(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導体および第２の導体を有するディスク装置用フレキシャのインターリーブ配線部であって、
開口部を有するメタルベースと、
前記メタルベースの前記開口部を含む領域に重ねて配置され、前記メタルベースと対向する第１の面およびこの第１の面とは反対側の第２の面を有する誘電体からなる電気絶縁性の絶縁層と、
前記第１の導体から分岐し、前記絶縁層の前記第２の面上に配置された複数の第１分岐導体と、
前記第２の導体から分岐し、前記第１分岐導体に沿って前記絶縁層の前記第２の面上に前記第１分岐導体と交互に配置された複数の第２分岐導体と、
前記第１分岐導体と第２分岐導体とを覆う誘電体からなるカバー樹脂層と、
前記開口部に臨む位置で互いに隣り合う前記第１分岐導体と第２分岐導体との間に、前記第１分岐導体および第２分岐導体に沿って前記絶縁層と前記カバー樹脂層との双方わたる一対の対向壁および該対向壁間に形成されたエアーギャップを含み、該エアーギャップが前記開口部に連通したスリットとを有し、かつ、
前記一対の対向壁間のスリット幅が互いに隣り合う前記第１分岐導体と第２分岐導体との間の距離よりも小さく、前記第１分岐導体と第２分岐導体の互いに対向する側面がそれぞれ前記カバー樹脂層によって覆われたことを特徴とするディスク装置用フレキシャのインターリーブ配線部。
【請求項２】
前記スリットが前記絶縁層の幅方向の複数個所に配置されていることを特徴とする請求項１に記載のディスク装置用フレキシャのインターリーブ配線部。
【請求項３】
前記絶縁層の長手方向に延びる直線上に前記スリットが複数形成され、これらスリット間に前記対向壁をつなぐ連結部を有していることを特徴とする請求項１または２に記載のディスク装置用フレキシャのインターリーブ配線部。
【請求項４】
前記メタルベースの長手方向に複数の前記開口部が形成され、互いに隣り合う前記開口部間にブリッジ部が形成され、該ブリッジ部に前記連結部が配置されていることを特徴とする請求項３に記載のディスク装置用フレキシャのインターリーブ配線部。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、例えばパーソナルコンピュータ等の情報処理装置のためのディスク装置に使用されるフレキシャのインターリーブ配線部に関する。
【背景技術】
【０００２】
パーソナルコンピュータ等の情報処理装置に、ハードディスク装置（ＨＤＤ）が使用されている。ハードディスク装置は、スピンドルを中心に回転する磁気ディスクと、ピボット軸を中心に旋回するキャリッジなどを含んでいる。キャリッジのアームに、ディスク装置用サスペンションが設けられている。
【０００３】
ディスク装置用サスペンションは、ベースプレートと、ロードビーム(load beam)などを備えている。ロードビームにフレキシャ(flexure)が配置されている。このフレキシャの先端付近に形成されたジンバル部に、スライダが取付けられている。スライダには、データの読取りあるいは書込み等のアクセスを行なうための素子（トランスジューサ）が設けられている。これらサスペンションとフレキシャなどによって、ヘッドジンバルアセンブリ（head gimbals assembly）が構成されている。
【０００４】
前記フレキシャは、要求される仕様に応じて様々な形態のものが実用化されている。例えば配線付フレキシャ(flexure with conductors)が知られている。配線付フレキシャの配線部は、薄いステンレス鋼板からなるメタルベースと、このメタルベース上に形成されたポリイミド等の電気絶縁材料からなる絶縁層と、この絶縁層上に形成された銅からなる複数の導体などを含んでいる。導体の一端はスライダの素子（例えばＭＲ素子）に接続されている。導体の他端はディスク装置のアンプ等に接続されている。
【０００５】
前記フレキシャの配線部は、アンプおよびスライダの素子とのマッチングをとる上で、また消費電力を小さくする上でも、インピーダンスを小さくすることが望まれている。また、低インダクタンス化も要求されている。さらにデータの高速転送を可能にするためには、高周波数域でも減衰が小さいという特性（広帯域かつ低減衰性）も要求されている。
【０００６】
このような要求に対し、マルチトレース伝送線（multi-trace transmission lines）を備えた配線付フレキシャが有効である。マルチトレース伝送線を備えた配線部はインターリーブ配線部とも称されている。下記特許文献１，２は、インターリーブ配線部を有する配線付フレキシャの例である。
【０００７】
従来のインターリーブ配線部は、メタルベースと、該メタルベース上に形成された絶縁層と、第１の導体から分岐した複数（例えば２本）の分岐導体と、第２の導体から分岐した複数（例えば２本）の分岐導体とを含んでいる。これら分岐導体は前記絶縁層上に形成され、カバー樹脂層によって覆われている。このようなインターリーブ配線部を備えた配線付フレキシャは、高周波数帯域での減衰が小さく、かつ、データの高速転送に適していると言われている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】米国特許第５７１７５４７号明細書
【特許文献２】特開２０１０−２６７３３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
前記インターリーブ配線部において、前記メタルベースの一部（分岐導体が配置される箇所）に開口部を形成することによって周波数帯域をさらに高くすることが可能である。しかし単にメタルベースに開口部を形成したインターリーブ配線部では、低損失化と広帯域化を図る上で限界があった。
【００１０】
従って本発明の目的は、周波数帯域をさらに向上させることができるディスク装置用フレキシャのインターリーブ配線部を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明のインターリーブ配線部は、開口部を有するメタルベースと、前記メタルベースの前記開口部を含む領域に重ねて配置され前記メタルベースと対向する第１の面およびこの第１の面とは反対側の第２の面を有する誘電体（例えばポリイミド）からなる電気絶縁性の絶縁層と、第１の導体から分岐し前記絶縁層の前記第２の面上に配置された複数の第１分岐導体と、第２の導体から分岐し前記第１分岐導体に沿って前記絶縁層の前記第２の面上に前記第１分岐導体と交互に配置された複数の第２分岐導体と、前記第１分岐導体と第２分岐導体とを覆う誘電体からなるカバー樹脂層と、前記開口部に臨む位置で互いに隣り合う前記第１分岐導体と第２分岐導体との間に、前記第１分岐導体および第２分岐導体に沿って前記絶縁層と前記カバー樹脂層との双方わたって形成されたスリットを有している。このスリットは、一対の対向壁と、該対向壁間に形成されたエアーギャップとを含み、該エアーギャップが前記開口部に連通している。また前記一対の対向壁間のスリット幅が互いに隣り合う前記第１分岐導体と第２分岐導体との間の距離よりも小さく、前記第１分岐導体と第２分岐導体の互いに対向する側面がそれぞれ前記カバー樹脂層によって覆われている。
【００１２】
本発明の実施形態において、前記第１分岐導体と前記第２分岐導体とを覆う電気絶縁性のカバー樹脂層を有し、該カバー樹脂層と前記絶縁層の双方に前記スリットが形成されていてもよい。また前記スリットが前記メタルベースの前記開口部に臨む位置に形成されていてもよい。あるいは前記スリットが前記絶縁層の幅方向の複数個所に配置されていてもよい。スリットの数を増やすことにより、周波数帯域をさらに向上させることが可能である。また前記絶縁層の長手方向に延びる直線上に前記スリットが複数形成され、これらスリット間に前記対向壁をつなぐ連結部を有していてもよい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、従来のインターリーブ配線部と比較してさらなる広帯域化が可能となり、周波数帯域を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】サスペンションを備えたディスク装置の一例を示す斜視図。
【図２】図１に示されたディスク装置の一部の断面図。
【図３】本発明の第１の実施形態に係るディスク装置用フレキシャを有するヘッドジンバルアセンブリの平面図。
【図４】図３に示されたディスク装置用フレキシャのインターリーブ配線部を模式的に示す回路図。
【図５】図３中のＦ５−Ｆ５線に沿うインターリーブ配線部の一部の断面図。
【図６】本発明の第２の実施形態に係るインターリーブ配線部の断面図。
【図７】本発明の第３の実施形態に係るインターリーブ配線部の断面図。
【図８】本発明の第４の実施形態に係るインターリーブ配線部の断面図。
【図９】第１〜第４の実施形態のスリット数と帯域幅との関係を示す図。
【図１０】配線部長さに対するスリット長さの割合と帯域幅との関係を示す図。
【図１１】第１の比較例のインターリーブ配線部の断面図。
【図１２】第２の比較例のインターリーブ配線部の断面図。
【図１３】第３の比較例のインターリーブ配線部の断面図。
【図１４】第１〜第３の比較例のスリット数と帯域幅との関係を示す図。
【図１５】本発明の第５の実施形態に係るインターリーブ配線部の一部を一部切欠いて示す平面図。
【図１６】本発明の第６の実施形態に係るインターリーブ配線部の一部を一部切欠いて示す平面図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下に本発明の第１の実施形態について、図１から図５を参照して説明する。  
図１に示すハードディスク装置（以下、ディスク装置と称する）１は、ケース２と、スピンドル３を中心に回転する磁気ディスク４と、ピボット軸５を中心に旋回可能なキャリッジ６と、キャリッジ６を旋回させるためのポジショニング用モータ７とを有している。ケース２は、図示しない蓋によって密閉される。
【００１６】
図２は、ディスク装置１の一部を模式的に示す断面図である。図２に示されるようにキャリッジ６は、複数（例えば３つ）のアクチュエータアーム８を有している。これらアクチュエータアーム８の先端部に、それぞれサスペンション１０が取付けられている。各サスペンション１０の先端に、磁気ヘッドを構成するスライダ１１が設けられている。
【００１７】
磁気ディスク４がスピンドル３を中心に高速で回転すると、磁気ディスク４とスライダ１１との間にエアベアリングが形成される。ポジショニング用モータ７によってキャリッジ６を旋回させることにより、スライダ１１を磁気ディスク４の所望トラックまで移動させることができる。スライダ１１には、例えばＭＲ素子のように電気信号と磁気信号とを変換することができる素子が設けられている。これらの素子によって、磁気ディスク４の記録面に対するデータの書込みあるいは読取り等のアクセスが行なわれる。
【００１８】
図３は、サスペンション１０を備えたヘッドジンバルアセンブリの一例を示している。サスペンション１０は、ベースプレート２０と、ロードビーム２１と、ヒンジ部２２などを備えている。ベースプレート２０のボス部２０ａは、前記アクチュエータアーム８に固定される。ロードビーム２１の厚さは、例えば３０〜６２μｍである。
【００１９】
サスペンション１０に、配線付フレキシャ(flexure with conductors)３０が設けられている。これ以降は、配線付フレキシャ３０を単にフレキシャ３０と称する。フレキシャ３０は、ロードビーム２１に沿って配置され、レーザ溶接等の固定手段によってロードビーム２１に固定されている。フレキシャ３０の先端部付近に、ジンバル部として機能するタング３１が形成されている。タング３１に前記スライダ１１が取付けられている。フレキシャ３０の後部（テール部）３０ａは、アンプ３５に向かってベースプレート２０の後方に延びている。
【００２０】
このサスペンション１０のフレキシャ３０には、フレキシャ３０の長手方向（図３に矢印Ｌで示す方向）に延びる配線部４０が設けられている。配線部４０の一端側は、磁気ヘッドとして機能するスライダ１１の素子に接続されている。配線部４０の他端側は、図示しない回路基盤あるいは中継回路等を介してディスク装置１のアンプ３５（図３に示す）に接続される。この配線部４０は、以下に説明するインターリーブ配線部を含んでいる。
【００２１】
図４は、インターリーブ配線部を模式的に示す回路図である。図４中の矢印Ｌがフレキシャ３０の長手方向すなわちインターリーブ配線部の長手方向である。インターリーブ配線部は、例えばプラス極の第１の導体４１と、例えばマイナス極の第２の導体４２とを有している。第１の導体４１は２本に分岐し、それぞれ第１分岐導体４１ａ，４１ｂをなしている。第２の導体４２も２本に分岐し、それぞれ第２分岐導体４２ａ，４２ｂをなしている。これら分岐導体４１ａ，４１ｂ，４２ａ，４２ｂによって分岐導体群が構成されている。なお、第１の導体４１と第２の導体４２の分岐数は２本に限ることはなく、３本以上に分岐していてもよい。
【００２２】
図４に示すように、内側に位置する第１分岐導体４１ｂは、第２分岐導体４２ａ，４２ｂ間に互いにほぼ平行に配置されている。第２分岐導体４２ａは、第１分岐導体４１ａ，４１ｂ間に互いにほぼ平行に配置されている。このように第１分岐導体４１ａ，４１ｂと第２分岐導体４２ａ，４２ｂとは、インターリーブ配線部の幅方向Ｗに交互にかつ互いに平行に配置されている。これらの分岐導体４１ａ，４１ｂ，４２ａ，４２ｂは、インターリーブ配線部の長手方向Ｌ（基準配線方向）に沿って、フレキシャ３０の長手方向に延びている。
【００２３】
図５は、第１の実施形態に係るインターリーブ配線部４０Ａの幅方向に沿う断面を示している。図５中の矢印Ｗがインターリーブ配線部４０Ａの幅方向、矢印Ｚはインターリーブ配線部４０Ａの厚さ方向を示している。インターリーブ配線部４０Ａは、メタルベース５０と、メタルベース５０上に形成された絶縁層５１と、絶縁層５１上に形成された第１分岐導体４１ａ，４１ｂと、第２分岐導体４２ａ，４２ｂと、カバー樹脂層６１とを含んでいる。
【００２４】
メタルベース５０は、例えばステンレス鋼等の金属板からなる。メタルベース５０に開口部５０ａが形成されている。開口部５０ａはフレキシャ３０の長手方向に延びている。メタルベース５０の厚さＴ１はロードビーム２１の厚さよりも小さく、１５〜２０μｍ（例えば１８μｍ）である。絶縁層５１の厚さＴ２は、例えば１０μｍである。
【００２５】
絶縁層５１とカバー樹脂層６１は、例えばポリイミドのように電気絶縁性を有する樹脂すなわち誘電体からなる。絶縁層５１は、メタルベース５０の開口部５０ａを覆う領域に配置されている。この絶縁層５１は、メタルベース５０と対向する第１の面５１ａと、第１の面５１ａとは反対側の第２の面５１ｂとを有している。第１分岐導体４１ａ，４１ｂと第２分岐導体４２ａ，４２ｂとは、絶縁層５１の第２の面５１ｂに沿って、所定のパターンとなるように、例えばめっきによって形成されている。
【００２６】
第１分岐導体４１ａ，４１ｂと第２分岐導体４２ａ，４２ｂは、例えばめっき銅などの高導電率の金属からなる。第１分岐導体４１ａ，４１ｂと第２分岐導体４２ａ，４２ｂの厚さは、それぞれ、例えば９μｍである。分岐導体間の距離Ｓ（図５に示す）は、例えば１５μｍである。第１分岐導体４１ａ，４１ｂと第２分岐導体４２ａ，４２ｂの断面は、それぞれ、ほぼ長方形である。
【００２７】
一方の第１分岐導体４１ａの幅Ｗ１の一例は４０μｍ、第２分岐導体４２ａの幅Ｗ２の一例は８０μｍである。他方の第１分岐導体４１ｂの幅Ｗ３の一例は８０μｍ、第２分岐導体４２ｂの幅Ｗ４の一例は４０μｍである。つまり外側に位置する分岐導体４１ａ，４２ｂの幅Ｗ１，Ｗ４は、内側の分岐導体４２ａ，４１ｂの幅Ｗ２，Ｗ３よりも小さい。メタルベース５０の開口部５０ａの幅Ｗ５は、例えば３２５μｍである。
【００２８】
第１分岐導体４１ａ，４１ｂと第２分岐導体４２ａ，４２ｂとは、カバー樹脂層６１によって覆われている。カバー樹脂層６１は絶縁層５１と同様にポリイミド等の電気絶縁性の樹脂（誘電体）からなる。カバー樹脂層６１の厚さＴ３は例えば４μｍである。
【００２９】
インターリーブ配線部４０Ａの内側の分岐導体４２ａ，４１ｂ間にスリット７０が形成されている。スリット７０は、互いに対向する一対の対向壁７１，７２と、対向壁７１，７２間のエアーギャップ７３とを含んでいる。対向壁７１，７２は、絶縁層５１とカバー樹脂層６１との双方にわたって、配線部の厚さ方向（図５に矢印Ｚで示す方向）に形成されている。
【００３０】
対向壁７１，７２間の距離（スリット幅Ｇ）の一例は９μｍである。本実施形態のスリット幅Ｇは、分岐導体間の距離Ｓよりも小さい。しかもこのスリット幅Ｇは、絶縁層５１の厚さＴ２よりも小さく、カバー樹脂層６１の厚さＴ３よりも大きい。エアーギャップ７３はメタルベース５０の開口部５０ａと連通しているため、エアーギャップ７３に入り込んだ空気（大気）が空気層をなしている。
【００３１】
次に、インターリーブ配線部４０Ａの製造工程について説明する。  
絶縁層５１上に所定パターンの第１分岐導体４１ａ，４１ｂをめっきまたはエッチングによって形成する。そののち、分岐導体４１ａ，４１ｂ，４２ａ，４２ｂを覆うためにカバー樹脂層６１をコーティングする。
【００３２】
そののち、例えばレーザ加工機あるいはダイシングソーなどの工具によってスリット７０を形成する。スリット７０はメタルベース５０の開口部５０ａと対応した位置に形成されているため、スリット７０を形成する際に照射されるレーザビームあるいはダイシングソーなどの工具がメタルベース５０と干渉することを回避できる。このためスリット７０の加工をメタルベース５０に妨げられることなく実施できる。
【００３３】
スリット７０を形成する手段は、前記レーザビームあるいはダイシングソーによる後加工に限ることはない。例えば、絶縁層５１を形成する際のマスキング等によって、まず絶縁層５１にスリット７０を形成する。次に、分岐導体４１ａ，４１ｂ，４２ａ，４２ｂを形成する。そののち、カバー樹脂層６１をコーティングする。そのコーティングの際に、絶縁層５１のスリット７０と同位置に、マスキングによって、カバー樹脂層６１にスリット７０を形成する。このようなスリット形成プロセスを採用することも可能である。
【００３４】
絶縁層５１とカバー樹脂層６１は、いずれもポリイミド等の電気絶縁性を有する誘電体からなるため、電場を加えたときに誘電分極を生じる。この誘電分極がインターリーブ配線部の誘電損失の原因となることがある。これに対し本実施形態では絶縁層５１とカバー樹脂層６１にスリット７０が形成され、スリット７０の対向壁７１，７２間のエアーギャップ７３が空気層をなしていることにより、インターリーブ配線部４０Ａの誘電損失を軽減することができる。
【００３５】
図６は、本発明の第２の実施形態に係るインターリーブ配線部４０Ｂを示している。このインターリーブ配線部４０Ｂは、絶縁層５１の幅方向に２つのスリット７０を有している。これらのスリット７０は互いに平行に形成されている。図６において左側に位置する一方のスリット７０は、外側の第１分岐導体４１ａと内側の第２分岐導体４２ａとの間に形成されている。右側に位置する他方のスリット７０は、内側の第１分岐導体４１ｂと外側の第２分岐導体４２ｂとの間に形成されている。それ以外の構成は第１の実施形態のインターリーブ配線部４０Ａ（図５）と同様であるため、第１の実施形態と共通の箇所に共通の符号を付して説明を省略する。
【００３６】
図７は、本発明の第３の実施形態に係るインターリーブ配線部４０Ｃを示している。このインターリーブ配線部４０Ｃは、絶縁層５１の幅方向に３つのスリット７０を有している。これらのスリット７０は互いに平行に形成されている。中央のスリット７０は、内側の第１分岐導体４１ｂと第２分岐導体４２ａとの間に形成されている。それ以外の構成は第２の実施形態のインターリーブ配線部４０Ｂ（図６）と同様であるため、第２の実施形態と共通の箇所に共通の符号を付して説明を省略する。
【００３７】
図８は、本発明の第４の実施形態に係るインターリーブ配線部４０Ｄを示している。このインターリーブ配線部４０Ｄは、絶縁層５１の幅方向に５つのスリット７０を有している。これらのスリット７０は互いに平行に形成されている。この実施形態の場合、インターリーブ配線部４０Ｄの両側付近、すなわち第１分岐導体４１ａの外側と第２分岐導体４２ｂの外側にもスリット７０が形成されている。それ以外の構成は第３の実施形態のインターリーブ配線部４０Ｃ（図７）と同様であるため、第３の実施形態と共通の箇所に共通の符号を付して説明を省略する。
【００３８】
図９は、前記第１〜第４の実施形態の帯域幅（損失３ｄＢ以内）を示している。図９から判るように、スリット数が多くなるほど帯域幅が大きくなっている。スリット数が増えとエアーギャップの数が増えるためである。しかしいずれの実施形態のインターリーブ配線部も、１１．５ＧＨｚ以上の広帯域化が実現でき、信号の高速伝送に適したものとなっている。
【００３９】
図１０は、配線部の長さに対するスリット長さの割合と帯域幅との関係を示している。スリット数は５である。図１０から判るように、配線部の長さに対するスリット長さの割合が増加するにつれて、帯域幅（損失３ｄＢ以内）が大きくなっている。なお、スリット長さ４０％付近では、スリット長さ６０％と遜色のない周波数帯域が得られている。
【００４０】
このように前記各実施形態では、インターリーブ配線部においてポリイミド製の絶縁層５１とカバー樹脂層６１にスリット７０を形成し、エアーギャップ７３を形成することにより、周波数帯域を向上させることができた。また、スリット７０の数を増やし、エアーギャップ７３の数を増加させることにより、周波数帯域がさらに向上するという知見も得られた。さらにインターリーブ配線部の長さに対するスリット長さの割合を大きくすることによっても、周波数帯域を向上することができた。
【００４１】
図１１は、第１の比較例の配線部１００Ａを示している。この配線部１００Ａは、メタルベース１０１と、絶縁層１０２と、一対の導体１０３，１０４と、カバー樹脂層１０５とを有している。この配線部１００Ａにはスリットが形成されていない。図１２は第２の比較例の配線部１００Ｂを示している。この配線部１００Ｂは、導体１０３，１０４間にスリット１１０を有している。図１３は第３の比較例の配線部１００Ｃを示している。この配線部１００Ｃは、絶縁層１０２の幅方向に３つのスリット１１０を有している。
【００４２】
図１４は、前記第１〜第３の比較例の配線部１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃの帯域幅（損失３ｄＢ以内）を示している。図１４から判るように、比較例の場合、スリット数が多くなっても帯域幅はほとんど変化していない。これは、比較例の配線部１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃがインターリーブ配線部ではないためである。
【００４３】
図１５は、本発明の第５の実施形態に係るインターリーブ配線部４０Ｅの一部を示す平面図である。このインターリーブ配線部４０Ｅは、絶縁層５１の長手方向に延びる直線Ｙ上に複数のスリット７０，７０´が形成されている。絶縁層５１とカバー樹脂層６１には、これらスリット７０，７０´間に連結部８０が形成されている。この連結部８０は、スリット７０，７０´のそれぞれの対向壁７１，７２をつないでいる。このインターリーブ配線部４０Ｅの場合、互いに隣り合うスリット７０，７０´間に連結部８０が存在するため、スリット７０，７０´の幅方向の両側の部分がばたつくことを抑制することができる。それ以外の構成は第１の実施形態のインターリーブ配線部４０Ａ（図５）と同様であるため、第１の実施形態と共通の箇所に共通の符号を付して説明を省略する。なお、このインターリーブ配線部４０Ｅにおいて、絶縁層５１の幅方向に２以上のスリット７０が形成されていてもよい。
【００４４】
図１６は、本発明の第６の実施形態に係るインターリーブ配線部４０Ｆを示している。このインターリーブ配線部４０Ｆは、メタルベース５０の長手方向に複数の開口部５０ａ，５０ａ´が形成されている。そして互いに隣り合う開口部５０ａ，５０ａ´間にブリッジ部９０が形成されている。このブリッジ部９０によって開口部５０ａ，５０ａ´の幅方向の両側の部分が互いにつながれている。各開口部５０ａ，５０ａ´と対応する位置にスリット７０，７０´が形成されている。このインターリーブ配線部４０Ｆの場合、互いに隣り合う開口部５０ａ，５０ａ´間にブリッジ部９０が形成されているため、絶縁層５１や分岐導体４１ａ，４１ｂ，４２ａ，４２ｂを安定して支持することが可能である。なお、このインターリーブ配線部４０Ｆにおいて、幅方向に２以上のスリット７０が形成されていてもよい。
【００４５】
以上説明したように、前記第１〜第６の実施形態によれば、誘電体である絶縁層５１の一部に、分岐導体の少なくとも一部に沿ってスリット７０を形成し、スリット７０の対向壁７１，７２間にエアーギャップ７３を形成したことにより、誘電損失が減少し、広帯域化を図ることが可能となった。
【００４６】
なお本発明を実施するに当たり、配線付フレキシャを構成するメタルベースや絶縁層をはじめとして、第１および第２の導体、第１分岐導体、第２分岐導体、カバー樹脂層、対向壁を有するスリットなどの発明の構成要素を、発明の要旨を逸脱しない範囲で種々に変更して実施できることは言うまでもない。例えばカバー樹脂層６１を有しないインターリーブ配線部において、絶縁層５１のみにスリット７０を形成してもよい。また第１分岐導体と第２の分岐導体の数が互いに異なっていてもよいし、第１分岐導体の幅と第２分岐導体の幅が同じであってもよい。
【符号の説明】
【００４７】
３０…フレキシャ
４０Ａ，４０Ｂ，４０Ｃ，４０Ｄ，４０Ｅ，４０Ｆ…インターリーブ配線部
４１…第１の導体
４１ａ，４１ｂ…第１分岐導体
４２…第２の導体
４２ａ，４２ｂ…第２分岐導体
５０…メタルベース
５０ａ…開口部
５１…絶縁層
６１…カバー樹脂層
７０…スリット
７１，７２…対向壁
７３…エアーギャップ
【図１】
0005887143.tif 000002
【図２】
0005887143.tif 000003
【図３】
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【図４】
0005887143.tif 000005
【図５】
0005887143.tif 000006
【図６】
0005887143.tif 000007
【図７】
0005887143.tif 000008
【図８】
0005887143.tif 000009
【図９】
0005887143.tif 000010
【図１０】
0005887143.tif 000011
【図１１】
0005887143.tif 000012
【図１２】
0005887143.tif 000013
【図１３】
0005887143.tif 000014
【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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