(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理体の洗浄に用いられる洗浄槽と、前記洗浄槽を上方から覆うカバーと、前記カバーと前記洗浄槽の間に設けられて処理液を噴射する噴射ノズルとを備えた洗浄装置を用いて洗浄処理を行なう洗浄方法において、
前記カバーを開として、前記被処理体を前記洗浄槽内へ搬入する工程と、
前記カバーを閉として、前記被処理体が第１処理液で全部かくれる状態で第１洗浄処理を施す工程と、
前記噴射ノズルから前記第１処理液を前記洗浄槽内の第１処理液の液面に対して噴射し、前記第１処理液の液面から跳ね返る第１処理液のみにより前記カバーの裏面を洗浄する工程と、
を備えたことを特徴とする洗浄方法。
【請求項２】
前記噴射ノズルから第１処理液を噴射する際、前記洗浄槽内に設けられたノズルを介して第１処理液を吐出して前記洗浄槽内から第１処理液をオーバーフローさせることを特徴とする請求項１に記載の洗浄方法。
【請求項３】
前記カバーの裏面を洗浄した後、前記カバーを閉じたまま、前記洗浄槽内の前記第１処理液を第２処理液に入れ換えて、前記被処理体に対して前記第２処理液により第２洗浄処理を施す工程を更に備えたことを特徴とする請求項１または２に記載の洗浄方法。
【請求項４】
前記洗浄槽内へ搬送される前記被処理体に薬液としてＳＰＭが付着され、前記第１処理液は純水を含み、前記第２処理液はＳＣ１を含むことを特徴とする請求項３記載の洗浄方法。
【請求項５】
前記第１処理液の液面から跳ね返る前記第１処理液は４０℃〜８０℃の純水を含むことを特徴とする請求項４記載の洗浄方法。
【請求項６】
前記噴射ノズルは前記洗浄内の第１処理液の液面に対して前記第１処理液を噴射するとともに、前記カバーの裏面に対しても前記第１処理液を噴射することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか記載の洗浄方法。
【請求項７】
被処理体の洗浄に用いられる洗浄槽と、
前記洗浄槽を上方から覆うカバーと、
前記カバーと前記洗浄槽の間に設けられて処理液を噴射する噴射ノズルと、
前記洗浄槽と、前記カバーと、前記噴射ノズルを駆動制御する制御装置とを備え、
前記制御装置は、
前記カバーを開として、前記被処理体の前記洗浄槽内への搬入と、
前記カバーを閉として、前記被処理体が第１処理液で全部かくれる状態での第１洗浄処理と、
前記噴射ノズルから前記第１処理液を前記洗浄槽内に貯留された前記第１処理液の液面に対して噴射し、前記第１処理液の液面から跳ね返る第１処理液のみによる前記カバーの裏面に対する洗浄と、
を実行させることを特徴とする洗浄装置。
【請求項８】
前記制御装置は、前記噴射ノズルから第１処理液を噴射する際、前記洗浄槽内に設けられたノズルを介して前記第１処理液を吐出して前記洗浄槽内から前記第１処理液オーバーフローさせることを特徴とする請求項７に記載の洗浄装置。
【請求項９】
前記制御装置は、
前記カバーの裏面を洗浄した後、前記カバーを閉じたまま、前記洗浄槽内の前記第１処理液を第２処理液に入れ換えて、前記被処理体に対して前記第２処理液により第２洗浄処理を施すことを更に備えたことを特徴とする請求項７または８記載の洗浄装置。
【請求項１０】
前記洗浄槽内へ搬送される前記被処理体に薬液としてＳＰＭが付着され、前記第１処理液は純水を含み、前記第２処理液はＳＣ１を含むことを特徴とする請求項９記載の洗浄装置。
【請求項１１】
前記第１処理液の液面から跳ね返る前記第１処理液は４０℃〜８０℃の純水を含むことを特徴とする請求項１０記載の洗浄装置。
【請求項１２】
前記噴射ノズルは前記洗浄槽内の第１処理液の液面に対して前記第１処理液を噴射するとともに、前記カバーの裏面に対しても前記第１処理液を噴射することを特徴とする請求項７乃至１１のいずれか記載の洗浄装置。
【請求項１３】
コンピュータに洗浄方法を実行させるためのコンピュータプログラムを格納した記憶媒体において、
洗浄方法は、
被処理体の洗浄に用いられる洗浄槽と、前記洗浄槽を上方を覆うカバーと、前記カバーの裏面に設けられて処理液を噴射する噴射ノズルとを備えた洗浄装置を用いて洗浄処理を行なう洗浄方法において、
前記カバーを開として、前記被処理体を前記洗浄槽内へ搬入する工程と、
前記カバーを閉として、前記被処理体が第１処理液で全部かくれる状態で第１洗浄処理を施す工程と、
前記噴射ノズルから前記第１処理液を前記洗浄槽内の第１処理液に対して噴射し、前記第１処理液の液面から跳ね返る第１処理液のみにより前記カバーの裏面を洗浄する工程と、
を備えたことを特徴とする記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、洗浄用の処理液を貯留した洗浄槽内で被処理体を処理液に浸漬して洗浄する洗浄装置、洗浄方法およびコンピュータにより読み取り可能な記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、半導体デバイスの製造工程においては、半導体ウエハ（以下単にウエハと記す）に種々の工程によりトランジスタ等の素子を形成するが、その表面にパーティクル、有機汚染物、金属不純物等のコンタミネーションが存在すると素子の性能が劣化してしまうため、ウエハを洗浄してこれらを除去する必要がある。このようなウエハの洗浄処理としては、洗浄槽内に所定の処理液を貯留し、その中にウエハを浸漬させるものが多用されている。
【０００３】
このような洗浄槽を用いた洗浄処理には、各種の処理液を用いてバッチ式に洗浄するための多数の洗浄槽が配置された洗浄装置が用いられている。
【０００４】
ところで、洗浄槽上に、この洗浄槽を覆うカバーを設けて、洗浄処理中に洗浄槽内に異物が混入することを防止している。このようなカバーの裏面には、洗浄処理中に異物が付着することがある。
【０００５】
例えば、ウエハに前処理工程中の薬液が付着した状態でこのウエハが洗浄槽内に搬入される際、ウエハ上の薬液がカバーの裏面に付着してしまうことがある。この場合、洗浄槽内で処理液を用いて洗浄処理を施すと、カバーの裏面の薬液と洗浄槽内の処理液が反応し、洗浄槽内へ反応物がパーティクルとして落下し、ウエハ表面に残ることがある。
【特許文献１】特開２００７−７５７７号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、洗浄槽を覆うカバーを容易かつ簡単に洗浄することができる洗浄装置、洗浄方法および記憶媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、被処理体の洗浄に用いられる洗浄槽と、前記洗浄槽を上方から覆うカバーと、前記カバーと前記洗浄槽の間に設けられて処理液を噴射する噴射ノズルとを備えた洗浄装置を用いて洗浄処理を行なう洗浄方法において、前記カバーを開として、前記被処理体を前記洗浄槽内へ搬入する工程と、前記カバーを閉として、前記被処理体が第１処理液で全部かくれる状態で第１洗浄処理を施す工程と、前記噴射ノズルから前記第１処理液を前記洗浄槽内の第１処理液の液面に対して噴射し、前記第１処理液の液面から跳ね返る第１処理液のみにより前記カバーの裏面を洗浄する工程と、を備えたことを特徴とする洗浄方法である。
【０００８】
本発明は、被処理体の洗浄に用いられる洗浄槽と、前記洗浄槽を上方から覆うカバーと、前記カバーと前記洗浄槽の間に設けられて処理液を噴射する噴射ノズルと、前記洗浄槽と、前記カバーと、前記噴射ノズルを駆動制御する制御装置とを備え、前記制御装置は、前記カバーを開として、前記被処理体の前記洗浄槽内への搬入と、前記カバーを閉として、前記被処理体が前記第１処理液で全部かくれる状態での第１洗浄処理と、前記噴射ノズルから前記第１処理液を前記洗浄槽内に貯留された前記第１処理液の液面に対して噴射し、前記第１処理液の液面から跳ね返る第１処理液のみによる前記カバーの裏面に対する洗浄と、を実行させることを特徴とする洗浄装置である。
【０００９】
本発明は、コンピュータに洗浄方法を実行させるためのコンピュータプログラムを格納した記憶媒体において、洗浄方法は、被処理体の洗浄に用いられる洗浄槽と、前記洗浄槽を上方を覆うカバーと、前記カバーの裏面に設けられて処理液を噴射する噴射ノズルとを備えた洗浄装置を用いて洗浄処理を行なう洗浄方法において、前記カバーを開として、前記被処理体を前記洗浄槽内へ搬入する工程と、前記カバーを閉として、前記被処理体が第１処理液で全部かくれる状態で第１洗浄処理を施す工程と、前記噴射ノズルから前記第１処理液を前記洗浄槽内の第１処理液に対して噴射し、前記第１処理液の液面から跳ね返る第１処理液のみにより前記カバーの裏面を洗浄する工程と、を備えたことを特徴とする記憶媒体である。
【発明の効果】
【００１０】
以上のように本発明によれば、洗浄槽を覆うカバーの裏面を容易かつ確実に洗浄することができ、薬液同士が反応してパーティクルが発生することもない。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は本発明の実施の形態による洗浄装置を示す概略系統図。
【図２】図２は洗浄装置全体を示す断面図。
【図３】図３は図２にIII−III線断面図。
【図４】図４（ａ）〜（ｉ）は本発明の実施の形態による洗浄方法を示す図。
【図５】図５は本発明の洗浄方法の特徴を示す図。
【図６】図６（ａ）（ｂ）（ｃ）はカバー裏面における塩発生のメカニズムを示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態について、図１乃至図５により説明する。
【００１３】
図１は本発明の実施の形態による洗浄装置を示す概略系統図であり、図２は洗浄装置全体を示す断面図、図３は図２のIII−III線断面図、図４は本発明の実施の形態による洗浄方法を示す図、図５は本発明の実施の形態による洗浄方法の特徴を示す図である。
【００１４】
本実施の形態による洗浄装置は、図１乃至図３に示すように筐体１と、その中に設けられた洗浄槽２および外槽８とを有しており、洗浄槽２内に所定の処理液が貯留されるようになっている。そして、後述するように所定の供給源から洗浄槽２内に設けられたノズル３（図２，３参照）を介して、所定の処理液を洗浄槽２内に供給することによりその中にその処理液が貯留される。そしてその処理液中に複数のウエハＷを浸漬させ、洗浄槽２から処理液をオーバーフローさせた状態で洗浄処理が行われる。洗浄槽２からオーバーフローした処理液は、外槽８へ流れるようになっている。
【００１５】
洗浄槽２内においては、ウエハ保持部材４によって複数、例えば５０枚のウエハＷが保持される。ウエハ保持部材４は、ウエハＷを立てた状態で水平方向に保持するウエハ保持部５と、ウエハ保持部５の端部から洗浄槽２の内壁に沿って上方に延び、ウエハ保持部５を支持する支持部６とを有しており、図示しない駆動機構により支持部６を介してウエハ保持部５を上下動することにより内槽２に対するウエハＷの出し入れが可能となっている。ウエハ保持部材４に対するウエハＷの受け渡しは、適宜の搬送装置により行われる。また、ウエハ保持部５は、ウエハＷの下端近傍を保持する第１の保持棒５ａと、ウエハＷのその少し上方を保持する第２の保持棒５ｂとを有しており、第１および第２の保持棒５ａ、５ｂにはウエハＷを保持するための複数の溝が形成されている。
【００１６】
洗浄槽２の上方には、洗浄槽２を覆うカバー１０が開閉自在に設けられている。カバー１０は中央において分割片１０ａ，１０ｂに２分割されている。カバー１０は、カバー開閉機構２０によりシャフト２０ａ、２０ｂを介して分割片１０ａ，１０ｂを回動させることにより、開閉されるようになっている。
【００１７】
カバー１０は、処理液中に洗浄槽２内へパーティクル等が落下して、処理液中にパーティクル等が混入することを防止するものであり、洗浄槽２の液面を極力広い範囲で覆うことが好ましい。
【００１８】
上述のように、洗浄槽２の外側にはオーバーフローした処理液を受けるための外槽８が設けられている。洗浄槽２内のノズル３には、処理液を供給するための処理液供給配管４０が接続されている。処理液供給配管４０の他端側には、処理液供給機構４１が配置されている。処理液供給機構４１は、ＳＣ１を供給するＳＣ１供給源４２と、純水（ＤＩＷ）を供給するＤＩＷ供給源４３とを有しており、処理液供給配管４０には、これらからそれぞれ延びる配管４６，４７が、開閉バルブ５１，５２を介して接続されている。したがって、開閉バルブ５１，５２を操作することにより、処理液として、ＳＣ１、ＤＩＷを選択的に洗浄槽２に供給可能となっている。
【００１９】
処理液供給配管４０には、上流側から順にダンパ５８、ヒータ５９、フィルタ６０、開閉バルブ６１が設けられている。そして所定の処理液を洗浄槽２に向けて送給し、ヒータ５９によって処理液を所定の温度に加熱し、フィルタ６０によって処理液中の不純物を除去した後に洗浄槽２に処理液が供給される。
【００２０】
さらにまた図１に示すように、処理液供給配管４０には、開閉バルブ５４を有する配管４５の一端が接続され、この配管４５の他端に噴射ノズル２Ａが接続されている。
【００２１】
噴射ノズル２Ａは洗浄槽２の上方に設けられたカバー１０と洗浄槽２の間に配置され、処理液供給配管４０から供給される処理液を洗浄槽２内のウエハＷおよび処理液の液面に対して噴射するようになっている。この際、噴射ノズル２Ａから処理液の液面に噴射された処理液は、液面から跳ね返ってカバー１０の裏面に達し、液面から跳ね返る処理液によってカバー１０の裏面を洗浄することができる。
【００２２】
なお、噴射ノズル２Ａは上下方向に向って可動式となっていてもよく、この場合図示しない駆動機構によって噴射ノズル２Ａの噴射方向を連続的に上下方向に可変とすることができる。例えば、図５に示すように噴射ノズル２Ａを洗浄槽２の第１処理液Ｌ１側に向けて液面から跳ね返る第１処理液Ｌ１によってカバー１０の裏面を洗浄したり、噴射ノズル２Ａをカバー１０の裏面に向けて直接、第１処理液Ｌ１によりカバー１０の裏面を洗浄することができる。
【００２３】
一方、洗浄槽２の底部および外槽８の底部中央には、それぞれ処理液排出配管６２，６３が接続されており、これらにはそれぞれ開閉バルブ６４，６５が接続されている。そして、処理液を入れ替える際には、開閉バルブ６４，６５を開にして洗浄槽２および外槽１に貯留されている処理液を処理液排出配管６２，６３から排出し、その後開閉バルブ６４，６５を閉じて次の処理液を洗浄槽２内に供給する。
【００２４】
以上のような洗浄装置の各構成部、例えば各配管に設けられた開閉バルブや、ウエハＷの搬送機構等は、プロセスコントローラ７０を有する制御装置７０Ａに接続されて制御される。プロセスコントローラ７０には、工程管理者が洗浄装置を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、洗浄装置の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるユーザーインターフェース７１が接続されている。
【００２５】
また、プロセスコントローラ７０には、洗浄装置で実行される各種処理をプロセスコントローラ７０の制御にて実現するための制御プログラムや、処理条件に応じて各構成部に処理を実行させるためのプログラムすなわちレシピが格納された記憶媒体７２が接続されている。レシピを格納する記憶媒体７２はハードディスクや半導体メモリ等の記憶媒体からなっていてもよいし、ＣＤＲＯＭ、ＤＶＤ等の可搬性の記憶媒体からなっていてもよい。なお他の装置から、例えば専用回線を介してレシピをこれら記憶媒体７２に適宜伝送させるようにしてもよい。
【００２６】
そして、必要に応じて、ユーザーインターフェース７１からの指示等にて任意のレシピを記憶媒体７２から呼び出してプロセスコントローラ７０に実行させることで、プロセスコントローラ７０の制御下で、洗浄装置での所望の処理が行われる。
【００２７】
次に、以上のように構成される洗浄装置における洗浄方法について図４および図５により説明する。
【００２８】
本実施の形態においては、洗浄槽２における処理の前処理洗浄装置の洗浄槽１００内で、ウエハＷに対してＳＰＭ（Ｈ２ＳＯ４とＨ２Ｏ２を含む薬液）Ｌ０を用いた洗浄処理が施される（図４（ａ）参照）。この場合、洗浄槽１００上方には、分割片１１０ａ、１１０ｂからなるカバー１１０が設置され、このカバー１１０により洗浄槽１００内へ外方のパーティクルが混入しないようになっている。
【００２９】
次にカバー１１０が開となり、ウエハＷは洗浄槽１００から外方へ引抜かれ、その後ウエハＷは本発明による洗浄装置の洗浄槽２まで搬送装置（図示せず）により搬送される。この場合、洗浄槽２上方へ搬送されたウエハＷには前処理洗浄処理中のＳＰＭが付着していることがある。
【００３０】
この間洗浄槽２が空の状態から、開閉バルブ５２および６１を開き、ＤＩＷ供給源４３から処理液供給配管４０およびノズル３を介して洗浄槽２内に純水（ＤＩＷ）を供給し、洗浄槽２内を純水（ＤＩＷ）で満たす。そして、ウエハＷが浸漬されるまでの間は、カバー開閉機構２０によりカバー１０を閉じた状態としておく。この場合、洗浄槽２内へはヒータ５９により加熱され、温度が４０°〜８０°となるよう温度調整された高温のＤＩＷが供給される。このような高温のＤＩＷを第１処理液Ｌ１とよぶ。
【００３１】
次いで、カバー開閉機構２０により、カバー１０を開き、ウエハ保持部材４のウエハ保持部５を洗浄槽２の上方に位置させた状態で、図示しない搬送装置から複数、例えば５０枚のウエハＷをウエハ保持部５に受け渡し、図示しない駆動機構によりウエハ保持部材４を降下させ、ウエハＷを洗浄槽２内の第１処理液（高温のＤＩＷ）Ｌ１中に浸漬する（図４（ｂ）参照）。カバー開閉機構２０によりカバー１０を開く際には、図２に示すように、カバー開閉機構２０のロータリーアクチュエータからなる駆動機構によりシャフト２０ａ、２０ｂを回転させることにより、分割片１０ａ，１０ｂを回動させる。
【００３２】
そして、ウエハＷを洗浄槽２の第１処理液Ｌ１に浸漬した後、図４（ｃ）に示すように、カバー開閉機構２０により、カバー１０を閉じて液面をカバーで覆った状態する。このように洗浄槽２をカバー１０で覆った後、ノズル３から第１処理液Ｌ１を洗浄槽２内に供給し、第１処理液Ｌ１を洗浄槽２からオーバーフローさせつつ、または、所定時間第１処理液Ｌ１を洗浄槽２からオーバーフローさせた後にオーバーフローを止めて第１処理液Ｌ１による洗浄を行う（第１洗浄処理）。
【００３３】
なお、第１洗浄処理における洗浄槽２へのウエハＷの浸漬については、上記に限ることはなく、洗浄槽２内が空または第１処理液Ｌ１で満たされていない状態でウエハＷを搬送し、その後、カバー開閉機構２０により、カバー１０を閉じて洗浄槽２をカバーで覆った状態にして、洗浄槽２内のウエハＷが隠れるまで第１処理液Ｌ１を供給してウエハＷを浸漬してもよく、また、洗浄槽２内が空または第１処理液Ｌ１で満たされていない状態でウエハＷを搬送し、その後、洗浄槽２内のウエハＷが隠れるまで第１処理液Ｌ１を供給してウエハＷを浸漬して、そして、カバー開閉機構２０により、カバー１０を閉じて洗浄槽２をカバーで覆った状態にしてもよい。
【００３４】
次に、開閉バルブ５４が開となり、第１処理液Ｌ１（高温のＤＩＷ）が噴射ノズル２Ａ側へ供給され、この噴射ノズル２Ａから第１処理液Ｌ１が洗浄槽２内の第１処理液Ｌ１中に浸清されたウエハＷおよび第１処理液Ｌ１液面に対して噴射される。
【００３５】
このように噴射ノズル２Ａから第１処理液Ｌ１を噴射することにより、ウエハＷに対する洗浄処理を確実に行なうことができる。同時に噴射ノズル２Ａから噴射される第１処理液Ｌ１が液面から跳ね返ってカバー１０の裏面に達し、カバー１０の裏面を洗浄する。
【００３６】
次に図４（ｃ）、図５および図６（ａ）（ｂ）（ｃ）により、噴射ノズル２Ａから第１処理液Ｌ１を噴射する際の作用およびカバー１０の裏面における塩の発生のメカニズムについて述べる。
【００３７】
上述のように、洗浄槽２内へ搬入されるウエハＷには、洗浄槽２における処理の前処理洗浄処理中のＳＰＭが付着して残留している。この場合、ウエハＷに付着したＳＰＭは洗浄槽２内の第１処理液Ｌ１中に混入し、第１処理液Ｌ１と反応して第１処理液Ｌ１が蒸発する。このとき、蒸発した第１処理液Ｌ１に含まれるＳＰＭのうちとりわけＨ２ＳＯ４成分Ｐ１がカバー１０の裏面に付着する（図５参照）。
【００３８】
そして、カバー１０の裏面に付着したＨ２ＳＯ４成分Ｐ１が、後述のように洗浄槽２内でＮＨ４ＯＨとＨ２Ｏ２を含むＳＣ１（第２処理液）を用いてウエハＷに対して洗浄処理を施した場合、第２処理液Ｌ２中のＮＨ４ＯＨ成分Ｐ２が蒸発してカバー１０の裏面に付着し、Ｈ２ＳＯ４成分Ｐ１とＮＨ４ＯＨ成分Ｐ２とがカバー１０の裏面において反応して塩Ｐを生成することが考えられる。この場合、カバー１０の裏面で生成した塩Ｐは、その後カバー１０から落下してウエハＷ表面にパーティクルとして付着してしまうことがある。
【００３９】
これに対して本実施の形態によれば、噴射ノズル２Ａから噴射した第１処理液Ｌ１が洗浄槽２内の第１処理液Ｌ１の液面から跳ね返り、この跳ね返った第１処理液Ｌ１によりカバー１０の裏面を洗浄することができる。このためカバー１０裏面にＨ２ＳＯ４成分Ｐ１が付着していてもこのＨ２ＳＯ４成分Ｐ１を確実に第１処理液Ｌ１により洗浄することができる。このためその後洗浄槽２内で第２処理液（ＳＣ１）を用いてウエハＷに対して洗浄処理を施しても、カバー１０の裏面においてＨ２ＳＯ４成分Ｐ１とＳＣ１のＮＨ４ＯＨ成分Ｐ２とが反応して塩Ｐを発生させることはない。このため塩ＰがウエハＷ上にパーティクルとして残留することはない。
【００４０】
なお、噴射ノズル２Ａから噴射した第１処理液Ｌ１が洗浄槽２内の第１処理液Ｌ１の液面から跳ね返った第１処理液Ｌ１の温度は４０℃〜８０℃が好ましく、カバー１０の裏面のＨ２ＳＯ４成分Ｐ１を効果的に洗浄することができる。上述では洗浄槽２内に供給される第１処理液Ｌ１と噴射ノズル２Ａから噴射した第１処理液Ｌ１の温度は同じ温度としたが、これに限ることはなく、洗浄槽２内に供給される第１処理液Ｌ１と噴射ノズル２Ａから噴射した第１処理液Ｌ１の温度が異なる温度であってもよく、第１処理液Ｌ１の液面から跳ね返った第１処理液Ｌ１の温度が４０℃〜８０℃であれば確実に洗浄することができる。また、噴射ノズル２Ａから洗浄槽２内の第１処理液Ｌ１の液面に対して噴射している間、洗浄槽２内に設けられたノズル３から第１処理液Ｌ１を連続的または断続的に吐出して第１処理液Ｌ１を洗浄槽２からオーバーフローさせてカバー１０に付着していたＨ２ＳＯ４成分Ｐ１を外槽８へ流れるようにしてもよく、これに限らず、噴射ノズル２Ａから洗浄槽２内の第１処理液Ｌ１の液面への噴射と浄槽２内に設けられたノズル３からの第１処理液Ｌ１の吐出（洗浄槽２から第１処理液Ｌ１をオーバーフローさせる）を交互に行なうようにしてもよい。
【００４１】
次に図４（ｄ）に示すように、開閉バルブ６１を閉じ、ノズル３からの第１処理液Ｌ１の供給を停止する。次に開閉バルブ６４および６５を開き、処理液排出配管６２および６３を介して洗浄槽２および外槽８から第１処理液Ｌ１を排出する。他方開閉バルブ５４は開いたまま、ノズル２Ａから第１処理液Ｌ１をウエハＷに噴射させ、露出したウエハＷが乾かないように抑制しつつ、第１処理液Ｌ１によるウエハＷの表面の洗浄処理を行う。
【００４２】
次に図４（ｅ）に示すように、開閉バルブ６４、６５を閉じ、開閉バルブ５１および開閉バルブ６１を開き、ＳＣ１供給源４２から処理液供給配管４０およびノズル３を介して洗浄槽２内に、ＮＨ４ＯＨとＨ２Ｏ２を含むＳＣ１（第２処理液）Ｌ２を供給し、洗浄槽２から第２処理液Ｌ２をオーバーフローさせながら、または、所定時間第２処理液Ｌ2を洗浄槽２からオーバーフローさせた後にオーバーフローを止めてウエハＷに対して第２処理液Ｌ２を用いた洗浄処理を施す（第２洗浄処理）。
【００４３】
この場合、洗浄槽２は上方に設置されたカバー１０により覆われており、洗浄槽２内の第２処理液Ｌ２中のＮＨ４ＯＨ成分Ｐ２が蒸発してカバー１０の裏面に達することも考えられる。
【００４４】
しかしながら、本実施の形態によれば、前工程において噴射ノズル２Ａから第１処理液Ｌ１を洗浄槽２内の第１処理液Ｌ１へ噴射し、洗浄槽２内の第１処理液Ｌ１の液面から跳ね返る第１処理液Ｌ１によりカバー１０の裏面を洗浄することにより、カバー１０の裏面に残留するＨ２ＳＯ４成分Ｐ１を洗浄して除去している（図４（ｃ）参照）。このため、洗浄槽２内の第２処理液Ｌ２中のＮＨ４ＯＨ成分Ｐ２が蒸発してカバー１０の裏面に達しても、カバー１０の裏面においてＨ２ＳＯ４成分Ｐ１とＮＨ４ＯＨ成分Ｐ２とが反応して塩Ｐを生成することはなく、生成した塩ＰからウエハＷ上にパーティクルとして付着することもない。
【００４５】
次に図４（ｆ）に示すように、開閉バルブ５２および開閉バルブ６１を開き、ＤＩＷ供給源４３から処理液供給配管４０およびノズル３を介して洗浄槽２内に、ＤＩＷを供給する。この場合、洗浄槽２へは加熱されない低温（室温程度）のＤＩＷが供給される。このような低温のＤＩＷを第３処理液Ｌ３とよぶ。
【００４６】
このように洗浄槽２内へ低温のＤＩＷ（第３処理液）Ｌ３を供給し、洗浄槽２から処理液をオーバーフローさせながら第２処理液Ｌ２を第３処理液Ｌ３に置換し、その後、ウエハＷに対して第３処理液Ｌ３を用いた洗浄処理を施す（第３洗浄処理）。
【００４７】
なお、第３処理液Ｌ３を用いた洗浄処理においては、洗浄処理の間、第３処理液Ｌ３を供給してオーバーフローさせてもよく、また、第２処理液Ｌ２から第３処理液Ｌ３への置換が完了したらオーバーフローを止めてもよい。
【００４８】
図４（ｆ）において、カバー１０は引き続いて洗浄槽２上を覆っている。
【００４９】
次に図４（ｇ）に示すように、開閉バルブ６４、６５を開とし、洗浄槽２および外槽８から第３処理液Ｌ３を排出する。同時に開閉バルブ６１を閉とし、開閉バルブ５４を開として、噴射ノズル２Ａから第３処理液Ｌ３をウエハＷに対して噴射し、ウエハＷを第３処理液Ｌ３により洗浄する。洗浄後の第３処理液Ｌ３は洗浄槽２から排出される。
【００５０】
次に図４（ｈ）に示すように、開閉バルブ５４を閉とし、開閉バルブ６１を開として、ノズル３から洗浄槽２内へ第３処理液Ｌ３を供給し、洗浄槽２から第３処理液Ｌ３をオーバーフローさせながら、ウエハＷに対して第３処理液Ｌ３を用いた洗浄処理（第３洗浄処理）を繰り返す。
【００５１】
図４（ｇ）（ｈ）に示す工程中において、洗浄槽２はカバー１０により覆われている。
【００５２】
次に図４（ｉ）に示すように、カバー１０が開き、洗浄槽２内のウエハＷは開放されたカバー１０を介して外方へ搬送され、後工程においてウエハＷに対する乾燥工程が施される。
【００５３】
以上のように本実施の形態によれば、図４（ｃ）に示す工程において、噴射ノズル２Ａから第１処理液Ｌ１を洗浄槽２内の第１処理液Ｌ１へ噴射し、洗浄槽２内の第１処理液Ｌ１の液面から跳ね返る第１処理液Ｌ１によりカバー１０の裏面を洗浄することができるので、カバー１０の裏面にＨ２ＳＯ４成分Ｐ１が残留していても、このＨ２ＳＯ４成分Ｐ１を確実に洗浄して除去することができる。このため、図４（ｅ）に示す工程において、洗浄槽２内の第２処理液Ｌ２中のＮＨ４ＯＨ成分Ｐ２が蒸発してカバー１０の裏面に達しても、カバー１０の裏面においてＨ２ＳＯ４成分Ｐ１とＮＨ４ＯＨ成分Ｐ２とが反応して塩Ｐを生成することはなく、生成した塩ＰからウエハＷ上にパーティクルとして付着することもない。
【００５４】
また図４（ｃ）に示す工程において、噴射ノズル２Ａから第１処理液Ｌ１をウエハＷに噴射してウエハＷを確実に洗浄することができ、同時に噴射ノズル２Ａから噴射する第１処理液Ｌ１が洗浄槽２内の第１処理液Ｌ１の液面から跳ね返ってカバー１０の裏面を洗浄することができる。
【００５５】
なお、本実施例においては、洗浄槽２と外槽８が一体に設けられていたが、外槽８が一体に設けられていなくともよい。例えば、洗浄槽２からオーバーフローした処理液を下方で受け止めるような形態でもよい。特に上述に限ることはない。
【符号の説明】
【００５６】
１  筐体
２  洗浄槽
２Ａ  噴射ノズル
３  ノズル
４  ウエハ保持機構
５  ウエハ保持部
８  外槽
１０  カバー
１０ａ、１０ｂ  分割片
２０  カバー開閉機構
２０ａ、２０ｂ  シャフト
４０  処理液供給配管
４１  処理液供給機構
６２，６３  処理液排出配管
７０  プロセスコントローラ
７０Ａ  制御装置
７２  記憶媒体
Ｗ  半導体ウエハ
Ｌ０  薬液
Ｌ１  第１処理液
Ｌ２  第２処理液
Ｌ３  第３処理液
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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