(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（４）〜（７）のいずれかで表されるアントラセン誘導体。
【化１６３】
0005847354.tif 000166
（式（４）〜（７）中、Ｒ１〜Ｒ８は、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、シアノ基、置換もしくは無置換のアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、及び置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基から選択される。
Ｌ１は単結合及び連結基から選択され、前記連結基は２価のアリーレン基及び２価の複素環基から選択される。
Ｘは酸素原子及び硫黄原子から選択される。
Ｒ１１〜Ｒ２０及びＲ２１〜Ｒ３０は、Ｒ１〜Ｒ８と同じである。
Ａｒ２は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基及び置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の複素環基から選択される。
Ｒ１〜Ｒ８、Ｒ１１〜Ｒ２０、Ｒ２１〜Ｒ３０、Ｌ１及びＡｒ２のうち隣接する基は互いに結合して環を形成してもよい。）
【請求項２】
下記式（８）〜（１１）のいずれかで表される請求項１に記載のアントラセン誘導体。
【化１６４】
0005847354.tif 000167
（式（８）〜（１１）中、Ｒ１〜Ｒ８、Ｘ、Ｒ１１〜Ｒ２０、Ｒ２１〜Ｒ３０及びＡｒ２は前記式（４）〜（７）と同じである。）
【請求項３】
下記式（１２）〜（１５）のいずれかで表される請求項１に記載のアントラセン誘導体。
【化１６５】
0005847354.tif 000168
（式（１２）〜（１５）中、Ｒ１〜Ｒ８、Ｘ、Ｒ１１〜Ｒ２０、Ｒ２１〜Ｒ３０及びＡｒ２は前記式（４）〜（７）と同じである。）
【請求項４】
Ａｒ２が置換もしくは無置換のフェニル基、置換もしくは無置換のナフチル基、置換もしくは無置換のフェナントリル基、置換もしくは無置換のベンズアントリル基、置換もしくは無置換の９，９−ジメチルフルオレニル基及び置換もしくは無置換のジベンゾフラニル基から選択される請求項１〜３のいずれかに記載のアントラセン誘導体。
【請求項５】
Ａｒ２が置換もしくは無置換のカルバゾリル基、置換もしくは無置換のベンゾフラニル基、置換もしくは無置換のジベンゾチオフェニル基、置換もしくは無置換のベンズイミダゾリル基、置換もしくは無置換の１，１０−フェナントロリニル基、置換もしくは無置換のピリジニル基、置換もしくは無置換のトリアジニル基、置換もしくは無置換のピリミジニル基、置換もしくは無置換のベンゾ［ｂ］ナフト［２，１−ｄ］フラニル基、置換もしくは無置換のベンゾ［ｂ］ナフト［２，３−ｄ］フラニル基、又は置換もしくは無置換の下記に示す基から選択される請求項１〜３のいずれかに記載のアントラセン誘導体。
【化１６６】
0005847354.tif 000169
【請求項６】
Ｒ１〜Ｒ８がそれぞれ、水素原子、フッ素、フェニルアミノ基、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、メトキシ基、エトキシ基、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−フルオレニル、２−フルオレニル基、３−フルオレニル基、４−フルオレニル基、５−ベンゾ［ｃ］フェナントリル基、４−ベンゾ［ａ］アントリル基、７−ベンゾ［ａ］アントリル基、１−トリフェニル基、２−トリフェニル基、フェノキシ基、１−ジベンゾフラニル基、２−ジベンゾフラニル基、３−ジベンゾフラニル基、４−ジベンゾフラニル基、１−ジベンゾチオフェニル基、２−ジベンゾチオフェニル基、３−ジベンゾチオフェニル基、４−ジベンゾチオフェニル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基又は９−カルバゾリル基である請求項１〜５のいずれかに記載のアントラセン誘導体。
【請求項７】
Ｒ１〜Ｒ８がそれぞれ、水素原子、メチル基、ｔ−ブチル基、フェニル基、ナフチル基、ビピリジニル基又は下記に示す基である請求項１〜５のいずれかに記載のアントラセン誘導体。
【化１６７】
0005847354.tif 000170
【請求項８】
Ｒ１〜Ｒ８が水素原子である請求項１〜５のいずれかに記載のアントラセン誘導体。
【請求項９】
Ｌ１との結合に用いられないＲ１１〜Ｒ１４及びＲ１５〜Ｒ２０、並びにＬ１との結合に用いられないＲ２１〜Ｒ２４及びＲ２５〜Ｒ３０が水素原子である請求項１〜８のいずれかに記載のアントラセン誘導体。
【請求項１０】
「置換もしくは無置換の」における置換基が、フッ素、フェニルアミノ基、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、メトキシ基、エトキシ基、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−フルオレニル、２−フルオレニル基、３−フルオレニル基、４−フルオレニル基、５−ベンゾ［ｃ］フェナントリル基、４−ベンゾ［ａ］アントリル基、７−ベンゾ［ａ］アントリル基、１−トリフェニル基、２−トリフェニル基、フェノキシ基、１−ジベンゾフラニル基、２−ジベンゾフラニル基、３−ジベンゾフラニル基、４−ジベンゾフラニル基、１−ジベンゾチオフェニル基、２−ジベンゾチオフェニル基、３−ジベンゾチオフェニル基、４−ジベンゾチオフェニル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基又は９−カルバゾリル基である請求項１〜５のいずれかに記載のアントラセン誘導体。
【請求項１１】
Ｘが酸素原子である請求項１〜１０のいずれかに記載のアントラセン誘導体。
【請求項１２】
有機エレクトロルミネッセンス素子用材料である請求項１〜１１のいずれかに記載のアントラセン誘導体。
【請求項１３】
有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料である請求項１〜１２のいずれかに記載のアントラセン誘導体。
【請求項１４】
陰極と陽極間に、発光層を含む１以上の有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機薄膜層の少なくとも一層が、請求項１〜１３のいずれかに記載のアントラセン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１５】
前記発光層が、前記アントラセン誘導体を含有する請求項１４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１６】
前記アントラセン誘導体がホスト材料である請求項１５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１７】
前記発光層がさらにドーパント材料を含有する請求項１５又は１６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１８】
前記ドーパント材料がアリールアミン化合物である請求項１７に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１９】
前記ドーパント材料がスチリルアミン化合物である請求項１７に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２０】
前記ドーパント材料が下記式（２０）で表わされる縮合多環アミン誘導体である請求項１８に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化１６８】
0005847354.tif 000171
（式（２０）中、Ｙは置換もしくは無置換の環形成炭素数１０〜５０の縮合芳香族炭化水素基である。
Ａｒ１０１及びＡｒ１０２は、それぞれ、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基及び置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の複素環基から選択される。
ｎは１〜４の整数である。）
【請求項２１】
前記ドーパント材料が下記式（２１）で表わされる縮合多環アミン誘導体である請求項１８に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化１６９】
0005847354.tif 000172
（式（２１）中、Ｒｅはそれぞれ、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数２〜５０のアルケニル基、置換もしくは無置換の炭素数２〜５０のアルキニル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアラルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜２０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換のシリル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキルゲルマニウム基、及び置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールゲルマニウム基から選択される。Ｒｅは縮合多環の４つのベンゼン環のいずれの結合位置に結合してもよい。
ｔは０〜１０の整数である。
Ａｒ２０１〜Ａｒ２０４は、それぞれ置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基及び置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の複素環基から選択される。）
【請求項２２】
前記ドーパント材料が下記式（２２）で表わされる縮合多環アミン誘導体である請求項１８に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化１７０】
0005847354.tif 000173
（式（２２）中、Ｒｆはそれぞれ置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数２〜５０のアルケニル基、置換もしくは無置換の炭素数２〜５０のアルキニル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアラルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜２０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換のシリル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキルゲルマニウム基、及び置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールゲルマニウム基から選択される。Ｒｆは縮合多環の４つのベンゼン環のいずれの結合位置に結合してもよい。
ｕは０〜８の整数である。
Ａｒ２０５〜Ａｒ２０８は、それぞれ置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、及び置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の複素環基から選択される。）
【請求項２３】
前記ドーパント材料が下記式（２３）で表わされる縮合多環アミン誘導体である請求項１８に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化１７１】
0005847354.tif 000174
（式（２３）中、Ｒｇはそれぞれ置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数２〜５０のアルケニル基、置換もしくは無置換の炭素数２〜５０のアルキニル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアラルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜２０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換のシリル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキルゲルマニウム基、及び置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールゲルマニウム基から選択される。Ｒｇは縮合多環の３つのベンゼン環のいずれの結合位置に結合してもよい。
ｍは０〜１０の整数である。
Ａｒ２０９〜Ａｒ２１２は、それぞれ置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、及び置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の複素環基から選択される。）
【請求項２４】
前記ドーパント材料が下記式（２４）で表わされる縮合多環アミン誘導体である請求項１８に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化１７２】
0005847354.tif 000175
（式（２４）中、Ａｒ２１３〜Ａｒ２１８は、それぞれ置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基及び置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の複素環基から選択される。）
【請求項２５】
請求項１４〜２４のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を含む電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アントラセン誘導体、それを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを含む電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子は、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示素子としての用途が有望視され、多くの開発が行われている。一般に有機ＥＬ素子は、発光層及び該層をはさんだ一対の対向電極から構成されている。両電極間に電界が印加されると、陰極側から電子が注入され、陽極側から正孔が注入される。さらに、この電子が発光層において正孔と再結合し、励起状態を生成し、励起状態が基底状態に戻る際にエネルギーを光として放出する。
従来の有機ＥＬ素子は、無機発光ダイオードに比べて駆動電圧が高く、発光輝度や発光効率も低かった。また、特性劣化も著しく実用化には至っていなかった。最近の有機ＥＬ素子は徐々に改良されているものの、さらなる発光効率の向上等が要求されている。【０００３】
有機ＥＬ用発光材料の改良により有機ＥＬ素子の性能は徐々に改善されてきている。有機ＥＬ素子の発光効率の向上はディスプレイの消費電力の低下、耐久性の向上につながる重要な課題である。これまで種々検討により改善されてきたが、さらなる改良が求められている。
これら問題を解決すべく、特許文献１〜６には、ジベンゾフランを置換基として有するアントラセン誘導体を発光材料に用いた有機ＥＬ素子が開示されている。
さらに、特許文献４、７〜１１では、ナフトベンゾフラン又はナフトベンゾチオフェン構造を有する発光材料が開示されており、これらの材料を用いると発光効率の向上が認められているが、さらなる高効率化が求められていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−１１１４６０号公報
【特許文献２】特開２００５−３１４２３９号公報
【特許文献３】特開２００７−６３５０１号公報
【特許文献４】国際公開第０６／１２８８００号パンフレット
【特許文献５】国際公開第０５／１１３５３１号パンフレット
【特許文献６】国際公開第０８／１４３２２９号パンフレット
【特許文献７】国際公開第０７／１４０８４７号パンフレット
【特許文献８】国際公開第０８／６４４９号パンフレット
【特許文献９】国際公開第１０／１３７２８５号パンフレット
【特許文献１０】特表２０１２−５０３０２７号公報
【特許文献１１】韓国公開特許第２０１２−０１０４０６７号公報
【発明の概要】
【０００５】
本発明の目的は、低電圧かつ高効率な有機エレクトロルミネッセンス素子を製造できる材料を提供することである。
【０００６】
本発明の一態様によれば、下記式（１）で表されるアントラセン誘導体が提供される。
【化１】
0005847354.tif 000002
［式（１）中、Ｒ１〜Ｒ８は、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、シアノ基、置換もしくは無置換のアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数３〜６０のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の炭素数８〜６０のアリールシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、及び置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基から選択される。
Ｌ１は単結合及び連結基から選択され、前記連結基は、２価のアリーレン基、２価の複素環基、及び、２価のアリーレン基及び／又は２価の複素環基が２〜４個連結して形成される基から選択される。
Ａｒ１は下記式（２）及び（３）から選択される。
【化２】
0005847354.tif 000003
（式（２）、（３）中、Ｘは酸素原子及び硫黄原子から選択される。
式（２）中、Ｒ１１〜Ｒ１４のいずれか１つはＬ１との結合に用いられる。Ｌ１との結合に用いられないＲ１１〜Ｒ１４及びＲ１５〜Ｒ２０は、Ｒ１〜Ｒ８と同じである。
式（３）中、Ｒ２１〜Ｒ２４のいずれか１つはＬ１との結合に用いられる。Ｌ１との結合に用いられないＲ２１〜Ｒ２４及びＲ２５〜Ｒ３０は、Ｒ１〜Ｒ８と同じである。）
Ａｒ２は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基及び置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の複素環基から選択される。
Ｒ１〜Ｒ８、Ｒ１１〜Ｒ２０、Ｒ２１〜Ｒ３０、Ｌ１及びＡｒ２のうち隣接する基は互いに結合して環を形成してもよい。］
【０００７】
本発明によれば、低電圧かつ高効率な有機エレクトロルミネッセンス素子を製造できる材料が提供できる。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本発明の一態様のアントラセン誘導体は下記式（１）で表される。
【化３】
0005847354.tif 000004
式（１）中、Ｒ１〜Ｒ８は、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、シアノ基、置換もしくは無置換のアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数３〜６０のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の炭素数８〜６０のアリールシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、及び置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基から選択される。
Ｌ１は単結合及び連結基から選択され、連結基は、２価のアリーレン基、２価の複素環基、及び、２価のアリーレン基及び／又は２価の複素環基が２〜４個連結して形成される基から選択される。
Ａｒ１は下記式（２）及び（３）から選択される。
【化４】
0005847354.tif 000005
式（２）、（３）中、Ｘは酸素原子及び硫黄原子から選択される。
式（２）中、Ｒ１１〜Ｒ１４のいずれか１つはＬ１との結合に用いられる。Ｌ１との結合に用いられないＲ１１〜Ｒ１４及びＲ１５〜Ｒ２０は、Ｒ１〜Ｒ８と同じである。
式（３）中、Ｒ２１〜Ｒ２４のいずれか１つはＬ１との結合に用いられる。Ｌ１との結合に用いられないＲ２１〜Ｒ２４及びＲ２５〜Ｒ３０は、Ｒ１〜Ｒ８と同じである。
【０００９】
Ａｒ２は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基及び置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の複素環基から選択される。
Ｒ１〜Ｒ８、Ｒ１１〜Ｒ２０、Ｒ２１〜Ｒ３０、Ｌ１及びＡｒ２のうち隣接する基は互いに結合して環を形成してもよい。
【００１０】
式（２）、（３）で表される置換基は、特許文献９に記載されている通り有機ＥＬ素子の高効率化に寄与する置換基である。本発明は、これら置換基とアントラセン骨格の結合位置を特定することにより、特許文献９と同等又はそれ以上の発光効率を発揮しながら、さらに低電圧化が可能であることを見出したものである。
上記化合物は、式（２）又は（３）で表される基とアントラセン骨格が特定の位置で結合することで、分子の平面性の広がりにより、分子間のパッキングが向上し、電子注入・輸送能が向上する。そのため、有機ＥＬ素子等に用いた場合に低電圧化・高効率化することが可能となる。
【００１１】
また、式（３）で表される置換基として、下記式（３’）で表される置換基が挙げられる。
【化５】
0005847354.tif 000006
式（３’）中、Ｒ３１〜Ｒ３４のいずれか１つはＬ１との結合に用いられる。Ｌ１との結合に用いられないＲ３１〜Ｒ３４及びＲ３５〜Ｒ４２は、Ｒ１〜Ｒ８と同じである。
【００１２】
式（２）において、Ｒ１１〜Ｒ１４のうち好ましくはＲ１２又はＲ１３がＬ１との結合に用いられる。式（３）において、Ｒ２１〜Ｒ２４のうち好ましくはＲ２２又はＲ２３がＬ１との結合に用いられる。
即ち、上記アントラセン誘導体は、好ましくは下記式（４）〜（７）のいずれかで表される。
【化６】
0005847354.tif 000007
（式（４）〜（７）中、Ｒ１〜Ｒ８、Ｌ１、Ｘ、Ｒ１１〜Ｒ２０、Ｒ２１〜Ｒ３０及びＡｒ２は前記式（１）と同じである。）
【００１３】
また、式（３’）において、Ｒ３１〜Ｒ３４のうち好ましくはＲ３２又はＲ３３がＬ１との結合に用いられる。即ち、上記アントラセン誘導体は、好ましくは下記式（６’）又は（７’）のいずれかで表される。
【化７】
0005847354.tif 000008
（式（６’）及び（７’）中、Ｒ１〜Ｒ８、Ｌ１、Ｘ、Ｒ３１〜Ｒ４２及びＡｒ２は前記式（１）と同じである。）
【００１４】
式（１）において、Ａｒ２は、好ましくは置換もしくは無置換のアリール基である。
Ｒ１〜Ｒ８は、好ましくは水素原子である。
Ｌ１は、好ましくは単結合又は置換もしくは無置換の２価のアリーレン基である。
式（２）、（３）、（３’）において、Ｘは好ましくは酸素原子である。
【００１５】
式（２）において、Ｌ１との結合に用いられないＲ１１〜Ｒ１４及びＲ１５〜Ｒ２０は、好ましくはそれぞれ水素原子である。
式（３）において、Ｌ１との結合に用いられないＲ２１〜Ｒ２４及びＲ２５〜Ｒ３０は、好ましくは、それぞれ水素原子である。
また、式（３’）において、Ｌ１との結合に用いられないＲ３１〜Ｒ３４及びＲ３５〜Ｒ４２は、好ましくは、それぞれ水素原子である。
【００１６】
上記のアントラセン誘導体は、好ましくは下記式（８）〜（１１）のいずれかで表される。
【化８】
0005847354.tif 000009
（式（８）〜（１１）中、Ｒ１〜Ｒ８、Ｘ、Ｒ１１〜Ｒ２０、Ｒ２１〜Ｒ３０及びＡｒ２は前記式（１）と同じである。）
【００１７】
また、上記のアントラセン誘導体は、好ましくは下記式（１２）〜（１５）のいずれかで表される。
【化９】
0005847354.tif 000010
（式（１２）〜（１５）中、Ｒ１〜Ｒ８、Ｘ、Ｒ１１〜Ｒ２０、Ｒ２１〜Ｒ３０及びＡｒ２は前記式（１）と同じである。）
【００１８】
また、上記のアントラセン誘導体は、好ましくは下記式（１０’）、（１１’）、（１４’）及び（１５’）のいずれかで表される。
【化１０】
0005847354.tif 000011
（式（１０’）、（１１’）、（１４’）、（１５’）中、Ｒ１〜Ｒ８、Ｘ、Ｒ３１〜Ｒ４２及びＡｒ２は前記式（１）と同じである。）
【００１９】
本明細書において、「環形成炭素」とは飽和環、不飽和環、又は芳香環を構成する炭素原子を意味する。「環形成原子」とはヘテロ環（飽和環、不飽和環、及び芳香環を含む）を構成する炭素原子及びヘテロ原子を意味する。
【００２０】
本明細書において、「置換もしくは無置換の炭素数ａ〜ｂのＸＸ基」という表現における「炭素数ａ〜ｂ」は、ＸＸ基が無置換である場合の炭素数を表すものであり、ＸＸ基が置換されている場合の置換基の炭素数は含めない。
【００２１】
また、「置換もしくは無置換の・・・」における置換基としては、特記しない限り、後述するハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、シクロアルキル基、シリル基、置換のシリル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリール基、複素環基、ハロゲン化アルキル基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシ基、アラルキル基等が挙げられる。
「置換もしくは無置換の」という場合における「無置換」とは前記置換基で置換されておらず、水素原子が結合していることを意味する。
【００２２】
本発明において、水素原子とは、中性子数が異なる同位体、即ち、軽水素（protium）、重水素（deuterium）及び三重水素（tritium）を包含する。
【００２３】
上記式におけるＲ１〜Ｒ８、Ｌ１、Ｒ１１〜Ｒ２０、Ｒ２１〜Ｒ３０、Ｒ３１〜Ｒ４２、Ａｒ２、及び「置換もしくは無置換の・・・」における各置換基について、以下に詳細に述べる。
【００２４】
ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられ、フッ素が好ましい。ハロゲン化アルキル基として、フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、フルオロエチル基、トリフルオロメチル基等が挙げられる。
【００２５】
アミノ基としては、−ＮＨＲＷ、又は−Ｎ（ＲＷ）２と表される。このＲＷの例として、後述する環形成炭素数６〜３０のアリール基が挙げられる。特に、フェニルアミノ基が好ましい。
【００２６】
炭素数１〜２０（好ましくは炭素数１〜１０、より好ましくは炭素数１〜８、特に好ましくは炭素数１〜４）のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基等が挙げられる。また、後述するアリール基によって置換されているアルキル基、即ち、アルキレン基とアリール基を組み合わせた置換基（例えば、フェニルメチル基、２−フェニルイソプロピル基等）であってもよい。
上記炭素数は、１〜１０が好ましく、１〜６がさらに好ましい。中でもメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基が好ましい。
【００２７】
シクロアルキル基としては、環形成炭素数３〜２０（好ましくは環形成炭素数３〜１０、より好ましくは環形成炭素数３〜８）のシクロアルキル基であり、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボルニル基等が挙げられる。
【００２８】
炭素数１〜２０（好ましくは炭素数１〜１０、より好ましくは炭素数１〜８、特に好ましくは炭素数１〜４）のアルコキシ基は、−ＯＹで表される基であり、Ｙの例としては、前記のアルキル基と同様の例が挙げられる。アルコキシ基は、例えば、メトキシ基、エトキシ基である。
【００２９】
環形成炭素数６〜５０（好ましくは環形成炭素数６〜３０、より好ましくは環形成炭素数６〜２０、特に好ましくは環形成炭素数６〜１２）のアリール基として、例えば、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、６−クリセニル基、１−ベンゾ［ｃ］フェナントリル基、２−ベンゾ［ｃ］フェナントリル基、３−ベンゾ［ｃ］フェナントリル基、４−ベンゾ［ｃ］フェナントリル基、５−ベンゾ［ｃ］フェナントリル基、６−ベンゾ［ｃ］フェナントリル基、１−ベンゾ［ｇ］クリセニル基、２−ベンゾ［ｇ］クリセニル基、３−ベンゾ［ｇ］クリセニル基、４−ベンゾ［ｇ］クリセニル基、５−ベンゾ［ｇ］クリセニル基、６−ベンゾ［ｇ］クリセニル基、７−ベンゾ［ｇ］クリセニル基、８−ベンゾ［ｇ］クリセニル基、９−ベンゾ［ｇ］クリセニル基、１０−ベンゾ［ｇ］クリセニル基、１１−ベンゾ［ｇ］クリセニル基、１２−ベンゾ［ｇ］クリセニル基、１３−ベンゾ［ｇ］クリセニル基、１４−ベンゾ［ｇ］クリセニル基、１−ベンゾ［ａ］アントリル基、２−ベンゾ［ａ］アントリル基、３−ベンゾ［ａ］アントリル基、４−ベンゾ［ａ］アントリル基、５−ベンゾ［ａ］アントリル基、６−ベンゾ［ａ］アントリル基、７−ベンゾ［ａ］アントリル基、８−ベンゾ［ａ］アントリル基、９−ベンゾ［ａ］アントリル基、１０−ベンゾ［ａ］アントリル基、１１−ベンゾ［ａ］アントリル基、１２−ベンゾ［ａ］アントリル基、１３−ベンゾ［ａ］アントリル基、１４−ベンゾ［ａ］アントリル基、１−トリフェニル基、２−トリフェニル基、１−フルオレニル、２−フルオレニル基、３−フルオレニル基、４−フルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、ジベンゾフルオレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−３−イル基、ｐ−ターフェニル−２−イル基、ｍ−ターフェニル−４−イル基、ｍ−ターフェニル−３−イル基、ｍ−ターフェニル−２−イル基、等が挙げられる。
【００３０】
好ましくは、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−フルオレニル、２−フルオレニル基、３−フルオレニル基、４−フルオレニル基、５−ベンゾ［ｃ］フェナントリル基、４−ベンゾ［ａ］アントリル基、７−ベンゾ［ａ］アントリル基、１−トリフェニル基、２−トリフェニル基である。
１−フルオレニル基、２−フルオレニル基、３−フルオレニル基及び４−フルオレニル基は、９位の炭素原子に、前述した置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数６〜１８のアリール基が置換されていることが好ましい。
【００３１】
本明細書において、アリール基（芳香族炭化水素）とは、芳香族性を示す単環（非縮合アリール基）又は複数の環（縮合アリール基）から構成される炭化水素である。
【００３２】
縮合アリール基とは、上記アリール基の中で２環以上の環構造が縮環した基である。非縮合アリール基とは、上記アリール基の中で前記縮合アリール基を除いた基である。
【００３３】
縮合アリール基としては、環形成炭素数１０〜５０（好ましくは環形成炭素数１０〜３０、より好ましくは環形成炭素数１０〜２０）の縮合アリール基であり、上記アリール基の具体例中、例えば、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、６−クリセニル基、５−ベンゾ［ｃ］フェナントリル基、４−ベンゾ［ａ］アントリル基、７−ベンゾ［ａ］アントリル基、１−トリフェニル基、２−トリフェニル基等が挙げられる。
好ましくは、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、５−ベンゾ［ｃ］フェナントリル基、４−ベンゾ［ａ］アントリル基、７−ベンゾ［ａ］アントリル基、１−トリフェニル基、２−トリフェニル基である。
【００３４】
２価のアリーレン基としては、上記のアリール基から水素原子を２つ除いた基が挙げられる。
【００３５】
環形成炭素数６〜３０（好ましくは環形成炭素数６〜２０、より好ましくは環形成炭素数６〜１２）のアリールオキシ基は、−ＯＡｒと表される基である。Ａｒの例としては、上記のアリール基と同様である。アリールオキシ基は、例えばフェノキシ基である。
【００３６】
環形成炭素数６〜３０（好ましくは環形成炭素数６〜２０、より好ましくは環形成炭素数６〜１２）のアリールチオ基とは、−ＳＡｒと表される基である。Ａｒの例としては、上記のアリール基と同様である。
【００３７】
環形成原子数５〜５０（好ましくは環形成原子数５〜３０、より好ましくは環形成原子数５〜３０、特に好ましくは環形成原子数５〜１２）の複素環基としては、例えば、１−ピロリル基、２−ピロリル基、３−ピロリル基、ピラジニル基、２−ピリジニル基、３−ピリジニル基、４−ピリジニル基、１−インドリル基、２−インドリル基、３−インドリル基、４−インドリル基、５−インドリル基、６−インドリル基、７−インドリル基、１−イソインドリル基、２−イソインドリル基、３−イソインドリル基、４−イソインドリル基、５−イソインドリル基、６−イソインドリル基、７−イソインドリル基、２−フリル基、３−フリル基、２−ベンゾフラニル基、３−ベンゾフラニル基、４−ベンゾフラニル基、５−ベンゾフラニル基、６−ベンゾフラニル基、７−ベンゾフラニル基、１−イソベンゾフラニル基、３−イソベンゾフラニル基、４−イソベンゾフラニル基、５−イソベンゾフラニル基、６−イソベンゾフラニル基、７−イソベンゾフラニル基、１−ジベンゾフラニル基、２−ジベンゾフラニル基、３−ジベンゾフラニル基、４−ジベンゾフラニル基、１−ジベンゾチオフェニル基、２−ジベンゾチオフェニル基、３−ジベンゾチオフェニル基、４−ジベンゾチオフェニル基、キノリル基、３−キノリル基、４−キノリル基、５−キノリル基、６−キノリル基、７−キノリル基、８−キノリル基、１−イソキノリル基、３−イソキノリル基、４−イソキノリル基、５−イソキノリル基、６−イソキノリル基、７−イソキノリル基、８−イソキノリル基、２−キノキサリニル基、５−キノキサリニル基、６−キノキサリニル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、９−カルバゾリル基、１−フェナントリジニル基、２−フェナントリジニル基、３−フェナントリジニル基、４−フェナントリジニル基、６−フェナントリジニル基、７−フェナントリジニル基、８−フェナントリジニル基、９−フェナントリジニル基、１０−フェナントリジニル基、１−アクリジニル基、２−アクリジニル基、３−アクリジニル基、４−アクリジニル基、９−アクリジニル基、１，７−フェナントロリン−２−イル基、１，７−フェナントロリン−３−イル基、１，７−フェナントロリン−４−イル基、１，７−フェナントロリン−５−イル基、１，７−フェナントロリン−６−イル基、１，７−フェナントロリン−８−イル基、１，７−フェナントロリン−９−イル基、１，７−フェナントロリン−１０−イル基、１，８−フェナントロリン−２−イル基、１，８−フェナントロリン−３−イル基、１，８−フェナントロリン−４−イル基、１，８−フェナントロリン−５−イル基、１，８−フェナントロリン−６−イル基、１，８−フェナントロリン−７−イル基、１，８−フェナントロリン−９−イル基、１，８−フェナントロリン−１０−イル基、１，９−フェナントロリン−２−イル基、１，９−フェナントロリン−３−イル基、１，９−フェナントロリン−４−イル基、１，９−フェナントロリン−５−イル基、１，９−フェナントロリン−６−イル基、１，９−フェナントロリン−７−イル基、１，９−フェナントロリン−８−イル基、１，９−フェナントロリン−１０−イル基、１，１０−フェナントロリン−２−イル基、１，１０−フェナントロリン−３−イル基、１，１０−フェナントロリン−４−イル基、１，１０−フェナントロリン−５−イル基、２，９−フェナントロリン−１−イル基、２，９−フェナントロリン−３−イル基、２，９−フェナントロリン−４−イル基、２，９−フェナントロリン−５−イル基、２，９−フェナントロリン−６−イル基、２，９−フェナントロリン−７−イル基、２，９−フェナントロリン−８−イル基、２，９−フェナントロリン−１０−イル基、２，８−フェナントロリン−１−イル基、２，８−フェナントロリン−３−イル基、２，８−フェナントロリン−４−イル基、２，８−フェナントロリン−５−イル基、２，８−フェナントロリン−６−イル基、２，８−フェナントロリン−７−イル基、２，８−フェナントロリン−９−イル基、２，８−フェナントロリン−１０−イル基、２，７−フェナントロリン−１−イル基、２，７−フェナントロリン−３−イル基、２，７−フェナントロリン−４−イル基、２，７−フェナントロリン−５−イル基、２，７−フェナントロリン−６−イル基、２，７−フェナントロリン−８−イル基、２，７−フェナントロリン−９−イル基、２，７−フェナントロリン−１０−イル基、１−フェナジニル基、２−フェナジニル基、１−フェノチアジニル基、２−フェノチアジニル基、３−フェノチアジニル基、４−フェノチアジニル基、１０−フェノチアジニル基、１−フェノキサジニル基、２−フェノキサジニル基、３−フェノキサジニル基、４−フェノキサジニル基、１０−フェノキサジニル基、２−オキサゾリル基、４−オキサゾリル基、５−オキサゾリル基、２−オキサジアゾリル基、５−オキサジアゾリル基、３−フラザニル基、２−チエニル基、３−チエニル基、２−メチルピロール−１−イル基、２−メチルピロール−３−イル基、２−メチルピロール−４−イル基、２−メチルピロール−５−イル基、３−メチルピロール−１−イル基、３−メチルピロール−２−イル基、３−メチルピロール−４−イル基、３−メチルピロール−５−イル基、２−ｔ−ブチルピロール−４−イル基、３−（２−フェニルプロピル）ピロール−１−イル基、２−メチル−１−インドリル基、４−メチル−１−インドリル基、２−メチル−３−インドリル基、４−メチル−３−インドリル基、２−ｔ−ブチル−１−インドリル基、４−ｔ−ブチル−１−インドリル基、２−ｔ−ブチル−３−インドリル基、４−ｔ−ブチル−３−インドリル基、１−ベンズイミダゾリル基、２−ベンズイミダゾリル基、４−ベンズイミダゾリル基、５−ベンズイミダゾリル基、６−ベンズイミダゾリル基、７−ベンズイミダゾリル基、２−イミダゾ［１，２−ａ］ピリジニル基、３−イミダゾ［１，２−ａ］ピリジニル基、５−イミダゾ［１，２−ａ］ピリジニル基、６−イミダゾ［１，２−ａ］ピリジニル基、７−イミダゾ［１，２−ａ］ピリジニル基、８−イミダゾ［１，２−ａ］ピリジニル基、ベンズイミダゾール−２−オン−１−イル基、ベンズイミダゾール−２−オン−３−イル基、ベンズイミダゾール−２−オン−４−イル基、ベンズイミダゾール−２−オン−５−イル基、ベンズイミダゾール−２−オン−６−イル基、ベンズイミダゾール−２−オン−７−イル基等が挙げられる。
【００３８】
好ましくは、１−ジベンゾフラニル基、２−ジベンゾフラニル基、３−ジベンゾフラニル基、４−ジベンゾフラニル基、１−ジベンゾチオフェニル基、２−ジベンゾチオフェニル基、３−ジベンゾチオフェニル基、４−ジベンゾチオフェニル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、９−カルバゾリル基、１−ベンズイミダゾリル基、２−ベンズイミダゾリル基、４−ベンズイミダゾリル基、５−ベンズイミダゾリル基、６−ベンズイミダゾリル基、７−ベンズイミダゾリル基、２−イミダゾ［１，２−ａ］ピリジニル基、３−イミダゾ［１，２−ａ］ピリジニル基、５−イミダゾ［１，２−ａ］ピリジニル基、６−イミダゾ［１，２−ａ］ピリジニル基、７−イミダゾ［１，２−ａ］ピリジニル基、８−イミダゾ［１，２−ａ］ピリジニル基２−ピリジニル基、３−ピリジニル基、４−ピリジニル基、１，１０−フェナントロリン−２−イル基、１，１０−フェナントロリン−３−イル基、１，１０−フェナントロリン−４−イル基、１，１０−フェナントロリン−５−イル基、ベンズイミダゾール−２−オン−１−イル基、ベンズイミダゾール−２−オン−３−イル基、ベンズイミダゾール−２−オン−４−イル基、ベンズイミダゾール−２−オン−５−イル基、ベンズイミダゾール−２−オン−６−イル基、ベンズイミダゾール−２−オン−７−イル基であり、特に好ましくは、１−ジベンゾフラニル基、２−ジベンゾフラニル基、３−ジベンゾフラニル基、４−ジベンゾフラニル基、１−ジベンゾチオフェニル基、２−ジベンゾチオフェニル基、３−ジベンゾチオフェニル基、４−ジベンゾチオフェニル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、９−カルバゾリル基である。
【００３９】
複素環基は、単環のヘテロ芳香族環基、並びに複数のヘテロ芳香族環が縮合したヘテロ縮合芳香族環基、及び芳香族炭化水素環とヘテロ芳香族環とが縮合したヘテロ縮合芳香族環基を含む。
【００４０】
環形成原子数８〜３０（好ましくは環形成原子数８〜２０）の縮合複素環基としては、上記複素環基の具体例中、例えば、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基及びカルバゾリル基等が挙げられる。
【００４１】
２価の複素環基としては、上記の複素環基から水素原子を２つ除いた基が挙げられる。
２価のアリーレン基及び／又は２価の複素環基が２〜４個連結して形成される基の２価のアリーレン基及び２価の複素環基は、それぞれ上述のものである。アリーレン基としては、置換又は無置換のフェニレニル基、置換又は無置換のナフタレニレニル基、置換又は無置換のフェナントレニレニル基、置換又は無置換のアントリレニル基、置換又は無置換のピレニレニル基、置換又は無置換のフルオレニレニル基から選ばれることが好ましく、複素環基としては、置換又は無置換のピリジニレニル基、置換又は無置換のピリミジニレニル基、置換又は無置換のピラジニレニル基、置換又は無置換のピリダジニレニル基、置換又は無置換のトリアジニレニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニレニル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニレニル基、置換又は無置換のカルバゾリレニル基から選ばれるのが好ましい。
より好ましくは、以下の構造が好ましい。
【００４２】
【化１１】
0005847354.tif 000012
【００４３】
２価のアリーレン基及び／又は２価の複素環基が２〜４個連結して形成されたアントラセン誘導体の好ましい構造は、例えば、以下のものが挙げられる。
【化１２】
0005847354.tif 000013
【００４４】
炭素数３〜６０のアルキルシリル基としては、上記アルキル基で例示したアルキル基を有するトリアルキルシリル基が挙げられ、具体的にはトリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリ−ｎ−ブチルシリル基、トリ−ｎ−オクチルシリル基、トリイソブチルシリル基、ジメチルエチルシリル基、ジメチルイソプロピルシリル基、ジメチル−ｎ−プロピルシリル基、ジメチル−ｎ−ブチルシリル基、ジメチル−ｔ−ブチルシリル基、ジエチルイソプロピルシリル基、ビニルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基等が挙げられる。３つのアルキル基は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
【００４５】
炭素数８〜６０のアリールシリル基としては、アリールシリル基、アルキルアリールシリル基、ジアルキルアリールシリル基、ジアリールシリル基、アルキルジアリールシリル基、トリアリールシリル基が挙げられる。複数のアリール基同士、又はアルキル基同士は、同一でも異なっていてもよい。
【００４６】
ジアルキルアリールシリル基は、例えば、上記アルキル基で例示したアルキル基を２つ有し、上記アリール基を１つ有するジアルキルアリールシリル基が挙げられる。ジアルキルアリールシリル基の炭素数は、８〜３０であることが好ましい。２つのアルキル基は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
【００４７】
アルキルジアリールシリル基は、例えば、上記アルキル基で例示したアルキル基を１つ有し、上記アリール基を２つ有するアルキルジアリールシリル基が挙げられる。アルキルジアリールシリル基の炭素数は、１３〜３０であることが好ましい。２つのアリール基は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
【００４８】
トリアリールシリル基は、例えば、上記アリール基を３つ有するトリアリールシリル基が挙げられる。トリアリールシリル基の炭素数は、１８〜３０であることが好ましい。３つのアリール基は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
【００４９】
このようなアリールシリル基としては、例えば、フェニルジメチルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、ジフェニル−ｔ−ブチルシリル基、トリフェニルシリル基が挙げられる。
【００５０】
アラルキル基は、−Ｙ−Ｚと表され、Ｙの例として上記のアルキルの例に対応するアルキレンの例が挙げられ、Ｚの例として上記のアリールの例が挙げられる。アラルキル基は、炭素数７〜５０アラルキル基（アリール部分は炭素数６〜４９（好ましくは６〜３０、より好ましくは６〜２０、特に好ましくは６〜１２）、アルキル部分は炭素数１〜４４（好ましくは１〜３０、より好ましくは１〜２０、さらに好ましくは１〜１０、特に好ましくは１〜６））であることが好ましく、例えばベンジル基、フェニルエチル基、２−フェニルプロパン−２−イル基である。
【００５１】
本発明の一態様のアントラセン誘導体を以下に例示するが、これらに限定されるものではない。
【化１３】
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【化１４】
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【化１５】
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【化１６】
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【化１７】
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【化１８】
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【化１９】
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【化２０】
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【化２１】
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【化２２】
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【化２３】
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【化２４】
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【化２５】
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【化２６】
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【化２７】
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【化２８】
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【化２９】
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【化３０】
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【化３１】
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【化３２】
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【化３３】
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【化３４】
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【化３５】
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【化３６】
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【化３７】
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【化３８】
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【化３９】
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【化４０】
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【化４１】
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【化４２】
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【化４３】
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【化４４】
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【化４５】
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【化４６】
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【化４７】
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【化４８】
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【化４９】
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【化５０】
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【化５１】
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【化５２】
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【化５３】
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【化５４】
0005847354.tif 000055
【化５５】
0005847354.tif 000056
【化５６】
0005847354.tif 000057
【化５７】
0005847354.tif 000058
【化５８】
0005847354.tif 000059
【化５９】
0005847354.tif 000060
【化６０】
0005847354.tif 000061
【化６１】
0005847354.tif 000062
【化６２】
0005847354.tif 000063
【化６３】
0005847354.tif 000064
【化６４】
0005847354.tif 000065
【化６５】
0005847354.tif 000066
【化６６】
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【化６７】
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【化６８】
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【化６９】
0005847354.tif 000070
【化７０】
0005847354.tif 000071
【化７１】
0005847354.tif 000072
【化７２】
0005847354.tif 000073
【化７３】
0005847354.tif 000074
【化７４】
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【化７５】
0005847354.tif 000076
【化７６】
0005847354.tif 000077
【化７７】
0005847354.tif 000078
【００５２】
上記のアントラセン誘導体は、有機ＥＬ素子用材料、有機ＥＬ素子用発光材料として使用できる。
【００５３】
本発明の一態様の有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子は、陰極と陽極間に発光層を含む一以上の有機薄膜層を有し、有機薄膜層の少なくとも一層が、上記のアントラセン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有する。
上記の有機ＥＬ素子は、好ましくは発光層が上記のアントラセン誘導体を含有する。好ましくは、上記アントラセン誘導体は発光層のホスト材料である。
【００５４】
有機薄膜層が複数層型の有機ＥＬ素子としては、（陽極／正孔注入層／発光層／陰極）、（陽極／発光層／電子注入層／陰極）、（陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極）、（陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極）等の構成で積層したものが挙げられる。
【００５５】
また、上記の有機ＥＬ素子において、上記アントラセン誘導体は、上記のどの有機層に用いられてもよいが、発光帯域に含有されることが好ましい。特に好ましくは発光層に含有される。含有量は通常３０〜１００モル％である。
【００５６】
有機ＥＬ素子は、前記有機薄膜層を複数層構造にすることにより、クエンチングによる輝度や寿命の低下を防ぐことができる。必要があれば、発光材料、ドーピング材料、正孔注入材料や電子注入材料を組み合わせて使用することができる。また、ドーピング材料により、発光輝度や発光効率が向上する場合がある。また、正孔注入層、発光層、電子注入層は、それぞれ二層以上の層構成により形成されてもよい。その際には、正孔注入層の場合、電極から正孔を注入する層を正孔注入層、正孔注入層から正孔を受け取り発光層まで正孔を輸送する層を正孔輸送層と呼ぶ。同様に、電子注入層の場合、電極から電子を注入する層を電子注入層、電子注入層から電子を受け取り発光層まで電子を輸送する層を電子輸送層と呼ぶ。これらの各層は、材料のエネルギー準位、耐熱性、有機層又は金属電極との密着性等の各要因により選択されて使用される。
【００５７】
上記のアントラセン誘導体と共に発光層に使用できる材料としては、例えば、ナフタレン、フェナントレン、ルブレン、アントラセン、テトラセン、ピレン、ペリレン、クリセン、デカシクレン、コロネン、テトラフェニルシクロペンタジエン、ペンタフェニルシクロペンタジエン、フルオレン、スピロフルオレン等の縮合多環芳香族化合物及びそれらの誘導体、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム等の有機金属錯体、トリアリールアミン誘導体、スチリルアミン誘導体、スチルベン誘導体、クマリン誘導体、ピラン誘導体、オキサゾン誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、ピラジン誘導体、ケイ皮酸エステル誘導体、ジケトピロロピロール誘導体、アクリドン誘導体、キナクリドン誘導体等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００５８】
上記の有機ＥＬ素子においては、所望により発光層に、上記の発光材料の他に、発光性ドーパント（りん光性ドーパント及び／又は蛍光性ドーパント）を含有してもよい。また、上記の化合物を含む発光層に、これらのドーパントを含む発光層を積層してもよい。
【００５９】
蛍光性ドーパントは一重項励起子から発光することのできる化合物である。蛍光性ドーパントとしては、アミン系化合物、芳香族化合物、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体等のキレート錯体、クマリン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ビススチリルアリーレン誘導体、オキサジアゾール誘導体等から、要求される発光色に合わせて選ばれる化合物であることが好ましく、スチリルアミン化合物、スチリルジアミン化合物、アリールアミン化合物、アリールジアミン化合物がより好ましく、縮合多環アミン誘導体がさらに好ましい。これらの蛍光性ドーパントは単独でもまた複数組み合わせて使用してもよい。
【００６０】
縮合多環アミン誘導体としては、下記式（２０）で表されるものが好ましい。
【化７８】
0005847354.tif 000079
式（２０）中、Ｙは置換もしくは無置換の環形成炭素数１０〜５０の縮合芳香族炭化水素基を示す。
Ａｒ１０１、Ａｒ１０２は、それぞれ置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の複素環基を示す。
Ｙの具体例としては、前述する縮合アリール基が挙げられ、好ましくは置換もしくは無置換のアントリル基、置換もしくは無置換のピレニル基、置換もしくは無置換のクリセニル基である。
ｎは１〜４の整数である。ｎは１〜２の整数であることが好ましい。
前記式（２０）は、下記式（２１）〜（２４）で表されるものが好ましい。
【００６１】
【化７９】
0005847354.tif 000080
【００６２】
式（２１）〜（２４）中、Ｒｅ、Ｒｆ及びＲｇはそれぞれ、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数２〜５０のアルケニル基、置換もしくは無置換の炭素数２〜５０のアルキニル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアラルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜２０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換のシリル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキルゲルマニウム基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールゲルマニウム基を示す。Ｒｅ、Ｒｆ及びＲｇはそれぞれ、縮合多環骨格を構成するベンゼン環のいずれの結合位置に結合してもよい。
【００６３】
Ｒｅ、Ｒｆ及びＲｇの好ましい例としては置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基であり、より好ましくは、置換もしくは無置換のフェニル基、置換もしくは無置換のナフチル基等である。
【００６４】
ｔは０〜１０の整数を示す。ｕは０〜８の整数を示す。ｍは０〜１０の整数を示す。
Ａｒ２０１〜Ａｒ２１８は、それぞれ置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の複素環基を示す。
Ａｒ２０１〜Ａｒ２１８の好ましい例としては、置換もしくは無置換のフェニル基、置換もしくは無置換のジベンゾフラニル基等である。Ａｒ２０１〜Ａｒ２１８の置換基の好ましい例としては、アルキル基、シアノ基、置換もしくは無置換のシリル基である。
【００６５】
式（２１）〜（２４）においてアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、複素環基の例として上記で例示したものが挙げられる。
【００６６】
炭素数２〜５０（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０）のアルケニル基としては、ビニル基、アリル基、１−ブテニル基、２−ブテニル基、３−ブテニル基、１，３−ブタンジエニル基、１−メチルビニル基、スチリル基、２，２−ジフェニルビニル基、１，２−ジフェニルビニル基、１−メチルアリル基、１，１−ジメチルアリル基、２−メチルアリル基、１−フェニルアリル基、２−フェニルアリル基、３−フェニルアリル基、３，３−ジフェニルアリル基、１，２−ジメチルアリル基、１−フェニル−１−ブテニル基、３−フェニル−１−ブテニル基等が挙げられ、好ましくは、スチリル基、２，２−ジフェニルビニル基、１，２−ジフェニルビニル基等が挙げられる。
【００６７】
炭素数２〜５０（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０）のアルキニル基としては、プロパルギル基、３−ペンチニル基等が挙げられる。
【００６８】
アルキルゲルマニウム基としては、メチルヒドロゲルミル基、トリメチルゲルミル基、トリエチルゲルミル基、トリプロピルゲルミル基、ジメチル−ｔ−ブチルゲルミル基等が挙げられる。
【００６９】
アリールゲルマニウム基としては、フェニルジヒドロゲルミル基、ジフェニルヒドロゲルミル基、トリフェニルゲルミル基、トリトリルゲルミル基、トリナフチルゲルミル基等が挙げられる。
【００７０】
スチリルアミン化合物及びスチリルジアミン化合物としては、下記式（１７）及び（１８）で表されるものが好ましい。
【００７１】
【化８０】
0005847354.tif 000081
【００７２】
式（１７）中、Ａｒ３０１はｋ価の基であり、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、ターフェニル基、スチルベン基、スチリルアリール基、ジスチリルアリール基に対応するｋ価の基であり、Ａｒ３０2及びＡｒ３０3はそれぞれ環形成炭素数が６〜２０のアリール基であり、Ａｒ３０1、Ａｒ３０2及びＡｒ３０3は置換されていてもよい。
ｋは１〜４の整数であり、そのなかでもｋは１〜２の整数であるのが好ましい。Ａｒ３０1〜Ａｒ３０3のいずれか一つはスチリル基を含有する基である。さらに好ましくはＡｒ３０2又はＡｒ３０3の少なくとも一方はスチリル基で置換されている。
ここで、環形成炭素数が６〜２０のアリール基としては、具体的には上述したアリール基が挙げられ、好ましくはフェニル基、ナフチル基、アントラニル基、フェナンスリル基、ターフェニル基等が挙げられる。
【００７３】
式（１８）中、Ａｒ３０4〜Ａｒ３０6は、ｖ価の置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜４０のアリール基である。ｖは１〜４の整数であり、そのなかでもｖは１〜２の整数であるのが好ましい。
ここで、式（１８）中の環形成炭素数が６〜４０のアリール基としては、具体的には上述したアリール基が挙げられ、ナフチル基、アントラニル基、クリセニル基、ピレニル基、又は式（２０）で示されるアリール基が好ましい。
【００７４】
尚、前記アリール基に置換する好ましい置換基としては、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、環形成炭素数６〜４０のアリール基、環形成炭素数６〜４０のアリール基で置換されたアミノ基、環形成炭素数５〜４０のアリール基を有するエステル基、炭素数１〜６のアルキル基を有するエステル基、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子等が挙げられる。
【００７５】
正孔注入材料としては、正孔を輸送する能力を持ち、陽極からの正孔注入効果、発光層又は発光材料に対して優れた正孔注入効果を有し、かつ薄膜形成能力の優れた化合物が好ましい。具体的には、フタロシアニン誘導体、ナフタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、ベンジジン型トリフェニルアミン、ジアミン型トリフェニルアミン、ヘキサシアノヘキサアザトリフェニレン等と、それらの誘導体、及びポリビニルカルバゾール、ポリシラン、導電性高分子等の高分子材料が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００７６】
上記の有機ＥＬ素子において使用できる正孔注入材料の中で、さらに効果的な正孔注入材料は、フタロシアニン誘導体である。
【００７７】
フタロシアニン（Ｐｃ）誘導体としては、例えば、Ｈ２Ｐｃ、ＣｕＰｃ、ＣｏＰｃ、ＮｉＰｃ、ＺｎＰｃ、ＰｄＰｃ、ＦｅＰｃ、ＭｎＰｃ、ＣｌＡｌＰｃ、ＣｌＧａＰｃ、ＣｌＩｎＰｃ、ＣｌＳｎＰｃ、Ｃｌ２ＳｉＰｃ、（ＨＯ）ＡｌＰｃ、（ＨＯ）ＧａＰｃ、ＶＯＰｃ、ＴｉＯＰｃ、ＭｏＯＰｃ、ＧａＰｃ−Ｏ−ＧａＰｃ等のフタロシアニン誘導体及びナフタロシアニン誘導体があるが、これらに限定されるものではない。
また、正孔注入材料にＴＣＮＱ誘導体等の電子受容物質を添加することによりキャリアを増感させることもできる。
【００７８】
上記の有機ＥＬ素子において使用できる好ましい正孔輸送材料は、芳香族三級アミン誘導体である。
芳香族三級アミン誘導体としては、例えば、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラビフェニル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン等、又はこれらの芳香族三級アミン骨格を有したオリゴマー若しくはポリマーであるが、これらに限定されるものではない。
【００７９】
電子注入材料としては、電子を輸送する能力を持ち、陰極からの電子注入効果、発光層又は発光材料に対して優れた電子注入効果を有し、かつ薄膜形成能力の優れた化合物が好ましい。
【００８０】
上記の有機ＥＬ素子において、さらに効果的な電子注入材料は、金属錯体化合物及び含窒素複素環誘導体である。
前記金属錯体化合物としては、例えば、８−ヒドロキシキノリナートリチウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）亜鉛、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）ガリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）ベリリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）亜鉛等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００８１】
前記含窒素複素環誘導体としては、例えば、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール、トリアゾール、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、フェナントロリン、ベンズイミダゾール、イミダゾピリジン等が好ましく、中でもベンズイミダゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、イミダゾピリジン誘導体が好ましい。
好ましい形態として、これらの電子注入材料にさらにドーパントを含有し、陰極からの電子の受け取りを容易にするため、より好ましくは第２有機層の陰極界面近傍にアルカリ金属で代表されるドーパントをドープする。
ドーパントとしては、ドナー性金属、ドナー性金属化合物及びドナー性金属錯体が挙げられ、これら還元性ドーパントは１種単独で使用してもよいし、２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【００８２】
上記の有機ＥＬ素子においては、発光層中に、式（１）で表されるアントラセン誘導体から選ばれる少なくとも一種の他に、発光材料、ドーピング材料、正孔注入材料、正孔輸送材料及び電子注入材料の少なくとも一種が同一層に含有されてもよい。また、得られた有機ＥＬ素子の、温度、湿度、雰囲気等に対する安定性の向上のために、素子の表面に保護層を設けたり、シリコンオイル、樹脂等により素子全体を保護することも可能である。
【００８３】
上記の有機ＥＬ素子の陽極に使用される導電性材料としては、４ｅＶより大きな仕事関数を持つものが適しており、炭素、アルミニウム、バナジウム、鉄、コバルト、ニッケル、タングステン、銀、金、白金、パラジウム等及びそれらの合金、ＩＴＯ基板、ＮＥＳＡ基板に使用される酸化スズ、酸化インジウム等の酸化金属、さらにはポリチオフェンやポリピロール等の有機導電性樹脂が用いられる。陰極に使用される導電性物質としては、４ｅＶより小さな仕事関数を持つものが適しており、マグネシウム、カルシウム、錫、鉛、チタニウム、イットリウム、リチウム、ルテニウム、マンガン、アルミニウム、フッ化リチウム等及びそれらの合金が用いられるが、これらに限定されるものではない。合金としては、マグネシウム／銀、マグネシウム／インジウム、リチウム／アルミニウム等が代表例として挙げられるが、これらに限定されるものではない。合金の比率は、蒸着源の温度、雰囲気、真空度等により制御され、適切な比率に選択される。陽極及び陰極は、必要があれば二層以上の層構成により形成されていてもよい。
【００８４】
上記の有機ＥＬ素子では、効率良く発光させるために、少なくとも一方の面は素子の発光波長領域において充分透明にすることが望ましい。また、基板も透明であることが望ましい。透明電極は、上記の導電性材料を使用して、蒸着やスパッタリング等の方法で所定の透光性が確保されるように設定する。発光面の電極は、光透過率を１０％以上にすることが望ましい。基板は、機械的、熱的強度を有し、透明性を有するものであれば限定されるものではないが、ガラス基板及び透明性樹脂フィルムがある。
【００８５】
上記の有機ＥＬ素子の各層の形成は、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ、イオンプレーティング等の乾式成膜法やスピンコーティング、ディッピング、フローコーティング等の湿式成膜法のいずれの方法を適用することができる。膜厚は特に限定されるものではないが、適切な膜厚に設定する必要がある。膜厚が厚すぎると、一定の光出力を得るために大きな印加電圧が必要になり効率が悪くなる。膜厚が薄すぎるとピンホール等が発生して、電界を印加しても充分な発光輝度が得られない。通常の膜厚は５ｎｍ〜１０μｍの範囲が適しているが、１０ｎｍ〜０．２μｍの範囲がさらに好ましい。
【００８６】
湿式成膜法の場合、各層を形成する材料を、エタノール、クロロホルム、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の適切な溶媒に溶解又は分散させて薄膜を形成するが、その溶媒はいずれであってもよい。
このような湿式成膜法に適した溶液として、有機ＥＬ材料として上記のアントラセン誘導体と溶媒とを含有する有機ＥＬ材料含有溶液を用いることができる。
【００８７】
いずれの有機薄膜層においても、成膜性向上、膜のピンホール防止等のため適切な樹脂や添加剤を使用してもよい。
【００８８】
上記の有機ＥＬ素子は、様々な電子機器に使用でき、例えば壁掛けテレビのフラットパネルディスプレイ等の平面発光体、複写機、プリンター、液晶ディスプレイのバックライト又は計器類等の光源、表示板、標識灯等に利用できる。また、本発明の化合物は、有機ＥＬ素子だけでなく、電子写真感光体、光電変換素子、太陽電池、イメージセンサー等の分野においても使用できる。
【実施例】
【００８９】
製造例１［中間体の合成］
【化８１】
0005847354.tif 000082
【００９０】
（１）５−ブロモ−２−フルオロヨードベンゼンの合成
アルゴン雰囲気下、５−ブロモ−２−フルオロアニリン１０ｇに水１０６ｍＬを加え撹拌し、濃塩酸７９．２ｍＬを加えた。氷冷し、亜硝酸ナトリウム４．３６ｇの水溶液を滴下した。氷冷下３０分撹拌した後、ヨウ化カリウム８７．３ｇの水溶液を加えた。酢酸エチルで抽出した後、有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、亜硫酸ナトリウム水溶液で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、５−ブロモ−２−フルオロヨードベンゼン１１．５ｇ（収率７３％）を得た。【００９１】
（２）３−メトキシナフタレン−２−ボロン酸の合成
２−メトキシナフタレン１５．８ｇ、テトラヒドロフラン（脱水）３００ｍＬをフラスコに加え、−７８℃に冷却した。そこへｎ−ＢｕＬｉ（（１．６０Ｍ  ｉｎ  ｈｅｘａｎｅ）６６ｍＬを加え、その後、室温で４時間撹拌した。次に再度−７８℃に冷却し、Ｂ（ＯＭｅ）３２７．３を加え、−７８℃で１０分間撹拌した後、室温で５時間撹拌した。
反応終了後、１Ｎ  ＨＣｌ  ａｑ．（２００ｍＬ）を加え、室温で１時間撹拌した。その後分液ロートに移し、酢酸エチルで抽出した。
この溶液をＭｇＳＯ４で乾燥した後、濃縮、ヘキサンで洗浄し、３−メトキシナフタレン−２−ボロン酸の白色固体１４．３ｇ（収率７１％）を得た。【００９２】
（３）２−メトキシ−３−（２−フルオロ−５−ブロモフェニル）ナフタレンの合成
アルゴン雰囲気下３−メトキシナフタレン−２−ボロン酸１４．３ｇ、５−ブロモ−２−フルオロヨードベンゼン２１．３ｇ、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）１．６４ｇ、トルエン２２０ｍＬ、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液１１０ｍＬをフラスコに仕込み、８時間加熱還流撹拌した。室温まで冷却後、反応溶液をトルエンを用いて抽出し、水層を除去した後、有機層を飽和食塩水で洗浄した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し２−メトキシ−３−（２−フルオロ−５−ブロモフェニル）ナフタレン１７．６ｇ（収率７５％）を得た。【００９３】
（４）２−ヒドロキシ−３−（２−フルオロ−５−ブロモフェニル）ナフタレンの合成
２−メトキシ−３−（２−フルオロ−５−ブロモフェニル）ナフタレン１５．８ｇ、ジクロロメタン（脱水）２００ｍＬをフラスコに入れ、０℃に冷却した。ＢＢｒ３１８．０ｇを加え、その後室温で２４時間撹拌した。
反応終了後、溶液を−７８℃に冷却し、メタノールで慎重に失活し、さらに十分量の水で失活した。溶液を分液ロートに移し、ジクロロメタンで抽出し、ＭｇＳＯ４で乾燥した後、シリカゲルショートカラムを通し原点不純物の除去を行い、溶液を濃縮し、得られた試料を６０℃で５時間真空乾燥し２−ヒドロキシ−３−（２−フルオロ−５−ブロモフェニル）ナフタレンの白色固体１５．１ｇを得た。【００９４】
（５）中間体（Ａ）の合成
２−ヒドロキシ−３−（２−フルオロ−５−ブロモフェニル）ナフタレン１５．１ｇ、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン（脱水）１５０ｍＬ、Ｋ２ＣＯ３１３．２ｇをフラスコに加え、その後１２０℃で２時間撹拌した。
反応終了後、溶液を室温まで冷却し、トルエン（２００ｍＬ）を加え、分液ロートに移し、水で洗浄した。この溶液をＭｇＳＯ４で乾燥した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し中間体（Ａ）の白色固体１２．６ｇ（収率８９％）を得た。【００９５】
（６）中間体（Ｂ）の合成
中間体（Ａ）１２．６ｇ、テトラヒドロフラン（脱水）５００ｍＬをフラスコに加え、−７８℃に冷却した。そこへｎ−ＢｕＬｉ（（１．６０Ｍ  ｉｎ  ｈｅｘａｎｅ）２８ｍＬを加え、０℃まで昇温させながら２時間撹拌した。次に再度−７８℃に冷却し、Ｂ（ＯＭｅ）３１１．６ｇを加え、−７８℃で１０分間撹拌した後、室温まで徐々に昇温させながら５時間撹拌した。
反応終了後、１Ｎ  ＨＣｌ  ａｑ．（１００ｍＬ）を加え、室温で１時間撹拌した。その後分液ロートに移し、酢酸エチルで抽出した。
この溶液をＭｇＳＯ４で乾燥した後、濃縮、ヘキサンで洗浄し、中間体（Ｂ）の白色固体７．２ｇ（収率６５％）を得た。【００９６】
（７）中間体（Ｃ）、中間体（Ｄ）の合成
【化８２】
0005847354.tif 000083
中間体（Ａ）、（Ｂ）の合成において、出発物質の２−メトキシナフタレンの代わりに１−メトキシナフタレンを用い、上記スキームに従って同様の方法で中間体（Ｃ）、中間体（Ｄ）を合成した。【００９７】
（８）中間体（Ｅ）の合成
【化８３】
0005847354.tif 000084
アルゴン雰囲気下、中間体（Ｂ）２．８８ｇ、４−ブロモヨードベンゼン２．８１ｇ、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）０．２３１ｇ、トルエン４０ｍＬ、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液２０ｍＬをフラスコに仕込み、８時間加熱還流撹拌した。室温まで冷却後、反応溶液をトルエンを用いて抽出し、水層を除去した後、有機層を飽和食塩水で洗浄した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し中間体（Ｅ）３．１６ｇ（収率８５％）を得た。【００９８】
（９）中間体（Ｆ）の合成
【化８４】
0005847354.tif 000085
中間体（Ｅ）の合成において、４−ブロモヨードベンゼンの代わりに３−ブロモヨードベンゼンを用いて同様の方法で合成した。【００９９】
（１０）中間体（Ｇ）の合成
【化８５】
0005847354.tif 000086
中間体（Ｅ）の合成において、中間体（Ｂ）の代わりに中間体（Ｄ）を用いて同様の方法で合成した。【０１００】
（１１）中間体（Ｈ）の合成
【化８６】
0005847354.tif 000087
中間体（Ｅ）の合成において、中間体（Ｂ）の代わりに中間体（Ｄ）を、４−ブロモヨードベンゼンの代わりに３−ブロモヨードベンゼンを用いて同様の方法で合成した。【０１０１】
（１２）中間体（Ｉ）、中間体（Ｊ）の合成
【化８７】
0005847354.tif 000088
【０１０２】
中間体（Ａ）、（Ｂ）の合成において、２−フルオロ−５−ブロモヨードベンゼンの代わりに２−フルオロ−４−ブロモヨードベンゼンを用い、上記スキームに従って同様の方法で中間体（Ｉ）、中間体（Ｊ）を合成した。【０１０３】
（１３）中間体（Ｋ）、中間体（Ｌ）の合成
【化８８】
0005847354.tif 000089
中間体（Ａ）、（Ｂ）の合成において、２−メトキシナフタレンの代わりに１−メトキシナフタレンを、２−フルオロ−５−ブロモヨードベンゼンの代わりに２−フルオロ−４−ブロモヨードベンゼンを用い、上記スキームに従って同様の方法で中間体（Ｋ）、中間体（Ｌ）を合成した。【０１０４】
（１４）中間体（Ｍ）の合成
【化８９】
0005847354.tif 000090
中間体（Ｅ）の合成において、中間体（Ｂ）の代わりに中間体（Ｊ）を用いて同様の方法で合成し、中間体（Ｍ）を得た。【０１０５】
（１５）中間体（Ｎ）の合成
【化９０】
0005847354.tif 000091
中間体（Ｅ）の合成において、中間体（Ｂ）の代わりに中間体（Ｌ）を用いて同様の方法で合成し、中間体（Ｎ）を得た。【０１０６】
実施例１［アントラセン誘導体（化合物１）の合成］
【化９１】
0005847354.tif 000092
アルゴン雰囲気下、中間体（Ａ）２．９６ｇ、既知の方法で合成した１０−フェニルアントラセン−９−ボロン酸３．２８ｇ、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．２３１ｇ、１，２−ジメトキシエタン２０ｍＬ、トルエン２０ｍＬ、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液２０ｍＬを仕込み、８時間還流撹拌をした。室温まで冷却後、析出した固体をろ別した。得られた固体を水、メタノールで洗浄した後、トルエンで再結晶し、化合物１の淡黄色固体４．０４ｇを得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量４７０．１７に対し、ｍ／ｅ＝４７０であった。【０１０７】
実施例２［アントラセン誘導体（化合物２）の合成］
【化９２】
0005847354.tif 000093
実施例１の化合物１の合成において、１０−フェニルアントラセン−９−ボロン酸の代わりに既知の方法で合成した１０−（１−ナフチル）アントラセン−９−ボロン酸を用いた他は同様に合成し、化合物２を得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量５２０．１８に対し、ｍ／ｅ＝５２０であった。【０１０８】
実施例３［アントラセン誘導体（化合物３）の合成］
【化９３】
0005847354.tif 000094
実施例１の化合物１の合成において、１０−フェニルアントラセン−９−ボロン酸の代わりに既知の方法で合成した１０−（２−ナフチル）アントラセン−９−ボロン酸を用いた他は同様に合成し、化合物３を得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量５２０．１８に対し、ｍ／ｅ＝５２０であった。【０１０９】
実施例４［アントラセン誘導体（化合物４）の合成］
【化９４】
0005847354.tif 000095
実施例１の化合物１の合成において、１０−フェニルアントラセン−９−ボロン酸の代わりに既知の方法で合成した１０−（４−ビフェニル）アントラセン−９−ボロン酸を用いた他は同様に合成し、化合物４を得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量５４６．２０に対し、ｍ／ｅ＝５４６であった。【０１１０】
実施例５［アントラセン誘導体（化合物５）の合成］
【化９５】
0005847354.tif 000096
実施例１の化合物１の合成において、１０−フェニルアントラセン−９−ボロン酸の代わりに既知の方法で合成した１０−（３−ビフェニル）アントラセン−９−ボロン酸を用いた他は同様に合成し、化合物５を得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量５４６．２０に対し、ｍ／ｅ＝５４６であった。【０１１１】
実施例６［アントラセン誘導体（化合物６）の合成］
【化９６】
0005847354.tif 000097
実施例１の化合物１の合成において、１０−フェニルアントラセン−９−ボロン酸の代わりに既知の方法で合成した１０−［４−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン−９−ボロン酸を用いた他は同様に合成し、化合物６を得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量５９６．２１に対し、ｍ／ｅ＝５９６であった。【０１１２】
実施例７［アントラセン誘導体（化合物７）の合成］
【化９７】
0005847354.tif 000098
実施例１の化合物１の合成において、１０−フェニルアントラセン−９−ボロン酸の代わりに既知の方法で合成した１０−［３−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン−９−ボロン酸を用いた他は同様に合成し、化合物７を得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量５９６．２１に対し、ｍ／ｅ＝５９６であった。【０１１３】
実施例８［アントラセン誘導体（化合物８）の合成］
【化９８】
0005847354.tif 000099
実施例１の化合物１の合成において、１０−フェニルアントラセン−９−ボロン酸の代わりに既知の方法で合成した１０−［４−（２−ナフチル）フェニル］アントラセン−９−ボロン酸を用いた他は同様に合成し、化合物８を得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量５９６．２１に対し、ｍ／ｅ＝５９６であった。【０１１４】
実施例９［アントラセン誘導体（化合物９）の合成］
【化９９】
0005847354.tif 000100
実施例１の化合物１の合成において、１０−フェニルアントラセン−９−ボロン酸の代わりに既知の方法で合成した１０−［３−（２−ナフチル）フェニル］アントラセン−９−ボロン酸を用いた他は同様に合成し、化合物９を得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量５９６．２１に対し、ｍ／ｅ＝５９６であった。【０１１５】
実施例１０［アントラセン誘導体（化合物１０）の合成］
【化１００】
0005847354.tif 000101
実施例１の化合物１の合成において、１０−フェニルアントラセン−９−ボロン酸の代わりに既知の方法で合成した１０−（２−ジベンゾフラニル）アントラセン−９−ボロン酸を用いた他は同様に合成し、化合物１０を得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量５６０．６４に対し、ｍ／ｅ＝５６０であった。【０１１６】
実施例１１［アントラセン誘導体（化合物１１）の合成］
【化１０１】
0005847354.tif 000102
実施例１の化合物１の合成において、１０−フェニルアントラセン−９−ボロン酸の代わりに既知の方法で合成した１０−［３−（９−フェニル）カルバゾリル］アントラセン−９−ボロン酸を用いた他は同様に合成し、化合物１１を得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量６３５．２２に対し、ｍ／ｅ＝６３５であった。【０１１７】
実施例１２［アントラセン誘導体（化合物１２）の合成］
【化１０２】
0005847354.tif 000103
実施例１の化合物１の合成において、中間体（Ａ）の代わりに中間体（Ｅ）を用いた他は同様に合成し、化合物１２を得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量５４６．２０に対し、ｍ／ｅ＝５４６であった。【０１１８】
実施例１３［アントラセン誘導体（化合物１３）の合成］
【化１０３】
0005847354.tif 000104
実施例１の化合物１の合成において、中間体（Ａ）の代わりに中間体（Ｅ）を、１０−フェニルアントラセン−９−ボロン酸の代わりに既知の方法で合成した１０−（１−ナフチル）アントラセン−９−ボロン酸を用いた他は同様に合成し、化合物１３を得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量５９６．２１に対し、ｍ／ｅ＝５９６であった。【０１１９】
実施例１４［アントラセン誘導体（化合物１４）の合成］
【化１０４】
0005847354.tif 000105
実施例１の化合物１の合成において、中間体（Ａ）の代わりに中間体（Ｅ）を、１０−フェニルアントラセン−９−ボロン酸の代わりに既知の方法で合成した１０−（２−ナフチル）アントラセン−９−ボロン酸を用いた他は同様に合成し、化合物１４を得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量５９６．２１に対し、ｍ／ｅ＝５９６であった。【０１２０】
実施例１５［アントラセン誘導体（化合物１５）の合成］
【化１０５】
0005847354.tif 000106
実施例１の化合物１の合成において、中間体（Ａ）の代わりに中間体（Ｅ）を、１０−フェニルアントラセン−９−ボロン酸の代わりに既知の方法で合成した１０−（４−ビフェニル）アントラセン−９−ボロン酸を用いた他は同様に合成し、化合物１５を得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量６２２．２３に対し、ｍ／ｅ＝６２２であった。【０１２１】
実施例１６［アントラセン誘導体（化合物１６）の合成］
【化１０６】
0005847354.tif 000107
実施例１の化合物１の合成において、中間体（Ａ）の代わりに中間体（Ｅ）を、１０−フェニルアントラセン−９−ボロン酸の代わりに既知の方法で合成した１０−（３−ビフェニル）アントラセン−９−ボロン酸を用いた他は同様に合成し、化合物１６を得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量６２２．２３に対し、ｍ／ｅ＝６２２であった。【０１２２】
実施例１７［アントラセン誘導体（化合物１７）の合成］
【化１０７】
0005847354.tif 000108
実施例１の化合物１の合成において、中間体（Ａ）の代わりに中間体（Ｅ）を、１０−フェニルアントラセン−９−ボロン酸の代わりに既知の方法で合成した１０−［４−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン−９−ボロン酸を用いた他は同様に合成し、化合物１７を得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量６７２．２５に対し、ｍ／ｅ＝６７２であった。【０１２３】
実施例１８［アントラセン誘導体（化合物１８）の合成］
【化１０８】
0005847354.tif 000109
実施例１の化合物１の合成において、中間体（Ａ）の代わりに中間体（Ｅ）を、１０−フェニルアントラセン−９−ボロン酸の代わりに既知の方法で合成した１０−［３−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン−９−ボロン酸を用いた他は同様に合成し、化合物１８を得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量６７２．２５に対し、ｍ／ｅ＝６７２であった。【０１２４】
実施例１９［アントラセン誘導体（化合物１９）の合成］
【化１０９】
0005847354.tif 000110
実施例１の化合物１の合成において、中間体（Ａ）の代わりに中間体（Ｅ）を、１０−フェニルアントラセン−９−ボロン酸の代わりに既知の方法で合成した１０−［４−（２−ナフチル）フェニル］アントラセン−９−ボロン酸を用いた他は同様に合成し、化合物１９を得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量６７２．２５に対し、ｍ／ｅ＝６７２であった。【０１２５】
実施例２０［アントラセン誘導体（化合物２０）の合成］
【化１１０】
0005847354.tif 000111
実施例１の化合物１の合成において、中間体（Ａ）の代わりに中間体（Ｅ）を、１０−フェニルアントラセン−９−ボロン酸の代わりに既知の方法で合成した１０−［３−（２−ナフチル）フェニル］アントラセン−９−ボロン酸を用いた他は同様に合成し、化合物２０を得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量６７２．２５に対し、ｍ／ｅ＝６７２であった。【０１２６】
実施例２１［アントラセン誘導体（化合物２１）の合成］
【化１１１】
0005847354.tif 000112
実施例１の化合物１の合成において、中間体（Ａ）の代わりに中間体（Ｆ）を用いた他は同様に合成し、化合物２１を得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量５４６．２０に対し、ｍ／ｅ＝５４６であった。【０１２７】
実施例２２［アントラセン誘導体（化合物２２）の合成］
【化１１２】
0005847354.tif 000113
実施例１の化合物１の合成において、中間体（Ａ）の代わりに中間体（Ｆ）を、１０−フェニルアントラセン−９−ボロン酸の代わりに既知の方法で合成した１０−（１−ナフチル）アントラセン−９−ボロン酸を用いた他は同様に合成し、化合物２２を得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量５９６．２１に対し、ｍ／ｅ＝５９６であった。【０１２８】
実施例２３［アントラセン誘導体（化合物２３）の合成］
【化１１３】
0005847354.tif 000114
実施例１の化合物１の合成において、中間体（Ａ）の代わりに中間体（Ｆ）を、１０−フェニルアントラセン−９−ボロン酸の代わりに既知の方法で合成した１０−（２−ナフチル）アントラセン−９−ボロン酸を用いた他は同様に合成し、化合物２３を得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量５９６．２１に対し、ｍ／ｅ＝５９６であった。【０１２９】
実施例２４［アントラセン誘導体（化合物２４）の合成］
【化１１４】
0005847354.tif 000115
実施例１の化合物１の合成において、中間体（Ａ）の代わりに中間体（Ｆ）を、１０−フェニルアントラセン−９−ボロン酸の代わりに既知の方法で合成した１０−（４−ビフェニル）アントラセン−９−ボロン酸を用いた他は同様に合成し、化合物２４を得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量６２２．２３に対し、ｍ／ｅ＝６２２であった。【０１３０】
実施例２５［アントラセン誘導体（化合物２５）の合成］
【化１１５】
0005847354.tif 000116
実施例１の化合物１の合成において、中間体（Ａ）の代わりに中間体（Ｆ）を、１０−フェニルアントラセン−９−ボロン酸の代わりに既知の方法で合成した１０−（３−ビフェニル）アントラセン−９−ボロン酸を用いた他は同様に合成し、化合物２５を得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量６２２．２３に対し、ｍ／ｅ＝６２２であった。【０１３１】
実施例２６［アントラセン誘導体（化合物２６）の合成］
【化１１６】
0005847354.tif 000117
実施例１の化合物１の合成において、中間体（Ａ）の代わりに中間体（Ｆ）を、１０−フェニルアントラセン−９−ボロン酸の代わりに既知の方法で合成した１０−［４−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン−９−ボロン酸を用いた他は同様に合成し、化合物２６を得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量６７２．２５に対し、ｍ／ｅ＝６７２であった。【０１３２】
実施例２７［アントラセン誘導体（化合物２７）の合成］
【化１１７】
0005847354.tif 000118
実施例１の化合物１の合成において、中間体（Ａ）の代わりに中間体（Ｆ）を、１０−フェニルアントラセン−９−ボロン酸の代わりに既知の方法で合成した１０−［３−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン−９−ボロン酸を用いた他は同様に合成し、化合物２７を得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量６７２．２５に対し、ｍ／ｅ＝６７２であった。【０１３３】
実施例２８［アントラセン誘導体（化合物２８）の合成］
【化１１８】
0005847354.tif 000119
実施例１の化合物１の合成において、中間体（Ａ）の代わりに中間体（Ｆ）を、１０−フェニルアントラセン−９−ボロン酸の代わりに既知の方法で合成した１０−［４−（２−ナフチル）フェニル］アントラセン−９−ボロン酸を用いた他は同様に合成し、化合物２８を得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量６７２．２５に対し、ｍ／ｅ＝６７２であった。【０１３４】
実施例２９［アントラセン誘導体（化合物２９）の合成］
【化１１９】
0005847354.tif 000120
実施例１の化合物１の合成において、中間体（Ａ）の代わりに中間体（Ｆ）を、１０−フェニルアントラセン−９−ボロン酸の代わりに既知の方法で合成した１０−［３−（２−ナフチル）フェニル］アントラセン−９−ボロン酸を用いた他は同様に合成し、化合物２９を得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量６７２．２５に対し、ｍ／ｅ＝６７２であった。【０１３５】
実施例３０［アントラセン誘導体（化合物３０）の合成］
【化１２０】
0005847354.tif 000121
実施例１の化合物１の合成において、中間体（Ａ）の代わりに中間体（Ｃ）を用いた他は同様に合成し、化合物３０を得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量４７０．１７に対し、ｍ／ｅ＝４７０であった。【０１３６】
実施例３１［アントラセン誘導体（化合物３１）の合成］
【化１２１】
0005847354.tif 000122
実施例１の化合物１の合成において、中間体（Ａ）の代わりに中間体（Ｃ）を、１０−フェニルアントラセン−９−ボロン酸の代わりに既知の方法で合成した１０−（１−ナフチル）アントラセン−９−ボロン酸を用いた他は同様に合成し、化合物３１を得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量５２０．１８に対し、ｍ／ｅ＝５２０であった。【０１３７】
実施例３２［アントラセン誘導体（化合物３２）の合成］
【化１２２】
0005847354.tif 000123
実施例１の化合物１の合成において、中間体（Ａ）の代わりに中間体（Ｃ）を、１０−フェニルアントラセン−９−ボロン酸の代わりに既知の方法で合成した１０−（２−ナフチル）アントラセン−９−ボロン酸を用いた他は同様に合成し、化合物３２を得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量５２０．１８に対し、ｍ／ｅ＝５２０であった。【０１３８】
実施例３３［アントラセン誘導体（化合物３３）の合成］
【化１２３】
0005847354.tif 000124
実施例１の化合物１の合成において、中間体（Ａ）の代わりに中間体（Ｈ）を用いた他は同様に合成し、化合物３３を得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量５４６．２０に対し、ｍ／ｅ＝５４６であった。【０１３９】
実施例３４［アントラセン誘導体（化合物３４）の合成］
【化１２４】
0005847354.tif 000125
実施例１の化合物１の合成において、中間体（Ａ）の代わりに中間体（Ｈ）を、１０−フェニルアントラセン−９−ボロン酸の代わりに既知の方法で合成した１０−（１−ナフチル）アントラセン−９−ボロン酸を用いた他は同様に合成し、化合物３４を得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量５９６．２１に対し、ｍ／ｅ＝５９６であった。【０１４０】
実施例３５［アントラセン誘導体（化合物３５）の合成］
【化１２５】
0005847354.tif 000126
実施例１の化合物１の合成において、中間体（Ａ）の代わりに中間体（Ｈ）を、１０−フェニルアントラセン−９−ボロン酸の代わりに既知の方法で合成した１０−（２−ナフチル）アントラセン−９−ボロン酸を用いた他は同様に合成し、化合物３５を得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量５９６．２１に対し、ｍ／ｅ＝５９６であった。【０１４１】
実施例３６［アントラセン誘導体（化合物３６）の合成］
【化１２６】
0005847354.tif 000127
実施例１の化合物１の合成において、中間体（Ａ）の代わりに中間体（Ｇ）を用いた他は同様に合成し、化合物３６を得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量５４６．２０に対し、ｍ／ｅ＝５４６であった。【０１４２】
実施例３７［アントラセン誘導体（化合物３７）の合成］
【化１２７】
0005847354.tif 000128
実施例１の化合物１の合成において、中間体（Ａ）の代わりに中間体（Ｇ）を、１０−フェニルアントラセン−９−ボロン酸の代わりに既知の方法で合成した１０−（１−ナフチル）アントラセン−９−ボロン酸を用いた他は同様に合成し、化合物３７を得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量５９６．２１に対し、ｍ／ｅ＝５９６であった。【０１４３】
実施例３８［アントラセン誘導体（化合物３８）の合成］
【化１２８】
0005847354.tif 000129
実施例１の化合物１の合成において、中間体（Ａ）の代わりに中間体（Ｇ）を、１０−フェニルアントラセン−９−ボロン酸の代わりに既知の方法で合成した１０−（２−ナフチル）アントラセン−９−ボロン酸を用いた他は同様に合成し、化合物３８を得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量５９６．２１に対し、ｍ／ｅ＝５９６であった。【０１４４】
実施例３９［アントラセン誘導体（化合物３９）の合成］
【化１２９】
0005847354.tif 000130
実施例１の化合物１の合成において、中間体（Ａ）の代わりに中間体（Ｉ）を用いた他は同様に合成し、化合物３９を得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量４７０．１７に対し、ｍ／ｅ＝４７０であった。【０１４５】
実施例４０［アントラセン誘導体（化合物４０）の合成］
【化１３０】
0005847354.tif 000131
実施例１の化合物１の合成において、中間体（Ａ）の代わりに中間体（Ｉ）を、１０−フェニルアントラセン−９−ボロン酸の代わりに既知の方法で合成した１０−（１−ナフチル）アントラセン−９−ボロン酸を用いた他は同様に合成し、化合物４０を得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量５２０．６２に対し、ｍ／ｅ＝５２０であった。【０１４６】
実施例４１［アントラセン誘導体（化合物４１）の合成］
【化１３１】
0005847354.tif 000132
実施例１の化合物１の合成において、中間体（Ａ）の代わりに中間体（Ｉ）を、１０−フェニルアントラセン−９−ボロン酸の代わりに既知の方法で合成した１０−（２−ナフチル）アントラセン−９−ボロン酸を用いた他は同様に合成し、化合物４１を得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量５２０．６２に対し、ｍ／ｅ＝５２０であった。【０１４７】
実施例４２［アントラセン誘導体（化合物４２）の合成］
【化１３２】
0005847354.tif 000133
実施例１の化合物１の合成において、中間体（Ａ）の代わりに中間体（Ｍ）を用いた他は同様に合成し、化合物４２を得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量５４６．２０に対し、ｍ／ｅ＝５４６であった。【０１４８】
実施例４３［アントラセン誘導体（化合物４３）の合成］
【化１３３】
0005847354.tif 000134
実施例１の化合物１の合成において、中間体（Ａ）の代わりに中間体（Ｍ）を、１０−フェニルアントラセン−９−ボロン酸の代わりに既知の方法で合成した１０−（１−ナフチル）アントラセン−９−ボロン酸を用いた他は同様に合成し、化合物４３を得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量５９６．２１に対し、ｍ／ｅ＝５９６であった。【０１４９】
実施例４４［アントラセン誘導体（化合物４４）の合成］
【化１３４】
0005847354.tif 000135
実施例１の化合物１の合成において、中間体（Ａ）の代わりに中間体（Ｍ）を、１０−フェニルアントラセン−９−ボロン酸の代わりに既知の方法で合成した１０−（２−ナフチル）アントラセン−９−ボロン酸を用いた他は同様に合成し、化合物４４を得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量５９６．２１に対し、ｍ／ｅ＝５９６であった。【０１５０】
実施例４５［アントラセン誘導体（化合物４５）の合成］
【化１３５】
0005847354.tif 000136
実施例１の化合物１の合成において、中間体（Ａ）の代わりに中間体（Ｋ）を用いた他は同様に合成し、化合物４５を得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量４７０．１７に対し、ｍ／ｅ＝４７０であった。【０１５１】
実施例４６［アントラセン誘導体（化合物４６）の合成］
【化１３６】
0005847354.tif 000137
実施例１の化合物１の合成において、中間体（Ａ）の代わりに中間体（Ｋ）を、１０−フェニルアントラセン−９−ボロン酸の代わりに既知の方法で合成した１０−（１−ナフチル）アントラセン−９−ボロン酸を用いた他は同様に合成し、化合物４６を得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量５２０．１８に対し、ｍ／ｅ＝５２０であった。【０１５２】
実施例４７［アントラセン誘導体（化合物４７）の合成］
【化１３７】
0005847354.tif 000138
実施例１の化合物１の合成において、中間体（Ａ）の代わりに中間体（Ｋ）を、１０−フェニルアントラセン−９−ボロン酸の代わりに既知の方法で合成した１０−（２−ナフチル）アントラセン−９−ボロン酸を用いた他は同様に合成し、化合物４７を得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量５２０．１８に対し、ｍ／ｅ＝５２０であった。【０１５３】
実施例４８［アントラセン誘導体（化合物４８）の合成］
【化１３８】
0005847354.tif 000139
実施例１の化合物１の合成において、中間体（Ａ）の代わりに中間体（Ｎ）を用いた他は同様に合成し、化合物４８を得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量５４６．２０に対し、ｍ／ｅ＝５４６であった。【０１５４】
実施例４９［アントラセン誘導体（化合物４９）の合成］
【化１３９】
0005847354.tif 000140
実施例１の化合物１の合成において、中間体（Ａ）の代わりに中間体（Ｎ）を、１０−フェニルアントラセン−９−ボロン酸の代わりに既知の方法で合成した１０−（１−ナフチル）アントラセン−９−ボロン酸を用いた他は同様に合成し、化合物４９を得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量５９６．２１に対し、ｍ／ｅ＝５９６であった。【０１５５】
実施例５０［アントラセン誘導体（化合物５０）の合成］
【化１４０】
0005847354.tif 000141
実施例１の化合物１の合成において、中間体（Ａ）の代わりに中間体（Ｎ）を、１０−フェニルアントラセン−９−ボロン酸の代わりに既知の方法で合成した１０−（２−ナフチル）アントラセン−９−ボロン酸を用いた他は同様に合成し、化合物５０を得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量５９６．２１に対し、ｍ／ｅ＝５９６であった。【０１５６】
製造例２［中間体の合成］
（１）中間体（Ｏ），（Ｐ）の合成
【化１４１】
0005847354.tif 000142
中間体（Ａ）、（Ｂ）の合成において、出発物質の２−メトキシナフタレンの代わりに９−メトキシフェナントレンを用い、上記スキームに従って同様の方法で中間体（Ｏ）、中間体（Ｐ）を合成した。【０１５７】
（２）中間体（Ｑ）の合成
【化１４２】
0005847354.tif 000143
中間体（Ｅ）の合成において、中間体（Ｂ）の代わりに中間体（Ｐ）を用いて同様の方法で合成し、中間体（Ｑ）を得た。【０１５８】
実施例５１［アントラセン誘導体（化合物５１）の合成］
【化１４３】
0005847354.tif 000144
実施例１の化合物１の合成において、中間体（Ａ）の代わりに中間体（Ｏ）を用いた他は同様に合成し、化合物５１を得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量５２０．１８に対し、ｍ／ｅ＝５２０であった。【０１５９】
実施例５２［アントラセン誘導体（化合物５２）の合成］
【化１４４】
0005847354.tif 000145
実施例１の化合物１の合成において、中間体（Ａ）の代わりに中間体（Ｏ）を、１０−フェニルアントラセン−９−ボロン酸の代わりに既知の方法で合成した１０−（１−ナフチル）アントラセン−９−ボロン酸を用いた他は同様に合成し、化合物５２を得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量５７０．２０に対し、ｍ／ｅ＝５７０であった。【０１６０】
実施例５３［アントラセン誘導体（化合物５３）の合成］
【化１４５】
0005847354.tif 000146
実施例１の化合物１の合成において、中間体（Ａ）の代わりに中間体（Ｏ）を、１０−フェニルアントラセン−９−ボロン酸の代わりに既知の方法で合成した１０−（２−ナフチル）アントラセン−９−ボロン酸を用いた他は同様に合成し、化合物５３を得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量５７０．２０に対し、ｍ／ｅ＝５７０であった。【０１６１】
実施例５４［アントラセン誘導体（化合物５４）の合成］
【化１４６】
0005847354.tif 000147
実施例１の化合物１の合成において、中間体（Ａ）の代わりに中間体（Ｏ）を、１０−フェニルアントラセン−９−ボロン酸の代わりに既知の方法で合成した１０−（４−ビフェニル）アントラセン−９−ボロン酸を用いた他は同様に合成し、化合物５４を得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量５９６．２１に対し、ｍ／ｅ＝５７０であった。【０１６２】
実施例５５［アントラセン誘導体（化合物５５）の合成］
【化１４７】
0005847354.tif 000148
実施例１の化合物１の合成において、中間体（Ａ）の代わりに中間体（Ｑ）を用いた他は同様に合成し、化合物５５を得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量５９６．２１に対し、ｍ／ｅ＝５９６であった。【０１６３】
実施例５６［アントラセン誘導体（化合物５６）の合成］
【化１４８】
0005847354.tif 000149
実施例１の化合物１の合成において、中間体（Ａ）の代わりに中間体（Ｑ）を、１０−フェニルアントラセン−９−ボロン酸の代わりに既知の方法で合成した１０−（１−ナフチル）アントラセン−９−ボロン酸を用いた他は同様に合成し、化合物５６を得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量６４６．２３に対し、ｍ／ｅ＝６４６であった。【０１６４】
実施例５７［アントラセン誘導体（化合物５７）の合成］
【化１４９】
0005847354.tif 000150
実施例１の化合物１の合成において、中間体（Ａ）の代わりに中間体（Ｑ）を、１０−フェニルアントラセン−９−ボロン酸の代わりに既知の方法で合成した１０−（２−ナフチル）アントラセン−９−ボロン酸を用いた他は同様に合成し、化合物５７を得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量６４６．２３に対し、ｍ／ｅ＝６４６であった。【０１６５】
実施例５８［アントラセン誘導体（化合物５８）の合成］
【化１５０】
0005847354.tif 000151
実施例１の化合物１の合成において、中間体（Ａ）の代わりに中間体（Ｑ）を、１０−フェニルアントラセン−９−ボロン酸の代わりに既知の方法で合成した１０−（４−ビフェニル）アントラセン−９−ボロン酸を用いた他は同様に合成し、化合物５８を得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量６７２．２５に対し、ｍ／ｅ＝６７２であった。【０１６６】
製造例３［中間体の合成］
（１）中間体（Ｒ），（Ｓ）の合成
【化１５１】
0005847354.tif 000152
中間体（Ａ）、（Ｂ）の合成において、２−メトキシナフタレンの代わりに９−メトキシフェナントレンを、２−フルオロ−５−ブロモヨードベンゼンの代わりに２−フルオロ−４−ブロモヨードベンゼンを用い、上記スキームに従って同様の方法で中間体（Ｒ）、中間体（Ｓ）を合成した。【０１６７】
（２）中間体（Ｔ）の合成
【化１５２】
0005847354.tif 000153
中間体（Ｅ）の合成において、中間体（Ｂ）の代わりに中間体（Ｓ）を用いて同様の方法で合成し、中間体（Ｔ）を得た。【０１６８】
実施例５９［アントラセン誘導体（化合物５９）の合成］
【化１５３】
0005847354.tif 000154
実施例１の化合物１の合成において、中間体（Ａ）の代わりに中間体（Ｒ）を、１０−フェニルアントラセン−９−ボロン酸の代わりに既知の方法で合成した１０−（１−ナフチル）アントラセン−９−ボロン酸を用いた他は同様に合成し、化合物５９を得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量５７０．２０に対し、ｍ／ｅ＝５７０であった。【０１６９】
実施例６０［アントラセン誘導体（化合物６０）の合成］
【化１５４】
0005847354.tif 000155
実施例１の化合物１の合成において、中間体（Ａ）の代わりに中間体（Ｔ）を、１０−フェニルアントラセン−９−ボロン酸の代わりに既知の方法で合成した１０−（１−ナフチル）アントラセン−９−ボロン酸を用いた他は同様に合成し、化合物６０を得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量６４６．２３に対し、ｍ／ｅ＝６４６であった。【０１７０】
実施例６１［アントラセン誘導体（化合物６１）の合成］
【化１５５】
0005847354.tif 000156
実施例１の化合物１の合成において、中間体（Ａ）の代わりに中間体（Ｃ）を、１０−フェニルアントラセン−９−ボロン酸の代わりに既知の方法で合成した１０−（４−ビフェニル）アントラセン−９−ボロン酸を用いた他は同様に合成し、化合物６１を得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量５４６．２０に対し、ｍ／ｅ＝５４６であった。【０１７１】
実施例６２［アントラセン誘導体（化合物６２）の合成］
【化１５６】
0005847354.tif 000157
実施例１の化合物１の合成において、中間体（Ａ）の代わりに中間体（Ｃ）を、１０−フェニルアントラセン−９−ボロン酸の代わりに既知の方法で合成した１０−（３−ビフェニル）アントラセン−９−ボロン酸を用いた他は同様に合成し、化合物６２を得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量５４６．２０に対し、ｍ／ｅ＝５４６であった。【０１７２】
実施例６３［アントラセン誘導体（化合物６３）の合成］
【化１５７】
0005847354.tif 000158
実施例１の化合物１の合成において、中間体（Ａ）の代わりに中間体（Ｃ）を、１０−フェニルアントラセン−９−ボロン酸の代わりに既知の方法で合成した１０−［４−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン−９−ボロン酸を用いた他は同様に合成し、化合物６３を得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量５９６．２１に対し、ｍ／ｅ＝５９６であった。【０１７３】
実施例６４［アントラセン誘導体（化合物６４）の合成］
【化１５８】
0005847354.tif 000159
実施例１の化合物１の合成において、中間体（Ａ）の代わりに中間体（Ｃ）を、１０−フェニルアントラセン−９−ボロン酸の代わりに既知の方法で合成した１０−［４−（２−ナフチル）フェニル］アントラセン−９−ボロン酸を用いた他は同様に合成し、化合物６４を得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量５９６．２１に対し、ｍ／ｅ＝５９６であった。【０１７４】
実施例６５［アントラセン誘導体（化合物６５）の合成］
【化１５９】
0005847354.tif 000160
実施例１の化合物１の合成において、中間体（Ａ）の代わりに中間体（Ｃ）を、１０−フェニルアントラセン−９−ボロン酸の代わりに既知の方法で合成した１０−［３−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン−９−ボロン酸を用いた他は同様に合成し、化合物６５を得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量５９６．２１に対し、ｍ／ｅ＝５９６であった。【０１７５】
実施例６６［アントラセン誘導体（化合物６６）の合成］
【化１６０】
0005847354.tif 000161
実施例１の化合物１の合成において、中間体（Ａ）の代わりに中間体（Ｃ）を、１０−フェニルアントラセン−９−ボロン酸の代わりに既知の方法で合成した１０−［３−（２−ナフチル）フェニル］アントラセン−９−ボロン酸を用いた他は同様に合成し、化合物６６を得た。このものは、マススペクトル分析の結果、目的物であり、分子量５９６．２１に対し、ｍ／ｅ＝５９６であった。【０１７６】
実施例６７
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ透明電極（陽極）付きガラス基板（ジオマティック社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に前記透明電極を覆うようにして膜厚５ｎｍの化合物ＨＡＴを成膜した。ＨＡＴ膜の成膜に続けて、このＨＡＴ膜上に膜厚８０ｎｍのＨＴ１を成膜した。ＨＴ１膜の成膜に続けて、このＨＴ１膜上に膜厚１５ｎｍのＨＴ２を成膜した。【０１７７】
ＨＴ２膜上に、実施例４で製造したＢＨ１（化合物４）とドーパントＢＤ１を１９：１の膜厚比で成膜し、膜厚２５ｎｍの青色系発光層とした。【０１７８】
発光層上に電子輸送層として膜厚２０ｎｍでＥＴ１を蒸着により成膜した。ＥＴ１膜の成膜に続けて、このＥＴ１膜上に膜厚５ｎｍのＥＴ２を成膜した。この後、ＬｉＦを膜厚１ｎｍで成膜した。このＬｉＦ膜上に金属Ａｌを８０ｎｍ蒸着させ金属陰極を形成し有機ＥＬ発光素子を形成した。【０１７９】
以上のように作製した有機ＥＬ素子について、電圧及び外部量子効率（ＥＱＥ）を測定した。具体的には以下のように測定した。結果を表１に示す。【０１８０】
・駆動電圧
電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ２となるようにＩＴＯ透明電極と金属Ａｌ陰極との間に通電したときの電圧（単位：Ｖ）を計測した。【０１８１】
・外部量子効率ＥＱＥ
分光放射輝度スペクトルから、ランバシアン放射を行なったと仮定し外部量子効率ＥＱＥ（単位：％）を算出した。【０１８２】
比較例１
発光層の成膜において、ＢＨ１の代わりにＢＨ２を用いた他は実施例６７と同様にして有機ＥＬ発光素子を形成し、評価した。結果を表１に示す。【０１８３】
実施例及び比較例で用いた化合物を以下に示す。
【化１６１】
0005847354.tif 000162
【０１８４】
【表１】
0005847354.tif 000163
【０１８５】
上記の結果より、本発明の化合物ＢＨ１を用いた実施例６７は、式（２）で表される基とアントラセン骨格が特定の位置で結合することで、化合物ＢＨ２を用いた比較例１と比較して、低電圧化・高効率化していることが分かる。これは、分子の平面性の広がりにより、分子間のパッキングが向上し、電子注入・輸送能が向上するためと推測される。【０１８６】
実施例６８
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ透明電極（陽極）付きガラス基板（ジオマティック社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に前記透明電極を覆うようにして膜厚５ｎｍの化合物ＨＡＴを成膜した。ＨＡＴ膜の成膜に続けて、このＨＡＴ膜上に膜厚８０ｎｍのＨＴ３を成膜した。ＨＴ３膜の成膜に続けて、このＨＴ３膜上に膜厚１５ｎｍのＨＴ４を成膜した。
ＨＴ４膜上に、実施例１で製造した化合物１とドーパントＢＤ１を１９：１の膜厚比で成膜し、膜厚２５ｎｍの青色系発光層とした。
発光層上に電子輸送層として膜厚２０ｎｍでＥＴ１を蒸着により成膜した。ＥＴ１膜の成膜に続けて、膜厚５ｎｍのＥＴ３を成膜した。この後、ＬｉＦを膜厚１ｎｍで成膜した。このＬｉＦ膜上に金属Ａｌを８０ｎｍ蒸着させ金属陰極を形成し有機ＥＬ発光素子を形成した。
実施例６７と同様にして有機ＥＬ発光素子を評価した。結果を表２に示す。【０１８７】
実施例６９〜８８、比較例２、３
発光層の成膜において、化合物１の代わりに表２に示す化合物を用いた他は、実施例６８と同様にして有機ＥＬ発光素子を形成し、評価した。結果を表２に示す。
実施例及び比較例で用いた化合物を以下に示す。
【化１６２】
0005847354.tif 000164
【０１８８】
【表２】
0005847354.tif 000165
【０１８９】
本発明の化合物を用いた実施例６８〜８８は、化合物ＢＨ３を用いた比較例２と比較して低電圧化・高効率化していることが分かる。この理由として、上記と同様に、分子の平面性の広がりにより分子間のパッキングが向上し、電子注入・輸送能が向上するためと推測される。
また、実施例６８〜８８は、化合物ＢＨ４を用いた比較例３と比較して低電圧化し、かつ大幅に高効率化していることが分かる。この理由として、アントラセン骨格上の特定の結合位置により分子の平面性が広がり、上記と同様に電子注入・輸送能が向上するためと推測される。【０１９０】
上記に本発明の実施形態及び／又は実施例を幾つか詳細に説明したが、当業者は、本発明の新規な教示及び効果から実質的に離れることなく、これら例示である実施形態及び／又は実施例に多くの変更を加えることが容易である。従って、これらの多くの変更は本発明の範囲に含まれる。
本願のパリ優先の基礎となる日本出願明細書の内容を全てここに援用する。