(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上方に形成された第１金属材料のシード層と、
前記シード層上に形成された、少なくとも１つの第２金属材料の台座部と、
前記第２金属材料と同等の組成、熱膨張係数を有する金属材料で形成され、前記台座部上面に支持された可動構造体と
を有し、
前記台座部が１つであり、前記可動構造体は、前記台座部上面に一端が支持された片持ち梁構造であり、第３金属材料で形成され、前記台座部上面から上方に所定距離離れた底面と一定の厚さを有する可撓面部材と、第４金属材料で形成され、前記台座部上面と前記可撓面部材の一部の側面、及び連続する上面の一部を接続する接続部材とを含む、電気機器。
【請求項２】
基板と、
前記基板上方に形成された第１金属材料のシード層と、
前記シード層上に形成された、少なくとも１つの第２金属材料の台座部と、
前記第２金属材料と同等の組成、熱膨張係数を有する金属材料で形成され、前記台座部上面に支持された可動構造体と
を有し、
前記台座部が１対の台座部であり、前記可動構造体は、前記１対の台座部の上面に両端が支持された両持ち梁構造であり、第３金属材料で形成され、前記１対の台座部の上面から上方に所定距離離れた底面と一定の厚さを有する可撓面部材と、第４金属材料で形成され、前記１対の台座部の上面と前記可撓面部材の一部の側面、及び連続する上面の一部を接続する１対の接続部材とを含む、電気機器。
【請求項３】
前記可撓面部材は、前記台座部上面とオーバーラップする複数の延在領域を有する請求項１または２に記載の電気機器。
【請求項４】
基板上方に第１金属材料の第１シード層を形成し、
前記第１シード層上方、第１空間領域に隣接して、第２金属材料のすくなくとも１つの台座部をメッキで形成し、
第１空間領域に第２金属材料とエッチング特性の異なる第１犠牲層を形成し、
前記第１犠牲層上から前記台座部表面の一部に延在する金属材料の第２犠牲層を形成し、
前記第２犠牲層上方に前記第２金属材料と同等の組成、熱膨張係数を有する第３金属材料の下部構造体をメッキで形成し、
前記第２犠牲層を形成しなかった台座部表面を露出し、前記台座部、前記下部構造体の上に前記第２金属材料、前記第３金属材料と同等の組成、熱膨張係数を有する第４金属材料の上部構造体をメッキで形成し、
前記第１犠牲層、第２犠牲層を除去する、
を含む電気機器の製造方法。
【請求項５】
前記第１犠牲層の形成前に、前記第１空間領域に露出する表面及び隣接する台座部上面の一部を覆う第２シード層を形成し、
前記第１犠牲層が金属材料であり、メッキで形成され、
前記第１犠牲層及び前記台座部上面の第２シード層上に第２犠牲層をメッキで形成する、
請求項４に記載の電気機器の製造方法。
【請求項６】
前記第１犠牲層は誘電体材料であり、前記第１空間領域を埋めるように形成され、
前記第２犠牲層の形成の際、
前記第１犠牲層上から前記台座部の一部表面に延在する第２シード層を形成し、
前記第２シード層上に第２犠牲層をメッキで形成する、
請求項５記載の電気機器の製造方法。
【請求項７】
第１犠牲層、第２犠牲層と共に、前記第２シード層を除去する、請求項５又は６に記載の電気機器の製造方法。
【請求項８】
前記第２犠牲層の形成前に、
メッキ領域を画定するレジストパターンを形成し、
前記第２犠牲層、下部構造体を、同一レジストパターンを用いた連続メッキ工程で形成する、
請求項４〜７のいずれか１項に記載の電気機器の製造方法。
【請求項９】
前記台座部をメッキで形成する際、
前記台座部と所定距離離れた領域に対向電極構造をメッキで形成し、
その後、前記第１シード層の不要部を除去する、
請求項４に記載の電気機器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施例は、ＭＥＭＳ（micro electromechanical system）構造の可動部を有する電気機器とその製造方法に関する。ｍｍオーダより短い寸法の構成部分を有する電気機械的部材をＭＥＭＳと呼ぶ。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話等の高周波（ＲＦ）部品に対する小型化、高性能化の要求に応えるため、ＭＥＭＳ技術を用いた電気機器の研究、開発が盛んに行われている。高周波用途を目的としたＭＥＭＳデバイスにおいて、ＲＦスイッチや可変容量等に、低抵抗の金属材料構造体で形成した、片持ち梁（カンチレバー）構造や両持ち梁（ブリッジ形状）構造、の可動部が用いられている。可動部は、圧電駆動、静電駆動等により、変位させられる。所望の機能を果たすためには、可動部の位置は安定に制御されることが必要である。【０００３】
ＭＥＭＳスイッチは静止電極と可動電極とを対向させ、可動電極を駆動して静止電極に接触、離隔させるオン／オフ動作を行わせる機械的なスイッチであって、寄生容量を小さくでき、半導体素子を用いたスイッチに比べ、損失が少なく、絶縁性が高く、信号に対する歪み特性がよい。【０００４】
高周波回路において、ＭＥＭＳ容量は、線路に直列に接続されたり、線路に装荷され、線路の周波数特性を画定したり、分布定数を調整したりする。可変容量を利用することにより、共振周波数を変化させたり、分布定数を変化させたりすることができる。可変容量素子は、固定電極と可動電極を対向配置し、可動電極を変位させることにより電極間容量を変化させる構成が一般的である。【０００５】
これらの可動電極は、メッキ工程を用いて作成される可撓性の金属構造で形成される場合が多い。電解メッキは、給電層を必要とする。下地に対する密着性を確保する密着層とメッキ層と同一材料のシード層との積層をスパッタリング等で形成することが多い。密着層は、例えばＴｉ，Ｃｒ，Ｍｏ等の金属層で形成される。メッキ層は、例えば、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）等の良導電体金属で形成される。金属構造の下に自由空間を形成するためには、自由空間部分に犠牲膜を形成し、その上に金属構造を形成し、その後犠牲膜を除去する方法が用いられる。犠牲膜としては、例えば銅、アルミニウム等の金属膜、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム等の無機誘電体膜、感光性樹脂等の有機誘電体膜等を用いることができる。【０００６】
例えばセラミック基板の上に片持ち梁型可動電極を形成するためには、スパッタリング等による密着層／シード層の形成、レジストパターン等によるメッキ領域を画定する構造体の形成、電解メッキ工程による台座金属層の形成、レジストパターン等の構造体の除去、不要な密着層／シード層の除去等により、まず台座部を形成し、スパッタリング等による密着層／シード層の形成、レジストパターン等によるメッキ領域を画定する構造体の形成、電解メッキ工程による犠牲金属層の形成、レジストパターン等の構造体の除去、等により、自由空間を充填する犠牲膜を形成し、さらにスパッタリング等による密着層／シード層の形成、レジストパターン等によるメッキ領域を画定する構造体の形成、電解メッキ工程による可動梁部金属層の形成、レジストパターン等の構造体の除去、等により、片持ち梁構造を形成し、犠牲膜、不要な密着層／シード層を除去して片持ち梁型可動電極を形成する。【０００７】
片持ち梁構造は主として金等の良導電体で形成されるが、下地として密着層、シード層を含む。同じ金属の層であっても、スパッタリングで形成された層とメッキで形成された層とは、純度などが異なり、異なる物性を示す。異なる物性を有する金属層の積層は、熱膨張率の異なる金属層の積層となる。【０００８】
電気機器は、２６０℃程度のリフロー工程や、−２０℃〜＋８０℃での温度衝撃試験を受ける。熱膨張率の差により、金属積層間に応力が発生し、反りや歪みが生じる。例えば、片持ち梁構造の先端が反って上方に変位する。片持ち梁構造の先端が１０μｍ以上も上方に変位することもある。所定の動作電圧では機能しなくなる。このような反りの原因として、構造体が異なる金属材料層の積層構造で構成されることが考えられる。例えば密着層と、メッキ層とは異なる金属層であることが多い。【０００９】
密着層は、メッキ層より抵抗率が高い場合が多い。スイッチのコンタクト面が密着層で覆われていると、抵抗が高くなる。抵抗を低くするため、スイッチのコンタクト面から密着層を除去する提案がされている（例えば、特開２００７−１９６３０３号、特開２００９−２５２６７２号）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００７−１９６３０３号公報
【特許文献２】特開２００９−２５２６７２号公報
【発明の概要】
【００１１】
本発明の１つの目的は、新規な構成の可動部を有する電気機器、及びその製造方法を提供することである。
【００１２】
本発明の他の目的は、反りを抑制した可動部を有する電気機器、及びその製造方法を提供することである。
【００１３】
本発明の１観点によれば、基板と、前記基板上方に形成された第１金属材料のシード層と、前記シード層上に形成された、少なくとも１つの第２金属材料の台座部と、前記第２金属材料と同等の組成、熱膨張係数を有する金属材料で形成され、前記台座部上面に支持された可動構造体とを有し、前記台座部が１つであり、前記可動構造体は、前記台座部上面に一端が支持された片持ち梁構造であり、第３金属材料で形成され、前記台座部上面から上方に所定距離離れた底面と一定の厚さを有する可撓面部材と、第４金属材料で形成され、前記台座部上面と前記可撓面部材の一部の側面、及び連続する上面の一部を接続する接続部材とを含む、電気機器が提供される。
【００１４】
本発明の他の観点によれば、
基板上方に第１金属材料の第１シード層を形成し、
前記第１シード層上方、第１空間領域に隣接して、第２金属材料のすくなくとも１つの台座部をメッキで形成し、
第１空間領域に第２金属材料とエッチング特性の異なる第１犠牲層を形成し、
前記第１犠牲層上から前記台座部表面の一部に延在する金属材料の第２犠牲層を形成し、
前記第２犠牲層上方に前記第２金属材料と同等の組成、熱膨張係数を有する第３金属材料の下部構造体をメッキで形成し、
前記第２犠牲層を形成しなかった台座部表面を露出し、前記台座部、前記下部構造体の上に前記第２金属材料、前記第３金属材料と同等の組成、熱膨張係数を有する第４金属材料の上部構造体をメッキで形成し、
前記第１犠牲層、第２犠牲層を除去する、
を含む電気機器の製造方法
が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１−１】と、
【図１−２】図１Ａ−１Ｍは、第１の実施例による、可変容量を有する電気機器の製造工程を概略的に示す基板の断面図である。
【図２】図２Ａ，２Ｂ，２Ｃは、第１の実施例の主要工程における平面構造を示す平面図である。
【図３】図３Ａ〜３Ｄは、カンチレバー構造の支持方式を概略的に示す平面図である。
【図４】図４Ａ〜４Ｆは、第２の実施例による、可変容量を有する電気機器の製造工程を概略的に示す基板の断面図である。
【図５】図５Ａ，５Ｂ、５Ｃは、スイッチを有する電気機器を示す断面図及び等価回路図、及び両持ち梁構造の電気機器の断面図である。
【図６】図６Ａ、６Ｂは、可変容量を含む可変フィルタの構成を示す等価回路図である。
【図７】図７Ａ，７Ｂ，７Ｃは、可変容量の構成例を示す等価回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
図１Ａ〜１Ｍを参照して、第１の実施例による片持ち梁構造の可変容量を有する電気機器の製造プロセスを説明する。
【００１７】
図１Ａに示すように、ＬＴＣＣ（low temperature co-fired ceramics 低温共焼結セラミクス）基板１１上に、例えば厚さ５０ｎｍのＴｉ膜からなる密着層１２と厚さ５００ｎｍのＡｕ層からなるシード層１３をスパッタリングで成膜する。密着層としては、Ｔｉ膜の他、Ｃｒ膜、Ｍｏ膜を用いてもよい。以下、簡単化のため、密着層１２、シード層１３をまとめて下地層ないしシード層１４と呼ぶことがある。
【００１８】
図１Ｂに示すように、下地層１４の上に、メッキ領域を画定する開口を有するレジストパターンＲＰ１を形成し、下地層１４の上にＡｕの第１メッキ層１５を電解メッキにより形成する。第１メッキ層上に第２メッキ層を形成し、異なる形状とすることにより、第１メッキ層に上部より張り出す張り出し部を形成する。その後、レジストパターンＲＰ１は除去する。
【００１９】
図１Ｃに示すように、上部構造を画定する開口を有する新たなレジストパターンＲＰ２を形成し、Ａｕの第２メッキ層１６を電解メッキにより形成する。第１メッキ層１５と第２メッキ層１６との積層により、段差部を有する立体構造が形成される。図中左側には矩形断面の台座部１７、右側には対向部の下側が張り出した対向電極１８が形成される。台座部１７、対向電極１８の高さは１μｍ〜５μｍ程度である。なお、対向電極１８は、肉薄部が電極を構成し、肉厚部が高周波線路を構成する。第１メッキ層と第２メッキ層とは同じメッキ液を用いて、同等組成、同等熱膨張係数の金属層で形成する。その後、レジストパターンＲＰ２は除去する。
【００２０】
第１メッキ層及び第２メッキ層は、例えば、Ａｇを１重量％〜２重量％含むＡｕ合金、Ｃｕを０．１重量％〜２５重量％含むＡｕ合金、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｉｎからなる群から選択した少なくとも１種類の元素を０．１重量％〜２５重量％含むＡｕ合金で構成される。第１メッキ層と第２メッキ層が同等組成であるとは、同一の組成、又は実質的に同一の組成であることを意味する。例えば、第１メッキ層の組成の内５重量％以下が第２メッキ層の組成と異なっていてもよい。第２メッキ層の組成との相違は、２重量％以下が好ましい。第１メッキ層と第２メッキ層が同等熱膨張係数であるとは、同一の熱膨張係数又は実質的に同一の熱膨張係数であることを意味する。例えば、第１メッキ層の熱膨張係数と第２メッキ層の熱膨張係数との差が１％以下であってもよい。熱膨張係数の差は、０．１％以下であることが好ましい。
【００２１】
図１Ｄに示すように、台座部１７と対向電極１８の間に制御電極の形状でレジストパターンＲＰ３を形成し、Ａｒガスを用いたイオンミリングで、下地層１４をパターニングする。レジストパターンＲＰ３の下に、制御電極が残される。
【００２２】
図１Ｅに示すように、レジストパターンＲＰ３を除去すると、ＬＴＣＣ基板１１上に、台座部１７、制御電極１９、対向電極１８が並んで配置される。
【００２３】
図１Ｆに示すように、対向電極１８の対向面を覆うように、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化タンタル等の誘電体膜２０を形成する。誘電体膜のパターニングは、リフトオフ、エッチング等で行なう。
【００２４】
図１Ｇに示すように、対向電極１８、制御電極１９を覆い、台座部の表面を一部覆い、一部露出する様に、基板１１上にシード層２１を形成する。シード層２１は、その上にＣｕ層をメッキするためのものであり、Ｔｉ／Ｃｕ，Ｃｒ／Ｃｕ，Ｍｏ／Ｃｕ（下層密着層／上層シード層）のいずれかの積層とする。
【００２５】
図２Ａは、図１Ｇの状態の平面図である。ハッチングで示すシード層２１が対向電極１８、制御電極１９を覆い、台座部１７の右側部分を覆い、残り表面は露出している。
【００２６】
図１Ｈに示すように、メッキ領域を画定する開口を有し、台座部１７、対向電極１８の肉厚部上を覆うレジストパターンＲＰ４を形成し、Ｃｕの電解メッキを行う。Ｃｕの第１犠牲層２２によって凹部が埋め戻される。その後レジストパターンＲＰ４は除去する。対向電極１８、第１犠牲層２２、台座部１７が平坦化された面を構成する。
【００２７】
図１Ｉに示すように、可動電極を画定する新たなレジストパターンＲＰ５を形成する。レジストパターンＲＰ５によって、対向電極１８は肉厚部から肉薄部の一部までが覆われ、台座部１７はシード層２１が形成されていない領域が覆われる。レジストパターンＲＰ５の開口には、Ｃｕの第１犠牲層２２か、Ｃｕメッキ用シード層２１が露出する。レジストパターンＲＰ５の開口内に、電解メッキにより、Ｃｕの第２犠牲層２３を例えば厚さ０．５μｍ〜１μｍ形成し、その上に連続メッキにより、Ａｕの可動電極２４を例えば厚さ２μｍ〜５μｍ形成する。Ｃｕの第２犠牲層２３が、Ａｕメッキ層２４成長のシード層として機能する。Ｃｕの第２犠牲層を除去すれば、単一Ａｕメッキ層のみが残ることになる。その後レジストパターンＲＰ５は除去する。
【００２８】
図２Ｂは、図１Ｉの状態の平面図である。可動電極２４は、矩形の主要部と左辺から左側に張り出す２本のビームとを含む。可動電極の変位を容易にするため、根元部に可撓性ビームを有する形状である。可動電極の可動部の長さは例えば２００μｍ以上である。２本のビームは台座部１７と例えば１０μｍ以上の十分なオーバーラップ長を有する。台座部は例えば１辺百数十μｍの矩形形状である。カンチレバー構造の場合、その根元部が、長さ１０μｍ〜１００μｍ程度、台座部１７上に重なるようにするのが好ましい。
【００２９】
図１Ｊに示すように、Ａｕの可動電極２４とＣｕの第２犠牲層２３との界面はレジストパターンＲＰ５によってその端部が画定され、所望の形状が得られる。なお、第２の犠牲層２３をメッキすることなく、レジストパターンＲＰ５の開口に直接Ａｕの可動電極２４をメッキすることも試みた。この場合、目的とする形状の外側にＡｕメッキ層のバリが形成されてしまうことが判った。銅層の表面は酸化されやすく、銅のメッキ工程の前処理は、酸化膜の除去を含む。第１犠牲層２２の表面にも銅の酸化膜が存在すると考えられる。レジストパターンＲＰ５とＣｕの第１犠牲膜２２との界面でＣｕの酸化膜が除去されると、隙間が形成され、Ａｕメッキ液の侵入を許すと考えられる。これがバリの原因となると考え、Ｃｕメッキによりメッキ表面をレジストパターンとＣｕの第１犠牲層２２との界面より上に引き上げた後、Ａｕのメッキを行うようにした。
【００３０】
ＣｕとＡｕを連続メッキすることにより、例えば図１Ｊに示すようにレジストパターンＲＰ５とＣｕの第１犠牲層２２との界面にＣｕメッキ液が侵入しても、Ｃｕの第１犠牲層２２の表面に薄いＣｕメッキ層が追加されるだけであり、犠牲層を除去する際に、同時に除去される。この連続メッキにより、バリの問題は解決できた。
【００３１】
図１Ｋに示すように、台座部１７上方に開口を有するレジストパターンＲＰ６を形成する。開口内には台座部１７のＡｕ表面、可動電極２４のＡｕ表面が露出する。この状態で、Ａｕの電解メッキを行い、可動電極２４の厚さ以上の厚さを有するＡｕの固定層２６を形成する。
【００３２】
図１Ｌは、レジストパターンＲＰ６を除去した状態を示す。図２Ｃはこの状態の平面図を示す。固定層２６が可動電極２４の根元のビームを確実に押さえ込んでいる。可動電極２４の下にはＣｕの第１犠牲層２２、第２犠牲層２３が存在し、さらにＣｕメッキ用のシード層２１が存在する。これらを例えばウェットエッチングで除去する。Ｃｕのエッチングには、アンモニア銅錯塩を含んだエッチング液を用いると、エッチング速度が１μｍ／ｍｉｎ以上と速く、粘性が低いため数百ｎｍの狭いギャップでもエッチング可能であり、他の材料への腐食も少ない。メッキしたＣｕ層と共に、スパッタリングしたＣｕ層、密着層も同時に一括除去できる。
【００３３】
図１Ｍは、第１犠牲層２２、第２犠牲層２３、シード層２１を除去した状態を示す。台座部１７はシード層１４を介して基板１１に固定されている。シード層１４の上では、台座部１７、可動電極２４、固定層２６は全てＡｕのメッキ層で形成され、同等の組成、同等の熱膨張係数を有する。従って温度変化を受けても、熱膨張係数の差による応力は抑制され、反りは抑制される。可動電極２４の下面と台座部１７の上面との間に、一定高さのスリットが存在する。シード層２１、第２犠牲層２３が存在していたことに起因する、特徴的な構造であろう。
【００３４】
なお、可動電極の形状は種々変更可能である。
【００３５】
図３Ａは、上述の第１の実施例の形状である。可動電極２４は、矩形主要部の根元に複数のビームを備え、これらのビームが台座部１７の上で、固定層２６により固定される。
【００３６】
図３Ｂは、可動電極全体が矩形形状であり、その端部が台座部１７の上で、固定層２６により固定される。
【００３７】
図３Ｃは、可動電極が回転軸を有する場合である。可動電極２４は、矩形主要部の左辺から２本のビームが延び、左辺と平行な回転軸部で結合されている。固定層２６は回転軸部を台座部１７に固定するが、回転軸部は幅が制限されており、ある程度の回転が許容される。
【００３８】
図３Ｄは、可動電極２４から２本のビームが延び、台座部１７上で固定層２６により固定される点は図１Ａと同様であるが、可動電極２４内にスリット状の開口が形成され、可撓ビーム構造が追加形成されている。
【００３９】
図４Ａ〜４Ｆは、第２の実施例による可変容量を有する電気機器の製造工程を示す。本実施例においては誘電体犠牲層を用いる。第１の実施例の図１Ａ〜１Ｆの工程と同様の工程を行い、図４Ａの構成を得る。基板１１上に、台座部１７、制御電極１９、絶縁膜２０を備えた対向電極１８が形成されている。
【００４０】
図４Ｂに示すように、誘電体犠牲層３１によって凹部を埋め込む。例えば感光性有機樹脂をスピン塗布する。フィルムレジストをラミネータで貼り付けてもよい。必要に応じてフォトリソプロセスを行い所望のパターンにする。有機樹脂に代え、無機絶縁材料液をスピン塗布することもできる。
【００４１】
図４Ｃに示すように、台座部１７の所望領域以外を覆うように、シード層３２を形成する。シード層３２は、Ｔｉ／Ｃｕ，Ｃｒ／Ｃｕ，Ｍｏ／Ｃｕのいずれかの積層構造である。
【００４２】
図４Ｄに示すように、シード層３２、台座部１７の上に、メッキ領域を画定するレジストパターンＲＰ５を形成する。レジストパターンＲＰ５を用いて、Ｃｕの第２犠牲層２３、Ａｕの可動電極層２４の連続電解メッキを行う。Ｃｕ層２３が第２犠牲層を構成することは第１の実施例同様であり、第１の犠牲層が誘電体で形成され、その上にＣｕメッキ用のシード層３２が形成される点が、第１の実施例と異なる。Ｃｕの第２犠牲層２３とＡｕの可動電極層２４の界面は、レジストパターンＲＰ５底面より上方に引き上げられ、レジストパターンＲＰ５で端部を画定される。その後レジストパターンＲＰ５は除去する。
【００４３】
図４Ｅに示すように、固定層２６用のレジストパターンＲＰ６を形成し、Ａｕの固定層２６を電解メッキして、Ａｕの可動電極２４を固定する。その後レジストパターンＲＰ６は除去する。
【００４４】
図４Ｆに示すようにＣｕの第２の犠牲層２３、シード層３２、誘電体の第１の犠牲層３１を除去する。誘電体の犠牲層は、エッチングによって除去する他、有機樹脂であればアッシングで除去することもできる。製造プロセスの一部が異なるが、実施例２によっても、実施例１同様の構成が得られる。
【００４５】
以上可変容量を作成する場合を説明したが、スイッチも同様に作成することができる。
【００４６】
図５Ａはスイッチの構成を示す断面図である。基板１１上に台座部１７、対向電極１８、制御電極１９が形成される。ここで対向電極は一様な厚さを有する部材で構成されている。台座部１７の上表面から上方に離れて可動電極２４が配置され、台座部１７上面から可動電極２４上面に延在する固定層２６が可動電極２４を支持する。可動電極２４が制御電極１９に印加する電圧によって引き下げられ、対向電極１８に当接するとスイッチはオンになる。電圧を解除され、弾性力によって可動電極２４が対向電極１８から上方に離れるとスイッチはオフになる。シード層１４より上の部分は、全て同等の組成、同等の熱膨張係数を有する同一金属層で形成されるので、温度変化に対しても反りを抑制することができる。
【００４７】
図５Ｂはスイッチの等価回路である。線路部分は抵抗とインダクタンスの直列接続で近似でき、接点部は抵抗と容量の並列接続で近似できる。
【００４８】
図５Ｃは、両持ち梁構造の例を示す。可動電極２４の両側に台座部１７−１，１７−２が配置され、固定層２６−１，２６−２が可動電極２４の両端を台座部１７−１，１７−２に固定する。可動電極２４の中央部下方に対向電極１８が配置され、その両側に制御電極１９−１，１９−２が配置されている。対向電極と可動電極がエアギャップを介して対向すればスイッチが構成される。対向電極１８表面に絶縁層２０を形成すれば、可変容量が構成される。
【００４９】
図６Ａ，６Ｂは、このようにして形成される可変容量を用いた可変フィルタ回路の例を示す。Ｃ１，Ｃ２，Ｃｍは可変容量であり、矩形で示される要素は可変容量を含む可変分布定数線路である。
【００５０】
図７Ａ，７Ｂ，７Ｃは可変キャパシタ回路の例を示す。図示の可変キャパシタとして上述の可変容量を用いることができる。
【００５１】
以上実施例に沿って説明したが、本発明はこれら実施例に限られるものではない。例えば、セラミックス基板に換え、ガラスエポキシ基板を用いることも可能である。Ａｕのメッキ層として説明した層を、Ｃｕ，Ｐｄ等を数％添加し、硬度を高くしたＡｕ合金層としてもよい。第２犠牲膜の厚さを厚くして、平坦化機能を持たせることも可能である。その他、種々の変更、置換、改良、組み合わせ等が可能なことは、当業者に自明であろう。
【符号の説明】
【００５２】
１１      ＬＴＣＣ基板、
１２      密着層、
１３      シード層、
１４      下地層、
１５      第１メッキ層、
１６      第２メッキ層、
１７      台座部、
１８      高周波線路（対向電極）、
１９      制御電極、
２０      絶縁膜、
２１      シード層、
２２      第１犠牲層、
２３      第２犠牲層、
２４      可動電極、
２６      固定層、
ＲＰ      レジストパターン、
【図１−１】
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【図１−２】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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