(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハを保持する半導体ウエハ保持用冶具であって、
冶具本体と、
アダプターと
を備え、
前記治具本体は、前記半導体ウエハを収容する有底の収容穴を有し、
前記アダプターは、前記収容穴の底部に配置され、前記半導体ウエハの前記アダプターと反対側の面全体を前記収容穴から均等に所定量突出させる、半導体ウエハ保持用冶具。
【請求項２】
前記アダプターは前記収容穴に嵌合し、前記収容穴に対する前記収容穴の軸線周りの前記アダプターの回転が抑止される、請求項１に記載の半導体ウエハ保持用冶具。
【請求項３】
前記治具本体は、積層構造を有し、
前記治具本体は、支持部材に積層され、前記治具本体を積層方向と直交する方向に前記支持部材に対して位置決めするストッパーを備える、請求項１又は請求項２に記載の半導体ウエハ保持用冶具。
【請求項４】
前記収容穴の内周面は前記収容穴の軸線に対して傾斜して形成され、前記収容穴の底部側の径は前記収容穴の開口側の径よりも大きく形成される、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の半導体ウエハ保持用冶具。
【請求項５】
前記治具本体は、前記収容穴の開口側の外周縁に、全周に亘って面取り部が形成される、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の半導体ウエハ保持用冶具。
【請求項６】
前記治具本体は、
テンプレートと、
前記テンプレートの一方の面に積層されるバックパッドと
を備え、
前記テンプレートは、厚み方向に貫通する貫通孔を有し、
前記バックパッドは、吸水性を有する弾性体層を含む、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の半導体ウエハ保持用冶具。
【請求項７】
前記テンプレートは炭素繊維により形成される、請求項６に記載の半導体ウエハ保持用冶具。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の半導体ウエハ保持用冶具と、
前記半導体ウエハの一方の面を研磨する研磨手段と
を備える、半導体ウエハ研磨装置。
【請求項９】
ワークを保持するワーク保持用冶具であって、
冶具本体と、
アダプターと
を備え、
前記治具本体は、前記ワークを収容する有底の収容穴を有し、
前記アダプターは、前記収容穴の底部に配置され、前記ワークの前記アダプターと反対側の面全体を前記収容穴から均等に所定量突出させる、ワーク保持用冶具。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ保持用冶具、半導体ウエハ研磨装置、及びワーク保持用冶具に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスを製造する際に、半導体ウエハのポリッシング工程が実行される。ポリッシング工程では、ＣＭＰ（chemical mechanical polishing)によって半導体ウエハの一方の面又は両面が鏡面状に研磨される。ＣＭＰは、研磨液に含まれる化学成分の作用によって、砥粒による機械的研磨効果を増大させ、平滑な研磨面を効率良く形成する技術である。【０００３】
ＣＭＰでは、治具に保持された半導体ウエハの一方の面又は両面に研磨布を押し当て、研磨布に研磨液を注ぎながら、半導体ウエハと研磨布とを相対運動させて半導体ウエハを研磨する。半導体ウエハを保持する方法としては、ワックスを用いる保持方法や、テンプレートを用いるワックスレスの保持方法（例えば、特許文献１参照）がある。テンプレートを用いる保持方法では、次のようにして半導体ウエハを保持する。【０００４】
まず、合成樹脂等により形成された支持プレートの一方の面にバックパッドを介してテンプレートを貼着する。バックパッドは吸水性を有する弾性体層を含んでおり、この弾性体層に水を含浸させる。テンプレートは半導体ウエハよりも若干薄く形成されており、１つ又は複数の貫通孔を有する。この貫通孔に半導体ウエハを収容し、半導体ウエハの一方の面をバックパッドに圧接してバックパッドに含まれている水を搾り出す。その際に発生する水の負圧と表面張力とにより半導体ウエハがバックパッドに吸着される。【０００５】
次に、テンプレートの貫通孔から突出した半導体ウエハの他方の面を定盤に固着された研磨布に押し当てる。そして、研磨布に研磨液を供給しながら定盤を回転させ、研磨液に含まれる化学的成分と砥粒との複合作用により半導体ウエハを鏡面状に研磨する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平０９−３２１００１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、ワックスレス保持方法の場合、１種類のテンプレートでは、厚みの異なる複数種類の半導体ウエハに対応できない場合がある。すなわち、テンプレートの貫通孔からの半導体ウエハの突出量は半導体ウエハの厚みによって変化するため、テンプレートが１種類しかない場合、テンプレートの貫通孔からの半導体ウエハの突出量がテンプレートの厚みに対して大き過ぎると、半導体ウエハを安定して保持できなくなる。一方、テンプレートの貫通孔からの半導体ウエハの突出量がテンプレートの厚みに対して小さ過ぎると、研磨布がテンプレートに接触する等の不具合が生じる。【０００８】
半導体ウエハの厚みに応じて厚みの異なる複数種類のテンプレートを準備すれば、上記の問題を解消することができるが、その場合、テンプレートの作製費用が嵩むため、コストが増大するという問題が生じる。【０００９】
本発明は上記事情に鑑みて創案されたものであり、その目的は、厚みの異なる複数種類の半導体ウエハに対応することができ、かつコストの増大を抑制することができる半導体ウエハ保持用冶具を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明による第１の態様は、半導体ウエハを保持する半導体ウエハ保持用冶具であって、冶具本体と、アダプターとを備え、前記治具本体は、前記半導体ウエハを収容する有底の収容孔を有し、前記アダプターは、前記収容孔の底部に配置され、前記半導体ウエハを前記収容孔から所定量突出させる。【００１１】
本発明による半導体ウエハ保持用冶具は、アダプターを交換することにより、治具本体の収容孔からの半導体ウエハの突出量を変更することができるため、厚みが異なる複数種類の半導体ウエハに１種類の治具本体で対応することができる。アダプターの作製費用は治具本体の作製費用よりも安価であるため、複数種類の治具本体を作製する場合と比べてコストの増大を抑制することができる。【００１２】
ある実施形態において、前記アダプターは前記収容孔に嵌合し、前記収容孔に対する前記収容孔の軸線周りの前記アダプターの回転が抑止されるように形成される。この場合、アダプターに固定された半導体ウエハの治具本体に対する回転が抑止されるため、半導体ウエハの加工性が向上する。【００１３】
ある実施形態において、前記治具本体は支持部材に積層され、前記治具本体を積層方向と直交する方向に前記支持部材に対して位置決めするストッパーを備えることができる。この場合、治具本体が積層方向と直交する方向に支持部材に対して位置ずれすることを抑制できる。したがって、不良品の発生が抑制されて半導体ウエハの歩留まり率が向上する。【００１４】
ある実施形態において、前記収容孔の内周面は前記収容孔の軸線に対して傾斜しており、前記収容孔の底部側の径は前記収容孔の開口側の径よりも大きい。この場合、収容孔の内周面が軸線と平行である場合と比べて半導体ウエハが収容孔から離脱しにくくなる。したがって、不良品の発生が抑制されて半導体ウエハの歩留まり率が向上する。【００１５】
ある実施形態において、前記治具本体における前記収容孔の開口側の外周角部に、全周に亘って面取り部を形成することができる。この場合、半導体ウエハ保持用冶具の外周角部が研磨布に引っ掛かりにくくなるので、研磨布の傷みを抑制することができる。したがって、研磨布のライフサイクルが長くなり、メンテナンス回数が低減する。その結果、ランニングコストが低減する。【００１６】
ある実施形態において、前記治具本体は、テンプレートと、前記テンプレートの一方の面に積層されるバックパッドとを備え、前記テンプレートは、厚み方向に貫通する貫通孔を有し、前記バックパッドは、吸水性を有する弾性体層を含むものとすることができる。【００１７】
ある実施形態において、前記テンプレートを炭素繊維により形成することができる。この場合、従来のガラスエポキシ製のテンプレートと比べて、強度、耐熱性、及び耐酸性が高くなるため、高温下での寸法変化が小さくなる。したがって、テンプレートの薄型化や貫通孔の大径化を図っても、必要な強度を確保し易く、半導体ウエハの薄型化や大径化に対応し易い。【００１８】
また、本発明の第２の態様は、第１の態様の半導体ウエハ保持用冶具と、前記半導体ウエハの一方の面又は両面を研磨する研磨手段とを備える半導体ウエハ研磨装置である。【００１９】
本発明による半導体ウエハ研磨装置は、アダプターを交換することにより、治具本体の収容孔からの半導体ウエハの突出量を変更することができるため、厚みが異なる複数種類の半導体ウエハに１種類の治具本体で対応することができる。アダプターの作製費用は治具本体の作製費用よりも安価であるため、複数種類の治具本体を作製する場合と比べてコストの増大を抑制することができる。【００２０】
また、本発明の第３の態様は、ワークを保持するワーク保持用冶具であって、冶具本体と、アダプターとを備え、前記治具本体は、前記ワークを収容する有底の収容孔を有し、前記アダプターは、前記収容孔の底部に配置され、前記ワークを前記収容孔から所定量突出させる。【００２１】
本発明によるワーク保持用冶具は、アダプターを交換することにより、治具本体の収容孔からのワークの突出量を変更することができるため、厚みが異なる複数種類の半導体ウエハに１種類の治具本体で対応することができる。アダプターの作製費用は治具本体の作製費用よりも安価であるため、複数種類の治具本体を作製する場合と比べてコストの増大を抑制することができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、厚みの異なる複数種類の半導体ウエハに対応することができ、かつ生産コストの増大を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】半導体ウエハの加工方法を示すフローチャートである。
【図２】本発明の第１実施形態に係る半導体研磨装置を示す断面図である。
【図３】図２に示される半導体研磨装置の要部を示す分解斜視図である。
【図４】図２に示される半導体研磨装置の要部を示す拡大図である。
【図５】本発明の第２実施形態に係る半導体研磨装置の要部を示す分解斜視図である。
【図６】本発明の第３実施形態に係るテンプレート及び支持プレートを示す斜視図である。
【図７】図６に示されるテンプレートと支持プレートとをアセンブリした状態を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、図面を参照して本発明の第１実施形態を説明する。本実施形態の説明に先立って、図１を参照して半導体ウエハの加工方法を説明する。図１は半導体ウエハの加工方法を示すフローチャートである。
【００２５】
図１に示すように、まず、ステップＳ１０において、円柱状のインゴットをスライスして円盤状の半導体ウエハを得る。次に、ステップＳ２０において、半導体ウエハの周縁部の割れや欠けを防ぐために半導体ウエハの周縁部を面取りする。次に、ステップＳ３０において、半導体ウエハの両面又は一方の面をグラインダでラッピングして半導体ウエハの厚みを所定の大きさにする。次に、ステップＳ４０において、半導体ウエハをエッチングして、ラッピングにより発生した加工歪みを除去する。そして、ステップＳ５０において、半導体ウエハの一方の面又は両面をポリッシングして鏡面状にする。最後に、ステップＳ６０において、半導体ウエハを薬液で洗浄してパーティクル等の不純物を除去する。
【００２６】
本実施形態の半導体研磨装置は、例えば図１のステップＳ５０のポリッシング工程において使用される。図２は本発明の第１実施形態に係る半導体研磨装置１０を示す断面図である。
【００２７】
図２に示すように、半導体研磨装置１０は、研磨手段１５と、複数のウエハ保持具４０（１つのみ図示）とを備える。研磨手段１５は、円盤状の定盤２０と、定盤２０の上面に貼着された研磨布３０とを備える。
【００２８】
定盤２０は鉛直な回転軸２１の上端に固着され、水平に支持されている。回転軸２１はモータに連結されており、当該モータによって定盤２０は中心軸周りに回転する。
【００２９】
研磨布３０は定盤２０の上面に固定手段を介して貼着される。固定手段としては、例えば耐熱エポキシ系接着剤等の接着剤や両面テープを用いることができる。研磨布３０の材質は特に限定されないが、例えば研磨布３０として、粗研磨ではニッタ・ハース株式会社製のSUBA（登録商標）、ファイナル研磨ではシーガル株式会社製の製品を用いることができる。
【００３０】
ウエハ保持具４０は、プレート保持部４１と、支持部材としての支持プレート４２と、治具本体４６と、アダプター５０とを備える。
【００３１】
プレート保持部４１は、金属等によってカップ状に形成されている。プレート保持部４１は、開口を下に向けた状態で鉛直なシャフト４５の下端に固着され、水平に支持されている。
【００３２】
図３及び図４を参照して支持プレート４２と治具本体４６とアダプター５０の詳細を説明する。図３は半導体研磨装置１０の要部を示す分解斜視図であり、図４は半導体研磨装置１０の要部を示す拡大図である。
【００３３】
支持プレート４２は円盤状に形成されており、合成樹脂等により形成される。支持プレート４２の一方の面４２ａは固定手段を介してプレート保持部４１に固着される。固定手段としては、例えば耐熱エポキシ系接着剤等の接着剤を用いることができる。
【００３４】
治具本体４６は半導体ウエハＷを収容する有底の収容孔４６ａを有する。治具本体４６はバックパッド４３とテンプレート４４とを含む。バックパッド４３は円盤状に形成されており、吸水性を有する弾性体層を含む。弾性体層は、例えば発泡ウレタン樹脂により形成される。バックパッド４３の一方の面４３ａは固定手段を介して支持プレート４２の他方の面４２ｂに固着される。固定手段としては、例えば耐熱エポキシ系接着剤等の接着剤や両面テープを用いることができる。
【００３５】
テンプレート４４の材質は特に限定されないが、本実施形態では、テンプレート４４はカーボングラファイトにより形成されている。テンプレート４４はバックパッド４３を介して支持プレート４２の他方の面４２ｂに積層される。テンプレート４４は固定手段を介してバックパッド４３に固着される。固定手段としては、例えば耐熱エポキシ系接着剤等の接着剤や両面テープを用いることができる。
【００３６】
テンプレート４４は厚み方向に貫通する複数の貫通孔４４ａを有する。貫通孔４４ａの一方の開口はバックパッド４３の他方の面４３ｂによって塞がれている。貫通孔４４ａの直径は半導体ウエハＷの直径よりも若干大きく、貫通孔４４ａは半導体ウエハＷを嵌脱自在に収容する。貫通孔４４ａとバックパッド４３の他方の面４３ｂとによって収容孔４６ａが構成されている。なお、テンプレート４４の厚みは、半導体ウエハＷの厚みとアダプター５０の厚みとの和よりも若干小さい。
【００３７】
アダプター５０は、金属や合成樹脂等により円盤状に形成されている。アダプター５０は、固定手段を介して半導体ウエハＷの一方の面Ｗａに着脱可能に固着される。固定手段としては、例えば耐熱エポキシ系接着剤等の接着剤や両面テープを用いることができる。貫通孔４４ａに半導体ウエハＷとアダプター５０とが収容されると、半導体ウエハＷがテンプレート４４の一方の面４４ｂから所定量（例えば、５０μｍ〜１００μｍ）突出する。
【００３８】
ガラスエポキシ製のテンプレートでは、半導体ウエハを収容する貫通孔はプレス加工で形成される。その場合、貫通孔の内周面は貫通孔の軸線に対して略平行となる。一方、本実施形態のテンプレート４４は加工性に優れたカーボングラファイトで形成されているため、貫通孔４４ａの内周面４４ａａをＮＣ加工によって貫通孔４４の軸線Ｃ．Ｌに対して傾斜させることができる。その結果、半導体ウエハＷの離脱をより確実に抑制できる。
【００３９】
貫通孔４４ａの内周面４４ａａを軸線Ｃ．Ｌに対して角度α傾斜させ、貫通孔４４ａにおけるバックパッド４３側の開口４４ａｂの径（収容孔４６ａの底部側の径）を、貫通孔４４ａにおけるバックパッド４３と背反する側の開口４４ａｃの径（収容孔４６ａの開口側の径）よりも大きくすることができる。このようにすると、内周面４４ａａが軸線Ｃ．Ｌと平行である場合と比べて半導体ウエハＷが貫通孔４４ａから離脱しにくくなる。角度αは特に限定されないが、例えば１０°≦α≦２０°とすることができる。
【００４０】
また、本実施形態では、テンプレート４４におけるバックパッド４３と背反する側（収容孔４６ａの開口の側）の外周角部４４ｃに、全周に亘って面取り部４４ｄが形成されている。このようにすると、外周角部４４ｃが研磨布３０に引っ掛かりにくくなるので、研磨布３０（図２参照）の傷みを抑制することができる。その結果、研磨布３０のライフサイクルが長くなり、メンテナンス回数が低減するため、ランニングコストが低減する。なお、面取り部４４ｄは平面でも曲面でもよい。
【００４１】
次に、図２〜図４を参照して半導体研磨装置１０の使用方法を説明する。まず、ウエハ保持具４０のバックパッド４３に水を含浸させる。次に、半導体ウエハＷを固着したアダプター５０を治具本体４６の複数の収容孔４６ａの各々に収容し、アダプター５０をバックパッド４３に圧接する。その結果、バックパッド４３に含まれている水が搾り出され、その際に発生する水の負圧と表面張力とによりアダプター５０がバックパッド４３に吸着されて保持される。
【００４２】
次に、収容孔４６ａから突出した半導体ウエハＷの他方の面Ｗｂを定盤２０に固着された研磨布３０に押し当てる。そして、研磨布３０に研磨液を供給しながら定盤２０を回転させることにより、半導体ウエハＷの他方の面Ｗｂを鏡面状に研磨する。研磨液としては、例えば、水とダイヤモンド砥粒とを混合したスラリーを用いることができる。
【００４３】
半導体ウエハＷとは厚みの異なる半導体ウエハを研磨する場合には、アダプター５０を厚みが異なるアダプターに変更することで、半導体ウエハのテンプレート４４からの突出量を本実施形態と同じ大きさにすることができる。したがって、厚みの異なる複数種類の半導体ウエハに対して１種類のテンプレート４４で対応することができる。また、半導体ウエハＷのテンプレート４４からの突出量を調整する場合には、アダプター５０を厚みが異なるアダプターに変更すればよい。さらに、１枚のテンプレートで厚みが異なる複数枚の半導体ウエハを保持する場合には、厚みが異なるアダプターを使用することで、全ての半導体ウエハのテンプレートからの突出量を同じ大きさにすることができる。
【００４４】
なお、アダプター５０は、テンプレート４４の貫通孔４４ａの内周面４４ａａの加工のような高精度の加工が不要であるため、ＮＣ加工で作製する必要がなく、打ち抜き加工で作製できる。したがって、アダプター５０はテンプレート４４よりも安価に作製できる。その結果、半導体ウエハの厚みに応じてテンプレート４４を複数種類作製するよりも、アダプター５０を複数種類作製する方が、コストの増大を抑制できる。
【００４５】
さらに、アダプター５０を用いることで、半導体ウエハＷがテンプレート４４とバックパッド４３との間に入り込んで半導体ウエハＷやバックパッド４３が損傷することを抑制できる。
【００４６】
なお、テンプレート４４はカーボングラファイトで形成されているため、従来のガラスエポキシ製のテンプレートに比べて、強度、耐熱性及び耐酸性が高い。すなわち、グラファイトは耐熱性、熱伝導性が高く、急激な熱変化に耐えることができ、高温下で強度が増すため、高温下での貫通孔４４ａの寸法変化が小さい。また、グラファイトは精密な機械加工ができるため、貫通孔４４ａを高精度に形成できる。したがって、貫通孔４４ａの内周面４４ａａと半導体ウエハＷの外周部との隙間を小さくして半導体ウエハＷの貫通孔４４ａ内での移動を抑制することができる。また、グラファイトは、ほとんどの酸やアルカリに耐えることができ、ガラス、石英、ほとんどの融解金属と反応しない。さらに、グラファイトは摺動性が高く、半導体ウエハＷとの間で摩擦が生じにくいため、貫通孔４４ａが変形しにくい。したがって、テンプレート４４の薄型化や貫通孔４４ａの大径化を図っても、必要な強度を確保し易く、半導体ウエハＷの薄型化や大径化に対応し易い。
【００４７】
次に、図５を参照して本発明の第２実施形態を説明する。図５は本発明の第２実施形態に係る半導体研磨装置の要部を示す分解斜視図である。なお、本実施形態において、図２〜図４に示される第１実施形態に対応する部分には同一の符号を使用し、重複する説明は省略する。
【００４８】
本実施形態では、テンプレート４４’の貫通孔４４’ａが矩形状に形成されている。また、アダプター５０’も矩形状に形成されており、貫通孔４４’ａに嵌脱自在に嵌合する。貫通孔４４’ａとバックパッド４３とによって構成される有底の収容孔にアダプター５０’が嵌合した状態で、前記収容孔の軸線周りのアダプター５０’の回転が抑止される。半導体ウエハＷは、第１実施形態と同じ固定手段によりアダプター５０’に着脱可能に固定される。
【００４９】
本実施形態では、前記収容孔に対するアダプター５０’の回転が抑止されるため、アダプター５０’に固定された半導体ウエハＷについても、前記収容孔に対する回転が抑止される。半導体ウエハＷを研磨する際に、半導体ウエハＷが前記収容孔に対して回転すると、半導体ウエハＷと研磨布３０（図２参照）との間に生じる摩擦力が低下し、半導体ウエハＷの研磨レートが低下するという不具合が生じる。本実施形態では、斯かる不具合を抑制できる。
【００５０】
特に、ＳｉＣ製半導体ウエハは、Ｓｉ製半導体ウエハよりも研磨レートが非常に低く（1/200〜1/1000）、研磨レートの向上が強く求められているため、本実施形態の半導体ウエハ保持用冶具をＳｉＣ製半導体ウエハのポリッシング工程に適用すると、極めて有効である。
【００５１】
次に、図６、図７を参照して本発明の第３実施形態を説明する。図６は本発明の第３実施形態に係るテンプレート及び支持プレートを示す斜視図であり、図７は図６に示されるテンプレートと支持プレートとをアセンブリした状態を示す斜視図である。なお、本実施形態において、図２〜図４に示される第１実施形態に対応する部分には同一の符号を使用し、重複する説明は省略する。
【００５２】
図６に示すように、本実施形態では、テンプレート４４’’が複数のストッパー４４ｅを備える。ストッパー４４ｅは、例えば円柱状に形成され、テンプレート４４’’の一方の面４４ｆから垂直に突出する。ストッパー４４ｅはテンプレート４４’’と一体的に形成されてもよいし、テンプレート４４’’とは別の部材で形成されてもよい。
【００５３】
支持プレート４２には、複数の嵌合孔４２ｃが形成されており、複数の嵌合孔４２ｃの各々にはストッパー４４ｅが嵌合する。テンプレート４４’’は支持プレート４２に対して次のようにしてアセンブリする。すなわち、テンプレート４４’と支持プレート４２との間にバックパッド４３を配置し、複数のストッパー４４ｅの各々を支持プレート４２の対応する嵌合孔４２ｃに嵌合させる。その結果、図７に示すように、テンプレート４４’’がバックパッド４３を介して支持プレート４２上に積層された状態で支持プレート４２に対して固定される。
【００５４】
テンプレート４４’’は、複数のストッパー４４ｅによって、積層方向と直交する方向に支持プレート４２に対して位置決めされる。半導体ウエハの研磨レートを向上させるために研磨温度を上げると、テンプレートを支持プレートに対して固定する接着剤の接着力が弱まる。本実施形態のテンプレート４４’’は、ストッパー４４ｅを備えることによって、テンプレート４４’’が積層方向と直交する方向に支持プレート４２に対して位置ずれすることを機械的に抑制できる。したがって、本実施形態によれば、研磨温度を高くして半導体ウエハＷの加工効率を向上させることができる。特に、ＳｉＣ製の半導体ウエハはＳｉ製の半導体ウエハに比べて研磨レートが非常に小さいため、研磨速度の高速化や研磨温度の高温化が図られている。したがって、本実施形態のテンプレート４４’をＳｉＣ製の半導体ウエハの研磨に用いると、極めて有効である。
【００５５】
以上、本発明の具体的な実施形態を説明したが、本発明は図１〜図７に示される実施形態に限定されるものではなく、本実施形態に種々の改変を施すことができる。
【００５６】
例えば、本実施形態では、ＳｉＣ製の半導体ウエハを保持する治具に本発明を適用した場合について説明したが、ＳｉＣ以外の材料により形成された半導体ウエハを保持する治具にも本発明を適用し得る。
【００５７】
また、本実施形態では、テンプレートがカーボングラファイトで形成された場合について説明したが、テンプレートはグラファイト化していない炭素繊維で形成されてもよい。また、テンプレートはカーボングラファイト以外の材料（例えばガラスエポキシ）で形成されてもよい。
【００５８】
また、本実施形態では、テンプレートとバックパッドとによって治具本体を構成する場合について説明したが、治具本体は単一の部材によって構成してもよい。
【００５９】
また、第２実施形態では、治具本体の収容孔とアダプターとが矩形状に形成された場合について説明したが、治具本体の収容孔の軸線周りのアダプターの回転を抑止できる形状であれば、治具本体の収容孔とアダプターとは、他の形状（例えば、三角形あるいは五角形以上の多角形）であってもよい。
【００６０】
また、本実施形態では、収容孔を治具本体に４個または５個形成した場合について説明したが、３個以下又は６個以上の収容孔をワーク保持用治具に形成してもよい。
【００６１】
また、本実施形態では、半導体ウエハを保持する冶具に本発明を適用した場合について説明したが、半導体ウエハ以外のワーク（例えば、コンピュータ外部記憶装置の担体であるアルミディスク、液体表示装置に使用される超薄板状ガラスウエハ）を保持する治具にも本発明を適用し得る。
【００６２】
その他にも、本発明の要旨を逸脱しない範囲で本実施形態に種々の改変を施すことができる。
【符号の説明】
【００６３】
１０      半導体研磨装置
１５      研磨手段
２０      定盤
３０      研磨布
４０      ウエハ保持具
４１      プレート保持部
４２      支持プレート（支持部材）
４３      バックパッド
４４、４４’、４４’’  テンプレート
４４ａ、４４’ａ  貫通孔
４４ａａ  内周面
４４ｃ    外周角部
４４ｄ    面取り部
４４ｅ    ストッパー
４６      治具本体
４６ａ    収容孔
Ｗ      半導体ウエハ（ワーク）
【図１】
0005864824.tif 000002
【図２】
0005864824.tif 000003
【図３】
0005864824.tif 000004
【図４】
0005864824.tif 000005
【図５】
0005864824.tif 000006
【図６】
0005864824.tif 000007
【図７】
0005864824.tif 000008