(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒータ素線の一端部から該ヒータ素線に対して、所定の周波数を有する高周波信号を出力する工程と、
前記ヒータ素線の他端部から前記高周波信号を入力する工程と、
出力した前記高周波信号と入力した前記高周波信号とに基づいて前記ヒータ素線の伝送特性を求める工程と、
前記伝送特性の変化に基づいて前記ヒータ素線の異常を検出する工程と、
前記ヒータ素線の少なくとも一部が並列した並列部の間隔を変化させるステップと、
前記ヒータ素線の一端部から該ヒータ素線に対し、周波数を変化させながら第２の高周波を出力するステップと、
前記ヒータ素線の他端部から前記第２の高周波を入力するステップと、
出力した前記第２の高周波と入力した前記第２の高周波とに基づいて、前記ヒータ素線の伝送特性の周波数依存性を求めるステップとを複数回繰り返す工程と、
前記間隔と前記伝送特性の周波数依存性との関係から、当該伝送特性が前記間隔に依存する周波数領域を決定する工程と、
前記周波数領域に含まれる周波数を前記高周波信号の前記所定の周波数に設定する工程と
を含む、ヒータ素線検査方法。
【請求項２】
前記出力する工程が、前記ヒータ素線の通電時以外に行われる、請求項１に記載のヒータ素線検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ヒータ素線を検査する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造装置には、基板を収容する処理容器と、処理容器に収容される基板を加熱する加熱装置とを有するものがある。処理容器の内部に複数枚の基板を上下方向に保持可能な半導体製造装置では、その処理容器を囲むように加熱装置が配置される。加熱装置の内部には、例えばニッケル−クロム合金や鉄−ニッケル−クロム合金などで作製され、所定の間隔をあけて巻き回されたヒータ素線が配置される。
【０００３】
このような加熱装置では、ヒータ素線の経年変化等によって加熱性能が劣化することは避けられない。また、劣化によりヒータ素線が断線した場合には、半導体処理装置の使用を中止し、ヒータ素線を交換する必要が生じる。
【０００４】
断線を未然に防止するため、ヒータ素線の異常を検知することが望まれており、特許文献１には、パルス波を用いてヒータの実効電圧及び実効電流を求め、これらから得た抵抗値から断線を予測する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−２８１８３７号公報（段落００１１、００４２）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述の加熱装置を使用する場合、昇降温に伴ってヒータ素線が熱膨張し収縮するため、応力が生じ、ヒータ素線に傷や亀裂が生じることがある。また、ヒータ素線が経時的に延びて湾曲することにより、ヒータ素線間の間隔が狭くなり、隣接する２本のヒータ素線が互いに接触する自体ともなり得る。
【０００７】
このようなヒータ素線の異常は、例えば、通常より昇温に時間がかかったり、ヒータ素線に投入した電力に比べて温度が上がらなかったりしたときに発見することができる。また、目視検査によりヒータ素線の変形（延び）を発見することも可能である。
【０００８】
しかし、ヒータ素線により物体を加熱するときには例えばＰＩＤ制御による温度調整が行われるため、昇温時間や電力等によるヒータ素線異常を検出することは、それほど容易ではない。また、ヒータ素線は、多くの場合、ヒータユニットに組み込まれているため、ヒータ素線の目視検査には、ヒータユニットの分解や組立てなどに長い時間と多くの労力を要する。
【０００９】
本発明は、上記の事情に鑑み、ヒータ素線の異常を容易に検出可能なヒータ素線検査方法、加熱装置、及びこれを備える基板処理装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の第１の態様によれば、ヒータ素線の一端部から該ヒータ素線に対して、所定の周波数を有する高周波信号を出力する工程と、前記ヒータ素線の他端部から前記高周波信号を入力する工程と、出力した前記高周波信号と入力した前記高周波信号とに基づいて前記ヒータ素線の伝送特性を求める工程と、前記伝送特性の変化に基づいて前記ヒータ素線の異常を検出する工程と、前記ヒータ素線の少なくとも一部が並列した並列部の間隔を変化させるステップと、前記ヒータ素線の一端部から該ヒータ素線に対し、周波数を変化させながら第２の高周波を出力するステップと、前記ヒータ素線の他端部から前記第２の高周波を入力するステップと、出力した前記高周波と入力した前記第２の高周波とに基づいて、前記ヒータ素線の伝送特性の周波数依存性を求めるステップとを複数回繰り返す工程と、前記間隔と前記伝送特性の周波数依存性との関係から、当該伝送特性が前記間隔に依存する周波数領域を決定する工程と、前記周波数領域に含まれる周波数を前記高周波信号の前記所定の周波数に設定する工程とを含む、ヒータ素線検査方法が提供される。
【００１１】
本発明の第２の態様によれば、ヒータ素線の一端部から該ヒータ素線に対して方形波を出力する工程と、前記方形波の反射波を前記一端部から入力するか、前記ヒータ素線の他端部から前記方形波の透過波を入力するかのいずれかを行う工程と、前記反射波又は前記透過波の時間変化に基づいて前記ヒータ素線の異常を検査する工程とを含むヒータ素線検査方法が提供される。
【００１２】
本発明の第３の態様によれば、所定の形状で配置されるヒータ素線と、前記ヒータ素線の一端部に対し高周波信号を出力し、前記ヒータ素線の他端部から前記高周波信号を入力する高周波電源と、出力した高周波信号と入力した前記高周波信号とに基づいて前記ヒータ素線の伝送特性を取得する解析部とを備える加熱装置が提供される。
【００１３】
本発明の第４の態様によれば、基板が収容され、前記基板に対して処理が行われる処理容器と、前記処理容器に収容される前記基板を加熱する、第３の態様による加熱装置とを備える基板処理装置が提供される。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の実施形態によれば、ヒータ素線の異常を容易に検出可能なヒータ素線検査方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の第１の実施形態による基板処理装置の一例を示す模式図である。
【図２】図１の基板処理装置の加熱装置の内面を示す模式図である。
【図３】図２の加熱装置の一部断面図である。
【図４】本発明の第２の実施形態によるヒータ素線検査方法に沿って行った実験の結果を示すグラフである。
【図５】本発明の第３の実施形態によるヒータ素線検査方法に沿って行った実験の結果を示すグラフである。
【図６】本発明の第４の実施形態によるヒータ素線検査方法に沿って行った実験の結果を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、添付の図面を参照しながら、本発明の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付の全図面中、同一または対応する部材または部品については、同一または対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。また、図面は、部材又は部品間の相対比を示すことを目的とせず、したがって、具体的な寸法は、以下の限定的でない実施形態に照らし、当業者により決定されるべきものである。
【００１７】
（第１の実施形態）
始めに、図１から図３までを参照しながら、本発明の実施形態による基板処理装置について説明する。図１を参照すると、基板処理装置２は、内部に複数枚の基板（以下、ウエハＷ）が上下方向に所定の間隔で積層されて収容される処理容器４と、処理容器４の側面及び上面を覆う加熱装置４８とを有している。
【００１８】
処理容器４は、有蓋の円筒形状を有するアウター管６と、有蓋の円筒形状を有し、アウター管６の内側に同心状に配置されるインナー管８と、から構成される。アウター管６及びインナー管８は、耐熱性を有する材料、例えば石英から形成される。また、アウター管６及びインナー管８は、その下端部から、例えばステンレススチールやアルミニウムなどの金属から作製されるマニホールド１０により保持される。また、マニホールド１０は、ベースプレート１２に固定される。
【００１９】
マニホールド１０の下端部の開口部には、例えばステンレススチールやアルミニウムなどの金属から作製される円盤状のキャップ部１４が、Ｏリング等のシール部材１６を介して気密に取り付けられている。また、キャップ部１４の中心部には、例えば磁性流体シール１８により気密で回転可能な回転軸２０が挿通されている。この回転軸２０の下端は、回転機構２２に接続されている。回転軸２０の上端は、例えば金属よりなるテーブル２４が固定されている。
【００２０】
テーブル２４上には、例えば石英製の保温筒２６が設けられている。また、保温筒２６上には、支持具として例えば石英製のウエハボート２８が戴置される。ウエハボート２８には、例えば５０〜１５０枚のウエハＷが、所定の間隔、例えば１０ｍｍ程度間隔のピッチで収容される。ウエハボート２８、保温筒２６、テーブル２４、及びキャップ部１４は、例えばボートエレベータである昇降機構３０により、処理容器４内に一体となってロードされ、アンロードされる。
【００２１】
マニホールド１０の下部には、一端部においてマニホールド１０を気密に貫通し、インナー管８の内周面に沿って上方へ屈曲するガスノズル３４が設けられている。ガスノズル３４の他端部は、所定の配管を介して図示しないガス供給源に接続されている。また、配管には、例えばマスフローコントローラなどの流量制御装置や開閉バルブ（不図示）が設けられており、これによりガスノズル３４から処理容器４内に供給されるガスの供給開始、供給停止、及び流量などが制御される。なお、図１においては、１本のガスノズル３４が記載されているが、用いるガス種に応じて複数本のガスノズル３４を設けても良い。例えば、基板処理装置２によりウエハＷに酸化シリコン膜を成膜する場合には、シリコン含有ガス用のガスノズル３４、酸化ガス用のガスノズル３４、及びパージガス用のガスノズル３４を設けて良い。
【００２２】
マニホールド１０の上部にはガス排気口３６が設けられており、ガス排気口３６には排気系３８が連結されている。排気系３８は、ガス排気口３６に接続された排気通路４０と、排気通路４０の途中に順次接続される圧力調整弁４２及び真空ポンプ４４とを有している。排気系３８により、処理容器４へ供給されたガスが排気されるとともに、処理容器４内の圧力が調整される。  
なお、マニホールド１０を設けず、処理容器４全体が例えば石英により作製されても良い。
【００２３】
加熱装置４８は、有蓋の円筒体状を有する断熱体５０を有する。断熱体５０は、例えば熱伝導性が低く、無定形のシリカ及びアルミナの混合物により形成される。断熱体５０の厚さは、通常、約３０ｍｍから約４０ｍｍである。また、断熱体５０の内径は、処理容器４の外径よりも所定の長さだけ大きく、これにより、断熱体５０の内面と処理容器４の外面との間に所定の空間が形成される。さらに、断熱体５０の外周面には、例えばステンレススチールよりなる保護カバー５１が、断熱体５０全体を覆うように取り付けられている。
【００２４】
また、断熱体５０の内面にはヒータ素線５２がコイル状に巻き回されている。図２を参照すると、断熱体５０の内面側には断熱体５０の上下方向に延びる複数本の保持具５４が設けられている。保持具５４は、図３に示すように、断熱体５０の内面に望む複数の凹部５６を有しており、この凹部５６によりヒータ素線５２が保持される。なお、保持具５４は、耐熱性及び絶縁性に優れるセラミック材料により作製されることが好ましい。また、保持具５４は、断熱体５０の内径に応じて、例えば約１００ｍｍから約１５０ｍｍまでの間隔Ｌ（図２参照）で配置されることが好ましい。
【００２５】
なお、ヒータ素線５２（凹部５６）のピッチは、例えば約１０ｍｍから約３０ｍｍであって良い。また、ヒータ素線５２の外径は、例えば約１ｍｍから１０ｍｍであって良い。さらに、ヒータ素線５２の中心と断熱体５０との距離Ｌ１（図３参照）は、例えば約６ｍｍから約２０ｍｍである。
【００２６】
再び図１を参照すると、加熱装置４８には断熱体５０及び保護カバー５１を貫通して２つの電流導入端子５２Ｉが設けられている。電流導入端子５２Ｉは、断熱体５０の内面側においてヒータ素線５２と接続され、保護カバー５１の外側において配線５２Ｃと接続されている。また、配線５２Ｃは電源装置５５に接続され、電源装置５５から電流導入端子５２Ｉを通してヒータ素線５２へ電力が供給される。熱電対（不図示）による温度測定結果に基づき温度調整器（不図示）によって電源装置５５からの電力が調整され、これにより、処理容器４内のウエハＷが所定の温度に加熱される。
【００２７】
また、配線５２Ｃにはコイル５７が設けられている。すなわち、コイル５７の中心を配線５２Ｃが通り抜けるようにコイル５７が設けられている。また、コイル５７は検査用電源５８に接続されている。検査用電源５８は、例えば約３００ｋＨｚから約５００ＭＨｚまでの範囲の高周波信号を出力することができる。また、検査用電源５８は、例えば約１０ｐｓから約３５ｐｓまでの立ち上がり時間（rise time）を有するパルス信号を出力することができる。
【００２８】
検査用電源５８から一方のコイル５７へ出力される高周波信号は、インダクタンス結合により配線５２Ｃへ流入し、一方の電流導入端子５２Ｉを通してヒータ素線５２へ流れる。ヒータ素線５２を流れた高周波信号は、配線５２Ｃから他方のコイル５７を介して検査用電源５８へ戻る。
【００２９】
また、検査用電源５８には、アナライザ５９が接続されており、これにより検査用電源５８からヒータ素線５２へ出力した高周波信号と、ヒータ素線５２から入力した高周波信号とに基づき、損失などの伝送特性が求められる。
【００３０】
以上のとおり構成される加熱装置４８及びこれを備える基板処理装置２の利点等は、以下に説明するヒータ素線検査方法から理解される。
【００３１】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態によるヒータ素線検査方法について、第１の実施形態による基板処理装置２のヒータ素線５２を検査する場合を例にとり説明する。以下の説明においては図１から図３を適宜参照する。
【００３２】
始めに、本実施形態のヒータ素線検査方法を完成するに至った実験及びその結果を説明する。この実験においては、断熱体５０の内面側に配置されたヒータ素線５２の一部に意図的に傷をつけ、傷の深さに応じて、ヒータ素線５２における高周波信号の伝送特性を調べた。
【００３３】
具体的には、まずヒータ素線５２の一部においてヒータ素線５２の側面から２ｍｍの深さを有する傷を形成した。次いで、このヒータ素線５２に対して検査用電源５８から高周波信号を出力し、その高周波信号の周波数を８０ＭＨｚから９０ＭＨｚに変化（スイープ）させた。そのときの伝送特性（損失）の周波数依存性をアナライザ５９により取得した。次に、上記の傷を４ｍｍまで深くし、同様にして伝送特性の周波数依存性を取得し、さらに傷を６ｍｍまで深くして同様に伝送特性の周波数依存性を取得した。なお、傷をつける前にもヒータ素線５２の伝送特性の周波数依存性を取得した（傷０ｍｍ）。
【００３４】
このようにして得た伝送特性の周波数依存性を図４（ａ）に示す。この図から、伝送特性は、高周波信号の周波数だけでなく傷の深さによっても大きく変化することが分かる。このような変化は、ヒータ素線５２のインピーダンスが、ヒータ素線５２に形成された傷により変化するためと考えられる。  
ここで、図４（ａ）における８４．５５ＭＨｚの周波数に着目し、この周波数における伝送特性（損失）と傷の深さとの関係を調べた。その結果を図４（ｂ）に示す。図示のとおり、伝送特性（損失）と傷の深さとの間には、ほぼ直線的な関係が認められる。したがって、８４．５５ＭＨｚの周波数を有する高周波信号を用いてヒータ素線５２の伝送特性を取得することにより、ヒータ素線５２における傷の発生及び傷の深さを知ることが可能となる。（使用可能な周波数をひとたび決定すれば、その後は周波数をスイープすることなく、その周波数に固定して良い。）
以上から、本発明の第２の実施形態によるヒータ素線検査方法においては、ヒータ素線５２の傷の深さに依存する、高周波信号の周波数を予め求めておき、その周波数を有する高周波信号を検査用電源５８からヒータ素線５２の一端へ出力し、その高周波信号をヒータ素線５２の他端から入力し、その高周波信号の伝送特性（損失）を求め、伝送特性の経時変化を観察することから、ヒータ素線５２の傷の発生及びその深さを検査することが可能となる。
【００３５】
なお、高周波信号は、例えば加熱装置４８の降温時などに電源装置５５からのヒータ電力がゼロになったときに出力することができる。したがって、基板処理装置２における処理が終了するたびに高周波信号を出力すればよい。また、降温時に限らず、電源装置５５からのヒータ電力がゼロになったときに高周波信号を出力しても良い。昇温時や、降温時、定常時にかかわらず、ＰＩＤ制御の際に、電力の出力がゼロになったタイミングで例えば数ナノ秒の間に高周波電力を出力しても、伝送特性を求めることができる。
【００３６】
以上のように、本発明の第２の実施形態によるヒータ素線検査方法によれば、ヒータ素線５２に対して高周波信号を出力し、伝送特性を取得することにより、ヒータ素線５２の傷を検査することができるため、基板処理装置２を止める必要がない。また、加熱装置４８を分解してヒータ素線５２を目視で検査し、その後に加熱装置４８を組み立てたりするといった手間が不要である。さらに、基板処理装置２における処理の合間に高周波信号を出力できるため、検査時間を敢えて設けることなく、ヒータ素線５２を検査することが可能となる。
【００３７】
また、図４（ｂ）に示すように、ヒータ素線５２の傷の深さを知ることができるため、ヒータ素線５２の断線時期を予測することができ、例えば装置の定期点検に合わせてヒータを交換することができるといった利点が提供される。特に、データを蓄積することにより、断線時期の予測精度を向上できる。また、基板処理装置２において製品製造用ウエハＷを処理している最中にヒータ素線５２が断線するのを回避することもできる。
【００３８】
（第３の実施形態）
次に、本発明の第３の実施形態によるヒータ素線検査方法について、第１の実施形態による基板処理装置２のヒータ素線５２を検査する場合を例にとり説明する。以下の説明においては、図１から図３を適宜参照する。
【００３９】
始めに、本実施形態のヒータ素線検査方法を完成するに至った実験及びその結果を説明する。この実験においては、断熱体５０の内面側に配置されたヒータ素線５２の一部において、ヒータ素線５２の間隔を変化させて、ヒータ素線５２における高周波信号の伝送特性を調べた。すなわち、使用中にヒータ素線５２が不可逆的に延びて湾曲することから生じる間隔の変化を疑似的に生成し、ヒータ素線５２の間隔に対する、ヒータ素線５２における高周波信号の伝送特性を調べた。
【００４０】
具体的には、ヒータ素線５２の一部を曲げることにより隣接するヒータ素線５２との間隔を６ｍｍに狭め、検査用電源５８から高周波信号をヒータ素線５２に対して出力し、その高周波信号の周波数を１００ＭＨｚから１５０ＭＨｚに変化（スイープ）させた。そのときの伝送特性（損失）の周波数依存性をアナライザ５９により取得した。なお、ヒータ素線５２の間の間隔は、例えばセラミック製の治具を用いて調整することができる。  
続けて、ヒータ素線５２の間隔を２ｍｍ、１ｍｍ、及び０ｍｍと狭めて同様に周波数特性を取得した。ヒータ素線５２の間隔０ｍｍは、ヒータ素線５２の並列する部分が互いに接触していることに相当する。
【００４１】
このようにして得た伝送特性の周波数依存性を図５（ａ）に示す。図示のとおり、本実験においても、伝送特性は周波数だけでなくヒータ線５２の間隔によっても大きく変化する。このような変化は、間隔の変化によりヒータ素線５２のインピーダンスが変化するために生じると考えられる。
【００４２】
ここで、図５（ａ）中の１２９．７５ＭＨｚの周波数に着目し、この周波数における伝送特性とヒータ素線５２の間隔との関係を調べた。その結果を図５（ｂ）に示す（図５（ｂ）には図５（ａ）に図示しない結果についても示す）。図示のとおり、伝送特性（損失）と間隔との間には、ほぼ直線的な関係が認められる。したがって、１２９．７５ＭＨｚの周波数を有する高周波信号を用いてヒータ素線５２の伝送特性を取得することにより、ヒータ素線５２の間隔の変化、すなわちヒータ素線５２における延びの発生と、延びの程度とを知ることが可能となる。なお、使用可能な周波数をひとたび決定すれば、その後は周波数をスイープすることなく、その周波数に固定して良いことは第２の実施形態と同様である。
【００４３】
以上から、本発明の第３の実施形態によるヒータ素線検査方法においては、ヒータ素線５２の間隔に依存する、高周波信号の周波数を予め求めておき、その周波数を有する高周波信号を検査用電源５８からヒータ素線５２の一端へ出力し、その高周波信号をヒータ素線５２の他端から入力し、その高周波信号の伝送特性（損失）を求め、伝送特性の経時変化を観察することから、ヒータ素線５２の延び及びその程度を検査することが可能となる。  
なお、高周波信号の出力タイミングは、第２の実施形態において説明したとおりである。
【００４４】
以上のように、本発明の第３の実施形態によるヒータ素線検査方法によれば、ヒータ素線５２に対して高周波信号を出力し、伝送特性を取得することにより、ヒータ素線５２の湾曲を検査することができるため、加熱装置４８を分解して目視検査をしたり、組み立てたりする必要がない。さらに、基板処理装置２における処理の合間に高周波信号を出力できるため、検査時間を敢えて設けることなく、ヒータ素線５２を検査することが可能となる。また、第２の実施形態において説明した効果・利点などは、本実施形態においても得られる。
【００４５】
（第４の実施形態）
次に、本発明の第４の実施形態によるヒータ素線検査方法について、第１の実施形態による基板処理装置２のヒータ素線５２を検査する場合を例にとり説明する。以下の説明においても図１から図３を参照する場合がある。本実施形態によるヒータ素線検査方法は、ヒータ素線５２に生じた傷の位置を検出するのに好適である。また、このヒータ素線検査方法は、単独で行っても良く、また、例えば第２の実施形態によるヒータ素線検査方法と組み合わせれば、ヒータ素線５２における傷の発生及びその深さだけでなく、その位置をも知ることができる。
【００４６】
本実施形態においては、約１１．１ｐｓの立ち上がり時間を有するパルス信号を検査用電源５８からヒータ素線５２の一端に対して出力し、ヒータ素線５２の他端からのパルス信号を検査用電源５８に入力する。入力されたパルス信号の時間変化をアナライザ５９により取得し、パルス信号に基づいてヒータ素線５２のインピーダンスの時間変化を求める。図６は、ヒータ素線５２のインピーダンスの時間変化の一例を示すグラフである。なお、このグラフを取得する際は、第２の実施形態における実験で使用した、意図的に傷をつけたヒータ素線５２を用いた。
【００４７】
図６を参照すると、パルス信号の出力後の約０．８ｎｓにおいて、インピーダンス曲線に小さなピークが認められる（矢印Ａ参照）。このピークは、ヒータ素線５２の傷によりパルス信号が反射したことにより生じたと考えられる。また、パルス信号の出力後の約０．８ｎｓにピークが生じていることから、パルス信号が出力されてから約０．４ｎｓ後にパルス信号が到達した位置に傷があること分かる。
【００４８】
以上より、本実施形態によるヒータ素線検査方法においては、ヒータ素線５２の一端に対してパルス信号を出力し、その反射波を測定することにより、ヒータ素線５２のインピーダンスの時間変化を求め、インピーダンス曲線に見られるピークに基づいてヒータ素線５２に生じた傷の位置を特定することができる。また、加熱装置４８を使用し始める際など、ヒータ素線５２に傷が無いときのインピーダンスの時間変化を取得し、これとの対比によりピークを特定することが好ましい。
【００４９】
また、パルス信号の反射波が生じる場合には透過波が変化するから、透過波によってもヒータ素線５２の傷の位置を特定することができる。この場合には、反射波に比べて感度の良い特定が可能となる。  
さらに、ヒータ素線５２の間隔が変化した場合にもインピーダンスが変化し、これにより反射波が生じ得るため、傷だけでなく、ヒータ素線５２の（局所的な）延びを検出することも可能である。
【００５０】
上記の実施形態を参照しながら本発明を説明したが、本発明は開示された実施形態に限定されるものではなく、添付の請求の範囲の要旨内で種々の変形や変更が可能である。  
例えば、第１の実施形態による基板処理装置２において、コイル５７を介して高周波信号をヒータ素線５２に出力したが、配線５２Ｃと検査用電源５８とをコンデンサを介して接続しても良い。また、配線５２Ｃと検査用電源５８を所定のスイッチを介して接続しても良い。
【００５１】
また、上記の周波数は例示であって、ヒータ素線の検査に用いる高周波信号の周波数が上記の周波数に限定されるものではない。使用するヒータ素線の種類、間隔、及び長さ、さらに断熱体５０の内径などにより、使用すべき周波数が異なるため、使用する加熱装置毎に求めるべきことは勿論である。なお、高周波信号の周波数（周波数をスイープする範囲）は、例えば約３００ｋＨｚから約５００ＭＨｚまでの範囲にあって良い。  
また、パルス波に限らず、ヒータ素線５２のインピーダンスの時間変化を測定できる範囲において方形波であってもよい。すなわち、所定の電圧まで立ち上がり直ちに立ち下がるだけでなく、所定の電圧まで立ち上がった後に所定の間、その電圧が維持されても良い。上記の立ち上がり時間に関しても、使用する加熱装置毎に適宜設定可能であることは言うまでもない。
【００５２】
また、加熱装置４８の高さ方向に沿って複数のゾーン（例えば４つのゾーン）に分割され、ゾーン毎にヒータ素線５２を巻き回しても良い。この場合、ゾーン毎のヒータ素線５２に対して電源装置５５、検査用電源５８、コイル５７、及びアナライザ５９を設けることが好ましい。また、この場合、処理容器４のインナー管８の内側面に沿って各ゾーンに対応した位置に熱電対を設けるべきことは勿論である。
【００５３】
ヒータ素線５２は、加熱装置４８の断熱体５０の内面に沿ってコイル状に巻き回されているが、例えば所定の長さで複数回折り返された（ジグザグ状の）ヒータ素線がパネル状の断熱材に所定の保持具で配置された加熱装置や、（二次元）スパイラル状に巻き回されたヒータ素線が円板形状の断熱体に所定の保持具で配置された加熱装置においても、本発明のヒータ素線検出方法を適用することができる。また、断熱体がなく、ヒータ素線が所定の保持具で保持される加熱装置にも本発明の実施形態によるヒータ素線検査方法を適用することができる。
【００５４】
本発明の実施形態による基板処理装置２は、成膜装置だけでなく、熱酸化装置や成膜装置であっても良い。
【符号の説明】
【００５５】
２・・・基板処理装置、４・・・処理容器、６・・・アウター管、８・・・インナー管、１０・・・マニホールド、１２・・・ベースプレート、２８・・・ウエハボート、３４・・・ガスノズル、４８・・・加熱装置、５０・・・断熱体、５１・・・保護カバー、５２・・・ヒータ素線、５４・・・保持具、５５・・・電源装置、５８・・・検査用電源、５７・・・コイル、５９・・・アナライザ。
【図１】
0005876348.tif 000002
【図２】
0005876348.tif 000003
【図３】
0005876348.tif 000004
【図４】
0005876348.tif 000005
【図５】
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【図６】
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