(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
周囲の光の光量が予め定められた基準光量以上の場合、第１の交流電圧を出力して、前記光量が前記基準光量より低い場合、前記第１の交流電圧より実効値が低い第２の交流電圧を出力する点灯制御部から、前記第１の交流電圧または前記第２の交流電圧が供給されるＬＥＤ点灯装置であって、
前記第１の交流電圧または前記第２の交流電圧を整流して、第１端子及び第２端子間から整流電圧を出力する整流素子と、
前記第１端子に一端が接続された第１のＬＥＤ素子と、
前記第１のＬＥＤ素子の他端に一端が接続された第２のＬＥＤ素子と、
前記第２のＬＥＤ素子の他端と前記第２端子との間に接続され、前記第１のＬＥＤ素子または前記第２のＬＥＤ素子に流れる電流を制御する電流制御部と、
前記整流電圧が予め定められた短絡電圧未満の時に前記第１のＬＥＤ素子または前記第２のＬＥＤ素子の両端を短絡する短絡制御部と、を備え、
前記短絡電圧と、前記第２の交流電圧の最大値は、前記第１のＬＥＤ素子と前記第２のＬＥＤ素子の両方が点灯するために必要な第１電圧以下であり、且つ、前記第１のＬＥＤ素子と前記第２のＬＥＤ素子の一方が短絡された時に他方が点灯するために必要な第２電圧より高い
ことを特徴とするＬＥＤ点灯装置。
【請求項２】
前記短絡電圧は、前記第２の交流電圧の最大値より高いことを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ点灯装置。
【請求項３】
前記短絡制御部は、
オン又はオフに切り替えられ、オン時に前記第２のＬＥＤ素子の両端を短絡する短絡スイッチと、
前記第１端子に一端が接続され、前記整流電圧が前記短絡電圧以上の時に導通する第１の電圧検出素子と、
前記第１端子に一端が接続された第１抵抗と、
前記第１の電圧検出素子の他端に制御端子が接続され、前記第１抵抗の他端に一端が接続され、前記第２端子に他端が接続され、前記第１の電圧検出素子が導通した時にオンする第１のスイッチング素子と、を有し、
前記短絡スイッチは、前記第１抵抗の前記他端の電圧がハイレベルの時にオンに制御され、ローレベルの時にオフに制御される
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のＬＥＤ点灯装置。
【請求項４】
前記短絡スイッチは、Ｎ型ＭＯＳトランジスタであり、
前記Ｎ型ＭＯＳトランジスタのドレインは前記第１のＬＥＤ素子の他端と前記第２のＬＥＤ素子の一端との接続点に接続され、前記Ｎ型ＭＯＳトランジスタのソースは前記第２のＬＥＤ素子の他端と前記電流制御部との接続点に接続され、
前記短絡制御部は、前記Ｎ型ＭＯＳトランジスタのゲートとソースとの間の電圧を制限する電圧制限素子を有する
ことを特徴とする請求項３に記載のＬＥＤ点灯装置。
【請求項５】
前記短絡制御部は、前記第２のＬＥＤ素子の他端と前記電流制御部との接続点から前記短絡制御部に電流が流れないように制限する電流制限素子を有する
ことを特徴とする請求項４に記載のＬＥＤ点灯装置。
【請求項６】
前記第１の電圧検出素子は、ツェナーダイオードであり、
前記短絡制御部は、前記第１のスイッチング素子の制御端子と前記第２端子との間に接続された第２抵抗を有する
ことを特徴とする請求項３から請求項５の何れかに記載のＬＥＤ点灯装置。
【請求項７】
第３抵抗及び第４抵抗を有し、供給された前記整流電圧に基づいて前記第１端子及び第２端子間の抵抗を切り替える抵抗切り替え部を備え、
前記点灯制御部は、前記第１の交流電圧又は前記第２の交流電圧を、オン又はオフに切り替えられ且つオフ時に抵抗成分を有するスイッチ部を介して、前記整流素子に供給し、  前記抵抗切り替え部は、前記整流電圧が判定電圧未満の時、前記第１端子及び第２端子間に前記第３抵抗を接続し、これにより前記第３抵抗を前記整流素子を介して前記スイッチ部に電気的に接続し、前記整流電圧が前記判定電圧以上の時、前記第１端子及び第２端子間に、前記第３抵抗に代えて、前記第３抵抗より高抵抗な前記第４抵抗を接続し、これにより前記第４抵抗を前記整流素子を介して前記スイッチ部に電気的に接続する
ことを特徴とする請求項１から請求項６の何れかに記載のＬＥＤ点灯装置。
【請求項８】
前記スイッチ部がオフ時に、前記整流電圧は、前記スイッチ部の前記抵抗成分と前記第３抵抗とによって前記判定電圧未満に降圧される
ことを特徴とする請求項７に記載のＬＥＤ点灯装置。
【請求項９】
前記第３抵抗は、前記スイッチ部の前記抵抗成分より低抵抗である
ことを特徴とする請求項７又は請求項８に記載のＬＥＤ点灯装置。
【請求項１０】
前記電流制御部は、
前記第２のＬＥＤ素子の他端に一端が接続された電流制御トランジスタと、
前記電流制御トランジスタの他端と前記第２端子との間に接続された第５抵抗と、
前記電流制御トランジスタの他端の電圧が一定となるように、前記電流制御トランジスタの制御端子の電圧を制御する電圧制御部と、を有する
ことを特徴とする請求項７から請求項９の何れかに記載のＬＥＤ点灯装置。
【請求項１１】
前記電圧制御部は、
前記第１端子に一端が接続され、前記整流電圧が前記判定電圧以上の時に導通し、前記判定電圧は前記第２電圧未満である第２の電圧検出素子と、
前記第２の電圧検出素子の他端に一端が接続された第６抵抗と、
前記第６抵抗の他端と前記第２端子との間に接続された第７抵抗と、
前記第６抵抗の他端および前記電流制御トランジスタの制御端子にカソードが接続され、前記第２端子にアノードが接続され、前記電流制御トランジスタの他端の電圧に基づく参照電圧が基準端子に供給され、前記参照電圧が増加すると前記カソードの電圧が低下して、前記参照電圧が低下すると前記カソードの電圧が増加するシャントレギュレータと、を有する
ことを特徴とする請求項１０に記載のＬＥＤ点灯装置。
【請求項１２】
前記抵抗切り替え部は、
前記電圧制御部の前記第２の電圧検出素子の他端に制御端子が接続され、前記第４抵抗と前記第２端子との間に一端及び他端が接続され、前記第２の電圧検出素子が導通した時にオンする第２のスイッチング素子と、
前記第２のスイッチング素子の前記一端に制御端子が接続され、前記第３抵抗と前記第２端子との間に一端及び他端が接続され、前記第２のスイッチング素子がオンした時にオフする第３のスイッチング素子と、を有する
ことを特徴とする請求項１１に記載のＬＥＤ点灯装置。
【請求項１３】
前記第１のＬＥＤ素子と前記第２のＬＥＤ素子は、それぞれ、直列接続された複数のＬＥＤで構成されている
ことを特徴とする請求項１から請求項１２の何れかに記載のＬＥＤ点灯装置。
【請求項１４】
請求項１から請求項１３の何れかに記載の第１のＬＥＤ点灯装置と、
請求項１から請求項１３の何れかに記載の第２のＬＥＤ点灯装置と、
周囲の光の光量が予め定められた基準光量以上の場合、第１の交流電圧を前記第１及び第２のＬＥＤ点灯装置に交互に供給し、一方、前記光量が前記基準光量より低い場合、前記第１の交流電圧より実効値が低い第２の交流電圧を前記第１及び第２のＬＥＤ点灯装置に交互に供給する点灯制御部と、を備える
ことを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、交流電圧で発光するＬＥＤ点灯装置及びこれを備える表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
道路の分岐点などに設置され、２つの白熱電球を交互に点滅させることで中央分離帯等の存在を車両の運転者に喚起するブリンカーライト（表示装置）が知られている。
【０００３】
図７は、従来のブリンカーライトの構成を示すブロック図である。図７に示すように、ブリンカーライトは、周囲の光の光量に応じて白熱電球１００，１００の点灯を制御する制御盤２０を備えている。制御盤２０は、昼間では、交流電源Ｅからの入力交流電圧ＶＡＣｉｎ（実効値２００Ｖ）を変換した第１の交流電圧ＶＡＣ１（実効値１００Ｖ）を２つの白熱電球１００，１００に交互に供給する。制御盤２０は、夜間では、入力交流電圧ＶＡＣｉｎを変換した第２の交流電圧ＶＡＣ２（実効値６０Ｖ）を２つの白熱電球１００，１００に交互に供給する。夜間では、白熱電球１００，１００の輝度を低下させても点滅を認識し易いため、電圧を低下させて低消費電力化している。
【０００４】
ところで、近年、白熱電球に比して低消費電力、長寿命、メンテナンスが容易、且つ、高信頼性という特性を有するＬＥＤ電球（以下、ＬＥＤ点灯装置と称す）が注目されている。
【０００５】
例えば、図８に示す構成のＬＥＤ点灯装置１０Ｘは、照明器具等における白熱電球用の既存の配線等をそのまま利用して白熱電球と交換可能である。このＬＥＤ点灯装置１０Ｘは、供給された交流電圧を整流素子（ブリッジダイオード）Ｂ１で全波整流して、整流された整流電圧をＬＥＤ素子１１０に加えることで、ＬＥＤ素子１１０を点灯させる。ＬＥＤ素子１１０は、直列接続された複数のＬＥＤ（ＬＥＤ１〜ＬＥＤＮ）で構成されている。このとき、電流制御部１３０がＬＥＤ素子１１０に流れる電流を一定電流に制御する。このＬＥＤ点灯装置１０Ｘに類似したものとして、例えば、特許文献１に記載された装置が知られている。
【０００６】
ブリンカーライトにおいても、道路の分岐点などに設置された既存の制御盤２０をそのまま利用して白熱電球１００を上記ＬＥＤ点灯装置１０Ｘに交換すれば、容易に、低コストで、前述した優れた特性を得ることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００４−０９３６５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記従来のＬＥＤ点灯装置１０Ｘでは、ＬＥＤの電気的特性に起因して、Ｎ個のＬＥＤを点灯させるためにＬＥＤの順方向電圧Ｖｆ×Ｎ以上の整流電圧が必要である。例えば、実効値１００Ｖの交流電圧用に設計されたＬＥＤ点灯装置１０Ｘでは、Ｎ＝３４個、Ｖｆ＝３Ｖとすると、１０２Ｖ以上の整流電圧が必要である。従って、ブリンカーライトの白熱電球をこのようなＬＥＤ点灯装置１０Ｘに交換した場合、実効値６０Ｖの第２の交流電圧ＶＡＣ２が供給される夜間ではＬＥＤ点灯装置１０Ｘが点灯しないという問題がある。
【０００９】
そこで、本発明は、実効値が異なる２種類の交流電圧で点灯可能なＬＥＤ点灯装置及びこれを備える表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一態様に係る実施例に従ったＬＥＤ点灯装置は、
周囲の光の光量が予め定められた基準光量以上の場合、第１の交流電圧を出力して、前記光量が前記基準光量より低い場合、前記第１の交流電圧より実効値が低い第２の交流電圧を出力する点灯制御部から、前記第１の交流電圧または前記第２の交流電圧が供給されるＬＥＤ点灯装置であって、
前記第１の交流電圧または前記第２の交流電圧を整流して、第１端子及び第２端子間から整流電圧を出力する整流素子と、
前記第１端子に一端が接続された第１のＬＥＤ素子と、
前記第１のＬＥＤ素子の他端に一端が接続された第２のＬＥＤ素子と、
前記第２のＬＥＤ素子の他端と前記第２端子との間に接続され、前記第１のＬＥＤ素子または前記第２のＬＥＤ素子に流れる電流を制御する電流制御部と、
前記整流電圧が予め定められた短絡電圧未満の時に前記第１のＬＥＤ素子または前記第２のＬＥＤ素子の両端を短絡する短絡制御部と、を備え、
前記短絡電圧と、前記第２の交流電圧の最大値は、前記第１のＬＥＤ素子と前記第２のＬＥＤ素子の両方が点灯するために必要な第１電圧以下であり、且つ、前記第１のＬＥＤ素子と前記第２のＬＥＤ素子の一方が短絡された時に他方が点灯するために必要な第２電圧より高いことを特徴とする。
【００１１】
また、前記ＬＥＤ点灯装置において、
前記短絡電圧は、前記第２の交流電圧の最大値より高くてもよい。
【００１２】
また、前記ＬＥＤ点灯装置において、
前記短絡制御部は、
オン又はオフに切り替えられ、オン時に前記第２のＬＥＤ素子の両端を短絡する短絡スイッチと、
前記第１端子に一端が接続され、前記整流電圧が前記短絡電圧以上の時に導通する第１の電圧検出素子と、
前記第１端子に一端が接続された第１抵抗と、
前記第１の電圧検出素子の他端に制御端子が接続され、前記第１抵抗の他端に一端が接続され、前記第２端子に他端が接続され、前記第１の電圧検出素子が導通した時にオンする第１のスイッチング素子と、を有し、
前記短絡スイッチは、前記第１抵抗の前記他端の電圧がハイレベルの時にオンに制御され、ローレベルの時にオフに制御されてもよい。
【００１３】
また、前記ＬＥＤ点灯装置において、
前記短絡スイッチは、Ｎ型ＭＯＳトランジスタであり、
前記Ｎ型ＭＯＳトランジスタのドレインは前記第１のＬＥＤ素子の他端と前記第２のＬＥＤ素子の一端との接続点に接続され、前記Ｎ型ＭＯＳトランジスタのソースは前記第２のＬＥＤ素子の他端と前記電流制御部との接続点に接続され、
前記短絡制御部は、前記Ｎ型ＭＯＳトランジスタのゲートとソースとの間の電圧を制限する電圧制限素子を有してもよい。
【００１４】
また、前記ＬＥＤ点灯装置において、
前記短絡制御部は、前記第２のＬＥＤ素子の他端と前記電流制御部との接続点から前記短絡制御部に電流が流れないように制限する電流制限素子を有してもよい。
【００１５】
また、前記ＬＥＤ点灯装置において、
前記第１の電圧検出素子は、ツェナーダイオードであり、
前記短絡制御部は、前記第１のスイッチング素子の制御端子と前記第２端子との間に接続された第２抵抗を有してもよい。
【００１６】
また、前記ＬＥＤ点灯装置において、
第３抵抗及び第４抵抗を有し、供給された前記整流電圧に基づいて前記第１端子及び第２端子間の抵抗を切り替える抵抗切り替え部を備え、
前記点灯制御部は、前記第１の交流電圧又は前記第２の交流電圧を、オン又はオフに切り替えられ且つオフ時に抵抗成分を有するスイッチ部を介して、前記整流素子に供給し、
前記抵抗切り替え部は、前記整流電圧が判定電圧未満の時、前記第１端子及び第２端子間に前記第３抵抗を接続し、これにより前記第３抵抗を前記整流素子を介して前記スイッチ部に電気的に接続し、前記整流電圧が前記判定電圧以上の時、前記第１端子及び第２端子間に、前記第３抵抗に代えて、前記第３抵抗より高抵抗な前記第４抵抗を接続し、これにより前記第４抵抗を前記整流素子を介して前記スイッチ部に電気的に接続してもよい。
【００１７】
また、前記ＬＥＤ点灯装置において、
前記スイッチ部がオフ時に、前記整流電圧は、前記スイッチ部の前記抵抗成分と前記第３抵抗とによって前記判定電圧未満に降圧されてもよい。
【００１８】
また、前記ＬＥＤ点灯装置において、
前記第３抵抗は、前記スイッチ部の前記抵抗成分より低抵抗であってもよい。
【００１９】
また、前記ＬＥＤ点灯装置において、
前記電流制御部は、
前記第２のＬＥＤ素子の他端に一端が接続された電流制御トランジスタと、
前記電流制御トランジスタの他端と前記第２端子との間に接続された第５抵抗と、
前記電流制御トランジスタの他端の電圧が一定となるように、前記電流制御トランジスタの制御端子の電圧を制御する電圧制御部と、を有してもよい。
【００２０】
また、前記ＬＥＤ点灯装置において、
前記電圧制御部は、
前記第１端子に一端が接続され、前記整流電圧が前記判定電圧以上の時に導通し、前記判定電圧は前記第２電圧未満である第２の電圧検出素子と、
前記第２の電圧検出素子の他端に一端が接続された第６抵抗と、
前記第６抵抗の他端と前記第２端子との間に接続された第７抵抗と、
前記第６抵抗の他端および前記電流制御素子の制御端子にカソードが接続され、前記第２端子にアノードが接続され、前記電流制御トランジスタの他端の電圧に基づく参照電圧が基準端子に供給され、前記参照電圧が増加すると前記カソードの電圧が低下して、前記参照電圧が低下すると前記カソードの電圧が増加するシャントレギュレータと、を有してもよい。
【００２１】
また、前記ＬＥＤ点灯装置において、
前記抵抗切り替え部は、
前記電圧制御部の前記第２の電圧検出素子の他端に制御端子が接続され、前記第４抵抗と前記第２端子との間に一端及び他端が接続され、前記第２の電圧検出素子が導通した時にオンする第２のスイッチング素子と、
前記第２のスイッチング素子の前記一端に制御端子が接続され、前記第３抵抗と前記第２端子との間に一端及び他端が接続され、前記第２のスイッチング素子がオンした時にオフする第３のスイッチング素子と、を有してもよい。
【００２２】
また、前記ＬＥＤ点灯装置において、
前記第１のＬＥＤ素子と前記第２のＬＥＤ素子は、それぞれ、直列接続された複数のＬＥＤで構成されていてもよい。
【００２３】
本発明の一態様に係る実施例に従った表示装置は、
第１の上記ＬＥＤ点灯装置と、
第２の上記ＬＥＤ点灯装置と、
周囲の光の光量が予め定められた基準光量以上の場合、第１の交流電圧を前記第１及び第２のＬＥＤ点灯装置に交互に供給し、一方、前記光量が前記基準光量より低い場合、前記第１の交流電圧より実効値が低い第２の交流電圧を前記第１及び第２のＬＥＤ点灯装置に交互に供給する点灯制御部と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２４】
本発明のＬＥＤ点灯装置によれば、短絡制御部が、整流電圧が短絡電圧未満の時に、直列接続された第１のＬＥＤ素子及び第２のＬＥＤ素子のうちの一方を短絡するようにしている。短絡電圧と、第２の交流電圧の絶対値の最大値は、第１のＬＥＤ素子及び第２のＬＥＤ素子の両方が点灯するために必要な第１電圧以下であり、且つ、第１のＬＥＤ素子と第２のＬＥＤ素子のうちの短絡されないものが点灯するために必要な第２電圧より高い。これにより、第１の交流電圧より実効値が低い第２の交流電圧が供給された場合でも、ＬＥＤ素子の数を減らして点灯させることができる。
【００２５】
さらに、第１の交流電圧が供給された場合、第１の交流電圧の周期に応じて整流電圧が第１電圧未満に低下した期間においてもＬＥＤ素子を点灯させることができるため、導通幅を広くできる。即ち、輝度が高くなり、視認性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】実施例１に係るブリンカーライトの概略的な構成を示すブロック図である。
【図２】実施例１に係るＬＥＤ点灯装置の回路図である。
【図３】実施例１に係るＬＥＤ点灯装置の第１の交流電圧が供給された時の波形図である。
【図４】実施例１に係るＬＥＤ点灯装置の第２の交流電圧が供給された時の波形図である。
【図５】実施例２に係るブリンカーライトの概略的な構成を示すブロック図である。
【図６】実施例２に係るＬＥＤ点灯装置の回路図である。
【図７】従来のブリンカーライトの概略的な構成を示すブロック図である。
【図８】従来のＬＥＤ点灯装置の回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明に係る各実施例について図面に基づいて説明する。
【実施例１】
【００２８】
図１は、実施例１に係るブリンカーライト（表示装置）の概略的な構成を示すブロック図である。図１に示すように、ブリンカーライトは、第１及び第２のＬＥＤ点灯装置（ＬＥＤ電球）１０，１０と、点灯制御部（制御盤）２０と、を備える。
【００２９】
点灯制御部２０は、光センサ（図示せず）を有する電圧変換部２１と、２つのスイッチＳＷ１，ＳＷ１と、を有する。電圧変換部２１の光センサは、ブリンカーライトの周囲の光を受光できるように配置されている。
【００３０】
点灯制御部２０には、交流電源Ｅから入力交流電圧ＶＡＣｉｎが供給される。例えば、入力交流電圧ＶＡＣｉｎの実効値は２００Ｖであり、周波数は５０又は６０Ｈｚである。
【００３１】
点灯制御部２０は、電圧変換部２１により、周囲の光の光量が予め定められた基準光量以上の場合（即ち、昼間の場合）、入力交流電圧ＶＡＣｉｎを第１の交流電圧ＶＡＣ１に変換する。そして、点灯制御部２０は、２つのスイッチＳＷ１，ＳＷ１を交互にオンに制御することにより、第１の交流電圧ＶＡＣ１を第１及び第２のＬＥＤ点灯装置１０，１０に交互に供給する。第１の交流電圧ＶＡＣ１の実効値は、例えば、１００Ｖである。各スイッチＳＷ１，ＳＷ１がオンする時間は、例えば、約２秒である。
【００３２】
一方、点灯制御部２０は、電圧変換部２１により、周囲の光の光量が基準光量より低い場合（即ち、夜間の場合）、入力交流電圧ＶＡＣｉｎを第１の交流電圧ＶＡＣ１より実効値が低い第２の交流電圧ＶＡＣ２に変換する。そして、点灯制御部２０は、２つのスイッチＳＷ１，ＳＷ１を交互にオンに制御することにより、第２の交流電圧ＶＡＣ２を第１及び第２のＬＥＤ点灯装置１０，１０に交互に供給する。第２の交流電圧ＶＡＣ２の実効値は、例えば、６０Ｖである。
【００３３】
このようにして、第１及び第２のＬＥＤ点灯装置１０，１０は交互に点滅する。夜間では、第１及び第２のＬＥＤ点灯装置１０，１０の輝度を低下させても点滅を認識し易いため、電圧を低下させて低消費電力化している。
【００３４】
図２は、実施例１に係るＬＥＤ点灯装置１０の回路図である。ＬＥＤ点灯装置１０は、整流素子Ｂ１と、第１のＬＥＤ素子１１−１と、第２のＬＥＤ素子１１−２と、電流制御部１３と、短絡制御部１４と、を備える。
【００３５】
整流素子Ｂ１は、４つのダイオードで構成されたブリッジダイオードであり、点灯制御部２０から供給される第１の交流電圧ＶＡＣ１または第２の交流電圧ＶＡＣ２を全波整流して、第１端子Ｔ１及び第２端子Ｔ２間から整流電圧Ｖｒを出力する。
【００３６】
第１のＬＥＤ素子１１−１は、第１端子Ｔ１にアノード（一端）が接続されている。第２のＬＥＤ素子１１−２は、第１のＬＥＤ素子１１−１のカソード（他端）にアノード（一端）が接続されている。本実施例では、第１のＬＥＤ素子１１−１は、直列接続された１９個のＬＥＤ（ＬＥＤ１〜ＬＥＤ１９）で構成され、第２のＬＥＤ素子１１−２は、直列接続された１５個のＬＥＤ（ＬＥＤ２０〜ＬＥＤ３４）で構成されている。
【００３７】
電流制御部１３は、第２のＬＥＤ素子１１−２のカソード（他端）と第２端子Ｔ２との間に接続され、第１のＬＥＤ素子１１−１に流れる電流を制御する。
【００３８】
短絡制御部１４は、整流電圧Ｖｒが予め定められた短絡電圧未満の時に、第２のＬＥＤ素子１１−２の両端を短絡する。短絡電圧は、第１のＬＥＤ素子１１−１と第２のＬＥＤ素子１１−２の両方が点灯するために必要な第１電圧以下であり、且つ、第１のＬＥＤ素子１１−１と第２のＬＥＤ素子１１−２の一方が短絡された時に他方が点灯するために必要な第２電圧より高い。また、短絡電圧は、第２の交流電圧ＶＡＣ２の最大値より高いことが好ましい。第２の交流電圧ＶＡＣ２が供給される場合に、第２のＬＥＤ素子１１−２の両端が短絡され続けることが好ましいからである。また、第２の交流電圧ＶＡＣ２の最大値は、第１電圧以下であり、且つ、第２電圧より高い。
【００３９】
本実施例では、電流制御部１３及び短絡制御部１４は、次のように構成されている。
【００４０】
電流制御部１３は、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ（電流制御トランジスタ）Ｑ１と、抵抗（第５抵抗）Ｒ１と、電圧制御部１３１と、を有する。
【００４１】
Ｎ型ＭＯＳトランジスタＱ１は、第２のＬＥＤ素子１１−２のカソードにドレイン（一端）が接続されている。抵抗Ｒ１は、Ｎ型ＭＯＳトランジスタＱ１のソース（他端）と第２端子Ｔ２との間に接続されている。
【００４２】
電圧制御部１３１は、Ｎ型ＭＯＳトランジスタＱ１のソースの電圧が一定となるように、Ｎ型ＭＯＳトランジスタＱ１のゲート（制御端子）の電圧を制御する。
【００４３】
電圧制御部１３１は、ツェナーダイオード（第２の電圧検出素子）ＺＤ１と、抵抗（第６抵抗）Ｒ２と、抵抗（第７抵抗）Ｒ３と、抵抗Ｒ４と、抵抗Ｒ５と、シャントレギュレータＩＣ１と、容量Ｃ１と、容量Ｃ２と、を有する。
【００４４】
ツェナーダイオードＺＤ１は、第１端子Ｔ１にカソード（一端）が接続され、整流電圧Ｖｒが判定電圧以上の時に導通する。判定電圧は、ツェナーダイオードＺＤ１のツェナー電圧であり、第２電圧未満である。
【００４５】
抵抗Ｒ２は、ツェナーダイオードＺＤ１のアノード（他端）に一端が接続されている。抵抗Ｒ３は、抵抗Ｒ２の他端と第２端子Ｔ２との間に接続されている。
【００４６】
シャントレギュレータＩＣ１は、抵抗Ｒ２の他端およびＮ型ＭＯＳトランジスタＱ１のゲートにカソードが接続され、第２端子Ｔ２にアノードが接続されている。シャントレギュレータＩＣ１は、Ｎ型ＭＯＳトランジスタＱ１のソースの電圧に基づく参照電圧Ｖｒｅｆが基準端子に供給され、参照電圧Ｖｒｅｆが増加するとカソードの電圧が低下して、参照電圧Ｖｒｅｆが低下するとカソードの電圧が増加する。
【００４７】
抵抗Ｒ４は、Ｎ型ＭＯＳトランジスタＱ１のソースに一端が接続され、シャントレギュレータＩＣ１の基準端子に他端が接続されている。抵抗Ｒ５は、抵抗Ｒ４の他端と第２端子Ｔ２との間に接続されている。つまり、抵抗Ｒ４と抵抗Ｒ５は、Ｎ型ＭＯＳトランジスタＱ１のソースの電圧を分圧して基準電圧Ｖｒｅｆを生成する。
【００４８】
容量Ｃ１は、Ｎ型ＭＯＳトランジスタＱ１のゲートと第２端子Ｔ２との間に接続されている。容量Ｃ２は、Ｎ型ＭＯＳトランジスタＱ１のゲートとソースとの間に接続されている。これら容量Ｃ１，Ｃ２は、Ｎ型ＭＯＳトランジスタＱ１が高速に動作するものである場合に発振を防止するために設けられている。
【００４９】
このようにして、Ｎ型ＭＯＳトランジスタＱ１のゲートの電圧がほぼ一定となるように制御されるので、第１のＬＥＤ素子１１−１に流れる電流は、ほぼ一定に制御される。
【００５０】
短絡制御部１４は、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ（短絡スイッチ）Ｑ２と、ツェナーダイオード（第１の電圧検出素子）ＺＤ２と、抵抗Ｒ６と、抵抗Ｒ７と、抵抗（第１抵抗）Ｒ８と、抵抗（第２抵抗）Ｒ９と、ＮＰＮ型トランジスタ（第１のスイッチング素子）Ｑ３と、ツェナーダイオード（電圧制限素子）ＺＤ３と、ダイオード（電流制限素子）Ｄ１と、を有する。
【００５１】
Ｎ型ＭＯＳトランジスタＱ２のドレインは、第１のＬＥＤ素子１１−１のカソードと第２のＬＥＤ素子１１−２のアノードとの接続点に接続されている。Ｎ型ＭＯＳトランジスタＱ２のソースは、第２のＬＥＤ素子１１−２のカソードと、Ｎ型ＭＯＳトランジスタＱ１のドレインとの接続点に、ダイオードＤ１を介して接続されている。これにより、Ｎ型ＭＯＳトランジスタＱ２は、オン又はオフに切り替えられ、オン時に第２のＬＥＤ素子１１−２の両端を短絡する。
【００５２】
ツェナーダイオードＺＤ２は、第１端子Ｔ１に抵抗Ｒ６を介してカソード（一端）が接続され、ＮＰＮ型トランジスタＱ３のベース（制御端子）にアノード（他端）が接続されている。抵抗Ｒ７は、ツェナーダイオードＺＤ２のカソードと第２端子Ｔ２との間に接続されている。
【００５３】
ツェナーダイオードＺＤ２は、整流電圧Ｖｒが短絡電圧以上の時に導通するように、ツェナー電圧が設定されている。
【００５４】
抵抗Ｒ８は、第１端子Ｔ１に一端が接続されている。ＮＰＮ型トランジスタＱ３は、抵抗Ｒ８の他端にコレクタ（一端）が接続され、第２端子Ｔ２にエミッタ（他端）が接続されている。これにより、ＮＰＮ型トランジスタＱ３は、ツェナーダイオードＺＤ２が導通した時にオンする。
【００５５】
抵抗Ｒ９は、ＮＰＮ型トランジスタＱ３のベースと第２端子Ｔ２との間に接続されている。この抵抗Ｒ９は、ツェナーダイオードＺＤ２のカソードからアノードにリーク電流が流れた場合に、そのリーク電流を第２端子Ｔ２に流して、ＮＰＮ型トランジスタＱ３のベース・エミッタ間に流れないようにする。これにより、整流電圧Ｖｒが短絡電圧以上になる前にリーク電流によってＮＰＮ型トランジスタＱ３がオンしてしまうことを防止できる。
【００５６】
ＮＰＮ型トランジスタＱ３のコレクタと抵抗Ｒ８との接続点に、Ｎ型ＭＯＳトランジスタＱ２のゲートが接続されている。これにより、Ｎ型ＭＯＳトランジスタＱ２は、抵抗Ｒ８の他端の電圧（即ちＮＰＮ型トランジスタＱ３のコレクタの電圧）がハイレベルの時にオンに制御され、ローレベルの時にオフに制御される。
【００５７】
ツェナーダイオードＺＤ３は、Ｎ型ＭＯＳトランジスタＱ２のゲートにカソードが接続され、ソースにアノードが接続されている。これにより、ツェナーダイオードＺＤ３は、Ｎ型ＭＯＳトランジスタＱ２のゲートとソースとの間の電圧を、ツェナーダイオードＺＤ３のツェナー電圧に制限する。
【００５８】
ダイオードＤ１は、Ｎ型ＭＯＳトランジスタＱ２のソースにアノードが接続され、第２のＬＥＤ素子１１−２のカソードにカソードが接続されている。これにより、ダイオードＤ１は、第２のＬＥＤ素子１１−２のカソードと電流制御部１３との接続点から短絡制御部１４に電流が流れないように制限する。
【００５９】
次に、図３，４の波形図を参照して、ＬＥＤ点灯装置１０の動作を説明する。
【００６０】
図３は、実施例１に係るＬＥＤ点灯装置１０の第１の交流電圧ＶＡＣ１が供給された時の波形図である。図３は、整流電圧Ｖｒと第１のＬＥＤ素子１１−１に流れる電流とを示す。
【００６１】
図３の時刻ｔ１からｔ４において、整流電圧Ｖｒが短絡電圧未満であるため、前述の様に、ツェナーダイオードＺＤ２は導通せず、ＮＰＮ型トランジスタＱ３はオフしている。これにより、Ｎ型ＭＯＳトランジスタＱ２のゲート電圧は、端子Ｔ１の電圧とほぼ等しく（即ち、高く）なっていて、Ｎ型ＭＯＳトランジスタＱ２はオンしている。従って、Ｎ型ＭＯＳトランジスタＱ２は、ダイオードＤ１を介して第２のＬＥＤ素子１１−２の両端を短絡している。
【００６２】
時刻ｔ２において、整流電圧Ｖｒが判定電圧以上になると、ツェナーダイオードＺＤ１は導通して、電圧制御部１３１は、Ｎ型ＭＯＳトランジスタＱ１のゲートの電圧を制御可能になる。
【００６３】
第１端子Ｔ１及び第２端子Ｔ２間の電流経路には、第１のＬＥＤ素子１１−１を構成している１９個のＬＥＤ（ＬＥＤ１〜ＬＥＤ１９）のみが接続されているので、時刻ｔ３において整流電圧Ｖｒが第２電圧（順方向電圧Ｖｆ×１９）を超えると、第１のＬＥＤ素子１１−１に電流が流れて、第１のＬＥＤ素子１１−１は点灯する。
【００６４】
時刻ｔ４において整流電圧Ｖｒが短絡電圧以上になると、ツェナーダイオードＺＤ２は導通して、ＮＰＮ型トランジスタＱ３はオンする。これにより、Ｎ型ＭＯＳトランジスタＱ２のゲート電圧は低くなり、Ｎ型ＭＯＳトランジスタＱ２がオフする。即ち、Ｎ型ＭＯＳトランジスタＱ２は、第２のＬＥＤ素子１１−２の両端を短絡しないようになる。
【００６５】
従って、第１端子Ｔ１及び第２端子Ｔ２間の電流経路には、第１のＬＥＤ素子１１−１及び第２のＬＥＤ素子１１−２を構成している３４個のＬＥＤ（ＬＥＤ１〜ＬＥＤ３４）が接続される。また、本実施例では、短絡電圧は第１の電圧（順方向電圧Ｖｆ×３４）とほぼ等しい。これにより、第１のＬＥＤ素子１１−１及び第２のＬＥＤ素子１１−２に電流が流れて点灯する。
【００６６】
時刻ｔ５からｔ８においても、以上の説明と同様に動作する。即ち、時刻ｔ３からｔ４及びｔ５からｔ６の期間では、第１のＬＥＤ素子１１−１が点灯して第２のＬＥＤ素子１１−２は点灯せず、時刻ｔ４からｔ５の期間では、第１のＬＥＤ素子１１−１及び第２のＬＥＤ素子１１−２が点灯する。
【００６７】
なお、Ｎ型ＭＯＳトランジスタＱ２がオフしている期間では、Ｎ型ＭＯＳトランジスタＱ２のゲート電圧がＮ型ＭＯＳトランジスタＱ１のドレイン電圧より低くなっている。この場合でも、ダイオードＤ１の存在によって、第２のＬＥＤ素子１１−２のカソードとＮ型ＭＯＳトランジスタＱ１のドレインとの接続点からツェナーダイオードＺＤ２を介してＮＰＮ型トランジスタＱ３に電流が流れないように制限しているので、誤動作や故障を起こす恐れが無い。
【００６８】
図４は、実施例１に係るＬＥＤ点灯装置１０の第２の交流電圧ＶＡＣ２が供給された時の波形図である。
【００６９】
図４の場合、短絡電圧は第２の交流電圧ＶＡＣ２の最大値より高いため、常に整流電圧Ｖｒは短絡電圧未満である。そのため、Ｎ型ＭＯＳトランジスタＱ２は、ダイオードＤ１を介して第２のＬＥＤ素子１１−２の両端を常に短絡している。即ち、第１端子Ｔ１及び第２端子Ｔ２間の電流経路には、第１のＬＥＤ素子１１−１を構成している１９個のＬＥＤ（ＬＥＤ１〜ＬＥＤ１９）のみが接続される。
【００７０】
よって、時刻ｔ１１以降に整流電圧Ｖｒが増加し、時刻ｔ１２において判定電圧以上になった後、時刻ｔ１３において整流電圧Ｖｒが第２電圧を超えると、第１のＬＥＤ素子１１−１に電流が流れて、第１のＬＥＤ素子１１−１は点灯する。
【００７１】
時刻ｔ１４において、整流電圧Ｖｒが第２電圧未満になると、第１のＬＥＤ素子１１−１は消灯する。即ち、時刻ｔ１３からｔ１４の期間では、第１のＬＥＤ素子１１−１が点灯して、それ以外の時刻ｔ１１からｔ１３及び時刻ｔ１４からｔ１６の期間では、消灯する。
【００７２】
以上で説明した様に、本実施例によれば、短絡制御部１４が、整流電圧Ｖｒが短絡電圧未満の時に、第２のＬＥＤ素子１１−２を短絡するようにしている。短絡電圧と、第２の交流電圧ＶＡＣ２の絶対値の最大値は、第１のＬＥＤ素子１１−１及び第２のＬＥＤ素子１１−２の両方が点灯するために必要な第１電圧以下であり、且つ、第１のＬＥＤ素子１１−１が点灯するために必要な第２電圧より高い。これにより、第１の交流電圧ＶＡＣ１より実効値が低い第２の交流電圧ＶＡＣ２が供給された場合でも、ＬＥＤ素子の数を減らして点灯させることができる。
【００７３】
さらに、第１の交流電圧ＶＡＣ１が供給された場合、第１の交流電圧ＶＡＣ１の周期に応じて整流電圧Ｖｒが第１電圧未満に低下した期間においても第１のＬＥＤ素子１１−１を点灯させることができるため、導通幅を広くできる。即ち、ブリンカーライトにおいて、昼間の輝度が高くなり、視認性が向上する。
【００７４】
このように、道路の分岐点などに既に設置されたブリンカーライトの点灯制御部（制御盤）２０をそのまま利用して、白熱電球をＬＥＤ点灯装置１０に交換するだけで、低消費電力、長寿命、メンテナンスが容易、且つ、高信頼性というＬＥＤの優れた特性を得ることができる。
【００７５】
また、第１の交流電圧ＶＡＣ１が供給された際に、短絡制御部１４を備えない従来のＬＥＤ点灯装置と同輝度にする場合、第１及び第２のＬＥＤ素子１１−１，１１−２に流す電流を削減できるので、電力の損失を削減すると共に、発熱量を減らして温度上昇を抑制できる。
【００７６】
また、ＬＥＤ点灯装置１０は、高耐圧且つ高電力な部品を用いずに実現できる。
【実施例２】
【００７７】
実施例２は、スイッチＳＷ１に代えて半導体リレーＳＳＲを用いているブリンカーライトに適用可能なＬＥＤ点灯装置１０ａに関する。
【００７８】
図５は、本発明の実施例２に係るブリンカーライトの概略的な構成を示すブロック図である。図５では、図１と共通する構成部分には同一の符号を付しており、以下では相違点を中心に説明する。点灯制御部２０ａは、図１の実施例１のスイッチＳＷ１に代えて、半導体リレー（スイッチ部）ＳＳＲ（Ｓｏｌｉｄ  Ｓｔａｔｅ  Ｒｅｌａｙ）を有する。
【００７９】
半導体リレーＳＳＲは、オン又はオフに切り替えられ、且つ、オフ時に抵抗成分Ｒｓｓｒを有する。即ち、半導体リレーＳＳＲは、等価回路で表すと、スイッチＳＷ２と抵抗成分Ｒｓｓｒとが入出力端子間に並列接続されている。抵抗成分Ｒｓｓｒは、例えば数十ｋΩであり、半導体リレーＳＳＲの形式によって異なる。点灯制御部２０ａは、第１の交流電圧ＶＡＣ１又は第２の交流電圧ＶＡＣ２を、半導体リレーＳＳＲを介して、ＬＥＤ点灯装置１０ａに供給する。
【００８０】
半導体リレーＳＳＲがオン時には、スイッチＳＷ２が閉じ、第１の交流電圧ＶＡＣ１または第２の交流電圧ＶＡＣ２がスイッチＳＷ２を介してそのままＬＥＤ点灯装置１０ａに供給される。半導体リレーＳＳＲがオフ時には、スイッチＳＷ２が開き、第１の交流電圧ＶＡＣ１または第２の交流電圧ＶＡＣ２が抵抗成分Ｒｓｓｒを介してＬＥＤ点灯装置１０ａに供給される。
【００８１】
このように、半導体リレーＳＳＲは、抵抗成分Ｒｓｓｒの存在によってオフ時であっても第１の交流電圧ＶＡＣ１または第２の交流電圧ＶＡＣ２を完全に遮断することはできない。そのため、実施例１のＬＥＤ点灯装置１０では、半導体リレーＳＳＲがオフであっても第１のＬＥＤ素子１１−１が点灯してしまう可能性がある。このことを防ぐため、実施例２のＬＥＤ点灯装置１０ａは、以下ように構成されている。
【００８２】
図６は、本発明の実施例２に係るＬＥＤ点灯装置１０ａの回路図である。ＬＥＤ点灯装置１０ａは、図２のＬＥＤ点灯装置１０の構成に加え、抵抗切り替え部１６をさらに備える。抵抗切り替え部１６以外の回路構成は、図２と同一であるため、同一の要素に同一の符号を付して説明を省略する。なお、抵抗切り替え部１６の動作の説明を明確化するため、図６には、半導体スイッチＳＳＲの周辺の点灯制御部２０ａの等価回路２０ａ＿Ｅも示している。
【００８３】
抵抗切り替え部１６は、抵抗（第３抵抗）Ｒ１０及び抵抗（第４抵抗）Ｒ１１を有し、供給された整流電圧Ｖｒに基づいて第１端子Ｔ１及び第２端子Ｔ２間の抵抗を切り替える。抵抗Ｒ１０は、一端が第１端子Ｔ１に接続され、半導体リレーＳＳＲの抵抗成分Ｒｓｓｒより低抵抗である。抵抗Ｒ１１は、一端が第１端子Ｔ１に接続され、抵抗Ｒ１０より高抵抗である。例えば、抵抗Ｒ１１の抵抗値は、抵抗Ｒ１０の抵抗値の十倍以上である。本実施例では、抵抗Ｒ１０は約５ｋΩであり、抵抗Ｒ１１は約２００ｋΩである。
【００８４】
具体的には、抵抗切り替え部１６は、整流電圧Ｖｒが判定電圧未満の時、整流素子Ｂ１の第１端子Ｔ１及び第２端子Ｔ２間に抵抗Ｒ１０を電気的に接続し、これにより抵抗Ｒ１０を、整流素子Ｂ１を介して半導体リレーＳＳＲに電気的に接続する。よって、半導体リレーＳＳＲがオフ時に、整流電圧Ｖｒは、半導体リレーＳＳＲの抵抗成分Ｒｓｓｒと抵抗Ｒ１０とによって降圧される。半導体リレーＳＳＲがオフ時に、整流電圧Ｖｒが判定電圧未満になるように、抵抗Ｒ１０の値が設定されている。従って、半導体リレーＳＳＲがオフ時には、定常的に、抵抗Ｒ１０が半導体リレーＳＳＲに電気的に接続されるようになっている。
【００８５】
また、抵抗切り替え部１６は、整流電圧Ｖｒが判定電圧以上の時、整流素子Ｂ１の第１端子Ｔ１及び第２端子Ｔ２間に、抵抗Ｒ１０に代えて、抵抗Ｒ１１を電気的に接続し、これにより抵抗Ｒ１１を、整流素子Ｂ１を介して半導体リレーＳＳＲに電気的に接続する。
【００８６】
本実施例では、抵抗切り替え部１６は、ＮＰＮ型トランジスタ（第２のスイッチング素子）Ｑ４と、ＮＰＮ型トランジスタ（第３のスイッチング素子）Ｑ５と、抵抗Ｒ１２と、をさらに有する。
【００８７】
ＮＰＮ型トランジスタＱ４は、電圧制御部１３１に含まれるツェナーダイオードＺＤ１のアノード（他端）に、電流制限用の抵抗Ｒ１２を介してベース（制御端子）が接続され、抵抗Ｒ１１の他端にコレクタ（一端）が接続され、第２端子Ｔ２にエミッタ（他端）が接続されている。これにより、ＮＰＮ型トランジスタＱ４は、ツェナーダイオードＺＤ１が導通した時に、抵抗Ｒ１２を介してベースに電流が流れてオンする。即ち、本実施例において、判定電圧は、ツェナーダイオードＺＤ１のツェナー電圧と等しい。
【００８８】
ＮＰＮ型トランジスタＱ５は、ＮＰＮ型トランジスタＱ４のコレクタにベース（制御端子）が接続され、抵抗Ｒ１０の他端にコレクタ（一端）が接続され、第２端子Ｔ２にエミッタ（他端）が接続されている。ＮＰＮ型トランジスタＱ５は、ＮＰＮ型トランジスタＱ４がオンした時にオフする。
【００８９】
次に、本実施例のＬＥＤ点灯装置１０ａの動作を説明する。
【００９０】
（１）半導体リレーＳＳＲがオフ時
半導体リレーＳＳＲがオフ時、ＬＥＤ点灯装置１０ａは、抵抗Ｒ１０に電流を流すように動作する。この時、第１の交流電圧ＶＡＣ１又は第２の交流電圧ＶＡＣ２は抵抗成分Ｒｓｓｒを介して供給される。そのため、整流素子Ｂ１の第１端子Ｔ１及び第２端子Ｔ２間のインピーダンスに応じて、整流電圧Ｖｒは第１の交流電圧ＶＡＣ１又は第２の交流電圧ＶＡＣ２より低い電圧となる。
【００９１】
第１の交流電圧ＶＡＣ１又は第２の交流電圧ＶＡＣ２の増加に応じて整流電圧Ｖｒが０Ｖから増加した直後、整流電圧Ｖｒは判定電圧未満であるため、ツェナーダイオードＺＤ１は導通しない。従って、ＮＰＮ型トランジスタＱ４はオフする。一方、整流電圧Ｖｒによって、抵抗Ｒ１１を介してＮＰＮ型トランジスタＱ５のベースに電流が流れるので、ＮＰＮ型トランジスタＱ５がオンする。これにより、オフ状態にある半導体リレーＳＳＲの抵抗成分Ｒｓｓｒと、整流素子Ｂ１と、抵抗Ｒ１０と、ＮＰＮ型トランジスタＱ５と、に電流が流れる。従って、第１の交流電圧ＶＡＣ１又は第２の交流電圧ＶＡＣ２は、半導体リレーＳＳＲの抵抗成分Ｒｓｓｒと抵抗Ｒ１０とによって分圧される。得られた整流電圧Ｖｒは、前述のように、判定電圧未満に降圧されている。よって、第１の交流電圧ＶＡＣ１又は第２の交流電圧ＶＡＣ２が最大となっても第１及び第２のＬＥＤ素子１１−１，１１−２に電流が流れることは無いため、第１及び第２のＬＥＤ素子１１−１，１１−２は点灯しない。
【００９２】
（２）半導体リレーＳＳＲがオン時
この時、第１のＬＥＤ素子１１−１，第２のＬＥＤ素子１１−２，電流制御部１３及び短絡制御部１４の動作は実施例１と同様である。つまり、整流電圧Ｖｒと第１のＬＥＤ素子１１−１の電流は、図３，４と同様である。そこで、まず図３を参照して、第１の交流電圧ＶＡＣ１が供給される場合について、主に抵抗切り替え部１６の動作について説明する。
【００９３】
半導体リレーＳＳＲがオン時、第１の交流電圧ＶＡＣ１は閉状態のスイッチＳＷ２を介して直接的に供給されるため、整流電圧Ｖｒは第１の交流電圧ＶＡＣ１とほぼ等しい電圧となる。図３の時刻ｔ１からｔ２まで、第１の交流電圧ＶＡＣ１の増加に応じて整流電圧Ｖｒが０Ｖから増加していくが、整流電圧Ｖｒは判定電圧未満であるため、ツェナーダイオードＺＤ１は導通しない。一方、整流電圧Ｖｒによって、抵抗Ｒ１１を介してＮＰＮ型トランジスタＱ５のベースに電流が流れるので、ＮＰＮ型トランジスタＱ５がオンして、抵抗Ｒ１０に電流が流れる。整流電圧Ｖｒの増加に合わせて抵抗Ｒ１０の電流は増加する。
【００９４】
時刻ｔ２において、整流電圧Ｖｒが判定電圧に達すると、ツェナーダイオードＺＤ１は導通する。これにより、ツェナーダイオードＺＤ１及び抵抗Ｒ１２を介してＮＰＮ型トランジスタＱ４のベースに電流が流れるので、ＮＰＮ型トランジスタＱ４がオンして、抵抗Ｒ１１に流れる電流が増加する。すると、ＮＰＮ型トランジスタＱ５のベース電圧が低下して、ＮＰＮ型トランジスタＱ５はオフする。従って、抵抗Ｒ１０に電流が流れないようになる。前述のように、抵抗Ｒ１１は抵抗Ｒ１０の数十倍の抵抗値を有するので、抵抗Ｒ１１に流れる電流は、抵抗Ｒ１０に流れる電流に比して十分に小さい。時刻ｔ７までは、この状態を維持する。
【００９５】
時刻ｔ７から時刻ｔ８においては、整流電圧Ｖｒが判定電圧未満であるため、ツェナーダイオードＺＤ１は導通しない。従って、時刻ｔ１からｔ２と同様に、抵抗Ｒ１０に電流が流れる。
【００９６】
このように、時刻ｔ１からｔ２及び時刻ｔ７からｔ８の各期間において、抵抗Ｒ１０に電流が流れ、時刻ｔ２からｔ７において、抵抗Ｒ１０に電流が流れず、抵抗Ｒ１１に電流が流れる。
【００９７】
第２の交流電圧ＶＡＣ２が供給された場合も、以上と同様に動作する。即ち、図４の時刻ｔ１１からｔ１２及び時刻ｔ１５からｔ１６の各期間において、抵抗Ｒ１０に電流が流れ、時刻ｔ１２からｔ１５において、抵抗Ｒ１０に電流が流れず、抵抗Ｒ１１に電流が流れる。
【００９８】
前述のように、整流電圧Ｖｒが判定電圧より低い期間で、抵抗Ｒ１０に電流が流れる。従って、判定電圧を低くすることで、抵抗Ｒ１０に電流が流れる期間を短縮できる。これにより、抵抗Ｒ１０に流れる電流の最大値及び総量、並びに、抵抗Ｒ１０に印加される電圧の最大値を低減できるので、抵抗Ｒ１０での電力の損失も削減できる。
【００９９】
以上で説明したように、本実施例に係るＬＥＤ点灯装置１０ａによれば、抵抗切り替え部１６が、整流電圧Ｖｒが判定電圧未満の時、抵抗Ｒ１０を、整流素子Ｂ１を介して半導体リレーＳＳＲに電気的に接続するようにしている。また、抵抗切り替え部１６が、整流電圧Ｖｒが判定電圧以上の時、抵抗Ｒ１０より高抵抗である抵抗Ｒ１１を、整流素子Ｂ１を介して半導体リレーＳＳＲに電気的に接続するようにしている。これにより、半導体リレーＳＳＲがオフ時には、整流電圧Ｖｒは、半導体リレーＳＳＲの抵抗成分Ｒｓｓｒと抵抗Ｒ１０とによって降圧されるので、半導体リレーＳＳＲの抵抗成分Ｒｓｓｒが存在しても、第１及び第２のＬＥＤ素子１１−１，１１−２を点灯しないようにできる。
【０１００】
また、半導体リレーＳＳＲがオン時には、整流電圧Ｖｒが判定電圧以上になると、電流は抵抗Ｒ１０に流れず高抵抗な抵抗Ｒ１１に流れる。従って、第１及び第２のＬＥＤ素子１１−１，１１−２の点灯に寄与しない電流が低抵抗な抵抗Ｒ１０に流れる期間を短縮して、電力損失及び発熱量を低減できる。発熱量を低減できることで、ブリンカーライトの放熱性が低い場合であっても、ＬＥＤ点灯装置１０ａの耐久性及び信頼性を向上できる。
【０１０１】
このように、本実施例に係るＬＥＤ点灯装置１０ａでは、抵抗Ｒ１０の電力損失及び発熱量を低減できるので、抵抗Ｒ１０として、小型、低耐圧且つ小電力な抵抗器を用いることもできる。従って、低コスト化できる。
【０１０２】
さらに、抵抗Ｒ１０に電流が流れる期間を短縮できることで、抵抗Ｒ１０を低抵抗にしても、電力損失及び発熱量を低減できる。これにより、抵抗成分Ｒｓｓｒが低い半導体リレーＳＳＲを用いても、半導体リレーＳＳＲがオフ時に、整流電圧Ｖｒを十分に降圧させて、第１及び第２のＬＥＤ素子１１−１，１１−２を点灯しないようにできる。従って、様々な形式（メーカー）の半導体リレーＳＳＲに対応することができる。
【０１０３】
また、抵抗Ｒ１０に電流が流れる期間は、整流電圧Ｖｒによって決定される。従って、その期間は、直列接続されたＬＥＤの数、及び、第１及び第２のＬＥＤ素子１１−１，１１−２の電流値等には影響されない。
【０１０４】
さらにまた、実施例１と同様の効果も得られる。
【０１０５】
このように、道路の分岐点などに既に設置されたブリンカーライトの点灯制御部（制御盤）２０ａが半導体リレーＳＳＲを用いている場合であっても、この点灯制御部２０ａをそのまま利用して、白熱電球をＬＥＤ点灯装置１０ａに交換するだけで、ＬＥＤの優れた特性を得ることができる。
【０１０６】
なお、白熱電球は、半導体リレーＳＳＲのオフ時の抵抗成分Ｒｓｓｒを介して電圧が加えられても点灯しない特性を有している。
【０１０７】
以上、本発明の実施例を詳述してきたが、具体的な構成は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々に変形して実施することができる。
【０１０８】
例えば、第１及び第２のＬＥＤ素子１１−１，１１−２を構成するＬＥＤの数は、以上の例と異なってもよい。
【０１０９】
また、短絡制御部１４は、第２のＬＥＤ素子１１−２に代えて、第１のＬＥＤ素子１１−１の両端を短絡するようにしてもよい。この場合、電流制御部１３は、第２のＬＥＤ素子１１−２に流れる電流を制御すればよい。
また、短絡スイッチをＰ型ＭＯＳトランジスタで構成してもよい。
【符号の説明】
【０１１０】
１０，１０ａ  ＬＥＤ点灯装置
２０，２０ａ  点灯制御部（制御盤）
２１  電圧変換部
ＳＷ１，ＳＷ２  スイッチ
ＳＳＲ  半導体リレー
Ｒｓｓｒ  抵抗成分
Ｂ１  整流素子
１１−１  第１のＬＥＤ素子
１１−２  第２のＬＥＤ素子
１３  電流制御部
１３１  電圧制御部
１４  短絡制御部
１６  抵抗切り替え部
Ｑ１  Ｎ型ＭＯＳトランジスタ（電流制御トランジスタ）
Ｑ２  Ｎ型ＭＯＳトランジスタ（短絡スイッチ）
Ｑ３  ＮＰＮ型トランジスタ（第１のスイッチング素子）
Ｑ４  ＮＰＮ型トランジスタ（第２のスイッチング素子）
Ｑ５  ＮＰＮ型トランジスタ（第３のスイッチング素子）
ＺＤ１  ツェナーダイオード（第２の電圧検出素子）
ＺＤ２  ツェナーダイオード（第１の電圧検出素子）
ＺＤ３  ツェナーダイオード（電圧制限素子）
Ｄ１  ダイオード（電流制限素子）
Ｒ１  抵抗（第５抵抗）
Ｒ２  抵抗（第６抵抗）
Ｒ３  抵抗（第７抵抗）
Ｒ４〜Ｒ７  抵抗
Ｒ８  抵抗（第１抵抗）
Ｒ９  抵抗（第２抵抗）
Ｒ１０  抵抗（第３抵抗）
Ｒ１１  抵抗（第４抵抗）
Ｒ１２  抵抗
ＩＣ１  シャントレギュレータ
Ｃ１，Ｃ２  容量
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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