(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧力により変形する薄膜部と支持部から成る第１の材料で形成されたダイアフラムと、該ダイアフラム上に接合され、第２の材料に複数のひずみゲージを形成しているひずみセンサとを備え、前記ひずみセンサが前記ダイアフラムの中心から離れた端部位置に接合されていると共に、前記ひずみセンサは、２つが相対向して配置されるひずみゲージが４つ一組でブリッジ回路が形成され、そのうちの一方の相対向する２つの前記ひずみゲージと他方の相対向する２つの前記ひずみゲージは垂直な方向になるように配置され、しかも、前記ダイアフラム中心から前記ひずみセンサが接合された方向に対して垂直な方向で、かつ、前記ひずみセンサと隣接又は所定距離離れたダイアフラム上に段差が形成されていることを特徴とする圧カセンサ。
【請求項２】
請求項１に記載の圧力センサにおいて、
前記複数のひずみゲージは、前記ひずみセンサの中心近傍に形成され、かつ、前記ひずみセンサの中心が、前記ダイアフラムの薄膜部の端近傍に合うように接合されていることを特徴とする圧力センサ。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の圧力センサにおいて、
前記段差は、前記ダイアフラム中心から前記ひずみセンサが接合された方向に対して垂直な方向に、前記ひずみセンサを挟むように少なくとも２個形成されていることを特徴とする圧力センサ。
【請求項４】
請求項３に記載の圧力センサにおいて、
前記段差は、前記ダイアフラムの薄膜部を貫通しない深さで形成されていると共に、前記段差の前記ダイアフラム中心から前記ひずみセンサが接合された方向においては、その長さが前記ひずみセンサと同等で、かつ、その位置は前記ひずみセンサの端から端まで位置ずれなく設けられ、一方、前記段差の前記ダイアフラム中心から前記ひずみセンサが接合された方向に対して垂直な方向においては、その長さが前記ダイアフラムの端までは形成されておらず、かつ、その位置は前記ひずみセンサと隣接又は所定距離離れ、少なくとも一部が前記ダイアフラムの薄膜部を含む範囲に形成されていることを特徴とする圧力センサ。
【請求項５】
請求項３に記載の圧力センサにおいて、
前記段差は、前記ダイアフラムの薄膜部を貫通しない深さで形成されていると共に、前記段差の前記ダイアフラム中心から前記ひずみセンサが接合された方向においては、その長さは前記ひずみセンサより長く形成され、かつ、前記ひずみセンサと同等の位置から中心を跨ぐ範囲に設けられ、一方、前記段差の前記ダイアフラム中心から前記ひずみセンサが接合された方向に対して垂直な方向においては、その長さは前記ダイアフラムの端まで形成されておらず、かつ、その位置は前記ひずみセンサと隣接又は所定距離離れ、少なくとも一部が前記ダイアフラムの薄膜部を含む範囲に形成されていることを特徴とする圧力センサ。
【請求項６】
請求項３に記載の圧力センサにおいて、
前記段差は、前記ダイアフラムの薄膜部を貫通しない深さで形成されていると共に、前記段差の前記ダイアフラム中心から前記ひずみセンサが接合された方向においては、前記ダイアフラムの端から端まで設けられ、一方、前記段差の前記ダイアフラム中心から前記ひずみセンサが接合された方向に対して垂直な方向においては、その長さは前記ダイアフラムの端まで形成されておらず、その位置は前記ひずみセンサと隣接又は所定距離離れ、少なくとも一部が前記ダイアフラムの薄膜部を含む範囲に形成されていることを特徴とする圧力センサ。
【請求項７】
請求項３に記載の圧力センサにおいて、
前記段差は、前記ダイアフラムの薄膜部を貫通しない深さで形成されていると共に、前記段差の前記ダイアフラム中心から前記ひずみセンサが接合された方向においては、前記ダイアフラムの端から端まで設けられ、一方、前記段差の前記ダイアフラム中心から前記ひずみセンサが接合された方向に対して垂直な方向においては、前記ひずみセンサと隣接又は所定距離離れた位置から前記ダイアフラムの端まで形成されていることを特徴とする圧力センサ。
【請求項８】
請求項３に記載の圧力センサにおいて、
前記段差は、前記ダイアフラムの薄膜部を貫通しない一定の深さで形成されていると共に、前記段差の前記ダイアフラム中心から前記ひずみセンサが接合された方向においては、前記ダイアフラムの端から端まで設けられ、一方、前記段差の前記ダイアフラム中心から前記ひずみセンサが接合された方向に対して垂直な方向においては、前記ひずみセンサの隣接した位置から前記ダイアフラムの端まで形成されていることを特徴とする圧力センサ。
【請求項９】
請求項３に記載の圧力センサにおいて、
前記段差は、前記ダイアフラムの薄膜部を貫通しない深さで形成されていると共に、前記段差の前記ダイアフラム中心から前記ひずみセンサが接合された方向においては、その長さは前記ひずみセンサより長く形成され、かつ、その位置は、前記ダイアフラムの端から前記ダイアフラムの中心位置まで設けられ、一方、前記段差の前記ダイアフラム中心から前記ひずみセンサが接合された方向に対して垂直な方向においては、前記ひずみセンサと隣接又は所定距離離れた位置から前記ダイアフラムの端まで形成され、少なくとも一部が前記ダイアフラムの薄膜部を含む範囲に形成されていることを特徴とする圧力センサ。
【請求項１０】
請求項３に記載の圧力センサにおいて、
前記段差は、前記ダイアフラムの薄膜部を貫通しない深さで形成されていると共に、前記段差の前記ダイアフラム中心から前記ひずみセンサが接合された方向においては、前記ダイアフラムの薄膜部の端部から前記ダイアフラムの中心を跨いだもう一方の前記ダイアフラムの薄膜部の端部まで設けられ、一方、前記段差の前記ダイアフラム中心から前記ひずみセンサが接合された方向に対して垂直な方向においては、前記ひずみセンサと隣接又は所定距離離れた位置から前記ダイアフラムの薄膜部の端部まで形成され、前記ダイアフラムの支持部の表面には形成されていないことを特徴とする圧力センサ。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の圧力センサにおいて、
前記ひずみセンサがシリコンで形成され、かつ、前記ダイアフラムが金属材料で形成されていることを特徴とする圧力センサ。
【請求項１２】
請求項１１に記載の圧力センサにおいて、
前記ダイアフラムの金属材料は、SUS316Ｌ材であることを特徴とする圧力センサ。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の圧力センサにおいて、
前記ひずみセンサの接合に、Ａu/Ｓｎ共晶接合或いはＡu/Ｇｅ共晶接合又はバナジウム系低融点ガラス（V−glass）を用いていることを特徴とする圧力センサ。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の圧力センサにおいて、
前記ダイアフラムの底部に他部材と締結するためのフランジを備え、前記フランジが気密ハウジングと固定され、前記ダイアフラムと前記気密ハウジングで囲まれた気密空間が一定の気圧を維持するように構成されていることを特徴とする圧力センサ。
【請求項１５】
請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の圧力センサにおいて、
前記フランジの上方で、かつ、前記ダイヤフラムの支持部の側面に、前記ひずみセンサが接合された位置から前記ダイアフラム中心方向に伸延する切欠きが形成されていることを特徴とする圧力センサ。
【請求項１６】
請求項１乃至１５のいずれか１項に記載の圧力センサにおいて、
前記ダイヤフラムは、その表面に前記ひずみセンサの線膨張係数と近い線膨張係数の材質からなる被接合部材を有し、該被接合部材を介して前記ひずみセンサが接合されていることを特徴とする圧力センサ。
【請求項１７】
請求項１６に記載の圧力センサにおいて、
前記被接合部材の表面に、前記段差が形成されていることを特徴とする圧力センサ。
【請求項１８】
請求項１６又は１７に記載の圧力センサにおいて、
前記被接合部材は、Kovar（Ni-Co-Fe）又は４２Alloy(４２Ni-Fe)で形成されていることを特徴とする圧力センサ。
【請求項１９】
請求項１乃至１８のいずれか１項に記載の圧力センサを組み込んで評価対象の圧力をモニタリングすることを特徴とするマスフローメータ。
【請求項２０】
請求項１乃至１８のいずれか１項に記載の圧力センサを組み込んで評価対象の圧力をモニタリングすることを特徴とするマスフローコントローラ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は圧力センサに係り、特に、圧力印加に伴うダイアフラムの変形を利用して圧力を検出するのに好適な圧力センサ及びそれを用いたマスフローメータ並びにマスフローコントローラに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
圧力印加に伴うダイアフラムの変形を利用して圧力を検出する圧力センサとしては、ダイアフラム上にひずみゲージを形成（貼り付け等）することにより、圧力印加に伴うダイアフラムの変形をひずみとして検出する圧力センサが良く知られている。【０００３】
上述のひずみゲージは、わずかな変形であっても自身の電気抵抗を変える。通常、ひずみゲージは４つ一組で形成されており、ブリッジ回路を構成することで圧力に比例した差動電圧出力として計測する方法が良く用いられており、ブリッジ回路を構成し、ひずみゲージ自体の温度特性を補償することを可能としている。例えば、ひずみゲージ自体に温度特性を有していても、温度変化による４つのひずみゲージの変形が各々等しい時には、ひずみセンサの出力は変動しない。【０００４】
また、計測対象の圧力が低い場合には、シリコン基板を一部薄膜化することで受圧部となるシリコンダイアフラムを形成し、このダイアフラム上にひずみゲージを不純物拡散で形成する構成の圧力センサが用いられる。このセンサは、感度が高く、ＩＣを一体構造として形成することが可能であるなどの利点を有している。【０００５】
しかしながら、計測対象の圧力が高い場合や耐食性が必要な場合には適しておらず、金属製のダイアフラムにひずみゲージを貼りつけるか、ひずみゲージを形成したひずみセンサを貼りつけた構成の圧力センサが多く使用される。【０００６】
特許文献１には、圧力センサが開示され、第１の材料から成る第１のダイアフラムが、温度に関しての横膨脹を、第２の材料のひずみセンサのひずみゲージに伝達するようになっており、横膨脹の伝達が、第１のダイアフラムと少なくとも一部との間に設けられた第１の結合材料を介して行われるようになっている。しかも、第１の材料から成る第１のダイアフラムが、第２の材料のひずみセンサよりも大きな熱膨張係数を有しており、第１のダイアフラムが、温度に関しての横膨脹を、ひずみセンサのひずみゲージに伝達し、横膨脹の伝達を、第１のダイアフラムと第１の領域の少なくとも一部との間に設けられた第１の結合材料を介して行うようになっている。【０００７】
また、特許文献２には、ダイアフラムの直径方向の厚肉の梁部と、この厚肉の梁部を除く薄肉の膜部と、厚肉の梁部の上面に形成されたひずみセンサとから成る半導体圧力センサのダイヤフラムが記載され、厚肉の梁部と薄肉の膜部とで段差が形成されることが想定できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００５−２２７２８３号公報
【特許文献２】特開平６−２４１９３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
前述の特許文献１には、ひずみセンサとダイアフラムの熱膨張係数の差によるひずみセンサの破損を防止する圧力センサの仕組みが記載されているが、ひずみセンサを高温で固定することによる初期ゼロ点出力のオフセットや、センサ使用時の温度変化に伴うゼロ点出力の変動を改善する効果は期待できない。【００１０】
通常、圧力印加や温度変化に伴いひずみセンサが等方的に変形する場所にひずみセンサを設置した場合は、ブリッジ回路の機能により出力は変動しない。しかし、ひずみセンサの設置場所は、圧力印加に伴い出力を得るために、ひずみセンサにひずみの差が発生する場所である必要がある。よって、温度変化に伴いひずみセンサとダイアフラムの熱膨張係数の差によって引き起こされるひずみセンサの変形も等方的では無く、上記の課題が発生する。【００１１】
即ち、従来構造の圧力センサにおいては、ダイアフラム薄膜部の端部にひずみセンサを固定した場合には、温度変化に伴い出力が発生する。これは、ダイアフラムの材料である鋼の熱膨張係数が、ひずみセンサの材料であるシリコンの５倍以上と差があるためである。また、ダイアフラム薄膜部の変形を効率良くひずみセンサに伝えるための接合層が、堅い材料であるＡｕ/ＳｎやＡｕ/Ｇｅで形成されている影響も大きい。【００１２】
また、圧力センサの外部の温度が低下すると、ひずみセンサにはＸ方向（図２参照）とＹ方向（図２参照）共に、圧縮のひずみが発生する。両者のひずみが等しければ出力は変化しないが、ダイアフラム薄膜部の端部の厚みのある部分にひずみセンサが固定されているので、Ｘ方向よりＹ方向の圧縮ひずみの方が大きくなるために、出力が変化する。これは、Ｘ方向はダイアフラム薄膜部が変形することにより応力緩和しているが、Ｙ方向ではダイアフラム薄膜部の面積が小さく変形し辛いため、Ｘ方向よりも応力を緩和できないことが原因である。【００１３】
また、ダイアフラムとひずみセンサの固定には、Ａｕ/Ｓｎ共晶接合などの２８０℃以上の高温での接合を用いるため、接合後に温度を低下させると、Ｘ方向とＹ方向でひずみ差が発生し、初期ゼロ点の出力オフセットとして検出される。この初期ゼロ点の出力オフセットが発生すると、オフセット分をゼロに修正するための回路が必要となったり、圧力センサの使用範囲が狭くなったりするなどの課題が発生する。また、圧力センサの使用時においても、民生用圧力センサにおいては１００℃程度、車載用圧力センサにおいては１６０℃程度の温度変化があるため、圧力センサのゼロ点出力は変動してしまう。【００１４】
また、特許文献２には、ひずみセンサがダイアフラムの端部に配置されることについては記載されておらず、ひずみセンサと段差との位置関係も不明であり、上記課題を解決できないことは明らかである。【００１５】
本発明は上述の点に鑑みなされたもので、その目的とするところは、ひずみセンサの初期ゼロ点の出力オフセット及び温度変化に伴うゼロ点の出力変動を改善した圧力センサ及びそれを用いたマスフローメータ並びにマスフローコントローラを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の圧力センサは、上記目的を達成するために、圧力により変形する薄膜部と支持部から成る第１の材料で形成されたダイアフラムと、該ダイアフラム上に接合され、第２の材料に複数のひずみゲージを形成しているひずみセンサとを備え、前記ひずみセンサが前記ダイアフラムの中心から離れた端部位置に接合されていると共に、前記ひずみセンサは、２つが相対向して配置されるひずみゲージが４つ一組でブリッジ回路が形成され、そのうちの一方の相対向する２つの前記ひずみゲージと他方の相対向する２つの前記ひずみゲージは垂直な方向になるように配置され、しかも、前記ダイアフラム中心から前記ひずみセンサが接合された方向に対して垂直な方向で、かつ、前記ひずみセンサと隣接又は所定距離離れたダイアフラム上に段差が形成されていることを特徴とする。
【００１７】
また、本発明のマスフローメータは、上記目的を達成するために、上記構成の圧力センサを組み込んで評価対象の圧力をモニタリングすることを特徴とする。【００１８】
更に、本発明のマスフローコントローラは、上記目的を達成するために、上記構成の圧力センサを組み込んで評価対象の圧力をモニタリングすることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、ひずみセンサの初期ゼロ点の出力オフセット及び温度変化に伴うゼロ点の出力変動を改善した圧力センサ及びそれを用いたマスフローメータ並びにマスフローコントローラを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の圧力センサの実施例１の全回構成を示す平面図である。
【図２】図１に示す圧力センサを破線Ａ−Ａに沿った断面を含む斜視図である。
【図３】本発明の圧力センサに採用されるひずみセンサを示し、４つのひずみゲージで形成したブリッジ回路の例である。
【図４】本発明の圧力センサの実施例１におけるダイアフラムとひずみセンサで構成される受圧構造を示す平面図である。
【図５】図４の一点鎖線Ａ−Ａに沿った断面図である。
【図６】本発明の圧力センサの実施例２におけるダイアフラムとひずみセンサで構成される受圧構造を示す平面図である。
【図７】図６の一点鎖線Ａ−Ａに沿った断面図である。
【図８】本発明の圧力センサの実施例３におけるダイアフラムとひずみセンサで構成される受圧構造を示す平面図である。
【図９】図８の一点鎖線Ａ−Ａに沿った断面図である。
【図１０】本発明の圧力センサの実施例４におけるダイアフラムとひずみセンサで構成される受圧構造を示す平面図である。
【図１１】図１０の一点鎖線Ａ−Ａに沿った断面図である。
【図１２】本発明の圧力センサの実施例５におけるダイアフラムとひずみセンサで構成される受圧構造を示す平面図である。
【図１３】図１２の一点鎖線Ａ−Ａに沿った断面図である。
【図１４】本発明の圧力センサの実施例６におけるダイアフラムとひずみセンサで構成される受圧構造を示す平面図である。
【図１５】図１４の一点鎖線Ａ−Ａに沿った断面図である。
【図１６】本発明の圧力センサの実施例７におけるダイアフラムとひずみセンサで構成される受圧構造を示す平面図である。
【図１７】図１６の一点鎖線Ａ−Ａに沿った断面図である。
【図１８】本発明の圧力センサの実施例８におけるダイアフラムとひずみセンサで構成される受圧構造を示す平面図である。
【図１９】図１８の一点鎖線Ａ−Ａに沿った断面図である。
【図２０】本発明の圧力センサの実施例９におけるダイアフラムとひずみセンサで構成される受圧構造を示す平面図である。
【図２１】図２０の一点鎖線Ａ−Ａに沿った断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、図示した実施例に基づいて本発明の圧力センサを説明する。なお、本発明の対象は圧力センサであり、以下の実施例では、ひずみセンサを用いた絶対圧センサを例にして説明する。また、各実施例において、同一構成部品には同符号を使用する。
【実施例１】
【００２２】
先ず、本発明の対象である圧力センサの全体構成を図１及び図２を用いて説明する。【００２３】
該図に示す如く、本実施例での圧力センサ１は、気密ハウジング５と、この気密ハウジング５の中央部に形成されている気密空間６に配置されるダイアフラム２と、このダイアフラム２上に接合層４を介して設置されるひずみセンサ３とから概略構成されている。【００２４】
上述したダイアフラム２は、ダイアフラム薄膜部２１と、このダイアフラム薄膜部２１を支持するダイアフラム支持部２２と、ダイアフラム支持部２２を気密ハウジング５に固定するフランジ２３と、後で詳述するダイアフラム薄膜部２１に設けられた段差（図示せず）とで構成されている。【００２５】
また、ダイアフラム２は第１の材料で形成されており、例えば、耐食性の高い鋼などの金属材料を材質とする。しかも、ダイアフラム２は円筒形をしており、中央部を加工により薄膜化するか、又は加工を施した薄い基板を重ね合わせることで、ダイアフラム薄膜部２１を形成している。薄膜化の加工方法としては、切削やプレス加工、拡散接合等がある。【００２６】
一方、ダイアフラム薄膜部２１の端部は、フィレットが形成されており、圧力印加や温度変化に伴う応力集中を緩和する構造となっている。また、ダイアフラム薄膜部２１は、計測対象の圧力をひずみセンサ３の設置面と逆の面から受けることで変形し、接合したひずみセンサ３に圧力に比例したひずみを発生させる構造となっている。更に、ダイアフラム支持部２２は、ダイアフラム薄膜部２１より厚いため、計測対象の圧力の影響で変形し辛い構造となっている。また、フランジ２３は、ダイアフラム支持部２２と気密ハウジング５との接続のために形成されており、抵抗溶接やレーザー溶接が可能な厚みと幅を備えている。【００２７】
次に、ひずみセンサ３の構成について、図１乃至図３を用いて説明する。図３に示すように、ひずみセンサ３の表面中心には、４つのひずみゲージ７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄが形成されており、４つ一組のブリッジ回路が構成されている。また、ひずみセンサ３は、線膨張率がダイアフラム２の第１の材料と異なる第２の材料（例えば、シリコンなど）で形成されており、ひずみゲージ７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄは、例えば、シリコン基板に不純物拡散することなどにより形成されている。更に、ひずみゲージ７ａ、７ｂは、図２に示すダイアフラム２の水平方向であるダイアフラム２の中心からひずみセンサ３が接合された方向（以下、Ｘ方向という）が、ひずみゲージ７ｃ、７ｄは、図２に示すダイアフラム２の前後方向であるダイアフラム２の中心からひずみセンサ３が接合された方向に対して垂直な方向（以下、Ｙ方向という）が電流方向となるように配置されている。【００２８】
このようなひずみセンサ３の構成により、Ｘ方向とＹ方向のひずみ差に比例した出力が、ブリッジ回路の中間電位の差動出力として得られる。一方で、ひずみゲージ７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄのゲージ率の温度特性による影響は、温度特性が４つのひずみゲージ７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄで等しければ、抵抗変化も等しくなり、ブリッジ回路で補償することができる。【００２９】
また、円筒形のダイアフラム２の圧力による変形は、軸対称で、かつ、ダイアフラム２の中央にひずみセンサ３を配置すると、Ｘ方向とＹ方向のひずみ差が得られない。よって、ひずみセンサ３は感度の向上を目的に、ダイアフラム薄膜部２１の端部に設置している。ひずみセンサ３をダイアフラム薄膜部２１の端部に設置することで、ひずみセンサ３にＸ方向とＹ方向とで、それぞれ圧縮ひずみと引張ひずみが発生し、ひずみ差を大きくすることが可能になる。これにより、圧力センサ１の感度の向上が見込める。【００３０】
また、ダイアフラム２とひずみセンサ３は、接合層４を介して強固に固定されている。
例えば、ダイアフラム２とひずみセンサ３の接合に金属接合或いはガラス接合を用いることにより、長期間の温度や圧力印加に伴うクリープ変形を抑制することができる。また、金属は堅い材料であるため、ダイアフラム薄膜部２１の変形をひずみセンサ３に効率よく伝達できる。【００３１】
上述した金属接合として、Ａｕ/Ｓｎ共晶接合やＡｕ/Ｇｅ共晶接合などを用いることができ、２８０℃以上の高温で接合できる。また、上述したガラス接合として、バナジウム系低融点ガラス（V−glass）を用いることができ、３７０℃以上の高温で接合できる。【００３２】
また、気密ハウジング５は、ダイアフラム２やひずみセンサ３を囲うようにフランジ２３と固定されており、ダイアフラム薄膜部２１の周囲の気密空間６を、一定の気圧（例えば、真空）に維持している。気密ハウジング５とフランジ２３の固定には、例えば、抵抗溶接やレーザー溶接などの気密性を維持可能な固定方法を用いることができる。これにより、圧力センサ１の使用時には、計測対象以外の圧力変動の影響を受けない絶対圧センサとして構成することができる。【００３３】
更に、気密ハウジング５には、圧力センサ１を所定の箇所に固定するための複数のネジ穴を設けることができる。このネジ穴は、ネジの締結により気密ハウジング５に不測の応力が加わって、ひずみセンサ３によるひずみの測定に悪影響を及ぼさないように、例えば、ダイアフラム２から離れた位置に設けることが好ましい。【００３４】
また、圧力センサ１には、ひずみセンサ３からの出力を外部に取り出すことができる電極（図示しない）を設けることができる。この電極は、例えば、気密ハウジング５の気密空間６と外部と連通する穴に、電気的絶縁を有して複数本貫通させて設けることができる。更に、電極の気密空間６側の端部とひずみセンサ３とは、例えば、フレキシブルフラットケーブルなどの柔軟性のある配線部材（図示しない）を用いて電気的に接続することができる。これにより、ダイアフラム薄膜部２１及びこれに接合されたひずみセンサ３が、評価対象の圧力変動に応じて移動した場合であっても、電極とひずみセンサ３との電気的接続を安定して維持することができる。【００３５】
次に、本実施例におけるダイアフラム薄膜部２１に設けられた段差２４について、図４及び図５を用いて説明する。なお、図４の破線は、ダイアフラム薄膜部２１の外形を示す隠れ線である（以下に説明する各実施例における破線も同様である）。【００３６】
該図に示す如く、本実施例では、ダイアフラム２に加工を施すことによって、ダイアフラム２をＹ方向にも変形しやすくし、ひずみセンサ３に加わるＹ方向の圧縮ひずみを低減するようにしたものである。即ち、ダイアフラム２の中心からひずみセンサ３が接合された方向（Ｘ方向）に対して垂直な方向（Ｙ方向）で、かつ、ひずみセンサ３と隣接又は所定距離（実装位置ずれ（加工ずれ含む）を含み、ダイアフラム薄膜部２１を含む範囲の距離）離れたダイアフラム２上に、段差２４ａ、２４ｂを形成したものである。つまり、図４及び図５に示す如く、本実施例では、ダイアフラム２の表面を掘り下げることで、ひずみセンサ３のＹ方向に、ひずみセンサ３を挟むように２箇所に段差２４ａ、２４ｂを形成している。この段差２４ａ、２４ｂを形成することにより、Ｙ方向のダイアフラム薄膜部２１の変形が容易になり、Ｘ方向とＹ方向とのひずみの差が小さくなるので、温度変化に伴うゼロ点の出力変動を抑制することが可能となる。【００３７】
上述した段差２４ａ、２４ｂは、ダイアフラム薄膜部２１を貫通しない一定の深さで形成されている。また、段差２４ａ、２４ｂのＸ方向においては、段差２４ａ、２４ｂの長さは接合したひずみセンサ３と同等の長さで形成されており、段差２４ａ、２４ｂの位置はひずみセンサ３の端から端まで位置ずれなく設けられている。一方、段差２４ａ、２４ｂのＹ方向においては、段差２４ａ、２４ｂの長さはダイアフラム２の端までは形成されておらず、段差２４ａ、２４ｂの位置は、ひずみセンサ３と隣接又は所定距離離れており、少なくとも一部がダイアフラム薄膜部２１を含む範囲に形成されている。【００３８】
更に、温度変化によりひずみセンサ３に加わる圧縮ひずみは、ひずみセンサ３のＹ方向のダイアフラム２の表面を掘り下げた段差２４ａ、２４ｂを形成することで、Ｙ方向のダイアフラム薄膜部２１の変形が容易になり、Ｙ方向の圧縮ひずみが緩和される。これにより、Ｘ方向とＹ方向とのひずみの差が小さくなり、温度変化に伴うゼロ点の出力変動を抑制できる。【００３９】
また、段差２４ａ、２４ｂが、ひずみセンサ３の隣にのみ形成されているので、圧力が印加された場合のダイアフラム薄膜部２１全体の変形量が抑制され、ダイアフラム薄膜部２１へ集中する応力を段差２４ａ、２４ｂが無い場合と同等にできる。これにより、温度変化に伴うゼロ点出力の変動を抑制しつつ、圧力印加に伴う変形でのダイアフラム２の破損を防止できる。【００４０】
また、段差２４ａ、２４ｂは、ひずみセンサ３からＹ方向に一定距離離れた場所に形成されており、ひずみセンサ３を実装する位置をずらすことで、ひずみセンサ３と段差２４ａ、２４ｂが重なることは無い。これにより、ひずみセンサ３の接合面積減少の防止、段差２４ａ、２４ｂの端部で発生する応力集中起因の接合層４のクリープ変形を防止する効果がある。【００４１】
このような本実施例の構成とすることにより、ひずみセンサ３の初期ゼロ点の出力オフセット及び温度変化に伴うゼロ点の出力変動を改善した圧力センサ１を得ることができる。即ち、本実施例の圧力センサ１のように、ダイアフラム２上を掘り下げることで段差２４ａ、２４ｂを形成し、ひずみセンサ３の固定のための接合に伴う熱応力による初期ゼロ点の出力オフセットや、センサ使用時の温度変化に伴う熱応力によるゼロ点出力変動を抑制することが可能な圧力センサ１を提供できる。例えば、低コスト化を目的に、ダイアフラム２の材料をひずみセンサ３と熱膨脹係数の異なる安い材料にした場合においても、初期ゼロ点出力のオフセットを抑制し、使用温度の変化に伴う出力変動である温度特性を改善する効果が得られる。
【実施例２】
【００４２】
図６及び図７に本発明の圧力センサの実施例２を示す。以下に示す実施例２では、実施例１との相違点のみ説明する。【００４３】
該図に示す本実施例では、段差２４ａ、２４ｂは、ダイアフラム薄膜部２１を貫通しない一定の深さで形成されていると共に、段差２４ａ、２４ｂのＸ方向においては、段差２４ａ、２４ｂの長さは接合したひずみセンサ３より長く形成されており、ひずみセンサ３と同等の位置から中心を跨ぐ範囲に設けられている。また、ダイアフラム支持部２２の表面に大きく段差２４ａ、２４ｂを設けないのは、ダイアフラム支持部２２がダイアフラム薄膜部２１より厚く変形し辛いため、圧縮ひずみを緩和する効果がダイアフラム薄膜部２１より小さいためである。一方、段差２４ａ、２４ｂのＹ方向においては、段差２４ａ、２４ｂの長さはダイアフラム２の端まで形成されておらず、段差２４ａ、２４ｂの位置はひずみセンサ３から隣接又は所定距離離れており、少なくとも一部がダイアフラム薄膜部２１を含む範囲に形成されている。【００４４】
このように構成することにより、実施例１と同様な効果が得られる。【００４５】
また、温度変化によりひずみセンサ３に加わる圧縮ひずみには、ひずみセンサ３のＹ方向のダイアフラム２の表面を掘り下げて段差２４ａ、２４ｂを形成することで、Ｙ方向のダイアフラム薄膜部２１の変形が容易になり、Ｙ方向の圧縮ひずみが緩和される。これにより、Ｘ方向とＹ方向とのひずみの差が小さくなり、温度変化に伴うゼロ点の出力変動を抑制できる。また、段差２４ａ、２４ｂを実施例１よりも大きくすることで、ダイアフラム薄膜部２１のＹ方向への変形は、実施例１より容易であり、より圧縮ひずみを緩和できる効果がある。
【実施例３】
【００４６】
図８及び図９に本発明の圧力センサの実施例３を示す。以下に示す実施例３では、実施例１との相違点のみ説明する。【００４７】
該図に示す本実施例では、段差２４ａ、２４ｂは、ダイアフラム薄膜部２１を貫通しない一定の深さで形成されていると共に、段差２４ａ、２４ｂのＸ方向においては、段差２４ａ、２４ｂは、ダイアフラム２の端から端まで設けられている。一方、段差２４ａ、２４ｂのＹ方向においては、段差２４ａ、２４ｂの長さはダイアフラム２の端まで形成されておらず、段差２４ａ、２４ｂの位置はひずみセンサ３から隣接又は所定距離離れており、少なくとも一部がダイアフラム薄膜部２１を含む範囲に形成されている。【００４８】
このように、段差２４ａ、２４ｂをダイアフラム２の端まで形成する構造にすることによって、実施例１と同様な効果が得られることは勿論、ダイアフラム薄膜部２１の形成後に、フライス盤などを用いた加工が容易に行え、低コスト化も図れる。【００４９】
また、温度変化によりひずみセンサ３に加わる圧縮ひずみは、ひずみセンサ３のＹ方向のダイアフラム２の表面を掘り下げて段差２４ａ、２４ｂを形成することで、Ｙ方向のダイアフラム薄膜部２１の変形が容易になり、Ｙ方向の圧縮ひずみが緩和される。これにより、Ｘ方向とＹ方向とのひずみの差が小さくなり、温度変化に伴うゼロ点の出力変動を抑制できる。また、段差２４ａ、２４ｂを実施例１よりも大きくすることで、ダイアフラム薄膜部２１のＹ方向への変形は、実施例１より容易であり、より圧縮ひずみを緩和できる効果がある。
【実施例４】
【００５０】
図１０及び図１１に本発明の圧力センサの実施例４を示す。以下に示す実施例４では、実施例１との相違点のみ説明する。【００５１】
該図に示す本実施例では、段差２４ａ、２４ｂは、ダイアフラム薄膜部２１を貫通しない一定の深さで形成されていると共に、段差２４ａ、２４ｂのＸ方向においては、段差２４ａ、２４ｂがダイアフラム２の端から端まで設けられている。一方、段差２４ａ、２４ｂのＹ方向においては、段差２４ａ、２４ｂは、ひずみセンサ３と隣接又は所定距離離れた位置からダイアフラム２の端まで形成されている。【００５２】
このように構成することにより、実施例１と同様な効果が得られる。【００５３】
また、温度変化によりひずみセンサ３に加わる圧縮ひずみは、ひずみセンサ３のＹ方向のダイアフラム２の表面を掘り下げて段差２４ａ、２４ｂを形成することで、Ｙ方向のダイアフラム薄膜部２１の変形が容易になり、Ｙ方向の圧縮ひずみが緩和される。これにより、Ｘ方向とＹ方向とのひずみの差が小さくなり、温度変化に伴うゼロ点の出力変動を抑制できる。また、段差２４ａ、２４ｂを実施例１乃至３よりも大きくすることで、ダイアフラム薄膜部２１のＹ方向への変形は、実施例１乃至３より容易であり、より圧縮ひずみを緩和できる効果を有する。また、実施例１乃至３のような加工を施しても、Ｙ方向の圧縮ひずみがＸ方向より大きい場合においては、本実施例の構成により、ゼロ点の出力変動をさらに抑制することができる。
【実施例５】
【００５４】
図１２及び図１３に本発明の圧力センサの実施例５を示す。以下に示す実施例５では、実施例１との相違点のみ説明する。【００５５】
該図に示す本実施例では、段差２４ａ、２４ｂは、ダイアフラム薄膜部２１を貫通しない一定の深さで形成されていると共に、段差２４ａ、２４ｂのＸ方向においては、段差２４ａ、２４ｂがダイアフラム２の端から端まで設けられている。一方、段差２４ａ、２４ｂのＹ方向においては、段差２４ａ、２４ｂは、ひずみセンサ３の隣接した位置からダイアフラム２の端まで形成されている。【００５６】
このように、段差２４ａ、２４ｂが隣接することによって、実施例１と同様な効果が得られることは勿論、ひずみセンサ３の実装時のアライメントに利用でき、ひずみセンサ３の位置決めを容易に行える。【００５７】
また、温度変化によりひずみセンサ３に加わる圧縮ひずみは、ひずみセンサ３のＹ方向のダイアフラム２の表面を掘り下げて段差２４ａ、２４ｂを形成することで、Ｙ方向のダイアフラム薄膜部２１の変形が容易になり、Ｙ方向の圧縮ひずみが緩和される。これにより、Ｘ方向とＹ方向とのひずみの差が小さくなり、温度変化に伴うゼロ点の出力変動を抑制できる。また、段差２４ａ、２４ｂを実施例１乃至３よりも大きくすることで、ダイアフラム薄膜部２１のＹ方向への変形は、実施例１乃至３より容易であり、より圧縮ひずみを緩和できる効果を有する。また、実施例１乃至３のような加工を施しても、Ｙ方向の圧縮ひずみがＸ方向より大きい場合においては、本実施例の構成により、ゼロ点の出力変動をさらに抑制することができる。
【実施例６】
【００５８】
図１４及び図１５に本発明の圧力センサの実施例６を示す。以下に示す実施例６では、実施例１との相違点のみ説明する。【００５９】
該図に示す本実施例では、段差２４ａ、２４ｂは、ダイアフラム薄膜部２１を貫通しない一定の深さで形成されていると共に、段差２４ａ、２４ｂのＸ方向においては、長さは接合したひずみセンサ３より長く形成されており、段差２４ａ、２４ｂの位置は、ダイアフラム２の端からダイアフラム２の中心位置まで設けられている。一方、段差２４ａ、２４ｂのＹ方向においては、段差２４ａ、２４ｂがひずみセンサ３と隣接又は所定距離離れた位置からダイアフラム２の端まで形成されており、少なくとも一部がダイアフラム薄膜部２１を含む範囲に形成されている。【００６０】
このように構成することにより、実施例１と同様な効果が得られる。【００６１】
また、温度変化によりひずみセンサ３に加わる圧縮ひずみは、ひずみセンサ３のＹ方向のダイアフラム２表面を掘り下げて段差２４ａ、２４ｂを形成することで、Ｙ方向のダイアフラム薄膜部２１の変形が容易になり、Ｙ方向の圧縮ひずみが緩和される。これにより、Ｘ方向とＹ方向とのひずみの差が小さくなり、温度変化に伴うゼロ点の出力変動を抑制できる。【００６２】
更に、段差２４ａ、２４ｂの加工を施さない構造においては、圧力印加に伴い、ダイアフラム２の中心からひずみセンサ３の設置方向とは逆方向のダイアフラム薄膜部２１の端部で応力が集中する。よって、段差２４ａ、２４ｂを応力が集中するひずみセンサ３の設置方向には段差を形成しないことで、ダイアフラム薄膜部２１への応力集中の増加が抑制でき、ダイアフラム２の破損が防止できる。
【実施例７】
【００６３】
図１６及び図１７に本発明の圧力センサの実施例７を示す。以下に示す実施例７では、実施例１との相違点のみ説明する。【００６４】
該図に示す本実施例では、段差２４ａ、２４ｂは、ダイアフラム薄膜部２１を貫通しない一定の深さで形成されていると共に、段差２４ａ、２４ｂのＸ方向においては、段差２４ａ、２４ｂがダイアフラム薄膜部２１の端部からダイアフラム２の中心を跨いだもう一方のダイアフラム薄膜部２１の端部まで設けられている。一方、段差２４ａ、２４ｂのＹ方向においては、段差２４ａ、２４ｂがひずみセンサ３と隣接又は所定距離離れた位置からダイアフラム薄膜部２１の端部まで形成されており、ダイアフラム支持部２２の表面には形成されていない。【００６５】
このように構成することにより、実施例１と同様な効果が得られる。【００６６】
また、温度変化によりひずみセンサ３に加わる圧縮ひずみは、ひずみセンサ３のＹ方向のダイアフラム２の表面を掘り下げて段差２４ａ、２４ｂを形成することで、Ｙ方向のダイアフラム薄膜部２１の変形が容易になり、Ｙ方向の圧縮ひずみが緩和される。これにより、Ｘ方向とＹ方向とのひずみの差が小さくなり、温度変化に伴うゼロ点の出力変動を抑制できる。【００６７】
更に、段差２４ａ、２４ｂの加工を施さない構造においては、圧力印加に伴い、ダイアフラム薄膜部２１の端部で応力集中が発生する。よって、段差２４ａ、２４ｂを応力が集中するダイアフラム薄膜部２１の端部を跨いで形成しないことで、ダイアフラム薄膜部２１への応力集中の増加が抑制でき、ダイアフラム２の破損が防止できる。
【実施例８】
【００６８】
図１８及び図１９に本発明の圧力センサの実施例８を示す。以下に示す実施例８は、図８及び図９に示す実施例３の変形例であり、実施例３と相違点のみ説明する。【００６９】
該図に示す本実施例では、フランジ２３の上方で、かつ、ダイヤフラム支持部２２の側面に、ひずみセンサ３が接合された位置からダイアフラム中心方向（Ｘ方向）に伸延する切欠き２５が形成されているものである。他の構成は、実施例３と同様である。【００７０】
通常、フランジ２３は、他部材である例えばガス流路ベース（図示せず）に取付けるためのものであるが、このガス流路ベースに取付ける際、ガスが漏れないようにフランジ２３の底部とガス流路ベースの間にＯリング又はメタルＯリングを介してネジ締結している。しかし、そのネジ締結によりフランジ２３が変形し、ダイヤフラム支持部２２並びにダイヤフラム薄膜部２１に歪を与え、歪センサ３がその歪を検知してしまい、歪センサ３で検知した歪が、経時的に変化するとセンサ精度に影響を及ぼしてしまう恐れがある。【００７１】
しかしながら、上述した本実施例によれば、実施例３と同様な効果が得られることは勿論、ダイヤフラム支持部２２の側面に切欠き２５を設けることで、フランジ２３の変形をダイヤフラム薄膜部２１に伝搬することを抑制することができ、ネジ締結によりフランジ２３が変形したとしても、フランジ２３の変形をダイヤフラム薄膜部２１に伝搬することが抑制されるので、歪センサ３が歪を検知することがなくなり、センサ精度に影響を及ぼすことはないと言う効果がある。
【実施例９】
【００７２】
図２０及び図２１に本発明の圧力センサの実施例９を示す。以下に示す実施例９は、図１８及び図１９に示す実施例８の変形例であり、実施例８と相違点のみ説明する。【００７３】
該図に示す本実施例では、ダイヤフラム２の表面に、ひずみセンサ３の線膨張係数と近い線膨張係数の材質からなる被接合部材２６を有し、この被接合部材２６及び接合層４を介してひずみセンサ３が接合されていると共に、被接合部材２６面に、実施例８と同様な段差２４ａ、２４ｂが形成されている。【００７４】
通常、シリコンからなるひずみセンサ３をダイヤフラム２面に接合する手段は、クリープ等の問題から強固な金属接合（Ａｕ/Ｓｎ共晶接合やＡｕ/Ｇｅ共晶接合）或いはガラス接合（V−glass）が有効である。どちらの接合も２８０℃以上の温度で接合材を溶融させて接着するものであり、線膨張係数が異なる材料を接合すると固着時に大きな歪が残留してしまう。【００７５】
線膨張係数が１５.９×１０−６/℃の耐食性良好なＳＵＳ３１６Ｌ材からなるダイヤフラム２と線膨張係数が３.１×１０−６/℃のシリコンからなるひずみセンサ３を接合すると、線膨張係数が異なり過ぎ、極端な場合、ひずみセンサ３にクラックが入ってしまう。また、クラックなく接合できたとしても、温度変化により熱収縮差によるひずみが生じ、温度特性の悪いセンサとなってしまう。【００７６】
しかしながら、上述した本実施例によれば、実施例８と同様な効果が得られることは勿論、ダイヤフラム２の表面に、ひずみセンサ３の線膨張係数と近い線膨張係数の材質からなる被接合部材２６を有し、この被接合部材２６を介してひずみセンサ３が接合されているので、両者が線膨張係数が近く、ひずみセンサ３にクラックが入ることがなくなり、温度変化により熱収縮差によるひずみも生じることはなく、温度特性の良好なセンサを得ることができる。【００７７】
なお、上述した被接合部材２６は、線膨張係数がシリコンに近いものとすることが最良であり、例えば線膨張係数５×１０−６/℃程度のKovar（Ni-Co-Fe）又は４２Alloy(４２Ni-Fe)等が好ましい。【００７８】
但し、これらの材料は、耐食性から接ガス部材として好ましくない。そこで、低線膨張材とＳＵＳ３１６Ｌ材を張り合わせた複合材を加工し、接ガス部をＳＵＳ３１６Ｌ材としたダイヤフラム２を実現している。また、ダイヤフラム薄膜部２１は、極力ＳＵＳ３１６Ｌ層が薄いことが良く、ダイヤフラム薄膜部２１の全体厚さ（図２１にＬで示す）の１/４以下が望ましい。【００７９】
なお、実施例９では、ダイヤフラム２の表面全体に被接合部材２６を有しているが、ひずみセンサ３が設置されている箇所のダイヤフラム薄膜部２１に被接合部材２６が有していることでもよい。この場合は、ダイヤフラム２の表面に上述した段差２４ａ、２４ｂが形成されることになる。【００８０】
次に、本発明におけるダイアフラム薄膜部２１の段差２４ａ、２４ｂの効果を確認するため、本発明者等が行った有限要素法によるコンピュータシミレーションを用いて圧力センサ１の感度と温度特性を計算した結果を説明する。【００８１】
計算に用いたダイアフラム２の形状は、ダイアフラム支持部２２の外径が１０．０ｍｍ、ダイアフラム２の高さが２．０ｍｍ、ダイアフラム支持部２２の内径が７．６ｍｍ、ダイアフラム薄膜部２１の厚さが０．２５ｍｍとし、段差２４ａ、２４ｂの形状は図４乃至図７または図１０及び図１１の形状とし、段差２４ａ、２４ｂの深さは０．１ｍｍとした。また、ダイアフラム２の線膨張率の値にはＮｉ−Ｃｏ合金（コバール）の値である５．１×１０−６／Ｋを使用した。【００８２】
計算に用いたひずみセンサ３の形状は、縦横がそれぞれ２．４ｍｍ、厚さが０．１６ｍｍとし、ひずみセンサ３の線膨張率の値にはシリコンの値である３．０×１０−６／Ｋを使用した。また、ひずみセンサ３の接合位置は、ひずみセンサ３の中心がダイアフラム薄膜部２１の中心から径方向に２．９ｍｍだけ離れた位置にくるような位置とした。【００８３】
計算に用いた接合層４の形状は、縦横がそれぞれ２．４ｍｍ、厚さが０．０１ｍｍとし、接合層４の線膨張係数の値にはＡu/Ｓｎ共晶合金の値である１７．５×１０−６／Ｋを使用した。【００８４】
圧力センサ１の感度は、ダイアフラム薄膜部２１に評価対象の圧力が加わった場合のひずみセンサ３で検知されるＸ方向のひずみεＸとＹ方向のひずみεＹの差εＸ−εＹで評価し、段差２４ａ、２４ｂがない場合の感度を１とした場合の係数として求めた。【００８５】
圧力センサ１の温度特性は、Ａu/Ｓｎ共晶合金の融点である２８０℃から２０℃まで冷却される過程で生じるεＸ−εＹの値を計算し、段差２４ａ、２４ｂがない場合の温度係数を１とした場合の係数として求めた。【００８６】
シミュレーションの結果を表１に示す。【００８７】
【表１】
0005839150.tif 000002
【００８８】
表１に示す通り、本発明にかかる図４乃至図７または図１０及び図１１に示す段差２４ａ、２４ｂを設けたダイアフラム２を採用した場合は、段差２４ａ、２４ｂがない場合に比べて圧力センサ１の感度、温度特性が共に改善されることが確認できた。【００８９】
上記したコンピュータシミュレーションの結果を実際に確認するため、上記のサイズと図８及び図９の形状を有するダイアフラム２をＮｉ−Ｃｏ合金（コバール）で作製し、これに上記のサイズのひずみセンサ３を上記の位置にＡu/Ｓｎ共晶合金を用いて金属接合して、圧力センサａを作製した。【００９０】
また、比較資料として、同じ材料で段差のないダイアフラムを作製し、同様にひずみセンサを金属接合して、圧力センサｂを作製した。【００９１】
これらの圧力センサのダイアフラムに、圧力５００Ｐａの窒素ガスを加えたときの感度を測定したところ、圧力センサｂが１．００であるのに対し、圧力センサａでは１．１３であった。【００９２】
また、これらの圧力センサを５℃から６０℃まで加熱したときの温度係数の絶対値を測定したところ、圧力センサｂでは０．６０με／℃であったのに対し、圧力センサａでは０．４２με／℃であった。【００９３】
以上の結果より、本発明に係る圧力センサは、従来の圧力センサに比べて感度及び温度特性が改善されることが確認できた。【００９４】
次に、本発明の実施例８において、メタルＯリングを介してフランジ２３を流路ベースに締結した時のひずみセンサ３が感受する出力を表２に示す（表２は、切欠き２５がない場合の出力を１として表示している）。その時の図１９に示すＷ寸法は１.４mm、高さ寸法Hは２.８mmである。【００９５】
【表２】
0005839150.tif 000003
【００９６】
表２から明らかのように、切欠き２５があることで締結歪がダイヤフラム薄膜部２１に伝搬しにくくなり、ひずみセンサ３の出力は軽減されていることが分かる。また、高さＨを大きくすると、更にその効果が大きいことも分かる。【００９７】
以上説明した本発明に係る圧力センサ１の用途は、特に限定されるものではないが、ダイアフラム２を形成する第１の材料に耐食性の高い鋼などの材料を採用した場合には、例えば、腐食性の高い計測対象の圧力を測定する用途などに好適に用いることができる。かかる用途に用いる場合、ダイアフラム２を形成する第１の材料に耐食性の高い鋼などの材料を採用することに代えて、または、耐食性の高い鋼などの材料を採用することに加えて、第１の材料の表面に各種のコーティングを施すことができる。コーティングは、例えば、ニッケルや金などの耐食性に優れた金属のめっき層として構成してもよいし、フッ素樹脂などの耐腐食性に優れた樹脂の塗布層として構成してもよく、これらの組み合わせでもよい。【００９８】
また、本発明に係る圧力センサ１は、小型で、温度特性に優れているので、例えば、半導体製造装置に用いられるマスフローメータやマスフローコントローラなどに組み込んで計測対象の圧力をモニタリングする用途にも好適に用いることができる。【００９９】
なお、本発明は上記した実施例に限定されるものでは無く、様々な変形例が含まれる。
例えば、上記した実施例は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものでは無い。また、実施例の構成の一部を他の実施例の構成に置き換えることが可能であり、また、ある実施例の構成に他の実施例の構成を加えることも可能である。また、各実施例の構成の一部について、他の構成の追加・削除・置換をすることが可能である。
【符号の説明】
【０１００】
１…圧力センサ、２…ダイアフラム、３…ひずみセンサ、４…接合層、５…気密ハウジング、６…気密空間、７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄ…ひずみゲージ、２１…ダイアフラム薄膜部、２２…ダイアフラム支持部、２３…フランジ、２４、２４ａ、２４ｂ…段差、２５…切欠き、２６…被接合部材。
【図１】
0005839150.tif 000004
【図２】
0005839150.tif 000005
【図３】
0005839150.tif 000006
【図４】
0005839150.tif 000007
【図５】
0005839150.tif 000008
【図６】
0005839150.tif 000009
【図７】
0005839150.tif 000010
【図８】
0005839150.tif 000011
【図９】
0005839150.tif 000012
【図１０】
0005839150.tif 000013
【図１１】
0005839150.tif 000014
【図１２】
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【図１３】
0005839150.tif 000016
【図１４】
0005839150.tif 000017
【図１５】
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【図１６】
0005839150.tif 000019
【図１７】
0005839150.tif 000020
【図１８】
0005839150.tif 000021
【図１９】
0005839150.tif 000022
【図２０】
0005839150.tif 000023
【図２１】
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