(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面、前記表面とは反対側の裏面、前記表面と前記裏面の間に配置された側面、前記表面上の第１辺、前記第１辺とは反対側の第２辺、前記第１および第２辺と交差する第３辺、および前記第３辺とは反対側で前記第１および第２辺と交差する第４辺を有するダイパッドと、
前記ダイパッドと接続され、前記第１辺と前記第３辺が交差する第１領域に配置された第１吊りリードと、
前記ダイパッドの周辺に配置された複数のリード端子と、
複数の電極パッドが設置された第１主面、前記第１主面とは反対側の第２主面を有し、前記ダイパッドの前記表面と前記第２主面とを向い合せるように、前記表面上に搭載された半導体チップと、
前記複数の電極パッドと前記複数のリード端子を電気的に接続する複数のワイヤと、
前記ダイパッドの前記表面および前記側面、前記第１吊りリードの一部、前記複数のリード端子それぞれの一部、前記半導体チップ、および前記複数のワイヤを樹脂で封止する封止体と、を備え、
前記封止体は、前記ダイパッドの露出した前記裏面および前記裏面を取り囲む樹脂領域を有する第１面、前記第１面に接し前記ダイパッドの前記第１辺に対向する第５辺、前記第５辺とは反対側で前記ダイパッドの前記第２辺に対向する第６辺、前記第５および第６辺と交差し、前記ダイパッドの前記第３辺と対向する第７辺、および前記第７辺とは反対側で、前記ダイパッドの前記第４辺と対向し、前記第５および第６辺と交差する第８辺、
を含み、
前記樹脂領域は、前記第１辺と前記第５辺の間に形成され前記ダイパッドの前記第１辺に沿うように延伸して形成された第１凹部、前記第２辺と前記第６辺の間に形成され前記ダイパッドの前記第２辺に沿うように延伸して形成された第２凹部、前記第３辺と前記第７辺の間に形成され前記ダイパッドの前記第３辺に沿うように延伸して形成された第３凹部、および前記第４辺と前記第８辺の間に形成され前記ダイパッドの前記第４辺に沿うように延伸して形成された第４凹部、を含み、
前記第１凹部の一端と前記第３凹部の一端は接続され、
前記第２凹部の一端と前記第３凹部の他端は接続され、
前記第２凹部の他端と前記第４凹部の一端は接続され、
前記第１凹部の他端と前記第４凹部の他端は接続され、
前記第１凹部の一端と前記第３凹部の一端とを接続する第５凹部は、平面視において前記第１吊りリードと重り、
前記第５凹部の深さは、断面視において前記第１凹部および前記第３凹部の深さより浅く、
前記第１および第３凹部は、平面視において前記ダイパッドとは重ならない半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記半導体装置は、更に前記ダイパッドと接続され、前記第２辺と前記第４辺が交差する第２領域に配置された第２吊りリードと、を含み、
前記第２凹部の他端と前記第４凹部の一端とを接続する第６凹部は、平面視において前記第２吊りリードと重り、
前記第６凹部の深さは、断面視において前記第２凹部および前記第４凹部の深さより浅く、
前記第２および第４凹部は、平面視において前記ダイパッドとは重ならない半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記ダイパッドの厚さをｔ１としたとき、前記ダイパッドの前記第１辺と前記第１凹部との間隔は、５ｔ１よりも短い半導体装置。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体装置において、
前記ダイパッドの前記第１辺と前記第１凹部との第１間隔は、０．１ｍｍ以上４ｍｍ以下である半導体装置。
【請求項５】
請求項２に記載の半導体装置において、
前記第２吊りリードは、前記封止体内に含まれ、
前記第２辺および前記第４辺のそれぞれに沿って前記複数のリード端子が配置されている半導体装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体装置において、
前記リード端子のうち前記ダイパッド側の端部は、第１めっき層を有し、
前記ダイパッドの前記裏面は、第２めっき層を有し、
前記第１めっき層と前記第２めっき層は、同一の材料により形成されている半導体装置。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体装置において、
前記第１めっき層および前記第２めっき層は、Ｐｄを含む半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置、半導体装置の製造方法、金型、および封止装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、リードフレームのダイパッド（アイランド部）の半導体ペレットや半導体チップを搭載した面（表面）の反対の面（裏面）を露出させた状態で、封止樹脂で半導体チップを封止した構成の半導体装置（以下、ダイパッド露出型パッケージともいう。）が開発されている。このようなダイパッド露出型パッケージのうち、ダイパッドの露出面は、はんだを介して、回路基板上の電極に接続される。これにより、ダイパッドを低抵抗の外部電極とすることができる。加えて、半導体チップで生じた熱を外部に逃がす放熱経路とすることもできる。したがって、特に高消費電力の装置として用いられている。
【０００３】
しかし、従来、ダイパッド露出型パッケージにおいて、封入金型を用いた封止樹脂の封入工程で、封止樹脂がダイパッドの裏面に流れ込み、ダイパッドの露出面である裏面に樹脂バリが形成されてしまうという問題があった。このような樹脂バリが形成されると、たとえば放熱経路の一部が樹脂バリで阻害される等の問題がある。
【０００４】
特許文献１（特開２００１−０３５８６８号公報）には、リードフレームの放熱板（ダイパッド）面外周にテーパ部を設け、下型の封入金型の放熱板接触箇所に凹部を設けた構成が記載されている。これにより、樹脂の封入時、放熱板の外周と封入金型とをかじらせ、放熱板面への樹脂もれを防止できるとされている。したがって、樹脂封止後の樹脂バリ取り工程を省略できるとされている。
【０００５】
図２７は、特許文献２（特開平０８−０４６０９０号公報）に記載された半導体装置の構成を示す断面図である。当該文献には、下記のような問題を解決するための技術が記載されている。半導体チップ（シリコン）を封止樹脂（プラスチック）で封止して金型から外す。その後に、シリコン／プラスチック／空気の界面３８において、トランスファモールド温度から冷却する間にプラスチックが収縮する。このとき、プラスチックがシリコン以上に収縮するため、熱収縮の差により、シリコン／プラスチック／空気の界面に張力が形成される。したがって、しばしばシリコン／プラスチック／空気の界面に分離が生じるという問題があった。当該文献には、接合部を大気からシールするような密接な接触を維持するために、シリコン／プラスチック／空気の界面の張力を減少するために、および接合領域からのプラスチック本体のほとんどの影響を分離するために、プラスチック成形本体３２にノッチ３７が作られた構成が記載されている。このようなノッチは、たとえば、型の下部の明確な特徴部によって容易に形成することができると記載されている。また、種々の形状及び構成の１つをとることができると記載されている（段落００３０、図８等）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−０３５８６８号公報
【特許文献２】特開平０８−０４６０９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、特許文献１に記載の技術では、金型に凹部を設けるだけでなく、リードフレームのダイパッドの形状も特殊な加工とする必要がある。また、加工処理が複雑になるという問題があった。
【０００８】
また、特許文献２に記載されたノッチ３７は、単に（シリコンとプラスチックとの）接合領域をプラスチック本体のほとんどの部分と分離する目的のために作られている。このため、樹脂バリが発生すること等は全く考慮されていない。また、ノッチサイズ等についても検討されていない。
【０００９】
本発明者は、ダイパッドおよび半導体チップを封止樹脂で封止する際に、ダイパッド側面に封止樹脂がぶつかるときの衝撃が大きいと、封止樹脂がダイパッドの裏面に回り込んでしまうことを見出した。そこで、封止樹脂がダイパッド側面にぶつかるときの封止樹脂の流れの速度を低下させる構成を検討し、本発明に想到した。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明によれば、
ダイパッドおよび前記ダイパッドの一面に搭載された半導体チップを含む中央部構造体と、
前記ダイパッドから間隔を隔てて当該ダイパッドの外縁に沿って当該ダイパッドの周囲に配置された複数のリード端子と、
一端が前記ダイパッドに接続し、前記ダイパッドから離れる方向に前記ダイパッドの前記一面に対して斜めに延伸している吊りリードと、
前記中央部構造体、前記複数のリード端子の一部および前記吊りリードを封止した封止樹脂と、
を含み、
前記ダイパッドの前記一面と反対側の裏面は、前記封止樹脂の一面から露出して形成されており、
前記封止樹脂の前記一面には、前記中央部構造体の最外縁の少なくとも一の第１の辺および当該第１の辺に隣接する第２の辺にそれぞれ並んで配置された凹部が設けられ、
前記凹部のうち、前記吊りリードの下部の深さは当該吊りリードの下部以外の深さよりも浅い、または前記吊りリードの下部には前記凹部が設けられていない半導体装置が提供される。
また、本発明によれば、
ダイパッドおよび前記ダイパッドの一面に搭載された半導体チップを含む中央部構造体と、
前記ダイパッドから間隔を隔てて当該ダイパッドの外縁に沿って当該ダイパッドの周囲に配置された複数のリード端子と、
一端が前記ダイパッドに接続し、前記ダイパッドから離れる方向に前記ダイパッドの前記一面に対して斜めに延伸している吊りリードと、
前記中央部構造体、前記複数のリード端子の一部および前記吊りリードを封止した封止樹脂と、
を含み、
前記ダイパッドの前記一面と反対側の裏面は、前記封止樹脂の一面から露出して形成されており、
前記封止樹脂の前記一面には、前記中央部構造体の最外縁の少なくとも一の第１の辺および当該第１の辺に隣接する第２の辺にそれぞれ並んで配置され、当該中央部構造体の最外縁の高さ以上の深さの凹部が設けられている半導体装置が提供される。
【００１１】
本発明によれば、
ダイパッドおよび前記ダイパッドの一面に搭載された半導体チップを含む中央部構造体と、
前記ダイパッドから間隔を隔てて当該ダイパッドの外縁に沿って当該ダイパッドの周囲に配置された複数のリード端子と、
一端が前記ダイパッドに接続し、前記ダイパッドから離れる方向に前記ダイパッドの前記一面に対して斜めに延伸している吊りリードと、
を含む半導体チップ構造体を、前記ダイパッドの前記一面と反対側の裏面が金型のキャビティ内の一面と接するように配置する金型配置工程と、
前記金型の前記キャビティ中に、前記ダイパッドの前記一面側から封止樹脂を導入して、前記中央部構造体、前記複数のリード端子の一部および前記吊りリードを当該封止樹脂で封止する工程と、
を含み、
前記封止樹脂で封止する工程において、前記金型の前記一面には、前記中央部構造体の最外縁の少なくとも一の第１の辺および当該第１の辺に隣接する第２の辺にそれぞれ並んで配置された段差部が設けられており、
前記段差部のうち、前記吊りリードの下部の高さは当該吊りリードの下部以外の高さよりも低い、または前記吊りリードの下部には前記段差部が設けられていない半導体装置の製造方法が提供される。
また、本発明によれば、
ダイパッドおよび前記ダイパッドの一面に搭載された半導体チップを含む中央部構造体と、
前記ダイパッドから間隔を隔てて当該ダイパッドの外縁に沿って当該ダイパッドの周囲に配置された複数のリード端子と、
一端が前記ダイパッドに接続し、前記ダイパッドから離れる方向に前記ダイパッドの前記一面に対して斜めに延伸している吊りリードと、
を含む半導体チップ構造体を、前記ダイパッドの前記一面と反対側の裏面が金型のキャビティ内の一面と接するように配置する金型配置工程と、
前記金型の前記キャビティ中に、前記ダイパッドの前記一面側から封止樹脂を導入して、前記中央部構造体、前記複数のリード端子の一部および前記吊りリードを当該封止樹脂で封止する工程と、
を含み、
前記封止樹脂で封止する工程において、前記金型の前記一面には、前記中央部構造体の最外縁の少なくとも一の第１の辺および当該第１の辺に隣接する第２の辺にそれぞれ並んで配置され、当該中央部構造体の最外縁の高さ以上の高さを有する段差部が設けられている半導体装置の製造方法が提供される。
【００１２】
本発明によれば、
ダイパッドおよび前記ダイパッドの一面に搭載された半導体チップを含む中央部構造体と、
前記ダイパッドから間隔を隔てて当該ダイパッドの外縁に沿って当該ダイパッドの周囲に配置された複数のリード端子と、
一端が前記ダイパッドに接続し、前記ダイパッドから離れる方向に前記ダイパッドの前記一面に対して斜めに延伸している吊りリードと、
前記中央部構造体、前記複数のリード端子の一部および前記吊りリードを封止した封止樹脂と、
を含む半導体装置の前記封止樹脂を成型するための金型であって、
前記ダイパッドの前記一面と反対側の裏面が接するように配置される一面が設けられたキャビティと、
前記キャビティの前記一面に設けられ、前記キャビティ内に前記中央部構造体を配置して、前記ダイパッドの前記一面側から前記封止樹脂を導入して、前記中央部構造体、前記複数のリード端子の一部および前記吊りリードを当該封止樹脂で封止する際に、前記中央部構造体の最外縁の少なくとも一の第１の辺および当該第１の辺に隣接する第２の辺にそれぞれ並んで配置された段差部と、
を含み、
前記段差部のうち、前記吊りリードの下部の高さは当該吊りリードの下部以外の高さよりも低い、または前記吊りリードの下部には前記段差部が設けられていない金型が提供される。
また、本発明によれば、
ダイパッドおよび前記ダイパッドの一面に搭載された半導体チップを含む中央部構造体と、
前記ダイパッドから間隔を隔てて当該ダイパッドの外縁に沿って当該ダイパッドの周囲に配置された複数のリード端子と、
一端が前記ダイパッドに接続し、前記ダイパッドから離れる方向に前記ダイパッドの前記一面に対して斜めに延伸している吊りリードと、
前記中央部構造体、前記複数のリード端子の一部および前記吊りリードを封止した封止樹脂と、
を含む半導体装置の前記封止樹脂を成型するための金型であって、
前記ダイパッドの前記一面と反対側の裏面が接するように配置される一面が設けられたキャビティと、
前記キャビティの前記一面に設けられ、前記キャビティ内に前記中央部構造体を配置して、前記ダイパッドの前記一面側から前記封止樹脂を導入して、前記中央部構造体、前記複数のリード端子の一部および前記吊りリードを当該封止樹脂で封止する際に、前記中央部構造体の最外縁の少なくとも一の第１の辺および当該第１の辺に隣接する第２の辺にそれぞれ並んで配置され、当該中央部構造体の最外縁の高さ以上の高さを有する段差部と、
を含む金型が提供される。
さらに、これらのような金型を含む封止装置が提供される。
【００１３】
本発明によれば、封止樹脂が段差部とダイパッドとの間を通過する際に、まずダイパッドと段差部との間に封止樹脂が流入する。これにより、その後に流入してくる封止樹脂は、段差部とダイパッドとの間の領域上を流れていく。そのため、ダイパッドの側面に封止樹脂が速い速度でぶつかるのを防ぐことができる。したがって、封止樹脂がダイパッド裏面に入り込み、樹脂バリが形成されるのを防ぐことができる。
【００１４】
なお、以上の構成要素の任意の組合せ、本発明の表現を方法、装置などの間で変換したものもまた、本発明の態様として有効である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、簡易な手順でダイパッドの裏面に樹脂バリが形成されるのを防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】第１の実施形態における半導体装置の構成の一例を示す断面図である。
【図２】第１の実施形態における半導体装置の構成の一例を示す平面図である。
【図３】図２のｂ−ｂ'線断面図である。
【図４】第１の実施形態における半導体装置の製造手順の一例を示す工程断面図である。
【図５】第１の実施形態における半導体装置の製造手順の一例を示す工程断面図である。
【図６】第１の実施形態における半導体装置および金型の構成の一例を示す平面図である。
【図７】第１の実施形態における下金型の構成を示す平面図である。
【図８】第１の実施形態における下金型の構成を示す平面図である。
【図９】図６に示した半導体装置における段差部の構成を示す断面図である。
【図１０】第１の実施形態の半導体装置の製造手順におけるメカニズムを示す断面図である。
【図１１】第２の実施形態における半導体装置の構成の一例を示す断面図である。
【図１２】第２の実施形態における半導体装置の構成の一例を示す断面図である。
【図１３】第２の実施形態における半導体装置および金型の構成の一例を示す平面図である。
【図１４】第２の実施形態における下金型の構成を示す平面図である。
【図１５】第３の実施形態における半導体装置の構成の一例を示す断面図である。
【図１６】第３の実施形態における半導体装置の構成の一例を示す断面図である。
【図１７】第３の実施形態における半導体装置および金型の構成の一例を示す平面図である。
【図１８】第３の実施形態における下金型の構成を示す平面図である。
【図１９】第４の実施形態における半導体装置の構成の一例を示す断面図である。
【図２０】比較例および第４の実施形態における半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図２１】第４の実施形態の変更例を示すフローチャートである。
【図２２】第５の実施形態における半導体装置の製造手順の一例を示す工程断面図である。
【図２３】第５の実施形態における半導体装置の製造手順の一例を示す工程断面図である。
【図２４】第５の実施形態における半導体装置および金型の構成の一例を示す平面図である。
【図２５】第５の実施形態における下金型の構成を示す平面図である。
【図２６】第５の実施形態における半導体装置の構成の一例を示す断面図である。
【図２７】第５の実施形態における半導体装置の構成の一例を示す平面図である。
【図２８】図２７のｂ−ｂ'断面図である。
【図２９】第５の実施形態における半導体装置および金型の構成の他の例を示す平面図である。
【図３０】第６の実施形態における半導体装置の製造手順の一例を示す工程断面図である。
【図３１】第６の実施形態における半導体装置の製造手順の一例を示す工程断面図である。
【図３２】本発明の実施形態における下金型表面に形成された段差部の構成の他の例を示す平面図である。
【図３３】本発明の実施形態における下金型表面に形成された段差部の構成の他の例を示す平面図である。
【図３４】複数の金型で同時に封止を行う場合の構成を示す模式図である。
【図３５】段差部を有しない場合の半導体装置の製造手順におけるメカニズムを示す断面図である。
【図３６】図２０および図２１に示した可動式段差部の変形例を示す断面図である。
【図３７】特許文献２に記載された半導体装置の構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。以下の実施形態において表記する「半導体チップ」は、「電子部品」を含むものである。また、「半導体装置」は、「電子部品パッケージ」、「半導体パッケージ」などのダイパッド露出型パッケージを含むものである。
【００１８】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態における半導体装置１００の構成の一例を示す断面図である。図２は、第１の実施形態における半導体装置１００の構成の一例を示す平面図である。図１は、図２のａ−ａ'線断面図である。図３は、図２のｂ−ｂ'線断面図である。なお、図２では、説明のため、封止樹脂１３０の外縁のみを示しており、封止樹脂１３０の内部の構成も図示している。なお、以降の同様の平面図においても、同様に封止樹脂１３０の内部を図示している。
【００１９】
第１の実施形態における半導体装置１００は、以下のような構成を備えている。ダイパッド１１４、およびダイパッド１１４の一面に搭載された半導体チップ１１０を含む中央部構造体１０９と、ダイパッド１１４から間隔を隔てて当該ダイパッド１１４の外縁に沿って当該ダイパッド１１４の周囲に配置された複数のリード端子１１６（内部リード１１６ａおよび外部リード１１６ｂ）と、一端がダイパッド１１４に接続し、ダイパッド１１４から離れる方向にダイパッド１１４の一面に対して斜めに延伸している吊りリード１１８と、中央部構造体１０９、複数のリード端子１１６の一部（内部リード１１６ａ）および吊りリード１１８を封止した封止樹脂１３０と、を含んでいる。また、ダイパッド１１４の一面と反対側の裏面は、封止樹脂１３０の一面から露出して形成されている。また、封止樹脂１３０の一面には、中央部構造体１０９の最外縁の少なくとも一の第１の辺および当該第１の辺に隣接する第２の辺にそれぞれ並んで配置された凹部１２６が設けられている。ここで、凹部１２６の深さは、当該中央部構造体の最外縁の高さ以上である。以下、詳細を説明する。
【００２０】
図２は、後述する金型（１４０）から取り出した後の半導体装置１００を示している。なお、半導体装置１００の最終形態は、吊りリード１１８のうち、封止樹脂１３０から露出した部分は切断されている。また、封止樹脂１３０の４つの角部は、たとえば、Ｃ面取りがなされている。
【００２１】
図２のように、リードフレーム１１３は、ダイパッド１１４と、複数のリード端子１１６と、後述する吊りリード１１８とを含んでいる。複数のリード端子１１６は、ダイパッド１１４から間隔を隔ててダイパッド１１４の外縁に並んでダイパッド１１４の周囲に配置されている。
【００２２】
ここで、「リード端子１１６」のうち、封止樹脂１３０の内部に位置する部分を「内部リード１１６ａ」、封止樹脂１３０の外部に露出している部分を「外部リード１１６ｂ」と呼ぶ。以下、特に断りの無い限り、「リード端子１１６」と述べた場合は、どちらの部分も含むものとする。
【００２３】
また、リードフレーム１１３のうち、少なくとも内部リード１１６ａの先端の上面は、内装めっき層（不図示）が形成されている。ここでいう「内装めっき層」とは、たとえば、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ、またはこれらを含む合金等のめっき層のことである。この内装めっき層を形成することにより、内部リード１１６ａとボンディングワイヤ１１２との接合性を向上させることができる。
【００２４】
また、ダイパッド１１４の一面には、マウント材（不図示）を介して、半導体チップ１１０が搭載されている。搭載された半導体チップ１１０の電極パッド（不図示）は、内部リード１１６ａの先端に、ボンディングワイヤ１１２を介して、接続されている。ボンディングワイヤ１１２としては、たとえば、Ａｕ、Ｃｕなどである。
【００２５】
また、封止樹脂１３０から露出するダイパッド１１４は、接地電極などの外部電極とすることもできる。この場合、半導体チップ１１０の電極パッドと、ダイパッド１１４の上面とは、ボンディングワイヤ１１２により接続されていてもよい。また、ダイパッド１１４の上面のうち、少なくともボンディングワイヤ１１２が接続される部分は、上記した内装めっき層が形成されていてもよい。
【００２６】
一方、ダイパッド１１４の裏面には、後述する外装めっき層（不図示）が形成されている。これにより、回路基板（不図示）などに実装する際に、はんだの接合性を向上させることができる。
【００２７】
また、上記した吊りリード１１８は、一端がダイパッド１１４に接続している。これら、半導体チップ１１０およびリード端子１１６を電気的に接続するボンディングワイヤ１１２と、ダイパッド１１４、半導体チップ１１０、ならびにリード端子１１６および吊りリード１１８の一部は、封止樹脂１３０によって封止されている。
【００２８】
また、半導体チップ１１０およびダイパッド１１４は、平面視で矩形形状を有することができる。ただし、半導体チップ１１０およびダイパッド１１４の平面形状はこれに限定されない。なお、本実施形態において、ダイパッド１１４と半導体チップ１１０とがこの順で積層された構造体を中央部構造体１０９という。本実施形態において、ダイパッド１１４の方が半導体チップ１１０よりも平面積が大きい。そのため、本実施形態においては、中央部構造体１０９の最外縁は、ダイパッド１１４の外縁で規定される。また、ダイパッド１１４の四隅には、それぞれ吊りリード１１８が設けられている。ダイパッド１１４の平面積を大きくすることにより、ダイパッド１１４と半導体装置１００の外部との放熱経路の熱抵抗を小さくすることができる。すなわち、放熱性を良好にすることができる。
【００２９】
図１に示すように、リード端子１１６のうち、内部リード１１６ａは、ダイパッド１１４よりも高い位置に配置されている。また、上述のように、内部リード１１６ａは、半導体チップ１１０の電極パッド（不図示）に、ボンディングワイヤ１１２を介して、接続されている。なお、内部リード１１６ａの端部には、後述する内装めっき層（不図示）が形成されている。
【００３０】
また、図１のように、リード端子１１６のうち、外部リード１１６ｂは、回路基板（不図示）に実装するために屈曲している。さらに、外部リード１１６ｂには、ダイパッド１１４の裏面と同様にして、後述する外装めっき層が形成されている。これにより、回路基板などに実装する際に、はんだの接合性を良くすることができる。
【００３１】
また、図３に示すように、吊りリード１１８は、一端がダイパッド１１４に接続している。また、ダイパッド１１４との接続点の端部で上方向に折れ曲がっている。このように、吊りリード１１８は、ダイパッド１１４から離れる方向にダイパッド１１４の一面に対して斜めに延伸している。これにより、封止樹脂１３０の端面においては、リード端子１１６のうち、内部リード１１６ａと同様の高さとなっている。
【００３２】
本実施形態において、半導体装置１００は、ダイパッド１１４の半導体チップ１１０が搭載された一面と反対の裏面が封止樹脂１３０から露出して構成されたダイパッド露出型パッケージとすることができる。これにより、ダイパッド１１４を、外部電極、または放熱経路として機能させることができる。したがって、高消費電力の装置として用いることができる。
【００３３】
また、第１の実施形態において、ダイパッド１１４の裏面側の封止樹脂１３０には、ダイパッド１１４（中央部構造体１０９）から所定の間隔を隔てて配置され、中央部構造体１０９の最外縁の高さより深さが深い凹部１２６が設けられている。
【００３４】
また、凹部１２６は、中央構造体１０９の最外縁の少なくとも一の第１の辺および当該第１の辺に隣接する第２の辺にそれぞれ並んで配置されている。ここでいう「並んで配置されている」とは、それぞれの辺に平行に配置されていることをいう。さらに、それぞれの辺に略平行に配置され、中央構造体１０９に接触しない程度に隣接して配置されている場合も含む。
【００３５】
また、凹部１２６は、中央部構造体１０９の最外縁の各辺に並んで形成されている。さらに、凹部１２６は、中央部構造体１０９の最外縁全体に並んで連続的に形成されている。このような凹部１２６を形成するための金型１４０については、詳細を後述する。
【００３６】
次に、図４〜図１０を用いて、第１の実施形態に係る半導体装置１００の製造方法を説明する。第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法は、以下の工程を含んでいる。まず、以下のような半導体チップ構造体を、ダイパッド１１４の一面と反対側の裏面が金型１４０のキャビティ内の一面と接するように配置する（金型配置工程）。ここで、半導体チップ構造体は、ダイパッド１１４およびダイパッド１１４の一面に搭載された半導体チップ１１０を含む中央部構造体１０９と、ダイパッド１１４から間隔を隔てて当該ダイパッド１１４の外縁に沿って当該ダイパッド１１４の周囲に配置された複数のリード端子１１６と、一端がダイパッド１１４に接続し、ダイパッド１１４から離れる方向にダイパッド１１４の一面に対して斜めに延伸している吊りリード１１８と、を含んでいる。次いで、金型１４０のキャビティ中に、ダイパッド１１４の一面側から封止樹脂１３０を導入して、中央部構造体１０９、複数のリード端子１１６の一部および吊りリード１１８を当該封止樹脂１３０で封止する。このとき、封止樹脂１３０で封止する工程において、金型１４０の一面には、中央部構造体１０９の最外縁の少なくとも一の第１の辺および当該第１の辺に隣接する第２の辺にそれぞれ並んで配置され、当該中央部構造体１０９の最外縁の高さ以上の高さを有する段差部１２０が設けられている。以下詳細を説明する。
【００３７】
図４および図５は、本発明の実施形態における半導体装置１００の製造手順の一例を示す工程断面図である。図６は、図４および図５に示した製造手順における、半導体装置１００および金型（封入金型）１４０の構成の一例を示す平面図である。図４は、図６のｂ−ｂ'断面図、図５は図６のａ−ａ'断面図に対応する。本実施形態において、金型１４０は、封止装置に取り込まれた構成とすることもできる。また、本実施形態において、封止樹脂１３０の封止は、トランスファモールドにより行うことができる。
【００３８】
図４および図５に示すように、本実施形態において、金型１４０は、上金型１４０ａおよび下金型１４０ｂにより構成することができる。
【００３９】
まず、図７、図８を用い、本実施形態に用いる金型１４０について概略を説明する。図７、図８は、第１の実施形態における下金型１４０ｂの構成を示す平面図である。そのうち、図８は、図７における一つのキャビティ部分を示したものである。
【００４０】
図７のように、金型１４０の下金型１４０ｂには、複数の半導体装置１００を封止するためのキャビティ（符号不図示）が設けられている。なお、下金型１４０ｂのキャビティに対応する部分に、上金型１４０ａのキャビティが設けられている。
【００４１】
ここでは、たとえば、図７のように、１０個の半導体装置１００を製造するためのリードフレーム１１３が、回転対称に上下に二つ配置されるように、複数のキャビティが設けられている。
【００４２】
また、下金型１４０ｂには、リードフレーム１１３を位置合わせするための位置決めピン１４４が設けられている。なお、あらかじめ、リードフレーム１１３には、位置決めピン１４４に対応する開口穴（不図示）を設けておく。
【００４３】
下金型１４０ｂの中央には、封止樹脂１３０を押し出すためのプランジャ１５０が設けられている。プランジャ１５０は、封止樹脂１３０で封止する工程において、溶融した封止樹脂１３０をランナ１５４へ押し出す。また、ランナ１５４は、プランジャ１５０から封止樹脂１３０を複数のキャビティに案内する。ランナ１５４には、ゲート１６０を介して、各キャビティが接続されている。このランナ１５４からゲート１６０を介して、各キャビティへ封止樹脂１３０を流入させる。
【００４４】
ここで、キャビティに封止樹脂１３０を流入させるゲート１６０は、たとえば、半導体装置１００の封止樹脂１３０の角部に設けられている。また、ゲート１６０が設けられた角部以外の他の三つの角部には、エアベント１６２が設けられている。これにより、封止樹脂１３０が流入した時の空気を逃がすことができる。
【００４５】
さらに、キャビティ内には、４つのイジェクトピン１４２が設けられている。このイジェクトピン１４２は、後述する段差部１２０の各々の対角線の延長線上に設けられている。また、イジェクトピン１４２は、封止後にキャビティ面から封止された半導体装置１００を押し上げて離形させる。なお、ここでは、ゲート１６０側の１つのイジェクトピン１４２のみ、小径となっている。
【００４６】
図８は、図７における一つのキャビティ部分を示したものである。本実施形態において、下金型１４０ｂのキャビティ内の表面（一面）には、段差部１２０が設けられている。ここで、段差部１２０は、半導体装置１００における凹部１２６を形成するためのものである。また、段差部１２０は、下金型１４０ｂの表面にリードフレーム１１３のダイパッド１１４およびダイパッド１１４上に搭載された半導体チップ１１０を配置したときに、中央部構造体１０９の最外縁から所定の間隔を隔てて、中央部構造体１０９の最外縁の各辺に並んで中央部構造体１０９の周囲に配置されている。また、段差部１２０は、中央部構造体１０９の最外縁の高さ以上の高さで設けられている。なお、中央部構造体１０９の最外縁を中央部構造体最外縁１０９ａとして破線で示している。
【００４７】
図６に戻り、半導体チップ１１０を搭載したリードフレーム１１３（半導体チップ構造体）を、上記した下金型１４０ｂに配置した状態を説明する。本実施形態においては、中央部構造体１０９の最外縁は、ダイパッド１１４の外縁と等しいので、段差部１２０は、ダイパッド１１４から所定の間隔を隔てて、ダイパッド１１４の外縁の各辺に並んでダイパッド１１４の周囲に配置された構成とすることができる。これにより、封止樹脂１３０で封止する際に、ダイパッド１１４の各辺の裏面に封止樹脂１３０が流れ込むことを抑制することができる。図６および図８に示すように、本実施形態において、段差部１２０は、中央部構造体１０９の外縁（中央部構造体最外縁１０９ａ）全体を取り囲むように連続的に形成されている。これにより、封止樹脂１３０で封止する際に、ダイパッド１１４の周囲の全ての方向において、封止樹脂１３０の流れの速度を低減させることができる。
【００４８】
図９は、図６に示した半導体装置における段差部の構成を示す断面図である。本実施形態において、段差部１２０の高さは、中央部構造体１０９の最外縁を規定する部材の高さ以上とすることができる。つまり、本実施形態においては、段差部１２０の高さは、ダイパッド１１４の高さ以上とすることができる。
【００４９】
図９（ａ）は、段差部１２０の断面形状が矩形形状である場合の例を示す。
【００５０】
また、図９（ｂ）のように、段差部１２０の延伸方向と垂直の断面形状は、たとえば、台形である。この場合では、段差部１２０のダイパッド１１４と対向する側面と、下金型１４０ｂの底面とがなす角度θが９０°に近い。一方、段差部１２０のダイパッド１１４と対向する側面と反対の側面と、下金型１４０ｂの底面とがなす角度は９０°以下である。このように、意図的に、段差部１２０のうち、片側の側面を９０°以下に傾斜を形成しておくことができる。
【００５１】
したがって、図９（ｂ）の金型を用いた場合の半導体装置１００は、凹部１２６の延伸方向と垂直の断面形状が台形である。
【００５２】
ここで、段差部１２０のダイパッド１１４と対向する側面と、下金型１４０ｂの底面とがなす角度θは、９０°以下とすることができる。これにより、ダイパッド１１４および半導体チップ１１０等を封止樹脂１３０で封止後、半導体装置１００を下金型１４０ｂから取り出す際に、半導体装置１００をスムーズに取り出すことができる。なお、このような観点からは、段差部１２０のダイパッド１１４と対向する側面と、下金型１４０ｂの底面とがなす角度θは、９０°未満、たとえば８９．９°以下とすることもできる。
【００５３】
図９（ｃ）および図９（ｄ）は、段差部１２０のダイパッド１１４と対向する側面と、下金型１４０ｂの底面とがなす角度θがたとえば８７°以下程度である場合の例を示す。図９（ｃ）において、段差部１２０の断面形状は台形である。図９（ｄ）において、段差部１２０の断面形状は、上面が屈曲した形状の台形である。なお、これらは、例示であって、段差部１２０の断面形状は、種々のものとすることができる。
【００５４】
図９（ｃ）または図９（ｄ）の金型を用いた場合の半導体装置１００は、ダイパッド１１４と対向する凹部１２６の側面と、当該凹部１２６の開口を形成する面とのなす角θは、８７度以下である。これにより、ダイパッド１１４および半導体チップ１１０等を封止樹脂１３０で封止後、半導体装置１００を下金型１４０ｂから取り出す際に、半導体装置１００をよりスムーズに取り出すことができる。なお、ここでいう「ダイパッド１１４と対向する凹部１２６の側面と、当該凹部１２６の開口を形成する面とのなす角」は、上記した「段差部１２０のダイパッド１１４と対向する側面と、下金型１４０ｂの底面とのなす角度」と等しい。
【００５５】
一方、段差部１２０のダイパッド１１４と対向する側面と、下金型１４０ｂの底面とがなす角度θが小さすぎると、封止樹脂１３０がダイパッド１１４裏面に入り込むという現象を抑制する効果が低くなる。このような観点からは、本実施形態において、段差部１２０のダイパッド１１４と対向する側面と、下金型１４０ｂの底面とがなす角度θは、８０°以上とすることができる。
【００５６】
ここで、本実施形態において、中央部構造体１０９の最外縁部の中央部構造体１０９の厚さを（本実施形態においてはダイパッド１１４の厚さ）ｔ１とすると、中央部構造体１０９の最外縁（ダイパッド１１４の外縁）と段差部１２０との間の距離ｔ２は、（５×ｔ１）以下程度とすることができる。これにより、封止樹脂１３０で封止する際に、封止樹脂１３０の流れが直接ダイパッド１１４側面に激突してダイパッド１１４裏面に樹脂が流れ込むことを抑制する効果が期待できる。より好ましくは、中央部構造体１０９の最外縁（ダイパッド１１４の外縁）と段差部１２０との間の距離ｔ２は、最外縁部の中央部構造体１０９の厚さｔ１以下とすることができる。これにより、封止樹脂１３０で封止する際に、封止樹脂１３０の流れが直接ダイパッド側面に激突してダイパッド１１４裏面に樹脂が流れ込むことを抑制する効果が期待できる。
【００５７】
具体的には、中央部構造体１０９の最外縁と段差部１２０との間の距離ｔ２は、たとえば、０．１ｍｍ以上４ｍｍ以下である。好ましくは、０．５ｍｍ以上２ｍｍ以下である。上記下限値以上であることにより、下金型１４０ｂに対するリードフレーム１１３の外形寸法精度および配置精度以上とすることができる。すなわち、中央構造体１０９と段差部１２０との接触を防ぐことができる。一方、上記上限値以下であることにより、封止樹脂１３０で封止する際に、ダイパッド１１４の周辺で確実に封止樹脂１３０の流入速度を低減させることができる。
【００５８】
また、段差部１２０の高さｔ３は、最外縁部の中央部構造体１０９の厚さｔ１以上とすることができる。これにより、ダイパッド１１４の裏面に樹脂バリが形成されるのを防ぐことができる。この理由の詳細は後述する。また、段差部１２０の高さｔ３は、（３×ｔ１）以下程度とすることができる。これにより、半導体装置１００を安定的に形成することができる。
【００５９】
また、下金型１４０ｂの底面のうち、段差部１２０の表面の面粗さは、たとえば、他の領域よりも面粗さが小さい。封止樹脂１３０の凹部１２６以外の領域における面粗さは、１０μｍ程度である。一方、凹部１２６の内部における面粗さは、１μｍ以下である。
【００６０】
このような金型を用いた場合、封止樹脂１３０の一面のうち、凹部１２６の内部の面粗さを、他の領域よりも小さくすることができる。これにより、封止樹脂１３０で封止後、半導体装置１００を下金型１４０ｂから取り出す際に、封止樹脂１３０の凹部１２６と下金型１４０ｂの段差部１２０との間で生じる摩擦が小さくなる。したがって、半導体装置１００を下金型１４０ｂからスムーズに取り出すことができる。
【００６１】
上記のような面粗さを有する段差部１２０は、下金型１４０ｂのうち、少なくとも段差部１２０の面粗さが小さくなるように、あらかじめ研磨等の加工しておく。または、フィラーを含有する封止樹脂１３０を使用する場合、封止工程を繰り返すことにより、封止樹脂１３０が段差部１２０の表面を平滑化させる。これにより、段差部１２０の面粗さを小さくすることができる。
【００６２】
次に、このような構成の金型１４０を用いて、ダイパッド１１４および半導体チップ１１０等を封止樹脂１３０で封止する手順を説明する。
【００６３】
まず、半導体チップ１１０が搭載されたダイパッド１１４を含むリードフレーム１１３を金型１４０の下金型１４０ｂのキャビティ内の所定の位置に配置する。
【００６４】
つづいて、下金型１４０ｂを上金型１４０ａの方向に移動して、上金型１４０ａと下金型１４０ｂとの間に、封止樹脂１３０を導入するための空間（キャビティ）を形成する。次いで、金型１４０中に、ダイパッド１１４の一面側から封止樹脂１３０を導入して、半導体チップ１１０およびダイパッド１１４、ならびにリード端子１１６の内部リード１１６ａおよび吊りリード１１８の一部を封止樹脂１３０で封止する。
【００６５】
本実施形態において、図４および図６に示すように、封止樹脂１３０は、吊りリード１１８が設けられた金型１４０の角部のゲート１６０から導入される。なお、ゲート１６０の対角線上には、空気が排出される空気孔であるエアベント１６２が設けられている。
【００６６】
次に、本実施形態において、封止樹脂１３０の流れのメカニズムを説明する。まず、比較として、封止樹脂１３０で半導体チップ１１０およびダイパッド１１４等を封止する際に、段差部１２０が設けられていない場合の封止樹脂１３０の流れのメカニズムを説明する。図３５は、金型１４０の下金型１４０ｂに、段差部１２０が設けられていない場合の半導体装置の製造手順におけるメカニズムを示す断面図である。
【００６７】
図３５（ａ）は、封止樹脂１３０がダイパッド１１４の一方の側面に接触する直前の状態を示す。ここで、封止樹脂１３０は、ダイパッド１１４の一方の側面に直接ぶつかる。そのため、図３５（ｂ）に示すように、ダイパッド１１４の一方の側面において、底部から封止樹脂１３０が入り込み、樹脂バリ３０が形成される。また、図３５（ｂ）に示すように、半導体チップ１１０上を通過した封止樹脂１３０の流れも、そのままダイパッド１１４の他方の側面に回り込む。したがって、ダイパッド１１４の他方の側面においても、底面から封止樹脂１３０が入り込み、樹脂バリ３０が形成される。
【００６８】
一方、図４および図５（ａ）は、本実施形態において、金型１４０の下金型１４０ｂに段差部１２０が設けられている場合に、封止樹脂１３０が段差部１２０に接触する直前の状態を示す。この場合、封止樹脂１３０は、段差部１２０にぶつかり、封止樹脂１３０の流れの渦が発生する。封止樹脂１３０の流れのメカニズムを、図１０を参照して説明する。
【００６９】
図１０（ａ）に示すように、封止樹脂１３０が段差部１２０を乗り越えた後、ダイパッド１１４と段差部１２０との間の領域で流れの渦が発生する。このとき、封止樹脂１３０の流れの渦が発生した箇所では、封止樹脂１３０の流れの損失が生じ、図１０（ｂ）に示すように、圧力損失が生じる。一方、段差部１２０より上方部分では、封止樹脂１３０の流れは略均等となり、一定圧となる。これにより、封止樹脂１３０が段差部１２０を乗り越えてダイパッド１１４と接するときに、ダイパッド１１４と段差部１２０との間に圧力損失部が形成される。そのため、封止樹脂１３０の流れの速度が低減する。これにより、ダイパッド１１４側面に封止樹脂１３０がぶつかるときの衝撃を和らげることができる。したがって、封止樹脂１３０がダイパッド１１４裏面に入り込み、図３５に示したような樹脂バリ３０が形成されるのを防ぐことができる。
【００７０】
また、段差部１２０上を通過した封止樹脂１３０は、段差部１２０からダイパッド１１４上を通過する際に、まず段差部１２０とダイパッド１１４との間に流入する。これにより、その後に流入してくる封止樹脂１３０は、段差部１２０とダイパッド１１４との間の領域上を流れていく。そのため、ダイパッド１１４の側面に封止樹脂１３０が速い速度で回り込むことを防ぐことができる。
【００７１】
一方、段差部１２０の高さが中央部構造体１０９の最外縁の高さより低いと、封止樹脂１３０がそのままダイパッド１１４にぶつかる。このため、ダイパッド１１４側面に封止樹脂１３０がぶつかるときの衝撃が大きい。したがって、封止樹脂１３０がダイパッド１１４の裏面側に回り込んでしまう可能性が高くなる。
【００７２】
図５に戻り、図５（ｂ）に示すように、半導体チップ１１０上を通過した封止樹脂１３０は、ダイパッド１１４から段差部１２０上を通過する際に、まずダイパッド１１４と段差部１２０との間に流入する。これにより、その後に流入してくる封止樹脂１３０は、ダイパッド１１４と段差部１２０との間の領域上を流れていく。そのため、ダイパッド１１４の側面に封止樹脂１３０が速い速度で回り込むことを防ぐことができる。すなわち、図３５に示したような樹脂バリ３０が形成されるのを防ぐことができる。
【００７３】
次いで、封止樹脂１３０で封止する工程の後、複数の半導体装置１００が連なった状態のリードフレーム１１３を金型１４０から取り出す。このとき、金型１４０のうち、キャビティに接続されたゲート１６０に残留していた封止樹脂１３０を、半導体装置１００の一端から切断する。
【００７４】
ここで、本実施形態では、封止工程において、樹脂バリの発生を抑制することができる。一方で、本実施形態において、樹脂バリが発生しても、微小な大きさの樹脂バリしか発生しない。なお、微小な樹脂バリが発生した場合は、この段階で、封止樹脂１３０の樹脂バリを除去する工程を行ってもよい。
【００７５】
次いで、リードフレーム１１３のうち、封止樹脂１３０で覆われていない領域（外部リード１０６ｂ、ダイパッド１１４の裏面）に、外装めっき層（不図示）を形成する。ここで、「外装めっき層」としては、たとえば、Ｓｎ、Ｓｎを主成分とする２元系合金であることが好ましい。
【００７６】
次いで、リードフレーム１１３のうち、リード端子１１６および吊りリード１１８を切断する。このとき、リード端子１１６については、封止樹脂１３０から露出する外部リード１１６ｂを残して、リードフレーム１１３の支持フレーム（不図示）に接続する一端を切断する。また、吊りリード１１８については、封止樹脂１３０から露出した部分を切断する。次いで、回路基板（不図示）に実装させるため、封止樹脂１３０から露出したリード端子１１６の一部を曲げ加工を行う。
【００７７】
以上により、半導体装置１００を得ることができる。
【００７８】
次に、第１の実施形態の効果について説明する。
【００７９】
ダイパッド露出型パッケージは、封止樹脂１３０で封止する際に、テープによりダイパッド１１４の裏面を覆う方法により形成することができる。この方法は、特に、リード端子１１６が封止樹脂１３０の外部に露出しないＱＦＮ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ  Ｐａｃｋａｇｅ）などのパッケージに適用される。
【００８０】
しかし、リード端子１１６が封止樹脂１３０の外部に露出するＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）などの場合は、上記のテープを用いた方法を適用することができない。したがって、ダイパッド１１４の裏面を金型１４０の一面と接するように金型１４０に配置する方法が用いられる。上記の方法では、封止樹脂１３０で封止する際に、封止樹脂１３０がダイパッド１１４の裏面に回り込んでしまう可能性があった。
【００８１】
一方、第１の実施形態によれば、金型１４０の一面には、中央部構造体１０９の最外縁の少なくとも一の第１の辺および当該第１の辺に隣接する第２の辺にそれぞれ並んで配置された段差部１２０が設けられている。これにより、封止樹脂１３０で封止する際に、封止樹脂１３０がダイパッド１１４の側面にぶつかるときの封止樹脂１３０の流れの速度を低下させることができる。したがって、封止樹脂１３０がダイパッド１１４の裏面に入り込み、樹脂バリが形成されるのを防ぐことができる。
【００８２】
以上のように、第１の実施形態によれば、簡易な手順でダイパッドの裏面に樹脂バリが形成されるのを防ぐことができる。または、樹脂バリが形成されても、微小な大きさとすることができる。たとえば、ＱＦＰなどのパッケージに対して、好適に適用することができる。
【００８３】
（第２の実施形態）
図１１および図１２は、第２の実施形態における半導体装置１００の構成の一例を示す断面図である。図１１は、後述する図１３のａ−ａ'線断面図である。図１２は、図１３のｂ−ｂ'線断面図である。
【００８４】
第２の実施形態は、下記のように、凹部１２６の形態を除いて、第１の実施形態と同様である。封止樹脂１３０の一面には、中央部構造体１０９の最外縁の少なくとも一の第１の辺および当該第１の辺に隣接する第２の辺にそれぞれ並んで配置された凹部１２６が設けられている。ここで、凹部１２６のうち、吊りリード１１８の下部（凹部１２６ａ）の深さは、吊りリード１１８の下部以外の深さよりも浅い。以下、詳細を説明する。
【００８５】
図１１のように、ダイパッド１１４の裏面側の封止樹脂１３０には、ダイパッド１１４（中央部構造体１０９）から所定の間隔を隔てて配置された凹部１２６が設けられている。第２の実施形態においては、凹部１２６の深さは、特に限定されるものではなく、中央部構造体１０９の最外縁の高さ以上であっても、それ以下であってもよい。図１１では、凹部１２６の深さは、たとえば、中央部構造体１０９の最外縁の高さ以上である場合を示している。
【００８６】
図１２のように、凹部１２６のうち、吊りリード１１８の下部（以下、凹部１２６ａとする）の深さは、吊りリード１１８の下部以外（図１１における凹部１２６）の深さよりも浅い。これにより、凹部１２６を、可能な限りダイパッド１１４に近づけることができる。
【００８７】
なお、吊りリード１１８の下部の凹部１２６ａの高さは、当該凹部１２６ａの角部が吊りリード１１８に接触する程度に高くすることができる。なお、当該凹部１２６ａの角部が吊りリード１１８に接近していればよく、必ずしも接触している必要はない。これにより、封止樹脂１３０で封止する際に、吊りリード１１８の延伸方向からの封止樹脂１３０の流入速度を低減させることができる。
【００８８】
次に、図１３および図１４を用いて、第２の実施形態に係る半導体装置１００の製造方法について説明する。図１３は、第２の実施形態における半導体装置１００および金型１４０の構成の一例を示す平面図である。図１４は、第２の実施形態における下金型１４０ｂの構成を示す平面図である。
【００８９】
図１３のように、金型配置工程において、ダイパッド１１４の裏面が下金型１４０ｂの一面と接するように配置する。第１の実施形態と同様に、段差部１２０は、中央構造体１０９の最外縁の全体に並んで連続的に形成されている。
【００９０】
図１４のように、吊りリード１１８の下部には、段差部１２０ａが設けられている。なお、吊りリード１１８の下部における段差部１２０ａの高さは、当該吊りリード１１８の下部以外（段差部１２０）の高さよりも低い。
【００９１】
また、段差部１２０ａは、たとえば、平面視で、段差部１２０と接する部分から、吊りリード１１８の延伸方向と垂直の方向に屈曲している。また、吊りリード１１８の延伸方向と垂直の方向における段差部１２０ａの長さは、吊りリード１１８の幅と略一致している。具体的には、上記した段差部１２０ａの長さは、たとえば、吊りリード１１８の幅よりも０．３ｍｍ以上１ｍｍ以下長い。これにより、金型配置工程において、吊りリード１１８が段差部１２０に乗り上げることがない。すなわち、吊りリード１１８を、段差部１２０により両側が挟まれた段差部１２０ａの位置に嵌合させることができる。
【００９２】
第２の実施形態によれば、段差部１２０のうち、吊りリード１１８の下部（段差部１２０ａ）の高さは当該吊りリード１１８の下部以外の高さよりも低い。これにより、段差部１２０を、中央部構造体１０９の最外縁全体に並んで連続的に形成することができるとともに、中央構造体１０９の最外縁に接近させることができる。したがって、封止樹脂１３０で封止する際に、特にダイパッド１１４の裏面に流入しやすい当該ダイパッド１１４の直近の範囲において、封止樹脂１３０の流れの速度を低下させることができる。
【００９３】
（第３の実施形態）
図１５および図１６は、第３の実施形態における半導体装置１００の構成の一例を示す断面図である。図１５は、後述する図１７のａ−ａ'線断面図である。図１６は、図１７のｂ−ｂ'線断面図である。
【００９４】
第３の実施形態は、吊りリード１１８の下部には凹部１２６が設けられていない点を除いて、第２の実施形態と同様である。以下、詳細を説明する。
【００９５】
図１５のように、第２の実施形態と同様にして、ダイパッド１１４の裏面側の封止樹脂１３０には、凹部１２６が設けられている。
【００９６】
図１６のように、吊りリード１１８の下部には、凹部１２６が設けられていない。これにより、第２の実施形態よりもさらに、凹部１２６をダイパッド１１４よりに配置することができる。
【００９７】
次に、図１７および図１８を用いて、第２の実施形態に係る半導体装置１００の製造方法について説明する。図１７は、第２の実施形態における半導体装置１００および金型１４０の構成の一例を示す平面図である。図１８は、第２の実施形態における下金型１４０ｂの構成を示す平面図である。
【００９８】
図１７のように、金型配置工程において、段差部１２０を、中央部構造体１０９の最外縁の各辺に並んで配置する。このとき、吊りリード１１８の下部には、段差部１２０が設けられていない。
【００９９】
図１８のように、段差部１２０には、吊りリード１１８の延伸方向に平行に側面が形成されている。また、吊りリード１１８の延伸方向と垂直の方向において、段差部１２０が形成されていない部分の長さは、吊りリード１１８の幅と略一致している。具体的には、上記した段差部１２０が形成されていない部分の長さは、たとえば、吊りリード１１８の幅よりも０．３ｍｍ以上１ｍｍ以下長い。これにより、金型配置工程において、吊りリード１１８が段差部１２０に乗り上げることない。
【０１００】
第３の実施形態によれば、吊りリード１１８の下部には、段差部１２０が設けられていない。これにより、段差部１２０を、さらに中央構造体１０９の最外縁に接近させることができる。
【０１０１】
（第４の実施形態）
図１９は、第４の実施形態における半導体装置の構成の一例を示す断面図である。第４の実施形態は、以下の点を除いて、第２の実施形態と同様である。リード端子１１６のうちダイパッド１１４側の端部は、第１めっき層１７６ａを有している。また、ダイパッド１１４の裏面は、第２めっき層１７４を有している。ここで、第１めっき層１７６ａと第２めっき層１７４は、同一の材料からなる。以下、詳細を説明する。
【０１０２】
図１９のように、第４の実施形態では、たとえば、リードフレーム１１３の外部リード１１６ｂの切断面以外の全ての領域に、同一のめっき層１７０が形成されている。以下で説明する「第１めっき層１７６ａ」、「第２めっき層１７４」、および「第３めっき層１７６ｂ」とは、いずれも同一のめっき層１７０の一部分のことを示している。このように、リードフレーム１１３の全面に、同一のめっき層１７０が形成されていることにより、めっき層のパターニングが不要となる。すなわち、後述するリードフレーム１１３を準備する工程（Ｓ２１０）において、めっき用マスクのためのコストを削減することができる。
【０１０３】
このめっき層１７０としては、たとえば、Ｐｄ層を含む多層めっき層である。具体的には、めっき層１７０は、たとえば、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕの順で積層された３層構造を有している。なお、めっき層１７０の表面側がＡｕである。これらの材料で構成されためっき層１７０は、良好なボンディング性、かつ、はんだ付け性を有している。
【０１０４】
また、めっき層１７０がＰｄを含む場合、高価であるため、めっき層１７０は薄い方が好ましい。具体的には、めっき層１７０の厚さは、たとえば、２μｍ以下である。したがって、上記しためっき層１７０は高融点であり、かつ、薄いため、封止工程において、封止樹脂１３０の流動に対して弊害が少ない。
【０１０５】
図１９のように、リード端子１１６のうち、内部リード１１６ａの端部は、第１めっき層１７６ａを有している。また、リード端子１１６の内部リード１１６ａにおいて、ボンディングワイヤ１１２と接続する面に、第１めっき層１７６ａが設けられている。これにより、ボンディングワイヤ１１２を内部リード１１６ａに接続する際の接合性を良くすることができる。
【０１０６】
また、リード端子１１６のうち、外部リード１１６ｂの端部は、第３めっき層１７６ｂを有していてもよい。また、リード端子１１６のうち、外部リード１１６ｂの端部において、回路基板（不図示）などへの実装側に第３めっき層１７６ｂが設けられている。これにより、回路基板などに実装する際に、はんだの接合性を良くすることができる。
【０１０７】
さらに、ダイパッド１１４の裏面は、第２めっき層１７４を有している。これにより、回路基板などに実装する際に、ダイパッド１１４の裏面へのはんだの接合性を良くすることができる。
【０１０８】
また、少なくとも、第１めっき層１７６ａと第２めっき層１７４は、同一の材料で形成されていることが好ましい。さらに、第３めっき層１７６ｂも同一の材料で形成されていてもよい。上述のように、第１めっき層１７６ａと第２めっき層１７４は、たとえば、Ｐｄ層を含んでいる。これにより、良好なボンディング性、かつ、はんだ付け性を有している。
【０１０９】
以上のように、第４の実施形態では、リードフレーム１１３の全面に、めっき層１７０が形成されている場合を説明したが、第１めっき層１７６ａ、第２めっき層１７４および第３めっき層１７６ｂはパターニングされていてもよい。
【０１１０】
次に、図２０を用いて、第４の実施形態に係る半導体装置１００の製造方法について、比較例と対比しながら説明する。図２０は、比較例および第４の実施形態における半導体装置１００の製造方法を示すフローチャートである。図２０（ａ）は、比較例を示している。一方、図２０（ｂ）は、第４の実施形態を示している。
【０１１１】
第４の実施形態では、リードフレーム１１３の全面にめっき層１７０を有する状態で金型配置工程を行う。すなわち、少なくとも、リード端子１１６のうちダイパッド１１４側の端部に第１めっき層１７６ａを有するとともに、ダイパッド１１４の裏面に第２めっき層１７４を有する状態で金型配置工程を行う。このとき、上記のように第１めっき層１７６ａと第２めっき層１７４は、同一の材料により形成されている。以下、詳細を説明する。
【０１１２】
まず、図２０（ａ）を用い、比較例について説明する。なお、比較例の金型１４０は、本実施形態のような段差部１２０を有していない。また、比較例では、内装めっきと外装めっきを別々の工程で行う。
【０１１３】
はじめに、リード端子１１６のうち、ダイパッド１１４側の端部に、第１めっき層１７６ａを形成（内装めっき）したリードフレーム１１３を準備する（Ｓ１１０）。比較例における第１めっき層１７６ａは、たとえば、Ａｇである。なお、このＳ１１０では、外装めっきは行われておらず、第２めっき層１７４は形成されていない。
【０１１４】
次いで、リードフレーム１１３のダイパッド１１４上に、半導体チップ１１０を搭載する。次いで、半導体チップ１１０が搭載されたリードフレーム１１３（半導体チップ構造体）を金型１４０内に配置する（金型配置工程）。次いで、封止樹脂１３０で封止する（以上、Ｓ１２０）。
【０１１５】
比較例の金型１４０は、本実施形態のような段差部１２０を有していないため、ダイパッド１１４の裏面には、樹脂バリ３０が発生してしまう。したがって、封止樹脂１３０で封止した後に、ダイパッド１１４の裏面に生じた樹脂バリ３０を取る（Ｓ１３０）。
【０１１６】
なお、樹脂バリ３０を取る工程（Ｓ１３０）は、たとえば、以下のような工程を行う。まず、ＮａＯＨ、ＮａＰＯ３などのアルカリ液により電解脱脂する。このとき、リードフレーム１１３を陰極として電界をかけてもよい。これにより、封止樹脂１３０から露出したリードフレーム１１３の表面から、油脂分などの非水溶性の被膜を除去する。
【０１１７】
次いで、金属エッチャントにより、ダイパッド１１４の裏面に対して、薄くエッチングを行う。これにより、リードフレーム１１３表面の酸化膜、機械加工層、微小な傷などを除去する。
【０１１８】
次いで、物理的に樹脂バリ３０を除去する。たとえば、高圧水を吹き付けるウォータージェット、または、ビーズを吹き付けるドライブラストなどが挙げられる。以上のようにして、樹脂バリ３０を除去する。
【０１１９】
次いで、めっきを行わない部分にマスキングをして、ダイパッド１１４の裏面に第２めっき層１７４を形成する（外装めっき：Ｓ１４０）。同時に、リード端子１１６のうち、封止樹脂１３０から露出する側の端部に、第３めっき層１７６ｂを形成する。なお、比較例における第２めっき層１７４および第３めっき層１７６ｂは、たとえば、Ｓｎである。
【０１２０】
次いで、リードフレーム１１３のうち、リード端子１１６および吊りリード１１８を切断する。さらに、外部リード１１６ｂの曲げ加工を行う（リード加工：Ｓ１５０）。
【０１２１】
以上のように、比較例の方法では、内装めっきと外装めっきを別々の工程で行う。
【０１２２】
次に、図２０（ｂ）を用い、第４の実施形態に係る半導体装置１００の製造方法について説明する。
【０１２３】
はじめに、ＰＰＦめっき（Ｐｒｅ  Ｐｌａｔｅ  Ｆｌａｍｅ  めっき）を行ったリードフレーム１１３を準備する（Ｓ２１０）。上記したように、第１めっき層１７６ａ、第２めっき層１７４、第３めっき層１７６ｂを、同一の材料によりめっきする。ここでは、リードフレーム１１３の全面に、たとえば、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕの順で積層して、めっき層１７０を形成する。なお、あらかじめ、Ｐｄを含むめっきを行っているため、Ｐｄ−ＰＰＦ（Ｐｄ−Ｐｒｅ−Ｐｌａｔｅｄ  Ｆｌａｍｅ）と呼ばれている。
【０１２４】
次いで、リードフレーム１１３のダイパッド１１４上に、半導体チップ１１０を搭載し、封止樹脂１３０で封止する（Ｓ２２０）。このとき、金型１４０は、段差部１２０を有しているため、ダイパッド１１４の裏面には、樹脂バリ３０が生じにくい。したがって、樹脂バリ３０が生じても、微小な大きさである。
【０１２５】
次いで、微小に発生した樹脂バリ３０を取る工程を行う（Ｓ２３０）。このとき、樹脂バリ３０は微小な大きさであるため、樹脂バリ３０を取る条件を弱い条件とすることができる。たとえば、アルカリ電解脱脂の条件において、浸漬時間を短くすることができる。または、アルカリの温度を低くすることができる。したがって、第１めっき層１７６ａ、第２めっき層１７４および第３めっき層１７６ｂを含むめっき層１７０は、アルカリ電解脱脂に弱い材料を用いることができる。
【０１２６】
ここで、たとえば、上記したＰｄ−ＰＰＦなどは、アルカリ液に弱い。このため、アルカリ電解脱脂において、ダイパッド１１４の側面と封止樹脂１３０と接する界面が剥離する可能性がある。したがって、第４の実施形態は、特にＰｄ−ＰＰＦなどの場合に適用することが好ましい。
【０１２７】
次いで、リードフレーム１１３のうち、リード端子１１６および吊りリード１１８を切断する。さらに、外部リード１１６ｂの曲げ加工を行う（リード加工：Ｓ２４０）。
【０１２８】
次に、第４の実施形態の効果について、上記した比較例と対比しながら説明する。
【０１２９】
比較例の方法では、金型１４０が段差部１２０を有していない。このため、ダイパッド１１４の周辺に、大きな樹脂バリ３０が発生する可能性がある。そのため、強い条件での樹脂バリ３０を取る工程（Ｓ１３０）が必要となる。
【０１３０】
この樹脂バリ３０を取る工程（Ｓ１３０）は、条件が強い場合、半導体装置１００の耐熱性を弱めてしまう可能性がある。このため、たとえば、回路基板への実装の際に、リフローなどの温度上昇をさせたとき、熱ストレスなどにより、封止樹脂１３０と、ダイパッド１１４または半導体チップ１１０との界面が剥離する可能性がある。
【０１３１】
さらに、比較例の方法では、樹脂バリ３０を取る工程（Ｓ１３０）を行うため、外装めっきは、当該工程（Ｓ１３０）よりも後に行わなければならない。したがって、内装めっきと外装めっきを別々の工程で行う。このため、工程数が増加し、製造コストが増加する可能性がある。
【０１３２】
一方、第４の実施形態によれば、第２の実施形態と同様にして、金型１４０は段差部１２０を有している。これにより、第２の実施形態と同様の効果として、樹脂バリ３０が発生しにくい。したがって、樹脂バリ３０を取る工程（Ｓ２４０）を省略できる可能性がある。または、樹脂バリ３０を取る工程（Ｓ２４０）を弱い条件とすることができる。したがって、半導体装置１００の耐熱性を劣化させることがない。
【０１３３】
さらに、第４の実施形態によれば、あらかじめ、ＰＰＦめっきを行ったリードフレーム１１３を準備する。すなわち、第１めっき層１７６ａおよび第２めっき層１７４を有する状態で、封止樹脂１３０で封止する工程（Ｓ２２０）を行う。このとき、上記のように第１めっき層１７６ａと第２めっき層１７４は、同一の材料により形成されている。これにより、外装めっき工程を省略することができる。したがって、製造工程を削減でき、製造コストを下げることができる。
【０１３４】
また、第４の実施形態によれば、下記のような効果も有している。上記したＰｄ−ＰＰＦにおけるめっき層１７０は、薄く形成されている。このため、Ｐｄ−ＰＰＦを用いて、ダイパッド１１４の裏面に樹脂バリ３０が発生した場合、ダイパッド１１４の裏面と回路基板との間隔は、広くなってしまう。そのため、ダイパッド１１４を回路基板に対して、はんだ接合することが困難になる可能性があった。一方、第４の実施形態によれば、ダイパッド１１４の裏面の樹脂バリ３０は抑制されている。これにより、Ｐｄ−ＰＰＦであっても、ダイパッド１１４の裏面側において、良好なはんだ接合性を得ることができる。
【０１３５】
なお、第４の実施形態において、図２１のように、樹脂バリ３０有無を確認する工程（Ｓ３３０）を行っても良い。図２１は、第４の実施形態の変更例を示すフローチャートである。
【０１３６】
変更例では、封止工程（Ｓ３２０）後、樹脂バリ３０が有るかを確認する（Ｓ３３０）。樹脂バリ３０が有る場合は（Ｓ３３０ＹＥＳ）、上記した弱い条件でのバリ取り工程（Ｓ３４０）を行う。
【０１３７】
一方、樹脂バリ３０が無かった場合は（Ｓ３３０ＮＯ）、バリ取り工程を省略して、すぐにリード加工（Ｓ３５０）を行うことができる。
【０１３８】
以上のように、樹脂バリ３０の有無を確認する工程（Ｓ３３０）を行っても良い。
【０１３９】
（第５の実施形態）
図２２および図２３は、本発明の実施形態における半導体装置の製造手順の一例を示す工程断面図である。図２４は、図２２および図２３に示した製造手順における、半導体装置１００および金型１４０の構成の一例を示す平面図である。図２２は、図２２のｂ−ｂ'線断面図、図２３は図２４のａ−ａ'線断面図に対応する。
【０１４０】
本実施形態において、下金型１４０ｂの表面（一面）に設けられた段差部１２２の形状が、第１の実施形態に示した段差部１２０と異なる。本実施形態においても、段差部１２２は、下金型１４０ｂの表面にリードフレーム１１３のダイパッド１１４およびダイパッド１１４上に搭載された半導体チップ１１０を配置したときに、中央部構造体１０９の最外縁から所定の間隔を隔てて中央部構造体１０９の最外縁の各辺に沿って中央部構造体１０９の周囲に配置され、中央部構造体１０９の最外縁の高さ以上の高さとなるように構成される。第１の実施形態と同様、本実施形態においても、中央部構造体１０９の最外縁は、ダイパッド１１４の外縁と等しいので、段差部１２２は、ダイパッド１１４から所定の間隔を隔ててダイパッド１１４の外縁の各辺に沿ってダイパッド１１４の周囲に配置された構成とすることができる。また、段差部１２２の高さは、段差部１２０と同様、ダイパッド１１４の高さ以上とすることができる。
【０１４１】
ただし、本実施形態において、段差部１２２が下金型１４０ｂのキャビティの外縁まで延在して設けられている点で、第１の実施形態における段差部１２０と異なる。
【０１４２】
図２４は、本発明の実施形態の製造手順における、半導体装置１００および金型１４０の構成の一例を示す平面図である。図２５は、下金型１４０ｂのキャビティ内の構成を示す平面図である。本実施形態において、段差部１２２は、中央部構造体１０９の最外縁（中央部構造体最外縁１０９ａ）全体との間に所定の幅の凹部が形成されるように、中央部構造体１０９の外縁を取り囲むように形成されている。
【０１４３】
このような構成とすることにより、ゲート１６０から導入された封止樹脂１３０が段差部１２２上からダイパッド１１４上へ通過する際に、まず段差部１２２とダイパッド１１４との間に流入する。これにより、その後に流入してくる封止樹脂１３０は、段差部１２２とダイパッド１１４との間の領域上を流れていく。そのため、ダイパッド１１４の側面に封止樹脂１３０が速い速度で回り込むことを防ぐことができ、図３５に示したような樹脂バリ３０が形成されるのを防ぐことができる。
【０１４４】
図２６は、本発明の実施形態における半導体装置１００の構成の一例を示す断面図である。図２７は、本発明の実施形態における半導体装置１００の構成の一例を示す平面図である。図２６は、図２７のａ−ａ'線断面図である。図２８は、図２７のｂ−ｂ'線断面図である。
【０１４５】
本実施形態においては、図２２から図２５を参照して説明したように、段差部１２２が下金型１４０ｂのキャビティの外縁まで延在して設けられているので、凹部１２６も封止樹脂１３０の外縁まで延在して設けられている。
【０１４６】
図２９は、本発明の実施形態の製造手順における、半導体装置１００および金型１４０の構成の他の例を示す平面図である。本例では、段差部１２２が、中央部構造体１０９の最外縁の角部の部分には形成されておらず、分割された構成である点で図２４および図２５に示した構成と異なる。つまり、本例においては、リードフレーム１１３の吊りリード１１８下方には段差部１２２が形成されていない。このような構成においても、図２４および図２５に示したのと同様の効果を得ることができる。
【０１４７】
（第６の実施形態）
図３０および図３１は、本発明の実施形態における半導体装置１００の製造手順の一例を示す工程断面図である。図３０および図３１は、第１の実施形態において、図６に示した段差部１２０と同様の平面形状を有する可動式段差部１２４を含むことができる。図３０および図３１は、第１の実施形態において、図６に示した構成のａ−ａ'線断面図に対応する構成とすることができる。なお、ここでは、側方から封止樹脂１３０が導入される例を示しているが、封止樹脂１３０は、第１の実施形態で説明したのと同様、金型１４０の角部から導入される構成とすることもできる。
【０１４８】
本実施形態において、可動式段差部１２４は、封止樹脂１３０を硬化後、半導体装置１００を金型１４０の下金型１４０ｂから取り外すために用いられる、エジェクトピン（Ｅピン）により構成することもできる。
【０１４９】
また、本実施形態において、金型１４０の下金型１４０ｂには、封止樹脂１３０を導入しておくための導入部１５２および導入部１５２に導入された封止樹脂１３０を押し込むためのプランジャ１５０が設けられている。
【０１５０】
図３０（ａ）は、下金型１４０ｂのキャビティ内にリードフレーム１１３および半導体チップ１１０が配置され、導入部１５２内に封止樹脂１３０が導入された状態を示す。この後、下金型１４０ｂを上金型１４０ａの方向に移動し、上金型１４０ａと下金型１４０ｂとの間に、封止樹脂１３０を封入するための空間を形成する。次いで、本実施形態において、可動式段差部１２４の下金型１４０ｂのキャビティ内の底面からの高さが中央部構造体１０９の最外縁の高さ以上となるように、可動式段差部１２４を上昇させる（図３０（ｂ））。
【０１５１】
つづいて、プランジャ１５０を導入部１５２内に押し込み、封止樹脂１３０を金型１４０内の空間に導入する（図３０（ｃ））。この後、封止樹脂１３０が硬化されると、下金型１４０ｂを下降させる（図３１（ａ））。また、可動式段差部１２４も下降させる。これにより、本実施形態においても、第１の実施形態において図１から図３等を参照して説明したのと同様の半導体装置１００を得ることができる。
【０１５２】
また、可動式段差部１２４がたとえばＥピンにより構成されている場合、図３１（ａ）に示した工程の前後に、可動式段差部１２４をさらに上昇させて、半導体装置１００を下金型１４０ｂから取り外すこともできる（図３１（ｂ））。
【０１５３】
なお、本実施形態の構成は、第２の実施形態に示した段差部１２２に適用することもでき、段差部１２２を可動式とすることもできる。
【０１５４】
本実施形態においても、第１の実施形態および第２の実施形態と同様の効果を得ることができる。さらに、本実施形態においては、半導体装置１００を取り外す際に、可動式段差部１２４を下金型１４０ｂのキャビティ底面の下方に下げることもできるので、第１の実施形態において図８を参照して説明した可動式段差部１２４のダイパッド１１４と対向する側面と、下金型１４０ｂの底面とがなす角度θを９０°以上とすることもできる。たとえば、図３６に示すように、可動式段差部１２４が斜め方向に移動するような構成とすることができる。
【０１５５】
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【０１５６】
図３２および図３３は、金型１４０の下金型１４０ｂのキャビティ底面に設けられる段差部１２０の構成の他の例を示す平面図である。たとえば、段差部１２０は、図３２に示すように、中央部構造体最外縁１０９ａの角部には設けられるが、中央部構造体最外縁１０９ａの各辺の中央部分に設けられていないような構成とすることもできる。さらに、段差部１２０は、図３３に示すように、金型１４０のゲート１６０に近い側にのみ設けることもできる。このように、段差部１２０の平面形状は、段差部１２０が中央部構造体最外縁１０９ａの各辺の大部分の領域に沿って設けられていれば、種々の構成とすることができる。段差部１２２、および可動式段差部１２４についても同様とすることができる。
【０１５７】
ただし、図３３に示したように、金型１４０のゲート１６０に近い側にのみ設けた場合は、半導体装置１００に形成される凹部１２６の形状が、半導体装置１００によって異なってしまう可能性がある。たとえば、図３４に示すように、封止樹脂導入路１６４から導入される封止樹脂１３０を複数の金型１４０内に導入する場合には、右に示した金型１４０で形成されたものと左に示した金型１４０で形成されたものとで、位置合わせマーク１０９ｂと凹部１２６との位置関係が、異なってしまう。そのため、このような観点からは、下金型１４０ｂの段差部１２０（段差部１２２、可動式段差部１２４）は、中央部構造体最外縁１０９ａの周囲に均等に設けられた構成とすることが好ましい。
【０１５８】
また、以上の実施形態においては、ダイパッド１１４の平面積の方が半導体チップ１１０の平面積よりも大きく、中央部構造体１０９の最外縁がダイパッド１１４の外縁で規定される例を示した。しかし、半導体チップ１１０の平面積の方がダイパッド１１４の平面積よりも大きく、中央部構造体１０９の最外縁が半導体チップ１１０の外縁で規定される構成とすることもできる。この場合、段差部１２０、段差部１２２、可動式段差部１２４等の段差部は、半導体チップ１１０の表面高さ以上の高さとすることができる。
【０１５９】
なお、以上の実施形態において、以下の発明も開示されている。
（付記１）
ダイパッドおよび前記ダイパッドの一面に搭載された半導体チップを含む中央部構造体と、
前記ダイパッドから間隔を隔てて当該ダイパッドの外縁に沿って当該ダイパッドの周囲に配置された複数のリード端子と、
一端が前記ダイパッドに接続し、前記ダイパッドから離れる方向に前記ダイパッドの前記一面に対して斜めに延伸している傾斜部を有する吊りリードと、
前記中央部構造体、前記複数のリード端子の一部および前記吊りリードを封止した封止樹脂と、
を含み、
前記ダイパッドの前記一面と反対側の裏面は、前記封止樹脂の一面から露出して形成されており、
前記封止樹脂の前記一面には、前記吊りリードの傾斜部の下部と前記中央構造体の最外縁との間に凹部が設けられている半導体装置。
（付記２）
付記１に記載の半導体装置において、
前記凹部は、前記中央部構造体の最外縁全体に並んで連続的に形成された半導体装置。
（付記３）
ダイパッドおよび前記ダイパッドの一面に搭載された半導体チップを含む中央部構造体と、
前記ダイパッドから間隔を隔てて当該ダイパッドの外縁に沿って当該ダイパッドの周囲に配置された複数のリード端子と、
一端が前記ダイパッドに接続し、前記ダイパッドから離れる方向に前記ダイパッドの前記一面に対して斜めに延伸している吊りリードと、
前記中央部構造体、前記複数のリード端子の一部および前記吊りリードを封止した封止樹脂と、
を含み、
前記ダイパッドの前記一面と反対側の裏面は、前記封止樹脂の一面から露出して形成されており、
前記封止樹脂の前記一面には、前記中央部構造体の最外縁の少なくとも一の第１の辺および当該第１の辺に隣接する第２の辺にそれぞれ並んで配置された凹部が設けられ、
前記中央構造体の最外縁と前記凹部と距離は、０．１ｍｍ以上４ｍｍ以下である半導体装置。
（付記４）
ダイパッドおよび前記ダイパッドの一面に搭載された半導体チップを含む中央部構造体と、
前記ダイパッドから間隔を隔てて当該ダイパッドの外縁に沿って当該ダイパッドの周囲に配置された複数のリード端子と、
一端が前記ダイパッドに接続し、前記ダイパッドから離れる方向に前記ダイパッドの前記一面に対して斜めに延伸している吊りリードと、
を含む半導体チップ構造体を、前記ダイパッドの前記一面と反対側の裏面が金型のキャビティ内の一面と接するように配置する金型配置工程と、
前記金型の前記キャビティ中に、前記ダイパッドの前記一面側から封止樹脂を導入して、前記中央部構造体、前記複数のリード端子の一部および前記吊りリードを当該封止樹脂で封止する工程と、
を含み、
前記封止樹脂で封止する工程において、前記金型の前記一面には、前記吊りリードの傾斜部の下部と前記中央構造体の最外縁との間に段差部が設けられている半導体装置の製造方法。
（付記５）
付記４に記載の半導体チップパケージの製造方法において、
前記段差部は、前記中央部構造体の最外縁全体に並んで連続的に形成された半導体装置の製造方法。
（付記６）
ダイパッドおよび前記ダイパッドの一面に搭載された半導体チップを含む中央部構造体と、
前記ダイパッドから間隔を隔てて当該ダイパッドの外縁に沿って当該ダイパッドの周囲に配置された複数のリード端子と、
一端が前記ダイパッドに接続し、前記ダイパッドから離れる方向に前記ダイパッドの前記一面に対して斜めに延伸している吊りリードと、
を含む半導体チップ構造体を、前記ダイパッドの前記一面と反対側の裏面が金型のキャビティ内の一面と接するように配置する金型配置工程と、
前記金型の前記キャビティ中に、前記ダイパッドの前記一面側から封止樹脂を導入して、前記中央部構造体、前記複数のリード端子の一部および前記吊りリードを当該封止樹脂で封止する工程と、
を含み、
前記封止樹脂で封止する工程において、前記金型の前記一面には、前記中央部構造体の最外縁の少なくとも一の第１の辺および当該第１の辺に隣接する第２の辺にそれぞれ並んで配置された段差部が設けられており、
前記中央構造体の最外縁と前記段差部と距離は、０．１ｍｍ以上４ｍｍ以下である半導体装置の製造方法。
（付記７）
ダイパッドおよび前記ダイパッドの一面に搭載された半導体チップを含む中央部構造体と、
前記ダイパッドから間隔を隔てて当該ダイパッドの外縁に沿って当該ダイパッドの周囲に配置された複数のリード端子と、
一端が前記ダイパッドに接続し、前記ダイパッドから離れる方向に前記ダイパッドの前記一面に対して斜めに延伸している吊りリードと、
前記中央部構造体、前記複数のリード端子の一部および前記吊りリードを封止した封止樹脂と、
を含む半導体装置の前記封止樹脂を成型するための金型であって、
前記ダイパッドの前記一面と反対側の裏面が接するように配置される一面が設けられたキャビティと、
前記キャビティの前記一面に設けられ、前記キャビティ内に前記中央部構造体を配置して、前記ダイパッドの前記一面側から前記封止樹脂を導入して、前記中央部構造体、前記複数のリード端子の一部および前記吊りリードを当該封止樹脂で封止する際に、前記吊りリードの傾斜部の下部と前記中央構造体の最外縁との間に段差部が設けられている段差部と、
を含む金型。
（付記８）
付記７に記載の金型において、
前記段差部は、前記中央部構造体の最外縁全体に並んで連続的に形成された金型。
（付記９）
ダイパッドおよび前記ダイパッドの一面に搭載された半導体チップを含む中央部構造体と、
前記ダイパッドから間隔を隔てて当該ダイパッドの外縁に沿って当該ダイパッドの周囲に配置された複数のリード端子と、
一端が前記ダイパッドに接続し、前記ダイパッドから離れる方向に前記ダイパッドの前記一面に対して斜めに延伸している吊りリードと、
前記中央部構造体、前記複数のリード端子の一部および前記吊りリードを封止した封止樹脂と、
を含む半導体装置の前記封止樹脂を成型するための金型であって、
前記ダイパッドの前記一面と反対側の裏面が接するように配置される一面が設けられたキャビティと、
前記キャビティの前記一面に設けられ、前記キャビティ内に前記中央部構造体を配置して、前記ダイパッドの前記一面側から前記封止樹脂を導入して、前記中央部構造体、前記複数のリード端子の一部および前記吊りリードを当該封止樹脂で封止する際に、前記中央部構造体の最外縁の少なくとも一の第１の辺および当該第１の辺に隣接する第２の辺にそれぞれ並んで配置された段差部と、
を含み、
前記中央構造体の最外縁と前記段差部と距離は、０．１ｍｍ以上４ｍｍ以下である金型。
【符号の説明】
【０１６０】
３０ 樹脂バリ
１００ 半導体装置
１０９ 中央部構造体
１１０ 半導体チップ
１０９ａ 中央部構造体最外縁
１０９ｂ 位置合わせマーク
１１２ ボンディングワイヤ
１１３ リードフレーム
１１４ ダイパッド
１１６ リード端子
１１６ａ 内部リード
１１６ｂ 外部リード
１１８ 吊りリード
１２０ 段差部
１２０ａ 吊りリードの下部の段差部
１２２ 段差部
１２４ 可動式段差部
１２６ 凹部
１２６ａ 凹部
１３０ 封止樹脂
１４０ 金型
１４０ａ 上金型
１４０ｂ 下金型
１４２ イジェクトピン
１５０ プランジャ
１５２ 導入部
１５４ ランナ
１６０ ゲート
１６２ エアベント
１６４ 封止樹脂導入路
１７０ めっき層
１７４ 第２めっき層
１７６ａ 第１めっき層
１７６ｂ 第３めっき層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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