(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｘ方向に延在される走査信号線と、Ｙ方向に延在される映像信号線とが形成される第１基板と、液晶層を介して前記第１基板と対向配置される第２基板とを有し、前記走査信号線と前記映像信号線で囲まれる領域を画素の領域とし、前記画素がマトリクス状に配置される領域を表示領域とし、前記第２基板の辺縁部に沿って形成されるシール材により、前記第１基板と前記第２基板とが固定されると共に、前記液晶層が封止され、前記第１基板は前記第２基板よりも大きく形成され、前記第２基板より露出される領域に接続端子部が形成される液晶表示装置であって、
前記表示領域よりも外側の領域に形成され、少なくとも前記表示領域の２つの異なる辺に沿って形成される配向膜ストッパを有し、
前記配向膜ストッパは、液状の配向膜材料に対して疎水性を有する薄膜材料からなる、前記第１基板側の最上層に形成される第２の導電体層を有し、
絶縁膜を介して前記第２の導電体層の下層に配置され、前記第２の導電体層側から平面的に見て前記第２の導電体層の長手方向の辺縁部から露出するように配置される第１の導電体層を有し、
前記第１の導電体層は、前記走査信号線又は前記映像信号線が前記表示領域を超えて前記外側の領域に延在し配置される信号線の内で、前記配向膜ストッパと交差する信号線と前記第２の導電体層との間に形成されてなり、
前記第１の導電体層と前記第２の導電体層とを電気的に接続するために前記絶縁膜に形成した穴形状の貫通孔を除く領域において、前記第２の導電体層は前記絶縁膜の上面に形成されてなることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記配向膜ストッパは、前記表示領域の対向する２つの辺に沿って配置され、前記表示領域を挟むように配置される１対の線状形状をなす配向膜ストッパからなることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記配向膜ストッパは、前記表示領域の少なくとも３辺に沿って形成されるＣ字形状をなすことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記配向膜ストッパは、前記接続端子部の形成される辺を除く他の３辺に沿って形成されることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記配向膜ストッパは、前記表示領域を囲むように形成される環状をなすことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記配向膜ストッパは、１つの前記第２の導電体層の下層に形成される１つの前記第１の導電体層からなることを特徴とする請求項１乃至５の内の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記配向膜ストッパは、２つ以上の前記第２の導電体層に下層に形成される１つの前記第１の導電体層からなることを特徴とする請求項１乃至５の内の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記表示領域の辺部に形成され、前記画素の形成と同じ工程で形成される前記走査信号又は／及び前記映像信号を生成する駆動回路を備え、
前記駆動回路は前記表示領域に近接する第１の駆動回路と、前記第１基板の辺縁部に近接する第２の駆動回路とからなり、
前記配向膜ストッパが前記第１の駆動回路と前記第２の駆動回路との間の領域に形成されてなることを特徴とする請求項１乃至７の内の何れに記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に係わり、特に、配向膜の塗布領域の制御に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は液晶を挟持する一対の透明基板を外囲器とし、液晶は一対の透明基板の固定を兼ねるシール材によって封入されている。このシール材によって囲まれた領域は、液晶を１つの構成要素とする画素がマトリックス状に配置されて有効表示領域(単に、表示領域ともいう)を構成するようになっている。各画素は、それぞれ薄膜トランジスタを備え、アクティブ・マトリックス駆動方式によって独立に駆動され、有効表示領域に画像を表示できるようになっている。
【０００３】
そして、このように構成される液晶表示装置には、一対の透明基板のそれぞれにおいて、液晶と直接に接触する面に配向膜が形成されている。この配向膜は、液晶の分子を一定方向（初期配向方向）に規定するための膜で、塗布によって形成した樹脂膜に配向処理をすることによって形成される。この場合、配向膜は、その周辺端においてシール材との間に一定の距離を保持するようにして形成することが要求される。配向膜がシール材の形成領域にまで及んで形成されてしまった場合に、シール材としてのシール機能の信頼性が低下してしまうからである。
【０００４】
一方、携帯電話機等の携帯情報端末等に組み込まれる液晶表示装置は、小さい外形サイズで表示領域をできるだけ大きくする（いわゆる額縁を小さくする）ことが要求され、シール材と配向膜との離間距離を充分に大きくできない事情がある。それ故、シール材と配向膜との間の領域に、該配向膜を囲むようにした線状のたとえばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる透明導電膜層を設けた構成のものが知られている。この透明導電膜層は、ストッパとして機能し（以下、配向膜ストッパと称する場合がある）、配向膜形成の際において、硬化前の樹脂膜のシール材の形成領域に及ぶ流動を阻止するようになっている。ここで、配向膜ストッパが透明導電膜で形成されているのは、配向膜ストッパが透明電極からなる画素電極と同層で形成され、該配向膜ストッパを画素電極の形成と同時に形成できるからである。このような構成からなる液晶表示装置として、例えば、特許文献１に記載の液晶表示装置がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−８４４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、導電性の薄膜を用いた配向膜ストッパでは、高温高湿環境下の水分と、配向膜ストッパとの間に生じる電界により、配向膜ストッパと交差する信号配線が酸化または溶解してしまうという問題があった。また、この信号配線の酸化または溶解により、所望の走査信号や映像信号が得られないという問題もあった。
【０００７】
本発明はこれらの問題点に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、信号配線と配向膜ストッパとの間における電界を抑制することが可能な技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
（１）前記課題を解決すべく、本発明の液晶表示装置は、Ｘ方向に延在される走査信号線と、Ｙ方向に延在される映像信号線とが形成される第１基板と、液晶層を介して前記第１基板と対向配置される第２基板とを有し、前記走査信号線と前記映像信号線で囲まれる領域を画素の領域とし、前記画素がマトリクス状に配置される領域を表示領域とし、前記第２基板の辺縁部に沿って形成されるシール材により、前記第１基板と前記第２基板とが固定されると共に、前記液晶層が封止され、前記第１基板は前記第２基板よりも大きく形成され、前記第２基板より露出される領域に接続端子部が形成される液晶表示装置であって、
前記表示領域よりも外側の領域に形成され、少なくとも前記表示領域の２つの異なる辺に沿って形成される配向膜ストッパを有し、
前記配向膜ストッパは、液状の配向膜材料に対して疎水性を有する薄膜材料からなる、前記第１基板側の最上層に形成される第２の導電体層を有し、
絶縁膜を介して前記第２の導電体層の下層に配置され、前記第２の導電体層側から平面的に見て前記第２の導電体層の長手方向の辺縁部から露出するように配置される第１の導電体層を有し、
前記第１の導電体層は、前記走査信号線又は前記映像信号線が前記表示領域を超えて前記外側の領域に延在し配置される信号線の内で、前記配向膜ストッパと交差する信号線と前記第２の導電体層との間に形成されてなり、
前記第１の導電体層と前記第２の導電体層とを電気的に接続するために前記絶縁膜に形成した穴形状の貫通孔を除く領域において、前記第２の導電体層は前記絶縁膜の上面に形成されてなる液晶表示装置である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、液晶表示装置の有効表示領域の周辺部に形成される信号配線と配向膜ストッパとの間に生じる電界を抑制することができる。
【００１１】
本発明のその他の効果については、明細書全体の記載から明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施形態１の液晶表示装置の全体構成を説明するための平面図である。
【図２】本発明の実施形態１の液晶表示装置における配向膜ストッパの詳細構成を説明するための拡大図である。
【図３】図２に示すＣ−Ｃ’線での断面図である。
【図４】本発明の実施形態１の液晶表示装置における配向膜せき止め領域の拡大図である。
【図５】本発明の実施形態１の液晶表示装置における第１の導電体層と第２の導電体層とを電気的に接続するコンタクトホール部分の構成を説明するための平面図である。
【図６】図５に示すＥ−Ｅ’線での断面図である。
【図７】本発明の実施形態１の液晶表示装置における配向膜と配向膜ストッパとシール材との位置関係を説明するための図である。
【図８】本発明の実施形態２の液晶表示装置における配向膜ストッパの概略構成を説明するための平面図である。
【図９】図８に示すＦ−Ｆ’線での断面図である。
【図１０】本発明の実施形態３の液晶表示装置における配向膜ストッパの形状を説明するための図である。
【図１１】本発明の実施形態４の液晶表示装置における配向膜ストッパの形状を説明するための図である。
【図１２】本発明の実施形態５の液晶表示装置における配向膜ストッパの形状を説明するための図である。
【図１３】本発明の実施形態６の液晶表示装置の概略構成を説明するための図である。
【図１４】図１３に示すＧ部の拡大図である。
【図１５】図１４に示すＨ部の拡大図である。
【図１６】図１５に示すＩ−Ｉ’線での断面図である。
【図１７】本発明の実施形態７の液晶表示装置における周辺部の拡大図である。
【図１８】従来の液晶表示装置における周辺部の拡大図である。
【図１９】図１８に示すＪ−Ｊ’線での断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明が適用された実施形態について、図面を用いて説明する。ただし、以下の説明において、同一構成要素には同一符号を付し繰り返しの説明は省略する。
【００１４】
〈実施形態１〉
図１は本発明の実施形態１の液晶表示装置の全体構成を説明するための平面図であり、以下、図１に基づいて、実施形態１の液晶表示装置の全体構成を説明する。ただし、図１において、Ｘ，Ｙ，ＺはＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸を示す。
【００１５】
実施形態１の液晶表示装置は、画素電極ＰＸや薄膜トランジスタＴＦＴ等が形成される第１基板ＳＵＢ１と、第１基板ＳＵＢ１に対向して配置されカラーフィルタ等が形成される第２基板ＳＵＢ２と、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とで挟持される液晶層とで構成される液晶表示パネルＰＮＬを有する。また、液晶表示パネルＰＮＬと光源となる図示しないバックライトユニット（バックライト装置）とを組み合わせることにより、液晶表示装置が構成されている。第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との固定及び液晶の封止は、第２基板の周辺部に環状に塗布されたシール材で固定され、液晶も封止される構成となっている。ただし、実施形態１の液晶表示装置では、液晶が封入された領域の内で表示画素（以下、画素と略記する）の形成される領域が表示領域ＡＲとなる。従って、液晶が封入されている領域内であっても、画素が形成されておらず表示に係わらない領域は表示領域ＡＲとはならない。すなわち、実施形態１の液晶表示装置では、シール材と表示領域ＡＲとの間の領域に、環状に形成された配向膜ストッパＷＳが形成される構成となっている。この構成により、第１基板ＳＵＢ１の液晶面側に配向膜材料を塗布する際に、シール材の塗布領域に配向膜が形成されてしまうことを防止する構成となっている。なお、配向膜ストッパＷＳについては、後に詳述する。
【００１６】
また、第２基板ＳＵＢ２は第１基板ＳＵＢ１よりも小さな面積となっており、第１基板ＳＵＢ１の図中下側の辺部を露出させるようになっている。この第１基板ＳＵＢ１の辺部には、例えば半導体チップで構成され、表示領域ＡＲに配置される各画素を駆動する駆動回路が搭載されると共に、駆動回路に制御信号を入力する接続端子部ＴＭが形成されている。なお、以下の説明では、液晶表示パネルＰＮＬの説明においても、液晶表示装置と記すことがある。また、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２としては、例えば周知のガラス基板が基材として用いられるのが一般的であるが、樹脂性の透明絶縁基板であってもよい。
【００１７】
実施形態１の液晶表示装置では、第１基板ＳＵＢ１の液晶側の面であって表示領域ＡＲ内には、図１中Ｘ方向に延在しＹ方向に並設され、駆動回路からの走査信号が供給される走査信号線（ゲート線）ＧＬが形成されている。また、図１中Ｙ方向に延在しＸ方向に並設され、駆動回路からの映像信号（階調信号）が供給される映像信号線（ドレイン線）ＤＬが形成されている。隣接する２本のドレイン線ＤＬと隣接する２本のゲート線ＧＬとで囲まれる領域が画素を構成し、複数の画素が、ドレイン線ＤＬ及びゲート線ＧＬに沿って、表示領域ＡＲ内においてマトリックス状に配置されている。
【００１８】
各画素は、例えば、図１中丸印Ａの等価回路図Ａ’に示すように、ゲート線ＧＬからの走査信号によってオン／オフ駆動される薄膜トランジスタＴＦＴと、このオンされた薄膜トランジスタＴＦＴを介してドレイン線ＤＬからの映像信号が供給される画素電極ＰＸと、コモン線ＣＬを介して映像信号の電位に対して基準となる電位を有する共通信号が供給される共通電極ＣＴとを備えている。図１中丸印Ａの等価回路図Ａ’においては、画素電極ＰＸ及び共通電極ＣＴを模式的に線状に記しているが、後に後述するように、実施形態１の画素電極ＰＸは画素毎に形成される平板状の透明電極からなる。また、共通電極ＣＴは、少なくとも表示領域ＡＲ内に形成される平板状の透明電極と、該透明電極に形成されるスリットとからなる。なお、実施形態１の薄膜トランジスタＴＦＴは、そのバイアスの印加によってドレイン電極とソース電極が入れ替わるように駆動するが、本明細書中においては、便宜上、ドレイン線ＤＬと接続される側をドレイン電極、画素電極ＰＸと接続される側をソース電極と記す。
【００１９】
画素電極ＰＸと共通電極ＣＴとの間には、第１基板ＳＵＢ１の主面に平行な成分を有する電界が生じ、この電界によって液晶の分子を駆動させるようになっている。このような液晶表示装置は、いわゆる広視野角表示ができるものとして知られ、液晶への電界の印加の特異性から横電界方式やＩＰＳ（In-Plane Switching）方式と称される。また、実施形態１の液晶表示装置においては、液晶に電界が印加されていない場合に光透過率を最小（黒表示）とし、電界を印加することにより光透過率を向上させていくノーマリブラック表示形態で表示を行うようになっている。
【００２０】
各ドレイン線ＤＬ及び各ゲート線ＧＬはその端部が表示領域ＡＲを越えてそれぞれ延在され、駆動回路に接続されている。また、駆動回路は外部システムから接続端子部ＴＭを介して入力される制御信号に基づいて、映像信号や走査信号等の駆動信号を生成する。なお、実施形態１の液晶表示装置では、駆動回路を半導体チップで形成し第１基板ＳＵＢ１に搭載する構成としているが、映像信号を出力する映像信号駆動回路と走査信号を出力する走査信号駆動回路との何れか一方又はその両方の駆動回路を接続端子部ＴＭに接続されるフレキシブルプリント基板にテープキャリア方式やＣＯＦ（Chip On Film）方式で搭載し、第１基板ＳＵＢ１に接続させる構成であってもよい。
【００２１】
〈配向膜ストッパの詳細構成〉
次に、図２に本発明の実施形態１の液晶表示装置における配向膜ストッパの詳細構成を説明するための拡大図、図３に図２に示すＣ−Ｃ’線での断面図を示し、以下、図２及び図３に基づいて実施形態１の配向膜ストッパＷＳの詳細構成を説明する。ただし、図２は図１に示すＢ部すなわち実施形態１の液晶表示装置の長手方向の辺部の拡大図である。
【００２２】
図２に示すように、表示領域ＡＲ側にはＸ方向に延在するゲート線ＧＬと重畳する領域には、アモルファスシリコン等からなる半導体層ＡＳが重畳して形成されている。このとき、図３に示すように、ゲート線ＧＬの上層に形成される絶縁膜ＰＡＳ１を介して半導体層ＡＳが重畳される構成となっており、この重畳領域では絶縁膜ＰＡＳ１がゲート絶縁膜として機能する構成となっている。半導体層ＡＳの一端側はドレイン線ＤＬと重畳されてドレイン電極ＤＴを形成し、他端側はソース電極ＳＴとなる金属薄膜と重畳され、薄膜トランジスタＴＦＴが形成されている。すなわち、図３に示すように、半導体層ＡＳの一端側の上面にドレイン線ＤＬが重畳して配置されてドレイン電極ＤＴを形成し、半導体層ＡＳの他端側の上面に金属薄膜が重畳して形成され、ソース電極ＳＴが形成されている。該ソース電極ＳＴから延在される延在部は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide：酸化インジウムスズ）等の透明導電膜からなり、画素領域毎に形成される平板状の画素電極ＰＸと電気的に接続されている。従って、画素電極ＰＸにはゲート線ＧＬに入力される走査信号に同期して、ドレイン線ＤＬに出力される映像信号が供給される。また、図２及び図３から明らかなように、画素電極ＰＸの上層には絶縁膜ＰＡＳ２を介してＩＴＯ等の透明導電膜からなる共通電極ＣＴが形成されている。このとき共通電極ＣＴは画素領域ＡＲ内に平状に形成され、画素電極ＰＸと重畳する領域にスリットＳＬＴが形成され、画素電極ＰＸと重畳する線状の共通電極ＣＴを形成している。
【００２３】
また、図２に示すように、額縁領域と称される表示領域ＡＲよりも外側の領域である周辺部ＰＲにはゲート線ＧＬが伸延される構成となっており、この表示領域ＡＲと図示しないシール材の塗布領域との間に、３本の配向膜ストッパＷＳ１〜ＷＳ３からなる配向膜せき止め部ＷＳが形成されている。この実施形態１の配向膜ストッパＷＳ１〜ＷＳ３は、図３に示すように、ゲート線ＧＬの上層すなわち液晶面側に形成される第１の導電体層ＳＨと、該第１の導電体層ＳＨの上層すなわち液晶面側に形成される第２の導電体層ＳＰとから形成されている。この実施形態１の第２の導電体層ＳＰは、従来の配向膜ストッパと同様に、配向膜材料に対して濡れ性が悪い（疎水性が大きく、接触が高い）材料であるＩＴＯ等の透明導電膜材料を用いて形成されている。さらには、第２の導電体層ＳＰは第１基板ＳＵＢ１の表面を覆いようにして形成される絶縁膜ＰＡＳ２の表面に形成されている。このとき、第２の導電体層ＳＰを形成する透明導電膜の水に対する表面張力をγｓｐ、絶縁膜ＰＡＳ２の水に対する表面張力をγＰＡＳ２とした場合、表面張力γｓｐと表面張力をγＰＡＳ２とは異なることとなる。また、第２の導電体層ＳＰはＩＴＯからなる透明導電膜材料に限定されることはなく、酸化亜鉛系のＡＺＯ(Aluminum doped Zinc Oxide)やＧＺＯ（Gallium doped Zinc Oxide）等の他の酸化物導電体材料で形成してもよい。
【００２４】
すなわち、実施形態１の配向膜ストッパＷＳ１〜ＷＳ３は、第１基板ＳＵＢ１の最上層に形成され、共通電極ＣＴとなる透明導電膜と同じ工程で形成される第２の導電体層ＳＰと、該第２の導電体層ＳＰの下層側である第１基板ＳＵＢ１の側に形成され、ドレイン線ＤＬ及びソース電極ＳＴと同じ工程で形成される第１の導電体層ＳＨとで形成されている。このとき、前述するように、実施形態１の薄膜トランジスタＴＦＴでは、絶縁膜ＰＡＳ１の下層すなわち絶縁膜ＰＡＳ１よりも第１基板ＳＵＢ１に近い層にゲート線ＧＬが形成される構成となっている。従って、図３に示すように、ゲート線ＧＬと第１の導電体層ＳＨとが交差する領域においては、絶縁膜ＰＡＳ１を介してゲート線ＧＬと第１の導電体層ＳＨとは重畳配置される、すなわち第２の導電体層ＳＰとゲート線ＧＬとの間の層に第１の導電体層ＳＨが形成される構成となっている。なお、実施形態１の第１の導電体層ＳＨは周辺部において図示しない信号線と接続され、所定の電圧に保持される構成となっている。
【００２５】
また、図３に示すように、矢印Ｗで示す配向膜せき止め領域においては、配向膜ストッパＷＳ１〜ＷＳ３のそれぞれにおいて、第１の導電体層ＳＨの配線幅よりも第２の導電体層ＳＰの配線幅が小さく形成されている。すなわち、実施形態１の液晶表示装置の表示面側から見て、配向膜ストッパＷＳ１〜ＷＳ３の並設方向に対して、平面的に第１の導電体層ＳＨの辺縁部が第２の導電体層ＳＰの辺縁部を超えて延在しない構成となっている。例えば、第１の導電体層ＳＨの一端から第２の導電体層ＳＰの一端までのＸ方向間隔をＬ１、第１の導電体層ＳＨの他端から第２の導電体層ＳＰの他端までのＸ方向間隔をＬ２とした場合、間隔Ｌ１＞０かつ間隔Ｌ２＞０を満たす構成となっている。この構成により、周囲への電界漏れを防ぐことができ、電界一定の効果をより高めることを可能としている。
【００２６】
〈配向膜ストッパの電位〉
次に、図４に本発明の実施形態１の液晶表示装置における配向膜せき止め領域の拡大図を示し、以下、図４に基づいて、第１の導電体層ＳＨによる第２の導電体層ＳＰの腐食防止効果について説明する。ただし、図４は図３に示す配向膜せき止め領域の拡大図であり、図４中に示すＶ１〜Ｖ３は各導電膜に印加される電圧を示す。
【００２７】
第１基板ＳＵＢ１の表面に露出して形成される第２の導電体層ＳＰのみが形成され、該第２の導電体層ＳＰと、配向膜ストッパＷＳの下層に形成される信号線であるゲート線ＧＬとが絶縁膜を介して配置される従来の構成では、この絶縁体にクラックや膜欠損がある場合、この領域では第２の導電体層ＳＰと液晶と信号線（ゲート線ＧＬ）がこの順番で配置されることとなる。特に、高温高湿環境下において、パネル内に水分が浸入した場合には、第２の導電体層ＳＰと液晶＋水とゲート線ＧＬの順番となる。このために、配向膜ストッパＷＳを形成する第２の導電体層ＳＰを固定電位にした場合であっても、ゲート線ＧＬの電位は一定電位ではないため、第２の導電体層ＳＰとゲート線ＧＬとの間の電界は一定とはならない。特に、第２の導電体層ＳＰの電位が負、ゲート線ＧＬの電位が正の時、侵入した水分の介在により、ゲート線ＧＬはアノード溶解により断線してしまった場合、線欠陥や非点灯等の表示異常が生じてしまうこととなる。
【００２８】
これに対して、実施形態１の配向膜ストッパＷＳ１〜ＷＳ３では、後に詳述するように、第１の導電体層ＳＨと第２の導電体層ＳＰとが絶縁膜ＰＡＳ２に形成される図示しないコンタクトホールを介して電気的に接続されている。すなわち、実施形態１の配向膜ストッパＷＳ１〜ＷＳ３においては、第１の導電体層ＳＨの電圧Ｖ２と第２の導電体層ＳＰの電圧Ｖ３とが同じ電圧となっている。さらには、第１の導電体層ＳＨの配線幅よりも第２の導電体層ＳＰの配線幅が小さく形成される構成となっている。従って、配向膜ストッパＷＳ１〜ＷＳ３がゲート線ＧＬと交差する領域においては、ゲート線ＧＬと第１の導電体層ＳＨとの間に生じる電界をＥ１、ゲート線ＧＬと第２の導電体層ＳＰとの間に生じる電界をＥ２とした場合、電界Ｅ１が大きくなり、電界Ｅ２を非常に小さくする（抑制する）ことが可能となる。その結果、高温高湿下で実施形態１の液晶表示装置を使用した場合であっても、液晶層ＬＣの水分やシール材部分から侵入した水分と、第２の導電体層ＳＰとゲート線ＧＬとの間の電界Ｅ２とによって、ゲート線ＧＬの酸化や溶解等の腐食を防止することが可能となる。よって、実施形態１の液晶表示装置の信頼性を向上させることができる。さらには、実施形態１の液晶表示装置の製造時における配向膜の伸延によるシール不良の発生も抑制できるので、歩留まりを向上できるという効果も得られる。
【００２９】
このとき、第１の導電体層ＳＨは無機絶縁膜材料で形成される絶縁膜ＰＡＳ１と絶縁膜ＰＡＳ２とで覆われ、保護される構成となっている。この構成により、ゲート線ＧＬとの間に比較的大きな電界Ｅ１が生じた場合であっても、電界Ｅ１の印加に伴う第１の導電体層ＳＨの腐食も防止できる。
【００３０】
〈第１の導電体層と第２の導電体層との接続〉
図５は本発明の実施形態１の液晶表示装置における第１の導電体層と第２の導電体層とを電気的に接続するコンタクトホール部分の構成を説明するための平面図、図６は図５に示すＥ−Ｅ’線での断面図である。特に、図５は図１に示すＤ部の拡大図である。ただし、図５に示す接続端子部ＴＭが形成される側の辺部には、駆動回路も搭載され、該駆動回路と表示領域ＡＲ内のドレイン線ＤＬとが電気的に接続される構成となっている。従って、実施形態１の構成では、ゲート線ＧＬと同層に形成される図示しない信号線を介して、駆動回路とドレイン線ＤＬとを電気的に接続する構成となっている。このような構成とすることにより、実施形態１の液晶表示装置では、ドレイン線ＤＬと同層に形成される第１の導電体層ＳＨと、共通電極ＣＴと同層に形成される第２の導電体層ＳＰとによって形成される配向膜ストッパＷＳ１〜ＷＳ３を表示領域ＡＲの周囲に環状に形成することを可能としている。
【００３１】
図５に示すように、実施形態１の液晶表示装置の短手方向の辺部では、配向膜ストッパＷＳ１〜ＷＳ３はＸ方向に延在し、Ｙ方向に並設される構成となっているので、第１の導電体層ＳＨ及び第２の導電体層ＳＰの途中にそれぞれ線幅が大きい領域が形成され、この領域の絶縁膜ＰＡＳ２にコンタクトホールＣＨが形成されている。この構成により、図６に示すように、第１の導電体層ＳＨと第２の導電体層ＳＰとを電気的に接続し、第１の導電体層ＳＨの電圧Ｖ２と第２の導電体層ＳＰの電圧Ｖ３とを同じ電圧に保持する構成としている。このとき、第１の導電体層ＳＨには駆動回路または接続端子部ＴＭから固定電圧Ｖ２が供給されている。なお、コンタクトホールＣＨの形成部分では線幅を大きくする構成としたが、他の部分と同じ線幅で形成してもよい。
【００３２】
また、実施形態１においては、配向膜ストッパＷＳの下層に形成される信号線であるゲート線ＧＬはアルミニウム等の金属薄膜からなる。このために、ゲート線ＧＬの電圧Ｖ１と第１の導電体層ＳＨの電圧Ｖ２（第２の導電体層ＳＰの電圧Ｖ３）によっては、アノード溶解によるゲート線ＧＬの腐食等の可能性もあるが、第１の導電体層ＳＨの電圧Ｖ２すなわち第２の導電体層ＳＰの電圧Ｖ３をゲート線ＧＬの電圧Ｖ１以上とすることにより、アノード溶解に伴うゲート線ＧＬの腐食を防止できる。さらには、このような電圧とすることにより、ＩＴＯ等の透明導電膜からなる第２の導電体層ＳＰがカソードになることに起因する当該第２の導電体層ＳＰ自身の還元作用による腐食も抑制できる。
【００３３】
さらには、実施形態１の液晶表示装置では、第１の導電体層ＳＨと第２の導電体層ＳＰとをコンタクトホールＣＨを介して電気的に接続し、第１の導電体層ＳＨと第２の導電体層ＳＰとを同一の電圧に保持する構成としたが、これに限定されることはない。例えば、第１の導電体層ＳＨに印加する電圧Ｖ２と、第２の導電体層ＳＰに印加される電圧Ｖ３とを異なる電圧とし、電圧Ｖ３≧電圧Ｖ２とする構成であってもよい。この場合には、第１の導電体層ＳＨと第２の導電体層ＳＰには、それぞれ駆動回路または接続端子部ＴＭから固定電圧Ｖ１，Ｖ２を供給することにより可能である。
【００３４】
図７は本発明の実施形態１の液晶表示装置における配向膜と配向膜ストッパとシール材との位置関係を説明するための図であり、この図７から明らかなように、表示領域ＡＲの辺縁部及びシール材ＳＬの塗布位置から所定距離だけ離間した位置に形成される配向膜ストッパＳＷにより配向膜ＯＲＩがせき止められている。その結果、配向膜ＯＲＩは表示領域ＡＲを覆うようにして形成されると共に、該配向膜ＯＲＩの周縁部は配向膜ストッパＳＷと表示領域の周縁部との間の領域に制限される。すなわち、シール材ＳＬが塗布される第２基板ＳＵＢ２の辺部に配向膜ＯＲＩが及んで形成さてしまうことを防止できるので、シール材ＳＬの密封性能を向上させることが可能となり、液晶表示装置の信頼性を向上させることができる。さらには、配向膜ストッパＷＳにより表示領域ＡＲとシール材ＳＬとの距離を小さくできるので、周辺部の幅を小さくすることが可能となり、さらなる挟額縁化を達成することが可能となる。なお、実施形態１の配向膜ストッパＷＳ１〜ＷＳ３では、接続端子部ＴＭ側の辺部にのみコンタクトホールＣＨを形成する構成としたが、短手方向側の２つの辺部のそれぞれにコンタクトホールＣＨを形成し、第１の導電体層ＳＨと第２の導電体層ＳＰとを電気的に接続する構成としてもよい。
【００３５】
以上説明したように、実施形態１の液晶表示装置では、表示領域ＡＲの外周を環状に囲むようにして、透明導電膜で形成される共通電極ＣＴと同層に形成される第２の導電体層ＳＰを配置すると共に、該第２の導電体層ＳＰが形成される絶縁膜ＰＡＳ２の下層に、第２の導電体層ＳＰよりも線幅が広い第１の導電体層ＳＨを形成すると共に、平面的に見て第１の導電体層ＳＨと第２の導電体層ＳＰとが重畳するように配置して配向膜ストッパＷＳ１〜ＷＳ３を構成している。この構成により、配向膜ストッパＷＳ１〜ＷＳ３とその下層に形成される信号線とが交差する領域においては、絶縁膜で保護される第１の導電体層ＳＨと信号線との間には大きな電界Ｅ１が生じることとなるが、基板表面から露出されることとなる第２の導電体層ＳＰと信号との間の電界Ｅ２は大幅に抑制することが可能となる。従って、高温高湿下での使用であっても第２の導電体層ＳＰと信号線との間の電界Ｅ２に伴う当該信号線の腐食を防止することができ、液晶表示装置の信頼性を向上することができる。
【００３６】
なお、実施形態１の液晶表示装置では、表示領域ＡＲを囲むようにして３本の配向膜ストッパＷＳ１〜ＷＳ３を用いて配向膜ストッパＷＳを形成する構成としたが、配向膜ストッパは３本に限定されることはなく、１本以上を形成する構成であってもよい。
【００３７】
また、実施形態１の液晶表示装置では、画素電極ＰＸよりも共通電極ＣＴが液晶層ＬＣに近い側に形成される場合について説明したが、共通電極ＣＴよりも画素電極ＰＸが液晶層ＬＣに近い側に形成される構成であってもよい。この場合には、画素電極ＰＸを構成する透明導電膜と同一の工程で、配向膜ストッパＷＳ１〜ＷＳ３を形成する導電体を形成することにより、工程を増やすことなく、実施形態１の配向膜ストッパＷＳ１〜ＷＳ３を形成することが可能となる。
【００３８】
また、実施形態１の構成は、第２基板ＳＵＢ２の液晶面側にシール材を環状に塗布した後に、このシール材の塗布領域内に液晶を滴下し、その上面側から第１基板ＳＵＢ１を貼り合わせるＯＤＦ（One Drop Fill）と称される液晶封入方式に最適な構成であるが、他の液晶封入方式にも適用可能である。
【００３９】
さらには、実施形態１の第１の導電体層ＳＨ及び第２の導電体層ＳＰに印加する電圧Ｖ１，Ｖ２は、ゲート線ＧＬと同層のクロック信号であってもよい。このようなクロック電圧を第１の導電体層ＳＨ及び第２の導電体層ＳＰに印加することにより、配向膜ストッパＷＳ１〜ＷＳ３とゲート線ＧＬとの間に生じる寄生容量に起因する配向膜ストッパＷＳ１〜ＷＳ３とゲート線ＧＬとの間の充放電電流を抑制することが可能となり、ゲート信号の遅れを防止できるという効果を得ることが可能となると共に、実施形態１の液晶表示装置における消費電力を低減できるという効果も得られる。ただし、ゲート線ＧＬの電圧をＶ１とした場合、Ｖ１≠Ｖ２かつＶ１≠Ｖ３である。また、ドレイン線ＤＬの電圧をＶ４とした場合もＶ４≠Ｖ２かつＶ４≠Ｖ３であることが好適であるが、ドレイン線ＤＬには液晶層ＬＣを駆動する映像信号が入力される構成となるので、Ｖ４≠Ｖ２かつＶ４≠Ｖ３に限定されない。
【００４０】
〈実施形態２〉
図８は本発明の実施形態２の液晶表示装置における配向膜ストッパの概略構成を説明するための平面図、図９は図８に示すＦ−Ｆ’線での断面図であり、以下、図８及び図９に基づいて、実施形態２の液晶表示装置を説明する。ただし、実施形態２の液晶表示装置は、配向膜ストッパＷＳ１〜ＷＳ３を形成する第１の導電体層ＳＨの構成を除く他の構成は実施形態１と同様の構成となる。従って、以下の説明では、配向膜ストッパＷＳ１〜ＷＳ３の構成について詳細に説明する。
【００４１】
図８に示すように、実施形態２の配向膜ストッパＷＳを形成する配向膜ストッパＷＳ１〜ＷＳ３も実施形態１と同様に、表示領域ＡＲの周辺部ＰＲに形成されている。このとき、図９に示すように、絶縁膜ＰＡＳ２の液晶面側に形成される３本の第２の導電体層ＳＰの全てが、１本の第１の導電体層ＳＨと、平面的に見て、重畳して配置される構成となっている。すなわち、実施形態２の構成では、図中に矢印Ｗで示す配向膜ストッパＳＷの領域とほぼ同等の配線幅を有する第１の導電体層ＳＨの上層に、絶縁膜ＰＡＳ２を介して３本の第２の導電体層ＳＰが形成される構成となっている。
【００４２】
このとき、実施形態１と同様に、第１の導電体層ＳＨの配線幅を超えた領域には第２の導電体層ＳＰが配置されない、すなわち平面的に見て第１の導電体層ＳＨの辺縁部から第２の導電体層ＳＰが突出しない構成となっている。特に、３本の配向膜ストッパＷＳ１〜ＷＳ３の内で、最も表示領域ＡＲに近い位置の配向膜ストッパＷＳ１を形成する第２の導電体層ＳＰの表示領域ＡＲ側の辺縁部と、第１の導電体層ＳＨの表示領域ＡＲ側の辺縁部との平面的な距離をＬ３、最も第１基板ＳＵＢ１の基板端（辺縁部）ＳＥＤに近い位置の配向膜ストッパＷＳ３を形成する第２の導電体層ＳＰの基板端ＳＥＤ側の辺縁部と、第１の導電体層ＳＨの基板端ＳＥＤとの平面的な距離をＬ４とした場合、Ｌ３＞０かつＬ４＞０を満たす構成となっている。
【００４３】
このような構成とすることにより、実施形態２の液晶表示装置においても、配向膜ストッパＷＳ１〜ＷＳ３とゲート線ＧＬとが交差する領域では、実施形態１と同様に、第１の導電体層ＳＨとゲート線ＧＬとの間の電界Ｅ１を大きくでき、第２の導電体層ＳＰとゲート線ＧＬとの間の電界Ｅ２を抑制することができる。すなわち、第２の導電体層ＳＰとゲート線との間の電界Ｅ２を、第２の導電体層ＳＰとゲート線ＧＬとの間の領域に設けた第１の導電体層ＳＨで遮蔽することが可能となるので、実施形態１と同様の効果を得ることが可能となる。さらには、配向膜ストッパＷＳ１，ＷＳ３を形成する第２の導電体層ＳＰとの間の領域では、第２の導電体層ＳＰが全面に形成される構成となっているので、第１の導電体層ＳＨとゲート線との間の電界Ｅ１の遮蔽効果を向上できるという格別の効果を得ることができる。
【００４４】
〈実施形態３〉
図１０は本発明の実施形態３の液晶表示装置における配向膜ストッパの形状を説明するための図であり、以下、図１０に基づいて、実施形態３の液晶表示装置について説明する。ただし、実施形態３の液晶表示装置は、液晶の封入方式及び配向膜ストッパＷＳの外形形状を除く他の構成は実施形態１と同様の構成である。従って、以下の説明では、配向膜ストッパＷＳの外形形状について詳細に説明する。
【００４５】
実施形態３の液晶表示装置は、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との固定（固着）は第２基板ＳＵＢ２の周辺部に沿って塗布されたシール材ＳＬによってなされると共に、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とで挟持される液晶の封止は、シール材ＳＬと該シール材ＳＬの開口部を塞ぐ封止材ＳＭとによってなされる構成となっている。
【００４６】
この構成では、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とをそれぞれ形成した後に、第２基板の周辺部に環状に塗布されたシール材ＳＬで第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とを固定する。このとき、実施形態１の液晶表示装置では、図中の上端中央部に形成されるシール材ＳＬの開口部が液晶の封入口となっており、この開口部から液晶を封入した後に、封止材ＳＭによりシール材ＳＬの開口部を塞ぐ構成となっている。
【００４７】
この実施形態３の液晶表示装置では、表示領域ＡＲの周辺部の内で、封止材ＳＭが塗布される領域ではシール材ＳＬが除去されているので、液晶がシール材ＳＬと重なる（オーバーラップ）することがない。従って、シール材ＳＬが塗布されない（除去される）領域には配向膜ストッパＷＳ１〜ＷＳ３を配置する必要がない。従って、実施形態３の構成においては、シール材ＳＬの塗布されない領域すなわち封止材ＳＭが塗布される領域では、配向膜ストッパＷＳ１〜ＷＳ３を形成しない構成となっている。また、シール部ＳＬの開口部に配向膜ストッパＷＳを形成しない構成とすることにより、液晶の封入時に配向膜ストッパＷＳにより液晶の封入が妨げられてしまうことを防止できるという効果も得られる。
【００４８】
このとき、シール材ＳＬが塗布される領域では、実施形態１と同様に、配向膜ストッパＷＳ１〜ＷＳ３が形成される構成となっており、配向膜ストッパＷＳ１〜ＷＳ３を形成する第１の導電体層ＳＨとゲート線ＧＬとの間の電界Ｅ１を大きくでき、第２の導電体層ＳＰとゲート線ＧＬとの間の電界Ｅ２を非常に小さくすることができるので、実施形態１と同様の効果を得ることが可能となる。なお、実施形態３の液晶表示装置に実施形態２の配向膜ストッパＷＳ１〜ＷＳ３を形成する構成であってもよく、この場合には実施形成２と同様の効果を得られる。
【００４９】
〈実施形態４〉
図１１は本発明の実施形態４の液晶表示装置における配向膜ストッパの外形形状を説明するための図であり、以下、図１１に基づいて、実施形態４の液晶表示装置について説明する。ただし、実施形態４の液晶表示装置は、配向膜ストッパＷＳの外形形状及びドレイン線ＤＬと駆動回路とを接続する信号線を除く他の構成は実施形態１と同様の構成である。従って、以下の説明では、配向膜ストッパＷＳの外形形状について詳細に説明する。
【００５０】
図１１から明らかなように、矩形状をなす液晶表示装置の４辺の内で、駆動回路や接続端子部ＴＭが形成される辺部であり、表示領域ＡＲの辺縁部から第２基板ＳＵＢ２の辺縁部（基板端）までの距離が長い辺部には、配向膜ストッパＷＳ１〜ＷＳ３からなる配向膜ストッパＷＳが形成されない構成となっている。すなわち、表示領域ＡＲの４辺の内で、図１１中下側の辺を除く他の３辺を囲むようにして、配向膜ストッパＷＳがＣ字状に形成される構成である。この構成は、例えば、実施形態４の液晶表示装置では、Ｙ方向（長手方向）に伸延する辺における表示領域ＡＲの辺縁部から第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の辺縁部までの間隔をＤ１、Ｘ方向（短手方向）に伸延する辺における表示領域ＡＲの辺縁部から第２基板ＳＵＢ２の辺縁部までの距離をＤ２とした場合、Ｄ２＞Ｄ１となる辺に適用可能である。
【００５１】
Ｄ２＞Ｄ１を満たす辺すなわち図中の上側辺及び左右の辺では、表示領域ＡＲの辺縁部から第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の辺縁部までの距離が小さくなるので、第２基板ＳＵＢ２の辺部に沿って環状に形成されるシール材から表示領域ＡＲの辺縁部までの距離も小さくなる。これに対して、図中の下側辺では、表示領域ＡＲの辺縁部から第２基板ＳＵＢ２の辺縁部までの距離Ｄ２が大きいので、第２基板ＳＵＢ２の辺部に沿って塗布されるシール材から表示領域ＡＲの辺縁部までの距離も大きくなる。その結果、実施形態４では、表示領域ＡＲと第２基板ＳＵＢ２の辺縁部との間の領域に配向膜ストッパＷＳ１〜ＷＳ３を設けない構成であっても、表示領域ＡＲを覆うようにして塗布した配向膜材料が第２基板ＳＵＢ２の辺縁部すなわちシール材の塗布領域にまで到達しないので、実施形態１と同様の効果を得ることが可能となる。
【００５２】
また、実施形態４の構成では、表示領域ＡＲのドレイン線ＤＬを形成する導電性薄膜を延在して信号線とし、この信号線を用いてドレイン線ＤＬと駆動回路または接続端子部ＴＭとを電気的に接続できるという格別の効果を得ることができる。
【００５３】
〈実施形態５〉
図１２は本発明の実施形態５の液晶表示装置における配向膜ストッパの外形形状を説明するための図であり、以下、図１２に基づいて、実施形態５の液晶表示装置について説明する。ただし、実施形態５の液晶表示装置は、配向膜ストッパＷＳの外形形状を除く他の構成は実施形態１と同様の構成である。従って、以下の説明では、配向膜ストッパＷＳの外形形状について詳細に説明する。
【００５４】
図１２から明らかなように、実施形態５の液晶表示装置は、矩形状をなす液晶表示装置の４辺の内で、Ｙ方向に対向する２つの辺すなわち短辺側が長辺側よりも表示領域ＡＲの辺縁部から第２基板ＳＵＢ２の辺縁部（基板端）までの距離が大きく形成されている。従って、実施形態５の液晶表示装置においては、表示領域ＡＲの辺縁部から第２基板ＳＵＢ２の辺縁部（基板端）までの距離が小さい周辺部である図中左右の周辺部のみに配向膜ストッパＷＳ１〜ＷＳ３からなる配向膜ストッパＷＳが形成される構成となっている。
【００５５】
このとき、前述する実施形態４と同様に、表示領域ＡＲの辺縁部から第２基板ＳＵＢ２の辺縁部（基板端）までの距離が大きい辺においては、表示領域ＡＲと第２基板ＳＵＢ２の辺縁部との間の領域に配向膜ストッパＷＳを設けない構成であっても、表示領域ＡＲを覆うようにして塗布した配向膜材料が第２基板ＳＵＢ２の辺縁部すなわちシール材の塗布領域にまで到達しないので、実施形態１と同様の効果を得ることが可能となる。
【００５６】
〈実施形態６〉
図１３は本発明の実施形態６の液晶表示装置の概略構成を説明するための図であり、実施形態６の液晶表示装置は薄膜トランジスタとしてアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）を用いて、第１基板ＳＵＢ１に走査信号駆動回路（ゲートドライバ）ＤＣが形成される液晶表示装置に本願発明の配向膜ストッパＷＳを適用した構成となっている。なお、アモルファスシリコンを用いたゲートドライバ等の形成方法は、周知のフォトリソグラフィー技術で形成することが可能であり、その詳細な説明は省略する。
【００５７】
図１３から明らかなように、長手方向の周辺部ＰＲにゲートドライバＤＣが形成される構成となっており、特に、各周辺部ＰＲのゲートドライバＤＣの間の領域に配向膜ストッパＳＷが形成されている。すなわち、実施形態６の液晶表示装置では、第１のゲートドライバ（第１の走査信号駆動回路）ＤＣ１と第２のゲートドライバ（第２の走査信号駆動回路）ＤＣ２とにより、１つのゲートドライバＤＣが形成され、第１のゲートドライバＤＣ１と第２のゲートドライバＤＣ２との間の領域にＹ方向（長手方向）に延在する配向膜ストッパＳＷが形成されている。このとき、後に詳述するように、配向膜ストッパＳＷを形成する第２の導電体層ＳＰの構成及びゲートドライバＤＣを除く他の構成は、実施形態１と同様の構成となっている。
【００５８】
次に、図１４に図１３に示すＧ部すなわち実施形態６の液晶表示装置の長手方向の周辺部の拡大図、図１５に図１４に示すＨ部すなわち実施形態６の配向膜ストッパの拡大図を示し、以下、図１４及び図１５に基づいて、実施形態６の配向膜ストッパＷＳの詳細構成を説明する。
【００５９】
図１４に示すように、表示領域ＡＲの周辺部ＰＲに第１のゲートドライバＤＣ１と第２のゲートドライバＤＣ２とからなるゲートドライバＤＣが形成されている。第１のゲートドライバＤＣ１と第２のゲートドライバＤＣ２との間の領域には、第１の導電体層ＳＨと第２の導電体層ＳＰからなる配向膜ストッパＳＷがＹ方向（長手方向）に伸延して配置されている。また、第１のゲートドライバＤＣ１と第２のゲートドライバＤＣ２とは、配向膜ストッパＳＷと交差する信号線ＳＩＧ１によって電気的に接続されている。このとき、表示領域ＡＲから延在されるゲート線ＧＬは、表示領域ＡＲを超えて周辺部ＰＲの側に延在され、コンタクトホールＣＨを介して第１のゲートドライバＤＣ１から延在される信号線と電気的に接続されている。また、第２のゲートドライバＤＣ２には一端が端子部ＴＭに接続され信号線ＳＩＧ２を介して制御信号が入力されており、第１のゲートドライバＤＣ１と第２のゲートドライバＤＣ２とからなるゲートドライバＤＣにより、制御信号に応じた走査信号を生成する構成となっている。特に、実施形態６の液晶表示装置では、第２のゲートドライバＤＣ２よりも第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の辺縁部ＳＥＤに近い側に信号線ＳＩＧ２が形成される構成となっている。この構成により、配向膜ストッパＳＷと交差する信号線数を低減させる構成となっている。
【００６０】
配向膜ストッパＳＷは、図１５の拡大図に示すように、Ｘ方向に伸延しＹ方向に並設される信号線ＳＩＧ１に対して、直交するように延在する構成となっている。このとき、実施形態６の配向膜ストッパＳＷは、１本の第２の導電体層ＳＰと、該第２の導電体層ＳＰと信号線ＳＩＧ１との間に薄膜層に形成される第１の導電体層ＳＨと、から構成されている。この構成により、第１のゲートドライバＤＣ１と第２のゲートドライバＤＣ２とが一体となって構成されるゲートドライバＤＣの信号線ＳＩＧ１の距離を短く形成することを可能としている。
【００６１】
このとき、第１の導電体層ＳＨの電圧をＶ２、第２の導電体層ＳＰの電圧をＶ３、図１５中に示す４本の信号線ＳＩＧ１の電圧を上側から順番にＶ１，Ｖ１ａ，Ｖ１ｂ，Ｖ１ｃとした場合、Ｖ２＝Ｖ３である。また、Ｖ１≠Ｖ２であり、Ｖ１ａ，Ｖ１ｂ，Ｖ１ｃはＶ２と同じであっても、異なっていてもよい。
【００６２】
この電圧が印加される場合、図１５のＩ−Ｉ’線での断面図である図１６に示すように、信号線ＳＩＧ１と第１の導電体層ＳＨとの間には大きな電界Ｅ１が生じることとなり、信号線ＳＩＧ１と第２の導電体層ＳＰとの間に生じる電界Ｅ２を抑制することが可能となる。その結果、配向膜ストッパＳＷが信号線ＳＩＧ１と交差する場合であっても、実施形態１と同様に、信号線ＳＩＧ１と第２の導電体層ＳＰとの間の電界Ｅ２に起因する当該信号線ＳＩＧ１の腐食を防止できる。
【００６３】
なお、実施形態６の構成では、表示領域ＡＲ及び第１のゲートドライバＤＣ１を囲むようにして環状の配向膜ストッパＳＷを形成する構成としたが、これに限定されることはなく、実施形態３〜５に示すように配向膜ストッパを形成してもよい。また、配向膜ストッパＳＷとして１本の第２の導電体層ＳＰを形成する構成としたが、２本以上の第２の導電体層ＳＰを備える構成であってもよい。
【００６４】
〈実施形態７〉
図１７は本発明の実施形態７の液晶表示装置における周辺部の拡大図、図１８は従来の液晶表示装置における周辺部の拡大図、図１９は図１８に示すＪ−Ｊ’線での断面図である。ただし、図１７及び図１８に示す走査信号駆動回路（ゲートドライバ）ＤＣは、接続端子部ＴＭからの制御信号が入力される制御信号線ＣＴＬが第１基板ＳＵＢ１の辺部側に配置され、該制御信号線ＣＴＬと表示領域ＡＲとの間の領域に当該走査信号駆動回路ＤＣが形成される。また、実施形態７の液晶表示装置では、表示領域ＡＲの周辺部ＰＲに配置される走査信号駆動回路ＤＣが形成される領域により、シール領域への配向膜形ＯＲＩの形成を防止する構成となっている。従って、走査信号駆動回路ＤＣが形成されていない辺部には、前述する実施形態に示す配向膜ストッパを形成する構成であってもよい。
【００６５】
図１７に示すように、実施形態７の液晶表示装置では、周辺部ＰＲに走査信号駆動回路ＤＣが形成される構成となっている。該走査信号駆動回路ＤＣは、図示しない接続端子部から延在される制御信号線ＣＴＬからの制御信号に基づいて、各ゲート線ＧＬの位置に対応したタイミングの走査信号を形成する構成となっている。このために、走査信号駆動回路ＤＣが形成される領域では、当該走査信号駆動回路ＤＣを構成する複数の薄膜トランジスタＴＦＴが形成される部分と、該薄膜トランジスタＴＦＴ等を電気的に接続するための配線のみが形成される部分等では、第１基板ＳＵＢ１の液晶側の面への突出量が大きく異なり、基板表面に大きな段差が形成されることとなっている。
【００６６】
一方、各ゲート線ＧＬに接続され、その形成位置に対応した走査信号を生成する回路（以下、走査信号生成回路と記す）は薄膜トランジスタＴＦＴや容量の構造や形成位置もほぼ同一の回路構成となっており、この同一構成の走査信号生成回路がゲート線ＧＬの並設方向であるＹ方向に並設され、走査信号線駆動回路ＤＣを形成している。
【００６７】
各走査信号生成回路は制御信号線ＣＴＬからの走査信号が直接入力される２以上の薄膜トランジスタＴＦＴを備えると共に、制御信号線ＣＴＬに接続される信号線を短くすることによって、寄生容量を減らして制御信号線ＣＴＬでの基準信号の信号遅れを最小とする構成としている。また、回路駆動能力が大きく専有面積の大きい薄膜トランジスタＴＦＴを制御信号線ＣＴＬの近くに形成して、信号線長さを小さくすると共に、他の比較的小さい薄膜トランジスタＴＦＴは表示領域ＡＲに近い側に形成される構成となっている。さらには、制御信号線ＣＴＬと他の信号線との交差を低減させるために、制御信号線ＣＴＬは第１基板ＳＵＢ１の辺縁部の側に配置されている。
【００６８】
また、実施形態７の走査信号駆動回路ＤＣでは、隣接する走査信号生成回路との間の領域に、表示領域ＡＲに近い側の薄膜トランジスタＴＦＴと制御信号線ＣＴＬとを接続するための信号線ＳＩＧ３を形成する構成としている。この信号線ＳＩＧ３は制御信号線ＣＴＬに近い領域においては、図１７中にＷＰで示すように、Ｙ方向に延在する信号線をＸ方向に屈曲させ延在させた後に、再びＹ方向に屈曲させてＹ方向に延在させる、クランク形状としている。
【００６９】
さらには、この信号線ＳＩＧ３が配置される領域では、クランク形状の部分よりも表示領域ＡＲに近い部分すなわち配向膜材料が塗布される側に、信号線ＳＩＧ３と交差する薄膜層ＣＶを形成する構成としている。特に、実施形態７の構成では、制御信号線ＣＴＬに近接する薄膜トランジスタＴＦＴに隣接配置される容量素子を形成するための一方の電極となる透明導電膜層を用いて薄膜層ＣＶを形成している。この構成により、隣接する薄膜トランジスタＴＦＴとの間に形成される信号線ＳＩＧ３に沿って形成され、この隣接する２つの薄膜トランジスタＴＦＴの形成される膜厚が比較的厚い領域に挟まれる凹状（溝状）の領域に、液晶面側すなわち薄膜層の厚さ方向に突出する凸状領域を形成する構成としている。
【００７０】
この場合、図１９に示すように、隣接する薄膜トランジスタＴＦＴとの間に直線状の信号線ＳＩＧ４を形成した場合には凹状の溝部が形成されるので、表示領域ＡＲを覆うように塗布された液体状の配向膜材料ＯＲＭは、図１８中に示す矢印ＳＷ４に沿って制御信号線ＣＴＬ方向に伸延してしまうこととなる。このために、シール材を塗布するための領域に配向膜が形成されてしまうこととなる。
【００７１】
これに対して、実施形態７の構成では、図１７中の矢印ＳＷ１に示すように、表示領域ＡＲに塗布された液体状の配向膜材料の一部は信号線ＳＩＧ３が形成される凹状の領域に沿って伸延することとなる。ここで、実施形態７においては、信号線ＳＩＧ３に沿って伸延した配向膜材料は薄膜層ＣＶで形成される凸状領域では、信号線ＳＩＧ３に交差するようにして透明導電膜が形成されているので、２つの薄膜トランジスタＴＦＴにより形成される凹状の溝部分の深さが透明導電膜の厚さ分だけ浅く形成されている。従って、図１７中の矢印ＳＷ２に示すように、信号線ＳＩＧ３に沿って伸延した配向膜材料は大きく減少することとなる。この後に、実施形態７の構成では、配向膜材料はクランク状に形成される領域ＷＰを通過することとなるので、矢印ＳＷ３に示すように、さらに減少することとなり、このクランク状の領域ＷＰで止まることとなる。
【００７２】
その結果、制御信号線ＣＴＬが形成される領域やシール材が塗布される領域に配向膜が形成されることが防止できるので、シール材により密着性を向上させることが可能となり、その結果、液晶表示装置の信頼性を向上させることができる。
【００７３】
なお、実施形態７の液晶表示装置では、隣接配置される薄膜トランジスタＴＦＴとの間に形成される凹部領域と信号線ＳＩＧ３とが一致する場合について説明したが、Ｙ方向に延在して形成される他の凹部領域に本願発明を適用可能である。この場合には、凹部領域と交差するようにして薄膜層を形成することにより、凹部領域に液晶面側に突出する凸状体を形成すると共に、クランク状の領域ＷＰを形成することにより、前述する効果を得ることができる。
【００７４】
以上、本発明者によってなされた発明を、前記発明の実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記発明の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能である。
【符号の説明】
【００７５】
ＳＵＢ１……第１基板、ＳＵＢ２……第２基板、ＡＲ……表示領域、ＳＬ……シール材
ＴＭ……接続端子部、ＣＬ……コモン線、ＧＬ……ゲート線、ＤＬ……ドレイン線
ＴＦＴ……薄膜トランジスタ、ＰＸ……画素電極、ＣＴ……共通電極、ＳＥＤ……基板端
ＷＳ，ＷＳ１〜ＷＳ３……配向膜ストッパ、ＳＴ……ソース電極、ＡＳ……半導体層
ＳＬＴ……スリット、ＳＨ，ＳＨ１……第１の導電体層、ＳＰ……第２の導電体層
ＰＡＳ１，ＰＡＳ２……絶縁膜、ＰＲ……周辺部、ＣＨ……コンタクトホール
ＯＲＩ……配向膜  ＳＭ……封止材、ＤＣ……走査信号駆動回路、ＣＴＬ……制御信号線
ＤＣ１……第１の走査信号駆動回路、ＤＣ２……第２の走査信号駆動回路
ＳＩＧ１，ＳＩＧ２，ＳＩＧ３，ＳＩＧ４……信号線
ＣＶ……薄膜層、ＯＲＭ……配向膜材料
【図１】
0005974415.tif 000002
【図２】
0005974415.tif 000003
【図３】
0005974415.tif 000004
【図４】
0005974415.tif 000005
【図５】
0005974415.tif 000006
【図６】
0005974415.tif 000007
【図７】
0005974415.tif 000008
【図８】
0005974415.tif 000009
【図９】
0005974415.tif 000010
【図１０】
0005974415.tif 000011
【図１１】
0005974415.tif 000012
【図１２】
0005974415.tif 000013
【図１３】
0005974415.tif 000014
【図１４】
0005974415.tif 000015
【図１５】
0005974415.tif 000016
【図１６】
0005974415.tif 000017
【図１７】
0005974415.tif 000018
【図１８】
0005974415.tif 000019
【図１９】
0005974415.tif 000020