(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
汚染物を含有する薬液を筺体内へ噴霧する工程と、
前記噴霧により前記薬液が充満した筺体内へ半導体基板を搬入する工程と、
前記薬液が充満した筺体内へ前記半導体基板を所定時間放置する工程と、
前記所定時間経過後に、前記半導体基板を前記筺体内から搬出する工程と、
前記汚染物を含有する薬液を筺体内へ噴霧する工程と前記噴霧により前記薬液が充満した筺体内へ半導体基板を搬入する工程との間に、前記薬液の噴霧を停止する工程と、
を有することを特徴とする試料汚染方法。
【請求項２】
汚染物を含有する薬液を筺体内へ噴霧する工程と、
前記噴霧により前記薬液が充満した筺体内へ半導体基板を搬入する工程と、
前記薬液が充満した筺体内へ前記半導体基板を所定時間放置する工程と、
前記所定時間経過後に、前記半導体基板を前記筺体内から搬出する工程と、
前記汚染物を含有する薬液を筺体内へ噴霧する工程の前に、
前記半導体基板を前記筺体内へ搬入し、前記筺体内へフッ化水素（ＨＦ）蒸気を導入して前記半導体基板上に形成されている酸化膜を除去して、前記半導体基板表面を親水性から疎水性に変化させる工程と、
を有することを特徴とする試料汚染方法。
【請求項３】
汚染物を含有する薬液を筺体内へ噴霧する工程と、
前記噴霧により前記薬液が充満した筺体内へ半導体基板を搬入する工程と、
前記薬液が充満した筺体内へ前記半導体基板を所定時間放置する工程と、
前記所定時間経過後に、前記半導体基板を前記筺体内から搬出する工程と、
前記薬液が充満した筺体内へ前記半導体基板を搬入する際に、前記薬液を筺体内へ所定時間噴霧する工程と、
を有することを特徴とする試料汚染方法。
【請求項４】
前記筺体内の天井面は、水平面から所定の角度傾斜していることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の試料汚染方法。
【請求項５】
前記筺体内へ噴霧される薬液は、スプレイチャンバにより粒径が所定値以上の液滴が除去されていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の試料汚染方法。
【請求項６】
前記噴霧により前記薬液が充満した筺体内へ半導体基板を搬入する工程において、前記噴霧の後、所定時間経過後に前記筐体内へ前記半導体基板を搬入することを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載の試料汚染方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明に関する実施形態は、汚染物による半導体デバイスへの影響を評価するための試料汚染方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
汚染物（例えば、金属や有機物）は、半導体デバイスの特性（特に電気特性）に悪影響を及ぼす。半導体デバイスの製造工程では、種々の材料および装置が使用されるため、これら材料による半導体デバイスの汚染や装置間での相互汚染（クロスコンタミネーション）が問題となる。このため、半導体デバイスの評価試験では、半導体デバイスを任意の濃度で汚染し、半導体デバイスの特性がどのように変化するかを評価することが不可欠である。例えば、半導体デバイスを任意の濃度で汚染させる方法として、半導体デバイスが形成された基板を回転させながら半導体デバイス上へ任意の濃度の薬液を噴霧口から噴霧する方法が提案されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−３５０３０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
汚染物による半導体デバイスへの影響を確認するためには、半導体デバイスが形成されている半導体基板（以下、基板と称する）を均一の濃度で汚染する必要がある。しかしながら、薬液を半導体デバイス上へ噴霧する方法では、噴霧口から噴霧される薬液の液滴の大きさを均一にそろえることが困難であり、この大きさの異なる液滴が半導体デバイス上に直接付着するため、基板全体の汚染濃度を均一にすることが難しいという問題がある。また、噴霧口の取付位置や角度により基板上の薬液の分布が変化するため、噴霧口の取付位置や角度にも注意を払う必要がある。
【０００５】
本発明の実施形態は、かかる従来の問題を解消するためになされたもので、基板上の半導体デバイスを均一に汚染した試料を作成できる試料汚染方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の実施形態に係る試料汚染方法は、汚染物を含有する薬液を筺体内へ噴霧する工程と、噴霧により薬液が充満した筺体内へ半導体基板を搬入する工程と、薬液が充満した筺体内へ半導体基板を所定時間放置する工程と、所定時間経過後に、半導体基板を筺体内から搬出する工程と、汚染物を含有する薬液を筺体内へ噴霧する工程と噴霧により薬液が充満した筺体内へ半導体基板を搬入する工程との間に、薬液の噴霧を停止する工程と、を有する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】実施形態に係る試料汚染装置の構成断面図である。
【図２】基板収容器の上面図である。
【図３】噴霧容器の天井の構成図である。
【図４】スプレイチャンバの構成図である。
【図５】実施例及び比較例の評価結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態を詳細に説明する。
（実施形態）
図１は、実施形態に係る試料汚染装置１の構成断面図である。図１に示すように、試料汚染装置１は、基板収容器１０、噴霧容器（筺体）２０、噴霧器３０、スプレイチャンバ４０を備える。なお、本実施形態では、基板Ｗの裏面ＷＲに汚染物を含んだ薬液を付着させる場合について説明するが、薬液による汚染は、裏面ＷＲに限定されるものではなく、半導体デバイスが形成された表面ＷＨを汚染するようにしてもよい。なお、この実施形態に係る試料汚染装置１によれば、表面状態（膜種、形状、パターンの有無）によらず被汚染物である基板Ｗを汚染することができる。
【０００９】
（基板収容器１０）
基板収容器１０は、汚染対象物である半導体基板Ｗ（以下、基板Ｗと称する）を収容する本体１０Ａと、本体１０Ａに基板Ｗの周辺部をカバーするカバーリング１０Ｂとを備える。図２は、基板収容器１０の上面図である。なお、図２では、カバーリング１０Ｂを取り外した状態を図示している。
【００１０】
本体１０Ａには、基板Ｗを載置する基板載置面１０ａと、カバーリング１０Ｂを載置するカバーリング載置面１０ｂと、基板を取り扱う際に使用するピンセット等の器具を逃すための切り欠き部１０ｃと、ノッチの位置を示すマーク１０ｄが形成されている。基板Ｗは、本体１０Ａの基板載置面１０ａに載置されることで本体１０Ａに収容される。なお、本実施形態では、基板Ｗは、裏面ＷＲを上側にして本体１０Ａの基板載置面１０ａに載置される。
【００１１】
カバーリング１０Ｂは、基板Ｗの裏面を研削する際に基板Ｗの外周部に取り付けられる金属製リングへの汚染を防止するためのものであり、カバーリング１０Ｂは、該金属製リングが隠れる程度の大きさとなっている（本実施形態では、基板Ｗの裏面は研削していないものとしているため、金属製リングの図示を省略している）。このカバーリング１０Ｂにより、金属製リングに液滴が付着することを防止できる。カバーリング１０Ｂは、本体１０Ａから取り外し可能であり、必要のない場合（金属製リングを使用しない場合）には、取り外される。なお、金属製リングの代わりに、樹脂製リングを用いてもよい。
【００１２】
（噴霧容器２０）
噴霧容器２０は、後述する噴霧器３０から噴霧される汚染物（例えば、金属や有機物）を含有する薬液を充満させるために密閉可能な構造となっている。また、噴霧容器２０は、後述するＨＦ（フッ化水素）および噴霧する薬液中に含有される酸やアルカリによる腐食を防止するため、これら薬品に対する耐食性を有する材料（例えば、ポリエチレン）で構成される。
【００１３】
さらに、噴霧容器２０には、開閉可能な蓋（ドア）２０Ｂが設けられており、この蓋２０Ｂを開けて基板Ｗが収容された基板収容器１０を噴霧容器２０内に搬入出する。また、基板収容器１０の搬入出時以外は、噴霧容器２０の密閉性を保つため蓋２０Ｂは閉められる。なお、蓋２０Ｂを開閉する際は、ハンドルＨを使用する。
【００１４】
噴霧容器２０には、導入管２０ａ，２０ｂ，２０ｃ、排気管２０ｄ、開放管２０ｅが設けられている。導入管２０ａは、バルブＶ１を備え、このバルブＶ１をオープン（開）することで後述する噴霧器３０から噴霧される汚染物を含有する薬液を噴霧容器２０内へ導入する。なお、通常の方法では、導入管２０ａの位置は、噴霧容器２０の上部に設けることが多いが、この実施形態では、薬液を充満させた状態で基板Ｗを噴霧容器２０内へ搬入するため、導入管２０ａの位置は、特に限定されない点が利点となる。
【００１５】
導入管２０ｂは、バルブＶ２を備え、このバルブＶ２をオープン（開）することでパージ用の窒素ガス（Ｎ２）やクリーンドライエア（ＣＤＡ）が噴霧容器２０内に導入される。導入管２０ｃは、バルブＶ３を備え、このバルブＶ３をオープン（開）することで、ＨＦ（フッ化水素）の蒸気が噴霧容器２０内に導入される。
【００１６】
基板Ｗの裏面ＷＲをＨＦに暴露することで、基板Ｗの裏面ＷＲに形成された二酸化シリコン（ＳｉＯ２）を除去し、基板Ｗの裏面ＷＲを親水性から疎水性へ変化させることができる。なお、導入されたＨＦ蒸気は基板Ｗの表面ＷＨにはほとんど回りこまないうえ、基板Ｗの表面ＷＨに形成された半導体デバイスは、通常、シリコン窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４膜）、ポリイミド膜やＢＰＳＧ（Boro-Phospho-Silicate-Glass）膜等のパッシベーション膜（保護膜）によって保護されているためＨＦによる影響はほとんどない。
【００１７】
排気管２０ｄは、図示しないポンプへ接続されている。排気管２０ｄは、バルブＶ４を備え、このバルブＶ４をオープン（開）することで噴霧容器２０内に導入された汚染物を含有する薬液やＨＦが噴霧容器２０外へ排気される。開放管２０ｅは、バルブＶ５を備え、このバルブＶ５を開くことで噴霧容器２０内が大気に解放される。
【００１８】
基板Ｗの裏面ＷＲのシリコン酸化膜を除去することにより、親水性から疎水性へ変化させることで基板Ｗの裏面ＷＲ上に付着した液滴が凝集することを防止し、より細かい液滴を基板Ｗの裏面ＷＲ上に付着することができる。このため、基板Ｗ上に略同じ径の液滴が一様に分布することとなり、基板Ｗの裏面ＷＲ上の汚染物の濃度が均一となる。なお、基板Ｗの裏面ＷＲが親水性、つまり裏面ＷＲにシリコン酸化膜が存在する場合、隣接する液滴が凝集して大きな液滴となり、基板Ｗの裏面ＷＲが疎水性、つまり裏面ＷＲのシリコン酸化膜を除去してシリコン（Ｓｉ）面を露出している場合、液滴同士が凝集することなく基板Ｗの裏面ＷＲ上に均一に付着することが発明者により確認されている。
【００１９】
また、天井２０Ａは、水平面から所定の角度傾いて取り付けられている。天井２０Ａに傾斜を持たせることにより、天井２０Ａに付着した液滴が凝集して大きな液滴となっても、液滴がこの傾斜に沿って噴霧容器２０内の壁面まで流れるため、大きくなった液滴が基板Ｗ上へ落下することを防止できる。なお、噴霧容器２０の天井２０Ａには、該天井２０Ａに付着した液滴が凝集して、基板Ｗ上へ落下することを防止する表面処理（例えば、結露を防止する処理や吸水性を高める処理）を施すことが好ましい。
【００２０】
図３は、噴霧容器２０の天井２０Ａの構成図である。図３（ａ）は、天井２０Ａの上面図である。図３（ｂ）は、図３（ａ）の線分Ａ−Ａでの断面構造図である。
天井２０Ａは、図３に示すように、波板２枚で形成され、かつ、波板の波が形成された方向（図３の矢印Ｂの方向）と天井２０Ａの傾斜方向とが直交するように配置されている。このように構成することで液滴の基板Ｗ上への落下をより効果的に防止できる。また、天井２０Ａは、取り外し可能となっているため、メンテナンス性（例えば、噴霧容器２０内の清掃）が向上する。
【００２１】
噴霧器３０は、汚染物を含有する薬液を微小な液滴にして噴霧するネブライザーである。該実施形態では、液送管の先端から押し出される薬液に窒素ガス（Ｎ２）等を高速で吹き付けて微小な液滴とするガラス同軸ネブライザー（例えば、ＭＥＩＮＨＡＲＤ社製：同軸型ネブライザー）や超音波により薬液を微小な液滴とする超音波ネブライザー（例えば、エポリード社製：超音波ネブライザー）を用いることが好ましい。加熱により薬液を微小な液滴とする加熱式ネブライザーを用いた場合、蒸気圧の違いから薬液中の汚染物の濃度と、加熱により液滴となった薬液中の汚染物の濃度とが異なる値となるためである。
【００２２】
スプレイチャンバ４０は、噴霧容器２０と噴霧器３０との間に介在し、噴霧器３０から輸送される液滴のうち粒径が所定値未満のものを通し、粒径が所定値以上のものを除去する。噴霧器３０から輸送される液滴をスプレイチャンバ４０に通すことにより、噴霧容器２０内へ導入される薬液の粒径を揃えることができるので基板Ｗの裏面ＷＲ上に付着する薬液の粒径の均一性を向上することができる。このため、基板Ｗの裏面ＷＲ上の汚染物の濃度を効果的に均一化できる。
【００２３】
図４は、スプレイチャンバ４０の構成図である。スプレイチャンバ４０は、噴霧器３０からの薬液の液滴を導入する導入管４０ａと、導入管４０ａにより導入された液滴のうち、粒径が所定値以上（例えば、４０μｍ）のものと粒径が所定値未満のものとを分離する本体部４０ｂと、本体部により分離された粒径が所定値未満の液滴を噴霧容器へ排出する排出管４０ｃと、粒径が所定値以上の液滴を排出するドレイン管４０ｄとを備える。
【００２４】
次に、スプレイチャンバ４０の動作原理を説明する。
導入管４０ａの一端より導入された液滴は、導入管４０ａ内を進み、導入管４０ａの他端に達するが（図４の矢印Ａ１参照）、この際、粒径が所定値以上の液滴は、質量が大きいために空気抵抗による影響が小さい。このため、粒径が所定値以上の液滴は、本体部４０の内壁に衝突し（図４の矢印Ａ２参照）、一定以上の大きさに凝集した後、本体部４０ｂの内壁を伝ってドレイン管４０ｄより本体部４０ｂから排出される（図４の矢印Ａ３参照）。
【００２５】
一方、粒径が所定値未満の液滴は、質量が小さいために空気抵抗による影響が大きい。このため、本体部４０の内壁に衝突することなく排出管４０ｃへ誘導され（図４の矢印Ａ４参照）、排出管４０ｃから排出される（図４の矢印Ａ５参照）。排出された薬液の液滴は、噴霧容器２０内へ導入される。導入管４０ａへの液滴の導入速度を調整することにより、所望の粒径の液滴を除去することができる。
【００２６】
（操作方法：通常時）
初めに、通常時における試料汚染装置１の操作について説明する。なお、操作開始時には、全てのバルブＶ１〜Ｖ５が閉まっているものとして説明する。
【００２７】
汚染対象である基板Ｗは、噴霧容器２０内へ導入される前に裏面ＷＲを上側にして本体１０Ａの基板載置面１０ａ上に載置される。また、基板Ｗの裏面を研削されており、基板Ｗの外周部に金属製リングが取り付けられている場合には、カバーリング１０Ｂをカバーリング載置面１０ｂへ載置する。次に、所定の濃度に調整された汚染物を含有する薬液を噴霧器３０にセットし、噴霧器３０を起動する。また、導入管２０ａのバルブＶ１および開放管２０ｅのバルブＶ５を開いておく。
【００２８】
噴霧器３０が起動されると薬液の微小な液滴（直径３０μｍ程度）が生成され、スプレイチャンバ４０へ導入される。スプレイチャンバ４０では、噴霧器３０から輸送される液滴のうち粒径が所定値未満のものを通し、粒径が所定値以上のものが除去される。粒径が所定値以上のものが除去された薬液は、導入管２０ａを介して噴霧容器２０内へ導入される。
【００２９】
噴霧器３０を起動してから所定時間（通常、１分程度）が経過すると、噴霧容器２０内は、薬液の微小な液滴で満たされる。噴霧容器２０内は、薬液の液滴で満たされたかどうかは、開放管２０ｅから薬液の液滴が出てくることで確認できる。噴霧容器２０内が薬液の微小な液滴で満たされたら、バルブＶ１を閉じ、噴霧器３０を停止する。なお、噴霧器３０を起動して噴霧容器２０内が薬液の微小な液滴で満たされる間に、基板Ｗを本体１０Ａの基板載置面１０ａ上に載置してもよい。
【００３０】
噴霧容器２０内が薬液の微小な液滴で満たされた後、噴霧容器２０内の比較的大きな液滴が落下するまで、所定時間（通常、３０秒程度）静置する。そして、噴霧容器２０の蓋２０Ｂを開き、基板Ｗが収容された基板収容器１０を、静かに噴霧容器２０へ搬入する。基板収容器１０が噴霧容器２０へ搬入された後、噴霧容器２０の蓋２０Ｂを閉める。基板収容器１０を噴霧容器２０へ搬入する際に噴霧容器２０内の液滴分布が安定しない場合は、バルブＶ１を開けて、一定時間（通常、５秒程度）噴霧器３０を起動することで、噴霧容器２０内の液滴分布を改善できる。
【００３１】
所定時間（通常、１分程度）経過後、噴霧容器２０の蓋２０Ｂを開けて、基板Ｗが収容された基板収容器１０を噴霧容器２０内から取り出す。基板Ｗを基板収容器１０から取り出し、必要な試験を行う。
【００３２】
（操作方法：ＨＦ使用時）
次に、ＨＦを使用する場合の試料汚染装置１の操作について説明する。なお、操作開示時には、全てのバルブＶ１〜Ｖ５が閉まっているものとして説明する。
【００３３】
汚染対象である基板Ｗを、裏面ＷＲを上側にして本体１０Ａの基板載置面１０ａ上に載置する。噴霧容器２０の蓋２０Ｂを開き、基板Ｗが収容された基板収容器１０を噴霧容器２０へ搬入する。基板収容器１０が噴霧容器２０へ搬入された後、噴霧容器２０の蓋２０Ｂを閉める。この際、蓋２０Ｂはしっかりと閉めて、噴霧容器２０の密閉性を確保しておく。
【００３４】
次に、導入管２０ｃのバルブＶ３を開き、噴霧容器２０内へＨＦ蒸気を導入する。噴霧容器２０内へＨＦ蒸気を導入後、基板Ｗの裏面ＷＲ上に形成された酸化膜が除去されるまで放置する。なお、噴霧容器２０内へＨＦ蒸気を導入した後は、導入化２０ｃのバルブＶ３は閉じておく。
【００３５】
次に、排気管２０ｅのバルブＶ４を開いて、噴霧容器２０内のＨＦ蒸気およびＨＦ蒸気とシリコンフッ化物との生成物を排気するとともに、導入管２０ｂのバルブＶ２を開いて噴霧容器２０内へ窒素ガスを導入する。噴霧容器２０内が窒素ガスで置換された後、排気管２０ｅのバルブＶ４および導入管２０ｂのバルブＶ２を閉じる。
【００３６】
噴霧容器２０の蓋２０Ｂを開いて、基板Ｗが収容された基板収容器１０を、一旦噴霧容器２０外へ搬出する。なお、この後の操作手順は、通常時における試料汚染装置１の操作と同じであるので重複した説明を省略する。
【００３７】
以上のように、実施形態に係る試料汚染装置１は、噴霧容器２０内へ汚染物を含有する薬液を噴霧する噴霧器３０を備え、噴霧容器２０内に薬液が充満した状態で、基板Ｗを収容した基板収容器１０を噴霧容器２０内に搬入するようにしたので、短時間で均一性良く汚染対象物である基板Ｗを汚染することができる。
【００３８】
また、噴霧器３０から噴霧された薬液のうち粒径が所定値以上のものを除去するスプレイチャンバ４０を備えるので、噴霧容器２０内へ導入される薬液の液滴の粒径を揃えることができ、汚染対象物である基板Ｗの汚染をより均一化することができる。さらに、基板Ｗを回転させる必要がないので、研削後の薄い基板Ｗを汚染することも可能である。また、薬液を噴霧する噴霧口の取付位置や角度等を調整する必要がないためユーザの利便性が向上する。
【００３９】
さらに、噴霧容器２０内が薬液の微小な液滴で満たされた後は、バルブＶ１を閉じるので、基板Ｗが収容された基板収容器１０を噴霧容器２０内へ導入した際に、粒径の大きな液滴が基板Ｗの裏面ＷＲ上に落ちてくる虞はほとんどない。また、噴霧器３０も停止させているので薬液を無駄に使用することがない。
【実施例】
【００４０】
次に、実施形態に係る試料汚染装置１を使用して作成した試料（実施例）と従来技術により作成した試料（比較例）の評価結果について記載する。
【００４１】
（実施例）
実施例の汚染試料は、図１で説明した試料汚染装置１の噴霧容器２０内に銅（Ｃｕ）を溶解した希硝酸を噴霧器３０（ＭＥＩＮＨＡＲＤ社製：同軸型ネブライザー）により噴霧して一定時間放置した後、直径３００ｍｍの基板Ｗ（Ｂａｒｅ-Ｓｉ基板）を載置した基板収容器１０を噴霧容器２０内に収容し一分間放置して作成した。なお、噴霧した希硝酸の粒子径は、約３０μｍである。また、この実施例では、スプレイチャンバ４０は使用しなかった。
【００４２】
（比較例）
比較例に汚染試料は、直径３００ｍｍの基板Ｗ（Ｂａｒｅ-Ｓｉ基板）上にスプレーを使用して銅（Ｃｕ）を溶解した希硝酸を吹きかけて作成した。なお、希硝酸中の銅の溶解濃度は、実施例と同じである。
【００４３】
図５は、実施例および比較例の測定結果（Ｃｕの濃度分布）を示す図である。図５（ａ）は、実施例の評価結果を示す図である。図５（ｂ）は、比較例の評価結果を示す図である。汚染した試料の測定には、全反射蛍光Ｘ線分析装置（リガク社製：ＴＸＲＦ−Ｖ３００）を使用した。なお、図５（ｂ）の試料（ウェハＷ）上の無地（白抜き）の領域は、Ｃｕ濃度が検出限界（１．３×１０１１ａｔｏｍｓ／ｃｍ２）以下である領域を示している。
【００４４】
図５に示されるように、実施例（図５（ａ）参照）の試料では、基板Ｗに付着したＣｕの濃度分布が２×１０１１（ａｔｏｍｓ/ｃｍ２）〜８×１０１１（ａｔｏｍｓ/ｃｍ２）の範囲内となっている。これに対して、比較例の試料（図５（ｂ）参照）では、基板Ｗに付着したＣｕの濃度分布が１×１０１１（ａｔｏｍｓ/ｃｍ２）〜４×１０１２（ａｔｏｍｓ/ｃｍ２）の範囲内となっている。このことから、実施例の試料は、比較例の試料に比べ明らかに均一性に優れていることがわかる。以上のことから、実施形態に係る試料汚染装置１を使用すれば、均一性良く汚染された試料を作成できることがわかる。
【００４５】
次に、試料（基板Ｗ）へのＣｕの付着量（汚染濃度）と暴露時間との関係について説明する。表１は、試料（基板Ｗ）へのＣｕの付着量（汚染濃度）と暴露時間との関係を示す図である。なお、表１の各試料は、図１で説明した試料汚染装置１の噴霧容器２０内に銅（Ｃｕ）を溶解した希硝酸を噴霧器３０（ＭＥＩＮＨＡＲＤ社製：同軸型ネブライザー）により充満させた後、直径３００ｍｍの基板Ｗを載置した基板収容器１０を噴霧容器２０内に収容し、試料毎に所定時間（１分、２分３０秒、５分、１０分）放置して作成した。なお、スプレイチャンバ４０は使用しなかった。
【００４６】
【表１】
0005921093.tif 000002
【００４７】
表１の結果からは、暴露時間を１分〜１０分の間で変更しても、各試料Ａ〜ＤのＣｕ汚染量にはほとんど変化がないことがわかる。一方、各試料Ａ〜Ｄの面内均一性を表す面内標準偏差については、暴露時間が長くなるほど悪化しており、暴露時間が１０分では３０％を超えている。このことから、実施形態に係る試料汚染装置１を使用して汚染試料を作成する場合、暴露時間は１分〜５分の範囲内がよいことがわかる。
【００４８】
（その他の実施形態）
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。例えば、基板Ｗの裏面ＷＲだけでなく半導体デバイスが形成された表面ＷＨを汚染するようにしてもよい。また、上記実施形態は、例示であり、発明の範囲はそれらに限定されない。
【符号の説明】
【００４９】
１…試料汚染装置、１０…基板収容器、１０Ａ…本体、１０Ｂ…カバーリング、２０…噴霧容器（筺体）、２０Ａ…天井、２０Ｂ…蓋（ドア）、３０…噴霧器、４０…スプレイチャンバ。
【図１】
0005921093.tif 000003
【図２】
0005921093.tif 000004
【図３】
0005921093.tif 000005
【図４】
0005921093.tif 000006
【図５】
0005921093.tif 000007