(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層の上に光反射層を形成する工程と、
前記光反射層の上にめっき下地層を形成する工程と、
前記めっき下地層の上面のみを覆うキャップ層を形成したのち、保護層を、前記めっき下地層を利用した無電解めっき法により前記光反射層、前記めっき下地層および前記キャップ層を覆うように形成する工程と
を含み、
前記キャップ層を、めっき浴中において酸化還元反応を生じない材料により形成し、
前記保護層を形成する際、前記めっき下地層の端面が露出した状態で前記無電解めっきを行う
半導体発光素子の製造方法。
【請求項２】
前記保護層を、前記めっき下地層、前記光反射層および前記半導体層のうちの少なくとも１つを基点として成長させる
請求項１記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項３】
前記めっき下地層の露出面積を変化させることにより、前記保護層の平面形状および断面形状を調整する
請求項１記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項４】
前記めっき下地層の構成材料を選択し、前記めっき下地層の表面電位を変更することにより、前記保護層の平面形状および断面形状を調整する
請求項１記載の半導体発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光反射層により射出窓側とは反対側に発光した光を射出窓側に反射させる構造を有する半導体発光素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（ＬＥＤ；Light Emitting Diode）等の半導体発光素子の外部量子効率は、内部量子効率と光抽出効率との２つの要素からなり、これらの効率を改善することにより、長寿命、低消費電力、かつ、高出力の半導体発光素子を実現することが可能となる。ここで、前者の内部量子効率は、例えば、結晶欠陥や転位の少ない良質な結晶が得られるように成長条件を正確に管理し、あるいはキャリア・オーバーフローの発生を抑制することの可能な層構造とすることにより改善される。一方、後者の光抽出効率は、例えば、活性層から発光した光が基板や活性層において吸収される前に射出窓に対して脱出円錐（エスケープ・コーン）角未満で入射する割合が多くなるような幾何形状や層構造とすることにより改善される。また、反射率の高い材料からなる光反射層を設け、射出窓側とは反対側に発光した光を射出窓側に反射することによっても改善され得る。
【０００３】
ところで、発光ダイオード等の半導体発光素子では、上記光反射層は通常、半導体層に電流を注入する電極としても機能することから、半導体層との電気的な接触性が高いことが求められる。このため、一般に、各種半導体層との電気的な接触性が高く、汎用性の高い材料であるアルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ），ニッケル（Ｎｉ），パラジウム（Ｐｄ）などを光反射層の構成材料として用いる。しかしながら、これらの材料を光反射層に適用しても反射率はあまり高くならないので、高反射率が要求される用途には適さない場合が多い。
【０００４】
そこで、高反射率が要求される場合には、反射率の極めて高い銀（Ａｇ）を光反射層に適用する。銀は、ＡｌＧａＡｓ系や、ＡｌＧａＩｎＰ系などの長波長帯の半導体層と電気的な接触性が高く、オーミック接触になりやすい。ところが、ＧａＮ系などの短波長帯の半導体層とは電気的な接触性が低く、他の材料系と比べてショットキー接触に近いオーミック接触になりやすいので、線形性が低くなる。そこで、従来、白金（Ｐｔ），パラジウム（Ｐｄ）またはニッケル（Ｎｉ）を含有する厚さ０．１ｎｍ〜０．５ｎｍの極めて薄い保護層（いわゆるカバーメタル）を、銀からなる光反射層と半導体層との間に設ける技術が提案されている（例えば特許文献１および非特許文献１参照）。このカバーメタルを設けることにより、光反射層の酸化による劣化を防止すると共に、エレクトロケミカルマイグレーション (electrochemical migration)の発生を防止している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−２６０１７８号公報
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】C. H. Chou, et. al., "High thermally stable Ni/Ag(Al) alloy contacts on p-GaN", Applied Physics Letters 90, 022102 (2007)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、このようなカバーメタルは、通常、リフトオフ法で形成される。具体的には、まず、半導体層上に下層としての光反射層を選択的に形成したのち、積層方向において光反射層およびその周辺と対応する位置に開口を有するレジスト層を、フォトリソグラフィ技術を用いて形成する。次いで、例えば真空蒸着法によってニッケルなどの金属膜を全面に亘って形成する。さらに、レジスト層を覆う領域の金属膜をレジスト層と共に除去する（リフトオフする）ことで開口に対応する領域の金属膜を残存させる。これにより、光反射層を覆う上層としてのカバーメタルを得るようにしている。
【０００８】
しかしながら、このようなリフトオフ法によるカバーメタルの寸法精度や配置位置精度は、レジスト層における開口の寸法精度や、光反射層とレジスト層の開口との位置合わせ精度などの多くの変動要因によって大きく影響される。このため、結果的に、カバーメタルの寸法は、ばらつきが大きくなりがちであった。そのため、今後予想される半導体発光素子そのものの微小化に伴い、カバーメタルが光反射層を緻密に覆うことができず、光反射層の酸化防止やエレクトロケミカルマイグレーションの防止が不十分となる可能性も考えられる。
【０００９】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、光反射層が、寸法精度が高くかつ緻密な保護層によって覆われた構造を有する半導体発光素子の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の半導体発光素子の製造方法は、半導体層の上に光反射層を形成する工程と、その光反射層の上にめっき下地層を形成する工程と、めっき下地層の上面のみを覆うキャップ層を形成したのち、保護層を、めっき下地層を利用した無電解めっき法により光反射層、めっき下地層およびキャップ層を覆うように形成する工程とを含むものである。ここでキャップ層を、めっき浴中において酸化還元反応を生じない材料により形成する。また、保護層を形成する際、めっき下地層の端面が露出した状態で前記無電解めっきを行う。
【００１３】
本発明の半導体発光素子の製造方法では、半導体層上の光反射層の上にめっき下地層を形成したのち、保護層を、そのめっき下地層を利用した無電解めっき法により光反射層を覆うように形成するので、その保護層は高い寸法精度およびアライメント精度を有すると共に緻密な組織を有するものとなる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の半導体発光素子およびその製造方法によれば、無電解めっき法により形成された機械的強度の高い保護層によって、半導体層の上に設けられた光反射層を確実に覆うことができる。したがって、高い反射率を有する銀などによって光反射層を構成しつつ、その光反射層の酸化防止やエレクトロケミカルマイグレーションの防止を確実に図ることができる。その結果、寸法の微小化に対応しつつ、高い信頼性を有する半導体発光素子の提供が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の一実施の形態としての発光ダイオードの断面図である。
【図２】図２に示した発光ダイオードの製造方法における一工程を表す断面図である。
【図３】図２に続く一工程を表す断面図である。
【図４】図３に続く一工程を表す断面図である。
【図５】図４に続く一工程を表す断面図である。
【図６】図５に続く一工程を表す断面図である。
【図７】図６に続く一工程を表す断面図である。
【図８】実験例としての発光ダイオードの断面を表す電子顕微鏡の画像である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１７】
［発光ダイオードの構成］
図１は、本発明の一実施の形態に係る発光ダイオード（ＬＥＤ）の断面構造を表したものである。なお、図１は、模式的に表したものであり、実際の寸法、形状とは異なっている。
【００１８】
この発光ダイオードは、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を含む半導体層２０と、ｐ側電極３０と、ｎ側電極３５とを備えたものである。半導体層２０は、ＧａＮ層２２、ｎ型コンタクト層２３、ｎ型クラッド層２４、活性層２５、ｐ型クラッド層２６およびｐ型コンタクト層２７をこの順に積層して構成される積層体である。ｐ側電極３０は、ｐ型コンタクト層２７の表面に設けられており、ｎ側電極３５は、ＧａＮ層２２の表面に設けられている。ｐ側電極３０は、その一部が導電性の接続層３３と接続されている。接続層３３は、接着層３９（ここでは図示せず）を介して支持基板５０と接着されている。この発光ダイオードは、活性層２５からの光が、ｎ型コンタクト層２３およびｎ型クラッド層２４から構成されるｎ型半導体層を介して射出される形式（いわゆるボトム・エミッション型）の半導体発光素子である。
【００１９】
なお、ここでいう窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体とは、ガリウム（Ｇａ）と窒素（Ｎ）とを含んだ窒化ガリウム系化合物のことであり、例えばＧａＮ，ＡｌＧａＮ（窒化アルミニウム・ガリウム），あるいはＡｌＧａＩｎＮ（窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム）などが挙げられる。これらは、必要に応じてＳｉ（シリコン），Ｇｅ（ゲルマニウム），Ｏ（酸素），Ｓｅ（セレン）などのＩＶ族およびＶＩ族元素からなるｎ型不純物、または、Ｍｇ（マグネシウム），Ｚｎ（亜鉛），Ｃ（炭素）などのＩＩ族およびＩＶ族元素からなるｐ型不純物を含有している。
【００２０】
ＧａＮ層２２は、例えば、厚さが０．５μｍのアンドープのＧａＮにより構成され、サファイアのｃ面上にＥＬＯ（Epitaxial Lateral Overgrowth）技術などの横方向結晶成長技術を用いて成長させることにより形成されるものである。ｎ型コンタクト層２３は、例えば、厚さが４．０μｍのｎ型ＧａＮにより、ｎ型クラッド層２４は、例えば、厚さが１．０μｍのｎ型ＡｌＧａＮによりそれぞれ構成される。
【００２１】
活性層２５は、例えば、厚さが３．５ｎｍのアンドープＩｎx Ｇａ1-x Ｎ井戸層（０＜ｘ＜１）と厚さが７．０ｎｍのアンドープＩｎy Ｇａ1-y Ｎ障壁層（０＜ｙ＜１）とを一組としてこれを３組積層してなる多重量子井戸構造を有する。この活性層２５はその面内方向の中心領域に、注入された電子と正孔の再結合により光子が発生する発光領域２５Ａを有する。ｐ型クラッド層２６は、例えば、厚さが０．５μｍのｐ型ＡｌＧａＮにより構成される。ｐ型コンタクト層２７は、例えば、厚さが０．１μｍのｐ型ＧａＮにより構成され、ｐ型クラッド層２６よりも高いｐ型不純物濃度を有する。
【００２２】
ｐ型コンタクト層２７の上面の一部には、光反射層３１が設けられている。光反射層３１は、無電解めっき法により形成されためっき膜である保護層３２によって完全に覆われている。保護層３２は、例えばニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ），パラジウム（Ｐｄ），金（Ａｕ）および錫（Ｓｎ）のうちの１種、またはそれらの元素を２種以上含む合金によって構成される。
【００２３】
なお、ｐ型コンタクト層２７と光反射層３１との間には、例えば、パラジウム（Ｐｄ），ニッケル（Ｎｉ），白金（Ｐｔ）およびロジウム（Ｒｈ）などの遷移金属、あるいはそれらの遷移金属に銀（Ａｇ）を添加した材料からなる金属層を挿入するようにしてもよい。この金属層を設けることにより、ｐ型コンタクト層２７と光反射層３１との機械的な密着性を向上させたり、電気的な接触性を向上させたりするなどの効果が期待できる。
【００２４】
光反射層３１は、金属的性質を有する物質、例えば銀（Ａｇ）もしくはその合金により構成され、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の厚さを有している。銀合金としては、銀に、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、インジウム（Ｉｎ）およびガリウム（Ｇａ）の少なくとも１つの物質を添加して構成されたものが挙げられる。より具体的には、光反射層３１は、銀９８％，パラジウム１％，銅１％を含有する、いわゆるＡＰＣ合金である。
【００２５】
純銀および銀合金は、極めて大きな反射率を有する。これにより、光反射層３１は活性層２５の発光領域２５Ａから発せられる発光光のうち、射出窓であるＧａＮ層２２とは反対側に向かう光をＧａＮ層２２へ向けて反射する機能を発揮する。また、光反射層３１は、金属層３２Ａ（後出）および保護層３２と共にｐ側電極３０を構成しており、接続層３３と電気的に接続されている。そのため、光反射層３１は、ｐ型コンタクト層２７との電気的な接触性が高いことも要求される。
【００２６】
光反射層３１の上面には、金属層３２Ａが設けられている。この金属層３２Ａは、保護層３２を無電解めっき法により形成する際のめっき下地層（めっきシード層）として機能するものである。金属層３２Ａの構成材料は、例えばニッケルまたはニッケル合金である。
【００２７】
［発光ダイオードの製造方法］
次に、このような構成を備えた発光ダイオードの製造方法の一例について、図２から図７を参照しつつ詳細に説明する。図２〜図７は、いずれも、製造過程における発光ダイオードの断面構成を表すものである。ここでは、複数の発光ダイオードを一括形成する場合を例示して説明する。
【００２８】
最初に、図２（Ａ）に示したように、基板１０として例えばｃ面が表出したサファイアを用意したのち、そのｃ面上に、バッファ層１１を介して、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる半導体膜２０Ａを、例えば、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition ：有機金属気相成長）法により全面に亘って形成する。バッファ層１１もまた、ＭＯＣＶＤ法によりサファイアのｃ面上において低温成長させることにより形成されるものであり、例えば、厚さが３０ｎｍのアンドープのＧａＮにより構成される。この際、ＧａＮ系化合物半導体の原料としては、例えば、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）、アンモニア (ＮＨ3)を用い、ドナー不純物の原料としては、例えば、シラン（ＳｉＨ4 ）を用い、アクセプタ不純物の原料としては、例えばビス＝メチルシクロペンタジエニルマグネシウム（（ＣＨ3 Ｃ5 Ｈ4 ）2 Ｍｇ）あるいはビス＝シクロペンタジエニルマグネシウム（（Ｃ5 Ｈ5 ）2 Ｍｇ）を用いる。
【００２９】
詳細には、まず基板１０の表面（ｃ面）を、例えばサーマルクリーニングにより清浄する。続いて、清浄された基板１０上に、例えばＭＯＣＶＤ法により例えば５００℃程度の温度でバッファ層１１を低温成長させたのち、例えばＥＬＯなどの横方向結晶成長技術により例えば１０００℃の成長温度でＧａＮ層２２を成長させる。
【００３０】
次に、ＧａＮ層２２上に、例えばＭＯＣＶＤ法により、ｎ型コンタクト層２３，ｎ型クラッド層２４，活性層２５，ｐ型クラッド層２６およびｐ型コンタクト層２７を順次成長させる。ここで、インジウム（Ｉｎ）を含まない層であるｎ型コンタクト層２３，ｎ型クラッド層２４，ｐ型クラッド層２６およびｐ型コンタクト層２７の成長温度は例えば１０００℃程度とし、インジウム（Ｉｎ）を含む層である活性層２５の成長温度は例えば７００℃以上８００℃以下とする。このようにして半導体層２０を結晶成長させたのち、例えば６００℃以上７００℃以下の温度で数十分間加熱して、ｐ型クラッド層２６およびｐ型コンタクト層２７中のアクセプタ不純物を活性化させる。
【００３１】
次に、ｐ型コンタクト層２７上に、所定形状のレジストパターン４０を形成する。こののち、図２（Ｂ）に示したように、このレジストパターン４０をマスクとして、例えば塩素系ガスを用いたＲＩＥ(Reactive Ion Etching:反応性イオンエッチング) 法により、半導体膜２０Ａの露出部をｎ型コンタクト層２３に達するまで掘り下げることにより、凸部２８を形成する。
【００３２】
次に、図３（Ａ）に示したように、レジストパターン４０を除去したのち、ｐ型コンタクト層２７上に、例えばスパッタ法により光反射層３１と金属層３２Ａとを順に積層する。
【００３３】
金属層３２Ａを形成したのち、図３（Ｂ）に示したように、その金属層３２Ａをめっき下地層として利用した無電解めっき法により、光反射層３１を完全に覆うように保護層３２を形成する。これにより、ｐ側電極３０が得られる。このとき、ｐ型コンタクト層２７の上面（ｐ型クラッド層２６と反対側の面）、光反射層３１の端面、および金属層３２Ａの表面が少なくともめっき浴に浸漬するようにする。そうすることで、金属層３２Ａの表面だけでなく、金属層３２Ａの周囲領域におけるｐ型コンタクト層２７の表面においてもめっき成長が生じる。すなわち、ここでは、金属層３２Ａ、光反射層３１およびｐ型コンタクト層２７のうちの少なくとも１つを基点としてめっき成長が生じる。その結果、光反射層３１および金属層３２Ａの周囲を覆う緻密かつ強固な保護層３２が形成される。ここで、金属層３２Ａの厚さおよび構成材料の組成のうちの少なくとも一方を変化させることにより、金属層３２Ａおよび光反射層３１の表面電位、および、それらの表面電位によって変化するｐ型クラッド層２６の電位を調整することが望ましい。これにより、めっき浴中での電気化学的な反応性を制御し、めっき膜である保護層３２の形成領域（広がり）を調整することができるからである。特に、ｐ型クラッド層２６の電位は、ｐ型クラッド層２６自体の内部抵抗の大きさに応じて、金属層３２Ａから遠ざかれば遠ざかるほどそのめっき浴中での自然電位に収束していく。この電位の勾配を制御することにより、保護層３２の形成領域（広がり）の調整が可能である。なお、図３（Ａ），３（Ｂ）では、光反射層３１の上面全体を覆うように金属層３２Ａを設ける例を示したが、光反射層３１の上面の一部のみを覆うように金属層３２Ａを形成してもよい。このように金属層３２Ａの表面積を変化させることによっても電気化学反応の反応性を制御することができるので、所望の平面形状および断面形状を有する保護層３２が得られる。なお、図８は、図３（Ｂ）に相当する工程での発光ダイオードの断面の一例を表す電子顕微鏡写真である。但し、図８では、めっき下地層としての金属層３２Ａの上にさらにキャップ層Ｃａｐが形成されており、金属層３２Ａの端面のみが保護層３２と接している。図８によれば、半導体膜２０Ａにおける、隣り合う凸部２８同士の間をも充填するように保護層３２が形成されていることが確認できる。これは、めっき下地層としての金属層３２Ａから離間した半導体膜２０Ａの表面をも基点としてめっき成長が生じていることの証拠と考えられる。
【００３４】
次に、図４（Ａ）に示したように、全体を覆うようにレジストを塗布し、絶縁膜３７Ａを形成する。こののち、必要に応じて加熱処理（ベーキング）を行ったのち、図４（Ｂ）に示したように、フォトリソグラフィ技術を用いて保護層３２の上面の一部が露出するように絶縁膜３７Ａを選択的に除去し、絶縁層３７を形成する。
【００３５】
続いて、例えば電気めっき法などにより銅（Ｃｕ）などからなるめっき膜を形成したのちパターニングすることにより、図５に示したようにｐ側電極３０と接続された接続層３３を形成する。こののち、接続層３３を覆い、かつその周囲埋めるように接着層３９を形成し、この接着層３９を介してサファイアなどからなる支持基板５０を接続層３３に貼り合わせる。
【００３６】
こののち、基板１０の裏面側から、例えばエキシマレーザを全面に亘って照射する。これによりレーザ・アブレーションが生じ、基板１０とバッファ層１１との界面を剥離させる。そののち、図６に示したように、バッファ層１１の側から積層方向に化学機械研磨（ＣＭＰ；Chemical Mechanical Polishing）処理を進めることにより、隣り合う凸部２８同士を分離させ、半導体層２０を得る。
【００３７】
さらに、ＣＭＰ処理により露出した半導体層２０におけるｐ側電極３０と反対側の面を覆うように、蒸着法などによりチタン（Ｔｉ）層、白金（Ｐｔ）層、および金（Ａｕ）層を順に積層したのち、所定形状となるようにパターニングすることによりｎ側電極３５を形成する（図７参照）。
【００３８】
最後に、半導体層２０ごとに分割するなどの所定の工程を経ることにより、本実施の形態の発光ダイオードが製造される。
【００３９】
このようにして製造された発光ダイオードでは、ｐ側電極３０およびｎ側電極３５に電流が供給されると、電流が活性層２５の発光領域２５Ａに注入され、これにより電子と正孔の再結合による発光が生じる。この発光領域２５Ａで生じた発光光のうち射出窓であるＧａＮ層２２へ直接向かう光Ｌ１は基板１０を透過して外部に射出され、ＧａＮ層２２とは反対側に向かう光Ｌ２，Ｌ３は光反射層３１によってＧａＮ層２２へ向けて反射されたのち、半導体層２０を透過して外部に射出される（図１参照）。
【００４０】
このとき、光Ｌ２，Ｌ３は極めて大きな反射率を有する銀（Ａｇ）を含んで構成された光反射層３１で反射されるので、光反射層３１が銀（Ａｇ）を含まない場合と比べて反射率や光抽出効率がより大きくなる。
【００４１】
［本実施の形態の作用・効果］
このように、本実施の形態では、光反射層３１を覆う保護層３２が無電解めっき法により形成されためっき膜からなるようにしたので、保護層３２は高精度な寸法を有すると共に緻密な組織を有することとなる。さらに、保護層３２を形成するにあたり、めっき下地層としての金属層３２Ａを予め形成し、めっき浴との電気化学反応により金属層３２Ａの周囲領域におけるｐ型コンタクト層２７の表面上にもめっき成長を生じさせるようにしたので、保護層３２のアライメント精度が向上する。特に、金属層３２Ａの組成を変化させたり、その表面積を変化させたりすることによって金属層３２Ａの表面電位を調整し、めっき浴中の金属イオンの吸着力（金属イオンを金属層３２Ａに引き寄せる化学力）を調整すれば、よりいっそう寸法精度やアライメント精度が高い保護層３２が得られる。すなわち、本実施の形態の発光ダイオードおよびその製造方法によれば、無電解めっき法により形成された機械的強度の高い保護層３２によって、半導体層２０の上に設けられた光反射層３１を隙間無く確実に覆うことができる。したがって、高い反射率を有する銀（Ａｇ）などによって光反射層３１を構成しつつ、その光反射層３１の酸化防止やエレクトロケミカルマイグレーションの防止を確実に図ることができる。その結果、全体構造の寸法の微小化に対応しつつ、高い信頼性を実現することができる。
【００４２】
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記した実施の形態において説明した態様に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、金属層３２Ａの表面が露出した状態で無電解めっきを行うようにした。しかしながら、金属層３２Ａと保護層３２との間に、キャップ層をさらに設け、金属層３２Ａの端面のみが露出した状態で無電解めっきを行うようにしてもよい。このようにすれば、構成材料の組成や金属層３２Ａの形成面積を変化させなくとも、金属層３２Ａの厚さのみを変化させることでめっき浴中の電気化学反応を制御することが可能となる。よって、この場合であっても、平面形状および断面形状がより高精度に画定された保護層３２を得ることができ、上記実施の形態と同様の効果が得られる。ここで、キャップ層は、めっき浴中において酸化還元反応を生じない材料、例えば金（Ａｕ）や白金（Ｐｔ）などの金属材料やＳｉＯ2 などの無機材料によって構成することができる。なお、キャップ層は単層構造に限定されるものではなく、２層以上の多層構造としてもよい。また、金属層３２Ａと光反射層３１との間に他の金属層を設けるようにしてもよい。
【００４３】
また、上記実施の形態では、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を含んで構成された発光ダイオードについて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、他の半導体材料、例えば、ＡｌＧａＡｓ系や、ＡｌＧａＩｎＰ系などの長波長帯の発光ダイオードに適用することも可能である。
【符号の説明】
【００４４】
１０…基板、１１…バッファ層、２０…半導体層、２２…ＧａＮ層、２３…ｎ型コンタクト層、２４…ｎ型クラッド層、２５…活性層、２５Ａ…発光領域、２６…ｐ型クラッド層、２７…ｐ型コンタクト層、２８…凸部、３０…ｐ側電極、３１…光反射層、３２Ａ…金属層、３２…保護層、３３…接続層、３５…ｎ側電極、３６…ｎ側バンプ部、３７…絶縁層、３９…接着層、４０…レジスト層、５０…支持基板、Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３…光。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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