(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ型半導体層、活性層及びｐ型半導体層がこの順で積層された積層体と、
前記ｐ型半導体層上に配置された透明電極と、
前記透明電極上に配置された電極絶縁膜と、
前記電極絶縁膜上に配置され、前記電極絶縁膜、前記透明電極、前記ｐ型半導体層及び前記活性層を貫通して設けられたｎ側開口部で前記ｎ型半導体層に接するｎ側電極と、
前記電極絶縁膜上に前記ｎ側電極と離間して配置され、前記電極絶縁膜に設けられたストライプ状のｐ側開口部で前記透明電極に接するｐ側電極と、
前記電極絶縁膜内部に、又は前記透明電極と前記電極絶縁膜との間に、前記積層体の上面に対向して配置され、前記活性層から出射された光を反射する反射層と
を備え、
前記ｎ側開口部が、間口よりも底面が狭いテーパー形状を有し、
前記ｎ側電極の外縁部下方において、前記ｎ側開口部の周囲を囲んで前記活性層、前記透明電極及び前記反射層が配置され、
前記反射層が、前記ｎ側開口部の前記テーパー形状の斜面に沿って前記ｎ側開口部の内側に配置された領域を有し、
前記ｎ側電極が、前記ｎ側開口部の前記テーパー形状の前記斜面から底面に沿って前記ｎ側開口部の内側に配置された領域を有して、前記ｎ側開口部の前記底面において前記ｎ型半導体層に接し、
前記反射層と前記ｎ側電極が異なる材料からなる
ことを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
前記ｐ側電極が、互いに並行して配置された複数のストライプ状の前記ｐ側開口部で前記透明電極に接することを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記ｎ側電極の表面と前記ｐ側電極の表面とが同一平面レベルにあることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ｎ型半導体層、活性層及びｐ型半導体層が積層された構造の半導体発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（ＬＥＤ）や半導体レーザなどの、ｎ型半導体層、活性層及びｐ型半導体層が積層された構造の半導体発光装置において、発光効率の向上が図られている。例えば、ｐ型半導体層上のほぼ全面に透光性のｐ側電極を形成し、更にｐ側電極上に絶縁膜を介して反射膜を形成した半導体発光装置が提案されている（例えば特許文献１参照。）。これにより、ｐ側における反射率が向上し、基板側からの光取り出し効率が向上する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第４１２２７８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記の半導体発光装置では、ｎ側電極が露出されたｎ型半導体層上全体に形成されるため、発光に寄与しない領域の面積が大きい。このため、基板面積に対する発光面積の比率が小さい。また、絶縁膜の上に反射層が形成される構造のために、反射層の耐湿性の点で問題がある。
【０００５】
上記問題点に鑑み、本発明は、基板面積に対する発光面積の比率が高く、且つ反射層の耐湿性を向上した半導体発光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様によれば、（イ）ｎ型半導体層、活性層及びｐ型半導体層がこの順で積層された積層体と、（ロ）ｐ型半導体層上に配置された透明電極と、（ハ）透明電極上に配置された電極絶縁膜と、（ニ）電極絶縁膜上に配置され、電極絶縁膜、透明電極、ｐ型半導体層及び活性層を貫通して設けられたｎ側開口部でｎ型半導体層に接するｎ側電極と、（ホ）電極絶縁膜上にｎ側電極と離間して配置され、電極絶縁膜に設けられたストライプ状のｐ側開口部で透明電極に接するｐ側電極と、（ヘ）電極絶縁膜内部に、又は透明電極と電極絶縁膜との間に、積層体の上面に対向して配置され、活性層から出射された光を反射する反射層とを備え、ｎ側開口部が、間口よりも底面が狭いテーパー形状を有し、ｎ側電極の外縁部下方において、ｎ側開口部の周囲を囲んで活性層、透明電極及び反射層が配置され、 反射層が、ｎ側開口部のテーパー形状の斜面に沿ってｎ側開口部の内側に配置された領域を有し、ｎ側電極が、ｎ側開口部のテーパー形状の斜面から底面に沿ってｎ側開口部の内側に配置された領域を有して、ｎ側開口部の底面においてｎ型半導体層に接し、反射層とｎ側電極が異なる材料からなる半導体発光装置が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、基板面積に対する発光面積の比率が高く、且つ反射層の耐湿性を向上した半導体発光装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体発光装置の構成を示す模式的な断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る半導体発光装置の構成を示す模式的な平面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る半導体発光装置の実装方法を示す模式的な断面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を説明するための工程断面図である（その１）。
【図５】本発明の第１の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を説明するための工程断面図である（その２）。
【図６】本発明の第１の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を説明するための工程断面図である（その３）。
【図７】本発明の第１の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を説明するための工程断面図である（その４）。
【図８】本発明の第１の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を説明するための工程断面図である（その５）。
【図９】本発明の第１の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を説明するための工程断面図である（その６）。
【図１０】本発明の第１の実施形態に係る半導体発光装置の他の実装方法を示す模式的な断面図である。
【図１１】本発明の第１の実施形態に係る半導体発光装置の他の構成を示す模式的な平面図である。
【図１２】本発明の第２の実施形態に係る半導体発光装置の構成を示す模式的な断面図である。
【図１３】本発明の第２の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を説明するための工程断面図である（その１）。
【図１４】本発明の第２の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を説明するための工程断面図である（その２）。
【図１５】本発明の第２の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を説明するための工程断面図である（その３）。
【図１６】本発明の第２の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を説明するための工程断面図である（その４）。
【図１７】本発明の第２の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を説明するための工程断面図である（その５）。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
図面を参照して、本発明の第１及び第２の実施形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率などは現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることはもちろんである。
【００１０】
又、以下に示す第１及び第２の実施形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の実施形態は、構成部品の材質、形状、構造、配置などを下記のものに特定するものでない。この発明の実施形態は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。
【００１１】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態に係る半導体発光装置１は、図１に示すように、ｎ型半導体層２１、活性層２２及びｐ型半導体層２３がこの順で積層された積層体２０と、ｐ型半導体層２３上に配置された透明電極３０と、透明電極３０上に配置された電極絶縁膜４０と、電極絶縁膜４０上に配置され、電極絶縁膜４０、透明電極３０、ｐ型半導体層２３及び活性層２２を貫通して設けられたｎ側開口部４１でｎ型半導体層２１に接するｎ側電極５１と、電極絶縁膜４０上に配置され、電極絶縁膜４０に設けられたストライプ状のｐ側開口部４３で透明電極３０に接するｐ側電極５３と、電極絶縁膜４０内部に積層体２０の上面に対向して配置された反射層７０とを備える。反射層７０は、活性層２２から出射された光を積層体２０側に反射する。ｎ側電極５１とｐ側電極５３は、互いに離間して電極絶縁膜４０上に配置されている。
【００１２】
更に、図１に示した半導体発光装置１は、基板１０上に配置されたバッファ層１１上に、積層体２０が配置された構造である。基板１０のバッファ層１１と接する面に対向する面である発光領域１１０から、出力光Ｌが半導体発光装置１の外部に放射される。
【００１３】
基板１０は活性層２２で発生する光を透過する材料からなり、例えばサファイア基板などを基板１０に採用可能である。
【００１４】
バッファ層１１は活性層２２で発生する光を透過する材料からなり、例えば、ＡｌxＭyＧａ1-x-yＮ（Ｍはインジウム（Ｉｎ）又はボロン（Ｂ）、０＜ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ＝１）からなる第１のサブレイヤーと、ＡｌaＭbＧａ1-a-bＮ（ＭはＩｎ又はＢ、０≦ａ＜１、０≦ｂ≦１、ａ＋ｂ＝１、ａ＜ｘ）からなる第２のサブレイヤーとを交互に積層した多層構造を採用可能である。例えば、第１のサブレイヤーは膜厚０．５〜５ｎｍ程度の窒化アルミニウム（ＡｌＮ）膜、第２のサブレイヤーは膜厚０．５〜２００ｎｍ程度の窒化ガリウム（ＧａＮ）膜である。
【００１５】
ｎ型半導体層２１は、例えばｎ型ドーパントとしてシリコン（Ｓｉ）がドープされた膜厚５μｍ程度のＧａＮ膜であり、活性層２２に電子を供給する。ｐ型半導体層２３は、例えばｐ型ドーパントがドープされた膜厚０．２μｍ程度のＧａＮ膜であり、活性層２２に正孔（ホール）を供給する。ｐ型ドーパントは、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、カルシウム（Ｃａ）、ベリリウム（Ｂｅ）、炭素（Ｃ）等である。
【００１６】
活性層２２は、例えばＩｎＧａＮ膜とＧａＮ膜を交互に積層した多重量子井戸（ＭＱＷ)構造を有する。ＩｎＧａＮ膜とＧａＮ膜の膜厚は、それぞれ数μｍ〜数十μｍ程度である。ｎ型半導体層２１から供給された電子とｐ型半導体層２３から供給された正孔とが活性層２２で再結合して光を発生する。
【００１７】
透明電極３０及び電極絶縁膜４０は、活性層２２で発生する光が透過する材料からなる。透明電極３０には、例えば酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）膜などが採用可能である。ＩＴＯ膜の膜厚は、５０ｎｍ〜５００ｎｍ程度である。電極絶縁膜４０には、例えば膜厚１５０ｎｍ〜１５００ｎｍ程度の酸化シリコン（ＳｉＯ2）膜などが採用可能である。
【００１８】
また、ｎ側電極５１及びｐ側電極５３には、例えば金（Ａｕ）などが採用可能である。半導体発光装置１の外部の負電源から電子がｎ側電極５１に供給され、正電源から正孔がｐ側電極５３に供給される。
【００１９】
反射層７０には、例えば銀パラジウム銅（ＡＰＣ）膜、Ａｌ膜などを採用可能である。活性層２２から透明電極３０方向に出射された光は、反射層７０で反射され、出力光Ｌの一部として半導体発光装置１の外部に放射される。
【００２０】
図１に示すように、反射層７０は電極絶縁膜４０の内部に埋め込まれている。例えば、電極絶縁膜４０を途中まで形成した後に反射層７０が形成され、反射層７０上に残りの電極絶縁膜４０が形成される。このため、反射層７０の金属が長時間大気や純水等にさらされることがほとんどなく、水蒸気などによる反射層７０の劣化を抑制できる。
【００２１】
図２に、ｎ側電極５１及びｐ側電極５３の側からみた半導体発光装置１の平面図を示す。図１は、図２のＩ−Ｉ方向に沿った断面図である。図２に示すように、ｎ側電極５１が配置された領域を除いて、半導体発光装置１の上面ほぼ全体にｐ側電極５３が配置されている。ｐ側電極５３から、電極絶縁膜４０に開口されたｐ側開口部４３を介して、透明電極３０に正孔が供給される。
【００２２】
図２において、ｎ側電極５１の内側に破線で示した領域が、ｎ側電極５１を透過してみたｎ側開口部４１である。また、ｎ側電極５１の内側に示した一点鎖線は透明電極３０の外縁を示し、一点鎖線の内側の領域には透明電極３０が配置されていない。ｎ側電極５１の内側に示した二点鎖線は反射層７０の外縁を示し、二点鎖線の内側の領域には反射層７０が配置されていない。
【００２３】
図１及び図２に示すように、ｎ側電極５１は、ｎ側開口部４１の上方に配置されている。半導体発光装置１の上面に露出したｎ側電極５１の領域は、例えばボンディング用パッドなどの、外部の負電源と電気的にコンタクトを取るための電極用パッドとして使用される。このため、ｎ側電極５１の面積は外部とのコンタクトに必要な大きさであればよい。ｎ側電極５１を電極用パッドとして使用するため、ｎ型半導体層２１に電子を供給するｎ側電極５１とは別の電極用パッドを用意する必要がない。
【００２４】
上記のように、半導体発光装置１では、ｎ側電極５１直下にのみ形成されたｎ側開口部４１においてｎ側電極５１とｎ型半導体層２１とが接している。このため、半導体発光装置１の面積は増大せず、且つ活性層２２から出射されて反射層７０方向に進む光が透過する領域の減少が抑制される。
【００２５】
なお、図１に示したように、ｎ側開口部４１における積層体２０の開口領域は、側面が底面に対して傾斜しており、間口よりも底面が狭いテーパー形状である。このため、ｎ側開口部４１に露出した積層体２０の側面部において電極絶縁膜４０が薄くなることがなく、外部からの力による半導体発光装置１の破壊を防止できる。例えば、ｎ側電極５１にワイヤボンディングしても、ボンディング圧力によってｎ側開口部４１が破壊されることがない。ｎ側開口部４１はｎ側電極５１の下方に位置するため、もともと非発光領域であり、積層体２０の開口領域をテーパー形状にしても発光領域が実質的に減少することはない。
【００２６】
図２では、ストライプ状の２本のｐ側開口部４３が互いに並行に配置された例を示した。ｐ側開口部４３の本数は、透明電極３０の面積などに応じて任意に設定可能である。例えば面積の広い透明電極３０に正孔を供給する必要がある場合には、３本以上のｐ側開口部４３を形成してもよい。一方、透明電極３０の面積が狭い場合には、形成するｐ側開口部４３が１本でもよい。
【００２７】
ｐ側開口部４３は、ｐ側電極５３から供給される正孔が透明電極３０の全域に供給されるように配置される。これにより、活性層２２を流れる電流が均一化され、活性層２２の広い範囲で光を発生させることができる。
【００２８】
例えば図２に示したように、２本配置されたｐ側開口部４３それぞれの端部からｐ側電極５３のコーナー部までの距離ｄ１１は、同一の長さであることが好ましい。また、各ｐ側開口部４３の端部からｎ側開口部４１近傍の透明電極３０の外縁までの距離ｄ１２は、同一の長さであることが好ましい。このようにｐ側開口部４３を配置することにより、透明電極３０の全域にムラなく正孔が供給され、活性層２２を流れる電流が均一化される。
【００２９】
上記に説明した半導体発光装置１とは異なり、活性層２２を流れる電流を均一化するためにｎ型半導体層２１の全域に電子を供給する場合には、半導体発光装置１の上面の広い範囲に、ｎ側電極５１を配置する必要がある。例えば櫛の歯形状にｎ側電極５１を配置する。この場合、深い掘り込み溝であるｎ側開口部４１を半導体発光装置１の上面の広い範囲に形成する必要がある。また、ｎ側開口部４１の内壁に電極絶縁膜４０を形成するため、ｎ側開口部４１の幅を広くする必要がある。
【００３０】
一方、図１及び図２に示した半導体発光装置１によれば、パターニングされたｐ側開口部４３を介して、ｐ側電極５３から透明電極３０の全域に正孔が供給され、活性層２２に電流が均一に流れる。このため、ｎ側開口部４１の面積を小さくできる。なお、ｐ側開口部４３の深さは電極絶縁膜４０の膜厚分でよい。更にｐ側開口部４３の幅は、ｐ側電極５３と透明電極３０とが接触できる程度でよく、ｐ側開口部４３の内側に絶縁膜を形成するために広くする必要もない。
【００３１】
活性層２２で発生した光が基板１０方向に反射されないｎ側開口部４１の面積が、半導体発光装置１の非発光領域の面積に影響する。つまり、ｎ側開口部４１の面積が大きいほど、発光領域１１０のうちで光度の高い出力光Ｌが放射される有効面積が減少する。したがって、第１の実施形態に係る半導体発光装置１によれば、ｎ側開口部４１の面積を小さくできるため、半導体発光装置１上面に広くｎ側電極５１を配置する場合に比べて発光に寄与する領域の面積減少を抑制しつつ、活性層２２を流れる電流を均一化できる。つまり、第１の実施形態に係る半導体発光装置１によれば、有効に出力光Ｌが放射される発光領域１１０の面積の減少が抑制される。
【００３２】
更に、図１、図２に示すように、第１の実施形態に係る半導体発光装置１では、ｎ側開口部４１が設けられた領域の残余の領域において、活性層２２、ｐ型半導体層２３、透明電極３０及び反射層７０がｎ側電極５１の下方に配置されている。このようにｎ側電極５１の外縁部下方にも透明電極３０及び反射層７０を配置することによって、活性層２２から出射された光がｎ側電極５１の下方でも反射される。したがって、ｎ側電極５１の外縁部ぎりぎりまでを半導体発光装置１の発光に寄与する領域にできる。つまり、ｎ側開口部４１が配置された領域以外のほぼ全域が発光に寄与する領域である。その結果、半導体発光装置１について基板面積に対する発光面積の比率を更に高くできる。このため、活性層２２で発生した光をより効率的に外部に放射することができ、より大きな光度を得られる。
【００３３】
また、図１に示した半導体発光装置１とは異なり、半導体発光装置１上面に広くｎ側電極５１を配置する場合には、深い掘り込み溝であるｎ側開口部４１に沿って配置されるｎ側電極５１を電流の引き回しに使用することになる。このために、ｎ側開口部４１の角部に電流が集中する。その結果、ｎ側開口部４１の角部でプラスの静電気による静電気放電（ＥＳＤ）破壊が生じる可能性が高いという問題がある。
【００３４】
しかし、第１の実施形態に係る半導体発光装置１では、ｐ側開口部４３によって電流が引き回される。このため、ｎ側電極５１と距離をとって透明電極３０に電流が分散され、電極の一部に電流が集中することがない。したがって、ＥＳＤに対して破壊に至りやすい場所がなく、結果として半導体発光装置１のＥＳＤ耐性が向上する。
【００３５】
図１に示した半導体発光装置１は、例えば図３に示すように実装基板８０に搭載されるフリップチップ型である。即ち、ｎ側電極５１及びｐ側電極５３が実装基板８０上の電源配線パターンに接して、半導体発光装置１が実装基板８０上に搭載されている。
【００３６】
負電極領域８１と正電極領域８３からなる電源配線パターンが、実装基板８０上に形成されている。半導体発光装置１のｎ側電極５１及びｐ側電極５３が配置される領域は、半導体発光装置１が搭載される実装基板８０の電源配線パターンに対応して設定される。例えば金スズ（Ａｕ−Ｓｎ）などの共晶半田を用いて半導体発光装置１と実装基板８０とを接続する場合に、任意の実装基板８０の電源配線パターンに合わせて、ｎ側電極５１及びｐ側電極５３のパターン配置が決定される。そして、負電極領域８１にｎ側電極５１が接し、正電極領域８３にｐ側電極５３が接するように、半導体発光装置１が実装基板８０に搭載される。
【００３７】
実装基板８０の負電極領域８１から供給される電子が、ｎ側電極５１を介して、ｎ型半導体層２１に供給される。実装基板８０の正電極領域８３から供給される正孔が、ｐ側電極５３を介して、ｐ型半導体層２３に供給される。これらの電子と正孔が活性層２２で再結合して光が発生する。
【００３８】
既に述べたように、活性層２２で発生して基板１０方向に進行する光は、バッファ層１１及び基板１０を透過して、基板１０の発光領域１１０から出力光Ｌの一部として半導体発光装置１の外部に放射される。そして、活性層２２で発生して透明電極３０方向に出射された光は、反射層７０で基板１０方向に反射される。反射層７０で反射した光は、基板１０の発光領域１１０から出力光Ｌの一部として外部に放射される。
【００３９】
図１、図３に示したように、ｎ側電極５１の表面とｐ側電極５３の表面とは、同一平面レベルにある。つまり、半導体発光装置１の実装基板８０と接する面にはほとんど段差がない。このため、半導体発光装置１を実装基板８０に実装する場合に、バンプや導電性物質によってｎ側電極５１の高さとｐ側電極５３の高さを調整する必要がない。したがって、実装基板８０に半導体発光装置１を容易に実装することができる。
【００４０】
なお、半導体発光装置１と実装基板８０との接触面積が広いために、半導体発光装置１の放熱性も良好である。
【００４１】
以上に説明したように、第１の実施形態に係る半導体発光装置１によれば、ｐ側電極５３から、電極絶縁膜４０に開口されたｐ側開口部４３を介して、透明電極３０の全域に正孔が供給される。このため、活性層２２を流れる電流が均一化される。一方、ｎ側電極５１が配置された領域の面積は小さく、且つ、ｎ側電極５１直下のｎ側開口部４１が形成された領域以外は積層体２０が除去されず、ｎ側電極５１下方に透明電極３０及び反射層７０が配置されている。このため、半導体発光装置１における基板面積に対する発光面積の比率は高い。
【００４２】
更に、半導体発光装置１の反射層７０を電極絶縁膜４０の内部に埋め込むことにより、反射層７０の耐湿性を向上することができる。
【００４３】
図４〜図９を参照して、図１に示した半導体発光装置１の製造方法を説明する。なお、以下に述べる半導体発光装置１の製造方法は一例であり、この変形例を含めて、これ以外の種々の製造方法により実現可能であることは勿論である。
【００４４】
（イ）先ず、基板１０上にバッファ層１１を形成する。バッファ層１１上に、ｎ型半導体層２１、活性層２２及びｐ型半導体層２３を順次に積層して、図４に示すように積層体２０を形成する。
【００４５】
（ロ）ｐ型半導体層２３上に透明電極３０を形成する。なお、ｎ側開口部４１が形成される領域の透明電極３０を削除するために、フォトリソグラフィ技術などを用いて透明電極３０を図５に示すようにパターニングする。
【００４６】
（ハ）図６に示すように、ｎ側開口部４１が形成される領域のｐ型半導体層２３、活性層２２、及びｎ型半導体層２１の上部の一部を除去し、積層体２０の開口領域４１０を形成する。このとき、図６に示すように開口領域４１０がテーパー形状をなすように、積層体２０の上部の一部を除去する。
【００４７】
（ニ）図７に示すように、透明電極３０上に電極絶縁膜４０の下層部分４０１を形成する。次いで、下層部分４０１上に反射層７０を形成する。
【００４８】
（ホ）ｎ側開口部４１及びｐ側開口部４３を配置する領域の反射層７０及び下層部分４０１を、フォトリソグラフィ技術などを用いて除去する。次いで、反射層７０及び下層部分４０１上に電極絶縁膜４０の上層部分４０２を形成する。そして、図８に示すように、ｎ側開口部４１及びｐ側開口部４３を配置する領域の上層部分４０２を除去する。なお、先ず反射層７０のみ除去し、上層部分４０２を形成後に上層部分４０２と下層部分４０１を同時に除去してもよい。
【００４９】
（ヘ）電極絶縁膜４０に形成したｎ側開口部４１及びｐ側開口部４３を埋め込むようにして、電極絶縁膜４０上に金属膜を形成する。その後、図９に示すように金属膜をパターニングして、ｎ側電極５１及びｐ側電極５３を形成する。これにより、図１に示す半導体発光装置１が完成する。
【００５０】
なお、ｎ側電極５１とｐ側電極５３のパターン配置を変更するだけで、基板１０から出力光Ｌを出射する図１に示したフリップチップ型の半導体発光装置１と、透明電極３０及び電極絶縁膜４０を透過した出力光を出射する上面発光型の半導体発光装置とを作り分けることができる。つまり、ｎ側電極５１及びｐ側電極５３を形成するための金属膜のマスクを変更し、反射層７０の形成工程の有無を選択するだけで、フリップチップ型の半導体発光装置１と上面発光型の半導体発光装置とを選択的に製造することができる。このため、工程共有化の効果を得ることが容易である。
【００５１】
＜変形例＞
図１０に示すように、バンプ９１、９３によって半導体発光装置１と実装基板８０とを接続してもよい。電源配線パターンの負電極領域８１上に配置されたバンプ９１とｎ側電極５１が接し、正電極領域８３上に配置されたバンプ９３とｐ側電極５３が接する。
【００５２】
また、第１の実施形態に係る半導体発光装置１では掘り込み溝を形成する必要がないため、半導体発光装置１のｎ側開口部４１の面積は小さい。このため、特にｎ側電極５１を配置する位置の自由度が高い。したがって、実装基板８０の電源配線パターンに応じて、任意の位置にｎ側電極５１を配置できる。
【００５３】
図１１に、図２と異なるｎ側電極５１及びｐ側電極５３の配置例を示す。図２ではｎ側開口部４１が１つ配置される例を示したが、図１１は３つのｎ側開口部４１が配置される例を示した。図１１では、３つのｎ側開口部４１を覆って帯状にｎ側電極５１が配置されている。そして、ｎ側電極５１の両側にｐ側電極５３が配置されている。
【００５４】
（第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態に係る半導体発光装置１は、図１２に示すように、透明電極３０と電極絶縁膜４０の間に反射層７０が配置されていることが、電極絶縁膜４０内部に反射層７０が配置された図１に示す半導体発光装置１と異なる点である。その他の構成については、図１に示す第１の実施形態と同様である。
【００５５】
即ち、ｎ側電極５１直下のｎ側開口部４１が形成された領域以外は積層体２０が除去されず、ｎ側電極５１下方に透明電極３０及び反射層７０が配置されている。このため、図１２に示した半導体発光装置１における基板面積に対する発光面積の比率は高い。
【００５６】
また、図１２に示すように、反射層７０を覆うように電極絶縁膜４０を形成することによって、水蒸気などによる反射層７０の劣化を抑制できる。このため、反射層７０の耐湿性が向上する。
【００５７】
図１３〜図１７を参照して、本発明の第２の実施形態に係る半導体発光装置１の製造方法を説明する。なお、以下に述べる半導体発光装置１の製造方法は一例であり、この変形例を含めて、これ以外の種々の製造方法により実現可能であることは勿論である。
【００５８】
（イ）図４〜図５を参照して説明した方法と同様にして、基板１０、バッファ層１１及び積層体２０を積層した後、ｐ型半導体層２３上に透明電極３０を形成する。その後、図１３に示すように、ｎ側開口部４１が形成される領域には配置されないようにパターニングされた透明電極３０上に、反射層７０を積層する。このとき、例えばチタン（Ｔｉ）膜と酸化シリコン膜からなる保護層７５を反射層７０上に形成することにより、反射層７０が保護される。
【００５９】
（ロ）ｎ側開口部４１が形成される領域のｐ型半導体層２３、活性層２２、及びｎ型半導体層２１の上部の一部を除去し、積層体２０の開口領域４１０を形成する。このとき、図１４に示すように開口領域４１０がテーパー形状をなすように、積層体２０の上部の一部を除去する。
【００６０】
（ハ）図１５に示すように、積層体２０及び保護層７５の上面に電極絶縁膜４０を形成する。
【００６１】
（ニ）図１６に示すように、ｎ側開口部４１及びｐ側開口部４３を配置する領域の電極絶縁膜４０を、フォトリソグラフィ技術などを用いて除去する。このとき、ｐ側開口部４３の底面に露出する保護層７５も除去する。ｐ側開口部４３の底面に露出する反射層７０は、除去しても残してもよい。
【００６２】
（ホ）電極絶縁膜４０に形成したｎ側開口部４１及びｐ側開口部４３を埋め込むようにして、電極絶縁膜４０上に金属膜を形成する。その後、図１７に示すように金属膜をパターニングして、ｎ側電極５１及びｐ側電極５３を形成する。以上により、図１２に示した半導体発光装置１が完成する。
【００６３】
本発明の第２の実施形態に係る半導体発光装置１によれば、基板面積に対する発光面積の比率が高く、且つ反射層７０の耐湿性を向上した半導体発光装置を提供することができる。他は、実施形態と実質的に同様であり、重複した記載を省略する。
【００６４】
上記のように、本発明は実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。本発明はここでは記載していない様々な実施形態などを含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
【符号の説明】
【００６５】
１…半導体発光装置
１０…基板
１１…バッファ層
２０…積層体
２１…ｎ型半導体層
２２…活性層
２３…ｐ型半導体層
３０…透明電極
４０…電極絶縁膜
４１…ｎ側開口部
４３…ｐ側開口部
５１…ｎ側電極
５３…ｐ側電極
７０…反射層
８０…実装基板
８１…負電極領域
８３…正電極領域
９１、９３…バンプ
１１０…発光領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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