(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層体を得るために積層される複数の絶縁層、
前記絶縁層間に形成されて前記積層体の側面に引き出される少なくとも第１の内部導体および第２の内部導体を含む複数の内部導体、および
前記積層体の側面に形成され、少なくとも前記第１の内部導体に接続される第１の外部電極および前記第２の内部導体に接続される第２の外部電極を含む複数の外部電極を含み、
前記外部電極のそれぞれは前記積層体の２つの側面に跨ることなく１つの側面に形成され、
前記第１の外部電極および前記第２の外部電極は、前記積層体の少なくとも一方の側面において、前記絶縁層の積層方向に延びる前記積層体の側面の中心線に対して線対称とならないように配置された、電子部品。
【請求項２】
前記第１の内部導体と前記第２の内部導体とは異なる前記絶縁層間に形成され、前記絶縁層の積層方向において、前記第１の外部電極と前記第２の外部電極とが異なる長さを有する、請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記絶縁層の積層方向と交差する向きにおいて、前記第１の外部電極と前記第２の外部電極とが異なる長さを有する、請求項１または請求項２に記載の電子部品。
【請求項４】
前記第１の内部導体がグランド電極であり、前記第２の内部導体がグランド電極以外の電極であって、前記絶縁層の積層方向と交差する向きにおいて、前記第１の外部電極の長さが前記第２の外部電極の長さより大きい、請求項３に記載の電子部品。
【請求項５】
積層体を得るために積層される複数の絶縁層、
前記絶縁層間に形成されて前記積層体の側面に引き出される少なくとも第１の内部導体および第２の内部導体を含む複数の内部導体、および
前記積層体の側面に形成され、少なくとも前記第１の内部導体に接続される第１の外部電極および前記第２の内部導体に接続される第２の外部電極を含む複数の外部電極を含み、
前記外部電極のそれぞれは前記積層体の２つの側面に跨ることなく１つの側面に形成され、
少なくとも前記第１の外部電極および前記第２の外部電極は、前記積層体の一方の主面に達するが他方の主面に達しないように形成され、
前記第１の外部電極および前記第２の外部電極は、前記積層体の少なくとも一方の側面において、前記絶縁層の積層方向に延びる前記積層体の側面の中心線に対して線対称とならないように配置された、電子部品。
【請求項６】
全ての前記外部電極が、前記積層体の一方の主面に達するが他方の主面に達しないように形成される、請求項５に記載の電子部品。
【請求項７】
前記絶縁層を貫通するようにして前記第１の内部導体または前記第２の内部導体に接続されるビアホール導体が形成され、前記第１の内部導体または前記第２の内部導体と前記ビアホール導体とでインダクタが形成される、請求項５または請求項６に記載の電子部品。
【請求項８】
前記外部電極は導体膜である、請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の電子部品。
【請求項９】
前記外部電極の少なくとも一部分が絶縁物で被覆されている、請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、電子部品に関し、特にたとえば、積層体を構成する絶縁層間に形成される内部導体と、積層体の側面に形成される外部電極とを有する電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
積層構造を有する電子部品の例として、たとえばチップ型ＣＲ複合アレイなどがある。図１７は従来のチップ型ＣＲ複合アレイの一例を示す斜視図であり、図１８はチップ型ＣＲ複合アレイに用いられる素体の分解斜視図である。チップ型ＣＲ複合アレイ１は、積層構造を有する素体２を含む。素体２は、複数の絶縁層３を積層することにより形成される。積層された絶縁層３の中間部において、１つの絶縁層３を挟むようにして、内部接地電極４と４つの抵抗帯５とが形成される。内部接地電極４は、絶縁層３のほぼ全面に形成され、素体２の対向する端面に引き出されている。また、４つの抵抗帯５は、素体３の対向する側面間を結ぶようにして、互いに平行に延びるように形成される。【０００３】
素体２の対向する端面には、内部接地電極４に接続されるように、外部接地電極６が形成される。また、素体２の対向する側面には、抵抗帯５に接続されるように、外部端子電極７が形成される。外部接地電極６は、素体２の端面からその両側の２つの主面に回り込むように形成される。同様に、外部端子電極７は、素体２の側面からその両側の２つの主面に回り込むように形成される。外部接地電極６と外部端子電極７とはほぼ同じ大きさに形成され、素体２の１つの側面において４つの外部端子電極７が等間隔で形成される。【０００４】
このチップ型ＣＲ複合アレイ１では、図１９に示すように、抵抗帯５によって、素体２の対向する側面に形成された外部端子電極７間に抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４が形成される。また、抵抗帯５と内部接地電極４との間に、静電容量Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４が形成される。それにより、チップ型ＣＲ複合アレイ１内に、４つのＣＲ素子が形成される（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−６７５０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
チップ型ＣＲ複合アレイの場合、内部電極の引き出し部が同一層に形成されている。また、アレイには同一の素子を形成する場合が多い。そのため、特許文献１のようなアレイの場合、外部端子電極を同じ形状としても特に特性に影響を与えるという問題はない。しかしながら、たとえばＬＣ複合部品のように、各外部電極に接続される素子が異なる場合、素体の一方主面から他方主面にかけて同じ形状の外部電極を形成すると、内部導体と外部電極との間の浮遊容量の影響、外部電極における寄生インダクタンスの影響、内部導体で発生した磁界を外部電極が遮ることによる渦電流損、外部電極間の干渉、インピーダンスの設計自由度低下などの問題が発生する。【０００７】
それゆえに、この発明の主たる目的は、外部電極が素子の特性に与える影響を小さくすることができ、インピーダンスの設計自由度の高い電子部品を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明は、積層体を得るために積層される複数の絶縁層と、絶縁層間に形成されて積層体の側面に引き出される少なくとも第１の内部導体および第２の内部導体を含む複数の内部導体と、積層体の側面に形成され、少なくとも第１の内部導体に接続される第１の外部電極および第２の内部導体に接続される第２の外部電極を含む複数の外部電極とを含み、外部電極のそれぞれは積層体の２つの側面に跨ることなく１つの側面に形成され、第１の外部電極および第２の外部電極は、積層体の少なくとも一方の側面において、絶縁層の積層方向に延びる前記積層体の側面の中心線に対して線対称とならないように配置された、電子部品である。
外部電極のそれぞれは積層体の２つの側面に跨ることなく１つの側面に形成され、かつ第１の内部導体に接続された第１の外部電極と第２の内部導体に接続された第２の外部電極とが異なる形状となるように形成されている。そのため、内部電極が引き出されていない部分には外部電極を形成しなくてもよく、必要な部分にのみ外部電極を形成することができる。したがって、外部電極の形成範囲を最小限に抑えることができ、内部導体と外部電極との間の浮遊容量を抑制し、外部電極に生じる寄生インダクタンスを抑制することができる。また、内部導体で発生した磁界が外部電極で遮られることを抑制することができ、外部電極に発生する渦電流損を小さくすることができる。
【０００９】
このような電子部品において、第１の内部導体と第２の内部導体とは異なる絶縁層間に形成され、絶縁層の積層方向において、第１の外部電極と第２の外部電極とが異なる長さを有するように形成することができる。
第１の内部導体と第２の内部導体とを異なる絶縁層間に形成することにより、絶縁層の積層方向における第１の内部導体および第２の内部導体が異なる位置に引き出される。この場合、絶縁層の積層方向において、第１の外部電極と第２の外部電極の長さを異なるようにして、必要最小限の範囲に第１の外部電極および第２の外部電極を形成し、第１の内部導体および第２の内部導体を第１の外部電極および第２の外部電極に接続することができる。【００１０】
また、絶縁層の積層方向と交差する向きにおいて、第１の外部電極と第２の外部電極とが異なる長さを有するようにしてもよい。
絶縁層の積層方向と交差する向きにおける第１の外部電極と第２の外部電極の長さ、つまり第１の外部電極および第２の外部電極の幅を異なるようにして、素子のインピーダンスを調整することができる。【００１１】
さらに、第１の内部導体がグランド電極であり、第２の内部導体がグランド電極以外の電極であって、絶縁層の積層方向と交差する向きにおいて、第１の外部電極の長さが第２の外部電極の長さより大きくなるようにしてもよい。
絶縁層の積層方向と交差する向きにおいて、グランド電極となる第１の内部導体に接続される第１の外部電極の長さを大きくすることにより、その両側に形成された外部電極の間のアイソレーション特性を良好にすることができる。【００１２】
また、この発明は、積層体を得るために積層される複数の絶縁層と、絶縁層間に形成されて積層体の側面に引き出される少なくとも第１の内部導体および第２の内部導体を含む複数の内部導体と、積層体の側面に形成され、少なくとも第１の内部導体に接続される第１の外部電極および第２の内部導体に接続される第２の外部電極を含む複数の外部電極とを含み、外部電極のそれぞれは積層体の２つの側面に跨ることなく１つの側面に形成され、少なくとも第１の外部電極および第２の外部電極は、積層体の一方の主面に達するが他方の主面に達しないように形成され、第１の外部電極および第２の外部電極は、積層体の少なくとも一方の側面において、絶縁層の積層方向に延びる積層体の側面の中心線に対して線対称とならないように配置された、電子部品である。
外部電極のそれぞれが積層体の２つの側面に跨ることなく１つの側面に形成され、第１の外部電極および第２の外部電極が積層体の一方の主面に達するが他方の主面に達しないように形成されることにより、絶縁層の積層方向において、外部電極の形成されていない部分を設けることができる。そのため、内部導体と外部電極との間の浮遊容量を抑制し、外部電極に生じる寄生インダクタンスを抑制することができる。また、内部導体で発生した磁界が外部電極によって遮られることを抑制することができ、外部電極に発生する渦電流損を小さくすることができる。
【００１３】
このような電子部品において、全ての外部電極が、積層体の一方の主面に達するが他方の主面に達しないように形成されてもよい。
第１の外部電極および第２の外部電極だけでなく、全ての外部電極について、積層体の一方の主面に達するが他方の主面に達しないように形成されることにより、浮遊容量や寄生インダクタンスを抑制する効果、および内部導体で発生した磁界が遮られることを抑制する効果などを大きくすることができる。【００１４】
また、絶縁層を貫通するようにして第１の内部導体または第２の内部導体に接続されるビアホール導体が形成され、第１の内部導体または第２の内部導体とビアホール導体とでインダクタが形成されてもよい。
第１の内部導体または第２の内部導体を介して、それに接続されるビアホール導体に電流を流すことにより、ビアホール導体の周囲に磁界が生じ、ビアホール導体部分をインダクタとして動作させることができる。このとき、絶縁層の積層方向において、外部電極の形成されていない部分があることにより、ビアホール導体の周囲に発生した磁界が遮られることを抑制することができる。【００１５】
上述のような電子部品において、外部電極は導体膜とすることができる。
外部電極は、積層体の側面に導電ペーストなどを印刷して形成される導体膜とすることができる。【００１６】
また、上述のような電子部品において、外部電極の少なくとも一部分が絶縁物で被覆されてもよい。
第１の外部電極および第２の外部電極が、積層体の同一側面において異なる形状となるように、または、積層体の対向する側面において異なる形状となるように形成されると、実装基板に実装する際のチップ立ちやめっき付着に伴う導電性の劣化が生じる恐れがあるが、不要な部分を絶縁物で被覆することにより、これらの問題を低減することができる。
【発明の効果】
【００１７】
この発明によれば、外部電極が素子の特性に与える影響を小さくすることができ、所望の特性を得るための設計自由度の大きい電子部品を得ることができる。【００１８】
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明を実施するための形態の説明から一層明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】この発明の電子部品の一例としてのダイプレクサを示す図解図である。
【図２】図１に示す電子部品を構成する複数の絶縁層を示す平面図である。
【図３】この発明の電子部品の内部導体と外部電極との関係を示す図解図である。
【図４】図１に示す電子部品を製造する工程を示す図解図である。
【図５】図１に示す電子部品の回路図である。
【図６】図１に示す電子部品と比較するために積層体の側面に同じ形状の外部電極を形成した電子部品を示す図解図である。
【図７】この発明の電子部品で得られる効果を説明するための図解図である。
【図８】この発明の電子部品の他の例としての他のダイプレクサを示す図解図である。
【図９】図８に示す電子部品を構成する複数の絶縁層を示す平面図である。
【図１０】図８に示す電子部品の回路図である。
【図１１】この発明のさらに他の例としての３段バンドパスフィルタを示す図解図である。
【図１２】図１１に示す電子部品の回路図である。
【図１３】この発明の電子部品の別の例としての別のダイプレクサを示す図解図である。
【図１４】図１３に示す電子部品を構成する複数の絶縁層を示す平面図である。
【図１５】図１３に示す電子部品の回路図である。
【図１６】この発明の電子部品の変形例を示す図解図である。
【図１７】従来の電子部品の一例としてのチップ型ＣＲ複合アレイを示す斜視図である。
【図１８】図１７に示すチップ型ＣＲ複合アレイに用いられる素体の分解斜視図である。
【図１９】図１７に示すチップ型ＣＲ複合アレイの回路を示す図解図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
図１は、この発明の電子部品の一例としてのダイプレクサを示す図解図である。この電子部品１０は、積層体１２を含む。積層体１２は例えば直方体状に形成され、対向する長方形状の２つの主面（Ａ面およびＢ面）、２つの主面の幅方向の一端側側面（Ｃ面）および他端側側面（Ｄ面）、２つの主面の長手方向の一端側側面（Ｅ面）および他端側側面（Ｆ面）を含む。
【００２１】
積層体１２は、図２（Ａ）に示すように、長方形状の第１の絶縁層１４を含む。第１の絶縁層１４上には、２つの内部導体１４ａ，１４ｂが形成される。内部導体１４ａは、第１の絶縁層１４のＥ面側において、隙間を有するリング状に形成される。内部導体１４ａの一端は、絶縁層１４のＣ面側端部の中央部に引き出され、内部導体１４ａの他端には、ビアホール導体１４ｃが形成される。同様に、内部導体１４ｂは、第１の絶縁層１４のＦ面側において、隙間を有するリング状に形成される。内部導体１４ｂの一端は、絶縁層１４のＤ面側端部の中央部に引き出され、内部導体１４ｂの他端には、ビアホール導体１４ｄが形成される。なお、ビアホール導体１４ｃ，１４ｄは、絶縁層１４に形成されたビアホール内に導体が充填されたものである。
【００２２】
第１の絶縁層１４に隣接して、図２（Ｂ）に示すような第２の絶縁層１６が配置される。第２の絶縁層１６上には、隙間を有するリング状の２つの内部導体１６ａ，１６ｂが形成される。第１の絶縁層１４のビアホール導体１４ｃに対応する位置において、第２の絶縁層１６には、内部導体１６ａの一端に接続されるビアホール導体１６ｃが形成される。内部導体１６ａの他端には、ビアホール導体１６ｄが形成される。第１の絶縁層１４のビアホール導体１４ｄに対応する位置において、第２の絶縁層１６には、内部導体１６ｂの一端に接続されるビアホール導体１６ｅが形成される。内部導体１６ｂの他端には、ビアホール導体１６ｆが形成される。
【００２３】
第２の絶縁層１６に隣接して、図２（Ｃ）に示すような第３の絶縁層１８が配置される。第３の絶縁層１８上には、隙間を有するリング状の内部導体１８ａと、略Ｕ字状の内部導体１８ｂとが形成される。第２の絶縁層１６のビアホール導体１６ｄに対応する位置において、第３の絶縁層１８には、内部導体１８ａの一端に接続されるビアホール導体１８ｃが形成される。内部導体１８ａの他端には、ビアホール導体１８ｄが形成される。また、第２の絶縁層１６のビアホール導体１６ｆに対応する位置において、内部導体１８ｂの一端に接続されるビアホール導体１８ｅが形成される。内部導体１８ｂの他端には、ビアホール導体１８ｆが形成される。
【００２４】
第３の絶縁層１８に隣接して、図２（Ｄ）に示すような第４の絶縁層２０が配置される。第４の絶縁層２０のＥ面側には、隙間を有するリング状の内部導体２０ａが形成される。第３の絶縁層１８のビアホール導体１８ｄに対応する位置において、内部導体２０ａの一端に接続されるビアホール導体２０ｂが形成される。内部導体２０ａの他端は、第４の絶縁層２０のＥ面側においてＤ面側端部に引き出される。さらに、第３の絶縁層１８のビアホール導体１８ｆに対応する位置に、ビアホール導体２０ｃが形成される。
【００２５】
第４の絶縁層２０に隣接して、図２（Ｅ）に示すような第５の絶縁層２２が配置される。第５の絶縁層２２のＥ面側には、矩形の内部導体２２ａが形成され、第５の絶縁層２２のＥ面側において、Ｄ面側端部に引き出される。また、第５の絶縁層２２のほぼ中央部からＦ面側にかけて矩形の内部導体２２ｂが形成され、第５の絶縁層２２のＣ面側端部の中央部に引き出される。さらに、第５の絶縁層２２のＥ面側においてＣ面側端部に接するように内部導体２２ｃが形成され、第５の絶縁層２２のＤ面側端部の中央部に接するように内部導体２２ｄが形成される。また、第４の絶縁層２０のビアホール導体２０ｃに対応する位置に、ビアホール導体２２ｅが形成される。
【００２６】
第５の絶縁層２２に隣接して、図２（Ｆ）に示すような第６の絶縁層２４が配置される。第６の絶縁層２４のＥ面側には、鉤状の内部導体２４ａが形成され、第６の絶縁層２４のほぼ中央部からＦ面側にかけて、矩形の一隅を切り欠いた形状の内部導体２４ｂが形成される。また、第６の絶縁層２４のＥ面側において、Ｄ面側端部に接するように内部導体２４ｃが形成される。さらに、第６の絶縁層２４のＣ面側端部近傍のほぼ中央部にビアホール導体２４ｄが形成され、内部導体２４ｂに接続されている。また、第５の絶縁層２２のビアホール導体２２ｅに対応する位置に、ビアホール導体２４ｅが形成される。
【００２７】
第６の絶縁層２４に隣接して、図２（Ｇ）に示すような第７の絶縁層２６が配置される。第７の絶縁層２６のＥ面側には、矩形の内部導体２６ａが形成され、第７の絶縁層２６のＥ面側においてＤ面側端部に引き出される。また、第７の絶縁層２６のほぼ中央部からＦ面側にかけて、矩形の内部導体２６ｂが形成される。さらに、第７の絶縁層２６のＥ面側において、Ｃ面側端部に接するように内部導体２６ｃが形成される。また、第６の絶縁層２４のビアホール導体２４ｄに対応する位置に、ビアホール導体２６ｄが形成される。さらに、第６の絶縁層２４のビアホール導体２４ｅに対応する位置にビアホール導体２６ｅが形成され、内部導体２６ｂに接続される。また、第７の絶縁層２６のＥ面側において、内部導体２６ａと内部導体２６ｃとの間に、ビアホール導体２６ｆが形成される。
【００２８】
第７の絶縁層２６に隣接して、図２（Ｈ）に示すような第８の絶縁層２８が配置される。第８の絶縁層２８のほぼ中央部からＦ面側にかけて、矩形の一隅を切り欠いた形状の内部導体２８ａが形成される。また、第７の絶縁層２６のビアホール導体２６ｅに対応する位置に、ビアホール導体２８ｂが形成される。さらに、第７の絶縁層２６のビアホール導体２６ｆに対応する位置に、ビアホール導体２８ｃが形成される。
【００２９】
第８の絶縁層２８に隣接して、図２（Ｉ）に示すような第９の絶縁層３０が配置される。第９の絶縁層３０のほぼ中央部からＦ面側にかけて、矩形の一隅を切り欠いた形状の内部導体３０ａが形成され、積層体１２のＦ面側においてＤ面側端部に引き出される。また、第９の絶縁層３０のＦ面側において、Ｃ面側端部に接するように内部導体３０ｂが形成される。さらに、第９の絶縁層のＣ面側端部に沿った中央部に、ビアホール導体３０ｃが形成される。また、第８の絶縁層２８のビアホール導体２８ｃに対応する位置に、ビアホール導体３０ｄが形成される。
【００３０】
第９の絶縁層３０に隣接して、図２（Ｊ）に示すような第１０の絶縁層３２が配置される。第１０の絶縁層３２の中央部からＦ面側にかけて、矩形の内部導体３２ａが形成される。さらに、第９の絶縁層３０に形成されたビアホール導体３０ｄに対応する位置に、ビアホール導体３２ｂが形成される。
【００３１】
第１０の絶縁層３２に隣接して、図２（Ｋ）に示すような第１１の絶縁層３４が配置される。第１１の絶縁層３４のＥ面側には、隙間を有するリング状の内部導体３４ａが形成される。この内部導体３４ａの両端部には、ビアホール導体３４ｃ，３４ｄが形成される。
【００３２】
第１１の絶縁層３４に隣接して、図２（Ｌ）に示すような第１２の絶縁層３６が配置される。第１２の絶縁層３６のＥ面側には、隙間を有するリング状の内部導体３６ａが形成される。この内部導体３６ａの両端部には、ビアホール導体３６ｃ，３６ｄが形成される。ビアホール導体３６ｃ，３６ｄは、第１１の絶縁層３４に形成されたビアホール導体３４ｂ，３４ｃに対応する位置に形成される。
【００３３】
第１２の絶縁層３６に隣接して、図２（Ｍ）に示すような第１３の絶縁層３８が配置される。第１３の絶縁層３８のＥ面側において、第１３の絶縁層３８の幅方向のほぼ中央部からＣ面側端部に引き出される内部導体３８ａが形成される。内部導体３８ａの端部に接続されるようにして、第１２の絶縁層３６に形成されたビアホール導体３６ｃに対応する位置に、ビアホール導体３８ｂが形成される。
【００３４】
第１３の絶縁層３８に隣接して、図２（Ｎ）に示すような第１４の絶縁層４０が配置される。第１４の絶縁層４０のＥ面側には、矩形の内部導体４０ａが配置される。内部導体４０ａは、第１４の絶縁層４０のＥ面側におけるＣ面側端部およびＤ面側端部の中央部に引き出される。
【００３５】
これらの第１の絶縁層１４〜第１４の絶縁層４０が積層され、必要に応じて、その上下に内部導体の形成されていない絶縁層が積層されて、積層体１２が形成されている。積層体１２の長手方向中央部において、積層体１２の一方の側面（Ｃ面）に外部電極４２ａが形成される。外部電極４２ａは、積層体１２のＣ面から一方の主面（Ａ面）および他方の主面（Ｂ面）に回り込むように形成される。この外部電極４２ａには、第１の絶縁層１４に形成された内部導体１４ａ、第５の絶縁層２２に形成された内部導体２２ｂが接続される。
【００３６】
積層体１２の長手方向中央部において、積層体１２の他方の側面（Ｄ面）に外部電極４２ｂが形成される。外部電極４２ｂは、積層体１２のＤ面からＡ面およびＢ面に回り込むように形成される。この外部電極４２ｂには、第１の絶縁層１４に形成された内部導体１４ｂ、第１４の絶縁層４０に形成された内部導体４０ａが接続される。
【００３７】
積層体１２のＥ面側において、積層体１２のＣ面には、外部電極４２ｃが形成される。外部電極４２ｃには、第１３の絶縁層３８に形成された内部導体３８ａ、第１４の絶縁層４０に形成された内部導体４０ａが接続される。外部電極４２ｃは、積層体１２のＣ面からＢ面に回り込むように形成される。さらに、図３に示すように、外部電極４２ｃは、積層体１２のＢ面から内部導体３８ａが引き出された部分まで形成されるが、内部導体３８ａとの接続を確実に行うために、内部導体３８ａの引出し部よりも若干Ａ面側に延びて形成されてもよい。
【００３８】
積層体１２のＥ面側において、積層体１２のＤ面には外部電極４２ｄが形成される。外部電極４２ｄには、第４の絶縁層２０に形成された内部導体２０ａ、第５の絶縁層２２に形成された内部導体２２ａ、第７の絶縁層２６に形成された内部導体２６ａが接続される。外部電極４２ｄは、積層体１２のＤ面からＢ面に回り込むように形成される。さらに、外部電極４２ｄは、積層体１２のＢ面から内部導体２０ａが引き出された部分まで形成されるが、内部導体２０ａとの接続を確実に行うために、内部導体２０ａの引出し部よりも若干Ａ側に延びて形成されてもよい。
【００３９】
積層体１２のＦ面側において、積層体１２のＤ面には外部電極４２ｅが形成される。外部電極４２ｅには、第９の絶縁層３０に形成された内部導体３０ａが接続される。外部電極４２ｅは、積層体１２のＤ面からＢ面に回り込むように形成される。さらに、外部電極４２ｅは、積層体１２のＢ面から内部導体３０ａが引き出された部分まで形成されるが、内部導体３０ａとの接続を確実に行うために、内部導体３０ａの引出し部よりも若干Ａ面側に延びて形成されてもよい。
【００４０】
なお、積層体１２のＦ面側において、積層体１２のＣ面に引き出された内部導体がないため、この部分に外部電極は形成されていない。ただし、この部分に、内部電極に接続されない他の外部電極が形成されていてもよい。
【００４１】
この電子部品１０を製造するには、絶縁材料で形成されたセラミックグリーンシートが準備される。セラミックグリーンシートは、例えば低温焼成セラミック材料（ＬＴＣＣ）などを用いて作製することができる。このセラミックグリーンシートの必用な箇所にレーザを照射することにより、ビアホールが形成される。このビアホールに、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕおよびこれらの合金などを主成分とする導電ペーストが、印刷塗布などの方法によって充填される。次に、セラミックグリーンシート上に、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕおよびこれらの合金などを主成分とする導電性ペーストをスクリーン印刷法で塗布することにより、内部導体パターンが形成される。なお、内部導体パターンの形成と同時に、ビアホールに対して導電性ペーストを充填してもよい。
【００４２】
各絶縁層の内部導体およびビアホール導体のためのパターンが形成されたセラミックグリーンシートが積層され、必要に応じてそれを挟むようにパターンの形成されていないセラミックグリーンシートが積層されて、仮圧着される。このようにして、図４に示すように、マザー積層体５０が形成される。次に、マザー積層体５０に、静水圧プレスなどによって本圧着が施される。
【００４３】
マザー積層体５０は、積層体１２のＣ面およびＤ面となる側面が露出するようにして、複数の棒状体５２に切断される。次に、得られた棒状体５２は、積層体１２のＥ面およびＦ面となる側面が露出するように切断され、複数のチップ５４が形成される。そして、積層体１２のＣ面となる部分およびＤ面となる部分を揃えて、複数のチップが整列させられる。この状態で、スクリーン印刷あるいはインクジェット法などによって、積層体１２のＣ面となる部分に、外部電極４２ａ，４２ｃとなる外部電極パターンが印刷され、Ｄ面となる部分に、外部電極４２ｂ，４２ｄ，４２ｅとなる外部電極パターンが印刷される。そして、外部電極パターンが形成されたチップ５４に、脱バインダー処理および焼成を施すことにより、積層体１２の内部に内部導体が形成され、積層体１２の側面に導体膜からなる外部電極が形成された複数の電子部品１０が得られる。この電子部品１０では、図５に示すような回路が形成されている。
【００４４】
この電子部品１０では、積層体１２のＣ面において、外部電極４２ａ，４２ｃの形状が異なるとともに、積層体１２のＤ面において、外部電極４２ｂ，４２ｄ，４２ｅの形状が異なる。さらに、積層体１２のＣ面に形成された外部電極４２ａとＤ面に形成された外部電極４２ｂとは同じ形状であるものの、その他については、積層体１２のＣ面に形成された外部電極４２ａ，４２ｃとＤ面に形成された外部電極４２ｂ，４２ｄ，４２ｅとの間において形状が異なる。各外部電極４２ａ〜４２ｅが積層体１２のＢ面に回り込むように形成されているのは、電子部品１０を回路基板などに実装するためであるが、積層体１２のＣ面およびＤ面において、絶縁層１４〜４０の積層方向における各外部電極４２ａ〜４２ｅの長さが異なる。したがって、図６に示すように、積層体１２の側面に同じ形状の外部電極４４を形成した場合に比べて、外部電極の形成領域が小さい。
【００４５】
外部電極の形成領域が小さいため、図７に示すように、内部導体と外部電極との間または外部電極間に発生する浮遊容量Ｃを抑制することができ、外部電極に生じる寄生インダクタンスを抑制することができる。また、積層体内部に形成されたインダクタによって生じる磁界Ｈが、外部電極によって遮られることを抑制することができ、磁界によって外部電極の発生する渦電流損を抑制することができる。その結果、積層型の電子部品の特性の改善および安定化を実現することができる。
【００４６】
また、図８に示すように、外部電極の幅、すなわち絶縁層の積層方向に交差する向きにおける外部電極の長さが異なっていてもよい。このような電子部品１０の例として、図５に示す回路と異なる回路構成を有するダイプレクサについて説明する。積層体１２は、図９（Ａ）に示すように、第１の絶縁層６０を含む。第１の絶縁層６０のＥ面側には、第１の絶縁層６０の長手方向に延びる３つの内部導体６０ａ，６０ｂ，６０ｃが形成される。内部導体６０ａ，６０ｂ，６０ｃは、第１の絶縁層６０の幅方向において、互いに平行となるように並んで配置される。内部導体６０ａの両端部にはビアホール導体６０ｄ，６０ｅが形成され、内部導体６０ｂの両端部にはビアホール導体６０ｆ，６０ｇが形成され、内部導体６０ｃの両端部にはビアホール導体６０ｈ，６０ｉが形成される。
【００４７】
第１の絶縁層６０に隣接して、図９（Ｂ）に示すような第２の絶縁層６２が配置される。第２の絶縁層６２のＦ面側には、第２の絶縁層６２の長手方向に延びる４つの内部導体６２ａ，６２ｂ，６２ｃ，６２ｄが形成される。内部導体６２ａ，６２ｂ，６２ｃ，６２ｄは、第２の絶縁層６２の幅方向のＤ面側に偏って、互いに平行となるように並んで配置される。内部導体６２ａの両端部にはビアホール導体６２ｅ，６２ｆが形成され、内部導体６２ｂの両端部にはビアホール導体６２ｇ，６２ｈが形成され、内部導体６２ｃの両端部にはビアホール導体６２ｉ，６２ｊが形成され、内部導体６２ｄの両端部にはビアホール導体６２ｋ，６２ｌが形成される。また、第１の絶縁層６０のビアホール導体６０ｄ，６０ｅ，６０ｆ，６０ｇ，６０ｈ，６０ｉに対応する位置に、ビアホール導体６２ｍ，６２ｎ，６２ｏ，６２ｐ，６２ｑ，６２ｒが形成される。
【００４８】
第２の絶縁層６２に隣接して、図９（Ｃ）に示すような第３の絶縁層６４が配置される。第３の絶縁層６４には、第２の絶縁層６２のビアホール導体６２ｍ，６２ｎ，６２ｏ，６２ｐ，６２ｑ，６２ｒに対応する位置に、ビアホール導体６４ａ，６４ｂ，６４ｃ，６４ｄ，６４ｅ，６４ｆが形成される。第３の絶縁層６４には、ビアホール導体６４ｂから第３の絶縁層６４のＣ面側端部の中央部に引き出される内部導体６４ｇが形成される。また、第３の絶縁層６４には、ビアホール導体６４ｆから第３の絶縁層６４のＥ面側におけるＤ面側端部に引き出される内部導体６４ｈが形成される。さらに、第２の絶縁層６２のビアホール導体６２ｅ，６２ｆ，６２ｇ，６２ｈ，６２ｉ，６２ｊ，６２ｋ，６２ｌに対応する位置に、ビアホール導体６４ｉ，６４ｊ，６４ｋ，６４ｌ，６４ｍ，６４ｎ，６４ｏ，６４ｐが形成される。
【００４９】
第３の絶縁層６４に隣接して、図９（Ｄ）に示すような第４の絶縁層６６が配置される。第４の絶縁層６６には、第３の絶縁層６４のビアホール導体６４ａ，６４ｂ，６４ｃ，６４ｄ，６４ｅ，６４ｆに対応する位置に、ビアホール導体６６ａ，６６ｂ，６６ｃ，６６ｄ，６６ｅ，６６ｆが形成される。また、第３の絶縁層６４のビアホール導体６４ｉ，６４ｊ，６４ｋ，６４ｌ，６４ｍ，６４ｎ，６４ｏ，６４ｐに対応する位置に、ビアホール導体６６ｇ，６６ｈ，６６ｉ，６６ｊ，６６ｋ，６６ｌ，６６ｍ，６６ｎが形成される。さらに、ビアホール導体６６ｇの近傍から第４の絶縁層６６のＣ面側端部の中央部に引き出される内部導体６６ｏが形成される。
【００５０】
第４の絶縁層６６に隣接して、図９（Ｅ）に示すような第５の絶縁層６８が配置される。第５の絶縁層６８には、第４の絶縁層６６のビアホール導体６６ａ，６６ｂ，６６ｃ，６６ｄ，６６ｅ，６６ｆに対応する位置に、ビアホール導体６８ａ，６８ｂ，６８ｃ，６８ｄ，６８ｅ，６８ｆが形成される。また、第４の絶縁層６６のビアホール導体６６ｇ，６６ｈ，６６ｉ，６６ｊ，６６ｋ，６６ｌ，６６ｍ，６６ｎに対応する位置に、ビアホール導体６８ｇ，６８ｈ，６８ｉ，６８ｊ，６８ｋ，６８ｌ，６８ｍ，６８ｎが形成される。さらに、ビアホール導体６８ｈに接続された鉤状の内部導体６８ｏが形成される。
【００５１】
第５の絶縁層６８に隣接して、図９（Ｆ）に示すような第６の絶縁層７０が配置される。第６の絶縁層７０には、第５の絶縁層６８のビアホール導体６８ａ，６８ｂ，６８ｃ，６８ｄ，６８ｅ，６８ｆに対応する位置に、ビアホール導体７０ａ，７０ｂ，７０ｃ，７０ｄ，７０ｅ，７０ｆが形成される。また、第５の絶縁層６８のビアホール導体６８ｇ，６８ｈ，６８ｉ，６８ｊ，６８ｋ，６８ｌ，６８ｍ，６８ｎに対応する位置に、ビアホール導体７０ｇ，７０ｈ，７０ｉ，７０ｊ，７０ｋ，７０ｌ，７０ｍ，７０ｎが形成される。さらに、ビアホール導体７０ｇに並んで、ビアホール導体７０ｏが形成される。また、第６の絶縁層７０には、ビアホール導体７０ｍに接続されて、第６の絶縁層７０のＦ面側におけるＤ面側端部に引き出される内部導体７０ｐが形成される。
【００５２】
第６の絶縁層７０に隣接して、図９（Ｇ）に示すような第７の絶縁層７２が配置される。第７の絶縁層７２には、第６の絶縁層７０のビアホール導体７０ａ，７０ｂ，７０ｃ，７０ｄ，７０ｅ，７０ｆに対応する位置に、ビアホール導体７２ａ，７２ｂ，７２ｃ，７２ｄ，７２ｅ，７２ｆが形成される。また、第６の絶縁層７０のビアホール導体７０ｇ，７０ｈ，７０ｉ，７０ｊ，７０ｋ，７０ｌ，７０ｍ，７０ｎ，７０ｏに対応する位置に、ビアホール導体７２ｇ，７２ｈ，７２ｉ，７２ｊ，７２ｋ，７２ｌ，７２ｍ，７２ｎ，７２ｏが形成される。さらに、ビアホール導体７２ｈに接続される内部導体７２ｐ、およびビアホール導体７２ｍに接続される内部導体７２ｑが形成される。
【００５３】
第７の絶縁層７２に隣接して、図９（Ｈ）に示すような第８の絶縁層７４が配置される。第８の絶縁層７４には、第７の絶縁層７２のビアホール導体７２ａ，７２ｂ，７２ｃ，７２ｄ，７２ｅ，７２ｆに対応する位置に、ビアホール導体７４ａ，７４ｂ，７４ｃ，７４ｄ，７４ｅ，７４ｆが形成される。また、第７の絶縁層７２のビアホール導体７２ｇ，７２ｈ，７２ｉ，７２ｊ，７２ｋ，７２ｌ，７２ｍ，７２ｎ，７２ｏに対応する位置に、ビアホール導体７４ｇ，７４ｈ，７４ｉ，７４ｊ，７４ｋ，７４ｌ，７４ｍ，７４ｎ，７４ｏが形成される。さらに、ビアホール導体７４ｂに接続される内部導体７４ｐ、ビアホール導体７４ｄに接続される内部導体７４ｑ、およびビアホール導体７４ｆに接続される内部導体７４ｒが形成される。また、ビアホール導体７４ｉに接続される内部導体７４ｓ、およびビアホール導体７４ｌに接続される内部導体７４ｔが形成される。
【００５４】
第８の絶縁層７４に隣接して、図９（Ｉ）に示すような第９の絶縁層７６が配置される。第９の絶縁層７６のほぼ全面に、内部導体７６ａが形成される。内部導体７６ａは、第９の絶縁層７６のＥ面側におけるＣ面側端部、Ｄ面側端部の中央部、Ｅ面側端部の中央部およびＦ面側端部の中央部に引き出される。
【００５５】
第１の絶縁層６０ないし第９の絶縁層７６が積層され、必要に応じてそれを挟むように内部導体の形成されていない絶縁層が積層されて、積層体１２が得られる。積層体１２のＣ面には、図８に示すように、３つの外部電極７８ａ，７８ｂ，７８ｃが形成される。外部電極７８ａは、積層体１２のＥ面側に形成され、内部導体７６ａの引出し部が接続される。外部電極７８ｂは、積層体１２のＣ面の長手方向の中央部に形成され、内部導体６４ｇ，６６ｏが接続される。外部電極７８ｃは、積層体１２のＦ面側に形成される。これらの外部電極７８ａ，７８ｂ，７８ｃは、絶縁層６０〜７６の積層方向の全体にわたって形成される。また、外部電極７８ａ，７８ｂ，７８ｃは、同じ幅、つまり絶縁層６０〜７６の積層方向に交差する向きの長さが同じとなるように形成される。
【００５６】
積層体１２のＤ面には、３つの外部電極７８ｄ，７８ｅ，７８ｆが形成される。外部電極７８ｄは、積層体１２のＥ面側に形成され、内部導体６４ｈが接続される。外部電極７８ｅは、積層体１２のＤ面の長手方向の中央部に形成され、内部導体７６ａの引出し部が接続される。外部電極７８ｆは、積層体１２のＦ面側に形成され、内部導体７０ｐが接続される。これらの外部電極７８ｄ，７８ｅ，７８ｆは、絶縁層６０〜７６の積層方向の全体にわたって形成される。また、中央部の外部電極７８ｅの幅が大きく、その両側の外部電極７８ｄ，７８ｆの幅が小さくなるように形成される。つまり絶縁層６０〜７６の積層方向に交差する向きにおいて、中央部の外部電極７８ｅの長さが大きく、その両側の外部電極７８ｄ，７８ｆの長さが小さくなるように形成される。
【００５７】
また、積層体１２のＥ面には、外部電極７８ｇが形成され、内部導体７６ａの引出し部が接続される。さらに、積層体１２のＦ面には、外部電極７８ｈが形成され、内部導体７６ａの引出し部が接続される。外部電極７８ｇ，７８ｈは、絶縁層６０〜７６の積層方向の全体にわたって形成される。また、外部電極７８ｇ，７８ｈは、絶縁層６０〜７６の積層方向に交差する向きの中央部に形成され、その幅は積層体１２の側面に形成された外部電極７８ａ〜７８ｆより小さく形成される。この電子部品１０には、図１０に示すような回路が形成されている。
【００５８】
この電子部品１０では、内部導体７６ａがグランド電極として用いられ、この内部導体７６ａに接続された外部電極７８ｅの幅が大きく形成されている。したがって、電子部品１０を回路基板などに実装する際に、大きい外部電極７８ｅが回路基板のグランド電極に接続されることにより、良好な特性を得ることができる。また、外部電極７８ｅの両側に形成された外部電極７８ｄ，７８ｆは、入力用および出力用として用いられるが、その幅は小さく形成されている。このように、大きい幅を有するグランド用の外部電極７８ｅの両側に小さい幅を有する入力用および出力用の外部電極７８ｄ，７８ｆを形成することにより、入力端子と出力端子との間のアイソレーション特性を向上させることができる。
【００５９】
また、外部電極７８ａ〜７８ｈのうちの任意の電極の幅を変えることができ、それによりインピーダンス調整を行なうことができる。特に、外部電極の幅を大きくすることにより、素子として使用する際の損失を低減することができる。
【００６０】
なお、図８に示す電子部品１０では、絶縁層６０〜７６の積層方向において、Ａ面側端部からＢ面側端部にわたって積層体１２の側面および端面に外部電極７８ａ〜７８ｈが形成されている。しかしながら、図１に示す電子部品と図８に示す電子部品とを組み合わせて、外部電極の形状について、絶縁層の積層方向の長さおよび積層方向に交差する向きの長さの両方を異なるようにしてもよい。つまり、積層体１２の側面のＢ面側端部からの外部電極の高さおよび外部電極の幅を任意に調整することができる。このように、外部電極の高さおよび幅を調整することにより、所望の特性を得るための設計自由度を上げることができる。
【００６１】
このような外部電極の高さおよび幅の調整は、図１１に示すように、積層体１２の４つの側面に、それぞれ１つの外部電極が形成された電子部品にも適用することができる。ここでは、積層体１２の側面に、それぞれ１つの外部電極が形成された３段バンドパスフィルタについて説明する。
【００６２】
電子部品１０は、複数の絶縁層を積層した積層体１２を含む。積層体１２のＡ面の近傍には、３つの平行な内部導体８０ａ，８０ｂ，８０ｃが形成される。内部導体８０ａの両端部には、積層体１２のＡ面側からＢ面側に向かって延びるビアホール導体８２ａ，８２ｂが形成される。同様に、内部導体８０ｂの両端部には、積層体１２のＡ面側からＢ面側に向かって延びるビアホール導体８２ｃ，８２ｄが形成され、内部導体８０ｃの両端部には、積層体１２のＡ面側からＢ面側に向かって延びるビアホール導体８２ｅ，８２ｆが形成される。
【００６３】
積層体１２のＥ面側において、中央の内部導体８０ｂから延びるビアホール導体８２ｃに接続される内部導体８４ａが形成される。また、積層体１２のＦ面側において、内部導体８０ａから延びるビアホール導体８２ｂに接続される内部導体８４ｂが形成される。さらに、積層体１２のＦ面側において、内部導体８０ｃから延びるビアホール導体８２ｆに接続される内部導体８４ｃが形成される。内部導体８４ａ，８４ｂ，８４ｃは、積層体１２のＢ面近傍の絶縁層に形成され、内部導体８４ｂ，８４ｃが、それぞれ積層体１２のＣ面およびＤ面に引き出される。
【００６４】
さらに、積層体１２のＢ面近傍には、内部導体８４ａ，８４ｂ，８４ｃと対向する内部導体８６が形成される。内部導体８６には、ビアホール導体８２ａ，８２ｄ，８２ｅが接続され、積層体１２のＥ面およびＦ面に引き出される。
【００６５】
積層体１２のＣ面には、内部導体８４ｂに接続される外部電極８８ａが形成され、積層体１２のＤ面には、内部導体８４ｃに接続される外部電極８８ｂが形成される。さらに、積層体１２のＥ面およびＦ面には、内部導体８６に接続される外部電極８８ｃ，８８ｄが形成される。外部電極８８ａ，８８ｂは、積層体１２の側面のＢ面側端部から内部導体８４ｂ，８４ｃが引き出された部分まで形成され、外部電極８８ｃ，８８ｄは、積層体１２の側面のＢ面側端部から内部導体８６が引き出された部分まで形成される。したがって、外部電極８８ａ〜８８ｄは、積層体１２のＢ面側端部からその近傍にかけて形成される。
【００６６】
この電子部品１０は、図１２に示すような回路を有する３段バンドパスフィルタとなる。この電子部品１０では、ビアホール導体８２ａ〜８２ｆをインダクタとして機能させているが、ビアホール導体８２ａ〜８２ｆ部分で発生した磁界は、積層体１２の側面方向に広がる。積層体１２のＡ面からＢ面まで延びるように外部電極が形成されている場合、外部電極で磁界が遮られ、外部電極に渦電流損が発生して、インダクタのＱが劣化する。しかしながら、図１１に示す電子部品１０では、積層体１２のＢ面側端部からその近傍にかけて外部電極８８ａ〜８８ｄが形成されているため、ビアホール導体８２ａ〜８２ｆ部分で発生した磁界が外部電極８８ａ〜８８ｄでほとんど遮られず、インダクタのＱの劣化を防止することができる。
【００６７】
また、積層体１２の側面における内部導体の引出し位置に応じて、外部電極を形成することができる。このような電子部品の例として、図１３に示すダイプレクサについて説明する。
【００６８】
電子部品１０は、積層体１２を含む。積層体１２は、図１４（Ａ）に示すように、第１の絶縁層９０を含む。第１の絶縁層９０のＥ面側に、隙間を有するリング状の内部導体９０ａが形成され、その一端が第１の絶縁層９０のＣ面側端部の中央部に引き出される。内部導体９０ａの他端部には、ビアホール導体９０ｂが形成される。
【００６９】
第１の絶縁層９０に隣接して、図１４（Ｂ）に示すような第２の絶縁層９２が配置される。第２の絶縁層９２のＥ面側には、隙間を有するリング状の内部導体９２ａが形成される。内部導体９２ａの一端側は、第１の絶縁層９０に形成された内部導体９０ａの他端部に対応する位置に配置され、ビアホール導体９０ｂに対応する位置に、内部導体９２ａに接続されるビアホール導体９２ｂが形成される。また、内部導体９２ａの他端部には、ビアホール導体９２ｃが形成される。
【００７０】
第２の絶縁層９２に隣接して、図１４（Ｃ）に示すような第３の絶縁層９４が配置される。第３の絶縁層９４のＥ面側には、隙間を有するリング状の内部導体９４ａが形成される。内部導体９４ａの一端側は、第３の絶縁層９４のＥ面側端部の中央部に引き出される。内部導体９４ａの他端部は、第２の絶縁層９２に形成された内部導体９２ａの他端部に対応する位置に配置され、ビアホール導体９２ｃに対応する位置に、内部導体９４ａに接続されるビアホール導体９４ｂが形成される。
【００７１】
第３の絶縁層９４に隣接して、図１４（Ｄ）に示すような第４の絶縁層９６が配置される。第４の絶縁層９６のＦ面側には、２つの矩形の内部導体９６ａ，９６ｂが形成される。一方の内部導体９６ａは、第４の絶縁層９６の長手方向のほぼ中央部からＦ面側にかけて形成され、他方の内部導体９６ｂは、一方の内部導体９６ａに隣接してＦ面側に形成される。内部導体９６ａは第４の絶縁層９６のＣ面側端部の中央部に引き出され、内部導体９６ｂはＦ面側端部の中央部に引き出される。
【００７２】
第４の絶縁層９６に隣接して、図１４（Ｅ）に示すような第５の絶縁層９８が配置される。第５の絶縁層９８の長手方向のほぼ中央からＦ面側端部近傍にかけて、矩形の内部導体９８ａが形成される。
【００７３】
第５の絶縁層９８に隣接して、図１４（Ｆ）に示すような第６の絶縁層１００が配置される。第６の絶縁層１００には、第５の絶縁層９８に形成された内部導体９８ａに対応する位置に、内部導体１００ａが形成される。第６の絶縁層１００のＣ面側端部およびＦ面側端部に近い位置において、内部導体１００ａに接続されるビアホール導体１００ｂが形成される。
【００７４】
第６の絶縁層１００に隣接して、図１４（Ｇ）に示すような第７の絶縁層１０２が配置される。第７の絶縁層１０２のＦ面側には、隙間を有するリング状の内部導体１０２ａが形成される。内部導体１０２ａの一端側は、第６の絶縁層１００に形成されたビアホール導体１００ｂに対応する位置に配置され、その部分に内部導体１０２ａに接続されるビアホール導体１０２ｂが形成される。また、内部導体１０２ａの他端部には、ビアホール導体１０２ｃが形成される。
【００７５】
第７の絶縁層１０２に隣接して、図１４（Ｈ）に示すような第８の絶縁層１０４が配置される。第８の絶縁層１０４のＦ面側には、略Ｕ字状の内部導体１０４ａが形成され、その一端側が第８の絶縁層１０４のＤ面側端部の中央部に引き出される。また、内部導体１０４ａの他端部は、第７の絶縁層１０２に形成されたビアホール導体１０２ｃに対応する位置に配置され、その部分に内部導体１０４ａに接続されるビアホール導体１０４ｂが形成される。
【００７６】
第８の絶縁層１０４に隣接して、図１４（Ｉ）に示すような第９の絶縁層１０６が配置される。第９の絶縁層１０６のＥ面側において、そのＣ面側端部に沿って延びたのち鉤状に折れ曲がった形状の内部導体１０６ａが形成される。内部導体１０６ａの折れ曲がった端部は、第８の絶縁層１０６のＣ面側端部の中央部に引き出される。
【００７７】
第９の絶縁層１０６に隣接して、図１４（Ｊ）に示すような第１０の絶縁層１０８が配置される。第１０の絶縁層１０８のＥ面側には、矩形の内部導体１０８ａが形成される。内部導体１０８ａは、第１０の絶縁層１０８のＥ面側端部の中央部に引き出される。
【００７８】
第１０の絶縁層１０８に隣接して、図１４（Ｋ）に示すような第１１の絶縁層１１０が配置される。第１１の絶縁層１１０のＥ面側には、矩形の内部導体１１０ａが形成される。内部導体１１０ａは、第１１の絶縁層１１０のＤ面側端部の中央部に引き出される。
【００７９】
第１の絶縁層９０〜第１１の絶縁層１１０を積層し、必用に応じてそれを挟むように内部導体の形成されていない絶縁層を積層することにより、積層体１２が得られる。この積層体１２のＣ面に外部電極１１２ａが形成され、Ｄ面に外部電極１１２ｂが形成され、Ｅ面に外部電極１１２ｃが形成され、Ｆ面に外部電極１１２ｄが形成される。外部電極１１２ａ〜１１２ｄは、絶縁層９０〜１１０の積層方向に交差する向きの中央部に形成される。
【００８０】
外部電極１１２ａには、内部導体９０ａの引出し部、内部導体９６ａの引出し部、内部導体１０６ａの引出し部が接続される。外部電極１１２ｂには、内部導体１０４ａの引出し部、内部導体１１０ａの引出し部が接続される。外部電極１１２ｃには、内部導体９４ａの引出し部、内部導体１０８ａの引出し部が接続される。外部電極１１２ｄには、内部導体９６ｂの引出し部が接続される。この電子部品１０には、図１５に示すような回路が形成されている。
【００８１】
外部電極１１２ａ，１１２ｃは、絶縁層９０〜１１０の積層方向のＡ面側端部からＢ面側端部にわたって形成されるが、外部電極１１２ｂ，１１２ｄは、Ｂ面側端部から延びてＡ面側端部に達しないように形成される。つまり、外部電極１１２ｂは、内部導体１０４ａの引出し部の高さまで形成され、外部電極１１２ｄは、内部導体９６ｂの引出し部の高さまで形成される。もちろん、外部電極１１２ｂ，１１２ｄと内部導体１０４ａ，９６ｂとの接続性を良好にするために、外部電極１１２ｂ，１１２ｄは、これらの内部導体の引出し部より若干高い位置まで形成してもよい。
【００８２】
このように、積層体１２の各側面における内部導体の引出し位置に応じて、外部電極１１２ａ〜１１２ｄの高さを調整することにより、内部導体と外部電極との間の浮遊容量や外部電極に生じる寄生インダクタンスを小さくすることができ、内部に形成されたインダクタによって生じる磁界を遮ることを抑制することができる。したがって、外部電極の高さを調整することにより、良好な特性を得ることができる。
【００８３】
もちろん、このような電子部品１０において、各外部電極１１２ａ〜１１２ｄの幅を変えてもよい。外部電極１１２ａ〜１１２ｄの幅を調整することにより、インピーダンス調整を行なうことができる。このように、外部電極１１２ａ〜１１２ｄの高さおよび幅を調整することにより、所望の特性を得るための設計自由度を上げることができる。
【００８４】
なお、図１６に斜線で示すように、積層体１２の４つの側面の上側が絶縁物で覆われてもよい。図１６には、図１３に示す電子部品１０について、絶縁物で覆われた積層体１２が示されているが、図１、図８および図１１に示すような電子部品１０について、積層体１２の４つの側面の上側が絶縁物で覆われていてもよい。第１の外部電極および第２の外部電極が、積層体１２の同一側面において異なる形状となるように、または、積層体１２の対向する側面において異なる形状となるように形成されると、実装基板に実装する際のチップ立ちやめっき付着に伴う導電性の劣化が生じる恐れがあるが、図１６に示す電子部品１０のように、不要な部分を絶縁物で被覆することにより、これらの問題を低減することができる。このような絶縁物としては、たとえば、セラミック、ガラス、樹脂などを用いることができる。特に、露出する外部電極面積が対向面において均等になるように絶縁物で被覆することが好ましい。なお、図１６に示す電子部品１０では、積層体１２の天面は絶縁物で被覆されていないが、積層体１２の天面が絶縁物で被覆されていてもよい。
【符号の説明】
【００８５】
１０  電子部品
１２  積層体
１４〜４０  第１ないし第１４の絶縁層
４２ａ〜４２ｅ  外部電極
６０〜７６  第１ないし第９の絶縁層
７８ａ〜７８ｈ  外部電極
８２ａ〜８２ｆ  ビアホール導体
８８ａ〜８８ｄ  外部電極
９０〜１１０  第１ないし第１１の絶縁層
１１２ａ〜１１２ｄ  外部電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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