(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つ以上の量子ドットと、非共役ポリマー化合物から選択される少なくとも１種の有機エミッタとを含む組成物。
【請求項２】
前記少なくとも１種の有機エミッタが、燐光性非共役ポリマー化合物から選択されることを特徴とする、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記燐光性非共役ポリマー化合物の少なくとも１種が金属錯体を含み、その金属が、遷移金属、希土類、ランタニド、およびアクチニドから選択されることを特徴とする、請求項２に記載の組成物。
【請求項４】
前記金属錯体が、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｅｕ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｈ、Ｐｄ、またはＡｇから選択される金属を含むことを特徴とする、請求項３に記載の組成物。
【請求項５】
前記１つ以上の量子ドットの少なくとも１つのものの発光波長が、前記有機エミッタの発光波長よりも長いことを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項６】
前記有機エミッタが燐光性非共役ポリマーであり、前記非共役ポリマーはホスト化合物を含む少なくとも１つの単位を含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項７】
前記ホスト化合物が、ケトン、カルバゾール、インドロカルバゾール、インデノカルバゾール、トリアリールアミン、インデノフルオレン、フルオレン、スピロビフルオレン、フェナントレン、ジヒドロフェナントレン、チオフェン、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、ホスフィン、ホスフィンオキシド、ならびにそれらの異性体および誘導体から選択される、請求項６に記載の組成物。
【請求項８】
ホスト材料、正孔輸送材料（ＨＴＭ）、正孔注入材料（ＨＩＭ）、正孔遮断材料（ＨＢＭ）、電子輸送材料（ＥＩＭ）、電子注入材料（ＥＩＭ）、電子遮断材料（ＥＢＭ）、およびエミッタ材料から選択される、少なくとも１種のさらなる有機機能材料を含み、これらの材料は小分子、共役ポリマー、非共役ポリマー、オリゴマーおよびデンドリマーから選択できる、請求項１〜７のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項９】
前記有機エミッタが、ホスト材料、ＨＴＭ、ＨＩＭ、ＥＴＭ、ＥＩＭから選択される、少なくとも１つのさらなる有機官能基を含む非共役ポリマー化合物であることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１０】
前記少なくとも１つの量子ドットが、ＩＩ−ＶＩ族、ＩＩＩ−Ｖ族、ＩＶ−ＶＩ族およびＩＶ族の半導体、およびそれらの組み合わせから選択されることを特徴とする、請求項１〜９のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１１】
前記少なくとも１つの量子ドットが、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＭｇＳ、ＭｇＳｅ、ＧｅＳ、ＧｅＳｅ、ＧｅＴｅ、ＳｎＳ、ＳｎＳｅ、ＳｎＴｅ、ＰｂＯ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、およびそれらの組み合わせから選択されることを特徴とする、請求項１０に記載の組成物。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか一項に記載の組成物と、少なくとも１種の有機溶媒とを含む配合物。
【請求項１３】
エレクトロルミネッセントデバイスを作製するための、請求項１２に記載の配合物の使用。
【請求項１４】
請求項１〜１１のいずれか一項に記載の組成物を含む層、または、請求項１２に記載の配合物を使用して作製した層を含む、エレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項１５】
アノードと、カソードと、エミッタ層とを含む発光ダイオードであり、そのエミッタ層はアノードとカソードの間に位置することを特徴とする、請求項１４に記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
【請求項１６】
青波長範囲、緑波長範囲、赤波長範囲、および赤外波長範囲から選択される少なくとも１つの波長範囲で発光するか、白色光を発光することを特徴とする、請求項１４または１５に記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
【発明の詳細な説明】
【発明の概要】
【０００１】
本発明は、とりわけ、組成物、該組成物を含む配合物、該配合物の使用、および該組成物または配合物を含むデバイスを対象とする。
【０００２】
有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）は、２０年以上前から、有望な次世代ディスプレイ技術としてかなりの注目を集めてきた。ＯＬＥＤ、特に、蒸着小分子に基づくＯＬＥＤの性能は、優れた性能、例えば、色、寿命、および駆動電圧を示しており、ＯＬＥＤが、商業的に適用されることを可能にする。しかし、ＯＬＥＤは、有機分子の本質、および膜の非晶質性により、幅の広い発光スペクトルを示す。幅の広い発光は、混合色を与えるので、結果として、色純度が低下する。商業的成功に関して、特にＴＶ用途のために、幅の広い色空間を実現するには、濃いＲＧＢ色が必要である。ＲＧＢ  ＯＬＥＤの幅の広い発光スペクトルによって、無機ＬＥＤと比較して、ディスプレイの色空間がより狭くなる。さらに、典型的なＯＬＥＤのスペクトルは、６８０ｎｍを超える赤外部分を含む。しかし、人間の眼は、６８０ｎｍを超える光をほとんど見ることができない。言い換えれば、スペクトルの赤外部における、ＯＬＥＤの発光は、人間の眼に対する光束に寄与しない。したがって、ＯＬＥＤは、スペクトルの赤外領域におけるエネルギー損失をもたらす傾向がある。同じ問題は、ＯＬＥＤの発光スペクトルの青または濃青領域においても起こる。
【０００３】
ＯＬＥＤデバイスにおいて、励起電子一重項および／または三重項状態、および／またはより高い多重度の状態を形成するため、電子および正孔は、反対の電極から注入され、再結合して、励起子を形成する。一重項状態からの放射崩壊は速い（蛍光）が、三重項および／または五重項励起子からの放射崩壊（燐光）は、スピン保存の必要により抑制され、したがって、非効率であることが多い。蛍光材料に基づくデバイスのための一重項励起形成の確率は、２５％にすぎない。したがって、最大の内部量子効率（ＩＱＥ）は、２５％である。この限界は、三重項エミッタとも呼ばれる燐光ドーパントを組み込み、一重項と三重項励起子の両方を得ることによって克服することができ、理論的には、１００％の最大ＩＱＥを有する。Ｂａｌｄｏら、Ｎａｔｕｒｅ  １９９８、３９５、１５１〜１５４による最初の報告以来、燐光ＯＬＥＤは、特に大きな注目を浴びてきて、大幅な改善が実現されてきた。特に、緑および赤色燐光ＯＬＥＤは、商業用途にほぼ十分に発達した。しかし、三重項エミッタ、すなわち、発光金属錯体は、一般に、他の有機化合物のように、かなり広い発光バンドを有する。
【０００４】
実際、本明細書で使用する燐光性という用語は、三重項からの遷移だけでなく、一重項以外のスピン多重度を有する任意の状態からの遷移も含む。
【０００５】
実際、カラーフィルターを使用するもの、または微小共振器効果を使用するものなどの、ＯＬＥＤの発光スペクトルを狭めるのに利用可能な方法がいくつかある。しかし、どちらによっても、部分的に発光が失われる。
【０００６】
したがって、有機発光デバイスにおいて適用するための、本質的に幅の狭い発光バンドを有する新規のエミッタを提供することが非常に望ましい。
【０００７】
ＯＬＥＤの同等物として、ＬＥＤは、非常に幅の狭い発光バンドを有するが、ＬＥＤの製造は、非常に費用がかかり、それらは、大面積デバイスには適していない。結晶無機層をＯＬＥＤに組み込むことは困難である。したがって、ＯＬＥＤとＬＥＤの両方の利点の組み合わせが、非常に望ましいが、難題であり、これまで実現されていない。
【０００８】
ＣｄＥ（Ｅ＝Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ）に基づいた、最初の可溶性単分散コロイドナノ結晶（本明細書では、量子ドットまたはＱＤとも呼ぶ）は、Ｂａｗｅｎｄｉによって、いわゆるＴＯＰＯ（トリオクチルホスフィンオキシド）法を使用して作製され、その後、Ｋａｔａｒｉらによって修正された。ＱＤの合成に関する総説が、Ｍｕｒｒａｙ、ＮｏｒｒｉｓおよびＢａｗｅｎｄｉ、「Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ  ａｎｄ  ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ  ｏｆ  ｎｅａｒｌｙ  ｍｏｎｏｄｉｓｐｅｒｓｅ  ＣｄＥ（Ｅ＝ｓｕｌｆｕｒ、ｓｅｌｅｎ、ｔｅｌｌｕｒｉｕｍ）ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｔｅｓ」、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１１５［１９］、８７０６〜８７１５、１９９３によって示されている。
【０００９】
ＣｄＳｅ  ＱＤに基づく最初の発光ダイオードは、Ａｌｉｖｉｓａｔｏｓら、「Ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅｓ  ｍａｄｅ  ｆｒｏｍ  ｃａｄｍｉｕｍ  ｓｅｌｅｎｉｄｅ  ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｓ  ａｎｄ  ａ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ  ｐｏｌｙｍｅｒ」、Ｎａｔｕｒｅ（Ｌｏｎｄｏｎ）３７０［６４８８］、３５４〜３５７、１９９４によって報告され、そこでは、ＱＤからなる多層が、ＰＰＶ（ポリ（ｐ−フェニレン−ビニレン））と電極の間に挟まれ、電圧をかけると、赤色の発光を与えた。Ｂｕｌｏｖｉｃら、「Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ  ｆｒｏｍ  ｓｉｎｇｌｅ  ｍｏｎｏｌａｙｅｒｓ  ｏｆ  ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｓ  ｉｎ  ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  ｏｒｇａｎｉｃ  ｄｅｖｉｃｅｓ．Ｎａｔｕｒｅ（Ｌｏｎｄｏｎ）４２０［６９１７］、８００〜８０３、２００２は、２つの有機層に挟まれたＣｄＳｅ  ＱＤの単一の単層の使用を記載している。
【００１０】
既知のＱＤ−ＬＥＤの１つの問題は、ＱＤと隣接有機層の間のエネルギー準位オフセットが非常に大きいことであり、Ｓｌｏｏｆｆら、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．２００１、７８［１５］、２１２２〜２１２４、およびＺｈｅｎら、Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｒａｐｉｄ  Ｃｏｍｍｕｎ．２００６、２７［２４］、２０９５〜２１００によって報告されている通り、例えば、ＣｄＳｅ  ＱＤは、−６．６ｅＶのＨＯＭＯ、および−４．４ｅＶのＬＵＭＯを有するが、他方で、機能有機材料は、一般に、ＬＵＭＯが、＞−３．０ｅＶであり、ＨＯＭＯが、＞６．０ｅＶである。大きなエネルギーオフセットは、ＱＤが、エレクトロルミネッセントデバイスにおいて、効率的に電子的に活性化することを妨げる。
【００１１】
ＱＤを、ポリマーＯＬＥＤに組み込む試みも、いくつかなされてきた。例えば、Ｌｉらは、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．９７、１１３５０１（２００５）において、赤色発光ＱＤおよび緑色発光Ａｌｑ3でドープした、青色発光性ポリ［（９，９−ジヘキシルオキシフルオレン−２，７−ジイル）−ａｌｔ−ｃｏ−（２−メトキシ−５−｛２−エチルヘキシルオキシ｝フェニレン−１，４−ジイル）（ＰＦＨ−ＭＥＨ）ポリマーからなる白色ＯＬＥＤを報告し、Ｎｉｒ  Ｔｅｓｓｌｅｒらは、「Ｓｃｉｅｎｃｅ  Ｖｏｌ  ２９５、２００２、１５０６ページ」において、ＩｎＡｓ−ＺｎＳｅ  ＱＤとＭＥＨ−ＰＰＶまたはＦ６ＢＴとのブレンドを使用する、近赤外線ポリマーナノ結晶発光ダイオードを報告した。しかし、共役ポリマーに基づくＯＬＥＤは、容易に作製することができるが、ポリマーＯＬＥＤの性能は、蒸着ＳＭ  ＯＬＥＤに基づくＯＬＥＤに遠く及ばない。さらに、共役ポリマーは、拡張した共役を理由に、一般に、かなり低い三重項準位を有する。しかし、緑色三重項ＯＬＥＤのための共役ポリマーマトリックスは、これまで、報告も開示もされていない。
【００１２】
一実施形態では、１つ以上の量子ドットと、小分子化合物および非共役ポリマー化合物から選択される少なくとも１つの有機エミッタとを含む組成物が提供される。
【００１３】
さらなる実施形態によれば、上記の一実施形態と、少なくとも１つの有機溶媒とを含む配合物が提供される。
【００１４】
別の実施形態では、エレクトロルミネッセントデバイスを製造するための、上記のさらなる実施形態の配合物の使用が提供される。
【００１５】
よりさらなる実施形態は、上記の一実施形態の組成物を含んだ層、または、上記の別の実施形態の配合物を使用して作製された層を含む、エレクトロルミネッセントデバイスを提供する。
【００１６】
驚いたことに、本明細書に記述した実施形態によれば、例えば、ＯＬＥＤなどの発光デバイスに適用するために、エレクトロルミネッセントデバイスに適用するための、発光バンドが狭い組成物を、ＱＤと有機エミッタの間の効率的なエネルギー移動によって提供することができる。結果として、実施形態のエレクトロルミネッセントデバイスにおいて、色純度が向上し、色空間が拡張し、エネルギー損失が減少する。
【００１７】
本発明は、１以上の量子ドット（ＱＤ）と、小分子化合物および非共役ポリマー化合物から選択される、少なくとも１つの有機エミッタとを含む組成物に関する。
【００１８】
好ましくは、組成物は、３つのＱＤ、特に好ましくは２つのＱＤ、非常に特に好ましくは１つのＱＤを含む。
【００１９】
さらに好ましい実施形態では、組成物は、３種の有機エミッタ、特に好ましくは２種の有機エミッタ、非常に特に好ましくは１種の有機エミッタを含む。
【００２０】
好ましいのは、１つのＱＤと１種の有機エミッタとを含む組成物である。
【００２１】
好ましい実施形態では、本発明は、１以上の量子ドットと、蛍光性小分子化合物から選択される、少なくとも１つの有機エミッタとを含む組成物に関する。
【００２２】
別の好ましい実施形態では、本発明は、１以上の量子ドットと、燐光性非共役ポリマー化合物から選択される、少なくとも１つの有機エミッタとを含む組成物に関する。
【００２３】
一般に、量子ドットは、励起子が全三次元空間に閉じ込められている半導体である。結果として、それらは、バルク半導体と離散分子の中間の特性を有する。量子ドット構造を作製する方法は、例えば、化学的方法またはイオン注入によって作製する、または最新式のリソグラフィー技術により作製されたナノデバイスにおいて作製するなどいくつかある。
【００２４】
本発明の量子ドット（ＱＤ）とは、コロイド量子ドット、またはナノドットもしくはナノ結晶としても知られる、化学的方法によって製造されるコロイド半導体ナノ結晶を指す。
【００２５】
ＱＤを作るために、当業者に公知の任意の方法を使用することができるが、好ましくは、無機ＱＤの成長を制御する液相コロイド法を使用する。前記コロイド法は、例えば、Ａｌｉｖｉｓａｔｏｓ，Ａ．Ｐ．、「Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  ｃｌｕｓｔｅｒｓ，ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｓ，ａｎｄ  ｑｕａｎｔｕｍ  ｄｏｔｓ」、Ｓｃｉｅｎｃｅ  ２７１：９３３（１９９６）；Ｘ．Ｐｅｎｇ、Ｍ．Ｓｃｈｌａｍｐ、Ａ．Ｋａｄａｖａｎｉｃｈ、Ａ．Ｐ．Ａｌｉｖｉｓａｔｏｓ、「Ｅｐｉｔａｘｉａｌ  ｇｒｏｗｔｈ  ｏｆ  ｈｉｇｈｌｙ  ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ  ＣｄＳｅ／ＣｄＳ  Ｃｏｒｅ／Ｓｈｅｌｌ  ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｓ  ｗｉｔｈ  ｐｈｏｔｏｓｔａｂｉｌｉｔｙ  ａｎｄ  ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  ａｃｃｅｓｓｉｂｉｌｉｔｙ」、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．３０：７０１９〜７０２９（１９９７）；およびＣ.Ｂ．Ｍｕｒｒａｙ、Ｄ．Ｊ．Ｎｏｒｒｉｓ、Ｍ．Ｇ．Ｂａｗｅｎｄｉ、「Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ  ａｎｄ  ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ  ｏｆ  ｎｅａｒｌｙ  ｍｏｎｏｄｉｓｐｅｒｓｅ  ＣｄＥ（Ｅ＝ｓｕｌｆｕｒ，ｓｅｌｅｎｉｕｍ，ｔｅｌｌｕｒｉｕｍ）ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｔｅｓ」、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１１５：８７０６（１９９３）から参照することができる。これらの方法は、クリーンルーム、および高価な製造装置を必要としない低コストの処理性を可能にする。これらの方法では、高温で熱分解をする金属前駆体は、有機界面活性剤分子の熱溶液中にすぐに注入される。これらの前駆体は、高温で分解し、反応して、ナノ結晶の核となる。この初期核形成段階の後、成長する結晶にモノマーを添加することによって、成長段階が開始する。その結果、有機界面活性剤分子が表面を被覆している溶液中の結晶性ナノ粒子になる。
【００２６】
これらの方法において、合成は、数秒にわたって生じる初期核形成事象として起こり、それに続いて、数分間、高温で結晶が成長する。反応の性質および進行を変えるために、温度、存在する界面活性剤の種類、前駆体材料、および界面活性剤とモノマーとの比などのパラメータを変更することができる。温度は、核形成事象の構造段階、前駆体の分解速度、および成長の速度を制御する。有機界面活性剤分子は、溶解性とナノ結晶の形状制御の両方に関与する。界面活性剤とモノマーとの比、界面活性剤相互の比、モノマー相互の比、およびモノマーの個々の濃度は、成長の速度論に強い影響を与える。
【００２７】
ＱＤに組み込むことができる適切な半導体材料は、ＣｄＳｅ、ＣｄＳ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳｅ、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＴｅ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、および、ＣｄＺｎＳｅなどのそれらの合金などのＩＩ−ＶＩ族元素；ＩｎＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＮ、ＧａＮ、ＩｎＳｂ、ＧａＳｂ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、および、ＩｎＡｓＰ、ＣｄＳｅＴｅ、ＺｎＣｄＳｅ、ＩｎＧａＡｓなどの合金などのＩＩＩ−Ｖ族元素；ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ、およびＰｂＳ、ならびにそれらの合金などのＩＶ−ＶＩ族元素；ＩｎＳｅ、ＩｎＴｅ、ＩｎＳ、ＧａＳｅ、および、ＩｎＧａＳｅ、ＩｎＳｅＳなどの合金などのＩＩＩ−ＶＩ族元素；Ｓｉ、Ｇｅ、及びそれらの合金などのＩＶ族半導体元素、ならびに、複合構造物におけるそれらの組み合わせから選択される。
【００２８】
さらに適切な半導体材料としては、米国特許出願第１０／７９６，８３２号に開示されているものがあり、また、ＩＩ−ＶＩ族、ＩＩＩ−Ｖ族、およびＩＶ族の半導体を含めた、任意の種類の半導体がある。適切な半導体材料としては、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｂ、Ｃ（ダイヤモンドを含む）、Ｐ、ＢＮ、ＢＰ、ＢＡｓ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳ、ＡｌＳｂ、ＢａＳ、ＢａＳｅ、ＢａＴｅ、ＣａＳ、ＣａＳｅ、ＣａＴｅ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＢｅＳ、ＢｅＳｅ、ＢｅＴｅ、ＭｇＳ、ＭｇＳｅ、ＧｅＳ、ＧｅＳｅ、ＧｅＴｅ、ＳｎＳ、ＳｎＳｅ、ＳｎＴｅ、ＰｂＯ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ、ＣｕＦ、ＣｕＣｌ、ＣｕＢｒ、ＣｕＩ、Ｓｉ3Ｎ4、Ｇｅ3Ｎ4、Ａｌ2Ｏ3、（Ａ，Ｇａ，Ｉｎ）2（Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ）3、およびＡｌ2ＣＯがあるが、これらに限定されない。また、さらに適切な半導体材料としては、前述の半導体の組み合わせ、および／またはコア／シェル、コアマルチシェル層構造物との組み合わせがある。
【００２９】
いくつかの実施形態では、ＱＤは、ｐ型ドーパントまたはｎ型ドーパントからなる群からのドーパントを含むことができる。ドープされたＱＤの特性および合成は、Ｍｏｏｎｓｕｂ  Ｓｈｉｍ＆Ｐｈｉｌｉｐｐｅ  Ｇｕｙｏｔ−Ｓｉｏｎｎｅｓｔによる「ｎ−ｔｙｐｅ  ｃｏｌｌｏｉｄａｌ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｓ」、Ｎａｔｕｒｅ  ｖｏｌ４０７（２０００）９８１ページ、およびＮｏｒｒｉｓらによる「Ｄｏｐｅｄ  Ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｓ」、Ｓｃｉｅｎｃｅ、３１９（２００８）、１７７６ページから参照することができる。本発明のＱＤはまた、ＩＩ−ＶＩまたはＩＩＩ−Ｖ半導体を含むこともできる。ＩＩ−ＶＩまたはＩＩＩ−Ｖ半導体ナノ結晶の例としては、周期表の、Ｚｎ、Ｃｄ、およびＨｇなどのＩＩ族からの元素と、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、ＰｏなどのＶＩ族からの任意の元素との任意の組み合わせ；ならびに周期表の、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、およびＴｌなどのＩＩＩ族からの元素と、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、およびＢｉなどのＶ族からの任意の元素との任意の組み合わせがある。
【００３０】
量子ドットにおいて、フォトルミネッセンスおよびエレクトロルミネッセンスは、ナノ結晶のバンド端状態から発生する。Ｘ．Ｐｅｎｇら、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｖｏｌ１１９：７０１９〜７０２９（１９９７）により報告された通り、ナノ結晶からの放射性バンド端発光は、表面電子状態から生じる非放射崩壊チャネルと競合する。したがって、ダングリングボンドなどの表面欠陥の存在により、非放射再結合中心が形成され、発光効率がより低くなる。Ｘ．Ｐｅｎｇら、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｖｏｌ１１９：７０１９〜７０２９（１９９７）により開示されている通り、表面トラップ状態を不活性化し、除去するための効率的な方法は、ナノ結晶の表面上に、無機シェル材料をエピタキシャル成長させることである。シェル材料は、電子準位が、コア材料に関して、タイプＩになるように選択することができる（例えば、電子および正孔をコアに局在化させるポテンシャルステップを与える、より広いバンドギャップを有する）。結果として、非放射再結合の確率を低下させることができる。
【００３１】
コア−シェル構造は、コアナノ結晶を含有する反応混合物に、シェル材料を含有する有機金属前駆体を添加することによって得られる。この場合、核形成事象の後に続いて成長するのではなく、コアは、核として働き、シェルは、コアの表面から成長する。反応温度は、シェル材料のナノ結晶の独立の核形成を妨げつつ、コア表面へのシェル材料モノマーの添加を促すために、低く保たれる。反応混合物中の界面活性剤は、シェル材料の制御成長を導き、かつ溶解性を確保するために存在する。均一で、エピタキシャル成長したシェルは、２つの材料間に低格子不整合があるときに得られる。加えて、球形は、大きな曲率半径からの界面ひずみエネルギーを最小限にするように働き、それによって、ナノ結晶系の光学特性を低下させ得る転位の形成を妨げる。
【００３２】
好ましい実施形態では、既知の合成方法を使用して、ＺｎＳを、シェル材料として使用することができる。
【００３３】
特に好ましい実施形態では、本発明のＱＤは、ＩＩ−ＶＩ族半導体、それらの合金、またはそれらから作製されるコア／シェル構造物から選択される、半導体材料を含む。さらなる実施形態では、ＩＩ−ＶＩ族半導体は、ＣｄＳｅ、ＣｄＳ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳｅ、ＺｎＳ、ＺｎＴｅ、それらの合金、それらの組み合わせ、およびそれらのコア／シェル、コアマルチシェル層構造物である。
【００３４】
いくつかの実施形態では、本発明のＱＤは、それらの表面と共役した、共同した、関連した、または付着した配位子をさらに含む。適切な配位子には、米国特許出願第１０／６５６，９１０号および米国仮特許出願第６０／５７８，２３６号に開示されているものを含めた、当業者に既知の任意の群が含まれる。そのような配位子の使用によって、ポリマーを含めた様々な溶媒およびマトリックス材料に組み込むための、ＱＤの能力を高めることができる。さらに好ましい配位子は、ＵＳ２００７／００３４８３３Ａ１に開示されている通りの、「頭部−本体部−尾部」構造を有するようなものであり、そこで、さらに好ましくは、「本体部」は、ＵＳ２００５０１０９９８９Ａ１に開示されている通り、電子または正孔輸送機能を有する。
【００３５】
量子ドット（ＱＤ）という用語は、サイズが実質的に単分散であるナノ結晶を指す。ＱＤは、寸法が、約５００ｎｍ未満であり、約１ｎｍ未満程度に至る、少なくとも１つの領域または特徴的寸法を有する。単分散のという用語は、サイズ分布が、表示値の±１０％以内であることを意味し、例えば、直径１００ｎｍの単分散ナノ結晶は、９０ｎｍ以上から１１０ｎｍ以下の範囲のサイズを包含する。
【００３６】
ＱＤ、特にコア−シェルＱＤは、サイズが有限であるので、それらは、それらのバルク体と比較して独特な光学特性を示す。発光スペクトルは、バンド端発光から生じる単一のガウスピークにより定まる。発光ピークの位置は、量子閉じ込め効果の直接的結果として、コア粒径により決定される。その電子特性および光学特性は、Ａｎｎｕ．Ｒｅｖ．Ｍａｔｅｒ．Ｓｃｉ．２０００．３０：４７５〜５２１で、Ａｌ．Ｌ．ＥｆｒｏｓおよびＭ．Ｒｏｓｅｎにより検討されている。
【００３７】
本明細書に記述した実施形態の小分子エミッタ、小分子一重項エミッタ、三重項エミッタおよび非共役ポリマーの放射物質を含めた、有機エミッタは、機能材料である。
【００３８】
本明細書で使用する機能材料という用語は、好ましくは、有機機能材料を指す。有機機能材料という用語は、有機伝導体、有機半導体、有機染料、蛍光性有機化合物、燐光性有機化合物、光吸収性有機化合物、感光性有機化合物、有機光増感剤、および他の有機光活性化合物を指すことができる。有機機能材料という用語はまた、遷移金属、希土類、ランタニドおよびアクチニドの有機金属錯体を含むこともできる。
【００３９】
有機機能材料は、小分子、ポリマー、非共役側鎖ポリマー、非共役骨格ポリマー、オリゴマー、またはデンドリマー、それらのブレンドまたは混合物の群から選択することができる。
【００４０】
本明細書で使用する小分子という用語を、ポリマー、オリゴマー、デンドリマー、またはブレンドではない分子と定義する。特に、小分子には、繰り返し構造が存在しない。小分子の分子量は、一般的に、繰り返し単位の数が少ないポリマー、オリゴマー、またはそれより小さい範囲にある。小分子の分子量は、好ましくは４０００ｇ／ｍｏｌ未満、特に好ましくは３０００ｇ／ｍｏｌ未満、非常に特に好ましくは２０００ｇ／ｍｏｌ未満であり得る。
【００４１】
実施形態のポリマーは、好ましくは、１０〜１００００、特に好ましくは２０〜５０００、非常に特に好ましくは５０〜２０００の繰り返し単位を有することができる。実施形態によるオリゴマーは、２〜９の繰り返し単位を有することができる。ポリマーおよびオリゴマーの分枝指数は、０（分枝していない線状ポリマー）から１（完全に分枝したデンドリマー）である。本明細書で使用するデンドリマーという用語を、Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．，Ｉｎｔ．Ｅｄ．１９９９、３８、８８５のＭ．Ｆｉｓｃｈｅｒらに従って定義する。
【００４２】
実施形態のポリマーの分子量（Ｍw）は、好ましくは、約１００００〜約２００００００ｇ／ｍｏｌの範囲、特に好ましくは約１０００００〜約１５０００００ｇ／ｍｏｌの範囲、非常に特に好ましくは、約２０００００〜約１００００００ｇ／ｍｏｌの範囲にあり得る。ＭＷの決定は、例えば、ポリスチレンを内部標準として用いるゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）を用いることによって、当業者に既知の標準の技術に従って行うことができる。
【００４３】
ブレンドは、少なくとも１つのポリマー成分、デンドリマー成分、またはオリゴマー成分を含む混合物であり得る。
【００４４】
本明細書に記述した実施形態による有機機能材料は、それらの分子のフロンティア軌道、すなわち、最高被占分子軌道（ＨＯＭＯ）（価電子帯と呼ぶこともある）と最低空分子軌道（ＬＵＭＯ）（伝導帯と呼ぶこともある）とによって特徴づけられることが多い。ＨＯＭＯおよびＬＵＭＯ準位は、通常、例えば、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）、ＵＰＳ（紫外光電子分光法）もしくはＣＶ（サイクロボルタンメトリー）によって測定されるか、（時間依存）ＤＦＴ（密度汎関数理論）などの量子化学法によって計算される。これらのエネルギー準位の絶対値は、使用される方法に著しく依存する可能性がある。本出願者人らは、有機半導体のエネルギー準位を決定する、一貫性のある組み合わせ法を確立した。一組の半導体（２０より多い異なる半導体）のＨＯＭＯ／ＬＵＭＯ準位は、信頼性の高い評価方法を有するＣＶによって測定され、また、同じ補正汎関数、例えば、Ｂ３ＰＷ９１、および同じ基底系、例えば、６−３１Ｇ（ｄ）を用いて、Ｇａｕｓｓｉａｎ０３ＷのＤＦＴによって計算もされる。次いで、算出値は、測定値によって較正される。そのような較正係数は、さらなる計算のために使用される。算出値と測定値の一致は、非常に良好である。したがって、確かな基礎の上で、実施形態のエネルギー準位の比較がなされる。エネルギーギャップまたはバンドギャップは、ＨＯＭＯエネルギー準位とＬＵＭＯエネルギー準位の差によって得られる。
【００４５】
実施形態による組成物は、エミッタから選択される１以上の有機機能材料を含むことができる。エミッタという用語は、他の材料からの任意の種類のエネルギー移動により、または電気的または光学的に励起子を形成することにより励起子エネルギーを受け取ると、放射崩壊して、光を発する材料を指す。２つの部類のエミッタ、すなわち、蛍光エミッタとも呼ばれる一重項エミッタ、および本明細書では燐光エミッタとも呼ぶ三重項エミッタが存在する。一重項エミッタという用語は、励起一重項状態から、それの基底状態に放射遷移する材料または化合物に関係する。本明細書で使用する三重項エミッタという用語は、遷移金属を含む発光性の材料または化合物に関係し得る。これは、一般的に、スピン禁制遷移（複数可）、例えば、励起三重項状態からの、またはさらに高いスピン多重度を有する状態からの遷移により引き起こされる光を発する材料を含む。
【００４６】
本明細書で用いるドーパントという用語は、エミッタまたはエミッタ材料という用語の代わりにも使用される。
【００４７】
好ましい実施形態では、本発明による組成物は、少なくとも１つの量子ドット（ＱＤ）と、１種の一重項エミッタと、１種のホスト材料とを含んだ混合物を含む。
【００４８】
一重項エミッタ化合物は、ホスト化合物と比較して、より小さいバンドギャップを有することが必要とされ得る。一般に、より小さいバンドギャップは、共役分子系のπ電子系を伸長させることによって実現することができる。したがって、一重項エミッタ化合物は、ホスト分子よりも伸長した、共役π電子系を有する傾向がある。多くの例が公開されている、例えば、ＪＰ２９１３１１６ＢおよびＷＯ２００１／０２１７２９Ａ１に開示されている通りのスチリルアミン誘導体、ならびに、ＷＯ２００８／００６４４９およびＷＯ２００７／１４０８４７に開示されている通りのインデノフルオレン誘導体。
【００４９】
有機エミッタは、好ましくは、スチリルアミン誘導体、インデノフルオレン誘導体、ポリ芳香族化合物、アントラセン誘導体、テトラセン誘導体、キサンテン誘導体、ペリレン誘導体、フェニレン誘導体、フルオレン誘導体、アリールピレン誘導体、アリーレンビニレン誘導体、ルブレン誘導体、クマリン誘導体、ローダミン誘導体、キナクリドン誘導体、ジシアノメチレンピラン誘導体、チオピラン、ポリメチン誘導体、ピリリウム塩およびチアピリリウム塩、ペリフランテン誘導体、インデノペリレン誘導体、ビス（アジニル）イミンホウ素化合物、ビス（アジニル）メテン化合物、カルボスチリル化合物、モノスチリルアミン、ジスチリルアミン、トリスチリルアミン、テトラスチリルアミン、スチリルホスフィン、スチリルエーテル、アリールアミン、インデノフルオレンアミンおよびインデノフルオレンジアミン、ベンゾインデノフルオレンアミン、ベンゾインデノフルオレンジアミン、ジベンゾインデノフルオレンアミン、ジベンゾインデノフルオレンジアミン、置換または無置換トリスチルベンアミン、ジスチリルベンゼン誘導体およびジスチリルビフェニル誘導体、トリアリールアミン、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、テトラセン誘導体、フルオレン誘導体、ペリフランテン誘導体、インデノペリレン誘導体、フェナントレン誘導体、ペリレン誘導体、ピレン誘導体、クリセン誘導体、デカシクレン誘導体、コロネン誘導体、テトラフェニルシクロペンタジエン誘導体、ペンタフェニルシクロペンタジエン誘導体、フルオレン誘導体、スピロフルオレン誘導体、ピラン誘導体、オキサゾン誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、ピラジン誘導体、ケイ皮酸エステル、ジケトピロロピロール誘導体、およびアクリドン誘導体から選択される。
【００５０】
青色蛍光エミッタは、好ましくは、ポリ芳香族化合物であり得、例えば、９，１０−ジ（２−ナフチルアントラセン）および他のアントラセン誘導体、テトラセンの誘導体、キサンテン、ペリレン（例えば、２，５，８，１１−テトラ−ｔ−ブチルペリレンなど）、フェニレン（例えば、４，４’−（ビス（９−エチル−３−カルバゾビニレン）−１，１’−ビフェニル）、フルオレン、アリールピレン（ＵＳ２００６／０２２２８８６）、アリーレンビニレン（ＵＳ５１２１０２９、ＵＳ５１３０６０３）、ルブレンの誘導体、クマリン、ローダミン、キナクリドン（例えば、Ｎ，Ｎ’−ジメチルキナクリドン（ＤＭＱＡ）など）、ジシアノメチレンピラン（例えば、４（ジシアノエチレン）−６−（４−ジメチルアミノスチリル−２−メチル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）など）、チオピラン、ポリメチン、ピリリウム塩およびチアピリリウム塩、ペリフランテン、インデノペリレン、ビス（アジニル）イミンホウ素化合物（ＵＳ２００７／００９２７５３Ａ１）、ビス（アジニル）メテン化合物、およびカルボスチリル化合物であり得る。
【００５１】
さらに好ましい青色蛍光エミッタは、Ｃ．Ｈ．Ｃｈｅｎら、「Ｒｅｃｅｎｔ  ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｓ  ｉｎ  ｏｒｇａｎｉｃ  ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ  ｍａｔｅｒｉａｌｓ」Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｓｙｍｐ．１２５、（１９９７）、１〜４８、および「Ｒｅｃｅｎｔ  ｐｒｏｇｒｅｓｓ  ｏｆ  ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  ｏｒｇａｎｉｃ  ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ  ｍａｔｅｒｉａｌｓ  ａｎｄ  ｄｅｖｉｃｅｓ」Ｍａｔ．Ｓｃｉ．ａｎｄ  Ｅｎｇ．Ｒ、３９（２００２）、１４３〜２２２に記載されているエミッタであり得る。
【００５２】
実施形態による好ましい蛍光ドーパントは、モノスチリルアミン、ジスチリルアミン、トリスチリルアミン、テトラスチリルアミン、スチリルホスフィン、スチリルエーテル、およびアリールアミンの部類から選択することができる。
【００５３】
モノスチリルアミンは、１つの置換または無置換スチリル基と、少なくとも１つのアミン（好ましくは芳香族の）とを含有する化合物を意味すると取る。ジスチリルアミンは、２つの置換または無置換スチリル基と、少なくとも１つのアミン（好ましくは芳香族の）とを含有する化合物を意味すると取る。トリスチリルアミンは、３つの置換または無置換スチリル基と、少なくとも１つのアミン（好ましくは芳香族の）とを含有する化合物を意味すると取る。テトラスチルアミンは、４つの置換または無置換スチリル基と、少なくとも１つのアミン（好ましくは芳香族の）とを含有する化合物を意味すると取る。スチリル基は、特に好ましくは、スチルベンであり、それはまた、さらに置換されていてもよい。対応するホスフィンおよびエーテルを、アミンと同様に定義する。本発明の目的においては、アリールアミンまたは芳香族アミンは、窒素と直接結合した、３つの置換または無置換芳香族またはヘテロ芳香族環系を含有する化合物を場合により意味すると取る。これらの芳香族またはヘテロ芳香族環系の少なくとも１つは、好ましくは、少なくとも１４個の環原子を好ましくは有する縮合環系であり得る。
【００５４】
それらの好ましい例は、芳香族アントラセンアミン、芳香族アントラセンジアミン、芳香族ピレンアミン、芳香族ピレンジアミン、芳香族クリセンアミン、および芳香族クリセンジアミンである。芳香族アントラセンアミンは、１つのジアリールアミノ基が、好ましくは９位で、アントラセン基と直接結合している化合物を意味すると取ることができる。芳香族アントラセンジアミンは、２つのジアリールアミノ基が、好ましくは９、１０位で、アントラセン基と直接結合している化合物を意味すると取ることができる。芳香族ピレンアミン、ピレンジアミン、クリセンアミンおよびクリセンジアミンを、それらと同様に定義し、そこでは、ピレン上のジアリールアミノ基は、好ましくは、１位、または１、６位で結合している。
【００５５】
さらに好ましい蛍光ドーパントは、例えば、ＷＯ２００６／１２２６３０による、インデノフルオレンアミンおよびインデノフルオレンジアミン、例えば、ＷＯ２００８／００６４４９による、ベンゾインデノフルオレンアミンおよびベンゾインデノフルオレンジアミン、ならびに、例えば、ＷＯ２００７／１４０８４７による、ジベンゾインデノフルオレンアミンおよびジベンゾインデノフルオレンジアミンから選択することができる。
【００５６】
スチリルアミンの部類からのドーパントの例は、置換または無置換トリスチルベンアミン、またはＷＯ２００６／０００３８８、ＷＯ２００６／０５８７３７、ＷＯ２００６／０００３８９、ＷＯ２００７／０６５５４９およびＷＯ２００７／１１５６１０に記載されているドーパントである。ジスチリルベンゼン誘導体およびジスチリルビフェニル誘導体は、ＵＳ５１２１０２９に記載されている。さらに、スチリルアミンは、ＵＳ２００７／０１２２６５６Ａ１で見られる。
【００５７】
特に好ましいスチリルアミンドーパントおよびトリアリールアミンドーパントは、式（１）〜（６）の化合物、ならびに、ＵＳ７２５０５３２Ｂ２、ＤＥ１０２００５０５８５５７Ａ１、ＣＮ１５８３６９１Ａ、ＪＰ０８０５３３９７Ａ、ＵＳ６２５１５３１Ｂ１およびＵＳ２００６／２１０８３０Ａに開示されている通りの化合物である。
【化１】
0005944380.tif 000002
【００５８】
さらに好ましい蛍光ドーパントは、ＥＰ１９５７６０６Ａ１およびＵＳ２００８／０１１３１０１Ａ１に開示されている通りのトリアリールアミンの群から選択することができる。
【００５９】
さらに好ましい蛍光ドーパントは、ナフタレン、アントラセン、テトラセン、フルオレン、ペリフランテン、インデノペリレン、フェナントレン、ペリレン（ＵＳ２００７／０２５２５１７Ａ１）、ピレン、クリセン、デカシクレン、コロネン、テトラフェニルシクロペンタジエン、ペンタフェニルシクロペンタジエン、フルオレン、スピロフルオレン、ルブレン、クマリン（ＵＳ４７６９２９２、ＵＳ６０２００７８、ＵＳ２００７／０２５２５１７Ａ１）、ピラン、オキサゾン、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾール、ベンズイミダゾール、ピラジン、ケイ皮酸エステル、ジケトピロロピロール、アクリドン、およびキナクリドン（ＵＳ２００７／０２５２５１７Ａ１）の誘導体から選択することができる。
【００６０】
アントラセン化合物のうち、特に好ましいのは、例えば、９，１０−ジフェニルアントラセンおよび９，１０−ビス（フェニルエチニル）アントラセンなどの９，１０−置換アントラセンであり得る。１，４−ビス（９’−エチニルアントラセニル）ベンゼンも、好ましいドーパントであり得る。
【００６１】
原則として、当業者に既知の任意のホスト材料を、本明細書に記述した実施形態による組成物において用いることができる。用いるエミッタの種類に応じて、ホスト材料は、２つの部類、すなわち、蛍光エミッタのためのホスト材料、および燐光エミッタのためのホスト材料に分けることができ、それにより、後者は、しばしば、マトリックスまたはマトリックス材料と呼ばれる。
【００６２】
実施形態による組成物はまた、１種より多いホスト材料を含むこともでき、好ましくは、それは、３種のホスト材料を含むことができ、特に好ましくは、それは、２種のホスト材料、非常に特に好ましくは、１種のホスト材料を含むことができる。実施形態による組成物が、少なくとも２種のホスト材料を含む場合、ホスト材料は、共同ホストまたは共同ホスト材料とも呼ばれる。
【００６３】
ホスト材料は、通常、エミッタと組み合わせて使用され、また、エミッタ材料と比較して、ＨＯＭＯとＬＵＭＯの間のより大きいエネルギーギャップを有することができる。加えて、ホスト材料は、電子輸送材料として、または正孔輸送材料として機能することができる。ホスト材料はまた、電子輸送特性と正孔輸送特性の両方を有することができる。一重項遷移が、ＯＬＥＤのフォトルミネッセンスに主に関与する場合、エミッタの吸収スペクトルとホスト材料のフォトルミネッセンススペクトルの間の最大の重複が、極めて望ましい。これにより、ホスト材料からエミッタへのエネルギー移動が確実となる。
【００６４】
ホスト材料は、特に、ホストが、ＯＬＥＤにおいて、燐光エミッタと組み合わせて使用されるものを意味する場合、マトリックスまたはマトリックス材料とも呼ばれる。また、エミッタ単位を含む共重合体に関して、ポリマー骨格は、ホストと同じ機能を有することができ、ホストを参照することを意図され得る。
【００６５】
蛍光エミッタに適した好ましいホスト材料は、アントラセン、ベンゾアントラセン、インデノフルオレン、フルオレン、スピロビフルオレン、フェナントレン、デヒドロフェナントレン、チオフェン、トリアジン、イミダゾール、およびそれらの誘導体から選択することができる。
【００６６】
蛍光エミッタのための特に好ましいホスト材料は、オリゴアリーレン（例えば、ＥＰ６７６４６１による２，２’，７，７’−テトラフェニルスピロビフルオレン、またはジナフチルアントラセン）、特に、縮合芳香族基を含有するオリゴアリーレン（例えば、フェナントレン、テトラセン、コロネン、クリセン、フルオレン、スピロフルオレン、ペリレン、フタロペリレン、ナフタロペリレン、デカシクレン、ルブレンなど）；オリゴアリーレンビニレン（例えば、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルエテニル）−１，１’−ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）、またはＥＰ６７６４６１による４，４’−ビス−２，２−ジフェニルビニル−１，１−スピロビフェニル（スピロ−ＤＰＶＢｉ））；多脚金属錯体（例えば、ＷＯ２００４／０８１０１７による）、特に、８ヒドロキシキノリンの金属錯体（例えば、アルミニウム（ＩＩＩ）トリス（８−ヒドロキシキノリン）（アルミニウムキノレート、Ａｌｑ3）またはビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−（フェニルフェノリノラト（phenylphenolinolato））アルミニウム、また、イミダゾールキレート（ＵＳ２００７／００９２７５３Ａ１））およびキノリン金属錯体、アミノキノリン金属錯体、ベンゾキノリン金属錯体を用いるもの；正孔伝導化合物（例えば、ＷＯ２００４／０５８９１１による）；電子伝導化合物、特に、ケトン、ホスフィンオキシド、スルホキシドなど（例えば、ＷＯ２００５／０８４０８１およびＷＯ２００５／０８４０８２による）；アトロプ異性体（例えば、ＷＯ２００６／０４８２６８による）；ボロン酸誘導体（例えば、ＷＯ２００６／１１７０５２による）；またはベンゾアントラセン（例えば、ＤＥ１０２００７０２４８５０）；の部類から選択することができる。特に好ましいホスト材料は、オリゴアリーレン（ナフタレン、アントラセン、ベンゾアントラセンおよび／またはピレンを含む）、またはこれらの化合物のアトロプ異性体、ケトン、ホスフィンオキシド、およびスルホキシドの部類から選択することができる。非常に特に好ましいホスト材料は、オリゴアリーレン（アントラセン、ベンゾアントラセンおよび／またはピレンを含む）、またはこれらの化合物のアトロプ異性体の部類から選択することができる。本発明において、オリゴアリーレンは、少なくとも３つのアリール基またはアリーレン基が相互に結合している化合物を場合により意味するものとする。
【００６７】
蛍光エミッタのためのさらに好ましいホスト材料は、特に、式（７）の化合物から選択することができる。
【化２】
0005944380.tif 000003
【００６８】
式中、Ａｒ4、Ａｒ5、Ａｒ6は、出現する毎に、同一にまたは異なって、５〜３０個の芳香族環原子を有するアリールまたはヘテロアリール基であり、それらは、１以上の基により置換されていてもよく、ｐは、１、２または３であり、Ａｒ4、Ａｒ5およびＡｒ6中のπ電子の合計は、ｐ＝１ならば、少なくとも３０個であり、ｐ＝２ならば、少なくとも３６個であり、ｐ＝３ならば、少なくとも４２個である。
【００６９】
式（７）のホスト材料において、Ａｒ5基は、１以上の基Ｒ1により置換されていてもよいアントラセンを表し、Ａｒ4基およびＡｒ6基は、９および１０位で結合することが特に好ましいことがある。非常に特に好ましくは、Ａｒ4基および／またはＡｒ6基の少なくとも１つは、１−または２−ナフチル、２−、３−または９−フェナントレニル、または２−、３−、４−、５−、６−または７−ベンズアントラセニルから選択される縮合アリール基であってもよく、それらはそれぞれ、１以上の基Ｒ1により置換されていてもよい。アントラセン系化合物は、ＵＳ２００７／００９２７５３Ａ１およびＵＳ２００７／０２５２５１７Ａ１に記載されており、例えば、２−（４−メチルフェニル）−９，１０−ジ−（２−ナフチル）アントラセン、９−（２−ナフチル）−１０−（１，１’−ビフェニル）アントラセンおよび９，１０−ビス［４−（２，２−ジフェニルエテニル）フェニル］アントラセン、９，１０−ジフェニルアントラセン、９，１０−ビス（フェニルエチニル）アントラセン、ならびに１，４−ビス（９’−エチニルアントラセニル）ベンゼンである。好ましいのはまた、２つのアントラセン単位を含有するホスト材料（ＵＳ２００８／０１９３７９６Ａ１）、例えば、１０，１０’−ビス［１，１’，４’，１’’］テルフェニル−２−イル−９，９’−ビスアントラセニルであり得る。
【００７０】
さらに好ましいホスト材料は、アリールアミン、スチリルアミン、フルオレセイン、ペリノン、フタロペリノン、ナフタロペリノン、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、シクロペンタジエン、テトラフェニルシクロペンタジエン、ペンタフェニルシクロペンタジエン、クマリン、オキサジアゾール、ビスベンゾオキサゾリン、オキサゾン、ピリジン、ピラジン、イミン、ベンゾチアゾール、ベンゾオキサゾール、ベンズイミダゾール（ＵＳ２００７／００９２７５３Ａ１）（例えば、２，２’，２’’−（１，３，５−フェニレン）トリス［１−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾール］）、アルダジン及びスチルベンの誘導体、スチリルアリーレン誘導体、例えば、９，１０−ビス［４−（２，２−ジフェニルエテニル）フェニル］アントラセン、およびジスチリルアリーレン誘導体（ＵＳ５１２１０２９）、ジフェニルエチレン、ビニルアントラセン、ジアミノカルバゾール、ピラン、チオピラン、ジケトピロロピロール、ポリメチン、メロシアニン、アクリドン、キナクリドン、ケイ皮酸エステル、ならびに蛍光染料であり得る。
【００７１】
特に好ましいのは、アリールアミンの誘導体およびスチリルアミン、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（２−ナフチル）アミノ］ビフェニル（ＴＮＢ）であり得る。
【００７２】
蛍光エミッタのためのホストとしてのオリゴアリーレンを有する好ましい化合物は、例えば、ＵＳ２００３／００２７０１６Ａ１、ＵＳ７３２６３７１Ｂ２、ＵＳ２００６／０４３８５８Ａ、ＵＳ７３２６３７１Ｂ２、ＵＳ２００３／００２７０１６Ａ１、ＷＯ２００７／１１４３５８、ＷＯ２００８／１４５２３９、ＪＰ３１４８１７６Ｂ２、ＥＰ１００９０４４、ＵＳ２００４／０１８３８３、ＷＯ２００５／０６１６５６Ａ１、ＥＰ０６８１０１９Ｂ１、ＷＯ２００４／０１３０７３Ａ１、ＵＳ５０７７１４２、ＷＯ２００７／０６５６７８、およびＵＳ２００７／０２０５４１２Ａ１に開示されている通りの化合物であり得る。特に好ましいオリゴアリーレンベースの化合物は、式（８）〜（１４）を有する化合物であり得る。
【化３】
0005944380.tif 000004
【００７３】
さらに、蛍光エミッタのためのホスト材料は、スピロビフルオレンおよびその誘導体、例えば、ＥＰ０６７６４６１に開示されている通りのスピロ−ＤＰＶＢｉ、ならびに、ＵＳ６５６２４８５に開示されている通りのインデノフルオレンから選択することができる。
【００７４】
燐光エミッタのための好ましいホスト材料、すなわちマトリックス材料は、ケトン、カルバゾール、トリアリールアミン、インデノフルオレン、フルオレン、スピロビフルオレン、フェナントレン、デヒドロフェナントレン、チオフェン、トリアジン、イミダゾール、およびそれらの誘導体から選択することができる。いくつかの好ましい誘導体は、以下でより詳細に説明する。
【００７５】
好ましい実施形態では、ホスト材料は、上記および下記の通りの、エミッタ基を含む小分子である。
【００７６】
別の好ましい実施形態では、ホスト材料は、下記の通りの、繰り返し単位としてのエミッタ基を含む共役ポリマーである。
【００７７】
さらに別の好ましい実施形態では、ホスト材料は、下記の通りの、繰り返し単位としてのエミッタ基を含む非共役ポリマーである。
【００７８】
別の非常に好ましい実施形態では、本発明による組成物は、少なくとも１つのＱＤと、１種の三重項エミッタと、１種のマトリックス材料とを含んだ混合物を含む。
【００７９】
好ましいのは、少なくとも１つのＱＤと、１種の三重項エミッタと、１種のマトリックス材料とを含む混合物である。
【００８０】
本明細書では、三重項エミッタは、先に定義した通りの燐光エミッタも指す。
【００８１】
実施形態による組成物は、金属錯体から選択される、１以上の有機機能材料を含むことができる。量子力学によれば、高スピン多重度を有する励起状態、例えば、励起三重項状態から、基底状態への遷移は禁止される。しかし、重原子、例えば、イリジウム、オスミウム、白金およびユーロピウムの存在により、強いスピン軌道相互作用が生じる。すなわち、励起一重項および三重項が混合し、その結果、三重項は、一重項のある特性を得て、もし、一重項−三重項混合が、非放射事象（non-radiative event）よりも速い放射崩壊速度をもたらせば、発光が効率的になり得る。この種の発光は、Ｂａｌｄｏら、Ｎａｔｕｒｅ  ３９５、１５１〜１５４（１９９８）により最初に報告された通り、金属錯体を使用して実現することができる。さらに、金属錯体は、Ｂ．Ｏ’Ｒｅｇａｎ＆Ｍ．Ｇｒａｅｔｚｅｌ、Ｎａｔｕｒｅ  ３５３、７３７（１９９１）により報告されたＲｕ錯体のように、効率的で、広帯域光吸収性の材料または染料として機能することもできる。
【００８２】
燐光エミッタの例は、各出願ＷＯ００／７０６５５、ＷＯ０１／４１５１２、ＷＯ０２／０２７１４、ＷＯ０２／１５６４５、ＥＰ１１９１６１３、ＥＰ１１９１６１２、ＥＰ１１９１６１４およびＷＯ２００５／０３３２４４によって示されている。一般に、燐光ＯＬＥＤについての先行技術に従って使用されているような、および有機エレクトロルミネッセンスの領域において当業者に既知であるような、すべての燐光錯体が適している。
【００８３】
燐光エミッタは、式Ｍ（Ｌ）Zを有する金属錯体であってもよく、式中、Ｍは、金属原子であり、Ｌは、それぞれの出現において相互に独立に、１、２またはそれより多い位置を介して、Ｍと結合または配位結合する有機配位子であり、ｚは、≧１の整数、好ましくは、１、２、３、４、５または６であり、また、そこでは、場合により、これらの基は、好ましくは配位子Ｌを介して、１以上、好ましくは１、２、または３つの位置を介してポリマーと連結する。
【００８４】
Ｍは特に、遷移金属から選択される、好ましくは、ＶＩＩＩ族の遷移金属、またはランタニド、もしくはアクチニドから選択される、特に好ましくは、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｒｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ａｇ、またはＲｕから選択される、非常に特に好ましくは、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｐｄ、またはＰｔから選択される、金属原子であり得る。Ｍはまた、Ｚｎであってもよい。
【００８５】
好ましい配位子Ｌは、２フェニルピリジン誘導体、７，８−ベンゾキノリン誘導体、２（２−チエニル）ピリジン誘導体、２（１−ナフチル）ピリジン誘導体、または２フェニルキノリン誘導体であり得る。これらすべての化合物は、青色のために、例えば、フルオロ−またはトリフルオロメチル置換基によって、置換されていてもよい。補助配位子は、好ましくは、アセチルアセトネートまたはピクリン酸である。
【００８６】
特に、ＵＳ２００７/００８７２１９Ａ１に開示されている通りの、式（１５）の四座配位子を有するＰｔまたはＰｄの錯体（式中、Ｒ1からＲ14およびＺ1からＺ5は、参考文献において定義されている通りである）、拡張した環系を有するＰｔポルフィリン錯体（ＵＳ２００９／００６１６８１Ａ１）、およびＩｒ錯体が適しており、例えば、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン−Ｐｔ（ＩＩ）、テトラフェニル−Ｐｔ（ＩＩ）−テトラベンゾポルフィリン（ＵＳ２００９／００６１６８１Ａ１）、ｃｉｓ−ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）Ｐｔ（ＩＩ）、ｃｉｓ−ビス（２−（２’−チエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ３’）Ｐｔ（ＩＩ）、ｃｉｓ−ビス（２−（２’−チエニル）キノリナト−Ｎ，Ｃ５’）Ｐｔ（ＩＩ）、（２−（４，６−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）Ｐｔ（ＩＩ）アセチルアセトネート、またはトリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）Ｉｒ（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｐｐｙ）3、緑）、ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２）Ｉｒ（ＩＩＩ）アセチルアセトネート（Ｉｒ（ｐｐｙ）2アセチルアセトネート、緑、ＵＳ２００１／００５３４６２Ａ１、Ｂａｌｄｏ、Ｔｈｏｍｐｓｏｎら、Ｎａｔｕｒｅ４０３、（２０００）、７５０〜７５３）、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）、ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）、ビス（２−（２’−ベンゾチエニル）−ピリジナト−Ｎ，Ｃ３’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトネート、ビス（２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）ピクコリネート（piccolinate）（Ｆｉｒｐｉｃ、青）、ビス（２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）Ｉｒ（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボレート、トリス（２−（ビフェニル−３−イル）−４−ｔｅｒｔ−ブチルピリジン）イリジウム（ＩＩＩ）、（ｐｐｚ）2Ｉｒ（５ｐｈｄｐｙｍ）（ＵＳ２００９／００６１６８１Ａ１）、（４５ｏｏｐｐｚ）2Ｉｒ（５ｐｈｄｐｙｍ）（ＵＳ２００９／００６１６８１Ａ１）、例えば、イリジウム（ＩＩＩ）ビス（２−フェニルキノリル−Ｎ，Ｃ２’）アセチルアセトネート（ＰＱＩｒ）、トリス（２−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ）Ｉｒ（ＩＩＩ）（赤）、ビス（２−（２’−ベンゾ［４，５−ａ］チエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ３）Ｉｒアセチルアセトネート（［Ｂｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ）］、赤、Ａｄａｃｈｉら、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７８（２００１）、１６２２〜１６２４）などの２フェニルピリジン−Ｉｒ錯体の誘導体である。
【化４】
0005944380.tif 000005
【００８７】
また、例えば、Ｔｂ3+およびＥｕ3+などの三価ランタニドの錯体（Ｊ．Ｋｉｄｏら、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．６５（１９９４）、２１２４、Ｋｉｄｏら、Ｃｈｅｍ．Ｌｅｔｔ．６５７、１９９０、ＵＳ２００７／０２５２５１７Ａ１）、またはマレオニトリルジチオレートを有するＰｔ（ＩＩ）、Ｉｒ（Ｉ）、Ｒｈ（Ｉ）の燐光錯体（Ｊｏｈｎｓｏｎら、ＪＡＣＳ  １０５、１９８３、１７９５）、Ｒｅ（Ｉ）トリカルボニルジイミン錯体（とりわけ、Ｗｒｉｇｈｔｏｎ、ＪＡＣＳ  ９６、１９７４、９９８）、シアノ配位子およびビピリジルまたはフェナントロリン配位子を有するＯｓ（ＩＩ）錯体（Ｍａら、Ｓｙｎｔｈ．Ｍｅｔａｌｓ  ９４、１９９８、２４５）、またはホストを有さないＡｌｑ3も適している。
【００８８】
さらに、三座配位子を有する燐光エミッタが、ＵＳ６８２４８９５およびＵＳ７０２９７６６に記載されている。赤色発光燐光錯体は、ＵＳ６８３５４６９およびＵＳ６８３０８２８において述べられている。
【００８９】
特に好ましい燐光ドーパントは、式（１６）を有する化合物、さらに、例えば、ＵＳ２００１／００５３４６２Ａ１に開示されている通りの化合物であり得る。
【００９０】
特に好ましい燐光ドーパントは、式（１７）を有する化合物、さらに、例えば、ＷＯ２００７／０９５１１８Ａ１に開示されている通りの化合物であり得る
【化５】
0005944380.tif 000006
【００９１】
さらなる誘導体が、ＵＳ７３７８１６２Ｂ２、ＵＳ６８３５４６９Ｂ２、およびＪＰ２００３／２５３１４５Ａに記載されている。
【００９２】
さらに、本明細書の他の部分で述べられている金属錯体について、実施形態による適切な金属錯体は、遷移金属、希土類元素、ランタニド、およびアクチニドから選択することができ、また、本明細書に記述した実施形態の対象でもあり得る。好ましくは、金属は、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｅｕ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｈ、Ｐｄ、またはＡｇから選択することができる。
【００９３】
燐光エミッタが、例えば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）のエレクトロルミネッセント成分として用いられる場合、そのマトリックス材料は、蛍光エミッタに使用されるマトリックス材料と比較して、かなり違う特性を満たすべきである。燐光エミッタに使用されるマトリックス材料は、エミッタの三重項準位と比較して、エネルギーがより高い三重項準位を有するべきである。マトリックス材料は、電子または正孔のいずれか、またはその両方を輸送することができる。加えて、エミッタは、一重項−三重項混合を十分に促すために、大きいスピン軌道相互作用定数を有するべきである。これは、金属錯体を使用することによって可能になり得る。
【００９４】
好ましいマトリックス材料は、Ｎ，Ｎ−ビスカルバゾリルビフェニル（ＣＢＰ）、カルバゾール誘導体（例えば、ＷＯ２００５／０３９２４６、ＵＳ２００５／００６９７２９、ＪＰ２００４／２８８３８１、ＥＰ１２０５５２７、またはＤＥ１０２００７００２７１４による）、アザカルバゾール（例えば、ＥＰ１６１７７１０、ＥＰ１６１７７１１、ＥＰ１７３１５８４、ＪＰ２００５／３４７１６０による）、ケトン（例えば、ＷＯ２００４／０９３２０７による）、ホスフィンオキシド、スルホキシドおよびスルホン（例えば、ＷＯ２００５／００３２５３による）、オリゴフェニレン、芳香族アミン（例えば、ＵＳ２００５／００６９７２９による）、二極性マトリックス材料（例えば、ＷＯ２００７／１３７７２５による）、シラン（例えば、ＷＯ２００５／１１１１７２による）、９，９−ジアリールフルオレン誘導体（例えば、ＤＥ１０２００８０１７５９１による）、アザボロールまたはボロン酸エステル（例えば、ＷＯ２００６／１１７０５２による）、トリアゾール誘導体、オキサゾールおよびオキサゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、フェニレンジアミン誘導体、三級芳香族アミン、スチリルアミン、インドール、アントロン誘導体、フルオレン誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ヒドラゾン誘導体、シラザン誘導体、芳香族ジメチリデン化合物、ポルフィリン化合物、カルボジイミド誘導体、ジフェニルキノン誘導体、フタロシアニン誘導体、例えば、Ａｌｑ3などの、８ヒドロキシキノリン誘導体の金属錯体（８ヒドロキシキノリン錯体は、トリアリールアミノフェノール（triarylaminophenol）配位子を含有することもできる（ＵＳ２００７／０１３４５１４Ａ１））、金属フタロシアニン、ベンゾオキサゾールまたはベンゾチアゾールを配位子として有する様々な金属錯体−ポリシラン化合物、例えば、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（ＰＶＫ）、アニリン共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェンなどの正孔伝導性ポリマー、ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体であり得る。
【００９５】
さらに、特に好ましいマトリックス材料は、例えば、ＤＥ１０２００９０２３１５５．２、ＥＰ０９０６９４７Ｂ１、ＥＰ０９０８７８７Ｂ１、ＥＰ９０６９４８Ｂ１、ＷＯ２００８／０５６７４６Ａ１、ＷＯ２００７／０６３７５４Ａ１、ＷＯ２００８／１４６８３９Ａ１、およびＷＯ２００８／１４９６９１Ａ１に開示されている通りの、インドロカルバゾールおよびそれらの誘導体（例えば、式（１８）〜（２４））を含む化合物から選択することができる。
【化６−１】
0005944380.tif 000007
【００９６】
好ましいカルバゾール誘導体の例は、１，３−Ｎ，Ｎ−ジカルバゾールベンゼン（＝９，９’−（１，３−フェニレン）ビス−９Ｈ−カルバゾール）（ｍＣＰ）、９，９’−（２，２’−ジメチル［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジイル）ビス−９Ｈ−カルバゾール（ＣＤＢＰ）、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾール）ベンゼン（＝１，３−ビス（カルバゾール−９−イル）ベンゼン）、ＰＶＫ（ポリビニルカルバゾール）、３，５−ジ（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）ビフェニル、および式（２５）〜（２９）の化合物である。
【化６−２】
0005944380.tif 000008
【００９７】
好ましいＳｉテトラアリール化合物は、例えば、（ＵＳ２００４／０２０９１１５、ＵＳ２００４／０２０９１１６、ＵＳ２００７／００８７２１９Ａ１、ＵＳ２００７／００８７２１９Ａ１）、式（３０）〜（３５）の化合物である。
【化７−１】
0005944380.tif 000009
【化７−２】
0005944380.tif 000010
【００９８】
燐光ドーパントのための特に好ましいマトリックスは、式（３６）の化合物であり得る（ＥＰ６５２２７３Ｂ１）。
【化８】
0005944380.tif 000011
【００９９】
さらに、燐光ドーパントのための特に好ましいマトリックス材料は、一般式（３７）の化合物から選択することができる（ＥＰ１９２３４４８Ａ１）。
【化９】
0005944380.tif 000012
【０１００】
式中、Ｍ、Ｌ、およびｎは、参考文献におけるように定義される。好ましくは、Ｍは、Ｚｎであり、Ｌは、キノリネート（quinolinate）であり、ｎは、２，３または４である。非常に特に好ましいのは、［Ｚｎｑ2］2、［Ｚｎｑ2］3、および［Ｚｎｑ2］4である。
【０１０１】
好ましいのは、金属オキシノイド錯体から選択される共同ホストである可能性があり、それにより、リチウムキノレート（Ｌｉｑ）またはＡｌｑ3が特に好ましい可能性がある。
【０１０２】
好ましい実施形態では、マトリックス材料は、上記および下記の通りの、エミッタ基を含むＳＭ分子である。
【０１０３】
別の好ましい実施形態では、マトリックス材料は、下記の通りの、繰り返し単位としてのエミッタ基を含む共役ポリマーである。
【０１０４】
さらに別の好ましい実施形態では、マトリックス材料は、下記の通りの、繰り返し単位としてのエミッタ基を含む非共役ポリマーである。
【０１０５】
実施形態による組成物は、正孔注入材料（ＨＩＭ）から選択される１以上の有機機能材料を含むことができる。ＨＩＭとは、アノードから有機層への、またはアノードへの正孔（すなわち、正電荷）注入を容易にすることが可能な材料または単位を指す。典型的には、ＨＩＭは、アノードの仕事関数と同等の、またはそれよりも高い、すなわち、−５．３ｅＶ以上のＨＯＭＯ準位を有する。
【０１０６】
実施形態による組成物は、正孔輸送材料（ＨＴＭ）から選択される１以上の有機機能材料を含むことができる。ＨＴＭは、正孔注入材料またはアノードから注入された正孔（すなわち、正電荷）を輸送することが可能な材料または単位であることを特徴とする。ＨＴＭは、通常、高いＨＯＭＯ（典型的には、−５．４ｅＶより高い）を有する。多くの場合において、ＨＩＭは、隣接する層に応じて、ＨＴＭとして機能することもできる。
【０１０７】
実施形態による組成物は、正孔遮断材料（ＨＢＭ）から選択される１以上の有機機能材料を含むことができる。ＨＢＭとは、多層構造におけるエミッタ層または正孔輸送層に隣接して堆積された場合、正孔が流れるのを妨げる材料を指す。通常、ＨＢＭは、隣接層中のＨＴＭのＨＯＭＯ準位と比較して、より低いＨＯＭＯを有する。正孔遮断層は、ＯＬＥＤにおいて、エミッタ層と電子輸送層の間に挿入されることが多い。
【０１０８】
実施形態による組成物は、電子注入材料（ＥＩＭ）から選択される１以上の有機機能材料を含むことができる。ＥＩＭとは、カソードから有機層への電子（すなわち、負電荷）注入を容易にすることが可能な材料を指す。ＥＩＭは、通常、カソードの仕事関数と同等の、またはそれよりも低いＬＵＭＯ準位を有する。典型的には、ＥＩＭは、−２．６ｅＶよりも低いＬＵＭＯを有する。
【０１０９】
実施形態による組成物は、電子輸送材料（ＥＴＭ）から選択される１以上の有機機能材料を含むことができる。ＥＴＭは、ＥＩＭまたはカソードから注入された電子（負電荷）を輸送することが可能な材料を指す。ＥＴＭは、通常、低いＬＵＭＯ（典型的には、−２．７ｅＶより低い）を有する。多くの場合において、ＥＩＭは、隣接する層に応じて、ＥＴＭとして同様に機能を果たすことができる。
【０１１０】
実施形態による組成物は、電子遮断材料（ＥＢＭ）から選択される１以上の有機機能材料を含むことができる。ＥＢＭとは、多層構造におけるエミッタ層または電子輸送層に隣接して堆積された場合、電子が流れるのを妨げる材料を指す。通常、ＥＢＭは、隣接層中のＥＴＭのＬＵＭＯと比較して、より高いＬＵＭＯを有する。
【０１１１】
実施形態による組成物は、励起子遮断材料（ＥｘＢＭ）から選択される１以上の有機機能材料を含むことができる。ＥｘＢＭとは、多層構造におけるエミッタ層に隣接して堆積された場合、励起子が拡散するのを妨げる材料を指す。ＥｘＢＭは、エミッタ層または他の隣接層と比較して、より高い三重項準位または一重項準位のいずれかを有するべきである。
【０１１２】
さらに、本明細書の他の部分で述べられているＨＩＭについて、適切なＨＩＭは、フェニレンジアミン誘導体（ＵＳ３６１５４０４）、アリールアミン誘導体（ＵＳ３５６７４５０）、アミノ置換カルコン誘導体（ＵＳ３５２６５０１）、スチリルアントラセン誘導体（ＪＰ昭和５４年（１９７９）１１０８３７）、ヒドラゾン誘導体（ＵＳ３７１７４６２）、アシルヒドラゾン、スチルベン誘導体（ＪＰ昭和６１年（１９８６）２１０３６３）、シラザン誘導体（ＵＳ４９５０９５０）、ポリシラン化合物（ＪＰ平成２年（１９９０）２０４９９６）、ＰＶＫおよび他の導電性高分子、アニリン系共重合体（ＪＰ平成２年（１９９０）２８２２６３）、導電性高分子のチオフェンオリゴマー（ＪＰ平成元年（１９８９）２１１３９９）、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（スピンコートされたポリマー）、プラズマ堆積フルオロカーボンポリマー（ＵＳ６１２７００４、ＵＳ６２０８０７５、ＵＳ６２０８０７７）、ポルフィリン化合物（ＪＰ昭和６３年（１９８８）２９５６９６５、ＵＳ４７２０４３２）、芳香族三級アミンおよびスチリルアミン（ＵＳ４１２７４１２）、ベンジジン型のトリフェニルアミン、スチリルアミン型のトリフェニルアミン、およびジアミン型のトリフェニルアミンである。アリールアミンデンドリマーも使用することができ（ＪＰ平成８年（１９９６）１９３１９１）、同様に使用することができるフタロシアニン誘導体、ナフタロシアニン誘導体、またはブタジエン誘導体も適している。
【０１１３】
ＨＩＭは、アミン、トリアリールアミン、チオフェン、カルバゾール、フタロシアニン、ポルフィリン、またはそれらの誘導体を含むモノマー有機化合物から選択することができる。
【０１１４】
特に好ましいのは、三級芳香族アミン（ＵＳ２００８／０１０２３１１Ａ１）、例えば、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（３−トリル）ベンジジン（＝４，４’−ビス［Ｎ−３−メチルフェニル］−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル）（ＮＰＤ）（ＵＳ５０６１５６９）、Ｎ，Ｎ’−ビス（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−４−アミノフェニル）−Ｎ，Ｎ−ジフェニル−４，４’−ジアミノ−１，１’−ビフェニル（ＴＰＤ２３２）および４，４’，４’’−トリス［Ｎ，−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）（ＪＰ平成４年（１９９２）３０８６８８）、またはフタロシアニン誘導体（例えば、Ｈ2Ｐｃ、ＣｕＰｃ、ＣｏＰｃ、ＮｉＰｃ、ＺｎＰｃ、ＰｄＰｃ、ＦｅＰｃ、ＭｎＰｃ、ＣｌＡｌＰｃ、ＣｌＧａＰｃ、ＣｌＩｎＰｃ、ＣｌＳｎＰｃ、Ｃｌ2ＳｉＰｃ、（ＨＯ）ＡｌＰｃ、（ＨＯ）ＧａＰｃ、ＶＯＰｃ、ＴｉＯＰｃ、ＭｏＯＰｃ、ＧａＰｃ−Ｏ−ＧａＰｃ）であり得る。
【０１１５】
特に好ましいのは、置換されていてもよい、式（３８）（ＴＰＤ２３２）、２、３および４の下記のトリアリールアミン化合物、さらに、ＵＳ７３９９５３７Ｂ２、ＵＳ２００６／００６１２６５Ａ１、ＥＰ１６６１８８８Ａ１、およびＪＰ０８２９２５８６Ａに開示されている通りの化合物であり得る。
【０１１６】
さらに、正孔注入材料として適している化合物は、ＥＰ０８９１１２１Ａ１およびＥＰ１０２９９０９Ａ１に開示されている。一般的な正孔注入層は、ＵＳ２００４／０１７４１１６に記載されている。
【化１０】
0005944380.tif 000013
【０１１７】
原則として、当業者に既知の任意のＨＴＭを、本明細書に記述した実施形態による組成物において用いることができ、ＨＴＭは、アミン、トリアリールアミン、チオフェン、カルバゾール、フタロシアニン、ポルフィリン、それらの異性体および誘導体から選択することができる。ＨＴＭは、特に、アミン、トリアリールアミン、チオフェン、カルバゾール、フタロシアニン、ポルフィリンから選択することができる。
【０１１８】
正孔輸送層に適した材料は、フェニレンジアミン誘導体（ＵＳ３６１５４０４）、アリールアミン誘導体（ＵＳ３５６７４５０）、アミノ置換カルコン誘導体（ＵＳ３５２６５０１）、スチリルアントラセン誘導体（ＪＰ  Ａ５６−４６２３４）、多環式芳香族化合物（ＥＰ１００９０４１）、ポリアリールアルカン誘導体（ＵＳ３６１５４０２）、フルオレン誘導体（ＪＰ  Ａ５４−１１０８３７）、ヒドラジン誘導体（ＵＳ３７１７４６２）、スチルベン誘導体（ＪＰ  Ａ６１−２１０３６３）、シラザン誘導体（ＵＳ４９５０９５０）、ポリシラン（ＪＰ  Ａ２−２０４９９６）、アニリン共重合体（ＪＰ  Ａ２−２８２２６３）、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン、ＰＶＫ、ポリピロール、ポリアニリンおよびさらなる共重合体、ポルフィリン化合物（ＪＰ  Ａ６３−２９５６９６５）、芳香族ジメチリデン型化合物、例えば、ＣＤＢＰ、ＣＢＰ、ｍＣＰなどのカルバゾール化合物、芳香族三級アミンおよびスチリルアミン化合物（ＵＳ４１２７４１２）、およびモノマートリアリールアミン（ＵＳ３１８０７３０）である。さらにより多くのトリアリールアミノ基が、分子中に存在することもできる。
【０１１９】
好ましいのは、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（ＮＰＤ）（ＵＳ５０６１５６９）またはＭＴＤＡＴＡ（ＪＰ  Ａ４−３０８６８８）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（４−ビフェニル）ジアミノビフェニレン（ＴＢＤＢ）、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−３−フェニルプロパン（ＴＡＰＰＰ）、１，４−ビス［２−［４−［Ｎ，Ｎ−ジ（ｐ−トリル）アミノ］フェニル］ビニル］ベンゼン（ＢＤＴＡＰＶＢ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ−ｐ−トリル−４，４’−ジアミノビフェニル（ＴＴＢ）、ＴＰＤ、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−４，４’’’−ジアミノ−１，１’：４’，１’’：４’’，１’’’−クアテルフェニルなどの、少なくとも２つの二級アミン単位を含有する芳香族三級アミン（ＵＳ４７２０４３２およびＵＳ５０６１５６９）、加えて、例えば、４（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−Ｎ，Ｎ−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ベンゼンアミン（ＴＣＴＡ）などの、カルバゾール単位を含有する三級アミンであり得る。加えて、好ましいのは、ＵＳ２００７／００９２７５５Ａ１によるヘキサアザトリフェニレン化合物であり得る。
【０１２０】
特に好ましいのは、式（４２）〜（４７）の下記のトリアリールアミン化合物、これらは置換されていてもよく、ならびにＥＰ１１６２１９３Ａ１、ＥＰ６５０９５５Ａ１、Ｓｙｎｔｈ．Ｍｅｔａｌｓ  １９９７、９１（１−３）、２０９、ＤＥ１９６４６１１９Ａ１、ＷＯ２００６／１２２６３０Ａ１、ＥＰ１８６００９７Ａ１、ＥＰ１８３４９４５Ａ１、ＪＰ０８０５３３９７Ａ、ＵＳ６２５１５３１Ｂ１、およびＷＯ２００９／０４１６３５に開示されている通りのものであり得る。
【化１１−１】
0005944380.tif 000014
【化１１−２】
0005944380.tif 000015
【０１２１】
原則として、当業者に既知の任意のＨＢＭを、実施形態による組成物において用いることができる。さらに、本明細書の他の部分で述べられているＨＢＭについて、適切な正孔遮断材料は、例えば、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）−アルミニウム（ＩＩＩ）（ＢＡｌＱ）などの、金属錯体（ＵＳ２００３／００６８５２８）である。ｆａｃ−トリス（１−フェニルピラゾラト−Ｎ，Ｃ２）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｐｐｚ）3）も、同様に、この目的のために使用される（ＵＳ２００３／０１７５５５３Ａ１）。例えば、ＢＣＰなどのフェナントロリン誘導体、または例えば、ＴＭＰＰなどのフタルイミドも、同様に用いられる。
【０１２２】
さらに、適切な正孔遮断材料は、ＷＯ００／７０６５５Ａ２、ＷＯ０１／４１５１２、およびＷＯ０１／９３６４２Ａ１に記載されている。
【０１２３】
原則として、当業者に既知の任意のＥＩＭを、実施形態による組成物において用いることができる。さらに、本明細書の他の部分で述べられているＥＩＭについて、８−ヒドロキシキノリンの金属錯体、複素環式有機化合物、フルオレノン、フルオレニリデンメタン、ペリレンテトラカルボン酸、アントラキノンジメタン、ジフェノキノン、アントロン、アントラキノンジエチレンジアミン、それらの異性体および誘導体から選択される少なくとも１つの有機化合物を含むＥＩＭを、実施形態に従って使用することができる。
【０１２４】
例えば、Ａｌｑ3およびＧａｑ3などの、８ヒドロキシキノリンの金属錯体を、電子注入層のためのＥＩＭとして使用することができる。例えば、Ｌｉ、Ｃｓ、ＣａまたはＭｇなどの、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を用いる、カソードとの界面での還元ドーピングは、有利である。好ましいのは、Ｃｓを含む組み合わせ、例えば、ＣｓとＮａ、ＣｓとＫ、ＣｓとＲｂ、またはＣｓとＮａとＫであり得る。
【０１２５】
同様に、例えば、１，１０−フェナントロリン誘導体、ベンズイミダゾール、チオピランジオキシド、オキサゾール、トリアゾール、イミダゾール、またはオキサジアゾールなどの複素環式有機化合物も適切である。窒素を含有する適切な５員環の例は、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール、トリアゾール、およびＵＳ２００８／０１０２３１１Ａ１に開示されている化合物である。
【０１２６】
好ましいＥＩＭは、置換されていても、置換されていなくてもよい、式（４８）〜（５０）を有する化合物から選択することができる。
【化１２】
0005944380.tif 000016
【０１２７】
例えば、フルオレノン、フルオレニリデンメタン、ペリレンテトラカルボン酸、アントラキノンジメタン、ジフェノキノン、アントロン、およびアントラキノンジエチレンジアミンなどの有機化合物も用いることができる。
【化１３】
0005944380.tif 000017
【０１２８】
原則として、当業者に既知のＥＴＭを、本明細書に記述した実施形態による組成物において用いることができる。さらに、本明細書の他の部分で述べられているＥＴＭについて、適切なＥＴＭは、イミダゾール、ピリジン、ピリミジン、ピリダジン、ピラジン、オキサジアゾール、キノリン、キノキサリン、アントラセン、ベンゾアントラセン、ピレン、ペリレン、ベンズイミダゾール、トリアジン、ケトン、ホスフィンオキシド、フェナジン、フェナントロリン、トリアリールボラン、それらの異性体および誘導体からなる群から選択することができる。
【０１２９】
電子輸送層に適したＥＴＭは、８ヒドロキノンの金属キレート（例えば、Ｌｉｑ、Ａｌｑ3、Ｇａｑ3、Ｍｇｑ2、Ｚｎｑ2、Ｉｎｑ3、Ｚｒｑ4）、Ｂａｌｑ、４アザフェナントレン−５−オール／Ｂｅ錯体（ＵＳ５５２９８５３Ａ；例えば、式（５３））、ブタジエン誘導体（ＵＳ４３５６４２９）、複素環式蛍光増白剤（ＵＳ４５３９５０７）、ベンズアゾール（例えば、１，３，５−トリス（２−Ｎ−フェニルベンゾイミダゾリル）ベンゼン（ＴＰＢＩ）（ＵＳ５７６６７７９、式（５４））など）、１，３，５−トリアジン、ピレン、アントラセン、テトラセン、フルオレン、スピロビフルオレン、デンドリマー、テトラセン、例えば、ルブレン誘導体、１，１０−フェナントロリン誘導体（ＪＰ２００３／１１５３８７、ＪＰ２００４／３１１１８４、ＪＰ２００１／２６７０８０、ＷＯ２００２／０４３４４９）、シルアシル（silacyl）−シクロペンタジエン誘導体（ＥＰ１４８０２８０、ＥＰ１４７８０３２、ＥＰ１４６９５３３）、ピリジン誘導体（ＪＰ２００４／２００１６２  Ｋｏｄａｋ）、フェナントロリン、例えば、ＢＣＰおよびＢｐｈｅｎ、また、ビフェニルまたは他の芳香族基を介して結合したいくつかのフェナントロリン（ＵＳ２００７／０２５２５１７Ａ１）またはアントラセンと結合したフェナントロリン（ＵＳ２００７／０１２２６５６Ａ１、例えば、式（５５）および（５６））、１，３，４−オキサジアゾール、例えば、式（５７）、トリアゾール、例えば、式（５８）、トリアリールボラン、例えば、Ｓｉも用いたもの（例えば、式（４８））、ベンズイミダゾール誘導体および他のＮ複素環式化合物（ＵＳ２００７／０２７３２７２参照）、シラシクロペンタジエン誘導体、ボラン誘導体、Ｇａオキシノイド錯体である。
【０１３０】
好ましいのは、２，９，１０−置換アントラセン（１−または２−ナフチル、および４−または３−ビフェニルを有する）、または２つのアントラセン単位を含有する分子であり得る（ＵＳ２００８／０１９３７９６Ａ１）。
【化１４】
0005944380.tif 000018
【０１３１】
加えて、好ましいのは、例えば、式（５９）〜（６１）などのアントラセン−ベンズイミダゾール誘導体、および例えば、ＵＳ６８７８４６９Ｂ２、ＵＳ２００６／１４７７４７ＡおよびＥＰ１５５１２０６Ａ１に開示されている通りのものであり得る。
【化１５】
0005944380.tif 000019
【０１３２】
原則として、当業者に既知の任意のＥＢＭを、実施形態による組成物において用いることができる。さらに、本明細書の他の部分で述べられているＥＢＭについて、例えば、Ｉｒ（ｐｐｚ）3（ＵＳ２００３／０１７５５５３）などの遷移金属錯体を、電子遮断層のための材料として用いることができる。
【０１３３】
さらに、ＥＢＭは、アミン、トリアリールアミン、およびそれらの誘導体から選択することができる。
【０１３４】
本明細書に記述した実施形態による組成物に適したＥｘＢＭの選択が、隣接層のエネルギーギャップに依存することは、当業者に知られている。適切なＥｘＢＭは、場合によりエミッタ層である隣接層中の機能材料よりも、大きいエネルギーギャップの一重項準位または三重項準位のいずれか、またはその両方を有するべきである。さらに、本明細書の他の部分で述べられているＥｘＢＭについて、例えば、ＭＴＤＡＴＡまたは４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ＴＤＡＴＡ）などの置換トリアリールアミンを、電子遮断層のためのＥｘＢＭとして使用することができる。置換トリアリールアミンは、例えば、ＵＳ２００７／０１３４５１４Ａ１に記載されている。例えば、ＴＣＴＡなどのＮ−置換カルバゾール化合物、または、例えば、ＢＣＰなどの複素環式体も適している。
【０１３５】
例えば、Ｉｒ（ｐｐｚ）3またはＡｌｑ3などの金属錯体も、同様に、この目的のために使用することができる。
【０１３６】
本明細書に記述した実施形態による組成物はまた、小分子、ポリマー、例えば、共役ポリマーまたは非共役側鎖ポリマーもしくは非共役骨格ポリマー、オリゴマー、デンドリマー、およびそれらのブレンドから選択することができる機能材料を含むこともできる。機能性ポリマーは、異なる機能が、１つの大きな分子または大きな分子のブレンドに組み込まれ得ることを特徴とし得る。機能は、とりわけ、正孔注入材料、正孔輸送材料、電子遮断材料、エミッタ材料、正孔遮断材料、電子注入材料、電子輸送材料、および染料のものである。ポリマーに組み込まれる機能は、異なるグループに分類することができる。所望の官能基、およびそれらの間の比率を選択することによって、ポリマーを所望の機能（複数可）に合わせることができる。
【０１３７】
ポリマー、オリゴマー、およびデンドリマーの違いは、先に定義した通りのサイズ、サイズ分布および分子体（molecular entities）の枝分かれによるものである。
【０１３８】
異なる構造は、とりわけ、ＷＯ２００２／０７７０６０Ａ１およびＤＥ１０３３７３４６Ａ１に開示され、幅広く挙げられているものである。構造単位は、例えば、以下のグループが基になり得る：
グループ１：ポリマーの正孔注入および／または輸送特性を高める単位であり、それは、上記したＨＩＭまたはＨＴＭに対応する。
【０１３９】
グループ２：ポリマーの電子注入および／または輸送特性を高める単位であり、それは、上記したＥＩＭまたはＥＴＭに対応する。
【０１４０】
グループ３：グループ１およびグループ２からの個々の単位の組み合わせを有する単位である；
グループ４：エレクトロフルオレッセンス(electrofluorescence)の代わりに、エレクトロホスホレッセンスが得られるような程度まで、発光特性を変える単位であり、典型的には、それは、燐光エミッタ、より好ましくは、上記した発光金属錯体に対応する。
【０１４１】
グループ５：いわゆる一重項状態から、より高いスピン状態、例えば、三重項状態への遷移を高める単位；
グループ６：得られたポリマーのモルホロジーおよび／または発光色に影響を与える単位；
グループ７：骨格として通常使用され、また、電子輸送機能、正孔輸送機能、またはその両方を有することができる単位。
【０１４２】
好ましくは、前記有機機能材料は、グループ１の単位を含む正孔輸送または注入ポリマーであってもよく、それは、好ましくは、上記した低分子量ＨＴＭまたはＨＩＭを含む単位から選択することができる。
【０１４３】
グループ１からのさらに好ましい単位は、例えば、トリアリールアミン、ベンジジン、テトラアリール−パラ−フェニレンジアミン、カルバゾール、アズレン、チオフェン、ピロールおよびフラン誘導体、さらに、ＨＯＭＯが高い、Ｏ、ＳまたはＮ含有複素環体である。これらのアリールアミンおよび複素環体は、好ましくは、ポリマーにおいて、５．８ｅＶ（真空準位に対して）より大きい、特に好ましくは５．５ｅＶより大きいＨＯＭＯをもたらす。好ましいポリマーＨＴＭまたはＨＩＭは、式（６２）に従った以下の繰り返し単位の少なくとも１つを含むポリマーであり得る：
【化１６】
0005944380.tif 000020
【０１４４】
式中、同じまたは異なり得るＡｒ1は独立に、異なる繰り返し単位においての場合、単結合のまたは場合により置換された、単核または多核アリール基であり、
同じまたは異なり得るＡｒ2は独立に、異なる繰り返し単位においての場合、場合により置換された単核または多核アリール基を示し、
同じまたは異なり得るＡｒ3は独立に、異なる繰り返し単位においての場合、場合により置換された単核または多核アリール基を示し、ｍは、１、２または３である。
【０１４５】
式（６２）の特に好ましい単位は、式（６３）〜（６５）からなる群から選択することができる：
【化１７−１】
0005944380.tif 000021
【化１７−２】
0005944380.tif 000022
【０１４６】
式中、Ｒは、それぞれの出現において、同じまたは異なり得、Ｈ、置換または無置換芳香族またはヘテロ芳香族基、アルキル、シクロアルキル、アルコキシ、アラルキル、アリールオキシ、アリールチオ、アルコキシカルボニル、シリル、カルボキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、またはヒドロキシ基から選択することができ、ｒは、０、１、２、３または４であり、ｓは、０、１、２、３、４または５である。
【０１４７】
さらに好ましいポリマーＨＴＭまたはＨＩＭは、式（６６）に従った以下の繰り返し単位の少なくとも１つを含むポリマーであり得る：
【化１８】
0005944380.tif 000023
【０１４８】
式中、Ｔ1およびＴ2は互いに独立に、チオフェン、セレノフェン、チエノ［２，３ｂ］チオフェン、チエノ［３，２ｂ］チオフェン、ジチエノチオフェン、ピロール、アニリンから選択され、いずれも場合によりＲ5で置換されており、Ｒ5は、それぞれの出現において互いに独立に、ハロゲン、−ＣＮ、−ＮＣ、−ＮＣＯ、−ＮＣＳ、−ＯＣＮ、ＳＣＮ、Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ0Ｒ00、−Ｃ（＝Ｏ）Ｘ、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ0、−ＮＨ2、−ＮＲ0Ｒ00、ＳＨ、ＳＲ0、−ＳＯ3Ｈ、−ＳＯ2Ｒ0、−ＯＨ、−ＮＯ2、−ＣＦ3、−ＳＦ5、場合により置換され、１〜４０個のＣ原子を有するシリル、カルビルもしくヒドロカルビルから選択され、各々は場合により置換されていて、場合により１以上のヘテロ原子を含有し、Ａｒ4およびＡｒ5は互いに独立に、単核または多核アリールまたはヘテロアリールであり、各々は場合により置換されていて、場合により、隣接のチオフェンまたはセレノフェン基の一方または両方の２、３位に縮合されており、ｃおよびｅは互いに独立に、０、１、２、３または４であり、１＜ｃ＋ｅ°≦６であり、ｄおよびｆは互いに独立に、０、１、２、３または４である。
【０１４９】
ポリマーＨＴＭの例は、ＷＯ２００７１３１５８２Ａ１およびＷＯ２００８/００９３４３Ａ１に開示されている通りである。
【０１５０】
好ましくは、前記有機機能材料は、グループ２を含む電子輸送または注入ポリマーであってもよく、それは、好ましくは、上記した低分子量ＥＴＭまたはＥＩＭを含む群から選択することができる。
【０１５１】
電子注入または電子輸送特性を有する、グループ２からのさらに好ましい単位は、例えば、ピリジン、ピリミジン、ピリダジン、ピラジン、オキサジアゾール、キノリン、キノキサリンおよびフェナジン誘導体、また、トリアリールボラン、さらに、ＬＵＭＯが低い、Ｏ、ＳまたはＮ含有複素環体である。ポリマーにおけるこれらの単位は、好ましくは、２．７ｅＶ（真空準位に対して）未満、特に好ましくは２．８ｅＶ未満のＬＵＭＯをもたらす。
【０１５２】
好ましくは、前記有機機能材料は、正孔移動度および電子移動度を高める構造物（すなわちグループ１および２からの単位）が、相互に直接結合した、グループ３からの単位を含むポリマーであり得る。これらの単位の中には、エミッタとして機能を果たし、発光色を緑、黄、または赤に変えるものもあり得る。したがって、それらの使用は、例えば、元は青色を発光するポリマーから、他の発光色または広帯域発光を生じさせるのに適している。
【０１５３】
好ましくは、前記有機機能材料は、グループ４の単位を含むポリマーであってもよく、それは、好ましくは、燐光エミッタ、特に、上記した発光金属錯体を含む群から選択される。ここで、特に好ましいのは、８〜１０族からの元素（Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｐｔ）を含有する、対応する構造単位であり得る。
【０１５４】
好ましくは、前記有機機能材料は、グループ５の単位を含む、ポリマーの三重マトリックスであってもよく、その単位は、一重項状態から三重項状態への遷移を高めることができ、また、グループ４の構造要素を支持するように用いられて、これらの構造要素の燐光特性を向上させる。この目的に適しているのは、特に、ＤＥ１０３０４８１９Ａ１およびＤＥ１０３２８６２７Ａ１に記載されている通りの、カルバゾールおよび架橋カルバゾールダイマー単位である。また、この目的に適しているのは、ＤＥ１０３４９０３３Ａ１に記載されている通りの、ケトン、ホスフィンオキシド、スルホキシド、スルホン、シラン誘導体および類似の化合物である。さらに好ましい構造単位は、上記した低分子量燐光マトリックスを含む群から選択することができる。
【０１５５】
好ましくは、前記有機機能材料は、グループ６の単位を含むポリマーであってもよく、その単位は、ポリマーのモルホロジーおよび／または発光色に影響を与えるか、前述したものに加えて、少なくとも１つのさらなる芳香族または別の共役構造を有するものであってもよく、それは、前述のグループに該当しない、すなわち、電荷キャリア移動度にほとんど効果を与えない、有機金属錯体ではない、または一重項−三重項遷移に影響を与えない。このタイプの構造要素は、得られたポリマーのモルホロジーおよび／または発光色に影響を与えることができる。したがって、その単位に応じて、それらは、エミッタとしても用いることができる。ここでは、蛍光ＯＬＥＤの場合、好ましいのは、それぞれが、１以上の基Ｒ１によって置換されていてもよい、６〜４０個のＣ原子を有する芳香族構造、またはトラン、スチルベンもしくはビススチリルアリーレン誘導体であり得る。ここでは、特に好ましいのは、１，４−フェニレン、１，４−ナフチレン、１，４−または９，１０−アントリレン、１，６−、２，７−または４，９−ピレニレン、３，９−または３，１０−ペリレニレン、４，４’−ビフェニリレン、４，４’’−テルフェニリレン、４，４’ビ１，１’−ナフチリレン、４，４‘−トラニレン、４，４’−スチルベニレンまたは４，４’’−ビススチリルアリーレン誘導体の組み込みであり得る。
【０１５６】
好ましくは、前記有機機能材料は、ポリマー骨格として通常使用される、６〜４０個の原子を有する芳香族構造を含有する、グループ７の単位を含むポリマーであってもよい。これらは、例えば、４，５−ジヒドロピレン誘導体、４，５，９，１０−テトラヒドロピレン誘導体、例えば、ＵＳ５９６２６３１、ＷＯ２００６／０５２４５７Ａ２およびＷＯ２００６／１１８３４５Ａ１に開示されている通りのフルオレン誘導体、例えば、ＷＯ２００３／０２０７９０Ａ１に開示されている通りの９，９‘−スピロビフルオレン誘導体、例えば、ＷＯ２００５／１０４２６４Ａ１に開示されている通りの９，１０−フェナントレン誘導体、例えば、ＷＯ２００５／０１４６８９Ａ２に開示されている通りの９，１０−ジヒドロフェナントレン誘導体、例えば、ＷＯ２００４０４１９０１Ａ１、ＷＯ２００４１１３４１２Ａに開示されている通りの、５，７−ジヒドロジベンゾオキセピン誘導体およびｃｉｓ−およびｔｒａｎｓ−インデノフルオレン誘導体、および、例えば、ＷＯ２００６／０６３８５２Ａ１に開示されている通りのビナフチレン誘導体、さらに、例えば、ＷＯ２００５／０５６６３３Ａ１、ＥＰ１３４４７８８Ａ１およびＷＯ２００７／０４３４９５Ａ１、ＷＯ２００５／０３３１７４Ａ１、ＷＯ２００３／０９９９０１Ａ１、およびＤＥ１０２００６００３７１０．３に開示されている通りの単位である。
【０１５７】
グループ７からのさらに好ましい構造単位は、例えば、ＵＳ５，９６２，６３１、ＷＯ２００６／０５２４５７Ａ２およびＷＯ２００６／１１８３４５Ａ１に開示されている通りのフルオレン誘導体、例えば、ＷＯ２００３／０２０７９０Ａ１に開示されている通りのスピロビフルオレン誘導体、ベンゾフルオレン、ジベンゾフルオレン、ベンゾチオフェン、ジベンゾフルオレン、およびそれらの誘導体（例えば、ＷＯ２００５／０５６６３３Ａ１、ＥＰ１３４４７８８Ａ１およびＷＯ２００７／０４３４９５Ａ１に開示されている通りの）から選択することができる。
【０１５８】
非常に好ましいグループ７の構成要素は、式（６７）のものであり得る：
【化１９】
0005944380.tif 000024
【０１５９】
式中、Ａ、ＢおよびＢ’は互いに独立に、複数回の出現の場合において互いに独立に二価基であり、好ましくは、−ＣＲ1Ｒ2−、−ＮＲ1−、−ＰＲ1−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、−ＣＯ−、−ＣＳ−、−ＣＳｅ−、−Ｐ（＝Ｏ）Ｒ1−、−Ｐ（＝Ｓ）Ｒ1−、および−ＳｉＲ1Ｒ2−から選択される二価基であり、Ｒ1およびＲ2は互いに独立に、Ｈ、ハロゲン、−ＣＮ、−ＮＣ、−ＮＣＯ、−ＮＣＳ、−ＯＣＮ、−ＳＣＮ、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ0Ｒ00、−Ｃ（＝Ｏ）Ｘ、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ0、−ＮＨ2、−ＮＲ0Ｒ00、−ＳＨ、−ＳＲ0、−ＳＯ3Ｈ、−ＳＯ2Ｒ0、−ＯＨ、−ＮＯ2、−ＣＦ3、−ＳＦ5、場合により置換されたシリルまたは１〜４０個のＣ原子を有するカルビルもしくはヒドロカルビル（各々は場合により置換されていて、場合により１以上のヘテロ原子を含有し、場合により、Ｒ1基およびＲ2基は、それらが結合するフルオレン部分とスピロ基を形成する)から選択される、同一または異なる基であり、Ｘは、ハロゲンであり、Ｒ0およびＲ00は互いに独立に、Ｈ、または、場合により置換されたカルビルもしくはヒドロカルビルであり（場合により１以上のヘテロ原子を有する）、各ｇは独立に、０または１であり、同じ単位中の対応する各ｈは、０または１の他方であり、ｍは、≧１の整数であり、Ａｒ1およびＡｒ2は互いに独立に、単核または多核アリールまたはヘテロアリールであり（各々は、場合により置換されていて、インデノフルオレン基の７、８位または８、９位に縮合されている）、ａおよびｂは互いに独立に、０または１である。
【０１６０】
Ｒ1基およびＲ2基が、フルオレン基と共にスピロ基を形成する場合、それは、好ましくはスピロビフルオレンである。
【０１６１】
式（６７）の基は、好ましくは、下式（６８）〜（７２）から選択することができる：
【化２０】
0005944380.tif 000025
【０１６２】
式中、Ｒ1は、式（６７）で定義した通りであり、ｒは、０、１、２、３または４であり、Ｒは、Ｒ1の意味の１つを有し、Ｒは、好ましくは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、−ＣＮ、−ＮＯ2、−ＮＣＯ、−ＮＣＳ、−ＯＣＮ、−ＳＣＮ、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ0Ｒ00、−Ｃ（＝Ｏ）Ｘ0、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ0、−ＮＲ0Ｒ00、場合により置換されたシリル、４〜４０個、好ましくは６〜２０個のＣ原子を有するアリールもしくはヘテロアリール、または、１〜２０個、好ましくは１〜１２個のＣ原子を有する、直鎖状、分枝状または環状アルキル、アルコキシ、アルキルカルボニル、アルコキシカルボニル、アルキルカルボニルオキシもしくはアルコキシカルボニルオキシであり、そこでは、１以上のＨ原子が、場合により、ＦまたはＣｌによって置きかえられており、また、Ｒ0、Ｒ00およびＸ0は、先に定義した通りである。
【０１６３】
特に好ましい式（６７）の基は、下式（７３）〜（７６）から選択することができる：
【化２１】
0005944380.tif 000026
【０１６４】
式中、Ｌは、Ｈ、ハロゲン、または場合によりフッ素化された、１〜１２個のＣ原子を有する線状または分枝状アルキルまたはアルコキシから選択することができ、好ましくは、Ｈ、Ｆ、メチル、ｉ−プロピル、ｔ−ブチル、ｎ−ペントキシ、またはトリフルオロメチルであってもよく、Ｌ’は、場合によりフッ素化された、１〜１２個のＣ原子を有する線状または分枝状アルキルまたはアルコキシであり、好ましくは、ｎ−オクチルまたはｎ−オクチルオキシである。
【０１６５】
好ましいのは、実施形態における使用に適したポリマーであり得、それは、グループ１〜７からの単位を同時に含む。グループからの１個より多い構造単位が、同時に存在することも、同様に好ましいこともある。
【０１６６】
好ましいのは、実施形態における使用に適したポリマーであり得、それは、エミッタの構造単位に加えて、前述したグループからの少なくとも１つの構造単位も含む。少なくとも２つの構造単位は、特に好ましくは、異なる部類の前述したグループからのものである。
【０１６７】
異なる部類のグループの割合は、ポリマー中に存在するならば、好ましくは、各場合において、少なくとも５ｍｏｌ％、特に好ましくは、各場合において、少なくとも１０ｍｏｌ％であり得る。特に、これらの構造単位のうちの１つは、正孔伝導性単位のグループから選択することができ、他のグループは、発光性単位であってもよく、そこで、これらの２つの機能（正孔伝導および発光）はまた、同じ単位によって帯びられてもよい。
【０１６８】
しかし、より少ない割合の発光性単位、特に緑色および赤色発光性単位も、例えば、白色発光ポリマーの合成にとって好ましいこともある。白色発光コポリマーを合成できる方法は、ＤＥ１０３４３６０６Ａ１に詳細に記載されている。
【０１６９】
適切な溶解性を確保するために、平均で、少なくとも２個の非芳香族Ｃ原子が、繰り返し単位毎に、置換基に存在することが好ましいことがある。ここでは、好ましいのは、少なくとも４個、特に好ましくは８個のＣ原子であり得る。加えて、これらの個々のＣ原子は、ＯまたはＳによって置きかえられてもよい。しかし、このことが、ある割合の繰り返し単位が、任意のさらなる非芳香族置換基をもたないことを意味する可能性も大いにあり得る。
【０１７０】
膜のモルホロジーを悪くすることを回避するために、直鎖において、１２個より多いＣ原子を有する長鎖状置換基、好ましくは８個より多いＣ原子を有する長鎖状置換基、特に、６個より多いＣ原子を有する長鎖状置換基がないことが好ましいことがある。
【０１７１】
実施形態において有機機能材料として使用されるポリマーは、統計またはランダムコポリマー、交互またはレジオ規則性（regioregular）コポリマー、ブロックコポリマー、またはそれらの組み合わせから選択することができる。
【０１７２】
本明細書による組成物は、小分子および非共役ポリマーから選択される形態をとることができる有機エミッタを含む
好ましくは、本発明による組成物は、非共役ポリマーである有機エミッタを含む。
【０１７３】
特に好ましくは、本発明による組成物は、繰り返し単位として、少なくとも１つの三重項エミッタを含む、非共役ポリマーである。
【０１７４】
さらに好ましい実施形態では、有機エミッタは、非共役側鎖ポリマーであり、それは、少なくとも１つのエミッタ単位、およびさらに好ましくは、上記したホスト、ＨＩＭ、ＨＴＭ、ＥＩＭ、ＥＴＭおよびエミッタから選択される少なくともさらなる機能単位を含む。非共役ポリマーは、高い三重項準位を有するので、ポリマーに基づく燐光ＯＬＥＤに特に重要である。一般に、そのような燐光ポリマーは、ビニル化合物のラジカル共重合化によって得ることができ、ＵＳ７２５０２２６Ｂ２に開示されている通り、側鎖上に少なくとも１つの燐光エミッタと、少なくとも１つの電荷輸送単位とを含む。さらに、そのような燐光ポリマーの例は、例えば、ＪＰ２００７／２１１２４３Ａ２、ＪＰ２００７/１９７５７４Ａ２、ＵＳ７２５０２２６Ｂ２、ＪＰ２００７／０５９９３９Ａに開示されている。
【０１７５】
さらなる実施形態では、前記ポリマーは、非共役主鎖ポリマー（本明細書では、非共役骨格ポリマーとも呼ぶ）であってもよく、そこでは、骨格単位は、主鎖上のスペーサーによって結合される。非共役側鎖ポリマーのように、非共役主鎖ポリマーも、高い三重項準位を与える。骨格単位は、ホスト材料、マトリックス材料、および上記したグループ５およびグループ７の材料から選択することができる。非共役主鎖ポリマーに基づく三重項ＯＬＥＤは、ＤＥ１０２００９０２３１５４．４に開示されている。
【０１７６】
非常に好ましくは、非共役または部分共役ポリマーは、非共役骨格単位を含む。
【０１７７】
好ましい非共役骨格は、例えば、ＤＥ１０２００９０２３１５６．０に開示されている通りの、下式においてのような、インデノフルオレン誘導体を含む単位から選択される：
【化２２】
0005944380.tif 000027
【０１７８】
式中、ＸおよびＹは互いに独立に、Ｈ、Ｆ、１〜４０個のＣ原子を有するアルキル基、２〜４０個のＣ原子を有するアルケニル基、２〜４０個のＣ原子を有するアルキニル基、６〜４０個のＣ原子を有する置換または無置換アリール基、および置換または非置換ヘテロアリール基（そのヘテロアリール基が５〜２５員環を有する）から選択される。
【０１７９】
さらに好ましい非共役骨格単位は、例えば、ＤＥ１０２００９０２３１５４に開示されている通りの、下式においてのような、フルオレン、フェナントレン、デヒドロフェナントレン、インデノフルオレン誘導体を含む単位から選択される：
【化２３−１】
0005944380.tif 000028
【化２３−２】
0005944380.tif 000029
【０１８０】
式中、Ｒ1からＲ4は互いに独立に、Ｈ、Ｆ、１〜４０個のＣ原子を有するアルキル基、２〜４０個のＣ原子を有するアルケニル基、２〜４０個のＣ原子を有するアルキニル基、６〜４０個のＣ原子を有する置換または無置換アリール基、および置換または非置換ヘテロアリール基（そのヘテロアリール基は５〜２５員環を有する）から選択される。
【０１８１】
エミッタ層で使用される非共役正孔輸送または正孔支配輸送ポリマーにおいて、ポリマー骨格を築いている構成単位の部分は、一般的に、１０〜９９ｍｏｌ％、好ましくは２０〜８０ｍｏｌ％、特に好ましくは３０〜６０ｍｏｌ％の範囲にある。
【０１８２】
さらなる実施形態では、前記ポリマーはまた、蛍光ＯＬＥＤのための非共役ポリマーであり得る。好ましい一重項非共役ポリマーは、例えば、ＪＰ２００５／１０８５５６、ＪＰ２００５／２８５６６１、ＪＰ２００３／３３８３７５などに開示されている通りの、側鎖にアントラセン、ベンゾアントラセン、およびそれらの誘導体を有する側鎖ポリマーである。さらに好ましくは、蛍光ポリマーは、上記した通りの非共役骨格ポリマーである。
【０１８３】
量子ドットに組み込むことができる好ましい半導体材料は、ＣｄＳｅ、ＣｄＳ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳｅ、ＺｎＳ、ＺｎＴｅ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、および、ＣｄＺｎＳｅなどのそれらの合金などのＩＩ−ＶＩ族元素；ＩｎＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＮ、ＧａＮ、ＩｎＳｂ、ＧａＳｂ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、および、ＩｎＡｓＰ、ＣｄＳｅＴｅ、ＺｎＣｄＳｅ、ＩｎＧａＡｓなどの合金などのＩＩＩ−Ｖ族元素；ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ、およびＰｂＳ、ならびにそれらの合金などのＩＶ−ＶＩ族元素；ＩｎＳｅ、ＩｎＴｅ、ＩｎＳ、ＧａＳｅ、および、ＩｎＧａＳｅ、ＩｎＳｅＳなどの合金などのＩＩＩ−ＶＩ族元素；Ｓｉ、Ｇｅ及びそれらの合金などのＩＶ族半導体元素、ならびに、複合構造および／またはコア／シェル構造におけるそれらの組み合わせから選択される。いくつかの実施形態では、本発明のＱＤは、ＩＩ−ＶＩ族半導体、それらの合金、およびそれらから作製されるコア／シェル構造物から選択される半導体材料を含む。さらなる実施形態では、ＩＩ−ＶＩ族半導体は、ＣｄＳｅ、ＣｄＳ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳｅ、ＺｎＳ、ＺｎＴｅ、それらの合金、それらの組み合わせ、およびそれらのコア／シェル、コアマルチシェル層構造物である。
【０１８４】
本明細書に記述した組成物の実施形態によれば、１以上の該量子ドットのうちの少なくとも１つの発光波長は、有機エミッタの発光波長よりも長い。これらの実施形態の変形では、１以上の該量子ドットのうちの少なくとも１つの吸収スペクトルは、有機エミッタの発光スペクトルと重複する。したがって、ＱＤと有機エミッタとの組み合わせは、所望の発光をもたらす。
【０１８５】
さらなる実施形態によれば、少なくとも１つの該量子ドットは、４５０〜８００ｎｍの範囲の波長に、少なくとも１つの吸収強度極大を有し、および／または有機エミッタは、４５０〜８００ｎｍの範囲の波長に、少なくとも１つの発光強度極大を有する。したがって、ＱＤと有機エミッタとの混合物を使用するハイブリッドＯＬＥＤは、人間の眼に見えるスペクトルの部分において、主に発光をもたらす。
【０１８６】
いくつかの実施形態では、有機エミッタは、青波長範囲に少なくとも１つの発光強度極大を有し、少なくとも１つの該量子ドットは、緑および／または赤波長範囲に少なくとも１つの発光強度極大を有する。あるいはまたは加えて、有機エミッタは、緑波長範囲に少なくとも１つの発光強度極大を有し、少なくとも１つの該量子ドットは、赤波長範囲に少なくとも１つの発光強度極大を有する。したがって、ＱＤと有機エミッタとの組み合わせは、光スペクトルの可視部分において、所望の発光をもたらす。
【０１８７】
いくつかの実施形態では、少なくとも１つの該量子ドットと有機エミッタとの比は、体積で、１：２から２：１である。この比は、有機エミッタと少なくとも１つの該量子ドットの間の効率的なフェルスターエネルギー移動を可能にし得る。好ましい実施形態では、純粋な緑色または純粋な赤色の発光が、例えば、ＲＧＢディスプレイに必要となる。この場合において、有機エミッタからＱＤへの完全なエネルギー移動が望まれる。あるいは、別の実施形態では、少なくとも１つの該量子ドットと有機エミッタとの比は、体積で、０．０１：１から０．２：１、好ましくは０．０１５：１から０．１５：１、特に好ましくは０．０２：１から０．１：１である。この特定の比は、例えば、白色発光を得るための、有機エミッタと少なくとも１つの該量子ドットの間の部分的なフェルスターエネルギー移動を可能にする。
【０１８８】
前記エネルギー移動の１つの可能な機構は、共鳴エネルギー移動、すなわちフェルスター移動である。さらに、エミッタ（複数可）とＱＤ（複数可）の間のエネルギー移動のための機構が可能である。
【０１８９】
実施形態によれば、組成物におけるＱＤ（複数可）の濃度は、組成物を含む層の電荷キャリア輸送特性がほとんど影響を受けない、または全く受けないように選択することができる。組成物におけるＱＤ（複数可）の濃度範囲は、組成物の重量に対して、０．０１〜２０ｗｔ％、０．０５〜１０ｗｔ％、および０．１〜５ｗｔ％から選択することができる。
【０１９０】
さらなる実施形態では、有機エミッタは、小分子一重項エミッタまたは三重項エミッタであってもよい。三重項エミッタは、好ましくは、金属錯体である。小分子一重項エミッタも三重項エミッタも、本明細書の他の部分で述べられているエミッタから選択することができる。
【０１９１】
本明細書に記述した実施形態では、三重項エミッタは、小分子、非共役側鎖ポリマー、非共役骨格ポリマー、オリゴマーおよびデンドリマーから選択される形態をとることができる。これらは、本明細書の他の部分で述べられている材料から選ぶことができる。
【０１９２】
組成物の実施形態によれば、少なくとも１つの該量子ドットは、ＩＩ−ＶＩ族、ＩＩＩ−Ｖ族、ＩＶ−ＶＩ族、ＩＶ族半導体を含めた、半導体の種類から選択される。適切な半導体材料としては、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｂ、Ｃ（ダイヤモンドを含む）、Ｐ、ＢＮ、ＢＰ、ＢＡｓ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳ、ＡｌＳｂ、ＢａＳ、ＢａＳｅ、ＢａＴｅ、ＣａＳ、ＣａＳｅ、ＣａＴｅ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＢｅＳ、ＢｅＳｅ、ＢｅＴｅ、ＭｇＳ、ＭｇＳｅ、ＧｅＳ、ＧｅＳｅ、ＧｅＴｅ、ＳｎＳ、ＳｎＳｅ、ＳｎＴｅ、ＰｂＯ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ、ＣｕＦ、ＣｕＣｌ、ＣｕＢｒ、ＣｕＩ、Ｓｉ3Ｎ4、Ｇｅ3Ｎ4、Ａｌ2Ｏ3、（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）2（Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ）3、Ａｌ2ＣＯ、および２つ以上のそのような半導体の適切な組み合わせがあるが、これらに限定されない。
【０１９３】
特に好ましい実施形態では、本発明のＱＤは、ＩＩ−ＶＩ族半導体、それらの合金、およびそれらから作製されるコア／シェル構造物から選択される半導体材料を含む。さらなる実施形態では、ＩＩ−ＶＩ族半導体は、ＣｄＳｅ、ＣｄＳ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳｅ、ＺｎＳ、ＺｎＴｅ、それらの合金、それらの組み合わせ、およびそれらのコア／シェル、コアマルチシェル層構造物である。
【０１９４】
さらに、実施形態では、組成物は、ホスト材料である少なくとも１つの有機機能材料、および／または、ＨＴＭ、ＨＩＭ、ＥＴＭ、ＥＩＭおよびエミッタから選択される少なくとも１つのさらなる有機機能材料を含む。これらの材料は、本明細書の他の部分で述べられているＨＴＭ、ＨＩＭ、ＥＴＭ、ＥＩＭおよびエミッタから選択することもできる。
【０１９５】
いくつかの実施形態では、組成物は、１以上の量子ドットと少なくとも１つの有機エミッタとの混合物であり、それぞれが有機溶媒に可溶である。
【０１９６】
本発明の別の態様は、上記または下記の通りの組成物と１以上の有機溶媒とを含む配合物、好ましくは溶液に関する。
【０１９７】
適切かつ好ましい有機溶媒の例としては、限定されないが、ジクロロメタン、トリクロロメタン、モノクロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン、テトラヒドロフラン、アニソール、モルホリン、トルエン、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン、１，４−ジオキサン、アセトン、メチルエチルケトン、１，２−ジクロロエタン、１，１，１−トリクロロエタン、１，１，２，２−テトラクロロエタン、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、テトラリン、デカリン、インダン、および／またはそれらの混合物がある。
【０１９８】
溶液中の組成物の濃度は、好ましくは０．１〜１０重量％、より好ましくは０．５〜５重量％である。場合によっては、溶液は、レオロジー特性を調整するために、ＷＯ２００５／０５５２４８Ａ１に記載されている通りの、１以上のバインダーを含む。
【０１９９】
適切に混合し、時間をおいた後、溶液は、以下の部類、すなわち、完全な溶液、境界的な溶液（borderline solution）または不溶性のうちの１つとして評価される。可溶性と不溶性を分ける溶解パラメータ−水素結合限界の輪郭を示すために、等高線が描かれる。可溶性の範囲に入っている「完全な」溶媒は、「Ｃｒｏｗｌｅｙ，Ｊ．Ｄ．、Ｔｅａｇｕｅ，Ｇ．Ｓ．ＪｒおよびＬｏｗｅ，Ｊ．Ｗ．Ｊｒ．、Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｐａｉｎｔ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、３８、Ｎｏ４９６、２９６（１９６６）」で公表されているような文献値から選択することができる。溶媒ブレンドも、使用することができ、「Ｓｏｌｖｅｎｔｓ，Ｗ．Ｈ．Ｅｌｌｉｓ、Ｆｅｄｅｒａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｓｏｃｉｅｔｉｅｓ  ｆｏｒ  Ｃｏａｔｉｎｇｓ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、９〜１０ページ、１９８６」に記載されている通り、特定することができる。ブレンド中に少なくとも１つの真性溶媒を有するのが望ましいが、そのような手順によって、組成物を溶解する「非」溶媒のブレンドに至ることもある。
【０２００】
本発明の配合物の別の好ましい形態は、エマルション、非常に好ましくはミニエマルションであり、それらは、特別に配合されたヘテロ相系であり、そこでは、１つの相の安定なナノ液滴を、第２の連続相に分散させる。本発明は、組成物の異なる構成成分が、同じ相または異なる相のいずれかにある、ミニエマルションに関する。好ましい配分は、以下の通りである：
１）ナノ液滴（非連続相）に、大部分またはすべてのＱＤ、ならびに、連続相に、大部分またはすべての有機エミッタおよび他の機能性化合物；
２）ナノ液滴に、大部分またはすべてのＱＤおよび有機エミッタ、ならびに、連続相に、大部分またはすべての他の機能性化合物（ホスト化合物などの）；
３）ナノ液滴に、大部分またはすべてのＱＤ、有機エミッタおよびホスト材料、ならびに、連続相に、大部分またはすべての他の機能性化合物（共同ホスト材料、またはＥＴＭもしくはＨＴＭなどの）。
【０２０１】
連続相が極性相であるミニエマルションも、連続相が非極性相である、逆相ミニエマルション（inverse miniemulsion）も、本発明に使用され得る。好ましい形態は、ミニエマルションである。エマルションの速度論的安定性を高めるために、界面活性剤（複数可）が添加され得る。２つの相のための溶媒および界面活性剤の選択、および安定なミニエマルションを作製するための処理は、当業者に周知であるか、様々な文献、例えば、ＬａｎｄｆｅｓｔｅｒらＡｎｎｕ．Ｒｅｖ．Ｍａｔｅｒ．Ｒｅｓ．（０６）、３６、２３１ページに言及されている。
【０２０２】
電子または光電子デバイスにおいて、薄層として使用するために、本発明の組成物またはそれらの配合物を、任意の適切な方法によって堆積することができる。ＯＬＥＤなどのデバイスの液体コーティングが、真空蒸着技術より望ましい。溶液堆積法が、特に好ましい。好ましい堆積方法としては、限定されないが、ディップコーティング、スピンコーティング、インクジェットコーティング、凸版印刷、スクリーン印刷、ドクターブレードコーディング、ローラー印刷、逆ローラー印刷、オフセットリソグラフィー印刷、フレキソ印刷、ウェブ印刷、スプレーコーティング、ブラッシュコーティング、またはパッド印刷、またはスロットダイコーディングがある。インクジェット印刷は、高解像度ディスプレイが作製されることを可能にするので、特に好ましい。
【０２０３】
本発明の選択された溶液は、インクジェット印刷またはマイクロディスペンシングによって、既製のデバイス基板に塗布することができる。好ましくは、これらに限定されないが、Ａｐｒｉｏｎ、Ｈｉｔａｃｈｉ−Ｋｏｋｉ、ＩｎｋＪｅｔ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、Ｏｎ  Ｔａｒｇｅｔ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、Ｐｉｃｏｊｅｔ、Ｓｐｅｃｔｒａ、Ｔｒｉｄｅｎｔ、Ｘａａｒにより供給されているものなどの工業用圧電プリントヘッドを使用して、基板に有機層を塗布することができる。加えて、Ｂｒｏｔｈｅｒ、Ｅｐｓｏｎ、Ｋｏｎｉｃａ、Ｓｅｉｋｏ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ  Ｔｏｓｈｉｂａ  ＴＥＣにより製造されているものなどの半工業的ヘッドや、ＭｉｃｒｏｄｒｏｐおよびＭｉｃｒｏｆａｂにより製造されている単一ノズルマイクロディスペンサーも使用することができる。
【０２０４】
インクジェット印刷またはマイクロディスペンシングにより塗布するために、本発明の組成物を、まず、適切な溶媒に溶解させるべきである。溶媒は、既述した要件を満たさなければならず、選択したプリントヘッドに、いかなる悪影響も与えてはならない。加えて、溶媒は、プリントヘッド内の溶液の乾燥によって引き起こされる操作性問題を防ぐために、沸点が、＞１００℃、好ましくは＞１４０℃、より好ましくは＞１５０℃であるべきである。前述した溶媒の他に、適切な溶媒としては、置換および無置換キシレン誘導体、ジ−Ｃ1~2−アルキルホルムアミド、置換および無置換アニソールおよび他のフェノールエーテル誘導体、置換されたピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピロリジノンなどの置換複素環体、置換および無置換Ｎ，Ｎ−ジ−Ｃ1~2−アルキルアニリン、ならびに他のフッ素化または塩素化芳香族化合物がある。
【０２０５】
本発明の組成物を、インクジェット印刷によって堆積するための好ましい溶媒は、炭素原子の総数が少なくとも３個である１以上の置換基で置換されたベンゼン環を有する、ベンゼン誘導体を含む。例えば、ベンゼン誘導体は、プロピル基または３つのメチル基で置換されていてもよく、いずれの基の場合でも、総数で少なくとも３個の炭素原子が存在する。そのような溶媒は、ポリマーを用いる溶媒を含んで、インジェット用流動体を形成させることを可能にし、それは、インクジェットの目詰まりおよび噴射中の成分の分離を軽減または防止する。溶媒（複数可）は、以下に挙げる例から選択されるものを含むことができる：ドデシルベンゼン、１−メチル−４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼン、テルピネオールリモネン、イソズレン、テルピノレン、シメン、ジエチルベンゼン。溶媒は、溶媒混合物であってもよく、それは、２種以上の組み合わせであり、それぞれの溶媒が、好ましくは、＞１００℃、より好ましくは＞１４０℃の沸点を有する。そのような溶媒（複数可）も、堆積された層の膜形成を増大させ、かつその層の欠陥を減少させる。
【０２０６】
インクジェット用流動体（それは、溶媒とバインダーと組成物との混合物である）は、好ましくは、粘度が、２０℃で、１〜１００ｍＰａ・ｓ、より好ましくは１〜５０ｍＰａ・ｓ、最も好ましくは１〜３０ｍＰａ・ｓである。
【０２０７】
本発明による組成物またはそれらの配合物は、例えば、界面活性化合物、潤滑剤、湿潤剤、分散剤、疎水剤（hydrophobing agents）、接着剤、流動改善剤、消泡剤、脱気剤、希釈剤（反応性または非反応性であり得る）、助剤、着色剤、染料もしくは顔料、増感剤、安定化剤、または防止剤のような１以上のさらなる構成成分を追加で含むことができる。
【０２０８】
別の実施形態では、本明細書に記述した任意の他の実施形態の配合物は、光電子デバイス、好ましくはエレクトロルミネッセントデバイスの製造において使用することができる。
【０２０９】
さらなる実施形態では、本明細書に記述した任意の実施形態の組成物、または本明細書に記述した任意の実施形態の配合物を含む、エレクトロルミネッセントデバイスが提供される。さらなる実施形態によれば、エレクトロルミネッセントデバイスは、アノードと、カソードと、エミッタ層とを含む発光ダイオードであり、そのエミッタ層は、アノードとカソードの間に位置するか、挟まれている。デバイスは、例えば、発光ダイオードであってもよい。
【０２１０】
本明細書に記述した実施形態のエレクトロルミネッセントデバイスは、青波長範囲、緑波長範囲、赤波長範囲、および赤外波長範囲から選択される少なくとも１つの波長範囲において発光することができる。さらに、本明細書に記述した実施形態のエレクトロルミネッセントデバイスは、白色光を発することができる。
【０２１１】
本明細書に記述した実施形態のデバイスはまた、本明細書に記述した実施形態の組成物を使用して堆積されなかった、追加の層を含むこともできる。追加の層は、溶液からの技術、または真空蒸着によって堆積させることができる。ここで、用いる特定の方法は、使用する材料の特性に依存し、また、当業者は、適切な技術を選択するのに問題を有さない。堆積される材料は、電子または光電子多層構造の領域で使用される任意の材料であり得る。特に、その材料は、本明細書に記述した任意の材料であってもよい。さらに、使用する材料は、以下に概説する通りの有機および無機機能材料から選択することができる。
【０２１２】
ｐ型Ｓｉおよびｐ型ＳｉＣなどの無機化合物、ならびに無機酸化物、例えば、酸化バナジウム（ＶＯx）、酸化モリブデン（ＭｏＯx）、または酸化ニッケル（ＮｉＯx）も、ＨＩＭとして使用することができる。
【０２１３】
電子注入層（ＥＩＬ）は、絶縁体および半導体から構成されることが多い。
【０２１４】
ＥＩＬのための好ましいアルカリ金属カルコゲニドは、Ｌｉ2Ｏ、ＬｉＯ、Ｎａ2Ｓ、Ｎａ2Ｓｅ、ＮａＯ、Ｋ2Ｏ、Ｃｓ2Ｏであり得る。
【０２１５】
ＥＩＬのための好ましいアルカリ土類金属カルコゲニドは、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＢａＳ、ＣａＳｅであり得る。
【０２１６】
ＥＩＬのための好ましいアルカリ金属ハロゲン化物は、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＣｓＦ、ＬｉＣｌ、ＫＣｌ、ＮａＣｌであり得る。
【０２１７】
ＥＩＬのための好ましいアルカリ土類金属ハロゲン化物は、ＣａＦ2、ＢａＦ2、ＳｒＦ2、ＭｇＦ2、ＢｅＦ2であり得る。
【０２１８】
アルカリ金属錯体、アルカリ土類金属錯体、希土類金属（Ｓｃ、Ｙ、Ｃｅ、Ｔｈ、Ｙｂ）、希土類金属錯体、希土類金属化合物（好ましくは、ＹｂＦ3、ＳｃＦ3、ＴｂＦ3）などを用いることも同様に可能である。
【０２１９】
適切なＥＩＬの構造は、例えば、ＵＳ５６０８２８７、ＵＳ５７７６６２２、ＵＳ５７７６６２３、ＵＳ６１３７２２３、ＵＳ６１４０７６３、ＵＳ６９１４２６９に記載されている。
【０２２０】
電子輸送層は、真性材料からなっていてもよく、またはドーパントを含んでもよい。Ａｌｑ3（ＥＰ２７８７５７Ｂ１）およびＬｉｑ（ＥＰ０５６９８２７Ａ２）は、真性材料の例である。４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（Ｂｐｈｅｎ）：Ｌｉ  １：１（ＵＳ２００３／０２３０９８９０）およびルブレン／ＬｉＦは、ドープ層の例である。
【０２２１】
前述した材料に加えて、本明細書に記述した実施形態による電子デバイス、例えば、エレクトロルミネッセントデバイスは、少なくとも１つのアノードと、少なくとも１つのカソードと、１以上の基板とを含むことができる。
【０２２２】
アノードのための好ましい材料は、これらに限定されないが、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ）、ＺｎＯ、ＩｎＯ、アルミニウム亜鉛酸化物（ＡｌＺｎＯ）、ならびに、例えば、酸化亜鉛でドープされたＡｌ−およびＩｎ亜鉛酸化物、マグネシウムインジウム酸化物、およびニッケルタングステン酸化物などの他の金属酸化物から選択される、金属酸化物であり得る。窒化ガリウムなどの金属窒化物、およびセレン化亜鉛などの金属セレン化物、および硫化亜鉛などの金属硫化物も使用することができる。アノードに使用できるさらなる材料は、導電性ポリマー、例えば、ポリチオフェンおよびポリピロールである。
【０２２３】
アノードは、透明、不透明、または反射性であり得る。アノードはまた、例えば、部分的に反射性でもあり、部分的に透明でもある、中間的な状態をとることもできる。
【０２２４】
アノードが、透明でないか、部分的に透明にすぎない場合、さらなる伝導性材料を使用することができる。透明でないまたは部分的に透明なアノードのための好ましい材料は、Ａｕ、Ｉｒ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｃ、Ａｌ、Ｖ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｗ、およびそれらの混合物から選択することができる。伝導性材料は、さらなる上記した伝導性材料、例えば、Ｉｎ−Ｃｕと混合させることができる。
【０２２５】
アノードは、好ましくは、透明であってもよく、アノードのための特に好ましい材料は、ＩＴＯであり得る。底面発光型デバイスの場合には、ガラスまたはプラスチックを、ＩＴＯで被覆することができる。上面発光型デバイスの場合には、アノードは、反射性材料を含むことができる。さらなる材料を、アノードに使用することができ、それは、当業者に既知である。
【０２２６】
基板とアノードとのフレキシブルで透明な組み合わせは、例えば、ＵＳ５８４４３６３Ｂ２およびＵＳ６６０２５４０Ｂ２に記載されている。
【０２２７】
カソードは、透明、不透明、または反射性であり得る。カソードは、仕事関数の低い金属または合金から選択することができる。好ましくは、４．０ｅＶ未満の仕事関数を有する金属、合金、または伝導性化合物を使用することができる。特に好ましいカソードは、これらに限定されないが、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ｇａ、Ｃｄ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｓｂ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｓ、Ａｇ、例えば、Ｍｇ／ＡｌもしくはＡｌ／ＬｉもしくはＡｌ／Ｓｃ／ＬｉもしくはＭｇ／Ａｇを含めた合金などの、２種以上の元素の混合物、またはＩＴＯもしくはＩＺＯなどの金属酸化物から選択することができる。
【０２２８】
薄い誘電体層を形成するために使用される、カソードのためのさらに好ましい材料は、ＬｉＦ、Ｌｉ２Ｏ、ＢａＦ2、ＭｇＯ、またはＮａＦと混合される金属から選択することができる。典型的な組み合わせは、ＬｉＦ／Ａｌである。
【０２２９】
最上部にＩＴＯ層を有するＭｇ／Ａｌカソードは、ＵＳ５７０３４３６、ＵＳ５７０７７４５、ＵＳ６５４８９５６Ｂ２、ＵＳ６５７６１３４Ｂ２に記載されている。Ｍｇ／Ａｇ合金は、ＵＳ４８８５２２１に記載されている。
【０２３０】
本明細書に記述した実施形態では、基板は、剛性またはフレキシブルであり得る。それは、透明、半透明、不透明、または反射性であり得る。使用される材料は、ガラス、プラスチック、セラミック、金属箔であってもよく、そこでは、プラスチックおよび金属箔は、好ましくは、フレキシブル基板に使用される。しかし、例えば、シリコーンウェハーまたはプリント回路基板（ＰＣＢ）などの半導体材料は、導体トラックの形成を簡単にするために用いることもできる。他の基板も用いることができる。
【０２３１】
使用されるガラスは、例えば、ソーダ石灰ガラス、ＢａまたはＳｒ含有ガラス、鉛ガラス、アルミニウムシリケートガラス、ホウケイ酸ガラス、Ｂａホウケイ酸ガラス、または石英であり得る。
【０２３２】
プラスチック板は、例えば、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、ポリエーテルスルフィド樹脂、またはポリスルホン樹脂からなり得る。
【０２３３】
透明膜のために使用されるのは、例えば、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−ビニルアルコール共重合体、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリメタクリル酸メチル、ＰＶＣ、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ナイロン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、テトラフルオロエチレン−ペルフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、ポリフッ化ビニル、テトラフルオロエチレン−エチレン共重合体、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ポリクロロトリフルオエチレン、ポリフッ化ビニリデン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリイミド、またはポリエーテルイミドである。
【０２３４】
基板は、疎水性層を与えられ得る。基板は、一般的に、透明である。ここで述べたもの以外の他の材料も使用することができる。適切な材料は、当業者に既知である。
【０２３５】
本明細書に記述した実施形態の発光デバイスまたは電子デバイスは、実施形態の組成物を含むことができる。
【０２３６】
ホスト材料は、当業者に既知の任意のホスト材料であり得る。好ましいのは、本明細書の他の部分に記載されているホスト材料であり得る。特に好ましいのは、アントラセン、ベンゾアントラセン、インデノフルオレン、フルオレン、スピロビフルオレン、フェナントレン、デヒドロフェナントレン、チオフェン、トリアジン、イミダゾール、ケトン、カルバゾール、トリアリールアミン、およびそれらの誘導体から選択されるホスト材料であり得る。
【０２３７】
好ましいのは、イミダゾール、ピリジン、ピリミジン、ピリダジン、ピラジン、オキシジアゾール、キノリン、キノキサリン、アントラセン、ベンゾアントラセン、ピレン、ペリレン、ベンズイミダゾール、トリアジン、ケトン、ホスフィンオキシド、フェナジン、フェナントロリン、トリアリールボラン、およびそれらの誘導体から選択される電子輸送材料であり得る。
【０２３８】
ＥＴＭは、当業者に既知の任意のＥＴＭであり得る。好ましいのは、本明細書の他の部分に記載されているＥＴＭであり得る。特に好ましいのは、イミダゾール、ピリジン、ピリミジン、ピリダジン、ピラジン、オキサジアゾール、キノリン、キノキサリン、アントラセン、ベンゾアントラセン、ピレン、ペリレン、ベンズイミダゾール、トリアジン、ケトン、ホスフィンオキシド、フェナジン、フェナントロリン、およびトリアリールボランから選択されるＥＴＭであり得る。
【０２３９】
ＨＴＭは、当業者に既知の任意のＨＴＭであり得る。好ましいのは、本明細書の他の部分に記載されているＨＴＭであり得る。特に好ましいのは、トリアリールアミン、チオフェン、カルバゾール、フタロシアニン、およびポルフィリン、ならびにそれらの誘導体から選択されるＨＴＭであり得る。
【０２４０】
好ましいのは、蛍光エミッタ材料および燐光エミッタ材料から選択されるエミッタ材料であり得る。
【０２４１】
エミッタ材料は、当業者に既知の任意のエミッタ材料であり得る。特に好ましいのは、本明細書の他の部分に記載されているエミッタ材料であり得る。
【０２４２】
金属錯体は、有機金属錯体である。光電子デバイスにおける使用に適し、当業者に既知である任意の金属錯体を用いることができる。好ましいのは、本明細書の他の部分で記載されている通りの金属錯体であり得る。特に好ましいのは、遷移金属、希土類、ランタニド、およびアクチニドから選択される金属を含む金属錯体であり得る。非常に特に好ましいのは、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｅｕ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｈ、Ｐｄ、およびＡｇから選択される金属を含む金属錯体であり得る。
【０２４３】
同じ層中、または２つの隣接層中のいずれかに、デバイス内の複数の有機機能材料を有し、層間においてヘテロ接合、または層中でバルクヘテロ接合を形成させることは、一般に有利である。そのようなヘテロ接合は、次の２つの部類、すなわち、１つの材料（材料Ａ）のＬＵＭＯおよびＨＯＭＯ準位が、第２の材料（材料Ｂ）のＬＵＭＯ−ＨＯＭＯエネルギーギャップ内にある、タイプＩと、最高のＨＯＭＯ状態と最低のＬＵＭＯ状態の間の最小のエネルギー差が、ヘテロ接合の異なる側での準位間にある、タイプＩＩとに分類することができる。電子が、エネルギー的に最も低いＬＵＭＯ準位を占める傾向がある一方で、正孔は、エネルギー的に最も高いＨＯＭＯ準位を占める傾向がある。したがって、タイプＩのヘテロ接合では、電子および正孔が、接合の同じ側にあり、タイプＩＩのヘテロ接合では、電子も正孔も、接合のそれぞれ異なる側にある。しかし、有機機能材料においては、励起子結合エネルギーが、一般に、０．５ｅＶ以上であると推定されるので、ヘテロ接合での効率的な励起子解離を確実するために、タイプＩＩのバンドオフセットは、約０．５ｅＶよりも大きい必要があり、そのことは、特に有機太陽電池について、重要な問題である。
【０２４４】
好ましいのは、本明細書に記述した実施形態の少なくとも１つの組成物を使用して作製されたＯＬＥＤであり得る。
【０２４５】
ＯＬＥＤに見られる、典型的な層の順序は、例えば、次のものである：
任意選択で、第１の基板、
アノード層、
任意選択で、正孔注入層（ＨＩＬ）、
任意選択で、正孔輸送層（ＨＴＬ）および／または電子遮断層（ＥＢＬ）、
エミッタ層（ＥＭＬ）
任意選択で、電子輸送層（ＥＴＬ）および／または正孔遮断層（ＨＢＬ）、
任意選択で、電子注入層（ＥＩＬ）、
カソード層、
任意選択で、第２の基板。
【０２４６】
上に示した層構造の順序は、例である。他の順序も可能である。
【０２４７】
本明細書に記述した実施形態による組成物は、電子デバイスの層構造の任意のいずれかの間にある層中に存在し得る。好ましくは、該組成物は、エレクトロルミネッセントデバイスのＥＭＬにおいて使用することができる。
【０２４８】
別の好ましい実施形態では、実施形態のエレクトロルミネッセントデバイスは、例えば、ＷＯ２００４／０８４２６０Ａ２に開示されている通りの、可溶系ベースのＯＬＥＤ、特にＰＬＥＤであり、それは、次のような多層構造、すなわち、アノード／ＨＩＬ／ＥＭＬ／カソードを含む。
【０２４９】
ＨＩＬは、ＨＩＭを含む、透明な伝導性ポリマー薄膜である。好ましいＨＩＭは、前述したものであり得る。
【０２５０】
エミッタ材料は、２つ以上の異なるエミッタ、例えば、異なる種類の２つのエミッタ、および／または異なる色の光を発するエミッタのブレンドまたは混合物をさらに含むことができる。したがって、実施形態のデバイスは、白色光を与えることができる。
【０２５１】
さらなる実施形態では、本発明は、他の光電子デバイスにおける該組成物の使用、および該組成物を含むその光電子デバイスに関する。好ましい他の光電子デバイスは、有機プラズモン発光デバイス、有機スピントロニックデバイス、有機レーザー、および有機発光トランジスタから選択される。
【０２５２】
有機プラズモン発光デバイスは、好ましくは、Ｎａｔｕｒｅ  Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ（２００８）、２、６８４〜６８７において、Ｋｏｌｌｅｒらにより報告された通りのデバイスを指し得る。ＯＰＥＤは、アノードおよびカソードのうちの少なくとも１つが、エミッタ層からの表面プラズモンを結合することが可能であるべきであること以外、上記した通りのＯＬＥＤと非常に似ている。ここでは、ＯＰＥＤが、本明細書に記述した実施形態の組成物、および本明細書に記述した実施形態の方法を使用して作製されることが好ましい場合がある。
【０２５３】
１つの好ましい有機スピトロニックデバイスは、２つの強磁性電極と、２つの強磁性電極の間にある有機層とを含む、例えば、Ｎａｔｕｒｅ  ２００４、Ｖｏｌ．４２７、８２１において、Ｚ．Ｈ．Ｘｉｏｎｇらにより報告された通りのスピンバルブデバイスであり得る。強磁性電極は、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、もしくはそれらの合金、またはＲｅＭｎＯ3もしくはＣｒＯ2（Ｒｅは希土類元素である）から構成され得る。有機層の少なくとも１つが、本明細書に記述した実施形態の組成物を含む層により被覆されることが好ましい場合がある。
【０２５４】
本明細書に記述した通りの実施形態による組成物を含む層は、明らかに、他の層と相違する。そのような層の構造は、その層を含むデバイスの有益な光電子特性をもたらす。
【０２５５】
本明細書に記述した実施形態はまた、本明細書に記述した実施形態による組成物または配合物を使用して得られる層を含むデバイスに関する。
【０２５６】
さらなる実施形態によれば、白色光を発生させる方法は、光発生ポテンシャルを、本明細書に記述した実施形態のいずれかのデバイスに適用することを含む。
【０２５７】
組成物、配合物、ならびに、その組成物および／または配合物を含むデバイスは、任意の種類の光源に使用することができ、それには、これらだけに限られないが、照明およびディスプレイ用途がある。光源は、多くの治療、美容、病気予防および診断用途において極めて重要な役割を果たす。これらの用途の中には、光源の機能が、ディスプレイや、治療すべき対象を照らすことに向けられているだけのものもある。他の場合には、光の有益な効果は、人間や動物の対象を治療するときに利用される。本発明はまた、病気の治療、予防、および／または診断、および／または美容的条件のための前記組成物および／または配合物に関する。
【０２５８】
これは、任意の種類の光線療法、光線力学的療法、および光療法と、薬物療法などの光を使用しない治療法の任意の組み合わせ（本明細書では、それらを通俗的に光療法または光治療と呼ぶ）を含む。光治療は、皮膚、外傷、粘膜、眼、髪、爪、爪床、および歯茎、および舌などの、治療すべき対象の外表面に向けて行うことができるが、光治療はまた、例えば、肺、血管、心臓、乳房、および対象の他の器官を治療するために、対象の内部に適用することもできる。
【０２５９】
これらの病気および／または状態には、例えば、肌の老化、セルライト、広がった毛穴、脂性肌、毛包炎、前癌性の日光角化症、皮膚病変、しわ、および日焼けで痛んだ肌、目じりのしわ、皮膚潰瘍（糖尿病、圧迫、静脈うっ血）、酒土性座瘡病変、セルライトを含めた皮膚疾患および皮膚に関する状態；皮脂腺および周辺組織のフォトモジュレーション（photomodulation）；しわ取り、にきび瘢痕およびアクネ菌、炎症、疼痛、外傷、心理学および神経学に関係した疾患および状態、浮腫、ページェット病、原発および転移性腫瘍、結合組織病、コラーゲンの操作、線維芽細胞、および哺乳類組織中の線維芽細胞由来細胞のレベル、光視症（illuminating retina）、腫瘍性疾患、血管新生疾患、および肥大性疾患、炎症およびアレルギー反応、エクリン（汗）腺またはアポクリン腺からの発汗、汗かきおよび多汗症、黄疸、白斑、眼血管新生疾患、神経性過食症、ヘルペス、季節性情動障害、気分、睡眠障害、皮膚癌、クリグラー・ナジャール症候群、アトピー性皮膚炎、糖尿病性皮膚潰瘍、圧迫性潰瘍、膀胱感染症、筋肉痛の緩和、疼痛、関節のこわばり、細菌の低減、消毒、液体の消毒、水などの飲料水の消毒、栄養物の消毒、歯肉炎、歯のホワイトニング、歯および口腔内の組織の治療、外傷治療がある。
【０２６０】
前述の本発明の実施形態について変形をなすことができるが、それは、なおも本発明の範囲内に入ることが理解されるであろう。本明細書で開示した各特徴は、別段の指定がない限り、同一、同等、または類似の目的に役立つ、代わりの特徴により置きかえられ得る。したがって、別段の指定がない限り、開示した各特徴は、一般的な一連の同等または類似の特徴のほんの一例にすぎない。
【０２６１】
本明細書で開示した特徴のすべては、そのような特徴のうちの少なくともいくつかが、相互に排他的であるような組み合わせを除いて、任意の組み合わせで組み合わすことができる。特に、本発明の好ましい特徴は、本発明のすべての態様で適用可能であり、かつ、任意の組み合わせで使用することができる。さらに、非本質的な組み合わせで述べられた特徴は、別々に（組み合わせてではなく）使用することができる。
【０２６２】
上記した特徴、特に、実施形態の特徴のすべては、それら自体の権利において発明性があり、単に、本発明の実施形態の一部としてのものではないことが理解されるであろう。現在主張している任意の発明に加えて、またはその代わりに、これらの特徴について、独立した保護を求めることができる。
【０２６３】
ここで開示した教示は、要約することができ、かつ、開示した他の例と組み合わせることができる。
【０２６４】
本発明の他の特徴は、以下の例示的実施形態を説明する過程で、明らかになるであろうし、その例示的実施形態は、本発明を例示するために与えたものであり、それによって、本発明を限定することは意図していない。
【図面の簡単な説明】
【０２６５】
【図１】ＱＤ1の吸収スペクトル、ＯＬＥＤ１からＯＬＥＤ４のエレクトロルミネッセンススペクトル、およびＱＤ１のフォロルミネッセンス（phololuminescence）スペクトル。
【０２６６】
［実施例］
例１
材料
以下の材料は、例として、本発明において使用することができる。
【化２４】
0005944380.tif 000030
【化２５】
0005944380.tif 000031
【化２６】
0005944380.tif 000032
【化２７】
0005944380.tif 000033
【０２６７】
ポリマーＰ１は、所与の比で、対応するモノマーのラジカル重合により合成することができる。
【化２８】
0005944380.tif 000034
【０２６８】
モノマーを、２００ｍｌ乾燥トルエンに溶解し、アルゴンで脱気する。開始剤としてＡＩＢＮを添加することによって、反応を開始させる。次いで、反応混合物を、７５℃に、１６時間加熱し、１０ｍｌメタノールを添加することによって止める。溶媒を、真空中で除去し、残留物を、ＴＨＦに溶解する。ポリマーを、メタノール中で、沈殿によって単離し、真空中で乾燥させる。
【化２９】
0005944380.tif 000035
【０２６９】
Ｐ２の合成は、ＤＥ１０２００９０２３１５４．４に詳細に記載されている。
【化３０】
0005944380.tif 000036
【化３１】
0005944380.tif 000037
【化３２】
0005944380.tif 000038
【０２７０】
ポリマーＰ３の合成は、ＤＥ１０２０１０００６３７７．０に詳細に記載されている。
【化３３】
0005944380.tif 000039
【０２７１】
ポリマーＰ４は、ＷＯ０３／０４８２２５に開示されている通り、鈴木カップリングによって合成する。
【０２７２】
赤色量子ドットＱＤ１は、コア−シェル型量子ドットであり、Ｐｌａｓｍａｃｈｅｍ  ＧｍｂＨ、Ｂｅｒｌｉｎ、Ｇｅｒｍａｎｙから購入することができる。ＱＤ１は、ＣｄＳｅ球形コア、エピタキシャルＺｎＳシェルで覆われたコアを有する。ＱＤ１は、ほとんどトリオクチルホスフィンオキシドからなる疎水性表面層を有する。ＱＤ１の発光極大は、６３０ｎｍ＋／−５ｎｍであった。ＱＤ１の発光ＦＷＨＭは、３５ｎｍより小さく、そのコアの直径は、約５．４ｎｍである。
【０２７３】
例２
溶液からのＯＬＥＤ作製
表１に示す対応する溶液を使用する、層構造（１.カソード、２.ＥＭＬ、３.中間層、４. ＨＩＬ、５.ＩＴＯ）を有するＯＬＥＤを、以下の手順に従って作製する：
１．スピンコーティングによる、ＩＴＯ被覆ガラス基板上への、ＨＩＬとしての８０ｎｍＰＥＤＯＴ（Ｂａｙｔｒｏｎ  Ｐ  Ａｌ４０８３）の堆積；
２．グローブボックスにおける、０．５％ｗｔ／ｌの濃度を有するＰ４トルエン溶液からの、スピンコーティングによる、２０ｎｍ中間層の堆積；
３．グローブボックスにおける、１８０℃で、１時間の中間層の加熱：
４．ドクターブレード技術を使用することによる、溶液からの、ＥＭＬの所望の厚さまでの堆積（ディップコーティングも、ここで使用することができる）；ＥＭＬのための材料、対応する溶液、およびＥＭＬの厚さは、表１に列挙している。異なる色について、ＥＭＬの厚さが異なるのは、主に、キャビティー効果を理由とする。青色について最適な厚さは、６５ｎｍであることが分かり、緑色および赤色について最適な厚さは、８０ｎｍである。スピンコーティングは、ＥＭＬを被覆させるのに最適な方法ではない。なぜなら、量子ドットが、他の有機化合物よりもずっと重く、それらのほとんどが、スピンコーティングの間に、遠心力によって失われ得るからである；
５．デバイスを加熱して、残留溶媒の除去；加熱条件は、表１に列挙している。条件が異なるのは、ＥＭＬ材料のガラス転移温度Ｔgが異なる、または融点Ｔmが異なるからである。加熱処理は、ＥＭＬにおける再結晶を導くべきではない；
６．真空熱蒸着による、エミッタ層上でのＢａ／Ａｌカソードの堆積（３ｎｍ／１５０ｎｍ）；
７．ＵＶ硬化樹脂を使用する、デバイスのカプセル化
【表１】
0005944380.tif 000040
【０２７４】
表１のＯＬＥＤ１からＯＬＥＤ５という用語は、エミッタ層中に量子ドットを有さない参照ＯＬＥＤに該当するのに対して、ＱＤ−ＬＥＤ１からＱＤ−ＬＥＤ５は、エミッタ層に量子ドットを有する、本発明によるＯＬＥＤを表す。
【０２７５】
例３
ＯＬＥＤの特徴づけ
本発明によるＯＬＥＤを特徴づけるために、以下の特性を記録する：ＶＩＬ（電圧−電流−発光）特性、ＥＬスペクトルおよび色座標、効率、駆動電圧。
【０２７６】
図１は、ＱＤ１の吸収スペクトルおよびフォトルミネッセンス（ＰＬ）スペクトル、ならびにＯＬＥＤ１からＯＬＥＤ４のエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）スペクトルを表す。ＱＤ１のＰＬスペクトルは、ＯＬＥＤ１からＯＬＥＤ４のＥＬスペクトルと重複し、そこで、その重複は、青発光ＯＬＥＤのＥＬスペクトルとで特に顕著である。図１には示していない、ＯＬＥＤ５のＥＬスペクトルは、ＯＬＥＤ４のＥＬスペクトルに、非常に類似している。
【０２７７】
表２は、ＯＬＥＤ１を対照として用いた結果をまとめたものである。Ｕｏｎは、立ち上がり電圧を表し、Ｕ（１００）は、１００ｎｉｔｓ（１ｎｉｔｓ＝ｃｄ／ｍ2）での電圧を表し、ＥＱＥは、外部量子効率を表す。ＱＤ−ＬＥＤについての理論上の最大外部量子効率（最大ＥＱＥ）は、対応するＯＬＥＤの最大ＥＱＥを掛けたＰＬＱＥによって算出する。
【０２７８】
ＱＤ−ＬＥＤ１からＱＤ−ＬＥＤ５は、濃赤色領域での同じＣＩＥ座標を示す。１％より大きい最大外部量子効率を、三重項緑／黄色とＱＤ（ＱＤ−ＬＥＤ１からＱＤ−ＬＥＤ３）との組み合わせで実現し、このことは、発光ダイオードにおけるＱＤについて報告された最大ＥＱＥと比較して、著しく改善したことを表す。したがって、三重項ＯＬＥＤと量子ドットとの組み合わせは、非常に有益である。
【表２】
0005944380.tif 000041
【０２７９】
さらなる改善は、発明することなく、１）濃度最適化、２）緑および黄色波長範囲においてより強い吸収性を有するＱＤを使用すること、３）高いＰＬＱＥを有するＱＤを使用すること、４）より高効率のＯＬＥＤを使用することによって、容易に実現することができ、三重項ＯＬＥＤについて、最大の理論ＥＱＥは、２０％ほどの高さになり得る。
【０２８０】
参照デバイスＯＬＥＤ４およびＯＬＥＤ５の低い最大ＥＱＥを考慮すると、ＱＤ−ＬＥＤ４およびＱＤ−ＬＥＤ５の最大ＥＱＥは高い。すなわち、ＱＤ−ＬＥＤ４およびＱＤ−ＬＥＤ５  ＱＤ−ＬＥＤ４およびＱＤ−ＬＥＤ５ＱＤ−ＬＥＤ４およびＱＤ−ＬＥＤ５は、一重項青色からＱＤへの効率的なエネルギー移動を示す。ＯＬＥＤ４および／またはＯＬＥＤ５の改善された性能と共に、一重項青色を用いることによって、当業者は、本発明に基づいて、発明することなく、高性能の赤色ＱＤ−ＬＥＤを得ることができる。
以下に、出願当初の請求項を実施の態様として付記する。
［１］  １つ以上の量子ドットと、小分子化合物および／または非共役ポリマー化合物から選択される少なくとも１種の有機エミッタとを含む組成物。
［２］  前記少なくとも１種の有機エミッタが、蛍光性小分子化合物から選択されることを特徴とする、［１］に記載の組成物。
［３］  前記少なくとも１種の有機エミッタが、燐光性非共役ポリマー化合物から選択されることを特徴とする、［１］または［２］に記載の組成物。
［４］  前記燐光性非共役ポリマー化合物の少なくとも１種が金属錯体を含み、その金属が、遷移金属、希土類、ランタニド、およびアクチニドから選択されることを特徴とする、［１］〜３のいずれか一項に記載の組成物。
［５］  前記金属錯体が、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｅｕ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｈ、Ｐｄ、またはＡｇから選択される金属を含むことを特徴とする、［４］に記載の組成物。
［６］  前記１つ以上の量子ドットの少なくとも１つのものの発光波長が、前記有機エミッタの発光波長よりも長いことを特徴とする、［１］〜［５］のいずれか一項に記載の組成物。
［７］  前記少なくとも１つの量子ドットと前記有機エミッタとの比が、体積で、０．０１：１から０．２：１であることを特徴とする、［１］〜［６］のいずれか一項に記載の組成物。
［８］  前記少なくとも１つの量子ドットを、０．０１〜２０ｗｔ％、好ましくは０．０５〜１０ｗｔ％、特に好ましくは０．１〜５ｗｔ％から選択される濃度範囲で含むことを特徴とする、［１］〜７のいずれか一項に記載の組成物。
［９］  蛍光性小分子エミッタとホスト化合物とを含む、［１］〜［８］のいずれか一項に記載の組成物。
［１０］  前記ホスト化合物が、アントラセン、ベンゾアントラセン、トリアリールアミン、インデノフルオレン、フルオレン、スピロビフルオレン、フェナントレン、デヒドロフェナントレン、チオフェン、トリアジン、ならびにそれらの異性体および誘導体から選択されることを特徴とする、［９］に記載の組成物。
［１１］  燐光性非共役ポリマーを含み、その非共役ポリマーはホスト化合物を含む少なくとも１つの単位を含む、［１］〜［８］のいずれか一項に記載の組成物。
［１２］  前記ホスト化合物が、ケトン、カルバゾール、インドロカルバゾール、インデノカルバゾール、トリアリールアミン、インデノフルオレン、フルオレン、スピロビフルオレン、フェナントレン、ジヒドロフェナントレン、チオフェン、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、ホスフィン、ホスフィンオキシド、ならびにそれらの異性体および誘導体から選択される、［１１］に記載の組成物。
［１３］  ホスト材料、正孔輸送材料（ＨＴＭ）、正孔注入材料（ＨＩＭ）、正孔遮断材料（ＨＢＭ）、電子輸送材料（ＥＩＭ）、電子注入材料（ＥＩＭ）、電子遮断材料（ＥＢＭ）、およびエミッタ材料から選択される、少なくとも１種のさらなる有機機能材料を含み、これらの材料は小分子、共役ポリマー、非共役ポリマー、オリゴマーおよびデンドリマーから選択できる、［１］〜［１２］のいずれか一項に記載の組成物。
［１４］  前記有機エミッタが、ホスト材料、ＨＴＭ、ＨＩＭ、ＥＴＭ、ＥＩＭから選択される、少なくとも１つのさらなる有機官能基を含む非共役ポリマー化合物であることを特徴とする、［１］〜［１３］のいずれか一項に記載の組成物。
［１５］  前記少なくとも１つの量子ドットが、ＩＩ−ＶＩ族、ＩＩＩ−Ｖ族、ＩＶ−ＶＩ族およびＩＶ族の半導体、好ましくは、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＭｇＳ、ＭｇＳｅ、ＧｅＳ、ＧｅＳｅ、ＧｅＴｅ、ＳｎＳ、ＳｎＳｅ、ＳｎＴｅ、ＰｂＯ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、およびそれらの組み合わせから選択されることを特徴とする、［１］〜［１４］のいずれか一項に記載の組成物。
［１６］  ［１］〜［１５］のいずれか一項に記載の組成物と、少なくとも１種の有機溶媒とを含む配合物。
［１７］  エレクトロルミネッセントデバイスを作製するための、［１６］に記載の配合物の使用。
［１８］  ［１］〜［１５］のいずれか一項に記載の組成物を含む層、または、［１６］に記載の配合物を使用して作製した層を含む、エレクトロルミネッセントデバイス。
［１９］  アノードと、カソードと、エミッタ層とを含む発光ダイオードであり、そのエミッタ層はアノードとカソードの間に位置することを特徴とする、［１８］に記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
［２０］  青波長範囲、緑波長範囲、赤波長範囲、および赤外波長範囲から選択される少なくとも１つの波長範囲で発光するか、白色光を発光することを特徴とする、［１８］または［１９］に記載のエレクトロルミネッセントデバイス。
【図１】
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