(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の薄膜個片の上面上にそれぞれ支持層を形成する工程と、
第１基板の下面に設けられた仮固定層が前記支持層の上面および側面の少なくとも一部に接するように前記複数の薄膜個片を前記支持層および前記仮固定層を介し前記第１基板に仮固定する工程と、
前記複数の薄膜個片の下面を第２基板に接合する工程と、
前記支持層および前記仮固定層の少なくとも一方を除去することにより、前記第１基板を前記複数の薄膜個片から剥離する工程と、
を含み、
前記複数の薄膜個片の少なくとも一つは膜厚が他の薄膜個片と異なり、
前記仮固定する工程において、前記仮固定層は、前記支持層の側面の少なくとも一部と接し、前記複数の薄膜個片のいずれとも接しないことを特徴とする薄膜個片の接合方法。
【請求項２】
前記複数の薄膜個片を前記支持層および前記仮固定層を介し前記第１基板に仮固定する工程の前に、前記複数の薄膜個片を第３基板上に配列させる工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の薄膜個片の接合方法。
【請求項３】
複数の薄膜個片の上面上にそれぞれ支持層を形成する工程と、
第１基板の下面に設けられた仮固定層が前記支持層の上面および側面の少なくとも一部に接するように前記複数の薄膜個片を前記支持層および前記仮固定層を介し前記第１基板に仮固定する工程と、
前記複数の薄膜個片の下面を第２基板に接合する工程と、
前記支持層および前記仮固定層の少なくとも一方を除去することにより、前記第１基板を前記複数の薄膜個片から剥離する工程と、
前記複数の薄膜個片を前記支持層および前記仮固定層を介し前記第１基板に仮固定する工程の前に、前記複数の薄膜個片を第３基板上に配列させる工程と、
を含み、
前記第３基板の上面の凹凸は、前記第２基板の上面の凹凸に対応していることを特徴とする薄膜個片の接合方法。
【請求項４】
複数の薄膜個片の上面上にそれぞれ支持層を形成する工程と、
第１基板の下面に設けられた仮固定層が前記支持層の上面および側面の少なくとも一部に接するように前記複数の薄膜個片を前記支持層および前記仮固定層を介し前記第１基板に仮固定する工程と、
前記複数の薄膜個片の下面を第２基板に接合する工程と、
前記支持層および前記仮固定層の少なくとも一方を除去することにより、前記第１基板を前記複数の薄膜個片から剥離する工程と、
を含み、
前記支持層を形成する工程は、第４基板上に配列された前記複数の薄膜個片の少なくとも一つ上に塗布された塗布層から第１支持層を形成する工程と、前記第１支持層上に、前記塗布層より粘性の高い第２支持層を形成する工程を含むことを特徴とする薄膜個片の接合方法。
【請求項５】
前記複数の薄膜個片の少なくとも１つは、オーバーハング部を有することを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の薄膜個片の接合方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜個片の接合方法に関し、例えば、複数の薄膜個片を基板に接合する薄膜個片の接合方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子等を基板に接合する技術が開発されている。例えば、非特許文献１には、ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰをシリコン（Ｓｉ）基板に接合する技術が記載されている。半導体素子等を基板に接合する方法として、基板に複数の薄膜個片を接合する技術が知られている
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００３】
【非特許文献１】イーシーオーシー  ２００９、２０−２４  セプテンバー、２００９、ウィーン、オーストリア（ECOC 2009, 20-24September, 2009, Vienna, Austria）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
複数の薄膜個片を基板に接合するには、例えば、複数の薄膜個片の上面を仮固定層等を介し仮の基板に固定し、薄膜個片の下面を基板に接合する方法を用いる。この場合、薄膜個片の膜厚が薄いため、仮固定層が厚いと、薄膜個片の下面（接合面）が仮固定層により汚染されてしまう可能性がある。一方、仮固定層が薄いと、薄膜個片が仮固定層から脱離してしまう可能性がある。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、薄膜個片の接合面の汚染および薄膜個片の支持層からの脱離を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、複数の薄膜個片の上面上にそれぞれ支持層を形成する工程と、第１基板の下面に設けられた仮固定層が前記複数の薄膜個片の上面および側面の少なくとも一部に接するように前記複数の薄膜個片を前記仮固定層を介し前記第１基板に仮固定する工程と、前記複数の薄膜個片の下面を第２基板に接合する工程と、前記支持層および前記仮固定層の少なくとも一方を除去することにより、前記第１基板を前記複数の薄膜個片から剥離する工程と、を含むことを特徴とする薄膜個片の接合方法である。本発明によれば、薄膜個片の接合面の汚染および薄膜個片の支持層からの脱離を抑制することができる。
【０００７】
上記構成において、前記複数の薄膜個片の少なくとも一つは膜厚が他の薄膜個片と異なる構成とすることができる。
【０００８】
上記構成において、前記複数の薄膜個片を前記仮固定層を介し前記第１基板に仮固定する工程の前に、前記複数の薄膜個片を第３基板上に配列させる工程を含む構成とすることができる。
【０００９】
上記構成において、前記第３基板の上面の凹凸は、前記第２基板の上面の凹凸に対応している構成とすることができる。
【００１０】
上記構成において、前記支持層を形成する工程は、第４基板上に配列された前記複数の薄膜個片の少なくとも一つ上に第１支持層を形成する工程と、前記第１支持層上に、前記第１支持層より粘性の高い第２支持層を形成する工程を含む構成とすることができる。
【００１１】
上記構成において、前記複数の薄膜個片の少なくとも１つは、オーバーハング部を有する構成とすることができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、薄膜個片の接合面の汚染および薄膜個片の支持層からの脱離を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１（ａ）から図１（ｃ）は、比較例に係る薄膜個片の接合方法を示す断面図である。
【図２】図２（ａ）から図２（ｃ）は、実施例１に係る薄膜個片の接合方法を示す断面図（その１）である。
【図３】図３（ａ）および図３（ｂ）は、実施例１に係る薄膜個片の接合方法を示す断面図（その２）である。
【図４】図４（ａ）および図４（ｂ）は、実施例１の変形例を示す断面図である。
【図５】図５（ａ）から図５（ｃ）は、薄膜個片上に支持層を形成する方法を示す断面図（その１）である。
【図６】図６（ａ）から図６（ｃ）は、薄膜個片上に支持層を形成する方法を示す断面図（その２）である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
まず、仮固定層を用いた複数の薄膜個片の接合方法について説明する。図１（ａ）から図１（ｃ）は、比較例に係る薄膜個片の接合方法を示す断面図である。図１（ａ）に示すように、基板３０上に、複数の薄膜個片１０ａから１０ｄを配列させる。例えば、薄膜個片１０ａから１０ｄは膜厚および下面の面積が異なる。また、薄膜個片１０ｄには、オーバーハング部１２が設けられている。このオーバーハング部１２は、トランジスタのゲート電極の形状を反映したものである。このような構造を有する基板３０の表面に対して、下面に仮固定層４０が設けられた基板５０を押圧する。これにより。薄膜個片１０ａから１０ｄが仮固定層４０に埋め込まれる。この後、紫外線を照射することにより、仮固定層４０を硬化させる。
【００１５】
図１（ｂ）に示すように、複数の薄膜個片１０ａから１０ｄを基板３０から剥がし、基板６０に接合させる（矢印参照）。接合の方法としては、薄膜個片１０ａから１０ｄの下面および基板６０の上面に真空槽中でＡｒイオンを照射して、これらの面を活性化する。その後、薄膜個片１０ａから１０ｄと基板６０とを接合する方法がある。また、薄膜個片１０ａから１０ｄと基板６０とを圧接したまま熱処理を加える方法がある。このように、接合の方法は、適宜採用することができる。図１（ｃ）のように、仮固定層４０を溶媒に溶解させることにより、基板５０を複数の薄膜個片１０ａから１０ｄから剥離する（矢印参照）。以上により、基板６０上に薄膜個片１０ａから１０ｄを接合することができる。
【００１６】
図１（ａ）のように、複数の薄膜個片１０ａから１０ｄは、ピンセット等で取り扱いが難しい程度の厚さである。例えば、複数の薄膜個片１０ａから１０ｄのうち少なくとも１つの膜厚は数μｍから数１００μｍである。このため、仮固定層４０を用い、複数の薄膜個片１０ａから１０ｄを仮固定するためには、仮固定層４０の下面と基板３０とのギャップＧ１を狭くすることになる。このため、仮固定層４０の成分により薄膜個片１０ａから１０ｄの下面が汚染されてしまう可能性がある。一方、ギャップＧ１を大きくすると、薄くて上面の面積が小さい薄膜個片１０ｃは、仮固定層４０に接する面積が小さくなってしまう。このため、薄膜個片１０ｃが仮固定層４０から脱離してしまう可能性がある。さらに、薄膜個片１０ｄのように、オーバーハング部１２を有する場合、オーバーハング部１２下に空洞４２が形成される可能性がある。空洞４２が形成された場合、その後接合のため真空槽で真空に引いたり熱処理を加えたりする際に、空洞４２が破裂する可能性がある。
【００１７】
以下の実施例においては、上記問題を解決するため、複数の薄膜個片１０ａから１０ｄの上面に支持層を設ける。
【実施例１】
【００１８】
図２（ａ）から図３（ｂ）は、実施例１に係る薄膜個片の接合方法を示す断面図である。図２（ａ）のように、例えばサファイア基板等の基板３０（第３基板）上に複数の薄膜個片１０ａから１０ｄを配列する。複数の薄膜個片１０ａから１０ｄは、基板３０の上面に置かれているだけでもよいし、基板３０に吸着されていてもよい。複数の薄膜個片１０ａから１０ｄを基板３０に吸着させる方法としては、例えば真空吸着または静電吸着がある。各薄膜個片１０ａから１０ｄの上面には支持層２０が形成されている。支持層２０は少なくとも最も厚い薄膜個片より厚いことが好ましい。支持層２０の膜厚は例えば数μｍから数１００μｍとすることができる。薄膜個片１０ａから１０ｄに形成する支持層２０は全て同じ膜厚である必要はなく、適宜、薄膜個片により異なる膜厚をとることもできる。支持層２０としては、例えばフォトレジストを用いることができる。支持層２０の形成方法については後述する。
【００１９】
図２（ｂ）に示すように、例えばサファイア基板等の基板５０（第１基板）の下面に紫外線硬化接着剤等の仮固定層４０を塗布する。仮固定層４０の厚さは、支持層２０の膜厚等に応じて適宜設定することができる。例えば２０μｍとすることができる。基板５０を支持層２０に押圧する（矢印参照）。これにより、支持層２０の一部が仮固定層４０に埋もれる。これにより、支持層２０の上面の全面及び側面の少なくとも一部が仮固定層４０に接する。基板５０を介し紫外線を照射することにより、仮固定層４０を硬化させる。これにより、仮固定層４０を介し複数の薄膜個片１０ａから１０ｄが基板３０に仮固定される。仮固定層４０として、例えば熱可塑性の樹脂を用いてもよい。しかしながら、仮固定層４０として紫外線硬化接着剤を用いることにより、基板３０の押圧および仮固定をいずれも室温で行なうことができる。
【００２０】
図２（ｃ）に示すように、基板３０を剥離する。複数の薄膜個片１０ａから１０ｄが基板３０上に固定されていない場合は、基板３０を外すだけでよい。また、複数の薄膜個片１０ａから１０ｄが基板３０上に吸着されている場合は、吸着力を開放すればよい。
【００２１】
図３（ａ）に示すように、複数の薄膜個片１０ａから１０ｄの下面を例えばＳｉＣ基板である基板６０（第２基板）の上面に接合させる。接合方法としては、例えば表面活性化接合法（surface
activation bonding）を用いることができる。例えば、超高真空中において、薄膜個片１０ａから１０ｄの下面と基板６０の上面とにＡｒイオン等を照射する。これにより、表面が活性化する。薄膜個片１０ａから１０ｄの下面と基板６０の上面とを常温において密着させることにより、薄膜個片１０ａから１０ｄと基板６０とが接合する。接合の方法しては、薄膜個片１０ａから１０ｄと基板６０とを圧接したまま熱処理を加える方法等、適宜採用することができる。
【００２２】
図３（ｂ）のように、基板５０および６０を支持層２０が可溶な溶媒に湿潤させる。例えば、支持層２０がフォトレジストの場合、溶媒としてアセトン等の有機溶媒を用いることができる。仮固定層４０が複数の薄膜個片１０ａから１０ｅまで達していないため、支持層２０が溶解することにより、基板５０を複数の薄膜個片１０ａから１０ｄから剥離することができる。基板５０の複数の薄膜個片からの剥離は、支持層２０および仮固定層４０の少なくとも一方を除去することにより行なうことができる。以上により、基板６０に複数の薄膜個片１０ａから１０ｄを接合させることができる。
【００２３】
実施例１によれば、図２（ｂ）のように、複数の薄膜個片１０ａから１０ｄの上面上に支持層２０が形成されている。仮固定層４０が、複数の支持層２０の上面および側面の少なくとも一部に接するように複数の薄膜個片１０ａから１０ｄを仮固定する。これにより、仮固定層４０の下面と基板３０とのギャップＧ２を大きくできる。よって、仮固定層４０の成分により複数の薄膜個片１０ａから１０ｄの下面が汚染されることを抑制できる。薄くて上面の面積が小さい薄膜個片１０ｃにおいても、仮固定層４０に接する支持層２０の側面の高さＨを大きくできる。このため、支持層２０が仮固定層４０に接触する面積を大きくできる。よって、複数の薄膜個片１０ｃが仮固定層４０から脱離することを抑制できる。
【００２４】
複数の薄膜個片１０ａから１０ｄは全て同じ大きさでもよい。しかしながら、複数の薄膜個片の少なくとも一つは膜厚が他の薄膜個片と異なる場合、図１（ａ）から図１（ｄ）に示した比較例のように、薄膜個片１０ａから１０ｄが仮固定層４０に埋め込まれる深さが異なってしまう。このため、仮固定層４０を全ての薄膜個片１０ａから１０ｄに合った深さに埋め込むことが難しい。一方、実施例１によれば、支持層２０を仮固定層４０に埋め込むため、全ての薄膜個片１０ａから１０ｄを十分に仮固定することができる。
【００２５】
また、複数の薄膜個片の少なくとも１つがオーバーハング部１２を有する場合、比較例においては、図１（ａ）のように、薄膜個片１０ｄのオーバーハング部１２の下に空洞４２が形成される場合がある。一方、実施例１によれば、支持層２０により、オーバーハング部１２の下を埋め込むことにより、仮固定層４０を用い薄膜個片１０ｄのオーバーハング部１２の下に空洞が形成されることを抑制することができる。
【００２６】
また、実施例１においては、図２（ａ）のように、複数の薄膜個片１０ａを仮固定層４０を介し基板５０に仮固定する工程の前に、複数の薄膜個片１０ａから１０ｄを基板３０上に配列させる。これにより、複数の薄膜個片１０ａから１０ｄの仮面を同一平面上に配置することができる。よって、図３（ａ）のように、基板６０に複数の薄膜個片１０ａから１０ｄを接合する際に、複数の薄膜個片１０ａから１０ｄと基板６０を隙間無く接合させることができる。
【００２７】
図４（ａ）および図４（ｂ）は、実施例１の変形例を示す断面図である。図４（ａ）に示すように、凹凸のある基板３０ａ上に複数の薄膜個片１０ａから１０ｄを配列させる。その後、実施例１の図２（ｂ）から図２（ｃ）の工程を行なう。図４（ｂ）に示すように、基板３０ａの凹凸に対応する凹凸を有する基板６０ａに複数の薄膜個片１０ａから１０ｄを接合させる。その後、図３（ｂ）の工程を行なう。
【００２８】
このように、基板３０ａの上面の凹凸は、基板６０ａの上面の凹凸に対応していることが好ましい。これにより、複数の薄膜個片１０ａから１０ｄと基板６０ａとを隙間無く接合させることができる。
【００２９】
図５（ａ）から図６（ｃ）は、薄膜個片上に支持層を形成する方法を示す断面図である。薄膜個片として薄膜個片１０ｄを例に説明する。図５（ａ）に示すように、例えばＧａＡｓ基板である基板７０（第４基板）上に例えばＡｌＡｓからなる犠牲層７２を挟み半導体デバイスを形成する。半導体デバイスが薄膜個片１０ｄに対応する。半導体デバイスは、例えばIII−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体デバイスである。各半導体デバイス間は基板７０までのエッチングにより分離されている。
【００３０】
図５（ｂ）に示すように、基板７０上にフォトレジストを塗布する。例えば、フォトレジストは、粘性の低い液体状のものを滴下し基板７０の表面に湿潤したのちスピンコートする方法により塗布する。これにより、フォトレジストからなる塗布層が薄膜個片１０ｄ上に形成される。その後プリベークする。これにより、塗布層から第１支持層２２が形成される。フォトレジストは粘性が低いため、オーバーハング部１２の下が空洞になることを抑制できる。
【００３１】
図５（ｃ）に示すように、フォトマスクを用い露光、現像することにより、半導体デバイス（すなわち薄膜個片）毎に第１支持層２２を残存させる。このとき、第１支持層２２の幅は、半導体デバイスと同じ幅でもよいが、図５（ｃ）のように、半導体デバイスよりやや小さくてもよい。なお、第１支持層２２は、フォトレジスト以外の樹脂でもよく、エッチング等により分離してもよい。
【００３２】
図６（ａ）に示すように、第１支持層２２上にフィルム状のレジストを貼り付ける。図６（ｂ）に示すように、フォトマスクを用い露光、現像することにより、第１支持層２２毎に第２支持層２４を残存させる。第２支持層２４の幅は、第１支持層２２と同じ幅でもよいが、図６（ｂ）のように、第１支持層２２と異なっていてもよい。第２支持層２４は、フォトレジスト以外の樹脂でもよく、エッチング等により分離してもよい。第１支持層２２と第２支持層２４とから支持層２０が形成される。
【００３３】
図６（ｃ）に示すように、基板７０を希釈フッ酸中に浸す。ＡｌＡｓからなる犠牲層が選択的に溶解する。これにより、上面に支持層２０が形成された薄膜個片１０ｄが個片化される。図６（ｃ）のように、基板７０から薄膜個片を剥離する方法として、犠牲層をエッチングする方法がある。この方法以外にも、基板を選択的にエッチングする方法、基板を研削研磨する方法等を用いることもできる。
【００３４】
オーバーハング部１２がない場合または第１支持層２２で十分な厚さを確保できる場合には、第２支持層２４を形成せず第１支持層２２を支持層２０とすることもできる。
【００３５】
しかしながら、支持層２０を形成する工程は、基板７０上に配列された複数の薄膜個片の少なくとも一つ上に塗布された塗布層から第１支持層２２を形成する工程と、第１支持層２２上に、塗布層より粘性の高い第２支持層２４を形成する工程を含むことが好ましい。粘性の低い塗布層を塗布することにより第１支持層２２を形成する。これにより、薄膜個片となるデバイスを埋め込み易くなる。粘性の高い第２支持層２４を用いることにより支持層２０を厚く形成することができる。
【００３６】
実施例においては、薄膜個片の例としてIII-Ｖ族化合物半導体デバイスをＳｉＣ基板上に接合する例を説明したが、その他デバイスまたは部品を所望の基板に接合することができる。
【００３７】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００３８】
１０ａ−１０ｄ  薄膜個片
２０            支持層
２２            第１支持層
２４            第２支持層
３０            基板（第３基板）
４０            仮固定層
５０            基板（第１基板）
６０            基板（第２基板）
７０            基板（第４基板）
【図１】
0005845775.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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