(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理装置であって、
内部に基板が配置されるチャンバと、
前記チャンバ内にガスを噴出するガス噴出部と、
前記ガスの供給部と前記ガス噴出部とを接続するガス流路と、
前記ガス流路における前記ガスの流量を調整する流量調整部と、
前記ガス流路において前記ガス噴出部の近傍に設けられ、前記ガス流路を流れる前記ガスを最終目標温度の設定値に合わせて加熱する最終加熱部と、
前記ガス流路において前記最終加熱部と前記供給部との間に設けられ、前記ガス流路を流れる前記ガスを、前記最終目標温度よりも低い中間目標温度の設定値に合わせて加熱する中間加熱部と、
前記チャンバ内の基板に対する処理において、前記ガス噴出部から噴出されるガスの種類、前記ガスの流量および前記最終目標温度であるパラメータ群の少なくとも１つの設定が変更される場合に、変更後の前記パラメータ群の設定に基づいて前記中間目標温度の設定値を変更する制御部と、
を備え、
前記最終加熱部および前記中間加熱部を含む複数の加熱部が前記ガス流路において直列に設けられ、
前記複数の加熱部のうちの隣接する２つの加熱部の間に、有機溶剤の蒸気を発生させる蒸気発生部が設けられ、
前記供給部からのガスが、前記蒸気を前記チャンバへと運ぶキャリアガスであり、
前記複数の加熱部において、前記ガス流路上にて前記チャンバに近いほど目標温度の設定値が高くなり、
前記有機溶剤の沸点が、前記隣接する２つの加熱部における設定値の間であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記制御部が、前記パラメータ群の設定の複数の組合せと、前記中間目標温度の複数の設定値とをそれぞれ関連付けた参照テーブルを参照することにより、前記中間目標温度の設定値を変更することを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の基板処理装置であって、
前記チャンバ内の基板に対する処理中に前記パラメータ群の少なくとも１つの設定が変更される際に、前記制御部が、前記処理の内容を示すレシピ情報から得られる変更後の前記パラメータ群の設定に基づいて前記中間目標温度の設定値を変更することを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を処理する基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ガスの供給部とチャンバ内のガス噴出部とを接続するガス流路に加熱部を設けることにより、加熱したガスをチャンバ内に噴出して、基板の乾燥等の処理を行う基板処理装置が用いられている（例えば、特許文献１および２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−３６７９５２号公報
【特許文献２】特開２００９−４６９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、高温に加熱したガスをチャンバ内に噴出する際に、複数の加熱部をガス流路において直列に設けることが考えられるが、このような基板処理装置において、比熱が異なる他の種類のガスを噴出したり、ガスの流量を変更する場合等には、ガス噴出部から噴出されるガスを所望の最終目標温度に加熱することができなくなることがある。
【０００５】
本発明は上記課題に鑑みなされたものであり、最終加熱部において最終目標温度の設定値へのガスの加熱をより確実に行うことを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１に記載の発明は、基板処理装置であって、内部に基板が配置されるチャンバと、前記チャンバ内にガスを噴出するガス噴出部と、前記ガスの供給部と前記ガス噴出部とを接続するガス流路と、前記ガス流路における前記ガスの流量を調整する流量調整部と、前記ガス流路において前記ガス噴出部の近傍に設けられ、前記ガス流路を流れる前記ガスを最終目標温度の設定値に合わせて加熱する最終加熱部と、前記ガス流路において前記最終加熱部と前記供給部との間に設けられ、前記ガス流路を流れる前記ガスを、前記最終目標温度よりも低い中間目標温度の設定値に合わせて加熱する中間加熱部と、前記チャンバ内の基板に対する処理において、前記ガス噴出部から噴出されるガスの種類、前記ガスの流量および前記最終目標温度であるパラメータ群の少なくとも１つの設定が変更される場合に、変更後の前記パラメータ群の設定に基づいて前記中間目標温度の設定値を変更する制御部とを備え、前記最終加熱部および前記中間加熱部を含む複数の加熱部が前記ガス流路において直列に設けられ、前記複数の加熱部のうちの隣接する２つの加熱部の間に、有機溶剤の蒸気を発生させる蒸気発生部が設けられ、前記供給部からのガスが、前記蒸気を前記チャンバへと運ぶキャリアガスであり、前記複数の加熱部において、前記ガス流路上にて前記チャンバに近いほど目標温度の設定値が高くなり、前記有機溶剤の沸点が、前記隣接する２つの加熱部における設定値の間である。
【０００７】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の基板処理装置であって、前記制御部が、前記パラメータ群の設定の複数の組合せと、前記中間目標温度の複数の設定値とをそれぞれ関連付けた参照テーブルを参照することにより、前記中間目標温度の設定値を変更する。
【０００８】
請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載の基板処理装置であって、前記チャンバ内の基板に対する処理中に前記パラメータ群の少なくとも１つの設定が変更される際に、前記制御部が、前記処理の内容を示すレシピ情報から得られる変更後の前記パラメータ群の設定に基づいて前記中間目標温度の設定値を変更する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、変更後のパラメータ群の設定に基づいて中間目標温度の設定値を変更することにより、最終加熱部において最終目標温度の設定値へのガスの加熱をより確実に行うことができる。また、ガス流路における蒸気の凝縮を抑制することができる。
【００１１】
請求項２の発明では、中間目標温度の設定値を容易に変更することができる。請求項３の発明では、処理中にパラメータ群の設定が変更される場合であっても、最終加熱部において最終目標温度の設定値へのガスの加熱をより確実に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】基板処理装置の構成を示す図である。
【図２】基板を処理する動作の流れを示す図である。
【図３】比較例の基板処理装置のガス流路の各位置におけるガスの温度を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
図１は、本発明の一の実施の形態に係る基板処理装置１の構成を示す図である。基板処理装置１は、基板処理装置１の各構成要素を制御する制御部１０と、内部にて円板状のシリコン基板９（以下、単に「基板９」という。）の処理が行われるチャンバ２とを備え、チャンバ２の上部には開閉可能なカバー２１が設けられる。チャンバ２の内部には、所定の処理液を貯溜する処理槽３と、チャンバ２内にて基板９を昇降する昇降部４とが設けられる。処理槽３内には処理液を供給する複数の処理液ノズル３１と、処理槽３の排出口に取り付けられた排出バルブ３２とが設けられる。処理液ノズル３１は処理液供給部に接続され、排出バルブ３２は排出管を介して排液処理部に接続される。
【００１４】
昇降部４は、図１の紙面に垂直な方向（以下、「前後方向」ともいう。）に長い複数の爪部４１と、複数の爪部４１の端部が固定されるとともに爪部４１の固定位置から上方に伸びる板状の支持本体４２と、支持本体４２を図１の上下方向に移動する昇降機構（図示省略）とを有する。昇降部４では、複数の爪部４１により、互いに平行に並んだ直立状態の複数の基板９（すなわち、前後方向に並んだ複数の基板９）が下方から支持され、昇降機構により、複数の基板９は処理槽３内の液処理位置（図１中にて二点鎖線にて示す位置）と、処理槽３の上方のガス処理位置（図１中にて実線にて示す位置）との間で移動する。
【００１５】
チャンバ２の内部には、ガス処理位置における複数の基板９に向けてガスを噴出する複数の（図１では２つの）ガス噴出部５１がさらに設けられる。各ガス噴出部５１では、複数の噴出口が前後方向に配列されており、複数の基板９に対しておよそ均一にガスを噴出することが可能である。各ガス噴出部５１は、ガス流路であるガス供給管５２を介して窒素ガス供給部５３に接続される。詳細には、ガス供給管５２は、ガス噴出部５１近傍の分岐点５２０において分岐した２つの供給管５２１（以下、「分岐供給管５２１」という。）を有し、各分岐供給管５２１の先端がガス噴出部５１に接続される。また、ガス供給管５２は、分岐点５２０と窒素ガス供給部５３との間を接続する供給管５２２（以下、「主供給管５２２」という。）をさらに有する。
【００１６】
各分岐供給管５２１には、ガス供給管５２を流れるガスをガス噴出部５１の直前にて加熱する加熱部６３（例えば、電熱線を有するヒータ。以下同様。）が設けられる。また、窒素ガス供給部５３と分岐点５２０との間の主供給管５２２には、２つの加熱部６１，６２が設けられ、各加熱部６１，６２においても、ガス供給管５２を流れるガスが加熱される。１つのガス噴出部５１のみに着目すると、当該ガス噴出部５１と窒素ガス供給部５３とを接続するガス流路には複数の加熱部６１〜６３が直列に設けられる。
【００１７】
各加熱部６１〜６３は、加熱部本体６１１，６２１，６３１と、加熱部本体６１１，６２１，６３１の下流側（ガス噴出部５１側）においてガスの温度を測定するガス温度測定部６１２，６２２，６３２と、加熱部本体６１１，６２１，６３１の表面温度を測定する表面温度測定部６１３，６２３，６３３とを有する。各加熱部６１〜６３は、加熱制御用の個別の制御部を有し、ガス温度測定部６１２，６２２，６３２の測定値と、当該加熱部６１〜６３に対して指定された目標温度の設定値との偏差に基づいて加熱部本体６１１，６２１，６３１のフィードバック制御（好ましくは、ＰＩＤ制御）が行われる。これにより、各加熱部６１〜６３では、目標温度の設定値に合わせてガスが加熱される。なお、表面温度測定部６１３，６２３，６３３では、加熱部６１〜６３の暴走等の異常が検知される。
【００１８】
以下の説明では、ガス噴出部５１の近傍に設けられる加熱部６３を最終加熱部６３とも呼び、最終加熱部６３と窒素ガス供給部５３との間に設けられる加熱部６１，６２をそれぞれ第１中間加熱部６１および第２中間加熱部６２とも呼ぶ。また、最終加熱部６３における目標温度を最終目標温度と呼び、中間加熱部６１，６２における目標温度を中間目標温度と呼ぶ。後述するように、複数の加熱部６１〜６３では、チャンバ２に近いほど目標温度の設定値は高いため、第２中間加熱部６２における中間目標温度の設定値は最終目標温度の設定値よりも低く、第１中間加熱部６１における中間目標温度の設定値は第２中間加熱部６２における中間目標温度の設定値よりも低い。
【００１９】
主供給管５２２において、２つの中間加熱部６１，６２の間にはバルブ５４１が設けられる。また、ガス供給管５２は２つの補助供給管５２３，５２４をさらに有する。主供給管５２２において第２中間加熱部６２とバルブ５４１との間の位置には、一方の補助供給管５２３の一端が接続され、バルブ５４１と第１中間加熱部６１との間の位置には、他方の補助供給管５２４の一端が接続される。２つの補助供給管５２３，５２４の他端は、有機溶剤の蒸気を発生させる蒸気発生部７１に接続される。このように、隣接する２つの中間加熱部６１，６２の間に蒸気発生部７１が設けられる。蒸気発生部７１は、有機溶剤（液体）を貯溜する貯溜槽７１１と、貯溜槽７１１内の有機溶剤を加熱する溶剤加熱部７１２とを有する。本実施の形態では、有機溶剤としてＩＰＡ（イソプロピルアルコール）が用いられる。蒸気発生部７１は、ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）、エタノール、メタノール等の他の有機溶剤の蒸気を発生するものであってもよい。
【００２０】
補助供給管５２４にはバルブ５４２が設けられ、バルブ５４２を閉塞し、バルブ５４１を開放することにより、主供給管５２２および分岐供給管５２１を介して窒素ガス供給部５３からガス噴出部５１に窒素ガス（Ｎ２）が供給される。また、バルブ５４２を開放し、バルブ５４１を閉塞することにより、蒸気発生部７１内に窒素ガスが導かれ、ＩＰＡの蒸気が窒素ガスと共に、補助供給管５２３、主供給管５２２および分岐供給管５２１を介してガス噴出部５１に供給される。ＩＰＡの蒸気をガス噴出部５１に供給する際には、窒素ガス供給部５３からの窒素ガスは、蒸気発生部７１内の蒸気をチャンバ２へと運ぶキャリアガスとしての役割を果たす。この場合、蒸気発生部７１がガスの供給部と捉えられてもよい。実際には、バルブ５４１，５４２では開度（開放率）の微調整が可能であり、バルブ５４１，５４２は、ガス流路におけるガスの流量を調整する流量調整部としての役割を果たす。また、ガス供給管５２には、ガスの流量を測定する流量計（図示省略）も設けられる。もちろん、バルブ５４１，５４２とは個別に、流量調整部としてのバルブが設けられてもよい。
【００２１】
制御部１０では、チャンバ２内の基板９に対する処理において、ガス噴出部５１から噴出されるガスの種類、当該ガスの流量および最終目標温度をパラメータ群として、パラメータ群の設定の複数の組合せと、中間目標温度の複数の設定値とをそれぞれ関連付けた参照テーブル１０１が予め準備される。そして、実際のパラメータ群の設定を用いて参照テーブル１０１を参照することにより、中間目標温度の設定値が指定される。なお、パラメータ群に他の項目が含まれてもよい。また、参照テーブル１０１の生成については後述する。
【００２２】
次に、基板処理装置１において基板９を処理する動作について図２を参照して説明する。本動作例では、基板処理装置１において基板９の乾燥が行われる。基板処理装置１では、基板９に対する複数種類の処理の内容を示す複数のレシピ情報が予め準備されており、操作者が入力部を介して入力を行うことにより、１つのレシピ情報（以下、「選択レシピ情報」という。）が選択される（ステップＳ１１）。続いて、チャンバ２のカバー２１が開放され、外部の搬送機構により、処理対象の複数の基板９がチャンバ２内に搬入されて、処理槽３の上部近傍に位置する複数の爪部４１上に載置される（ステップＳ１２）。なお、爪部４１上に受け渡された基板９の位置はガス処理位置と一致し、ガス処理位置は基板９の受渡位置でもある。基板９の搬入後、チャンバ２のカバー２１は閉塞される。
【００２３】
このとき、チャンバ２の内部は、最終加熱部６３にておよそ１５０℃に加熱された窒素ガスが、ガス噴出部５１から緩やかに噴出されている状態である。具体的には、窒素ガスが、例えば毎分１０リットルの流量にてガス噴出部５１から噴出されるように、バルブ５４２を閉塞した状態でバルブ５４１の開度が調整される。また、最終加熱部６３における最終目標温度は１５０℃に設定されている。さらに、パラメータ群（すなわち、噴出されるガスの種類、当該ガスの流量および最終目標温度）の設定に基づいて、中間目標温度の設定値が設定されており、第１中間加熱部６１における中間目標温度の設定値は４０℃であり、第２中間加熱部６２における中間目標温度の設定値は８０℃である。以下の説明では、ガス噴出部５１から噴出されるガスの種類が窒素ガスであり、当該ガスの流量が毎分１０リットルであり、最終目標温度が１５０℃であるパラメータ群の設定を待機設定と呼ぶ。
【００２４】
処理槽３には、純水が処理液として貯溜されており、昇降部４により複数の基板９が下降して処理液内の液処理位置に配置される（ステップＳ１３）。すなわち、複数の基板９の全体が処理液中に浸漬され、基板９が濡れた状態が維持される。制御部１０では、選択レシピ情報に基づいてパラメータ群の設定が変更され、当該設定に合わせて各構成が制御される。具体的には、バルブ５４１が閉塞されるとともに、バルブ５４２の開度がガス流量の設定値に合わせて調整されることにより、ＩＰＡの蒸気（キャリアガスとしての窒素ガスを含む。）が、例えば毎分１００リットルの流量にてガス噴出部５１から噴出される（ステップＳ１４）。なお、最終加熱部６３における最終目標温度の設定値は１５０℃のままである。また、変更後のパラメータ群の設定を用いて参照テーブル１０１を参照することにより、中間目標温度の設定値が変更される（ステップＳ１５）。ここでは、第１中間加熱部６１における中間目標温度の設定値は５０℃に変更され、第２中間加熱部６２における中間目標温度の設定値は１００℃に変更される。これにより、チャンバ２内では、最終加熱部６３にておよそ１５０℃に加熱されたＩＰＡの蒸気が、ガス噴出部５１から勢いよく噴出される。なお、各加熱部６１〜６３の加熱制御における時定数等のパラメータは、原則として変更されない。
【００２５】
ＩＰＡの蒸気の噴出開始から所定時間経過してチャンバ２内にＩＰＡの蒸気が充満すると、昇降部４により複数の基板９が上昇して処理液外のガス処理位置に配置される（ステップＳ１６）。これにより、基板９の表面にてＩＰＡの蒸気が凝縮し、当該表面に付着した純水がＩＰＡにて置換される。処理槽３内の処理液は排出バルブ３２を介して排出される。
【００２６】
続いて、選択レシピ情報に基づいてパラメータ群の設定が変更され、変更後の設定に合わせて各構成が制御される。具体的には、バルブ５４２が閉塞されるとともに、バルブ５４１の開度が調整される。これにより、ＩＰＡの蒸気の噴出が停止されるとともに、窒素ガスが、例えば毎分１５０リットルの流量にてガス噴出部５１から噴出される（ステップＳ１７）。このとき、最終加熱部６３における最終目標温度の設定値は１５０℃のままである。また、変更後のパラメータ群の設定を用いて参照テーブル１０１を参照することにより、中間目標温度の設定値が変更される（ステップＳ１８）。ここでは、第１中間加熱部６１における中間目標温度の設定値は６０℃に変更され、第２中間加熱部６２における中間目標温度の設定値は１２０℃に変更される。これにより、チャンバ２内では、最終加熱部６３にておよそ１５０℃に加熱された窒素ガスが、ガス噴出部５１から勢いよく噴出される。また、基板処理装置１では、チャンバ２に接続された減圧機構（図示省略）によりチャンバ２内が減圧される。その結果、基板９の表面に付着したＩＰＡがより確実に除去される。
【００２７】
窒素ガスの噴出およびチャンバ２内の減圧が所定時間継続されると、減圧機構の駆動が停止される。また、パラメータ群が待機設定に戻される。すなわち、窒素ガスが毎分１０リットルの流量にてガス噴出部５１から噴出される（ステップＳ１９）。なお、最終加熱部６３における最終目標温度の設定値は１５０℃のままである。さらに、変更後のパラメータ群の設定を用いて参照テーブル１０１を参照することにより、中間目標温度の設定値が変更される（ステップＳ２０）。ここでは、第１中間加熱部６１における中間目標温度の設定値は４０℃に変更され、第２中間加熱部６２における中間目標温度の設定値は８０℃に変更される。これにより、チャンバ２内では、最終加熱部６３にておよそ１５０℃に加熱された窒素ガスが、ガス噴出部５１から緩やかに噴出される。
【００２８】
チャンバ２内が大気圧に戻った後、カバー２１が開放され、処理対象の複数の基板９が、外部の搬送機構により、チャンバ２から搬出される（ステップＳ２１）。これにより、基板処理装置１における処理が完了する。上記処理例では、最終目標温度を一定に維持しつつ、ガス噴出部５１から噴出されるガスの種類、および、当該ガスの流量のみが変更されるが、選択されるレシピ情報によっては、最終目標温度が単独で、または、他のパラメータと共に変更される。
【００２９】
次に、参照テーブル１０１の生成作業について説明する。参照テーブル１０１の生成では、基板処理装置１において利用され得るパラメータ群の複数の組合せ（例えば、上記複数のレシピ情報が示すパラメータ群の全ての組合せ）のそれぞれに対して、各中間加熱部６１，６２における中間目標温度の好ましい設定値が求められる。具体的には、パラメータ群の各組合せにおける、ガス噴出部５１から噴出されるガスの種類α、当該ガスの流量の設定値β、および、最終目標温度の設定値γが特定され、種類αのガスが流量βにてガス流路内を流れる場合に、最終加熱部６３においてγ［℃］への加熱を実現するために必要となる、最終加熱部６３への流入ガスの温度範囲が、最終加熱部６３の昇温能力（ガスの比熱および流量を考慮し、かつ、ある程度の余裕を見込んた昇温能力（加熱能力））に基づいて求められる。そして、第２中間加熱部６２の中間目標温度の設定値Ｔ２が、当該温度範囲の中央値（あるいは、最終加熱部６３と第２中間加熱部６２との間における温度降下を考慮して、当該中央値よりも僅かに高い値）として決定される。
【００３０】
続いて、種類αのガスが流量βにてガス流路内を流れる場合に、第２中間加熱部６２においてＴ２℃への加熱を実現するために必要となる、第２中間加熱部６２への流入ガスの温度範囲が、第２中間加熱部６２の昇温能力に基づいて求められる。そして、第１中間加熱部６１の中間目標温度の設定値Ｔ１が、当該温度範囲の中央値として決定される。以上の作業により、パラメータ群の設定の複数の組合せと、各中間加熱部６１，６２の中間目標温度の複数の設定値とをそれぞれ関連付けた参照テーブル１０１が生成されて準備される。
【００３１】
基板処理装置１では、第１中間加熱部６１への流入ガスの温度はおよそ常温であるため、第１中間加熱部６１の昇温能力を考慮して、常温から設定値Ｔ１への種類αのガスの加熱が困難である場合には、パラメータ群の当該組合せに対して、中間目標温度の設定値Ｔ１，Ｔ２と共に、警告情報が関連付けられる。基板９の処理において操作者が１つのレシピ情報を選択した場合に、当該レシピ情報が示す処理におけるパラメータ群の組合せが警告情報に関連付けられている時には、表示部にその旨が表示される等して、操作者に通知される。
【００３２】
また、ガスの種類がＩＰＡの蒸気である場合には、第２中間加熱部６２の中間目標温度の設定値Ｔ２は、最終加熱部６３への流入ガスの上記温度範囲内においてＩＰＡの沸点よりも高い温度として決定され、第１中間加熱部６２の中間目標温度の設定値Ｔ１は、第２中間加熱部６２への流入ガスの上記温度範囲内においてＩＰＡの沸点よりも低い温度として決定される。なお、基板処理装置１では、パラメータ群および中間目標温度の設定を操作者の入力により手動で変更することも可能であり、参照テーブル１０１は、基板処理装置１において実際に実験を行うなどして生成されてもよい。
【００３３】
ここで、パラメータ群の設定にかかわらず、各中間加熱部６１，６２における中間目標温度の設定値が一定である比較例の基板処理装置について述べる。比較例の基板処理装置の構造は、図１の基板処理装置１と同様であり、以下の説明において同符号を付す。図３は、比較例の基板処理装置において窒素ガス供給部５３からガス噴出部５１に至るガス流路の各位置におけるガスの温度を示す図である。図３の縦軸はガスの温度を示し、横軸はガス流路の位置を示す。図３では、符号Ｐ０により窒素ガス供給部５３の位置を示し、符号Ｐ１１，Ｐ１２により第１中間加熱部６１の入口および出口の位置を示し、符号Ｐ２１，Ｐ２２により第２中間加熱部６２の入口および出口の位置を示し、符号Ｐ３１，Ｐ３２により最終加熱部６３の入口および出口の位置を示し、符号Ｐ４によりガス噴出部５１の位置を示す。
【００３４】
以下の説明では、ガス噴出部５１から噴出されるガスの種類が窒素ガス、最終目標温度がγ［℃］にて一定であり、ガスの流量が毎分１０リットル、毎分１００リットル、毎分５００リットルに順次変更される場合を想定する。また、ガスの流量が毎分１００リットルである時に、図３中にて符号Ｌ１を付す線にて示すように、最終加熱部６３にて最終目標温度であるγ［℃］へのガスの加熱が可能となる中間目標温度の設定値が予め設定されており、比較例の基板処理装置では、既述のように中間目標温度の設定値が常時一定である。
【００３５】
比較例の基板処理装置では、ガスの流量が毎分１０リットルである時には中間加熱部６１，６２においてガスが過度に加熱されてしまい、図３中にて符号Ｌ２を付す線にて示すように、最終加熱部６３の出口Ｐ３２におけるガスの温度が最終目標温度のγ［℃］を大幅に上回ってしまう（すなわち、オーバヒートしてしまう。）。したがって、各加熱部６１〜６３では、表面温度測定部６１３，６２３，６３３により異常が発生していると検知される場合がある。また、ガスの流量が毎分５００リットルである時には中間加熱部６１，６２におけるガスの加熱が不足してしまい、図３中にて符号Ｌ３を付す線にて示すように、最終加熱部６３の出口Ｐ３２におけるガスの温度が最終目標温度のγ［℃］を大幅に下回ってしまう。このように、中間目標温度の設定値が常時一定である比較例の基板処理装置では、最終加熱部６３において最終目標温度の設定値へのガスの加熱を安定して行うことが困難となる。実際には、基板処理装置１における上記動作例のように、ガスの流量のみならず、ガスの種類が変更されたり、基板９に対する処理によっては、最終目標温度も変更される。
【００３６】
これに対し、基板処理装置１では、チャンバ２内の基板９に対する処理において、ガス噴出部５１から噴出されるガスの種類、当該ガスの流量および最終目標温度であるパラメータ群の少なくとも１つの設定が変更される場合に、変更後のパラメータ群の設定に基づいて中間目標温度の設定値が変更される。これにより、最終加熱部６３において最終目標温度の設定値へのガスの加熱をより確実に行うことができる。
【００３７】
また、制御部１０では、パラメータ群の設定の複数の組合せと、中間目標温度の複数の設定値とをそれぞれ関連付けた参照テーブル１０１を参照することにより、中間目標温度の設定値を容易に変更することができる。さらに、チャンバ２内の基板９に対する処理中にパラメータ群の少なくとも１つの設定が変更される際に、当該処理の内容を示すレシピ情報から得られる変更後のパラメータ群の設定に基づいて、制御部１０により中間目標温度の設定値が自動的に変更される。これにより、処理中にパラメータ群の設定が変更される場合であっても、最終加熱部６３において最終目標温度の設定値へのガスの加熱をより確実に行うことができる。
【００３８】
基板処理装置１では、複数の加熱部６１〜６３において、ガス流路上にてチャンバ２に近いほど目標温度の設定値が高くなり、かつ、蒸気発生部７１にて蒸気となる有機溶剤の沸点が、蒸気発生部７１の両側に隣接する２つの加熱部６１，６２における設定値の間となるように、目標温度の設定値が決定される。これにより、有機溶剤の蒸気はガス噴出部５１に向かって徐々に高温となるため、飽和した有機溶剤蒸気の温度が低下する場合に生じるガス流路における蒸気の凝縮を抑制することができる。
【００３９】
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、様々な変形が可能である。
【００４０】
チャンバ２内の基板９に対する処理において、最終目標温度が一定である際には、ガス噴出部５１から噴出されるガスの種類および当該ガスの流量である特定パラメータ群の少なくとも１つの設定が変更される場合に、変更後の特定パラメータ群の設定に基づいて中間目標温度の設定値が変更される。これにより、最終加熱部６３において最終目標温度の設定値へのガスの加熱をより確実に行うことができる。この場合も、特定パラメータ群の設定の複数の組合せと、中間目標温度の複数の設定値とをそれぞれ関連付けた参照テーブルが準備されることが好ましい。
【００４１】
また、中間目標温度の設定値の変更は、参照テーブル１０１を用いることなく行われてもよい。例えば、ガスの種類が一定である場合に、各中間加熱部６１，６２に対して、最終目標温度およびガスの流量をパラメータとする関数が予め定められ、変更後の最終目標温度の設定値およびガスの流量の設定値を当該関数に入力することにより、中間目標温度の設定値が求められてもよい。
【００４２】
蒸気発生部７１は、第２中間加熱部６２と最終加熱部６３との間に設けられてもよい。この場合も、蒸気発生部７１における有機溶剤の沸点が、第２中間加熱部６２における目標温度の設定値と最終加熱部６３における目標温度の設定値との間であることが好ましく、これにより、ガス流路における蒸気の凝縮を抑制することができる。
【００４３】
上記実施の形態では、１つのガス噴出部５１のみに着目した場合における、当該ガス噴出部５１とガスの供給部との間のガス流路に３個の加熱部が設けられるが、当該ガス流路に２個または４個以上の加熱部が設けられてもよい。
【００４４】
ガス噴出部５１では、窒素ガスおよびＩＰＡの蒸気以外のガスが噴出されてよい。例えば、ガス供給管５２のガス噴出部５１とは反対側の端部に複数の分岐路を設け、複数の分岐路を複数のガス供給部にそれぞれ接続することにより、ガス噴出部５１から複数種類のガスの噴出が可能となる。また、基板処理装置１では、基板９の乾燥以外に、基板９の表面状態の改質等の他の処理が行われてもよい。
【００４５】
基板処理装置１において処理される基板９は、シリコン基板に限定されず、ガラス基板等の他の種類の基板であってよい。
【００４６】
上記実施の形態および各変形例における構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わされてよい。
【符号の説明】
【００４７】
１    基板処理装置
２    チャンバ
９    基板
１０    制御部
５１    ガス噴出部
５２    ガス供給管
５３    窒素ガス供給部
６１，６２    中間加熱部
６３    最終加熱部
７１    蒸気発生部
１０１    参照テーブル
５４１，５４２  バルブ
【図１】
0005844633.tif 000002
【図２】
0005844633.tif 000003
【図３】
0005844633.tif 000004