(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
六価クロムを利用せずに非金属材料からなる基板表面に金属層を用いて被覆する方法であって、
前記非金属材料からなる基板が設けられる工程ａ）と、
前記基板の少なくとも１つの表面の少なくとも一部が、比表面積を増加させるために、物理的衝撃処理、又はフェントン試薬、アルコール性カリウム水酸化物、強酸、水酸化ナトリウム、強酸化作用剤、及びオゾンからなる群のうちのいずれか１つ若しくはその組み合わせを用いて且つ六価クロムを利用しない化学的酸化処理に晒される工程ｂ）と、
前記工程ｂ）において処理された前記基板の前記表面が、強酸、六価クロムを除く強酸化作用剤、及びそれらの組み合わせからなる群のいずれかを用いて且つ六価クロムを利用しない化学的酸化処理に晒される工程ｃ）と、
前記工程ｃ）において処理された前記基板の前記表面が、アンモニア、少なくとも１つの金属の少なくとも１つのイオン及びその対イオンを含有する塩基性溶液に接触され、前記金属は、元素周期表の第ＩＢ族及び第ＶＩＩＩ族の金属から構成される群から選択される工程ｄ）と、
少なくとも１つの前記表面の前記少なくとも一部の上で前記基板を構成する前記非金属材料に化学的に付着する少なくとも１つの金属のイオンを含む基板が得られる工程ｅ）と、
少なくとも１つの前記表面の前記少なくとも一部の上で前記基板を構成する前記非金属材料に化学的に付着する少なくとも１つの金属の前記イオンが、還元処理に晒されて、少なくとも１つの前記表面の前記少なくとも一部の上で前記基板を構成する前記非金属材料に化学的に付着する少なくとも１つの金属の原子を含む基板が得られる工程ｆ）と、
前記工程ｆ）において得られた少なくとも１つの金属の原子を含む前記表面が、少なくとも１つの金属のイオンを含有する溶液に接触される工程ｇ）と、
前記基板の前記処理された表面上に、少なくとも１つの金属層によって形成された被覆層が得られる工程ｈ）と、を備え、
前記工程ａ）〜工程ｈ）は、選択的に、各工程の前又は後に、１つ又は複数の洗浄工程を有する、
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、
前記工程ｂ）及び工程ｃ）は、単一の工程ｂ´）として実行され、前記処理は、強酸、六価クロムを除く強酸化作用剤、及びそれらの組み合わせからなる群のいずれかを用いた化学的酸化処理である、
ことを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法において、
前記工程ｆ）の前記金属及び前記工程ｇ）の前記イオンの前記金属は、同じものである、
ことを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法において、
前記工程ｆ）及び前記工程ｇ）は、単一の工程ｆ´）として実行される、
ことを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法において、
前記工程ｄ）で用いられた前記金属イオンの前記金属は、銅イオン、銀イオン、ニッケルイオン、白金イオン、パラジウムイオン、及びコバルトイオンから選択される、
ことを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法において、
前記工程ｄ）で用いられた前記金属イオンの前記金属は、銅及びニッケルからなる群から選択される、
ことを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法において、
前記強酸は、塩酸、硫黄酸、硝酸、過塩素酸、亜リン酸、リン酸、次亜リン酸、シュウ酸及び酢酸からなる群のうちのいずれか１つ又はそれらの組み合わせである、
ことを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法において、
前記強酸化作用剤は、ＫＭｎＯ４及びＫＣｌＯ３からなる群のうちのいずれか１つ又はその組み合わせである、
ことを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法において、
前記還元溶液は、水酸化ホウ素ナトリウム溶液、ジメチルアミンボラン溶液及びヒドラジン溶液からなる群から選択される還元試薬を含んでいる、
ことを特徴とする方法。
【請求項１０】
請求項４に記載の方法において、
前記工程ｆ´）で用いられる前記溶液は、金属の原子を含む前記表面に接触させるための前記金属のイオン、前記金属のイオンを錯体化する錯化剤、還元剤及びｐＨ調節剤を含んでいる、
ことを特徴とする方法。
【請求項１１】
請求項１に記載の方法において、
前記各工程の前及び間において、前記基板の前記表面及び／又は前記基板は、少なくとも１つの洗浄溶液を用いて洗浄される、
ことを特徴とする方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法において、
前記洗浄溶液は、前記基板の前記表面及び／又は前記基板と接触している間にかき混ぜられる、
ことを特徴とする方法。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか１項に記載の方法において、
工程ｈ）の後に電気めっき処理による金属化工程をさらに含む、
ことを特徴とする方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被覆の強力な密着の目的のために、金属めっきのような従来の金属化方法を用いて、その処理が可能なように、銅層を用いた非金属材料からなる基板の表面を被覆する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
材料を金属化するための方法は基板の表面上に金属薄膜を堆積する工程にある。そのような方法の利点は、視覚的であり、装飾的であり、導電性であり、補強的であるなどの多くの機能を提供することである。金属化は、航空学、自動車、化粧品、家庭用電化製品、浴室設備、コネクター、マイクロエレクトロニクスなどの産業分野で使用される部品のために広く用いられている。
【０００３】
非金属基板を金属化するための多くの方法が論文や特許文献中に記述されてきている。
【０００４】
これらの金属化の方法の多くは、所謂活性化工程と呼ばれる工程中に、非金属基板上に堆積された金属粒子の電気伝導性又は電気化学的電位特性を利用している。上記活性化工程はまた、基板が金属粒子の良好な密着を可能とするのに十分に「粗く」なるように、比表面積を増加させる工程の後に続く。
【０００５】
これらの方法の大きな欠陥は特に、基板表面をエッチングする工程又はその表面の粗さを修正する工程の間に、六価クロムを利用することであり、これは、金属粒子の密着に要する大きな表面粗さを得ることを可能にする一方でその高い有毒性で知られた強力な酸化剤である。
【０００６】
その表面を活性化する工程は、非金属材料の表面上に、金属粒子を形成するために続いて還元化される金属粒子又は金属カチオンを堆積し且つその上に保持する工程にある。上記工程は、所定の種類のポリマー上でのみ反応するパラジウム／チタンコロイド粒子の利用を必要とすると共に大量のパラジウムの利用を必要とする。
【０００７】
例えばＴ．Ｎａｇａｎｏらによる論文（Ｇａｌｖａｎｏｔｅｃｎｉｋ，２００６，９７，７，２１２４−２１３０）では、ＡＢＳ基板を金属化する技術をレビューしており、該技術はさらに、表面洗浄及び調整工程、六価クロム溶液を用いたエッチング工程、Ｐｄ／Ｓｎコロイドを堆積する工程、そして金属、より特には銅を自己触媒堆積する工程をさらに含んでいる。上記論文はまた、「Ｄｉｒｅｃｔ  Ａｃｉｄ  Ｃｏｐｐｅｒ  Ｐｌａｔｉｎｇ」又はＣＲＰ方法と呼ばれる技術について議論しているが、これらは自己触媒堆積工程を含まないがエッチング槽中へのパラジウムの添加及び／又は触媒槽中の多量のＰｄ／Ｓｎコロイドを要求する技術である。
【０００８】
六価クロムに基づいたエッチング溶液の利用を制限するために、米国特許第３，５９８，６３０号公報では、ＡＢＳパネルをエッチングする工程は、連続的に塩化スズ溶液を適用してから塩化パラジウム溶液を適用することによって、実行される。上述した工程において、自己触媒金属堆積工程は従来の銅堆積工程である。
【０００９】
パラジウムの利用を制限するために、代替となる溶液が提案されてきており、例えば、国際公開第０２／３６８５３号公報においては、ＡＢＳ基板を金属化するための従来の方法は、Ｐｄ／ＳｎコロイドをＡｇ／Ｓｎコロイドに取って替えることにより、修正されており、それから、全てのＳｎイオンが除去された後、自己触媒金属堆積工程はニッケル堆積工程である。従来のクロム溶液を用いたエッチング工程及び洗浄工程の後、例えば、カチオンポリマーの形態での高分子電解質のような、吸着を向上することができる製品溶液を用いた処理が、エッチングされた表面上に施されてもよい。
【００１０】
パラジウムの実質的な利用とは別に、そのパラジウムのコスト及び希少性は銀に代替されないときに問題を露呈するが、上述した全ての方法において、活性化工程は吸着工程であって、該工程においては、コロイド調整物がスズイオンの添加によって利用又は形成され、その後、スズイオンは自己触媒金属堆積工程中で金属層の一定で均一な成長を可能にするために完全に除去される。
【００１１】
活性化工程中でコロイド溶液を用いず、この吸着に替えて、錯体又はキレートの形態での金属イオンの化学的吸着を用いる代替的な方法が提案されている。
【００１２】
例えば、米国特許第４，９８１，７１５号公報及び米国特許第４，７０１，３５１号公報は、貴金属化合物の錯体化を可能とする例えばポリアクリル酸であるポリマー薄膜を用いて基板を被覆するための方法を説明しており、上記方法は、金属イオンをキレートすることを可能にする重合体を用いて基板を被覆する工程と、その後、上記重合体を金属粒子に接触させる工程とを含んでいる。上記基板はそれから、自己触媒金属堆積工程に晒される。実施例では、利用される金属カチオンはパラジウムカチオンであるが、この方法による大きな欠陥は、追加的なインターフェイス、つまり、基板と金属イオンをキレートすることが可能な重合体からなる層との間に形成されるインターフェイスの質の制御を必要とすることである。キレートされた重合体からなるこの層の位置選択的密着を可能とし、このため上記基板の選択的金属化を可能とするＸ線照射による処理のための溶液が提案されている。
【００１３】
上記溶液は、コロイドの使用を除去するものであるが、追加的な層の形成及び追加的な工程を伴い、その密着は、基板又はその基板に対する密着強度に関して、産業上のレベルにまで制御されなければならない。さらに、基板の構成材料とキレートされた重合体との間の両立性の問題も生じるかもしれない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】米国特許第３，５９８，６３０号公報
【特許文献２】国際公開第０２／３６８５３号公報
【特許文献３】米国特許第４，９８１，７１５号公報
【特許文献４】米国特許第４，７０１，３５１号公報
【非特許文献】
【００１５】
【非特許文献１】Ｇａｌｖａｎｏｔｅｃｎｉｋ，２００６，９７，７，２１２４−２１３０，Ｔ．Ｎａｇａｎｏ  ｅｔ  ａｌ．
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
本発明は、有毒で汚染のある反応材料を利用しないが追加工程や追加される層を設けることなく、より単純な被覆工程を開発することにより、非金属材料を被覆するための上記の方法の種々の工程を単純化することを可能とすると共に、より環境に優しく且つより安価に実現することを可能とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明はそれゆえ、金属層を用いて非金属材料からなる基板の表面を被覆するための方法に関し、下記の工程を含んでいる。
【００１８】
工程ａ）  上記非金属材料からなる基板が設けられる。
【００１９】
工程ｂ）  上記基板の少なくとも１つの表面の少なくとも一部が、該比表面積を増加させるために、物理的処理又は化学的処理に晒される。
【００２０】
工程ｃ）  工程ｂ）において処理された上記基板の上記表面が、酸化処理に晒される。
【００２１】
工程ｄ）  工程ｃ）において処理された上記基板の上記表面が、少なくとも１つの金属の少なくとも１つのイオン及びその対イオンを含有する溶液に接触され、金属は、元素周期表の第ＩＢ族及び第ＶＩＩＩ族の金属から構成される群から選択される。
【００２２】
工程ｅ）  少なくとも１つの表面の少なくとも一部の上で基板を構成する非金属材料に化学的に付着する少なくとも１つの金属のイオンを含む基板が得られる。
【００２３】
工程ｆ）  少なくとも１つの上記表面の上記少なくとも一部の上で上記基板を構成する上記非金属材料に化学的に付着する少なくとも１つの金属の上記イオンが、還元処理に晒されて、少なくとも１つの上記表面の上記少なくとも一部の上で上記基板を構成する上記非金属材料に化学的に付着する少なくとも１つの金属の原子を含む基板が得られる。
【００２４】
工程ｇ）  工程ｆ）において得られた少なくとも１つの金属の粒子を含む上記表面が、少なくとも１つの金属のイオンを含有する溶液に接触される。
【００２５】
工程ｈ）  上記基板の上記処理された表面上に、少なくとも１つの金属層によって形成された被覆層が得られる。
【００２６】
上記各工程は、選択的に、各工程の前又は後に、１つ又は複数の洗浄工程を有する。
【００２７】
工程ｇ）は自動触媒堆積工程であり、無電解として設計されている。
【００２８】
「化学的にイオン及び／又は原子に結合する」という表現は、上記材料の表面に、キレート化によって結合される原子又はイオン、及び／又は、例えば、カルボキシル（−ＣＯＯＨ）、ヒドロキシル（−ＯＨ）、アルコキシル（−ＯＲ）、カルボニル（−Ｃ＝Ｏ）、ペル炭酸（−ＣＯ−Ｏ−ＯＨ）、ニトロ（Ｎ＝Ｏ）、又はアミド（−ＣＯＮＨ）の機能又は基による錯体形成によって結合される原子又はイオンを意味するものと理解される。
【００２９】
工程ｆ）では、上記基板を構成する非金属材料に付着される少なくとも１つの金属の原子が、金属リガンド相互作用によって付着される。
【００３０】
一実施形態では、活性化工程ｄ）は、単一金属のイオン及びその対イオンを含有する溶液に接触させることにより、実行される。
【００３１】
一実施形態では、工程ｂ）及び工程ｃ）は、単一の工程ｂ´）として実行され、その処理は酸化処理である。
【００３２】
一実施形態では、工程ｆ）の金属と工程ｇ）のイオンの金属とは、同じものである。
【００３３】
一実施形態では、工程ｆ）と工程ｇ）とは、単一の工程ｆ´）として実行される。
【００３４】
被覆工程の間では、非金属材料からなる上記基板の表面は、最初に、その表面に対する上記金属層の良好な接着性が得られるように準備しておかなければならない。上記基板の表面はその全ての汚染物質が除去されており、同時に、本方法の工程ｂ）の間におけるさらなる被覆の密着性のためのキーリング（ｋｅｙｉｎｇ）の起伏を生成している。
【００３５】
上記基板の表面は、完全に又は部分的に、例えば酸化工程に対して耐性のある保護用光沢塗装膜など、当業者によく知られたマスク技術を用いて処理されてもよい。
【００３６】
一実施形態では、工程ｂ）は、物理的処理によって実行される。
【００３７】
用語「物理的処理」は、低密着層を除去すると共に表面粗さを増加させるための処理を意味するものと理解される。
【００３８】
一実施形態では、物理的処理は、衝撃処理の群から選択される。
【００３９】
一実施形態では、工程ｂ）又は工程ｂ´）又は工程ｃ）は、酸化処理によって実行される。
【００４０】
用語「酸化処理」は、表面粗さを増加させることによってその表面、それゆえ工程ｂ）のための表面における比表面積を準備すると共に、工程ｃ）のための金属カチオンをキレートし且つ／又は錯体化することが可能な機能を生成するための如何なる処理を意味するものと理解される。
【００４１】
一実施形態では、酸化処理は化学的酸化処理の群から選択される。
【００４２】
一実施形態では、酸化処理は電気化学的酸化処理の群から選択される。
【００４３】
一実施形態では、酸化処理は物理的酸化処理の群から選択される。
【００４４】
本発明によると、上記基板は、ナノ粒子、マイクロ粒子、化粧品の詰め物、電気素子、ドアハンドル、家庭用品、メガネ、装飾品、自動車本体素子、航空機胴体又は翼素子、フレキシブル導体又はコネクターであってもよい。
【００４５】
用語「非金属材料」とは、有機材料の類、鉱物材料の類及び混合物の類に属する如何なる材料を意味するものと理解される。制限しない例として、木、紙、ボード、セラミック、プラスチック、シリコン、織物、ガラスを挙げることができる。
【００４６】
一実施形態では、有機材料はプラスチック材料から選択される。
【００４７】
用語「金属層」は、厚さが数ナノメートルから数百ミクロンまでの、基板表面に堆積される金属及び／又は金属酸化物からなる薄膜を意味するものと理解される。
【００４８】
一実施形態では、非金属材料は、一次元及び三次元の天然の、人工の、合成の、熱硬化性プラスチック、熱硬化性、熱安定性及びエラストマーの重合体を含む群から選択される重合体である。
【００４９】
一実施形態では、非金属材料は、さらに、フィラー、可塑剤及び添加剤を含む群から選択される少なくとも１つの素子を含んでもよい。
【００５０】
一実施形態では、フィラーは、シリカ、タルク、ガラスファイバー、及びガラス玉を含む群から選択される鉱物フィラーである。
【００５１】
一実施形態では、フィラーは、穀粉及びセルロースパルプを含む群から選択される有機フィラーである。
【００５２】
添加剤は、例えば、その色、その交差結合、そのすべり、その劣化への耐性、火に対する耐性、及び／又はバクテリア及び／又は細菌の攻撃に対する耐性のような、非金属材料の特性を向上させるために用いられる。
【００５３】
一実施形態では、重合体は、熱硬化性プラスチックからなる（共）重合体であって、ポリオレフィン、ポリエステル、ポリエーテル、ビニルポリマー、ビニリデンポリマー、スチレンポリマー、（メタクリル）アクリルポリマー、ポリアミド、フルオロポリマー、セルロースポリマー、ポリ（アリレンスルホン）、多硫化物、ポリ（アリルエーテル）ケトン、ポリアミデイミド、ポリ（エーテル）イミド、ポリベンズイミダゾール、ポリ（インデン／クマロン）、ポリ（パラ−キシリレン）からなる群のうちのいずれか１つそれ自体、それらの混合、共重合体又は組み合わせとして選択されてもよい。
【００５４】
ポリエステルは、グリコールによって改質された又はされていないポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリアクチド、ポリカーボネートからなる群のうちのいずれか１つそれ自体、それらの混合、共重合体又は組み合わせとして選択されてもよい。
【００５５】
ポリエーテルは、ポリキシメチレン、ポリキシエチレン、ポリオキシプロピレン、ポリフェニレンエーテルからなる群のうちのいずれか１つそれ自体、それらの混合、共重合体又は組み合わせとして選択されてもよい。
【００５６】
ビニルポリマーは、選択的に、塩化ポリビニルクロライド、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセテート、ポリビニルアセタール、ポリビニルホルマール、ポリビニルフルオライド、ポリ（ビニルクロライド／ビニルアセテート）、からなる群のうちのいずれか１つそれ自体、それらの混合、共重合体又は組み合わせとして選択されてもよい。
【００５７】
ビニリデンポリマーは、ポリビニリデンクロライド、ポリビニリデンフルオライドからなる群のうちのいずれか１つそれ自体、それらの混合、共重合体又は組み合わせとして選択されてもよい。
【００５８】
スチレンポリマーは、ポリスチレン、ポリ（スチレン／ブタジエン）、ポリ（アクリロニトリル／ブタジエン／スチレン）、ポリ（アクリロニトリル／スチレン）、ポリ（アクリロニトリル／エチレン／プロピレン／スチレン）、ポリ（アクリロニトリル／スチレン／アクリレート）からなる群のうちのいずれか１つそれ自体、それらの混合、共重合体又は組み合わせとして選択されてもよい。
【００５９】
（メタクリル）アクリルポリマーは、ポリアクリロニトリル、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレートからなる群のうちのいずれか１つそれ自体、それらの混合、共重合体又は組み合わせとして選択されてもよい。
【００６０】
ポリアミドは、ポリカプロラクタム、ポリヘキサメチレンアジポアミド、ポリオーラアミド、ポリエーテルブロックアミド、ポリ（メタ−キシレン  アジポアミド）、ポリ（メタ−フェニレン  イソフォタラミド（ｉｓｏｐｈ−ｔｈａｌａｍｉｄｅ））からなる群のうちのいずれか１つそれ自体、それらの混合、共重合体又は組み合わせとして選択されてもよい。
【００６１】
フルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ペリフルオロポリ（エチレン／プロピレン）、ポリビニリデンフルオライドからなる群のうちのいずれか１つそれ自体、それらの混合、共重合体又は組み合わせとして選択されてもよい。
【００６２】
セルロースポリマーは、セルロースアセテート、セルロースナイトレート、メチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、エチルメチルセルロースからなる群のうちのいずれか１つそれ自体、それらの混合、共重合体又は組み合わせとして選択されてもよい。
【００６３】
ポリ（アリレンスルホン）ポリマーは、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリアリルスルホンからなる群のうちのいずれか１つそれ自体、それらの混合、共重合体又は組み合わせとして選択されてもよい。
【００６４】
ポリサルファイドはポリフェニレンサルファイドであってもよい。
【００６５】
ポリ（アリルエーテルケトン）ポリマーは、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルケトンケトンからなる群のうちのいずれか１つそれ自体、それらの混合、共重合体又は組み合わせとして選択されてもよい。
【００６６】
一実施形態では、上記重合体は、それ自身、共重合体として、混合として、又は組み合わせとしての、尿素ホルムアルデヒド、メラミンホルムアルデヒド／ポリエステルのようなアミノプラスチック、それ自身、共重合体として、混合として、又は組み合わせとしての、ポリウレタン、不飽和ポリエステル、ポリシロキサン、フェノールホルムアルデヒド、エポキシ、アリル又はビニルエステル樹脂、アルキド樹脂、ポリ尿素、ポリイソシアヌレート、ポリ（ビスマレイミド）、ポリベンゾイミダゾール、ポリジシクロペンタジエンからなる群から選択される、熱可塑性の（共）重合体である。
【００６７】
一実施形態では、（共）重合体は、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン（ＡＢＳ）、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン／ポリカーボネート（ＡＢＳ／ＰＣ）、メチル−メタクリレート  アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン（ＭＡＢＳ）、ナイロンのようなポリアミド（ＰＡ）、ポリアミン、ポリアクリル酸、ポリアニリン、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）から選択される。
【００６８】
一実施形態では、工程ｄ）で用いられる金属イオンの金属は、銅イオン、銀イオン、ニッケルイオン、白金イオン、パラジウムイオン及びコバルトイオンから選択される。
【００６９】
一実施形態では、銅及びニッケルから構成される群から選択される。
【００７０】
一実施形態では、金属イオンの金属は銅である。
【００７１】
一実施形態では、工程ｇ）又は工程ｆ´）に用いられる金属イオンの金属は周期表のＩＢ族及びＶＩＩＩ族の元素から選択される。
【００７２】
一実施形態では、工程ｇ）又は工程ｆ´）に用いられる金属イオンの金属は、銅イオン、銀イオン、金イオン、ニッケルイオン、白金イオン、鉄イオン及びコバルトイオンから選択される。
【００７３】
一実施形態では、工程ｇ）又は工程ｆ´）に用いられる金属イオンの金属は、銅及びニッケルからなる群から選択される。
【００７４】
一実施形態では、工程ｇ）又は工程ｆ´）に用いられる金属イオンの金属は、銅である。
【００７５】
一実施形態では、工程ｇ）又は工程ｆ´）に用いられる金属イオンの金属は、銅ニッケルである。
【００７６】
本発明によると、衝撃処理の群は、サンドブラスティング、ショットピーニング法、マイクロピーニング法及び研磨剤による研磨を含んでいる。
【００７７】
用語「化学的酸化処理」は、基板の表面を酸化するための処理を意味するように理解されており、それは、その表面に酸素リッチな基、例えば、金属カチオンを化学的に結合することを可能とする、カルボキシル基（−ＣＯＯＨ）、ヒドロキシル基（−ＯＨ）、アルコキシル基（−ＯＲ）、カルボニル基（−Ｃ＝Ｏ）、ペル炭酸基（−ＣＯ−Ｏ−ＯＨ）、ニトロ基（Ｎ＝Ｏ）及びアミド基（−ＣＯＮＨ）を付着又は導入し、それから、キレート化及び／又は錯体化によって還元された金属を付着又は導入することで基板表面を酸化するための処理を意味するように理解される。
【００７８】
本発明によると、化学的酸化処理は、フェントン試薬、アルコール性カリウム水酸化物、強酸、水酸化ナトリウム、強酸化作用剤、及びオゾンからなる群のうちのいずれか１つ又はその組み合わせである。
【００７９】
一実施形態では、強酸は、塩酸、硫黄酸、硝酸、過塩素酸、亜リン酸、リン酸、次亜リン酸、シュウ酸及び酢酸からなる群のうちのいずれか１つ又はそれらの組み合わせである。
【００８０】
一実施形態では、強酸化作用剤は、ＫＭｎＯ４及びＫＣｌＯ３からなる群のうちのいずれか１つ又はその組み合わせである。
【００８１】
一実施形態では、強酸化作用剤は、ＫＭｎＯ４である。
【００８２】
酸化処理は、基板を構成する材料の性質に応じて選択され、下記の表１に例を用いて示しており、基板がＡＢＳ又はＡＢＳ／ＰＣからなるときに適用され得る種々の化学的酸化処理が存在する。
【００８３】
【表１】
0005947284.tif 000002
【００８４】
下記の表２は、基板の性質に応じて種々の処理を示している。
【００８５】
【表２】
0005947284.tif 000003
【００８６】
一実施形態では、強酸の質量比は５％と１００％との間にある。
【００８７】
一実施形態では、強酸の質量比は５０％と９５％との間にある。
【００８８】
一実施形態では、強酸の質量比は７０％と９０％との間にある。
【００８９】
一実施形態では、強酸の処理時間は２０秒と５時間との間にある。
【００９０】
一実施形態では、強酸の処理時間は３０秒と３時間との間にある。
【００９１】
一実施形態では、強酸の処理時間は３０秒と２時間との間にある。
【００９２】
一実施形態では、フェントン化学試薬による処理時間は５分と５時間との間にある。
【００９３】
一実施形態では、フェントン化学試薬による処理時間は１０分と３時間との間にある。
【００９４】
一実施形態では、フェントン化学試薬による処理時間は１５分と２時間との間にある。
【００９５】
一実施形態では、フェントン化学試薬による処理時間は約２５分である。
【００９６】
一実施形態では、アルコール性カリウム水酸化物による処理のために、カリウム水酸化物は、溶媒として、メタノール、エタノール及びプロパノールからなる群から選択されるアルコールを含有する溶液中に希釈される。
【００９７】
一実施形態では、上記カリウム水酸化物は、溶媒としてエタノールを含有する溶液中に希釈される。
【００９８】
一実施形態では、上記アルコール溶液中の上記カリウム水酸化物の濃度は、０．１Ｍと１０Ｍとの間にある。
【００９９】
一実施形態では、上記アルコール溶液中の上記カリウム水酸化物の濃度は、０．５Ｍと５Ｍとの間にある。
【０１００】
一実施形態では、上記アルコール溶液中の上記カリウム水酸化物の濃度は、約３．５である。
【０１０１】
一実施形態では、アルコール性カリウム水酸化物による処理期間は、５分と５時間との間にある。
【０１０２】
一実施形態では、アルコール性カリウム水酸化物による処理期間は、１分と３時間との間にある。
【０１０３】
一実施形態では、アルコール性カリウム水酸化物による処理期間は、５分と１時間との間にある。
【０１０４】
一実施形態では、水酸化ナトリウムによる処理の場合、該水酸化ナトリウムの質量比は、１０％と１００％との間にある。
【０１０５】
一実施形態では、水酸化ナトリウムによる処理の場合、該水酸化ナトリウムの質量比は、１５％と７０％との間にある。
【０１０６】
一実施形態では、水酸化ナトリウムによる処理の場合、該水酸化ナトリウムの質量比は、２０％と５０％との間にある。
【０１０７】
一実施形態では、強酸化作用剤による処理のために、強酸化剤溶液は中性、酸性又は塩基性である。
【０１０８】
一実施形態では、強酸化作用剤溶液は酸性である。
【０１０９】
一実施形態では、強酸化作用剤は、塩酸、硫黄酸、硝酸、シュウ酸、リン酸、次亜リン酸、又は亜リン酸中における、ＫＭｎＯ４及びＫＣｌＯ３からなる群のうちのいずれか１つ又はその組み合わせから選択される。
【０１１０】
一実施形態では、ＫＭｎＯ４又はＫＣｌＯ３の濃度は、１０ｍＭと１Ｍとの間にある。
【０１１１】
一実施形態では、ＫＭｎＯ４又はＫＣｌＯ３の濃度は、０．１ｍＭと０．５Ｍとの間にある。
【０１１２】
一実施形態では、ＫＭｎＯ４又はＫＣｌＯ３の濃度は、約０．２Ｍである。
【０１１３】
一実施形態では、上記酸の濃度は、０．１Ｍと１０Ｍとの間にある。
【０１１４】
一実施形態では、上記酸の濃度は、０．５Ｍと５Ｍとの間にある。
【０１１５】
一実施形態では、上記酸の濃度は、約３．５Ｍである。
【０１１６】
一実施形態では、強酸化作用剤による処理期間は、１分と３時間との間にある。
【０１１７】
一実施形態では、強酸化作用剤による処理期間は、５分と１時間との間にある。
【０１１８】
一実施形態では、強酸化作用剤による処理期間は、６分と３０分との間にある。
【０１１９】
一実施形態では、強酸化作用剤による処理時間は、約１５分である。
【０１２０】
一実施形態では、化学的酸化処理は、電気化学的処理である。
【０１２１】
本発明によると、工程ｄ）の少なくとも１つの金属の対イオンは、四フッ化物、硫酸塩、臭化物、フッ化物、ヨー化物、硝酸塩、リン酸塩、及び塩化物イオンからなる群のうちから選択される。
【０１２２】
一実施形態では、少なくとも１つの金属の少なくとも１つのイオンとその対イオンを含有する工程ｄ）の溶液は、塩基性溶液である。
【０１２３】
一実施形態では、上記塩基性溶液は７よりも大きいｐＨを有している。
【０１２４】
一実施形態では、上記塩基性溶液はｐＨ９とｐＨ１１との間のｐＨを有している。
【０１２５】
一実施形態では、上記塩基性溶液はｐＨ約１０である。
【０１２６】
一実施形態では、工程ｄ）による処理期間は３０秒と２時間との間にある。
【０１２７】
一実施形態では、工程ｄ）による処理期間は１分と１時間との間にある。
【０１２８】
一実施形態では、工程ｄ）による処理期間は約１５分である。
【０１２９】
本発明によると、工程ｆ）の還元処理の還元溶液は塩基性である。
【０１３０】
一実施形態では、上記還元溶液は、水酸化ホウ酸ナトリウム、ジメチルアミンボラン、及びヒドラジン溶液からなる群から選択される還元剤を含む。
【０１３１】
一実施形態では、上記還元剤は、水酸化ホウ酸ナトリウム溶液である。
【０１３２】
一実施形態では、上記水酸化ホウ酸ナトリム溶液は中性又は塩基性のｐＨを有する。
【０１３３】
一実施形態では、上記ジメチルアミンボラン溶液は塩基性のｐＨを有する。
【０１３４】
一実施形態では、上記ｐＨは塩基性であって、溶液内の水酸化ナトリウムが溶媒として用いられる。
【０１３５】
一実施形態では、上記水酸化ナトリウムの濃度は、１０−４と５Ｍとの間にある。
【０１３６】
一実施形態では、上記水酸化ナトリウムの濃度は、０．０５Ｍと１Ｍとの間にある。
【０１３７】
一実施形態では、上記水酸化ナトリウムの濃度は、約０．１Ｍである。
【０１３８】
一実施形態では、工程ｆ）の還元溶液における上記還元剤の濃度は、１０−４と５Ｍとの間にある。
【０１３９】
一実施形態では、工程ｆ）の還元溶液における上記還元剤の濃度は、０．０１Ｍと１Ｍとの間にある。
【０１４０】
一実施形態では、工程ｆ）の還元溶液における上記還元剤の濃度は、約０．３Ｍである。
【０１４１】
一実施形態では、上記還元工程は、１０℃と９０℃との間にある温度にて実行される。
【０１４２】
一実施形態では、上記還元工程は、３０℃と７０℃との間にある温度にて実行される。
【０１４３】
一実施形態では、上記還元工程は、約５０℃である。
【０１４４】
一実施形態では、上記還元工程の期間は、３０秒と１時間との間にある。
【０１４５】
一実施形態では、上記還元工程の期間は、１分と３０分との間にある。
【０１４６】
一実施形態では、上記還元工程の期間は、２分と２０分との間にある。
【０１４７】
一実施形態では、工程ｆ´）の溶液は、上記金属のイオン、上記金属のイオンの錯化剤、還元剤、及びｐＨ調節剤を含んでいる。
【０１４８】
一実施形態では、工程ｆ´）の上記溶液は、水溶液である。
【０１４９】
一実施形態において、工程ｆ´）の上記溶液は、Ａｇ＋、Ａｇ２＋、Ａｇ３＋、Ａｕ＋、Ｃｏ２＋、Ｃｕ＋、Ｃｕ２＋、Ｆｅ２＋、Ｎｉ２＋、Ｐｄ＋、及びＰｔ＋から選択される金属カチオンを含有する無電解槽溶液である。
【０１５０】
一実施形態では、工程ｆ´）の上記溶液は、Ｃｏ＋、Ｃｕ＋、Ｃｕ２＋、Ｎｉ２＋、Ｐｄ＋、及びＰｔ＋から選択される金属カチオンを含有する無電解槽溶液である。
【０１５１】
一実施形態において、少なくとも１つの金属のイオンを含有する工程ｇ）の上記溶液は、水溶液である。
【０１５２】
一実施形態では、工程ｇ）の上記溶液は、Ａｇ＋、Ａｇ２＋、Ａｇ３＋、Ａｕ＋、Ｃｏ２＋、Ｃｕ＋、Ｃｕ２＋、Ｆｅ２＋、Ｎｉ２＋、Ｐｄ＋、及びＰｔ＋から選択される金属カチオンを含有する無電解槽溶液である。
【０１５３】
一実施形態では、工程ｇ）の上記溶液は、Ｃｕ２＋及びＮｉ２＋から選択される金属カチオンを含有する無電解槽溶液である。
【０１５４】
一実施形態では、工程ｇ）の期間は１分と１時間との間にある。
【０１５５】
本発明によると、本方法の各工程の前及び間に、基板の表面及び／又は基板は、少なくとも１つの洗浄溶液を用いて一回又は複数回の洗浄が行われる。
【０１５６】
一実施形態では、上記洗浄溶液は同じものである又は異なるものである。
【０１５７】
一実施形態では、上記洗浄溶液は、水、蒸留水、脱イオン水、又は洗浄剤を含有する水溶液からなる群から選択される。
【０１５８】
一実施形態では、水溶液に含有される上記洗浄剤は、ＴＤＦ４及び水酸化ナトリウムを含有する群から選択される。
【０１５９】
一実施形態では、上記水酸化ナトリウムの濃度は、０．０１Ｍと１Ｍとの間にある。
【０１６０】
一実施形態では、上記洗浄溶液は、基板の表面及び／又は基板に接触している間にかき混ぜられる。
【０１６１】
一実施形態では、上記のかき混ぜは、スターラー（ｓｔｉｒｒｅｒ）、再循環ポンプ、エアーバブリング又はガスバブリング、超音波電解槽又はホモゲナイザー（ｈｏｍｏｇｅｎｉｚｅｒ）を用いて実行される。
【０１６２】
一実施形態では、各洗浄工程の期間は１秒と３０分との間にある。
【０１６３】
一実施形態では、各洗浄工程の期間は５秒と２０分との間にある。
【０１６４】
一実施形態では、各種の工程の溶液を用いた、基板の表面及び／又は基板との接触は、電解槽中への浸漬により、又はスプレイ（ｓｐｒａｙｉｎｇ）及び／又はスプラッシュ（ｓｐｌａｓｈｉｎｇ）により、実行される。
【０１６５】
一実施形態では、上記接触動作が電解槽への浸漬によって実行されるとき、上記電解槽の均質化は、スターラー（ｓｔｉｒｒｅｒ）、再循環ポンプ、エアーバブリング又はガスバブリング、超音波電解層又はホモゲナイザー（ｈｏｍｏｇｅｎｉｚｅｒ）を用いて実行される。
【０１６６】
本発明はまた、本発明の方法によって得られた基板に関し、非金属材料からなる上記基板の表面は金属層を用いて被覆されている。
【０１６７】
本発明は、非金属材料からなる基板に関し、上記基板の表面は、金属活性化層を用いて被覆されており、上記金属活性化層は、金属リガンドの相互作用を通じて、上記基板の構成金属に直接に結合する金属の原子から構成されており、その結合は、カルボキシル基（−ＣＯＯＨ）、ヒドロキシル基（−ＯＨ）、アルコキシル基（−ＯＲ）、カルボニル基（−Ｃ＝Ｏ）、ペル炭酸基（−ＣＯ−Ｏ−ＯＨ）、ニトロ基（Ｎ＝Ｏ）、又はアミド基（−ＣＯＮＨ）によってなされ、上記金属活性化層は、自己触媒的堆積法によって堆積される同一又は異なる金属層によって被覆されている。
【０１６８】
一実施形態では、本発明は、ＡＢＳからなる基板に関し、その表面は銅からなる活性層によって被覆されており、その原子は、金属リガンド相互作用を通じて、基板のＡＢＳ構成要素に結合されており、上記活性層は自己触媒堆積によって堆積された銅層を用いて被覆されている。
【０１６９】
一実施形態では、本発明は、ＡＢＳからなる基板に関し、その表面はニッケルからなる活性層によって被覆されており、その原子は、金属リガンド相互作用を通じて、基板のＡＢＳ構成要素に結合されており、上記活性層は自己触媒堆積によって堆積された銅層を用いて被覆されている。
【０１７０】
一実施形態では、本発明は、ＡＢＳ／ＰＣからなる基板に関し、その表面は銅からなる活性層によって被覆されており、その原子は、金属リガンド相互作用を通じて、基板のＡＢＳ／ＰＣ構成要素に結合されており、上記活性層は自己触媒堆積によって堆積された銅層を用いて被覆されている。
【０１７１】
一実施形態では、本発明は、ＡＢＳ／ＰＣからなる基板に関し、その表面はニッケルからなる活性層によって被覆されており、その原子は、金属リガンド相互作用を通じて、基板のＡＢＳ／ＰＣ構成要素に結合されており、上記活性層は自己触媒堆積によって堆積された銅層を用いて被覆されている。
【０１７２】
一実施形態では、本発明は、ＰＡからなる基板に関し、その表面は銅からなる活性層によって被覆されており、その原子は、金属リガンド相互作用を通じて、基板のＰＡ構成要素に結合されており、上記活性層は自己触媒堆積によって堆積された銅層を用いて被覆されている。
【０１７３】
一実施形態では、本発明は、ＰＡからなる基板に関し、その表面はニッケルからなる活性層によって被覆されており、その原子は、金属リガンド相互作用を通じて、基板のＰＡ構成要素に結合されており、上記活性層は自己触媒堆積によって堆積された銅層を用いて被覆されている。
【０１７４】
一実施形態では、本発明は、ＰＣからなる基板に関し、その表面は銅からなる活性層によって被覆されており、その原子は、金属リガンド相互作用を通じて、基板のＰＣ構成要素に結合されており、上記活性層は自己触媒堆積によって堆積された銅層を用いて被覆されている。
【０１７５】
一実施形態では、本発明は、ＰＣからなる基板に関し、その表面はニッケルからなる活性層によって被覆されており、その原子は、金属リガンド相互作用を通じて、基板のＰＣ構成要素に結合されており、上記活性層は自己触媒堆積によって堆積された銅層を用いて被覆されている。
【０１７６】
一実施形態では、本発明は、ＭＡＢＳからなる基板に関し、その表面は銅からなる活性層によって被覆されており、その原子は、金属リガンド相互作用を通じて、基板のＭＡＢＳ構成要素に結合されており、上記活性層は自己触媒堆積によって堆積された銅層を用いて被覆されている。
【０１７７】
一実施形態では、本発明は、ＭＡＢＳからなる基板に関し、その表面はニッケルからなる活性層によって被覆されており、その原子は、金属リガンド相互作用を通じて、基板のＭＡＢＳ構成要素に結合されており、上記活性層は自己触媒堆積によって堆積された銅層を用いて被覆されている。
【０１７８】
一実施形態では、本発明は、ＰＰからなる基板に関し、その表面は銅からなる活性層によって被覆されており、その原子は、金属リガンド相互作用を通じて、基板のＰＰ構成要素に結合されており、上記活性層は自己触媒堆積によって堆積された銅層を用いて被覆されている。
【０１７９】
一実施形態では、本発明は、ＰＰからなる基板に関し、その表面はニッケルからなる活性層によって被覆されており、その原子は、金属リガンド相互作用を通じて、基板のＰＰ構成要素に結合されており、上記活性層は自己触媒堆積によって堆積された銅層を用いて被覆されている。
【０１８０】
一実施形態では、本発明は、ＰＰＳからなる基板に関し、その表面は銅からなる活性層によって被覆されており、その原子は、金属リガンド相互作用を通じて、基板のＰＰＳ構成要素に結合されており、上記活性層は自己触媒堆積によって堆積された銅層を用いて被覆されている。
【０１８１】
一実施形態では、本発明は、ＰＰＳからなる基板に関し、その表面はニッケルからなる活性層によって被覆されており、その原子は、金属リガンド相互作用を通じて、基板のＰＰＳ構成要素に結合されており、上記活性層は自己触媒堆積によって堆積された銅層を用いて被覆されている。
【０１８２】
一実施形態では、本発明は、ＡＢＳからなる基板に関し、その表面は銅からなる活性層によって被覆されており、その原子は、金属リガンド相互作用を通じて、基板のＡＢＳ構成要素に結合されており、上記活性層は自己触媒堆積によって堆積されたニッケル層を用いて被覆されている。
【０１８３】
一実施形態では、本発明は、ＡＢＳからなる基板に関し、その表面はニッケルからなる活性層によって被覆されており、その原子は、金属リガンド相互作用を通じて、基板のＡＢＳ構成要素に結合されており、上記活性層は自己触媒堆積によって堆積されたニッケル層を用いて被覆されている。
【０１８４】
一実施形態では、本発明は、ＡＢＳ／ＰＣからなる基板に関し、その表面は銅からなる活性層によって被覆されており、その原子は、金属リガンド相互作用を通じて、基板のＡＢＳ／ＰＣ構成要素に結合されており、上記活性層は自己触媒堆積によって堆積されたニッケル層を用いて被覆されている。
【０１８５】
一実施形態では、本発明は、ＡＢＳ／ＰＣからなる基板に関し、その表面はニッケルからなる活性層によって被覆されており、その原子は、金属リガンド相互作用を通じて、基板のＡＢＳ／ＰＣ構成要素に結合されており、上記活性層は自己触媒堆積によって堆積されたニッケル層を用いて被覆されている。
【０１８６】
一実施形態では、本発明は、ＰＡからなる基板に関し、その表面は銅からなる活性層によって被覆されており、その原子は、金属リガンド相互作用を通じて、基板のＰＡ構成要素に結合されており、上記活性層は自己触媒堆積によって堆積されたニッケル層を用いて被覆されている。
【０１８７】
一実施形態では、本発明は、ＰＡからなる基板に関し、その表面はニッケルからなる活性層によって被覆されており、その原子は、金属リガンド相互作用を通じて、基板のＰＡ構成要素に結合されており、上記活性層は自己触媒堆積によって堆積されたニッケル層を用いて被覆されている。
【０１８８】
一実施形態では、本発明は、ＰＣからなる基板に関し、その表面は銅からなる活性層によって被覆されており、その原子は、金属リガンド相互作用を通じて、基板のＰＣ構成要素に結合されており、上記活性層は自己触媒堆積によって堆積されたニッケル層を用いて被覆されている。
【０１８９】
一実施形態では、本発明は、ＰＣからなる基板に関し、その表面はニッケルからなる活性層によって被覆されており、その原子は、金属リガンド相互作用を通じて、基板のＰＣ構成要素に結合されており、上記活性層は自己触媒堆積によって堆積されたニッケル層を用いて被覆されている。
【０１９０】
一実施形態では、本発明は、ＭＡＢＳからなる基板に関し、その表面は銅からなる活性層によって被覆されており、その原子は、金属リガンド相互作用を通じて、基板のＭＡＢＳ構成要素に結合されており、上記活性層は自己触媒堆積によって堆積されたニッケル層を用いて被覆されている。
【０１９１】
一実施形態では、本発明は、ＭＡＢＳからなる基板に関し、その表面はニッケルからなる活性層によって被覆されており、その原子は、金属リガンド相互作用を通じて、基板のＭＡＢＳ構成要素に結合されており、上記活性層は自己触媒堆積によって堆積されたニッケル層を用いて被覆されている。
【０１９２】
一実施形態では、本発明は、ＰＰからなる基板に関し、その表面は銅からなる活性層によって被覆されており、その原子は、金属リガンド相互作用を通じて、基板のＰＰ構成要素に結合されており、上記活性層は自己触媒堆積によって堆積されたニッケル層を用いて被覆されている。
【０１９３】
一実施形態では、本発明は、ＰＰからなる基板に関し、その表面はニッケルからなる活性層によって被覆されており、その原子は、金属リガンド相互作用を通じて、基板のＰＰ構成要素に結合されており、上記活性層は自己触媒堆積によって堆積されたニッケル層を用いて被覆されている。
【０１９４】
一実施形態では、本発明は、ＰＰＳからなる基板に関し、その表面は銅からなる活性層によって被覆されており、その原子は、金属リガンド相互作用を通じて、基板のＰＰＳ構成要素に結合されており、上記活性層は自己触媒堆積によって堆積されたニッケル層を用いて被覆されている。
【０１９５】
一実施形態では、本発明は、ＰＰＳからなる基板に関し、その表面はニッケルからなる活性層によって被覆されており、その原子は、金属リガンド相互作用を通じて、基板のＰＰＳ構成要素に結合されており、上記活性層は自己触媒堆積によって堆積されたニッケル層を用いて被覆されている。
【０１９６】
本発明はまた、本発明に係る方法に関し、さらに、金属化工程を含んでいる。
【０１９７】
一実施形態では、上記金属化工程は電気めっき処理である。
【０１９８】
本発明及びその実施形態は、後述する実施例において例示されている。
【０１９９】
実施例１
Ｉ．  銅層を用いたアクリロニトリル−ブタジエン−スチレン（ＡＢＳ）及びアクリロニトリル−ブタジエン−スチレン／ポリカーボネート（ＡＢＳ／ＰＣ）の被覆
銅層を用いて非金属材料からなる基板を被覆するための方法は、４つの工程（硝酸を用いた化学的酸化処理／キレート化及び／又は錯体化／還元／無電解槽）で実行された。
【０２００】
Ｉ．１  硝酸を用いた化学的酸化処理
純粋の硝酸が５０℃まで熱せされた。アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン（ＡＢＳ）及びアクリロニトリル−ブタジエン−スチレン／ポリカーボネート（ＰＣ）のシートがこの溶液に浸漬された。このシートはそれから、水槽（１ｌ）で二度洗浄された。
【０２０１】
Ｉ．２  銅イオンのキレート化及び／又は錯体化
硫酸銅（２３．７ｇ）が水（１０００ｍｌ）及び水酸化アンモニウム（３０ｍｌ）からなる溶液中に可溶化された。工程Ｉ．１の化学的酸化処理が実行された部分がこの溶液中で８分間浸漬された。このＡＢＳの部分はそれから０．２Ｍの水酸化ナトリウム水溶液中で洗浄された。
【０２０２】
Ｉ．３  銅イオンの還元処理
水酸化ホウ素ナトリウムＮａＢＨ４（０．３１６ｇ、０．８×１０−２ｍｏｌ）が２５ｍｌの０．１Ｍ水酸化ナトリウム溶液に溶解された。この溶液は水槽を用いて８０℃まで加熱されてそのサンプルはその中に浸漬された。１２分後、そのサンプルは乾燥される前にＭｉｌｌｉＱ水を用いて洗浄された。
【０２０３】
Ｉ．４  無電解銅槽（ＭａｃＤｅｒｍｉｄ  Ｍ  Ｃｏｐｐｅｒ（登録商標）溶液）
ＭＣｏｐｐｅｒ（登録商標）８５Ｂ溶液１００ｍｌを含有する溶液が準備された。次に、Ｍｃｏｐｐｅｒ（登録商標）８５Ａ溶液４０ｍｌ、それから、Ｍｃｏｐｐｅｒ（登録商標）８５Ｄ溶液３０ｍｌ、Ｍｃｏｐｐｅｒ（登録商標）８５Ｇ溶液４０ｍｌ、最後に、３７％のホルムアルデヒド５ｍｌが加えられた。溶液の水位を溶液１ｌに到達させた。槽は機械的攪拌によって６０℃まで加熱された。ＡＢＳシートがそれから導入された。
【０２０４】
その部分は、３分間の浸漬の後、化学銅金属フィルによって覆われた。
【０２０５】
その銅層は裸眼で視認された。
【０２０６】
Ｉ．５  無電解槽
別の実施形態では、無電解槽は、ＰｅｇＣｏｐｐｅｒ１００溶液４０ｍｌ、ＰｅｇＣｏｐｐｅｒ２００溶液１００ｍｌ、３０ｍｌのＰｅｇＣｏｐｐｅｒ４００、及び２ｍｌのＰｅｇＣｏｐｐｅｒ５００（ぺガステックによって供給される製品である）を含有する準備された溶液である。次に、３．５ｍｌのＰｅｇＣｏｐｐｅｒが加えられた。１ｌ得るために水位一杯まで水を満たし、その混合物は５０℃まで加熱された。処理されるその部分がそれから導入された。
【０２０７】
その部分は、３分間の浸漬の後、化学銅金属フィルによって覆われた。
【０２０８】
その銅層は裸眼で視認された。
【０２０９】
実施例２
ＩＩ．  銅層を用いたポリアミド基板の被覆
被覆処理がＭｉｎｉｏｎ（登録商標）ポリアミドからなる基板を用いて実行された。
【０２１０】
ＩＩ．１  塩酸及びイソプロパノールを用いた化学的酸化処理
ポリアミド基板が１３０ｍｌの水、２８ｍｌの塩酸（３７Ｍ）及び５５ｍｌのイソプロパノールを含有する水溶液中に、２８℃で１７分間浸漬された。この基板はそれから水で洗浄された。
【０２１１】
ＩＩ．２  銅イオンのキレート化及び／又は錯体化
実施例１のステップＩ．２のそれと類似する方法によると、銅イオンは基板の表面にキレートされた。
【０２１２】
ＩＩ．３  銅イオンの還元処理
Ｉ．３で上述した動作方法によると、キレートされた銅は基板の表面で還元された。
【０２１３】
ＩＩ．４  無電解銅槽
実施例１で上述されたステップＩ．４又はＩ．５のそれに類似する方法によると、ポリアミド基板は化学的銅金属フィルムによって被覆された。
【０２１４】
その銅層は裸眼で視認された。
【０２１５】
実施例３
ＩＩＩ  銅槽を用いたポリカーボネート基板の被覆
被覆方法がＬｅｘａｎ（登録商標）ポリカーボネート基板を用いて実施された。
【０２１６】
ＩＩＩ．１  強酸を用いた化学的酸化処理
ポリカーボネート基板は、強酸混合物（３４％の硝酸と６６％の硫酸）を含有する溶液中に２５℃で５分間浸漬され、それから、濃縮された硫酸層に２５℃で３分間浸漬された。全体のアセンブリは、５Ｎの水酸化カリウム溶液に６５℃で５分間中和された。ポリカーボネート基板はそれから水を用いて洗浄された。
【０２１７】
ＩＩＩ．２  銅イオンのキレート化及び／又は錯体化
実施例１で上述したステップＩ．２のそれに類似する方法によると、銅イオンは基板の表面にキレートされた。
【０２１８】
ＩＩＩ．３  銅イオンの還元処理
Ｉ．３で上述した動作方法によると、キレートされた銅は基板の表面で還元された。
【０２１９】
ＩＩＩ．４  無電解銅槽
実施例１で上述したステップＩ．４又はＩ．５におけるそれと類似する方法によると、ポリカーボネート基板は化学的銅金属フィルムによって被覆された。
【０２２０】
その銅層は裸眼で視認された。
【０２２１】
実施例４
ＮＦ  ＩＳＯ  ２４０９／ＮＦ  Ｔ３０−０３８標準による接着テスト及びＤＩＮ  ＩＳＯ  ９２２７標準による腐食テストが、実施例１から３で得られた基板の上で実施された。その性能はこれらのテストの要件を用いて編集されて、先行技術の方法によって得られた基板を用いて実現された性能に匹敵した。