(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記化学式（１）
【化１】
0005845483.tif 000060
（式中、置換基であるＡ及びＢは、前記Ａが炭素数１〜８で直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基で前記Ｂがアルキル鎖を含有してもよいベンジルオキシ基、または前記Ａがアルキル鎖を含有してもよいベンジルオキシ基で前記Ｂが炭素数１〜８で直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基であり、Ｍ１は、水素原子、アルカリ金属、アンモニウム原子団及びそれらの混合物から選ばれる何れかである）
で示される少なくとも１種類の芳香族オキシカルボン酸が、アルミニウムで、金属錯体化及び／または金属塩化されている芳香族オキシカルボン酸金属化合物を有効成分として含有する荷電制御剤であって、
前記芳香族オキシカルボン酸金属化合物が、そのＸ線回折スペクトルにおいて、多重ピーク分離法による結晶化度を、２θ＝５°〜４０°の範囲（θはブラッグ角）で、０〜５０％とするアモルファス状であることを特徴とする荷電制御剤。
【請求項２】
下記化学式（２）
【化２】
0005845483.tif 000061
（式中、Ｒ１は、炭素数１〜８で直鎖または分岐鎖のアルキル基であり、Ｍ２は、水素原子、アルカリ金属、アンモニウム原子団及びそれらの混合物から選ばれる何れかである）
で示される少なくとも１種類の芳香族オキシカルボン酸が、アルミニウムで、金属錯体化及び／または金属塩化されている芳香族オキシカルボン酸金属化合物を有効成分として含有する荷電制御剤であって、
前記芳香族オキシカルボン酸金属化合物が、そのＸ線回折スペクトルにおいて、多重ピーク分離法による結晶化度を、２θ＝５°〜４０°の範囲（θはブラッグ角）で、０〜５０％とするアモルファス状であることを特徴とする荷電制御剤。
【請求項３】
前記芳香族オキシカルボン酸金属化合物のＸ線回折スペクトルにおいて、多重ピーク分離法による結晶化度が、２θ＝５°〜４０°の範囲（θはブラッグ角）にあって、０〜３０％であることを特徴とする請求項１または２に記載の荷電制御剤。
【請求項４】
下記化学式（１）
【化３】
0005845483.tif 000062
（式中、置換基であるＡ及びＢは、前記Ａが炭素数１〜８で直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基で前記Ｂがアルキル鎖を含有してもよいベンジルオキシ基、または前記Ａがアルキル鎖を含有してもよいベンジルオキシ基で前記Ｂが炭素数１〜８で直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基であり、Ｍ１は、水素原子、アルカリ金属、アンモニウム原子団及びそれらの混合物から選ばれる何れかである）
で示される少なくとも１種類の芳香族オキシカルボン酸と、アルミニウムを含有する金属化剤とを反応させ、金属錯体化及び／または金属塩化し、そのＸ線回折スペクトルにおいてアモルファス状である芳香族オキシカルボン酸金属化合物とする工程を有することを特徴とする荷電制御剤の製造方法。
【請求項５】
下記化学式（２）
【化４】
0005845483.tif 000063
（式中、Ｒ１は、炭素数１〜８で直鎖または分岐鎖のアルキル基であり、Ｍ２は、水素原子、アルカリ金属、アンモニウム原子団及びそれらの混合物から選ばれる何れかである。）
で示される少なくとも１種類の芳香族オキシカルボン酸と、アルミニウムを含有する金属化剤とを反応させ、金属錯体化及び／または金属塩化し、そのＸ線回折スペクトルにおいてアモルファス状である芳香族オキシカルボン酸金属化合物とする工程を有することを特徴とする荷電制御剤の製造方法。
【請求項６】
前記金属化剤が塩化アルミニウム、硫酸アルミニウム、塩基性硫酸アルミニウム、酢酸アルミニウム、塩基性酢酸アルミニウム、硫酸アルミニウムカリウム、硝酸アルミニウム、乳酸アルミニウム、アルミニウムｎ−プロポキシド、アルミニウムイソプロポキシド及びｔ−ブトキシアルミニウムから選ばれるアルミニウム化剤であることを特徴とする請求項４または５に記載の荷電制御剤の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、芳香族オキシカルボン酸金属化合物を荷電制御用途に使用する荷電制御剤に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
置換基を有してもよい、サリチル酸、オキシナフトエ酸、サリチルアルデヒド、芳香族ジオール、フタル酸などの有機酸を配位子とするキレート化合物（金属塩や金属錯塩）は、工業的な重要な材料であり、広い用途に用いられている。このような用途としては、感圧紙、感熱紙、感光感圧紙、通電感熱記録紙、感熱転写紙など記録材料の顕色剤や潤滑油など液状組成物の摩擦調整剤などが挙げられる。
【０００３】
摩擦帯電させたトナーにより感光体上の静電潜像を現像し、記録紙上に転写し定着させる電子写真システムは、複写機、プリンター、ファクシミリなどに利用されている。トナーの帯電の立ち上がり速度を速めたり、トナーを十分に帯電させその荷電量を適切に制御しつつ安定化させて帯電特性を高めたり、静電潜像の現像速度を早めつつ鮮明な画像を形成したりするため、予めトナーに荷電制御剤が添加される。このような負帯電性荷電制御剤として、芳香族オキシカルボン酸、グリコール酸、ジカルボン酸、芳香族ジオールの金属塩や金属錯塩などが知られている。
【０００４】
これらの荷電制御剤は、画像濃度とカブリとのバランスが取り難い、高温高湿環境下で良好な画像濃度を得にくい、低温低湿環境下と高温高湿環境下での帯電レベルの差が大きい、樹脂への分散性が悪い、保存安定性、定着性及び耐オフセット性に十分でないなどの改善の余地を有している。
【０００５】
このような改善の取り組みとして、例えば、特許文献１には、置換基を有するサリチル酸の亜鉛錯化合物を荷電制御剤として含有する静電荷像現像用トナーが記載されている。特許文献２には、サリチル酸と金属とが３：２型であって置換基を有するサリチル酸金属化合物を荷電制御剤として含有する静電荷像現像用トナーが記載されている。特許文献３には、長径／短径が特定されたサリチル酸金属塩を帯電制御剤として含有する静電荷像現像用トナーが記載されている。特許文献４には、特定のヒドロキシカルボン酸アルミニウムを帯電制御剤として含有する静電荷像現像用トナーが記載されている。特許文献５には、特定のヒドロキシカルボン酸カルシウム塩含有組成物を含有する静電荷像現像用トナーが記載されている。
【０００６】
近年の複写機やプリンターの解像度向上などの高性能化、電子写真システムでの高速現像のみならず低速現像などの用途の拡大に伴い、トナーの帯電の立ち上がりをより速くし、より優れた帯電特性を発現させ、鮮明で高解像度の画像を形成させることができ、簡便に製造できる荷電制御剤が求められていた。また、構造体表面の電荷に、静電気帯電した粉体塗料を引き付け、焼き付ける静電粉体塗装に使用される粉体塗料にも用いることができる荷電制御剤が求められていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開昭６１−０６９０７３号公報
【特許文献２】特開平９−１２４６５９号公報
【特許文献３】特開２００１−３５６５２９号公報
【特許文献４】特開２００４−２７１７９５号公報
【特許文献５】特開２００２−３６３１２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は前記の課題を解決するためになされたもので、堅牢性が高く、熱可塑性樹脂に対する相溶性が向上されており、荷電制御用途として用いた場合に、帯電の立ち上がりが速く、優れた帯電特性を発現させることができ、簡便に製造できる芳香族オキシカルボン酸金属化合物を有効成分として含む荷電制御剤及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記の目的を達成するためになされた、特許請求の範囲の請求項１に記載された荷電制御剤は、下記化学式（１）
【化１】
0005845483.tif 000002
（式中、置換基であるＡ及びＢは、前記Ａが炭素数１〜８で直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基で前記Ｂがアルキル鎖を含有してもよいベンジルオキシ基、または前記Ａがアルキル鎖を含有してもよいベンジルオキシ基で前記Ｂが炭素数１〜８で直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基であり、Ｍ１は、水素原子、アルカリ金属、アンモニウム原子団及びそれらの混合物から選ばれる何れかである）で示される少なくとも１種類の芳香族オキシカルボン酸が、アルミニウムで、金属錯体化及び／または金属塩化されている芳香族オキシカルボン酸金属化合物を有効成分として含有する荷電制御剤であって、前記芳香族オキシカルボン酸金属化合物が、そのＸ線回折スペクトルにおいて、多重ピーク分離法による結晶化度を、２θ＝５°〜４０°の範囲（θはブラッグ角）で、０〜５０％とするアモルファス状であることを特徴とする。
【００１０】
前記の目的を達成するためになされた、特許請求の範囲の請求項２に記載された荷電制御剤は、下記化学式（２）
【化２】
0005845483.tif 000003
（式中、Ｒ１は、炭素数１〜８で直鎖または分岐鎖のアルキル基であり、Ｍ２は、水素原子、アルカリ金属、アンモニウム原子団及びそれらの混合物から選ばれる何れかである）
で示される少なくとも１種類の芳香族オキシカルボン酸が、アルミニウムで、金属錯体化及び／または金属塩化されている芳香族オキシカルボン酸金属化合物を有効成分として含有する荷電制御剤であって、前記芳香族オキシカルボン酸金属化合物が、そのＸ線回折スペクトルにおいて、多重ピーク分離法による結晶化度を、２θ＝５°〜４０°の範囲（θはブラッグ角）で、０〜５０％とするアモルファス状であることを特徴とする。
【００１１】
本発明の荷電制御剤は、前記芳香族オキシカルボン酸金属化合物が、前記化学式（１）または（２）で示される芳香族オキシカルボン酸と、アルミニウムを含有する金属化剤との反応によって得られた金属錯体及び／または金属塩であることが好ましい。
【００１２】
本発明の荷電制御剤は、前記金属化剤が塩化アルミニウム、硫酸アルミニウム、塩基性硫酸アルミニウム、酢酸アルミニウム、塩基性酢酸アルミニウム、硫酸アルミニウムカリウム、硝酸アルミニウム、乳酸アルミニウム、アルミニウムｎ−プロポキシド、アルミニウムイソプロポキシド及びｔ−ブトキシアルミニウムから選ばれるアルミニウム化剤であることが好ましい。
【００１３】
本発明の荷電制御剤は、前記芳香族オキシカルボン酸金属化合物のＸ線回折スペクトルにおいて、多重ピーク分離法による結晶化度が、好ましくは、多重ピーク分離法による結晶化度が、２θ＝５°〜４０°の範囲（θはブラッグ角）において０〜３０％である。
【００１４】
本発明の荷電制御剤は、前記化学式（１）または前記化学式（２）で示される芳香族オキシカルボン酸と、前記アルミニウムを含有する金属化剤とのモル比が２：１である前記金属錯体及び／または金属塩であること、前記化学式（１）または前記化学式（２）で示される芳香族オキシカルボン酸と、前記アルミニウムを含有する金属化剤とのモル比が３：２である前記金属錯体及び／または金属塩であること、並びに前記化学式（１）または前記化学式（２）で示される芳香族オキシカルボン酸と、前記アルミニウムを含有する金属化剤とのモル比が３：１である前記金属錯体及び／または金属塩であることから選ばれる何れかであると好ましい。
【００１５】
本発明の荷電制御剤の製造方法は、下記化学式（１）
【化３】
0005845483.tif 000004
（式中、置換基であるＡ及びＢは、前記Ａが炭素数１〜８で直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基で前記Ｂがアルキル鎖を含有してもよいベンジルオキシ基、または前記Ａがアルキル鎖を含有してもよいベンジルオキシ基で前記Ｂが炭素数１〜８で直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基であり、Ｍ１は、水素原子、アルカリ金属、アンモニウム原子団及びそれらの混合物から選ばれる何れかである）で示される少なくとも１種類の芳香族オキシカルボン酸と、アルミニウムを含有する金属化剤とを反応させ、金属錯体化及び／または金属塩化し、そのＸ線回折スペクトルにおいてアモルファス状である芳香族オキシカルボン酸金属化合物とする工程を有することを特徴とする。
【００１６】
本発明の荷電制御剤の製造方法は、下記化学式（２）
【化４】
0005845483.tif 000005
（式中、Ｒ１は、炭素数１〜８で直鎖または分岐鎖のアルキル基であり、Ｍ２は、水素原子、アルカリ金属、アンモニウム原子団及びそれらの混合物から選ばれる何れかである。）で示される少なくとも１種類の芳香族オキシカルボン酸と、アルミニウムを含有する金属化剤とを反応させ、金属錯体化及び／または金属塩化し、そのＸ線回折スペクトルにおいてアモルファス状である芳香族オキシカルボン酸金属化合物とする工程を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の荷電制御剤は、優れた帯電付与性、荷電制御性を示すアモルファス状の芳香族オキシカルボン酸金属化合物を有効成分として含有するものである。アモルファス状の芳香族オキシカルボン酸金属化合物を含有する荷電制御剤は、環境安定性が高く、帯電立ち上がりが速く、負電荷に帯電し均一で高い荷電量のまま長時間安定して維持できる。そのため、低速複写から高速複写に至る幅広い用途に、使用される。また、静電粉体塗装に使用される粉体塗料にも使用することができる。
【００１８】
本発明の荷電制御剤の製造方法によれば、簡便に優れた荷電制御機能を有するアモルファス状の芳香族オキシカルボン酸金属化合物を有効成分として含有する荷電制御剤を製造できる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明を適用する実施例１の原料である芳香族オキシカルボン酸の核磁気共鳴スペクトルのチャートを示す図である。
【図２】本発明を適用する実施例１の原料である芳香族オキシカルボン酸の赤外吸収スペクトルのチャートを示す図である。
【図３】本発明を適用する実施例１の原料である芳香族オキシカルボン酸の示差熱−熱重量分析のチャートを示す図である。
【図４】本発明を適用する実施例１の原料である芳香族オキシカルボン酸のＸ線回折のチャートを示す図である。
【図５】本発明を適用する実施例１の芳香族オキシカルボン酸金属化合物の赤外吸収スペクトルのチャートを示す図である。
【図６】本発明を適用する実施例１の芳香族オキシカルボン酸金属化合物の示差熱−熱重量分析のチャートを示す図である。
【図７】本発明を適用する実施例１の芳香族オキシカルボン酸金属化合物のＸ線回折のチャートを示す図である。
【図８】本発明を適用する荷電制御剤と適用外の荷電制御剤との帯電性試験Ａにおける帯電量を示す図である。
【図９】本発明を適用する荷電制御剤と適用外の荷電制御剤との帯電性試験Ｂにおける帯電量を示す図である。
【図１０】本発明を適用する荷電制御剤と適用外の荷電制御剤との帯電性試験Ａにおける帯電量を示す図である。
【図１１】本発明を適用する荷電制御剤と適用外の荷電制御剤との帯電性試験Ｂにおける帯電量を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明を実施するための形態について詳細に説明するが、本発明の範囲はこれらの形態に限定されるものではない。
【００２１】
本発明の荷電制御剤は、前記化学式（１）または（２）で示される芳香族オキシカルボン酸がアルミニウムで金属錯体化及び／または金属塩化されている芳香族オキシカルボン酸金属化合物を有効成分として含有しているものである。その芳香族オキシカルボン酸金属化合物は、Ｘ線回折スペクトルにおいて、アモルファス状態を示すものである。
【００２２】
Ｘ線回折スペクトルがアモルファス状態であることを示すというのは、Ｘ線回折パターンの２θ＝５°〜４０°（θはブラッグ角）の範囲における芳香族オキシカルボン酸金属化合物のＸ線回折スペクトルにおいて多重ピーク分離法により算出した全体の強度の総計に対する結晶部分の強度の総計の比率が０〜５０％であると定義することができる。本発明の荷電制御剤に含有される芳香族オキシカルボン酸金属化合物は、その結晶化度が０〜５０％のものである。好ましくは、多重ピーク分離法による結晶化度が、２θ＝５°〜４０°の範囲（θはブラッグ角）において０〜３０％である。
【００２３】
アモルファス状の芳香族オキシカルボン酸金属化合物は、樹脂との相溶性が良好で、樹脂へ分子レベルで均一に分散させることができる。このことにより、芳香族オキシカルボン酸金属化合物の持つ帯電能力を最小添加量にて最大限に発揮することが可能である。このため、荷電制御剤として用いられた場合、より格段に高く、帯電能力を従来の荷電制御剤と比較して、大きく発揮することが可能である。また、帯電が安定し、堅牢性が向上する。
【００２４】
この芳香族オキシカルボン酸金属化合物は、前記化学式（１）または（２）で示される芳香族オキシカルボン酸が、アルミニウムを含有する金属化剤により金属錯体化や金属塩化された金属錯体や金属塩である。芳香族オキシカルボン酸が金属化剤により金属錯体化や金属塩化されることにより、下記化学式（３）〜（６）で示される構造を取りうると推定される。
【００２５】
【化５】
0005845483.tif 000006
式（３）中、置換基Ａが炭素数１〜８で直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基である場合、置換基Ｂはベンジルオキシ基であり、一方、置換基Ａがベンジルオキシ基である場合、置換基Ｂは炭素数１〜８で直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基である。ａは０〜６の数、ｂは０〜６の数、ｑは１〜４の数、ｇは０〜３の数、ｋは０〜３の数を示し、（Ｘ）ｎ+はカチオンを示す。但し、ａ及びｂが共に０である場合を除く。また、破線は、配位結合または非結合を示している。
【００２６】
炭素数１〜８で直鎖または分岐鎖のアルキル基としては、具体的に、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、iso−プロピル基、ｎ−ブチル基、iso−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ｎ−ペンチル基、iso−ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基などが挙げられる。
【００２７】
ベンジルオキシ基は、未置換であってもよく、その一部にアルキル鎖を含有していてもよい。アルキル鎖は、置換基として含有されるものであって、炭素数１〜８で直鎖または分岐鎖のアルキル基が挙げられる。ベンジルオキシ基として好ましくは、未置換のベンジルオキシ基、または炭素数１〜３で直鎖または分岐鎖のアルキル基で置換されているベンジルオキシ基である。
【００２８】
（Ｘ）ｎ+のカチオンとしては、具体的に、水素原子、Ｌｉ、Ｋ、Ｎａなどのアルカリ金属、若しくはＣａ、Ｂａ、Ｍｇなどのアルカリ土類金属からのカチオン、ＮＨ４＋や炭素数１〜１２のアルキル基を有するモノ−，ジ−，トリ−若しくはテトラアルキルアンモニウム、（Ａｌ−（Ｚ）ｑ）ｎ+のような錯イオンが挙げられる。ここで、Ｚは水酸化物イオン、硫酸イオン、炭酸イオン、炭酸水素イオン、酢酸イオン、乳酸イオン、及びハロゲンイオンなどから選ばれるアニオンであって、ｎは１または２の数である。
【００２９】
【化６】
0005845483.tif 000007
式（４）中、置換基Ａが炭素数１〜８で直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基である場合、置換基Ｂはベンジルオキシ基であり、一方、置換基Ａがベンジルオキシ基である場合、置換基Ｂは炭素数１〜８で直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基である。ｖは０または１の数、ｗは０〜２の数、ｈは１または２の数、ｋは０〜３の数、ｐは１／２、１または２から選ばれる何れかの数、ｍは１または２の数を示し、（Ｙ）ｍ−はアニオンを示す。但し、ｖ及びｗが共に０である場合を除く。また、破線は、配位結合または非結合を示している。
【００３０】
炭素数１〜８で直鎖または分岐鎖のアルキル基及びベンジルオキシ基は、それぞれ前記化学式（３）と同じものが挙げられる。
【００３１】
（Ｙ）ｍ−のアニオンとしては、具体的に、水酸化物イオン、硫酸イオン、炭酸イオン、炭酸水素イオン、酢酸イオン、乳酸イオン、ハロゲンイオンなどのアニオンが挙げられる。
【００３２】
【化７】
0005845483.tif 000008
式（５）中、置換基Ｒ１は炭素数１〜８で直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基であり、置換基Ｅはアルキル鎖を含有してもよいベンジルオキシ基である。ａは０〜６の数、ｂは０〜６の数、ｑは１〜４の整数、ｇは０〜３の数、ｋは０〜３の数を示し、（Ｘ）ｎ+はカチオンを示す。但し、a及びｂが共に０である場合を除く。また、破線は、配位結合または非結合を示している。
【００３３】
置換基Ｒ１の炭素数１〜８で直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、iso−プロピル基、ｎ−ブチル基、iso−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ｎ−ペンチル基、iso−ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基などが挙げられる。
【００３４】
置換基Ｅのベンジルオキシ基は、未置換であってもよく、その一部にアルキル鎖を含有していてもよい。アルキル鎖は、置換基として含有されるものであって、炭素数１〜８で直鎖または分岐鎖のアルキル基が挙げられる。ベンジルオキシ基として好ましくは、未置換のベンジルオキシ基である。
【００３５】
（Ｘ）ｎ+のカチオンとしては、具体的に、水素原子、Ｌｉ、Ｋ、Ｎａ等のアルカリ金属、若しくはＣａ、Ｂａ、Ｍｇ等のアルカリ土類金属からのカチオン、ＮＨ４＋や炭素数１〜１２のアルキル基を有するモノ−，ジ−，トリ−若しくはテトラアルキルアンモニウム、（Ａｌ−（Ｚ）ｑ）ｎ+のような錯イオンが挙げられる。ここで、Ｚは水酸化物イオン、硫酸イオン、炭酸イオン、炭酸水素イオン、酢酸イオン、乳酸イオン、及びハロゲンイオン等から選ばれるアニオンであって、ｎは１または２の数である。
【００３６】
【化８】
0005845483.tif 000009
式（６）中、置換基Ｒ１は炭素数１〜８で直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基であり、置換基Ｅはアルキル鎖を含有してもよいベンジルオキシ基である。ｖは０または１の数、ｗは０〜２の数、ｈはまたは２の数、ｋは０〜３の数、ｐは１／２、１または２から選ばれる何れかの数、ｍは１または２の数を示し、（Ｙ）ｍ−はアニオンを示す。但し、ｖ及びｗが共に０である場合を除く。また、破線は、配位結合または非結合を示している。
【００３７】
炭素数１〜８で直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基は、それぞれ前記化学式（５）と同じものが挙げられる。同様に、アルキル鎖を含有してもよいベンジルオキシ基も前記化学式（５）と同じものが挙げられる。
【００３８】
（Ｙ）ｍ−のアニオンとしては、具体的に、水酸化物イオン、硫酸イオン、炭酸イオン、炭酸水素イオン、酢酸イオン、乳酸イオン、ハロゲンイオン等のアニオンが挙げられる。
【００３９】
前記化学式（１）で示される芳香族オキシカルボン酸が金属塩化及び／または金属塩化された場合を代表して、芳香族オキシカルボン酸金属化合物として推定できる具体的な構造式を下記化学式（７）〜（１７）に示す。
【００４０】
【化９】
0005845483.tif 000010
式（７）中、Ａ及びＢは、前記と同定義であり、ｋは１または１／２であり、ｎは１または２であり、（Ｘ）ｎ+は水素原子、アルカリ金属、若しくはアルカリ土類金属からのカチオン、またはアンモニウムイオンを示す。
【００４１】
【化１０】
0005845483.tif 000011
式（８）中、Ａ及びＢは前記と同定義である。
【００４２】
【化１１】
0005845483.tif 000012
式（９）中、Ａ及びＢは前記と同定義である。
【００４３】
【化１２】
0005845483.tif 000013
式（１０）中、Ａ及びＢは前記と同定義である。
【００４４】
【化１３】
0005845483.tif 000014
式（１１）中、Ａ及びＢは前記と同定義である。
【００４５】
【化１４】
0005845483.tif 000015
式（１２）中、Ａ及びＢは前記と同定義であり、ｋは３または３／２であり、ｎは１または２であり、（Ｘ）ｎ+は、水素原子、アルカリ金属、若しくはアルカリ土類金属からのカチオン、またはアンモニウムイオンを示す。
【００４６】
【化１５】
0005845483.tif 000016
式（１３）中、Ａ及びＢは前記と同定義であり、ｋは１または１／２であり、ｎは１または２であり、（Ｘ）ｎ+は（Ａｌ−（Ｚ）ｒ）ｎ+である。ここで、Ｚは水酸化物イオン、硫酸イオン、炭酸イオン、炭酸水素イオン、酢酸イオン、乳酸イオン、またはハロゲンイオンなどのアニオンを示し、ｒは１または２の数を示す。
【００４７】
【化１６】
0005845483.tif 000017
式（１４）中、Ａ及びＢは前記と同定義であり、ｐは１または１／２であり、ｍは１または２であり、（Ｙ）ｍ−は、水酸化物イオン、硫酸イオン、炭酸イオン、炭酸水素イオン、酢酸イオン、乳酸イオン、ハロゲンイオンなどのアニオンを示す。
【００４８】
【化１７】
0005845483.tif 000018
式（１５）中、Ａ及びＢは前記と同定義であり、ｐは１または１／２であり、ｍは１または２であり、（Ｙ）ｍ−は、水酸化物イオン、硫酸イオン、炭酸イオン、炭酸水素イオン、酢酸イオン、乳酸イオン、ハロゲンイオンなどのアニオンを示す。
【００４９】
【化１８】
0005845483.tif 000019
式（１６）中、Ａ及びＢは前記と同定義であり、ｐは２または１であり、ｍは１または２であり、（Ｙ）ｍ−は、水酸化物イオン、硫酸イオン、炭酸イオン、炭酸水素イオン、酢酸イオン、乳酸イオン、ハロゲンイオンなどのアニオンを示す。
【００５０】
【化１９】
0005845483.tif 000020
式（１７）中、Ａ及びＢは前記と同定義である。
【００５１】
この芳香族オキシカルボン酸金属化合物は、溶媒中で、下記化学式（１）で示される芳香族オキシカルボン酸と、アルミニウムである金属を含有する金属化剤とを反応させることで製造することができる。その反応式を下記化学式（Ｉ）に示す。
【００５２】
【化２０】
0005845483.tif 000021
式（Ｉ）中、芳香族オキシカルボン酸及びその金属化合物において、置換基Ａが炭素数１〜８で直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基である場合、置換基Ｂがアルキル鎖を含有してもよいベンジルオキシ基であり、一方、置換基Ａがアルキル鎖を含有してもよいベンジルオキシ基である場合、置換基Ｂが炭素数１〜８で直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基である。また、芳香族オキシカルボン酸のＭ１は、水素原子、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋなどのアルカリ金属、ＮＨ４＋や炭素数１〜１２のアルキル基を有するモノ−，ジ−，トリ−若しくはテトラアルキルアンモニウムイオンで例示されるアンモニウム原子団及びそれらの混合物から選ばれる何れかである。ここで、芳香族オキシカルボン酸金属化合物において、ａ、ｂ、ｑ、ｇ、ｋ、（Ｘ）ｎ+、ｖ、ｗ、ｈ、ｋ、ｐ、ｍ、（Ｙ）ｍ−は、それぞれ、前記と同定義である。また、破線は、配位結合または非結合を示している。
【００５３】
同様に、前記化学式（５）及び（６）で示される構造の芳香族オキシカルボン酸金属化合物の場合も、溶媒中で、芳香族オキシカルボン酸と、アルミニウムである金属を含有する金属化剤とを反応させることで製造することができる。その反応式を下記化学式（II）に示す。
【００５４】
【化２１】
0005845483.tif 000022
式（II）中、芳香族オキシカルボン酸及びその金属化合物において、置換基Ｒ１が炭素数１〜８で直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基であり、置換基Ｅがアルキル鎖を含有してもよいベンジルオキシ基であり、芳香族オキシカルボン酸のＭ２は、水素原子、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋなどのアルカリ金属、ＮＨ４＋や炭素数１〜１２のアルキル基を有するモノ−，ジ−，トリ−若しくはテトラアルキルアンモニウムイオンで例示されるアンモニウム原子団及びそれらの混合物から選ばれる何れかである。ここで、芳香族オキシカルボン酸金属化合物において、ａ、ｂ、ｑ、ｇ、ｋ、（Ｘ）ｎ+、ｖ、ｗ、ｈ、ｋ、ｐ、ｍ、（Ｙ）ｍ−は、それぞれ、前記と同定義である。また、破線は、配位結合または非結合を示している。式（II）に示す芳香族オキシカルボン酸金属化合物も、上記に示した推定できる具体的な構造式である化学式（７）〜（１７）と同等に、式（２）で示す芳香族オキシカルボン酸とＡｌとの配位子と金属と比で構成される構造を取り得る。
【００５５】
この金属化反応において、芳香族オキシカルボン酸の金属化合物を形成する金属（カチオン表記）としては、Ａｌ３＋である。このように、金属化反応によって芳香族オキシカルボン酸金属化合物を形成させるアルミニウムを含有する金属化剤として、具体的に、塩化アルミニウム、硫酸アルミニウム、塩基性硫酸アルミニウム、酢酸アルミニウム、塩基性酢酸アルミニウム、硫酸アルミニウムカリウム、硝酸アルミニウム、乳酸アルミニウム、アルミニウムｎ−プロポキシド、アルミニウムイソプロポキシド、ｔ−ブトキシアルミニウムなどのアルミニウム化剤などが挙げられる。ここで、硫酸アルミニウムを正塩とし、塩基性硫酸アルミニウムを塩基性塩とする。同様に、酢酸アルミニウムを正塩とし、塩基性酢酸アルミニウムを塩基性塩とする。この金属化剤は、配位子となる前記芳香族オキシカルボン酸に対して、１／５〜５原子当量、好ましくは１／３〜３原子当量用いられる。
【００５６】
この金属化反応に用いる溶媒としては、芳香族オキシカルボン酸及び金属化剤を溶解させる溶媒であれば、水を含め公知の有機溶媒を使用することができる。安い製造コストで芳香族オキシカルボン酸金属化合物を製造する場合は、溶媒として水を用いることが好ましい。また、容易に芳香族オキシカルボン酸金属化合物を合成する場合は、芳香族オキシカルボン酸に対する溶解性が高い有機溶媒を用いることができる。有機溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、tert−ブタノール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル（モノグライム）、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグライム）、トリエチレングリコールジメチルエーテル（トリグライム）、テトラエチレングリコールジメチルエーテル（テトラグライム）、エチレングリコール、プロピレングリコールなどのアルコール系、エーテル系、またはグリコール系有機溶媒；テトラヒドロフラン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルスホキシドなどの非プロトン性極性溶媒などのような、水に可溶な有機溶媒が挙げられる。これら溶媒は、単独で用いてもよく、複数種を混合して用いてよい。また、水と前記の親水性有機溶剤との混合で用いてもよい。
【００５７】
この有機溶媒及び水の使用量は、特に限定されるものではないが、前記配位子として用いる前記芳香族オキシカルボン酸に対して、重量比で２〜１０倍量である。
【００５８】
有機溶媒、水、または水と有機溶媒との混合溶媒中、金属化反応で得られた反応生成物は、反応生成物が溶媒に溶解しているときは、適当量の水や反応生成物に対して溶解性の低い有機溶媒などに分散させて反応生成物を析出させ、または、減圧下、溶媒を適当量留去させて、反応生成物を析出させて、析出物を濾取して水洗し、乾燥させることにより取り出すことができる。反応生成物が反応液中で析出しているときは、直接析出物を濾取して洗浄し、乾燥させて取り出すことができる。反応生成物中に不純物を多く含むとその荷電制御機能が低下することから、反応生成物を再結晶や再沈殿精製して使用することができる。
【００５９】
この金属化反応における、芳香族オキシカルボン酸と金属化剤との組合せについて表１に示す。
【００６０】
【表１】
0005845483.tif 000023
【００６１】
一般的に有機金属化合物は、金属と配因子の種類により配位の価数、配位数が様々であり、金属錯体の中心金属は、２〜１２程度までの多様な配位数をとることができる。中心金属がＡｌであるとき、塩化アルミニウムやトリアルキルアルミニウムの場合、４配位数をとり、トリス（８−キノリノラト）アルミニウムの場合、６配位数をとる。
【００６２】
この金属化合物の配位子となりうる芳香族オキシカルボン酸は、公知の方法を用い、例えば、実験化学講座第４版（日本化学会編、丸善株式会社発行）第１８７頁記載のＷｉｌｌｉａｍｓｏｎ反応にて合成できる。その一例としては、下記反応式（III）及び（IV）に示すように、溶媒中で、置換基を有する、または置換基を有さないハロゲン化ベンジルと、特定位置のアルキル基を有するジヒドロキシサリチル酸とを、反応させることよって芳香族オキシカルボン酸を合成するものである。
【００６３】
また、置換基を有するハロゲン化ベンジルと、特定位置のアルキル基を有するヒドロキシサリチル酸とは、各成分を、１種類選択して反応させたり、または、２種類以上組合せて、混合して反応させたりすることができる。その具体的反応例を下記化学式（III）及び（IV）に示す。
【００６４】
【化２２】
0005845483.tif 000024
式（III）中、Ｘ１はハロゲン原子であり、Ｒ２及びＲ３はそれぞれ炭素数１〜８で直鎖または分岐鎖のアルキル基である。
【００６５】
【化２３】
0005845483.tif 000025
式（IV）中、Ｘ２はハロゲン原子であり、Ｒ４は炭素数１〜８で直鎖または分岐鎖のアルキル基である。
【００６６】
特定位置のアルキル基を有するヒドロキシサリチル酸は、具体的に、５−メチル−２，３−ジヒドロキシ安息香酸、５−エチル−２，３−ジヒドロキシ安息香酸、５−イソプロピル−２，３−ジヒドロキシ安息香酸、５−ｎ−ブチル−２，３−ジヒドロキシ安息香酸、５−tert−ブチル−２，３−ジヒドロキシ安息香酸、５−sec−ブチル−２，３−ジヒドロキシ安息香酸、５−イソヘプチル−２，３−ジヒドロキシ安息香酸、５−イソヘキシル−２，３−ジヒドロキシ安息香酸、５−イソオクチル−２，３−ジヒドロキシ安息香酸、
３−メチル−２，５−ジヒドロキシ安息香酸、３−エチル−２，５−ジヒドロキシ安息香酸、３−イソプロピル−２，５−ジヒドロキシ安息香酸、３−tert−ブチル−２，５−ジヒドロキシ安息香酸、３−sec−ブチル−２，５−ジヒドロキシ安息香酸、３−イソヘキシル−２，５−ジヒドロキシ安息香酸、３−イソヘプチル−２，５−ジヒドロキシ安息香酸、３−イソオクチル−２，５−ジヒドロキシ安息香酸、３−カルボキシ−２，５−ジヒドロキシ安息香酸、
５−メチル−２，４−ジヒドロキシ安息香酸、５−エチル−２，４−ジヒドロキシ安息香酸、５−イソプロピル−２，４−ジヒドロキシ安息香酸、５−ｎ−ブチル−２，４−ジヒドロキシ安息香酸、５−tert−ブチル−２，４−ジヒドロキシ安息香酸、５−sec−ブチル−２，４−ジヒドロキシ安息香酸、５−イソヘプチル−２，４−ジヒドロキシ安息香酸、５−イソヘキシル−２，４−ジヒドロキシ安息香酸、５−イソオクチル−２，４−ジヒドロキシ安息香酸などが挙げられる。
【００６７】
反応溶媒としては、具体的に、メタノール、エタノール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル（モノグライム）、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグライム）、エチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル（トリグライム）、テトラエチレングリコールジメチルエーテル（テトラグライム）、エチレングリコール、プロピレングリコールなど、アルコール系、エーテル系、またはグリコール系有機溶媒；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルスホキシドなどの非プロトン性極性溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン類；酢酸エチル、酢酸ブチル、プロピオン酸エチル、セロソルブアセテートなどのエステル類；ヘキサン、オクタン、石油エーテル、シクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの炭化水素類；トリクロロエチレン、ジクロロメタン、クロロホルムなどのハロゲン化炭化水素類などの有機溶媒を挙げることができる。
【００６８】
また、前記化学式（１）で示される芳香族オキシカルボン酸の合成反応では、反応の促進とエーテル結合形成の際に複成するハロゲン化水素を捕捉するために塩基を添加することが好ましい。この合成で用いることのできる塩基としては、溶媒や基質と反応し、反応系を複雑化させないものであれば特に限定されず、例えば、水素化リチウム、水素化ナトリウム、水素化カリウムなどの水素化アルカリ金属；炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウムなどのアルカリ金属の炭酸塩を挙げることができる。
【００６９】
この様にして得られる前記化学式（１）で示される芳香族オキシカルボン酸のより具体的な例を下記化合物（１−ａ）及び（１−ｂ）に示す。なお、本発明の範囲はこれらに限定されるものではない。
【００７０】
【化２４】
0005845483.tif 000026
式（１−ａ）中、Ｒ５は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、iso−プロピル基、ｎ−ブチル基、iso−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ｎ−ペンチル基、iso−ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基などの炭素数１〜８で直鎖または分岐鎖のアルキル基であり、Ｍ３は、水素原子、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋなどのアルカリ金属、アンモニウム原子団及びそれらの混合物から選ばれる何れかである。
【００７１】
前記化学式（１−ａ）で示される芳香族オキシカルボン酸の置換基Ｒ５とＭ３との具体例を表２に示す。
【００７２】
【表２】
0005845483.tif 000027
【００７３】
【化２５】
0005845483.tif 000028
式（１−ｂ）中、Ｒ６は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、iso−プロピル基、ｎ−ブチル基、iso−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ｎ−ペンチル基、iso−ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基などの炭素数１〜８で直鎖または分岐鎖のアルキル基であり、Ｍ４は、水素原子、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋなどのアルカリ金属、アンモニウム原子団及びそれらの混合物から選ばれる何れかである。
【００７４】
前記化学式（１−ｂ）で示される芳香族オキシカルボン酸の置換基Ｒ６とＭ４との具体例を表３に示す。
【００７５】
【表３】
0005845483.tif 000029
【００７６】
同様に、前記化学式（２）で示される芳香族オキシカルボン酸のより具体的な例を下記化合物（１−ｃ）に示す。
【００７７】
【化２６】
0005845483.tif 000030
式（１−ｃ）中、Ｒ７は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、iso−プロピル基、ｎ−ブチル基、iso−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ｎ−ペンチル基、iso−ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基などの炭素数１〜８で直鎖または分岐鎖のアルキル基であり、Ｍ５は、水素原子、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋなどのアルカリ金属、アンモニウム原子団及びそれらの混合物から選ばれる何れかである。
【００７８】
前記化学式（１−ｃ）で示される芳香族オキシカルボン酸の置換基Ｒ７とＭ５との具体例を表４に示す。
【００７９】
【表４】
0005845483.tif 000031
【００８０】
本発明の荷電制御剤は、前記芳香族オキシカルボン酸金属化合物が、結晶性化合物で有る場合、結晶性の芳香族オキシカルボン酸金属化合物を有機溶媒中で湿式ミリング、または、有機溶媒に溶解させた後、水に再分散させてアモルファスとする工程を有してもよい。
結晶性の芳香族オキシカルボン酸金属化合物を湿式ミリングまたは溶解後の再分散によりアモルファス芳香族オキシカルボン酸金属化合物に変換するための有機金属溶剤としては、例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、tert−ブタノール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル（モノグライム）、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグライム）、トリエチレングリコールジメチルエーテル（トリグライム）、テトラエチレングリコールジメチルエーテル（テトラグライム）、エチレングリコール、プロピレングリコールなどのアルコール系、エーテル系、またはグリコール系有機溶媒；テトラヒドロフラン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルスホキシドなどの非プロトン性極性溶媒などのような、水に可溶な有機溶媒が挙げられる。これら溶媒は、単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。水と前記の親水性有機溶剤との混合で用いてもよい。
【００８１】
前記のような溶剤を用いる湿式ミリング（湿式分散）においては、顔料分散等に使用する各種の分散機（例えば、ボールミル、コロイダルミン、ペイントシェーカー、サンドミル、ビーズミル（商品名）、スーパーミル（商品名）、アジテータミル（商品名）、ダイノーミル（商品名）を用いることができる。湿式ミリングの際の摩擦媒体としては、例えば、ガラスビーズ、ジルコニアビーズ、磁性ビーズ、或いは、タングステンカーバイト製若しくはステンレススチール製ビーズ等を使用することができる。
【００８２】
前記芳香族オキシカルボン酸は、同一分子内にフェニル骨格構造、及びオルト位関係のカルボキシル基と水酸基とを有するフェニル骨格即ちサリチル酸構造を共に有するものである。この芳香族オキシカルボン酸は、フェニル骨格同士が、−ＣＨ２−Ｏ−で結合されている構造である。そのため、その芳香族オキシカルボン酸がアルミニウム金属により金属錯体化や金属塩化された金属化合物は、カルボキシル基及び水酸基を有するフェニル骨格による金属錯体化及び／または金属塩化の機能、また、カルボキシル基及び水酸基を有するフェニル骨格と−ＣＨ２−Ｏ−との組合せにより発現される帯電付与機能を有しており、荷電制御用途適性を示す。
【００８３】
本発明の荷電制御剤は、この芳香族オキシカルボン酸金属化合物を有効成分として含有するものであり、芳香族オキシカルボン酸金属化合物を１種単独で用いてもよく、２種以上を合わせて用いてもよい。
【００８４】
荷電制御剤に含有される芳香族オキシカルボン酸金属化合物は、Ｘ線回折スペクトルにおいて、アモルファス状であることを示すものである。Ｘ線回折スペクトルがアモルファス状であることを示すというのは、Ｘ線回折パターンの２θ＝５°〜４０°（θはブラッグ角）の範囲における芳香族オキシカルボン酸金属化合物のＸ線回折スペクトルにおいて、多重ピーク分離法により、その結晶化度が０〜５０％のものであると好ましい。更に好ましくは、０〜３０％である。
【００８５】
芳香族オキシカルボン酸金属化合物は、アモルファス状であることにより、樹脂との相溶性が良好で、樹脂へ分子レベルで均一に分散させることができる。荷電制御剤の機能は、用いる樹脂への分散性が良好であるほど、例えば用いる樹脂に対して相溶性が高ければ高いほど、より良く樹脂へ分散させるほど、その機能を最大限に発揮させることになる。このため、本発明の荷電制御剤は、従来の荷電制御剤と比較して、より格段に向上し、帯電制御性が高く、一定に発揮することが可能であり、帯電が安定し、堅牢性が向上する。
【００８６】
芳香族オキシカルボン酸金属化合物から調製した荷電制御剤は、静電荷像現像用トナーや粉体塗料などに含有させるものである。用いられる樹脂１００重量部に対して、０．１〜１０重量部配合されたものであることが望ましい。更に荷電制御剤のより好ましい配合量は、用いられる樹脂１００重量部に対して０．５〜７重量部である。
【００８７】
トナー用樹脂の例としては、次のような公知のトナー用樹脂（結着樹脂）を挙げることができる。すなわち、スチレン樹脂、スチレン−アクリル樹脂、スチレン−ブタジエン樹脂、スチレン−マレイン酸樹脂、スチレン−ビニルメチルエーテル樹脂、スチレン−メタアクリル酸エステル共重合体、ポリエステル樹脂、ポリプロピレン樹脂などの熱可塑性樹脂である。これらの樹脂は、単独で用いてもよく、複数種を混合して用いてもよい。なお、本発明の荷電制御剤は、静電粉体塗料に含有させて樹脂粉体の電荷の制御（増強）のために用いることもできる。その場合の塗料用樹脂としては、例えば、アクリル系、ポリオレフィン系、ポリエステル系、またはポリアミド系などの熱可塑性樹脂、及びフェノール系、エポキシ系またはポリエステル系などの熱硬化性樹脂を挙げることができる。これらは、それぞれ単独で用いることもでき、また、複数種を混合して用いることもできる。
【００８８】
トナーに用い得る着色剤として公知の種々の染料や顔料を、それぞれ単独でまたは２種以上配合して使用することができる。用い得る着色剤の具体例は次のとおりである。すなわち、キノフタロンイエロー、イソインドリノンイエロー、キノリンイエロー、ペリノンオレンジ、ペリノンレッド、ペリレンマルーン、ローダミン６Ｇレーキ、キナクリドンレッド、アンスアンスロンレッド、ローズベンガル、銅フタロシアニンブルー、銅フタロシアニングリーン、ジケトピロロピロール系顔料などの有機顔料；カーボンブラック、チタンホワイト、チタンイエロー、群青、コバルトブルー、べんがら、アルミニウム粉、ブロンズなどの無機顔料及び金属粉；アゾ染料、キノフタロン系染料、アントラキノン系染料、フタロシアニン系染料、インドフェノール系染料、インドアニリン系染料などの各種の油溶性染料や分散染料の他、ロジン、ロジン変性フェノール、ロジン変性マレイン酸などの樹脂により変性されたトリアリールメタン系染料及びキサンテン系染料などを例示することができる。
【００８９】
トナーは、例えば次のように製造され、前記のようなトナー用樹脂、着色剤、及び本発明の荷電制御剤、並びに必要に応じて磁性材料（例えば、鉄、コバルト、フェライトなどの強磁性材料製の微粉体）、流動性改質剤（例えば、シリカ、酸化アルミニウム、酸化チタン）、オフセット防止剤（例えば、ワックス、低分子量のオレフィンワックス）などをボールミルその他の混合機により十分混合した後、その混合物を加熱ロール、ニーダー、エクストルーダーなどの熱混練機を用いて溶融混練し、その混練物を冷却固化させた後、その固化物を粉砕及び分級することにより、平均粒径５〜２０μｍのトナーを得ることができる。
【００９０】
本発明の荷電制御剤は、荷電制御または増強の目的で増強剤として、樹脂を含んでなる静電塗装用粉体塗料を提供することができる。この増強剤を１種単独で含むものであってもよく、複数種を含むものであってもよい。増強剤の好ましい配合量は、樹脂１００重量部に対し、０．１〜１０重量部、そのより好ましい配合量は、樹脂１００重量部に対し、０．５〜５重量部である。その他、この静電塗装用粉体塗料に含有される樹脂及び着色剤としては、前記トナーで記載したものを例示することができる。
【００９１】
この静電塗装用粉体塗料は、耐環境安定性及び耐久性に優れ、この粉体塗料によれば、塗着効率がほぼ１００％に近く、しかも塗膜性能が向上し、塗膜欠陥のない厚膜を形成することができる。増強剤が無色または淡色であるため、塗膜の色調障害が生じ難い。この静電塗装用粉体塗料による塗装は、コロナ印荷方式、摩擦帯電方式、及びハイブリッド方式のような一般の静電粉体塗装法を用いて塗装することができる。
【００９２】
この静電塗装用粉体塗料は、例えば次のように製造することができる。すなわち、前記の増強剤及び樹脂、並びにその用途・目的に応じ、着色剤、流動性改質剤、充填剤、硬化剤及び可塑剤などを添加し、ボールミルその他の混合機で均一に混合する。その混合物を、加熱ロール、ニーダー、エクストルーダーなどの熱混練機を用いて溶融混練し、冷却固化後、粉砕及び分級することにより、粒度範囲１０〜２５０μｍなどの所要粒径の静電塗装用粉体塗料を得ることができる。
【実施例】
【００９３】
以下、本発明を適用する荷電制御剤を製造した実施例を詳細に説明する。
【００９４】
本発明の荷電制御剤に含有される芳香族オキシカルボン酸金属化合物の合成例を実施例１〜６に示す。
【００９５】
（実施例１）
Ａ−１  芳香族オキシカルボン酸の合成
２，５−ジヒドロキシ安息香酸１００ｇと８０％硫酸１４４１ｇとを５０℃に加熱混合し、この分散液にtert−ブタノール１４４ｇを加えて５０℃で３０分間撹拌した。その後、分散液にtert−ブタノール１４４ｇを加え３０分間撹拌する操作を３回行った。反応液を室温まで冷却し、氷水１ｋｇに徐々に注ぎ、析出物を濾過、水洗し、更にヘキサン洗浄した。得られた析出物をメタノール２００ｍＬに溶解させ、水３．６Ｌに再沈殿させた。濾過後、８０℃にて２４時間乾燥させtert−ブチル化された芳香族オキシカルボン酸中間体７４．９ｇを得た。
【００９６】
３−tert−ブチル−２，５−ジヒドロキシ安息香酸５０．０ｇをメタノール２２０ｍＬに溶解させ、炭酸カリウム６１．１ｇを加えて６５℃に加熱した。この反応液にベンジルブロミド３９．５ｇを滴下し、６５℃にて８時間反応させた。得られた反応液を冷却後、濾過し、濾液中のメタノールを減圧留去して析出物を得た。
【００９７】
得られた析出物をｐＨ＝２の水３Ｌに分散させ、酢酸エチルを加えて酢酸エチル相を抽出した。その後、水洗し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、減圧下、酢酸エチルを留去して析出物を得た。得られた析出物をヘキサン洗浄後、トルエンと酢酸エチルにて再結晶し、下記化学式（Ａ１）に示す芳香族オキシカルボン酸を３１．０ｇ得た。
【００９８】
【化２７】
0005845483.tif 000032
【００９９】
得られた芳香族オキシカルボン酸（Ａ１）の純度を、高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ  株式会社島津製作所製  検出器：ＳＰＤ−Ｍ２０Ａ、カラムオーブン：ＣＴＯ−２０Ａ、ポンプ：ＬＣ−２０ＡＴ、デガッサー：ＤＧＵ−２０Ａ３）により、以下の測定条件で測定を行い、純度＝９７．６％であることを確認した。
ＨＰＬＣ測定条件：サンプル３ｍｇをＴＨＦ（テトラヒドロフラン）１０ｍＬに溶解させ、３０分間超音波照射処理し、ポア径が０．５μｍの耐溶剤性メンブランフィルターで濾過してサンプル溶液とし、以下の条件で測定した。
カラム：Ｌ−Ｃｏｌｕｍｎ  ＯＤＳ  （４．６×２５０ｍｍ）、カラムオーブン温度：４０℃、流速：１．０ｍＬ／分、試料注入量：３μＬ、検出波長：２５４ｎｍ、
溶離液Ａ：ＴＨＦ：０．０５Ｍ−ＣＨ３ＣＯＯＮＨ４水溶液＝４：６
溶離液Ｂ：ＴＨＦ：０．０５Ｍ−ＣＨ３ＣＯＯＮＨ４水溶液＝６：４
グラジュエント条件  溶離液Ａ：溶離液Ｂ＝１００：０→（２０分）→０：１００
【０１００】
得られた芳香族オキシカルボン酸（Ａ１）について、１Ｈ−核磁気共鳴装置（ＮＭＲ  日本電子株式会社製  ＦＴ−ＮＭＲ  ＪＮＭ−ＡＬ３００）を用い、共鳴周波数：３００ＭＨｚ  測定核種：１Ｈ、使用溶媒：重ＤＭＳＯ、測定温度：室温の条件で測定した。１Ｈ−ＮＭＲスペクトルデータは、下記の通りであり、前記化学式（Ａ１）で示す構造を支持する。１Ｈ−ＮＭＲの測定結果を図１に示す。
δ（ｐｐｍ）＝１．３６（９Ｈ、ｓ、−Ｃ（ＣＨ３）３）、５．０４（２Ｈ、ｓ、−ＯＣＨ２−）、７．１１（１Ｈ、ｄ、Ａｒ−Ｈ）、７．２６（１Ｈ、ｄ、Ａｒ−Ｈ）、７．３０−７．４６（５Ｈ、ｍ、Ａｒ−Ｈ）
【０１０１】
得られた芳香族オキシカルボン酸（Ａ１）について、フーリエ変換赤外分光光度計（ＦＴ−ＩＲ  日本電子株式会社製  ＪＩＲ−ＳＰＸ６０Ｓ）を使用し、ＫＢｒ法にて測定したところ、
ν（ｃｍ−１）＝３００３、２９５４、２９００、２８６２、２６２９、１６４３、１６０８、１４８１、１４４６、１４３１、１３９４、１３７５、１３３６、１３０４、１２８４、１２２７、１２０１、１１１５、１０４５、１０２８、１０１８、９６２、８９５、８５４、８４３、８０６、７９３、７４８、７２７、６９６、５０３を観測した。ＦＴ−ＩＲの測定結果を図２に示す。
【０１０２】
得られた芳香族オキシカルボン酸（Ａ１）について、示差熱熱重量同時測定装置（ＴＧ／ＤＴＡ  エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製  ＴＧ／ＤＴＡ６２００  ＥＸＳＴＡＲ６０００）を用い、昇温条件：３０−５５０℃  昇温速度：１０℃／分で測定した。熱重量分析−示差熱分析（ＴＧ−ＤＴＡ）の測定結果を図３に示す。測定の結果、融点１９０℃、重量減少温度：２３１℃、４６８℃を観測した。
【０１０３】
得られた芳香族オキシカルボン酸（Ａ１）について、元素分析測定器（ＣＨＮＳ／Ｏ分析  パーキンエルマー社製  ２４００ＩＩ全自動元素分析装置）にて、炭素（Ｃ）、水素（Ｈ）、窒素（Ｎ）の重量比率を測定した。以下に元素分析の理論値及び実測値を示す。
実測値  Ｃ：７２．７１    Ｈ：６．７４    Ｎ：０．００
理論値  Ｃ：７１．９８    Ｈ：６．７１    Ｎ：０．００
【０１０４】
得られた芳香族オキシカルボン酸（Ａ１）について、Ｘ線回折装置（株式会社リガク製  試料水平型強力Ｘ線回折装置  ＲＩＮＴ−ＴＴＲIII）にて以下の条件にて測定した。測定試料サンプルの作製：試料をＸ線回折装置専用ガラス台にのせ、別のガラス板にて平らに試料を延ばして試料を作製した。
測定範囲：２θ＝５°〜４０°
結晶化度の求め方：得られた芳香族オキシカルボン酸について、前記の条件でＸ線回折を測定後、得られたＸ線回折スペクトルをスムージング処理した。更に得られたデータを、Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  Ｄａｔａ社製の解析ソフト「ＪＡＤＥ  ＸＲＤ  Ｐａｔｔｅｒｎ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ  ＆  Ｑｕａｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ  ｖｅｒ．７．５．２」を用い、以下の条件にて解析し結晶化度を求めた。プロファイリングフィッティング条件：ＰＳＦ；ｐｓｅｕｄｏ−Ｖｏｉｇｔ、バックグラウンド：水平、現在のプロファイル更新：有り、Ｋα２ピーク：有り、初期半価幅曲線指定値＝０．２、ピークサーチ：有り。
得られた芳香族オキシカルボン酸（Ａ１）について、前記の条件にてＸ線回折を測定し、結晶化度を算出した結果を示す。結晶化度＝８８．６％。その結果を図４に示す。
【０１０５】
得られた芳香族オキシカルボン酸（Ａ１）について、液体クロマトグラフ質量分析装置（ＬＣ／ＭＳ  株式会社日立ハイテクノロジーズ製  ＬＣ／３ＤＱＭＳシステム  Ｍ−８０００）にて、以下の条件にて測定した。
イオン化源：ＥＳＩイオン化源（ＦＩ法により測定)
キャリア：電子工業用メタノール
試料の調製方法：試料各１ｍｇを電子工業用メタノールにて溶解し、完全に溶解しなかった試料に関しては、ＴＨＦを溶解するまで加えた。
第一細孔温度：１２０℃  第二細孔温度：１００℃  脱溶媒温度：１５０℃  補助ガス温度：１５０℃  フォーカス電圧：２０Ｖ  ドリフト電圧：２０Ｖ
液体クロマトグラフ質量分析の測定結果より、質量分析の理論値及び実測値を以下に示す。
実測値：ＬＣ／ＭＳ  ｍ／ｚ＝２９９．０７［Ｍ−Ｈ］−
芳香族オキシカルボン酸の理論分子量：３００．１４
【０１０６】
Ｂ−１  芳香族オキシカルボン酸の金属化合物の合成
水５００ｍＬに２０％水酸化ナトリウム水溶液６６．３ｇを加え、次いで芳香族オキシカルボン酸（Ａ１）を５０．０ｇ加え、９０℃に加熱した。この液に、水４６７ｍＬと２５．７％の硫酸アルミニウム水溶液８１．５ｇを加え、９０℃に加熱した溶液を２５分間で加え、９０℃で２時間加熱撹拌した。その後、濾過し濾液の電気伝導度が３００μＳ／ｃｍ以下になるまで水道水で水洗し、８０℃にて４８時間乾燥し、白色の芳香族オキシカルボン酸の金属化合物（Ｂ１）を５５．５ｇ得た。
【０１０７】
得られた芳香族オキシカルボン酸金属化合物（Ｂ１）について、元素分析測定器（ＣＨＮＳ／Ｏ分析  パーキンエルマー社製  ２４００ＩＩ全自動元素分析装置）にて、炭素（Ｃ）、水素（Ｈ）窒素（Ｎ）の重量比率を測定した。以下に元素分析の実測値を示す。
実測値  Ｃ：６３．７７    Ｈ：６．０９    Ｎ：０．００
【０１０８】
得られた芳香族オキシカルボン酸金属化合物（Ｂ１）について、原子吸光分析装置（Ｖａｌｉａｎ社製  ＳｐｅｃｔｒＡＡ−２２０ＦＳ）にて、含有する金属の重量％を測定した。以下に原子吸光の実測値を示す。Ａｌ＝５．３１％、Ｎａ＝０．０４％
【０１０９】
得られた芳香族オキシカルボン酸金属化合物（Ｂ１）について、フーリエ変換赤外分光光度計（ＦＴ−ＩＲ  日本電子株式会社製  ＪＩＲ−ＳＰＸ６０Ｓ）を使用し、ＫＢｒ法にて測定したところ、
ν（ｃｍ−１）＝３４３１、３２６５、３０９１、３０６６、３０３４、３００３、２９５８、２９１２、２８７２、１５７９、１４７５、１４５４、１４３５、１３９４、１３７５、１３０８、１２２８、１２０１、１１２２、１０８０、１０４５、１０３０、１０２０、９７４、９３１、８９７、８６６、８４５、８１０、７８３、７４４、６９６、６００、４２６、４０９を観測した。ＦＴ−ＩＲの測定結果を図５に示す。
【０１１０】
得られた芳香族オキシカルボン酸金属化合物（Ｂ１）について、示差熱熱重量同時測定装置（ＴＧ／ＤＴＡ  エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製  ＴＧ／ＤＴＡ６２００  ＥＸＳＴＡＲ６０００）を用い、昇温条件：３０−５５０℃  昇温速度：１０℃／分で測定した。熱重量分析−示差熱分析（ＴＧ−ＤＴＡ）の測定結果を図６に示す。その測定の結果、発熱温度：５０６℃、重量減少温度：１８８℃、４９１℃を観測した。
【０１１１】
得られた芳香族オキシカルボン酸金属化合物（Ｂ１）について、Ｘ線回折装置（株式会社リガク製  試料水平型強力Ｘ線回折装置  ＲＩＮＴ−ＴＴＲIII）にて以下の条件にて測定した。測定試料サンプルの作製：試料をＸ線回折装置専用ガラス台にのせ、別のガラス板にて平らに試料を延ばして試料を作製した。
測定範囲：２θ＝５°〜４０°
結晶化度の求め方：得られた芳香族オキシカルボン酸金属化合物について、前記の条件でＸ線回折を測定後、得られたＸ線回折スペクトルをスムージング処理した。更に得られたデータを、Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  Ｄａｔａ社製の解析ソフト「ＪＡＤＥ  ＸＲＤ  Ｐａｔｔｅｒｎ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ  ＆  Ｑｕａｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ  ｖｅｒ．７．５．２」を用い、以下の条件にて解析し結晶化度を求めた。プロファイリングフィッティング条件：ＰＳＦ；ｐｓｅｕｄｏ−Ｖｏｉｇｔ、バックグラウンド：水平、現在のプロファイル更新：有り、Ｋα２ピーク：有り、初期半価幅曲線指定値＝０．２、ピークサーチ：有り。
得られた芳香族オキシカルボン酸金属化合物（Ｂ１）について、前記の条件にてＸ線回折を測定し、結晶化度を算出した結果を示す。結晶化度＝１０．３％。
その結果を図７に示す。
【０１１２】
得られた芳香族オキシカルボン酸金属化合物（Ｂ１）について、液体クロマトグラフ質量分析装置（ＬＣ／ＭＳ  株式会社日立ハイテクノロジーズ製  ＬＣ／３ＤＱＭＳシステム  Ｍ−８０００）にて、以下の条件にて測定した。
イオン化源：ＥＳＩイオン化源（ＦＩ法により測定)
キャリア：電子工業用メタノール
試料の調製方法：試料各１ｍｇを電子工業用メタノールにて溶解し。完全に溶解しなかった試料に関してはＴＨＦを溶解するまで加えた。
第一細孔温度：１２０℃  第二細孔温度：１００℃  脱溶媒温度：１５０℃  補助ガス温度：１５０℃  フォーカス電圧：２０Ｖ  ドリフト電圧：２０Ｖ
得られた芳香族オキシカルボン酸金属化合物（Ｂ１）について、前記の条件でＬＣ／ＭＳ分析測定した。そのＬＣ／ＭＳ分析の測定結果から、分子量が６２３．４と、９４８．１とであり、芳香族オキシカルボン酸（Ａ１）とＡｌとが、それぞれ２：１、３：２である構造を推定できるデータを得た。下記に取り得ると考えられる化学式（Ｍ−１）及び（Ｍ−２）を示す。
【０１１３】
【化２８】
0005845483.tif 000033
【０１１４】
【化２９】
0005845483.tif 000034
【０１１５】
（実施例２）
Ａ−２  芳香族オキシカルボン酸の合成
５−メチル−２，３−ジヒドロキシ安息香酸（東京化成工業株式会社製、製品コードＤ２７７０）２５．０ｇをメタノール５００ｍＬに溶解させ、炭酸カリウム２０．２ｇを加えて６５℃に加熱した。この反応液に１−クロロメチルベンゼン１９．４ｇとメタノール１００ｍＬの混合溶解液を滴下し、６５℃にて５時間反応させた。得られた反応液を冷却後、濾過し、濾液中のメタノールを減圧留去して析出物を得た。
【０１１６】
得られた析出物をｐＨ＝２の水３Ｌに分散させ、酢酸エチルを加えて、水洗し、酢酸エチル相を抽出し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、減圧下、酢酸エチルを留去して析出物を得た。得られた析出物をヘキサン洗浄後、トルエンと酢酸エチルにて再結晶し、下記化学式（Ａ２）に示す芳香族オキシカルボン酸を２４．１ｇ得た。
【０１１７】
【化３０】
0005845483.tif 000035
【０１１８】
得られた芳香族オキシカルボン酸（Ａ２）について、ＨＰＬＣ純度を実施例１のＡ−１に記載の条件で測定したところ、９５．３％だった。
【０１１９】
得られた芳香族オキシカルボン酸（Ａ２）について、測定溶媒をＣＤＣｌ３に変えた以外は、実施例１のＡ−１と同様の条件で１Ｈ−ＮＭＲを測定した。１Ｈ−ＮＭＲスペクトルデータは、下記の通りであり、前記化学式（Ａ２）で示す構造を支持する。
δ（ｐｐｍ）＝２．２０（３Ｈ、ｓ、−ＣＨ３）、４．４１（２Ｈ、ｓ、−ＯＣＨ２−）、７．２４−７．５１（７Ｈ、ｍ、Ａｒ−Ｈ）
【０１２０】
得られた芳香族オキシカルボン酸（Ａ２）について、ＦＴ−ＩＲを実施例１のＡ−１に記載の条件で測定したところ、
ν（ｃｍ−１）＝３４１６、３１００、３０１０、２９６５９、２８５６、２６２２、１６７０、１６０９、１５１１、１４２８、１３６９、１３３６、１３０１、１２８１、１２３２、１２００、１１２１、１０６３、９６９、９０１、８５３、８３５、８１０、８０３、７２６、６８７、４６８を観測した。
【０１２１】
得られた芳香族オキシカルボン酸（Ａ２）について、ＴＧ−ＤＴＡを実施例１のＡ−１に記載の条件で測定した結果、融点１６１℃、発熱温度：５１３℃、５６２℃、重量減少温度：１７１℃、４０１℃、４８１℃、５４３℃を観測した。
【０１２２】
得られた芳香族オキシカルボン酸（Ａ２）について、元素分析を実施例１のＡ−１に記載の条件で測定した。以下に元素分析の理論値及び実測値を示す。
実測値Ｃ：６９．３０  Ｈ：５．３７  Ｎ：０．００
理論値Ｃ：６９．７６  Ｈ：５．４６  Ｎ：０．００
【０１２３】
得られた芳香族オキシカルボン酸（Ａ２）について、ＬＣ／ＭＳ分析を実施例１のＡ−１に記載の条件で測定した。質量分析の理論値及び実測値を示す。
実測値：ＬＣ／ＭＳ  ｍ／ｚ＝２５７．７［Ｍ−Ｈ］−
芳香族オキシカルボン酸の理論分子量：２５８．２７
【０１２４】
Ｂ−２  芳香族オキシカルボン酸の金属化合物の合成
水１００ｍＬに２５．７％の硫酸アルミニウム水溶液１８．６ｇを加え９０℃に加熱した。この液に、水１００ｍＬに２０％水酸化ナトリウム水溶液１４．９ｇ及び芳香族オキシカルボン酸（Ａ２）を１０．０ｇ加え、９０℃に加熱した溶液を２０分間で加え、９５℃で２時間加熱撹拌した。その後、濾過し濾液の電気伝導度が３００μＳ／ｃｍ以下になるまで水道水で水洗し、８０℃にて４８時間乾燥し、白色の芳香族オキシカルボン酸の金属化合物（Ｂ２）を９．７ｇ得た。
【０１２５】
得られた芳香族オキシカルボン酸金属化合物（Ｂ２）について、元素分析を実施例１のＢ−１に記載の条件で測定した。以下に、元素分析の実測値を示す。
実測値  Ｃ：６７．１    Ｈ：４．６９    Ｎ：０．００
【０１２６】
得られた芳香族オキシカルボン酸金属化合物（Ｂ２）について、含有する金属の重量％を実施例１のＢ−１に記載の条件で測定した。以下に原子吸光の実測値を示す。Ａｌ＝４．１５％、Ｎａ＝０．０１％
【０１２７】
得られた芳香族オキシカルボン酸金属化合物（Ｂ２）について、ＦＴ−ＩＲを実施例１のＢ−１に記載の条件で測定したところ、
ν（ｃｍ−１）＝３４３０、１６２１、１５２３、１４６２、１３８５、１２６６、１２０１、１１５９、１１１０、１０１２、９９９、９０５、８３２、７６９、６７９、４８５を観測した。
【０１２８】
得られた芳香族オキシカルボン酸金属化合物（Ｂ２）について、ＴＧ−ＤＴＡを実施例１のＢ−１に記載の条件で測定した。その測定の結果、吸熱温度：１９６℃、発熱温度：３６２℃、４６０℃、重量減少温度：１７５℃、３２４℃、４４３℃を観測した。
【０１２９】
得られた芳香族オキシカルボン酸金属化合物（Ｂ２）について、Ｘ線回折を実施例１のＢ−１に記載の条件で測定し、結晶化度を算出した結果を示す。結晶化度＝２３．７％。
【０１３０】
得られた芳香族オキシカルボン酸金属化合物（Ｂ２）について、ＬＣ／ＭＳ分析を実施例１のＢ−１に記載の条件で測定した。そのＬＣ／ＭＳ分析の測定結果から、分子量が５３９．８であり、芳香族オキシカルボン酸（Ａ２）とＡｌとが、２：１である構造を推定できるデータを得た。下記に取り得ると考えられる化学式（Ｍ−３）を示す。
【０１３１】
【化３１】
0005845483.tif 000036
【０１３２】
（実施例３）
Ａ−３  芳香族オキシカルボン酸の合成
５−tert−ブチル−２，３−ジヒドロキシ安息香酸２５．０ｇをメタノール３６５ｍＬに溶解させ、炭酸カリウム１６．２ｇを加えて６５℃に加熱した。この反応液に１−クロロメチルベンゼン１５．５ｇを２０分間で滴下し、６５℃にて３時間反応させた。得られた反応液を冷却後、濾過し、濾液中のメタノールを減圧留去して析出物を得た。得られた析出物をｐＨ＝２の水に分散させ、酢酸エチルを加え、水洗し、酢酸エチル相を抽出した。硫酸マグネシウムで乾燥させ、減圧下、酢酸エチルを留去後、析出物をトルエン洗浄し、トルエンにて再結晶し、下記化学式（Ａ３）に示す芳香族オキシカルボン酸を２２．７ｇ得た。
【０１３３】
【化３２】
0005845483.tif 000037
【０１３４】
得られた芳香族オキシカルボン酸（Ａ３）について、ＨＰＬＣ純度を実施例１のＡ−１に記載の条件で測定したところ、９９．１％だった。
【０１３５】
得られた芳香族オキシカルボン酸（Ａ３）について、１Ｈ−ＮＭＲを実施例１のＡ−１に記載の条件で測定した。１Ｈ−ＮＭＲスペクトルデータは、下記の通りであり、前記化学式（Ａ３）で示す構造を支持する。
δ（ｐｐｍ）＝１．２３（１Ｈ、ｓ、−Ｃ（ＣＨ３）３）５．２２（２Ｈ、ｓ、−ＣＨ２−）、７．２９−７．５５（７Ｈ、ｍ、Ａｒ−Ｈ）
【０１３６】
得られた芳香族オキシカルボン酸（Ａ３）について、ＦＴ−ＩＲを実施例１のＡ−１に記載の条件で測定したところ、
ν（ｃｍ−１）＝３０９０、３０５５、２９６６、２８７０、２６２９、１６５５、１６１９、１５１２、１４８１、１４４８、１４０９、１２９９、１２７５、１２３７、１２００、１１１７、１０８３、１０１５、９８５、９６０、９１７、８９４、８５６、８３０、８２０、７２１、６４２を観測した。
【０１３７】
得られた芳香族オキシカルボン酸（Ａ３）について、ＴＧ−ＤＴＡを実施例１のＡ−１に記載の条件で測定した。測定の結果、融点１３７℃、発熱温度：５６７℃、分解点：１９９℃を観測した。
【０１３８】
得られた芳香族オキシカルボン酸（Ａ３）について、元素分析を実施例１のＡ−１に記載の条件で測定した。以下に元素分析の理論値及び実測値を示す。
実測値  Ｃ：７０．９７  Ｈ：６．４９  Ｎ：０．００
理論値  Ｃ：７１．９８  Ｈ：６．７１  Ｎ：０．００
【０１３９】
得られた芳香族オキシカルボン酸（Ａ３）について、Ｘ線回折を実施例１のＡ−１に記載の条件で測定し、結晶化度を算出した結果を示す。結晶化度＝６４．２％。
【０１４０】
得られた芳香族オキシカルボン酸（Ａ３）について、ＬＣ／ＭＳ分析を実施例１のＡ−１の条件にて測定した。以下に質量分析の理論値及び実測値を示す。
実測値：ＬＣ／ＭＳ  ｍ／ｚ＝２９８．９［Ｍ−Ｈ］−
芳香族オキシカルボン酸の理論分子量：３００．３５
【０１４１】
Ｂ−３  芳香族オキシカルボン酸の金属化合物の合成
水９４ｍＬに２５．７％の硫酸アルミニウム水溶液１６．４ｇを加え９０℃に加熱した。この液に、水１００ｍＬに２０％水酸化ナトリウム水溶液１３．２ｇを加え、次いで芳香族オキシカルボン酸（Ａ３）を１０．０ｇ加え、９０℃に加熱した溶液を３０分間で加え、９５℃で２時間加熱撹拌した。その後、濾過し濾液の電気伝導度が３００μＳ／ｃｍ以下になるまで水道水で水洗し、８０℃にて２４時間乾燥し、芳香族オキシカルボン酸の金属化合物（Ｂ３）を１２．３ｇ得た。
【０１４２】
得られた芳香族オキシカルボン酸金属化合物（Ｂ３）について、元素分析を実施例１のＢ−１に記載の条件で測定した。以下に、元素分析の実測値を示す。
実測値  Ｃ：６９．８４  Ｈ：５．８０  Ｎ：０．００
【０１４３】
得られた芳香族オキシカルボン酸金属化合物（Ｂ３）について、含有する金属の重量％を実施例１のＢ−１に記載の条件で測定した。以下に原子吸光の実測値を示す。Ａｌ＝３．５１％、Ｎａ＝０．０３％
【０１４４】
得られた芳香族オキシカルボン酸金属化合物（Ｂ３）について、ＦＴ−ＩＲを実施例１のＢ−１に記載の条件で測定したところ、
ν（ｃｍ−１）＝３４２５、２９５９、１６３２、１５７４、１４８６、１４４０、１４０４、１３６９、１２７３、１２５０、１１２０、１０５６、９９８、９１２、８４９、８２２、８１５、６４５、４４１を観測した。
【０１４５】
得られた芳香族オキシカルボン酸金属化合物（Ｂ３）について、ＴＧ−ＤＴＡを実施例１のＢ−１に記載の条件で測定し、その測定の結果、発熱温度：３７１℃、４６２℃、重量減少温度：２６１℃、４３９℃を観測した。
【０１４６】
得られた芳香族オキシカルボン酸金属化合物（Ｂ３）について、Ｘ線回折を実施例１のＢ−１に記載の条件で測定し、結晶化度を算出した結果を示す。結晶化度＝２７．４％。
【０１４７】
得られた芳香族オキシカルボン酸金属化合物（Ｂ３）について、ＬＣ／ＭＳ分析を実施例１のＢ−１に記載の条件で測定した。そのＬＣ／ＭＳ分析の測定結果から、分子量が６２２．７と、９４７．７とであり、芳香族オキシカルボン酸（Ａ３）とＡｌとが、それぞれ２：１、３：２である構造を推定できるデータを得た。下記に取り得ると考えられる化学式（Ｍ−４）及び（Ｍ−５）を示す。
【０１４８】
【化３３】
0005845483.tif 000038
【０１４９】
【化３４】
0005845483.tif 000039
【０１５０】
（実施例４）
Ａ−４  芳香族オキシカルボン酸の合成
３−tert−ブチル−２，５−ジヒドロキシ安息香酸１０．０ｇをメタノール２００ｍＬに溶解させ、炭酸カリウム６．６ｇを加えて６５℃に加熱した。この反応液に、テトラヘドロン（Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ），２００９年，第６５巻，第２２号，４４２９−４４３９頁に記載の方法で合成した１−tert−ブチル−４−ブロモエチルベンゼン１２ｇとメタノール１００ｍＬとの混合溶液を２０分間で滴下し、６５℃にて８時間反応させた。得られた反応液を冷却後、濾過し、濾液中のメタノールを減圧留去して析出物を得た。得られた析出物をｐＨ＝２の水１．５Ｌに分散させ、酢酸エチルを加えて水洗し、酢酸エチル相を抽出し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、減圧下、酢酸エチルを留去して析出物を得た。得られた析出物をヘキサン洗浄濾過後、析出物をトルエンと酢酸エチルの混合溶液を用い、再結晶し、８０℃で４０時間乾燥後、下記化学式（Ａ４）に示す芳香族オキシカルボン酸誘導体を１２．７ｇ得た。
【０１５１】
【化３５】
0005845483.tif 000040
【０１５２】
得られた芳香族オキシカルボン酸（Ａ４）について、ＨＰＬＣ純度を実施例１のＡ−１に記載の条件で測定したところ、９８．６％だった。
【０１５３】
得られた芳香族オキシカルボン酸（Ａ４）について、１Ｈ−ＮＭＲを実施例１のＡ−１に記載の条件で測定した。１Ｈ−ＮＭＲスペクトルデータは、下記の通りであり、前記化学式（Ａ４）で示す構造を支持する。
δ（ｐｐｍ）＝１．３７（９Ｈ、ｓ、−Ｃ（ＣＨ３）３）１．４４（９Ｈ、ｓ、−Ｃ（ＣＨ３）３）、５．１０（２Ｈ、ｓ、−ＯＣＨ２−）、７．２０−７．４５（６Ｈ、ｍ、Ａｒ−Ｈ）
【０１５４】
得られた芳香族オキシカルボン酸（Ａ４）について、ＦＴ−ＩＲを実施例のＡ−１と同様の条件で測定したところ、
ν（ｃｍ−１）＝３４２２、３０９６、３００４、２９６６、２８６９、２６１９、１６６１、１６０９、１５１６、１４３０、１４１１、１３７６、１３６２、１３３０、１２９２、１２７８、１２２５、１１９９、１１８１、１１１６、１０６６、１０１６、９８５、９７０、９０８、８５１、８３２、８１９、８０６、７９５、７２２、６８１、６５８、６０６、４９３、４６５を観測した。
【０１５５】
得られた芳香族オキシカルボン酸（Ａ４）について、ＴＧ−ＤＴＡを実施例のＡ−１に記載の条件で測定した。その測定の結果、融点：１９２℃、発熱温度：５２６℃、５７１℃、重量減少温度：１６５℃、２３１℃、３８７℃、４９０℃、５５３℃を観測した。
【０１５６】
得られた芳香族オキシカルボン酸（Ａ４）について、元素分析を実施例のＡ−１に記載の条件で測定した。以下に、元素分析の理論値及び実測値を示す。
実測値Ｃ：７３．９７  Ｈ：７．８８  Ｎ：０．００
理論値Ｃ：７４．１３  Ｈ：７．９２  Ｎ：０．００
【０１５７】
得られた芳香族オキシカルボン酸（Ａ４）について、Ｘ線回折を実施例１のＡ−１に記載の条件で測定し、結晶化度を算出した結果を示す。結晶化度＝７２．７％。
【０１５８】
得られた芳香族オキシカルボン酸（Ａ４）について、液体クロマトグラフ質量分析を実施例のＡ−１に記載の条件で測定した。質量分析の理論値及び実測値を示す。
実測値：ＬＣ／ＭＳ  ｍ／ｚ＝３５５．３［Ｍ−Ｈ］−
理論値：ｍ／ｚ＝３５６．４６
【０１５９】
Ｂ−４  芳香族オキシカルボン酸の金属化合物の合成
水１３０ｍＬに２０％水酸化ナトリウム水溶液５７．０ｇを加え、次いで芳香族オキシカルボン酸（Ａ４）を１０．０ｇ加え、９０℃に加熱した。この液に、水１００ｍＬに２５．７％の硫酸アルミニウム水溶液１４．０ｇを加え、９０℃に加熱した溶液を３０分間で加え、９５℃で２時間加熱撹拌した。その後、濾過し濾液の電気伝導度が３００μＳ／ｃｍ以下になるまで水道水で水洗し、８０℃にて４８時間乾燥し、白色の芳香族オキシカルボン酸の金属化合物（Ｂ４）を１０．１ｇ得た。
【０１６０】
得られた芳香族オキシカルボン酸金属化合物（Ｂ４）について、元素分析を実施例１のＢ−１に記載の条件で測定した。以下に、元素分析の実測値を示す。
実測値  Ｃ：６３．７７    Ｈ：６．０９    Ｎ：０．００
【０１６１】
得られた芳香族オキシカルボン酸金属化合物（Ｂ４）について、含有する金属の重量％を実施例１のＢ−１に記載の条件で測定した。以下に原子吸光の実測値を示す。Ａｌ＝４．４０％、Ｎａ＝０．０２％
【０１６２】
得られた芳香族オキシカルボン酸金属化合物（Ｂ４）について、ＦＴ−ＩＲを実施例１のＢ−１に記載の条件で測定したところ、
ν（ｃｍ−１）＝３４３３、２９５７、１５８５、１４７３、１４３５、１４０６、１３７５、１３０７、１２２８、１２０１、１１２２、１０４３、１０１５、９８９、９０８、８１１、７４４を観測した。
【０１６３】
得られた芳香族オキシカルボン酸金属化合物（Ｂ４）について、ＴＧ−ＤＴＡを実施例１のＢ−１に記載の条件で測定した結果、発熱温度：３６３℃、４６５℃、重量減少温度：２３５℃、４２０℃を観測した。
【０１６４】
得られた芳香族オキシカルボン酸金属化合物（Ｂ４）について、Ｘ線回折を実施例１のＢ−１に記載の条件で測定し、結晶化度を算出した結果を示す。結晶化度＝３５．１％。
【０１６５】
得られた芳香族オキシカルボン酸金属化合物（Ｂ４）について、ＬＣ／ＭＳ分析を実施例１のＢ−１に記載の条件で測定した。そのＬＣ／ＭＳ分析の測定結果から、分子量が７３５．５であり、芳香族オキシカルボン酸（Ａ４）とＡｌとが、２：１である構造を推定できるデータを得た。下記に取り得ると考えられる化学式（Ｍ−６）を示す。
【０１６６】
【化３６】
0005845483.tif 000041
【０１６７】
（実施例５）
Ａ−５  芳香族オキシカルボン酸の合成
８０％硫酸１２０１ｇに２，４−ジヒドロキシ安息香酸とイソプロパノール２１０ｇとを加え、７５℃にて８時間撹拌した。放冷し、氷水２Ｌとヘキサン１４０ｍＬとを加え氷浴下、撹拌した。析出している結晶を濾過し、残渣をヘキサンで洗浄した。更にメタノール：水＝６：４の混合液に分散し、濾過した。６０℃にて４８時間乾燥し、イソプロピル化された芳香族オキシカルボン酸中間体６５．４ｇを得た。イソプロピル化された芳香族オキシカルボン酸中間体２０．０ｇをメタノール３１０ｍＬに溶解させ、炭酸カリウム１４．０ｇを加えて６５℃に加熱した。この反応液に１−クロロメチルベンゼン１３．３ｇとメタノール１００ｍＬに混合溶解させた溶解液を滴下し、８時間反応させた。得られた反応液を冷却後、濾過し、濾液中のメタノールを減圧留去して析出物を得た。得られた析出物をｐＨ＝２の水１．５Ｌに分散させ、酢酸エチルを加えた後に水洗した。酢酸エチル層を抽出し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、減圧下、酢酸エチルを留去して析出物を得た。得られた析出物をヘキサン洗浄濾過後、析出物をトルエンと酢酸エチルの混合溶液を用い、再結晶し、８０℃で４０時間乾燥後、下記化学式（Ａ５）に示す芳香族オキシカルボン酸誘導体を１７．７ｇ得た。
【０１６８】
【化３７】
0005845483.tif 000042
【０１６９】
得られた芳香族オキシカルボン酸（Ａ５）について、ＨＰＬＣ純度を実施例１のＡ−１に記載の条件で測定したところ、９７．９％だった。
【０１７０】
得られた芳香族オキシカルボン酸（Ａ５）について、１Ｈ−ＮＭＲを実施例１のＡ−１に記載の条件で測定した。１Ｈ−ＮＭＲスペクトルデータは、下記の通りであり、前記化学式（Ａ５）で示す構造を支持する。
δ（ｐｐｍ）＝１．２５（６Ｈ、ｄ、−Ｃ（ＣＨ３）２）、２．９０（１Ｈ、ｍ、−ＣＨ−Ｃ（ＣＨ３）２）、５．２０（２Ｈ、ｓ、−ＯＣＨ２−）、６．３９（１Ｈ、ｓ、Ａｒ−Ｈ）、７．０８−７．３５（５Ｈ、ｍ、Ａｒ−Ｈ）、７．６２（１Ｈ、ｓ、Ａｒ−Ｈ）
【０１７１】
得られた芳香族オキシカルボン酸（Ａ５）について、ＦＴ−ＩＲを実施例のＡ−１と同様の条件で測定したところ、
ν（ｃｍ−１）＝３４３２、３０１８、２８７９、１６７７、１６１６、１４５５、１３４５、１２３６、１１３４、１２３８、１１３２、１０７６、９３０、８１３、７４２、７０６、５０６を観測した。
【０１７２】
得られた芳香族オキシカルボン酸（Ａ５）について、ＴＧ−ＤＴＡを実施例のＡ−１に記載の条件で測定した。その測定の結果、融点：１６７℃、発熱温度：５７４℃、重量減少温度：２０９℃、３８８℃を観測した。
【０１７３】
得られた芳香族オキシカルボン酸（Ａ５）について、元素分析を実施例のＡ−１に記載の条件で測定した。以下に、元素分析の理論値及び実測値を示す。
実測値Ｃ：７２．００  Ｈ：６．２９  Ｎ：０．００
理論値Ｃ：７１．３１  Ｈ：６．３４  Ｎ：０．００
【０１７４】
得られた芳香族オキシカルボン酸（Ａ５）について、Ｘ線回折を実施例１のＡ−１に記載の条件で測定し、結晶化度を算出した結果を示す。結晶化度＝８６．４％。
【０１７５】
得られた芳香族オキシカルボン酸（Ａ５）について、液体クロマトグラフ質量分析を実施例のＡ−１に記載の条件で測定した。質量分析の理論値及び実測値を示す。
実測値：ＬＣ／ＭＳ  ｍ／ｚ＝２８５．４［Ｍ−Ｈ］−
理論値：ｍ／ｚ＝２８６．３２
【０１７６】
Ｂ−５  芳香族オキシカルボン酸の金属化合物の合成
水１００ｍＬに２０％水酸化ナトリウム水溶液１３．８ｇを加え、次いで芳香族オキシカルボン酸（Ａ５）を１０．０ｇ加え、９０℃に加熱した。この液に、水１００ｍＬに２５．７％の硫酸アルミニウム水溶液１４．０ｇを加え、９０℃に加熱した溶液を３０分間で加え、９５℃で２時間加熱撹拌した。その後、濾過し濾液の電気伝導度が３００μＳ／ｃｍ以下になるまで水道水で水洗し、８０℃にて４８時間乾燥し、白色の芳香族オキシカルボン酸の金属化合物（Ｂ５）を９．９ｇ得た。
【０１７７】
得られた芳香族オキシカルボン酸金属化合物（Ｂ５）について、元素分析を実施例１のＢ−１に記載の条件で測定した。以下に、元素分析の実測値を示す。
実測値  Ｃ：６８．４２    Ｈ：５．５０    Ｎ：０．００
【０１７８】
得られた芳香族オキシカルボン酸金属化合物（Ｂ５）について、含有する金属の重量％を実施例１のＢ−１に記載の条件で測定した。以下に原子吸光の実測値を示す。Ａｌ＝４．９９％、Ｎａ＝０．０１％
【０１７９】
得られた芳香族オキシカルボン酸金属化合物（Ｂ５）について、ＦＴ−ＩＲを実施例１のＢ−１に記載の条件で測定したところ、
ν（ｃｍ−１）＝３４２０、３１１０、２９６５、２９２９、２８６８、２６５９、１８２７、１７７０、１６６６、１６０７、１５２２、１４５７、１４０９、１３７９、１３２７、１２７８、１２１１、１１５４、１０４１、９６７、９００、８４４、８２３、７９５、６８８、６０６、５２７、４６５を観測した。
【０１８０】
得られた芳香族オキシカルボン酸金属化合物（Ｂ５）について、ＴＧ−ＤＴＡを実施例１のＢ−１に記載の条件で測定した結果、発熱温度：３７４℃、４７１℃、重量減少温度：２２２℃、４３１℃を観測した。
【０１８１】
得られた芳香族オキシカルボン酸金属化合物（Ｂ５）について、Ｘ線回折を実施例１のＢ−１に記載の条件で測定し、結晶化度を算出した結果を示す。結晶化度＝２８．１％。
【０１８２】
得られた芳香族オキシカルボン酸金属化合物（Ｂ５）について、ＬＣ／ＭＳ分析を実施例１のＢ−１に記載の条件で測定した。そのＬＣ／ＭＳ分析の測定結果から、分子量が５９５．４と８８１．９であり、芳香族オキシカルボン酸（Ａ５）とＡｌとが、それぞれ２：１、３：１である構造を推定できるデータを得た。下記に取り得ると考えられる化学式（Ｍ−７）及び（Ｍ−８）を示す。
【０１８３】
【化３８】
0005845483.tif 000043
【０１８４】
【化３９】
0005845483.tif 000044
【０１８５】
（実施例６）
Ａ−６  芳香族オキシカルボン酸の合成
２，４−ジヒドロキシ安息香酸４６．２３ｇと８０％硫酸４６０ｇとを７０℃に加熱混合し、この分散液に２−オクタノール７８．１５ｇを１０分間で加えて７０℃で３０分間撹拌した。その後、分散液に２−オクタノール７８．１５ｇを加え３０分間撹拌する操作を２回行った。３０分間撹拌後、反応液を室温まで冷却し、氷水３ｋｇに徐々に注ぎ、析出物を濾過、水洗し、更にヘキサン洗浄した。得られた析出物をメタノール５００ｍＬに溶解させ、水４．５Ｌに再沈殿させた。濾過後、８０℃にて２４時間乾燥させ、反応物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに付し、ヘキサン：トルエン留分にて、オクチル化されたサリチル酸中間体２４．５ｇを得た。
【０１８６】
得られたサリチル酸中間体２０．０ｇをメタノール４００ｍＬに溶解させ、炭酸カリウム２２．９ｇを加えて６５℃に加熱した。この反応液に１−クロロメチルベンゼン２２．９ｇとメタノール１００ｍＬに混合溶解させた溶解液を滴下し、６５℃にて３時間反応させた。得られた反応液を冷却後、濾過し、濾液中のメタノールを減圧留去して析出物を得た。
【０１８７】
得られた析出物をｐＨ＝２の水２．０Ｌに分散させ、酢酸エチルを加えて抽出した。その後、水洗し、酢酸エチル層を分離し硫酸マグネシウムで乾燥させ、減圧下、酢酸エチルを留去して析出物を得た。得られた析出物をヘキサン洗浄後、濾過し、残渣をトルエンと酢酸エチルの混合溶液にて再結晶した。析出物を濾過後、８０℃にて４８時間乾燥させ、下記化学式（Ａ６）に示す芳香族オキシカルボン酸誘導体を１５．８ｇ得た。
【０１８８】
【化４０】
0005845483.tif 000045
【０１８９】
得られた芳香族オキシカルボン酸（Ａ６）について、ＨＰＬＣ純度を実施例１のＡ−１に記載の条件で測定したところ、９５．７％だった。
【０１９０】
得られた芳香族オキシカルボン酸（Ａ６）について、１Ｈ−ＮＭＲを実施例１のＡ−１に記載の条件で測定した。１Ｈ−ＮＭＲスペクトルデータは、下記の通りであり、前記化学式（Ａ６）で示す構造を支持する。
δ（ｐｐｍ）＝０．９７（３Ｈ、ｔ、−ＣＨ３）、１．１７−１．６０（１５Ｈ、ｂｒｏａｄ、−（ＣＨ２）６−、−ＣＨ３）、５．００（２Ｈ、ｓ、−ＯＣＨ２−）、７．３０−７．４６（７Ｈ、ｍ、Ａｒ−Ｈ）
【０１９１】
得られた芳香族オキシカルボン酸（Ａ６）について、ＦＴ−ＩＲを実施例のＡ−１と同様の条件で測定したところ、
ν（ｃｍ−１）＝３４２２、３１０８、３０１０、３０００、２９３５、２８７７、２８７１、２７３５、２６５５、１９２０、１８２６、１８００、１７６８、１７１１、１７００、１６２４、１６０７、１５２５、１５０２、１４６６，１４１５、１４１０、１３６６、１３１８、１２９２、１２７５、１２２４、１１８１、１１５８、１０４３、９９１、９６５、９４２、８９９、８９４、８４５、８２７、８１０、７９９、７２５、６８６、６１４、５２８、５００、４２１を観測した。
【０１９２】
得られた芳香族オキシカルボン酸（Ａ６）について、ＴＧ−ＤＴＡを実施例のＡ−１に記載の条件で測定した。その測定の結果、融点：１４６℃、発熱温度：５０９℃、重量減少温度：１７５℃、３５６℃を観測した。
【０１９３】
得られた芳香族オキシカルボン酸（Ａ６）について、元素分析を実施例のＡ−１に記載の条件で測定した。以下に、元素分析の理論値及び実測値を示す。
実測値Ｃ：７３．７９  Ｈ：７．９７  Ｎ：０．００
理論値Ｃ：７４．１３  Ｈ：７．９２  Ｎ：０．００
【０１９４】
得られた芳香族オキシカルボン酸（Ａ６）について、Ｘ線回折を実施例１のＡ−１に記載の条件で測定し、結晶化度を算出した結果を示す。結晶化度＝６３．６％。
【０１９５】
得られた芳香族オキシカルボン酸（Ａ６）について、液体クロマトグラフ質量分析を実施例のＡ−１に記載の条件で測定した。質量分析の理論値及び実測値を示す。
実測値：ＬＣ／ＭＳ  ｍ／ｚ＝３５５．８［Ｍ−Ｈ］−
理論値：ｍ／ｚ＝３５６．４６
【０１９６】
Ｂ−６  芳香族オキシカルボン酸の金属化合物の合成
水１００ｍＬに２０％水酸化ナトリウム水溶液１１．１ｇを加え、次いで芳香族オキシカルボン酸（Ａ６）を１０．０ｇ加え、９０℃に加熱した。この液を、水８０ｍＬに２５．７％の硫酸アルミニウム水溶液１４．０ｇを加え、９０℃に加熱した溶液に２７分間で加え、９５℃で２時間加熱撹拌した。その後、濾過し濾液の電気伝導度が３００μＳ／ｃｍ以下になるまで水道水で水洗し、８０℃にて４８時間乾燥し、白色の芳香族オキシカルボン酸の金属化合物（Ｂ６）を９．６ｇ得た。
【０１９７】
得られた芳香族オキシカルボン酸金属化合物（Ｂ６）について、元素分析を実施例１のＢ−１に記載の条件で測定した。以下に、元素分析の実測値を示す。
実測値  Ｃ：７２．１１  Ｈ：７．４１  Ｎ：０．００
【０１９８】
得られた芳香族オキシカルボン酸金属化合物（Ｂ６）について、含有する金属の重量％を実施例１のＢ−１に記載の条件で測定した。以下に原子吸光の実測値を示す。Ａｌ＝３．７４％、Ｎａ＝０．０２％
【０１９９】
得られた芳香族オキシカルボン酸金属化合物（Ｂ６）について、ＦＴ−ＩＲを実施例１のＢ−１に記載の条件で測定したところ、
ν（ｃｍ−１）＝３４２２、３１０９、２９６９、２９３０、２８６７、２６６０、１８２９、１７７１、１６６７、１６０９、１５２４、１４５８、１４１０、１３７７、１３２３、１２７９、１２１２、１１５８、１０４９、９６４、９１０、８４７、８２６、７９９、６８９、６１０、５２５、４６４を観測した。
【０２００】
得られた芳香族オキシカルボン酸金属化合物（Ｂ６）について、ＴＧ−ＤＴＡを実施例１のＢ−１に記載の条件で測定した結果、発熱温度：４３６℃、重量減少温度：１９９℃、４１０℃を観測した。
【０２０１】
得られた芳香族オキシカルボン酸金属化合物（Ｂ６）について、Ｘ線回折を実施例１のＢ−１に記載の条件で測定し、結晶化度を算出した結果を示す。結晶化度＝３０．１％。
【０２０２】
得られた芳香族オキシカルボン酸金属化合物（Ｂ６）について、ＬＣ／ＭＳ分析を実施例１のＢ−１に記載の条件で測定した。そのＬＣ／ＭＳ分析の測定結果から、分子量が７３５．７であり、芳香族オキシカルボン酸（Ａ６）とＡｌとが、２：１である構造を推定できるデータを得た。下記に取り得ると考えられる化学式（Ｍ−９）を示す。
【０２０３】
【化４１】
0005845483.tif 000046
【０２０４】
（比較例１）
３−tert−ブチル−２，５−ジヒドロキシ安息香酸を２，５−ジヒドロキシ安息香酸に代えたこと以外は実施例１のＡ−１と同様の方法により、５−ベンジロキシ−２−ヒドロキシ安息香酸（Ｙ１）を合成した。
【０２０５】
２，５−ジヒドロキシ安息香酸１００．０ｇをメタノール４４０ｍＬに溶解させ、炭酸カリウム１２２．２ｇを加えて６５℃に加熱した。この反応液にベンジルブロミド７９．１ｇを滴下し、６５℃にて８時間反応させた。得られた反応液を冷却後、濾過し、濾液中のメタノールを減圧留去して析出物を得た。
【０２０６】
得られた析出物をｐＨ＝２の水３Ｌに分散させ、酢酸エチルを加えて酢酸エチル相を抽出した。その後、水洗し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、減圧下、酢酸エチルを留去して析出物を得た。得られた析出物をヘキサン洗浄後、トルエンと酢酸エチルにて再結晶し、下記化学式（Ｙ１）に示す芳香族オキシカルボン酸を６２．３ｇ得た。
【０２０７】
【化４２】
0005845483.tif 000047
【０２０８】
得られた芳香族オキシカルボン酸（Ｙ１）について、ＨＰＬＣ純度を実施例１のＡ−１に記載の条件で測定したところ、９８．７％だった。
【０２０９】
得られた芳香族オキシカルボン酸（Ｙ１）について、元素分析を実施例１のＡ−１に記載の条件で測定した。以下に、元素分析の理論値及び実測値を示す。
実測値  Ｃ：６８．７９    Ｈ：４．８７    Ｎ：０．００
理論値  Ｃ：６８．８５    Ｈ：４．９５    Ｎ：０．００
【０２１０】
得られた芳香族オキシカルボン酸（Ｙ１）について、ＬＣ／ＭＳ分析を実施例１のＡ−１に記載の条件で測定した。また、質量分析の理論値及び実測値を以下に示す。
実測値：ＬＣ／ＭＳ  ｍ／ｚ＝２４３．６７［Ｍ−Ｈ］−
芳香族オキシカルボン酸の理論分子量：２４４．２４
【０２１１】
水４６７ｍＬに２５．７％の硫酸アルミニウム水溶液１０１．５ｇを加え、９０℃に加熱した。この溶液に、水５００ｍＬに２０％水酸化ナトリウム水溶液８１．５ｇと芳香族オキシカルボン酸（Ｙ１）を５０．０ｇ加え、９０℃に加熱した溶液を２５分間で加え、９５℃で２時間加熱撹拌した。その後、濾過し濾液の電気伝導度が３００μＳ／ｃｍ以下になるまで水道水で水洗し、８０℃にて４８時間乾燥し、白色の芳香族オキシカルボン酸の金属化合物（Ｘ１）を５５．５ｇ得た。
【０２１２】
得られた金属化合物（Ｘ１）について、元素分析を実施例１のＢ−１に記載の条件で測定した。以下に、元素分析の実測値を示す。
実測値  Ｃ：６２．５１    Ｈ：５．８７    Ｎ：０．００
【０２１３】
得られた金属化合物（Ｘ１）について、含有する金属の重量％を実施例１のＢ−１に記載の条件で測定した。以下に原子吸光の実測値を示す。Ａｌ＝５．３１％、Ｎａ＝０．０４％
【０２１４】
得られた金属化合物（Ｘ１）について、ＴＧ−ＤＴＡを実施例１のＢ−１に記載の条件で測定した。その測定の結果、発熱温度：５０６℃、重量減少温度：１８８℃、４９１℃を観測した。
【０２１５】
（比較例２）
比較例１で合成した芳香族オキシカルボン酸（Ｙ１）を用いて、特開２００１−２４９５００記載の芳香族オキシカルボン酸金属化合物（Ｘ２）を合成した。
【０２１６】
水１００ｍＬに２０％水酸化ナトリウム水溶液１３．３ｇを加え、次いで比較例１で得られた芳香族オキシカルボン酸（Ｙ１）を１０．０ｇ加え、９０℃に加熱した。この液に、水３０ｍＬにオキシ塩化ジルコニウム８水和物６．３ｇを加え、９０℃に加熱した溶液を５分間で加え、９５℃で２時間加熱撹拌した。その後、濾過し濾液の電気伝導度が３００μＳ／ｃｍ以下になるまで水道水で水洗し、８０℃にて４８時間乾燥し、白色の芳香族オキシカルボン酸の金属化合物（Ｘ２）を１１．１ｇ得た。
【０２１７】
得られた金属化合物（Ｘ２）について、元素分析を実施例１のＢ−１に記載の条件で測定した。以下に、元素分析の実測値を示す。
実測値  Ｃ：６３．６    Ｈ：５．４２    Ｎ：０．００
【０２１８】
得られた金属化合物（Ｘ２）について、含有する金属の重量％を実施例１のＢ−１に記載の条件で測定した。以下に原子吸光の実測値を示す。Ｚｒ＝１２．３％、Ｎａ＝０．０４％
【０２１９】
得られた金属化合物（Ｘ２）について、ＦＴ−ＩＲを実施例１のＢ−１に記載の条件で測定したところ、
ν（ｃｍ−１）＝３２６０、３０５３、３０３０、３０２９、３０００、２９７８、２９１３、２８６９、１６２５、１５７１、１５４３、１５１０、１４６８、１４３３、１３９９、１３８９、１３７０、１３１５、１２６９、１２３０、１１９９、１１１８、１０４２、１０１５、９９０、９０４、８３９、８２０、８０５、７５９、７３２、６２５、６１０、５３７、４６９、４１０を観測した。
【０２２０】
得られた金属化合物（Ｘ２）について、ＴＧ−ＤＴＡを実施例１のＢ−１に記載の条件で測定した。その測定の結果、発熱温度：３４３℃、４８０℃、重量減少温度：４６１℃を観測した。
【０２２１】
得られた金属化合物（Ｘ２）について、ＬＣ／ＭＳ分析を実施例１のＢ−１に記載の条件で測定した。そのＬＣ／ＭＳ分析の測定結果から、分子量が７３８．２であり、芳香族オキシカルボン酸（Ｙ１）とＺｒとが、２：１である構造を推定できるデータを得た。下記に取り得ると考えられる化学式（Ｘ２）を示す。
【０２２２】
【化４３】
0005845483.tif 000048
【０２２３】
（比較例３）
２，３−ジヒドロキシ安息香酸２５．０ｇをメタノール３００ｍＬに溶解させ、これに炭酸カリウム２２．１ｇを加え、６５℃で、３０分間撹拌した。これにベンジルクロライド２１．１ｇを３０分間で滴下した。還流下、５時間反応後、室温まで放冷し、析出物をろ過後、メタノールで洗浄した。ろ液中のメタノールを減圧下除去し、茶色の半固体を得た。この茶色半固体をｐＨ＝１の水２Ｌに分散させ、酢酸エチルを加え、酢酸エチル相を飽和食塩水で洗浄後、酢酸エチル相を抽出し硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下酢酸エチルを除去し、淡黄色固体を得た。この淡黄色固体をトルエンで再結晶し、析出物を濾過後、８０℃にて４０時間乾燥させ、下記化学式（Ｘ３）に示す芳香族オキシカルボン酸を２６．０ｇ得た。
【０２２４】
【化４４】
0005845483.tif 000049
【０２２５】
得られた芳香族オキシカルボン酸（Ｘ３）について、ＨＰＬＣ純度を実施例１のＡ−１に記載の条件で測定したところ９８．１％だった。
【０２２６】
得られた芳香族オキシカルボン酸（Ｘ３）について、１Ｈ−ＮＭＲを実施例１のＡ−１に記載の条件で測定した。１Ｈ−ＮＭＲスペクトルデータは、下記の通りであり、前記化学式（Ｘ３）で示す構造を支持する。
δ（ｐｐｍ）＝５．２０（２Ｈ、ｓ、−ＯＣＨ２−）、６．８３−７．４９（７Ｈ、ｍ、Ａｒ−Ｈ）
【０２２７】
得られた芳香族オキシカルボン酸（Ｘ３）について、ＦＴ−ＩＲを実施例１のＡ−１に記載の条件で測定したところ、
ν（ｃｍ−１）＝３２３７、３０３６、２８８０、２７２１、２５９７、２５２８、１６７０、１６１２、１５８１、１４６５、１４４３、１３８５、１３０６、１２４７、１２３４、１１７８、１１６３、１０８８、１０２６、１０１８、１００１、８９０８、８６２、８３７、８２７、７８１、７４８、６９６、６５３、６０８、４８０を観測した。
【０２２８】
得られた芳香族オキシカルボン酸（Ｘ３）について、ＴＧ−ＤＴＡを実施例１のＡ−１に記載の条件で測定して、その測定の結果、融点：１７７℃、重量減少温度：１８５℃、を観測した。
【０２２９】
得られた芳香族オキシカルボン酸（Ｘ３）について、元素分析を実施例１のＡ−１に記載の条件で測定した。以下に元素分析の理論値及び実測値を示す。
実測値Ｃ：６７．３５  Ｈ：４．５５  Ｎ：０．００
理論値Ｃ：６８．８５  Ｈ：４．９５  Ｎ：０．００
【０２３０】
得られた芳香族オキシカルボン酸（Ｘ３）について、液体クロマトグラフ質量分析を実施例１のＡ−１に記載の条件で測定した。以下に質量分析の理論値及び実測値を示す。
実測値：ＬＣ／ＭＳ  ｍ／ｚ＝２４３．８［Ｍ−Ｈ］−
理論値：ｍ／ｚ＝２４４．２４
【０２３１】
（比較例４）
２，３−ジヒドロキシ安息香酸２５．０ｇをメタノール１６０ｍＬに溶解させ、炭酸カリウム４０．００ｇを加えて６５℃に加熱した。この反応液に１−ブロモプロパン（東京化成工業株式会社製、製品コード：Ｂ０６３８）３９．９ｇを滴下し、６５℃にて１２時間反応させた。得られた反応液を冷却後、濾過し、濾液中のメタノールを減圧留去して析出物を得た。
【０２３２】
得られた析出物をｐＨ＝２の水２．０Ｌに分散させ、酢酸エチルを加えて酢酸エチル相を抽出した。その後、水洗し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、減圧下、酢酸エチルを留去して析出物を得た。得られた析出物をヘキサン洗浄後、トルエンと酢酸エチルにて再結晶し、下記化学式（Ｙ４）に示す芳香族オキシカルボン酸を２２．１ｇ得た。
【０２３３】
【化４５】
0005845483.tif 000050
【０２３４】
得られた芳香族オキシカルボン酸（Ｙ４）について、ＨＰＬＣ純度を実施例１のＡ−１に記載の条件で測定したところ、９５．７％だった。
【０２３５】
得られた芳香族オキシカルボン酸（Ｙ４）について、元素分析を実施例１のＡ−１に記載の条件で測定した。以下に、元素分析の理論値及び実測値を示す。
実測値  Ｃ：６２．００    Ｈ：５．９９    Ｎ：０．００
理論値  Ｃ：６１．２２    Ｈ：６．１６    Ｎ：０．００
【０２３６】
得られた芳香族オキシカルボン酸（Ｙ４）について、ＬＣ／ＭＳ分析を実施例１のＡ−１に記載の条件で測定した。また、質量分析の理論値及び実測値を以下に示す。
実測値：ＬＣ／ＭＳ  ｍ／ｚ＝１９５．６［Ｍ−Ｈ］−
芳香族オキシカルボン酸の理論分子量：１９６．２
【０２３７】
水１４５ｍＬに２５．７％の硫酸アルミニウム水溶液２５．７加え、９０℃に加熱した。この溶液に、水１００ｍＬに２０％水酸化ナトリウム水溶液２４．１ｇと芳香オキシカルボン酸（Ｙ４）を１０．０ｇ加え、９０℃に加熱した溶液を１３分間で加え、９５℃で２時間加熱撹拌した。その後、濾過し濾液の電気伝導度が３００μＳ／ｃｍ以下になるまで水道水で水洗し、８０℃にて４８時間乾燥し、白色の芳香族オキシカルボン酸の金属化合物（Ｘ４）を１０．０ｇ得た。
【０２３８】
得られた金属化合物（Ｘ４）について、元素分析を実施例１のＢ−１に記載の条件で測定した。以下に、元素分析の実測値を示す。
実測値  Ｃ：５６．９２    Ｈ：５．０２    Ｎ：０．００
【０２３９】
得られた金属化合物（Ｘ４）について、含有する金属の重量％を実施例１のＢ−１に記載の条件で測定した。以下に、原子吸光分析の実測値を示す。
実測値  Ａｌ＝４．８１％、Ｎａ＝０．０２％
【０２４０】
得られた金属化合物（Ｘ４）について、ＴＧ−ＤＴＡを実施例１のＢ−１に記載の条件で測定した。その測定の結果、発熱温度：５５０℃、重量減少温度：１９４℃、５４３℃を観測した。
【０２４１】
得られた金属化合物（Ｘ４）について、ＬＣ／ＭＳ分析を実施例１のＢ−１に記載の条件で測定した。そのＬＣ／ＭＳ分析の測定結果から、分子量が５７０．４８であり、芳香族オキシカルボン酸（Ｙ４）とＡｌとが、３：２である構造を推定できるデータを得た。下記に取り得ると考えられる化学式（Ｘ４）を示す。
【０２４２】
【化４６】
0005845483.tif 000051
【０２４３】
（実施例Ｃ１）荷電制御剤の帯電性試験Ａにおける荷電制御特性の評価
前記実施例で得られた芳香族オキシカルボン酸金属化合物（Ｂ１）１重量部、スチレン−アクリル共重合樹脂（三井化学株式会社製、商品名：ＣＰＲ−１００）１００重量部を予備混合したのち、加熱ロール（株式会社栗本鐵工所製、商品名：Ｓ−１、ＫＲＣニーダ）で溶融混練した。冷却後、超遠心粉砕機（Ｒｅｔｓｃｈ社製、商品名：ＵＬＴＲＡ ＣＥＮＴＲＩＦＵＧＡＬ ＭＩＬＬ、スクリーン目開き１．５ｍｍ）で粗粉砕し、分級機付きエアージェットミル（株式会社セイシン企業製、商品名：ＣＯ−ＪＥＴ）により、平均粒径をレーザ回折／散乱式粒子径分布測定装置（株式会社堀場製作所製、商品名：Ｐａｒｔｉｃａ ＬＡ−９５０）にて測定し、９．５〜１０．５μｍになるよう微粉砕を行った。この樹脂粒子２．５重量部と、鉄粉キャリア（パウダーテック株式会社製、商品名：ＴＥＦＶ２００／３００）５０．０重量部とを１００ｍＬの軟膏瓶にいれ、ボールミル回転架台（株式会社アサヒ理化製作所製、商品名：小型ボールミル回転架台  ＡＶ−１）で１００ｒｐｍにて回転させながら、設定した時間毎に得られる混合物を採取し、ブローオフ帯電量測定機（東芝ケミカル株式会社製、商品名：ＴＢ−２００）を使用して、以下の条件にて帯電量を測定した。得られた負帯電性確認データを表５と図８とに示した。
【０２４４】
測定条件：金属メッシュ目開き３４μｍ  圧力１０．０ｋＰａ  吸引力１０．０ｋＰａ  吸引時間１０．０秒
【０２４５】
更に、実施例で得られた芳香族オキシカルボン酸金属化合物Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４と比較例化合物例Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４とを芳香族オキシカルボン酸金属化合物Ｂ１と同様に、帯電性試験Ａを行った。得られた負帯電性確認データを表５と図８とに示した。
【０２４６】
【表５】
0005845483.tif 000052
【０２４７】
（実施例Ｃ２）実施例Ｃ１で得られた樹脂粒子である荷電制御剤の環境安定性評価
実施例で得られた芳香族オキシカルボン酸金属化合物Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４、と比較化合物例Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４で得られた樹脂粒子を用い、下記の環境安定性評価を行った。表６に結果を示した。
【０２４８】
鉄粉キャリア（パウダーテック株式会社製、商品名：ＴＥＦＶ２００／３００）５０．０重量部と前記帯電性試験Ａの条件にて作製した各樹脂粒子を１００ｍＬ軟膏瓶にいれ、中央に１ｃｍの穴の空いた蓋をした。これを恒温恒湿器（東京理化機械株式会社製、商品名：エンビロスＫＣＬ−２０００Ｗ）中のボールミル機（株式会社アサヒ理化製作所製、商品名：小型ボールミル回転架台  ＡＶ−１）にセットし、各設定された温度と湿度の環境下で２４時間放置した。２４時間後、１００ｍＬ軟膏瓶を１００ｒｐｍにて回転させながら、１５分間撹拌後、混合物を採取し、ブローオフ帯電量測定機（東芝ケミカル株式会社製、商品名：ＴＢ−２００）を使用して、以下の条件にて帯電量を測定した。
測定条件：金属メッシュ目開き３４μｍ  圧力１０．０ｋＰａ  吸引力１０．０ｋＰａ  吸引時間１０．０秒
【０２４９】
【表６】
0005845483.tif 000053
【０２５０】
（実施例Ｃ３）荷電制御剤の帯電性試験Ｂにおける荷電制御特性の評価
前記実施例で得られた芳香族オキシカルボン酸金属化合物（Ｂ１）１重量部、ポリエステル樹脂（三菱レーヨン株式会社製、商品名：ＥＲ−５０８）１００重量部を予備混合したのち、加熱ロール（株式会社栗本鐵工所製、商品名：Ｓ−１、ＫＲＣニーダ）で溶融混練した。冷却後、超遠心粉砕機（Ｒｅｔｓｃｈ社製、商品名：ＵＬＴＲＡ ＣＥＮＴＲＩＦＵＧＡＬ ＭＩＬＬ、スクリーン目開き１．５ｍｍ）で粗粉砕し、分級機付きエアージェットミル（株式会社セイシン企業製、商品名：ＣＯ−ＪＥＴ）により、平均粒径をレーザ回折／散乱式粒子径分布測定装置（株式会社堀場製作所製、商品名：Ｐａｒｔｉｃａ ＬＡ−９５０）にて測定し、９．５〜１０．５μｍになるよう微粉砕を行った。この樹脂粒子２．５重量部と、鉄粉キャリア（パウダーテック株式会社製、商品名：ＴＥＦＶ２００／３００）５０．０重量部とを１００ｍＬの軟膏瓶にいれ、ボールミル回転架台（株式会社アサヒ理化製作所製、商品名：小型ボールミル回転架台  ＡＶ−１）で１００ｒｐｍにて回転させながら、設定した時間毎に得られる混合物を採取し、ブローオフ帯電量測定機（東芝ケミカル株式会社製、商品名：ＴＢ−２００）を使用して、以下の条件にて帯電量を測定した。得られた負帯電性確認データの結果を表７と図９に示した。
測定条件：金属メッシュ目開き３４μｍ  圧力１０．０ｋＰａ  吸引力１０．０ｋＰａ  吸引時間１０．０秒
【０２５１】
更に、実施例で得られた芳香族オキシカルボン酸金属化合物Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４と比較化合物例Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４を芳香族オキシカルボン酸金属化合物Ｂ１と同様に、帯電性試験Ｂを行った。得られた負帯電性確認データの結果を表７と図９とに示した。
【０２５２】
【表７】
0005845483.tif 000054
【０２５３】
（実施例Ｃ４）実施例Ｃ３で得られた樹脂粒子である荷電制御剤の環境安定性評価
実施例で得られた芳香族オキシカルボン酸金属化合物Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４と比較化合物例Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４とで得られた樹脂粒子を用い、下記の環境安定性評価を行った。表８に結果を示した。
【０２５４】
鉄粉キャリア（パウダーテック株式会社製、商品名：ＴＥＦＶ２００／３００）５０．０重量部と前記帯電性試験Ｂの条件にて作製した各樹脂粒子を１００ｍＬ軟膏瓶にいれ、中央に１ｃｍの穴の空いた蓋をした。これを恒温恒湿器（東京理化機械株式会社製、商品名：エンビロスＫＣＬ−２０００Ｗ）中のボールミル機（株式会社アサヒ理化製作所製、商品名：小型ボールミル回転架台  ＡＶ−１）にセットし、各設定された温度と湿度の環境下で２４時間放置した。２４時間後、１００ｍＬ軟膏瓶を１００ｒｐｍにて回転させながら、１５分間撹拌後、混合物を採取し、ブローオフ帯電量測定機（東芝ケミカル株式会社製、商品名：ＴＢ−２００）を使用して、以下の条件にて帯電量を測定した。
測定条件：金属メッシュ目開き３４μｍ  圧力１０．０ｋＰａ  吸引力１０．０ｋＰａ  吸引時間１０．０秒
【０２５５】
【表８】
0005845483.tif 000055
【０２５６】
図及び表から明らかなとおり、本発明の芳香族オキシカルボン酸金属化合物である荷電制御剤は、帯電の立ち上がりが速く、更に、環境の変化に対して帯電値が安定しており良好である。
【０２５７】
（実施例Ｃ５）荷電制御剤の帯電性試験Ａにおける荷電制御特性の評価
実施例で得られた芳香族オキシカルボン酸金属化合物Ｂ５、Ｂ６と比較化合物例Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４を実施例Ｃ１に記載の芳香族オキシカルボン酸金属化合物Ｂ１と同様に、帯電性試験Ａを行った。得られた負帯電性確認データの結果を表９と図１０とに示した。
【０２５８】
【表９】
0005845483.tif 000056
【０２５９】
（実施例Ｃ６）実施例Ｃ５で得られた樹脂粒子である荷電制御剤の環境安定性評価
実施例で得られた芳香族オキシカルボン酸金属化合物Ｂ５、Ｂ６と比較化合物例Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４とで得られた樹脂粒子を用い、下記の環境安定性評価を行った。表１０に結果を示した。
【０２６０】
【表１０】
0005845483.tif 000057
【０２６１】
図及び表から明らかなとおり、本発明の芳香族オキシカルボン酸金属化合物である荷電制御剤は、帯電の立ち上がりが速く、更に、環境の変化に対して帯電値が安定しており良好である。
【０２６２】
（実施例Ｃ７）荷電制御剤の帯電性試験Ｂにおける荷電制御特性の評価
実施例で得られた芳香族オキシカルボン酸金属化合物Ｂ５、Ｂ６と比較化合物例Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４を実施例Ｃ３に記載の芳香族オキシカルボン酸金属化合物Ｂ１と同様に、帯電性試験Ｂを行った。得られた負帯電性確認データの結果を表１１と図１１とに示した。
【０２６３】
【表１１】
0005845483.tif 000058
【０２６４】
（実施例Ｃ８）実施例Ｃ７で得られた樹脂粒子である荷電制御剤の環境安定性評価
実施例で得られた芳香族オキシカルボン酸金属化合物Ｂ５、Ｂ６と比較化合物例Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４とで得られた樹脂粒子を用い、下記の環境安定性評価を行った。表１２に結果を示した。
【０２６５】
【表１２】
0005845483.tif 000059
【０２６６】
図及び表から明らかなとおり、本発明の芳香族オキシカルボン酸金属化合物である荷電制御剤は、帯電の立ち上がりが速く、更に、環境の変化に対して帯電値が安定しており良好である。
【産業上の利用可能性】
【０２６７】
本発明の荷電制御剤は芳香族オキシカルボン酸金属化合物を有効成分として含有しており、耐熱性、帯電特性、環境安定性に優れているので、各種の電荷や帯電を利用する産業、例えば静電粉体塗料、電子写真トナー、静電インクジェット記録用途、電子ペーパーなどで使用することができる。
【図１】
0005845483.tif 000064
【図２】
0005845483.tif 000065
【図３】
0005845483.tif 000066
【図４】
0005845483.tif 000067
【図５】
0005845483.tif 000068
【図６】
0005845483.tif 000069
【図７】
0005845483.tif 000070
【図８】
0005845483.tif 000071
【図９】
0005845483.tif 000072
【図１０】
0005845483.tif 000073
【図１１】
0005845483.tif 000074