(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ装置から出力されるレーザ光をターゲット物質に照射してターゲット物質をプラズマ化することにより極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置であって、
電気伝導性を有する構造部材を含み、レーザ光を導入する貫通孔が形成されたチャンバと、
液体ターゲット物質の帯電ターゲットを生成し、前記チャンバ内部のプラズマ生成領域に向けて帯電ターゲットを供給するターゲット生成器であって、少なくとも液体ターゲット物質を内部に貯蔵するターゲット貯蔵部と、前記ターゲット貯蔵部に貯蔵された液体ターゲット物質を帯電ターゲットとして放出するための貫通孔が形成されたターゲット放出部と、帯電ターゲットが通過する貫通孔が形成された電極と、前記電極を保持する電気絶縁部材と、前記電気絶縁部材とプラズマ生成領域との間に配置された第１部分と前記ターゲット放出部、前記電極及び前記電気絶縁部材を囲む第２部分とを有する遮蔽部材と、を含み、前記第１部分に、帯電ターゲットが通過する貫通孔が形成されており、前記遮蔽部材が電気伝導性を有して前記チャンバの構造部材に電気的に接続されている、前記ターゲット生成器と、
を備える極端紫外光生成装置。
【請求項２】
基準電位以上の第１の電位と該第１の電位よりも高い第２の電位との間で変化する電圧信号を生成して、前記チャンバの構造部材に基準電位を与え、前記電極に第１の電位を与え、前記液体ターゲット物質に電圧信号を印加するパルス電圧生成器をさらに備える、請求項１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項３】
基準電位と該基準電位よりも高い第１の電位との間で変化する電圧信号を生成して、前記チャンバの構造部材に基準電位を与え、前記電極に電圧信号を印加し、前記液体ターゲット物質に第１の電位以上の第２の電位を与えるパルス電圧生成器をさらに備える、請求項１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項４】
基準電位以上の第１の電位と該第１の電位よりも高い第２の電位との間で変化する電圧信号を生成して、前記チャンバの構造部材に基準電位を与え、前記電極に電圧信号を印加し、前記液体ターゲット物質に第２の電位を与えるパルス電圧生成器をさらに備える、請求項１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項５】
レーザ装置から出力されるレーザ光をターゲット物質に照射してターゲット物質をプラズマ化することにより極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置であって、
電気伝導性を有する構造部材を含み、レーザ光を導入する貫通孔が形成されたチャンバと、
液体ターゲット物質のターゲットを生成し、前記チャンバ内部のプラズマ生成領域に向けてターゲットを供給するターゲット生成器であって、少なくとも液体ターゲット物質を内部に貯蔵するターゲット貯蔵部と、前記ターゲット貯蔵部に貯蔵された液体ターゲット物質を放出するための貫通孔が形成されたターゲット放出部と、ターゲットが通過する貫通孔が形成された電極と、前記電極を保持する電気絶縁部材と、前記電気絶縁部材とプラズマ生成領域との間に配置された第１部分と前記ターゲット放出部、前記電極及び前記電気絶縁部材を囲む第２部分とを有する遮蔽部材と、を含み、前記第１部分に、ターゲットが通過する貫通孔が形成されており、前記遮蔽部材が電気伝導性を有して前記チャンバの構造部材に電気的に接続されている、前記ターゲット生成器と、
前記チャンバの構造部材及び前記液体ターゲット物質に基準電位を与え、前記電極に正の電位と負の電位との内の一方を与える電源と、
を備える極端紫外光生成装置。
【請求項６】
前記電気絶縁部材によって保持された前記遮蔽部材を前記チャンバの構造部材に電気的に接続する接続部材をさらに備える、請求項１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項７】
前記遮蔽部材が、前記チャンバの構造部材に取り付けられた、請求項１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項８】
前記遮蔽部材と、前記遮蔽部材に取り付けられた蓋とが、少なくとも前記ターゲット貯蔵部、前記ターゲット放出部、前記電極、及び、前記電気絶縁部材をカバーする容器を構成する、請求項７記載の極端紫外光生成装置。
【請求項９】
レーザ光をターゲット物質に照射することによって発生したプラズマから放射される極端紫外光を反射して集光する集光ミラーをさらに備え、前記集光ミラーが、電気伝導性を有して前記チャンバの構造部材に電気的に接続されている、請求項１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項１０】
プラズマ化しなかったターゲット物質を回収するターゲット回収器をさらに備え、前記ターゲット回収器が、電気伝導性を有して前記チャンバの構造部材に電気的に接続されている、請求項１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項１１】
プラズマ化しなかったターゲット物質を回収するターゲット回収器をさらに備え、前記ターゲット回収器が、受け電極と、電気絶縁性を有し、前記受け電極を支持する支持部材とを含み、前記パルス電圧生成器が、前記チャンバの電位よりも低い電位を前記受け電極に与える、請求項２〜請求項４のいずれか１項記載の極端紫外光生成装置。
【請求項１２】
プラズマ生成領域を通過したレーザ光を吸収するレーザダンパをさらに備え、前記レーザダンパが、電気伝導性を有して前記チャンバの構造部材に電気的に接続されている、請求項１記載の極端紫外光生成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するための装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、たとえば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度のＥＵＶ光を生成する極端紫外光生成装置と縮小投影反射光学系（reduced projection reflective optics）とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
【０００３】
極端紫外光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマを用いたＬＰＰ（Laser Produced Plasma：レーザ励起プラズマ）式の装置と、放電によって生成されるプラズマを用いたＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）式の装置と、軌道放射光を用いたＳＲ（Synchrotron Radiation）式の装置との３種類の装置が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許第７０６７８３２号明細書
【概要】
【０００５】
本開示の１つの観点に係る極端紫外光生成装置は、レーザ装置から出力されるレーザ光をターゲット物質に照射してターゲット物質をプラズマ化することにより極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置であって、（ｉ）電気伝導性を有する構造部材を含み、レーザ光を導入する貫通孔が形成されたチャンバと、（ii）液体ターゲット物質の帯電ターゲットを生成し、チャンバ内部のプラズマ生成領域に向けて帯電ターゲットを供給するターゲット生成器であって、（ii-a）少なくとも液体ターゲット物質を内部に貯蔵するターゲット貯蔵部と、（ii-b）ターゲット貯蔵部に貯蔵された液体ターゲット物質を帯電ターゲットとして放出するための貫通孔が形成されたターゲット放出部と、（ii-c）帯電ターゲットが通過する貫通孔が形成された電極と、（ii-d）電極を保持する電気絶縁部材と、（ii-e）電気絶縁部材とプラズマ生成領域との間に配置された第１部分とターゲット放出部、電極及び電気絶縁部材を囲む第２部分とを有する遮蔽部材と、を含み、（ii-f）第１部分に、帯電ターゲットが通過する貫通孔が形成されており、（ii-g）遮蔽部材が電気伝導性を有してチャンバの構造部材に電気的に接続されているターゲット生成器と、を備えてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
【図１】図１は、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成装置の概略構成を示す図である。
【図２】図２は、第１の実施形態に係る極端紫外光生成装置の構成を示す一部断面図である。
【図３Ａ】図３Ａは、図２に示すターゲット生成器及びその周辺部を示す一部断面図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、図３Ａに示すターゲット生成器の一部を拡大して示す拡大断面図である。
【図４】図４は、第２の実施形態に係る極端紫外光生成装置のターゲット生成器及びその周辺部を示す一部断面図である。
【図５】図５は、第１又は第２の実施形態におけるパルス電圧生成器の動作例を説明するためのタイミングチャートである。
【図６】図６は、第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置のターゲット生成器及びその周辺部を示す一部断面図である。
【図７】図７は、図６に示すターゲット生成器の第１の動作例を説明するためのタイミングチャートである。
【図８】図８は、図６に示すターゲット生成器の第２の動作例を説明するためのタイミングチャートである。
【図９Ａ】図９Ａは、碍子構造を有する電気絶縁部材を用いるターゲット生成器の一部を拡大して示す拡大断面図である。
【図９Ｂ】図９Ｂは、図９Ａに示すターゲット生成器の一部の底面図である。
【図９Ｃ】図９Ｃは、図９Ａに示す電気絶縁部材の碍子構造のバリエーションを示す断面図である。
【図１０】図１０は、第４の実施形態に係る極端紫外光生成装置のターゲット生成器及びその周辺部を示す一部断面図である。
【図１１】図１１は、第５の実施形態に係る極端紫外光生成装置の構成の一部を示す一部断面図である。
【図１２】図１２は、第６の実施形態に係る極端紫外光生成装置の構成の一部を示す一部断面図である。
【図１３】図１３は、第７の実施形態に係る極端紫外光生成装置のターゲット生成器の一部及びその周辺部を示す一部断面図である。
【図１４】図１４は、第７の実施形態の第１の変形例に係る極端紫外光生成装置のターゲット生成器の一部を示す断面図である。
【図１５】図１５は、第７の実施形態の第２の変形例に係る極端紫外光生成装置のターゲット生成器の一部及びその周辺部を示す一部断面図である。
【図１６Ａ】図１６Ａは、第８の実施形態に係る極端紫外光生成装置の構成の一部を示す一部断面図である。
【図１６Ｂ】図１６Ｂは、図１６Ａに示すターゲット生成器の一部を拡大して示す拡大断面図である。
【図１７】図１７は、帯電ターゲットの検出に用いられるターゲットセンサの構成例を示す図である。
【図１８】図１８は、偏向電極によるターゲットの方向制御を説明するための図である。
【実施形態】
【０００７】
＜内容＞
１．概要
２．用語の説明
３．極端紫外光生成装置の全体説明
３．１  構成
３．２  動作
４．静電引出し型のターゲット生成器が搭載されたチャンバ
４．１  構成
４．２  動作
５．静電引出し型のターゲット生成器
５．１  構成
５．２  動作
５．３  作用
６．ターゲット生成器の第２の実施形態
６．１  構成
６．２  動作
６．３  作用
７．パルス電圧生成器の動作タイミングチャート
８．ターゲット生成器の第３の実施形態
８．１  構成
８．２  動作
９．電気絶縁部材の構造
１０．遮蔽容器に封入されたターゲット生成器
１０．１  構成
１０．２  動作
１０．３  作用
１１．ターゲット軌道近傍の部材が基準電位に接続された実施形態
１２．ターゲット回収器に電極が設置された実施形態
１３．遮蔽部材に加熱手段が追加された実施形態
１４．コンティニュアスジェット方式のターゲット生成器
１４．１  構成
１４．２  動作
１４．３  作用
１５．補足説明
１５．１  磁気回路による帯電ターゲットの検出
１５．２  偏向電極によるターゲットの方向制御
【０００８】
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示の一例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
【０００９】
１．概要
露光装置等の光源として用いられるＬＰＰ式のＥＵＶ光生成装置は、所定の位置において安定してＥＵＶ光を生成することが求められる。ＥＵＶ光が生成される位置は、ターゲットが供給される位置と、ターゲットにレーザ光が照射される位置とによって定まる。従って、ターゲット生成器から出力されるターゲットの位置安定性が重要となる。ターゲットの供給位置を制御するために、ターゲットを帯電させて、電場又は磁場によって帯電ターゲットの軌道を制御することも行われている。
【００１０】
しかしながら、帯電ターゲットにレーザ光が照射されるとターゲットがプラズマ化し、プラズマから荷電粒子（イオンや電子）を含むデブリが飛散して、チャンバ内の電気絶縁性を有する構造物に荷電粒子が付着して帯電する場合がある。これによって、帯電ターゲットの軌道上の電位分布（電場）が変化し、帯電ターゲットが供給される位置が不安定になることがある。幾つかの実施形態においては、ターゲット生成器の電気絶縁部材を荷電粒子から遮蔽する導電性遮蔽部材が、チャンバの導電性構造部材に電気的に接続されてもよい。従って、帯電ターゲットの軌道上における電位分布の変化を抑制することができてもよい。その結果、帯電ターゲットの安定性が改善されてもよい。
【００１１】
２．用語の説明
本願において使用される幾つかの用語を以下に説明する。「チャンバ」は、ＬＰＰ式のＥＵＶ光生成装置において、プラズマの生成が行われる空間を外部から隔絶するための容器である。「ターゲット生成器」は、ＥＵＶ光を生成するために用いられるターゲットを生成してチャンバ内に出力する装置である。ターゲットは、ドロップレットの形態であってよい。「ＥＵＶ集光ミラー」は、プラズマから放射されるＥＵＶ光を反射集光してチャンバ外に出力するためのミラーである。「デブリ」は、チャンバ内に出力されたターゲットのうちプラズマ化されなかった中性粒子及びプラズマから放出される荷電粒子を含み、ＥＵＶ集光ミラー等の光学素子を汚染又は損傷する原因となる物質である。
【００１２】
３．極端紫外光生成装置の全体説明
３．１  構成
図１に、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成装置（極端紫外光生成装置）１の概略構成を示す。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザシステム３と共に用いてもよい。以下においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザシステム３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム（極端紫外光生成システム）１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。また、ＥＵＶ光生成装置１は、ターゲット供給装置（例えば、ターゲット生成器２６）をさらに含んでもよい。ターゲット供給装置は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられていてもよい。ターゲット供給装置から供給されるターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。
【００１３】
チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔には、ウインドウ２１が設けられていてもよく、ウインドウ２１をレーザシステム３から出力されて進行方向制御装置３４を経たレーザ光３２が透過してもよい。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１の焦点及び第２の焦点を有する。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点が、プラズマ発生位置又はその近傍（プラズマ生成領域２５）に位置し、その第２の焦点が、外部装置（例えば、露光装置６）の仕様によって規定される所定の集光位置（中間集光点（ＩＦ）２９２）に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には、レーザ光３３が通過することができる貫通孔２４が設けられていてもよい。
【００１４】
ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御システム５を含んでもよい。また、ＥＵＶ光生成装置１は、ターゲットセンサ４を含んでもよい。ターゲットセンサ４は、ターゲットの存在、軌道、位置の内の少なくとも１つを検出してもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有していてもよい。
【００１５】
さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通する接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャ（aperture）が形成された壁２９１を設けてもよい。壁２９１は、そのアパーチャがＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。
【００１６】
さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御装置３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するターゲット回収器２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御装置３４は、レーザ光の進行方向を制御するために、レーザ光の進行方向を規定する光学素子と、この光学素子の位置または姿勢を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。
【００１７】
３．２  動作
図１を参照すると、レーザシステム３から出力されたレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御装置３４を経て、レーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射してもよい。レーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内に進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、レーザ光３３として少なくとも１つのターゲット２７に照射されてもよい。レーザ光集光ミラー２２は、レーザ光の集光位置を規定する光学素子と、この光学素子の位置または姿勢を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。
【００１８】
ターゲット生成器２６は、ターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力してもよい。ターゲット２７には、レーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射されてもよい。レーザ光が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマからＥＵＶ光２５１が放射されてもよい。ＥＵＶ光２５１は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射され集光されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光２５２は、中間集光点２９２を通って露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのターゲット２７に、レーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。
【００１９】
ＥＵＶ光生成制御システム５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括してもよい。ＥＵＶ光生成制御システム５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたターゲット２７のイメージデータ等を処理してもよい。また、ＥＵＶ光生成制御システム５は、例えば、ターゲット２７を出力するタイミングの制御及びターゲット２７の出力方向の制御の内の少なくとも１つを行ってもよい。さらに、ＥＵＶ光生成制御システム５は、例えば、レーザシステム３によるレーザ発振タイミングの制御、進行方向制御装置３４によるレーザ光３２の進行方向の制御、及び、レーザ光集光ミラー２２によるレーザ光３３の集光位置の制御の内の少なくとも１つを行ってもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御を追加することもできる。
【００２０】
４．静電引出し型のターゲット生成器が搭載されたチャンバ
４．１  構成
図２は、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を示す一部断面図である。図２に示すように、チャンバ２の内部には、レーザ光集光光学系２２ａと、ＥＵＶ集光ミラー２３と、ターゲット回収器２８と、ＥＵＶ集光ミラーホルダ４１と、プレート４２及び４３と、レーザダンパ４４と、レーザダンパ支持部材４５とが設けられてもよい。
【００２１】
チャンバ２は、電気伝導率が高い材料（例えば、金属材料）からなり電気伝導性を有する構造部材（導電性構造部材）を含んでいてもよい。さらに、チャンバ２は、電気絶縁性を有する構造部材（絶縁性構造部材）を含んでもよい。その場合には、例えば、チャンバ２の外壁が導電性構造部材で構成され、外壁の内側に絶縁性構造部材が配置されるようにしてもよい。チャンバ２には、プレート４２が固定され、プレート４２には、プレート４３が固定されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、ＥＵＶ集光ミラーホルダ４１を介してプレート４２に固定されてもよい。
【００２２】
レーザ光集光光学系２２ａは、軸外放物面ミラー２２１と、平面ミラー２２２と、それらのミラーのホルダとを含んでもよい。軸外放物面ミラー２２１及び平面ミラー２２２は、それぞれのホルダを介してプレート４３に固定されてもよい。軸外放物面ミラー２２１及び平面ミラー２２２の設置位置及び角度は、レーザ光がプラズマ生成領域２５に集光するように調節されてもよい。レーザダンパ４４は、レーザダンパ支持部材４５を介してチャンバ２に固定され、レーザ光の光路上に設置されてもよい。ターゲット回収器２８は、プラズマ生成領域２５のターゲット進行方向下流側（図中下側）において、ターゲットの軌道上に設置されてもよい。
【００２３】
チャンバ２には、ウインドウ２１と、静電引出し型のターゲット生成器２６とが取り付けられてもよい。ターゲット生成器２６の詳細については後で説明する。ターゲット物質としては、導電性を有する液体金属等が用いられてもよいが、各実施形態においては、融点が２３２℃であるスズ（Ｓｎ）が用いられる場合を一例として説明する。
【００２４】
チャンバ２の外部には、ビームデリバリーシステム３４ａと、ＥＵＶ光生成制御システム５とが設けられてもよい。ビームデリバリーシステム３４ａは、高反射ミラー３４１及び３４２と、それらのミラーのホルダ（図示せず）と、ホルダが配置される筐体（図示せず）とを含んでもよい。ＥＵＶ光生成制御システム５は、ＥＵＶ光生成制御装置５１と、ターゲット制御装置５２と、圧力調節器５３と、不活性ガスボンベ５４と、パルス電圧生成器５５とを含んでもよい。
【００２５】
４．２  動作
ターゲット生成器２６は、帯電ターゲットを生成し、チャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に帯電ターゲットを供給してもよい。また、レーザシステム３から出力されるレーザ光は、ビームデリバリーシステム３４ａの高反射ミラー３４１及び３４２によって反射されて、ウインドウ２１を介してレーザ光集光光学系２２ａに入射してもよい。レーザ光集光光学系２２ａに入射したレーザ光は、軸外放物面ミラー２２１及び平面ミラー２２２によって集光ビームとして反射されてもよい。
【００２６】
ＥＵＶ光生成制御装置５１は、ターゲット制御装置５２にターゲット出力信号を出力し、レーザシステム３にレーザ光出力信号を出力してもよい。これにより、ターゲット生成器２６から出力されたターゲットがプラズマ生成領域２５に到達すると、レーザ光の集光ビームがターゲットに照射され、ターゲットがプラズマ化して、ＥＵＶ光が放射される。放射されたＥＵＶ光は、ＥＵＶ集光ミラー２３によってＩＦ（中間集光点）２９２に集光されて、露光装置に入射してもよい。なお、レーザシステム３から出力されるレーザ光は、パルスレーザ光であってもよい。
【００２７】
５．静電引出し型のターゲット生成器
５．１  構成
図３Ａは、図２に示すターゲット生成器及びその周辺部を示す一部断面図である。図３Ｂは、図３Ａに示すターゲット生成器の一部を拡大して示す拡大断面図である。図３Ａに示すように、ターゲット生成器２６は、リザーバ（ターゲット貯蔵部）６１と、ノズル（ターゲット放出部）６２と、電極６３と、ヒータ６４と、電気絶縁部材６５と、引出電極６６と、遮蔽板６７とを含んでもよい。リザーバ６１及びノズル６２は、一体的に形成されてもよいし、別個に形成されてもよい。
【００２８】
リザーバ６１は、合成石英又はアルミナ等の電気絶縁体であってもよい。リザーバ６１は、溶融したスズ（液体ターゲット物質）を貯蔵してノズル６２に供給してもよい。ヒータ６４は、リザーバ６１の周りに取り付けられて、ターゲット物質であるスズが溶融状態を維持するようリザーバ６１を加熱してもよい。また、ヒータ６４は、リザーバ６１の温度を検出するための図示しない温度センサ、ヒータ６４に加熱用の電流を供給するヒータ電源、及び、温度センサによって検出された温度に基づいてヒータ電源を制御する温度制御器と共に用いられてもよい。
【００２９】
ノズル６２は、チャンバ内のプラズマ生成領域に向けて液体ターゲット物質をターゲットとして放出してもよい。図３Ｂに示すように、ノズル６２には、リザーバ６１に貯蔵された液体ターゲット物質を放出するための貫通孔（オリフィス）が形成されていてもよい。また、ノズル６２は、液体ターゲット物質に電界を集中させるために、出口側の面から突き出た先端部を有してもよい。
【００３０】
ノズル６２には、引出電極６６及び遮蔽板６７を保持する電気絶縁部材６５が取り付けられてもよい。電気絶縁部材６５は、ノズル６２と引出電極６６との間を電気的に絶縁すると共に、引出電極６６と遮蔽板６７と間を電気的に絶縁してもよい。引出電極６６は、ノズル６２のオリフィスから液体ターゲット物質を引き出すために、ノズル６２の出口側の面に対向して配置されてもよい。電気絶縁部材６５、引出電極６６、及び、遮蔽板６７の各々には、帯電ターゲット２７を通過させるために一部に貫通孔が形成されていてもよい。
【００３１】
圧力調節器５３は、必要に応じて、不活性ガスボンベ５４から供給される不活性ガスの圧力を利用して、液体ターゲット物質をノズル６２の先端まで押し出すようにしてもよい。ターゲット制御装置５２は、ＥＵＶ光生成制御装置５１（図２）から与えられるタイミングでターゲット２７が生成されるように、圧力調節器５３及びパルス電圧生成器５５を制御してもよい。
【００３２】
パルス電圧生成器５５の一方の出力端子に接続された配線は、リザーバ６１に設けられた気密端子（フィードスルー）を介して、液体ターゲット物質に接触している電極６３に接続されていてもよい。また、パルス電圧生成器５５の他方の出力端子に接続された配線は、引出電極６６に接続されていてもよい。パルス電圧生成器５５は、ターゲット制御装置５２の制御の下で、液体ターゲット物質を引き出してターゲットを生成するための電圧信号を生成してもよい。これにより、液体ターゲット物質と基準電位との間に与える電圧信号Ｖ１、及び／又は、引出電極６６と基準電位との間に与える電圧信号Ｖ２が生成されてもよい。
【００３３】
例えば、パルス電圧生成器５５は、基準電位（０Ｖ）よりも高い電位Ｐ１を生成し、基準電位と電位Ｐ１との間でパルス状に変化する電圧信号を生成してもよい。その場合には、生成された電圧信号が電極６３を介して液体ターゲット物質と基準電位との間に印加されると共に、基準電位が引出電極６６に与えられてもよい。
【００３４】
あるいは、パルス電圧生成器５５は、基準電位（０Ｖ）よりも高い電位Ｐ１と、電位Ｐ１よりも高い電位Ｐ２とを生成し、電位Ｐ１と電位Ｐ２との間でパルス状に変化する電圧信号を生成してもよい。その場合には、生成された電圧信号が電極６３を介して液体ターゲット物質と基準電位との間に印加されると共に、電位Ｐ１が引出電極６６に与えられてもよい。
【００３５】
これにより、液体ターゲット物質の電位が電圧信号Ｖ１に従って変化し、引出電極６６の電位が電圧信号Ｖ２に従って一定電位に維持されてもよい。このため、液体ターゲット物質と引出電極６６との間に、電圧（Ｖ２−Ｖ１）が印加されてもよい。あるいは、リザーバ６１又はノズル６２が電気伝導性を有する材料で形成されている場合には、パルス電圧生成器５５は、リザーバ６１又はノズル６２と引出電極６６と間に電圧（Ｖ２−Ｖ１）を印加してもよい。
【００３６】
遮蔽板６７は、少なくとも電気絶縁部材６５とプラズマ生成領域２５との間に配置されてもよい。遮蔽板６７は、ターゲット２７が通過する貫通孔が形成された遮蔽部材であってもよい。遮蔽板６７は、プラズマ生成領域２５において生成されるプラズマから放出される荷電粒子から電気絶縁部材６５等の電気的な絶縁物を遮蔽してもよい。
【００３７】
ここで、遮蔽板６７は、電気伝導性を有する材料（例えば、金属材料）を含むことにより電気伝導性を有してもよく、ワイヤ等の導電性接続部材によって、チャンバ２の導電性構造部材（例えば、外壁）に電気的に接続されていてもよい。チャンバ２の導電性構造部材は、パルス電圧生成器５５の基準電位（０Ｖ）に電気的に接続されてもよく、さらに、接地されるようにしてもよい。また、遮蔽板６７には、遮蔽板６７を冷却する熱媒体を循環させるための配管６８が設置されてもよい。その場合には、配管６８が図示しないチラーに接続されて、熱媒体が冷却されながら配管６８内を循環するようにするとよい。
【００３８】
５．２  動作
ターゲット生成器２６は、オンデマンドでターゲットを生成する装置であってよい。ターゲットはドロップレットであってもよい。ヒータ６４によって、スズ（Ｓｎ）が溶融する温度２３２℃以上の温度にリザーバ６１が加熱されてもよい。これにより、リザーバ６１の中に溶融したスズ（液体ターゲット物質）が貯蔵されていてもよい。
【００３９】
また、ターゲット制御装置５２が、パルス電圧生成器５５にターゲット生成信号を出力してもよい。パルス電圧生成器５５は、ターゲット生成信号に従って、電圧信号を液体ターゲット物質と引出電極６６との間に与えてもよい。これによって、液体ターゲット物質と引出電極６６との間に静電気力が発生してもよく、ノズル６２の先端部から液体ターゲット物質が引き出されて、帯電ターゲットが生成されてもよい。ターゲット生成器から出力されたターゲットがプラズマ生成領域２５に到達すると、レーザ光の集光ビームがターゲットに照射されてもよい。これにより、ターゲットがプラズマ化して、ＥＵＶ光が放射され、イオンや電子を含む荷電粒子とが生成されてもよい。それらの荷電粒子の一部は、遮蔽板６７に到達してもよい。
【００４０】
５．３  作用
本実施形態によれば、ターゲット生成器２６に設けられた遮蔽板６７によって、プラズマから放出されたイオンや電子等の荷電粒子が電気絶縁部材６５等の電気的な絶縁物に到達するのを抑制することができてもよい。このため、電気絶縁部材６５等の電気的な絶縁物が荷電粒子によって帯電するのを抑制できてよい。また、遮蔽板６７は基準電位に接続されているので、荷電粒子によって帯電しなくてよい。これにより、ターゲットの軌道上における電位分布（電場）の変化が抑制されてもよい。その結果、帯電ターゲットの位置安定性が改善されてもよい。
【００４１】
６．ターゲット生成器の第２の実施形態
６．１  構成
図４は、第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置のターゲット生成器及びその周辺部を示す一部断面図である。図４に示す第２の実施形態は、図３Ａ及び図３Ｂに示す第１の実施形態に対して、以下の点が異なっていてもよい。ターゲット生成器２６において、遮蔽板６７が削除され、ターゲットが通過する貫通孔が形成された加速電極６９及び遮蔽カバー８１が追加されてもよい。加速電極６９は、ワイヤ等の導電性接続部材によって、チャンバ２の導電性構造部材又はパルス電圧生成器５５の基準電位（０Ｖ）に接続されてもよい。
【００４２】
また、チャンバ２の内部において、遮蔽カバー８１がチャンバ２の外壁に取り付けられていてもよい。遮蔽カバー８１は、少なくとも電気絶縁部材６５とプラズマ生成領域２５との間に配置され、ターゲット２７が通過する貫通孔が形成された遮蔽部材であってよい。遮蔽カバー８１は、プラズマ生成領域２５において生成されるプラズマから放出される荷電粒子から電気絶縁部材６５等の電気的な絶縁物を遮蔽してもよい。
【００４３】
ここで、遮蔽カバー８１は、電気伝導性を有する材料（例えば、金属材料）を含むことにより電気伝導性を有してもよく、ワイヤ等の導電性接続部材によって、又は、直接的に、チャンバ２の導電性構造部材（例えば、外壁）に電気的に接続されていてもよい。チャンバ２の導電性構造部材は、パルス電圧生成器５５の基準電位（０Ｖ）に電気的に接続されていてもよく、さらに、接地されるようにしてもよい。遮蔽カバー８１は、チャンバ２の内部において、少なくともリザーバ６１、ノズル６２、電気絶縁部材６５、及び、引出電極６６をカバーしてもよく、さらに、加速電極６９をカバーするようにしてもよい。また、遮蔽カバー８１には、遮蔽カバー８１を冷却する熱媒体を循環させるための配管８２が設けられていてもよい。その場合には、配管８２がチラー８３に接続されて、熱媒体が冷却されながら配管８２内を循環するようにするとよい。
【００４４】
リザーバ６１は、電気絶縁性を有するフランジ８４を介してチャンバ２に設置されてもよい。その場合には、リザーバ６１は、モリブデン（Ｍｏ）金属等の電気伝導性を有する材料を含んでもよい。その他の点に関しては、第１の実施形態と同様であってよい。
【００４５】
６．２  動作
引出電極６６によって引き出されたターゲットは、加速電極６９に基準電位（０Ｖ）を印加することよって、さらに加速されてもよい。加速されたターゲットは、加速電極６９の貫通孔を通過して、遮蔽カバー８１の貫通孔を通過してもよい。
【００４６】
６．３  作用
本実施形態によれば、チャンバ２内に設けられた遮蔽カバー８１によって、プラズマから放出されたイオンや電子等の荷電粒子が電気絶縁部材６５等の電気的な絶縁物に到達するのを抑制することができてもよい。遮蔽カバー８１は基準電位に接続されているので、ターゲットの軌道上における電位分布（電場）の変化が抑制されてもよい。その結果、帯電ターゲットの位置安定性が改善されてもよい。
【００４７】
さらに、遮蔽カバー８１は、チャンバ２の内部において、ターゲット生成器２６の主要な構成要素をカバーしてもよく、それらの構成要素の周囲に設置されている電気絶縁性を有する部材も荷電粒子から遮蔽されてもよい。遮蔽カバー８１は、荷電粒子が回り込んでターゲット生成器２６の電気絶縁部材６５に付着することも抑制できてもよい。その結果、第１の実施形態と比較して、帯電ターゲットの軌道上における電位分布の変化をさらに抑制することが可能であってよい。
【００４８】
７．パルス電圧生成器の動作タイミングチャート
図５は、第１又は第２の実施形態におけるパルス電圧生成器の動作例を説明するためのタイミングチャートである。図４を参照すると、パルス電圧生成器５５は、液体ターゲット物質と基準電位との間に与える電圧信号Ｖ１、引出電極６６と基準電位との間に与える電圧信号Ｖ２、及び、加速電極６９が存在する場合には加速電極６９と基準電位との間に与える電圧信号を、例えば、以下のように生成してもよい。
【００４９】
パルス電圧生成器５５は、電圧信号Ｖ２を、基準電位（０Ｖ）よりも高い電位Ｐ１（例えば、１０ｋＶ）に維持してもよい。また、パルス電圧生成器５５は、初期状態において、電圧信号Ｖ１を電位Ｐ１に保持しておいてもよい。帯電ターゲットを引き出す際に、パルス電圧生成器５５は、電圧信号Ｖ１を、電位Ｐ１よりも高い電位Ｐ２（例えば、２０ｋＶ）に上昇させてもよい。ただし、電圧（Ｐ２−Ｐ１）は、帯電ターゲットを引き出すための閾値以上であってよい。これによって、液体ターゲット物質と引出電極６６との間の電圧（Ｖ１−Ｖ２）が閾値以上の正の値（Ｐ２−Ｐ１）となり、正に帯電したターゲットがノズル６２から引き出されてもよい。
【００５０】
帯電ターゲットが引出電極６６の貫通孔を通過した後に、パルス電圧生成器５５は、電圧信号Ｖ１を再び電位Ｐ１に戻してもよい。さらに、加速電極６９と基準電位との間に与える電圧信号を、チャンバ２の電位と同一の基準電位（０Ｖ）に維持することによって、帯電ターゲットが加速されてもよい。ここで、電位Ｐ１及びＰ２は、次の関係を満たす。
０（チャンバの電位）＜Ｐ１＜Ｐ２
【００５１】
この例においては、ターゲットを正に帯電させる場合について説明したが、この例に限定されることなく、ターゲットを負に帯電させてもよい。その場合には、電位Ｐ１及びＰ２は、次の関係を満たしてもよい。
Ｐ１＜Ｐ２＜０（チャンバの電位）
ただし、ノズル６２の先端部が突出している場合には、ターゲットが負に帯電していると、ノズル６２の先端部と引出電極６６との間で放電が発生し易くなる。このため、ターゲットを正に帯電させることが好ましい。
【００５２】
８．ターゲット生成器の第３の実施形態
８．１  構成
図６は、第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置のターゲット生成器及びその周辺部を示す一部断面図である。図６に示す第３の実施形態は、図４に示す第２の実施形態に対して、以下の点が異なっていてもよい。即ち、液体ターゲット物質にＤＣ（直流）電圧が印加され、引出電極６６に電圧信号が印加されてもよい。そのために、液体ターゲット物質にＤＣ電圧を印加するＤＣ高圧電源９５と、引出電極６６に電圧信号を印加するパルス電圧生成器９６とが設けられてもよい。
【００５３】
リザーバ６１は、導電性を有するモリブデン（Ｍｏ）等の金属材料で作製され、電気絶縁性を有するフランジ８４を介してチャンバ２に設置されてもよい。また、ＤＣ高圧電源９５は、リザーバ６１を介して液体ターゲット物質にＤＣ電圧を印加してもよい。その他の点に関しては、第２の実施形態と同様であってよい。加速電極６９は、ワイヤ等の導電性接続部材によって、基準電位（０Ｖ）に接続されてもよい。
【００５４】
８．２  動作
図７は、図６に示すターゲット生成器の第１の動作例を説明するためのタイミングチャートである。図６に示すＤＣ高圧電源９５及びパルス電圧生成器９６は、液体ターゲット物質と基準電位との間に与える電圧信号Ｖ１、引出電極６６と基準電位との間に与える電圧信号Ｖ２、及び、加速電極６９と基準電位との間に与える電圧信号を、例えば、以下のように制御してもよい。
【００５５】
ＤＣ高圧電源９５は、電圧信号Ｖ１を、基準電位（０Ｖ）に対して、基準電位（０Ｖ）よりも高い電位Ｐ２（例えば、１０ｋＶ）に維持し、電圧（Ｐ２−０Ｖ）としてもよい。また、パルス電圧生成器９６は、初期状態において、電圧信号Ｖ２を、基準電位（０Ｖ）に対して、基準電位（０Ｖ）よりも高く電位Ｐ２以下である電位Ｐ１に保持して、電圧（Ｐ１−０Ｖ）としてもよい。帯電ターゲットを引き出す際に、パルス電圧生成器９６は、電圧信号Ｖ２を、基準電位（０Ｖ）に低下させてもよい。このとき、電圧（Ｐ２−Ｐ１）は、帯電ターゲットを引き出すための閾値電圧よりも小さく、電圧（Ｐ２−０Ｖ）は、帯電ターゲットを引き出すための閾値電圧以上であるとよい。これによって、液体ターゲット物質と引出電極６６との間の電圧（Ｖ１−Ｖ２）が、電圧（Ｐ２−Ｐ１）から電圧（Ｐ２−０Ｖ）となり、正に帯電したターゲットがノズル６２から引き出されてもよい。
【００５６】
帯電ターゲットが引出電極６６の貫通孔を通過した後は、パルス電圧生成器９６は、引出電極６６の電圧信号Ｖ２を、再び、基準電位（０Ｖ）に対して電位Ｐ１だけ高い電圧（Ｐ１−０Ｖ）に戻してもよい。さらに、加速電極６９と基準電位との間に与える電圧信号を、チャンバ２の電位と同一の基準電位（０Ｖ）に維持してもよい。その結果、帯電ターゲットが加速されてもよい。
【００５７】
図８は、図６に示すターゲット生成器の第２の動作例を説明するためのタイミングチャートである。図６に示すＤＣ高圧電源９５及びパルス電圧生成器９６は、液体ターゲット物質と基準電位との間に与える電圧信号Ｖ１、引出電極６６と基準電位との間に与える電圧信号Ｖ２、及び、加速電極６９と基準電位との間に与える電圧信号を、例えば、以下のように制御してもよい。
【００５８】
ＤＣ高圧電源９５は、電圧信号Ｖ１を、基準電位（０Ｖ）に対して、基準電位（０Ｖ）よりも高い電位Ｐ２（例えば、１０ｋＶ）に維持して、電圧（Ｐ２−０Ｖ）としてもよい。また、パルス電圧生成器９６は、初期状態において、電圧信号Ｖ２を、基準電位（０Ｖ）に対して、電位Ｐ２に保持し、電圧（Ｐ２−０Ｖ）としてもよい。帯電ターゲットを引き出す際に、パルス電圧生成器９６は、電圧信号Ｖ２を、基準電位（０Ｖ）に対して、基準電位（０Ｖ）以上で電位Ｐ２よりも低い電位Ｐ１に低下させ、電圧（Ｐ１−０Ｖ）としてもよい。ただし、電圧（Ｐ２−Ｐ１）は、帯電ターゲットを引き出すための閾値以上であるものとしてもよい。これによって、液体ターゲット物質と引出電極６６との間の電圧（Ｖ１−Ｖ２）が電圧（Ｐ２−Ｐ２）から（Ｐ２−Ｐ１）となり、正に帯電したターゲットがノズル６２から引き出されてもよい。
【００５９】
帯電ターゲットが引出電極６６の貫通孔を通過した後は、パルス電圧生成器９６は、電圧信号Ｖ２を、再び、電位Ｐ２に戻してもよい。さらに、加速電極６９と基準電位との間に与える電圧信号を、チャンバ２の電位と同一の基準電位（０Ｖ）に維持してもよい。その結果、帯電ターゲットが加速されてもよい。
【００６０】
９．電気絶縁部材の構造
以上の実施形態及び他の実施形態において、電気絶縁部材の構造として碍子構造を採用してもよい。
図９Ａは、碍子構造を有する電気絶縁部材を用いるターゲット生成器の一部を拡大して示す拡大断面図である。図９Ｂは、図９Ａに示すターゲット生成器の一部の底面図である。図９Ａに示すように、ノズル６２には、電気絶縁部材６５ａを介して引出電極６６が取り付けられ、さらに、電気絶縁部材６５ｂを介して加速電極６９が取り付けられてもよい。
【００６１】
電気絶縁部材６５ａ及び６５ｂは、アルミナセラミックス等の電気絶縁材料で作製され、側面に複数の襞が設けられた円筒形状を有してもよい。これにより、ノズル６２と引出電極６６との間の絶縁耐圧、及び、引出電極６６と加速電極６９との間の絶縁耐圧を高めることができてもよい。電気絶縁部材６５ａ及び６５ｂにおける襞の数は、図９Ｃに示すように２つ又は３つでもよいし、それ以外でもよい。また、引出電極６６及び加速電極６９に接続される配線は、絶縁耐圧を高めるために、テフロン被覆線９７としてもよい（「テフロン」は登録商標）。
【００６２】
図９Ｂに示すように、加速電極６９は、ターゲットが通過する貫通孔が形成された円盤状の電極本体６９ａと、電極本体６９ａを支持する複数の支柱（ポール）６９ｂとを含んでもよい。電極本体６９ａ及び支柱６９ｂは、モリブデン（Ｍｏ）等の金属材料で作製されてもよい。引出電極６６の構造は、加速電極６９の構造と同様でもよい。
【００６３】
１０．遮蔽容器に封入されたターゲット生成器
１０．１  構成
図１０は、第４の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置のターゲット生成器及びその周辺部を示す一部断面図である。図１０に示す第４の実施形態は、図４に示す第２の実施形態に対して、以下の点が異なっていてもよい。ターゲット生成器２６の主要な構成要素が、遮蔽カバー８５と、遮蔽カバー８５に取り付けられた蓋８６とによって構成される遮蔽容器に封入されていてもよい。
【００６４】
遮蔽カバー８５は、少なくとも電気絶縁部材６５とプラズマ生成領域２５との間に配置され、ターゲット２７が通過する貫通孔が形成された遮蔽部材であってよい。遮蔽カバー８５は、プラズマ生成領域２５において生成されるプラズマから放出される荷電粒子から電気絶縁部材６５等の電気的な絶縁物を遮蔽してよい。
【００６５】
ここで、遮蔽カバー８５は、電気伝導性を有する材料（例えば、金属材料）を含むことにより電気伝導性を有し、ワイヤ等の導電性接続部材によって、又は、直接的に、チャンバ２の導電性構造部材（例えば、外壁）に電気的に接続されていてもよい。チャンバ２の導電性構造部材は、パルス電圧生成器５５の基準電位（０Ｖ）に電気的に接続されており、さらに、接地されるようにしてもよい。
【００６６】
遮蔽容器は、少なくともリザーバ６１、ノズル６２、電気絶縁部材６５、及び、引出電極６６をカバーしており、さらに、加速電極６９、ターゲットセンサ７０、偏向電極７１、及び、温度センサ７２をカバーするようにしてもよい。また、遮蔽容器には、遮蔽カバー８５を冷却する熱媒体を循環させるための配管８７が設けられていてもよい。その場合には、配管８７が継ぎ手８８を介してチラー８９に接続されて、配管８７内を熱媒体が冷却されながら循環するようにするとよい。なお、配管８７は、遮蔽カバー８５の外側に設けられていてもよい。
【００６７】
リザーバ６１は、モリブデン（Ｍｏ）金属等の電気伝導体、シリコンカーバイト（ＳｉＣ）等の半導体、又は、合成石英やアルミナ等の電気絶縁体で構成されてもよい。ノズル６２も、同様に、モリブデン（Ｍｏ）金属等の電気伝導体、シリコンカーバイト（ＳｉＣ）等の半導体、又は、合成石英やアルミナ等の電気絶縁体で構成されてもよい。
【００６８】
リザーバ６１は、蓋８６を介して遮蔽カバー８５に取り付けられていてもよい。蓋８６の材料としては、例えば、ムライト等の電気絶縁材料を用いることができる。また、加速電極６９のターゲット進行方向下流側（図中下側）に、ターゲットの通過を検出するためのターゲットセンサ７０が配置されてもよい。さらに、ターゲットセンサ７０の下流側に、ターゲットを偏向するための偏向電極７１が配置されてもよい。その場合に、ターゲットセンサ７０及び／又は偏向電極７１は、電気絶縁部材６５によって保持されるとよい。
【００６９】
引出電極６６の配線、ターゲットセンサ７０の配線、及び、偏向電極７１の配線は、蓋８６に設けられた中継端子９０ａを介して、パルス電圧生成器５５、ターゲット検出回路５６、偏向電極電圧生成器５７にそれぞれ接続されてもよい。加速電極６９の配線は、遮蔽カバー８５に電気的に接続されてもよいし、図示しない配線及び中継端子を介して、パルス電圧生成器５５の基準電位（０Ｖ）に接続されてもよい。
【００７０】
また、液体ターゲット物質に電圧信号を与える電極６３の配線は、蓋８６に設けられた中継端子９０ｂを介して、パルス電圧生成器５５に接続されてもよい。加熱用のヒータ６４の配線及び温度センサ７２の配線は、蓋８６に設けられた中継端子９０ｃを介して、ヒータ電源５８及び温度制御器５９にそれぞれ接続されてもよい。ターゲット制御装置５２は、ターゲット検出回路５６から出力されるターゲット通過信号を受信し、これに基づいて、圧力調節器５３、パルス電圧生成器５５、及び、偏向電極電圧生成器５７を制御してもよい。その他の点に関しては、第２の実施形態と同様であってよい。
【００７１】
１０．２  動作
ヒータ電源５８がヒータ６４に電流を流すことによって、リザーバ６１が加熱されてもよい。温度制御器５９は、温度センサ７２から出力される検出信号を受信し、ヒータ電源５８がヒータ６４に流す電流値を制御してもよい。リザーバ６１の温度は、スズ（Ｓｎ）の融点（２３２℃）以上に制御されてもよい。
【００７２】
ターゲット制御装置５２は、パルス電圧生成器５５にターゲット生成信号を出力してもよい。これにより、ノズル６２から帯電ターゲットが出力されてもよい。ノズル６２から出力された帯電ターゲットは、引出電極６６の貫通孔及び加速電極６９の貫通孔を通過してもよい。さらに、帯電ターゲットがターゲットセンサ７０を通過すると、そのタイミングに同期して、ターゲットセンサ７０に電流が流れてもよい。ターゲット検出回路５６は、この電流を増幅してターゲット通過信号を生成してもよく、ターゲット制御装置５２にターゲット通過信号を出力してもよい。ターゲット制御装置５２は、ターゲットの出力時刻と、ターゲットの速度と、ノズル６２からターゲットセンサ７０までの距離と、ターゲットセンサ７０のターゲット軌道に対する傾斜角度とが既知である場合には、ターゲット通過信号のタイミングに基づいて、ターゲットセンサ７０の検出部におけるターゲットの通過位置を算出してもよい。ターゲット制御装置５２は、このような演算を行うことにより、ターゲットの位置を検出するようにしてもよい。
【００７３】
ターゲットセンサ７０の下流側（図中下側）には、帯電ターゲットの軌道を偏向するための２対の偏向電極７１が配置されていてもよい。ターゲットを偏向することが必要な場合には、ターゲット制御装置５２が、各対の偏向電極７１に与える電位差を制御する制御信号を偏向電極電圧生成器５７に出力してもよい。ターゲットの偏向は、ＥＵＶ光生成制御装置５１からの制御信号、及び／又は、ターゲットの位置を検出して得られた信号に基づいて行われてもよい。なお、ＥＵＶ光生成制御装置５１とターゲット制御装置５２との間では、種々の信号を送受信してもよい。
【００７４】
２対の偏向電極７１の間を通過したターゲットは、遮蔽カバー８５の貫通孔を通過してもよい。ターゲットがプラズマ生成領域２５に到達すると、レーザ光がターゲットに照射され、ターゲットがプラズマ化して、ＥＵＶ光が放射されてもよい。プラズマからの輻射熱や、イオン及び電子等の荷電粒子に曝される遮蔽カバー８５は、温度が上昇しないように、チラー８９によって冷却された熱媒体が配管８７を循環することによって冷却されてもよい。
【００７５】
１０．３  作用
本実施形態によれば、液体ターゲット物質を貯蔵するリザーバ６１及びターゲットを放出するノズル６２の周囲における電気的な絶縁物が、遮蔽容器によってカバーされてもよい。従って、遮蔽容器によって、電気的な絶縁物がイオンや電子等の荷電粒子に曝されることを抑制できてもよい。また、遮蔽容器の遮蔽カバー８５は、基準電位に接続されているので、ターゲットの軌道上における電位分布（電場）の変化が抑制されてもよい。その結果、帯電ターゲットの位置安定性が改善されてもよい。
【００７６】
１１．ターゲット軌道近傍の部材が基準電位に接続された実施形態
図１１は、第５の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成の一部を示す一部断面図である。図１１に示す第５の実施形態においては、ターゲット軌道近傍の部材が、チャンバ２の電位と同一の基準電位（０Ｖ）に接続されてもよい。即ち、プラズマから飛散する荷電粒子から遮蔽することが困難な部材については、その部材を基準電位に接続することによって、その部材に付着した荷電粒子の電荷をチャンバ２等に放出するようにしてもよい。その他の点に関しては、他の実施形態と同様であってよい。
【００７７】
図１１に示すように、チャンバ２の内部には、レーザ光集光光学系２２ａと、ＥＵＶ集光ミラー２３と、ターゲット回収器２８と、ＥＵＶ集光ミラーホルダ４１と、プレート４２及び４３と、レーザダンパ４４と、レーザダンパ支持部材４５とが設けられていてもよい。
【００７８】
ＥＵＶ集光ミラー２３は、レーザ光をターゲットに照射することによって発生したプラズマから放射されるＥＵＶ光を反射して集光してもよい。ターゲット回収器２８は、プラズマ化しなかったターゲットを回収してもよ。レーザダンパ４４は、プラズマ生成領域２５を通過したレーザ光を吸収してもよい。ここで、ＥＵＶ集光ミラー２３の基板、ターゲット回収器２８、及び、レーザダンパ４４の材料としては、金属材料又は電気伝導性を有するセラミック材料が望ましい。
【００７９】
ＥＵＶ集光ミラー２３は、ＥＵＶ集光ミラーホルダ４１を介してプレート４２に固定されてもよい。ターゲット回収器２８は、プラズマ生成領域２５のターゲット進行方向下流側（図中下側）において、ターゲットの軌道上に設置されてもよい。レーザダンパ４４は、レーザダンパ支持部材４５を介してチャンバ２に固定されてもよく、レーザ光の光路上に設置されてもよい。ここで、ＥＵＶ集光ミラー２３の基板、ターゲット回収器２８、及び／又は、レーザダンパ４４が、導電性ワイヤ等の接続部材を介して、チャンバ２の導電性構造部材（例えば、外壁）に電気的に接続されていてもよい。
【００８０】
プラズマから放出された荷電粒子の一部は、ターゲット軌道の近傍に設置されているＥＵＶ集光ミラー２３、ターゲット回収器２８、及び／又は、レーザダンパ４４に到達してもよい。しかしながら、ＥＵＶ集光ミラー２３、ターゲット回収器２８、及び／又は、レーザダンパ４４が基準電位に接続されているので、これらの部材が帯電するのを抑制できてもよい。そのため、ターゲットの軌道上における電場の変化が抑制され得る。その結果、帯電ターゲットの位置安定性が改善されてもよい。
【００８１】
本実施形態においては、導電性ワイヤ等の接続部材によって、ＥＵＶ集光ミラー２３、ターゲット回収器２８、及び／又は、レーザダンパ４４が、チャンバ２の導電性構造部材に電気的に接続されていてもよい。しかしながら、これに限定されることなく、ＥＵＶ集光ミラー２３、ターゲット回収器２８、及び／又は、レーザダンパ４４は、電気伝導性の高い部材に接触するようにチャンバ２に固定されてもよい。例えば、ＥＵＶ集光ミラーホルダ４１及びプレート４２を金属材料で構成することにより、ＥＵＶ集光ミラー２３が、ＥＵＶ集光ミラーホルダ４１及びプレート４２を介して、チャンバ２の導電性構造部材に電気的に接続されてもよい。
【００８２】
１２．ターゲット回収器に電極が設置された実施形態
図１２は、第６の実施形態に係る極端紫外光生成装置の構成の一部を示す一部断面図である。図１２に示す第６の実施形態においては、ターゲット回収器２８が、電気絶縁性を有する支持部材２８１と、電気伝導性を有する遮蔽板２８２と、受け電極２８３とを含んでもよい。受け電極２８３は、遮蔽板２８２及び接続端子２８４を介して、パルス電圧生成器５５に接続されてもよい。
【００８３】
パルス電圧生成器５５は、液体ターゲット物質と基準電位との間に与える電圧信号Ｖ１を、基準電位（０Ｖ）と所定の電位Ｐ１（例えば、１０ｋＶ）との間で変化させてもよい。また、パルス電圧生成器５５は、引出電極６６と基準電位との間に与える電圧信号Ｖ２を基準電位（０Ｖ）に維持し、受け電極２８３と基準電位との間に与える電圧信号Ｖ３を所定の電位Ｐ３（例えば、−１０ｋＶ）に維持してもよい。ここで、電位Ｐ１及びＰ３は、次の関係を満たす。
Ｐ３＜０（チャンバの電位）＜Ｐ１
【００８４】
例えば、筒形状を有するターゲット回収器２８の中央部に、チャンバ２の電位よりも低い電位Ｐ３に維持された受け電極２８３を配置してもよい。受け電極２８３は、先端が尖った円錐形状を有してもよい。また、受け電極２８３は、支持部材２８１及び遮蔽板２８２を介して、チャンバ２に固定されてもよい。その場合には、支持部材２８１によって、受け電極２８３がチャンバ２から絶縁される。さらに、電気伝導性を有する遮蔽板２８２によって、プラズマから放射されるイオンや電子等の荷電粒子から支持部材２８１が保護される。なお、遮蔽板２８２も、チャンバ２の電位よりも低い電位Ｐ３に維持されてもよい。
【００８５】
本実施形態によれば、静電気力によって、帯電ターゲットをターゲット回収器２８に引き付けることができる。また、遮蔽板２８２が、支持部材２８１をイオンや電子等の荷電粒子から遮蔽するので、ターゲット軌道上における電場の変化を抑制することができる。
【００８６】
この例においては、ターゲットを正に帯電させる場合について説明したが、この例に限定されることなく、ターゲットを負に帯電させてもよい。その場合には、電位Ｐ１及びＰ３は、次の関係を満たす。
Ｐ１＜０（チャンバの電位）＜Ｐ３
【００８７】
１３．遮蔽部材に加熱手段が追加された実施形態
図１３は、第７の実施形態に係る極端紫外光生成装置のターゲット生成器の一部及びその周辺部を示す一部断面図である。図１３に示す第７の実施形態においては、遮蔽部材（例えば、遮蔽板６７）に加熱手段としてヒータ９１が配置されてよく、ヒータ９１に電力を供給するためにヒータ電源９２が設けられてもよい。その他の点に関しては、他の実施形態と同様であってよい。なお、本実施形態においても、遮蔽板６７は、チャンバの導電性構造部材（基準電位）に電気的に接続されていてもよい。
【００８８】
図１３に示すようなターゲット生成器において、引出電極６６と遮蔽板６７との間に付着したターゲット物質が、冷却されて固体の付着物となる場合がある。そのような場合には、付着物が、遮蔽板６７の貫通孔を塞いで、ノズル６２から出力されたターゲットを遮ってしまい、ターゲットがプラズマ生成領域２５に向けて出力されなくなる可能性が高い。そこで、第７の実施形態においては、遮蔽板６７にヒータ９１を配置して、固体の付着物（ターゲット物質）を融点以上の温度に加熱することにより、ターゲット物質を溶融して落下させてもよい。
【００８９】
そのために、ターゲット制御装置５２の制御の下で、ヒータ電源９２がヒータ９１に電力を供給するようにしてもよい。例えば、ターゲット制御装置５２は、ＥＵＶ光生成制御装置５１（図２）からターゲット出力信号が出力されているにも拘らずターゲットセンサ４（図１）でターゲットが検出されない場合に、ヒータ９１に電力を供給するようにヒータ電源９２を制御してもよい（メンテナンスモード）。
【００９０】
図１４は、第７の実施形態の第１の変形例に係る極端紫外光生成装置のターゲット生成器の一部を示す断面図である。図１３に示す第７の実施形態においては、遮蔽板６７の下面（ターゲット進行方向下流側）にヒータ９１が配置されているが、図１４に示す第１の変形例においては、遮蔽板６７の上面（ターゲット進行方向上流側）にヒータ９１が配置されてもよい。第１の変形例によれば、遮蔽板６７が、プラズマからの輻射熱やプラズマから放出される荷電粒子からヒータ９１を遮蔽することができてもよい。これにより、ヒータ９１の寿命を長期化すると共に、ヒータ９１における電位分布の変化を抑制することができてもよい。その他の点に関しては、第７の実施形態と同様であってよい。
【００９１】
図１５は、第７の実施形態の第２の変形例に係る極端紫外光生成装置のターゲット生成器の一部及びその周辺部を示す一部断面図である。図１５に示す第２の変形例においては、遮蔽部材（例えば、遮蔽板６７）に加熱手段として配置されている配管９３に熱媒質を循環させて、固体の付着物（ターゲット物質）を融点以上の温度に加熱することにより、ターゲット物質を溶融して落下させてもよい。
【００９２】
そのために、配管９３には、熱媒質を加熱して配管９３に循環させる熱媒質循環装置９４が接続されていてもよい。熱媒質循環装置９４は、ターゲット制御装置５２の制御の下で、遮蔽板６７を加熱する際に熱媒質を加熱して配管９３に循環させてよく、遮蔽板６７を冷却する際に熱媒質を冷却して配管９３に循環させるようにしてもよい。その場合には、配管９３が、加熱手段と冷却手段とを兼ねてもよい。その他の点に関しては、他の実施形態と同様であってよい。
【００９３】
１４．コンティニュアスジェット方式のターゲット生成器
１４．１  構成
図１６Ａは、第８の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成の一部を示す一部断面図である。図１６Ｂは、図１６Ａに示すターゲット生成器の一部を拡大して示す拡大断面図である。コンティニュアスジェット方式のターゲット生成器２６ａは、以下の点において静電引出し型のターゲット生成器２６（図２等）と異なってもよい。
【００９４】
図１６Ａ及び図１６Ｂに示すように、ターゲット生成器２６ａのノズル６２の先端部の近傍に、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛：Pb(lead) zirconate titanate）等を含む圧電素子を用いたアクチュエータ７３が設置されていてもよい。アクチュエータ７３は、駆動信号に従って、所定周期の振動をノズル６２に加えてもよい。また、ノズル６２のターゲット進行方向下流側（図中下側）に、ターゲットが通過するための貫通孔が形成された帯電電極７５が設置されていてもよい。帯電電極７５は、液体ターゲット物質のジェットの先端部がターゲットとして分離するときにターゲットを帯電させてもよい。アクチュエータ駆動回路７７は、アクチュエータ７３に駆動信号を供給してよく、帯電電極電源７８は、帯電電極７５に正又は負の電圧を印加してよい。
【００９５】
ターゲット生成器２６ａは、リザーバ６１と、ノズル６２と、アクチュエータ７３と、電気絶縁部材７４と、帯電電極７５と、遮蔽板７６とを含んでもよい。ノズル６２に取り付けられた電気絶縁部材７４は、帯電電極７５及び遮蔽板７６を保持してもよい。帯電電極７５及び遮蔽板７６の各々は、ターゲットを通過させるために一部に貫通孔が形成されていてもよい。遮蔽板７６は、電気伝導性を有する材料を含み、導電性ワイヤ等の接続部材によって、チャンバの導電性構造部材に電気的に接続されてもよい。その他の点に関しては、他の実施形態と同様であってよい。
【００９６】
１４．２  動作
ターゲット生成器２６ａに所定の圧力の不活性ガスを供給することによって、ノズル６２から液体ターゲット物質のジェットが放出されてもよい。アクチュエータ７３がノズル６２を振動させると、液体ターゲット物質のジェットの先端部が周期的に分断されてターゲットが生成されてもよい。帯電電極７５は、液体ターゲット物質のジェットがターゲットに変化する位置に配置されていてもよい。帯電電極７５がターゲットに電界を作用させることによって、ターゲットが帯電してもよい。ここで、帯電電極７５の電位を液体ターゲット物質の電位よりも高い電位に維持する場合には、ターゲットが負に帯電してもよい。一方、帯電電極７５の電位を液体ターゲット物質の電位よりも低い電位に維持する場合には、ターゲットが正に帯電してもよい。帯電ターゲットは、遮蔽板７６を通過して、プラズマ生成領域２５に到達してもよい。
【００９７】
１４．３  作用
本実施形態によれば、ターゲット生成器２６ａに設けられた遮蔽板７６によって、プラズマから放出されたイオンや電子等の荷電粒子が電気絶縁部材７４等の電気的な絶縁物に到達するのを抑制することができてもよい。遮蔽板７６は基準電位に接続されているので、ターゲットの軌道上における電場の変化が抑制されてもよい。その結果、帯電ターゲットの位置安定性が改善されてもよい。
【００９８】
１５．補足説明
１５．１  磁気回路による帯電ターゲットの検出
図１７は、帯電ターゲットの検出に用いられるターゲットセンサの構成例を示す図である。図１７に示すように、閉ループを有する磁気回路を形成する磁気コア１０１にコイル１０２が巻き付けられ、コイル１０２の両端が電流計１０３に接続されている。電流計１０３は、２つの入力端子間に接続された抵抗１０４と、抵抗１０４の両端の電圧を計測する電圧計１０５とによって等価的に表される。ここで、帯電したターゲット２７が磁気回路の閉ループ内を通過すると、アンペールの右ねじの法則に従って、磁気回路に磁場が発生し、ファラデーの電磁誘導の法則に従って、この磁場によりコイル１０２に起電力が発生して、コイル１０２に電流が流れる。この電流は、電流計１０３によって計測され、電流の流れるタイミングを検出することができる。
【００９９】
磁気コア１０１の材料は、強磁性体であればよい。例えば、フェライト磁石、ネオジューム磁石、サマリュームコバルト磁石、又は、軟鉄等を用いることができる。ここで、磁気回路が小さくなるほど、コイル１０２に流れる電流が大きくなる。また、帯電ターゲットの電荷量が大きくなるほど、コイル１０２に流れる電流が大きくなる。
【０１００】
ターゲット２７が通過するタイミングを高精度に検出するためには、磁気コア１０１の大きさとして、幅Ｗが０．６ｍｍ程度で、長さＬが０．８５ｍｍ程度であることが望ましい。また、ターゲットの電荷量を大きくするために、静電引出し型のターゲット発生器を用いることが望ましい。
【０１０１】
図１７に示す例においては、磁気コア１０１が長方形の形状を有しているが、この例に限定されることなく、磁気コア１０１は、円形、多角形、又は、楕円形等の形状を有してもよい。即ち、磁気回路が閉ループを有するように磁気コア１０１が構成されていればよい。そして、帯電ターゲットの軌道が磁気回路の閉ループと交差するように、磁気コア１０１を配置すればよい。このとき、磁気回路の閉ループと帯電ターゲットの軌道とが交差する角度を９０度以外の角度とすると、帯電ターゲットの通過タイミングは、閉ループに対する帯電ターゲットの通過位置に相関する。即ち、ターゲット通過信号のタイミングに基づいて帯電ターゲットの通過位置を算出することができる。帯電ターゲットの通過位置は、帯電ターゲットの出力時刻と、帯電ターゲットの速度と、ノズル６２からターゲットセンサ７０までの距離と、ターゲットセンサ７０の帯電ターゲット軌道に対する傾斜角度とを予め計測しておくことにより、簡単な計算から求めることができる。
【０１０２】
１５．２  偏向電極によるターゲットの方向制御
図１８は、偏向電極によるターゲットの方向制御を説明するための図である。ここでは、Ｚ軸方向に移動している帯電ターゲットの移動方向を、偏向電極として一対の対向する平板電極を用いて、Ｘ軸方向の電界によって偏向させる場合について説明する。
【０１０３】
電荷Ｑを有するターゲットは、電界Ｅによって、次式で表されるクーロン力Ｆを電界方向に受ける。
Ｆ＝ＱＥ
ここで、電界Ｅは、平板電極７１ａに与えられる電位Ｐａと平板電極７１ｂに与えられる電位Ｐｂとの間の電位差（Ｐａ−Ｐｂ）と、それらの電極間のギャップ長Ｇとによって、次式で表される。
Ｅ＝（Ｐａ−Ｐｂ）／Ｇ
【０１０４】
帯電したターゲットが初速度Ｖ０で電界中に入射すると、進行方向に直交する方向にクーロン力Ｆを受けることによって、帯電ターゲットの進行方向が偏向する。ターゲットは、Ｚ軸方向速度成分Ｖｚ（Ｖｚ＝Ｖ０）でＺ軸方向に移動しながら、クーロン力ＦによってＸ軸方向に加速される。
Ｆ＝ｍａ  （ｍ：ターゲットの質量、ａ：加速度）
このクーロン力は、電界中を移動している間中受け続ける。
【０１０５】
ターゲットが電界から脱出するときの速度Ｖは、Ｚ軸方向速度成分ＶｚとＸ軸方向速度成分Ｖｘとによって、次式で表される。
Ｖ＝（Ｖｚ２＋Ｖｘ２）１／２
電界から脱出したターゲットは、速度Ｖで移動して、レーザ光が照射されるレーザ光軸上の位置に到達する。同様に、Ｙ軸方向に関しても、Ｙ軸方向に一対の対向する平板電極を配置することによって、ターゲットの方向を制御することが可能である。
【０１０６】
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
【０１０７】
本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾句「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。
【符号の説明】
【０１０８】
１…ＥＵＶ光生成装置、１１…ＥＵＶ光生成システム、２…チャンバ、２１…ウインドウ、２２…レーザ光集光ミラー、２２１…軸外放物面ミラー、２２２…平面ミラー、２２ａ…レーザ光集光光学系、２３…ＥＵＶ集光ミラー、２４…貫通孔、２５…プラズマ生成領域、２５１、２５２…ＥＵＶ光、２６、２６ａ…ターゲット生成器、２７…ターゲット、２８…ターゲット回収器、２８１…支持部材、２８２…遮蔽板、２８３…受け電極、２８４…接続端子、２９…接続部、２９１…壁、２９２…中間集光点（ＩＦ）、３…レーザシステム、３１〜３３…レーザ光、３４…レーザ光進行方向制御装置、３４１、３４２…高反射ミラー、３４ａ…ビームデリバリーシステム、４…ターゲットセンサ、４１…ＥＵＶ集光ミラーホルダ、４２、４３…プレート、４４…レーザダンパ、４５…レーザダンパ支持部材、５…ＥＵＶ光生成制御システム、５１…ＥＵＶ光生成制御装置、５２…ターゲット制御装置、５３…圧力調節器、５４…不活性ガスボンベ、５５…パルス電圧生成器、５６…ターゲット検出回路、５７…偏向電極電圧生成器、５８…ヒータ電源、５９…温度制御器、６…露光装置、６１…リザーバ、６２…ノズル、６３…電極、６４…ヒータ、６５、６５ａ、６５ｂ…電気絶縁部材、６６…引出電極、６７…遮蔽板、６８…配管、６９…加速電極、６９ａ…電極本体、６９ｂ…支柱、７０…ターゲットセンサ、７１…偏向電極、７１ａ、７１ｂ…平板電極、７２…温度センサ、７３…アクチュエータ、７４…電気絶縁部材、７５…帯電電極、７６…遮蔽板、７７…アクチュエータ駆動回路、７８…帯電電極電源、８１…遮蔽カバー、８２…配管、８３…チラー、８４…フランジ、８５…遮蔽カバー、８６…蓋、８７…配管、８８…継ぎ手、８９…チラー、９０ａ、９０ｂ、９０ｃ…中継端子、９１…ヒータ、９２…ヒータ電源、９３…配管、９４…熱媒質循環装置、９５…ＤＣ高圧電源、９６…パルス電圧生成器、９７…テフロン被覆線、１０１…磁気コア、１０２…コイル、１０３…電流計、１０４…抵抗、１０５…電圧計
【図１】
0005921876.tif 000002
【図２】
0005921876.tif 000003
【図３Ａ】
0005921876.tif 000004
【図３Ｂ】
0005921876.tif 000005
【図４】
0005921876.tif 000006
【図５】
0005921876.tif 000007
【図６】
0005921876.tif 000008
【図７】
0005921876.tif 000009
【図８】
0005921876.tif 000010
【図９Ａ】
0005921876.tif 000011
【図９Ｂ】
0005921876.tif 000012
【図９Ｃ】
0005921876.tif 000013
【図１０】
0005921876.tif 000014
【図１１】
0005921876.tif 000015
【図１２】
0005921876.tif 000016
【図１３】
0005921876.tif 000017
【図１４】
0005921876.tif 000018
【図１５】
0005921876.tif 000019
【図１６Ａ】
0005921876.tif 000020
【図１６Ｂ】
0005921876.tif 000021
【図１７】
0005921876.tif 000022
【図１８】
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