(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と第２の基板の間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、
前記第１の基板には、平面が長方形の画素がマトリクス状に配置し、
前記画素の２つの長辺の各々に沿って第１の絶縁膜の上に大壁が形成され、前記画素の中央において、前記第１の絶縁膜の上に、前記大壁と同じ方向に延在し、前記大壁よりも高さが低い小壁が形成され、前記大壁の壁面に壁電極が形成され、前記小壁と大壁の間に平面電極が形成され、前記壁電極と前記平面電極は一体となって形成され、前記壁電極と前記平面電極は画素電極を構成しており、前記小壁の表面にはコモン電極が形成された画素構成を有する液晶表示装置であって、
前記大壁は、平面で視て、その端部において、厚さが大きくなった部分を有し、
前記壁電極は、前記大壁が、平面で視て、その端部において、厚さが大きくなった部分において、前記画素の中央方向に屈曲した構成を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
平面で視て、前記大壁の前記画素の中央付近における厚さと前記壁電極の厚さを合わせた量をＷ、前記画素の短径の１/２をＤとし、前記大壁の端部において、平面で視て、前記大壁が厚くなっている量をＬ１とした場合、
前記Ｌ１は、（Ｄ−Ｗ）/２≧Ｌ１≧（Ｄ−Ｗ）/４の関係を満たすことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記大壁と前記小壁は、前記画素の長辺の中央付近において屈曲した構成であることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
第１の基板と第２の基板の間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、
前記第１の基板には、平面が長方形の画素がマトリクス状に配置し、
前記画素の２つの長辺の各々に沿って第１の絶縁膜の上に大壁が形成され、前記画素の中央において、前記第１の絶縁膜の上に前記大壁と同じ方向に延在し、前記大壁よりも高さが低い小壁が形成され、前記大壁の壁面に壁電極が形成され、前記小壁と大壁の間に平面電極が形成され、前記壁電極と前記平面電極は一体となって形成され、前記壁電極と前記平面電極は画素電極を構成しており、前記小壁の表面にはコモン電極が形成された画素構成を有する液晶表示装置であって、
前記大壁は、平面で視て、その端部において、厚さが大きくなった部分を有し、
前記壁電極は、前記大壁が、平面で視て、その端部において、厚さが大きくなった部分において、前記画素の中央方向に屈曲した構成を有し、
前記小壁は、前記画素の端部において、前記屈曲した壁電極から離れる方向に屈曲していることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
平面で視て、前記大壁の前記画素の中央付近における厚さと前記壁電極の厚さを合わせた量をＷ、前記画素の短径の１/２をＤとし、前記大壁の端部において、平面で視て、前記大壁が厚くなっている量をＬ１とした場合、
前記Ｌ１は、（Ｄ−Ｗ）/１≧Ｌ１≧（Ｄ−Ｗ）/４の関係を満たすことを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記大壁と前記小壁は、前記画素の長辺の中央付近において屈曲した構成であることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
第１の基板と第２の基板の間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、
前記第１の基板には、平面が長方形の画素がマトリクス状に配置し、
前記画素の２つの長辺の各々に沿って第１の絶縁膜の上に大壁が形成され、前記画素の中央において、前記第１の絶縁膜の上に、前記大壁と同じ方向に延在し、前記大壁よりも高さが低い小壁が形成され、前記大壁の壁面に壁電極が形成され、前記小壁と大壁の間に平面電極が形成され、前記壁電極と前記平面電極は一体となって形成され、前記壁電極と前記平面電極は画素電極を構成しており、前記小壁の表面にはコモン電極が形成された画素構成を有する液晶表示装置であって、
前記大壁は、平面で視て、その端部において、厚さが大きくなった部分を有し、
前記壁電極は、前記大壁が、平面で視て、その端部において、厚さが大きくなった部分において、前記画素の中央方向に屈曲した構成を有し、
前記小壁は、前記大壁よりも長く形成され、
前記小壁が前記大壁よりも長くなった部分は、前記屈曲した壁電極から離れる方向に屈曲していることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
前記小壁が屈曲した方向と反対側にスルーホールが形成されていることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記大壁と前記小壁は、前記画素の長辺の中央付近において屈曲した構成であることを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置に係り、特に視野角特性が優れ、かつ、高精細画面を実現できるＩＰＳ方式の液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置に使用される液晶表示パネルは、画素電極および薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等を有する画素がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板に対向して、ＴＦＴ基板の画素電極と対応する場所にカラーフィルタ等が形成された対向基板が配置され、ＴＦＴ基板と対向基板の間に液晶が挟持されている。そして液晶分子による光の透過率を画素毎に制御することによって画像を形成している。
【０００３】
液晶表示装置はフラットで軽量であることから、色々な分野で用途が広がっている。携帯電話やＤＳＣ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｔｉｌｌ Ｃａｍｅｒａ）等には、小型の液晶表示装置が広く使用されている。液晶表示装置では視野角特性が問題である。視野角特性は、画面を正面から見た場合と、斜め方向から見た場合に、輝度が変化したり、色度が変化したりする現象である。視野角特性は、液晶分子を水平方向の電界によって動作させるＩＰＳ（Ｉｎ  Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式が優れた特性を有している。
【０００４】
ＩＰＳ方式も種々存在するが、例えば、「特許文献１」にはその図４に、ＴＦＴ基板と対向基板とのスペースを決める柱状スペーサの壁の部分に電極を形成し、ＴＦＴ基板に形成された電極との間に電圧を印加し、横電界を効率的に発生させる構成が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平６−２１４２４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
中小型液晶表示装置のハイエンド製品では、ＷＶＧＡ以上の解像度（８００×４８０）の精細度を有する高精細表示装置が用いられている。このような高精細表示では、パネルの透過率が問題となる。また、さらなる高精細な画面の要求も出ており、このような画面においては、さらにパネルの透過率が問題となる。また、高精細となるにしたがって、画素の電極に印加される電圧が、隣りの画素に影響を持つようになり、画素間のコンタミネーションが生じて画質を劣化させる。
【０００７】
そこで、より高精細画面に対応させるために、画素に壁を形成し、この壁に画素電極、あるいは、コモン電極を形成する、いわゆる壁電極ＩＰＳが開発されている。壁電極ＩＰＳは表示モードの効率を向上することが出来る。ここで、表示モードの効率向上とは、
横方向の電気力線の割合が大きくなり、ＩＰＳ方式の効率を向上することが出来る。
壁状の電極が形成されるので、画素全体に電界を及ぼすことができる。
したがって、画素電極に印加する電圧を小さくすることが出来る、
等を言う。
【０００８】
壁電極ＩＰＳでは、従来のＩＰＳ方式と比べて液晶層にかかる電圧強度を小さくできる反面、液晶層に係る電界強度が弱いことから、画素内に逆捩れ方向の電界が発生すると、順捩れと逆捩れの液晶が拮抗して画素内の液晶が動かなくなる領域、いわゆるドメインが発生する。このために、画素内の透過率分布が不均一になり、透過率が大幅に低下するという問題がある。
【０００９】
本発明の課題は、壁電極ＩＰＳにおいて、画素内のドメインの発生を防止し、画素における透過率の減少を防止することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は上記問題を克服するものであり、主な手段は次のとおりである。
【００１１】
（１）平面が長方形の画素の長辺に沿って大壁が形成され、前記画素の中央において、前記大壁と同じ方向に延在する小壁が形成され、前記大壁の壁面に壁電極が形成され、前記小壁と大壁の間に平面電極が形成され、前記壁電極と前記平面電極は画素電極を構成しており、前記小壁の表面にはコモン電極が形成された画素構成を有する液晶表示装置であって、前記大壁は、画素の端部において、厚さが大きくなった部分を有し、前記壁電極は、前記画素の中央方向に屈曲した構成を有することを特徴とする液晶表示装置。
【００１２】
（２）平面が長方形の画素の長辺に沿って大壁が形成され、前記画素の中央において、前記大壁と同じ方向に延在する小壁が形成され、前記大壁の壁面に壁電極が形成され、前記小壁と大壁の間に平面電極が形成され、前記壁電極と前記平面電極は画素電極を構成しており、前記小壁の表面にはコモン電極が形成された画素構成を有する液晶表示装置であって、前記大壁は、画素の端部において、厚さが大きくなった部分を有し、前記壁電極は、前記画素の中央方向に屈曲した構成を有し、前記小壁は、前記画素の端部において、前記屈曲した壁電極から離れる方向に屈曲していることを特徴とする液晶表示装置。
【００１３】
（３）平面が長方形の画素の長辺に沿って大壁が形成され、前記画素の中央において、前記大壁と同じ方向に延在する小壁が形成され、前記大壁の壁面に壁電極が形成され、前記小壁と大壁の間に平面電極が形成され、前記壁電極と前記平面電極は画素電極を構成しており、前記小壁の表面にはコモン電極が形成された画素構成を有する液晶表示装置であって、前記大壁は、画素の端部において、厚さが大きくなった部分を有し、前記壁電極は、前記画素の中央方向に屈曲した構成を有し、前記小壁は、前記大壁よりも長く形成され、前記小壁が前記大壁よりも長くなった部分は、前記屈曲した壁電極から離れる方向に屈曲していることを特徴とする液晶表示装置。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、いわゆる壁電極を有するＩＰＳ方式の液晶表示装置において、画素におけるドメインの発生を防止することが出来るので、高精細画面で、かつ、透過率の高い、したがって、高輝度の液晶表示装置を実現することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】実施例１における画素の平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ‘断面図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ‘断面図である。
【図４】本発明の作用を従来例と比較して示した平面図である。
【図５】実施例１における壁電極の屈曲の量と透過率の関係を示すグラフである。
【図６】実施例１をマルチドメイン構造に適用した例である。
【図７】実施例２における画素の平面図である。
【図８】図７のＣ−Ｃ‘断面図である。
【図９】実施例２の作用を示す平面図である。
【図１０】実施例２における壁電極の屈曲の量と透過率の関係を示すグラフである。
【図１１】実施例２をマルチドメイン構造に適用した例である。
【図１２】実施例３における画素の平面図である。
【図１３】実施例３をマルチドメイン構造に適用した例である。
【図１４】実施例４における画素の断面図である。
【図１５】図１と図７の組み合わせの例である。
【図１６】図１と図７の組み合わせの他の例である。
【図１７】図１と図１２の組み合わせの例である。
【図１８】図６と図１１の組み合わせの例である。
【図１９】図６と図１１の組み合わせの他の例である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下に本発明の内容を、実施例を用いて詳細に説明する。
【実施例１】
【００１７】
図１は、本発明による画素の平面構造を示し、図２は図１のＡ−Ａ‘断面図、図３は図１のＢ−Ｂ’断面図である。図１に示すように、本発明は、画素の中央部付近（Ａ−Ａ‘断面）と画素の端部付近（Ｂ−Ｂ’）断面とで、異なった断面構造を持つ。
【００１８】
図１において、小壁６０が画素の中央を横方向に延在している。小壁６０を挟んで大壁５０が画素の境界を横方向に延在している。小壁６０の上面にはコモン電極１４が存在している。大壁５０の内側には壁電極１６１が形成され、小壁６０と大壁５０の間には平面電極１６２が形成されている。壁電極１６１と平面電極で１６２で画素電極１６を構成している。画素の右側には、映像信号線１２と画素電極を接続するスルーホール４０が形成されている。大壁６０に形成された壁電極１６１は、画素の両端部において屈曲し、この屈曲構造が画素の有効領域、すなわち、光の透過領域において、ドメインが発生することを防止している。これが、本発明の特徴となっている。
【００１９】
図１の左上に液晶分子３１の捩れ方向の定義を記載している。図１において、液晶分子３１の初期配向は、水平方向に対して、若干時計回りの角度を有している。初期配向の角度と同方向の捩れを順捩れをといい、初期配向の角度と逆方向の捩れを逆捩れをという。
【００２０】
図２は、画素の中央部であるＡ−Ａ‘断面であり、壁電極ＩＰＳの基本的な構造を示している。図２において、ガラスで形成されたＴＦＴ基板１０の上にＴＦＴ層１１が形成されている。ＴＦＴ層１１は、ゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体層等を含む層である。ＴＦＴ層１１の上に映像信号線１２が形成されている。映像信号線１２の上には、ＳｉＮで形成される第１層間絶縁膜１３が形成され、その上にコモン電極１４が形成されている。第１層間絶縁膜１３の上で、映像信号線１２の上には、大壁５０が形成され、画素の中央部には小壁６０が形成されている。大壁５０および小壁６０は、例えばアクリル系の樹脂で、形成される。
【００２１】
大壁５０および小壁６０を覆ってコモン電極１４が形成されている。大壁５０および小壁６０を覆うコモン電極１４を覆ってＳｉＮによる第２層間絶縁膜１５が形成されている。第２層間絶縁膜１５の上には、画素電極１６が形成されている。画素電極１６は、壁電極１６１と平面電極１６２によって構成されている。
【００２２】
画素電極１６の平面電極１６２部分を覆って、有機パッシベーション膜からなる平坦化膜１７が形成されている。平坦化膜１７の役割は、画素内において、液晶層３０の層厚を一定にすることと、小壁６０の上に形成されたコモン電極１４と、画素電極１６である平面電極１６２との間の電気力線が液晶層３０においては、横方向の成分となるようにするためである。すなわち、平面電極１６２から出る電気力線は、平坦化膜１７内においては、縦電界となっているが、液晶層３０内においては、横電界となっている。これによって、表示モード効率を向上させることが出来る。
【００２３】
図２において、液晶層３０を挟んで、対向基板２０が配置されている。ガラスで形成された対向基板２０には、ブラックマトリクス２１、およびカラーフィルタ２２が形成され、カラーフィルタ２２を覆ってオーバーコート膜２３が形成されている。なお、ＴＦＴ基板１０側および対向基板２０側に形成されている配向膜は図２では省略されている。
【００２４】
図２において、大壁５０は、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０の間隔を規定する柱状スペーサの役割を有している。また、大壁５０は、隣りの画素との境界を形成しており、画素電極１６の電界が隣りの画素に及ばないような構成となっている。小壁６０は１μｍ以上の高さを有している。
【００２５】
図３は、図１のＢ−Ｂ‘断面図であり、本発明の特徴を示す構成である。図１において、Ｂ−Ｂ’と記されている部分においては、大壁５０は幅が大きくなっており、その分、平面電極１６２の幅が狭くなっている。図１において、端部における大壁５０の厚さと中央付近における大壁５０の厚さの差がＬ１である。また、画素の端部における大壁５０の幅と壁電極１６１の厚さを合わせた厚さがＷ１＋Ｌ１である。そして、画素の短径の半分がＤである。
【００２６】
図３は断面図においてこの関係を示したものである。図３において、小壁６０の左側において、右側よりも、平面電極１６２の幅が小さくなっており、その分、液晶層３０の幅も小さくなっている。このように端部において、液晶層３０の幅が小さくなっている部分が存在することによって、後で説明するように、画素の有効領域内にドメインが発生することを抑制することが出来る。図３のその他の構成は図２で説明したのと同様である。
【００２７】
図４は、本発明の効果を従来例と対比する形で示した平面図である。図４（ａ）は、従来例における問題点を示す平面図である。図４（ａ）において、点線は、大壁５０に形成された壁電極１６１と小壁６０に形成されたコモン電極１４との間に形成される等電位線を示す。液晶分子３１は、等電位線と直角な方向に配向しようとする。しかし、液晶分子３１の初期配向の方向との関係によって、等電位線とのなす角度が異なってくる。
【００２８】
すなわち、従来例では、画素の端部において、液晶分子３１が、中央付近の液晶分子３１の捩れ方向（これを順捩れ方向と呼ぶ）と、これとは逆方向の捩れ、すなわち、逆方向の捩れが生ずる。液晶分子３１において、順方向と逆方向の捩れが生じている部分は、いわゆるドメイン１００が発生している部分であり、この部分は、光が透らないので、画素の透過率が小さくなり、画面の輝度が減少する。図４（ａ）および図４（ｂ）において、順方向にねじれている液晶分子３１は白ぬきで示し、逆方向にねじれている液晶分子３１は黒で示している。
【００２９】
図４（ｂ）は、本発明による画素構造を示す平面図である。図４（ｂ）において、画素端部では、大壁５０の厚さが大きくなっており、その結果、壁電極１６１が中心側に屈曲した構造となっている。壁電極１６１すなわち画素電極１６が端部において、屈曲した構造となっているので、形成される等電位線は、液晶分子３１を順方向に捩じる成分が大きくなる。その結果、画素において、光が透過する部分においては、液晶分子３１は全て順方向に配向することになり、ドメインは発生しない。
【００３０】
一方、画素において、大壁５０が形成されていない、すなわち、バックライトからの光が透過しない部分においては、液晶分子３１を逆捩れさせるような等電位線が発生している。したがって、この部分においてはドメイン１００が発生している。しかし、図４（ｂ）において、ドメイン１００が発生している部分は、もともと光が透過しない部分であるから、液晶表示パネルの透過率には影響しない。
【００３１】
言い換えると、画素端部において、壁電極１６１を屈曲させると、壁電極１６１と中央部におけるコモン電極１４との間隔が狭くなり、この間の電界強度は、画素の中では最も強い領域となる。この構成では、画素の外側では、液晶分子を逆捩れさせる方向の電界となるが、画素の内側では、液晶分子３１を強い順捩れ方向とする電界となるため、画素の外側で発生した逆捩れの液晶は、壁電極１６１の内側の順捩れの電界によって堰きとめられる。すなわち、画素端部のドメイン１００は、壁電極１６１と中央のコモン電極１４との間隔が狭い部分においてのみ発生することになり、表示領域の暗線を見えなくすることが出来る。
【００３２】
このように、本発明においては、大壁５０に形成された壁電極１６１が画素の端部付近において、中央方向に屈曲しているので、画素において光が透過する領域においてはドメインが発生せず、透過率の低下を抑えることが出来る。
【００３３】
図５は、図１に示すように、画素の端部において、大壁５０の幅が大きくなって、壁電極１６１が屈曲している場合の形状と画素の透過率の関係を示すグラフである。ドメインが発生しなければ透過率が高いということになる。図１において、画素の中央付近における壁電極１６１の厚さを含む大壁５０の幅がＷ、大壁の幅が大きくなって壁電極が画素の中央方向に屈曲している量をＬ１、画素の短径の１/２をＤとする。
【００３４】
この場合において、壁電極１６１の屈曲の量Ｌ１をどの程度にすると効率的にドメインの発生を防止することができるかを検討するために、
（Ｄ−Ｗ）/Ｘ      （１）
なる値を定義する。図５において、横軸はＸ、縦軸は相対透過率である。図５によれば、Ｘが２〜４の範囲において、相対透過率を５％以上向上させることが出来る。式（１）において、Ｘ＝２の場合、Ｌ１の大きさは、（Ｄ−Ｗ）/２となる。すなわち、壁電極１６１における画素端部における屈曲の量であるＬ１の値は、画素の中央付近における平面電極の幅の１/２程度となる。また、Ｘ＝４の場合は、Ｌ１の値は、画素の中央付近における平面電極の幅の１/４程度となる。すなわち、壁電極１６１の屈曲の量Ｌ１は、中央付近の平面電極の幅の１/４〜１/２程度の場合にドメインを効率的に抑制することが出来る。
【００３５】
図６は、図１で述べた構成をマルチドメインの画素に適用した場合の平面図である。マルチドメインは、視野角の均一性を向上させるために、小壁６０に形成されたコモン電極１４と壁電極１６１と平面電極１６２で構成される画素電極１６を画素の中央付近において所定の角度屈曲させたものである。図６における画素の端部は、図１で説明したと同様、大壁５０の厚さが大きくなっており、壁電極１６１が屈曲している。これによって、図４で説明したように、画素の端部において、ドメインの発生を効率的に防止することが出来る。
【実施例２】
【００３６】
図７は、本発明の第２の実施例を示す画素の平面図であり、図８は図７のＣ−Ｃ‘断面図である。図７のＡ−Ａ’断面図は、図２説明したのと同様である。図７において、画素の端部で大壁５０の幅が大きくなって、壁電極１６１が画素の中央側に屈曲していることは実施例１と同様である。本実施例の特徴は、図７に示すように、画素端部において、小壁６０も大壁５０が厚くなることによって画素電極１６１が屈曲している方向に屈曲させている点である。言い換えると、小壁６０も画素電極１６１が屈曲している付近において、屈曲した画素電極１６１から離れる方向に屈曲している。
【００３７】
図８は、画素の端部の構造を示す図７のＣ−Ｃ‘断面図である。図８において、一方の大壁５０の幅が大きくなっている。また、小壁６０も画素の短径方向の中心ではなく、右側方向に移動している。その他の構成は、図２あるいは図３で説明したのと同様である。
【００３８】
図９は、本実施例の動作を示す画素の平面図である。図９に示すように、画素端部に壁電極１６１の屈曲構造及びコモン電極１４の屈曲構造を設けると、画素内で、壁電極１６１とコモン電極１４の間隔が最もせまくなる部分は、小壁６０と、小壁６０の壁面から垂直に伸びた方向の壁電極１６１の先端部との間隔であり、この部分の電界が最も強くなる。一方、壁電極１６１の画素の外側先端部では、小壁６０を覆うコモン電極１４が斜めに屈曲しているため、屈曲した壁電極１６１の画素の内側先端部よりも壁電極１６１とコモン電極１４の間隔が広がることから、電界が弱くなる。この場合、屈曲した壁電極１６１の外側先端部では逆捩れ方向、内側先端部では順捩れ方向となる。壁電極１６１の内側先端部では順捩れ方向の電界によって順捩れ方向に動くのに対し、壁電極１６１の外側先端部では、逆捩れ方向の電界によって液晶が逆捩れ方向に動くことから、順捩れした液晶と逆捩れした液晶との間にドメインが生ずるが、順捩れ方向の電界が逆捩れ方向よりも強いため、ドメインが画素の外側に押し出される。したがって、画素の表示領域内にドメインが発生することなく、画素全体で表示モード効率を向上させることが出来る。
【００３９】
図１０は、図７に示す本実施例において、画素の端部において、大壁５０の幅が大きくなって、壁電極１６１が屈曲しており、かつ、小壁６０が屈曲方向した壁電極１６１から離れる方向に屈曲している場合の形状と画素の透過率の関係を示すグラフである。ドメインが発生しなければ透過率が高いということになる。図７において、画素の中央付近における壁電極１６１の厚さを含む大壁の幅がＷ、大壁の幅が大きくなって壁電極が画素の中央方向に屈曲している量をＬ１、画素の短径の半分をＤとする。これは、実施例１で定義したのと同様である。
【００４０】
この場合において、壁電極１６１の屈曲の量Ｌ１をどの程度にすると効率的にドメインの発生を防止することができるかを検討するために、実施例１と同様に、
（Ｄ−Ｗ）/Ｘ      （１）
なる値を定義する。図１０において、横軸はＸ、縦軸は相対透過率である。図１０によれば、Ｘが１〜４．５の範囲において、相対透過率を５％以上向上させることが出来る。また、Xが２．５〜４の範囲において、相対透過率を１０％以上向上させることが出来る。さらに、Xが３においては、相対透過率を１１％以上向上させることが出来る。
【００４１】
式（１）において、Ｘ＝１の場合、Ｌ１の大きさは、画素の中央付近における平面電極１６２の幅とほぼ等しいことになる。また、Ｘ＝４．５の場合は、Ｌ１の値は、画素の中央付近における平面電極１６２の幅の１/４．５程度となる。すなわち、壁電極１６１の屈曲の量Ｌ１は、中央付近の平面電極の幅の１/４．５〜１程度の時にドメインの発生を効果的に抑制することが出来る。
【００４２】
図１１は、図７で述べた構成をマルチドメインの画素に適用した場合の平面図である。図１１における画素の端部は、図１で説明したと同様、大壁５０の厚さが大きくなっており、壁電極１６１が屈曲している。また、小壁６０は画素の端部において、屈曲している壁電極１６１から離れる方向に屈曲している。図１１の構成においても、図１０に示したグラフと同様に、透過率の向上を図ることが出来る。
【実施例３】
【００４３】
図１２は、本発明の第３の実施例を示す画素の平面図である。図１２の構造は、実施例２の図７に示す、小壁６０の上に形成されたコモン電極１４の屈曲構造を、画素端部に存在するスルーホール４０の付近まで伸ばした構造である。小壁６０の上に形成されたコモン電極１４をスルーホール４０の付近まで伸ばすことによって、スルーホール４０付近の液晶も表示領域として動作させることが出来、透過率を向上させることが出来る。
【００４４】
図１２に示すように、本構造では、小壁６０が屈曲しているので、スルーホール４０付近の液晶層においても、液晶分子３１を順方向に捩じることが出来、ドメインを抑制することが出来る。つまり、ドメインを抑制しつつ、透過領域を広げ、透過率の向上を図ることが出来る。図１２に示す一点鎖線で囲まれた領域Aが従来の表示領域として寄与した領域である。本実施例では、これに加えて、スルーホール４０付近における一点鎖線で囲まれた領域Bも表示に寄与させることが出来るので、この分透過率を上げることが出来る。
【００４５】
図１３は、図１２で述べた構成をマルチドメインの画素に適用した場合の平面図である。図１３における画素の端部は、図１で説明したと同様、大壁５０の厚さが大きくなっており、壁電極１６１が屈曲している。また、小壁６０は画素の端部において、屈曲している壁電極１６１から離れる方向に屈曲し、かつ、スルーホール４０の付近まで延在している。これによって、図１２で説明したのと同様に、図１３構成においても透過率の向上を図ることが出来る。
【実施例４】
【００４６】
図１４は、本実施例における画素構造の断面図である。図１４は、図１のＢ−Ｂ’断面に対応している。実施例１における図３と異なる点は、大壁５０をＬ１だけ厚くするのではなく、Ｌ１だけ厚くする領域は、小壁６０と同じ高さの壁とした点である。したがって、画素の端部における大壁５０の厚さは、画素の中央付近における大壁５０の厚さと同様である。
【００４７】
画素端部における、画素電極１６１を屈曲させる壁が小壁６０と同じ高さであっても、図４（ｂ）に示すような等電位線が形成され、表示領域におけるドメインの発生を防止することが出来る。これに加えて、図１４に示す本実施例においては、画素端部において、画素電極１６を屈曲させる壁が小壁６０と同じであるために、その上に配置している液晶層を表示領域として使用することが出来るので、その分透過率を上げることが出来る。
【実施例５】
【００４８】
本実施例は、実施例１〜４で説明した構成の組み合わせの例を示す実施例である。図１５は、実施例１における図１と実施例２における図７の組み合わせである。実施例２の図７は画素の両端において、小壁６０を屈曲させているが、図１５では、スルーホール４０が存在しない画素の一方の端部においてのみ、小壁６０を屈曲させている。したがって、図１５の特性は、図１と図７との中間の特性を有している。
【００４９】
図１６は、実施例１における図１と実施例２における図７の組み合わせの他の例である。実施例２の図７は画素の両端において、小壁６０を屈曲させているが、図１６では、スルーホール４０が存在する画素の一方の端部においてのみ、小壁６０を屈曲させている。したがって、図１６の特性も、図１と図７との中間の特性を有している。
【００５０】
図１７は、実施例１における図１と実施例３における図１２の組み合わせの例である。実施例３の図１２は画素の両端において、小壁６０をスルーホール４０付近まで屈曲させているが、図１７では、スルーホール４０が存在する画素の一方の端部においてのみ、小壁６０をスルーホール４０付近まで屈曲させている。図１７における実施例でも、スルーホール４０付近において、液晶層３０を表示領域として使用することが出来、図１２における一点鎖線で囲んだ領域Ｂの分、透過率を上げることが出来る。
【００５１】
図１８は、実施例１における図６と、実施例２における図１１の組み合わせの例である。図１８は、マルチドメイン構造の画素に対して、スルーホール４０側の画素端部では、実施例１の構造を適用し、スルーホール４０が存在しない画素端部においては、実施例２の構造を適用している。したがって、図１８に示す実施例は、図６に示す実施例１の特性と、図１１に示す実施例２の特性の中間の特性を有している。
【００５２】
図１９は、実施例１における図６と、実施例２における図１１の組み合わせの他の例である。図１９は、マルチドメイン構造の画素に対して、スルーホール４０側の画素端部では、実施例２の構造を適用し、スルーホール４０が存在しない画素端部においては、実施例１の構造を適用している。したがって、図１９に示す実施例は、図６に示す実施例１の特性と、図１１に示す実施例２の特性の中間の特性を有している。
【符号の説明】
【００５３】
１０…ＴＦＴ基板、  １１…ＴＦＴ層、  １２…映像信号線、  １３…第１層間絶縁膜、  １４…コモン電極、  １５…第２層間絶縁膜、  １６…画素電極、  １７…平坦化膜、  ２０…対向基板、  ２１…ブラックマトリクス、  ２２…カラーフィルタ、  ２３…オーバーコート膜、  ３００…液晶層、  ３１…液晶分子、  ４０…スルーホール、  ５０…大壁、  ６０…小壁、  １６１…壁電極、  １６２…平面電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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