(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベースプレートと、
前記ベースプレートの上方に位置してウェハが載置されるとともに、該ウェハを加熱する加熱手段が設けられたフェイスプレートと、
前記フェイスプレートから上方に突出して前記ウェハを支持する支持部材と、
前記フェイスプレートに設けられた貫通孔に取り付けられて前記支持部材を保持するホルダとを備え、
前記ホルダは、上側に開口して前記支持部材を収納する収納空間が形成された保持部と、前記保持部の上端縁から外側に向けて延出した鍔部とを有し、
前記貫通孔は、上側に開口した上側孔部と、下側に開口した下側孔部と、前記上側孔部と前記下側孔部との間に位置して前記上側孔部の内径および前記下側孔部の内径よりも大きい内径を有する保持溝とを有し、
前記鍔部の外径は、前記上側孔部の内径より小さく、かつ前記下側孔部の内径より大きく、
前記ホルダは前記保持溝の底部に落とし込まれ、前記鍔部が前記保持溝の底部に載置されて、前記保持部が前記下側孔部から下方に突出する
ことを特徴とする加熱装置。
【請求項２】
請求項１に記載の加熱装置において、
前記フェイスプレートの厚さは前記支持部材の高さよりも薄い
ことを特徴とする加熱装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の加熱装置において、
前記貫通孔内には、
前記支持部材が係止されるシムリングと、
前記シムリングが係止される抜け止め部材とが配置される
ことを特徴とする加熱装置。
【請求項４】
請求項３に記載の加熱装置において、
前記シムリングは前記ホルダよりも上方に配置され、
前記抜け止め部材は前記シムリングよりも上方に配置されて前記保持溝内に位置する
ことを特徴とする加熱装置。
【請求項５】
請求項４に記載の加熱装置において、
前記フェイスプレートの基板はアルミ製で、
前記貫通孔の内面を含む前記基板の表面にはアルマイト層が形成され、
前記支持部材はセラミックス製であり、
前記ホルダはステンレス製である
ことを特徴とする加熱装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、加熱装置に係り、例えば半導体ウェハを所定温度に加熱する加熱装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体ウェハでのパターン焼付工程等に使用されるコータデベロッパ装置においては、ウェハが加熱装置により所定温度に加熱される。
加熱装置は、ベースプレートと、ベースプレートの上方に位置してウェハを加熱するフェイスプレートとを備える。フェイスプレートには、上方に突出してウェハを支持する支持部材が設けられている。ウェハは、支持部材を介して、フェイスプレートの表面から上方に所定の隙間をあけて載置され、フェイスプレートの加熱部から放熱される熱で加熱される（例えば特許文献１，２参照）。
【０００３】
ここで、支持部材は、フェイスプレートにおいて、特許文献２に記載のように配置される。
特許文献２の加熱装置では、フェイスプレートに所定の深さを有する縦穴が形成され、この縦穴内には、支持部材が落とし込まれて配置されている。縦穴内であって支持部材よりも上方には、支持部材が縦穴内から外れることを防止するリング状の固定治具が設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−２７７３８２号公報
【特許文献２】特開２００２−１５８１６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、加熱装置の温度変更の高速化が望まれており、それに伴って熱容量を削減するため、フェイスプレートを薄型化する傾向にある。 
しかし、特許文献２に記載のような従来の加熱装置では、フェイスプレートを薄型化すると、フェイスプレートに形成される縦穴の深さを十分に確保できなくなるため、縦穴内に配置される支持部材の先端がフェイスプレートの表面から突出し過ぎてしまう。このことにより、ウェハとフェイスプレートとの距離を適正にできず、ウェハを良好に加熱できないという問題が生じる。
ここで、支持部材を小型化することも考えられるが、製作上の制限もあり、また、支持部材が小型化されると、支持部材の取り扱いが煩雑になって突出高さを適切に調整することが難しくなるため、支持部材の小型化は困難である。
【０００６】
本発明の目的は、支持部材を小型化することなく、支持部材の先端をフェイスプレート表面から適切な量で突出させることができ、かつフェイスプレートの薄型化を実現できる加熱装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
第１発明に係る加熱装置は、ベースプレートと、前記ベースプレートの上方に位置してウェハが載置されるとともに、該ウェハを加熱する加熱手段が設けられたフェイスプレートと、前記フェイスプレートから上方に突出して前記ウェハを支持する支持部材と、前記フェイスプレートに設けられた貫通孔に取り付けられて前記支持部材を保持するホルダとを備えることを特徴とする。
【０００８】
第２発明に係る加熱装置では、前記ホルダの下側が前記フェイスプレートから下方に突出することを特徴とする。
第３発明に係る加熱装置では、前記フェイスプレートの厚さは前記支持部材の高さよりも薄いことを特徴とする。
第４発明に係る加熱装置では、前記貫通孔内には、前記支持部材が係止されるシムリングと、前記シムリングが係止される抜け止め部材とが配置されることを特徴とする。
【０００９】
第５発明に係る加熱装置では、前記貫通孔は、上側に開口した上側孔部と、下側に開口した下側孔部と、前記上側孔部と前記下側孔部との間に位置して前記上側孔部の内径および前記下側孔部の内径よりも大きい内径を有する保持溝とを備え、前記ホルダは前記保持溝の底部に落とし込まれているとともに、前記シムリングは前記ホルダよりも上方に配置され、前記抜け止め部材は前記シムリングよりも上方に配置されて前記保持溝内に位置することを特徴とする。
【００１０】
第６発明に係る加熱装置では、前記フェイスプレートの基板はアルミ製で、前記貫通孔の内面を含む前記基板の表面にはアルマイト層が形成され、前記支持部材はセラミックス製であり、前記ホルダはステンレス製であることを特徴とする。
第７発明に係る加熱装置では、前記ホルダの外径は前記下側孔部の内径より大きいことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
第１発明によれば、フェイスプレートに設けられた貫通孔に取り付けられて支持部材を保持するホルダを備えており、支持部材をフェイスプレートに直接取り付ける必要がないため、ホルダでの支持部材の保持位置をフェイスプレートの厚さと支持部材の高さとを考慮して適宜決定することで、フェイスプレートの厚さに関係なく、支持部材の上端を所定量だけフェイスプレートの上面から突出させることができ、フェイスプレートとウェハとの隙間を適正に確保しつつ、ウェハを確実に支持できる。従って、支持部材を小型化することなく、フェイスプレートから上方に適切に突出させることができ、フェイスプレートの薄型化、ひいては加熱装置の薄型化を実現できる。
【００１２】
第２発明によれば、ホルダの下側がフェイスプレートから下方に突出するため、ホルダでの支持部材の保持位置を十分に低くでき、支持部材の高さとフェイスプレートの厚さとが近似していたり、支持部材の高さよりもフェイスプレートの厚さが薄かったりした場合でも、支持部材を小型化せずに、支持部材のフェイスプレート表面からの突出量を適正にすることができる。
【００１３】
第３発明によれば、フェイスプレートの厚さが支持部材の高さよりも薄いので、ホルダをフェイスプレートの下方に確実に突出させることができる。
【００１４】
第４発明によれば、シムリングによって支持部材が係止され、抜け止め部材によってシムリングが係止されるから、支持部材がホルダから抜けるのを防止できるうえ、支持部材およびシムリングが共に、貫通孔から抜けるのを防止できる。
【００１５】
第５発明によれば、抜け止め部材が保持溝内にあってホルダとシムリングとを係止するようになるので、抜け止め部材にてシムリングのみならず、ホルダまでもが同時に貫通孔から抜けるのを防止できる。
【００１６】
第６発明によれば、フェイスプレートの基板はアルミ製で、支持部材はセラミックス製で、ホルダはステンレス製であるため、加熱装置全体を軽量化でき、支持部材が保持されるホルダ部分での強度を十分に確保できる。また、貫通孔および保持溝が形成された部分を含むフェイスプレートの表面には硬質層であるアルマイト層が形成されているため、アルマイト層にホルダが当接してもアルマイト層が削れにくく、よって、基板が損傷するのを防止できる。
【００１７】
アルミ製のフェイスプレートの線膨張係数はステンレス製のホルダの線膨張係数よりも大きいため、フェイスプレートが加熱されて高温となると、ホルダの外径に対して下側孔部の内径が相対的に大きく広がる。そこで、第７発明のように、ホルダの外径を下側孔部の内径より大きくすることで、フェイスプレートが加熱されて下側孔部の内径が大きくなった場合でも、ホルダが貫通孔内から下方へ抜けることを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の一実施形態に係る加熱装置の概略構成を示す分解斜視図。
【図２】前記加熱装置を構成するフェイスプレートを示す断面図。
【図３】前記加熱装置の要部の構造を示す分解斜視図。
【図４】前記加熱装置の要部の構造を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
〔装置全体の説明〕
以下、本発明の一実施形態を図面に基づいて説明する。
図１において、加熱装置１は、半導体製造工程に用いられるコータデベロッパ装置に搭載される装置であり、２点鎖線で示したシリコンウェハ等の半導体ウェハ（以下、単にウェハと称する）Ｗを、パターン焼付工程等の種々の工程に応じた所定温度に加熱するように構成されている。
【００２０】
具体的に、加熱装置１は、円板状のベースプレート２と、ベースプレート２の上方に支持された円板状のフェイスプレート３と、各プレート２，３の間に収容される冷却パイプ１１および遮熱整流プレート１２とを備え、フェイスプレート３の上面側に所定の隙間Ｃ（図４参照）を空けて載置されたウェハＷが、フェイスプレート３を構成する後述の加熱手段としてのフィルムヒータ３２（図２参照）によって加熱される。
【００２１】
フェイスプレート３には、ウェハＷを昇降させる昇降ピン（図示略）用の挿通孔３０が３箇所に設けられている。加熱装置１が所定の温度に保持されるとともに、挿通孔３０から昇降ピンが上昇した状態で、ウェハＷがハンドロボットにより加熱装置１に搬入され、該昇降ピンの上端に載せられる。さらに、ハンドロボットが退避した後に昇降ピンが下降し、これに伴って下降したウェハＷが、支持部材としての支持ピン７を介してフェイスプレート３上に載置される。
【００２２】
ウェハＷに加工が施されている間は、ウェハＷが加熱装置１によって加熱され、所定温度に維持される。ウェハＷに所定の処理が施された後では、再度昇降ピンが上昇し、これに伴って上昇したウェハＷがハンドロボットによって加熱装置１から搬出され、次のウェハＷと入れ換えられる。
【００２３】
また、ウェハＷへ施す加工条件（レシピ）が変更となり、フェイスプレート３の温度を例えば高温から低温へ変更する場合には、冷却パイプ１１に冷媒ガスが供給され、冷却パイプ１１の噴出小孔（図示略）から噴出する冷媒ガスによってフェイスプレート３が冷却される。冷媒ガスはその後、遮熱整流プレート１２に案内されて、ベースプレート２の中央から排気される。フェイスプレート３が設定温度以下になると、冷媒ガスの供給が停止され、再びフェイスプレート３が加工条件に応じた設定温度に加熱保持される。
【００２４】
〔ベースプレートの説明〕
ベースプレート２は金属製であり、本実施形態ではアルミニウムが採用されている。このようなベースプレート２には、軽量化のための複数の開口部２１や、フェイスプレート３を冷却するために用いた冷媒ガスを中央から排出する排気開口２２が設けられている。ベースプレート２が十分な板厚寸法を有することで、加熱装置１全体の剛性を保証している。また、ベースプレート２の外周側の下面には、８つのターミナルブロック１０が等周間隔で設けられ、外部から給電されている（図１に破線にて４つを図示）。
【００２５】
そのようなターミナルブロック１０には、フィルムヒータ３２からチャンネル（コ字）形状に延設された端子３３と、図示略の外部電源からの配線とが結線されており、ターミナルブロック１０を介して互いを導通させることで、フィルムヒータ３２へ給電するようになっている。
【００２６】
〔フェイスプレートの説明〕
フェイスプレート３は、最も外周側に等周間隔で配置された８箇所のウェハガイド４、およびベースプレート２との間の適宜な位置に複数配置された支柱５を介してベースプレート２に支持されている。ウェハガイド４は、ベースプレート２に固定された支持ボルト４１と、フェイスプレート３の上面に配置されてウェハＷの外周縁が当接されるセラミックス製のガイド部材４２とからなり、皿ビス４３により、ガイド部材４２がフェイスプレート３を挟み込むようにして支持ボルト４１の上端に固定される。
【００２７】
このようなフェイスプレート３は、図２に示すように、アルミ基板３１の下方にフィルムヒータ３２をホットプレスにより貼り付けた構造である。アルミ基板３１は、所定の板厚寸法Ｈ０を有する薄板状であり、本実施形態では、板厚寸法Ｈ０は２．０mmである（Ｈ０＝２．０mm）。アルミ基板３１には、ウェハＷを載置する上面側のみ全面にアルマイト処理によるアルマイト層３４が形成されている。アルマイト処理は、アルミ基板３１の上面の他、外周端面、貫通孔３００（図４参照）の内面、アルミ基板３１の下面の貫通孔３００の周囲にも施されている。アルミ基板３１の板厚寸法Ｈ０にアルマイト層３４の厚さおよびフィルムヒータ３２の厚さを加算した厚さが、フェイスプレート３全体の板厚寸法Ｈ０′である（図４参照）。
【００２８】
フィルムヒータ３２は、ベースフィルム３５の表面にステンレス箔３６による発熱用の回路パターンを形成し、この回路パターンをカバーフィルム３７で覆った構成である。ベースフィルム３５およびカバーフィルム３７としては、ポリイミド樹脂が用いられている。このようなフィルムヒータ３２には、前述の端子３３が設けられることで給電される。ベースフィルム３５は絶縁フィルム３８を介してフェイスプレート３に接着される。この絶縁フィルム３８も、フィルムヒータ３２を構成する部材の一つである。
【００２９】
また、図示を省略するが、加熱手段としてのフィルムヒータ３２の回路パターンとしては、フィルムヒータ３２の発熱面が中心部の円部とその外側の円環部とで、それぞれ任意に分割された小領域に区画されており、小領域毎に独立して給電されるように回路が形成されている。発熱面が複数の小領域に区画され、独立して発熱させることで、加熱されたウェハＷの温度分布をより均一にでき、加熱ムラを少なくできる。各小領域に応じた複数の回路パターンが形成されている本実施形態では、ターミナルブロック１０は８つ設けられ、給電用の端子３３も８対分として１６箇所に設けられている。
【００３０】
以上のフェイスプレート３では、ステンレス箔３６への給電によりフィルムヒータ３２が発熱し、アルミ基板３１が加熱される。アルミ基板３１が加熱されると、フェイスプレート３全体の直上に存在するガスを介してフェイスプレート３上に載置されたウェハＷが加熱される。この際の温度制御は、アルミ基板３１に埋め込まれた図示略の温度センサからの信号に基づき、フィルムヒータ３２への給電を調整することで行われる。
【００３１】
〔冷却パイプおよび遮熱整流プレートの説明〕
図１に示すように、ベースプレート２とフェイスプレート３との間には、環状の冷却パイプ１１および遮熱整流プレート１２が配置されている。冷却パイプ１１には、中央の排気開口２２を通して供給パイプ１３が接続され、供給パイプ１３から冷却パイプ１１内に冷媒ガスが供給される。冷媒ガスは、冷却パイプ１１に設けられた複数の噴出小孔（図示略）から中央に向けて噴出し、フェイスプレート３を下側から冷却する。
【００３２】
遮熱整流プレート１２は、冷却パイプ１１から噴出した冷媒ガスをベースプレート２に設けられた開口部２１より流出するのを防いで中央の排気開口２２に案内し、排気を促進するとともに、発熱中のフェイスプレート３からベースプレート２への輻射熱を遮断する。これにより、ベースプレート２の熱膨張や、ベースプレート２に取り付けられた各種部品への熱影響を抑制できる。
【００３３】
〔ウェハの支持構造の説明〕
フェイスプレート３の支柱５による支持箇所の近傍には、図３および図４に示すように、アルミ基板３１を厚さ方向（図４における上下方向）に貫通した円形の貫通孔３００が設けられている。
貫通孔３００は、アルミ基板３１の上側に開口した上側孔部３０１と、下側に開口した下側孔部３０２と、上側孔部３０１と下側孔部３０２との間に設けられた保持溝３１０とを備えている。上側孔部３０１の内径Ｄ１は下側孔部３０２の内径Ｄ２よりも大きく（Ｄ１＞Ｄ２）、保持溝３１０の内径Ｄ３は内径Ｄ１および内径Ｄ２よりも大きい（Ｄ３＞Ｄ１＞Ｄ２）。また、下側孔部３０２の高さＨ２は上側孔部３０１の高さＨ１よりも大きく、保持溝３１０の高さＨ３は高さＨ１および高さＨ２よりも大きくなっている（Ｈ３＞Ｈ２＞Ｈ１）。
【００３４】
上側孔部３０１の内面や下側孔部３０２の内面、および保持溝３１０の内面には、アルミ基板３１の上下両面と連続してアルマイト処理によるアルマイト層３４が形成されている。また、アルミ基板３１の下面のうち、貫通孔３００の近傍にはフィルムヒータ３２は存在せず、フィルムヒータ３２に設けられた開口部分が貫通孔３００に対応している。
このような貫通孔３００内には、ホルダ６、支持ピン７、シムリング８、および抜け止め部材としてのＣリング９が配置されており、これらの部品によってウェハＷがフェイスプレート３上に隙間Ｃを介して支持されるようになっている。
【００３５】
〔ホルダの説明〕
ホルダ６は、ステンレス製で、上側に開口する断面凹状の収納空間６１１が形成された保持部６１と、保持部６１の上端縁から外側に向けて延出した円環形状の鍔部６２とを備えている。
保持部６１の外径Ｄ６１は下側孔部３０２の内径Ｄ２よりも小さい（Ｄ６１＜Ｄ２）。ホルダの外径としての鍔部６２の外径Ｄ６２は内径Ｄ１よりも小さく、かつ内径Ｄ２よりも大きい（Ｄ１＞Ｄ６２＞Ｄ２）。
【００３６】
このようなホルダ６は、上方から貫通孔３００内の保持溝３１０に落とし込まれ、鍔部６２が保持溝３１０の水平な底部３Ａ上に載置され、保持部６１が下側孔部３０２から下方へ突出している。ホルダ６が貫通孔３００内に落とし込まれた状態では、ホルダ６の底面６０は、フェイスプレート３の上面から十分に低い位置（図４における下側の位置）にあり、本実施形態では、フェイスプレート３の下面よりもさらに低い位置にある。
【００３７】
ここで、アルミ製のフェイスプレート３の線膨張係数はステンレス製のホルダ６の線膨張係数よりも大きいため、フェイスプレート３が加熱されて高温となると、鍔部６２の外径Ｄ６２に対して下側孔部３０２の内径Ｄ２が相対的に大きく広がる。しかし、本実施形態では、鍔部６２の外径Ｄ６２は下側孔部３０２の内径Ｄ２より十分に大きいため、フェイスプレート３が加熱されて下側孔部３０２の内径Ｄ２が大きくなった場合でも、ホルダ６が貫通孔３００内から下方に抜ける心配がない。
【００３８】
〔支持ピンの説明〕
支持ピン７は、酸化アルミニウムなどからなるセラミックス製であり、下側周縁に面取り部分が設けられた円板状の基部７１と、基部７１上に設けられた円柱状の支持部７２とを備えている。
基部７１は、所定の外径Ｄ７１を有して収納空間６１１内に収納されている。支持部７２は、上方に向けて突出した凸形状の曲面で形成されたピン部７２１を先端に有する。
【００３９】
このような支持ピン７は、上方から収納空間６１１内に落とし込まれて配置されている。本実施形態では、支持ピン７の高さＨ７よりもフェイスプレート３の厚さＨ０′（アルミ基板３１の板厚寸法Ｈ０にアルマイト層３４の厚さおよびフィルムヒータ３２の厚さを加算した厚さ）が薄いが、支持ピン７が収納空間６１１内に配置された状態では、ピン部７２１がフェイスプレート３の上面から僅かに突出するだけである。ピン部７２１の突出量は、基部７１の裏面を研磨することで調整され、隙間Ｃが確保されるようになっている。
なお、支柱５は支持ピン７の近傍に設けられるとよく、支持ピン７の設置場所により支柱５をどの場所に設けるかはその実施にあたって適宜決められてよい。
【００４０】
〔シムリングおよびＣリングの説明〕
シムリング８は、ステンレス製で、中央に挿通孔８１を有する薄型の円環形状である。シムリング８の外径Ｄ８は内径Ｄ１よりも小さく、鍔部６２の外径Ｄ６２と同程度である。本実施形態では、外径Ｄ８は外径Ｄ６２よりもわずかに大きい。また、挿通孔８１の内径は支持部７２の外径よりも大きく、外径Ｄ７１よりも小さい。このようなシムリング８は、支持部７２が挿通孔８１を挿通するようにホルダ６の上方に配置され、支持ピン７を係止することで保持部６１から抜けないようにしている。
【００４１】
Ｃリング９は、ステンレス製で、外径Ｄ９を有する。外径Ｄ９は上側孔部３０１の内径Ｄ１より大きく（Ｄ９＞Ｄ１）、かつ保持溝３１０の内径Ｄ３より小さい（Ｄ９＜Ｄ３）。また、Ｃリング９は、鍔部６２およびシムリング８の外周側を押さえ込むのに十分な幅寸法Ｗ９を有する。このようなＣリング９はシムリング８の上方に配置され、ホルダ６およびシムリング８を係止して貫通孔３００から抜け出ないようにしている。
【００４２】
〔フェイスプレートの貫通孔内への取り付け手順の説明〕
まず、ホルダ６を貫通孔３００内に落とし込んで保持部６１を下側孔部３０２から下方へ突出させる。その後、支持ピン７を収納空間６１１内に配置してピン部７２１が所定量だけ突出するように調整する。そして、シムリング８およびＣリング９を貫通孔３００内に配置する。
【００４３】
具体的には、まず、シムリング８をホルダ６の鍔部６２上に載せ、支持部７２を挿通孔８１に貫通させて上方に突出させる。その後、Ｃリング９を専用工具にて縮径させて貫通孔３００内に挿入し、縮径を解除して元の形状に戻し、保持溝３１０内に配置する。Ｃリング９は保持溝３１０内に位置し、内外径の関係から保持溝３１０から外れることはない。そして、拡開して元の形状に戻ったＣリング９により、シムリング８およびホルダ６が係止され、これらが貫通孔３００から抜け出るのを防止するとともに、シムリング８が係止されることで、支持ピン７が係止されてホルダ６、ひいては貫通孔３００から抜けるのを防止可能である。
【００４４】
以上により、フェイスプレート３の厚さが支持ピン７の高さに対して小さい場合でも、フェイスプレート３の上面とウェハＷとの隙間Ｃを適正に確保しつつ、ウェハＷを支持ピン７にて確実に支持できる。
【００４５】
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
例えば、前記実施形態では、ホルダ６の下側がフェイスプレート３から下方に突出しているが、ピン部７２１がフェイスプレート３よりも上方に所定量だけ突出し、ウェハＷをフェイスプレート３の上面から所定寸法の隙間Ｃを保った適正位置に載置できれば、ホルダ６の下側がフェイスプレート３から下方に突出していなくてもよい。
【００４６】
前記実施形態では、貫通孔３００内において、ホルダ６が載置される底部３Ａ、および該ホルダ６の鍔部６２の互いの接触面は共に水平であったが、これらの面を貫通孔３００の貫通方向に対して傾斜した円錐台形状のテーパ面としてもよく、こうすることでホルダ６の貫通孔３００内での位置ずれを防止することができる。
【００４７】
また、ホルダ６の保持部６１を形成する底面６０には、収納空間６１１に溜まった塵埃などを外方に排出できる排出孔が形成されていてもよい。
【００４８】
前記実施形態では、フェイスプレート３の厚さが支持ピン７の高さＨ７よりも薄くなっていたが、高さＨ７と同じかまたは高さＨ７よりも厚くて（Ｈ０＞Ｈ７）もよく、要するに本発明では、フェイスプレートの貫通孔にホルダが設けられ、ホルダ内に支持ピン７やギャップボール等の支持部材が配置されていればよい。
【００４９】
その他、本発明に係る貫通孔の断面形状等も前記実施形態に限定されず、ホルダが取り付けられる構造を有していれば任意である。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
本発明は、半導体ウェハの加熱に利用できる。
【符号の説明】
【００５１】
１…加熱装置、２…ベースプレート、３…フェイスプレート、６…ホルダ、７…支持部材である支持ピン、８…シムリング、９…抜け止め部材であるＣリング、３１…基板であるアルミ基板、３２…加熱手段であるフィルムヒータ、３４…アルマイト層、８１…挿通孔、３００…貫通孔、３０１…上側孔部、３０２…下側孔部、３１０…保持溝、Ｗ…ウェハ。
【図１】
0005947054.tif 000002
【図２】
0005947054.tif 000003
【図３】
0005947054.tif 000004
【図４】
0005947054.tif 000005