(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上の樹脂とモールドとを接触させた接触状態で当該樹脂を硬化させることで前記基板の上にパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、
前記基板を保持して移動するステージと、
前記モールドに形成された第１マークと、前記基板の上に形成された第２マークとを検出する検出部と、
前記接触状態において前記モールドと前記基板との位置合わせを行う処理部と、を有し、
前記処理部は、前記位置合わせに必要となる前記ステージの移動距離に前記検出部で検出された前記第１マークと前記第２マークとの位置ずれ量に応じて決定される追加距離を加えた距離を目標移動距離として、前記第１マークと前記第２マークとが近づいた後に離れる第１方向に前記ステージを移動させる第１処理と、前記第１処理の後に前記追加距離に応じて決定される前記目標移動距離よりも小さい距離で前記第１方向とは逆の第２方向に前記ステージを移動させる第２処理とによって、前記位置合わせを行うことを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記接触状態で前記ステージが移動することにより前記第１マークと前記第２マークとの距離が変動し、
前記接触状態における前記ステージの移動距離に対する前記第１マークと前記第２マークとの距離の変動量と、前記接触状態における前記ステージの移動距離に対する前記モールドの変形量との関係を表す情報を記憶する記憶部を更に有し、
前記処理部は、前記記憶部に記憶された情報及び前記位置ずれ量に基づいて、前記追加距離及び前記目標移動距離よりも小さい距離を決定することを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記記憶部は、前記接触状態における前記樹脂の厚さと、前記樹脂の種類と、前記モールドの材質との組み合わせごとに、前記情報を記憶することを特徴とする請求項２に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記記憶部は、前記情報を書き換え可能に記憶し、
前記モールドを交換する際に、前記記憶部に記憶された前記情報を書き換えることを特徴とする請求項２に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記モールドの変形量を測定する測定部を更に有し、
前記処理部は、前記測定部で測定された前記モールドの変形量及び前記位置ずれ量に基づいて、前記目標移動距離よりも小さな距離を決定することを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記測定部は、前記モールド又は前記モールドを保持する保持部に配置されたひずみゲージを含むことを特徴とする請求項５に記載のインプリント装置。
【請求項７】
前記測定部は、
前記モールドに配置された変形測定用マークと、
前記変形測定用マークを撮像する撮像系と、を含み、
前記撮像系で撮像された前記変形測定用マークに基づいて前記モールドの変形量を求めることを特徴とする請求項５に記載のインプリント装置。
【請求項８】
前記測定部は、前記モールドと基準面との間の距離を計測する干渉計を含み、前記干渉計で計測された前記距離に基づいて前記モールドの変形量を求めることを特徴とする請求項５に記載のインプリント装置。
【請求項９】
ステージに保持された基板の上の樹脂とモールドとを接触させた接触状態で当該樹脂を硬化させることで前記基板の上にパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント方法であって、
前記モールドに形成された第１マークと、前記基板の上に形成された第２マークとを検出するステップと、
前記接触状態において前記モールドと前記基板との位置合わせを行うステップと、を有し、
前記位置合わせに必要となる前記ステージの移動距離に前記検出された前記第１マークと前記第２マークとの位置ずれ量に応じて決定される追加距離を加えた距離を目標移動距離として、前記第１マークと前記第２マークとが近づいた後に離れる第１方向に前記ステージを移動させる第１処理と、前記第１処理の後に前記追加距離に応じて決定される前記目標移動距離よりも小さい距離で前記第１方向とは逆の第２方向に前記ステージを移動させる第２処理とによって、前記位置合わせを行うことを特徴とするインプリント方法。
【請求項１０】
請求項１乃至８のうちいずれか１項に記載のインプリント装置を用いて基板の上にパターンを形成するステップと、
前記パターンが形成された前記基板を加工するステップと、
を有することを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インプリント技術は、ナノスケールの微細パターンの転写を可能にする技術であり、半導体デバイスや磁気記憶媒体の量産用ナノリソグラフィ技術として知られている。インプリント技術を用いたインプリント装置は、パターンが形成されたモールド（型）を基板の上の樹脂（インプリント材）に押し付けた状態で樹脂を硬化させて基板の上にパターンを転写する（特許文献１参照）。
【０００３】
基板の上の樹脂を硬化させる方法の１つである光硬化法は、紫外光硬化型の樹脂と透明なモールドとを接触させた状態で紫外光を照射し、樹脂を硬化させてからモールドを剥離（離型）する。光硬化法は、比較的容易に温度を制御できることや透明なモールドを介して基板に形成されたアライメントマークを検出できることなどから、半導体デバイスや磁気記憶媒体の製造に適している。
【０００４】
また、インプリント装置では、一般的に、モールドと基板とのアライメント（位置合わせ）方式として、ダイバイダイアライメント方式が採用されている。ダイバイダイアライメント方式とは、基板の上の複数のショット領域ごとに、かかるショット領域に形成されたアライメントマークを光学的に検出してモールドと基板との位置関係のずれを補正するアライメント方式である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第４１８５９４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、インプリント装置では、モールドと基板とが樹脂を介して接触する。従って、例えば、モールドを基板の上の樹脂に押し付ける際に、モールドや基板には、モールドの押し付け方向（垂直方向）だけではなく、押し付け方向に直交する水平方向（モールドの位置をずらす方向）にも力が加わる。更に、モールドや基板には、モールドを保持する構造体や基板を保持する構造体から外乱振動が加わる。その結果、モールドと基板との位置関係がずれた状態で、即ち、所望の位置からずれた位置にモールドを押し付けてしまう。換言すれば、モールドを基板の上の樹脂に押し付ける前にモールドと基板とのアライメントを高精度に行ったとしても、モールドを押し付けた状態でモールドと基板とが所望の位置関係にあるとは必ずしも言えない。また、モールドを基板の上の樹脂に押し付けた後では、トライボロジカルな性質、所謂、摩擦力を有する樹脂（薄膜状の樹脂）がモールドと基板との間に存在しているため、モールドと基板との相対的な位置の微調整は容易ではない。
【０００７】
インプリント装置では、ショット領域間の面内ばらつきを抑え、パターンの転写精度（解像度）を高めるために、基板の上の樹脂の膜厚を極力薄くする必要がある。また、モールドへの樹脂の充填に要する時間の短縮やモールドを離型する際に要する力（離型力）の低減を目的として、モールドの背面（パターン面の反対側の面）の中央部分には、周辺部分よりも厚さを薄くしたキャビティ（気室）が形成されている。更に、モールドを保持するモールド保持部（保持面）には、基板の傾きに倣うように柔らかい部材が設けられている。このように、インプリント装置に用いられるモールドやモールド保持部は、外部からの力に対して変形しやすい傾向にある。従って、基板の上の樹脂の摩擦力などによってモールドやモールド保持部が変形し、モールドと基板との高精度なアライメント（特に、押し付け方向に直交する水平方向におけるアライメント）を困難にしている。
【０００８】
本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、モールドと基板との位置合わせの精度の点で有利な技術を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明の一側面としてのインプリント装置は、基板の上の樹脂とモールドとを接触させた接触状態で当該樹脂を硬化させることで前記基板の上にパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、前記基板を保持して移動するステージと、前記モールドに形成された第１マークと、前記基板の上に形成された第２マークとを検出する検出部と、前記接触状態において前記モールドと前記基板との位置合わせを行う処理部と、を有し、前記処理部は、前記位置合わせに必要となる前記ステージの移動距離に前記検出部で検出された前記第１マークと前記第２マークとの位置ずれ量に応じて決定される追加距離を加えた距離を目標移動距離として、前記第１マークと前記第２マークとが近づいた後に離れる第１方向に前記ステージを移動させる第１処理と、前記第１処理の後に前記追加距離に応じて決定される前記目標移動距離よりも小さい距離で前記第１方向とは逆の第２方向に前記ステージを移動させる第２処理とによって、前記位置合わせを行うことを特徴とする。
【００１０】
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、例えば、モールドと基板との位置合わせの精度の点で有利な技術を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一側面としてのインプリント装置の構成を示す概略図である。
【図２】図１に示すインプリント装置において、樹脂とモールドとの接触状態におけるモールド及び基板の近傍を示す概略図である。
【図３】図１に示すインプリント装置において、樹脂とモールドとの接触状態におけるモールド及び基板の近傍を示す概略図である。
【図４】図１に示すインプリント装置において、樹脂とモールドとの接触状態におけるモールド及び基板の近傍を示す概略図である。
【図５】基板ステージの移動距離に対する第１マークと第２マークとの距離の変動量と、基板ステージの移動距離に対するモールドの変形量との関係を示す図である。
【図６】図１に示すインプリント装置において、樹脂とモールドとの接触状態におけるモールド及び基板の近傍を示す概略図である。
【図７】図１に示すインプリント装置におけるインプリント処理を説明するためのフローチャートである。
【図８】図１に示すインプリント装置におけるインプリント処理を説明するためのフローチャートである。
【図９】本発明の一側面としてのインプリント装置の構成を示す概略図である。
【図１０】本発明の一側面としてのインプリント装置の構成を示す概略図である。
【図１１】図９又は図１０に示すインプリント装置におけるインプリント処理を説明するためのフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
【００１４】
図１は、本発明の一側面としてのインプリント装置１の構成を示す概略図である。インプリント装置１は、基板の上の樹脂（インプリント材）とモールド（型）とを接触させた接触状態で樹脂を硬化させることで樹脂を硬化させることで基板にパターンを転写するインプリント処理を行うリソグラフィ装置である。インプリント装置１は、本実施形態では、光（紫外線）を照射して樹脂（紫外線硬化型樹脂）を硬化させる光硬化法を採用するが、その他の硬化法、例えば、熱を与えることで樹脂を硬化させる熱硬化法を採用してもよい。
【００１５】
インプリント装置１は、図１に示すように、基板ステージ１０４と、モールド保持部１０８と、樹脂供給部１１２と、光源１１４と、検出部１１６と、制御部１１８とを有する。
【００１６】
基板ステージ１０４は、基板１０２を吸着する基板チャック（不図示）を含み、基板１０２を保持して移動する。基板ステージ１０４は、基板１０２の水平方向（Ｘ軸方向及びＹ軸方向）の位置、基板１０２の鉛直方向（Ｚ軸方向）の位置、Ｚ軸に対する基板１０２の回転方向の位置、及び、基板１０２の傾きを調整する機能を有する。基板１０２は、モールド１０６のパターンが転写される基板であって、例えば、単結晶シリコンウエハやＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウエハなどを含む。
【００１７】
モールド保持部１０８は、モールド１０６を固定するモールドチャック１１０を介して、モールド１０６を保持する。モールド１０６は、基板１０２に転写すべき凹凸のパターンが形成されたパターン面１０６ａを有し、光源１１４からの光を透過する材料（例えば、石英など）で構成される。モールド１０６のパターン面１０６ａの反対側の面の中央部分には、周辺部分よりも厚さを薄くしたキャビティ（気室）１０６ｂが形成されている。モールドチャック１１０は、光源１１４からの光を通過させるための開口部（不図示）を有する。モールド保持部１０８は、モールド１０６を鉛直方向に駆動するアクチュエータを含み、モールドチャック１１０に固定されたモールド１０６（のパターン面１０６ａ）を基板１０２（の上の樹脂Ｒ）に押し付けたり、基板１０２から引き離したりする。
【００１８】
樹脂供給部１１２は、樹脂Ｒを吐出するノズルを含むディスペンサヘッドを含み、基板１０２の上に樹脂Ｒを供給する。例えば、樹脂供給部１１２から樹脂Ｒを供給しながら基板ステージ１０４を移動（スキャン移動やステップ移動）させることで、基板１０２の上（のショット領域）に樹脂Ｒを塗布することが可能となる。
【００１９】
光源１１４は、基板１０２の上の樹脂Ｒを硬化させるための光を照射する。但し、インプリント装置１が熱硬化法を採用する場合には、光源１１４は、熱硬化型樹脂を加熱する加熱装置に置換される。
【００２０】
検出部１１６は、例えば、マークを光学的に検出（観察）するスコープで構成され、モールド１０６に形成された第１マーク（アライメントマーク）ＭＫ１と、基板１０２の上に形成された第２マーク（アライメントマーク）ＭＫ２とを検出する。換言すれば、検出部１１６は、第１マークＭＫ１と第２マークＭＫ２との相対的な位置関係を検出して、モールド１０６と基板１０２との位置ずれ量（水平方向の位置ずれ量）を求める。
【００２１】
制御部１１８は、ＣＰＵ１１８ａやメモリ１１８ｂなどを含み、インプリント装置１の全体（インプリント装置１の各部）を制御する。換言すれば、制御部１１８は、インプリント処理及びそれに関連する処理を制御する。例えば、制御部１１８は、インプリント処理を行う際に、基板１０２の上の樹脂Ｒとモールド１０６とを接触させた接触状態においてモールド１０６と基板１０２との位置合わせ（アライメント）を行う処理部として機能する。
【００２２】
図２は、樹脂Ｒとモールド１０６との接触状態におけるモールド１０６及び基板１０２の近傍を示す概略図である。樹脂Ｒとモールド１０６とを接触させる際には、まず、樹脂供給部１１２によって基板１０２に樹脂Ｒを供給する。次いで、モールド１０６の真下に基板１０２（のショット領域）が位置するように基板ステージ１０４を移動し、モールド保持部１０８によってモールド１０６を基板１０２の上の樹脂Ｒに押し付ける。これにより、モールド１０６のパターン面１０６ａの凹部に樹脂Ｒが充填される。また、モールド１０６を樹脂Ｒに押し付ける際には、モールド１０６と基板１０２との間の樹脂Ｒが所定の膜厚ｈとなるようにする。所定の膜厚ｈは、ナノメートルオーダーで非常に薄く、例えば、２０ナノメートル以下とする。
【００２３】
図２に示すように、モールド１０６のパターン面１０６ａには、基板１０２との位置合わせに用いられる第１マークＭＫ１が形成されている。同様に、基板１０２（のショット領域）には、前回のインプリント処理又はフォトリソグラフィによって、モールド１０６との位置合わせに用いられる第２マークＭＫ２が形成されている。
【００２４】
モールド１０６を樹脂Ｒに押し付ける前にモールド１０６と基板１０２との位置合わせを高精度に行ったとしても、樹脂Ｒとモールド１０６との接触状態においては、図２に示すように、モールド１０６と基板１０２との間に位置ずれが発生してしまう。これは、モールド１０６を保持する構造体（モールド保持部１０８など）や基板１０２を保持する構造体（基板ステージ１０４など）から加わる外乱振動やモールド１０６と樹脂Ｒとの間の摩擦などの影響を受けるからである。ここでは、モールド１０６と基板１０２との間の位置ずれ量、即ち、第１マークＭＫ１と第２マークＭＫ２との位置ずれ量をＹ１とする。
【００２５】
図３は、図２に示すモールド１０６と基板１０２との位置関係に対して、第１マークＭＫ１と第２マークＭＫ２との相対的な距離を縮める方向に基板ステージ１０４を比較的短い距離移動させた状態におけるモールド１０６及び基板１０２の近傍を示す概略図である。この際、基板ステージ１０４を移動させる距離は、モールド１０６と基板１０２との位置合わせに必要となる基板ステージ１０４の移動距離であって、一般に、１００ナノメートル以下の微小距離である。ここでは、基板ステージ１０４を移動させる距離（移動距離）を距離Ａとする。但し、樹脂Ｒの膜厚ｈ及び種類や基板１０２のショット領域の位置などによって、モールド１０６と基板１０２との位置合わせに必要となる基板ステージ１０４の移動距離は１０ナノメートル以下の微小距離になることもある。
【００２６】
図３を参照するに、基板ステージ１０４の移動距離が距離Ａである場合、第１マークＭＫ１と第２マークＭＫ２との相対的な距離、即ち、位置ずれ量はＹ１’となり、図２に示す第１マークＭＫ１と第２マークＭＫ２との位置ずれ量Ｙ１から殆ど変わっていない。これは、基板ステージ１０４の移動距離が距離Ａでは、膜厚ｈの樹脂Ｒの摩擦力によって、モールド１０６（及びモールド１０６を保持するモールド保持部１０８）が変形してしまうからである。なお、第１マークＭＫ１と第２マークＭＫ２との位置ずれ量が殆ど変わらないとは、基板ステージ１０４の移動距離に対して、第１マークＭＫ１と第２マークＭＫ２との相対的な距離の変化が１／１０よりも小さいことを意味している。
【００２７】
図４は、図２に示すモールド１０６と基板１０２との位置関係に対して、第１マークＭＫ１と第２マークＭＫ２との相対的な距離を縮める方向に基板ステージ１０４を比較的長い距離移動させた状態におけるモールド１０６及び基板１０２の近傍を示す概略図である。比較的長い距離とは、例えば、１００ナノメートルから２ミクロンメートルまでの距離であり、ここでは、基板ステージ１０４の移動距離を距離Ｂとする。但し、樹脂Ｒの膜厚ｈ及び種類や基板１０２のショット領域の位置などによって、基板ステージ１０４の移動距離が１００ナノメートルから２ミクロンメートルまでの距離になるとは限らない。
【００２８】
図４を参照するに、基板ステージ１０４の移動距離が距離Ｂである場合、第１マークＭＫ１と第２マークＭＫ２との位置ずれ量Ｙ２は、基板ステージ１０４の移動距離が距離Ａである場合よりも低減し、許容範囲に収まっている。また、第１マークＭＫ１と第２マークＭＫ２との相対的な距離が最小となる位置、即ち、第１マークＭＫ１と第２マークＭＫ２との位置ずれ量が０となる位置を通り越して基板ステージ１０４を移動させてもよい。この場合、第１マークＭＫ１と第２マークＭＫ２との相対的な距離を縮める方向とは、第１マークＭＫ１と第２マークＭＫ２とが近づいた後に離れる方向（第１方向）であるとも言える。このように、基板ステージ１０４を比較的長い距離（例えば、距離Ｂ）移動させることで、基板ステージ１０４の移動距離に対して、第１マークＭＫ１と第２マークＭＫ２との相対的な距離の変化を１／１０よりも大きくすることが可能となる。換言すれば、基板ステージ１０４を比較的長い距離移動させることで、第１マークＭＫ１と第２マークＭＫ２との距離を大きく変動させることができる。
【００２９】
一方、基板ステージ１０４を距離Ｂだけ移動させた場合にも、モールド１０６は変形する。基板ステージ１０４の移動距離に対する第１マークＭＫ１と第２マークＭＫ２との距離の変動量と、基板ステージ１０４の移動距離に対するモールド１０６の変形量との関係の一例を図５に示す。図５では、横軸に基板ステージ１０４の移動距離（単位：ナノメートル）を採用し、縦軸に第１マークＭＫ１と第２マークＭＫ２との距離の変動量及びモールド１０６の変形量（単位：ナノメートル）を採用している。また、第１マークＭＫ１と第２マークＭＫ２との距離の変動量をＺ１で表し、モールド１０６の変形量をＺ２で表している。図５に示すように、基板ステージ１０４が移動することによりモールド１０６は変形するが、基板ステージ１０４を比較的長い距離移動させると、基板ステージ１０４の移動偏差に比べて、モールド１０６の変形量の偏差が小さくなる。但し、基板ステージ１０４の移動距離に対する第１マークＭＫ１と第２マークＭＫ２との距離の変動量と、基板ステージ１０４の移動距離に対するモールド１０６の変形量との関係は、図５に示す限りではない。これは、かかる関係は、樹脂Ｒの膜厚ｈ、樹脂Ｒの種類（摩擦力）、モールド１０６の材質（構造）に依存しているからである。また、かかる関係は、基板ステージ１０４の移動速度や追従性などの駆動条件などにも依存している。
【００３０】
図６は、図４に示すモールド１０６と基板１０２との位置関係に対して、第１方向とは逆の方向（第２方向）に基板ステージ１０４を移動させた状態におけるモールド１０６及び基板１０２の近傍を示す概略図である。この際、基板ステージ１０４を移動させる距離は、距離Ｂよりも小さい距離Ｃとする。また、第２方向は、基板ステージ１０４の移動によるモールド１０６の変形量が低減する方向であるとも言える。但し、モールド１０６の変形方向が基板ステージ１０４の移動方向に対して平行でない場合には、第２方向ではなく、モールド１０６の変形量が低減する方向に基板ステージ１０４を移動させてもよい。
【００３１】
また、基板ステージ１０４を移動させる距離Ｃは、例えば、１００ナノメートル未満である。従って、基板ステージ１０４を移動させたとしても、第１マークＭＫ１と第２マークＭＫ２との相対的な距離は殆ど変わらない（基板ステージ１０４の移動距離に対する第１マークＭＫ１と第２マークＭＫ２との相対的な距離の変化が１／１０よりも小さい）。換言すれば、基板ステージ１０４を距離Ｃだけ移動させることで、モールド１０６の変形量を低減させることができる。基板ステージ１０４を距離Ｃだけ移動させた後の第１マークＭＫ１と第２マークＭＫ２との位置ずれ量Ｙ３は、図４に示す第１マークＭＫ１と第２マークＭＫ２との位置ずれ量Ｙ２と同じ、或いは、位置ずれ量Ｙ２よりも小さくなるようにする。基板ステージ１０４を距離Ｃだけ移動させることで、モールド１０６の変形量が低減されるため、モールド１０６と基板１０２との位置ずれを低減するだけではなく、モールド１０６の変形による基板１０２の上の各ショット領域の変形も抑えることもできる。
【００３２】
以下、図７を参照して、インプリント装置１におけるインプリント処理について説明する。インプリント処理は、上述したように、制御部１１８がインプリント装置１の各部を統括的に制御することで行われる。本実施形態のインプリント処理では、基板１０２の上の樹脂Ｒとモールド１０６とを接触させた接触状態において、図２、図４及び図６で説明したように基板ステージ１０４を移動させてモールド１０６と基板１０２との位置合わせを行う。
【００３３】
Ｓ７０２では、樹脂供給部１１２によって、基板１０２（のショット領域）の上に樹脂Ｒを供給（塗布）する。具体的には、基板１０２が樹脂供給部１１２の下に位置するように基板ステージ１０４を移動させ、樹脂供給部１１２から樹脂Ｒを供給しながら基板ステージ１０４をスキャン移動することで基板１０２の上に樹脂Ｒを塗布する。
【００３４】
Ｓ７０４では、基板１０２（詳細には、樹脂Ｒが供給された領域）がモールド１０６のパターン面１０６ａと対向する位置（即ち、樹脂Ｒとモールド１０６とを接触させる位置）に位置するように基板ステージ１０４を移動させる。この際、モールド１０６に形成された第１マークＭＫ１と基板１０２に形成された第２マークＭＫ２とを検出部１１６で検出し、モールド１０６と基板１０２との位置関係が目標位置関係となるように、基板ステージ１０４の位置を調整してもよい。
【００３５】
Ｓ７０６では、モールド保持部１０８によってモールド１０６を下降させて、基板１０２の上の樹脂Ｒとモールド１０６とを接触させる（即ち、基板１０２の上の樹脂Ｒにモールド１０６を押し付ける）。
【００３６】
Ｓ７０８は、モールド１０６に形成された第１マークＭＫ１と基板１０２に形成された第２マークＭＫ２とを検出部１１６で検出し、第１マークＭＫ１と第２マークＭＫ２との位置ずれ量（即ち、モールド１０６と基板１０２との位置ずれ量）を取得する。
【００３７】
Ｓ７１０では、Ｓ７０８で取得した第１マークＭＫ１と第２マークＭＫ２との位置ずれ量が許容範囲に収まっているかどうかを判定する。第１マークＭＫ１と第２マークＭＫ２との位置ずれ量の許容範囲は、インプリント装置１に求める性能（仕様）に応じて設定され、例えば、１０ナノメートルに設定される。第１マークＭＫ１と第２マークＭＫ２との位置ずれ量が許容範囲に収まっていない場合には、Ｓ７１２に移行する。また、第１マークＭＫ１と第２マークＭＫ２との位置ずれ量が許容範囲に収まっている場合には、Ｓ７１６に移行する。
【００３８】
Ｓ７１２では、図４に示したように、第１マークＭＫ１と第２マークＭＫ２とが近づいた後に離れる方向（第１方向）に基板ステージ１０４を比較的長い距離移動させる（第１処理）。例えば、モールド１０６と基板１０２との位置合わせに必要となる基板ステージ１０４の移動距離に第１マークＭＫ１と第２マークＭＫ２との位置ずれ量に応じて決定される追加距離を加えた距離を目標移動距離として、基板ステージ１０４を移動させる。
【００３９】
Ｓ７１４では、図６に示したように、第１方向とは逆の第２方向に基板ステージ１０４を比較的短い距離移動させる（第２処理）。ここでは、Ｓ７１２で加えた追加距離に応じて決定される目標移動距離よりも小さい距離で基板ステージ１０４を移動させる。
【００４０】
Ｓ７１６では、基板１０２の上の樹脂Ｒとモールド１０６とを接触させた接触状態において、樹脂Ｒを硬化させる。具体的には、モールド１０６を介して、光源１１４からの光を基板１０２の上の樹脂Ｒに照射することで樹脂Ｒを硬化させる。
【００４１】
Ｓ７１８では、モールド保持部１０８によってモールド１０６を上昇させて、光の照射によって硬化した樹脂Ｒからモールド１０６を離型する。これにより、基板１０２の上の樹脂Ｒにモールド１０６のパターンが形成（転写）される。
【００４２】
このように、本実施形態では、樹脂Ｒとモールド１０６とを接触させた接触状態において、第１処理（Ｓ７１２）及び第２処理（Ｓ７１４）（即ち、基板ステージ１０４の往復移動）によって、モールド１０６と基板１０２との位置合わせを行っている。従って、インプリント装置１では、樹脂Ｒの摩擦力などの影響があっても、モールド１０６の変形を抑えながら、モールド１０６と基板１０２との位置合わせを高精度に行うことができる。
【００４３】
また、図７では、第１処理及び第２処理の後、第１マークＭＫ１と第２マークＭＫ２との位置ずれ量が許容範囲に収まっているかどうかを判定することなく、樹脂Ｒの硬化（Ｓ７１６）及びモールド１０６の離型（Ｓ７１８）を行っている。これは、第１処理及び第２処理を１回行えば、第１マークＭＫ１と第２マークＭＫ２との位置ずれ量が許容範囲に収まっているとみなしているからである。但し、実際には、第１処理及び第２処理を１回行っただけでは、第１マークＭＫ１と第２マークＭＫ２との位置ずれ量が許容範囲に収まっていない場合もある。このような場合には、図８に示すように、第１処理及び第２処理の後に、第１マークＭＫ１と第２マークＭＫ２との位置ずれ量が許容範囲に収まっているかどうかを判定し、位置ずれ量が許容範囲に収まるまで、第１処理及び第２処理を繰り返し行えばよい。
【００４４】
また、第１処理及び第２処理の後、第１マークＭＫ１と第２マークＭＫ２との位置ずれ量が許容範囲に収まっているかどうかを判定しない場合（図７）には、図５に示す関係を予め求めて、メモリ１１８ｂなどの記憶部に記憶しておくとよい。上述したように、図５に示す関係は、樹脂Ｒの膜厚ｈ、樹脂Ｒの種類、モールド１０６の材質に依存している。従って、メモリ１１８ｂなどの記憶部は、樹脂Ｒの膜厚ｈと、樹脂Ｒの種類と、モールド１０６の材質との組み合わせごとに、図５に示す関係を表す情報を記憶するとよい。そして、制御部１１８は、記憶部に記憶された図５に示す関係を表す情報及び第１マークＭＫ１と第２マークＭＫ２との位置ずれ量に基づいて、第１処理における追加距離、及び、第２処理における目標移動距離よりも小さい距離を決定する。これにより、１回の第１処理及び第２処理によって、第１マークＭＫ１と第２マークＭＫ２との位置ずれ量を許容範囲に収めることが可能となる。
【００４５】
また、メモリ１１８ｂなどの記憶部は、図５に示す関係を表す情報を書き換え可能に記憶し、モールド１０６を交換する際に、記憶部に記憶された情報を書き換える。これにより、制御部１１８は、モールド１０６に応じて、第１処理における追加距離、及び、第２処理における目標移動距離よりも小さい距離を決定することができる。
【００４６】
図９や図１０に示すように、モールド１０６の変形量を測定する測定部１２０をインプリント装置１が有する場合もある。このような場合には、測定部１２０で測定されたモールド１０６の変形量と、第１マークＭＫ１と第２マークＭＫ２との位置ずれ量とに基づいて、第２処理における目標移動距離よりも小さい距離を決定することも可能である。
【００４７】
図９では、測定部１２０は、モールド１０６又はモールド保持部１０８（モールドチャック１１０）に配置されたひずみゲージ１２０ａと、基板ステージ１０４に配置されたひずみゲージ１２０ｂとを含む。但し、モールド１０６及び基板ステージ１０４の両方にひずみゲージを配置する必要は必ずしもなく、いずれか一方にひずみゲージを配置すればよい。また、ひずみゲージは、モールド１０６の変形しやすい部分、例えば、モールド１０６のキャビティ１０６ｂの一部に配置するとよい。
【００４８】
一方、図１０では、測定部１２０は、モールド１０６に配置された変形測定用マーク１２０ｃと、変形測定用マーク１２０ｃを撮像する撮像系１２０ｄとを含み、撮像系１２０ｄで撮像された変形測定用マーク１２０ｃに基づいてモールド１０６の変形量を求める。変形測定用マーク１２０ｃは、モールド１０６の変形しやすい部分、例えば、モールド１０６のキャビティ１０６ｂの一部に配置される。また、変形測定用マーク１２０ｃは、図１０に示すように、モールド１０６の複数の部分（位置）に配置されてもよい。
【００４９】
また、測定部１２０は、図９や図１０に示す構成に限定されるものではなく、モールド１０６の変形量を測定することができればよい。例えば、測定部１２０は、モールド１０６と基準面との間の距離を計測する干渉計を含み、干渉計で計測された距離に基づいてモールド１０６の変形量を求めてもよい。
【００５０】
図１１を参照して、図９又は図１０に示すインプリント装置１におけるインプリント処理について説明する。なお、樹脂供給部１１２によって基板１０２の上に樹脂Ｒを供給してから第１マークＭＫ１と第２マークＭＫ２との位置ずれ量が許容範囲に収まっているかどうかを判定するまで（Ｓ７０２乃至Ｓ７１０）は、上述した通りである。
【００５１】
Ｓ７１２では、上述したように、第１マークＭＫ１と第２マークＭＫ２とが近づいた後に離れる第１方向に基板ステージ１０４を比較的長い距離移動させる（第１処理）。
【００５２】
Ｓ７２２では、Ｓ７１２で基板ステージ１０４を移動した後、モールド１０６の変形量を測定部１２０で測定する。具体的には、測定部１２０は、モールド１０６の基準形状からの変形量を測定する。モールド１０６の基準形状は、例えば、モールド１０６の交換時、樹脂Ｒとモールド１０６とを接触させる前、樹脂Ｒとモールド１０６とを接触させた後などのタイミングで測定すればよい。
【００５３】
Ｓ７２４では、第１方向とは逆の第２方向に基板ステージ１０４を比較的短い距離移動させる（第２処理）。ここでは、Ｓ７２２で測定されたモールド１０６の変形量及びＳ７０８で取得された位置ずれ量に基づいて、Ｓ７１２で加えた追加距離に応じて決定される目標移動距離よりも小さい距離を調整して基板ステージ１０４を移動させる。具体的には、モールド１０６の変形量が低減し、且つ、第１マークＭＫ１と第２マークＭＫ２との位置ずれ量が低減するように、基板ステージ１０４を移動させる。
【００５４】
このように、基板ステージ１０４の移動によるモールド１０６の変形を低減しながら、第１マークＭＫ１と第２マークＭＫ２との位置ずれ量が許容範囲に収まるまで、Ｓ７０８、Ｓ７１０、Ｓ７１２、Ｓ７２２及びＳ７２４を繰り返す。そして、第１マークＭＫ１と第２マークＭＫ２との位置ずれ量が許容範囲に収まったら、上述したように、樹脂Ｒの硬化（Ｓ７１６）及びモールド１０６の離型（Ｓ７１８）を行う。
【００５５】
図９又は図１１に示すインプリント装置１では、樹脂Ｒとモールド１０６とを接触させた接触状態において、モールド１０６の変形を効果的に低減させながら、モールド１０６と基板１０２との位置合わせを高精度に行うことができる。
【００５６】
上述したように、インプリント装置１は、モールド１０６と基板１０２との位置合わせを高精度に行うことが可能であるため、高いスループットで経済性よく高品位な半導体デバイスなどの物品を提供することができる。物品としてのデバイス（半導体デバイス、磁気記憶媒体、液晶表示素子等）の製造方法について説明する。かかる製造方法は、インプリント装置１を用いて基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板等）にパターンを転写（形成）するステップを含む。かかる製造方法は、パターンが転写された基板をエッチングするステップを更に含む。なお、かかる製造方法は、パターンドットメディア（記録媒体）や光学素子などの他の物品を製造する場合には、エッチングステップの代わりに、パターンが転写された基板を加工する他の加工ステップを含む。
【００５７】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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