(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハウジングと、前記ハウジングの内部に配置されるカラムと、前記ハウジングの内部で空気を加熱するヒータとを備えるカラムオーブンと、
前記カラムの入口端に試料を供給する試料気化室と、
前記試料気化室にキャリアガスを供給するとともに、当該キャリアガスの流量を設定時間間隔で測定する第一流量計を有するキャリアガス供給部と、
前記カラムの出口端に接続された検出器と、
前記ヒータ及びキャリアガス供給部を制御する制御部とを備えるガスクロマトグラフ装置であって、
前記キャリアガスは、可燃性ガスであり、
前記ハウジングの内部における爆発限界濃度の可燃性ガスの存在を判定するため、カラムオーブンのハウジングの内部から外部に拡散・放出されるキャリアガスの流量である流量閾値を記憶する記憶部を備え、
前記制御部は、前記カラムに供給される可燃性ガスの流量が流量閾値以上であるときには、前記ヒータへの電力供給を停止させるとともに、前記試料気化室への可燃性ガスの供給を停止させることを特徴とするガスクロマトグラフ装置。
【請求項２】
前記試料気化室は、前記カラムの入口端に可燃性ガスを供給する供給流路と、外部に可燃性ガスを排出する排出流路とを有し、
前記キャリアガス供給部は、前記排出流路を流通する可燃性ガスの流量を設定時間間隔で測定する第二流量計を有し、
前記制御部は、前記第一流量計で測定された流量から前記第二流量計で測定された流量を減算した流量が流量閾値以上であるときには、前記ヒータへの電力供給を停止させるとともに、前記カラムの入口端への可燃性ガスの供給を停止させることを特徴とする請求項１に記載のガスクロマトグラフ装置。
【請求項３】
前記検出器にメイクアップガスを供給するとともに、当該メイクアップガスの流量を設定時間間隔で測定する第三流量計を有するメイクアップガス供給部を備え、
前記メイクアップガスは、可燃性ガスであり、
前記制御部は、前記第一流量計で測定された流量と前記第三流量計で測定された流量との合計流量から、前記第二流量計で測定された流量と前記検出器で使用された流量とを減算した流量が流量閾値以上であるときには、前記ヒータへの電力供給を停止させるとともに、前記カラムの入口端への可燃性ガスの供給を停止させることを特徴とする請求項１に記載のガスクロマトグラフ装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記設定時間間隔より長い時間間隔となる流量に基づいて、前記ヒータへの電力供給を停止させるとともに、前記カラムの入口端への可燃性ガスの供給を停止させることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載のガスクロマトグラフ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガスクロマトグラフ装置に関し、特にカラムに供給するキャリアガスや検出器に流すメイクアップガスとして水素ガス等の可燃性ガスを利用したガスクロマトグラフ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ガスクロマトグラフ装置では、試料ガスが、キャリアガスに押されてカラムの入口端からカラム内に導入される。これにより、試料ガスに含まれる各測定物質は、カラム内を通過する間に時間軸方向に分離されて、カラムの出口端に到達することになる。このとき、試料ガスを所定の温度でカラム内を通過させるために、内部にカラムを収容して、カラムの温度を調節するカラムオーブンが用いられている。
図２は、従来のガスクロマトグラフ装置の一例の概略構成図である。ガスクロマトグラフ装置１０１は、カラムオーブン２と、試料が導入される試料気化室７０と、キャリアガスを供給するキャリアガスコントローラ（キャリアガス供給部）１５１と、検出器６０と、メイクアップガスを供給するメイクアップガスコントローラ（メイクアップガス供給部）８２と、カラムオーブン２とキャリアガスコントローラ１５１とメイクアップガスコントローラ８２とを制御するコンピュータ１２０とを備える。
【０００３】
カラムオーブン２は、上下左右の４面の壁１２と、背面壁１６と、前面壁となる前面扉１５とで囲われた立方体形状のハウジング１０を備え、ハウジング１０の内部には、試料ガスが通過するカラム１１と、空気を循環させるラジアルファン１４と、空気を加熱するヒータ１３とが収容されている。
前面扉１５は、左端を軸として開閉可能に形成されており、分析者によって前面扉１５が開かれることにより、ハウジング１０の内部に収容されたカラム１１と、別のカラムとを交換することができるようになっている。
また、背面壁１６の上部には、排気口（図示せず）が設けられており、排気口には、排気扉が開閉可能に形成されている。これにより、排気扉が開かれることによって、内部の空気を排気口から外部に排出することができるようになっている。一方、背面壁１６の中部には、吸気口３３が設けられており、吸気口３３には、吸気扉３７が開閉可能に形成されている。これにより、吸気扉３７が開かれることによって、外部の空気を吸気口３３から内部に導入することができるようになっている。
【０００４】
次に、試料気化室７０とキャリアガスコントローラ１５１とについて説明する。図３は、試料気化室７０とキャリアガスコントローラ１５１の拡大断面図である。
試料気化室７０は、円筒形状の金属製の筐体７１と、筐体７１の外周面を加熱するヒータ７８とを備える。
筐体７１は、上部筐体７１ｂと下部筐体７１ａとに分割可能となっており、分割することで、円筒形状のガラス製のガラスインサート７７ａを内部に配置することができるようになっている。
【０００５】
上部筐体７１ｂは、上面に形成され、試料Ｓが導入される試料導入口７２を有する。
下部筐体７１ａは、左側壁に形成され、キャリアガスが導入されるキャリアガス導入口７３と、右側壁に形成されキャリアガスが排出されるパージ口７４と、下面に形成され、カラム１１の入口端に接続されたカラム接続口７５と、右側壁に形成され、筐体７１の内部に注入された試料ガスの一部をキャリアガスとともに排出するスプリット口７６とを有する。
【０００６】
試料導入口７２には、略円柱形状のシリコンゴム製のセプタム７２ａが配置され、セプタム７２ａがセプタムナット７２ｂによって下方に押し付けられることで上部筐体７１ｂに固定されている。このようなセプタム７２ａにおいて、分析者が分析を行う際に、試料Ｓが収容されたマイクロシリンジ９０の針９１をセプタム７２ａに突き刺すことにより、筐体７１の内部に試料Ｓを滴下することができるようになっている。そして、セプタム７２ａは弾力性を有しているので、針９１が挿入されたときに開いた孔は、針９１が抜去されると即座に閉塞することになる。
【０００７】
下部筐体７１ａの内部には、ガラスインサート７７ａが円環形状のシールリング７７ｂによって支持されて配置されている。このようなガラスインサート７７ａにおいて、分析する際に分析者が、マイクロシリンジ９０の針９１をガラスインサート７７ａに形成された内部空間の上部に配置することで、ガラスインサート７７ａの内部空間を試料Ｓが上側から下側へと通過しながら気化していくことになる。
【０００８】
なお、上部筐体７１ｂは、シールナット７７ｃによって下方に押し付けられることで上部筐体７１ｂに固定されている。
また、カラム接続口７５は、カラム１１の入口端に接続され、カラムナット７５ａによって固定されている。
【０００９】
ガス供給源５２には、キャリアガスが封入されている。そして、ガス供給源５２は、ガス導入管の一端部が接続され、さらにガス導入管の他端部は、流量計５１ａと制御バルブ５１ｂとを介してキャリアガス導入口７３に接続されている。
流量計５１ａは、キャリアガスの流量Ｈ１を設定時間間隔Δｔ１（例えば、６、１８、２４０、３６０ミリ秒間間隔）で測定するものである。
このような構成により、流量計５１ａでキャリアガスの流量Ｈ１を設定時間間隔Δｔ１で測定しながら制御バルブ５１ｂを制御することで、キャリアガス導入口７３に供給されるキャリアガスの流量Ｈ１を調整することができるようになっている。
【００１０】
スプリット口７６には、ガス排出管の一端部が接続され、さらにガス排出管には、制御バルブ５１ｆとスプリットベント５１ｇとが配置されている。よって、制御バルブ５１ｆが開いているときには、一定割合の流量Ｈ４のキャリアガスがスプリット口７６を通って排出されるようになっている。
パージ口７４には、ガス排出管の一端部が接続され、さらにガス排出管には、筐体７１の内部の圧力を検出する圧力計５１ｃと制御バルブ５１ｄとが配置されている。よって、制御バルブ５１ｄが開いているときには、一定割合の流量Ｈ３のキャリアガスがパージ口７４を通って排出されるようになっている。
【００１１】
検出器６０は、例えば、ＦＩＤ（水素炎イオン化検出器）、ＦＰＤ（水素炎光光度検出器）、ＴＣＤ（熱伝導度検出器）等であり、流量Ｈ５のメイクアップガスを燃焼させたり放出させたりして使用するものである。
ガス供給源８１には、メイクアップガスが封入されている。そして、ガス供給源８１は、ガス導入管の一端部が接続され、さらにガス導入管の他端部は、制御バルブ８２ａと圧力センサ８２ｂと抵抗管８２ｃとを介して検出器６０に接続されている。
圧力センサ８２ｂは、ガス導入管内の圧力を設定時間間隔Δｔ１（例えば、６、１８、２４０、３６０ミリ秒間間隔）で測定するものである。
このような構成により、圧力センサ８２ｂと抵抗管８２ｃとでメイクアップガスの流量Ｈ２を設定時間間隔Δｔ１で測定しながら制御バルブ８２ａを制御することで、検出器６０に供給されるメイクアップガスの流量Ｈ２を調整することができるようになっている。
【００１２】
コンピュータ１２０においては、ＣＰＵ（制御部）１２１やメモリ（記憶部）１２２を備え、さらにキーボードやマウス等を有する入力装置２３と、表示装置２４とが連結されている。また、ＣＰＵ１２１が処理する機能をブロック化して説明すると、ヒータ１３等を制御する温度制御部１２１ａと、ラジアルファン１４を制御するファン制御部１２１ｂと、キャリアガスコントローラ１５１及びメイクアップガスコントローラ８２を制御する流量制御部１２１ｃと、検出器６０からの信号を受信する分析制御部１２１ｄとを有する。
【００１３】
流量制御部１２１ｃは、入力装置２３によってキャリアガスの流量が「線速度一定」で「流量Ｆ」となるように入力されることにより、設定時間間隔Δｔ１で流量計５１ａで測定された流量Ｈ１を取得することで「線速度一定」で「流量Ｆ」となるように、制御バルブ５１ｂや制御バルブ５１ｆや制御バルブ５１ｄを制御したり、入力装置２３によってキャリアガスの流量が「圧力一定」で「圧力Ｐ」となるように入力されることにより、設定時間間隔Δｔ１で圧力計５１ｃで測定された圧力を取得することで「圧力一定」で「圧力Ｐ」となるように、制御バルブ５１ｂや制御バルブ５１ｆや制御バルブ５１ｄを制御したりする。
なお、「線速度一定」とは、単位時間あたりにカラム１１の断面積を通過するキャリアガスの体積が一定であるように制御することを言う。また、「圧力一定」とは、圧力計５１ｃで検出される圧力が一定となるように制御することを言う。
【００１４】
また、入力装置２３によって分析用温度と分析時間とが入力されることにより、温度制御部１２１ａがヒータ１３に通電電力を供給することによって空気を加熱して、ファン制御部１２１ｂがモータに通電電力を供給することによってラジアルファン１４を回転させて加熱された空気を循環させることにより、ハウジング１０の内部を均一の分析用温度にすることができるようになっている。このとき、温度制御部１２１ａは、ハウジング１０の内部の温度が分析用温度より低いときには、排気扉と吸気扉３７とを閉じるとともに、ヒータ１３への通電電力を上昇させることにより、空気を加熱していくことになる。一方、ハウジング１０の内部の温度が分析用温度より高くなったときには、ヒータ１３への通電電力を減少させるとともに、排気扉と吸気扉３７とを開けることにより、外部の室温の空気を吸気口３３から導入するとともに、加熱された一部の空気を排気口から外部に排出している。
【００１５】
ところで、ガス供給源５２に封入されるキャリアガスやガス供給源８２に封入されるメイクアップガスとして、ヘリウムが利用されることが多い。これは、ヘリウムが、理論段数と呼ばれるカラム１１の性能、つまり分配効率の点で窒素、アルゴン等の他のガスに比較して優れている、或いは安定していることによる。しかし、ヘリウムガスは資源枯渇が憂慮されており、その価格は上昇する傾向にある。
そのため、水素ガスも理論段数の点ではヘリウムと同様に優れているので、分析のランニングコストの観点から、水素ガスをキャリアガスやメイクアップガスとして利用したいという強い要望がある。
【００１６】
ところが、ガスクロマトグラフ装置１０１では、試料気化室７０のセプタム７２ａやガラスインサート７７ａの交換、またカラムオーブン２のカラム１１の交換等、日常のメンテナンスを欠かすことができない。よって、交換後にセプタム７２ａやガラスインサート７７ａやカラム１１等の接続部に弛みやシール不足が起こることもあり、セプタム７２ａやガラスインサート７７ａやカラム１１等の接続部からキャリアガスがカラムオーブン１０の内部に漏出することがある。そのため、キャリアガスが水素ガスである場合、ハウジング１０の高温の内部において爆発限界濃度を越えると爆発の危険性が高いので、水素ガスの使用が避けられていた。なお、水素ガスの爆発限界濃度は４％程度であると言われている。
【００１７】
そこで、キャリアガスとして水素ガスを使用するに際し、水素ガスが漏出した場合の対策が取られたガスクロマトグラフ装置が開示されている（例えば、特許文献１参照）。このようなガスクロマトグラフ装置では、カラムオーブンの内部から回収したガスに含まれる水素を水素ガスセンサにより検出し、水素ガスの漏れを検知したときにキャリアガスとして水素を供給する水素発生装置を停止させるようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１８】
【特許文献１】特開平５−３４６４２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
しかしながら、上述したようなガスクロマトグラフ装置では、水素ガスセンサを特別に設置する必要があった。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本件発明者らは、上記課題を解決するために、キャリアガスやメイクアップガスとして水素ガスやその他の可燃性ガスを利用した場合に、可燃性ガスを検知する可燃性ガスセンサを特別に設置する必要がなく安全性を高めることができる方法について検討を行った。そこで、カラム１１に供給される可燃性ガスの流量が、カラムオーブン２のハウジング１０の内部から外部に排出される気体の流量α以下にすることで、ハウジング１０の内部において可燃性ガスが爆発限界濃度を越えるのを防止することができることを見出した。
【００２１】
すなわち、本発明のガスクロマトグラフ装置は、ハウジングと、前記ハウジングの内部に配置されるカラムと、前記ハウジングの内部で空気を加熱するヒータとを備えるカラムオーブンと、前記カラムの入口端に試料を供給する試料気化室と、前記試料気化室にキャリアガスを供給するとともに、当該キャリアガスの流量を設定時間間隔で測定する第一流量計を有するキャリアガス供給部と、前記カラムの出口端に接続された検出器と、前記ヒータ及びキャリアガス供給部を制御する制御部とを備えるガスクロマトグラフ装置であって、前記キャリアガスは、可燃性ガスであり、前記ハウジングの内部における爆発限界濃度の可燃性ガスの存在を判定するため、カラムオーブンのハウジングの内部から外部に拡散・放出されるキャリアガスの流量である流量閾値を記憶する記憶部を備え、前記制御部は、前記カラムに供給される可燃性ガスの流量が流量閾値以上であるときには、前記ヒータへの電力供給を停止させるとともに、前記試料気化室への可燃性ガスの供給を停止させるようにしている。
【００２２】
ここで、「設定時間間隔」とは、任意の時間間隔であり、例えば、流量計の検出速度によって予め決められる時間間隔である。
本発明のガスクロマトグラフ装置によれば、制御部は、カラムに供給される可燃性ガスの流量が流量閾値以上である場合に、ハウジングの内部に爆発限界濃度の可燃性ガスが存在しようとしていると判定する。制御部は、ハウジングの内部に爆発限界濃度の可燃性ガスが存在しようとしていることを認識すると、直ちにヒータへの電力供給を停止させるとともに、可燃性ガスを供給することを停止させる。それによって、カラムオーブンの内部の温度が下がり、ハウジングの内部に存在する可燃性ガスは外部に吐き出されるため、引火の危険性を回避することができる。
【発明の効果】
【００２３】
以上のように、本発明のガスクロマトグラフ装置によれば、キャリアガスやメイクアップガスとして水素ガスやその他の可燃性ガスを利用した場合に、可燃性ガスセンサを特別に設置する必要がなく安全性を高めることができる。また、カラムがキャリアガスを遮断された状態で高温に晒されて劣化することを防止することができる。
【００２４】
（他の課題を解決するための手段及び効果）
また、上記の発明において、前記試料気化室は、前記カラムの入口端に可燃性ガスを供給する供給流路と、外部に可燃性ガスを排出する排出流路とを有し、前記キャリアガス供給部は、前記排出流路を流通する可燃性ガスの流量を設定時間間隔で測定する第二流量計を有し、前記制御部は、前記第一流量計で測定された流量から前記第二流量計で測定された流量を減算した流量が流量閾値以上であるときには、前記ヒータへの電力供給を停止させるとともに、前記カラムの入口端への可燃性ガスの供給を停止させるようにしてもよい。
【００２５】
そして、上記の発明において、前記検出器にメイクアップガスを供給するとともに、当該メイクアップガスの流量を設定時間間隔で測定する第三流量計を有するメイクアップガス供給部を備え、前記メイクアップガスは、可燃性ガスであり、前記制御部は、前記第一流量計で測定された流量と前記第三流量計で測定された流量との合計流量から、前記第二流量計で測定された流量と前記検出器で使用された流量とを減算した流量が流量閾値以上であるときには、前記ヒータへの電力供給を停止させるとともに、前記カラムの入口端への可燃性ガスの供給を停止させるようにしてもよい。
ここで、「第三流量計」は、メイクアップガスの流量を設定時間間隔で測定することができればよく、圧力計と抵抗管との組み合わせで代用してもよい。
【００２６】
さらに、上記の発明において、前記制御部は、前記設定時間間隔より長い時間間隔となる流量に基づいて、前記ヒータへの電力供給を停止させるとともに、前記カラムの入口端への可燃性ガスの供給を停止させるようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明に係るガスクロマトグラフ装置の一例の概略構成図。
【図２】従来のガスクロマトグラフ装置の一例の概略構成図。
【図３】試料気化室とキャリアガスコントローラの拡大断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、本発明の実施形態について図面を用いて説明する。なお、本発明は、以下に説明するような実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の態様が含まれることは言うまでもない。
【００２９】
図１は、本発明に係るガスクロマトグラフ装置の一例の概略構成図である。なお、上述したガスクロマトグラフ装置１０１と同様のものについては、同じ符号を付している。
ガスクロマトグラフ装置１は、カラムオーブン２と、試料が導入される試料気化室７０と、キャリアガスを供給するキャリアガスコントローラ（キャリアガス供給部）５１と、検出器６０と、メイクアップガスを供給するメイクアップガスコントローラ（メイクアップガス供給部）８２と、カラムオーブン２とキャリアガスコントローラ５１とメイクアップガスコントローラ８２とを制御するコンピュータ２０とを備える。
そして、本発明に係るガス供給源５２、８１には、水素ガスが封入されている。
【００３０】
スプリット口７６には、ガス排出管の一端部が接続され、さらにガス排出管には、制御バルブ５１ｆとスプリットベント５１ｇと第二流量計５１ｉとが配置されている。よって、制御バルブ５１ｆが開いているときには、一定割合の流量Ｈ４のキャリアガスがスプリット口７６を通って排出されるようになっている。なお、第二流量計５１ｉは、キャリアガスの流量Ｈ４を設定時間間隔Δｔ１（例えば、６、１８、２４０、３６０ミリ秒間間隔）で測定するものである。
また、第二流量計５１ｉ、５１ｈは、圧力計５１ｃの圧力、及び制御バルブ５１ｆ、５１ｄの流路抵抗やバルブ開閉速度から流量を計算すれば、仮想的な流量計とすることができる。
【００３１】
パージ口７４には、ガス排出管の一端部が接続され、さらにガス排出管には、筐体７１の内部の圧力を検出する圧力計５１ｃと制御バルブ５１ｄと第二流量計５１ｈとが配置されている。よって、制御バルブ５１ｄが開いているときには、一定割合の流量Ｈ３のキャリアガスがパージ口７４を通って排出されるようになっている。なお、第二流量計５１ｈは、キャリアガスの流量Ｈ３を設定時間間隔Δｔ１（例えば、６、１８、２４０、３６０ミリ秒間間隔）で測定するものである。
【００３２】
コンピュータ２０においては、ＣＰＵ（制御部）２１やメモリ（記憶部）２２を備え、さらにキーボードやマウス等を有する入力装置２３と、表示装置２４とが連結されている。また、ＣＰＵ２１が処理する機能をブロック化して説明すると、ヒータ１３等を制御する温度制御部２１ａと、ラジアルファン１４を制御するファン制御部２１ｂと、キャリアガスコントローラ５１及びメイクアップガスコントローラ８２を制御する流量制御部２１ｃと、検出器６０からの信号を受信する分析制御部２１ｄとを有する。
【００３３】
メモリ２２には、ハウジング１０の内部における爆発限界濃度（例えば、４％）の水素ガスの存在を判定するための流量閾値α１（例えば、５００ｍＬ／ｍｉｎ）が予め記憶されている。流量閾値α１は、カラムオーブン２のハウジング１０の内部から外部に排出される気体の流量であり、設計者等によってハウジング１０の構造（隙間の大きさ）等から予め決められてメモリ２２に記憶されることになる。
【００３４】
流量制御部２１ｃは、入力装置２３によってキャリアガスの流量が「線速度一定」で「流量Ｆ」となるように入力されることにより、設定時間間隔Δｔ１で第一流量計５１ａで測定された流量Ｈ１を取得することで「線速度一定」で「流量Ｆ」となるように、制御バルブ５１ｂや制御バルブ５１ｄや制御バルブ５１ｆを制御したり、入力装置２３によってキャリアガスの流量が「圧力一定」で「圧力Ｐ」となるように入力されることにより、設定時間間隔Δｔ１で圧力計５１ｃで測定された圧力を取得することで「圧力一定」で「圧力Ｐ」となるように、制御バルブ５１ｂや制御バルブ５１ｄや制御バルブ５１ｆを制御したりする。
【００３５】
また、流量制御部２１ｃは、分析中に設定時間間隔Δｔ１で、第一流量計５１ａで測定された流量Ｈ１と、第二流量計５１ｈで測定された流量Ｈ３と、第二流量計５１ｉで測定された流量Ｈ４と、圧力センサ８２ｂで測定された圧力とを取得することで、下記式（１）に示すように、流量Ｈ１と、圧力センサ８２ｂ及び抵抗管８２ｃ（第三流量計）で算出された流量Ｈ２との合計流量（Ｈ１＋Ｈ２）から、流量Ｈ３と流量Ｈ４と検出器６０で使用された流量Ｈ５とを減算した流量が流量閾値α１以上になったか否かを設定時間間隔Δｔ１で判定する。そして、流量閾値α１以上になったと判定したときには、カラム１１の入口端と検出器６０とにおいて、直ちに水素ガスの供給を停止させるように制御バルブ５１ｂや制御バルブ８２ａを制御するとともに、直ちにヒータ１３への電力供給を停止させるように温度制御部２１ａへ信号を出力する。このとき、ハウジング１０の内部に溜まった水素ガスの排出を促進するために、ラジアルファン１４の回転速度を上昇させて風量を増大するようにしてもよい。
（Ｈ１＋Ｈ２）−（Ｈ３＋Ｈ４＋Ｈ５）≧α１    ・・・（１）
【００３６】
以上のように、本発明のガスクロマトグラフ装置１によれば、キャリアガスやメイクアップガスとして水素ガスを利用した場合に、水素ガスセンサを特別に設置する必要がなく安全性を高めることができる。また、カラム１１が水素ガスを遮断された状態で高温に晒されて劣化することを防止することができる。
【００３７】
＜他の実施形態＞
＜１＞上述したガスクロマトグラフ装置１では、カラム１１の入口端と検出器６０とに水素ガスの供給を停止させる構成を示したが、検出器６０がＦＩＤやＦＰＤやＴＣＤでないときには水素ガスを供給する必要がないため、下記式（２）に基づいてカラム１１の入口端への水素ガスの供給を停止させるような構成としてもよい。
Ｈ１−（Ｈ３＋Ｈ４）≧α１    ・・・（２）
【００３８】
＜２＞上述したガスクロマトグラフ装置１では、式（１）に基づいてカラム１１の入口端と検出器６０とに水素ガスの供給を停止させる構成を示したが、式（３）に基づいてカラム１１の入口端と検出器６０とに水素ガスの供給を停止させるような構成としてもよい。なお、このときには、第二流量計５１ｈと第二流量計５１ｉとを設置する必要はない。
（Ｈ１＋Ｈ２）−Ｈ５≧α１    ・・・（３）
【００３９】
＜３＞上述したガスクロマトグラフ装置１では、式（１）に基づいてカラム１１の入口端と検出器６０とに水素ガスの供給を停止させる構成を示したが、式（４）に基づいてカラム１１の入口端と検出器６０とに水素ガスの供給を停止させるような構成としてもよい。
（Ｈ１×Δｔ２＋Ｈ２×Δｔ２）−（Ｈ３×Δｔ２＋Ｈ４×Δｔ２＋Ｈ５×Δｔ２）≧α１×Δｔ２    ・・・（４）
ただし、（Δｔ２／Δｔ１）＝ｎであり、ｎは正の整数である。
なお、このときには、流量閾値α１以上になったか否かを設定時間間隔Δｔ１で判定してもよく、設定時間間隔Δｔ２で判定してもよい。
このようなガスクロマトグラフ装置によれば、短時間であればα１ｍＬ／ｍｉｎを超えたガスを流しても、その前後のガス量をα１ｍＬ／ｍｉｎ以下に制限することで、ハウジング１０の内部の水素ガスの濃度が爆発限界濃度に達しないことを利用し、短時間ではあるが流量を増やすことができる。
【産業上の利用可能性】
【００４０】
本発明は、ガスクロマトグラフ装置に利用することができる。
【符号の説明】
【００４１】
１  ガスクロマトグラフ装置
２  カラムオーブン
１０  ハウジング
１１  カラム
１３  ヒータ
２１  制御部
２２  メモリ（記憶部）
５１  キャリアガスコントローラ（キャリアガス供給部）
５１ａ  第一流量計
６０  検出器
７０  試料気化室
【図１】
0005845966.tif 000002
【図２】
0005845966.tif 000003
【図３】
0005845966.tif 000004