(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の第１主面上に形成された配線パターンと、
前記配線パターンの表面を覆うように形成され、最外層に貴金属又は貴金属合金からなる最外めっき層を有するめっき層と、
前記めっき層の表面を被覆し、前記第１主面上に形成された絶縁層と、を有し、
前記絶縁層には、前記めっき層の一部を発光素子の実装領域として露出する開口部が形成され、
前記配線パターンの表面が粗面化され、該粗面化された配線パターンの表面に沿って前記めっき層が設けられることにより前記めっき層の表面が粗面化され、
前記めっき層の粗面化された表面は、前記配線パターンの粗面化された表面に倣った構造を有し、
前記めっき層の粗面化された表面の一部が前記絶縁層によって被覆されていることを特徴とする発光装置用の配線基板。
【請求項２】
前記絶縁層及び前記めっき層及び前記配線パターンを貫通し、各前記配線パターンを電気的に分離する溝部を有し、
前記溝部に露出された前記めっき層及び前記配線パターンの側面は、前記溝部に露出された前記絶縁層の側面から前記基板の内部に後退していることを特徴とする請求項１に記載の発光装置用の配線基板。
【請求項３】
前記めっき層の表面の粗度が、表面粗さＲａ値で５０〜５００ｎｍであることを特徴とする請求項１又は２に記載の発光装置用の配線基板。
【請求項４】
前記めっき層は、前記配線パターンの表面に形成されたＮｉ又はＮｉ合金からなる第１めっき層と、Ｐｄ又はＰｄ合金からなる第２めっき層と、前記最外めっき層とが順に積層されて形成されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の発光装置用の配線基板。
【請求項５】
前記基板の前記第１主面とは反対側の第２主面には金属層が形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の発光装置用の配線基板。
【請求項６】
基板と、
前記基板の第１主面上に形成された配線パターンと、
前記配線パターンの表面を覆うように形成され、最外層に貴金属又は貴金属合金からなる最外めっき層を有するめっき層と、
前記めっき層の表面を被覆し、前記第１主面上に形成されるとともに、前記めっき層の一部を露出する開口部が形成された絶縁層と、
前記開口部から露出されためっき層上に実装された発光素子と、
前記発光素子を封止するように形成された封止樹脂と、を有し、
前記配線パターンの表面が粗面化され、該粗面化された配線パターンの表面に沿って前記めっき層が設けられることにより前記めっき層の表面が粗面化され、
前記めっき層の粗面化された表面は、前記配線パターンの粗面化された表面に倣った構造を有し、
前記めっき層の粗面化された表面の一部が前記絶縁層によって被覆されていることを特徴とする発光装置。
【請求項７】
基板の第１主面上に、配線パターン及び前記配線パターンと接続する電解めっき用の給電ラインを含む配線層を形成する工程と、
前記配線パターンの表面を粗面化する工程と、
前記配線層を給電層とする電解めっき法により、前記配線パターンの粗面化された表面に沿って形成され、表面が粗面化されためっき層を形成する工程と、
前記めっき層の粗面化された表面を被覆する絶縁層を前記第１主面上に形成する工程と、
前記絶縁層に、前記めっき層の一部を発光素子の実装領域として露出する開口部を形成する工程と、
を有し、
前記めっき層は、最外層に貴金属又は貴金属合金からなる最外めっき層を有し、
前記めっき層の粗面化された表面は、前記配線パターンの粗面化された表面に倣った構造に形成されることを特徴とする発光装置用配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記絶縁層、前記めっき層及び前記給電ラインを貫通する溝部を形成する工程を有することを特徴とする請求項７に記載の発光装置用配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記溝部の側面となる前記めっき層及び前記配線パターンの一部を除去する工程を有することを特徴とする請求項８に記載の発光装置用配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置用の配線基板、発光装置及び発光装置用配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、発光素子が基板に実装されてなる発光装置には、様々な形状のものが提案されている。この種の発光装置としては、例えば樹脂基板上に配線パターンを形成し、その配線パターン上に発光ダイオード（Light Emitting Diode：ＬＥＤ）などの発光素子を実装した構造が知られている（例えば、特許文献１，２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−０９２０１０号公報
【特許文献２】特開２００３−０９２０１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上記発光装置では、実使用時に発光ダイオードの通電に伴ってその発光ダイオードに発熱が生じ、温度が上昇する。また、配線パターンの材料としては、酸化や腐食などが起こり易い銅（Ｃｕ）が用いられる。このため、上述したような実使用時の温度上昇などにより、配線パターン（銅）が酸化され、配線パターンの表面に酸化銅が形成される虞がある。このような酸化銅が形成されると、配線の抵抗が上昇し、発光ダイオードの発光効率が低下するという問題が発生する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一観点によれば、基板と、前記基板の第１主面上に形成された配線パターンと、前記配線パターンの表面を覆うように形成され、最外層に貴金属又は貴金属合金からなる最外めっき層を有するめっき層と、前記めっき層の表面を被覆し、前記第１主面上に形成された絶縁層と、を有し、前記絶縁層には、前記めっき層の一部を発光素子の実装領域として露出する開口部が形成され、前記配線パターンの表面が粗面化され、該粗面化された配線パターンの表面に沿って前記めっき層が設けられることにより前記めっき層の表面が粗面化され、前記めっき層の粗面化された表面は、前記配線パターンの粗面化された表面に倣った構造を有し、前記めっき層の粗面化された表面の一部が前記絶縁層によって被覆されている。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の一観点によれば、配線パターンの酸化を抑制することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】（ａ）は、第１実施形態の配線基板を示す概略平面図、（ｂ）は、（ａ）に示す配線基板のＡ−Ａ概略断面図、（ｃ）は、（ｂ）に示す配線基板の一部を拡大した拡大断面図。
【図２】配線パターンを示す概略平面図。
【図３】（ａ）は、第１実施形態の発光装置を示す概略平面図、（ｂ）は、（ａ）に示す発光装置のＢ−Ｂ概略断面図。なお、（ａ）では、封止樹脂の図示を省略している。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、第１実施形態の配線基板の製造過程における状態を示す概略断面図、（ｄ）は、（ｃ）の要部を拡大した拡大断面図。
【図５】第１実施形態の配線基板の製造過程における状態を示す概略平面図。
【図６】（ａ）、（ｃ）は、第１実施形態の配線基板の製造過程における状態を示す概略断面図、（ｂ）は、（ａ）の要部を拡大した拡大断面図。
【図７】（ａ）、（ｃ）は、第１実施形態の配線基板の製造過程における状態を示す概略断面図、（ｂ）は、（ａ）の要部を拡大した拡大断面図。
【図８】第１実施形態の配線基板の製造過程における状態を示す概略平面図。
【図９】（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態の発光装置の製造過程における状態を示す概略断面図。
【図１０】表面粗さと密着性との関係を示すテーブル。
【図１１】変形例の配線基板を示す拡大断面図。
【図１２】変形例の発光装置を示す概略断面図。
【図１３】（ａ）は、第２実施形態の配線基板を示す概略断面図、（ｂ）は、（ａ）に示す配線基板の一部を拡大した拡大断面図。
【図１４】（ａ）〜（ｃ）は、第２実施形態の配線基板の製造過程における状態を示す概略断面図、（ｄ）は、（ｃ）の要部を拡大した拡大断面図。
【図１５】（ａ）〜（ｃ）は、第２実施形態の配線基板の製造過程における状態を示す概略断面図。
【図１６】変形例の配線基板を示す拡大断面図。
【図１７】変形例の配線基板を示す拡大断面図。
【図１８】（ａ）、（ｂ）は、変形例の発光装置を示す概略断面図。
【図１９】変形例の配線基板を示す拡大断面図。
【図２０】変形例の配線パターンを示す概略平面図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、添付図面を参照して各実施形態を説明する。なお、添付図面は、特徴を分かりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。断面図では、各部材の断面構造を分かりやすくするために、一部の樹脂層のハッチングを省略している。拡大断面図では、各部材の断面構造を分かりやすくするために、めっき層のハッチングを省略している。
【０００９】
（第１実施形態）
以下、第１実施形態を図１〜図１０に従って説明する。
（配線基板の構造）
図１（ｂ）に示すように、発光装置に適用される配線基板１は、基板１０と、基板１０上に形成された配線パターン２０と、配線パターン２０上に形成されためっき層３０と、めっき層３０の一部を覆う絶縁層４０とを有している。
【００１０】
基板１０は、例えば略矩形状の薄板である。基板１０の材料としては、例えばポリイミド系樹脂やエポキシ系樹脂などの絶縁性樹脂、又はエポキシ系樹脂にシリカやアルミナ等のフィラーを混入した樹脂材を用いることができる。基板１０の厚さは、例えば２５〜２００μｍ程度とすることができる。
【００１１】
配線パターン２０は、基板１０の第１主面Ｒ１（図１（ｂ）では上面）上に形成されている。この配線パターン２０は、図２に示すように、基板１０の第１主面Ｒ１を全体的に覆うように形成されており、互いに電気的に分離された略矩形状の複数の配線Ｄ１を有している。具体的には、配線パターン２０は全体的には略櫛歯状に形成されており、その櫛歯状のパターンが図中の上下方向に延在された溝状の開口部２０Ｘによって複数の配線Ｄ１に分離されている。換言すると、複数の配線Ｄ１が基板１０上に略櫛歯状に配置されている。
【００１２】
図１（ｃ）に示すように、配線パターン２０の表面２０Ａ（上面及び側面）は粗面化されており、微細な凹凸形状が形成されている。この粗面化された配線パターン２０の表面２０Ａの粗度は、例えば表面粗さＲａ値で５０〜５００ｎｍとなるように設定されている。ここで、表面粗さＲａ値とは、表面粗さを表わす数値の一種であり、算術平均粗さと呼ばれるものであって、具体的には測定領域内で変化する高さの絶対値を平均ラインである表面から測定して算術平均したものである。
【００１３】
なお、配線パターン２０の材料としては、例えば銅や銅合金などの金属を用いることができる。配線パターン２０の厚さは、例えば１５〜１５０μｍとすることができる。
図１（ｂ）に示すように、めっき層３０は、配線パターン２０の表面２０Ａ（粗化面）を覆うように形成されている。めっき層３０は、配線パターン２０の表面２０Ａに沿って形成されており、その表面３０Ａが粗面化されている。この粗面化されためっき層３０の表面３０Ａの粗度は、例えば表面粗さＲａ値で５０〜５００ｎｍとなるように設定されている。
【００１４】
図１（ｃ）に示すように、めっき層３０は、配線パターン２０の表面２０Ａ上に形成された下地用の第１めっき層３１と、第２めっき層３２と、第３めっき層３３とが順に積層された３層構造を有している。ここで、本実施形態では、第１めっき層３１がニッケル（Ｎｉ）めっき層、第２めっき層３２がパラジウム（Ｐｄ）めっき層、第３めっき層３３が金（Ａｕ）めっき層である。なお、これら第１〜第３めっき層３１〜３３は、例えば電解めっき法により形成することができる。
【００１５】
第１層目の下地用の第１めっき層３１は、その下層の配線パターン２０に含まれるＣｕが上層の第２めっき層３２（Ｐｄ層）及び第３めっき層３３（Ａｕ層）に拡散するのを防止する機能を有する。この第１めっき層３１は、上記拡散防止効果や配線パターン２０の腐食を防止する耐腐食性効果、Ｐｄからなる第２めっき層３２との密着性などの特性を考慮して、材料組成や厚さが設定される。第１めっき層３１の材料としては、例えばＮｉやＮｉ合金などを用いることができる。また、第１めっき層３１の厚さは、上記特性及び製造コストの観点から、０．０５μｍ以上５．００μｍ以下の範囲が好ましく、０．１μｍ以上２．００μｍ以下の範囲がより好ましい。
【００１６】
第２層目の第２めっき層３２は、例えば熱による第１めっき層３１に含まれるＮｉと第３めっき層３３に含まれるＡｕとの相互拡散を防止する役割を果たす。このような機能を実現するための第２めっき層３２の材料としては、例えばＰｄ又はＰｄ合金を用いることができる。第２めっき層３２の厚さは、製造コストの点からできる限り薄膜化しつつも、上記相互拡散を抑制するためには、０．００１μｍ以上０．５μｍ以下の範囲が好ましく、０．００５μｍ以上０．０３μｍ以下の範囲がより好ましい。
【００１７】
第３層目の第３めっき層３３は、例えばめっき層３０や配線パターン２０の加熱時の酸化を防止しつつ、コンタクト性（ワイヤボンディング性やはんだ付け性）を向上させる役割を果たす。このような機能を実現するための第３めっき層３３の材料としては、配線パターン２０（銅）よりも酸化し難く、硬度の低い金属であることが好ましく、例えばＡｕや銀（Ａｇ）などの貴金属またはこれらの金属を少なくとも一種以上含む貴金属合金を用いることができる。第３めっき層３３の厚さは、製造コストの点からできる限り薄膜化しつつも、ワイヤボンディング性を向上させるためには、０．００１μｍ以上０．５μｍ以下の範囲が好ましく、０．００１μｍ以上０．０１μｍ以下の範囲がより好ましい。
【００１８】
これら第１〜第３めっき層３１〜３３の表面３１Ａ〜３３Ａ（上面及び側面）は、上記配線パターン２０の表面２０Ａと同様に粗面化されており、微細な凹凸形状が形成されている。これら粗面化された第１〜第３めっき層３１〜３３の表面３１Ａ〜３３Ａの粗度は、例えば表面粗さＲａ値で５０〜５００ｎｍとなるように設定されている。これにより、めっき層３０（特に、第３めっき層３３）とその第３めっき層３３上に形成される絶縁層４０との密着性を、第３めっき層３３の表面３３Ａが平滑面である場合よりも増大させることができる。
【００１９】
図１（ｂ）に示すように、絶縁層４０は、めっき層３０の一部を覆うように基板１０の第１主面Ｒ１側に形成されている。具体的には、図１（ａ）に示すように、絶縁層４０は、発光素子が実装される実装領域ＣＡ及び電極端子５０が形成される端子領域以外のめっき層３０及び基板１０を覆うように形成されている。換言すると、絶縁層４０には、実装領域ＣＡに形成されためっき層３０及び基板１０を露出させるための開口部４０Ｘが形成されるとともに、端子領域に形成されためっき層３０を電極端子５０として露出させるための開口部４０Ｙが形成されている。これら開口部４０Ｘ，４０Ｙの平面形状は、例えば円形状に形成されている。開口部４０Ｘは、基板１０上にマトリクス状（図１（ａ）では４×４）に形成されている。このため、開口部４０Ｘで画定された実装領域ＣＡも同様に、基板１０上にマトリクス状（図１（ａ）では４×４）に配列されている。この実装領域ＣＡでは、開口部２０Ｘによって分離された２つのめっき層３０が開口部４０Ｘから露出されている。ここで、上記開口部２０Ｘは、隣接する２つのめっき層３０（配線パターン２０）間に溝状に形成されている。なお、開口部４０Ｘから露出されるめっき層３０がパッドとして機能する。また、開口部４０Ｙで画定された電極端子５０には、外部の電源から給電ケーブル（図示略）等を介して給電されるとともに、配線パターン２０が電気的に接続されている。
【００２０】
上記絶縁層４０は、高い反射率を有する。具体的には、絶縁層４０は、波長が４５０ｎｍ〜７００ｎｍの間で５０％以上（好適には８０％以上）の反射率を有する。このような絶縁層４０は、白色レジスト層とも呼ばれる。この絶縁層４０の材料としては、例えば白色の絶縁性樹脂を用いることができる。白色の絶縁性樹脂としては、例えばエポキシ系樹脂やオルガノポリシロキサン系樹脂に白色の酸化チタン等のフィラーを混入した樹脂材やＴｉＯ２又はＢａＳＯ４などの白色顔料を含有した樹脂材を用いることができる。このような絶縁層４０（白色レジスト層）により基板１０の最表面を覆うことにより、配線パターン２０の保護に加えて、基板１０に実装される発光素子からの光の反射率を高め、発光素子の光量ロスを低減させることができる。
【００２１】
また、配線基板１には、複数の溝部６０が形成されている。この溝部６０は、図１（ｂ）に示すように、絶縁層４０の上面から、その絶縁層４０及びめっき層３０（第１〜第３めっき層３１〜３３）及び配線パターン２０を貫通して基板１０の厚みの途中まで形成されている。なお、この溝部６０は、当該配線基板１の製造過程で使用されるめっき給電用の給電ライン２２（図５参照）を除去するために形成されたものである。
【００２２】
（発光装置の構造）
次に、発光装置２の構造について説明する。
図３（ｂ）に示すように、発光装置２は、上記配線基板１と、その配線基板１に実装された複数（図３（ａ）では１６個）の発光素子７０と、発光素子７０等を封止する封止樹脂７５とを有している。
【００２３】
図３（ａ）に示すように、各発光素子７０は、配線基板１の各実装領域ＣＡに実装されている。具体的には、各発光素子７０は、各実装領域ＣＡに形成された一方のめっき層３０（配線パターン２０）上に実装されている。より具体的には、図３（ｂ）に示すように、各発光素子７０は、上記一方のめっき層３０上に接着剤７１を介して接着されている。また、各発光素子７０は、一方の電極（図示略）がボンディングワイヤ７２を介して実装領域ＣＡ内の一方のめっき層３０に電気的に接続され、他方の電極（図示略）がボンディングワイヤ７２を介して実装領域ＣＡ内の他方のめっき層３０に電気的に接続されている。これにより、各発光素子７０の各電極は、ボンディングワイヤ７２及びめっき層３０を介して、配線パターン２０と電気的に接続されている。このような接続により、本実施形態の発光装置２では、図３（ａ）に示すように、プラス側の電極端子５０からマイナス側の電極端子５０までの間に１６個の発光素子７０が直列に接続されることになる。そして、これら発光素子７０は、外部の電源（図示略）から電極端子５０や配線パターン２０を介して給電されて発光する。なお、図１〜図３では、電気的接続の一例を示すために、電極端子５０部分に「＋」、「−」の記号を示している。
【００２４】
上記発光素子７０としては、例えば発光ダイオード（Light Emitting Diode：ＬＥＤ）や面発光型半導体レーザ（Vertical Cavity Surface Emitting Laser：ＶＣＳＥＬ）を用いることができる。ボンディングワイヤ７２としては、例えばＡｕワイヤ、アルミニウム（Ａｌ）ワイヤやＣｕワイヤなどを用いることができる。
【００２５】
図３（ｂ）に示すように、封止樹脂７５は、発光素子７０及びボンディングワイヤ７２等を封止するように配線基板１の上面に設けられている。この封止樹脂７５の材料としては、例えばシリコーン樹脂に蛍光体を含有させた樹脂材を用いることができる。このような蛍光体を含有させた樹脂材を発光素子７０上に形成することにより、発光素子７０の発光と蛍光体の発光の混色を用いることが可能となり、発光装置２の発光色を様々に制御することができる。
【００２６】
（作用）
配線パターン２０の表面２０Ａ全面を覆うようにめっき層３０を形成し、そのめっき層３０の最外層（最表層）に、安定性の高いＡｕ又はＡｕ合金からなる第３めっき層３３を形成するようにした。これにより、めっき層３０の表面３０Ａ、第２めっき層３２、第１めっき層３１及び配線パターン２０の酸化及び変色を好適に抑制することができる。
【００２７】
（配線基板の製造方法）
次に、上記配線基板１の製造方法について図４〜図８に従って説明する。なお、図４（ａ）、（ｂ）は、図１のＡ−Ａ線位置における配線基板の製造過程の状態を示した概略断面図であり、図４（ｃ）は、図５に示す配線基板のＣ−Ｃ概略断面図である。また、図６及び図７は、図１のＡ−Ａ線位置における配線基板の製造過程の状態を示した概略断面図である。
【００２８】
まず、配線基板１を製造するためには、図４（ａ）に示すように、基板１０Ａの片面に銅箔２０Ｂが被着された片面銅張り基板を用意する。基板１０Ａは、最終的に切断位置Ｂ１で切断されることにより図１に示した基板１０となる基板であり、基板１０よりも外形が一回り大きく形成されている。
【００２９】
次に、図４（ｂ）に示す工程では、銅箔２０Ｂの上面に、所定の箇所に開口部７７Ｘを有するレジスト層７７を形成する。このレジスト層７７は、所要の配線パターン２０及びめっき給電用の第１及び第２給電ライン２１，２２（図４（ｃ）参照）に対応する銅箔２０Ｂを被覆するように形成される。レジスト層７７の材料としては、感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（例えばノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）等を用いることができる。例えば感光性のドライフィルムレジストを用いる場合には、銅箔２０Ｂの上面にドライフィルムを熱圧着によりラミネートし、そのドライフィルムを露光・現像によりパターニングして上記レジスト層７７を形成する。なお、液状のフォトレジストを用いる場合にも、同様の工程を経て、レジスト層７７を形成することができる。
【００３０】
次に、図４（ｃ）に示す工程では、レジスト層７７をエッチングマスクとして銅箔２０Ｂをエッチングし、銅箔２０Ｂを所定形状にパターニングする。これにより、基板１０Ａの第１主面Ｒ１（上面）に、所要の配線パターン２０と、第１及び第２給電ライン２１，２２とが形成される。具体的には、図５に示すように、多数の配線Ｄ１を有する配線パターン２０と、基板１０Ａの外周縁に形成された第１給電ライン２１と、その第１給電ライン２１と配線パターン２０とを電気的に接続する、又は各配線Ｄ１を電気的に接続する第２給電ライン２２とが形成される。これにより、全ての配線Ｄ１が第１及び第２給電ライン２１，２２を介して電気的に接続されることになる。以下の説明では、配線パターン２０、第１及び第２給電ライン２１，２２をまとめて配線層２３とも称する。なお、上記銅箔２０Ｂのパターニング終了後に、図４（ｂ）に示したレジスト層７７を例えばアルカリ性の剥離液により除去する。
【００３１】
次に、図４（ｄ）に示す工程では、配線パターン２０に対して粗化処理を施す。この粗化処理は、配線パターン２０の表面２０Ａ（上面及び側面）の粗度が、表面粗さＲａ値で５０〜５００ｎｍとなるように行われる。このような粗化処理により、配線パターン２０の表面２０Ａに微細な凹凸が形成されて、その表面２０Ａが粗面化される。粗化処理としては、例えばエッチング、酸化、めっき、ブラスト等によって行うことができる。なお、この粗化処理では、配線パターン２０と同様に銅からなる第１及び第２給電ライン２１，２２も粗化される。
【００３２】
次に、図６（ａ）に示す工程では、配線パターン２０の表面２０Ａに、配線層２３をめっき給電層に利用する電解めっき法を施し、配線パターン２０の表面２０Ａに３層構造のめっき層３０を形成する。具体的には、図６（ｂ）に示すように、配線パターン２０の表面２０ＡにＮｉめっきを施して厚さ０．０５〜５．００μｍ（好適には０．１〜２．００μｍ）のＮｉ層（第１めっき層３１）を形成する。このとき、第１めっき層３１は、配線パターン２０の表面２０Ａに沿った形状に形成されるため、配線パターン２０と同様に、第１めっき層３１の表面３１Ａも粗面化される。続いて、第１めっき層３１上にＰｄめっきを施して厚さ０．００１〜０．５μｍ（好適には０．００５〜０．０３μｍ）のＰｄ層（第２めっき層３２）を形成する。このとき、第２めっき層３２は、第１めっき層３１の表面３１Ａに沿った形状に形成されるため、第１めっき層３１と同様に、第２めっき層３２の表面３２Ａも粗面化される。そして、第２めっき層３２上にＡｕめっきを施して厚さ０．００１〜０．５μｍ（好適には０．００１〜０．０１μｍ）のＡｕ層（第３めっき層３３）を形成する。このとき、第３めっき層３３は、第２めっき層３２の表面３２Ａに沿った形状に形成されるため、第２めっき層３２と同様に、第３めっき層３３の表面３３Ａも粗面化される。したがって、第３めっき層３３の表面３３Ａの粗度は、配線パターン２０と同様に、表面粗さＲａ値で５０〜５００ｎｍとなる。
【００３３】
なお、本実施形態では、配線パターン２０と同様に、第１及び第２給電ライン２１，２２上にもめっき層３０を形成するようにしたが、第１及び第２給電ライン２１，２２上ではめっき層３０の形成を省略してもよい。
【００３４】
次に、図６（ｃ）に示す工程では、基板１０上及びめっき層３０上に、実装領域ＣＡ及び電極端子５０にそれぞれ対応する開口部４０Ｘ，４０Ｙを有する絶縁層４０を形成する。例えば基板１０Ａの第１主面Ｒ１、配線パターン２０及び給電ライン２１，２２を覆うように絶縁層４０となるレジスト層を形成した後、フォトリソグラフィ法によりレジスト層を露光・現像して上記開口部４０Ｘ，４０Ｙを形成することで、上記絶縁層４０を形成することができる。また、絶縁層４０は、例えば樹脂ペーストのスクリーン印刷法によっても形成することができる。このとき、めっき層３０の最表層の第３めっき層３３の表面３３Ａ（図６（ｂ）参照）が粗面化されているため、その第３めっき層３３の表面３３Ａと絶縁層４０との間で良好な密着性を得ることができる。
【００３５】
また、上記絶縁層４０の形成によって、配線パターン２０上に形成されためっき層３０が開口部４０Ｘから露出される実装領域ＣＡを形成することができる。このため、絶縁層４０の形成後に、コンタクト性を向上させるために電解めっき等を施す必要がない。これにより、上記めっき層３０を形成する際に使用されるめっき液の劣化を抑制することができる。詳述すると、絶縁層４０を形成した後に、開口部４０Ｘから露出された配線パターン２０に対してめっき法（電解めっき法又は無電解めっき法）を施す場合には、そのときに使用されるめっき液に対して絶縁層４０に含まれる樹脂材等が溶出し、めっき液の劣化とそれによる液寿命の短縮化を引き起こすという問題がある。これに対し、本実施形態の製造方法によれば、電解めっき法を実施する際には、絶縁層４０が形成されていないため、上述したような問題の発生を未然に防止することができる。すなわち、本実施形態の製造方法によれば、めっき液の劣化を抑制することができるため、めっき液の液寿命の短縮化を抑制することができる。
【００３６】
次いで、図７（ａ）に示す工程では、図６（ｃ）に示した第２給電ライン２２を除去するように溝部６０を形成する。具体的には、図７（ｂ）に示すように、溝部６０は、第２給電ライン２２に対向する絶縁層４０及びめっき層３０と第２給電ライン２２（図６（ｃ）参照）とを厚さ方向に貫通し、溝部６０の底面が基板１０Ａの厚さ方向の中途に位置するように形成される。図８に示すように、この溝部６０は第２給電ライン２２の形成された全ての箇所（図８では、２０箇所）に形成されるため、本工程では２０個の溝部６０が形成される。これにより、全ての第２給電ライン２２及びそれら第２給電ライン２２上に形成されためっき層３０が除去され、溝部６０の形成された領域では基板１０Ａが露出される。そして、このような溝部６０の形成によって、基板１０Ａの外周縁に形成された第１給電ライン２１と配線パターン２０とが分離されるとともに、各配線Ｄ１が分離される。すなわち、上記溝部６０の形成（第２給電ライン２２の除去）により、各配線Ｄ１は電気的に分離される。なお、上記溝部６０は、例えばルータ加工、レーザ加工や微細な金型を用いた金型加工により形成することができる。
【００３７】
続いて、図７（ｃ）に示す工程では、切断位置Ｂ１に対する部分の絶縁層４０及び基板１０をダイシングブレード等によって切断する。これにより、第１給電ライン２１が除去され、図１に示した配線基板１が製造される。
【００３８】
次に、発光装置２の製造方法を図９に従って説明する。なお、図９は、図３のＢ−Ｂ線位置における発光装置の製造過程の状態を示した概略断面図である。
図９（ａ）に示す工程では、上記配線基板１の各実装領域ＣＡ内に形成された配線パターン２０（めっき層３０）上に接着剤７１を介して発光素子７０を搭載する。その後、発光素子７０の電極とめっき層３０とをボンディングワイヤ７２により接続し、発光素子７０と配線パターン２０とを電気的に接続する。具体的には、発光素子７０の一方の電極を実装領域ＣＡ内の一方のめっき層３０とボンディングワイヤ７２により電気的に接続するとともに、発光素子７０の他方の電極を実装領域ＣＡ内の他方のめっき層３０とボンディングワイヤ７２により電気的に接続する。
【００３９】
次に、図９（ｂ）に示す工程では、配線基板１上に実装された複数の発光素子７０及びボンディングワイヤ７２を封止する封止樹脂７５を形成する。例えば封止樹脂７５として熱硬化性を有する樹脂を用いる場合には、図９（ａ）に示す構造体を金型内に収容し、金型内に圧力（例えば、５〜１０ＭＰａ）を印加し、流動化した樹脂を導入する。その後、樹脂を例えば１８０℃程度で加熱して硬化させることで、封止樹脂７５を形成する。このとき、図９（ｂ）に示すように、配線基板１の溝部６０内にも封止樹脂７５が充填される。なお、封止樹脂７５は、液状の樹脂のポッティングにより形成することもできる。
【００４０】
以上の製造工程により、図３に示した発光装置２が製造される。
（めっき層の密着性評価）
次に、めっき層３０の表面３０Ａの表面粗さと、そのめっき層３０に対する絶縁層４０の密着性との関係について評価した結果を図１０に従って説明する。
【００４１】
まず、評価用のサンプルを５種類作成した。具体的には、実施例１，２及び比較例１，２のサンプルでは、表面の粗度が表面粗さＲａ値で７５ｎｍの銅板上に、Ｎｉめっき層、Ｐｄめっき層及びＡｕめっき層からなるめっき層を形成した。このとき、Ｎｉめっきの条件を適宜調整することで、めっき層の最表層、つまりＡｕめっき層の表面の表面粗さＲａ値を各サンプルで異なる値に調整した。具体的には、図１０に示すように、実施例１、実施例２、比較例１及び比較例２における最表層の表面の表面粗さＲａ値を、６５ｎｍ、３６８ｎｍ、２０ｎｍ、５１１ｎｍにそれぞれ調整している。一方、比較例３のサンプルでは、表面の粗度が表面粗さＲａ値で７５ｎｍの銅板を用意した。
【００４２】
そして、各サンプルの最表層（実施例１，２及び比較例１，２ではＡｕめっき層、比較例３では銅板）上に白色レジスト材料をスクリーン印刷した後、白色レジスト材料をオーブンで６０分間１５０℃で加熱することにより熱硬化させて、厚さ３０μｍの絶縁層を形成した。なお、白色レジスト材料としては、オルガノポリシロキサン樹脂と、シリカフィラーと、酸化チタンフィラーと、硬化剤とを含む絶縁材料を使用した。
【００４３】
（密着性評価方法）
全てのサンプルについて、カッターを用いて絶縁層に１ｍｍ間隔で格子状の切り込みを入れ１００個のマスの目を作成した。その後、粘着テープを絶縁層のマス目上に貼り付け、粘着テープを勢いよく剥がした。このときに剥離せずに残ったマスの数をカウントした。そして、この剥離せずに残ったマスの数からめっき層に対する絶縁層の密着性を評価した。その結果を図１０に示す。ここで、１００個のマスのうち１０個以上のマスが残っていれば、配線基板の絶縁層として実用上支障のない密着性を有すると言える。その一方で、１００個のうち７５個程度のマスが残っていれば、配線基板の絶縁層として十分な密着性を有すると言える。換言すると、これ以上密着性を向上させても粗化処理の手間や処理時間を考えると実用的ではない。
【００４４】
図１０に示した実施例１，２及び比較例１，２の結果から明らかなように、Ａｕめっき層の表面の表面粗さＲａ値が高くなるほど、剥離せずに残るマスの数が多くなる、つまり絶縁層４０との密着性が高くなる。具体的には、比較例１のようにＡｕめっき層の表面粗さＲａ値が２０ｎｍでは、剥離せずに残ったマスの数が０個であり、絶縁層との密着性が不十分であった。これに対し、実施例１のようにＡｕめっき層の表面粗さＲａ値を６５ｎｍとすると、１５個のマスが剥離せず残り、配線基板の絶縁層として実用上支障のない密着性を得ることができる。このように、Ａｕめっき層の表面粗さＲａ値を５０ｎｍ以上とすることにより、そのめっき層と絶縁層との密着性が良好となる。さらに、実施例２のようにＡｕめっき層の表面粗さＲａ値を３６８ｎｍとすると、４８個のマスが剥離せず残り、銅板上に直接絶縁層を形成した場合（比較例３参照）と同等の密着性を得ることができる。但し、比較例２のようにＡｕめっき層の表面粗さＲａを５１１ｎｍとすると、８１個のマスが剥離せず残る。このように、Ａｕめっき層の表面粗さＲａ値が５００ｎｍ以上になると、粗化処理が過剰であることが分かる。
【００４５】
以上のことから、絶縁層との密着性及び粗化処理の手間や処理時間の観点から、めっき層の最表面の粗度は、表面粗さＲａ値で５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましい。
【００４６】
以上説明したように、本実施形態によれば、以下の効果を奏することができる。
（１）配線パターン２０の表面２０Ａ全面を覆うようにめっき層３０を形成し、そのめっき層３０の最外層（最表層）に、安定性の高いＡｕ又はＡｕ合金からなる第３めっき層３３を形成するようにした。これにより、めっき層３０の表面３０Ａ、第２めっき層３２、第１めっき層３１及び配線パターン２０の酸化及び変色を好適に抑制することができる。したがって、発光装置２の使用時に発生する熱によるめっき層３０及び配線パターン２０の酸化及び変色を抑制することができ、配線抵抗の上昇を抑制することができる。この結果、発光素子７０の発光効率が低下することを好適に抑制することができる。
【００４７】
（２）さらに、配線パターン２０の表面２０Ａ全面を覆うようにめっき層３０を形成した後に、そのめっき層３０の一部を覆う絶縁層４０を形成するようにした。この場合には、電解めっき法によりめっき層３０を形成する際には、絶縁層４０が形成されていないため、その絶縁層４０の存在に起因してめっき液が劣化することを未然に防止することができる。これにより、めっき液の液寿命を延ばすことができ、そのめっき液を継続的に使用することができる。この結果、コスト削減に貢献することができる。
【００４８】
（３）ところで、本実施形態の配線基板１では、基板１０の第１主面Ｒ１上の面積に占める配線パターン２０の面積の割合が非常に大きい（例えば、７０〜８０％以上が配線パターン２０の面積になる）。このため、配線基板１からの絶縁層４０の剥離防止の観点から、配線パターン２０上に形成されためっき層３０と絶縁層４０との密着性の向上が重要となる。この点に関し、本実施形態の配線基板１では、めっき層３０の表面３０Ａ（第３めっき層３３の表面３３Ａ）を粗面化するようにした。これにより、めっき層３０と絶縁層４０との接触面積が増大するため、めっき層３０と絶縁層４０との密着性を向上させることができる。したがって、配線基板１から絶縁層４０が剥離することを好適に抑制することができる。
【００４９】
（４）さらに、めっき層３０の表面３０Ａ（第３めっき層３３の表面３３Ａ）の粗度を、表面粗さＲａ値で５０〜５００ｎｍになるようにした。これにより、めっき層３０と絶縁層４０との間で良好な密着性を得ることができるため、配線基板１から絶縁層４０が剥離することをより好適に抑制することができる。
【００５０】
（５）めっき層３０を、配線パターン２０の表面２０Ａに形成された第１めっき層３１（Ｎｉ層）と、第２めっき層３２（Ｐｄ層）と、第３めっき層３３（Ａｕ層）とが順に積層された３層構造のめっき層とした。めっき層３０の最外層にＡｕからなる第３めっき層３３を形成したことにより、上述したように、配線パターン２０及びめっき層３０の酸化を抑制することができるため、良好なワイヤボンディング性を得ることができる。また、Ｎｉからなる第１めっき層３１と、Ａｕからなる第３めっき層３３との間に、バリア性の高いＰｄからなる第２めっき層３２が介在されるため、熱などによるＡｕとＮｉとの相互拡散を抑制することができる。
【００５１】
（６）第１〜第３めっき層３１〜３３を電解めっき法により形成するようにした。これにより、めっき層３０を無電解めっき法により形成する場合よりも製造コストを低減することができる。
【００５２】
なお、上記第１実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。
・図１１に示されるように、第２給電ライン２２を除去するために形成した溝部６０を、絶縁層４０、めっき層３０、第２給電ライン２２（配線パターン２０）及び基板１０を厚さ方向に貫通するように形成してもよい。すなわち、少なくとも第２給電ライン２２が除去されるように、絶縁層４０、めっき層３０及び第２給電ライン２２を厚さ方向に貫通するように溝部が形成されていればよい。
【００５３】
・図１２に示されるように、基板１０の第２主面Ｒ２（図１２では下面）に金属層８０を形成するようにしてもよい。この金属層８０は、例えば平板状に形成された金属板を用いることができる。金属層８０の材料としては、例えば銅、アルミニウム、鉄などの熱伝導性に優れた金属を用いることができる。金属層８０の厚さは、例えば０．１〜０．４ｍｍ程度とすることができる。この金属層８０は、配線基板１の支持板として機能するとともに、発光素子７０の発光時に発生する熱を放熱する放熱板として機能する。ここで、発光素子７０（発光ダイオード）の発光効率は、その温度上昇に伴い減少する傾向にある。このため、上記金属層８０により発光素子７０から発生する熱を効率良く放熱することにより、発光素子７０の発光効率の低下を好適に抑制することができる。
【００５４】
（第２実施形態）
以下、第２実施形態を図１３〜図１５に従って説明する。この実施形態の配線基板３は、配線パターン及びめっき層の構造、及び基板１０の第２主面Ｒ２に金属層８０が形成された点が上記第１実施形態と異なっている。以下、第１実施形態との相違点を中心に説明する。なお、先の図１〜図１２に示した部材と同一の部材にはそれぞれ同一の符号を付して示し、それら各要素についての詳細な説明は省略する。
【００５５】
図１３（ａ）に示すように、基板１０の第２主面Ｒ２（図１３（ａ）では下面）には、金属層８０が形成されている。この金属層８０は、例えば平板状に形成された金属板を用いることができる。金属層８０の材料としては、例えば銅、アルミニウム、鉄などの熱伝導性に優れた金属を用いることができる。金属層８０の厚さは、例えば０．１〜０．４ｍｍ程度とすることができる。
【００５６】
図１３（ｂ）に示すように、基板１０の第１主面Ｒ１（図１３（ｂ）では上面）に形成された配線パターン２５は、その表面２５Ａ（上面及び側面）が凹凸の少ない平滑面に形成されている。配線パターン２５の平面形状は、上記第１実施形態の配線パターン２０と同様であるため、その図示を省略している。
【００５７】
配線パターン２５の表面２５Ａには、表面が粗面化された第１めっき層（粗面めっき層）３６と、第２めっき層３７と、第３めっき層３８とが順に積層された３層構造のめっき層３５が形成されている。ここで、本実施形態では、第１めっき層３６がニッケル（Ｎｉ）めっき層、第２めっき層３７がパラジウム（Ｐｄ）めっき層、第３めっき層３８が金（Ａｕ）めっき層である。なお、これら第１〜第３めっき層３６〜３８は、例えば電解めっき法により形成することができる。
【００５８】
第１めっき層３６の表面（粗化面）３６Ａは、微細な凹凸形状に形成されている。この粗化面３６Ａの粗度は、例えば表面粗さＲａ値で５０ｎｍ以上となるように設定されている。具体的には、粗化面３６Ａの粗度は、第１めっき層３６を電解めっき法にて形成する際に使用するめっき液の組成や電流密度等を調整することにより、表面粗さＲａ値で５０〜５００ｎｍとなるように設定されている。この第１めっき層３６は、配線パターン２５に含まれるＣｕの拡散防止効果や配線パターン２５の腐食を防止する耐腐食性効果、Ｐｄからなる第２めっき層３７との密着性などの特性を考慮して、材料組成や厚さが設定される。第１めっき層３６の材料としては、例えばＮｉやＮｉ合金を用いることができる。また、第１めっき層３６の厚さは、上記特性及び製造コストの観点から、０．０５μｍ以上５．００μｍ以下の範囲が好ましく、０．１μｍ以上２．００μｍ以下の範囲がより好ましい。
【００５９】
第２めっき層３７は、例えば熱による第１めっき層３６に含まれるＮｉと第３めっき層３８に含まれるＡｕとの相互拡散を防止する役割を果たす。このような機能を実現するための第２めっき層３７の材料としては、例えばＰｄ又はＰｄ合金を用いることができる。第２めっき層３７の厚さは、製造コストの点からできる限り薄膜化しつつも、上記相互拡散を抑制するためには、０．００１μｍ以上０．５μｍ以下の範囲が好ましく、０．００５μｍ以上０．０３μｍ以下の範囲がより好ましい。この第２めっき層３７の表面３７Ａ（上面及び側面）は、上記第１めっき層３６と同様に粗面化されており、微細な凹凸形状が形成されている。この粗面化された第２めっき層３７の表面３７Ａの粗度は、例えば表面粗さＲａ値で５０〜５００ｎｍとなるように設定されている。
【００６０】
第３めっき層３８は、例えばめっき層３５や配線パターン２５の加熱時の酸化を防止しつつ、コンタクト性（ワイヤボンディング性やはんだ付け性）を向上させる役割を果たす。このような機能を実現するための第３めっき層３８の材料としては、配線パターン２５（銅）よりも酸化し難く、硬度の低い金属であることが好ましく、例えばＡｕやＡｇなどの貴金属又はこれらの金属を少なくとも一種以上含む貴金属合金を用いることができる。第３めっき層３８の厚さは、製造コストの点からできる限り薄膜化しつつも、コンタクト性を向上させるためには、０．００１μｍ以上０．５μｍ以下の範囲が好ましく、０．００１μｍ以上０．０１μｍ以下の範囲がより好ましい。この第３めっき層３８の表面３８Ａ（上面及び側面）は、上記第２めっき層３７と同様に粗面化されており、微細な凹凸形状が形成されている。この粗面化された第３めっき層３８の表面３８Ａの粗度は、例えば表面粗さＲａ値で５０〜５００ｎｍとなるように設定されている。これにより、第３めっき層３８とその第３めっき層３８上に形成される絶縁層４０との密着性を、第３めっき層３８の表面３８Ａが平滑面である場合よりも増大させることができる。
【００６１】
また、配線基板３には、溝部６１が形成されている。この溝部６１は、絶縁層４０の上面から、その絶縁層４０、めっき層３５、配線パターン２５及び基板１０を貫通して金属層８０の厚みの途中まで形成されている。なお、この溝部６１は、当該配線基板３の製造過程で使用されるめっき給電用の給電ライン２２（図１４（ｂ）参照）を除去するために形成されたものである。
【００６２】
（配線基板の製造方法）
次に、上記配線基板３の製造方法について説明する。
まず、配線基板３を製造するためには、図１４（ａ）に示すように、基板１０Ａの片面に銅箔２５Ｂが被着された片面銅張り基板を金属層８０Ａに接着した構造体を用意する。ここで、基板１０Ａは、最終的に切断位置Ｂ１で切断されることにより図１３に示した基板１０となるものである。また、金属層８０Ａは、最終的に切断位置Ｂ１で切断されることにより図１３に示した金属層８０となるものである。
【００６３】
次に、図１４（ｂ）に示す工程では、図４（ｂ）及び図４（ｃ）に示した工程と同様に、基板１０Ａの第１主面Ｒ１（図１４（ｂ）では上面）に形成された銅箔２５Ｂを所定形状にパターニングする。これにより、基板１０Ａの第１主面Ｒ１に、所要の配線パターン２５と、第１及び第２給電ライン２１，２２とが形成される。なお、以下の説明では、配線パターン２５、第１及び第２給電ライン２１，２２をまとめて配線層２６とも称する。
【００６４】
続いて、図１４（ｃ）に示す工程では、配線パターン２５の表面２５Ａに、配線層２６をめっき給電層に利用する電解めっき法を施し、配線パターン２５の表面２５Ａ（上面及び側面）に３層構造のめっき層３５を形成する。
【００６５】
具体的には、図１４（ｄ）に示すように、まず、配線パターン２５の表面２５Ａに、表面が粗化面３６Ａである第１めっき層（粗面めっき層）３６を形成する。ここで、粗化面３６Ａの表面粗度は、表面粗さＲａ値で５０〜５００ｎｍの範囲であることが好ましい。但し、このような粗度に設定するためには、上述もしたように、使用するめっき液の組成や電流密度を適切に調整する必要がある。以下に、Ｎｉから構成される粗面めっき層３６を形成する際のめっき条件の一例を説明する。具体的には、めっき液として塩化ニッケルめっき浴を使用する場合のめっき浴の組成及びめっき条件は、次の通りである。
【００６６】
塩化ニッケルめっき浴：
塩化ニッケル                ７５ｇ／Ｌ
チオシアン酸ナトリウム      １５ｇ／Ｌ
塩化アンモニウム            ３０ｇ／Ｌ
ホウ酸                      ３０ｇ／Ｌ
ｐＨ：          約４．５〜５．５
浴温：          常温（約２５℃）
処理時間：      約１〜３０分間
陰極電流密度：  約１〜３Ａ／ｄｍ２
このように、予め使用するめっき液の組成や電流密度等を適切に調整することにより、第１めっき層３６の表面３６Ａが粗面化され、その粗化面３６Ａの粗度を所望の表面粗度に設定させることができる。なお、上述しためっき液の組成やめっき条件は一例であり、第１めっき層３６の粗化面３６Ａが所望の粗度になるように調整されるのであれば、その組成や条件は特に限定されない。
【００６７】
次に、第１めっき層３６上にＰｄめっきを施して厚さ０．００１〜０．５μｍ（好適には０．００５〜０．０３μｍ）のＰｄ層（第２めっき層３７）を形成する。このとき、第２めっき層３７は、第１めっき層３６の粗化面３６Ａに沿った形状に形成されるため、第１めっき層３６と同様に、第２めっき層３７の表面３７Ａも粗面化される。以下に、Ｐｄから構成される第２めっき層３７を形成する際のめっき浴の組成及びめっき条件の一例を説明する。
【００６８】
Ｐｄめっき浴：
ジニトロテトラアンミンパラジウム    １０ｇ／Ｌ
クエン酸アンモニウム                １５０ｇ／Ｌ
応力緩和剤
結晶調整剤
ｐＨ：          約７．５〜８．５
浴温：          約５０℃
処理時間：      約２〜１０秒間
陰極電流密度    約１〜３Ａ／ｄｍ２
続いて、第２めっき層３７上にＡｕめっきを施して厚さ０．００１〜０．５μｍ（好適には０．００１〜０．０１μｍ）のＡｕ層（第３めっき層３８）を形成する。このとき、第３めっき層３８は、第２めっき層３７の表面３７Ａに沿った形状に形成されるため、第２めっき層３７と同様に、第３めっき層３８の表面３８Ａも粗面化される。したがって、第３めっき層３８の表面３８Ａの粗度は、第１めっき層３６の粗化面３６Ａと同様に、表面粗さＲａ値で５０〜５００ｎｍとなる。以下に、Ａｕから構成される第３めっき層３８を形成する際のめっき浴の組成及びめっき条件の一例を説明する。
【００６９】
Ａｕめっき浴：
シアン化金カリウム              １０ｇ／Ｌ
クエン酸カリウム                １００ｇ／Ｌ
置換抑制剤
光沢剤
ｐＨ：          約５．５〜６．５
浴温：          約５０℃
処理時間：      約２〜２０秒間
陰極電流密度：  約０．５〜１Ａ／ｄｍ２
次いで、図１５（ａ）に示す工程では、基板１０Ａ上及びめっき層３５上に、実装領域ＣＡ及び電極端子５０に対応する開口部４０Ｘ，４０Ｙを有する絶縁層４０を形成する。このとき、めっき層３５の最表層の第３めっき層３８の表面３８Ａが粗面化されているため、その第３めっき層３８と絶縁層４０との間で良好な密着性を得ることができる。
【００７０】
次に、図１５（ｂ）に示す工程では、図１５（ａ）に示した第２給電ライン２２を除去するように溝部６１を形成する。具体的には、溝部６１は、第２給電ライン２２に対向する絶縁層４０及びめっき層３５と第２給電ライン２２と基板１０Ａとを厚さ方向に貫通し、溝部６１の底面が金属層８０Ａの厚さ方向の中途に位置するように形成される。これにより、第２給電ライン２２が除去される。なお、上記溝部６１は、例えばルータ加工、レーザ加工や微細な金型を用いた金型加工により形成することができる。
【００７１】
続いて、図１５（ｃ）に示す工程では、切断位置Ｂ１に対する部分の絶縁層４０と基板１０Ａと金属層８０Ａをダイシングブレード等によって切断する。これにより、第１給電ライン２１が除去され、図１３に示した配線基板３が製造される。
【００７２】
以上説明した実施形態によれば、第１実施形態の（１）〜（６）の効果に加えて以下の効果を奏する。
（７）基板１０の第２主面Ｒ２に金属層８０を形成するようにした。この金属層８０によって発光素子７０から発生する熱を効率良く放熱することにより、発光素子７０の発光効率の低下を好適に抑制することができる。
【００７３】
なお、上記第２実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。
・図１６に示されるように、第２給電ライン２２を除去するために形成した溝部６１の代わりに、絶縁層４０、めっき層３５、第２給電ライン２２（配線パターン２５）、基板１０及び金属層８０を厚さ方向に貫通する溝部６１Ａを形成するようにしてもよい。
【００７４】
・図１７に示されるように、溝部６１Ａの形成によって露出された配線パターン２５及びめっき層３５の側面、すなわち溝部６１Ａの側面にもなる配線パターン２５及びめっき層３５の側面の一部を除去するようにしてもよい。具体的には、配線パターン２５及びめっき層３５の側面を、それらの側面が溝部６１Ａの側面から基板１０内に後退した位置になるように一部を除去するようにしてもよい。これにより、基板１０の厚さが薄い場合であっても、配線パターン２５及びめっき層３５と金属層８０との間の距離が広がるため、それらが電気的に接続（短絡）されることを好適に抑制することができる。
【００７５】
なお、上述したような配線パターン２５及びめっき層３５の除去は、例えばエッチングにより行うことができる。エッチングとしては、例えばゴムなどを用いたマスキングによる部分エッチングを用いることができる。この部分エッチングによれば、溝部６１Ａ周辺に対してのみエッチングを行うことができるため、所望の箇所（ここでは、溝部６１Ａの形成によって露出された配線パターン２５及びめっき層３５）に対して選択的にエッチングを行うことができる。
【００７６】
ここでは、溝部６１Ａを形成した場合について説明したが、溝部６０，６１を形成した場合についても同様の処理を行うようにしてもよい。
・上記第２実施形態における金属層８０を省略してもよい。
【００７７】
（その他の変形例）
なお、上記各実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。
・上記各実施形態では、基板１０上に形成された配線パターン２０，２５を覆うように形成されためっき層３０，３５上に発光素子７０をワイヤボンディング実装するようにした。これに限らず、例えば図１８（ａ）、（ｂ）に示すように、上記めっき層３０，３５上に発光素子９０をフリップチップ実装するようにしてもよい。この場合、発光素子９０は、実装領域ＣＡに形成された開口部２０Ｘ，２５Ｘを跨るように、その開口部２０Ｘ，２５Ｘの両側に形成されためっき層３０，３５上に実装される。具体的には、発光素子９０の回路形成面（図１８では下面）に形成された一方のバンプ９１が実装領域ＣＡ内の一方のめっき層３０，３５にフリップチップ接続され、他方のバンプ９１が実装領域ＣＡ内の他方のめっき層３０，３５にフリップチップ接続される。
【００７８】
・図１９に示されるように、基板１０の実装領域ＣＡに凹部１０Ｘを形成し、その凹部１０Ｘ内に発光素子９０を実装するようにしてもよい。この場合には、凹部１０Ｘに配線パターン２０を形成し、その配線パターン２０の表面２０Ａを覆うようにめっき層３０を形成し、実装領域ＣＡ以外のめっき層３０を覆うように絶縁層４０を形成する。そして、凹部１０Ｘの底面に形成されためっき層３０上に発光素子９０を実装する。なお、図１９では、発光素子９０をフリップチップ実装するようにしているが、発光素子をワイヤボンディング実装するようにしてもよい。
【００７９】
・上記各実施形態において、めっき層３０，３５の最外層のめっき層３３，３８を、下層のめっき層３２，３７の表面３２Ａ，３７Ａの一部が露出されるように、そのめっき層３２，３７の表面３２Ａ，３７Ａ上に分散して形成するようにしてもよい。
【００８０】
・上記各実施形態において、めっき層３０，３５の層構成を適宜変更してもよい。例えば、第２めっき層３２，３７と第３めっき層３３，３８との間に、Ａｇ又はＡｇ合金からなる第４めっき層を形成するようにしてもよい。また、配線パターン２０，２５上に、Ｎｉ又はＮｉ合金からなる第１めっき層３１，３６と、Ａｕ又はＡｕ合金からなる第３めっき層３３，３８とを形成するようにしてもよい。すなわち、第２めっき層３２，３７を省略してもよい。
【００８１】
また、配線パターン２０，２５上に、Ｎｉ又はＮｉ合金からなる第１めっき層３１，３６と、Ｐｄ又はＰｄ合金からなる第２めっき層３２，３７と、Ａｇ又はＡｇ合金からなる第４めっき層とを形成するようにしてもよい。すなわち、第３めっき層３３，３８の代わりに、第４めっき層を形成するようにしてもよい。また、配線パターン２０，２５上に、Ｎｉ又はＮｉ合金からなる第１めっき層３１，３６と、Ａｇ又はＡｇ合金からなる第４めっき層とを形成するようにしてもよい。あるいは、配線パターン２０，２５上に、Ａｇ又はＡｇ合金からなる第４めっき層を１層のみ形成するようにしてもよい。このように、めっき層３０，３５の最外層をＡｇ又はＡｇ合金からなる第４めっき層とした場合には、ＡｇがＡｕに比べて光の反射率が高いため、発光装置としての発光効率を向上させることができる。
【００８２】
・上記各実施形態では、めっき層３０，３５を電解めっき法により形成するようにしたが、これに限らず、例えばめっき層３０，３５を無電解めっき法により形成するようにしてもよい。なお、この場合には、給電ライン２１，２２を形成する必要がないため、溝部６０，６１を省略することができる。
【００８３】
・上記各実施形態における開口部４０Ｘの平面形状は、円形状に限らず、例えば矩形状や五角形、六角形等の多角形状であってもよい。
・上記各実施形態では、基板１０Ａ上に１つの配線基板１，３を作製する例を示したが、基板１０Ａ上に複数の配線基板１，３となる部材を作製し、それを個片化して複数の配線基板１，３を得るような工程に変更してもよい。
【００８４】
・上記各実施形態における発光素子７０，９０の個数や配置は、特に限定されない。また、上記各実施形態における配線パターン２０，２５の形状も特に限定されない。例えば、図２０に示されるような配線パターンに変更してもよい。すなわち、帯状の複数の配線パターン２４を平行に隣接して配置するようにしてもよい。この場合には、隣接する配線パターン２４間には、下層の基板１０を露出する溝状の開口部２４Ｘが形成されている。そして、この開口部２４Ｘによって、複数の配線パターン２４は互いに電気的に分離されている。なお、電極端子５０は、外側に形成された配線パターン２４にそれぞれ形成される。このような配線パターン２４及び電極端子５０を有する配線基板に発光素子を実装した場合には、複数の発光素子が並列及び直列に接続されることになる。
【符号の説明】
【００８５】
１，３  配線基板（発光装置用配線基板）
２  発光装置
１０  基板
２０，２４，２５  配線パターン
２１，２２  給電ライン
２３，２６  配線層
３０，３５  めっき層
３１，３６  第１めっき層
３２，３７  第２めっき層
３３，３８  第３めっき層（最外めっき層）
４０  絶縁層
６０，６１，６１Ａ  溝部
７０，９０  発光素子
７５  封止樹脂
８０  金属層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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