(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に溝が形成された被処理体の溝にシリコン膜を形成するシリコン膜の形成方法であって、
前記被処理体の溝を埋め込むように不純物でドープされていないノンドープシリコン膜を成膜する第１成膜工程と、
前記第１成膜工程で成膜されたノンドープシリコン膜をエッチングするエッチング工程と、
前記エッチング工程でエッチングされたノンドープシリコン膜を不純物でドープするドープ工程と、
前記ドープ工程でドープされたシリコン膜を埋め込むように、不純物がドープされたシリコン膜を成膜する第２成膜工程と、
を備え、
前記第１成膜工程および前記第２成膜工程で成膜するシリコン膜がポリシリコン膜、または、アモルファスシリコン膜であり、
アミノ基を含むシランを用いて前記被処理体の表面にシード層を形成するシード層形成工程をさらに備え、
前記第１成膜工程では、前記シード層上にノンドープシリコン膜を成膜する、
ことを特徴とするシリコン膜の形成方法。
【請求項２】
前記第１成膜工程では、開口部を有するように、ノンドープシリコン膜を成膜し、
前記エッチング工程では、前記ノンドープシリコン膜の開口部を広げるように、該ノンドープシリコン膜をエッチングし、
前記ドープ工程では、開口部が広げられたノンドープシリコン膜を不純物でドープし、
前記第２成膜工程では、ドープされたシリコン膜の開口部を埋め込むように、不純物がドープされたシリコン膜を成膜する、
ことを特徴とする請求項１に記載のシリコン膜の形成方法。
【請求項３】
前記被処理体の溝の底部に形成された自然酸化膜を除去する自然酸化膜除去工程をさらに備える、ことを特徴とする請求項１または２に記載のシリコン膜の形成方法。
【請求項４】
前記ドープ工程でドープする不純物、及び、前記第２成膜工程で成膜するシリコン膜にドープされている不純物は、ＰまたはＢを含む不純物と、Ｃ、Ｏ、Ｎから選ばれる１つ以上の不純物と、を有する、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のシリコン膜の形成方法。
【請求項５】
前記第１成膜工程、前記エッチング工程、及び、ドープ工程を複数回繰り返した後、前記第２成膜工程を実行する、ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のシリコン膜の形成方法。
【請求項６】
反応室内に前記被処理体が収容された状態で、前記第１成膜工程、前記エッチング工程、ドープ工程、及び、前記第２成膜工程を連続して行う、ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のシリコン膜の形成方法。
【請求項７】
表面に溝が形成された被処理体の溝にシリコン膜を形成するシリコン膜の形成装置であって、
前記被処理体の溝を埋め込むように不純物でドープされていないノンドープシリコン膜を成膜する第１成膜手段と、
前記第１成膜手段で成膜されたノンドープシリコン膜をエッチングするエッチング手段と、
前記エッチング手段でエッチングされたノンドープシリコン膜を不純物でドープするドープ手段と、
前記ドープ手段でドープされたシリコン膜を埋め込むように、不純物がドープされたシリコン膜を成膜する第２成膜手段と、
を備え、
前記第１成膜手段および前記第２成膜手段で成膜するシリコン膜は、ポリシリコン膜、または、アモルファスシリコン膜であり、
アミノ基を含むシランを用いて前記被処理体の表面にシード層を形成するシード層形成手段をさらに備え、
前記第１成膜手段は、前記シード層上にノンドープシリコン膜を成膜する、ことを特徴とするシリコン膜の形成装置。
【請求項８】
前記第１成膜手段は、開口部を有するように、ノンドープシリコン膜を成膜し、
前記エッチング手段は、前記ノンドープシリコン膜の開口部を広げるように、該ノンドープシリコン膜をエッチングし、
前記ドープ手段は、開口部が広げられたノンドープシリコン膜を不純物でドープし、
前記第２成膜手段は、ドープされたシリコン膜の開口部を埋め込むように、不純物がドープされたシリコン膜を成膜する、
ことを特徴とする請求項７に記載のシリコン膜の形成装置。
【請求項９】
前記被処理体の溝の底部に形成された自然酸化膜を除去する自然酸化膜除去手段をさらに備える、ことを特徴とする請求項７または８に記載のシリコン膜の形成装置。
【請求項１０】
前記ドープ手段でドープする不純物、及び、前記第２成膜手段で成膜するシリコン膜にドープされている不純物は、ＰまたはＢを含む不純物と、Ｃ、Ｏ、Ｎから選ばれる１つ以上の不純物と、を有する、ことを特徴とする請求項７乃至９のいずれか１項に記載のシリコン膜の形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコン膜の形成方法およびその形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置等の製造プロセスでは、シリコン基板上の層間絶縁膜にトレンチ、ホール形状の溝（コンタクトホール）を形成し、例えば、不純物でドープされたポリシリコン膜及びアモルファスシリコン膜等のシリコン膜（Ｓｉ膜）を埋め込んで電極を形成する工程がある。
【０００３】
このような工程として、例えば、特許文献１には、シリコン基板上の層間絶縁膜にコンタクトホールを形成し、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法でポリシリコン膜を成膜し、そのポリシリコン膜の僅かなエッチングの後に、再度ポリシリコン膜を成膜する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−３２１５５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、このようなＳｉ膜を形成する方法では、Ｓｉ膜として、不純物でドープされたポリシリコン膜、例えば、ＰドープＳｉ膜を用いると、エッチングにより、その表面ラフネスが悪化しやすくなる。これは、ＰドープＳｉ膜中のＰサイトからエッチングされるためであると考えられる。このように、表面ラフネスが悪化したＰドープＳｉ膜上に、さらにＰドープＳｉ膜を成膜すると、ボイドやシームが発生しやすくなってしまう。
【０００６】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、ボイドやシームの発生を抑制することができるシリコン膜の形成方法およびその形成装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明の第１の観点にかかるシリコン膜の形成方法は、
表面に溝が形成された被処理体の溝にシリコン膜を形成するシリコン膜の形成方法であって、
前記被処理体の溝を埋め込むように不純物でドープされていないノンドープシリコン膜を成膜する第１成膜工程と、
前記第１成膜工程で成膜されたノンドープシリコン膜をエッチングするエッチング工程と、
前記エッチング工程でエッチングされたノンドープシリコン膜を不純物でドープするドープ工程と、
前記ドープ工程でドープされたシリコン膜を埋め込むように、不純物がドープされたシリコン膜を成膜する第２成膜工程と、
を備え、
前記第１成膜工程および前記第２成膜工程で成膜するシリコン膜がポリシリコン膜、または、アモルファスシリコン膜であり、
アミノ基を含むシランを用いて前記被処理体の表面にシード層を形成するシード層形成工程をさらに備え、
前記第１成膜工程では、前記シード層上にノンドープシリコン膜を成膜する、
ことを特徴とする。
【０００８】
例えば、前記第１成膜工程では、開口部を有するように、ノンドープシリコン膜を成膜し、
前記エッチング工程では、前記ノンドープシリコン膜の開口部を広げるように、該ノンドープシリコン膜をエッチングし、
前記ドープ工程では、開口部が広げられたノンドープシリコン膜を不純物でドープし、
前記第２成膜工程では、ドープされたシリコン膜の開口部を埋め込むように、不純物がドープされたシリコン膜を成膜する。
【０００９】
前記被処理体の溝の底部に形成された自然酸化膜を除去する自然酸化膜除去工程をさらに備えてもよい。
前記ドープ工程でドープする不純物、及び、前記第２成膜工程で成膜するシリコン膜にドープされている不純物は、ＰまたはＢを含む不純物と、Ｃ、Ｏ、Ｎから選ばれる１つ以上の不純物と、を有してもよい。
【００１０】
前記第１成膜工程、前記エッチング工程、及び、ドープ工程を複数回繰り返した後、前記第２成膜工程を実行してもよい。
反応室内に前記被処理体が収容された状態で、前記第１成膜工程、前記エッチング工程、ドープ工程、及び、前記第２成膜工程を連続して行ってもよい。
【００１１】
本発明の第２の観点にかかるシリコン膜の形成装置は、
表面に溝が形成された被処理体の溝にシリコン膜を形成するシリコン膜の形成装置であって、
前記被処理体の溝を埋め込むように不純物でドープされていないノンドープシリコン膜を成膜する第１成膜手段と、
前記第１成膜手段で成膜されたノンドープシリコン膜をエッチングするエッチング手段と、
前記エッチング手段でエッチングされたノンドープシリコン膜を不純物でドープするドープ手段と、
前記ドープ手段でドープされたシリコン膜を埋め込むように、不純物がドープされたシリコン膜を成膜する第２成膜手段と、
を備え、
前記第１成膜手段および前記第２成膜手段で成膜するシリコン膜は、ポリシリコン膜、または、アモルファスシリコン膜であり、
アミノ基を含むシランを用いて前記被処理体の表面にシード層を形成するシード層形成手段をさらに備え、
前記第１成膜手段は、前記シード層上にノンドープシリコン膜を成膜する、ことを特徴とする。
【００１２】
例えば、前記第１成膜手段は、開口部を有するように、ノンドープシリコン膜を成膜し、
前記エッチング手段は、前記ノンドープシリコン膜の開口部を広げるように、該ノンドープシリコン膜をエッチングし、
前記ドープ手段は、開口部が広げられたノンドープシリコン膜を不純物でドープし、
前記第２成膜手段は、ドープされたシリコン膜の開口部を埋め込むように、不純物がドープされたシリコン膜を成膜する。
【００１３】
前記被処理体の溝の底部に形成された自然酸化膜を除去する自然酸化膜除去手段をさらに備えてもよい。
前記ドープ手段でドープする不純物、及び、前記第２成膜手段で成膜するシリコン膜にドープされている不純物は、ＰまたはＢを含む不純物と、Ｃ、Ｏ、Ｎから選ばれる１つ以上の不純物と、を有してもよい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、ボイドやシームの発生を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施の形態の熱処理装置を示す図である。
【図２】図１の制御部の構成を示す図である。
【図３】本実施の形態のシリコン膜の形成方法を説明するレシピを示した図である。
【図４】本実施の形態のシリコン膜の形成方法を説明するための図である。
【図５】本実施の形態のシリコン膜の形成方法を説明するための図である。
【図６】他の実施の形態のシリコン膜の形成方法を説明するレシピを示した図である。
【図７】他の実施の形態のシリコン膜の形成方法を説明するための図である。
【図８】他の実施の形態のシリコン膜の形成方法を説明するレシピを示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明のシリコン膜の形成方法およびその形成装置について説明する。本実施の形態では、シリコン膜の形成装置として、図１に示すバッチ式の縦型の熱処理装置を用いた場合を例に説明する。
【００１７】
図１に示すように、熱処理装置１は、長手方向が垂直方向に向けられた略円筒状の反応管２を備えている。反応管２は、内管３と、内管３を覆うとともに内管３と一定の間隔を有するように形成された有天井の外管４とから構成された二重管構造を有する。内管３及び外管４は、耐熱及び耐腐食性に優れた材料、例えば、石英により形成されている。
【００１８】
外管４の下方には、筒状に形成されたステンレス鋼（ＳＵＳ）からなるマニホールド５が配置されている。マニホールド５は、外管４の下端と気密に接続されている。また、内管３は、マニホールド５の内壁から突出するとともに、マニホールド５と一体に形成された支持リング６に支持されている。
【００１９】
マニホールド５の下方には蓋体７が配置され、ボートエレベータ８により蓋体７は上下動可能に構成されている。そして、ボートエレベータ８により蓋体７が上昇すると、マニホールド５の下方側（炉口部分）が閉鎖され、ボートエレベータ８により蓋体７が下降すると、マニホールド５の下方側（炉口部分）が開口される。
【００２０】
蓋体７には、例えば、石英からなるウエハボート９が載置されている。ウエハボート９は、被処理体、例えば、半導体ウエハ１０が垂直方向に所定の間隔をおいて複数枚収容可能に構成されている。
【００２１】
反応管２の周囲には、反応管２を取り囲むように断熱体１１が設けられている。断熱体１１の内壁面には、例えば、抵抗発熱体からなる昇温用ヒータ１２が設けられている。この昇温用ヒータ１２により反応管２の内部が所定の温度に加熱され、この結果、半導体ウエハ１０が所定の温度に加熱される。
【００２２】
マニホールド５の側面には、複数の処理ガス導入管１３が挿通（接続）されている。なお、図１では処理ガス導入管１３を１つだけ描いている。処理ガス導入管１３は、内管３内を臨むように配設されている。例えば、図１に示すように、処理ガス導入管１３は、支持リング６より下方（内管３の下方）のマニホールド５の側面に挿通されている。
【００２３】
処理ガス導入管１３は、図示しないマスフローコントローラ等を介して、図示しない処理ガス供給源が接続されている。このため、処理ガス供給源から処理ガス供給管１３を介して所望量の処理ガスが反応管２内に供給される。処理ガス導入管１３から供給される処理ガスとして、ポリシリコン膜、アモルファスシリコン膜、不純物でドープされたポリシリコン膜及びアモルファスシリコン膜等のシリコン膜（Ｓｉ膜）を成膜する成膜用ガスがある。成膜用ガスとして、不純物でドープされていないノンドープＳｉ膜を成膜する場合には、例えば、ＳｉＨ４等が用いられる。また、不純物でドープされたＳｉ膜を成膜する場合には、例えば、Ｐ（ＰＨ３）、Ｂ（ＢＣｌ３、Ｂ２Ｈ６）、Ｃ（Ｃ２Ｈ４）、Ｏ（Ｎ２Ｏ）、Ｎ（Ｎ２Ｏ）等の不純物が含まれたガスとＳｉＨ４等とが用いられる。なお、不純物でドープされていないノンドープＳｉ膜を不純物でドープする場合には、前述のＰＨ３、ＢＣｌ３等が用いられる。
【００２４】
また、本発明のシリコン膜の形成方法では、後述するように、半導体ウエハ１０の表面に形成された溝に第１成膜工程でＳｉ膜を埋め込まれた後、エッチング工程で埋め込まれた溝の開口部が広げられ、第２成膜工程で開口部が広げられた溝にＳｉ膜が埋め込まれる。このため、処理ガス導入管１３から供給される処理ガスとして、エッチングガスがある。エッチングガスとしては、例えば、Ｃｌ２、Ｆ２、ＣｌＦ３などのハロゲンガスが用いられる。
【００２５】
また、本発明のシリコン膜の形成方法において、後述するように、第１成膜工程前に溝にシード層を形成する場合には、処理ガス導入管１３からシード層形成用ガス、例えば、アミノ基を含むシラン、Ｓｉ２Ｈ６、Ｓｉ４Ｈ１０等の高次シランが反応管２内に供給される。アミノ基を含むシランとしては、例えば、ビスターシャルブチルアミノシラン（ＢＴＢＡＳ）、トリ−ジメチルアミノシラン（３ＤＭＡＳ）、テトラ−ジメチルアミノシラン（４ＤＭＡＳ）、ジイソプロピルアミノシラン（ＤＩＰＡＳ）、ビスジエチルアミノシラン（ＢＤＥＡＳ）、ビスジメチルアミノシラン（ＢＤＭＡＳ）等がある。さらに、シリコン膜の形成方法において、後述するように、第１成膜工程前に溝の自然酸化膜を除去する場合には、処理ガス導入管１３から自然酸化膜除去用ガス、例えば、アンモニアとＨＦ又はアンモニアとＮＦ３とが同時に反応管２内に供給される。
【００２６】
マニホールド５の側面には反応管２内のガスを排気するための排気口１４が設けられている。排気口１４は支持リング６より上方に設けられており、反応管２内の内管３と外管４との間に形成された空間に連通する。そして、内管３で発生した排ガス等が内管３と外管４との間の空間を通って排気口１４に排気される。
【００２７】
マニホールド５の側面の排気口１４の下方には、パージガス供給管１５が挿通されている。パージガス供給管１５には、図示しないパージガス供給源が接続されており、パージガス供給源からパージガス供給管１５を介して所望量のパージガス、例えば、窒素ガスが反応管２内に供給される。
【００２８】
排気口１４には排気管１６が気密に接続されている。排気管１６には、その上流側から、バルブ１７と、真空ポンプ１８とが介設されている。バルブ１７は、排気管１６の開度を調整して、反応管２内の圧力を所定の圧力に制御する。真空ポンプ１８は、排気管１６を介して反応管２内のガスを排気するとともに、反応管２内の圧力を調整する。
【００２９】
なお、排気管１６には、図示しないトラップ、スクラバー等が介設されており、反応管２から排気された排ガスを、無害化した後、熱処理装置１外に排気するように構成されている。
【００３０】
また、熱処理装置１は、装置各部の制御を行う制御部１００を備えている。図２に制御部１００の構成を示す。図２に示すように、制御部１００には、操作パネル１２１、温度センサ（群）１２２、圧力計（群）１２３、ヒータコントローラ１２４、ＭＦＣ制御部１２５、バルブ制御部１２６等が接続されている。
【００３１】
操作パネル１２１は、表示画面と操作ボタンとを備え、オペレータの操作指示を制御部１００に伝え、また、制御部１００からの様々な情報を表示画面に表示する。
【００３２】
温度センサ（群）１２２は、反応管２内、処理ガス導入管１３内、排気管１６内等の各部の温度を測定し、その測定値を制御部１００に通知する。
圧力計（群）１２３は、反応管２内、処理ガス導入管１３内、排気管１６内等の各部の圧力を測定し、その測定値を制御部１００に通知する。
【００３３】
ヒータコントローラ１２４は、昇温用ヒータ１２を個別に制御するためのものであり、制御部１００からの指示に応答して、これらに通電してこれらを加熱し、また、これらの消費電力を個別に測定して、制御部１００に通知する。
【００３４】
ＭＦＣ制御部１２５は、処理ガス導入管１３、及び、パージガス供給管１５に設けられた図示しないマスフローコントローラ（ＭＦＣ）を制御して、これらに流れるガスの流量を制御部１００から指示された量にするとともに、実際に流れたガスの流量を測定して、制御部１００に通知する。
【００３５】
バルブ制御部１２６は、各管に配置されたバルブの開度を制御部１００から指示された値に制御する。
【００３６】
制御部１００は、レシピ記憶部１１１と、ＲＯＭ１１２と、ＲＡＭ１１３と、Ｉ／Ｏポート１１４と、ＣＰＵ１１５と、これらを相互に接続するバス１１６とから構成されている。
【００３７】
レシピ記憶部１１１には、セットアップ用レシピと複数のプロセス用レシピとが記憶されている。熱処理装置１の製造当初は、セットアップ用レシピのみが格納される。セットアップ用レシピは、各熱処理装置に応じた熱モデル等を生成する際に実行されるものである。プロセス用レシピは、ユーザが実際に行う熱処理（プロセス）毎に用意されるレシピであり、例えば、反応管２への半導体ウエハ１０のロードから、処理済みの半導体ウエハ１０をアンロードするまでの、各部の温度の変化、反応管２内の圧力変化、処理ガスの供給の開始及び停止のタイミングと供給量などを規定する。
【００３８】
ＲＯＭ１１２は、ＥＥＰＲＯＭ、フラッシュメモリ、ハードディスクなどから構成され、ＣＰＵ１１５の動作プログラム等を記憶する記録媒体である。
ＲＡＭ１１３は、ＣＰＵ１１５のワークエリアなどとして機能する。
【００３９】
Ｉ／Ｏポート１１４は、操作パネル１２１、温度センサ（群）１２２、圧力計（群）１２３、ヒータコントローラ１２４、ＭＦＣ制御部１２５、バルブ制御部１２６等に接続され、データや信号の入出力を制御する。
【００４０】
ＣＰＵ（Central Processing Unit)１１５は、制御部１００の中枢を構成し、ＲＯＭ１１２に記憶された制御プログラムを実行し、操作パネル１２１からの指示に従って、レシピ記憶部１１１に記憶されているレシピ（プロセス用レシピ）に沿って、熱処理装置１の動作を制御する。すなわち、ＣＰＵ１１５は、温度センサ（群）１２２、圧力計（群）１２３、ＭＦＣ制御部１２５等に反応管２内、処理ガス導入管１３内、及び、排気管１６内の各部の温度、圧力、流量等を測定させ、この測定データに基づいて、ヒータコントローラ１２４、ＭＦＣ制御部１２５、バルブ制御部１２６等に制御信号等を出力し、上記各部がプロセス用レシピに従うように制御する。
バス１１６は、各部の間で情報を伝達する。
【００４１】
次に、以上のように構成された熱処理装置１を用いたシリコン膜の形成方法について説明する。なお、以下の説明において、熱処理装置１を構成する各部の動作は、制御部１００（ＣＰＵ１１５）により制御されている。また、各処理における反応管２内の温度、圧力、ガスの流量等は、前述のように、制御部１００（ＣＰＵ１１５）がヒータコントローラ１２４（昇温用ヒータ１２）、ＭＦＣ制御部１２５、バルブ制御部１２６等を制御することにより、例えば、図３に示すようなレシピに従った条件に設定される。
【００４２】
また、本実施の形態では、被処理体としての半導体ウエハ１０には、図４（ａ）に示すように、基板５１上に絶縁膜５２が形成されており、被処理体１０の表面にはコンタクトホールを形成するための溝５３が形成されている。
【００４３】
本実施の形態のシリコン膜の形成方法では、溝５３を埋め込むように、開口部５４を有し、ポリシリコン膜、アモルファスシリコン膜等の不純物でドープされていないノンドープシリコン膜（Ｓｉ膜）５５を成膜する第１成膜工程と、成膜されたノンドープＳｉ膜５５をエッチングして開口部５４を広げるエッチング工程と、開口部５４が広げられたノンドープＳｉ膜５５を不純物でドープ（不純物を有するＳｉ膜５６を形成）するドープ工程と、不純物がドープされたＳｉ膜５６の開口部５４を埋め込むように、不純物がドープされたＳｉ膜５７を成膜する第２成膜工程と、を備えている。以下、これらの工程を含むシリコン膜の形成方法について説明する。
【００４４】
まず、反応管２（内管３）内を所定の温度、例えば、図３（ａ）に示すように、４００℃に設定する。また、図３（ｃ）に示すように、パージガス供給管１５から内管３（反応管２）内に所定量の窒素を供給する。次に、図４（ａ）に示す半導体ウエハ１０が収容されているウエハボート９を蓋体７上に載置する。そして、ボートエレベータ８により蓋体７を上昇させ、半導体ウエハ１０（ウエハボート９）を反応管２内にロードする（ロード工程）。
【００４５】
続いて、図３（ｃ）に示すように、パージガス供給管１５から内管３内に所定量の窒素を供給するとともに、反応管２内を所定の温度、例えば、図３（ａ）に示すように、５２５℃に設定する。また、反応管２内のガスを排出し、反応管２を所定の圧力、例えば、図３（ｂ）に示すように、７４．５Ｐａ（０．５６Ｔｏｒｒ）に減圧する。そして、反応管２内をこの温度及び圧力で安定させる（安定化工程）。
【００４６】
ここで、反応管２内の温度は、４５０℃〜７００℃であることが好ましく、４９０℃〜６５０℃であることがさらに好ましい。また、反応管２内の圧力は、１．３３Ｐａ〜１３３Ｐａ（０．０１Ｔｏｒｒ〜１Ｔｏｒｒ）であることが好ましい。反応管２内の温度及び圧力をかかる範囲にすることにより、Ｓｉ膜をより均一に成膜することができるためである。
【００４７】
反応管２内が所定の圧力および温度で安定すると、パージガス供給管１５からの窒素の供給を停止する。そして、図３（ｄ）に示すように、処理ガス導入管１３から反応管２内に所定量の成膜用ガス、例えば、ＳｉＨ４を供給する（第１成膜工程）。この第１成膜工程により、図４（ｂ）に示すように、半導体ウエハ１０の絶縁膜５２上、及び、溝５３内に、開口部５４を有し、不純物でドープされていないノンドープＳｉ膜５５が形成される。
【００４８】
ここで、第１成膜工程では、開口部５４を有するように、半導体ウエハ１０の絶縁膜５２上、及び、溝５３内にノンドープＳｉ膜５５を形成することが好ましい。すなわち、第１成膜工程では、溝５３を完全に埋めるようにノンドープＳｉ膜５５を形成するのではなく、溝５３内に開口部５４を有するようにノンドープＳｉ膜５５を形成することが好ましい。これにより、第１成膜工程で溝５３内のボイドが発生することを確実に防止することができる。
【００４９】
半導体ウエハ１０に所定量のノンドープＳｉ膜５５が形成されると、処理ガス導入管１３からの成膜用ガスの供給を停止する。次に、図３（ｃ）に示すように、パージガス供給管１５から内管３内に所定量の窒素を供給するとともに、反応管２内を所定の温度、例えば、図３（ａ）に示すように、３００℃に設定する。また、反応管２内のガスを排出し、反応管２を所定の圧力、例えば、図３（ｂ）に示すように、４０Ｐａ（０．３Ｔｏｒｒ）に減圧する。そして、反応管２内をこの温度及び圧力で安定させる（パージ・安定化工程）。なお、反応管２内のガスを確実に排出するために、反応管２内のガスの排出及び窒素ガスの供給を複数回繰り返すことが好ましい。
【００５０】
ここで、反応管２内の温度は、１００℃〜５５０℃であることが好ましい。１００℃より低いと後述するエッチング工程においてノンドープＳｉ膜５５をエッチングできないおそれがあり、５５０℃より高いとノンドープＳｉ膜５５のエッチング制御が困難となるおそれがあるためである。反応管２内の圧力は、１．３３Ｐａ〜１３３Ｐａ（０．０１Ｔｏｒｒ〜１Ｔｏｒｒ）であることが好ましい。
【００５１】
反応管２内が所定の圧力および温度で安定すると、図３（ｃ）に示すように、パージガス供給管１５から内管３内に所定量の窒素を供給するとともに、図３（ｅ）に示すように、処理ガス導入管１３から反応管２内に所定量のエッチング用ガス、例えば、Ｃｌ２を供給する（エッチング工程）。このエッチング工程により、図４（ｃ）に示すように、半導体ウエハ１０の溝５３に形成された開口部５４を有するノンドープＳｉ膜５５がエッチングされる。
【００５２】
ここで、エッチングされるＳｉ膜として、不純物でドープされていないノンドープＳｉ膜５５が用いられているので、その表面ラフネスが悪化しにくくなる。これは、エッチングされるＳｉ膜として不純物でドープされたＳｉ膜、例えば、ＰドープＳｉ膜を用いると、ＰドープＳｉ膜中のＰサイトからエッチングされてしまうためである。このように、ノンドープＳｉ膜５５の表面ラフネスが悪化しにくいことから、後述する第２成膜工程でＳｉ膜を成膜しても、ボイドやシームの発生を抑制することができる。
【００５３】
また、このエッチング工程では、第１成膜工程で形成されたノンドープＳｉ膜５５の開口部５４が広がるようにエッチングする。すなわち、図４（ｃ）に示すように、開口部５４に形成されたノンドープＳｉ膜５５のエッチング量を多くするとともに、溝５３の底部付近に形成されたノンドープＳｉ膜５５のエッチング量を少なくする。これにより、後述する第２成膜工程で溝５３の底部付近にＳｉ膜を形成しやすくなる。また、後述するドープ工程で溝５３の底部付近のノンドープＳｉ膜５５に不純物をドープしやすくなる。
【００５４】
また、エッチング用ガスは、ノンドープＳｉ膜５５のエッチング制御が容易なＣｌ２を用いることが好ましい。エッチング用ガスにＣｌ２を用いた場合には、反応管２内の温度を２５０℃〜３００℃にすることが好ましい。また、反応管２内の圧力を１．３３Ｐａ〜４０Ｐａ（０．０１Ｔｏｒｒ〜０．３Ｔｏｒｒ）にすることが好ましい。反応管２内の温度及び圧力をかかる範囲にすることにより、エッチング均一性を良好にすることができる。
【００５５】
ノンドープＳｉ膜５５の所望のエッチングが完了すると、処理ガス導入管１３からのエッチング用ガスの供給を停止する。次に、反応管２内を所定の温度、例えば、図３（ａ）に示すように、５２５℃に加熱するとともに、反応管２内のガスを排出し、反応管２を所定の圧力、例えば、図３（ｂ）に示すように、７４．５Ｐａ（０．５６Ｔｏｒｒ）に減圧する。そして、図３（ｆ）に示すように、処理ガス導入管１３から反応管２内に所定量の不純物、例えば、Ｐ（ＰＨ３）を供給する（ドープ工程）。このドープ工程により、ノンドープＳｉ膜５５に不純物（Ｐ）がドープされ、図５（ｄ）に示すように、ＰがドープされたＳｉ膜５６が形成される。
【００５６】
ここで、エッチング工程により第１成膜工程で形成されたノンドープＳｉ膜５５の開口部５４が広がるようにエッチングされているので、溝５３の底部付近のノンドープＳｉ膜５５に不純物をドープしやすくなる。
【００５７】
次に、図３（ｃ）に示すように、パージガス供給管１５から内管３内に所定量の窒素を供給するとともに、反応管２内を５２５℃、７４．５Ｐａ（０．５６Ｔｏｒｒ）で安定させる（パージ・安定化工程）。なお、反応管２内のガスを確実に排出するために、反応管２内のガスの排出及び窒素ガスの供給を複数回繰り返すことが好ましい。
【００５８】
反応管２内が所定の圧力および温度で安定すると、パージガス供給管１５からの窒素の供給を停止する。そして、図３（ｄ）に示すように、処理ガス導入管１３から反応管２内に所定量の成膜用ガス、例えば、ＳｉＨ４及びＰＨ３を供給する（第２成膜工程）。この第２成膜工程により、図５（ｅ）に示すように、ＰがドープされたＳｉ膜５６上に、ＰがドープされたＳｉ膜５７が形成される。
【００５９】
ここで、エッチング工程により第１成膜工程で形成されたノンドープＳｉ膜５５の開口部５４が広がるようにエッチングされているので、溝５３の底部付近にＳｉ膜５７を形成しやすくなる。このため、溝５３へのＳｉ膜５７埋め込み時に、溝５３内にボイドやシームが発生することを抑制することができる。
【００６０】
所望のＳｉ膜５７が形成されると、処理ガス導入管１３からの成膜用ガスの供給を停止する。次に、図３（ｃ）に示すように、パージガス供給管１５から内管３内に所定量の窒素を供給するとともに、反応管２内を所定の温度、例えば、図３（ａ）に示すように、４００℃に設定する。また、反応管２内のガスを排出し、反応管２を常圧に戻す（パージ工程）。なお、反応管２内のガスを確実に排出するために、反応管２内のガスの排出及び窒素ガスの供給を複数回繰り返すことが好ましい。そして、ボートエレベータ８により蓋体７を下降させることにより、半導体ウエハ１０（ウエハボート９）を反応管２内からアンロードする（アンロード工程）。これにより、Ｓｉ膜の形成が終了する。
【００６１】
次に、本発明のシリコン形成方法の効果を確認するため、図３に示すレシピに沿って、図４（ａ）に示す半導体ウエハ１０に、図５（ｅ）のようにＳｉ膜を形成した。形成したＳｉ膜をＳＥＭ観察したところ、ボイドやシームが発生していないことが確認できた。
【００６２】
以上説明したように、本実施の形態によれば、開口部５４を有するノンドープＳｉ膜５５を成膜する第１成膜工程後に、ノンドープＳｉ膜をエッチングして開口部５４を広げるエッチング工程、開口部５４が広げられたノンドープＳｉ膜５５を不純物でドープするドープ工程、及び、不純物がドープされたＳｉ膜５７を成膜する第２成膜工程を実施しているので、形成するＳｉ膜のボイドやシームの発生を抑制することができる。
【００６３】
なお、本発明は、上記の実施の形態に限られず、種々の変形、応用が可能である。以下、本発明に適用可能な他の実施の形態について説明する。
【００６４】
上記実施の形態では、第１成膜工程、エッチング工程、ドープ工程、及び、第２成膜工程を実施した場合を例に本発明を説明したが、例えば、第１成膜工程前に、絶縁膜５２及び溝５３上にシード（seed）層を形成するシード層形成工程を実施してもよい。図６に、シード層形成工程を実施するレシピを示す。
【００６５】
まず、反応管２（内管３）内を所定の温度、例えば、図６（ａ）に示すように、４００℃に設定する。また、図６（ｃ）に示すように、パージガス供給管１５から内管３（反応管２）内に所定量の窒素を供給する。次に、図７（ａ）に示す半導体ウエハ１０が収容されているウエハボート９を蓋体７上に載置する。そして、ボートエレベータ８により蓋体７を上昇させ、半導体ウエハ１０（ウエハボート９）を反応管２内にロードする（ロード工程）。
【００６６】
続いて、図６（ｃ）に示すように、パージガス供給管１５から内管３内に所定量の窒素を供給するとともに、反応管２内を所定の温度、例えば、図６（ａ）に示すように、４００℃に設定する。また、反応管２内のガスを排出し、反応管２を所定の圧力、例えば、図６（ｂ）に示すように、１３３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）に減圧する。そして、反応管２内をこの温度及び圧力で安定させる（安定化工程）。
【００６７】
反応管２内の温度は、３５０℃〜５００℃であることがさらに好ましい。なお、シード層形成用ガスにアミノ基を含むシランを用いた場合には、反応管２内の温度を、３５０℃〜４５０℃にすることがより好ましい。また、反応管２内の圧力は、１．３３Ｐａ〜１３３Ｐａ（０．０１Ｔｏｒｒ〜１Ｔｏｒｒ）であることが好ましい。反応管２内の温度及び圧力をかかる範囲にすることにより、シード層をより均一に形成することができるためである。
【００６８】
反応管２内が所定の圧力および温度で安定すると、パージガス供給管１５からの窒素の供給を停止する。そして、図６（ｇ）に示すように、処理ガス導入管１３から反応管２内に所定量のシード層形成用ガス、例えば、Ｓｉ２Ｈ６を供給する（シード層形成工程）。このシード層形成工程により、図７（ｂ）に示すように、半導体ウエハ１０の絶縁膜５２、及び、溝５３上にシード層５８が形成される。本例では、シード層形成用ガスとしてＳｉ２Ｈ６という高次シランを用いているので、シード層５８は、その厚さが１ｎｍ〜２ｎｍ程度形成されていることが好ましい。１ｎｍ〜２ｎｍ程度形成することにより、シード層５８上に形成するノンドープＳｉ膜５５の表面ラフネスを低減することができるためである。また、シード層形成用ガスとしてアミノ基を含むシラン用いる場合には、成膜工程における成膜用ガス（ソースガス）の熱分解が起こらない条件でシード層５８を形成することが好ましい。
【００６９】
半導体ウエハ１０上に所望厚のシード層５８が形成されると、処理ガス導入管１３からのシード層形成用ガスの供給を停止する。次に、図６（ｃ）に示すように、パージガス供給管１５から内管３内に所定量の窒素を供給するとともに、反応管２内を所定の温度、例えば、図６（ａ）に示すように、５２５℃に設定する。また、反応管２内のガスを排出し、反応管２を所定の圧力、例えば、図６（ｂ）に示すように、７４．５Ｐａ（０．５６Ｔｏｒｒ）に減圧する。そして、反応管２内をこの温度及び圧力で安定させる（パージ・安定化工程）。
【００７０】
反応管２内が所定の圧力および温度で安定すると、パージガス供給管１５からの窒素の供給を停止する。そして、図６（ｄ）に示すように、処理ガス導入管１３から反応管２内に所定量の成膜用ガス、例えば、ＳｉＨ４を供給する（第１成膜工程）。この第１成膜工程により、図７（ｃ）に示すように、半導体ウエハ１０のシード層５８上にノンドープＳｉ膜５５が形成される。
【００７１】
ここで、ノンドープＳｉ膜５５は、シード層５８上に形成されている。このため、上記実施の形態のように、基板５１と絶縁膜５２との２種類の材料上に形成される場合に比べて、ノンドープＳｉ膜５５の表面ラフネスを低減することができる。この結果、ボイドやシームの発生をさらに抑制することができる。
【００７２】
そして、上記実施の形態と同様に、パージ・安定化工程、エッチング工程、ドープ工程、パージ・安定化工程、第２成膜工程、パージ工程、及び、アンロード工程を実施することにより、シリコン膜の形成が終了する。
【００７３】
このように、第１成膜工程前にシード層を形成するシード層形成工程を実施することにより、形成されるノンドープＳｉ膜５５の表面ラフネスを低減することができ、ボイドやシームの発生をさらに抑制することができる。
【００７４】
また、上記実施の形態では、第１成膜工程、エッチング工程、ドープ工程、及び、第２成膜工程を実施した場合を例に本発明を説明したが、例えば、第１成膜工程前に、溝５３の底部に形成された自然酸化膜を除去する自然酸化膜除去工程を実施してもよい。図８に、自然酸化膜除去工程を実施するレシピを示す。なお、本例では自然酸化膜除去用ガスとしてアンモニア（ＮＨ３）及びＨＦを用いる場合を例に説明する。
【００７５】
まず、反応管２（内管３）内を所定の温度、例えば、図８（ａ）に示すように、１５０℃に設定する。また、図８（ｃ）に示すように、パージガス供給管１５から内管３（反応管２）内に所定量の窒素を供給する。次に、半導体ウエハ１０が収容されているウエハボート９を蓋体７上に載置する。そして、ボートエレベータ８により蓋体７を上昇させ、半導体ウエハ１０（ウエハボート９）を反応管２内にロードする（ロード工程）。
【００７６】
続いて、図８（ｃ）に示すように、パージガス供給管１５から内管３内に所定量の窒素を供給するとともに、反応管２内を所定の温度、例えば、図８（ａ）に示すように、１５０℃に設定する。また、反応管２内のガスを排出し、反応管２を所定の圧力、例えば、図８（ｂ）に示すように、４Ｐａ（０．０３Ｔｏｒｒ）に減圧する。そして、反応管２内をこの温度及び圧力で安定させる（安定化工程）。
【００７７】
反応管２内の温度は、２５℃〜２００℃であることがさらに好ましい。また、反応管２内の圧力は、０．１３３Ｐａ〜１３３Ｐａ（０．００１Ｔｏｒｒ〜１Ｔｏｒｒ）であることが好ましい。反応管２内の温度及び圧力をかかる範囲にすることにより、自然酸化膜の除去が容易となるためである。なお、自然酸化膜除去用ガスとしてアンモニアとＮＦ３を用いる場合には、半導体ウエハ１０の温度が６００℃を超える温度にすることが好ましい。
【００７８】
反応管２内が所定の圧力および温度で安定すると、パージガス供給管１５からの窒素の供給を停止する。そして、図８（ｇ）に示すように、処理ガス導入管１３から反応管２内に所定量のアンモニア及びＨＦを供給する（自然酸化膜除去工程）。この自然酸化膜除去工程により、半導体ウエハ１０の溝５３の底部に形成された自然酸化膜を除去することができる。
【００７９】
半導体ウエハ１０の溝５３の底部の自然酸化膜が除去されると、処理ガス導入管１３からの自然酸化膜除去用ガスの供給を停止する。次に、図８（ｃ）に示すように、パージガス供給管１５から内管３内に所定量の窒素を供給するとともに、反応管２内を所定の温度、例えば、図８（ａ）に示すように、５２５℃に設定する。また、反応管２内のガスを排出し、反応管２を所定の圧力、例えば、図８（ｂ）に示すように、７４．５Ｐａ（０．５６Ｔｏｒｒ）に減圧する。そして、反応管２内をこの温度及び圧力で安定させる（パージ・安定化工程）。なお、アンモニアとＨＦにより自然酸化膜を除去処理した場合には、ケイフッ化アンモンが基板５１上に残ることがあるが、第１成膜工程における反応管２内の温度が５３５℃であるため、ケイフッ化アンモンは昇華する。
【００８０】
反応管２内が所定の圧力および温度で安定すると、パージガス供給管１５からの窒素の供給を停止する。そして、図８（ｄ）に示すように、処理ガス導入管１３から反応管２内に所定量の成膜用ガス、例えば、ＳｉＨ４を供給する（第１成膜工程）。この第１成膜工程により、半導体ウエハ１０の絶縁膜５２上、及び、溝５３内にノンドープＳｉ膜５５が形成される。
【００８１】
そして、上記実施の形態と同様に、パージ・安定化工程、エッチング工程、ドープ工程、パージ・安定化工程、第２成膜工程、パージ工程、及び、アンロード工程を実施することにより、シリコン膜の形成が終了する。
【００８２】
このように、第１成膜工程前に溝５３の底部に形成された自然酸化膜を除去する自然酸化膜除去工程を実施しているので、形成されるＳｉ膜の電極としての特性の劣化を抑制することができる。
【００８３】
また、上記実施の形態では、第１成膜工程、エッチング工程、ドープ工程、及び、第２成膜工程を実施した場合を例に本発明を説明したが、例えば、第１成膜工程、エッチング工程、及び、ドープ工程を複数回繰り返した後、第２成膜工程を実施してもよい。また、第１成膜工程前にシード層形成工程や自然酸化膜除去工程を実施した場合にも、第１成膜工程、エッチング工程、及び、ドープ工程を複数回繰り返した後、第２成膜工程を実施してもよい。これらの場合、ボイドやシームの発生をさらに抑制することができる。
【００８４】
また、自然酸化膜除去工程を実施した後にシード層形成工程を実施し、その後、第１成膜工程、エッチング工程、ドープ工程、及び、第２成膜工程を実施してもよい。この場合、さらに、ボイドやシームの発生をさらに抑制することができる。
【００８５】
上記実施の形態では、第１成膜工程で開口部５４を有するように、半導体ウエハ１０の絶縁膜５２上、及び、溝５３内にノンドープＳｉ膜５５を形成する場合を例に本発明を説明したが、第１成膜工程で開口部５４を有しないようにノンドープＳｉ膜５５を成膜してもよい。この場合、エッチング工程でノンドープＳｉ膜５５をエッチングし、不純物でドープした後に、ドープされたシリコン膜を埋め込むように、不純物がドープされたシリコン膜を成膜することにより、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００８６】
上記実施の形態では、成膜用ガスとしてＳｉＨ４を用いた場合を例に本発明を説明したが、Ｓｉ膜、すなわち、ポリシリコン膜、アモルファスシリコン膜を成膜可能なガスであれば、他のガスを用いてもよい。
【００８７】
上記実施の形態では、ドープ種（不純物）としてＰ（ＰＨ３）を用いた場合を例に本発明を説明したが、ドープ種はこれに限定されるものではなく、例えば、Ｂ、Ａｓ、Ｃ、Ｏ、Ｎであってもよい。また、不純物は、１種類に限定されるものではなく、複数種類であってもよい。複数種類の不純物を用いる場合には、電気的なキャリアを発生するＰ、Ｂ、または、Ａｓを含む不純物と、結晶の性質を変えるＣ、Ｏ、Ｎから選ばれる１つ以上の不純物とを有することが好ましい。Ｃ、Ｏ、Ｎから選ばれる１つ以上の不純物を有することにより、例えば、グレインの成長を抑制することができる。
【００８８】
上記実施の形態では、エッチングガスとして、Ｃｌ２を用いた場合を例に本発明を説明したが、第１成膜工程で形成されたノンドープＳｉ膜をエッチング可能なガスであればよく、Ｆ２、ＣｌＦ３などの他のハロゲンガスを用いてもよい。
【００８９】
上記実施の形態では、シード層形成用ガスとしてＳｉ２Ｈ６を用いた場合を例に本発明を説明したが、例えば、アミノ基を含むシラン、Ｓｉ４Ｈ１０等の高次シランであってもよい。例えば、アミノ基を含むシランを用いた場合、Ｓｉ膜の成長に対してインキュベーションタイムを低減したり、表面ラフネスを改善することができる。また、上記実施の形態では、自然酸化膜除去用ガスとして、アンモニアとＨＦとをを用いた場合を例に本発明を説明したが、溝５３底部の自然酸化膜を除去可能であれば、例えば、アンモニアとＮＦ３等の各種のガスを用いてもよい。
【００９０】
上記実施の形態では、熱処理装置として、二重管構造のバッチ式縦型熱処理装置を用いた場合を例に本発明を説明したが、例えば、本発明を単管構造のバッチ式熱処理装置に適用することも可能である。
【００９１】
本発明の実施の形態にかかる制御部１００は、専用のシステムによらず、通常のコンピュータシステムを用いて実現可能である。例えば、汎用コンピュータに、上述の処理を実行するためのプログラムを格納した記録媒体（フレキシブルディスク、ＣＤ−ＲＯＭなど）から当該プログラムをインストールすることにより、上述の処理を実行する制御部１００を構成することができる。
【００９２】
そして、これらのプログラムを供給するための手段は任意である。上述のように所定の記録媒体を介して供給できる他、例えば、通信回線、通信ネットワーク、通信システムなどを介して供給してもよい。この場合、例えば、通信ネットワークの掲示板（ＢＢＳ）に当該プログラムを掲示し、これをネットワークを介して搬送波に重畳して提供してもよい。そして、このように提供されたプログラムを起動し、ＯＳの制御下で、他のアプリケーションプログラムと同様に実行することにより、上述の処理を実行することができる。
【産業上の利用可能性】
【００９３】
本発明は、シリコン膜の形成方法およびその形成装置に有用である。
【符号の説明】
【００９４】
１  熱処理装置
２  反応管
３  内管
４  外管
５  マニホールド
６  支持リング
７  蓋体
８  ボートエレベータ
９  ウエハボート 
１０  半導体ウエハ
１１  断熱体
１２  昇温用ヒータ
１３  処理ガス導入管
１４  排気口
１５  パージガス供給管
１６  排気管
１７  バルブ
１８  真空ポンプ
１００  制御部
１１１  レシピ記憶部
１１２  ＲＯＭ
１１３  ＲＡＭ
１１４  Ｉ／Ｏポート
１１５  ＣＰＵ
１１６  バス
１２１  操作パネル
１２２  温度センサ
１２３  圧力計
１２４  ヒータコントローラ
１２５  ＭＦＣ制御部
１２６  バルブ制御部
【図１】
0005864360.tif 000002
【図２】
0005864360.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
0005864360.tif 000007
【図７】
0005864360.tif 000008
【図８】
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