elsevier, Sensors and Actuators A, vol.197, pp.122-125, 2013.
【非特許文献３】C. Hallin, et al. , "In situ substrate preparation for high-quality SIC chemical vapour deposition", Elsevier, J. Crystal Growth, vol.181, pp.241-253, 1997.
【非特許文献４】Shun-ichi Nakamura, et al. ,"Formation of periodic steps with a unit-cell height on 6H-SiC 0001 surface by HCl etching", APPLIED PHYSICS LETTERS, vol.76, no.23, pp.3412-3414, 2000.
【非特許文献５】A. Nakajima, et al. ,"Step control of vicinal 6H-SiC(0001)surface by H2 etching", J. APPLIED PHYSICS, vol.97, 104919, 2005.
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
ところで、更なる高いＱ値の実現により、より厳しい環境で用いられるＭＥＭＳとしてのみならず、高感度センシングや電気機械的な演算素子などへの応用が広がる。しかしながら、ＳｉＣを用いたマイクロ機械共振器では、更なる高いＱ値とすることが容易ではないという問題がある。Ｑ値はエネルギー散逸が小さくなるほど大きくなる。しかしながら、２３０，０００という極めて高いＱ値が既に実現されているＳｉＣマイクロ機械共振器の場合は、低Ｑ値の場合は無視できるような僅かなエネルギー散逸過程についても、低減に取り組まなければ、更なるＱ値の向上はできず、更なるＱ値の向上は容易ではない。
【００１４】
本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、ＳｉＣを用いたマイクロ機械共振器で、更なる高いＱ値が得られるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明に係る微細機械共振器の作製方法は、ＳｉＣ基板の上に単結晶ＳｉＣから構成された微細機械共振器構造を形成する構造形成工程と、微細機械共振器構造に対してガスエッチング処理を行い、微細機械共振器構造の表面を平滑化する表面処理工程とを備える。
【００１６】
上記微細機械共振器の作製方法において、構造形成工程では、電気化学エッチングにより微細機械共振器構造を形成すればよい。
【００１７】
上記微細機械共振器の作製方法において、表面処理工程では、水素で希釈した塩化水素でガスエッチングを行い、ガスエッチングは、１４５０℃未満の温度条件で行うとよい。
【発明の効果】
【００１８】
以上説明したことにより、本発明によれば、ＳｉＣを用いたマイクロ機械共振器で、更なる高いＱ値が得られるようなるという優れた効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１Ａ】図１Ａは、本発明の実施の形態における微細機械共振器の作製方法を説明する、各工程の状態を示す構成図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、本発明の実施の形態における微細機械共振器の作製方法を説明する、各工程の状態を示す構成図である。
【図１Ｃ】図１Ｃは、本発明の実施の形態における微細機械共振器の作製方法を説明する、各工程の状態を示す構成図である。
【図１Ｄ】図１Ｄは、本発明の実施の形態における微細機械共振器の作製方法を説明する、各工程の状態を示す構成図である。
【図１Ｅ】図１Ｅは、本発明の実施の形態における微細機械共振器の作製方法を説明する、各工程の状態を示す構成図である。
【図２】図２は、高温ガスエッチングによる表面平滑化をせずに作製したマイクロカンチレバーの室温・真空中での共振特性を示す特性図である。
【図３】図３は、本発明の実施の形態における高温ガスエッチングによる表面平滑化をして作製したマイクロカンチレバーの室温・真空中での共振特性を示す特性図である。
【図４】図４は、マイクロカンチレバーの長さとＱ値の関係とを示す特性図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。図１Ａ〜図１Ｅは、本発明の実施の形態における微細機械共振器の作製方法を説明する、各工程の状態を示す構成図である。図１Ａ〜図１Ｅでは、断面を模式的に示している。
【００２１】
まず、ｐ型ＳｉＣ基板１０１を用意する（第１工程）。例えば、（０００１）面より［１１−２０］方向に８°傾いたｐ型の４Ｈ−ＳｉＣ（単結晶）基板を用いればよい。
【００２２】
次に、図１Ａに示すように、ｐ型ＳｉＣ基板１０１の主表面に、４Ｈ−ＳｉＣをエピタキシャル成長させることで、層厚１μｍ程度にｎ型ＳｉＣ層１０２を形成する。ドナー密度は、４．５×１０18ｃｍ-3とすればよい。
【００２３】
次に、図１Ｂに示すように、ｎ型ＳｉＣ層１０２の上に、ニッケル（Ｎｉ）からなるマスクパターン１０３を形成する。例えば、真空蒸着法などにより、ｎ型ＳｉＣ層１０２の上に、層厚１５０ｎｍ程度にＮｉ層を形成する。次に、形成したＮｉ層を、公知のリソグラフィー技術およびエッチング技術によりパターニングし、マスクパターン１０３を形成する。エッチングにおいては、リン酸、酢酸、硝酸の混合液をエッチング液として用いれば、ＳｉＣに対してＮｉ層を選択的にエッチングできる。
【００２４】
次に、形成したマスクパターン１０３をマスクとし、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）などにより、ｎ型ＳｉＣ層１０２を選択的にエッチング除去し、図１Ｃに示すように、マスクパターン形成領域以外のｐ型ＳｉＣ基板１０１表面を露出させ、更なる、ｐ型ＳｉＣ基板１０１をエッチングし、凹部１０４を形成する。ＳｉＣのエッチング量を、層厚方向２μｍ程度とすればよい。ＲＩＥは、ＣＦ4、Ｏ2混合ガスを用い、また圧力３０Ｐａとし、電力１００Ｗでプラズマを生成し、処理時間は２０分とした。
【００２５】
上述したマスクパターン１０３を用いたｎ型ＳｉＣ層１０２のエッチング加工により、ｎ型ＳｉＣ層１０２に、微細機械共振器構造１０５が形成される（構造形成工程）。微細機械共振器構造１０５は、例えば、片もち梁構造のカンチレバーである。なお、この時点では微細機械共振器構造１０５の下部のエッチングは完了していないので、微細機械共振器構造１０５はまだ可動可能状態とはなっていない。後述する電気化学エッチングにより、微細機械共振器構造１０５は可動可能となる。このようにして微細機械共振器構造１０５を形成した後、マスクパターン１０３を除去する。例えば、リン酸、酢酸、硝酸の混合液を用い、Ｎｉからなるマスクパターン１０３を溶解除去すればよい。
【００２６】
次に、ｐ型ＳｉＣ基板１０１の裏面に、電極（不図示）を形成する。例えば、Ｔｉ（４０ｎｍ）／Ａｌ（２００ｎｍ）／Ｎｉ（６０ｎｍ）の積層構造からなる電極を形成すればよい。これらは、蒸着により形成できる。また、電極を形成した後、Ａｒ雰囲気中で１０００℃・２分間の条件で熱処理を行い、オーム性電極とする。
【００２７】
次に、形成した電極を用い、ｐ型ＳｉＣ基板１０１の電気化学エッチングを行う。５．４重量％の濃度としたＫＯＨ水溶液をエッチング液として用い、また、液温は８０−８５℃とし、定電流モードで電気化学エッチングを実施した。電流値は、エッチング液と接している面積で換算し、数ｍＡ／ｃｍ2の電流密度に相当する条件とした。この電気化学エッチングにより、ｎ型ＳｉＣ層１０２に対してｐ型ＳｉＣ基板１０１を選択的にエッチングし、図１Ｄに示すように、微細機械共振器構造１０５の下部領域に、空間１０６を形成する。空間１０６の形成により、微細機械共振器構造１０５が可動可能となる。この処理において、微細機械共振器構造１０５の基板側裏面に、ポーラスあるいはスポンジ状のＳｉＣ残留物１０７が残る。
【００２８】
次に、十分に洗浄を行った後、酸を用いて裏面のオーム性電極を除去する。次に、大気圧、純酸素雰囲気、１１５０℃・２時間の条件で熱酸化を行い、ＳｉＣ残留物１０７を酸化する。酸化により、ＳｉＣ残留物１０７は、ＳｉＯ2となり、これをフッ酸水溶液でＳｉＯ2を除去し、図１Ｅに示すように、微細機械共振器構造１０５の基板側裏面に、残留物のない状態とする。
【００２９】
次に、微細機械共振器構造１０５に対してガスエッチング処理を行い、微細機械共振器構造１０５の表面を平滑化する（表面処理工程）。例えば、誘導加熱型の横型コールドウォールＣＶＤ装置を用いる。この装置の処理室内に、上述したように微細機械共振器構造１０５を形成したｐ型ＳｉＣ基板１０１を搬入し、密閉状態とした後、水素で希釈したＨＣｌを用いてガスエッチングを行う。圧力は大気圧とし、水素流量は１ｓｌｍとし、ＨＣｌガス流量は流量比で０．３％となるように設定した。この条件で、１３００℃に昇温し１０分間保持してガスエッチングを行い、この後、自然冷却し、取り出した。なお、ガスエッチングにおける温度条件は、１４５０℃未満であることが望ましい。
【００３０】
上記条件における単結晶ＳｉＣエッチングレートはおよそ７ｎｍ／分であり、作製した幅数十μｍ，長さ数十〜数百μｍの微細機械共振器構造１０５に対し、幅，長さにおいては無視できる量である。なお、微細機械共振器構造１０５の厚さについては、考慮すべき量である。従って、表面平滑化のためのガスエッチングで見込まれる減少量に対応させ、ｎ型ＳｉＣ層１０２の形成厚さを、適宜に設定しておけばよい。
【００３１】
次に、実際に作製した微細機械共振器構造の特性を評価した結果について説明する。以下では、微細機械共振器の１つであるマイクロカンチレバーを作製した。厚さ１μｍ、長さ１００μｍ、幅１５μｍの単結晶４Ｈ−ＳｉＣによるカンチレバーである。また、高温ガスエッチングによる表面平滑化をせずに作製したマイクロカンチレバーと、高温ガスエッチングによる表面平滑化をして作製したマイクロカンチレバーとを作製し、両者の特性を比較した。高温ガスエッチングによる表面平滑化の条件は、雰囲気は水素および塩化水素の混合雰囲気（塩化水素濃度０．３％）、また大気圧とし、また、１３００℃・１０分間とした。この処理により、マイクロカンチレバーの厚さが減少し０．９μｍとなった。
【００３２】
まず、高温ガスエッチングによる表面平滑化をせずに作製したマイクロカンチレバーの室温・真空中での共振特性は、図２に示すように、共振周波数１７２．６５ｋＨｚにおいてＱ値は２０３，０００であった。
【００３３】
一方、高温ガスエッチングによる表面平滑化をして作製したマイクロカンチレバーの室温・真空中での共振特性は、図３に示すように、共振周波数１５８．７６１ｋＨｚにおいて４９６，０００という極めて高いＱ値が実現されている。なお、高温ガスエッチングにより厚さが変化したため、周波数が変化している。この点については、前述したように、エッチング量を見込んで予め少し厚めにマイクロカンチレバーを作製しておけばよい。
【００３４】
以上の結果より明らかなように、ＳｉＣで構成した微細機械共振器構造を作製した後、高温ガスエッチングを行い構造体の表面を平滑化することで、より高いＱ値の微細機械共振器を実現することができることが分かる。これは、ＳｉＣで構成した微細機械共振器構造における、表面摩擦によるエネルギー散逸を低減できたためと考えられる。共振器の性能は共振周波数ｆとＱ値の積であるｆＱ積が指標となるが、ｆＱ積で比較しても、高温ガスエッチングによる表面平滑化の効果は、ｆＱ積を倍増させるものとなっている。
【００３５】
次に、ＳｉＣを用いた微細機械共振器における高温ガスエッチングによる表面平滑化の効果は、特定の寸法に限られないことについて図４を用いて説明する。図４は、マイクロカンチレバーの長さとＱ値の関係とを示す特性図である。図４において、白丸は、高温ガスエッチングによる表面平滑化をせずに作製したマイクロカンチレバーの特性を示し、黒丸は、高温ガスエッチングによる表面平滑化したマイクロカンチレバーの特性を示している。図４に示されているように、いずれの寸法（長さ）においても、Ｑ値を倍増させる効果が見られる。
【００３６】
以上に説明したように、本発明によれば、高温ガスエッチングによる表面平滑化を行うようにしたので、ＳｉＣを用いたマイクロ機械共振器で、更なる高いＱ値が得られるようになる。
【００３７】
高温ガスエッチングは、電気化学エッチングの処理により微細機械共振器構造を形成する場合に特に効果的である。電気化学エッチングで微細機械共振器構造を形成した場合、空間を形成する部分、例えば、可動部の裏側が特に荒れやすい。また、残留物の問題もある。発明者らは、これらの問題が、熱酸化および酸化膜除去法で解消できるものと考えた（非特許文献１，２参照）。しかしながら、上述した熱酸化による手法では、残留物は除去できるが、平坦化の効果は不十分であることが判明した。
【００３８】
上述した部分は、小さなギャップの場合が多く、ウエットエッチングなどでは溶液の循環などが容易ではなく、平坦化は困難である。ガスエッチングの場合でも、気相でのエッチング化学種の輸送などの制約があり難しいと思われた。これに対し、発明者らの鋭意の検討の結果、気相での輸送が律速しないようにエッチングレートを小さくすることで、ガスエッチングにより、このように入り組んだ微細な領域であっても平坦化ができるという知見を得るに至った。
【００３９】
なお、本発明は以上に説明した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で、当分野において通常の知識を有する者により、多くの変形および組み合わせが実施可能であることは明白である。
【００４０】
例えば、ガスエッチングは、水素で希釈した塩化水素中を用いる処理に限るものではない。ＳｉＣに対するガスエッチングとしては、純粋な水素中でのガスエッチング、水素に僅かにシランや炭化水素を加えてＳｉＣガスエッチングの反応を制御する方法などもある。また、上述したガス以外のより反応性の強いガスを用いる処理もある。
【００４１】
ここで、本発明では、ＳｉＣを用いたマイクロ機械共振器の形状を平坦化するものであり、このためには、実用的な処理時間の範囲で、共振器構造に実質的な影響を与えることなく、僅かなエッチング量で処理できることが重要となり、可能な範囲で反応性の低い処理条件が、結晶面（ファセット面）の発達などの効果を期待できるので適している。この観点では、純粋な水素中でのガスエッチング、水素に僅かにシランや炭化水素を加えたガスエッチング、および水素で希釈した塩化水素中を用いるガスエッチングがよい。
【００４２】
なお、純粋な水素中でのガスエッチング、水素に僅かにシランや炭化水素を加えたガスエッチングは、エッチング条件が適切でないと、炭素が優先的にエッチングされて表面にＳｉの残留物が生成されることがあり、これを防ぐために、一般にエッチング温度をやや高温（１４５０℃以上）などに設定する必要がある。一方、水素で希釈した塩化水素中を用いるガスエッチングの場合、Ｓｉが塩素により除去されるので、１３００℃などの低い温度でも処理が可能であり、熱ストレスや高温による影響などを避けるためには有利である。この処理により、形状が平滑化されてなめらかになるだけではなく、原子レベルで表面が清浄化された状態になる。
【００４３】
ところで、一般に、ＳｉＣの結晶成長の前処理などでは、塩化水素を用いないエッチングが主流となっている。塩化水素ガスは、装置を腐食させる可能性があり、装置の設計が複雑になるとともに、除害装置も必要となる。さらに、エッチング時の手順もエッチング終了時に塩化水素を完全に排気するなどの手間がかかり、一般には使用を避けることが望ましいためである。塩化水素を用いずにエッチング処理を行う場合、１４５０℃以上の高温が必要であるが、ＳｉＣ結晶成長装置は１５００〜１８００度程度に加熱できる装置が一般的であり問題とされていない。
【００４４】
一方、ＳｉＣのＭＥＭＳ応用を検討した場合、塩化水素をいれて１３００℃程度と１４５０℃未満に低温化する効果が、発明者らの検討により非常に大きいことが判明した。ＳｉＣは、Ｓｉに比べると高い降伏強度をもつが、高温になるに従い降伏強度が低下、すなわち、転位の運動が容易となり、転位の導入がされやすくなる。さらにブリッジやカンチレバーなどの構造では、応力集中がある。１４５０℃以上の温度ではこの応力集中により転位が導入され、結晶欠陥（転位）による新たなエネルギー散逸をもたらすことになる。Ｑ値は、さまざまなエネルギー散逸の合計で決まるので、結晶欠陥が導入されると、表面平坦性の向上によるエネルギー散逸の低減の効果が失われてしまう。
【００４５】
もちろん、一般的な塩化水素を用いないエッチングにおいても、応力集中を極力低減するような構造にして、かつ、エッチング温度を可能な限り下げるなどである程度回避できるが、ガスエッチングの処理温度を１４５０℃未満と大幅に低温化することは、設計の自由度向上の意味で大きな意味を持つ。したがって、ガスエッチングに用いる装置が複雑になったとしても、低温化の効果が十分得られる。
【００４６】
また、上述では、微細機械共振器の例としてマイクロカンチレバーについて説明してきたが、これに限定されるものでなく、例えば薄膜（メンブレン）やブリッジなどの微細機械共振器に対しても、本発明は適用可能であることは言うまでもない。
【符号の説明】
【００４７】
１０１…ｐ型ＳｉＣ基板、１０２…ｎ型ＳｉＣ層、１０３…マスクパターン、１０４…凹部、１０５…微細機械共振器構造、１０６…空間、１０７…ＳｉＣ残留物。
【図１Ａ】
0006032759.tif 000002
【図１Ｂ】
0006032759.tif 000003
【図１Ｃ】
0006032759.tif 000004
【図１Ｄ】
0006032759.tif 000005
【図１Ｅ】
0006032759.tif 000006
【図２】
0006032759.tif 000007
【図３】
0006032759.tif 000008
【図４】
0006032759.tif 000009