(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
横列（５６）及び縦列（５８）として構成された複数のピクセル（５４）を有するピクセル・アレイ（４８）と、
横列（５６）の各々のピクセル（５４）に結合された走査線（９０）と、
縦列（５８）の各々のピクセル（５４）に結合されたデータ線（８８）と
前記走査線（９０）と前記データ線（８８）に結合されたサーキットリと、
を備えたディジタルＸ線検出器（３０）であって、
前記走査線（９０）は、横列（５６）の偶ピクセル（５４Ａ）に結合された第一の走査線（９０Ａ）と、前記横列（５６）の奇ピクセル（５４Ｂ）に結合された第二の走査線（９０Ｂ）とに区分されており、
前記複数のピクセル（５４）の全ての領域でＥＭＩデータと画像データを提供することが可能であり、
前記サーキットリは、
前記偶ピクセルを作動し、前記奇ピクセルからＥＭＩのみのデータと、前記偶ピクセルからの画像データとＥＭＩデータとを収集し、
前記奇ピクセルを作動し、前記偶ピクセルからＥＭＩのみのデータと、前記奇ピクセルからの画像データとＥＭＩデータとを収集し、
前記奇ピクセルのデータ線に隣り合った２本の偶ピクセルのデータ線からの補間されたＥＭＩデータが、前記奇ピクセルからの画像データとＥＭＩデータの補正に使用され、
前記偶ピクセルのデータ線に隣り合った２本の奇ピクセルのデータ線からの補間されたＥＭＩデータが、前記偶ピクセルからの画像データとＥＭＩデータの補正に使用される、
ディジタルＸ線検出器（３０）。
【請求項２】
前記走査線（９０）と、前記第一（９０Ａ）及び第二（９０Ｂ）の走査線との間に結合された奇／偶制御サーキットリ（９８）をさらに含んでいる請求項１に記載のディジタルＸ線検出器（３０）。
【請求項３】
前記奇／偶制御サーキットリ（９８）に結合されており、前記第一の走査線（９０Ａ）又は前記第二の走査線（９０Ｂ）を選択的に作動させる奇／偶制御線（９６）をさらに含んでいる請求項２に記載のディジタルＸ線検出器（３０）。
【請求項４】
各々のピクセル（５４）がスイッチ開閉装置及び光検出器装置を含んでいる、請求項１乃至３のいずれかに記載のディジタルＸ線検出器（３０）。
【請求項５】
前記スイッチ開閉装置は電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）（８０）であり、前記光検出器装置はフォトダイオード（７０）である、請求項４に記載のディジタルＸ線検出器（３０）。
【請求項６】
前記第一の走査線（９０Ａ）は、偶ピクセル（５４Ａ）と定義される横列（５６）の交互のピクセル（５４）に結合され、前記第二の走査線（９０Ｂ）は、奇ピクセル（５４Ｂ）と定義される前記横列（５６）の残りの交互のピクセル（５４）に結合される、請求項１乃至５のいずれかに記載のディジタルＸ線検出器（３０）。
【請求項７】
横列（５６）の前記奇ピクセル（５４Ｂ）は、前記横列（５６）の前記偶ピクセル（５４Ａ）に隣接し、また該偶ピクセル（５４Ａ）により分離されている、請求項６に記載のディジタルＸ線検出器（３０）。
【請求項８】
ディジタルＸ線検出器（３０）への電磁干渉（ＥＭＩ）により生ずる画像アーティファクトを消去する方法（１００）であって、
Ｘ線画像取得時に、画像信号データ及び電磁干渉（ＥＭＩ）信号データを取得するステップ（１０４）と、
ディジタルＸ線検出器パネルのピクセル・アレイの各横列の偶ピクセルのＸ線画像信号を測定するために、前記各横列の前記偶ピクセルに結合されている複数の第一の走査線を作動させるステップ（１０６）であって、前記偶ピクセルは、全ての領域で前記Ｘ線画像信号を測定するために使用される前記複数の第一の走査線を作動させる前記ステップ（１０６）と、
前記ディジタルＸ線検出器パネルの前記ピクセル・アレイの前記各横列の奇ピクセルの前記ＥＭＩ信号を測定するために、前記各横列の前記奇ピクセルに結合されている複数の第二の走査線を非作動にするステップ（１０８）であって、前記奇ピクセルは、全ての領域で前記ＥＭＩ信号を測定するために使用される前記複数の第二の走査線を非作動にする前記ステップ（１０８）と、
前記偶ピクセルのデータ線に隣り合った２本の奇ピクセルのデータ線からの補間されたＥＭＩ信号により前記偶ピクセルから前記ＥＭＩ信号を除去するステップ（１１０）と、
前記ディジタルＸ線検出器パネルの前記ピクセル・アレイの前記各横列の前記奇ピクセルの前記Ｘ線画像信号を測定するために、前記各横列の前記奇ピクセルに結合されている前記複数の第二の走査線を作動させるステップ（１１２）であって、前記奇ピクセルは、全ての領域で前記Ｘ線画像信号を測定するために使用される前記複数の第二の走査線を作動させる前記ステップ（１１２）と、
前記ディジタルＸ線検出器パネルの前記ピクセル・アレイの前記各横列の前記偶ピクセルの前記ＥＭＩ信号を測定するために、前記各横列の前記偶ピクセルに結合されている前記複数の第一の走査線を非作動にするステップ（１１４）であって、前記偶ピクセルは、全ての領域で前記ＥＭＩ信号を測定するために使用される前記複数の第一の走査線を非作動にする前記ステップ（１１４）と、
前記奇ピクセルのデータ線に隣り合った２本の偶ピクセルのデータ線からの補間されたＥＭＩ信号により前記奇ピクセルから前記ＥＭＩ信号を除去するステップ（１１６）と
を備えた方法（１００）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は一般的には、Ｘ線イメージング・システムに関し、さらに具体的には、かかるＸ線イメージング・システムによって取得される画像データへの電磁干渉（ＥＭＩ）の影響を補正する手法に関する。
【背景技術】
【０００２】
様々な設計の多数の放射線イメージング・システムが公知であり、現在用いられている。かかるシステムは一般的には、関心のある被検体に向けられるＸ線の発生に基づく。Ｘ線は被検体を横断してフィルム又はディジタル検出器に衝突する。次第に、かかるＸ線システムに、被検体の介在構造によって減弱、散乱又は吸収を受けたＸ線を検出するディジタル・サーキットリが用いられるようになっている。例えば医用撮像の状況では、かかるシステムを用いて、患者の病気をスクリーニングする又は診断する目的で被検体の内部構造、組織及び器官を視覚化することができる。他の状況では、部品、構造、手荷物、小包及び他の被検体を、内容若しくは構造的健全性を評価するために又は他の目的のために撮像することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許第７４９５２２８号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
診断撮像の分野では、ディジタルＸ線検出器が次第にフィルム・カセットに置き換わりつつある。ディジタルＸ線検出器は一般的には、従来公知のＸ線フィルム手法よりも良好な画質、並びに改善された処理時間、画像記憶及び画像転送を提供する。しかしながら、ディジタルＸ線検出器はＥＭＩの影響を受け易い。ＥＭＩはＸ線画像にアーティファクトを生成し得る。
【０００５】
ＥＭＩの発生源としては、例えばディジタルＸ線検出器の周辺で用いられる様々な電気的及び電子的設備及びシステム等が挙げられる。時間的及び空間的に変化する電磁場は、ディジタルＸ線検出器にゴースト信号を誘発する場合があり、これらの信号が取得画像に画像アーティファクトとして現われる。ＥＭＩの位相、周波数及び振幅に依存して、再構成される画像のアーティファクトは一般的には、基礎画像に重ね合わされた濃淡の平行な横縞の形態を取り得る。かかるアーティファクトは、医療状況での診断時等に注意力を逸らすのみならず画像の実効的活用を損なう場合がある。具体的には、かかるアーティファクトは、画像において可視である筈の微小な又はより詳細な特徴を検出困難にし得る。これらの画像アーティファクトは、ディジタルＸ線イメージング・システムの全体的な画質を劣化させ得る。遮蔽を用いて電磁放射線の振幅を減弱することができるが、この遮蔽はまたＸ線放射線も減弱してＸ線イメージング・システムの全体的な画質を劣化させる。
【０００６】
従って、ＥＭＩに対する感度を低減したディジタルＸ線検出器を設けてアーティファクトのない高品質画像を形成するディジタルＸ線イメージング・システムが必要とされている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示の一観点によれば、ディジタルＸ線検出器が、横列及び縦列として構成された複数のピクセルを有するピクセル・アレイと、横列の各々のピクセルに結合された走査線と、縦列の各々のピクセルに結合されたデータ線とを含んでおり、走査線は、横列の偶ピクセルに結合された第一の走査線と、同じ横列の奇ピクセルに結合された第二の走査線とに区分されている。
【０００８】
本開示のもう一つの観点によれば、ディジタルＸ線検出器への電磁干渉（ＥＭＩ）によって生ずる画像アーティファクトを消去するシステムが、横列及び縦列として構成された複数のピクセルを有するピクセル・アレイと、横列の各々のピクセルに結合された走査線と、縦列の各々のピクセルに結合されたデータ線とを含んでおり、走査線は、横列の偶ピクセルに結合された第一の走査線と、同じ横列の奇ピクセルに結合された第二の走査線とに区分されている。
【０００９】
本開示のさらにもう一つの観点によれば、ディジタルＸ線検出器へのＥＭＩによって生ずる画像アーティファクトを消去する方法が、Ｘ線画像取得時に、画像信号データ及びＥＭＩ信号データを取得するステップと、ディジタルＸ線検出器パネルのピクセル・アレイの各横列の偶ピクセルのＸ線画像信号を測定するために、各横列の偶ピクセルに結合されている複数の第一の走査線を作動させるステップと、ディジタルＸ線検出器パネルのピクセル・アレイの各横列の奇ピクセルのＥＭＩ信号を測定するために、各横列の奇ピクセルに結合されている複数の第二の走査線を非作動にするステップと、奇ピクセルからの測定されたＥＭＩ信号によって偶ピクセルからＥＭＩ信号を除去するステップと、ディジタルＸ線検出器パネルのピクセル・アレイの各横列の奇ピクセルのＸ線画像信号を測定するために、各横列の奇ピクセルに結合されている複数の第二の走査線を作動させるステップと、ディジタルＸ線検出器パネルのピクセル・アレイの各横列の偶ピクセルのＥＭＩ信号を測定するために、各横列の偶ピクセルに結合されている複数の第一の走査線を非作動にするステップと、偶ピクセルからの測定されたＥＭＩ信号によって奇ピクセルからＥＭＩ信号を除去するステップとを含んでいる。
【００１０】
他の様々な特徴、観点及び利点は、添付の図面及びその詳細な説明から当業者には明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】ディジタルＸ線イメージング・システムの実施形態の一例のブロック図である。
【図２】ディジタルＸ線検出器の作用構成要素の実施形態の一例の詳細なブロック図である。
【図３】ディジタルＸ線検出器パネルの実施形態の一例の部分断面模式図である。
【図４】ディジタルＸ線検出器パネルのピクセル・アレイの実施形態の一例の模式図である。
【図５】ディジタルＸ線検出器への電磁干渉（ＥＭＩ）の影響を消去する方法の実施形態の一例の流れ図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
図面を参照して述べると、図１は、ディジタルＸ線イメージング・システム１０の実施形態の一例のブロック図を示している。ディジタルＸ線イメージング・システム１０は、Ｘ線源１２と、該Ｘ線源１２に隣接して設けられているコリメータ１４と、撮像される被検体１６と、ディジタルＸ線検出器３０と、ポジショナ１８とを含んでいる。ポジショナ１８は、Ｘ線源１２及びコリメータ１４に結合されてＸ線源１２及びコリメータ１４の位置決めを制御する機械的制御器である。
【００１３】
ディジタルＸ線イメージング・システム１０は、Ｘ線源１２によって放出されてコリメータ１４を通過したＸ線ビーム２０によって被検体１６の画像を作成するように設計されており、コリメータ１４は、患者、患畜又は物体のような被検体１６が配置されている所望の領域に合わせてＸ線ビーム２０を形成し限定する。Ｘ線ビーム２０の一部は被検体１６を透過し又は被検体１６の周囲を通過して、被検体１６の内部の組織による減弱及び／又は吸収によって変化しながら、ディジタルＸ線検出器３０に向かって進み続けて入射する。実施形態の一例では、ディジタルＸ線検出器３０は、固定式検出器であっても可搬型検出器であってもよい。実施形態の一例では、ディジタルＸ線検出器３０はディジタル・フラット・パネルＸ線検出器であってよい。ディジタルＸ線検出器３０は、検出器表面において受光されるＸ線フォトンを相対的に低いエネルギの光フォトンへ変換し、続いて電気信号へ変換して、これらの電気信号が取得され処理されて被検体１６の内部の解剖学的構造の画像を再構成する。ディジタルＸ線検出器３０は、電磁干渉（ＥＭＩ）を消去して、Ｘ線画像にアーティファクトが形成されるのを防ぐように設計されている。
【００１４】
ディジタルＸ線イメージング・システム１０はさらに、Ｘ線源１２、ポジショナ１８及びディジタルＸ線検出器３０に結合されてＸ線源１２、ポジショナ１８及びディジタルＸ線検出器３０の動作を制御するシステム制御器２２を含んでいる。システム制御器２２は、撮像検査系列のための電力及び制御信号の両方を供給することができる。一般的には、システム制御器２２は、検査プロトコルを実行して取得される画像データを処理するようにＸ線システムの動作を指令する。システム制御器２２はまた、汎用又は特定応用向けコンピュータを基本構成要素とする信号処理サーキットリと、コンピュータによって実行されるプログラム及びルーチン並びに構成パラメータ及び画像データを記憶する付設のメモリ・サーキットリと、インタフェイス回路等とを含み得る。
【００１５】
システム制御器２２はさらに、Ｘ線源１２、ポジショナ１８及びディジタルＸ線検出器３０の動作を調整して取得される画像データを処理するように設計されている少なくとも１基のプロセッサを含み得る。この少なくとも１基のプロセッサは、付設のメモリ・サーキットリに記憶されたルーチンに従って様々な作用を実行することができる。付設のメモリ・サーキットリはまた、構成パラメータ、動作記録、未処理画像データ及び／又は処理済み画像データ等を記憶することができる。実施形態の一例では、システム制御器２２は、取得される画像データを処理するための少なくとも１基の画像プロセッサを含んでいる。
【００１６】
システム制御器２２はさらに、操作者又は利用者が撮像系列を画定し、またシステム構成要素の動作状態及び健全性を決定する等を行なうこと可能にするインタフェイス・サーキットリを含み得る。インタフェイス・サーキットリは、外部装置が画像及び画像データを受け取り、Ｘ線システムの動作を指令し、システムのパラメータを構成設定する等を行なうことを可能にする。
【００１７】
システム制御器２２は、通信インタフェイスを介して様々な外部装置に結合され得る。かかる装置は、例えばＸ線システムと対話（相互作用）し、画像を処理し又は再処理して画像を表示する等を行なう操作者ワークステーション２４を含み得る。例えばトモシンセシス・システムの場合には、操作者ワークステーション２４は、取得される画像データに基づいて被検体の様々なレベルにおいて関心のある画像スライスを作成し又は再構成することができる。他の外部装置としては、表示器２６又はプリンタ２８等がある。一般的には、これらの外部装置２４、２６、２８は、画像取得構成要素に対してローカルに位置していてもよいし、或いはインターネット、構内網及び仮想私設網等のような１又は複数の構成設定可能な網を介して画像取得システムに結合されて、医療施設、医療機関若しくは病院内の別の場所に位置する又は全く異なる場所に位置する等のように画像取得構成要素に対して遠隔に位置していてもよい。かかる遠隔システムは、任意の１又は複数の網リンクによってシステム制御器２２に結合され得る。さらに、操作者ワークステーション２４は表示器２６及びプリンタ２８に結合されることができ、また画像保管通信システム（ＰＡＣＳ）に結合され得ることを特記しておく。かかるＰＡＣＳは、放射線科情報システム若しくは病院情報システムのような遠隔クライアント、又は内部網若しくは外部網に結合されて、異なる位置にいる第三者が画像データを入手し得るようにすることができる。
【００１８】
ディジタルＸ線イメージング・システム１０によって取得されるデータは、システム１０が用いられる状況、及びシステム１０を包囲し又はシステム１０と共に用いられ得る装置に依存して、様々なＥＭＩ発生源（図示されていない）によって損なわれることがあり、取得データと同相の場合もあれば異相の場合もあるような様々な周波数及び振幅のＥＭＩが、収集中の取得データに重ね合わせられて影響を及ぼし得る。ディジタルＸ線イメージング・システム１０は、かかるＥＭＩの特性決定及び補正を可能にし、また補正を施さなければ画像データに存在して、データに基づいて再構成される画像において可視化されていたであろう画像アーティファクトの低減を可能にする。特性決定及び補正自体は、検出器サーキットリ又はシステム制御器２２を含む前述のサーキットリの任意のものにおいて実行され得る。また、所望に応じて、ディジタルＸ線イメージング・システム１０自体から部分的に又は完全に遠隔で行なわれ得る後処理ステップにおいてＥＭＩを特性決定して補正してもよい。
【００１９】
図２は、ディジタルＸ線検出器３０の作用構成要素の実施形態の一例の詳細なブロック図を示す。図２はまた、有線式又は無線式の通信装置及びプロトコルを通じてディジタルＸ線検出器３０の内部の検出器制御サーキットリ３４に結合されている検出器制御器３２を示している。検出器制御器３２は、システム制御器２２に内蔵されていてもよいし、別個の構成要素であってもよい。検出器制御器３２は、少なくとも１基のプロセッサと、メモリ・サーキットリと、ディジタルＸ線検出器３０と連絡してディジタルＸ線検出器３０からの画像取得を制御する他の電子サーキットリとを含んでいる。検出器制御器３２は、動作時にディジタルＸ線検出器３０と信号及び画像データを交換する。検出器制御サーキットリ３４は、内部電源又は外部電源（図示されていない）から電力を受ける。検出器制御サーキットリ３４は、ディジタルＸ線イメージング・システム１０の動作のデータ取得段階時に、ディジタルＸ線検出器パネル４０から画像データを取得するのに用いられる横列電子回路３６及び縦列電子回路３８に、タイミング指令及び制御指令を発するように構成されている。検出器制御サーキットリ３４は電力及び制御信号を参照／調節器サーキットリ４２に伝送し、また参照／調節器サーキットリ４２からディジタル画像データを受け取る。
【００２０】
図３に示すような実施形態の例では、ディジタルＸ線検出器パネル４０は、様々な構成要素が配設されたガラス基材５０を含んでいる。光検知フォトダイオード及びスイッチ開閉薄膜電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を同等の電子回路素子又はピクセル５４として成るアレイを含むアモルファス・シリコン・ピクセル・アレイ４８が、ガラス基材５０の上に配設されている。ピクセル５４はアモルファス・シリコン・ピクセル・アレイ４８の横列及び縦列として構成されている。アモルファス・シリコン・ピクセル・アレイ４８の上にシンチレータ物質６０が設けられており、Ｘ線曝射検査系列時にＸ線放射線を受光する。横列電極６２及び縦列電極６４がガラス基材５０の上に設けられている。横列電極６２及び縦列電極６４と信号を連絡し合う接点フィンガ６６が形成されており、接点フィンガ６６と外部サーキットリとの間で信号を連絡し合う接点リード６８が設けられている。シンチレータ物質６０は、検査時に検出器の表面で受光される入射Ｘ線フォトンを相対的に低いエネルギの光フォトンへ変換する。アモルファス・シリコン・ピクセル・アレイ４８は、光フォトンを、アモルファス・シリコン・ピクセル・アレイ４８の個々のピクセルに入射した光フォトンの数又は光の強度を表わす電気信号へ変換する。読み出し電子回路が、結果として生ずるアナログ信号をディジタル信号へ変換し、これらのディジタル信号を処理し、記憶して、画像の再構成に続いて表示することができる。
【００２１】
図２に戻り、横列バス４４が参照／調節器サーキットリ４２と横列電子回路３６との間に結合されており、ディジタルＸ線検出器パネル４０の様々な横列の読み出しをイネーブルにし、またディスエーブルにする。同様に、縦列バス４６が参照／調節器サーキットリ４２と縦列電子回路３８との間に結合されており、横列が相次いでイネーブルにされている間にディジタルＸ線検出器パネル４０の様々な縦列からの読み出しをイネーブルにし、またディスエーブルにする。ディジタルＸ線検出器パネル４０は、横列５６及び縦列５８として構成されたピクセル５４のアレイを形成している。各々の横列５６は横列電子回路３６に結合され、各々の縦列５８は縦列電子回路３８に結合されている。上述のように、各々のピクセル５４が光検知フォトダイオード７０及びスイッチ開閉ＦＥＴ８０を同じ電子回路に含んでいる。ディジタルＸ線検出器パネル４０のピクセル５４の各々の横列５６が横列電子回路３６によってイネーブルにされると、読み出し電子回路を介して各々のフォトダイオード７０からの信号にアクセスすることができ、これらの信号は、後続の処理及び画像再構成のためにディジタル信号へ変換され得る。
【００２２】
図４は、ディジタルＸ線検出器パネルのピクセル・アレイ４８の実施形態の一例の模式図を示す。ピクセル・アレイ４８は偶及び奇ピクセル５４Ａ、５４Ｂのアレイを含んでおり、これら偶及び奇ピクセル５４Ａ、５４Ｂは、偶及び奇スイッチ開閉ＦＥＴ８０Ａ、８０Ｂと、偶及び奇光検出フォトダイオード７０Ａ、７０Ｂとを、横列５６及び縦列５８として構成して含んでいる。各々の横列５６は走査線９０に結合され、各々の縦列５８はデータ線８８に結合されている。
【００２３】
各々の横列５６の走査線９０は第一の走査線９０Ａと第二の走査線９０Ｂとに区分され、第一の走査線９０Ａは、偶ピクセル５４Ａと定義される横列５６の交互のピクセル又は一つ置きのピクセルに結合され、第二の走査線９０Ｂは、奇ピクセル５４Ｂと定義される同じ横列５６の残りの交互のピクセル又は一つ置きのピクセルに結合され、各奇ピクセル５４Ｂは各偶ピクセル５４Ａに隣接して各偶ピクセル５４Ａによって離隔されている。従って、横列５６の偶ピクセル５４Ａは、横列５６の第一の走査線９０Ａによって同時に制御され、横列の奇ピクセル５４Ｂは、横列５６の第二の走査線９０Ｂによって同時に制御される。さらに詳細に述べると、第一の走査線９０Ａは横列５６の内部の偶ＦＥＴ８０Ａのゲート端子８２Ａに結合され、第二の走査線９０Ｂは横列５６の内部の奇ＦＥＴ８０Ｂのゲート端子８２Ｂに結合されている。
【００２４】
各々のＦＥＴ８０Ａ、８０Ｂは、走査線９０Ａ、９０Ｂに接続されたゲート端子８２Ａ、８２Ｂと、データ線８８に接続されたソース端子８６Ａ、８６Ｂと、フォトダイオード７０Ａ、７０Ｂのカソード７４Ａ、７４Ｂに接続されたドレイン端子８４Ａ、８４Ｂとを含んでいる。フォトダイオード７０Ａ、７０Ｂはまた、カソード７４Ａ、７４Ｂの反対側で共通の接地７８に接続されたアノード７６Ａ、７６Ｂを含んでいる。１列の縦列の全ての偶又は奇ＦＥＴ８０Ａ、８０Ｂのソース端子８６Ａ、８６Ｂは共に接続されて、この縦列５８のデータ線８８に接続される。１列の横列５６の偶ＦＥＴ８０Ａの偶ゲート端子８２Ａは、共に接続されて第一の走査線９０Ａに接続され、同じ横列５６の奇ＦＥＴ８０Ｂの奇ゲート端子８２Ｂは、共に接続されて第二の走査線９０Ｂに接続される。
【００２５】
ピクセル・アレイ４８はさらに、奇／偶制御線９６を含んでおり、奇／偶制御線９６は、アレイ４８の各々の横列５６に結合されて特定の横列５６の第一の走査線９０Ａの作動と第二の走査線９０Ｂの作動との間で選択するように動作する奇／偶制御サーキットリ９８に結合されている。各々の横列５６の走査線９０は、特定の横列５６の奇／偶制御サーキットリ９８に結合されている。
【００２６】
走査線９０及び奇／偶制御線９６を用いて、偶及び奇ＦＥＴ８０Ａ、８０Ｂの作動を制御すると共に対応するフォトダイオード７０Ａ、７０Ｂを充電することを同時に可能にする。フォトダイオード７０Ａ、７０Ｂに跨がる電圧電位は、データ線８８電位と共通の接地７８電位との間の電位差によって形成される。フォトダイオード７０Ａ、７０Ｂはこの電圧電位を電荷の形態で蓄積する。
【００２７】
ＦＥＴ８０Ａ、８０Ｂの偶及び奇ゲート端子８２Ａ、８２Ｂに接続された第一又は第二の走査線９０Ａ、９０Ｂが作動すると、横列５６の偶及び奇ＦＥＴ８０Ａ、８０Ｂはオンとなり又は導通状態に置かれる。ＦＥＴ８０Ａ、８０Ｂの偶及び奇ゲート端子８２Ａ、８２Ｂに接続された第一又は第二の走査線９０Ａ、９０Ｂが非作動になると、横列５６の偶及び奇ＦＥＴ８０Ａ、８０Ｂはオフとなり又は非導通状態に置かれる。
【００２８】
走査線９０Ａ、９０Ｂが特定の横列５６について作動すると、この横列５６において走査線９０Ａ、９０Ｂに接続されている全てのＦＥＴ８０Ａ、８０Ｂがオンとなり、Ｘ線画像データが、関連するフォトダイオード７０Ａ、７０Ｂから読み出し電子回路へ送信されて処理される。全画像についてのＸ線画像データは、ピクセル・アレイ４８の全ての横列５６を相次いで読み出すことにより読み出される。
【００２９】
各々の縦列５８のデータ線８８は、偶ＦＥＴ８０Ａ又は奇ＦＥＴ８０Ｂの偶ソース端子８６Ａ又は奇ソース端子８６Ｂに結合されている。データ線を用いて、フォトダイオード７０からのＸ線画像曝射データにアクセスする（フォトダイオードによって放電される電荷を測定することによる）。このデータが読み出し電子サーキットリへ送信されて、フォトダイオードから放電された電荷量を読み出す。次いで、フォトダイオード７０は初期電荷まで復元される。
【００３０】
各々のフォトダイオード７０Ａ、７０Ｂが電荷収集器として動作し、各々のＦＥＴ８０Ａ、８０Ｂが関連するフォトダイオード７０Ａ、７０Ｂにアクセスするためのスイッチとして動作する。検出器制御器３２によって発生される読み出し指令を用いて、Ｘ線曝射に続いて全てのＸ線画像データを読み出し、アレイ４８の全てのフォトダイオード７０Ａ、７０Ｂの電荷をリセットして、次回のＸ線曝射を待機する。Ｘ線曝射が長時間にわたって行なわれないときには、検出器制御器３２はスクラブ命令を発生してフォトダイオード７０Ａ、７０Ｂの電荷をリセットすることができる。
【００３１】
ゲート端末８２Ａ、８２Ｂに正電圧が印加されるときには、ＦＥＴ８０Ａ、８０Ｂはオンとなり、電流がデータ線８８からフォトダイオード７０Ａ、７０Ｂへ流れる。対応するフォトダイオード７０Ａ、７０Ｂの電荷は、縦列５８のＦＥＴ８０Ａ、８０Ｂのソース端子８６Ａ、８６Ｂに結合されたデータ線８８を通して読み出し電子回路によって測定されて、各々の縦列５８に結合されたアナログ−ディジタル（アナログからディジタルへの）変換器によってディジタル値へ変換されることができ、フォトダイオード７０Ａ、７０Ｂは初期電荷の状態に復元される。ゲート端末８２Ａ、８２Ｂに負電圧が印加されるときには、ＦＥＴ８０Ａ、８０Ｂはオフとなり、フォトダイオード７０Ａ、７０Ｂはデータ線８８から切り離される。
【００３２】
ＥＭＩは、ディジタルＸ線検出器パネルのデータ線及びデータ・モジュールによって捕捉されるものと決定されている。ＥＭＩは走査線の状態に影響されない。換言すると、ＥＭＩによる画像アーティファクトは走査線が作動しているか否かに拘わらず同じであり、ＥＭＩはＦＥＴがオンである（導通している）かオフである（導通していない）かに拘わらず捕捉される。ＥＭＩ信号（振幅、周波数、位相）は、走査線が作動しているか否かに拘わらず同じである。ディジタルＸ線検出器パネルの横列を横断して移動するとＥＭＩは変化し得る。このことは、ＥＭＩは異なるデータ線においては異なり得ることを意味する。また、ＥＭＩ（振幅、周波数、位相）は時間と共に変化し得る。従って、ＥＭＩによる画像アーティファクトを消去するためには、ＥＭＩはＸ線信号と同時に測定されなければならず、ディジタル検出器パネルのピクセル・アレイ全体にわたって測定されなければならない。
【００３３】
Ｘ線画像信号ピクセル値とＥＭＩ信号ピクセル値との結合は、以下の式によって表わされ得る。
【００３４】
【数１】
0005844517.tif 000002
式中、ｐｉ，ｊ（ｔ）は測定された合計ピクセル値であり、ｓｉ，ｊ（ｔ）はＸ線画像信号について測定されたピクセル値であり、ｎｉ，ｊ（ｔ）はＥＭＩ信号について測定されたピクセル値である。ピクセル値は整数によって表わされる。
【００３５】
ｎｊ（ｔ）は、走査線ｉを時刻ｔにおいて非作動とした状態でデータ線ｊにおいて得られたＥＭＩ信号のピクセル値を示すものとする。上の議論から、
【００３６】
【数２】
0005844517.tif 000003
となる。
【００３７】
ｎｊ（ｔ）はｊ及びｔの関数であるが、走査線ｉを非作動とした状態で得られるためｉとは独立であることに留意されたい。
【００３８】
式（１）のｎｉ，ｊ（ｔ）に式（２）を代入すると、式（１）を以下のように書き換えることができる。
【００３９】
【数３】
0005844517.tif 000004
式（３）は、ｐｉ，ｊ（ｔ）が測定されるときに時刻ｔにおけるデータ線ｊのｎｊ（ｔ）が既知であればＥＭＩは除去され得ることを示す。問題は、ｐｉ，ｊ（ｔ）及びｎｊ（ｔ）を同時に得ることができないことである。幸い、隣り合った２本のデータ線の間の信号は極めて近い。従って、ｎｊ−１(ｔ)及びｎｊ＋１(ｔ)を測定してｎｊ(ｔ)を補間によって得ることができる。補間は、ＥＭＩを推定するための隣り合った２本のデータ線の間の隣り合った二つの信号測定値の平均として定義される（式４参照）。
【００４０】
再び図４を参照して述べると、ディジタルＸ線検出器パネルのピクセル・アレイ４８は、横列５６の偶ピクセル５４Ａに結合された第一の走査線９０Ａと、同じ横列５６の奇ピクセル５４Ｂに結合された第二の走査線９０Ｂとを含んでいる。従って、横列５６の奇及び偶ピクセル５４Ｂ、５４Ａは別個に読み出され得る。第一の走査線９０Ａを作動させ第二の走査線９０Ｂを非作動にした状態で、ピクセル５４のあらゆる横列５６を２回読み出すことにより、ｎｊ（ｔ）を補間によって得ることができる。例えば
【００４１】
【数４】
0005844517.tif 000005
このようにして、フォトダイオードｄｉ，ｊ（ｔ）のＥＭＩは以下の式によって除去され得る。
【００４２】
【数５】
0005844517.tif 000006
図５は、ディジタルＸ線検出器へのＥＭＩの影響を消去する方法１００の実施形態の一例の流れ図を示す。具体的には、方法１００は、ディジタルＸ線検出器に対するＥＭＩによって生ずる画像アーティファクトを消去するステップを含んでいる。方法１００の第一のステップは、アレイ４８の全てのフォトダイオード７０Ａ、７０Ｂの電荷を確実にリセットして次回のＸ線曝射を待機するステップである。検出器制御器３２は、ステップ１０２においてスクラブ命令信号を発生してフォトダイオード７０Ａ、７０Ｂの電荷をリセットすることができる。ステップ１０４においてＸ線曝射が開始されて、フォトダイオード７０Ａ、７０ＢはＸ線曝射に基づいて放電される。
【００４３】
ＥＭＩによる画像アーティファクトを消去するためには、ディジタルＸ線検出器パネルのピクセル・アレイ４８の全体にわたってＥＭＩに対応する参照信号を得なければならない。Ｘ線曝射後に、ピクセル・アレイ４８のあらゆる横列５６が２回読み出しされる。ピクセル５４のあらゆる横列５６を２回読み出すことにより、１回は第一の走査線９０Ａを作動させ第二の走査線９０Ｂを非作動にした状態で偶ピクセル５４Ａの画像信号及びＥＭＩ信号を測定すると共に奇ピクセル５４ＢのＥＭＩ信号を測定し、１回は第一の走査線９０Ａを非作動にし第二の走査線９０Ｂを作動させた状態で奇ピクセル５４Ｂの画像信号及びＥＭＩ信号を測定すると共に偶ピクセル５４ＡのＥＭＩ信号を測定する。
【００４４】
ステップ１０６では、１列の横列の第一の走査線９０Ａを作動させて偶ピクセル５４ＡのＸ線画像信号及びＥＭＩ信号を測定する。ステップ１０８では、同じ横列の第二の走査線９０Ｂを非作動にして奇ピクセル５４ＢのＥＭＩ信号を測定する。ステップ１１０では、奇ピクセル５４Ｂからの測定されたＥＭＩ信号を用いて偶ピクセル５４ＡからＥＭＩを除去する。
【００４５】
ステップ１１２では、この横列の第二の走査線９０Ｂを作動させて奇ピクセル５４ＢのＸ線画像信号及びＥＭＩ信号を測定する。ステップ１１４では、同じ横列の第一の走査線９０Ａを非作動にして偶ピクセル５４ＡのＥＭＩ信号を測定する。ステップ１１６では、偶ピクセル５４Ａからの測定されたＥＭＩ信号を用いて奇ピクセル５４ＢからＥＭＩを除去する。
【００４６】
次のステップ１２２は、ピクセル・アレイ４８の次の横列５６に移って上のステップ１０６、１０８、１１０、１１２、１１４及び１１６において議論したのと同じ測定及び動作を実行するステップである。ピクセル・アレイ４８の横列５６の全ての測定及び動作が完了したら、方法はステップ１２０において終了する。
【００４７】
様々な実施態様を参照して本開示を説明したが、当業者であれば、本開示の主旨を逸脱することなく各実施形態に幾つかの置換、変更及び省略を施し得ることを認められよう。従って、以上の説明は例示的であることのみを意図しており、特許請求の範囲に記載されるような本開示の範囲を限定するものではない。
【符号の説明】
【００４８】
１０  Ｘ線イメージング・システム
１２  Ｘ線源
１４  コリメータ
１６  被検体
１８  ポジショナ
２０  Ｘ線ビーム
２２  システム制御器
２４  操作者ワークステーション
２６  表示器
２８  プリンタ
３０  ディジタルＸ線検出器
３２  検出器制御器
３４  検出器制御サーキットリ
３６  横列電子回路
３８  縦列電子回路
４０  ディジタルＸ線検出器パネル
４２  参照／調節器サーキットリ
４４  横列バス
４６  縦列バス
４８  ピクセル・アレイ
５０  ガラス基材
５４  ピクセル
５４Ａ  偶ピクセル
５４Ｂ  奇ピクセル
５６  横列
５８  縦列
６０  シンチレータ物質
６２  横列電極
６４  縦列電極
６６  接点フィンガ
６８  接点リード
７０  フォトダイオード
７０Ａ  偶フォトダイオード
７０Ｂ  奇フォトダイオード
７４  カソード
７６  アノード
８０  ＦＥＴ
８０Ａ  偶ＦＥＴ
８０Ｂ  奇ＦＥＴ
８２  ゲート端子
８４  ドレイン端子
８６  ソース端子
８８  データ線
９０  走査線
９０Ａ  第一の走査線
９０Ｂ  第二の走査線
９６  奇／偶制御線
９８  奇／偶制御サーキットリ
１００  方法
【図１】
0005844517.tif 000007
【図２】
0005844517.tif 000008
【図３】
0005844517.tif 000009
【図４】
0005844517.tif 000010
【図５】
0005844517.tif 000011