(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面を電子線後方散乱回折法（ＥＢＳＤ）により解析した場合に＜００１＞結晶方位からのずれが１８°以内である｛１００｝面の占める面積の割合が１０％以上である電解銅箔であって、
前記電解銅箔の少なくとも一方の面が、ＪＩＳ  Ｚ  ８７４１−１９９７に準拠して測定される１５００以上の光沢度Ｇｓ（２０°）を有する、電解銅箔。
【請求項２】
前記光沢度Ｇｓ（２０°）が１６００以上である、請求項１に記載の電解銅箔。
【請求項３】
前記少なくとも一方の面が、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１−２００１に準拠して測定される、５．０ｎｍ以下の算術平均粗さＲａを有する、請求項１又は２に記載の電解銅箔。
【請求項４】
５０μｍ以下の厚さを有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の電解銅箔。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の電解銅箔を含んでなる電極箔と、
前記電極箔の表面に設けられ、半導体特性を有する半導体機能層と、
前記半導体機能層上に設けられる対向電極層と、
を備えた、電子デバイス。
【請求項６】
前記半導体機能層が励起発光又は光励起発電の機能を有し、それにより前記電子デバイスが発光素子又は光電素子として機能する、請求項５に記載の電子デバイス。
【請求項７】
表面を電子線後方散乱回折法（ＥＢＳＤ）により解析した場合に＜００１＞結晶方位からのずれが１８°以内である｛１００｝面の占める面積の割合が１０％以上である未処理電解銅箔を用意する工程と、
前記未処理電解銅箔の少なくとも一方の面に化学的機械研磨（ＣＭＰ）を施す工程と、
を含む、電解銅箔の製造方法。
【請求項８】
前記化学的機械研磨（ＣＭＰ）が、前記少なくとも一方の面に、ＪＩＳ  Ｚ  ８７４１−１９９７に準拠して測定される１５００以上の光沢度Ｇｓ（２０°）を付与するように行われる、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記光沢度Ｇｓ（２０°）が１６００以上である、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記少なくとも一方の面が、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１−２００１に準拠して測定される、５．０ｎｍ以下の算術平均粗さＲａを有する、請求項７又は８に記載の方法。
【請求項１１】
５０μｍ以下の厚さを有する、請求項７〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記化学的機械研磨（ＣＭＰ）がロール・トゥ・ロール・プロセスにより連続的に行われる、請求項７〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電解銅箔及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機ＥＬ照明等の発光素子が、環境に配慮したグリーンデバイスとして注目されている。有機ＥＬ照明の特徴としては、１）白熱灯に対して低消費電力であること、２）薄型かつ軽量であること、３）フレキシブルであることが挙げられる。現在、有機ＥＬ照明は、上記２）及び３）の特徴を実現すべく開発が進められている。この点、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）等で従来使用されてきたガラス基板では、上記２）及び３）の特徴を実現することは不可能である。
【０００３】
そこで、有機ＥＬ照明のための支持体としての基板（以下、支持基材という）に対する研究が進められており、その候補として、極薄ガラス、樹脂フィルム、金属箔等が提案されている。極薄ガラスは、耐熱性、バリア性、及び光透過性に優れ、フレキシブル性も良好であるが、ハンドリング性がやや劣り、熱伝導性が低く、材料コストも高い。また、樹脂フィルムは、ハンドリング性及びフレキシブル性に優れ、材料コストも低く、光透過性も良好であるが、耐熱性及びバリア性に乏しく、熱伝導性が低い。
【０００４】
これに対し、金属箔は、光透過性が無いことを除けば、耐熱性、バリア性、ハンドリング性、熱伝導性に優れ、フレキシブル性も良好であり、材料コストも低いといった優れた特徴を有する。特に、熱伝導性については、典型的なフレキシブルガラスやフィルムが１Ｗ／ｍ℃以下と極めて低いのに対し、銅箔の場合、４００Ｗ／ｍ℃程度と極めて高い。
【０００５】
金属基板を用いた発光素子を実現するために、特許文献１（特開２００９−１５２１１３号公報）では金属基板の表面を研磨処理やメッキ処理により平滑化して、その上に有機層を形成することが提案されている。また、特許文献２（特開２００８−２４３７７２号公報）では金属基板上にニッケルめっき層を設けることで研磨等をすることなく平滑面を形成し、その上に有機ＥＬ素子を形成することが提案されている。一方、金属基板を用いた光電素子も提案されており、例えば、特許文献３（特開２０１１−２２２８１９号公報）には平滑化処理された金属基材上に有機薄膜起電力層を設けた太陽電池が開示されている。これらの技術においては、電極間の短絡防止のため、金属基板表面の平滑化が重要な課題となっている。この課題に対処した技術として、特許文献４（国際出願第２０１１／１５２０９１号）及び特許文献５（国際出願第２０１１／１５２０９２号）では、算術平均粗さＲａが１０．０ｎｍ以下と極めて低い超平坦面を備えた金属箔を支持基材兼電極として用いることが提案されている。
【０００６】
一方、算術平均粗さＲａに加えて光沢度Ｇｓ（６０°）を考慮した表面処理電解銅箔も知られている。例えば、特許文献６（特開２０１３−１４７７５５号公報）には、電解銅箔の表面に防錆処理又はシランカップリング剤処理のいずれか一種以上を施した表面処理電解銅箔であって、当該表面処理電解銅箔の絶縁層構成材料との接着面は、表面粗さ（Ｒｚｊｉｓ）が０．１μｍ〜１．０μｍ、且つ、光沢度［Ｇｓ（６０°）］が４００以上の電解銅箔の表面を用いて得られるものであり、当該接着面の凹凸の最大高低差（ＰＶ）が、０．０５μｍ〜１．５μｍである表面処理電解銅箔が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００９−１５２１１３号公報
【特許文献２】特開２００８−２４３７７２号公報
【特許文献３】特開２０１１−２２２８１９号公報
【特許文献４】国際出願第２０１１／１５２０９１号
【特許文献５】国際出願第２０１１／１５２０９２号
【特許文献６】特開２０１３−１４７７５５号公報
【発明の概要】
【０００８】
本発明者らは、今般、表面を電子線後方散乱回折法（ＥＢＳＤ）により解析した場合に＜００１＞結晶方位からのずれが１８°以内である｛１００｝面の占める面積の割合が１０％以上である電解銅箔に対して化学的機械研磨（ＣＭＰ）を施すと光沢度の高い電解銅箔を短時間で製造できるとの知見を得た。
【０００９】
したがって、本発明の目的は、短時間で製造可能な光沢度の高い電解銅箔を提供することにある。
【００１０】
本発明の一態様によれば、表面を電子線後方散乱回折法（ＥＢＳＤ）により解析した場合に＜００１＞結晶方位からのずれが１８°以内である｛１００｝面の占める面積の割合が１０％以上である電解銅箔であって、
前記電解銅箔の少なくとも一方の面が、ＪＩＳ  Ｚ  ８７４１−１９９７に準拠して測定される１５００以上の光沢度Ｇｓ（２０°）を有する、電解銅箔が提供される。
【００１１】
本発明の他の一態様によれば、上記電解銅箔を含んでなる電極箔と、
前記電極箔の表面に設けられる有機半導体層と、
前記有機半導体層上に設けられる対向電極層と、
を備えた、有機半導体デバイスが提供される。
【００１２】
本発明の更に他の一態様によれば、表面を電子線後方散乱回折法（ＥＢＳＤ）により解析した場合に＜００１＞結晶方位からのずれが１８°以内である｛１００｝面の占める面積の割合が１０％以上である未処理電解銅箔を用意する工程と、
前記未処理電解銅箔の少なくとも一方の面に化学的機械研磨（ＣＭＰ）を施す工程と、
を含む、電解銅箔の製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の電解銅箔を示す模式断面図である。
【図２】本発明の電解銅箔を用いた電極箔の一例を示す模式断面図である。
【図３】本発明の電解銅箔をアノードとして用いた有機ＥＬ素子の一例を示す模式断面図である。
【図４】本発明によるトップエミッション型有機ＥＬ照明の一例を示す模式断面図である。
【図５】本発明による電解銅箔をカソードとして用いた有機ＥＬ素子の一例を示す模式断面図である。
【図６】例１で作製された電解銅箔の表面に対するＥＢＳＤ測定により得られた結晶方位マップ（｛１００｝、ＮＤ方向）である。＜００１＞結晶方位からのずれが３０°以内である｛１００｝面の占める領域が着色されている。
【図７】例１においてグリシン及び過酸化水素水でエッチング処理した電解銅箔表面を撮影したＳＥＭ写真である。
【図８】例２で作製された電解銅箔の表面に対するＥＢＳＤ測定により得られた｛１００｝結晶方位マップ（ＮＤ方向）である。＜００１＞結晶方位からのずれが３０°以内である｛１００｝面の占める領域が着色されている。
【図９】例３で作製された電解銅箔の表面に対するＥＢＳＤ測定により得られた｛１００｝結晶方位マップ（ＮＤ方向）である。＜００１＞結晶方位からのずれが３０°以内である｛１００｝面の占める領域が着色されている。
【図１０】例３においてグリシン及び過酸化水素水でエッチング処理した電解銅箔表面を撮影したＳＥＭ写真である。
【図１１】例４（比較）で作製された電解銅箔の表面に対するＥＢＳＤ測定により得られた｛１００｝結晶方位マップ（ＮＤ方向）である。＜００１＞結晶方位からのずれが３０°以内である｛１００｝面の存在を示す領域が着色されている。
【図１２】例４（比較）においてグリシン及び過酸化水素水でエッチング処理した電解銅箔表面を撮影したＳＥＭ写真である。
【図１３】例１〜４で測定された＜００１＞結晶方位からのずれが２°、６°、１０°、１４°、１８°、２２°、２６°及び３０°以内である｛１００｝面が占める面積の割合（｛１００｝配向率）をプロットしたグラフである。
【図１４】例２〜４で測定された表面粗さＲａとＣＭＰ処理時間との関係を示すグラフである。
【図１５】例１〜４で測定された＜００１＞結晶方位からのずれが１４°以内である｛１００｝面の占める面積の割合（｛１００｝配向率）と１分間のＣＭＰ処理後における表面粗さＲａとの関係をプロットしたグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
電解銅箔
本発明による電解銅箔及び本発明の方法に用いられる未処理電解銅箔は、表面を電子線後方散乱回折法（ＥＢＳＤ）により解析した場合に＜００１＞結晶方位からのずれが１８°以内である｛１００｝面の占める面積の割合が１０％以上である電解銅箔である。電子線後方散乱回折法（以下、ＥＢＳＤという）とは、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）内で試料表面の１点に電子線を照射したときに生じる反射電子回折模様（ＥＢＳＰ）を用いて局所領域の結晶方位や結晶構造を解析する周知の手法である。ここで、未処理電解銅箔とは、化学的機械研磨（ＣＭＰ）等の表面処理が施される前の電解銅箔を意味し、典型的には電解により製造されたままの銅箔を指す。なお、未処理電解銅箔であっても、表面処理が施された電解銅箔であっても、表面をＥＢＳＤにより解析して得られる結果は概して同じものである。
【００１５】
図１に本発明による電解銅箔の模式断面図を示す。図１に示される電解銅箔１２は、銅又は銅合金からなり、表面１２ａ及び裏面１２ｂを有する。また、電解銅箔１２の少なくとも一方の面（すなわち表面１２ａ及び／又は裏面１２ｂ）は、好ましくは１５００以上、より好ましくは１６００以上、さらに好ましくは１６５０以上の高い光沢度Ｇｓ（２０°）を有する。光沢度Ｇｓ（２０°）は、ＪＩＳ  Ｚ  ８７４１−１９９７に準拠して測定される指標であって、電解銅箔の表面に入射角２０°で測定光を照射し、反射角２０°で跳ね返った光の強度を測定したものである。この１５００以上の光沢度Ｇｓ（２０°）は極めて高いものであり銅箔表面が光沢に富んだ鏡であるかの如く視覚的に認識されるレベルである。従来の電解銅箔にはこれ程までに高い光沢度は要求されてこなかったが、発光素子等の電子デバイス用の電極として電解銅箔を用いる試みが近年なされており（例えば特許文献４及び５参照）、電解銅箔に鏡面レベルの高い光沢度が望まれるようになってきた。このレベルで光沢度が高いと表面が極めて平坦となることから発光素子、光電素子等の電子デバイスに電極として使用された際の電極間の短絡を効果的に防止でき、その結果、銅箔を支持基材兼電極として電子デバイスに使用可能となる。また、光沢度が高いとキャビティーの角度依存性が低くなり、特に白色発光の際にはその効果が大きくなり、光学設計上有利となる。その一方で、そのように高い光沢度を付与しようとすると表面処理に要する時間が長くなり、製造効率が悪化するとの問題がある。高い光沢度を電解銅箔に付与する上で化学的機械研磨（ＣＭＰ）は有効な手法であるが、１５００以上という極めて高い光沢度Ｇｓ（２０°）を付与するにはそれ相応に処理時間を要することになる。特に、ロール・トゥ・ロール・プロセスにより電解銅箔への表面処理及びそれに続く素子形成の連続工程を採用しようとした場合、表面処理工程での時間ロスは連続工程の実現を阻害する要因となりうる。
【００１６】
これに対し、本発明の電解銅箔及び本発明の方法に用いられる未処理電解銅箔は表面をＥＢＳＤにより解析した場合に＜００１＞結晶方位からのずれが１８°以内である｛１００｝面の占める面積の割合が１０％以上、好ましくは１５％以上、より好ましくは２０％以上、さらに好ましくは２５％以上、さらにより好ましくは３０％以上、特に好ましくは３５％以上、最も好ましくは４０％以上である。このように＜００１＞結晶方位からのずれが１８°以内である｛１００｝面の占める面積の割合が高いと、多くの結晶粒子の｛１００｝面が銅箔表面に露出している、すなわち銅箔表面で｛１００｝面が高い割合で配向していることになる。そして、本発明者らの今般の知見によれば、この｛１００｝面は（１１１）面等の他の結晶面よりも化学的機械研磨（ＣＭＰ）を施した場合に短時間で研磨される。したがって、本発明によれば、短時間で高い光沢度を付与することができる。換言すれば、短時間で製造可能な光沢度の高い電解銅箔を提供することが可能となる。このため、本発明による電解銅箔及びその製造方法は、ロール・トゥ・ロール・プロセスにより電解銅箔への表面処理及びそれに続く素子形成の連続工程に極めて適しているといえる。ロール・トゥ・ロール・プロセスは、ロール状に巻いた長尺状の箔を引き出して所定のプロセスを施したのち再び巻き取るという電子デバイスを効率的に量産する上で極めて有利なプロセスであり、本発明の電解銅箔の好適用途である発光素子及び光電素子等の電子デバイスの量産化を実現する上で鍵になるプロセスである。
【００１７】
したがって、本発明の電解銅箔は、表面をＥＢＳＤにより解析した場合に＜００１＞結晶方位からのずれが１８°以内である｛１００｝面の占める面積の割合が１０％以上であり、好ましくは１５％以上、より好ましくは２０％以上、さらに好ましくは２５％以上、さらにより好ましくは３０％以上、特に好ましくは３５％以上、最も好ましくは４０％以上である未処理電解銅箔を用意し、この未処理電解銅箔の少なくとも一方の面に化学的機械研磨（ＣＭＰ）を施すことにより好ましく製造することができる。こうしてＣＭＰ処理が施された面が高い光沢度を有する面となる。なお、表面をＥＢＳＤにより解析した場合に＜００１＞結晶方位からのずれが１８°以内である｛１００｝面の占める面積の割合が上記範囲内である電解銅箔は商業的に入手可能であり、また、電解液条件及び電解条件を適宜設定することにより製造可能なものでもある。化学的機械研磨（ＣＭＰ）は、少なくとも一方の面（すなわち表面１２ａ及び／又は裏面１２ｂ）に１５００以上の光沢度Ｇｓ（２０°）を付与するように行われるのが好ましく、より好ましくは１６００以上、さらに好ましくは１６５０以上である。そして、本発明によればＣＭＰ処理が短時間で行えることから、このＣＭＰ処理はロール・トゥ・ロール・プロセスにより連続的に行われるのが好ましい。
【００１８】
ＣＭＰ処理は、公知の研磨液及び公知の研磨パッドを用いて、公知の条件に従って行うことができる。好ましい研磨液としては、セリア、シリカ、アルミナ、ジルコニア等から選択される１種以上の研磨砥粒約０．１〜１０重量％程度を含んでなり、かつ、ベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）等の防錆剤と、更に／又は、キナルシン酸、キノリン酸、ニコチン酸、リンゴ酸、アミノ酸（例えばグリシン）、クエン酸、カルボン酸、ポリアクリル酸等の有機錯体形成剤と、カチオン性界面活性剤、アニオン性界面活性剤等の界面活性剤と、所望により防食剤とをさらに含むものが挙げられる。また、研磨液はグリシン等のアミノ酸系の有機錯体形成剤に加えて過酸化水素を含むのが特に好ましく、この場合には銅を過酸化水素で酸化させて有機錯体形成剤と反応させることで銅箔表面を溶解しやすくすることができ、それによりＣＭＰ効率を更に高めることができる。好ましい研磨パッドとしては、ウレタン製のパッドが挙げられる。研磨条件は、パッド回転速度、ワーク荷重、研磨液塗布流量等を適宜調整すればよく特に限定されないが、回転速度を２０〜１０００ｒｐｍの範囲内に、ワーク荷重を１００〜５００ｇｆ／ｃｍ２の範囲内に、研磨液塗布流量を２０〜２００ｃｃ／ｍｉｎ範囲内に調整するのが好ましい。
【００１９】
ＣＭＰ処理されて高い光沢度が付与された面（以下、ＣＭＰ処理面という）は、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１−２００１に準拠して測定される、５．０ｎｍ以下の算術平均粗さＲａを有する超平滑面であるのが好ましく、より好ましくは４．０ｎｍ以下であり、さらに好ましくは３．０ｎｍ以下であり、特に好ましくは２．０ｎｍ以下である。電解銅箔に求められる用途や性能等に応じて粗さを適宜決定すればよい。算術平均粗さＲａの下限は特に限定されずゼロであってもよいが、平坦化処理の効率を考慮すると０．５ｎｍが下限値の目安として挙げられる。この算術平均粗さＲａは、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１−２００１に準拠して市販の粗さ測定装置を用いて測定することができる。ＣＭＰ処理面の算術平均粗さＲａが上述のごとく極めて小さいことで、発光素子、光電素子等の電子デバイスに使用した際の電極間の短絡をより一層効果的に防止できる。
【００２０】
電解銅箔の厚さは、フレキシブル性を損なうことなく、箔として単独でハンドリングが可能な厚さである限り特に限定されないが、電解銅箔に求められる用途や性能等に応じて厚さを適宜決定すればよい。例えば、フレキシブル電子デバイス用の基材を兼ねた電極として使用される場合やロール・トゥ・ロール・プロセスによる連続工程に適用される場合には、電解銅箔の厚さは５０μｍ以下とするのが好ましく、より好ましくは３５μｍ以下、さらに好ましくは１５μｍ以下である。このような厚さの電解銅箔はフレキシブル性に富んだものとなる。また、箔強度確保の観点から、電解銅箔の厚さは１μｍ以上が好ましく、より好ましくは３μｍ以上、さらに好ましくは５μｍ以上、特に好ましくは７μｍ以上である。このような厚さであれば、市販の裁断機を用いて簡単に切断することが可能である。また、電解銅箔は、ガラス基板と異なり、割れ、欠け等の問題が無く、また、切断時のパーティクルが発生しづらい等の利点も有する。電解銅箔は、四角形以外の形状、例えば、円形、三角形、多角形といった様々な形状とすることができ、しかも切断及び溶接も可能なことから、切り貼りによりキュービック状やボール状といった立体的な形状の電子デバイスを作製することも可能である。この場合、電解銅箔の切断部や溶接部には、半導体機能層を形成しないことが好ましい。
【００２１】
電解銅箔の長さは特に限定されないが、ロール・トゥ・ロール・プロセスに適用させるためにはある程度の長さを有するのが好ましい。電解銅箔の好ましい長さは、装置の仕様等に応じて異なってくるが、概ね２ｍ以上であり、生産性向上の観点から、より好ましくは２０ｍ以上、さらに好ましくは５０ｍ以上、特に好ましくは１００ｍ以上、最も好ましくは１０００ｍ以上である。もっとも、電解銅箔は所定サイズに切断されたシート状であってもよい。また、電解銅箔の好ましい幅は、装置の仕様等に応じて異なってくるが、概ね１５０ｍｍ以上であり、生産性向上の観点から、好ましくは３５０ｍｍ以上、より好ましくは６００ｍｍ以上、特に好ましくは１０００ｍｍ以上である。なお、前述したとおり、本発明の特定の態様による電解銅箔にあっては、巻きによって発生しうる傷を効果的に抑制できることから、フィルム、エンボスフィルム等、電極箔よりも弾力性の高い材料を表面と裏面の間に挟むといった巻き傷防止対策が不要となり、ロール品としての取り扱いが簡素化する。
【００２２】
ＣＭＰ処理面はアルカリ溶液で洗浄することが好ましい。そのようなアルカリ溶液としては、アンモニアを含有した溶液、水酸化ナトリウム溶液、水酸化カリウム溶液等の公知のアルカリ溶液が使用可能である。好ましいアルカリ溶液はアンモニアを含有した溶液であり、より好ましくはアンモニアを含有した有機系アルカリ溶液、さらに好ましくはテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）溶液である。ＴＭＡＨ溶液の好ましい濃度は０．１〜３．０ｗｔ％である。そのような洗浄の一例としては、０．４％ＴＭＡＨ溶液を用いて２３℃で１分間の洗浄を行うことが挙げられる。このようなアルカリ溶液による洗浄と併せて、又は、アルカリ溶液による洗浄の代わりに、ＵＶ（Ultra Violet）処理を行っても同様の洗浄効果を得ることができる。さらに、銅箔等の場合、希硫酸等の酸性洗浄液を用いて、銅表面に形成されうる酸化物を除去することも可能である。酸洗浄の一例としては、希硫酸を用いて３０秒間の洗浄を行うことが挙げられる。
【００２３】
ＣＭＰ処理面上に存在するパーティクルを除去することが好ましい。有効なパーティクル除去の手法としては、超純水によるソニック洗浄法やドライアイスブラスト法等が挙げられるが、ドライアイスブラスト法がより効果的である。ドライアイスブラスト法は、高圧に圧縮した炭酸ガスを細いノズルから噴射させることにより、低温固化した炭酸を超平坦面１２ａに吹き付けてパーティクルを除去する方法である。このドライアイスブラスト法は、ウェット工程とは異なり、乾燥工程を省くことができ、また有機物の除去ができる等の利点を有する。ドライアイスブラスト法は、例えばドライアイススノーシステム（エアウォーター社製）等の市販の装置を用いて行うことができる。もっとも、１．５以上のＰｖ／Ｐｐ比を付与するための処理（例えばドライアイスブラスト法）によって既にパーティクルが除去されている場合には、このパーティクル除去工程は省略可能である。
【００２４】
電極箔
本発明の電解銅箔は、箔単独の形態で、又は他の機能層を積層させた形態で、電極箔として使用されるのが好ましい。図２に電極箔１０の一例の模式断面図を示す。図２に示される電極箔１０は電解銅箔１２を備えてなる。電極箔１０は、所望により電解銅箔１２の表面１２ａに直接、又は拡散防止層を介して設けられる反射層１３を備えていてもよい。また、電極箔１０は、所望により少なくとも電解銅箔１２の超平坦面１２ａ又は（存在する場合には）反射層１３の表面１３ａ上に直接設けられるバッファ層１４を備えていてもよい。図２に示される電極箔１０は電解銅箔１２、反射層１３及びバッファ層１４を備えた３層構成であるが、本発明の電極箔はこれに限定されず、電解銅箔１２の１層構成であってもよいし、電解銅箔１２及び反射層１３の２層構成であってもよい。あるいは、電解銅箔１２の両面に反射層１３及びバッファ層１４を備えた５層構成であってもよい。
【００２５】
このように電解銅箔１２を支持基材のみならず電極として用いることで、支持基材と電極の機能を兼ね備えた電極箔を提供することができる。特に、電解銅箔１２の厚さを適切な範囲とすれば、フレキシブル電子デバイス用の支持基材を兼ねた電極として用いることができる。このようなフレキシブル電子デバイスの製造に関して、電極箔１２は、電解銅箔をベースとしているため、支持基材を特に必要とすることなく、例えばロール・トゥ・ロール・プロセスによって効率的に製造することができる。ロール・トゥ・ロール・プロセスは、ロール状に巻いた長尺状の箔を引き出して所定のプロセスを施したのち再び巻き取るという電子デバイスを効率的に量産する上で極めて有利なプロセスであり、本願発明の用途である発光素子及び光電素子等の電子デバイスの量産化を実現する上で鍵になるプロセスである。このように、本発明の電極箔は、支持基材及び反射層を不要にすることができる。このため、本発明の電極箔は、少なくとも電子デバイスが構築される部分に絶縁層を有しないのが好ましく、より好ましくはいかなる部位にも絶縁層を有しない。
【００２６】
所望により電解銅箔１２の表面１２ａ上には反射層１３が直接、又は後述する反射防止層を介して設けられてもよい。反射層１３は、アルミニウム、アルミニウム系合金、銀、及び銀系合金からなる群から選択される少なくとも一種で構成されるのが好ましい。これらの材料は、光の反射率が高いため反射層に適しており、しかも薄膜化した際の平坦性にも優れる。特に、アルミニウム又はアルミニウム系合金は安価な材料であることから好ましい。アルミニウム系合金及び銀系合金としては、発光素子や光電素子においてアノード又はカソードとして使用される一般的な合金組成を有するものが幅広く採用可能である。好ましいアルミニウム系合金組成の例としては、Ａｌ−Ｎｉ、Ａｌ−Ｃｕ、Ａｌ−Ａｇ、Ａｌ−Ｃｅ、Ａｌ−Ｚｎ、Ａｌ−Ｂ、Ａｌ−Ｔａ、Ａｌ−Ｎｄ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｌａ、Ａｌ−Ｃｏ、Ａｌ−Ｇｅ、Ａｌ−Ｆｅ、Ａｌ−Ｌｉ、Ａｌ−Ｍｇ、Ａｌ−Ｍｎ、Ａｌ−Ｔｉ合金が挙げられる。これらの合金を構成する元素であれば、必要な特性に合わせて任意に組み合わせることが可能である。また、好ましい銀合金組成の例としては、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｃｕ、Ａｇ−Ａｌ、Ａｇ−Ｚｎ、Ａｇ−Ｍｇ、Ａｇ−Ｍｎ、Ａｇ−Ｃｒ、Ａｇ−Ｔｉ、Ａｇ−Ｔａ、Ａｇ−Ｃｏ、Ａｇ−Ｓｉ、Ａｇ−Ｇｅ、Ａｇ−Ｌｉ、Ａｇ−Ｂ、Ａｇ−Ｐｔ、Ａｇ−Ｆｅ、Ａｇ−Ｎｄ、Ａｇ−Ｌａ、Ａｇ−Ｃｅ合金が挙げられる。これらの合金を構成する元素であれば、必要な特性に合わせて任意に組み合わせることが可能である。反射層１３の膜厚は特に限定されるものではないが、３０〜５００ｎｍの厚さを有するのが好ましく、より好ましくは５０〜３００ｎｍであり、さらに好ましくは１００〜２５０ｎｍである。
【００２７】
反射層１３がアルミニウム膜又はアルミニウム系合金膜で構成される場合、反射層を少なくとも２つの層からなる積層構造で構成してもよい。この態様にあっては、反射層１３が界面によって仕切られた２つの層の積層構造を有し、この界面を境に下層及び上層が互いに異なる結晶方位を有する。これにより、電極箔がかなりの高温に曝される場合であっても、銅箔とアルミニウム含有反射層の間の界面から起こりうるサーマルマイグレーションを効果的に抑制して、サーマルマイグレーションに起因する表面平坦性や反射率の低下を抑制することができる。すなわち、電極箔の耐熱性を向上することができる。したがって、この態様は、２００℃以上、好ましくは２３０℃以上、より好ましくは２５０℃以上の温度で行われる、正孔注入層塗布後の熱処理において特に有効であるといえる。このような耐熱性の向上は、結晶粒界を優先して進行するサーマルマイグレーションが、結晶粒界が不連続となる界面によって阻止されることにより実現されるものと考えられる。なお、反射層１３中の界面の数は２つ以上であってもよく、この場合、反射層は３層以上の積層構造となる。
【００２８】
所望により電解銅箔１２と反射層１３との間に設けられる拡散防止層は、電解銅箔に由来する金属の拡散を防止する機能を有するものであればよく、公知のあらゆる組成および構造の膜が採用可能である。これにより、電極箔がかなりの高温に曝される場合であっても、銅箔とアルミニウム含有反射層の間の界面から起こりうるサーマルマイグレーションを効果的に抑制して、サーマルマイグレーションに起因する表面平坦性や反射率の低下を抑制することができる。すなわち、電極箔の耐熱性を向上することができる。したがって、この態様は、２００℃以上、好ましくは２３０℃以上、より好ましくは２５０℃以上の温度で行われる、正孔注入層塗布後の熱処理において特に有効であるといえる。なお、拡散防止層は２層以上の積層構造としてもよい。
【００２９】
電解銅箔１２又は存在する場合には反射層１３の少なくとも一方の最表面にはバッファ層１４が直接設けられるのが好ましい。発光素子又は光電素子の場合、バッファ層１４は、半導体機能層と接触して所望の仕事関数を与えるものであれば特に限定されない。本発明におけるバッファ層は、光散乱効果を十分に確保するため、透明又は半透明であるのが好ましい。
【００３０】
バッファ層１４は、導電性非晶質炭素膜、導電性酸化物膜、マグネシウム系合金膜、及びフッ化物膜から選択される少なくとも一種であるのが好ましく、電子デバイスのアノード又はカソードといった適用用途及び要求される特性に応じて適宜選択すればよい。
【００３１】
本発明による電解銅箔又は電極箔は、各種電子デバイス用の電極（すなわちアノード又はカソード）として好ましく用いることができる。本発明の電極箔は、概して低応力で屈曲が容易なことからフレキシブル電子デバイス用の電極として用いるのが特に好ましいが、フレキシブル性に劣る又は剛性のある電子デバイスに用いるものであってもよい。そのような電子デバイス（主としてフレキシブル電子デバイス）の例としては、ｉ）発光素子、例えば有機ＥＬ素子、有機ＥＬ照明、有機ＥＬディスプレイ、電子ペーパー、液晶ディスプレイ、無機ＥＬ素子、無機ＥＬディスプレイ、ＬＥＤ照明、ＬＥＤディスプレイ、ｉｉ）光電素子、例えば薄膜太陽電池が挙げられるが、好ましくは有機ＥＬ素子、有機ＥＬ照明、有機ＥＬディスプレイ、有機太陽電池、色素増感太陽電池であり、より好ましくは極薄で高輝度の発光が得られる点で有機ＥＬ照明である。また、有機太陽電池の場合、電極材料に求められる特性の多くが有機ＥＬ素子の場合に求められる特性と共通するため、本発明による電極箔は有機太陽電池のアノード又はカソードとして好ましく用いることができる。すなわち、本発明による電極箔上に積層させる有機半導体機能層の種類を公知の技術に従い適宜選択することにより、有機デバイスを有機ＥＬ素子及び有機太陽電池のいずれにも構成することが可能となる。
【００３２】
本発明の電解銅箔又は電極箔はその両面を高光沢度ないし超平坦にしてもよく、その場合には電極箔の両側に電子デバイスを設けるのに有利となり、これにより電子デバイスを両面に備えた両面機能素子又は両面機能素子箔を提供することができる。また、同一電極の一方の面に発光素子を、他方の面に発電素子を形成することも可能となり、それによって有機ＥＬ素子の機能と有機太陽電池の機能を併せ持った従来に無い複合電子デバイスを作製することもできる。さらに、本発明による電極箔は、有機ＥＬ素子の電極のみならず、ＬＥＤの実装基板にも使用することができる。特に、本発明による電極箔は、ＬＥＤ素子を密に実装することができる点でＬＥＤ照明用のアノード又はカソードとして好ましく用いることができる。
【００３３】
電子デバイス
本発明による電解銅箔又はそれを用いた電極箔を用いることで、半導体特性を有する半導体機能層を電極箔上に備えた電子デバイスを提供することができる。半導体機能層は電極箔の表面に直接形成されるのが好ましい。半導体機能層は、電極上又は電極間で所望の機能を発現しうる半導体特性を有する層であればいかなる構成や材質のものであってもよいが、有機半導体、無機半導体又はそれらの混合物又は組合せを含むものであるのが好ましい。例えば、半導体機能層は、励起発光又は光励起発電の機能を有し、それにより電子デバイスが発光素子又は光電素子として機能するのが好ましい。また、発光素子や光電素子にあっては、半導体機能層上に透明又は半透明の対向電極が設けられるのが好ましい。本発明の電極箔は、半導体機能層の形成に際して、高分子材料や低分子材料をクロロベンゼン等の溶剤に溶解させて塗布するプロセスが好ましく適用可能であり、また、インライン式の真空プロセスも適用可能であり、生産性の向上に適する。前述したとおり、半導体機能層は電極箔の両面に設けられてもよい。
【００３４】
（１）有機ＥＬ素子及び有機ＥＬ照明
本発明による電極箔を反射電極として用いて、その表面にトップエミッション型有機ＥＬ素子を備えた発光素子及び有機ＥＬ照明を構築することができる。
【００３５】
図３に、本発明の電極箔をアノードとして用いたトップエミッション型有機ＥＬ素子の層構成の一例を示す。図３に示される有機ＥＬ素子は、電解銅箔２２、反射層２３及び所望によりバッファ層２４を備えたアノードとしての電極箔２０と、バッファ層２４の表面に直接設けられる有機ＥＬ層２６と、有機ＥＬ層２６の表面に直接設けられる透光電極としてのカソード２８とを備えてなる。バッファ層２４は、アノードとして適するように導電性非晶質炭素膜又は導電性酸化物膜で構成されるのが好ましい。
【００３６】
有機ＥＬ層２６としては、有機ＥＬ素子に使用される公知の種々のＥＬ層構成が使用可能であり、所望により正孔注入層及び／又は正孔輸送層、発光層、ならびに所望により電子輸送層及び／又は電子注入層を、アノード電極箔２０からカソード２８に向かって順次備えてなることができる。正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、及び電子注入層としては、それぞれ公知の種々の構成ないし組成の層が適宜使用可能であり特に限定されるものではない。
【００３７】
図４に、図３に示される有機ＥＬ素子が組み込まれたトップエミッション型有機ＥＬ照明の層構成の一例が示される。図４に示される有機ＥＬ照明において、有機ＥＬ素子はアノード電極箔２０の電解銅箔２２を介して電源３０に電気的に接続可能とされる。バッファ層２４表面の、有機ＥＬ層２６と非接触の領域は層間絶縁膜２９で被覆される。層間絶縁膜２９としては、ＣＶＤ成膜したＳｉ系絶縁膜が、有機層を劣化させる原因となる水分及び酸素に対するバリア性が高いことから好ましく、より好ましくはＳｉＮ系絶縁膜である。さらに好ましい層間絶縁膜は、膜の内部応力が小さく、屈曲性に優れる点で、ＳｉＮＯ系絶縁膜である。
【００３８】
カソード２８の上方には有機ＥＬ素子と対向して封止材３２が設けられ、封止材３２とカソード２８との間には封止用樹脂が充填されて封止膜３４が形成される。封止材３２としては、ガラスやフィルムを用いることができる。ガラスの場合は、封止膜３４上に疎水性粘着テープを用いて直接接着することができる。フィルムの場合は、両面及び端面をＳｉ系絶縁膜で被覆して用いることが可能である。将来的にバリア性の高いフィルムが開発された場合には、被覆処理を行うことなく封止することが可能となり、量産性に優れたものになることが予想される。封止材３２としては、フレキシブル性を付与する観点からはフィルムの方が望ましいが、厚さ２０〜１００μｍの非常に薄いガラスにフィルムを接着させた封止材を使用して所望の性能を得ることも可能である。
【００３９】
カソード２８としてはトップエミッション型有機ＥＬ素子に使用される公知の種々のカソードが使用可能であり、光を透過する必要があるため透明又は半透明のものであれば特に限定されないが、仕事関数の低いものが好ましい。好ましいカソードとしては、導電性酸化物膜、マグネシウム系合金膜及びフッ化物膜が挙げられ、これらを２層以上に組み合わせるのがより好ましい。これらの膜は、電極箔のバッファ層で述べたものと同様のものが使用可能である。
【００４０】
特に好ましいカソードは、導電性酸化物膜からなるカソード層としての透明酸化物層に、マグネシウム系合金膜及び／又はフッ化物膜からなるバッファ層としての半透過金属層を積層させた２層構造であり、抵抗の観点からも実用性が高い。この場合、カソード２８の半透過金属層（バッファ層）側を有機ＥＬ層２６と接触させて用いることにより、高い光透過性と低い仕事関数がもたらされ、有機ＥＬ素子の輝度及び電力効率を向上することができる。最も好ましい例としては、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）からなる透明酸化物層（カソード層）とＭｇ−Ａｇからなる半透過金属層（バッファ層）が積層されてなるカソード構造体が挙げられる。また、カソード構造体は、２層以上の透明酸化物層及び／又は２層以上の半透過金属層を備えるものであってもよい。こうして、有機ＥＬ層２６で発生した光はカソード２８及び封止膜３４及び封止材３２を通過して外部に放出される。
【００４１】
なお、電極箔２０の裏面には、使用形態に応じて補助的な基材を適宜設置してもよい。この部分は、発光特性に影響を与えない為、材料選択の自由度は高い。例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、ポリエーテルニトリル（ＰＥＮ）等の樹脂フィルムを使用すればフレキシブル性を損なうことが無いので最適といえる。
【００４２】
図５に、本発明の電極箔をカソードとして用いたトップエミッション型有機ＥＬ素子の層構成の一例を示す。図５に示される有機ＥＬ素子は、電解銅箔４２、反射層４３及びバッファ層４４を備えたカソード電極箔４０と、バッファ層４４の表面に直接設けられる有機ＥＬ層４６と、有機ＥＬ層４６の表面に直接設けられる対向電極としてのアノード４８とを備えてなる。有機ＥＬ層４６は、図３に示される有機ＥＬ層２６と同様に構成可能であり、バッファ層４４は、図３に示されるカソード２８と同様に構成可能であり、導電性酸化物膜、マグネシウム系合金膜、フッ化物膜、又はそれらの２層以上の組み合わせで構成されるのが好ましい。より好ましいバッファ層４４は、マグネシウム系合金膜及び／又はフッ化物膜からなる半透過金属層である。
【００４３】
すなわち、図５に示されるカソード電極箔４０を用いた有機ＥＬ素子は、図３に示されるアノード電極箔２０を用いた有機ＥＬ素子において、バッファ層２４とカソード２８を入れ替え、かつ、有機ＥＬ層２６内部のアノード側からカソード側への積層順序を逆転させた構成に相当する。例えば、カソード電極箔４０のバッファ層４４としてマグネシウム系合金膜又はフッ化物膜をスパッタリング又は蒸着により形成する一方、アノード４８として導電性非晶質炭素、ＭｏＯ３又はＶ２Ｏ５の膜を蒸着法により形成するのが好ましい。特に、導電性非晶質炭素膜を有機ＥＬ層上に成膜する場合には、スパッタ時のプラズマダメージを避けるため真空蒸着法を用いるのが好ましい。
【００４４】
（２）光電素子
本発明による電極箔を反射電極として用いて、その表面に光電素子を構築することができる。本発明の好ましい態様による光電素子は、電極箔と、電極箔の表面に直接設けられる半導体機能層としての光励起層と、光励起層の表面に直接設けられる対向電極としての透光電極とを備えてなる。光励起層としては、光電素子の半導体機能層として知られる種々の構成及び材料が使用可能である。
【００４５】
例えば、図３に示される有機ＥＬ層２６を公知の有機太陽電池活性層で置き換えることにより、有機太陽電池を構成することができる。本発明の電極箔をアノードとして用いる有機太陽電池の場合、バッファ層（例えばカーボンバッファ層）上に、正孔輸送層（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（３０ｎｍ））、ｐ型有機半導体機能層（例えばＢＰ（ベンゾポルフィリン））、ｎ型有機半導体とｐ型有機半導体のｉ型ミキシング層（例えばＢＰ：ＰＣＢＮＢ（フラーレン誘導体））、ｎ型有機半導体機能層（例えばＰＣＢＭ（フラーレン誘導体））、低い仕事関数を有するバッファ層（例えばＭｇ−Ａｇ）及び透明電極層（例えばＩＺＯ）を順次積層させて太陽電池を構成することが可能である。また、別の例としては、電解銅箔（例えば銅箔）が反射層（例えばアルミニウム膜）及びｎ型半導体バッファ層（例えばＺｎＯ、ＳｎＯ２、ＴｉＯ２、ＮｂＯ、Ｉｎ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３、及びこれらの組合せ等のｎ型酸化物半導体）を備え、このｎ型半導体バッファ層上に、ｐ型有機半導体とｎ型有機半導体のブレンド層（例えばＰ３ＨＴ：ＰＣＢＭ）、正孔輸送層（例えばＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）、並びに電極を順次積層させて太陽電池を構成してもよい。これらの各層を構成する材料としては公知の材料を適宜使用することができ、特に限定されない。有機太陽電池に使用される電極は、有機ＥＬ素子に使用される電極と同じ材料及び構造を有するものであってよい。本発明の電極箔は反射層を備えることで、キャビティー効果に起因する光の閉じ込めによる発電効率の向上が期待される。
【００４６】
このように光励起層は公知の複数の機能層を有して構成されるが、その積層は電極箔から対向電極に向かって各相を順に積層させることによって行ってもよいし、あるいは、電極箔側の第一の積層部分と対向電極側の第二の積層部分とを別個に作製した後、第一及び第二の積層部分を互いに貼り合わせて所望の光励起層を備えた光電素子を得てもよい。
【実施例】
【００４７】
本発明を以下の例によってさらに具体的に説明する。
【００４８】
例１：｛１００｝配向銅箔
（１）未処理電解銅箔の作製
硫酸濃度１４０ｇ／Ｌ及び銅濃度８０ｇ／Ｌの硫酸系硫酸銅水溶液を調製した。この水溶液を用いて、ビス（３−スルホプロピル）ジスルフィドを５ｐｐｍ、環状構造を持つ４級アンモニウム塩重合体（センカ（株）製、ユニセンス：ＦＰＡ１００Ｌ）を３ｐｐｍ、分子量１０００のポリエチレングリコールを１０ｐｐｍ、塩素を２０ｐｐｍ含む電解液を調製した。この電解液を用いて液温６０℃及び電解電流密度７５Ａ／ｄｍ２で電解を行い、厚さ３５μｍの電解銅箔を製造した。得られた電解銅箔の表面（析出面）の粗さを走査型プローブ顕微鏡（Ｖｅｅｃｏ社製、Ｎａｎｏ  Ｓｃｏｐｅ  Ｖ）を用いてＪＩＳ  Ｂ  ０６０１−２００１に準拠して測定したところ、算術平均粗さＲａ：６６．４ｎｍであった。この測定は、１０μｍ四方の範囲について、Ｔａｐｐｉｎｇ  Ｍｏｄｅ  ＡＦＭにて行った。
【００４９】
（２）ＣＭＰ処理
１０ｃｍ四方に切断した厚さ０．５ｍｍのゴムパットを両面テープでステンレスの治具に張り付けた。こうして得られたステンレスのパットの総重量を測定したところ２０ｋｇであった。一方、先に得られた未処理の電解銅箔を、ゴムパットよりもやや大きい１１．５ｍｍ四方に予め切断しておいた。切断された電解銅箔の中央にゴムパットが当たるようにステンレス治具で上から押さえた。この電解銅箔の表面（析出面）に対して、エムエーティー社製研磨機を用いてＣＭＰ処理を行った。このＣＭＰ処理は、ＸＹ溝付き研磨パット及びコロイダルシリカ系研磨液を用いて、パッド回転数：３０ｒｐｍ、荷重：２００ｇｆ／ｃｍ２、液供給量：１００ｃｃ／ｍｉｎの条件で行った。コロイダルシリカ系研磨液は、コロイダルシリカ（粒径サイズ５０ｎｍ〜１００ｎｍ）：５重量％、グリシン：１重量％、過酸化水素水：３重量％、水：９０．９重量％、ベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）：０．１重量％を含む液を用いた。ＣＭＰ処理を開始して１分経過後に研磨を止め、金属銅箔表面の算術平均粗さＲａを上記同様の条件で測定した。１分間のＣＭＰ処理による算術平均粗さＲａの減少率を計算したところ６２．９ｎｍ／分であった。
【００５０】
（３）｛１００｝配向率の測定
電解銅箔のＣＭＰ処理された表面をＣａｒｌ  Ｚｅｉｓｓｓ社製のＦＥ−ＳＥＭ（電界放射型電子顕微鏡、製品名：ＳＵＰＲＡ５５ＡＰ）に搭載されたＥＢＳＤ（電子線後方散乱回折装置、ＴＳＬソリューションズ社製、製品名：Ｐｅｇａｓｕｓシステム、加速電圧：２０ｋＶ、アパーチャー径６０μｍ、Ｈｉｇｈ  ｃｕｒｒｅｎｔ  ｍｏｄｅ、電流：３ｎＡ、測定範囲：３５μｍ×１０５μｍ、ステップ幅：０．３μｍ）で観察した。＜００１＞結晶方位からのずれが２、６、１０、１４、１８、２２、２６及び３０°以内である｛１００｝面の占める面積の割合（以下、｛１００｝配向率と総称する）をそれぞれ画像解析により算出したところ、図１３に示される結果が得られた。＜００１＞結晶方位からのずれが１８°以内である｛１００｝面の占める面積の割合は２４．３８％であった。ＥＢＳＤにより得られた電解銅箔の表面の結晶方位マップ（｛１００｝、ＮＤ方向）を図６に示す。図６の結晶方位マップには、＜００１＞方位からのずれが３０°以内の｛１００｝面の占める結晶が着色表示されており、着色が濃いほど＜００１＞結晶方位からのずれが小さい｛１００｝面が存在することを意味する。
【００５１】
また、グリシンを全有機炭素（ＴＯＣ）濃度で２．７ｇ／Ｌ含む３体積％過酸化水素水をエッチング液として用いて電解銅箔の表面にエッチングを行った。このエッチング液を用いてエッチングを行うと、｛１００｝面がエッチングされやすい一方、（１１１）等の他の結晶面はエッチングされにくく残存した傾向がある。実際にこのエッチング後の銅箔表面を観察したところ、図７に示されるように、エッチングされずに残存した領域が少なかったことから、銅箔表面においてエッチングされやすい｛１００｝面の占める割合が高かったものと理解される。
【００５２】
（４）光沢度Ｇｓ（２０°）の測定
ハンディ型光沢計（ＰＧ−ＩＩ／ＩＩＭ、日本電色工業株式会社製）を用いて、電解銅箔のＣＭＰ処理された表面の光沢度Ｇｓ（２０°）を測定した。この測定はＪＩＳ  Ｚ  ８７４１−１９９７に準拠して行った。その結果、ＣＭＰ処理された電解銅箔の表面の光沢度Ｇｓ（２０°）は１６０７であった。なお、光沢度の測定に際しては、必要に応じて、標準光沢板（黒）を用いて校正を随時行い、その後同様に副標準光沢板（白）を測定してメーカー記載の基準値との差が２．０以下であることを確認した。
【００５３】
例２：｛１００｝配向銅箔
硫酸濃度１４０ｇ／Ｌ及び銅濃度８０ｇ／Ｌの硫酸系硫酸銅水溶液を調整した。この水溶液を用いて、ビス（３−スルホプロピル）ジスルフィド５ｐｐｍと分子量３０００ポリエチレングリコール５０ｐｐｍ、塩素３０ｐｐｍを含む電解液を調整し、この電解液の液温を６０℃とし、電解電流密度６０Ａ／ｄｍ２で電解し、厚さ３５μｍの電解銅箔を製造した。得られた電解銅箔の析出面側の表面粗さＲａを例１と同様にして測定したところ５３．６ｎｍであった。この電解銅箔の表面（析出面）に対して、例１と同様にしてＣＭＰ処理を行った。ＣＭＰ処理を行いながら、３０秒、１分、２分、３分、４分及び５分の経過時間毎に研磨を止め、金属銅箔表面の算術平均粗さＲａを上記同様の条件で測定した。各経過時間後における表面粗さＲａは図１４に示されるとおりであった。１分間のＣＭＰ処理による算術平均粗さＲａの減少率を計算したところ５０．４ｎｍ／分であった。また、例１と同様にして｛１００｝配向率の測定を行ったところ、図８及び１３に示される結果が得られた。＜００１＞結晶方位からのずれが１８°以内である｛１００｝面の占める面積の割合は３０．９８％であった。例１と同様にしてＣＭＰ処理された電解銅箔の表面の光沢度Ｇｓ（２０°）を測定したところ１６３５であった。
【００５４】
例３：｛１００｝配向銅箔
硫酸濃度１４０ｇ／Ｌ及び銅濃度８０ｇ／Ｌの硫酸系硫酸銅水溶液を調整した。この水溶液を用いて、ビス（３−スルホプロピル）ジスルフィドを５ｐｐｍ、分子量６０００のポリエチレングリコールを２０ｐｐｍ、塩素を３０ｐｐｍ含む電解液を調製した。この電解液を用いて液温６０℃及び電解電流密度６０Ａ／ｄｍ２で電解を行い、厚さ３５μｍの電解銅箔を製造した。得られた電解銅箔の析出面側の算術平均粗さＲａを例１と同様にして測定したところ６４．７ｎｍであった。この電解銅箔の表面（析出面）に対して、例１と同様にしてＣＭＰ処理を行った。ＣＭＰ処理を行いながら、３０秒、１分、２分、３分、４分及び５分の経過時間毎に研磨を止め、金属銅箔表面の算術平均粗さＲａを上記同様の条件で測定した。各経過時間後における算術平均粗さＲａは図１４に示されるとおりであった。１分間のＣＭＰ処理による算術平均粗さＲａの減少率を計算したところ６１．８ｎｍ／分であった。例１と同様にして｛１００｝配向率の測定を行ったところ、図９、１０及び１３に示される結果が得られた。＜００１＞結晶方位からのずれが１８°以内である｛１００｝面の占める面積の割合は３８．５４％であった。例１と同様にしてＣＭＰ処理された電解銅箔の表面の光沢度Ｇｓ（２０°）を測定したところ１６６５であった。
【００５５】
例４（比較）：（１１１）配向銅箔
硫酸濃度１４０ｇ／Ｌ及び銅濃度８０ｇ／Ｌの硫酸系硫酸銅水溶液を調整した。この水溶液を用いて、ビス（３−スルホプロピル）ジスルフィドを５ｐｐｍと、環状構造を持つ４級アンモニウム塩重合体（センカ（株）製、ユニセンス：ＦＰＡ１００Ｌ）を４０ｐｐｍ、塩素を３０ｐｐｍ含む電解液を調製した。この電解液を用いて液温６０℃及び電解電流密度７５Ａ／ｄｍ２で電解を行い、厚さ３５μｍの電解銅箔を製造した。得られた電解銅箔の析出面側の表面粗さＲａを例１と同様にして測定したところ２５．６ｎｍであった。この電解銅箔の表面（析出面）に対して、例１と同様にしてＣＭＰ処理を行った。ＣＭＰ処理を行いながら、３０秒、１分、２分、３分、４分及び５分の経過時間毎に研磨を止め、金属銅箔表面の算術平均粗さＲａを上記同様の条件で測定した。各経過時間後における表面粗さＲａは図１４に示されるとおりであった。１分間のＣＭＰ処理による算術平均粗さＲａの減少率を計算したところ２５．６ｎｍ／分であった。例１と同様にして＜００１＞配向率の測定を行ったところ、図１１〜１３に示される結果が得られた。本例の電解銅箔は、＜００１＞結晶方位からのずれが１８°以内である｛１００｝面の占める面積の割合は８．８８％と低く、図１１に示される結晶方位マップにおいても＜００１＞方位からのずれが３０°以内である｛１００｝面の存在を示す着色領域の割合が低かった。実際、図１２に示されるように、エッチングされずに残存した領域が大きかったことから、銅箔表面においてエッチングされやすい｛１００｝面の占める割合が低かったものと理解される。例１と同様にして１分間ＣＭＰ処理された電解銅箔の表面の光沢度Ｇｓ（２０°）を測定したところ１４７７と低めであった。
【００５６】
結果
図１４及び１５に示される結果から分かるように、｛１００｝配向率の高い金属箔を使用することで、ＣＭＰ処理を用いて光沢度の高い良質な電解銅箔を短時間で作製することができる。光沢度が高いとキャビティーの角度依存性が低くなる。特に白色発光の際、その効果が大きくなる。また、結晶面により研磨レートに差があるため、｛１００｝配向率の高い電解銅箔の方がより短時間で鏡面となるため、ロール・トゥ・ロール・プロセスに適し、高光沢銅箔ロールを効率的に製造することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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