(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上のインプリント材を型により成形してパターンを前記基板上に形成するインプリント装置であって、
前記型を保持する型保持部と、
前記基板を保持する基板保持部と、
前記型と前記インプリント材とが互いに接触するように前記型保持部及び前記基板保持部のうち少なくとも一方を駆動軸に沿って移動させる第１駆動機構と、
前記駆動軸に交差する方向において前記基板が前記型に対して位置決めされるように前記型保持部及び前記基板保持部のうち少なくとも一方を移動させる第２駆動機構と、
前記型と前記インプリント材とが互いに接触していない状態で前記型に形成された型マークと前記基板に形成された基板マークとを前記型を介して検出するスコープを含み、前記型マークと前記基板マークとの間の位置ずれ量を計測する位置ずれ量計測器と、
制御器と、
を備え、
前記制御器は、前記型マークと前記基板マークとの間の位置ずれ量と前記型保持部及び前記基板保持部のうち少なくとも一方の前記駆動軸に沿う移動量との間の関係の情報と、該移動量の情報と、前記位置ずれ量計測器により得られた前記位置ずれ量の情報とに基づいて、前記第２駆動機構を制御する、
ことを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記制御器は、前記関係の情報として、前記駆動軸に対する前記スコープの光軸の傾きの情報を用いる、ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記第１駆動機構および前記第２駆動機構により移動される前記型保持部の前記交差する方向における位置を、前記型保持部の側面を介して計測する位置計測器を備え、
前記制御器は、前記関係の情報として、前記側面に対する前記スコープの光軸の傾きの情報を用いる、ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記第１駆動機構および前記第２駆動機構により移動される前記基板保持部の位置を、前記基板保持部の側面を介して計測する位置計測器を備え、
前記制御器は、前記関係の情報として、前記側面に対する前記スコープの光軸の傾きの情報を用いる、ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記型の表面と前記基板の表面とが互いに平行になるように前記型保持部を傾斜させる第３駆動機構を備え、
前記側面に対する前記スコープの光軸の傾きの情報は、前記第３駆動機構により前記型保持部を傾斜させた後の前記側面に対する前記スコープの光軸の傾きの情報である、
ことを特徴とする請求項３に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記型の表面と前記基板の表面とが互いに平行になるように前記基板保持部を傾斜させる第３駆動機構を備え、
前記側面に対する前記スコープの光軸の傾きの情報は、前記第３駆動機構により前記基板保持部を傾斜させた後の前記側面に対する前記スコープの光軸の傾きの情報である、
ことを特徴とする請求項４に記載のインプリント装置。
【請求項７】
前記制御器は、前記型保持部及び前記基板保持部のうち少なくとも一方の前記駆動軸に沿う移動量の情報と、該移動量に対応する前記型マークと前記基板マークとの間の位置ずれ量の情報とに基づいて、前記関係を求める、ことを特徴とする請求項１乃至請求項６のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項８】
前記制御器は、前記型保持部及び前記基板保持部のうち少なくとも一方の前記駆動軸に沿う移動量の情報と、該移動量に対応する前記パターンと前記基板との間の位置ずれ量の情報とに基づいて、前記関係を求める、ことを特徴とする請求項１乃至請求項６のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項９】
前記インプリント装置が起動した場合、又は、前記スコープを移動させた場合に、前記制御器は、前記関係の情報を取得する、ことを特徴とする請求項１乃至請求項８のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１０】
前記型の寸法を補正する補正機構を備え、
前記制御器は、前記関係の情報と、該移動量の情報と、前記位置ずれ量計測器により得られた複数対の前記型マークおよび前記基板マークそれぞれの間の位置ずれ量の情報とに基づいて、前記補正機構を制御する、
ことを特徴とする請求項１乃至請求項９のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１１】
前記位置ずれ量計測器は、前記スコープを複数含み、該複数の前記スコープは、前記型マークおよび前記基板マークの複数対をそれぞれ検出する、ことを特徴とする請求項１０に記載のインプリント装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のうちいずれか1項に記載のインプリント装置を用いてパターンを基板上に形成する工程と、
前記工程で前記パターンを形成された前記基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント装置及び該インプリント装置を用いて物品を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイスの微細化が進み、半導体デバイスを製造する方法として、ウエハ等の基板にレジストを塗布し、レジストに原版（型）を押し付けた状態でレジストを硬化させるインプリント技術が使われるようになった。インプリント技術の一つとして、光硬化法がある。光硬化法を適用したインプリント装置では、初めに、基板上のパターン形成領域（ショット領域）に光硬化レジストを塗布する。次に、型の大きさを補正する補正機構により、基板と型とのアライメント補正を行う。次に、このレジストに型を押し付ける。そして、紫外線を照射してレジストを硬化させたうえで型をレジストから離型する。これにより、基板上にレジストのパターンが形成される。特許文献１には、光硬化法のインプリント装置が開示されている。
【０００３】
インプリント装置において、基板上に既に形成したパターンと型との位置合わせは、ダイバイダイアライメント方式を採用していた。ダイバイダイアライメント方式では、ショット領域毎に型を押し付けるときに、基板マーク及び型マークを、型を通して直接計測するＴＴＭ（Ｔｈｒｏｕｇｈ  Ｔｈｅ  Ｍａｓｋ）スコープを用いて観察し、その両者のずれ量を計測して補正する。しかしながら、ダイバイダイアライメント方式では、下地層の膜減りなどのプロセス要因によるマークずれがショット領域ごとに観察されるため、正しく位置合わせができない場合がある。
【０００４】
これに対し、原版のパターンを投影光学系を介して基板に転写するフォトリソグラフィ技術を利用した従来の露光装置では、グローバルアライメント方式が主流となっている。グローバルアライメント方式は、代表的な数ショット領域のマークを計測し、その計測結果を処理して各ショットの位置を得るためのグローバル指標（係数）を求める。そして、グローバル指標を基に各ショット領域を位置合わせする。グローバルアライメント方式では、同一指標で位置合わせしているため、後工程で数ショット領域を抜き取り検査することで、その基板の全ショット領域の良否を判断することが可能となり、生産性の向上に繋がる。また、サンプルショット領域を適正に選択することにより、プロセス要因による異常な位置ずれの影響を回避（軽減）できるため、重ね合わせ精度の安定性の向上に繋がる。従来の露光装置では、グローバルアライメント方式には露光位置から離れた場所に設置されたオフアクシススコープ（ＯＡＳ）を用いてきたが、インプリント装置では、ＴＴＭスコープを用いたグローバルアライメント方式も可能である。ＴＴＭスコープを用いたグローバルアライメント方式を採用することで、ＯＡＳが不要となり、基板ステージの駆動範囲を縮小することが可能で、装置全体を小さく、低コストにすることが可能である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第４１８５９４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
インプリント装置において、ＴＴＭスコープを用いたグローバルアライメントを行う場合、型と基板の間には、ある程度の間隔をあけて計測することになる。この間隔は、通常、数十μｍ程度である。このように、型と基板とが非接触で間隔をあけて計測することを、プロキシミティ計測と称す。ＴＴＭスコープの光軸がインプリントヘッドの駆動方向に対し傾いていると、グローバルアライメントで位置合わせした位置にインプリントしたつもりでも、インプリントヘッドが数十μｍ駆動する間にＴＴＭスコープの光軸に対してずれることになる。すなわち、本来マークが見えているところと異なるところにインプリントしてしまうことになり、オーバーレイ精度の低下の要因となる。
【０００７】
ダイバイダイアライメント方式についても同様のことが言える。ダイバイダイアライメント方式は、型と基板との接触状態でＴＴＭスコープによるアライメントを行うコンタクト方式と、型と基板との接触前にＴＴＭスコープによってアライメントを行うプロキシミティ方式、又はこれらの組み合わせて用いる方式がある。コンタクト方式の場合には、ＴＴＭスコープの光軸とインプリントヘッドの駆動方向との間の傾きの差は問題にならない。しかし、型と基板とが接触した状態では、レジストがマーク位置に充填されることで、レジストの屈折率によっては、ＴＴＭスコープでマークを計測できなくなる場合がある。また、型と基板とが接触した状態では、ＴＴＭスコープにより型と基板との間のずれ量が計測できても、基板ステージをあまり大きく駆動させることができないなどの制約がある。そこで、ダイバイダイアライメント方式においても、プロキシミティ方式は有効である。しかし、グローバルアライメント方式と同様に、ＴＴＭスコープの光軸とインプリントヘッドの駆動方向との間の傾きの差が、インプリントしたときのオーバーレイ精度の低下の原因となる。
【０００８】
本発明は、正確なオーバーレイの点で有利なインプリント装置を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、基板上のインプリント材を型により成形してパターンを前記基板上に形成するインプリント装置であって、前記型を保持する型保持部と、前記基板を保持する基板保持部と、前記型と前記インプリント材とが互いに接触するように前記型保持部及び前記基板保持部のうち少なくとも一方を駆動軸に沿って移動させる第１駆動機構と、前記駆動軸に交差する方向において前記基板が前記型に対して位置決めされるように前記型保持部及び前記基板保持部のうち少なくとも一方を移動させる第２駆動機構と、前記型と前記インプリント材とが互いに接触していない状態で前記型に形成された型マークと前記基板に形成された基板マークとを前記型を介して検出するスコープを含み、前記型マークと前記基板マークとの間の位置ずれ量を計測する位置ずれ量計測器と、制御器と、を備え、前記制御器は、前記型マークと前記基板マークとの間の位置ずれ量と前記型保持部及び前記基板保持部のうち少なくとも一方の前記駆動軸に沿う移動量との間の関係の情報と、該移動量の情報と、前記位置ずれ量計測器により得られた前記位置ずれ量の情報とに基づいて、前記第２駆動機構を制御する、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、例えば、正確なオーバーレイの点で有利なインプリント装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】インプリント装置を示す図
【図２】インプリント処理における型と基板との関係を示した図
【図３】スコープの光軸の傾きに起因して型とショット領域との間に位置ずれが発生する様子を示した図
【図４】スコープの光軸の傾きを算出する様子を示した概念図
【図５】スコープの光軸の傾きを算出する様子、位置ずれの補正を行う概念図
【図６】第１実施形態における型とショット領域との位置ずれが発生する様子を示した概念図
【図７】第１実施形態でインプリントヘッドを傾斜させた場合に型とショット領域との位置ずれが発生する様子を示した概念図
【図８】第１実施形態でインプリントヘッドの傾斜の原点がずれた場合に型とショット領域との位置ずれが発生する様子を示した概念図
【図９】基板の厚みが不均一であることにより型とショット領域との位置ずれが発生する様子を示した概念図
【図１０】複数のスコープの光軸の傾きの影響で倍率誤差が発生する様子を示した概念図
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、添付図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。図１はインプリント装置の一例を示す。本実施形態のインプリント装置は、基板上に塗布されたインプリント材（レジスト）と型により成形してパターンを形成するインプリント処理を基板の複数のショット領域のそれぞれに行う、光硬化法のインプリント装置である。以下の図において、型に対する紫外線の照射軸（後述の照明系２の光路折り曲げ後の光軸）に平行にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直であって且つ互いに垂直な２つの方向にそれぞれＸ軸・Ｙ軸を取って説明する。
【００１３】
インプリント装置１は、照明系２、型３を吸着力や静電力により引き付けて保持する型保持部４、基板５を保持する基板ステージ（基板保持部）６、塗布部７、型搬送機構８及び制御器９を備える。基板ステージ６は、基板の表面と平行な方向（第１方向）に位置決め可能である。照明系２は、インプリント処理の際に型３に対して紫外線１０を照明する。照明系２は、光源と、該光源から射出された紫外線をインプリント処理に適切な光に調整するための複数の光学素子とを含む。型３は、基板５に対向するパターン面に所定のパターンが３次元状に形成されている。
【００１４】
インプリント装置は、型３に力を加えることにより、型３に形成されたパターン面の少なくともＸ軸方向における寸法を補正する補正機構１１と、スコープ１３とを含む。スコープ１３は、基板５に形成された基板マークと型３に形成された型マークとを型３を介して検出することによって基板５と型３との位置ずれ量を計測するＴＴＭ（Ｔｈｒｏｕｇｈ  Ｔｈｅ  Ｍａｓｋ）スコープであり、位置ずれ計測器を構成している。スコープ１３により、基板５と型３とのＸ方向及びＹ方向における位置ずれ量を計測することができる。型保持部４は、基板５上に塗布されたレジスト１８に型３を押し付ける押印動作を行うために、Ｚ軸方向に駆動される。レジスト１８を硬化後、型保持部４をＺ軸方向に駆動することによって、基板５から型３を引き剥がす離型動作が行われる。押印動作及び離型動作は、型保持部４をＺ方向に駆動して実現してもよいが、基板ステージ６をＺ方向に駆動することで実現してもよい。型保持部４及び基板ステージ６の少なくとも一方を、型３とレジスト１８とが互いに接触するように、駆動軸に沿って駆動する駆動機構を第１駆動機構と称する。型保持部４はその駆動機構を併せてインプリントヘッドとも称される。
【００１５】
基板ステージ６は、基板５を真空吸着により保持し、かつ、Ｘ方向、Ｙ方向に位置決め可能である。基板ステージ６の駆動部は、ショット領域が型３に対して位置決めされるように基板ステージ６をＸ方向、Ｙ方向に移動させる第２駆動機構を構成する。しかし、第２駆動機構は、基板ステージ６及び型保持部４の少なくとも一方を移動させればよい。塗布部７は、基板５上に未硬化のレジスト（インプリント材）１８を塗布する。レジスト１８は、照明系２からの紫外線１０を受光することにより硬化する光硬化樹脂である。型搬送機構８は、型３を搬送し、型３を型保持部４に対して設置する。
【００１６】
制御器９は、インプリント装置１の各ユニットの動作を制御し、干渉計１５，１６の値などの取得を行う。制御器９は、インプリント装置１の各ユニットに回線により接続された、記憶部を有する不図示のコンピュータ又はシーケンサなどで構成される。本実施形態では、制御器９は、スコープ１３により計測された基板５と型３との位置ずれ量を基にアライメント補正値を決定し、補正機構１１及び基板ステージ６を制御して、アライメント補正を行う。制御器９はインプリント装置１内に構成してもよいし、もしくは、インプリント装置１とは別の場所に設置し、遠隔で制御する構成としても良い。
【００１７】
図２に、インプリント処理における型３及び基板５に着目した概念図を示す。基板ステージ６に基板５が搭載されると、スコープ１３によるアライメント計測により、基板５上のショット領域の配列が計測される。アライメント方式は、グローバルアライメント方式とダイバイダイアライメント方式とに分類される。それぞれの詳細は、第１および第２実施形態に記す。スコープ１３は、型３のパターン面と基板５上のレジスト１８とを数十μｍ程度の間隔を開けて接触させない状態で型マークと基板マークとを計測する。この計測から、型３と基板５上のショット領域との位置ずれ量が計測される。このときのスコープの光軸を２２として図示している。これは、型マークと基板マークとがともに矢印で示される光軸２２上にあるときに、２つのマークが重なって見えるということを表している。通常、複数のスコープ１３によって型マークおよび基板マークの複数対をそれぞれ検出することで、型３とショット領域との間のＸ方向、Ｙ方向におけるシフトずれ、回転ずれ、さらには、倍率ずれなども計測する。ここでは便宜上、スコープ１３によってＸ方向の位置ずれのみを計測するものとして説明する。
【００１８】
インプリントヘッドは、通常、Ｚ方向の駆動軸を持つ。基板ステージ６が目標位置に達すると、インプリントヘッドがＺ方向に駆動し、型３をレジスト１８に押し付ける。このインプリントを行った状態が、図２に状態２Ｃとして示される。スコープ１３による計測によって、基板５上のショット領域と型３とが事前に位置合わせされているので、良好なオーバーレイ精度を得ることができる。
【００１９】
ここで、図３のように、スコープの光軸２２が、インプリントヘッドの駆動軸に対して傾きを持っている場合を考える。図３の状態３Ａでも、スコープ１３によって、型マークと基板マークが位置合わせされていると計測される。ただし、この状態３Ａは、あくまでスコープ１３の光軸が傾いているためにそのように計測されてしまうものであり、実際には、基板５上のショット領域の中心と型３の中心との間には位置ずれ２３が生じている。その結果、状態３Ｂのように、実際にインプリント処理を行うと、基板５上のショット領域とずれた位置にインプリントしてしまうことになる。これが、オーバーレイ精度の低下の原因となる。
【００２０】
なお、状態３Ａでは、あくまで便宜上、スコープ１３の光軸２２が、Ｚ軸に対して傾いていると仮定し、インプリントヘッドの駆動軸はＺ軸と平行であると仮定した。スコープ１３の光軸２２がＺ軸と平行であり、インプリントヘッドの駆動軸がＺ軸に対して傾いている場合でも、まったく同様である。実際には、両者ともＺ軸に対して少なからず傾きを持っている。オーバーレイ精度の低下の要因となるものは、あくまで、インプリントヘッドの駆動軸に対するスコープ１３の光軸２２の傾きであることに注意が必要である。
【００２１】
そこで、良好なオーバーレイ精度を得るために、まず、実際に生産用の基板５を装置に投入する前や装置調整時やメンテナンス時に、インプリントヘッドの駆動軸に対するスコープ１３の光軸２２の傾きを求める。これを、図４を用いて説明する。基板ステージ６は、基板マークが形成された基板５を搭載している。また、インプリントヘッドは、型マークが形成された型３を搭載している。この状態で、基板マークと型マークとが重なるように、基板ステージ６を駆動させる。スコープ１３によって基板マークと型マークとが重なって観察されるときのインプリントヘッドのＺ位置をＺ０とする。インプリントヘッドのＺ位置がＺ０であるときのスコープ１３により計測された型マークと基板マークとの位置ずれ量は、０もしくは０付近である。
【００２２】
この状態から、インプリントヘッドをＺ方向に駆動する。駆動範囲は、スコープ１３が計測可能な範囲で十分である。通常、プロキシミティ計測をするためのスコープ１３は、ＮＡがある程度低く、ある程度の焦点深度を持っている。この計測可能な範囲でインプリントヘッドをＺ方向に駆動しながら、スコープ１３により型マーク及び基板マークの計測を行う。インプリントヘッドのＺ方向における位置とスコープ１３による計測値との関係を、図５に示す。図５では、図４との関係が判り易いように、あえてＺ軸を縦軸に配置している。また、Ｚ値の＋方向（紙面上方向）は、インプリントヘッドの移動方向が上方向、すなわち、型３と基板５が離れる方向である。Ｚ０は、通常のスコープ１３による計測時のインプリントヘッドのＺ方向の位置とすると考えやすい。図４においても、最初の計測位置をＺ０としている。
【００２３】
ＺＵは、スコープ１３による計測可能な範囲の、インプリントヘッドの最も上の位置（Ｚ値が＋方向）である。ＺＬは、型３と基板５の間隔を最も狭くしたとき、すなわち、型３と基板５が接触しない範囲でインプリントヘッドのＺ位置を下（Ｚ値を−方向）に駆動したときの位置である。この範囲内で、インプリントヘッドのＺ位置を駆動し、スコープ１３の計測を複数回実施する。こうして得られた図５のグラフ５Ａにおいて、傾きＣは、インプリントヘッドの駆動軸に対するスコープ１３の光軸の傾きを示すことになる。
【００２４】
基板マークの代わりに基板ステージ６に搭載された基準マークを使用してもよい。これ以降の説明でも、便宜上、基板マークを計測することを前提に説明するが、これに限定するものではない。また、インプリントヘッドのＺ位置がＺ０のときのスコープ１３の計測値を０近傍としたが、もちろん、これは必須の条件ではなく、ある値をもった状態から計測を開始してもよい。ただし、あまり計測値が大きい状態から始めると、インプリントヘッドをＺ方向に駆動したときに、スコープ１３の計測可能な範囲を超えてしまう場合や、計測値の信頼性が低下するなどの影響が考えられるため、計測値は０近傍がから開始するのが望ましい。さらに、傾きＣは１次の傾きとしているが、もちろん、１次に限らず、高次関数や補正テーブルなどを用いてもよい。
【００２５】
次に、傾きＣからインプリント処理がなされたときに予想されるＸ方向における位置ずれ量ΔＸを算出する。通常、傾きＣはインプリントヘッドのＺ位置に対して１次関数の傾きとなる。この場合、インプリントヘッドの各Ｚ位置における型マークと基板マークとのＸ方向における位置ずれ量は、以下の式１で与えられる。ここで、ΔＸ（Ｚ）は、インプリントヘッドのＺ位置における型３と基板５のＸ方向における位置ずれ量の予測値である。ΔＸ（Ｚ０）は、インプリントヘッドのＺ位置がＺ０のときのスコープ１３の計測値である。Ｚは、インプリントヘッドの現在のＺ位置であり、Ｚ０は、スコープ１３による計測時のインプリントヘッドのＺ位置である。
ΔＸ（Ｚ）＝ΔＸ（Ｚ０）＋Ｃ×（Ｚ−Ｚ０）・・・（１）
【００２６】
インプリント時すなわち型３と基板５が接触するときのインプリントヘッドのＺ位置がＺＩであるとすると、インプリント時に型３と基板５上のショット領域との位置ずれ量は、式２のようになる。ここで、ΔＸｉは、インプリント時の型３と基板５上のショット領域とのＸ方向における位置ずれ量であり、ＺＩは、インプリント時のインプリントヘッドのＺ位置である。
ΔＸｉ＝ΔＸ（ＺＩ）＝ΔＸ（Ｚ０）＋Ｃ×（ＺＩ−Ｚ０）・・・（２）
【００２７】
式１に従い、型３と基板５のＸ方向における位置ずれ量を予め予測し、その位置ずれ量だけ基板ステージ６を駆動して補正すればよい。つまり、スコープ１３によって型３と基板５の位置ずれ量ΔＸ（Ｚ０）が計測された後は、インプリントヘッドのＺ位置の駆動に従って、ΔＸ（Ｚ）を補正するように基板ステージ６をＸ方向に駆動する。この補正のための駆動は、できるだけリアルタイムに行うのが望ましい。インプリントヘッドのＺ位置がインプリント位置ＺＩに達するときには、基板ステージ６の駆動量がΔＸｉになっているため、型３と基板５上のショット領域の位置がずれることなく、正しい位置にインプリントを行うことが可能である。
【００２８】
Ｚ０とＺＩが常に一定であるなら、ΔＸ（Ｚ０）とΔＸ（ＺＩ）の関係も常に一定であるため、基板ステージ６の補正のための駆動量も一定としてもかまわない。しかし、式２を用いれば、例えば図９のように基板５の表面に凹凸がありインプリント時のインプリントヘッドのＺ位置がＺＩと異なった場合でも、正しい補正量ΔＸを得ることが可能となり、より高精度のオーバーレイ精度を得ることが可能となる。図９の例では、基板５の表面の凹凸の影響により、あるショット領域Ａでは、インプリント時のインプリントヘッドのＺ位置がＺＩａである。また、あるショット領域Ｂではインプリント時のインプリントヘッドのＺ位置がＺＩｂである。このときの基板ステージ６のＸ方向の補正のための駆動量ΔＸｉａ，ΔＸｉｂは、下記の式２ａ、式２ｂで表される。
ΔＸｉａ＝ΔＸ（ＺＩａ）＝ΔＸ（Ｚ０ａ）＋Ｃ×（ＺＩａ−Ｚ０）・・・（２ａ）
ΔＸｉｂ＝ΔＸ（ＺＩｂ）＝ΔＸ（Ｚ０ｂ）＋Ｃ×（ＺＩｂ−Ｚ０）・・・（２ｂ）
【００２９】
このように、式２を用いることで、基板５上の凹凸の影響を受けることなく、良好なオーバーレイ精度を得ることが可能である。ここで、ΔＸ（Ｚ０ａ）及びΔＸ（Ｚ０ｂ）は、インプリント前に事前にスコープ１３で計測した型３とショット領域Ａ、ＢとのＸ方向における位置ずれ量である。図９の例では、ΔＸ（Ｚ０ａ）及びΔＸ（Ｚ０ｂ）は、０近傍の値となる。また、詳細の説明は割愛するが、型３を交換することによって発生する型３の厚みの差による影響も、式１を用いることで問題なく補正することが可能である。なお、理解の助けのため、図５のグラフ５ＡのＺ０とグラフ５ＢのＺ０は同じであるとしたが、異なる位置でもまったく問題はない。
【００３０】
ここまでの説明は、インプリント時にインプリントヘッドをＺ方向に駆動する方式についての説明である。しかし、インプリント時にインプリントヘッドではなく基板ステージ６をＺ方向に駆動する方式も考えられる。その場合、図５のグラフ５ＡにおけるＺ軸は、基板ステージ６のＺ位置となり、傾きＣは、基板ステージ６の駆動軸に対するスコープ１３の光軸の傾きを表すことになる。そして、基板ステージ６のＺ位置に応じて、基板ステージ６をＸ方向において補正駆動してやればよい。さらに、インプリントヘッドと基板ステージ６の両方をＺ駆動してインプリントを行うこともできる。この場合、インプリントヘッドの駆動軸に対するスコープ１３の光軸の傾きＣ１と、基板ステージ６の駆動軸に対するスコープ１３の光軸の傾きＣ２との２つのパラメータを持てばよい。そして、インプリントヘッドのＺ位置に依存する補正量と基板ステージ６のＺ位置に依存する補正量の合算値で、基板ステージ６の位置を補正すればよい。
【００３１】
図５のグラフ５Ａにおいて、ＺＵとＺＬはある程度離れている方が、傾きＣを精度よく算出するうえで望ましい。しかし、型３と基板５との間隔を十分小さくできない場合、つまりＺＬを十分に下位置にできない場合や、スコープ１３の焦点深度が浅い場合などでは、ＺＵとＺＬを十分に離れた状態とすることができない。このような場合、まず通常通りに、インプリントヘッドのＺ位置がＺ０である位置においてスコープ１３による計測を行う。その状態でインプリント処理を行う。そして、インプリントされたパターンと基板５上の下地のショット領域との重なり状態を外部の計測器を用いるなどして計測する。このときの位置ずれ量をΔＸｉとする。すると、傾きＣは、以下の式３のように算出することが可能である。ここで、ΔＸｉは、インプリントされたパターンと基板５上のショット領域のＸ方向における位置ずれ量である。ＺＩは、インプリント処理がなされたときのインプリントヘッドのＺ位置であり、Ｚ０は、スコープ１３による計測がなされたときのインプリントヘッドのＺ位置である。（ＺＩ−Ｚ０）は、前記計測及び前記インプリント処理がそれぞれなされたときのインプリントヘッドと基板５との間の鉛直方向における間隔である。
Ｃ＝ΔＸｉ／（ＺＩ−Ｚ０）・・・（３）
このときのグラフは、図５のグラフ５Ｃのようになる。計測点が２点のみなので、複数のショット領域の平均値を用いるなどして、計測精度を向上させる必要がある。
【００３２】
これまでの説明では、インプリントヘッドのＺ駆動の方向は、メカニカルに決まっている前提で記述してきた。しかし、実際には、メカニカルにナノメートルのオーダーで安定させることは困難である。とくに、グローバルアライメント方式においては、インプリントヘッドのＺ駆動の方向がふらついていると、そのままオーバーレイ精度の低下につながる。そこで、図２の２Ｂに示されるように、インプリントヘッドにＸ方向、Ｙ方向や回転方向の位置ずれを計測する干渉計１６を配置することも考えられる。干渉計１６によって、インプリントヘッドのＸ方向、Ｙ方向、回転方向の位置を計測する。干渉計は、インプリントヘッドの側面の計測対象面に対してＸ方向に光を出射し、計測対象面で反射された光を受光することによってインプリントヘッドの基板ステージ６に対するＸ方向における相対位置を計測するセンサを構成している。干渉計のかわりにエンコーダを使用することもできる。図２の２Ｂでは、簡略化してＸ方向の干渉計１６のみを図示している。基板ステージ６の位置を計測する干渉計１５は、干渉計１６と同じ基準から計測するのが望ましい。干渉計１６の計測対象面２５は、インプリントヘッドに搭載されている。同様に、干渉計１５の計測対象２４は、基板ステージ６に搭載されている。計測対象２４、２５は、反射ミラーが用いられる。つまり、インプリントヘッドのＸ方向、Ｙ方向、回転方向の位置を、メカニカルに保証するのではなく、変動してしまった量を正確に計測し、その変動分を基板ステージ６を駆動することで補正するという考え方である。このような構成の場合、インプリントヘッドのＺ駆動の方向は、メカニカルに決められた方向ではなく、インプリントヘッドに取り付けられた干渉計１６が計測する対象面２５の傾斜に依存することになる。干渉計１５，１６は、型保持部４、基板ステージ６の位置をそれらの側面を介して計測する位置計測器を構成している。
【００３３】
この現象について図６を用いて説明する。スコープ１３の光軸２２は、Ｚ軸に対して真っ直ぐであったと仮定する。また、インプリントヘッドの駆動軸も、Ｚ軸の方向であったと仮定する。インプリントヘッドのＸ方向の位置を計測する干渉計１６が計測する対象面２５が、Ｚ軸に対してある傾きを持っているとする。この状態で、インプリント処理を実施するためにインプリントヘッドがＺ駆動を行う。すると、干渉計１６の計測値は、対象面２５の傾きとインプリントヘッドのＺ駆動量の積に相当する値だけの誤差ΔＸｉを含むことになる。この誤差ΔＸｉは、インプリント装置の制御器９によって、基板ステージ制御系に送られ、ΔＸｉだけ基板ステージ６の補正駆動を行う。基板ステージ６の補正駆動は、本来、オーバーレイ精度の低下を防ぐための補正駆動であるが、インプリントヘッドのＸ方向の位置を計測する干渉計１６の誤差分ΔＸｉに関しては、オーバーレイを損なう方向に働いてしまう。インプリントヘッドの駆動軸が、Ｚ軸に対して傾きを持っていた場合、このＸ方向のずれ量は、インプリントヘッドのＸ方向の位置を計測する干渉計１６で正しく計測される。したがって、インプリントヘッドの駆動軸の傾きに起因するＸ方向の位置ずれ分は正しく基板ステージ６の補正駆動に反映させることが可能である。干渉計１６によってインプリントヘッドのＸ方向の位置を計測する構成においては、インプリントヘッドの駆動方向そのものは問題にならず、干渉計１６が計測する対象面２５の傾きに起因する位置ずれが、Ｘ方向における位置ずれのすべてになる。よって、この場合、傾きＣは、干渉計１６が計測する対象面２５に対するスコープ１３の光軸２２の傾きを表すことになる。基板ステージ６は、干渉計１６の値によって補正駆動が行われるため、干渉計１６の値を補正してやればよいことになる。
【００３４】
ここで気を付けなければならいのは、インプリントヘッドを傾斜させた成分も、干渉計１６が計測する対象面２５を傾斜させてしまうことである。図７の状態７Ａは、スコープ１３の光軸２２、インプリントヘッドの駆動軸、干渉計１６が計測する対象面２５のすべてが、Ｚ軸に対して平行である状態とする。すなわち、傾きＣが０の状態であり、基板ステージ６を補正駆動しなくも、精度よくインプリントができる理想的な状態である。この状態７Ａのインプリントヘッドにある型３を搭載するのであるが、この型３の表面が基板５の表面に対して傾斜した状態でインプリントヘッドに装着された場合を考える。このままインプリントヘッドをＺ駆動してインプリント処理を行うと、型３の端面から基板５に接してしまう。そのため、型３の傾斜を是正するためにインプリントヘッドを傾斜させる必要がある。よって、型３の表面を計測する不図示の干渉計などを用いて型３の表面の傾斜を計測後、インプリントヘッドを傾斜させることで、型３の表面と基板５の表面を平行にする（状態７Ｂ）。この状態Ｂで、スコープ１３によって型マーク及び基板マークの計測を行い、型３と基板５上のショット領域の位置が一致していることを確認する。その上で、インプリントヘッドをＺ駆動し、インプリント処理を行う（状態７Ｃ）。インプリントヘッドのＸ位置を計測するための干渉計１６が計測する対象面２５は、インプリントヘッドの傾斜に伴い、傾斜成分をもってしまう。この状態でインプリントヘッドをＺ駆動すると、干渉計１６は、図６の状態６Ｂと同様に、ΔＸｉだけＸ方向の誤差を持つこととなる。すると、やはり状態６Ｂと同様に、基板ステージ６が間違った補正駆動を行ってしまうため、インプリントされたパターンは、基板５上のショット領域の位置とΔＸｉだけずれてしまうことになる。
【００３５】
図６のように、干渉計１６が計測する対象面２５が最初から傾斜成分をもっている場合は、この傾斜成分を計測することが可能であり、制御器９によって、その傾斜成分による位置ずれを補正し、より正確なオーバーレイを達成することができる。しかし、図７のようにインプリントヘッドの傾斜成分は、傾きＣを求めた後に発生する成分である。よって、傾きＣとは別に、この傾斜量を組み込む必要がある。このインプリントヘッドの傾斜成分を含んだ式が、以下の式４である。ここで、ＣＩはインプリントヘッドの傾斜量である。
ΔＸ（Ｚ）＝ΔＸ（Ｚ０）＋（Ｃ＋ＣＩ）×（Ｚ−Ｚ０）・・・（４）
以上のように、インプリントヘッドの傾斜量も加味して、インプリントヘッドのＺ駆動に伴う誤差を補正することが可能で、良好なオーバーレイを実現することができる。
【００３６】
つづいて、本発明の実施のタイミングに関して述べる。型３と基板５との位置ずれの補正は、通常のインプリント時には常に行う。インプリントヘッド又は基板ステージ６の駆動軸に対するスコープ１３の光軸２２の傾きＣの取得は、通常は、インプリント装置を起動若しくは再起動したときに行えばよい。その場合、取得された傾きＣの値が変動しないことが前提となる。すなわち、スコープ１３の光軸の傾きとインプリントヘッドのＺ駆動方向の傾きがどちらも安定している必要がある。ところが、そのようなメカニカルな状態は、時間経過によって変動してしまう可能性が高い。また、装置状態に依存して変動してしまうこともある。傾きＣが時間経過によって変動する場合、定期的に傾きＣを取得し直す必要がある。傾きＣが装置状態によって変動してしまう場合、装置状態が変動したときに、傾きＣを取得し直す。
【００３７】
スコープ１３は、通常、ショット領域の基板マークの位置に応じてＸＹ方向に移動できるように駆動軸を持たせている。つまり、サイズの異なるショット領域のインプリント処理を行う場合など、基板マークの位置も異なることになるので、それに合わせてスコープ１３の位置をＸＹ方向に駆動し、基板マークがスコープ１３の視野に入るようにする。また、ダイバイダイアライメント方式において、基板５の周辺に存在するショット領域のように一部が欠けたショット領域にインプリント処理を行う場合、欠けのないショット領域で使用されていた基板マークが存在しない場合がある。このような場合、ショット領域内の別の基板マークを使用することになる。このときも、新たに使用したい基板マークの位置にスコープ１３を移動させる必要がある。このようにスコープ１３の移動が実施されると、スコープ１３の光軸の傾きが、移動前後で変動する可能性がある。そこで、スコープ１３を移動させたときに、傾きＣを計測し直すこともできる。
【００３８】
同様に、装置の電源を入れる、あるいは、リセットを行った場合など、インプリントヘッドの原点出しを行った場合には、インプリントヘッドの駆動軸の傾きが変動する可能性が高い。ここでは考えやすいように、インプリントヘッドのＸＹ位置を計測する干渉計がある場合を考える。装置の電源を入れた直後、インプリントヘッドの原点出しを行うが、そのとき、図８の状態８Ａのように、インプリントヘッドが傾斜をもった状態をインプリントヘッドの傾斜の原点としてしまった場合を考える。この場合、図７の状態７Ａ、７Ｂと同様に、型３の表面を基板５の表面と平行にするため、インプリントヘッドの傾斜駆動を行う。インプリントヘッドの傾斜駆動を行う駆動機構は、第３駆動機構を構成する。インプリントヘッドの傾斜駆動を行った後の状態８Ｂでインプリントするが、仮に、スコープ１３の光軸及び干渉計１６が計測する対象面２５がＺ軸に対して平行であれば、オーバーレイ精度の低下はないように見えてしまう。しかし、式４を用いている場合、図８の８Ｃに示されるように、基板ステージ６がインプリントヘッドを傾斜させた量に対応する分だけ余計な補正駆動を行ってしまい、正確なオーバーレイが達成できなくなってしまう。これは、式４において、型３と基板５上のショット領域の位置が合っているのでΔＸ（Ｚ０）＝０、Ｃ＝０、インプリント時のＺ位置Ｚ＝ＺＩを代入することになり、式４は式５に変形され、ΔＸｉだけ、誤差が生じることになる。
ΔＸｉ＝ΔＸ（ＺＩ）＝ＣＩ×（ＺＩ−Ｚ０）・・・（５）
【００３９】
図８の８Ｃでは、一見、ＣＩも０のように見えるが、インプリントヘッドの傾斜角ＣＩは、インプリントヘッドの傾斜の原点（初期の傾斜角）からの傾斜量（傾斜角）である。したがって、図８の状態８Ａのようにインプリントヘッドの傾斜の原点がずれている場合、図８の８Ｃで、ＣＩはある値を持つことになる。そのため、ΔＸｉが０にならず、基板ステージ６が余計な補正駆動を行ってしまう。
【００４０】
そこで、式４をインプリントヘッドの傾斜の原点を加味した式に直すと、式６のようになる。ここで、Ｃ０はインプリントヘッドの原点出し後の傾斜量、ＣＩはインプリントヘッドの原点を基準とした駆動量である。
ΔＸ（Ｚ）＝ΔＸ（Ｚ０）＋（Ｃ＋｛ＣＩ−Ｃ０｝）×（Ｚ−Ｚ０）・・・（６）
【００４１】
したがって、インプリントヘッドの傾斜の原点Ｃ０を取得する必要がある。その対策の一つが、傾きＣの算出をやり直すことである。すなわち、あたらしい傾きＣ’が計測されることで、式４は、以下の式６のようになる。
ΔＸ（Ｚ）＝ΔＸ（Ｚ０）＋（Ｃ’＋ＣＩ）×（Ｚ−Ｚ０）
ここで、Ｃ’＝Ｃ−Ｃ０  ・・・（７）
【００４２】
すなわち、新しい傾きＣ’は、インプリントヘッドの傾斜の原点のずれを含んだ値となる。新しい傾きＣ’が求まれば、傾きＣは既知であるため、Ｃ０、つまり、インプリントヘッドの傾斜の原点のずれが分かることになる。つまり、装置の起動時やリセット時など、インプリントヘッドの傾斜の原点が変動してしまうようなタイミングでインプリントヘッドの原点出しを行った時に、新しい傾きＣ’を算出することで、良好なオーバーレイ精度を得ることができる。
【００４３】
なお、基板マークが形成された基板を用いると説明したが、頻繁に傾きＣの算出を行う場合には、基板ステージ６上に予めスコープ１３計測用のマークを配置しておくことが望ましい。なお、インプリントヘッドの傾斜の概念を理解しやすいように、図２の２Ｂに示されるような干渉計１６がある構成について説明した。しかし、干渉計１６がない状態でも、まったく同様に扱うことができる。
【００４４】
以上、インプリントヘッドのＺ駆動におけるＸ方向の位置ずれ補正に関する説明を行った。Ｙ方向の補正に関しても同様である。また、スコープ１３を複数含ませて、型３と基板５上のショット領域との間の形状の相違や回転を補正する場合、それらは、複数のマークのＸ方向の位置ずれ・Ｙ方向の位置ずれから求まる量である。ショット領域の形状は、基板ステージ６の移動では補正できないため、図１に示されるパターン面の寸法を補正する補正機構１１を用いる。これを、図１０を用いて説明する。Ｘ方向の位置を計測するスコープ１３を２つ（第１スコープおよび第２スコープ）用意することで、ショット領域のＸ方向の倍率も計測することが可能である。この２つのスコープ１３の光軸２２の傾きが同じであれば、インプリントヘッドのＺ位置に依存したΔＸの誤差として現れる。しかし、状態１０Ａのように、２つのスコープ１３の傾きが異なる場合、補正機構１１で型３のパターン面の寸法を小さくすることで、はじめて２つのスコープ１３により型マークと基板マークが一致するように計測される。
【００４５】
しかし、この状態のままでインプリントヘッドをＺ駆動してインプリントすると、図１０（Ｂ）のように基板５上のショット領域よりも、小さいパターンをインプリントしてしまうことになる。そこで、各スコープ１３についてそれらの光軸の傾きを求め、全スコープ１３の傾きに基づいて、インプリント時のＸＹずれや回転、倍率（ショット領域の形状）なども求め、補正する。状態１０Ａの場合、２つのスコープ１３の光軸の傾きは異なっており、インプリントヘッドのＺ位置に応じて、倍率ずれが発生する。そこで、式４と同様にして、インプリントヘッドのＺ位置に応じて倍率を補正すればよい。すなわち、スコープ１３が２つの場合、２つのスコープ１３の光軸の傾きの平均値がＸのずれ量の傾きとなり、両者の傾きの差が倍率の傾きとなるのである。他の成分もまったく同様であり、スコープ１３の数を増やすことで、補正可能な型３の形状も増えることになる。例えば、型３の４隅にＸ方向、Ｙ方向それぞれの型マークを用意することで、Ｘ方向、Ｙ方向及び回転のずれ、さらに、ショット領域が平行四辺形や台形の形状を有している場合等へも対応可能となる。一般的には、Ｘ方向、Ｙ方向及び回転のずれは、基板ステージ６の移動により、形状のずれは、補正機構１１の駆動により補正する。しかし、Ｘ方向、Ｙ方向のずれや回転方向のずれも、補正機構１１を用いて型３の位置をずらしてもよいし、また、インプリントヘッド自体に、補正機構１１以外に、Ｘ方向やＹ方向、回転方向の駆動機構があれば、それで補正を行ってもよい。以下に、インプリント装置によるインプリント処理における各アライメント方式について述べる。
【００４６】
〔第１実施形態〕
第１実施形態として、スコープ１３を用いたグローバルアライメント方式の説明を行う。グローバルアライメント方式は、基板５上の複数のサンプルショット領域の位置を計測することで、基板５全体のショット領域の配列を算出し、このときの基準は、基板ステージ６の位置基準となる。そこで、基板ステージ６の位置計測には高精度が求められる。そのため、図２の２Ｂで示したような干渉計１５を用いて基板ステージ６の位置を計測するのが一般的である。また、グローバルアライメント方式によって、サンプルショット領域を計測後に、インプリントヘッドの位置がＸＹ方向にずれてしまうと、それによってオーバーレイが損なわれてしまう。そこで、干渉計１６によって、インプリントヘッドのＸＹ方向や回転方向の位置ずれを計測する方式が望ましい。干渉計１６によって計測されたインプリントヘッドの位置情報は、制御器９に送られ、制御器９は、基板ステージ６の位置を補正することで、より正確なオーバーレイを実現する。
【００４７】
基板ステージ６に基板５が搭載されると、スコープ１３によるグローバルアライメント計測により、基板５上のショット領域の配列が計測される。このとき、型３と基板５とは、数十ｕｍ程度の間隔を開けて非接触の状態で計測される。これを、サンプルショット領域に対して行う。この情報を基に、基板５上のショット領域の配列を算出する。次に、実際にインプリントを行う場合は、先のショット領域の配列の情報から、インプリント対象のショット領域１７の位置を算出し、対象のショット領域がインプリント位置へ来るように、基板ステージ６を移動させる。基板ステージ６が目標位置に達すると、インプリントヘッドがＺ方向に駆動し、型３をレジスト１８に押し付ける。このとき、レジスト１８は、インプリント直前に塗布する方法と、予め基板５全体に塗布しておく方法とがある。型３をレジスト１８に押し当てると、型３のパターンにレジスト１８が充填されるのを待ち、光を照射して、レジスト１８を硬化させる。この後、インプリントヘッドをＺ上方向へ駆動し、型３と基板５を引きはがす。この一連の動作を、基板５上の全ショット領域に対して行う。このとき、インプリントを行った状態が、図２の２Ｃに示されている。
【００４８】
通常、スコープ１３の光軸２２と、干渉計１６が計測する対象面２５との間には、図６の状態６Ａに示されるように、傾きの差がある。状態６Ａでは、便宜上、スコープ１３の光軸２２がＺ軸に対して平行であり、干渉計１６の計測対象面２５がＺ軸に対して傾いている様子を示している。この傾きがあると、正確なオーバーレイを妨げる要因となってしまう。そこで、両者の傾きの差を求め、補正する必要がある。グローバルアライメント方式においては、干渉計１６の計測値を補正する。このとき、図７のように、型３の表面が傾いたり、基板５表面が傾いたりしている場合に、型３と基板５の表面を平行にするため、インプリントヘッドの傾斜駆動を行う場合がある。この時に、干渉計１６の計測対象面２５も傾くことになるため、干渉計１６が誤差を持つことになる。そこで、このインプリントヘッドの傾斜量を含めて補正する必要がある。一般的なインプリント装置は、インプリントヘッドがＺ駆動を行う機構であるが、基板ステージ６がＺ駆動を行うことでインプリントを行う機構でもよい。通常、あるロットを装置で処理する場合、事前にロットを流して検査する工程がある。このため、ロットの事前検査時に、実際にインプリントを行い、そのときのオーバーレイ精度の検査結果の値を用いてインプリントヘッドの傾斜量を算出してもよい。すなわち、スコープ１３でマークを計測した時のずれ量とインプリントした時のずれ量との差と、インプリントヘッドのＺ方向の移動量とから、傾きＣを求めることができる。また、グローバルアライメント計測時に、ショット領域内の複数点を計測することで、ショット領域の歪みを求めて補正することもできる。複数のスコープ１３で複数のマークを計測する場合、インプリントヘッドのＺ駆動における、インプリント位置のずれのみでなく、インプリントされるパターンの形状の補正を行うことができる。図１０は、一例として、スコープ１３を２つ使用した場合の、インプリント時の倍率誤差が発生する様子を示している。この倍率誤差も、本発明によって、精度よく補正することが可能である。
【００４９】
傾きＣの取得は、装置調整時に行うものであるが、装置状態が変わってしまう可能性のある場合にも行うことが望ましい。つまり、ロットが変わった時に、型３や基板５上のマークの配置が変わると、スコープ１３の位置もそのマーク配置に合わせて変える必要がある。また、インプリントヘッドの位置を計測する干渉計１６の原点出しを行った場合に、スコープ１３の光軸２２と干渉計１６の計測対象面２５との間の傾きの関係が変わる可能性があるため、傾きＣを算出し直すのが望ましい。
【００５０】
〔第２実施形態〕
第１実施形態においては、グローバルアライメントを用いたインプリントについて述べた。本発明は、ダイバイダイアライメント方式を用いたインプリントに適用することが可能である。
【００５１】
ダイバイダイアライメント方式の場合は、図２のように、インプリントの直前に、スコープ１３によって、基板５上のショット領域と型３との間の位置合わせを行う方式が一般的である。スコープ１３により、型３のマークと基板５上のショット領域のマークとが一致するように基板ステージ６を移動させる。その状態で、インプリントを行えば、ショット領域上に型３のパターンを重ね合わせることが可能である。この場合、インプリントヘッドのメカ的な位置ずれは、スコープ１３によって計測可能であるため、グローバルアライメント方式のような干渉計１６は必須ではない。
【００５２】
図３のように、スコープ１３とインプリントヘッドのＺ駆動の方向がそれぞれ傾きを持っている場合、スコープ１３で位置合わせを行ってからインプリントを行っても、インプリントされたパターンは、基板５上のショット領域とずれてしまう。これが、正確なオーバーレイを妨げる要因となる。ショット領域内の形状を補正したい場合に、複数のスコープ１３を用意し、それぞれについて傾きを求める。干渉計１６は必須ではないが、もちろん、あった方が望ましい。その理由は、図３のようなインプリントヘッドのＺ駆動の方向は、メカニカルな要因で決まるため、ある程度変動する可能性があるためである。図２の２Ｂのような構成であれば、インプリントヘッドのＺ駆動の方向の影響は受けず、干渉計１６の計測対象面２５と、スコープ１３の光軸との関係で傾きＣが求まる。
【００５３】
ダイバイダイアライメント方式においては、基板５の周辺に位置する一部が欠けたショット領域においては、基板マークのうちのいくつかが使用できない可能性がある。その場合、スコープ１３を駆動して、別の基板マークを計測する必要がある。このとき、スコープ１３が駆動することによって、スコープ１３の光軸２２が変動してしまう可能性がある。そこで、傾きＣを取得し直すことが望ましい。なお、基板５の周辺のショット領域の欠け方は一様ではないため、場合によっては、ショット領域毎にスコープ１３を駆動する必要が生じる。そのたびに傾きＣを取得し直すと時間がかかるため、基板５の周辺のショット領域は、欠けていないショット領域のインプリントが終わった最後に行うなどの対応が必要である。その他については、グローバルアライメント方式と同等であるため、詳細は割愛する。
【００５４】
以上述べたように、本実施形態のインプリント装置は、グローバルアライメント方式やダイバイダイアライメント方式にかかわらず、より正確なオーバーレイを達成して、生産性向上に寄与するものである。
【００５５】
［物品の製造方法の実施形態］
物品としてのデバイス（半導体集積回路素子、液晶表示素子等）の製造方法は、上述したインプリント装置を用いて基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板）５にパターンを転写（形成）する工程を含む。さらに、該製造方法は、パターンを転写された基板５をエッチングする工程を含みうる。なお、パターンドメディア（記録媒体）や光学素子などの他の物品を製造する場合には、該製造方法は、エッチングの代わりに、パターンを転写された基板５を加工する他の処理を含みうる。本実施形態の物品製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも一つにおいて有利である。以上、本発明の実施の形態を説明してきたが、本発明はこれらの実施の形態に限定されず、その要旨の範囲内において様々な変形及び変更が可能である。
【図１】
0005864929.tif 000002
【図２】
0005864929.tif 000003
【図３】
0005864929.tif 000004
【図４】
0005864929.tif 000005
【図５】
0005864929.tif 000006
【図６】
0005864929.tif 000007
【図７】
0005864929.tif 000008
【図８】
0005864929.tif 000009
【図９】
0005864929.tif 000010
【図１０】
0005864929.tif 000011