(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気デバイスであって、
近接場トランスデューサ（ＮＦＴ）と、
前記磁気デバイスのエアベアリング面上の前記ＮＦＴの少なくとも一部の上に位置決めされるオーバーコートとを備え、前記オーバーコートは、前記ＮＦＴに接する内側層と、前記内側層に接する外側層とを備え、前記内側層は、イットリウムの酸化物、スカンジウムの酸化物、ランタノイドの酸化物、アクチノイドの酸化物、亜鉛の酸化物、またはその組合せを備える、磁気デバイス。
【請求項２】
前記内側層は、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）、酸化スカンジウム（Ｓｃ2Ｏ3）、ランタノイドの酸化物：すなわち、酸化ランタン（Ｌａ2Ｏ3）、酸化セリウム（Ｃｅ2Ｏ3もしくはＣｅＯ2）、酸化プラセオジム（Ｐｒ2Ｏ3）、酸化ネオジム（Ｎｄ2Ｏ3）、酸化プロメチウム（Ｐｍ2Ｏ3）、酸化サマリウム（Ｓｍ2Ｏ3）、酸化ユーロピウム（Ｅｕ2Ｏ3）、酸化ガドリニウム（Ｇｄ2Ｏ3）、酸化テルビウム（Ｔｂ4Ｏ7、Ｔｂ2Ｏ3、ＴｂＯ2、もしくはＴｂ6Ｏ11）、酸化ジスプロシウム（Ｄｙ2Ｏ3）、酸化ホルミウム（Ｈｏ2Ｏ3）、酸化エルビウム（Ｅｒ2Ｏ3）、酸化ツリウム（Ｔｍ2Ｏ3）、酸化イッテルビウム（Ｙｂ2Ｏ3）、および酸化ルテチウム（Ｌｕ2Ｏ3）、アクチノイドの酸化物：すなわち、酸化アクチニウム（Ａｃ2Ｏ3）、酸化トリウム（Ｔｈ2Ｏ7もしくはＴＨＯ2）、酸化プロトアクチニウム（Ｐａ2Ｏ5、ＰａＯ2、もしくはＰａＯ）、酸化ウラン（Ｕ3Ｏ8、ＵＯ2、ＵＯ3、Ｕ2Ｏ5、もしくはＵＯ4・２Ｈ2Ｏ）、酸化ネプツニウム（ＮｐＯ2、Ｎｐ2Ｏ5、もしくはＮｐ5Ｏ8）、酸化プルトニウム（ＰｕＯ2もしくはＰｕＯ4）、酸化アメリシウム（ＡｍＯ、Ａｍ2Ｏ3、もしくはＡｍＯ2）、酸化キュリウム（Ｃｍ2Ｏ3、ＣｍＯ2、もしくはＣｍＯ4）、酸化バークリウム（Ｂｋ2Ｏ3もしくはＢｋＯ2）、酸化カリホルニウム（Ｃｆ2Ｏ3もしくはＣｆＯ2）、酸化アインスタイニウム（Ｅｓ2Ｏ3）、酸化フェルミウム（Ｆｍ2Ｏ3もしくはＦｍＯ）、酸化メンデレビウム（Ｍｄ2Ｏ3もしくはＭｄＯ）、酸化ノーベリウム（Ｎｏ2Ｏ3もしくはＮｏＯ）、および酸化ローレンシウム（Ｌｒ2Ｏ3）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、またはその組合せを備える、請求項１に記載の磁気デバイス。
【請求項３】
前記外側層は、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化ケイ素（ＳｉＯ2）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ2）、またはその組合せを備える、請求項１または請求項２に記載の磁気デバイス。
【請求項４】
前記外側層は、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）を備える、前記内側層に接する第１の層と、酸化ケイ素（ＳｉＯ2）を備える、前記第１の層に接する第２の層とを備える、請求項３に記載の磁気デバイス。
【請求項５】
前記近接場トランスデューサ（ＮＦＴ）を備える磁気ライタと、磁気リーダとを備え、前記オーバーコートは少なくとも前記磁気ライタおよび前記磁気リーダの上に位置決めされる、請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の磁気デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願への相互参照
この出願は、２０１３年１１月８日に出願された、近接場トランスデューサおよびそれに関連したオーバーコートを含むデバイスと題された、米国仮出願番号６１／９０１，６１５に対する優先権を主張し、その開示がここに引用により援用される。
【背景技術】
【０００２】
背景
熱アシスト磁気記録（ＨＡＭＲ）プロセスは、高温（たとえば約４５０℃まで）、高湿度、および酸化環境によって極めて腐食性であり得る環境に係ることができる。厳しい環境と、たとえば近接場トランスデューサ（ＮＦＴ）およびたとえば書込極などのより繊細な構造のいくつかを保護する要求とにより、異なる種類のオーバーコートに対する必要性が存在したままである。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００３】
要約
磁気デバイスは、磁気ライタと、少なくとも磁気ライタの上に位置決めされるオーバーコートとを含み、オーバーコートは、イットリウムの酸化物、スカンジウムの酸化物、ランタノイドの酸化物、アクチノイドの酸化物、亜鉛の酸化物、またはその組合せを含む。
【０００４】
近接場トランスデューサ（ＮＦＴ）と、少なくともＮＦＴの一部の上に位置決めされるオーバーコートとを含む磁気デバイスも開示され、オーバーコートは、イットリウムの酸化物、スカンジウムの酸化物、ランタノイドの酸化物、アクチノイドの酸化物、亜鉛の酸化物、またはその組合せを含む、ＮＦＴに接する内側層と、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化ケイ素（ＳｉＯ2）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ2）、またはその組合せを備える、内側層に接する外側層とを含む。
【０００５】
近接場トランスデューサ（ＮＦＴ）と、ＮＦＴの少なくとも一部の上に位置決めされるオーバーコートとを含む磁気デバイスも開示され、オーバーコートは、イットリウムの酸化物、スカンジウムの酸化物、ランタノイドの酸化物、アクチノイドの酸化物、亜鉛の酸化物、またはその組合せを含む、ＮＦＴに接する内側層と、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化ケイ素（ＳｉＯ2）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ2）、またはその組合せを含む、内側層に接する外側層とを含む。
【０００６】
近接場トランスデューサ（ＮＦＴ）を有する磁気ライタと、磁気リーダと、少なくとも磁気ライタおよび磁気リーダの上に位置決めされるオーバーコートとを含む磁気デバイスも開示され、オーバーコートは、イットリウム、酸化物、スカンジウム、酸化物、またはその組合せを含む、ＮＦＴに接する内側層と、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化ケイ素（ＳｉＯ2）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ2）、またはその組合せを含む、内側層に接する外側層とを含む。
【０００７】
本開示の上記要約は、本開示の各々開示される実施形態またはあらゆる実現例を記載することを意図しない。以下の説明は例示的な実施形態をより特定的に例示する。出願を通じたいくつかの場所で、例の一覧を通して案内が与えられるが、その例をさまざまな組合せで用いることができる。各々の事例で、記載される一覧は代表的な群としてのみ働くものであり、排他的な一覧として解釈されてはならない。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】この開示の局面に従って構成される記録ヘッドを含むことができるディスクドライブの形態のデータ記憶デバイスを描く図である。
【図２】発明の局面に従って構成される記録ヘッドの側面立面図である。
【図３】図３Ａおよび図３Ｂはデバイスの一部の断面の概略図であり、図３Ｃはデバイスのエアベアリング面（ＡＢＳ）から見た図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
詳細な説明
図は必ずしも縮尺通りではない。図で用いる同じ番号は同じ構成要素を指す。しかしながら、所与の図で構成要素を参照するために数字を用いることによって、同じ番号で標識付ける別の図中の構成要素を限定することを意図するものではないことが理解されるであろう。
【００１０】
熱アシスト磁気記録（ＨＡＭＲと称される）は、たとえば、レーザからの放射を利用して、そのキュリー温度よりも上の温度に媒体を加熱して磁気記録を可能にする。たとえばレーザ光線などの放射を媒体の（たとえば２０〜５０ｎｍのオーダの）小さな面積に送達するために、近接場トランスデューサ（ＮＦＴ）を利用する。磁気記録動作の際、ＮＦＴはレーザからエネルギを吸収し、これを非常に小さな面積に焦点合わせする。これにより、ＮＦＴの温度を上げることができる。ＮＦＴの温度を約４００℃以上まで上昇させることができる。
【００１１】
上昇した温度および厳しい環境により、本明細書中ではオーバーコートと称される磁気ヘッド上の層が重要になり得る。いくつかの実施形態では、オーバーコートは与えることができる。
【００１２】
開示されるオーバーコートは有利には、ＨＡＭＲなどの高温環境でより丈夫であり得るデバイスを提供することができる。開示されるオーバーコートは、少なくとも、イットリウムの酸化物、スカンジウムの酸化物、ランタノイドの酸化物、アクチノイドの酸化物、亜鉛の酸化物、またはその組合せを含む。
【００１３】
本明細書には、ＮＦＴと、そのようなＮＦＴを含むデバイスとが開示される。図１は、開示されるＮＦＴを利用することができるディスクドライブ１０の形態のデータ記憶デバイスを描く図である。ディスクドライブ１０は、ディスクドライブのさまざまな構成要素を内蔵するようにサイズ決めされかつ構成される（この図では上部が除かれて下部が見えている）筐体１２を含む。ディスクドライブ１０は、筐体内で少なくとも１つの磁気記憶媒体１６を回転させるためのスピンドルモータ１４を含む。少なくとも１つのアーム１８が筐体１２内に内蔵され、各々のアーム１８は、記録ヘッドまたはスライダ２２を有する第１の端２０と、軸上に回動するように軸受２６によって搭載される第２の端２４とを有する。アーム１８を回動させるために、アクチュエータモータ２８がアームの第２の端２４に位置して、ディスク１６の所望のセクタまたはトラック２７の上に記録ヘッド２２を位置決めする。アクチュエータモータ２８は、この図には示されない、当該技術分野で周知のコントローラによって調整される。記憶媒体は、たとえば、連続媒体またはビットパターンドメディアを含んでもよい。
【００１４】
熱アシスト磁気記録（ＨＡＭＲ）については、たとえば、可視光、赤外光、または紫外光などの電磁放射がデータ記憶媒体の表面に向けられて、媒体の局所化区域の温度を上昇させて、区域の磁化の切替を容易にする。ＨＡＭＲ記録ヘッドの最近の設計は、光を記憶媒体に向けて案内するスライダ上の薄膜導波管と、光を回折限界よりも小さなスポットサイズに焦点合わせする近接場トランスデューサとを含む。図１はディスクドライブを示すが、開示されるＮＦＴを、近接場トランスデューサを含む他のデバイスで利用することができる。
【００１５】
図２は、開示されるＮＦＴを含み得る記録ヘッドの側面立面図であり、記録ヘッドが記憶媒体の近くに位置決めされる。記録ヘッド３０は、基板３２、基板上の下地塗り３４、下地塗り上の底部極３６、およびヨークまたは軸受台４０を通して底部極に磁気的に結合される頂部極３８を含む。頂部極と底部極との間に導波管４２が位置決めされる。導波管は、コア層４４と、コア層の対向側上のクラッディング層４６および４８とを含む。頂部極は、エアベアリング面５６から離間される第１の端５４を有する第１の部分または極本体５２と、第１の部分から延在しかつＮＦＴに向けた方向に傾いた第２の部分または傾斜極片５８とを含む、２部分からなる極である。第２の部分は、記録ヘッドのエアベアリング面５６に隣接する端を含むような構造であり、端は頂部極の第１の部分よりも導波管により近い。平面コイル６０も、頂部極と底部極との間に、軸受台の周囲に延在する。この例では、頂部極が書込極となり、底部極が戻り極（return pole）となる。
【００１６】
絶縁材料６２がコイル巻線を分離する。一例では、基板はＡｌＴｉＣであることができ、コア層はＴａ2Ｏ5であることができ、クラッディング層（および他の絶縁層）はＡｌ2Ｏ3であることができる。絶縁材料６３からなる頂部層を頂部極上に形成することができる。傾斜極片５８に隣接して、ヒートシンク６４を位置決めする。ヒートシンクは、たとえばＡｕなどの非磁性材料から構成可能である。
【００１７】
図２に図示されるように、記録ヘッド３０は、書込極５８が書込磁界Ｈを記憶媒体１６に印加する場所に近接して磁気記憶媒体１６を加熱するための構造を含む。この例では、媒体１６は、基板６８、ヒートシンク層７０、磁気記録層７２、および保護層７４を含む。しかしながら、ビットパターンドメディアなどの他の種類の媒体を用いることができる。コイル６０中の電流によって発生される磁界Ｈは、媒体の記録層の中のビット７６の磁化の方向を制御するのに用いられる。
【００１８】
記憶媒体１６は、記録ヘッド３０に隣接してまたはその下に位置決めされる。導波管４２は、例えば、紫外光、赤外光、または可視光であり得る電磁放射源７８からの光を導く。たとえば、源は、レーザダイオード、または光線８０を導波管４２に向けるための他の好適なレーザ光源であり得る。具体的な例示的な種類の光源７８は、たとえば、レーザダイオード、発光ダイオード（ＬＥＤ）、端面発光レーザダイオード（ＥＥＬ）、垂直共振器面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）、および面発光ダイオードを含むことができる。いくつかの実施形態では、光源は、たとえば８３０ｎｍの波長を有するエネルギを発生させることができる。光線８０を導波管４２に結合するために公知のさまざまな技術を用いてもよい。光線８０が一旦導波管４２に結合されると、光は、記録ヘッド３０のエアベアリング面（ＡＢＳ）に隣接して形成される導波管４２の切頭端に向けて、導波管４２を通って伝播する。光はＮＦＴ上に焦点合わせされ、エネルギが光からＮＦＴへおよびその後媒体へと転送されて、矢印８２で示されるように媒体が記録ヘッドに対して移動するにつれて、媒体の一部を加熱する。近接場トランスデューサ（ＮＦＴ）８４は、導波管の中にまたはこれに隣接して、かつエアベアリング面にまたはその近くに位置決めされる。設計は、ＮＦＴ８４の中へのまたはその外への電磁エネルギの結合を妨げないように選ばれる、ＮＦＴ８４と一体であるかまたはこれに直接接する熱伝導性材料から作られるヒートシンクを組入れてもよい。ヒートシンクは、ヘッド中の他の金属性特徴および／または記録ヘッドの外部の気体の流れに熱を伝達することができるように位置決めされる単一の構造または複数の接続された構造から構成されてもよい。
【００１９】
図２の例は垂直磁気記録ヘッドおよび垂直磁気記憶媒体を示すが、他の種類の記録ヘッドおよび／または記憶媒体と関連しても開示を用いてもよいことが認められるであろう。開示されるデバイスをＨＡＭＲデバイス以外の磁気記録デバイスとともに利用することも可能であることにも留意すべきである。
【００２０】
図３Ａは、ＮＦＴ３０５を含むデバイス３００を示す。ＮＦＴ３０５は、以上論じたものなどの特徴および特性を含むことができる。デバイス３００はオーバーコート３０３も含む。図３Ａに示されるオーバーコート３０３は、内側層３０７と外側層３０９とを含む。内側層３０７は、ＮＦＴ３０５への増大した接着を与えるように機能してもよい。外側層３０９は、ＮＦＴ３０５に到達することができる気体の量を減らすまたは妨げるように機能してもよい。
【００２１】
内側層３０７は、１つもしくは１つよりも多くの材料、１つもしくは１つよりも多くのサブ層、またはその組合せを含んでもよい。内側層３０７は、イットリウムの酸化物、スカンジウムの酸化物、ランタノイド（もしくはランタニド）の酸化物、アクチノイド（もしくはアクチニド）の酸化物、亜鉛の酸化物、またはその組合せを含んでもよい。より具体的には、内側層３０７は、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）、酸化スカンジウム（Ｓｃ2Ｏ3）、ランタノイドの酸化物：すなわち、酸化ランタン（Ｌａ2Ｏ3）、酸化セリウム（Ｃｅ2Ｏ3もしくはＣｅＯ2）、酸化プラセオジム（Ｐｒ2Ｏ3）、酸化ネオジム（Ｎｄ2Ｏ3）、酸化プロメチウム（Ｐｍ2Ｏ3）、酸化サマリウム（Ｓｍ2Ｏ3）、酸化ユーロピウム（Ｅｕ2Ｏ3）、酸化ガドリニウム（Ｇｄ2Ｏ3）、酸化テルビウム（Ｔｂ4Ｏ7、Ｔｂ2Ｏ3、ＴｂＯ2、もしくはＴｂ6Ｏ11）、酸化ジスプロシウム（Ｄｙ2Ｏ3）、酸化ホルミウム（Ｈｏ2Ｏ3）、酸化エルビウム（Ｅｒ2Ｏ3）、酸化ツリウム（Ｔｍ2Ｏ3）、酸化イッテルビウム（Ｙｂ2Ｏ3）、および酸化ルテチウム（Ｌｕ2Ｏ3）、アクチノイドの酸化物：すなわち、酸化アクチニウム（Ａｃ2Ｏ3）、酸化トリウム（Ｔｈ2Ｏ7もしくはＴＨＯ2）、酸化プロトアクチニウム（Ｐａ2Ｏ5、ＰａＯ2、もしくはＰａＯ）、酸化ウラン（Ｕ3Ｏ8、ＵＯ2、ＵＯ3、Ｕ2Ｏ5、もしくはＵＯ4・２Ｈ2Ｏ）、酸化ネプツニウム（ＮｐＯ2、Ｎｐ2Ｏ5、もしくはＮｐ5Ｏ8）、酸化プルトニウム（ＰｕＯ2もしくはＰｕＯ4）、酸化アメリシウム（ＡｍＯ、Ａｍ2Ｏ3、もしくはＡｍＯ2）、酸化キュリウム（Ｃｍ2Ｏ3、ＣｍＯ2、もしくはＣｍＯ4）、酸化バークリウム（Ｂｋ2Ｏ3もしくはＢｋＯ2）、酸化カリホルニウム（Ｃｆ2Ｏ3もしくはＣｆＯ2）、酸化アインスタイニウム（Ｅｓ2Ｏ3）、酸化フェルミウム（Ｆｍ2Ｏ3もしくはＦｍＯ）、酸化メンデレビウム（Ｍｄ2Ｏ3もしくはＭｄＯ）、酸化ノーベリウム（Ｎｏ2Ｏ3もしくはＮｏＯ）、および酸化ローレンシウム（Ｌｒ2Ｏ3）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、またはその組合せを含んでもよい。いくつかの実施形態では、内側層３０７は、酸化イットリウムまたは酸化スカンジウムを含む。いくつかの実施形態では、内側層３０７は酸化イットリウムを含む。
【００２２】
外側層３０９は、１つもしくは１つよりも多くの材料、１つもしくは１つよりも多くのサブ層、またはその組合せを含んでもよい。外側層３０９は、気体透過率が比較的低い任意の材料を含んでもよい。いくつかの実施形態では、外側層３０９は、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化ケイ素（ＳｉＯ2）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ2）、またはその組合せを含んでもよい。いくつかの実施形態では、外側層３０９は１つよりも多くの材料からなる。いくつかの実施形態では、外側層３０９は１つよりも多くの層からなる。いくつかの実施形態では、外側層３０９は、少なくとも２つの異なる材料からなる１つよりも多くの層からなる。いくつかの実施形態では、外側層３０９は、内側層３０７に接する第１の層と、第１の層に接する第２の層とを含む。いくつかの実施形態では、第２の層は、ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＨｆＯ2、またはその組合せを含む。というのも、それらは熱水腐食に対して比較的高い耐性を有するからである。いくつかの実施形態では、第１の層はＡｌ2Ｏ3を含む。いくつかの実施形態では、外側層３０９は、Ａｌ2Ｏ3を含む第１の層と、ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＨｆＯ2、またはその組合せを含む第２の層とを有する。いくつかの実施形態では、外側層３０９は、Ａｌ2Ｏ3を含む第１の層と、ＳｉＯ2を含む第２の層とを有する。
【００２３】
いくつかの実施形態では、オーバーコート３０３は、１００以下の厚みを有することができる。いくつかの実施形態では、オーバーコート３０３は、７０Å以下の厚みを有することができる。いくつかの実施形態では、オーバーコート３０３は、１０Å以上の厚みを有することができる。いくつかの実施形態では、オーバーコート３０３は、２０Å以上の厚みを有することができる。いくつかの実施形態では、内側層３０７は、５０Å以下の厚みを有することができる。いくつかの実施形態では、内側層３０７は、３０Å以下の厚みを有することができる。いくつかの実施形態では、内側層３０７は、１０Å以上の厚みを有することができる。いくつかの実施形態では、内側層３０７は、２０Å以上の厚みを有することができる。いくつかの実施形態では、外側層３０９は、９０Å以下の厚みを有することができる。いくつかの実施形態では、外側層３０９は、６０Å以下の厚みを有することができる。いくつかの実施形態では、外側層３０９は、１０Å以上の厚みを有することができる。いくつかの実施形態では、外側層３０９は、２０Å以上の厚みを有することができる。
【００２４】
図３Ｂは、ＮＦＴ３２５およびオーバーコート３０４を含む同様のデバイス３２０を示す。図３Ｂに示されるオーバーコートは、内側層３０７、外側層３０９、および光学的外部層３３１を含む。内側層３０７および外側層３０９は、図３Ａについて上記で論じたものなどの性質および特性を有してもよい。外部層３３１は、たとえば、（ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）などの）炭素含有材料などの材料、磁性材料、分子材料、および酸化タンタルなどの酸化物を含むことができる。光学的外部層のための材料に関する具体的な詳細は、たとえば、２０１４年６月２４日に出願された、「気体障壁層を含むデバイス」と題された、米国特許出願番号第１４／３１３，６１１号に見出すことができ、この全体開示がここに引用により援用される。
【００２５】
図３Ｃは、デバイス３５０のエアベアリング面（ＡＢＳ）から見下ろした図を示す。デバイス３５０は、磁気構造３５５および磁気ライタ３５１を含むことができる。磁気ライタ３５１は、上記で論じたものなどの詳細を有することができる。磁気構造３５５は、磁気リーダ、戻り極、またはその何らかの組合せを含むことができる。いくつかの実施形態では、磁気ライタ３５１は、上記で論じたものなどのＮＦＴも含むことができる。デバイスはオーバーコートも含む。オーバーコートは、磁気ライタに含まれる少なくともＮＦＴの上に位置決めされる。いくつかの実施形態では、オーバーコートは、磁気ライタのＮＦＴだけよりも多く（すなわち、磁気ライタ全体、磁気リーダのいくらかの部分、またはその両方）の上に位置決め可能である。オーバーコートは、デバイスのエアベアリング面上のＮＦＴの少なくとも一部の上に位置決めされる連続層または不連続層であり得る。いくつかの実施形態では、開示されるオーバーコートは、（ＮＦＴを含む）磁気ライタ構造全体および磁気リーダの少なくともいくらかの部分の上に配設される。いくつかの実施形態では、オーバーコートは、連続領域および不連続領域である領域も含むことができる。そのようなオーバーコートは本明細書中では不連続なものとして記載される。
【００２６】
内側層、外側層、および光学的外部層を含む、本明細書に開示される層は、たとえば、物理蒸着（ＰＶＤ）、化学気相成長（ＣＶＤ）、および原子層堆積（ＡＬＤ）を含む公知の方法を用いて形成することができる。いくつかの実施形態では、内側層、外側層、光学的外部層、またはその任意の組合せは、たとえば、ＡＬＤを用いて形成可能である。いくつかの実施形態では、開示されるデバイスに含まれる少なくともいくつかの層は低光吸収（たとえば、ｋ  ０．００１）を有することができる。いくつかの実施形態では、少なくとも内側層は光吸収が低い。いくつかの実施形態では、そのような低光吸収材料は、物理蒸着（ＰＶＤ）、化学気相成長（ＣＶＤ）、および／または原子層堆積（ＡＬＤ）を用いて形成することができる。いくつかの実施形態では、ＡＬＤを用いて形成される外側層は望ましくは密であり非透過性である。
【００２７】
開示されるデバイスは、特に、ＨＡＭＲの高温、高湿度、および高酸化環境で有利な性質を提供することができる。そのようなデバイスは、最低限の光吸収、低気体（たとえば、Ｈ2Ｏ、Ｏ2、またはその両方）透過性、およびオーバーコートとＮＦＴとの間の強い接着を提供してもよい。そのような性質は、ＨＡＭＲ環境の腐食性の影響を低減することおよびＮＦＴ後退の可能性を小さくすることによって、実際的な用途でのＨＡＭＲドライブのより長い寿命を提供し得る。
【００２８】
本明細書で用いるすべての科学的用語および技術的用語は、他に明示されなければ、当該技術分野で一般的に用いられる意味を有する。本明細書中に与えられる定義は、本明細書でしばしば用いられるある用語の理解を容易にするためのものであり、本開示の範囲を限定することを意味しない。
【００２９】
この明細書および添付の請求項で用いるように、「頂部」および「底部」（または「上部」および「下部」のような他の用語）は、厳に相対的な説明のために利用され、記載する要素が位置する物品のいかなる全体的な向きも暗示するものではない。
【００３０】
この明細書および添付の請求項で用いるように、内容が明確にそれ以外のことを示していなければ、単数形「a」、「an」、および「the」は複数形の指示対象を有する実施形態を包含する。
【００３１】
この明細書および添付の請求項で用いるように、「または」という用語は、内容が明確にそれ以外のことを示していなければ、「および／または」を含むその意味で一般的に用いられる。「および／または」という用語は、列挙される要素の１つもしくはすべて、または列挙される要素の任意の２つ以上の組合せを意味する。
【００３２】
本明細書で用いるように、「有する」、「有している」、「含む」、「含んでいる」、「備える」、「備えている」などは、範囲を設定しない意味で用いられ、一般的に「含むが限定されない」ことを意味する。「から本質的になる」、「からなる」、などは、「備える」などに包摂されることが理解される。たとえば、銀を「備える」導電トレースは、銀「からなる」または銀「から本質的になる」導電トレースであり得る。
【００３３】
本明細書で用いるように、「から本質的になる」は、それが組成物、装置、システム、方法などに関する限り、組成物、装置、システム、方法などの構成要素が、掲記される構成要素と、組成物、装置、システム、方法などの基本的かつ新規の特徴に実質的に影響しない任意の他の構成要素とに限定されることを意味する。
【００３４】
「好ましい」および「好ましくは」という語は、ある状況下である利益を与え得る実施形態を指す。しかしながら、同じまたは他の状況下で他の実施形態も好ましいことがある。さらに、１つ以上の好ましい実施形態の記載は、他の実施形態が有用でないことを暗示するものではなく、請求項を含む開示の範囲から他の実施形態を排除することを意図するものではない。
【００３５】
また本明細書中では、終点による数値範囲の記載は、その範囲内に包摂されるすべての数字（たとえば、１〜５は、１、１．５、２、２．７５、３、３．８０、４、５などを含み、１０以下は、１０、９．４、７．６、５、４．３、２．９、１．６２、０．３などを含む）を含む。値の範囲が特定の値「まで」である場合、その値は範囲内に含まれる。
【００３６】
上記記載および以下の請求項中での「第１の」、「第２の」などの使用は、掲記される数の対象物が存在することを必ずしも示すことを意図するものではない。たとえば、「第２の」基板は、（「第１の」基板などの）別の注入デバイスから区別することを単に意図するに過ぎない。上記記載および以下の請求項中での「第１の」、「第２の」などの使用は、一方が他方よりも時間的に早いことを示すことを意図するわけでもない。
【００３７】
このように、オーバーコートを含む磁気デバイスの実施形態を開示する。上述の実現例および他の実現例は以下の請求項の範囲内に入る。当業者は、開示したもの以外の実施形態で本開示を実践できることを認めるであろう。開示する実施形態は例示の目的のために提示されるものであり、限定のためではない。
【符号の説明】
【００３８】
１６  媒体、３０  ヘッド、８４  近接場トランスデューサ（ＮＦＴ）、３００，３２０、３５０  デバイス、３０３、３０４  オーバーコート、３０５，３２５  近接場トランスデューサ（ＮＦＴ）、３０７  内側層、３０９  外側層、３３１  光学的外部層、３５１  磁気ライタ、３５５  磁気構造。
【図１】
0006023150.tif 000002
【図２】
0006023150.tif 000003
【図３】
0006023150.tif 000004