(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のドーパントがドーピングされた第１の半導体層、第２のドーパントがドーピングされた第２の半導体層、及び前記第１及び第２の半導体層間に介在する第１の活性層を有する第１の領域と、
前記第１の領域上に配置され、前記第１のドーパントがドーピングされ、露出領域を含む第３の半導体層、前記露出領域を除いた前記第３の半導体層上に配置され、前記第２のドーパントがドーピングされた第４の半導体層及び前記第３及び第４の半導体層間に介在する第２の活性層を有する第２の領域と
を備え、
前記第４の半導体層から前記第１の半導体層まで互いに離隔した第１及び第２のトレンチが形成された発光構造物と、
前記第１及び第２のトレンチ内に露出した前記第１の半導体層上に配置された第１及び第２の電極パッドを有する第１の電極と、
前記第３の半導体層の前記露出領域及び前記露出領域に形成されたホール内に挿入されて前記第２の半導体層上に配置され、前記第２及び第３の半導体層と電気的に連結される第２の電極と、
前記第４の半導体層上に配置され、前記第１及び第２の電極パッドと接触した第３の電極パッド、前記第１の電極パッドと接触した第４の電極パッド及び前記第２の電極パッドと接触した第５の電極パッドを有する第３の電極と
を備える発光素子。
【請求項２】
前記第１〜第５の電極パッド間に配置され、前記第１及び第３の電極を電気的に連結する導電性連結部材を備える、請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記導電性連結部材は、前記第１及び第２のトレンチの内側面から離隔した、請求項２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記第１及び第２のトレンチの内側面に配置された絶縁部材を備え、
前記導電性連結部材は、前記絶縁部材の側面に配置されている、請求項２に記載の発光素子。
【請求項５】
前記第３の電極パッドのサイズは、前記第４及び第５の電極パッドのうち少なくとも一つのサイズより大きい、請求項１に記載の発光素子。
【請求項６】
前記第３の電極パッドは、前記第４及び第５の電極パッドのうちいずれか一つと同一線上に配置されたり、又は前記第４及び第５の電極パッドのうち少なくとも一つと異なる線上に配置されている、請求項１に記載の発光素子。
【請求項７】
前記第２の電極は、
第６の電極パッドと、
前記第６の電極パッドから延長されたフィンガー電極とを備える、請求項１に記載の発光素子。
【請求項８】
前記フィンガー電極は、
前記第３の電極パッドに隣接して配置されている、請求項７に記載の発光素子。
【請求項９】
前記フィンガー電極は、
前記第６の電極パッドから延長された第１及び第２のフィンガー電極を有し、
前記第１及び第２のフィンガー電極は、互いに交差する方向に延長されたり、又は互いに平行な方向に延長されている、請求項７に記載の発光素子。
【請求項１０】
前記第２の電極は、Ｌ字状であり、
前記第１及び第３の電極パッド間の距離は、前記第４の電極パッドと前記第１のフィンガー電極との間の距離又は前記第５の電極パッドと前記第２のフィンガー電極との間の距離より遠い、請求項９に記載の発光素子。
【請求項１１】
第１のドーパントがドーピングされた第１の半導体層、第２のドーパントがドーピングされた第２の半導体層、及び前記第１及び第２の半導体層間に介在する第１の活性層を有する第１の領域と、
前記第１の領域上に配置され、前記第１のドーパントがドーピングされ、露出領域を含む第３の半導体層、前記露出領域を除いた前記第３の半導体層上に配置され、前記第２のドーパントがドーピングされた第４の半導体層、及び前記第３及び第４の半導体層との間に介在する第２の活性層を有する第２の領域と
を備え、
前記第４の半導体層から前記第１の半導体層まで互いに離隔した第１及び第２のトレンチが形成された発光構造物と、前記第１及び第２のトレンチ内に露出した前記第１の半導体層上に配置された第１及び第２の電極パッドを有する第１の電極と、前記第３の半導体層の前記露出領域及び前記露出領域に形成されたホール内に挿入されて前記第２の半導体層上に配置され、前記第２及び第３の半導体層と電気的に連結された第２の電極と、前記第４の半導体層上に配置され、前記第１及び第２の電極パッドと接触した第３の電極パッド、前記第１の電極パッドと接触した第４の電極パッド、及び前記第２の電極パッドと接触した第５の電極パッドを有する第２の電極とを備える発光素子と、
前記発光素子と電気的に連結された第１及び第２のリードフレームを有する本体と
を備える発光素子パッケージ。
【請求項１２】
前記本体には、前記第１及び第２のリードフレーム上に前記発光素子が配置されるキャビティが形成されている、請求項１１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１３】
前記キャビティに充填された樹脂物を含む、請求項１２に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１４】
前記樹脂物は、透光性シリコン、蛍光体、光拡散材及び光分散材のうち少なくとも一つを含む、請求項１３に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１５】
前記本体上に配置された光学シートを有する、請求項１１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１６】
第１のドーパントがドーピングされた第１の半導体層、第２のドーパントがドーピングされた第２の半導体層、及び前記第１及び第２の半導体層間に介在する第１の活性層を有する第１の領域と、
前記第１の領域上に配置され、前記第１のドーパントがドーピングされ、露出領域を含む第３の半導体層、前記露出領域を除いた前記第３の半導体層上に配置され、前記第２のドーパントがドーピングされた第４の半導体層、及び前記第３及び第４の半導体層間に介在する第２の活性層を有する第２の領域と
を備え、
前記第４の半導体層から前記第１の半導体層まで互いに離隔した第１及び第２のトレンチが形成された発光構造物；前記第１及び第２のトレンチ内に露出した前記第１の半導体層上に配置された第１及び第２の電極パッドを有する第１の電極と、前記第３の半導体層の前記露出領域及び前記露出領域に形成されたホール内にされて前記第２の半導体層上に配置され、前記第２及び第３の半導体層と電気的に連結された第２の電極と、前記第４の半導体層上に配置され、前記第１及び第２の電極パッドと接触した第３の電極パッド、前記第１の電極パッドと接触した第４の電極パッド、及び前記第２の電極パッドと接触した第５の電極パッドを有する第３の電極とを備える発光素子、及び前記発光素子と電気的に
連結された第１及び第２のリードフレームを有する本体を備える発光素子パッケージと、
前記発光素子パッケージが配置された基板と
を備える照明システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施例は、発光素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
発光素子の代表的な例として、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ；発光ダイオード）は、化合物半導体の特性を用いて電気信号を赤外線、可視光線又は光の形態に変換させる素子であって、家庭用家電製品、リモートコントローラー、電光板、表示器、各種自動化機器などに使用されており、ＬＥＤの使用領域は漸次広くなりつつある。
【０００３】
通常、小型化されたＬＥＤは、ＰＣＢ（Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ  Ｂｏａｒｄ）基板に直接装着するために表面実装素子型に製作されており、これによって、表示素子として使用されているＬＥＤランプも表面実装素子型に開発されている。このような表面実装素子は、既存の単純な点灯ランプに取って代わるものであって、これは、多様なカラーを出す点灯表示器、文字表示器及び映像表示器などに使用される。
【０００４】
一方、ＬＥＤは、一般的なダイオードの整流特性を有するので、交流（ＡＣ）電源に連結される場合、電流の方向に沿ってオン／オフを繰り返すようになり、連続的に光を創出することができなく、逆方向電流によって破損するおそれがある。
【０００５】
したがって、最近になって、ＬＥＤを交流電源に直接連結して使用するための多様な研究が進行されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の実施例の目的は、交流電源で順方向電圧及び逆方向電圧の両者に対して駆動することができ、多様な電極配置を有することによって、電流拡がり及び発光効率が極大化された発光素子を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一実施例に係る発光素子は、第１のドーパントがドーピングされた第１の半導体層、第２のドーパントがドーピングされた第２の半導体層、及び第１及び第２の半導体層間に介在する第１の活性層を有する第１の領域と、前記第１の領域上に配置され、前記第１のドーパントがドーピングされ、露出領域を含む第３の半導体層、前記露出領域を除いた前記第３の半導体層上に配置され、前記第２のドーパントがドーピングされた第４の半導体層、及び前記第３及び第４の半導体層間に介在する第２の活性層を有する第２の領域とを備え、前記第４の半導体層から前記第１の半導体層まで互いに離隔した第１及び第２のトレンチが形成された発光構造物と、前記第１及び第２のトレンチ内に露出した前記第１の半導体層上に配置された第１及び第２の電極パッドを有する第１の電極と、前記第３の半導体層の前記露出領域及び前記露出領域に形成されたホール内に挿入されて前記第２の半導体層上に配置され、前記第２及び第３の半導体層と電気的に連結された第２の電極と、前記第４の半導体層上に配置され、前記第１及び第２の電極パッドと接触した第３の電極パッド、前記第１の電極パッドと接触した第４の電極パッド、及び前記第２の電極パッドと接触した第５の電極パッドを有する第３の電極とを備えることができる。
【０００８】
本発明の一実施例に係る発光素子パッケージは、第１のドーパントがドーピングされた第１の半導体層、第２のドーパントがドーピングされた第２の半導体層、及び前記第１及び第２の半導体層間に介在する第１の活性層を有する第１の領域と、前記第１の領域上に配置され、前記第１のドーパントがドーピングされ、露出領域を含む第３の半導体層、前記露出領域を除いた前記第３の半導体層上に配置され、前記第２のドーパントがドーピングされた第４の半導体層、及び前記第３及び第４の半導体層間に介在する第２の活性層を有する第２の領域とを備え、前記第４の半導体層から前記第１の半導体層まで互いに離隔した第１及び第２のトレンチが形成された発光構造物と、前記第１及び第２のトレンチ内に露出した前記第１の半導体層上に配置された第１及び第２の電極パッドを有する第１の電極と、前記第３の半導体層の前記露出領域及び前記露出領域に形成されたホール内に挿入されて前記第２の半導体層上に配置され、前記第２及び第３の半導体層と電気的に連結された第２の電極と、前記第４の半導体層上に配置され、前記第１及び第２の電極パッドと接触した第３の電極パッド、前記第１の電極パッドと接触した第４の電極パッド、及び前記第２の電極パッドと接触した第５の電極パッドを有する第３の電極とを発光素子と、前記発光素子と電気的に連結された第１及び第２のリードフレームを有する本体とを備えることができる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の一実施例に係る発光素子は、交流電源で順方向電圧及び逆方向電圧に対して全て駆動することができる。したがって、別途の整流回路なしに発光素子の電源として交流電源を使用することができる。したがって、交流電源で整流回路、又はＥＳＤ素子などの別途の素子及び装置を省略することができる。
【００１０】
また、本発明の一実施例に係る発光素子は、交流電源で順方向電圧駆動及び逆方向電圧駆動を１チップで行うことができる。したがって、単位面積当たりの発光効率を改善させることができる。
【００１１】
また、本発明の一実施例に係る発光素子は、交流電源で順方向電圧駆動発光構造物、及び逆方向電圧駆動発光構造物が１チップに含まれ、一つの工程で成長可能であるので、発光素子製造工程が単純化され、発光素子の経済性を改善させることができる。
【００１２】
また、本発明の一実施例に係る発光素子は、多様な電極配置を有することによって、電流拡がり及び発光効率を極大化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一実施例に係る発光素子の斜視図である。
【図２】本発明の一実施例に係る発光素子の平面図である。
【図３】本発明の一実施例に係る発光素子の斜視図である。
【図４】本発明の一実施例に係る発光素子の平面図である。
【図５】本発明の一実施例に係る発光素子の断面図である。
【図６】本発明の一実施例に係る発光素子の断面図である。
【図７】本発明の一実施例に係る発光素子の断面図である。
【図８】本発明の一実施例に係る発光素子の回路図である。
【図９】本発明の一実施例に係る発光素子の順方向電圧印加時の駆動図である。
【図１０】本発明の一実施例に係る発光素子の逆方向電圧印加時の駆動図である。
【図１１】本発明の一実施例に係る発光素子の斜視図である。
【図１２】本発明の一実施例に係る発光素子の断面図である。
【図１３】本発明の一実施例に係る発光素子の断面図である。
【図１４】本発明の一実施例に係る発光素子の平面図である。
【図１５】本発明の一実施例に係る発光素子の平面図である。
【図１６】本発明の一実施例に係る発光素子の斜視図である。
【図１７】本発明の一実施例に係る発光素子の平面図である。
【図１８】本発明の一実施例に係る発光素子の平面図である。
【図１９】本発明の一実施例に係る発光素子の平面図である。
【図２０】本発明の一実施例に係る発光素子を備える照明システムの回路図である。
【図２１】本発明の一実施例に係る発光素子を備える照明システムの回路図である。
【図２２】本発明の一実施例に係る発光素子を備える発光素子パッケージの斜視図である。
【図２３】本発明の一実施例に係る発光素子を備える発光素子パッケージの断面図である。
【図２４】本発明の一実施例に係る発光素子を備える発光素子パッケージの断面図である。
【図２５】本発明の一実施例に係る発光素子を備える照明システムを示した斜視図である。
【図２６】本発明の一図２５の照明システムのＣ―Ｃ’線断面図である。
【図２７】本発明の一実施例に係る発光素子を備える液晶表示装置の分解斜視図である。
【図２８】本発明の一実施例に係る発光素子を備える液晶表示装置の分解斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明の利点、特徴及びそれらを達成する方法は、添付の図面と共に詳細に後述している各実施例を参照すれば明確になるだろう。しかし、本発明は、以下で開示する各実施例に限定されるものではなく、互いに異なる多様な形態で具現することができる。ただし、本実施例は、本発明の開示を完全にし、本発明の属する技術分野で通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されるものであって、本発明は、請求項の範疇によって定義されるものに過ぎない。したがって、いくつかの実施例で、よく知られた工程段階、よく知られた素子構造及びよく知られた各技術は、本発明が曖昧に解釈されることを避けるために具体的に説明しない。明細書全体にわたって同一の参照符号は同一の構成要素を称する。
【００１５】
空間的に相対的な用語である「下（ｂｅｌｏｗ）」、「下（ｂｅｎｅａｔｈ）」、「下部（ｌｏｗｅｒ）」、「上（ａｂｏｖｅ）」、「上部（ｕｐｐｅｒ）」などは、図面に示したように、一つの素子又は構成要素と他の素子又は構成要素との相関関係を容易に記述するために使用することができる。空間的に相対的な用語は、図面に示している方向に加えて、使用時又は動作時における素子の互いに異なる方向を含む用語と理解しなければならない。例えば、図面に示している素子を裏返す場合、他の素子の「下（ｂｅｌｏｗ）」又は「下（ｂｅｎｅａｔｈ）」と記述された素子は、他の素子の「上（ａｂｏｖｅ）」に置かれることもある。したがって、例示的な用語である「下」は、下と上の両方向を含むことができる。素子は、他の方向にも配向可能であり、これによって、空間的に相対的な各用語は配向によって解釈することができる。
【００１６】
本明細書で使用された用語は、各実施例を説明するためのものであって、本発明を制限するためのものではない。本明細書において、単数型は、文句で特別に言及しない限り複数型も含む。明細書で使用される「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅｓ）」及び／又は「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」において、言及された構成要素、段階、動作及び／又は素子は、一つ以上の他の構成要素、段階、動作及び／又は素子の存在又は追加を排除しない。
【００１７】
他の定義がない場合、本明細書で使用される全ての用語（技術及び科学的用語を含む）は、本発明の属する技術分野で通常の知識を有する者に共通的に理解され得る意味として使用可能であろう。また、一般的に使用される事前に定義されている各用語は、明らかに特別に定義されていない限り、理想的に又は過度に解釈しない。
【００１８】
図面において、各層の厚さや大きさは、説明の便宜及び明確性のために誇張したり、省略したり、又は概略的に図示した。また、各構成要素の大きさと面積は、実際の大きさや面積を全的に反映するものではない。
【００１９】
また、本発明の実施例で発光素子の構造を説明する過程で言及する角度と方向は、図面に記載したものを基準とする。明細書の発光素子をなす構造についての説明において、角度に対する基準点と位置関係を明確に言及していない場合、関連した図面を参照すればよい。
【００２０】
図１は、本発明の実施例に係る発光素子１００の斜視図で、図２は、図１による発光素子１００の平面図で、図３は、本発明の実施例に係る発光素子１００の斜視図で、図４は、図３による発光素子１００の平面図で、図５〜図７は、本発明の実施例に係る発光素子１００の断面図である。
【００２１】
図１及び図２を参照すると、発光素子１００は、支持部材１１０と、支持部材１１０上に配置され、第１のドーパントがドーピングされた第１の半導体層１２２、第２のドーパントがドーピングされた第２の半導体層１２６、及び第１及び第２の半導体層１２２、１２６間に介在する第１の活性層１２４を有する第１の領域１２０と、第１の領域１２０上に配置され、前記第１のドーパントがドーピングされ、露出領域（図示せず）を含む第３の半導体層１３２、前記露出領域を除いた第３の半導体層１３２上に配置され、前記第２のドーパントがドーピングされた第４の半導体層１３６、及び第３及び第４の半導体層１３２、１３６間に介在する第２の活性層１３４を有する第２の領域１３０とを備える発光構造物（図示せず）；第１の半導体層１２２と電気的に連結された第１の電極１４０；前記露出領域に形成されたホール（図示せず）内に挿入されて第３の半導体層１３２上に配置され、第２及び第３の半導体層１２６、１３２と電気的に連結する第２の電極１５０；及び第４の半導体層１３６上に配置された第３の電極１６０；を備えることができる。
【００２２】
支持部材１１０は、光透過的性質を有する材質、例えば、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）、ＧａＮ、ＺｎＯ、ＡｌＯのうちいずれか一つを含んで形成できるが、これに限定されることはない。また、支持部材１１０は、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）に比べて熱伝導性の大きいＳｉＣ基板であり得る。
【００２３】
一方、支持部材１１０上には、支持部材１１０と第１の領域１２０との間の格子不整合を緩和し、半導体層を容易に成長させるためのバッファー層１１２を位置させることができる。バッファー層１１２は、低温雰囲気で形成することができ、半導体層と支持部材１１０との格子定数の差を緩和できる物質、例えば、ＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＡｌＩｎＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、及びＩｎＡｌＧａＮなどの材質から選択された物資からなり得るが、これに限定されることはない。バッファー層１１２は、支持部材１１０上に単結晶に成長させることができ、単結晶に成長したバッファー層１１２は、バッファー層１１２上に成長する第１の領域１２０の結晶性を向上させることができる。
【００２４】
バッファー層１１２上には、第１の半導体層１２２、第１の活性層１２４、及び第２の半導体層１２６を有する第１の領域１２０を形成することができる。
【００２５】
バッファー層１１２上には第１の半導体層１２２を位置させることができる。第１の半導体層１２２は、第１の導電型でドーピングすることができる。このとき、第１の導電型はｎ型であり得る。例えば、第１の半導体層１２２はｎ型半導体層に具現することができ、第１の活性層１２４に電子を提供することができる。第１の半導体層１２２は、窒化物系半導体層であり得る。例えば、第１の半導体層１２２は、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体材料、例えば、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮなどを含むことができる。一方、第１の半導体層１２２は、酸化亜鉛系半導体層であり得る。例えば、第１の半導体層１２２は、ＩｎｘＡｌｙＺｎ１−ｘ−ｙＯ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体材料、例えば、ＺｎＯ、ＡｌＯ、ＡｌＺｎＯ、ＩｎＺｎＯ、ＩｎＯ、ＩｎＡｌＺｎＯ、ＡｌＩｎＯなどを含むことができるが、これに限定されることはない。また、第１の半導体層１２２にはＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎなどのｎ型ドーパントをドーピングすることができる。
【００２６】
また、第１の半導体層１２２の下側には非ドープの半導体層（図示せず）をさらに含むことができるが、これに限定されることはない。非ドープの半導体層（図示せず）は、第１の半導体層１２２の結晶性向上のために形成される層であって、これにはｎ型ドーパントがドーピングされないので、第１の半導体層１２２に比べて低い電気伝導性を有することを除いては、第１の半導体層１２２と同一であり得る。
【００２７】
前記第１の半導体層１２２上には第１の活性層１２４を形成することができる。第１の活性層１２４は、３族―５族元素の化合物半導体材料を用いて単一又は多重量子井戸構造、量子線（Ｑｕａｎｔｕｍ―Ｗｉｒｅ）構造、又は量子点（Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｄｏｔ）構造などで形成することができる。
【００２８】
第１の活性層１２４が量子井戸構造で形成された場合、第１の活性層１２４は多重量子井戸構造を有することができる。また、第１の活性層１２４は、窒化物系、又は酸化亜鉛系半導体層であり得る。例えば、第１の活性層１２４は、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する井戸層と、ＩｎａＡｌｂＧａ１−ａ−ｂＮ（０≦ａ≦１、０≦ｂ≦１、０≦ａ＋ｂ≦１）の組成式を有する障壁層とを含む単一又は多重量子井戸構造を有することができる。一方、井戸層は、ＩｎｘＡｌｙＺｎ１−ｘ−ｙＯ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有し、障壁層は、ＩｎａＡｌｂＺｎ１−ａ−ｂＯ（０≦ａ≦１、０≦ｂ≦１、０≦ａ＋ｂ≦１）の組成式を有するように形成できるが、これに限定されることはない。一方、井戸層は、障壁層のバンドギャップより小さいバンドギャップを有する物質で形成することができる。
【００２９】
また、第１の活性層１２４が多重量子井戸構造を有する場合、それぞれの井戸層（図示せず）、障壁層（図示せず）は互いに異なる組成、互いに異なる厚さ及び互いに異なるバンドギャップを有することができ、これについては後で説明する。
【００３０】
第１の活性層１２４の上側又は／及び下側には導電性クラッド層（図示せず）を形成することができる。導電性クラッド層（図示せず）は、例えば、ＡｌＧａＮ系又はＡｌＺｎＯ系半導体で形成することができ、前記第１の活性層１２４のバンドギャップより大きいバンドギャップを有することができる。
【００３１】
第２の半導体層１２６は、第２の導電型でドーピングすることができる。このとき、第２の導電型はｐ型であり得る。例えば、第２の半導体層１２６は、第１の活性層１２４に正孔を注入するようにｐ型半導体層に具現することができる。第２の半導体層１２６は、窒化物系半導体層であり得る。例えば、第２の半導体層１２６は、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体材料、例えば、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮなどを含むことができる。一方、第２の半導体層１２６は、酸化亜鉛系半導体層であり得る。例えば、第２の半導体層１２６は、ＩｎｘＡｌｙＺｎ１−ｘ−ｙＯ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体材料、例えば、ＺｎＯ、ＡｌＯ、ＡｌＺｎＯ、ＩｎＺｎＯ、ＩｎＯ、ＩｎＡｌＺｎＯ、ＡｌＩｎＯなどを含むことができるが、これに限定されることはない。一方、第２の半導体層１２６にはＭｇ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａなどのｐ型ドーパントをドーピングすることができる。
【００３２】
上述した第１の半導体層１２２、第１の活性層１２４及び第２の半導体層１２６は、例えば、有機金属化学蒸着法（ＭＯＣＶＤ；Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、化学蒸着法（ＣＶＤ；Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、プラズマ化学蒸着法（ＰＥＣＶＤ；Ｐｌａｓｍａ―Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、分子線成長法（ＭＢＥ；Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ）、水素化物気相成長法（ＨＶＰＥ；Ｈｙｄｒｉｄｅ  Ｖａｐｏｒ  Ｐｈａｓｅ  Ｅｐｉｔａｘｙ）、スパッタリングなどの方法を用いて形成できるが、これに限定されることはない。
【００３３】
また、第１の半導体層１２２及び第２の半導体層１２６内の導電型ドーパントのドーピング濃度は、均一又は不均一にすることができる。すなわち、複数の半導体層は、多様なドーピング濃度分布を有するように形成できるが、これに限定されることはない。
【００３４】
また、第１の半導体層１２２をｐ型半導体層に具現し、第２の半導体層１２６をｎ型半導体層に具現することができ、第２の半導体層１２６上にはｎ型又はｐ型半導体層を含む半導体層（図示せず）を形成することもできる。これによって、第１の領域１２０は、ｎｐ、ｐｎ、ｎｐｎ、ｐｎｐ接合構造のうち少なくともいずれか一つを有することができる。
【００３５】
第１の領域１２０上には第２の領域１３０を形成することができる。
【００３６】
第２の領域１３０は、第３の半導体層１３２、第２の活性層１３４、及び第４の半導体層１３６を含むことができる。
【００３７】
第２の半導体層１２６上には第３の半導体層１３２を位置させることができる。第３の半導体層１３２は、第１の半導体層１２２と同じ第１の導電型でドーピングすることができる。例えば、第１の半導体層１２２が第１の導電型でドーピングされた場合、第３の半導体層１３２も第１の導電型でドーピングすることができる。このとき、第１の導電型はｎ型であり得る。例えば、第３の半導体層１３２は、ｎ型半導体層に具現することができ、第２の活性層１３４に電子を提供することができる。
【００３８】
第３の半導体層１３２は、窒化物系半導体層であり得る。例えば、第３の半導体層１３２は、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体材料、例えば、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮなどを含むことができる。一方、第３の半導体層１３２は、酸化亜鉛系半導体層であり得る。例えば、第３の半導体層１３２は、ＩｎｘＡｌｙＺｎ１−ｘ−ｙＯ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体材料、例えば、ＺｎＯ、ＡｌＯ、ＡｌＺｎＯ、ＩｎＺｎＯ、ＩｎＯ、ＩｎＡｌＺｎＯ、ＡｌＩｎＯなどを含むこともできるが、これに限定されることはない。また、第３の半導体層１３２にはＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎなどのｎ型ドーパントをドーピングすることができる。
【００３９】
第３の半導体層１３２上には第２の活性層１３４を形成することができる。第２の活性層１３４は、３族―５族元素の化合物半導体材料を用いて単一又は多重量子井戸構造、量子線（Ｑｕａｎｔｕｍ―Ｗｉｒｅ）構造、又は量子点（Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｄｏｔ）構造などで形成することができる。
【００４０】
第２の活性層１３４は量子井戸構造で形成することができる。また、第２の活性層１３４は、窒化物系又は酸化亜鉛系半導体層であり得る。例えば、第２の活性層１３４は、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する井戸層と、ＩｎａＡｌｂＧａ１−ａ−ｂＮ（０≦ａ≦１、０≦ｂ≦１、０≦ａ＋ｂ≦１）の組成式を有する障壁層とを含む単一又は多重量子井戸構造を有することができる。一方、井戸層は、ＩｎｘＡｌｙＺｎ１−ｘ−ｙＯ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有し、障壁層は、ＩｎａＡｌｂＺｎ１−ａ−ｂＯ（０≦ａ≦１、０≦ｂ≦１、０≦ａ＋ｂ≦１）の組成式を有するように形成できるが、これに限定されることはない。一方、井戸層は、障壁層のバンドギャップより小さいバンドギャップを有する物質で形成することができる。
【００４１】
また、第２の活性層１３４が多重量子井戸構造を有する場合、それぞれの井戸層（図示せず）は互いに異なる組成及び互いに異なるバンドギャップを有することができ、これについては後で説明する。
【００４２】
第２の活性層１３４の上側又は／及び下側には導電性クラッド層（図示せず）を形成することができる。導電性クラッド層（図示せず）は、例えば、ＡｌＧａＮ系又はＡｌＺｎＯ系半導体で形成することができ、前記第２の活性層１３４のバンドギャップより大きいバンドギャップを有することができる。
【００４３】
第４の半導体層１３６は、第２の半導体層１２６と同じ第２の導電型でドーピングすることができる。このとき、第２の半導体層１２６が第２の導電型である場合、第４の半導体層１３６も第２の導電型でドーピングすることができる。このとき、第２の導電型はｐ型であり得る。例えば、第４の半導体層１３６は、第２の活性層１３４に正孔を注入するようにｐ型半導体層に具現することができる。
【００４４】
第４の半導体層１３６は、窒化物系半導体層であり得る。例えば、第４の半導体層１３６は、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体材料、例えば、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮなどを含むことができる。一方、第４の半導体層１３６は、酸化亜鉛系半導体層であり得る。例えば、第４の半導体層１３６は、ＩｎｘＡｌｙＺｎ１−ｘ−ｙＯ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体材料、例えば、ＺｎＯ、ＡｌＯ、ＡｌＺｎＯ、ＩｎＺｎＯ、ＩｎＯ、ＩｎＡｌＺｎＯ、ＡｌＩｎＯなどを含むことができるが、これに限定されることはない。一方、第４の半導体層１３６にはＭｇ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａなどのｐ型ドーパントをドーピングすることができる。
【００４５】
上述した第３の半導体層１３２、第２の活性層１３４及び第４の半導体層１３６は、例えば、有機金属化学蒸着法（ＭＯＣＶＤ；Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、化学蒸着法（ＣＶＤ；Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、プラズマ化学蒸着法（ＰＥＣＶＤ；Ｐｌａｓｍａ―Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、分子線成長法（ＭＢＥ；Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ）、水素化物気相成長法（ＨＶＰＥ；Ｈｙｄｒｉｄｅ  Ｖａｐｏｒ  Ｐｈａｓｅ  Ｅｐｉｔａｘｙ）、スパッタリングなどの方法を用いて形成できるが、これに限定されることはない。
【００４６】
また、第３の半導体層１３２及び第４の半導体層１３６内の導電型ドーパントのドーピング濃度は、均一又は不均一にすることができる。すなわち、複数の半導体層は、多様なドーピング濃度分布を有するように形成できるが、これに限定されることはない。
【００４７】
また、第３の半導体層１３２をｐ型半導体層に具現し、第４の半導体層１３６をｎ型半導体層に具現することができ、第４の半導体層１３６上にはｎ型又はｐ型半導体層を含む半導体層（図示せず）を形成することもできる。これによって、第２の領域１３０は、ｎｐ、ｐｎ、ｎｐｎ、ｐｎｐ接合構造のうち少なくともいずれか一つを有することができる。
【００４８】
第１の領域１２０と第２の領域１３０は一体に形成することができ、例えば、一つの成長工程で順次成長できるが、これに限定されることはない。また、第１の領域１２０と第２の領域１３０は同じ材質で形成できるが、これに限定されることはない。また、上述したように、第１及び第２の領域１２０、１３０は、それぞれｎｐ、ｐｎ、ｎｐｎ、ｐｎｐ接合構造のうち少なくともいずれか一つを有することができる。したがって、発光素子１００は、ｎｐｎｐ、ｎｐｐｎ、ｎｐｎｐｎ、ｎｐｐｎｐ、ｐｎｎｐ、ｐｎｐｎ、ｐｎｎｐｎ、ｐｎｐｎｐ、ｎｐｎｎｐ、ｎｐｎｐｎ、ｎｐｎｎｐｎ、ｎｐｎｐｎｐ、ｐｎｐｎｐ、ｐｎｐｐｎ、ｐｎｐｎｐｎ、ｐｎｐｐｎｐ接合構造のうち少なくともいずれか一つを有することができるが、これに限定されることはない。
【００４９】
一方、第１の領域１２０と第２の領域１３０で生成される光は、互いに異なる波長であり、生成される光量も互いに異なり得る。例えば、第１の領域１２０で生成される光量は、第２の領域１３０を通過するときの損失を考慮して、第２の領域１３０で生成される光量より大きくなり得る。
【００５０】
また、第１の領域１２０と第２の領域１３０は、互いに異なる構造、材質、厚さ、組成及び大きさを有することができるが、これに限定されることはない。
【００５１】
また、図面には、発光素子１００が第１の領域１２０、及び第１の領域１２０上に形成された第２の領域１３０を含む場合を示したが、これに限定されることはなく、発光素子１００は、少なくとも２個以上の領域（図示せず）を含むことができる。
【００５２】
第１の半導体層１２２上の少なくとも一面には第１の電極１４０を形成することができる。例えば、第１の領域１２０の一部が除去されて露出した第１の半導体層１２２の前記露出領域上に第１の電極１４０を形成することができる。すなわち、図１〜図７に示したように、第１の半導体層１２２は、第１の活性層１２４に向かう上面と、支持部材１１０に向かう下面とを含み、上面は、少なくとも一領域が露出した領域を含み、第１の電極１４０は上面の露出した領域上に配置することができる。
【００５３】
一方、図１〜図７に示したように、第１及び第２の領域１２０、１３０は、第１の半導体層１２２の一部が露出するように少なくとも一領域が除去された第１及び第２のトレンチ（図示せず）を含むことができる。前記第１及び第２のトレンチ１８０を通して第１の半導体層１２２の一部が露出し、前記露出領域に第１の電極１４０を配置することができる。このとき、第１及び第２のトレンチ（図示せず）は、図１〜図７に示したように、発光素子１００の一側領域に形成できるが、これに限定されることはなく、コーナー領域、中心領域、又は任意の領域に形成することができ、その数も限定されない。
【００５４】
第２の半導体層１２６と第３の半導体層１３２の少なくとも一つの領域上に第２の電極１５０を形成することができる。例えば、第２の領域１３０の少なくとも一つの領域が除去され、第３の半導体層１３２の一領域を露出させることができ、前記露出領域に第２の電極１５０を形成することができる。すなわち、図１〜図７に示したように、第３の半導体層１３２は、第４の半導体層１３６に向かう上面と、基板１１０に向かう下面とを含み、上面は少なくとも一領域が露出した領域を含み、第２の電極１５０は、上面の露出した領域上に配置することができる。一方、第３の半導体層１３２の一領域を貫通するホールが形成され、第２の半導体層１２６の一部を露出させることができる。第２の電極１５０は、前記ホールを介して第３の半導体層１３２を貫通し、第２の半導体層１２６と連結することができる。
【００５５】
一方、図１〜図７に示したように、第２の領域１３０は、第３の半導体層１３２の一部が露出するように少なくとも一領域が除去された溝（図示せず）を含むことができる。このとき、溝は、図１〜図７に示したように、発光素子１００の一側領域に形成できるが、これに限定されることはなく、コーナー領域、中心領域、又は任意の領域に形成することができ、その数も限定されない。
【００５６】
一方、第４の半導体層１３６上には第３の電極１６０を形成することができる。第３の電極１６０は、第４の半導体層１３６上の少なくとも一領域に形成することができ、第４の半導体層１３６の中心、又はコーナー領域に形成できるが、これに限定されることはない。
【００５７】
一方、第１の半導体層１２２、第２の半導体層１２６、第３の半導体層１３２の一部を露出させる方法としては所定のエッチング方法を使用できるが、これに限定されることはない。また、エッチング方法としては、湿式エッチング、乾式エッチング方法を使用することができる。
【００５８】
例えば、エッチング方法はメサエッチング方法であり得る。すなわち、第１の半導体層１２２の一領域が露出するように第１の領域１２０の一領域に対して第１のメサエッチングを行い、第３の半導体層１３２の一領域が露出するように第２の領域１３０の一領域に対して第２のメサエッチングを行うことができる。
【００５９】
第１の半導体層１２２上に第１の電極１４０を形成し、第２及び第３の半導体層１２６、１３２上に第２の電極１５０を形成し、第４の半導体層１３６上に第３の電極１６０を形成することによって、第１〜第３の電極１４０、１５０、１６０を同じ方向に形成することができる。
【００６０】
第１の電極１４０と第３の電極１６０は互いに連結することができ、例えば、図６及び図７に示したように、第１の電極１４０と第３の電極１６０は、所定の導電性連結部材１７０を介して連結することができる。導電性連結部材１７０は、例えば、図６に示したようにワイヤであるか、又は、図７に示したように所定の伝導性構造であり得るが、これに限定されることはない。導電性連結部材１７０は、例えば、ワイヤボンディング又はソルダリングを通して第１の電極１４０及び第３の電極１６０と連結したり、又は第１及び第３の電極１４０、１６０と導電性連結部材１７０を一つの部材として一体に形成できるが、これに限定されることはない。
【００６１】
一方、導電性連結部材１７０と第１及び第２の領域１２０、１３０との間の不必要な電気的ショートを防止するために、導電性連結部材１７０と第１及び第２の領域１２０、１３０との間に絶縁性を有する絶縁部材１８２を形成できるが、これに限定されることはない。
【００６２】
第１の電極１４０と第３の電極１６０とが連結されることによって、第１の電極１４０と第３の電極１６０を通して第１の半導体層１２２及び第４の半導体層１３６に同一の極性の電源を印加することができる。
【００６３】
また、第２の電極１５０は、第２の半導体層１２６及び第３の半導体層１３２上に形成され、第２の半導体層１２６と第３の半導体層１３２に同一の極性の電源を印加することができる。
【００６４】
一方、第１〜第３の電極１４０、１５０、１６０は任意に配置することができ、これについては後で説明する。
【００６５】
一方、第１〜第３の電極１４０、１５０、１６０は、伝導性物質、例えば、Ｉｎ、Ｃｏ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｗ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｕ、及びＷＴｉから選択された金属又はこれらの合金を含むことができ、前記金属物質とＩＺＯ、ＩＺＴＯ、ＩＡＺＯ、ＩＧＺＯ、ＩＧＴＯ、ＡＺＯ、ＡＴＯなどの透光性伝導性物質を含むことができるが、これに限定されることはない。
【００６６】
また、第１及び第２の電極１４０、１５０のうち少なくとも一つは単層又は多層構造を有することができるが、これに限定されることはない。
【００６７】
以下では、図８〜図１０を参照して実施例に係る発光素子１００の動作を説明する。以下では、第１及び第３の半導体層１２２、１３２はｎ型半導体層で、第２及び第４の半導体層１２６、１３６はｐ型半導体層であると仮定して説明する。
【００６８】
図８は、本発明の一実施例に係る発光素子１００の回路図である。
【００６９】
上述したように、第１の電極１４０は第１の半導体層１２２と連結し、第２の電極１５０は第２の半導体層１２６及び第３の半導体層１３２と連結し、第３の電極１６０は第４の半導体層１３６と連結し、第１の電極１４０と第３の電極１６０は互いに連結することができる。このとき、第１及び第３の半導体層１２２、１３２が第１の導電型でドーピングされ、第２及び第４の半導体層１２６、１３６が第２の導電型でドーピングされる場合、実施例に係る発光素子１００は、図８に示したように、２個の発光ダイオードが逆並列構造で連結された回路構造を有することができる。
【００７０】
図９は、順方向バイアスが印加された場合の本発明の一実施例に係る発光素子１００の駆動を示した図である。
【００７１】
図９に示したように、交流電源において、第２の電極１５０に正極性電圧（＋）を連結し、第１及び第３の電極１４０、１６０に負極性電圧（−）を連結することができる。これによって、発光素子１００に第１の通電方向の電源を印加することができる。
【００７２】
このとき、第１の領域１２０には、第２の半導体層１２６から活性層１２４を経て第１の半導体層１２２に流れる第１の電流パス（Ａ）が形成される。上述したように、第２の半導体層１２６はｐ型半導体層に、第１の半導体層１２２はｎ型半導体層に形成されるので、第１の領域１２０はターンオンされ、第１の活性層１２４で光を生成することができる。
【００７３】
一方、第２の領域１３０には、第３の半導体層１３２に正極性電圧（＋）が連結され、第４の半導体層１３６に負極性電圧（−）が連結され、逆方向バイアスが印加される。したがって、電流パスが形成されず、第２の領域１３０はターンオフされる。
【００７４】
図１０は、本発明の一実施例に係る発光素子１００に逆方向バイアスが印加された場合の発光素子１００の駆動を示した図である。
【００７５】
図１０に示したように、第２の電極１５０に負極性電圧（−）を供給し、第１及び第３の電極１４０、１６０に正極性電圧（＋）を供給することができる。これによって、発光素子１００に第２の通電方向の電源を印加することができる。一方、上述した第１の通電方向と第２の通電方向は反対になり得る。
【００７６】
このとき、第２の領域１３０には、第４の半導体層１３６から第２の活性層１３４を経て第３の半導体層１３２に流れる第２の電流パス（Ｂ）が形成される。上述したように、第４の半導体層１３６はｐ型半導体層に、第３の半導体層１３２はｎ型半導体層に形成されるので、第２の領域１３０はターンオンされ、第２の活性層１３４で光を生成することができる。
【００７７】
一方、第１の領域１２０には、第１の半導体層１２２に正極性電圧（＋）が連結され、第２の半導体層１２６に負極性電圧（−）が連結され、逆方向バイアスが印加される。したがって、電流パスが形成されず、第１の領域１２０はターンオフされる。
【００７８】
図９及び図１０に示したように、本発明の一実施例に係る発光素子１００は、交流電源で順方向バイアス及び逆方向バイアスで全て発光することができる。
【００７９】
したがって、交流電源を発光素子１００の電源として使用するとき、別途の整流回路、又は複数の発光素子が必要でないので、実施例に係る発光素子１００、及び実施例に係る発光素子１００を用いた装置の経済性を改善させることができる。
【００８０】
また、単一チップで形成された発光素子１００で順方向電圧バイアス及び逆方向電圧バイアスのいずれに対しても発光可能であるので、発光素子１００の単位面積当たりの発光効率を改善させることができる。
【００８１】
また、順方向電圧及び逆方向電圧のいずれに対しても電流パスが形成されるので、ＥＳＤによる発光素子１００の損傷を防止することができ、別途のＥＳＤ保護素子が必要でないこともある。また、実施例に係る発光素子１００を用いた発光素子パッケージ、又は照明装置に別途のＥＳＤ素子を備えないこともあるので、発光素子パッケージ、又は照明装置の体積が小さくなり、ＥＳＤ素子による光損失を防止することができる。
【００８２】
また、逆方向バイアス及び順方向バイアスに対して光を生成するそれぞれの領域１２０、１３０が一つの発光素子１００に含まれ、それぞれの領域１２０、１３０が一体に形成されるので、一つの工程で第１及び第２の領域１２０、１３０を成長させることができる。したがって、発光素子１００の製造工程の経済性を改善させることができる。
【００８３】
図１１は、本発明の一実施例に係る発光素子１００の斜視図で、図１２及び図１３は、図１１のＣ―Ｃ’線断面図で、図１４及び図１５は、本発明の一実施例に係る発光素子の平面図である。
【００８４】
図１１〜図１５を参照すると、本発明の一実施例に係る発光素子１００は、第１の半導体層１２２の少なくとも一領域が露出するように形成された第１及び第２のトレンチ１８０を含み、前記露出領域上に第１の電極１４０を配置し、第１の電極１４０と第３の電極１６０は導電性連結部材１７０を介して連結することができる。
【００８５】
第１及び第２の領域１２０、１３０の少なくとも一領域には、互いに離隔した第１及び第２のトレンチ１８０を形成することができる。第１及び第２のトレンチ１８０は、第１の半導体層１２２が露出するように第１及び第２の領域１２０、１３０の少なくとも一領域を除去して形成することができる。第１及び第２のトレンチ１８０は、第１及び第２の領域１２０、１３０の少なくとも一領域を穿孔したり、又は所定の方法を使用してエッチングすることによって形成できるが、これに限定されることはない。一方、第１及び第２のトレンチ１８０は、図１１及び図１４に示したように、発光素子１００の少なくとも一領域を穿孔して形成したり、又は、図１５に示したように、発光素子１００の外郭部の少なくとも一領域を除去して形成できるが、これに限定されることはなく、任意の位置に形成することができる。また、第１及び第２のトレンチ１８０も円状、多角形状などの任意の形状を有することができ、図１１〜図１５に示したように限定されることはない。また、第１及び第２のトレンチ１８０の個数も図１１〜図１５に示したように限定されず、任意の個数の第１及び第２のトレンチ１８０を形成することができる。
【００８６】
第１及び第２のトレンチ１８０を通して第１の半導体層１２２の少なくとも一領域を上方向に露出させることができ、前記領域上に第１の電極１４０を配置することができる。
【００８７】
第１の電極１４０は、第１及び第２のトレンチ１８０に配置される第１の電極パッド１４２及び第２の電極パッド１４４を含むことができる。第１及び第２の電極パッド１４２、１４４は、第１及び第２のトレンチ１８０内に配置され、第１の半導体層１２２上に形成されて第１の半導体層１２２に電源を供給することができる。
【００８８】
第３の電極１６０は、第４の半導体層１３６上に形成され、例えば、図１１〜図１５に示したように、第３〜第５の電極パッド１６２、１６４、１６６を含むことができる。それぞれの電極パッド１６２、１６４、１６６の形状は、図１１〜図１５に示したように限定されず、それぞれの電極パッド１６２、１６４、１６６も、図１１〜図１５に示したように、第４の半導体層１３６上の外郭領域又は任意の領域に形成できるが、これに限定されることはない。
【００８９】
第１〜第５の電極パッド１４２、１４４、１６２、１６４、１６６は、例えば、図１１〜図１５に示したように、第１の電極パッド１４２と第２の電極パッド１４４との間に第３の電極パッド１６２を配置し、第３の電極パッド１６２と第４の電極パッド１６４との間に第１の電極パッド１４２を配置し、第３の電極パッド１６２と第５の電極パッド１６６との間に第２の電極パッド１４４を配置できるが、これに限定されることはない。
【００９０】
第１の電極１４０と第３の電極１６０は導電性連結部材１７０によって連結することができる。このとき、導電性連結部材１７０は、上述したように、ワイヤ又は所定の伝導性構造物であり得るが、これに限定されることはない。
【００９１】
一方、図１２に示したように、導電性連結部材１７０と第１及び第２の領域１２０、１３０との間の不必要な電気的ショートを防止するために、導電性連結部材１７０と第１及び第２の領域１２０、１３０との間に絶縁部材１８２を形成することができる。
【００９２】
一方、図１３に示したように、導電性連結部材１７０は、第１及び第２の領域１２０、１３０と所定の距離を有するように離隔し、第１〜第５の電極パッド１４２、１４４、１６２、１６４、１６６を連結するエアブリッジ（ａｉｒ  ｂｒｉｄｇｅ）形態であり得る。
【００９３】
図１６は、本発明の一実施例に係る発光素子の斜視図で、図１７〜図１９は、本発明の一実施例に係る発光素子の平面図である。
図１６〜図１９を参照すると、本発明の一実施例に係る発光素子は第２の電極１５０を含み、第２の電極１５０は、第６の電極パッド１５２及びフィンガー電極１５４を含むことができる。
【００９４】
上述したように、第２の領域１３０は、第３の半導体層１３２の少なくとも一領域が露出するように少なくとも一領域を除去して形成することができ、前記領域に第２の電極１５０を配置することができる。
【００９５】
本発明の一実施例によって、第２の電極１５０は、電極パッド１５２、及びフィンガー電極１５４を含むことができる。フィンガー電極１５４は、第６の電極パッド１５２と連結され、電流拡がりのために所定の方向に延長させることができる。一方、フィンガー電極１５４が第３の半導体層１３２上に配置されるように、第２の領域１３０は少なくとも一方向に延長されるエッチング領域を有することができるが、これに限定されることはない。
【００９６】
例えば、図１８に示したように、フィンガー電極１５４は、第３の電極パッド１６２方向に延長させることができ、又は、図１９に示したように、２個のフィンガー電極１５４を互いに対称方向に延長させることができる。一方、任意の数のフィンガー電極（図示せず）を発光素子１００のコーナー方向、又は任意の方向に延長できるが、これに限定されることはない。
【００９７】
一方、図１６及び図１７に示したように、第１及び第３の電極１４０、１６０と第２の電極１５０は、それぞれ発光素子１００上のコーナー領域に配置することができる。例えば、第１及び第３の電極１４０、１６０は第１のコーナー領域に配置し、第２の電極１５０は、第１のコーナーと対角方向に対称になる第２のコーナー領域に配置することができる。また、図１８及び図１９に示したように、第２の電極１５０は、第２のコーナー領域から他のコーナー領域に延長されるフィンガー電極１５４を含むことができるが、これに限定されることはない。
【００９８】
図２０及び図２１は、本発明の一実施例に係る発光素子１００を含む照明システム４００の回路図である。
【００９９】
図２０及び図２１を参照すると、本発明の一実施例に係る発光素子１００を含む照明システム４００は、少なくとも一つの発光素子１００を含み、それぞれの発光素子１００が直列に連結されるように構成することができる。
【０１００】
それぞれの発光素子１００は、基板（図示せず）上に所定の回路パターンを通して連結されて発光素子アレイを形成することができる。このとき、発光素子１００は、例えば、後述する発光素子パッケージ５００に実装され、前記発光素子パッケージ５００が基板（図示せず）上に実装されるように構成したり、又は基板（図示せず）上に発光素子１００が実装される（ＣＯＢ：Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｂｏａｒｄ）形態で構成できるが、これに限定されることはない。
【０１０１】
併せて、本発明の一実施例に係る発光素子１００を備える照明システム４００は、例えば、ランプ、街灯、バックライトユニットなどの照明装置を含むことができるが、これに限定されることはない。
【０１０２】
本発明の一実施例に係る発光素子１００は、ＡＣ電源の逆方向電圧及び順方向電圧位相でそれぞれ光を生成できる第１の領域１２０及び第２の領域１３０を含むので、実施例に係る照明システム４００にＡＣ電源が連結された場合、発光素子１００は、逆方向電圧及び順方向電圧位相のいずれに対しても発光できるので、逆方向電圧印加と順方向電圧印加の位相転換による照明システム４００の点滅現象を防止することができる。
【０１０３】
また、それぞれの発光素子１００は、逆方向電圧及び順方向電圧位相で全て駆動することができ、それぞれの場合に該当する電流パスが形成されるので、例えば、図２０及び図２１に示したように、数個の発光素子１００がＡＣ電源に対して直列に連結されるように構成することができる。したがって、数個の発光素子１００の連結が容易になり、照明システム４００の出力向上及び出力調節が可能になり得る。
【０１０４】
図２２〜図２４は、本発明の一実施例に係る発光素子を含む発光素子パッケージを示した斜視図及び断面図である。
【０１０５】
図２２〜図２４を参照すると、発光素子パッケージ５００は、キャビティ５２０が形成された本体５１０と、本体５１０に実装される第１及び第２のリードフレーム５４０、５５０と、第１及び第２のリードフレーム５４０、５５０と電気的に連結される発光素子５３０と、発光素子５３０を覆うようにキャビティ５２０に充填される樹脂層（図示せず）とを含むことができる。
【０１０６】
本体５１０は、ポリフタルアミド（ＰＰＡ：Ｐｏｌｙｐｈｔｈａｌａｍｉｄｅ）のような樹脂材質、シリコン（Ｓｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウムナイトライド（ＡｌＮ）、液晶ポリマー（ＰＳＧ、ｐｈｏｔｏ  ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ  ｇｌａｓｓ）、ポリアミド９Ｔ（ＰＡ９Ｔ）、シンジオタクチックポリスチレン（ＳＰＳ）、金属材質、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）、ベリリウムオキサイド（ＢｅＯ）、印刷回路基板（ＰＣＢ、Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ  Ｂｏａｒｄ）のうち少なくとも一つで形成することができる。本体５１０は、射出成形、エッチング工程などによって形成できるが、これに限定されることはない。
【０１０７】
本体５１０の内面には傾斜面を形成することができる。このような傾斜面の角度によって発光素子５３０から放出される光の反射角が変わるので、これによって、外部に放出される光の指向角を調節することができる。
【０１０８】
光の指向角が減少するほど、発光素子５３０から外部に放出される光の集中性は増加し、その反対に、光の指向角が大きいほど、発光素子５３０から外部に放出される光の集中性は減少する。
【０１０９】
一方、本体５１０に形成されるキャビティ５２０を上から眺めた形状は、円状、四角形状、多角形状、楕円状などにすることができ、コーナーが曲線である形状にすることもできるが、これに限定されることはない。
【０１１０】
発光素子５３０は、第１のリードフレーム５４０上に実装され、例えば、赤色、緑色、青色、白色などの光を放出する発光素子又は紫外線を放出するＵＶ（Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ）発光素子であり得るが、これに限定されることはない。また、発光素子５３０は、一つ以上実装することができる。
【０１１１】
また、発光素子５３０は、その電気端子が全て上部面に形成された水平型タイプ、その電気端子が上・下部面に形成された垂直型タイプ、又はフリップチップのいずれにも適用可能である。
【０１１２】
一方、本発明の一実施例に係る発光素子５３０は、第１及び第２の発光構造物（図示せず）を含み、第１及び第２の発光構造物（図示せず）は、それぞれ逆方向バイアス及び順方向バイアスに対して駆動することができる。したがって、実施例に係る発光素子パッケージ５００は、交流電源で逆方向バイアス及び順方向バイアスに対して全て発光できるので、発光効率を改善させることができる。
【０１１３】
併せて、交流電源で別途のＥＳＤ素子が必要でないので、発光素子パッケージ５００内におけるＥＳＤ素子による光損失を防止することができる。
【０１１４】
樹脂層（図示せず）は、発光素子５３０を覆うようにキャビティ５２０に充填することができる。
【０１１５】
樹脂層（図示せず）は、シリコン、エポキシ、及びその他樹脂材質で形成することができ、キャビティ５２０内に充填した後、これを紫外線又は熱硬化する方式で形成することができる。
【０１１６】
また、樹脂層（図示せず）は蛍光体を含むことができ、蛍光体の種類は、発光素子５３０から放出される光の波長によって選択され、その結果、発光素子パッケージ５００は白色光を具現することができる。
【０１１７】
このような蛍光体は、発光素子５３０から放出される光の波長によって青色発光蛍光体、青緑色発光蛍光体、緑色発光蛍光体、黄緑色発光蛍光体、黄色発光蛍光体、黄赤色発光蛍光体、オレンジ色発光蛍光体、及び赤色発光蛍光体のうち一つを適用することができる。
【０１１８】
すなわち、蛍光体は、発光素子５３０から放出される第１の光を有する光によって励起されて第２の光を生成することができる。例えば、発光素子５３０が青色発光ダイオードで、蛍光体が黄色蛍光体である場合、黄色蛍光体は、青色光によって励起されて黄色光を放出することができ、青色発光ダイオードから発生した青色光及び青色光によって励起されて発生した黄色光の混色によって、発光素子パッケージ５００は白色光を提供することができる。
【０１１９】
これと同様に、発光素子５３０が緑色発光ダイオードである場合は、マゼンタ蛍光体又は青色と赤色の蛍光体を混用する場合を例に挙げることができ、発光素子５３０が赤色発光ダイオードである場合は、シアン蛍光体又は青色と緑色蛍光体を混用する場合を例に挙げることができる。
【０１２０】
このような蛍光体は、ＹＡＧ系、ＴＡＧ系、硫化物系、シリケート系、アルミネート系、窒化物系、カーバイド系、ニトリドシリケート系、ホウ酸塩系、フッ化物系、リン酸塩系などの公知の蛍光体であり得る。
【０１２１】
第１及び第２のリードフレーム５４０、５５０は、金属材質、例えば、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、銀（Ａｇ）、リン（Ｐ）、アルミニウム（Ａｌ）、インジウム（Ｉｎ）、パラジウム（Ｐｄ）、コバルト（Ｃｏ）、シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ルテニウム（Ｒｕ）、鉄（Ｆｅ）のうち一つ以上の物質又は合金を含むことができる。また、第１及び第２のリードフレーム５４０、５５０は、単層又は多層構造を有するように形成できるが、これに限定されることはない。
【０１２２】
第１及び第２のリードフレーム５４０、５５０は、互いに離隔して電気的に分離される。発光素子５３０は、第１及び第２のリードフレーム５４０、５５０上に実装され、第１及び第２のリードフレーム５４０、５５０は、発光素子５３０と直接接触したり、又はソルダリング部材（図示せず）のような伝導性を有する材料を介して電気的に連結することができる。また、発光素子５３０は、ワイヤボンディングを通して第１及び第２のリードフレーム５４０、５５０と電気的に連結できるが、これに限定されることはない。したがって、第１及び第２のリードフレーム５４０、５５０に電源が連結されると、発光素子５３０に電源を印加することができる。一方、数個のリードフレーム（図示せず）が本体５１０内に実装され、それぞれのリードフレーム（図示せず）を発光素子５３０と電気的に連結できるが、これに限定されることはない。
【０１２３】
一方、図２４を参照すると、本発明の一実施例に係る発光素子パッケージ５００は、光学シート５８０を備えることができ、光学シート５８０は、ベース部５８２及びプリズムパターン５８４を有することができる。
【０１２４】
ベース部５８２は、プリズムパターン５８４を形成するための支持体として、熱安定性に優れ、透明な材質からなるものであって、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリスチレン、及びポリエポキシからなる群から選択されたいずれか一つからなり得るが、これに限定されることはない。
【０１２５】
また、ベース部５８２は蛍光体（図示せず）を含むことができる。一例として、ベース部５８２を形成する材質に蛍光体（図示せず）を均一に分散させた状態で、これを硬化してベース部５８２を形成することができる。このようにベース部５８２を形成する場合、蛍光体（図示せず）はベース部５８２全体に均一に分布させることができる。
【０１２６】
一方、ベース部５８２上には、光を屈折し、集光する立体形状のプリズムパターン５８４を形成することができる。プリズムパターン５８４を構成する物質はアクリルレジンであり得るが、これに限定されることはない。
【０１２７】
プリズムパターン５８４は、ベース部５８２の一面で一方向に沿って互いに隣接して平行に配列された複数の線状プリズムを含み、線状プリズムの軸方向に対する垂直断面は三角形であり得る。
【０１２８】
プリズムパターン５８４は、光を集光する効果を有するので、発光素子パッケージ５００に光学シート５８０を付着する場合、光の直進性が向上し、発光素子パッケージ５００の光の輝度を向上させることができる。
【０１２９】
一方、プリズムパターン５８４には蛍光体（図示せず）を含むことができる。
【０１３０】
蛍光体（図示せず）は、分散された状態でプリズムパターン５８４を形成する物質、例えば、アクリルレジンと混合してペースト又はスラリー状態にした後、プリズムパターン５８４を形成することによってプリズムパターン５８４内に均一に含ませることができる。
【０１３１】
このようにプリズムパターン５８４に蛍光体（図示せず）が含まれる場合、発光素子パッケージ５００の光の均一度及び分布度が向上することはもちろん、プリズムパターン５８４による光の集光効果の他に蛍光体（図示せず）による光の分散効果があるので、発光素子パッケージ５００の指向角を向上させることができる。
【０１３２】
本発明の一実施例に係る発光素子パッケージ５００は、複数が基板上にアレイされ、発光素子パッケージ５００の光経路上に光学部材である導光板、プリズムシート、拡散シートなどを配置することができる。このような発光素子パッケージ、基板、光学部材はライトユニットとして機能することができる。更に他の実施例は、上述した各実施例に記載された発光素子又は発光素子パッケージを含む表示装置、指示装置、照明システムに具現することができ、例えば、照明システムはランプ、街灯を含むことができる。
【０１３３】
図２５は、本発明の一実施例に係る発光素子パッケージを含む照明装置を示した斜視図で、図２６は、図２５の照明装置のＣ―Ｃ'線断面図である。
【０１３４】
図２５及び図２６を参照すると、照明装置６００は、本体６１０、本体６１０と締結されるカバー６３０、及び本体６１０の両端に位置するエンドキャップ６５０を備えることができる。
【０１３５】
本体６１０の下部面には発光素子モジュール６４０が締結され、本体６１０は、発光素子パッケージ６４４から発生した熱が本体６１０の上部面を通して外部に放出されるように伝導性及び熱発散効果に優れた金属材質で形成することができる。
【０１３６】
発光素子パッケージ６４４は、ＰＣＢ６４２上に多色及び多列で実装されてアレイをなすことができ、同一の間隔で実装したり、又は必要に応じて多様な離隔距離を有して実装できるので、明るさなどを調節することができる。このようなＰＣＢ６４２としては、ＭＰＰＣＢ（Ｍｅｔａｌ  Ｃｏｒｅ  ＰＣＢ）又はＦＲ４材質のＰＣＢなどを使用することができる。
【０１３７】
一方、本発明の一実施例に係る発光素子パッケージ６４４は発光素子（図示せず）を含み、発光素子（図示せず）は第１及び第２の発光構造物（図示せず）を備え、第１及び第２の発光構造物（図示せず）はそれぞれ逆方向バイアス及び順方向バイアスで駆動することができる。したがって、本発明の一実施例に係る照明装置６００は、交流電源で逆方向バイアス及び順方向バイアスで全て発光できるので、点滅現象が解消され、発光効率を改善させることができる。
【０１３８】
発光素子パッケージ６４４は、延長されたリードフレーム（図示せず）を含み、向上した放熱機能を有することができるので、発光素子パッケージ６４４の信頼性と効率性を向上させることができ、発光素子パッケージ６４４及び発光素子パッケージ６４４を含む照明装置６００の使用年限を延長させることができる。
【０１３９】
カバー６３０は、本体６１０の下部面を覆うようにシリンダー状に形成できるが、これに限定されないことは当然である。
【０１４０】
カバー６３０は、内部の発光素子モジュール６４０を外部の異物などから保護する。また、カバー６３０は、発光素子パッケージ６４４から発生した光の眩しさを防止し、外部に光を均一に放出できるように拡散粒子を含むことができる。また、カバー６３０の内面及び外面のうち少なくともいずれか一つの面には、プリズムパターンなどを形成することができる。また、カバー６３０の内面及び外面のうち少なくともいずれか一つの面には蛍光体を塗布することもできる。
【０１４１】
一方、発光素子パッケージ６４４から発生した光は、カバー６３０を通して外部に放出されるので、カバー６３０は光透過率に優れるものでなければならなく、発光素子パッケージ６４４から発生した熱に耐えられるように十分な耐熱性を備えていなければならない。カバー６３０は、ポリエチレンテレフタレート（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎ  Ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ；ＰＥＴ）、ポリカーボネート（Ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ；ＰＣ）又はポリメチルメタクリレート（Ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌ  Ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ；ＰＭＭＡ）などを含む材質で形成することが望ましい。
【０１４２】
エンドキャップ６５０は、本体６１０の両端に位置し、電源装置（図示せず）を密閉する用途に使用することができる。また、エンドキャップ６５０には電源ピン６５２が形成されており、本発明の一実施例に係る照明装置６００は、既存の蛍光灯を除去した端子に別途の装置なしに直ぐ使用できるようになる。
【０１４３】
図２７は、本発明の一実施例に係る発光素子を備える液晶表示装置の分解斜視図である。
【０１４４】
図２７は、エッジライト方式を示し、液晶表示装置７００は、液晶表示パネル７１０と、液晶表示パネル７１０に光を提供するためのバックライトユニット７７０とを含むことができる。
【０１４５】
液晶表示パネル７１０は、バックライトユニット７７０から提供される光を用いて画像を表示することができる。液晶表示パネル７１０は、液晶を挟んで互いに対向するカラーフィルター基板７１２及び薄膜トランジスタ基板７１４を含むことができる。
【０１４６】
カラーフィルター基板７１２は、液晶表示パネル７１０を通してディスプレイされる画像の色を具現することができる。
【０１４７】
薄膜トランジスタ基板７１４は、駆動フィルム７１７を通して多数の回路部品が実装される印刷回路基板７１８と電気的に接続されている。薄膜トランジスタ基板７１４は、印刷回路基板７１８から提供される駆動信号に応答して、印刷回路基板７１８から提供される駆動電圧を液晶に印加することができる。
【０１４８】
薄膜トランジスタ基板７１４は、ガラスやプラスチックなどの透明な材質の他の基板上に薄膜で形成された薄膜トランジスタ及び画素電極を含むことができる。
【０１４９】
バックライトユニット７７０は、光を出力する発光素子モジュール７２０と、発光素子モジュール７２０から提供される光を面光源形態に変更させて液晶表示パネル７１０に提供する導光板７３０と、導光板７３０から提供された光の輝度分布を均一にし、垂直入射性を向上させる多数のフィルム７５２、７６６、７６４と、導光板７３０の後方に放出される光を導光板７３０に反射させる反射シート７４７とを含んで構成される。
【０１５０】
発光素子モジュール７２０は、複数の発光素子パッケージ７２４と、複数の発光素子パッケージ７２４が実装されてアレイをなすＰＣＢ基板７２２とを有することができる。
【０１５１】
一方、本発明の一実施例に係るバックライトユニット７７０は発光素子（図示せず）を含み、発光素子（図示せず）は第１及び第２の発光構造物（図示せず）を含み、第１及び第２の発光構造物（図示せず）は、それぞれ逆方向バイアス及び順方向バイアスで駆動することができる。したがって、実施例に係るバックライトユニット７７０は、交流電源で逆方向バイアス及び順方向バイアスで全て発光できるので、点滅現象が解消され、発光効率を改善させることができる。
【０１５２】
一方、バックライトユニット７７０は、導光板７３０から入射される光を液晶表示パネル７１０の方向に拡散させる拡散フィルム７６６と、拡散された光を集光し、垂直入射性を向上させるプリズムフィルム７５２とを含んで構成することができ、プリズムフィルム７５２を保護するための保護フィルム７６４を含むことができる。
【０１５３】
図２８は、本発明の一実施例に係る発光素子を備える液晶表示装置の分解斜視図である。ただし、図２７で図示して説明した部分については繰り返して詳細に説明しない。
【０１５４】
図２８は、直下方式を示し、液晶表示装置８００は、液晶表示パネル８１０と、液晶表示パネル８１０に光を提供するためのバックライトユニット８７０とを備えることができる。
【０１５５】
液晶表示パネル８１０は、図２７を参照して説明した通りであるので、これについての詳細な説明は省略する。
【０１５６】
バックライトユニット８７０は、複数の発光素子モジュール８２３と、反射シート８２４と、発光素子モジュール８２３及び反射シート８２４が収納される下部シャーシ８３０と、発光素子モジュール８２３の上部に配置される拡散板８４０と、複数の光学フィルム８６０とを有することができる。
【０１５７】
発光素子モジュール８２３は、複数の発光素子パッケージ８２２と、複数の発光素子パッケージ８２２が実装されてアレイをなすＰＣＢ基板８２１とを有することができる。
【０１５８】
一方、本発明の一実施例に係るバックライトユニット８７０は発光素子（図示せず）を有し、発光素子（図示せず）は第１及び第２の発光構造物（図示せず）を有し、第１及び第２の発光構造物（図示せず）は、それぞれ逆方向バイアス及び順方向バイアスで駆動することができる。したがって、本発明の一実施例に係るバックライトユニット８７０は、交流電源で逆方向バイアス及び順方向バイアスで全て発光できるので、点滅現象が解消され、発光効率を改善させることができる。
【０１５９】
反射シート８２４は、発光素子パッケージ８２２から発生した光を液晶表示パネル８１０が位置した方向に反射させ、光の利用効率を向上させる。
【０１６０】
一方、発光素子モジュール８２３から発生した光は拡散板８４０に入射し、拡散板８４０の上部には光学フィルム８６０が配置される。光学フィルム８６０は、拡散フィルム８６６、プリズムフィルム８５０及び保護フィルム８６４を含んで構成することができる。
【０１６１】
以上、各実施例で説明した特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも一つの実施例に含まれ、必ず一つの実施例に限定されることはない。さらに、各実施例で例示された特徴、構造、効果などは、各実施例の属する分野で通常の知識を有する者によって他の実施例に対しても組み合わせ又は変更を通して実施可能である。したがって、このような組み合わせと変更と関連した各内容は、本発明の範囲に含まれるものと解釈しなければならないだろう。
【０１６２】
以上では、本発明の一実施例を中心に説明したが、これは例示に過ぎないもので、本発明を限定するものではなく、本発明の属する分野で通常の知識を有する者であれば本実施例の本質的な特性から逸脱しない範囲で、以上で例示されていない多様な変形と応用が可能であることを理解できるだろう。例えば、本発明の一実施例に具体的に示した各構成要素は、変形して実施可能であろう。そして、このような変形と応用と関連した各相違点は、添付の特許請求の範囲で規定する本発明の技術的範囲に含まれるものと解釈しなければならないだろう。
【符号の説明】
【０１６３】
１００    発光素子
１１０    支持部材
１１２    バッファー層
１２０    第１の領域
１３０    第２の領域
１４０    第１の電極
１５０    第２の電極
１６０    第３の電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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