(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
シールドと接触する磁気スタックを備える装置であって、前記シールドが、第１の非磁性層から、第２の非磁性層によって水平方向に分離されるとともに、前記磁気スタックに垂直方向に接触する磁性層の水平積層体を備え、前記磁性層が第１のアスペクト比を規定する空気軸受面（ＡＢＳ）における第１の幅と前記ＡＢＳからの第１の長さとを有し、前記ＡＢＳの遠位で異なった第２のアスペクト比を規定する、異なった第２の幅および第１の長さを有する、装置。
【請求項２】
前記磁性層が前記ＡＢＳから前記ＡＢＳに対して遠位の平面まで連続的に延在する、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記第１の非磁性層および前記第２の非磁性層は、前記ＡＢＳに平行な軸に沿って、前記磁性層に位置合わせされる、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記第２の非磁性層がアルミナを含む、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記磁性層は、前記第１の非磁性層と、第３の非磁性層との間に配置され、前記第１の非磁性層と前記第３の非磁性層とは各々第１の物質を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記磁性層は、前記ＡＢＳ上の前記磁気スタックに中心を合わせられる、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記磁性層が第１の幅に沿って連続的に延在し、前記磁気スタックが第２の幅に沿って延在し、前記第１の幅が前記第２の幅よりも大きい、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記磁性層が前記ＡＢＳ上の前記磁気スタックから垂直にオフセットされる、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
各非磁性層が前記ＡＢＳ上の前記磁性層から水平にオフセットされる、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記磁性層および前記非磁性層それぞれが、共通の厚さを有する、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
シールドと接触する磁気スタックを備えるデータ読取装置であって、前記シールドが、第１の非磁性積層体と第２の非磁性積層体との間に配置されるとともに前記磁気スタックに垂直方向に接触する磁性層の水平積層体を備え、前記第１の非磁性積層体は、第１の非磁性層を有し、前記第１の非磁性層は、第２の非磁性層を前記磁性層から分離し、前記第２の非磁性積層体は、第３の非磁性層を有し、前記第３の非磁性層は、前記磁性層を第４の非磁性層から分離し、前記磁性層が第１のアスペクト比を規定する空気軸受面（ＡＢＳ）における第１の幅と前記ＡＢＳからの第１の長さとを有するとともに、前記ＡＢＳに対して遠位で異なった第２のアスペクト比を規定する、異なった第２の幅および第１の長さを有し、少なくとも１の非磁性層が電気接点に接触する、データ読取装置。
【請求項１２】
前記電気接点が前記少なくとも１つの非磁性層と排他的に接触する、請求項１１に記載のデータ読取装置。
【請求項１３】
前記第１のアスペクト比および前記第２のアスペクト比が、それぞれ５：１未満である、請求項１１に記載のデータ読取装置。
【請求項１４】
前記磁気スタックが、固定磁化を有さない二重の磁気自由層を備える、請求項１１に記載のデータ読取装置。
【請求項１５】
少なくとも１つの非磁性層がニッケル合金を含む、請求項１１に記載のデータ読取装置。
【請求項１６】
前記磁性層が前記非磁性層の領域範囲内に存在する、請求項１１に記載のデータ読取装置。
【請求項１７】
前記磁性層がパーマロイを含む、請求項１１に記載のデータ読取装置。
【請求項１８】
第１のシールドであって、第１の非磁性層から、第２の非磁性層によって水平方向に分離されるとともに、磁気スタックに垂直方向に接触する磁性層の水平積層体を備える、第１のシールドを前記磁気スタックに接触させることと、
第１のアスペクト比を規定する空気軸受面（ＡＢＳ）における第１の幅および前記ＡＢＳからの第１の長さと、前記ＡＢＳに対して遠位で異なった第２のアスペクト比を規定する、異なった第２の幅および第１の長さとを有するように、前記磁性層を構成することと、を含む、方法。
【請求項１９】
第２のシールドを前記磁気スタックに接触させることをさらに含み、前記第２のシールドが磁性層および非磁性層の水平積層体を備える、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記第１のシールドおよび前記第２のシールドの前記磁性層および前記非磁性層が、それぞれ垂直に整列される、請求項１９に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、水平積層シールドを備えるデータ読取装置およびその製造方法に関する。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００２】
データビット間を一般的に識別できるデータ記憶装置が、本明細書で様々な実施形態で一般的に列挙される。
【０００３】
様々な非限定的実施形態に従って、磁気スタックは磁性層および非磁性層の水平積層体として構成されるシールドに接触し得、そこで磁性層は、第１のアスペクト比を規定する空気軸受面（ＡＢＳ）における第１の幅を有し、ＡＢＳの遠位で異なった第２のアスペクト比を規定する第２の幅を有する。
【図面の簡単な説明】
【０００４】
【図１】様々な実施形態に従って構成および動作される事例的なデータ記憶システムのブロック図を表示する。
【図２】図１のデータ記憶システムに使用される可能性のあるデータ記憶装置の事例的な部分の等軸測視図である。
【図３】様々な実施形態に従って構成される事例的なデータ読取装置の一部の上面ブロック図を示す。
【図４】様々な実施形態に従って構成および動作される事例的なデータ読取装置の一部をＡＢＳから見たブロック図を提供する。
【図５Ａ】様々な実施形態に従って実行される事例的なシールド製造手順をそれぞれ対応付けして例示する。
【図５Ｂ】様々な実施形態に従って実行される事例的なシールド製造手順をそれぞれ対応付けして例示する。
【発明を実施するための形態】
【０００５】
データ記憶装置およびそれらの構成部品の最小化は、データ記憶容量およびデータアクセス時間を増大させるために、装置の動作能力および信頼性を強調してきた。データビットが回転するデータ記憶媒体上でより密接に連携して記憶されることによって、データ記憶装置の磁気シールドの堅牢性がデータの検知およびプログラミングの速度および正確性に対応し得る。しかしながら、データ読取装置、磁気シールド、およびデータ書込装置のような構成要素の物理的な寸法を縮小させることが、装置の性能を低下させ、そしてより小型の物理的サイズに向けたデータ記憶装置の利点を阻害する可能性のある、磁気的不安定性および不測の静磁気相互作用のような熱機械的な影響を誘発し得る。それ故に、業界の継続的な目標は、特に縮小されたフォームファクタで構築される記憶装置の構成要素の安定性および堅牢性を増大することにある。
【０００６】
これらの問題および業界の目標により、少なくとも磁気スタックが、磁性層が第１のアスペクト比を規定する空気軸受面（ＡＢＳ）における第１の幅とＡＢＳに対して遠位で異なった第２のアスペクト比を規定する異なった第２の幅とを有する磁性層および非磁性層の水平な積層体として構成されるシールドに接触する事例的なデータ記憶装置となった。この合成シールドは、データ記憶装置の熱機械的な性能を低下させることなく、磁性層がサイズ、材料、形状に適した調整を可能ならしめることによって、磁場の堅牢性を増大させ得る。水平積層シールドの磁性層および非磁性層を多様で異なった構成で構築する能力はさらに、磁気スタックに接触する磁性層が、電気リードおよびバイアス磁石などの磁性揮発素子形体からの可能性のある妨害なしで磁気スタックの型式、構成、動作に特に適合することを可能にする。
【０００７】
図１は、様々な実施形態に従って、クラウドネットワークおよび携帯電子機器のような多様なコンピューティング環境において使用され得る事例的なデータ記憶システム１００のブロック図を提供する。データ記憶装置１００は、磁気記憶媒体１１２のデータトラック１１０上に存在するプログラム化されたデータビット１０８上に変換ヘッド１０６の位置決めをするために、プロセッサ１０４により制御される少なくとも１つ以上のアクチュエータ１０２を有し得る。プロセッサ１０４は同時に、データ媒体１１２を回転させるためのスピンドルモータ１１４を制御し得、そして空気軸受面（ＡＢＳ）を形成して、その上で変換ヘッド１０６がデータビット１０８と相互作用するために浮上する。
【０００８】
変換ヘッド１０４は、それぞれにデータ媒体１１２に対してデータをプログラムするために動作し、かつデータ媒体１１２からデータビット１０８を読み取る、磁気書込装置および磁気反応性読取装置のような１つ以上の変換構成要素を備えて構築されてもよい。このような手法において、アクチュエータ１０２およびスピンドルモータ１１４の制御された作動が、データを選択的に書き込み、読み取り、および再書き込みするために空気軸受のサイズで計測されるときに、変換ヘッド１０６の位置をデータトラック１１０に水平に沿っておよび垂直に調節し得る。いくつかの実施形態において、プロセッサ１０４は、有線または無線ネットワークを通じてローカルまたは遠隔に位置決めされ得る少なくとも１つのキャッシュメモリ１１６と通信する。このようなキャッシュメモリ１１６は速いデータ出力能力を提供し、ハイブリッドデータ記憶装置としてデータ媒体１１２の長期の記憶と呼応して機能するソリッドステートメモリアレイとして構成され得る。
【０００９】
データ記憶システム１００はデータビット１０８を書き込みおよび読み取りするための特定の機構に制限されないが、分類された実施形態は、物理的に非常に小さいサイズのデータビットに迅速かつ正確にアクセスし得る磁性抵抗構成要素を利用する。図２は、一般的に、図１のシステム１００のようなデータ記憶システムに実装され得るデータ読取装置１２０の一部の等軸ブロック図を表示する。データ読取装置１２０は、磁気スタック１２８の一部として空気軸受面上（ＡＢＳ）で非磁性バリア層１２６の両側で接触する第１の磁気的自由層１２２および第２の磁気的自由層１２４により、三層センサとして特徴づけられ得る。
【００１０】
データ読取装置１２０を、反強磁性層または永久磁石などの二重の磁気的自由層および固定されない磁化参照構造を備える構成にすることによって、トレーリングシールド１３２とリーディングシールド１３４との間のシールド間間隙１３０を最小化できる。各自由層１２２および１２４に近接してかつ分離したバイアス磁石１３６の配置により、相対するデータビットに対する一定の信頼性のある磁気的応答を提供するそれぞれの自由層１２２および１２４において、デフォルトの磁化方向１３８および１４０を誘導し得る。自由層が外部のデータビットに応答できるようにする一方で、十分に強力なバイアス磁化１４２が自由層のデフォルトの磁化を設定できるようにするために、バイアス磁石１３６は、ＡＢＳに対して遠位で、トレーリング１３２およびリーディング１３４のノッチにまで連続的に延在することにより、磁気スタック１２８よりもＹ軸に沿ってより大きな厚さを持つように構成され得る。
【００１１】
自由層１２２および１２４のデフォルトの磁化１３８および１４０は、第１の自由層１２２と第２の自由層１２４との間の静磁気的結合および層間結合により、所定の強さに設定し得る。静磁気的結合は、磁性材料の形状異方性に関連し、上部自由層および底部自由層のアスペクト比にそれぞれ依存する。デフォルトの磁化１３８および１４０の所定の方向および強さにより、自由層は、データ信号を生成するために相対するデータビットに応答して、それぞれ回転または挟むことができる。シールド間間隙１３０のような磁気スタック１２８の物理的なサイズが低減されることにより、自由層の磁化１３８および１４０が不規則な磁場を検知することで変動に対してより敏感になり、このことが高面密度のデータ記憶装置において増々普及し、強勢になり得る。
【００１２】
このような高面密度装置においては、リーディングシールド１３４およびトレーリングシールド１３２は、望ましくない磁場が磁気スタック１２８の検知精度に及んで影響を及ぼすのを妨げる役割を担っている。しかしながら、ＡＢＳからのシールド長さ１４４がシールド幅１４６よりも小さい５：１のような大きなアスペクト比を持つシールドは、Ｙ軸に沿ったダウントラック方向の磁場に対して堅牢な遮蔽を提供するかもしれないが、脆弱なクロストラック方向の遮蔽に苦しむことになるかもしれない。シールドアスペクト比の低減がクロストラック方向の遮蔽能力を増大させ得る一方で、そのような低減はダウントラック方向の遮蔽堅牢性を縮減させ得る。したがって、複合的で異なったアスペクト比で調整され得るシールドは、高面密度データ記憶環境に関連してフォームファクタ寸法が縮小された場合でも、クロストラック方向およびダウントラック方向の不規則な磁場に対して堅牢になり得る。
【００１３】
３層の磁気スタック１２８が図２に例示されている一方で、隣接境界のようなその他の型式の磁気抵抗積層体は、単一の高アスペクト比の磁場により、性能を減退させ得ることに注意されたい。用語「スタック」は本開示の中では非限定用語であり、磁気的な読み取りおよび書き込みが可能な磁性材料および非磁性材料で構築される１つ以上の垂直または水平に整列される層体となり得ることに注意されたい。本出願全体を通じて、用語「スタック」は、任意の動作環境における外部データビットに対するアクセスを提供するために外部データビットに応答するように構築される構成要素を意味することを理解されたい。例えば、しかし一切の制限をせず、磁気スタックは、複数のデータビット間を識別し得るデータ読取または書込構成となり得る。
【００１４】
図３は、クロストラック方向の浮遊磁場およびダウントラック方向の浮遊磁場の両方に対して複合的なアスペクト比および堅牢性を提供するよう調整され得る水平積層シールド１５２を利用するために、いくつかの実施形態にしたがって構成される事例的なデータ読取装置１５０の上面ブロック図を表示する。合成シールド１５２は、ＡＢＳにおけるＡＢＳの幅１６０によって画定される狭い領域１５８およびＡＢＳに対して遠位で位置決めされる広い領域１６２を有するように成形されるシールドの全体構成において非磁性層１５６間に配置される磁気シールド層１５４を備えて構築される。示されているとおり、トランジション形体１６４は、ＡＢＳの幅１６０をＡＢＳに対する所定の角度θ１で延在する曲面を介してＸ軸に沿ってより広い幅に変化させるが、トランジション形体がいくつもの手法で成形されてもよいことから、このような構成は制限の必要がない。
【００１５】
磁気シールド層１５４を非磁性層１５６の間に配置することで、磁場が任意の電気接点１６６から分離され、磁気領域構成をより複雑にすることによりシールド１５２に磁気的不安定性を誘発する可能性のある磁気シールド層１５４からトポグラフィを除去する。電気接点１６６がリーディングシールドおよびトレーリングシールドのような対向する磁場上の非磁性層１５６に接触することで、遮蔽能力の任意の電気的崩壊を最小化するために、データ読取装置１５０を通過する電気経路ができる限り磁気シールド層１５４を通過しないようにし得る。様々な実施形態において、非磁性層１５６は、約１４．５ｐｐｍ／℃の熱膨張率（ＣＴＥ）係数およびおおよそ２５０ＭＰａの引張り強さ係数を有するＮｉＰまたはＮｉ５０Ｃｕ５０のようなニッケル合金でそれぞれ構築され、一方で、磁気シールド層１５４は、約１１．５ｐｐｍ／℃の熱膨張率（ＣＴＥ）および２５０ＭＰａの引張り強さを有するパーマロイであるが、このような材料構成は必要とされず、または制限するものでもない。
【００１６】
非磁性層１５６の領域範囲内での磁気シールド層１５４の位置が、示されているとおり、第１の幅１６８がＡＢＳに存在し、第２のより広い幅１７０がＡＢＳに対して遠位で位置する場所で、アスペクト比の調整を可能にする。幅のそれぞれの長さ１７２および１７４と組み合わされるこれらの異なる幅１６８および１７０を調整することが、コンカレントで補足的なシールド特性を提供し得る異なるアスペクト比を提供する。すなわち、より幅の広い磁場の幅１７４は幅１６８によって規定されるシールド１５４の部分より大きなアスペクト比に対応して、ダウントラック方向の浮遊磁場を効率的に遮蔽し、一方で、シールド１５４のより小さなアスペクト比の部分がクロストラック方向の浮遊磁場を効率よく遮蔽する。
【００１７】
単一の連続する磁気シールド層１５４における異なったアスペクト比の組合せは、非磁性層１５６がシールド１５２全体に影響を及ぼしながら、熱機械的な性能を維持することによって、データ読取装置１５０に確実な動作能力を提供する。異なる磁場の長さ１７２および１７４は、それぞれのシールド幅１６８および１７０がそれぞれの長さ１７２および１７４の大部分に対して一様で連続となるように、変換形体１７６を介して接続される。磁気シールド層１５４の様々な部分からなる実質的に四角形の構成は同時に異なったアスペクト比を提供し得るが、このような構成は、無制限に多様な磁気シールド層の側壁の形状が利用し得ることから、必要とされず、または制限するものでもない。
【００１８】
例えば、磁気シールド層１５４は、ＡＢＳに対して所定の角度で勾配する直線側壁１７８、または連続した曲線側壁１８０を有し得る。磁気シールド側壁の形状と方向に関係なく、ＡＢＳにおいておよびＡＢＳに対して遠位で異なる幅１６８および１７０を有するために側壁を調整することにより、磁気シールド層１５４において複合的なアスペクト比を提供することで、最適なシールド性能に対応し得る。このようなシールド調整は、いくつかの実施形態において、異なったアスペクト比、磁性層側壁形状、および磁性層幅を持つリーディングシールドおよびトレーリングシールドのようなデータ読取装置の分離したシールドを構築することを含み得る。
【００１９】
図４は、分類された実施形態に従って構成され、様々な実施形態を利用して構築される実際の変換ヘッドのいかなる縮尺または寸法をも反映しない視覚的な図として例示される事例的な変換ヘッド１９０の一部のＡＢＳから見たブロック図である。ヘッド１９０は、非磁性スペーサ層１９６によってデータ読取装置１９４と物理的には接続されるが磁気的には分離され得るデータ書込装置の書込極１９２部分を有する。データ読取装置１９４は、ＡＢＳを横断してデータビットを検知するためにバリア層２０２によって分離される固定磁化構造１９８と自由磁化構造２００の両方を利用される磁気スタック１９６を有している。磁気スタックは、Ｘ軸に沿って側部シールド２０４の間に水平に配置され、かつＹ軸に沿ってリーディングシールド２０６とトレーリングシールド２０８との間に垂直に配置される。
【００２０】
リーディングシールド２０６およびトレーリングシールド２０８それぞれは、磁気スタック１９６の両側に接触する磁気シールド層２１０を持つ合成水平積層体として構築される。磁気シールド層２１０は、上記で検討されているのと同種のまたは異種であり得る複合的な異なったアスペクト比を持つように個々に構成され得る。各磁気シールド層２１０は、磁気シールド層２１０の緩衝物となり、かつ熱機体的な劣化を軽減することに供する非磁性層２１２によって水平的に囲まれる。リーディングシールド２０６およびトレーリングシールド２０８それぞれは、磁性材料または非磁性材料として構築され得、かつ磁気シールド層２１０に近接するが、非磁性層２１２によって分離されて、水平に位置決めされる追加的なシールド層２１４をさらに有し得る。追加的なシールド層２１４の追加は、いくつかの実施形態において、補足的な遮蔽を提供するために、形状、サイズ、位置に関して調整され得る。しかしながら、その他の実施形態は、非磁性層２１２の表面積の増大を可能にするために、リーディングシールド２０６およびトレーリングシールド２０８それぞれから、１つまたは両方の追加的な磁気シールド層２１４を割愛し得る。
【００２１】
非限定的な実施形態で例示されているとおり、リーディングシールド２０６およびトレーリングシールド２０８の組成層の幅は異なり、分類された実施形態に従ってＡＢＳにおけるＹ軸に沿った多様なダウントラック方向の遮蔽を提供するために調整され得る。さらに、いくつかの実施形態は、層体の材料、数量、層体の幅、および層体の位置に適合するリーディングシールド２０６およびトレーリングシールド２０８を構成する。そのような多様な調整の可能性によって、ビットパターン媒体環境および高データビット密度のデータ記憶環境のような分類された浮遊磁場状態がもたらされる広範囲のデータ記憶環境に順応するように、変換ヘッド１９０が構成されることが可能となる。
【００２２】
図５Ａおよび５Ｂは、いくつかの実施形態に従って実施される事例的なシールド製造手順のフローチャートおよび関連する事例的なブロック図をそれぞれ提供する。磁気シールドシード層を堆積させることによって図５のステップ２２２が始まり、それは磁性シード２４４が基板２４６の頂上に位置決めされる図５Ｂの積層体２４０に対応する。シード層２４４は、側部シールドのような任意の基礎をなす表面の頂上に形成されてもよく、特定の基板材の上に堆積される必要はないことに注意されたい。しかるが故に、磁性シード層２４４は、データ変換要素であるリーディングシールドおよびトレーリングシールドを形成するために使用され得る。
【００２３】
ステップ２２４は、次に、磁気シールド層を画定するために、典型的な積層体２５０のフォトレジストマスク２５２のようなマスクを成形する。ステップ２２４は、成形されるシールド側壁と共に複数の異なったアスペクト比の領域を形成することを少なくとも伴い得、それは図１３の側壁１７８および１８０と同種または異種でもよい。積層体２６０は、ステップ２２６における既存のマスクの内側にめっきされる単一で連続的な磁気シールド層２６２を例示する。様々な実施形態が、ステップ２２６を介して層体２６２がその一部となる異種の磁性層の垂直積層体を形成し得る。
【００２４】
磁気シールド層２６２の形成が手順２２０をステップ２２８に進ませ、そこで既存のマスクが剥離され、シールドシード２４４の部分が圧延され、そして非磁気シールド材料が堆積され、これが非磁性シード２７２による積層体２７０において示される。非磁性シード材料は磁性シード層２４４と同種または異種でもよいが、分類される実施形態は、異方性の強さおよび方向のような異なった動作特性を導入するために、磁性シード層および非磁性シード層それぞれにおいて異種の材料および表面粗さを用いている。積層体２７０に示されているとおり、非磁性シード層２７２は、非磁性シードが磁気シールド層２６２の両方の側部間で連続するように少なくとも所定の厚さを伴って、磁気シールド層２６２の垂直な側壁を含む下の層体を連続的に被覆するように堆積され得る。
【００２５】
形成された非磁性シード層２７２に関して、図５のステップ２３０は、層体２８２として積層体２８０に示される非磁性層を形成するためのステップ２３２においてその後にめっきされる非磁性体の範囲を画定するための別のマスクを成形する。マスクがステップ２３０で必要とされるが、いくつかの実施形態はマスクなしで非磁性層を形成する。非磁性シード層２７２のように、非磁性層２８２は、あらゆるマスクが剥離される前に、磁性シード層２６２の両側まで連続的に延在し得、そして非磁性層および非磁性シードは所定の形状に圧延され、そして除去された部分はその後、アルミナのような非磁性材料で埋め戻される。
【００２６】
積層体２９０は、磁気シールド層の上部表面が非磁性層２８２および埋め戻されたアルミナ２９２の両方と平面状になるステップ２３４の後で、一例のシールド構成を提供する。積層体２９０に例示される水平積層シールドの平面状の上部表面は、合成シールドがトレーリングシールドとなる場合には、非磁性スペーサおよび書込極のような任意の数の補足的な層体を形成するために利用され得る。図５Ｂの積層体３００および手順２２０のステップ２３６に関して、合成シールドは、磁気側部シールド３０４の間に配置される磁気スタック３０２のアップトラックに位置決めされるリーディングシールドとして位置決めされる。ステップ２３６は磁気スタックの特定の型式またはサイズに制限されないが、いくつかの実施形態における三重のデータ検知スタックとして、およびその他の実施形態における隣接境界の検知スタックを含む固定磁化として構成され得る。
【００２７】
積層体３００に関して、合成リーディングシールドは、図４に示されている構成のような別の合成トレーリングシールドで補足され得ることを理解されたい。別の水平積層シールドの追加は、磁気スタック３０２および側部シールド３０４の平面状の上部表面の頂上に磁性シード層を堆積させるステップ２２２と共に新たに手順２２０を開始し得る。手順２２０のステップの各々に立ち戻って、様々な組成の層体の様々な材料、形状、および位置は積層体３００に例示される合成リーディングシールドとは異なって変更され得る。例えば、トレーリング合成シールドは、磁気シールド２６２から非磁性層２８２を分離する非磁性シード層２７２の部分を除去する１つのステップを手順２２０に追加してもよい。しかるが故に、手順２２０および積層体３００は制限せず、そして異なって調整されるシールドおよびデータ読取装置の多様な構成を作り出す意志に応じて改良され得る。
【００２８】
データ変換構成要素における１つ以上のシールドの調整が、合成水平積層シールドに、クロストラック方向およびダウントラック方向の堅牢な磁場遮蔽を提供し得る磁性層および非磁性層の両方を提供し得る。合成シールドにおける磁性層の両側に非磁性材料を位置決めすることにより、シールドの磁気シールド層部分に磁性領域の複雑性を増すことなく、シールドの非磁性部分に接続するための電気接点のような形体が可能となり得る。合成シールドの様々な層体は、磁気スタックに関して複数の平面全体の最適な磁気遮蔽を提供するために同時に作用する複合的な異なったアスペクト比を提供するための形状および材料に関して調整され得る。
【００２９】
様々な実施形態が磁気的感知のためのシールドに向けられているが、実施形態がデータ書込用途のようないくつかのその他の用途に利用され得ることを理解されたい。本開示についての多くの特性および構成が上段に記述されているが、様々な実施形態の構成および機能についての説明と相まって、この詳細な説明は例示的なものに過ぎず、特に、追記される請求項が表現されるところの用語の広範囲で一般的な意味によって最大限の範囲で示される本発明の原則の範囲内での部品の構成および配置の面で、詳細において変更され得る。例えば、特定の構成要素は、本発明技術の精神および範囲を逸脱することなく、特定の用途に応じて、変動し得る。 
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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