(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターンに従って複数の荷電粒子ビームレットをパターン化するための荷電粒子リソグラフィ・システムで使用される調整装置であって、前記複数のビームレットはビームレット列を規定し、前記調整装置は前記複数のビームレットを偏向させるか偏向させないかによって前記複数のビームレットの１または複数がターゲット表面に達しないか前記複数のビームレットの１または複数がターゲット表面に達するかするように前記複数のビームレットを調整することに役立ち、前記調整装置は、
前記複数のビームレットが前記調整装置を通過するようにアレイ状に配置された複数のアパーチャと、
二次元アレイ状に配置された複数の調整器であって、各調整器はアパーチャの対向する両側で延び、前記アパーチャを横切る電位差を生成するための複数の電極が設けられている、複数の調整器と、
調整された複数の光ビームを受け取るとともに前記複数の光ビームを前記複数の調整器を作動させるための電気信号に変換するためのアレイ状に配置された複数の感光素子であって、前記複数の感光素子は前記ビームレット列の内側に位置する、複数の感光素子と、
を具備し、
前記調整装置は交互の複数のビーム領域および複数の非ビーム領域へ分割されており、
複数の非ビーム領域は、前記ビームレット列の内側に位置し、前記複数の非ビーム領域は、前記複数のビーム領域の内側の複数の構成要素をサポートするために必要な構成要素のための領域を提供するように構成され、
前記複数のビーム領域内の構成要素は、前記複数のアパーチャのアレイと前記複数の調整器のアレイとを具備し、
前記複数の非ビーム領域内の構成要素は、前記複数の感光素子のアレイを具備し、隣接するビーム領域内の前記複数の調整器と通信し、
感光素子アレイを備える前記非ビーム領域の少なくとも1つは、アパーチャと調整器を備える２つの前記ビーム領域の間に配置され、
前記感光素子の各々は、前記複数の調整器を制御するための信号を供給し、
前記感光素子によって受信された前記調整された信号は、２つ以上の調整器を制御するための情報を提供するように多重化され、
各感光素子は複数の調整器を制御するための前記受信された信号を逆多重化するためのデマルチプレクサと通信し、
前記デマルチプレクサは、前記感光素子と、前記感光素子によって受信された前記信号によって制御される前記複数の調整器を含んだ前記ビーム領域との間に位置
する、調整装置。
【請求項２】
１つのビーム領域内の前記複数の調整器が、このビーム領域の１または複数の側に位置する複数の非ビーム領域内に配置された複数の感光素子によって制御される、
請求項１の調整装置。
【請求項３】
前記複数のビーム領域内の前記複数の調整器の数が前記複数の非ビーム領域内の前記複数の感光素子の数より多い、
請求項１乃至２のいずれか１項の調整装置。
【請求項４】
前記複数のビームレットが複数のグループに構成され、前記複数の調整器が複数のグループに構成され、
複数の調整器のグループの各々が前記複数のビームレットのグループのうちの１つを偏向させるか偏向させないかのためのものであって、
複数の調整器のグループの各々が前記調整装置の前記複数のビーム領域の１つの中に位置する、
請求項１乃至３のいずれか１項の調整装置。
【請求項５】
複数のビームレットのグループの各々が共通点に集束するように構成されている、
請求項４の調整装置。
【請求項６】
複数のビームレットのグループの各々が、ビーム・ストップ・アレイ中の１つのアパーチャの方へ向けられるように構成されている、
請求項４または５の調整装置。
【請求項７】
複数の調整器のグループの各々が、前記複数のビーム領域のうちの１つにおいて長方形アレイ状に配置され、隣接する非ビーム領域中の１つの感光素子によって制御される、
請求項４乃至６のいずれか１項の調整装置。
【請求項８】
前記複数のビーム領域および前記複数の非ビーム領域が、実質的に前記ビームレット列の全体の幅にわたって延びる複数の長方形のスリットの形態にある、
請求項１乃至７のいずれか１項の調整装置。
【請求項９】
前記複数の非ビーム領域が前記複数のビーム領域より大きな幅を有する、
請求項８の調整装置。
【請求項１０】
前記調整装置が前記複数のビーム領域内に位置する複数の記憶素子を含んでおり、
各記憶素子が前記複数の調整器の１つの制御のための信号を格納する、
請求項１乃至９のいずれか１項の調整装置。
【請求項１１】
前記複数の調整器が２次元アレイ状に配置され、
行と列がビット線とワード線によってアドレス指定される、
請求項１乃至１０のいずれか１項の調整装置。
【請求項１２】
ターゲットの表面上にパターンを転送するための荷電粒子リソグラフィ・システムであって、
複数の荷電粒子ビームレットを生成するためのビーム発生器であって、前記複数のビームレットはビームレット列を規定する、ビーム発生器と、
複数のビームレットが前記ターゲット表面に達しないように遮断するための遮断表面と、前記複数のビームレットが前記ターゲット表面に達するようにするための前記遮断表面中のアパーチャのアレイを有するビーム・ストップ・アレイと、
請求項１乃至１１のいずれか１項の調整装置と、
を具備する、荷電粒子リソグラフィ・システム。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか１項の荷電粒子リソグラフィ・システムを使用してターゲット表面上へパターンを転送する方法であって、
ビームレット列を規定する複数のビームレットを生成するステップと、
制御ユニットの制御の下で、前記複数のビームレットが前記ターゲット表面に達するのを完全にまたは部分的に防ぐ目的で、前記複数のビームレットを偏向させるか偏向させないかによって前記複数のビームレットを調整するステップと、
前記通過した複数のビームレットを前記ターゲット表面に転送するステップと、
を具備し、
前記調整することは、
前記パターンを搬送する調整された複数の光ビームとしてデータを複数の感光素子に光学的に送るステップと、
前記複数の感光素子によって受け取られた、前記調整された複数の光ビームを電気信号に変換するステップと、
電界中での偏向によって、前記複数のビームレットが前記ターゲット表面に達するのを遮断するか遮断しないかするために前記複数のビームレットを選択的に偏向させるように、前記電気信号に基づいて１または複数の調整器を作動させるステップと、
を、さらに具備する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数のビームレットを使用してパターンをターゲットの表面上に転写するための荷電粒子複数ビームレット・リソグラフィ・システムに関する。本発明は、さらに、荷電粒子複数ビームレット・リソグラフィ・システムで使用される調整装置、およびそのような調整装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
荷電粒子複数ビームレット・リソグラフィ・システムは、例えば米国特許第６，９５８，８０４号明細書から知られている。この特許に記述されているシステムは、好ましくは複数の電子ビームレットを使用してターゲット表面にパターンを転写する。照射源によって生成された電子ビームレットは、静電偏向によってパターン・データに従って調整装置において調整される。次いで、調整されたビームレットは、ターゲット表面へと転送される（移される、運ばれる、transferred）。ターゲット表面へのパターンの高速転送を可能にするために、静電偏向を制御するためのパターン・データは、調整された光ビームを使用した光伝送を少なくとも一部使用して転送される。
【発明の概要】
【０００３】
本発明はターゲットの表面上にパターンを転写するための荷電粒子リソグラフィ・システムを提供する。本システムは、複数の荷電粒子ビームレットを生成するためのビーム発生器であって、複数のビームレットは列を定義する、ビーム発生器と、複数のビームレットをターゲット表面に達することから遮断するための表面と、複数のビームレットがターゲット表面に達することを可能にするための表面におけるアパーチャのアレイを有するビーム・ストップ・アレイと、複数のビームレットがビーム・ストップ・アレイによって遮断されるか遮断されないように複数のビームレットを偏向させるか偏向させないことによって、複数のビームレットのうちの１または複数がターゲット表面に達することを防ぐか複数のビームレットのうちの１または複数がターゲット表面に達することを可能にするためのビームレットを調整するための調整装置（modulation device）と、を具備する。調整装置は、複数のビームレットに調整装置を通過させるためのアレイ状に配置された複数のアパーチャと、アレイ状に配置された複数の調整器（modulator）であって、各調整器がアパーチャの両側で延びるアパーチャを横切る電位差を生成するための電極を設けられている、複数の調整器と、調整された複数の光ビームを受け取るとともに複数の光ビームを複数の調整器を作動させるための電気信号に変換するためのアレイ状に配置された複数の感光素子であって、複数の感光素子は列の内側に位置する、複数の感光素子と、を具備する。調整装置は（alternating）複数のビーム領域および複数の非ビーム領域へ分割されており、調整器のアレイは複数のビーム領域内に位置し、感光素子のアレイは複数の非ビーム領域内に位置し、隣接のビーム領域内の複数の調整器と通信する。
【０００４】
本発明は、別の側面において、パターンに従って複数の荷電粒子ビームレットをパターン化するための荷電粒子リソグラフィ・システムで使用される調整装置を提供する。複数のビームレットは列を定義し、調整装置は複数のビームレットを偏向させるか偏向させないことによって複数のビームレットの１または複数がターゲット表面に達することを防ぐか複数のビームレットの１または複数がターゲット表面に達するように複数のビームレットを調整することに役立つ。調整装置は、複数のビームレットに調整装置を通過させるためのアレイ状に配置された複数のアパーチャと、アレイ状に配置された複数の調整器であって、各調整器がアパーチャの両側で延びるアパーチャを横切る電位差を生成するための電極を設けられている、複数の調整器と、調整された複数の光ビームを受け取るとともに複数の光ビームを複数の調整器を作動させるための電気信号に変換するためのアレイ状に配置された複数の感光素子であって、複数の感光素子は列の内側に位置する、複数の感光素子と、を具備する。調整装置は交互の（alternating）複数のビーム領域および複数の非ビーム領域へ分割されており、調整器のアレイは複数のビーム領域内に位置し、感光素子のアレイは複数の非ビーム領域内に位置し、隣接のビーム領域内の複数の調整器と通信する。
【０００５】
システムまたは調整装置は、ビームレット列の内側に位置する複数の非ビーム領域を有し得、複数の荷電粒子ビームレットは装置の複数のビーム領域のみにおいて調整装置と交差するように配置されている。１つのビーム領域内の複数の調整器は、このビーム領域の１または複数の側に位置する複数の非ビーム領域内に配置された複数の感光素子によって制御されるのが好ましい。複数のビーム領域内の複数の調整器が複数の非ビーム領域内の複数の感光素子より密に詰め込まれ得る。
【０００６】
複数のビームレットは複数のグループに構成され得、複数の調整器が複数のグループに構成され得、各調整器のグループが複数のビームレットのグループのうちの１つを偏向させるか偏向させないためのものであり、各調整器のグループは調整装置の複数のビーム領域の１つの中に位置する。各ビームレットのグループは共通点に集束するように構成され得る。１つのビームレットのグループのための共通の集束点はビームレットのグループの光学軸上にあり得る。各調整器のグループの複数の調整器の各々は、１つのビームレットのグループの複数のビームレットを偏向させるために、このビームレットのグループの集束点から延びる放射状線に沿って回転させられ得る。
【０００７】
各ビームレットのグループは、ビーム・ストップ・アレイ中の１つのアパーチャの方へ向けられるように構成され得、各調整器のグループは、複数のビーム領域のうちの１つにおいて長方形アレイ状に配置され、隣接する非ビーム領域中の１つの感光素子によって制御され得る。または、各調整器のグループは、対応する複数のビームレットのグループの中心に位置する軸のまわりに放射状に配置され得る。
【０００８】
システムまたは調整装置は、複数の長方形のスリットの形態にある複数のビーム領域および複数の非ビーム領域を有し得る。複数のスリットは実質的にビームレットの列の全体の幅にわたって延び得、複数の非ビーム領域は複数のビーム領域より大きな幅を有する。複数のスリットの方向はリソグラフィ・システムのウェハ位置決めシステムの相対的な移動方向に実質的に交わるか、複数のビームレットの偏向を走査する方向と実質的に平行である。
【０００９】
複数の感光素子の各々は複数の調整器の複数を制御するための信号を提供し得る。複数の感光素子によって受信された複数の調整された光信号は複数の調整器を制御するための情報を提供するように多重化され得、各感光素子は複数の調整器を制御するための受信された信号の逆多重化するためのデマルチプレクサと通信し得る。対応する感光素子のためのデマルチプレクサが、感光素子と感光素子によって受信された信号によって制御される複数の調整器を含んだビーム領域との間に位置するのが好ましい。
【００１０】
調整装置は複数のビーム領域内に位置する複数の記憶素子を含むのが好ましく、各記憶素子は複数の調整器の１つの制御のための信号を格納する。複数の調整器が２次元アレイ状に配置され得、行と列がビット線とワード線によってアドレス指定される。複数の感光素子の各々は少なくとも２５の調整器を制御するための信号を提供し得る。調整装置の複数の非ビーム領域は複数のビーム領域より大きな構造的強度を有するのが好ましい。
【００１１】
本発明の別の側面は、先行する請求項のいずれか１項の荷電粒子リソグラフィ・システムを使用してターゲット表面上へパターンを転写する方法を提供する。方法は、列を定義する複数のビームレットを生成するステップと、制御ユニットの制御の下で、複数のビームレットがターゲット表面に達するのを完全にまたは部分的に防ぐ目的で、複数のビームレットを偏向させるか偏向させないことによって複数のビームレットを調整するステップと、通過した複数のビームレットをターゲット表面に転送するステップと、を具備する。調整することは、パターンを搬送する調整された複数の光ビームとしてデータを複数の感光素子に光学的に送信するステップと、複数の感光素子によって受信された、調整された複数の光ビームを電気信号に変換するステップと、電界中での偏向によって、複数のビームレットがターゲット表面に達することから遮断するか遮断しないために複数のビームレットを選択的に偏向させるために、電気信号に基づいて１または複数の調整器を作動させるステップと、を具備する。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
本発明の様々な側面が、図面に示される実施形態を参照してさらに説明される。
【図１】本発明の実施形態において使用され得るマスク無し（マスクレス）リソグラフィ・システムを概略的に示す。
【図２】図１のリソグラフィ・システムでのビームレット・ブランカ（blanker）・アレイの実施形態の動作を概略的に示す。
【図３Ａ】ビームレット・ブランカ・アレイ内の電極の様々な配置の平面図を概略的に示す。
【図３Ｂ】ビームレット・ブランカ・アレイ内の電極の様々な配置の平面図を概略的に示す。
【図４】ビームレット・ブランカ・アレイ内の電極の別の実施形態の平面図を概略的に示す。
【図５】本発明の実施形態によるビームレット・ブランカ・アレイ中で使用され得る構成要素の地理的配列の平面図を概略的に示す。
【図６】本発明の実施形態において使用され得るワード線およびビット線のアドレス指定可能なアレイを有する地理的配置の平面図を概略的に示す。
【図７】発明の実施形態によるビームレット・ブランカ・アレイの断面図を概略的に示す。
【図８Ａ】図７のビームレット・ブランカ・アレイの一部の製造中のステップの断面図を概略的に示す。
【図８Ｂ】図７のビームレット・ブランカ・アレイの一部の製造中のステップの断面図を概略的に示す。
【図８Ｃ】図７のビームレット・ブランカ・アレイの一部の製造中のステップの断面図を概略的に示す。
【図８Ｄ】図７のビームレット・ブランカ・アレイの一部の製造中のステップの断面図を概略的に示す。
【図８Ｅ】図７のビームレット・ブランカ・アレイの一部の製造中のステップの断面図を概略的に示す。
【図８Ｆ】図７のビームレット・ブランカ・アレイの一部の製造中のステップの断面図を概略的に示す。
【図９Ａ】図７のブランカ・アレイの製造中のさらなるステップの断面図を概略的に示す。
【図９Ｂ】図７のブランカ・アレイの製造中のさらなるステップの断面図を概略的に示す。
【図１０】シールドを含んだブランカ・アレイの断面図を概略的に示す。
【図１１】シールドを含んだ別のブランカ・アレイの断面図を概略的に示す。
【図１２】ビーム・プロテクタとともに組み立てられたブランカ・アレイの実施形態の断面図を概略的に示す。
【図１３】ビーム・プロテクタとともに組み立てられたブランカ・アレイの代替的な実施形態の断面図を概略的に示す。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下は、単なる例として図を参照して与えられた本発明の様々な実施形態の記述である。図は、スケール通りに描かれておらず、また、単に例証目的であることが意図されている。
【００１４】
本願の文脈で使用されるような表現「相互接続（interconnect、配線）構造」は、典型的には、０．２５μｍ以下の限界寸法を有する集積回路に適用されるような構造を指す。それは、通常４〜１０レベル（層）の接続レベルを具備する。個々のレベルは相互にビアと称される鉛直な接続を使用して相互接続されている。以下で詳述されるような相互接続構造は、１または複数の接続レベル内の一部を具備し、また１または複数のビアに対応する部分を具備し得る。
【００１５】
図１は、荷電粒子複数ビームレット・リソグラフィ・システム１の実施形態の簡略化された概略図を示す。そのようなリソグラフィ・システムは、米国特許第６，８９７，４５８、６，９５８，８０４、７，０８４，４１４、および７，１２９，５０２号明細書に記述されており、これらは本願の出願人に譲渡され、また参照することによってそれらの全体は本明細書に組み入れられる。
【００１６】
そのようなリソグラフィ・システム１は、複数のビームレットを生成するビームレット生成器、ビームレットをパターン化して調整されたビームレットを形成するビームレット調整器、および調整されたビームレットをターゲットの表面に投影するためのビームレット・プロジェクタを具備するのが適切である。
【００１７】
ビームレット生成器は、供給源（ソース）および少なくとも１つのビーム・スプリッタを具備するのが典型的である。図１中の供給源は、実質的に均一に広がる電子ビーム４を生成するように配置された電子源３である。電子ビーム４のビーム・エネルギーは、約１〜１０ｋｅＶの範囲と比較的低く保持されるのが好ましい。これを達成するために、加速電圧は低いのが好ましく、電子源３はグランド電位にあるターゲットに対して約−１〜−１０ｋＶの間の電圧に維持され得る。ただし、他の設定が使用されてもよい。
【００１８】
図１では、電子源３からの電子ビーム４は電子ビーム４を平行にするためのコリメータ・レンズ５を通過する。コリメータ・レンズ５は、あらゆるタイプの平行化（コリメーティング）用の光学系であり得る。平行化（コリメーション）の前に、電子ビーム４は２つの八重極（図示せず）を通過し得る。次に、電子ビーム４は図１の実施形態中のビーム・スプリッタ、アパーチャ・アレイ６に衝突する。アパーチャ・アレイ６は、スルーホールを有するプレートを具備するのが好ましい。アパーチャ・アレイ６はビーム４の一部を遮断する（ブロックする）ように構成されている。さらに、アレイ６は、複数のビームレット７が通過して複数の並行な電子ビームレット７を生成することを可能にする。
【００１９】
図１のリソグラフィ・システム１は、多くのビームレット７、好ましくは約１０，０００〜１，０００，０００本のビームレットを生成する。ただし、当然ながら、より多くまたはより少ないビームレットが生成されることが可能である。平行化されたビームレットを生成するために他の既知の方法が使用されてもよいことに注目されたい。第２アパーチャ・アレイが、電子ビーム４からサブビームを形成し、かつサブビームから電子ビームレット７を形成するようにシステム中で加えられ得る。このことは、サブビームをさらに下流に操作することを可能にする。これは、特にシステム中のビームレットの数が５，０００以上である場合、システム動作にとって有益であると判明している。
【００２０】
調整システム８として図１に表わされているビームレット調整器は、典型的には複数のブランカの配列を具備するビームレット・ブランカ・アレイ９、およびビームレット・ストップ・アレイ１０を具備する。ブランカは、電子ビームレット７の１つ以上を偏向させることが可能である。本発明の実施形態では、ブランカは、より具体的には、第１電極、第２電極、およびアパーチャとともに提供される静電気デフレクタ（偏向器）である。これらの電極は、アパーチャを横切る電界を生成するためにアパーチャの両側に配置されている。一般に、第２電極は接地電極、すなわちグランド電位に接続された電極である。
【００２１】
電子ビームレット７をブランカ・アレイ９の面内に集中させるために、リソグラフィ・システムは集光レンズ・アレイ（図示せず）をさらに具備し得る。
【００２２】
図１の実施形態では、ビームレット・ストップ・アレイ１０はビームレットが通過することを可能にするための多くのアパーチャを具備する。ビームレット・ストップ・アレイ１０は、基本的な形態では、スルーホール（典型的には丸い孔）を設けられた基板を具備する。しかし、他の形が使用されてもよい。いくつかの実施形態では、ビームレット・ストップ・アレイ１０の基板は、規則的に間隔を置かれたスルーホールのアレイを有するシリコン・ウェハから形成され、表面の充電を防ぐために金属の表面層で覆われ得る。いくつかのさらなる実施形態では、この金属はＣｒＭｏのような自然酸化被膜を形成しないタイプである。
【００２３】
ビームレット・ブランカ・アレイ９およびビームレット・ストップ・アレイ１０は、協働して、ビームレット７を遮断するか通過させる。いくつかの実施形態では、ビームレット・ストップ・アレイ１０のアパーチャは、ビームレット・ブランカ・アレイ９中の静電気デフレクタのアパーチャと整列されている。ビームレット・ブランカ・アレイ９がビームレットを偏向させると、ビームレットはビームレット・ストップ・アレイ１０中の対応するアパーチャを通過しない。代わりに、ビームレットはビームレット・ブロック・アレイ１０の基板によって遮断される。ビームレット・ブランカ・アレイ９がビームレットを偏向させないと、ビームレットはビームレット・ストップ・アレイ１０中の対応するアパーチャを通過する。いくつかの代替実施形態では、ビームレット・ブランカ・アレイ９とビームレット・ストップ・アレイ１０協働は、ブランカ・アレイ９中のデフレクタによるビームレットの偏向がビームレット・ストップ・アレイ１０中の対応するアパーチャによるビームレットの通過という結果となり、偏向させないことがビームレット・ストップ・アレイ１０の基板による遮断という結果となるようなことである。
【００２４】
調整システム８は制御装置６０によって提供される入力に基づいてビームレット７にパターンを加えるように構成されている。制御ユニット６０はデータ記憶ユニット６１、読み出しユニット６２、およびデータ変換器６３を具備し得る。制御ユニット６０は、システムのその他の部分から離れて、例えばクリーンルーム内の外部に置かれ得る。光ファイバー６４を使用して、パターン・データを保持する調整された光ビーム１４は、プロジェクタ６５に送信され得る。プロジェクタ６５は、ファイバーのアレイ（概略的にプレート１５として描かれている）中のファイバーの端から光をリソグラフィ・システム１の電子光学部分（破線の枠および参照符号１８によって概略的に表わされている）に放出する。
【００２５】
図１の実施形態では、調整された光ビームはビームレット・ブランカ・アレイ９上に投射される。特に、光ファイバー端からの調整された光ビーム１４はビームレット・ブランカ・アレイ９上の対応する感光素子上に投射される。感光素子は光信号を別のタイプの信号（例えば電気信号）に変換するように構成され得る。調整された光ビーム１４は、１または複数のブランカ（これらは対応する感光素子に結合されている）を制御するためのパターン・データの一部を搬送する。対応する感光素子上にビーム１４を投射するために、６５のような光学要素も使用されることが適切である。さらに、光ビーム１４を適切な入射角で投射するために、鏡が含まれてもよく、例えばプロジェクタ６５とビームレット・ブランカ・アレイ９との間に適切に配置されてもよい。
【００２６】
プロジェクタ６５は、制御ユニット６０の制御の下でプロジェクタ位置決め装置１７によってプレート１５と適切に位置合わせされ得る。その結果、プロジェクタ６５とビームレット・ブランカ・アレイ９中の感光素子との間の距離も変わり得る。
【００２７】
いくつかの実施形態では、光ビームは、少なくとも一部、光導波路によってプレートから感光素子へ運ばれ得る。光導波路は、光を感光素子の至近に、適切には１センチメートル未満、好ましくは１ミリメートルの距離へと導き得る。光導波路と対応する感光素子との間の距離が短いことは、光ロスを減じる。他方では、荷電粒子ビームレットによって占領され得る空間から離れて置かれたプレート１５およびプロジェクタ６５を使用することは、ビームレット外乱が最小化されるという長所を持つ。また、ビームレット・ブランカ・アレイ９の構造がより簡単になる。
【００２８】
ビームレット調整器から出る、調整されたビームレットは、ビームレット・プロジェクタによってターゲット２４のターゲット面１３上にスポットとして投射される。ビームレット・プロジェクタは、ターゲット面１３上で調整されたビームレットを走査するための走査デフレクタおよびターゲット面１３上に調整されたビームレットを集中させるための投写レンズ系を具備するのが典型的である。これらの構成要素は、１つのエンド・モジュール内にあり得る。
【００２９】
そのようなエンド・モジュールは、挿入可能、交換可能なユニットとして構築されるのが好ましい。エンド・モジュールは、このように、デフレクタ・アレイ１１および投射レンズ配列１２を具備し得る。挿入可能、交換可能ユニットはビームレット調整器を参照して上に詳述されているようなビームレット・ストップ・アレイ１０を含んでいてもよい。エンド・モジュールを出た後、ビームレット７はターゲット面に位置するターゲット面１３に当たる。リソグラフィの適用形態については、ターゲットは、荷電粒子に対する感度を持つ（charged-particle sensitive）層またはレジスト膜を設けられたウェハを通常具備する。
【００３０】
デフレクタ・アレイ１１は、ビームレット・ストップ・アレイ１０を通過した各ビームレット７を偏向させるように構成された走査デフレクタ・アレイの形態を取り得る。デフレクタ・アレイ１１は、比較的小さな駆動電圧の適用形態を可能にする複数の静電気デフレクタを具備し得る。デフレクタ・アレイ１１は投射レンズ配列１２の上流に描かれているが、デフレクタ・アレイ１１は投射レンズ配列１２とターゲット面１３の間に配置されてもよい。
【００３１】
投射レンズ配列１２は、ビームレット７を集中させるようにデフレクタ・アレイ１１による偏向の前または偏向の後に配置される。集束（focusing）は、直径約１０〜３０ナノメートルの幾何学的スポットサイズにつながることが好ましい。そのような好ましい実施形態では、投射レンズ配列１２は、約１００〜５００倍の、最も好ましくはできる限り最大の、例えば３００〜５００倍の範囲の縮小化（demagnification）をもたらすように配置される。この好ましい実施形態では、投射レンズ配列１２は、ターゲット面１３に接近して位置するのが好ましい。
【００３２】
いくつかの実施形態では、ビーム・プロテクタ（図示せず）が、ターゲット面１３と投射レンズ配列１２の間に置かれ得る。ビーム・プロテクタは、複数の適切に配置されたアパーチャを設けられたフォイルまたはプレートであり得る。ビーム・プロテクタは、放たれたレジスト粒子がリソグラフィ・システム１中の繊細な要素のいずれかに達することが可能になる前にそれらを吸収するために配置される。
【００３３】
こうして、投射レンズ配列１２はターゲット面１３上の１ピクセルのスポットサイズが正確であることを保証し得、他方、デフレクタ・アレイ１１はターゲット面１３上のピクセルの位置が微小規模で正確であることを適切な走査動作によって保証し得る。特に、デフレクタ・アレイ１１の動作は、ピクセルがターゲット面１３上のパターンを最終的に構成するピクセルのグリッドに収まるほどである。ターゲット面１３上のピクセルの巨視的規模の位置合わせがターゲット２４の下方に存在するウェハ位置合わせシステムによって適切に可能にされることが理解されるだろう。
【００３４】
一般に、ターゲット面１３は基板上のレジストフィルムを具備する。レジストフィルムの一部は、荷電粒子（すなわち電子）のビームレットを当てることによって化学的に変化させられる。その結果、膜の照射された部分は現像液において多かれ少なかれ可溶になり、ウェハ上のレジストパターンという結果になる。次に、ウェハ上のレジストパターンは、半導体製造の技術分野において知られているようなエッチングおよび／または堆積ステップの実行によって、その下の層に転写されることが可能である。照射が均一でない場合、レジストは均一に現像されない可能性があり、パターン中の誤りにつながることが明らかである。したがって、高品質な投射は、再現可能な結果を提供するリソグラフィ・システムを得ることに関係がある。照射において差が無いことは、偏向ステップに起因するはずである。
【００３５】
図２は、図１のリソグラフィ・システム中のビームレット・ブランカ・アレイ９の実施形態の動作を概略的に示す。具体的には、図２は、ビームレット・ブランカ・アレイ９およびビームレット・ストップ・アレイ１０を具備するビームレット調整器の一部の断面図を概略的に示す。ビームレット・ブランカ・アレイ９には複数のアパーチャ３５が設けられている。参考目的で、ターゲット２４も示される。図はスケール通りに描かれていない。
【００３６】
ビームレット調整器の図示の部分は３つのビームレット７ａ、７ｂおよび７ｃを調整するように構成されている。ビームレット７ａ、７ｂ、７ｃは、１つの供給源または１つのサブビームを起源とするビームから生成され得るビームレットの１つのグループの一部を形成し得る。図２のビームレット調整器は、ビームレットのグループを各グループについての共通の集束点Ｐへ集中させるように構成されている。この共通の集束点Ｐは、ビームレットのグループについての光学軸Ｏ上に位置することが好ましい。
【００３７】
図２において示されるビームレット７ａ、７ｂ、７ｃを考えてみると、ビームレット７ａ、７ｃは、ビームレットと光学軸Ｏの間で延びる入射角を有する。ビームレット７ｂの方向は、光学軸と実質的に平行である。偏向させられたビームレットをビームレット・ストップ・アレイ１０の基板によって遮断することを確立するビームレット偏向方向は、各ビームレットについて異なり得る。ビームレット７ａは左への、すなわち図２中の「−」方向への偏向によって遮断され、破線７ａ−によって示される。他方、ビームレット７ｂ、７ｃは右へ、すなわち「＋」方向へ偏向され、それぞれのビームレットの遮断を確立する。これらの遮断方向は、破線７ｂ＋および７ｃ＋によってそれぞれ示される。偏向方向の選択が任意ではないかもしれないことに注目されたい。例えば、ビームレット７ａについては、破線７ａ＋は、右へのビームレット７ａの偏向がビームレット・ストップ・アレイ１０による通過を結果的にもたらすであろうことを示す。したがって、線７ａ＋に沿ったビームレット７ａの偏向は不適当であろう。他方、左へのビームレット７ｂの偏向（破線７ｂによって示される）は、選択肢であるだろう。
【００３８】
図３Ａは、ビームレット・ブランカ・アレイ内の電極の配列の平面図を概略的に示す。ビームレット・ブランカ・アレイは共通の集束点へビームレットのグループを集中させるように構成されている。この実施形態では、ビームレット・ブランカは、静電気調整器３０の形態を取る。各調整器３０は、第１電極３２、第２電極３４、およびビームレット・ブランカ・アレイの本体を貫通するアパーチャ３５を具備する。電極３２、３４は、アパーチャ３５を横切る電界を生成するためにアパーチャ３５の両側に位置している。個々の調整器３０は、中心に位置する光学軸Ｏの周囲に放射状の配列を形成している。図３Ａに示される実施形態では、電極３２、３４はる両方とも凹形を有する。このことは、電極３２、３４の形を円筒状のアパーチャ３５に一致させる。この円筒状のアパーチャ形状は、それ自体、非点収差のような光学収差の導入を防ぐのに適している。
【００３９】
この実施形態では、個々の調整器３０の電極３２、３４が回転させられても（例えば偏向させられても）、ビームレットは依然、光学軸上の集束点に集まる線に沿っている。光学軸から伸びる放射状線に沿ったこの偏向は、他のビームレットの外乱および／または偏向させられたビームレットがビームレット・ストップ・アレイ１０を望ましくないながらも通過することをみな防ぐのに有益であることが判明している。具体的には、ビームレット相互間およびビームレットのグループ相互間の水平距離が、ビームレット・ブランカ・アレイ９とビームレット・ストップ・アレイ１０の間の垂直距離と比較して小さい場合、そのような外乱および／または望ましくない通過が著しいものであり得る。図３Ａは光学軸Ｏの近くの調整器３０が無い領域を示唆しているが、このことはこの実施形態の必須の要素ではない。
【００４０】
図３Ｂは、ビームレット・ブランカ・アレイ内の電極の代替的な配列を示す。ビームレット・ブランカ・アレイは、共通の集束点へビームレットのグループを集中させるように構成されている。この配列では、個々の調整器３０は、やはり中心に位置する光学軸Ｏの周囲に放射状の配列を形成している。しかしながら、個々の調整器３０は光学軸のまわりの同心円に配置されず、相互に実質的に直交する方向を有する列および行によって形成されるアレイ状に配置されている。同時に、個々の調整器３０の電極３２、３４は、それらが光学軸Ｏから延びる放射状線に沿ってビームレットを偏向させることが可能であるような方向を有している。
【００４１】
具体的には、図３Ａおよび図３Ｂに示されるような電極配列を通過するビームレットが図２に示されるようなビームレット・ストップ・アレイ中の１つのアパーチャの方へ向けられるように配置された場合に、偏向方向が、ビームレット・ストップ・アレイによって遮断されることになっているビームレットがそれぞれのビーム・ストップ・アパーチャのまわりで実質的に均一に広がるビームレット・ストップ・アレイ上の遮断位置へ向けられるようであることが好ましい。ビームレットのグループ中のビームレットの遮断位置を均等に広げることによって、荷電粒子の衝突によるビーム・ストップ・アレイの劣化ができるだけ均等に広げられる。
【００４２】
図４は、ビームレット・ブランカ・アレイ中の電極のさらに別の実施形態の平面図を概略的に示す。この実施形態では、電極３２、３４は、やはりアパーチャ３５のまわりに位置している。しかし、いくつかの調整器３０の第２電極３４は１つのストリップへと統合されている。調整器３０は行状に配置される。分離ゾーン３９が、調整器３０の第１列３７と調整器３０の第２列３８の間に存在するのが適切である。分離ゾーン３９は望ましくない放電を防ぐように設計されている。
【００４３】
多くの適用形態では、第２電極３４の電位はグランド電位（すなわち０Ｖ）に置かれる。しかしながら、複数の調整器３０の第２電極３４によって共用される電位が、別の電位（例えば約１ｋＶまたは約−１ｋＶの基準電圧）に設定されてもよい。
【００４４】
図５は、本発明の実施形態によるビームレット・ブランカ・アレイ９中で使用され得る構成要素の地理的配列）の平面図を概略的に示す。ビームレット・ブランカ・アレイはビーム領域５１および非ビーム領域５２に分割される。ビーム領域５１は、ビームレットを受け取りかつ調整するように配置された領域を表わす。非ビーム領域５２は、ビーム領域５１中の構成要素をサポートするために必要な構成要素のための領域を提供するように配置された領域である。
【００４５】
ビーム領域５１内の構成要素は調整器３０を含んでいる。調整器３０は、図２〜図４を参照して詳述されたような静電気デフレクタの形態を取り得る。
【００４６】
非ビーム領域５２内の構成要素は例えば図１を参照して詳述されたような方法で調整された光信号を受信するように構成された感光素子４０を含み得る。感光素子４０の適切な例は、フォトダイオードおよびフォトトランジスタを含むが、これらに制限されない。図５に示される実施形態中の非ビーム領域は、さらにデマルチプレクサ４１を含んでいる。感光素子４０によって受信された光信号は、複数の調整器３０のための情報を含めるために多重化された信号であり得る。したがって、感光素子４０による光信号の受信の後、光信号はデマルチプレクサ４１に転送され、そこで信号は逆多重化（デマルチプレクス）される。逆多重化の後、逆多重化された信号は、専用の電気的接続４２によって正しい調整器３０へ転送される。
【００４７】
多重光信号および感光素子４０ならびにデマルチプレクサ４１の配列の使用の結果、感光素子４０の数は、調整器３０の数より少ない。限られた数の感光素子４０を有することは、非ビーム領域５２の寸法を小さくすることを可能にする。そして、複数のビーム領域５１がより緊密に配置されてブランカ・アレイ中の単位面積当たりの調整器３０の数を増やし得る。多重化されない実施形態との比較では、同数の調整器が使用されたとすれば、ビームレット・ブランカ・アレイのレイアウトはより小さくなるだろう。ブランカ・アレイの寸法が実質的に同じままであるとすれば、より多くの調整器が使用されることが可能である。あるいは、非ビーム領域５２を小さくする代わりに多重化される実施形態を使用すれば、より大きな受光面積で感光素子４０を使用することを可能にできる。感光素子４０ごとにより大きな受光面積を使用することは、正しい感光素子４０に光信号を導くために必要とされる光学系の複雑性を減じて、受光構造をより強固にする。
【００４８】
調整器３０は、列および行状に適切に配置されて図６に示されるようにワード線８０およびビット線９０によるアドレス指定を可能にし得る。そのようなアレイによるアドレス指定は、デマルチプレクサ４１から調整器３０に至る接続（connection）の数を減らす。例えば、図６では１０本の接続線だけが存在し、他方、個々のアドレス指定は２５個の調整器３０をアドレス指定するために２５行の接続線という結果になるだろう。そのような接続線の減少は、ビームレット・ブランカ・アレイ９の信頼度を改善する。デマルチプレクサ４１と調整器３０の間の誤動作する接続による故障を受けにくくなるからである。さらに、そのようなアレイによるアドレス指定方式に配置されれば、接続はより少ない空間を占領し得る。
【００４９】
図５中の実施形態が感光素子４０当たり４個のデフレクタ３０を示し、図６が感光素子４０当たり２５個のデフレクタ３０を示すのに対し、デフレクタ３０と感光素子４０の間の比率は１００まで、またはそれ以上、例えば２５０まで増やされ得る。すると、デマルチプレクサ４１と対応する調整器３０の間の接続の減少の利点は、ビームレット・ブランカ・アレイ９の強固性および信頼性がかなり改善するという点で、著しくなる。
【００５０】
デマルチプレクサ４１は、それぞれの調整器３０との接続を短くするために、ビーム領域５１の方へ移動されることが適切であり得る。このことは、感光素子４０とデフレクタ３０の間の距離が、比較的大きい場合、例えば約１００マイクロメートル以上である場合に特に有用である。
【００５１】
調整器３０が通過するビームレットを偏向期間全体で偏向させることを確実にするために、ビーム領域５１は、それぞれの調整器３０専用の制御信号を所定期間に亘って一時的に格納するためのそれぞれの調整器３０に結合された記憶素子９５をさらに含み得る。所定期間は偏向期間の全体に相当するか、それより大きいもので有り得、制御信号がそのような偏向期間全体の間利用可能であることを確実にする。この構成は、偏向ステップが制御信号の送信から時間的に独立であることを可能にする。さらに、制御信号の送信がしたがって順次行われ得、他方、ビームレットの偏向は同時に実行される。
【００５２】
図７は、本発明の実施形態に係るビームレット・ブランカ・アレイまたは調整装置（modulation device）の一部の断面図を概略的に示す。図示されていないが、ブランカ・アレイが、例えばビームレット・ブランカ・アレイの図５に概略的に示されるようなビーム領域および非ビーム領域への分割に従って、２次元（図７中のページの中に向かう方向およびページから出る方向）に広がっていることが理解されるだろう。
【００５３】
アレイ９は、相互接続（interconnect）構造１００を具備する本体を具備する。相互接続構造１００には複数の調整器（modulator）が設けられている。相互接続構造１００は、１または複数のパターンデータ受信素子（例えば図５および図６に示される感光素子４０）への調整器の接続を可能にする様々な接続レベルを提供する。調整器とパターンデータ受信素子の間の接続は、「配線（interconnect）」と称される。
【００５４】
各調整器は、第１電極１３２、第２電極１３４、および本体を貫いて延びるアパーチャ１３５を具備する。電極１３２、１３４は、アパーチャ１３５を横切る電界を生成するためにアパーチャ１３５の両側に配置される。電極１３２、１３４は相互接続構造１００の様々なレベルにおける導電性素子１１０によって形成される。導電性素子１１０は、１または複数のビア１２０によって相互に接続される。
【００５５】
相互接続構造１００は、ビームレット・ブランカ・アレイの構造上の完全性を向上させるために、基板１０１（例えばシリコン基板）によってサポートされ得る。ビア１２０によって接続された様々なレベルにおける導電性素子１１０によって形成された電極１３２、１３４を使用することは、既知の半導体技術（例えばＣＭＯＳ技術において使用される技術）とともにビームレット・ブランカ・アレイが生成されることが可能であるという長所を有する。ここでＣＭＯＳは相補型金属酸化膜半導体を意味する。さらに、複数レベルにおいて導電性素子１１０を使用することは、様々なレベルでの上記の感光素子のようなパターン・データ受信素子への調整器の接続を可能にする。例えば、図６に示される構成では、ワード線は、相互接続構造中のビット線とは異なるレベルの電極に接続し得る。したがって、ビームレット・ブランカ・アレイの単位面積当たりの接続線の密度は改善し得る。このことは、仮に接続が全て同じレベル内にある場合に可能であろう場合より綿密なピッチに調整器を配置する機会を提供する。
【００５６】
本体の最上層１４０は、シールドを定義するために使用され得る。シールドは第２電極（これは、接地電極として作用し得る）１３４と同じ電位に設定され得る。シールドは、近隣の調整器間のクロストークを防ぐ目的に役立つ。
【００５７】
上述のように、相互接続構造１００は、０．２５μｍ以下の限界寸法を有する集積回路に典型的に適用される技術を使用し得る。これらの技術（例えばＣＭＯＳ）のうちのいくつかでは、構造は、通常、配線目的で４〜１０レベルを具備する。個々のレベルは相互に垂直の配線領域またはビアを使用して相互に接続される。個々のレベルの層厚みは約１μｍであるのが典型的である。本発明の実施形態中で使用されることが可能なタイプの相互接続構造では、相互接続構造は、いわゆるデュアル・ダマシン技術を使用して作成された銅（Ｃｕ）レベルおよびＣｕビアを具備する。使用され得る別タイプの相互接続構造では、相互接続構造はアルミニウム（Ａｌ）レベルおよびタングステン（Ｗ）ビアを具備する。使用される材料は、合金化元素によって最適化され得る。
【００５８】
さらに、当業者に知られているように、バリア層が使用され得る。そのようなバリア層は、Ｃｕが相互接続構造で使用される場合に特に有用である。Ｃｕは、非常に容易に移動する傾向があり、相互接続構造を汚染し得る。Ａｌは、露出したＡｌ表面上の自然酸化物の形成により移動を受けにくい。しかしながら、この自然酸化被膜の厚さは一般にやや薄く、バリア層が相互接続構造の性能改善のために使用され得る。バリア層は、ＴｉＮ、ＴａＮ、およびＴｉＷからなる材料のグループから選択された材料を具備し得る。所望の機能を得るために、相互接続構造中の各レベルは典型的には自身の様々なパターンを有する。相互接続構造の上面は、水分と汚染から相互接続構造を保護するためにパッシベーション層で覆われ得る。相互接続構造の外部素子との電気的接触を提供するためのボンド・パッド（ボンディング・パッド）は、最上の金属化レベルにおいて、またはパッシベーション層上で定義され得る。ボンド・パッドは、ワイヤ・ボンディングまたははんだバンプに適し得る。さらに、相互接続構造の最上面には、荷電粒子（例えば電子）の局部帯電および引きつけを回避するために金属化面が提供されるのが適切であり得る。
【００５９】
図７に示される方向がそうではないことを暗に示すかもしれないが、荷電粒子ビームレットはアパーチャ１３５を下方におよび上方に通過し得ることに注意されたい。アレイ９の実際の方向は、利用可能な空間および荷電粒子複数ビームレット・リソグラフィ・システム中の他の構成要素によって引き起こされる他の制約に依存し得る。
【００６０】
図８Ａ〜図８Ｆは、図７のビームレット・ブランカ・アレイ９の製造の際のステップの断面図を概略的に示す。
【００６１】
図８Ａは製造における第１段階を示す。これは相互接続構造１００を具備する本体を提供することを含んでいる。相互接続構造は、レベル１３６、１３７のスタック（積層）を定義する層のスタックを具備する。各レベルは１または複数の層を含み得る。そのような層内で構造間を接続するために使用される層は、金属化レベル１３６の一部として定義される。スタック内の様々な層間の接続を可能にするように配置される層は、ビア・レベル１３７の一部として定義される。相互接続構造１００には、相互接続構造内の様々なレベルにおいて複数の調整器および配線が設けられる。配線は、１または複数のパターン・データ受信素子（例えば図５を参照して詳述された感光素子４０）への調整器の接続を可能にする。
【００６２】
本体は、一般に構造の完全性の改善のためのおよびさらに電気的スイッチングおよび接続能力を提供するための支持基板１０１を含んでいる。このため、トランジスタ、ダイオード、およびキャパシタのような能動素子が、基板１０１内に定義されるのが適切であり得る。基板１０１はシリコン、シリコン・オン・インシュレータ、またはＳｉＧｅのような別の修正済のシリコン基板を具備するのが典型的である。
【００６３】
相互接続構造に面する基板表面は、基板１０１への拡散を防ぐための誘電体層１０５によって覆われ得る。そのような場合、誘電体層１０５には、ＬＯＣＯＳ（Local oxidation of Silicon）またはＳＴＩ（Shallow trench insulation）、または当業者に知られている他の適切な技術で提供され得る。
【００６４】
基板１０１および随意的な熱酸化膜１０５上に、複数レベルの相互接続構造１００が定義される。相互接続構造１００は、典型的には金属化レベル１３６間がビア・レベル１３７によって相互に結合されるように配置された複数の層を具備する。様々なレベルにおいて、導電性構造は、所定のパターンに従っており、絶縁材料１４５に囲まれる。金属化レベル１３６中の導電性構造は、典型的には接続する（接続）構造（例えばワイヤ）の形態を取り、他方、ビア・レベル１３７の導電性構造は、典型的にはいわゆるコンタクト・ホールまたはビアの形態を取っている。
【００６５】
金属化レベル内の導電性材料のパターン、およびビアの位置ならびに数は、少なくとも相互接続構造中のいくつかの位置において、形成される所望の調整器のパターンに対応する。この目的のため、アパーチャ領域１３５は、金属構造がなく、絶縁材料１４５で充填される。さらに、導電性素子１１０は、１または複数の金属化レベル中においてアパーチャ領域１３５の近くで周囲に配置され、ビア・レベル中のビア１２０によって相互に適切に接続される。
【００６６】
金属化レベル１３６中の金属、例えば導電性素子１１０用の金属は、アルミニウム（Ａｌ）を具備するのが典型的である。加えてまたは代わりに、金属は銅（Ｃｕ）を具備し得る。ビア１２０のために使用される典型的な材料は、いわゆるデュアル・ダマシン製造工程において製造されたビスマス（Ｗ）またはＣｕである。使用される絶縁材料１４５は二酸化シリコン（ＳｉＯ２）を具備するのが典型的である。
【００６７】
図示されないが、相互接続構造１００は、相互接続構造の保護のためのパッシベーション層で覆われるのが適切であり得る。荷電粒子リソグラフィ向けの適用形態で使用するために、システム内の望ましくない電荷蓄積をみな回避するために、そのようなパッシベーション層は、導電性皮膜で覆われるのが好ましい。
【００６８】
本体は、既知の半導体処理技術（例えばＣＭＯＳチップを生成する技術）を使用して製造されることが可能である。既知の半導体処理技術を使用してビームレット・ブランカ・アレイの基本構成要素（building block）を提供することは製造コストを著しく減じる。さらに、そのような本体を使用することは、下に記述される製造過程に従って製造されたビームレット・ブランカ・アレイの信頼性を向上させる。
【００６９】
本体を用意した後、相互接続構造１００は、３つの層（すなわち第１レジスト層１５１、絶縁層１５３、および第２レジスト層１５５）によって覆われ得る。このステップ後の最終結果は図８Ｂに示される。
【００７０】
第１レジスト層１５１はフォトレジスト層であるのが典型的である。第２レジスト層１５５は電子ビーム・レジスト層であるのが典型的である。絶縁層１５３はＳｉＯ２を具備するのが典型的である。レジスト膜１５１、１５５は、スピニング（spinning（スピンコート））によって堆積され得る。絶縁層１５３は、スパッタリングによって堆積され得る。
【００７１】
次に、第２レジスト層１５５はパターンに従って露光され、次いで現像されて図８Ｃに示される構造を得る。パターンに従った部分的露光は、第２レジスト層１５５が電子ビーム・レジストを具備する場合、電子ビーム・パターン発生器を使用して行われ得る。あるいは、第２レジスト層１５５がフォトレジストである場合、当業者によって理解されるようにマスクとともに適切な光源を使用したパターンを用いた露光が実行されることが可能である。
【００７２】
パターニングされた第２レジスト層１５５は、今度は、絶縁層１５３のためのエッチング・マスクとして使用される。エッチングされた絶縁層１５３は、次いで、第１レジスト層１５１のエッチングのためのエッチング・マスクとして使用され得る。エッチングは、適切なプラズマ（例えばフッ素プラズマおよび／または酸素プラズマ）を使用した誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）エッチングを含み得る。第１レジスト層１５１のエッチング中に、第２レジスト層１５５が消費され得る。上記の処理ステップの最終結果は、図８Ｄに概略的に示される。
【００７３】
次に、第１レジスト層１５１は、絶縁材料の除去のためにエッチング・マスクとして使用される。このエッチングも適切なプラズマ（例えばフッ素プラズマ）でのＩＣＰエッチングを含み得る。このエッチング・ステップの結果は、図８Ｅに示される。
【００７４】
次に、ホール１６０が、好ましくは異方性エッチング技術を使用することによって基板１０１にエッチングされる。基板がシリコン基板である場合、適切なエッチング技術は特にいわゆるボッシュ・エッチングである。ボッシュ・エッチングは、プラズマ環境中の周期的なエッチングおよび堆積ステップによる異方性エッチング方法で、独国特許発明第４２４１０４５および米国特許５，５０１，８９３号明細書中のシリコンのエッチングに関してより詳細に記述されている。ＧａＡｓ、Ｇｅ、およびＳｉＧｅのような他の材料は同様の方法でエッチングされることが可能である。
【００７５】
さらに、化学的選択的エッチング技術が、金属構造を実質的にそのままにしておきながら絶縁材料を除去することによって相互接続構造１００中の空きスペースを広げるために使用されてもよい。適切な化学的選択的エッチング技術はウェット・エッチングを含んでいる。相互接続構造１００内で空きスペースを広げた結果、様々な金属化レベル中の導電性素子１１０、およびビア・レベル中の１または複数のビア１２０が露出され得る。上述のエッチング・ステップの結果は、図８Ｆに概略的に示される。
【００７６】
金属化レベル中の導電性素子１１０および好ましくは１または複数のビア・レベル中の少なくとも１つのビア１２０を露出させることは、調整器の電極１３２、１３４の性能を向上させる。アパーチャ１３５を横切って電極１３２、１３４によって提供される電界は、一層、一様であり得る。さらに、使用中に電子ビームレットに面し得る絶縁材料１４５を除去することは、この材料が使用中に電子のような散乱した荷電粒子によって充電することを防止する。ビームレット・ブランカ・アレイのアパーチャ中に電荷が蓄積することは、時間とともに性能を下げる傾向があり、したがって望ましくない。
【００７７】
図８Ｅに示される構造は導電性素子１１０の側面を露出させるために絶縁材料１４５を除去することが必要であることを示唆するが、これらの側面の１つ以上を露出することは以前のエッチング・ステップで既に達成されていてもよい。
【００７８】
図示されないが、少なくとも導電性素子１１０の露出表面、および好ましくはアパーチャ１３５の内側の容積に露出された１または複数のビア１２０には、実質的に不活性の導電性皮膜（例えば酸化しないまたは実質的に酸化しない材料の被膜）が設けられ得る。そのような被膜の例は、ＣｒＭｏ、ＡｕおよびＰｔの被膜を含み、しかしそれらに制限されない。
【００７９】
さらなる処理ステップを描くために、ビームレット・ブランカ・アレイのより大きな部分の断面図が、図９Ａ、図９Ｂに提供される。この場合、断面図は図８Ａ〜図８Ｆを参照して詳述されたような３つのアパーチャ１３５を含む。
【００８０】
相互接続構造１００中の空きスペースを広げるために使用された化学的選択的ステップおよび基板１０１のホール１６０のエッチングの後、大きなアパーチャ１７０が、相互接続構造１００から離れて面する側（すなわち「裏側」）からエッチングすることによって、半導体基板１０１内に形成される。このエッチングのために、第３レジスト層１５７が、基板１０１の裏側上に選択的に堆積される（図９Ａを参照）。次に、第３レジスト層１５７は、図９Ｂに示される結果につながるエッチングのためのエッチング・マスクとして使用される。続く第３レジスト層１５７を除去することは、図７に示されるビームレット・ブランカ・アレイ部分につながるだろう。裏側エッチングのために、ドライ・エッチング（例えば反応性イオン・エッチング（ＲＩＥ））または本技術分野の当業者に知られているようなウェット・エッチングが利用されることが可能である。
【００８１】
導電性材料をアパーチャに露出させるための絶縁材料の化学的選択的除去ステップは、半導体基板１０１に１または複数のホール１６０をエッチングした後に必ずしも実行されるのではなく、図９Ａ、図９Ｂを参照して詳述された裏側エッチング・ステップの後に適用されてもよいことに注意されたい。
【００８２】
さらに、図９Ａ、図９Ｂを参照して詳述された裏側エッチング・ステップは、複数の調整器のための全体的構造を貫くスルーホールを定義するのに十分な寸法を有するアパーチャを裏側から形成するが、そのような裏側エッチング・アパーチャが１つの調整器ごとに同様に配置されてもよいことが理解されるべきである。１つの裏側アパーチャを複数の調整器のために使用する利点は、このことが裏側エッチング・ステップ中で使用されるマスクのより低い複雑性およびより低い位置合せ要件によって製造を簡略化することである。
【００８３】
図１０は、ビームレット・ブランカ・アレイの別の部分の簡略化された断面図を示す。具体的には、図１０は、ビームレット・ブランカ・アレイの感光素子を具備する部分を概略的に描く。図示の実施形態では、感光素子は、第１、第２ゾーン２４１Ｐ、２４１Ｎおよびそれらのゾーン２４１Ｎ、２４１Ｐ間の接合２４２を有するダイオード２４１を具備する。反射防止膜２４３がダイオード２４１上に存在する。そのような反射防止膜２４３は反射による光強度の減少を防ぐために配置されている。
【００８４】
図示の実施形態では、相互接続構造１００は空洞２５０を形成するためにダイオード２４１上で除去される。そのような除去は相互接続構造１００の完成後のエッチングによって実行されることが可能である。あるいは、空洞２５０は、図８Ｅに示される構造を得るために行なわれるエッチング・ステップの最中に形成され得る。反射防止膜２４３は、空洞２５０の形成前に堆積され得る。選択的エッチング液を選択することおよび／または適切な光学的に透明なエッチング停止層を有する被膜を提供することによって、被膜２４３はエッチング・ステップで除去されない。あるいは、反射防止膜２４３は後に、すなわち空洞２５０の形成後に堆積され得る。
【００８５】
図１０の実施形態に示されるように、さらなる電気的導電層２６０が、相互接続構造１００に加えられ得る。そのようなさらなる配線層２６０は、チップ・スケール・パッケージングの当業者に知られているように、いわゆる再配線層および／またはバンプ金属化層として役立ち得る。いくつかの実施形態では、さらなる配線層２６０は２つの副層（サブレイヤ）、すなわち下部のパッシベーション層および上部の導電層、を具備する。パッシベーション層は、外部の影響（例えば製造中の本体のさらなる機械的処理）によって引き起こされる損傷から相互接続構造１００を保護するために配置される。上部導電層は、他の構造との導電接続を可能にするために使用され得る。さらに、特に上部導電層が全処理ステップ後に本体上にスパッタされる場合、上部導電層はシステム中で動き回っている絶縁性粒子を覆い得る。そのような絶縁性粒子を覆うことは、システム中の漂遊電界源の数を減らす。
【００８６】
別の適切な実施においては、１つの第１、第２境界領域２４７、２４８が、フォトダイオード４１と相互接続構造１００の間で水平方向に存在する。ここでは、第１境界領域２４７は、図示しないデフレクタの横に存在する。第１境界領域２４７は、ここでは第２境界領域２４８より小さい。この実施形態は、ちょうど９０度よりやや小さな入射角を有する光ビームの送信を可能にする。
【００８７】
図１０に示されるような空洞２５０中に感光素子を設けることは、空洞２５０の高さ以下の直径を有する感光素子に特に適している。この場合、空洞２５０の側面は、感光素子、特に反射防止膜２４３から始まる電界を効果的に遮断する。この電界は散乱した電荷粒子が集まることに起因する。角度βのタンジェントは直径および空洞の高さの比率と等しい。角度βは約４５度より大きいことが適切であり、約６０度より大きいことがより適切である。
【００８８】
感光素子が荷電粒子源として作用し始めると、このことは１または複数の近隣のビームレット（図１０中に示さず）がきれいに通過することを妨害し得る。反射防止膜２４３を省略することは、この望ましくない影響を弱め得る。反射防止膜２４３は一般に絶縁材料から形成されるか、または絶縁材料を主に具備し、絶縁材料では散乱した荷電粒子が比較的容易に集められ得る。しかしながら、反射防止膜２４３を省略することは、光取り込み（incoupling）の効率を下げるだろう。具体的には、光学的に送信されるデータ量が大きく（例えば１つのデフレクタ当たり約１００のＭＢｉｔ／ｓ）設計されている場合、光取り込み効率は重要である。効率が高いことは、高周波数の、例えば１０ＭＨｚ超の、好ましくは１００ＭＨｚ超の、および適切には１ＧＨｚ超の周波数で調整された光ビームの送信を可能にする。
【００８９】
図１０に示される実施形態に、１つの光学的に透明で、電気的に導電性の皮膜２７０が、反射防止膜上に存在してビーム・プロテクタとして作用する。そのような被膜２７０は、いくつかは後述の、ビーム・プロテクタの他の実施形態に代えてまたは加えて使用され得る。空洞２５０内に導電性皮膜２７０を設けることは当業者に知られている方法で行われることが可能である。例えば、１つは、１つのステップにおいて反射防止膜２４３および導電性皮膜２７０をパターニングし得る。あるいは、導電性皮膜２７０は適切なプリント処理（printing process）によって提供され得る。導電性皮膜２７０は、ポリ酸と結合した、インジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）およびポリ−３，４−エチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）のような導電性重合体からなる材料のグループから選択された材料を具備し得る。
【００９０】
図１０に典型的に示されるダイオード２４１は、ドープ領域２４１Ｐ、２４１Ｎを得るための適切なドーピングによって支持基板１０１に形成されたダイオードである。典型的には、基板１０１は主にシリコンを含んでおり、ダイオード２４１はシリコン・ダイオードと称される。シリコン・ダイオードの反応時間は、高速動作を必要とするいくつかの適用形態については遅すぎる場合がある。したがって、Ｇｅダイオードが、特により高速の適用形態のために使用されるのが好ましい。Ｇｅダイオードは、支持基板１０１に統合される必要はない。代わりに、それらは、例えば陽極ボンディングを使用することによって相互接続構造１００上にＧｅプレートをボンディングすることによって形成され得る。ボンディングは、相互接続構造１００上に、中間絶縁層（例えば二酸化シリコン層）を堆積し、適切な研磨ステップが続いて実質的に平坦な面を得ることによって実行され得る。次に、実質的平坦面は、ボンディングのためのＧｅプレートを受け取る目的に役立つ。Ｇｅプレートをボンディングした後、プレートは所定の位置で適切にパターニングされることが可能であり、ダイオード（以下、Ｇｅダイオードと称される）を得る。図１０中のＳｉダイオード２４１についての場合と同様に、このように形成されたＧｅダイオードは空洞２５０中には存在しないことに注目されたい。したがって、Ｇｅダイオードから始まる電界は、相互接続構造１００によって実質的に遮断されない。これらの実施形態については、ビーム・プロテクタを使用することが望ましい場合がある。そのようなビーム・プロテクタの実施形態は図１１、図１２、および図１３を参照して記述されるだろう。
【００９１】
上述のように、本構造の実施形態にはビーム・プロテクタが設けられ得る。そのようなビーム・プロテクタは、ビームレット・ブランカ・アレイ９の基板１０１と実質的に平行なプレート組み立て品（assemble）の形態を取り得る。あるいは、ビーム・プロテクタはそのようなプレートから伸びる側壁として実現され得る。ビーム・プロテクタの様々な実施形態は図１１〜図１３を参照して詳述される。
【００９２】
図１１は、図１０に示される構造のさらなる実施形態を示す。図１１の実施形態では、本体２８０が相互接続構造１００に取り付けられる。組立のために、はんだボール２７５が使用される。はんだボール２７５は、ＩＣ製造において一般に使用されるパッシベーション層２６５を貫いて延びる。本体２８０は、感光素子から始まる電界を遮断するためのビーム・プロテクタとして使用されるのが適切である。そのような電界を表わす電界線２９０の典型的な方向も、図１１に示される。
【００９３】
図１２は、ビーム・プロテクタ３００を伴ったビームレット・ブランカ・アレイ３０９の概略的な断面を示す。ビームレット・ブランカ・アレイ３０９は、図５に概略的に示されるように、ビーム領域および非ビーム領域へ分割され得る。ここで、非ビーム領域は、光ビーム３１７を受け取るように配置された複数の感光素子３４０を具備する。ビーム領域は相互に隣接する複数のデフレクタ３３０を含んでいる。ここで１点鎖線矢印で示される光ビーム３１７は、約９０度の入射角を有する。これが不可欠ではないことに注意されたい。
【００９４】
図１２に示されるビーム・プロテクタ３００の実施形態は、基板３１０を、その上で延びる側壁３２０とともに含んでいる。側壁３２０は、ビームレット３０７の軌道と揃ってアパーチャ３３５に隣接して基板３１０上に位置する。図１２中のビームレット３０７はビームレット・アレイ３０９を垂直に通過するが、これが不可欠ではないことに注意されたい。
【００９５】
側壁３２０は、導電性材料から形成されるのが適切である。いくつかの実施形態では、側壁３２０は、アパーチャ３３５の周囲に配置される。他のいくつかの実施形態では、側壁３２０は、１または複数の感光素子３４０によって定義された水平方向領域の周囲に配置される。そのような場合、感光素子の水平方向領域の近くで伸びる側壁およびアパーチャ３３５のまわりで伸びる側壁を含む、側壁３２０の構造が設けられ得る。
【００９６】
図１３は、ビーム・プロテクタ３００を伴ったビームレット・ブランカ構成３０９のさらに別の実施形態を示す。この実施形態のビームレット・ブランカ構成３０９は第１基板４００および第２基板４１０を具備する。デフレクタ３３０は第１基板４００上に定義される。感光素子３４０は第２基板４１０の表面で定義される。はんだボール４２０または他のタイプのコネクタは第１基板４００から第２基板４１０まで機械的接続、および感光素子３４０とデフレクタ３３０の間および／またはあらゆる介在する回路との電気的接続を提供する。光ビーム３１７は、ここでは、反対方向（例えば列の上側）から感光素子３４０に到達する。さらに、放射（radiation）アパーチャ４３５は第１基板４００の中にある。ビーム・プロテクタ３００は、複数の感光素子３４０の周囲で延びる側壁として実現される。
【００９７】
発明が、上に詳述された特定の実施形態への言及によって記述された。これらの実施形態が発明の思想および範囲から外れること無しに当業者にとって周知の様々な変更および代替的形態を受け得ることが認識されるだろう。したがって、特定の実施形態が記述されたが、これらは単に例であり、発明の範囲を制限しない。発明の範囲は、添付の請求項において定義されている。
以下に、本願出願時の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
［１］ターゲットの表面上にパターンを転写するための荷電粒子リソグラフィ・システムであって、
複数の荷電粒子ビームレットを生成するためのビーム発生器であって、前記複数のビームレットは列を定義する、ビーム発生器と、
複数のビームレットを前記ターゲット表面に達することから遮断するための表面と、前記複数のビームレットが前記ターゲット表面に達することを可能にするための前記表面におけるアパーチャのアレイを有するビーム・ストップ・アレイと、
前記複数のビームレットが前記ビーム・ストップ・アレイによって遮断されるか遮断されないように前記複数のビームレットを偏向させるか偏向させないことによって、前記複数のビームレットのうちの１または複数が前記ターゲット表面に達することを防ぐか前記複数のビームレットのうちの１または複数が前記ターゲット表面に達することを可能にするためのビームレットを調整するための調整装置であって、
前記複数のビームレットに前記調整装置を通過させるためのアレイ状に配置された複数のアパーチャと、
アレイ状に配置された複数の調整器であって、各調整器がアパーチャの両側で延びる前記アパーチャを横切る電位差を生成するための電極を設けられている、複数の調整器と、
調整された複数の光ビームを受け取るとともに前記複数の光ビームを前記複数の調整器を作動させるための電気信号に変換するためのアレイ状に配置された複数の感光素子であって、前記複数の感光素子は前記列の内側に位置する、複数の感光素子と、
を具備する調整装置と、
を具備し、
前記調整装置は交互の複数のビーム領域および複数の非ビーム領域へ分割されており、
前記アパーチャのアレイおよび前記調整器のアレイは前記複数のビーム領域内に位置し、
前記感光素子のアレイは前記複数の非ビーム領域内に位置し、隣接のビーム領域内の前記複数の調整器と通信する。
荷電粒子リソグラフィ・システム。
［２］前記複数の非ビーム領域のうちの複数は前記ビームレット列の内側に位置し、前記複数の荷電粒子ビームレットが前記装置の前記複数のビーム領域のみにおいて前記調整装置と交差するように配置されている、
［１］のシステム。
［３］１つのビーム領域内の前記複数の調整器が、このビーム領域の１または複数の側に位置する複数の非ビーム領域内に配置された複数の感光素子によって制御される、
［１］または［２］のシステム。
［４］前記複数のビーム領域内の前記複数の調整器が前記複数の非ビーム領域内の前記複数の感光素子より密に詰め込まれている、
先行する請求項のいずれかのシステム。
［５］前記複数のビームレットが複数のグループに構成され、前記複数の調整器が複数のグループに構成され、
各調整器のグループが前記複数のビームレットのグループのうちの１つを偏向させるか偏向させないためのものであって、
各調整器のグループが前記調整装置の前記複数のビーム領域の１つの中に位置する、
先行する請求項のいずれかのシステム。
［６］各ビームレットのグループが共通点に集束するように構成されている、
［５］のシステム。
［７］１つのビームレットのグループのための前記共通の集束点が前記ビームレットのグループの光学軸上にある、
［６］のシステム。
［８］各調整器のグループの前記複数の調整器の各々が、１つのビームレットのグループの前記複数のビームレットを偏向させるために、このビームレットのグループの前記集束点から延びる放射状線に沿って回転させられる、
［６］または［７］のシステム。
［９］各ビームレットのグループが、前記ビーム・ストップ・アレイ中の１つのアパーチャの方へ向けられるように構成されている、
［５］乃至［８］のいずれかのシステム。
［１０］各調整器のグループが、前記複数のビーム領域のうちの１つにおいて長方形アレイ状に配置され、隣接する非ビーム領域中の１つの感光素子によって制御される、
［５］乃至［９］のいずれかのシステム。
［１１］各調整器のグループが、前記対応する複数のビームレットのグループの中心に位置する軸のまわりに放射状に配置されている、
［５］乃至［９］のいずれかのシステム。
［１２］前記複数のビーム領域および前記複数の非ビーム領域が複数の長方形のスリットの形態にある、
先行する請求項のいずれかのシステム。
［１３］前記複数のスリットが実質的に前記ビームレットの列の全体の幅にわたって延びる、
［１２］のシステム。
［１４］前記複数の非ビーム領域が前記複数のビーム領域より大きな幅を有する、
［１２］または［１３］のシステム。
［１５］前記複数のスリットの方向が前記リソグラフィ・システムのウェハ位置決めシステムの相対的な移動方向と実質的に交わるか、前記複数のビームレットの偏向を走査する方向と実質的に平行である、
［１２］乃至［１４］のいずれかのシステム。
［１６］前記複数の感光素子の各々が前記複数の調整器の複数を制御するための信号を提供する、
先行する請求項のいずれかのシステム。
［１７］前記複数の感光素子によって受信された前記複数の調整された光信号が複数の調整器を制御するための情報を提供するように多重化され、
各感光素子は複数の調整器を制御するための前記受信された信号の逆多重化するためのデマルチプレクサと通信する、
［１６］のシステム。
［１８］対応する感光素子のための前記デマルチプレクサが、前記感光素子と前記感光素子によって受信された前記信号によって制御される前記複数の調整器を含んだ前記ビーム領域との間に位置する、
［１７］のシステム。
［１９］前記調整装置が前記複数のビーム領域内に位置する複数の記憶素子を含んでおり、
各記憶素子が前記複数の調整器の１つの制御のための信号を格納する、
［１６］乃至［１８］のいずれかのシステム。
［２０］前記複数の調整器が２次元アレイ状に配置され、
行と列がビット線とワード線によってアドレス指定される、
［１６］乃至［１９］のいずれかのシステム。
［２１］前記複数の感光素子の各々が少なくとも２５の調整器を制御するための信号を提供する、
［１６］乃至［２０］のいずれかのシステム。
［２２］前記調整装置の前記複数の非ビーム領域が前記複数のビーム領域より大きな構造的強度を有する、
先行する請求項のいずれかのシステム。
［２３］パターンに従って複数の荷電粒子ビームレットをパターン化するための荷電粒子リソグラフィ・システムで使用される調整装置であって、前記複数のビームレットは列を定義し、前記調整装置は前記複数のビームレットを偏向させるか偏向させないことによって前記複数のビームレットの１または複数が前記ターゲット表面に達することを防ぐか前記複数のビームレットの１または複数が前記ターゲット表面に達するように前記複数のビームレットを調整することに役立ち、
前記複数のビームレットに前記調整装置を通過させるためのアレイ状に配置された複数のアパーチャと、
アレイ状に配置された複数の調整器であって、各調整器がアパーチャの両側で延びる前記アパーチャを横切る電位差を生成するための電極を設けられている、複数の調整器と、
調整された複数の光ビームを受け取るとともに前記複数の光ビームを前記複数の調整器を作動させるための電気信号に変換するためのアレイ状に配置された複数の感光素子であって、前記複数の感光素子は前記列の内側に位置する、複数の感光素子と、
を具備し、
前記調整装置は交互の複数のビーム領域および複数の非ビーム領域へ分割されており、
前記アパーチャのアレイおよび前記調整器のアレイは前記複数のビーム領域内に位置し、
前記感光素子のアレイは前記複数の非ビーム領域内に位置し、隣接のビーム領域内の前記複数の調整器と通信する、調整装置。
［２４］前記複数の非ビーム領域のうちの複数は前記ビームレット列の内側に位置し、前記複数の荷電粒子ビームレットが前記装置の前記複数のビーム領域のみにおいて前記調整装置と交差するように配置されている、
［２３］の調整装置。
［２５］１つのビーム領域内の前記複数の調整器が、このビーム領域の１または複数の側に位置する複数の非ビーム領域内に配置された複数の感光素子によって制御される、
［２３］または［２４］の調整装置。
［２６］前記複数のビーム領域内の前記複数の調整器が前記複数の非ビーム領域内の前記複数の感光素子より密に詰め込まれている、
［２３］乃至［２５］のいずれかの調整装置。
［２７］前記複数のビームレットが複数のグループに構成され、前記複数の調整器が複数のグループに構成され、
各調整器のグループが前記複数のビームレットのグループのうちの１つを偏向させるか偏向させないためのものであって、
各調整器のグループが前記調整装置の前記複数のビーム領域の１つの中に位置する、
［２３］乃至［２６］のいずれかの調整装置。
［２８］各ビームレットのグループが共通点に集束するように構成されている、
［２７］の調整装置。
［２９］１つのビームレットのグループのための前記共通の集束点が前記ビームレットのグループの光学軸上にある、
［２８］の調整装置。
［３０］各調整器のグループの前記複数の調整器の各々が、１つのビームレットのグループの前記複数のビームレットを偏向させるために、このビームレットのグループの前記集束点から延びる放射状線に沿って回転させられる、
［２８］または［２９］の調整装置。
［３１］各ビームレットのグループが、前記ビーム・ストップ・アレイ中の１つのアパーチャの方へ向けられるように構成されている、
［２３］乃至［３０］のいずれかの調整装置。
［３２］各調整器のグループが、前記複数のビーム領域のうちの１つにおいて長方形アレイ状に配置され、隣接する非ビーム領域中の１つの感光素子によって制御される、
［２３］乃至［３１］のいずれかの調整装置。
［３３］各調整器のグループが、前記対応する複数のビームレットのグループの中心に位置する軸のまわりに放射状に配置されている、
［２３］乃至［３１］のいずれかの調整装置。
［３４］前記複数のビーム領域および前記複数の非ビーム領域が複数の長方形のスリットの形態にある、
［２３］乃至［３２］のいずれかの調整装置。
［３５］前記複数のスリットが実質的に前記ビームレットの列の全体の幅にわたって延びる、
［３４］の調整装置。
［３６］前記複数の非ビーム領域が前記複数のビーム領域より大きな幅を有する、
［３４］または［３５］の調整装置。
［３７］前記複数のスリットの方向が前記リソグラフィ・調整装置のウェハ位置決め調整装置の相対的な移動方向と実質的に交わるか、前記複数のビームレットの偏向を走査する方向と実質的に平行である、
［３４］乃至［３６］のいずれかの調整装置。
［３８］前記複数の感光素子の各々が前記複数の調整器の複数を制御するための信号を提供する、
［２３］乃至［３７］のいずれかの調整装置。
［３９］前記複数の感光素子によって受信された前記複数の調整された光信号が複数の調整器を制御するための情報を提供するように多重化され、
各感光素子は複数の調整器を制御するための前記受信された信号の逆多重化するためのデマルチプレクサと通信する、
［３８］の調整装置。
［４０］対応する感光素子のための前記デマルチプレクサが、前記感光素子と前記感光素子によって受信された前記信号によって制御される前記複数の調整器を含んだ前記ビーム領域との間に位置する、
［３９］の調整装置。
［４１］前記調整装置が前記複数のビーム領域内に位置する複数の記憶素子を含んでおり、
各記憶素子が前記複数の調整器の１つの制御のための信号を格納する、
［３８］乃至［４０］のいずれかの調整装置。
［４２］前記複数の調整器が２次元アレイ状に配置され、
行と列がビット線とワード線によってアドレス指定される、
［３８］乃至［４１］のいずれかの調整装置。
［４３］前記複数の感光素子の各々が少なくとも２５の調整器を制御するための信号を提供する、
［３８］乃至［４２］のいずれかの調整装置。
［４４］前記調整装置の前記複数の非ビーム領域が前記複数のビーム領域より大きな構造的強度を有する、
［３８］乃至［４３］のいずれかの調整装置。
［４５］特に先行する請求項のいずれかの荷電粒子リソグラフィ・システムを使用してターゲット表面上へパターンを転写する方法であって、
列を定義する複数のビームレットを生成するステップと、
制御ユニットの制御の下で、前記複数のビームレットが前記ターゲット表面に達するのを完全にまたは部分的に防ぐ目的で、前記複数のビームレットを偏向させるか偏向させないことによって前記複数のビームレットを調整するステップと、
前記通過した複数のビームレットを前記ターゲット表面に転送するステップと、
を具備し、
前記調整することは、
前記パターンを搬送する調整された複数の光ビームとしてデータを複数の感光素子に光学的に送信するステップと、
前記複数の感光素子によって受信された、前記調整された複数の光ビームを電気信号に変換するステップと、
電界中での偏向によって、前記複数のビームレットが前記ターゲット表面に達することから遮断するか遮断しないために前記複数のビームレットを選択的に偏向させるために、前記電気信号に基づいて１または複数の調整器を作動させるステップと、
を具備する方法。
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
0005844269.tif 000004
【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図８Ｄ】
0005844269.tif 000013
【図８Ｅ】
0005844269.tif 000014
【図８Ｆ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
0005844269.tif 000017
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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