(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に設けられ、上方に向けて隆起した隆起部を有する蓄熱層と、
該蓄熱層上に形成された電極配線と、
該電極配線に接続され、発熱部となる電気抵抗体と、
前記電極配線および前記電気抵抗体上に形成された保護膜と、を備え、
前記発熱部は前記隆起部上に設けられており、
該保護膜は、前記電極配線および前記電気抵抗体上に形成されており、かつ窒化珪素、または炭窒化珪素を含む第１の層と、該第１の層上に形成されており、かつ酸化珪素および窒化珪素を含む第２の層とを有し、
該第２の層が、前記第１の層上に形成された密着層と、該密着層上に形成された緻密層とによって形成されており、
該緻密層に含有された窒素の含有率が、前記密着層に含有された窒素の含有率よりも多く、
前記緻密層上に形成されており、かつ炭化珪素、窒化珪素、または炭窒化珪素を含む第３の層を有することを特徴とするサーマルヘッド。
【請求項２】
前記密着層に含有された窒化珪素の含有率が１〜３原子％であり、
前記緻密層に含有された窒化珪素の含有率が５〜９原子％であることを特徴とする請求項１に記載のサーマルヘッド。
【請求項３】
前記密着層の残留応力が、前記緻密層の残留応力よりも小さいことを特徴とする請求項１または２に記載のサーマルヘッド。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載のサーマルヘッドと、前記電気抵抗体上に記録媒体を搬送する搬送機構と、前記電気抵抗体上に記録媒体を押圧するプラテンローラとを備えることを特徴とするサーマルプリンタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、サーマルヘッドおよびこれを備えるサーマルプリンタに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ファクシミリやビデオプリンタ等の印画デバイスとして、種々のサーマルヘッドが提案されている。例えば、特許文献１に記載のサーマルヘッドは、基板と、基板上に形成された電気抵抗体と、電気抵抗体上に形成された電極配線とを備えている。このサーマルヘッドでは、電極配線の間から露出した電気抵抗体の領域が、発熱部となっており、この露出した電気抵抗体および電極配線上に保護膜が形成されている。また、特許文献１には、この保護膜を、露出した電気抵抗体および電極配線上に形成された耐酸化層と、この耐酸化層上に形成された耐摩耗層とで構成することが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開昭５８−７２４７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載のサーマルヘッドでは、露出した電気抵抗体および電極配線上に設けられた耐酸化層が、酸化珪素で形成されている。そのため、この酸化珪素に含まれる酸素が電気抵抗体および電極配線の表面に拡散し、電気抵抗体および電極配線が酸化することがある。この電気抵抗体および電極配線の酸化により、電気抵抗体および電極配線の電気抵抗が変化し、発熱部の発熱温度が所定の温度からずれてしまうという問題があった。
【０００５】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、発熱部の発熱温度が所定の温度からずれることを抑制することができるサーマルヘッドおよびこれを備えるサーマルプリンタを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一実施形態に係るサーマルヘッドは、基板と、基板上に設けられ、上方に向けて隆起した隆起部を有する蓄熱層と、蓄熱層上に形成された電極配線と、電極配線に接続され、発熱部となる電気抵抗体と、電極配線および電気抵抗体上に形成された保護膜とを備える。また、発熱部は前記隆起部上に設けられている。また、保護膜は、電極配線および電気抵抗体上に形成されており、かつ窒化珪素、または炭窒化珪素を含む第１の層と、第１の層上に形成されており、かつ酸化珪素および窒化珪素を含む第２の層とを有している。また、第２の層は、前記第１の層上に形成された密着層と、密着層上に形成された緻密層とによって形成されており、緻密層に含有された窒素の含有率が、密着層に含有された窒素の含有率よりも多い。また、緻密層上に形成されており、かつ炭化珪素、窒化珪素、または炭窒化珪素を含む第３の層を有する。
【０００７】
本発明の一実施形態に係るサーマルプリンタは、上記に記載のサーマルヘッドと、電気抵抗体上に記録媒体を搬送する搬送機構と、電気抵抗体上に記録媒体を押圧するプラテンローラとを備える。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、発熱部での発熱温度が所定の温度からずれることを抑制することができるサーマルヘッドおよびこれを備えるサーマルプリンタを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明のサーマルヘッドの一実施形態を示す平面図である。
【図２】図１のサーマルヘッドのI−I線断面図である。
【図３】図２に示す領域Ｐの拡大断面図である。
【図４】残留応力の測定方法に関する説明図である。
【図５】本発明のサーマルプリンタの一実施形態の概略構成を示す図である。
【図６】図２に示す領域Ｐにおいて、本発明のサーマルヘッドの変形例を示す拡大図である。
【図７】図２に示す領域Ｐにおいて、本発明のサーマルヘッドの変形例を示す拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
＜第１の実施形態＞
以下、本発明のサーマルヘッドの一実施形態について、図面を参照しつつ説明する。図１、２に示すように、本実施形態のサーマルヘッドＸ１は、放熱体１と、放熱体１上に配置されたヘッド基体３と、ヘッド基体３に接続されたフレキシブルプリント配線板５（以下、ＦＰＣ５という）とを備えている。なお、図１では、ＦＰＣ５の図示を省略し、ＦＰＣ５が配置される領域を一点鎖線で示す。
【００１１】
放熱体１は、板状に形成されており、平面視で長方形状を有している。この放熱体１は、例えば、銅またはアルミニウム等の金属材料で形成されており、後述するようにヘッド基体３の発熱部９で発生した熱のうち、印画に寄与しない熱の一部を放熱する機能を有している。また、放熱体１の上面には、両面テープや接着剤等（不図示）によってヘッド基体３が接着されている。
【００１２】
ヘッド基体３は、平面視で長方形状の基板７と、基板７上に設けられ、基板７の長手方向に沿って配列された複数の発熱部９と、発熱部９の配列方向に沿って基板７上に並べて配置された複数の駆動ＩＣ１１とを備えている。
【００１３】
基板７は、アルミナセラミックス等の電気絶縁性材料あるいは単結晶シリコン等の半導体材料等によって形成されている。
【００１４】
基板７の上面には、蓄熱層１３が形成されている。この蓄熱層１３は、基板７の上面全体に形成された下地部１３ａと、複数の発熱部９の配列方向に沿って帯状に延び、断面が略半楕円形状の隆起部１３ｂとを有している。この隆起部１３ｂは、印画する記録媒体を、発熱部９上に形成された後述する保護膜２５に良好に押し当てるように作用する。
【００１５】
また、蓄熱層１３は、例えば、熱伝導性の低いガラスで形成されており、発熱部９で発生する熱の一部を一時的に蓄積することで、発熱部９の温度を上昇させるのに要する時間を短くし、サーマルヘッドＸ１の熱応答特性を高めるように機能する。この蓄熱層１３は、例えば、ガラス粉末に適当な有機溶剤を混合して得た所定のガラスペーストを従来周知のスクリーン印刷等によって基板７の上面に塗布し、これを高温で焼成することで形成される。
【００１６】
図２に示すように、蓄熱層１３の上面には、電気抵抗体１５が設けられている。この電気抵抗体１５は、蓄熱層１３と、後述する共通電極配線１７、個別電極配線１９およびＩＣ−ＦＰＣ接続配線２１との間に介在し、図１に示すように、平面視において、これらの共通電極配線１７、個別電極配線１９およびＩＣ−ＦＰＣ接続配線２１と同形状の領域（以下、介在領域という）と、共通電極配線１７と個別電極配線１９との間から露出した複数の領域（以下、露出領域という）とを有している。なお、図１では、この電気抵抗体１５の介在領域は、共通電極配線１７、個別電極配線１９およびＩＣ−ＦＰＣ接続配線２１で隠れている。
【００１７】
電気抵抗体１５の各露出領域は、上記の発熱部９を形成している。そして、この複数の露出領域（発熱部９）が、図１に示すように、蓄熱層１３の隆起部１３ｂ上に列状に配置されている。複数の発熱部９は、説明の便宜上、図１で簡略化して記載しているが、例えば、６００ｄｐｉ〜２４００ｄｐｉ（dot per inch）等の密度で配置される。
【００１８】
電気抵抗体１５は、例えば、ＴａＮ系、ＴａＳｉＯ系、ＴａＳｉＮＯ系、ＴｉＳｉＯ系、ＴｉＳｉＣＯ系またはＮｂＳｉＯ系等の電気抵抗の比較的高い材料によって形成されている。そのため、後述する共通電極配線１７と個別電極配線１９との間に電圧が印加され、発熱部９に電流が供給されたときに、ジュール発熱によって発熱部９が発熱する。
【００１９】
図１、２に示すように、電気抵抗体１５の上面、より詳細には、上記の介在領域の上面には、共通電極配線１７、複数の個別電極配線１９および複数のＩＣ−ＦＰＣ接続配線２１が設けられている。これらの共通電極配線１７、個別電極配線１９およびＩＣ−ＦＰＣ接続配線２１は、導電性を有する材料で形成されており、例えば、アルミニウム、金、銀および銅のうちのいずれか一種の金属またはこれらの合金によって形成されている。
【００２０】
共通電極配線１７は、複数の発熱部９とＦＰＣ５とを接続するためのものである。図１に示すように、この共通電極配線１７は、基板７の一方の長辺に沿って延びる主配線部１７ａと、基板７の一方および他方の短辺のそれぞれに沿って延び、一端部が主配線部１７ａに接続された２つの副配線部１７ｂと、主配線部１７ａから各発熱部９に向かって個別に延び、先端部が各発熱部９に接続された複数のリード部１７ｃとを有している。そして、この共通電極配線１７は、副配線部１７ｂの他端部がＦＰＣ５に接続されることにより、ＦＰＣ５と各発熱部９との間を電気的に接続している。
【００２１】
複数の個別電極配線１９は、各発熱部９と駆動ＩＣ１１とを接続するためのものである。図１、２に示すように、各個別電極配線１９は、一端部が発熱部９に接続され、他端部が駆動ＩＣ１１の配置領域に配置されるように、各発熱部９から駆動ＩＣ１１の配置領域に向かって個別に帯状に延びている。そして、各個別電極配線１９の他端部が駆動ＩＣ１１に接続されることにより、各発熱部９と駆動ＩＣ１１との間が電気的に接続されている。より詳細には、個別電極配線１９は、複数の発熱部９を複数の群に分け、各群の発熱部９を、各群に対応して設けられた駆動ＩＣ１１に電気的に接続している。
【００２２】
なお、本実施形態では、上記のように共通電極配線１７のリード部１７ｃと個別電極配線１９とが発熱部９に接続されており、このリード部１７ｃと個別電極配線１９とが対向して配置されている。本実施形態では、このようにして、発熱部９（電気抵抗体１５）に接続される電極配線が対になって形成されている。つまり、本実施形態では、リード部１７ｃと個別電極配線１９とによって、本発明における電極配線を構成している。
【００２３】
複数のＩＣ−ＦＰＣ接続配線２１は、駆動ＩＣ１１とＦＰＣ５とを接続するためのものである。図１、２に示すように、各ＩＣ−ＦＰＣ接続配線２１は、一端部が駆動ＩＣ１１の配置領域に配置され、他端部が、基板７の他方の長辺の近傍に配置されるように、帯状に延びている。そして、この複数のＩＣ−ＦＰＣ接続配線２１は、一端部が駆動ＩＣ１１に接続されるとともに、他端部がＦＰＣ５に接続されることにより、駆動ＩＣ１１とＦＰＣ５との間を電気的に接続している。
【００２４】
より詳細には、各駆動ＩＣ１１に接続された複数のＩＣ−ＦＰＣ接続配線２１は、異なる機能を有する複数の配線で構成されている。具体的には、この複数のＩＣ−ＦＰＣ接続配線２１は、例えば、駆動ＩＣ１１を動作させるための電源電流を供給するためのＩＣ電源配線（不図示）と、駆動ＩＣ１１およびこの駆動ＩＣ１１に接続された個別電極配線１
９を例えば０Ｖ〜１Ｖのグランド電位に保持するためのグランド電極配線（不図示）と、後述する駆動ＩＣ１１内のスイッチング素子のオン・オフ状態を制御するように駆動ＩＣ１１を動作させるための電気信号を供給するためのＩＣ制御配線（不図示）とで構成されている。
【００２５】
駆動ＩＣ１１は、図１、２に示すように、複数の発熱部９の各群に対応して配置されているとともに、個別電極配線１９の他端部と、ＩＣ−ＦＰＣ接続配線２１の一端部とに接続されている。この駆動ＩＣ１１は、各発熱部９の通電状態を制御するためのものであり、内部に複数のスイッチング素子を有しており、各スイッチング素子がオン状態のときに通電状態となり、各スイッチング素子がオフ状態のときに不通電状態となる公知のものを用いることができる。
【００２６】
各駆動ＩＣ１１は、各駆動ＩＣ１１に接続された各個別電極配線１９に対応するように、内部に複数のスイッチング素子（不図示）が設けられている。そして、図２に示すように、各駆動ＩＣ１１は、各スイッチング素子（不図示）に接続された一方の接続端子１１ａ（以下、第１接続端子１１ａという）が個別電極配線１９に接続されており、この各スイッチング素子に接続されている他方の接続端子１１ｂ（以下、第２接続端子１１ｂ）がＩＣ−ＦＰＣ接続配線２１の上記のグランド電極配線に接続されている。これにより、駆動ＩＣ１１の各スイッチング素子がオン状態のときに、各スイッチング素子に接続された個別電極配線１９とＩＣ−ＦＰＣ接続配線２１のグランド電極配線とが電気的に接続される。
【００２７】
上記の電気抵抗体１５、共通電極配線１７、個別電極配線１９およびＩＣ−ＦＰＣ接続配線２１は、例えば、各々を構成する材料層を蓄熱層１３上に、例えばスパッタリング法等の従来周知の薄膜形成技術によって順次積層した後、この積層体を従来周知のフォトエッチング等を用いて所定のパターンに加工することにより形成される。なお、共通電極配線１７、個別電極配線１９およびＩＣ−ＦＰＣ接続配線２１は、同じ工程によって同時に形成することができる。
【００２８】
図１、２に示すように、基板７の上面に形成された蓄熱層１３上には、発熱部９、共通電極配線１７の一部および個別電極配線１９の一部を被覆する保護膜２５が形成されている。なお、図１では、説明の便宜上、保護膜２５の形成領域を一点鎖線で示し、これらの図示を省略している。図示例では、この保護膜２５は、蓄熱層１３の上面の左側の領域を覆うように設けられている。より具体的には、発熱部９、共通電極配線１７の主配線部１７ａ、副配線部１７ｂの一部の領域、リード部１７ｃ、および個別電極配線１９の一部の領域上に、保護膜２５が形成されている。
【００２９】
保護膜２５は、発熱部９、共通電極配線１７および個別電極配線１９の被覆した領域を、大気中に含まれている水分等の付着による腐食あるいは、印画する記録媒体との接触による摩耗から保護するためのものである。この保護膜２５は、図３に示すように、発熱部９、共通電極配線１７および個別電極配線１９上に形成された第１の層２５Ａと、第１の層２５Ａ上に形成された第２の層２５Ｂとを備えている。そして、第２の層２５Ｂは、第１の層２５Ａ上に設けられた密着層２５Ｂ１と、密着層２５Ｂ１上に設けられた緻密層２５Ｂ２とを有している。
【００３０】
第１の層２５Ａは、窒化珪素（以下、ＳｉＮと称する場合がある）、または炭窒化珪素（以下、ＳｉＣＮと称する場合がある）を含み、電気絶縁性を有する電気絶縁層である。なお、ＳｉＮの比抵抗は、１×１０１０〜１×１０１４Ω・ｃｍ、ＳｉＣＮの比抵抗は、１×１０９〜１×１０１２Ω・ｃｍである。第１の層２５Ａの厚さは、例えば、０．０５μｍ〜０．５μｍとされている。なお、第１の層２５Ａを形成するＳｉＮおよびＳｉＣＮ
は、非化学量論的組成を有するものも含む。なお、ＳｉＮあるいはＳｉＣＮは、Ｓｉ、Ｎ、Ｃ以外の元素を含んでいてもよく、例えば、Ａｌ、Ｙ等を含んでいていてもよい。
【００３１】
この第１の層２５Ａは、図３に示すように共通電極配線１７および個別電極配線１９の双方に接触しているが、上記のように電気絶縁性を有していることにより、共通電極配線１７と個別電極配線１９との間の短絡を防止しつつ、発熱部９、共通電極配線１７および個別電極配線１９を被覆して保護している。また、この第１の層２５ＡはＳｉＮまたはＳｉＣＮを含んでおり、この第１の層２５Ａを構成する元素には酸素が含まれていないため、この第１の層２５Ａによって発熱部９、共通電極配線１７、および個別電極配線１９の酸化が誘起されることがないようになっている。
【００３２】
また、このＳｉＮまたはＳｉＣＮを含む第１の層２５Ａは、発熱部９、共通電極配線１７および個別電極配線１９と、第１の層２５Ａ上に形成される後述の酸化珪素（以下、ＳｉＯと称する場合がある）を含む第２の層２５Ｂとの間に介在している。そのため、第２の層２５Ｂを形成するＳｉＯに含まれる酸素が、発熱部９、共通電極配線１７および個別電極配線１９に拡散するのを、この第１の層２５Ａによって抑制することができ、発熱部９、共通電極配線１７および個別電極配線１９の酸化を抑制することができる。
【００３３】
第２の層２５Ｂは、ＳｉＯとＳｉＮとを含んで形成されており、第１の層２５Ａ上に形成された密着層２５Ｂ１と、この密着層２５Ｂ１上に形成された緻密層２５Ｂ２とによって形成されている。
【００３４】
密着層２５Ｂ１は、ＳｉＯを主成分としており、ＳｉＯの含有率が９０％以上である。また、密着層２５Ｂ１はＳｉＮを含有しており、ＳｉＮの含有率は１〜３％である。緻密層２５Ｂ２は、ＳｉＯを主成分としており、ＳｉＯの含有率が８５％以上である。また、緻密層２５Ｂ２はＳｉＮを含有しており、ＳｉＮの含有率は５〜９％である。そのため、緻密層２５Ｂ２に含有される窒素の含有率が、密着層２５Ｂ１に含有される窒素の含有率よりも多い構成となっている。なお、窒素の含有率とは、各層における窒素元素の含有率を示す。
【００３５】
このように、緻密層２５Ｂ２に含有されるＳｉＮの含有率が、密着層２５Ｂ１に含有されるＳｉＮの含有率よりも多い構成となっている。そして、窒素原子はＳｉＯの短距離秩序の結晶格子間に入り込むように機能する。これにより、サーマルヘッドＸ１の発熱時における熱によるＳｉＯの移動による軟化を低減することができる。
【００３６】
また、ＳｉＯと反応した窒素原子はＳｉＮとして緻密層２５Ｂ２に含まれることとなる。ここで、緻密層２５Ｂ２は、後述する記録媒体が保護膜２５に押し当てられることにより生じる機械的な応力が生じている。緻密層２５Ｂ２は、ＳｉＮを含むことからこの機械的な応力により生じるＳｉＯの移動による緻密層２５Ｂ２の軟化も低減することができる。そのため、緻密層２５Ｂ２の機械的強度を向上させることができる。
【００３７】
なお、第２の層２５の密着層２５Ｂ１および緻密層２５Ｂ２に含まれる窒素の含有率は、例えば、Ｘ線光電子分光分析装置を用いて測定することができる。Ｘ線光電子分光分析装置により、試料表面にＡｒイオンを照射することで、密着層２５Ｂ１および緻密層２５Ｂ２におけるＳｉ、Ｎ、Ｏの原子量（ｍｏｌ％）を求めることができる。
【００３８】
また、この密着層２５Ｂ１は、後述するように、ノンバイアススパッタリング法により形成されている。密着層２５Ｂ１の厚さは、例えば、０．５μｍ〜２．５μｍとされている。緻密層２５Ｂ２は、後述するように、バイアススパッタリング法により形成されている。緻密層２５Ｂ２の厚さは、例えば、０．５μｍ〜３μｍとされている。なお、封止層
２５Ｂを形成するＳｉＯは、非化学量論的組成を有するものも含む。そして、ＳｉＮのスパッタリングターゲットのＲＦ投入電流を、密着層２５Ｂ１よりも緻密層２５Ｂ２を大きくすることで、緻密層２５Ｂ２の窒素の含有率を密着層２５Ｂ１の窒素の含有率よりも多くすることができる。
【００３９】
なお、本発明におけるノンバイアススパッタリング法とは、スパッタリングを行う際に、成膜する基板側にバイアス電圧を印加する公知のバイアススパッタリング法に対し、成膜する基板側にバイアス電圧を印加しない公知のスパッタリング法のことをいう。
【００４０】
このように、密着層２５Ｂ１がノンバイアススパッタリング法によって形成され、緻密層２５Ｂ２がバイアススパッタリング法によって形成されていることにより、密着層２５Ｂ１の残留応力が、緻密層２５Ｂ２の残留応力よりも小さくなっている。また、緻密層２５Ｂ２を形成するＳｉＯおよびＳｉＮが、密着層２５Ｂ１を形成するＳｉＯおよびＳｉＮよりも緻密になっている。
【００４１】
緻密層２５Ｂ２は、バイアススパッタリング法により形成されていることにより、ノンバイアススパッタリング法により形成される密着層２５Ｂ１に生じる残留応力の２〜５倍の残留応力が生じることとなり、緻密層２５Ｂ２を密着層２５Ｂ１よりも緻密にすることができる。
【００４２】
第２の層２５Ｂの密着層２５Ｂ１および緻密層２５Ｂ２のそれぞれの残留応力は、例えば次のように測定することができる。図４に示すように、短冊型の基板の片面にスパッタリングにより、それぞれの薄膜を製膜して変形した基板の断面を円弧とみなし、変位δを測定することにより、それぞれの残留応力を測定することができる。
【００４３】
具体的には、基板のヤング率をＥ、基板のポアソン比をν、基板の長さをＬ、基板の厚みをｄ、基板の変位をδとした時に、残留応力σ（Ｎ／ｍｍ）は、Ｅ×ｂ２×（３×（１−ν）×Ｌ２×ｄ）−１×δの計算式により求めることができる。また、残留応力は、Ｘ線回折法や、ニュートン環法により求めることができる。
【００４４】
上記の第１の層２５Ａ、密着層２５Ｂ１、および緻密層２５Ｂ２を有する保護膜２５は、例えば、次のようにして形成することができる。
【００４５】
まず、発熱部９、共通電極配線１７および個別電極配線１９上に、公知のノンバイアススパッタリング法により第１の層２５Ａを形成する。具体的には、ＳｉＮをスパッタリングターゲットとして、基板７側にバイアス電圧を印加せずにスパッタリングを行い、ＳｉＮを含む第１の層２５Ａを形成する。
【００４６】
次に、第１の層２５Ａ上に、第２の層２５Ｂを構成する密着層２５Ｂ１と緻密層２５Ｂ２とを、公知のノンバイアススパッタリング法とバイアススパッタリング法とにより順次形成する。具体的には、まず、ＳｉＯおよびＳｉＮをスパッタリングターゲットとして、基板７側にバイアス電圧を印加せずにスパッタリングを行い、ＳｉＯおよびＳｉＮを含む密着層２５Ｂ１を形成する。続いて、同じくＳｉＯおよびＳｉＮをスパッタリングターゲットとして、基板７側にバイアス電圧を印加しつつスパッタリングを行い、ＳｉＯおよびＳｉＮを含む緻密層２５Ｂ２を形成する。この時、ＳｉＮのスパッタリングターゲットのＲＦ投入電流を密着層２５Ｂ１を形成する際のＲＦ投入電流よりも大きくすることが重要である。
【００４７】
以上のようにして、第１の層２５Ａ、密着層２５Ｂ１、および緻密層２５Ｂ２を有する保護膜２５を形成することができる。なお、各層を形成する際に行うスパッタリングは、
例えば、公知の高周波スパッタリング法等を適宜用いることができる。
【００４８】
図１、２に示すように、基板７の上面に形成された蓄熱層１３上には、共通電極配線１７、個別電極配線１９およびＩＣ−ＦＰＣ接続配線２１を部分的に被覆する被覆層２７が設けられている。なお、図１では、説明の便宜上、被覆層２７の形成領域を一点鎖線で示し、これらの図示を省略している。図示例では、この被覆層２７は、蓄熱層１３の上面の保護膜２５よりも右側の領域を部分的に覆うように設けられている。被覆層２７は、共通電極配線１７、個別電極配線１９およびＩＣ−ＦＰＣ接続配線２１の被覆した領域を、大気との接触による酸化や、大気中に含まれている水分等の付着による腐食から保護するためのものである。なお、被覆層２７は、共通電極配線１７および個別電極配線１９の保護をより確実にするため、図２に示すように保護膜２５の端部に重なるようにして形成されている。被覆層２７は、例えば、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂等の樹脂材料で形成することができる。また、この被覆層２７は、例えば、スクリーン印刷法等の厚膜成形技術を用いて形成することができる。
【００４９】
なお、図１、２に示すように、後述するＦＰＣ５を接続する共通電極配線１７の副配線部１７ｂおよびＩＣ−ＦＰＣ接続配線２１の端部は、被覆層２７から露出しており、後述するようにＦＰＣ５が接続されるようになっている。
【００５０】
また、被覆層２７には、駆動ＩＣ１１を接続する個別電極配線１９およびＩＣ−ＦＰＣ接続配線２１の端部を露出させるための開口部（不図示）が形成されており、この開口部を介してこれらの配線が駆動ＩＣ１１に接続されている。また、駆動ＩＣ１１は、個別電極配線１９およびＩＣ−ＦＰＣ接続配線２１に接続された状態で、駆動ＩＣ１１自体の保護、および駆動ＩＣ１１とこれらの配線との接続部の保護のため、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂等の樹脂からなる被覆部材２９によって被覆されることで封止されている。
【００５１】
ＦＰＣ５は、図１、２に示すように、基板７の長手方向に沿って延びており、上記のように共通電極配線１７の副配線部１７ｂおよび各ＩＣ−ＦＰＣ接続配線２１に接続されている。このＦＰＣ５は、絶縁性の樹脂層の内部に複数のプリント配線が配線された周知のものであり、各プリント配線がコネクタ３１を介して図示しない外部の電源装置および制御装置等に電気的に接続されるようになっている。このようなプリント配線は、一般に、例えば、銅箔等の金属箔、薄膜成形技術によって形成された導電性薄膜、または厚膜印刷技術によって形成された導電性厚膜によって形成されている。また、金属箔や導電性薄膜等によって形成されるプリント配線は、例えば、これらをフォトエッチング等により部分的にエッチングすることによってパターニングされている。
【００５２】
より詳細には、図１、２に示すように、ＦＰＣ５は、絶縁性の樹脂層５ａの内部に形成された各プリント配線５ｂがヘッド基体３側の端部で露出し、導電性接合材料、例えば、半田材料、または電気絶縁性の樹脂中に導電性粒子が混入された異方性導電材料（ＡＣＦ）等からなる接合材３２（図２参照）によって、共通電極配線１７の副配線部１７ｂの端部および各ＩＣ−ＦＰＣ接続配線２１の端部に接続されている。
【００５３】
そして、ＦＰＣ５の各プリント配線５ｂがコネクタ３１を介して図示しない外部の電源装置および制御装置等に電気的に接続されると、共通電極配線１７は、例えば０Ｖ〜２４Ｖの正電位に保持された電源装置のプラス側端子に電気的に接続され、個別電極配線１９は、駆動ＩＣ１１およびＩＣ−ＦＰＣ接続配線２１のグランド電極配線を介して、例えば０Ｖ〜１Ｖのグランド電位に保持された電源装置のマイナス側端子に電気的に接続されるようになっている。そのため、駆動ＩＣ１１のスイッチング素子がオン状態のとき、発熱部９に電流が供給され、発熱部９が発熱するようになっている。
【００５４】
また、同様に、ＦＰＣ５の各プリント配線５ｂがコネクタ３１を介して図示しない外部の電源装置および制御装置等に電気的に接続されると、ＩＣ−ＦＰＣ接続配線２１の上記のＩＣ電源配線は、共通電極配線１７と同様、正電位に保持された電源装置のプラス側端子に電気的に接続されるようになっている。これにより、駆動ＩＣ１１が接続されたＩＣ−ＦＰＣ接続配線２１のＩＣ電源配線とグランド電極配線との電位差によって、駆動ＩＣ１１に駆動ＩＣ１１を動作させるための電源電流が供給される。また、ＩＣ−ＦＰＣ接続配線２１の上記のＩＣ制御配線は、駆動ＩＣ１１の制御を行う外部の制御装置に電気的に接続される。これにより、制御装置から送信された電気信号が駆動ＩＣ１１に供給されるようになっている。この電気信号によって、駆動ＩＣ１１内の各スイッチング素子のオン・オフ状態を制御するように駆動ＩＣ１１を動作させることで、各発熱部９を選択的に発熱させることができる。
【００５５】
ＦＰＣ５と放熱体１との間には、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂またはガラスエポキシ樹脂等の樹脂からなる補強板３３が設けられている。この補強板３３は、ＦＰＣ５の下面に両面テープや接着剤等（不図示）によって接着されることにより、ＦＰＣ５を補強するように作用している。また、この補強板３３が放熱体１の上面に両面テープや接着剤等（不図示）によって接着されることにより、ＦＰＣ５が放熱体１上に固定されている。
【００５６】
次に、本発明のサーマルプリンタの一実施形態について、図５を参照しつつ説明する。図５は、本実施形態のサーマルプリンタＺの概略構成図である。
【００５７】
図５に示すように、本実施形態のサーマルプリンタＺは、上述のサーマルヘッドＸ１、搬送機構４０、プラテンローラ５０、電源装置６０および制御装置７０を備えている。サーマルヘッドＸ１は、サーマルプリンタＺの筐体（不図示）に設けられた取付部材８０の取付面８０ａに取り付けられている。なお、このサーマルヘッドＸ１は、発熱部９の配列方向が、後述する記録媒体Ｐの搬送方向Ｓに直交する方向（主走査方向）（図５の紙面に直交する方向）に沿うようにして、取付部材８０に取り付けられている。
【００５８】
搬送機構４０は、感熱紙、インクが転写される受像紙等の記録媒体Ｐを図５の矢印Ｓ方向に搬送して、サーマルヘッドＸ１の複数の発熱部９上（より詳細には、保護膜２５上）に搬送するためのものであり、搬送ローラ４３，４５，４７，４９を有している。搬送ローラ４３，４５，４７，４９は、例えば、ステンレス等の金属からなる円柱状の軸体４３ａ，４５ａ，４７ａ，４９ａを、ブタジエンゴム等からなる弾性部材４３ｂ，４５ｂ，４７ｂ，４９ｂにより被覆して構成することができる。なお、図示しないが、記録媒体Ｐがインクが転写される受像紙等の場合は、記録媒体ＰとサーマルヘッドＸ１の発熱部９との間に、記録媒体Ｐとともにインクフィルムを搬送するようになっている。
【００５９】
プラテンローラ５０は、記録媒体ＰをサーマルヘッドＸ１の発熱部９上に押圧するためのものであり、記録媒体Ｐの搬送方向Ｓに直交する方向に沿って延びるように配置され、記録媒体Ｐを発熱部９上に押圧した状態で回転可能となるように両端部が支持されている。プラテンローラ５０は、例えば、ステンレス等の金属からなる円柱状の軸体５０ａを、ブタジエンゴム等からなる弾性部材５０ｂにより被覆して構成することができる。
【００６０】
電源装置６０は、上記のようにサーマルヘッドＸ１の発熱部９を発熱させるための電流および駆動ＩＣ１１を動作させるための電流を供給するためのものである。制御装置７０は、上記のようにサーマルヘッドＸ１の発熱部９を選択的に発熱させるために、駆動ＩＣ１１の動作を制御する制御信号を駆動ＩＣ１１に供給するためのものである。
【００６１】
本実施形態のサーマルプリンタＺは、図５に示すように、プラテンローラ５０によって記録媒体をサーマルヘッドＸ１の発熱部９上に押圧しつつ、搬送機構４０によって記録媒
体Ｐを発熱部９上に搬送しながら、電源装置６０および制御装置７０によって発熱部９を選択的に発熱させることで、記録媒体Ｐに所定の印画を行うことができる。なお、記録媒体Ｐが受像紙等の場合は、記録媒体Ｐとともに搬送されるインクフィルム（不図示）のインクを記録媒体Ｐに熱転写することによって、記録媒体Ｐへの印画を行うことができる。
【００６２】
本実施形態のサーマルヘッドＸ１によれば、発熱部９、共通電極配線１７および個別電極配線１９上にＳｉＮまたはＳｉＣＮを含む第１の層２５Ａが形成されている。ＳｉＮまたはＳｉＣＮは電気絶縁性を有しているため、この第１の層２５Ａによって、形成された共通電極配線１７と個別電極配線１９との間の短絡を抑制しつつ、発熱部９、共通電極配線１７および個別電極配線１９を被覆して保護することができる。また、この第１の層２５Ａは、このようにＳｉＮまたはＳｉＣＮで形成されており、この第１の層２５Ａ自体には酸素が含まれていない。そのため、発熱部９、共通電極配線１７および個別電極配線１９の酸化が、この第１の層２５Ａによって誘起されることがないようになっている。
【００６３】
さらに、本実施形態のサーマルヘッドＸ１によれば、第１の層２５Ａが、発熱部９、共通電極配線１７および個別電極配線１９と第２の層２５Ｂとの間に介在している。これにより、第２の層２５Ｂを形成するＳｉＯに含まれる酸素が、発熱部９、共通電極配線１７および個別電極配線１９に拡散するのを、この第１の層２５Ａによって抑制することができ、発熱部９、共通電極配線１７および個別電極配線１９の酸化を抑制することができる。そのため、発熱部９、共通電極配線１７および個別電極配線１９の電気抵抗が、酸化に起因して変化するのを抑制することができ、発熱部９の発熱温度が所定の温度からずれることを抑制することができる。
【００６４】
ここで、第２の層２５Ｂを形成する密着層２５Ｂ１および緻密層２５Ｂ２には、発熱部９により生じた発熱による熱応力と、記録媒体が保護膜２５に押し当てられることにより生じる機械的な応力が生じている。発熱部９により生じた熱応力に比べて、記録媒体が保護膜２５に押し当てられることにより生じる機械的な応力の影響は大きく、密着層２５Ｂ１に比べて緻密層２５Ｂ２に大きな応力が生じることとなる。
【００６５】
これに対して、本実施形態のサーマルヘッドＸ１は、第２の層２５Ｂが、ＳｉＯとＳｉＮとを含んでおり、緻密層２５Ｂ２に含有された窒素の含有率が、密着層２５Ｂ１の窒素の含有率よりも多いことから、窒素原子がＳｉＯの短距離秩序の結晶格子間に入り込むこととなる。これにより、サーマルヘッドＸ１の発熱時における熱によるＳｉＯの移動による軟化を低減することができ、緻密層２５Ｂ２の機械的強度を向上させることができる。
【００６６】
また、本実施形態のサーマルヘッドＸ１によれば、ＳｉＯおよびＳｉＮを含む第２の層２５Ｂが、ノンバイアススパッタリング法により第１の層２５Ａ上に形成された密着層２５Ｂ１と、バイアススパッタリング法によりこの密着層２５Ｂ１上に形成された緻密層２５Ｂ２とによって形成されている。そのため、第２の層２５Ｂが第１の層２５Ａ上から剥離するのを抑制することができるとともに、この第２の層２５Ｂによる封止性を向上させることができる。
【００６７】
つまり、本実施形態のサーマルヘッドＸ１では、密着層２５Ｂ１がノンバイアススパッタリング法によって形成され、緻密層２５Ｂ２がバイアススパッタリング法によって形成されていることにより、密着層２５Ｂ１の残留応力が、緻密層２５Ｂ２の残留応力よりも小さくなっている。そのため、例えば、第１の層２５Ａ上に直接、バイアススパッタリング法によって緻密層２５Ｂ２を形成した場合（言い換えると、例えば、第１の層２５Ａ上の密着層２５Ｂ１がバイアススパッタリング法によって形成されている場合）に比べて、第１の層２５Ａ上からの第２の層２５Ｂの剥離を抑制することができる。
【００６８】
また、上記のように密着層２５Ｂ１がノンバイアススパッタリング法によって形成され、緻密層２５Ｂ２がバイアススパッタリング法によって形成されていることにより、緻密層２５Ｂ２を形成するＳｉＯが、密着層２５Ｂ１を形成するＳｉＯよりも緻密になっている。そのため、例えば、密着層２５Ｂ１上に緻密層２５Ｂ２を形成しない場合（言い換えると、例えば、密着層２５Ｂ１上の緻密層２５Ｂ２がノンバイアススパッタリング法によって形成されている場合）に比べて、第２の層２５Ｂによる封止性を向上させることができる。これにより、大気中に含まれている水分等が第２の層２５Ｂ内に侵入するのを抑制することができ、発熱部９、共通電極配線１７および個別電極配線１９にこの水分等が付着することに起因する腐食の発生を抑制することができる。
【００６９】
よって、本実施形態のサーマルヘッドＸ１によれば、上記のように形成された保護膜２５によって、発熱部９、共通電極配線１７および個別電極配線１９の酸化を抑制し、発熱部９の発熱温度が所定の温度からずれることを抑制するとともに、第２の層２５Ｂの剥離、ならびに発熱部９、共通電極配線１７および個別電極配線１９の腐食を抑制することができるという優れた効果を奏する。
【００７０】
なお、上記で比較のため例示した場合のように、第１の層上に直接、バイアススパッタリング法により薄膜層を形成した場合は、第１の層の表面が削られる。これにより、特に、第１の層では、共通電極配線１７および個別電極配線の端部を覆う領域（以下、配線端部被覆領域という）の厚さが薄くなり易い。また、第１の層上の密着層およびこの密着層上の緻密層の双方をバイアススパッタリング法により形成した場合は、密着層および緻密層における配線端部被覆領域の厚さが薄くなり易い。
【００７１】
これに対し、本実施形態のサーマルヘッドＸ１では、第１の層２５Ａ上の密着層２５Ｂ１をノンバイアススパッタリング法によって形成しているため、第１の層２５Ａの表面が削られることがなく、第１の層２５Ａにおける配線端部被覆領域の厚さが薄くなり難い。また、密着層２５Ｂ１における配線端部被覆領域も薄くなり難い。そのため、第１の層２５Ａおよび密着層２５Ｂ１における配線端部被覆領域の厚さを厚くすることができ、絶縁層２５Ａおよび密着層２５Ｂ１による封止性を向上させることができる。
【００７２】
なお、第１の実施形態に係るサーマルヘッドＸ１は、密着層２５Ｂ１をノンバイアススパッタリング法により形成し、緻密層２５Ｂ２をバイアススパッタリング法により形成した例を示したが、密着層２５Ｂ１および緻密層２５Ｂ２をノンバイアススパッタリング法により形成してもよい。
【００７３】
また、ＳｉＯおよびＳｉＮと称しているが、化学式を例示すると、ＳｉＯはＳｉＯ２、ＳｉＮはＳｉ３Ｎ４を例示することができる。
＜第２の実施形態＞
図６を用いて、本発明の第２の実施形態に係るサーマルヘッドＸ２について説明する。
【００７４】
サーマルヘッドＸ２は、第２の層２５Ｂ上に、第３の層２５Ｃが設けられている点でサーマルヘッドＸ１と異なる。
【００７５】
第３の層は、保護膜２５の最上層に位置しており、ＳｉＣ、ＳｉＮ、ＳｉＣＮ、または五酸化タンタル（以下、Ｔａ２Ｏ５と称する場合がある）で形成されている。第３の層２５ＣがＳｉＣで形成された場合について説明すると、ＳｉＣはビッカース硬さで、１８００Ｈｖ〜２２００Ｈｖ程度の硬度を有している。そのため、第３の層２５ＣをこのＳｉＣで形成することにより、第３の層２５Ｃを耐摩耗層とすることができる。また、ＳｉＣは、比抵抗が１×１０８Ω・ｃｍであり、導電性を有しているため、第３の層２５ＣをこのＳｉＣで形成することにより、第３の層２５Ｃに発生する静電気を放電することができ、
第３の層２５Ｃの静電気破壊を抑制することができる。この第３の層２５Ｃは、後述するようにノンバイアススパッタリング法によって形成されている。第３の層２５Ｃの厚さは、例えば、１μｍ〜６μｍとされている。なお、第３の層２５Ｃを形成するＳｉＣは、化学式ではＳｉ３Ｃ４と表すことができ、非化学量論的組成を有するものも含む。また、炭素が多く含有されているＳｉＣ（以下、Ｃ−ＳｉＣと称する場合がある）により第３の層２５Ｃを形成してもよい。その場合においても、導電性をさらに向上させることができ、第３の層２５Ｃに発生する静電気をさらに放電することができる。
【００７６】
第２の実施形態に係るサーマルヘッドＸ２は、第１の層２５ＡがＳｉＣＮを含んでなり、第２の層２５Ｂが密着層２５Ｂ１および緻密層２５Ｂ２を有しており、密着層２５Ｂ１および緻密層２５Ｂ２がＳｉＯおよびＳｉＮを含んでなり、第３の層２５ＣがＳｉＣを含んで構成されている。
【００７７】
上述したＳｉＣＮは、比抵抗が、１×１０９〜１×１０１２Ω・ｃｍであり、絶縁性を有している。また、熱伝導率が０．０５〜０．１５Ｗ／ｍ・Ｋと高く、それにより、発熱部で発熱した熱を効率よく伝熱することができる。また、ＳｉＣＮは、熱膨張係数が、サーマルヘッドＸ２の印字する温度域において、１０．０×１０−６／℃であり、第２の層２５Ｂを形成するＳｉＯ２のサーマルヘッドＸ２の印字する温度域における熱膨張係数８．０×１０−６／℃に近づけることができる。そのため、第１の層２５Ａと第２の層２５Ｂとの密着性を高めることができ、剥離の生じにくい保護膜２５とすることができる。
【００７８】
第２の層２５Ｂは、密着層２５Ｂ１および緻密層２５Ｂ２により形成されているが、密着層２５Ｂ１の窒素の含有率が緻密層２５Ｂ２の含有率よりも少ないため、ＳｉＮの含有率が、緻密層２５Ｂ２のＳｉＮの含有率よりも少ないこととなる。そのため、密着層２５Ｂ１の熱膨張係数を緻密層２５Ｂ２の熱膨張係数よりも大きくすることができ、第１の層２５Ａと第２の層２５ｂとの密着性をさらに向上させることができる。
【００７９】
第２の実施形態に係るサーマルヘッドＸ２の保護膜２５は、例えば、次のようにして形成することができる。
【００８０】
まず、発熱部９、共通電極配線１７および個別電極配線１９上に、ノンバイアススパッタリング法により第１の層２５Ａを形成する。具体的には、ＳｉＣＮをスパッタリングのターゲットとして、Ａｒガスを用いてノンバイアススパッタリング法によりＳｉＣＮの第１の層２５Ａを形成する。
【００８１】
また、Ａｒ＋Ｎ２のガスを用いてノンバイアススパッタリング法により第１の層２５Ａを形成してもよい。具体的には、ＳｉＣをスパッタリングのターゲットとして、Ａｒに対してＮのモル比が１０〜８０モル％となるようにＮ２ガスを混入させて、ノンバイアススパッタリング法によりＳｉＣＮの第１の層２５Ａを形成してもよい。
【００８２】
次に、第１の層２５Ａ上に、第２の層２５Ｂをノンバイアススパッタリング法により形成する。具体的には、ＳｉＯおよびＳｉＮをスパッタリングのターゲットとして、Ａｒガスを用いてノンバイアススパッタリング法により密着層２５Ｂ１を形成する。
【００８３】
その後、基板７にバイアス電圧を印加して、バイアススパッタリング法により緻密層２５Ｂ２を形成する。それにより、密着層２５Ｂ１および緻密層２５Ｂ２を備えた第２の層２５Ｂを形成することができる。
【００８４】
また、スパッタリングターゲットとしてＳｉＯを用いて、Ａｒ＋Ｎ２のガスを用いてノンバイアススパッタリング法により密着層２５Ｂ１を形成し、バイアススパッタリング法
により緻密層２５Ｂ２を形成して、第２の層２５Ｂを形成してもよい。具体的には、ＳｉＯをスパッタリングのターゲットとして、Ａｒに対してＮのモル比が１０〜８０モル％となるようにＮ２ガスを混入させて形成すればよい。
【００８５】
次に、第２の層２５Ｂ上に第３の層２５Ｃをノンバイアススパッタリング法により形成する。具体的には、ＳｉＣをスパッタリングのターゲットとして、Ａｒガスを用いてノンバイアススパッタリング法によりＳｉＣの第３の層２５Ｃを形成する。
【００８６】
なお、第１の層２５ＡをＣ−ＳｉＣＮにより形成する場合には、Ｃ−ＳｉＣＮをスパッタリングのターゲットとして、Ａｒガスを用いてノンバイアススパッタリングを行ないＣ−ＳｉＣＮの第１の層２５Ａを形成することができる。また、スパッタリングのターゲットをＣ−ＳｉＣを用いて、Ａｒ＋Ｎ２のガスを用いてノンバイアススパッタリング法によりＣ−ＳｉＣＮの第１の層２５Ａを形成してもよい。
【００８７】
同様に、第３の層２５ＣをＣ−ＳｉＣにより形成する場合には、スパッタリングのターゲットをＣ−ＳｉＣを用いて、Ａｒガスを用いてノンバイアススパッタリング法により、Ｃ−ＳｉＣの第１の層２５Ａを形成することができる。
【００８８】
以上のようにして、第１の層２５Ａ、第２の層２５Ｂおよび第３の層２５Ｃを有する保護膜２５を形成することができる。
【００８９】
なお、保護膜２５を形成する際に、保護膜２５を構成する各層をそれぞれスパッタリング法により形成する場合がある。その際に、スパッタリングのターゲットをＳｉＣとして、Ａｒ＋Ｎ２のガスを用いて第１の層２５Ａおよび第２の層２５Ｂを形成することで、第３の層２５Ｃを形成するためのスパッタリングのターゲットのＳｉＣと兼用することができる。
【００９０】
それにより、例えば、２つのスパッタリングのターゲットを１つのバッチの内部に収納し、使用することができる構成のスパッタリング装置を用いて保護膜２５を形成する場合、スパッタリングのターゲットをＳｉＣおよびＳｉＯとすることで、第１の層２５Ａ、第２の層２５Ｂおよび第３の層２５Ｃを形成することができ、バッチを変更することなく保護膜２５を形成することができる。そのため、生産性を向上させることができる。また、１つのバッチで保護膜２５を生成することができ、バッチの入れ替えを行なう必要がないため、保護膜２５に不純物が含まれることを抑えることができる。なお、本実施形態においては、保護膜２５を発熱部９、共通電極配線１７および個別電極配線１９上に設けた例を示したが、保護膜２５は少なくとも発熱部９上に設けられていればよい。それにより、サーマルヘッドＸ２の熱応答性を向上させることができる。
【００９１】
以上、本発明について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて種々の変更が可能である。
【００９２】
上記実施形態のサーマルヘッドＸ２では、第３の層２５ＣがＳｉＣによって形成されているが、これに限定されるものではなく、例えば、ＳｉＮまたはＴａ２Ｏ５等によって形成されていてもよい。なお、この第３の層２５Ｃを形成するＳｉＮまたはＴａ２Ｏ５は、非化学量論的組成を有するものも含む。このようにＳｉＮによって第３の層２５Ｃを形成する場合は、例えば、ＳｉＮをスパッタリングターゲットとしてスパッタリング法により形成すればよい。また、Ｔａ２Ｏ５によって第３の層２５Ｃを形成する場合は、例えば、Ｔａ２Ｏ５をスパッタリングターゲットとしてスパッタリング法により形成すればよい。
【００９３】
また、図１〜図３に示すサーマルヘッドＸ１では、蓄熱層１３に隆起部１３ｂが形成さ
れ、この隆起部１３ｂ上に電気抵抗体１５が形成されているが、これに限定されるものではない。例えば、蓄熱層１３に隆起部１３ｂを形成せず、電気抵抗体１５の発熱部９を、蓄熱層１３の下地部１３ｂ上に配置してもよい。または、蓄熱層１３を形成せず、基板７上に電気抵抗体１５を配置してもよい。
【００９４】
また、図１〜図３に示すサーマルヘッドＸ１では、電気抵抗体１５上に共通電極配線１７および個別電極配線１９が形成されているが、共通電極配線１７および個別電極配線１９の双方が発熱部９（電気抵抗体）に接続されている限り、これに限定されるものではない。例えば、蓄熱層１３上に共通電極配線１７および個別電極配線１９を形成し、この共通電極配線１７および個別電極配線１９が形成された蓄熱層１３上に電気抵抗体１５を形成してもよい。この場合、共通電極配線１７と個別電極配線１９との間に位置する電気抵抗体１５の領域によって発熱部９が形成される。なお、この電気抵抗体１５の領域が、本発明における電気抵抗体１５に相当する。または、図７に示すサーマルヘッドＸ３のように、蓄熱層１３上に共通電極配線１７および個別電極配線１９を形成し、この共通電極配線１７と個別電極配線１９との間の領域のみに電気抵抗体１５を形成してもよい。
【００９５】
なお、高周波スパッタリング法により第２の層を作製する方法を示したが、これに限定されるものではない。例えば、イオンビームスパッタリング法を用いて作製することができる。また、スパッタリング法以外の方法としては、ＣＶＤ（化学気相成長法）を用いて作製してもよい。
【符号の説明】
【００９６】
Ｘ１〜３  サーマルヘッド
Ｚ  サーマルプリンタ
１  放熱体
３  ヘッド基体
５  フレキシブルプリント配線板
７  基板
９  発熱部
１１  駆動ＩＣ
１７  共通電極配線
１７ａ  主配線部
１７ｂ  副配線部
１７ｃ  リード部
１９  個別電極配線
２１  ＩＣ−ＦＰＣ接続配線
２５  保護膜
２５Ａ  第１の層
２５Ｂ  第２の層
２５Ｂ１  密着層
２５Ｂ２  緻密層
２５Ｃ  第３の層
２７  被覆層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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