(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハロゲン元素とＧａとを含有し、ハロゲン元素の含有量がＭｇの量を１００モルとしたときに０．０１〜０．２０モルの範囲にある酸化マグネシウム粉末であって、ＢＥＴ比表面積が０．２〜３ｍ2／ｇの範囲にあり、波長１７２ｎｍの真空紫外光を含む励起光により励起させることによって２７０〜３５０ｎｍの波長範囲に発光ピークを持つ紫外光を発生する酸化マグネシウム粉末。
【請求項２】
上記紫外光の２７０ｎｍにおける発光強度が、３００ｎｍにおける発光強度よりも小さい請求項１に記載の酸化マグネシウム粉末。
【請求項３】
ハロゲン元素がＦ又はＣｌである請求項１もしくは２に記載の酸化マグネシウム粉末。
【請求項４】
Ｇａの含有量が、Ｍｇの量を１００モルとしたときに０．００１〜５０モルである請求項１もしくは２に記載の酸化マグネシウム粉末。
【請求項５】
ハロゲン元素の含有量に対するＧａの含有量が、モル比で０．５〜３００の範囲にある請求項１もしくは２に記載の酸化マグネシウム粉末。
【請求項６】
請求項１もしくは２に記載の酸化マグネシウム粉末を含む発光材料。
【請求項７】
蛍光ランプのガラスの内側に配置された、請求項１もしくは２に記載の酸化マグネシウム粉末を含む紫外光発光層。
【請求項８】
請求項１もしくは２に記載の酸化マグネシウム粉末に真空紫外光を照射することを特徴とする紫外光を発生させる方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、酸化マグネシウム粉末に関する。本発明は特に、真空紫外光で励起させると紫外光を発生する特性を有する酸化マグネシウム粉末に関する。
【背景技術】
【０００２】
酸化マグネシウム粉末に特定の元素を添加することによって、真空紫外光で励起させると紫外光を発生する特性が発現することが知られている。真空紫外光としては、Ｘｅ（キセノン）ガスの放電により発生する波長が１４６ｎｍ（共鳴線発光）もしくは１７２ｎｍ（分子線発光）の真空紫外光が用いられる。
【０００３】
特許文献１には、周期表第IIＢ族元素、好ましくはＺｎ（亜鉛）を固溶させた酸化マグネシウム粉末は、電子線又は紫外線で励起させると波長２６０〜３３０ｎｍの範囲にピークを持つ発光（この文献ではこの発光をフォトルミネッセンス発光と呼んでいる）を示すことが記載されている。この文献の実施例では、Ｚｎを固溶させた酸化マグネシウム粉末を波長１７２ｎｍの真空紫外光で励起させている。なお、この文献には、上記酸化マグネシウム粉末は、紫外線領域でフォトルミネッセンス発光を示すために、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）の保護膜上又は背面板上に配置することで放電速度を向上することができるとともに、ＰＤＰの駆動電圧を低減することができるとの記載がある。
【０００４】
特許文献２には、Ｆ（フッ素）を含有するフッ素含有酸化マグネシウム粉末が、Ｘｅガスの放電により発生する紫外光で励起される波長２５０ｎｍ付近にピークを有する紫外光を発光することが記載されている。
【０００５】
特許文献３には、Ｃｌ（塩素）を含有する塩素含有酸化マグネシウム粉末が、Ｘｅガスの放電により発生する紫外光で励起される波長２５０ｎｍ付近（２３０〜２６０ｎｍの範囲）にピークを有する紫外光を発光することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１０−１２６４１３号公報
【特許文献２】特開２００７−２５４２６９号公報
【特許文献３】特開２００８−２３９４７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、波長１７２ｎｍの真空紫外光に代表される真空紫外光によって励起されることによって紫外光を発光する新規な発光材料を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者は、前記の特許文献２、３に記載されているＦやＣｌなどのハロゲン元素と共にＧａ（ガリウム）を添加した酸化マグネシウムは、波長１７２ｎｍの真空紫外光で励起させることによって２７０〜３５０ｎｍの範囲にピーク波長を持つ紫外光を発光することを見出して、本発明を完成させた。
【０００９】
従って、本発明は、ハロゲン元素とＧａとを含有する酸化マグネシウム粉末にある。
【００１０】
本発明の酸化マグネシウム粉末の好ましい態様は、次の通りである。
（１）波長１７２ｎｍの真空紫外光で励起させることによって２７０〜３５０ｎｍの波長範囲に発光ピークを持つ紫外光を発生する発光特性を有する。
（２）ハロゲン元素の含有量が、Ｍｇの量を１００モルとしたときに０．０１〜０．２０モルの範囲にある。
（３）ハロゲン元素がＦ又はＣｌである。
（４）Ｇａの含有量が、Ｍｇの量を１００モルとしたときに０．００１〜５０モルの範囲にある。
（５）ハロゲン元素の含有量に対するＧａの含有量が、モル比で０．５〜３００の範囲にある。
【００１１】
本発明はまた、上記本発明の酸化マグネシウム粉末を含む発光材料にもある。
本発明はさらに、蛍光ランプのガラスの内側に配置された、上記本発明の酸化マグネシウム粉末を含む紫外光発光層、及びプラズマディスプレイパネルの誘電体保護膜又は背面板の上に配置された、上記本発明の酸化マグネシウム粉末を含む紫外光発光層にもある。
【００１２】
本発明はさらにまた、上記本発明の酸化マグネシウム粉末に真空紫外光を照射することを特徴とする紫外光を発生させる方法にもある。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の酸化マグネシウム粉末は、真空紫外光によって励起されることによって２７０〜３５０ｎｍの波長範囲に発光ピークを持つ紫外光を発生する発光材料として使用することができる。本発明の酸化マグネシウム粉末を含む発光材料は、Ｘｅガスの放電により発生する真空紫外光によって発光材料を励起させて２７０〜３５０ｎｍの波長範囲に発光ピークを持つ紫外光を放出する蛍光ランプの紫外光発光源として用いることができる。また、前述の特許文献１（特開２０１０−１２６４１３号公報）に記載されているように、紫外線領域でフォトルミネッセンス発光を示す酸化マグネシウムは、ＰＤＰの保護膜上又は背面板上に配置することで放電速度を向上することができるとともに、ＰＤＰの駆動電圧を低減することができる。従って、本発明の酸化マグネシウム粉末を含む発光層をＰＤＰの保護膜上又は背面板上に配置することによって、ＰＤＰの放電速度を向上させるとともに駆動電圧を低減させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の酸化マグネシウム粉末を紫外光発光源に用いた蛍光ランプの一例の断面図である。
【図２】本発明の酸化マグネシウム粉末を誘電体保護膜の上に配置したＰＤＰの一例の断面図である。
【図３】実施例１で製造した焼成物Ｎｏ．５に波長１７２ｎｍの真空紫外光を照射して得た発光スペクトルである。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明の酸化マグネシウム粉末は、ハロゲン元素とＧａとを含有するハロゲン・Ｇａ含有酸化マグネシウム粉末である。ハロゲン・Ｇａ含有酸化マグネシウム粉末は、真空紫外光で励起させることによって２７０〜３５０ｎｍの波長範囲、特に２９０〜３１０ｎｍの波長範囲に発光ピークを持つ紫外光を発生する発光特性を有する。この発光特性は、ハロゲン元素とＧａとが酸化マグネシウム結晶内に存在することによって発現すると考えられる。但し、ハロゲン元素とＧａの全てが酸化マグネシウム結晶内に存在する必要はない。
【００１６】
ハロゲン・Ｇａ含有酸化マグネシウム粉末に含まれるハロゲン元素は、Ｆ（フッ素）又はＣｌ（塩素）であることが好ましい。ハロゲン元素の含有量は、Ｍｇの量を１００モルとしたときの量として、好ましくは０．０１〜０．２０モルの範囲、特に好ましくは０．０４〜０．１８モルの範囲にある。Ｇａの含有量は、Ｍｇの量を１００モルとしたときの量として、好ましくは０．００１〜５０モルの範囲、より好ましくは０．０１〜４０モルの範囲、特に好ましくは０．０３〜２０モルの範囲にある。ハロゲン元素の含有量に対するＧａの含有量（Ｇａ／ハロゲン）は、モル比で０．５〜３００の範囲にあることが好ましく、０．８〜１２０の範囲にあることが特に好ましい。
【００１７】
ハロゲン・Ｇａ含有酸化マグネシウム粉末は、ＢＥＴ比表面積が０．１〜５ｍ2／ｇの範囲にあることが好ましく、０．２〜３ｍ2／ｇの範囲にあることが特に好ましい。
【００１８】
ハロゲン・Ｇａ含有酸化マグネシウム粉末は、例えば、酸化マグネシウム源粉末、ハロゲン元素源粉末、そしてガリウム源粉末を混合して粉末混合物を得て、次いで該粉末混合物を焼成する方法により製造することができる。
酸化マグネシウム源粉末には、酸化マグネシウム粉末及び加熱により酸化マグネシウム粉末を生成するマグネシウム化合物粉末を用いることができる。マグネシウム化合物粉末の例としては、水酸化マグネシウム粉末、塩基性炭酸マグネシウム粉末、硝酸マグネシウム粉末、シュウ酸マグネシウム粉末及び酢酸マグネシウム粉末を挙げることができる。酸化マグネシウム源粉末には、酸化マグネシウム粉末を用いることが好ましい。酸化マグネシウム粉末は、気相法により製造された酸化マグネシウム粉末であることが好ましい。気相法とは、金属マグネシウム蒸気と酸素含有気体とを気相中にて接触させ、金属マグネシウム蒸気を酸化させて酸化マグネシウム粉末を製造する方法である。
【００１９】
ハロゲン元素源粉末の例としては、ハロゲン化マグネシウム粉末、ハロゲン化ガリウム粉末、ハロゲン化アンモニウム粉末を挙げることができる。ガリウム源粉末の例としては、酸化ガリウム粉末、水酸化ガリウム粉末、炭酸ガリウム粉末、硝酸ガリウム粉末、シュウ酸ガリウム粉末及び酢酸ガリウム粉末を挙げることができる。
【００２０】
酸化マグネシウム源粉末、ハロゲン元素源粉末及びガリウム源粉末を含む粉末混合物の焼成は、外気雰囲気から遮断された雰囲気内で、例えば、蓋を閉じた耐熱性容器内にて行なうことが好ましい。焼成温度は、好ましくは１０００〜１７００℃の範囲、特に好ましくは１２００〜１６００℃の範囲にある。焼成時間は、一般に３０分以上、好ましくは３０分〜１０時間の範囲にある。
【００２１】
ハロゲン・Ｇａ含有酸化マグネシウム粉末はまた、酸化マグネシウム源粉末とガリウム源粉末とを混合して粉末混合物を得て、次いで該粉末混合物をハロゲン含有ガスの存在下で焼成する方法によっても製造することができる。ハロゲン含有ガスの例としては、ハロゲン化水素ガス、ハロゲン含有有機化合物ガス（ＣＦ4，Ｃ2Ｆ6、Ｃ3Ｆ8等）、及びハロゲン化アンモニウム粉末を加熱して気化させたガスを挙げることができる。
【００２２】
次に、ハロゲン・Ｇａ含有酸化マグネシウム粉末の使用例を説明する。
図１は、ハロゲン・Ｇａ含有酸化マグネシウム粉末を紫外光発光源に用いた蛍光ランプの一例の断面図である。図１において、蛍光ランプは、ガラス部材であるガラス管１、ガラス管１の内部空間２に充填された放電ガス、ガラス管１の内壁面に形成された発光層３、ガラス管１の長手方向の両側端部にそれぞれ設けられた一対の電極４ａ、４ｂ、そして電極４ａ、４ｂと外部電源（図示せず）とを電気的に接続するための導電線５ａ、５ｂからなる。内部空間２に充填されている放電ガスには、Ｘｅガスを含む希ガスの混合ガスを用いることができる。図１の蛍光ランプにおいて、電極４ａ、４ｂに電圧を印加すると、内部空間２に充填されている放電ガスが放電して、Ｘｅから波長１７２ｎｍに代表される真空紫外光が発生する。この真空紫外光によって発光層３中のハロゲン・Ｇａ含有酸化マグネシウム粉末が励起されると、２７０〜３５０ｎｍの波長範囲に発光ピークを持つ紫外光が発生する。そしてこの紫外光がガラス管１を通って外部に放出される。
【００２３】
発光層３は、ハロゲン・Ｇａ含有酸化マグネシウム粉末から形成されている。発光層３のハロゲン・Ｇａ含有酸化マグネシウム粉末含有量は、８０質量％以上であることが好ましく、９０質量％以上であることがより好ましい。発光層３の形成方法としては、有機溶剤にハロゲン・Ｇａ含有酸化マグネシウム粉末と有機バインダとを加えて調製した分散液を、ガラス管１に塗布し、乾燥して有機溶剤を揮発させた後、焼成する方法を用いることができる。
【００２４】
図２は、ハロゲン・Ｇａ含有酸化マグネシウム粉末を誘電体保護膜の上に配置したＰＤＰの一例の断面図である。図２において、ＰＤＰ（交流型ＰＤＰ）は、前面板１０と放電ガスが充填された放電空間２０を挟んで対向配置された背面板３０とからなる。
【００２５】
前面板１０は、透明基板１１と、透明基板の上に形成された一対の放電電極１４ａ、１４ｂ（それぞれ、透明電極１２ａ、１２ｂとバス電極１３ａ、１３ｂとからなる）と、放電電極１４ａ、１４ｂを被覆する誘電体層１５と、誘電体層の上に形成された誘電体保護膜１６とからなる。誘電体保護膜１６の表面には、ハロゲン・Ｇａ含有酸化マグネシウム粉末を含む発光層１７が点在している。
【００２６】
透明基板１１の例としてはガラス基板が挙げられる。透明電極１２ａ、１２ｂの材料の例としては、ＩＴＯ、ＺｎＯ及びＳｎＯ2を挙げることができる。バス電極１３ａ、１３ｂの材料の例としては、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒの積層金属材料を挙げることができる。誘電体層１５は、一般に低融点ガラス組成物から形成されている。低融点ガラス組成物の例としては、酸化亜鉛、三酸化二ホウ素及び酸化ケイ素の混合物（ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2）を主成分とするガラス組成物、酸化鉛、三酸化二ホウ素及び酸化ケイ素の混合物（ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2）を主成分とするガラス組成物、酸化鉛、三酸化二ホウ素、酸化ケイ素及び酸化アルミニウムの混合物（ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3）を主成分とするガラス組成物、酸化鉛、酸化亜鉛、三酸化二ホウ素及び酸化ケイ素の混合物（ＰｂＯ−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2）を主成分とするガラス組成物が挙げられる。誘電体層１５の厚さは、１０〜５０μｍの範囲にあることが好ましい。誘電体保護膜１６は、酸化マグネシウムから形成されていることが好ましい。酸化マグネシウムからなる誘電体保護膜は、電子ビーム蒸着法により成形することが好ましい。誘電体保護膜１６の厚さは、０．０１〜５０μｍの範囲にあることが好ましく、０．１〜１０μｍの範囲にあることが特に好ましい。
【００２７】
発光層１７を形成するハロゲン・Ｇａ含有酸化マグネシウム粉末は一次粒子の形で点在していてもよいし、凝集粒子（二次粒子）として点在していてもよい。誘電体保護膜１６の表面に点在するハロゲン・Ｇａ含有酸化マグネシウム粉末の量は、誘電体保護膜の表面をハロゲン・Ｇａ含有酸化マグネシウム粉末が占める占有面積が、誘電体保護膜全体の面積に対して１〜３０％の範囲となる量であることが好ましく、５〜１５％の範囲となる量であることがより好ましい。ハロゲン・Ｇａ含有酸化マグネシウム粉末の占有面積は、走査型電子顕微鏡により得られる誘電体保護膜の拡大写真から測定することができる。発光層１７の形成方法としては、ハロゲン・Ｇａ含有酸化マグネシウム粉末の分散液を誘電体保護膜の上に塗布した後、乾燥する方法を用いることができる。分散液の溶媒の例としては、エチルアルコール、プロピルアルコール、イソプルピルアルコール、ブチルアルコール、イソブチルアルコール、ｓ−ブチルアルコール、ｔ−ブチルアルコールなどのアルコール類、アセトン、エチルメチルケトン、メチルプロピルケトンなどのケトン類を挙げることができる。
【００２８】
放電空間２０には、放電ガスが充填される。放電ガスとしては、一般にＸｅとＮｅの混合ガスが用いられる。背面板３０は、透明基板３１と、透明基板３１の上に形成されたアドレス電極３２と、アドレス電極３２を被覆する誘電体層３３と、放電空間２０を区画する隔壁３４と、誘電体層３３と隔壁３４の表面に形成された蛍光体層３５とからなる。透明基板３１の例としてはガラス基板が挙げられる。アドレス電極３２の材料の例としては、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒの積層金属材料を挙げることができる。誘電体層３３及び隔壁３４は、一般に低融点ガラス組成物からなる。低融点ガラス組成物の例は上記の誘電体層１５と同様である。蛍光体層３５は、一般に赤色発光蛍光体、緑色発光蛍光体及び青色発光蛍光体のうちのいずれかの蛍光体から形成される。蛍光体層３５の上に、ハロゲン・Ｇａ含有酸化マグネシウム粉末を含む発光層を形成してもよい。
【実施例】
【００２９】
［実施例１］
下記の原料を用意した。
１）酸化マグネシウム（ＭｇＯ）粉末
Ａ：純度が９９．９８質量％で、ＢＥＴ比表面積が３５．８ｍ2／ｇである、気相法により製造されたＭｇＯ粉末（５００Ａ、宇部マテリアルズ（株）製）
Ｂ：純度が９９．９８質量％で、ＢＥＴ比表面積が８．７ｍ2／ｇである、気相法により製造されたＭｇＯ粉末（２０００Ａ、宇部マテリアルズ（株）製）
２）フッ化マグネシウム（ＭｇＦ2）粉末
純度が９９．１質量％で、ＢＥＴ比表面積が６．４ｍ2／ｇのもの
３）酸化ガリウム（Ｇａ2Ｏ3）粉末
純度が９９．９９質量％で、ＢＥＴ比表面積が１．１ｍ2／ｇのもの
【００３０】
上記のＭｇＯ粉末、ＭｇＦ2粉末及びＧａ2Ｏ3粉末を、下記の表１に示すモル比にて混合して、粉末混合物を得た。得られた粉末混合物を容量９００ｍＬのアルミナセッターに投入し、アルミナセッターに蓋をして電気炉に入れ、２４０℃／時間の昇温速度で炉内温度を下記表１に記載の焼成温度まで上昇させ、次いで該温度で１８０分間焼成した。その後、炉内温度を２４０℃／時間の降温速度で室温まで冷却した。そして、電気炉からアルミナセッターを取り出して、焼成物Ｎｏ．１〜１４を得た。
【００３１】
表１
────────────────────────────────────────
ＭｇＯ粉末    ＭｇＯ：ＭｇＦ2     ：Ｇａ2Ｏ3            焼成温度
焼成物      の種類              （モル比）                          （℃）
────────────────────────────────────────
Ｎｏ．１      Ａ      １００  ：０．１２９  ：  ０．００２８９    １５００
Ｎｏ．２      Ｂ      １００  ：０．０３２３：  ０．００５７８    １２５０
Ｎｏ．３      Ｂ      １００  ：０．０３２３：  ０．０２８９      １２５０
Ｎｏ．４      Ａ      １００  ：０．０９７０：  ０．０５７８      １２００
Ｎｏ．５      Ｂ      １００  ：０．０３２３：  ０．１４５        １２００
Ｎｏ．６      Ａ      １００  ：０．０８４１：  １．４４          １２５０
Ｎｏ．７      Ａ      １００  ：０．０８４１：  ２．８９          １３００
Ｎｏ．８      Ａ      １００  ：０．０８４１：  ５．７８          １２５０
Ｎｏ．９      Ａ      １００  ：０．０９７０：  ７．７９          １２５０
Ｎｏ．１０    Ａ      １００  ：０．０９７０：１１．２            １２５０
Ｎｏ．１１    Ａ      １００  ：０．０９７０：１３．０            １２５０
Ｎｏ．１２    Ａ      １００  ：０．０９７０：１６．７            １２５０
────────────────────────────────────────
Ｎｏ．１３    Ａ      １００  ：０．０８４１：  ０                １３００
Ｎｏ．１４    Ｂ      １００  ：０          ：  ７．００          １２００
────────────────────────────────────────
【００３２】
［評価］
焼成物Ｎｏ．１〜１４について、Ｍｇ含有量、Ｆ含有量、Ｇａ含有量、ＢＥＴ比表面積そして該焼成物の発光スペクトルを測定した。表２に、Ｍｇ含有量を１００モルとしたときのＦ含有量とＧａ含有量、Ｆ含有量に対するＧａ含有量（Ｇａ／Ｆ）のモル比、ＢＥＴ比表面積を示す。表３に、発光スペクトルから読み取ったピーク波長、最大発光強度及び波長３００ｎｍでの発光強度を示す。なお、Ｍｇ含有量、Ｆ含有量、Ｇａ含有量、及び発光スペクトルは、次の方法により測定した。
【００３３】
［Ｍｇ含有量、Ｆ含有量、Ｇａ含有量の測定方法］
試料の焼成物を塩酸で溶解し、得られた溶液中のＭｇ、Ｆ及びＧａの含有量をそれぞれＪＩＳ−０１０２（工場排水試験方法）の３４．１に記載の方法により測定する。
【００３４】
［発光スペクトルの測定］
試料の焼成物に波長１７２ｎｍの真空紫外光を照射して、焼成物から放出された発光スペクトルを測定する。図３に、焼成物Ｎｏ．５の発光スペクトルを示す。この図３の発光スペクトルから、焼成物Ｎｏ．５は、ピーク波長が２９５ｎｍ、最大発光強度が１９３７５、そして波長３００ｎｍでの発光強度が１８９５４であることが分かる。
【００３５】
表２
────────────────────────────────────────
Ｆ含有量        Ｇａ含有量        Ｇａ／Ｆ      ＢＥＴ比表面積
焼成物      （モル）        （モル）        （モル比）        （ｍ2／ｇ）
────────────────────────────────────────
Ｎｏ．１    ０．１９４      ０．００５７８    ０．０３０      ０．１２
Ｎｏ．２    ０．０４９      ０．０１１６      ０．２４        ０．８７
Ｎｏ．３    ０．０４９      ０．０５７８      １．１９        ０．６３
Ｎｏ．４    ０．１４６      ０．１１６        ０．７９        １．５８
Ｎｏ．５    ０．０４９      ０．２８９        ５．９６        ０．９０
Ｎｏ．６    ０．１２６      ２．８９        ２２．９          ０．６２
Ｎｏ．７    ０．１２６      ５．７８        ４５．８          ０．７３
Ｎｏ．８    ０．１２６    １１．６          ９１．６          １．１０
Ｎｏ．９    ０．１４６    １５．５        １０６．７          １．３０
Ｎｏ．１０  ０．１４６    ２２．４        １５３．７          １．７１
Ｎｏ．１１  ０．１４６    ２６．０        １７８．４          ２．０１
Ｎｏ．１２  ０．１４６    ３３．４        ２２９．８          ２．２０
────────────────────────────────────────
Ｎｏ．１３  ０．１２６      ０                −              １．８２
Ｎｏ．１４  ０            １４．０            −              ４．６７
────────────────────────────────────────
注）Ｆ含有量とＧａ含有量は、Ｍｇ含有量を１００モルとしたときのモル量である。
【００３６】
表３
────────────────────────────────────────
焼成物      ピーク波長（ｎｍ）    最大発光強度    波長３００ｎｍでの発光強度
────────────────────────────────────────
Ｎｏ．１      ３３７                ２１３８            １８２２
Ｎｏ．２      ３３１                ４４６６            ３２０１
Ｎｏ．３      ２９８              １００８５          １００３９
Ｎｏ．４      ２９７              １１４００          １１２３８
Ｎｏ．５      ２９５              １９３７５          １８９５４
Ｎｏ．６      ２９８              １９０５７          １９００５
Ｎｏ．７      ２９６              １６６２５          １６３９９
Ｎｏ．８      ２９９              １２４８８          １２４７４
Ｎｏ．９      ３００              １１２９３          １１２９３
Ｎｏ．１０    ２９９                ８５５６            ８５３５
Ｎｏ．１１    ２９９                ７５０６            ７４８８
Ｎｏ．１２    ３００                ６７１０            ６７１０
────────────────────────────────────────
Ｎｏ．１３    ２４０                ６６７４            １７２８
Ｎｏ．１４    ４２７              １２０２３            ３２１４
────────────────────────────────────────
【００３７】
上記表２及び表３の結果から、ＦとＧａとを含有する酸化マグネシウム粉末は、波長１７２ｎｍの真空紫外光で励起させることによって２７０〜３５０ｎｍの波長範囲に発光ピークを持つ紫外光を発生する発光特性を有することが分かる。これに対して、Ｆのみを含有する酸化マグネシウム粉末（Ｎｏ．１３）は発光ピークの波長が２４０ｎｍで、Ｇａのみを含有する酸化マグネシウム粉末（Ｎｏ．１４）は発光ピークの波長が４２７ｎｍである。
【００３８】
［実施例２］
気相法により製造された酸化マグネシウム粉末（純度：９９．９８質量％、ＢＥＴ比表面積：８．７ｍ2／ｇ、２０００Ａ、宇部マテリアルズ（株）製）１．２４モルと、塩化ガリウム（ＧａＣｌ3）粉末（純度：９９．９質量％）０．０１９９モルとを混合して、粉末混合物を得た。得られた粉末混合物を容量９００ｍＬのアルミナセッターに投入し、アルミナセッターに蓋をして電気炉に入れ、２４０℃／時間の昇温速度で炉内温度を１２００℃まで上昇させ、次いで該温度で１８０分間焼成した。その後、炉内温度を２４０℃／時間の降温速度で室温まで冷却した。そして、電気炉からアルミナセッターを取り出して、焼成物を得た。
【００３９】
得られた焼成物は、Ｍｇの含有量を１００モルとしたときのＣｌの含有量が０．０１１４モルで、Ｇａの含有量が０．４０５モルであり、Ｃｌ含有量に対するＧａ含有量（Ｇａ／Ｃｌ）のモル比は３５．６であった。また、該焼成物を波長１７２ｎｍの真空紫外光で励起したときのピーク波長は３２５ｎｍ、最大発光強度は４７８２、そして波長３００ｎｍでの発光強度は４３９４であった。
【符号の説明】
【００４０】
１  ガラス管
２  内部空間
３  発光層
４ａ、４ｂ  電極
５ａ、５ｂ  導電線
１０  前面板
１１  透明基板
１２ａ、１２ｂ  透明電極
１３ａ、１３ｂ  バス電極
１４ａ、１４ｂ  放電電極
１５  誘電体層
１６  誘電体保護膜
１７  発光層
２０  放電空間
３０  背面板
３１  透明基板
３２  アドレス電極
３３  誘電体層
３４  隔壁
３５  蛍光体層
【図１】
0005844185.tif 000002
【図２】
0005844185.tif 000003
【図３】
0005844185.tif 000004