(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック製の絶縁基板と、該絶縁基板の一方の表面に一体的に形成され、前記絶縁基板と材質を同じくし、前記絶縁基板の表面に設けられた凸部とを備え、前記絶縁基板および前記凸部の内部に、これら前記絶縁基板および前記凸部を厚み方向に貫通するビア導体を有しているとともに、前記凸部は前記絶縁基板よりも気孔率が高く、かつ前記凸部の側面から前記絶縁基板の前記表面にかけての連続箇所が曲面を成していることを特徴とするセラミック配線基板。
【請求項２】
前記絶縁基板の気孔率を１としたとき、前記凸部の気孔率が１．２〜３であることを特徴とする請求項１に記載のセラミック配線基板。
【請求項３】
請求項１または２に記載のセラミック配線基板の表面に半導体素子を搭載してなる半導体素子実装基板であって、前記半導体素子が前記凸部とは反対側の前記絶縁基板の表面の前記ビア導体の露出した面に搭載されていることを特徴とする半導体素子実装基板。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体素子実装基板がケース内に固定されていることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高放熱性のセラミック配線基板、半導体素子実装基板および半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、電気自動車における駆動用モータのコントローラ等のように、電力を制御する電気回路には、ＭＯＳ−ＦＥＴやＩＧＢＴ等に代表されるパワー半導体素子が用いられている。このようなパワー半導体素子は、大電流の制御を行うことから、動作時に比較的多量の熱が発生する。このため、パワー半導体素子を搭載する配線基板としては、従来より、放熱性に優れるとともに、機械的強度が高いという理由からセラミック配線基板が好適なものとされ、さらに放熱性を改善した種々のセラミック配線基板が提案されている（例えば、特許文献１、２を参照）。
【０００３】
例えば、特許文献１には、半導体素子の搭載面の直下に、絶縁基板を厚み方向に貫通する複数のサーマルビアを設けるようにしたセラミック製の回路基板が示されている。
【０００４】
なお、このようなセラミック製の回路基板は、コントローラ等の半導体装置に組み込まれる場合には、パワー半導体素子から発生する熱を外部へも逃がすことができるように、アルミニウム等の金属製のケースに接着剤などにより固定された構成となっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−１９８６６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、特許文献１に開示されたセラミック配線基板は、絶縁基板の内部に多数のサーマルビアを有していることから放熱性に優れているものの、このようなセラミック配線基板をケースに組み込み、半導体素子を動作させたり、温度サイクル試験などの信頼性試験を行うと、加熱冷却の繰り返しにより、回路基板と接着剤との間の熱膨張係数差に起因して、サーマルビア（以下、ビア導体という。）のある付近の絶縁基板と接着剤との間に剥離が発生しやすいという問題があった。
【０００７】
従って、本発明は、ビア導体のある付近の絶縁基板と接着剤との間の剥離の発生を抑制できるセラミック配線基板と、このセラミック配線基板に半導体素子を実装した半導体素子実装基板、および、この半導体素子実装基板を収容した半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のセラミック配線基板は、セラミック製の絶縁基板と、該絶縁基板の一方の表面に一体的に形成され、前記絶縁基板と材質を同じくし、前記絶縁基板の表面に設けられた凸部とを備え、前記絶縁基板および前記凸部の内部に、これら前記絶縁基板および前記凸部を厚み方向に貫通するビア導体を有しているとともに、前記凸部は前記絶縁基板よりも気孔率が高く、かつ前記凸部の側面から前記絶縁基板の前記表面にかけての連続箇所が曲面を成していることを特徴とする。
【０００９】
本発明の半導体素子実装基板は、上記のセラミック配線基板の表面に半導体素子を搭載してなる半導体素子実装基板であって、前記半導体素子が前記凸部とは反対側の前記絶縁
基板の表面の前記ビア導体の露出した面に搭載されていることを特徴とする。
【００１０】
本発明の半導体装置は、上記の半導体素子実装基板がケース内に固定されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、ビア導体のある付近の絶縁基板と接着剤との間の剥離の発生を抑制できるセラミック配線基板と、このセラミック配線基板に半導体素子を実装した半導体素子実装基板、および、この半導体素子実装基板を収容した半導体装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明のセラミック配線基板の一実施形態を示す断面模式図である。
【図２】本発明の半導体装置の一実施形態を示す断面模式図である。
【図３】本実施形態のセラミック配線基板の製造工程を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
図１は本発明のセラミック配線基板の一実施形態を示す断面模式図である。図２は、本発明の半導体装置の一実施形態を示す断面模式図である。
【００１４】
本実施形態のセラミック配線基板Ａは、セラミック製の絶縁基板１と、この絶縁基板１の一方の表面１Ａに一体的に形成され、絶縁基板１と材質を同じくし、絶縁基板１の表面付近に埋設するように設けられた凸部３とを備えており、これら絶縁基板１および凸部３を厚み方向に貫通するビア導体５を有している。
【００１５】
また、このセラミック配線基板Ａでは、凸部３は絶縁基板１よりも気孔率が高くなっている。これによりビア導体５のある付近の絶縁基板（凸部）と接着剤１４との間の剥離の発生を抑制できるセラミック配線基板Ａを得ることができる。
【００１６】
すなわち、本実施形態のセラミック配線基板Ａは、図１からわかるように、ビア導体５が凸部３とともに絶縁基板１の表面から突き出ている構成となっている。ビア導体５が凸部３内に埋設されているとはいえ、凸部３が絶縁基板１の表面から突出しているために、ビア導体５が絶縁基板１の表面よりも下側に埋設された状態に比べると、ビア導体５の放熱性を高められるという利点を有する。
【００１７】
また、本実施形態のセラミック配線基板Ａでは、ビア導体５の突き出た部分は、絶縁基板１と材質が同じである凸部３により囲まれているが、絶縁基板１の表面から突き出た凸部３（図１の破線で囲った領域）の気孔率を絶縁基板１側よりも高くしているために、凸部３は絶縁基板１（例えば、図１の一点鎖線で囲った領域）よりもヤング率が低くなっている。
【００１８】
セラミック配線基板Ａを電気自動車における駆動用モータのコントローラ等として適用するために接着剤１４を用いてケースなどの筐体に固定し、半導体素子を動作させたり、温度サイクル試験を行うなど環境の温度を変化させると、接着剤１４の熱膨張係数が絶縁基板１の熱膨張係数よりも大きいことに起因して、絶縁基板１の表面において接着剤１４は寸法が変化し、これにより絶縁基板１の表面から突き出たビア導体５とそれを囲んでいる凸部３には絶縁基板１の表面に平行な方向に応力が発生する。
【００１９】
ところが、本実施形態のセラミック配線基板Ａでは、ビア導体５を囲んでいる凸部３の気孔率を絶縁基板１の気孔率よりも高くしてヤング率を低くしているために、絶縁基板１の表面において接着剤１４に熱膨張による寸法の変化が発生しても凸部３に付加される応
力を軽減することができ、これによりビア導体５のある付近の絶縁基板（凸部）と接着剤１４との間の剥離の発生を抑制できる。
【００２０】
この場合、絶縁基板１の気孔率を１としたとき、凸部３の気孔率が１．２〜３倍の比で大きいことが望ましい。絶縁基板１の気孔率を１としたとき、凸部３の気孔率が１．２〜３倍の比であると、凸部３付近のクラックや凸部の先端部の欠けの発生し難い強固なセラミック配線基板Ａを得ることができる。
【００２１】
なお、絶縁基板１の気孔率は５％以下であるのがよく、凸部３の気孔率は１６％以下であるのが好ましい。絶縁基板１の気孔率は５％以下であるとセラミック配線基板Ａの機械的強度を高めることができる。また、凸部３の気孔率が１６％以下であると、凸部３をケース等に当てたときにも欠けなど発生を防止できる。
【００２２】
ここで、気孔率に差を有するというのは、以下の方法により求められる気孔率が０．２％以上異なる場合をいう。絶縁基板１および凸部３の気孔率は、断面研磨した試料の電子顕微鏡写真を用いて、まず、写真上に認められる気孔の総面積を画像解析により求め、次に、その気孔の総面積を写真の面積で除して求めた後、凸部３の気孔率を絶縁基板の気孔率で除して求める。この場合、気孔は最大径が０．１μｍ以上であるものを選択することとし、それ以下の気孔は除くようにする。
【００２３】
また、このようなセラミック配線基板Ａでは、絶縁基板１の表面から突出したビア導体５が絶縁基板１と同じ材料に取り囲まれていることから、ビア導体５の根元の部分と絶縁基板１との間の界面に隙間の無い構造となっている。このためビア導体５の根元の部分と絶縁基板１との間の界面に水分等が浸入し難くなり、絶縁不良等の不具合の発生を防止することが可能になる。
【００２４】
なお、セラミック配線基板Ａとして、下記に示す半導体素子実装基板Ｂのような高機能のセラミック配線基板Ａを形成する場合には、絶縁基板１として、複数のセラミック絶縁層１ａ〜１ｅを積層したものを適用することが望ましい。この場合には、セラミック絶縁層１ａ〜１ｅの層間にパターン配線層やグランド層等の導体層２が設けられる。
【００２５】
セラミック配線基板が、複数のセラミック絶縁層１ａ〜１ｅにより構成される絶縁基板１を有する場合には、図１に示すように、符号１ｅのセラミック絶縁層１ａ〜１ｅの表面側を向いた面に凸部３を有するものとなる。
【００２６】
ここで、凸部３が絶縁基板１の表面に一体的に形成されるというのは、絶縁基板１と凸部３、またはセラミック絶縁層１ｅと凸部３とが同時焼成されて焼結されたものという意味である。
【００２７】
絶縁基板１と材質を同じくするというのは、絶縁基板１および凸部３に含まれる主成分のセラミック成分が同じであるという意味である。ここで、主成分とは、絶縁基板１またはセラミック絶縁層１ａ〜１ｅに含まれるセラミック成分の含有量が８０質量％以上である場合をいう。
【００２８】
なお、絶縁基板１、セラミック絶縁層１ａ〜１ｅおよび凸部３は、高い熱伝導性を有し、かつ高強度であるという点でアルミナを主成分とし、これにＳｉ、ＭｎおよびＭｇなどの添加剤を含有するものが望ましい。
【００２９】
また、ビア導体５が、絶縁基板１および凸部３の内部にて、これら絶縁基板１および凸部３を厚み方向に貫通するとは、図１に示すような絶縁基板１の表面に対して垂直な方向
にビア導体５が配置されているものばかりではなく、絶縁基板１および凸部３の内部において、ビア導体５が電気的に接続され、熱伝導性を確保できる形状であれば、多少、曲がっている場合や層間においてずれているものまで含む意である。
【００３０】
ここで、ビア導体５、導体層２の材料としては、絶縁基板１との同時焼成を可能とする融点を有するものが好適なものとされ、絶縁基板１、凸部３に、例えば、アルミナを主成分とする材料を適用する場合には、タングステンおよびモリブデンのいずれか１種に銅または銀を含ませたものが望ましい。
【００３１】
なお、絶縁基板１の表面に形成された導体層２（凸部３に露出したビア導体３の表面にも導体層２が形成される場合も含む。）については、導体層２の酸化や腐食を抑え、ハンダによる接合性を向上できるという理由から、それらの表面にはニッケルや金のめっき膜をこの順に形成しておくことが望ましい。
【００３２】
本実施形態のセラミック配線基板Ａでは、絶縁基板１と凸部３の端部の連続箇所３ｂは、テーパー状で凸部３の周囲から絶縁基板１の表面へなだらかに連なる曲面を有している（以下、アール形状という場合がある。）ことが望ましい。凸部３の周囲から絶縁基板１の表面へなだらかに連なる曲面がない場合、実装工程等での基板取り扱い時や、ケース１１への基板組み付け時に突起部に応力がかかった際、応力は絶縁基板１と凸部３の垂直な接合部に集中してしまう。その結果、絶縁基板１と凸部３との交点付近を起点としたクラックの発生する恐れがある。凸部３の周囲から絶縁基板１の表面へなだらかに連なる曲面とすることにより、実装工程等に突起部に加わった応力に対する抗力が増加し、絶縁基板１と凸部との交点付近起点とするクラックの発生や、凸部の欠け等を防止することができる。この場合、凸部３の周囲から絶縁基板１の表面へなだらかに連なる曲面の半径は２０〜１００μｍであることが望ましい。２０μｍ未満ではクラック防止効果が十分ではなく、クラックや欠けが発生する可能性があり、１００μｍを超えると隣のビアやパターン等と干渉し、パターン設計の自由度が低下するからである。また、絶縁基板１と凸部３の端部の連続箇所３ｂをアール形状にすると、絶縁基板１と凸部３の端部の連続箇所３ｂ付近への接着剤１４の未充填による空隙の発生を抑えることができる。
【００３３】
本実施形態の半導体素子実装基板Ｂは、上記のセラミック配線基板Ａの表面に半導体素子１３が搭載されたものであり、半導体素子１３が凸部３とは反対側の絶縁基板１の表面のビア導体５の露出した面に搭載されている構成を有している。本実施形態の構成によれば、絶縁基板１および凸部３を厚み方向に貫通するビア導体５の直上にパワー半導体素子等の機能素子を搭載でき、しかも、そのビア導体５がサーマルビアとして優れた放熱性を有することから、放熱性に優れた半導体素子実装基板Ｂを得ることができる。
【００３４】
また、図２に示すように、本実施形態の半導体装置Ｃは、上記の半導体素子実装基板Ｂがケース１１内に固定されているものである。本実施形態の構成によれば、半導体素子実装基板Ｂを構成するセラミック配線基板Ａのビア導体５をケース１１内に直接接触させて固定することが可能となるために、半導体素子１３から発生する熱をセラミック配線基板Ａやケース１１を介して効率良く外部へ逃がすことができる。
【００３５】
すなわち、本実施形態の半導体装置Ｃでは、ビア導体５がセラミック配線基板Ａの表面に突出した凸部３の表面に現れていることから、セラミック配線基板Ａをケース１１に接着剤１４を介して固定する場合においても、接着剤１４が凸部３の表面３ａと部材との間に残ることなく、凸部３の表面３ａに露出したビア導体５とケース１１などの部材とを直接接着させることができる。また、ケース１１などの部材が金属であれば、ビア導体５を接地（アース）端子として共用することも可能となり、ワイヤーボンディング等を用いてセラミック配線基板Ａ上の表面配線層と部材との間で、別途、接地端子を取ることを必要
としない構造にすることもできる。
【００３６】
この場合、絶縁基板１の表面からの凸部３の高さｈは、セラミック配線基板Ａの凸部３の表面とケース１１などの部材との接着力を確保しつつ、放熱性を高められるという理由から５０〜３００μｍであることが望ましい。なお、凸部３の高さｈが５０μｍよりも低い場合には、セラミック配線基板Ａのケースなどの部材との接着性が低下するおそれがあり、一方、凸部３の高さｈが３００μｍを超える場合には、ビア導体５の長さが長くなるために、ビア導体５自体の熱抵抗が増加することに起因して放熱性が低下する場合がある。
【００３７】
次に、本発明のセラミック配線基板、半導体素子実装基板および半導体装置の製造方法について説明する。図３は、本実施形態のセラミック配線基板の製造工程を示す模式図である。
【００３８】
まず、絶縁基板１を形成するためのシート状成形体２１を作製する。その組成は、Ａｌ２Ｏ３粉末を主成分とし、これにＳｉＯ２粉末、Ｍｎ２Ｏ３粉末およびＭｇＯ粉末を所定量添加した混合粉末を用いる。なお、絶縁基板１を着色させる場合にはＭｏＯ３粉末を添加する場合がある。
【００３９】
次に、この混合粉末に対して、有機バインダを溶媒とともに添加してスラリーや混練物を調製した後、これをプレス法、ドクターブレード法、圧延法、射出法などの成形方法を用いてシート状成形体２１を形成する。
【００４０】
次に、このシート状成形体２１に貫通孔を形成し、次いで、この貫通孔内にスクリーン印刷法やディスペンサ等を用いて導体ペーストを注入してビア導体２２を形成し、さらに、必要に応じて、この貫通孔の表面を含むシート状成形体２１の表面の特定の箇所に導体層２となる導体パターン２７を形成する。次に、金型を用いたプレス成形を行って凸部２５を有するシート状成形体２１を形成する。
【００４１】
本実施形態のセラミック配線基板Ａを構成する絶縁基板１は凸部３を有するものであるが、このような凸部２５を有するシート状成形体２１を作製する場合には、成形用の樹脂として、高分子材料からなるバインダと結晶性の樹脂とを混合したものを用い、これらの有機樹脂を添加した混練物を、次に、金型を用いたプレス成形を行って凸部２５を有するシート状成形体２１を形成するのがよい。
【００４２】
なお、凸部２５の周囲からシート状成形体２１の表面へなだらかに連なる曲面を有する形状を有する構造のシート状成形体２１を作製する場合には、図３（ｂ）に示すような専用の金型を用いる。
【００４３】
次に、貫通孔に導体ペーストを充填してビア導体２２を形成し、かつ表面に導体パターン２７を形成したシート状成形体２１を所定の温度条件で焼成することによりセラミック配線基板Ａを作製する。
【００４４】
本実施形態のセラミック配線基板Ａを作製する場合、プレス成形の工程において、シート状成形体２１は、金型の凸部２５によって加圧された部分と、凸部２５の周囲の部分とで、加圧処理されたシート状成形体２１の密度が異なるように成形する。
【００４５】
すなわち、図３（ｂ）に示すように、金型の凸部２５の周囲の部分で加圧された領域２８（凸部３となる）は、凸部２５の部分で加圧された領域２９（凸部３以外の絶縁基板１の表面）に比較してシート状成形体２１の厚みの変化が小さいことから、領域２８は領域
２９に比較してシート状成形体２１における生密度が低くなる。つまり、領域２９は領域２８よりも生密度が高くなっている。
【００４６】
次に、加圧処理されたシート状成形体２１を所定の温度条件で焼成する。こうして得られたセラミック配線基板Ａは、加圧処理されたシート状成形体２１における領域２８（低密度）と領域２９（領域２８よりも高密度）のそれぞれの生密度に依存して焼成後において焼結状態が異なってくる。
【００４７】
生密度が低くなっている領域２８は、加圧処理されたシート状成形体２１の状態で、領域２９よりもセラミック粉末の接し方が弱いために、焼成過程においてもセラミック粉末の成分の拡散が領域２９のセラミック粉末に比べて遅く、このため、この領域２８のセラミック粉末は領域２９のセラミック粉末よりも粒成長が遅くなる。
【００４８】
一方、生密度の高い領域２９は、加圧処理されたシート状成形体２１の状態で領域２８の部分に比較してセラミック粉末が強固に接していることから、焼成過程においてセラミック粉末の成分が拡散しやすく、このためセラミック粉末は粒成長しやすくなる。
【００４９】
その結果、加圧処理されたシート状成形体２１を高密度になるように焼結させても、加圧処理されたシート状成形体２１の密度の低い方の領域２８はセラミック粉末の粒成長の度合いが小さいために、気孔率が高くなり、一方、加圧処理されたシート状成形体２１の密度の高い方の領域２９はセラミック粉末の粒成長の度合いが大きいために、気孔率を低くすることができる。なお、凸部３の気孔率を変化させる場合には、例えば、金型の凹部の深さを変えてプレス成形を行う。
【００５０】
こうして、絶縁基板１と凸部３との間で気孔率が異なり、凸部３における気孔率が絶縁基板１の気孔率よりも高いセラミック配線基板Ａを得ることができる。
【００５１】
なお、セラミック絶縁層１ａ〜１ｄとなるシート状成形体２１を作製する場合には、混合粉末に有機バインダと溶媒とを加えて調製したスラリーをドクターブレード法などの成形方法を用いて、別途作製する。シート状成形体に対しても、シート状成形体２１と同様の方法により貫通孔２５に導体ペーストを充填し、その表面に導体パターン２７を形成する。導体ペーストとしては、タングステンおよびモリブデンのいずれか１種に銅または銀を含ませたものに有機バインダを混合したものを用いるのがよい。
【００５２】
その後、焼成して得られたセラミック配線基板Ａ上の導体層２の表面に必要に応じてめき膜を形成する。
【００５３】
次に、セラミック配線基板Ａの導体層２の表面に半導体素子１３を実装して本実施形態の半導体素子実装基板Ｂを作製する。この場合、半導体素子実装基板Ｂの所望とする機能性に応じてコンデンサなどの受動部品やコイル等を実装することもある。
【００５４】
次に、作製したセラミック配線基板Ａまたは半導体素子実装基板Ｂを、例えば、アルミニウム製のケース１１内に接着剤１４を介して固定する。この場合、本実施形態においては、セラミック配線基板Ａをケース１１に接着剤１４を介して固定する場合においても、接着剤１４が凸部３の表面３ａとケース１１との間に残ることなく、凸部３の表面３ａに露出したビア導体５とケース１１などの部材とを直接接着させることができる。こうして、放熱性に優れた半導体装置Ｃを得ることができる。
【実施例】
【００５５】
Ａｌ２Ｏ３粉末９０質量％に対して、ＳｉＯ２粉末を４質量％、Ｍｎ２Ｏ３粉末を４質
量％、ＭｇＯ粉末を１．５質量％、ＭｏＯ３粉末を０．５質量％の割合で混合した後、さらに、有機バインダーとしてアクリル系バインダーを１９質量％、ワックスとしてパラフィンワックスを３質量％、有機溶媒としてトルエンを混合してスラリーを調製した後、ドクターブレード法にて平均厚みが１８５μｍシート状成形体を作製した。
【００５６】
次に、このシート状成形体に対してレーザー加工によって打抜き加工を施し、直径が１７５μｍの貫通孔を形成した。
【００５７】
次に、モリブデン粉末を９５質量％と、アルミナ粉末を５質量％とを混合した粉末に対し、アクリル系バインダーとアセトンを溶媒として混合し、ビア導体用の導体ペーストを調製し、このビア導体用の導体ペーストをスクリーン印刷法によって上記のシート状成形体の貫通孔内に充填した。
【００５８】
次に、銅粉末を３５質量％と、タングステン粉末を６５質量％とを混合した粉末に対し、アクリル系バインダーとアセトンを溶媒として混合し、導体層用の導体ペーストを調製し、ビア導体用の導体ペーストを充填したシート状成形体の表面にスクリーン印刷法によって導体層となる導体パターンを形成した。
【００５９】
得られた成形体に対し、金型による加熱プレスを行い、凸部の形状を形成した。この時、金型の凹部の深さを変えることにより絶縁基板および凸部の気孔率を変化させた。
【００６０】
次に、露点＋２５℃の窒素水素混合雰囲気にて脱脂を行なった後、引き続き、１０００℃から焼成温度の１３５０℃までを５０℃／時間の昇温速度で昇温し、焼成温度にて露点＋２５℃の窒素水素混合雰囲気にて１時間保持した後、１０００℃までを１００℃／時間の降温速度で冷却した。
【００６１】
その後、得られたセラミック配線基板の導体層の表面に平均厚みが４．５μｍの無電解ニッケルめっき膜と平均厚みが０．０５μｍの無電解Ａｕめっき膜を形成した。
【００６２】
このようにして得られたセラミック配線基板を各２枚準備し、１枚をケースを模擬したアルミニウム板に組み付けた。まずアルミニウム板に対し、セラミック配線基板の凸部を避けるようにエポキシ系の接着剤を塗布した。この試料サンプルを用いて、−４０〜１５０℃、４０００サイクルの熱衝撃評価を実施した。その後、セラミック配線基板を取り外し、凸部と接着剤との界面の剥離の有無を４０倍の顕微鏡にて観察した。
【００６３】
次に、２枚目は、ケースに対し、セラミック配線基板が傾いた状態で圧力がかかる場合を想定し、アルミニウム板に対して１０度の角度で、１００Ｎの強さでセラミック配線基板を押し付けた。その後、セラミック配線基板を取り外し、凸部のクラック、欠けの有無を４０倍の顕微鏡にて観察した。
【００６４】
絶縁基板および凸部の気孔率は、断面研磨した試料の電子顕微鏡写真を用いて、まず、写真上に認められる気孔の総面積を画像解析により求め、次に、その気孔の総面積を写真の面積で除して求めた後、凸部の気孔率を絶縁基板の気孔率で除して求めた。この場合、気孔は最大径が０．１μｍ以上であるものを選択することとし、それ以下の気孔は除くようにした。
【００６５】
比較例として、シート状成形体の全体を、上記した凸部を有する金型を用いた成形時の凸部の領域が受ける圧力と同じ圧力で加圧した後（試料Ｎｏ．２に用いた金型）、焼成し、ビア導体および凸部となる領域を除く部分を切削加工して、絶縁基板の表面に凸部が埋設した構造のセラミック配線基板を作製した。結果を表１に示す。
【００６６】
【表１】
0005876312.tif 000002
【００６７】
表１から明らかなように、試料Ｎｏ．２〜６では、ビア導体のある付近の絶縁基板と接着剤との間の剥離が無かった。また、試料Ｎｏ．２〜５では、アルミニウム板に対して１０度の角度で、１００Ｎの強さでセラミック配線基板を押し付けた後にも、セラミック配線基板の凸部に欠けが認められなかった。
【００６８】
これに対し、比較例である試料Ｎｏ．１では、ビア導体のある付近の絶縁基板と接着剤との間の剥離が見られた。
【符号の説明】
【００６９】
１・・・・・・・絶縁基板
１ａ〜１ｅ・・・セラミック絶縁層
２・・・・・・・導体層
３、２５・・・・凸部
５・・・・・・・ビア導体
１１・・・・・・ケース
１３・・・・・・半導体素子
１４・・・・・・接着剤
２１・・・・・・シート状成形体
２３・・・・・・貫通孔
２７・・・・・・導体パターン
Ａ・・・・・・・セラミック配線基板
Ｂ・・・・・・・半導体素子実装基板
Ｃ・・・・・・・半導体装置
【図１】
0005876312.tif 000003
【図２】
0005876312.tif 000004
【図３】
0005876312.tif 000005