(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状の半導体ウエハ保持用冶具であって、
半導体ウエハを収容する貫通孔を有し、炭素繊維で形成されたテンプレートと、前記テンプレートを支持する支持部材と、バックパッドとを備え、
前記テンプレートは、前記支持部材に対して積層方向と直交する方向に位置決めするストッパーを備え、
前記支持部材は、前記ストッパーが嵌合する嵌合孔を備え、
前記テンプレートは、前記バックパッドを介して支持部材上に積層され、
前記バックパッドは、吸水性を有する弾性体層を含む、半導体ウエハ保持用冶具。
【請求項２】
前記貫通孔の内周面は、前記貫通孔の軸線に対して傾斜させて形成され、
前記貫通孔における前記バックパッド側の開口径は、前記貫通孔における前記バックパッドの反対側の開口径よりも大きく形成される、請求項１に記載の半導体ウエハ保持用冶具。
【請求項３】
前記テンプレートは、前記バックパッドの反対側の外周縁に、全周に亘って面取り部が形成される、請求項１又は請求項２に記載の半導体ウエハ保持用冶具。
【請求項４】
前記テンプレートは、円環状のインターナルギアと前記インターナルギアの中心部に配置された太陽ギアとの間に配置され、前記インターナルギアの歯及び前記太陽ギアの歯と噛み合う歯が外周部に形成された円盤状のキャリアである、請求項１に記載の半導体ウエハ保持用冶具。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の半導体ウエハ保持用冶具と、
前記テンプレートに保持された半導体ウエハの一方の面又は両面を研磨する研磨手段と
を備える、半導体ウエハ研磨装置。
【請求項６】
板状のワーク保持用冶具であって、
ワークを収容する貫通孔を有し、炭素繊維で形成されたテンプレートと、前記テンプレートを支持する支持部材と、バックパッドとを備え、
前記テンプレートは、前記支持部材に対して積層方向と直交する方向に位置決めするストッパーを備え、
前記支持部材は、前記ストッパーが嵌合する嵌合孔を備え、
前記テンプレートは、前記バックパッドを介して支持部材上に積層され、
前記バックパッドは、吸水性を有する弾性体層を含む、ワーク保持用冶具。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ保持用冶具、半導体ウエハ研磨装置、及びワーク保持用冶具に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスを製造する際に、半導体ウエハのポリッシング工程が実行される。ポリッシング工程では、ＣＭＰ（chemical mechanical polishing)によって半導体ウエハの一方の面又は両面が鏡面状に研磨される。ＣＭＰは、研磨液に含まれる化学成分の作用によって、砥粒による機械的研磨効果を増大させ、平滑な研磨面を効率良く形成する技術である。【０００３】
ＣＭＰでは、治具に保持された半導体ウエハの一方の面又は両面に研磨布を押し当て、研磨布に研磨液を注ぎながら、半導体ウエハと研磨布とを相対運動させて半導体ウエハを研磨する。半導体ウエハを保持する手段としては、ワックスやテンプレートが用いられるが、近年、生産効率向上や環境汚染抑制等の観点から、テンプレートを用いるワックスレス保持法の使用が増加している。ワックスレス保持法では、次のようにして半導体ウエハを保持する。【０００４】
まず、合成樹脂等により形成された支持プレートの一方の面にバックパッドを介してテンプレートを貼着する。バックパッドは吸水性を有する弾性体層を含んでおり、この弾性体層に水を含浸させる。テンプレートは半導体ウエハよりも若干薄く形成されており、１つ又は複数の貫通孔を有する。この貫通孔に半導体ウエハを収容し、半導体ウエハをバックパッドに圧接してバックパッドに含まれている水を搾り出す。その際に発生する水の負圧と表面張力とにより半導体ウエハがバックパッドに吸着される。【０００５】
次に、テンプレートの貫通孔から突出した半導体ウエハの一方の面を定盤に固着された研磨布に押し当てる。そして、研磨布に研磨液を供給しながら定盤を回転させ、研磨液に含まれる化学的成分と砥粒との複合作用により半導体ウエハの一方の面を鏡面状に研磨する。なお、半導体ウエハの両面を同時に研磨する場合もある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平０９−３２１００１号公報
【非特許文献】
【０００７】
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
近年、半導体デバイスの軽量化とコストダウンとを図るため、半導体ウエハの薄型化と大径化とが益々求められるようになってきている。半導体ウエハを薄くすると、それに伴ってテンプレートも薄くする必要がある。また、半導体ウエハが大径化するほど、テンプレートの貫通孔の径が大きくなる。したがって、テンプレートの強度が低下することになる。【０００９】
従来のテンプレートは、エポキシ樹脂にグラスファイバを含浸させた材料（以下「ガラスエポキシ」と称する。）により形成されており、薄型化と貫通孔の大径化とを図ると、テンプレートが必要な強度を確保しづらくなるという問題点があった。【００１０】
本発明は上記事情に鑑みて創案されたものであり、その目的は、半導体ウエハを収容する貫通孔の大径化や薄型化を図っても必要な強度が得られ易い半導体ウエハ保持用冶具を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明による第１の態様は、板状の半導体ウエハ保持用冶具であって、半導体ウエハを収容する貫通孔を有し、炭素繊維で形成されている。【００１２】
本発明による半導体ウエハ保持用冶具は、従来のガラスエポキシ製の半導体ウエハ保持用冶具と比べて、強度、耐熱性、及び耐酸性が高く、高温下での寸法変化が小さい。したがって、半導体ウエハを収容する貫通孔の大径化や薄型化を図っても必要な強度が得られ易い。【００１３】
ある実施形態において、前記半導体ウエハ保持用冶具は、バックパッドを介して支持部材上に積層されるテンプレートであり、前記バックパッドは、吸水性を有する弾性体層を含むものとすることができる。【００１４】
ある実施形態において、前記半導体ウエハ保持用冶具は、前記支持部材に対して積層方向と直交する方向に位置決めするストッパーを備えるものとすることができる。【００１５】
この場合、テンプレートが積層方向と直交する方向に支持プレートに対して位置ずれすることを抑制できる。したがって、不良品の発生が抑制されて半導体ウエハの歩留まり率が向上する。【００１６】
ある実施形態において、前記半導体ウエハ保持用冶具は、前記貫通孔の内周面を前記貫通孔の軸線に対して傾斜させ、前記貫通孔における前記バックパッド側の開口の径を前記貫通孔における前記バックパッドと背反する側の開口の径よりも大きくすることができる。【００１７】
この場合、貫通孔の内周面が軸線と平行である場合と比べて半導体ウエハが貫通孔から離脱しにくくなる。したがって、不良品の発生が抑制されて半導体ウエハの歩留まり率が向上する。【００１８】
ある実施形態において、前記半導体ウエハ保持用冶具は、前記バックパッドと背反する側の外周角部に面取り部が全周に亘って形成されたものとすることができる。【００１９】
この場合、半導体ウエハ保持用冶具の外周角部が研磨布に引っ掛かりにくくなるので、研磨布の傷みを抑制することができる。その結果、研磨布のライフサイクルが長くなり、メンテナンス回数が低減するため、ランニングコストが低減する。【００２０】
ある実施形態において、前記半導体ウエハ保持用冶具は、円環状のインターナルギアと前記インターナルギアの中心部に配置された太陽ギアとの間に配置され、前記インターナルギアの歯及び前記太陽ギアの歯と噛み合う歯が外周部に形成された円盤状のキャリアとすることができる。【００２１】
また、本発明の第２の態様は、第１の態様の半導体ウエハ保持用冶具と、前記半導体ウエハ保持用冶具に保持された半導体ウエハの一方の面又は両面を研磨する研磨手段とを備える半導体ウエハ研磨装置である。【００２２】
本発明による半導体ウエハ研磨装置は、炭素繊維製の半導体ウエハ保持用冶具を用いるため、半導体ウエハを収容する貫通孔の大径化や薄型化を図っても半導体ウエハ保持用冶具が必要な強度を得られ易い。【００２３】
また、本発明の第３の態様は、板状のワーク保持用冶具であって、ワークを収容する貫通孔を有し、炭素繊維で形成されている。【００２４】
本発明によるワーク保持用冶具は、炭素繊維で形成されているため、ワークを収容する貫通孔の大径化や薄型化を図っても必要な強度が得られ易い。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の半導体ウエハ保持用冶具によれば、半導体ウエハを収容する貫通孔の大径化や薄型化を図っても必要な強度が得られ易いため、半導体ウエハの薄型化や大径化に対応し易い。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】半導体ウエハの加工方法を示すフローチャートである。
【図２】本発明の第１実施形態に係る半導体研磨装置を示す断面図である。
【図３】図２に示される半導体研磨装置の要部を示す分解斜視図である。
【図４】図２に示される半導体研磨装置の要部を示す拡大図である。
【図５】本発明の第２実施形態に係るテンプレート及び支持プレートを示す斜視図である。
【図６】図４に示されるテンプレートと支持プレートとをアセンブリした状態を示す斜視図である。
【図７】本発明の第３実施形態に係る半導体研磨装置を示す断面図である。
【図８】図７に示されるVIII-VIII線断面を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、図面を参照して本発明の第１実施形態を説明する。本実施形態の説明に先立って、図１を参照して半導体ウエハの加工方法を説明する。図１は半導体ウエハの加工方法を示すフローチャートである。
【００２８】
図１に示すように、まず、ステップＳ１０において、円柱状のインゴットをスライスして円盤状のワークを得る。次に、ステップＳ２０において、ワークの周縁部の割れや欠けを防ぐために周縁部を面取りする。次に、ステップＳ３０において、ワークの片面又は両面をグラインダでラッピングしてワークの厚みを所定の大きさにする。次に、ステップＳ４０において、ワークをエッチングして、ラッピングにより発生した加工歪みを除去する。そして、ステップＳ５０において、ワークの一方の面又は両面をポリッシングして鏡面状にする。最後に、ステップＳ６０において、ワークを薬液で洗浄してパーティクル等の不純物を除去する。
【００２９】
本実施形態の半導体研磨装置は、図１のステップＳ５０のポリッシング工程において使用される。図２は本発明の第１実施形態に係る半導体研磨装置１０を示す断面図である。
【００３０】
図２に示すように、半導体研磨装置１０は、円盤状の定盤２０と、定盤２０の上面に貼着された研磨布３０と、定盤２０の上方に配置された複数のウエハ保持具４０（１つのみ図示）とを備える。
【００３１】
定盤２０は鉛直な回転軸２１の上端に固着され、水平に支持されている。回転軸２１はモータに連結されており、当該モータによって定盤２０は中心軸周りに回転する。
【００３２】
研磨布３０は定盤２０の上面に固定手段を介して貼着される。固定手段としては、例えば耐熱エポキシ系接着剤等の接着剤や両面テープを用いることができる。研磨布３０の材質は特に限定されないが、例えば研磨布３０として、粗研磨ではニッタ・ハース株式会社製のSUBA（登録商標）、ファイナル研磨ではシーガル株式会社製の製品を用いることができる。定盤２０及び研磨布３０は、本発明の研磨手段として機能する。
【００３３】
ウエハ保持具４０は、プレート保持部４１と、支持部材としての支持プレート４２と、バックパッド４３と、半導体ウエハ保持用冶具としてのテンプレート４４とを備える。
【００３４】
プレート保持部４１は、金属等によってカップ状に形成されている。プレート保持部４１は、開口面を下に向けた状態で鉛直なシャフト４５の下端に固着され、水平に支持されている。
【００３５】
図３は図２に示される半導体研磨装置１０の要部を示す分解斜視図であり、図４は半導体研磨装置１０の要部を示す拡大図である。図３に示すように、支持プレート４２は円盤状に形成されており、合成樹脂等により形成される。支持プレート４２の一方の面４２ａ（図４参照）は固定手段を介してプレート保持部４１（図４参照）に固着される。固定手段としては、例えば耐熱エポキシ系接着剤等の接着剤を用いることができる。
【００３６】
バックパッド４３は円盤状に形成されており、吸水性を有する弾性体層を含む。弾性体層は、例えば発泡ウレタン樹脂により形成される。バックパッド４３の一方の面４３ａ（図４参照）は、固定手段を介して支持プレート４２の他方の面４２ｂ（図４参照）に固着される。固定手段としては、例えば耐熱エポキシ系接着剤等の接着剤や両面テープを用いることができる。
【００３７】
テンプレート４４は、カーボングラファイトにより円盤状に形成されている。テンプレート４４は、バックパッド４３を介して支持プレート４２の他方の面４２ｂ（図４参照）に積層される。テンプレート４４は固定手段を介してバックパッド４３に固着される。固定手段としては、例えば耐熱エポキシ系接着剤等の接着剤や両面テープを用いることができる。
【００３８】
テンプレート４４は厚み方向に貫通する複数の貫通孔４４ａを有する。貫通孔４４ａの直径は半導体ウエハＷの直径よりも若干大きく、貫通孔４４ａは半導体ウエハＷを嵌脱自在に収容する。テンプレート４４の厚みは半導体ウエハＷの厚みよりも若干小さい。貫通孔４４ａに半導体ウエハＷが収容されると、半導体ウエハＷがテンプレート４４の一方の面４４ｂ（図４参照）から若干量（例えば、５０μｍ〜１００μｍ）突出する。
【００３９】
ガラスエポキシ製のテンプレートでは、半導体ウエハを収容する貫通孔はプレス加工で形成される。その場合、貫通孔の内周面は貫通孔の軸線に対して略平行となる。一方、本実施形態のテンプレート４４は、加工性に優れたカーボングラファイトで形成されているため、図４に示すように、貫通孔４４ａの内周面４４ａａをＮＣ加工によって貫通孔４４の軸線Ｃ．Ｌに対して傾斜させることができる。その結果、半導体ウエハＷの離脱をより確実に抑制できる。
【００４０】
貫通孔４４ａの内周面４４ａａを貫通孔４４ａの軸線Ｃ．Ｌに対して角度α傾斜させ、貫通孔４４ａにおけるバックパッド４３側の開口４４ａｂの径を貫通孔４４ａにおけるバックパッド４３と背反する側の開口４４ａｃの径よりも大きくすることができる。このようにすると、内周面４４ａａが軸線Ｃ．Ｌと平行である場合と比べて半導体ウエハＷが貫通孔４４ａから離脱しにくくなる。角度αは特に限定されないが、例えば１０°≦α≦２０°とすることができる。
【００４１】
また、本実施形態では、テンプレート４４におけるバックパッド４３と背反する側の外周角部４４ｃに、全周に亘って面取り部４４ｄが形成されている。このようにすると、外周角部４４ｃが研磨布３０に引っ掛かりにくくなるので、研磨布３０（図２参照）の傷みを抑制することができる。その結果、研磨布３０のライフサイクルが長くなり、メンテナンス回数が低減するため、ランニングコストが低減する。なお、面取り部４４ｄは平面状でも曲面状でもよい。
【００４２】
次に、図２〜図４を参照して半導体研磨装置１０の使用方法を説明する。まず、ウエハ保持具４０のバックパッド４３に水を含浸させる。次に、テンプレート４４の複数の貫通孔４４ａの各々に半導体ウエハＷを収容し、半導体ウエハＷをバックパッド４３に圧接する。その結果、バックパッド４３に含まれている水が搾り出され、その際に発生する水の負圧と表面張力とにより半導体ウエハＷがバックパッド４３に吸着されて保持される。
【００４３】
次に、貫通孔４４ａから突出した半導体ウエハＷの一方の面Ｗａを定盤２０に固着された研磨布３０に押し当てる。そして、研磨布３０に研磨液を供給しながら定盤２０を回転させることにより、半導体ウエハＷの一方の面Ｗａを鏡面状に研磨する。研磨液としては、例えば、水とダイヤモンド砥粒とを混合したスラリーを用いることができる。
【００４４】
テンプレート４４はカーボングラファイトで形成されているため、従来のガラスエポキシ製のテンプレートに比べて、強度、耐熱性及び耐酸性が高い。すなわち、グラファイトは耐熱性、熱伝導性が高く、急激な熱変化に耐えることができ、高温下で強度が増すため、高温下での貫通孔４４ａの寸法変化が小さい。また、グラファイトは精密な機械加工ができるため、貫通孔４４ａを高精度に形成でき、半導体ウエハＷのがたつきを少なくすることができる。また、グラファイトは、ほとんどの酸やアルカリに耐えることができ、ガラス、石英、ほとんどの融解金属と反応しない。さらに、グラファイトは摺動性が高く、半導体ウエハＷとの間に摩擦を生じにくいため、貫通孔４４ａが変形しにくい。したがって、テンプレート４４の薄型化や貫通孔４４ａの大径化を図っても、必要な強度を確保し易く、半導体ウエハＷの薄型化や大径化に対応し易い。
【００４５】
次に、図５、図６を参照して本発明の第２実施形態を説明する。図５は本発明の第２実施形態に係るテンプレート及び支持プレートを示す斜視図であり、図６は図５に示されるテンプレートと支持プレートとをアセンブリした状態を示す斜視図である。なお、本実施形態において、図２〜図４に示される第１実施形態と対応する部分には同一の符号を使用し、重複する説明は省略する。
【００４６】
図５に示すように、本実施形態では、テンプレート４４’が複数のストッパー４４ｅを有する。ストッパー４４ｅは、例えば円柱状に形成され、テンプレート４４’の一方の面４４ｆから垂直に突出している。ストッパー４４ｅはテンプレート４４’と一体的に形成されてもよいし、テンプレート４４’とは別の部材で形成されてもよい。
【００４７】
支持プレート４２には、複数の嵌合孔４２ｃが形成されており、複数の嵌合孔４２ｃの各々にはストッパー４４ｅが嵌合する。テンプレート４４’は支持プレート４２に対して次のようにしてアセンブリする。すなわち、テンプレート４４’と支持プレート４２との間にバックパッド４３（図６参照）を配置し、テンプレート４４’の複数のストッパー４４ｅの各々を支持プレート４２の対応する嵌合孔４２ｃに嵌合させる。その結果、図６に示すように、テンプレート４４’がバックパッド４３を介して支持プレート４２上に積層された状態で支持プレート４２に対して固定される。
【００４８】
テンプレート４４’は、複数のストッパー４４ｅによって、積層方向と直交する方向に支持プレート４２に対して位置決めされる。従来のテンプレートでは、半導体ウエハの研磨レートを向上させるために研磨温度を上げると、テンプレートを支持プレートに対して固定する接着剤の接着力が弱まった。その結果、テンプレートが積層方向と直交する方向に支持プレートに対して位置ずれすることがあった。本実施形態のテンプレート４４’は、ストッパー４４ｅを設けたことによって、テンプレート４４’が積層方向と直交する方向に支持プレート４２に対して位置ずれすることを機械的に抑制できる。したがって、不良品の発生が抑制されて半導体ウエハＷの歩留まり率が向上する。
【００４９】
特に、ＳｉＣ製の半導体ウエハはＳｉ製の半導体ウエハに比べて研磨レート（単位時間当たりの研磨処理量）が1/200〜1/1000程度と非常に小さいため、研磨速度の高速化や研磨温度の高温化が図られている。したがって、本実施形態のテンプレート４４’をＳｉＣ製の半導体ウエハの研磨に用いると、非常に有効である。
【００５０】
次に、図７、図８を参照して、本発明の第３実施形態を説明する。図７は本発明の第３実施形態に係る半導体研磨装置を示す断面図であり、図８は図７に示されるVIII-VIII線断面を示す図である。
【００５１】
図７に示すように、本実施形態の半導体研磨装置１１０は、インターナルギア１２０と、太陽ギア１３０と、複数のキャリア１４０と、上定盤１５０と、下定盤１６０とを備える。
【００５２】
図８に示すように、インターナルギア１２０は円環状に形成されており、インターナルギア１２０には内周部に沿って複数の歯１２０ａが形成されている。インターナルギア１２０は、図示しない駆動源により一方向に回転する。
【００５３】
太陽ギア１３０はインターナルギア１２０の中心に配置され、外周部に複数の歯１３０ａを有する。太陽ギア１３０はシャフト１７０に固定されている。シャフト１７０は、図示しない駆動源によりインターナルギア１２０と同じ方向に回転する。
【００５４】
キャリア１４０は円盤状に形成されており、外周部に形成された複数の歯１４０ａと、複数の貫通孔１４０ｂとを有する。歯１４０ａはインターナルギア１２０の歯１２０ａと太陽ギア１３０の歯１３０ａとに噛み合う。インターナルギア１２０及び太陽ギア１３０が回転することにより、キャリア１４０は軸線周りに自転しつつ太陽ギア１３０の周りを公転する。
【００５５】
キャリア１４０はカーボングラファイトにより形成されている。貫通孔１４０ｂの直径は半導体ウエハＷの直径よりも若干大きく、貫通孔１４０ｂは半導体ウエハＷを嵌脱自在に収容する。キャリア１４０の厚みは半導体ウエハＷの厚みよりも若干小さく、半導体ウエハＷが貫通孔１４０ｂに収容されると、半導体ウエハＷがキャリア１４０の両面から若干量（例えば、５０〜１００μｍ）突出する。キャリア１４０の厚みは、例えば１００μｍ〜１０ｍｍ程度にすることができる。
【００５６】
上定盤１５０は円環状に形成され、インターナルギア１２０の内側においてシャフト１７０と同軸状に配置されている。上定盤１５０の下面には研磨布１８０が貼着されている。研磨布１８０は固定手段を介して上定盤１５０の下面に貼着される。固定手段としては、例えば耐熱エポキシ系接着剤等の接着剤や両面テープを用いることができる。研磨布１８０の材質は特に限定されないが、例えば、第１実施形態の研磨布３０と同じものを使用することができる。
【００５７】
下定盤１６０は円環状に形成され、インターナルギア１２０の内側においてシャフト１７０と同軸状に配置されている。下定盤１６０の上面には上定盤１５０と同じ材質の研磨布１８０が貼着されている。研磨布１８０は固定手段を介して下定盤１９０の上面に貼着される。固定手段としては、例えば耐熱エポキシ系接着剤等の接着剤や両面テープを用いることができる。上定盤１５０、下定盤１６０、及び研磨布１８０は、本発明の研磨手段として機能する。
【００５８】
上定盤１５０と下定盤１６０とは上下に接離可能となっている。キャリア１４０に保持された半導体ウエハＷは、上定盤１５０と下定盤１６０とにより挟み込まれて加圧される。上定盤１５０と下定盤１６０は、図示しない駆動源により、キャリア１４０の公転方向と逆方向に回転する。
【００５９】
次に、半導体研磨装置１１０の使用方法を説明する。まず、上定盤１５０と下定盤１６０とを離間させた状態で、各キャリア１４０の貫通孔１４０ｂに半導体ウエハＷを収容する。次に、上定盤１５０と下定盤１６０とを接近させ、キャリア１４０に保持された半導体ウエハＷを上定盤１５０と下定盤１６０とにより挟み込む。そして、各研磨布１８０に研磨液を供給しながらインターナルギア１２０及び太陽ギア１３０を回転させ、各キャリア１４０を自転及び公転させる。上定盤１５０と下定盤１６０とを同時に回転させることにより、各キャリア１４０に保持された半導体ウエハＷの両面が同時に研磨される。
【００６０】
キャリア１４０はカーボングラファイトで形成されているため、従来のガラスエポキシ製のキャリアに比べて、強度、耐熱性及び耐酸性が高い。したがって、キャリア１４０の薄型化や貫通孔１４０ｂの大径化を図っても、必要な強度を確保し易く、半導体ウエハＷの薄型化や大径化に対応し易い。
【００６１】
以上、本発明の具体的な実施形態を説明したが、本発明は図１〜図８に示される実施形態に限定されるものではなく、本実施形態に種々の改変を施すことができる。
【００６２】
例えば、本実施形態では、カーボングラファイトによって治具が形成された場合について説明したが、グラファイト化していない炭素繊維によって治具を形成することもできる。
【００６３】
また、本実施形態では、ＳｉＣ製の半導体ウエハを保持する治具に本発明を適用した場合について説明したが、ＳｉＣ以外の材料（例えば、Ｓｉ）により形成された半導体ウエハを保持する治具にも本発明を適用し得る。
【００６４】
また、本実施形態では、半導体ウエハを保持する冶具に本発明を適用した場合について説明したが、半導体ウエハ以外のワーク（例えば、コンピュータ外部記憶装置の担体であるアルミディスク、液体表示装置に使用される超薄板状ガラスウエハ）を保持する治具にも本発明を適用し得る。
【００６５】
また、本実施形態では、ワーク保持用治具にワークを保持する貫通孔を３〜４個形成した場合について説明したが、ワーク保持用治具に２個以下又は５個以上の貫通孔を形成してもよい。
【００６６】
その他にも、本発明の要旨を逸脱しない範囲で本実施形態に種々の改変を施すことができる。
【符号の説明】
【００６７】
１０      半導体研磨装置
２０      定盤（研磨手段）
３０      研磨布（研磨手段）
４０      ウエハ保持具
４１      プレート保持部
４２      支持プレート（支持部材）
４３      バックパッド
４４      テンプレート
４４’    テンプレート
４４ａ    貫通孔
４４ａａ  内周面
４４ｃ    外周角部
４４ｄ    面取り部
４４ｅ    ストッパー
１１０      半導体研磨装置
１２０      インターナルギア
１２０ａ    歯
１３０      太陽ギア
１３０ａ    歯
１４０      キャリア
１４０ａ    歯
１４０ｂ    貫通孔
１５０      上定盤（研磨手段）
１６０      下定盤（研磨手段）
１８０      研磨布（研磨手段）
Ｗ    半導体ウエハ（ワーク）
【図１】
0005864823.tif 000002
【図２】
0005864823.tif 000003
【図３】
0005864823.tif 000004
【図４】
0005864823.tif 000005
【図５】
0005864823.tif 000006
【図６】
0005864823.tif 000007
【図７】
0005864823.tif 000008
【図８】
0005864823.tif 000009