(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を吸着する静電チャック用電極が埋設されるとともに、温調用ヒータ電極が埋設された絶縁部材と、
内部に温調用媒体を循環させるための温調用媒体循環流路を有する温調用板状部材と、
を具備した基板載置台であって、
前記温調用板状部材に配設された透孔内に配設され、絶縁性材料からなる筒状部材と、
前記筒状部材の内部に位置し、一端が前記温調用ヒータ電極に接合された第１電極端子に接続され、他端が前記筒状部材の下面側に設けられた第２電極端子に接続されたリード線と、
を有し、
前記筒状部材の端部と前記絶縁部材との間に間隙が設けられ、当該間隙内に樹脂が充填されていることを特徴とする基板載置台。
【請求項２】
基板を吸着する静電チャック用電極が埋設されるとともに、温調用ヒータ電極が埋設された絶縁部材と、
内部に温調用媒体を循環させるための温調用媒体循環流路を有する温調用板状部材と、
を具備した基板載置台であって、
前記温調用板状部材に配設された透孔内に配設され、絶縁性材料からなる筒状部材と、
前記筒状部材の内部に位置し、一端が前記温調用ヒータ電極に接合された第１電極端子に接続され、他端が前記筒状部材の下面側に設けられた第２電極端子に接続されたリード線と、
を有し、
前記筒状部材の下側端部にフランジ部が形成され、当該フランジ部が前記温調用板状部材に係止されていることを特徴とする基板載置台。
【請求項３】
請求項１又は２記載の基板載置台であって、
前記第２電極端子の下側から該第２電極端子に押圧された状態で電気的に接続される給電端子と、
を有する給電機構から前記温調用ヒータ電極に給電するよう構成されたことを特徴とする基板載置台。
【請求項４】
請求項１〜３いずれか１項記載の基板載置台であって、
前記筒状部材内の、前記絶縁部材側の一部に、樹脂が充填されていることを特徴とする基板載置台。
【請求項５】
請求項１〜４いずれか１項記載の基板載置台であって、
前記リード線の前記加熱用ヒータ側の一部分が直線状とされ、他の部分が曲折された形状とされていることを特徴とする基板載置台。
【請求項６】
請求項５記載の基板載置台であって、
前記リード線の前記樹脂に埋設されている部分が直線状とされ、他の部分が曲折された形状とされていることを特徴とする基板載置台。
【請求項７】
内部を真空雰囲気とされる処理チャンバーと、
前記処理チャンバー内に所定のエッチングガスを供給するエッチングガス供給機構と、
前記処理チャンバー内を排気する排気機構と、
前記エッチングガスのプラズマを発生させるプラズマ発生機構と、
前記処理チャンバー内に配置され、基板が載置される基板載置台と、
を具備したプラズマエッチング装置において、
前記基板載置台は、
基板を吸着する静電チャック用電極が埋設されるとともに温調用ヒータ電極が埋設された絶縁部材と、内部に温調用媒体を循環させるための温調用媒体循環流路を有する温調用板状部材と、を具備し、
前記温調用板状部材に配設された透孔内に配設され、絶縁性材料からなる筒状部材と、
前記筒状部材の内部に位置し、一端が前記温調用ヒータ電極に接合された第１電極端子に接続され、他端が前記筒状部材の下面側に設けられた第２電極端子に接続されたリード線と、
を有し、
前記筒状部材の端部と前記絶縁部材との間に間隙が設けられ、当該間隙内に樹脂が充填されていることを特徴とするプラズマエッチング装置。
【請求項８】
内部を真空雰囲気とされる処理チャンバーと、
前記処理チャンバー内に所定のエッチングガスを供給するエッチングガス供給機構と、
前記処理チャンバー内を排気する排気機構と、
前記エッチングガスのプラズマを発生させるプラズマ発生機構と、
前記処理チャンバー内に配置され、基板が載置される基板載置台と、
を具備したプラズマエッチング装置において、
前記基板載置台は、
基板を吸着する静電チャック用電極が埋設されるとともに温調用ヒータ電極が埋設された絶縁部材と、内部に温調用媒体を循環させるための温調用媒体循環流路を有する温調用板状部材と、を具備し、
前記温調用板状部材に配設された透孔内に配設され、絶縁性材料からなる筒状部材と、
前記筒状部材の内部に位置し、一端が前記温調用ヒータ電極に接合された第１電極端子に接続され、他端が前記筒状部材の下面側に設けられた第２電極端子に接続されたリード線と、
を有し、
前記筒状部材の下側端部にフランジ部が形成され、当該フランジ部が前記温調用板状部材に係止されていることを特徴とするプラズマエッチング装置。
【請求項９】
請求項７又は８記載のプラズマエッチング装置であって、
前記筒状部材内の、前記絶縁部材側の一部に、樹脂が充填されていることを特徴とするプラズマエッチング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板載置台及びプラズマエッチング装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体装置の製造工程では、処理ガスをプラズマ化して被処理基板（半導体ウエハ）に作用させ、被処理基板にプラズマ処理、例えば、薄膜形成やエッチング等の処理を施すプラズマ処理装置が用いられている。また、このようなプラズマ処理装置では、内部を真空雰囲気とされる処理チャンバー内に配置され、基板が載置される基板載置台（サセプタ）が用いられている。さらに、基板載置台においては、基板の温度を制御するための温調用ヒータ電極が埋設されたものが知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
図５に、温調用ヒータ電極が埋設された従来の基板載置台の構成例を示す。図５（ａ）は、基板載置台１１２の要部を拡大して示す図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）の給電機構５０の部分を拡大して示すものである。同図に示すように、この基板載置台１０は、下側から順に、高周波電力を印加するためのＲＦプレート４０と、内部に温調用媒体を循環させるための温調用媒体流路４３が形成された冷却プレート４１と、セラミックプレート４２が積層された構造を有している。セラミックプレート４２内には、静電チャック用の電極４４と、温調用ヒータ電極４５とが埋設されている。
【０００４】
そして、ＲＦプレート４０に形成された貫通孔４６及び冷却プレート４１形成された貫通孔４７を介して、基板載置台１０の下部から給電用ピン５１を温調用ヒータ電極４５に当接させて給電を行うように構成されている。この場合、給電用ピン５１を温調用ヒータ電極４５に確実に接触させる必要がある。このため、給電用ピン５１をコイルスプリング５２によって上方に向けて付勢し、給電用ピン５１を温調用ヒータ電極４５に対して押圧状態で接触させるようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平７−２８３２９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記のように、従来の基板載置台では、給電用ピンをセラミックプレート内に埋設された温調用ヒータ電極に押圧状態で接触させることによって、電気的な接触状態を確保するようにしている。
【０００７】
しかしながら、上記構成の基板載置台では、冷却プレートにセラミックプレートが接着剤等によって固定されており、給電用ピンで温調用ヒータ電極を押圧することによって、セラミックプレートの一部が冷却プレートから剥がれてしまう場合がある。このように、セラミックプレートと冷却プレートとの間に間隙が生じると、大気がリークする可能性があるとともに、基板の温度制御が不均一になり、処理の面内均一性が低下する等の問題が発生する。
【０００８】
本発明は、上記の事情に対処してなされたもので、温調用ヒータ電極への給電を確実に行うことができるとともに、大気のリークの発生や、処理の面内均一性の低下を防止することのできる基板載置台及びプラズマエッチング装置を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の基板載置台の一態様は、基板を吸着する静電チャック用電極が埋設されるとともに、温調用ヒータ電極が埋設された絶縁部材と、内部に温調用媒体を循環させるための温調用媒体循環流路を有する温調用板状部材と、を具備した基板載置台であって、前記温調用板状部材に配設された透孔内に配設され、絶縁性材料からなる筒状部材と、前記筒状部材の内部に位置し、一端が前記温調用ヒータ電極に接合された第１電極端子に接続され、他端が前記筒状部材の下面側に設けられた第２電極端子に接続されたリード線と、を有し、 前記筒状部材の端部と前記絶縁部材との間に間隙が設けられ、当該間隙内に樹脂が充填されていることを特徴とする。
【００１０】
本発明のプラズマエッチング装置の一態様は、内部を真空雰囲気とされる処理チャンバーと、前記処理チャンバー内に所定のエッチングガスを供給するエッチングガス供給機構と、前記処理チャンバー内を排気する排気機構と、前記エッチングガスのプラズマを発生させるプラズマ発生機構と、前記処理チャンバー内に配置され、基板が載置される基板載置台と、を具備したプラズマエッチング装置において、前記基板載置台は、基板を吸着する静電チャック用電極が埋設されるとともに温調用ヒータ電極が埋設された絶縁部材と、内部に温調用媒体を循環させるための温調用媒体循環流路を有する温調用板状部材と、を具備し、前記温調用板状部材に配設された透孔内に配設され、絶縁性材料からなる筒状部材と、前記筒状部材の内部に位置し、一端が前記温調用ヒータ電極に接合された第１電極端子に接続され、他端が前記筒状部材の下面側に設けられた第２電極端子に接続されたリード線と、を有し、前記筒状部材の端部と前記絶縁部材との間に間隙が設けられ、当該間隙内に樹脂が充填されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、温調用ヒータ電極への給電を確実に行うことができるとともに、大気のリークの発生や、処理の面内均一性の低下を防止することのできる基板載置台及びプラズマエッチング装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施形態に係るプラズマエッチング装置の概略構成を模式的に示す図。
【図２】本発明の実施形態に係る基板載置台の構成を模式的に示す図。
【図３】本発明の実施形態に係る基板載置台の給電機構の構成を模式的に示す図。
【図４】本発明の変形例に係る基板載置台の給電機構の構成を模式的に示す図。
【図５】従来の基板載置台の構成を模式的に示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図１は、実施形態に係るプラズマエッチング装置の概略断面構成を模式的に示す図である。図１に示すプラズマエッチング装置１００は、気密に構成され、例えば、直径が３００ｍｍのウエハＷを収容する円筒状の処理チャンバー１１１（筒状容器）を有し、処理チャンバー１１１内の下方には半導体ウエハＷを載置する円板形状の基板載置台１１２が配置されている。処理チャンバー１１１は円管状の側壁１１３と、側壁１１３の上方の端部を覆う円板状の蓋１１４とを有する。
【００１４】
また、処理チャンバー１１１内の基板載置台１１２の周囲には、多数の排気孔を有する環状のバッフル板１３４が配設されている。一方、処理チャンバー１１１の底部には、図示しないＴＭＰ（Turbo Molecular Pump）及びＤＰ（Dry Pump）等の排気機構が接続されており、バッフル板１３４を介して排気を行い処理チャンバー１１１内の圧力を所定の減圧雰囲気に維持できるようになっている。
【００１５】
基板載置台１１２には、第１の高周波電源１１５が第１の整合器１１６を介して接続され、且つ第２の高周波電源１１７が第２の整合器１１８を介して接続されている。第１の高周波電源１１５は、プラズマ生成用の比較的高い周波数、例えば８０ＭＨｚ以上１５０ＭＨｚ以下（本実施形態では、１００ＭＨｚ）の高周波電力を基板載置台１１２に印加する。また、第２の高周波電源１１７は、第１の高周波電源１１５より低い周波数のバイアス電力を基板載置台１１２に印加する。本実施形態において、第２の高周波電源１１７の高周波電力の周波数は、１３．５６ＭＨｚとされている。
【００１６】
基板載置台１１２は、下側から順に、高周波電力を印加するためのＲＦプレート１４０と、内部に温調用媒体を循環させるための温調用媒体流路１４３（図２参照。）が形成された冷却プレート１４１と、セラミックプレート１４２とが積層された構造を有している。セラミックプレート１４２内には、静電チャック用の電極１４４と、温調用ヒータ電極１４５とが埋設されている。
【００１７】
静電チャック用の電極１４４には、直流電源１２１が接続されている。静電チャック用の電極１４４に正の直流電圧が印加されると、半導体ウエハＷの裏面には負の電位が生じて静電チャック用の電極１４４及びウエハＷの裏面の間に電界が生じ、この電界に起因するクーロン力等により、半導体ウエハＷは吸着保持される。
【００１８】
温調用ヒータ電極１４５は、中央部加熱用と周縁部加熱用とに２分割されており、これらの温調用ヒータ電極１４５には、夫々ヒータ用電源１３６が接続されている。また、基板載置台１１２には、吸着保持された半導体ウエハＷを囲うように、フォーカスリング１２２が載置されている。フォーカスリング１２２は、例えば、石英等から構成されている。
【００１９】
処理チャンバー１１１内の上方には、基板載置台１１２と対向するようにシャワーヘッド１２３（移動電極）が配置されている。シャワーヘッド１２３は、多数のガス穴１２４を有する円板状の導電性の上部電極板１２５と、該上部電極板１２５を着脱可能に釣支するクーリングプレート１２６と、クーリングプレート１２６をさらに釣支するシャフト１２７と、シャフト１２７の上端に配される処理ガス受入部１２８とを有する。シャワーヘッド１２３は、蓋１１４及び側壁１１３を介して接地され、処理チャンバー１１１内に印加されるプラズマ生成電力に対する接地電極として機能する。なお、上部電極板１２５には、基板載置台１１２との対向面を覆うように、石英部材１２５ａが配設されている。
【００２０】
シャフト１２７は、内部を上下方向に貫通するガス流路１２９を有し、クーリングプレート１２６は内部にバッファ室１３０を有する。ガス流路１２９は、処理ガス受入部１２８とバッファ室１３０を接続し、各ガス穴１２４は、バッファ室１３０と処理チャンバー１１１内を連通する。シャワーヘッド１２３において、ガス穴１２４、処理ガス受入部１２８、ガス流路１２９及びバッファ室１３０は処理ガス導入系を構成し、該処理ガス導入系は処理ガス受入部１２８に供給された処理ガス（エッチングガス）を処理チャンバー１１１内の、シャワーヘッド１２３と基板載置台１１２の間に存在する処理空間へ導入する。
【００２１】
シャワーヘッド１２３において、上部電極板１２５の外径は、処理チャンバー１１１の内径よりも若干小さく設定されるため、シャワーヘッド１２３は側壁１１３に接触しない。すなわち、シャワーヘッド１２３は処理チャンバー１１１内に遊合するように配置される。また、シャフト１２７は蓋１１４を貫通し、該シャフト１２７の上部は、プラズマエッチング装置１００の上方に配置されたリフト機構（図示しない）に接続される。リフト機構はシャフト１２７を図中上下方向に移動させるが、このとき、シャワーヘッド１２３は処理チャンバー１１１内において該処理チャンバー１１１の中心軸に沿い、ピストンのように上下動する。これにより、シャワーヘッド１２３と基板載置台１１２の間に存在する処理空間の距離であるギャップを調整することができる。
【００２２】
ベローズ１３１は、例えば、ステンレスからなる伸縮自在な圧力隔壁であり、その一端は蓋１１４に接続され、他端はシャワーヘッド１２３に接続される。そして、ベローズ１３１は、処理チャンバー１１１内を処理チャンバー１１１外部から遮蔽するシール機能を有する。また、処理チャンバー１１１の外側には、環状の磁石１３５が配設されており、処理チャンバー１１１の内部に磁場を形成できる構成となっている。
【００２３】
プラズマエッチング装置１００では、処理ガス受入部１２８へ供給されたエッチングガスが処理ガス導入系を介して処理空間へ導入され、導入されたエッチングガスは、処理空間へ印加された高周波電力と磁石１３５による磁場の作用によって励起されてプラズマとなる。プラズマ中の正イオンは、基板載置台１１２に印加されるバイアス電力に起因する負のバイアス電位によって基板載置台１１２に載置された半導体ウエハＷに向けて引きこまれ、半導体ウエハＷにエッチング処理を施す。
【００２４】
上記構成のプラズマエッチング装置１００は、ＣＰＵ等を備えた制御部２５０によって、その動作が統括的に制御される。この制御部２５０は、操作部２５１と、記憶部２５２とを具備している。
【００２５】
操作部２５１は、工程管理者がプラズマエッチング装置１００を管理するためにコマンドの入力操作を行うキーボードや、プラズマエッチング装置１００の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等から構成されている。
【００２６】
記憶部２５２には、プラズマエッチング装置１００で実行される各種処理を制御部２５０の制御にて実現するための制御プログラム（ソフトウエア）や処理条件データ等が記憶されたレシピが格納されている。そして、必要に応じて、操作部２５１からの指示等にて任意のレシピを記憶部２５２から呼び出して制御部２５０に実行させることで、制御部２５０の制御下で、プラズマエッチング装置１００での所望の処理が行われる。また、制御プログラムや処理条件データ等のレシピは、コンピュータで読取り可能なコンピュータ記録媒体（例えば、ハードディスク、ＣＤ、フレキシブルディスク、半導体メモリ等）などに格納された状態のものを利用したり、或いは、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させてオンラインで利用したりすることも可能である。
【００２７】
次に、上記構成のプラズマエッチング装置１００で、半導体ウエハＷに形成された薄膜等をプラズマエッチングする手順について説明する。まず、処理チャンバー１１１に設けられた図示しないゲートバルブが開かれ、半導体ウエハＷが図示しない搬送ロボット等により、図示しないロードロック室を介して処理チャンバー１１１内に搬入され、基板載置台１１２上に載置される。この後、搬送ロボットを処理チャンバー１１１外に退避させ、ゲートバルブを閉じる。そして、図示しない排気機構により処理チャンバー１１１内が排気される。
【００２８】
処理チャンバー１１１内が所定の真空度になった後、処理チャンバー１１１内には処理ガス供給系から所定のエッチングガスが導入され、処理チャンバー１１１内が所定の圧力、例えば１３．３Ｐａ（１００ｍＴｏｒｒ）に保持され、この状態で第１高周波電源１１５、第２高周波電源１１７から基板載置台１１２に、高周波電力が供給される。このとき、直流電源１２１から静電チャック用の電極１４４に所定の直流電圧が印加され、半導体ウエハＷはクーロン力等により基板載置台１１２上に吸着される。
【００２９】
この場合、下部電極である基板載置台１１２に高周波電力が印加されることにより、上部電極であるシャワーヘッド１２３と下部電極である基板載置台１１２との間には電界が形成される。これによって、半導体ウエハＷが存在する処理空間には放電が生じ、それによってプラズマ化したエッチングガスにより、半導体ウエハＷに所定のプラズマエッチングが施される。
【００３０】
そして、所定のプラズマ処理が終了すると、高周波電力の供給及びエッチングガスの供給が停止され、上記した手順とは逆の手順で、半導体ウエハＷが処理チャンバー１１１内から搬出される。
【００３１】
次に、基板載置台１１２の詳細な構成について説明する。図２（ａ）は、基板載置台１１２の要部を拡大して示す図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）の給電機構１５０の部分を拡大して示すものである。同図に示すように、基板載置台１１２は、下側から順に、高周波電力を印加するためのＲＦプレート１４０と、内部に温調用媒体を循環させるための温調用媒体流路１４３が形成された冷却プレート１４１と、セラミックプレート１４２とが積層された構造を有している。セラミックプレート１４２内には、静電チャック用の電極１４４と、温調用ヒータ電極１４５とが埋設されている。なお、図２には、給電機構１５０を１つのみ示してあるが、給電機構１５０は、中央部加熱用及び周縁部加熱用の温調用ヒータ電極１４５に、夫々２つずつ、合計４つ設けられている。
【００３２】
そして、ＲＦプレート１４０に形成された貫通孔１４６及び冷却プレート１４１に形成された貫通孔１４７を介し、基板載置台１１２の下部から給電機構１５０によって温調用ヒータ電極１４５に給電する構成となっている。
【００３３】
給電機構１５０は、冷却プレート１４１に形成された貫通孔１４７内に挿入、固定された筒状部材１５１を有している。この筒状部材１５１は、絶縁性材料から構成されており、筒状部材１５１の下側端部には、外側に向かって拡がるフランジ部１５２が形成されている。一方、冷却プレート１４１の貫通孔１４７の下端部には、孔の径が拡がった径大部１４８が形成されており、この径大部１４８と通常径の部分の段差部にフランジ部１５２が係止されることによって、筒状部材１５１は、貫通孔１４７内で位置決めされた状態となっている。筒状部材１５１の貫通孔１４７内における固着は、接着剤等によって行われる。
【００３４】
この筒状部材１５１の内部に位置するように、インジウム等からなる温調用ヒータ電極１４５に接合されたヒータ側電極端子１５３が配設されている。ヒータ側電極端子１５３の下側には、リード線１５４が固着されており、リード線１５４の下端部は、給電側電極端子１５５と固着されている。リード線１５４は、ヒータ側電極端子１５３と給電側電極端子１５５との間で屈曲した状態で配設されている。
【００３５】
給電側電極端子１５５は、上側に設けられた小径部１５６と、下側設けられた大径部１５７を有し、小径部１５６が筒状部材１５１内に挿入されるとともに、大径部１５７がフランジ部１５２に係止される。これにより給電側電極端子１５５は、筒状部材１５１に対して位置決めされ、絶縁性材料から環状に形成された固定用部材１５８によって下方から固定されている。
【００３６】
ここで、冷却プレート１４１とリード線１５４との間で異常放電を生じさせないためには、筒状部材１５１の径を大きくして、冷却プレート１４１とリード線１５４との間隔をある程度大きくする必要がある。しかし、このような構成とした場合、給電機構１５０全体が大型化し、冷却プレート１４１に配設する貫通孔１４７の径も大きくする必要があり、冷却効率の低下や温度均一性の低下、ひいては処理の面内均一性の低下を招く。
【００３７】
そこで、本実施形態では、筒状部材１５１の内部には、その上側に位置する部分に絶縁性の樹脂等からなる充填材１５９が充填されている。この充填材１５９を充填することによって、冷却プレート１４１とリード線１５４等との間で異常放電が生じることを確実に防止できるようになっている。また、冷却プレート１４１が冷却され、セラミックプレート１４２が加熱されるため、冷却プレート１４１は収縮し、セラミックプレート１４２は膨張するので、充填材１５９には、これらの収縮及び膨張に伴って応力が加わる。このため、充填材１５９には、柔軟性を有する樹脂を使用することが好ましい。
【００３８】
給電側電極端子１５５の下面には、ピン状端子（給電端子）１６０が当接されている。このピン状端子（給電端子）１６０は、絶縁性材料から円筒状に形成された管状部材１６１内に収容されている。管状部材１６１内には、コイルスプリング１６２が配設されており、このコイルスプリング１６２によって付勢されたピン状端子（給電端子）１６０の上側端部が、給電側電極端子１５５の下面に押圧された状態で当接されている。
【００３９】
上記のように、ピン状端子（給電端子）１６０と給電側電極端子１５５とを押圧された状態で当接させた構造となっているので、確実な電気的接続状態を得ることができる。また、給電側電極端子１５５への押圧力は、冷却プレート１４１の貫通孔１４７における径大部１４８の段差部で受けているため、押圧力がセラミックプレート１４２に加わることがなく、セラミックプレート１４２と冷却プレート１４１との間で剥がれが生じることを防止することができる。これによって、大気のリークの発生や、半導体ウエハＷの温度が不均一になることによって処理の面内均一性の低下が発生することを防止できる。
【００４０】
図３は、給電機構１５０と、冷却プレート１４１及びセラミックプレート１４２との位置関係を拡大して模式的に示した図である。図３に示すように、筒状部材１５１は、下端部に形成されたフランジ部１５２が、冷却プレート１４１の径大部１４８と通常径の部分の段差部に係止されることによって位置決めされている。そして、筒状部材１５１の上端部は、セラミックプレート１４２と接触しておらず、筒状部材１５１の上端部とセラミックプレート１４２の下面との間には、所定の間隙Ｃが形成されている。この間隙Ｃは、０．５〜１．５ｍｍ程度とすることが好ましく、略１ｍｍ程度とすることがさらに好ましい。また、ヒータ側電極端子１５３の上部に形成された大径部の厚さは、セラミックプレート１４２の下側面より下方に延在しない厚さ（例えば、０．５〜１．０ｍｍ程度）とすることが好ましい。
【００４１】
そして、筒状部材１５１内に充填された充填材１５９は、上記した筒状部材１５１の上端部とセラミックプレート１４２の下面との間に形成された間隙Ｃ内にも充填された状態となっている。そして、前述したように、セラミックプレート１４２の膨張と、冷却プレート１４１の収縮が生じた場合は、間隙Ｃ内に充填された充填材１５９が変形することによって、膨張、収縮による変形に伴う応力を吸収するようになっている。なお、仮に充填材１５９として柔軟性のない（硬い）材料を用いると、膨張、収縮による変形に伴う応力が温調用ヒータ電極１４５とヒータ側電極端子１５３との接合部分に加わり、次第に接合状態が不良となって電気抵抗が増大し、焼けが発生する可能性がある。
【００４２】
図３に示す例では、リード線１５４全体が曲折された状態となっているが、図４に示すように、リード線１５４の充填材１５９内に収容されている部分を直線状とし、充填材１５９の外側に位置する部分を曲折させた構成としてもよい。このように、リード線１５４の充填材１５９内に収容されている部分を直線状とすれば、この直線状の部分において、冷却プレート１４１とリード線１５４との距離を最大に保つことができる。これによって、冷却プレート１４１とリード線１５４との間において異常放電が発生する可能性を、より一層低減することができる。
【００４３】
なお、本発明は上記の実施形態及び実施例に限定されるものではなく、各種の変形が可能であることは、勿論である。
【符号の説明】
【００４４】
１１１……処理チャンバー、１１２……基板載置台、１１５……第１高周波電源、１１７……第２高周波電源、１２３……シャワーヘッド、１４０……ＲＦプレート、１４１……冷却プレート、１４２……セラミックプレート、１４３……温調用媒体流路、１４４……静電チャック用の電極、１４５……温調用ヒータ電極、１４６……貫通孔、１４７……貫通孔、１５０……給電機構、１５１……筒状部材、１５３……ヒータ側電極端子、１５４……リード線、１５５……給電側電極端子、１５９……充填材、１６０……ピン状端子（給電端子）、１６１……管状部材、１６２……コイルスプリング、Ｗ……半導体ウエハ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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