(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、該基材に形成されたガスバリア膜と、を有するガスバリア性積層フィルムの検査方法であって、
前記ガスバリア膜の屈折率を測定し、当該屈折率の測定値と、予め測定した前記ガスバリア膜のガス透過度と前記ガスバリア膜の屈折率との関係とから、前記ガスバリア膜のガスバリア性を判定することを特徴とするガスバリア性積層フィルムの検査方法。
【請求項２】
前記ガスバリア膜の屈折率の測定値と、予め設定した前記ガスバリア膜の屈折率のしきい値とを比較し、当該比較結果に基づいて前記ガスバリア膜のガスバリア性を判定することを特徴とする請求項１に記載のガスバリア性積層フィルムの検査方法。
【請求項３】
前記ガスバリア膜の屈折率の測定として、反射分光膜厚計または分光エリプソメーターを用いることを特徴とする請求項１または２に記載のガスバリア性積層フィルムの検査方法。
【請求項４】
前記ガスバリア膜が、珪素、酸素及び炭素を含有しており、且つ、
該層の膜厚方向における該層の表面からの距離と、珪素原子、酸素原子及び炭素原子の合計量に対する珪素原子の量の比率（珪素の原子比）、酸素原子の量の比率（酸素の原子比）及び炭素原子の量の比率（炭素の原子比）との関係をそれぞれ示す珪素分布曲線、酸素分布曲線及び炭素分布曲線において、下記条件（i）〜（iii）：
（i）珪素の原子比、酸素の原子比及び炭素の原子比が、該層の膜厚の９０％以上の領域において下記式（１）：
（酸素の原子比）＞（珪素の原子比）＞（炭素の原子比）・・・（１）
で表される条件を満たすこと、或いは、珪素の原子比、酸素の原子比及び炭素の原子比が、該層の膜厚の９０％以上の領域において下記式（２）：
（炭素の原子比）＞（珪素の原子比）＞（酸素の原子比）・・・（２）
で表される条件を満たすこと、
（ii）前記炭素分布曲線が少なくとも１つの極値を有すること、
（iii）前記炭素分布曲線における炭素の原子比の最大値及び最小値の差の絶対値が５ａｔ％以上であること、
を全て満たすことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のガスバリア性積層フィルムの検査方法。
【請求項５】
長尺の基材を連続的に搬送しながら、当該基材上に連続的に前記ガスバリア膜を形成する工程と、
請求項１から４のいずれか一項の検査方法を用いて、前記ガスバリア膜の欠陥部分を検出する検査工程と、
を有することを特徴とするガスバリア性積層フィルムの製造方法。
【請求項６】
前記ガスバリア膜が形成された前記基材を連続的に搬送しながら前記ガスバリア膜の欠陥部分を検査することを特徴とする請求項５に記載のガスバリア性積層フィルムの製造方法。
【請求項７】
前記検査工程の後に、前記ガスバリア膜の屈折率の測定値が前記しきい値よりも小さい屈折率を有する前記ガスバリア膜に対してマーキングすることを特徴とする請求項５または６に記載のガスバリア性積層フィルムの製造方法。
【請求項８】
前記基材上への前記ガスバリア膜に第１の光を入射させ、前記ガスバリア膜の表面で反射された前記第１の光の一部の第２の光と、前記ガスバリア膜の裏面で反射された前記第１の光の残りの一部の第３の光とを互いに干渉させ、干渉光のスペクトルの波長の極大値と極小値から前記ガスバリア膜の膜厚を求め、当該ガスバリア膜の膜厚と、前記第２の光の光路長と前記第３の光の光路長との光路差とに基づいて、前記ガスバリア膜の屈折率を測定することを特徴とする請求項５〜７のいずれか一項に記載のガスバリア性積層フィルムの製造方法。
【請求項９】
前記ガスバリア膜を形成する工程が、第１の前記基材が巻き掛けられる第１成膜ロールと、前記第１成膜ロールに対向し、第２の前記基材が巻き掛けられる第２成膜ロールと、の間に交流電圧を印加することで、前記第１成膜ロールと前記第２成膜ロールとの間の空間において生じる、前記ガスバリア膜の形成材料である成膜ガスの放電プラズマを用いたプラズマＣＶＤを用いるものであることを特徴とする請求項５から８のいずれか一項に記載のガスバリア性積層フィルムの製造方法。
【請求項１０】
前記放電プラズマが、前記第１成膜ロールと前記第２成膜ロールとの間に交流電界を形成するとともに、前記第１成膜ロールと前記第２成膜ロールとが対向する空間に膨らんだ無終端のトンネル状の磁場を形成することにより、前記トンネル状の磁場に沿って形成される第１の放電プラズマと、前記トンネル状の磁場の周囲に形成される第２の放電プラズマと、を有し、
前記ガスバリア膜を形成する工程は、前記第１の放電プラズマと前記第２の放電プラズマとに重なるように前記基材を搬送することを特徴とする請求項９に記載のガスバリア性積層フィルムの製造方法。
【請求項１１】
前記ガスバリア膜が、珪素、酸素及び炭素を含有しており、且つ、
該層の膜厚方向における該層の表面からの距離と、珪素原子、酸素原子及び炭素原子の合計量に対する珪素原子の量の比率（珪素の原子比）、酸素原子の量の比率（酸素の原子比）及び炭素原子の量の比率（炭素の原子比）との関係をそれぞれ示す珪素分布曲線、酸素分布曲線及び炭素分布曲線において、下記条件（i）〜（iii）：
（i）珪素の原子比、酸素の原子比及び炭素の原子比が、該層の膜厚の９０％以上の領域において下記式（１）：
（酸素の原子比）＞（珪素の原子比）＞（炭素の原子比）・・・（１）
で表される条件を満たすこと、或いは、珪素の原子比、酸素の原子比及び炭素の原子比が、該層の膜厚の９０％以上の領域において下記式（２）：
（炭素の原子比）＞（珪素の原子比）＞（酸素の原子比）・・・（２）
で表される条件を満たすこと、
（ii）前記炭素分布曲線が少なくとも１つの極値を有すること、
（iii）前記炭素分布曲線における炭素の原子比の最大値及び最小値の差の絶対値が５ａｔ％以上であること、
を全て満たすように、前記成膜ガスに含まれる有機ケイ素化合物と酸素との混合比を制御することを特徴とする請求項１０に記載のガスバリア性積層フィルムの製造方法。
【請求項１２】
前記ガスバリア性積層フィルムを用いたガスバリア性積層フィルム付電子デバイスに対して、請求項１から４のいずれか一項に記載の検査方法を行うことを特徴とする電子デバイスの検査方法。
【請求項１３】
電子デバイスに前記ガスバリア性積層フィルムを形成する工程と、
前記ガスバリア性積層フィルムが形成されたガスバリア性積層フィルム付電子デバイスに対して、請求項１２に記載の検査方法を行う工程と、
を有することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項１４】
前記ガスバリア性積層フィルム付電子デバイスが、有機ＥＬ装置、有機薄膜太陽電池、アモルファスシリコン太陽電池、電子ペーパー、タッチパネルのいずれかであることを特徴とする請求項１３に記載の電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガスバリア性積層フィルムの検査方法、ガスバリア性積層フィルムの製造方法、ガスバリア性積層フィルムを使用した電子デバイスの検査方法およびガスバリア性積層フィルムを使用した電子デバイスの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
フィルム状の基材に機能性を付与するために、基材の表面に薄膜層を積層した積層フィルムが知られている。例えば、薄膜層を積層することにより基材にガスバリア性を付与したガスバリア性積層フィルムは、飲食品、化粧品、洗剤といった物品の充填包装に適する包装用容器として好適に用いることができる。近年、プラスチックフィルム等の基材フィルムの表面に、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化アルミニウムといった無機酸化物の薄膜層を成膜してなるガスバリア性積層フィルムが提案されている。
【０００３】
このように無機酸化物の薄膜層をプラスチック基材の表面上に成膜する方法としては、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法等の物理気相成長法（ＰＶＤ）、減圧化学気相成長法、プラズマ化学気相成長法等の化学気相成長法（ＣＶＤ）が知られている。また、このような成膜方法を実現する成膜装置として、例えば、長尺の基材を搬送しながら基材表面に連続的にＣＶＤ法による成膜を行う成膜装置が提案されている。
【０００４】
上述のような成膜装置を用いて形成したガスバリア性積層フィルムのガスバリア性は、例えばＪＩＳ  Ｋ  ７１２９.２００８「プラスチック−フィルム及びシート−水蒸気透過度の求め方（機器測定法）」附属書Ｃ「ガスクロマトグラフ法による水蒸気透過度の求め方」（以下、ＪＩＳのガスクロマト法という場合がある。）に従い求めることができる（非特許文献１参照）。水蒸気透過度の値が低いほどガスバリア性が良いという指標となる。ガスバリア性評価のための所定の温度および湿度は、例えば温度４０℃、湿度９０％ＲＨである。
【０００５】
また、ガスバリア性積層フィルムのガスバリア性は、例えばカルシウム法に従い求めることもできる。カルシウム法とは、ガラス基板上にカルシウム膜を成膜し、該カルシウム膜を封止剤及びガスバリア性積層フィルムにて封止した後に、所定の温度および湿度の雰囲気下に一定時間保存し、カルシウム膜の光透過率の変化を測定することにより、ガスバリア性積層フィルムを透過した水分と反応したカルシウム量を求める測定方法である。ガスバリア性評価のための所定の温度および湿度は、例えば温度４０℃、湿度９０％ＲＨである。例えば、特許文献１では、水との反応により腐食してできた水酸化カルシウムの面積変化を測定する方法が開示されている。
【０００６】
また、屈折率を測定してガスバリア性を評価し検査に使用する試みが、酸窒化物膜などのように膜組成のうち酸素と窒素の比率により屈折率が異なる膜に対しての検査法として提案されている。例えば、特許文献２では、珪素の酸窒化物膜を例に機能性素子の基板上に良品と同等の屈折率のマーカー部を有する機能素子が開示されている。このマーカー部に、特定の光の波長を照射し、その反射光を測定する検査方法である。具体的には、ガスバリア層が良品である場合には上記マーカー部が識別されず、ガスバリア層が不良品である場合には上記マーカー部が識別されるため、検査することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特許第４４０７４６６号公報
【特許文献２】特許第４４０１２３１号公報
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】ＪＩＳ  Ｋ  ７１２９.２００８「プラスチック−フィルム及びシート−水蒸気透過度の求め方（機器測定法）」附属書Ｃ「ガスクロマトグラフ法による水蒸気透過度の求め方」
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上述のようなガスバリア性の測定法、例えばＪＩＳのガスクロマト法では、ガスバリア性積層フィルムを測定用の透過セルにセットするために所定の大きさにカットしなければならない。この方法は測定対象であるガスバリア性積層フィルムをサンプリングして行う破壊試験であり、全数検査は不可能である。そのため、品質を保証することは困難となりうる。
また、このガスクロマト法は、定常状態になることが確認できるまで、チャンバーの排気、水蒸気の透過、測定を繰り返さなければならず、通常３日から一週間程度の測定時間を要する。そのため、製造したガスバリア性積層フィルムの性能を検査し、出荷や使用の可否を判断する品質検査として採用するには試験時間が長すぎる。
【００１０】
一方、上述のカルシウム法についても、ガスバリア性積層フィルムを用いて測定用の透過セルを作製するためにサンプルをカットしなければならない。
また、このカルシウム法は、さらに測定時間が長く、通常一ヶ月から二ヶ月程度の測定時間を要する。
【００１１】
また、機能性素子の基板上に良品と同等の屈折率のマーカー部を有する機能素子を用いた方法は、成膜前の基材フィルムにマーカー部を作製するために新たな工程を加える必要がある。そのため、生産性が悪化し、加えた工程自体にコストがかかってしまう。
さらに、マーカー部作製の工程が、基材フィルムに対して悪影響を与える可能性がある。特許文献２の実施例では、基材としてガラス板を用いており、これにマーカー部の形成材料を塗布し、所定のパターンを施して露光し、不要部を除去用溶液に浸漬して除去することにより現像し、加熱している。このような処理工程は、プラスチックフィルムなどの基材フィルムに対してはダメージが与える可能性がある。
【００１２】
これらのことから、ガスバリア性積層フィルムの検査方法として、ＪＩＳのガスクロマト法、カルシウム法、マーカー部を有する機能素子を用いた方法に変わる方法が求められていた。
【００１３】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、短時間のうちに高精度にガスバリア性を評価することを可能とするガスバリア性積層フィルムの検査方法を提供することを目的とする。また、ガスバリア性積層フィルムの品質評価工程を有し、高品質なガスバリア性積層フィルムを製造することを可能とするガスバリア性積層フィルムの製造方法を提供することをあわせて目的とする。さらに本発明は、ガスバリア性積層フィルムを使用した電子デバイスに対しても、短時間のうちに高精度にガスバリア性を評価することを可能とする検査方法を提供することを目的とする。また、ガスバリア性積層フィルムを使用した電子デバイスの品質評価工程を有し、高品質な電子デバイスを製造することを可能とする電子デバイスの製造方法を提供することをあわせて目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記の目的を達成するために、本発明のガスバリア性積層フィルムの検査方法は、基材と、該基材に形成されたガスバリア膜と、を有するガスバリア性積層フィルムの検査方法であって、前記ガスバリア膜の屈折率を測定し、当該屈折率の測定値と、予め測定した前記ガスバリア膜のガス透過度と前記ガスバリア膜の屈折率との関係とから、前記ガスバリア膜のガスバリア性を判定することを特徴とする。
【００１５】
本発明においては、前記ガスバリア膜の屈折率の測定値と、予め設定した前記ガスバリア膜の屈折率のしきい値とを比較し、当該比較結果に基づいて前記ガスバリア膜のガスバリア性を判定することを特徴とする。
【００１６】
本発明においては、前記ガスバリア膜の屈折率の測定として、反射分光膜厚計または分光エリプソメーターを用いることを特徴とする。
【００１７】
本発明においては、前記ガスバリア膜が、珪素、酸素及び炭素を含有しており、且つ、
該層の膜厚方向における該層の表面からの距離と、珪素原子、酸素原子及び炭素原子の合計量に対する珪素原子の量の比率（珪素の原子比）、酸素原子の量の比率（酸素の原子比）及び炭素原子の量の比率（炭素の原子比）との関係をそれぞれ示す珪素分布曲線、酸素分布曲線及び炭素分布曲線において、下記条件（i）〜（iii）：
（i）珪素の原子比、酸素の原子比及び炭素の原子比が、該層の膜厚の９０％以上の領域において下記式（１）：
（酸素の原子比）＞（珪素の原子比）＞（炭素の原子比）・・・（１）
で表される条件を満たすこと、或いは、珪素の原子比、酸素の原子比及び炭素の原子比が、該層の膜厚の９０％以上の領域において下記式（２）：
（炭素の原子比）＞（珪素の原子比）＞（酸素の原子比）・・・（２）
で表される条件を満たすこと、
（ii）前記炭素分布曲線が少なくとも１つの極値を有すること、
（iii）前記炭素分布曲線における炭素の原子比の最大値及び最小値の差の絶対値が５ａｔ％以上であること、を全て満たすことを特徴とする。
【００１８】
また、本発明のガスバリア性背気相フィルムの製造方法は、長尺の基材を連続的に搬送しながら、当該基材上に連続的に前記ガスバリア膜を形成する工程と、前記検査方法を用いて、前記ガスバリア膜の欠陥部分を検出する検査工程と、を有することを特徴とする。
【００１９】
本発明においては、前記ガスバリア膜が形成された前記基材を連続的に搬送しながら前記ガスバリア膜の欠陥部分を検査することを特徴とする。
【００２０】
本発明においては、前記検査工程の後に、前記ガスバリア膜の屈折率の測定値が前記しきい値よりも小さい屈折率を有する前記ガスバリア膜に対してマーキングすることを特徴とする。
【００２１】
本発明においては、前記基材上への前記ガスバリア膜に第１の光を入射させ、前記ガスバリア膜の表面で反射された前記第１の光の一部の第２の光と、前記ガスバリア膜の裏面で反射された前記第１の光の残りの一部の第３の光とを互いに干渉させ、干渉光のスペクトルの波長の極大値と極小値から前記ガスバリア膜の膜厚を求め、当該ガスバリア膜の膜厚と、前記第２の光の光路長と前記第３の光の光路長との光路差とに基づいて、前記ガスバリア膜の屈折率を測定することを特徴とする。
【００２２】
本発明においては、前記ガスバリア膜を形成する工程が、第１の前記基材が巻き掛けられる第１成膜ロールと、前記第１成膜ロールに対向し、第２の前記基材が巻き掛けられる第２成膜ロールと、の間に交流電圧を印加することで、前記第１成膜ロールと前記第２成膜ロールとの間の空間において生じる、前記ガスバリア膜の形成材料である成膜ガスの放電プラズマを用いたプラズマＣＶＤを用いるものであることを特徴とする。
【００２３】
本発明においては、前記放電プラズマが、前記第１成膜ロールと前記第２成膜ロールとの間に交流電界を形成するとともに、前記第１成膜ロールと前記第２成膜ロールとが対向する空間に膨らんだ無終端のトンネル状の磁場を形成することにより、前記トンネル状の磁場に沿って形成される第１の放電プラズマと、前記トンネル状の磁場の周囲に形成される第２の放電プラズマと、を有し、前記ガスバリア膜を形成する工程は、前記第１の放電プラズマと前記第２の放電プラズマとに重なるように前記基材を搬送することを特徴とする。
【００２４】
本発明においては、前記ガスバリア膜が、珪素、酸素及び炭素を含有しており、且つ、
該層の膜厚方向における該層の表面からの距離と、珪素原子、酸素原子及び炭素原子の合計量に対する珪素原子の量の比率（珪素の原子比）、酸素原子の量の比率（酸素の原子比）及び炭素原子の量の比率（炭素の原子比）との関係をそれぞれ示す珪素分布曲線、酸素分布曲線及び炭素分布曲線において、下記条件（i）〜（iii）：
（i）珪素の原子比、酸素の原子比及び炭素の原子比が、該層の膜厚の９０％以上の領域において下記式（１）：
（酸素の原子比）＞（珪素の原子比）＞（炭素の原子比）・・・（１）
で表される条件を満たすこと、或いは、珪素の原子比、酸素の原子比及び炭素の原子比が、該層の膜厚の９０％以上の領域において下記式（２）：
（炭素の原子比）＞（珪素の原子比）＞（酸素の原子比）・・・（２）
で表される条件を満たすこと、
（ii）前記炭素分布曲線が少なくとも１つの極値を有すること、
（iii）前記炭素分布曲線における炭素の原子比の最大値及び最小値の差の絶対値が５ａｔ％以上であること、
を全て満たすように、前記成膜ガスに含まれる有機ケイ素化合物と酸素との混合比を制御することを特徴とする。
【００２５】
また、本発明の電子デバイスの検査方法は、前記ガスバリア性積層フィルムを用いたガスバリア性積層フィルム付電子デバイスに対して、前記検査方法を行うことを特徴とする。
【００２６】
また、本発明の電子デバイスの製造方法は、電子デバイスに前記ガスバリア性積層フィルムを形成する工程と、前記ガスバリア性積層フィルムが形成されたガスバリア性積層フィルム付電子デバイスに対して、前記検査方法を行う工程と、を有することを特徴とする。
【００２７】
本発明においては、前記ガスバリア性積層フィルム付電子デバイスが、有機ＥＬ装置、有機薄膜太陽電池、アモルファスシリコン太陽電池、電子ペーパー、タッチパネルのいずれかであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、短時間のうちに高精度にガスバリア性を評価することを可能とするガスバリア性積層フィルムの検査方法を提供することができる。また、ガスバリア性積層フィルムの品質評価工程を有し、高品質なガスバリア性積層フィルムを製造することを可能とするガスバリア性積層フィルムの製造方法を提供することができる。さらに、短時間のうちに高精度にガスバリア性を評価することを可能とする電子デバイスの検査方法を提供することができる。また、ガスバリア性積層フィルムを使用した電子デバイスの品質評価工程を有し、高品質な電子デバイスを製造することを可能とする電子デバイスの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】第１実施形態のガスバリア性積層フィルムの検査方法に係る説明図である。
【図２】同、ガスバリア性積層フィルムの検査方法に係る説明図である。
【図３】同、ガスバリア性積層フィルムの検査方法に係る説明図である。
【図４】第２実施形態のガスバリア性積層フィルムの検査方法に係る説明図である。
【図５】ガスバリア性積層フィルムの説明図である。
【図６】ガスバリア性積層フィルムを製造するプラズマＣＶＤ成膜装置の説明図である。
【図７】同、プラズマＣＶＤ成膜装置の第１変形例を示す説明図である。
【図８】同、プラズマＣＶＤ成膜装置の第２変形例を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
[第１実施形態]
[ガスバリア性積層フィルムの評価方法]
以下、図１〜図３を参照しながら、本発明の第１実施形態に係るガスバリア性積層フィルムの検査方法について説明する。なお、以下の全ての図面においては、図面を見やすくするため、各構成要素の寸法や比率などは適宜異ならせてある。
【００３１】
図１から図３は、本実施形態のガスバリア性積層フィルムの検査方法に係る説明図であり、図１は概略斜視図、図２は図１の線分Ａ−Ａにおける矢視断面図であり、図３は概略工程図である。
【００３２】
図１に示すように、本実施形態のガスバリア性積層フィルムの検査方法では、測定用光源２１と検出器２２とにＹ型分岐ファイバー１４を介して接続された光ファイバー１０を有する測定装置１００を用い、ガスバリア膜３の屈折率を測定することで、ガスバリア膜３の欠陥部分を検出する。以下、詳細に説明する。
【００３３】
ガスバリア性積層フィルム１は、長尺の基材２と、当該基材２の一面に形成されたガスバリア膜３とを含んで構成されている。本実施形態のガスバリア性積層フィルムの検査方法では、光ファイバー１０の先端部を、ガスバリア性積層フィルム１のガスバリア膜３が形成された面に向けて、ガスバリア膜３の屈折率を測定する。ガスバリア性積層フィルム１の構成については、後に詳述する。
【００３４】
本発明者は、鋭意研究を重ねた結果、ガスバリア膜３の水蒸気透過度（ガス透過度）と、ガスバリア膜３の屈折率との間に一定の対応関係があるという事実を見出した。そして、ガスバリア膜３の屈折率を測定し、当該屈折率の測定値と、予め測定したガスバリア膜３の水蒸気透過度とガスバリア膜３の屈折率との関係とから、ガスバリア膜３のガスバリア性を判定するという本発明を完成させた。
【００３５】
すなわち、本発明のガスバリア性積層フィルムの検査方法においては、予め、ガスバリア膜３の水蒸気透過度とガスバリア膜３の屈折率とを測定し、ガスバリア膜３の水蒸気透過度とガスバリア膜３の屈折率との関係を求めておくことにより、その後に、ガスバリア膜３の屈折率を測定するだけで、当該屈折率の測定値と予め求めておいた前記関係とから、ガスバリア膜３のガスバリア性を判定することが可能となる。
【００３６】
先ず、予め、ガスバリア膜３の水蒸気透過度およびガスバリア膜３の屈折率を測定する。例えば、ガスバリア膜３の水蒸気透過度の測定装置は、水蒸気透過度測定機（ＧＴＲテック社製、機種名「ＧＴＲテック−３０００」）を用いることができる。ガスバリア膜３の屈折率の測定装置は、反射分光膜厚計（大塚電子社製、機種名「ＦＥ−３０００」）を用いることができる。なお、ガスバリア膜３の屈折率の測定装置は、これに限らず、分光エリプソメーターを用いることもできる。
【００３７】
次いで、ガスバリア膜３の水蒸気透過度とガスバリア膜３の屈折率との関係を求める。当該関係は、例えば、ガスバリア膜３の屈折率をガスバリア膜３上で複数個所測定し、次いで、当該複数個所でガスバリア膜３の水蒸気透過度を測定し、測定した各屈折率に対応する各水蒸気透過度を、横軸を屈折率、縦軸を水蒸気透過度としたグラフにプロットすることにより求めることができる。
【００３８】
そして、ガスバリア膜３の屈折率を測定する。以下、本実施形態に係るガスバリア膜３の屈折率の測定方法について説明する。
【００３９】
図１に示すように、光ファイバー１０は、基端部がファイバーホルダ１１に取り付けられている。ファイバーホルダ１１は、トラバースユニット１２に設けられたガイドレール上に配設されている。トラバースユニット１２は、長尺の基材２の延在方向と直交する方向に長手を有しており、基材２を挟んで対向するＬ字状の支柱１３に固定されている。ファイバーホルダ１１は、図示しない駆動モーターによってガイドレール上をその延在方向に摺動する。すなわち、光ファイバー１０は、ファイバーホルダ１１の摺動に従って、長尺の基材２の延在と直交する方向に移動可能に構成されている。このような状態で、測定装置１００を用い、ガスバリア膜３の屈折率を測定する。
【００４０】
この際、ガスバリア性積層フィルム１を自身の長手方向に搬送することにより、光ファイバー１０はトラバースユニット１２のガイドレールに沿って移動してガスバリア性積層フィルム１上を走査し、複数個所においてガスバリア膜３の屈折率を測定する。
【００４１】
なお、ガスバリア膜３の屈折率を測定する際の光ファイバー１０から射出する光の波長は、予めガスバリア膜３の屈折率を測定する際の光ファイバー１０から射出する光の波長と合わせる。例えば、予めガスバリア膜３の屈折率を測定する際に光ファイバー１０から射出する光の波長を７５０ｎｍ程度とし、実際にガスバリア膜３の屈折率を測定する際に光ファイバーから射出する光の波長についても７５０ｎｍ程度とする。なお、光ファイバーから射出する光の波長は７５０ｎｍに限らず、７５０ｎｍ以下や７５０ｎｍ以上に適宜設定することができる。このように光ファイバーから射出する光の波長を変えたとしても、ガスバリア膜３の水蒸気透過度と、ガスバリア膜３の屈折率との間には、上述した一定の対応関係が存在する。
【００４２】
図２に示すように、ガスバリア膜３に成膜不良部分（欠陥部分３ｘ）が存在すると、欠陥部分３ｘの屈折率は、欠陥部分３ｘが存在しない部分の屈折率と異なる値を示す。すなわち、測定装置１００では、ガスバリア膜３の屈折率を測定するところ、欠陥部分３ｘではガスバリア膜３の密度が欠陥部分３ｘとは異なる部分での密度と異なるため、屈折率が異なる値を示す。
【００４３】
例えば、ガスバリア膜３の成膜時に、パーティクル（ガスバリア膜の形成材料により生成された粒子）が飛散して成膜面に付着し、当該パーティクルを取り込んでしまい欠陥部分３ｘをなしているような場合、当該欠陥部分３ｘの密度が小さくなり、欠陥部分３ｘで測定される屈折率の値は、他の位置で測定される屈折率の値よりも小さくなると考えられる。また、欠陥部分３ｘがピンホールである場合、当該欠陥部分３ｘに空気層が介在することとなり、欠陥部分３ｘで測定される屈折率の値は、他の位置で測定される屈折率の値よりも小さくなると考えられる。
【００４４】
そして、ガスバリア膜３の屈折率の測定値と、予め求めた前記関係とから、ガスバリア膜３のガスバリア性を判定する。当該判定は、ガスバリア膜３の屈折率の測定値と、予め設定したガスバリア膜３の屈折率のしきい値とを比較し、当該比較結果に基づいてガスバリア膜３のガスバリア性を判定する。例えば、ガスバリア膜３の屈折率の測定値が、前記しきい値未満であるときはガスバリア膜３のガスバリア性が異常であると判定し、前記しきい値以上であるときはガスバリア膜３のガスバリア性が正常であると判定する。したがって、測定装置１００による測定値を用いて、ガスバリア膜３に欠陥部分３ｘが存在するか否かを判断することができる。
【００４５】
ガスバリア膜３の屈折率の測定は、例えば、光の干渉効果による膜厚解析により行うことができる。光の干渉効果を利用した方法には、ピークバレー法（ＰＶ法）がある。ＰＶ法の原理は、膜の表面で反射した光と膜の裏面で反射した光が互いに干渉し、光の位相が一致すると強度が強まり、光の位相がずれると強度が弱まるという性質を利用している。以下、ＰＶ法を用いたガスバリア膜３の屈折率の測定方法について説明する。
【００４６】
図３（ａ）に示すように、光ファイバー１０により、基材２上へのガスバリア膜３に向けて第１の光Ｌ１を射出する。この際、第１の光Ｌ１の波長を所定の波長範囲内で変化させる。なお、第１の光Ｌ１の伝達速度の大きさは、ガスバリア膜３に入射する前に比べてガスバリア膜３に入射した後のほうが小さくなる。
【００４７】
図３（ｂ）に示すように、第１の光Ｌ１の一部の第２の光Ｌ２は、ガスバリア膜３の表面３ａで反射される。なお、ガスバリア膜３の表面３ａで反射された第２の光Ｌ２の伝達速度の大きさは、ガスバリア膜３に入射する前の第１の光Ｌ１の伝達速度の大きさと略同じ大きさである。
【００４８】
一方、第１の光Ｌ１の残りの一部の第３の光Ｌ３は、図３（ｃ）に示すように、ガスバリア膜３を透過し、ガスバリア膜３の裏面３ｂ（基材２の表面）で反射される。なお、ガスバリア膜３の裏面３ｂで反射された第３の光Ｌ３のガスバリア膜３の膜中における伝達速度の大きさは、ガスバリア膜３に入射した後の第１の光Ｌ１の伝達速度の大きさと略同じ大きさである。
【００４９】
そして、第２の光Ｌ２と第３の光Ｌ３とを干渉させる。干渉光のスペクトルは、第１の光Ｌ１の波長の変化に伴い、強度が変化する波打った形状となる。干渉光のスペクトルの波長のピーク波長（極大値）とバレー波長（極小値）とからガスバリア膜３の膜厚ｄを求める。
【００５０】
各波長での干渉光の強度は、第２の光Ｌ２が反射されるガスバリア膜３の表面３ａと第３の光Ｌ３が反射されるガスバリア膜３の裏面３ｂとの距離によって決まる。すなわち、各波長での干渉光の強度が分かれば、ガスバリア膜３の膜厚ｄを求めることができる。例えば、干渉光を図示しない分光器で波長ごとに分光しＣＣＤに結像させることで波長の強度分布が得られ、それを解析することでガスバリア膜３の膜厚ｄを求める。
【００５１】
また、第３の光Ｌ３は、ガスバリア膜３を２回通過することとなる。そのため、ガスバリア膜３の屈折率をｎ、ガスバリア膜３の膜厚をｄとすると、第２の光Ｌ２の光路長と第３の光Ｌ３の光路長との光路差が２ｎｄだけ生じる。
【００５２】
このように光の干渉効果を利用することにより、ガスバリア膜３の膜厚ｄと、前記光路差とに基づいて、ガスバリア膜３の屈折率ｎを測定することができる。
【００５３】
なお、ガスバリア膜３の屈折率の測定は、複素屈折率の解析、分光エリプソ法により行うこともできる。
【００５４】
以上のようなガスバリア性積層フィルムの検査方法によれば、従来用いられるＪＩＳのガスクロマト法、カルシウム法と比べ、極めて早く評価結果を得ることができる。そのため、例えば製造したガスバリア性積層フィルムの品質評価に適用した場合、短時間のうちに高精度にガスバリア性を評価することが可能となり、出荷可否を判断するための品質確認に要する時間を短くすることができる。
また、本実施形態においては、マーカー部を作製するために新たな工程を加える必要が無い。そのため、マーカー部を有する機能素子を用いた方法に比べて、生産性が向上し、生産コストを低減させることができる。さらに、検査方法の過程で基材に対してダメージが与えることもない。
【００５５】
なお、本実施形態においては、ガスバリア性積層フィルム１を搬送することにより、光ファイバー１０を走査してガスバリア膜３の屈折率を測定することとして説明したが、光ファイバー１０に対してガスバリア性積層フィルム１が相対的に移動するならばこれに限らない。すなわち、ガスバリア性積層フィルム１を固定しておき、当該ガスバリア性積層フィルム１の面内を移動可能な光ファイバーを用いて、ガスバリア膜３の屈折率を測定することとしても構わない。
【００５６】
[第２実施形態]
図４は、本発明の第２実施形態に係るガスバリア性積層フィルムの検査方法の説明図である。本実施形態のガスバリア性積層フィルムの検査方法は、第１実施形態のガスバリア性積層フィルムの検査方法と一部共通しているため、本実施形態において第１実施形態と共通する構成要素については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００５７】
図４に示すように、本実施形態のガスバリア性積層フィルムの検査方法では、測定用光源２１と検出器２２とにＹ型分岐ファイバー１４を介して接続された複数の光ファイバー１０を有する測定装置２００を用い、ガスバリア膜３の屈折率を測定することで、ガスバリア膜３の欠陥部分を検出する。
【００５８】
複数の光ファイバー１０は、長尺の基材２の延在方向（ガスバリア性積層フィルム１の搬送方向）と直交する方向に配列されている。複数の光ファイバー１０は、基端部がそれぞれＹ型分岐ファイバー１４に取り付けられている。各Ｙ型分岐ファイバー１４の一端は、測定用光源２１の側の連結ユニット１６に接続されており、一本のファイバーを介して測定用光源２１に接続されている。各Ｙ型分岐ファイバー１４の他端は、多分岐ファイバーユニット１５を介して検出器２２の側の連結ユニット１７に接続されており、一本のファイバーを介して検出器２２に接続されている。
【００５９】
すなわち、第１実施形態の測定装置１００では１つの光ファイバー１０を走査することでガスバリア膜３の屈折率をガスバリア膜３上で複数個所測定していたが、本実施形態の測定装置２００では複数の光ファイバー１０を長尺の基材２の延在方向（ガスバリア性積層フィルム１の搬送方向）と直交する方向に配列することによりガスバリア膜３の屈折率をガスバリア膜３上で複数個所測定する構成となっている。
【００６０】
以上のようなガスバリア性積層フィルムの検査方法であっても、短時間のうちに高精度にガスバリア性を評価することが可能となり、出荷可否を判断するための品質確認に要する時間を短くすることが可能となる。
【００６１】
[ガスバリア性積層フィルムの製造方法］
図５から図８は、上述のガスバリア性積層フィルムの検査方法を用いたガスバリア性積層フィルムの製造方法を説明する説明図である。以下の説明においては、まず、ガスバリア性積層フィルムについて説明した後、上述のガスバリア膜を形成する成膜装置の説明を行うことにより、本実施形態のガスバリア性積層フィルムの製造方法について説明する
【００６２】
図５は、ガスバリア性積層フィルム１を示す模式図である。図５に示すように、ガスバリア性積層フィルム１は、基材２上にガスバリア膜３が形成されている。
【００６３】
基材２としては、樹脂または樹脂を含む複合材料からなるフィルムまたはシートが好適に用いられる。このような樹脂フィルムまたはシートは、透光性を有していてもよく、また、不透明であってもよい。
【００６４】
基材２を構成する樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂；ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、環状ポリオレフィン等のポリオレフィン樹脂；ポリアミド樹脂；ポリカーボネート樹脂；ポリスチレン樹脂；ポリビニルアルコール樹脂；エチレン−酢酸ビニル共重合体のケン化物；ポリアクリロニトリル樹脂；アセタール樹脂；ポリイミド樹脂；ポリエーテルサルファイド（ＰＥＳ）が挙げられ、必要に応じてそれらの２種以上を組み合わせて用いることもできる。透明性、耐熱性、線膨張性等の必要な特性に合わせて、ポリエステル樹脂、ポリオレフィン樹脂から選ばれることが好ましく、ＰＥＴ、ＰＥＮ、環状ポリオレフィンがより好ましい。また、樹脂を含む複合材料としては、ポリジメチルシロキサン、ポリシルセスキオキサンなどのシリコーン樹脂、ガラスコンポジット基板、ガラスエポキシ基板などが挙げられる。これらの樹脂の中でも、耐熱性及び線膨張率が高いという観点から、ポリエステル系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ガラスコンポジット基板、ガラスエポキシ基板が好ましい。また、これらの樹脂は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
【００６５】
基材２の厚みは、基材２を製造する際の安定性等を考慮して適宜設定されるが、真空中においても基材２の搬送が容易であることから、５μｍ〜５００μｍであることが好ましい。さらに、本実施形態で採用するガスバリア膜の形成では、後述するように基材２を通して放電を行うことから、基材２の厚みは５０μｍ〜２００μｍであることがより好ましく、５０μｍ〜１００μｍであることが特に好ましい。
【００６６】
なお、基材２は、形成するガスバリア膜との密着性の観点から、その表面を清浄するための表面活性処理を施してもよい。このような表面活性処理としては、例えば、コロナ処理、プラズマ処理、フレーム処理が挙げられる。
【００６７】
ガスバリア膜３は、以下に説明するプラズマＣＶＤ成膜装置を用い、有機ケイ素化合物と酸素とのプラズマ反応にて形成されるものである。図５では、完全酸化反応によって形成されるＳｉＯ２を多く含む第１層３Ａ、不完全酸化反応によって生じるＳｉＯｘＣｙを多く含む第２層３Ｂ、で示し、ガスバリア膜３を第１層３Ａと第２層３Ｂとが交互に積層された３層構造であることとして示している。
【００６８】
ただし、図５は膜組成に分布があることを模式的に示したものであり、実際には第１層３Ａと第２層３Ｂとの間は明確に界面が生じているものではなく、組成が連続的に変化している。
【００６９】
図６は、本実施形態のガスバリア性積層フィルムの製造方法で用いるプラズマＣＶＤ成膜装置８の一例を示す模式図である。図６に示すプラズマＣＶＤ成膜装置８は、送り出しロール８１１，８１２と、第１成膜ロール８３１および第２成膜ロール８３２と、ガス供給管８４１と、プラズマ発生用電源８５１と、第１成膜ロール８３１の内部に設置された磁場形成装置（第１磁場形成手段）８６１と、第２成膜ロール８３２の内部に設置された磁場形成装置（第２磁場形成手段）８６２と、巻取りロール８７１，８７２と、を備えており、これらが真空チャンバー８８１の内部に配置されている。また、真空チャンバー８８１は真空ポンプ８９１が接続されており、かかる真空ポンプ８９１により真空チャンバー８８１内の圧力を適宜調整することが可能となっている。
【００７０】
この装置を用いると、プラズマ発生用電源８５１を制御することにより、第１成膜ロール８３１と第２成膜ロール８３２との間の空間に、ガス供給管８４１から供給される成膜ガスの放電プラズマを発生させることができ、発生する放電プラズマを用いてプラズマＣＶＤ成膜を行うことができる。
【００７１】
送り出しロール８１１には、成膜前の基材２Ａが巻き取られた状態で設置され、基材２を長尺方向に巻き出しながら送り出しする。また、基材２Ａの端部側には巻取りロール８７１が設けられ、成膜が行われた後の基材２Ａを牽引しながら巻き取り、ロール状に収容する。
【００７２】
第１成膜ロール８３１と第２成膜ロール８３２とは、平行に延在して対向配置されている。両ロールは導電性材料で形成され、それぞれ回転しながら基材２Ａ、基材２Ｂを搬送する。また、第１成膜ロール８３１と第２成膜ロール８３２とは、相互に絶縁されていると共に、共通するプラズマ発生用電源８５１に接続されている。プラズマ発生用電源８５１から印加すると、第１成膜ロール８３１と第２成膜ロール８３２との間の空間Ｓに電場が形成される。
【００７３】
さらに、第１成膜ロール８３１と第２成膜ロール８３２は、内部に磁場形成装置８６１，８６２が格納されている。磁場形成装置８６１，８６２は、空間Ｓに磁場を形成する部材であり、第１成膜ロール８３１および第２成膜ロール８３２と共には回転しないようにして格納されている。
【００７４】
磁場形成装置８６１，８６２は、第１成膜ロール８３１および第２成膜ロール８３２の延在方向と同方向に延在する中心磁石８６１ａ，８６２ａと、中心磁石８６１ａ，８６２ａの周囲を囲みながら第１成膜ロール８３１および第２成膜ロール８３２の延在方向と同方向に延在して配置される円環状の外部磁石８６１ｂ，８６２ｂと、を有している。磁場形成装置８６１では、中心磁石８６１ａと外部磁石８６１ｂとを結ぶ磁力線（磁界）が、無終端のトンネルを形成している。磁場形成装置８６２においても同様に、中心磁石８６２ａと外部磁石８６２ｂとを結ぶ磁力線が、無終端のトンネルを形成している。
【００７５】
この磁力線と、第１成膜ロール８３１と第２成膜ロール８３２との間に形成される電界と、が交叉するマグネトロン放電によって、成膜ガスの放電プラズマが生成される。すなわち、詳しくは後述するように、空間Ｓは、プラズマＣＶＤ成膜を行う成膜空間として用いられ、基材２Ａにおいて第１成膜ロール８３１に接しない面（成膜面）には、成膜ガスを形成材料とするガスバリア膜が形成される。同様に、基材２Ｂにおいて第１成膜ロール８３２に接しない面（成膜面）には、成膜ガスを形成材料とするガスバリア膜が形成される。
【００７６】
空間Ｓの近傍には、空間ＳにプラズマＣＶＤの原料ガスなどの成膜ガスを供給するガス供給管８４１が設けられている。ガス供給管８４１は、第１成膜ロール８３１及び第２成膜ロール８３２の延在方向と同一方向に延在する管状の形状を有しており、複数箇所に設けられた開口部から空間Ｓに成膜ガスを供給する。図６では、ガス供給管８４１から空間Ｓに向けて成膜ガスを供給する様子を矢印で示している。
【００７７】
原料ガスは、形成するバリア膜の材質に応じて適宜選択して使用することができる。原料ガスとしては、例えばケイ素を含有する有機ケイ素化合物を用いることができる。このような有機ケイ素化合物としては、例えば、ヘキサメチルジシロキサン、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、ビニルトリメチルシラン、メチルトリメチルシラン、ヘキサメチルジシラン、メチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、ジエチルシラン、プロピルシラン、フェニルシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、ジメチルジシラザン、トリメチルジシラザン、テトラメチルジシラザン、ペンタメチルジシラザン、ヘキサメチルジシラザンが挙げられる。これらの有機ケイ素化合物の中でも、化合物の取り扱い性や得られるバリア膜のガスバリア性等の観点から、ヘキサメチルジシロキサン、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサンが好ましい。また、これらの有機ケイ素化合物は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。さらに、原料ガスとして、上述の有機ケイ素化合物の他にモノシランを含有させ、形成するバリア膜のケイ素源として使用することとしてもよい。
【００７８】
成膜ガスとしては、原料ガスの他に反応ガスを用いてもよい。このような反応ガスとしては、原料ガスと反応して酸化物、窒化物等の無機化合物となるガスを適宜選択して使用することができる。酸化物を形成するための反応ガスとしては、例えば、酸素、オゾンを用いることができる。また、窒化物を形成するための反応ガスとしては、例えば、窒素、アンモニアを用いることができる。これらの反応ガスは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができ、例えば酸窒化物を形成する場合には、酸化物を形成するための反応ガスと窒化物を形成するための反応ガスとを組み合わせて使用することができる。
【００７９】
成膜ガスとしては、原料ガスを真空チャンバー内に供給するために、必要に応じて、キャリアガスを用いてもよい。さらに、成膜ガスとしては、放電プラズマを発生させるために、必要に応じて、放電用ガスを用いてもよい。このようなキャリアガス及び放電用ガスとしては、適宜公知のものを使用することができ、例えば、ヘリウム、アルゴン、ネオン、キセノン等の希ガス；水素を用いることができる。
【００８０】
真空チャンバー内の圧力（真空度）は、原料ガスの種類等に応じて適宜調整することができるが、空間Ｓの圧力が０．１Ｐａ〜５０Ｐａであることが好ましい。気相反応を抑制する目的により、プラズマＣＶＤを低圧プラズマＣＶＤ法とする場合、通常０．１Ｐａ〜１０Ｐａである。また、プラズマ発生装置の電極ドラムの電力は、原料ガスの種類や真空チャンバー内の圧力等に応じて適宜調整することができるが、０．１ｋＷ〜１０ｋＷであることが好ましい。
【００８１】
基材２Ａ，２Ｂの搬送速度（ライン速度）は、原料ガスの種類や真空チャンバー内の圧力等に応じて適宜調整することができるが、０．１ｍ／ｍｉｎ〜１００ｍ／ｍｉｎであることが好ましく、０．５ｍ／ｍｉｎ〜２０ｍ／ｍｉｎであることがより好ましい。ライン速度が下限未満では、基材２Ａ，２Ｂに熱に起因する皺の発生しやすくなる傾向にあり、他方、ライン速度が上限を超えると、形成されるガスバリア膜の厚みが薄くなる傾向にある。
【００８２】
以上のようなプラズマＣＶＤ成膜装置８においては、以下のようにして基材２Ａ，２Ｂに対し成膜が行われる。
【００８３】
まず、真空チャンバー８８１内を減圧環境とし、第１成膜ロール８３１および第２成膜ロール８３２に印加して空間Ｓに電界を生じさせる。第１成膜ロール８３１および第２成膜ロール８３２からは真空チャンバー８８１内に電子が放出される。
【００８４】
この際、磁場形成装置８６１，８６２では上述した無終端のトンネル状の磁場を形成しているため、成膜ガスを導入することにより、該磁場と空間Ｓに放出される電子とによって、該トンネルに沿ったドーナツ状の成膜ガスの放電プラズマが形成される。この放電プラズマは、数Ｐａ近傍の低圧力で発生可能であるため、真空チャンバー８８１内の温度を室温近傍とすることが可能になる。
【００８５】
一方、磁場形成装置８６１，８６２が形成する磁場に高密度で捉えられている電子の温度は高いので、当該電子と成膜ガスとの衝突により生じる放電プラズマが生じる。すなわち、空間Ｓに形成される磁場と電場により電子が空間Ｓに閉じ込められることにより、空間Ｓに高密度の放電プラズマが形成される。より詳しくは、無終端のトンネル状の磁場と重なる空間においては、高密度の（高強度の）放電プラズマが形成され、無終端のトンネル状の磁場とは重ならない空間においては低密度の（低強度の）放電プラズマが形成される。これら放電プラズマの強度は、連続的に変化するものである。
【００８６】
放電プラズマが生じると、ラジカルやイオンを多く生成してプラズマ反応が進行し、成膜ガスに含まれる原料ガスと反応ガスとの反応が生じる。例えば、原料ガスである有機ケイ素化合物と、反応ガスである酸素とが反応し、有機ケイ素化合物の酸化反応が生じる。ここで、高強度の放電プラズマが形成されている空間では、酸化反応に与えられるエネルギーが多いため反応が進行しやすく、主として有機ケイ素化合物の完全酸化反応を生じさせることができる。一方、低強度の放電プラズマが形成されている空間では、酸化反応に与えられるエネルギーが少ないため反応が進行しにくく、主として有機ケイ素化合物の不完全酸化反応を生じさせることができる。
【００８７】
なお、本明細書において「有機ケイ素化合物の完全酸化反応」とは、有機ケイ素化合物と酸素との反応が進行し、有機ケイ素化合物が二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）と水と二酸化炭素にまで酸化分解されることを指す。「有機ケイ素化合物の不完全酸化反応」とは、有機ケイ素化合物が完全酸化反応をせず、ＳｉＯ２ではなく構造中に炭素を含むＳｉＯｘＣｙ（０＜ｘ＜２，０＜ｙ＜２）が生じる反応となることを指す。
【００８８】
上述のように放電プラズマは、第１成膜ロール８３１および第２成膜ロール８３２の表面にドーナツ状に形成されるため、第１成膜ロール８３１の表面を搬送される基材２Ａ、第２成膜ロール８３２の表面を搬送される基材２Ｂは、高強度の放電プラズマが形成されている空間と、低強度の放電プラズマが形成されている空間と、を交互に通過することとなる。そのため、第１成膜ロール８３１および第２成膜ロール８３２の表面を通過する基材２Ａ，２Ｂの表面には、完全酸化反応によって生じるＳｉＯ２と不完全酸化反応によって生じるＳｉＯｘＣｙとが、交互に形成される。
【００８９】
これらに加えて、高温の２次電子が磁場の作用で基材２Ａ，２Ｂに流れ込むのが防止され、よって、基材２Ａ，２Ｂの温度を低く抑えたままで高い電力の投入が可能となり、高速成膜が達成される。膜の堆積は、主に基材２Ａ，２Ｂの成膜面のみに起こり、成膜ロールは基材２Ａ，２Ｂに覆われて汚れにくいために、長時間の安定成膜ができる。
【００９０】
このようにして形成されるガスバリア膜３は、珪素、酸素及び炭素を含有するガスバリア膜３が、該層の膜厚方向における該層の表面からの距離と、珪素原子、酸素原子及び炭素原子の合計量に対する珪素原子の量の比率（珪素の原子比）、酸素原子の量の比率（酸素の原子比）及び炭素原子の量の比率（炭素の原子比）との関係をそれぞれ示す珪素分布曲線、酸素分布曲線及び炭素分布曲線において、下記条件（i）〜（iii）の全てを満たしている。
【００９１】
（i）まず、ガスバリア膜３が、珪素の原子比、酸素の原子比及び炭素の原子比が、該層の膜厚の９０％以上（より好ましくは９５％以上、特に好ましくは１００％）の領域において下記式（１）：
（酸素の原子比）＞（珪素の原子比）＞（炭素の原子比）・・・（１）
で表される条件を満たすこと、或いは、珪素の原子比、酸素の原子比及び炭素の原子比が、該層の膜厚の９０％以上（より好ましくは９５％以上、特に好ましくは１００％）の領域において下記式（２）：
（炭素の原子比）＞（珪素の原子比）＞（酸素の原子比）・・・（２）
で表される条件を満たしている。
【００９２】
ガスバリア膜３における珪素の原子比、酸素の原子比及び炭素の原子比が、(i)の条件を満たす場合には、得られるガスバリア性積層フィルムのガスバリア性が十分なものとなる。
【００９３】
（ii）次に、このようなガスバリア膜３は、炭素分布曲線が少なくとも１つの極値を有するものである。
【００９４】
このようなガスバリア膜３においては、炭素分布曲線が少なくとも２つの極値を有することがより好ましく、少なくとも３つの極値を有することが特に好ましい。炭素分布曲線が極値を有さない場合には、得られるガスバリア性積層フィルムのフィルムを屈曲させた場合におけるガスバリア性が不十分となる。また、このように少なくとも３つの極値を有する場合においては、炭素分布曲線の有する一つの極値及び該極値に隣接する極値におけるガスバリア膜３の膜厚方向におけるガスバリア膜３の表面からの距離の差の絶対値がいずれも２００ｎｍ以下であることが好ましく、１００ｎｍ以下であることがより好ましい。
【００９５】
なお、本実施形態において極値とは、ガスバリア膜３の膜厚方向におけるガスバリア膜３の表面からの距離に対する元素の原子比の極大値又は極小値のことをいう。また、本明細書において極大値とは、ガスバリア膜３の表面からの距離を変化させた場合に元素の原子比の値が増加から減少に変わる点であって且つその点の元素の原子比の値よりも、該点からガスバリア膜３の膜厚方向におけるガスバリア膜３の表面からの距離を更に２０ｎｍ変化させた位置の元素の原子比の値が３ａｔ％以上減少する点のことをいう。さらに、本実施形態において極小値とは、ガスバリア膜３の表面からの距離を変化させた場合に元素の原子比の値が減少から増加に変わる点であり、且つその点の元素の原子比の値よりも、該点からガスバリア膜３の膜厚方向におけるガスバリア膜３の表面からの距離を更に２０ｎｍ変化させた位置の元素の原子比の値が３ａｔ％以上増加する点のことをいう。
【００９６】
（iii）更に、このようなガスバリア膜３は、炭素分布曲線における炭素の原子比の最大値及び最小値の差の絶対値が５ａｔ％以上である。
【００９７】
このようなガスバリア膜３においては、炭素の原子比の最大値及び最小値の差の絶対値が６ａｔ％以上であることがより好ましく、７ａｔ％以上であることが特に好ましい。絶対値が５ａｔ％未満では、得られるガスバリア性積層フィルムのフィルムを屈曲させた場合におけるガスバリア性が不十分となる。
【００９８】
本実施形態においては、ガスバリア膜３の酸素分布曲線が少なくとも１つの極値を有することが好ましく、少なくとも２つの極値を有することがより好ましく、少なくとも３つの極値を有することが特に好ましい。酸素分布曲線が極値を有さない場合には、得られるガスバリア性積層フィルムのフィルムを屈曲させた場合におけるガスバリア性が低下する傾向にある。また、このように少なくとも３つの極値を有する場合においては、酸素分布曲線の有する一つの極値及び該極値に隣接する極値におけるガスバリア膜３の膜厚方向におけるガスバリア膜３の表面からの距離の差の絶対値がいずれも２００ｎｍ以下であることが好ましく、１００ｎｍ以下であることがより好ましい。
【００９９】
また、本実施形態においては、ガスバリア膜３の酸素分布曲線における酸素の原子比の最大値及び最小値の差の絶対値が５ａｔ％以上であることが好ましく、６ａｔ％以上であることがより好ましく、７ａｔ％以上であることが特に好ましい。絶対値が下限未満では、得られるガスバリア性積層フィルムのフィルムを屈曲させた場合におけるガスバリア性が低下する傾向にある。
【０１００】
本実施形態においては、ガスバリア膜３の珪素分布曲線における珪素の原子比の最大値及び最小値の差の絶対値が５ａｔ％未満であることが好ましく、４ａｔ％未満であることがより好ましく、３ａｔ％未満であることが特に好ましい。絶対値が上限を超えると、得られるガスバリア性積層フィルムのガスバリア性が低下する傾向にある。
【０１０１】
また、本実施形態においては、ガスバリア膜３の膜厚方向における該層の表面からの距離と珪素原子、酸素原子及び炭素原子の合計量に対する酸素原子及び炭素原子の合計量の比率（酸素及び炭素の原子比）との関係を示す酸素炭素分布曲線において、酸素炭素分布曲線における酸素及び炭素の原子比の合計の最大値及び最小値の差の絶対値が５ａｔ％未満であることが好ましく、４ａｔ％未満であることがより好ましく、３ａｔ％未満であることが特に好ましい。絶対値が上限を超えると、得られるガスバリア性積層フィルムのガスバリア性が低下する傾向にある。
【０１０２】
ここで、珪素分布曲線、酸素分布曲線、炭素分布曲線及び酸素炭素分布曲線は、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ：Ｘｒａｙ  Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）の測定とアルゴン等の希ガスイオンスパッタとを併用することにより、試料内部を露出させつつ順次表面組成分析を行う、いわゆるＸＰＳデプスプロファイル測定により作成することができる。このようなＸＰＳデプスプロファイル測定により得られる分布曲線は、例えば、縦軸を各元素の原子比（単位：ａｔ％）とし、横軸をエッチング時間（スパッタ時間）として作成することができる。なお、このように横軸をエッチング時間とする元素の分布曲線においては、エッチング時間は膜厚方向におけるガスバリア膜３の膜厚方向におけるガスバリア膜３の表面からの距離に概ね相関することから、「ガスバリア膜３の膜厚方向におけるガスバリア膜３の表面からの距離」として、ＸＰＳデプスプロファイル測定の際に採用したエッチング速度とエッチング時間との関係から算出されるガスバリア膜３の表面からの距離を採用することができる。また、このようなＸＰＳデプスプロファイル測定に際して採用するスパッタ法としては、エッチングイオン種としてアルゴン（Ａｒ＋）を用いた希ガスイオンスパッタ法を採用し、そのエッチング速度（エッチングレート）を０．０５ｎｍ／ｓｅｃ（ＳｉＯ２熱酸化膜換算値）とすることが好ましい。
【０１０３】
また、本実施形態においては、膜面全体において均一で且つ優れたガスバリア性を有するガスバリア膜３を形成するという観点から、ガスバリア膜３が膜面方向（ガスバリア膜３の表面に平行な方向）において実質的に一様であることが好ましい。本明細書において、ガスバリア膜３が膜面方向において実質的に一様とは、ＸＰＳデプスプロファイル測定によりガスバリア膜３の膜面の任意の２箇所の測定箇所について酸素分布曲線、炭素分布曲線及び酸素炭素分布曲線を作成した場合に、その任意の２箇所の測定箇所において得られる炭素分布曲線が持つ極値の数が同じであり、それぞれの炭素分布曲線における炭素の原子比の最大値及び最小値の差の絶対値が、互いに同じであるかもしくは５ａｔ％以内の差であることをいう。
【０１０４】
さらに、本実施形態においては、炭素分布曲線は実質的に連続であることが好ましい。
本明細書において、炭素分布曲線が実質的に連続とは、炭素分布曲線における炭素の原子比が不連続に変化する部分を含まないことを意味し、具体的には、エッチング速度とエッチング時間とから算出されるガスバリア膜３の膜厚方向における該層の表面からの距離（ｘ、単位：ｎｍ）と、炭素の原子比（Ｃ、単位：ａｔ％）との関係において、下記数式（Ｆ１）：
｜ｄＣ／ｄｘ｜≦１  ・・・（Ｆ１）
で表される条件を満たすことをいう。
【０１０５】
本実施形態の方法により製造されるガスバリア性積層フィルムは、上記条件（i）〜（iii）を全て満たすガスバリア膜３を少なくとも１層備えるが、そのような条件を満たす層を２層以上を備えていてもよい。さらに、このようなガスバリア膜３を２層以上備える場合には、複数のガスバリア膜３の材質は、同一であってもよく、異なっていてもよい。また、このようなガスバリア膜３を２層以上備える場合には、このようなガスバリア膜３は基材の一方の表面上に形成されていてもよく、基材の両方の表面上に形成されていてもよい。また、このような複数のガスバリア膜３としては、ガスバリア性を必ずしも有しないガスバリア膜３を含んでいてもよい。
【０１０６】
また、珪素分布曲線、酸素分布曲線及び炭素分布曲線において、珪素の原子比、酸素の原子比及び炭素の原子比が、該層の膜厚の９０％以上の領域において式（１）で表される条件を満たす場合には、ガスバリア膜３中における珪素原子、酸素原子及び炭素原子の合計量に対する珪素原子の含有量の原子比率は、２５ａｔ％〜４５ａｔ％であることが好ましく、３０ａｔ％〜４０ａｔ％であることがより好ましい。また、ガスバリア膜３中における珪素原子、酸素原子及び炭素原子の合計量に対する酸素原子の含有量の原子比率は、３３ａｔ％〜６７ａｔ％であることが好ましく、４５ａｔ％〜６７ａｔ％であることがより好ましい。さらに、ガスバリア膜３中における珪素原子、酸素原子及び炭素原子の合計量に対する炭素原子の含有量の原子比率は、３ａｔ％〜３３ａｔ％であることが好ましく、３ａｔ％〜２５ａｔ％であることがより好ましい。
【０１０７】
さらに、珪素分布曲線、酸素分布曲線及び炭素分布曲線において、珪素の原子比、酸素の原子比及び炭素の原子比が、該層の膜厚の９０％以上の領域において式（２）で表される条件を満たす場合には、ガスバリア膜３中における珪素原子、酸素原子及び炭素原子の合計量に対する珪素原子の含有量の原子比率は、２５ａｔ％〜４５ａｔ％であることが好ましく、３０ａｔ％〜４０ａｔ％であることがより好ましい。また、ガスバリア膜３中における珪素原子、酸素原子及び炭素原子の合計量に対する酸素原子の含有量の原子比率は、１ａｔ％〜３３ａｔ％であることが好ましく、１０ａｔ％〜２７ａｔ％であることがより好ましい。さらに、ガスバリア膜３中における珪素原子、酸素原子及び炭素原子の合計量に対する炭素原子の含有量の原子比率は、３３ａｔ％〜６６ａｔ％であることが好ましく、４０ａｔ％〜５７ａｔ％であることがより好ましい。
【０１０８】
また、ガスバリア膜３の厚みは、５ｎｍ〜３０００ｎｍの範囲であることが好ましく、１０ｎｍ〜２０００ｎｍの範囲であることより好ましく、１００ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲であることが特に好ましい。ガスバリア膜３の厚みが下限未満では、酸素ガスバリア性、水蒸気バリア性等のガスバリア性が劣る傾向にあり、他方、上限を超えると、屈曲によりガスバリア性が低下しやすくなる傾向にある。
【０１０９】
また、本実施形態のガスバリア性積層フィルムが複数のガスバリア膜３を備える場合には、それらのガスバリア膜３の厚みの合計値は、通常１０ｎｍ〜１００００ｎｍの範囲であり、１０ｎｍ〜５０００ｎｍの範囲であることが好ましく、１００ｎｍ〜３０００ｎｍの範囲であることより好ましく、２００ｎｍ〜２０００ｎｍの範囲であることが特に好ましい。ガスバリア膜３の厚みの合計値が下限未満では、酸素ガスバリア性、水蒸気バリア性等のガスバリア性が劣る傾向にあり、他方、上限を超えると、屈曲によりガスバリア性が低下しやすくなる傾向にある。
【０１１０】
このようなガスバリア膜３を形成するには、成膜ガスに含まれる原料ガスと反応ガスの比率としては、原料ガスと反応ガスとを完全に反応させるために理論上必要となる反応ガスの量の比率よりも、反応ガスの比率を過剰にし過ぎないことが好ましい。反応ガスの比率を過剰にし過ぎてしまうと、上記条件（i）〜（iii）を全て満たすガスバリア膜３が得られなくなってしまう。
【０１１１】
以下、成膜ガスとして、原料ガスとしてのヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ：（ＣＨ３）６Ｓｉ２Ｏ：）と反応ガスとしての酸素（Ｏ２）を含有するものを用い、ケイ素−酸素系の薄膜層を製造する場合を例に挙げて、成膜ガス中の原料ガスと反応ガスの好適な比率等についてより詳細に説明する。
【０１１２】
原料ガスとしてのＨＭＤＳＯと、反応ガスとしての酸素とを含有する成膜ガスをプラズマＣＶＤにより反応させてケイ素−酸素系の薄膜層を作製する場合、その成膜ガスにより下記反応式（１）に記載のような反応が起こり、二酸化ケイ素が製造される。
［化１］
（ＣＨ３）６Ｓｉ２Ｏ＋１２Ｏ２→６ＣＯ２＋９Ｈ２Ｏ＋２ＳｉＯ２    …（１）
【０１１３】
このような反応においては、ＨＭＤＳＯ１モルを完全酸化するのに必要な酸素量は１２モルである。そのため、成膜ガス中に、ＨＭＤＳＯ１モルに対して酸素を１２モル以上含有させて完全に反応させた場合には、均一な二酸化ケイ素膜が形成されてしまうため、上記条件（i）〜（iii）を全て満たすガスバリア膜３を形成することができなくなってしまう。そのため、本実施形態のガスバリア膜３を形成する際には、上記（１）式の反応が完全に進行してしまわないように、ＨＭＤＳＯ１モルに対して酸素量を化学量論比の１２モルより少なくする必要がある。
【０１１４】
なお、プラズマＣＶＤ成膜装置８の真空チャンバー８８１内の反応では、原料のＨＭＤＳＯと反応ガスの酸素は、ガス供給部から成膜領域へ供給されて成膜されるので、反応ガスの酸素のモル量（流量）が原料のＨＭＤＳＯのモル量（流量）の１２倍のモル量（流量）であったとしても、現実には完全に反応を進行させることはできず、酸素の含有量を化学量論比に比して大過剰に供給して初めて反応が完結すると考えられる（例えば、ＣＶＤにより完全酸化させて酸化ケイ素を得るために、酸素のモル量（流量）を原料のＨＭＤＳＯのモル量（流量）の２０倍以上程度とする場合もある）。そのため、原料のＨＭＤＳＯのモル量（流量）に対する酸素のモル量（流量）は、化学量論比である１２倍量以下（より好ましくは、１０倍以下）の量であることが好ましい。
【０１１５】
このような比でＨＭＤＳＯ及び酸素を含有させることにより、完全に酸化されなかったＨＭＤＳＯ中の炭素原子や水素原子がガスバリア膜３中に取り込まれ、上記条件（i）〜（iii）を全て満たすガスバリア膜３を形成することが可能となって、得られるガスバリア性積層フィルムに優れたバリア性及び耐屈曲性を発揮させることが可能となる。
【０１１６】
なお、成膜ガス中のＨＭＤＳＯのモル量（流量）に対する酸素のモル量（流量）が少なすぎると、酸化されなかった炭素原子や水素原子がガスバリア膜３中に過剰に取り込まれるため、この場合はバリア膜の透明性が低下する。このようなガスバリア性積層フィルムは有機ＥＬデバイスや有機薄膜太陽電池などのような透明性を必要とするデバイス用のフレキシブル基板には利用できなくなってしまう。このような観点から、成膜ガス中のＨＭＤＳＯのモル量（流量）に対する酸素のモル量（流量）の下限は、ＨＭＤＳＯのモル量（流量）の０．１倍より多い量とすることが好ましく、０．５倍より多い量とすることがより好ましい。
【０１１７】
このように、有機ケイ素化合物が完全酸化するか否かは、成膜ガス中の原料ガスと反応ガスとの混合比の他に、第１成膜ロール８３１および第２成膜ロール８３２に印加する印加電圧によっても制御することができる。
【０１１８】
このような放電プラズマを用いたプラズマＣＶＤ法により、第１成膜ロール８３１および第２成膜ロール８３２に巻き掛けた基材２Ａ，２Ｂの表面に対してガスバリア膜の形成を行うことができる。
【０１１９】
本実施形態のプラズマＣＶＤ成膜装置８においては、第１成膜ロール８３１と巻き取りロール８７１との間の基材２Ａの搬送経路上に、測定装置１００の光ファイバー１０が配置されている。すなわち、ガスバリア膜３が形成された基材２Ａを連続的に搬送しながらガスバリア膜３の欠陥部分を検査する構成となっている。
【０１２０】
得られるガスバリア性積層フィルムについて、上述の検査方法を用いてガスバリア膜の成膜不良を検査することで、品質の確認を短時間で行うことができ、生産性の高いガスバリア性積層フィルムの製造を実現することができる。すなわち、以上のようなガスバリア性積層フィルムの製造方法においては、上述の検査方法を採用して検査する工程を有することにより、高品質のガスバリア性積層フィルムを安定的に製造することが可能となる。
【０１２１】
なお、本実施形態においては、第１成膜ロール８３１と巻き取りロール８７１との間の基材２Ａの搬送経路上に、測定装置１００の光ファイバー１０を配置した構成を挙げて説明したが、これに限らない。例えば、第２成膜ロール８３２と巻き取りロール８７２との間の基材２Ｂの搬送経路上に、測定装置１００の光ファイバー１０を配置した構成であってもよい。
【０１２２】
図７は、プラズマＣＶＤ成膜装置の第１変形例を示す説明図である。
本変形例のプラズマＣＶＤ成膜装置８Ａは、上述したプラズマＣＶＤ成膜装置８と一部共通しているため、本変形例において図６で示した構成と共通する構成要素については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
【０１２３】
図７に示すように、本変形例のプラズマＣＶＤ成膜装置８Ａにおいては、マーキング装置３０を有する測定装置１００Ａの一部が組み込まれている。具体的には、第１成膜ロール８３１と巻き取りロール８７１との間の基材２Ａの搬送経路上に、測定装置１００Ａの光ファイバー１０が配置され、この光ファイバー１０よりも基材２Ａの搬送経路下流側にマーキング装置３０が配置されている。
【０１２４】
マーキング装置３０は制御装置２３を介して検出器２２に接続されている。マーキング装置３０は、ガスバリア膜３の欠陥部分が検査された後に、ガスバリア膜３の屈折率の測定値が予め設定されたガスバリア膜３の屈折率のしきい値よりも小さい屈折率を有するガスバリア膜３に対してマーキングする。
【０１２５】
すなわち、ガスバリア膜３の屈折率の測定値と、予め設定されたガスバリア膜３の屈折率のしきい値とを比較し、当該比較結果に基づいてガスバリア膜３のガスバリア性が異常と判定された場合には、制御装置２３からマーキング装置３０へ駆動信号が伝わり、マーキング装置３０からガスバリア膜３に向けてレーザー光が射出されることにより、ガスバリア膜３に対してマーキングが施される。
【０１２６】
以上のようなガスバリア性積層フィルムの製造方法においては、上述の検査方法を採用して検査する工程を有することにより、ガスバリア膜３の欠陥部分が視認しやすくなる。よって、ガスバリア性積層フィルムのガスバリア膜のガスバリア性を容易に判定することができる。
【０１２７】
図８は、プラズマＣＶＤ成膜装置の第２変形例を示す説明図である。
本変形例のプラズマＣＶＤ成膜装置９は、上述したプラズマＣＶＤ成膜装置８と一部共通しているため、本変形例において図６で示した構成と共通する構成要素については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
【０１２８】
図８に示すように、プラズマＣＶＤ成膜装置９は、送り出しロール９１１と、搬送ロール９２１，９２２，９２３，９２４と、第１成膜ロール９３１、第２成膜ロール９３２と、ガス供給管９４１と、プラズマ発生用電源９５１と、第１成膜ロール９３１及び第２成膜ロール９３２の内部に設置された磁場発生装置９６１，９６２と、巻取りロール９７１と、を備えており、これらが真空チャンバー９８１の内部に配置されている。また、真空チャンバー９８１は真空ポンプ９９１に接続されており、かかる真空ポンプ９９１により真空チャンバー９８１内の圧力を適宜調整することが可能となっている。
【０１２９】
プラズマＣＶＤ成膜装置９において、送り出しロール９１１から送り出された長尺の基材２は、搬送ロール９２１を介して第１成膜ロール９３１に達する。第１成膜ロール９３１と第２成膜ロール９３２との間では、ガス供給管９４１から供給される成膜ガスの放電プラズマを生じさせ、基材２が第１成膜ロール９３１上を通過する際に、基材２の一面（成膜面２ａ）に成膜ガスを形成材料として薄膜が形成される。
【０１３０】
第２成膜ロール９３２においては、第１成膜ロール９３１と同様に、第１成膜ロール９３１と第２成膜ロール９３２との間に生じさせる放電プラズマにより成膜面２ａに薄膜が形成される。成膜された基材２は、搬送ロール９２４を介して巻取りロール９７１に送られ、巻き取りロール９７１では、成膜が行われた後の基材２を牽引しながら巻き取り、ロール状に収容する。プラズマＣＶＤ成膜装置９では、このようにして長尺の基材２に連続してＣＶＤ成膜を行う。
【０１３１】
なお、本変形例のプラズマＣＶＤ成膜装置９においても、第１成膜ロール９３１，第２成膜ロール９３２に内蔵された磁場形成装置により、無終端のトンネル状の磁場を形成し、ドーナツ状の放電プラズマを発生させることにより、上述のような構造のガスバリア膜を成膜することが可能である。
【０１３２】
本変形例のプラズマＣＶＤ成膜装置９においては、搬送ロール９２４と巻き取りロール９７１との間の基材２の搬送経路上に、測定装置１００の光ファイバー１０が配置されている。すなわち、ガスバリア膜３が形成された基材２を連続的に搬送しながらガスバリア膜３の欠陥部分を検査する構成となっている。
【０１３３】
本変形例のプラズマＣＶＤ成膜装置９により得られるガスバリア性積層フィルムについても、上述の検査方法を用いてガスバリア膜の成膜不良を検査することで、品質の確認を短時間で行うことができ、生産性の高いガスバリア性積層フィルムの製造を実現することができる。すなわち、以上のようなガスバリア性積層フィルムの製造方法においては、上述の検査方法を採用して検査する工程を有することにより、高品質のガスバリア性積層フィルムを安定的に製造することが可能となる。
【０１３４】
なお、本変形例のプラズマＣＶＤ成膜装置９においては、搬送ロール９２４と巻き取りロール９７１との間の基材２の搬送経路上に、測定装置１００の光ファイバー１０が配置された構成を挙げて説明したが、これに限らない。例えば、第２成膜ロール９３２と搬送ロール９２４との間の基材２の搬送経路上に、測定装置１００の光ファイバー１０が配置された構成であってもよい。
【０１３５】
このように形成されるガスバリア性積層フィルムは、樹脂フィルムを基材２として用い、フレキシブルな製品の部材として使用可能である。また、ガスバリア膜を有するため、有機ＥＬ素子、有機薄膜層太陽電池、液晶ディスプレイ、アモルファスシリコン太陽電池、電子ペーパー、タッチパネル、をはじめとするガスバリア性が必要とされる各種製品の部材（電子デバイス）として好適に用いることができる。
【０１３６】
なお、上述した検査方法は、前記ガスバリア性積層フィルムを用いたガスバリア性積層フィルム付電子デバイスに対しても行うことができる。また、前記検査工程を含む電子デバイスの製造方法においても適用することができる。
【０１３７】
また、上述した検査方法においては、予めガスバリア膜の水蒸気透過度を測定していたが、これに限らない。例えば、酸素透過度や窒素透過度など、水蒸気以外のガス透過度を測定することにより行うこともできる。
【０１３８】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【実施例】
【０１３９】
以下、実施例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。なお、ガスバリア性積層フィルムのガスバリア膜の水蒸気透過度、屈折率は以下の方法により測定した。
【０１４０】
[水蒸気透過度の測定]
温度４０℃、低湿度側の湿度０％ＲＨ、高湿度側の湿度９０％ＲＨの条件において、水蒸気透過度測定機（ＧＴＲテック社製、機種名「ＧＴＲテック−３０００」）を用いて、ＪＩＳ  Ｋ  ７１２９.２００８「プラスチック−フィルム及びシート−水蒸気透過度の求め方（機器測定法）」附属書Ｃ「ガスクロマトグラフ法による水蒸気透過度の求め方」（以下、ＪＩＳのガスクロマト法という場合がある。）に従い、ガスバリア性積層フィルムの水蒸気透過度を測定した。
【０１４１】
[屈折率の測定]
反射分光膜厚計（大塚電子社製、機種名「ＦＥ−３０００」）を用いて、ガスバリア性積層フィルムの屈折率を測定した。先ず、ガスバリア膜を成膜していない基材の絶対反射率をアルミニウムの標準反射板を用いて測定し、基材の屈折率と消衰係数とを材料データとして登録した。次に、ガスバリア膜が成膜された基材の絶対反射率をアルミニウムの標準反射板を用いて測定し、ガスバリア膜の屈折率を求めた。
【０１４２】
前述の図８に示すプラズマＣＶＤ成膜装置を用いてガスバリア性積層フィルムを製造した。すなわち、２軸延伸ポリエチレンナフタレートフィルム（ＰＥＮフィルム、厚み：１００μｍ、幅：７００ｍｍ、帝人デュポンフィルム（株）製、商品名「テオネックスＱ６５ＦＡ」）を基材２として用い、これを送り出しロ−ル９１１に装着した。そして、第１成膜ロール９３１と第２成膜ロール９３２との間に磁場を印加すると共に、第１成膜ロール９３１と第２成膜ロール９３２にそれぞれ電力を供給して第１成膜ロール９３１と第２成膜ロール９３２との間に放電してプラズマを発生させ、このような放電領域に成膜ガス（原料ガスとしてのヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）と反応ガスとしての酸素ガス（放電ガスとしても機能する）の混合ガス）を供給して、下記条件にてプラズマＣＶＤ法による薄膜形成を行った。この工程を３回行うことにより、ガスバリア性積層フィルムを得た。
【０１４３】
（成膜条件）
成膜ガスの混合比（ヘキサメチルジシロキサン／酸素）：１００／１０００［単位：ｓｃｃｍ（Ｓｔａｎｄａｒｄ  Ｃｕｂｉｃ  Ｃｅｎｔｉｍｅｔｅｒ  ｐｅｒ  Ｍｉｎｕｔｅ）、０℃、１気圧基準］
真空チャンバー内の真空度：３Ｐａ
プラズマ発生用電源からの印加電力：１．６ｋＷ
プラズマ発生用電源の周波数：７０ｋＨｚ
フィルムの搬送速度：０．５ｍ／ｍｉｎ。
【０１４４】
このようにして得られた通常品のガスバリア性積層フィルムの一例（サンプルＮｏ.１）としては、ガスバリア層の厚みは１．０２μｍであり、温度４０℃、低湿度側の湿度０％ＲＨ、高湿度側の湿度９０％ＲＨの条件におけるガスバリア層の水蒸気透過度は２×１０−５ｇ／ｍ２／ｄａｙ）であった。
また、反射分光膜厚計によるガスバリア層の屈折率は、波長７５０ｎｍにおいて１．５３６であった。
【０１４５】
一方、アウトガスなどによる異常品のガスバリア性積層フィルムの一例（サンプルＮｏ.７）としては、ガスバリア層の厚みは１．０９μｍであり、温度４０℃、低湿度側の湿度０％ＲＨ、高湿度側の湿度９０％ＲＨの条件におけるガスバリア層の水蒸気透過度は２×１０−３ｇ／ｍ２／ｄａｙ）であった。
また、反射分光膜厚計によるガスバリア層の屈折率は、波長７５０ｎｍにおいて１．４９７であった。
【０１４６】
表１に、ガスバリア性積層フィルムのガスバリア膜を複数個所（サンプルＮｏ.１〜７）で測定したときのガスバリア膜の膜厚、水蒸気透過度、波長７５０ｎｍにおける屈折率、サンプルＮｏ.２の屈折率とサンプルＮｏ.３の屈折率との間にしきい値を設定したときの通常品・異常品の区別を示す。
【０１４７】
【表１】
0005849370.tif 000002
【０１４８】
表２に、波長７５０ｎｍにおけるガスバリア膜の屈折率と水蒸気透過度との関係を示す。片対数グラフの横軸は屈折率であり、縦軸は水蒸気透過度である。
【０１４９】
【表２】
0005849370.tif 000003
【０１５０】
表１および表２から明らかなように、同じ成膜条件で成膜したガスバリア膜どうしにおいて膜厚がほぼ一定であるにもかかわらず、ガスバリア膜の水蒸気透過度は大きく異なる。ガスバリア膜の水蒸気透過度と屈折率とは一定の対応関係（水蒸気透過度が小さくなると屈折率が小さくなる関係）にある。このため、予めしきい値を設定してガスバリア膜の屈折率を測定することにより、非破壊でガスバリア性の良い通常品とガスバリア性の悪い異常品とを判別することができる。例えば、サンプルＮｏ.２の屈折率とサンプルＮｏ.３の屈折率との間にしきい値を設定することにより、当該しきい値よりも小さい屈折率を有するサンプルＮｏ.３〜７を異常品と判別することができる。なお、しきい値の設定位置はサンプルＮｏ.２の屈折率とサンプルＮｏ.３の屈折率との間に限らず、適宜、所望の位置に設定することができる。
【符号の説明】
【０１５１】
１…ガスバリア性積層フィルム、２，２Ａ，２Ｂ…基材、３…ガスバリア膜、３ｘ…欠陥部分、８３１，９３１…第１成膜ロール、８３２，９３２…第２成膜ロール、ｄ…ガスバリア膜の膜厚、Ｌ１…第１の光、Ｌ２…第２の光、Ｌ３…第３の光 
【図１】
0005849370.tif 000004
【図２】
0005849370.tif 000005
【図３】
0005849370.tif 000006
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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