(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示領域の外側において基板端面まで到達するように複数の外部配線が設けられた矩形状の第１基板と、
上記第１基板に対向するように設けられた矩形状の第２基板と、
上記第１基板及び第２基板の間に設けられた液晶層と、
上記第１基板及び第２基板の間で上記液晶層を封入するように設けられ、液晶注入口が配置されたシール材と、
上記液晶注入口を封止するように設けられた封止材とを備え、
上記第１基板の上記表示領域には、互いに平行に延びるように複数の表示用配線が設けられており、
上記第１基板において、上記液晶注入口が配置された辺に対向する辺に沿って上記第２基板から突出するように端子領域が規定されており、
上記複数の外部配線のうち、上記端子領域が規定された辺以外の辺において基板端面まで到達するように設けられた全ての外部配線の上記基板端面側は、上記液晶注入口の内側で上記封止材に覆われている、液晶表示パネル。
【請求項２】
上記外部配線は、上記各表示用配線に接続されている、請求項１に記載の液晶表示パネル。
【請求項３】
上記表示領域には、複数の副画素がマトリクス状に配列され、
上記各表示用配線は、上記各副画素に補助容量を付加するための容量線である、請求項２に記載の液晶表示パネル。
【請求項４】
上記表示領域には、上記各表示用配線に沿って互いに平行に延びるように複数のゲート線が設けられていると共に、該各表示用配線と交差する方向に互いに平行に延びるように複数のソース線が設けられ、
上記端子領域には、各々、透明導電膜により基板端面まで到達すると共に、上記各ゲート線及び各ソース線にそれぞれ接続するように複数の他の外部配線が設けられている、請求項３に記載の液晶表示パネル。
【請求項５】
表示領域の外側において基板端面まで到達するように複数の外部配線が設けられた矩形状の第１基板を含み、該第１基板の外側の周端部に上記外部配線に接続されたショートリングが設けられた第１母基板を準備する第１母基板準備工程と、
上記第１基板に対向する矩形状の第２基板を含む第２母基板を準備する第２母基板準備工程と、
上記第１母基板及び第２母基板を液晶注入口が配置されたシール材を介して貼り合わせた後に、上記第１母基板及び第２母基板の各周端部を除去することにより、上記第１基板及び第２基板が上記シール材を介して貼り合わされた空セルを作製するセル作製工程と、
上記空セルの内部に上記液晶注入口を介して液晶材料を真空注入法で注入する液晶注入工程と、
上記液晶材料が注入された空セルの液晶注入口を封止材を介して封止する封止工程とを備え、
上記第１基板の上記表示領域には、互いに平行に延びるように複数の表示用配線が設けられており、
上記第１基板において、上記液晶注入口が配置された辺に対向する辺に沿って上記第２基板から突出するように端子領域が規定されており、
上記第１母基板準備工程では、上記複数の外部配線のうち、上記端子領域が規定された辺以外の辺において基板端面まで到達するように設けられた全ての外部配線の上記基板端面側が上記シール材の液晶注入口の内側に配置するように、上記第１母基板を準備する、液晶表示パネルの製造方法。
【請求項６】
上記第１母基板準備工程では、上記第１基板がマトリクス状に複数配列すると共に、上記ショートリングが該複数の第１基板を囲むように、上記第１母基板を準備し、
上記第２母基板準備工程では、上記第２基板がマトリクス状に複数配列するように、上記第２母基板を準備する、請求項５に記載の液晶表示パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示パネル及びその製造方法に関し、特に、真空注入法を用いて製造される液晶表示パネル及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示パネルは、例えば、互いに対向するように設けられたＴＦＴ（Thin Film Transistor）基板及びＣＦ（Color Filter）基板と、ＴＦＴ基板及びＣＦ基板の間に設けられた液晶層と、ＴＦＴ基板及びＣＦ基板を互いに接着すると共に、ＴＦＴ基板及びＣＦ基板の間に液晶層を封入するために設けられたシール材とを備えている。ここで、ＴＦＴ基板は、例えば、ガラス基板などの絶縁基板と、絶縁基板に互いに平行に延びるように設けられた複数のゲート線と、各ゲート線と直交する方向に互いに平行に延びるように設けられた複数のソース線と、各ゲート線及び各ソース線の交差する部分にそれぞれ設けられた複数のＴＦＴと、各ＴＦＴを覆うように設けられた層間絶縁膜と、層間絶縁膜上にマトリクス状に設けられ、各ＴＦＴにそれぞれ接続された複数の画素電極とを備えている。
【０００３】
ところで、ＴＦＴ基板を製造する際には、その製造工程中に発生した静電気の放電（ＥＳＤ：Electrostatic Discharge）によって、ＴＦＴなどが破壊され易いので、例えば、複数のＴＦＴ基板を多面取りで製造するための大判のＴＦＴ母基板の周端部にショートリングを設けると共に、上記ゲート線やソース線などの表示用配線をショートリングに接続する、というＥＳＤ対策を講じるのが主流になっている。ここで、ショートリングは、例えば、複数のＴＦＴ基板がマトリクス状に配列された大判のＴＦＴ母基板と、複数のＣＦ基板がマトリクス状に配列された大判のＣＦ母基板とを貼り合わせた後に、ＴＦＴ母基板（及びＣＦ母基板）をセル単位に分断する際に除去される。そして、ＴＦＴ母基板を分断した後には、その分断端面において、ショートリングに接続されていた配線の端面が露出してしまうので、その配線の端面が腐食するおそれがある。
【０００４】
例えば、特許文献１には、アレイ基板上に形成された複数の配線よりなる配線部と、各配線が外部に引き出される引き出し部と、アレイ基板及びカラーフィルター基板の間に形成されたシール材とを備えた液晶表示パネルにおいて、配線部及び引き出し部からの静電気及び水分の浸入による腐食を防ぐために、配線部及び引き出し部の位置にシール材が形成され、配線部及び引き出し部がシール材で覆われようにすることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−２１５６０５号公報（第１図）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記特許文献１に開示された液晶表示パネルにおいて、各配線の引き出し部が上記ショートリングに接続されていた配線に相当すると考えると、引き出し部の位置にシール材が形成されていても、基板端面において、引き出し部の端面がシール材で覆われていると限らないので、引き出し部の端面が大気に露出するおそれがある。そうなると、各配線の引き出し部が腐食してしまうので、改善の余地がある。
【０００７】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ショートリングに起因する配線の腐食を確実に抑制することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明は、表示領域の外側に設けられた外部配線が基板端面で封止材に覆われるようにしたものである。
【０００９】
具体的に本発明に係る液晶表示パネルは、表示領域の外側において基板端面まで到達するように複数の外部配線が設けられた矩形状の第１基板と、上記第１基板に対向するように設けられた矩形状の第２基板と、上記第１基板及び第２基板の間に設けられた液晶層と、上記第１基板及び第２基板の間で上記液晶層を封入するように設けられ、液晶注入口が配置されたシール材と、上記液晶注入口を封止するように設けられた封止材とを備え、上記第１基板の上記表示領域には、互いに平行に延びるように複数の表示用配線が設けられており、上記第１基板において、上記液晶注入口が配置された辺に対向する辺に沿って上記第２基板から突出するように端子領域が規定されており、上記複数の外部配線のうち、上記端子領域が規定された辺以外の辺において基板端面まで到達するように設けられた全ての外部配線の上記基板端面側は、上記液晶注入口の内側で上記封止材に覆われている。
【００１０】
上記の構成によれば、第１基板の表示領域の外側において、外部配線が基板端面まで到達するように設けられているので、例えば、第１基板を含む第１母基板の状態で第１母基板の周端部に設けられたショートリングに外部配線が接続されることにより、第１基板に設けられた素子などのＥＳＤによる破壊が抑制される。そして、（ショートリングに接続されていた）外部配線が基板端面でシール材の液晶注入口を封止する封止材に覆われているので、基板端面における外部配線の端面が大気に露出しなくなる。これにより、外部配線の腐食が確実に抑制されるので、ショートリングに起因する配線の腐食が確実に抑制される。
【００１１】
上記外部配線は、上記各表示用配線に接続されていてもよい。
【００１２】
上記の構成によれば、第１基板において、表示領域の外側に設けられた外部配線が、表示領域で互いに平行に延びる複数の表示用配線にそれぞれ接続されているので、例えば、第１基板を含む第１母基板の状態で第１母基板の周端部に設けられたショートリングに外部配線が接続されることにより、第１基板の表示領域に設けられた素子などのＥＳＤによる破壊が抑制される。
【００１３】
上記表示領域には、複数の副画素がマトリクス状に配列され、上記各表示用配線は、上記各副画素に補助容量を付加するための容量線であってもよい。
【００１４】
上記の構成によれば、各表示用配線が一般的に静電気を蓄積し易い容量線であるので、本発明の作用効果が有効に奏される。ここで、各副画素に補助容量を付加するための容量線は、画像表示の際に伝送する電気信号の波形なまりを抑制するために、例えば、ゲート線やソース線などの他の表示用配線よりも幅広に形成されていることが多いので、その平面視での面積に起因して、ＴＦＴの破壊を引き起こす程度の量の静電気を蓄積し易い。
【００１５】
上記表示領域には、上記各表示用配線に沿って互いに平行に延びるように複数のゲート線が設けられていると共に、該各表示用配線と交差する方向に互いに平行に延びるように複数のソース線が設けられ、上記端子領域には、各々、透明導電膜により基板端面まで到達すると共に、上記各ゲート線及び各ソース線にそれぞれ接続するように複数の他の外部配線が設けられていてもよい。
【００１６】
上記の構成によれば、第１基板において、端子領域に設けられた複数の他の外部配線が、表示領域で互いに交差する各ゲート線及び各ソース線にそれぞれ接続されているので、例えば、第１基板を含む第１母基板の状態で第１母基板の周端部に設けられたショートリングに各他の外部配線が接続されることにより、第１基板の表示領域に設けられた素子などのＥＳＤによる破壊がいっそう抑制される。そして、（ショートリングに接続されていた）各他の外部配線の基板端面側が一般的に酸化し難い、酸化物系の透明導電膜により形成されているので、基板端面における各他の外部配線の腐食が抑制される。
【００１７】
また、本発明に係る液晶表示パネルの製造方法は、表示領域の外側において基板端面まで到達するように複数の外部配線が設けられた矩形状の第１基板を含み、該第１基板の外側の周端部に上記外部配線に接続されたショートリングが設けられた第１母基板を準備する第１母基板準備工程と、上記第１基板に対向する矩形状の第２基板を含む第２母基板を準備する第２母基板準備工程と、上記第１母基板及び第２母基板を液晶注入口が配置されたシール材を介して貼り合わせた後に、上記第１母基板及び第２母基板の各周端部を除去することにより、上記第１基板及び第２基板が上記シール材を介して貼り合わされた空セルを作製するセル作製工程と、上記空セルの内部に上記液晶注入口を介して液晶材料を真空注入法で注入する液晶注入工程と、上記液晶材料が注入された空セルの液晶注入口を封止材を介して封止する封止工程とを備え、上記第１基板の上記表示領域には、互いに平行に延びるように複数の表示用配線が設けられており、上記第１基板において、上記液晶注入口が配置された辺に対向する辺に沿って上記第２基板から突出するように端子領域が規定されており、上記第１母基板準備工程では、上記複数の外部配線のうち、上記端子領域が規定された辺以外の辺において基板端面まで到達するように設けられた全ての外部配線の上記基板端面側が上記シール材の液晶注入口の内側に配置するように、上記第１母基板を準備する。
【００１８】
上記の方法によれば、第１母基板準備工程で準備する第１母基板では、第１基板の表示領域の外側において、外部配線が第１基板の基板端面まで到達するように設けられているので、第１母基板において、その周端部に設けられたショートリングに外部配線が接続されることにより、第１基板に設けられた素子などのＥＳＤによる破壊が抑制される。また、第１母基板準備工程では、外部配線の基板端面側がシール材の液晶注入口と一致するように第１母基板を準備し、第２母基板準備工程、セル作製工程及び液晶注入工程の後で行う封止工程において、シール材の液晶注入口を封止材を介して封止するので、セル作製工程で第１母基板の周端部を除去するまでショートリングに接続されていた外部配線が基板端面で封止材に覆われることになり、基板端面における外部配線の端面が大気に露出しなくなる。これにより、外部配線の腐食が確実に抑制されるので、ショートリングに起因する配線の腐食が確実に抑制される。
【００１９】
上記第１母基板準備工程では、上記第１基板がマトリクス状に複数配列すると共に、上記ショートリングが該複数の第１基板を囲むように、上記第１母基板を準備し、上記第２母基板準備工程では、上記第２基板がマトリクス状に複数配列するように、上記第２母基板を準備してもよい。
【００２０】
上記の方法によれば、第１母基板準備工程では、複数の第１基板がマトリクス状に配列された第１母基板を準備し、第２母基板準備工程では、複数の第２基板がマトリクス状に配列された第２母基板を準備するので、多面取りで製造される液晶表示パネルにおいて、本発明の作用効果が具体的に奏される。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、表示領域の外側に設けられた外部配線が基板端面で封止材に覆われているので、ショートリングに起因する配線の腐食を確実に抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】実施形態１に係る液晶表示パネルの平面図である。
【図２】図１中のII−II線に沿った液晶表示パネルの断面図である。
【図３】実施形態１に係る液晶表示パネルを多面取りで製造するための大判の貼合体の概略平面図である。
【図４】図３の大判の貼合体における１つのセル単位を拡大した平面図である。
【図５】図４のV−V線に沿った大判の貼合体の断面図である。
【図６】実施形態１に係る液晶表示パネルの第１の変形例の平面図である。
【図７】実施形態１に係る液晶表示パネルの第２の変形例の平面図である。
【図８】実施形態２に係る液晶表示パネルを多面取りで製造するための大判の第１母基板の概略平面図である。
【図９】図８の第１母基板を備えた貼合体における１つのセル単位を拡大した平面図である。
【図１０】実施形態３に係る液晶表示パネルを多面取りで製造するための大判の第１母基板の概略平面図である。
【図１１】図１０の第１母基板を備えた貼合体における１つのセル単位を拡大した平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は、以下の各実施形態に限定されるものではない。
【００２４】
《発明の実施形態１》
図１〜図７は、本発明に係る液晶表示パネル及びその製造方法の実施形態１を示している。ここで、図１は、本実施形態の液晶表示パネル５０ａの平面図である。また、図２は、図１中のII−II線に沿った液晶表示パネル５０ａの断面図である。
【００２５】
液晶表示パネル５０ａは、図１及び図２に示すように、第１基板として矩形状に設けられたＴＦＴ基板２０ａと、ＴＦＴ基板２０ａに対向するように第２基板として矩形状に設けられたＣＦ基板３０と、ＴＦＴ基板２０ａ及びＣＦ基板３０の間に設けられた液晶層４０と、ＴＦＴ基板２０ａ及びＣＦ基板３０の間で液晶層４０を封入するように枠状に設けられ、液晶注入口４５ｃが配置されたシール材４５と、シール材４５の液晶注入口４５ｃを封止するように設けられた封止材４６とを備えている。ここで、液晶表示パネル５０ａでは、図１に示すように、ＴＦＴ基板２０ａ及びＣＦ基板３０の重なり合う部分において、複数の副画素Ｐがマトリクス状に配列された画像表示を行う表示領域Ｄが矩形状に規定されている。また、液晶表示パネル５０ａでは、図１に示すように、ＣＦ基板３０から突出するＴＦＴ基板２０ａにおいて、液晶注入口４５が配置された辺（図中の上辺）に対向する辺（図中の下辺）に沿って端子領域Ｔが規定されている。さらに、ＴＦＴ基板２０ａの端子領域Ｔの中央部には、図１に示すように、表示領域Ｄの図中の下辺に沿うように、駆動用ＩＣ（Integrated Circuit）を実装するための実装領域Ｍが規定されている。
【００２６】
ＴＦＴ基板２０ａは、図１及び図２に示すように、絶縁基板１０ａと、表示領域Ｄにおいて互いに平行に延びるように表示用配線として絶縁基板１０ａ上に設けられた複数のゲート線１１ａと、表示領域Ｄにおいて各ゲート線１１ａの間で互いに平行に延びるように表示用配線として絶縁基板１０ａ上に設けられた複数の容量線１１ｂと、各ゲート線１１ａ及び各容量線１１ｂと直交する方向に互いに平行に延びるように表示用配線として設けられた複数のソース線１４ａと、各ゲート線１１ａ及び各ソース線１４ａの交差する部分毎、すなわち、各副画素Ｐ毎にそれぞれ設けられた複数のＴＦＴ５と、各第ＴＦＴ５を覆うように設けられた層間絶縁膜１５と、層間絶縁膜１５上にマトリクス状に設けられ、各ＴＦＴ５に接続された複数の画素電極１６ａと、各画素電極１６ａを覆うように設けられた配向膜１７とを備えている。ここで、ＴＦＴ基板２０ａでは、図２に示すように、絶縁基板１０ａ上に設けられた容量線１１ｂと、容量線１１ｂを覆うように設けられたゲート絶縁膜１２と、ゲート絶縁膜１２に積層された層間絶縁膜１５と、層間絶縁膜１５上に設けられた画素電極１６ａとより、各副画素Ｐ毎に補助容量６が構成されている。また、ＴＦＴ基板２０ａでは、図１に示すように、表示領域Ｄの外側において、後述するＣＦ基板３０上の共通電極２４に接続するためのコモン転移電極１６ｃが設けられている。
【００２７】
ＴＦＴ５は、図２に示すように、絶縁基板１０ａ上に設けられたゲート電極（１１ａ）と、ゲート電極（１１ａ）を覆うように設けられたゲート絶縁膜１２と、ゲート絶縁膜１２上にゲート電極（１１ａ）に重なるように島状に設けられた半導体層１３と、半導体層１３上に互いに離間及び対峙するように設けられたソース電極（１４ａ）及びドレイン電極１４ｂとを備えている。ここで、ゲート電極（１１ａ）は、各ゲート線１１ａの各副画素Ｐ毎の一部分、又は各ゲート線１１ａが各副画素Ｐ毎に側方に突出した部分である。また、ソース電極（１４ａ）は、各ソース線１４ａの各副画素Ｐ毎の一部、又は各ソース線１４ａが各副画素Ｐ毎に側方に突出した部分である。また、ドレイン電極１４ｂは、層間絶縁膜１５に各副画素Ｐ毎に形成されたコンタクトホールを介して各画素電極１６ａに接続されている。
【００２８】
ゲート線１１ａは、図１に示すように、ソース線１４ａと同一材料により同一層に形成されたゲート引出配線１４ｃを介して端子領域Ｔの実装領域Ｍに引き出されている。
【００２９】
容量線１１ｂは、図１に示すように、後述するショートリング１１１に接続されていた外部配線１１ｃに接続されていると共に、端子領域Ｔに引き出されている。そして、端子領域Ｔに引き出された容量線１１ｂは、図１に示すように、画素電極１６ａと同一材料により同一層に形成された容量線端子１６ｄに接続されている。ここで、外部配線１１ｃは、図１及び図２に示すように、表示領域Ｄの外側において基板端面まで到達するように設けられ、その基板端面が封止材４６で覆われている。
【００３０】
ソース線１４ａは、図１に示すように、端子領域Ｔの実装領域Ｍに引き出されている。
【００３１】
実装領域Ｍには、図１に示すように、図中の上側に一列に配列するように複数の入力側端子１６ｆが設けられていると共に、図中の下側に一列に配列するように複数の出力側端子１６ｇが設けられている。
【００３２】
入力側端子１６ｆは、図１に示すように、画素電極１６ａと同一材料により同一層に形成され、ゲート線１１ａやソース線１４ａなどに接続されている。
【００３３】
出力側端子１６ｇは、図１に示すように、画素電極１６ａと同一材料により同一層に形成され、ゲート線１１ａと同一材料により同一層に形成された端子間配線１１ｅを介して、画素電極１６ａと同一材料により同一層に形成された外部接続端子１６ｈに接続されている。
【００３４】
コモン転移電極１６ｃは、画素電極１６ａと同一材料により同一層に形成されている。また、コモン転移電極１６ｃは、図１に示すように、ゲート線１１ａと同一材料により同一層に形成されたコモン転移配線１１ｄを介して、端子領域Ｔに引き出されている。そして、端子領域Ｔに引き出されたコモン転移配線１１ｄは、図１に示すように、画素電極１６ａと同一材料により同一層に形成されたコモン転移端子１６ｅに接続されている。
【００３５】
外部接続端子１６ｈ及びコモン転移端子１６ｅは、図１に示すように、後述するショートリング１１１に接続されていた他の外部配線１６ｂに接続されている。ここで、他の外部配線１６ｂは、画素電極１６ａと同一材料により同一層に形成されている。
【００３６】
ＣＦ基板３０は、図２に示すように、絶縁基板１０ｂと、絶縁基板１０ｂ上に格子状に設けられたブラックマトリクス２１と、ブラックマトリクス２１の各格子間にそれぞれ設けられた赤色層、緑色層及び青色層などの複数の着色層２２と、ブラックマトリクス２１及び各着色層２２を覆うように設けられたオーバーコート膜２３と、オーバーコート膜２３上に設けられた共通電極２４と、共通電極２４上に柱状に設けられた複数のフォトスペーサ２５と、共通電極２４及び各フォトスペーサ２５を覆うように設けられた配向膜２６とを備えている。
【００３７】
液晶層４０は、例えば、電気光学特性を有するネマチックの液晶材料などにより構成されている。
【００３８】
上記構成の液晶表示パネル５０ａは、ＴＦＴ基板２０ａ上の各画素電極１６ａとＣＦ基板３０上の共通電極２４との間に配置する液晶層４０に各副画素Ｐ毎に所定の電圧を印加して、液晶層４０の配向状態を変えることにより、各副画素Ｐ毎にパネル内を透過する光の透過率を調整して、画像表示を行うように構成されている。
【００３９】
次に、本実施形態の液晶表示パネル５０ａを製造する方法について説明する。ここで、図３は、液晶表示パネル５０ａを多面取りで製造するための大判の貼合体１５０ａの概略平面図である。また、図４は、図３の貼合体１５０ａにおける１つのセル単位を拡大した平面図である。また、図５は、図４のV−V線に沿った貼合体１５０ａの断面図である。なお、本実施形態の製造方法は、ＴＦＴ母基板準備工程、ＣＦ母基板準備工程、セル作製工程、液晶注入工程及び封止工程を備える。
【００４０】
＜ＴＦＴ母基板準備工程＞
まず、ガラス基板（厚さ０．７ｍｍ程度）などの大判の絶縁基板１１０ａの基板全体に、スパッタリング法により、例えば、アルミニウム膜などの金属膜を順に成膜し、その金属膜をフォトリソグラフィによりパターニングして、各セル単位（表示領域Ｄ）毎に、ゲート線１１ａ、容量線１１ｂ、外部配線１１ｃ、コモン転移配線１１ｄ及び端子間配線１１ｅを、複数のセル単位の外側の周端部にショートリング１１１を厚さ４０００Å程度にそれぞれ形成する。
【００４１】
続いて、ゲート線１１ａなどが形成された基板全体に、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により、例えば、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜などの無機絶縁膜を成膜し、その無機絶縁膜をフォトリソグラフィによりパターニングして、ゲート絶縁膜１２を厚さ４０００Å程度に形成する。
【００４２】
さらに、ゲート絶縁膜１２が形成された基板全体に、プラズマＣＶＤ法により、例えば、アモルファスシリコン膜及びリンがドープされたｎ＋アモルファスシリコン膜を連続して成膜し、その積層膜をフォトリソグラフィによりゲート電極（１１ａ）上に島状にパターニングして、各セル単位毎に、厚さ２０００Å程度のアモルファスシリコン層、及び厚さ５００Å程度のｎ＋アモルファスシリコン層が積層された半導体層形成層を形成する。
【００４３】
そして、上記半導体層形成層が形成された基板全体に、スパッタリング法により、例えば、アルミニウム膜や銅膜などの金属膜を成膜し、その金属膜をフォトリソグラフィによりパターニングして、各セル単位毎に、ソース線１４ａ、ドレイン電極１４ｂ及びゲート引出配線１４ｃを厚さ２０００Å程度に形成する。
【００４４】
続いて、ソース電極（１４ａ）及びドレイン電極１４ｂをマスクとして上記半導体層形成層のｎ＋アモルファスシリコン層をエッチングすることにより、チャネル領域をパターニングして、各セル単位毎に、半導体層１３及びそれを備えたＴＦＴ５を形成する。
【００４５】
さらに、ＴＦＴ５が形成された基板全体に、例えば、プラズマＣＶＤ法により、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜などの無機絶縁膜を成膜し、その無機絶縁膜をフォトリソグラフィによりパターニングして、層間絶縁膜１５を厚さ４０００Å程度に形成する。
【００４６】
そして、層間絶縁膜１５上の基板全体に、スパッタリング法により、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜や酸化スズ膜などの透明導電膜を成膜し、その透明導電膜をフォトリソグラフィによりパターニングして、各セル単位毎に、画素電極１６ａ、他の外部配線１６ｂ、コモン転移電極１６ｃ、容量線端子１６ｄ、コモン転移端子１６ｅ、入力側端子１６ｆ、出力側端子１６ｇ及び外部接続端子１６ｈを厚さ１０００Å程度に形成する。
【００４７】
最後に、画素電極１６ａなどが形成された基板全体に、印刷法によりポリイミド樹脂を塗布し、その後、ラビング処理を行って、配向膜１７を厚さ１０００Å程度に形成する。
【００４８】
以上のようにして、ＴＦＴ母基板１２０ａを準備することができる。
【００４９】
＜ＣＦ母基板準備工程＞
まず、ガラス基板（厚さ０．７ｍｍ程度）などの大判の絶縁基板１１０ｂの基板全体に、スピンコート法により、例えば、カーボンなどの微粒子が分散されたアクリル系の感光性樹脂を塗布し、その塗布された感光性樹脂をフォトマスクを介して露光した後に、現像することにより、各パネル単位毎に、ブラックマトリクス２１を厚さ１μｍ程度に形成する。
【００５０】
続いて、ブラックマトリクス２１が形成された基板上に、例えば、赤、緑又は青に着色されたアクリル系の感光性樹脂を塗布し、その塗布された感光性樹脂をフォトマスクを介して露光した後に、現像することによりパターニングして、各セル単位毎に、選択した色の着色層（例えば、赤色層）を厚さ２μｍ程度に形成する。さらに、他の２色についても同様な工程を繰り返して、各セル単位毎に、他の２色の着色層（例えば、緑色層及び青色層）を厚さ２μｍ程度に形成する。
【００５１】
さらに、各着色層２２が形成された基板上に、例えば、スピンコート法により、アクリル樹脂を塗布し、その塗布されたアクリル樹脂を硬化させることにより、オーバーコート膜２３を厚さ３μｍ程度に形成する。
【００５２】
そして、オーバーコート膜２３が形成された基板上に、例えば、スパッタリング法により、ＩＴＯ膜や酸化スズ膜などの透明導電膜を成膜して、各セル単位毎に、共通電極２４を厚さ１０００Å程度に形成する。
【００５３】
その後、共通電極２４が形成された基板全体に、スピンコート法により、フェノールノボラック系の感光性樹脂を塗布し、その塗布された感光性樹脂をフォトマスクを介して露光した後に、現像することにより、各セル単位毎に、フォトスペーサ２５を厚さ４μｍ程度に形成する。
【００５４】
最後に、フォトスペーサ２５が形成された基板全体に、印刷法によりポリイミド系樹脂を塗布し、その後、ラビング処理を行って、配向膜２６を厚さ１０００Å程度に形成する。
【００５５】
以上のようにして、ＣＦ母基板１３０を準備することができる。
【００５６】
＜セル作製工程＞
まず、例えば、上記ＣＦ母基板準備工程で準備されたＣＦ母基板１３０の各表示領域Ｄの周囲に、スクリーン印刷により、熱硬化性エポキシ樹脂などからなるシール材４５を液晶注入口４５ｃの部分を欠いた枠状パターンに印刷する。
【００５７】
続いて、シール材４５が印刷されたＣＦ母基板１３０及び上記ＴＦＴ母基板準備工程で準備されたＴＦＴ母基板１２０ａを互いの各表示領域Ｄが重なり合うように貼り合わせた後に、ＴＦＴ母基板１２０ａ及び対向母基板１３０の間のシール材４５を加熱により硬化させることにより、大判の貼合体１５０を作製する。
【００５８】
さらに、貼合体１５０のＴＦＴ母基板１２０ａの表面において、各ＴＦＴ基板２０ａを構成する部分の周囲に沿って、例えば、円盤状の分断刃の刃先を当接させながら、その分断刃を転動させることにより、線状のクラックを形成すると共に、そのクラックを厚さ方向に成長させることにより、ＴＦＴ母基板１２０ａを各セル単位毎に分断して、ＴＦＴ基板２０ａを作製する。
【００５９】
最後に、ＴＦＴ母基板１２０ａが分断された貼合体１５０を表裏反転させた後に、ＣＦ母基板１３０の外表面において、各ＣＦ基板３０を構成する部分の周囲に沿って、例えば、上記分断刃の刃先を当接させながら、その分断刃を転動させることにより、線状のクラックを形成すると共に、そのクラックを厚さ方向に成長させることにより、ＣＦ母基板１３０を各セル単位毎に分断して、ＣＦ基板３０を作製する。
【００６０】
以上のようにして、ＴＦＴ基板２０ａ及びＣＦ基板３０をシール材４５を介して貼り合わせた空セル５０ｅを作製することができる。
【００６１】
＜液晶注入工程＞
上記セル作製工程で作製された空セル５０ｅのＴＦＴ基板２０ａ及びＣＦ基板３０の間に、液晶注入口４５ｃを介して液晶材料（４０）を真空注入法により注入する。
【００６２】
＜封止工程＞
上記液晶注入工程で液晶材料が注入された空セル５０ｅの液晶注入口４５ｃにＵＶ硬化性樹脂からなる封止材４６を塗布した後に、封止材４６を硬化させることにより、液晶注入口４５ｃを封止材４６を介して封止して、液晶層４０を封入（形成）する。
【００６３】
以上のようにして、本実施形態の液晶表示パネル５０ａを製造することができる。
【００６４】
以上説明したように、本実施形態の液晶表示パネル５０ａ及びその製造方法によれば、ＴＦＴ母基板準備工程で準備するＴＦＴ母基板１２０ａでは、ＴＦＴ基板２０ａの表示領域Ｄの外側において、表示領域Ｄで互いに平行に延びる複数の容量線１１ｂにそれぞれ接続された外部配線１１ｃがＴＦＴ基板２０ａの基板端面まで到達するように設けられているので、ＴＦＴ母基板１２０ａにおいて、その周端部に設けられたショートリング１１１に外部配線１１ｃが接続されることにより、ＴＦＴ基板２０ａの表示領域Ｄに設けられた各ＴＦＴ５などのＥＳＤによる破壊を抑制することができる。また、ＴＦＴ母基板準備工程では、外部配線１１ｃの基板端面側がシール材４５の液晶注入口４５ｃと一致するようにＴＦＴ母基板１２０ａを準備し、第２母基板準備工程、セル作製工程及び液晶注入工程の後で行う封止工程において、シール材４５の液晶注入口４５ｃを封止材４６を介して封止するので、セル作製工程でＴＦＴ母基板１２０ａの周端部を除去するまでショートリング１１１に接続されていた外部配線１１ｃが基板端面で封止材４６に覆われることになり、基板端面における外部配線１１ｃの端面が大気に露出しなくなる。これにより、外部配線１１ｃの腐食を確実に抑制することができるので、ショートリング１１１に起因する配線の腐食を確実に抑制することができる。
【００６５】
また、本実施形態の液晶表示パネル５０ａによれば、ＴＦＴ基板２０ａにおいて、端子領域Ｔに設けられた複数の他の外部配線１６ｂが、表示領域Ｄで互いに交差する各ゲート線１１ａ及び各ソース線１４ａにそれぞれ接続されているので、複数のＴＦＴ基板２０ａを含むＴＦＴ母基板１２０ａにおいて、その周端部に設けられたショートリング１１１に各他の外部配線１６ｂが接続されることにより、ＴＦＴ基板２０ａの表示領域Ｄに設けられたＴＦＴ５などのＥＳＤによる破壊をいっそう抑制することができる。そして、ショートリング１１１に接続されていた各他の外部配線１６ｂの基板端面側が一般的に酸化し難い、ＩＴＯ膜などの酸化物系の透明導電膜により形成されているので、基板端面における各他の外部配線１６ｂの腐食を抑制することができる。
【００６６】
なお、本実施形態では、コモン転移端子１６ｅ及び複数の外部接続端子１６ｈが他の外部配線１６ｂを介してショートリング１１１に接続されていた液晶表示パネル５０ａを例示したが、例えば、図６の液晶表示パネル５０ａａや図７の液晶表示パネル５０ａｂなどであってもよい。ここで、図６は、液晶表示パネル５０ａの第１の変形例である液晶表示パネル５０ａａを製造するための貼合体１５０ａａの平面図である。また、図７は、液晶表示パネル５０ａの第２の変形例である液晶表示パネル５０ａｂを製造するための貼合体１５０ａｂの平面図である。
【００６７】
具体的に液晶表示パネル５０ａａでは、大判の状態で、図６に示すように、複数の外部接続端子１６ｈのうち、出力側端子１６ｇに接続されていないダミーの外部接続端子１６ｈがゲート線１１ａと同一材料により同一層に形成された他の外部配線１１ｆを介してショートリング１１１に接続されている。ここで、液晶表示パネル５０ａａでは、他の外部配線１１ｆに接続された外部接続端子１６ｈが出力側端子１６ｇに接続されていなく、パネル動作に寄与しないので、他の外部配線１１ｆの基板端面で腐食しても、特に問題が発生しない。
【００６８】
また、液晶表示パネル５０ａｂでは、大判の状態で、図７に示すように、コモン転移端子１６ｅ及び複数の外部接続端子１６ｈが他の外部配線１６ｂを介してショートリング１１１に接続されているだけでなく、容量線端子１６ｄも他の外部配線１６ｂａを介してショートリング１１１に接続されている。
【００６９】
《発明の実施形態２》
図８は、本実施形態の液晶表示パネル５０ｂを多面取りで製造するためのＴＦＴ母基板１２０ｂの概略平面図である。また、図９は、図８のＴＦＴ母基板１２０ｂを備えた貼合体１５０ｂにおける１つのセル単位を拡大した平面図である。なお、以下の各実施形態において、図１〜図７と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
【００７０】
上記実施形態１では、単純なショートリング１１１が設けられたＴＦＴ母基板１２０ａを用いて液晶表示パネル５０ａを製造する方法を例示したが、本実施形態では、検査機能を有するショートリング１１１が設けられたＴＦＴ母基板１２０ｂを用いて液晶表示パネル５０ｂを製造する方法を例示する。
【００７１】
複数のＴＦＴ基板２０ｂがマトリクス状に配列されたＴＦＴ母基板１２０ｂでは、図８に示すように、ショートリング１１１の内側に、ショートリング１１１と同一材料により同一層に形成され、ショートリング１１１にそれぞれ接続された第１検査配線１１１ａ、第２検査配線１１１ｂ及び複数の第３検査配線１１１ｃが設けられている。
【００７２】
第１検査配線１１１ａは、図８及び図９に示すように、両端部に画素電極１６ａと同一材料により同一層に形成された第１検査端子１１６ａを有し、ゲート線１１ａと同一材料により同一層に形成された外部配線１１ｇを介して、コモン転移電極１６ｃに接続されている。
【００７３】
第２検査配線１１１ｂは、図８及び図９に示すように、両端部に画素電極１６ａと同一材料により同一層に形成された第２検査端子１１６ｂを有し、ゲート線１１ａと同一材料により同一層に形成された外部配線１１ｃを介して、各容量線１１ｂに接続されている。
【００７４】
複数の第３検査配線１１１ｃは、図８及び図９に示すように、両端部に画素電極１６ａと同一材料により同一層に形成された第１検査端子１１６ｃを有し、例えば、奇数番目及び偶数番目のゲート線１１ａ毎に設けられ、それぞれ対応するゲート１１ａに他の外部配線１６ｂを介して接続されていると共に、赤色表示用、緑色表示用及び青色表示用のソース線１４ａ毎に設けられ、それぞれ対応するソース線１４ａに他の外部配線１６ｂを介して接続されている。
【００７５】
ＴＦＴ母基板１２０ｂを用いて液晶表示パネル５０ｂを製造するには、上記実施形態１と同様に、ＴＦＴ母基板準備工程を行った後に、図８中の分断ラインＬに沿ってＴＦＴ母基板１２０ｂを分断することにより、ショートリング１１１を介する第１検査配線１１１ａ、第２検査配線１１１ｂ、各第３検査配線１１１ｃの接続を解除した後に、第１検査端子１１６ａ、第２検査端子１１６ｂ及び各第３検査端子１１６ｃを用いて、例えば、電荷検出法によるアレイ検査を行い、その後、上記実施形態１と同様に、ＣＦ母基板準備工程、セル作製工程、液晶注入工程及び封止工程を行うことになる。
【００７６】
以上説明したように、本実施形態の液晶表示パネル５０ｂ及びその製造方法によれば、上記実施形態１と同様に、ショートリング１１１に接続されていた外部配線１１ｃ及び外部配線１１ｇが基板端面でシール材４５の液晶注入口４５ｃを封止する封止材４６に覆われているので、基板端面における外部配線１１ｃ及び外部配線１１ｇの端面が大気に露出しなくなり、外部配線１１ｃ及び外部配線１１ｇの腐食が確実に抑制され、ショートリング１１１に起因する配線の腐食を確実に抑制することができる。
【００７７】
《発明の実施形態３》
図１０は、本実施形態の液晶表示パネル５０ｃを多面取りで製造するためのＴＦＴ母基板１２０ｃの概略平面図である。また、図１１は、図１０のＴＦＴ母基板１２０ｃを備えた貼合体１５０ｃにおける１つのセル単位を拡大した平面図である。
【００７８】
上記実施形態１では、各容量線１１ｂに接続された外部配線１１ｃだけが液晶注入口４５ｃの部分でショートリング１１１に接続されていた液晶表示パネル５０ｂを例示し、上記実施形態２では、各容量線１１ｂに接続された外部配線１１ｃだけでなくコモン転移電極１６ｃに接続された外部配線１１ｇも液晶注入口４５ｃの部分でショートリング１１１に接続されていた液晶表示パネル５０ｂを例示したが、本実施形態では、コモン転移電極１６ｃに接続された外部配線１１ｇだけが液晶注入口４５ｃの部分でショートリング１１１に接続されていた液晶表示パネル５０ｃを例示する。
【００７９】
複数のＴＦＴ基板２０ｃがマトリクス状に配列されたＴＦＴ母基板１２０ｃでは、図１０に示すように、ショートリング１１１の内側に、ショートリング１１１と同一材料により同一層に形成され、ショートリング１１１にそれぞれ接続された第１検査配線１１１ｄ、第２検査配線１１１ｅ、複数の第３検査配線１１１ｆ及び第４検査配線１１１ｇが設けられている。
【００８０】
第１検査配線１１１ｄは、図１０及び図１１に示すように、両端部に画素電極１６ａと同一材料により同一層に形成された第１検査端子１１６ｄを有し、ゲート線１１ａと同一材料により同一層に形成された外部配線１１ｇを介して、コモン転移電極１６ｃに接続されている。
【００８１】
第２検査配線１１１ｅは、図１０及び図１１に示すように、両端部に画素電極１６ａと同一材料により同一層に形成された第１検査端子１１６ｅを有し、画素電極１６ａと同一材料により同一層に形成された他の外部配線１６ｂｄを介して、図１１中の左側の容量線端子１６ｄに接続されている。
【００８２】
複数の第３検査配線１１１ｆは、図１０及び図１１に示すように、両端部に画素電極１６ａと同一材料により同一層に形成された第１検査端子１１６ｆを有し、例えば、奇数番目及び偶数番目のゲート線１１ａ毎に設けられ、それぞれ対応するゲート１１ａに他の外部配線１６ｂを介して接続されていると共に、赤色表示用、緑色表示用及び青色表示用のソース線１４ａ毎に設けられ、それぞれ対応するソース線１４ａに他の外部配線１６ｂを介して接続されている。
【００８３】
第４検査配線１１１ｇは、図１０及び図１１に示すように、両端部に画素電極１６ａと同一材料により同一層に形成された第４検査端子１１６ｇを有し、画素電極１６ａと同一材料により同一層に形成された他の外部配線１６ｂｅを介して、図１１中の右側の容量線端子１６ｄに接続されている。
【００８４】
なお、本実施形態では、図１１中の左側の容量線端子１６ｄが第２検査配線１１１ｅに接続され、図１１中の右側の容量線端子１６ｄが第４検査配線１１１ｇに接続された構成を例示したが、第２検査配線１１１ｅ及び第４検査配線１１１ｇの一方が省略された構成であってもよい。
【００８５】
ＴＦＴ母基板１２０ｃを用いて液晶表示パネル５０ｃを製造するには、上記実施形態１と同様に、ＴＦＴ母基板準備工程を行った後に、図１０中の分断ラインＬに沿ってＴＦＴ母基板１２０ｂを分断することにより、ショートリング１１１を介する第１検査配線１１１ｄ、第２検査配線１１１ｅ、各第３検査配線１１１ｆ及び第４検査配線１１１ｇの接続を解除した後に、第１検査端子１１６ｄ、第２検査端子１１６ｅ、各第３検査端子１１６ｆ及び第４検査端子１１６ｇを用いて、例えば、電荷検出法によるアレイ検査を行い、その後、上記実施形態１と同様に、ＣＦ母基板準備工程、セル作製工程、液晶注入工程及び封止工程を行うことになる。
【００８６】
以上説明したように、本実施形態の液晶表示パネル５０ｃ及びその製造方法によれば、上記実施形態２と同様に、ショートリング１１１に接続されていた外部配線１１ｇが基板端面でシール材４５の液晶注入口４５ｃを封止する封止材４６に覆われているので、基板端面における外部配線１１ｇの端面が大気に露出しなくなり、外部配線１１ｇの腐食が確実に抑制され、ショートリング１１１に起因する配線の腐食を確実に抑制することができる。
【００８７】
なお、上記各実施形態では、液晶注入口が配置する辺と端子領域が配置する辺とが対向する液晶表示パネルを例示したが、本発明は、液晶注入口が配置する辺と端子領域が配置する辺とが隣り合う液晶表示パネルにも適用することができる。
【００８８】
また、上記各実施形態では、画素電極に接続されたＴＦＴの電極をドレイン電極としたＴＦＴ基板を例示したが、本発明は、画素電極に接続されたＴＦＴの電極をソース電極と呼ぶＴＦＴ基板にも適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００８９】
以上説明したように、本発明は、ショートリングに接続されていた外部配線の腐食を液晶注入口を封止する封止材により抑制するので、真空注入法で製造される液晶表示パネルについて有用である。
【符号の説明】
【００９０】
Ｄ        表示領域
Ｐ        副画素
Ｔ        端子領域
６        補助容量
１１ａ    ゲート線
１１ｂ    容量線（表示用配線）
１１ｃ，１１ｇ        外部配線
１４ａ    ソース線
１６ｂ    他の外部配線
２０ａ〜２０ｃ        ＴＦＴ基板（第１基板）
３０      ＣＦ基板（第２基板）
４０      液晶層（液晶材料）
４５      シール材
４５ｃ    液晶注入口
４６      封止材
５０ａ，５０ａａ，５０ａｂ，５０ｂ，５０ｃ    液晶表示パネル
５０ｅ    空セル
１１１    ショートリング
１２０ａ〜１２０ｃ    ＴＦＴ母基板（第１母基板）
１３０    ＣＦ母基板（第２母基板）
【図１】
0006050602.tif 000002
【図２】
0006050602.tif 000003
【図３】
0006050602.tif 000004
【図４】
0006050602.tif 000005
【図５】
0006050602.tif 000006
【図６】
0006050602.tif 000007
【図７】
0006050602.tif 000008
【図８】
0006050602.tif 000009
【図９】
0006050602.tif 000010
【図１０】
0006050602.tif 000011
【図１１】
0006050602.tif 000012