(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターン放射ビームを目標に投影するよう構成されるリソグラフィシステムであって、
前記リソグラフィシステムは、レチクルを保持するレチクルサポートを備え、前記レチクルは、使用前において互いに平行な平面である二つの対向する主面を有し、前記レチクルの前記二つの対向する主面は、使用前であって前記レチクルサポートに取り付けられるときに基準面と実質的に平行であり、前記レチクルは、放射ビームの断面にパターンを付与するように構成されており、
前記レチクルは、前記二つの対向する主面間の第１エッジと、前記二つの対向する主面間の第２エッジとを有し、前記第２エッジは、前記第１エッジの反対側であって前記第１エッジから実質的に所定の距離に位置し、
前記リソグラフィシステムは、前記レチクルサポートにより保持されている前記レチクルの曲率を決定するよう構成されるサブシステムを備え、
前記サブシステムは、
前記基準面と、前記レチクルの使用中に実質的に前記第１エッジにて前記二つの対向する主面の特定の一方と接する第１平面との第１相対方向を、前記第１エッジにて検出するように構成される第１センサシステムと、
前記基準面と、前記レチクルの使用中に実質的に前記第２エッジにて前記二つの対向する主面の特定の一方と接する第２平面との第２相対方向を、前記第２エッジにて検出するように構成される第２センサシステムと、を備え、
前記サブシステムは、前記所定の距離と、前記第１相対方向と、前記第２相対方向とから前記曲率を決定するように構成されるリソグラフィシステム。
【請求項２】
前記第１センサシステムおよび前記第２センサシステムのそれぞれは、複数のセンサと、前記レチクルサポートに取り付けられるインターフェース本体と接続された対応する複数の測定目標とを備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記複数のセンサは容量センサを備え、前記対応する複数の測定目標は容量性プレートを備える、請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記レチクルのフィールド曲率フォーカスを制御するように構成されるレチクル曲げ器をさらに備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記レチクルサポートは、移動可能レチクルステージに取り付けられる、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
パターン放射ビームを目標に投影するよう構成されるリソグラフィシステムであって、
前記リソグラフィシステムは、レチクルを保持するレチクルサポートを備え、前記レチクルは、使用前において互いに平行な平面である二つの対向する主面を有し、前記レチクルの前記二つの対向する主面は、使用前であって前記レチクルサポートに取り付けられるときに基準面と直交し、前記レチクルは、放射ビームの断面にパターンを付与するように構成されており、
前記レチクルは、前記二つの対向する主面間の第１エッジと、前記二つの対向する主面間の第２エッジとを有し、前記第２エッジは、前記第１エッジの反対側であって前記第１エッジから実質的に所定の距離に位置し、
前記リソグラフィシステムは、前記レチクルサポートにより保持されている前記レチクルの曲率を決定するよう構成されるサブシステムを備え、
前記サブシステムは、
前記第１エッジと実質的に平行な前記基準面と、前記第１エッジにて前記二つの対向する主面の特定の一方と実質的に直交する第１平面であって前記レチクルの使用中に前記第１エッジに平行となる第１平面との第１相対方向を、前記第１エッジにて検出するように構成される第１センサシステムと、
前記基準面と、前記第２エッジにて前記二つの対向する主面の特定の一方と実質的に直交する第２平面であって前記レチクルの使用中に前記第２エッジに平行となる第２平面との第２相対方向を、前記第２エッジにて検出するように構成される第２センサシステムと、を備え、
前記サブシステムは、前記所定の距離と、前記第１相対方向と、前記第２相対方向とから前記曲率を決定するように構成されるリソグラフィシステム。
【請求項７】
前記第１センサシステムおよび前記第２センサシステムのそれぞれは、複数のセンサと、前記レチクルサポートと接続される対応する複数の測定目標とを備える、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
前記第１センサシステムおよび前記第２センサシステムのそれぞれは、複数のセンサと、前記レチクルの表面と接続される対応する複数の測定目標とを備える、請求項６に記載のシステム。
【請求項９】
前記複数のセンサは、前記複数の測定目標のそれぞれの変位を測定するように構成される、請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
前記第１相対方向は、前記第１センサシステムを用いて得られる変位測定結果間の差に部分的に基づいて決定され、
前記第２相対方向は、前記第２センサシステムを用いて得られる変位測定結果間の差に部分的に基づいて決定される、請求項６に記載のシステム。
【請求項１１】
前記レチクルサポートは、移動可能レチクルステージに取り付けられる、請求項６に記載のシステム。
【請求項１２】
パターン放射ビームを目標に投影するよう構成されるリソグラフィシステムであって、
前記リソグラフィシステムは、レンズトップを有する投影レンズと、レチクルを保持するレチクルサポートとを備え、前記レチクルは、放射ビームの断面にパターンを付与してパターン放射ビームを生成するように構成され、
前記レチクルの使用において、前記レチクルは、使用前において互いに平行な平面である二つの対向する主面を有し、
前記レチクルは、前記二つの対向する主面間の第１エッジと、前記二つの対向する主面間の第２エッジとを有し、前記第２エッジは、前記第１エッジの反対側であって前記第１エッジから実質的に所定の距離に位置し、
前記リソグラフィシステムは、前記レチクルサポートにより保持されている前記レチクルの曲率を決定するよう構成されるサブシステムを備え、
前記サブシステムは、
レチクル面に対して固定された向きを有する基準面であって前記第１エッジに平行な基準面と、前記レチクルの前記第１エッジにて前記レチクルに接する第１平面であって前記レチクルの使用中に前記第１エッジに平行となる第１平面との間の第１角度を表す第１の量と、
前記基準面と、前記第１エッジと反対側にある前記レチクルの前記第２エッジにて前記レチクルに接する第２平面であって前記レチクルの使用中に前記第２エッジに平行となる第２平面との間の第２角度を表す第２の量と、を検出するように構成され、
前記サブシステムは、前記投影レンズのレンズトップに対して移動可能に取り付けられ、
前記サブシステムは、前記レチクルの前記第１および第２エッジ間の前記所定の距離と、前記第１の量と、前記第２の量とから前記曲率を決定するように構成されるリソグラフィシステム。
【請求項１３】
前記サブシステムは、第１センサシステムおよび第２センサシステムを備える請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】
前記第１の量は、第１センサシステムを用いて測定され、前記第２の量は、第２センサシステムを用いて測定される、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１５】
前記第１の量は、前記第１センサシステムを用いて得られる測定結果間の差に部分的に基づいて決定され、前記第２の量は、前記第２センサシステムを用いて得られる測定結果間の差に部分的に基づいて決定される、請求項１４に記載のシステム。
【請求項１６】
リソグラフィシステムにおけるレチクルサポートに保持されているレチクルの曲率を決定する方法であって、前記リソグラフィシステムは、レンズトップを有する投影レンズを用いて目標にパターン放射ビームを投影するように構成され、前記レチクルは、使用前において互いに平行な平面である二つの対向する主面を有し、前記レチクルの前記二つの対向する主面は、使用前であって前記レチクルサポートに取り付けられるときにレチクル面に平行であり、前記レチクルは、前記二つの対向する主面間の第１エッジと、前記二つの対向する主面間の第２エッジとを有し、前記第２エッジは、前記第１エッジの反対側であって前記第１エッジから所定の距離に位置し、
前記方法は、
放射ビームの断面にパターンを付与するように構成される前記レチクルを前記レチクルサポートに保持することと、
第１センサシステムを用いて、前記レチクルの前記第１エッジにて第１の量を検出することであって、前記レチクル面に対して固定された向きを有し前記第１エッジに平行な基準面と、前記レチクルの使用中に前記レチクルの前記第１エッジにて前記レチクルに接する第１平面との間の第１角度を前記第１の量が表すことと、
第２センサシステムを用いて、前記レチクルの前記第２エッジにて第２の量を検出することであって、前記基準面と、前記レチクルの使用中に前記レチクルの前記第１エッジと反対側の前記第２エッジにて前記レチクルに接する第２平面との間の第２角度を前記第２の量が表しており、前記第１および第２センサシステムが前記投影レンズの前記レンズトップに対して移動可能に取り付けられていることと、
前記レチクルの前記第１および第２エッジ間の前記所定の距離と、前記第１の量と、前記第２の量とから前記曲率を決定することと、を備える方法。
【請求項１７】
前記レチクルサポートは、移動可能レチクルステージに取り付けられる、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記レチクルの前記第１および第２エッジもしくはその近傍にて、レチクルの幅または測定目標間の距離を決定することをさらに備える、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記第１および第２センサシステムの測定目標を前記レチクルサポートに接続することをさらに備える、請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
前記第１および第２センサシステムの測定目標を前記レチクルの表面に接続することをさらに備える、請求項１６に記載の方法。
【請求項２１】
リソグラフィ装置におけるレチクルの曲率をリアルタイムで検出するためのシステムであって、前記レチクルは、幅を有しており、移動可能レチクルステージのレチクルクランプにより保持され、前記リソグラフィ装置は、前記レチクルを曲げるための一以上のアクチュエータを含むレチクル曲げ器を備え、
前記システムは、
対応する第１測定目標のペアを有する第１センサのペアであって、別の面に対して固定された向きを有し前記レチクルの第１エッジと平行な基準面と、前記レチクルの前記第１エッジにて前記レチクルに接する第１平面との間の第１角度を決定し、移動するように構成された移動可能レチクルステージに取り付けられる第１センサのペアと、
それに関連して対応する第２測定目標のペアを有する第２センサのペアまたはそれに関連して対応する第２測定目標を有する第２センサの少なくとも一つであって、前記基準面と、前記第１エッジと反対側の前記レチクルの第２エッジにて、かつ、実質的に前記幅の前記第１エッジからある距離にて前記レチクルに接する第２平面との間の第２角度を決定し、移動可能ステージに取り付けられる前記第２センサのペアまたは前記第２センサと、を備え、
前記第１および第２測定目標のペアもしくは前記第２測定目標は、前記レチクル曲げ器に取り付けられ、または、
前記第１および第２測定目標のペアまたは前記第２測定目標は、前記レチクルクランプに取り付けられ、または、
前記第１測定目標のペアは前記レチクルの前記第１エッジに取り付けられ、かつ、前記第２測定目標のペアもしくは前記第２測定目標は前記第２エッジに取り付けられ、または、
前記第１測定目標のペアは前記レチクルの上面の第１部分に取り付けられ、かつ、前記第２測定目標のペアもしくは前記第２測定目標は前記レチクルの前記上面の第２部分に取り付けられ、または、
前記第１測定目標のペアは前記レチクルの下面の第１部分に取り付けられ、かつ、前記第２測定目標のペアもしくは前記第２測定目標は前記レチクルの前記下面の第２部分に取り付けられ、
前記第１角度は、前記第１測定目標のペアを用いて得られる二つの測定結果間の差に部分的に基づいて決定され、かつ、前記第２角度は、前記第２測定目標のペアを用いて得られる二つの測定結果の差に部分的に基づいて、もしくは、前記対応する第２測定目標を用いて得られる測定結果として決定されるようにされ、
前記システムは、前記第１および第２エッジにおける、もしくは、その近傍における前記レチクルの前記幅または測定目標間の距離と、前記第１角度と、前記第２角度に基づいて前記レチクルの前記曲率を決定するように構成される曲率決定装置を備えるシステム。
【請求項２２】
前記第１角度は、前記第１センサのペア間の距離に部分的に基づいて決定され、
前記第２角度は、前記第２センサのペア間の距離に部分的に基づいて決定される、請求項２１に記載のシステム。
【請求項２３】
前記レチクル曲げ器は、前記レチクルのフィールド曲率フォーカスを制御するように構成される、請求項２１に記載のシステム。
【請求項２４】
前記レチクル曲げ器を制御するように構成されるフィードバック制御システムをさらに備える、請求項２１に記載のシステム。
【請求項２５】
内側および外側ループをさらに備え、
一以上の内側ループは、局所的な位置フィードバックに基づいて前記一以上のアクチュエータの動きを直線化するように構成され、
前記外側ループは、前記レチクルの測定された曲率に基づいて、かつ、前記レチクルの曲率を動かすために前記一以上の内側ループを用いて、前記レチクルのフィールド曲率を制御するように構成される、請求項２４に記載のシステム。
【請求項２６】
前記外側ループの制御出力は、一以上の内側ループ制御器用の制御設定値を生成するためのアクチュエータデカップリングベクトルと乗算される、請求項２５に記載のシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
本出願は、２０１２年８月２９日に出願された米国仮出願第６１／６９４，５７４号、および、２０１２年１２月６日に出願された米国仮出願第６１／７３４，０５８号の利益を主張し、その全体が参照により本書に援用される。
【０００２】
本発明は、リソグラフィ方法および装置に関する。
【背景技術】
【０００３】
リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板の目標部分に与える機械である。リソグラフィ装置は例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いられる。その場合、マスクまたはレチクルとも称されるパターニングデバイスが、ＩＣの個々の層に形成される回路パターンを生成するために使用されうる。このパターンは、放射感応性材料（レジスト）層を有する基板（例えばシリコンウェーハ）上の（例えばダイの一部、１つのダイ、またはいくつかのダイを備える）目標部分に結像されることができる。
【０００４】
この結像プロセスは、典型的に、正確な位置にレチクルを正しく配置して生成される回路パターンがＩＣの個々の層の上に正しく配置されるようにする位置決め装置の使用を含む。レチクルの正確な位置は、レチクルとＩＣ層の間の最適な焦点距離の維持といった、いくつかの要因に依存する。レチクルと層の間の放射経路に平行な位置決め誤差は、悪化した像フォーカスを生じさせる。焦点の位置決め誤差は、平坦でないＩＣの基板といった多くの原因に起因しうる。これらの誤差は、ＩＣにわたって位置的に変化するデフォーカスを生じさせ、回路パターン像の品質に悪影響を与えうる。回路パターン像の生成に用いられる波長が短くなり続けるにつれて、より小さな回路パターンが可能となり、結像プロセスに導入されるいかなる歪みもさらに重大となる。
【発明の概要】
【０００５】
したがって、例えば、回路パターンを変形させ最適な焦点距離が維持されるようにレチクルを曲げることにより、整合する曲率形状を基板に与えるリソグラフィ方法およびシステムの提供が望まれる。さらに、例えばリアルタイムでレチクル曲率量を測定するリソグラフィ方法およびシステムの提供が望まれる。このようなリアルタイム検出は、レチクルの曲げの程度を制御するために用いることができる。
【０００６】
本発明の一実施の形態によれば、目標にパターン放射ビームを投影するためのリソグラフィシステムが提供される。このリソグラフィシステムは、レンズトップを有する投影レンズと、レチクルを保持するレチクルサポートを備えてもよい。レチクルは、放射ビームの断面にパターンを付してパターン放射ビームを生成するように構成されている。レチクルの使用中において、レチクルは、使用前において互いに平行な平面である二つの対向する主面を有し、レチクルの二つの対向する主面は、使用前であってレチクルサポートに取り付けられるときに基準面と実質的に平行である。レチクルは、二つの対向する主面間の第１エッジと、二つの対向する主面間の第２エッジとを有し、第２エッジは、第１エッジの反対側であって第１エッジから所定の距離に位置する。リソグラフィ装置は、レチクルサポートにより保持されているレチクルの曲率を決定するよう構成されるサブシステムを備えてもよい。サブシステムは、第１の量および第２の量を検出するよう構成されてもよい。第１の量は、基準面と第１平面との間の第１角度を表している。基準面は、レチクル面に対する方向が固定されており、第１エッジと平行である。第１平面は、レチクルの第１エッジにてレチクルに接しており、レチクルの使用中における第１エッジと平行である。第２の量は、基準面と第２平面との間の第２角度を表しており、第２平面は、第１エッジと反対側のレチクルの第２エッジにてレチクルに接しており、レチクルの使用中における第２エッジと平行である。サブシステムは、レチクルの第１および第２エッジ間の所定の距離と、第１の量と、第２の量とから曲率を決定するように構成されてもよく、投影レンズのレンズトップに対して移動可能に取り付けられてもよい。
【０００７】
同様に、本発明の一実施の形態は、リソグラフィシステムにおけるレチクルサポートに保持されているレチクルの曲率を決定するための方法を提供する。このリソグラフィシステムは、レンズトップを有する投影レンズを用いることによりパターン放射ビームを目標に投影するよう構成されている。レチクルは、使用前において互いに平行な二つの対向する主面を有する。使用前であってレチクルサポートに取り付けられるとき、レチクルの二つの対向する主面はレチクル面と平行である。二つの対向する主面間には第１エッジがあり、二つの対向する主面間には第２エッジがあり、第２エッジは、第１エッジの反対側であって第１エッジから所定の距離に位置する。この方法は、（ａ）レチクルサポートを用いてレチクルを保持することであって、レチクルが放射ビームの断面にパターンを付与するように構成されていることと、（ｂ）第１センサシステムを用いて、レチクルの第１エッジにて第１の量を検出することであって、レチクル面に対して固定された向きを有し第１エッジに平行な基準面と、レチクルの使用中にレチクルの第１エッジにてレチクルに接する第１平面との間の第１角度を第１の量が表すことと、（ｃ）第２センサシステムを用いて、レチクルの第２エッジにて第２の量を検出することであって、基準面と、レチクルの使用中に第１エッジと反対側のレチクルの第２エッジにてレチクルに接する第２平面との間の第２角度を第２の量が表しており、第１および第２センサシステムが投影レンズのレンズトップに対して移動可能に取り付けられていることと、（ｄ）レチクルの第１および第２エッジ間の所定の距離と、第１の量と、第２の量とから曲率を決定することと、を備えてもよい。
【０００８】
さらに、本発明の一実施の形態によれば、リソグラフィ装置におけるレチクルの曲率をリアルタイムで検出するためのシステムが提供される。レチクルは、幅を有しており、移動可能レチクルステージのレチクルクランプにより保持されている。リソグラフィ装置は、レチクルを曲げるための一以上のアクチュエータを含むレチクル曲げ器を備えてもよい。システムは、対応する第１測定目標のペアを有する第１センサのペアと、それに関連して対応する第２測定目標のペアを有する第２センサのペアまたはそれに関連して対応する第２測定目標を有する第２センサの少なくとも一方と、を備えてもよい。第１センサのペアは、別の面に対して固定された向きを有する基準面であってレチクルの第１エッジと平行な基準面と、レチクルの第１エッジにてレチクルに接する第１平面との間の第１角度を決定するように構成されてもよい。第１センサのペアは、移動可能レチクルステージに取り付けられてもよく、移動可能レチクルステージは移動するように構成される。第２センサのペアまたは第２センサの少なくとも一方は、基準面と、第１エッジと反対側のレチクルの第２エッジにて、かつ、実質的に幅である第１エッジからのある距離にてレチクルに接する第２平面との間の第２角度を決定するように構成されてもよい。第２センサのペアまたは第２センサは、移動可能ステージに取り付けられてもよい。第１測定目標のペアは、（ａ）レチクル曲げ器、（ｂ）レチクルクランプ、（ｃ）レチクルの第１エッジ、（ｄ）レチクルの上面の第１部分、または、（ｅ）レチクルの下面の第１部分に取り付けられてもよい。第２測定目標のペアまたは第２測定目標は、（ａ）レチクル曲げ器、（ｂ）レチクルクランプ、（ｃ）レチクルの第２エッジ、（ｄ）レチクルの上面の第２部分、または、（ｅ）レチクルの下面の第２部分に取り付けられてもよい。第１角度は、第１目標のペアを用いて得られる二つの測定結果間の差に部分的に基づいて決定され、第２角度は、第２目標のペアを用いて得られる二つの測定結果間の差に部分的に基づいて、もしくは、対応する第２目標を用いて得られる測定結果として決定される。このシステムは、レチクルの幅と、第１角度と、第２角度とに基づいてレチクルの曲率を決定するように構成される曲率決定装置をさらに備える。
【０００９】
本発明の一つの例示的な実施の形態によれば、目標にパターン放射ビームを投影するためのリソグラフィシステムが提供される。このリソグラフィシステムは、使用前において互いに平行な平面である二つの対向する主面を有するレチクルを保持するレチクルサポートを備えてもよい。二つの対向する主面は、使用前であってレチクルサポートに取り付けられるときに基準面と実質的に直交する。レチクルは、放射ビームの断面にパターンを付与するように構成されている。レチクルは、二つの対向する主面間の第１エッジと、二つの対向する主面間の第２エッジとを有する。第２エッジは、第１エッジの反対側であって第１エッジから実質的に所定の距離に位置している。リソグラフィシステムは、レチクルサポートにより保持されているレチクルの曲率を決定するように構成されるサブシステムをさらに備えてもよい。サブシステムは、第１エッジと実質的に平行な基準面と、第１エッジにて二つの対向する主面の特定の一方と実質的に直交する第１平面であってレチクルの使用中に第１エッジに平行となる第１平面との第１相対方向を、第１エッジにて検出するように構成される第１センサシステムを備えてもよい。サブシステムは、基準面と、第２エッジにて二つの対向する主面の特定の一方と実質的に直交する第２平面であってレチクルの使用中に第２エッジに平行となる第２平面との第２相対方向を、第２エッジにて検出するように構成される第２センサシステムをさらに備えてもよい。サブシステムは、所定の距離と、第１相対方向と、第２相対方向とから曲率を決定するように構成されてもよい。
【００１０】
本発明の一実施の形態によれば、目標にパターン放射ビームを投影するためのリソグラフィシステムが提供される。リソグラフィシステムは、使用前において互いに平行な平面である二つの対向する主面を有するレチクルを保持するレチクルサポートを備えてもよい。レチクルの二つの対向する主面は、使用前であってレチクルサポートに取り付けるときに、基準面と実質的に平行である。レチクルは、放射ビームの断面にパターンを付与するよう構成される。レチクルは、二つの対向する主面間の第１エッジと、二つの対向する主面間の第２エッジとを有する。第２エッジは、第１エッジの反対側であって第１エッジから実質的に所定の距離に位置する。一実施の形態において、リソグラフィシステムは、レチクルサポートにより保持されているレチクルの曲率を決定するよう構成されるサブシステムを備える。
【００１１】
一実施の形態において、サブシステムは、基準面と、レチクルの使用中に実質的に第１エッジにて二つの対向する主面の特定の一方と接する第１平面との第１相対方向を、第１エッジにて検出するように構成される第１センサシステムを備えてもよい。サブシステムは、基準面と、レチクルの使用中に実質的に第２エッジにて二つの対向する主面の特定の一方と接する第２平面との第２相対方向を、第２エッジにて検出するように構成される第２センサシステムをさらに備えてもよい。サブシステムは、所定の距離と、第１相対方向と、第２相対方向とから曲率を決定するように構成されてもよい。
【００１２】
本発明のさらなる特徴および利点は、様々な実施の形態の構造および動作とともに添付の図面を参照して以下に詳述される。本書に説明される特定の実施の形態に本発明は限定されないことに留意される。こうした実施の形態は説明の目的で本書に提示されるにすぎない。追加の実施の形態は、本書に含まれる教示に基づき当業者に明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
本書に含まれ明細書の一部を形成する添付の図面は、本記載とともに本発明を説明し、さらに本発明の本質を説明するために役立つとともに、当業者が本発明を実施または使用することを可能にする。
【００１４】
【図１】図１Ａおよび１Ｂは、本発明のある実施の形態に係る反射型および透過型のリソグラフィ装置をそれぞれ示す図である。
【００１５】
【図２】レチクル位置決めシステムを示す図である。
【００１６】
【図３】レチクルのフィールド曲率を示す図である。
【００１７】
【図４Ａ】本発明のある実施の形態に係るレチクル真空クランプ測定目標を利用したレチクル曲率検出システムを示す図である。
【００１８】
【図４Ｂ】本発明のある実施の形態に係る図４Ａのレチクル曲率検出システムを曲がったレチクルとともに示す図である。
【００１９】
【図４Ｃ】本発明のある実施の形態に係るレチクルエッジ測定目標を利用したレチクル曲率検出システムを示す図である。
【００２０】
【図４Ｄ】本発明のある実施の形態に係るレチクル表面測定目標を利用したレチクル曲率検出システムを示す図である。
【００２１】
【図４Ｅ】本発明のある実施の形態に係る図４Ｄのレチクル曲率検出システムを曲がったレチクルとともに示す図である。
【００２２】
【図５】本発明のある実施の形態に係る二重制御ループを有するレチクル曲率検出システムを示す。
【００２３】
【図６】本発明のある実施の形態に係るリアルタイムの曲率トラッキング性能を示す。
【００２４】
【図７Ａ】本発明のある実施の形態に係る一体型曲げ機構を有するレチクル曲率検出システムを示す。
【００２５】
【図７Ｂ】本発明のある実施の形態に係る曲がったレチクルとともに図７Ａのレチクル曲率検出システムの一部を示す図である。
【００２６】
【図８】本発明のある実施の形態に係るレチクル曲率検出方法を示すフローチャートである。
【００２７】
本発明の特徴および利点は、対応する構成要素に一貫して同様の符号が示される図面とともに後述される詳細な記載を参照したときより明らかになるであろう。図面において、同様の符号は一般に、同一の、機能的に同様のおよび／または構造的に同様の構成要素を示す。対応する符号の左端の桁により、ある要素が最初に現れる図面が示される。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
この明細書は、本発明の特徴を含む一以上の実施の形態を開示する。開示される実施の形態は、本発明を例示のみする。本発明の範囲は、開示される実施の形態に限定されない。本発明は、本書に添付される請求項によって定義される。
【００２９】
本明細書における「一つの実施の形態」、「ある実施の形態」、「ある例示的な実施の形態」などといった言及は、その説明される実施の形態がある特定の特徴、構造、又は性質を含んでもよいことを表すが、その特定の特徴、構造、又は性質がどの実施の形態にも必ず含まれうることを表すものではない。また、こうした言い回しは同一の実施の形態に言及するものでは必ずしもない。さらに、ある特定の特徴、構造、又は性質がある実施の形態と結びつけて説明されるとき、そうした特徴、構造、又は性質を他の実施の形態と結びつけてもたらすことはそれが明示的に説明されているか否かにかかわらず当業者の知識の範囲内にあるものと理解される。
【００３０】
本書ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用を例として説明しているが、本書に説明したリソグラフィ装置は他の用途にも適用することが可能であるものと理解されたい。他の用途としては、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用案内パターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどがある。当業者であればこれらの他の適用に際して、本明細書における「ウェハ」あるいは「ダイ」という用語がそれぞれ「基板」あるいは「目標部分」という、より一般的な用語と同義であるとみなされると理解することができるであろう。本書に言及された基板は露光前または露光後において、例えばトラック（典型的にはレジスト層を基板に塗布し、露光後のレジストを現像する装置）、メトロロジツール、及び／またはインスペクションツールにより処理されてもよい。適用可能であれば、本明細書の開示はこれらのまたは他の基板処理装置にも適用され得る。また、基板は例えば多層ＩＣを製造するために複数回処理されてもよく、その場合には本明細書における基板という用語は既に処理されている多数の処理層を含む基板をも意味しうる。
【００３１】
いくつかの実施の形態において、リソグラフィ装置は、極端紫外（ＥＵＶ）源を含むことができ、ＥＵＶ源は、ＥＵＶリソグラフィのためのＥＵＶ放射ビームを生成するように構成される。一般に、ＥＵＶ源は、放射システム（後述）内に構成され、対応する照明システムがＥＵＶ源のＥＵＶ放射ビームを調整するように構成される。
【００３２】
本書に記載される実施の形態において、「レンズ」および「レンズ素子」の用語は、文脈上許れれば、屈折型、反射型、磁気式、電磁気式および静電式の光学要素を含む、様々なタイプの光学要素のいずれか、またはその組合せを指してもよい。
【００３３】
本書で用いられる「放射」および「ビーム」の用語は、いかなる種類の電磁的な放射を包含し、紫外（ＵＶ）放射（例えば、３６５、２４８、１９３、１５７または１２６ｎｍの波長λを有する）、極端紫外（ＥＵＶまたは軟Ｘ線）放射（例えば、５−２０ｎｍの範囲の波長を有し、例えば、１３．５ｎｍ）、または、５ｎｍ未満で機能する硬Ｘ線を含むとともに、イオンビームや電子ビームといった粒子ビームをも含む。一般に、約７８０−３０００ｎｍ（またはそれ以上）の間の波長を有する放射は、ＩＲ放射とみなされる。ＵＶは、約１００−４００ｎｍの波長を有する放射と称される。リソグラフィにおいて、水銀放電ランプにより生成できる波長（Ｇ線４３６ｎｍ、Ｈ線４０５ｎｍ、および／または、Ｉ線３６５ｎｍ）もまた通常利用される。真空ＵＶまたはＶＵＶ（つまり、空気に吸収されるＵＶ）は、約１００−２００ｎｍの波長を有する放射と称される。深ＵＶ（ＤＵＶ）は、一般に、１２６ｎｍから４２８ｎｍの範囲の波長を有する放射と称され、ある実施の形態において、エキシマレーザはリソグラフィ装置内で用いられるＤＵＶを生成できる。例えば、５−２０ｎｍの範囲の波長を有する放射は、少なくとも一部が５−２０ｎｍの範囲となる特定の波長帯域を有する放射に関連することが理解されるであろう。
【００３４】
本発明の実施の形態は、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、または、これらの任意の組み合わせにより実施されうる。本発明の実施の形態は、機械的により取り可能な媒体に記憶され、一以上のプロセッサにより読み込まれて実行される命令として実施されうる。機械的に読み取り可能な媒体は、機械（例えば、コンピュータデバイス）により読み取り可能な形態の情報を記憶または送信するためのいかなるメカニズムを含みうる。例えば、機械的に読み取り可能な媒体は、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、磁気ディスク記憶媒体、光学記憶媒体、フラッシュメモリ装置、電気的、光学的、音響的もしくは他の形態の伝搬信号（例えば、搬送波、赤外線信号、デジタル信号など）およびその他を含んでよい。さらに、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令は、特定の動作を実行するものとして本書に記載されうる。しかしながら、このような記載は単に便宜上のものであり、このような動作は、実際上、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令などを実行するコンピュータデバイス、プロセッサ、制御器または他のデバイスに起因するものであることは理解されよう。
【００３５】
しかしながら、このような実施の形態の詳細を記載する前に、本発明の実施の形態が実施されうる例示的な環境を示すことが有益である。
【００３６】
図１Ａおよび１Ｂは、リソグラフィ装置１００およびリソグラフィ装置１００’をそれぞれ模式的に示す。リソグラフィ装置１００およびリソグラフィ装置１００’のそれぞれは、放射ビームＢ（例えば、ＤＵＶまたはＥＵＶ放射）を調整するように構成される照明システム（イルミネータ）ＩＬと；パターニングデバイス（例えば、マスク、レチクルまたは動的パターニングデバイス）ＭＡを支持するように構成されるサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴであって、サポート構造ＭＴおよびパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成される第１位置決めシステムＰＭに接続されるサポート構造と；基板（例えば、レジストコートされたウエハ）Ｗを保持するように構成される基板テーブル（例えば、ウエハテーブル）ＷＴであって、基板テーブルＷＴと基板Ｗを正確に位置決めするように構成される第２位置決めシステムＰＷに接続される基板テーブルと；を備える。リソグラフィ装置１００および１００’は、パターニングデバイスＭＡにより放射ビームＢに付与されるパターンを基板Ｗの目標部分（例えば、一以上のダイを備える）Ｃに投影するように構成される投影システムＰＳも有する。リソグラフィ装置１００において、パターニングデバイスＭＡおよび投影システムＰＳは反射型であり、リソグラフィ装置１００’において、パターニングデバイスＭＡおよび投影システムＰＳは透過型である。
【００３７】
照明システムＩＬは、放射Ｂを方向付け、成形し、又は制御するための屈折型、反射型、磁気型、電磁気型、静電型、あるいは他の種類の光学素子といった各種光学素子、またはこれらの任意の組合せを含んでもよい。
【００３８】
サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの向き、リソグラフィ装置１００および１００’のデザイン、及び、パターニングデバイスが真空環境で保持されるか否かといった他の条件に応じた方式で、パターニングデバイスＭＡを保持する。サポート構造ＭＴは、機械式、真空式、静電式またはパターニングデバイスＭＡを保持する他の固定技術を用いてもよい。サポート構造ＭＴは、フレームまたはテーブルであってもよく、例えば、これらは固定されていてもよいし必要に応じて移動可能であってもよい。サポート構造ＭＴは、例えば投影システムＰＳに対して所望の位置にパターニングデバイスを位置決めすることを保証してもよい。
【００３９】
「パターニングデバイス」ＭＡなる用語は、例えば基板Ｗの目標部分Ｃにパターンを生成するために放射ビームＢの断面にパターンを付与するのに使用可能な何らかのデバイスを指し示すものと広義に解釈されるであろう。放射ビームＢに付与されるパターンは、目標部分Ｃに生成される集積回路等のデバイスにおける特定の機能層に対応してもよい。
【００４０】
パターニングデバイスＭＡは透過型（図１Ｂのリソグラフィ装置１００’など）または反射型（図１Ａのリソグラフィ装置１００など）であってもよい。パターニングデバイスＭＡには例えば、レチクル、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクはリソグラフィの分野では周知であり、バイナリマスクやレベンソン型位相シフトマスク、ハーフトーン型位相シフトマスク、さらに各種のハイブリッド型マスクが含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例は、マトリックス状に配列される小型のミラーを採用し、各ミラーは入射する放射ビームを異なる方向に反射するように個別に傾斜できる。傾斜されるミラーは、ミラーマトリックスにより反射される放射ビームＢにパターンを付与する。
【００４１】
「投影システム」ＰＳなる用語は、使用される露光放射に応じて、または液浸液の使用もしくは真空の使用といった他の要因に応じて適切である限り、屈折型、反射型、磁気型、電磁気型、静電型あるいは他の種類の光学素子といった各種光学素子、またはこれらの任意の組合せを含みうる。ガスは放射を吸収しすぎるかもしれないので、ＥＵＶ放射については真空を使用することが望ましい。したがって、真空壁および真空ポンプの助けによりビーム経路の全体に真空環境が与えられてもよい。
【００４２】
リソグラフィ装置１００および／またはリソグラフィ装置１００’は、二つ（デュアルステージ）もしくはそれより多数の基板テーブルＷＴ、および／または、二以上のサポート構造ＭＴを有する形式であってもよい。このような「多重ステージ」型の装置においては、追加的な基板テーブルＷＴまたはサポート構造ＭＴが並行して使用されてもよく、あるいは一以上の基板テーブルＷＴまたはサポート構造ＭＴが露光に使用されている間に一以上の他のテーブルで準備工程が実行されてもよい。
【００４３】
図１Ａおよび１Ｂを参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源ＳＯおよびリソグラフィ装置１００または１００’は、例えば放射源ＳＯがエキシマレーザである場合、別体であってもよい。このような場合、放射源ＳＯはリソグラフィ装置１００または１００’の一部を形成するとみなされず、放射ビームＢは、例えば適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを備えるビームデリバリシステムＢＤ（図１Ｂ）の助けにより、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと通過する。別のケースにおいて、例えば放射源ＳＯが水銀ランプである場合、放射源ＳＯはリソグラフィ装置１００または１００’の一体的な部分であってもよい。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムとして称されてもよい。
【００４４】
イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するためのアジャスタＡＤ（図１Ｂ）を備えてもよい。たいていの場合、イルミネータの瞳面における強度分布の外側半径範囲および／または内側半径範囲（それぞれσアウタおよびσインナと通常呼ばれる）の少なくとも一方を調整できる。さらにイルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯなどの様々な他の要素（図１Ｂ）を備えてもよい。イルミネータＩＬは、放射ビームを調整し、ビーム断面において所望の均一性および強度分布を有するように用いられてもよい。
【００４５】
図１Ａを参照すると、放射ビームＢは、サポート構造（例えばマスクテーブルまたはレチクルステージ）ＭＴに保持されるパターニングデバイス（例えばマスクまたはレチクル）ＭＡに入射し、パターニングデバイスＭＡによりパターンが付与される。リソグラフィ装置１００において、放射ビームＢはパターニングデバイスＭＡから反射される。パターニングデバイスＭＡから反射された後、放射ビームＢは、基板Ｗの目標部分Ｃにビームを集束させる投影システムＰＳを通過する。いくつかの実施の形態において、一以上の力アクチュエータ（例えば、サーボ機構または他のいかなる適切な力アクチュエータ）および一以上の位置センサＩＦ２（例えば、干渉計、リニアエンコーダ、容量センサまたは他のいかなる適切な位置検出デバイス）を含むことができる第２位置決めシステムＰＷの助けを借りて、例えば放射ビームＢの経路上に異なる目標部分Ｃを位置させるように、基板テーブルＷＴおよび基板Ｗを正確に移動させてもよい。同様に、いくつかの実施の形態において、一以上の力アクチュエータ（例えば、サーボ機構または他のいかなる適切な力アクチュエータ）および一以上の位置センサＩＦ１（例えば、干渉計、リニアエンコーダ、容量センサまたは他のいかなる適切な位置検出デバイス）を含むことができる第１位置決めシステムＰＭは、放射ビームの経路に対してサポート構造ＭＴおよびパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするために用いられてもよい。パターニングデバイスＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１，Ｍ２および基板アライメントマークＰ１，Ｐ２を用いてアライメントされてもよい。
【００４６】
いくつかの実施の形態において、位置決めシステムＰＷおよびＰＭは、基板テーブルＷＴおよび基板Ｗと、サポート構造ＭＴおよびパターニングデバイスＭＡのそれぞれを、複数の自由度（例えば、三つの直交軸に沿っておよび一以上の軸についての回転）で移動させるように構成されることができる。
【００４７】
図１Ｂを参照すると、放射ビームＢは、サポート構造（例えばマスクテーブルまたはレチクルステージ）ＭＴに保持されるパターニングデバイス（例えばマスクまたはレチクル）ＭＡに入射し、パターニングデバイスによりパターンが付与される。パターニングデバイスＭＡを通過すると、放射ビームＢは基板Ｗの目標部分Ｃにビームを集束させる投影システムＰＳを通過する。いくつかの実施の形態において、一以上の力アクチュエータ（例えば、サーボ機構または他のいかなる適切な力アクチュエータ）および一以上の位置センサＩＦ（例えば、干渉計、リニアエンコーダ、容量センサまたは他のいかなる適切な位置検出デバイス）を含むことができる第２位置決めシステムＰＷの助けを借りて、例えば放射ビームＢの経路上に異なる目標部分Ｃを位置させるように、基板テーブルＷＴおよび基板Ｗを正確に移動させることができる。同様に、いくつかの実施の形態において、一以上の力アクチュエータ（例えば、サーボ機構または他のいかなる適切な力アクチュエータ）および一以上の位置センサ（例えば、図１Ｂに図示されていない、干渉計、リニアエンコーダ、容量センサまたは他のいかなる適切な位置検出デバイス）を含むことができる第１位置決めシステムＰＭは、例えばマスクライブラリの機械検索後やスキャン中において、放射ビームの経路に対してサポート構造ＭＴおよびパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするために用いることができる。
【００４８】
一般に、サポート構造ＭＴの移動は、第１位置決め装置ＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けにより実現されてもよい。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２位置決め装置ＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを用いて実現されてもよい。（スキャナと対照的に）ステッパを用いる場合、サポート構造ＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに接続されてもよく、もしくは、固定されてもよい。パターニングデバイスＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１，Ｍ２および基板アライメントマークＰ１，Ｐ２を用いて位置合わせされてもよい。基板アライメントマークは、図示されるように専用の目標部分を占めているが、目標部分の間のスペースに位置していてもよい（スクライブラインアライメントマークとして知られている）。同様に、マスクＭＡに一以上のダイが設けられる場合には、マスクアライメントマークはダイの間に位置してもよい。
【００４９】
リソグラフィ装置１００および１００’は、以下のモードの少なくとも一つで使用されてもよい。
１．ステップモードでは、放射ビームに付与されたパターンの全体が１回の照射で一つの目標部分Ｃに投影される間、サポート構造（例えば、マスクテーブルまたはウエハステージ）ＭＴ及び基板テーブルＷＴは実質的に静止状態とされる（すなわち単一静的露光）。そして、基板テーブルＷＴはＸ方向および／またはＹ方向に移動され、異なる目標部分Ｃが露光されうる。
２．スキャンモードでは、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影される間、サポート構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期してスキャンされる（すなわち単一動的露光）。サポート構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）率および像反転特性により定められうる。
３．別のモードでは、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影される間、サポート構造ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して実質的に静止状態とされ、基板テーブルＷＴは移動またはスキャンされる。このモードにおいて、一般的にパルス放射源が用いられ、プログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴが移動するたびに、または連続する放射パルスの間に必要に応じてスキャン中に更新される。この動作モードは、上記のプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に適用できる。
【００５０】
上記の使用モードを組み合わせて動作させてもよいし、使用モードに変更を加えて動作させてもよく、さらに全く別の使用モードを用いてもよい。
【００５１】
（レチクル位置決めシステム）
図２は、リソグラフィ製造プロセスにおけるレチクルの位置決めに用いられるレチクル位置決めシステム２００を示す。一つの例において、システム２００は、レチクル２１０、レチクルクランプ２１５−Ａおよび２１５−Ｂ、レチクルプレート２２０−Ａおよび２２０−Ｂ、二つのエンコーダヘッドのペア２２５−Ａおよび２２５−Ｂ、レチクルステージ２３０（断面２３０−Ａおよび２３０−Ｂを図示）、位置決めアクチュエータ２３２−Ａおよび２３２−Ｂ、カウンタマス部２３５−Ａおよび２３５−Ｂを含む。システム２００において、レチクル２１０は、レチクルプレート２２０にレチクルクランプ２１５を用いて固定される。
【００５２】
位置決め部２３２は、主としてカウンタマス２３５の長さに沿って、例えばＹ方向に動き、レチクル２１０を所望の位置へと動かす。エンコーダヘッド２２５は、レチクルステージ２３０の位置を検出する。十分なエンコーダヘッドが与えられれば、レチクルステージ２３０の位置を６軸の自由度の全てで決定できる。
【００５３】
しかしながら、エンコーダヘッド２２５はレチクルステージ２３０の位置を測定しているため、レチクル２１０の正確な位置の決定には、レチクル２１０がレチクルプレート２２０ひいてはレチクルステージ２３０に完全に固定されているという仮定がなされなければならない。残念ながら、レチクルは、レチクルプレート２２０およびレチクルステージ２３０との関係において滑ることができ、および／または、曲がることができるため、これは常に当てはまらない。このようなレチクルの滑りまたは曲がりは、レチクルステージ２３０の位置に基づくレチクル２１０の不正確な位置決めを生じさせるであろう。
【００５４】
（レチクルフィールド曲率）
図１Ａおよび１Ｂに示されるようなリソグラフィシステムにおいて、パターニングデバイス（例えば、マスク、レチクル）ＭＡ上のパターンと基板Ｗの間には最適な焦点距離がある。マスクＭＡと基板Ｗの間の放射経路に平行な位置決め誤差は、悪化した像フォーカスを生じさせる。焦点の位置決め誤差は、平坦でないＩＣの基板といった多くの原因に起因しうる。これらの誤差は、各ダイＣの長さおよび幅にわたって位置的に変化するデフォーカスを生じさせうる。このようなデフォーカス形状の一つは、ダイの幅に対して二次式となる焦点誤差である。ここで、幅とは、サポート構造ＭＴが動く方向に直交する寸法である。この種類のデフォーカス誤差は、通常、フィールド曲率誤差と称される。
【００５５】
フィールド曲率誤差を補正する方法の一つは、パターンを変形させて適切な焦点距離が維持されるように、整合する曲率形状を基板Ｗに与えることである。図３は、曲げられたレチクル３１０を示す。レチクルは、二つの対向する主面を有し、レチクル３１０の上部エッジおよび下部エッジとして示される。これらのレチクル表面は、使用前において互いに平行な平面である。レチクルに曲率を与えるために、例えば曲げアクチュエータを用いることができる。曲げの程度を制御するために、曲率の大きさを検出することが望ましい。
【００５６】
レチクルの曲率は、レチクル３１０の左側のＲｙ１，３２０−Ｌおよびレチクル３１０の右側のＲｙ２，３２０−Ｒとして示されるように、レチクルの対向する二つの端部における局所的な回転角の測定を通じて見積もることができる。Ｒｙ１は、基準面３１６と平面３１７の間に形成され、Ｒｙ２は、基準面３１６と平面３１８の間に形成される。説明のために、平面３１７および３１８は、図３の名目上のレチクル表面と平行に示される。一般に、平面３１７および３１８がレチクル端部で回転し、基準面３１６が実質的に静止している限り、これらはレチクル表面に対していかなる名目上の向きを有することができる。分かりやすさのため、図３ではＺ方向の曲率のみが示されているが、同様の原理が任意の面における曲率または多数の平面における曲率に適用される。
【００５７】
一つの例において、レチクルのＺ方向の形状が完全な二次の多項式に従うと仮定することができる。この仮定の下では、二つの局所的な角度がフィールド曲率（ＦＣ）とも知られているレチクル曲率の正確な寸法となる。したがって、レチクル３１０の幅ｗが既知または測定可能であるとすると、以下の式が与えられる。
【数１】
0006009081.tif 000002
【００５８】
したがって、上述の仮定の下において、レチクルのフィールド曲率（例えば、レチクル曲率）は、レチクルの二つの対向する端部における局所的な回転角を測定することにより計算できる。ある実施の形態において、レチクルの曲率の測定は多数の軸でなされることができ、三次元までの測定結果を含む多数の面でのフィールド曲率をもたらす。レチクルの変形が完全な二次の多項式に従わない場合においても、記載する方法を依然として利用することができるが、より高次の変形をさらに分析するための追加の検出が採用されなければ、より高次のいかなる顕著な変形も測定誤差を生じさせうる。
【００５９】
フィールド曲率は、三つの異なるｘ位置におけるレチクルのｚの高さ（つまり、ｘ位置ｘ１，ｘ２，ｘ３にて測定されるｚの高さｚ１，ｚ２，ｚ３）を測定することによっても計算することができる。これは、以下の測定結果を生み出す。
【数２】
0006009081.tif 000003
この三つの方程式の連立は、未知のｚｏｆｆ，θｙ，ＦＣについて解くことができる。特に、フィールド曲率ＦＣについての解は、以下の式で表される。
【数３】
0006009081.tif 000004
【００６０】
（レチクル端部の検出）
本発明の一実施の形態によれば、目標にパターン放射ビームを投影するためのリソグラフィシステムが提供される。このリソグラフィシステムは、レンズトップを有する投影レンズと、レチクルを保持するレチクルサポートを備えてもよい。リソグラフィシステムにおいて、レチクルサポートは、たいていレンズトップに対して移動可能であるが、いくつかの実施の形態において、固定されていてもよい。レチクルは、放射ビームの断面にパターンを付してパターン放射ビームを生成するように構成されている。レチクルの使用において、レチクルは、使用前に互いに平行な平面である二つの対向する主面を有し、レチクルの二つの対向する主面は、使用前であってレチクルサポートに取り付けられるときに基準面と実質的に平行である。レチクルは、二つの対向する主面間の第１エッジと、二つの対向する主面間の第２エッジとを有し、第２エッジは、第１エッジの反対側であって第１エッジから所定の距離に位置する。リソグラフィシステムは、レチクルサポートにより保持されているレチクルの曲率を決定するように構成されるサブシステムを備えてもよい。サブシステムは、第１の量および第２の量を検出するように構成されてもよい。第１の量は、基準面と第１平面との間の第１角度を表している。基準面は、レチクル面に対する向きが固定されており、第１エッジに平行であり、第１平面は、レチクルの第１エッジにてレチクルに接しており、レチクルの使用中において第１エッジと平行である。第２の量は、基準面と第２平面との間の第２角度を表しており、第２平面は、第１エッジと反対側のレチクルの第２エッジにてレチクルに接しており、レチクルの使用中において第２エッジと平行である。サブシステムは、レチクルの第１および第２エッジ間の所定の距離と、第１の量と、第２の量とから曲率を決定するように構成されてもよく、投影レンズのレンズトップに対して移動可能に取り付けられてもよい。
【００６１】
同様に、本発明の一実施の形態は、リソグラフィシステムにおけるレチクルサポートにより保持されているレチクルの曲率を決定する方法を提供する。リソグラフィシステムは、レンズトップを有する投影レンズを用いて目標にパターン放射ビームを投影するように構成されている。レチクルは、使用前において互いに平行な平面である二つの対向する主面を有し、使用前であってレチクルサポートに取り付けられるときに、レチクルの二つの対向する主面はレチクル面と平行である。二つの対向する主面間には第１エッジがあり、二つの対向する主面間には第２エッジがあり、第２エッジは、第１エッジの反対側であって第１エッジから所定の距離に位置する。この方法は、（ａ）レチクルサポートを用いてレチクルを保持することであって、レチクルが放射ビームの断面にパターンを付与するように構成されていることと、（ｂ）第１センサシステムを用いて、レチクルの第１エッジにて第１の量を検出することであって、レチクル面に対して固定された向きを有する基準面であって第１エッジに平行な基準面と、レチクルの使用中にレチクルの第１エッジにてレチクルに接する第１平面との間の第１角度を第１の量が表すことと、（ｃ）第２センサシステムを用いて、レチクルの第２エッジにて第２の量を検出することであって、基準面と、レチクルの使用中に第１エッジと反対側のレチクルの第２エッジにてレチクルに接する第２平面との間の第２角度を第２の量が表しており、第１および第２センサシステムが投影レンズのレンズトップに対して移動可能に取り付けられていることと、（ｄ）レチクルの第１および第２エッジ間の所定の距離と、第１の量と、第２の量とから曲率を決定することと、を備えてもよい。
【００６２】
さらに、本発明の一実施の形態によれば、リソグラフィ装置におけるレチクルの曲率をリアルタイムで検出するためのシステムが提供される。レチクルは、幅を有しており、移動可能レチクルステージのレチクルクランプにより保持されている。リソグラフィ装置は、レチクルを曲げるための一以上のアクチュエータを含むレチクル曲げ器を備えてもよい。システムは、対応する第１測定目標のペアを有する第１センサのペアと、それに関連して対応する第２測定目標のペアを有する第２センサのペアまたはそれに関連して対応する第２測定目標を有する第２センサの少なくとも一方と、を備えてもよい。第１センサのペアは、別の面に対して固定された向きを有する基準面であってレチクルの第１エッジと平行な基準面と、レチクルの第１エッジにてレチクルに接する第１平面との間の第１角度を決定するように構成されてもよい。第１センサのペアは、移動可能レチクルステージに取り付けられてもよく、移動可能レチクルステージは移動するように構成される。第２センサのペアまたは第２センサの少なくとも一方は、基準面と、第１エッジと反対側のレチクルの第２エッジにて、かつ、実質的に幅である第１エッジからのある距離にてレチクルに接する第２平面との間の第２角度を決定するように構成されてもよい。第２センサのペアまたは第２センサは、移動可能ステージに取り付けられてもよい。第１測定目標のペアは、（ａ）レチクル曲げ器、（ｂ）レチクルクランプ、（ｃ）レチクルの第１エッジ、（ｄ）レチクルの上面の第１部分、または、（ｅ）レチクルの下面の第１部分に取り付けられてもよい。第２測定目標のペアまたは第２測定目標は、（ａ）レチクル曲げ器、（ｂ）レチクルクランプ、（ｃ）レチクルの第２エッジ、（ｄ）レチクルの上面の第２部分、または、（ｅ）レチクルの下面の第２部分に取り付けられてもよい。第１角度は、第１目標のペアを用いて得られる二つの測定結果間の差に部分的に基づいて決定され、第２角度は、第２目標のペアを用いて得られる二つの測定結果間の差に部分的に基づいて、もしくは、対応する第２目標を用いて得られる測定結果として決定される。このシステムは、レチクルの幅と、第１角度と、第２角度とに基づいてレチクルの曲率を決定するように構成される曲率決定装置をさらに備えてもよい。
【００６３】
本発明の一つの例示的な実施の形態によれば、目標にパターン放射ビームを投影するためのリソグラフィシステムが提供される。このリソグラフィシステムは、レチクルを保持するレチクルサポートを備えてもよく、レチクルは、使用前において互いに平行な平面である二つの対向する主面を有する。レチクルの二つの対向する主面は、使用前であってレチクルサポートに取り付けられるときに実質的に基準面と直交する。レチクルは、放射ビームの断面にパターンを付与するように構成されている。レチクルは、二つの対向する主面間の第１エッジと、二つの対向する主面間の第２エッジとを有する。第２エッジは、第１エッジの反対側であって第１エッジから実質的に所定の距離に位置している。リソグラフィシステムは、レチクルサポートにより保持されているレチクルの曲率を決定するように構成されるサブシステムをさらに備えてもよい。サブシステムは、第１エッジと実質的に平行な基準面と、第１エッジにて二つの対向する主面の特定の一方と実質的に直交する第１平面であってレチクルの使用中に第１エッジに平行となる第１平面との第１相対方向を、第１エッジにて検出するように構成される第１センサシステムを備えてもよい。サブシステムは、基準面と、第２エッジにて二つの対向する主面の特定の一方と実質的に直交する第２平面であってレチクルの使用中に第２エッジに平行となる第２平面との第２相対方向を、第２エッジにて検出するように構成される第２センサシステムをさらに備えてもよい。サブシステムは、所定の距離と、第１相対方向と、第２相対方向とから曲率を決定するように構成されてもよい。
【００６４】
図４Ａ−Ｅは、本発明の異なる実施の形態に係るレチクルのフィールド曲率を直接的に測定することへのアプローチを示す。図４Ａは、本発明のある実施の形態に係る、レチクル真空クランプ測定目標を用いたレチクル曲率測定システム４００の例を示す。システム４００は、レチクル４１０を保持するレチクル真空クランプのペア４１５−Ａおよび４１５−Ｂを有する移動可能レチクルステージ４１１と、センサシステムのペアとを備える。一つの例において、レチクル真空クランプ４１５−Ａおよび４１５−Ｂは、クランプがレチクルステージの動きを確実に変換できるように、しかしながら、取り付け点にてレチクルの局所的な回転角の整合のために回転に対して主として自由になるように、移動可能レチクルステージ４１１に取り付けられる。この実施の形態において、レチクル真空クランプ４１５−Ａおよび４１５−Ｂは、互いに平行であり、かつ、レチクル面４１７に平行であり、使用前において基準面４１６と実質的に平行である二つの対向する平坦な主面の一方に取り付けられる。示される例において、センサシステムは、リソグラフィシステムのサブシステムであり、各システムは、測定目標４２５のペアと、対応する水平方向のセンサ４３０のペアとを備える。ある例において、測定目標４２５は、図４Ａの矢印が指す垂直面として物理的に実現されてもよい。例えば、センサ４３０が容量性プローブまたは干渉計であるとき、用意された面が測定目標として用いられてもよい。センサシステムは、例えば、使用中のレチクルの局所的な回転角を測定するように構成される。センサ４３０−Ａ１，４３０−Ａ２，４３０−Ｂ１および４３０−Ｂ２は、移動可能レチクルステージ４１１に取り付けられ、これらの各測定目標４２５−Ａ１，４２５−Ａ２，４２５−Ｂ１および４２５−Ｂ２は、この例において、レチクル真空クランプ４１５に取り付けられる。測定目標のペア４２５−Ａ１および４２５−Ａ２は、レチクル真空クランプ４１５Ａ−１に示され、別の測定目標のペア４２５−Ｂ１および４２５−Ｂ２は、レチクル真空クランプ４１５−Ｂ上に示される。センサ４３０および測定目標４２５は、例えば、使用中におけるレチクル４１０の二つの対向する端部にて、局所的な回転角Ｒｙ１およびＲｙ２を測定するように構成される。
【００６５】
この実施の形態において、図４Ａはシステム４００において使用前の平坦なレチクル４１０を示す。しかしながら、例えばレチクル４１０が使用中に曲げられると、レチクルクランプ４１５は曲げに追従し、レチクルクランプ４１５に取り付けられる測定目標は曲げの結果として変位する。この状況は、システム４００の曲がったレチクル４１０’とともに図４Ｂに示される。図４Ｂに示すレチクルの曲げの程度は、例示にすぎず、提示する概念の強調するために示される。
【００６６】
図４Ｂは、曲がったレチクル４１０’を、レチクル４１０’の曲がった端部の回転に整合するように回転されるレチクルクランプ４１５−Ａおよび４１５−Ｂとともに示す。レチクルクランプ４１５−Ａおよび４１５−Ｂの回転の結果として、測定目標４２５−Ａ１，４２５−Ａ２，４２５−Ｂ１および４２５−Ｂ２は、図４Ａに示すシステム４００と比べて変位している。センサ４３０−Ａ，４３０−Ａ２，４３０−Ｂ１および４３０−Ｂ２は、例えば、これらの各測定目標４２５−Ａ１，４２５−Ａ２，４２５−Ｂ１および４２５−Ｂ２の水平方向の変位を、Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３およびＸ４のそれぞれと等しい測定変位とともに測定するように方向付けられ、構成されている。この例において、レチクル真空クランプ４１５−Ａでの回転角Ｒｙ１は、Ｒｙ１＝（Ｘ２−Ｘ１）／ｈとして計算され、ｈはセンサ４３０−Ａ１および４３０−Ａ２の間の距離である。また、レチクル真空クランプ４１５−Ｂでの回転角Ｒｙ２は、Ｒｙ２＝（Ｘ４−Ｘ３）／ｈとして計算され、ｈはセンサ４３０−Ｂ１および４３０−Ｂ２の間の距離である。そして曲率は、角度Ｒｙ１およびＲｙ２から上述のようにして計算することができる。
【００６７】
レチクルの曲率の測定に加えて、例えば、レチクルの剛体変換および回転と非剛体伸長／圧縮を測定するためにもセンサを用いることができる。回転は０．５×（Ｒｙ１＋Ｒｙ２）として、変換は０．２５×（Ｘ１＋Ｘ２＋Ｘ３＋Ｘ４）として、伸長／圧縮は０．５×（Ｘ３＋Ｘ４−Ｘ１−Ｘ２）として計算される。
【００６８】
ある実施の形態において、測定目標およびセンサのペアは、センサ４３０と直交する変位を測定するようにも取り付けることができる。図４Ａにおいて、これらは測定目標４２０−Ａ１，４２０−Ａ２，４２０−Ｂ１および４２０−Ｂ２（これらは明確性のため図４Ｂに示されていない）として示されている。これら四つの測定目標および整合するセンサを用いて、垂直軸（つまり、図４Ａのページに向かう方向）の変換および回転を測定できる。
【００６９】
ある実施の形態において、センサおよび目標のペアは、縦に変位している各センサのペアを用いて、測定変位から回転角Ｒｙ１およびＲｙ２を計算できるように、レチクル真空クランプ４１５−Ａおよび４１５−Ｂの縦の変位を測定するセンサに対して向けることもできる。
【００７０】
図４Ｃは、図４Ａに示される種類と同様のある実施の形態に係るレチクル４１０を示すが、レチクル４１０の各端部にて直接エッジに測定目標のペアが取り付けられている。いくつかの実施の形態において、レチクルのエッジは、測定目標として直接的に用いられてもよい。図４Ａのように、この実施の形態において、水平方向のセンサ４４０−Ａ１，４４０−Ａ２，４４０−Ｂ１および４４０−Ｂ２は、例えばこれらの各測定目標４３５−Ａ１，４３５−Ａ２，４３５−Ｂ１および４３５−Ｂ２の水平方向の変位を、Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３およびＸ４のそれぞれと等しい測定変位とともに測定するように構成されている。図４Ａのように、局所的な回転角Ｒｙ１は、（Ｘ２−Ｘ１）／ｈとして計算され、局所的な回転角Ｒｙ２は、（Ｘ４−Ｘ３）／ｈとして計算される。センサは、干渉計の使用を含むことができる。他のセンサの種類は、容量式センサの目標としての導電性フィルムを追加するなど、エッジが適切な目標として準備される場合に、レチクルのエッジに向けられることができるであろう。
【００７１】
図４Ｄおよび図４Ｅは、図４Ａおよび図４Ｂのそれぞれに示される種類と同様のレチクル４１０を示すが、対応する縦方向のセンサとともに、測定目標のペアがレチクル４１０の各端部にて直接下面に取り付けられている。別の実施の形態において、測定目標のペアは、レチクル４１０の各端部にて上面に取り付けることができる。この例において、縦方向のセンサ４５０−Ａ１，４５０−Ａ２，４５０−Ｂ１および４５０−Ｂ２は、例えばこれらの各測定目標４４５−Ａ１，４４５−Ａ２，４４５−Ｂ１および４４５−Ｂ２の縦方向の変位を、Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３およびＸ４のそれぞれと等しい測定変位とともに測定するように構成されている。これらの測定変位に基づいて、局所的な回転角Ｒｙ１およびＲｙ２と、曲率が図４Ｂのように計算される。
【００７２】
別の実施の形態は、示した四つのセンサおよび目標のペアのうち任意に選択する三つを含むことができる。全部で三つのセンサのみを用いる場合、例えば、上述のようにレチクルの縦変位（ｚの測定結果）である三つの測定結果を用いて、フィールド曲率を計算できる。四つのセンサを用いる場合、例えば、測定角度またはｚの測定結果の方法を用いて、曲率を測定できる。実施の形態に係るある例において、第２センサの「ペア」が一つのセンサのみを有するとき、第２の局所的な角度は測定されない。
【００７３】
この実施の形態において、図４Ａと同様に、レチクルの変換および回転をセンサ４５０の測定結果を用いて計算できる。図４Ａのように、センサ４５０および測定目標４４５は、直交軸における変換および回転を測定するために利用できる。
【００７４】
一つの例において、センサは、容量センサ、干渉計、二次元エンコーダ、もしくは、他のいかなる適用可能なリニアセンサでありうる。さらに、センサおよび測定目標の数および配置は、単に例示を目的とするものであり、上述のように多数の面における変位の測定結果を得るために、任意の数のセンサおよび測定目標がレチクル４１０の任意の端部位置に配置されることができる。
【００７５】
図４Ａ−Ｅは、基準面４１６に対して平行な向きのレチクル４１０の対向する主面を示しているが、別の向き、例えば、直交する向きもまた可能である。
【００７６】
（一体型内側／外側フィードバックを用いたレチクル曲率検出）
図５は、ある実施の形態に係るレチクル曲率の検出およびリアルタイム補正に用いられる内側ループおよび外側ループを備えるフィードバック制御システム５００を示す。ある実施の形態において、レチクルがパターンを生成するために照明されているとき、リアルタイムのレチクル曲率測定（例えば、レチクルが照明されているときのレチクル曲率の測定）は、レチクルを所望の大きさに曲げること（つまり、焦点誤差を補正すること）を制御するのが望ましい。フィードバック制御システム５００は、レチクルの曲げを制御するためにピエゾアクチュエータを用いるように、よってピエゾ伸長制御５３５を用いるように説明される。しかしながら、フィードバック制御システム５００の使用は、ピエゾアクチュエータの使用のみに限定されない。図７は、ある実施の形態に係る局所的なレチクル角度測定のための一体的な容量センサとともにピエゾアクチュエータを用いる曲げ機構を説明するであろう。
【００７７】
フィードバック制御システム５００は、ピエゾ伸長制御モジュール５３５およびピエゾフィードフォワードモジュール５３０で構成される内側ループを含む。物理機構および制御電子機器は、ＺＯＨモジュール５４０、増幅器モジュール５４５、マニピュレータ機構モジュール５５０、サンプルスイッチ５６０および歪みセンサ利得モジュール５６５として示される。内側制御ループは、（図７に関連して詳述されるであろう）ピエゾアクチュエータの大きさ／位置を示す歪みゲージに関連する歪みセンサ利得モジュール５６５を用いて示される。歪みゲージには、ＡＡフィルタモジュール５５５として示されるアンチエイリアスフィルタが適用されてもよい。フィードバック制御システム５００の内側制御ループは、アクチュエータ、例えば、ピエゾ伸長制御モジュール５３５を直線化するためにピエゾアクチュエータでの局所的な位置フィードバックを用いる。フィードバック制御システム５００は、単純にするために一つの内側制御ループの使用を示す。しかしながら、現実には、曲げのプロセスに用いられる多数のアクチュエータが存在することができ、したがって、フィードバック制御システム５００は、任意の数の内側制御ループを含むことができ、それぞれの内側制御ループは一つのアクチュエータに専念される。
【００７８】
フィードバック制御システム５００は、曲率フィードバックモジュール５１５、剛性フィードフォワードモジュール５２０および入力デカップリングモジュール５２５で構成される外側ループも含む。外側ループへの入力は、フォトマスク機構モジュール５７０、ＡＡフィルタモジュール５７５およびサンプルスイッチモジュール５８０により示されるレチクル曲率の測定結果である。外側ループは、マニピュレータ機構モジュール５５０およびフォトマスク機構モジュール５７０を通じてレチクル曲率データを収集し、その情報を曲率フィードバックモジュール５１５を通じて上述の内側ループにフィードバックする。外側ループは、入力デカップリングモジュール５２５を通じて、上述の対応する内側ループのそれぞれとともに、個々のアクチュエータそれぞれのための設定値を決定する。設定値は、例えば、外側曲率ループの制御出力にアクチュエータデカップリングベクトルを乗算することにより決定される。モジュール５１５，５２０，５３５および５３０のフィードバックおよびフィードフォワード制御動作は、リアルタイムのデジタルまたはアナログ制御システムにて継続的に更新され、所望の基準曲率と測定曲率との間に最小のトラッキング誤差を生じさせる。さらに、ブロック５１０に含まれるモジュールは、デジタルの制御環境を作り上げる。
【００７９】
図６は、ある実施の形態に係る時間に対する生の曲率誤差についてのリアルタイムの曲率トラッキング性能を示す。グラフの線６１０は、図５のフィードバック制御システム５００の内側制御ループのみを用いた時間の関数としてのレチクル曲率の補正結果を示す。グラフの線６２０は、フィードバック制御システム５００の内側および外側ループの双方を用いた時間の関数としてのレチクル曲率の補正結果を示す。内側制御ループの追加は、レチクルの共振を顕著に減少させ、曲げアクチュエータへの設定値を制御するためのリアルタイムの曲率フィードバックを提供して高帯域の曲率定値トラッキングを実現する。
【００８０】
（一体型曲げ機構を用いたレチクル曲率検出）
一実施の形態において、目標にパターン放射ビームを投影するためのリソグラフィシステムが提供される。このリソグラフィシステムは、使用前において互いに平行な平面である二つの対向する主面を有するレチクルを保持するレチクルサポートを備えてもよい。レチクルの二つの対向する主面は、使用前であってレチクルサポートに取り付けられるときに実質的に基準面と平行である。レチクルは、放射ビームの断面にパターンを付与するように構成される。レチクルは、二つの対向する主面間の第１エッジと、二つの対向する主面間の第２エッジとを有する。第２エッジは、第１エッジの反対側であって第１エッジから実質的に所定の距離に位置する。一実施の形態において、リソグラフィシステムは、レチクルサポートにより保持されているレチクルの曲率を決定するように構成されるサブシステムを備える。一実施の形態において、サブシステムは、基準面と、レチクルの使用中に実質的に第１エッジにて二つの対向する主面の特定の一方と接する第１平面との第１相対方向を、第１エッジにて検出するように構成される第１センサシステムを備えてもよい。サブシステムは、基準面と、レチクルの使用中に実質的に第２エッジにて二つの対向する主面の特定の一方と接する第２平面との第２相対方向を、第２エッジにて検出するように構成される第２センサシステムをさらに備えてもよい。サブシステムは、所定の距離と、第１相対方向と、第２相対方向とから曲率を決定するように構成されてもよい。
【００８１】
図７Ａは、ある実施の形態に係るレチクルを曲げるための一体型曲げ機構を含むレチクル曲率検出システム７００を示す。一体型曲げ機構の例は、米国特許出願第＿＿＿＿＿＿号（代理人整理番号２８５７．３４２００００）に記載されており、その全体が参照により本書に援用される。レチクル曲率検出システム７００は、単純化のためレチクル７１０の一端のみを示しているが、レチクル７１０の他端は、曲げ機構を含む同様のレチクル曲率検出システムを有する。この説明は、限定的であること意味するものではなく、一体型曲げ機構を含むレチクル曲率検出システムは、レチクルの多数の対向する端部にて任意の数の上述した要素を含むことができる。
【００８２】
この実施の形態の例において、レチクル７１０は、一端にて、移動可能レチクルステージ７１１に取り付けられるレチクル真空クランプ７１５により支持される。システム７００は、左右インターフェースロッド７２０−Ｌおよび７２０−Ｒ、インターフェース本体７２５、Ｚサポート７３０、二つのセンサ測定対象のペア７３５−Ｌおよび７３５−Ｒを備えるセンサシステム、Ｗクランプ板バネ７４０、アクチュエータ板バネ７４５、機械的に予負荷が与えられたピエゾアクチュエータ７５０、歪みゲージ７５５、柔軟性マウント７６０、ベース７７０も含む。
【００８３】
この実施の形態において、レチクル７１０の互いに平行な対向する主平面は、使用前において基準面７１６に対して平行に向けられる。他の向きが用いられてもよいことが理解されよう。説明の便宜上、図７Ａにおける各測定目標は容量性プレートとして示され、対応するセンサは容量センサである。容量センサは、平行でオフセットされた導電性の二つのプレートとして実現されることができる。
【００８４】
ある実施の形態において、レチクル７１０は、レチクルステージ７１１に取り付けられた真空パッド７１５を用いてレチクル曲率検出システム７００に接続される。上述のように、レチクルの曲率は、レチクルの二つの対向する端部（一端のみを図示）にて局所的な回転角度を取得することにより計算されることができる。例えば、レチクル７１０の端部での局所回転角は、インターフェース本体７２５と、インターフェースロッド７２０−Ｌおよび７２０−Ｒを用いて得られる。図７Ａは、平坦なレチクルを示す。しかしながら、例えば、レチクル７１０の左端部７１０−Ｌがレチクル７１０よりも高くなるようにレチクルが曲げられると、左インターフェースロッド７２０−Ｌは、真空パッド７１５がレチクル７１０と接続されているために、右インターフェースロッド７２０−Ｒよりも高くなり、曲がったレチクル７１０と同じ向きを有するであろう。この状況は、ある実施の形態に係る曲がったレチクル７１０’とともにレチクル曲率検出システム７００の一部を説明する図７Ｂに示される。
【００８５】
図７Ｂは、曲がったレチクル７１０’、真空パッド７１５、左右インターフェースロッド７２０−Ｌおよび７２０−Ｒ、インターフェース本体７２５、左右容量性プレート７３５−Ｌおよび７３５−Ｒ、ベース７７０を含む。図７Ｂに示される曲げの程度は、単に例示であり、本概念を強調するために誇張された態様で示される。真空パッド７１５に接続される曲がったレチクル７１０’の曲げの向きは、図７Ａに示されるレチクル曲率検出システム７００と比べて、インターフェースロッド７２０−Ｌを持ち上げ、インターフェースロッド７２０−Ｒを押し下げ、インターフェース本体７２５を時計回りに回転させる。インターフェース本体７２５の回転の結果として、左容量性プレート７３５−Ｌ間の隙間が増大され、右容量性プレート７３５−Ｒ間の隙間が減少される。したがって、インターフェース本体７２５の回転は、容量性プレート７３５の容量の検出を介して測定されることができる。さらに、図７ＢはＺ方向の動きを測定するための容量性プレートを示しているが、図７Ａおよび７Ｂに示すのと同様の仕組みで、任意の所望の面の動きを測定するための追加の容量性プレートをレチクル７１０に配置することができる。
【００８６】
インターフェース本体７２５の回転に関する情報は、ある実施の形態において、図５のフィードバック制御システム５００といった制御システムに送られる。そして、フィードバック制御システム５００は、所望の曲率設定値に整合するようにレチクル７１０’を曲げるための望ましい動作を決定するであろう。図７Ｂに示される例および所望の曲率設定値が曲げゼロ（つまり平坦なレチクル）である場合において、これは、フィードバック制御システム５００がピエゾアクチュエータ７５０に長さを増加させる外側ループ制御信号を生成することを生じさせるであろう。内側制御ループは、ピエゾアクチュエータ７５０の位置／長さのフィードバックとして歪みゲージ７５５を利用し、外側制御ループにより指令された長さとなるようピエゾに指令する。ピエゾアクチュエータ７５０の長さが増大するにつれて、押し回転中心７３７により示される回転力を生じさせ、インターフェース本体７２５を反時計回りに回転させる。容量性センサプレートは、外側フィードバック制御システムへ位置情報を継続的に与える。ピエゾアクチュエータ７５０の押す力または引く力は、インターフェース本体７２５、つまりレチクル７１０が所望の回転角度（したがって、曲率の大きさ）に整合することを容量性センサプレートが示すまで継続するであろう。
【００８７】
（曲率検出方法）
実施の形態によれば、図１Ａ，１Ｂ，４Ａ，４Ｂ，４Ｃ，４Ｄ，４Ｅ，５，６，７Ａおよび７Ｂに記載されるリアルタイムレチクル曲率検出システムおよび方法論についての方法が記載されるであろう。以下に記載される各実施の形態に係る方法において、当業者によって理解されるように、記載と異なる順序でステップが実行されてもよいし、任意のステップが工程に追加されうることが理解されるべきである。各方法は、例にすぎない。
【００８８】
図８は、レンズトップを有する投影レンズを用いて目標にパターン放射ビームを投影するように構成されるリソグラフィシステムにおいて、レチクルサポート上のレチクル曲率を検出および決定するためのある実施の形態に係る方法８００のフローチャートを示す。
【００８９】
方法８００は、ステップ８０２にて、レチクルの二つの対向する端部またはその近傍にてセンサ目標間の幅もしくは距離を決定することにより開始する。寸法は、様々な方法により測定されることができる。幅は、図３に関して上述したように、フィールド曲率、例えばレチクル曲率を計算するために必要とされる。測定結果を得るために、公知の任意の方法を採用することができる。
【００９０】
方法８００は、ステップ８０３にて、レチクルをレチクルサポートに取り付けることにより継続する。例えば、レチクルは、図４Ａ，４Ｂ，４Ｃ，４Ｄ，４Ｅ，７Ａおよび７Ｂに示される移動可能レチクルステージに取り付けられるレチクル真空クランプにより支持される。
【００９１】
方法８００は、位置決めシステムを用いてレチクルが位置決めされるステップ８０４にて継続する。例えば、図１のリソグラフィ装置１００および１００’のそれぞれは、サポート構造ＭＴおよびレチクルなどのパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成される第１位置決めシステムＰＭを含む。いくつかの実施の形態において、位置決めシステムＰＷおよびＰＭは、三つの直交軸に沿って、および、一以上の軸の周りの回転といった多数の自由度でパターニングデバイスＭＡを動かすように構成されることができる。
【００９２】
方法８００は、ステップ８０６にて、第１センサシステムを用いてレチクルの第１端部での第１局所回転角を測定することにより継続する。このステップの例は、図４Ａ，４Ｂ，４Ｃ，４Ｄ，４Ｅ，７Ａおよび７Ｂに示される。図４Ａおよび４Ｂの一つの工程例において、レチクルの第１端部での第１局所回転角は、取り付けられたレチクル真空クランプ４１５、測定目標のペア４２５−Ａ１および４２５−Ａ２、対応するセンサのペア４３０−Ａ１および４３０−Ａ２の使用を通じて測定される。一つの例において、測定目標の水平変位は、容量性センサ、干渉計、二次元エンコーダもしくは他のいかなる適用可能なリニアセンサであることができるが、これらに限定されないセンサ４３０−Ａ１および４３０−Ａ２を用いて得られる。図４Ａは、レチクルクランプに取り付けられる測定目標の使用を示す。センサは、縦または水平変位のいずれかを測定するために方向付けられることができ、測定目標は縦または水平面に配置されることができ、ここで、任意に定義された面の第１局所回転角を得るために、このような手法を用いることができる。
【００９３】
図４Ａの手法と同様に、図４Ｃ，４Ｄおよび４Ｅは、レチクル４１０の両方のエッジにて上面、下面および／または側面に取り付けられた測定目標と、第１局所回転角を得るようこれらの面に直接向けられたセンサを用いる。センサは、第１局所回転角を測定するように水平または縦方向のいずれかに向けられることができる。
【００９４】
図７Ａおよび７Ｂは、容量性センサプレート、インターフェース本体、インターフェースロッドおよびレチクルに接続される真空パッドを用いて、レチクルの第１端部にて第１局所回転角を測定することを示す。容量の検出を用いて、左右の容量性センサがレチクルの曲がりの方向および強さを示す。
【００９５】
方法８００は、ステップ８０８にて、レチクルの第１端部と反対側のレチクルの第２端部にて第２局所回転角を測定することにより継続する。このステップの例は、図４Ａ，４Ｂ，４Ｃ，４Ｄ，４Ｅ，７Ａおよび７Ｂに示される。レチクルの第１端部にて第１局所回転角を得るための上述の記載は、レチクルの第２端部にて第２局所回転角を得ることに同様に適用できる。
【００９６】
方法８００は、ステップ８１０にて、幅または距離と、レチクルの第１および第２局所回転角とに基づいて、レチクルのフィールド曲率を決定することにより継続する。このステップの例は、図３に示される。図３において、レチクルの幅が既知であればレチクル曲率を見積もることができ、または、レチクル３１０の左側のＲｙ１，３２０−Ｌおよびレチクル３１０の右側のＲｙ２，３２０−Ｒにより示されるように、レチクルの二つの対向する端部での局所的な回転角の測定結果により、レチクル曲率を測定することができる。
【００９７】
レチクルのＺ形状が完全な二次の多項式に従うと仮定することができるので、フィールド曲率、例えばレチクルの曲率は以下の式で与えられる。
【数４】
0006009081.tif 000005
【００９８】
その後、方法８００は終了する。
【００９９】
本発明の態様は、適したハードウェアおよび／またはソフトウェアの手段を含む任意の適した方法により実現できることが理解されよう。例えば、本発明を実現するよう構成される装置は、適切なハードウェアの構成要素を用いて作られてもよい。また、プログラム可能な装置が本発明の実施の形態を実現するようにプログラムされてもよい。したがって、本発明は、本発明の態様を実現するための適したコンピュータプログラムもまた提供する。このようなコンピュータプログラムは、有形の媒体（例えば、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭなど）および通信信号のような無形の媒体を含む適切な媒体上で扱うことができる。
【０１００】
本発明の特定の実施の形態が上に記載されたが、本発明は上述のものと別の態様で実施されうることが理解されよう。本記載は、本発明を制限することを意図しない。
【０１０１】
「発明の概要」および「要約」の欄ではなく、「発明を実施するための形態」の欄が請求項の解釈に用いられることが意図されると理解されるべきである。「発明の概要」および「要約」の欄は、本発明者によって予期される一以上の、しかしながら全てではない本発明の例示的な実施の形態を説明しうるものであり、したがって、本発明および添付の請求項を限定することを決して意図しない。
【０１０２】
本発明は、特定の機能および関係性の実装を説明する機能構成ブロックの助けを用いて上述された。これら機能構成ブロックの境界は、説明を分かりやすくするために本書において恣意的に定義されている。特定の機能および関係性が適切に実行される限りにおいて、代わりの境界を定義することができる。
【０１０３】
特定の実施の形態に係る上述の記載は、公知技術の範囲内での知識を適用することにより、過度の実験をすることなく、本発明の一般概念から逸脱することなく、特定の実施の形態を様々な用途に合わせて他者が簡単に改良および／または変化させることのできる本発明の概略的な特質を十分に明らかにするであろう。したがって、本書に示される教示および助言に基づくこのような改良および変更は、本開示の実施の形態の意義およびこれらと同等のものの範囲内にあることが意図される。本書における表現および学術用語は、説明を目的とし、限定を目的とするものではなく、本明細書の表現または学術用語は、教示および助言の観点から当業者によって解釈されるべきであることが理解されよう。
【０１０４】
本発明の幅ないし範囲は、いかなる上述の例示的な実施の形態によっても限定されるべきでなく、以下の請求項およびそれと同等のものに従ってのみ定義されるべきである。
【図１Ａ】
0006009081.tif 000006
【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図４Ｅ】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８】
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