(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板上に設けられたエレクトロルミネッセンス素子を備えたエレクトロルミネッセンス装置であって、
前記エレクトロルミネッセンス素子を封止する封止膜を備え、
前記エレクトロルミネッセンス素子の発光面に対して、鈍角となる傾斜面を有し、かつ、前記封止膜の膜剥がれを防止する防止部を前記エレクトロルミネッセンス素子の非発光領域のみに設けた、
ことを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項２】
前記防止部には、前記封止膜に覆われるとともに、前記エレクトロルミネッセンス素子側から前記封止膜側に向かって突起した複数の突起物が含まれている請求項１に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項３】
前記防止部では、前記エレクトロルミネッセンス素子に設けられた副画素毎に、前記突起物が複数設置されている請求項２に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項４】
前記防止部では、前記突起物の前記封止膜側の表面の面積をＳ１とし、前記突起物の前記エレクトロルミネッセンス素子側の表面の面積をＳ２とし、前記副画素の面積をＳ３としたときに、下記（１）式で求められる前記傾斜面の面積率Ｓｒが、
Ｓｒ  ＝  （Ｓ１−Ｓ２）／Ｓ３                  ―――（１）
３％以上となるように、前記副画素毎の複数の前記突起物が設けられている請求項３に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項５】
前記防止部では、３個以上の前記突起物が前記副画素毎に設けられた場合、これら３個以上の前記突起物は、その各中心が同一の直線上に配置されないように設置されている請求項３または４に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項６】
前記エレクトロルミネッセンス素子では、その発光面が基準発光面と、前記基準発光面の端面に連続的に設けられるとともに、当該基準発光面に対して傾斜した傾斜発光面とを有するように構成され、
前記防止部では、前記基準発光面と前記傾斜発光面との境界部分での前記突起物の設置密度が、前記基準発光面の前記境界部分以外の部分での前記突起物の設置密度、及び前記傾斜発光面の前記境界部分以外の部分での前記突起物の設置密度よりも大きい値とされている請求項２〜５のいずれか１項に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項７】
前記基板に対向する対向基板と、前記基板と前記対向基板との間に設けられたシール材を備え、
前記エレクトロルミネッセンス素子は、前記基板、前記対向基板、及び前記シール材によって封入されている請求項１〜６のいずれか１項に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項８】
前記基板及び前記対向基板には、フレキシブル基板が用いられている請求項７に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項９】
前記封止膜は、無機層と有機層との積層によって構成されている請求項１〜８のいずれか１項に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項１０】
前記封止膜では、その膜厚が２μｍ以上とされている請求項１〜９のいずれか１項に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を有するエレクトロルミネッセンス装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、様々な商品や分野でフラットパネルディスプレイが活用されており、フラットパネルディスプレイのさらなる大型化、高画質化、低消費電力化が求められている。【０００３】
そのような状況下、有機材料の電界発光（Electro Luminescence）を利用した有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を備えた有機ＥＬ表示装置は、全固体型で、低電圧駆動可能、高速応答性、自発光性等の点で優れたフラットパネルディスプレイとして、高い注目を浴びている。【０００４】
例えばアクティブマトリクス方式の有機ＥＬ表示装置では、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）が設けられた基板上に薄膜状の有機ＥＬ素子が設けられている。有機ＥＬ素子では、一対の電極の間に発光層を含む有機ＥＬ層が積層されている。一対の電極の一方にＴＦＴが接続されている。そして、一対の電極間に電圧を印加して発光層を発光させることにより画像表示が行われる。【０００５】
また、上記のような従来の有機ＥＬ表示装置では、例えば下記特許文献１に記載されているように、有機層と無機層を交互に積層した封止膜を有機ＥＬ素子上に設けることが提案されている。そして、この従来の有機ＥＬ表示装置では、封止膜により、水分や酸素による有機ＥＬ素子の劣化を防止することが可能とされていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−３７８１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記のような従来の有機ＥＬ表示装置（エレクトロルミネッセンス装置）では、封止膜が有機ＥＬ素子（エレクトロルミネッセンス素子）から剥がれるという問題点を生じることがあった。【０００８】
上記の課題を鑑み、本発明は、封止膜の膜剥がれの発生を防ぐことができるエレクトロルミネッセンス装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の目的を達成するために、本発明にかかるエレクトロルミネッセンス装置は、基板と、前記基板上に設けられたエレクトロルミネッセンス素子を備えたエレクトロルミネッセンス装置であって、
前記エレクトロルミネッセンス素子を封止する封止膜を備え、
前記エレクトロルミネッセンス素子の発光面に対して、鈍角となる傾斜面を有し、かつ、前記封止膜の膜剥がれを防止する防止部を前記エレクトロルミネッセンス素子の非発光領域のみに設けたことを特徴とするものである。【００１０】
上記のように構成されたエレクトロルミネッセンス装置では、上記エレクトロルミネッセンス素子の非発光領域のみに、当該エレクトロルミネッセンス素子の発光面に対して、鈍角となる傾斜面を有し、かつ、封止膜の膜剥がれを防止する防止部が設けられている。これにより、上記従来例と異なり、封止膜の膜剥がれの発生を防ぐことができるエレクトロルミネッセンス装置を構成することができる。【００１１】
また、上記エレクトロルミネッセンス装置において、前記防止部には、前記封止膜に覆われるとともに、前記エレクトロルミネッセンス素子側から前記封止膜側に向かって突起した複数の突起物が含まれていることが好ましい。【００１２】
この場合、上記複数の突起物により、封止膜の膜剥がれの発生を確実に防ぐことができる。【００１３】
また、上記エレクトロルミネッセンス装置において、前記防止部では、前記エレクトロルミネッセンス素子に設けられた副画素毎に、前記突起物が複数設置されていることが好ましい。【００１４】
この場合、複数の突起物が上記副画素毎に設けられているので、封止膜の膜剥がれの発生をより確実に防ぐことができる。【００１５】
また、上記エレクトロルミネッセンス装置において、前記防止部では、前記突起物の前記封止膜側の表面の面積をＳ１とし、前記突起物の前記エレクトロルミネッセンス素子側の表面の面積をＳ２とし、前記副画素の面積をＳ３としたときに、下記（１）式で求められる前記傾斜面の面積率Ｓｒが、
Ｓｒ  ＝  （Ｓ１−Ｓ２）／Ｓ３                  ―――（１）
３％以上となるように、前記副画素毎の複数の前記突起物が設けられていることが好ましい。【００１６】
この場合、複数の突起物による、封止膜の膜剥がれ防止機能が低下するのを確実に防止することができ、封止膜の膜剥がれの発生を確実に防ぐことができる。【００１７】
また、上記エレクトロルミネッセンス装置において、前記防止部では、３個以上の前記突起物が前記副画素毎に設けられた場合、これら３個以上の前記突起物は、その各中心が同一の直線上に配置されないように設置されていることが好ましい。【００１８】
この場合、複数の突起物による、封止膜の膜剥がれ防止機能を向上させることができ、封止膜の膜剥がれの発生をより確実に防ぐことができる。【００１９】
また、上記エレクトロルミネッセンス装置において、前記エレクトロルミネッセンス素子では、その発光面が基準発光面と、前記基準発光面の端面に連続的に設けられるとともに、当該基準発光面に対して傾斜した傾斜発光面とを有するように構成され、
前記防止部では、前記基準発光面と前記傾斜発光面との境界部分での前記突起物の設置密度が、前記基準発光面の前記境界部分以外の部分での前記突起物の設置密度、及び前記傾斜発光面の前記境界部分以外の部分での前記突起物の設置密度よりも大きい値とされていることが好ましい。【００２０】
この場合、エレクトロルミネッセンス素子の発光面が上記基準発光面及び傾斜発光面を有する場合でも、封止膜の膜剥がれの発生を防ぐことができる。【００２１】
また、上記エレクトロルミネッセンス装置において、前記基板に対向する対向基板と、前記基板と前記対向基板との間に設けられたシール材を備え、
前記エレクトロルミネッセンス素子は、前記基板、前記対向基板、及び前記シール材によって封入されてもよい。【００２２】
この場合、外部からの水分や酸素の浸入をより抑制することができ、水分や酸素によるエレクトロルミネッセンス素子の劣化をより抑制することができる。【００２３】
また、上記エレクトロルミネッセンス装置において、前記基板及び前記対向基板には、フレキシブル基板が用いられてもよい。【００２４】
この場合、フレキシブル性（屈曲性）を有するエレクトロルミネッセンス装置を構成することができる。【００２５】
また、上記エレクトロルミネッセンス装置において、前記封止膜は、無機層と有機層との積層によって構成されてもよい。【００２６】
この場合、封止膜の封止機能を向上させつつ、封止膜を強固な構造とすることができる。【００２７】
また、上記エレクトロルミネッセンス装置において、前記封止膜では、その膜厚が２μｍ以上とされていることが好ましい。【００２８】
この場合、封止膜により、エレクトロルミネッセンス素子を確実に封止することができる。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば、封止膜の膜剥がれの発生を防ぐことができるエレクトロルミネッセンス装置を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】図１は、本発明の第１の実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の発光領域での断面を示す断面図である。
【図２】図２は、上記有機ＥＬ表示装置の非発光領域での断面を示す断面図である。
【図３】図３は、上記有機ＥＬ表示装置の要部構成を説明する拡大平面図である。
【図４】図４は、図１に示した封止膜の具体的な構成例を説明する拡大断面図である。
【図５】図５は、図１に示した突起物による封止膜に対するアンカー効果を説明する図である。
【図６】図６（ａ）は、比較例１によるアンカー効果を説明する図であり、図６（ｂ）は、本実施形態品によるアンカー効果を説明する図である。
【図７】図７（ａ）は、比較例２によるアンカー効果を説明する図であり、図７（ｂ）は、本実施形態品によるアンカー効果を説明する図である。
【図８】図８は、本発明の第２の実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の発光領域での断面を示す断面図である。
【図９】図９は、図８に示した有機ＥＬ表示装置の非発光領域での断面を示す断面図である。
【図１０】図１０は、本発明の第３の実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の発光領域での断面を示す断面図である。
【図１１】図１１は、図１０に示した有機ＥＬ表示装置の非発光領域での断面を示す断面図である。
【図１２】図１２（ａ）及び図１２（ｂ）は、それぞれ本発明の第４の実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置を含んだ表示装置の斜視図及び側面図である。
【図１３】図１３は、図１２（ａ）に示した境界部分Ｆ１及びＦ２での有機ＥＬ表示装置の要部構成を説明する拡大平面図である。
【図１４】図１４（ａ）及び図１４（ｂ）は、それぞれ上記突起物の変形例１の平面図及び側面図であり、図１４（ｃ）及び図１４（ｄ）は、それぞれ上記突起物の変形例２の平面図及び側面図であり、図１４（ｅ）及び図１４（ｆ）は、それぞれ上記突起物の変形例３の平面図及び側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、本発明のエレクトロルミネッセンス装置を示す好ましい実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明では、本発明を有機ＥＬ表示装置に適用した場合を例示して説明する。また、各図中の構成部材の寸法は、実際の構成部材の寸法及び各構成部材の寸法比率等を忠実に表したものではない。
【００３２】
［第１の実施形態］
図１は、本発明の第１の実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の発光領域での断面を示す断面図である。図２は、上記有機ＥＬ表示装置の非発光領域での断面を示す断面図である。図１において、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１は、基板としてのＴＦＴ基板２、及びこのＴＦＴ基板２上に設けられたエレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence）素子としての有機ＥＬ素子４を備えている。
【００３３】
また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１では、有機ＥＬ素子４が複数の画素（複数の副画素を含む。）を有する矩形状の画素領域ＰＡを構成しており、この有機ＥＬ素子４は封止膜１４によって封止されている。また、上記画素領域ＰＡは、有機ＥＬ表示装置１の表示部を構成しており、情報表示を行うようになっている。すなわち、この画素領域ＰＡでは、後に詳述するように、複数の画素（複数の副画素）がマトリクス状に配置されており、有機ＥＬ素子４が副画素毎に発光することにより、情報表示を行うよう構成されている。
【００３４】
また、図１において、ＴＦＴ基板２は、例えばガラス材により、構成されている。また、ＴＦＴ基板２には、その全面を覆うように下地膜（絶縁膜）６が設けられている。また、図１に例示するように、有機ＥＬ表示装置１の発光領域では、下地膜６上に、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）７が画素領域ＰＡの副画素毎に設けられている。また、下地膜６上には、マトリクス状に設けられた複数のソース線（信号線）及び複数のゲート線を含んだ配線８が形成されている。ソース線及びゲート線には、それぞれソースドライバ及びゲートドライバが接続されており（図示せず）、外部から入力された画像信号に応じて、副画素毎のＴＦＴ７を駆動するようになっている。また、ＴＦＴ７は、対応する副画素の発光を制御するスイッチング素子として機能するものであり、有機ＥＬ素子４によって構成された赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び青色（Ｂ）のいずれかの色の副画素での発光を制御するようになっている。
【００３５】
なお、下地膜６は、ＴＦＴ基板２からＴＦＴ７への不純物拡散によりＴＦＴ７の特性が劣化するのを防止するためのものであり、そのような劣化が懸念されないのであれば、設置を省略することができる。
【００３６】
また、図１に示すように、ＴＦＴ基板２上には、層間絶縁膜９、エッジカバー１０、及び有機ＥＬ素子４の第一電極１１が形成されている。層間絶縁膜９は、平坦化膜としても機能するものであり、ＴＦＴ７及び配線８を覆うように下地膜６上に設けられている。エッジカバー１０は、層間絶縁膜９上に、第一電極１１のパターン端部を被覆するように形成されている。また、エッジカバー１０は、第一電極１１と後述の第二電極１３との短絡を防止するための絶縁層としても機能するようになっている。また、第一電極１１は、層間絶縁膜９に形成されたコンタクトホールを介してＴＦＴ７に接続されている。
【００３７】
また、エッジカバー１０の開口部、つまり第一電極１１が露出した部分が、有機ＥＬ素子４の発光領域を実質的に構成しており、上述したように、ＲＧＢのいずれかの色光を発光して、フルカラー表示が行えるように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１は構成されている。また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）７を有するアクティブマトリクス型の表示装置を構成している。
【００３８】
また、図１に示すように、第一電極１１上には、有機ＥＬ層１２及び第二電極１３が形成されており、これらの第一電極１１、有機ＥＬ層１２、及び第二電極１３により、有機ＥＬ素子４が構成されている。すなわち、有機ＥＬ素子４は、例えば低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子であり、第一電極１１、有機ＥＬ層１２、及び第二電極１３を備えている。
【００３９】
具体的にいえば、第一電極１１が陽極である場合、第一電極１１側より、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等が有機ＥＬ層１２として積層され（図示せず）、さらに陰極としての第二電極１３が形成される。また、この説明以外に、正孔注入層兼正孔輸送層などのように、単一の層が２つ以上の機能を有する構成でもよい。また、有機ＥＬ層１２において、キャリアブロッキング層などを適宜挿入してもよい。
【００４０】
一方、第二電極１３が陽極である場合には、有機ＥＬ層１２での層順が上述のものと逆転したものとなる。
【００４１】
また、第一電極１１を透過電極あるいは半透過電極にて構成し、第二電極１３を反射電極にて構成した場合、有機ＥＬ表示装置１はＴＦＴ基板２側から光出射するボトムエミッション型となる。すなわち、このボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置１では、第一電極１１のＴＦＴ基板２側の表面が有機ＥＬ素子４の実質的な発光面を構成して、外部に光を出射するようになっている。
【００４２】
逆に、第一電極１１を反射電極にて構成し、第二電極１３を透過電極あるいは半透過電極にて構成した場合、有機ＥＬ表示装置１は封止膜１４から光出射するトップエミッション型となる。すなわち、このトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置１では、第一電極１１の封止膜１４側の表面が有機ＥＬ素子４の実質的な発光面を構成して、外部に光を出射するようになっている。
【００４３】
また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１では、上述したように、有機ＥＬ素子４は封止膜１４によって封止されており、封止膜１４によって、水分や酸素などが外部から浸透（浸入）するのを防いで、有機ＥＬ素子４の劣化するのを防止するように構成されている。
【００４４】
また、図２に例示するように、有機ＥＬ表示装置１の非発光領域では、ＴＦＴ基板２上に下地膜６及び有機ＥＬ素子４が順次設けられている。また、この非発光領域では、有機ＥＬ素子４のうち、信号線８、層間絶縁膜９、エッジカバー１０、有機ＥＬ層１２、及び第二電極１３のみが設置されている。さらに、この非発光領域では、複数の突起物１５が島状に副画素毎に設けられており、封止膜１４の膜剥がれを防止するようになっている（詳細は後述。）。
【００４５】
ここで、図３も参照して、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１の要部構成について具体的に説明する。
【００４６】
図３は、上記有機ＥＬ表示装置の要部構成を説明する拡大平面図である。尚、図１及び図２は、それぞれ図３のＩ−Ｉ線断面図及びＩＩ−ＩＩ線断面図である。
【００４７】
図３に示すように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１では、その画素領域ＰＡ（図１）において、赤色（Ｒ）の光、緑色（Ｇ）の光、及び青色（Ｂ）の光をそれぞれ発光する赤色、緑色、及び青色の副画素Ｐｒ、Ｐｇ、及びＰｂ（以下、副画素Ｐにて総称する）がマトリクス状に設けられている。すなわち、複数の各副画素Ｐは、２本の信号線８及びＴＦＴ７のゲートに接続されるゲート線８ｇとで区画されている。具体的にいえば、各副画素Ｐの画素領域では、図３の左右方向の寸法は互いに近接配置された２本の信号線８の中心線と、この近接配置された２本の信号線８に対して、図３の左右方向で隣接する２本の信号線８の中心線との間の寸法（図３に“Ｌ１”にて図示）である。また、図３の上下方向の寸法は、互いに隣接する２本のゲート線８ｇの中心間寸法（図３に“Ｌ２”にて図示）である。また、各副画素Ｐでは、その画素領域の面積が上記図３の左右方向の寸法及び上下方向の寸法で規定される。
【００４８】
また、画素領域ＰＡでは、一組の赤色、緑色、及び青色の副画素Ｐｒ、Ｐｇ、及びＰｂにより、１つの画素が構成されている。
【００４９】
また、赤色の副画素Ｐｒでは、エッジカバー１０の開口部ｒｅから露出した部分が当該赤色の副画素Ｐｒの実質的な発光領域を構成している。同様に、緑色の副画素Ｐｇでは、エッジカバー１０の開口部ｇｅから露出した部分が当該緑色の副画素Ｐｇの実質的な発光領域を構成し、青色の副画素Ｐｂでは、エッジカバー１０の開口部ｂｅから露出した部分が当該青色の副画素Ｐｂの実質的な発光領域を構成している。
【００５０】
また、図３に例示するように、図３の上下方向で隣接する２つの副画素Ｐの間の非発光領域では、副画素Ｐ毎に、例えば３個の突起物１５が設置されている。これらの突起物１５は、封止膜１４の膜剥がれを防止する防止部に含まれたものであり、上記非発光領域のみに設置されている。また、各突起物１５は、例えば円柱状であり、図２に示すように、封止膜１４に覆われるとともに、有機ＥＬ素子４側から封止膜１４側に向かって突起した形状を備えている。具体的にいえば、各突起物１５は、有機ＥＬ層１２に接触する円形状の上面１５ａと、この上面１５ａと同心円状に構成されるとともに、エッジカバー１０に接触する円形状の下面１５ｂと、有機ＥＬ素子４の発光面に対して、鈍角となる傾斜面１５ｃを有する逆テーパ状の形状に構成されている。そして、各突起物１５は、傾斜面１５ｃにより、封止膜１４に対してアンカー効果を作用して、当該封止膜１４の膜剥がれを防止できるようになっている（詳細は後述。）。
【００５１】
また、各突起物１５には、例えば感光性樹脂が用いられている。また、各突起物１５では、そのエッジカバー１０からの高さ寸法が例えば５〜１０μｍに設定されており、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１では、例えばフォトリソ法により、エッジカバー１０上に突起物１５を形成した後、エッジカバー１０及び突起物１５を覆うように、有機ＥＬ層１２、第二電極１３、及び封止膜１４が順次設けられる。
【００５２】
また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１では、副画素Ｐ毎に設けられた３個の突起物１５は、下記（１）にて求められる傾斜面１５ｃの面積率Ｓｒが３％以上となるように、構成されている。これにより、突起物１５による上記アンカー効果が低下するのを確実に防止することができ、封止膜１４の膜剥がれの発生を確実に防ぐことができるようになっている。
【００５３】
Ｓｒ  ＝  （Ｓ１−Ｓ２）／Ｓ３                  ―――（１）
ここで、Ｓ１は３個の突起物１５の封止膜１４側の表面、つまり上面１５ａの面積の総和であり、Ｓ２は３個の突起物１５の有機ＥＬ素子４側の表面、つまり下面１５ｂの面積の総和であり、Ｓ３は副画素Ｐの画素領域の面積（つまり、上記図３の左右方向の寸法（図３に“Ｌ１”にて図示）と上下方向の寸法（図３に“Ｌ２”にて図示）の積）である。また、この面積率Ｓｒは、突起物１５の高さ寸法（膜厚）、傾斜面１５ｃの傾斜角（テーパ角）、サイズ、個数などにより適宜調整することができる。
【００５４】
また、上記傾斜角は、有機ＥＬ素子４の発光面に対して、例えば１００度〜１５０度の範囲内の値（鈍角）に設定されている。
【００５５】
さらに、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１では、副画素Ｐ毎に設けられた、上記３個の突起物１５において、これら３個の突起物１５は、その各中心が同一の直線上に配置されないように設置されている（詳細は後述。）。
【００５６】
次に、図４も参照して、封止膜１４について具体的に説明する。
【００５７】
図４は、図１に示した封止膜の具体的な構成例を説明する拡大断面図である。
【００５８】
図４において、封止膜１４には、無機層と有機層との積層構造が用いられており、外部から有機ＥＬ素子４への水分や酸素の浸透（浸入）を極力防いで、当該有機ＥＬ素子４の劣化するのを極力防止するようになっている。具体的にいえば、図４に示すように、封止膜１４では、例えば第１の無機層１４ａ、有機層１４ｂ、及び第２の無機層１４ｃが有機ＥＬ素子４を順次覆うように設けられている。また、これら第１の無機層１４ａ、有機層１４ｂ、及び第２の無機層１４ｃは、例えばＣＶＤ法、スパッタ法、あるいはＡＬＤ（Atomic Layer Deposion）法などを用いて形成されている。
【００５９】
また、第１及び第２の無機層１４ａ及び１４ｃには、例えば窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン、または酸化アルミニウムなどが用いられている。また、有機層１４ｂには、酸化炭化シリコン、アクリレート、ポリ尿素、パリレン、ポリイミド、またはポリアミドなどが用いられている。このように、封止膜１４が第１の無機層１４ａ、有機層１４ｂ、及び第２の無機層１４ｃの積層構造によって構成されているので、封止膜１４の封止機能を向上させつつ、封止膜１４を強固な構造とすることができる。
【００６０】
また、封止膜１４では、その全体の膜厚が２μｍ以上とされている。これにより、封止膜１４は、有機ＥＬ素子４を確実に封止することができる。さらに、封止膜１４では、第１の無機層１４ａの膜厚が突起物１５の上記高さ寸法よりも小さい寸法とされている。これにより、突起物１５を設置した後に第１の無機層１４ａを形成する場合、突起物１５の傾斜面１５ｃとの間に空隙が生じるのを防ぐことができるとともに、突起物１５の逆テーパ形状を容易に維持することができる。詳細にいえば、第１の無機層１４ａの膜厚が突起物１５の上記高さ寸法よりも高くなると、第１の無機膜１４ａの膜応力によって自然的に突起物１５の傾斜面１５ｃとの間に空隙が生じやすくなる。さらに、第１の無機層１４ａにて突起物１５の逆テーパ形状が埋められてなだらかになってしまうため、有機層１４ｂ及び第２の無機層１４ｃに対して、アンカー効果が働きにくくなる。
【００６１】
次に、図５及び図６を参照して、突起物１５のアンカー効果について具体的に説明する。
【００６２】
図５は、図１に示した突起物による封止膜に対するアンカー効果を説明する図である。図６（ａ）は、比較例１によるアンカー効果を説明する図であり、図６（ｂ）は、本実施形態品によるアンカー効果を説明する図である。
【００６３】
図５の矢印Ａに示すように、封止膜１４を剥離しようとする剥離力が加えられた場合、その剥離力は突起物１５及び封止膜１４に対して、それぞれ同図５の矢印Ｂ及びＣに示すように、変形力として働く。これに対して、突起物１５及び封止膜１４では、その剛性により、対応する変形力に耐えることで封止膜１４の膜剥がれを防止することができる。つまり、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１では、突起物１５及び封止膜１４において、対応する変形力を剛性によって受け止めさせることにより、封止膜１４の厚膜化に伴う膜応力の増大や各材料の熱膨張係数の違いによる熱ストレスなどに起因する、第一電極１１と有機ＥＬ層１２との間、有機ＥＬ層内の各層間、第二電極１３及び有機ＥＬ層１２と封止膜１４との間のような膜密着性の弱い部分での膜剥がれの発生を防止することができる。
【００６４】
また、図６（ａ）に示すように、副画素Ｐ毎に、防止部としての１個の突起部２５を設けることができる。すなわち、この突起物２５は、有機ＥＬ層１２に接触する上面２５ａと、エッジカバー１０に接触する円形状の下面２５ｂと、有機ＥＬ素子４の発光面に対して、鈍角となる傾斜面２５ｃを有する逆テーパ状の形状に構成されている。このような突起物２５を用いた場合でも、封止膜１４の膜剥がれを防ぐことは可能であるが、図６（ｂ）に示す、本実施形態品のように、複数、例えば３個の突起物１５を用いる場合の方が、突起物（防止部）１５の各方向への変形力を容易に均一化することができるとともに、各突起物１５での傾斜面１５ｃの上記面積率Ｓｒを向上させることができて、上記剥離力に対する耐性、すなわち防止部のアンカー効果を向上させることができる点で好ましい。
【００６５】
具体的にいえば、有機ＥＬ素子４の発光面（つまり、有機ＥＬ表示装置１の表示面）に対し、斜めの剥離力が加わった場合、発光面に垂直な力だけでなく、発光面に平行な力も生じる。そして、防止部の傾斜面に垂直な成分は変形力となるが、平行な成分はせん断力となる。
【００６６】
このため、図６（ａ）に示した突起物２５を副画素Ｐ毎に設置した場合、その形状が発光面内の各方向（つまり、図６（ａ）の上下方向及び左右方向）で不均一なものであるので、上述の各方向で剥離力への耐性も不均一になる。すなわち、発光面に対し、斜めに加わった剥離力のうち、画素面に平行な力は、突起物２５の傾斜面２５ｃに垂直な変形力と、平行なせん断力に分かれる。それ故、図６（ａ）の上下方向に平行な辺（短辺）の傾斜面２５ｃでは、せん断力Ｅａ１と変形力Ｄａ１が働くが、この短辺では、傾斜面２５ｃの面積が小さいため、変形力Ｄａ１に対する耐性が小さくなる。一方、図６（ａ）の左右方向に平行な辺（長辺）の傾斜面２５ｃでは、せん断力Ｅｂ１と変形力Ｄｂ１が働くが、この長辺では、傾斜面２５ｃの面積が短辺のものより大きいため、変形力Ｄｂ１に対する耐性が大きくなる。この結果、突起物２５を用いた場合、図６（ａ）の上下方向及び左右方向により、剥離力への耐性が不均一なものとなる。
【００６７】
これに対して、図６（ｂ）に示した３個の突起物１５を副画素Ｐ毎に設置した場合、図６（ｂ）の上下方向及び左右方向の各方向での突起物１５の傾斜面１５ｃの面積を均一化し易くなる。つまり、図６（ｂ）の上下方向に平行な部分の傾斜面２５ｃでは、せん断力Ｅａ２と変形力Ｄａ２が働き、図６（ｂ）の左右方向に平行な部分の傾斜面２５ｃでは、せん断力Ｅｂ２と変形力Ｄｂ２が働くが、上記各方向での突起物１５の傾斜面１５ｃの面積が均一なので、各方向に対する剥離力の耐性も均一化することができる。また、各突起物１５の傾斜面１５ｃの面積率Ｓｒも向上させることができ、剥離力への耐性も向上させることができる。また、円柱状の突起物１５を用いているので、発光面のいずれの方向に対しても、同じ剥離力の耐性（アンカー効果）を得ることができる。
【００６８】
次に、図７を参照して、３個の突起物１５において、その各中心を同一の直線上に配置していない構成の効果について具体的に説明する。
【００６９】
図７（ａ）は、比較例２によるアンカー効果を説明する図であり、図７（ｂ）は、本実施形態品によるアンカー効果を説明する図である。
【００７０】
図７（ａ）に示すように、３個の突起物１５’では、その各中心が直線ＣＬ１上に配置されている。このように突起物１５’を図７（ａ）の左右方向と平行な方向の同一の直線上に設置した場合、同図７（ａ）に“Ｈ１”にて示す幅（つまり、突起物１５’の直径）の範囲内の部分にのみ、剥離力に対する耐性（アンカー効果）が生じる。一方、図７（ａ）に“Ｈ２”及び“Ｈ３”にて示す幅の範囲内の部分では、突起物１５’が設置されていないために剥離力に対する耐性が生じない。そのため、突起物１５’が存在していない部分から封止膜１４の膜剥がれが発生する恐れが高まる。
【００７１】
一方、図７（ｂ）に示すように、本実施形態では、３個の突起物１５では、その各中心が同一の直線上に配置されないように設置されている。すなわち、図７（ｂ）の左側の突起物１５では、その中心が直線ＣＬ２上に配置されている。また、図７（ｂ）の中央の突起物１５では、その中心が直線ＣＬ３上に配置され、図７（ｂ）の右側の突起物１５では、その中心が直線ＣＬ４上に配置されている。この結果、本実施形態では、図７（ｂ）に“Ｈ４”にて示す幅の範囲内の部分及び図７（ｂ）に“Ｈ５”にて示す幅の範囲内の部分において、剥離力に対する耐性（アンカー効果）を生じさせることができる。また、本実施形態では、図７（ｂ）に“Ｈ６”及び“Ｈ７”の幅にて示すように、図７（ａ）に示した比較例２に比べて、剥離力に対する耐性が生じない領域を小さくすることができる。
【００７２】
このように、本実施形態では、３個の突起物１５はその各中心が同一の直線上に配置されないように設置されているので、３個の突起物１５による、封止膜１４の膜剥がれ防止機能を向上させることができ、封止膜１４の膜剥がれの発生をより確実に防ぐことができる。
【００７３】
以上のように構成された本実施形態の有機ＥＬ表示装置１では、有機ＥＬ素子（エレクトロルミネッセンス素子）４の非発光領域のみに、当該有機ＥＬ素子４の発光面に対して、鈍角となる傾斜面１５ｃを有し、かつ、封止膜１４の膜剥がれを防止する突起物（防止部）１５が設けられている。これにより、本実施形態では、上記従来例と異なり、封止膜１４の膜剥がれの発生を防ぐことができる有機ＥＬ表示装置（エレクトロルミネッセンス装置）１を構成することができる。また、この結果、本実施形態では、封止膜１４による有機ＥＬ素子４の封止機能を長時間にわたって維持することができ、有機ＥＬ素子４の劣化の発生をより確実に抑制した高い信頼性を有する有機ＥＬ表示装置１を容易に構成することができる。
【００７４】
また、本実施形態では、上記防止部には、封止膜１４に覆われるとともに、有機ＥＬ素子４側から封止膜１４側に向かって突起した複数の突起物１５が含まれているので、これら複数の突起物１５により、封止膜１４の膜剥がれの発生を確実に防ぐことができる。
【００７５】
また、本実施形態では、副画素Ｐ毎に、３個の突起物１５が設けられているので、封止膜１４の膜剥がれの発生をより確実に防ぐことができる。
【００７６】
［第２の実施形態］
図８は、本発明の第２の実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の発光領域での断面を示す断面図である。図９は、図８に示した有機ＥＬ表示装置の非発光領域での断面を示す断面図である。
【００７７】
図において、本実施形態と上記第１の実施形態との主な相違点は、ＴＦＴ基板に対向する対向基板と、ＴＦＴ基板と対向基板の間に設けられたシール材とにより、有機ＥＬ素子を封入した点である。なお、上記第１の実施形態と共通する要素については、同じ符号を付して、その重複した説明を省略する。
【００７８】
つまり、図８及び図９に示すように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１は、ＴＦＴ基板２に対向する対向基板３と、ＴＦＴ基板２と対向基板３の間に設けられたシール材５とを備えており、有機ＥＬ素子４は、ＴＦＴ基板２、対向基板３、及びシール材５によって封入されている。また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１は、ＴＦＴ基板２、対向基板３、及びシール材５の間の空間に充填された充填剤１６と、有機ＥＬ素子４に対向するように対向基板３上に設置されたカラーフィルター１７を具備している。
【００７９】
また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１では、第１の実施形態のものと異なり、封止膜１４を形成した後、シール材５によって画素領域ＰＡを囲んだうえ、充填剤１６を注入して、カラーフィルター１７が設けられた対向基板３を貼り合せている。そして、本実施形態では、上記のような構造で有機ＥＬ素子４を封入することによって、外部から有機ＥＬ素子４に水分や酸素が浸入して、有機ＥＬ素子４が劣化するのを抑制することができ、有機ＥＬ表示装置１の信頼性を向上することができる。また、本実施形態では、簡素な封止膜１４によって信頼性を確保することができるので、封止膜形成工程のコスト低減を図ることができる。
【００８０】
また、対向基板３には、ＴＦＴ基板２と同様に、例えばガラス材が用いられている。また、シール材５には、例えば低透湿性の材料が使用されている。充填剤１６には、例えば低透湿性を有するものや、乾燥剤や酸素吸収材を含む材料が使用されている。また、充填剤１６は、硬化型と非硬化型の場合があり、非硬化型の場合、液体の状態でＴＦＴ基板２と対向基板３との間に存在する。
【００８１】
カラーフィルター１７は、有機ＥＬ素子から射出された光を変調する機能を有している。具体的にいえば、カラーフィルター１７は、例えば、有機ＥＬ素子４が白色に発光する場合、当該カラーフィルター１７に設けられた赤色、緑色、及び青色のカラーフィルター部により、対応する赤色の副画素Ｐｒ、緑色の副画素Ｐｇ、及び青色の副画素Ｐｂで有機ＥＬ素子４からの白色光がそれぞれ赤色の光、緑色の光、及び青色の光に変調される。
【００８２】
また、例えば、有機ＥＬ素子４が赤色の副画素Ｐｒ、緑色の副画素Ｐｇ、及び青色の副画素Ｐｂでそれぞれ赤色の光、緑色の光、及び青色の光を射出する場合、それに応じてさらに赤色、緑色、及び青色のカラーフィルター部を通して光を変調することで、各色の色純度の向上や視野角が変化した時の色味シフトの抑制を図ることができる。
【００８３】
なお、単色発光の場合や、有機ＥＬ素子４から射出された光の色純度や色味シフトが問題とならない場合には、カラーフィルター１７の設置を省略することができる。
【００８４】
また、カラーフィルター１７を設置する場合、カラーフィルター１７とＴＦＴ基板２とは、カラーフィルター１７に設けられた赤色、緑色、及び青色のカラーフィルター部と、ＴＦＴ基板２上の有機ＥＬ素子４側の赤色の副画素Ｐｒ、緑色の副画素Ｐｇ、及び青色の副画素Ｐｂとの位置がそれぞれ一致するように、位置合わせを行った後、ＴＦＴ基板２と対向基板３とが貼り合される。
【００８５】
以上の構成により、本実施形態では、上記第１の実施形態と同様な作用・効果を奏することができる。また、本実施形態では、有機ＥＬ素子４はＴＦＴ基板２、対向基板３、及びシール材５によって封入されているので、外部からの水分や酸素の浸入をより抑制することができ、水分や酸素による有機ＥＬ素子４の劣化をより抑制することができる。
【００８６】
また、本実施形態では、充填剤１６が封止膜１４上に存在しているので、封止膜１４と充填剤１６との熱膨張係数の違いや、硬化収縮（硬化型の充填剤を用いた場合）によって、封止膜１４に応力が加わる。この応力も、第一電極１１と有機ＥＬ層１２との間、有機ＥＬ層内の各層間、第二電極１３及び有機ＥＬ層１２と封止膜１４との間のような膜密着性の弱い部分（界面）に作用し、封止膜１４の膜剥がれの要因となる。これに対して、本実施形態では、第１の実施形態と同様に、副画素毎に、例えば３個の突起物（防止部）１５が設けられているので（図９参照）、封止膜１４に対して、突起物１５によるアンカー効果を効果的に働かせることができ、封止膜１４の膜剥がれを防ぐことができる。この結果、本実施形態では、第１の実施形態のものと同様に、高信頼性の有機ＥＬ表示装置１を構成することができる。
【００８７】
［第３の実施形態］
図１０は、本発明の第３の実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の発光領域での断面を示す断面図である。図１１は、図１０に示した有機ＥＬ表示装置の非発光領域での断面を示す断面図である。
【００８８】
図において、本実施形態と上記第２の実施形態との主な相違点は、ＴＦＴ基板及び対向基板に、フレキシブル基板を用いた点である。なお、上記第２の実施形態と共通する要素については、同じ符号を付して、その重複した説明を省略する。
【００８９】
すなわち、図１０及び図１１において、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１では、ＴＦＴ基板２’及び対向基板３’として、フレキシブル性（屈曲性）を有するフレキシブル基板、例えばフィルムなどの材料が用いられている。そして、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１では、ＴＦＴ基板２’上に封止膜１４を形成した後、接着剤１８により、対向基板３’を貼り合わせている。このような構造により、本実施形態では、フレキシブル性（屈曲性）を有する有機ＥＬ表示装置１を構成することができる。
【００９０】
なお、この説明以外に、対向基板３’のＴＦＴ基板２’側の表面に対して、第２の実施形態のものと同様に、有機ＥＬ素子４から出射された光の変調を目的として、カラーフィルターを設けてもよい。この場合、第２の実施形態のものと同様に、ＴＦＴ基板２’と対向基板３’とは、ＲＧＢの副画素Ｐｒ、Ｐｇ、及びＰｂ単位での位置合わせを実施した後、接着剤１８によって貼り合される。
【００９１】
また、対向基板３’のＴＦＴ基板２’側の表面に対して、例えば窒化シリコンや酸窒化シリコンなどを積層したガスバリア膜を覆うように設けてもよい。この場合、対向基板３’ を通して、外部から有機ＥＬ素子４に水分や酸素が浸入する量を低減することができる。この結果、有機ＥＬ素子４が劣化するのを抑制することができ、有機ＥＬ表示装置１の信頼性を向上することができる。さらに、簡素な封止膜１４によって信頼性を確保することができるので、封止膜形成工程のコスト低減を図ることができる。
【００９２】
また、第２の実施形態と同様に、画素領域ＰＡを囲むシール材を形成してもよい。低透湿性のシール材を用いた場合には、貼り合されたＴＦＴ基板２’と対向基板３’の各端部へ外部から浸入する水分や酸素を低減することができる。これにより、有機ＥＬ素子４が劣化するのを抑制することができ、有機ＥＬ表示装置１の信頼性を向上することができる。
【００９３】
以上の構成により、本実施形態では、上記第２の実施形態と同様な作用・効果を奏することができる。また、本実施形態では、ＴＦＴ基板２’及び対向基板３’にはフレキシブル基板が用いられているので、フレキシブル性（屈曲性）を有する有機ＥＬ表示装置１を構成することができる。
【００９４】
また、本実施形態では、接着剤１８が封止膜１４上に存在しているので、封止膜１４と接着剤１８との熱膨張係数の違いや、硬化収縮によって、封止膜１４に応力が加わる。この応力も、第一電極１１と有機ＥＬ層１２との間、有機ＥＬ層内の各層間、第二電極１３及び有機ＥＬ層１２と封止膜１４との間のような膜密着性の弱い部分（界面）に作用し、封止膜１４の膜剥がれの要因となる。これに対して、本実施形態では、第１の実施形態と同様に、副画素毎に、例えば３個の突起物（防止部）１５が設けられているので（図１１参照）、封止膜１４に対して、突起物１５によるアンカー効果を効果的に働かせることができ、封止膜１４の膜剥がれを防ぐことができる。この結果、本実施形態では、第１の実施形態のものと同様に、高信頼性の有機ＥＬ表示装置１を構成することができる。
【００９５】
［第４の実施形態］
図１２（ａ）及び図１２（ｂ）は、それぞれ本発明の第４の実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置を含んだ表示装置の斜視図及び側面図である。図１３は、図１２（ａ）に示した境界部分Ｆ１及びＦ２での有機ＥＬ表示装置の要部構成を説明する拡大平面図である。
【００９６】
図において、本実施形態と上記第３の実施形態との主な相違点は、本実施形態は表示面の端面にも発光面を設けた有機ＥＬ表示装置に関するものである。具体的には、本実施形態は、基準発光面と、この基準発光面の端面に連続的に設けられるとともに、当該基準発光面に対して傾斜した傾斜発光面とを備えるとともに、防止部において、基準発光面と傾斜発光面との境界部分での突起物の設置密度が、基準発光面の境界部分以外の部分での突起物の設置密度、及び傾斜発光面の境界部分以外の部分での突起物の設置密度よりも大きい値とした点である。なお、上記第３の実施形態と共通する要素については、同じ符号を付して、その重複した説明を省略する。
【００９７】
すなわち、図１２（ａ）及び図１２（ｂ）に示すように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１は、基準発光面ＤＰ１と、この基準発光面ＤＰ１の端面、例えば左右の短辺に連続的に設けられるとともに、当該基準発光面ＤＰ１に対して傾斜した傾斜発光面ＤＰ２及びＤＰ３とを備えている。言い換えれば、本実施形態では、第３の実施形態のフレキシブル性を有する有機ＥＬ表示装置１の両端部を折り曲げて筺体１９に貼り付けることにより、基準発光面ＤＰ１と傾斜発光面ＤＰ２及びＤＰ３を有する有機ＥＬ表示装置１を構成している。また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１では、図１２（ａ）に二点鎖線にて例示するように、基準発光面ＤＰ１と傾斜発光面ＤＰ２及びＤＰ３とにより、１つの文字「つ」を表示できるようになっている。
【００９８】
また、本実施形態では、基準発光面ＤＰ１と傾斜発光面ＤＰ２との境界部分（図１２（ａ）及び図１２（ｂ）に“Ｆ１”にて図示）、及び基準発光面ＤＰ１と傾斜発光面ＤＰ３との境界部分（図１２（ａ）及び図１２（ｂ）に“Ｆ２”にて図示）では、突起物１５の設置密度が、基準発光面ＤＰ１の境界部分以外の部分での突起物１５の設置密度、及び各傾斜発光面ＤＰ２及びＤＰ３の境界部分以外の部分での突起物１５の設置密度よりも大きい値とされている。
【００９９】
具体的にいえば、基準発光面ＤＰ１の境界部分以外の部分での突起物１５の設置密度、及び各傾斜発光面ＤＰ２及びＤＰ３の境界部分以外の部分では、図３に示したように、副画素Ｐ毎に、３個の突起物１５が設置されている。
【０１００】
これに対して、上述の各境界部分Ｆ１及びＦ２では、図１３に例示するように、副画素Ｐ毎に、４個の突起物１５が設置されている。このように、各境界部分Ｆ１及びＦ２での突起物１５の設置密度を大きくすることにより、基準発光面ＤＰ１の端部を折り曲げて傾斜発光面ＤＰ２及びＤＰ３を設けた場合でも、封止膜１４の膜剥がれの発生を防ぐことができる。
【０１０１】
以上の構成により、本実施形態では、上記第３の実施形態と同様な作用・効果を奏することができる。
【０１０２】
なお、上記の説明以外に、例えば基準発光面ＤＰ１の短辺側だけでなく、長辺側にも傾斜発光面を設ける構成でもよい。
【０１０３】
尚、上記の実施形態はすべて例示であって制限的なものではない。本発明の技術的範囲は特許請求の範囲によって規定され、そこに記載された構成と均等の範囲内のすべての変更も本発明の技術的範囲に含まれる。
【０１０４】
例えば、上記の説明では、エレクトロルミネッセンス素子として有機ＥＬ素子を用いた場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば無機化合物を有する無機ＥＬ素子を用いたものでもよい。
【０１０５】
また、上記の説明では、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）７を有するアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置に適用した場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、薄膜トランジスタが設けられていないパッシブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
【０１０６】
また、上記の説明では、有機ＥＬ表示装置に適用した場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えばバックライト装置等の照明装置にも適用することができる。
【０１０７】
また、上記の説明では、副画素毎に、上記傾斜面を有する円柱状の突起物を３個または４個設けた場合について説明したが、本発明の防止部は、エレクトロルミネッセンス素子の非発光領域のみに設けるとともに、エレクトロルミネッセンス素子の発光面に対して、鈍角となる傾斜面を有し、かつ、封止膜の膜剥がれを防止するものであれば何等限定されない。
【０１０８】
具体的にいえば、例えば副画素毎に、図６（ａ）に例示したように、ストライプ（帯）状の突起物を１個以上設ける構成でもよい。
【０１０９】
但し、図６（ｂ）を用いて説明したように、副画素毎に、複数の突起物を設ける場合の方が、封止膜の膜剥がれの発生をより確実に防ぐことができる点で好ましい。
【０１１０】
また、図１４（ａ）及び図１４（ｂ）に例示するように、上記有機ＥＬ層及びエッジカバーにそれぞれ接触する上面３５ａ及び下面３５ｂと、有機ＥＬ素子（エレクトロルミネッセンス素子）の発光面に対して、鈍角となる傾斜面３５ｃとを有する角柱状の突起物３５を用いる構成でもよい。また、このような角柱状の突起物３５を用いた場合では、その設計が単純であるため、突起物３５の形成を容易に行うことができる。
【０１１１】
また、図１４（ｃ）及び図１４（ｄ）に例示するように、上記有機ＥＬ層及びエッジカバーにそれぞれ接触する上面４５ａ及び下面４５ｂと、有機ＥＬ素子（エレクトロルミネッセンス素子）の発光面に対して、鈍角となる傾斜面４５ｃとを有する十字柱状の突起物４５を用いる構成でもよい。また、このような十字柱状の突起物４５を用いた場合では、同一面積内で傾斜面４５ｃの長さを長く取ることができ、アンカー効果を容易に向上させることができる。
【０１１２】
また、図１４（ｅ）及び図１４（ｆ）に例示するように、上記有機ＥＬ層及びエッジカバーにそれぞれ接触する上面５５ａ及び下面５５ｂと、有機ＥＬ素子（エレクトロルミネッセンス素子）の発光面に対して、鈍角となる傾斜面４５ｃとを有する六角柱状の突起物５５を用いる構成でもよい。また、このような六角柱状の突起物５５を用いた場合では、容易に最密充填構造とすることができ、突起物５５の専有面積率を上げ易くなる。
【０１１３】
また、上記の説明では、図３の上下方向で隣接する２つの副画素Ｐの間の非発光領域において、防止部としての突起物を設けた例について説明したが、本発明の非発光領域はこれに限定されるものではなく、図３の左右方向で隣接する２つの副画素Ｐの間の非発光領域や、画素領域の外側の非発光領域でもよい。
【０１１４】
また、上記の説明以外に、上記第１〜第４の各実施形態を適宜組み合わせたものでもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１１５】
本発明は、封止膜の膜剥がれの発生を防ぐことができるエレクトロルミネッセンス装置に対して有用である。
【符号の説明】
【０１１６】
１  有機ＥＬ表示装置
２、２'  ＴＦＴ基板（基板）
３、３'  対向基板
４  有機ＥＬ素子（エレクトロルミネッセンス素子）
５  シール材
１４  封止膜
１４ａ  第１の無機層
１４ｂ  有機層
１４ｃ  第２の無機層
１５、２５、３５、４５、５５  突起物（防止部）
１５ｃ、２５ｃ、３５ｃ、４５ｃ、５５ｃ  傾斜面
Ｐ、Ｐｒ、Ｐｇ、Ｐｂ  副画素
ＤＰ１  基準発光面
ＤＰ２、ＤＰ３  傾斜発光面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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