(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に光デバイスが積層された光デバイスウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された該光デバイスウエーハを研磨する研磨砥石と、該研磨砥石が装着されるスピンドル及び該スピンドルを回転駆動するモータとを含む研磨手段と、該研磨手段を加工送りする加工送り手段とを備えた研磨装置を用いて、該光デバイスウエーハに該研磨砥石を回転させながら押圧して研磨する光デバイスウエーハの研磨方法であって、
該光デバイスウエーハの裏面を露出させてチャックテーブルの保持面で保持する保持ステップと、
該研磨手段を加工送りして該チャックテーブルで保持された該光デバイスウエーハを研磨するとともに、研磨中の該モータの負荷電流値を計測する研磨・負荷電流値計測ステップと、
研磨中の該モータの該負荷電流値に応じた情報が所定の判定基準に達したか否かを判定する負荷電流値判定ステップと、
該モータの負荷電流値に応じた情報が該判定基準に達すると、研磨不良と判定して、加工送りを停止し該研磨手段を離間させて待避させる待避ステップと、を備え、
該判定基準は、
正常な研磨が実施されている目安となる目標負荷電流値より低い負荷電流値が連続して続いた場合、該目標負荷電流値と加工中の負荷電流値との差を時間で積分して得た値が所定の値に達したら研磨不良と判定する研磨不良判定基準であり、
該研磨不良と判定がなされた場合、該待避ステップの後、該光デバイスウエーハに再度該研磨砥石を回転させながら押圧して再研磨を実施する再研磨ステップをさらに備え、研磨不良と判定された該光デバイスウエーハの応力又は蓄熱を開放後、再研磨することを含む、光デバイスウエーハの研磨方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光デバイスウエーハ等のウエーハの裏面を研磨する光デバイスウエーハの研磨方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光デバイスウエーハは、サファイア、ＳｉＣ、ＧａＮ等の比較的硬質な材料のウエーハの表面に格子状に形成されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域に窒化ガリウム系化合物半導体等からなるエピ層が積層され光デバイスが形成されている。そして、光デバイスウエーハをストリートに沿って切断し光デバイスが形成された領域を分割することにより個々の光デバイスを製造している。このようにして分割される光デバイスウエーハは、ストリートに沿って切断する前に研削装置によってウエーハの裏面が研削され、効率的に発光光を取り出すために裏面を鏡面に研磨するが、これらの硬質なウエーハは加工が難しく、加工中は加工手段の制御が必須である（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−０３６９６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に示された光デバイスウエーハの研磨方法では、加工手段を制御しながら慎重に加工を進めたとしても、例えば研磨において、比較的消耗しやすい研磨砥石を用いて加工を行っているので、ウエーハの割れや反りのために、ウエーハによって研磨中に逆に研磨砥石の方が削られ、研磨が正常に実施できない研磨不良という状態に陥る場合がある。一度こうした状況に陥ると、研磨砥石を一旦離間させないと、加工状態が正常に戻ることがない。そこで、一旦、研磨砥石を離間させ、再度研磨を実施すると、冷却または応力開放の効果からか、正常な研磨が可能な場合があり、比較的高価な光デバイスウエーハでは、無くてはならない加工となる。こうした、割れや反り等のため研磨不良になったウエーハは、特許文献１に示された光デバイスウエーハの研磨方法では、再度チャックテーブルに固定して、一から研磨をやり直しているため、そのセッティングのために余計な工数を必要としている。
【０００５】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、研磨不良後の再研磨にかかる工数などを削減することができる光デバイスウエーハの研磨方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した課題を解決し目的を達成するために、請求項１記載の本発明に係る光デバイスウエーハの研磨方法は、表面に光デバイスが積層された光デバイスウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された該光デバイスウエーハを研磨する研磨砥石と、該研磨砥石が装着されるスピンドル及び該スピンドルを回転駆動するモータとを含む研磨手段と、該研磨手段を加工送りする加工送り手段とを備えた研磨装置を用いて、該光デバイスウエーハに該研磨砥石を回転させながら押圧して研磨する光デバイスウエーハの研磨方法であって、該光デバイスウエーハの裏面を露出させてチャックテーブルの保持面で保持する保持ステップと、該研磨手段を加工送りして該チャックテーブルで保持された該光デバイスウエーハを研磨するとともに、研磨中の該モータの負荷電流値を計測する研磨・負荷電流値計測ステップと、研磨中の該モータの該負荷電流値に応じた情報が所定の判定基準に達したか否かを判定する負荷電流値判定ステップと、該モータの負荷電流値に応じた情報が該判定基準に達すると、研磨不良と判定して、加工送りを停止し該研磨手段を離間させて待避させる待避ステップと、を備え、該判定基準は、正常な研磨が実施されている目安となる目標負荷電流値より低い負荷電流値が連続して続いた場合、該目標負荷電流値と加工中の負荷電流値との差を時間で積分して得た値が所定の値に達したら研磨不良と判定する研磨不良判定基準であり、該研磨不良と判定がなされた場合、該待避ステップの後、該光デバイスウエーハに再度該研磨砥石を回転させながら押圧して再研磨を実施する再研磨ステップをさらに備え、研磨不良と判定された該光デバイスウエーハの応力又は蓄熱を開放後、再研磨することを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の光デバイスウエーハの研磨方法では、研磨不良の判定基準を設け、判定基準に達したら、研磨砥石を待避させた後、再研磨を実施する。そのため、再研磨するための研磨不良ウエーハの抜き取り、研磨のための再セッティング等の工数を不要とすることができる。よって、研磨不良後の再研磨にかかる工数などを削減することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、実施形態に係る光デバイスウエーハの研磨方法を実行する研磨装置の構成を示す外観斜視図である。
【図２】図２（ａ）は、実施形態に係る光デバイスウエーハの研磨方法により研磨が施される光デバイスウエーハの表面側からみた斜視図であり、図２（ｂ）は、実施形態に係る光デバイスウエーハの研磨方法により研磨が施される光デバイスウエーハの裏面側からみた斜視図である。
【図３】図３は、実施形態に係る光デバイスウエーハの研磨方法を実行する研磨装置の研磨中の要部を一部断面で示す側面図である。
【図４】図４は、実施形態に係る光デバイスウエーハの研磨方法を実行する研磨装置のチャックテーブル上の割れた光デバイスウエーハなどの斜視図である。
【図５】図５は、実施形態に係る光デバイスウエーハの研磨方法を実行する研磨装置のチャックテーブル上の割れた光デバイスウエーハなどの側断面図である。
【図６】図６は、実施形態に係る光デバイスウエーハの研磨方法を示すフローである。
【図７】図７は、実施形態に係る光デバイスウエーハの研磨中に得られる負荷電流値の一例を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
【００１０】
図１は、実施形態に係る光デバイスウエーハの研磨方法を実行する研磨装置の構成を示す外観斜視図であり、図２は、実施形態に係る光デバイスウエーハの研磨方法により研磨が施される光デバイスウエーハの斜視図であり、図３は、実施形態に係る光デバイスウエーハの研磨方法を実行する研磨装置の研磨中の要部を一部断面で示す側面図であり、図４は、実施形態に係る光デバイスウエーハの研磨方法を実行する研磨装置のチャックテーブル上の割れた光デバイスウエーハなどの斜視図であり、図５は、実施形態に係る光デバイスウエーハの研磨方法を実行する研磨装置のチャックテーブル上の割れた光デバイスウエーハなどの側断面図であり、図６は、実施形態に係る光デバイスウエーハの研磨方法を示すフローであり、図７は、実施形態に係る光デバイスウエーハの研磨中に得られる負荷電流値の一例を示す説明図である。
【００１１】
本実施形態にかかる光デバイスウエーハＷの研磨方法は、光デバイスウエーハＷに研磨砥石２１を回転させながら押圧して研磨する方法であって、図１に示された研磨装置１を用いて実行される。ここで、研磨対象としての光デバイスウエーハ（以下、単にウエーハと呼ぶ）Ｗは、サファイア、ＳｉＣ、ＧａＮ等の比較的硬質な材料で構成され、図２（ａ）に示すように、表面ＷＳに格子状に形成されたストリートと呼ばれる分割予定ラインＬによって複数の領域が区画され、この区画された領域に窒化ガリウム系化合物半導体等からなるエピ層が積層され光デバイスＤが積層されている。ウエーハＷは、表面ＷＳに保護テープＴａ（図５に示す）が貼着され、保護テープＴａが研磨装置１のチャックテーブル１０に保持されて、表面ＷＳの裏側の裏面ＷＲ（図２（ｂ）に示す）に研磨砥石２１により研磨が施される。なお、ウエーハＷは、研磨装置１による研磨の前工程において、研削装置などによって平面研削加工が施されて、例えば、数十μｍ程度の厚さにまで薄型化されている。
【００１２】
研磨装置１は、図１に示すように、チャックテーブル１０と、研磨手段２０と、加工送り手段３０と、図示しない制御手段などを含んで構成されている。
【００１３】
チャックテーブル１０は、表面１０ａ（保持面に相当）上に保護テープＴａを介してウエーハＷの表面ＷＳが載置されて、表面１０ａ上に載置されたウエーハＷを吸引保持するものである。チャックテーブル１０は、図示しないチャックテーブル移動手段によりＸ軸方向に移動可能に設けられ、かつ吸引保持したウエーハＷをＺ軸回りに回転させる。
【００１４】
研磨手段２０は、チャックテーブル１０に保持されているウエーハＷの裏面ＷＲを研磨する研磨砥石２１と、研磨砥石２１が装着されるスピンドル２２及びスピンドル２２をＺ軸回りに回転駆動するモータ２３とを含んで構成されている。研磨砥石２１は、シリカ粒子をゴム材などで固めて得られる研磨パッドを備えている。スピンドル２２は、下端に研磨砥石２１が装着されている。モータ２３は、スピンドル２２をＺ軸回りに回転駆動することで、研磨砥石２１をＺ軸回りに回転駆動する。
【００１５】
加工送り手段３０は、研磨手段２０を加工送りするものである。加工送り手段３０は、研磨手段２０をＺ軸方向に沿ってチャックテーブル１０に保持されたウエーハＷに近づけて、研磨手段２０を加工送りする。また、加工送り手段３０は、研磨手段２０をＺ軸方向に沿ってチャックテーブル１０に保持されたウエーハＷから遠ざけて、研磨手段２０をウエーハＷから離間させる。
【００１６】
制御手段は、研磨装置１を構成する上述した構成要素をそれぞれ制御して、ウエーハＷに対する加工動作を研磨装置１に行わせるものである。また、制御手段は、研磨装置１の研磨中にモータ２３の負荷電流値Ｔを計測して、研磨不良が発生したか否かを判定する。制御手段は、研磨不良と判定すると、加工送り手段３０を停止し研磨手段２０を一旦ウエーハＷから離間させて、例えば３０秒などの所定時間待機させた後、再度、研磨手段２０を加工送りして、研磨を再開するものでもある。なお、制御手段は、例えばＣＰＵ等で構成された演算処理装置やＲＯＭ、ＲＡＭ等を備える図示しないマイクロプロセッサを主体として構成されており、加工動作の状態を表示する図示しない表示手段や、オペレータが加工内容情報などを登録する際に用いる図示しない操作手段などと接続されている。
【００１７】
次に、本実施形態に係るウエーハＷの研磨方法について説明する。本実施形態に係るウエーハＷの研磨方法は、前述した構成の研磨装置１を用いて、ウエーハＷを研磨する方法であって、保持ステップと、研磨・負荷電流値計測ステップと、負荷電流値判定ステップと、待避ステップと、再研磨ステップとを少なくとも備えている。
【００１８】
ウエーハＷの研磨方法では、オペレータが加工内容情報を制御手段に登録し、オペレータから加工動作の開始指示があった場合に、研磨装置１が加工動作を開始する。加工動作において、表面ＷＳに保護テープＴａが貼着されたウエーハＷがチャックテーブル１０上に載置され、制御手段が、図６中のステップＳＴ１において、ウエーハＷをチャックテーブル１０に吸引保持させて、ステップＳＴ２に進む。なお、このステップＳＴ１は、保護テープＴａを介して表面ＷＳをチャックテーブル１０上に載置し、ウエーハＷの裏面ＷＲを露出させてチャックテーブル１０の表面１０ａで保持する保持ステップをなしている。
【００１９】
制御手段は、ステップＳＴ２では、チャックテーブル移動手段によりチャックテーブル１０を移動して、研磨手段２０の下方にチャックテーブル１０に保持されたウエーハＷを位置付ける。そして、制御手段は、チャックテーブル移動手段によりチャックテーブル１０を回転させかつモータ２３により研磨砥石２１を回転駆動させながら加工送り手段３０により研磨手段２０を加工送りする。そして、図３に示すように、ウエーハＷの裏面ＷＲに研磨砥石２１を回転させながら押圧して研磨する研磨を開始して、ステップＳＴ３に進む。制御手段は、研磨中には、モータ２３の負荷電流値Ｔが予め定められた正常な研磨が実施されている目安となる目標負荷電流値ＴＡ（図７に示す）となるように、加工送り手段３０を制御する。即ち、モータ２３の負荷電流値Ｔが目標負荷電流値ＴＡを中心として予め定められた所定範囲（図示せず）内であると、研磨砥石２１が正常にウエーハＷに研磨を施すことができる。
【００２０】
なお、正常な研磨中では、加工送り手段３０により研磨砥石２１がウエーハＷの裏面ＷＲに押圧される力が強くなるのにしたがって、モータ２３の負荷電流値Ｔが大きくなる。また、研磨中に、図４及び図５に示すように、ウエーハＷが複数の片Ｈに割れて、割れた片Ｈの少なくとも一つが研磨中の研磨砥石２１を削る状態になることがある。割れた片Ｈの少なくとも一つが研磨中の研磨砥石２１を削る状態になると、加工送り手段３０により研磨砥石２１がウエーハＷの裏面ＷＲに押圧される力が強くなっても、モータ２３の負荷電流値Ｔが目標負荷電流値ＴＡに達することなく、大きくなることがない。なお、図７は、研磨中のモータ２３の負荷電流値Ｔの変化の一例を示し、負荷電流値Ｔが負荷電流値Ｔ１となる状態では、研磨砥石２１がウエーハＷに接触せずに空転している状態を示し、負荷電流値Ｔが負荷電流値Ｔ２となる状態では、研磨砥石２１がウエーハＷに接触したことを示している。なお、研磨砥石２１がウエーハＷに接触すると、瞬間的に負荷電流値Ｔは、上昇した後、一旦降下し、その後徐々に上昇する。また、図４に示すように、ウエーハＷが複数の片Ｈに割れると、図５に示すように、少なくとも一つの片Ｈの裏面ＷＲが他の片Ｈの裏面ＷＲよりも突出して研磨中の研磨砥石２１を削ることもある。
【００２１】
制御手段は、ステップＳＴ３では、モータ２３の負荷電流値Ｔを計測して、ステップＳＴ４に進む。なお、ステップＳＴ２とステップＳＴ３は、研磨手段２０を加工送りしてチャックテーブル１０で保持されたウエーハＷを研磨するとともに、研磨手段２０のモータ２３の負荷電流値Ｔを計測する研磨・負荷電流値計測ステップをなしている。
【００２２】
次に、制御手段は、ステップＳＴ４では、計測したモータ２３の負荷電流値Ｔが目標負荷電流値ＴＡを下回っているか否かを判定し、下回っていないと判定するとステップＳＴ５に進み、下回っていると判定するとステップＳＴ６に進む。制御手段は、ステップＳＴ５では、計測したモータ２３の負荷電流値Ｔが目標負荷電流値ＴＡを下回っていないと判定してからの時間を累積し、累積した時間が予め定められた所定時間を越えているか否かを判定し、超えていないと判定するとステップＳＴ３に戻り、超えていると判定すると、研磨を終了する。なお、所定時間とは、ウエーハＷの裏面ＷＲに所望の研磨を施すのに必要な時間とされている。そして、制御手段が、計測したモータ２３の負荷電流値Ｔが目標負荷電流値ＴＡを下回っていないと判定してからの累積した時間が予め定められた所定時間を越えるまでステップＳＴ３からステップＳＴ５を繰返すために、ウエーハＷの裏面ＷＲに所望の研磨を施すことができる。
【００２３】
そして、制御手段は、ステップＳＴ６では、目標負荷電流値ＴＡと加工中にステップＳＴ３で計測したモータ２３の負荷電流値Ｔとの差を求め、この電流値ＴＡ，Ｔの差を時間で積分して、ステップＳＴ７に進む。なお、制御手段は、ステップＳＴ６では、ステップＳＴ７からステップＳＴ８を介してステップＳＴ２に戻るまでの目標負荷電流値ＴＡとモータ２３の負荷電流値Ｔとの差を時間で積分する。即ち、制御手段は、一旦、ステップＳＴ４で計測したモータ２３の負荷電流値Ｔが目標負荷電流値ＴＡを下回ると判定すると、ステップＳＴ８からステップＳＴ２に戻って研磨手段２０の研磨砥石２１を一旦ウエーハＷから離間させて待避させるまでの目標負荷電流値ＴＡとモータ２３の負荷電流値Ｔとの差を時間で積分した値を得る。また、電流値ＴＡ，Ｔの差を時間で積分して得た値は、研磨中のモータ２３の負荷電流値Ｔに応じた情報に相当する。
【００２４】
制御手段は、ステップＳＴ７では、電流値ＴＡ，Ｔの差を時間で積分して得た値が所定の値に達したか否かを判定し、達したと判定するとステップＳＴ８に進み、達していないと判定するとステップＳＴ３に戻る。なお、所定の値とは、電流値ＴＡ，Ｔの差を時間で積分して得た値が達すると、制御手段が研摩不良と判定して、加工送りを停止し研摩手段２０を離間させて待避させるための判定基準であって、判定基準は、目標負荷電流値ＴＡより低い負荷電流値Ｔが連続して続いた場合、ウエーハＷが複数の片Ｈに割れて少なくとも一つの片Ｈが研磨砥石２１を削るといった研磨不良と判定するための研摩不良判定基準である。なお、ステップＳＴ６とステップＳＴ７は、研磨中のモータ２３の負荷電流値Ｔに応じた情報としての電流値ＴＡ，Ｔの差を時間で積分して得た値が所定の判定基準に達したか否かを判定する負荷電流値判定ステップをなしている。
【００２５】
なお、制御手段は、ステップＳＴ７からステップＳＴ３に戻った後、ステップＳＴ４では、計測した負荷電流値Ｔが目標負荷電流値ＴＡを下回っていないと判定すると、電流値ＴＡ，Ｔの差を時間で積分して得た値をゼロにリセットして、ステップＳＴ５に進む。また、制御手段は、ステップＳＴ７からステップＳＴ３に戻った後、ステップＳＴ４では、計測した負荷電流値Ｔが目標負荷電流値ＴＡを下回っていると判定すると、電流値ＴＡ，Ｔの差を時間で積分して得た値をゼロにリセットせずに、ステップＳＴ６に進む。そして、制御手段は、ステップＳＴ６では、前回積分して得た値に、今回積分して得た値を加えて、電流値ＴＡ，Ｔの差を時間で積分した値を得る。このように、制御手段は、計測したモータ２３の負荷電流値Ｔが目標負荷電流値ＴＡを下回ってから、計測したモータ２３の負荷電流値Ｔが目標負荷電流値ＴＡを下回ることなく、ステップＳＴ６で得た値が所定の値に達するまで、ステップＳＴ３、ステップＳＴ４、ステップＳＴ６及びステップＳＴ７を繰返す。このために、制御手段は、連続して続いた研磨不良を確実に検出することができ、研磨不良が連続して続くまで研磨を行うこととなり、研磨不良の誤検出を抑制することができる。
【００２６】
ここで、例えば、図７中の時間ｔ１，ｔ２，ｔ３・・・ｔｎ以降では、ステップＳＴ２における加工送り手段３０の制御のために計測した負荷電流値Ｔが目標負荷電流値ＴＡを直ちに下回らなくなり、ステップＳＴ６で積分して得た値が所定の値に達する前にゼロにリセットされて、研磨不良と検出されることがない。また、図７中の時間ｔａ以降では、加工送り手段３０が研磨手段２０をウエーハＷに押圧しても計測した負荷電流値Ｔが目標負荷電流値ＴＡを下回り続け、ステップＳＴ６で積分して得た値がゼロにリセットされずに、電流値ＴＡ，Ｔの差を時間で積分した値を得る。そして、図７中の時間ｔｂに到達すると、図７中に平行斜線で示す電流値ＴＡ，Ｔの差を時間で積分して得た値が前記所定の値に達して、ステップＳＴ８に進む。
【００２７】
制御手段は、ステップＳＴ８では、加工送り手段３０により研磨手段２０をウエーハＷから離間させて、待機させる。そして、制御手段は、例えば、３０秒などの予め定められた時間が経過した後、ステップＳＴ２に戻る。この３０秒などの予め定められた時間中に、割れたウエーハＷの各片Ｈの応力又は蓄熱が開放される。
【００２８】
なお、このステップＳＴ８は、モータ２３の負荷電流値Ｔに応じた情報としての電流値ＴＡ，Ｔの差を積分して得た値が判定基準に達すると、研磨不良と判定して、加工送りを停止し研磨手段２０を離間させて待避させる待避ステップをなしている。そして、制御手段がステップＳＴ８からステップＳＴ２に戻ることで、ステップＳＴ２は、ステップＳＴ７で研磨不良と判定された場合、ステップＳＴ８の後、ウエーハＷに再度研磨砥石２１を回転させながら押圧して再研磨を実施する再研磨ステップをなしている。そして、ウエーハＷの研磨方法は、制御手段がステップＳＴ８からステップＳＴ２に戻ることで、研磨不良と判定されたウエーハＷの応力又は蓄熱を開放後、再研磨することを含む。
【００２９】
また、制御手段は、再研磨などにおいて、ステップＳＴ５では、一旦、ステップＳＴ７からステップＳＴ３に戻ったり、ステップＳＴ８からステップＳＴ２に戻っても、前述した累積した時間をゼロにリセットせずに、計測したモータ２３の負荷電流値Ｔが目標負荷電流値ＴＡを下回っていない時間を累積する。
【００３０】
以上のように、本実施形態に係るウエーハＷの研磨方法は、研磨不良の判定基準を設け、判定基準に達したら、研磨砥石２１を一旦待避させた後、再研磨を実施する。そのため、再研磨するための研磨不良ウエーハの抜き取り、研磨のための再セッティング等の工数を不要とすることができる。よって、研磨不良後の再研磨にかかる工数などを削減することができる。
【００３１】
前述した実施形態では、研磨装置１が研磨手段２０のみを備えているが、本発明では、ウエーハＷの研磨方法を実行する研磨装置１が研削手段や洗浄手段などの種々の他の工程をウエーハＷに施す手段を備えても良い。また、前述した実施形態では、ステップＳＴ７で電流値ＴＡ，Ｔの差を時間で積分して得た値が所定の値に達すると、ステップＳＴ８を介してステップＳＴ２に戻っている。しかしながら、本発明では、ステップＳＴ８を介してステップＳＴ２に戻る回数が所定回数を超えると、研磨装置１の研磨を停止・中止しても良く、オペレータに報知手段などを用いて、研磨不良を報知させるようにしても良い。また、本発明では、図６に示すフローに限ることなく、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々のフローによりウエーハＷを研磨しても良い。
【００３２】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
【符号の説明】
【００３３】
１  研磨装置
１０  チャックテーブル
１０ａ  表面（保持面）
２０  研磨手段
２１  研磨砥石
２２  スピンドル
２３  モータ
３０  加工送り手段
ＳＴ１  保持ステップ
ＳＴ２，ＳＴ３  研磨・負荷電流値計測ステップ
ＳＴ６，ＳＴ７  負荷電流値判定ステップ
ＳＴ８  待避ステップ
ＳＴ２  再研磨ステップ
Ｗ  光デバイスウエーハ
ＷＳ  表面
ＷＲ  裏面
Ｄ  光デバイス
Ｔ  負荷電流値
ＴＡ  目標負荷電流値
【図１】
0005947624.tif 000002
【図２】
0005947624.tif 000003
【図３】
0005947624.tif 000004
【図４】
0005947624.tif 000005
【図５】
0005947624.tif 000006
【図６】
0005947624.tif 000007
【図７】
0005947624.tif 000008