(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンバータ回路の動作のための方法であって、
前記コンバータ回路は、少なくとも２つの位相モジュール（４）を有し、
各位相モジュール（４）は、第１および第２のサブコンバータシステム（１、２）を有し、
各位相モジュール（４）のサブコンバータシステム（１、２）は、互いに直列に接続され、
各サブコンバータシステム（１、２）は、複数の直列に接続された二極スイッチングセル（３）を具備し、
各スイッチングセル（３）は、制御可能な双方向パワー半導体スイッチと、制御された単方向電流フロー方向を有する素子と、容量性エネルギー蓄積素子とを有し、
前記第１のサブコンバータシステム（１）の中の前記スイッチングセル（３）の中の前記パワー半導体スイッチは、制御信号（Ｓ１）を用いて制御され、
前記第２のサブコンバータシステム（２）の中の前記スイッチングセル（３）の中の前記パワー半導体スイッチは、さらなる制御信号（Ｓ２）を用いて制御され、
前記第１のサブコンバータシステム（１）のための前記制御信号（Ｓ１）は、前記第１のサブコンバータシステム（１）を横切った電圧（Ｕ１）に関する第１の基準信号（Ｖｒｅｆ，Ｕ１）から形成され、
前記第２のサブコンバータシステム（２）のための前記さらなる制御信号（Ｓ２）は、前記第２のサブコンバータシステムを横切った電圧（Ｕ２）に関する第２の基準信号（Ｖｒｅｆ，Ｕ２）から形成され、
前記制御信号（Ｓ１）は、前記第１のサブコンバータシステム（１）に関する第１のダンピング信号（Ｖｄ，Ｕ１）からさらに形成され、
前記第１のダンピング信号（Ｖｄ，Ｕ１）は、前記第１のサブコンバータシステム（１）を通って測定された電流（ｉ１）および予め決定可能な抵抗値（Ｒｄ）の積から形成され、
前記さらなる制御信号（Ｓ２）は、前記第２のサブコンバータシステム（２）に関する第２のダンピング信号（Ｖｄ，Ｕ２）からさらに形成され、
前記第２のダンピング信号（Ｖｄ，Ｕ２）は、前記第２のサブコンバータシステム（２）を通って測定された電流（ｉ２）および前記予め決定可能な抵抗値（Ｒｄ）の積から形成される、
コンバータ回路の動作のための方法。
【請求項２】
前記第１のサブコンバータシステム（１）に関する前記第１のダンピング信号（Ｖｄ，Ｕ１）は、式、Ｖｄ，Ｕ１＝（ｉ１−Ｉｒｅｆ，Ｕ１）・Ｒｄに従って、予め決定可能な前記第１のサブコンバータシステム（１）を通る参照電流（Ｉｒｅｆ，Ｕ１）からさらに形成され、
前記第２のサブコンバータシステム（２）に関する前記第２のダンピング信号（Ｖｄ，Ｕ２）は、式、Ｖｄ，Ｕ２＝（ｉ１−Ｉｒｅｆ，Ｕ２）・Ｒｄに従って、予め決定可能な前記第２のサブコンバータシステム（２）を通る参照電流（Ｉｒｅｆ，Ｕ２）からさらに形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
コンバータ回路の動作のための方法であって、
前記コンバータ回路は、少なくとも２つの位相モジュール（４）を有し、
各位相モジュール（４）は、第１および第２のサブコンバータシステム（１、２）を有し、
各位相モジュール（４）のサブコンバータシステム（１、２）は、互いに直列に接続され、
各サブコンバータシステム（１、２）は、複数の直列に接続された二極スイッチングセル（３）を具備し、
各スイッチングセル（３）は、制御可能な双方向パワー半導体スイッチと、制御された単方向電流フロー方向を有する素子と、容量性エネルギー蓄積素子とを有し、
前記第１のサブコンバータシステム（１）の中の前記スイッチングセル（３）の中の前記パワー半導体スイッチは、制御信号（Ｓ１）を用いて制御され、
前記第２のサブコンバータシステム（２）の中の前記スイッチングセル（３）の中の前記パワー半導体スイッチは、さらなる制御信号（Ｓ２）を用いて制御され、
前記第１のサブコンバータシステム（１）のための前記制御信号（Ｓ１）は、前記第１のサブコンバータシステム（１）の中の関連するスイッチングセル（３）に関する第１の基準信号（Ｖｒｅｆ，ＵＺ１）から形成され、前記第１の基準信号は、中央計算ユニット（７）の中で生成され、
第１のローカル計算ユニット（８）は、前記第１のサブコンバータシステム（１）の中の各スイッチングセル（３）に提供され、
前記第１のサブコンバータシステム（１）の中の前記関連するスイッチングセル（３）に関する前記第１の基準信号（Ｖｒｅｆ，ＵＺ１）は、前記第１のサブコンバータシステム（１）の中の前記スイッチングセル（３）のための前記第１のローカル計算ユニット（８）に送信され、
前記制御信号（Ｓ１）は、前記第１のサブコンバータシステム（１）の中の前記関連するスイッチングセル（３）に関する第１のダンピング信号（Ｖｄ，Ｚ１）から、前記第１のサブコンバータシステム（１）の中の前記スイッチングセル（３）用の前記第１のローカル計算ユニット（８）の各々の中でさらに形成され、
前記第１のダンピング信号（Ｖｄ，Ｚ１）は、前記第１のサブコンバータシステム（１）の中の前記関連するスイッチングセル（３）を通って測定された電流（ｉ１）および予め決定可能な抵抗値（Ｒｄ）の積から形成され、
前記第２のサブコンバータシステム（２）のための前記さらなる制御信号（Ｓ２）は、前記第２のサブコンバータシステム（２）の中の前記関連するスイッチングセル（３）に関する第２の基準信号（Ｖｒｅｆ，ＵＺ２）から形成され、前記第２の基準信号は、中央計算ユニットの中で生成され、
第２のローカル計算ユニット（９）は、前記第２のサブコンバータシステム（２）の中の各スイッチングセル（３）に提供され、
前記第２のサブコンバータシステム（２）の中の前記関連するスイッチングセル（３）に関する第２の基準信号（Ｖｒｅｆ，ＵＺ２）は、前記第２のサブコンバータシステム（２）の中の前記スイッチングセル（３）のための前記第２のローカル計算ユニット（９）に送信され、
前記さらなる制御信号（Ｓ２）は、前記第２のサブコンバータシステム（２）の中の前記関連するスイッチングセル（３）に関する第２のダンピング信号（Ｖｄ，Ｚ２）から、前記第２のサブコンバータシステム（２）の中の前記スイッチングセル（３）用の前記第２のローカル計算ユニット（９）の各々の中でさらに形成され、
前記第２のダンピング信号（Ｖｄ，Ｚ２）は、前記第２のサブコンバータシステム（２）の中の前記関連するスイッチングセル（３）を通って測定された電流（ｉ２）および予め決定可能な抵抗値（Ｒｄ）の積から形成される、
コンバータ回路の動作のための方法。
【請求項４】
前記第１のサブコンバータシステム（１）の中の前記関連するスイッチングセル（３）に関するそれぞれの第１のダンピング信号（Ｖｄ，Ｚ１）は、式、Ｖｄ，Ｚ１＝（ｉ１−Ｉｒｅｆ，Ｕ１）・Ｒｄに従って、予め決定可能な前記第１のサブコンバータシステム（１）の中の前記関連するスイッチングセル（３）を通る参照電流（Ｉｒｅｆ，Ｕ１）からさらに形成され、
前記第２のサブコンバータシステム（２）の中の前記関連するスイッチングセル（３）に関するそれぞれの第２のダンピング信号（Ｖｄ，Ｚ２）は、式、Ｖｄ，Ｚ２＝（ｉ１−Ｉｒｅｆ，Ｕ２）・Ｒｄに従って、予め決定可能な前記第２のサブコンバータシステム（２）の中の前記関連するスイッチングセル（３）を通る参照電流（Ｉｒｅｆ，Ｕ２）からさらに形成される、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記抵抗値（Ｒｄ）は、一定または時間とともに変化するように事前設定される、請求項１〜４のうちの１項に記載の方法。
【請求項６】
コンバータ回路の動作のための方法であって、
前記コンバータ回路は、少なくとも２つの位相モジュール（４）を有し、
各位相モジュール（４）は、第１および第２のサブコンバータシステム（１、２）を有し、
各位相モジュール（４）のサブコンバータシステム（１、２）は、互いに直列に接続され、
各サブコンバータシステム（１、２）は、複数の直列に接続された二極スイッチングセル（３）を具備し、
各スイッチングセル（３）は、制御可能な双方向パワー半導体スイッチと、制御された単方向電流フロー方向を有する素子と、容量性エネルギー蓄積素子とを有し、
前記第１のサブコンバータシステム（１）の中の前記スイッチングセル（３）の中の前記パワー半導体スイッチは、制御信号（Ｓ１）を用いて制御され、
前記第２のサブコンバータシステム（２）の中の前記スイッチングセル（３）の中の前記パワー半導体スイッチは、さらなる制御信号（Ｓ２）を用いて制御され、
前記第１のサブコンバータシステム（１）のための前記制御信号（Ｓ１）は、前記第１のサブコンバータシステム（１）を横切った電圧（Ｕ１）に関する第１のダンピング基準信号（Ｖｒｅｆ，ｄ  Ｕ１）から形成され、前記第１のダンピング基準信号は、中央計算ユニット（７）の中で生成され、
前記第１のサブコンバータシステム（１）を横切った前記電圧（Ｕ１）に関する前記第１のダンピング基準信号（Ｖｒｅｆ，ｄ  Ｕ１）は、予め決定可能な前記第１のサブコンバータシステム（１）を通る参照電流（ｉｒｅｆ，Ｕ１）と、予め決定可能な抵抗値（Ｒｄａ）との積を、前記第１のサブコンバータシステム（１）を横切った前記電圧（Ｕ１）に関する第１の基準信号（Ｖｒｅｆ，Ｕ１）から引き算することにより形成され、
第１のローカル計算ユニット（８）は、前記第１のサブコンバータシステム（１）の中の各スイッチングセル（３）に提供され、
前記第１のサブコンバータシステム（１）を横切った前記電圧（Ｕ１）に関する前記第１のダンピング基準信号（Ｖｒｅｆ，ｄ  Ｕ１）は、前記第１のサブコンバータシステム（１）の中の前記スイッチングセル（３）のための前記第１のローカル計算ユニット（８）に送信され、
前記制御信号（Ｓ１）は、前記第１のサブコンバータシステム（１）の中の前記関連するスイッチングセル（３）に関する第１のダンピング信号（Ｖｄ，Ｚ１）から、前記第１のサブコンバータシステム（１）の中の前記スイッチングセル（３）用の前記第１のローカル計算ユニット（８）の各々の中でさらに形成され、
前記第１のダンピング信号（Ｖｄ，Ｚ１）は、前記第１のサブコンバータシステム（１）の中の前記関連するスイッチングセル（３）を通って測定された電流（ｉ１）および予め決定可能なさらなる抵抗値（Ｒｄｂ）の積から形成され、
前記第２のサブコンバータシステム（２）のための前記さらなる制御信号（Ｓ２）は、前記第２のサブコンバータシステム（２）を横切った前記電圧（Ｕ２）に関する第２のダンピング基準信号（Ｖｒｅｆ，ｄ  Ｕ２）から形成され、前記第２のダンピング基準信号は、中央計算ユニット（７）の中で生成され、
前記第２のサブコンバータシステム（２）を横切った前記電圧（Ｕ２）に関する前記第２のダンピング基準信号（Ｖｒｅｆ，ｄ  Ｕ２）は、予め決定可能な前記第２のサブコンバータシステム（２）を通る参照電流（ｉｒｅｆ，Ｕ２）と、前記予め決定可能な抵抗値（Ｒｄａ）との積を、前記第２のサブコンバータシステム（２）を横切った前記電圧（Ｕ２）に関する第２の基準信号（Ｖｒｅｆ，Ｕ２）から引き算することにより形成され、
第２のローカル計算ユニット（９）は、前記第２のサブコンバータシステム（２）の中の各スイッチングセル（３）に提供され、
前記第２のサブコンバータシステム（２）を横切った前記電圧（Ｕ２）に関する前記第２のダンピング基準信号（Ｖｒｅｆ，ｄ  Ｕ２）は、前記第２のサブコンバータシステム（２）の中の前記スイッチングセル（３）のための前記第２のローカル計算ユニット（９）に送信され、
前記さらなる制御信号（Ｓ２）は、前記第２のサブコンバータシステム（２）の中の前記関連するスイッチングセル（３）に関する第２のダンピング信号（Ｖｄ，Ｚ２）から、前記第２のサブコンバータシステム（２）の中の前記スイッチングセル（３）のための前記第２のローカル計算ユニット（９）の各々の中でさらに形成され、
前記第２のダンピング信号（Ｖｄ，Ｚ２）は、前記第２のサブコンバータシステム（２）の中の前記関連するスイッチングセル（３）を通って測定された電流（ｉ２）および予め決定可能なさらなる抵抗値（Ｒｄｂ）の積から形成される、
コンバータ回路の動作のための方法。
【請求項７】
前記抵抗値（Ｒｄａ）および前記さらなる抵抗値（Ｒｄｂ）は、一定または時間とともに変化することが予め決定される、請求項６に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パワーエレクトロニクスの分野に関し、コンバータ回路の動作のための方法に特に関係がある。
【従来技術】
【０００２】
現今、コンバータ回路は、多様なアプリケーションの中で使用される。その電圧を特に容易に計測することができるコンバータ回路は、ＷＯ  ２００７／０２３０６４  Ａ１で定められる。明瞭さのために、図１は、コンバータ回路のたった１つの位相モジュールを示すが、図１は先行技術によるこのようなコンバータ回路を示す。コンバータ回路は、第１および第２のサブコンバータシステムを具備する各位相モジュールを備えておよび互いに直列に接続されているサブコンバータシステムを備えて、各位相に１つの位相モジュールをそこに有する。２つの直列接続しているサブコンバータシステム間の接続点は、例えば電気的な負荷のために出力接続を形成する。各サブコンバータシステムは、少なくとも１つの二極スイッチングセルを具備する。そこでは、１つのサブコンバータシステムに複数のスイッチングセルがある場合、これらのスイッチングセルは、互いに直列に接続されている。各二極スイッチングセルは、制御された単方向電流フロー方向を有する素子と、制御可能な双方向パワー半導体スイッチと、容量性エネルギー蓄積素子とを有する。図１では、各スイッチングセルは、制御された単方向電流フロー方向を有する素子、２つの直列接続している制御可能な双方向パワー半導体スイッチ、および該パワー半導体スイッチによる直列回路と並列接続している容量性エネルギー蓄積素子を有する。この一般的なタイプのコンバータ回路は、ＷＯ  ２００７／３３８５２  Ａ２で定められる。
【０００３】
２つ以上の位相モジュールからなる、ＷＯ  ２００７／０２３０６４  Ａ１またはＷＯ  ２００７／３３８５２  Ａ２によるコンバータ回路は、弱減衰した共振回路を含んでいるので、そこに生じる振動は、第１および第２のサブコンバータシステムを通って電流の制御工学目的のために減衰されるに違いない。このコンテキストでは、ＷＯ  ２００７／３３８５２  Ａ２は、第１および第２のサブコンバータシステムのスイッチングセルの制御可能な双方向パワー半導体スイッチのスイッチング動作のための自由に選択可能な時間インターバルの原理に基づく制御方法を定める。
【発明の説明】
【０００４】
発明の目的は、コンバータ回路の動作のための、従来技術からさらに開発されている代替方法を定めることである。それを用いて、コンバータ回路内の第１および第２のサブコンバータシステムの現在の望ましくないばらつきおよびひずみは、積極的に減衰することができる。
【０００５】
この目的は、請求項１、３および６の特徴によって達成される。発明の有利な開発は、従属請求項で定められる。
【０００６】
コンバータ回路は、少なくとも２つの位相モジュールを有している。各位相モジュールは、第１および第２のサブコンバータシステムを具備する。また、各位相モジュールのサブコンバータシステムは、互いに直列に接続されている。各サブコンバータシステムは、複数の直列接続している二極スイッチングセルを具備する。また、各スイッチングセルは、制御された単方向電流フロー方向を有する素子と、容量性エネルギー蓄積素子と、制御可能な双方向パワー半導体スイッチとを有する。発明による方法に基づいて、第１のサブコンバータシステム中のスイッチングセル中のパワー半導体スイッチは、１つの制御信号によって制御される。また、第２のサブコンバータシステム中のスイッチングセル中のパワー半導体スイッチは、さらなる制御信号によって制御される。さらに、第１のサブコンバータシステムのための制御信号は、第１のサブコンバータシステムを横切った電圧に関する基準信号から形成される。また、第２のサブコンバータシステムのためのさらなる制御信号は、第２のサブコンバータシステムを横切った電圧に関する基準信号から形成される。発明によれば、制御信号は、第１のサブコンバータシステムに関するダンピング信号からさらに形成される。ダンピング信号は、第１のサブコンバータシステムを通って測定された電流からおよび予め決定可能な抵抗値から形成される。さらに、さらなる制御信号は、第２のサブコンバータシステムに関するダンピング信号からさらに形成される。ダンピング信号は、第２のサブコンバータシステムを通って測定された電流からおよび予め決定可能な抵抗値から形成される。
【０００７】
それぞれのダンピング信号の影響は、関連するサブコンバータシステム中の非反応性（non-reactive）の抵抗を横切った電圧降下に相当し、したがって、所望の方法でそれぞれ関連するサブコンバータシステムを通る電流を減衰（damp）する。
【０００８】
発明のさらなる実施形態では、第１のサブコンバータシステムに関するダンピング信号は、予め決定可能な第１のサブコンバータシステムを通る参照電流からさらに形成される。第２のサブコンバータシステムに関するダンピング信号は、予め決定可能な第２のサブコンバータシステムを通る参照電流からさらに形成される。それぞれのダンピング信号の形成のための参照電流の事前設定は、有利に、それぞれのサブコンバータシステムを通る電流の特定の振動成分（oscillation component）を故意に減衰することを可能にする。
【０００９】
発明の１つの他の実施形態では、第１のサブコンバータシステムのための制御信号は、第１のサブコンバータシステム中の関連するスイッチングセルに関する基準信号から形成される。それは、中央計算ユニットの中で生成される。ローカル計算ユニットは、第１のサブコンバータシステム中の各スイッチングセルに提供される。そこでは、第１のサブコンバータシステム中の関連するスイッチングセルに関する基準信号は、第１のサブコンバータシステム中のスイッチングセル用のローカル計算ユニットに送信される。その後、制御信号は、第１のサブコンバータシステム中の関連するスイッチングセルに関するダンピング信号から、第１のサブコンバータシステム中のスイッチングセル用のローカル計算ユニットの個々に形成する。ダンピング信号は、第１のサブコンバータシステム中の関連するスイッチングセルを通って測定された電流からおよび予め決定可能な抵抗値から形成される。第２のサブコンバータシステムのためのさらなる制御信号は、第２のサブコンバータシステム中の関連するスイッチングセルに関する基準信号から形成される。それは、中央計算ユニットの中で生成される。さらに、ローカル計算ユニットは、第２のサブコンバータシステム中の各スイッチングセルに提供される。そこでは、第２のサブコンバータシステム中の関連するスイッチングセルに関する基準信号は、第２のサブコンバータシステム中のスイッチングセル用のローカル計算ユニットに送信される。その後、さらに、さらなる制御信号は、第２のサブコンバータシステム中の関連するスイッチングセルに関するダンピング信号から、第２のサブコンバータシステム中のスイッチングセル用のローカル計算ユニットの個々にさらに形成される。そこでは、ダンピング信号は、第２のサブコンバータシステム中の関連するスイッチングセルを通って測定された電流からおよび予め決定可能な抵抗値から形成される。
【００１０】
上に言及された代案は、スイッチングセルの中で有利に減衰する、サブコンバータシステムを通る電流に帰着する。それぞれのダンピング信号の影響は、各スイッチングセル中の非反応性の抵抗を横切った電圧降下に相当する。そこでは、全体的な影響は、非反応性の抵抗の直列回路に相当し、それにより、所望の方法で減衰する、関連するサブコンバータシステム中のそれぞれのスイッチングセルを通る電流に帰着する。スイッチングセルを通る電流のローカルの測定は、例えば１つのスイッチングセルの中で、電流測定の失敗の場合でさえ、冗長度、したがってダンピングの適用性をさらに保証することを可能にする。制御信号のローカルの形成は、さらに個々のスイッチングセルへの制御信号の正常な送信の必要を回避する。
【００１１】
発明のさらなる実施形態では、第１のサブコンバータシステム中の関連するスイッチングセルに関するそれぞれのダンピング信号は、予め決定可能な第１のサブコンバータシステム中の関連するスイッチングセルを通る参照電流からさらに形成される。また、第２のサブコンバータシステム中の関連するスイッチングセルに関するそれぞれのダンピング信号は、予め決定可能な第２のサブコンバータシステム中の関連するスイッチングセルを通る参照電流からさらに形成される。既に上に言及されていた利点に加えて、それぞれのダンピング信号の形成のための参照電流の事前設定は、有利に、関連するサブコンバータシステムの中のスイッチングセルを通る電流の特定の振動成分を故意に減衰することを可能にする。
【００１２】
発明のさらなる代案では、第１のサブコンバータシステムのための制御信号は、第１のサブコンバータシステムを横切った電圧に関するダンピング基準信号から形成される。それは、中央計算ユニットの中で生成される。そこでは、第１のサブコンバータシステムを横切った電圧に関するダンピング基準信号は、予め決定可能な第１のサブコンバータシステムを通る参照電流から、予め決定可能な抵抗値からおよび第１のサブコンバータシステムを横切った電圧に関する基準信号から形成される。その後、ローカル計算ユニットは、第１のサブコンバータシステム中の各スイッチングセルに提供される。そこでは、第１のサブコンバータシステムを横切った電圧に関するダンピング基準信号は、第１のサブコンバータシステム中のスイッチングセル用のローカル計算ユニットに送信される。制御信号は、第１のサブコンバータシステム中の関連するスイッチングセルに関するダンピング信号から、第１のサブコンバータシステム中のスイッチングセル用のローカル計算ユニットの夫々にさらに形成される。そこでは、ダンピング信号は、第１のサブコンバータシステム中の関連するスイッチングセルを通って測定された電流からおよび予め決定可能なさらなる抵抗値から形成される。さらに、第２のサブコンバータシステムのためのさらなる制御信号は、第２のサブコンバータシステムを横切った電圧に関するダンピング基準信号から形成される。それは、中央計算ユニットの中で生成される。第２のサブコンバータシステムを横切った電圧に関するダンピング基準信号は、予め決定可能な第２のサブコンバータシステムを通る参照電流から、予め決定可能な抵抗値からおよび第２のサブコンバータシステムを横切った電圧に関する基準信号から形成される。その後、さらに、ローカル計算ユニットは、第２のサブコンバータシステム中の各スイッチングセルに提供される。そこでは、第２のサブコンバータシステムを横切った電圧に関するダンピング基準信号は、第２のサブコンバータシステム中のスイッチングセル用のローカル計算ユニットに送信される。さらに、さらなる制御信号は、第２のサブコンバータシステム中の関連するスイッチングセルに関するダンピング信号から、第２のサブコンバータシステム中のスイッチングセル用のローカル計算ユニットの夫々にさらに形成される。そこでは、ダンピング信号は、第２のサブコンバータシステム中の関連するスイッチングセルを通って測定された電流からおよび予め決定可能なさらなる抵抗値から形成される。発明のこの代案で、同様に、関連するサブコンバータシステム中のスイッチングセルを通る電流の特定の振動成分は、このように選択的に減衰することができる。さらに、参照電流は、ローカル計算ユニットに有利に送信されない。
【００１３】
本発明のこれらおよびさらなる目的、利点および特徴は、図面とともに、発明の好適な実施形態の次の詳細な説明から明白になるだろう。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は、従来技術によるコンバータ回路の１つの実施形態を示す。
【図２】図２は、コンバータ回路の動作のための発明による方法を実行するための第１の実施形態の装置を示す。
【図３】図３は、コンバータ回路の動作のための発明による方法を実行するための第２の実施形態の装置を示す。
【図４】図４は、コンバータ回路の動作のための発明による方法を実行するための第３の実施形態の装置を示す。
【図５】図５は、コンバータ回路の動作のための発明による方法を実行するための第４の実施形態の装置を示す。
【図６】図６は、コンバータ回路の動作のための発明による方法を実行するための第５の実施形態の装置を示す。
【００１５】
図面とそれらの意味の中で使用される参照符号は、参照符号のリスト中の簡略な形式でリストされる。原則として、同一部分には、図中で同じ参照符号が提供されている。記述された実施形態は、発明による主題の例を表し、限定的な効力がない。
【発明を実施するためのアプローチ】
【００１６】
既に最初に言及されたように、図１は、従来技術によるコンバータ回路の１つの実施形態を示す。一般に、コンバータ回路は、少なくとも２つの位相モジュール４を有する。そこでは、各位相モジュール４は、第１および第２のサブコンバータシステム１および２を具備する。また、各位相モジュール４のサブコンバータシステム１および２は、互いに直列に接続されている。各サブコンバータシステム１および２は、複数の直列接続している二極スイッチングセル３を具備する。また、各スイッチングセル３は、制御された単方向電流フロー方向を有する素子と、容量性エネルギー蓄積素子と、制御可能な双方向パワー半導体スイッチとを有する。さらに、個々のサブコンバータシステム１および２は、スイッチングセル３中の直列回路と直列にインダクタンスを有することが可能である。サブコンバータシステム１および２中のスイッチングセル３中の制御可能なパワー半導体スイッチは、特に、連続で並列接続されたダイオードがある各場合に、ゲートターンオフサイリスタ（ＧＴＯ）または整流制御電極を備えた統合サイリスタ（ＩＧＣＴ−Integrated Gate Commutated Thyristor）の形をとる。しかしながら、制御可能なパワー半導体スイッチは、例えば、連続でさらに並列接続されたダイオードを備えたパワーＭＯＳＦＥＴ、または、連続でさらに並列接続されたダイオードを備えた、絶縁ゲート電極を備えたバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）の形で実現可能である。第１のサブコンバータシステム１のスイッチングセル３の数は、好ましくは、第２のサブコンバータシステム２のスイッチングセル３の数に対応する。
【００１７】
図２は、コンバータ回路の動作のための発明による方法を実行するために装置の第１の実施形態を示す。方法によれば、第１のサブコンバータシステム１のスイッチングセル３中のパワー半導体スイッチは、制御信号Ｓ１によって制御される。また、第２のサブコンバータシステム２のスイッチングセル３中のパワー半導体スイッチは、さらなる制御信号Ｓ２によって制御される。第１のサブコンバータシステム１の制御信号Ｓ１は、第１のサブコンバータシステム１を横切った電圧Ｕ１に関する基準信号Ｖｒｅｆ，Ｕ１から形成される。第２のサブコンバータシステム２のさらなる制御信号Ｓ２は、第２のサブコンバータシステム２を横切った電圧Ｕ２に関する基準信号Ｖｒｅｆ，Ｕ２から形成される。図２に示されるように、制御信号Ｓ１は、今、第１のサブコンバータシステム１に関するダンピング信号Ｖｄ，Ｕ１からさらに形成される。そこで、ダンピング信号Ｖｄ，Ｕ１は、第１のサブコンバータシステム１を通って測定された電流ｉ１からおよび予め決定可能な抵抗値Ｒｄから形成される。ダンピング信号Ｖｄ，Ｕ１は、下記式に従って形成される。
【００１８】
Ｖｄ，Ｕ１＝ｉ１・Ｒｄ  ［１］
図２に示されるように、さらなる制御信号Ｓ２は、第２のサブコンバータシステム２に関するダンピング信号Ｖｄ，Ｕ２からさらに形成される。そこで、ダンピング信号Ｖｄ，Ｕ２は、第２のサブコンバータシステム２を通って測定された電流ｉ２からおよび予め決定可能な抵抗値Ｒｄから形成される。ダンピング信号Ｖｄ，Ｕ２は、下記式に従って形成される。
【００１９】
Ｖｄ，Ｕ２＝ｉ２・Ｒｄ  ［２］
それぞれのダンピング信号Ｖｄ，Ｕ１およびＶｄ，Ｕ２の影響は、関連するサブコンバータシステム１および２中の非反応性の抵抗を横切った電圧降下に相当し、したがって、所望の方法でそれぞれ関連するサブコンバータシステム１および２を通って電流ｉ１およびｉ２を減衰する。
【００２０】
図２に示されるように、和は、第１のサブコンバータシステム１に関するダンピング信号のＶｄ，Ｕ１からおよび第１のサブコンバータシステム１を横切った電圧Ｕ１に関する基準信号Ｖｒｅｆ，Ｕ１から形成され、制御信号Ｓ１をそこから生成するモジュレータ５に渡される。さらに、図２に示されるように、和は、第２のサブコンバータシステム２に関するダンピング信号のＶｄ，Ｕ２からおよび第２のサブコンバータシステム２を横切った電圧Ｕ２に関する基準信号Ｖｒｅｆ，Ｕ２から形成され、さらなる制御信号Ｓ２をそこから生成するモジュレータ６に渡される。パルス幅モジュレータ、キャリヤ方法に基づいたモジュレータ、スペースベクトルモジュレータまたはヒステリシス特性を備えたモジュレータのような全てのモジュレータは、図２中あるいは図３から図５に示されるような実施形態中のモジュレータ５および６として使用されてもよい。
【００２１】
コンバータ回路の動作用の図３に示されるような発明による方法を実行するための装置の第２の実施形態による第１のサブコンバータシステム１に関するダンピング信号Ｖｄ，Ｕ１は、望ましくは、予め決定可能な第１のサブコンバータシステム１を通る参照電流Ｉｒｅｆ，Ｕ１からさらに形成される。ダンピング信号Ｖｄ，Ｕ１は、下記式に従って形成される。
【００２２】
Ｖｄ，Ｕ１＝（ｉ１−Ｉｒｅｆ，Ｕ１）・Ｒｄ  ［３］
図３に示されるように、第２のサブコンバータシステム２に関するダンピング信号Ｖｄ，Ｕ２は、予め決定可能な第２のサブコンバータシステム２を通る参照電流Ｉｒｅｆ，Ｕ２からさらに形成される。ダンピング信号Ｖｄ，Ｕ２は、下記式に従って形成される。
【００２３】
Ｖｄ，Ｕ２＝（ｉ１−Ｉｒｅｆ，Ｕ２）・Ｒｄ  ［４］
その後、制御信号Ｓ１およびさらなる制御信号Ｓ２は、図２中のそれに対応するやり方で、図３に示されるように形成される。
【００２４】
それぞれのダンピング信号Ｖｄ，Ｕ１およびＶｄ，Ｕ２の形成用の参照電流Ｉｒｅｆ，Ｕ１およびＩｒｅｆ，Ｕ２の事前設定は、有利に、それぞれのサブコンバータシステムを通って電流Ｉ１およびＩ２の特定の振動成分を故意に減衰させることを可能にする。
【００２５】
図４は、コンバータ回路の動作のための発明による方法を実行し、図２および図３に示される実施形態の代わりに例証するための装置の第３の実施形態を示す。図４に示されるように、第１のサブコンバータシステム１の制御信号Ｓ１は、第１のサブコンバータシステム１の関連するスイッチングセル３に関する基準信号Ｖｒｅｆ，ＵＺ１から形成される。それは、中央計算ユニット７で生成される。その後、ローカル計算ユニット８は、第１のサブコンバータシステム１の各スイッチングセル３に提供される。そこで、第１のサブコンバータシステム１の関連するスイッチングセル３に関する基準信号Ｖｒｅｆ，ＵＺ１は、第１のサブコンバータシステム１のスイッチングセル３用のローカル計算ユニット８に送信される。さらに、制御信号Ｓ１は、第１のサブコンバータシステム１の関連するスイッチングセル３に関するダンピング信号Ｖｄ，Ｚ１から、第１のサブコンバータシステム１のスイッチングセル３用の各ローカル計算ユニット８でさらに形成される。そこで、ダンピング信号Ｖｄ，Ｚ１は、第１のサブコンバータシステム１の関連するスイッチングセル３を通って測定された電流ｉ１からおよび予め決定可能な抵抗値Ｒｄから形成される。ダンピング信号Ｖｄ，Ｚ１は、下記式に従って形成される。
【００２６】
Ｖｄ，Ｚ１＝ｉ１・Ｒｄ  ［５］
図４に示されるように、第２のサブコンバータシステム２のさらなる制御信号Ｓ２は、第２のサブコンバータシステム２の関連するスイッチングセル３に関する基準信号Ｖｒｅｆ，ＵＺ２から形成される。それは、中央計算ユニット７で生成される。ローカル計算ユニット９は、第２のサブコンバータシステム２の各スイッチングセル３に提供される。そこで、第２のサブコンバータシステム２の関連するスイッチングセル３に関する基準信号Ｖｒｅｆ，ＵＺ２は、第２のサブコンバータシステム２のスイッチングセル３用のローカル計算ユニット９に送信される。さらに、さらなる制御信号Ｓ２は、第２のサブコンバータシステム２の関連するスイッチングセル３に関するダンピング信号Ｖｄ，Ｚ２から、第２のサブコンバータシステム２のスイッチングセル３用の各ローカル計算ユニット９でさらに形成される。そこで、ダンピング信号Ｖｄ，Ｚ２は、第２のサブコンバータシステム２の関連するスイッチングセル３を通って測定された電流ｉ２からおよび予め決定可能な抵抗値Ｒｄから形成される。ダンピング信号Ｖｄ，Ｚ２は、下記式に従って形成される。
【００２７】
Ｖｄ，Ｚ２＝ｉ２・Ｒｄ  ［６］
上で言及され、図４に示される代案は、スイッチングセル３で有利に減衰する、サブコンバータシステム１および２を通って電流ｉ１およびｉ２に帰着する。それぞれのダンピング信号Ｖｄ，Ｚ１およびＶｄ，Ｚ２の影響は、各スイッチングセル３中の非反応性の抵抗を横切った電圧降下に相当する。そこでは、全体的な影響は、所望の方法で減衰される、関連するサブコンバータシステム１および２中のそれぞれのスイッチングセル３を通って電流ｉ１およびｉ２を意味することによって、非反応性の抵抗の直列回路に相当する。スイッチングセル３を通った電流ｉ１およびｉ２のローカルの測定は、例えばスイッチングセル３で、電流測定の失敗の場合でさえ、冗長度、したがって減衰の適用性を保証することをさらに可能にする。さらに、制御信号Ｓ１およびＳ２のローカルの形成は、例えば中央または上位のユニットから、個々のスイッチングセル３に制御信号Ｓ１およびＳ２の正常な送信の必要を回避する。
【００２８】
図４に示されるように、和は、第１のサブコンバータシステム１の関連するスイッチングセル３に関するダンピング信号Ｖｄ，Ｚ１からおよび第１のサブコンバータシステム１の関連するスイッチングセル３に関する基準信号Ｖｒｅｆ，ＵＺ１から形成され、モジュレータ５に渡される。それは、制御信号Ｓ１をそこから生成する。さらに、図４に示されるように、和は、第２のサブコンバータシステム２に関するダンピング信号Ｖｄ，Ｚ２からおよび第２のサブコンバータシステム２の関連するスイッチングセル３に関する基準信号Ｖｒｅｆ，ＵＺ２から形成され、モジュレータ６に渡される。それは、さらなる制御信号Ｓ２をそこから生成する。
【００２９】
コンバータ回路の動作のための図５に示されるような発明による方法を実行するための装置の第４の実施形態による第１のサブコンバータシステム１の関連するスイッチングセル３に関するダンピング信号Ｖｄ，Ｚ１は、好ましくは、予め決定可能な第１のサブコンバータシステム１の関連するスイッチングセル３を通る参照電流Ｉｒｅｆ，Ｕ１からさらに形成される。予め決定可能な第１のサブコンバータシステム１の関連するスイッチングセル３を通る参照電流Ｉｒｅｆ，Ｕ１は、第１のサブコンバータシステム１のスイッチングセル３用のローカル計算ユニット８に送信される。ダンピング信号Ｖｄ，Ｚ１は、下記式に従って形成される。
【００３０】
Ｖｄ，Ｚ１＝（ｉ１−Ｉｒｅｆ，Ｕ１）・Ｒｄ  ［７］
図５に示されるように、第２のサブコンバータシステム２中の関連するスイッチングセル３に関するそれぞれのダンピング信号Ｖｄ，Ｚ２は、予め決定可能な第２のサブコンバータシステム２中の関連するスイッチングセル３を通る参照電流Ｉｒｅｆ，Ｕ２からさらに形成される。予め決定可能な第２のサブコンバータシステム２中の関連するスイッチングセル３を通る参照電流Ｉｒｅｆ，Ｕ２は、第２のサブコンバータシステム１中のスイッチングセル３用のローカル計算ユニット９に送信される。ダンピング信号Ｖｄ，Ｚ２は、下記式に従って形成される。
【００３１】
Ｖｄ，Ｚ２＝（ｉ１−Ｉｒｅｆ，Ｕ２）・Ｒｄ  ［８］
制御信号Ｓ１およびさらなる制御信号Ｓ２は、図４中のそれと対応する方法で、図５に示されるようにその後形成される。
【００３２】
抵抗値Ｒｄは、好ましくは、一定または時間とともに変化することが予め決定される。
【００３３】
図６は、コンバータ回路の動作のための発明による方法を実行するための装置の第５の実施形態を示す。それは、図２、図３、図４および図５に示される実施形態に代案を表す。図６に示されるように、第１のサブコンバータシステム１の制御信号Ｓ１は、第１のサブコンバータシステム１を横切った電圧Ｕ１に関するダンピング基準信号Ｖｒｅｆ，ｄ  Ｕ１から形成される。それは、中央計算ユニット７で生成される。第１のサブコンバータシステム１を横切った電圧Ｕ１に関するダンピング基準信号Ｖｒｅｆ，ｄ  Ｕ１は、予め決定可能な第１のサブコンバータシステム１を通る参照電流ｉｒｅｆ，Ｕ１から、予め決定可能な抵抗値Ｒｄａからおよび第１のサブコンバータシステム１を横切った電圧Ｕ１に関する基準信号Ｖｒｅｆ，Ｕ１から形成される。ダンピング信号Ｖｒｅｆ，ｄ  Ｕ１は、下記式に従って形成される。
【００３４】
Ｖｒｅｆ，ｄ  Ｕ１＝Ｖｒｅｆ，Ｕ１−（ｉｒｅｆ，Ｕ１・Ｒｄａ）  ［９］
さらに、ローカル計算ユニット８は、図６に示されるように、第１のサブコンバータシステム１の各スイッチングセル３に提供される。そこで、第１のサブコンバータシステム１を横切った電圧Ｕ１に関するダンピング基準信号Ｖｒｅｆ，ｄ  Ｕ１は、第１のサブコンバータシステム１のスイッチングセル３用のローカル計算ユニット８に送信される。制御信号Ｓ１は、第１のサブコンバータシステム１の関連するスイッチングセル３に関するダンピング信号Ｖｄ，Ｚ１から、第１のサブコンバータシステム１のスイッチングセル３用のローカル計算ユニット８の個々にさらに形成される。そこで、ダンピング信号Ｖｄ，Ｚ１は、第１のサブコンバータシステム１の関連するスイッチングセル３を通って測定された電流ｉ１からおよび予め決定可能なさらなる抵抗値Ｒｄｂから形成される。ダンピング信号Ｖｄ，Ｚ１は、下記式に従って形成される。
【００３５】
Ｖｄ，Ｚ１＝ｉ１・Ｒｄｂ  ［１０］
図６に示されるように、和は、第１のサブコンバータシステム１の関連するスイッチングセル３に関するダンピング信号Ｖｄ，Ｚ１からおよび第１のサブコンバータシステム１を横切った電圧Ｕ１に関するダンピング基準信号Ｖｒｅｆ，ｄ  Ｕ１から形成され、モジュレータ５に渡される。それは、制御信号Ｓ１をそこから生成する。
【００３６】
図６に示されるように、第２のサブコンバータシステム２のさらなる制御信号Ｓ２は、第２のサブコンバータシステム２を横切った電圧Ｕ２に関するダンピング基準信号Ｖｒｅｆ，ｄ  Ｕ２から形成される。それは、中央計算ユニット７で生成される。第２のサブコンバータシステム２を横切った電圧Ｕ２に関するダンピング基準信号Ｖｒｅｆ，ｄ  Ｕ２は、予め決定可能な第２のサブコンバータシステム２を通る参照電流ｉｒｅｆ，Ｕ２から、予め決定可能な抵抗値Ｒｄａからおよび第２のサブコンバータシステム２を横切った電圧Ｕ２に関する基準信号Ｖｒｅｆ，Ｕ２から形成される。ダンピング信号Ｖｒｅｆ，ｄ  Ｕ２は、下記式に従って形成される。
【００３７】
Ｖｒｅｆ，ｄ  Ｕ２＝Ｖｒｅｆ，Ｕ２−（ｉｒｅｆ，Ｕ２・Ｒｄａ）  ［１１］
図６で示されるように、ローカル計算ユニット９は、第２のサブコンバータシステム２の各スイッチングセル３に提供される。第２のサブコンバータシステム２を横切った電圧Ｕ２に関するダンピング基準信号Ｖｒｅｆ，ｄ  Ｕ２は、第２のサブコンバータシステム２のスイッチングセル３用のローカル計算ユニット９に送信される。図６に示されるように、さらなる制御信号Ｓ２は、第２のサブコンバータシステム２の関連するスイッチングセル３に関するダンピング信号Ｖｄ，Ｚ２から、第２のサブコンバータシステム２のスイッチングセル３用のローカル計算ユニット９の個々にさらに形成される。そこで、ダンピング信号Ｖｄ，Ｚ２は、第２のサブコンバータシステム２の関連するスイッチングセル３を通って測定された電流ｉ２からおよび予め決定可能なさらなる抵抗値Ｒｄｂから形成される。ダンピング信号Ｖｄ，Ｚ２は、下記式に従って形成される。
【００３８】
Ｖｄ，Ｚ２＝ｉ２・Ｒｄｂ  ［１２］
図６に示されるように、和は、第２のサブコンバータシステム２つの関連するスイッチングセル３に関するダンピング信号Ｖｄ，Ｚ２からおよび第２のサブコンバータシステム２を横切った電圧Ｕ２に関するダンピング基準信号Ｖｒｅｆ，ｄ  Ｕ２から形成され、モジュレータ６に渡される。それは、さらなる制御信号Ｓ２をそこから生成する。
【００３９】
図６に示されるような発明の代案は、関連するサブコンバータシステム１および２中のスイッチングセル３を通って電流ｉ１およびｉ２の中で特定の振動成分を選択的に減衰することを可能にする。さらに、それぞれの参照電流ｉｒｅｆ，Ｕ１およびｉｒｅｆ，Ｕ２は、ローカル計算ユニット８および９に有利に送信されない。抵抗値Ｒｄａは、好ましくは、それぞれの関連するローカル計算ユニット８および９で形成されるダンピング信号Ｖｄ，Ｚ１およびＶｄ，Ｚ２に関するそれぞれの参照電流ｉｒｅｆ，Ｕ１およびｉｒｅｆ，Ｕ２の寄与をそれが増加させるように、選ばれる。
【００４０】
抵抗値Ｒｄａおよびさらなる抵抗値Ｒｄｂは、好ましくは、一定または時間とともに変化することが予め決定される。
【００４１】
全体に一般形では、例えば、一定成分（constant component）、時間とともに変化する成分、積分成分（integral component）、微分成分（differential component）、参照成分（reference component）およびそれぞれのダンピング信号の前の値、または上で規定されたオプションの組合せを含むことができるような機能の場合、一般的な機能に従って予め決められるために、それぞれのダンピング信号Ｖｄ，Ｕ１、Ｖｄ，Ｕ２、Ｖｄ，Ｚ１、Ｖｄ，Ｚ２に適用される。
以下に、本願出願時の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
[１]コンバータ回路の動作のための方法であって、
前記コンバータ回路は、少なくとも２つの位相モジュール（４）を有し、
各位相モジュール（４）は、第１および第２のサブコンバータシステム（１、２）を有し、
各位相モジュール（４）のサブコンバータシステム（１、２）は、互いに直列に接続され、
各サブコンバータシステム（１、２）は、複数の直列に接続された二極スイッチングセル（３）を具備し、 
各スイッチングセル（３）は、制御された単方向電流フロー方向および容量エネルギーストアを備えた制御可能な双方向パワー半導体スイッチを有し、
前記第１のサブコンバータシステム（１）の中の前記スイッチングセル（３）の中の前記パワー半導体スイッチは、制御信号（Ｓ１）を用いて制御され、
前記第２のサブコンバータシステム（２）の中の前記スイッチングセル（３）の中の前記パワー半導体スイッチは、さらなる制御信号（Ｓ２）を用いて制御され、
前記第１のサブコンバータシステム（１）のための前記制御信号（Ｓ１）は、前記第１のサブコンバータシステム（１）を横切った電圧（Ｕ１）に関する基準信号（Ｖｒｅｆ，Ｕ１）から形成され、
前記第２のサブコンバータシステム（２）のための前記さらなる制御信号（Ｓ２）は、前記第２のサブコンバータシステムを横切った電圧（Ｕ２）に関する基準信号（Ｖｒｅｆ，Ｕ２）から形成され、
前記制御信号（Ｓ１）は、前記第１のサブコンバータシステム（１）に関するダンピン
グ信号（Ｖｄ，Ｕ１）からさらに形成され、
前記ダンピング信号（Ｖｄ，Ｕ１）は、前記第１のサブコンバータシステム（１）を通って測定された電流（ｉ１）からおよび予め決定可能な抵抗値（Ｒｄ）から形成され、
前記さらなる制御信号（Ｓ２）は、前記第２のサブコンバータシステム（２）に関するダンピング信号（Ｖｄ，Ｕ２）からさらに形成され、
前記ダンピング信号（Ｖｄ，Ｕ２）は、前記第２のサブコンバータシステム（２）を通って測定された電流（ｉ２）からおよび前記予め決定可能な抵抗値（Ｒｄ）から形成される、
コンバータ回路の動作のための方法。
[２]前記第１のサブコンバータシステム（１）に関するダンピング信号（Ｖｄ，Ｕ１）は、前記第１のサブコンバータシステム（１）を通って予め決定可能な参照電流（Ｉｒｅｆ，Ｕ１）からさらに形成され、
前記第２のサブコンバータシステム（２）に関するダンピング信号（Ｖｄ，Ｕ２）は、前記第２のサブコンバータシステム（２）を通って予め決定可能な参照電流（Ｉｒｅｆ，Ｕ２）からさらに形成される、前記[１]による方法。
[３]コンバータ回路の動作のための方法であって、
前記コンバータ回路は、少なくとも２つの位相モジュール（４）を有し、
各位相モジュール（４）は、第１および第２のサブコンバータシステム（１、２）を有し、
各位相モジュール（４）のサブコンバータシステム（１、２）は、互いに直列に接続され、
各サブコンバータシステム（１、２）は、複数の直列に接続された二極スイッチングセル（３）を具備し、
各スイッチングセル（３）は、抑制された単方向電流フロー方向および容量エネルギーストアを備えた制御可能な双方向パワー半導体スイッチを有し、
前記第１のサブコンバータシステム（１）の中の前記スイッチングセル（３）の中の前記パワー半導体スイッチは、制御信号（Ｓ１）を用いて制御され、
前記第２のサブコンバータシステム（２）の中の前記スイッチングセル（３）の中の前記パワー半導体スイッチは、さらなる制御信号（Ｓ２）を用いて制御され、
前記第１のサブコンバータシステム（１）のための前記制御信号（Ｓ１）は、前記第１のサブコンバータシステム（１）の中の関連するスイッチングセル（３）に関する基準信号（Ｖｒｅｆ，ＵＺ１）から形成され、前記基準信号は、中央計算ユニット（７）の中で生成される、
ローカル計算ユニット（８）は、前記第１のサブコンバータシステム（１）の中の各スイッチングセル（３）に提供され、
前記第１のサブコンバータシステム（１）の中の前記関連するスイッチングセル（３）に関する前記基準信号（Ｖｒｅｆ，ＵＺ１）は、前記第１のサブコンバータシステム（１）の中の前記スイッチングセル（３）のための前記ローカル計算ユニット（８）に送信され、
前記制御信号（Ｓ１）は、前記第１のサブコンバータシステム（１）の中の前記関連するスイッチングセル（３）に関するダンピング信号（Ｖｄ，Ｚ１）から、前記第１のサブコンバータシステム（１）の中の前記スイッチングセル（３）用の各ローカル計算ユニット（８）の中でさらに形成され、
前記ダンピング信号（Ｖｄ，Ｚ１）は、前記第１のサブコンバータシステム（１）の中の前記関連するスイッチングセル（３）を通って測定された電流（ｉ１）からおよび予め決定可能な抵抗値（Ｒｄ）から形成され、 
前記第２のサブコンバータシステム（２）のための前記さらなる制御信号（Ｓ２）は、前記第２のサブコンバータシステム（２）の中の前記関連するスイッチングセル（３）に関する基準信号（Ｖｒｅｆ，ＵＺ２）から形成され、前記基準信号は、中央計算ユニットの中で生成され、
ローカル計算ユニット（９）は、前記第２のサブコンバータシステム（２）の中の各スイッチングセル（３）に提供され、
前記第２のサブコンバータシステム（２）の中の前記関連するスイッチングセル（３）に関する基準信号（Ｖｒｅｆ，ＵＺ２）は、前記第２のサブコンバータシステム（２）の中の前記スイッチングセル（３）のためのローカル計算ユニット（９）に送信され、
前記さらなる制御信号（Ｓ２）は、前記第２のサブコンバータシステム（２）の中の前記関連するスイッチングセル（３）に関するダンピング信号（Ｖｄ，Ｚ２）から、前記第２のサブコンバータシステム（２）の中の前記スイッチングセル（３）用の各ローカル計算ユニット（９）の中でさらに形成され、
前記ダンピング信号（Ｖｄ，Ｚ２）は、前記第２のサブコンバータシステム（２）の中の前記関連するスイッチングセル（３）を通って測定された電流（ｉ２）からおよび予め決定可能な抵抗値（Ｒｄ）から形成される、
コンバータ回路の動作のための方法。
[４]前記第１のサブコンバータシステム（１）の中の前記関連するスイッチングセル（３）に関するそれぞれのダンピング信号（Ｖｄ，Ｚ１）は、前記第１のサブコンバータシステム（１）の中の前記関連するスイッチングセル（３）を通って予め決定可能な参照電流（Ｉｒｅｆ，Ｕ１）からさらに形成され、
前記第２のサブコンバータシステム（２）の中の前記関連するスイッチングセル（３）に関するそれぞれのダンピング信号（Ｖｄ，Ｚ２）は、前記第２のサブコンバータシステム（２）の中の前記関連するスイッチングセル（３）を通って予め決定可能な参照電流（Ｉｒｅｆ，Ｕ２）から形成される、前記[３]による方法。
[５]前記抵抗値（Ｒｄ）は、一定または時間とともに変化するようにプリセットされる、前記[１]〜[４]のうちの１つによる方法。
[６]コンバータ回路の動作のための方法であって、
前記コンバータ回路は、少なくとも２つの位相モジュール（４）を有し、
各位相モジュール（４）は、第１および第２のサブコンバータシステム（１、２）を有し、
各位相モジュール（４）のサブコンバータシステム（２）は、互いに直列に接続され、
各サブコンバータシステム（１、２）は、複数の直列に接続された二極スイッチングセル（３）を具備し、
各スイッチングセル（３）は、抑制された単方向電流フロー方向および容量エネルギーストアを備えた制御可能な双方向パワー半導体スイッチを有し、
前記第１のサブコンバータシステム（１）の中の前記スイッチングセル（３）の中の前記パワー半導体スイッチは、制御信号（Ｓ１）を用いて制御され、
前記第２のサブコンバータシステム（２）の中の前記スイッチングセル（３）の中の前記パワー半導体スイッチは、さらなる制御信号（Ｓ２）を用いて制御され、
前記第１のサブコンバータシステム（１）のための前記制御信号（Ｓ１）は、前記第１のサブコンバータシステム（１）を横切った電圧（Ｕ１）に関するダンピング基準信号（Ｖｒｅｆ，ｄ  Ｕ１）から形成され、ダンピング基準信号は、中央計算ユニット（７）の中で生成され、
前記第１のサブコンバータシステム（１）を横切った前記電圧（Ｕ１）に関する前記ダ
ンピング基準信号（Ｖｒｅｆ，ｄ  Ｕ１）は、前記第１のサブコンバータシステム（１）を通って予め決定可能な参照電流（ｉｒｅｆ，Ｕ１）から、予め決定可能な抵抗値（Ｒｄａ）からおよび前記第１のサブコンバータシステム（１）を横切った前記電圧（Ｕ１）に関する基準信号（Ｖｒｅｆ，Ｕ１）から形成され、 
ローカル計算ユニット（８）は、前記第１のサブコンバータシステム（１）の中の各スイッチングセル（３）に提供され、
前記第１のサブコンバータシステム（１）を横切った前記電圧（Ｕ１）に関するダンピング基準信号（Ｖｒｅｆ，ｄ  Ｕ１）は、前記第１のサブコンバータシステム（１）の中の前記スイッチングセル（３）のための前記ローカル計算ユニット（８）に送信され、
前記制御信号（Ｓ１）は、前記第１のサブコンバータシステム（１）の中の前記関連するスイッチングセル（３）に関するダンピング信号（Ｖｄ，Ｚ１）から、前記第１のサブコンバータシステム（１）の中の前記スイッチングセル（３）用の各ローカル計算ユニット（８）の中でさらに形成され、
前記ダンピング信号（Ｖｄ，Ｚ１）は、前記第１のサブコンバータシステム（１）の中の前記関連するスイッチングセル（３）を通って測定された電流（ｉ１）からおよび予め決定可能なさらなる抵抗値（Ｒｄｂ）から形成され、
前記第２のサブコンバータシステム（２）のための前記さらなる制御信号（Ｓ２）は、前記第２のサブコンバータシステム（２）を横切った前記電圧（Ｕ２）に関するダンピング基準信号（Ｖｒｅｆ，ｄ  Ｕ２）から形成され、ダンピング基準信号は、中央計算ユニット（９）の中で生成され、
前記第２のサブコンバータシステム（２）を横切った前記電圧（Ｕ２）に関する前記ダンピング基準信号（Ｖｒｅｆ，ｄ  Ｕ２）は、前記第２のサブコンバータシステム（２）を通って予め決定可能な参照電流（ｉｒｅｆ，Ｕ２）から、前記予め決定可能な抵抗値（Ｒｄａ）からおよび前記第２のサブコンバータシステム（１）を横切った前記電圧（Ｕ２）に関する基準信号（Ｖｒｅｆ，Ｕ２）から形成され、
ローカル計算ユニット（９）は、前記第２のサブコンバータシステム（２）の中の各スイッチングセル（３）に提供され、
前記第２のサブコンバータシステム（２）を横切った前記電圧（Ｕ２）に関する前記ダンピング基準信号（Ｖｒｅｆ，ｄ  Ｕ２）は、前記第２のサブコンバータシステム（２）の中の前記スイッチングセル（３）のための前記ローカル計算ユニット（９）に送信され、
前記さらなる制御信号（Ｓ２）は、前記第２のサブコンバータシステム（２）の中の前記関連するスイッチングセル（３）に関するダンピング信号（Ｖｄ，Ｚ２）から、前記第２のサブコンバータシステム（２）の中の前記スイッチングセル（３）のための各ローカル計算ユニット（９）の中でさらに形成され、
前記ダンピング信号（Ｖｄ，Ｚ２）は、前記第２のサブコンバータシステム（２）の中の前記関連するスイッチングセル（３）を通って測定された電流（ｉ２）からおよび予め決定可能なさらなる抵抗値（Ｒｄｂ）から形成される、
コンバータ回路の動作のための方法。
[７]前記抵抗値（Ｒｄａ）および前記さらなる抵抗値（Ｒｄｂ）は、一定または時間とともに変化することが予め決定される、前記[６]による方法。
【参照符号のリスト】
【００４２】
１      第１のサブコンバータシステム
２      第２のサブコンバータシステム
３      スイッチングセル
４      位相モジュール
５、６  モジュレータ
７      中央計算ユニット
８、９  ローカル計算ユニット
【図１】
0005917003.tif 000002
【図２】
0005917003.tif 000003
【図３】
0005917003.tif 000004
【図４】
0005917003.tif 000005
【図５】
0005917003.tif 000006
【図６】
0005917003.tif 000007