(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックチューブ管と；
前記セラミックチューブ管の両端に設けられ、それぞれのリード線と電気的に連結される一対の密封電極と；
前記セラミックチューブ管内に収容され、前記各密封電極と電気的に連結され、非導電性部材と、前記非導電性部材の両端に設けられる端子電極と、前記端子電極と電気的に連結されるヒュージブルエレメントと、を含むヒューズ素子と；
前記セラミックチューブ管と密封電極との間を密封させるブレージングリング（ｂｒａｚｉｎｇ  ｒｉｎｇ）と；を含み、
前記セラミックチューブ管と前記密封電極が溶融した前記ブレージングリングによって接合され、
前記密封電極は、セラミックチューブ管内に挿入され、ヒューズ素子と接するように内側に突出する接続部と、前記ブレージングリングと結合する接合部と、
からなることを特徴とするヒューズ。
【請求項２】
前記非導電性部材は、セラミック素材からなるロッド状であり、
前記ヒュージブルエレメントは、前記非導電性部材の外周面にワインディングされる、
ことを特徴とする請求項１に記載のヒューズ。
【請求項３】
前記ブレージングリングは、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）及び亜鉛（Ｚｎ）を含む合金からなる、
ことを特徴とする請求項１に記載のヒューズ。
【請求項４】
前記ブレージングリングは、外面が前記セラミックチューブ管の外面と同一線上に位置し、内面が前記セラミックチューブ管の内面より内側に延長形成される、
ことを特徴とする請求項１に記載のヒューズ。
【請求項５】
前記ブレージングリングは、前記セラミックチューブ管と接合される外周部と、前記ヒューズ素子の端部と接合される内周部と、
からなることを特徴とする請求項４に記載のヒューズ。
【請求項６】
前記接続部と端子電極との間で溶融し、前記接続部と端子電極とを接合させるブレージング部材をさらに含む、
ことを特徴とする請求項１に記載のヒューズ。
【請求項７】
前記接続部、接合部及び端子電極のうち少なくとも一つには、前記ブレージングリング又はブレージング部材の溶融による接合力を向上させ得るようにニッケル（Ｎｉ）又はチタン（Ｔｉ）が含有されたメッキ層をさらに含む、
ことを特徴とする請求項６に記載のヒューズ。
【請求項８】
前記の密封されたセラミックチューブ管とヒューズ素子との間の空間に不活性気体が充填されている、
ことを特徴とする請求項１に記載のヒューズ。
【請求項９】
セラミックチューブ管と、
前記セラミックチューブ管内に収容され、非導電性部材と、前記非導電性部材の両端に設けられる端子電極と、前記端子電極と電気的に連結されるヒュージブルエレメントと、を含むヒューズ素子と、
前記セラミックチューブ管の両端部にそれぞれ挿入され、前記ヒューズ素子と接続する第１及び第２の密封電極と、
前記セラミックチューブ管と第１及び第２の密封電極とをそれぞれ接合させる第１及び第２のブレージングリングと、
を含むヒューズの製造方法において、
前記第１の密封電極を設けるＳ１ステップ；
前記第１の密封電極上に第１のブレージングリング及びセラミックチューブ管を順次積層するＳ２ステップ；
前記セラミックチューブ管に前記ヒューズ素子を挿入するＳ３ステップ；
前記セラミックチューブ管上に前記第２のブレージングリング及び第２の密封電極を順次積層するＳ４ステップ；及び
前記Ｓ１ステップ〜Ｓ４ステップを経たヒューズをチャンバーに入れ、前記第１及び第２のブレージングリングを溶融させることによって前記セラミックチューブ管と第１及び第２の密封電極との間を密封するＳ５ステップ；
を含み、
前記第１及び第２の密封電極のそれぞれは、前記セラミックチューブ管内に挿入され、前記ヒューズ素子と接するように内側に突出する接続部と、前記第１及び第２のブレージングリングとそれぞれ結合する接合部と、からなり、
前記第１及び第２のブレージングリングのそれぞれは、前記第１及び第２の密封電極のそれぞれの接続部に挿入される、
ことを特徴とするヒューズの製造方法。
【請求項１０】
前記第１及び第２のブレージングリングは、銀、銅、亜鉛及びスズからなる合金（Ａｇ５６ＣｕＺｎＳｎ）からなり、
前記Ｓ５ステップは、前記第１及び第２のブレージングリングを５００℃〜８５０℃の温度で溶融させて行われる、
ことを特徴とする請求項９に記載のヒューズの製造方法。
【請求項１１】
前記接合部の表面には、前記第１及び第２のブレージングリングの溶融による接合力を向上させ得るようにニッケル（Ｎｉ）又はチタン（Ｔｉ）が含有されたメッキ層をさらに含む、
ことを特徴とする請求項１０に記載のヒューズの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ヒューズ及びその製造方法に関し、より詳細には、機械的強度に優れたセラミック素材の非導電性部材及びセラミックチューブ管を使用し、セラミックチューブ管と密封電極とをブレージング接合するので、耐久性を極大化させることができ、時間遅延特性を向上させ、高電圧でも安定的に使用できるヒューズ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、ヒューズは、電子機器（テレビ、コンピューター、カセットプレーヤー、小型電子機器など）に使用され、過電圧の印加時にヒュージブルエレメントが断線されながら回路及び電子部品を過電圧から保護するものである。
【０００３】
ヒューズは、正常状態で最大の定格電圧が印加されたとしても高い熱が発生せず、溶断（切断）されてはならなく、非正常状態で溶断されるべきである。ただし、サージ電圧のように瞬間的に大きな電圧によって溶断されないように強い時間遅延（Ｔｉｍｅ−ｌａｇ）特性が要求される。
【０００４】
大韓民国公開特許特１９９２−０００７０１９号（公開日：１９９２年４月２８日）に開示されたヒューズは、フィラメントが挿入され、端部に折曲部を有する仮設管をガラス管を中心に進出させ、その端部をシリコンクリーパーに挟めるステップと、仮設管が復帰し、ガラス管内にフィラメントを配線し、ガラス管１の両端のフィラメントを移動させながらフィラメントをガラス管１内に対角線に仮設するステップと、ガラス管１の両端に内部鉛が付着した金属キャップを被せ、こてを接続させながらガラス管の内部に対角線に仮設されたフィラメントの両端を金属キャップに溶接するステップとからなる方法で製造される。
【０００５】
ただし、前記従来のヒューズにおいては、ガラス管を使用し、ソルダリング方式で接合が行われるので、耐久性が弱いという問題があった。そして、ガラス管の内部に内部鉛が挿入されるので、フィラメントを長く形成することができなく、その結果、高電圧で使用可能な十分な時間遅延（Ｔｉｍｅ−ｌａｇ）特性を備えることができないという問題があった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
そこで、本発明は、前記のような問題を解決するためになされたものであって、本発明の目的は、機械的強度に優れたセラミック素材の非導電性部材及びセラミックチューブ管を使用し、セラミックチューブ管と密封電極とをブレージングリングによって接合するので、耐久性を極大化させ得るヒューズ及びその製造方法を提供することにある。
【０００７】
また、本発明の目的は、ヒューズ素子のヒュージブルエレメントを非導電性部材の外周面にワインディングして十分な長さとターン数で形成することによって、時間遅延特性を向上させ、高電圧でも安定的に使用できるヒューズ及びその製造方法を提供することにある。
【０００８】
また、本発明の目的は、ブレージング接合が行われる領域にメッキ層を形成することによって、ブレージングリングの濡れ性及び接合力をさらに向上させ得るヒューズ及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
このために、本発明のヒューズは、セラミックチューブ管と；前記セラミックチューブ管の両端に設けられ、それぞれのリード線と電気的に連結される一対の密封電極と；前記セラミックチューブ管内に収容され、前記各密封電極と電気的に連結され、非導電性部材と、前記非導電性部材の両端に設けられる端子電極と、前記端子電極と電気的に連結されるヒュージブルエレメントと、を含むヒューズ素子と；前記セラミックチューブ管と密封電極との間を密封させるブレージングリング（ｂｒａｚｉｎｇ  ｒｉｎｇ）と；を含み、前記セラミックチューブ管と前記密封電極が溶融した前記ブレージングリングによって接合され、前記密封電極は、セラミックチューブ管内に挿入され、ヒューズ素子と接するように内側に突出する接続部と、前記ブレージングリングと結合する接合部と、からなることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明に係るヒューズの非導電性部材は、セラミック素材からなるロッド状であり、前記ヒュージブルエレメントは、前記非導電性部材の外周面にワインディングされることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明に係るヒューズのブレージングリングは、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）及び亜鉛（Ｚｎ）を含む合金からなることを特徴とする。
【００１３】
また、本発明に係るヒューズのブレージングリングは、外面が前記セラミックチューブ管の外面と同一線上に位置し、内面が前記セラミックチューブ管の内面より内側に延長形成されることを特徴とする。
【００１４】
また、本発明に係るヒューズのブレージングリングは、前記セラミックチューブ管と接合される外周部と、前記ヒューズ素子の端部と接合される内周部とからなることを特徴とする。
【００１５】
また、本発明に係るヒューズの接続部と端子電極との間で溶融し、前記接続部と端子電極とを接合させるブレージング部材をさらに含むことを特徴とする。
【００１６】
また、本発明に係るヒューズの接続部、接合部及び端子電極のうち少なくとも一つには、前記ブレージングリング又はブレージング部材の溶融による接合力及び放電特性を向上させ得るようにニッケル（Ｎｉ）又はチタン（Ｔｉ）が含有されたメッキ層をさらに含むことを特徴とする。
【００１７】
また、本発明のヒューズの製造方法は、セラミックチューブ管と、前記セラミックチューブ管内に収容され、非導電性部材と、前記非導電性部材の両端に設けられる端子電極と、前記端子電極と電気的に連結されるヒュージブルエレメントと、を含むヒューズ素子と、前記セラミックチューブ管の両端部にそれぞれ挿入され、前記ヒューズ素子と接続する第１及び第２の密封電極と、前記セラミックチューブ管と第１及び第２の密封電極とをそれぞれ接合させる第１及び第２のブレージングリングと、を含むヒューズの製造方法において、前記第１の密封電極を設けるＳ１ステップ；前記第１の密封電極上に第１のブレージングリング及びセラミックチューブ管を順次積層するＳ２ステップ；前記セラミックチューブ管に前記ヒューズ素子を挿入するＳ３ステップ；前記セラミックチューブ管上に前記第２のブレージングリング及び第２の密封電極を順次積層するＳ４ステップ；及び前記Ｓ１ステップ〜Ｓ４ステップを経たヒューズをチャンバーに入れ、前記第１及び第２のブレージングリングを溶融させることによって前記セラミックチューブ管と第１及び第２の密封電極との間を密封するＳ５ステップ；を含み、前記第１及び第２の密封電極のそれぞれは、前記セラミックチューブ管内に挿入され、前記ヒューズ素子と接するように内側に突出する接続部と、前記第１及び第２のブレージングリングとそれぞれ結合する接合部と、からなり、前記第１及び第２のブレージングリングのそれぞれは、前記第１及び第２の密封電極のそれぞれの接続部に挿入される、ことを特徴とする。
【００１９】
また、本発明に係るヒューズの製造方法の第１及び第２のブレージングリングは、銀、銅、亜鉛及びスズからなる合金（Ａｇ５６ＣｕＺｎＳｎ）からなり、前記Ｓ５ステップは、前記第１及び第２のブレージングリングを５００℃〜８５０℃の温度で溶融させて行われることを特徴とする。
【００２０】
また、本発明に係るヒューズの製造方法の接合部の表面には、前記第１及び第２のブレージングリングの溶融による接合力及び放電性能を向上させ得るようにニッケル（Ｎｉ）又はチタン（Ｔｉ）が含有されたメッキ層をさらに含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
以上のような構成の本発明に係るヒューズ及びその製造方法によると、機械的強度に優れたセラミック素材の非導電性部材及びセラミックチューブ管を使用し、セラミックチューブ管と密封電極とをブレージングリングによって接合するので、耐久性を極大化させ得るという効果がある。
【００２２】
また、本発明に係るヒューズ及びその製造方法によると、ヒューズ素子のヒュージブルエレメントを非導電性部材の外周面にワインディングして十分な長さとターン数で形成することによって、時間遅延特性を向上させ、高電圧でも安定的に使用できるという効果がある。
【００２３】
また、本発明に係るヒューズ及びその製造方法によると、ブレージング接合が行われる領域にメッキ層を形成することによって、ブレージングリングの濡れ性及び接合力をさらに向上させ得るという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１ａ】本発明に係るヒューズを示す断面図である。
【図１ｂ】本発明に係るヒューズを示す断面図である。
【図１ｃ】本発明に係るヒューズを示す断面図である。
【図２】本発明に係るヒューズの第１の実施例を示す断面図である。
【図３】本発明に係るヒューズの第１の実施例を示す分解断面図である。
【図４】本発明に係るヒューズの第２の実施例を示す断面図である。
【図５】本発明に係るヒューズの第３の実施例を示す断面図である。
【図６】本発明に係るヒューズの第４の実施例を示す断面図である。
【図７ａ】本発明に係るヒューズの第５の実施例を示す断面図である。
【図７ｂ】本発明に係るヒューズの第５の実施例を示す断面図である。
【図８ａ】本発明に係るヒューズの製造方法の一実施例をステップ別に示した断面図である。
【図８ｂ】本発明に係るヒューズの製造方法の一実施例をステップ別に示した断面図である。
【図８ｃ】本発明に係るヒューズの製造方法の一実施例をステップ別に示した断面図である。
【図８ｄ】本発明に係るヒューズの製造方法の一実施例をステップ別に示した断面図である。
【図８ｅ】本発明に係るヒューズの製造方法の一実施例をステップ別に示した断面図である。
【図８ｆ】本発明に係るヒューズの製造方法の一実施例をステップ別に示した断面図である。
【図９】本発明に係るヒューズが基板に表面実装される状態を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下では、添付の図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。
【００２６】
本発明を説明するにおいて、関連する公知機能或いは構成に対する具体的な説明が本発明の要旨を不要に不明瞭にし得ると判断される場合、それについての詳細な説明は省略する。また、後述する各用語は、本発明での機能を考慮して定義された用語であって、これは、使用者及び運用者の意図又は判例などによって変わり得る。そのため、これら用語は、本明細書全般にわたった内容に基づいて定義すべきであろう。
【００２７】
図１ａ乃至図１ｃは、本発明に係るヒューズを示す断面図で、図２は、本発明に係るヒューズの第１の実施例を示す断面図で、図３は、本発明に係るヒューズの第１の実施例を示す分解断面図である。
【００２８】
図１ａ〜図３に示したように、本発明に係るヒューズ１００は、大きく、セラミックチューブ管１２０、密封電極１３０、ヒューズ素子１１０、及びブレージングリング１５０を含む。
【００２９】
具体的に、本発明に係るヒューズ１００は、内部に不活性気体が充填されたセラミックチューブ管１２０と、前記セラミックチューブ管１２０の両端に設けられ、それぞれのリード線１７０と電気的に連結される一対の密封電極１３０と、前記セラミックチューブ管１２０内に収容され、前記各密封電極１３０と電気的に連結され、ヒュージブルエレメントを含むヒューズ素子１１０と、前記セラミックチューブ管１２０と密封電極１３０との間を密封させるブレージングリング１５０とを含むことができる。
【００３０】
図１ａを参照すると、本発明に係るヒューズ素子１１０は、非導電性部材１１１と、前記非導電性部材１１１の両端に設けられる端子電極１１７と、前記各端子電極１１７と電気的に連結されるヒュージブルエレメント１１５とを含むことができる。
【００３１】
前記非導電性部材１１１は、ロッド状であり、セラミック素材、例えば、アルミナ素材からなり得る。そして、前記非導電性部材１１１の外周面にヒュージブルエレメント１１５が付着し得る。
【００３２】
前記端子電極１１７は、銅合金素材からなることを例示することができ、前記非導電性部材１１１の両端に設けられ、前記密封電極１３０とヒューズ素子１１０とを電気的に連結させる役割をする。
【００３３】
前記ヒュージブルエレメント１１５は、前記非導電性部材の外周面に螺旋方向にワインディングされることが好ましい。その理由は、ヒュージブルエレメント１１５を後述する図１ｂ及び図１ｃのヒュージブルエレメント１１５ａ、１１５ｂより長く形成することによって、サージ電圧によって溶断されない時間遅延（Ｔｉｍｅ−ｌａｇ）特性を向上させることができ、高電圧（例えば、２５０Ｖ以上の高電圧）で安定的に使用できるためである。
【００３４】
前記ヒュージブルエレメント１１５は、過電流が印加されると破損（断線）されるように動作する。そして、ヒュージブルエレメント１１５は、銅、銀、銅−銀合金、ニッケル−銅、ニッケル−鉄、表面に銀メッキを施した銅、鉄、クロム及びニッケルを主成分として含む鉄系合金からなることを例示することができる。
【００３５】
また、図１ｂを参照すると、本発明に係るヒューズ素子１１０ａは、内部が空の円筒状の非導電性部材１１１と、前記非導電性部材１１１の両端に設けられる端子電極１１７と、前記各端子電極１１７と電気的に連結され、前記非導電性部材１１１の内部を貫通するヒュージブルエレメント１１５ａとを含むことができる。
【００３６】
また、図１ｃを参照すると、本発明に係るヒューズ素子１１０ｂは、非導電性部材１１１と、前記非導電性部材１１１の両端に設けられる端子電極１１７と、前記非導電性部材１１１の外周面に長さ方向に付着し、前記各端子電極１１７と電気的に連結されるヒュージブルエレメント１１５とを含むことができる。
【００３７】
このように、本発明に係るヒューズ素子１１０ａは、製品の用途及び特性などを考慮して多様な形態に構成することができる。
【００３８】
本発明に係るセラミックチューブ管１２０は、筒状からなり、セラミック材質からなる。このような筒状のセラミックチューブ管１２０の両端には密封電極１３０が設置され、前記密封電極１３０によってセラミックチューブ管１２０が密封される。そして、前記セラミックチューブ管１２０の両端は、前記密封電極１３０とブレージング接合される。
【００３９】
前記密封電極１３０は、上述したように、前記セラミックチューブ管１２０の両端に設置され、リード線１７０とそれぞれ電気的に連結される。
【００４０】
そして、前記密封電極１３０は銅合金からなることを例示することができる。
【００４１】
前記密封電極１３０は、セラミックチューブ管１２０内に挿入され、ヒューズ素子１１０と接するように内側に突出する接続部１３３と、前記ブレージングリング１５０と結合する接合部１３１とからなることを例示することができる。
【００４２】
前記密封電極１３０は、前記接続部１３３が内側に突出するので、前記ブレージングリング１５０又はセラミックチューブ管１２０との組み立てを容易に行うことができ、ブレージング過程でセラミックチューブ管１２０内のヒューズ素子１１０を圧着することができ、密封電極１３０と接続部１３３との電気的連結が優秀になる。
【００４３】
本発明に係るブレージングリング１５０は、母材であるセラミックチューブ管１２０と密封電極１３０との間で溶融され、両母材を接合させて密封する溶加材（ｆｉｌｌｅｒ  ｍｅｔａｌ）としての役割をする。
【００４４】
前記ブレージングリング１５０は、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）及び亜鉛（Ｚｎ）を含む合金からなることを例示することができる。
【００４５】
そして、前記ブレージング工程は、溶加材であるブレージングリングの溶融点以上、母材であるセラミックチューブ管及び密封電極の溶融点以下の温度で行われる。
【００４６】
前記ブレージングによる接合においては、濡れ性（ｗｅｔｔｉｎｇ）（溶加材と母材の親和力の程度を示す性質）が重要な要素となる。すなわち、ブレージングリングとセラミックチューブ管及び密封電極との濡れ性が悪いと、接合が行われなくなる。したがって、本発明では、ヒューズ素子を収容するチューブ管として、溶加材との濡れ性が悪い既存のガラスの代わりに、濡れ性に優れたセラミック素材のセラミックチューブ管を使用した。
【００４７】
そして、前記ブレージングリング１５０によるブレージング接合は、前記ブレージングリング１５０が溶融されながら前記セラミックチューブ管１２０及び密封電極１３０の表面で毛細管現象（ｃａｐｉｌｌａｒｙ  ａｃｔｉｏｎ）を起こすので、接合強度に非常に優れるだけでなく、振動などに対する耐衝撃性に優れるという長所を有する。
【００４８】
一方、前記ブレージングリング１５０は、外面１５１が前記セラミックチューブ管１２０の外面と同一線上に位置し、内面１５２が前記セラミックチューブ管１２０の内面より内側に延長形成され得る。
【００４９】
このように、本発明に係るヒューズは、機械的強度に優れたセラミック素材のセラミックチューブ管を使用し、セラミックチューブ管と密封電極とをブレージングリングによって接合するので、耐久性が著しく増加し、高電圧でも安定的に使用できるという長所がある。
【００５０】
図４は、本発明に係るヒューズの第２の実施例を示す断面図である。
【００５１】
図４を参照すると、本発明に係るヒューズ１００ａは、前記接続部１３３と端子電極１１７とを接合させるブレージング部材１６０をさらに含むことができる。
【００５２】
前記ブレージング部材１６０は、板状であり、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）及び亜鉛（Ｚｎ）を含む合金からなることを例示することができる。
【００５３】
前記ブレージング部材１６０は、前記ブレージングリングと同様に、前記接続部１３３と端子電極１１７との間で溶融し、前記接続部１３３と端子電極１１７とを接合させるようになる。
【００５４】
したがって、前記ヒューズ素子１１０と密封電極１３０が前記ブレージング部材１６０によってより堅固に結合することによって、ヒューズの耐久性を向上させることができる。
【００５５】
図５は、本発明に係るヒューズの第３の実施例を示す断面図である。
【００５６】
図５を参照すると、本発明に係るヒューズ１００ｂのブレージングリング１５０ａは、前記セラミックチューブ管１２０とヒューズ素子１１０のそれぞれを同時に接合させるように構成することができる。
【００５７】
すなわち、前記ブレージングリング１５０ａは、前記セラミックチューブ管１２０の端部と接合される外周部１５３と、前記ヒューズ素子１１０の端部、具体的に、端子電極１１７と接合される内周部１５４とからなり得る。
【００５８】
したがって、前記ブレージングリング１５０ａは、前記接続部１３３ａの厚さと同じであるか、又はそれより厚く形成することが好ましい。その理由は、前記ブレージングリング１５０ａを前記接続部１３３ａの厚さより厚く形成すると、溶融後、前記セラミックチューブ管１２０と端子電極１１７とをそれぞれ接合できるためである。
【００５９】
また、前記ブレージングリング１５０ａの内周部１５４は、図２のブレージングリングに比べて内側により長く延長形成され、前記接続部１３３ａは、図２の接続部より狭い幅で形成されることが好ましい。
【００６０】
図６は、本発明に係るヒューズの第４の実施例を示す断面図である。
【００６１】
図６を参照すると、本発明に係るヒューズ１００ｃは、前記ブレージングリング１５０又はブレージング部材１６０の母材との濡れ性を向上させるようにメッキ層１８０をさらに含むことができる。
【００６２】
具体的に、前記メッキ層１８０（１８１、１８３、１８５）は、前記接続部１３３、接合部１３１及び端子電極１１７のうち少なくとも一つに形成され、前記ブレージングリング１５０又はブレージング部材１６０の溶融による接合力を向上させる役割をする。
【００６３】
そして、前記メッキ層１８０は、ニッケル（Ｎｉ）又はチタン（Ｔｉ）を含んで構成されることが好ましく、Ｎｉ3Ｐなどの化合物からなることを例示することができる。
【００６４】
図７ａ及び図７ｂは、本発明に係るヒューズの第５の実施例を示す断面図である。
【００６５】
図７ａ及び図７ｂを参照すると、本発明に係る密封電極１３０ｂは、図１〜図６の密封電極とは異なり、接続部が内側に突出しない平板状に構成することができる。
【００６６】
そして、前記ブレージングリング１５０ｂは、前記セラミックチューブ管１２０の端部と端子電極１１７とを同時に接合できるように平板状に構成することができる（図７ａ参照）。
【００６７】
また、前記ブレージングリング１５０ｃは、前記密封電極１３０と端子電極１１７とが直接接続されるように中央領域が中空のリング状に構成することができる（図７ｂ参照）。
【００６８】
以下では、添付の図面を参照して本発明に係るヒューズの製造方法について詳細に説明する。
【００６９】
図８ａ〜図８ｆは、本発明に係るヒューズの製造方法の一実施例をステップ別に示した断面図である。
【００７０】
本発明に係るヒューズ１００の製造方法は、上述したように、内部にヒューズ素子１１０が収容されるセラミックチューブ管１２０と、前記セラミックチューブ管１２０の両端部にそれぞれ挿入され、前記ヒューズ素子１１０と接続する第１及び第２の密封電極１３０、１３５と、前記セラミックチューブ管１２０と第１及び第２の密封電極１３０、１３５とをそれぞれ接合させる第１及び第２のブレージングリング１５０、１５５とを含むことができる。
【００７１】
まず、図８ａを参照すると、Ｓ１ステップは、第１の密封電極１３０を設けるステップであって、前記第１の密封電極１３０は、セラミックチューブ管１２０内に挿入され、ヒューズ素子１１０と接するように内側に突出する接続部１３３と、前記第１のブレージングリング１５０と結合する接合部とからなる。
【００７２】
次に、図８ｂを参照すると、Ｓ２ステップは、前記第１の密封電極１３０上に第１のブレージングリング１５０及びセラミックチューブ管１２０を順次積層するステップである。
【００７３】
前記第１のブレージングリング１５０は、第１の密封電極１３０の接続部１３３に挿入され、前記セラミックチューブ管１２０は前記第１のブレージングリング１５０の上部に載せられる。
【００７４】
その次に、図８ｃを参照すると、Ｓ３ステップは、前記セラミックチューブ管１２０に前記ヒューズ素子１１０を挿入するステップである。
【００７５】
ここで、前記ヒューズ素子１１０は、非導電性部材１１１と、前記非導電性部材１１１の両端に設けられる第１及び第２の端子電極１１７、１１７ａと、前記第１及び第２の端子電極１１７、１１７ａと電気的に連結されるヒュージブルエレメント１１５とを含むことができる。
【００７６】
前記の挿入されたヒューズ素子１１０の第１の端子電極１１７は、前記第１の密封電極１３０の接続部１３３の上面に置かれる。前記第１の端子電極１１７の内面と前記非導電性部材１１１との間にはギャップ（Ｇ）（ｇａｐ）及び間隔が発生し得る。また、前記ギャップ及び間隔は、後述する第２の密封電極の結合による圧着及びＳ５ステップのブレージング過程を通じてなくなる。このようなギャップ及び間隔は、ヒューズ素子の組み立て過程で自然に発生することもあり、人為的に形成することもできる。
【００７７】
その次に、図８ｄを参照すると、Ｓ４ステップは、前記セラミックチューブ管１２０上に前記第２のブレージングリング１５５及び第２の密封電極１３５を順次積層するステップである。
【００７８】
前記Ｓ１ステップ〜Ｓ４ステップを通じて、ブレージング接合されていない状態のヒューズの組み立てが行われる。
【００７９】
その次に、Ｓ５ステップは、前記Ｓ１ステップ〜Ｓ４ステップを経たヒューズ１００をチャンバーＣに入れ、前記第１及び第２のブレージングリング１５０、１５５を溶融させ、前記セラミックチューブ管１２０と第１及び第２の密封電極１３０、１３５との間を密封するステップである。
【００８０】
前記Ｓ５ステップは、チャンバー内を不活性気体雰囲気に造成した状態で行うことができ、前記の密封されたセラミックチューブ管１２０の内部には不活性気体が充填される。そして、不活性気体が充填されるので、ヒューズ素子が酸化されることを防止することができ、耐久性をさらに向上させることができる。
【００８１】
前記チャンバーＣには、ヒューズ１００が縦方向に立てられた状態で投入され（図８ｅ参照）、前記チャンバーＣ内を加熱し、前記第１及び第２のブレージングリング１５０、１５５を溶融させて接合するようになる（図８ｆ参照）。
【００８２】
このとき、チャンバーＣ内では、母材である第１及び第２の密封電極１３０、１３５及びセラミックチューブ管１２０が融点以下の温度で加熱し、母材の変形を防止しなければならなく、前記第１及び第２のブレージングリングの材質に応じて、加熱温度は、例えば、５００℃〜８５０℃の範囲内に設定することができる。例えば、前記第１及び第２のブレージングリング１５０、１５５が銅、銀を含む合金（Ａｇ２５Ｃｕ）である場合は８００℃〜８５０℃の温度で加熱することができ、この場合は、ヒュージブルエレメントがブレージング処理された後、溶断されない素材、例えば、ニッケル−銅合金、ニッケル−鉄合金を使用することが好ましい。
【００８３】
そして、前記第１及び第２のブレージングリング１５０、１５５が銀、銅、亜鉛及びスズからなる合金（Ａｇ５６ＣｕＺｎＳｎ）である場合は６００℃〜６５０℃の温度でブレージングが行われるので、ニッケル−銅合金、ニッケル−鉄合金などはもちろん、ヒュージブルエレメントが８００℃〜８５０℃で溶断される銅、銀、銀−銅合金も使用することができる。
【００８４】
すなわち、前記第１及び第２のブレージングリング１５０、１５５が溶融されるブレージング温度を８００℃〜８５０℃から６００℃〜６５０℃に低下させることによって、既存にヒュージブルエレメントの主成分をなしていた銅、銀、銀−銅合金などをそのまま使用することができ、ヒューズの設計時における選択の幅を広げることができる。また、ヒュージブルエレメントが８００℃以上で溶断されないとしても、高熱によって影響を受けることによって品質が低下し得るが、ブレージングが相対的に低い温度（６００℃〜６５０℃）で行われるので、高熱による性能／品質低下の問題を最小化することができる。
【００８５】
そして、加熱された前記第１及び第２のブレージングリング１５０、１５５は、溶融されて毛細管現象によって母材の表面を密封及び接合させ、その厚さは減少するようになる。その後、密封電極の外面にリード線を結合することによって、ヒューズの製造は完了する。
【００８６】
一方、図９は、本発明に係るヒューズが基板に表面実装される状態を示す断面図である。
【００８７】
図９を参照すると、本発明のヒューズ１００ａは、リード線を省略し、密封電極１３０とソルダーボールとを接合させることができ、表面実装素子（ＳＭＤ、ｓｕｒｆａｃｅ  ｍｏｕｎｔ  ｄｅｖｉｃｅ）として活用することもできる。
【００８８】
このように、本発明に係るヒューズの製造方法では、機械的強度に優れたセラミック素材のセラミックチューブ管を使用し、セラミックチューブ管と密封電極とをブレージングリングによって接合するので、接合強度及び耐久性に優れる。
【００８９】
また、ヒュージブルエレメントを非導電性部材の外周面にワインディングすることによって、時間遅延特性を向上させ、高電圧でも使用可能に構成することができる。
【００９０】
また、ブレージング温度を６００℃〜６５０℃に低下させることによって、既存のヒュージブルエレメント素材をそのまま使用したとしても、溶断されることを防止できるという長所がある。
【００９１】
このように、本発明のヒューズの製造方法によると、ブレージングを通じて耐久性を向上させ、２５０Ｖ以上の高電圧でも安定的に使用可能なヒューズを製造することができる。
【００９２】
一方、本発明の詳細な説明及び添付の図面では、具体的な実施例について説明したが、本発明は、開示された実施例に限定されず、本発明の属する技術分野で通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想から逸脱しない範囲内で多様な置換、変形及び変更が可能である。したがって、本発明の範囲は、上述した実施例に限定して定めてはならなく、後述する特許請求の範囲のみならず、この特許請求の範囲と均等なものを含むものと解釈すべきであろう。
【符号の説明】
【００９３】
１００    ヒューズ
１１０    ヒューズ素子
１１１    非導電性部材
１１５    ヒュージブルエレメント
１１７    端子電極
１２０    セラミックチューブ管
１３０    密封電極
１３１    接合部
１３３    接続部
１５０    ブレージングリング
１５１    外面
１５２    内面
１５３    外周部
１５４    内周部
１６０    ブレージング部材
１７０    リード線
１８０    メッキ層
１８１    接合部メッキ層
１８３    接続部メッキ層
１８５    端子電極メッキ層
【図１ａ】
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【図１ｂ】
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【図１ｃ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７ａ】
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【図７ｂ】
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【図８ａ】
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【図８ｂ】
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【図８ｃ】
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【図８ｄ】
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【図８ｅ】
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【図８ｆ】
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【図９】
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