(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の走査線と、複数のデータ線と、前記複数の走査線と前記複数のデータ線との交差に対応して設けられた複数の画素回路と、
前記複数の画素回路を駆動する駆動回路と、
を備える電気光学装置であって、
前記複数の画素回路の各々は、
ゲートおよびソース間の電圧に応じた電流を流す駆動トランジスターと、
前記駆動トランジスターのゲートと前記データ線との間に電気的に接続された書込トランジスターと、
一端が前記駆動トランジスターのゲートに電気的に接続され、前記駆動トランジスターのゲートおよびソース間の電圧を保持する第１保持容量と、
前記駆動トランジスターより供給される電流の大きさに応じた輝度で発光する発光素子と、を備え、
前記駆動回路は、
第１給電線と、
前記複数のデータ線に電気的に接続されるレベルシフト回路と、
前記第１給電線に第１電位または第２電位を供給するとともに、前記レベルシフト回路及び前記画素回路の動作を制御する駆動制御回路とを備え、
前記レベルシフト回路は、
前記複数のデータ線の各々に対応して設けられる複数の第２保持容量と、
前記第２保持容量の両端と前記第１給電線との間の導通及び非導通を切り替える切替部とを備え、
複数の前記第２保持容量の各々は、
一端が前記データ線に接続されるとともに、他端に前記発光素子の輝度を規定する電位の信号又は前記第２電位が供給され、
前記駆動制御回路は、
第１期間において、前記第１給電線に前記第１電位を供給するとともに、前記第１給電線と前記第２保持容量の一端とを電気的に接続するように前記切替部を制御し、
前記第１期間が終了後に開始される第２期間において、前記書込トランジスターをオンさせた状態で、前記第１給電線に前記第２電位を供給するとともに、前記第１給電線と前記第２保持容量の他端とを電気的に接続するように前記切替部を制御し、
前記第２期間が終了後に開始される第３期間において、前記書込トランジスターをオンさせた状態で、前記第１給電線と前記第２保持容量の両端とを電気的に非接続とし、前記第２保持容量の他端に前記発光素子の輝度を規定する電位の信号を供給する、
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記切替部は、
前記第２保持容量の一端と前記第１給電線との間に電気的に接続された第１トランジスターと、
前記第２保持容量の他端と前記第１給電線との間に電気的に接続された第２トランジスターと、
を備える、
ことを特徴とする、請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記複数のデータ線の各々に対応して設けられ、前記データ線の各々の電位を保持する第３保持容量を備える、
ことを特徴とする、請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記レベルシフト回路は、
前記複数のデータ線の各々に対応して設けられる複数の第４保持容量を備え、
複数の前記第４保持容量の各々は、
前記第１期間の開始から前記第３期間の開始までの期間において、一端に、前記駆動制御回路が出力するデータ信号に応じた電位が供給され、
前記第３期間において、一端が、前記第２保持容量の他端に電気的に接続される、
ことを特徴とする、請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記駆動回路は、前記複数の前記第４保持容量の各々に対応して設けられる第１スイッチ及び第２スイッチの組を複数備え、
前記第１スイッチの出力端は、前記第２保持容量の他端に電気的に接続され、
前記第１スイッチの入力端は、前記第４保持容量の一端と前記第２スイッチの出力端とに電気的に接続され、
前記駆動制御回路は、
前記第１期間の開始から前記第３期間の開始までの期間において、前記第１スイッチをオフとした状態で、前記第２スイッチをオンさせるとともに、前記第２スイッチの入力端に、前記データ信号を供給し、
前記第３期間において、前記第２スイッチをオフとした状態で、前記第１スイッチをオンさせる、
ことを特徴とする、請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記複数のデータ線は、所定数毎にグループ化され、
１のグループに属する所定数のデータ線に対応した所定数の前記第２スイッチの入力端は、共通接続され、
前記駆動制御回路は、
前記１のグループに属する所定数の第２スイッチを、前記データ信号の供給に同期して所定の順番でオンさせる、
ことを特徴とする、請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記画素回路は、
前記駆動トランジスターのゲート及びドレインの間に電気的に接続された閾値補償トランジスターを備え、
前記駆動制御回路は、
前記第２期間において、前記閾値補償トランジスターをオン状態とし、
前記第２期間以外の期間において、前記閾値補償トランジスターをオフ状態とする、
ことを特徴とする、請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記複数のデータ線の各々に対応して設けられ、所定のリセット電位を供給する複数の第２給電線を備え、
前記画素回路は、
前記第２給電線と前記発光素子との間に電気的に接続された初期化トランジスターを備え、
前記駆動制御回路は、
前記第１期間、前記第２期間、及び、前記第３期間のうち、少なくとも一部において、前記初期化トランジスターをオン状態とする、
ことを特徴とする、請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項９】
複数の前記第２給電線の各々は、
複数の前記データ線の各々に沿って設けられ、
前記第３保持容量は、
複数の前記データ線及び複数の前記第２給電線のうち、互いに隣り合う前記データ線及び前記第２給電線によって形成される、
ことを特徴とする、請求項８に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記画素回路は、
前記駆動トランジスターと前記発光素子との間に電気的に接続された発光制御トランジスターを備え、
前記駆動制御回路は、
少なくとも前記第１期間の開始時から前記第３期間の終了時までの期間において、前記発光制御トランジスターをオフ状態とする、
ことを特徴とする、請求項１乃至９のうちいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
複数の走査線と、複数のデータ線と、前記複数の走査線と前記複数のデータ線との交差に対応して設けられた複数の画素回路と、
第１給電線と、
一端が前記データ線に電気的に接続される第２保持容量と、
を備え、
前記複数の画素回路の各々は、
ゲートおよびソース間の電圧に応じた電流を流す駆動トランジスターと、
前記駆動トランジスターのゲートと前記データ線との間に電気的に接続された書込トランジスターと、
一端が前記駆動トランジスターのゲートに電気的に接続され、前記駆動トランジスターのゲートおよびソース間の電圧を保持する第１保持容量と、
前記駆動トランジスターより供給される電流の大きさに応じた輝度で発光する発光素子と、を備える
電気光学装置の駆動方法であって、
第１期間において、前記第１給電線に第１電位を供給するとともに、前記第１給電線と前記第２保持容量の一端とを電気的に接続し、
前記第１期間が終了後に開始される第２期間において、前記第１給電線に第２電位を供給するとともに、前記第１給電線と前記第２保持容量の他端とを電気的に接続し、
前記第２期間が終了後に開始される第３期間において、前記書込トランジスターをオンさせた状態で、前記第１給電線と前記第２保持容量の両端とを電気的に非接続とし、前記第２保持容量の他端に前記発光素子の輝度を規定する電位の信号を供給する、
ことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
【請求項１２】
請求項１乃至１０のいずれかに記載の電気光学装置を備える
ことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、電気光学装置の駆動方法および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機発光ダイオード（Organic Light Emitting Diode、以下「ＯＬＥＤ」という）素子などの発光素子を用いた電気光学装置が各種提案されている。この電気光学装置では、走査線とデータ線との交差に対応して、上記発光素子やトランジスターなどを含む画素回路が、表示すべき画像の画素に対応して設けられる構成が一般的である。（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−３１６４６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、近年、発光素子を用いた電気光学装置を、携帯機器やヘッドマウント・ディスプレイ等の小型の機器に適用するというニーズが高まっている。この場合、表示品質を劣化させることなく電気光学装置を小型化することが必要となる。また、製造コストを低廉に抑えつつ電気光学装置の小型化するためには、電気光学装置を簡素な構成とすることが望ましい。
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであり、その目的の一つは、表示品質を劣化させることなく、電気光学装置の小型化及び簡素化を実現することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために本発明に係る電気光学装置は、複数の走査線と、複数のデータ線と、前記複数の走査線と前記複数のデータ線との交差に対応して設けられた複数の画素回路と、前記複数の画素回路を駆動する駆動回路と、を備える電気光学装置であって、前記複数の画素回路の各々は、ゲートおよびソース間の電圧に応じた電流を流す駆動トランジスターと、前記駆動トランジスターのゲートと前記データ線との間に電気的に接続された書込トランジスターと、一端が前記駆動トランジスターのゲートに電気的に接続され、前記駆動トランジスターのゲートおよびソース間の電圧を保持する第１保持容量と、前記駆動トランジスターより供給される電流の大きさに応じた輝度で発光する発光素子と、を備え、前記駆動回路は、第１給電線と、前記複数のデータ線に電気的に接続されるレベルシフト回路と、前記第１給電線に第１電位または第２電位を供給するとともに、前記レベルシフト回路及び前記画素回路の動作を制御する駆動制御回路とを備え、前記レベルシフト回路は、前記複数のデータ線の各々に対応して設けられる複数の第２保持容量と、前記第２保持容量の両端と前記第１給電線との間の導通及び非導通を切り替える切替部とを備え、複数の前記第２保持容量の各々は、一端が前記データ線に接続されるとともに、他端に前記発光素子の輝度を規定する電位の信号が供給され、
前記駆動制御回路は、前記第１給電線に対して前記第１電位を供給する期間の一部または全部において、前記第１給電線と前記第２保持容量の一端とを電気的に接続するように前記切替部を制御するとともに、前記第１給電線に対して前記第２電位を供給する期間の一部または全部において、前記第１給電線と前記第２保持容量の他端とを電気的に接続するように前記切替部を制御する、ことを特徴とする。
本発明によれば、第１給電線に対して第１電位を供給する期間において、第１給電線と第２保持容量の一端とが電気的に接続され、第１給電線に第２電位を供給する期間において、第１給電線と第２保持容量の他端とが電気的に接続されるため、第２保持容量の一端に対する第１電位の供給と、第２保持容量の他端に対する第２電位の供給とを、１本の第１給電線により実現することができる。
これにより、第２保持容量の一端に第１電位を供給する給電線と、他端に第２電位を供給する給電線とを個別に設ける場合に比べて、電気光学装置の小型化及び簡素化が可能となる。
【０００６】
また、上述した電気光学装置において、前記切替部は、前記第２保持容量の一端と前記第１給電線との間に電気的に接続された第１トランジスターと、前記第２保持容量の他端と前記第１給電線との間に電気的に接続された第２トランジスターと、を備える、ことが好ましい。
この発明によれば、第２保持容量の一端と第１給電線との間の導通及び非導通と、第２保持容量の他端と第１給電線との間の導通および非導通とを容易に制御することができる。
【０００７】
また、上述した電気光学装置において、前記複数のデータ線の各々に対応して設けられ、前記データ線の各々の電位を保持する第３保持容量を備える、ことが好ましい。
この発明によれば、データ線は、第３保持容量と、第２保持容量の一端とに接続される。従って、第２保持容量の他端に発光素子の輝度を規定する電位の信号が供給される場合、データ線の電位変動の大きさは、発光素子の輝度を規定する電位の信号の電位変動の大きさを、第２保持容量及び第３保持容量の容量比に応じて圧縮した値となる。すなわち、データ線の電位の変動範囲は、発光素子の輝度を規定する電位の信号の電位の変動範囲に比べて、狭められる。これにより、データ信号を細かい精度で刻まなくても、駆動トランジスターのゲートノードの電位を細かい精度で設定することが可能となり、電流を発光素子に対して精度良く供給することができ、高品位の表示が可能となる。
【０００８】
なお、本発明に係る電気光学装置は、第２保持容量の一端より、データ線を介して、第１保持容量及び第３保持容量に電荷を供給することにより、駆動トランジスターのゲートノードの電位を決定する。具体的には、駆動トランジスターのゲートノードの電位は、第１保持容量の容量値、第３保持容量の容量値、及び、第１保持容量及び第３保持容量に対して第２保持容量が供給する電荷量により定められる。
仮に、電気光学装置が第３保持容量を備えない場合、駆動トランジスターのゲートノードの電位は、第１保持容量の容量値と、第２保持容量が供給する電荷により定められる。よって、第１保持容量の容量値が、半導体プロセスの誤差に起因して、画素回路毎に相対的なばらつきを有する場合、駆動トランジスターのゲートノードの電位も画素回路毎にばらつく。この場合、表示ムラが発生し、表示品質が低下する。
これに対して、本発明は、データ線の電位を保持する第３保持容量を備える。第３保持容量は、データ線の各々に対応して設けられるため、画素回路内に設けられる第１保持容量に比べて、大面積の電極を有するように構成することができる。従って、各列に設けられる複数の第３保持容量は、第１保持容量に比べて、半導体プロセスの誤差に起因する、容量値の相対的なばらつきを小さく抑えることができる。これにより、画素回路毎に駆動トランジスターのゲートノードの電位がばらつくことを防止することが可能となり、表示ムラの発生を防止した高品位の表示が可能となる。
【０００９】
また、上述した電気光学装置において、前記駆動制御回路は、第１期間において、前記第１給電線に前記第１電位を供給するとともに、前記第１給電線と前記第２保持容量の一端とを電気的に接続するように前記切替部を制御し、前記第１期間が終了後に開始される第２期間において、前記書込トランジスターをオンさせた状態で、前記第１給電線に前記第２電位を供給するとともに、前記第１給電線と前記第２保持容量の他端とを電気的に接続するように前記切替部を制御し、前記第２期間が終了後に開始される第３期間において、前記書込トランジスターをオンさせた状態のまま、前記第１給電線と前記第２保持容量の両端とを電気的に非接続とし、前記第２保持容量の他端に前記発光素子の輝度を規定する電位の信号を供給する、ことが好ましい。
この発明によれば、第１期間及び第２期間において、第１保持容量、第２保持容量、第３保持容量、データ線、及び、駆動トランジスターのゲートノードの電位を初期化したうえで、第３期間において、第２保持容量の他端に発光素子の輝度を規定する電位の信号が供給される。このため、駆動トランジスターのゲートノードの電位は、発光素子の輝度を規定する電位の信号に応じた値に正確に設定されるため、高品位の表示が可能となる。
【００１０】
また、上述した電気光学装置において、前記レベルシフト回路は、前記複数のデータ線の各々に対応して設けられる複数の第４保持容量を備え、複数の前記第４保持容量の各々は、前記第１期間の開始から前記第３期間の開始までの期間において、一端に、前記駆動制御回路が出力するデータ信号に応じた電位が供給され、前記第３期間において、一端が、前記第２保持容量の他端に電気的に接続される、ことが好ましい。
この発明によれば、第１期間及び第２期間において、データ信号が第４保持容量の一端に供給され、一時的に保持されたうえで、第３期間において、駆動トランジスターのゲートノードに供給される。
仮に、電気光学装置が第４保持容量を備えない場合、駆動トランジスターのゲートノードに対するデータ信号の供給する動作の全てを、第３期間において行わなければならず、第３期間の時間長を十分な長さに設定する必要がある。
これに対して本発明は、第１期間及び第２期間において、データ信号の供給動作と、データ線等の初期化動作とを並行して行うため、１水平走査期間に実行すべき動作についての時間的な制約を緩和することができる。これにより、データ信号の供給動作の低速化が可能になるとともに、データ線等の初期化を行う期間を十分に確保することが可能となる。
【００１１】
また、上述した電気光学装置において、前記駆動回路は、前記複数の前記第４保持容量の各々に対応して設けられる第１スイッチ及び第２スイッチの組を複数備え、前記第１スイッチの出力端は、前記第２保持容量の他端に電気的に接続され、前記第１スイッチの入力端は、前記第４保持容量の一端と前記第２スイッチの出力端とに電気的に接続され、前記駆動制御回路は、前記第１期間の開始から前記第３期間の開始までの期間において、前記第１スイッチをオフとした状態で、前記第２スイッチをオンさせるとともに、前記第２スイッチの入力端に、前記データ信号を供給し、前記第３期間において、前記第２スイッチをオフとした状態で、前記第１スイッチをオンさせる態様としてもよい。
また、上述した電気光学装置において、
前記複数のデータ線は、所定数毎にグループ化され、１のグループに属する所定数のデータ線に対応した所定数の前記第２スイッチの入力端は、共通接続され、
前記駆動制御回路は、前記１のグループに属する所定数の第２スイッチを、前記データ信号の供給に同期して所定の順番でオンさせる態様としてもよい。
【００１２】
また、上述した電気光学装置において、前記画素回路は、前記駆動トランジスターのゲート及びドレインの間に電気的に接続された閾値補償トランジスターを備え、前記駆動制御回路は、前記第２期間において、前記閾値補償トランジスターをオン状態とし、前記第２期間以外の期間において、前記閾値補償トランジスターをオフ状態とする、ことが好ましい。
この発明によれば、駆動トランジスターのゲートの電位を、駆動トランジスターの閾値電圧に対応した電位とすることができ、駆動トランジスター毎の閾値電圧のばらつきを補償することが可能となる。
【００１３】
また、上述した電気光学装置において、前記複数のデータ線の各々に対応して設けられ、所定のリセット電位を供給する複数の第２給電線を備え、前記画素回路は、前記第２給電線と前記発光素子との間に電気的に接続された初期化トランジスターを備え、前記駆動制御回路は、前記第１期間、前記第２期間、及び、前記第３期間のうち、少なくとも一部において、前記初期化トランジスターをオン状態とする、ことが好ましい。
この発明によれば、発光素子に寄生する容量の保持電圧の影響を抑えることができる。
【００１４】
また、上述した電気光学装置において、複数の前記第２給電線の各々は、複数の前記データ線の各々に沿って設けられ、前記第３保持容量は、複数の前記データ線及び複数の前記第２給電線のうち、互いに隣り合う前記データ線及び前記第２給電線によって形成される、ことが好ましい。
この発明によれば、第３保持容量を十分に大きく（すなわち、第１保持容量及び第２保持容量に比べて大きく）することが可能となるため、データ線の電位の変動範囲は、発光素子の輝度を規定する電位の信号の電位の変動範囲に比べて、十分に小さく狭めることが可能となり、データ信号を細かい精度で刻まなくても、駆動トランジスターのゲートノードの電位を細かい精度で設定することが可能となる。
また、第３保持容量を十分に大きくする場合、画素回路毎に駆動トランジスターのゲートノードの電位がばらつくことを防止することが可能となり、表示ムラの発生を防止した高品位の表示が可能となる。
なお、第３保持容量は、互いに隣り合うデータ線及び第２給電線を同層に設けることで形成してもよい。また、第３保持容量は、互いに隣り合うデータ線及び第２給電線を平面視したときに重なるように配置することで形成してもよい。
【００１５】
また、上述した電気光学装置において、前記画素回路は、前記駆動トランジスターと前記発光素子との間に電気的に接続された発光制御トランジスターを備え、前記駆動制御回路は、少なくとも前記第１期間の開始時から前記第３期間の終了時までの期間において、前記発光制御トランジスターをオフ状態とする、ことが好ましい。
【００１６】
また、本発明に係る電気光学装置の駆動方法は、複数の走査線と、複数のデータ線と、前記複数の走査線と前記複数のデータ線との交差に対応して設けられた複数の画素回路と、第１給電線と、一端が前記データ線に電気的に接続されるとともに、他端に前記発光素子の輝度を規定する電位の信号が供給される第２保持容量と、を備え、前記複数の画素回路の各々は、ゲートおよびソース間の電圧に応じた電流を流す駆動トランジスターと、前記駆動トランジスターのゲートと前記データ線との間に電気的に接続された書込トランジスターと、一端が前記駆動トランジスターのゲートに電気的に接続され、前記駆動トランジスターのゲートおよびソース間の電圧を保持する第１保持容量と、前記駆動トランジスターより供給される電流の大きさに応じた輝度で発光する発光素子と、を備える電気光学装置の駆動方法であって、第１期間において、前記第１給電線に、第１電位を供給するとともに、前記第１給電線と前記第２保持容量の一端とを電気的に接続し、前記第１期間が終了後に開始される第２期間において、前記第１給電線に、第２電位を供給するとともに、前記第１給電線と前記第２保持容量の他端とを電気的に接続する、ことを特徴とすることが好ましい。
【００１７】
なお、本発明は、電気光学装置のほか、当該電気光学装置を有する電子機器として概念することも可能である。電子機器としては、典型的にはヘッドマウント・ディスプレイ（ＨＭＤ）や電子ビューファイダーのなどの表示装置が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の構成を示す斜視図である。
【図２】同電気光学装置の構成を示す図である。
【図３】同電気光学装置における画素回路を示す図である。
【図４】同電気光学装置の動作を示すタイミングチャートである。
【図５】同電気光学装置の動作説明図である。
【図６】同電気光学装置の動作説明図である。
【図７】同電気光学装置の動作説明図である。
【図８】同電気光学装置の動作説明図である。
【図９】同電気光学装置におけるデータ信号の振幅圧縮を示す図である。
【図１０】同電気光学装置におけるトランジスターの特性を示す図である。
【図１１】第２実施形態に係る電気光学装置の構成を示す図である。
【図１２】同電気光学装置の動作を示すタイミングチャートである。
【図１３】同電気光学装置の動作説明図である。
【図１４】同電気光学装置の動作説明図である。
【図１５】同電気光学装置の動作説明図である。
【図１６】同電気光学装置の動作説明図である。
【図１７】実施形態等に係る電気光学装置を用いたＨＭＤを示す斜視図である。
【図１８】ＨＭＤの光学構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。
【００２０】
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の実施形態に係る電気光学装置１０の構成を示す斜視図である。
電気光学装置１０は、例えばヘッドマウント・ディスプレイにおいて画像を表示するマイクロ・ディスプレイである。詳細については後述するが、電気光学装置１０は、複数の画素回路や当該画素回路を駆動する駆動回路などが例えばシリコン基板に形成された有機ＥＬ装置であり、画素回路には、発光素子の一例であるＯＬＥＤが用いられている。電気光学装置１０は、例えば、表示部で開口する枠状のケース７２に収納されるとともに、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuits）基板７４の一端が接続されている。ＦＰＣ基板７４には、半導体チップの制御回路５が、ＣＯＦ（Chip On Film）技術によって実装されるとともに、複数の端子７６が設けられて、図示省略された上位回路に接続される。当該上位回路は、複数の端子７６を介して、電気光学装置１０に対して、画像データを同期信号に同期して供給する。同期信号には、垂直同期信号や、水平同期信号、ドットクロック信号が含まれる。また、画像データは、表示すべき画像の画素の階調レベルを例えば８ビットで規定する。
制御回路５は、電気光学装置１０の電源回路とデータ信号出力回路との機能を兼用するものである。すなわち、制御回路５は、同期信号にしたがって生成した各種の制御信号や各種電位を電気光学装置１０に供給するほか、デジタルの画像データをアナログのデータ信号に変換して、電気光学装置１０に供給する。
【００２１】
図２は、第１実施形態に係る電気光学装置１０の構成を示す図である。この図に示されるように、電気光学装置１０は、走査線駆動回路２０と、デマルチプレクサ３０と、レベルシフト回路４０と、表示部１００とに大別される。
このうち、表示部１００には、表示すべき画像の画素に対応した画素回路１１０がマトリクス状に配列されている。詳細には、表示部１００において、ｍ行の走査線１２が図において横方向（Ｘ方向）に延在して設けられ、また、３列毎にグループ化された（３ｎ）列のデータ線１４が図において縦方向（Ｙ方向）に延在し、かつ、各走査線１２と互いに電気的な絶縁を保って設けられている。そして、ｍ行の走査線１２と（３ｎ）列のデータ線１４との交差部に対応して画素回路１１０が設けられている。このため、本実施形態において画素回路１１０は、縦ｍ行×横（３ｎ）列でマトリクス状に配列されている。
【００２２】
ここで、ｍ、ｎは、いずれも自然数である。走査線１２および画素回路１１０のマトリクスのうち、行（ロウ）を区別するために、図において上から順に１、２、３、…、（ｍ−１）、ｍ行と呼ぶ場合がある。同様にデータ線１４および画素回路１１０のマトリクスの列（カラム）を区別するために、図において左から順に１、２、３、…、（３ｎ−１）、（３ｎ）列と呼ぶ場合がある。また、データ線１４のグループを一般化して説明するために、１以上ｎ以下の整数ｊを用いると、左から数えてｊ番目のグループには、（３ｊ−２）列目、（３ｊ−１）列目および（３ｊ）列目のデータ線１４が属している、ということになる。
なお、同一行の走査線１２と同一グループに属する３列のデータ線１４との交差に対応した３つの画素回路１１０は、それぞれＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の画素に対応して、これらの３画素が表示すべきカラー画像の１ドットを表現する。すなわち、本実施形態では、ＲＧＢに対応したＯＬＥＤの発光によって１ドットのカラーを加法混色で表現する構成となっている。
【００２３】
また、図２に示すように、表示部１００において、（３ｎ）列の給電線１６（第２給電線）が、縦方向に延在し、かつ、各走査線１２と互いに電気的な絶縁を保って設けられる。各給電線１６には、リセット電位としての所定の電位Ｖorstが共通に給電されている。ここで、給電線１６の列を区別するために、図において左から順に１、２、３、…、（３ｎ）、（３ｎ＋１）列目の給電線１６と呼ぶ場合がある。１列目〜（３ｎ）列目の給電線１６の各々は、１列目〜（３ｎ）列目のデータ線１４の各々に沿って設けられる。すなわち、１以上（３ｎ）以下の整数をｐとしたとき、ｐ列目の給電線１６およびｐ列目のデータ線１４は、互いに隣り合うように設けられる。
また、電気光学装置１０には、１列目〜（３ｎ）列目のデータ線１４の各々に対応して、（３ｎ）個の保持容量５０が設けられる。保持容量５０の一端はデータ線１４に接続され、他端が給電線１６に接続される。すなわち、保持容量５０は、データ線１４の電位を保持する第３保持容量として機能する。保持容量５０は、互いに隣り合う給電線１６及びデータ線１４が絶縁体（誘電体）を挟持することで形成されることが好ましい。この場合、互いに隣り合う給電線１６とデータ線１４との間の距離は、必要とされる大きさの容量が得られるように定められる。なお、以下では、保持容量５０の容量値をＣdtと表記する。
図２において、保持容量５０は、表示部１００の外側に設けられているが、これはあくまでも等価回路であり、表示部１００の内側に設けてもよい。また、保持容量５０は、表示部１００の内側から外側にわたって設けられてもよい。
【００２４】
制御回路５は、電気光学装置１０に対して各種制御信号を供給する。
具体的には、制御回路５は、電気光学装置１０に対して、走査線駆動回路２０を制御するための制御信号Ｃtrと、デマルチプレクサ３０での選択を制御するための制御信号Ｓel(1)、Ｓel(2)、Ｓel(3)と、これらの信号に対して論理反転の関係にある制御信号／Ｓel(1)、／Ｓel(2)、／Ｓel(3)と、レベルシフト回路４０を制御するための負論理の制御信号／Ｇiniと、正論理の制御信号Ｇrefとを供給する。なお、制御信号Ｃtrには、実際にはパルス信号や、クロック信号、イネーブル信号など、複数の信号が含まれる。
また、制御回路５は、電気光学装置１０に対して、データ信号Ｖd(1)、Ｖd(2)、…、Ｖd(n)を供給する。具体的には、制御回路５は、デマルチプレクサ３０での選択タイミングに合わせて、データ信号Ｖd(1)、Ｖd(2)、…、Ｖd(n)を、１、２、…、ｎ番目のグループに供給する。なお、データ信号Ｖd(1)〜Ｖd(n)が取り得る電位の最高値をＶmaxとし、最低値をＶminとする。
【００２５】
走査線駆動回路２０は、フレームの期間にわたって走査線１２を１行毎に順番に走査するための走査信号を、制御信号Ｃtrにしたがって生成するものである。ここで、１、２、３、…、（ｍ−１）、ｍ行目の走査線１２に供給される走査信号を、それぞれＧwr(1)、Ｇwr(2)、Ｇwr(3)、…、Ｇwr(m-1)、Ｇwr(m)と表記している。
なお、走査線駆動回路２０は、走査信号Ｇwr(1)〜Ｇwr(m)のほかにも、当該走査信号に同期した各種の制御信号を行毎に生成して表示部１００に供給するが、図２においては図示を省略している。また、フレームの期間とは、電気光学装置１０が１カット（コマ）分の画像を表示するのに要する期間をいい、例えば同期信号に含まれる垂直同期信号の周波数が１２０Ｈｚであれば、その１周期分の８．３ミリ秒の期間である。
【００２６】
デマルチプレクサ３０は、列毎に設けられたトランスミッションゲート３４（第２スイッチ）の集合体であり、各グループを構成する３列に、データ信号を順番に供給するものである。
ここで、ｊ番目のグループに属する（３ｊ−２）、（３ｊ−１）、（３ｊ）列に対応したトランスミッションゲート３４の入力端は互いに共通接続されて、その共通端子にそれぞれデータ信号Ｖd(j)が供給される。
ｊ番目のグループにおいて左端列である（３ｊ−２）列に設けられたトランスミッションゲート３４は、制御信号Ｓel(1)がＨレベルであるとき（制御信号／Ｓel(1)がＬレベルであるとき）にオン（導通）する。同様に、ｊ番目のグループにおいて中央列である（３ｊ−１）列に設けられたトランスミッションゲート３４は、制御信号Ｓel(2)がＨレベルであるとき（制御信号／Ｓel(2)がＬレベルであるとき）にオンし、ｊ番目のグループにおいて右端列である（３ｊ）列に設けられたトランスミッションゲート３４は、制御信号Ｓel(3)がＨレベルであるとき（制御信号／Ｓel(3)がＬレベルであるとき）にオンする。
【００２７】
レベルシフト回路４０は、保持容量４４とＰチャネルＭＯＳ型のトランジスター４５（第１トランジスター）とＮチャネルＭＯＳ型のトランジスター４３（第２トランジスター）との組を列毎に有し、各列のトランスミッションゲート３４の出力端から出力されるデータ信号の電位をシフトするものである。ここで、保持容量４４の一端は、対応する列のデータ線１４とトランジスター４５のドレインノードとに接続される一方、保持容量４４の他端は、トランスミッションゲート３４の出力端とトランジスター４３のドレインノードとに接続される。すなわち、保持容量４４は、一端がデータ線１４に接続された第２保持容量として機能する。図２では省略しているが、保持容量４４の容量値をＣrf1とする。
【００２８】
各列のトランジスター４５のソースノードは、給電線６１（第１給電線）に各列にわたって共通に接続され、ゲートノードには、制御信号／Ｇiniが各列にわたって共通に供給される。このため、トランジスター４５は、保持容量４４の一端（及びデータ線１４）と、給電線６１とを、制御信号／ＧiniがＬレベルのときに電気的に接続し、制御信号／ＧiniがＨレベルのときに電気的に非接続とする。
また、各列のトランジスター４３のソースノードは、給電線６１に各列にわたって共通に接続され、ゲートノードには、制御信号Ｇrefが各列にわたって共通に供給される。このため、トランジスター４３は、保持容量４４の他端であるノードｈと給電線６１とを、制御信号ＧrefがＨレベルのときに電気的に接続し、制御信号ＧrefがＬレベルのときに電気的に非接続とする。
すなわち、トランジスター４５及びトランジスター４３は、保持容量４４の両端と、給電線６１との間の導通及び非導通を切り替える切替部として機能する。
なお、制御回路５は、給電線６１に対して、電位Ｖref_Ｈ（第１電位）または電位Ｖref_Ｌ（第２電位）のいずれか一方の電位を供給する。なお、以下では、電位Ｖref_Ｈ及び電位Ｖref_Ｌを、電位Ｖrefと総称する場合がある。
【００２９】
このように、制御回路５、走査線駆動回路２０、デマルチプレクサ３０、及び、レベルシフト回路４０は、画素回路１１０を駆動する駆動回路として機能する。
また、制御回路５及び走査線駆動回路２０を、画素回路１１０、デマルチプレクサ３０、及び、レベルシフト回路４０の動作を制御する駆動制御回路と称する場合がある。
【００３０】
図３を参照して画素回路１１０について説明する。各画素回路１１０については電気的にみれば互いに同一構成なので、ここでは、ｉ行目であって、ｊ番目のグループのうち左端列の（３ｊ−２）列目に位置するｉ行（３ｊ−２）列の画素回路１１０を例にとって説明する。なお、ｉは、画素回路１１０が配列する行を一般的に示す場合の記号であって、１以上ｍ以下の整数である。
【００３１】
図３に示されるように、画素回路１１０は、ＰチャネルＭＯＳ型のトランジスター１２１〜１２５と、ＯＬＥＤ１３０と、保持容量１３２とを含む。この画素回路１１０には、走査信号Ｇwr(i)、制御信号Ｇel(i)、Ｇcmp(i)、Ｇorst(i)が供給される。ここで、走査信号Ｇwr(i)、制御信号Ｇel(i)、Ｇcmp(i)、Ｇorst(i)は、それぞれｉ行目に対応して走査線駆動回路２０によって供給されるものである。このため、走査信号Ｇwr(i)、制御信号Ｇel(i)、Ｇcmp(i)、Ｇorst(i)は、ｉ行目であれば、着目している（３ｊ−２）列以外の他の列の画素回路にも共通に供給される。
【００３２】
トランジスター１２２は、ゲートノードがｉ行目の走査線１２に接続され、ドレインまたはソースノードの一方が（３ｊ−２）列目のデータ線１４に接続され、他方がトランジスター１２１におけるゲートノードｇと、保持容量１３２の一端と、トランジスター１２３のソースノードまたはドレインノードの一方とにそれぞれ接続されている。すなわち、トランジスター１２２は、トランジスター１２１のゲートノードｇとデータ線１４との間に電気的に接続され、トランジスター１２１のゲートノードｇと、データ線１４との間の電気的な接続を制御する、書込トランジスターとして機能する。ここで、トランジスター１２１のゲートノードについては、他のノードと区別するためにｇと表記する。
トランジスター１２１は、ソースノードが給電線１１６に接続され、ドレインノードがトランジスター１２３のソースノードまたはドレインノードの他方と、トランジスター１２４のソースノードとにそれぞれ接続されている。ここで、給電線１１６には、画素回路１１０において電源の高位側となる電位Ｖelが給電される。すなわち、トランジスター１２１は、トランジスター１２１のゲートノードおよびソースノード間の電圧に応じた電流を流す駆動トランジスターとして機能する。
トランジスター１２３のゲートノードには制御信号Ｇcmp(i)が供給される。このトランジスター１２３は、トランジスター１２１のソースノードおよびゲートノードｇの間の電気的な接続を制御する、閾値補償トランジスターとして機能する。
トランジスター１２４のゲートノードには制御信号Ｇel(i)が供給され、ドレインノードがトランジスター１２５のソースノードとＯＬＥＤ１３０のアノードとにそれぞれ接続されている。すなわち、トランジスター１２４は、トランジスター１２１のドレインノードと、ＯＬＥＤ１３０のアノードとの間の電気的な接続を制御する、発光制御トランジスターとして機能する。
トランジスター１２５のゲートノードにはｉ行目に対応した制御信号Ｇorst(i)が供給され、ドレインノードは（３ｊ−１）列目の給電線１６に接続されて電位Ｖorstに保たれている。このトランジスター１２５は、給電線１６と、ＯＬＥＤ１３０のアノードとの間の電気的な接続を制御する初期化トランジスターとして機能する。
本実施形態において電気光学装置１０はシリコン基板に形成されるので、トランジスター１２１〜１２５の基板電位については電位Ｖelとしている。
【００３３】
保持容量１３２は、一端がトランジスター１２１のゲートノードｇに接続され、他端が給電線１１６に接続される。このため、保持容量１３２は、トランジスター１２１のゲート・ソース間の電圧を保持する第１保持容量として機能する。なお、保持容量１３２の容量値をＣpixと表記する。このとき、保持容量５０の容量値Ｃdtと、保持容量４４の容量値Ｃrf1と、保持容量１３２の容量値Ｃpixとは、
Ｃdt＞Ｃrf1＞＞Ｃpix
となるように設定される。すなわち、ＣdtはＣrf1よりも大きく、ＣpixはＣdtおよびＣrf1よりも十分に小さくなるように設定される。なお、保持容量１３２としては、トランジスター１２１のゲートノードｇに寄生する容量を用いても良いし、シリコン基板において互いに異なる導電層で絶縁層を挟持することによって形成される容量を用いても良い。
【００３４】
ＯＬＥＤ１３０のアノードは、画素回路１１０毎に個別に設けられる画素電極である。これに対して、ＯＬＥＤ１３０のカソードは、画素回路１１０のすべてにわたって共通の共通電極１１８であり、画素回路１１０において電源の低位側となる電位Ｖctに保たれている。
ＯＬＥＤ１３０は、上記シリコン基板において、アノードと光透過性を有するカソードとで白色有機ＥＬ層を挟持した素子である。そして、ＯＬＥＤ１３０の出射側（カソード側）にはＲＧＢのいずれかに対応したカラーフィルターが重ねられる。
このようなＯＬＥＤ１３０において、アノードからカソードに電流が流れると、アノードから注入された正孔とカソードから注入された電子とが有機ＥＬ層で再結合して励起子が生成され、白色光が発生する。このときに発生した白色光は、シリコン基板（アノード）とは反対側のカソードを透過し、カラーフィルターによる着色を経て、観察者側に視認される構成となっている。
【００３５】
＜第１実施形態の動作＞
図４を参照して電気光学装置１０の動作について説明する。図４は、電気光学装置１０における各部の動作を説明するためのタイミングチャートである。
この図に示されるように、走査線駆動回路２０は、走査信号Ｇwr(1)〜Ｇwr(m)を順次Ｌレベルに切り替えて、１フレームの期間において１〜ｍ行目の走査線１２を１水平走査期間（Ｈ）毎に順番に走査する。
１水平走査期間（Ｈ）での動作は、各行の画素回路１１０にわたって共通である。そこで以下については、ｉ行目が水平走査される走査期間において、特にｉ行（３ｊ−２）列の画素回路１１０について着目して動作を説明する。
【００３６】
本実施形態ではｉ行目の走査期間は、大別すると、図４において（ｂ）で示される初期化期間と（ｃ）で示される補償期間と（ｄ）で示される書込期間とに分けられる。そして、（ｄ）の書込期間の後、（ａ）で示される発光期間となり、１フレームの期間経過後に再びｉ行目の走査期間に至る。このため、時間の順でいえば、（発光期間）→初期化期間→補償期間→書込期間→（発光期間）というサイクルの繰り返しとなる。
なお、図４において、ｉ行目に対し１行前の（ｉ−１）行目に対応する走査信号Ｇwr(i-1)、制御信号Ｇel(i-1)、Ｇcmp(i-1)、Ｇorst(i-1)の各々については、ｉ行目に対応する走査信号Ｇwr(i)、制御信号Ｇel(i)、Ｇcmp(i)、Ｇorst(i)よりも、それぞれ時間的に１水平走査期間（Ｈ）だけ時間的に先行した波形となる。
【００３７】
＜発光期間＞
説明の便宜上、初期化期間の前提となる発光期間から説明する。図４に示されるように、ｉ行目の発光期間において、走査線駆動回路２０は、走査信号Ｇwr(i)をＨレベルに設定し、制御信号Ｇel(i)をＬレベルに設定し、制御信号Ｇcmp(i)をＨレベルに設定し、制御信号Ｇorst(i)をＨレベルに設定する。
このため、図５に示されるようにｉ行（３ｊ−２）列の画素回路１１０においては、トランジスター１２４がオンする一方、トランジスター１２２、１２３、１２５がオフする。したがって、トランジスター１２１は、ゲート・ソース間の電圧Ｖgsに応じた電流ＩdsをＯＬＥＤ１３０に供給する。後述するように、本実施形態において発光期間での電圧Ｖgsは、トランジスター１２１の閾値電圧から、データ信号の電位に応じてレベルシフトした値である。このため、ＯＬＥＤ１３０には、階調レベルに応じた電流がトランジスター１２１の閾値電圧を補償した状態で供給されることになる。
【００３８】
なお、ｉ行目の発光期間は、ｉ行目以外が水平走査される期間であるから、データ線１４の電位は適宜変動する。ただし、ｉ行目の画素回路１１０において、トランジスター１２２がオフしているので、ここでは、データ線１４の電位変動を考慮していない。
また、図５においては、動作説明で重要となる経路を太線で示している（以下の図６〜図８、図１３〜図１６においても同様である）。
【００３９】
＜初期化期間＞
次にｉ行目の走査期間に至ると、まず、第１期間として（ｂ）の初期化期間が開始する。初期化期間において、走査線駆動回路２０は、図４に示されるように、制御信号Ｇel(i)をＨレベルに設定し、制御信号Ｇorst(i)をＬレベルに設定する一方で、制御信号Ｇcmp(i)をＨレベルに維持する。
このため、図６に示されるように、ｉ行（３ｊ−２）列の画素回路１１０において、トランジスター１２４がオフし、トランジスター１２５がオンする。これによってＯＬＥＤ１３０に供給される電流の経路が遮断されるとともに、ＯＬＥＤ１３０のアノードが電位Ｖorstにリセットされる。
ＯＬＥＤ１３０は、上述したようにアノードとカソードとで有機ＥＬ層を挟持した構成であるので、アノード・カソードの間には、図において破線で示されるように容量Ｃoledが並列に寄生する。発光期間においてＯＬＥＤ１３０に電流が流れていたときに、当該ＯＬＥＤ１３０のアノード・カソード間の両端電圧が当該容量Ｃoledによって保持されるが、この保持電圧は、トランジスター１２５のオンによってリセットされる。このため、本実施形態では、後の発光期間においてＯＬＥＤ１３０に再び電流が流れるときに、当該容量Ｃoledで保持されている電圧の影響を受けにくくなる。
【００４０】
詳細には、例えば高輝度の表示状態から低輝度の表示状態に転じるときに、リセットしない構成であると、輝度が高い（大電流が流れた）ときの高電圧が保持されてしまうので、次に、小電流を流そうとしても、過剰な電流が流れてしまって、低輝度の表示状態にさせることができなくなる。これに対して、本実施形態では、トランジスター１２５のオンによってＯＬＥＤ１３０のアノードの電位がリセットされるので、低輝度側の再現性が高められることになる。
なお、本実施形態において、電位Ｖorstについては、当該電位Ｖorstと共通電極１１８の電位Ｖctとの差がＯＬＥＤ１３０の発光閾値電圧を下回るように設定される。このため、初期化期間（次に説明する補償期間および書込期間）において、ＯＬＥＤ１３０はオフ（非発光）状態である。
【００４１】
一方、初期化期間において、制御回路５は、図４に示されるように、制御信号／ＧiniをＬレベルに設定し、制御信号ＧrefをＬレベルに設定する一方、給電線６１に電位Ｖref_Ｈを供給する。
このため、図６に示されるように、レベルシフト回路４０では、トランジスター４５がオンした状態となる一方、トランジスター４３はオフした状態となる。これにより、保持容量４４の一端と給電線６１とが電気的に接続され、保持容量４４の一端であるデータ線１４は電位Ｖref_Ｈに初期化される。
なお、走査線駆動回路２０は、図４に示されるように、初期化期間の開始から終了までの間に、走査信号Ｇwr(i)を、ＨレベルからＬレベルに変更する。これにより、トランジスター１２２がオンし、トランジスター１２１のゲートノードｇがデータ線１４に電気的に接続されるため、ゲートノードｇは電位Ｖref_Ｈに設定される。
本実施形態において電位Ｖref_Ｈは、（Ｖel−Ｖref-Ｈ）がトランジスター１２１の閾値電圧｜Ｖth｜よりも大きくなるように設定される。なお、トランジスター１２１はＰチャネル型であるので、ソースノードの電位を基準とした閾値電圧Ｖthは負である。そこで、高低関係の説明で混乱が生じるのを防ぐために、閾値電圧については、絶対値の｜Ｖth｜で表し、大小関係で規定することにする。
【００４２】
なお、本実施形態では、走査線駆動回路２０は、ｉ行目の初期化期間が開始された後、当該初期化期間が終了するまでの間に、走査信号Ｇwr(i)を、ＨレベルからＬレベルに変更するが、本発明はこのような形態に限定されるものではなく、初期化期間の開始時から補償期間の開始時までの間に、Ｌレベルに変更すればよい。例えば、走査線駆動回路２０は、初期化期間の開始と同時に、走査信号Ｇwr(i)をＨレベルからＬレベルに変更してもよいし、補償期間の開始と同時に、走査信号Ｇwr(i)をＨレベルからＬレベルに変更してもよい。
【００４３】
＜補償期間＞
ｉ行目の走査期間では、次に第２期間として（ｃ）の補償期間となる。
補償期間において、制御回路５は、図４に示されるように、制御信号／ＧiniをＨレベルに設定し、制御信号ＧrefをＨレベルに設定する一方、給電線６１に電位Ｖref_Ｌを供給する。
このため、図７に示されるように、レベルシフト回路４０では、トランジスター４３はオンした状態となる一方、トランジスター４５はオフした状態となる。これにより、保持容量４４の他端と給電線６１とが電気的に接続され、ノードｈが電位Ｖref_Ｌに設定される。
なお、本実施形態において電位Ｖref_Ｌは、データ信号Ｖd(1)〜Ｖd(n)が取り得る電位に対して、後の書込期間においてノードｈの電位が上昇変化するような値に、例えば最低値Ｖminよりも低くなるように設定される。
【００４４】
また、補償期間において、走査線駆動回路２０は、図４に示されるように、制御信号Ｇcmp(i)をＬレベルに設定する一方、走査信号Ｇwr(i)をＬレベルに維持し、制御信号Ｇel(i)をＨレベルに維持し、制御信号Ｇorst(i)をＬレベルに維持する。
このため、図７に示されるように、トランジスター１２３がオンするので、トランジスター１２１はダイオード接続となる。これにより、トランジスター１２１にはドレイン電流が流れて、ゲートノードｇおよびデータ線１４を充電する。詳細には、電流が、給電線１１６→トランジスター１２１→トランジスター１２３→トランジスター１２２→（３ｊ−２）列目のデータ線１４という経路で流れる。従って、トランジスター１２１のオンによって互いに接続状態にあるデータ線１４およびゲートノードｇは、電位Ｖref_Ｈから上昇する。
ただし、上記経路に流れる電流は、ゲートノードｇが電位（Ｖel−｜Ｖth｜）に近づくにつれて流れにくくなるので、補償期間の終了に至るまでに、データ線１４およびゲートノードｇは電位（Ｖel−｜Ｖth｜）で飽和する。したがって、保持容量１３２は、補償期間の終了に至るまでにトランジスター１２１の閾値電圧｜Ｖth｜を保持することになる。
【００４５】
＜書込期間＞
初期化期間の後、第３期間として（ｄ）の書込期間に至る。書込期間では、走査線駆動回路２０は、図４に示されるように、走査信号Ｇwr(i)をＬレベルに維持し、制御信号Ｇel(i)をＨレベルに維持し、制御信号Ｇorst(i)をＬレベルに維持する一方で、制御信号Ｇcmp(i)をＨレベルに設定するので、トランジスター１２１のダイオード接続が解除される。
また、制御回路５は、図４に示されるように、制御信号／ＧiniをＨレベルに設定し、制御信号ＧrefをＬレベルに設定するので、トランジスター４５はオフした状態を維持するとともに、トランジスター４３もオフした状態となる。
このため、（３ｊ−２）列目のデータ線１４からｉ行（３ｊ−２）列の画素回路１１０におけるゲートノードｇに至るまでの経路はフローティング状態になるものの、当該経路における電位は、保持容量５０、１３２によって（Ｖel−｜Ｖth｜）に維持される。
【００４６】
ｉ行目の書込期間において制御回路５は、ｊ番目のグループでいえば、データ信号Ｖd(j)を順番に、ｉ行（３ｊ−２）列、ｉ行（３ｊ−１）列、ｉ行（３ｊ）列の画素の階調レベルに応じた電位に切り替える。一方、制御回路５は、データ信号の電位の切り替えに同期して制御信号Ｓel(1)、Ｓel(2)、Ｓel(3)を順番に排他的にＨレベルとする。制御回路５は、図４では省略しているが、制御信号Ｓel(1)、Ｓel(2)、Ｓel(3)とは論理反転の関係にある制御信号／Ｓel(1)、／Ｓel(2)、／Ｓel(3)についても出力している。これによって、デマルチプレクサ３０では、各グループにおいてトランスミッションゲート３４がそれぞれ左端列、中央列、右端列の順番でオンする。
【００４７】
ここで、左端列のトランスミッションゲート３４が制御信号Ｓel(1)、／Ｓel(1)によってオンしたとき、図８に示されるように、保持容量４４の他端であるノードｈは、補償期間において設定された電位Ｖref_Ｌから、データ信号Ｖd(j)の電位に、すなわちｉ行（３ｊ−２）列の画素の階調レベルに応じた電位に変化する。このときのノードｈの電位変化分をΔＶとして、変化後の電位を（Ｖref-Ｌ＋ΔＶ）として表すことにする。
一方、ゲートノードｇは、保持容量４４の一端にデータ線１４を介して接続されているので、補償期間における電位（Ｖel−｜Ｖth｜）から、ノードｈの電位変化分ΔＶに容量比ｋ1を乗じた値だけ、上昇方向にシフトした値（Ｖel−｜Ｖth｜＋ｋ1・ΔＶ）となる。このとき、トランジスター１２１の電圧Ｖgsで絶対値で表現すると、閾値電圧｜Ｖth｜からゲートノードｇの電位上昇したシフト分だけ減じた値（｜Ｖth｜−ｋ1・ΔＶ）となる。
なお、容量比ｋ1は、Ｃrf1/（Ｃdt＋Ｃrf1）である。厳密にいえば、保持容量１３２の容量値Ｃpixも考慮しなければならないが、容量値Ｃpixは、容量値Ｃrf1、Ｃdtに比較して十分に小さくなるように設定しているので、無視している。
【００４８】
図９は、書込期間におけるデータ信号の電位とゲートノードｇの電位との関係を示す図である。制御回路５から供給されるデータ信号は、上述したように画素の階調レベルに応じて最小値Ｖminから最大値Ｖmaxまでの電位範囲を取り得る。本実施形態では、当該データ信号が直接ゲートノードｇに書き込まれるのではなく、図に示されるようにレベルシフトされて、ゲートノート゛ｇに書き込まれる。
このとき、ゲートノードｇの電位範囲ΔＶgateは、データ信号の電位範囲ΔＶdata（＝Ｖmax−Ｖmin）に容量比ｋ1を乗じた値に圧縮される。例えば、Ｃrf1：Ｃdt＝１：９となるように保持容量４４、５０の容量を設定したとき、ゲートノードｇの電位範囲ΔＶgateをデータ信号の電位範囲ΔＶdataの１／１０に圧縮することができる。
また、ゲートノードｇの電位範囲ΔＶgateを、データ信号の電位範囲ΔＶdataに対してどの方向にどれだけシフトさせるかについては、電位Ｖp（＝Ｖel−｜Ｖth｜）、電位Ｖref_Ｌで定めることができる。これは、データ信号の電位範囲ΔＶdataが、電位Ｖref_Ｌを基準にして容量比ｋ1で圧縮されるとともに、その圧縮範囲が電位Ｖpを基準にシフトされたものが、ゲートノードｇの電位範囲ΔＶgateとなるためである。
【００４９】
このようにｉ行目の書込期間において、ｉ行目の画素回路１１０のゲートノードｇには、補償期間における電位（Ｖel−｜Ｖth｜）から、ノードｈの電位変化分ΔＶに容量比ｋ1を応じた分だけシフトした電位（Ｖel−｜Ｖth｜＋ｋ1・ΔＶ）が書き込まれる。
【００５０】
＜発光期間＞
ｉ行目の書込期間の終了した後、発光期間が開始される。
発光期間において、走査線駆動回路２０は、上述したように、走査信号Ｇwr(i)をＨレベルに設定するため、トランジスター１２２がオフする。これによって、ゲートノードｇの電位は、シフトした電位（Ｖel−｜Ｖth｜＋ｋ1・ΔＶ）に維持される。また、発光期間において、走査線駆動回路２０は、上述したように、制御信号Ｇel(i)をＬレベルに設定するので、ｉ行（３ｊ−２）列の画素回路１１０において、トランジスター１２４がオンする。ゲート・ソース間の電圧Ｖgsは、（｜Ｖth｜−ｋ1・ΔＶ）であるから、ＯＬＥＤ１３０には、先の図５に示したように、階調レベルに応じた電流がトランジスター１２１の閾値電圧を補償した状態で供給されることになる。
このような動作は、ｉ行目の走査期間において、（３ｊ−２）列目の画素回路１１０以外のｉ行目の他の画素回路１１０においても時間的に並列して実行される。さらに、このようなｉ行目の動作は、実際には、１フレームの期間において１、２、３、…、（ｍ−１）、ｍ行目の順番で実行されるとともに、フレーム毎に繰り返される。
【００５１】
本実施形態によれば、ゲートノードｇにおける電位範囲ΔＶgateは、データ信号の電位範囲ΔＶdataに対し狭められるので、データ信号を細かい精度で刻まなくても、階調レベルを反映した電圧を、トランジスター１２１のゲート・ソース間に印加することができる。このため、画素回路１１０においてトランジスター１２１のゲート・ソース間の電圧Ｖgsの変化に対しＯＬＥＤ１３０に流れる微小電流が相対的に大きく変化する場合であっても、ＯＬＥＤ１３０に供給する電流を精度良く制御することが可能になる。
【００５２】
また、図３において破線で示されるようにデータ線１４と画素回路１１０におけるゲートノードｇとの間には容量Ｃprsが寄生する場合がある。この場合、データ線１４の電位変化幅が大きいと、当該容量Ｃprsを介してゲートノードｇに伝播し、いわゆるクロストークやムラなどが発生して表示品位を低下させてしまう。当該容量Ｃprsの影響は、画素回路１１０が微細化されたときに顕著に現れる。
これに対して、本実施形態においては、データ線１４の電位変化範囲についても、データ信号の電位範囲ΔＶdataに対し狭められるので、容量Ｃprsを介した影響を抑えることができる。
【００５３】
また、本実施形態によれば、制御回路５は、初期化期間において、給電線６１に電位Ｖref_Ｈを供給して、トランジスター４５をオンさせる一方、補償期間において、給電線６１に電位Ｖref_Ｌを供給して、トランジスター４３をオンさせる。このため、初期化期間において、保持容量４４の一端に電位Ｖref_Ｈを供給することと、補償期間において、保持容量４４の他端に電位Ｖref_Ｌを供給することを、１本の給電線６１により実現することができる。
これにより、保持容量４４の一端に電位Ｖref_Ｈを供給する給電線と、保持容量４４の他端に電位Ｖref_Ｌを供給する給電線とを個別に設ける場合に比べて、電気光学装置１０を小型化、簡素化することが可能となる。
【００５４】
また、本実施形態によれば、トランジスター１２１によってＯＬＥＤ１３０に供給される電流Ｉdsは、閾値電圧の影響が相殺される。このため、本実施形態によれば、トランジスター１２１の閾値電圧が画素回路１１０毎にばらついても、そのばらつきが補償されて、階調レベルに応じた電流がＯＬＥＤ１３０に供給されるので、表示画面の一様性を損なうような表示ムラの発生を抑えられる結果、高品位の表示が可能になる。
【００５５】
この相殺について図１０を参照して説明する。この図に示されるように、トランジスター１２１は、ＯＬＥＤ１３０に供給する微小電流を制御するために、弱反転領域（サブスレッショルド領域）で動作する。
図において、Ａは閾値電圧｜Ｖth｜が大きいトランジスターを、Ｂは閾値電圧｜Ｖth｜が小さいトランジスターを、それぞれ示している。なお、図１０において、ゲート・ソース間の電圧Ｖgsは、実線で示される特性と電位Ｖelとの差である。また、図１０において、縦スケールの電流は、ソースからドレインに向かう方向を負（下）とした対数で示されている。
補償期間においてゲートノードｇは、電位Ｖref_Ｈから電位（Ｖel−｜Ｖth｜）となる。このため、閾値電圧｜Ｖth｜が大きいトランジスターＡは、動作点がＳからＡａに移動する一方、閾値電圧｜Ｖth｜が小さいトランジスターＢは、動作点がＳからＢａに移動する。
次に、２つのトランジスターが属する画素回路１１０へのデータ信号の電位が同じ場合、つまり同じ階調レベルが指定された場合に、書込期間においては、動作点Ａａ、Ｂａからの電位シフト量は、ともに同じｋ1・ΔＶである。このため、トランジスターＡについては動作点がＡａからＡｂに移動し、トランジスターＢについては動作点がＢａからＢｂに移動するが、電位シフト後の動作点における電流は、トランジスターＡ、Ｂともに、ほぼ同じＩdsで揃うことになる。
【００５６】
＜第２実施形態＞
第１実施形態においては、各列の保持容量４４の他端、すなわちノードｈに、デマルチプレクサ３０によってデータ信号を直接供給する構成とした。このため、各行の走査期間においては、制御回路５からデータ信号が供給される期間イコール書込期間となるので、時間的な制約が大きい。
そこで次に、このような時間的な制約を緩和することができる第２実施形態について説明する。なお、以下においては説明の重複を避けるために、第１実施形態との相違する部分を中心に説明することにする。
【００５７】
図１１は、第２実施形態に係る電気光学装置１０の構成を示す図である。
この図に示した第２実施形態が図２に示した第１実施形態と相違する点は、主としてレベルシフト回路４０の各列において保持容量４１（第４保持容量）およびトランスミッションゲート４２（第１スイッチ）が設けられている点にある。
【００５８】
詳細には、各列においてトランスミッションゲート４２は、トランスミッションゲート３４の出力端と保持容量４４の他端との間に、電気的に介挿されている。すなわち、トランスミッションゲート４２の入力端がトランスミッションゲート３４の出力端に接続され、トランスミッションゲート４２の出力端が保持容量４４の他端に接続されている。
なお、各列のトランスミッションゲート４２は、制御回路５から供給される制御信号ＧcplがＨレベルであるとき（制御信号／ＧcplがＬレベルであるとき）に一斉にオンする。
【００５９】
また、各列において保持容量４１の一端は、トランスミッションゲート３４の出力端（トランスミッションゲート４２の入力端）に接続され、保持容量４１の他端は、固定電位、例えば電位Ｖssに共通に接地されている。図１１では省略しているが、保持容量４１の容量値をＣrf2とする。なお、電位Ｖssは、論理信号である走査信号や制御信号のＬレベルに相当する。
【００６０】
＜第２実施形態の動作＞
図１２を参照して第２実施形態に係る電気光学装置１０の動作について説明する。図１２は、第２実施形態における動作を説明するためのタイミングチャートである。
この図に示されるように、走査信号Ｇwr(1)〜Ｇwr(m)が順次Ｌレベルに切り替えられて、１フレームの期間において１〜ｍ行目の走査線１２が１水平走査期間（Ｈ）毎に順番に走査される点については、第１実施形態と同様である。また、第２実施形態ではｉ行目の走査期間が、（ｂ）で示される初期化期間と（ｃ）で示される補償期間と（ｄ）で示される書込期間との順となっている点についても、第１実施形態と同様である。なお、第２実施形態において（ｄ）の書込期間は、制御信号ＧcplがＬからＨレベルになるとき（制御信号／ＧcplがＬレベルになったとき）から走査信号がＬからＨレベルになるときまでの期間である。
第２実施形態においても、第１実施形態と同様に、時間の順でいえば（発光期間）→初期化期間→補償期間→書込期間→（発光期間）というサイクルの繰り返しとなる。ただし、第２実施形態では、第１実施形態と比較して、データ信号の供給期間イコール書込期間ではなく、データ信号の供給が書込期間よりも先行している点において相違している。詳細には、第２実施形態では、（ａ）の初期化期間と（ｂ）の補償期間とにわたって、データ信号が供給され得る点において第１実施形態と相違している。
【００６１】
＜発光期間＞
図１２に示されるように、ｉ行目の発光期間において、走査線駆動回路２０は、走査信号Ｇwr(i)をＨレベルに設定し、制御信号Ｇel(i)をＬレベルに設定し、制御信号Ｇcmp(i)をＨレベルに設定し、制御信号Ｇorst(i)をＨレベルに設定する。
このため、図１３に示されるようにｉ行（３ｊ−２）列の画素回路１１０においては、トランジスター１２４がオンする一方、トランジスター１２２、１２３、１２５がオフするので、当該画素回路１１０における動作は基本的に第１実施形態と同様となる。すなわち、トランジスター１２１は、ゲート・ソース間の電圧Ｖgsに応じた電流ＩdsをＯＬＥＤ１３０に供給することになる。
【００６２】
＜初期化期間＞
ｉ行目の走査期間に至って、まず（ｂ）の初期化期間が開始する。初期化期間において、走査線駆動回路２０は、図１２に示されるように、制御信号Ｇel(i)をＨレベルに設定し、制御信号Ｇorst(i)をＬレベルに設定する一方で、制御信号Ｇcmp(i)をＨレベルに維持する。
このため、図１４に示されるように、ｉ行（３ｊ−２）列の画素回路１１０においてはトランジスター１２４がオフし、トランジスター１２５がオンする。これによってＯＬＥＤ１３０に供給される電流の経路が遮断されるとともに、トランジスター１２４のオンによってＯＬＥＤ１３０のアノードが電位Ｖorstにリセットされるので、当該画素回路１１０における動作は基本的に第１実施形態と同様となる。
【００６３】
一方、初期化期間において、制御回路５は、図１２に示されるように、制御信号／ＧiniをＬレベルに設定し、制御信号ＧrefをＬレベルに設定する一方、給電線６１に電位Ｖref_Ｈを供給する。
このため、図１４に示されるように、トランジスター４５がオンした状態となる一方、トランジスター４３はオフした状態となる。これにより、保持容量４４の一端と給電線６１とが電気的に接続され、保持容量４４の一端であるデータ線１４は電位Ｖref_Ｈに初期化される。
また、走査線駆動回路２０は、初期化期間の開始から終了までの間（または、初期化期間の開始から補償期間の開始までの間）に、走査信号Ｇwr(i)を、ＨレベルからＬレベルに変更する。これにより、トランジスター１２２がオンし、トランジスター１２１のゲートノードｇがデータ線１４に電気的に接続されるため、ゲートノードｇは電位Ｖref_Ｈに設定される。
なお、第２実施形態においても、電位Ｖref_Ｈは、（Ｖel−Ｖref-Ｈ）がトランジスター１２１の閾値電圧｜Ｖth｜よりも大きくなるように設定される。
【００６４】
上述したように、第２実施形態において制御回路５は、初期化期間および補償期間にわたってデータ信号を供給する。すなわち、制御回路５は、ｊ番目のグループでいえば、データ信号Ｖd(j)を順番に、ｉ行（３ｊ−２）列、ｉ行（３ｊ−１）列、ｉ行（３ｊ）列の画素の階調レベルに応じた電位に切り替える一方、データ信号の電位の切り替えに合わせて制御信号Ｓel(1)、Ｓel(2)、Ｓel(3)を順番に排他的にＨレベルとする。これによって、デマルチプレクサ３０では、各グループにおいてトランスミッションゲート３４がそれぞれ左端列、中央列、右端列の順番でオンする。
ここで、初期化期間において、ｊ番目のグループに属する左端列のトランスミッションゲート３４が制御信号Ｓel(1)によってオンする場合、図１４に示されるように、データ信号Ｖd(j)が保持容量４１の一端に供給されるので、当該データ信号は、保持容量４１によって保持される。
【００６５】
＜補償期間＞
ｉ行目の走査期間においては、次に（ｃ）の補償期間となる。  補償期間において、走査線駆動回路２０は、図１２に示されるように、制御信号Ｇcmp(i)をＬレベルに設定する一方、走査信号Ｇwr(i)をＬレベルに維持し、制御信号Ｇel(i)をＨレベルに維持し、制御信号Ｇorst(i)をＬレベルに維持する。
このため、図１５に示されるように、ｉ行（３ｊ−２）列の画素回路１１０では、トランジスター１２２がオンして、ゲートノードｇがデータ線１４に電気的に接続される一方、トランジスター１２３のオンによって、トランジスター１２１がダイオード接続となる。
したがって、電流が、給電線１１６→トランジスター１２１→トランジスター１２３→トランジスター１２２→（３ｊ−２）列目のデータ線１４という経路で流れるので、ゲートノードｇは、電位Ｖref_Ｈから上昇し、やがて（Ｖel−｜Ｖth｜）に飽和する。したがって、第２実施形態においても、保持容量１３２は、補償期間の終了に至るまでにトランジスター１２１の閾値電圧｜Ｖth｜を保持することになる。
【００６６】
また、補償期間において、制御回路５は、図１２に示されるように、制御信号／ＧiniをＨレベルに設定し、制御信号ＧrefをＨレベルに設定する一方、給電線６１に電位Ｖref_Ｌを供給する。
このため、図１５に示されるように、レベルシフト回路４０では、トランジスター４３はオンした状態となる一方、トランジスター４５はオフした状態となる。これにより、保持容量４４の他端と給電線６１とが電気的に接続され、ノードｈが電位Ｖref_Ｌに設定される。
なお、第２実施形態においても、電位Ｖref_Ｌは、データ信号Ｖd(1)〜Ｖd(n)が取り得る電位に対して、後の書込期間においてノードｈの電位が上昇変化するような値に、例えば最低値Ｖminよりも低くなるように設定される。
【００６７】
また、補償期間において、ｊ番目のグループに属する左端列のトランスミッションゲート３４が制御信号Ｓel(1)によってオンする場合、図１５に示されるように、データ信号Ｖd(j)が保持容量４１によって保持される。
なお、すでに初期化期間において、ｊ番目のグループに属する左端列のトランスミッションゲート３４が制御信号Ｓel(1)によってオンした場合には、補償期間において、当該トランスミッションゲート３４はオンすることはないが、保持容量４１にデータ信号Ｖd(j)が保持されている点において変わりはない。
【００６８】
走査線駆動回路２０は、補償期間が終了すると、制御信号Ｇcmp(i)をＬレベルからＨレベルに変更するので、トランジスター１２１のダイオード接続が解除される。
また、制御回路５は、補償期間が終了すると、制御信号ＧrefをＨレベルからＬレベルに変更するので、トランジスター４３がオフする。このため、（３ｊ−２）列目のデータ線１４からｉ行（３ｊ−２）列の画素回路１１０におけるゲートノードｇに至るまでの経路は、フローティング状態になるものの、当該経路の電位は、保持容量５０、１３２によって（Ｖel−｜Ｖth｜）に維持される。
なお、本実施形態において、制御回路５は、補償期間の終了時に制御信号ＧrefをＨレベルからＬレベルに変更するが、補償期間が終了してから次の書込期間が開始するまでの間に、制御信号ＧrefをＬレベルに変更するものであってもよい。
【００６９】
＜書込期間＞
ｉ行目の走査期間においては、次に（ｄ）の書込期間となる。書込期間において、制御回路５は、図１２に示されるように、制御信号／ＧiniをＨレベルに設定し、制御信号ＧrefをＬレベルに設定するとともに、制御信号ＧcplをＨレベルに設定する（制御信号／ＧcplをＬレベルに設定する）。
このため、図１６に示されるように、レベルシフト回路４０においてトランスミッションゲート４２がオンするので、保持容量４１に保持されたデータ信号が保持容量４４の他端であるノードｈに供給される。これにより、ノードｈは、補償期間における電位Ｖref_Ｌからシフトする。すなわち、ノードｈは電位（Ｖref_Ｌ＋ΔＶ）に変化する。
【００７０】
また、書込期間において、走査線駆動回路２０は、図１２に示されるように、走査信号Ｇwr(i)をＬレベルに維持し、制御信号Ｇel(i)をＨレベルに維持し、制御信号Ｇorst(i)をＬレベルに維持する一方で、制御信号Ｇcmp(i)をＨレベルに設定する。このとき、ゲートノードｇは、保持容量４４の一端にデータ線１４を介して接続されているので、補償期間における電位（Ｖel−｜Ｖth｜）から、ノードｈの電位変化分ΔＶに容量比ｋ2を乗じた値だけ上昇する方向にシフトした値となる。すなわち、ゲートノードｇの電位は、補償期間における電位（Ｖel−｜Ｖth｜）から、ノードｈの電位変化分ΔＶに容量比ｋ2を乗じた値だけ、上昇方向にシフトした値（Ｖel−｜Ｖth｜＋ｋ2・ΔＶ）となる。
なお、第２実施形態において、容量比ｋ2は、Ｃdt、Ｃrf1、Ｃrf2の容量比である。上述したように、保持容量１３２の容量値Ｃpixについては無視している。
また、このとき、トランジスター１２１の電圧Ｖgsで絶対値で表現すると、閾値電圧｜Ｖth｜からゲートノードｇの電位上昇したシフト分だけ減じた値（｜Ｖth｜−ｋ2・ΔＶ）となる。
【００７１】
＜発光期間＞
第２実施形態では、ｉ行目の書込期間の終了した後、発光期間が開始される。発光期間において、走査線駆動回路２０は、上述したように制御信号Ｇel(i)をＬレベルに設定するので、ｉ行（３ｊ−２）列の画素回路１１０においては、トランジスター１２４がオンする。ゲート・ソース間の電圧Ｖgsは（｜Ｖth｜＋ｋ2・ΔＶ）であり、トランジスター１２１の閾値電圧からデータ信号の電位によってレベルシフトした値である。このため、ＯＬＥＤ１３０には、図１３に示したように、階調レベルに応じた電流がトランジスター１２１の閾値電圧を補償した状態で供給されることになる。
このような動作は、ｉ行目の走査期間において、（３ｊ−２）列目の画素回路１１０以外のｉ行目の他の画素回路１１０においても時間的に並列して実行される。さらに、このようなｉ行目の動作は、実際には、１フレームの期間において１、２、３、…、（ｍ−１）、ｍ行目の順番で実行されるとともに、フレーム毎に繰り返される。
【００７２】
第２実施形態によれば、第１実施形態と同様に、画素回路１１０においてトランジスター１２１のゲート・ソース間の電圧Ｖgsに対しＯＬＥＤ１３０に流れる微小電流が相対的に大きく変化する場合であっても、ＯＬＥＤ１３０に供給する電流を精度良く制御することが可能になる。
第２実施形態によれば、第１実施形態と同様に、発光期間においてＯＬＥＤ１３０の寄生容量に保持された電圧を十分に初期化することができるほか、トランジスター１２１の閾値電圧が画素回路１１０毎にばらついても、表示画面の一様性を損なうような表示ムラの発生を抑えられる結果、高品位の表示が可能になる。
【００７３】
第２実施形態によれば、制御回路５からデマルチプレクサ３０を介して供給されるデータ信号を、保持容量４１に保持させる動作が、初期化期間から補償期間までにわたって実行される。このため、１水平走査期間に実行すべき動作について時間的な制約を緩和することができる。
例えば、補償期間においてゲート・ソース間電圧Ｖgsが閾値電圧に近づくにつれ、トランジスター１２１に流れる電流が低下するので、ゲートノードｇを電位（Ｖel−｜Ｖth｜）に収束するまで時間を要するが、第２実施形態では、第１実施形態と比較して図１２に示されるように補償期間を長く確保することができる。このため、第２実施形態によれば、第１実施形態と比較して、トランジスター１２１の閾値電圧のばらつきを、精度良く補償することができる。
また、データ信号の供給動作についても低速化することができる。
【００７４】
＜応用・変形例＞
本発明は、上述した実施形態や応用例などの実施形態等に限定されるものではなく、例えば次に述べるような各種の変形が可能である。また、次に述べる変形の態様は、任意に選択された一または複数を適宜に組み合わせることもできる。
【００７５】
＜制御回路＞
実施形態において、データ信号を供給する制御回路５については電気光学装置１０とは別体としたが、制御回路５についても、走査線駆動回路２０やデマルチプレクサ３０、レベルシフト回路４０とともに、シリコン基板に集積化しても良い。
また、電気光学装置１０は制御回路５を含むものであってもよい。この場合、電気光学装置１０は、画素回路１１０を駆動する駆動回路を備え、また、駆動回路には、画素回路１１０、デマルチプレクサ３０、及び、レベルシフト回路４０の動作を制御する駆動制御回路が備えられる。
【００７６】
＜基板＞
上述した実施形態等では、電気光学装置１０をシリコン基板に集積した構成としたが、他の半導体基板に集積した構成しても良い。例えば、ＳＯＩ基板であってもよい。また、ポリシリコンプロセスを適用してガラス基板等に形成しても良い。いずれにしても、画素回路１１０が微細化されて、トランジスター１２１において、ゲート電圧Ｖgsの変化に対しドレイン電流が指数関数的に大きく変化する構成に有効である。
また、画素回路の微細化を必要としない場合に、本発明を適用してもよい。
【００７７】
＜デマルチプレクサ＞
上述した実施形態等では、データ線１４を３列毎にグループ化するとともに、各グループにおいてデータ線１４を順番に選択して、データ信号を供給する構成としたが、グループを構成するデータ線数は、「２」以上「３ｎ」以下の所定数であればよい。例えば、グループを構成するデータ線数は、「２」であっても良いし、「４」以上であっても良い。
また、グループ化せずに、すなわちデマルチプレクサ３０を用いないで各列のデータ線１４にデータ信号を一斉に線順次で供給する構成でも良い。
【００７８】
＜トランジスターのチャネル型＞
上述した実施形態等では、画素回路１１０におけるトランジスター１２１〜１２５をＰチャネル型で統一したが、Ｎチャネル型で統一しても良い。また、Ｐチャネル型およびＮチャネル型を適宜組み合わせても良い。
また、上述した実施形態等では、トランジスター４５をＰチャネル型とし、トランジスター４３をＮチャネル型としたが、Ｐチャネル型またはＮチャネル型で統一してもよい。また、トランジスター４５をＮチャネル型とし、トランジスター４３をＰチャネル型としてもよい。
【００７９】
＜その他＞
上述した実施形態等では、電気光学素子として発光素子であるＯＬＥＤを例示したが、例えば無機発光ダイオードやＬＥＤ（Light Emitting Diode）など、電流に応じた輝度で発光するものであれば良い。
【００８０】
＜電子機器＞
次に、実施形態等や応用例に係る電気光学装置１０を適用した電子機器について説明する。電気光学装置１０は、画素が小サイズで高精細な表示な用途に向いている。そこで、電子機器として、ヘッドマウント・ディスプレイを例に挙げて説明する。
【００８１】
図１７は、ヘッドマウント・ディスプレイの外観を示す図であり、図１８は、その光学的な構成を示す図である。
まず、図１７に示されるように、ヘッドマウント・ディスプレイ３００は、外観的には、一般的な眼鏡と同様にテンプル３１０や、ブリッジ３２０、レンズ３０１Ｌ、３０１Ｒを有する。また、ヘッドマウント・ディスプレイ３００は、図１８に示されるように、ブリッジ３２０近傍であってレンズ３０１Ｌ、３０１Ｒの奥側（図において下側）には、左眼用の電気光学装置１０Ｌと右眼用の電気光学装置１０Ｒとが設けられる。
電気光学装置１０Ｌの画像表示面は、図１８において左側となるように配置している。これによって電気光学装置１０Ｌによる表示画像は、光学レンズ３０２Ｌを介して図において９時の方向に出射する。ハーフミラー３０３Ｌは、電気光学装置１０Ｌによる表示画像を６時の方向に反射させる一方で、１２時の方向から入射した光を透過させる。
電気光学装置１０Ｒの画像表示面は、電気光学装置１０Ｌとは反対の右側となるように配置している。これによって電気光学装置１０Ｒによる表示画像は、光学レンズ３０２Ｒを介して図において３時の方向に出射する。ハーフミラー３０３Ｒは、電気光学装置１０Ｒによる表示画像を６時方向に反射させる一方で、１２時の方向から入射した光を透過させる。
【００８２】
この構成において、ヘッドマウント・ディスプレイ３００の装着者は、電気光学装置１０Ｌ、１０Ｒによる表示画像を、外の様子と重ね合わせたシースルー状態で観察することができる。
また、このヘッドマウント・ディスプレイ３００において、視差を伴う両眼画像のうち、左眼用画像を電気光学装置１０Ｌに表示させ、右眼用画像を電気光学装置１０Ｒに表示させると、装着者に対し、表示された画像があたかも奥行きや立体感を持つかのように知覚させることができる（３Ｄ表示）。
【００８３】
なお、電気光学装置１０については、ヘッドマウント・ディスプレイ３００のほかにも、ビデオカメラやレンズ交換式のデジタルカメラなどにおける電子式ビューファインダーにも適用可能である。
【符号の説明】
【００８４】
５…制御回路、１０…電気光学装置、１２…走査線、１４…データ線、２０…走査線駆動回路、３０…デマルチプレクサ、４０…レベルシフト回路、４１、４４、５０…保持容量、４３、４５…トランジスター、６１…給電線、
１００…表示部、１１０…画素回路、１１６…給電線、１１８…共通電極、１２１〜１２５…トランジスター、１３０…ＯＬＥＤ、１３２…保持容量、３００…ヘッドマウント・ディスプレイ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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