(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線センサ（１０）であって、
入射放射線に依存する電気信号を提供する１つまたは複数の放射線感知素子（１）と、
前記感知素子を閉じ込め、前記感知素子上への外部からの放射線の入射を可能にするハウジング（４−６）と、
前記放射線センサに電力を供給し、センサ出力信号を出力するための複数の端子（７）と、
前記感知素子の前記電気信号を受け取り、前記感知素子の前記電気信号に応じて前記出力信号を提供する回路（２）と
を備え、
前記回路が、前記放射線センサの外部にある切替可能コンポーネント用のオン／オフ出力信号を生成するための切替信号回路、および／またはマルチビットのシリアル出力信号を提供するためのデジタル出力信号回路を含み、
前記放射線センサが、前記オン／オフ出力信号および前記マルチビットのシリアル出力信号を交互に出力するための１つの出力端子（７ａ）を有し、
前記回路が、誤感知のもとになる熱の発生をもたらす消費電力よりも小さくて動作するように構成される、ことを特徴とする、
センサ。
【請求項２】
イネーブル信号、感度設定信号、切替信号、または持続時間設定信号のうちの１つまたは複数を受け取るための、１つまたは複数の入力端子（７ｄ）を備える、請求項１に記載のセンサ。
【請求項３】
前記ハウジング内に設けられる前記回路の消費電力が、５０μＷよりも小さい、請求項１または２に記載のセンサ。
【請求項４】
４つの端子、すなわち２つの電力端子（７ｂ、７ｃ）、１つの信号出力端子（７ａ）、および１つの入力端子（７ｄ）を有する、請求項１から３のいずれか一項に記載のセンサ。
【請求項５】
前記切替信号回路が、あらかじめ定められた持続時間の、または受け取った入力信号に応じた持続時間の前記オン／オフ出力信号を生成するようになされる、請求項１から４のいずれか一項に記載のセンサ。
【請求項６】
アナログ量をシリアルまたはパラレルデジタル量に変換するためのＡ／Ｄ変換器を備え、前記Ａ／Ｄ変換器の入力は、前記感知素子の前記電気信号またはそこから得られる信号、および前記入力端子の少なくとも１つを介して入力される少なくとも１つの入力信号の間で多重化可能であり得る、請求項２に記載のセンサ。
【請求項７】
前記１つまたは複数の放射線感知素子の参照温度を検出するための、前記回路に接続される温度参照素子を備える、請求項１から６のいずれか一項に記載のセンサ。
【請求項８】
前記感知素子が、サーモパイル、ボロメータ、または焦電感知素子であり、またはそれらを含み、かつ／または２μｍから２０μｍの波長の範囲内で赤外線を検出するようになされる、請求項１から７のいずれか一項に記載のセンサ。
【請求項９】
集中面内に入射放射線を集中させる放射線集中手段（５）と、前記集中面を基準として定義済みの関係で配置される複数の感知素子とを備える、請求項１から８のいずれか一項に記載のセンサ。
【請求項１０】
一対または複数対の極性(polar)感知素子が設けられ、コモンモード抑制を用いて共通の電気信号を送るために前記対の前記感知素子が接続される、請求項１から９のいずれか一項に記載のセンサ。
【請求項１１】
前記回路が、信号、感知素子の電気信号に応じて生成される電気信号、またはアナログ入力信号の１つまたは複数をアナログ−デジタル変換するためのＡ／Ｄ変換器（２ｂ）と、
−入力データ、プログラムデータ、測定データ、中間データのうちの１つまたは複数を記憶するためのメモリ部分、
−出力されるデータを符号化し、かつ／または入力されるデータを復号するための符号化および／または復号化手段、
−前記Ａ／Ｄ変換手段、および／または前記符号化および／または復号化手段の入力および／または出力の接続を制御するための多重化命令手段、
−前記感知素子の前記出力から得た信号を処理するための計算手段、
のうちの１つまたは複数を含むことができるデジタル信号処理部分（２ｃ）と
を含む集積回路を含み、
前記集積回路が、
−前記感知素子からの前記電気信号を増幅するための増幅手段、
−感知素子に接続可能なインピーダンス変換手段、
−フィルタリング手段
のうちの１つまたは複数を含むアナログ回路部分（２ａ）をさらに含むことができる、請求項１から１０のいずれか一項に記載のセンサ。
【請求項１２】
前記ハウジングの一部として形成され、連続したレンズとして形成される放射線集中手段（５）を含む、請求項１から１１のいずれか一項に記載のセンサ。
【請求項１３】
前記感知素子上への前記放射線の入射をフィルタリングするためのフィルタリング手段を含む、請求項１から１２のいずれか一項に記載のセンサ。
【請求項１４】
前記ハウジングが、導電性の材料および／または純銅の熱伝導率の少なくとも２０％、もしくは少なくとも５０％の熱伝導率の材料で作られたキャップを含む、請求項１から１３のいずれか一項に記載のセンサ。
【請求項１５】
一定の値を下回らないように前記回路（２）のセンサ内消費電力を制御するようになされる消費電力制御手段を含む、請求項１から１４のいずれか一項に記載のセンサ。
【請求項１６】
ＳＭＤとして形成される、請求項１から１５のいずれか一項に記載のセンサ。
【請求項１７】
前記放射線集中手段は、前記ハウジングの一部を含む、請求項１２に記載のセンサ。
【請求項１８】
前記放射線集中手段は、連続した、球面レンズ、またはフレネルレンズを含む、請求項１２に記載のセンサ。
【請求項１９】
前記放射線集中手段は、ケイ素および／またはゲルマニウムを含む、請求項１２に記載のセンサ。
【請求項２０】
前記フィルタリング手段は、反射防止層および／または帯域通過層として、放射線集中手段上に１つまたは複数の層を含む、請求項１３に記載のセンサ。
【請求項２１】
前記一定の値は、前記回路のあり得る最大消費電力に関して定められる、請求項１５に記載のセンサ。
【請求項２２】
標準化された構成ハウジング、好ましくはＴＯ５またはＴＯ４６を有する、請求項１に記載のセンサ。
【請求項２３】
前記標準化された構成ハウジングは、Ｔ０５またはＴＯ４６を含む、請求項２２に記載のセンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、独立請求項の前段（preamble）に係る放射線センサに関する。そのような放射線センサ（radiation sensor）は、独国特許第19735379号および独国特許第10 2004 028022号で知られている。
【背景技術】
【０００２】
放射線センサは、入射放射線を検出用の電気信号に変換する。検出は、定性的性質または定量的性質のものとすることができる。
【０００３】
定性的検出とは、例えばセンサの視野の範囲内で動きを検出することである。定量的検出は、温度を検出するための温度計測、例えば人体の体温を測ることであり得る。
【０００４】
センサ内の１つまたは複数の感知素子が放射線を電気信号に変換し、それらをしかるべく成形する。通常、入射信号は非常に弱いため、成形には、少なくとも増幅および／またはインピーダンス変換が大抵含まれる。フィルタリングを行ってもよい。そのような成形済み信号は、所望の定性的検出または定量的検出を達成するために、さらに処理するために出力される。定性的検出には、強度−閾値比較が含まれ得る。定量的検出には、強度−温度信号変換が含まれ得る。
【０００５】
多くの場合、センサの視野の範囲内で空間分解能が要求される。センサは、入射放射線を感知素子上に集中させまたは合焦させるための何らかのビーム形成要素、例えば何らかのレンズや反射鏡を自らのハウジング内に有する。複数の感知素子を設けてもよく、これにより、それらの感知素子のうちのどれが集中した放射線または合焦した放射線を受けるのかにもよるが、それぞれの感知素子の様々な出力から空間情報を推論できるようにある特定の感知素子が信号を出力する。
【０００６】
図１は、センサ１０の典型的な構造を断面図で示す。測定しようとする放射線は、多くの場合、１μｍを超える波長域における最高感度を有する赤外線である。図１では、１は、それぞれ入射放射線に依存する電気出力信号を互いに独立に出力する複数の感知素子を指す。入射放射線はビーム９で表す。センサの寸法(dimension)に比べて放射源は通常離れているので、センサ１０上に当たるこの入射放射線は平行放射とみなすことができる。例えばハウジング４−６全体の一部分として設けられるビーム集中手段５が、感知素子１上に放射線を集中させる。集中させることは、合焦させることとすることができ、感知素子１は焦平面内に据えられる。ビーム集中手段５はレンズとすることができ、とりわけハウジングの軸に平行な光学軸、またはハウジングの軸に一致する光学軸を有する球面レンズとすることができる。１１は、概して管状の形のものとすることができる、ハウジングカップ４の対称軸に一致する集中手段５の光学軸である軸を示す。
【０００７】
感知素子１から信号を受け取る何らかの回路２も設けられる。このセンサは、センサ内の電気部品に電力を供給するための電力端子、および制御信号を入力し、入射放射線に依存する信号を出力するための入出力端子を含み得る、端子７をさらに有する。
【０００８】
既知のセンサは、その出力信号が、ノイズの影響を受けるため検出しようとする状況を正確に反映せず、使用するには複雑であり、したがってさらなる外部処理を必要とする不利益に見舞われる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の目的は、正確かつ使いやすい出力信号をもたらす放射線用のセンサを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この目的は、請求項１の特徴によって達成される。従属請求項は、本発明の好ましい実施形態に向けられる。
【００１１】
放射線センサは、１つまたは複数の放射線感知素子と、感知素子の電気信号を受け取り、感知素子の電気信号に応じてセンサ出力信号を提供する回路とを備える。この回路は、センサの外部にある切替可能コンポーネント用のオン／オフ出力信号を生成するための切替信号回路、またはマルチビットのシリアル出力信号を提供するためのデジタル出力信号回路を含む。センサは、そのオン／オフ出力信号もしくはマルチビットのシリアル出力信号、またはその両方を交互に出力するための１つの、好ましくはただ１つの出力端子をさらに有する。
【００１２】
上述の特徴により、出力信号が「すぐに使える（ready-to-use）」形式でセンサによって出力されるので、出力される信号は使いやすい。全体で少量の外部ノイズしか集めない少数の端子を設けるので、出力端子を１つだけ設けることは外部ノイズによる内部コンポーネントの影響を減らす。
【００１３】
センサハウジングの内部に設けられる回路は、５０μＷ未満、好ましくは２０μＷよりも小さく、または１０μＷよりも小さい消費電力を有するように設計することができる。消費される電力は熱へと変換されるため、センサ内の発熱量は上述の値を下回り、これにより内部の昇温ひいては内部で発生する感知の歪みが小さく極僅かな水準に保たれる。
【００１４】
信号を評価する際にセンサの関連部分の温度を考慮に入れるために、センサの関連部分の温度を測定するための温度参照素子を設けてもよい。
【００１５】
感知素子は、サーモパイル（thermopiles）、ボロメータ（bolometers）、または焦電感知素子（pyroelectric sensing elements）とすることができる。コモンモード抑制のために、これらをペアで設けることができる。空間分解能を与えるために、複数の感知素子をアレイ（長手方向の配置）として、または行列（特定の領域をカバーする）として設けることができる。
【００１６】
感知素子は、入射放射線の吸収を改善／低減するための吸収層および／または反射層を備えることができる。
【００１７】
回路は、デジタル信号処理を達成するためのデジタル部分を備えることができ、アナログ信号をデジタル信号に変換するためのＡ／Ｄ変換器（ＡＤ変換器）を備えてもよく、後者のデジタル信号は、複数の並列ビットまたはシリアルビットストリームとして提供することができる。
【００１８】
光路内に、またはアナログ信号経路内に、またはデジタル信号経路内にフィルタリング手段を設けることができる。
【００１９】
ハウジングは、比較的良い熱伝導率のものとすることができる。とりわけ、ハウジングは純銅の熱伝導率の２０％超、好ましくは純銅の熱伝導率の５０％超の熱伝導率を有することができる。
【００２０】
さらに、ハウジングは、外部の電磁放射から内部回路を遮蔽するために導電性とすることができ、こうすることで内部回路に対する外部の電磁放射の影響力を低下させる。
【００２１】
ハウジングは、例えばＴＯ５標準やＴＯ４６標準に従う標準化された寸法を有することができる。ハウジングは、ＳＭＤ（表面実装型デバイス）として形成することもできる。
【００２２】
以下に、添付図面を参照して本発明の諸実施形態を説明する。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明を適用することができるセンサの断面図を示す。
【図２】センサの内部構成についての平面図を示す。
【図３】センサの内部信号処理のブロック回路図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
図１は、本発明を適用することができるセンサを示す。回路基板３が、感知素子１および回路２を装着する。ハウジング４−６の基礎板６を端子７が貫通し、それらの端子７は、例えば８によって示すボンディングにより回路２および／または感知素子１に接続される。回路基板３は、基礎板６上に設けることができる。図示の実施形態では、センサが、検出信号を出力するための出力端子７ａを１つだけ備える。
【００２５】
図２は、開いたセンサの平面図を示す。センサの基礎板６上に、感知素子１および好ましくはＡＳＩＣとして形成される回路２を装着した基板２０を支持する小さな回路基板３が設けられる。数字７ａから７ｄは、図１に示すように外部に達する端子７の内部終端を表す。これらは内端において広げ、ボンディングに備えることができる。ボンディングワイヤ８は、端子の終端から適切な相手側端子、例えば回路／ＡＳＩＣ２上の端子に達することができる。感知素子１も、ボンディング接続または他の種類の配線によってＡＳＩＣ２に接続することができる。
【００２６】
２１は、センサの関連部分の温度を感知する温度参照センサを表す。関連部分は、感知素子１を装着する基板とすることができる。しかし同様に、温度センサ２１はＡＳＩＣ２に統合してもよい。この温度センサ２１も、適切な手段によって回路２に接続される。感知素子１からの信号を評価する際、温度センサ２１の出力信号を考慮に入れることができる。
【００２７】
全体として、ハウジング基礎板６、回路基板３、基板２０、ならびに前述の基板２０上の感知素子１および回路２のスタックを設けることができる。
【００２８】
ビーム集中手段５は、レンズまたはフレネルレンズとすることができる。感知素子１が設けられる平面からビーム集中手段５の距離Ｄは、レンズの焦点距離とすることができ、またはその焦点距離からｚ方向に（レンズに向かって、またはレンズから離れて）規定値の分だけずらすことができる。
【００２９】
図２では、１０が、ビーム集中手段５の光学軸を表す。感知素子１は、その光学軸に対して対称的に設けても、特定の方法で非対称的に設けてもよい。
【００３０】
感知素子１は、コモンモード抑制を備えることができる。赤外線用の感知素子は、その端子においてＤＣ信号を通常提供する。その仕組みは、２つの感知素子が同じ方法（コモンモード）で受け取る信号成分が、互いを打ち消すものであり得る。これは、２つの感知素子を直列にまたは反対の極性と並列に接続すること、すなわちそれぞれのプラス端子またはそれぞれのマイナス端子を接続する直列接続、および一方の感知素子のプラスを他方の感知素子のマイナスに接続する並列接続によって達成される。すると、コモンモードが打ち消し、感知素子の１つだけに当たる離れた線源からの集束放射だけが信号をもたらし、その理由は、そうした集束放射は、他のそれぞれの感知素子からの同じ反対方向に分極された信号成分によって打ち消されないからである。これにより、装置全体の温度上昇などの憂慮すべき数量、または太陽光入射時に表面の温度が上昇することなどの広範囲に及ぶ放射源が誤検出につながることがない。接続される感知素子は、互いに隣接することができ、または１つの感知素子の寸法よりも離れていてもよい。
【００３１】
センサ内の回路２は、動作モードで５０μＷ未満、好ましくは２０μＷよりも小さく、またはより小さい１０μＷの消費電力を有するように構築される。消費される電力は熱へと変換される。消費電力が少ないように設計を行うことにより、得られる発熱量も小さい。その結果、内部の発熱が誤検出につながることがない。内部回路自体が発生させる熱が、誤検出に著しく寄与し得ることが示されている。感知素子１は通常、入射放射線を感知素子によって感知される熱へと変換することに基づいて動作する。感知素子は、入射放射線によってもたらされる熱と、近くの内部回路によってもたらされる熱とを区別することはできない。したがって、回路電力による熱に由来する誤検出を最小限に抑えるために、回路電力は上述のように比較的小さいように設計される。
【００３２】
内部センサの様々な動作状態（例えば待機状態か大量計算（heavy computing）か）による、様々な消費電力に起因する温度変化を回避するために、様々な動作状態（最大電力Ｐｍａｘ、最小電力Ｐｍｉｎ）における消費電力が所定量しか異ならないように設計を行うことができる。例えば、定量(ration)Ｐｍａｘ／Ｐｍｉｎは、３未満、２未満、１．５未満、もしくは１．２未満とすることができ、または差異Ｐｍａｘ−Ｐｍｉｎは、１０μＷ、５μＷ、２μＷ、もしくは１μＷ未満とすることができる。
【００３３】
これは、回路の固有特性を適切に設計することで達成することができる。可能な全ての動作状態のあり得る最大消費電力に関して定められる一定の水準を超えた状態で消費電力を保つための、適切に制御されたダミーコンシューマを含み得る消費電力コントローラなど、専用の消費電力制御手段を設けてもよい。さもなければ消費量が低い場合、消費電力コントローラは、消費電力を例えば前述のダミーコンシューマ内で、または別のコンポーネント内で高めることができる。これにより、消費電力が比較的一様になり、その結果、内部の発熱量も比較的一様になり、したがって、消費される電力によってもたらされる温度変化も比較的小さい。
【００３４】
回路２は、前述のオン／オフ出力信号を生成するための切替信号回路、または前述のマルチビットのシリアル出力信号を提供するためのデジタル出力信号回路を含む。回路２は、感知素子１と出力端子７ａとの間を概略的に（schematically）に接続される。
【００３５】
ビーム集中手段５は、赤外線透過材料で作ることができる。ビーム集中手段５は、主成分としてケイ素もしくはゲルマニウム、またはその混合物を含むことができる。このレンズは、微細機械加工（micromachining）によって成形することができる。
【００３６】
レンズまたはフレネルレンズにフィルタリング層を設けることなど、例えばビーム集中手段５上にフィルタリング層を設けることにより、光路におけるフィルタリングを達成することができる。このフィルタリング層は、反射防止層として、またはバンドパス層、ローパス層、もしくはハイパス層として形成することができる。所望の透過特性を設計するために、これらの複数を積み重ねるように設けてもよい。この光学フィルタリングは、６層以上、または１１層以上、または２１層以上含むことができる。
【００３７】
センサ全体の熱的不均衡を避けるために、センサのハウジングは、比較的良い熱伝導率の材料を含むことができる。その熱伝導率は、純銅の熱伝導率の２０％超、または５０％超とすることができる。センサハウジング４−６は、先に述べた材料から形成され、適切な方法で、とりわけ同心状に集中手段５などの放射線の入口を有する金属キャップ４を含むことができる。これにより、センサの熱的不均衡が低減されるため、熱的不均衡に由来する同様の誤検出も低減される。
【００３８】
ハウジング（キャップ）のセンサ内壁の反射率は、０．５未満、０．２未満、または０．１未満、すなわち反射される入射放射線の５０％未満、２０％未満、１０％未満とすることができる。選択される応用例に備え、反射率を５％未満または１％未満としてもよい。こうすることは、集中手段５を通って意図する放射線経路の斜めに入り、ことによると内部反射によって感知素子にたどりつく放射線の影響力を最小限に抑えるのに役立つ。そうした放射線はすぐに吸収され、感知素子における信号に寄与しない。
【００３９】
図３は、センサ１０のハウジング内に設けられる回路のブロック図を概略的に示す。回路２は、ＡＳＩＣ（特定用途向け集積回路）とすることができ、アナログ部分と、デジタル部分と、ＡＤ変換器とを含むことができる。ＡＳＩＣは、先に述べた全てのコンポーネントおよび諸機能を１つのチップ内に含むことができる。ＡＤ変換器は、アナログコンポーネントとデジタルコンポーネントとの間のリンクとすることができる。
【００４０】
アナログコンポーネントは、感知素子１からの信号の何らかの増幅部３３を含むことができる。要求に応じて増幅率を選ぶことができ、１または１未満としてもよい。後で評価するためのより強い信号を得るために、増幅はインピーダンス変換を含むことができる。
【００４１】
３２は、検出しようとする状況に典型的でない信号量を除去するアナログフィルタとすることができる。フィルタ３２は、例えば１０Ｈｚ超、または５Ｈｚ超、または２Ｈｚ超の周波数を除去する低域通過フィルタとすることができる。
【００４２】
複数の感知素子１を設ける場合、個々の素子１を順次にポーリングし、それらの出力をそれぞれに設けられたアナログコンポーネントの入力部に相次いで与えるための何らかのマルチプレクサ３１を設けることができる。同様に、温度参照センサ２１をマルチプレクサ３１に接続することができる。しかし同様に、温度参照センサ２１は、程度の差はあるが直接ＡＤ変換３４に達してもよい。
【００４３】
先に述べたコンポーネントは、デジタル回路部分内に設けられるコントローラ３９の制御下にあり得る。
【００４４】
３５で示すデジタル回路部分は、プログラムデータ、入力データ、一時データ、測定データ、履歴データなどを記憶するためのメモリ３６を含むことができる。
【００４５】
意図する主要機能を提供するために、とりわけオン／オフ出力信号を生成するための切替信号回路を実装し、かつ／またはマルチビットのシリアル出力信号を提供するためのデジタル出力信号回路を実装するために、プロセッサ３７を設けることができる。
【００４６】
これらの機能を達成し、先に述べた出力信号を生成するために、プロセッサ３７は、測定値を評価し、ことによると端子の１つを介して外部から入力される値も評価するのに適切なプログラムを実行することができる。
【００４７】
オン／オフ出力信号を生成するための切替信号回路を実装する場合、プロセッサは、ＡＤ変換器３４から受け取った測定値の１つまたは複数を既定のもしくは調節された閾値と比較し、閾値が超えられる場合に検出信号を生成することができる。閾値は、センサの感度を定めるための入力端子からの外部入力によって定めることができる。正の検出が見出された後、出力信号が第１の状態から第２の状態に（オフからオンに）切り替えることができる。同じくプロセッサ３７によって実装される所定の基準に応じて、（第１の状態＝オフの状態に）リセットすることもできる。この基準は、測定した信号が消えるときにリセットを行い、または所定の時間（２秒など）の後にリセットを行い、または入力端子の１つを介して受け取られる入力信号によって決定される時間の後にリセットを行うことができる。プロセッサの出力は、出力端子７ａに与えることができる。その特性（振幅および／または内部抵抗および／または周波数および／または符号化）は、センサに直接接続し得る外部のスイッチングコンポーネントを直ちに駆動するのに適したものとすることができる。２つの状態（オン／オフ）は、異なる電圧によって反映させることができる。２つの電圧間の電圧差は、０．２ボルト超、または０．５ボルト超、または１ボルト超とすることができる。出力端子７ａにおける出力抵抗は、１００オーム未満、または５０、２０、もしくは１０オーム未満とすることができる。
【００４８】
デジタル符号化された定量的出力信号回路を組み入れる場合、プロセッサ３７は、この場合もやはり、１つまたは複数の感知素子１から入力を受け取ったＡＤ変換器３４から来る測定信号の評価を行うことができる。この評価は、メモリ３６内に記憶されるプログラムによって反映される所与の基準の下で行うことができる。評価の結果は、例えば温度の値を反映する定量値をもたらすことができる。この値は、あらかじめ定められた符号体系のシリアルビットストリームに定量値を符号化することができる、コーデック（符号化／復号化回路）３８に与えることができる。この値は、出力端子７ａに与えることができる。コーデック３８は、選択された符号化体系に従う外部の（リスン側）コンポーネントが直ちに受け取るのに適したようにシリアル信号を再び成形する（振幅、ビット持続時間、内部抵抗）。コーデック３８は、２進符号体系などの知られている符号体系に従って動作することができる。
【００４９】
センサは、切替信号回路およびデジタル出力信号回路の両方を選択可能な方法で実装するように適合させることができ、例えば端子７の１つを介した入力信号によって選択可能である。
【００５０】
センサは、３つの端子７、すなわち１つの出力端子７ａと、供給電圧用の７ｂおよびアース用の７ｃの２つの電力端子とを有することができる。出力端子７ａは、上述のデジタルシリアル出力信号もしくは切替信号、またはその２つを交互に出力する。センサは、入力信号用の第４の端子７ｄも有することができる。入力信号は、感度設定信号、定時設定信号、イネーブル信号、選択信号、またはセンサの内部サイクル／タイミングを外部要求と同期させるための同期信号とすることができる。センサは、複数の入力端子を備えてもよい。センサは、先に述べた入力量のそれぞれについて入力端子を備えることができ、すなわち感度設定用に１つの端子、定時設定用に１つの端子、イネーブル設定用に１つの端子、上述の選択信号用に１つの入力端子、および同期信号用に１つの入力端子を備えることができる。
【００５１】
３９は、それぞれのアナログコンポーネントおよびデジタルコンポーネントの諸機能を制御する、制御セクションを示す。技術的には、デジタル回路部分３５は、プロセッサ３７、コントローラ３９、およびコーデック３８を時宜に応じて実施するＣＰＵを有することができる。
【００５２】
コントローラ３９は、マルチプレクサ３１、フィルタ３２、ＡＤ変換器３４、およびデジタルコンポーネントの動作を制御することができる。
【００５３】
コーデック３８は、入力端子の１つからの符号化済み入力データを復号するために使用することもできる。
【００５４】
イネーブル入力は、光の存在が既に検出されている場合は切替信号回路のオン／オフ出力信号の出力を回避するために、光感知装置から信号を受け取ることができる。これにより、例えば日中の動作を回避する。
【００５５】
センサの感度は、チップレベル、好ましくはＡＳＩＣ上でのマスクプログラミングによって定めることができる。回路２は、所望の感度を得るために永続的に修正され得る構造を含むことができる。これは、アナログ信号部分またはデジタル信号部分において行うことができる。この構造を図３の数字４０で示し、フィルタ３２および／または増幅器３３の動作に影響を及ぼすアナログ枝路の一部としてそこに図示する。しかし同様に、この構造はデジタル回路部分３５内に設けてもよい。
【００５６】
その外観では、センサはＴＯ５やＴＯ４６などの特定の標準にしたがって寸法を決めることができる。センサは、その表面のうちの１つに接触面または接触バンプを有する表面実装型デバイス（ＳＭＤ）として形成することもできる。
【００５７】
センサの内部消費電力に関係する上記の特徴（最大値、ダミーコンシューマ、消費量制御など）は、出力信号の形式と無関係に、およびセンサの端子の数と無関係に、すなわち前述の特徴なしに使用してもよい。
【００５８】
本明細書に記載した特徴は、その組合せが技術上の理由により除外されない限り、互いに組み合わせることができるとみなすべきである。同様に、本発明の特徴と矛盾しない限り、従来技術に関して記載した特徴を本発明の特徴と組み合わせて使用することもできる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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