(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面中央部に半導体素子が搭載される半導体素子搭載部を有する絶縁基板と、前記半導体素子搭載部に配設された複数の半導体素子接続パッドと、前記絶縁基板の上面に、前記半導体素子接続パッドの各々を個別に露出させる複数の第１の開口部を有するように被着された第１のソルダーレジスト層と、該第１のソルダーレジスト層上に、前記半導体素子搭載部を囲繞するとともに前記複数の半導体素子接続パッドを一括して露出させる第２の開口部を有するようにして被着されており、前記半導体素子接続パッドの上面より高い上面を有する第２のソルダーレジスト層と、前記半導体素子接続パッド上に溶着されており、頭頂部が平坦化された半田バンプとを備える配線基板の製造方法であって、前記絶縁基板の上面に前記半導体素子接続パッドおよび前記第１および第２のソルダーレジスト層を形成する工程と、前記半導体素子接続パッド上に前記第２のソルダーレジスト層の上面よりも突出する高さの半田バンプを溶着する工程と、前記第２のソルダーレジスト層上および前記半田バンプ上に、前記第２のソルダーレジスト層を弾性変形で凹ませつつ前記半田バンプの頭頂部を塑性変形で押し潰すように押圧ローラーを転動させることにより前記頭頂部を、前記第１のソルダーレジスト層の上面より高い位置となるとともに前記第２のソルダーレジスト層の上面より低い位置となるように平坦化する工程とを行なうことを特徴とする配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路素子等の半導体素子を搭載するための高密度配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯型のゲーム機や通信機器に代表される電子機器の小型、高機能化が進む中、それらに使用される配線基板にも小型、高機能化が要求されるようになっている。このような要求に対し、例えば半導体集積回路素子等の半導体素子を搭載する配線基板の上面に、さらに別の電気基板が半導体素子を覆うようにして積載された、いわゆるＰｏＰ（Ｐａｃｋａｇｅ  ｏｎ  Ｐａｃｋａｇｅ）とよばれる複合構造の電子部品がある。
【０００３】
このような電子部品において、半導体素子を搭載するための下側の配線基板は、その上面中央部に半導体素子を搭載するための半導体素子搭載部が形成されているとともに、この半導体素子搭載部を取り囲む上面外周部に上側の電気基板が搭載される電気基板搭載部を有している。そして、半導体素子搭載部には半導体素子の下面に設けた電極が半田バンプを介して接続される半導体素子接続パッドが、例えば縦横の並びの格子状の配列で形成されている。また、電気基板搭載部には電気基板の下面外周部に設けた接続端子が半田ボールを介して接続される電気基板接続パッドが、例えば枠状に並ぶ格子状の配列で形成されている。さらに、配線基板の上面には半導体素子接続パッドおよび電気基板接続パッドを露出させる開口部を有するソルダーレジスト層が被着されている。
【０００４】
このような電子部品に用いられる配線基板上面に半導体素子を搭載するときには、半導体素子接続パッド上に、半田バンプを予め溶着しておき、その半田バンプ上に半導体素子の電極を載せた後、リフロー処理により接続する周知のフリップチップ法が好適に用いられる。なお、半田バンプ上に半導体素子の電極を載せる際には、半田バンプの頭頂部を例えば配線基板よりも大きな平坦なプレス面を有する平坦化装置によりプレスして予め平坦化しておくことが一般的に行なわれている。半田バンプの頭頂部を予め平坦化しておくことによって、半導体素子の電極を半田バンプ上に載せた際に電極が半田バンプ上から滑り落ちることを有効に防止して安定した状態で載せることができる。また半導体素子を搭載した後は、半導体素子と配線基板との隙間にアンダーフィルと呼ばれる封止樹脂を注入する。さらに、半導体素子が搭載された配線基板に電気基板を搭載するときには、電気基板の下面の接続パッドに半田ボールを予め溶着させておくとともに、配線基板の電気基板接続パッド上に、電気基板に溶着させた半田ボールを載せた後、リフロー処理により接続する方法が用いられる。
【０００５】
ところで、上述したように、半導体素子の電極と半導体素子接続パッドとを接続した後は、半導体素子と配線基板との間に樹脂を注入して封止することで半導体素子の電極や接続パッドを保護する。このとき、封止用の樹脂は注入の際に流動性を有することから、一部が搭載部からはみ出して配線基板上の周囲に広がった後に固着することがある。しかし、この樹脂が、搭載部周囲の電気基板接続パッドにまで到達して固着すると、電気基板の接続に支障をきたしてしまう。そこで、そのような支障を回避するため、電気基板搭載部におけるソルダーレジスト層の厚みを半導体素子搭載部におけるソルダーレジスト層の厚みよりも１０〜３０μｍ程度厚くして半導体素子搭載部を厚みの厚いソルダーレジスト層で囲繞することによりアンダーフィル樹脂の半導体素子搭載部の外側への広がりを防止する構造をとる場合がある。
【０００６】
ところが、上述のように半導体素子搭載部を厚みの厚いソルダーレジスト層で囲繞すると、半導体素子接続パッドに半田バンプを溶着させた際に、半田バンプの頭頂部が半導体素子搭載部周囲のソルダーレジスト層の上面から突出する高さがその分、低くなってしまう。すると半田バンプの頭頂部を平坦化する際に、平坦化装置の平坦なプレス面が半導体素子搭載部周囲の厚みの厚いソルダーレジスト層の上面に当ってしまい、半田バンプの頭頂部を十分に平坦化することが困難となる。半田バンプの頭頂部における平坦化が不十分であると、半導体素子の電極を半田バンプ上に載せた際に電極が半田バンプ上から滑り落ちる危険性が高くなり安定した状態で載せることができなくなる。その結果、半導体素子の電極と半導体素子接続パッドとを電気的に良好に接続することができないおそれがあった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平６−２２４５４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、半導体素子を搭載する半導体素子搭載部の周囲が厚みの厚いソルダーレジスト層で囲繞されている場合であっても、半導体素子接続パッドに溶着された半田バンプの頭頂部を十分に平坦化することができ、それにより半田バンプ上に半導体素子の電極を安定した状態で載せて半導体素子の電極と半導体素子接続パッドとを電気的に良好に接続することが可能な配線基板の製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明における配線基板の製造方法は、上面中央部に半導体素子が搭載される半導体素子搭載部を有する絶縁基板と、半導体素子搭載部に配設された複数の半導体素子接続パッドと、絶縁基板の上面に、前記半導体素子接続パッドの各々を個別に露出させる複数の第１の開口部を有するように被着された第１のソルダーレジスト層と、第１のソルダーレジスト層上に、半導体素子搭載部を囲繞するとともに複数の半導体素子接続パッドを一括して露出させる第２の開口部を有するようにして被着されており、半導体素子接続パッドの上面より高い上面を有する第２のソルダーレジスト層と、半導体素子接続パッド上に溶着されており、頭頂部が平坦化された半田バンプとを備える配線基板の製造方法であって、絶縁基板の上面に半導体素子接続パッドおよび第１および第２のソルダーレジスト層を形成する工程と、半導体素子接続パッド上に第２のソルダーレジスト層の上面よりも突出する高さの半田バンプを溶着する工程と、第２のソルダーレジスト層上および半田バンプ上に、第２のソルダーレジスト層を弾性変形で凹ませつつ半田バンプの頭頂部を塑性変形で押し潰すように押圧ローラーを転動させることにより頭頂部を、第１のソルダーレジスト層の上面より高い位置となるとともに第２のソルダーレジスト層の上面より低い位置となるように平坦化する工程とを行なうことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の配線基板の製造方法によれば、押圧ローラーが半導体素子搭載部を囲繞する第２のソルダーレジスト層を弾性変形で凹ませつつ半田バンプの頭頂部を塑性変形で押し潰すように転動させることから、押圧ローラーが転動した後の第２のソルダーレジスト層は弾性力により転動前の高さに復元するとともに、半田バンプの頭頂部は平坦に塑性変形される。これにより、半田バンプの頭頂部を安定的に平坦化することができ、それにより半田バンプ上に半導体素子の電極を安定した状態で載せて半導体素子の電極と半導体素子接続パッドとを電気的に良好に接続することが可能な配線基板の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、本発明の配線基板の実施の形態の一例を示す概略断面図である。
【図２】図２（ａ）〜（ｄ）は、本発明の配線基板の製造方法の実施形態の一例を示す概略断面図である。
【図３】図３（ｅ）〜（ｇ）は、本発明の配線基板の製造方法の実施形態の一例を示す概略断面図および概略側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
次に、本発明の配線基板の製造方法の実施形態の一例を図１〜図３を基にして詳細に説明する。
【００１３】
図１に本発明配線基板の製造方法により接続された配線基板１０を用いた電子部品の概略断面図を示す。配線基板１０は、コア用の絶縁層１の両主面にビルドアップ用の絶縁層３が複数層ずつ積層されて成る絶縁基板Ｓの内部および表面にコア用の配線導体２とビルドアップ用の配線導体４を配設して成る。コア用の絶縁層１は例えばガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた電気絶縁材料から成り、コア用の配線導体２は例えば銅箔や銅めっき層から成る。またビルドアップ用の絶縁層３は例えばエポキシ樹脂やポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂を含有する電気絶縁材料から成り、ビルドアップ用の配線導体４は例えば銅めっき層から成る。
【００１４】
配線基板１０の上面中央部には、半導体素子Ｅがフリップチップ接続により搭載される半導体素子搭載部１０ａが形成されている。半導体素子搭載部１０ａには、半導体素子Ｅの電極Ｔ１に接続される半導体素子接続パッド６が形成されている。また、配線基板１０の上面外周部には、電気基板Ｃが搭載される電気基板搭載部１０ｂが形成されている。電気基板搭載部１０ｂには電気基板Ｃの接続端子Ｔ２が接続される電気基板接続パッド７が形成されている。これらの半導体素子接続パッド６および電気基板接続パッド７は、最表層に形成された配線導体４の一部から形成されている。
【００１５】
さらに配線基板１０の上面には、半導体素子接続パッド６および電気基板接続パッド７を露出させる開口部を有するようにしてソルダーレジスト層５が形成されている。ソルダーレジスト層５は、半導体素子搭載部１０ａから電気基板搭載部１０ｂを含む領域にわたり形成された第１のソルダーレジスト層５ａと、この第１のソルダーレジスト５ａ上の電気基板搭載部１０ｂに半導体素子搭載部１０ａを囲繞するように形成された第２のソルダーレジスト層５ｂとを積層した２層構造を有しており、それにより半導体素子搭載部１０ａで薄く、その周囲で厚くなっている。なお、第１のソルダーレジスト層５ａの厚みは５〜２０μｍ程度である。また第２のソルダーレジスト層５ｂの厚みは１０〜３０μｍ程度である。このようなソルダーレジスト層５は、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂を含有する電気絶縁材料から成り、好ましくは３〜６ＧＰａの弾性率を有する。
【００１６】
そして、半導体素子搭載部１０ａには半導体素子Ｅが半田バンプＢ１を介して搭載される。また、電気基板搭載部１０ｂには電気基板Ｃが半田ボールＢ２を介して搭載される。なお、半導体素子搭載部１０ａに半導体素子Ｅを搭載するには、半導体素子接続パッド６上に半田バンプＢ１を予め溶着しておくとともにその頭頂部を平坦化した後、半田バンプＢ１上に半導体素子Ｅの電極Ｔ１を載せてリフロー処理する方法が採用される。また電気基板搭載部１０ｂに電気基板Ｃを搭載するには、電気基板Ｃの接続端子Ｔ２に半田ボールＢ２を予め溶着しておくとともにその半田ボールＢ２を電気基板接続パッド７上に載せてリフロー処理する方法が採用される。なお半導体素子Ｅを搭載した後は、半導体素子Ｅと配線基板１０との間にアンダーフィルと呼ばれる封止樹脂Ｇを注入する。このとき、半導体素子搭載部１０ａは厚みの厚い第２のソルダーレジスト層５ｂで囲繞されているので、封止樹脂Ｇの広がりは第２のソルダーレジスト５ｂの内周面でせき止められて電気基板接続パッド７に到達することはない。したがって、封止樹脂Ｇが配線基板１０と電気基板Ｃとの接続に支障をきたすようなことはない。
【００１７】
次に、本発明の配線基板の製造方法の一例について、図２（ａ）〜（ｄ）および図３（ｅ）〜（ｇ）を基にして詳細に説明する。なお、本説明においては、半田バンプの平坦化方法を中心に説明する。また、図１と同様の個所には同様の符号を付して説明する。
【００１８】
まず、図２（ａ）に示すように、絶縁基板Ｓの上面に半導体素子接続パッド６および電気基板接続パッド７を形成する。このような半導体素子接続パッド６および電気基板接続パッド７は、例えば周知のセミアディティブ法を用いることにより形成できる。
【００１９】
次に、図２（ｂ）に示すように、絶縁基板Ｓの表面に半導体素子接続パッド６および電気基板接続パッド７の中央部を露出させる開口部を有する第１のソルダーレジスト層５ａを形成する。第１のソルダーレジスト層５ａの形成は、絶縁基板Ｓの表面にソルダーレジスト用の感光性の樹脂フィルムを貼着するとともに、これを周知のフォトリソグラフィ技術を用いて所定のパターンに露光および現像した後、硬化させることにより行なう。なお絶縁基板Ｓの上面中央部に配設された接続パッド６の形成領域は、半導体素子Ｅが搭載される半導体素子搭載部１０ａとなり、電気基板接続パッド７の形成領域は電気基板Ｃが搭載される電気回路搭載部１０ｂとなる。
【００２０】
次に、図２（ｃ）に示すように、電気基板搭載部１０ｂにおける第１のソルダーレジスト層５ａの上面に、電気基板接続パッド７を露出させる開口部を有するとともに半導体素子搭載部１０ａを囲繞する第２のソルダーレジスト層５ｂを形成する。ソルダーレジスト５ｂの形成は、ソルダーレジスト５ａの場合と同様の方法により行なえばよい。
【００２１】
次に、図２（ｄ）に示すように、第１のソルダーレジスト層５ａの開口部から露出した接続パッド６上に半田バンプＢ１を溶着する。このとき、半田バンプＢ１の頭頂部が第２のソルダーレジスト層５ｂの上面よりも若干高く形成されるようにする。半田バンプＢ１は、周知の印刷技術により接続パッド６上に半田ペーストを塗布した後に、リフロー処理することにより形成される。
【００２２】
次に、図３（ｅ）および図３（ｆ）に示すように、第２のソルダーレジスト層５ｂ上および半田バンプＢ１上に押圧ローラーＲを上方から押さえながら転動させて、図３（ｇ）に示すように半田バンプＢ１の頭頂部を平坦化する。押圧ローラーＲは、例えば直径が１０〜３０ｍｍ程度の円柱状のステンレスから成る。なお、押圧ローラーＲが転動している方向の前面から見た状態を図３（ｅ）に示し、側面から見た状態を図３（ｆ）に示している。押圧ローラーＲは、第２のソルダーレジスト層５ｂおよび半田バンプＢ１を上方から押さえながら矢印の方向に転動しているが、このとき、押圧ローラーＲが第２のソルダーレジスト層５ｂを弾性変形で凹ませつつ半田バンプＢ１の頭頂部を塑性変形で押し潰すようにする。第２のソルダーレジスト層５ｂを弾性変形で凹ませながら押圧ローラーＲを転動させることにより、半導体素子搭載部１０ａ内の半田バンプＢ１の頭頂部をソルダーレジスト層５ａの上面よりも低い位置まで押しつぶして良好に平坦化することが可能となる。押圧ローラーＲが転動した後は、第２のソルダーレジスト層５ｂは弾性力により元の高さに復元するが、半田バンプＢ１の頭頂部は第２のソルダーレジスト層５ｂの上面よりも低い位置で平坦に塑性変形されたままとなる。したがって本発明によれば、半導体素子接続パッドに溶着された半田バンプの頭頂部を十分に平坦化することができ、それにより半田バンプ上に半導体素子の電極を安定した状態で載せて半導体素子の電極と半導体素子接続パッドとを電気的に良好に接続することが可能な配線基板の製造方法を提供することができる。
【００２３】
なお、押圧ローラーＲの直径が１０ｍｍを未満であると、押圧ローラーＲ自体が転動に伴い撓んで半田バンプＢ１を良好に平坦化できなくなる危険性が高くなり、逆に３０ｍｍを超えると、ソルダーレジスト層５ｂ上を上方から押さえながら転動する際にソルダーレジスト層５ｂを弾性変形で良好に凹ますことが困難となる。したがって、押圧ローラーＲの直径は１０〜３０ｍｍの範囲が好ましい。
【符号の説明】
【００２４】
５          ソルダーレジスト層
６          半導体素子接続パッド
１０        配線基板
１０ａ      半導体素子搭載部
Ｂ１        半田バンプ
Ｅ          半導体素子
Ｒ          押圧ローラー
Ｓ          絶縁基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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