(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料に向けて電子線を放出する電子線源と、電子線源から放出された電子線を試料上で集束するための対物レンズと、該電子線を偏向するための偏向器と、電子線の照射に応じて試料から発生する特性Ｘ線の検出を行うＸ線検出器とを備えた電子線装置において、対物レンズの電子線通過領域内には電子線が通過するインナーチューブが配置されており、該インナーチューブの試料側の端部に試料と対向するＸ線集光素子が設置され、対物レンズを間に挟んで試料が位置する側の反対側の位置にＸ線検出器が配置されていることを特徴とする電子線装置。
【請求項２】
インナーチューブは導電性を有し、該インナーチューブに電圧を印加するための電圧印加手段を備えることを特徴とする請求項１記載の電子線装置。
【請求項３】
偏向器は、対物レンズの電子線通過領域内であって、Ｘ線集光素子を間に挟んで試料が位置する側の反対側の位置に配置されていることを特徴とする請求項１又は２記載の電子線装置。
【請求項４】
対物レンズと試料との間において、電子線照射時に試料から発生する電子を遮蔽するための遮蔽部材が挿脱可能に設けられていることを特徴とする請求項１乃至３何れか記載の電子線装置。
【請求項５】
Ｘ線検出器と対物レンズとの間において、電子線照射時に試料から発生する電子を遮蔽するための遮蔽部材が挿脱可能に設けられていることを特徴とする請求項１乃至３何れか記載の電子線装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、走査電子顕微鏡の構成を備え、試料に電子線を照射したときに生じる特性Ｘ線の検出を行い、これにより試料のＸ線分析を行うことができる電子線装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
試料のＸ線分析を行う装置として、集束された電子線を試料に照射し、これにより試料から発生した特性Ｘ線の検出を行う試料分析装置が知られている。このような試料分析装置においては、走査電子顕微鏡の構成を基本構成とするものもある。
【０００３】
走査電子顕微鏡は、電子銃からなる電子線源と、電子線源から放出された電子線を一旦集束するための集束レンズと、集束レンズを通過した電子線を試料上で集束させるための対物レンズと、電子線を偏向・走査するための偏向器と、集束された電子線（集束電子線）の照射に応じて試料から発生する二次電子又は反射電子等の被検出電子の検出を行う電子検出器等を具備する。そして、試料の観察を行う際には、集束電子線を試料上で走査し、このときに検出される被検出電子の検出信号に基づき、試料の走査像を取得することができる。
【０００４】
このような走査電子顕微鏡の構成を備える電子線装置において、電子線の照射に応じて試料から発生する特性Ｘ線の検出を行うＸ線検出器を配置することにより、試料分析装置を構成することができる。
【０００５】
ここで、走査電子顕微鏡において、対物レンズの形状は、取得される走査像の分解能を決める重要な要因をしめている。従って、分解能を向上させるためには、対物レンズの収差係数を小さくする必要がある。
【０００６】
そこで、試料の高分解能観察を行うときには、試料と対物レンズ主面との間の距離に相当する作動距離（ＷＤ）を小さくして（例えば、２〜３ｍｍとする）、収差係数が小さい状態で走査像の取得を行う。
【０００７】
一方、試料のＸ線分析を行う場合、ＥＤＳやＷＤＳ等のＸ線検出手段を用いる方法があるが、それらのＸ線検出手段の構成や形状による要因によって、通常、作動距離が１０ｍｍ以上の長い距離となるように試料位置を設定して、Ｘ線分析が行われている。
【０００８】
その場合、通常、電子線源から放出される電子線の加速電圧も１０ｋＶ以上に設定されて、Ｘ線分析が実行される。また、分析対象となる試料については、バルク状のものも存在する。
【０００９】
このように電子線の加速電圧が１０ｋＶ以上の比較的高い加速電圧に設定されていると、電子線は、ある程度試料の内部に入り込むこととなる。この結果、Ｘ線分析として得られる分析結果は、試料内部の分析情報が主となる。
【００１０】
なお、電子線照射に基づく試料からの特性Ｘ線を検出する装置構成については、以下に示す特許文献開示の装置が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開平６−１６８６９３号公報
【特許文献２】特開平７−２９４４６０号公報
【特許文献３】特開平８−８３５８８号公報
【特許文献４】特開２００４−２９４１６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
従来技術においては、試料のＸ線分析を行う場合、上述のごとく、試料内部に含まれている成分の分析が主となっている。
【００１３】
しかし、最近、試料の表面に近い領域についての高分解能Ｘ線分析を実施するために、試料内部への拡がりの少ない低加速電圧（５ｋＶ前後）での電子線の照射を行うことがある。
【００１４】
この場合、作動距離が上記と同様に長い設定（１０ｍｍ以上）の状態では、試料上での集束電子線のビーム径が大きくなってしまい、Ｘ線分析の精度が低下することとなる。この弊害は、電子線の加速電圧をさらに下げると、より顕著なものとなる。
【００１５】
また、走査像の取得による試料の極表面の観察において、電子線の加速電圧を低くする必要がある場合には、作動距離は通常２〜３ｍｍの範囲とし、小さく設定される。しかし、試料がその位置では、従来のＸ線検出手段を用いた場合に、Ｘ線分析するための特性Ｘ線の検出が困難となる。
【００１６】
従って、作動距離を２〜３ｍｍの範囲とした状態での走査像取得による試料表面の観察を行った後、当該走査像中で認識された観察位置を分析位置としてＸ線分析を実行する場合には、試料のＺ位置を移動させて作動距離を長くする必要があるが、走査像中における当該観察位置を見失わないように試料移動を行うことは非常に困難である。
【００１７】
よって、Ｘ線分析の精度を維持した状態で、試料の表面領域についての分析を行う際には、作動距離を２〜３ｍｍの範囲程度の小さくした状態で、低加速電圧とされた電子線（集束電子線）を試料表面に照射する必要がある。
【００１８】
この場合、対物レンズの上方（試料が位置する側に対して反対側の方向）にＸ線検出器を配置して、試料から発生し、対物レンズを通過した特性Ｘ線を検出する方法も考えられる。
【００１９】
しかしながら、単に対物レンズの上方にＸ線検出器を配置しただけの構成では、Ｘ線検出の立体角が非常に小さくなり、特性Ｘ線の検出を効率良く行うことができない。この結果、特性Ｘ線の検出時における検出感度が低くなり、試料表面の成分分析を実行できる程度の特性Ｘ線検出をすることができない。
【００２０】
本発明は、このような点に鑑みて成されたものであり、電子線の加速電圧を低加速とするとともに作動距離を短く設定して、試料の表面領域のＸ線分析を行う際において、試料からの特性Ｘ線の検出を高感度かつ良好に行うことのできる電子線装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
本発明における電子線装置は、試料に向けて電子線を放出する電子線源と、電子線源から放出された電子線を試料上で集束するための対物レンズと、該電子線を偏向するための偏向器と、電子線の照射に応じて試料から発生する特性Ｘ線の検出を行うＸ線検出器とを備えた電子線装置において、対物レンズの電子線通過領域内には電子線が通過するインナーチューブが配置されており、該インナーチューブの試料側の端部に試料と対向するＸ線集光素子が配置され、対物レンズを間に挟んで試料が位置する側の反対側の位置にＸ線検出器が配置されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２２】
本発明においては、対物レンズの電子線通過領域内であって試料と対向する側の端部にＸ線集光素子が配置され、対物レンズを間に挟んで試料が位置する側の反対側の位置にＸ線検出器が配置されている。
【００２３】
これにより、試料のＸ線分析の際に、電子線の加速電圧が低加速とされ、かつ作動距離が短い設定とされた場合において、試料から発生した特性Ｘ線は、試料と間近に対向して位置するＸ線集光素子により集光され、その後対物レンズの電子線通過領域内部への導かれた後、Ｘ線検出器により検出されることとなる。
【００２４】
この結果、作動距離が短い設定であっても、試料からの特性Ｘ線検出の立体角を大きくすることができ、当該特性Ｘ線の検出を高感度かつ良好に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明における電子線装置の構成を示す概略構成図である。
【図２】本発明における電子線装置の要部を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本発明における電子線装置の構成を示す概略構成図である。
【００２７】
同図において、電子銃からなる電子線源１からは、試料１１に向けて、一次線としての電子線（電子ビーム）２０が放出される。電子線源１から放出された電子線２０は、集束レンズ２を通過する。集束レンズ２は、後段側に位置する対物絞り５の手前で、電子線２０を一旦集束させる。
【００２８】
集束レンズ２により集束された電子線２０のうち対物絞り５の孔５ａを通過した電子線２０は、Ｘ線検出手段８に形成された孔８ａ、及び対物レンズ３の電子線通過孔３ｂを通過して、試料１１上に到達する。当該電子線通過孔３ｂは、対物レンズ３の電子線通過領域を構成する。
【００２９】
ここで、Ｘ線検出手段８は、シリコンドリフト検出器からなるＸ線検出器７と、このＸ線検出器７を支持する支持部材６とを備える。Ｘ線検出器７の検出面（受光面）は、試料１１が位置している側に面している。支持部材６は中空の棒状とされており、その中空の内部には、Ｘ線検出器７に接続された配線が設けられている。この配線は、Ｘ線検出器７による特性Ｘ線の検出に基づく検出信号を出力するためのものである。
【００３０】
また、対物レンズ３の電子線通過孔３ｂ内には、金属からなる導電性のインナーチューブ９が配置されている。対物レンズ３の電子線通過孔３ｂ内を通る電子線２０は、インナーチューブ９内を通過することとなる。
【００３１】
さらに、対物レンズ３の電子線通過孔３ｂ内において、インナーチューブ９の試料１１側の端部には、Ｘ線集光素子１０が設置されている。このＸ線集光素子１０は、試料１１と対向するように配置されており、ポリキャピラリレンズからなる。当該Ｘ線集光素子１０にも電子線が通過可能とされた孔１０ａが設けられている。
【００３２】
Ｘ線集光素子１０は、受光した特性Ｘ線を集光してインナーチューブ９内に導き、当該特性Ｘ線を平行ビーム又は集束ビームとしてＸ線検出器７の検出面にフォーカスさせる役割を果たす。
【００３３】
対物レンズ３を通過した電子線２０は、対物レンズ３のレンズ作用により、試料１１上で集束される。この結果、集束された電子線（集束電子線）２０が、試料１１上に照射されることとなる。
【００３４】
このとき、所定の走査信号に基づく偏向器４による偏向作用によって、当該電子線２０は試料１１上の所定領域を走査する。なお、本実施の形態において、偏向器４は、偏向コイルからなり、対物レンズ３の電子線通過孔３ｂ内であって、インナーチューブ９の外側面における試料１１側に位置する部分に対応して配置されている。この偏向器４は、Ｘ線集光素子１０よりも電子線源１側に位置している。
【００３５】
電子線２０が走査（照射）された試料１１からは、図示しない二次電子及び反射電子が発生する。これら二次電子及び反射電子は、対物レンズ３の電子線通過孔３ｂ内において、Ｘ線集光素子１０の孔１０ａ内部及びインナーチューブ９の内部を上昇して通過する。このうちの二次電子は、受光面にコレクタ電極を備える二次電子検出器１２によって検出される。なお、反射電子を検出するための反射電子検出器の図示は省略している。
【００３６】
ここで、電子源１、集束レンズ２、対物レンズ３及び偏向器４は、それぞれ対応する駆動部１ａ〜４ａにより駆動される。また、インナーチューブ９には、電圧印加部１５より所定の設定電圧（設定電位）が印加される。これら各駆動部１ａ〜４ａ及び電圧印加部１５は、バスライン２０に接続されており、バスライン２０を介してＣＰＵ１６により制御される。なお、集束レンズ２、対物絞り５、Ｘ線検出手段８、対物レンズ３及び偏向器４は、グランド電位となっている。
【００３７】
Ｘ線検出手段８からの検出信号は、分析データ形成部１３に送られる。分析データ形成部１３は、当該検出信号に基づき、試料１１に関する定性分析データ及び／又は定量分析データの形成を行う。この場合、試料１１の面分析データの形成を行う際には、上記走査信号に基づく試料１１上での集束電子線２０の位置情報も加味されて面分析データが作成される。
【００３８】
このような分析データは、ＣＰＵ１６による制御により、バスライン２０を介してメモリ１７に送られて格納される。さらに、メモリ１７に格納された分析データは、ＣＰＵ１６による制御によって読み出され、ＬＣＤ等を備える表示部１８に送られる。表示部１８は、当該分析データに基づく分析データ画像の表示を行う。
【００３９】
また、二次電子の検出に基づく二次電子検出器１２からの検出信号は、画像データ形成部１４に送られる。画像データ形成部１４は、当該検出信号及び上記走査信号に基づき、走査像データを形成する。当該走査像データは、ＣＰＵ１６による制御により、バスライン２０を介して、表示部１８に送られる。表示部１８は、当該走査像データに基づく走査像の表示を行う。
【００４０】
なお、このように画像データ形成部１４で形成された走査像データは、適宜、ＣＰＵ１６による制御により、メモリ１７に読み出し可能な状態で格納される。
【００４１】
さらに、図中の入力部１９は、キーボード等のキーデバイス及びマウス等のポインティングデバイスからなり、本装置のオペレータにより操作される。
【００４２】
ここで、図中の試料１１は、図示しない試料ステージ上に配置されている。そして、対物レンズ３と試料１１との間、若しくはＸ線検出器７と対物レンズ３との間には、後述する遮蔽板（遮蔽部材）が挿脱可能に配置されている。この遮蔽板は、Ｘ線分析の際において、試料１１への電子線２０の照射時に試料１１から発生する二次電子や反射電子等の電子を遮蔽するためのものである。
【００４３】
すなわち、Ｘ線分析の際に、試料１１から放出される電子は、Ｘ線検出器７の検出面に到達することによりノイズとして検出される場合がある。このため、Ｘ線分析の際には、試料１１から発生する電子がＸ線検出器７に到達することを防ぐため、当該遮蔽板を電子線２０の光軸上に配置できるようにする。ここで、この遮蔽板は、Ｘ線が通過可能であるが電子が通過できない材質及び厚さとされており、その中央部には電子線２０が通過可能とされた孔が形成されている。
【００４４】
なお、ＣＰＵ１６は、本装置の各構成要素の制御を行うことができる。
【００４５】
以上が、本装置の構成である。次に、本装置の動作について、図１及び図２を参照して説明する。
【００４６】
まず、試料１１の走査像を取得し、試料観察を行う。すなわち、ＣＰＵ１６により駆動部１ａを介して電子源１を駆動制御し、電子源１から電子線２０を放出させる。この場合、本実施例においては、電子線２０の加速電圧は、３ｋＶ〜５ｋＶ程度の低加速電圧に設定される。
【００４７】
電子線源１から放出された電子線２０は、集束レンズ２により一旦集束される。その後、対物絞り５の孔５ａを通過した電子線２０は、Ｘ線検出手段８の孔８ａを通り、対物レンズ３の電子線通過孔３ｂ内において、インナーチューブ９及びＸ線集光素子１０の孔１０ａを通過する。
【００４８】
これにより、対物レンズ３を通過した電子線２０は、対物レンズ３のレンズ作用により試料１１上で集束される。このとき、偏向器４による偏向作用によって、この集束電子線２０は、試料１１上での所定の走査領域を走査する。この電子線２０の走査時においては、ＣＰＵ１６からの走査信号に応じて、駆動部４ａが走査用駆動信号を偏向器４に供給する。
【００４９】
なお、本実施例においては、作動距離が２〜３ｍｍとなるように、試料ステージの駆動により試料１１の位置が設定されている。
【００５０】
上記により、集束電子線２０が走査された試料１１からは、二次電子及び反射電子等の被検出電子が発生する。当該被検出電子は、対物レンズ３の電子線通過孔３ｂ内において、Ｘ線集光素子１０の孔１０ａ内部及びインナーチューブ９の内部を上昇する。
【００５１】
これによりインナーチューブ９の上端を通過した被検出電子のうち、二次電子については、二次電子検出器１２により捕捉されて検出される。二次電子検出器１２は、当該二次電子の検出に基づく検出信号を画像データ形成部１４に出力する。
【００５２】
画像データ形成部１４は、当該検出信号及び上記走査信号に基づき、走査像データを形成する。当該走査像データは、バスライン２０を介して表示部１８に送られる。表示部２０は、当該走査像データに基づく走査像を表示する。当該走査像は、試料１１上での走査領域の設定に応じて、数万倍以上の倍率とすることができる。
【００５３】
本装置のオペレータは、表示部２０により表示された走査像を目視により確認し、試料１１上での当該走査領域内における分析領域の指定を行う。この分析領域の指定は、入力部１９を構成するマウス等のポインティングデバイスの操作により、当該走査像内での位置指定がされることにより行うことができる。
【００５４】
そして、ＣＰＵ１６は、上記分析領域の指定に基づき、試料１１のＸ線分析を行うための制御を実行する。
【００５５】
すなわち、偏向器４の駆動を制御して、試料１１上において指定された分析領域に集束電子線２０が照射されるようにする。ここで、位置指定された分析領域が試料１１上の一つのポイント（ワンポイント）である場合には、集束電子線２０により当該ポイントがスポット照射される。また、指定された分析領域が、所定の面領域である場合には、当該面領域内を集束電子線２０が走査するように、ＣＰＵ１６が偏向器４の駆動制御を行う。なお、このＸ線分析において、電子線２０の加速電圧は、上記と同様に低加速電圧の状態とし、また作動距離の変更は原則として行わない。
【００５６】
このようにして集束電子線２０が照射された試料１１の領域からは、図２に示すごとく、特性Ｘ線２２が発生する。この特性Ｘ線２２は、試料１１と対向して配置されたＸ線集光素子１０により集光されて、インナーチューブ９内に導かれる。そして、インナーチューブ９の上端を通過した特性Ｘ線２２は、平行ビーム又は集束ビームとしてＸ線検出器７の検出面に到達する。
【００５７】
ここで、対物レンズ３と試料１１の間、若しくはＸ線検出器７と対物レンズ３との間には、遮蔽板２１が配置されている。この遮蔽板２１は、上述したように、Ｘ線分析の際において、試料１１から発生する電子を遮蔽するためのものである。この遮蔽板２１は、電子線２０の光軸に対して、挿脱可能に設けられている。
【００５８】
当該Ｘ線分析時において、遮蔽板２１が電子線２０の光軸上に配置される。これにより、試料１１から発生した二次電子又は反射電子等の電子がＸ線検出器７の検出面に到達するのを防ぐことができ、特性Ｘ線検出におけるＳＮ比を向上させることができる。
【００５９】
なお、上述した試料１１の走査像の取得を行う際には、遮蔽板２１を電子線２０の光軸上から外しておく。また、上記の走査像取得の例においては、二次電子検出に基づく走査像を取得する例となっていたが、図示しない反射電子検出器を用いた反射電子検出に基づく走査像を取得するようにしてもよい。
【００６０】
このように試料１１からの特性Ｘ線２２がＸ線検出器７の検出面に到達すると、当該Ｘ線検出器７によって特性Ｘ線２２が検出されることとなる。Ｘ線検出器７は、特性Ｘ線２２の検出に基づく検出信号を分析データ形成部１３に出力する。
【００６１】
分析データ形成部１３は、当該検出信号に基づき、定性分析データ及び／又は定量分析データの形成を行う。これにより形成された分析データは、バスライン２０を介してメモリ１７に格納される。さらに、メモリ１７に格納された分析データは、適宜読みだされて表示部１８に送られる。表示部１８は、当該分析データに基づく分析データ画像の表示を行う。オペレータは、表示された分析データ画像を目視により確認することができる。
【００６２】
ここで、本実施例では、試料１１からの特性Ｘ線の検出立体角大きくするために、試料１１と間近に対向するようにＸ線集光素子１０を配置している。
【００６３】
さらに、図２で示したＸ線集光素子１０において、図中の点線で示した表面部分には、導電性の膜あるいは筒を配置する。また、太い実線で示した内壁部分には、同様に導電膜を配置するが、その材質及び厚さを選択して、Ｘ線が透過できるものとする。なお、Ｘ線集光素子１０の孔１０ａの内径は、１ｍｍ以上は必要である。これは、作動距離を２ｍｍに設定した際に、低倍率観察時での倍率制限を大きくしないようにするためである。
【００６４】
さらに、偏向器４は、対物レンズ３の電子線通過孔３ｂ内において、Ｘ線集光素子１０の真上に位置している。これは、電子線２０の走査を、１段走査とする場合である。
【００６５】
本発明においては、Ｘ線検出器７を対物レンズ３の上方に配置するとともに、Ｘ線集光素子１０をインナーチューブ９の試料側先端部に設置している。これにより、Ｘ線取出立体角（Ｘ線検出立体角）の減少を防いだ状態で、試料１１からの特性Ｘ線２２の検出が可能となる。この結果、作動距離を２ｍｍ程度と短くした状態で数万倍以上の試料観察をし、走査像（視野）内における分析対象となる領域を指定しても、その後作動距離をそのまま維持してＸ線分析ができるので、視野内の分析対象領域を見失うことがない。そして、電子線２０の加速電圧を３ｋＶ程度の低加速電圧の状態に維持して、試料表面に近い部分についてのＸ線分析が可能となる。
【００６６】
なお、インナーチューブの９の内壁には、インナーチューブ９内に導かれた特性Ｘ線２２の取りこぼしを抑えるために、ＳｉＣ膜等からなるＸ線反射ミラーを形成しておくこともできる。
【００６７】
また、低加速電圧での集束電子線２０のビーム径を小さくするために、インナーチューブ９に電圧を印加して、対物レンズ３による磁場と重畳する電界を形成させることも可能である。この場合、インナーチューブ９及びそれに接続されたＸ線集光素子１０における導電膜（図２中のＸ線集光素子１０における太い実線部を参照）を一体として全体に高電圧を印加可能となる。
【００６８】
さらに、上記の遮蔽板２１をＸ線検出器７と対物レンズ３との間のほうに配置し、必要に応じて試料１１に対して図示しない電圧印加手段により負のバイアス電圧を印加することにより、試料１１からの特性Ｘ線２２をＸ線検出器７により検出して試料１１のＸ線分析を行うと同時に、対物レンズ３内部のインナーパイプ９内を上昇してきた二次電子を、対物レンズ３の上方に位置する二次電子検出器１２により検出することも可能である。この場合、試料１１からの二次電子に基づく走査像（二次電子像）の観察をしながら、試料１１のＸ線分析を行うことができる。
【００６９】
このように、本発明における電子線装置は、試料１１に向けて電子線２０を放出する電子線源１と、電子線源１から放出された電子線２０を試料１１上で集束するための対物レンズ３と、電子線２０を偏向するための偏向器４と、電子線２０の照射に応じて試料１１から発生する特性Ｘ線２２の検出を行うＸ線検出器７とを備え、対物レンズ３の電子線通過領域３ｂ内であって試料１１と対向する側の端部にＸ線集光素子１０が配置され、対物レンズ３を間に挟んで試料１１が位置する側の反対側の位置にＸ線検出器７が配置されている。
【００７０】
ここで、対物レンズ３の電子線通過領域３ｂ内には、電子線２０が通過するインナーチューブ９が配置されており、インナーチューブ９の試料１１側の端部にＸ線集光素子１０が設置されている。
【００７１】
さらに、インナーチューブ９は導電性を有しており、インナーチューブ９に電圧を印加するための電圧印加手段１５が備えられている。
【００７２】
また、偏向器４は、対物レンズ３の電子線通過領域３ｂ内であって、Ｘ線集光素子１０を間に挟んで試料１１が位置する側の反対側の位置に配置されている。
【００７３】
そして、対物レンズ３と試料１１との間において、電子線照射時に試料１１から発生する電子を遮蔽するための遮蔽部材２１が挿脱可能に設けられている。あるいは、Ｘ線検出器７と対物レンズ３との間において、電子線照射時に試料１１から発生する電子を遮蔽するための遮蔽部材２１が挿脱可能に設けられている。
【００７４】
本発明においては、このような構成により、対物レンズ３の上方にＸ線検出器７を配置するとともに、試料１１と間近に対向する位置にＸ線集光素子１０を設置したので、低加速電圧での電子線２０を用いた作動距離が短い状態での高分解能観察時に、視野内から目標物（分析対象）を見失うことなく、当該目標物のＸ線分析を行うことができる。この場合、Ｘ線の取出立体角を大きくすることができ、Ｘ線集光素子１０が無いときと比べて、Ｘ線検出の感度を数十倍に向上させることができる。
【００７５】
また、偏向器４をＸ線集光素子１０の直上に配置し、試料１１からの距離を短くしたので、低倍率観察時での視野カットを小さくすることができる。
【００７６】
さらに、インナーチューブ９への電圧印加により、磁界型の対物レンズ３が形成する磁場に加えて電界重畳も可能としたので、数十万倍の超高分解能Ｘ線分析も可能となる。
【００７７】
そして、遮蔽板２１の導入により、試料１１のＸ線分析時におけるノイズの軽減を行うことができる。
【符号の説明】
【００７８】
１…電子ビーム、２…集束レンズ、３…対物レンズ、４…偏向器、５…対物絞り、６…支持部材、７…Ｘ線検出器、８…Ｘ線検出手段、９…インナーチューブ、１０…Ｘ線集光素子、１１…試料、１２…二次電子検出器、１３…分析データ形成部、１４…画像データ形成部、１５…電圧印加部、１６…ＣＰＵ、１７…メモリ、１８…表示部、１９…入力部、１ａ〜４ａ…各駆動部、５ａ…孔、８ａ…孔、１０ａ…孔、３ｂ…電子線通過孔
【図１】
0005851256.tif 000002
【図２】
0005851256.tif 000003