(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のバンプ電極が表面から突出して配設されたデバイスが分割予定ラインによって区画されて複数形成された半導体ウェーハを前記分割予定ラインに沿って分割する分割方法であって、
前記分割予定ラインに沿って半導体ウェーハの表面から分割の起点となる分割起点溝を形成する分割起点溝形成工程と、
少なくとも半導体ウェーハと同等の外径を有し、半導体ウェーハの表面と当接した際に半導体ウェーハのバンプ電極に対応する位置にバンプ電極が埋没する溝が表面に形成された支持基板を準備する支持基板準備工程と、
前記分割起点溝形成工程及び前記支持基板準備工程の後に、前記支持基板の溝に半導体ウェーハのバンプ電極を埋没させて前記支持基板の表面と半導体ウェーハの表面とを当接させた状態で、前記支持基板側を分割予定ラインの両側で支持する一対の支持刃を有する保持手段に載置するウェーハ載置工程と、
前記ウェーハ載置工程の後に、前記支持刃に支持された半導体ウェーハを上側から前記分割予定ラインに沿って押圧する押圧刃により半導体ウェーハを前記分割起点溝を起点として前記分割予定ラインに沿って分割する分割工程と、
を含むことを特徴とする分割方法。
【請求項２】
前記分割起点溝形成工程では、半導体ウェーハに吸収性を有する波長のレーザー光線を表面側から半導体ウェーハ表面に集光して照射して分割の起点となる溝を形成する請求項１記載の分割方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、分割予定ラインに沿ってウェーハを各チップに分割する分割方法に関し、特に、表面に電極などの突起物を備えるウェーハを分割する分割方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表面にデバイスの形成されたウェーハは、例えば、分割予定ラインに沿って分割の起点となる溝（分割起点溝）を形成された後に曲げ応力を加えられ、分割起点溝において各チップに分割される。この分割処理には、分割起点溝の形成された分割予定ラインを挟むようにウェーハを支持する一対の支持刃と、分割予定ラインに沿ってウェーハに下向きの押圧力を加える押圧刃とを備えるブレーキング装置を用いるのが一般的である（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
上述のブレーキング装置は、ウェーハの表面に形成されるデバイスパターンや分割起点溝などを撮像するための撮像手段を下方に備えている。ウェーハは、ブレーキング装置において表面を下向きに載置され、撮像された画像に基づいて支持刃及び押圧刃を位置付けられる。支持刃に下側の面（表面）を支持された状態で、上方の押圧刃により下向きに曲げ応力を加えられることで、ウェーハは分割起点溝に沿って分割される。
【０００４】
近年、ウェーハの状態でパッケージ化まで行うＷＬ−ＣＳＰ（Wafer  Level  Chip  Size  Package）が注目されている。ＷＬ−ＣＳＰにおいては、デバイスの形成されたウェーハは樹脂封止され、各デバイスに対応するように半田ボールなどのバンプ電極が設けられる。ＷＬ−ＣＳＰは、分割されたチップの大きさがそのまま集積回路パッケージの大きさになるので、小型化に有利である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−１４８９８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、上述のブレーキング装置を用いてＷＬ−ＣＳＰのウェーハを分割させるには、表面のバンプ電極や分割起点溝などを撮像して支持刃及び押圧刃を位置合わせできるように、ウェーハの表面を下向きに配置する必要がある。この場合、支持刃とバンプ電極とが接触してしまうので、ウェーハに対して適切な曲げ応力を加えられずに分割予定ラインで分割できない恐れがある。
【０００７】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、表面に突起物を備えるウェーハを希望する位置で分割可能な分割方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の分割方法は、複数のバンプ電極が表面から突出して配設されたデバイスが分割予定ラインによって区画されて複数形成された半導体ウェーハを前記分割予定ラインに沿って分割する分割方法であって、前記分割予定ラインに沿って半導体ウェーハの表面から分割の起点となる分割起点溝を形成する分割起点溝形成工程と、少なくとも半導体ウェーハと同等の外径を有し、半導体ウェーハの表面と当接した際に半導体ウェーハのバンプ電極に対応する位置にバンプ電極が埋没する溝が表面に形成された支持基板を準備する支持基板準備工程と、前記分割起点溝形成工程及び前記支持基板準備工程の後に、前記支持基板の溝に半導体ウェーハのバンプ電極を埋没させて前記支持基板の表面と半導体ウェーハの表面とを当接させた状態で、前記支持基板側を分割予定ラインの両側で支持する一対の支持刃を有する保持手段に載置するウェーハ載置工程と、前記ウェーハ載置工程の後に、前記支持刃に支持された半導体ウェーハを上側から前記分割予定ラインに沿って押圧する押圧刃により半導体ウェーハを前記分割起点溝を起点として前記分割予定ラインに沿って分割する分割工程と、を含むことを特徴とする。
【０００９】
この構成によれば、バンプ電極の埋没される溝が形成された支持基板で半導体ウェーハを支持させるので、分割の際にバンプ電極と支持刃との接触を防ぐことができ、半導体ウェーハに対して適切な曲げ応力を加えることができる。よって、表面に突起物を備えるウェーハを希望する位置で分割することができる。
【００１０】
本発明の分割方法において、前記分割起点溝形成工程では、半導体ウェーハに吸収性を有する波長のレーザー光線を表面側から半導体ウェーハ表面に集光して照射して分割の起点となる溝を形成することが好ましい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、表面に突起物を備えるウェーハを希望する位置で分割可能な分割方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本実施の形態の分割方法で用いられるウェーハの構成を示す斜視図である。
【図２】本実施の形態の分割起点溝形成工程においてウェーハの表面にレーザー光が照射される様子を示す断面模式図である。
【図３】本実施の形態の支持基板準備工程において支持基板に溝が形成される様子を示す模式図である。
【図４】本実施の形態のウェーハ載置工程において支持基板の表面とウェーハの表面とを当接させた状態を示す断面模式図である。
【図５】本実施の形態のウェーハ載置工程においてウェーハ及び支持基板を載置された状態のブレーキング装置を示す平面模式図である。
【図６】本実施の形態のウェーハ載置工程においてウェーハ及び支持基板を載置された状態のブレーキング装置を示す断面模式図である。
【図７】本実施の形態の分割工程において撮像手段でウェーハの表面側を撮像して位置合わせを行う様子を示す断面模式図である。
【図８】本実施の形態の分割工程においてウェーハが押圧刃で押圧されて分割される様子を示す断面模式図である。
【図９】本実施の形態の分割方法を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。本実施の形態に係る分割方法は、ウェーハ（半導体ウェーハ）に分割の起点となる分割起点溝を形成する分割起点溝形成工程、支持基板を準備する支持基板準備工程、ウェーハを支持基板に支持させてブレーキング装置に載置するウェーハ載置工程、及び分割起点溝に沿ってウェーハを分割させる分割工程を含む。
【００１４】
分割起点溝形成工程では、バンプ電極の設けられたウェーハの表面にレーザービーム（レーザー光線）を照射させて分割起点溝を形成する。支持基板準備工程では、バンプ電極に対応する位置にバンプ電極の収容される収容溝（溝）を備える支持基板を準備する。ウェーハ載置工程では、バンプ電極を収容溝に埋没させるようにウェーハを支持基板に支持させてブレーキング装置に載置する。分割工程では、ブレーキング装置でウェーハに曲げ応力を加え、分割起点溝を起点にウェーハを分割する。
【００１５】
本実施の形態に係る分割方法では、バンプ電極が埋没されるように収容される収容溝を備える支持基板でウェーハを支持させるので、ウェーハの載置された状態でブレーキング装置にバンプ電極が接触することはない。このため、ウェーハに適切な曲げ応力を加えることが可能になり、分割起点溝に沿ってウェーハを分割させることができる。以下、本実施の形態に係る分割方法の詳細について説明する。
【００１６】
はじめに、本実施の形態に係る分割方法の対象となるウェーハについて、図１を参照して説明する。図１は、本実施の形態の分割方法で用いられるウェーハＷの構成を示す斜視図である。なお、図１では、貼着テープＴを介して円環状のフレームＦに支持されたウェーハＷを示しているが、フレームＦ及び貼着テープＴに替わる別の構成でウェーハＷを支持させるようにしても良い。
【００１７】
ウェーハＷは、略円板状の外形形状を有しており、格子状に配置された複数のストリート（分割予定ライン）ＳＴで複数の領域に区画されている。区画された各領域にはデバイス（不図示）が設けられている。ウェーハＷの表面Ｗ１側には、デバイスの各電極と接続される複数のバンプ電極Ｂが設けられている。バンプ電極Ｂは、例えば、半田ボールで構成されており、略円形の平面形状を有している。
【００１８】
ウェーハＷは、裏面Ｗ２（図１において不図示、図２等参照）側を貼着テープＴに貼着されており、貼着テープＴを介して円環状のフレームＦに支持されている。なお、本実施の形態では、シリコン、ガリウム砒素（GaAs）、シリコンカーバイド（SiC）などの半導体材料でなるウェーハを用いるが、サファイア基板などでなるウェーハを分割対象としても良い。
【００１９】
図２を参照して分割起点溝形成工程について説明する。図２は、分割起点溝形成工程においてウェーハＷの表面にレーザービームＬが照射される様子を示す断面模式図である。分割起点溝形成工程において、ウェーハＷはレーザー加工装置１からレーザービームＬを照射されて分割の起点となる分割起点溝Ｄ１を形成される。レーザー加工装置１は、ポーラスセラミック材による吸着面を有するチャックテーブル１１と、チャックテーブル１１の上方のレーザー照射ユニット１２とを備えている。
【００２０】
チャックテーブル１１の下方には、Ｘ軸移動機構及びＹ軸移動機構（いずれも不図示）が設けられており、チャックテーブル１１はレーザー照射ユニット１２に対して相対移動される。Ｘ軸移動機構は、加工送り方向となるＸ軸方向にチャックテーブル１１を移動させ、Ｙ軸移動機構は、割出送り方向となるＹ軸方向にチャックテーブル１１を移動させる。また、チャックテーブル１１の下方には、回転機構（不図示）が設けられており、チャックテーブル１１はＺ軸回りに回転される。このチャックテーブル１１にウェーハＷを保持させることで、ウェーハＷのストリートＳＴとレーザー照射ユニット１２との相対位置を変化させてウェーハＷを加工できる。
【００２１】
レーザー照射ユニット１２は、レーザー発振器及び集光器（いずれも不図示）を備えている。レーザー発振器は、例えば、ＹＡＧ結晶などのレーザー媒質を含んで構成されており、ウェーハＷに吸収される波長のレーザービームＬをパルス発振させる。集光器は、レンズやミラーなどの光学部品で構成されており、レーザー発振器から発振されるレーザービームＬをウェーハＷの表面Ｗ１の加工領域に集光させる。このレーザー照射ユニット１２により、アブレーション加工に必要な光強度のレーザービームＬをウェーハＷに照射できる。
【００２２】
図２に示すように、分割起点溝形成工程では、まず、貼着テープＴを介してウェーハＷの裏面Ｗ２側をチャックテーブル１１に吸着させ、ストリートＳＴにレーザー照射ユニット１２を位置合わせする。位置合わせは、Ｘ軸移動機構、Ｙ軸移動機構、及び回転機構で行う。位置合わせ後には、レーザー照射ユニット１２からウェーハＷの表面Ｗ１側にレーザービームＬを照射させ、Ｘ軸移動機構でチャックテーブル１１を加工送りさせる。これにより、ウェーハＷの表面Ｗ１側の一部はアブレーション加工され、ストリートＳＴに沿った分割起点溝Ｄ１が形成される。位置合わせと加工送りとを繰り返し行うことで、全てのストリートに対応する分割起点溝Ｄ１が形成される。全ての分割起点溝Ｄ１が形成されると、分割起点溝形成工程は終了する。
【００２３】
次に、図３を参照して支持基板準備工程について説明する。図３は、支持基板準備工程において支持基板ＳＵに収容溝Ｄ２が形成される様子を示す模式図である。支持基板準備工程では、分割工程においてウェーハＷを支持させるための略円板状の支持基板ＳＵを用意する。支持基板ＳＵは、ウェーハＷの全体を支持できるようにウェーハＷより大面積に構成されている。つまり、支持基板ＳＵは、少なくともウェーハＷと同等の外径を有している。
【００２４】
また、支持基板ＳＵは、５００ＭＰａ〜４５００ＭＰａの曲げ弾性率を有する樹脂材料で構成されている。例えば、支持基板ＳＵは、ＰＥＴで構成されている。曲げ弾性率が５００ＭＰａより低い材料では、支持基板ＳＵが柔らかくなり過ぎてウェーハＷを適切に支持できなくなる。また、曲げ弾性率が４５００ＭＰａより高い材料では、支持基板ＳＵは硬くなり過ぎて押圧力を加えても適切に変形されず、希望する位置でウェーハＷを分割できなくなる。そこで、本実施の形態では、ウェーハＷを適切に支持、分割できるように、５００ＭＰａ〜４５００ＭＰａの曲げ弾性率を有するＰＥＴを支持基板ＳＵに用いる。
【００２５】
支持基板ＳＵに用いられるＰＥＴは可視光を透過させるので、分割工程の位置合わせに用いるウェーハＷの表面Ｗ１の画像を、ウェーハＷの表面Ｗ１に支持基板ＳＵを重ねた状態でも取得できる。このように、支持基板ＳＵにＰＥＴを用いれば、ウェーハＷの表面Ｗ１の画像を取得するために赤外線カメラなどの特殊なカメラを用いる必要がないので、ウェーハＷの分割に係るコストを抑制できる。
【００２６】
支持基板ＳＵは、ウェーハＷの表面Ｗ１に当接される表面ＳＵ１側に、互いに略平行な複数の収容溝Ｄ２を備えている。この収容溝Ｄ２は、後のウェーハ載置工程及び分割工程においてウェーハＷのバンプ電極Ｂを収容できるように、ウェーハＷを重ねられた状態でバンプ電極Ｂに対応する位置に形成される。また、収容溝Ｄ２は、バンプ電極Ｂを収容できる程度の幅及び深さで形成される。具体的には、収容溝Ｄ２は、バンプ電極Ｂの径より僅かに幅広に形成され、バンプ電極Ｂの高さより僅かに深く形成される。収容溝Ｄ２の形成は、切削装置２で行われる。
【００２７】
収容溝Ｄ２の形成に用いられる切削装置２は、支持基板ＳＵの表面ＳＵ１を切削する切削ブレード２１を備えている。切削ブレード２１は、円筒状のスピンドル（不図示）を介してモータ（不図示）と連結されており、所定の速度で回転される。切削ブレード２１の下方には、ポーラスセラミック材による吸着面を有するチャックテーブル（不図示）が設けられている。支持基板ＳＵは、このチャックテーブルに裏面ＳＵ２（図３において不図示、図４参照）を吸着されて保持される。チャックテーブルの下方には、Ｘ軸移動機構、Ｙ軸移動機構、及び回転機構（いずれも不図示）が設けられており、チャックテーブルに保持される支持基板ＳＵと切削ブレード２１との位置関係を変化させることができる。
【００２８】
収容溝Ｄ２の形成工程では、まず、支持基板ＳＵの裏面ＳＵ２側を切削装置２のチャックテーブルに吸着させ、切削溝Ｄ２の加工予定位置に切削ブレード２１を位置合わせする。この位置合わせは、上述のＸ軸移動機構、Ｙ軸移動機構、及び回転機構で行う。位置合わせ後には、高速回転された切削ブレード２１を支持基板ＳＵの表面ＳＵ１に位置付けてチャックテーブルを加工送りさせる。これにより、切削ブレード２１はＸ軸方向に相対移動されて収容溝Ｄ２が形成される。位置合わせと加工送りとを繰り返し行うことで、全てのバンプ電極Ｂに対応する全ての収容溝Ｄ２が形成される。全ての収容溝Ｄ２が形成されると、収容溝Ｄ２の形成工程は終了する。
【００２９】
次に、図４〜図６を参照してウェーハ載置工程について説明する。図４は、ウェーハ載置工程において支持基板ＳＵの表面ＳＵ１とウェーハＷの表面Ｗ１とを当接させた状態を示す断面模式図である。図５及び図６は、ウェーハＷ及び支持基板ＳＵを載置された状態のブレーキング装置３を示す平面模式図及び断面模式図であり、図６は、図５の矢視断面を模式的に示している。図４〜図６に示すように、ウェーハ載置工程では、収容溝Ｄ２にバンプ電極Ｂを埋没させるように支持基板ＳＵの表面ＳＵ１とウェーハＷの表面Ｗ１とを当接させてブレーキング装置３に載置する。
【００３０】
図５及び図６に示すように、ブレーキング装置３は、上面が略平坦な基台３１を有しており、基台３１上には、Ｘ軸方向に平行な一対のガイドレール３２（３２ａ，３２ｂ）が設けられている。基台３１及びガイドレール３２上には移動テーブル３３が配置されており、この移動テーブル３３は、Ｘ軸移動機構（不図示）によりガイドレール３２に沿ってＸ軸方向に移動される。
【００３１】
移動テーブル３３の中央には略円筒状の開口部３３ａが形成されている。開口部３３ａにはフレームＦの載置される環状のターンテーブル３４が設けられており、回転機構（不図示）によって回転軸Ａの周りに回転される。この回転軸Ａは、開口部３３ａの中央においてＺ軸方向に設けられている。ターンテーブル３４の上面には、フレームＦを固定するための複数のクランプ３５（３５ａ〜３５ｄ）が設けられている。
【００３２】
基台３１は、ターンテーブル３４の下方に撮像手段３６を備えており、撮像手段３６の両側には、ウェーハＷ及び支持基板ＳＵの載置される一対の支持刃３７（３７ａ，３７ｂ）が、互いに略平行にＹ軸方向に延在されている。撮像手段３６は、平面視において開口部３３ａの中央付近に設けられており、一対の支持刃３７ａ，３７ｂに載置されるウェーハＷ及び支持基板ＳＵを、一対の支持刃３７ａ，３７ｂの隙間から撮像する。この撮像手段３６は、可視光に感度を有するＣＣＤやＣＭＯＳなどの撮像素子を備えている。また、支持刃３７は、分割対象のウェーハＷの径よりＹ軸方向に長くなるように構成されている。この支持刃３７と、ターンテーブル３４及びクランプ３５とで、ウェーハＷ及び支持基板ＳＵを保持する保持手段が構成されている。
【００３３】
支持刃３７の上方には、支持刃３７に載置されるウェーハＷ及び支持基板ＳＵを上方から押圧する押圧刃３８が設けられている。押圧刃３８は、平面視において支持刃３７ａと支持刃３７ｂとの間に位置付けられており、押圧機構（不図示）で上下動される。押圧刃３８も支持刃３７と同様に、分割対象のウェーハＷの径よりＹ軸方向に長くなるように構成されている。
【００３４】
ウェーハ載置工程では、まず、図４に示すように、ウェーハＷの表面Ｗ１が上方を向いた状態で、表面Ｗ１に表面ＳＵ１を当接させるようにウェーハＷに支持基板ＳＵを重ねる。支持基板ＳＵの収容溝Ｄ２はバンプ電極Ｂを収容できる幅及び深さで形成されているので、ウェーハＷと支持基板ＳＵとを重ねると、バンプ電極Ｂは収容溝Ｄ２に埋没された状態になる。各収容溝Ｄ２には、複数のバンプ電極Ｂが一列に配列されるように収容される。次に、この状態を保ったままウェーハＷ及び支持基板ＳＵの上下を反転させて、図５及び図６に示すように、ブレーキング装置３の保持手段にウェーハＷ及び支持基板ＳＵを保持させる。すなわち、撮像手段３６でウェーハＷの表面Ｗ１を撮像できるように、表面Ｗ１を下方に向けた状態で支持刃３７に載置させる。
【００３５】
ウェーハＷと支持刃３７との間には支持基板ＳＵが配置されるので、ウェーハＷの表面を下方に向けて支持刃３７上に載置させても、バンプ電極Ｂは支持刃３７と接触しない。その結果、後述の分割工程において、ウェーハＷに適切な曲げ応力を加えることが可能になり、分割起点溝Ｄ１に沿ってウェーハＷを分割させることができる。ウェーハＷを支持するフレームＦは、ターンテーブル３４上に載置されて複数のクランプ３５で固定される。上述のようにウェーハＷ及び支持基板ＳＵがブレーキング装置３に載置されると、ウェーハ載置工程は終了する。
【００３６】
次に、図７及び図８を参照して分割工程について説明する。図７は、分割工程において撮像手段３６でウェーハＷの表面Ｗ１側を撮像して位置合わせを行う様子を示す断面模式図である。図８は、分割工程においてウェーハＷが押圧刃３８で押圧されて分割される様子を示す断面模式図である。
【００３７】
分割工程では、まず、上述のウェーハ載置工程において支持刃３７上に載置されたウェーハＷの表面Ｗ１を撮像手段３６で撮像する。支持基板ＳＵは、可視光を透過するＰＥＴで構成されているので、ウェーハＷの表面Ｗ１で反射又は散乱された可視光は、支持基板ＳＵを透過して撮像手段３６に入射される。このため、可視光に感度を有する撮像手段３６でウェーハＷの表面Ｗ１を撮像できる。ウェーハＷの表面Ｗ１には、バンプ電極Ｂ及び分割起点溝Ｄ１が設けられているので、撮像手段３６によりバンプ電極Ｂ及び分割起点溝Ｄ１を含むウェーハＷの表面Ｗ１の画像が撮像される。
【００３８】
その後、撮像手段３６で撮像された撮像画像に基づいて、分割起点溝Ｄ１を支持刃３７ａと支持刃３７ｂとの間に位置付ける。すなわち、図７に示すように、分割起点溝Ｄ１を押圧刃３８の直下に位置付ける。ウェーハＷは、Ｘ軸方向に移動可能な移動テーブル３３上において、Ｚ軸方向に延びる回転軸Ａの周りに回転可能なターンテーブル３４に保持されている。また、支持刃３７及び押圧刃３８は基台３１に固定されている。このため、移動テーブル３３をガイドレール３２に沿ってＸ軸方向に移動させ、ターンテーブル３４を回転軸Ａの周りに回転させれば、支持刃３７及び押圧刃３８と分割起点溝Ｄ１とを位置合わせできる。
【００３９】
具体的には、支持刃３７及び押圧刃３８の延在方向と分割起点溝Ｄ１の延在方向とが略平行になるようにターンテーブル３４を回転させた後、押圧刃３８の直下に分割起点溝Ｄ１を位置付けるように移動テーブル３３を移動させる。支持基板ＳＵは、支持刃３７上に載置されているだけなので、ウェーハＷを回転、移動させると、支持基板ＳＵもウェーハＷと共に支持刃３７の上を滑るように回転、移動される。
【００４０】
上述の位置合わせ後には、図８に示すように、押圧刃３８を降下させてウェーハＷを上方から押圧させる。ウェーハＷは、支持刃３７によって分割起点溝Ｄ１の両側を下方から支持されているので、押圧刃３８でウェーハＷを上方から押圧させると分割起点溝Ｄ１の近傍において下向きの曲げ応力が加えられる。ウェーハＷは、支持基板ＳＵを介して支持刃３７に支持されているので、バンプ電極Ｂと支持刃３７とが直接に接触することはない。このため、押圧刃３８でウェーハＷを上方から押圧させることで、ウェーハＷに適切な曲げ応力を加えて分割起点溝Ｄ１で分割できる。また、支持基板ＳＵは比較的軟らかいＰＥＴで構成されているので、分割工程において支持基板ＳＵとバンプ電極Ｂとが接触してもバンプ電極Ｂを破損させずに済む。押圧後には、押圧刃３８は上方に退避される。
【００４１】
支持基板ＳＵを用いずにウェーハＷを分割させる場合を考える。バンプ電極Ｂは、半田ボールで構成されており、大きさはある程度の範囲でばらついている。また、半田ボールは比較的軟らかく、分割の際の押圧力で支持刃３７に押し付けられると僅かに変形されることがある。このバンプ電極Ｂと支持刃３７とが接触された状態で押圧刃３８によりウェーハＷを押圧させる場合、バンプ電極Ｂのばらつきや変形などに起因して所望の位置に所望の力を加えるのは難しい。このため、分割起点溝Ｄ１に沿って適切な曲げ応力を加えることができず、ウェーハＷを適切に分割できない可能性が高まる。これに対し、本実施の形態の分割方法では、ウェーハＷは支持基板ＳＵによって支持されるので、分割の際にバンプ電極Ｂと支持刃３７とは直接に接触されない。よって、ウェーハＷに対して適切な曲げ応力を加えることができる。また、ウェーハＷは支持基板ＳＵによって支持されるので、支持刃３７との接触によるバンプ電極Ｂの変形も抑制できる。
【００４２】
上述の位置合わせと押圧刃３８による押圧とを全ての分割起点溝Ｄ１に対して繰り返し行い、全ての分割起点溝Ｄ１に沿ってウェーハを分割させる。具体的には、第１方向に延びる分割起点溝Ｄ１で順次分割させ、その後、ターンテーブル３４を回転させて、第１方向に直交する第２方向に延びる分割起点溝Ｄ１で順次分割させる。ストリートＳＴに沿って形成された全ての分割起点溝Ｄ１でウェーハＷが各チップに分割されると、分割工程は終了する。
【００４３】
図９は、本実施の形態に係る分割方法を示すフローチャートである。図９に示すように、本実施の形態の分割方法では、まず、分割起点溝形成工程（ステップＳＴ１）において、ウェーハＷの表面Ｗ１に集光されたレーザービームＬを照射させてウェーハＷの一部を昇華させ、分割の起点となる分割起点溝Ｄ１を形成する。この分割起点溝Ｄ１は、全てのストリートＳＴに対して形成される。次に、支持基板準備工程（ステップＳＴ２）において、ウェーハＷと同等以上の外径を有し、バンプ電極Ｂの埋没される収容溝Ｄ２を有する支持基板ＳＵを準備する。収容溝Ｄ２は、バンプ電極Ｂを収容できる程度の幅及び深さでウェーハＷと当接される表面ＳＵ１に形成される。支持基板ＳＵは、曲げ弾性率が５００ＭＰａ〜４５００ＭＰａのＰＥＴで構成される。
【００４４】
その後、ウェーハ載置工程（ステップＳＴ３）において、収容溝Ｄ２にバンプ電極Ｂを埋没させるように支持基板ＳＵの表面ＳＵ１とウェーハＷの表面Ｗ１とを当接させる。そして、表面ＳＵ１と表面Ｗ１とが当接された当接状態を保ったまま、支持基板ＳＵをブレーキング装置３の支持刃３７上に載置する。ウェーハＷは支持基板ＳＵを介して支持刃３７に支持されるので、支持刃３７へのバンプ電極Ｂの接触は防止される。分割工程（ステップＳＴ４）においては、まず、ウェーハＷの表面Ｗ１を撮像手段３６で撮像し、その撮像画像に基づいて支持刃３７及び押圧刃３８と分割起点溝Ｄ１とを位置合わせする。位置合わせ後には、押圧刃３８でウェーハＷに曲げ応力を加え、ウェーハＷを分割起点溝Ｄ１で分割させる。
【００４５】
以上のように、本実施の形態に係る分割方法によれば、バンプ電極Ｂの埋没される収容溝（溝）Ｄ２を形成された支持基板ＳＵでウェーハ（半導体ウェーハ）Ｗを支持させるので、分割の際にバンプ電極Ｂと支持刃３７との接触を防ぐことができ、ウェーハＷに対して適切な曲げ応力を加えることができる。よって、表面Ｗ１に突起物を備えるウェーハＷを希望する位置で分割することができる。また、支持刃３７との接触によるバンプ電極Ｂの変形も抑制できる。
【００４６】
なお、本発明は上記実施の形態の記載に限定されず、種々変更して実施可能である。例えば、上記実施の形態では、収容溝Ｄ２の形成工程を含む支持基板準備工程について説明したが、支持基板準備工程は、収容溝Ｄ２の形成工程を含まなくとも良い。例えば、支持基板準備工程は、あらかじめ収容溝Ｄ２の形成された支持基板ＳＵを準備する工程でも良い。
【００４７】
また、上記実施の形態では、分割起点溝形成工程の後に支持基板準備工程が行われる分割方法を示したが、支持基板準備工程の後に分割起点溝形成工程を行うようにしても良い。また、分割起点溝形成工程と支持基板準備工程とを同時並行で行うようにしても良い。また、上記実施の形態では、レーザービームの照射によるアブレーション加工で分割起点溝を形成しているが、分割起点溝形成工程はこれに限られない。切削装置（ダイサー）やスクライバーなどを用いて分割起点溝を形成しても良い。
【００４８】
また、上記実施の形態では、互いに略平行な複数の収容溝を備える支持基板を用いる方法を説明したが、収容溝の構成はこれに限られない。例えば、収容溝は、格子状に形成することができる。また、上記実施の形態では、各収容溝に一列のバンプ電極を収容させるようにしているが、各収容溝に複数列のバンプ電極を収容させるようにしても良い。収容溝は、分割起点溝の周辺を適切に支えることができる程度に形成されていれば良い。
【００４９】
また、上記実施の形態では、ＰＥＴで構成された支持基板を用いているが、５００ＭＰａ〜４５００ＭＰａの曲げ弾性率を有する樹脂材料であれば、他の樹脂材料で構成される支持基板を用いても良い。また、上記実施の形態では、可視光に感度を有する撮像手段でウェーハの表面を撮像しているが、支持基板を透過する波長域の光に感度を有する撮像手段であれば他の撮像手段を用いても良い。例えば、赤外光に感度を有する赤外線カメラなどの撮像手段を用いても良い。
【００５０】
その他、上記実施の形態に係る構成、方法などは、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明は、表面にバンプ電極を有するＷＬ−ＣＳＰのウェーハを分割する際に有用である。
【符号の説明】
【００５２】
１  レーザー加工装置
２  切削装置
３  ブレーキング装置
１１  チャックテーブル
１２  レーザー照射ユニット
２１  切削ブレード
３１  基台
３２  ガイドレール
３３  移動テーブル
３４  ターンテーブル（保持手段）
３５，３５ａ，３５ｂ，３５ｃ，３５ｄ  クランプ（保持手段）
３６  撮像手段
３７，３７ａ，３７ｂ  支持刃
３８  押圧刃（保持手段）
Ａ  回転軸
Ｂ  バンプ電極
Ｄ１  分割起点溝
Ｄ２  収容溝（溝）
Ｆ  フレーム
Ｌ  レーザービーム
ＳＴ  ストリート（分割予定ライン）
ＳＵ  支持基板
ＳＵ１，Ｗ１  表面
ＳＵ２，Ｗ２  裏面
Ｔ  貼着テープ
Ｗ  ウェーハ（半導体ウェーハ）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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