(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に設けられ、第１半田バンプを含む複数の受光部と、
それぞれの前記受光部に前記第１半田バンプを介して接続された配線パターンを有する配線層とを備え、
複数の前記受光部は、それぞれ少なくとも、受光した光を電流信号に変換する受光素子と、前記受光素子に一体成型されるとともに前記電流信号を電圧信号に変換するレシーバとを含む
撮像パネル。
【請求項２】
前記配線層上に配列している前記受光部の受光面を一括して覆い、入射した放射線を光に変換して出射する蛍光媒体と、
前記蛍光媒体を表装する第１のフレキシブル基板と、
前記配線層の下部に設けられる第２のフレキシブル基板と、
をさらに備え、前記蛍光媒体と前記配線層との間に前記受光部を封止した構成を有する請求項１記載の撮像パネル。
【請求項３】
前記受光部は、２層化構造を有し、前記受光素子は、光が入射される第１層に配置され、前記第１層の下部の第２層に前記レシーバが配置されて、前記受光素子と前記レシーバとが一体成型される請求項１記載の撮像パネル。
【請求項４】
前記受光部は、前記配線層上に半田実装された後、前記受光部毎に透明樹脂でポッティング加工を施し、前記透明樹脂によって屈折した光を前記受光部の受光面に光を集光させる請求項１記載の撮像パネル。
【請求項５】
前記受光部の受光面に光を集光させるレンズに第２半田バンプが形成されたレンズ部をさらに備え、前記レンズ部は、前記受光部毎に前記配線層上に半田実装される請求項１記載の撮像パネル。
【請求項６】
前記受光部側に突起部が形成され、前記受光部の受光面を一括して覆って、入射した放射線を光に変換して出射する蛍光媒体から出射された光を全反射させて、全反射光を前記受光部の受光面上に光を集光させるように、前記受光部の受光面に向けて前記受光部毎に前記突起部の先端が位置しているフレキシブル基板をさらに備え、
前記フレキシブル基板上の隣接する前記突起部の間の窪み部分と、前記配線層との間には、第３半田バンプが実装される請求項１記載の撮像パネル。
【請求項７】
前記配線層上に配列している前記受光部の受光面を一括して覆い、入射した放射線を光に変換して出射する蛍光媒体と、
前記蛍光媒体を表装するカバーガラス基板と、
前記配線層の下部に設けられる配線側ガラス基板と、
をさらに備え、前記蛍光媒体と前記配線層との間に前記受光部を封止した構成を有する請求項１記載の撮像パネル。
【請求項８】
基板と、前記基板上に設けられ、第１半田バンプを含む複数の受光部と、それぞれの前記受光部に前記第１半田バンプを介して接続された配線パターンを有する配線層とを備え、複数の前記受光部は、それぞれ少なくとも、受光した光を電流信号に変換する受光素子と、前記受光素子に一体成型されるとともに前記電流信号を電圧信号に変換するレシーバとを含む撮像パネルと、
前記電圧信号をディジタル信号に変換するＡ／Ｄ部と、前記ディジタル信号を信号処理する信号処理部と、信号処理後の画像情報の表示制御を行う表示制御部とを備える画像処理部と、
を有する撮像処理システム。
【請求項９】
前記配線層上に配列している前記受光部の受光面を一括して覆い、入射した放射線を光に変換して出射する蛍光媒体と、
前記蛍光媒体を表装する第１のフレキシブル基板と、
前記配線層の下部に設けられる第２のフレキシブル基板と、
をさらに備え、前記蛍光媒体と前記配線層との間に前記受光部を封止した構成を有する請求項８記載の撮像処理システム。
【請求項１０】
前記受光部は、２層化構造を有し、前記受光素子は、光が入射される第１層に配置され、前記第１層の下部の第２層に前記レシーバが配置されて、前記受光素子と前記レシーバとが一体成型される請求項８記載の撮像処理システム。
【請求項１１】
前記受光部は、前記配線層上に半田実装された後、前記受光部毎に透明樹脂でポッティング加工を施し、前記透明樹脂によって屈折した光を前記受光部の受光面に光を集光させる請求項８記載の撮像処理システム。
【請求項１２】
前記受光部の受光面に光を集光させるレンズに第２半田バンプが形成されたレンズ部をさらに備え、前記レンズ部は、前記受光部毎に前記配線層上に半田実装される請求項８記載の撮像処理システム。
【請求項１３】
前記受光部側に突起部が形成され、前記受光部の受光面を一括して覆って、入射した放射線を光に変換して出射する蛍光媒体から出射された光を全反射させて、全反射光を前記受光部の受光面上に光を集光させるように、前記受光部の受光面に向けて前記受光部毎に前記突起部の先端が位置しているフレキシブル基板をさらに備え、
前記フレキシブル基板上の隣接する前記突起部の間の窪み部分と、前記配線層との間には、第３半田バンプが実装される請求項８記載の撮像処理システム。
【請求項１４】
前記配線層上に配列している前記受光部の受光面を一括して覆い、入射した放射線を光に変換して出射する蛍光媒体と、
前記蛍光媒体を表装するカバーガラス基板と、
前記配線層の下部に設けられる配線側ガラス基板と、
をさらに備え、前記蛍光媒体と前記配線層との間に前記受光部を封止した構成を有する請求項８記載の撮像処理システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、撮像を行う撮像パネルおよび撮像処理を行う撮像処理システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
Ｘ線画像撮影は、Ｘ線を人体や物質に照射し、透過または反射したＸ線を検出して可視化することで、内部の様子を認識する画像検査技術である。
【０００３】
従来の透過Ｘ線の検出には、写真乾板や写真フィルムが多く用いられていたが、近年では、ＬＴＰＳ（Low Temperature Poly Silicon）などをベースにフラットパネルを形成した、フラットパネル型のＸ線画像センサが開発されている。
【０００４】
フラットパネル型Ｘ線画像センサには、主に、人体や物質を透過または反射してそれらの内部情報を含んでいるＸ線を直接電気信号に変換する直接変換方式と、該Ｘ線を光信号に変換した後に電気信号に変換する間接変換方式とがある。
【０００５】
いずれの方式も、フィルムレス化が実現でき、ディジタル画像処理を用いた画質改善や診断支援を行うことが可能になる。また、電子ファイリングやネットワーク化が容易である等の利点を有しており、多様な分野での利用が期待されている。
【０００６】
従来技術として、光導電層を２層構造として、Ｘ線吸収率を高くしたＸ線撮像パネルが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０００−２５３３１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、従来のフラットパネル型Ｘ線画像センサに使用されるＸ線撮像パネルは、Ｘ線変換膜を成膜する上での制約が大きく、所望の結晶構造の膜を、ある一定の大きさの面積に対して、結晶欠陥を生じることなく形成することが困難であった。このため、従来のＸ線撮像パネルは、無欠陥の状態で大面積化することが困難であるといった問題があった。
【０００９】
本技術はこのような点に鑑みてなされたものであり、大面積化を可能にした撮像パネルを提供することを目的とする。
【００１０】
また、本技術の他の目的は、大面積化を可能にした撮像パネルを有する撮像処理システムを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために、撮像パネルが提供される。撮像パネルは、基板と、基板上に設けられ、第１半田バンプを含む複数の受光部と、それぞれの受光部に第１半田バンプを介して接続された配線パターンを有する配線層とを備え、複数の受光部は、それぞれ少なくとも、受光した光を電流信号に変換する受光素子と、受光素子に一体成型されるとともに電流信号を電圧信号に変換するレシーバとを含む。
【００１２】
また、撮像処理システムが提供される。撮像処理システムは、撮像パネルと、画像処理部とを備える。撮像パネルは、基板と、基板上に設けられ、第１半田バンプを含む複数の受光部と、それぞれの受光部に第１半田バンプを介して接続された配線パターンを有する配線層とを備え、複数の受光部は、それぞれ少なくとも、受光した光を電流信号に変換する受光素子と、受光素子に一体成型されるとともに電流信号を電圧信号に変換するレシーバとを含む。画像処理部は、Ａ／Ｄ部、信号処理部および表示制御部を備える。Ａ／Ｄ部は、電圧信号をディジタル信号に変換する。信号処理部は、ディジタル信号を信号処理する。表示制御部は、信号処理後の画像情報の表示制御を行う。
【発明の効果】
【００１３】
パネルの大面積化が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】撮像パネルの構成例を示す図である。
【図２】直接変換型ＦＰＤのＸ線撮像パネルを説明するための図である。
【図３】直接変換型ＦＰＤのＸ線撮像パネルを説明するための図である。
【図４】直接変換型ＦＰＤのＸ線撮像パネルを説明するための図である。
【図５】間接変換型ＦＰＤのＸ線撮像パネルを説明するための図である。
【図６】間接変換型ＦＰＤのＸ線撮像パネルを説明するための図である。
【図７】間接変換型ＦＰＤのＸ線撮像パネルを説明するための図である。
【図８】１画素分の受光部が配線層に実装している状態を示す図である。
【図９】受光部を上面から見た図である。
【図１０】受光部を裏面から見た図である。
【図１１】１画素分の受光部が配線層に実装している状態を示す図である。
【図１２】受光部の実装ピッチを示す図である。
【図１３】撮像パネルの構成例を示す図である。
【図１４】撮像パネルの構成例を示す図である。
【図１５】撮像パネルの構成例を示す図である。
【図１６】透明樹脂のレンズ効果を示す図である。
【図１７】撮像パネルの構成例を示す図である。
【図１８】撮像パネルの構成例を示す図である。
【図１９】ＰＥＴ基板の凹凸形状部分を上から見た構成を示す図である。
【図２０】受光素子の受光面を示す図である。
【図２１】受光素子の受光面を示す図である。
【図２２】受光素子の受光面を示す図である。
【図２３】撮像処理システムの構成例を示す図である。
【図２４】撮像パネルの製造フローを示す図である。
【図２５】撮像パネルの製造フローを示す図である。
【図２６】撮像パネルの製造フローを示す図である。
【図２７】撮像パネルの製造フローを示す図である。
【図２８】撮像パネルの製造フローを示す図である。
【図２９】撮像パネルの製造フローを示す図である。
【図３０】撮像パネルの製造フローを示す図である。
【図３１】撮像パネルの製造フローを示す図である。
【図３２】撮像パネルの製造フローを示す図である。
【図３３】撮像パネルの製造フローを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、実施の形態を図面を参照して説明する。図１は撮像パネルの構成例を示す図である。撮像パネル１は、受光部１０と、配線層２０とを備え、例えば、Ｘ線の撮像を行うパネルである。なお、撮像パネル１は、Ｘ線パネルに限定されず、一般的なイメージングパネルも含まれる。
【００１６】
受光部１０は、受光素子１１−１（例えば、フォトダイオード）と、レシーバ１１−２とを備え、受光素子１１−１とレシーバ１１−２とが、１画素単位に樹脂で一体成型されている微小な受光チップである（例えば、１辺が２００μｍ以下の四角形チップ）。また、受光部１０には、突起状の半田端子である半田バンプ１２が形成されている。
【００１７】
受光素子１１−１は、受光した光を電流信号に変換する。レシーバ１１−２は、Ｉ／Ｖ変換機能を有し、電流信号を電圧信号に変換する。配線層２０は、受光部１０と外部処理部（例えば、Ａ／Ｄ部など）と接続する配線パターンが敷設されており、受光部１０が画素単位に半田バンプ１２により実装される。配線層２０には、例えば、フレキシブル基板が適用される。
【００１８】
このように、撮像パネル１では、光を電流信号に変換する受光素子１１−１と、電流信号を電圧信号に変換するレシーバ１１−２とが一体成型されて半田バンプ１２が形成された受光部１０のチップを、配線層２０に画素単位に配列して、半田バンプ１２によりＦＣ実装（flip chip bonding）する構成とした。
【００１９】
なお、ＦＣ実装とは、チップ表面と基板を電気的に接続する際、ワイヤボンディングのようにワイヤによって接続するのではなく、アレイ状に並んだ半田バンプによって接続する実装のことである。
【００２０】
上記のような構成により、撮像パネル１は、パネルの大面積化が可能になり、かつ安価に製造することが可能である。なお、撮像パネル１の詳細な構成については、図８以降で後述する。
【００２１】
次に本技術の撮像パネル１を説明する前に、一般的なフラットパネル型Ｘ線画像センサ（以下、ＦＰＤ（Flat Panel Display）と呼ぶ）に用いられているＸ線撮像パネルの構成および課題について説明する。
【００２２】
図２〜図４は直接変換型ＦＰＤのＸ線撮像パネルを説明するための図である。図２は、直接変換型ＦＰＤのＸ線撮像パネル１００の構成を示している。Ｘ線撮像パネル１００は、Ｘ線変換部１１０と、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）アレイ１２０とを備える。
【００２３】
Ｘ線変換部１１０は、バイアス電極１１１と、アモルファスセレン半導体（ａ−Ｓｅ）などの半導体結晶で形成されたＸ線変換層１１２とを含む。
【００２４】
ＴＦＴアレイ１２０は、Ｘ線変換部１１０の下部層に位置しており、画像情報を含むデータが流れるラインであるデータ線と、ＴＦＴを駆動するための駆動信号が流れるラインであるゲート線とによって、画素領域がマトリクス状に分割されている。
【００２５】
Ｘ線撮像パネル１００は、上記のように、バイアス電極１１１と、Ｘ線変換層１１２と、ＴＦＴアレイ１２０とが積層されたパネル構造となっている。
【００２６】
図３は、Ｘ線撮像パネル１００の直接変換の動作を示している。Ｘ線発生器から放射されたＸ線は、人体等の被検体を透過または反射した後、Ｘ線変換層１１２に入射する。Ｘ線変換層１１２では、入射されたＸ線量に応じた電荷（正孔と電子の対）が励起される。
【００２７】
この場合、バイアス電極１１１は、正電位が与えられているため、負の電荷を持つ電子ｅは、バイアス電極１１１側へ向かい、正の電荷を持つ正孔ｈは、ＴＦＴアレイ１２０上に位置している画素電極１２１側に移動する。
【００２８】
そして、画素電極１２１側に移動した正孔ｈは、蓄積容量を充電する（画素電極１２１は、検出電流を蓄える蓄積容量となっている）。
【００２９】
図４は、ＴＦＴアレイ１２０の１画素に対応する構成を示している。画像表示領域をマトリクス状に形成している１つの画素領域には、画素電極１２１と、画素電極１２１をスイッチング制御するためのＴＦＴ１２２とが設けられている。
【００３０】
ＴＦＴ１２２のドレインは、画素電極１２１と接続している。また、ＴＦＴ１２２のソースは、データ線と接続し、ＴＦＴ１２２のゲートは、ゲート線と接続している。
【００３１】
Ｘ線撮影終了後に、複数のゲート線に対して、順に駆動信号を送信すると、駆動信号が印加されたＴＦＴ１２２のスイッチが閉じて、画素電極１２１の蓄積容量に溜まった検出電流が、データ線から流れて取り出されることになる。その後、画像データを後段処理部でＡ／Ｄ変換して、コンピュータに取り込むことにより、画像が表示される。
【００３２】
次に間接変換型ＦＰＤのＸ線撮像パネルについて説明する。図５〜図７は間接変換型ＦＰＤのＸ線撮像パネルを説明するための図である。図５は、間接変換型ＦＰＤのＸ線撮像パネル２００の構成を示している。Ｘ線撮像パネル２００は、Ｘ線変換部２１０と、ＴＦＴアレイ２２０とを備える。
【００３３】
Ｘ線変換部２１０は、蛍光媒体であるシンチレータ（Scintillator）２１１と、フォトダイオードアレイ２１２とを含む。
【００３４】
ＴＦＴアレイ２２０は、Ｘ線変換部２１０の下部層に位置しており、画像情報を含むデータが流れるラインであるデータ線と、ＴＦＴを駆動するための駆動信号が流れるラインであるゲート線とによって、画素領域がマトリクス状に分割されている。
【００３５】
Ｘ線撮像パネル２００は、上記のような、シンチレータ２１１と、フォトダイオードアレイ２１２と、ＴＦＴアレイ２２０とが積層されたパネル構造となっている。
【００３６】
図６は、Ｘ線撮像パネル２００の間接変換の動作を示している。Ｘ線発生器から放射されたＸ線は、人体等の被検体を透過または反射した後、シンチレータ２１１に入射する。
【００３７】
シンチレータ２１１は、入射Ｘ線を光信号（そのＸ線強度に応じた光出力、波長としては例えば緑色光）に変換する。その後、フォトダイオードアレイ２１２は、光信号の強弱を電荷の大小を表す電気信号に変換する。ＴＦＴアレイ２２０上に位置している画素電極２２１は、電気信号を受信して蓄積容量を充電する。
【００３８】
図７は、ＴＦＴアレイ２２０の１画素に対応する構成を示している。画像表示領域をマトリクス状に形成している１つの画素領域には、画素電極２２１と、画素電極２２１をスイッチング制御するためのＴＦＴ２２２とが設けられている。なお、図では、画素電極２２１の上面に、１画素分のフォトダイオード２１２ａが位置している様子が示されている。
【００３９】
ＴＦＴ２２２のドレインは、画素電極２２１と接続している。また、ＴＦＴ２２２のソースは、データ線と接続し、ＴＦＴ２２２のゲートは、ゲート線と接続している。
【００４０】
Ｘ線撮影終了後に、複数のゲート線に対して、順に駆動信号を送信すると、駆動信号が印加されたＴＦＴ２２２のスイッチが閉じて、画素電極２２１の蓄積容量に溜まった検出電流が、データ線から流れて取り出されることになる。その後、画像データを後段処理部でＡ／Ｄ変換して、コンピュータに取り込むことにより、画像が表示される。
【００４１】
ここで、上記のような直接変換型または間接変換型のＸ線撮像パネル１００、２００では、ＴＦＴアレイがガラス基板の上に整形された後に、その回路の上に真空プロセスで膜を高温蒸着させて製造する。
【００４２】
このため、下地の影響や成膜温度等に制約が大きく、所望の結晶構造の膜を、ある一定の大きさの面積に対して、結晶欠陥を生じることなく形成することは困難であり、さらに大規模で高価な製造装置が必要であった。
【００４３】
このように、従来のＸ線撮像パネルは、無欠陥の状態で大面積化することが非常に困難であり、現状量産されているものでは最大でも、パネル１辺が約４００ｍｍ程度である。また、製造する上でも高コストを要していた。
【００４４】
さらに、上記の直接変換型または間接変換型のＸ線撮像パネル１００、２００のいずれに対しても、Ｘ線変換部からＴＦＴアレイまでに達する信号が、電荷伝搬で行われており、かつＴＦＴの配線容量（特にデータ線の配線容量）が大きいために、ノイズが載りやすいといった問題があった。
【００４５】
本技術はこのような点に鑑みてなされたものであり、大面積化を可能にし、ノイズの抑制を図り、製造コストを低減させた撮像パネルおよび撮像処理システムを提供するものである。
【００４６】
次に本技術の撮像パネル１について詳しく説明する。まず、受光部１０の構成について説明する。
【００４７】
図８は１画素分の受光部が配線層に実装している状態を示す図である。受光部１０ａは、１画素単位に樹脂成型された微小受光チップであり、配線層２０との実装面に半田バンプ１２が形成されている。
【００４８】
また、受光部１０ａは、図１で示した受光素子１１−１とレシーバ１１−２とが１チップ化された受光ＩＣ（Integrated Circuit）１１を有している（図８では、受光素子１１−１とレシーバ１１−２の図示は省略している）。
【００４９】
さらに、受光部１０ａには、受光ＩＣ１１の他に、遮光膜１３ａ、配線パターン１４ａ−１、ビアホール１４ａ−２、ＵＢＭ（Under Bump Metallization）１５ａ−１、１５ａ−２および半田バンプ１６ａが内装されている。
【００５０】
遮光膜１３ａは、受光ＩＣ１１の受光面ｐ以外の表層面を遮光している。受光ＩＣ１１は、半田バンプ１６ａにより半田実装されて、半田バンプ１６ａおよびＵＢＭ１５ａ−１を介して、配線パターン１４ａ−１と接続している。
【００５１】
なお、ＵＢＭは、半田の拡散を防止して、半田との良好な接合を確保するための半田バンプの下地となる金属層である（例えば、ニッケルなど）。
【００５２】
また、配線パターン１４ａ−１は、ビアホール１４ａ−２の一端と接続し、ビアホール１４ａ−２の他端はそれぞれ、ＵＢＭ１５ａ−２と接続している。なお、ビアホール１４ａ−２は、例えば、ビアフィルめっきによって導電性金属が充填されている（なお、導通が取れればスパッタ配線でも可能）。
【００５３】
そして、受光部１０ａは、半田バンプ１２を通じて、配線層２０に実装されているＵＢＭ２１−１に対してＦＣ実装されている。
【００５４】
配線層２０は、半田箇所にＵＢＭ２１−１が設けられており、表面に渡って例えば、遮光膜２２が設けられている（なお、配線は遮光されていなくても良い）。また、配線層２０は、多層配線層であって、配線層２０内部には、上下の層に渡って配線が敷設されている。上層には配線パターン２３−１が敷設され、下層には配線パターン２３−２が敷設されている。遮光膜２２を備えることにより、反射光等の入射を遮ることができる。
【００５５】
ここで、受光部１０ａの受光面ｐにＸ線反応光が入射すると、受光ＩＣ１１内の受光素子は、Ｘ線反応光を電流信号に変換し、受光ＩＣ１１内のレシーバは、電流信号を電圧信号に変換する。そして、受光部１０ａ内で生じた電圧信号は、配線層２０の配線パターン２３−１、２３−２の少なくとも一方を通じて、後段処理部へ伝送される。
【００５６】
図９は受光部を上面から見た図である。受光部１０ａは、例えば、一辺が２００μｍ以下の四角形の微小チップである。また、受光面ｐは、例えば、直径が１００μｍ以下の円形状となっている。
【００５７】
図１０は受光部を裏面から見た図である。受光部１０ａの裏面には、例えば、半田バンプ１２が１２個形成されている。半田バンプ１２の１つの直径は例えば、１５μｍ以下である。また、受光ＩＣ１１は、例えば、一辺が１５０μｍ以下の四角形の微小チップである。なお、受光部１０ａの厚さは（半田バンプ１２は除く）、例えば、６０μｍ以下である。なお、上記に示した各数値は一例である。
【００５８】
次に受光部の変形例について説明する。図１１は１画素分の受光部が配線層に実装している状態を示す図である。受光部１０ｂは、１画素単位に樹脂成型された微小受光チップであり、配線層２０との実装面に半田バンプ１２が形成されている。また、図に明記していないが、受光素子の受光部以外の部分、ＩＣにＸ線反応光が当たらないよう、適切な部分に遮光膜が形成されている。
【００５９】
また、変形例である受光部１０ｂは、２層化構造を有している。受光素子１１−１は、光が入射される受光部上面側の第１層ｓ１に配置され、第１層ｓ１の下部の第２層ｓ２にレシーバ１１−２が配置されている。
【００６０】
さらに、受光部１０ｂには、受光素子１１−１およびレシーバ１１−２の他に、配線パターン１４ｂ−１、１４ｂ−２、ビアホール１４ｂ−３、ＵＢＭ１５ｂ−１〜１５ｂ−３および半田バンプ１６ｂ−１、１６ｂ−２が内装されている。
【００６１】
受光素子１１−１は、半田バンプ１６ｂ−１により半田実装されて、半田バンプ１６ｂ−１およびＵＢＭ１５ｂ−１を介して、配線パターン１４ｂ−１と接続している。
【００６２】
また、レシーバ１１−２は、半田バンプ１６ｂ−２により半田実装されて、半田バンプ１６ｂ−２およびＵＢＭ１５ｂ−２を介して、配線パターン１４ｂ−２と接続している。
【００６３】
配線パターン１４ｂ−１と配線パターン１４ｂ−２は互いに接続し、配線パターン１４ｂ−２は、さらにビアホール１４ｂ−３の一端と接続している。ビアホール１４ｂ−３の他端はそれぞれ、ＵＢＭ１５ｂ−３と接続している。なお、ビアホール１４ｂ−３は、例えば、ビアフィルめっきによって導電性金属が充填されている。
【００６４】
そして、受光部１０ｂは、半田バンプ１２を通じて、配線層２０に実装されているＵＢＭ２１−１に対してＦＣ実装されている。
【００６５】
配線層２０は、半田箇所にＵＢＭ２１−１が設けられており、例えば、表面に渡って遮光膜２２が設けられている。また、配線層２０内部には、上下の層に渡って配線が敷設されており、上層には配線パターン２３−１が敷設され、下層には配線パターン２３−２が敷設されている。
【００６６】
ここで、受光部１０ｂの受光面ｐにＸ線反応光が入射すると、受光素子１１−１は、Ｘ線反応光を電流信号に変換し、レシーバ１１−２は、電流信号を電圧信号に変換する。受光部１０ｂ内で生じた電圧信号は、配線層２０の配線パターン２３−１、２３−２の少なくとも一方を通じて、後段の処理部へ伝送される。
【００６７】
このように、受光部１０ｂでは、上記のように２層化構造を有し、受光素子１１−１は、光が入射される第１層ｓ１に配置し、第１層ｓ１の下部の第２層ｓ２にレシーバ１１−２を配置して、受光素子１１−１とレシーバ１１−２とを一体成型する構成とした。
【００６８】
これにより、光が入射する第１層ｓ１のみに受光素子１１−１を配置するので、１つのチップ上の受光面積を大きくとることができ、受光効率を向上させることが可能になる。
【００６９】
また、２層構造にすることで、１つの受光部を狭ピッチ化することができるので、より、単一パネル面積当たりに実装できる受光部の数を増加させることが可能となり、撮像パネルとしての分解能を向上させることが可能になる。
【００７０】
なお、図１２に受光部１０ａの実装ピッチを示す。例えば、受光部１０ａを配線層２０にＦＣ実装する際の実装ピッチｄは、４２０μｍ以下である。
【００７１】
次に撮像パネル１の構成について説明する。図１３は撮像パネルの構成例を示す図である。第１の実施の形態の撮像パネル１−１は、複数の受光部１０（図では受光部１０−１〜１０−９）および配線層２０を有し、さらにシンチレータ３１、カバーガラス基板３２および配線側ガラス基板３３を備えている。
【００７２】
配線層２０に対して、受光部１０−１〜１０−９がＦＣ実装されている。また、シンチレータ３１が、配線層２０上に配列している受光部１０の受光面を一括して覆うように設けられている。なお、シンチレータ３１は、入射した放射線（例えば、Ｘ線）を光に変換して出射する蛍光媒体である。
【００７３】
カバーガラス基板３２は、シンチレータ３１の上面に設けられており、シンチレータ３１を表装して保護している。さらに、配線層２０の下部には、配線層２０が実装される配線側ガラス基板３３が設けられている。
【００７４】
また、受光部１０−１〜１０−９が配列している、シンチレータ３１と配線層２０との間の空間は、微負圧にし、この状態で樹脂などの封止壁３ａを用いて、シンチレータ３１と配線層２０との間の空間を封止している。なお、カバーガラス基板３２および配線側ガラス基板３３の厚みは共に、例えば、０．７ｍｍである。
【００７５】
上記のように、撮像パネル１−１では、受光部１０の受光面を一括して覆うシンチレータ３１と、シンチレータ３１を表装するカバーガラス基板３２と、配線層２０の下部に設けられる配線側ガラス基板３３とを備えて、シンチレータ３１と配線層２０との間の受光部１０の配列空間を封止する構成とした。なお、上記では、シンチレータ膜をカバーガラス裏面全面に形成する構造としたが、各々の受光部上面のみに形成する構造でもよい。または、受光部全体を覆うようにポッティング形成した構造でもよい。
【００７６】
従来の撮像パネルでは、ＴＦＴアレイがガラス基板の上に整形された後に、その回路の上に真空プロセスでＸ線変換膜を高温蒸着させて製造していた。
【００７７】
このため、下地の影響や成膜温度等に制約が大きく、所望の結晶構造の膜を、ある一定の大きさの面積に対して、結晶欠陥を生じることなく形成することは困難であり、また、パネルリペアに制限があったため、大規模で高価な製造装置が必要であった。
【００７８】
これに対し、撮像パネル１−１は、従来の撮像パネルの製造とは全く異なるものであり、受光素子１１−１と、レシーバ１１−２とが一体成型されて半田バンプ１２が形成された受光部１０のチップを、配線層２０に画素単位に配列して半田バンプ１２によりＦＣ実装して製造するものである。
【００７９】
このように、従来のような蒸着膜製造ではないので、大面積化することが容易である。また、ＦＣ実装により製造するので、大規模で高価な製造装置が不要であり、大面積の撮像パネルを安価に製造（量産）することが可能になる。
【００８０】
さらに、従来の撮像パネルでは、直接変換型または間接変換型のいずれに対しても、Ｘ線変換部からＴＦＴアレイまでに達する信号が、電荷伝搬で行われ、かつＴＦＴの配線容量が大きいために、ノイズが載りやすく、Ｓ／Ｎの劣化が顕著であった。
【００８１】
これに対し、撮像パネル１−１では、Ｘ線を光に変換後、光を電流信号に変換し、さらにＩ／Ｖ変換を行って電圧信号にして、配線層２０へ伝送している。このように、電荷による伝搬ではなく電圧伝搬を行っており、かつＴＦＴを不要としているので、従来問題であったノイズの影響を格段に低減させることができ、Ｓ／Ｎを向上させることが可能になる。
【００８２】
図１４は撮像パネルの構成例を示す図である。第２の実施の形態の撮像パネル１−２は、複数の受光部１０（図では受光部１０−１〜１０−９）および配線層２０を有し、さらにシンチレータ４１、ＰＥＴ（Polyethylene Terephthalate）基板４２および耐熱性樹脂基板４３を備えている。
【００８３】
なお、ＰＥＴ基板４２および耐熱性樹脂基板４３は共にフレキシブル性を有しており、ＰＥＴ基板４２は、第１のフレキシブル基板に該当し、耐熱性樹脂基板４３は、第２のフレキシブル基板に該当する。
【００８４】
配線層２０に対して、受光部１０−１〜１０−９がＦＣ実装されている。また、シンチレータ４１が、配線層２０上に配列している受光部１０の受光面を一括して覆うように設けられている。
【００８５】
ＰＥＴ基板４２は、シンチレータ４１の上面に設けられており、シンチレータ４１を表装して保護している。さらに、配線層２０の下部には、配線層２０が実装される耐熱性樹脂基板４３が設けられている。
【００８６】
また、受光部１０−１〜１０−９が配列している、シンチレータ４１と配線層２０との間の空間は、微負圧にし、この状態で樹脂などの封止壁４ａを用いて、シンチレータ４１と配線層２０との間の空間を封止している。
【００８７】
なお、ＰＥＴ基板４２の厚みは、例えば、１．０ｍｍであり、耐熱性樹脂基板４３の厚みは、例えば、０．５ｍｍである。
【００８８】
上記のように、撮像パネル１−２では、受光部１０の受光面を一括して覆うシンチレータ４１と、シンチレータ４１を表装するＰＥＴ基板４２と、配線層２０の下部に設けられる耐熱性樹脂基板４３とを備えて、シンチレータ４１と配線層２０との間の受光部１０の配列空間を封止する構成とした。
【００８９】
これにより、第１の実施の形態と同様に、従来のような蒸着膜製造ではないので、大面積化することが容易である。また、ＦＣ実装により製造することができるので、大規模で高価な製造装置が不要であるため、大面積の撮像パネルを安価に製造することが可能になる。
【００９０】
また、撮像パネル１−２でも上記と同様に、電荷による伝搬を行わず、かつＴＦＴを不要としているので、従来問題であったノイズの影響を格段に低減させることが可能になる。
【００９１】
さらに、撮像パネル１−２は、フレキシブル性のあるＰＥＴ基板４２および耐熱性樹脂基板４３で、配線層２０に配列された受光部１０を挟む構成としているので、パネル自体が湾曲可能という特徴を有している。
【００９２】
ここで、Ｘ線は、通常、Ｘ線発生器の点光源から発出される。また、従来の撮像パネルは、高温蒸着製造によるものであるため、平面ガラス板（湾曲不可）が使用されている。
【００９３】
従来の撮像パネルは、湾曲できない平面である。このため、Ｘ線点光源から最短距離でＸ線が照射される中心位置から照射位置が離れるにつれて、撮像パネルの照射面に到達するまでのＸ線の距離は長くなることになる。
【００９４】
したがって、大きな面積での撮像を行うような場合、Ｘ線点光源から最短距離でＸ線が照射される中心位置およびその近傍は、正確な画像情報が得られるが、該中心位置およびその近傍から照射位置が離れるにつれて、画像がぼやけることになる。
【００９５】
このため、従来の撮像パネルは、大きな面積での撮像を行いたい場合は、複数の異なる箇所をそれぞれ撮像し、複数の撮像画面のつなぎ目を画像処理でつなげて、１枚の画面を生成していた。
【００９６】
これに対し、撮像パネル１−２は、湾曲が可能である。したがって、Ｘ線点光源に対して、Ｘ線点光源から撮像パネル１−２の照射面までのＸ線の到達距離をすべて等しくなるように湾曲させることができる。
【００９７】
これにより、大きな面積での撮像を行いたい場合であっても、従来のような、複数箇所をそれぞれ撮像して、複数の撮像画面をつなぎ合わせるといった作業を行うことが不要であり、１回の撮像で正確な画像情報を得ることが可能になる。
【００９８】
図１５は撮像パネルの構成例を示す図である。第３の実施の形態の撮像パネル１−３は、複数の受光部１０（図では受光部１０−１〜１０−９）および配線層２０を有し、さらにシンチレータ４１、ＰＥＴ基板４２および耐熱性樹脂基板４３を備えている。
【００９９】
撮像パネル１−３は、基本的な構成は、第２の実施の形態の撮像パネル１−２と同じである。異なるところは、受光部１０−１〜１０−９の配線層２０へのＦＣ実装後に、受光部１０−１〜１０−９毎に、例えば、高速ディスペンサを用いて、透明樹脂４４−１〜４４−９で受光部１０−１〜１０−９をポッティング加工（樹脂盛り加工）した後に封止している点である。
【０１００】
透明樹脂４４−１〜４４−９で受光部１０−１〜１０−９をポッティング加工することにより、透明樹脂１０−１〜１０−９にレンズ効果を持たせている。
【０１０１】
図１６は透明樹脂のレンズ効果を示す図である。受光部１０を透明樹脂４４でポッティング加工する。すると、透明樹脂４４がレンズ効果を持ち、シンチレータ４１から出射された光を屈折させ、屈折光を受光部１０の受光面ｐに光を集光させることができる。
【０１０２】
これにより、撮像パネル１−３は、第２の実施の形態の撮像パネル１−２の効果に加えて、さらに受光効率を向上させることが可能になる。また、透明樹脂の表面や、透明樹脂そのものにシンチレータの機能をもたせた構造でもよい。この場合、Ｘ線反応光が、周囲の受光部に届きにくくなるため、分解能が向上させることが可能となる。
【０１０３】
図１７は撮像パネルの構成例を示す図である。第４の実施の形態の撮像パネル１−４は、複数の受光部１０（図では受光部１０−１〜１０−９）および配線層２０を有し、さらにシンチレータ４１、ＰＥＴ基板４２および耐熱性樹脂基板４３を備えている。
【０１０４】
撮像パネル１−４は、基本的な構成は、第２の実施の形態の撮像パネル１−２と同じである。異なるところは、受光部１０−１〜１０−９それぞれに対して、受光面に光を集光させるレンズ部４５−１〜４５−９をさらに備えている点である。
【０１０５】
レンズ部４５−１〜４５−９は、ガラスまたはプラスチック等で形成されたレンズに半田バンプ４５ａが形成されたレンズチップであり、受光部１０−１〜１０−９にかぶさるようにそれぞれ、配線層２０上にＦＣ実装されている。
【０１０６】
レンズ部４５−１〜４５−９は、シンチレータ４１から出射された光を、受光部１０−１〜１０−９の受光面それぞれに対して集光させる。これにより、撮像パネル１−４は、第２の実施の形態の撮像パネル１−２の効果に加えて、さらに受光効率を向上させることが可能になる。
【０１０７】
なお、上記の構成では、レンズ部４５−１〜４５−９の中心光軸と、受光部１０−１〜１０−９の受光面の中心とを一致させることが重要である。この場合、レンズ部４５−１〜４５−９は、配線層２０に半田バンプ４５ａを介して半田実装されているため、半田のセルフアライメント（Self Alignment）効果により、位置が自動的に補正される。
【０１０８】
なお、セルフアライメント効果とは、半田の表面張力で部品が動いて、例えば、ランドの中心付近に部品が自動的に移動される現象のことをいう。
【０１０９】
したがって、半田のセルフアライメント効果が働くことにより、リフロー炉を通すだけで、例えば、±１μｍ以下の誤差で、レンズ部４５−１〜４５−９の中心光軸と、受光部１０−１〜１０−９の受光面の中心とを一致させることができ、位置を自動的に補正することができる。
【０１１０】
図１８は撮像パネルの構成例を示す図である。第５の実施の形態の撮像パネル１−５は、複数の受光部１０（図では受光部１０−１〜１０−９）および配線層２０を有し、さらにシンチレータ４１、ＰＥＴ基板４２、５０および耐熱性樹脂基板４３を備えている。
【０１１１】
配線層２０に対して、受光部１０−１〜１０−９がＦＣ実装されている。また、シンチレータ４１が、配線層２０上に配列している受光部１０−１〜１０−９の受光面を一括して覆うように設けられている。
【０１１２】
ＰＥＴ基板４２は、シンチレータ４１の上面に設けられており、シンチレータ４１を表装して保護している。さらに、シンチレータ４１の下面には、ＰＥＴ基板５０が設けられている。
【０１１３】
ＰＥＴ基板５０は、受光部１０−１〜１０−９の受光面に向けて、受光部１０−１〜１０−９毎に凹凸の形状となっており、突起部５１−１〜５１−９が形成されている。図１９にＰＥＴ基板５０の凹凸形状部分を上から見た構成を示す。ＰＥＴ基板５０には、突起部５１と窪み部５２が形成されている。
【０１１４】
一方、図１８において、突起部５１−１〜５１−９は、シンチレータ４１から出射された光を全反射させて、全反射光を受光部１０−１〜１０−９の受光面上に光を集光させるように、先端部が受光面上に位置している。
【０１１５】
また、２つの突起部の間に形成される窪み部分（窪み部５２−１〜５２−８）と、配線層２０との間には、大径の半田バンプ５３−１〜５３−８が形成され、半田バンプ５３−１〜５３−８を通じて、配線層２０上にＰＥＴ基板５０が実装されている。
【０１１６】
なお、上記の構成では、突起部５１−１〜５１−９の先端部と、受光部１０−１〜１０−９の受光面との位置決めが重要となる。この場合、窪み部５２−１〜５２−８と、配線層２０との間には、半田バンプ５３−１〜５３−８が形成されているので、上述と同様の半田のセルフアライメント効果により、位置が自動的に補正される。
【０１１７】
すなわち、半田のセルフアライメント効果が働くことにより、リフロー炉を通すだけで、突起部５１−１〜５１−９の先端部と、受光部１０−１〜１０−９の受光面の中心とを一致させることができ、位置を自動的に補正することができる。
【０１１８】
次に受光素子の形状について説明する。図２０は受光素子の受光面を示す図である。受光部１０−１ａは、受光面が円形の受光素子１１−１ａを有している。受光部１０−１ａのチップサイズは例えば、２００×２００μｍ以下であり、受光面の直径は例えば、１８０μｍ以下である。
【０１１９】
受光素子１１−１ａのアノードおよびカソードは、配線パターンＬ１、Ｌ２に接続されている。また、転写製造時に受光素子１１−１ａが水平に実装されるように、ダミーバンプＢ１、Ｂ２が設けられている。すなわち、受光素子１１−１ａは、アノード、カソードに形成されたバンプと、ダミーバンプＢ１、Ｂ２の４つのバンプにより、水平に実装されることになる。なお、２点支持では、平坦性を維持しにくいので、ダミーパターンを設けて平坦性を確保している。
【０１２０】
図２１は受光素子の受光面を示す図である。受光部１０−２ａは、２つの受光素子１１−１ｂ、１１−１ｃを有した２ｃｈ構造となっている。受光部１０−２ａのチップサイズは例えば、２００×２００μｍ以下である。１ｃｈの受光素子１１−１ｂのアノードおよびカソードは、配線パターンＬ３、Ｌ４に接続されている。また、２ｃｈの受光素子１１−１ｃのアノードおよびカソードは、配線パターンＬ５、Ｌ６に接続されている。２ｃｈ構造にすることにより、冗長性を持たすことができ、さらに互いのチャネルの切替（より精度の高い方への切替）を行うことも可能になる。
【０１２１】
図２２は受光素子の受光面を示す図である。受光部１０−３ａは、４つの受光素子１１−１ｄ、１１−１ｅ、１１−１ｆ、１１−１ｇを有して４ｃｈ構造となっている。受光部１０−３ａのチップサイズは例えば、２００×２００μｍ以下である。４ｃｈ構造にすることにより、冗長性を持たすことができ、さらに互いのチャネルの切替（より精度の高い方への切替）を行うことも可能になる。
【０１２２】
１ｃｈの受光素子１１−１ｄのアノードは、配線パターンＬ７に接続され、２ｃｈの受光素子１１−１ｅのアノードは、配線パターンＬ８に接続されている。また、３ｃｈの受光素子１１−１ｆのアノードは、配線パターンＬ９に接続され、４ｃｈの受光素子１１−１ｇのアノードは、配線パターンＬ１０に接続されている。また、受光素子１１−１ｄ、１１−１ｅ、１１−１ｆ、１１−１ｇのそれぞれのカソードは、裏面接続で配線パターンに接続されている。
【０１２３】
なお、図２０〜図２２で上述したような、受光素子のチップ化は、ドライエッチングプロセスにて行う。よって、受光素子のチップ形状は、上記のような円形や四角形に限定されることなく、自由に設計することができる。
【０１２４】
次に撮像パネル１を有する撮像処理システムについて説明する。図２３は撮像処理システムの構成例を示す図である。撮像処理システム８は、撮像パネル１、インタフェース部８０ａおよび画像処理部８０を備える（インタフェース部８０ａは、画像処理部８０に含まれる構成としてもよい）。画像処理部８０は、Ａ／Ｄ部８１、信号処理部８２および表示制御部８３を備える。
【０１２５】
撮像パネル１は、受光部１０と配線層２０を備える。受光部１０は、受光した光を電流信号に変換する受光素子および電流信号を電圧信号に変換するレシーバを含み、受光素子とレシーバとが一体成型されて、半田バンプが形成される。配線層２０は、受光部１０と接続する配線パターンが敷設され、受光部１０が画素単位に半田バンプにより実装される。
【０１２６】
インタフェース部８０ａは、例えば、フレキシブル基板等で構成され、配線層２０から伝送された電圧信号を受信して、配線層２０と画像処理部８０とのインタフェース処理を行う。Ａ／Ｄ部８１は、電圧信号をディジタル信号に変換する。信号処理部８２は、ディジタル信号を信号処理する。表示制御部８３は、信号処理後の画像情報の表示制御を行う。画像処理部８０は、例えば、パソコン等のコンピュータ端末に該当する。
【０１２７】
次に撮像パネル１の製造フローについて説明する。図２４〜図３３は撮像パネル１の製造フローを示す図である。
【０１２８】
〔Ｓ１〕剥離層３０１を表面に有する支持基板３００を用意する。
【０１２９】
〔Ｓ２〕剥離層３０１の表面に、絶縁層６１ａを形成し、絶縁層６１ａ上に配線パターン１４−１を敷設する。また、配線パターン１４−１上に絶縁層６１ｂを形成する。このとき、絶縁層６１ｂの配線パターン１４−１の直上にビアｖ１を形成しておく。
【０１３０】
〔Ｓ３〕ビアｖ１にＵＢＭ１５−１を形成する。また、ＵＢＭ１５−１に錫（Ｓｎ）電解めっきを施した後、半田バンプ１６−１を形成する。
【０１３１】
〔Ｓ４〕ＵＢＭ１５−２が形成された受光素子１１−１を転写する。
【０１３２】
〔Ｓ５〕リフローを行って半田バンプ１６−１を溶融させて受光素子１１−１を固着する。なお、Ｓｎめっきは、ＵＢＭ１５−１上ではなく、予め受光素子１１−１側に形成された構造でもよい。
【０１３３】
〔Ｓ６〕固着した受光素子１１−１に対して樹脂埋めを行い、絶縁層６１ｃを形成する。
【０１３４】
〔Ｓ７〕レーザを樹脂に照射して（或いは一般的なドライエッチングプロセスにより）２つ（必要数）のビアホールｖ２を空ける。
【０１３５】
〔Ｓ８〕例えば、ビアフィルめっきにより、ビアホールｖ２内を銅めっきによって充填する。そして、配線パターン１４−２を形成し、配線パターン１４−２とビアホールｖ２を接続する。
【０１３６】
〔Ｓ９〕絶縁層６１ｄを形成し、配線パターン１４−２の直上に必要数のビアｖ３を形成する。
【０１３７】
〔Ｓ１０〕ビアｖ３にＵＢＭ１５−３を形成する。また、ＵＢＭ１５−３にＳｎ電解めっきを施した後、半田バンプ１６−２を形成する。
【０１３８】
〔Ｓ１１〕半田バンプ１６−２の上にＵＢＭ１５−４を形成し、レシーバ１１−２を転写する。
【０１３９】
〔Ｓ１２〕リフローを行って半田バンプ１６−２を溶融させてレシーバ１１−２を固着する。なお、Ｓｎめっきは、ＵＢＭ１５−３上ではなく、予めレシーバ１１−２側に形成された構造でもよい。
【０１４０】
〔Ｓ１３〕固着したレシーバ１１−２に対して樹脂埋めを行い、絶縁層６１ｅを形成する。
【０１４１】
〔Ｓ１４〕レーザを樹脂に照射して（或いは一般的なドライエッチングプロセスにより）２つ（必要数）のビアホールｖ４を空ける。
【０１４２】
〔Ｓ１５〕例えば、ビアフィルめっきにより、ビアホールｖ４内を銅めっきによって充填する。そして、配線パターン１４−３を形成し、配線パターン１４−３とビアホールｖ４を接続する。
【０１４３】
〔Ｓ１６〕絶縁層６１ｆを形成し、配線パターン１４−３の直上にビアｖ５を形成する。
【０１４４】
〔Ｓ１７〕ビアｖ５にＵＢＭ１５−５を形成する。また、ＵＢＭ１５−５にＳｎ電解めっきなどにより半田１２ａを形成する。
【０１４５】
〔Ｓ１８〕リフローを行って半田バンプ１２を形成する。
【０１４６】
〔Ｓ１９〕レーザ（或いはドライエッチングなど）により樹脂分離を行い、１画素単位の１チップが形成される。
【０１４７】
〔Ｓ２０〕配線層２０が実装されているメインパネルＭの所定位置に対して、受光部１０のレーザプロキシ転写を行う。
【０１４８】
〔Ｓ２１〕受光部１０は、支持基板３００から分離され、メインパネルＭに転写される。その後、リフローを行って、半田バンプ１２を溶融させて受光部１０を配線層２０に固着させる。なお、所定の位置からわずかにずれた状態で転写される場合であっても、リフローなどを行うことにより、上述した半田のセルフアライメント効果により位置が自動補正される。
【０１４９】
以上説明したように、本技術の撮像パネル１および撮像処理システム８によれば、転写により受光部１０をパネルに配列してパネルを生成するので、パネルの大面積化が可能になる。また、フレキシブル基板へ転写して製造するので、湾曲できる撮像パネルが実現可能になる。
【０１５０】
さらに、ＦＣ       実装により受光部１０を配列するため、受光部１０に障害が発生した場合でも、該当受光部に対して個別に、半田リペアなどにより適宜取り替え交換を容易に行うことができ、無欠陥化が可能になる。
【０１５１】
さらにまた、受光部１０内でＩ／Ｖ変換を行って、電圧伝搬で画像情報を伝送するので、信号伝搬系がノイズに強くなる。さらに、レンズや全反射ミラーによる集光構造を受光部１０の受光面側に設けることにより、受光効率を向上させて、Ｘ線から出力信号への変換効率を向上させることが可能になる。
なお、撮像パネル１では、受光部毎に、赤、緑、青、などのカラーフィルターを個々に繰り返し形成し、カラー撮像パネルの機能を持たせることも可能である。
【０１５２】
なお、本技術は以下のような構成も採ることができる。
（１）  受光した光を電流信号に変換する受光素子と、前記電流信号を電圧信号に変換するレシーバと、を備えて、前記受光素子と前記レシーバとが一体成型されて、半田バンプが形成されている受光部と、
前記受光部と接続する配線パターンが敷設され、前記受光部が画素単位に前記半田バンプにより実装される配線層と、
を有する撮像パネル。
（２）  前記配線層上に配列している前記受光部の受光面を一括して覆い、入射した放射線を光に変換して出射する蛍光媒体と、
前記蛍光媒体を表装する第１のフレキシブル基板と、
前記配線層の下部に設けられる第２のフレキシブル基板と、
をさらに備え、前記蛍光媒体と前記配線層との間に前記受光部を封止した構成を有する前記（１）記載の撮像パネル。
（３）  前記受光部は、２層化構造を有し、前記受光素子は、光が入射される第１層に配置され、前記第１層の下部の第２層に前記レシーバが配置されて、前記受光素子と前記レシーバとが一体成型される前記（１）または（２）記載の撮像パネル。
（４）  前記受光部は、前記配線層上に半田実装された後、前記受光部毎に透明樹脂でポッティング加工を施し、前記透明樹脂によって屈折した光を、前記受光部の受光面に光を集光させる前記（１）から（３）のいずれかに記載の撮像パネル。
（５）  前記受光部の受光面に光を集光させるレンズに半田バンプが形成されたレンズ部をさらに備え、前記レンズ部は、前記受光部毎に前記配線層上に半田実装される前記（１）から（４）のいずれかに記載の撮像パネル。
（６）  前記受光部側に突起部が形成され、前記受光部の受光面を一括して覆って、入射した放射線を光に変換して出射する蛍光媒体から出射された光を全反射させて、全反射光を前記受光部の受光面上に光を集光させるように、前記受光部の受光面に向けて前記受光部毎に前記突起部の先端が位置しているフレキシブル基板をさらに備え、
前記フレキシブル基板上の隣接する前記突起部の間の窪み部分と、前記配線層との間には、半田バンプが実装される前記（１）から（５）のいずれかに記載の撮像パネル。
（７）  前記配線層上に配列している前記受光部の受光面を一括して覆い、入射した放射線を光に変換して出射する蛍光媒体と、
前記蛍光媒体を表装するカバーガラス基板と、
前記配線層の下部に設けられる配線側ガラス基板と、
をさらに備え、前記蛍光媒体と前記配線層との間に前記受光部を封止した構成を有する前記（１）、（３）〜（６）のいずれかに記載の撮像パネル。
（８）  受光した光を電流信号に変換する受光素子および前記電流信号を電圧信号に変換するレシーバを含み、前記受光素子と前記レシーバとが一体成型されて、半田バンプが形成されている受光部と、前記受光部と接続する配線パターンが敷設され、前記受光部が画素単位に前記半田バンプにより実装される配線層と、を備える撮像パネルと、
前記電圧信号をディジタル信号に変換するＡ／Ｄ部と、前記ディジタル信号を信号処理する信号処理部と、信号処理後の画像情報の表示制御を行う表示制御部とを備える画像処理部と、
を有する撮像処理システム。
（９）  前記配線層上に配列している前記受光部の受光面を一括して覆い、入射した放射線を光に変換して出射する蛍光媒体と、
前記蛍光媒体を表装する第１のフレキシブル基板と、
前記配線層の下部に設けられる第２のフレキシブル基板と、
をさらに備え、前記蛍光媒体と前記配線層との間に前記受光部を封止した構成を有する前記（８）記載の撮像処理システム。
（１０）  前記受光部は、２層化構造を有し、前記受光素子は、光が入射される第１層に配置され、前記第１層の下部の第２層に前記レシーバが配置されて、前記受光素子と前記レシーバとが一体成型される前記（８）または（９）記載の撮像処理システム。
（１１）  前記受光部は、前記配線層上に半田実装された後、前記受光部毎に透明樹脂でポッティング加工を施し、前記透明樹脂によって屈折した光を前記受光部の受光面に光を集光させる前記（８）〜（１０）のいずれかに記載の撮像処理システム。
（１２）  前記受光部の受光面に光を集光させるレンズに半田バンプが形成されたレンズ部をさらに備え、前記レンズ部は、前記受光部毎に前記配線層上に半田実装される前記（８）〜（１１）のいずれかに記載の撮像処理システム。
（１３）  前記受光部側に突起部が形成され、前記受光部の受光面を一括して覆って、入射した放射線を光に変換して出射する蛍光媒体から出射された光を全反射させて、全反射光を前記受光部の受光面上に光を集光させるように、前記受光部の受光面に向けて前記受光部毎に前記突起部の先端が位置しているフレキシブル基板をさらに備え、
前記フレキシブル基板上の隣接する前記突起部の間の窪み部分と、前記配線層との間には、半田バンプが実装される前記（８）〜（１２）のいずれかに記載の撮像処理システム。
（１４）  前記配線層上に配列している前記受光部の受光面を一括して覆い、入射した放射線を光に変換して出射する蛍光媒体と、
前記蛍光媒体を表装するカバーガラス基板と、
前記配線層の下部に設けられる配線側ガラス基板と、
をさらに備え、前記蛍光媒体と前記配線層との間に前記受光部を封止した構成を有する前記（８）、（１０）〜（１３）のいずれかに記載の撮像処理システム。
【０１５３】
なお、上述の実施の形態は、実施の形態の要旨を逸脱しない範囲内において種々の変更を加えることができる。
【０１５４】
さらに、上述の実施の形態は、多数の変形、変更が当業者にとって可能であり、説明した正確な構成および応用例に限定されるものではない。
【符号の説明】
【０１５５】
１……撮像パネル、１０……受光部、１１−１……受光素子、１１−２……レシーバ、１２……半田バンプ、２０……配線層
【図１】
0005895504.tif 000002
【図２】
0005895504.tif 000003
【図３】
0005895504.tif 000004
【図４】
0005895504.tif 000005
【図５】
0005895504.tif 000006
【図６】
0005895504.tif 000007
【図７】
0005895504.tif 000008
【図８】
0005895504.tif 000009
【図９】
0005895504.tif 000010
【図１０】
0005895504.tif 000011
【図１１】
0005895504.tif 000012
【図１２】
0005895504.tif 000013
【図１３】
0005895504.tif 000014
【図１４】
0005895504.tif 000015
【図１５】
0005895504.tif 000016
【図１６】
0005895504.tif 000017
【図１７】
0005895504.tif 000018
【図１８】
0005895504.tif 000019
【図１９】
0005895504.tif 000020
【図２０】
0005895504.tif 000021
【図２１】
0005895504.tif 000022
【図２２】
0005895504.tif 000023
【図２３】
0005895504.tif 000024
【図２４】
0005895504.tif 000025
【図２５】
0005895504.tif 000026
【図２６】
0005895504.tif 000027
【図２７】
0005895504.tif 000028
【図２８】
0005895504.tif 000029
【図２９】
0005895504.tif 000030
【図３０】
0005895504.tif 000031
【図３１】
0005895504.tif 000032
【図３２】
0005895504.tif 000033
【図３３】
0005895504.tif 000034