(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
加工対象物にレーザ光を照射することにより、切断の起点となる改質領域を切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部に形成するレーザ加工方法であって、
前記加工対象物に前記レーザ光を照射し、前記加工対象物においてレーザ光入射面とは反対の表面側の位置に第１改質領域を形成する第１改質領域形成工程と、
前記加工対象物に前記レーザ光を照射し、前記加工対象物において前記第１改質領域よりも前記レーザ光入射面側の位置に第２改質領域を形成する第２改質領域形成工程と、を含み、
前記第１改質領域形成工程では、前記表面に至る亀裂が生じないように前記第１改質領域を形成し、
前記第２改質領域形成工程では、前記表面に至る亀裂が生じるように前記第２改質領域を形成することを特徴とするレーザ加工方法。
【請求項２】
前記第１改質領域形成工程では、先端が前記加工対象物内に留まる内部亀裂状態の第１亀裂を前記第１改質領域を起点に生じさせ、
前記第２改質領域形成工程では、前記第１亀裂と繋がる第２亀裂を前記第２改質領域を起点に生じさせることにより、前記第１亀裂を伸展させて前記表面に至る亀裂を生じさせることを特徴とする請求項１記載のレーザ加工方法。
【請求項３】
前記加工対象物は、その厚さ方向に沿った劈開方向を有することを特徴とする請求項１又は２記載のレーザ加工方法。
【請求項４】
前記加工対象物は、半導体基板と前記半導体基板上に積層され金属配線を含む積層部とを具備し、
前記第１改質領域形成工程では、前記加工対象物において前記積層部側の前記表面に至る亀裂が生じないように前記第１改質領域を形成することを特徴とする請求項１〜〜３の何れか一項に記載のレーザ加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、加工対象物を切断するためのレーザ加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のレーザ加工方法としては、加工対象物にレーザ光を集光させ、加工対象物において厚さ方向に複数列の改質領域を切断予定ラインに沿って形成するものが知られている（例えば、特許文献１参照）。このようなレーザ加工方法では、改質領域を切断の起点として加工対象物が切断され、これにより、複数のチップが得られることとなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−６８８１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ここで、上述したようなレーザ加工方法では、例えば加工対象物を精度よく切断するために、切断予定ラインに沿って改質領域を形成する際、加工対象物におけるレーザ光入射面とは反対の表面に至る亀裂（いわゆるＢＨＣ：Bottom side Half-Cut）を発生させる場合がある。しかしこの場合、表面に至る亀裂が切断予定ラインに対して蛇行してしまい、加工対象物の切断時における直進性が悪化してしまうおそれがある。
【０００５】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、加工対象物の切断時の直進性悪化を抑制できるレーザ加工方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明に係るレーザ加工方法は、加工対象物にレーザ光を照射することにより、切断の起点となる改質領域を切断予定ラインに沿って加工対象物の内部に形成するレーザ加工方法であって、加工対象物にレーザ光を照射し、加工対象物においてレーザ光入射面とは反対の表面側の位置に第１改質領域を形成する第１改質領域形成工程と、加工対象物にレーザ光を照射し、加工対象物において第１改質領域よりもレーザ光入射面側の位置に第２改質領域を形成する第２改質領域形成工程と、を含み、第１改質領域形成工程では、表面に至る亀裂が生じないように第１改質領域を形成し、第２改質領域形成工程では、表面に至る亀裂が生じるように第２改質領域を形成することを特徴とする。
【０００７】
このレーザ加工方法では、加工対象物において表面に到達するツイストハックルが発生するのを抑制することができ、よって、当該表面に至る亀裂の蛇行を抑制することが可能となる。従って、加工対象物１の切断時の直進性悪化を抑制することできる。
【０００８】
また、上記作用効果を好適に奏するため、第１改質領域形成工程では、先端が加工対象物内に留まる内部亀裂状態の第１亀裂を第１改質領域を起点に生じさせ、第２改質領域形成工程では、第１亀裂と繋がる第２亀裂を第２改質領域を起点に生じさせることにより、第１亀裂を伸展させて表面に至る亀裂を生じさせることが好ましい。
【０００９】
また、加工対象物は、その厚さ方向に沿った劈開方向を有することが好ましい。この場合、表面に至る亀裂が劈開方向である厚さ方向に沿って真っ直ぐ延在し易いものとなる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、加工対象物の切断時の直進性悪化を抑制することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】改質領域の形成に用いられるレーザ加工装置の概略構成図である。
【図２】改質領域の形成の対象となる加工対象物の平面図である。
【図３】図２の加工対象物のIII−III線に沿っての断面図である。
【図４】レーザ加工後の加工対象物の平面図である。
【図５】図４の加工対象物のV−V線に沿っての断面図である。
【図６】図４の加工対象物のVI−VI線に沿っての断面図である。
【図７】実施形態を実施するレーザ加工装置を示す概略構成図である。
【図８】反射型空間光変調器の部分断面図である。
【図９】実施形態によるレーザ加工の対象となる加工対象物を示す平面図である。
【図１０】（ａ）は本実施形態におけるレーザ加工方法のフロー図、（ｂ）は図１０（ａ）の続きを示すフロー図、（ｃ）は図１０（ｂ）の続きを示すフロー図である。
【図１１】（ａ）は図１０（ｃ）の続きを示すフロー図、（ｂ）は図１１（ａ）の続きを示すフロー図、（ｃ）は図１１（ｂ）の続きを示すフロー図である。
【図１２】改質領域を形成する工程を説明するための概略断面図である。
【図１３】金属配線の損傷を説明するための概略拡大断面図である。
【図１４】金属配線の損傷を加工条件で比較した表である。
【図１５】（ａ）は改質領域の表面からの距離と金属配線の損傷との相関を例示するグラフ、（ｂ）はレーザ光のパルス幅と金属配線の損傷との相関を例示するグラフ、（ｃ）はレーザ光の出力と金属配線の損傷との相関を例示するグラフである。
【図１６】レーザ光の抜け光とレーザ光の集光点位置との関係を説明するための図である。
【図１７】レーザ光のパルス幅と抜け光のエネルギー量との関係を説明するための図である。
【図１８】レーザ光のパルス波形と金属配線の損傷との関係を説明するための図である。
【図１９】改質領域の表面からの距離及びパルス幅について金属配線の損傷及び切断性能との相関を例示する表である。
【図２０】加工条件毎の判定結果の一例を示す表である。
【図２１】本実施形態によるレーザ加工後の加工対象物の切断面を例示する写真図である。
【図２２】本実施形態によるレーザ加工後の加工対象物の切断面を例示する他の写真図である。
【図２３】（ａ）は本実施形態における改質領域の形成工程を詳説するための加工対象物の正面断面図、（ｂ）は図２３（ａ）の加工対象物の側方断面図である。
【図２４】（ａ）は図２３の続きを示す加工対象物の正面断面図、（ｂ）は図２４（ａ）の加工対象物の側方断面図、（ｃ）は図２４（ａ）の加工対象物を表面から見た図である。
【図２５】（ａ）は従来の改質領域の形成工程を詳説するための加工対象物の正面断面図、（ｂ）は図２５（ａ）の加工対象物の側方断面図、（ｃ）は図２５（ａ）の加工対象物を表面から見た図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、以下の説明において同一又は相当要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１３】
本実施形態に係るレーザ加工方法では、加工対象物にレーザ光を集光させ、改質領域を切断予定ラインに沿って形成する。そこで、まず、改質領域の形成について、図１〜図６を参照して説明する。
【００１４】
図１に示すように、レーザ加工装置１００は、レーザ光Ｌをパルス発振するレーザ光源（レーザ光源部）１０１と、レーザ光Ｌの光軸（光路）の向きを９０°変えるように配置されたダイクロイックミラー１０３と、レーザ光Ｌを集光するための集光用レンズ１０５と、を備えている。また、レーザ加工装置１００は、集光用レンズ１０５で集光されたレーザ光Ｌが照射される加工対象物１を支持するための支持台１０７と、支持台１０７を移動させるためのステージ（移動部）１１１と、レーザ光Ｌの出力やパルス幅、パルス波形等を調節するためにレーザ光源１０１を制御するレーザ光源制御部（制御部）１０２と、ステージ１１１の移動を制御するステージ制御部（制御部）１１５と、を備えている。
【００１５】
このレーザ加工装置１００においては、レーザ光源１０１から出射されたレーザ光Ｌは、ダイクロイックミラー１０３によってその光軸の向きを９０°変えられ、支持台１０７上に載置された加工対象物１の内部に集光用レンズ１０５によって集光される。これと共に、ステージ１１１が移動させられ、加工対象物１がレーザ光Ｌに対して切断予定ライン５に沿って相対移動させられる。これにより、切断予定ライン５に沿った改質領域が加工対象物１に形成される。なお、ここでは、レーザ光Ｌを相対的に移動させるためにステージ１１１を移動させたが、集光用レンズ１０５を移動させてもよいし、或いはこれらの両方を移動させてもよい。
【００１６】
加工対象物１としては、半導体材料で形成された半導体基板や圧電材料で形成された圧電基板等を含む板状の部材（例えば、基板、ウェハ等）が用いられる。図２に示すように、加工対象物１には、加工対象物１を切断するための切断予定ライン５が設定されている。切断予定ライン５は、直線状に延びた仮想線である。加工対象物１の内部に改質領域を形成する場合、図３に示すように、加工対象物１の内部に集光点（集光位置）Ｐを合わせた状態で、レーザ光Ｌを切断予定ライン５に沿って（すなわち、図２の矢印Ａ方向に）相対的に移動させる。これにより、図４〜図６に示すように、改質領域７が切断予定ライン５に沿って加工対象物１の内部に形成され、切断予定ライン５に沿って形成された改質領域７が切断起点領域８となる。
【００１７】
なお、集光点Ｐとは、レーザ光Ｌが集光する箇所のことである。また、切断予定ライン５は、直線状に限らず曲線状であってもよいし、これらが組み合わされた３次元状であってもよいし、座標指定されたものであってもよい。また、切断予定ライン５は、仮想線に限らず加工対象物１の表面３に実際に引かれた線であってもよい。改質領域７は、連続的に形成される場合もあるし、断続的に形成される場合もある。また、改質領域７は列状でも点状でもよく、要は、改質領域７は少なくとも加工対象物１の内部に形成されていればよい。また、改質領域７を起点に亀裂が形成される場合があり、亀裂及び改質領域７は、加工対象物１の外表面（表面３、裏面２１、若しくは外周面）に露出していてもよい。また、改質領域７を形成する際のレーザ光入射面は、加工対象物１の表面３に限定されるものではなく、加工対象物１の裏面２１であってもよい。
【００１８】
ちなみに、ここでのレーザ光Ｌは、加工対象物１を透過すると共に加工対象物１の内部の集光点近傍にて特に吸収され、これにより、加工対象物１に改質領域７が形成される（すなわち、内部吸収型レーザ加工）。よって、加工対象物１の表面３ではレーザ光Ｌが殆ど吸収されないので、加工対象物１の表面３が溶融することはない。一般的に、表面３から溶融され除去されて穴や溝等の除去部が形成される（表面吸収型レーザ加工）場合、加工領域は表面３側から徐々に裏面側に進行する。
【００１９】
ところで、本実施形態で形成される改質領域７は、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲とは異なる状態になった領域をいう。改質領域７としては、例えば、溶融処理領域（一旦溶融後再固化した領域、溶融状態中の領域及び溶融から再固化する状態中の領域のうち少なくとも何れか一つを意味する）、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域等があり、これらが混在した領域もある。さらに、改質領域としては、加工対象物の材料において改質領域の密度が非改質領域の密度と比較して変化した領域や、格子欠陥が形成された領域がある（これらをまとめて高密転移領域ともいう）。
【００２０】
また、溶融処理領域や屈折率変化領域、改質領域の密度が非改質領域の密度と比較して変化した領域、格子欠陥が形成された領域は、さらに、それら領域の内部や改質領域と非改質領域との界面に亀裂（割れ、マイクロクラック）を内包している場合がある。内包される亀裂は改質領域の全面に渡る場合や一部分のみや複数部分に形成される場合がある。加工対象物１としては、例えばシリコン（Ｓｉ）、ガラス、ＬｉＴａＯ３又はサファイア（Ａｌ２Ｏ３）を含む、又はこれらからなるものが挙げられる。
【００２１】
また、本実施形態においては、切断予定ライン５に沿って改質スポット（加工痕）を複数形成することによって、改質領域７を形成している。改質スポットとは、パルスレーザ光の１パルスのショット（つまり１パルスのレーザ照射：レーザショット）で形成される改質部分であり、改質スポットが集まることにより改質領域７となる。改質スポットとしては、クラックスポット、溶融処理スポット若しくは屈折率変化スポット、又はこれらの少なくとも１つが混在するもの等が挙げられる。この改質スポットについては、要求される切断精度、要求される切断面の平坦性、加工対象物の厚さ、種類、結晶方位等を考慮して、その大きさや発生する亀裂の長さを適宜制御することが好ましい。
【００２２】
次に、本実施形態について詳細に説明する。
【００２３】
図７は、本実施形態に係るレーザ加工方法を実施するレーザ加工装置を示す概略構成図である。図７に示すように、本実施形態のレーザ加工装置３００は、レーザ光源（レーザ光源部）２０２、反射型空間光変調器２０３、４ｆ光学系２４１及び集光光学系２０４を筐体２３１内に備えている。レーザ光源２０２は、例えば１０８０ｎｍ〜１２００ｎｍの波長を有するレーザ光Ｌを出射するものであり、例えばファイバレーザが用いられている。ここでのレーザ光源２０２は、水平方向にレーザ光Ｌを出射するように、筐体２３１の天板２３６にねじ等で固定されている。
【００２４】
反射型空間光変調器２０３は、レーザ光源２０２から出射されたレーザ光Ｌを変調するものであり、例えば反射型液晶（LCOS：Liquid Crystal on Silicon）の空間光変調器（SLM：Spatial Light Modulator）が用いられている。ここでの反射型空間光変調器２０３は、水平方向から入射するレーザ光Ｌを変調して収差補正すると共に、水平方向に対し斜め上方に反射する。
【００２５】
図８は、図７のレーザ加工装置の反射型空間光変調器の部分断面図である。図８に示すように、反射型空間光変調器２０３は、シリコン基板２１３、駆動回路層９１４、複数の画素電極２１４、誘電体多層膜ミラー等の反射膜２１５、配向膜９９９ａ、液晶層２１６、配向膜９９９ｂ、透明導電膜２１７、及びガラス基板等の透明基板２１８を備え、これらがこの順に積層されている。
【００２６】
透明基板２１８は、ＸＹ平面に沿った表面２１８ａを有しており、該表面２１８ａは反射型空間光変調器２０３の表面を構成する。透明基板２１８は、例えばガラス等の光透過性材料を主に含んでおり、反射型空間光変調器２０３の表面２１８ａから入射した所定波長のレーザ光Ｌを、反射型空間光変調器２０３の内部へ透過する。透明導電膜２１７は、透明基板２１８の裏面２１８ａ上に形成されており、レーザ光Ｌを透過する導電性材料（例えばＩＴＯ）を主に含んで構成されている。
【００２７】
複数の画素電極２１４は、複数の画素の配列に従って二次元状に配列されており、透明導電膜２１７に沿ってシリコン基板２１３上に配列されている。各画素電極２１４は、例えばアルミニウム等の金属材料からなり、これらの表面２１４ａは、平坦且つ滑らかに加工されている。複数の画素電極２１４は、駆動回路層９１４に設けられたアクティブ・マトリクス回路によって駆動される。
【００２８】
アクティブ・マトリクス回路は、複数の画素電極２１４とシリコン基板２１３との間に設けられ、反射型空間光変調器２０３から出力しようとする光像に応じて各画素電極２１４への印加電圧を制御する。このようなアクティブ・マトリクス回路は、例えば図示しないＸ軸方向に並んだ各画素列の印加電圧を制御する第１のドライバ回路と、Ｙ軸方向に並んだ各画素列の印加電圧を制御する第２のドライバ回路とを有しており、制御部２５０によって双方のドライバ回路で指定された画素の画素電極２１４に所定電圧が印加されるよう構成されている。
【００２９】
なお、配向膜９９９ａ，９９９ｂは、液晶層２１６の両端面に配置されており、液晶分子群を一定方向に配列させる。配向膜９９９ａ，９９９ｂは、例えばポリイミドといった高分子材料からなり、液晶層２１６との接触面にラビング処理等が施されたものが適用される。
【００３０】
液晶層２１６は、複数の画素電極２１４と透明導電膜２１７との間に配置されており、各画素電極２１４と透明導電膜２１７とにより形成される電界に応じてレーザ光Ｌを変調する。すなわち、アクティブ・マトリクス回路によって或る画素電極２１４に電圧が印加されると、透明導電膜２１７と該画素電極２１４との間に電界が形成される。
【００３１】
この電界は、反射膜２１５及び液晶層２１６のそれぞれに対し、各々の厚さに応じた割合で印加される。そして、液晶層２１６に印加された電界の大きさに応じて液晶分子２１６ａの配列方向が変化する。レーザ光Ｌが透明基板２１８及び透明導電膜２１７を透過して液晶層２１６に入射すると、このレーザ光Ｌは液晶層２１６を通過する間に液晶分子２１６ａによって変調され、反射膜２１５において反射した後、再び液晶層２１６により変調されてから取り出されることとなる。
【００３２】
このとき、制御部２５０（後述）によって透明導電膜２１７と対向する各画素電極部２１４ａ毎に電圧が印加され、その電圧に応じて、液晶層２１６において透明導電膜２１７と対向する各画素電極部２１４ａに挟まれた部分の屈折率が変化される（各画素に対応した位置の液晶層２１６の屈折率が変化する）。かかる屈折率の変化により、印加した電圧に応じて、レーザ光Ｌの位相を液晶層２１６の画素毎に変化させることができる。つまり、ホログラムパターンに応じた位相変調を画素毎に液晶層２１６によって与える（すなわち、変調を付与するホログラムパターンとしての変調パターンを反射型空間光変調器２０３に表示させる）ことができる。
【００３３】
その結果、変調パターンに入射し透過するレーザ光Ｌは、その波面が調整され、該レーザ光Ｌを構成する各光線において進行方向に直交する所定方向の成分の位相にずれが生じる。従って、反射型空間光変調器２０３に表示させる変調パターンを適宜設定することにより、レーザ光Ｌが変調（例えば、レーザ光Ｌの強度、振幅、位相、偏光等が変調）可能となる。ここでは、加工対象物１に照射されるレーザ光Ｌに対し、集光点Ｐで生じる球面収差を補正するための球面収差補正（収差補正）が施されることになる。
【００３４】
４ｆ光学系２４１は、反射型空間光変調器２０３によって変調されたレーザ光Ｌの波面形状を調整するものである。この４ｆ光学系２４１は、第１レンズ２４１ａ及び第２レンズ２４１ｂを有している。レンズ２４１ａ，２４１ｂは、反射型空間光変調器２０３と第１レンズ２４１ａとの距離が第１レンズ２４１ａの焦点距離ｆ１となり、集光光学系２０４とレンズ２４１ｂとの距離がレンズ２４１ｂの焦点距離ｆ２となり、第１レンズ２４１ａと第２レンズ２４１ｂとの距離がｆ１＋ｆ２となり、且つ第１レンズ２４１ａと第２レンズ２４１ｂとが両側テレセントリック光学系となるように、反射型空間光変調器２０３と集光光学系２０４との間に配置されている。この４ｆ光学系２４１では、反射型空間光変調器２０３で変調されたレーザ光Ｌが空間伝播によって波面形状が変化し収差が増大するのを抑制することができる。
【００３５】
集光光学系２０４は、４ｆ光学系２４１によって変調されたレーザ光Ｌを加工対象物１の内部に集光するものである。この集光光学系２０４は、複数のレンズを含んで構成されており、圧電素子等を含んで構成された駆動ユニット２３２を介して筐体２３１の底板２３３に設置されている。
【００３６】
以上のように構成されたレーザ加工装置３００では、レーザ光源２０２から出射されたレーザ光Ｌは、筐体２３１内にて水平方向に進行した後、ミラー２０５ａによって下方に反射され、アッテネータ２０７によって光強度が調整される。そして、ミラー２０５ｂによって水平方向に反射され、ビームホモジナイザ２６０によって強度分布が均一化されて反射型空間光変調器２０３に入射する。
【００３７】
反射型空間光変調器２０３に入射したレーザ光Ｌは、液晶層２１６に表示された変調パターンを透過することにより当該変調パターンに応じて変調されて収差補正され、その後、ミラー２０６ａによって上方に反射され、λ／２波長板２２８によって偏光方向が変更され、ミラー２０６ｂによって水平方向に反射されて４ｆ光学系２４１に入射する。
【００３８】
４ｆ光学系２４１に入射したレーザ光Ｌは、平行光で集光光学系２０４に入射するよう波面形状が調整される。具体的には、レーザ光Ｌは、第１レンズ２４１ａを透過し収束され、ミラー２１９によって下方へ反射され、共焦点Ｏを経て発散すると共に、第２レンズ２４１ｂを透過し、平行光となるように再び収束される。そしてレーザ光Ｌは、ダイクロイックミラー２１０，２１８を順次透過して集光光学系２０４に入射し、ステージ１１１上に載置された加工対象物１内に集光光学系２０４によって集光される。
【００３９】
また、本実施形態のレーザ加工装置３００は、加工対象物１のレーザ光入射面を観察するための表面観察ユニット２１１と、集光光学系２０４と加工対象物１との距離を微調整するためのＡＦ（AutoFocus）ユニット２１２と、を筐体２３１内に備えている。
【００４０】
表面観察ユニット２１１は、可視光ＶＬ１を出射する観察用光源２１１ａと、加工対象物１のレーザ光入射面で反射された可視光ＶＬ１の反射光ＶＬ２を受光して検出する検出器２１１ｂと、を有している。表面観察ユニット２１１では、観察用光源２１１ａから出射された可視光ＶＬ１が、ミラー２０８及びダイクロイックミラー２０９，２１０，２３８で反射・透過され、集光光学系２０４で加工対象物１に向けて集光される。そして、加工対象物１のレーザ光入射面で反射された反射光ＶＬ２が、集光光学系２０４で集光されてダイクロイックミラー２３８，２１０で透過・反射された後、ダイクロイックミラー２０９を透過して検出器２１１ｂにて受光される。
【００４１】
ＡＦユニット２１２は、ＡＦ用レーザ光ＬＢ１を出射し、レーザ光入射面で反射されたＡＦ用レーザ光ＬＢ１の反射光ＬＢ２を受光し検出することで、切断予定ライン５に沿ったレーザ光入射面の変位データを取得する。そして、ＡＦユニット２１２は、改質領域７を形成する際、取得した変位データに基づいて駆動ユニット２３２を駆動させ、レーザ光入射面のうねりに沿うように集光光学系２０４をその光軸方向に往復移動させる。
【００４２】
さらにまた、本実施形態のレーザ加工装置３００は、当該レーザ加工装置３００を制御するためのものとして、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ等からなる制御部２５０を備えている。この制御部２５０は、レーザ光源２０２を制御し、レーザ光源２０２から出射されるレーザ光Ｌの出力やパルス幅等を調節する。また、制御部２５０は、改質領域７を形成する際、レーザ光Ｌの集光点Ｐが加工対象物１の表面３から所定距離に位置し且つレーザ光Ｌの集光点Ｐが切断予定ライン５に沿って相対的に移動するように、筐体２３１やステージ１１１の位置、及び駆動ユニット２３２の駆動を制御する。
【００４３】
また、制御部２５０は、改質領域７を形成する際、反射型空間光変調器２０３における各電極部２１４ａ，２１７ａに所定電圧を印加し、液晶層２１６に所定の変調パターンを表示させる。これにより、レーザ光Ｌが反射型空間光変調器２０３で所望に変調され、加工対象物１に照射されるレーザ光Ｌに対し所望の収差補正が施される。
【００４４】
なお、変調パターンは、例えば、改質領域７を形成しようとする位置、照射するレーザ光Ｌの波長、加工対象物１の材料、及び集光光学系２０４や加工対象物１の屈折率等に基づいて予め導出され、制御部２５０に記憶されている。この変調パターンは、レーザ加工装置３００に生じる個体差（例えば、反射型空間光変調器２０３の液晶層２１６に生じる歪）を補正するための個体差補正パターン、及び球面収差を補正するための球面収差補正パターンを含んでいる。
【００４５】
次に、上記レーザ加工装置３００を用いたレーザ加工方法について詳細に説明する。本実施形態のレーザ加工方法は、例えばＣＩＳデバイス等のイメージセンサを製造するための製造方法として用いられるものであって、加工対象物１を複数のチップに切断する。まず、レーザ加工方法の全体フローを概略説明する。
【００４６】
図９は本実施形態によるレーザ加工の対象となる加工対象物を示す平面図、図１０，１１は本実施形態におけるレーザ加工方法の各フローを示す図、図１２は改質領域を形成する工程を説明するための断面図である。図９，１２に示すように、加工対象物１は、シリコン基板等の半導体基板２と、当該半導体基板２の表面２ａ上に積層された積層部４とを具備し、板状を呈している。加工対象物１の厚さは、好ましいとして１５０μｍ〜３５０μｍとされており、ここでは、より好ましいとして２００μｍ又は２５０μｍとされている。
【００４７】
積層部４は、絶縁層４ａ、金属配線４ｂ及び表層膜４ｃを含んでいる。絶縁層４ａは、半導体基板２の表面２ａ上に形成されている。この絶縁層４ａは、例えばＳｉＯ２で形成され、絶縁性を有している。金属配線４ｂは、半導体基板２の表面２ａ上においてマトリックス状に並ぶ機能素子形成領域１５内に、絶縁層４ａで覆われるよう設けられている。この金属配線４ｂは、例えばアルミニウム等の金属で形成されている。表層膜４ｃは、絶縁層４ａの外表面を覆うように設けられ、例えば金属で形成されている。
【００４８】
この加工対象物１の積層部４側の表面３には、隣り合う機能素子形成領域１５間を通るように延びる切断予定ライン５が複数設定されている。複数の切断予定ライン５は、格子状に延在しており、加工対象物１のオリエンテーションフラット６に対して略平行な方向に沿う切断予定ライン５ａ、及び略垂直な方向に沿う切断予定ライン５ｂを含んでいる。表面３に沿う方向（厚さ方向に直交する方向）において切断予定ライン５と金属配線４ｂとの距離Ｄは、例えば２５μｍ以内とされている。
【００４９】
この加工対象物１に対してレーザ加工を施す場合、図１０（ａ）に示すように、まず、加工対象物１の表面３にＢＧテープ３１を貼り付ける。続いて、図１０（ｂ）に示すように、表面３と反対側の裏面２１がレーザ光入射面となるようにステージ１１１の支持台１０７上に加工対象物１を載置する。その後、図１０（ｃ）及び図１２に示すように、制御部２５０によりレーザ加工装置３００を制御し、複数の切断予定ライン５に沿って、収差補正したレーザ光Ｌを加工対象物１の裏面２１から照射しつつ当該レーザ光Ｌを切断予定ライン５に沿って移動させるスキャンを、厚さ方向における集光点位置を変えて複数回（ここでは、３回）実施する。これにより、厚さ方向の位置が互いに異なる複数列の改質領域７を、加工対象物１の内部に形成する。
【００５０】
具体的には、加工対象物１の内部において表面３側の位置にレーザ光Ｌの集光点を合わせると共に、レーザ光Ｌの球面収差が補正されるように反射型空間光変調器２０３の液晶層２１６に所定変調パターンを表示させる。そして、出力１５μＪでレーザ光Ｌを加工対象物１に照射しつつ、当該レーザ光Ｌの集光点を切断予定ライン５に沿って相対移動させる。これにより、加工対象物１内の表面３側の位置に、切断予定ライン５に沿って第１改質領域７ａを一列形成する（第１改質領域形成工程）。
【００５１】
続いて、加工対象物１の内部において第１改質領域７ａよりも裏面２１側の位置にレーザ光Ｌの集光点を合わせると共に、レーザ光Ｌの球面収差が補正されるように反射型空間光変調器２０３の液晶層２１６に所定変調パターンを表示させる。そして、出力１５μＪでレーザ光Ｌを加工対象物１に照射しつつ、当該レーザ光Ｌの集光点を切断予定ライン５に沿って相対移動させる。これにより、加工対象物１内の第１改質領域７ａよりも裏面２１側の位置に、切断予定ライン５に沿って第２改質領域７ｂを一列形成する（第２改質領域形成工程）。
【００５２】
続いて、加工対象物１の内部において第２改質領域７ｂよりも裏面２１側の位置にレーザ光Ｌの集光点を合わせると共に、レーザ光Ｌの球面収差が補正されるように反射型空間光変調器２０３の液晶層２１６に所定変調パターンを表示させる。そして、出力１０μＪでレーザ光Ｌを加工対象物１に照射しつつ、当該レーザ光Ｌの集光点を切断予定ライン５に沿って相対移動させる。これにより、加工対象物１内の第２改質領域７ｂよりも裏面２１側の位置に、切断予定ライン５に沿って第３改質領域７ｃを一列形成する（第３改質領域形成工程）。
【００５３】
続いて、図１０（ｃ）及び図１１（ａ）に示すように、加工対象物１の裏面２１にダイシングテープ３２を貼り付けた後、加工対象物１を上下反転して表面３が上方に位置するよう載置し、ＢＧテープ３１を取り外す。続いて、図１１（ｂ）に示すように、加工対象物１に対し裏面２１側から、ダイシングテープ３２を介して切断予定ライン５に沿うようにナイフエッジ３３を押し当て、切断予定ライン５に沿って外部から加工対象物１に力を印加する。これにより、改質領域７を切断の起点として、加工対象物１を複数のチップ１０に切断する。続いて、図１１（ｃ）に示すように、複数のチップを容易にピックアップするため、ＵＶ光（紫外線）をダイシングテープ３２に照射し、ダイシングテープ３２の粘着層を硬化させて粘着力を低下させる。そして、複数のチップ１０がピックアップされる。
【００５４】
ところで、例えば加工対象物１のストリート幅を狭くした場合、従来のレーザ加工方法により切断されたチップ１０では、図１３に示すように、金属配線４ｂが絶縁層４ａを突き破って外部へ溶出（流出）し、配線不良が発生するという金属配線４ｂの損傷（特性不良）が生じるおそれがある。
【００５５】
ここで、従来のレーザ加工方法により加工対象物１を切断した基本条件加工と、基本条件加工に対しレーザ光Ｌの出射を停止した条件で加工対象物１を切断したダミーラン加工と、基本条件加工に対し帯電防止テープやイオナイザを用いて除電処理を行って加工対象物１を切断した除電条件加工と、において金属配線４ｂの損傷を比較した。その結果を図１４に示す。
【００５６】
図１４中の「改質領域の表面からの距離」は、表面３から第１改質領域７ａまでの距離（つまり、第１改質領域７ａの下端距離）を示している。「金属配線の損傷の判定」は、所定数のチップ（例えば３０チップ）中で金属配線４ｂの損傷が生じていない場合に“○（適）”とし、当該損傷が生じた場合に“×（不適）”とし、括弧内に損傷発生箇所数を示している。これらについては、以下の説明において同様である。
【００５７】
図１４に示すように、金属配線４ｂの損傷は、レーザ光Ｌを照射することにより初めて発生することが見出され、静電気対策を施しても生じることがわかる。これにより、金属配線４ｂの損傷は、加工対象物１に対するレーザ光Ｌの照射に起因して生じることが見出される。特に、レーザ光Ｌの照射後で加工対象物１にレーザ光Ｌの吸収が始まる（つまり、改質領域７の形成が始まる）までの間にて加工対象物１を透過するレーザ光（いわゆる、「抜け光」）が、金属配線４ｂの損傷の要因であると推測される。なお、加工対象物１に改質領域７を１列のみ形成した場合にも金属配線４ｂの損傷が生じており、１スキャンのレーザ加工のみで特性不良が発生することも確認される。
【００５８】
図１５は、各パラメータについて金属配線の損傷との相関を例示するグラフである。図１５（ａ）中では、レーザ光Ｌの波長を１０８０ｎｍとし、パルス幅を５００ｎｓとし、出力を１５μＪとし、収差補正有りとしている。図１５（ｂ）では、レーザ光Ｌの波長を１０８０ｎｍとし、出力を１５μＪとし、収差補正有りとし、表面３から第１改質領域７ａまでの距離を０μｍとしている。図１５（ｃ）中では、レーザ光Ｌの波長を１０８０ｎｍとし、収差補正有りとし、表面３から第１改質領域７ａまでの距離を２０μｍとしている。なお、「パルス幅」とは、通常、パルス波形においてピーク値の１／２以上の値となるときの時間幅である半値幅（ＦＷＨＭ（Full Width at Half Maximum））を意味している。
【００５９】
図１５（ａ）に示すように、金属配線４ｂの損傷は、表面３から第１改質領域７ａまでの距離を大きくするほど発生し難い傾向を有することがわかる。これは、次のメカニズムによると考察される。すなわち、レーザ光Ｌの抜け光が金属配線４ｂの損傷に影響する場合、レーザ光Ｌの抜け光の影響範囲Ａｒ及び抜け光のエネルギー密度ρＥは、第１改質領域７ａの形成深さによって異なる。例えば図１６（ａ），（ｂ）に示すように、表面３と集光点Ｐまでの距離を１／２にした際、レーザ光Ｌの抜け光の影響範囲Ａｒは１／２（半径）に狭まるが、エネルギー密度ρＥは４倍に増加する。金属配線４ｂの損傷は、影響範囲Ａｒではなくエネルギー密度ρＥに起因していると考えられ、よって、第１改質領域７ａの形成位置（第１改質領域７ａを形成する際のレーザ光Ｌの集光点Ｐ位置）を表面３から離す方が、金属配線４ｂの損傷が発生し難くなるのである。
【００６０】
また、図１５（ｂ）に示すように、金属配線４ｂの損傷は、レーザ光Ｌのパルス幅が小さいほど発生し難い傾向を有することがわかる。パルス幅が大きい方が金属配線４ｂの損傷が発生し易い要因は、例えば次の２点であると推測する。すなわち、まず第１として、例えば図１７に示すように、パルス幅１５０ｎｓよりもパルス幅５００ｎｓのレーザ光Ｌの方が、２倍のエネルギー量の抜け光が発生することが確認される。そのため、抜け光のエネルギー量が大きい長パルス幅のレーザ光Ｌの方が、金属配線４ｂの損傷が発生し易いと推測される。
【００６１】
なお、厚さ３００μｍの加工対象物１において、改質領域７を形成に必要なエネルギー量とレーザ光Ｌのパルス幅とは、下記の関係を有している。これによっても、改質領域７の形成するために必要なエネルギー量は、長パルス幅のレーザ光Ｌの方が大きいことがわかる。
パルス幅：１５０ｎｓ    必要エネルギー量：１．２５μＪ    比率：１
パルス幅：２５０ｎｓ    必要エネルギー量：１．５μＪ      比率：１.２
パルス幅：３５０ｎｓ    必要エネルギー量：２μＪ          比率：１．６
パルス幅：５００ｎｓ    必要エネルギー量：２．５μＪ      比率：２
【００６２】
第２として、レーザ光Ｌの抜け光の状態は、そのパルス幅の違いによって異なっており、パルス幅１５０ｎｓではピーク出力は高いが時間的には短い抜け光が発生する一方、パルス幅５００ｎｓではピーク出力は低いが時間的に長い抜け光が発生している。金属配線４ｂの損傷は、ピーク出力ではなく時間的に長い抜け光に起因して発生すると推測される。
【００６３】
また、図１５（ｃ）に示すように、金属配線４ｂの損傷は、レーザ加工として通常用いられるレーザ光Ｌの出力域では、出力を変化させても影響がみられないことがわかる。なお、レーザ光Ｌの出力が６μＪ以下では、金属配線４ｂの損傷が未発生ではあるもののレーザ加工として実用的ではない。
【００６４】
図１８は、レーザ光のパルス波形と金属配線４ｂの損傷との関係を示す図である。図１８（ａ）〜図１８（ｄ）に示す各パルス波形では、横軸が時間とされ、縦軸が出力値とされており、各パルス幅（半値幅）は互いに等しいものとされている。図１８に示すように、パルス幅が互いに等しい複数のパルス波形では、立上がりの早い波形の方が金属配線４ｂの損傷に影響は少ないと推測される。よって、本実施形態においてレーザ光Ｌのパルス波形は、急峻な立上がりを有することが好ましい。
【００６５】
また、レーザ光Ｌを全て吸収する感光性樹脂（例えば融点２３０℃）を塗布した積層部４では、金属配線４ｂの損傷が発生しない場合があるという結果を得た。また、金属配線４ｂに使用されているアルミニウムを全面塗布した積層部４でも、金属配線４ｂの損傷が発生しない場合があるという結果を得た。よって、特に、本実施形態のように積層部４が絶縁層４ａと金属配線４ｂとを含んで構成されている場合、レーザ光Ｌの抜け光が絶縁層４ａ及び金属配線４ｂにて干渉または反射し、光が強め合った箇所で損傷が発生している可能性がある。
【００６６】
図１９は、改質領域の表面からの距離及びパルス幅について金属配線の損傷及び切断性能との相関を例示する表である。図１９中では、レーザ光Ｌの波長を１０８０ｎｍとし、周波数を９５ｋＨｚとし、加工速度を３６０ｍｍ／ｓｅｃとし、収差補正を有りとしている。図中のグラフの各セル内には、「金属配線の損傷の判定」、「直進性の判定」及び「分断率の判定」を上から順に示している。「直進性」は、加工対象物１の切断時の直進性を示し、３μｍ以内の場合に“○（適）”とし、当該３μｍよりも大きい場合に“×（不適）”とし、括弧内にその長さを示している。
【００６７】
図１９中の「分断率」は、所定数のチップ（例えば３０チップ）中で精度よく切断されたチップの割合を示し、１００％以内の場合に“○（適）”とし、それ以外の場合に“×（不適）”とし、括弧内に分断率を示している。ちなみに、図１９に示す相関は厚さ２００μｍの加工対象物１を対象にした結果を例示するものであるが、厚さ２５０μｍの加工対象物１も同様の相関を有し、さらには、厚さ１５０μｍ〜３５０μｍの加工対象物１も同様の相関を有している。
【００６８】
図１９に示すように、レーザ光Ｌのパルス幅が４５０ｎｓ及び５００ｎｓのとき、金属配線４ｂに損傷が生じていることがわかる。また、レーザ光Ｌのパルス幅が２００ｎｓ及び１５０ｎｓのとき、切断能力が低下しており、直進性や分断率が不適となっていることがわかる。一方、レーザ光Ｌのパルス幅が２５０ｎｓ〜４００ｎｓのとき、切断能力を低下させることなく金属配線４ｂの損傷を抑制可能なことがわかる。よって、本実施形態においてレーザ光Ｌのパルス幅は、２５０ｎｓ〜４００ｎｓが好ましい。
【００６９】
また、第１改質領域７ａの表面３からの距離が１６μｍ以下のとき、金属配線４ｂの損傷及び切断能力の低下が生じていることがわかる。一方、次の場合、切断能力を低下させることなく金属配線４ｂの損傷を抑制できることがわかる。
パルス幅：250ｎｓ、第１改質領域７ａの表面３からの距離：20μｍ〜40μｍ
パルス幅：300ｎｓ、第１改質領域７ａの表面３からの距離：28μｍ〜40μｍ
パルス幅：350ｎｓ、第１改質領域７ａの表面３からの距離：28μｍ〜48μｍ
パルス幅：400ｎｓ、第１改質領域７ａの表面３からの距離：36μｍ〜48μｍ
【００７０】
よって、本実施形態において第１改質領域７ａの形成位置としての表面３からの距離は、パルス幅が２５０ｎｓの場合に２０μｍ〜４０μｍとされ、パルス幅が３００ｎｓの場合に２８μｍ〜４０μｍとされ、パルス幅が３５０ｎｓの場合に２８μｍ〜４８μｍとされ、パルス幅が４００ｎｓの場合に３６μｍ〜４８μｍとされるのが好ましい。
【００７１】
なお、ここでのレーザ光Ｌのパルス幅の各数値は、加工上、製造上及び設計上等の誤差を有するものである。そのため、例えば図１９に示す例では、第１改質領域７ａの表面３からの距離は、好ましいとして、パルス幅が２２５ｎｓ〜２７５ｎｓの場合に２０μｍ〜４０μｍとされ、パルス幅が２７５ｎｓ〜３２５ｎｓの場合に２８μｍ〜４０μｍとされ、パルス幅が３２５ｎｓ〜３７５ｎｓの場合に２８μｍ〜４８μｍとされ、パルス幅が３７５ｎｓ〜４２５ｎｓの場合に３６μｍ〜４８μｍとされてもよい。
【００７２】
また、次に示すように、レーザ光Ｌのパルスピッチについては、金属配線４ｂの損傷に対し影響はみられないことがわかる。
パルスピッチ：2.25μｍ、金属配線４ｂの損傷箇所：14箇所
パルスピッチ：3.75μｍ、金属配線４ｂの損傷箇所：17箇所
パルスピッチ：5.25μｍ、金属配線４ｂの損傷箇所：15箇所
但し、パルス幅500ｎｓ、出力15μＪ、表面３から第１改質領域７ａまでの距離20μｍ
【００７３】
また、次に示すように、レーザ光Ｌの収差補正の有無についても、金属配線４ｂの損傷に対し影響はみられないことがわかる。
パルス幅：500ｎｓ、収差補正：有り、金属配線４ｂの損傷箇所：17箇所
パルス幅：500ｎｓ、収差補正：無し、金属配線４ｂの損傷箇所：12箇所
パルス幅：150ｎｓ、収差補正：有り、金属配線４ｂの損傷箇所：0箇所
パルス幅：150ｎｓ、収差補正：無し、金属配線４ｂの損傷箇所：0箇所
【００７４】
また、レーザ光Ｌの波長を１０８０ｎｍよりも小さくすると、加工対象物１に対するレーザ光Ｌの透過性が不十分となり、改質領域７を精度よく形成するのが困難となる。また、例えばレーザ光Ｌの波長を１０８０ｎｍよりも小さい１０６４ｎｍとすると、加工対象物１の材質や厚さ等に起因して、分断率を維持するためにスキャン本数（厚さ方向における改質領域７の列数）を増やす必要がある。つまり、切断能力が低下する場合があり好ましくない。他方、レーザ光Ｌの波長を１２００ｎｍよりも大きく（例えば１３００ｎｍ）すると、加工対象物１に対するレーザ光Ｌの透過率が高まることから、レーザ光Ｌが金属配線４ｂに悪影響を及ぼすおそれが高まるため、所定数のチップ（例えば３０チップ）中で金属配線４ｂの損傷が１００箇所以上発生する場合があり、好ましくない。よって、本実施形態においてレーザ光Ｌの波長は、１０８０ｎｍ〜１２００ｎｍであることが好ましい。
【００７５】
図２０は、加工条件毎の判定結果の一例を示す表である。図２０中の記載の意味は、上記図１９と同様であり、「深さ位置」は厚さ方向における加工対象物１の形成位置を意味している。ちなみに、図２０に示す相関は厚さ２５０μｍの加工対象物１を対象にした結果を例示するものであるが、厚さ２００μｍの加工対象物１も同様の相関を有し、さらには、厚さ１５０μｍ〜３５０μｍの加工対象物１も同様の相関を有している。
【００７６】
図２０に示すように、第１加工条件のとき、分断率が不適となっており、また、第３加工条件のとき、金属配線４ｂに損傷が生じていることがわかる。一方、第２加工条件のとき、切断能力を低下させることなく金属配線４ｂの損傷を抑制可能なことがわかる。よって、本実施形態において加工条件の一例は、パルス幅が３５０ｎｓ、パルスピッチが３．７５μｍ、改質領域７の表面３からの距離が３５μｍ、レーザ光Ｌの出力が１５μＪ、第１改質領域７ａの深さ位置がレーザ光入射面から４１μｍ、第２改質領域７ｂの深さ位置がレーザ光入射面から２９μｍ、及び、第３改質領域７ｃの深さ位置がレーザ光入射面から９μｍ、の一部又は全部を含むことが好ましい。
【００７７】
以上、本実施形態のレーザ加工方法では、切断の起点となる改質領域７を切断予定ライン５に沿って加工対象物１の内部に形成する際、レーザ光Ｌのパルス幅を２５０ｎｓ〜４００ｎｓとしている。これにより、切断能力を維持した状態において、レーザ光Ｌのパルス幅と金属配線４ｂの損傷との上記傾向を利用し当該損傷の発生を防ぐことができる。すなわち、本実施形態によれば、切断能力を低下させることなく金属配線４ｂの損傷を抑制することが可能となる。その結果、例えば、金属配線４ｂの特性不良を生じさせることなく、入射裏面である表面３に至る亀裂（いわゆるＢＨＣ：Bottom side Half-Cut）を切断予定ライン５に対し蛇行しないよう綺麗に発生させ、加工対象物１を複数のチップ１０へと精度よく割断可能となる。
【００７８】
また、本実施形態では、上述したように、レーザ光Ｌが１０８０ｎｍ〜１２００ｎｍの波長を有している。これにより、切断能力を低下させることなく金属配線４ｂの損傷を抑制する上記作用効果が好適に奏される。これは、上述したように、レーザ光Ｌの波長を１０８０ｎｍよりも小さくすると、加工対象物１に対するレーザ光Ｌの透過性が不十分となり、改質領域７を精度よく形成するのが困難となる一方、レーザ光Ｌの波長を１２００ｎｍよりも大きくすると、加工対象物１に対するレーザ光Ｌの透過率が高まり過ぎ、レーザ光Ｌ及びその抜け光が金属配線４ｂに悪影響を及ぼすおそれが高まるためである。
【００７９】
また、本実施形態では、上述したように、第１改質領域７ａの形成位置は次の位置が好ましい。すなわち、パルス幅が２５０ｎｓの場合、表面３からの距離が２０μｍ〜４０μｍの位置とし、パルス幅が３００ｎｓの場合、表面３からの距離が２８μｍ〜４０μｍの位置とし、パルス幅が３５０ｎｓの場合、表面からの距離が２８μｍ〜４８μｍの位置とし、パルス幅が４００ｎｓの場合、表面からの距離が３６μｍ〜４８μｍの位置とすることが好ましい。これにより、第１改質領域７ａを形成する際のレーザ光Ｌのパルス幅と金属配線４ｂの損傷との間の上記傾向だけでなく、第１改質領域７ａの位置と金属配線４ｂの損傷との間の上記傾向（つまり、第１改質領域７ａの位置を表面３から遠ざけると、金属配線４ｂの損傷が低減するという傾向）をも、切断能力との関係で好適に利用することができる。その結果、切断能力を低下させることなく金属配線４ｂの損傷を抑制するという上記作用効果を、効果的に発揮させることが可能となる。
【００８０】
図２１は、本実施形態によるレーザ加工後の加工対象物の切断面を例示する写真図である。図２１に示すように、本実施形態では、加工対象物１を精度よく切断できることを確認することができる。さらに、第１改質領域７ａから表面３に到達するツイストハックルの発生が抑制され、加工対象物１の切断時における直進性の悪化が抑制可能であることがわかる。
【００８１】
図２２は、本実施形態によるレーザ加工後の加工対象物の切断面を例示する他の写真図である。図２２に示す例では、改質領域７ｂを挟んで表面３側（レーザ光入射面側とは反対側）に、切断予定ライン５に沿って相互に離隔するように複数の微小空洞Ｖが形成されている。つまり、本実施形態の上記第２改質領域形成工程では、当該微小空洞Ｖが生じるように第２改質領域７ｂを形成している。これにより、切断予定ライン５から外れた不必要な割れが生じ難くなり、割断制御が容易となると共に、改質領域７と微小空洞Ｖとの間における応力分布によって加工対象物１を容易に切断することができる。
【００８２】
なお、微小空洞Ｖは、加工対象物１の内部のみにおいて形成されており、その周囲の結晶構造が実質的に変化していないものである。加工対象物１がシリコン単結晶構造の場合には、微小空洞Ｖの周囲はシリコン単結晶構造のままの部分が多い。この微小空洞Ｖは、改質領域７と連続して形成される場合もある。
【００８３】
ちなみに、切断予定ライン５が金属配線４ｂに近いほど金属配線４ｂの損傷が生じ易いことが見出されるため、切断予定ライン５と金属配線４ｂとの距離Ｄ（図１２参照）が２５μｍ以内である本実施形態の場合、金属配線４ｂの損傷が特に生じ易い。よって、本実施形態では、金属配線４ｂの損傷を抑制するという上記作用効果は顕著となる。
【００８４】
また、本実施形態では、上記第１改質領域形成工程において、表面３に至る亀裂（いわゆるＢＨＣ）が生じないように第１改質領域７ａを形成することができる一方、上記第２改質領域形成工程では、表面３に至る亀裂が生じるように第２改質領域７ｂを形成することができる。これにより、金属配線４ｂの損傷を抑制しつつ当該表面３に至る亀裂を利用して加工対象物１を確実に切断することができ、高い切断能力を確保することが可能となる。
【００８５】
図２３は本実施形態のレーザ加工による改質領域の形成工程を詳説する図であり、図２４は図２３の続きを示す図であり、図２５は従来のレーザ加工による改質領域形成工程を詳説する図である。図２３，２４に示すように、本実施形態では、例えば以下に説明するように、表面３に至る亀裂が生じないよう第１改質領域７ａを形成し、その直後のスキャンにより表面３に至る亀裂が生じるよう第２改質領域７ｂを形成することができる。
【００８６】
すなわち、上記第１改質領域形成工程により、図２３（ａ），（ｂ）に示すように、加工対象物１内の表面３側に切断予定ライン５に沿って第１改質領域７ａを一列形成し、厚さ方向に沿って延びる第１亀裂Ｃ１を第１改質領域７ａを起点に生じさせる。この第１亀裂Ｃ１は、表面３に至らない（露出しない）、つまり、その表面３の先端が表面３よりも内側で加工対象物１内に留まっている内部亀裂状態とされる。
【００８７】
続いて、上記第２改質領域形成工程により、図２４（ａ），（ｂ）に示すように、加工対象物１内の第１改質領域７ａよりも裏面２１側の位置に切断予定ライン５に沿って第２改質領域７ｂを一列形成し、厚さ方向に沿って延びる第２亀裂Ｃ２を、第１亀裂Ｃ１と繋がる（連続する）ように第２改質領域７ｂを起点に生じさせる。このように第２亀裂Ｃ２が第１亀裂Ｃ１に繋がることにより、第２亀裂Ｃ２の裏面２１側が厚さ方向に沿って伸展されると共に、第１亀裂Ｃ１の表面３側が厚さ方向に沿って伸展され、当該第１亀裂Ｃ１が表面３に至る。その結果、図２４（ｃ）に示すように、表面３に到達するツイストハックルを生じさせることなく、切断予定ライン５に沿って真っ直ぐ延びるように表面３に至る亀裂ＣＢＨＣが発生されることとなる。
【００８８】
一方、図２５（ａ），（ｂ）に示すように、加工対象物１内の表面３側の位置に切断予定ライン５に沿って改質領域７を一列形成する際に、表面３に至る亀裂ＣＢＨＣを発生させると、例えば当該亀裂ＣＢＨＣは直接的に改質領域７を起点に形成されることから、その発生メカニズムが改質領域７の形成のみに強く依存するため、ツイストハックルＴｗが発生して当該ツイストハックルＴｗが表面３に到達し易い。この場合、図２５（ｃ）に示すように、切断予定ライン５に対してＣＢＨＣが例えば４μｍ以上蛇行してしまい、加工対象物１を切断する際に切断予定ライン５に沿って真っ直ぐ綺麗に割断される特性である直進性が、悪化してしまう懸念がある。
【００８９】
この点、本実施形態によれば、上記のように第２改質領域７ａの形成の際に初めて表面３に至る亀裂ＣＢＨＣを生じさせており、よって、表面３に到達するツイストハックルＴｗの発生を抑制でき、表面３に至る亀裂ＣＢＨＣの蛇行を抑制できる。その結果、加工対象物１の直進性の悪化を抑制することが可能となる。
【００９０】
また、第２改質領域７ａの形成時における第１亀裂Ｃ１の伸展は、結晶の劈開方向に沿う伸展が支配的なものになることから、表面３に至る亀裂ＣＢＨＣは真っ直ぐ延び易い。このことからも、表面３に至る亀裂ＣＢＨＣの蛇行を抑制して当該亀裂ＣＢＨＣを綺麗に延在させ、加工対象物１の直進性の悪化を抑制できる。
【００９１】
また、加工対象物１（半導体基板２）が厚さ方向に劈開方向を有する場合、第１亀裂Ｃ１の伸展は劈開方向である厚さ方向に沿って真っ直ぐ延在し易いものとなり、よって、加工対象物１の直進性の悪化を一層抑制することができる。
【００９２】
また、本実施形態では、表面３に至る亀裂が生じないよう第１改質領域７ａを形成することから、加工対象物１において第１改質領域７ａを表面３から遠ざけることができる。その結果、第１改質領域７ａの形成位置と金属配線４ｂの損傷との上記傾向から、金属配線４ｂの損傷を抑制することが可能となる。
【００９３】
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は、上記実施形態に限られるものではなく、各請求項に記載した要旨を変更しない範囲で変形し、又は他のものに適用してもよい。
【００９４】
例えば、上記実施形態では、第１〜第３改質領域７ａ〜７ｃをこの順に形成したが、これに限定されず、加工対象物１に形成される複数の改質領域７の形成順序は順不同である。また、上記実施形態では、加工対象物１の内部において厚さ方向の位置が互いに異なる改質領域７を４列以上形成する場合もあるし、第２及び第３改質領域７ｂ，７ｃの少なくとも一方を形成しない場合もある。また、上記積層部４においては、金属配線４ｂとは別の１つ又は複数の金属配線がさらに積層配置されていてもよい。
【００９５】
また、上記実施形態では、反射型空間光変調器２０３を設けず、反射型空間光変調器２０３によるレーザ光Ｌの収差補正を行わない場合もある。なお、本発明は、上記レーザ加工方法によりチップを製造するレーザ加工装置として捉えることもでき、また、上記レーザ加工方法により製造されたチップとして捉えることもできる。
【００９６】
また、上記実施形態では、加工の対象となる加工対象物１は積層部４を具備しないものであってもよい。また、上記実施形態では、「レーザ光入射面」を裏面２１とし、「レーザ光入射面とは反対の表面」を表面３としたが、表面３が「レーザ光入射面」とされる場合、裏面２１が「レーザ光入射面とは反対の表面」とされる。また、上記実施形態では、表面３に至る亀裂ＣＢＨＣが発生させたが、表面３及び裏面２１に至る亀裂を発生させてもよい。
【符号の説明】
【００９７】
１…加工対象物、３…表面（レーザ光入射面とは反対の表面）、５，５ａ，５ｂ…切断予定ライン、７…改質領域、７ａ…第１改質領域（改質領域）、７ｂ…第２改質領域（改質領域）、７ｃ…第３改質領域（改質領域）、２１…裏面（レーザ光入射面）、Ｃ１…第１亀裂、Ｃ２…第２亀裂、ＣＢＨＣ…表面に至る亀裂、Ｌ…レーザ光。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１８】
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【図１９】
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【図１７】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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