(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の実装平面と、前記第１の実装平面に位置する少なくとも１つの第１の接地パッドと、前記第１の実装平面に位置する第１の所定領域とを含む配線基板を提供する工程と、
前記第１の所定領域内に第１のテープを貼着する工程と、
前記第１の所定領域以外の前記第１の実装平面に少なくとも１つの電子素子を設ける工程と、
前記第１の実装平面に、前記第１のテープと各前記電子素子とを覆う第１の封止体を形成する工程と、
前記第１の所定領域に位置する前記第１の封止体を除去する工程と、
前記第１のテープを除去する工程と、
前記第１の所定領域内に第１のマスク層を形成する工程と、
各前記第１の接地パッドと電気的に接続させる第１の電磁遮蔽層を形成する工程と、
前記第１のマスク層を除去する工程と、
前記第１の所定領域内に少なくとも１つの光電素子を設ける工程と
を含むことを特徴とする電子部品実装モジュールの製造方法。
【請求項２】
第２の実装平面と、前記第２の実装平面に位置する少なくとも１つの第２の接地パッドと、前記第２の実装平面に位置する第２の所定領域とを含む前記配線基板を提供する工程と、
前記第２の所定領域内に第２のテープを貼着する工程と、
前記第２の所定領域以外の前記第２の実装平面に各前記電子素子を設ける工程と、
前記第２の実装平面に、前記第２のテープと各前記電子素子とを覆う第２の封止体を形成する工程と、
前記第２の所定領域に位置する前記第２の封止体を除去する工程と、
前記第２のテープを除去する工程と
を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の電子部品実装モジュールの製造方法。
【請求項３】
前記第１の所定領域内に前記第１のテープを貼着する前に、
前記配線基板の全面に完全な第１のテープを貼着する工程と、
各前記第１の接地パッドの上方に位置する前記完全な第１のテープにレーザーで溝を形成する工程と、
前記第１の所定領域以外に位置する前記完全な第１のテープを除去する工程と
を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の電子部品実装モジュールの製造方法。
【請求項４】
前記第１のテープを除去する工程において、前記第１のテープを加熱することで脱落させることを特徴とする請求項１に記載の電子部品実装モジュールの製造方法。
【請求項５】
前記第１のテープはＵＶテープであり、
前記第１のテープを除去する工程において、前記第１のテープに紫外線を照射することを特徴とする請求項１に記載の電子部品実装モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品実装モジュールの製造方法に関し、特に電子素子を選択的に封止することができる電子部品実装モジュールの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、電子部品実装モジュールは、通常、回路基板と回路基板にマウントされた複数の電子素子とを含む。これら電子素子は、例えばチップパッケージ（ｃｈｉｐ  ｐａｃｋａｇｅ）又は受動素子等である。また、大多数の電子部品実装モジュールは、通常、上述した電子素子を保護するように被覆するための封止体（ｍｏｌｄｉｎｇ  ｃｏｍｐｏｕｎｄ）を更に含む。
【０００３】
しかしながら、電子素子、特に、例えば相補型金属酸化膜半導体イメージセンサ（ＣＭＯＳ  Ｉｍａｇｅ  Ｓｅｎｓｏｒ、ＣＩＳ）、電荷結合素子等のイメージセンサ素子や発光ダイオードなどの発光素子といった光電素子は、封止体に被覆されることで光電素子の動作に影響が生じることを回避するために、封止体によって被覆されないほうが好ましい。そこで、封止体の形成と光電素子の動作に対する需要を満たすために、「部分封止」技術が提供されている。
【０００４】
従来の「部分封止」技術は、金型を利用して実現するものが一般的である。例えば、先ずマスクのような金型を光電素子に被せた上で、モールド樹脂を注入して封止体を完成させる。しかしながら、流体の粘性の影響を受け、充填されたモールド樹脂は金型キャビティや回路基板の素子同士の間隙において気泡やボイド（Ｖｏｉｄ）が生じやすく、気泡やボイド内に蓄積された水分によって、後続の熱工程においてポップコーン（ｐｏｐｃｏｒｎ）現象が引き起こされ、製品の歩留まりが低下する問題があった。また、金型を使用して封止を完了した後は、金型を取り外す必要があるが、通常、金型を取り外せるように、金型には予め抜き勾配（ｄｒａｆｔ  ａｎｇｌｅ）が設けられなければならず、封止体と回路基板との挟角を通常約７０度とする必要がある。これにより、ＰＣＢの使用面積が低下し、また封止形状が異なるたびに金型を作製し直さなければならないのみならず、所要の形状が不規則である場合には、金型開発の難易度とコストが更に大幅に増大する問題があった。
【０００５】
従って、業界において、簡便且つ異なる形状に対する需要に対応可能なモジュール実装方法であると同時に局部又は選択的モールド（ｐａｒｔｉａｌ  ｏｒ  ｓｅｌｅｃｔｉｖｅ  ｍｏｌｄｉｎｇ）に適用可能な新たな技術が求められている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、電子素子を選択的に封止することができる電子部品実装モジュールの製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る電子部品実装モジュールの製造方法は、実装平面と、接地パッドと、実装平面に位置すると共に接地パッドが隣接して設けられる所定領域とを含む配線基板を提供する工程と、所定領域内にテープを貼着する工程と、非光電タイプの電子素子を配線基板の所定領域以外の箇所に設ける工程と、実装平面にテープと電子素子とを覆う封止体を形成する工程と、所定領域及び接地パッドの上方のテープと封止体とを除去する工程とを含む。
【発明の効果】
【０００９】
上述した配置により、本発明に係る電子部品実装モジュールの製造方法では、複雑な金型を作製したり煩雑な工程を経たりすることなく、選択的に封止することが可能であり、封止を要する領域にのみ封止体及び金属被膜（ｍｅｔａｌ  ｃｏａｔｉｎｇ）を形成することにより、電磁干渉（ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ  ｄｉｓｔｕｒｂａｎｃｅ、ＥＭＩ）に対する保護と、封止体に被覆されることで生じる光電素子の動作への影響の回避とを同時に両立することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１Ａ】本発明の１つの実施例に係る電子部品実装モジュールの製造方法の詳細な工程分解図である。
【図１Ｂ】本発明の１つの実施例に係る電子部品実装モジュールの製造方法の詳細な工程分解図である。
【図１Ｃ】本発明の１つの実施例に係る電子部品実装モジュールの製造方法の詳細な工程分解図である。
【図１Ｄ】本発明の１つの実施例に係る電子部品実装モジュールの製造方法の詳細な工程分解図である。
【図１Ｅ】本発明の１つの実施例に係る電子部品実装モジュールの製造方法の詳細な工程分解図である。
【図２】本発明の１つの実施例に係る電子部品実装モジュールの製造方法の不規則所定領域への適用を示した図である。
【図３Ａ】所定領域内に光電素子を形成する１つの実施例の詳細な工程断面図である。
【図３Ｂ】所定領域内に光電素子を形成する１つの実施例の詳細な工程断面図である。
【図３Ｃ】所定領域内に光電素子を形成する１つの実施例の詳細な工程断面図である。
【図３Ｄ】所定領域内に光電素子を形成する１つの実施例の詳細な工程断面図である。
【図３Ｅ】所定領域内に光電素子を形成する１つの実施例の詳細な工程断面図である。
【図４Ａ】所定領域内に光電素子を形成する他の実施例の詳細な工程断面図である。
【図４Ｂ】所定領域内に光電素子を形成する他の実施例の詳細な工程断面図である。
【図４Ｃ】所定領域内に光電素子を形成する他の実施例の詳細な工程断面図である。
【図４Ｄ】所定領域内に光電素子を形成する他の実施例の詳細な工程断面図である。
【図５】本発明に係る電子部品実装モジュールの製造方法において側部接地パッドを含む実施例の断面図である。
【図６Ａ】本発明に係る電子部品実装モジュールの製造方法を両面基板実装に適用した実施例の詳細な工程断面図である。
【図６Ｂ】本発明に係る電子部品実装モジュールの製造方法を両面基板実装に適用した実施例の詳細な工程断面図である。
【図６Ｃ】本発明に係る電子部品実装モジュールの製造方法を両面基板実装に適用した実施例の詳細な工程断面図である。
【図６Ｄ】本発明に係る電子部品実装モジュールの製造方法を両面基板実装に適用した実施例の詳細な工程断面図である。
【図６Ｅ】本発明に係る電子部品実装モジュールの製造方法を両面基板実装に適用した実施例の詳細な工程断面図である。
【図６Ｆ】本発明に係る電子部品実装モジュールの製造方法を両面基板実装に適用した実施例の詳細な工程断面図である。
【図６Ｇ】本発明に係る電子部品実装モジュールの製造方法を両面基板実装に適用した実施例の詳細な工程断面図である。
【図６Ｈ】本発明に係る電子部品実装モジュールの製造方法を両面基板実装に適用した実施例の詳細な工程断面図である。
【図６Ｉ】本発明に係る電子部品実装モジュールの製造方法を両面基板実装に適用した実施例の詳細な工程断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
図１Ａ乃至図１Ｅを用いて説明する。図１Ａ、図１Ｃ及び図１Ｅは、本実施例に係る電子部品実装モジュールの製造プロセスを示す構造断面図である。図１Ｂ及び図１Ｄは、本実施例に係る電子部品実装モジュールの製造プロセスを示す構造上面図である。
【００１２】
図１Ａ及び図１Ｂに示すように、本実施例において、本発明に係る電子部品実装モジュールの製造方法では、先ず配線基板１１を準備する。配線基板１１は、実装平面１２と、実装平面１２に位置する所定領域１０１と、接地パッド１１１とを有する。本実施例では、接地パッド１１１が所定領域１０１の周囲を囲繞することを例に説明する。好ましい実施例において、接地パッド１１１の幅は２００μｍであるが、これに限定されず、接地パッド１１１の位置及び形状、寸法は必要に応じて異なる構成としてもよい。
【００１３】
先ず、所定領域内にテープを貼着するにあたっては、所定領域１０１内に適切なサイズのテープを直接貼着してもよく、或いは、先ず大きな完全なテープ全面を配線基板１１に貼着した上で、レーザーで所定領域の縁にあたるテープに溝を形成し、その後、所定領域１０１以外のテープを除去することで、所定領域１０１内にテープ１３を貼着する目的を達成してもよい。
【００１４】
電子素子２１を実装平面１２における所定領域１０１以外の領域にマウントする。その実装方法としては表面実装技術（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｍｏｕｎｔ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、ＳＭＴ）を採用してもよい。また、電子素子２１としては例えば各種能動素子、受動素子といった光電素子以外の素子であってもよいが、これらに限定されない。本発明において、光電素子とは、例えばＣＭＯＳイメージセンサ及びＣＣＤ等のイメージセンサ素子並びに発光ダイオード等の発光素子といった封止体によって完全に被覆されるのに適していない素子を指す。また、例えばコネクタ、ジャック、プラグといった封止体によって完全に被覆されるのに適していないその他のエレメントを所定領域に設けることも本発明の概念に含まれる。また、本発明においては、封止体によって被覆されるのに適しているものを電子素子と称する。
【００１５】
また、図２に示すように、本発明に係る電子部品実装モジュールの製造方法の１つの実施例において、所定領域１０２は不規則所定領域である。即ち、この所定領域１０２は、不規則形状である。従って、所定領域は、数、面積の大きさ及び形状において制限はなく、図面に示す形状は本発明の説明の便宜上用いるものに過ぎない。所定領域は、主として後続の製造工程において封止体１５によって覆われるのに適していない光電素子の位置に基づいて構成される。従って、以下に述べる詳細な実施内容は、所定領域１０１、１０２のいずれにも適用されることができる。
【００１６】
図１Ａ及び図１Ｂに示すように、前述した工程が完了した後、配線基板１１全体に封止体１５を形成する。封止体１５は、テープ１３と配線基板１１を覆うと共に、所定領域１０１以外に位置する電子素子２１及び接地パッド１１１を更に覆う。封止体１５の形成にあたっては、一般的なトランスファー成形又は圧縮成形を採用してもよい。テープ１３の貼付範囲は、接地パッド１１１の一部を覆ってもよく、又は、接地パッド１１１に隣接して覆わないようにしてもよいが、これらに限定されない。
【００１７】
次いで図１Ｃ及び図１Ｄに示すように、封止体１５を形成した後、レーザーで所定領域１０１の周囲の封止体１５に溝を形成する。即ち、接地パッド１１１の範囲に沿って溝を切り出す。好ましい実施例において、溝の幅は約１００μｍである。接地パッド１１１は金属層である。封止体１５は通常、主として樹脂である。従って、接地パッド１１１と封止体１５のレーザー吸収率の違いを利用することで、接地パッド１１１をレーザー切断の終端とすることができる。但し、本発明はこの概念に限定されず、封止体１５のみを切断して配線基板１１を残すことを達成することができる手段でありさえすればよい。例えば、外形切断を利用することで封止体１５に溝を形成してもよい。本発明では、レーザー切断を採用し、封止体に予め抜き角（例えば約２０度）を設ける必要はない。従って、溝を形成した後、封止体１５の所定領域１０１に面する側の側壁と実装平面１２とで形成される挟角αは、８５度〜９０度とすることができ、従来の封止体と回路基板との挟角に比べて、挟角αはより９０度に近くなる。
【００１８】
選択使用したテープが薄膜であり、その厚さが例えば２０〜５０μｍである場合、テープ１３を除去しさえすれば、封止体１５のみを配線基板１１の所定領域以外の位置に残すことを達成することができる。テープ１３は、熱剥離テープ又はＵＶテープ（ＵＶ  ｔａｐｅ）であってもよい。熱剥離テープは、熱を利用することで除去することができる。好ましい実施例において、環境温度を約１７５℃にまで加熱させた上で、任意の吸引装置を利用すればテープを除去することができる。ＵＶテープは、紫外光を照射することで除去することができる。但し、本発明は、この２種類のテープに限定されない。
【００１９】
本発明の他の実施例において、選択使用したテープが厚い膜であり、その厚さが例えば０．２ｍｍである場合、レーザーで所定領域の上方の封止体１５に溝を形成した後、レーザーで所定領域１０１上の封止体１５（即ち、テープ１３上の封止体１５）を更に修正することができる。即ち、所定領域１０１上の封止体１５を除去することができる。その後、再度テープ１３を除去することで、封止体１５のみを配線基板１１の所定領域１０１以外の位置に残すことを達成することができる。
【００２０】
本発明の他の実施例において、所定領域１０１以外の封止体１５を電磁遮蔽層１９で覆うと共に電磁遮蔽層１９を接地パッド１１１と電気的に接続させる工程と、所定領域１０１内に光電素子２２を設ける工程とを更に含む。
【００２１】
図３Ａ乃至図３Ｅは、本発明の所定領域１０１内に光電素子２２を形成する実施例のフローを示す図及び断面図である。本実施例において、前述した実施例に続いてテープ１３を除去した後（図３Ａに示す）、所定領域１０１内の実装平面１２にマスク層１８を設ける（図３Ｂに示す）。マスク層１８の材質は特に限定されず、後続の除去を行うのに便利であればよい。次いで、全面的に電磁遮蔽層１９を形成する（図３Ｃに示す）。電磁遮蔽層１９の形成には、スプレーコーティング（ｓｐｒａｙ  ｃｏａｔｉｎｇ）、無電解めっき（ｅｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓ  ｐｌａｔｉｎｇ）又はスパッタリング（Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）等の方式を採用してもよいが、これらに限定されず、電磁遮蔽層１９と接地パッド１１１との電気的接続を保持できるものであればよい。このように、マスク層１８を除去しさえすれば、所定領域１０１以外の封止体１５を電磁遮蔽層１９で覆うと共に電磁遮蔽層１９を接地パッド１１１と電気的に接続させる目的を達成することができ（図３Ｄに示す）、ひいては電子素子２１に対して金属遮蔽効果を奏することができる。その後、光電素子２２を所定領域１０１内に設ける（図３Ｅに示す）。光電素子２２は、表面実装技術（ＳＭＴ）によって設けてもよいが、それに限定されない。これにより、光電素子２２は封止体によって被覆されることがなく、電子素子２１は電磁干渉（ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ  ｄｉｓｔｕｒｂａｎｃｅ、ＥＭＩ）を回避することができる。
【００２２】
本発明の他の実施例において、図４Ａ乃至図４Ｄは、本発明の所定領域１０１内に光電素子２２を形成する他の実施例のフローを示す図及び断面図である。本実施例において、前述した実施例におけるレーザーで所定領域１０１の周囲の封止体１５に溝を形成する工程の後（図４Ａに示す）、直接全面的に電磁遮蔽層１９を形成する（図４Ｂに示す）。電磁遮蔽層１９の形成方法については、前述と同様であるためここでは省略するが、電磁遮蔽層１９と接地パッド１１１との電気的接続を保持できるものであればよい。次いで、テープ１３を除去すれば、所定領域１０１以外の封止体１５を電磁遮蔽層１９で覆うと共に電磁遮蔽層１９を接地パッド１１１と電気的に接続させる目的を達成することができ（図４Ｃに示す）、ひいては電子素子２１に対して金属遮蔽効果を奏することができる。その後、光電素子２２を所定領域１０１内に設ける（図４Ｄに示す）。光電素子２２の設置方法については、前述と同様である。これにより、前述した実施例と比べて、本実施例では、製造工程において更に多くの工程を省略し、時間及び原料等のコストを節約することができる。但し、図４Ａ乃至図４Ｂの実施例では直接電磁遮蔽層１９を形成しているが、実際の適用において、各封止体１５同士の距離及び封止体１５自体の高さの影響により、電磁遮蔽層１９が接地パッド１１１と電気的に接続されない場合は、図３Ａ乃至図３Ｅに示すように、テープ１３を除去した後に光電素子２２の設置と電子素子２１の電磁干渉に対する保護を行うことができる。
【００２３】
また、図５は、本発明に係る電子部品実装モジュールの製造方法が側部接地パッド１１２を含む実施例の断面図である。図５に示すように、電磁干渉に対する保護効果を更に高めるために、本発明の前述したすべての実施例は、配線基板１１の側辺に位置する側部接地パッド１１２を更に含んでもよい。側部接地パッド１１２が形成されるタイミングや数は特に限定されず、電磁遮蔽層１９が側部接地パッド１１２とも電気的に接続されればよい。
【００２４】
図６Ａ乃至図６Ｉに示すように、以上の製造工程を応用することで、本発明は、両面の電子部品実装モジュールの製造方法に係る実施例を提供することができる。図６Ａに示すように、電子素子４１が配線基板３１の第１の表面の所定領域外に設けられており、テープ３３が所定領域内に貼着されており、接地パッド３１１が所定領域を囲繞しており、基板３１の側辺に側部接地パッド３１２が形成されている。電子素子４１の高さが低いため、配線基板３１の第１の表面に貼着されるテープ３３として厚いテープを採用してもよく、その厚さは電子素子４１よりも若干高い。
【００２５】
次いで、図６Ｂに示すように、配線基板３１の第１の表面に封止体３５を形成する。テープ３３が厚いため、封止体３５の高さはちょうどテープ３３と面一となる。これにより、封止体３５は完全に電子素子４１を覆うことができる。また、封止体３５の高さがちょうどテープ３３と面一となるため、後続の工程において電磁遮蔽層３９を形成しようとする場合、テープ上の封止体を除去する工程を省略して直接スパッタリングを行うことができる。
【００２６】
次いで、図６Ｃに示すように、配線基板３１の第１の表面に形成された封止体３５に溝を形成する。後続の工程において電磁遮蔽層３９を形成するのに便利となるように、形成する溝の幅を広くして、スパッタリングが容易となるようにしてもよい。
【００２７】
次いで、図６Ｄに示すように、配線基板３１の第１の表面における溝が形成されている封止体３５にスパッタリングを行い、次いでインク（ｉｎｋ）３７で覆う。インク３７は、製造工程において主として覆う箇所を清潔に保ち、粉塵等の不純物による汚染を回避するのに用いられる。インク３７は、インク表面に付着した物質を洗い流すように、化学溶媒で洗浄してもよい。
【００２８】
図６Ｅに示すように、配線基板３１を裏返しにして、配線基板３１の第２の表面に対する実装を開始する。先ずテープ５３を所定領域内に貼着する。第２の表面側では、第１の表面とは反対に、外周が所定領域であり、中心部分は非所定領域である。従って、接地パッド５１１は所定領域によって囲繞される内側である。また、第２の表面側の電子素子６１は高さが高いため、薄いテープ５３を採用すればよい。本実施例は、配線基板３１の両側の異なる箇所を従来十分に説明されてきたすべての好ましい適用可能面としており、電子素子の高さと所定領域の内外位置とには従属関係はなく、電子素子の高さとテープの厚さとの組み合わせもまた製造工程の便宜上構成されたものであって、状況に応じて変更することができる。
【００２９】
図６Ｆに示すように、配線基板の第２の表面の所定範囲外に電子素子６１を設けた後、封止体５５を形成することができる。次いで、図６Ｇに示すように、テープ５３をテープ５３の上の封止体５５と共に除去すると共に、第２の表面の所定領域にインク５７を別途形成する。更に、図６Ｈに示すように、配線基板全体をスパッタリングするか、又は、切断して個別の単一モジュールを形成した上で個別モジュールの頂部外表面に電磁遮蔽層５９が形成されるようにスパッタリングするかを選択的に行う。
【００３０】
次いで、図６Ｉに示すように、インク３７、５７を洗い流してから、テープ３３を除去する。これにより、基板両面がいずれも選択的に封止されると共に両面のそれぞれが完全な電磁遮蔽層３９、５９を有する配線基板３１を得ることができる。その後、光電素子６２を所定領域に設ければ、実装が完了する。
【００３１】
両面の所定領域がいずれも中心部位にある場合でも、両面に完全な電磁遮蔽層を直接形成すればよい。即ち、インク３７及び電磁遮蔽層５９を別途形成する必要はなく、基板両面のそれぞれに直接図６Ｃまでの工程を行うことができ、直接全面的に電磁遮蔽層３９を形成することができるため、製造工程を省略することができる。
【００３２】
このように、本発明に係る電子部品実装モジュールの製造方法では、後でその上に形成される封止体を除去することができるように、予めテープを配線基板及び線路に貼着することによって、配線基板に局部的に封止体を形成する目的を達成することができる。本発明に係る製造方法によって形成された局部的な封止体は、基板との間の挟角がより直角に近くなる。その後、封止体によって被覆されるのに適していない光電素子を封止体のない所定領域に設け、この封止体に電磁遮蔽層を形成する。これにより、電磁干渉に対する保護と、封止体に被覆されることで生じる光電素子の動作への影響の回避とを同時に両立することができる。ひいては、本発明を両面電子モジュールへの選択的実装に応用することで、低コストで簡便な製造工程による両面電子モジュールの選択的実装を完了することができる。
【符号の説明】
【００３３】
１０１、１０２  所定領域
１１、３１  配線基板
１１１、３１１、５１１  接地パッド
１１２、３１２  側部接地パッド
１２  実装平面
１３、３３、５３  テープ
１５、３５、５５  封止体
１８  マスク層
１９、３９、５９  電磁遮蔽層
２１、４１、６１  電子素子
２２、６２  光電素子
３７、５７  インク
α  挟角
【図１Ａ】
0005844439.tif 000002
【図１Ｂ】
0005844439.tif 000003
【図１Ｃ】
0005844439.tif 000004
【図１Ｄ】
0005844439.tif 000005
【図１Ｅ】
0005844439.tif 000006
【図２】
0005844439.tif 000007
【図３Ａ】
0005844439.tif 000008
【図３Ｂ】
0005844439.tif 000009
【図３Ｃ】
0005844439.tif 000010
【図３Ｄ】
0005844439.tif 000011
【図３Ｅ】
0005844439.tif 000012
【図４Ａ】
0005844439.tif 000013
【図４Ｂ】
0005844439.tif 000014
【図４Ｃ】
0005844439.tif 000015
【図４Ｄ】
0005844439.tif 000016
【図５】
0005844439.tif 000017
【図６Ａ】
0005844439.tif 000018
【図６Ｂ】
0005844439.tif 000019
【図６Ｃ】
0005844439.tif 000020
【図６Ｄ】
0005844439.tif 000021
【図６Ｅ】
0005844439.tif 000022
【図６Ｆ】
0005844439.tif 000023
【図６Ｇ】
0005844439.tif 000024
【図６Ｈ】
0005844439.tif 000025
【図６Ｉ】
0005844439.tif 000026