(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターゲット物質を出力するための貫通孔が形成されたノズル部と、
前記ノズル部に対向して配置された電極と、
前記ターゲット物質と前記電極との間に電圧を印加するための電圧生成器と、
少なくとも前記ノズル部と前記電極との間の空間を排気するための排気機構と、
を備える、ＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成装置におけるターゲット供給装置。
【請求項２】
前記ターゲット物質が通過するための貫通孔及び前記排気機構に接続するための排気ポートが設けられ、前記ノズル部と前記電極との間の空間を覆うように設けられるカバーをさらに備える請求項１記載のターゲット供給装置。
【請求項３】
前記カバーは、絶縁性材料で構成される、請求項２記載のターゲット供給装置。
【請求項４】
前記カバーの少なくとも前記貫通孔周辺は、導電性材料で形成される、請求項３記載のターゲット供給装置。
【請求項５】
ターゲット物質を出力するための貫通孔が形成されたノズル部と、
前記ターゲット物質の出力方向に配置される複数の電極と、
前記複数の電極を保持するための絶縁部材と、
前記複数の電極間に電圧を印加するための少なくとも１つの電圧生成器と、
前記ターゲット物質が通過するための貫通孔が設けられ、前記ノズル部、前記複数の電極、及び前記絶縁部材を覆うように設けられるカバーと、
前記カバーによって画定される内側の空間を排気するための排気機構と、
を備える、ＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成装置におけるターゲット供給装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、ターゲット供給装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するための装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
【０００３】
ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Laser Produced Plasma）式の装置と、放電によって生成されるプラズマが用いられるＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）式の装置と、軌道放射光が用いられるＳＲ（Synchrotron Radiation）式の装置との３種類の装置が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００６／１９２１４５号明細書
【概要】
【０００６】
本開示の第１の観点に係るＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成装置におけるターゲット供給装置は、ターゲット物質を出力するための貫通孔が形成されたノズル部と、前記ノズル部に対向して配置された電極と、前記ターゲット物質と前記電極との間に電圧を印加するための電圧生成器と、少なくとも前記ノズル部と前記電極との間の空間を排気するための排気機構と、を備えてもよい。
【０００７】
本開示の第２の観点に係るＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成装置におけるターゲット供給装置は、ターゲット物質を出力するための貫通孔が形成されたノズル部と、前記ターゲット物質の出力方向に配置される複数の電極と、前記複数の電極を保持するための絶縁部材と、前記複数の電極間に電圧を印加するための少なくとも１つの電圧生成器と、前記ターゲット物質が通過するための貫通孔が設けられ、前記ノズル部、前記複数の電極、及び前記絶縁部材を覆うように設けられるカバーと、前記カバーによって画定される内側の空間を排気するための排気機構と、を備えてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
【図１】図１は、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。
【図２】図２は、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を示す一部断面図である。
【図３】図３は、図２に示すターゲット供給装置及びその周辺部を示す一部断面図である。
【図４】図４は、第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置のターゲット供給装置及びその周辺部を示す一部断面図である。
【図５】図５は、第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置のターゲット供給装置及びその周辺部を示す一部断面図である。
【図６】図６は、第４の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置のターゲット供給装置及びその周辺部を示す一部断面図である。
【図７】図７は、第５の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置のターゲット供給装置及びその周辺部を示す一部断面図である。
【図８】図８は、偏向電極を用いたターゲットの方向制御について説明するための図である。
【実施形態】
【０００９】
＜内容＞
１．概要
２．用語の説明
３．極端紫外光生成システムの全体説明
３．１  構成
３．２  動作
４．静電引出し型のターゲット供給装置が搭載されたチャンバ
４．１  構成
４．２  動作
５．静電引出し型のターゲット供給装置
５．１  構成
５．２  動作
５．３  作用
６．加速電極を含むターゲット供給装置
６．１  構成
６．２  動作
６．３  作用
７．リザーバの一部とノズル部とを遮蔽するカバーが設けられたターゲット供給装置
７．１  構成
７．２  動作及び作用
８．リザーバの全体とノズル部とを遮蔽するカバーが設けられたターゲット供給装置
８．１  構成
８．２  動作及び作用
９．カバーの位置調整が可能なターゲット供給装置
９．１  構成
９．２  動作及び作用
１０．偏向電極を用いたターゲットの方向制御
【００１０】
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
【００１１】
１．概要
ＬＰＰ式のＥＵＶ光生成装置においては、ターゲット供給装置から、ターゲット物質がドロップレットの形状でチャンバ内のプラズマ生成領域に供給されてもよい。ターゲット物質がプラズマ生成領域に到達した時点で、パルスレーザ光をターゲット物質に照射することで、ターゲット物質がプラズマ化し、このプラズマからＥＵＶ光が放射され得る。ターゲット物質をプラズマ生成領域に安定して供給するためには、ターゲット供給装置内のターゲット物質とターゲット供給装置のノズル部に対向して設けられた電極との間に高電圧を印加することによりターゲット物質を帯電した状態で出力させて、電界を作用させることで、帯電したターゲット物質の軌道を制御することが好ましい。
【００１２】
しかしながら、ターゲット物質と電極との間に絶縁耐圧を超える高い電圧が印加されると、絶縁破壊（火花放電）が発生する場合がある。絶縁破壊が発生すると、チャンバ内の絶縁が破壊されてリーク電流が流れ、ターゲット物質と電極との間の電圧が安定しなくなるおそれがある。その結果、ターゲット物質に与えられる電荷にばらつきが生じ、帯電したターゲット物質の軌道を制御することが困難となる場合がある。その結果、帯電したターゲット物質をプラズマ生成領域に安定して供給できなくなる場合がある。
【００１３】
本開示の１つの観点によれば、ターゲット物質を出力するためのノズル部と電極との間の空間を排気してもよい。これにより、絶縁耐圧を高くすることが可能となり、絶縁破壊を抑制することができる。
【００１４】
２．用語の説明
本願において使用される幾つかの用語を以下に定義する。「チャンバ」は、ＥＵＶ光生成装置において、プラズマの生成が行われる空間を外部から隔絶するための容器である。「ターゲット供給装置」は、ＥＵＶ光を生成するために用いられる溶融したスズ等のターゲット物質をドロップレットの形状でチャンバ内に供給するための装置である。「ＥＵＶ集光ミラー」は、プラズマから放射されるＥＵＶ光を反射してチャンバ外に出力するためのミラーである。「デブリ」は、チャンバ内に供給されたターゲット物質のうち、プラズマ化されなかった中性粒子、プラズマから放出される荷電粒子等を含み、ＥＵＶ集光ミラー等の光学素子を汚染又は損傷する原因となる物質である。
【００１５】
３．極端紫外光生成システムの全体説明
３．１  構成
図１に、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい。本願においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２、ターゲット供給装置２６を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給装置２６は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給装置２６から供給されるターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。
【００１６】
チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔には、ウインドウ２１が設けられてもよく、ウインドウ２１をレーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３２が透過してもよい。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点（ＩＦ）２９２に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が設けられていてもよく、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過してもよい。
【００１７】
ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御部５、ターゲットセンサ４等を含んでもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有してもよく、ターゲットの存在、軌道、位置、速度等を検出するよう構成されてもよい。
【００１８】
また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通させる接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャが形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャがＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。
【００１９】
さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。
【００２０】
３．２  動作
図１を参照に、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内を進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのターゲット２７に照射されてもよい。
【００２１】
ターゲット供給装置２６は、ターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力するよう構成されてもよい。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射されてもよい。パルスレーザ光が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマから放射光２５１が放射され得る。放射光２５１に含まれるＥＵＶ光２５２は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって選択的に反射されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光２５２は、中間集光点２９２で集光され、露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。
【００２２】
ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括するよう構成されてもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたターゲット２７のイメージデータ等を処理するよう構成されてもよい。また、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、ターゲット２７が出力されるタイミング、ターゲット２７の出力方向等を制御するよう構成されてもよい。さらに、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、レーザ装置３の発振タイミング、パルスレーザ光３２の進行方向、パルスレーザ光３３の集光位置等を制御するよう構成されてもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。
【００２３】
４．静電引出し型のターゲット供給装置が搭載されたチャンバ
４．１  構成
図２は、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を示す一部断面図である。図２に示すように、チャンバ２の内部には、レーザ光集光光学系２２ａと、ＥＵＶ集光ミラー２３と、ターゲット回収部２８と、ＥＵＶ集光ミラーホルダ４１と、プレート４２及び４３と、ビームダンプ４４と、ビームダンプ支持部材４５とが設けられてもよい。
【００２４】
チャンバ２は、導電性を有する材料（例えば、金属材料）からなる部材（導電性部材）を含んでもよい。さらに、チャンバ２は、電気絶縁性を有する部材を含んでもよい。その場合には、例えば、チャンバ２の外壁自体は導電性部材で構成され、外壁の内側に電気絶縁性を有する部材が配置されるように構成されてもよい。チャンバ２には、プレート４２が固定され、プレート４２には、プレート４３が固定されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、ＥＵＶ集光ミラーホルダ４１を介してプレート４２に固定されてもよい。
【００２５】
レーザ光集光光学系２２ａは、軸外放物面ミラー２２１と、平面ミラー２２２と、それらのミラーを保持するためのホルダとを含んでもよい。軸外放物面ミラー２２１及び平面ミラー２２２は、それぞれのミラーで反射されたレーザ光がプラズマ生成領域２５で集光するように、それぞれのホルダを介してプレート４３に固定されてもよい。ビームダンプ４４は、レーザ光の光路の延長線上に位置するように、ビームダンプ支持部材４５を介してチャンバ２に固定されてもよい。ターゲット回収部２８は、プラズマ生成領域２５のターゲット物質進行方向下流側（図中下側）において、ターゲット２７の軌道の延長線上に配置されてもよい。
【００２６】
チャンバ２には、ウインドウ２１（レーザ光ポート）と、ターゲット供給装置２６とが取り付けられてもよい。ターゲット供給装置２６の詳細については後で説明する。ターゲット物質としては、導電性を有する液体金属等が用いられてもよいが、以下の実施形態においては、融点が２３２℃であるスズ（Ｓｎ）が用いられる場合を例として説明する。また、チャンバ２には、ガス供給装置４６と、排気装置４７と、圧力センサ４８とが接続されてもよい。
【００２７】
チャンバ２の外部には、ビームステアリングユニット３４ａと、ＥＵＶ光生成制御部５とが設けられてもよい。ビームステアリングユニット３４ａは、高反射ミラー３４１及び３４２と、それらのミラーを保持するためのホルダと、ホルダが配置される筐体とを含んでもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光生成制御装置５１と、ターゲット制御装置５２と、チャンバ圧力制御装置５６とを含んでもよい。チャンバ圧力制御装置５６は、ガス供給装置４６と、排気装置４７と、圧力センサ４８とに、信号ラインを介して接続されてもよい。
【００２８】
４．２  動作
チャンバ２内には、ターゲット物質にレーザ光が照射された際に発生するデブリがＥＵＶ集光ミラー２３に付着するのを抑制するためのバッファガスや、ＥＵＶ集光ミラー２３等に付着したデブリをエッチングするためのエッチングガスが導入されてもよい。バッファガスとしては、例えば、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、ヘリウム（Ｈｅ）等が用いられてもよい。また、エッチングガスとしては、例えば、水素（Ｈ２）、臭化水素（ＨＢｒ）、塩化水素（ＨＣｌ）等が用いられてもよい。
【００２９】
ガス供給装置４６は、例えば、水素ガスを、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面に沿って供給するよう構成されてもよい。その場合には、次式の反応によって、ＥＵＶ集光ミラー２３の表面に付着したスズ（Ｓｎ）をエッチングすることができる。
Ｓｎ（固体）＋２Ｈ２（気体）→ＳｎＨ４（気体）
【００３０】
一方、排気装置４７は、水素（Ｈ２）、スズがエッチングされて発生した水素化スズ（ＳｎＨ４）等のチャンバ２内のガスを排気するよう構成されてもよい。チャンバ圧力制御装置５６は、ＥＵＶ光生成制御装置５１から出力される制御信号と圧力センサ４８から出力される検出信号とに基づいてガス供給装置４６及び排気装置４７を制御するよう構成されてもよい。これにより、チャンバ圧力制御装置５６は、チャンバ２内のバッファガス、エッチングガス等のガス圧を所定の値に保つよう構成されてもよい。
【００３１】
ターゲット供給装置２６は、ターゲット物質を帯電させてチャンバ２内のプラズマ生成領域２５に供給するよう構成されてもよい。また、レーザ装置３から出力されるパルスレーザ光は、高反射ミラー３４１及び３４２によって反射されて、ウインドウ２１を介してレーザ光集光光学系２２ａに入射してもよい。レーザ光集光光学系２２ａに入射したパルスレーザ光は、軸外放物面ミラー２２１及び平面ミラー２２２によって反射されてもよい。
【００３２】
ＥＵＶ光生成制御装置５１は、ターゲット制御装置５２にターゲット出力信号を出力し、レーザ装置３にパルスレーザ光出力信号を出力するよう構成されてもよい。これにより、ターゲット供給装置２６から出力されたターゲット物質がプラズマ生成領域２５に到達するタイミングに合わせて、ターゲット物質にパルスレーザ光が照射され得る。その結果、ターゲット物質がプラズマ化し、このプラズマからＥＵＶ光が放射され得る。放射されたＥＵＶ光は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって中間集光点２９２に集光され、露光装置に導入されてもよい。
【００３３】
５．静電引出し型のターゲット供給装置
５．１  構成
図３は、図２に示すターゲット供給装置及びその周辺部を示す一部断面図である。図３に示すように、ターゲット供給装置２６は、リザーバ６１と、ノズル部（ターゲット出力部）６２と、リザーバ内電極６３と、ヒータ６４と、電気絶縁部材６５と、引出電極６６と、孔あき部材６７と、排気装置７１と、圧力センサ７２とを含んでもよい。リザーバ６１及びノズル部６２は、一体的に形成されてもよいし、別個に形成されてもよい。
【００３４】
リザーバ６１は、合成石英、アルミナ等の電気絶縁体で構成されてもよい。リザーバ６１は、ターゲット物質であるスズを溶融した状態で内部に貯蔵してもよい。ヒータ６４は、リザーバ６１の外周に取り付けられて、ターゲット物質であるスズが溶融状態に維持されるようにリザーバ６１を加熱してもよい。また、ヒータ６４は、リザーバ６１の温度を検出するための図示しない温度センサ、ヒータ６４に加熱用の電流を供給するための図示しないヒータ電源、温度センサによって検出された温度に基づいてヒータ電源を制御するための図示しない温度制御装置等と共に用いられてもよい。
【００３５】
ノズル部６２を介して、チャンバ内のプラズマ生成領域に向けてターゲット物質が出力されてもよい。ノズル部６２には、ターゲット物質が通過するための貫通孔（オリフィス）が形成され、その貫通孔とリザーバ６１の内部とが連通していてもよい。また、ノズル部６２は、ターゲット物質に電界を集中させるために、出力側に突き出た先端部を有してもよい。貫通孔はこの先端部に設けられていてもよい。
【００３６】
ノズル部６２には、円筒形状の電気絶縁部材６５が固定されてもよい。電気絶縁部材６５の内側には、引出電極６６が保持されていてもよい。電気絶縁部材６５によって、ノズル部６２と引出電極６６との間が電気的に絶縁されてもよい。引出電極６６は、ノズル部６２のオリフィスからターゲット物質を引き出すために、ノズル部６２の出力側の面に対向して配置されてもよい。引出電極６６には、帯電したターゲット２７を通過させるための貫通孔６６ａが形成されていてもよい。
【００３７】
孔あき部材６７は、ターゲット２７の軌道において、引出電極６６より下流側の位置に配置され、電気絶縁部材６５に固定されていてもよい。孔あき部材６７には、ノズル部６２を介して出力されたターゲット物質が通過するための貫通孔６７ａが形成されていてもよい。
【００３８】
電気絶縁部材６５のノズル部６２に固定された部分と孔あき部材６７に固定された部分との間には、排気ポート６５ａが形成されていてもよい。排気ポート６５ａは、排気管６５ｂに接続されていてもよい。排気管６５ｂには、チャンバ２の外部において排気装置７１が接続されていてもよい。また、電気絶縁部材６５には、電気絶縁部材６５の内側に連通する別途の連通路６５ｃを介して、圧力センサ７２が接続されていてもよい。圧力センサ７２は、チャンバ２の外側に配置されていてもよい。
【００３９】
ターゲット供給装置２６は、ターゲット圧力調節器５３と、不活性ガスボンベ５４と、高電圧生成器５５とをさらに含んでもよい。不活性ガスボンベ５４は、不活性ガスを供給するための配管によってターゲット圧力調節器５３に接続されていてもよい。ターゲット圧力調節器５３は、さらに、不活性ガスを供給するための配管によってリザーバ６１の内部と連通してもよい。
【００４０】
５．２  動作
ヒータ６４によって、スズ（Ｓｎ）が溶融する温度である２３２℃以上の温度にリザーバ６１が加熱されてもよい。これにより、リザーバ６１の中にターゲット物質が溶融状態で貯蔵され得る。
【００４１】
ターゲット制御装置５２は、高電圧生成器５５にターゲット生成信号を出力するよう構成されてもよい。高電圧生成器５５は、ターゲット生成信号に従って、パルス状の電圧をターゲット物質と引出電極６６との間に印加するよう構成されてもよい。これによって、ターゲット物質と引出電極６６との間にクーロン力が発生し、ノズル部６２の先端部からターゲット物質が引き出されて、帯電したターゲット２７が出力され得る。
【００４２】
ターゲット圧力調節器５３は、必要に応じて、不活性ガスボンベ５４から供給される不活性ガスの圧力を調整して、ターゲット物質を加圧するよう構成されてもよい。不活性ガスでターゲット物質を加圧することにより、ノズル部６２の先端部からターゲット物質を僅かに突出させ、ターゲット物質に電界を集中させてもよい。これにより、ターゲット物質と引出電極６６との間により強力にクーロン力を作用させることができる。ターゲット制御装置５２は、ＥＵＶ光生成制御装置５１から与えられるタイミングでターゲット２７が出力されるように、ターゲット圧力調節器５３及び高電圧生成器５５を制御するよう構成されてもよい。
【００４３】
高電圧生成器５５の一方の出力端子に接続された配線は、リザーバ６１に設けられた気密端子（フィードスルー）を介して、ターゲット物質に接触しているリザーバ内電極６３に接続されてもよい。高電圧生成器５５の他方の出力端子に接続された配線は、例えば、チャンバ２に設けられたフィードスルーおよび電気絶縁部材６５に設けられた貫通孔を介して、引出電極６６に接続されてもよい。高電圧生成器５５は、ターゲット制御装置５２の制御の下で、ターゲット物質と引出電極６６との間にクーロン力を作用させるためのパルス電圧を生成するよう構成されてもよい。
【００４４】
例えば、高電圧生成器５５は、基準電位（０Ｖ）と、基準電位よりも高い電位Ｐ１との間でパルス状に変化するパルス電圧Ｖ１を生成するよう構成されてもよい。このとき、引出電極６６には、基準電位（０Ｖ）を電位Ｐ２として与えてもよい。その場合には、ターゲット物質と引出電極６６との間に、リザーバ内電極６３を介してパルス電圧Ｖ１が印加されてもよい。
【００４５】
あるいは、基準電位（０Ｖ）＜電位Ｐ１＜電位Ｐ２として、高電圧生成器５５は、電位Ｐ１と電位Ｐ２との間でパルス状に変化するパルス電圧Ｖ１を生成するよう構成されてもよい。その場合には、ターゲット物質には、リザーバ内電極６３を介してパルス電圧Ｖ１が印加されてもよい。このとき、高電圧生成器５５は、引出電極６６に対しては、電位Ｐ２を印加してもよい。
【００４６】
これにより、ターゲット物質と引出電極６６との間に、パルス電圧Ｖ１が印加され得る。あるいは、ノズル部６２が金属等の導電性材料で形成される場合には、高電圧生成器５５は、ノズル部６２と引出電極６６と間にパルス電圧Ｖ１を印加してもよい。
【００４７】
排気装置７１は、電気絶縁部材６５の内周側の空間を、排気ポート６５ａ及び排気管６５ｂを介して排気するよう構成されてもよい。電気絶縁部材６５の内周側の空間の雰囲気圧力は、圧力センサ７２によって計測され、その計測値データがチャンバ圧力制御装置５６に入力されてもよい。チャンバ圧力制御装置５６は、圧力センサ７２から入力された計測値データに基づいて、排気装置７１の動作を制御するよう構成されてもよい。
【００４８】
５．３  作用
一般に、ターゲット２７の直径、出力タイミング、帯電量を安定させてターゲット２７を出力するためには、電極間に印加される電圧が安定していることが好ましい。ところが、チャンバ内にバッファガスやエッチングガスが存在すると、電極間の絶縁耐圧が低くなり、絶縁破壊が発生し易くなる場合がある。絶縁破壊が発生すると、電極間に所定の電圧が印加されなくなり、ターゲット２７の直径、出力タイミング、帯電量の内の少なくとも１つのパラメータが不安定となり得る。あるいは、ドロップレットそのものが出力されなくなり得る。
【００４９】
火花放電は、電界によって加速された電子が、気体分子と衝突して気体を電離させることによって起こり得る。従って、気体分子が少なくなると衝突が起こり難くなり、逆に、気体分子が多くなると電子が衝突するまでに充分加速され難くなるので、どちらの場合も火花放電が起こり難くなり得る。但し、チャンバ２内に気体分子が多いと、ＥＵＶ光の透過率が低下し、ＥＵＶ光生成装置の効率が低下してしまう場合がある。そこで、チャンバ内の空間を排気することにより、絶縁破壊を抑制することが好ましい。
【００５０】
しかし、チャンバ内にバッファガスやエッチングガスが供給され、チャンバ内の空間全体を高真空に保つことは困難な場合がある。そこで、第１の実施形態においては、チャンバ内の空間を所定のガス圧に維持しつつ、チャンバ内の空間のうち、引出電極６６の周囲の空間を局所的に排気することにより、この空間内の気体分子を低減して、絶縁破壊を抑制してもよい。
【００５１】
第１の実施形態によれば、電気絶縁部材６５の内周側の空間を排気することにより、絶縁破壊を抑制することができる。その結果、ターゲット物質と引出電極６６との間に印加される電圧が安定し、ターゲット２７を安定してチャンバ内に供給することが可能となる。
【００５２】
６．加速電極を含むターゲット供給装置
６．１  構成
図４は、第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置のターゲット供給装置及びその周辺部を示す一部断面図である。第２の実施形態においては、孔あき部材６７に所定の電位を印加することによって、孔あき部材６７を加速電極として機能させてもよい。
【００５３】
チャンバ２の導電性部材は、高電圧生成器５５の基準電位（０Ｖ）に電気的に接続されるか、あるいは、接地されてもよい。加速電極としての孔あき部材６７は、導電性を有し、基準電位（０Ｖ）に電気的に接続されてもよい。その他の点に関しては、第１の実施形態と同様でよい。
【００５４】
６．２  動作
高電圧生成器５５は、引出電極６６を所定の電位（例えば、１０ｋＶ）に維持してもよい（電位Ｐ２）。また、高電圧生成器５５は、初期状態において、ターゲット物質に印加される電位を電位Ｐ１に維持してもよい。ターゲット物質を引き出す際に、高電圧生成器５５は、ターゲット物質に与えられる電位を、電位Ｐ１から所定の電位（例えば、２０ｋＶ）に上昇させてもよい。これによって、正に帯電したターゲット２７が、ノズル部６２から引き出され得る。
【００５５】
ターゲット２７は、リザーバ６１内のターゲット物質に与えられた電位より低い電位が印加された引出電極６６に向かって引き出され、引出電極６６の貫通孔６６ａを通過し得る。その後、ターゲット２７は、さらに低い電位（基準電位０Ｖ）が与えられた加速電極としての孔あき部材６７に向かって加速され得る。
【００５６】
このように、ターゲット２７は、ノズル部６２から引出電極６６を経て孔あき部材６７に至る経路上に形成される電位勾配により、加速され、孔あき部材６７の貫通孔６７ａを通過し得る。孔あき部材６７の貫通孔６７ａを通過した後のターゲット２７の経路上においては、チャンバ２の導電性部材が基準電位（０Ｖ）に接続されていることから、電位勾配が緩やかであり得る。従って、ターゲット２７は、孔あき部材６７の貫通孔６７ａを通過した後、主に貫通孔６７ａを通過した時点での運動量によってチャンバ２内を移動し得る。
【００５７】
６．３  作用
第２の実施形態によれば、孔あき部材６７と引出電極６６との間にも電圧が存在するが、電気絶縁部材６５の内部を排気することにより、絶縁破壊の発生が抑制され得る。これにより、ターゲット２７の速度がより正確に制御され得る。
【００５８】
７．リザーバの一部とノズル部とを遮蔽するカバーが設けられたターゲット供給装置
７．１  構成
図５は、第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置のターゲット供給装置及びその周辺部を示す一部断面図である。第３の実施形態においては、チャンバ２の内部において、カバー８１がチャンバ２の壁に取り付けられてもよい。カバー８１は、ターゲット供給装置２６の少なくとも電気絶縁部材６５を含む先端部を覆うように配置されてもよい。カバー８１には、ターゲット２７を通過させるための貫通孔８１ａが形成されてもよい。
【００５９】
カバー８１は、導電性を有する材料（例えば、金属材料）を含むことにより導電性を有し、直接的にチャンバ２の導電性部材（壁）に電気的に接続されてもよい。あるいは、カバー８１はワイヤ等の導電性接続部材によって、チャンバ２の導電性部材（壁）に電気的に接続されてもよい。チャンバ２の導電性部材は、高電圧生成器５５の基準電位（０Ｖ）に電気的に接続されるか、あるいは、接地されてもよい。カバー８１は、チャンバ２の内部において、リザーバ６１の一部、ノズル部６２、電気絶縁部材６５、及び引出電極６６をカバーしてもよく、さらに、加速電極としての孔あき部材６７をカバーしてもよい。このとき、孔あき部材６７は電気絶縁部材６５の貫通孔を介して、チャンバ２の導電性部材（壁）に電気的に接続されてもよい。
【００６０】
リザーバ６１は、フランジ８４を介してチャンバ２に固定されてもよい。フランジ８４は絶縁性材料で構成されてもよい。カバー８１とチャンバ２の壁（或いは、これらとフランジ８４）とによって囲まれた空間は、チャンバ２の外部に設けられた排気装置７１と連通してもよい。その他の点に関しては、第２の実施形態と同様でよい。
【００６１】
７．２  動作及び作用
カバー８１は、プラズマ生成領域において生成されるプラズマより放出される荷電粒子から、電気絶縁部材６５等の電気的な絶縁物を保護してもよい。カバー８１とチャンバ２の壁（或いは、これらとフランジ８４）とによって囲まれた空間は、排気装置７１によって排気されてもよい。これにより、引出電極６６及び加速電極としての孔あき部材６７の周辺における絶縁破壊の発生が抑制され得る。また、リザーバ６１が導電性材料によって構成されている場合でも、フランジ８４が絶縁性材料であればリザーバ６１とチャンバ２との間における絶縁破壊の発生が抑制され得る。
【００６２】
８．リザーバの全体とノズル部とを遮蔽するカバーが設けられたターゲット供給装置
８．１  構成
図６は、第４の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置のターゲット供給装置及びその周辺部を示す一部断面図である。第４の実施形態においては、カバー８５がリザーバ６１の全体、ノズル部６２、電気絶縁部材６５、及び引出電極６６をカバーしてもよい。カバー８５は、さらに、孔あき部材６７（加速電極）、後述の偏向電極７０及び温度センサ７３をカバーしてもよい。
【００６３】
図６に示すように、ターゲット供給装置２６の主要な構成要素（リザーバ６１等）は、カバー８５と、カバー８５に取り付けられた蓋８６とによって構成される遮蔽容器に収容されてもよい。カバー８５は、チャンバ２の壁に取り付けられてもよい。カバー８５には、ターゲット２７を通過させるための貫通孔８５ａが形成されてもよい。蓋８６は、チャンバ２の外部において、カバー８５の開口を密封してもよい。リザーバ６１は、蓋８６を介してカバー８５に取り付けられてもよい。
【００６４】
カバー８５は、導電性を有する材料（例えば、金属材料）を含むことにより導電性を有し、直接的にチャンバ２の導電性部材（壁）に電気的に接続されてもよい。あるいは、カバー８５はワイヤ等の導電性接続部材によって、チャンバ２の導電性部材（壁）に電気的に接続されてもよい。チャンバ２の導電性部材は、高電圧生成器５５の基準電位（０Ｖ）に電気的に接続されるか、あるいは、接地されてもよい。また、蓋８６の材料としては、例えば、ムライト等の電気絶縁材料が用いられてもよい。
また、孔あき部材６７のドロップレット進行方向下流側に、複数（例えば、２対）の偏向電極７０が配置されてもよい。偏向電極７０は、電気絶縁部材６５によって保持されてもよい。
【００６５】
ヒータ６４は、リザーバ６１の外周に取り付けられてもよい。また、ヒータ６４は、リザーバ６１の温度を検出するための温度センサ７３、ヒータ６４に加熱用の電流を供給するためのヒータ電源５８、及び、温度センサ７３によって検出された温度に基づいてヒータ電源５８を制御するための温度制御装置５９と共に用いられてもよい。
【００６６】
引出電極６６の配線及び偏向電極７０の配線は、電気絶縁部材６５の貫通孔と蓋８６に設けられた中継端子９０ａとを介して、高電圧生成器５５及び偏向電極電圧生成器５７にそれぞれ接続されてもよい。孔あき部材６７（加速電極）の配線は、電気絶縁部材６５の貫通孔を介して、カバー８５に電気的に接続されてもよいし、図示しない配線及び中継端子９０ａを介して、高電圧生成器５５に接続されてもよい。
【００６７】
また、ターゲット物質に電圧を印加するためのリザーバ内電極６３の配線は、蓋８６に設けられた中継端子９０ｂを介して、高電圧生成器５５に接続されてもよい。加熱用のヒータ６４の配線及び温度センサ７３の配線は、蓋８６に設けられた中継端子９０ｃを介して、ヒータ電源５８及び温度制御装置５９にそれぞれ接続されてもよい。
【００６８】
カバー８５と蓋８６とによって囲まれた空間の内部であってリザーバ６１の外部の空間は、接続ポート７１ａを介してチャンバ２の外部に設けられた排気装置７１に連通してもよい。電気絶縁部材６５には、その内部の排気を容易にするための開口６５ｄが形成されてもよい。図示を省略するが、第１〜第３の実施形態同様、不活性ガスボンベが、不活性ガスを供給するための配管を介してターゲット圧力調節器５３と接続されてもよい。その他の点に関しては、第２の実施形態と同様でよい。
【００６９】
８．２  動作及び作用
ヒータ電源５８からヒータ６４に電流を流すことによって、リザーバ６１及びその内部のターゲット物質が加熱され得る。温度制御装置５９は、ＥＵＶ光生成制御装置５１から出力される制御信号と温度センサ７３から出力される検出信号とを受信し、ヒータ電源５８からヒータ６４に流す電流値を制御するよう構成されてもよい。リザーバ６１の温度は、ターゲット物質であるスズ（Ｓｎ）が溶融状態を維持するように、スズの融点（２３２℃）以上に制御されてもよい。
【００７０】
ターゲット制御装置５２は、高電圧生成器５５にターゲット生成信号を出力するよう構成されてもよい。これにより、ノズル部６２から帯電したターゲット２７が引き出されて、引き出されたターゲット２７が引出電極６６の貫通孔を通過し得る。引出電極６６の貫通孔を通過したターゲット２７は、基準電位（０Ｖ）が印加された加速電極としての孔あき部材６７と引出電極６６との間の電界の作用によって加速され、孔あき部材６７の貫通孔を通過し得る。
【００７１】
２対の偏向電極７０は、孔あき部材６７の貫通孔を通過した帯電したターゲット２７に電界を作用させて、その進行方向を変更してもよい。ターゲット２７を偏向することが必要な場合には、ターゲット制御装置５２が、偏向電極７０の各対間での電位差を制御するための制御信号を偏向電極電圧生成器５７に出力するよう構成されてもよい。偏向電極電圧生成器５７は、偏向電極７０の各対間に偏向電極電圧を印加するよう構成されてもよい。
【００７２】
ターゲット２７の偏向は、ＥＵＶ光生成制御装置５１からの制御信号に基づいて行われてもよい。ＥＵＶ光生成制御装置５１とターゲット制御装置５２との間では、種々の信号が送受信されてもよい。たとえば、ＥＵＶ光生成制御装置５１は図示しないターゲットセンサからターゲット２７の軌道情報を取得し、理想的な軌道との差分を算出するよう構成されてもよい。また、ＥＵＶ光生成制御装置５１は、その差分が小さくなるように偏向電極７０に印加される電圧を制御するための信号を、ターゲット制御装置５２に送出するよう構成されてもよい。なお、２対の偏向電極７０それぞれの間を通過したターゲット２７は、カバー８５の貫通孔８５ａを通過してもよい。
【００７３】
カバー８５は、プラズマ生成領域において生成されるプラズマから放出される荷電粒子から電気絶縁部材６５等の電気的な絶縁物を保護してもよい。カバー８５と蓋８６とによって囲まれた空間は、排気装置７１によって排気されてもよい。これにより、引出電極６６、加速電極としての孔あき部材６７、及び偏向電極７０の周辺における絶縁破壊の発生が抑制され得る。また、リザーバ６１が導電性材料によって構成されている場合でも、リザーバ６１の周辺における絶縁破壊の発生が抑制され得る。
【００７４】
９．カバーの位置調整が可能なターゲット供給装置
９．１  構成
図７は、第５の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置のターゲット供給装置及びその周辺部を示す一部断面図である。第５の実施形態においては、カバー８５が、ＸＹ移動ステージ８８を介してチャンバ２に固定されてもよい。
【００７５】
図７に示すように、チャンバ２の壁には貫通孔２ａが形成されてもよい。リザーバ６１、ノズル部６２、電気絶縁部材６５等を収容したカバー８５は、貫通孔２ａを貫通していてもよい。ターゲット２７が通過する貫通孔８５ａはチャンバ２の内部に位置し、排気装置７１と連通する接続ポート７１ａや蓋８６はチャンバ２の外部に位置してもよい。カバー８５には、貫通孔８５ａが位置する部分と、接続ポート７１ａや蓋８６が位置する部分との間に、フランジ部８５ｂが設けられてもよい。
【００７６】
チャンバ２の外部において、チャンバ２の壁と、カバー８５のフランジ部８５ｂとはフレキシブル管８９を介して接続されてもよい。より詳しくは、フレキシブル管８９の一端は、貫通孔２ａの周囲において、チャンバ２の壁に気密に固定されてもよい。また、フレキシブル管８９の他端は、フランジ部８５ｂに気密に固定されてもよい。このように、フレキシブル管８９は、チャンバ２の壁とフランジ部８５ｂとの間に接続されて、チャンバ２を密閉してもよい。また、フレキシブル管８９は、チャンバ２内外の圧力差による応力に耐え得る蛇腹構造を有してもよい。こうして、チャンバ２の気密性が維持されつつ、カバー８５とチャンバ２の壁とが相対的に移動可能に接続されてもよい。
【００７７】
ＸＹ移動ステージ８８は、フレキシブル管８９の外側において、チャンバ２の壁と、フランジ部８５ｂとの間に接続されてもよい。図示を省略するが、第１〜第３の実施形態同様、不活性ガスボンベが、不活性ガスを供給するための配管によってターゲット圧力調節器５３と接続されてもよい。その他の点に関しては、第４の実施形態と同様でよい。
【００７８】
９．２  動作及び作用
以上のような構成により、チャンバ２内の低圧状態が維持されるとともに、カバー８５がＸＹ移動ステージ８８によって位置調整可能に保持され得る。また、カバー８５と蓋８６とによって囲まれた空間の内部であってリザーバ６１の外部の空間は、排気装置７１によって排気されてもよい。これにより、引出電極６６、加速電極としての孔あき部材６７、及び偏向電極７０の周辺における絶縁破壊の発生が抑制され得る。また、リザーバ６１が導電性材料によって構成されている場合でも、リザーバ６１の周辺における絶縁破壊の発生が抑制され得る。
【００７９】
１０．偏向電極を用いたターゲットの方向制御
図８は、偏向電極を用いたターゲットの方向制御について説明するための図である。ここでは、Ｚ軸方向に移動している帯電したターゲット２７の移動方向を、一対の平板電極で構成された偏向電極を用いて、Ｘ軸方向の電界によって偏向させる場合について説明する。
【００８０】
電荷Ｑを有する帯電したターゲット２７は、電界Ｅによって、次式で表されるクーロン力Ｆを電界方向に受け得る。
Ｆ＝ＱＥ
ここで、電界Ｅは、平板電極７０ａに与えられる電位Ｐａと平板電極７０ｂに与えられる電位Ｐｂとの間の電位差（Ｐａ−Ｐｂ）と、それらの電極間のギャップ長Ｇとによって、次式で表され得る。
Ｅ＝（Ｐａ−Ｐｂ）／Ｇ
【００８１】
ターゲット２７が初速度Ｖ０で電界中に入射すると、進行方向に直交する方向にクーロン力Ｆを受けることによって、ターゲット２７の進行方向が偏向され得る。ターゲット２７は、Ｚ軸方向速度成分Ｖｚ（Ｖｚ＝Ｖ０）でＺ軸方向に移動しながら、クーロン力ＦによってＸ軸方向に加速され得る。クーロン力Ｆは、電界中を移動している間中受け続け得る。このときのＸ軸方向の加速度ａは、ターゲット２７の質量ｍが既知であれば、次式から導かれ得る。
Ｆ＝ｍａ  （ｍ：ターゲットの質量、ａ：加速度）
【００８２】
ターゲット２７が電界から脱出するときの速度Ｖは、Ｚ軸方向速度成分ＶｚとＸ軸方向速度成分Ｖｘとによって、次式で表され得る。
Ｖ＝（Ｖｚ２＋Ｖｘ２）１／２
このように、電位差（Ｐａ−Ｐｂ）を与えてターゲット２７の軌道の一部に電界を作用させることによって、ターゲット２７の進行方向を偏向させてもよい。また、電位差（Ｐａ−Ｐｂ）を調節することによって、偏向量を制御してもよい。電界から脱出したターゲット２７は、速度Ｖで移動して、レーザ光が照射される位置に到達するように制御されてもよい。同様に、Ｙ軸方向に関しても、Ｙ軸方向に一対の平板電極を配置することによって、ターゲット２７の進行方向を制御することが可能である。
【００８３】
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
【００８４】
本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾句「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。
【符号の説明】
【００８５】
１…ＥＵＶ光生成装置、１１…ＥＵＶ光生成システム、２…チャンバ、２ａ…貫通孔、２１…ウインドウ、２２…レーザ光集光ミラー、２２ａ…レーザ光集光光学系、２２１…軸外放物面ミラー、２２２…平面ミラー、２３…ＥＵＶ集光ミラー、２４…貫通孔、２５…プラズマ生成領域、２５１、２５２…ＥＵＶ光、２６…ターゲット供給装置、２７…ターゲット、２８…ターゲット回収部、２９…接続部、２９１…壁、２９２…中間集光点、３…レーザ装置、３１〜３３…パルスレーザ光、３４…レーザ光進行方向制御部、３４ａ…ビームステアリングユニット、３４１、３４２…高反射ミラー、４…ターゲットセンサ、４１…ＥＵＶ集光ミラーホルダ、４２、４３…プレート、４４…ビームダンプ、４５…ビームダンプ支持部材、４６…ガス供給装置、４７…排気装置、４８…圧力センサ、５…ＥＵＶ光生成制御部、５１…ＥＵＶ光生成制御装置、５２…ターゲット制御装置、５３…ターゲット圧力調節器、５４…不活性ガスボンベ、５５…高電圧生成器、５６…チャンバ圧力制御装置、５７…偏向電極電圧生成器、５８…ヒータ電源、５９…温度制御装置、６…露光装置、６１…リザーバ、６２…ノズル部、６３…リザーバ内電極、６４…ヒータ、６５…電気絶縁部材、６５ａ…排気ポート、６５ｂ…排気管、６５ｃ…連通路、６６…引出電極、６６ａ…貫通孔、６７…孔あき部材、６７ａ…貫通孔、７０…偏向電極、７０ａ、７０ｂ…平板電極、７１…排気装置、７１ａ…接続ポート、７２…圧力センサ、７３…温度センサ、８１…カバー、８１ａ…貫通孔、８４…フランジ、８５…カバー、８５ａ…貫通孔、８５ｂ…フランジ、８６…蓋、８８…ＸＹ移動ステージ、８９…フレキシブル管、９０ａ、９０ｂ、９０ｃ…中継端子
【図１】
0005864165.tif 000002
【図２】
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【図３】
0005864165.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
0005864165.tif 000007
【図７】
0005864165.tif 000008
【図８】
0005864165.tif 000009