(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィ装置であって、
放射ビームを調整する照明システムと、
前記調整された放射ビームをパターン付けするパターニングデバイスを保持するサポート構造と、
基板を保持する基板テーブルと、
パターン付き放射ビームを前記基板のターゲット部分上に投影する投影システムと、
前記放射ビームで照明されたときに実質的に一定の瞳を受ける、平面に配置された照明凹凸補正システムであって、均一性補正システムは、前記放射ビームのそれぞれの部分の強度を補正するために前記放射ビームと交差するようにおよび交差しないように移動し得るフィンガと、前記フィンガのうちの対応するものに結合され、かつ対応するフィンガを移動する作動デバイスとを含み、作動デバイスは、
空間的配列にて平面上に配置された第１極、第２極および第３極を含む固定ステータであって、前記第１極および前記第３極は、その上にコイルが巻かれている、固定ステータと、
前記平面に配置された第４極および第５極を含むロータであって、前記ロータは、前記第１極および前記第３極に巻かれた前記コイルに時系列でエネルギーが与えられることに応じて前記固定ステータの前記第１極、前記第２極および前記第３極にエネルギーが与えられた場合、二次元で直線的に移動可能となるように構成され、前記第４極および前記第５極は、前記第１極、前記第２極および前記第３極の反対側に配置されており、前記固定ステータは、前記ロータに対して固定されるように構成される、ロータとを含む、照明凹凸補正システムと
を含む、リソグラフィ装置。
【請求項２】
前記ロータは、マイクロステップにおける各コイル内の電流の調整に応じて前記フィンガのうちの少なくとも１つのフィンガを位置決めする、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記各コイル内の前記電流は、サインコサイン・マイクロステッピングによって調整される、請求項２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記作動デバイスを制御するサーボ制御システムをさらに含み、前記サーボ制御システムは、
フィンガの所望の位置を設定するモジュールと、
前記フィンガの現在の位置を検知するモジュールと、
前記フィンガが前記所望の位置に位置決めされるように前記フィンガの前記位置を制御するのに適切な電流を生成するモジュールと
を含む、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
放射ビームで照明されたときに実質的に一定の瞳を受ける平面に配置された照明凹凸補正システムであって、均一性補正システムは、
前記放射ビームのそれぞれの部分の強度を補正するために前記放射ビームと交差するようにおよび交差しないように移動し得る複数のフィンガと、
前記フィンガのうちの対応するものに結合され、かつ対応するフィンガを移動する複数の作動デバイスと、
空間的配列にて平面上に配置された第１極、第２極および第３極を含む固定ステータであって、前記第１極および前記第３極は、その上にコイルが巻かれている、固定ステータと、
前記平面に配置された第４極および第５極を含むロータであって、前記ロータは、前記第１極および前記第３極に巻かれた前記コイルに時系列でエネルギーが与えられることに応じて前記固定ステータの前記第１極、前記第２極および前記第３極にエネルギーが与えられた場合、二次元で直線的に移動可能となるように構成され、前記第４極および前記第５極は、前記第１極、前記第２極および前記第３極の反対側に配置されており、前記固定ステータは、前記ロータに対して固定されるように構成される、ロータと
を含む、照明凹凸補正システム。
【請求項６】
前記ロータは、マイクロステップにおける各コイル内の電流の調整に応じて前記フィンガのうちの少なくとも１つのフィンガを位置決めし、前記各コイル内の前記電流はサインコサイン・マイクロステッピングによって調整される、請求項５に記載の照明凹凸補正システム。
【請求項７】
リソグラフィシステムの放射ビームにおける照明凹凸を補正する方法であって、前記方法は、
照明凹凸補正システムを平面に配置することであって、前記照明凹凸補正システムは、放射ビームで照明されたときに実質的に一定の瞳を受けるように構成される、ことと、
前記放射ビームのそれぞれの部分の強度を補正するために前記放射ビームと交差するようにおよび交差しないように移動可能となる複数のフィンガを提供することと、
複数の作動デバイスを前記フィンガのうちの対応するものに結合することであって、前記複数のデバイスは、対応するフィンガを移動するように構成され、作動デバイスは、
空間的配列にて平面上に配置された第１極、第２極および第３極を含む固定ステータであって、前記第１極および前記第３極は、その上にコイルが巻かれている、固定ステータと、
前記平面に配置された第４極および第５極を含むロータであって、前記ロータは、前記第１極および前記第３極に巻かれた前記コイルに時系列でエネルギーが与えられることに応じて前記固定ステータの前記第１極、前記第２極および前記第３極にエネルギーが与えられた場合、二次元で直線的に移動可能となるように構成され、前記第４極および前記第５極は、前記第１極、前記第２極および前記第３極の反対側に配置されており、前記固定ステータは、前記ロータに対して固定されるように構成される、ロータとを含む、ことと
を含む、方法。
【請求項８】
電流の調整に応じて前記ロータに前記フィンガのうちの少なくとも１つのフィンガを位置決めさせるためにマイクロステップにおいて各コイル内の電流を調整することをさらに含み、前記マイクロステップにおいて前記各コイル内の電流を調整することは、前記各コイル内の前記電流をサインコサイン・マイクロステッピングによって調整することをさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
放射ビームを調整する照明システムと、
前記調整された放射ビームをパターン付けするパターニングデバイスを保持するサポート構造と、
基板を保持する基板テーブルと、
パターン付き放射ビームを前記基板のターゲット部分上に投影する投影システムと、
前記照明システム内に配置された光学システムであって、前記光学システムは、作動デバイスを含み、前記作動デバイスは、
空間的配列にて平面上に配置された第１極、第２極および第３極を含む固定ステータであって、前記第１極および前記第３極は、その上にコイルが巻かれている、固定ステータと、
前記平面に配置された第４極および第５極を含むロータであって、前記ロータは、前記第１極および前記第３極に巻かれた前記コイルに時系列でエネルギーが与えられることに応じて前記固定ステータの前記第１極、前記第２極および前記第３極にエネルギーが与えられた場合、二次元で直線的に移動可能となるように構成され、前記第４極および前記第５極は、前記第１極、前記第２極および前記第３極の反対側に配置されており、前記固定ステータは、前記ロータに対して固定されるように構成される、ロータとを含む、光学システムと
を含む、リソグラフィ装置。
【請求項１０】
放射ビームを調整する照明システムと、
前記調整された放射ビームをパターン付けするパターニングデバイスを保持するサポート構造と、
基板を保持する基板テーブルと、
パターン付き放射ビームを前記基板のターゲット部分上に投影する投影システムと、
前記投影システム内に配置された光学システムであって、前記光学システムは、作動デバイスを含み、前記作動デバイスは、
空間的配列にて平面上に配置された第１極、第２極および第３極を含む固定ステータであって、前記第１極および前記第３極は、その上にコイルが巻かれている、固定ステータと、
前記平面に配置された第４極および第５極を含むロータであって、前記ロータは、前記第１極および前記第３極に巻かれた前記コイルに時系列でエネルギーが与えられることに応じて前記固定ステータの前記第１極、前記第２極および前記第３極にエネルギーが与えられた場合、二次元で直線的に移動可能となるように構成され、前記第４極および前記第５極は、前記第１極、前記第２極および前記第３極の反対側に配置されており、前記固定ステータは、前記ロータに対して固定されるように構成される、ロータとを含む、光学システムと
を含む、リソグラフィ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、リソグラフィ装置および照度均一性補正システムに関する。本発明は、一般に、リソグラフィに関し、より詳細には、集積回路のリソグラフィ中にクロススキャン方向の均一なビームを生成するように照明凹凸を補正することに関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層に対応する回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、放射感応性材料（レジスト）層を有する基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、または１つ以上のダイを含む）上に結像されることができる。一般には、単一の基板が、連続的に露光される隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。公知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるステッパ、およびビームによってある特定の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンすると同時に、この方向に平行または逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるスキャナが含まれる。
【０００３】
[0003]  リソグラフィ装置は、一般的には、放射がパターニングデバイスに入射する前に放射源によって生成される放射を調整するように配置された照明システムを含む。照明システムは、例えば、偏光および／または照明モードなどの放射の１つ以上の特性を変更する。照明システムは、放射に存在する不均一性、例えば、強度不均一性を補正または減少させるように配置された均一性補正システムを含んでよい。均一性補正デバイスは、強度変動を補正するために放射ビームのエッジに挿入された作動フィンガを採用し得る。しかしながら、補正することができる強度変動の空間的周期の幅は、均一性補正システムのフィンガを移動させるために使用される作動デバイスのサイズによる。さらに、一部の場合、放射ビームの凹凸を補正するためにフィンガのサイズまたは形状が変更された場合、均一性補正システムは、放射ビームによって形成される瞳などといった放射ビームの１つ以上の特性を損なうかまたは望ましくない方法で変更する。
【０００４】
[0004]  リソグラフィは、集積回路（ＩＣ）および他のデバイスおよび／または構造を製造するための重要なプロセスとして広く認識されている。リソグラフィ装置は、リソグラフィ中に使用される、所望のパターンを基板上、例えば基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置によるＩＣの製造中、パターニングデバイス（マスクまたはレチクルとも呼ばれる）は、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成する。このパターンは、基板（例えば、シリコン基板）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、または１つ以上のダイを含む）上に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。ＩＣの製造コストを減少させるために、各ＩＣの多数の基板を露光することは一般的である。同様に、リソグラフィ装置がほぼ常に使用されていることも一般的である。つまり、全てのタイプのＩＣの製造コストを可能な限り最小に保つために、基板露光間の不動時間は最小限にされる。結果的に、リソグラフィ装置は、ドリフト、移動および均一性変化へと繋がる装置の部品の膨張をもたらす熱を吸収する。
【０００５】
[0005]  パターニングデバイスおよび基板に対する良い結像品質を確実にするために、照明凹凸を最小限にするかまたは除去することが有益である。これが実行される一方法としては、「フィンガ」を照明ビームの適切な箇所に挿入して照明を一様にすることが挙げられる。様々な電気機械サブシステム構成が、フィンガをビーム走査のための適切な位置へと操作し、そのフィンガを必要としないときにはそれらをビームパスの外へと移動させるように利用または提案されている。
【０００６】
[0006]  市場は、フィンガの位置を操作するためのサブシステムがリソグラフィデバイスの環境で確実に動作し、それによって、リソグラフィ装置ができる限り効率的にリソグラフィプロセスを実行して生産能力を最大にしかつ一デバイス当たりの製造コストおよびメンテナンスを低く保つことを要求している。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
[0007]  明細書に組み込まれ、本明細書の一部を形成する添付の図面は、本発明を図示し、さらに、記述とともに本発明の原理を説明し、当業者が本発明を作成して使用できるように役立つ。
【図１Ａ】[0008]  図１Ａは、均一性補償器および関連センサを有する反射型リソグラフィ装置を示す。
【図１Ｂ】[0008]  図１Ｂは、均一性補償器および関連センサを有する透過型リソグラフィ装置を示す。
【図２】[0009]  図２は、例示的極端紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィ装置の概略図である。
【図３】[0010]  図３は、均一性を促進させるために投影ビーム内で所定の位置に移動される「フィンガ」を有するＩＩＣサブシステム３００補償器サブシステムの機械部の分解図である。
【図４】[0011]  図４は、補償器サブシステムの一部の構造および使用中の移動方向を示す切断斜視図である。
【図５】[0012]  図５は、図３および図４に示す補償器サブシステムを動作させるための制御システムのブロック図である。
【図６】[0013]  図６は、図３および図４に示す補償器サブシステムの一部を置き換えることができるリニアモータ構成の一実施形態の概略図である。
【図７】[0014]  図７は、図３および図４に示す補償器サブシステムの一部を置き換えることができるリニアモータ構成の一実施形態の概略図である。
【図８】[0015]  図８は、図６および図７に示す実施形態を含む補償器サブシステムを動作させるための制御システムのブロック図である。
【図９】[0016]  図９は、本発明の実施形態またはその一部がコンピュータ読取コードとして実施されることができる例示的制御システム１５００の図である。
【０００８】
[0017]  本発明の特徴および利点は、以下に述べる詳細な説明を図面と組み合わせて考慮することによりさらに明白になるであろう。ここで、同様の参照文字は全体を通して対応する要素を識別する。図面では、同様の参照番号は全体的に同一、機能的に類似する、および／または構造的に類似する要素を示す。要素が最初に現れた図面を、対応する参照番号の最も左側の（１つ以上の）桁で示す。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
[0018]  本発明は、リソグラフィ装置における照明凹凸の補正に関する。これは、特に、ＥＵＶリソグラフィデバイスで有用である。本発明の実施形態は、照明凹凸を補正するための照明凹凸補正（ＩＩＣ）サブシステムの一部を形成するリニアモータ（アクチュエータ）に関し、さらにＩＩＣサブシステムを動作する制御システムに関する。ＩＩＣサブシステムの実施形態は、他のＩＩＣサブシステムによって必要とされる多数の磁石を必要としない構成を利用する。本特許文書のこの部分は、本発明の特徴を組み込んだ本発明の実施形態を記載する。記載される実施形態は、本発明の例である。本発明の範囲は記載される（１つ以上の）実施形態に限定されない。本発明は添付の特許請求の範囲によって定義される。
【００１０】
[0019]  記載される実施形態、および「一実施形態」、「実施形態」、「例示的実施形態」などへの本明細書における言及は、記載される（１つ以上の）実施形態が特定の特徴、構造または特性を含むことができるが、それぞれの実施形態が必ずしも特定の特徴、構造または特性を含まないことを示す。さらに、そのようなフレーズは、必ずしも同じ実施形態に言及するものではない。さらに、一実施形態に関連して特定の特徴、構造または特性について記載している場合、明示的に記載されているか記載されていないかにかかわらず、そのような特徴、構造、または特性を他の実施形態との関連で実行することが当業者の知識にあることが理解される。
【００１１】
[0020]  実施形態をより詳細に説明する前に、本発明の実施形態を実施することができる例示的環境を示すことが有益である。
【００１２】
Ｉ．例示的リソグラフィ環境
Ａ．例示的反射型および透過型リソグラフィシステム
[0021]  図１Ａおよび図１Ｂは、それぞれリソグラフィ装置１００およびリソグラフィ装置１００’を概略的に示す。リソグラフィ装置１００およびリソグラフィ装置１００’の各々は、放射ビームＢ（例えば、ＤＵＶまたはＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスク、レチクルまたは動的パターニングデバイス）ＭＡを支持するように構成され、かつパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに連結されているサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、基板（例えば、レジストコート基板）Ｗを保持するように構成され、かつ基板Ｗを正確に位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに連結されている基板テーブル（例えば、基板テーブル）ＷＴとを備える。リソグラフィ装置１００および１００’は、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分（例えば、１つ以上のダイを含む）Ｃ上に投影するように構成された投影システムＰＳも有する。リソグラフィ装置１００では、パターニングデバイスＭＡおよび投影システムＰＳは反射型であり、リソグラフィ装置１００’では、パターニングデバイスＭＡおよび投影システムＰＳは透過型である。
【００１３】
[0022]  照明システムＩＬとしては、放射Ｂを誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。照明システムＩＬは、（１パルスごとの）エネルギーの測定を提供するエネルギーセンサＥＳ、光ビームの動きを測定するための測定センサＭＳおよび照明スリット均一性が制御されるようにする均一性補償器ＵＣをさらに含むこともできる。
【００１４】
[0023]  サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの向き、リソグラフィ装置１００および１００’の設計、および、パターニングデバイスＭＡが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスＭＡを保持する。サポート構造ＭＴは、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスＭＡを保持することができる。サポート構造ＭＴは、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスを、例えば、投影システムＰＳに対して所望の位置に確実に置くことができる。 
【００１５】
[0024]  「パターニングデバイス」ＭＡという用語は、基板Ｗのターゲット部分Ｃ内にパターンを作り出すように、放射ビームＢの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。放射ビームＢに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分Ｃ内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応してもよい。
【００１６】
[0025]  パターニングデバイスＭＡは、透過型（図１Ｂのリソグラフィ装置１００’のように）であっても、反射型（図１Ａのリソグラフィ装置１００のように）であってもよい。パターニングデバイスＭＡの例としては、レチクル、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レベンソン型(alternating)位相シフト、およびハーフトーン型(attenuated)位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームＢにパターンを付ける。
【００１７】
[0026]  「投影システム」ＰＳという用語は、使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学系、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含し得る。ＥＵＶまたは電子ビーム放射に対しては真空環境が使用されてもよい。なぜなら、他のガスは放射または電子を吸収しすぎてしまう場合があるからである。したがって、真空環境は、真空壁および真空ポンプを用いてビームパス全体に提供されてよい。
【００１８】
[0027]  リソグラフィ装置１００および／またはリソグラフィ装置１００’は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）ＷＴを有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加の基板テーブルＷＴを並行して使うことができ、または予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上の基板テーブルＷＴを露光用に使うこともできる。
【００１９】
[0028]  図１Ａおよび図１Ｂを参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受ける。例えば、放射源ＳＯがエキシマレーザである場合、放射源ＳＯとリソグラフィ装置１００および１００’は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源ＳＯは、リソグラフィ装置１００または１００’の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームＢは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤ（図１Ｂ）を使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源ＳＯが水銀ランプである場合、放射源ＳＯは、リソグラフィ装置１００および１００’の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムと呼んでもよい。
【００２０】
[0029]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタＡＤ（図１Ｂ）を含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯといったさまざまな他のコンポーネント（図１Ｂ）を含むことができる。イルミネータＩＬを使って放射ビームＢを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。この所望の均一性は、放射源出力のばらつきを一様にするエネルギーセンサＥＳおよび複数の突起物（例えば、フィンガ）を含む均一性補償器ＵＣの使用によって維持することができる。この複数の突起物は、照明ビーム内に挿入されかつそこから取り除かれて照明ビームの均一性および強度を修正することができる。
【００２１】
[0030]  図１Ａを参照すると、放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ上に入射して、パターニングデバイスＭＡによってパターン形成される。リソグラフィ装置１００では、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡから放射ビームＢが反射される。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡから反射した後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に放射ビームＢの焦点をあわせる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢのパス内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサＩＦ１を使い、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを放射ビームＢのパスに対して正確に位置決めすることもできる。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１およびＭ２と、基板アライメントマークＰ１およびＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。
【００２２】
[0031]  図１Ｂを参照すると、放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブルＭＴ）上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスクＭＡ）上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。マスクＭＡを通り抜けた後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサ（図１Ｂには明示的に示されていない）を使い、例えば、マスクライブラリからマスクを機械的に取り出した後またはスキャン中に、マスクＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることもできる。同様に、図２には、基板ステージスリットセンサＷＳがあり、これは、エネルギーセンサＥＳとともに１パルスごとに照明システムＩＬから基板Ｗへと正規化強度データを生成する。
【００２３】
[0032]  通常、マスクテーブルＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、または固定されてもよい。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１およびＭ２と、基板アライメントマークＰ１およびＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる（これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。
【００２４】
[0033]  リソグラフィ装置１００および１００’は、以下のモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。 
【００２５】
[0034]  １．ステップモードにおいては、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームＢに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。
【００２６】
[0035]  ２．スキャンモードにおいては、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームＢに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。
【００２７】
[0036]  ３．別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームＢに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。パルス放射源ＳＯが採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００２８】
[0037]  上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
【００２９】
[0038]  本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「基板」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
【００３０】
[0039]  さらなる実施形態においては、リソグラフィ装置１００は、ＥＵＶリソグラフィのためのＥＵＶ放射ビームを生成するように構成された極端紫外線（ＥＵＶ）源を含む。一般には、ＥＵＶ源は放射システム内に構成されており（下記参照）、対応する照明システムはＥＵＶ源のＥＵＶ放射ビームを調整するように構成されている。
【００３１】
[0040]  Ｂ．例示的ＥＵＶリソグラフィ装置
【００３２】
[0041]  図２は、本発明の一実施形態による例示的ＥＵＶリソグラフィ装置を概略的に示す。図２では、ＥＵＶリソグラフィ装置は、放射システム２０２、照明光学ユニット２０４および投影システムＰＳを含む。放射システム２０２は、放射ビームが放電プラズマによって形成され得る放射源ＳＯを含む。一実施形態では、ＥＵＶ放射は、電磁スペクトルのＥＵＶ範囲内の放射を放出するために非常に高温のプラズマが生成される、例えば、Ｘｅガス、Ｌｉ蒸気あるいはＳｎ蒸気などのガスまたは蒸気によって生成され得る。非常に高温のプラズマは、少なくとも部分的にイオン化されたプラズマを、例えば、放電によって生成することによって作り出すことができる。例えば、１０ＰａのＸｅ、Ｌｉ、Ｓｎ蒸気、あるいは任意の他の適したガスまたは蒸気の分圧が、放射の効率的な生成のために必要とされることがある。放射源ＳＯによって放出される放射は、放射源チャンバ２０６から、放射源チャンバ２０６における開口部内またはその後方に位置決めされたガスバリアまたは汚染物質トラップ２１０を介してコレクタチャンバ２０８へと進む。一実施形態では、ガスバリア２１０はチャネル構造を含んでもよい。
【００３３】
[0042]  コレクタチャンバ２０８は、かすめ入射コレクタによって形成され得る放射コレクタ２１２（集光ミラーまたはコレクタとも呼ぶ）を含む。放射コレクタ２１２は、上流放射コレクタ側２１４および下流放射コレクタ側２１６を有する。コレクタ２１２を通った放射は、格子スペクトルフィルタ２１８から反射してコレクタチャンバ２０８内のアパーチャにおける仮想光源点２２０に合焦することができる。放射コレクタ２１２は、当業者には周知である。
【００３４】
[0043]  放射ビーム２２６は、集光チャンバ２０８から、法線入射リフレクタ２２２および２２４を介してレチクルまたはマスクテーブルＭＴ上に位置決めされたレチクルまたはマスク（図示せず）上へと照明光学ユニット２０４内で反射する。パターン付きビーム２２８が形成され、これは、投影システムＰＳにおいて反射要素２３０および２３２を介して基板ステージまたは基板テーブルＷＴ上で支持された基板（図示せず）上に結像される。様々な実施形態では、照明光学ユニット２０４および投影システムＰＳは、図２に示されたものよりも多くの（または少ない）要素を含んでもよい。例えば、照明光学ユニット２０４は、（１パルスごとの）エネルギーの測定を提供するエネルギーセンサＥＳ、光ビームの動きを測定するための測定センサＭＳおよび照明スリット均一性が制御されるようにする均一性補償器ＵＣをさらに含むことができる。さらに、格子スペクトルフィルタ２１８は、リソグラフィ装置のタイプによって任意的に存在してもよい。さらに、一実施形態では、照明光学ユニット２０４および投影システムＰＳは、図２に示されたものよりも多くのミラーを含んでもよい。例えば、投影システムＰＳは、反射要素２３０および２３２に加えて１〜４個の反射要素を組み入れてもよい。図２では、参照番号２４０は２つのリフレクタ間の空間、例えば、リフレクタ２３４とリフレクタ２３６との間の空間を示す。
【００３５】
[0044]  一実施形態では、集光ミラー２１２は、かすめ入射ミラーの代わりにまたはそれに加えて法線入射コレクタを含んでもよい。さらに、集光ミラー２１２は、リフレクタ２３４、２３６および２３８を有する入れ子化されたコレクタについて記述されているが、本明細書中、コレクタの一例としてさらに使用されている。
【００３６】
[0045]  さらに、図２に概略的に示すような格子２１８の代わりに、透過型光フィルタが適用されてもよい。ＥＵＶが透過する光フィルタ、ならびにＵＶ放射があまり透過せず、またはＵＶ放射を実質的に吸収までもする光フィルタは、当業者には周知である。したがって、「格子スペクトル純度フィルタ」は、本明細書中、格子または透過型フィルタを含む「スペクトル純度フィルタ」としてほぼ同じ意味でさらに示される。図２には示されていないが、ＥＵＶ透過型光フィルタは、例えば集光ミラー２１２の上流に構成された追加の光学要素、あるいは照明ユニット２０４および／または投影システムＰＳにおける光ＥＵＶ透過型フィルタとして含まれてもよい。
【００３７】
[0046]  光学要素に対する「上流」および「下流」という用語は、それぞれ、１つ以上の追加の光学要素の「光学的上流」および「光学的下流」である１つ以上の光学要素の位置を示す。放射ビームがリソグラフィ装置を通り抜ける光路に従って、第２光学要素より放射源ＳＯに近い第１光学要素は第２光学要素の上流に構成され、第２光学要素は第１光学要素の下流に構成される。例えば、集光ミラー２１２がスペクトルフィルタ２１８の上流に構成されるのに対して、光学要素２２２はスペクトルフィルタ２１８の下流に構成される。
【００３８】
[0047]  図２に示される全ての光学要素（および本実施形態の概略図に示されていない追加の光学要素）には、例えばＳｎなどの放射源ＳＯによって生成される汚染物質が堆積しやすいことがある。これは放射コレクタ２１２にも当てはまり、スペクトル純度フィルタ２１８が存在した場合にも当てはまる。したがって、洗浄デバイスがこれらの光学要素のうちの１つ以上を洗浄するために採用されるとともに洗浄方法がそれらの光学要素に適用されてもよいが、法線入射リフレクタ２２２および２２４、ならびに反射要素２３０および２３２、または追加のミラー、格子等の他の光学要素に適用されてもよい。
【００３９】
[0048]  放射コレクタ２１２はかすめ入射コレクタであってもよく、そのような実施形態では、コレクタ２１２は光軸Ｏに沿って位置合わせされる。放射源ＳＯまたはその像は、光軸Ｏに沿って配置されてもよい。放射コレクタ２１２は、リフレクタ２３４、２３６および２３８（「シェル)」またはいくつかのＷｏｌｔｅｒ型リフレクタを含むＷｏｌｔｅｒ型リフレクタとしても公知である）を含んでもよい。リフレクタ２３４、２３６および２３８は、入れ子化され、光軸Ｏの周りで回転対称であってもよい。図２では、内側リフレクタは参照番号２３４で示され、中間リフレクタは参照番号２３６で示され、かつ外側リフレクタは参照番号２３８で示される。放射コレクタ２１２は、ある体積（例えば（１つ以上の）外側リフレクタ２３８内の体積）を包囲する。通常、（１つ以上の）外側リフレクタ２３８内の体積は、小さな開口部が存在してもよいが、円周方向で閉じられている。
【００４０】
[0049]  リフレクタ２３４、２３６および２３８のそれぞれは、その少なくとも一部が１層の反射層または多数の反射層を表す表面を含んでよい。したがって、リフレクタ２３４、２３６および２３８（あるいは３つより多いリフレクタまたはシェルを有する放射コレクタの実施形態における追加のリフレクタ）は、放射源ＳＯからＥＵＶ放射を反射および集光するように少なくとも部分的に設計され、かつリフレクタ２３４、２３６および２３８の少なくとも一部は、ＥＵＶ放射を反射および集光するように設計されないことがある。例えば、リフレクタの裏面の少なくとも一部は、ＥＵＶ放射を反射および集光するように設計されない。これらの反射層の表面上には、反射層の表面の少なくとも一部の上に設けられる保護のためまたは光フィルタとしてのキャップ層があってもよい。
【００４１】
[0050]  放射コレクタ２１２は、放射源ＳＯまたは放射源ＳＯの像の付近に配置されてよい。リフレクタ２３４、２３６および２３８の各々は、少なくとも２つの隣接する反射面を含んでよく、放射源ＳＯから離れたほうに位置する反射面は、放射源ＳＯに近いほうに位置する反射面よりも、光軸Ｏに対して小さな角度で配置される。このようにして、かすめ入射コレクタ２１２は、光軸Ｏに沿って伝搬するＥＵＶ放射ビームを生成するように構成される。少なくとも２つのリフレクタは、実質的に同軸に配置され、光軸Ｏの周りで実質的に回転対称に延在してもよい。放射コレクタ２１２が、外側リフレクタ２３８の外面上にさらなるフィーチャ、または外側リフレクタ２３８の周りにさらなるフィーチャ、例えば保護ホルダやヒータなどを有してもよいことが理解されたい。
【００４２】
[0051]  本明細書中に記載する実施形態において、「レンズ」および「レンズ要素」という用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つまたはこれらの組合せを指すことができる。
【００４３】
[0052]  本明細書で使用する「放射」および「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）（例えば、３６５、２４８、１９３、１５７、または１２６ｎｍの波長λを有する）、極端紫外線（ＥＵＶまたは軟Ｘ線）（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長、例えば１３．５ｎｍの波長を有する）または５ｎｍ未満で働く硬Ｘ線、ならびにイオンビームや電子ビームなどの粒子ビームを含めた全てのタイプの電磁放射を包含している。一般に、約７８０〜３０００ｎｍ（以上）の間の波長を有する放射がＩＲ放射とみなされる。ＵＶとは、約１００〜４００ｎｍの波長を有する放射のことを指す。リソグラフィにおいて、ＵＶは、水銀放電ランプによって生成することができる波長、すなわちＧ線４３６ｎｍ、Ｈ線４０５ｎｍおよび／またはＩ線３６５ｎｍにも当てはまる。真空ＵＶまたはＶＵＶ（すなわち、空気によって吸収されるＵＶ）とは、約１００〜２００ｎｍの波長を有する放射のことを指す。深ＵＶ(ＤＵＶ)とは、通常、１２６ｎｍ〜４２８ｎｍの範囲の波長を有する放射のことを指し、一実施形態では、エキシマレーザがリソグラフィ装置内で使用されるＤＵＶ放射を生成することができる。当然のことながら、例えば５〜２０ｎｍの範囲内の波長を有する放射は、少なくともその一部が５〜２０ｎｍの範囲内にある特定の波長帯域を有する放射に関する。
【００４４】
ＩＩ．照明凹凸補償（ＩＩＣ）のためのシステムおよび方法
[0053]  図３は、一実施形態によるＩＩＣサブシステム３００の機械部の分解図である。ＩＩＣサブシステム３００は、２８個の移動フィンガ３０２を有し、各移動フィンガ３０２は、フィンガチップ３０４を有しており、これは、露光の前に照明ビームのごく一部を選択的に遮断して照明凹凸を補正しかつクロススキャン方向に均一ビームを提供する。各フィンガ３０２は、磁石３０８を含む単一のフィンガアセンブリ３０６によって支持される。単一のフィンガアセンブリ３０６は、合わせてフィンガアセンブリ３１０を形成する。ＩＩＣサブシステム３００は、マウント３１４を用いてフィンガアセンブリ３１０およびＩＩＣサブシステム３００の残りの部分を保持および支持するためのフレーム３１２を含む。モータコイルアセンブリ３１６は、単一のフィンガアセンブリ３０６を適切な位置に移動させて必要に応じて照明凹凸を補償し、不要な場合は邪魔にならない位置に移動させる。ＩＩＣサブシステム３００は、さらに、フィンガアセンブリ３０６の動きを極端な位置で停止させるためにフィンガ屈曲部３１８およびフィンガストップ３２０を含む。エンコーダボードアセンブリ３３０は、フィンガアセンブリ３０６の機械的位置をエンコードするための電気的／機械的インターフェースを提供し、かつモータコイルアセンブリ３１６に命令を提供する。
【００４５】
[0054]  ＩＩＣサブシステム３００の構成は、１１２個の磁石を必要とし、各フィンガアセンブリ３６に対して４個の磁石を必要とする。これらの磁石は、ネオジム鉄ホウ素から成っており、磁石の破損を防ぐために極端紫外線（ＥＵＶ）スキャナのＨ２環境から保護される必要がある。磁石は真空内で維持される必要があるため、ＥＵＶリソグラフィスキャナに対しては磁石３０８の保護を達成することは困難である。ＩＩＣサブシステム３００が効果的に動作する一方、磁石の複雑な構成により１つでも磁石が破損した場合に、１つのＩＩＣサブシステム３００当たりの１１２個の磁石の使用は費用のかかるメンテナンスを必要とする。メンテナンスが要求される度に、再較正が必要とされる。モータ設計は、共通の平面に配置された２８個のコイルを有する平らなコイルプレートを必要とする。モータ設計は、共通の平面に配置された２８個のコイルを有するフラットコイルプレートも必要とする。これは、全体的な平坦性および必要とされるガス放出を達成するための製造課題を与える。さらなる複雑性として、ＩＩＣサブシステム３００は、２８個のフィンガ３０２がモータコイルアセンブリ３１６のコイルプレートの周りを巻くことを必要とすることである。これは動的な課題を与える。
【００４６】
[0055]  図４は、図３に示すＩＩＣサブシステム３００の一部４００の構造の切断斜視図である。この切断図では、４つの磁石３０８の内縁４０２を見ることができる。一部４００の移動方向を矢印４０４で示している。モータコイルアセンブリ３１６のコイルを４０６で示している。移動方向を矢印４０８で示している。
【００４７】
[0056]  図５は、図３および図４に示すＩＩＣサブシステム３００を動作させるサーボ制御システム５００のブロック図である。物理接続またはソフトウェア関係を実線矢印で示す。仮想関係を点線矢印で示す。セットポイントジェネレータ５０２は、所望のフィンガ位置を設定し、その情報を持つ信号をフィードフォワード位置速度加速度ブロック５０４に送信する。セットポイントジェネレータ５０２は、同様の信号をコンパレータ５０６にも送信し、これを、エンコーダ電子機器５０８からの実際のフィンガ位置を表す信号と比較する。エンコーダ電子機器５０８は、エンコーダヘッド５１０に設置され、エンコーダヘッド５１０とエンコーダスケール５１２との間の相対位置を読み取る。エンコーダ読取ヘッド５１０は、その制御信号をエンコーダアセンブリ５１４から受信する。コンパレータ５１６は、エンコーダ読取ヘッド５１０およびエンコーダスケール５１２から入力を受信し、信号をエンコーダ電子機器５０８に提供する。
【００４８】
[0057]  コンパレータ５１６からの出力信号５０６は、コントローラおよびフィルタ５１８に結合される。さらなるコンパレータ５２０は、コントロールおよびフィルタ５１８の出力をフィードフォワード位置速度加速度ブロック５０４の出力と比較し、信号をフィルタ５２２に提供する。フィルタ５２２の出力は、ＴＡＰＡ５２４に結合され、これは制御信号をコイルプレート５２６に提供する。コイルプレート５２６は、ＵｎｉｃｏｍＮＸＥフレーム５２８からも入力を受信し、制御を磁石アセンブリ５３０に提供する。ＵｎｉｃｏｍＮＸＥフレーム５２８は、さらに、信号をエンコーダアセンブリ５１４およびフィンガアセンブリ５３２に提供する。フィンガアセンブリ５３２は、さらに、磁石アセンブリ５３０によって制御され、これはフィンガチップ位置を示す出力５３４を提供する。ＩＬＬフレーム５４０は、ＵｎｉｃｏｍＮＸＥフレーム５２８に入力を提供する。エンコーダスケール５１２は、フィンガアセンブリ５３４から入力を受信する。
【００４９】
[0058]  市場は、フィンガの位置を操作するためのサブシステムがリソグラフィデバイスの環境で確実に動作し、それによって、リソグラフィ装置ができる限り効率的にリソグラフィプロセスを実行して生産能力を最大にしかつ一デバイス当たりの製造コストおよびメンテナンスを低く保つことを要求している。本発明は、この市場の要求を満たすために使用することができる様々な装置、方法および構成を提供する。
【００５０】
[0059]  本発明の一実施形態はリソグラフィ装置である。照明システムは、放射ビームを調整するように構成される。サポート構造は、調整された放射ビームをパターン付けするように構成および配置されたパターニングデバイスを保持するように構成される。基板テーブルは、リソグラフィプロセスが実行される基板を保持するように構成および配置される。投影システムは、パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分上に投影する。照明凹凸補正システムは、平面に配置され、かつ放射ビームで照明されたときに実質的に一定の瞳を受けるように構成される。均一性補正システムのフィンガは、放射ビームのそれぞれの部分の強度を補正するために放射ビームと交差するようにおよび交差しないように移動可能となるように構成および配置される。作動デバイスは、フィンガのうちの対応するものに結合され、対応するフィンガを移動するように構成される。作動デバイスは、空間的配列にて平面上に配置された第１極、第２極および第３極を有する固定ステータを含む。第１極および第３極は、その上にコイルが巻かれている。作動デバイスは、さらに、平面に配置された第４極および第５極を有するロータを含む。ロータは、第１極および第３極に巻かれたコイルに時系列でエネルギーが与えられることに応じて固定ステータの第１極、第２極および第３極にエネルギーが与えられた場合、二次元で直線的に移動可能となるように構築および配置される。第４極および第５極は、第１極、第２極および第３極と反対に配置されており、固定ステータは、ロータに対して固定されるように構築および配置される。ロータは、マイクロステップにおける各コイル内の電流の調整に応じてフィンガのうちの少なくとも１つのフィンガを位置決めするように構築および配置することができる。各コイル内の電流は、サインコサイン・マイクロステッピングによって調整することができる。固定ステータは鉄から形成されてよい。ロータも鉄から形成されてよい。
【００５１】
[0060]  リソグラフィシステムは、作動デバイスを制御するように構築および配置されたサーボ制御システムをさらに含むことができる。サーボ制御システムは、フィンガの所望の位置を設定するように構築および配置されたモジュールを含む。別のモジュールは、フィンガの現在の位置を検知するように構築および配置される。別のモジュールは、フィンガが所望の位置で位置決めされるようにフィンガの位置を制御するのに適切な電流を生成するように構築および配置される。
【００５２】
[0061]  本発明の別の実施形態は、リニアスイッチトリラクタンスモータを提供する。モータのスタータは、固定コイル構成を有しており、ステータは、空間的配列にて平面上に配置された少なくとも３つの極を含む。モータのロータは、平面に配置された少なくとも２つの極を含み、ロータは、固定コイル構成によって二次元で直線的に移動可能となるように構築および配置される。ステータは、ロータに対して静止したままとなるように構築および配置される。２つのロータ極は、３つのステータ極の反対側に配置される。固定コイル構成は、ステータの少なくとも２つの極の各々に巻線を含んでよい。
【００５３】
[0062]  本発明の一実施形態は、リニアスイッチトリラクタンスモータを提供する。モータの固定ステータは、空間的配列にて平面上に配置された第１極、第２極および第３極を含む。第１極および第３極は、その上にコイルが巻かれている。モータのロータは、平面に配置された第４極および第５極を含む。ロータは、第１極および第３極に巻かれたコイルに時系列でエネルギーが与えられることに応じて固定ステータの第１極、第２極および第３極にエネルギーが与えられた場合、二次元で直線的に移動可能となるように構築および配置される。ロータの第４極および第５極は、固定ステータの第１極、第２極および第３極の反対側に配置されており、固定ステータは、ロータに対して固定されるように配置される。ロータは、マイクロステップにおける各コイル内の電流の調整に応じてフィンガを制御することができるようにフィンガに結合されてよい。コイル内の電流は、サインコサイン・マイクロステッピングによって調整することができる。
【００５４】
[0063]  本発明の一実施形態は、放射ビームで照明されたときに実質的に一定の瞳を受けるように構成された平面に配置された照明凹凸補正システム（ＩＩＣＳ）に関する。ＩＩＣＳは、放射ビームのそれぞれの部分の強度を補正するために放射ビームと交差するようにおよび交差しないように移動可能となるように構成された複数のフィンガを含む。フィンガのうちの対応するものに結合された複数の作動デバイスは、対応するフィンガを移動するように構築および配置される。作動デバイスは、空間的配列にて平面上に配置された第１極、第２極および第３極を有する固定ステータを含む。第１極および第３極は、その上にコイルが巻かれている。作動デバイスは、さらに、平面に配置された第４極および第５極を有するロータを含む。ロータは、第１極および第３極に巻かれたコイルに時系列でエネルギーが与えられることに応じて固定ステータの第１極、第２極および第３極にエネルギーが与えられた場合、二次元で直線的に移動可能となるように構築および配置される。ロータの第４極および第５極は、第１極、第２極および第３極の反対側に配置されており、固定ステータは、ロータに対して固定されるように構築および配置される。ロータは、マイクロステップにおける各コイル内の電流の調整に応じて少なくとも１つのフィンガを位置決めするように構築および配置することができる。各コイル内の電流は、サインコサイン・マイクロステッピングによって調整することができる。
【００５５】
[0064]  本発明の一実施形態は、リソグラフィシステムの放射ビームの照明凹凸を補正する方法を提供する。ＩＩＣＳは、平面に配置され、かつ放射ビームで照明されたときに実質的に一定の瞳を受けるように構成される。複数のフィンガは、放射ビームのそれぞれの部分の強度を補正するために放射ビームと交差するようにおよび交差しないように移動可能となるように提供および構成される。複数の作動デバイスは、フィンガのうちの対応するものに結合され、複数の作動デバイスは、対応するフィンガを移動するように構成される。作動デバイスは、空間的配列にて平面上に配置された第１極、第２極および第３極を含む固定ステータを有するように構成される。第１極および第３極は、その上にコイルが巻かれている。ロータは平面に配置された第４極および第５極を含み、ロータは、第１極および第３極に巻かれたコイルに時系列でエネルギーが与えられることに応じて固定ステータの第１極、第２極および第３極にエネルギーが与えられた場合、二次元で直線的に移動可能となるように構築および配置される。第４極および第５極は、第１極、第２極および第３極の反対側に配置されており、固定ステータは、ロータに対して固定されるように構築および配置される。電流は、マイクロステップにおいて各コイル内で調整することができ、それにより、その電流の調整に応じてロータがフィンガのうちの少なくとも１つのフィンガを位置決めする。マイクロステップにおける各コイル内の電流の調整は、サインコサイン・マイクロステッピングによって各コイル内の電流を調整することを含んでよい。
【００５６】
[0065]  本発明の一実施形態は、リニアスイッチトリラクタンスモータに関する。ステータは、固定コイル構成を有しており、ステータは、空間的配列にて平面上に配置された少なくとも２つの極を含む。ロータは、平面に配置された少なくとも１つの極を含み、ロータは、固定コイル構成によって二次元で直線的に移動可能となるように構築および配置される。ステータは、ロータに対して静止したままとなるように構築および配置される。ロータ極は、ステータの２つの極の反対側に配置される。固定コイル構成は、２つの極の各々に巻かれたコイルをさらに含んでよい。
【００５７】
[0066]  本発明の一実施形態は、放射ビームを調整するように構成された照明システムを含むリソグラフィ装置を提供する。サポート構造は、調整された放射ビームをパターン付けするように構成されたパターニングデバイスを保持するように構成および配置される。基板テーブルは、リソグラフィが実行される基板を保持するように構成される。投影システムは、パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分上に投影するように構成および配置される。光学システムは、照明システム内に配置され、かつ作動デバイスを含む。作動デバイスは、空間的配列にて平面上に配置された第１極、第２極および第３極を有する固定ステータを含む。第１極および第３極は、その上にコイルが巻かれている。ロータは、平面に配置された第４極および第５極を含む。ロータは、第１極および第３極に巻かれたコイルに時系列でエネルギーが与えられることに応じて固定ステータの第１極、第２極および第３極にエネルギーが与えられた場合、二次元で直線的に移動可能となるように構築および配置される。ロータの第４極および第５極は、ステータの第１極、第２極および第３極の反対側に配置されており、固定ステータは、ロータに対して固定されるように構築および配置される。
【００５８】
[0067]  本発明の一実施形態は、放射ビームを調整するように構成された照明システムを含むリソグラフィ装置を提供する。サポート構造は、調整された放射ビームをパターン付けするように構成および配置されたパターニングデバイスを保持するように構成される。基板テーブルは、リソグラフィが実行される基板を保持するように構成される。投影システムは、パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分上に投影するように構成および配置される。光学システムは、投影システム内に配置される。光学システムは、作動デバイスを含む。作動デバイスは、空間的配列にて平面上に配置された第１極、第２極および第３極を有する固定ステータを含む。第１極および第３極は、その上にコイルが巻かれている。ロータは、平面に配置された第４極および第５極を含む。ロータは、第１極および第３極に巻かれたコイルに時系列でエネルギーが与えられることに応じて固定ステータの第１極、第２極および第３極にエネルギーが与えられた場合、二次元で直線的に移動可能となるように構築および配置される。ロータの第４極および第５極は、ステータの第１極、第２極および第３極の反対側に配置される。ステータは、ロータに対して固定されるように構築および配置される。いくつかの実施形態を以下に図面を参照して説明する。
【００５９】
[0068]  図６は、図３および図４に示す補償器サブシステムの一部を置き換えることができるリニアモータ構成の一実施形態の概略図である。鉄「ステータ」６０２は、３つの極６０４、６０６および６０８と２つのコイル６１０および６１２を有する。移動可能な鉄「ロータ」６２０は、コイル６１０および６１２にエネルギーを与えることによって制御される力６２２および６２４に基づいて位置決めされる。コイル６１０および６１２の各々における電流を調整することによってロータ６２０の位置を正確に制御することができる。これは、「サインコサイン・マイクロステッピング」ロータリステッパモータによって行うことができる。次に、ロータ６２０に取り付けられたフィンガボディ６３０の位置を制御して矢印６３２によって示される方向に沿って移動することができる。この構成は、１つの「ステップ」内で達成される短い＋／−３ｍｍの移動を有する最新の設計のＥＵＶリソグラフィ装置向きの既存のアセンブリのパッケージングによって主に決定される。他の構成も可能である。図示されて上記されるこの構成は、（図３および図４の構成のように）コイルプレートの周りを巻くフィンガボディの必要性を除去し、埋め込み水冷式の厚いコイルプレートを可能とする。この構成は、他のリソグラフィモジュールに用いてＨ２環境内から磁石を除去することもできる。
【００６０】
[0069]  コイル６１０内の電流を所定の方向（例えば、時計回り）に定め、コイル６１２内の電流を反対方向（例えば、反時計周り）に定めることによって、磁束がステータ６０２の極およびロータ６２０の極を介して駆動される。これは、ロータ６２０に力を加えてその極をステータ６０２の極と位置合わせし、フィンガボディ６３０を効果的に駆動させる。電流を反対方向に加えることは、フィンガボディを反対方向に駆動させる。
【００６１】
[0070]  図７は、図３および図４に示す補償器サブシステムの一部と置き換えることができるリニアモータ構成の別の実施形態の概略図である。この実施形態は、図６に示す実施形態と類似しているが、２つだけではなく３つのコイル７１０、７１２および７１４を有する。追加のコイルの使用は、ロータ６２０、したがってフィンガボディ６３０、の位置に対するより良い制御を提供する。
【００６２】
[0071]  図６および図７に示す実施形態の動作の原理は、力を一方向にのみ付与することができる２つの極の単一のコイルステータと対になる二極ロータを含む多数の構成に適用される。
【００６３】
[0072]  図８は、図６および図７に示す実施形態を含むＩＩＣサブシステムを動作するための制御システム８００のブロック図である。図５のように、物理接続またはソフトウェア関係は、実線矢印で示している。仮想の関係は、点線矢印で示している。図５に示す制御システム５００に対して、ＴＡＰＡ５２４は増幅器８２４によって置き換えられ、コイルプレート５２６はコイルおよびステータアセンブリと置き換えられ、磁石アセンブリ５３０は鉄「ロータ」８３０によって置き換えられる。他の点において、サーボシステムは、図５に示すサーボシステム５００と同様に動作する。制御システム８００のブロックは、フィンガの所望の位置を設定するように構築および配置されたモジュール、フィンガの現在の位置を検知するように構築および配置されたモジュール、およびフィンガが所望の位置に位置決めされるようにフィンガの位置を制御するのに適切な電流を生成するように構築および配置されたモジュールを形成するように協働する。
【００６４】
[0073]  図９は、本発明の実施形態またはその一部をコンピュータ読取可能コードとして実施することができる、例示的コンピュータシステム９００の図である。図５および図８に示す制御構成および方法は、コンピュータ読取可能コードとして実施することができる。これらは、ディスプレイ９３０に結合されたディスプレイインターフェース９０２を含むコンピュータシステム９００で実施することもできる。本発明の様々な実施形態を、この例示的コンピュータシステム９００に関して記載している。この記述を読んだ後、他のコンピュータシステムおよび／またはコンピュータアーキテクチャを用いて本発明の実施形態をどのように実施するかは当業者に明らかになるであろう。
【００６５】
[0074]  コンピュータシステム９００は、プロセッサ９０４などの１つ以上のプロセッサを含む。プロセッサ９０４は、専用または汎用プロセッサであってよい。プロセッサ９０４は、通信インフラ９０６（例えば、バスまたはネットワーク）に接続される。
【００６６】
[0075]  コンピュータシステム９００は、さらに、メインメモリ９０５、好ましくはランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）を含み、二次メモリ９１０を含んでもよい。二次メモリ９１０は、例えば、ハードディスクドライブ９１２、リムーバブル記憶ドライブ９１４および／またはメモリスティックを含んでよい。リムーバブル記憶ドライブ９１４は、フロッピー（登録商標）ディスクドライブ、磁気テープドライブ、光ディスクドライブ、フラッシュメモリ等を含むことができる。リムーバブル記憶ドライブ９１４は、周知の方法でリムーバブル記憶ユニット９１８から読み取りおよび／または書き込む。リムーバブル記憶ユニット９１８は、リムーバブル記憶ドライブ９１４によって読み取りかつ書き込まれるフロッピーディスク、磁気テープ、光ディスク等を含むことができる。当業者にとっては当然であるが、リムーバブル記憶ユニット９１８は、コンピュータソフトウェアおよび／またはデータが格納されたコンピュータ使用可能記憶媒体を含む。
【００６７】
[0076]  別の実施形態では、二次メモリ９１０は、コンピュータプログラムまたは他の命令がコンピュータシステム９００にロードされるように他の同様のデバイスを含むことができる。そのようなデバイスは、例えば、リムーバブル記憶ユニット９１８およびインターフェース９２０を含むことができる。そのようなデバイスの例としては、プログラムカートリッジおよびカートリッジインターフェイス（ビデオゲームデバイスで見られるものなど）、リムーバブルメモリチップ（例えば、ＥＰＲＯＭまたはＰＲＯＭ）および関連ソケット、ならびに、ソフトウェアおよびデータがリムーバブル記憶ユニット９１８からコンピュータシステム９００に移動されることを可能にする他のリムーバブル記憶ユニット９１８およびインターフェース９２０を含むことができる。
【００６８】
[0077]  コンピュータシステム９００は、さらに、通信インターフェース９２４を含むことができる。通信インターフェース９２４は、ソフトウェアおよびデータをコンピュータシステム９００と外部デバイスとの間で転送することを可能にする。通信インターフェース９２４は、モデム、ネットワークインターフェース（イーサネット（登録商標）カードなど）、通信ポート、ＰＣＭＣＩＡスロットおよびカードなどを含むことができる。通信インターフェース９２４を介して転送されるソフトウェアおよびデータは、電子信号、電磁信号、光信号、または通信インターフェース９２４によって受信することができる他の信号であり得る信号の形態である。これらの信号は、通信パス９２６および９２８を介して通信インターフェース９２４に提供される。通信パス９２６および９２８は、信号を運び、かつ電線またはケーブル、光ファイバ、電話線、セルラー電話リンク、ＲＦリンクまたは他の通信チャネルを用いて実施することができる。
【００６９】
[0078]  本明細書中、「コンピュータプログラム媒体」および「コンピュータ使用可能媒体」という用語は、一般的に、リムーバブル記憶ユニット９１８、リムーバブル記憶ユニット９１８およびハードディスクドライブ９１２に組み込まれたハードディスクなどの媒体を指すために用いられる。コンピュータプログラム媒体およびコンピュータ使用可能媒体は、さらに、メモリ半導体（例えば、ＤＲＡＭなど）であることもできるメインメモリ９０５および二次メモリ９１０などのメモリを指すこともできる。これらのコンピュータプログラムプロダクトは、ソフトウェアをコンピュータシステム９００に提供する。
【００７０】
[0079]  コンピュータプログラム（コンピュータ制御論理とも呼ぶ）は、メインメモリ９０５および／または二次メモリ９１０に記憶される。コンピュータプログラムは、通信インターフェース９２４を介して受信することもできる。そのようなコンピュータプログラムは、実行されたとき、コンピュータシステム９００が本明細書中に考察した本発明の実施形態を実施できるようにする。特に、コンピュータプログラムは、実行されたとき、プロセッサ９０４が上記した本発明のプロセスを実施できるようにする。したがって、そのようなコンピュータプログラムは、コンピュータシステム９００のコントローラを表す。ソフトウェアを用いて実施される本発明の実施形態のところでは、ソフトウェアは、コンピュータプログラムプロダクトに記憶され、リムーバブル記憶ドライブ９１４、インターフェース９２０、ハードドライブ９１２または通信インターフェース２４を用いてコンピュータシステムにロードすることができる。
【００７１】
[0080]  本発明の実施形態は、あらゆるコンピュータ使用可能媒体に記憶されたソフトウェアを含むコンピュータプログラムプロダクトにも関する。そのようなソフトウェアは、１つ以上のデータ処理デバイスで実行されたとき、（１つ以上の）データ処理デバイスを本明細書中に記載されたように動作させる。本発明の実施形態は、既知であるかまたはこの先知られるあらゆるコンピュータ使用可能または読取可能媒体を採用する。コンピュータ使用可能媒体の例としては、一次記憶デバイス（例えば、あらゆるタイプのランダムアクセスメモリ）、二次記憶デバイス（例えば、ハードドライブ、フロッピーディスク、ＣＤＲＯＭ、ＺＩＰディスク、テープ、磁気記憶デバイス、光記憶デバイス、ＭＥＭ、ナノ技術記憶デバイスなど）および通信媒体（例えば、有線および無線通信ネットワーク、ローカルエリアネットワーク、広域ネットワーク、イントラネットなど）が挙げられるが、これらに限定されない。
【００７２】
結論
[0081]  「発明の概要」および「要約書」の項は、発明者が考える本発明の１つ以上の例示的実施形態を記載できるがそのすべては記載できないため、本発明および添付の特許請求の範囲を決して限定するものではない。
【００７３】
[0082]  以上、特定の機能およびそれらの関係の実施態様を示す機能構成ブロックを使用して本発明の実施形態について説明した。本明細書においては、これらの機能構成ブロックの境界は、説明の便宜上、任意に画定されている。特定の機能およびそれらの関係が適切に実施される限り、代替境界を画定することも可能である。
【００７４】
[0083]  特定の実施形態についての上記説明は、本発明の一般的な性質を余すところなく開示しており、したがって当業者は、当分野における知識を適用することにより、不適切な過度の実験作業を必要とすることなく、また、本発明の一般概念から逸脱することなく、様々な用途のためにこのような特定の実施形態に容易に修正を加え、および／または適合させることができる。したがって、このような適合および修正は、開示されている実施形態の、本明細書において示されている教示および手引きに基づく同等物の意味および範囲内に含まれることが意図されている。本明細書における表現または用語は、説明を目的としたものであって本発明を限定するためのものではなく、したがって本明細書の用語または表現は、当業者によって、教示およびガイダンスに照らして解釈されるべきものであることを理解されたい。
【００７５】
[0084]  本発明の広さおよび範囲は、上で説明したいずれの例示的実施形態によっても限定されず、唯一添付の特許請求の範囲およびそれらの同等物によってのみ定義されるものとする。
【００７６】
[0085]  本出願の特許請求の範囲は、親出願または他の関連出願のものとは異なる。したがって出願人は、本出願に関して親出願またはいかなる先行出願でなされた特許請求の範囲に関するいかなるディスクレイマー(disclaimer)も無効にする。したがって、審査官には、このようないかなる以前のディスクレイマー、並びに回避するようにされた引用文献を再訪する必要があることを留意頂きたい。さらに、審査官には、本出願でなされたいかなるディスクレイマーも親出願に取り込まれない、または親出願に対して読まれないことも認識されたい。
【図１Ａ】
0006050953.tif 000002
【図１Ｂ】
0006050953.tif 000003
【図２】
0006050953.tif 000004
【図３】
0006050953.tif 000005
【図４】
0006050953.tif 000006
【図５】
0006050953.tif 000007
【図６】
0006050953.tif 000008
【図７】
0006050953.tif 000009
【図８】
0006050953.tif 000010
【図９】
0006050953.tif 000011