(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
パワー半導体素子（２）と、板状の部材によって形成された外部端子（４）と、ベース部材（１）とを設け、
外部端子（４）の第１曲げ加工を行うことにより、鉛直部分（４ｂ）と水平部分（４ａ）とそれらの間の屈曲した接続部分（４ｄ）とを有する概略Ｌ字状のＬ字部分（４Ｌ）であって、水平部分（４ａ）が鉛直部分（４ｂ）に対して第１の側に位置する概略Ｌ字状のＬ字部分（４Ｌ）を、外部端子（４）に形成し、
少なくともパワー半導体素子（２）と第１曲げ加工後の外部端子（４）とをベース部材（１）に搭載し、
少なくとも第１曲げ加工後の外部端子（４）の水平部分（４ａ）の上面（４ａ１）と、ベース部材（１）の一部分とが樹脂部（５）の外部に露出するように、樹脂材料の成形によって、少なくともパワー半導体素子（２）と第１曲げ加工後の外部端子（４）とベース部材（１）とを封止し、
第１曲げ加工後の外部端子（４）の水平部分（４ａ）の上面（４ａ１）が、第２曲げ加工後の外部端子（４）の水平部分（４ａ’）の下面（４ａ２’）になり、かつ、第１曲げ加工後の外部端子（４）の水平部分（４ａ）の下面（４ａ２）が、第２曲げ加工後の外部端子（４）の水平部分（４ａ’）の上面（４ａ１’）になるように、外部端子（４）の第２曲げ加工を行い、
外部端子（４）の第２曲げ加工により、鉛直部分（４ｂ）と水平部分（４ａ’）とそれらの間の屈曲した接続部分（４ｄ’）とを有する概略Ｌ字状のＬ字部分（４Ｌ’）であって、水平部分（４ａ’）が鉛直部分（４ｂ）に対して第１の側とは反対側の第２の側に位置する概略Ｌ字状のＬ字部分（４Ｌ’）が外部端子（４）に形成される樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）の製造方法において、
第１曲げ加工後の外部端子（４）の水平部分（４ａ）の先端側部分（４ａ−１）が、第２曲げ加工後の外部端子（４）の水平部分（４ａ’）になり、かつ、
第１曲げ加工後の外部端子（４）の水平部分（４ａ）の根元側部分（４ａ−２）と、第１曲げ加工後の外部端子（４）の接続部分（４ｄ）とが、第２曲げ加工後の外部端子（４）の接続部分（４ｄ’）になり、かつ、
第２曲げ加工後の外部端子（４）の接続部分（４ｄ’）の第１の側の凸状面（４ｄ１ａ’）の頂部（４ｄ１ａ１’）が、鉛直部分（４ｂ）の第１の側の側面（４ｂ２）よりも第１の側に位置するように、外部端子（４）の第２曲げ加工を行い、
第２曲げ加工後の外部端子（４）の接続部分（４ｄ’）の上側部分（４ｄ１’）の第２の側の凹状面（４ｄ１ｂ’）を樹脂部（５）の外部に露出させ、
第２曲げ加工後の外部端子（４）の接続部分（４ｄ’）の下側部分（４ｄ２’）の第２の側の凸状面（４ｄ２ｂ’）を樹脂部（５）によって覆い、
第１サブ曲げ加工と、第２サブ曲げ加工と、第３サブ曲げ加工と、第４サブ曲げ加工とによって第２曲げ加工を構成し、
外部端子（４）の第１サブ曲げ加工では、第２曲げ加工後の外部端子（４）の接続部分（４ｄ’）の上側部分（４ｄ１’）の第２の側の凹状面（４ｄ１ｂ’）の下側部分（４ｄ１ｂ１’）になる位置に第１芯金（ＣＢ１）の当接部（ＣＢ１ａ）を当接させて曲げ加工を行い、
外部端子（４）の第２サブ曲げ加工では、第２曲げ加工後の外部端子（４）の接続部分（４ｄ’）の上側部分（４ｄ１’）の第２の側の凹状面（４ｄ１ｂ’）の上側部分（４ｄ１ｂ２’）になる位置に第２芯金（ＣＢ２）の当接部（ＣＢ２ａ）を当接させて曲げ加工を行い、
外部端子（４）の第３サブ曲げ加工では、第２曲げ加工後の外部端子（４）の接続部分（４ｄ’）の上側部分（４ｄ１’）の第２の側の凹状面（４ｄ１ｂ’）の下側部分（４ｄ１ｂ１’）と上側部分（４ｄ１ｂ２’）との間の中間部分（４ｄ１ｂ３’）になる位置に第３芯金（ＣＢ３）の当接部（ＣＢ３ａ）を当接させて曲げ加工を行い、
外部端子（４）の第４サブ曲げ加工では、芯金を用いることなく、第２曲げ加工後の外部端子（４）の水平部分（４ａ’）の上面（４ａ１’）になる位置を押し当て部材（ＰＳ）の下面（ＰＳ１）によって下向きに押圧することにより曲げ加工を行うことを特徴とする樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）の製造方法。
【請求項２】
パワー半導体素子（２）と、板状の部材によって形成された外部端子（４）と、ベース部材（１）とを有し、
少なくともパワー半導体素子（２）と外部端子（４）とがベース部材（１）に搭載され、
外部端子（４）は、鉛直部分（４ｂ）と水平部分（４ａ’）とそれらの間の屈曲した接続部分（４ｄ’）とを有する概略Ｌ字状のＬ字部分（４Ｌ’）であって、水平部分（４ａ’）が鉛直部分（４ｂ）に対して鉛直部分（４ｂ）の第１の側の側面（４ｂ２）とは反対側の第２の側に位置する概略Ｌ字状のＬ字部分（４Ｌ’）を備える樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）において、
外部端子（４）の接続部分（４ｄ’）は、その第１の側の凸状面（４ｄ１ａ’）に頂部（４ｄ１ａ１’）を備えた曲線形状であり、第１の側の凸状面（４ｄ１ａ’）の頂部（４ｄ１ａ１’）が、鉛直部分（４ｂ）の第１の側の側面（４ｂ２）よりも第１の側に位置する
樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、外部端子の第１曲げ加工時に、鉛直部分と水平部分とそれらの間の屈曲した接続部分とを有する概略Ｌ字状のＬ字部分であって、水平部分が鉛直部分に対して第１の側に位置する概略Ｌ字状のＬ字部分を外部端子に形成し、パワー半導体素子と第１曲げ加工後の外部端子とをベース部材に搭載し、第１曲げ加工後の外部端子の水平部分の上面と、ベース部材の一部分とが樹脂部の外部に露出するように、樹脂材料の成形によって、パワー半導体素子と第１曲げ加工後の外部端子とベース部材とを封止する樹脂封止型パワー半導体モジュールに関する。
【０００２】
詳細には、本発明は、第１曲げ加工後の外部端子の水平部分の上面が、第２曲げ加工後の外部端子の水平部分の下面になり、かつ、第１曲げ加工後の外部端子の水平部分の下面が、第２曲げ加工後の外部端子の水平部分の上面になるように、外部端子の第２曲げ加工を行い、外部端子の第２曲げ加工時に、鉛直部分と水平部分とそれらの間の屈曲した接続部分とを有する概略Ｌ字状のＬ字部分であって、水平部分が鉛直部分に対して第１の側とは反対側の第２の側に位置する概略Ｌ字状のＬ字部分を外部端子に形成する樹脂封止型パワー半導体モジュールに関する。
【０００３】
特に、本発明は、第１曲げ加工後の外部端子の接続部分の位置が第２曲げ加工時またはその後に破損してしまうおそれを低減することができる樹脂封止型パワー半導体モジュールに関する。
【背景技術】
【０００４】
従来から、外部端子の第１曲げ加工時に、鉛直部分と水平部分とそれらの間の屈曲した接続部分とを有する概略Ｌ字状のＬ字部分であって、水平部分が鉛直部分に対して第１の側（特開平１０−２２４３５号公報の図３（ａ）の左側）に位置する概略Ｌ字状のＬ字部分を外部端子に形成し、パワー半導体素子と第１曲げ加工後の外部端子とをベース部材に搭載し、第１曲げ加工後の外部端子の水平部分の上面と、ベース部材の一部分とが樹脂部の外部に露出するように、樹脂材料の成形によって、パワー半導体素子と第１曲げ加工後の外部端子とベース部材とを封止する樹脂封止型パワー半導体モジュールが知られている。この種の樹脂封止型パワー半導体モジュールの例としては、例えば特許文献１（特開平１０−２２４３５号公報）の図３（ａ）に記載されたものがある。
【０００５】
特許文献１の図３に記載された樹脂封止型パワー半導体モジュールでは、次いで、第１曲げ加工後の外部端子の水平部分の上面が、第２曲げ加工後の外部端子の水平部分の下面になり、かつ、第１曲げ加工後の外部端子の水平部分の下面が、第２曲げ加工後の外部端子の水平部分の上面になるように、外部端子の第２曲げ加工が行われる（特許文献１の図３（ｃ）参照）。詳細には、外部端子の第２曲げ加工時に、鉛直部分と水平部分とそれらの間の屈曲した接続部分とを有する概略Ｌ字状のＬ字部分であって、水平部分が鉛直部分に対して第１の側とは反対側の第２の側（特開平１０−２２４３５号公報の図３（ｃ）の右側）に位置する概略Ｌ字状のＬ字部分が、外部端子に形成される。
【０００６】
また、特許文献１の図３に記載された樹脂封止型パワー半導体モジュールでは、外部端子の第１曲げ加工後にナットが樹脂部のナット挿入穴に挿入され（特許文献１の図３（ｂ）参照）、次いで、第２曲げ加工後の外部端子の水平部分によってナットが覆われる（特許文献１の図３（ｃ）参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平１０−２２４３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、特許文献１の図３（ａ）および図３（ｃ）に記載された樹脂封止型パワー半導体モジュールでは、第１曲げ加工後の外部端子の鉛直部分と水平部分との間の屈曲した接続部分が、第２曲げ加工後の外部端子の鉛直部分と水平部分との間の屈曲した接続部分になる。つまり、特許文献１の図３（ａ）および図３（ｃ）に記載された樹脂封止型パワー半導体モジュールでは、第１曲げ加工時に曲げ加工負荷がかかった第１曲げ加工後の外部端子の接続部分の位置に対し、第２曲げ加工時に、曲げ加工負荷が再びかけられる。そのため、特許文献１の図３（ａ）および図３（ｃ）に記載された樹脂封止型パワー半導体モジュールでは、第１曲げ加工後の外部端子の接続部分の位置が第２曲げ加工時またはその後に破損してしまうおそれがある。
【０００９】
前記問題点に鑑み、第１曲げ加工後の外部端子の接続部分の位置が第２曲げ加工時またはその後に破損してしまうおそれを低減することができる樹脂封止型パワー半導体モジュール及びその製造方法を提供することを目的とする。
【００１０】
詳細には、本発明は、第１曲げ加工時の曲げ加工負荷および第２曲げ加工時の曲げ加工負荷が第１曲げ加工後の外部端子の接続部分の位置に集中してかけられている特許文献１の図３（ａ）および図３（ｃ）に記載された樹脂封止型パワー半導体モジュールよりも、第１曲げ加工後の外部端子の接続部分の位置が第２曲げ加工時またはその後に破損してしまうおそれを低減することができる樹脂封止型パワー半導体モジュール及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
請求項１に記載の発明によれば、パワー半導体素子（２）と、板状の部材によって形成された外部端子（４）と、ベース部材（１）とを設け、
外部端子（４）の第１曲げ加工を行うことにより、鉛直部分（４ｂ）と水平部分（４ａ）とそれらの間の屈曲した接続部分（４ｄ）とを有する概略Ｌ字状のＬ字部分（４Ｌ）であって、水平部分（４ａ）が鉛直部分（４ｂ）に対して第１の側に位置する概略Ｌ字状のＬ字部分（４Ｌ）を、外部端子（４）に形成し、
少なくともパワー半導体素子（２）と第１曲げ加工後の外部端子（４）とをベース部材（１）に搭載し、
少なくとも第１曲げ加工後の外部端子（４）の水平部分（４ａ）の上面（４ａ１）と、ベース部材（１）の一部分とが樹脂部（５）の外部に露出するように、樹脂材料の成形によって、少なくともパワー半導体素子（２）と第１曲げ加工後の外部端子（４）とベース部材（１）とを封止し、
第１曲げ加工後の外部端子（４）の水平部分（４ａ）の上面（４ａ１）が、第２曲げ加工後の外部端子（４）の水平部分（４ａ’）の下面（４ａ２’）になり、かつ、第１曲げ加工後の外部端子（４）の水平部分（４ａ）の下面（４ａ２）が、第２曲げ加工後の外部端子（４）の水平部分（４ａ’）の上面（４ａ１’）になるように、外部端子（４）の第２曲げ加工を行い、
外部端子（４）の第２曲げ加工により、鉛直部分（４ｂ）と水平部分（４ａ’）とそれらの間の屈曲した接続部分（４ｄ’）とを有する概略Ｌ字状のＬ字部分（４Ｌ’）であって、水平部分（４ａ’）が鉛直部分（４ｂ）に対して第１の側とは反対側の第２の側に位置する概略Ｌ字状のＬ字部分（４Ｌ’）が外部端子（４）に形成される樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）の製造方法において、
第１曲げ加工後の外部端子（４）の水平部分（４ａ）の先端側部分（４ａ−１）が、第２曲げ加工後の外部端子（４）の水平部分（４ａ’）になり、かつ、
第１曲げ加工後の外部端子（４）の水平部分（４ａ）の根元側部分（４ａ−２）と、第１曲げ加工後の外部端子（４）の接続部分（４ｄ）とが、第２曲げ加工後の外部端子（４）の接続部分（４ｄ’）になり、かつ、
第２曲げ加工後の外部端子（４）の接続部分（４ｄ’）の第１の側の凸状面（４ｄ１ａ’）の頂部（４ｄ１ａ１’）が、鉛直部分（４ｂ）の第１の側の側面（４ｂ２）よりも第１の側に位置するように、外部端子（４）の第２曲げ加工を行い、
第２曲げ加工後の外部端子（４）の接続部分（４ｄ’）の上側部分（４ｄ１’）の第２の側の凹状面（４ｄ１ｂ’）を樹脂部（５）の外部に露出させ、
第２曲げ加工後の外部端子（４）の接続部分（４ｄ’）の下側部分（４ｄ２’）の第２の側の凸状面（４ｄ２ｂ’）を樹脂部（５）によって覆い、
第１サブ曲げ加工と、第２サブ曲げ加工と、第３サブ曲げ加工と、第４サブ曲げ加工とによって第２曲げ加工を構成し、
外部端子（４）の第１サブ曲げ加工では、第２曲げ加工後の外部端子（４）の接続部分（４ｄ’）の上側部分（４ｄ１’）の第２の側の凹状面（４ｄ１ｂ’）の下側部分（４ｄ１ｂ１’）になる位置に第１芯金（ＣＢ１）の当接部（ＣＢ１ａ）を当接させて曲げ加工を行い、
外部端子（４）の第２サブ曲げ加工では、第２曲げ加工後の外部端子（４）の接続部分（４ｄ’）の上側部分（４ｄ１’）の第２の側の凹状面（４ｄ１ｂ’）の上側部分（４ｄ１ｂ２’）になる位置に第２芯金（ＣＢ２）の当接部（ＣＢ２ａ）を当接させて曲げ加工を行い、
外部端子（４）の第３サブ曲げ加工では、第２曲げ加工後の外部端子（４）の接続部分（４ｄ’）の上側部分（４ｄ１’）の第２の側の凹状面（４ｄ１ｂ’）の下側部分（４ｄ１ｂ１’）と上側部分（４ｄ１ｂ２’）との間の中間部分（４ｄ１ｂ３’）になる位置に第３芯金（ＣＢ３）の当接部（ＣＢ３ａ）を当接させて曲げ加工を行い、
外部端子（４）の第４サブ曲げ加工では、芯金を用いることなく、第２曲げ加工後の外部端子（４）の水平部分（４ａ’）の上面（４ａ１’）になる位置を押し当て部材（ＰＳ）の下面（ＰＳ１）によって下向きに押圧することにより曲げ加工を行うことを特徴とする樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）の製造方法が提供される。
【００１３】
請求項２に記載の発明によれば、パワー半導体素子（２）と、板状の部材によって形成された外部端子（４）と、ベース部材（１）とを有し、
少なくともパワー半導体素子（２）と外部端子（４）とがベース部材（１）に搭載され、
外部端子（４）は、鉛直部分（４ｂ）と水平部分（４ａ’）とそれらの間の屈曲した接続部分（４ｄ’）とを有する概略Ｌ字状のＬ字部分（４Ｌ’）であって、水平部分（４ａ’）が鉛直部分（４ｂ）に対して鉛直部分（４ｂ）の第１の側の側面（４ｂ２）とは反対側の第２の側に位置する概略Ｌ字状のＬ字部分（４Ｌ’）を備える樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）において、
外部端子（４）の接続部分（４ｄ’）の第１の側の凸状面（４ｄ１ａ’）の頂部（４ｄ１ａ１’）が、鉛直部分（４ｂ）の第１の側の側面（４ｂ２）よりも第１の側に位置する樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）が提供される。
【発明の効果】
【００１４】
請求項１に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）の製造方法では、パワー半導体素子（２）と、板状の部材によって形成された外部端子（４）と、ベース部材（１）とが設けられている。更に、外部端子（４）の第１曲げ加工を行うことにより、鉛直部分（４ｂ）と水平部分（４ａ）とそれらの間の屈曲した接続部分（４ｄ）とを有する概略Ｌ字状のＬ字部分（４Ｌ）であって、水平部分（４ａ）が鉛直部分（４ｂ）に対して第１の側に位置する概略Ｌ字状のＬ字部分（４Ｌ）が、外部端子（４）に形成されている。
【００１５】
また、請求項１に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）の製造方法では、少なくともパワー半導体素子（２）と第１曲げ加工後の外部端子（４）とがベース部材（１）に搭載されている。更に、少なくとも第１曲げ加工後の外部端子（４）の水平部分（４ａ）の上面（４ａ１）と、ベース部材（１）の一部分とが樹脂部（５）の外部に露出するように、樹脂材料の成形によって、少なくともパワー半導体素子（２）と第１曲げ加工後の外部端子（４）とベース部材（１）とが封止されている。
【００１６】
更に、請求項１に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）の製造方法では、第１曲げ加工後の外部端子（４）の水平部分（４ａ）の上面（４ａ１）が、第２曲げ加工後の外部端子（４）の水平部分（４ａ’）の下面（４ａ２’）になり、かつ、第１曲げ加工後の外部端子（４）の水平部分（４ａ）の下面（４ａ２）が、第２曲げ加工後の外部端子（４）の水平部分（４ａ’）の上面（４ａ１’）になるように、外部端子（４）の第２曲げ加工が行われている。
【００１７】
また、請求項１に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）の製造方法では、外部端子（４）の第２曲げ加工により、鉛直部分（４ｂ）と水平部分（４ａ’）とそれらの間の屈曲した接続部分（４ｄ’）とを有する概略Ｌ字状のＬ字部分（４Ｌ’）であって、水平部分（４ａ’）が鉛直部分（４ｂ）に対して第１の側とは反対側の第２の側に位置する概略Ｌ字状のＬ字部分（４Ｌ’）が外部端子（４）に形成されている。
【００１８】
詳細には、請求項１に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）の製造方法では、第１曲げ加工後の外部端子（４）の水平部分（４ａ）の先端側部分（４ａ−１）が、第２曲げ加工後の外部端子（４）の水平部分（４ａ’）になり、かつ、第１曲げ加工後の外部端子（４）の水平部分（４ａ）の根元側部分（４ａ−２）と、第１曲げ加工後の外部端子（４）の接続部分（４ｄ）とが、第２曲げ加工後の外部端子（４）の接続部分（４ｄ’）になり、かつ、第２曲げ加工後の外部端子（４）の接続部分（４ｄ’）の第１の側の凸状面（４ｄ１ａ’）の頂部（４ｄ１ａ１’）が、鉛直部分（４ｂ）の第１の側の側面（４ｂ２）よりも第１の側に位置するように、外部端子（４）の第２曲げ加工が行われている。
【００１９】
換言すれば、請求項１に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）の製造方法では、第１曲げ加工時に曲げ加工負荷がかかった第１曲げ加工後の外部端子（４）の接続部分（４ｄ）の位置だけでなく、第１曲げ加工時に曲げ加工負荷が殆どかかっていない第１曲げ加工後の外部端子（４）の水平部分（４ａ）の根元側部分（４ａ−２）の位置にも、第２曲げ加工時に、曲げ加工負荷が分散してかけられている。
【００２０】
そのため、請求項１に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）の製造方法によれば、第１曲げ加工時の曲げ加工負荷および第２曲げ加工時の曲げ加工負荷が第１曲げ加工後の外部端子（４）の接続部分（４ｄ）の位置に集中してかけられている場合よりも、第１曲げ加工後の外部端子（４）の接続部分（４ｄ）の位置が第２曲げ加工時またはその後に破損してしまうおそれを低減することができる。
【００２１】
さらに請求項１に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）の製造方法では、第２曲げ加工後の外部端子（４）の接続部分（４ｄ’）の上側部分（４ｄ１’）の第２の側の凹状面（４ｄ１ｂ’）が、樹脂部（５）の外部に露出せしめられている。そのため、請求項２に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）によれば、第２曲げ加工後の外部端子（４）の接続部分（４ｄ’）の上側部分（４ｄ１’）の第２の側の凹状面（４ｄ１ｂ’）になる位置を、第２曲げ加工時に屈曲させることができる。
【００２２】
更に、請求項１に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）の製造方法では、第２曲げ加工後の外部端子（４）の接続部分（４ｄ’）の下側部分（４ｄ２’）の第２の側の凸状面（４ｄ２ｂ’）が樹脂部（５）によって覆われている。
【００２３】
そのため、請求項１に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）の製造方法によれば、第２曲げ加工後の外部端子（４）の接続部分（４ｄ’）の下側部分（４ｄ２’）の第２の側の凸状面（４ｄ２ｂ’）になる位置が第１曲げ加工時および第２曲げ加工時に繰り返して屈曲せしめられないように、その位置を樹脂部（５）によって保護することができる。
【００２４】
さらに、請求項１に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）の製造方法では、第１サブ曲げ加工と、第２サブ曲げ加工と、第３サブ曲げ加工と、第４サブ曲げ加工とによって第２曲げ加工が構成されている。
【００２５】
詳細には、請求項１に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）の製造方法では、外部端子（４）の第１サブ曲げ加工時に、第２曲げ加工後の外部端子（４）の接続部分（４ｄ’）の上側部分（４ｄ１’）の第２の側の凹状面（４ｄ１ｂ’）の下側部分（４ｄ１ｂ１’）になる位置に第１芯金（ＣＢ１）の当接部（ＣＢ１ａ）を当接させて曲げ加工が行われる。更に、外部端子（４）の第２サブ曲げ加工時に、第２曲げ加工後の外部端子（４）の接続部分（４ｄ’）の上側部分（４ｄ１’）の第２の側の凹状面（４ｄ１ｂ’）の上側部分（４ｄ１ｂ２’）になる位置に第２芯金（ＣＢ２）の当接部（ＣＢ２ａ）を当接させて曲げ加工が行われる。
【００２６】
また、請求項１に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）の製造方法では、外部端子（４）の第３サブ曲げ加工時に、第２曲げ加工後の外部端子（４）の接続部分（４ｄ’）の上側部分（４ｄ１’）の第２の側の凹状面（４ｄ１ｂ’）の下側部分（４ｄ１ｂ１’）と上側部分（４ｄ１ｂ２’）との間の中間部分（４ｄ１ｂ３’）になる位置に第３芯金（ＣＢ３）の当接部（ＣＢ３ａ）を当接させて曲げ加工が行われる。更に、外部端子（４）の第４サブ曲げ加工時に、芯金を用いることなく、第２曲げ加工後の外部端子（４）の水平部分（４ａ’）の上面（４ａ１’）になる位置を押し当て部材（ＰＳ）の下面（ＰＳ１）によって下向きに押圧することにより曲げ加工が行われる。
【００２７】
換言すれば、請求項１に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）の製造方法では、第２曲げ加工後の外部端子（４）の接続部分（４ｄ’）の上側部分（４ｄ１’）の第２の側の凹状面（４ｄ１ｂ’）のうち、第１芯金（ＣＢ１）の当接部（ＣＢ１ａ）が当接せしめられた位置と、第２芯金（ＣＢ２）の当接部（ＣＢ２ａ）が当接せしめられた位置と、第３芯金（ＣＢ３）の当接部（ＣＢ３ａ）が当接せしめられた位置とが、互いに異ならされている。
【００２８】
そのため、請求項１に記載の樹脂封止型パワー半導体モジュール（１００）の製造方法によれば、第２曲げ加工後の外部端子（４）の接続部分（４ｄ’）の上側部分（４ｄ１’）の第２の側の凹状面（４ｄ１ｂ’）の同一位置に、第１芯金（ＣＢ１）の当接部（ＣＢ１ａ）と第２芯金（ＣＢ２）の当接部（ＣＢ２ａ）と第３芯金（ＣＢ３）の当接部（ＣＢ３ａ）とが繰り返して当接せしめられている場合よりも、第２曲げ加工後の外部端子（４）の接続部分（４ｄ’）の上側部分（４ｄ１’）が第２曲げ加工時またはその後に破損してしまうおそれを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００を示した図である。
【図２】第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００を示した図である。
【図３】第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００の一部を構成する外部端子４の第１曲げ加工後の状態を示した図である。
【図４】図３に示す第１曲げ加工後の外部端子４などをベース部材１に搭載することにより構成される第１組立体を示した図である。
【図５】第１曲げ加工後の外部端子４の水平部分４ａの上面４ａ１、ベース部材１の下面１ｂなどが樹脂部５の外部に露出するように、図４に示す第１組立体を樹脂材料の成形によって封止することにより得られる第２組立体１０を示した図である。
【図６】外部端子４の第２曲げ加工の一部を構成する第１サブ曲げ加工を説明するための図である。
【図７】外部端子４の第２曲げ加工の一部を構成する第２サブ曲げ加工を説明するための図である。
【図８】外部端子４の第２曲げ加工の一部を構成する第３サブ曲げ加工を説明するための図である。
【図９】外部端子４の第２曲げ加工の一部を構成する第４サブ曲げ加工を説明するための図である。
【図１０】第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００の等価回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、本発明の樹脂封止型パワー半導体モジュールの第１の実施形態について説明する。図１および図２は第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００の完成品を示した図である。詳細には、図１（Ａ）は第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００の平面図、図１（Ｂ）は第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００の正面図、図１（Ｃ）は第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００の右側面図、図１（Ｄ）は図１（Ａ）のＡ−Ａ線に沿った概略的な鉛直断面図、図１（Ｅ）は図１（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿った概略的な鉛直断面図、図２（Ａ）および図２（Ｂ）は図１（Ｄ）の拡大図である。
【００３１】
図３は第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００の一部を構成する外部端子４の第１曲げ加工後の状態を示した図である。詳細には、図３（Ａ）は第１曲げ加工後の外部端子４の平面図、図３（Ｂ）は第１曲げ加工後の外部端子４の正面図、図３（Ｃ）は第１曲げ加工後の外部端子４の右側面図、図３（Ｄ）は図３（Ａ）のＣ−Ｃ線に沿った概略的な鉛直断面図である。図４は図３に示す第１曲げ加工後の外部端子４などをベース部材１に搭載することにより構成される第１組立体を示した図である。詳細には、図４（Ａ）は第１組立体の平面図、図４（Ｂ）は第１組立体の正面図、図４（Ｃ）は第１組立体の右側面図である。
【００３２】
図５は第１曲げ加工後の外部端子４の水平部分４ａの上面４ａ１、ベース部材１の下面１ｂなどが樹脂部５の外部に露出するように、図４に示す第１組立体を樹脂材料の成形によって封止することにより得られる第２組立体１０を示した図である。詳細には、図５（Ａ）は第２組立体１０の平面図、図５（Ｂ）は第２組立体１０の正面図、図５（Ｃ）は第２組立体１０の右側面図、図５（Ｄ）は図５（Ａ）のＤ−Ｄ線に沿った概略的な鉛直断面図である。
【００３３】
図６〜図９は図５に示す第２組立体１０に対して行われる外部端子４の第２曲げ加工を説明するための図である。詳細には、図６は外部端子４の第２曲げ加工の一部を構成する第１サブ曲げ加工を説明するための図である。図７は外部端子４の第２曲げ加工の一部を構成する第２サブ曲げ加工を説明するための図である。図８は外部端子４の第２曲げ加工の一部を構成する第３サブ曲げ加工を説明するための図である。図９は外部端子４の第２曲げ加工の一部を構成する第４サブ曲げ加工を説明するための図である。図１０は第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００の等価回路図である。
【００３４】
第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００では、図１および図２に示すように、例えばダイオードなどのようなパワー半導体素子２と、外部端子４と、ベース部材１と、電極板３ａ，３ｂとが設けられている。
【００３５】
詳細には、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００の製造時には、板状の部材（図示せず）に対して第１曲げ加工などが行われ、図３に示すような第１曲げ加工後の外部端子４が形成される。具体的には、図３に示すように、外部端子４の第１曲げ加工によって、水平部分４ａと、鉛直部分４ｂと、水平部分４ｃと、水平部分４ａと鉛直部分４ｂとの間の屈曲した接続部分４ｄと、水平部分４ｃと鉛直部分４ｂとの間の屈曲した接続部分４ｅとが、外部端子４に形成される。詳細には、図３に示すように、第１曲げ加工後の外部端子４の水平部分４ａと鉛直部分４ｂと水平部分４ｃとによって概略Ｌ字状のＬ字部分４Ｌが構成されている。更に、第１曲げ加工後の外部端子４の水平部分４ａが鉛直部分４ｂの後側面４ｂ２よりも後側（図３（Ｃ）および図３（Ｄ）の右側）に配置され、第１曲げ加工後の外部端子４の水平部分４ｃが鉛直部分４ｂの前側面４ｂ１よりも前側（図３（Ｃ）および図３（Ｄ）の左側）に配置されている。また、第１曲げ加工後の外部端子４の水平部分４ａには、ねじ穴４ａ３が形成されている。
【００３６】
次いで、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００の製造時には、図４に示すように、パワー半導体素子２と第１曲げ加工後の外部端子４と電極板３ａ，３ｂとがベース部材１の上面１ａに搭載され、例えば半田などの接合材によってそれらが相互に接合され、その結果、図４に示すような第１組立体が形成される。詳細には、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００では、図４に示すように、電極板３ａの熱膨張係数が、ベース部材１の熱膨張係数とパワー半導体素子２の熱膨張係数との間の値に設定されている。また、電極板３ｂの熱膨張係数が、パワー半導体素子２の熱膨張係数と外部端子４の熱膨張係数との間の値に設定されている。更に、ねじ穴１ｃがベース部材１に形成されている。また、樹脂部５（図１および図２参照）とベース部材１との密着性を向上させるための切り欠き部１ｄが、ベース部材１に形成されている。
【００３７】
次いで、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００の製造時には、図５に示すように、第１曲げ加工後の外部端子４の水平部分４ａの上面４ａ１、ベース部材１の下面１ｂなどが樹脂部５の外部に露出するように、例えばトランスファー成形などのような樹脂材料の成形によって、パワー半導体素子２と第１曲げ加工後の外部端子４とベース部材１と電極板３ａ，３ｂとが封止され、その結果、図５に示すような第２組立体１０が形成される。具体的には、図５に示すように、樹脂材料の成形によって、上面５ａと前側面５ｂと後側面５ｃと右側面５ｄと左側面５ｅと下面５ｆとが、樹脂部５に形成される。また、最も上側（図５（Ｂ）、図５（Ｃ）および図５（Ｄ）の上側）に位置する部分５ａ１と、２番目に上側に位置する部分５ａ２と、最も下側（図５（Ｂ）、図５（Ｃ）および図５（Ｄ）の下側）に位置する部分５ａ３（図５（Ｄ）参照）とが、樹脂部５の上面５ａに形成される。詳細には、樹脂部５の上面５ａの部分５ａ３（図５（Ｄ）参照）が、第１曲げ加工後の外部端子４の水平部分４ａの下面４ａ２（図５（Ｄ）参照）によって形成される。更に、ナット挿入穴５ａ１ａが樹脂部５の上面５ａの部分５ａ１に形成される。
【００３８】
次いで、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００の製造時には、図６〜図９に示すように、外部端子４の第２曲げ加工が行われる。詳細には、まず最初に、図６に示すような外部端子４の第２曲げ加工の第１サブ曲げ加工が行われる。外部端子４の第１サブ曲げ加工では、図６（Ａ）および図６（Ｂ）に示すように、第２曲げ加工後の外部端子４の接続部分４ｄ’（図２参照）の上側部分４ｄ１’（図２参照）の前側（図２の左側）の凹状面４ｄ１ｂ’（図２参照）の下側部分４ｄ１ｂ１’（図２（Ａ）参照）になる位置に、芯金ＣＢ１の当接部ＣＢ１ａが当接せしめられ、ローラＲ１が、図６（Ａ）に示す位置から図６（Ｂ）に示す位置まで鉛直方向上向き（図６の上向き）に移動せしめられる。その結果、図６（Ａ）および図６（Ｂ）に示すように、外部端子４の水平部分４ａが、芯金ＣＢ１の当接部ＣＢ１ａ付近を曲げ中心にして例えば約７０〜８０°曲げられる。
【００３９】
次いで、図７に示すような外部端子４の第２曲げ加工の第２サブ曲げ加工が行われる。外部端子４の第２サブ曲げ加工では、図７（Ａ）および図７（Ｂ）に示すように、第２曲げ加工後の外部端子４の接続部分４ｄ’（図２参照）の上側部分４ｄ１’（図２参照）の前側（図２の左側）の凹状面４ｄ１ｂ’（図２参照）の上側部分４ｄ１ｂ２’（図２（Ａ）参照）になる位置に、芯金ＣＢ２の当接部ＣＢ２ａが当接せしめられ、ローラＲ２が、図７（Ａ）に示す位置から図７（Ｂ）に示す位置まで水平方向前向き（図７の左向き）に移動せしめられる。その結果、図７（Ａ）および図７（Ｂ）に示すように、外部端子４の水平部分４ａ（図６参照）が、芯金ＣＢ２の当接部ＣＢ２ａ付近を曲げ中心にして例えば約５０〜６０°曲げられる。詳細には、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００の製造時には、樹脂部５（図５参照）が形成されてから図７に示すような外部端子４の第２曲げ加工の第２サブ曲げ加工が開始されるまでの間に、樹脂部５の（図５参照）上面５ａ（図５参照）のナット挿入穴５ａ１ａ（図５参照）にナットＮ（図７参照）が挿入される。
【００４０】
次いで、図８に示すような外部端子４の第２曲げ加工の第３サブ曲げ加工が行われる。外部端子４の第３サブ曲げ加工では、図８（Ａ）および図８（Ｂ）に示すように、第２曲げ加工後の外部端子４の接続部分４ｄ’（図２参照）の上側部分４ｄ１’（図２参照）の前側（図２の左側）の凹状面４ｄ１ｂ’（図２参照）の下側部分４ｄ１ｂ１’（図２（Ａ）参照）と上側部分４ｄ１ｂ２’（図２（Ａ）参照）との間の中間部分４ｄ１ｂ３’（図２（Ａ）参照）になる位置に、芯金ＣＢ３の当接部ＣＢ３ａが当接せしめられ、ローラＲ３が、図８（Ａ）に示す位置から図８（Ｂ）に示す位置まで水平方向前向き（図８の左向き）に移動せしめられる。その結果、図８（Ａ）および図８（Ｂ）に示すように、外部端子４の水平部分４ａ（図６参照）が、芯金ＣＢ３の当接部ＣＢ３ａ付近を曲げ中心にして例えば約４０〜５０°曲げられる。
【００４１】
次いで、図９に示すような外部端子４の第２曲げ加工の第４サブ曲げ加工が行われる。外部端子４の第４サブ曲げ加工では、図９（Ａ）および図９（Ｂ）に示すように、第２曲げ加工後の外部端子４の水平部分４ａ’（図９（Ｂ）参照）の上面４ａ１’（図９（Ｂ）参照）になる位置に、押し当て部材ＰＳの下面ＰＳ１が当接せしめられ、押し当て部材ＰＳが、図９（Ａ）に示す位置から図９（Ｂ）に示す位置まで鉛直方向下向き（図９の下向き）に移動せしめられる。その結果、図９（Ａ）および図９（Ｂ）に示すように、外部端子４の水平部分４ａ（図６参照）が、第２曲げ加工後の外部端子４の接続部分４ｄ’（図９（Ｂ）参照）付近を曲げ中心にして例えば約１０°曲げられる。
【００４２】
厳密には、外部端子４の第４サブ曲げ加工では、押し当て部材ＰＳの傾斜している下面ＰＳ１と第２曲げ加工後の外部端子４の水平部分４ａ’の上面４ａ１’とが面接触するまで、押し当て部材ＰＳが、図９（Ｂ）に示す位置よりも更に下側（図９の下側）に移動せしめられる。次いで、外部端子４の第４サブ曲げ加工後に、スプリングバックによって、第２曲げ加工後の外部端子４の水平部分４ａ’が図１および図２に示す位置まで戻り、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００（図１および図２参照）が完成する。
【００４３】
第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００では、図１、図２および図１０に示すように、ベース部材１によってパワー半導体素子（ダイオード）２のアノード端子が構成されている。また、外部端子４の水平部分４ａ’によってパワー半導体素子（ダイオード）２のカソード端子が構成されている。
【００４４】
第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００では、図１、図２および図１０に示すように、ベース部材１によってパワー半導体素子（ダイオード）２のアノード端子が構成されているが、第２の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００では、代わりに、アノード端子として機能する他の外部端子をベース部材１の上面１ａに搭載し、他の外部端子に対して外部端子４と同様の曲げ加工を行うことも可能である。
【００４５】
第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００では、図１、図２および図１０に示すように、ベース部材１によってパワー半導体素子（ダイオード）２のアノード端子が構成され、外部端子４の水平部分４ａ’によってパワー半導体素子（ダイオード）２のカソード端子が構成されているが、第３の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００では、代わりに、ベース部材１あるいは他の外部端子によってパワー半導体素子（ダイオード）２のカソード端子を構成し、外部端子４の水平部分４ａ’によってパワー半導体素子（ダイオード）２のアノード端子を構成することも可能である。
【００４６】
第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００では、パワー半導体素子２としてダイオードが用いられているが、第４の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００では、代わりに、パワー半導体素子として、ダイオード以外の任意のパワー半導体素子を用いたり、あるいは、パワー半導体素子としてダイオードとダイオード以外の任意のパワー半導体素子とを併用したり、複数のダイオード以外の任意のパワー半導体素子を用いたりすることも可能である。
【００４７】
第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００では、図１および図２に示すように、ベース部材１が板状に形成され、ベース部材１の下面１ｂが樹脂部５の外部に露出せしめられているが、第５の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００では、代わりに、ベース部材と一体的にフィンを形成し、そのフィンを樹脂部５の外部に露出させることも可能である。
【００４８】
第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００では、図１、図２および図５に示すように、樹脂部５とベース部材１との密着性を向上させるための切り欠き部１ｄ（図４参照）がベース部材１に形成されているが、第６の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００では、切り欠き部１ｄ（図４参照）に加えて、あるいは、切り欠き部１ｄ（図４参照）の代わりに、密着性向上用または水分浸入抑制用の切り欠き部、張り出し部、溝部などをベース部材１に形成することも可能である。
【００４９】
換言すれば、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００では、第１曲げ加工後の外部端子４（図３参照）の水平部分４ａ（図３参照）の上面４ａ１（図３参照）が、第２曲げ加工後の外部端子４（図２参照）の水平部分４ａ’（図２参照）の下面４ａ２’（図２参照）になり、かつ、第１曲げ加工後の外部端子４（図３参照）の水平部分４ａ（図３参照）の下面４ａ２（図３参照）が、第２曲げ加工後の外部端子４（図２参照）の水平部分４ａ’（図２参照）の上面４ａ１’（図２参照）になるように、外部端子４の第２曲げ加工が行われている。
【００５０】
また、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００では、外部端子４（図２参照）の第２曲げ加工により、鉛直部分４ｂ（図２参照）と水平部分４ａ’（図２参照）とそれらの間の屈曲した接続部分４ｄ’（図２参照）とを有する概略Ｌ字状のＬ字部分４Ｌ’（図２（Ｂ）参照）であって、水平部分４ａ’（図２参照）が鉛直部分４ｂ（図２参照）の前側（図２の左側）に位置する概略Ｌ字状のＬ字部分４Ｌ’（図２（Ｂ）参照）が外部端子４（図２参照）に形成されている。
【００５１】
詳細には、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００では、第１曲げ加工後の外部端子４（図３参照）の鉛直部分４ｂ（図３参照）の形状と、第２曲げ加工後の外部端子４（図２参照）の鉛直部分４ｂ（図２参照）の形状とが概略一致している。また、第１曲げ加工後の外部端子４（図３参照）の水平部分４ａ（図３参照）の先端側部分４ａ−１（図３（Ｄ）参照）が、第２曲げ加工後の外部端子４（図２参照）の水平部分４ａ’（図２参照）になり、かつ、第１曲げ加工後の外部端子４（図３参照）の水平部分４ａ（図３参照）の根元側部分４ａ−２（図３（Ｄ）参照）と、第１曲げ加工後の外部端子４（図３参照）の接続部分４ｄ（図３参照）とが、第２曲げ加工後の外部端子４（図２参照）の接続部分４ｄ’（図２参照）になり、かつ、第２曲げ加工後の外部端子４（図２参照）の接続部分４ｄ’（図２参照）の後側（図２の右側）の凸状面４ｄ１ａ’（図２（Ａ）参照）の頂部４ｄ１ａ１’（図２（Ａ）参照）が、鉛直部分４ｂ（図２参照）の後側面４ｂ２（図２参照）よりも後側（図２の右側）に位置するように、外部端子４（図２参照）の第２曲げ加工が行われている。
【００５２】
すなわち、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００では、第１曲げ加工時に曲げ加工負荷がかかった第１曲げ加工後の外部端子４（図３参照）の接続部分４ｄ（図３参照）の位置だけでなく、第１曲げ加工時に曲げ加工負荷が殆どかかっていない第１曲げ加工後の外部端子４（図２参照）の水平部分４ａ（図２参照）の根元側部分４ａ−２（図２（Ｄ）参照）の位置にも、第２曲げ加工時に、曲げ加工負荷が分散してかけられている。
【００５３】
そのため、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００によれば、第１曲げ加工時の曲げ加工負荷および第２曲げ加工時の曲げ加工負荷が第１曲げ加工後の外部端子４（図２参照）の接続部分４ｄ（図２参照）の位置に集中してかけられている場合よりも、第１曲げ加工後の外部端子４（図２参照）の接続部分４ｄ（図２参照）の位置が第２曲げ加工時またはその後に破損してしまうおそれを低減することができる。
【００５４】
また、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００では、第２曲げ加工後の外部端子４（図２参照）の接続部分４ｄ’（図２参照）の上側部分４ｄ１’（図２参照）の前側（図２の左側）の凹状面４ｄ１ｂ’（図２参照）が、樹脂部５（図２参照）の外部に露出せしめられている。そのため、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００によれば、第２曲げ加工後の外部端子４（図２参照）の接続部分４ｄ’（図２参照）の上側部分４ｄ１’（図２参照）の前側（図２の左側）の凹状面４ｄ１ｂ’（図２参照）になる位置を、第２曲げ加工時に屈曲させることができる。
【００５５】
更に、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００では、第２曲げ加工後の外部端子４（図２参照）の接続部分４ｄ’（図２参照）の下側部分４ｄ２’（図２参照）の前側（図２の左側）の凸状面４ｄ２ｂ’（図２（Ａ）参照）が樹脂部５（図２参照）によって覆われている。
【００５６】
そのため、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００によれば、第２曲げ加工後の外部端子４（図２参照）の接続部分４ｄ’（図２参照）の下側部分４ｄ２’（図２参照）の前側（図２の左側）の凸状面４ｄ２ｂ’（図２（Ａ）参照）になる位置が第１曲げ加工時および第２曲げ加工時に繰り返して屈曲せしめられないように、その位置を樹脂部５（図２参照）によって保護することができる。
【００５７】
また、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００では、第２曲げ加工後の外部端子４（図２参照）の接続部分４ｄ’（図２参照）の上側部分４ｄ１’（図２参照）の前側（図２の左側）の凹状面４ｄ１ｂ’（図２参照）のうち、芯金ＣＢ１（図６参照）の当接部ＣＢ１ａ（図６参照）が当接せしめられた位置と、芯金ＣＢ２（図７参照）の当接部ＣＢ２ａ（図７参照）が当接せしめられた位置と、芯金ＣＢ３（図８参照）の当接部ＣＢ３ａ（図８参照）が当接せしめられた位置とが、互いに異ならされている。
【００５８】
そのため、第１の実施形態の樹脂封止型パワー半導体モジュール１００によれば、第２曲げ加工後の外部端子４（図２参照）の接続部分４ｄ’（図２参照）の上側部分４ｄ１’（図２参照）の前側（図２の左側）の凹状面４ｄ１ｂ’（図２参照）の同一位置に、芯金ＣＢ１（図６参照）の当接部ＣＢ１ａ（図６参照）と芯金ＣＢ２（図７参照）の当接部ＣＢ２ａ（図７参照）と芯金ＣＢ３（図８参照）の当接部ＣＢ３ａ（図８参照）とが繰り返して当接せしめられている場合よりも、第２曲げ加工後の外部端子４（図２参照）の接続部分４ｄ’（図２参照）の上側部分４ｄ１’（図２参照）が第２曲げ加工時またはその後に破損してしまうおそれを低減することができる。
【００５９】
第７の実施形態では、上述した第１から第６の実施形態を適宜組み合わせることも可能である。
【符号の説明】
【００６０】
１                                      ベース部材
１ａ                                    上面
１ｂ                                    下面
１ｃ                                    ねじ穴
１ｄ                                    切り欠き部
２                                      パワー半導体素子
３ａ，３ｂ                              電極板
４                                      外部端子
４ａ，４ａ’，４ｃ                      水平部分
４ａ１，４ａ１’                        上面
４ａ２，４ａ２’                        上面
４ａ３                                  ねじ穴
４ａ−１                                先端側部分
４ａ−２                                根元側部分
４ｂ                                    鉛直部分
４ｂ１                                  前側面
４ｂ２                                  後側面
４ｄ，４ｄ’，４ｅ                      接続部分
４ｄ１’                                上側部分
４ｄ１ａ’                              凸状面
４ｄ１ａ１’                            頂部
４ｄ１ｂ’                              凹状面
４ｄ１ｂ１’                            下側部分
４ｄ１ｂ２’                            上側部分
４ｄ１ｂ３’                            中間部分
４ｄ２’                                下側部分
４ｄ２ａ’                              後側面
４ｄ２ｂ’                              凸状面
４Ｌ，４Ｌ’                            Ｌ字部分
５                                      樹脂部
５ａ                                    上面
５ａ１，５ａ２，５ａ３                  部分
５ａ１ａ                                ねじ穴
５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ                  側面
５ｆ                                    下面
１０                                    組立体
ＣＢ１，ＣＢ２，ＣＢ３                  芯金
ＣＢ１ａ，ＣＢ２ａ，ＣＢ３ａ            当接部
Ｎ                                      ナット
ＰＳ                                    押し当て部材
ＰＳ１                                  下面
Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３                        ローラ
１００                                  樹脂封止型パワー半導体モジュール
【図１】
0005845085.tif 000002
【図２】
0005845085.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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