(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属錯体が、一般式１
【化１】
0005964865.tif 000015
〔式中、
Ｍは、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、ケイ素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、スズ（Ｓｎ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、および白金（Ｐｔ）の群から選択される金属であり、
Ｒ１は、水素、または８個までのＣ原子を有する環状、線状、もしくは分岐状のアルキル基、または２０個までのＣ原子を有する置換もしくは非置換のアリール基であり、
Ｒ２およびＲ３は、互いに独立して、水素、ＣＨ３、またはＣ２Ｈ５であり、
Ｒ４は、水素、ＣＨ３、ＮＨ２、Ｎ（ＣＨ３）２、またはＮ（Ｃ２Ｈ５）２であり、
Ｘは、ヒドリドアニオン（Ｈ−）から、ハロゲン化物の群から、８個までのＣ原子を有する環状、線状、もしくは分岐状のアルキリド基の群から、１０個までのＣ原子を有する置換もしくは非置換のアリーリド基およびヘテロアリーリド基の群から、アルコキシラト配位子の群から、アルキルチオラト配位子もしくはアルキルセレナト配位子の群から、または第二級アミド配位子の群から、選択されるモノアニオン性共配位子であり、
Ｙは、オキソ基［Ｏ］２−またはイミド基［ＮＲ５］２−｛ここで、Ｒ５は、８個までのＣ原子を有する環状、分岐状、もしくは線状のアルキル基、または２０個までのＣ原子を有する置換もしくは非置換のアリール基である｝から選択されるジアニオン性共配位子であり、
Ｌは、中性二電子供与体配位子であり、
ａは、１〜４の整数であり、かつ
ｎ、ｍ、およびｐは、それぞれ互いに独立して、０、１、２、３、または４である〕
に従って構築される、少なくとも１個のＮ−アミノアミジナート配位子を有する金属錯体。
【請求項２】
Ｒ１が、ＣＨ３、Ｃ２Ｈ５、Ｃ６Ｈ５、トリル、２，６−ジイソプロピルフェニル、または２，４，６−トリメチルフェニル（メシチル）であり、
Ｒ２およびＲ３が、互いに独立して、水素、ＣＨ３、またはＣ２Ｈ５であり、
Ｒ４が、水素、ＣＨ３、ＮＨ２、Ｎ（ＣＨ３）２、またはＮ（Ｃ２Ｈ５）２であり、
Ｘが、メチリド（ＣＨ３−）、エチリド（Ｃ２Ｈ５−）、イソプロピリド（ｉｓｏ−Ｃ３Ｈ７−）、ｔｅｒｔ−ブチルド（ｔｅｒｔ−Ｃ４Ｈ９−）、フェニリドアニオン（Ｃ６Ｈ５−）、オルト−、メタ−、もしくはパラ−トリリドアニオン［Ｃ６Ｈ４（ＣＨ３）］−、チオフェン−２−イリドアニオン（Ｃ４Ｈ３Ｓ−）、メチラト（ＭｅＯ−）、エチラト（ＥｔＯ−）、ｔｅｒｔ−ブチラト（ｔｅｒｔ−ＢｕＯ−）、ＭｅＳ−、ＭｅＳｅ−、（ｔｅｒｔ−Ｂｕ）Ｓ−、（ｔｅｒｔ−Ｂｕ）Ｓｅ−、ジメチルアミド（ＮＭｅ２−）、ジエチルアミド（ＮＥｔ２−）、メチルエチルアミド（ＮＭｅＥｔ−）、またはＮ−ピロリジド［ＮＣ４Ｈ８］−であり、
Ｙが、イミド基［ＮｔＢｕ］２−である、
請求項１に記載の金属錯体。
【請求項３】
基Ｘが、ヒドリドアニオン（Ｈ−）、塩化物（Ｃｌ−）、臭化物（Ｂｒ−）、メチリド（ＣＨ３−）、エチリド（Ｃ２Ｈ５−）、ジメチルアミド（ＮＭｅ２−）、またはジエチルアミド（ＮＥｔ２−）である、請求項１または２に記載の金属錯体。
【請求項４】
ピリジン、ジオキサン、ＮＨ３、ＴＨＦ、ＣＯ、アルキルホスフィン、たとえば、ＰＭｅ３もしくはＰＣｙ３、またはアリールホスフィンたとえばＰＰｈ３が、中性二電子供与体配位子Ｌとして利用される、請求項１〜３のいずれか一項に記載の金属錯体。
【請求項５】
五員キレート環を含むことを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の金属錯体。
【請求項６】
前記配位子の少なくともの１つが、Ｎ，Ｎ’−ビス（ジメチルアミノ）アセトアミジナート（「ｂｄｍａ」）、Ｎ−モノ（ジメチルアミノ）アセトアミジナート（「ｄａｍａ」）、モノ（ジメチルアミノ）アセトアミジナート（「ｍｄｍａ」）、およびＮ，Ｎ’−ビス（ジメチルアミノ）ホルムアミジナート（「ｂｄｍｆ」）の群から選択されるＮ−アミノアミジナート配位子である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の金属錯体。
【請求項７】
前記Ｎ−アミノアミジナート配位子の少なくともの１つが、Ｎ，Ｎ’−ビス（ジメチルアミノ）アセトアミジナート（「ｂｄｍａ」）である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の金属錯体。
【請求項８】
架橋配位子官能基Ｘ、Ｙ、またはＬによる二量体構造を含むことを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一項に記載の金属錯体。
【請求項９】
金属錯体が、一般式２
【化２】
0005964865.tif 000016
〔式中、
Ｍは、元素周期表（ＰＴＥ）の第５または１１族から選択される遷移金属であり、
Ｒ１は、水素、または８個までのＣ原子を有する環状、線状、もしくは分岐状のアルキル基、または２０個までのＣ原子を有する置換もしくは非置換のアリール基であり、
Ｒ２およびＲ３は、互いに独立して、水素、ＣＨ３、またはＣ２Ｈ５であり、
Ｒ４は、水素、ＣＨ３、ＮＨ２、Ｎ（ＣＨ３）２、またはＮ（Ｃ２Ｈ５）２であり、
Ｘは、ヒドリドアニオン（Ｈ−）から、ハロゲン化物の群から、８個までのＣ原子を有する環状、線状、もしくは分岐状のアルキリド基の群から、１０個までのＣ原子を有する置換もしくは非置換のアリーリド基およびヘテロアリーリド基の群から、アルコキシラト配位子の群から、アルキルチオラト配位子もしくはアルキルセレナト配位子の群から、または第二級アミド配位子の群から、選択されるモノアニオン性共配位子であり、
Ｙは、オキソ基［Ｏ］２−またはイミド基［ＮＲ５］２−｛ここで、Ｒ５は、８個までのＣ原子を有する環状、分岐状、もしくは線状のアルキル基、または２０個までのＣ原子を有する置換もしくは非置換のアリール基である｝から選択されるジアニオン性共配位子であり、
Ｌは、中性二電子供与体配位子であり、
ａは、１〜４の整数であり、かつ
ｎ、ｍ、およびｐは、それぞれ互いに独立して、０、１、２、３、または４である〕
に従って構築される、少なくとも１個の中性Ｎ−アミノアミジン配位子を有する金属錯体。
【請求項１０】
前記中性Ｎ−アミノアミジン配位子が、Ｎ，Ｎ’−ビス（ジメチルアミノ）アセトアミジン（「Ｈ−ｂｄｍａ」）である、請求項９に記載の金属錯体。
【請求項１１】
式４
【化３】
0005964865.tif 000017
〔式中、
指数ｃのモノアニオン性Ｎ−アミノアミジナート配位子および指数ｂの中性Ｎ−アミノアミジノ配位子は、１つの錯体中でかつ１つの配位中心上で組み合され、
かつ、前記指数ｂおよびｃは、互いに独立して、１、２、または３の整数を表し、かつ残りの基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｘ、Ｙ、およびＬ、さらには指数ｎ、ｍ、およびｐは、請求項１に定義されるとおりである〕
で示されるＮ−アミノアミジナート配位子を有する金属錯体。
【請求項１２】
好適な金属出発化合物をアルカンまたはアミンの脱離により有機溶媒中で中性Ｎ−アミノアミジン配位子と反応させる、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の金属錯体の調製方法。
【請求項１３】
最初に、塩基を用いて中性Ｎ−アミノアミジン配位子を脱プロトン化し、続いて、有機溶媒中で好適な金属出発化合物を用いて塩脱離反応により調製を行い、
前記有機溶媒は、脂肪族炭化水素（たとえば、ペンタン、ヘキサン、ヘプタンなど）、芳香族溶媒（たとえば、ベンゼン、トルエンなど）、塩素化溶媒（たとえば、ジクロロメタン、クロロホルムなど）、エーテル系溶媒（たとえば、ジエチルエーテル、テトラヒドロフランなど）、またはアルコール（たとえば、メタノール、エタノール、イソプロパノールなど）から選択される、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の金属錯体の調製方法。
【請求項１４】
脂肪族炭化水素（たとえば、ペンタン、ヘキサン、ヘプタンなど）、芳香族溶媒（たとえば、ベンゼン、トルエンなど）、塩素化溶媒（たとえば、ジクロロメタン、クロロホルムなど）、エーテル系溶媒（たとえば、ジエチルエーテル、テトラヒドロフランなど）、またはアルコール（たとえば、メタノール、エタノール、イソプロパノールなど）が溶媒として使用される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
ｎＢｕリチウムまたはリチウムヘキサメチルジシラジド（ＬｉＨＭＤＳ）またはカリウムヘキサメチルジシラジド（ＫＨＭＤＳ）が有機塩基として使用される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
金属錯体が、一般式１
【化４】
0005964865.tif 000018
〔式中、
Ｍは、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、ケイ素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、スズ（Ｓｎ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、および白金（Ｐｔ）の群から選択される金属であり、
Ｒ１は、水素、または８個までのＣ原子を有する環状、線状、もしくは分岐状のアルキル基、または２０個までのＣ原子を有する置換もしくは非置換のアリール基であり、
Ｒ２およびＲ３は、互いに独立して、水素、ＣＨ３、またはＣ２Ｈ５であり、
Ｒ４は、水素、８個までのＣ原子を有する環状、線状、もしくは分岐状のアルキル基、ＮＨ２、Ｎ（ＣＨ３）２、またはＮ（Ｃ２Ｈ５）２であり、
Ｘは、ヒドリドアニオン（Ｈ−）から、ハロゲン化物の群から、８個までのＣ原子を有する環状、線状、もしくは分岐状のアルキリド基の群から、１０個までのＣ原子を有する置換もしくは非置換のアリーリド基およびヘテロアリーリド基の群から、アルコキシラト配位子の群から、アルキルチオラト配位子もしくはアルキルセレナト配位子の群から、または第二級アミド配位子の群から、選択されるモノアニオン性共配位子であり、
Ｙは、オキソ基［Ｏ］２−またはイミド基［ＮＲ５］２−｛ここで、Ｒ５は、８個までのＣ原子を有する環状、分岐状、もしくは線状のアルキル基、または２０個までのＣ原子を有する置換もしくは非置換のアリール基である｝から選択されるジアニオン性共配位子であり、
Ｌは、中性二電子供与体配位子であり、
ａは、１〜４の整数であり、かつ
ｎ、ｍ、およびｐは、それぞれ互いに独立して、０、１、２、３、または４である〕
に従って構築される、少なくとも１個のＮ−アミノアミジナート配位子を有する金属錯体。
【請求項１７】
Ｒ４がイソプロピル基である、請求項１６に記載の金属錯体。
【請求項１８】
前記Ｎ−アミノアミジナート配位子の少なくとも１つが、Ｎ−ジメチルアミノ−Ｎ’−イソプロピル−アセトアミジナート（「ｄａｐａ」）配位子である、請求項１６または１７に記載の金属錯体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特定のＮ−アミノアミジナート配位子を有する新しい金属錯体、より特定的には、Ｎ−ジメチルアミノアセトアミジナート配位子およびＮ，Ｎ’−ビス（ジメチルアミノ）アセトアミジナート配位子を有する金属錯体ならびにＮ，Ｎ’−ビス（ジメチルアミノ）ホルムアミジナート配位子を有する金属錯体に関する。本発明はさらに、これらの金属錯体の調製さらにはそれらの使用に関する。使用される金属は、元素周期表（ＰＴＥ）の第１族〜第１５族の金属、より特定的には第１３族の金属、たとえば、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、およびインジウム（Ｉｎ）であるが、そのほかに、第一遷移系列の金属、たとえば、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、およびニッケル（Ｎｉ）、さらには、貴金属、たとえば、テニウム（Ｒｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、または白金（Ｐｔ）である。
【０００２】
本発明に係る錯体は、気相堆積プロセス、たとえば、ＣＶＤ（化学気相堆積）、ＭＯ−ＣＶＤ（有機金属化学気相堆積）、およびＡＬＤ（原子層堆積）を利用して機能層を生成するための前駆体として使用される。そのほかに、本錯体は、オレフィンヒドロアミノ化およびオレフィン重合のための触媒として使用される。
【背景技術】
【０００３】
化学気相堆積（ＣＶＤ）は、気相反応（通常、基材表面上またはその近傍での）である。そのような反応では、反応ガスは、被覆される基材と同時に反応チャンバー内に通される。ガス（通常、予備加熱される）は、加熱基材により熱的に活性化されて互いに反応する。この反応過程では、所望の材料は、堆積されて化学結合（化学吸着）される。
【０００４】
操作圧力および他の操作パラメーターが異なる無数のＣＶＤ方式に加えて、多かれ少なかれ改変されたＣＶＤプロセスである特定の被覆プロセスもまた存在する。
【０００５】
プラズマ重合として知られるプロセスでは、プラズマにより励起されたガス状モノマーが基材上に高架橋層を形成する。
【０００６】
原子層堆積（ＡＬＤ）は、大幅に改変されたＣＶＤプロセスであり、この場合、表面上での反応または収着は、表面が完全に被覆された後、自動停止する。この自己制限反応を複数のサイクル（それらの間に濯ぎ工程を有する）で行うことにより、非常に良好なアスペクト比（長さ／厚さ比）および厳密な層厚さが達成される。
【０００７】
ＣＶＤ、ＭＯ−ＣＶＤ、およびＡＬＤプロセスで使用される既知の有機金属前駆体の例は、金属オルガニル化合物、たとえば、トリメチルインジウム（Ｉｎ（ＣＨ３）３）、アミド化合物Ｔｉ（ＮＭｅ２）４、またはアセチルアセトナト錯体［Ｍｅ２Ｉｎ（ＣＦ３−ＣＯ−ＣＨ−ＣＯ−ＣＦ３）］である。
【０００８】
本発明は、Ｎ，Ｎ’−ビス（ジメチルアミノ）アセトアミジナート配位子（「ｂｄｍａ」）、（ジメチルアミノ）アセトアミジナート配位子（「ｄａｍａ」）、Ｎ−ジメチルアミノ−Ｎ’−イソプロピル−アセトアミジナート配位子（「ｄａｐａ」）、さらにはＮ−モノ（ジメチルアミノ）アセトアミジナート配位子（「ｍｄｍａ」）の群からの、さらには、対応するホルムアミジナート系列のＮ，Ｎ’−ビス（ジメチルアミノ）ホルムアミジナート配位子（「ｂｄｍｆ」）、Ｎ−（ジメチルアミノ）ホルムアミジナート配位子（「ｄａｍｆ」）、さらにはＮ−モノ（ジメチルアミノ）ホルムアミジナート配位子（「ｍｄｍｆ」）からの、アミノアミジナート配位子を有する金属錯体に関する。好ましい選択肢としては、Ｎ，Ｎ’−ビス（ジメチルアミノ）アセトアミジナート配位子（「ｂｄｍａ」）を有する金属錯体が挙げられる。
【０００９】
さらに以下に明記されるように、このクラスの配位子は、２個の窒素原子の少なくとも１つがさらなるアミノ基により置換されるＲ１−Ｃ（ＮＲ’）２型のアミジナート骨格をベースとする。好ましくは、両方のＮ原子がさらなるアミノ基により置換される。このことは、配位子Ｎ，Ｎ’−ビス（ジメチルアミノ）アセトアミジナート（「ｂｄｍａ」）の場合にあてはまる。
【００１０】
配位状態または錯体状態では、配位子は二座であり、２個のＮ原子が金属に配位されてＭ−Ｎ−Ｎ−Ｃ−Ｎ−の並びの五員環が形成される。配位状態では、配位子は、一般的には一価負電荷（モノアニオン性構造）を有する。ホモレプティックおよびヘテロレプティック金属錯体を形成してもよい。
【００１１】
Ｎ−モノアミノアミジンさらにはＮ，Ｎ’−ジアミノアミジンのプロトン化配位子は、文献から公知である。たとえば、（非特許文献１）には、アンモニウム塩の存在下でのアセトイミドエチルエステルと過剰の１，１−ジメチルヒドラジン（非対称置換）との反応によるＮ，Ｎ’−ジアミノアミジンの調製が記載されている。類似のモノアミノアミジンは、アセトイミドエチルエステルと１当量の１，１−ジメチルヒドラジンとの反応により得られる。続いて、さらなる記述では、配位子の調製が検討されている。
【００１２】
Ｆ．Ａ．Ｎｅｕｇｅｂａｕｅｒ（非特許文献２）は、末端Ｎ原子上にフェニル基を有するＰｈ２Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ−ＮＰｈ２型のＮ，Ｎ’−ジアミノアミジン化合物を記載している。Ｎ−ジメチルアミノアミジンの親構造は、Ｎｅｕｎｈｏｅｆｆｅｒら（（非特許文献３）参照）により初めて調製された（ＨＣｌ塩として）。
【００１３】
本発明は、本明細書に初めて開示されるＮ−アミノアミジナート配位子を有する新しい金属錯体に関する。
【００１４】
モノアニオン性Ｎ−オルガノアミノアミジナート配位子およびその金属錯体は、文献に記載されている（（非特許文献４）参照）。この錯体は、アミジナート窒素原子とアミノ窒素原子との間に（ＣＨ２）ｎスペーサー基（ｎ＝２、３）を有するので、アミノ基は、アミジナート窒素に直接結合されていない。この金属錯体は、六員環構造を有する（この場合、アミジナート基およびと末端アミノ基は両方とも、中心原子に結合されて六員環を形成する）。この化合物は、触媒用途に使用される。
【００１５】
（特許文献１）には、第４遷移族からの金属のＮ−オルガノアミジナート錯体および重合プロセスでのその使用が記載されている。ＲＣ（ＮＲ’）２型のＮ−オルガノアミジナート配位子を有する錯体は、四員構造を有する。Ｎ−アミノ置換アミジナート錯体は、記載されていない。
【００１６】
（特許文献２）には、ＣＶＤを利用して銅薄層を生成するために使用されるＣｕ（Ｉ）の多環式Ｎ−オルガノアミジナート錯体が開示されている。Ｎ−アミノ置換アミジナート錯体は、記載されていない。
【００１７】
アミジナート配位子を有する既存の金属錯体は、アミジナート窒素原子上に２個の有機炭素基を含有する。これにより、一般的には、配位金属状態で四員歪みキレート環構造がもたらされる。典型的な一例は、ホモレプティックＣｏ（ＩＩ）アミジナート錯体［Ｃｏ（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルアセトアミジナト）２］（（非特許文献５）参照）または［（ＭｅＣ（ＮＣＨ（ＣＨ３）２）２）ＡｌＥｔ２］型および［（ＥｔＣ（ＮＣＨ（ＣＨ３）２）２）ＡｌＭｅ２］型のアルミニウムアミジナート錯体（（非特許文献６）参照）である。
【００１８】
類似の錯体は、Ｒ．Ｇ．Ｇｏｒｄｏｎらにより記載されている。たとえば、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｓｅｃ−ブチルアセトアミジナートのＣｕ（Ｉ）錯体からＣｕ窒化物が堆積され（非特許文献７）、前駆体［Ｒｕ（ＩＩ）（ＣＯ）２（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔブチルアセトアミジナート）２］を用いてＡＬＤによりルテニウム薄膜が作製される（（非特許文献８）参照）。
【００１９】
本明細書により提供される少なくとも１個のＮ−アミノアミジナート配位子を有する金属錯体は、直接Ｎ−Ｎ結合を介してアミジナート窒素原子ＮおよびＮ’に炭素基の代わりに結合された少なくとも１個のアミニル基−ＮＲ２かつ２個以下のアミニル基を有する。この特定の設計では、貯蔵可能な前駆体錯体に、かつ有利に低い分解温度でさえも前駆体の分解を開始する配位子骨格中の所定の熱破壊部位（Ｎ−Ｎ結合）に、とくに有利な五員環キレート構造をもたらす。
【００２０】
半導体部品（プロセッサー、メモリチップ、センサーチップなど）の製造では、金属層、酸化物層、および窒化物層の堆積のためにＣＶＤ、ＭＯ−ＣＶＤ、およびＡＬＤプロセスを利用するのが通常である。これらのプロセスは、現在では、半導体技術およびマイクロエレクトロニクスで大きな意義を獲得している。
【００２１】
これらのプロセスでは、多くの場合、反応性ガス（たとえば、水素、アンモニア、または１，１−ジメチルヒドラジン）の存在下で、好適な前駆体化合物の気化および分解点を超える加熱により、基材と気相との境界で基材が被覆される。これらの種類のプロセスは、たとえば、ＧａＮ、ＩｎＮ、ＴａＮ、ＴｉＮ、またはＳｉ３Ｎ４の層を形成するために使用される。金属層（たとえば、Ｐｄ、Ｒｕ、またはＣｏ）を堆積することも可能である。ＣＶＤおよびＡＬＤでの使用に適するように、適切な配位子および金属錯体は、分子状構造を有し（かつ理想的には単量体として存在することが望ましい）、低いモル質量を有し、かつ貯蔵温度を超える温度で高い揮発性および低い分解点を有していなければならない。
【００２２】
さらに、堆積プロセスの前に分解しないように、それらは、室温で熱的に安定でなければならない。それに加えて、化合物は、均一で再現性のある分解機構を有していなければならず、かつ分子のフラグメント化に好適な所定の破壊点を有していなければならない。最後に、同一のＣＶＤ条件下で規定の前駆体化合物を用いたときに、常に、一定した品質を有する同一の層を堆積することが可能でなければならない。
【００２３】
そのような前駆体化合物に好適な配位子は、金属中心の良好な立体遮蔽を提供し、電子リッチでなければならず、かつ電子的に金属中心を満たさなければならず、それにより、ルイス酸性度を低減し、かつ低揮発性の配位ポリマーへの化合物のアグリゲーションを阻害しなければならない。堆積時、さらに、金属中心の還元が必要であることも多い。本発明に係る配位子のように高割合のヒドラジン構造ユニットを特徴とする配位子は、それ自体、還元当量を有する。
【００２４】
アミジナート配位子を有する既存の金属錯体は、欠点を有する。それらは、たとえば、均一な規定の分解経路を有しおらず、金属原子は、一般的には、不完全に遮蔽され、比較的低い電子密度を有する。したがって、これらのアミジナート錯体の使用は、とくに薄膜堆積プロセスの場合、再現性、層品質、堆積速度、および歩留りに関する欠点をもたらしうる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００２５】
【特許文献１】米国特許第５，５０２，１２８号明細書
【特許文献２】国際公開第２００７／１２４７００号パンフレット
【非特許文献】
【００２６】
【非特許文献１】Ｇ．Ｓ．Ｇｏｌ’ｄｉｎ，ｅｔ  ａｌ．，Ｚｈｕｒｎａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃｈｅｓｋｏｉ  Ｋｈｉｍｉｉ，１９６９，５，１４０４−１４１０
【非特許文献２】Ｆ．Ａ．Ｎｅｕｇｅｂａｕｅｒ，Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．１９７３，８５，４８５−４９３
【非特許文献３】Ｈ．Ｎｅｕｎｈｏｅｆｆｅｒ，Ｈ．Ｈｅｎｎｉｇ，Ｃｈｅｍ．Ｂｅｒ．１９６８，１０１，３９４７−３９５１
【非特許文献４】Ｓ．Ｂａｍｂｉｒｒａ  ｅｔ  ａｌ．，Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ，２０００，１９，３１９７−３２０４
【非特許文献５】Ｇｏｒｄｏｎ  ｅｔ  ａｌ．，Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｄａｌｔｏｎ  Ｔｒａｎｓ．，２００８，２５９２−２５９７
【非特許文献６】Ａ．Ｌ．Ｂｒａｚｅａｕ  ｅｔ  ａｌ．，Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．２００６，Ｖｏｌ．４５，Ｎｏ．５，２２７６−２２８１
【非特許文献７】Ｒ．Ｇ．Ｇｏｒｄｏｎ  ｅｔ  ａｌ．，Ｃｈｅｍ．Ｖａｐ．Ｄｅｐ．，２００６，１２，４３５−４４１
【非特許文献８】Ｒ．Ｇ．Ｇｏｒｄｏｎ  ｅｔ  ａｌ．，Ｃｈｅｍ．Ｖａｐ．Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ，２００９，１５，３１２−３１９
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２７】
したがって、本発明の目的は、改良された金属アミジナート錯体を提供することである。この新しいアミジナート錯体は、薄膜堆積プロセスでの使用に適していなければならない。さらに、それはまた、触媒プロセスに役立たなければならない。
【課題を解決するための手段】
【００２８】
この目的は、本特許請求の範囲に係る新しいＮ−アミノアミジナート錯体により達成される。
【００２９】
少なくとも１個のＮ−アミノアミジナート配位子を有する本発明に係る金属錯体は、一般式１
【化１】
0005964865.tif 000002
〔式中、
Ｍは、元素周期表（ＰＴＥ）の第１〜１５族の金属であり、
Ｒ１は、水素、または８個までのＣ原子を有する環状、線状、もしくは分岐状のアルキル基、または２０個までのＣ原子を有する置換もしくは非置換のアリール基であり、
Ｒ２およびＲ３は、互いに独立して、水素、ＣＨ３、またはＣ２Ｈ５であり、
Ｒ４は、水素、または８個までのＣ原子を有する環状、線状、もしくは分岐状のアルキル基、ＮＨ２、Ｎ（ＣＨ３）２、またはＮ（Ｃ２Ｈ５）２であり、さらなる実施形態では、基Ｒ４は、水素、ＣＨ３、ＮＨ２、Ｎ（ＣＨ３）２、またはＮ（Ｃ２Ｈ５）２であり、特定の実施形態では、基Ｒ４は、イソプロピル（ＣＨ（ＣＨ３）２）であり、
Ｘは、ヒドリドアニオン（Ｈ−）から、ハロゲン化物の群から、８個までのＣ原子を有する環状、線状、もしくは分岐状のアルキリド基の群から、１０個までのＣ原子を有する置換もしくは非置換のアレーニド基およびヘテロアレーニド基の群から、アルコキシラト配位子の群から、アルキルチオラト配位子もしくはアルキルセレナト配位子の群から、または第二級アミド配位子の群から、選択されるモノアニオン性共配位子であり、
Ｙは、オキソ基［Ｏ］２−またはイミド基［ＮＲ５］２−｛ここで、Ｒ５は、８個までのＣ原子を有する環状、分岐状、もしくは線状のアルキル基、または２０個までのＣ原子を有する置換もしくは非置換のアリール基である｝から選択されるジアニオン性共配位子であり、
Ｌは、中性二電子供与体配位子であり、
ａは、１〜４の整数であり、かつ
ｎ、ｍ、およびｐは、それぞれ互いに独立して、０、１、２、３、または４である〕
を有する。
【００３０】
本発明は、より特定的には、Ｎ，Ｎ’−ビス（ジメチルアミノ）アセトアミジナート配位子（「ｂｄｍａ」）、（ジメチルアミノ）アセトアミジナート配位子（「ｄａｍａ」）、さらにはモノ（ジメチルアミノ）アセトアミジナート配位子（「ｍｄｍａ」）の群からの、さらには、対応するホルムアミジナート系列のＮ，Ｎ’−ビス（ジメチルアミノ）型アミジナート配位子（「ｂｄｍｆ」）、Ｎ−（ジメチルアミノ）ホルムアミジナート配位子（「ｄａｍｆ」）、さらにはモノ（ジメチルアミノ）ホルムアミジナート配位子（ｍｄｍｆ」）からの、少なくとも１個のＮ−アミノアミジナート配位子を有する金属錯体に関する。好ましい選択肢としては、少なくとも１個のＮ，Ｎ’−ビス（ジメチルアミノ）アセトアミジナート配位子（「ｂｄｍａ」）を有する金属錯体が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】図１は、Ｉｎ（ｂｄｍａ）Ｍｅ２の単結晶Ｘ線構造解析を示す。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
本発明に係る錯体では、金属原子は、＋１〜＋６の形式酸化状態で存在しうる。好ましい酸化状態は、＋１、＋２、および＋３である。大多数の場合、Ｎ−アミノアミジナート配位子は、負電荷を有するので、モノアニオン形である。
【００３３】
錯体で使用される中心原子Ｍは、元素周期表（ＰＴＥ）の第１〜１５族の金属である。これは、ＰＴＥのｓブロックの金属（第１および２族、すなわち、アルカリ金属およびアルカリ土類金属）、ｐブロックの金属（第１３、１４、および１５族）、およびｄブロックの金属（第３〜１２族の遷移金属）を包含する。この定義はまた、当然ながら、ＰＴＥの周期内のすべて金属を包含するので、貴金属を含む。
【００３４】
好ましい選択肢としては、元素周期表（ＰＴＥ）の第１３、１４、および１５族の金属および半金属の使用が挙げられる。とくに好ましいのは、金属のアルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、ケイ素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、スズ（Ｓｎ）、ヒ素（Ａｓ）、およびアンチモン（Ｓｂ）である。
【００３５】
ＰＴＥの第３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、および１２族の遷移金属を使用することも可能である。ここでとくに好ましいのは、金属のチタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、およびクロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、およびニッケル（Ｎｉ）、亜鉛（Ｚｎ）および銅（Ｃｕ）である。
【００３６】
「貴金属」という用語は、８種の金属、すなわち、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、および金（Ａｕ）を包含する。これらのうち、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、および白金（Ｐｔ）が好ましい。パラジウム錯体がとくに好ましい。
【００３７】
基Ｒ１は、水素、または８個までのＣ原子を有する環状、線状、もしくは分岐状のアルキル基、または２０個までのＣ原子を有する置換もしくは非置換のアリール基である。好ましいアルキル基は、ＣＨ３およびＣ２Ｈ５であり、好ましいアリール基は、フェニル（Ｃ６Ｈ５）、トリル、２，６−ジイソプロピルフェニル、および２，４，６−トリメチルフェニル（メシチル）である。
【００３８】
基Ｒ２およびＲ３は、互いに独立して、水素、ＣＨ３、またはＣ２Ｈ５であり、基Ｒ４は、水素、または８個までのＣ原子を有する環状、線状、もしくは分岐状のアルキル基、ＮＨ２、Ｎ（ＣＨ３）２、またはＮ（Ｃ２Ｈ５）２である。さらなる実施形態では、基Ｒ４は、水素、ＣＨ３、ＮＨ２、Ｎ（ＣＨ３）２、またはＮ（Ｃ２Ｈ５）２である。特定の実施形態では、基Ｒ４は、イソプロピル（ＣＨ（ＣＨ３）２）である。
【００３９】
基Ｘは、ヒドリドアニオン（Ｈ−）から、またはハロゲン化物（Ｆ−、Ｃｌ−、Ｂｒ−、もしくはＩ−）の群から、または８個までのＣ原子を有する環状、線状、もしくは分岐状のアルカニド基（すなわちカルバニオン基）（たとえば、メチリド（ＣＨ３−）、エチリド（Ｃ２Ｈ５−）、イソプロピリド（ｉｓｏ−Ｃ３Ｈ７−）、またはｔｅｒｔ−ブチルド（ｔｅｒｔ−Ｃ４Ｈ９−））の群から、または１０個までのＣ原子を有する置換もしくは非置換のアリーリド基およびヘテロアリーリド基（たとえば、フェニリドアニオン（Ｃ６Ｈ５−）、もしくはオルト−、メタ−、パラ−トリリドアニオン［Ｃ６Ｈ４（ＣＨ３）］−、チオフェン−２−イリドアニオン（Ｃ４Ｈ３Ｓ−））の群から、またはアニオン性アルコキシレート配位子（たとえば、メチラート（ＭｅＯ−）、エチラート（ＥｔＯ−）、ｔｅｒｔ−ブチラート（ｔｅｒｔ−ＢｕＯ−））の群から、またはアニオン性アルキルチオラート配位子およびアルキルセレナート配位子（たとえば、ＭｅＳ−、ＭｅＳｅ−、（ｔｅｒｔ−Ｂｕ）Ｓ−、もしくは（ｔｅｒｔ−Ｂｕ）Ｓｅ−）の群から、またはアニオン性第二級アミド配位子（たとえば、ジメチルアミド（ＮＭｅ２−）、ジエチルアミド（ＮＥｔ２−）、メチルエチルアミド（ＮＭｅＥｔ−）、もしくはＮ−ピロリジド［ＮＣ４Ｈ８］−）の群から、選択されるモノアニオン性共配位子である。
【００４０】
基Ｘは、好ましくは、ヒドリドアニオン（Ｈ−）、塩化物（Ｃｌ−）、臭化物（Ｂｒ−）、メチリド（ＣＨ３−）、エチリド（Ｃ２Ｈ５−）、ジメチルアミド（ＮＭｅ２−）、およびジエチルアミド（ＮＥｔ２−）である。
【００４１】
基Ｙは、ジアニオン性共配位子、たとえば、オキソ基［Ｏ］２−またはイミド基［ＮＲ５］２−｛ここで、Ｒ５は、８個までのＣ原子を有する環状、分岐状、もしくは線状のアルキル基、または２０個までのＣ原子を有する置換もしくは非置換のアリール基である｝である。好ましい選択肢としては、イミド基［ＮｔＢｕ］２−が挙げられる。
【００４２】
基Ｌは、中性二電子供与体配位子である。中性二電子供与体配位子（Ｌ）は、すべての中性電子対供与体分子であり、例としては、ピリジン、ジオキサン、ＮＨ３、ＴＨＦ、ＣＯ、さらにはアルキルホスフィン（たとえばＰＭｅ３もしくはＰＣｙ３）またはアリールホスフィンたとえばＰＰｈ３が挙げられる。好ましい選択肢としては、配位子のピリジン、ＣＯ、およびＮＨ３が挙げられる。
【００４３】
本発明のさらなる実施形態では、本発明に係る式１で示される錯体は、配位子架橋二量体の形態で存在しうる。この場合の架橋は、基Ｘを介しうる（すなわち、たとえば、ハロゲン架橋および／または水素架橋を介しうる）。一般的には、金属原子の配位飽和は、この手段により達成される。このクラスの錯体の一例は、ヒドリド水素架橋が存在する二量体Ａｌ錯体［Ａｌ（ｂｄｍａ）Ｈ（μ−Ｈ）］２である。この金属錯体は、架橋配位子官能基Ｘ、Ｙ、またはＬによる二量体構造を有することを特徴とする。
【００４４】
本発明のさらなる実施形態では、Ｎ−アミノアセトアミジンまたはＮ−アミノホルムアミジンはまた、プロトン化中性形で金属原子に配位されうる。この場合、金属ルイス酸は、中性キレート配位子と直接反応する。この錯体は、以下の一般式２を有する。
【化２】
0005964865.tif 000003
【００４５】
式２中、水素原子は移動可能である。したがって、プロトン化（中性）Ｎ−アミノアミジン配位子のそのような錯体では、２種の互変異性体ＡおよびＢの形成が可能であり、平衡時、ＡまたはＢのいずれかがより高い割合を有しうる。
【００４６】
さらに、式２中、
Ｍは、元素周期表（ＰＴＥ）の第１〜１５族の金属であり、
Ｒ１は、水素、または８個までのＣ原子を有する環状、線状、もしくは分岐状のアルキル基、または２０個までのＣ原子を有する置換もしくは非置換のアリール基であり、
Ｒ２およびＲ３は、互いに独立して、水素、ＣＨ３、またはＣ２Ｈ５であり、
Ｒ４は、水素、ＣＨ３、ＮＨ２、Ｎ（ＣＨ３）２、またはＮ（Ｃ２Ｈ５）２であり、
Ｘは、ヒドリドアニオン（Ｈ−）から、ハロゲン化物の群から、８個までのＣ原子を有する環状、線状、もしくは分岐状のアルキリド基の群から、１０個までのＣ原子を有する置換もしくは非置換のアリーリド基およびヘテロアリーリド基の群から、アルコキシラト配位子の群から、アルキルチオラト配位子もしくはアルキルセレナト配位子の群から、または第二級アミド配位子の群から、選択されるモノアニオン性共配位子であり、
Ｙは、オキソ基［Ｏ］２−またはイミド基［ＮＲ５］２−｛ここで、Ｒ５は、８個までのＣ原子を有する環状、分岐状、もしくは線状のアルキル基、または２０個までのＣ原子を有する置換もしくは非置換のアリール基である｝から選択されるジアニオン性共配位子であり、
Ｌは、中性二電子供与体配位子であり、
ａは、１〜４の整数であり、かつ
ｎ、ｍ、およびｐは、それぞれ互いに独立して、０、１、２、３、または４である。
【００４７】
本発明のとくに好ましい一実施形態では、Ｎ，Ｎ’−ビス（ジメチルアミノ）アセトアミジン（「Ｈ−ｂｄｍａ」）が中性配位子として金属に結合される（式３）。
【化３】
0005964865.tif 000004
【００４８】
本発明に係る錯体のこの実施形態は、より特定的には、ＰＴＥの第５および１１族の金属で観測される。式３で示される錯体の例は、化合物Ｔａ（ＮｔＢｕ）Ｃｌ３（Ｈｂｄｍａ）（実施例１２参照）、Ｎｂ（ＮｔＢｕ）Ｃｌ３（Ｈｂｄｍａ）、および［ＣｕＣｌ（Ｈｂｄｍａ）］である。
【００４９】
本発明に係る錯体のさらなる実施形態では、指数ｃにより表されるモノアニオン性Ｎ−アミノアミジナート配位子および指数ｂにより表される中性Ｎ−アミノアミジン配位子が、１つの錯体中にかつ１つの配位中心上に同時に結合される（式４）。
【化４】
0005964865.tif 000005
【００５０】
式４中の指数ｂおよびｃは、互いに独立して、整数１、２、または３である。残りの基Ｘ、Ｙ、およびＬ、さらには指数ｎ、ｍ、およびｐは、式１のときと同様に定義される。
【００５１】
本発明のこの実施形態では、たとえば、モノアニオン性ｂｄｍａ配位子さらには中性配位子Ｎ，Ｎ’−ビス（ジメチルアミノ）アセトアミジン（「Ｈ−ｂｄｍａ」）は、同一の金属原子に配位されうる。これらの配位子の組合せを特徴とする金属錯体は、立体遮蔽に関して特定の利点を有する。
【００５２】
驚くべきことに、アミジナート配位子の２個のＮ原子上への少なくとも１個のさらなるアミノ基の導入は、この配位子を含む金属錯体の有利な性質をもたらすことが判明した。本発明に係るＮ−アミノアミジナート錯体では、五員環キレート構造は、より良好な立体遮蔽を提供し、環歪みの問題を生じにくく、ひいてはこの前駆体（基底状態の）の貯蔵形態を安定化させる。この特徴は、より容易な破壊、すなわち、熱励起状態でのＮ−Ｎ結合の解離と有利に組み合わされる。
【００５３】
特定的には、文献から公知である従来のＮ−オルガノアミジナート配位子の窒素原子上のアルキル基を少なくとも１個のＮ−アミノ置換基（−ＮＲ２Ｒ３）により置き換えると、配位子の電子密度が増大されることが判明した。同時に、ヒドラジン単位が導入されるので、分子の還元的開裂に有利な影響を及ぼす還元当量が存在する。さらに、配位子中の弱いＮ−Ｎ単結合により、所定の破壊点が導入された。配位子が金属原子に配位された場合、キレート環のＮ−Ｎ結合の容易な熱解離により、全金属錯体のより迅速なフラグメント化が起こりうる。これらの事実は、文献の詳細事項により支持される。Ｋ．Ｂ．Ｗｉｂｅｒｇ（Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．１９９２，９６，５８００−５８０３）によれば、ヒドラジン（Ｈ２Ｎ−ＮＨ２）中のＮ−Ｎ結合の解離エネルギーは、６３．９ｋｃａｌ／ｍｏｌであるが、メチルアミン（Ｈ２Ｎ−ＣＨ３）中のＮ−Ｃ結合の解離エネルギーは、約８２．９ｋｃａｌ／ｍｏｌであり、言い換えれば、約３０％高い。高いＮ−Ｃ結合に起因して文献から公知であるＮ−オルガノアミジナート錯体には存在しない新しいかつ容易なフラグメント化経路が開かれる。本発明に係る錯体中の容易なＮ−Ｎ結合開裂を介する分解経路の指標は、ｍ／ｚ＝４４（Ｎ（ＣＨ３）２＋に対応する）を有する窒素ラジカルカチオンが見いだされる質量スペクトルにより提供される。この新しい破壊経路の結果として、従来のＮ−オルガノアミジナート錯体を使用した場合に見られる堆積された金属層および／またはＭｘＮｙ型セラミックス層への炭素の望ましくない混入は、少なくなる。本発明に係る金属錯体を気相薄膜エピタキシーに利用した場合、多くの場合、ＣＶＤ堆積プロセスで追加の還元反応性ガス、たとえば、水素、アンモニア、およびヒドラジンを用いることなく、機能しうる。この結果として、再現性のある品質で堆積可能な高純度の層が得られる。
【００５４】
まず最初に以下で扱わかれているのは、アミジナート配位子の一般的な調製である。以下に記載されているのは、５つの最も重要な型の配位子であり、それぞれの場合に示される形態は、本発明に係る金属錯体で頻繁に結合される配位子のモノアニオン形である。
ａ）Ｎ，Ｎ’−ビス（ジメチルアミノ）アセトアミジナート（「ｂｄｍａ」、式５）
【化５】
0005964865.tif 000006
ｂ）モノ（ジメチルアミノ）アセトアミジナート（「ｍｄｍａ」、式６）
【化６】
0005964865.tif 000007
ｃ）Ｎ−ジメチルアミノ−Ｎ’−メチルアセトアミジナート（「ｄａｍａ」、式７）
【化７】
0005964865.tif 000008
ｄ）Ｎ，Ｎ’−ビス（ジメチルアミノ）ホルムアミジナート（「ｂｄｍｆ」、式８）
【化８】
0005964865.tif 000009
ｅ）Ｎ−ジメチルアミノ−Ｎ’−イソ−プロピルアセトアミジナート（「ｄａｐａ」、式９）
【化９】
0005964865.tif 000010
【００５５】
それぞれの中性配位子は、二価Ｎ原子の遊離電子対上に追加のプロトンを有する。
【００５６】
非荷電配位子分子「Ｈ−ｂｄｍａ」が属する化合物クラスはまた、文献ではヒドラジジンまたはジヒドロホルマザンとしても参照される。本明細書で選択された名称Ｎ，Ｎ’−ビス（ジメチルアミノ）アセトアミジンは、アミジンとの類似性を示すことが意図されている。この中性配位子は、本明細書では「Ｈ−ｂｄｍａ」という名称により略記される。それに対応して、モノアニオン性配位子は、Ｎ，Ｎ’−ビス（ジメチルアミノ）アセトアミジナートとして存在し、「ｂｄｍａ」という略号を用いて表される。
【００５７】
ビス（ジメチルアミノ）アセトアミジナート配位子は、Ｇｏｌ’ｄｉｎ（Ｇ．Ｓ．Ｇｏｌ’ｄｉｎ，ｅｔ  ａｌ．，Ｚｈｕｒｎａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃｈｅｓｋｏｉ  Ｋｈｉｍｉｉ，１９６９，５，１４０４−１４１０９）の文献に記載の方法に変更を加えて調製される。Ｇｏｌ’ｄｉｎの合成は、原理的には、三工程手順であり、この手順では、エタノールとアセトニトリルとの反応によりアセトイミドエチルエステル塩酸塩を与え、アセトイミドエチルエステル塩酸塩の脱プロトン化を行って遊離塩基アセトイミドエチルエステルを与え、続いて、遊離塩基アセトイミドエチルエステルを１，１−ジオルガノヒドラジンと反応させて所望のヒドラジジンを与える。
【００５８】
本明細書に記載のプロセスによるＨ−ｂｄｍａの調製では、Ｇｏｌ’ｄｉｎの合成に変更を加えて、アセトイミドエチルエステルの得られたＨＣｌ塩を脱プロトン化せずに単離し、その代わりに、２当量の１，１−ジアルキルヒドラジンと直接反応させて（たとえばトリエチルアミンなど塩基の存在下で）、二段階手順とする。
【化１０】
0005964865.tif 000011
【００５９】
本明細書に記載のプロセスは、乾燥したガス状塩化水素の存在下でエタノールをアセトニトリルと反応させてアセトイミドエチルエステル塩酸塩を与える工程（ａ）と、トリエチルアミン中でアセトイミドエチルエステル塩酸塩を１，１−ジアルキルヒドラジンと反応させる工程（ｂ）と、で構成される。
【００６０】
使用溶媒は、たとえばトリエチルアミンなどのアミンであり、反応は、６０〜１００℃の範囲内の温度で行われる。反応終了後、成分は、分別蒸留により分離される。改変されたプロセスは、広い適用可能性を有し、他の置換基を有するアミジナートを調製することも可能である。その場合、たとえば、１，１−ジメチルヒドラジンまたは１，１−ジエチルヒドラジンが使用される。
【００６１】
中性配位子モノ（ジメチルアミノ）アセトアミジン（「Ｈ−ｍｄｍａ」）は、Ｇｏｌ’ｄｉｎにより与えられた説明とほぼ類似した方法で調製される。ジクロロメタンなどの塩素化溶媒中で、アセトイミドエチルエステル塩酸塩と１当量の１，１−ジメチルヒドラジンおよびトリエチルアミンとの反応が行われる。
【００６２】
中性配位子Ｎ−ジメチルアミノ−Ｎ’−メチルアセトアミジン（「Ｈ−ｄａｍａ」）は、Ｒ．Ｆ．Ｓｍｉｔｈ  ｅｔ  ａｌ．，Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｈｅｔｅｒｏｃｙｃｌｉｃ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  １９８１，１８，３１９−３２５の文献に記載の説明に従って調製される。この調製は、ジメチルスルフェートによるＮ−メチルアセトアミドのｉｎ  ｓｉｔｕ  Ｏ−アルキル化、それに続く１当量の１，１−ジメチルヒドラジンとの反応に基づく。
【化１１】
0005964865.tif 000012
【００６３】
本発明に係るアミジナート錯体は、種々の合成経路により調製可能である。中性配位子は、空気下で調製可能であるが、金属錯体は、不活性ガス（アルゴン、窒素）下で調製しなければならない。
【００６４】
本発明に係るホルムアミジナート配位子Ｎ，Ｎ’−ビス（ジメチルアミノ）ホルムアミジン「Ｈ−ｂｄｍｆ」は、Ｃｈ．Ｇｒｕｎｄｍａｎｎ，Ａ．Ｋｒｅｕｔｚｂｅｒｇｅｒ，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１９５７，７９（１１），２８３９−２８４３の文献に記載の説明に従って、１，３，５−トリアジンと１，１−ジメチルヒドラジンとの反応により調製される。
【００６５】
最も重要な合成経路は、アルカンまたはアミンの脱離を含む（錯体（ｂｄｍａ）ＡｌＭｅ２の調製を参照されたい、実施例２および反応式３を参照されたい）。
【化１２】
0005964865.tif 000013
【００６６】
さらなる調製経路は、中性配位子の事前の脱プロトン化の後の塩脱離を含む。この場合、まず最初に、配位子のＬｉ塩またはＫ塩を生成し（ｎＢｕＬｉ、リチウムヘキサメチルジシラジドＬｉＨＭＤＳ、またはカリウムヘキサメチルジシラジドＫＨＭＤＳを用いて）、続いて、不活性ガス下で金属化合物と反応させる（実施例４および反応式４の錯体（ｂｄｍａ）ＧａＣｌ２の調製を参照されたい）。
【化１３】
0005964865.tif 000014
【００６７】
本発明に係るアミジナート錯体は、一般的には、金属出発化合物の導入およびアミジン／アミジナート配位子の添加を行って「ワンポット反応」で調製される。出発化合物の型に依存して、反応は、−７８℃（ドライアイスによる冷却）から１００℃までの非常に広い温度範囲で行いうる。反応時間は、典型的には、３０分間〜４８時間の範囲内であるが、いくつかの場合には、７２時間まで延長可能である。使用溶媒は、脂肪族溶媒（たとえば、ペンタン、ヘキサン、ヘプタンなど）、芳香族溶媒（ベンゼン、トルエン）、塩素化溶媒（ジクロロメタン、クロロホルム）、エーテル系溶媒（ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン）、またはアルコール（メタノール、エタノール、イソプロパノール）を含む。本発明に係る金属錯体は、結晶化、昇華、濃縮、および／または沈殿により単離可能である。この場合、利用される分離技術は、当業者に公知の技術（たとえば、濾過、遠心分離など）である。さらに詳しい内容は、以下の実施例から得られうる。
【実施例】
【００６８】
実験の節／実施例
略号
ｎＢｕ：  ｎ−ブチル、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３
ｔＢｕ：  ｔｅｒｔ−ブチル、−Ｃ（ＣＨ３）３
ｉＰｒ：  ｉｓｏ−プロピル、−ＣＨ（ＣＨ３）２
Ｅｔ：  エチル、−ＣＨ２ＣＨ３
Ｍｅ：  メチル、−ＣＨ３
Ｈｂｄｍａ：  Ｎ，Ｎ’−ビス（ジメチルアミノ）アセトアミジン
Ｈｄａｍａ：  Ｎ−ジメチルアミノ−Ｎ’−メチルアセトアミジン
Ｈｄａｐａ：  Ｎ−ジメチルアミノ−Ｎ’−イソプロピルアセトアミジンＨｂｄｍｆ  Ｎ，Ｎ’−ビス（ジメチルアミノ）ホルムアミジン
Ｈｍｄｍａ：  Ｎ−モノジメチルアミノアセトアミジン
ＨＭＤＳ：  ヘキサメチルジシラジド、Ｎ（ＳｉＭｅ３）２−
ＭＨｚ：  メガヘルツ、１０６ｓ−１
ｐｐｍ：  百万分率、ＮＭＲ分光法での化学シフトの単位
ＴＨＦ：  テトラヒドロフラン
ＴＭＳ：  トリメチルシリル、−ＳｉＭｅ３
ＴＭＳＣｌ：  トリメチルシリルクロリド
ＮＭＲスペクトルの多重度に関して、略号は、次のとおりである。
ｓ：  一重線
ｂｓ：  幅広い一重線
ｄ：  二重線
ｔ：  三重線
ｍ：  多重線
ＩＲスペクトルの強度は、次のように略記される。
ｗ：  弱い
ｍ：  中程度に強い
ｓ：  強い
ｖｓ：  非常に強い
【００６９】
総論
中性配位子の合成は、不活性ガスの操作を必要とせず、そのうえさらに、化学品は、予備乾燥や精製を行うことなく使用される。しかしながら、ヒドラジン誘導体には毒性の可能性があるため、いかなる接触も回避しなければならない。
【００７０】
配位子のリチウム塩およびカリウム塩の調製さらには本発明に係る金属錯体の合成は、酸素および湿気を排除して行わなければならず、さらに、自然発火性物質を使用するため、乾燥した無水溶媒を使用しなければならない。溶媒は、好適な乾燥剤を用いて乾燥され、窒素雰囲気下で貯蔵される。
【００７１】
使用される化学品は、次のとおり市販されている。ｔブチルアミン（Ｍｅｒｃｋ−Ｓｃｈｕｃｈａｒｄｔ）、ヘキサン溶液中のｎブチルリチウム（ＣｈｅＭｅｔａｌｌ）、ジメチルアミン（Ｍｅｒｃｋ−Ｓｃｈｕｃｈａｒｄｔ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルヒドラジン（Ａｌｄｒｉｃｈ）、ジメチルスルフェート（Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ）、塩化鉄（ＩＩ）（Ａｌｄｒｉｃｈ）、三塩化ガリウム（Ｓｔｒｅｍ）、四塩化ハフニウム（Ａｌｄｒｉｃｈ）、ヘキサメチルジシラザン（Ｆｌｕｋａ）、水素化アルミニウムリチウム（Ａｌｄｒｉｃｈ）、水素化リチウム（Ａｌｄｒｉｃｈ）、リチウムジメチルアミド、ＬｉＮ（ＣＨ３）２（Ａｌｄｒｉｃｈ）、硫酸マグネシウム（無水、Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ）、Ｎ−メチルアセトアミド（Ｆｌｕｋａ）、水酸化ナトリウム（Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ）、二塩化パラジウム（ＡＢＣＲ）、ピリジン（Ｇｒｕｅｓｓｉｎｇ）、五塩化タンタル（Ｈ．Ｃ．Ｓｔａｒｃｋ）、チタンテトラキスジメチルアミド（ＣｈｅｍＰｕｒ）、トリエチルアミン（Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ）、トリメチルシリルクロリド（Ａｃｒｏｓ）、塩化バナジウム（ＩＩＩ）（Ｍｅｒｃｋ）。
【００７２】
以下の出発化合物は、合成されるか、または次の指定の文献に記載の説明に従って取得可能である：
リチウムヘキサメチルジシラジド、ＬｉＮ（Ｓｉ（ＣＨ３）３）２：  Ｕ．Ｗａｎｎａｇａｔ，Ｈ．Ｎｉｅｄｅｒｐｒｕｍ，Ｃｈｅｍ．Ｂｅｒ．１９６１，９４，１５４０−１５４７。
カリウムヘキサメチルジシラジド、ＫＮ（Ｓｉ（ＣＨ３）３）２：  Ｃ．Ｓｒｅｅｋｕｍａｒ，Ｋ．Ｐ．Ｄａｒｓｔ，Ｗ．Ｃ．Ｓｔｉｌｌ，Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．１９８０，４５，４２６０−４２６２。
パラジウムジクロリドビスアセトニトリル、［ＰｄＣｌ２（ＣＨ３ＣＮ）２］：  Ｍ．Ａ．Ａｎｄｒｅｓ，Ｔ．Ｃ．Ｔ．Ｃｈａｎｇ，Ｃ．Ｗ．Ｆ．Ｃｈｅｎｇ，Ｌ．Ｖ．Ｋａｐｕｓｔａｙ，Ｋ．Ｐ．Ｋｅｌｌｙ，Ｍ．Ｊ．Ｚｗｅｉｆｅｌ，Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ  １９８４，３，１４７９−１４８４。
タンタルｔｅｒｔ−ブチルイミドトリクロロビスピリジン、［Ｔａ（ＮｔＢｕ）Ｃｌ３ｐｙ２］：  Ｊ．Ｓｕｎｄｅｒｍｅｙｅｒ，Ｊ．Ｐｕｔｔｅｒｌｉｋ，Ｍ．Ｆｏｔｈ，Ｊ．Ｓ．Ｆｉｅｌｄ，Ｎ．Ｒａｍｅｓａｒ，Ｃｈｅｍ．Ｂｅｒ．１９９４，１２７，１２０１−１２１２。
トリメチルアンモニウムクロリド、Ｍｅ３Ｎ−ＨＣｌ：  Ｗ．Ｈ．Ｈｕｎｔｅｒ，Ｇ．Ｄ．Ｂｙｒｋｉｔ，Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  ｔｈｅ  Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ  １９３２，５４，１９４８−１９５７。
トリメチルガリウム、Ｇａ（ＣＨ３）３：  Ｖ．Ｉ．Ｂｒｅｇａｄｚｅ，Ｌ．Ｍ．Ｇｏｌｕｂｉｎｓｋａｙａ，Ｂ．Ｉ．Ｋｏｚｙｒｋｉｎ，Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｃｌｕｓｔｅｒ  Ｓｃｉｅｎｃｅ  ２００２，１３，６３１−６３６。
トリメチルインジウム、Ｉｎ（ＣＨ３）３：  Ｖ．Ｉ．Ｂｒｅｇａｄｚｅ，Ｌ．Ｍ．Ｇｏｌｕｂｉｎｓｋａｙａ，Ｂ．Ｉ．Ｋｏｚｙｒｋｉｎ，Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｃｌｕｓｔｅｒ  Ｓｃｉｅｎｃｅ  ２００２，１３，６３１−６３６。
バナジウムトリクロリドトリステトラヒドロフラン、［ＶＣｌ３（ＴＨＦ）３］：  Ａ．Ｇａｎｓａｅｕｅｒ，Ｂ．Ｒｉｎｋｅｒ，Ｐｏｌｙｈｅｄｒｏｎ  ２００２，７０１７−７０２６。
【００７３】
ＮＭＲスペクトルについては、Ｂｒｕｋｅｒ製のＡＶＡＮＣＥ３００Ａ型、ＡＶＡＮＣＥ３００Ｂ型、およびＤＲＸ５００型の装置を使用し、質量分析試験は、Ｆｉｎｎｉｇａｎ製のＭＡＴ９５型の装置を用いて行い、元素分析は、ＣＨＮ迅速型のＨｅｒａｅｕｓ製の装置を用いて行った。ＩＲスペクトルは、Ｂｒｕｋｅｒ装置（ＡＬＰＨＡ型装置）を用いて記録した。
【００７４】
中性配位子の調製
ａ）Ｈｂｄｍａ：  １５０ｍｌのトリエチルアミン中に５１ｇ（６５．４ｍｌ、０．８５ｍｏｌ、２．３３当量）のＮ，Ｎ−ジメチルヒドラジンを導入し、激しく攪拌しながら室温で少しずつ４５ｇ（０．３６ｍｏｌ、１．００当量）のアセトイミドエチルエステル塩酸塩と混合すると、その後、ガスの発生が観測される。２時間の撹拌後、無色懸濁液を９０℃に加熱して、この温度で４時間撹拌する。ブフナー漏斗で濾過した後、揮発性成分を大気圧下で留去する。残存する油を大気圧未満の圧力（８８℃／８８ｍｂａｒ）下で蒸留する。生成物は、無色液体として得られる。収量：３９．４ｇ（０．２７ｍｏｌ、７５％）。
１Ｈ  ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６、３００．１ＭＨｚ、３００Ｋ）：δ（ｐｐｍ単位）＝２．０４（ｓ，６Ｈ，ＮＭｅ２）、２．０５（ｓ，３Ｈ，ＭｅＣ）、２．４６（ｓ，６Ｈ，ＮＭｅ２）、６．５４（ｂｓ，１Ｈ，ＮＨ）。
ＨＲ−ＥＩ−ＭＳ：Ｃ６Ｈ１６Ｎ４の計算値：１４４．１３７５ｍ／ｚ、実測値：１４４．１３７１ｍ／ｚ。
ＩＲ：約３２５０（ｖｗ）、２９７８（ｗ）、２９４６（ｗ）、２８５３（ｗ）、２８１７（ｗ）、２７７１（ｗ）、１６２５（ｖｓ）、１３９８（ｍ）、１１５９（ｍ）、１０１６（ｍ）、９６２（ｍ）、９０８（ｍ）。
【００７５】
ｂ）Ｈｍｄｍａ：  ７．５０ｇ（６０．６９ｍｍｏｌ、１．００当量）のアセトイミドエチルエステル塩酸塩を１５０ｍｌのジクロロメタン中に溶解させ、０℃で４．００ｇ（６６．５６ｍｍｏｌ、１．１０当量）のＮ，Ｎ−ジメチルヒドラジンと６．７６ｇ（６６．５６ｍｍｏｌ、１．１０当量）のトリエチルアミンとの混合物と滴下混合する。撹拌しながら反応混合物を徐々に室温に一晩加温し、次いで、揮発性成分を大気圧下で留去する。残存する帯黄色固体を５０ｍｌのジクロロメタンとＨ２Ｏ中の４．００ｇのＮａＯＨの５０ｍｌの溶液との二相混合物に導入し、混合物を激しく２時間撹拌する。有機相を分離除去し、水相を１０ｍｌのジクロロメタンで３回抽出する。合わせた有機相をＭｇＳＯ４で脱水し、次いで、ロータリーエバポレーターを用いて溶媒を除去する。残存する固体を熱ヘキサンから再結晶し、高真空下、室温で乾燥させた後、生成物は、繊維状結晶形態で得られる。収量：４．２３ｇ（４１．８８ｍｍｏｌ、６９％）。融点：７３℃（文献値：６８〜７３℃）。
【００７６】
ｃ）Ｈｄａｍａ：  ８．８０ｇ（１２０．４０ｍｍｏｌ、１．００当量）のＮ−メチルアセトアミドを１５．１８ｇ（１２０．４０ｍｍｏｌ、１．００当量）のジメチルスルフェートと混合し、混合物を６０℃で２時間加熱する。室温に冷却した後、反応混合物を２０ｍｌのジエチルエーテルで３回洗浄し、高真空を適用することによりエーテルの残留物を短時間で除去する。残存する油を５０ｍｌのメタノール中に溶解させ、０℃で７．９６ｇ（１３２．４４ｍｍｏｌ、１．１０当量）のＮ，Ｎ−ジメチルヒドラジンと１３．３８ｇ（１３２．４４ｍｍｏｌ、１．１０当量）のトリエチルアミンとの混合物と混合する。撹拌しながら反応混合物を徐々に室温に一晩加温し、その後、溶液を５０ｍｌのジクロロメタンと５０ｍｌの水中の６ｇのＮａＯＨの５０ｍｌの溶液との二相混合物に導入する。相の分離後、水相を２５ｍｌのジクロロメタンで４回抽出する。ＭｇＳＯ４による脱水、大気圧下での蒸留、およびそれに続く６５℃／５０ｍｂａｒでの蒸留により、無色液体として９．００ｇ（７８．２６ｍｍｏｌ、６５％）の生成物を与える。
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、３００．１ＭＨｚ、３００Ｋ）：δ（ｐｐｍ単位）＝１．７９（ｓ，３Ｈ，ＭｅＣ）、２．２４（ｓ，６Ｈ，ＮＭｅ２）、２．７６（ｓ，３Ｈ，ＮＭｅ）、５．８９（ｓ，１Ｈ，ＮＨ）。
１３Ｃ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、７５．５ＭＨｚ、３００Ｋ）：δ（ｐｐｍ単位）＝１７．０（ＭｅＣ）、２９．２（ＮＭｅ）、４６．５（ＮＭｅ２）、１５９．２（ＭｅＣ）。
【００７７】
ｄ）Ｈｄａｐａ：  １０．３９ｇ（１０２．７０ｍｍｏｌ、１．００当量）のＮ−ｉｓｏ−プロピルアセトアミドを９．８ｍＬ（１０３．３０ｍｍｏｌ、１．００当量）のジメチルスルフェートと混合し、混合物を６０℃で２３時間加熱する。室温に冷却した後、反応混合物を１０ｍｌのジエチルエーテルで２回洗浄し、高真空を適用することによりエーテルの残留物を短時間で除去する。残存する油を１００ｍＬのｉｓｏ−プロパノール中に溶解させ、室温で２５ｍＬのｉｓｏ−プロパノール中の９．０ｍＬ（１１６．８０ｍｍｏｌ、１．１４当量）のＮ，Ｎ−ジメチルヒドラジンと１６．０ｍＬ（１１５．４０ｍｍｏｌ、１．１３当量）のトリエチルアミンとの溶液と混合する。反応混合物を６０時間攪拌し、その後、溶媒を減圧下で除去する。残存する黄色油を５０ｍＬのジクロロメタン中に溶解させ、１５ｍＬの水中の８．４０ｇ（１５０ｍｍｏｌ、１．５０当量）の水酸化カリウムの溶液を徐々に添加する。相の分離後、水相を１５ｍＬのジクロロメタンで２回抽出する。ＭｇＳＯ４による脱水、大気圧下での蒸留、およびそれに続く５２℃／５ｍｂａｒでの蒸留により、無色液体として７．１３ｇ（４９．９０ｍｍｏｌ、４８％）の生成物を与える。
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、３００．１ＭＨｚ、３００Ｋ）：δ（ｐｐｍ単位）＝１．１４（ｄ，３ＪＨＨ＝６．４Ｈｚ，６Ｈ，ＣＨＭｅ２）、１．８８（ｓ，３Ｈ，ＭｅＣ）、２．３１（ｓ，６Ｈ，ＮＭｅ２）、３．５７（ｓｅｐｔ，３ＪＨＨ＝６．４Ｈｚ，１Ｈ，ＣＨＭｅ２）、５．９１（ｂｓ，１Ｈ，ＮＨ）。
１３Ｃ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、７５．５ＭＨｚ、３００Ｋ）：δ（ｐｐｍ単位）＝１７．４（ＭｅＣ）、２４．４（ＣＨＭｅ２）、４３．９（ＮＣＨＭｅ２）、４６．５（ＮＭｅ２）、１５７．８  （ＣＭｅ）。
【００７８】
本発明に係る金属錯体の調製
以下の実施例では、実施例１〜１６は、配位子ｂｄｍａおよびＨ−ｂｄｍａを有する錯体を記載し、実施例１７および１８は、配位子ｍｄｍａを有する錯体を記載し、そして実施例１９は、配位子ｄａｍａを有する錯体を記載する。実施例２０は、配位子ｂｄｍｆを有する錯体を報告し、そして実施例２１は、ｄａｐａ配位子を有するＧａ錯体を記載する。
【００７９】
実施例１
［Ｌｉ−ｂｄｍａ］の調製
５．００ｇ（２９．８８ｍｍｏｌ、１．００当量）のＬｉＨＭＤＳを４０ｍｌのヘキサン中に溶解させる。それに室温で５．１７ｇ（３５．８５ｍｍｏｌ、１．２０当量）のＨｂｄｍａを添加すると、溶液がわずかに加温され、相分離（液／液）が観測される。反応混合物を一晩撹拌すると、その間に無色固体が生成する。上澄み溶液をデカントし、固体を２０ｍｌのヘキサンで２回洗浄する。高真空下での乾燥により、４．２２ｇ（２８．０９ｍｍｏｌ、９４％）の無色固体を与える。収量：２．５７ｇ（１７．１ｍｍｏｌ、９４％）。
１Ｈ  ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６、３００．１ＭＨｚ、３００Ｋ）：δ（ｐｐｍ単位）＝２．２４（ｓ，３Ｈ，ＣＣＨ３）、２．４７（ｓ，１２Ｈ，Ｎ（ＣＨ３）２）、２．５３（ｓ，１２Ｈ，Ｎ（ＣＨ３）２）。
１３Ｃ  ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６、７５．５ＭＨｚ、３００Ｋ）：δ（ｐｐｍ単位）＝１７．３（ＭｅＣ）、４８．２（ＮＭｅ２）、５０．３（ＮＭｅ２）、１７０．１（ＭｅＣ）。
元素分析：Ｃ６Ｈ１５ＬｉＮ４：
計算値：Ｃ：４７．９９％、Ｈ：１０．０７％、Ｎ：３７．３１％。
実測値：Ｃ：４７．４６％、Ｈ：９．６８％、Ｎ：３６．３５％。
ＩＲ：２９６９（ｗ）、２９３４（ｗ）、２８４０（ｗ）、２８０３（ｗ）、２７５８（ｗ）、１５２１（ｖｓ）、１４３０（ｍ）、１３９５（ｍ）、１１７１（ｍ）、１０５８（ｍ）、１００８（ｍ）、９５４（ｓ）、６５８（ｓ）、５６１（ｓ）、４２３（ｍ）。
【００８０】
実施例２
［Ｋ−ｂｄｍａ］の調製
５．００ｇ（２５．０６ｍｍｏｌ、１．００当量）のＫＨＭＤＳを５０ｍｌのトルエン中に溶解させ、溶液を室温で４．０１ｇ（２７．８０ｍｍｏｌ、１．１１当量）のＨｂｄｍａと滴下混合する。添加時、無色固体が沈殿し始める。室温で一晩撹拌した後、それをＧ４フリットで濾別する。ヘキサンによる数回の洗浄および高真空下での乾燥により、４．１６ｇ（２２．８０ｍｍｏｌ、９１％）の無色固体を与える。
元素分析：Ｃ６Ｈ１５ＫＮ４：
計算値：Ｃ：３９．５３％、Ｈ：８．２９％、Ｎ：３０．７３％。
実測値：Ｃ：３９．２５％、Ｈ：８．２５％、Ｎ：３０．２２％。
ＩＲ：２９６２（ｗ）、２９２４（ｗ）、２８２９（ｗ）、２７９２（ｍ）、２７４８（ｍ）、１５１１（ｖｓ）、１４２６（ｍ）、１３７１（ｍ）、１１５９（ｍ）、９４７（ｓ）、６３１（ｍ）、４５５（ｍ）。
【００８１】
実施例３
［Ｇａ（ｂｄｍａ）Ｈ２］の調製
１．９５ｇ（２４５．２８ｍｍｏｌ、１３．１０当量）のＬｉＨを３０ｍｌのＥｔ２Ｏ中に懸濁させ、灰色懸濁液を−７８℃に冷却する。この懸濁液を１５ｍｌのＥｔ２Ｏ中の２．７０ｇ（１５．３３ｍｍｏｌ、０．８２当量）のＧａＣｌ３の−７８℃に冷却された溶液と滴下混合し、得られた懸濁液を撹拌しながら氷浴中で徐々に室温に一晩加温する。続いて、懸濁液をＧ４フリット（Ｃｅｌｉｔｅなし）に通してフラスコ中に濾過し、これをあらかじめ−７８℃に冷却し、そして１０ｍｌのＥｔ２Ｏ中の０．８３ｇ（４．７１ｍｍｏｌ、０．２５当量）のＧａＣｌ３の−７８℃に冷却された溶液と−７８℃で滴下混合する。懸濁液を約−２５℃に徐々に加温し、次いで、Ｇ４フリット（Ｃｅｌｉｔｅなし）に通してあらかじめ−７８℃に冷却された滴下漏斗中に濾過し、そして透明溶液を２０ｍｌのＥｔ２Ｏ中の２．７０ｇ（１８．７０ｍｍｏｌ、１．００当量）のＨｂｄｍａの−７８℃に冷却された溶液に−７８℃で滴下する。生成する懸濁液を撹拌しながら徐々に室温に一晩加温すると、この間、形成された無色固体がガス（Ｈ２）の発生を伴って徐々に溶解する。得られた無色溶液をＣｅｌｉｔｅで濾過し、溶媒を高真空下、０℃で除去する。残存する無色液体を０．５ｍｂａｒおよび５０℃で蒸留して、低粘正液体として２．１０ｇ（９．８１ｍｍｏｌ、５２％）の生成物を与える。
１Ｈ  ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６、３００．１ＭＨｚ、３００Ｋ）：δ（ｐｐｍ単位）＝２．００（ｓ，３Ｈ，ＭｅＣ）、２．３０（ｓ，１２Ｈ，ＮＭｅ２）、５．３０（ｂｓ，２Ｈ，ＧａＨ２）。
１３Ｃ  ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６、７５．５ＭＨｚ、３００Ｋ）：δ（ｐｐｍ単位）＝１５．６（ＭｅＣ）、４９．７（ＮＭｅＭｅ）、５１．０（ＮＭｅＭｅ）、１６７．２（ＭｅＣ）。
ＨＲ−ＥＩ−ＭＳ：Ｃ６Ｈ１７ＧａＮ４の計算値：２１４．０７０９ｍ／ｚ、実測値：２１４．０７１５ｍ／ｚ。
ＩＲ：２９７８（ｍ）、２９４４（ｍ）、２８５０（ｍ）、２８１１（ｍ）、２７６７（ｍ）、１８６６（ｓ）、１５５０（ｖｓ）、１４０５（ｖｓ）、９５７（ｓ）、７４４（ｖｓ）、６５１（ｖｓ）。
【００８２】
炭素の割合が低いため、この前駆体をＣＶＤプロセスでＧａＮ層の堆積に使用した場合、Ｃ不純物（たとえば炭化物の形態の）の混入を最小限に抑えることが可能である。
【００８３】
実施例４
［Ａｌ（ｂｄｍａ）Ｍｅ２］の調製
トルエン中の１ｍｌのＡｌＭｅ３溶液（１．４３ｍｏｌ／ｌ、１．４３ｍｍｏｌ、１．００当量）を３０ｍｌのヘキサン中に導入し、溶液を−７８℃に冷却し、そして２２２ｍｇ（１．５４ｍｍｏｌ、１．０８当量）のＨｂｄｍａと徐々に混合する。添加後、冷却浴を除去して、反応混合物を室温で１２時間撹拌する。溶媒の除去および高真空下での残存する固体の昇華により、２４６ｍｇ（１．２３ｍｍｏｌ、８６％）の無色固体を与える。融点：４１℃。
１Ｈ  ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６、３００．１ＭＨｚ、３００Ｋ）：δ（ｐｐｍ単位）−０．４１（ｓ，６Ｈ，ＡｌＭｅ２）、２．０１（ｓ，３Ｈ，ＭｅＣ）、２．１７（ｓ，６Ｈ，ＮＭｅ２）、２．３６（ｓ，６Ｈ，ＮＭｅ２）。
１３Ｃ  ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６、７５．５ＭＨｚ、３００Ｋ）：δ（ｐｐｍ単位）＝−８．７（ＡｌＭｅ２）、１５．９（ＭｅＣ）、４８．１（ＮＭｅ２）、４９．５（ＮＭｅ２）、１６８．７（ＭｅＣ）。
ＨＲ−ＥＩ−ＭＳ：Ｃ８Ｈ２１Ｎ４Ａｌの計算値：２００．１５８２ｍ／ｚ、実測値：２００．１５８７のｍ／ｚ。
元素分析：Ｃ８Ｈ２１ＡｌＮ４：
計算値：Ｃ：４７．９８％、Ｈ：１０．５７％、Ｎ：２７．９８％。
実測値：Ｃ：４７．６９％、Ｈ：１０．５７％、Ｎ：２７．６８％。
ＩＲ：２９８０（ｗ）、２９４４（ｗ）、２８８５（ｗ）、２８５０（ｗ）、２８１４（ｗ）、２７７２（ｗ）、１５４９（ｍ）、１４０３（ｍ）、１１９０（ｍ）、９５２（ｍ）、６６３（ｓ）、６３０（ｍ）、５９２（ｍ）、５５７（ｍ）。
【００８４】
実施例５
［Ｇａ（ｂｄｍａ）（ＮＭｅ２）２］の調製
２０ｍｌのＥｔ２Ｏ中の１．１５ｇ（２２．５５ｍｍｏｌ、３．００当量）のＬｉＮＭｅ２の懸濁液を１０ｍｌのＥｔ２Ｏ中の１．３２ｇ（７．５０ｍｍｏｌ、１．００当量）のＧａＣｌ３の溶液と−７８℃で混合する。添加の終了後、冷却浴を除去して、無色懸濁液を室温で３０分間攪拌する。次いで、１０ｍｌのＥｔ２Ｏ中の１．０８ｇ（７．５０ｍｍｏｌ、１．００当量）のＨｂｄｍａの溶液を室温で添加する。懸濁液を室温で一晩攪拌し、次いで、遠心分離する。高真空下で透明遠心分離生成物から溶媒を除去し、１ｍｂａｒ／１１０℃で再濃縮する。これにより、１．２２ｇ（４．０５ｍｍｏｌ、ＧａＣｌ３基準で５４％）の低融点の無色固体を与える。
１Ｈ  ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６、３００．１ＭＨｚ、３００Ｋ）：δ（ｐｐｍ単位）＝２．０７（ｓ，３Ｈ，ＭｅＣ）、２．２７（ｓ，６Ｈ，ＮＮＭｅ２）、２．３５（ｓ，６Ｈ，ＮＮＭｅ２）、２．８１（ｓ，１２Ｈ，Ｇａ（ＮＭｅ２）２）。
１３Ｃ  ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６、７５．５ＭＨｚ、３００Ｋ）：δ（ｐｐｍ単位）＝１７．０（ＭｅＣ）、４３．２（Ｇａ（ＮＭｅ２）２）、４８．５（ＮＮＭｅ２）、４８．９（ＮＮＭｅ２）、１６８．３（ＭｅＣ）。
ＨＲ−ＥＩ−ＭＳ：Ｃ１０Ｈ２７ＧａＮ６の計算値：３００．１５５３ｍ／ｚ、実測値：３００．１５４５ｍ／ｚ。
ＩＲ：２９４４（ｗ）、２８５３（ｗ）、２８１０（ｍ）、２７６２（ｓ）、１５５２（ｓ）、１３９９（ｓ）、１１７８（ｓ）、９６５（ｖｓ）、９５２（ｖｓ）、６３１（ｓ）、５４５（ｓ）。
【００８５】
実施例６
［Ｇａ（ｂｄｍａ）Ｃｌ２］の調製
２０５ｍｇ（１．１６ｍｍｏｌ、１．００当量）のＧａＣｌ３をシュレンクフラスコ中に秤取し、次いで、約１０ｍｌのＥｔ２Ｏを−１９６℃で凝縮導入する。混合物を室温に加温した後、Ｅｔ２Ｏ中の１７４ｍｇ（１．１６ｍｍｏｌ、１．００当量）のＬｉｂｄｍａの懸濁液を徐々に添加する。続いて、無色懸濁液を一晩撹拌し、溶媒を高真空下で除去し、そして残存する固体から昇華により生成物を取得する。これにより３０９ｍｇ（１．０９ｍｍｏｌ、９４％）の無色固体を生じる。
【００８６】
実施例７
［Ｉｎ（ｂｄｍａ）Ｍｅ２］の調製
２００ｍｇ（１．２５ｍｍｏｌ、１．００当量）のＩｎＭｅ３を室温で１０ｍｌのトルエン中に溶解させ、そして溶液を１８０ｍｇ（１．２５ｍｍｏｌ、１．００当量）のＨｂｄｍａと室温で混合する。初期のガスの発生および室温での溶液の一晩の撹拌の後、溶媒を高真空下で除去する。残存する固体を高真空下で昇華させて、２９２ｍｇ（１．０１ｍｍｏｌ、８１％）の無色固体を生成する。融点：４７℃。
１Ｈ  ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６、３００．１ＭＨｚ、３００Ｋ）：δ（ｐｐｍ単位）＝−０．０２（ｓ，６Ｈ，ＩｎＭｅ２）、２．１４（ｓ，３Ｈ，ＭｅＣ）、２．２０（ｂｓ，１２Ｈ、ＮＭｅ２）。
１３Ｃ  ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６、７５．５ＭＨｚ、３００Ｋ）：δ（ｐｐｍ単位）＝−６．４（ＩｎＭｅ２）、１７．４（ＭｅＣ）、４９．４（ＮＭｅ２）、５０．８（ＮＭｅ２）、１６７．８（ＭｅＣ）。
ＨＲ−ＥＩ−ＭＳ：Ｃ８Ｈ２１Ｎ４Ｉｎの計算値：２８８．０８０５ｍ／ｚ、実測値：２８８．０８１１ｍ／ｚ。
元素分析：Ｃ８Ｈ２１ＩｎＮ４：
計算値：Ｃ：３３．３５％、Ｈ：７．３５％、Ｎ：１９．４５％。
実測値：Ｃ：３３．２０％、Ｈ：７．２４％、Ｎ：１９．４７％。
ＩＲ：２９７９（ｗ）、２９３９（ｍ）、２８８０（ｗ）、２８４１（ｗ）、２８０２（ｗ）、２７５５（ｍ）、１５３７（ｓ）、１３９２（ｓ）、９４９（ｓ）、５０７  （ｖｓ）。
【００８７】
この錯体は、きわめて揮発性であり、０．１ｍｂａｒおよび８０℃で分解せずに昇華する。図１は、この化合物のＸ線構造解析を示している。
【００８８】
実施例８
［Ｔｉ（ｂｄｍａ）（ＮＭｅ２）３］の調製
２２１ｍｇ（０．９８ｍｍｏｌ、１．００当量）のＴｉ（ＮＭｅ２）４を５ｍｌのトルエン中に溶解させ、この溶液を２８４ｍｇ（１．９７ｍｍｏｌ、２．００当量）のＨｂｄｍａと０℃で混合する。続いて、透明黄色溶液を６０℃で一晩撹拌し、そして室温に冷却して高真空下で溶媒を除去した後、２９４ｍｇ（０．９１ｍｍｏｌ、９３％）の鮮黄色油を得る。
１Ｈ  ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６、３００．１ＭＨｚ、３００Ｋ）：δ（ｐｐｍ単位）＝２．２５（ｓ，３Ｈ，ＭｅＣ）、２．７４（ｂｓ，１２Ｈ，Ｎ−ＮＭｅ２）、３．１２（ｓ，１８Ｈ，Ｔｉ−ＮＭｅ２）。
１３Ｃ  ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６、７５．５ＭＨｚ、３００Ｋ）：δ（ｐｐｍ単位）＝１５．０（ＭｅＣ）、４６．０（Ｔｉ−ＮＭｅ２）、４７．３（ｂｓ，Ｎ−ＮＭｅ２）。
１Ｈ  ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ５ＣＤ３、５００，１ＭＨｚ、２３２Ｋ）：δ（ｐｐｍ単位）＝２．３８（ｓ，３Ｈ，ＭｅＣ）、２．５７（ｓ，６Ｈ，Ｎ−ＮＭｅ２）、２．９７（ｓ，６Ｈ，Ｎ−ＮＭｅ２）、３．１２（ｓ，１８Ｈ，Ｔｉ−ＮＭｅ２）。
１３Ｃ  ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ５ＣＤ３、１２５．８ＭＨｚ、２３２Ｋ）：δ（ｐｐｍ単位）＝１５．１（ＭｅＣ）、４５．４（Ｎ−ＮＭｅ２）、４６．０（Ｔｉ−ＮＭｅ２）、４８．７（Ｎ−ＮＭｅ２）、１６３．１（ＭｅＣ）。
ＨＲ−ＥＩ−ＭＳ：Ｃ１２Ｈ３３Ｎ７Ｔｉの計算値：３２３．２２７８ｍ／ｚ、実測値：３２３．２２７２ｍ／ｚ。
ＩＲ：２９６５（ｗ）、２９３９（ｗ）、２８３９（ｍ）、２８０７（ｍ）、２７６１（ｍ）、１５８０（ｍ）、１３５９（ｍ）、１３１６（ｓ）、１２４２（ｍ）、１０５２（ｍ）、９４４（ｖｓ）、５８３（ｓ）、５５９（ｓ）、４４８（ｍ）。
【００８９】
実施例９
［Ｈｆ（ｂｄｍａ）２Ｃｌ２］の調製
２６１ｍｇ（０．８１ｍｍｏｌ、１．００当量）のＨｆＣｌ４および２４５ｍｇ（１．６３ｍｍｏｌ、２．００当量）のＬｉｂｄｍａを一緒にシュレンクフラスコ中に導入し、３０ｍｌのＴＨＦと室温で混合する。得られた懸濁液を沸騰温度で４時間加熱し、そして室温に冷却した後、溶媒を高真空下で除去する。残存する固体を３０ｍｌのジクロロメタンと混合して一晩撹拌する。次いで、無色懸濁液を３０ｍｌのヘキサンと混合し、そしてＧ４フリットに通して濾過する。高真空下での固体の乾燥により、３０１ｍｇ（０．５６ｍｍｏｌ、６９％）の無色固体を与える。
１Ｈ  ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６、３００．１ＭＨｚ、３００Ｋ）：δ（ｐｐｍ単位）＝１．６７（ｓ，６Ｈ，ＭｅＣ）、２．１２（ｓ，６Ｈ，ＮＭｅＭｅ））、２．５１（ｓ，６Ｈ，ＮＭｅＭｅ）、２．８７（ｓ，６Ｈ，ＮＭｅＭｅ）、３．１９（ｓ，６Ｈ，ＮＭｅＭｅ）。
１３Ｃ  ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６、７５．５ＭＨｚ、３００Ｋ）：δ（ｐｐｍ単位）＝１６．０（ＭｅＣ）、４４．４（ＮＭｅＭｅ）、４５．７（ＮＭｅＭｅ）、５１．７（ＮＭｅＭｅ）、５２．０（ＮＭｅＭｅ）、１６３．９（ＭｅＣ）。
ＨＲ−ＥＩ−ＭＳ：Ｃ１２Ｈ３０Ｃｌ２ＨｆＮ８の計算値：５３６．１４３６ｍ／ｚ、実測値：５３６．１４４２ｍ／ｚ。
ＩＲ：２９５７（ｗ）、２９１２（ｍ）、２８６７（ｗ）、１５７４（ｓ）、１３８０（ｓ）、１３４２（ｖｓ）、９３９（ｖｓ）、８５４（ｓ）、８２３（ｓ）、６１８（ｓ）、５０４（ｓ）、４４１（ｓ）、４０８（ｓ）。
【００９０】
実施例１０
［Ｔａ（ｂｄｍａ）Ｃｌ４］の調製
２．２７ｇ（３．１７ｍｍｏｌ、１．００当量）の［ＴａＣｌ５］２を５０ｍｌのトルエン中に懸濁させ、加熱しながら溶解させ、そして溶液を撹拌しながら徐々に室温に冷却する。個別のシュレンクフラスコ中で、１．０５ｇ（７．０１ｍｍｏｌ、１．１０当量）のＬｉｂｄｍａを５ｍｌのトルエン中にスラリー化し、２ｍｌ（１．７０ｇ、１５．６５ｍｍｏｌ、２．５０当量）のＴＭＳＣｌと混合する。得られた懸濁液を沸騰加熱温度で短時間加熱し（約５分間）、冷却し、そしてＴａＣｌ５懸濁液に滴下し、これを０℃で冷却し、生成するブラッドオレンジ色懸濁液を７０℃に加熱する。１２時間後、懸濁液をＣｅｌｉｔｅに通して濾過すると、生成物は結晶化し始める。オレンジ色溶液をその体積の半分に濃縮して−２３℃で冷却した後、１．８４ｇ（３．９５ｍｍｏｌ、６２％）の黄色固体を得る。
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、３００．１ＭＨｚ、３００Ｋ）：δ（ｐｐｍ単位）＝２．３３（ｓ，３Ｈ，ＭｅＣ）、３．２５（ｓ，６Ｈ，ＮＭｅ２）、３．５０（ｓ，６Ｈ，ＮＭｅ２）。
１３Ｃ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、７５．５ＭＨｚ、３００Ｋ）：δ（ｐｐｍ単位）＝１３．６（ＭｅＣ）、４８．９（ＮＭｅ２）、５４．２（ＮＭｅ２）、１６０．１（ＭｅＣ）。
１Ｈ  ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６、３００．１ＭＨｚ、３００Ｋ）：δ（ｐｐｍ単位）＝１．２５（ｓ，３Ｈ，ＭｅＣ）、２．６２（ｓ，６Ｈ，ＮＭｅ２）、３．０２（ｓ，６Ｈ，ＮＭｅ２）。
１３Ｃ  ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６、７５．５ＭＨｚ、３００Ｋ）：δ（ｐｐｍ単位）＝１２．７（ＭｅＣ）、４７．９（ＮＭｅ２）、５３．９（ＮＭｅ２）、１６０．１（ＭｅＣ）。
ＨＲ−ＥＩ−ＭＳ：Ｃ６Ｈ１５Ｃｌ４Ｎ４Ｔａの計算値：４６３．９５３１ｍ／ｚ、実測値：４６３．９５２３ｍ／ｚ。
元素分析：Ｃ６Ｈ１５Ｃｌ４Ｎ４Ｔａ：
計算値：Ｃ：１５．４７％、Ｈ：３．２４％、Ｎ：１２．０２％。
実測値：Ｃ：１５．３８％、Ｈ：３．１６％、Ｎ：１２．３８％。
ＩＲ：２９３６（ｗ）、１６０７（ｍ）、１４５３（ｍ）、１３７９（ｖｓ）、１３４１（ｖｓ）、９５３（ｓ）、８５１（ｓ）、６０６（ｓ）、５２０（ｍ）、４４４（ｍ）。
【００９１】
実施例１１
［Ｓｉ（ｂｄｍａ）Ｃｌ３］の調製
７５２ｍｇ（４．４３ｍｍｏｌ、１．００当量）のＳｉＣｌ４を２０ｍｌのジクロロメタン中に導入し、４６０ｍｇ（４．５４ｍｍｏｌ、１．０２当量）のトリエチルアミンと６５０ｍｇ（４．５１ｍｍｏｌ、１．０２当量）のＨｂｄｍａとの混合物と室温で混合する。透明溶液を室温で３時間攪拌し、次いで、２０ｍｌのヘキサンと混合する。得られた懸濁液をＣｅｌｉｔｅに通して濾過し、続いて、透明溶液の溶媒を高真空下で除去する。残存する固体を２０ｍｌの熱ヘキサン（約４０℃）中に溶解させ、再びＣｅｌｉｔｅに通して濾過する。高真空下での溶媒の除去により、３５０ｍｇ（１．２７ｍｍｏｌ、２８％）の無色固体を生成する。
１Ｈ  ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６、３００．１ＭＨｚ、３００Ｋ）：δ（ｐｐｍ単位）＝１．５８（ｓ，３Ｈ，ＭｅＣ）、２．５４（ｓ，１２Ｈ，ＮＭｅ２）。
１３Ｃ  ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６、７５．５ＭＨｚ、３００Ｋ）：δ（ｐｐｍ単位）＝８．９（ＭｅＣ）、４６．４（ＮＭｅ２）、１７５．６（ＭｅＣ）。
ＨＲ−ＥＩ−ＭＳ：Ｃ６Ｈ１５Ｃｌ３Ｎ４Ｓｉの計算値：２７６．０１３２ｍ／ｚ、実測値：２７６．０１２８ｍ／ｚ。
元素分析：Ｃ６Ｈ１５Ｃｌ３Ｎ４Ｓｉ：
計算値：Ｃ：２５．９５％、Ｈ：５．４５％、Ｎ：２０．１８％。
実測値：Ｃ：２６．０２％、Ｈ：５．６２％、Ｎ：２０．８７％。
ＩＲ：２９８９（ｗ）、２９５７（ｗ）、２８６９（ｗ）、２８３５（ｗ）、２７８９（ｗ）、１６０７（ｍ）、１４４２（ｍ）、１３８８（ｍ）、１０２３（ｍ）、９６５（ｍ）、９２８（ｍ）、８７８（ｍ）、８４５（ｍ）、６０９（ｓ）、５６８（ｓ）、５３６（ｖｓ）、４４６（ｓ）、４１９  （ｖｓ）。
【００９２】
この化合物は、０．１ｍｂａｒおよび８０℃で分解せずに昇華する無色のきわめて揮発性の固体である。それは、ＣＶＤプロセスを利用して窒化ケイ素層を生成するための前駆体として使用可能である。
【００９３】
実施例１２
［Ｔａ（ＮｔＢｕ）Ｃｌ３（Ｈ−ｂｄｍａ）］の調製
８７３ｍｇ（１．６７ｍｍｏｌ、１．００当量）の［Ｔａ（ＮｔＢｕ）Ｃｌ３ｐｙ２］を５０ｍｌのトルエン中に懸濁させる。黄色懸濁液を４８３ｍｇ（３．３５ｍｍｏｌ、２．００当量）のＨｂｄｍａと室温で混合する。短時間後、淡黄色透明溶液が形成される。一晩撹拌した後、溶媒を高真空下で除去する。淡黄色残渣を２５ｍｌのジクロロメタン中に溶解させ、シリンジフィルターを用いて無色溶液を清澄化させる。約１０ｍｌの体積に濃縮した後、溶液を撹拌しながら５０ｍｌのペンタンと混合し、そして沈殿する無色固体を遠心分離により取り出して高真空下で乾燥させる。これにより、７１３ｍｇ（１．４２ｍｍｏｌ、８５％）の無色微結晶性固体が得られる。
１Ｈ  ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６、３００．１ＭＨｚ、３００Ｋ）：δ（ｐｐｍ単位）＝１．４５（ｓ，３Ｈ，ＭｅＣ）、１．６２（ｓ，９Ｈ，ＮｔＢｕ）、２．６７（ｓ，６Ｈ，ＮＭｅ２）、２．９６（ｓ，６Ｈ，ＮＭｅ２）、５．８４（ｓ，１Ｈ，ＮＨ）。
１３Ｃ  ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６、７５．５ＭＨｚ、３００Ｋ）：δ（ｐｐｍ単位で）＝１５．６（ＭｅＣ）、３２．４（ＮＣＭｅ３）、４６．８（ＮＭｅ２）、５２．６（ＮＭｅ２）、６６．７（ＮＣＭｅ３）、１６７．７（ＭｅＣ）。
ＨＲ−ＥＩ−ＭＳ：Ｃ１０Ｈ２４Ｃｌ２Ｎ５Ｔａの計算値：４６５．０８８９ｍ／ｚ、実測値：４６５．０８８５ｍ／ｚ。
元素分析：Ｃ１０Ｈ２６Ｃｌ３Ｎ５Ｔａ：
計算値：Ｃ：２３．８９％、Ｈ：５．０１％、Ｎ：１３．９３％。
実測値：Ｃ：２３．６３％、Ｈ：５．３６％、Ｎ：１３．７６％。
ＩＲ：３２４１（ｍ）、３０９３（ｗ）、２９７３（ｗ）、２９２０（ｗ）、２８８５（ｗ）、１５７５（ｓ）、１４４２（ｍ）、１２６３（ｖｓ）、８７４（ｓ）、５５２（ｍ）、４９８（ｍ）。
【００９４】
実施例１３
［Ｖ（ｂｄｍａ）３］の調製
３５９ｍｇ（０．９６ｍｍｏｌ、１．００当量）の［ＶＣｌ３（ＴＨＦ）３］を５ｍｌのＴＨＦ中に懸濁させ、菫色懸濁液を５ｍｌのＴＨＦ中の５２５ｍｇ（２．８８ｍｍｏｌ、３．００当量）のＫｂｄｍａの溶液と滴下混合する。室温で１２時間撹拌した後、沈殿したＫＣｌを遠心分離により除去し、上澄み菫色溶液をデカントして分離し、そして溶媒を高真空下で除去する。残存する固体を４０ｍｌのヘキサンと混合し、そして得られた懸濁液をＣｅｌｉｔｅに通して濾過する。溶媒体積を約１０ｍｌに濃縮して−２３℃で一晩貯蔵することにより、３５４ｍｇ（２．２２ｍｍｏｌ、７７％）の濃菫色結晶性固体を与える。
ＨＲ−ＥＩ−ＭＳ：Ｃ１８Ｈ４５Ｎ１２Ｖの計算値：４８０．３３３０ｍ／ｚ、実測値：４８０．３３３６  ｍ／ｚ
元素分析：Ｃ１８Ｈ４５Ｎ１２Ｖ：
計算値：Ｃ：４４．９９％、Ｈ：９．４４％、Ｎ：３４．９８％。
実測値：Ｃ：４４．５６％、Ｈ：９．３２％、Ｎ：３４．５７％。
ＩＲ：２９７３（ｗ）、２９４０（ｍ）、２８５２（ｍ）、２８１６（ｍ）、２７７７（ｗ）、１５７６（ｍ）、１３６８（ｖｓ）、１３１４（ｖｓ）、１０１６（ｍ）、９４２（ｓ）、６３５（ｍ）、５３４（ｍ）、４５４（ｗ）。
【００９５】
実施例１４
［Ｎｉ（ｂｄｍａ）２］の調製
３３０ｍｇ（１．５０ｍｍｏｌ、１．００当量）の［ＮｉＣｌ２（ＤＭＥ）］を２０ｍｌのトルエン中に懸濁させて、５０ｍｌのトルエン中の４５１ｍｇ（３．００ｍｍｏｌ、２．００当量）のＬｉｂｄｍａの懸濁液と混合する。徐々に褐色着色を呈する懸濁液を６０℃で４時間加熱する。室温に冷却した後、溶媒を高真空下で除去し、残存する固体を８０ｍｌのヘキサンと混合し、そして生成する懸濁液を室温で３０分間攪拌する。次いで、赤褐色懸濁液をＣｅｌｉｔｅに通して濾過し、そして濾液が完全に無色になるまで、濾過ケークを少量のヘキサンで抽出する。高真空下での溶媒の除去および残渣の昇華により、緑色固体として４２８ｍｇ（１．２４ｍｍｏｌ、８３％）の生成物を生成する。
１Ｈ  ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６、３００．１ＭＨｚ、３００Ｋ）：δ（ｐｐｍ単位）＝０．０８（ｂｓ，１０Ｈ）、４．４８（ｂｓ，２０Ｈ）。
１Ｈ  ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ５ＣＤ３、５００．１ＭＨｚ、２２３Ｋ）：δ（ｐｐｍ単位）＝１．８７（ｓ，６Ｈ，ＭｅＣ）、２．４１（ｓ，１２Ｈ，ＮＭｅ２）、  ２．７０（ｓ，１２Ｈ，ＮＭｅ２）。
１３Ｃ  ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ５ＣＤ３、１２５．７ＭＨｚ、２２３Ｋ）：δ（ｐｐｍ単位）＝１５．７（ＭｅＣ）、４６．２（ＮＭｅ２）、４９．３（ＮＭｅ２）、１７０．０（ＭｅＣ）。
ＨＲ−ＥＩ−ＭＳ：Ｃ１２Ｈ３０Ｎ８Ｎｉの計算値：３４４．１９４７ｍ／ｚ、実測値：３４４，１９６４ｍ／ｚ。
元素分析：Ｃ１２Ｈ３０Ｎ８Ｎｉ：
計算値：Ｃ：４１．７６％、Ｈ：８．７６％、Ｎ：３２．４７％。
実測値：Ｃ：４１．２４％、Ｈ：８．３３％、Ｎ：３２．１０％。
ＩＲ：３０３９（ｗ）、２９８０（ｗ）、２９０４（ｍ）、２８４８（ｍ）、２７７２（ｍ）、１５６６（ｖｓ）、１４４５（ｍ）、１３８０（ｖｓ）、１３４０（ｖｓ）、１２２０（ｍ）、１１７３（ｍ）、１０９４（ｍ）、９５０（ｖｓ）、９０４（ｓ）、８６６（ｍ）、８３８（ｍ）、６１６（ｓ）、５７０（ｓ）、５３５（ｍ）、４５５（ｍ）、４３１（ｓ）。
【００９６】
実施例１５
［Ｐｄ（ｂｄｍａ）２］の調製
９０ｍｇ（０．３５ｍｍｏｌ、１．００ｅｑ）の［ＰｄＣｌ２（ＭｅＣＮ）２］を１０ｍｌのＴＨＦ中に溶解させて、溶液を０℃に冷却する。この温度で、１０ｍｌのＴＨＦ中の１３３ｍｇ（０．７３ｍｍｏｌ、２．００ｅｑ）のＫｂｄｍａの溶液を滴下する。室温に加温した反応混合物を１８時間攪拌し、次いで、遠心分離する。透明溶液からＴＨＦを減圧下で除去して、黄色粉末として生成物を与える。１０３ｍｇ（０．２６ｍｍｏｌ、７６％）の［Ｐｄ（ｂｄｍａ）２］が回収される。
１Ｈ  ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６、３００．１ＭＨｚ、３００Ｋ）：δ（ｐｐｍ単位）＝１．９８（ｓ，６Ｈ，ＣＣＨ３）、２．５４（ｓ，１２Ｈ，ＮＮＣＨ３）、２．８２（ｓ，１２Ｈ，ＰｄＮＣＨ３）。
１３Ｃ  ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６、７５．５ＭＨｚ、３００Ｋ）：δ（ｐｐｍ単位）＝１５．０（ＣＣＨ３）、４５．８（ＰｄＮＣＨ３）、５１．９（ＮＮＣＨ３）、１６９．９（ＮＣＣＨ３）。
ＨＲ−ＥＩ−ＭＳ：Ｃ１２Ｈ３０Ｎ８Ｐｄの計算値：３９２．１６２８ｍ／ｚ、実測値：３９２．１６２１ｍ／ｚ。
元素分析：Ｃ１２Ｈ３０Ｎ８Ｐｄ：
計算値：Ｃ：３６．６８％、Ｈ：７．６９％、Ｎ：２８．５２％。
実測値：Ｃ：３７．０４％、Ｈ：７．５８％、Ｎ：２３．２５％。
【００９７】
実施例１６
［Ａｌ（ｂｄｍａ）Ｈ（μ−Ｈ）］２の調製
１０７ｍｇ（２．８２ｍｍｏｌ、０．７５当量）のＬｉＡｌＨ４を５ｍｌのＥｔ２Ｏ中に溶解させ、この溶液を５ｍｌのＥｔ２Ｏ中の１２６ｍｇ（０．９４ｍｍｏｌ、０．２５当量）のＡｌＣｌ３の−７８℃に冷却された溶液に添加する。冷却浴が−４０℃の温度に達して顕著な曇りが観測されるまで、溶液を撹拌する。続いて、懸濁液を再び−７８℃に冷却して、１０ｍｌのＥｔ２Ｏ中の５４３ｍｇ（３．７６ｍｍｏｌ、１．００当量）のＨｂｄｍａと混合する。冷却浴の除去後、混合物を室温で一晩攪拌する。次いで、無色懸濁液をＣｅｌｉｔｅに通して濾過し、濾過ケークを５ｍｌのＥｔ２Ｏで２回抽出し、溶媒を高真空下で除去し、そして残存する無色固体を昇華させる。これにより、微結晶性無色固体として５９５ｍｇ（３．４６ｍｍｏｌ、９２％）の生成物が得られる。
１Ｈ  ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６、３００．１ＭＨｚ、３００Ｋ）：δ（ｐｐｍ単位）＝１．９９（ｓ，３Ｈ，ＭｅＣ）、２．２６（ｓ，６Ｈ，ＮＭｅ２）、２．４０（ｓ，６Ｈ，ＮＭｅ２）、４．５４（ｓ，２Ｈ，ＡｌＨ２）。
１３Ｃ  ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６、７５．５ＭＨｚ、３００Ｋ）：δ（ｐｐｍ単位）＝１５．７（ＭｅＣ）、４９．２（ＮＭｅ２）、４９．７（ＮＭｅ２）、１６９．２（ＭｅＣ）。
ＨＲ−ＥＩ−ＭＳ：Ｃ６Ｈ１７ＡｌＮ４の計算値：１７２．１２６９ｍ／ｚ、実測値：１７２．１２７０ｍ／ｚ。
元素分析：Ｃ６Ｈ１７ＡｌＮ４：
計算値：Ｃ：４１．８５％、Ｈ：９．９５％、Ｎ：３２．５３％。
実測値：Ｃ：４１．５３％、Ｈ：９．５６％、Ｎ：３２．１０％。
ＩＲ：２９７５（ｗ）、２９３４（ｗ）、２８５５（ｗ）、２８１８（ｗ）、２７７７（ｗ）、１８３１（ｓ）、１５６５（ｓ）、１３９０（ｖｓ）、１３４３（ｓ）、９５０（ｓ）、８４０（ｓ）、６７９（ｓ）、６３６（ｓ）、５５３（ｓ）、５２４（ｓ）。
【００９８】
実施例１７
［Ａｌ（ｍｄｍａ）２Ｈ］の調製
４３ｍｇ（１．１３ｍｍｏｌ、１．００当量）のＬｉＡｌＨ４を１０ｍｌのＥｔ２Ｏ中に溶解させて、１０８ｍｇ（１．１３ｍｍｏｌ、１．００当量）のＭｅ３Ｎ・ＨＣｌと少しずつ−７８℃で混合する。無色懸濁液を撹拌しながら−２０℃に徐々に加温し、そしてガス（Ｈ２）の発生が終了するまで、この温度で撹拌する。次いで、無色懸濁液を再び−７８℃に冷却して、１０ｍｌのＥｔ２Ｏ中の２２９ｍｇ（２．２６ｍｍｏｌ、２．００当量）のＨｍｄｍａの溶液を徐々に添加する。室温への緩徐な加温を伴いながら、得られた懸濁液を一晩撹拌する。次いで、無色懸濁液から高真空下で溶媒を除去し、残存する固体を２０ｍｌのベンゼンと共に室温で２時間撹拌し、続いて、反応混合物をＣｅｌｉｔｅに通して濾過する。溶媒体積を約７ｍｌに濃縮し、１４ｍｌのヘキサンを上側に注ぎ、そして溶媒混合物を除去した後、高真空下での残存する固体の乾燥により、９０ｍｇ（０．３９ｍｍｏｌ、３４％）の結晶性固体を生成する。
１Ｈ  ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６、３００．１ＭＨｚ、３００Ｋ）：δ（ｐｐｍ単位）＝１．７０（ｓ，６Ｈ，ＭｅＣ）、２．２２（ｓ，６Ｈ，ＮＭｅＭｅ）、２．５１（ｓ，６Ｈ，ＮＭｅＭｅ）、３．３６（ｂｓ，２Ｈ，ＮＨ）。
１３Ｃ  ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６、７５．５ＭＨｚ、３００Ｋ）：δ（ｐｐｍ単位）＝  ２０．４（ＭｅＣ）、４７．２（ＮＭｅＭｅ）、５０．０（ＮＭｅＭｅ）および１６６．１（ＭｅＣ）。
元素分析：Ｃ８Ｈ２１ＡｌＮ６：
計算値：Ｃ：４２．０９％、Ｈ：９．２７％、Ｎ：３６．８２％。
実測値：Ｃ：４１．７９％、Ｈ：９．４４％、Ｎ：３６．７９％。
ＩＲ：３３３８（ｍ）、３００７（ｗ）、２９８７（ｗ）、２９７３（ｍ）、２９２２（ｍ）、１７７３（ｍ）、１５８４（ｓ）、１４２４（ｖｓ）、１４０８（ｖｓ）、９７７（ｓ）、６２０（ｍ）、５８４（ｖｓ）、４２８（ｖｓ）。
【００９９】
実施例１８
［Ｇａ（ｍｄｍａ）２Ｈ］の調製
３３６ｍｇ（１．９１ｍｍｏｌ、１．２５当量）のＧａＣｌ３を１０ｍｌのＥｔ２Ｏ中に溶解させ、この溶液を２３６ｍｇ（２９．６８ｍｍｏｌ、１９．４３当量）のＬｉＨの懸濁液に−７８℃で滴下混合する。懸濁液を撹拌しながら室温に徐々に一晩加温し、次いで、Ｇ４フリット（Ｃｅｌｉｔｅなし）に通してあらかじめ−７８℃に冷却されたフラスコ中に濾過し、そして残存する濾過ケークをあらかじめ−７８℃に冷却された５ｍｌのＥｔ２Ｏで２回抽出する。透明ＬｉＧａＨ４溶液を１４４ｍｇ（１．５１ｍｍｏｌ、１．００当量）のＭｅ３Ｎ・ＨＣｌと少しずつ−７８℃で混合し、そしてガス（Ｈ２）の発生が終了するまで、緩徐な加温を行いながら得られた懸濁液を撹拌する。続いて、それを再び−７８℃に冷却し、１５ｍｌのＥｔ２Ｏ中の３０６ｍｇ（３．０２ｍｍｏｌ、２．００当量）のＨｍｄｍａの溶液を徐々に添加する。添加の終了後、冷却浴を除去して、無色懸濁液を室温で一晩攪拌する。続いて、無色懸濁液を高真空下で乾燥させて、残存する固体を２５ｍｌのベンゼンと混合する。懸濁液をＣｅｌｉｔｅに通して濾過し、濾過ケークを５ｍｌのベンゼンで３回抽出し、そして溶媒を高真空下で除去する。残存する固体を５ｍｌのヘキサンでスラリー化し、そしてデカンテーションおよび残存する固体の乾燥を行った後、１７０ｍｇ（０．６３ｍｍｏｌ、４２％）の微細無色固体を得る。
１Ｈ  ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６、３００．１ＭＨｚ、３００Ｋ）：δ（ｐｐｍ単位）＝１．７５（ｓ，６Ｈ，ＭｅＣ）、２．３０（ｓ，１２Ｈ，ＮＭｅ２）、３．５８（ｂｓ，２Ｈ，ＮＨ）、４．９７（ｂｓ，１Ｈ，ＧａＨ）。
１３Ｃ  ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６、７５．５ＭＨｚ、３００Ｋ）：δ（ｐｐｍ単位）＝２０．７（ＭｅＣ）、４８．３（ＮＭｅ２）、１６４．７（ＭｅＣ）。
ＨＲ−ＥＩ−ＭＳ：Ｃ８Ｈ２１ＧａＮ６の計算値：２７０．１０８４ｍ／ｚ、実測値：２７０．１０８３ｍ／ｚ。
ＩＲ：３３２８（ｍ）、２９６１（ｍ）、２９１１（ｍ）、２８７９（ｍ）、１８６７（ｓ）、１５８０（ｖｓ）、１４１３（ｖｓ）、９８５（ｓ）、５８７（ｓ）、５４０（ｓ）、５０３（ｓ）。
【０１００】
実施例１９
［Ｇａ（ｄａｍａ）Ｍｅ２］の調製
１．３４ｇ（１１．６５ｍｍｏｌ、１．００当量）のＧａＭｅ３を７７Ｋでシュレンクフラスコ中に凝縮導入して、１０ｍｌのヘキサンと混合する。−７８℃に加温した後、１．３３ｇ（１１．５６ｍｍｏｌ、０．９９当量）のＨｄａｍａを添加する。開始時に生成する無色固体は、室温への加温過程でガスの発生を伴って徐々に溶解する。溶媒を大気圧下で留去して、残存する油性液体を減圧下（１５ｍｂａｒ、７３℃）で蒸留する。これにより、１．４０ｇ（６．５４ｍｍｏｌ、５６％）の無色液体が得られる。
１Ｈ  ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６、３００．１ＭＨｚ、３００Ｋ）：δ（ｐｐｍ単位）＝−０．２１（ｓ，６Ｈ，ＧａＭｅ２）、１．６８（ｓ，３Ｈ，ＭｅＣ）、２．２１（ｓ，６Ｈ，ＮＭｅ２）、２．５７（ｓ，３Ｈ，ＮＭｅ）。
１３Ｃ  ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６、７５．５ＭＨｚ、３００Ｋ）：δ（ｐｐｍ単位）＝−８．９（ＧａＭｅ２）、１５．５（ＭｅＣ）、３２．０（ＮＭｅ）、４９．１（ＮＭｅ２）、１６６．１（ＭｅＣ）。
ＨＲ−ＥＩ−ＭＳ：Ｃ７Ｈ１８ＧａＮ３の計算値：２１３．０７５７ｍ／ｚ、実測値：２１３．０７６６ｍ／ｚ。
ＩＲ：３００３（ｗ）、２９２７（ｍ）、２８８８（ｍ）、２８１０（ｗ）、１５５２（ｖｓ）、１４２２（ｓ）、１３９８（ｓ）、１１９２（ｍ）、９４２（ｍ）、５６９（ｓ）、５３６（ｓ）。
【０１０１】
実施例２０
［Ｐｄ（ｂｄｍｆ）２］の調製
２７０ｍｇ（１．３５ｍｍｏｌ、４．００当量）のＫＨＭＤＳを５ｍＬのトルエン中に溶解させ、溶液を１１８ｍｇ（０．９１ｍｍｏｌ、２．７当量）のＨｂｄｍｆと室温で滴下混合する。反応混合物を１時間撹拌し、無色沈殿物Ｋｂｄｍｆを分離して３ｍＬのヘキサンで洗浄し、そして減圧下で乾燥させる。１３０ｍｇのＫｂｄｍｆ（０．７７ｍｍｏｌ、２．３当量）を３ｍＬのＴＨＦ中に溶解させ、この溶液を、３ｍＬのＴＨＦ中に溶解させた８８ｍｇの［ＰｄＣｌ２（ＭｅＣＮ）２］（０．３４ｍｍｏｌ、１．００当量）に徐々に添加し、そして２５℃で１２時間撹拌する。ＫＣｌの帯褐色沈殿物を分離し、そして揮発性物質を橙色溶液から除去する。黄橙色固体をヘキサンで洗浄し、トルエンから再結晶させて、５１ｍｇ（０．３１ｍｍｏｌ、４１％）の単結晶性生成物を与える。これを単結晶ＸＲＤ解析により分析する。
１Ｈ  ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６、３００．１ＭＨｚ、３００Ｋ）：δ（ｐｐｍ単位）＝３．５２（ｓ，２Ｈ  ＣＨ）、２．６５（ｓ，１２Ｈ，ＰｄＮＭｅ２）、２．４７（ｍ，１２Ｈ，ＮＮＭｅ２）。
１３Ｃ  ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６、７５．５ＭＨｚ、３００Ｋ）：δ（ｐｐｍ単位）＝１５７．２（ＣＨ）、５２．７（ＰｄＮＭｅ２）、４７．３（ＮＮＭｅ２）。
ＨＲ−ＭＳ：Ｃ１０Ｈ２７Ｎ８Ｐｄ、［Ｍ＋Ｈ］＋の計算値：３６５．１３８９ｍ／ｚ、実測値：３６５．１３８９ｍ／ｚ。
ＩＲ：２９６２（ｗ）、１５６９（ｗ）、１４４７（ｍ）、１２５９（ｍ）、１０７８（ｍ）、１０１２（ｓ）、９５０（ｗ）、８６５（ｗ）、７９２（ｓ）、７０２（ｗ）、５９６（ｗ）、５６９（ｗ）、５３３（ｗ）、４７０（ｍ）、４３５（ｍ）。
【０１０２】
実施例２１
［Ｇａ（ｄａｐａ）Ｍｅ２］の調製
２０ｍＬのジエチルエーテル中の３５０ｍｇ（１．９９ｍｍｏｌ、１．００当量）のＧａＣｌ３の溶液を、４．０ｍＬのＭｅＬｉ溶液（溶媒：ジエチルエーテル、ｃ＝１．５５５ｍｏｌ／Ｌ、６．２２ｍｍｏｌ、３．１０当量）と混合する。添加の終了後、懸濁液を室温で２時間撹拌する。０℃に冷却した後、２９０ｍｇ（２．０２ｍｍｏｌ、１．０２当量）のＨｄａｐａを滴下する。添加の終了後、冷却浴を除去して、無色懸濁液を室温で３日間（７２時間）撹拌する。懸濁液をＣｅｌｉｔｅ（商標）床で濾過し、そして透明溶液を減圧下でストリッピングする。残存する無色固体の昇華後、無色結晶として３６８ｍｇ（１．５２ｍｍｏｌ、７６％）の生成物が得られる。
１Ｈ  ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６、３００．１ＭＨｚ、３００Ｋ）：δ（ｐｐｍ単位）＝−０．１０（ｓ，６Ｈ，ＧａＭｅ２）、１．０３（ｄ，３ＪＨＨ＝６．４Ｈｚ，６Ｈ，ＣＨＭｅ２）、１．７７（ｓ，３Ｈ，ＣＭｅ）、２．２１（ｓ，６Ｈ，ＮＭｅ２）、３．３８（ｓｅｐｔ，１Ｈ，３ＪＨＨ＝６．４Ｈｚ，ＣＨＭｅ２）。
１３Ｃ  ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６、７５．５ＭＨｚ、３００Ｋ）：δ（ｐｐｍ単位）＝−６．０（ＧａＭｅ２）、１６．１（ＣＭｅ）、２５．９（ＣＨＭｅ２）、４７．１（ＣＨＭｅ２）、４８．９（ＮＭｅ２）、１６４．０（ＣＭｅ）。
ＨＲ−ＥＩ−ＭＳ：Ｃ９Ｈ２２ＧａＮ３の計算値：２４１．１０７０ｍ／ｚ、実測値：２４１．１０５９ｍ／ｚ。
ＩＲ：３００７（ｗ）、２９６１（ｍ）、２９２７（ｍ）、１５４２（ｖｓ）、１４７１（ｍ）、１４４９（ｖｓ）、１４２４（ｓ）、１４００（ｍ）、１１９３（ｖｓ）、１００４（ｍ）、５６０（ｖｓ）、５３８（ｖｓ）。
元素分析：Ｃ９Ｈ２２ＧａＮ３：
計算値：Ｃ：４４．６７％、Ｈ：９．１６％、Ｎ：１７．３６％。
実測値：Ｃ：４３．８２％、Ｈ：９．７０％、Ｎ：１７．６８％。
【０１０３】
実施例２２
ＣＶＤ実験の実施
キャリヤーガスとして水素、アンモニア、または窒素を用いて、市販のＡｉｘｔｒｏｎ  ＡＩＸ−２００反応器により、再現性のある異なる量の金属および窒素を有する層を堆積させる。操作時、反応器内の圧力を５０〜１５０ｍｂａｒ、好ましくは８０〜１２０ｍｂａｒ、より好ましくは１００ｍｂａｒの一定レベルに設定する。ガス流量は、４００〜７００ｓｃｃｍ、好ましくは５００〜６００ｓｃｃｍである。ｂｄｍａ−アルミニウムヒドリドおよびｂｄｍａ−ガリウムヒドリドの場合、本発明に係る揮発性金属錯体を含有するステンレス鋼バブラー内の温度を３０℃で一定に維持する。貯蔵容器の温度をｂｄｍａ−金属アルキルの場合には５０〜７０℃に、ｂｄｍａ−金属アミドおよびｂｄｍａ−金属ハロゲン化物の場合には７０〜１００℃に調整する。ＳｉＯ２表面の自然膜で被覆された（１００）配向ｐドープシリコンウエハ上にまたはサファイアの（０００１）表面上に、２００〜８００℃、好ましくは４００〜６００℃の基材温度で、堆積を行う。０．４〜４０．０ｎｍ／ｍｉｎの一定した調整可能な成長速度で、５ｎｍから１５μｍまでの厚さを有するアモルファス多結晶層またはエピタキシャル層を得ることが可能である。一例は、前駆体（ｂｄｍａ）ＧａＨ２からサファイア上への窒化ガリウム（ＧａＮ）の高品質層の堆積である。
【０１０４】
層の厚さは、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて検出され、元素組成は、エネルギー分散型Ｘ線解析（ＥＤＸ）を利用して解析され、品質は、フォトルミネセンス分光法（ＰＬ）を利用して評価され、そして結晶相は、ＸＲＤ法を用いて解析される。
【図１】
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