(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
溶媒および光応答性二量化型高分子を混合して光応答性高分子溶液を調製する工程（Ｉ）と、前記光応答性高分子溶液を基板上に塗布した後、１〜３分間５０〜１００℃で乾燥し、更に１２０℃〜１８０℃で５〜７５分間乾燥し塗膜を形成する工程（ＩＩ）と、２００〜３５０ｎｍの光を前記塗膜に照射した時の前記塗膜の温度を５０℃〜９０℃に調整する工程（ＩＩＩ）と、を含むことを特徴とする液晶配向膜の製造方法。
【請求項２】
溶媒および光に応答して側鎖同士の二量化により架橋構造を形成する光応答性二量化型高分子を混合して光応答性二量化型高分子溶液を調製する工程（Ｉ）と、前記光応答性二量化型高分子溶液を基板上に塗布した後、１〜３分間５０〜１００℃で乾燥し、更に１２０℃〜１８０℃で５〜７５分間乾燥し塗膜を形成する工程（ＩＩ）と、２００〜３５０ｎｍの光を前記塗膜に照射した時の前記塗膜の温度を５０℃〜９０℃に調整する工程（ＩＩＩ）と、を含むことを特徴とする、請求項１に記載の液晶配向膜の製造方法。
【請求項３】
前記２００〜３５０ｎｍの光は、前記基板に対して略垂直方向から照射し、照射量は１０〜１００ｍＪ／ｃｍ２の直線光である、請求項１または２に記載の液晶配向膜の製造方法。
【請求項４】
液晶分子を基板に対して略水平方向に配向させる、請求項１〜３に記載の液晶配向膜の製造方法。
【請求項５】
前記工程（ＩＩ）で得られた塗膜の平均厚みは、１０〜１００ｎｍである、請求項１〜４のいずれか１項に記載の液晶配向膜の製造方法。
【請求項６】
前記光は、２５０〜３３０ｎｍの波長の偏光である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の液晶配向膜の製造方法。
【請求項７】
溶媒および光応答性二量化型高分子を混合して光応答性高分子溶液を調製する工程（１）と、  第１の基板および第２の基板の表面に前記光応答性高分子溶液の被膜を形成した後、１〜３分間５０〜１００℃で乾燥し、更に１２０℃〜１８０℃で５〜７５分間乾燥して前記被膜を乾燥する工程（２）と、  乾燥された前記被膜の温度を５０℃〜９０℃に維持した状態で２００〜３５０ｎｍの光を照射して前記第１の基板および第２の基板表面に液晶配向膜を形成する工程（３）と、  前記液晶配向膜が形成された一対の基板を前記液晶配向膜同士が対向して離間するよう貼りあわせて形成される一対の液晶配向膜間に液晶組成物を充填する工程（３）と、を含む液晶組成物の配向方法。
【請求項８】
前記光応答性二量化型高分子は、光に応答して側鎖同士の二量化により架橋構造を形成する光応答性二量化型高分子である、請求項７に記載の配向方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願発明は液晶配向膜の製造方法及び当該製造方法により得られた液晶配向膜を用いた液晶表示素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示素子は、液晶分子の配列の状態を電場等の外部刺激によって変化させて、これに伴う光学特性の変化を表示に利用している。このような液晶表示素子は、二枚の透明基板の間隙に液晶分子を充填された状態の構成をしており、当該液晶分子と当接する基板の内側には前記液晶分子を予め特定の方向に配列させるための配向処理が通常施される。【０００３】
前記配向処理は、大きく分けて、ガラス等の基板表面にポリイミド等の高分子の膜を形成し、これを一方向に布等で摩擦するラビング法と、基板上に設けた塗膜に異方性を有する光を照射して液晶配向能を生じさせる光配向法とに分類される。前者のラビング法では、ラビングの方向と、基板に接する液晶分子の長軸（ダイレクタ）方向とが平行になるように配列する点および配向膜の製造装置が簡便である点といった特性を有するものの、製造工程において配向膜表面に生じた傷やほこりが原因で配向欠陥が発生する問題や基板のサイズが大型化に伴い、基板全面に亘って、かつ長期間均一な配向を得るためのラビング装置の設計および管理が困難になるという問題がある。【０００４】
一方、後者の光配向法では、光の吸収能が偏光の電気ベクトルの方向によって異なる基（以下、光配向性基と略す）を有する化合物に光を照射して、光配向性基を一定の方向に配列させ、当該光配向性基と当接する液晶分子に対して液晶配向能を発現させる特性を有するため、傷やほこりが原因の配向欠陥や基板全面に亘って、長期間均一な配向を得るというラビング法の問題を解決することができる。【０００５】
しかしながら、光配向法において実用化レベルの液晶配向能を得るためには相当量の光照射量を必要とし、特に大面積の光配向膜を製造する場合には、大出力の紫外線ランプを使用して長時間照射することが必要となる。このような光照射量を低減させるための技術としては、特許文献１に示すように、塗膜面に偏光紫外線を照射して偏光方向に対応する方向に塗膜中の化合物分子を配向させた後、前記塗膜を焼成する液晶配向膜の製造方法が開示されている。【０００６】
また、大出力の紫外線ランプを使用して長時間照射する場合、光配向性基を有する化合物の光分解により被照射領域での液晶配向性の劣化が生じる問題があるため、例えば特許文献２に示すように、感光性薄膜の一部に第１放射線照射を行った後、当該第１放射線照射と、放射線の偏光状態、光軸の方向およびエネルギーの少なくとも一つが異なる第２放射線照射を薄膜全面に対し行う方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００２−９０７５２号公報
【特許文献２】特開２００５−１０５２０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
確かに、前記特許文献１のように、基板面に化合物を塗布した塗布膜に偏光紫外線を照射して焼成すると、焼成前の未硬化の塗膜においては、塗膜構成分子が動き易い状態にあるため、より少ない偏光紫外線エネルギーでもって塗膜構成分子を特定方向に配向させることができると考えられる。また、前記特許文献２の段落「０１０５」〜「０１０９」でも、液晶配向膜の形成において、感光性薄膜前駆体の一部を第１放射線照射（１５０〜８００ｎｍ）で感応し、かつ膜全面に対して第２放射線照射（３２０〜８００ｎｍ）で感応すること、および必要により第２放射線照射後に１５０℃〜２００℃で加熱処理することが記載されている。【０００９】
しかしながら、当該特許文献１および２のような分子を特定方向に配向させた後、焼成や加熱処理する方法は、化合物分子を配向させた後、多段のプロセスを経ることになる。このため、高いアンカリング力の発現には長いタクトタイム及びコストがかかることとなる。そこで、本発明は、このプロセスの煩雑化という問題点を解決し、簡便なプロセスで大きなアンカリングエネルギーを発現する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、溶媒および光応答性高分子を混合して光応答性高分子溶液を調製する工程（Ｉ）と、前記光応答性高分子溶液を基板上に塗布した後、１〜３分間５０〜１００℃で乾燥し、更に１２０℃〜１８０℃で５〜７５分間乾燥し塗膜を形成する工程（ＩＩ）と、２００〜３５０ｎｍの光を照射した時の前記塗膜の温度を４０℃〜１００℃に調整する工程（ＩＩＩ）と、を含むことを特徴とする液晶配向膜の製造方法により、上記課題を解決することにより本発明の目的が達成される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の液晶配向膜の製造方法によれば、配向規制力が向上するという効果を奏する。【００１２】
本発明の液晶配向膜の製造方法によれば、アンカリング力が向上するという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の液晶表示素子の断面図である。１００〜１０５を備えた基板を「バックプレーン」、２００〜２０５を備えた基板を「フロントプレーン」と称している。
【図２】フォトマスクパターンとしてブラックマトリックス上に形成する柱状スペーサー作成用パターンを使用した露光処理工程の図である。
【図３】本発明の液晶表示素子の構成の一例を模式的に示す分解斜視図である。
【図４】図３における基板２上に形成された電極層３のＩＩ線で囲まれた領域を拡大した平面図である。
【図５】図４におけるＩＩＩ−ＩＩＩ線方向に図１に示す液晶表示素子を切断した断面図である。
【図６】図３における基板２上に形成された電極層３のＩＩ線で囲まれた領域の他の例を拡大した平面図である。
【図７】図４におけるＩＩＩ−ＩＩＩ線方向に図１に示す液晶表示素子を切断した他の実施形態の断面図である。
【図８】カラーオンフィルタを示す液晶表示素子の断面図である。
【図９】カラーオンフィルタを示す他の形態の液晶表示素子の断面図である。
【図１０】図１０は本発明の配向膜の製造方法を示す概念図である。
【図１１】図１１は偏光照射時温度とアンカリングエネルギーの関係を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明の第一は、溶媒および光応答性高分子を混合して光応答性高分子溶液を調製する工程（Ｉ）と、前記光応答性高分子溶液を基板上に塗布した後、１〜３分間５０〜１００℃で乾燥し、更に１２０℃〜１８０℃で５〜７５分間乾燥し塗膜を形成する工程（ＩＩ）と、２００〜３５０ｎｍの光を照射した時の前記塗膜の温度を４０℃〜１００℃に調整する工程（ＩＩＩ）と、を含むことを特徴とする液晶配向膜の製造方法である。
【００１５】
本発明に係る製造方法によれば、光に応答して分子構造の変化が促進されているため、アンカリング力の向上という効果を奏すると考えられる。以下、各工程について説明する。
【００１６】
「工程（Ｉ）」
本発明の工程（Ｉ）は、溶媒および光応答性高分子を混合して光応答性高分子溶液を調製する。
【００１７】
これにより、均質な膜厚の光応答性高分子膜を製膜できるという効果を奏すると考えられる。
【００１８】
本発明に係る溶媒は、光応答性高分子を溶解させるものであれば特に制限されることは無く、使用する光応答性高分子の性質によって適宜選択できるものであり、例えば、光応答性高分子を溶解させる溶媒としては、γ−ブチロラクトン等のラクトン系；シクロペンタノン、シクロヘキサノン、ＭＥＫ、ＭＩＢＫ等のケトン系；プロピレングリコールモノメチルエーテルアセタート等のエステル系、ＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）、が挙げられる。また、基板への塗布性を高める目的である溶媒として、２−メトキシエタノール、２−ブトキシエタノール（ブチルセロソルブ）等のアルコールエーテル系；トルエン等のトルエン系を必要により溶媒に加えても良い。
【００１９】
本発明に係る光応答性高分子は、光応答性分解型高分子、光応答性二量化型高分子および光応答性異性化型高分子からなる群から選択される少なくとも一つであることが好ましい。
【００２０】
本発明において、光に応答し側鎖同士の二量化により架橋構造を形成する光応答性二量化型高分子としては、高い光感度及び大きな配向特性を備えていることが好ましい。具体的には、本発明に使用する光応答性二量化型高分子は、以下の一般式（Ｉ）および／または（ＩＩ）で表される化合物が好ましい。
【００２１】
【化１】
0005904312.tif 000002
【００２２】
【化２】
0005904312.tif 000003
【００２３】
［上記一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）中、Ｌは重合性基由来の基を表し、
Ｓｐはスペーサー基であり、単結合、−（ＣＨ２）ｕ−（式中、ｕは１〜２０を表す。）、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、―ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＦ２ＣＦ２−および−Ｃ≡Ｃ−からなる群から選択される少なくとも１種の二価の連結基であり、これらの置換基において非隣接のＣＨ２基の一つ以上は独立して、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−Ｓｉ（ＣＨ３）２−Ｏ−Ｓｉ（ＣＨ３）２―、−ＮＲ−、−ＮＲ−ＣＯ−、−ＣＯ−ＮＲ−、−ＮＲ−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−ＮＲ−、−ＮＲ−ＣＯ−ＮＲ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−又は−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−（式中、Ｒは独立して水素又は炭素原子数１から５のアルキル基を表す。）で置換することができ、
Ｑは、直接結合、−Ｏ−、−ＣＯ−Ｏ−又は−Ｏ−ＣＯ−を表し、
Ａは、トランス−１，４−シクロへキシレン基（この基中に存在する１個のメチレン基又は互いに隣接していない２個以上のメチレン基は−Ｏ−、−ＮＨ−又は−Ｓ−に置き換えられてもよい）、１，４−フェニレン基（この基中に存在する１個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい）、１，４−シクロヘキセニレン基、２，５−チオフェニレン基、２，５−フラニレン基、１，４−ビシクロ［２．２．２］オクチレン基、ナフタレン−１，４−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基及び１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基からなる群より選ばれる官能基を含む構造を表し、官能基はそれぞれ無置換であるか又は１個以上の水素原子がフッ素原子、塩素原子、シアノ基、メチル基又はメトキシ基によって置換されていてもよく、
ｓは、０〜４の整数を表し、ｓが２〜４を表す場合は、複数存在するＡおよび／またはＱは同一であっても異なっていてもよく、
Ｘ及びＹは、それぞれ独立して水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基又は炭素原子数１〜２０のアルキル基を表し、アルキル基中に存在する水素原子はフッ素原子に置換されていてもよく、アルキル基中に１個のメチレン基又は互いに隣接しない２個以上のメチレン基が存在する場合は、１個のメチレン基又は互いに隣接しない２個以上のメチレン基は、−Ｏ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−又は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられていてもよく、
Ｍは、下記一般式（ＩＩａ）、下記一般式（ＩＩｂ）又は下記一般式（ＩＩｃ）
【００２４】
【化３】
0005904312.tif 000004
【００２５】
（式中、破線は炭素原子への結合を表し、
Ｒ１１及びＲ１２は、それぞれ独立に水素原子又は炭素原子数１〜３０のアルキル基を表し、前記Ｒ１１及びＲ１２中に、１個のメチレン基又は互いに隣接しない２個以上のメチレン基が存在する場合、１個のメチレン基又は互いに隣接しない２個以上のメチレン基は、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＮＣＨ３−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられていてもよく、Ｒ１１及びＲ１２中に存在する水素原子は、炭素原子数１〜２０のアルキル基、シアノ基若しくはハロゲン原子で置換されていてもよく、
環Ｃ１、環Ｃ２及び環Ｃ３はそれぞれ互いに独立して、
（ａ）  トランス−１，４−シクロへキシレン基（この基中に存在する１個のメチレン基又は隣接していない２個以上のメチレン基は−Ｏ−、−ＮＨ−又は−Ｓ−に置き換えられてもよい）、
（ｂ）  １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個又は２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい）、及び
（ｃ）  １，４−シクロヘキセニレン基、２，５−チオフェニレン基、２，５−フラニレン基、１，４−ビシクロ（２．２．２）オクチレン基、ナフタレン−１，４−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基及び１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）はそれぞれ無置換であるか又は一個以上の水素原子がフッ素原子、塩素原子、シアノ基、メチル基、メトキシ基又はエトキシ基によって置換されていてもよく、
Ｚ１ａ及びＺ１ｂはそれぞれ互いに独立して、単結合、−（ＣＨ２）ｖ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＯＣ−、−ＮＲ７−、−ＣＯ−ＮＲ７−、−ＮＲ７−ＣＯ−、−（ＣＨ２）ｕ−Ｏ−、−Ｏ−（ＣＨ２）ｕ−、−（ＣＨ２）ｕ−ＮＲ７−又は−ＮＲ７−（ＣＨ２）ｕ−であり、その際にＲ７は水素原子又は低級アルキル基を意味し；ｖは１〜４の整数を意味し；ｕは１〜３の整数であり、
ｉ及びｊはそれぞれ互いに独立して、０又は１である。）を表す。
【００２６】
前記Ｓｐは、炭素原子数６〜１２個のアルキレンオキサイド基又は−（ＣＨ２）ｍ−（ｍは、８〜１２の整数）であることがより好ましい。
【００２７】
また、前記重合性基由来の基が下記一般式（ＩＩＩ−１）〜（ＩＩＩ−１１）で表される重合性基からなる群より選ばれるいずれかの重合性基由来の基であることが好ましい。
【００２８】
【化４】
0005904312.tif 000005
【００２９】
（式中、破線はＳｐへの結合を表し、Ｒ３０は、水素原子、フッ素原子、塩素原子、炭素原子数１〜４のアルキル基、フェニル基又はフェノキシ基を表し、Ｒ３１は、水素原子、塩素原子、メチル基又はフェニル基を表し、Ｒ３２は、それぞれ独立して水素原子又は炭素原子数１〜５のアルキル基を表す。）
さらに、前記光応答性二量化型高分子は、下記の一般式（１）：
【００３０】
【化５】
0005904312.tif 000006
【００３１】
（上記一般式（１）中、Ｓｐは、単結合、−（ＣＨ２）ｕ−（式中、ｕは１〜２０を表す。）、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、―ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＦ２ＣＦ２−および−Ｃ≡Ｃ−からなる群から選択される少なくとも１種の二価の連結基であり、これらの置換基において非隣接のＣＨ２基の一つ以上は独立して、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−Ｓｉ（ＣＨ３）２−Ｏ−Ｓｉ（ＣＨ３）２―、−ＮＲ−、−ＮＲ−ＣＯ−、−ＣＯ−ＮＲ−、−ＮＲ−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−ＮＲ−、−ＮＲ−ＣＯ−ＮＲ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−又は−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−（式中、Ｒは独立して水素又は炭素原子数１から５のアルキル基を表す。）で置換することができ、
Ａ１、Ａ２はそれぞれ独立して、
（ａ）  トランス−１，４−シクロへキシレン基（この基中に存在する１個のメチレン基又は隣接していない２個以上のメチレン基は−Ｏ−、−ＮＨ−又は−Ｓ−に置き換えられてもよい）、
（ｂ）  １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個又は２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい）、及び
（ｃ）  １，４−シクロヘキセニレン基、２，５−チオフェニレン基、２，５−フラニレン基、１，４−ビシクロ（２．２．２）オクチレン基、ナフタレン−１，４−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基及び１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）又は基（ｃ）はそれぞれ無置換であるか又は一個以上の水素原子がフッ素原子、塩素原子、シアノ基、メチル基又はメトキシ基によって置換されていても良く、
Ｚ１、Ｚ２およびＺ３は、それぞれ独立して、単結合、−（ＣＨ２）ｕ−（式中、ｕは１〜２０を表す。）、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、―ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＦ２ＣＦ２−又は−Ｃ≡Ｃ−を表すが、これらの置換基において非隣接のＣＨ２基の一つ以上は独立して、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−Ｓｉ（ＣＨ３）２−Ｏ−Ｓｉ（ＣＨ３）２―、−ＮＲ−、−ＮＲ−ＣＯ−、−ＣＯ−ＮＲ−、−ＮＲ−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−ＮＲ−、−ＮＲ−ＣＯ−ＮＲ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−又は−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−（式中、Ｒは独立して水素又は炭素原子数１から５のアルキル基を表す。）で置換することができ、
Ｘは、−Ｏ−、−ＮＲ−またはフェニレン基であり、
Ｒｂは、重合性基、アルコキシ基、シアノ基または炭素原子数１〜１２個のフッ化アルキル基であり、
ｍは、０、１、または２であり、
Ｍｂ及びＭｄはそれぞれ独立して同一であっても異なっていても良く、以下の一般式（Ｕ−１）〜（Ｕ−１３）のいずれか１種のモノマー単位を表し、
【００３２】
【化６】
0005904312.tif 000007
【００３３】
（上記一般式（Ｕ−１）〜（Ｕ−１０）中、破線はＳｐまたは一価の有機基への結合を表し、Ｒａは独立して水素原子、炭素原子数１から５のアルキル基、フェニル基、ハロゲン原子を表し、それぞれの構造中の任意の水素原子はフッ素原子、塩素原子、メチル基、フェニル基、メトキシ基によって置換されていてもよく、
上記一般式（Ｕ−１１）〜（Ｕ−１３）中、破線はＳｐへの結合を表し、Ｒ１は４価の環構造、Ｒ２は３価の有機基、Ｒ３は水素原子、水酸基、炭素原子数１〜１５個のアルキル基、炭素原子数１〜１５個のアルコキシ基を表す。）
ｙ及びｗは、コポリマーのモル分率を表し、０＜ｙ≦１かつ、０≦ｗ＜１であり、ｎは４〜１００，０００を表し、Ｍｂ及びＭｄのモノマー単位は各々独立して１種類でも２種類以上の異なる単位からなっていても良い。）で表される高分子、その加水分解物または加水分解物の縮合物であることがより好ましい。
【００３４】
前記一価の有機基としては、一般式（ＶＩＩ）
【００３５】
【化７】
0005904312.tif 000008
【００３６】
（式中、破線はＭｄへの結合を表し；
Ｚ４、Ｚ５、Ｚ６及びＺ７は、それぞれ独立して単結合、−（ＣＨ２）ｕ−（式中、ｕは１〜２０を表す。）、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、―ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＦ２ＣＦ２−又は−Ｃ≡Ｃ−を表すが、これらの置換基において非隣接のＣＨ２基の一つ以上は独立して、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−Ｓｉ（ＣＨ３）２−Ｏ−Ｓｉ（ＣＨ３）２―、−ＮＲ−、−ＮＲ−ＣＯ−、−ＣＯ−ＮＲ−、−ＮＲ−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−ＮＲ−、−ＮＲ−ＣＯ−ＮＲ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−又は−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−（式中、Ｒは独立して水素又は炭素原子数１から５のアルキル基を表す。）で置換することができ、
Ａ３、Ａ４、Ａ５及びＡ６は、それぞれ独立して
（ａ）トランス−１，４−シクロへキシレン基（この基中に存在する１個のメチレン基又は隣接していない２個以上のメチレン基は−Ｏ−、−ＮＨ−又は−Ｓ−に置き換えられてもよい）、
（ｂ）１，４−フェニレン基（この基中に存在する１個又は２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい）、及び
（ｃ）１，４−シクロヘキセニレン基、２，５−チオフェニレン基、２，５−フラニレン基、１，４−ビシクロ（２．２．２）オクチレン基、ナフタレン−１，４−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基及び１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）又は基（ｃ）はそれぞれ無置換であるか又は一個以上の水素原子がフッ素原子、塩素原子、シアノ基、メチル基又はメトキシ基によって置換されていても良く、
ｒ１、ｓ１、ｔ１及びｕ１は、それぞれ独立して０又は１を表し、
Ｒ１２は水素、フッ素、塩素、シアノ基又は炭素数１〜２０のアルキル基を表し、前記アルキル基中の水素原子はフッ素原子に置換されていてもよく、１つのＣＨ２基若しくは２以上の非隣接ＣＨ２基は−Ｏ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−及び／又は−ＣＨ＝ＣＨ−で置換されていても良い。）で表される
また、上記本発明に係る一般式（１）で表される光応答性二量化型高分子の好ましい形態として、Ｚ２が単結合である高分子が好ましい。
【００３７】
本発明に係る一般式（１）で表される光応答性二量化型高分子は、以下の一般式（２）：
【００３８】
【化８】
0005904312.tif 000009
【００３９】
（上記一般式（２）中、Ｒ２１〜Ｒ２４はそれぞれ独立して、水素原子または炭素原子数１〜５個のアルコキシ基であり、
Ｗは、水素原子、フッ素原子、メチル基、メトキシ基、エチル基又はエトキシ基を表し、Ｗは、下記一般式（Ｗ−１）〜（Ｗ−８）からなる群から選択される少なくとも１種を表し、
【００４０】
【化９】
0005904312.tif 000010
【００４１】
Ｘは６〜１２の整数であり、Ｙは０〜２の整数である。）で示されることがより好ましい。
【００４２】
上記一般式（２）において、少ない偏光紫外光の照射で良好な配向を確保する観点から、Ｗとしては（Ｗ−１）で表される基であることが特に好ましい。
【００４３】
なお、本発明に係るアルキル基およびアルコキシ基はいずれも直鎖状、環状または分岐状が好ましく、いずれも直鎖状または分岐状がより好ましい。さらに、本発明に係る「アルキル基」の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソプロピル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、３−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基などが挙げられる。なお、本明細書中において、アルキル基の例は共通であり、各々のアルキル基の炭素原子数の数によって適宜上記例示から選択される。
【００４４】
本発明に係る「アルコキシ基」の例は、前記アルキル基に酸素原子が直接結合した基であることが好ましく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基（ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基）、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、オクチルオキシ基がより好ましい。なお、本明細書中において、アルコキシ基の例は共通であり、各々のアルコキシ基の炭素原子数の数によって適宜上記例示から選択される。
【００４５】
本発明に係る液晶配向膜の製造方法の好ましい一形態は、溶媒および光に応答して側鎖同士の二量化により架橋構造を形成する光応答性二量化型高分子を混合して光応答性二量化型高分子溶液を調製する工程（Ｉ）と、前記光応答性二量化型高分子溶液を基板上に塗布した後、１〜３分間５０〜１００℃で乾燥し、更に１２０℃〜１８０℃で５〜７５分間乾燥し塗膜を形成する工程（ＩＩ）と、２００〜３５０ｎｍの偏光を照射した時の前記塗膜の温度を４０℃〜１００℃に調整する工程（ＩＩＩ）と、を含むことを特徴とする液晶配向膜の製造方法であることが好ましい。
【００４６】
本発明の製造方法では、特に高分子の二量化が促進されていることが確認されたため、アンカリング力の向上という効果を奏すると考えられる。したがって、本発明に係る光応答性高分子としては、特に光応答性二量化型高分子が好ましい。
【００４７】
前記光応答性二量化型高分子において、側鎖同士の二量化に使用される光は、２００〜３５０ｎｍであることが好ましく、２５０〜３５０ｎｍであることがより好ましく、２５０〜３３０ｎｍであることがさらに好ましい。
【００４８】
本発明に係る光応答性分解型高分子は、テトラカルボン酸二無水物とジアミン化合物との縮合により製造することが好ましい。
【００４９】
前記テトラカルボン酸二無水物としては、以下の式（Ａ−１）〜式（Ａ−４３）：
【００５０】
【化１０】
0005904312.tif 000011
【００５１】
【化１１】
0005904312.tif 000012
【００５２】
【化１２】
0005904312.tif 000013
【００５３】
【化１３】
0005904312.tif 000014
【００５４】
【化１４】
0005904312.tif 000015
【００５５】
【化１５】
0005904312.tif 000016
【００５６】
【化１６】
0005904312.tif 000017
【００５７】
が挙げられる。以上のような化合物の中でも、式（Ａ−１４）、式（Ａ−１５）、式（Ａ−１６）、式（Ａ−１７）、式（Ａ−２０）、式（Ａ−２１）、式（Ａ−２８）、式（Ａ−２９）、式（Ａ−３０）、または式（Ａ−３１）が好ましく、式（Ａ−１４）、式（Ａ−２１）が特に好ましい。
【００５８】
前記ジアミン化合物としては、以下の式（ＩＩＩ−１）〜（ＶＩＩＩ−１７）が挙げられる。
【００５９】
【化１７】
0005904312.tif 000018
【００６０】
【化１８】
0005904312.tif 000019
【００６１】
【化１９】
0005904312.tif 000020
【００６２】
【化２０】
0005904312.tif 000021
【００６３】
（上記式（ＶＩＩＩ−１２）中、Ｒ１〜Ｒ１０のうち二つは一級アミノ基、残りは水素原子または一級アミノ基以外の一価の有機基であり、それぞれ同一であっても異なっても良い。）
【００６４】
【化２１】
0005904312.tif 000022
【００６５】
で挙げられる化合物を用いることが好ましい。
【００６６】
また、上記式（１）〜（５）の桂皮酸骨格を備えたジアミン化合物に関しては、光に応答して二量化することも可能であるため、光応答性二量化型高分子として好ましく使用することができる。
【００６７】
前記光応答性分解型高分子において、分子鎖を切断する際に使用される光は、２００〜４００ｎｍであることが好ましく、２００〜２８０ｎｍであることがより好ましく、２４０〜２８０ｎｍであることがさらに好ましい。
【００６８】
本発明に係る光応答性異性化型高分子としては、テトラカルボン酸二無水物とジアミン化合物との合成により製造されるものであって、かつ前記テトラカルボン酸二無水化合物とジアミンとの少なくとも一方にジアゾ結合を備えていることが好ましい。
【００６９】
ジアゾ結合を備えているテトラカルボン酸二無水物としては、以下の式（１−８）で表される化合物が挙げられる。
【００７０】
【化２２】
0005904312.tif 000023
【００７１】
また、ジアゾ結合を備えているジアミン化合物としては、以下の式（Ｉ−１）〜（Ｉ−７）：
【００７２】
【化２３】
0005904312.tif 000024
【００７３】
で表される化合物が挙げられる。
【００７４】
したがって、本発明に係る光応答性異性化型高分子の好ましい形態としては、ジアゾ結合を備えているジアミン化合物として式（Ｉ−１）〜（Ｉ−７）を選択する場合は、テトラカルボン酸二無水物として式（１−８）および式（Ａ−１）〜（Ａ−４３）で表される化合物であることが好ましい。一方、本発明に係る光応答性異性化型高分子の好ましい形態としては、ジアゾ結合を備えているテトラカルボン酸二無水物として式（１−８）を選択する場合は、ジアミン化合物として式（Ｉ−１）〜（Ｉ−７）および式（ＩＩＩ−１）〜（ＶＩＩＩ−１１）、（Ｉ）および（１）〜（５）で表される化合物であることが好ましい。
【００７５】
前記光応答性異性化型高分子において、光に応答して異性化し偏光軸に対して略垂直に配向する際に使用される光は、２００〜５００ｎｍであることが好ましく、３００〜５００ｎｍであることがより好ましく、３００〜４００ｎｍであることがさらに好ましい。
【００７６】
本発明に係る光応答性分解型高分子の重量平均分子量は、３０００〜３０００００であることが好ましく、５０００〜１０００００であることがより好ましく、１００００〜５００００であることがさらに好ましく、１００００〜３００００であることが特に好ましい。
【００７７】
本発明に係る光応答性異性化型高分子の重量平均分子量は、１００００〜８０００００であることが好ましく、１００００〜４０００００であることがより好ましく、５００００〜４０００００であることがさらに好ましく、５００００〜３０００００であることが特に好ましい。
【００７８】
本発明に係る光応答性二量化型高分子の重量平均分子量は、５０００〜８０００００であることが好ましく、５０００〜４０００００であることがより好ましく、１０００００〜４０００００であることがさらに好ましく、１０００００〜３０００００であることが特に好ましい。
【００７９】
当該重量平均分子量（Ｍｗ）は、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー，Ｇｅｌ  Ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ  Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ）測定の結果得られたものである。
【００８０】
本発明に係る光応答性高分子溶液の濃度は、１〜２０質量％であることが好ましく、２〜１０質量％であることがより好ましく、２〜５質量％がさらに好ましい
「工程（ＩＩ）」
本発明の工程（ＩＩ）は、前記光応答性高分子溶液を基板上に塗布した後、１〜３分間５０〜１００℃で乾燥し、更に１２０℃〜１８０℃で５〜７５分間乾燥し塗膜を形成する。
【００８１】
これにより、均質な膜厚の光応答性高分子膜を製膜できるという効果を奏する。
【００８２】
本発明に係る塗膜の平均厚みは、１〜１０００ｎｍであることが好ましく、５〜５００ｎｍであることがより好ましく、１０〜２００ｎｍであることがさらに好ましく、２０〜９０ｎｍであることがよりさらに好ましい
本発明に係る塗膜の平均厚みの測定方法は、光配向膜を塗布及び光照射後に行う接触式膜厚測定計を用いた段差測定である。また、本発明に係る製造方法により得られた液晶配向膜の平均膜厚の測定方法も同様である。
【００８３】
本発明で使用できる基板は透明基板が好ましく、前記光応答性高分子溶液に用いられる溶媒との関係から、前記溶媒に溶解しない材料であれば特に制限されることはなく、例えば、ガラス基板や石英基板などが挙げられる。
【００８４】
また、本発明の塗布方法は、スピンコート法、バーコート法、フレキソ印刷法、インクジェット法などが挙げられる。
【００８５】
本発明の塗膜の乾燥方法は、加熱乾燥、真空乾燥などが挙げられる。
【００８６】
本発明に係る乾燥条件は、０．１〜２０分間２０〜１５０℃で加熱した後８０℃〜２５０℃で１〜１００分間加熱することが好ましく、０．５〜１０分間３０〜１２０℃で加熱した後１００℃〜２００℃で２〜９０分間加熱することが好ましく、１〜３分間５０〜１００℃で加熱した後１２０℃〜１８０℃で５〜７５分間加熱することが好ましく、２〜３分間７０〜９０℃で加熱した後１５０℃〜１８０℃で５分間乾燥することがより好ましい。
【００８７】
本発明の塗膜の乾燥回数は、１回以上５回以下であることが好ましく、１回以上３回以下であることがより好ましい。
「工程（ＩＩＩ）」
本発明の工程（ＩＩＩ）は、２００〜３５０ｎｍの光を照射した時の前記塗膜の温度を４０℃〜１００℃に調整する。
【００８８】
本発明に係る製造法によれば、光の照射時の塗膜の温度を制御することで分子構造の変化が促進されているため、アンカリング力の向上という効果を奏すると考えられる。特に、光応答性高分子として上記の光応答性二量化型高分子を使用すると、光照射時の塗膜の温度を特定範囲に制御することで二量化が促進される知見が得られた。
【００８９】
また、前記工程（ＩＩ）の乾燥工程後に本工程（ＩＩＩ）を行うと、乾燥無しの製造方法と比べて二量化が促進される知見も得られた。
【００９０】
本発明において、塗膜の温度を調整する方法としては、ホットプレートでの加熱や恒温槽内での偏光照射などの維持手段を用いて行うことが好ましい。
【００９１】
工程（ＩＩＩ）において、塗膜の温度を３８℃〜１１０℃に維持した状態で２００〜３５０ｎｍの光を前記塗膜に照射することが好ましく、塗膜の温度を４０℃〜１００℃に維持した状態で２３０〜３４０ｎｍの偏光を前記塗膜に照射することがより好ましく、塗膜の温度を５０℃〜９０℃に維持した状態で２５０〜３３０ｎｍの偏光を前記塗膜に照射することが更に好ましく、塗膜の温度を６５℃〜７５℃に維持した状態で２７０〜３３０ｎｍの偏光を前記塗膜に照射することが特に好ましい。
【００９２】
本発明に係る工程（ＩＩＩ）における光の照射は、塗膜に液晶配向能を付与するものであり、例えば１５０ｎｍ〜８００ｎｍの波長の光を含む紫外線、可視光線等が挙げられる。これらのうち２００ｎｍ〜３５０ｎｍの波長の光を含む紫外線が好ましい。また、前記照射する光は偏光であっても非偏光であってもよい。さらに偏光の場合は直線偏光であっても部分偏光であってもよい。なお、本明細書において、「非偏光」とは、一部偏光した光であったとしても、実質的に非偏光であれば「非偏光」に含まれるものとする。
【００９３】
本発明に係る工程（ＩＩＩ）における塗膜に照射する光は、直線光であることが好ましく、また、直線偏光であることがより好ましい。また、直線偏光又は部分偏光している場合には、照射は基板面に垂直の方向から行っても、プレチルト角を付与するために斜め方向から行ってもよく、また、これらを組み合わせて行ってもよい。非偏光の光を照射する場合には、照射の方向は斜め方向である必要がある。なお、本明細書における「プレチルト角」とは、基板面と平行な方向からの液晶分子の傾きの角度をいう。
【００９４】
本発明において使用する光源としては、例えば、低圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプ、重水素ランプ、メタルハライドランプ、アルゴン共鳴ランプ、キセノンランプ、エキシマーレーザー水銀−キセノンランプ（Ｈｇ−Ｘｅランプ）などが挙げられる。上記の直線偏光又は部分偏光した紫外線は、上記光源を例えばフィルター、回折格子等と併用する手段等により得られることが好ましい。
【００９５】
本発明における光の照射量としては、１ｍＪ／ｍ２〜１，０００ｍＪ／ｍ２が好ましく、５ｍＪ／ｍ２〜１，０００ｍＪ／ｍ２がより好ましく、１０ｍＪ／ｍ２〜５００ｍＪ／ｍ２がさらに好ましく、１０ｍＪ／ｍ２〜１００ｍＪ／ｍ２が特に好ましい。
【００９６】
従来知られている液晶配向剤から形成される塗膜に光配向法により液晶配向能を付与する場合、約１，０００ｍＪ／ｍ２以上の光照射量が必要であるが、本発明の製造方法を用いると光配向法の際の光照射量が１０〜１００ｍＪ／ｍ２以下程度まで低減することが可能であるため、良好な液晶配向能を付与でき製造コストの削減だけでなく、光照射による配向膜の黄変も低減することができる。
【００９７】
また、本発明に係る製造方法により得られた液晶配向膜は、液晶分子を基板に対して略水平方向に配向させることが好ましい。後述するＦＦＳモードやＩＰＳモードといった横電界型の液晶表示素子に本発明の製造方法で得られた液晶配向膜を適用すると、表面の凹凸の多い電極構造を備えた横電界型液晶表示素子でもムラなく均一に、アンカリング効果を付与することができ、かつ配向も均一で欠陥もなく、コントラストを高くすることができる。
【００９８】
本発明に係る工程（ＩＩＩ）の特に好ましい形態は、２００〜３５０ｎｍの直線光を本発明に係る基板に対して略垂直方向から照射し、かつ照射量は１０〜１００ｍＪ／ｃｍ２の直線偏光である。
【００９９】
また、ここでいう略垂直方向からの光照射は、基板に対して７０〜１１０度方向から照射することが好ましい。
【０１００】
本発明の第二は、溶媒および光に応答して側鎖同士の二量化により架橋構造を形成する光応答性二量化型高分子を混合して光応答性二量化型高分子溶液を調製する工程（１）と、第１の基板および第２の基板の表面に前記光応答性二量化型高分子溶液の被膜を形成した後、１〜３分間５０〜１００℃で乾燥し、更に１２０℃〜１８０℃で５〜７５分間乾燥して前記被膜を乾燥する工程（２）と、乾燥された前記被膜の温度を５０℃〜１００℃に維持した状態で２００〜３５０ｎｍの偏光を照射して前記第１の基板および第２の基板表面に液晶配向膜を形成する工程（３）と、前記液晶配向膜が形成された一対の基板を前記液晶配向膜同士が対向して離間するよう貼りあわせて形成される一対の液晶配向膜間に液晶組成物を充填する工程（３）と、を含む液晶組成物の配向方法である。
【０１０１】
これにより、アンカリング力が向上するという効果を奏する。
【０１０２】
＜液晶表示素子＞
本発明の第三は、本発明に係る液晶配向膜を備えた、液晶表示素子である。
【０１０３】
本発明に係る液晶表示素子として、ＥＣＢ−ＬＣＤ、ＶＡ−ＬＣＤ、ＶＡ−ＩＰＳ−ＬＣＤ、ＦＦＳ−ＬＣＤ、ＴＮ（ネマチック液晶表示素子）、ＳＴＮ−ＬＣＤ（超ねじれネマチック液晶表示素子）、ＯＣＢ−ＬＣＤ及びＩＰＳ−ＬＣＤ（インプレーンスイッチング液晶表示素子）に有用であるが、ＦＦＳ−ＬＣＤ、ＩＰＳ−ＬＣＤに特に有用であり、透過型あるいは反射型の液晶表示素子に用いることができる。
【０１０４】
前記液晶表示素子に使用される液晶セルの２枚の基板は、上述したようにガラス又はプラスチックの如き柔軟性をもつ透明な材料を用いることができ、一方はシリコン等の不透明な材料でも良い。透明電極層を有する透明基板は、例えば、ガラス板等の透明基板上にインジウムスズオキシド（ＩＴＯ）をスパッタリングすることにより得ることができる。
【０１０５】
前記カラーフィルタは、例えば、顔料分散法、印刷法、電着法又は、染色法等によって作製することができる。顔料分散法によるカラーフィルタの作成方法を一例に説明すると、カラーフィルタ用の硬化性着色組成物を、該透明基板上に塗布し、パターニング処理を施し、そして加熱又は光照射により硬化させる。この工程を、赤、緑、青の３色についてそれぞれ行うことで、カラーフィルタ用の画素部を作製することができる。その他、該基板上に、ＴＦＴ、薄膜ダイオード等の能動素子を設けた画素電極を設置してもよい。
【０１０６】
本発明に係る製造方法により透明電極層を有する透明基板および／または透明基板表面に液晶配向膜を形成した後、当該基板を透明電極層が内側となるように（液晶配向膜同士が向かい合うように）対向させる。その際、スペーサーを介して、基板の間隔を調整してもよい。このときは、得られる調光層（液晶層）の厚さが１〜１００μｍとなるように調整するのが好ましい。１．５から１０μｍが更に好ましく、偏光板を使用する場合は、コントラストが最大になるように液晶の屈折率異方性Δｎとセル厚Ｇとの積を調整することが好ましい。又、二枚の偏光板がある場合は、各偏光板の偏光軸を調整して視野角やコントラトが良好になるように調整することもできる。更に、視野角を広げるための位相差フィルムも使用することもできる。スペーサーとしては、例えば、ガラス粒子、プラスチック粒子、アルミナ粒子、フォトレジスト材料などからなる柱状スペーサー等が挙げられる。その後、エポキシ系熱硬化性組成物等のシール剤を、液晶注入口を設けた形で該基板にスクリーン印刷し、該基板同士を液晶配向膜が向かい合うよう貼り合わせ、加熱しシール剤を熱硬化させる。
【０１０７】
２枚の基板間に液晶組成物（必要により重合性化合物を含有する）を狭持させる方法は、通常の真空注入法又はＯＤＦ法などを用いることができる。しかし真空注入法においては滴下痕が発生しない代わりに、注入の跡が残るという課題がある。本願発明においては、ＯＤＦ法を用いて製造する表示素子に、より好適に使用することができる。ＯＤＦ法の液晶表示素子製造工程においては、バックプレーンまたはフロントプレーンのどちらか一方の基板にエポキシ系光熱併用硬化性などのシール剤を、ディスペンサーを用いて閉ループ土手状に描画し、その中に脱気下で所定量の液晶組成物を滴下後、フロントプレーンとバックプレーンを接合することによって液晶表示素子を製造することができる。本発明の液晶組成物は、ＯＤＦ工程における液晶組成物の滴下が安定的に行えるため、好適に使用することができる。
【０１０８】
本発明の液晶組成物を用いた液晶表示素子は高速応答と表示不良の抑制を両立させた有用なものであり、特に、アクティブマトリックス駆動用液晶表示素子に有用であり、ＶＡモード、ＰＳＶＡモード、ＰＳＡモード、ＩＰＳ（イン・プレーン・スイッチング）モード、ＶＡ−ＩＰＳモード、ＦＦＳ（フリンジ・フィールド・スイッチング）モード又はＥＣＢモード用液晶表示素子に適用できる。
【０１０９】
以下、図面を参照しつつ、本発明に係る液晶表示素子（液晶ディスプレイの一例）の好適な実施の形態について詳細に説明する。
【０１１０】
図１は、互いに対向する二つの基板と、前記基板間に設けられたシール材と、前記シール材に囲まれた封止領域に封入された液晶とを備えている液晶表示素子を示す断面図である。
【０１１１】
具体的には、第１基板１００上に、ＴＦＴ層１０２、画素電極１０３を設け、その上からパッシベーション膜１０４及び第１配向膜１０５を設けたバックプレーンと、第２基板２００上に、ブラックマトリックス２０２、カラーフィルタ２０３、平坦化膜（オーバーコート層）２０１、透明電極２０４を設け、その上から第２配向膜２０５を設け、前記バックプレーンと対向させたフロントプレーンと、前記基板間に設けられたシール材３０１と、前記シール材に囲まれた封止領域に封入された液晶層３０３とを備え、前記シール材３０１が接する基板面には突起（柱状スペーサー）３０２，３０４が設けられている液晶表示素子の具体的態様を示している。
【０１１２】
前記第１基板又は前記第２基板は、実質的に透明であれば材質に特に限定はなく、ガラス、セラミックス、プラスチック等を使用することができる。プラスチック基板としてはセルロ−ス、トリアセチルセルロ−ス、ジアセチルセルロ−ス等のセルロ−ス誘導体、ポリシクロオレフィン誘導体、ポリエチレンテレフタレ−ト、ポリエチレンナフタレ−ト等のポリエステル、ポリプロピレン、ポリエチレン等のポリオレフィン、ポリカーボネート、ポリビニルアルコ−ル、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアミド、ポリイミド、ポリイミドアミド、ポリスチレン、ポリアクリレート、ポリメチルメタクリレ−ト、ポリエーテルサルホン、ポリアリレート、さらにガラス繊維−エポキシ樹脂、ガラス繊維−アクリル樹脂などの無機−有機複合材料などを用いることができる。
【０１１３】
なおプラスチック基板を使用する際には、バリア膜を設けることが好ましい。バリア膜の機能は、プラスチック基板が有する透湿性を低下させ、液晶表示素子の電気特性の信頼性を向上することにある。バリア膜としては、それぞれ、透明性が高く水蒸気透過性が小さいものであれば特に限定されず、一般的には酸化ケイ素などの無機材料を用いて蒸着やスパッタリング、ケミカルベーパーデポジション法（ＣＶＤ法）によって形成した薄膜を使用する。
【０１１４】
本発明においては、前記第１基板又は前記第２基板として同素材を使用しても異素材を使用してもよく、特に限定はない。ガラス基板を用いれば耐熱性や寸法安定性の優れた液晶表示素子を作製することができるので好ましい。またプラスチック基板であれば、ロールツウロール法による製造方法に適し且つ軽量化あるいはフレキシブル化に適しており好ましい。また、平坦性及び耐熱性付与を目的とするならば、プラスチック基板とガラス基板とを組み合わせると良い結果を得ることができる。
【０１１５】
なお後述の実施例においては、第１基板１００又は第２基板２００の材質として基板を使用している。
【０１１６】
バックプレーンには、第１基板１００上に、ＴＦＴ層１０２及び画素電極１０３を設けている。これらは通常のアレイ工程にて製造される。この上にパッシベーション膜１０４及び第１配向膜１０５を設けてバックプレーンが得られる。
【０１１７】
パッシベーション膜１０４（無機保護膜ともいう）はＴＦＴ層を保護するための膜で、通常は窒化膜（ＳｉＮｘ）、酸化膜（ＳｉＯｘ）等を化学的気相成長（ＣＶＤ）技術等により形成する。
【０１１８】
また、第１液晶配向膜１０５、第２配向膜２０５は、本発明に係る液晶配向膜の製造方法により得られた液晶を配向させる機能を有する膜である。配向膜はシール材との接着力を阻害する可能性があるため、封止領域内にパターン塗布する。
【０１１９】
また、本発明に係る光配向法を誘起させる反応機構としては、光二色性に起因するワイゲルト効果による分子の配向誘起（異性化反応）（例：アゾベンゼン基）、二量化反応（例：シンナモイル基）、あるいは光分解反応（例：ポリイミド基）のような、液晶配向能の起源となる光反応を生じる基（以下、光配向性基と略す）を有するものを用いることができ、二量化反応により光配向膜を形成する方法が特に好ましい。塗布された配向剤溶液は仮乾燥により溶剤が蒸発した後、任意の偏向を有する光（偏光）を照射する時の塗膜の温度を制御することで、任意の方向に配向能を有する配向膜を得ることが好ましい。
【０１２０】
一方のフロントプレーンは、第２基板２００上に、ブラックマトリックス２０２、カラーフィルタ２０３、平坦化膜２０１、透明電極２０４、第２配向膜２０５を設けている。
【０１２１】
ブラックマトリックス２０２は、例えば、顔料分散法にて作製する。具体的にはバリア膜２０１を設けた第２基板２００上に、ブラックマトリックス形成用に黒色の着色剤を均一分散させたカラーレジン液を塗布し、着色層を形成する。続いて、着色層をベーキングして硬化する。この上にフォトレジストを塗布し、これをプリベークする。フォトレジストにマスクパターンを通して露光した後に、現像を行って着色層をパターニングする。この後、フォトレジスト層を剥離し、着色層をベーキングしてブラックマトリックス２０２が完成する。
【０１２２】
あるいは、フォトレジスト型の顔料分散液を使用してもよい。この場合は、フォトレジスト型の顔料分散液を塗布し、プリベークしたのち、マスクパターンを通して露光した後に、現像を行って着色層をパターニングする。この後、フォトレジスト層を剥離し、着色層をベーキングしてブラックマトリックス２０２が完成する。
【０１２３】
カラーフィルタ２０３は、顔料分散法、電着法、印刷法あるいは染色法等にて作製する。顔料分散法を例にとると、（例えば赤色の）顔料を均一分散させたカラーレジン液を第２基板２００上に塗布し、ベーキング硬化後、該上にフォトレジストを塗布しプリベークする。フォトレジストにマスクパターンを通して露光した後に現像を行い、パターニングする。この後フォトレジスト層を剥離し、再度ベーキングすることで、（赤色の）カラーフィルタ２０３が完成する。作製する色順序に特に限定はない。同様にして、緑カラーフィルタ２０３、青カラーフィルタ２０３を形成する。
【０１２４】
透明電極２０４は、前記カラーフィルタ２０３上に（必要に応じて前記カラーフィルタ２０３上に表面平坦化のためにオーバーコート層（２０１）を設け）を設ける。透明電極２０４は透過率が高い方が好ましく、電気抵抗が小さいほうが好ましい。透明電極２０４はＩＴＯなどの酸化膜をスパッタリング法などによって形成する。
【０１２５】
また、前記透明電極２０４を保護する目的で、透明電極２０４の上にパッシベーション膜を設ける場合もある。
【０１２６】
第２配向膜２０５は、前述の第１配向膜１０５と同じものである。
【０１２７】
以上、本発明で使用する前記バックプレーン及び前記フロントプレーンについての具体的態様を述べたが、本願においては該具体的態様に限定されることはなく、所望される液晶表示素子に応じた態様の変更は自由である。
【０１２８】
前記柱状スペーサーの形状は特に限定されず、その水平断面を円形、四角形などの多角形など様々な形状にすることができるが、工程時のミスアラインマージンを考慮して、水平断面を円形または正多角形にすることが特に好ましい。また該突起形状は、円錐台または角錐台であることが好ましい。
【０１２９】
前記柱状スペーサーの材質は、シール材もしくはシール材に使用する有機溶剤、あるいは液晶に溶解しない材質であれば特に限定されないが、加工及び軽量化の面から合成樹脂（硬化性樹脂）であることが好ましい。一方、前記突起は、フォトリソグラフィによる方法や液滴吐出法により、第一の基板上のシール材が接する面に設けることが可能である。このような理由から、フォトリソグラフィによる方法や液滴吐出法に適した、光硬化性樹脂を使用することが好ましい。
【０１３０】
例として、前記柱状スペーサーをフォトリソグラフィ法によって得る場合について説明する。図２は、フォトマスクパターンとしてブラックマトリックス上に形成する柱状スペーサー作製用パターンを使用した露光処理工程の図である。
【０１３１】
前記フロントプレーンの透明電極２０４上に、柱状スペーサー形成用の（着色剤を含まない）レジン液を塗布する。続いて、このレジン層４０２をベーキングして硬化する。この上にフォトレジストを塗布し、これをプリベークする。フォトレジストにマスクパターン４０１を通して露光した後に、現像を行ってレジン層をパターニングする。この後、フォトレジスト層を剥離し、レジン層をベーキングして柱状スペーサー（図１の３０２，３０４）が完成する。
【０１３２】
柱状スペーサーの形成位置はマスクパターンによって所望の位置に決めることができる。従って、液晶表示素子の封止領域内と封止領域外（シール材塗布部分）との両方を同時に作製することができる。また柱状スペーサーは封止領域の品質が低下することがないように、ブラックマトリックスの上に位置するように形成させることが好ましい。このようにフォトリソグラフィ法によって作製された柱状スペーサーのことを、カラムスペーサ又はフォトスペーサと呼ぶことがある。
【０１３３】
前記スペーサーの材質は、ＰＶＡ−スチルバゾ感光性樹脂などのネガ型水溶性樹脂や多官能アクリル系モノマー、アクリル酸共重合体、トリアゾール系開始剤などの混合物が使用される。あるいはポリイミド樹脂に着色剤を分散させたカラーレジンを使う方法もある。本発明においては特に限定はなく、使用する液晶やシール材との相性に従い公知の材質でスペーサーを得ることができる。
【０１３４】
このようにして、フロントプレーン上の封止領域となる面に柱状スペーサーを設けた後、該バックプレーンのシール材が接する面にシール材（図１における３０１）を塗布する。
【０１３５】
前記シール材の材質は特に限定はなく、エポキシ系やアクリル系の光硬化性、熱硬化性、光熱併用硬化性の樹脂に重合開始剤を添加した硬化性樹脂組成物が使用される。また、透湿性や弾性率、粘度などを制御するために、無機物や有機物よりなるフィラー類を添加することがある。これらフィラー類の形状は特に限定されず、球形、繊維状、無定形などがある。さらに、セルギャップを良好に制御するために単分散径を有する球形や繊維状のギャップ材を混合したり、基板との接着力をより強化するために、基板上突起と絡まりやすい繊維状物質を混合しても良い。このとき使用する繊維状物質の直径はセルギャップの１／５〜１／１０以下程度が望ましく、繊維状物質の長さはシール塗布幅よりも短いことが望ましい。
【０１３６】
また、繊維状物質の材質は所定の形状が得られるものであれば特に限定されず、セルロース、ポリアミド、ポリエステルなどの合成繊維やガラス、炭素などの無機材料を適宜選ぶことが可能である。
【０１３７】
シール材を塗布する方法としては、印刷法やディスペンス法があるが、シール材の使用量が少ないディスペンス法が望ましい。シール材の塗布位置は封止領域に悪影響を及ぼさないように通常ブラックマトリックス上とする。次工程の液晶滴下領域を形成するため（液晶が漏れないように）、シール材塗布形状は閉ループ形状とする。
【０１３８】
前記シール材を塗布したフロントプレーンの閉ループ形状（封止領域）に液晶を滴下する。通常はディスペンサーを使用する。滴下する液晶量は液晶セル容積と一致させるため、柱状スペーサーの高さとシール塗布面積とを掛け合わせた体積と同量を基本とする。しかし、セル貼り合わせ工程における液晶漏れや表示特性の最適化のために、滴下する液晶量を適宜調整することもあれば、液晶滴下位置を分散させることもある。
【０１３９】
次に、前記シール材を塗布し液晶を滴下したフロントプレーンに、バックプレーンを貼り合わせる。具体的には、静電チャックのような基板を吸着させる機構を有するステージに前記フロントプレーンと前記バックプレーンとを吸着させ、フロントプレーンの第２配向膜とバックプレーンの第１配向膜とが向きあい、シール材ともう一方の基板が接しない位置（距離）に配置する。この状態で系内を減圧する。減圧終了後、フロントプレーンとバックプレーンとの貼り合せ位置を確認しながら両基板位置を調整する（アライメント操作）。貼り合せ位置の調整が終了したら、フロントプレーン上のシール材とバックプレーンとが接する位置まで基板を接近させる。この状態で系内に不活性ガスを充填させ、徐々に減圧を開放しながら常圧に戻す。このとき、大気圧によりフロントプレーンとバックプレーンが貼り合わされ、柱状スペーサーの高さ位置でセルギャップが形成される。この状態でシール材に紫外線を照射してシール材を硬化することによって液晶セルを形成する。この後、場合によって加熱工程を加え、シール材硬化を促進する。シール材の接着力強化や電気特性信頼性の向上のために、加熱工程を加えることが多い。
【０１４０】
以下、本発明のさらに好ましい液晶表示素子の形態について説明する。
【０１４１】
本発明に係る液晶表示素子の第二の好ましい実施形態は、第一の配向層および薄膜トランジスタを含む電極層を表面に有する第一の基板と、第二の配向層を表面に有する第二の基板とが配向層同士向かい合うよう離間して配置され、当該前記第一の基板と第二の基板との間に液晶組成物を含む液晶層が充填された液晶表示素子であって、前記薄膜トランジスタを含む電極層は、網目状に配置される複数個のゲート配線及びデータ配線と、前記ゲート配線と前記データ配線との各交差部に設けられる薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続された画素電極と、前記画素電極と離間して第一の基板上に設けられる共通電極と、を備えることが好ましい。また、前記液晶層に近接して設けられている第一の配向層および第二の配向層は、液晶組成物に対してホモジニアス配向を誘起する配向膜であることが好ましい。
【０１４２】
すなわち、前記液晶表示素子は、第二の偏光板と、第二の基板と、薄膜トランジスタを含む電極層（又は薄膜トランジスタ層とも称する）と、本発明の製造方法により得られた液晶配向膜と、液晶組成物を含む液晶層と、配向膜と、カラーフィルタと、第一の基板と、第一の偏光板と、が順次積層された構成であることが好ましい。
【０１４３】
共通電極と画素電極とを同一の基板（または電極層）上に離間して設けることで、前記共通電極と前記画素電極との間に生じる電界（Ｅ）が平面方向成分を有することができる。そのため、例えば液晶組成物に対してホモジニアス配向を誘起する配向膜を前記配向層に用いると、共通電極と画素電極との間に電圧をかける前は配向膜の配向方向である面方向に配列している液晶分子が光を遮断し、電圧をかけると平面方向にかかる電界（Ｅ）により液晶分子が水平に回転して、当該電界方向に沿って配列することで光を遮断する素子を提供できる。
【０１４４】
また、本発明に係る液晶表示素子の形態としては、いわゆるカラーフィルタオンアレイ（ＣＯＡ）であってもよく、薄膜トランジスタを含む電極層と液晶層との間にカラーフィルタを設けても、または当該薄膜トランジスタを含む電極層と第二の基板との間にカラーフィルタを設けてもよい。
【０１４５】
なお、本明細書における「基板上」とは、基板と直接当接するだけでなく間接的に当接する、いわゆる基板に支持されている状態も含む。
【０１４６】
本発明に係る液晶表示組成における第二の実施形態のより好ましい別の形態（ＦＦＳ）は、第一の配向層および薄膜トランジスタを含む電極層を表面に有する第一の基板と、第二の配向層を表面に有する第二の基板とが配向層同士向かい合うよう離間して配置され、当該前記第一の基板と第二の基板との間に液晶組成物を含む液晶層が充填された液晶表示素子であって、前記薄膜トランジスタを含む電極層は、網目状に配置される複数個のゲート配線及びデータ配線と、前記ゲート配線と前記データ配線との各交差部に設けられる薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続された画素電極と、前記画素電極と離間して共に第一の基板上に並設されている共通電極と、を備え、近接する前記共通電極と前記画素電極との最短離間距離ｄが前記配向層同士の最短離間距離Ｇより短いことが好ましい。
【０１４７】
なお本明細書において、共通電極と画素電極との最短離間距離ｄが、配向層同士の最短離間距離Ｇより長い条件の液晶表示素子をＩＰＳ方式の液晶表示素子と称し、近接する共通電極と画素電極との最短離間距離ｄが、配向層同士の最短離間距離Ｇより短い条件の素子をＦＦＳと称する。したがって、近接する共通電極と画素電極との最短離間距離ｄが、配向層同士の最短離間距離Ｇより短いことだけがＦＦＳ方式の条件であるため、当該共通電極の表面と画素電極との表面との厚さ方向の位置関係に制限はない。そのため、本発明に係るＦＳＳ方式の液晶表示素子としては、図３〜図９のように、画素電極が共通電極より液晶層側に設けられてもよく、画素電極と共通電極とが同一面上に設けられていても良い。
【０１４８】
本発明に係る光配向膜はＦＦＳ駆動方式（ＦＦＳ−ＬＣＤ）の液晶表示素子に使用すると高速応答、焼き付きの低減の観点で好ましい。
【０１４９】
本発明に係る第二の実施形態のより好ましい実施形態の一例を図３〜図７を用いて以下説明する。図３は、液晶表示素子の一態様の構造を模式的に示す分解斜視図であり、いわゆるＦＦＳ方式の液晶表示素子である。本発明に係る液晶表示素子１０は、第二の偏光板８と、第二の基板７と、薄膜トランジスタを含む電極層（又は薄膜トランジスタ層とも称する）３と、配向膜４と、液晶組成物を含む液晶層５と、配向膜４と、カラーフィルタ６と、第一の基板２と、第一の偏光板１と、が順次積層された構成であることが好ましい。また、図３に示すように、前記第二の基板７および前記第一の基板２は、一対の偏光板１，８により挟持されてもよい。さらに、図３では、前記第二の基板７と配向膜４との間にカラーフィルタ６が設けられている。さらに、本発明に係る液晶層５と近接し、かつ当該液晶層５を構成する液晶組成物と直接当接するよう一対の配向膜４を（透明）電極（層）３に形成してもよい。
【０１５０】
本発明に係る液晶表示素子１０の他の好適な形態としては、いわゆるカラーフィルタオンアレイ（ＣＯＡ）であってもよく、薄膜トランジスタ層３と液晶層５との間にカラーフィルタ６を設けても、または当該薄膜トランジスタ層３と第一の基板２との間にカラーフィルタ６を設けてもよい。
【０１５１】
ＦＦＳ方式の液晶表示素子は、フリンジ電界を利用するものであり、近接する共通電極と画素電極との最短離間距離ｄが、配向層同士の最短離間距離Ｇより短いと、共通電極と画素電極との間にフリンジ電界が形成され、液晶分子の水平方向および垂直方向の配向を効率的に利用することができる。すなわち、ＦＦＳ方式の液晶表示素子の場合は、画素電極２１の櫛歯形を形成するラインに対して垂直な方向に形成される水平方向の電界と、放物線状の電界を利用することができる。
【０１５２】
図４は、図３における基板上に形成された薄膜トランジスタを含む電極層３（または薄膜トランジスタ層３とも称する。）のＩＩの領域を拡大した平面図である。ゲート配線２６とデータ配線２５が互いに交差している交差部近傍において、ソース電極２７、ドレイン電極２４およびゲート電極２８を含む薄膜トランジスタ２０が、画素電極２１に表示信号を供給するスイッチ素子として前記画素電極２１と連結して設けられている。当該図４では一例として、櫛歯状の画素電極２１の背面に絶縁層（図示せず）を介して平板体状の共通電極２２が一面に形成されている構成を示す。また、前記画素電極２１の表面には保護絶縁膜及び配向膜層によって被覆されていてもよい。なお、前記複数のゲート配線２６と複数のデータ配線２５とに囲まれた領域にはデータ配線２５を介して供給される表示信号を保存するストレイジキャパシタ２３を設けてもよい。さらに、ゲート配線２６と並行して、共通ライン２９が設けられる。この共通ライン２９は、共通電極２２に共通信号を供給するために、共通電極２２と連結している。
【０１５３】
図５は、図４におけるＩＩＩ−ＩＩＩ線方向に液晶表示素子を切断した断面図の一例である。配向層４および薄膜トランジスタ２０（１１，１２，１３，１４，１５，１６，１７）を含む電極層３が表面に形成された第一の基板２と、配向層４が表面に形成された第二の基板７と、が所定の間隔Ｇで配向層同士向かい合うよう離間しており、この空間に液晶組成物を含む液晶層５が充填されている。前記第一の基板２の表面の一部にゲート絶縁膜１２が形成され、さらに当該ゲート絶縁膜１２の表面の一部に共通電極２２が形成されており、更に前記共通電極２２および薄膜トランジスタ２０を覆うよう絶縁膜１８が形成されている。また、前記絶縁膜１８上に画素電極２１が設けられており、当該画素電極２１は配向層４を介して液晶層５と接している。そのため、画素電極と共通電極との最小離間距離ｄは、ゲート絶縁膜１２の（平均）膜厚として調整することができる。また、換言すると、図５の実施形態では、画素電極と共通電極間の基板に水平方向の距離は０になる。画素電極２１の櫛歯状部分の電極幅：ｌ、及び、画素電極２１の櫛歯状部分の間隙の幅：ｍは、発生する電界により液晶層５内の液晶分子が全て駆動され得る程度の幅に形成することが好ましい。
【０１５４】
図３〜７で示すように、近接する共通電極と画素電極との最短離間距離ｄが配向層同士の最短離間距離Ｇより短い条件であるＦＦＳ方式の液晶表示素子の場合、長軸方向が、配向層の配向方向と平行になるように配置している液晶分子に電圧を印加すると、画素電極２１と共通電極２２との間に放物線形の電界の等電位線が画素電極２１と共通電極２２の上部にまで形成され、液晶層５内の液晶分子は、形成された電界に沿って液晶層５内を回転してスイッチング素子としての作用を奏する。より詳細には、例えば液晶組成物に対してホモジニアス配向を誘起する配向膜を前記配向層に用いると、共通電極と画素電極との間に電圧をかける前は配向膜の配向方向である面方向に配列している液晶分子が光を遮断し、電圧をかけると共通電極と画素電極とが同一の基板（または電極層）上に離間して設けられていることに起因する平面方向成分の電界と、近接する共通電極と画素電極との最短離間距離ｄが配向層同士の最短離間距離Ｇより短いことにより発生するこれら電極の縁由来の垂直方向成分の電界（フリンジ電界）とが発生するため、低い誘電率異方性を有する液晶分子であっても駆動することができる。そのため、液晶組成物自体の特性が高い誘電率異方性（Δε）を有する化合物の量を極力低減することができるため、液晶組成物自体に低粘度の化合物を多く含有させることが可能になる。
【０１５５】
さらに、本発明に係る製造方法により得られた配向膜は、高いアンカリング効果を発揮することができるため、使用可能な液晶組成物の種類が多いことから、使用可能な比較的低誘電率の液晶組成物も多く駆動させることができる。
【０１５６】
本発明に係る液晶表示組成における第二の実施形態のより好ましい別の形態の構成は（ＦＦＳ）、第一の配向層および薄膜トランジスタを含む電極層を表面に有する第一の基板と、第二の配向層を表面に有する第二の基板とが配向層同士向かい合うよう離間して配置され、当該前記第一の基板と第二の基板との間に液晶組成物を含む液晶層が充填された液晶表示素子であって、前記薄膜トランジスタを含む電極層は、共通電極と、網目状に配置される複数個のゲート配線及びデータ配線と、前記ゲート配線と前記データ配線との各交差部に設けられる薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続された画素電極と、を備え、かつ前記画素電極が前記共通電極より第二の基板側に突出して設けられていることが好ましい。また、前記液晶層に近接して設けられている第一の配向層および第二の配向層は、液晶組成物に対してホモジニアス配向を誘起する配向膜であることが好ましい。
【０１５７】
図６は、図３における基板上に形成された薄膜トランジスタを含む電極層３（または薄膜トランジスタ層３とも称する。）のＩＩの領域を拡大した平面図の別の形態である。ゲート配線２６とデータ配線２５が互いに交差している交差部近傍において、ソース電極２７、ドレイン電極２４およびゲート電極２８を含む薄膜トランジスタ２０が、画素電極２１に表示信号を供給するスイッチ素子として前記画素電極２１と連結して設けられている。また、画素電極２１は少なくとも一つの切欠き部でくり抜かれた構造であってもよく、当該図６にその一例を示す。前記画素電極２１は、四角形の平板体の中央部および両端部が三角形状の切欠き部でくり抜かれ、さらに残る領域を８つの長方形状の切欠き部でくり抜かれた形状であり、かつ共通電極２２が櫛歯体（図示せず）である。また、前記画素電極の表面には保護絶縁膜及び配向膜層によって被覆されていてもよい。なお、前記複数のゲート配線２５と複数のデータ配線２４とに囲まれた領域にはデータ配線２４を介して供給される表示信号を保存するストレイジキャパシタ２３を設けてもよい。なお、上記切欠き部の形状や数などは特に制限されることは無い。
【０１５８】
図７は、図６において、図４と同様のＩＩＩ−ＩＩＩ方向の位置で液晶表示素子を切断した断面図の他の形態の一例である。すなわち、前記図５の液晶表示素子の構造との相違点は、図５に示す液晶表示素子は、共通電極が平板体であり、かつ画素電極が櫛歯体である。一方、上記で説明したように、図７に示す液晶表示素子においては、画素電極２１は、四角形の平板体の中央部および両端部が三角形状の切欠き部でくり抜かれ、さらに残る領域を８つの長方形状の切欠き部でくり抜かれた形状であり、かつ共通電極が櫛歯体の構造である。そのため、画素電極と共通電極との最小離間距離ｄは、ゲート絶縁膜１２の（平均）膜厚以上、かつ配向層離間距離Ｇ未満になる。また、図７では共通電極が櫛歯体の構造であるが、この実施形態でも共通電極を平板体にしてもよい。また、いずれにおいても、本発明に係るＦＦＳ方式の液晶表示素子は、近接する共通電極と画素電極との最短離間距離ｄが配向層同士の最短離間距離Ｇより短い条件を満たしさえすればよい。さらに、図７に示す液晶表示素子の構成では、画素電極２１が保護膜１８で覆われているが、図５に示す液晶表示素子の構成では、画素電極２１が配向層４で被覆されている。本発明においては、画素電極は保護膜または配向膜のいずれにも被覆されてもよい。
【０１５９】
また、図７において、第一の基板２の一方の表面には偏光板が形成され、かつ他方の表面の一部に形成された櫛歯状の共通電極２２を覆うようゲート絶縁膜１２が形成され、当該ゲート絶縁膜１２の表面の一部に画素電極２１が形成されており、更に前記画素電極２１および薄膜トランジスタ２０を覆うよう絶縁膜１８が形成されている。また、前記絶縁膜１８上に配向層４、液晶層５、配向層４、カラーフィルタ６、第二の基板７および偏光板８が積層している。そのため、画素電極と共通電極との最小離間距離ｄは、両電極位置、画素電極２１の櫛歯状部分の電極幅：ｌ、または画素電極２１の櫛歯状部分の間隙の幅：ｍで調整することができる。
【０１６０】
図７のように、前記画素電極が前記共通電極より第二の基板側に突出し、かつ両者とも第一の基板上に並列して設けられていると、前記共通電極と前記画素電極との間で平面方向成分の電界を形成し、かつ画素電極の表面と共通電極の表面との厚み方向の高さが相違するため、厚み方向成分の電界（Ｅ）も同時にかけることができる。
【０１６１】
なお、ＦＦＳ方式の液晶表示素子は、フリンジ電界を利用するものであり、近接する共通電極と画素電極との最短離間距離ｄが、配向層同士の最短離間距離Ｇより短い条件であれば特に制限されることは無いため、例えば、櫛歯状の画素電極の複数の歯部および櫛歯状の共通電極の複数の歯部が離間して噛合した状態で基板上に設けられて構成であってもよい。この場合、共通電極の歯部と画素電極の歯部との離間距離を配向層同士の最短離間距離Ｇより短くすればフリンジ電界を利用することができる。
【０１６２】
本発明に係る液晶配向膜の製造方法により得られた配向膜をＦＦＳ方式の液晶表示素子に使用した場合は、高いアンカリング効果を発揮することができるため、焼き付きの低減という効果を奏することができる。
【０１６３】
本発明に係る第三の実施形態の構成は、薄膜トランジスタを含む電極層３が形成されている第一の基板と同一の基板側にカラーフィルタ６が形成されていることが好ましい。当該形態は、一般的にカラーフィルタオンアレイ（ＣＯＡ）などと呼ばれている。具体的な構造について図８および図９を用いて以下説明する。図８は、図４のＩＩＩ−ＩＩＩ線方向に液晶表示素子を切断した断面図の別の形態である。当該液晶組成物の構成は、配向層４、薄膜トランジスタ２０（１１，１３，１５，１６，１７）、カラーフィルタ６および画素電極２１が表面に形成された第一の基板２と、配向層４および共通電極２２が表面に形成された第二の基板７とが前記配向層同士向かい合うよう離間しており、この空間に液晶組成物を含む液晶層５が充填されている。また、前記第一の基板２の表面の一部に薄膜トランジスタ２０やゲート絶縁膜１２が形成されており、さらに当該薄膜トランジスタ２０を被覆するように平坦膜でもあるバッファー層３０が形成されており、当該絶縁層３０上にカラーフィルタ６、画素電極２１および配向層４の順で積層されている。そのため、図５などとは異なり、第二の基板７上にはカラーフィルタ６が存在しない。
【０１６４】
また液晶表示素子は、中央部に位置した矩形状の表示領域Ｒ１と、表示領域周縁部に沿って位置した枠状の非表示領域Ｒ２とを有しており、表示領域Ｒ１において、赤色、緑色または青色のカラーフィルタを形成している。より詳細にはカラーフィルタの周縁部を信号線（データ配線やゲート配線等）に重ねて配設されている。
【０１６５】
カラーフィルタ上には、ＩＴＯ（インジウム・ティン・オキサイド）等の透明な導電膜により形成された複数の画素電極２１が設けられている。各画素電極２１は絶縁膜１８および各着色層に形成されたスルーホール（図示せず）を介して対応する薄膜トランジスタに接続されている。より詳しくは、画素電極２１は、上記したコンタクト電極を介して薄膜トランジスタに接続されている。画素電極２１上には柱状スペーサー（図示せず）などが複数本配設されていてもよい。カラーフィルタおよび画素電極２１上には、配向膜４が形成されている。
【０１６６】
図９は、図８とは異なる形態のカラーフィルタオンアレイを示す図であり、図８における薄膜トランジスタ２０と基板２の箇所を拡大して示す図である。当該図８ではカラーフィルタが薄膜トランジスタより液晶層側に存在した構成になっているが、図９の形態では、薄膜トランジスタがカラーフィルタより液晶層側に存在した構成になっており、前記薄膜トランジスタとカラーフィルタとはバッファー層を介して接合させている。
【実施例】
【０１６７】
「高分子光配向材料の合成方法」
（合成例１）【０１６８】
【化２４】
0005904312.tif 000025
【０１６９】
「式１の化合物の合成」【０１７０】
【化２５】
0005904312.tif 000026
【０１７１】
１９９ｇ（１．２１ｍｏｌ）の８−クロロオクタノール、１５８．３ｇ  （１．８４  ｍｏｌ）のメチルメタクリレート、１．５ｇの４−メトキシフェノール、２２．８ｇ  （０．１２ｍｏｌ）のｐ−トルエンスルホン酸を４５０ｍｌのシクロヘキサンに溶解させ、６時間加熱還流させた。反応液を室温まで冷却し、溶液を水で３回洗浄した後、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で３回洗浄した後、飽和食塩水で２回洗浄した。溶液を無水硫酸ナトリウムで乾燥させ、溶媒を留去することにより２５８ｇの式１の化合物を無色透明な液体として得た。純度９９％（ＧＣ）。Ｍ＋  ２３２。【０１７２】
「式２の化合物の合成」【０１７３】
【化２６】
0005904312.tif 000027
【０１７４】
３４．６ｇ  （０．２８４ｍｏｌ）  の４−ヒドロキシベンズアルデヒド  、  ４９ｇ  （０．３４１ｍｏｌ）  の炭酸カリウムを５００ｍＬのジメチルホルムアミドに溶解させ、窒素雰囲気下、室温で５８ｇ  （０．２８４ｍｏｌ）のメタクリル酸８−クロロオクチルを加えた。反応液を９０度まで加熱し６時間攪拌を行った。反応が完結したことをＧＣで確認した後、反応液を室温まで冷却し、ろ過を行った。２００ｍｌ  の酢酸エチルと２００ｍｌの水を加え、再度ろ過を行った。有機層と水層を分離し、水層に酢酸エチルを加えて３回抽出を行った。全ての有機層を合わせ、飽和食塩水で３回洗浄を行った。有機層に無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥させ、溶媒を留去して粗製の式２の化合物を得た。得られた式２の化合物は、特段の精製を行うことなく次の反応に用いた。Ｍ＋  ３１８。【０１７５】
「式３の化合物の合成」【０１７６】
【化２７】
0005904312.tif 000028
【０１７７】
５０ｇ（約０．１４ｍｏｌ）の２、４．４３ｇ  （０．０２９  ｍｏｌ）リン酸二水素ナトリウム、１６ｇの３０％過酸化水素水を、６０ｍｌの水および３５０ｍｌのアセトニトリルに溶解させ、氷冷した。ついで２３ｇの７８％の亜塩素酸ナトリウムを２００ｍｌの水に希釈した溶液を反応液に滴下した後、反応液を室温で一晩攪拌した。ＨＰＬＣを用いて反応が完結したことを確認した。反応液にｐＨが１になるまで１０％塩酸を加え、析出してきた白色固体をろ別した。得られた個体を水で３回洗浄した。得られた粗体３を、ジクロロメタンに溶解させ、これに無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥させた。溶液にヘプタンを加えてジクロロメタンを減圧留去し、析出した固体をろ別し、目的とする式３の化合物を３０ｇ得た。純度９９％（ＨＰＬＣ）。【０１７８】
「式４の化合物の合成」【０１７９】
【化２８】
0005904312.tif 000029
【０１８０】
５０ｇ  （０．２４６ｍｏｌ）の４−ブロモ−２−メトキシフェノール、４７．２ｇ  （０．３６９ｍｏｌ）のアクリル酸ｔ−ブチル、５０．９ｇ  （０．３６９ｍｏｌ）の炭酸カリウムを７００ｍｌのＮ−メチルピロリドンに溶解させ、系を窒素置換した。反応液に０．０５５ｇ  （０．２４６ｍｍｏｌ）の酢酸パラジウムを加えて再度窒素置換を行い、系を１３０度で６時間攪拌させた。ＨＰＬＣで反応が完結したことを確認した。反応液を室温まで冷却し、これに３００ｍｌの酢酸エチルと３００ｍｌの５％塩酸を加えた。有機層と水層を分離し、水層に酢酸エチルを加えて抽出を行った。全ての有機層を合わせて飽和食塩水で３回洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。溶媒を留去し、これに８０ｇのシリカゲルを加えてスラリーとした。これを１００ｇアルミナ／３００ｇシリカゲルカラムに充填し、酢酸エチル／ヘプタン混合溶液で溶出させた。溶媒を留去し、得られた粗結晶をヘプタンで再結晶して、白色固体として４３．２ｇの式４の化合物を得た。純度９９％（ＨＰＬＣ）。Ｍ＋  ２５０。【０１８１】
「式５の化合物の合成」【０１８２】
【化２９】
0005904312.tif 000030
【０１８３】
２２．３ｇ  （０．０６６７６ｍｏｌ）の３、１６．７ｇ  （０．０６６７７ｍｏｌ）の４、１．２２ｇ  （１０ｍｍｏｌ）の４−ジメチルアミノピリジンを４００ｍｌのジクロロメタンの溶解させ、系を窒素置換したのち氷冷させた。ついで１２．６ｇ  （０．１ｍｏｌ）のＮ，Ｎ’−ジイソプロピルカルボジイミドを１００ｍｌのジクロロメタンに溶解させた溶液を反応液に滴下させた後、室温で一晩攪拌を行った。反応液をろ過し、反応液を２００ｍｌの１０％塩酸で洗浄し、ついで２００ｍｌの飽和食塩水で３回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。溶媒をある程度留去し、これに７０ｇのシリカゲルを加えてスラリーとし、１００ｇアルミナ／２００ｇシリカゲルカラムに充填し、ジクロロメタンで溶出させた。溶媒を留去し、酢酸エチル／ヘプタンの混合溶媒で再結晶することにより、白色固体として目的とする式５の化合物を３１．８ｇ得た。純度９９％（ＨＰＬＣ）。Ｍ＋  ５６６。【０１８４】
「式６の化合物の合成」【０１８５】
【化３０】
0005904312.tif 000031
【０１８６】
３１．８ｇ  （０．０５６２ｍｏｌ）の５を２００ｍｌのジクロロメタンに溶解させ、系を窒素置換した後、氷冷した。系に３２ｇ  （０．２８０ｍｏｌ）のトリフルオロ酢酸を滴下した後、室温で一晩攪拌させた。反応が完結したことをＨＰＬＣで確認した。反応液に３００ｍｌのヘプタンを加え、溶媒を留去することにより固体を析出させ、これをろ別した。得られた個体を水とヘプタンで洗浄し、目的とする式６の化合物を無色の結晶として２６ｇ得た。純度９９％（ＨＰＬＣ）。【０１８７】
「式Ｉ−１−１の化合物の合成」【０１８８】
【化３１】
0005904312.tif 000032
【０１８９】
２２．９ｇ  （４５ｍｍｏｌ）の６、４．９  ｇ  （０．０４ｍｏｌ）の３−ヒドロキシプロピオニトリル、０．７０ｇ（５．６ｍｍｏｌ）の４−ジメチルアミノピリジンを２００ｍｌのジクロロメタンを溶解させ、系を窒素置換したのち氷冷させた。ついで７．８７ｇ  （６４ｍｍｏｌ）のＮ，Ｎ’−ジイソプロピルカルボジイミドを５０ｍｌのジクロロメタンに溶解させた溶液を反応液に滴下させた後、室温で一晩攪拌を行った。反応液をろ過し、反応液を１００ｍｌの１０％塩酸で洗浄し、ついで１００ｍｌの飽和食塩水で３回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。３０ｇアルミナ／３００ｇシリカゲルカラムと酢酸エチル／ジクロロメタン混合溶媒を用いて精製を行った。溶媒を留去しえられた固体をメタノールを用いて再結晶し、１６．４ｇの式Ｉ−１−１の化合物を白色個体として得た。純度９９．５％（ＨＰＬＣ）。Ｍ＋  ５６３。【０１９０】
「重合体Ｐ−Ｉ−１−１の合成」【０１９１】
【化３２】
0005904312.tif 000033
【０１９２】
１６．５  ｇの式Ｉ−１−１の化合物、ＡＩＢＮ  ９２  ｍｇをＴＨＦ  ８２．５  ｍＬに溶解し、窒素雰囲気下５５℃で６時間反応させた。得られた溶液にヘキサンを加えることにより目的物を沈殿させ、この沈殿物を減圧乾燥することにより目的の重合体Ｐ−Ｉ−１−１を１１  ｇ得た。この重合体の重量平均分子量は１９８，０００であった。【０１９３】
（合成例２）
0005904312.tif 000034
【０１９４】
１０−ブロモ−１−デカノ−ル３４ｇ、メタクリル酸２２ｇ、４−メトキシフェノ−ル７０ｍｇ、ｐ−トルエンスルホン酸一水和物２ｇ、シクロヘキサン２００ｍＬ、ジイソプロピルエーテル４０ｍＬを混合し、オイル浴で加熱して８時間還流させた。反応液を３０℃まで放冷後、反応液に水１００ｍＬ加えて有機層を抽出した。その有機層を、５％炭酸水素ナトリウム水溶液１００ｍＬで２回、飽和食塩水１００ｍＬで１回洗浄した。洗浄後の有機層を減圧濃縮し、無色液体である化合物（ａ−１−１）５０ｇを得た。反応容器中で、ｐ−ヒドロキシベンズアルデヒド２３ｇ、炭酸カリウム４６ｇ、化合物（ａ−１−１）４６ｇを、ＤＭＦ３００ｍＬに懸濁させ、９０℃で６時間攪拌して反応を終了させた。反応液を１０℃まで冷却した後に、反応液に水６５０ｍＬを滴下して固体を析出させた。固体を濾取し、褐色粒状固体である化合物（ａ−１−２）７２ｇを得た。反応容器中で、化合物（ａ−１−２）６６ｇをメタノール９８０ｍＬに溶解させ、そこにリン酸二水素ナトリウム水溶液（リン酸二水素ナトリウム二水和物１９ｇを水２５０ｍＬに溶解したもの）、３０％過酸化水素水（３２ｍＬ）を順次加えた。亜塩素酸ナトリウム水溶液（純度８０％の亜塩素酸ナトリウム２７ｇを水２２０ｍＬに溶解したもの）を滴下して加えた。滴下終了後、反応液を４５℃で３時間撹拌して反応を終了させた。反応液を２０℃までゆっくり冷却した後に、反応液に水を滴下して固体を析出させる。固体を濾取し、固体に対して水で振りかけ洗いをした。このようにして得られた無色麟片状結晶の粗生成物を減圧下で８時間乾燥して、無色結晶である化合物（ａ−１−３）４７ｇを得た。
【０１９５】
一方、１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩５４ｇ、４−ジメチルアミノピリジン０．３ｇを２−シアノエタノール４０６ｍＬに溶解させた。この溶液に、フェルラ酸５０ｇを２−シアノエタノール２０３ｍＬに溶解した溶液を１０℃で１時間かけて滴下したものを室温で４時間攪拌した。反応液と１５℃の冷水とを混合し、混合液にトルエン／ＴＨＦ混合溶媒を加えて有機層を抽出した。有機層を飽和食塩水２００ｍＬで洗浄した後に濃縮し、得られた黄色固体を再結晶することにより、白色固体である化合物（ａ−１−４）３７ｇを得た。【０１９６】
化合物（ａ−１−３）３９ｇ、化合物（ａ−１−４）２８ｇ、４−ジメチルアミノピリジン０．３ｇをジクロロメタン１４０ｍＬに懸濁させ、内温を１０℃以下に保ちながら、ジイソプロピルカルボジイミド１７２ｇを滴下した後に、１５〜２５℃で３時間攪拌した。原料の消失を確認後、反応液に水を加えることにより反応を失活させた。得られた析出物を濾別し、ジクロロメタン溶液とした後にカラムクロマトグラフィーにて精製した。ジクロロメタン溶液からジクロロメタンを減圧留去した後、メタノ−ルを加え、０℃に冷却して結晶を析出させた。結晶を濾別し、減圧乾燥を行ってメタクリレートモノマー（ａ−１）５１ｇを得た。【０１９７】
得られたメタクリレートモノマー（ａ−１）１６．５ｇ、ＡＩＢＮ９２ｍｇをＴＨＦ８２．５ｍＬに溶解させ、窒素雰囲気下５５℃で６時間反応させた。得られた溶液にヘキサンを加えることにより目的物を沈殿させ、この沈殿物を減圧乾燥することにより目的のポリメタクリレート（高分子光配向材料Ｐ−Ｉ−１−２）１１ｇを得た。このポリメタクリレート（高分子光配向材料Ｐ−Ｉ−１−２）の重量平均分子量は２４８，０００であった。【０１９８】
なお、重量平均分子量は以下の測定条件のもと、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー、Ｇｅｌ  Ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ  Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ）により測定した。測定装置には、東ソー社製ＧＰＣ装置ＨＬＣ−８２２０ＧＰＣを用い、分析カラムにはＴＳＫｇｅｌ  ＧＭＨＸＬ×２本、ＴＳＫｇｅｌ  Ｇ２０００ＸＬ×１本、ＴＳＫｇｅｌ  Ｇ１０００ＸＬ×１本の計４本直列、検出器には示差屈折率（ＲＩ）検出器、較正曲線作成のための標準試料には、昭和電工製ポリスチレン標準試料ＳＴＡＮＤＡＲＤ  ＳＭ−１０５（分子量範囲１，３００〜３，８００，０００）を用いた。得られたポリマーをＴＨＦに１μｇ／ｍＬの濃度となるよう溶解し、移動相をＴＨＦ、送液速度を１ｍＬ／分、カラム温度を４０℃、試料注入量を３００μＬとして測定した。【０１９９】
「光配向膜の調整方法」
（実施例１）
上記で合成した高分子光配向材料Ｐ−Ｉ−１−１をＮ−メチル−２−ピロリドン（以下ＮＭＰ）に溶解した後に２−ブトキシエタノールを加え、重量比としてＮＭＰ：２−ブトキシエタノール：高分子光配向材料１＝４７．５：４７．５  ：５  となるよう調整し、ｍｅｎｂｒａｎｅ  ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ  社製のＭＳ  ＰＴＦＥ  ｓｙｒｉｎｇｅ  ｆｉｌｔｅｒ（５ｕｍ，  １ｕｍ，  ０．４５ｕｍ）を用いてろ過して光配向膜溶液を得た。
該溶液をＥ．Ｈ．Ｃ（株）社製の基板ＳＺ−Ｂ１０７ＭＩＮ（ｕｐ／ｌｏｗ）に約９０ｎｍの厚さになるようミカサ（株）製スピンコーターＩＨ−ＤＸ２を用いてスピンコートし、その後ＡＳ  ＯＮＥ（株）製ホットプレートｄｉｇｉｔａｌ  ｈｏｔ  ｐｌａｔｅ  ＮＩＮＯＳ  ＮＤ１上で８０℃で３分間乾燥し、さらにＡＳ  ＯＮＥ社製オーブンＤＯ−６００ＦＡを用いて空気雰囲気下で１８０℃で５分間乾燥した。乾燥後室温まで徐冷した。次いで、前記乾燥工程の後、図１０に示した照射装置を用いて乾燥した膜の温度を２５℃に維持した状態で３１３ｎｍの直線偏光を５秒間１００ｍＪ／ｃｍ２照射して本発明の光配向膜を調製した。【０２００】
（実施例２）
上記で合成した高分子光配向材料Ｐ−Ｉ−１−１をＮ−メチル−２−ピロリドン（以下ＮＭＰ）に溶解した後に２−ブトキシエタノールを加え、重量比としてＮＭＰ：２−ブトキシエタノール：高分子光配向材料１＝４７．５：４７．５  ：５  となるよう調整し、ｍｅｎｂｒａｎｅ  ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ  社製のＭＳ  ＰＴＦＥ  ｓｙｒｉｎｇｅ  ｆｉｌｔｅｒ（５ｕｍ，  １ｕｍ，  ０．４５ｕｍ）を用いてろ過して光配向膜溶液を得た。
該溶液をＥ．Ｈ．Ｃ（株）社製の基板ＳＺ−Ｂ１０７ＭＩＮ（ｕｐ／ｌｏｗ）に約９０ｎｍの厚さになるようミカサ（株）製スピンコーターＩＨ−ＤＸ２を用いてスピンコートし、その後ＡＳ  ＯＮＥ（株）製ホットプレートｄｉｇｉｔａｌ  ｈｏｔ  ｐｌａｔｅ  ＮＩＮＯＳ  ＮＤ１上で８０℃で３分間乾燥し、さらにＡＳ  ＯＮＥ社製オーブンＤＯ−６００ＦＡを用いて空気雰囲気下で１８０℃で５分間乾燥した。乾燥後室温まで徐冷した。次いで、前記乾燥工程の後、図１０に示した照射装置を用いて乾燥した膜の温度を５０℃に維持した状態で３１３ｎｍの直線偏光を５秒間１００ｍＪ／ｃｍ２照射して本発明の光配向膜を調製した。【０２０１】
（実施例３）
上記で合成した高分子光配向材料Ｐ−Ｉ−１−１をＮ−メチル−２−ピロリドン（以下ＮＭＰ）に溶解した後に２−ブトキシエタノールを加え、重量比としてＮＭＰ：２−ブトキシエタノール：高分子光配向材料１＝４７．５：４７．５  ：５  となるよう調整し、ｍｅｎｂｒａｎｅ  ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ  社製のＭＳ  ＰＴＦＥ  ｓｙｒｉｎｇｅ  ｆｉｌｔｅｒ（５ｕｍ，  １ｕｍ，  ０．４５ｕｍ）を用いてろ過して光配向膜溶液を得た。【０２０２】
該溶液をＥ．Ｈ．Ｃ（株）社製の基板ＳＺ−Ｂ１０７ＭＩＮ（ｕｐ／ｌｏｗ）に約９０ｎｍの厚さになるようミカサ（株）製スピンコーターＩＨ−ＤＸ２を用いてスピンコートし、その後ＡＳ  ＯＮＥ（株）製ホットプレートｄｉｇｉｔａｌ  ｈｏｔ  ｐｌａｔｅ  ＮＩＮＯＳ  ＮＤ１上で８０℃で３分間乾燥し、さらにＡＳ  ＯＮＥ社製オーブンＤＯ−６００ＦＡを用いて空気雰囲気下で１８０℃で５分間乾燥した。乾燥後室温まで徐冷した。次いで、前記乾燥工程の後、図１０に示した照射装置を用いて乾燥した膜の温度を７０℃に維持した状態で３１３ｎｍの直線偏光を５秒間１００ｍＪ／ｃｍ２照射して本発明の光配向膜を調製した。【０２０３】
（実施例４）
上記で合成した高分子光配向材料Ｐ−Ｉ−１−１をＮ−メチル−２−ピロリドン（以下ＮＭＰ）に溶解した後に２−ブトキシエタノールを加え、重量比としてＮＭＰ：２−ブトキシエタノール：高分子光配向材料１＝４７．５：４７．５  ：５  となるよう調整し、ｍｅｎｂｒａｎｅ  ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ  社製のＭＳ  ＰＴＦＥ  ｓｙｒｉｎｇｅ  ｆｉｌｔｅｒ（５ｕｍ，  １ｕｍ，  ０．４５ｕｍ）を用いてろ過して光配向膜溶液を得た。【０２０４】
該溶液をＥ．Ｈ．Ｃ（株）社製の基板ＳＺ−Ｂ１０７ＭＩＮ（ｕｐ／ｌｏｗ）に約９０ｎｍの厚さになるようミカサ（株）製スピンコーターＩＨ−ＤＸ２を用いてスピンコートし、その後ＡＳ  ＯＮＥ（株）製ホットプレートｄｉｇｉｔａｌ  ｈｏｔ  ｐｌａｔｅ  ＮＩＮＯＳ  ＮＤ１上で８０℃で３分間乾燥し、さらにＡＳ  ＯＮＥ社製オーブンＤＯ−６００ＦＡを用いて空気雰囲気下で１８０℃で５分間乾燥した。乾燥後室温まで徐冷した。次いで、前記乾燥工程の後、図１０に示した照射装置を用いて乾燥した膜の温度を１００℃に維持した状態で３１３ｎｍの直線偏光を５秒間１００ｍＪ／ｃｍ２照射して本発明の光配向膜を調製した。【０２０５】
（実施例５）
上記で合成した高分子光配向材料Ｐ−Ｉ−１−１をＮ−メチル−２−ピロリドン（以下ＮＭＰ）に溶解した後に２−ブトキシエタノールを加え、重量比としてＮＭＰ：２−ブトキシエタノール：高分子光配向材料１＝４７．５：４７．５  ：５  となるよう調整し、ｍｅｎｂｒａｎｅ  ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ  社製のＭＳ  ＰＴＦＥ  ｓｙｒｉｎｇｅ  ｆｉｌｔｅｒ（５ｕｍ，  １ｕｍ，  ０．４５ｕｍ）を用いてろ過して光配向膜溶液を得た。【０２０６】
該溶液をＥ．Ｈ．Ｃ（株）社製の基板ＳＺ−Ｂ１０７ＭＩＮ（ｕｐ／ｌｏｗ）に約９０ｎｍの厚さになるようミカサ（株）製スピンコーターＩＨ−ＤＸ２を用いてスピンコートし、その後ＡＳ  ＯＮＥ（株）製ホットプレートｄｉｇｉｔａｌ  ｈｏｔ  ｐｌａｔｅ  ＮＩＮＯＳ  ＮＤ１上で８０℃で３分間乾燥し、さらにＡＳ  ＯＮＥ社製オーブンＤＯ−６００ＦＡを用いて空気雰囲気下で１８０℃で５分間乾燥した。乾燥後室温まで徐冷した。次いで、前記乾燥工程の後、図１０に示した照射装置を用いて乾燥した膜の温度を１２０℃で維持した状態で３１３ｎｍの直線偏光を５秒間１００ｍＪ／ｃｍ２照射して本発明の光配向膜を調製した。【０２０７】
（実施例６〜１３）
上記で合成した高分子光配向材料Ｐ−Ｉ−１−２をＮ−メチル−２−ピロリドン（以下ＮＭＰ）に溶解した後に２−ブトキシエタノールを加え、重量比としてＮＭＰ：２−ブトキシエタノール：高分子光配向材料１＝４７．５：４７．５  ：５  となるよう調整し、ｍｅｎｂｒａｎｅ  ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ  社製のＭＳ  ＰＴＦＥ  ｓｙｒｉｎｇｅ  ｆｉｌｔｅｒ（５ｕｍ，  １ｕｍ，  ０．４５ｕｍ）を用いてろ過して６つの光配向膜溶液を得た。【０２０８】
該６つの溶液をそれぞれＥ．Ｈ．Ｃ（株）社製の基板ＳＺ−Ｂ１０７ＭＩＮ（ｕｐ／ｌｏｗ）に約９０ｎｍの厚さになるようミカサ（株）製スピンコーターＩＨ−ＤＸ２を用いてスピンコートし、その後ＡＳ  ＯＮＥ（株）製ホットプレートｄｉｇｉｔａｌ  ｈｏｔ  ｐｌａｔｅ  ＮＩＮＯＳ  ＮＤ１上で８０℃で３分間乾燥し、さらにＡＳ  ＯＮＥ社製オーブンＤＯ−６００ＦＡを用いて空気雰囲気下で１８０℃で５分間それぞれ乾燥した。乾燥後室温まで徐冷した。次いで、前記乾燥工程の後、図１０に示した照射装置を用いて乾燥した膜の温度を２５℃、４０℃、５５℃、７０℃、８５℃、１００℃でそれぞれ維持した状態で３１３ｎｍの直線偏光を５秒間１００ｍＪ／ｃｍ２照射して本発明の光配向膜６種類をそれぞれ調製した。【０２０９】
「光配向膜の評価」
実施例１〜１３にて作成した基板を用い、ＤＩＣ（株）製の液晶ＰＡ０５００を挟持した液晶セルを組み立てた。当該液晶セルのアンカリングエネルギーを測定したところ偏光照射時の温度によりアンカリングエネルギーが変化することが確認された（図１１参照）。【０２１０】
以上に記述したように、本発明によれば、従来の光配向材料で必要であった長いタクトタイムを大幅に短縮しても大きなアンカリングエネルギーを備えた光配向膜を調製できることが確認された。なお、アンカリングエネルギーの測定は以下の方法を用いた。【０２１１】
前記液晶セルを用いてトルクバランス法と呼ばれる方法（日本液晶学会討論会講演予稿集  （２００１年）の２５１から２５２ページに報告された方法）によって、光配向膜の方位角アンカリングエネルギーを測定した。具体的には、液晶セルに、参考例７で調製した液晶組成物（Ａ）を注入し、９２℃で２分間加熱後、室温まで冷却した。白色光源、偏光子（入射側偏光板）、検光子（出射側偏光板）、検出器を備えた光学測定装置（ＯＭＳ−ＤＩ４ＲＤ、中央精機株式会社製）の、偏光子−検光子間に、この液晶セルを配置し、偏光子と検光子を回転させながら、検出器にて透過光の光量を検出し、検出した光量が最も小さくなる、偏光子と検光子の回転角を求め、この角度をツイスト角φ１とした。【０２１２】
次にこの液晶セルから液晶組成物（Ａ）を抜き取り、代わりに液晶組成物（Ｂ）を注入し、２℃で２分間加熱後、室温まで冷却した。この液晶セルを用いて、上記と同様にして偏光子と検光子の回転角を求めて、この角度をツイスト角φ２とした。【０２１３】
方位角アンカリングエネルギーＡを、式（１）により求めた。ただし、Ｋ２２は液晶のツイスト弾性係数、ｄはセルギャップ、ｐはカイラル入り液晶のらせんピッチである。【０２１４】
Ａ＝２Ｋ２２（２πｄ／ｐ−φ２）／ｄ・ｓｉｎ（φ２−φ１）      （１）
得られた方位角アンカリングエネルギーは、図１１に示す通りであった。【０２１５】
その結果、図１１より何れのポリマーも４０℃から８５℃でアンカリングエネルギーが改善し、より好適には６０℃から７０℃で加熱による効果がより顕著になることが確認された。
【符号の説明】
【０２１６】
１１１    電源
１１２    紫外線ランプ
１１３    無偏光紫外線（全波長）
１１４    干渉フィルター
１１５    無偏光紫外線（３１３ｎｍ）
１１６    偏光フィルター
１１７    偏光紫外線（３１３ｎｍ）
１１８    光配向膜
１１９    ガラス基板
１１１０    加熱プレート
１００    第１基板
１０２    ＴＦＴ層
１０３    画素電極
１０４    パッシベーション膜
１０５    第１配向膜
２００    第２基板
２０１    平坦化膜（オーバーコート層）
２０２    ブラックマトリックス
２０３    カラーフィルタ
２０４    透明電極
２０５    第２配向膜
３０１    シール材
３０２    突起（柱状スペーサー）
３０３    液晶層
３０４    突起（柱状スペーサー）
４０１    マスクパターン
４０２    レジン層
Ｌ      光
１，８    偏光板
２    第一の基板
３    電極層
４    配向膜
５    液晶層
６    カラーフィルタ
６Ｇ    カラーフィルタ緑
６Ｒ    カラーフィルタ赤
７    第二の基板
１１    ゲート電極
１２    ゲート絶縁膜
１３    半導体層
１４    絶縁層
１５    オーミック接触層
１６    ドレイン電極
１７    ソース電極
１８    絶縁保護層
２１    画素電極
２２    共通電極
２３    ストレイジキャパシタ
２５    データ配線
２７    ソース配線
２９    共通ライン
３０    バッファー層
【図１】
0005904312.tif 000035
【図２】
0005904312.tif 000036
【図３】
0005904312.tif 000037
【図４】
0005904312.tif 000038
【図５】
0005904312.tif 000039
【図６】
0005904312.tif 000040
【図７】
0005904312.tif 000041
【図８】
0005904312.tif 000042
【図９】
0005904312.tif 000043
【図１０】
0005904312.tif 000044
【図１１】
0005904312.tif 000045