(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化物半導体発光ダイオードであって、以下を具備する：
ｎ側電極、
ｐ側電極、
第１ｎ型窒化物半導体層、
ｐ型窒化物半導体層、
第２ｎ型窒化物半導体層、および
前記第１ｎ型窒化物半導体層および前記ｐ型窒化物半導体層の間に挟まれている活性層ここで、
ｎ側電極は、前記第１ｎ型窒化物半導体層に電気的に接続されており、
ｐ側電極は、前記ｐ型窒化物半導体層に電気的に接続されており、
前記活性層は、単一量子井戸層から構成され、
前記単一量子井戸層は、ｎ型ＩｎＧａＮから形成され、
前記活性層は、０度以上１５度以下のオフ角を有するｍ面の主面を有しており、
前記活性層は、６ナノメートル以上の厚みを有し、
前記第２ｎ型窒化物半導体層は、前記活性層および前記ｐ型窒化物半導体層の間に挟まれており、
以下の条件（Ａ）または条件（Ｂ）のいずれか一方が充足され、
（Ａ）  前記第２ｎ型窒化物半導体層は、３．０×１０１７ｃｍ−３以上１．５×１０１８ｃｍ−３未満のドナー不純物濃度を有し、かつ前記ｐ型窒化物半導体層は、５．０×１０１７ｃｍ−３以上１．０×１０１８ｃｍ−３未満のアクセプタ不純物濃度を有し、または
（Ｂ）  前記第２ｎ型窒化物半導体層は、３．０×１０１７ｃｍ−３以上２．５×１０１８ｃｍ−３以下のドナー不純物濃度を有し、かつ前記ｐ型窒化物半導体層は、１．０×１０１８ｃｍ−３以上のアクセプタ不純物濃度を有し、
前記第２ｎ型窒化物半導体層は、２５ナノメートル以上の厚みを有している。
【請求項２】
請求項１に記載の窒化物半導体発光ダイオードであって、
前記活性層は、４０ナノメートル以下の厚みを有する。
【請求項３】
請求項２に記載の窒化物半導体発光ダイオードであって、
前記活性層は、１５ナノメートル以下の厚みを有する。
【請求項４】
請求項１に記載の窒化物半導体発光ダイオードであって、
前記条件（Ｂ）が充足され、かつ
前記ｐ型窒化物半導体層は、２．０×１０１８ｃｍ−３以下のアクセプタ不純物濃度を有している。
【請求項５】
請求項１に記載の窒化物半導体発光ダイオードであって、
前記第２ｎ型窒化物半導体層は、シリコン、酸素、および炭素からなる群から選択される少なくとも１種のドナーを含有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、窒化物半導体発光ダイオードに関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、発光素子を開示している。図５に示されるように、特許文献１に開示された発光素子は、サファイア基板１０上にｎ型ＡｌＧａＮ層１２を形成し、その上にｎ型発光層１４を形成し、その上にバッファ層１６を形成し、その上にｐ型ＡｌＧａＮ層を形成する。バッファ層は、その電子密度が、ｐ型ＡｌＧａＮ層１８にホール密度より低く、かつそのバンドギャップエネルギがｎ型発光層よりも広くなっている。このため、ｐ型ＡｌＧａＮ層１８に注入される電子よりもバッファ層１６に注入されるホールの方が多くなり、バッファ層１６の厚さを所定の厚さとしておくことによりそのホールはＮ型発光層１４に注入される。このため、発光が発光効率の高いｎ型発光層１４中でおこるので、発光素子の発光効率を高くすることができる。
【０００３】
特許文献２は、ｐ型ドーパント材料拡散防止層付き窒化ガリウム系発光素子を開示している。図６に示されるように、特許文献２では、ｐ型のドーパントであるマグネシウムの発光層への拡散を防止することによって、バンド間遷移確率の高い窒化ガリウム系レーザまたは設計値通りのスペクトルで発光する窒化ガリウム系発光ダイオードなどの窒化ガリウム系発光素子を提供するために、マグネシウムが添加されたｐ型半導体層と発光層の間に、珪素が添加されたｎ型半導体層を形成する。前記ｎ型半導体層がマグネシウムの拡散を防止するため、マグネシウムがｐ型半導体層から発光層へと拡散することがない。よって、本発明の窒化ガリウム系レーザは、量子井戸層に於けるバンド間遷移確率が低下することがなく、発振しきい値電流が低い。また本発明の発光ダイオードは、発光が期待したスペクトルからずれることがない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−１１１０５６号公報
【特許文献２】特開平１０−２００２１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、低電流密度での効率が低下することが抑制された窒化物半導体発光ダイオードを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、以下を具備する窒化物半導体発光ダイオードを提供する。
ｎ側電極、
ｐ側電極、
第１ｎ型窒化物半導体層、
ｐ型窒化物半導体層、
第２ｎ型窒化物半導体層、および
前記第１ｎ型窒化物半導体層および前記ｐ型窒化物半導体層の間に挟まれている活性層ここで、
ｎ側電極は、前記第１ｎ型窒化物半導体層に電気的に接続されており、
ｐ側電極は、前記ｐ型窒化物半導体層に電気的に接続されており、
前記活性層は、単一量子井戸層から構成され、
前記単一量子井戸層は、ｎ型ＩｎＧａＮから形成され、
前記活性層は、０度以上１５度以下のオフ角を有するｍ面の主面を有しており、
前記活性層は、６ナノメートル以上の厚みを有し、
前記第２ｎ型窒化物半導体層は、前記活性層および前記ｐ型窒化物半導体層の間に挟まれており、
以下の条件（Ａ）または条件（Ｂ）のいずれか一方が充足され、
（Ａ）  前記第２ｎ型窒化物半導体層は、３．０×１０17ｃｍ-3以上１．５×１０18ｃｍ-3未満のドナー不純物濃度を有し、かつ前記ｐ型窒化物半導体層は、５．０×１０17ｃｍ-3以上１．０×１０18ｃｍ-3未満のアクセプタ不純物濃度を有し、または
（Ｂ）  前記第２ｎ型窒化物半導体層は、３．０×１０17ｃｍ-3以上２．５×１０18ｃｍ-3以下のドナー不純物濃度を有し、かつ前記ｐ型窒化物半導体層は、１．０×１０18ｃｍ-3以上のアクセプタ不純物濃度を有し、
前記第２ｎ型窒化物半導体層は、２５ナノメートル以上の厚みを有しており、かつ
以下の数式（Ｉ）が充足される
（低電流密度での効率低下度ΔＥＱＥ＠０．３Ａ／ｃｍ2）≦０．６  （Ｉ）
ここで、
（低電流密度での効率低下度ΔＥＱＥ＠０．３Ａ／ｃｍ2）＝（ＥＱＥｍａｘ−ＥＱＥ＠０．３Ａ／ｃｍ2）／ＥＱＥｍａｘ
ＥＱＥｍａｘは、前記窒化物半導体発光ダイオードの外部量子効率の最大値を表し、かつ
ＥＱＥ＠０．３Ａ／ｃｍ2は、前記窒化物半導体発光ダイオードに０．３Ａ／ｃｍ2の電流が流れたときの前記窒化物半導体発光ダイオードの外部量子効率を表す。
【発明の効果】
【０００７】
本発明は、低電流密度での効率が低下することが抑制された窒化物半導体発光ダイオードを提供する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、第１実施形態による窒化物半導体発光ダイオードの断面図を示す。
【図２】図２は、角度θを説明するための断面図を示す。
【図３Ａ】図３Ａは、電流密度および外部量子効率の間の関係を表すグラフである。
【図３Ｂ】図３Ｂは、電流密度および外部量子効率の間の関係を表す他のグラフである。
【図４】図４は、実施例１によるシミュレーションにおいて用いられたｍ面窒化物半導体発光ダイオードの断面図を示す。
【図５】図５は、特許文献１に開示された窒化物半導体発光ダイオードの断面図を示す。
【図６】図６は、特許文献２に開示された窒化物半導体発光ダイオードの断面図を示す。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態が、図面を参照しながら詳細に説明される。
【００１０】
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態による窒化物半導体発光ダイオードの断面図を示す。一般的な窒化物半導体発光ダイオードと同様に、第１実施形態による窒化物半導体発光ダイオードは、ｎ側電極７、第１ｎ型窒化物半導体層２、活性層９、ｐ型窒化物半導体層６、およびｐ側電極８を具備する。第１実施形態による窒化物半導体発光ダイオードは、さらに第２ｎ型窒化物半導体層１０を具備する。第２ｎ型窒化物半導体層１０は、後に詳細に説明される。
【００１１】
一般的な窒化物半導体発光ダイオードと同様に、第１実施形態による窒化物半導体発光ダイオードは、基板１を具備することが望ましい。第１ｎ型窒化物半導体層２、活性層９、第２ｎ型窒化物半導体層１０、およびｐ型窒化物半導体層６は、この基板１上にエピタキシャル成長される。
【００１２】
ｎ側電極７は、第１ｎ型窒化物半導体層２に電気的に接続されている。言い換えれば、ｎ側電極７および第１ｎ型窒化物半導体層２はオーミックコンタクトを形成している。同様に、ｐ側電極８は、ｐ型窒化物半導体層６に電気的に接続されている。言い換えれば、ｐ側電極８およびｐ型窒化物半導体層６はオーミックコンタクトを形成している。活性層９は、第１ｎ型窒化物半導体層２およびｐ型窒化物半導体層６の間に挟まれている。
【００１３】
ｎ側電極７の材料の例は、ＡｌまたはＴｉである。ｐ側電極８の材料の例は、Ａｇ、Ｐｔ、またはＮｉである。
【００１４】
（活性層９）
第１実施形態では、活性層９は、単一量子井戸層から構成されている。活性層９は、多重量子井戸層から構成されていない。言い換えれば、活性層９は、本質的に１層の窒化物半導体層のみからなる。単一量子井戸層は、ＩｎＧａＮから形成される。具体的には、単一量子井戸層は、ＩｎxＧａ1-xＮ（０＜ｘ＜１）から形成される。インジウムの組成を表すｘの値によって、窒化物半導体発光ダイオードから発光される光の波長が変化し得る。ｘの値の増加に伴い、発光される波長の光の波長は高くなる。ｎ型ＩｎＧａＮ発光層である活性層９は、ドナー不純物として、シリコン、炭素、または酸素を含有する。
【００１５】
万一、活性層９が多重量子井戸層から構成される場合、後述される比較例２において実証されるように、多重井戸量子構造を有する窒化物半導体発光ダイオードに第２ｎ型窒化物半導体層１０を設けることに意味はない。
【００１６】
活性層９は、０度以上１５度以下のオフ角を有するｍ面の主面を有している。図２に示されるように、オフ角とは、活性層９の主面９２の法線９４およびｍ軸９６の間に形成される角度θを意味する。いうまでもなく、ｍ軸９６はｍ面９８に直交する。
【００１７】
ｍ面とは、（１−１００）面およびそれに等価な面を意味する。ｍ面に等価な面は、（−１０１０）面、（１−１００）面、（−１１００）面、（０１−１０）面、および（０−１１０）面である。第１ｎ型窒化物半導体層２およびｐ型窒化物半導体層６もまた、０度以上１５度以下のオフ角を有するｍ面の主面を有している。同様に、後述される第２ｎ型窒化物半導体層１０もまた、０度以上１５度以下のオフ角を有するｍ面の主面を有している。１５度のオフ角を有するｍ面の主面の例は、たとえば、（２−２０−１）面である。
【００１８】
望ましくは、第１ｎ型窒化物半導体層２、活性層９、第２ｎ型窒化物半導体層１０、およびｐ型窒化物半導体層６は、基板１上にエピタキシャル成長されるので、基板１が０度以上１５度以下のオフ角を有するｍ面の主面を有し得る。
【００１９】
言うまでもないが、基板１の表面が単結晶窒化物半導体層を有している限り、基板１の材料は限定されない。基板１の望ましい例は、ＧａＮ基板である。基板１は、表面に窒化物半導体層を成長されたＳｉＣ基板であり得る。同様に、基板１は、表面に窒化物半導体層を成長されたサファイア基板であり得る。
【００２０】
万一、活性層９が０度以上１５度以下のオフ角を有するｍ面の主面を有しない場合、第２ｎ型窒化物半導体層１０が設けられたとしても、低電流密度での効率は著しく低下する。比較例Ａを参照せよ。比較例Ａでは、活性層がｃ面の主面を有する。
【００２１】
活性層９は、６ナノメートル以上の厚みを有する。万一、活性層９が６ナノメートル未満の厚みを有する場合、第２ｎ型窒化物半導体層１０の有無に拘わらず、低電流密度での効率は高い値に維持される。従って、第２ｎ型窒化物半導体層１０を設けることは意味をなさない。６ナノメートル以上（例えば、１２ナノメートル）の厚みを有する活性層９は、低電流密度での効率を下げるという問題を引き起こす。この問題は、後に詳細に説明される。本実施形態は、この問題を解決する。
【００２２】
よく知られているように、ｃ面の主面を有する活性層９（以下、単に「ｃ面の活性層」という）は、３ナノメートル以下の厚みを有する。これは、ｃ面の活性層は、ピエゾ電界を有するため、ｃ面の活性層中での電子およびホールの再結合の確率は小さいからである。そのため、ｃ面の活性層の厚みが３ナノメートル以下の極めて小さい値に設定される。一方、ｍ面の主面を有する活性層（以下、単に「ｍ面の活性層」という）の厚みは、３ナノメートル以下の値に限定されない。これは、ｍ面の活性層は、ピエゾ電界を有しないため、ｍ面の活性層中での電子およびホールの再結合の確率は、ｃ面のそれよりもずっと大きいからである。
【００２３】
（第２ｎ型窒化物半導体層１０およびｐ型窒化物半導体層６）
第１実施形態では、第２ｎ型窒化物半導体層１０が、活性層９およびｐ型窒化物半導体層６の間に挟まれている。
【００２４】
第１実施形態では、以下の条件（Ａ）または条件（Ｂ）のいずれか一方が充足される。
条件（Ａ）  第２ｎ型窒化物半導体層１０が、３．０×１０１７ｃｍ-3以上１．５×１０18ｃｍ-3未満のドナー不純物濃度を有し、かつｐ型窒化物半導体層６が、５．０×１０17ｃｍ-3以上１．０×１０18ｃｍ-3未満のアクセプタ不純物濃度を有する。
条件（Ｂ）  第２ｎ型窒化物半導体層１０が、３．０×１０17ｃｍ-3以上２．５×１０18ｃｍ-3以下のドナー不純物濃度を有し、かつｐ型窒化物半導体層６が、１．０×１０18ｃｍ-3以上のアクセプタ不純物濃度を有する。
条件（Ｂ）においては、ｐ型窒化物半導体層６は、２．０×１０18ｃｍ-3以下のアクセプタ不純物濃度を有することが望ましい。
【００２５】
本明細書において、低電流密度での効率の低下の度合いは、低電流密度での効率低下度（以下、「ΔＥＱＥ＠０．３Ａ／ｃｍ2」という）というパラメータによって表される。本明細書において「低電流密度での低い効率」とは、ΔＥＱＥ＠０．３Ａ／ｃｍ2の値が０．６以上であることを意味する。本明細書において用いられる用語「効率」とは、窒化物半導体発光ダイオードの発光効率を意味する。
【００２６】
以下、低電流密度での効率低下度ΔＥＱＥ＠０．３Ａ／ｃｍ2が詳細に説明される。
【００２７】
図３Ａは、電流密度および外部量子効率（以下、「ＥＱＥ」という）の間の関係を表すグラフである。低電流領域とは、１Ｅ−０１アンペア／ｃｍ2（＝０．１アンペア／ｃｍ2）から１Ｅ＋１アンペア／ｃｍ2（＝１０アンペア／ｃｍ2）までの電流密度を意味する。一方、高電流領域とは、１Ｅ＋１アンペア／ｃｍ2（＝１０アンペア／ｃｍ2）から１Ｅ＋３アンペア／ｃｍ2（＝１０００アンペア／ｃｍ2）までの電流密度を意味する。
【００２８】
図３Ａは、一般的なｃ面窒化物半導体発光ダイオード、一般的なｍ面窒化物半導体発光ダイオード、および一般的な（２−２０−１）面窒化物半導体発光ダイオードの３つの窒化物半導体発光ダイオードの電流密度−外部量子効率のシミュレーション結果を示すグラフである。このシミュレーションにおいては、ｃ面窒化物半導体発光ダイオード、ｍ面窒化物半導体発光ダイオード、および（２−２０−１）面窒化物半導体発光ダイオードは、それぞれ、３ナノメートル、１２ナノメートル、および１２ナノメートルの厚みを有する単一量子井戸層であるＩｎＧａＮ発光層を具備すると仮定される。さらに、光取り出し効率は６０％であると仮定され、ＥＱＥを計算した。
【００２９】
図３Ａに示されるように、ｃ面窒化物半導体発光ダイオードは、低電流領域では高いＥＱＥを有する。しかし、高電流領域では、ｃ面窒化物半導体発光ダイオードのＥＱＥは、電流密度の増加に伴ってより低下する。
【００３０】
一方、図３Ａに示されるように、ｍ面窒化物半導体発光ダイオードおよび（２−２０−１）面窒化物半導体発光ダイオードは、ｃ面窒化物半導体発光ダイオードよりも厚いＩｎＧａＮ発光層を有するので、高電流領域においてｃ面窒化物半導体発光ダイオードよりも高いＥＱＥを有する。しかし、低電流領域の範囲内では、電流密度の低下に伴って、ｍ面窒化物半導体発光ダイオードおよび（２−２０−１）面窒化物半導体発光ダイオードのＥＱＥは、急速に低下する。このように、低電流領域では、ｍ面窒化物半導体発光ダイオードおよび（２−２０−１）面窒化物半導体発光ダイオードは、ｃ面窒化物半導体発光ダイオードよりも低いＥＱＥを有する。言い換えれば、ｍ面窒化物半導体発光ダイオードおよび（２−２０−１）面窒化物半導体発光ダイオードは、低電流領域において、ｃ面窒化物半導体発光ダイオードよりも低いＥＱＥを有するという問題を有している。
【００３１】
図３Ｂは、単一量子井戸層から形成される３ナノメートルの厚みを有するＩｎＧａＮ発光層を具備する一般的なｃ面窒化物半導体発光ダイオードに代えて、１２ナノメートルの厚みを有するＩｎＧａＮ発光層を具備するｃ面窒化物半導体発光ダイオードが用いられた場合のシミュレーション結果を示すグラフである。ｍ面窒化物半導体発光ダイオードおよび（２−２０−１）面窒化物半導体発光ダイオードとは異なり、１２ナノメートルの厚みを有するＩｎＧａＮ発光層を具備するｃ面窒化物半導体発光ダイオードは、珍しいことに留意せよ。
【００３２】
図３Ｂに示されるように、ｍ面窒化物半導体発光ダイオードおよび（２−２０−１）面窒化物半導体発光ダイオードと同様に、活性層９の厚みの増加に伴い、低電流領域において、ｃ面窒化物半導体発光ダイオードのＥＱＥは低下する。このように、３ナノメートルを超える厚み（例えば、６ナノメートル以上の厚み）を有する窒化物半導体発光ダイオードは、低電流領域の範囲内においてＥＱＥが低いという問題を有している。
【００３３】
この問題を解決するために、第１実施形態による窒化物半導体発光ダイオードは、以下の特徴（ｉ）〜（ｉｖ）の全てを有する。
（ｉ）活性層９は、ｎ型ＩｎＧａＮから形成される単一量子井戸層から構成される。
（ｉｉ）活性層９は、０度以上１５度以下のオフ角を有するｍ面の主面を有する。
（ｉｉｉ）上記条件（Ａ）または（Ｂ）が充足される。
（ｉｖ）第２ｎ型窒化物半導体層１０は、２５ナノメートル以上の厚みを有する。
【００３４】
これらの４つの特徴により、低電流密度での効率低下度ΔＥＱＥ＠０．３Ａ／ｃｍ2を０．６以下の値にすることができる。言い換えれば、以下の数式（Ｉ）が充足される。
（低電流密度での効率低下度ΔＥＱＥ＠０．３Ａ／ｃｍ2）≦０．６  （Ｉ）
【００３５】
図３Ａから理解されるように、低電流密度での効率低下度ΔＥＱＥ＠０．３Ａ／ｃｍ2は、以下の数式（ＩＩ）により表される。
（低電流密度での効率低下度ΔＥＱＥ＠０．３Ａ／ｃｍ2）＝（ＥＱＥｍａｘ−ＥＱＥ＠０．３Ａ／ｃｍ2）／ＥＱＥｍａｘ    （ＩＩ）
【００３６】
数式（ＩＩ）から明らかなように、低電流密度での効率低下度ΔＥＱＥ＠０．３Ａ／ｃｍ2は、ＥＱＥの最大値（すなわち、ＥＱＥｍａｘ）に対して、低電流密度の一例である０．３アンペア／ｃｍ2の電流密度でどれくらいＥＱＥが低下したかを表す。ＥＱＥ＠０．３Ａ／ｃｍ2とは、０．３アンペア／ｃｍ2の電流密度でのＥＱＥを意味する。「ΔＥＱＥ＠０．３Ａ／ｃｍ2」は、明確に「ＥＱＥ＠０．３Ａ／ｃｍ2」と区別されることに留意せよ。
【００３７】
図３Ａから明らかなように、ｃ面窒化物半導体発光ダイオードとは異なり、一般的なｍ面窒化物半導体発光ダイオードおよび（２−２０−１）面窒化物半導体発光ダイオードのＥＱＥは、低電流領域において、電流密度の低下に伴い、急速に低下する。従って、低電流密度での効率低下度ΔＥＱＥ＠０．３Ａ／ｃｍ2は、できる限り小さいことが望ましい。言い換えれば、数式（ＩＩ）から明らかなように、低電流密度での効率低下度ΔＥＱＥ＠０．３Ａ／ｃｍ2は、０以上１以下の値であるので、低電流密度での効率低下度ΔＥＱＥ＠０．３Ａ／ｃｍ2は、０に近ければ近いほど望ましい。第１実施形態による窒化物半導体発光ダイオードにおいては、低電流密度での効率低下度ΔＥＱＥ＠０．３Ａ／ｃｍ2は、０．６以下である。低電流密度での効率低下度ΔＥＱＥ＠０．３Ａ／ｃｍ2は、０．５以下であることが望ましい。
【００３８】
本明細書では、大電流密度での効率低下度ΔＥＱＥ＠３００Ａ／ｃｍ2が以下の数式（ＩＩＩ）によりに定義される。
（大電流密度での効率低下度ΔＥＱＥ＠３００Ａ／ｃｍ2）＝（ＥＱＥｍａｘ−ＥＱＥ＠３００Ａ／ｃｍ2）／ＥＱＥｍａｘ    （ＩＩＩ）
【００３９】
大電流密度での効率低下度ＥＱＥ＠３００Ａ／ｃｍ2は、大電流密度の一例である３００アンペア／ｃｍ2の電流密度でのＥＱＥを表す。大電流密度での効率低下度ΔＥＱＥ＠３００Ａ／ｃｍ2もまた、できる限り小さいことが望ましい。具体的には、大電流密度での効率低下度ΔＥＱＥ＠３００Ａ／ｃｍ2は、０．２０以下が望ましい。
【００４０】
次に、特徴（ｉ）〜（ｉｖ）のいずれか１つが充足されない場合が説明される。
【００４１】
万一、活性層９が、多重量子井戸層から構成される場合、第２ｎ型窒化物半導体層１０が設けられても、低電流密度での効率低下度は変化しない。比較例Ｂを参照せよ。比較例Ｂでは、活性層９は多重量子井戸層から構成されている。従って、多重量子井戸層を有する窒化物半導体ダイオードに第２ｎ型窒化物半導体層１０を設けることは意味をなさない。
【００４２】
万一、活性層９が０度以上１５度以下のオフ角を有するｍ面の主面を有さない場合、第２ｎ型窒化物半導体層１０が設けられても、低電流密度での効率の低下は抑制されない。比較例Ａを参照せよ。比較例Ａでは、活性層９はｃ面の主面を有する。従って、０度以上１５度以下のオフ角を有するｍ面の主面を有さない窒化物半導体ダイオードに第２ｎ型窒化物半導体層１０を設けることは意味をなさない。
【００４３】
万一、条件（Ａ）において、ｐ型窒化物半導体層６が、５．０×１０17ｃｍ-3未満のアクセプタ不純物濃度を有する場合には、第２ｎ型窒化物半導体層１０が設けられても、低電流密度での効率の低下は抑制されないであろう。なぜなら、表２〜表３を表１４〜表１５と比較すれば理解されるように、ｐ型窒化物半導体層６に含有されるアクセプタ不純物の濃度が１．０×１０18ｃｍ-3から遠ざかるに伴い、低電流密度での効率低下度ΔＥＱＥ＠０．３Ａ／ｃｍ2は大きくなるからである。例えば、実施例１−５および実施例６−４の両者において、第２ｎ型窒化物半導体層１０は１．０×１０18ｃｍ-3の不純物濃度を有するが、実施例１−５では、ｐ型窒化物半導体層６は１．０×１０18ｃｍ-3の不純物濃度を有し、かつ低電流密度での効率低下度ΔＥＱＥ＠０．３Ａ／ｃｍ2は、０．１５である。一方、実施例６−４では、ｐ型窒化物半導体層６は５．０×１０17ｃｍ-3の不純物濃度を有し、かつ低電流密度での効率低下度ΔＥＱＥ＠０．３Ａ／ｃｍ2は、０．３３である。この値は、実施例１−５の値（すなわち、０．１５）よりも大きい。
【００４４】
万一、条件（Ａ）において、第２ｎ型窒化物半導体層１０が、３．０×１０17ｃｍ-3未満のドナー不純物濃度を有する場合には、第２ｎ型窒化物半導体層１０が設けられても、低電流密度での効率の低下は抑制されない。比較例６−１を参照せよ。
【００４５】
万一、条件（Ａ）において、第２ｎ型窒化物半導体層１０が、１．５×１０18ｃｍ-3を超えるドナー不純物濃度を有する場合には、第２ｎ型窒化物半導体層１０が設けられても、低電流密度での効率の低下は抑制されない。比較例６−２、比較例６−３、および比較例６−４を参照せよ。
【００４６】
万一、条件（Ｂ）において、第２ｎ型窒化物半導体層１０が、３．０×１０１７ｃｍ-3未満のドナー不純物濃度を有する場合には、第２ｎ型窒化物半導体層１０が設けられても、低電流密度での効率の低下は抑制されない。比較例２−４、比較例２−５、比較例７−１、および比較例７−２を参照せよ。
【００４７】
万一、条件（Ｂ）において、第２ｎ型窒化物半導体層１０が、２．５×１０18ｃｍ-3を超えるドナー不純物濃度を有する場合には、第２ｎ型窒化物半導体層１０が設けられても、低電流密度での効率の低下は抑制されない。比較例１−３および比較例２−６を参照せよ
【００４８】
条件（Ｂ）においては、ｐ型窒化物半導体層６は、２．０×１０18ｃｍ-3以下のアクセプタ不純物濃度を有することが望ましい。ｐ型窒化物半導体層６が、２．０×１０18ｃｍ-3を超えるアクセプタ不純物濃度を有する場合には、第２ｎ型窒化物半導体層１０が設けられても、低電流密度での効率の低下は抑制されないだろう。なぜなら、表２〜表３を表１６〜表１７と比較すれば理解されるように、ｐ型窒化物半導体層６に含有されるアクセプタ不純物の濃度が１．０×１０18ｃｍ-3から遠ざかるに伴い、低電流密度での効率低下度ΔＥＱＥ＠０．３Ａ／ｃｍ2は大きくなる。例えば、実施例１−５および実施例７−４の両者において第２ｎ型窒化物半導体層１０は１．０×１０18ｃｍ-3の不純物濃度を有するが、実施例１−５では、ｐ型窒化物半導体層６が１．０×１０18ｃｍ-3であり、かつ低電流密度での効率低下度ΔＥＱＥ＠０．３Ａ／ｃｍ2は、０．１５である。一方、実施例７−４では、ｐ型窒化物半導体層６が２．０×１０18ｃｍ-3であり、かつ低電流密度での効率低下度ΔＥＱＥ＠０．３Ａ／ｃｍ2は、０．４１である。一方、この値は、実施例１−５の値（すなわち、０．１５）よりも大きい。
【００４９】
万一、第２ｎ型窒化物半導体層１０が、２５ナノメートル未満の厚みを有する場合には、第２ｎ型窒化物半導体層１０が設けられても、低電流密度での効率の低下は抑制されない。比較例３−１および比較例４−１を参照せよ。
【００５０】
このように、第２ｎ型窒化物半導体層１０は、２５ナノメートル以上の厚みを有している。万一、第２ｎ型窒化物半導体層１０が、２５ナノメートル未満の厚みを有している場合、後述される表５および表６から明らかなように、低電流密度で効率が低下する。第２ｎ型窒化物半導体層１０は、７０ナノメートル以下の厚みを有することが望ましい。より望ましくは、第２ｎ型窒化物半導体層１０は、４０ナノメートル以上７０ナノメートル以下の厚みを有する。
【００５１】
特許文献１および特許文献２は、活性層およびｐ型窒化物半導体層の間に挟まれているｎ型窒化物半導体層を開示している。しかし、特許文献１および特許文献２は、ｍ面も（２−２０−１）面のいずれをも開示も示唆もしていない。窒化物半導体発光ダイオードの開発の歴史の観点から、特許文献１および特許文献２に開示された窒化物半導体発光ダイオードは、ｃ面、すなわち（０００１）面の主面を有するであろう。さらに、特許文献１および特許文献２は、ｍ面窒化物半導体発光ダイオードおよび（２−２０−１）面窒化物半導体発光ダイオードが、低電流領域において著しく低いＥＱＥを有するという問題も示唆もしていない。特許文献１および特許文献２は、３ナノメートルを超える厚みを有する単一量子井戸層から形成される活性層が、低電流領域において著しく低いＥＱＥを有するという問題も示唆もしていない。その上、特許文献１および特許文献２は、特徴（ｉ）〜（ｉｖ）が低電流密度での効率の低下を抑制することも開示も示唆もしていない。従って、特許文献１および特許文献２に基づいて、ｍ面窒化物半導体発光ダイオードおよび（２−２０−１）面窒化物半導体発光ダイオードにおいて、活性層およびｐ型窒化物半導体層の間にｎ型窒化物半導体層が挟まれたとしても、ｍ面窒化物半導体発光ダイオードおよび（２−２０−１）面窒化物半導体発光ダイオードにおいて低電流密度での効率の低下を抑制できることは自明ではないであろう。
【００５２】
（実施例）
以下の実施例および比較例を参照しながら、第１実施形態による窒化物半導体発光ダイオードがより詳細に説明される。
【００５３】
以下の実施例および比較例におけるシミュレーションでは、窒化物半導体層に含有される全ての不純物は活性化していると仮定した。実際には、ｎ型窒化物半導体層に含有される実質的に全てのドナー不純物は活性化する。そのため、ｎ型窒化物半導体層のキャリア濃度は、ｎ型窒化物半導体層に含有されるドナー不純物の濃度にほぼ等しい。一方、全てのｐ型窒化物半導体層に含有されるアクセプタ不純物が活性化するわけではない。およそ１０％のアクセプタ不純物が活性化する。従って、ｐ型窒化物半導体のキャリア濃度は、ｐ型窒化物半導体層のアクセプタ不純物濃度のおよそ１／１０である。
【００５４】
（実施例１）
半導体シミュレータｐｒｏｐｈｅｔを用いて、ｍ面窒化物半導体発光素子における第２ｎ型半導体層１０の効果がシミュレーションされた。
【００５５】
図４は、実施例１によるシミュレーションにおいて用いられたｍ面窒化物半導体発光ダイオードの断面図を示す。図１とは異なり、ｐ型窒化物半導体層が、第１ｐ型窒化物半導体層６および第２ｐ型窒化物半導体層５を含んでいた。実施例１では、活性層９は、１２ナノメートルの厚みを有するｎ型ＩｎＧａＮ層である単一量子井戸層であった。第２ｎ型窒化物半導体層１０は、２５ナノメートルの厚みを有していた。実施例１では、第２ｎ型窒化物半導体層１０に含有されるドナー不純物の濃度を変化させた。以下の表１は、実施例１において用いられたｍ面窒化物半導体発光ダイオードに含まれる半導体層の厚みおよび不純物濃度を示す。以下の表２および表３は、実施例１によるシミュレーションの結果を示す。
【００５６】
【表１】
0005919484.tif 000002
【００５７】
【表２】
0005919484.tif 000003
【００５８】
【表３】
0005919484.tif 000004
【００５９】
表２および表３に示される実施例１−１〜１−１０から明らかなように、以下の条件の全てが満たされれば、低電流密度での効率低下度ΔＥＱＥ@0.3A/cm2の値は、０．５以下である。
（ａ）窒化物半導体層１０は、ｎ型である。
（ｂ）第２ｎ型窒化物半導体層１０は、３．０Ｅ＋１７ｃｍ-3以上２．５Ｅ＋１８ｃｍ-3以下の不純物濃度を有する。
第２ｎ型窒化物半導体層１０が、２．０Ｅ＋１７ｃｍ-3以上３．０Ｅ＋１７ｃｍ-3未満の不純物濃度を有する場合は、後述される表５および表６を参照せよ。
【００６０】
万一、窒化物半導体層１０がｐ型である場合、低電流密度での効率低下度ΔＥＱＥ@0.3A/cm2の値は、０．７６以上の大きな値である。比較例１−１および比較例１−２を参照せよ。比較例１−１および比較例１−２による窒化物半導体発光ダイオードは、窒化物半導体層１０がｐ型であるので、ｎ型窒化物半導体層／活性層／ｐ型窒化物半導体層の積層構造を有する一般的な窒化物半導体発光ダイオードであることに留意せよ。万一、第２ｎ型窒化物半導体層１０が、２．５Ｅ＋１８ｃｍ-3を超える不純物濃度を有する場合、低電流密度での効率低下度ΔＥＱＥ@0.3A/cm2の値は、０．６３という大きな値である。比較例１−３を参照せよ。
【００６１】
第２ｎ型窒化物半導体層１０が、５．０×１０17ｃｍ-3以上２．２×１０18ｃｍ-3以下の不純物濃度を有する場合、低電流密度での効率低下度ΔEQE@0.3A/cm2の値は、０．３５以下というより小さな値である。実施例１−３〜実施例１−８を参照せよ。
【００６２】
実施例１では、大電流密度での効率低下度ΔＥＱＥ＠３００Ａ／ｃｍ2は、０．１１以下という小さい値である。
【００６３】
（実施例２）
実施例１の場合と同様に、半導体シミュレータｐｒｏｐｈｅｔを用いて、ｍ面上窒化物半導体発光素子における第２ｎ型半導体層１０の効果がシミュレーションされた。実施例２による窒化物半導体発光ダイオードは、１５度のオフ角を有するｍ面の主面を有していたことを除き、実施例２による窒化物半導体発光ダイオードは、実施例１による窒化物半導体発光ダイオードと同じであった。言い換えれば、実施例２による窒化物半導体発光ダイオードは、（２−２０−１）面の主面を有していた。
【００６４】
以下の表４および表５は、実施例２によるシミュレーションの結果を示す。
【００６５】
【表４】
0005919484.tif 000005
【００６６】
【表５】
0005919484.tif 000006
【００６７】
表４および表５に示される実施例２−１〜２−１２から明らかなように、以下の条件の全てが満たされれば、低電流密度での効率低下度ΔＥＱＥ@0.3A/cm2の値は、０．６以下である。
（ａ）窒化物半導体層１０は、ｎ型である。
（ｂ）第２ｎ型窒化物半導体層１０は、３．０Ｅ＋１７ｃｍ−３以上２．５Ｅ＋１８ｃｍ−３以下の不純物濃度を有する。
【００６８】
万一、窒化物半導体層１０がｐ型である場合、低電流密度での効率低下度ΔＥＱＥ@0.3A/cm2の値は、０．７８以上の大きな値である。比較例２−１〜比較例２−３を参照せよ。比較例２−１および比較例２−２による窒化物半導体発光ダイオードは、窒化物半導体層１０がｐ型であるので、ｎ型窒化物半導体層／活性層／ｐ型窒化物半導体層の積層構造を有する一般的な窒化物半導体発光ダイオードであることに留意せよ。万一、第２ｎ型窒化物半導体層１０が、３．０Ｅ＋１７ｃｍ-3未満の不純物濃度を有する場合、低電流密度での効率低下度ΔＥＱＥ@0.3A/cm2の値は、０．６２以上という大きな値である。比較例２−４〜比較例２−５を参照せよ。万一、第２ｎ型窒化物半導体層１０が、２．５Ｅ＋１８ｃｍ-3を超える不純物濃度を有する場合、低電流密度での効率低下度ΔＥＱＥ@0.3A/cm2の値は、０．７０という大きな値である。比較例２−６を参照せよ。
【００６９】
第２ｎ型窒化物半導体層１０が、１．２Ｅ＋１８ｃｍ-3以上１．５Ｅ＋１８ｃｍ-3以下の不純物濃度を有する場合、低電流密度での効率低下度ΔEQE@0.3A/cm2の値は、０．３５以下というより小さな値である。実施例２−６〜実施例２−７を参照せよ。
【００７０】
実施例２でも、大電流密度での効率低下度ΔＥＱＥ＠３００Ａ／ｃｍ2は、０．１１以下という小さい値であった。
【００７１】
（実施例３）
半導体シミュレータｐｒｏｐｈｅｔを用いて、ｍ面上窒化物半導体発光素子における第２ｎ型半導体層１０の効果がシミュレーションされた。
【００７２】
実施例３では、活性層９は、１２ナノメートルの厚みを有するｎ型ＩｎＧａＮ層から形成される単一量子井戸層であった。実施例３では、第２ｎ型窒化物半導体層１０の厚みを変化させた。実施例３では、第２ｎ型窒化物半導体層１０に含有されるドナー不純物の濃度は、５．０Ｅ＋１７ｃｍ-3に維持した。以下の表６は、実施例３において用いられたｍ面窒化物半導体発光ダイオードに含まれる半導体層の厚みおよび不純物濃度を示す。以下の表７および表８は、実施例３によるシミュレーションの結果を示す。
【００７３】
【表６】
0005919484.tif 000007
【００７４】
【表７】
0005919484.tif 000008
【００７５】
【表８】
0005919484.tif 000009
【００７６】
表７および表８に示される実施例３−１〜３−４から明らかなように、以下の条件が満たされれば、低電流密度での効率低下度ΔＥＱＥ@0.3A/cm2の値は、０．５以下である。
（ｃ）第２ｎ型窒化物半導体層１０は、２５ナノメートル以上の厚みを有する。
【００７７】
万一、第２ｎ型窒化物半導体層１０が、２５ナノメートル未満の厚みを有する場合、低電流密度での効率低下度ΔＥＱＥ@0.3A/cm2の値は、０．６３という大きな値である。比較例３−１を参照せよ。
【００７８】
実施例３でも、大電流密度での効率低下度ΔＥＱＥ＠３００Ａ／ｃｍ2は、０．１０以下という小さい値であった。
【００７９】
（実施例４）
実施例１の場合と同様に、半導体シミュレータｐｒｏｐｈｅｔを用いて、ｍ面上窒化物半導体発光素子における第２ｎ型半導体層１０の効果がシミュレーションされた。実施例４による窒化物半導体発光ダイオードは、１５度のオフ角を有するｍ面の主面を有していたことを除き、実施例４による窒化物半導体発光ダイオードは、実施例３による窒化物半導体発光ダイオードと同じであった。言い換えれば、実施例４による窒化物半導体発光ダイオードは、（２−２０−１）面の主面を有していた。
【００８０】
以下の表９および表１０は、実施例４によるシミュレーションの結果を示す。
【００８１】
【表９】
0005919484.tif 000010
【００８２】
【表１０】
0005919484.tif 000011
【００８３】
表９および表１０に示される実施例４−１〜４−４から明らかなように、以下の条件が満たされれば、低電流密度での効率低下度ΔＥＱＥ@0.3A/cm2の値は、０．５以下である。
（ｃ）第２ｎ型窒化物半導体層１０は、２５ナノメートル以上の厚みを有する。
【００８４】
万一、第２ｎ型窒化物半導体層１０が、２５ナノメートル未満の厚みを有する場合、低電流密度での効率低下度ΔＥＱＥ@0.3A/cm2の値は、０．７０という大きな値である。比較例４−１を参照せよ。
【００８５】
実施例４でも、大電流密度での効率低下度ΔＥＱＥ＠３００Ａ／ｃｍ2は、０．１０以下という小さい値であった。
【００８６】
（実施例５）
半導体シミュレータｐｒｏｐｈｅｔを用いて、ｍ面上窒化物半導体発光素子における第２ｎ型半導体層１０の効果がシミュレーションされた。
【００８７】
実施例５では、活性層９の厚みを変化させた。活性層９は、ｎ型ＩｎＧａＮ層から形成される単一量子井戸層であった。実施例５では、第２ｎ型窒化物半導体層１０は、７０ナノメートルの厚みを有していた。実施例５では、第２ｎ型窒化物半導体層１０に含有されるドナー不純物の濃度は、２．０Ｅ＋１７ｃｍ-3に維持された。以下の表１１は、実施例５において用いられたｍ面窒化物半導体発光ダイオードに含まれる半導体層の厚みおよび不純物濃度を示す。以下の表１２および表１３は、実施例５によるシミュレーションの結果を示す。
【００８８】
【表１１】
0005919484.tif 000012
【００８９】
【表１２】
0005919484.tif 000013
【００９０】
【表１３】
0005919484.tif 000014
【００９１】
表１２および表１３に示される実施例５−１〜実施例５−９および参考例５−１から明らかなように、活性層９の厚みの減少に伴い、低電流密度での効率低下度ΔＥＱＥ@0.3A/cm2の値は小さくなる。一方、活性層９の厚みの減少に伴い、高電流密度での効率低下度ΔＥＱＥ@300A/cm2の値は大きくなる。活性層９が、６ナノメートル以上１５ナノメートル以下の厚みを有する場合、低電流密度での効率低下度ΔＥＱＥ@0.3A/cm2の値および高電流密度での効率低下度ΔＥＱＥ@300A/cm2の値の両者が、０．２０以下となる。
【００９２】
（実施例６）
半導体シミュレータｐｒｏｐｈｅｔを用いて、ｍ面上窒化物半導体発光素子における第２ｎ型半導体層１０の効果がシミュレーションされた。
【００９３】
実施例６では、ｐ型窒化物半導体層６のアクセプタ不純物濃度が５．０Ｅ＋１７ｃｍ-3に維持されたこと以外は、実施例２と同一のシミュレーションが行われた。以下の表１４および表１５は、実施例６によるシミュレーションの結果を示す。
【００９４】
【表１４】
0005919484.tif 000015
【００９５】
【表１５】
0005919484.tif 000016
【００９６】
表１４および表１５に示される実施例６−１〜６−６から明らかなように、ｐ型窒化物半導体層６が５．０×１０17ｃｍ-3のアクセプタ不純物濃度を有する場合、第２ｎ型窒化物半導体層１０に含有されるドナー不純物の濃度の上限は１．５×１０18ｃｍ-3である。第２ｎ型窒化物半導体層１０が、１．５×１０18ｃｍ-3を超えるドナー不純物濃度を有する場合、低電流密度での効率低下度ΔＥＱＥ@0.3A/cm2の値は大きくなる。一方、第２ｎ型窒化物半導体層１０が、２．０×１０17ｃｍ-3未満のドナー不純物濃度を有する場合も、低電流密度での効率低下度ΔＥＱＥ@0.3A/cm2の値は大きくなる。
【００９７】
実施例６でも、大電流密度での効率低下度ΔＥＱＥ＠３００Ａ／ｃｍ2は、０．１１以下という小さい値であった。
【００９８】
（実施例７）
半導体シミュレータｐｒｏｐｈｅｔを用いて、ｍ面上窒化物半導体発光素子における第２ｎ型半導体層１０の効果がシミュレーションされた。
【００９９】
実施例７では、ｐ型窒化物半導体層６のアクセプタ不純物濃度が２．０Ｅ＋１８ｃｍ-3に維持されたこと以外は、実施例２と同一のシミュレーションが行われた。以下の表１６および表１７は、実施例７によるシミュレーションの結果を示す。
【０１００】
【表１６】
0005919484.tif 000017
【０１０１】
【表１７】
0005919484.tif 000018
【０１０２】
表１６および表１７に示される実施例７−１〜７−７から明らかなように、ｐ型窒化物半導体層６が２．０×１０18ｃｍ-3のアクセプタ不純物濃度を有する場合であっても、実施例２と同様の効果が得られる。
【０１０３】
実施例７でも、大電流密度での効率低下度ΔＥＱＥ＠３００Ａ／ｃｍ2は、０．１２以下という小さい値であった。
【０１０４】
（比較例Ａ）
比較例Ａでは、ｍ面窒化物半導体に代えて、ｃ面窒化物半導体が用いられたこと以外は、実施例１と同一のシミュレーションが行われた。言い換えれば、比較例Ａによる窒化物半導体発光ダイオードは、（０００１）面の主面を有していた。表１８および表１９は、比較例Ａによるシミュレーションの結果を示す。
【０１０５】
【表１８】
0005919484.tif 000019
【０１０６】
【表１９】
0005919484.tif 000020
【０１０７】
表１８および表１９に示される比較例Ａ−１〜比較例Ａ−１２から明らかなように、第２ｎ型窒化物半導体層１０が設けられても、ｃ面窒化物半導体発光ダイオードの低電流密度での効率低下度ΔＥＱＥ@0.3A/cm2の値は大きい値に維持される。言い換えれば、ｃ面窒化物半導体発光ダイオードの低電流密度での効率低下度ΔＥＱＥ@0.3A/cm2の値は、改善されない。
【０１０８】
（比較例Ｂ）
比較例Ｂでは、単一量子井戸層から構成される活性層９に代えて、４層のＩｎ0.16Ｇａ0.84Ｎ層および３層のＧａＮ層から構成される多重量子井戸層が用いられたこと以外は、実施例２と同一のシミュレーションが行われた。各Ｉｎ0.16Ｇａ0.84Ｎ層は、３ナノメートルの厚みを有していた。同様に、各ＧａＮ層もまた、３ナノメートルの厚みを有していた。各ＧａＮ層は、２層のＩｎ0.16Ｇａ0.84Ｎ層に挟まれていた。活性層９の上側の面上には、ＧａＮから形成された第２ｎ型窒化物半導体層１０が設けられていた。活性層９の下側の面上には、ＧａＮから形成された第１ｎ型窒化物半導体層２が設けられていた。従って、多重量子井戸層に含まれる各Ｉｎ0.16Ｇａ0.84Ｎ層は、２層のＧａＮ層に挟まれていた。言い換えれば、多重量子井戸層は、Ｉｎ0.16Ｇａ0.84Ｎ層／ＧａＮ層／Ｉｎ0.16Ｇａ0.84Ｎ層／ＧａＮ層／Ｉｎ0.16Ｇａ0.84Ｎ層／ＧａＮ層／Ｉｎ0.16Ｇａ0.84Ｎ層の積層構造から形成されていた。表２０および表２１は、比較例Ｂによるシミュレーションの結果を示す。
【０１０９】
【表２０】
0005919484.tif 000021
【０１１０】
【表２１】
0005919484.tif 000022
【０１１１】
比較例Ｂ−１および比較例Ｂ−２では、窒化物半導体層１０はｐ型であるので、比較例Ｂ−１および比較例Ｂ−２による窒化物半導体発光ダイオードは、ｎ型窒化物半導体層／活性層／ｐ型窒化物半導体層の積層構造を有する一般的な窒化物半導体発光ダイオードである。比較例Ｂ−３および比較例Ｂ−４による窒化物半導体発光ダイオードは、一般的な窒化物半導体発光ダイオードである比較例Ｂ−１および比較例Ｂ−２による窒化物半導体発光ダイオードと同じ低電流密度での効率低下度の値を有していた。従って、低電流密度での効率低下度の観点からは、多重井戸量子層を有する窒化物半導体発光ダイオードに第２ｎ型窒化物半導体層１０を設けることに意味はない。
【産業上の利用可能性】
【０１１２】
本発明による窒化物半導体発光ダイオードは、照明器具、液晶バックライト、または自動車ヘッドランプのために利用され得る。
【符号の説明】
【０１１３】
１  基板
２  第１ｎ型窒化物半導体層
５  第２ｐ型窒化物半導体層
６  第１ｐ型窒化物半導体層
７  ｎ側電極
８  ｐ側電極
９  活性層
１０  第２ｎ型窒化物半導体層
【図１】
0005919484.tif 000023
【図２】
0005919484.tif 000024
【図３Ａ】
0005919484.tif 000025
【図３Ｂ】
0005919484.tif 000026
【図４】
0005919484.tif 000027
【図５】
0005919484.tif 000028
【図６】
0005919484.tif 000029