(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
モールドを用いて基板上のインプリント材にパターンを形成するインプリント装置であって、
前記インプリント材を硬化させるための第１光を前記インプリント材に照射する照明部と、
前記モールドに形成されたマーク及び前記基板に形成されたマークに第２光を照射し、前記マークからの前記第２光をセンサに導く検出光学系と、
前記基板面の結像面を前記検出光学系との間に形成するリレー光学系とを有し、
前記リレー光学系は、
前記照明部からの前記第１光と前記検出光学系からの前記第２光とを合成して前記モールドに導く合成部と、
前記マークからの光で前記合成部を介した前記第２光を透過させて前記センサへ入射させ、前記マークからの光で前記合成部を介した前記第１光を遮る光学部材と、
前記リレー光学系の中心に対して前記光学部材と反対側に配置されている光透過部材と、
を有し、
前記リレー光学系を構成するレンズが、前記リレー光学系の中心に対して点対称に配置されていることを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記光学部材及び前記光透過部材は板状部材であることを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記光学部材は前記リレー光学系の中心に対して前記合成部側に配置され、前記光透過部材は前記リレー光学系の中心に対して前記検出光学系側に配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記リレー光学系は、前記光学部材及び前記光透過部材の他に、凸レンズ及び凹レンズを有し、
前記凸レンズ及び前記凹レンズが、前記リレー光学系の中心に対して点対称に配置されていることを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記凸レンズ及び前記凹レンズは色収差補正用の光学系であることを特徴とする請求項４に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記マークからの光で前記合成部で反射された前記第２光が前記センサへ導かれ、
前記リレー光学系は、前記リレー光学系の中心に対して前記合成部と反対側に配置されている光反射部材を有することを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項７】
前記リレー光学系の中心に対して前記合成部と前記光反射部材とが点対称に配置されていることを特徴とする請求項６に記載のインプリント装置。
【請求項８】
前記リレー光学系を構成する光学部材が、前記リレー光学系の中心に対して点対称に配置されていることを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項９】
前記第１光と前記第２光とは、互いに異なる波長を有し、
前記光学部材は、前記第１光の波長における光透過率が前記第２光の波長における光透過率よりも小さい波長選択部であることを特徴とする請求項１乃至８のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１０】
前記第１光と前記第２光とは、互いに異なる波長を有し、
前記合成部は、ダイクロイックミラーを含むことを特徴とする請求項１乃至９のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１１】
前記第１光は、紫外領域の光であり、
前記第２光は、可視領域又は赤外領域の光であることを特徴とする請求項１乃至１０のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１２】
前記センサは、前記モールドに形成されたマーク及び前記基板に形成されたマークからの光によって形成される像を検出し、
前記センサによって検出された前記像に基づいて、前記モールドと前記基板との相対的な位置を制御する制御部を更に有することを特徴とする請求項１乃至１１のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１３】
前記光学部材及び前記光透過部材は、前記リレー光学系の中心に対して点対称に配置されていることを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項１４】
前記光学部材及び前記光透過部材は、互いに同じ形状の板状部材であることを特徴とする請求項１３に記載のインプリント装置。
【請求項１５】
請求項１乃至１４のうちいずれか１項に記載のインプリント装置を用いて基板の上にパターンを形成するステップと、
前記パターンが形成された前記基板を加工するステップと、
を有することを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント装置及び物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイスの微細化の要求が進み、従来のフォトリソグラフィ技術に代えて、モールド（型）に形成された微細なパターン（凹凸構造）を基板に転写する微細加工技術が注目されている（特許文献１及び２参照）。かかる微細加工技術は、基板の上に数ナノメートルの微細な凹凸構造を形成することが可能であり、インプリント技術と呼ばれている。
【０００３】
インプリント技術を半導体製造技術に適用する場合について説明する。まず、基板（ウエハ）の上に未硬化の光硬化型樹脂からなる層（樹脂層）を形成する。次いで、樹脂層と微細な凹凸構造が形成されたモールドとを接触させる（押印）。次に、紫外光を照射して樹脂層を硬化させる。これにより、樹脂層にモールドの凹凸構造が転写される。かかる樹脂層をマスクとしてエッチングすることで、凹凸構造が基板に転写される。
【０００４】
インプリント技術を用いたインプリント装置では、モールドと基板とが樹脂層を介して物理的に接触するため、モールドの押印時や離型時に基板に力が加わり、基板が所定の位置（アライメント位置）からずれてしまうことがある。基板がずれた状態で次のショット領域へのインプリント処理を行うと、パターンを正確に重ね合わせることができず、デバイスの歩留まりが低下してしまう。
【０００５】
そこで、モールドを基板に押印する前に、ショット領域ごとに基板のアライメントを行い、基板の位置ずれをなくした状態でモールドを押印する、所謂、ダイバイダイアライメントが採用されている。このようなアライメントにおいては、モールドのマークと基板のマークとを検出するスルー・ザ・モールド検出系（ＴＴＭ検出系）が用いられる。インプリント装置では、モールドを透過して紫外光を樹脂層に照射するための照明光学系がモールドの上部に配置され、かかる照明光学系を避けるようにＴＴＭ検出系を配置する必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−２８６０６２号公報
【特許文献２】特許第４７９１５９７号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、モールドの上部、即ち、照明光学系の近傍には、モールドを保持するヘッドやヘッドの駆動ケーブルなども配置されているため、ＴＴＭ検出系を配置するスペースには制約がある。具体的には、ＴＴＭ検出系は、照明光学系や照明光学系からの紫外光との干渉を避けるように配置する必要があるため、照明光学系の光軸に対して傾けて配置しなければならない。この際、ＴＴＭ検出系は、リトロー配置となっており、基板においてリトロー角で回折した光を取り込むことで基板のマークを検出している。但し、リトロー配置されたＴＴＭ検出系では、配置上の制約から、ＴＴＭ検出系の開口数（ＮＡ）を十分に大きくすることができなかったり、基板に照射する光がリトロー配置の条件を満足する範囲に限定されてしまったりする。そのため、ＴＴＭ検出系は、基板のマークとモールドのマークとを十分な精度で検出することが難しく、アライメント精度の低下を招いてしまう。
【０００８】
本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、モールドと基板とのアライメントの点で有利なインプリント装置を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのインプリント装置は、モールドを用いて基板上のインプリント材にパターンを形成するインプリント装置であって、前記インプリント材を硬化させるための第１光を前記インプリント材に照射する照明部と、前記モールドに形成されたマーク及び前記基板に形成されたマークに第２光を照射し、前記マークからの前記第２光をセンサに導く検出光学系と、前記基板面の結像面を前記検出光学系との間に形成するリレー光学系とを有し、前記リレー光学系は、前記照明部からの前記第１光と前記検出光学系からの前記第２光とを合成して前記モールドに導く合成部と、前記マークからの光で前記合成部を介した前記第２光を透過させて前記センサへ入射させ、前記マークからの光で前記合成部を介した前記第１光を遮る光学部材と、前記リレー光学系の中心に対して前記光学部材と反対側に配置されている光透過部材と、を有し、前記リレー光学系を構成するレンズが、前記リレー光学系の中心に対して点対称に配置されていることを特徴とする。
【００１０】
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、例えば、モールドと基板とのアライメントの点で有利なインプリント装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の第１の実施形態におけるインプリント装置の構成を示す概略図である。
【図２】図１に示すインプリント装置のビームスプリッタの透過率特性の一例を示す図である。
【図３】図１に示すインプリント装置の波長選択部の透過率特性の一例を示す図である。
【図４】本発明の第２の実施形態におけるインプリント装置の構成を示す概略図である。
【図５】本発明の第３の実施形態におけるインプリント装置の構成を示す概略図である。
【図６】本発明の第４の実施形態におけるインプリント装置の構成を示す概略図である。
【図７】図６に示すインプリント装置のビームスプリッタの反射率特性の一例を示す図である。
【図８】本発明の第５の実施形態におけるインプリント装置の構成を示す概略図である。
【図９】本発明の第６の実施形態におけるインプリント装置の構成を示す概略図である。
【図１０】本発明の第６の実施形態におけるインプリント装置の構成を示す概略図である。
【図１１】本発明の第７の実施形態におけるインプリント装置の構成を示す概略図である。
【図１２】本発明の第７の実施形態におけるインプリント装置の構成を示す概略図である。
【図１３】本発明の第８の実施形態におけるインプリント装置の構成を示す概略図である。
【図１４】本発明の第８の実施形態におけるインプリント装置の構成を示す概略図である。
【図１５】従来のインプリント装置の構成を示す概略図である。
【図１６】基板ステージに対する基板の位置ずれを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
【００１４】
図１５は、従来のインプリント装置１０００の構成を示す概略図である。インプリント装置１０００は、基板上の樹脂（インプリント材）をモールドで成形して硬化させ、基板上にパターンを転写するリソグラフィ装置である。インプリント装置１０００は、樹脂を硬化させるための光、例えば、紫外領域の光を照射する照明光学系２と、基板８を保持する基板ステージ９と、モールド５を保持するヘッド４とを有する。また、インプリント装置１０００は、スルー・ザ・モールド（ＴＴＭ）検出系７と、樹脂塗布機構６と、インプリント装置１０００の全体（動作）を制御する制御部１０とを有する。
【００１５】
ＴＴＭ検出系７は、光源や光電変換素子（例えば、ＣＣＤなど）を含み、モールド５に形成されたアライメントマーク（モールド側マーク）及び基板８に形成されたアライメントマーク（基板側マーク）の少なくとも一方のマークを検出する検出光学系である。ＴＴＭ検出系７は、モールド側マークや基板側マークに光Ｌ２、例えば、可視領域又は赤外領域の光Ｌ２を照射し、モールド側マークで反射された光Ｌ２によって形成される像や基板側マークで反射された光Ｌ２によって形成される像を検出する。
【００１６】
ＴＴＭ検出系７の検出結果は、モールド５と基板８とのアライメントに用いられる。モールド側マークと基板側マークの位置及びフォーカスを合わせることで、モールド５と基板８との相対的な位置（Ｘ、Ｙ、Ｚ）を合わせることができる。具体的には、ＴＴＭ検出系７の検出結果は制御部１０に出力され、制御部１０は、かかる検出結果に基づいて、ヘッド４や基板ステージ９を駆動することで、モールド５や基板８の位置を調整（制御）することが可能である。
【００１７】
ＴＴＭ検出系７によるモールド５や基板８の位置検出においては、アライメントマークの上に積層膜が塗布又は形成されている場合、単色光を照射すると干渉縞が発生し、アライメントマークを高精度に検出することができなくなる。また、紫外領域の光を照射すると、アライメントマークの上に樹脂（レジスト層）が塗布又は形成されている場合、樹脂が感光してしまう。従って、一般的に、このようなＴＴＭ検出系７などのアライメント系は、アライメントマークに照射する光として、一般的に、広帯域、且つ、樹脂を硬化させるための光とは異なる波長を有する光を用いることで、干渉縞の発生を低減（防止）している。
【００１８】
インプリント装置１０００の動作（インプリント処理）について説明する。まず、樹脂塗布機構６が基板８の上に樹脂を塗布（供給）する。次いで、樹脂を塗布された基板８がモールド５の下に位置するように、基板ステージ９を移動させる。基板８がモールド５の下に位置したら、ヘッド４を移動させてモールド５を基板８の上の樹脂に押し付ける（接触させる）。そして、モールド５を樹脂に押し付けたままの状態で、照明光学系２からの光Ｌ１がモールド５を介して樹脂に照射される。樹脂が硬化したら、ヘッド４を移動させてモールド５を樹脂から引き離す。このようなインプリント処理により、モールド５のパターンが基板８の上の樹脂に転写され、微細なパターン（デバイスパターン）を基板に形成することができる。
【００１９】
このように、インプリント装置１０００では、基板８の上の樹脂にモールド５を押印したまま、照明光学系２から光Ｌ１を照射して樹脂を硬化させることで、基板８の１つのショット領域に微細なパターンを形成する。１つのショット領域に微細なパターンが形成されると、モールド５を基板８の上の樹脂から引き離し（離型）、基板ステージ９を移動させて、次のショット領域へのインプリント処理に移る。基板８の各ショット領域に対してインプリント処理を繰り返すことによって、全てのショット領域に微細なパターンを形成することができる。
【００２０】
インプリント処理においては、モールド５の押印や離型に起因する力が基板８に加わり、図１６に示すように、基板ステージ９に対して基板８の位置がずれてしまうことがある。このような状態でインプリント処理を行うと、下地パターンとモールド５のパターンとを正確に重ね合わせることができず、デバイスの歩留まりの低下の要因となる。
【００２１】
そこで、基板８の各ショット領域にモールド５を押印する前に、そのショット領域に形成されたアライメントマーク（基板側マーク）１２を検出し、かかる検出結果に基づいて基板８の位置ずれを補正すること、即ち、ダイバイダイアライメントが必要となる。ショット領域ごとにアライメントマークを検出して基板８の位置ずれを補正することで、モールド５の押印と離型に起因する基板８の位置ずれの影響を低減することができるため、下地パターンとモールド５のパターンとを正確に重ね合わせることが可能となる。
【００２２】
一方、インプリント装置１０００において、ＴＴＭ検出系７の開口数（ＮＡ）４５は、ＴＴＭ検出系自体の大きさに依存している。但し、照明光学系２及び照明光学系２からの光を避けるように配置されたＴＴＭ検出系７では、ＴＴＭ検出系７を大型化することができず、ＮＡ４５を大きくすることができない。ＴＴＭ検出系７のＮＡ４５を十分に大きくすることができなければ、アライメント時の光量（即ち、ＴＴＭ検出系７で検出される光の光量）が低くなり、アライメント精度の低下を招いてしまう。
【００２３】
また、照明光学系２の光軸に対してＴＴＭ検出系７を傾けて配置する場合、アライメントマークに照射する光Ｌ２の波長が限られた波長帯域に限定されてしまう。具体的には、アライメントマークに照射する光Ｌ２の波長は、ＴＴＭ検出系７の傾き角、ＴＴＭ検出系７のＮＡ４５及びアライメントマークのピッチに対応するリトロー配置の条件を満足する波長帯域に限定されてしまう。一方、上述したように、ＴＴＭ検出系７などのアライメント系では、上述したように、アライメントマークに照射する光として、一般的に、広い波長帯域の光が用いられる。これは、アライメントマークがプロセス基板（多様な多層膜構造）に形成されるため、広い波長帯域の光であれば、ある波長で弱め合う干渉条件があっても、他の波長帯域で光量が確保され、アライメントのロバスト性が保証されるからである。
【００２４】
但し、インプリント装置１０００では、アライメントマークに照射する光Ｌ２の波長帯域がリトロー配置の条件に限定されるため、光Ｌ２の波長が弱め合う条件の多層膜構造がプロセス基板に形成されている場合、アライメント時の光量が低くなってしまう。ＴＴＭ検出系７の検出精度が低下すると、ダイバイダイアライメントにおいて、基板８の位置ずれを高精度に補正することができず、モールド５を押印する際に下地パターンとモールド５のパターンとを正確に重ね合わせることができない。
【００２５】
そこで、本発明では、ＴＴＭ検出系のＮＡを十分に大きくすること、及び、アライメントマークに照射する光として広い波長帯域の光を用いることを可能とし、モールドと基板とのアライメントの点で有利なインプリント装置を提供する。これにより、下地パターンとモールドのパターンとを正確に重ね合わせることができるため、デバイスの歩留まりを向上させることができる。
【００２６】
＜第１の実施形態＞
図１は、本発明の第１の実施形態におけるインプリント装置１の構成を示す概略図である。インプリント装置１は、基板の上の樹脂をモールドで成形して硬化させ、基板の上にパターンを転写するリソグラフィ装置である。インプリント装置１は、インプリント装置１０００と同様に、基板８を保持する基板ステージ９と、モールド５を保持するヘッド４と、樹脂塗布機構６と、制御部１０とを有する。また、インプリント装置１は、基板８の上の樹脂を硬化させるための光、例えば、紫外領域の光（第１光）Ｌ４を照射する照明光学系２０と、スルー・ザ・モールド（ＴＴＭ）検出系１７と、リレー光学系２３とを有する。
【００２７】
ＴＴＭ検出系１７は、光源や光電変換素子（例えば、ＣＣＤなど）などのセンサ４６を含む。ＴＴＭ検出系１７は、モールド５に形成されたアライメントマーク（モールド側マーク）及び基板８に形成されたアライメントマーク（基板側マーク）の少なくとも一方のマークを検出する検出光学系である。ＴＴＭ検出系１７は、モールド側マークや基板側マークに光（第２光）Ｌ３、例えば、可視領域又は赤外領域の光Ｌ３を照射し、モールド側マークで反射された光Ｌ３によって形成される像や基板側マークで反射された光Ｌ３によって形成される像を検出する。
【００２８】
リレー光学系２３は、モールド５（ヘッド４）の上部に配置され、ＴＴＭ検出系１７からの光Ｌ３と照明光学系２０からの光Ｌ４とを合成して、それらを基板８に対して垂直に入射させる。リレー光学系２３は、ウエハ面（基板８の配置される面）を光学的に共役な面（ウエハ面の結像面）４７に結像させる機能を有する。リレー光学系２３は、ウエハ面を結像させる機能を有していれば、等倍系であってもよいし、拡大系であってもよい。リレー光学系２３は、本実施形態では、ビームスプリッタ２２と、波長選択部４０と、レンズ４９及び５０とを含む。
【００２９】
ビームスプリッタ２２は、照明光学系２０及びＴＴＭ検出系１７との間に配置され、照明光学系２０からの光Ｌ４とＴＴＭ検出系１７からの光Ｌ３とをモールド５に導く光学部材（第１光学部材）である。換言すれば、ビームスプリッタ２２は、互いに異なる波長を有する光Ｌ４と光Ｌ３とを合成する機能を有する。
【００３０】
インプリント装置においては、一般的に、モールドの上部にモールドを保持するヘッドやヘッドを駆動する駆動ケーブルなどが配置されているため、配置上、非常に混み合っている（スペースに余裕がない）。
【００３１】
そこで、インプリント装置１では、リレー光学系２３によって結像面４７を形成することで、ＴＴＭ検出系１７を余裕のあるスペースに配置している。これにより、ＴＴＭ検出系１７を大型の検出光学系で構成することが可能となるため、ＴＴＭ検出系１７の開口数（ＮＡ）を十分に大きくすることができる。図１では、リレー光学系２３は、ＴＴＭ検出系１７とモールド５との間に配置されている。ＴＴＭ検出系１７は、リレー光学系２３を介してモールド５（モールド側マーク）や基板８（基板側マーク）に光Ｌ３を照射し、モールド５と基板８との位置ずれを検出する。
【００３２】
ＴＴＭ検出系１７からの光Ｌ３は、リレー光学系２３を構成するレンズ４９、波長選択部４０、ビームスプリッタ２２及びレンズ５０を通過して、モールド５及び基板８に照射される。モールド５及び基板８で反射された光Ｌ３は、ＴＴＭ検出系１７のセンサ４６で検出され、かかる検出結果に基づいてモールド５と基板８とのアライメントが行われる。
【００３３】
インプリント装置１のＴＴＭ検出系１７のＮＡ５２は、インプリント装置１０００のＴＴＭ検出系７のＮＡ４５よりも十分に大きい。このように、ＴＴＭ検出系１７のＮＡを大きくすることで、アライメント時に十分な光量（ＴＴＭ検出系１７のセンサ４６で検出される光の光量）を確保することができ、高精度なダイバイダイアライメントを実現することが可能となる。
【００３４】
また、照明光学系２０は、ＴＴＭ検出系１７と同様に、モールド５の上部を避けて、余裕のあるスペースに配置されている。照明光学系２０からの光Ｌ４は、レンズ４８を通過してビームスプリッタ２２に入射し、ビームスプリッタ２２で反射される。ビームスプリッタ２２で反射された光Ｌ４は、レンズ５０を通過し、モールド５を介して、基板８に到達する。
【００３５】
このように、本実施形態では、ビームスプリッタ２２、即ち、ビームスプリッタ２２を含むリレー光学系２３をモールド５の上部に有することで、ＴＴＭ検出系１７及び照明光学系２０の両方を、余裕のあるスペースに配置することを可能にしている。
【００３６】
また、図１には、ビームスプリッタ２２の内部での光線の屈折を図示していないが、実際には、ビームスプリッタ２２に垂直に入射する光線、即ち、リレー光学系２３の軸上光線以外は、ビームスプリッタ２２を通過する際に僅かながらシフトする。
【００３７】
図２は、ビームスプリッタ２２の透過率特性の一例を示す図である。図２では、縦軸に透過率［％］を採用し、横軸に波長［ｎｍ］を採用している。ＴＴＭ検出系１７は、光Ｌ３として、可視領域から赤外領域の広い波長範囲（例えば、５００ｎｍ〜８００ｎｍ）の光を用いている。従って、ビームスプリッタ２２は、図２に示すように、可視領域から赤外領域の光に対して高い透過率を有し、紫外領域の光に対して低い透過率を有する。なお、紫外領域の光に対する透過率をゼロにすることは困難であるため、ビームスプリッタ２２においては、紫外領域の光に対する透過率が数％程度になってしまう。このため、照明光学系２０からの光Ｌ４は、その大部分がビームスプリッタ２２で反射され、モールド５や基板８で一部が反射された後、その大部分がビームスプリッタ２２で再び反射される（即ち、照明光学系２０に戻る）。但し、光Ｌ４の一部は、ビームスプリッタ２２を透過してＴＴＭ検出系１７（センサ４６）に到達してしまう。照明光学系２０からの光Ｌ４の一部がＴＴＭ検出系１７に到達すると、センサ４６で検出される光のノイズとなるため、アライメント精度の低下の原因となる。
【００３８】
一方、ビームスプリッタ２２からセンサ４６までの光路に配置される光学部材（レンズ４９やＴＴＭ検出系１７の光学系を構成する光学部材など）は、光Ｌ３の波長（可視領域から赤外領域の波長）に対して所定の性能を実現するように設計及び製造されている。従って、このような光学部材は、紫外領域の光（高い光子エネルギーを有する光）に対して必ずしも十分な耐久性を有しているとは限らないため、これらの光学部材に紫外領域の光、即ち、照明光学系２０からの光Ｌ４が照射されると、性能の劣化が懸念される。なお、上述した光学部材には、硝材、反射防止膜や反射膜などの光学膜、硝材を貼り合わせる接着剤などが含まれる。
【００３９】
そこで、本実施形態では、ビームスプリッタ２２からセンサ４６までの光路に配置される光学部材に照明光学系２０からの光Ｌ４が照射されない（到達しない）ように、ビームスプリッタ２２の後段に波長選択部４０を配置している。波長選択部４０は、ビームスプリッタ２２とＴＴＭ検出系１７との間、本実施形態では、ビームスプリッタ２２とレンズ４９との間に配置される。
【００４０】
波長選択部４０は、アライメントマークで反射されてビームスプリッタ２２を介してＴＴＭ検出系１７に向かう光Ｌ３を通過させ、基板８で反射されてビームスプリッタ２２を介してＴＴＭ検出系１７に向かう光Ｌ４を遮断する機能を有する。波長選択部４０は、例えば、紫外領域の光（照明光学系２０からの光Ｌ４）を反射し、可視領域から赤外領域の光（ＴＴＭ検出系１７からの光Ｌ３）を透過する光学部材（第２光学部材）である。また、波長選択部４０は、紫外領域の光を吸収し、可視領域から赤外領域の光を透過してもよい。具体的には、波長選択部４０は、ＴＴＭ検出系１７に向かう光Ｌ４を反射する反射部材、又は、ＴＴＭ検出系１７に向かう光を吸収する吸収部材で構成される。
【００４１】
図３は、波長選択部４０の透過率特性の一例を示す図である。図３では、縦軸に透過率［％］を採用し、横軸に波長［ｎｍ］を採用している。波長選択部４０は、図３に示すように、紫外領域の光（不要な光Ｌ４）を１％以下にカットし、可視領域から赤外領域の光（必要な光Ｌ３）を透過する特性を有する。
【００４２】
このように、ビームスプリッタ２２とＴＴＭ検出系１７との間に波長選択部４０を配置することで、照明光学系２０からの光Ｌ４がＴＴＭ検出系１７（センサ４６）に到達することを防止することができる。これにより、アライメント時において、アライメントマークで反射された光Ｌ３のみを（即ち、光Ｌ４によるノイズが含まれることなく、）センサ４６で検出することができるため、高精度なダイバイダイアライメントを実現することができる。また、紫外光に対する耐久性が懸念される光学部材、即ち、ビームスプリッタ２２からセンサ４６までの光路に配置される光学部材の性能の劣化を防止することができるため、高精度なダイバイダイアライメントを長期間維持することが可能となる。
【００４３】
本実施形態のインプリント装置１によれば、モールド５の押印時や離型時に発生する基板８の位置ずれを高精度に補正することが可能となり、下地パターンに対してモールド５のパターンを高精度に重ね合わせることができる。なお、基板８の位置ずれの補正は、制御部１０によって、ＴＴＭ検出系１７によって検出されたモールド側マーク（の像（第１像））基板側マーク（の像（第２像））に基づいて、モールド５と基板８との相対的な位置を制御することで行われる。
【００４４】
また、図１では、上述したように、レンズ４９とビームスプリッタ２２との間に波長選択部４０を配置している。但し、レンズ４９が照明光学系２０からの光に対して耐久性を有する場合（即ち、レンズ４９がレンズ５０と同様な構成である場合）、波長選択部４０は、レンズ４９とＴＴＭ検出系１７との間に配置してもよい。
【００４５】
＜第２の実施形態＞
図４は、本発明の第２の実施形態におけるインプリント装置１の構成を示す概略図である。波長選択部４０の機能は、レンズ４９が有してもよい。図４では、紫外領域の光（照明光学系２０からの光Ｌ４）を反射し、可視領域から赤外領域の光（ＴＴＭ検出系１７からの光Ｌ３）を透過する光学膜、或いは、紫外領域の光を吸収し、可視領域から赤外領域の光を透過する光学膜がレンズ４９に形成されている。これにより、レンズ４９は、波長選択部４０の機能を有することができる。また、紫外領域の光を反射し、可視領域から赤外領域の光を透過する材料、或いは、紫外領域の光を吸収し、可視領域から赤外領域の光を透過する材料でレンズ４９を構成してもよい。
【００４６】
＜第３の実施形態＞
図５は、本発明の第３の実施形態におけるインプリント装置１の構成を示す概略図である。波長選択部４０の機能は、ビームスプリッタ２２が有してもよい。図５では、ビームスプリッタ２２を構成する２つのプリズムのうち、ＴＴＭ検出系１７に近いプリズムが波長選択部４０の機能を有している。具体的には、ＴＴＭ検出系１７に近いプリズムが、紫外領域の光を反射し、可視領域から赤外領域の光を透過する材料、或いは、紫外領域の光を吸収し、可視領域から赤外領域の光を透過する材料で構成されている。また、紫外領域の光を反射し、可視領域から赤外領域の光を透過する光学膜、或いは、紫外領域の光を吸収し、可視領域から赤外領域の光を透過する光学膜をビームスプリッタ２２に形成してもよい。
【００４７】
＜第４の実施形態＞
図６は、本発明の第４の実施形態におけるインプリント装置１Ａの構成を示す概略図である。第１の実施形態、第２の実施形態及び第３実施形態において、ビームスプリッタは、ＴＴＭ検出系１７からの光Ｌ３を透過し、照明光学系２０からの光Ｌ４を反射する特性を有している。このビームスプリッタの特性は逆にしてもよい。換言すれば、ビームスプリッタは、光Ｌ３及びＬ４のうち、一方の光を透過し、他方の光を反射する特性を有していればよい。
【００４８】
図６のインプリント装置１Ａは、インプリント装置１と同様に、ビームスプリッタ２６を含むリレー光学系２３をモールド５の上部に有し、ＴＴＭ検出系１７からの光Ｌ３と照明光学系２０からの光Ｌ４とを合成して、それらを基板８に対して垂直に入射させる。リレー光学系２３は、ウエハ面（基板８の配置される面）を光学的に共役な面（ウエハ面の結像面）４７に結像させる機能を有する。リレー光学系２３は、ウエハ面を結像させる機能を有していれば、等倍系であってもよいし、拡大系であってもよい。リレー光学系２３は、本実施形態では、ビームスプリッタ２６と、波長選択部４０と、レンズ４９及び５０とを含む。ここで、ビームスプリッタ２６の特性は、ビームスプリッタ２２の特性と異なっていることに注意されたい。
【００４９】
ＴＴＭ検出系１７からの光Ｌ３は、リレー光学系２３を構成するレンズ４９及び波長選択部４０を通過してビームスプリッタ２６で反射され、レンズ５０を通過してモールド５及び基板８に照射される。モールド５及び基板８で反射された光Ｌ３は、ＴＴＭ検出系１７のセンサ４６で検出され、かかる検出結果に基づいてモールド５と基板８とのアライメントが行われる。
【００５０】
インプリント装置１ＡのＴＴＭ検出系１７のＮＡ５２は、インプリント装置１０００のＴＴＭ検出系７のＮＡ４５よりも十分に大きい。このように、ＴＴＭ検出系１７のＮＡを大きくすることで、アライメント時に十分な光量（ＴＴＭ検出系１７のセンサ４６で検出される光の光量）を確保することができ、高精度なダイバイダイアライメントを実現することが可能となる。
【００５１】
また、照明光学系２０は、ＴＴＭ検出系１７と同様に、モールド５の上部を避けて、余裕のあるスペースに配置されている。照明光学系２０からの光Ｌ４は、レンズ４８を通過してビームスプリッタ２６に入射し、ビームスプリッタ２６を通過する。ビームスプリッタ２６を通過した光Ｌ４は、レンズ５０を通過し、モールド５を介して、基板８に到達する。このように、本実施形態では、ビームスプリッタ２６、即ち、ビームスプリッタ２６を含むリレー光学系２３をモールド５の上部に有することで、ＴＴＭ検出系１７及び照明光学系２０の両方を、余裕のあるスペースに配置することを可能にしている。
【００５２】
図７は、ビームスプリッタ２６の反射率特性の一例を示す図である。図７では、縦軸に反射率［％］を採用し、横軸に波長［ｎｍ］を採用している。ＴＴＭ検出系１７は、光Ｌ３として、可視領域から赤外領域の広い波長範囲（例えば、５００ｎｍ〜８００ｎｍ）の光を用いている。従って、ビームスプリッタ２６は、図７に示すように、可視領域から赤外領域の光に対して高い反射率を有し、紫外領域の光に対して低い反射率を有する。なお、紫外領域の光に対する反射率をゼロにすることは困難であるため、ビームスプリッタ２６においては、紫外領域の光に対する反射率が数％程度になってしまう。このため、照明光学系２０からの光Ｌ３は、その大部分がビームスプリッタ２６を透過し、モールド５や基板８で一部が反射された後、その大部分がビームスプリッタ２６を再び透過する（即ち、照明光学系２０に戻る）。但し、光Ｌ３の一部は、ビームスプリッタ２６で反射されてＴＴＭ検出系１７（センサ４６）に到達してしまう。照明光学系２０からの光Ｌ３の一部がＴＴＭ検出系１７に到達すると、センサ４６で検出される光のノイズとなるため、アライメント精度の低下の原因となる。
【００５３】
一方、ビームスプリッタ２６からセンサ４６までの光路に配置される光学部材（レンズ４９やＴＴＭ検出系１７の光学系を構成する光学部材など）は、光Ｌ３の波長（可視領域から赤外領域の波長）に対して所定の性能を実現するように設計及び製造されている。従って、このような光学部材は、紫外領域の光（高い光子エネルギーを有する光）に対して必ずしも十分な耐久性を有しているとは限らないため、これらの光学部材に紫外領域の光、即ち、照明光学系２０からの光Ｌ４が照射されると、性能の劣化が懸念される。
【００５４】
そこで、本実施形態では、ビームスプリッタ２６からセンサ４６までの光路に配置される光学部材に照明光学系２０からの光Ｌ４が照射されない（到達しない）ように、ビームスプリッタ２６の後段に波長選択部４０を配置している。波長選択部４０は、ビームスプリッタ２６とＴＴＭ検出系１７との間、本実施形態では、ビームスプリッタ２６とレンズ４９との間に配置される。
【００５５】
波長選択部４０は、アライメントマークで反射されてビームスプリッタ２６を介してＴＴＭ検出系１７に向かう光Ｌ３を通過させ、基板８で反射されてビームスプリッタ２６を介してＴＴＭ検出系１７に向かう光Ｌ４を遮断する機能を有する光学部材である。波長選択部４０は、例えば、紫外領域の光（照明光学系２０からの光Ｌ４）を反射し、可視領域から赤外領域の光（ＴＴＭ検出系１７からの光Ｌ３）を透過する。また、波長選択部４０は、紫外領域の光を吸収し、可視領域から赤外領域の光を透過してもよい。
【００５６】
このように、ビームスプリッタ２６とＴＴＭ検出系１７との間に波長選択部４０を配置することで、照明光学系２０からの光Ｌ４がＴＴＭ検出系１７（センサ４６）に到達することを防止することができる。これにより、アライメント時において、アライメントマークで反射された光Ｌ３のみを（即ち、光Ｌ４によるノイズが含まれることなく、）センサ４６で検出することができるため、高精度なダイバイダイアライメントを実現することができる。また、紫外光に対する耐久性が懸念される光学部材、即ち、ビームスプリッタ２６からセンサ４６までの光路に配置される光学部材の性能の劣化を防止することができるため、高精度なダイバイダイアライメントを長期間維持することが可能となる。
【００５７】
本実施形態のインプリント装置１Ａによれば、モールド５の押印時や離型時に発生する基板８の位置ずれを高精度に補正することが可能となり、下地パターンに対してモールド５のパターンを高精度に重ね合わせることができる。
【００５８】
また、波長選択部４０の機能は、レンズ４９やビームスプリッタ２６（を構成するプリズム）が有してもよい。具体的には、第２の実施形態（図４）で説明したように、紫外領域の光（Ｌ４）を反射又は吸収し、可視領域から赤外領域の光（Ｌ３）を透過する光学膜や材料を用いてレンズ４９を構成すればよい。同様に、第３の実施形態（図５）で説明したように、紫外領域の光（Ｌ４）を反射又は吸収し、可視領域から赤外領域の光（Ｌ３）を透過する光学膜や材料を用いてビームスプリッタ２６を構成すればよい。
【００５９】
＜第５の実施形態＞
図８は、本発明の第５の実施形態におけるインプリント装置１Ｂの構成を示す概略図である。インプリント装置１及び１Ａのそれぞれは、プリズムで構成されたビームスプリッタ２２及び２６を有しているが、図８に示すインプリント装置１Ｂのように、平面型のビームスプリッタ２８を有してもよい。
【００６０】
平面型のビームスプリッタ２８は、図２に示したような透過率特性を有する光学膜が形成された平板で構成されている。但し、平面型のビームスプリッタ２８は、所謂、ダイクロイックミラーに置換することも可能である。また、平面型のビームスプリッタ２８の特性は、完全反射特性や完全透過特性でなくてもよい。例えば、平面型のビームスプリッタ２８は、照明光学系２０からの光Ｌ４に対して、９０％を反射し、１０％を透過し、ＴＴＭ検出系１７からの光Ｌ３に対して、９０％を透過し、１０％を反射する特性を有してもよい。なお、平面型のビームスプリッタ２８における反射と透過との比は、９：１に限定されるものではなく、８：２や７：３などであってもよい。但し、モールド５や基板８で反射された光Ｌ４がＴＴＭ検出系１７（センサ４６）に到達することを防止するために、平面型のビームスプリッタ２８とＴＴＭ検出系１７との間に波長選択部４０を配置するとよい。
【００６１】
＜第６の実施形態＞
図９は、本発明の第６の実施形態におけるインプリント装置１Ｃの構成を示す概略図である。第５実施形態において、平面型のビームスプリッタ２８は、ＴＴＭ検出系１７からの光Ｌ３を透過し、照明光学系２０からの光Ｌ４を反射する特性を有しているが、このような特性は逆にしてもよい。インプリント装置１Ｃは、インプリント装置１Ｂと同様に、平面型のビームスプリッタ３０を含むリレー光学系２３をモールド５の上部に有し、ＴＴＭ検出系１７からの光Ｌ３と照明光学系２０からの光Ｌ４とを合成して、それらを基板８に対して垂直に入射させる。
【００６２】
平面型のビームスプリッタ３０は、図７に示したような反射率特性を有する光学膜が形成された平板で構成されている。但し、平面型のビームスプリッタ３０は、所謂、ダイクロイックミラーに置換することも可能である。また、平面型のビームスプリッタ３０の特性は、完全反射特性や完全透過特性でなくてもよい。例えば、平面型のビームスプリッタ３０は、照明光学系２０からの光Ｌ４に対して、９０％を透過し、１０％を反射し、ＴＴＭ検出系１７からの光Ｌ３に対して、９０％を反射し、１０％を透過する特性を有してもよい。なお、平面型のビームスプリッタ３０における反射と透過との比は、９：１に限定されるものではなく、８：２や７：３などであってもよい。但し、モールド５や基板８で反射された光Ｌ４がＴＴＭ検出系１７（センサ４６）に到達することを防止するために、平面型のビームスプリッタ３０とＴＴＭ検出系１７との間に波長選択部４０を配置するとよい。
【００６３】
また、波長選択部４０の機能は、図１０に示すように、平面型のビームスプリッタ３０よりも後段に配置される光学部材、例えば、レンズ４９が有してもよい。具体的には、紫外領域の光（Ｌ４）を反射し、可視領域から赤外領域の光（Ｌ３）を透過する光学膜や材料を用いてレンズ４９を構成すればよい。
【００６４】
これまでの実施形態では、ＴＴＭ検出系１７が１系統で構成される場合を例に説明したが、ＴＴＭ検出系１７は、複数系統で構成されていてもよい。例えば、ダイバイダイアライメントにおいて、基板８のショット領域において複数箇所を同時に計測したい場合には、ＴＴＭ検出系１７が複数系統で構成されているとよい。ＴＴＭ検出系１７が１系統で構成されている場合でも、基板ステージ９を移動させるか、或いは、ＴＴＭ検出系１７を移動させることで、ショット領域において複数箇所を計測することは可能である。但し、基板ステージ９又はＴＴＭ検出系１７を移動させなければならないため、アライメント精度が低下しやすいという問題がある。また、上述したように、モールド５の上部は非常に混み合っているため、ＴＴＭ検出系１７を複数系統で構成することが配置上容易ではないという問題もある。また、ＴＴＭ検出系１７は、モールド側マークの像や基板側マーク像以外にも、モールド側マークからの光と基板側マークからの光との干渉光を検出することによってモールドと基板のアライメントを行ってもよい。
【００６５】
一方、モールド５の上部にリレー光学系２３（ビームスプリッタ２２など）を配置すれば、高いアライメント精度を実現することができる、即ち、高ＮＡのＴＴＭ検出系１７を複数系統で構成しても、モールド５の上部に配置することが可能となる。これにより、基板８の同一ショット領域の異なる複数箇所を同時に計測することができ、高精度なアライメントを実現することができる。
【００６６】
＜第７の実施形態＞
図１１は、本発明の第７の実施形態におけるインプリント装置１Ｄの構成を示す概略図である。これまでの実施形態では、ビームスプリッタがリレー光学系の瞳空間に配置する場合を例に説明したが、リレー光学系の構成上、ビームスプリッタを瞳空間に配置することができない場合がある。このような場合には、図１１に示すインプリント装置１Ｄのように、リレー光学系の瞳空間にビームスプリッタを配置するのではなく、像面に近い位置にビームスプリッタを配置すればよい。
【００６７】
リレー光学系６１は、モールド５（ヘッド４）の上部に配置され、ＴＴＭ検出系１７からの光Ｌ３と照明光学系２０からの光Ｌ４とを合成して、それらを基板８に対して垂直に入射させる。リレー光学系６１は、ウエハ面（基板８の配置される面）を光学的に共役な面（ウエハ面の結像面）４７に結像させる機能を有する。リレー光学系６１は、本実施形態では、ビームスプリッタ５６と、波長選択部４０と、光学系６０と、平行平板３９と、レンズ５８及び６５とを含む。
【００６８】
ビームスプリッタ５６は、平行平板型のビームスプリッタであって、像面に近い位置に配置されている。ビームスプリッタ５６は、照明光学系２０からの光Ｌ４とＴＴＭ検出系１７からの光Ｌ３とをモールド５に導く光学部材である。
【００６９】
リレー光学系６１を構成する光学部材は、光学系６０の中心、即ち、リレー光学系６１の中心を基準として点対称となるように（光学的に対称形状となるように）配置されている。このように、リレー光学系６１を対称光学系とすることで、コマ収差の発生を防止することができる。従って、リレー光学系６１は、波長選択部４０と同一形状を有する平行平板３９を含んでいる。
【００７０】
光学系６０は、凸レンズと凹レンズとの組み合わせで構成され、ＴＴＭ検出系１７からの光Ｌ３の波長帯域（例えば、可視領域から紫外領域）において、リレー光学系６１の色収差を良好に補正する。凸レンズと凹レンズとは、互いに貼り合わせてもよく、貼り合わせ面に接着剤を用いてもよい。
【００７１】
ＴＴＭ検出系１７からの光Ｌ３は、レンズ６５及び平行平板３９を通過して、光学系６０に到達する。光学系６０及び波長選択部４０を通過した光Ｌ３は、ビームスプリッタ５６で反射され、レンズ５８を通過して、モールド５及び基板８を照射する。モールド５及び基板８で反射された光Ｌ３は、ＴＴＭ検出系１７のセンサ４６で検出され、かかる検出結果に基づいてモールド５と基板８とのアライメントが行われる。
【００７２】
一方、照明光学系２０からの光Ｌ４は、照明系レンズ５９を通過してビームスプリッタ５６に入射し、ビームスプリッタ５６を通過する。ビームスプリッタ５６を通過した光Ｌ４は、レンズ５８を通過し、モールド５を介して、基板８に到達する。
【００７３】
ここで、平行平板型のビームスプリッタ５６は、像面に近い位置に傾けて配置されているため、ビームスプリッタ５６を通過する光Ｌ３に非対称性収差が発生するという問題がある。但し、インプリント装置においては、相対的に、照明光学系２０からの光Ｌ４の結像性能よりもＴＴＭ検出系１７からの光Ｌ３の結像性能が重要である。従って、平行平板型のビームスプリッタ５６を用いる場合には、ビームスプリッタ５６で反射される光を光Ｌ３とし、ビームスプリッタ５６を透過する光を光Ｌ４とするとよい。
【００７４】
ここで、ビームスプリッタ５６は、図７に示したような反射率特性を有する。従って、照明光学系２０からの光Ｌ３は、その大部分がビームスプリッタ５６を透過し、モールド５や基板８で一部が反射された後、その大部分がビームスプリッタ５６を再び透過する（即ち、照明光学系２０に戻る）。但し、光Ｌ３の一部は、ビームスプリッタ５６で反射されてＴＴＭ検出系１７（センサ４６）に到達してしまう。照明光学系２０からの光Ｌ４の一部がＴＴＭ検出系１７に到達すると、センサ４６で検出される光のノイズとなるため、アライメント精度の低下の原因となる。
【００７５】
また、ビームスプリッタ５６からセンサ４６までの光路に配置される光学部材（光学系６０やＴＴＭ検出系１７の光学系を構成する光学部材など）は、光Ｌ３の波長（可視領域から赤外領域の波長）に対して所定の性能を実現するように設計及び製造されている。従って、このような光学部材は、紫外領域の光（高い光子エネルギーを有する光）に対して必ずしも十分な耐久性を有しているとは限らないため、これらの光学部材に紫外領域の光、即ち、照明光学系２０からの光Ｌ４が照射されると、性能の劣化が懸念される。
【００７６】
そこで、本実施形態では、ビームスプリッタ５６からセンサ４６までの光路に配置される光学部材に照明光学系２０からの光Ｌ４が照射されない（到達しない）ように、ビームスプリッタ５６の後段に波長選択部４０を配置している。波長選択部４０は、ビームスプリッタ５６とＴＴＭ検出系１７との間、本実施形態では、ビームスプリッタ５６と光学系６０との間に配置される。
【００７７】
波長選択部４０は、アライメントマークで反射されてビームスプリッタ５６を介してＴＴＭ検出系１７に向かう光Ｌ３を通過させ、基板８で反射されてビームスプリッタ５６を介してＴＴＭ検出系１７に向かう光Ｌ４を遮断する機能を有する光学部材である。波長選択部４０は、例えば、紫外領域の光（照明光学系２０からの光Ｌ４）を反射し、可視領域から赤外領域の光（ＴＴＭ検出系１７からの光Ｌ３）を透過する。また、波長選択部４０は、紫外領域の光を吸収し、可視領域から赤外領域の光を透過してもよい。
【００７８】
このように、ビームスプリッタ５６とＴＴＭ検出系１７との間に波長選択部４０を配置することで、照明光学系２０からの光Ｌ４がＴＴＭ検出系１７（センサ４６）に到達することを防止することができる。これにより、アライメント時において、アライメントマークで反射された光Ｌ３のみを（即ち、光Ｌ４によるノイズが含まれることなく、）センサ４６で検出することができるため、高精度なダイバイダイアライメントを実現することができる。また、紫外光に対する耐久性が懸念される光学部材、即ち、ビームスプリッタ５６からセンサ４６までの光路に配置される光学部材の性能の劣化を防止することができるため、高精度なダイバイダイアライメントを長期間維持することが可能となる。
【００７９】
また、波長選択部４０の機能は、光学系６０の一部が有してもよい。例えば、図１２に示すように、光学系６０を構成するレンズ７０（ビームスプリッタ５６に最も近いレンズ）が波長選択部４０の機能を有してもよい。具体的には、光学系６０を構成するレンズ７０が、紫外領域の光を反射し、可視領域から赤外領域の光を透過する材料、或いは、紫外領域の光を吸収し、可視領域から赤外領域の光を透過する材料で構成されている。また、紫外領域の光を反射し、可視領域から赤外領域の光を透過する光学膜、或いは、紫外領域の光を吸収し、可視領域から赤外領域の光を透過する光学膜を光学系６０を構成するレンズ７０に形成してもよい。
【００８０】
＜第８の実施形態＞
図１３は、本発明の第８の実施形態におけるインプリント装置１Ｅの構成を示す概略図である。インプリント装置１Ｅは、インプリント装置１Ｄに対して、リレー光学系６１にミラー５７が追加されている。これにより、リレー光学系６１は、透過部材だけではなく、反射部材（ビームスプリッタ５６及びミラー５７）に関しても、光学系６０の中心、即ち、リレー光学系６１の中心を基準として点対称となっている。
【００８１】
ＴＴＭ検出系１７からの光Ｌ３は、ビームスプリッタ５６で反射されるため、ミラー５７の反射特性（反射率や反射角度ごとの位相変化量）は、ビームスプリッタ５６の反射特性と同一であるとよい。例えば、ミラー５７の反射特性をビームスプリッタ５６の反射特性と同一にすることで、ビームスプリッタ５６において反射角度ごとに発生する位相変化量を、ミラー５７で打ち消すことが可能となる。これにより、リレー光学系６１の結像特性を良好に維持することができる。なお、リレー光学系６１の結像特性が許容範囲に収まるならば、ミラー５７の反射特性とビームスプリッタ５６の反射特性とが異なっていてもよい。
【００８２】
ここで、ビームスプリッタ５６は、図７に示したような反射率特性を有する。従って、照明光学系２０からの光Ｌ４は、その大部分がビームスプリッタ５６を透過し、モールド５や基板８で一部が反射された後、その大部分がビームスプリッタ５６を再び透過する（即ち、照明光学系２０に戻る）。但し、光Ｌ４の一部は、ビームスプリッタ５６で反射されてＴＴＭ検出系１７（センサ４６）に到達してしまう。照明光学系２０からの光Ｌ４の一部がＴＴＭ検出系１７に到達すると、センサ４６で検出される光のノイズとなるため、アライメント精度の低下の原因となる。
【００８３】
そこで、本実施形態では、第７の実施形態と同様に、ビームスプリッタ５６とＴＴＭ検出系１７との間に波長選択部４０を配置することで、照明光学系２０からの光Ｌ４がＴＴＭ検出系１７（センサ４６）に到達することを防止する。これにより、アライメント時において、アライメントマークで反射された光Ｌ３のみを（即ち、光Ｌ４によるノイズが含まれることなく、）センサ４６で検出することができるため、高精度なダイバイダイアライメントを実現することができる。また、紫外光に対する耐久性が懸念される光学部材、即ち、ビームスプリッタ５６からセンサ４６までの光路に配置される光学部材の性能の劣化を防止することができるため、高精度なダイバイダイアライメントを長期間維持することが可能となる。
【００８４】
また、波長選択部４０の機能は、光学系６０の一部が有してもよい。例えば、図１４に示すように、光学系６０を構成するレンズ７０（ビームスプリッタ５６に最も近いレンズ）が波長選択部４０の機能を有してもよい。
【００８５】
＜第９の実施形態＞
上述したように、各実施形態のインプリント装置は、高精度なダイバイダイアライメントを実現し、下地パターンとモールドのパターンとを正確に重ね合わせることが可能であるため、デバイスの歩留まりを向上させることができる。従って、各実施形態のインプリント装置は、経済性よく高品位な半導体デバイスなどの物品を提供することができる。物品としてのデバイス（半導体デバイス、磁気記憶媒体、液晶表示素子等）の製造方法について説明する。かかる製造方法は、各実施形態のインプリント装置を用いて基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板等）にパターンを転写（形成）するステップを含む。かかる製造方法は、パターンが転写された基板をエッチングするステップを更に含む。なお、かかる製造方法は、パターンドットメディア（記録媒体）や光学素子などの他の物品を製造する場合には、エッチングステップの代わりに、パターンが転写された基板を加工する他の加工ステップを含む。
【００８６】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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