(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
初期成分として、
水；
平均粒径５〜１５０nmを有する砥粒０．１〜４０重量％；
式（II）：
【化２１】
0005843093.tif 000025
（式中、Ａは、Ｎであり；各Ｒ８は、独立して、水素、及びＣ１−Ｃ４アルキル基から選択され；そして式（II）中のアニオンは、式（II）中のカチオンの＋電荷と釣り合う任意のアニオンであってもよい）で示されるアダマンチル物質０．０１〜０．１重量％；ならびに
式（Ｉ）：
【化２２】
0005843093.tif 000026
（式中、各Ｘは、Ｎであり；Ｒ１は、Ｃ２−Ｃ６アルキレン基であり；Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６及びＲ７は、それぞれ独立して、Ｃ２−Ｃ６アルキル基から選択され；そして式（Ｉ）中のアニオンは、式（Ｉ）中のカチオンの２＋電荷と釣り合う任意のアニオン又はアニオンの組合せであってもよい）で示される二価第四級物質０．０２〜０．０６重量％；
を含むケミカルメカニカルポリッシング組成物。
【請求項２】
Ｒ１が、−（ＣＨ２）６−基であり；そしてＲ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６及びＲ７が、それぞれ−（ＣＨ２）３ＣＨ３基である、請求項１記載のケミカルメカニカルポリッシング組成物。
【請求項３】
各Ｒ８が、−ＣＨ３基である、請求項１記載のケミカルメカニカルポリッシング組成物。
【請求項４】
各Ｒ８が、−ＣＨ３基である、請求項２記載のケミカルメカニカルポリッシング組成物。
【請求項５】
二酸化ケイ素を含む基板を提供すること；
請求項１記載のケミカルメカニカルポリッシング組成物を提供すること；
ケミカルメカニカルポリッシングパッドを提供すること；
そのケミカルメカニカルポリッシングパッドと基板の間の界面にダウンフォース０．６９〜３４．５kPaの動的接触を生成すること；及び
そのケミカルメカニカルポリッシングパッドと基板の間の界面又はその付近で、ケミカルメカニカルポリッシング組成物をケミカルメカニカルポリッシングパッド上へ分配すること、を含み、
ここでそのケミカルメカニカルポリッシング組成物が、２〜６のpHを有する、基板のケミカルメカニカルポリッシングの方法。
【請求項６】
ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、初期成分として、平均粒径２０〜６０nmを有するコロイダルシリカ砥粒１〜１０重量％；式（Ｉ）で示される二価第四級物質０．０２〜０．０６重量％；ならびに、式（II）で示されるアダマンチル物質０．０１〜０．０５重量％を含み、ここで、式中、Ｒ１が、−（ＣＨ２）６−基であり；Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６及びＲ７が、それぞれ−（ＣＨ２）３ＣＨ３基であり；式（Ｉ）のアニオンが、２個の水酸化物アニオンであり；各Ｒ８が、−ＣＨ３基であり；式（II）中のアニオンが、水酸化物アニオンである、請求項５記載の方法。
【請求項７】
砥粒が、コロイダルシリカであり、そしてケミカルメカニカルポリッシング組成物が、２００mm研磨機でプラテン速度９３rpm、キャリア速度８７rpm、ケミカルメカニカルポリッシング組成物の流速２００ml/分、及び名目ダウンフォース２０．７kPaで、少なくとも１，５００Å/分の二酸化ケイ素除去速度を示し、ケミカルメカニカルポリッシングパッドが、高分子中空コア微粒子を含有するポリウレタン研磨層及びポリウレタン含浸不織布サブパッドを含む、請求項６記載の方法。
【請求項８】
基板が、更に、ＳｉＣ、ＳｉＣＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＣＯ及びポリシリコンの少なくとも１種を含む、請求項５記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般に、ケミカルメカニカルポリッシングの分野に関する。詳細には、本発明は、安定化されたケミカルメカニカルポリッシング組成物及び半導体材料のケミカルメカニカルポリッシングの方法を対象とし、より詳細には、例えば層間絶縁（ＩＬＤ）及びシャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）プロセスにおける、半導体構造の絶縁層のケミカルメカニカルポリッシングの方法を対象とする。
【背景技術】
【０００２】
近年の集積回路は、半導体デバイスで構成された電子回路を小型半導体構造上に一体として形成させる精巧なプロセスにより製造される。半導体構造上に形成される従来の半導体デバイスとしては、キャパシタ、レジスタ、トランジスタ、コンダクタ、ダイオードなどが挙げられる。集積回路の先進の製造では、多量のこれら半導体デバイスが、単一の半導体構造上に形成される。
【０００３】
加えて集積回路を、半導体構造の共通するシリコン基板上に、隣接するダイとして配列させる場合がある。典型的には、表面層スクライブ領域がダイの間に存在し、そこでダイが切り離されて、分離した集積回路を形成している。ダイの内部では、半導体構造の表面は、半導体デバイスの形成により生じる隆起した領域で特徴付けられる。これらの隆起領域は、アレイを形成していて、半導体構造のシリコン基板上の低い下部領域により分離されている。
【０００４】
アクティブデバイスは、絶縁体により絶縁して、デバイス間のクロストーク及びシグナル干渉を防ぐ必要がある。従来から、主要な絶縁技術が２種類存在する。一方は、層間絶縁（ＩＬＤ）である。他方は、シャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）と呼ばれる。
【０００５】
ＩＬＤ構造は、主として集積回路内の金属ワイヤ又はプラグを分離するのに用いられる。誘電絶縁材料（例えば、シリカ及び窒化ケイ素）が、典型的には溝の間及び金属線又はプラグの最上部に成長又は堆積されて、アレイの上部に上向きに延在する高い部分が垂直方向に突起した形状と、低いオープンントラフ（open troughs）で特徴付けられる非平坦面を作り出す。その後、ＣＭＰプロセスを用いて、垂直方向の突起形状の高さを目的の高さまで、典型的にはアレイの最上部より上の所定の距離まで低下させて、理想的には平坦面が形成される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ＳＴＩは、絶縁構造を形成させて、集積回路内で形成される様々な活性成分を電気的に絶縁するのに広く用いられる半導体組立法である。ＳＴＩ技術において、最初のステップは、通常は異方性エッチングにより、基板内の所定の位置に複数のトレンチを形成させることである。次に、シリカをこれらのトレンチそれぞれの中に堆積させる。その後、シリカをＣＭＰにより窒化ケイ素（ストップ層）まで研磨して、ＳＴＩ構造を形成させる。効率的な研磨を実現するために、研磨スラリーが、典型的には窒化ケイ素に対するシリカの除去速度（選択比）に関係して高い選択比を提供する。
【０００７】
ＩＬＤ及びＳＴＩプロセスでの従来のＣＭＰスラリーは、高濃度の砥粒を含むことで、その有効性が高まる。不幸にも砥粒は高価であり、砥粒を多量に使用すれば、コストが法外に高くなる。
【０００８】
酸化ケイ素を除去する砥粒の含量が低い一研磨組成物が、Liu他への米国特許第７，０１８，５６０号に開示されている。Liu他は、相互接続金属の除去を制限するためのコロージョンインヒビター；酸性pH；砥粒粒子；及び
【０００９】
【化１】
0005843093.tif 000002
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、基であり、Ｒ１は、炭素原子２〜１５個の炭素鎖長を有する非置換のアリール、アルキル、アラルキル、又はアルカリール基である）で形成された有機アンモニウム含有塩、を含む水性研磨組成物を開示しており、その有機アンモニウム含有塩は、二酸化ケイ素除去を促進し、そして２１．７kPa未満で少なくとも１種の研磨圧でＳｉＣ、ＳｉＣＮ、Ｓｉ３Ｎ４及びＳｉＣＯからなる群から選択される少なくとも１種のコーティングの除去を減少させる濃度を有する。
【００１０】
それにもかかわらず、ケミカルメカニカルポリッシング組成物、及び改善された除去速度を有し砥粒濃度の低い絶縁層のケミカルメカニカルポリッシングの方法が、依然として求められている。詳細には、低い砥粒濃度による改善された絶縁層除去速度のみならず、改善された貯蔵安定性を示す、ＩＬＤ及びＳＴＩプロセスにおいて絶縁層を研磨する組成物及び方法が、求められている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、初期成分として、水；平均粒径５〜１５０nmを有する砥粒０．１〜４０重量％；式（II）：
【００１２】
【化２】
0005843093.tif 000003
（式中、Ａは、Ｎ及びＰから選択され；各Ｒ８は、独立して、水素、飽和又は不飽和Ｃ１−１５アルキル基、Ｃ６−１５アリール基、Ｃ６−１５アラルキル基、Ｃ６−１５アルカリール基から選択され；そして式（II）中のアニオンは、式（II）中のカチオンの＋電荷と釣り合う任意のアニオンであってもよい）で示されるアダマンチル物質０．００１〜１重量％；式（Ｉ）：
【００１３】
【化３】
0005843093.tif 000004
（式中、各Ｘは、独立して、Ｎ及びＰから選択され；Ｒ１は、飽和又は不飽和Ｃ１−Ｃ１５アルキル基、Ｃ６−Ｃ１５アリール基及びＣ６−Ｃ１５アラルキル基であり；Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６及びＲ７は、それぞれ独立して、水素、飽和又は不飽和Ｃ１−Ｃ１５アルキル基、Ｃ６−Ｃ１５アリール基、Ｃ６−Ｃ１５アラルキル基及びＣ６−Ｃ１５アルカリール基から選択され；そして式（Ｉ）中のアニオンは、式（Ｉ）中のカチオンの２＋電荷と釣り合う任意のアニオン又はアニオンの組合せであってもよい）で示される二価第四級物質（diquaternary substance）０〜１重量％；ならびに水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラプロピルアンモニウム、水酸化テトライソプロピルアンモニウム、水酸化テトラシクロプロピルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム、水酸化テトライソブチルアンモニウム、水酸化テトラtert−ブチルアンモニウム、水酸化テトラsec−ブチルアンモニウム、水酸化テトラシクロブチルアンモニウム、水酸化テトラペンチルアンモニウム、水酸化テトラシクロペンチルアンモニウム、水酸化テトラヘキシルアンモニウム、水酸化テトラシクロヘキシルアンモニウム、及びそれらの混合物から選択される第四級アンモニウム化合物０〜１重量％、を含むケミカルメカニカルポリッシング組成物を提供する。
【００１４】
本発明は、初期成分として、水；平均粒径５〜１５０nmを有する砥粒０．１〜４０重量％；式（II）：
【００１５】
【化４】
0005843093.tif 000005
（式中、Ａが、Ｎ及びＰから選択され；各Ｒ８が、独立して、水素、飽和又は不飽和Ｃ１−１５アルキル基、Ｃ６−１５アリール基、Ｃ６−１５アラルキル基、Ｃ６−１５アルカリール基から選択され；そして式（II）中のアニオンが、式（II）中のカチオンの＋電荷と釣り合う任意のアニオンであってもよい）で示されるアダマンチル物質０．００１〜１重量％；ならびに（ａ）式（Ｉ）：
【００１６】
【化５】
0005843093.tif 000006
（式中、各Ｘが、独立して、Ｎ及びＰから選択され；Ｒ１が、飽和又は不飽和Ｃ１−Ｃ１５アルキル基、Ｃ６−Ｃ１５アリール基及びＣ６−Ｃ１５アラルキル基であり；Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６及びＲ７が、それぞれ独立して、水素、飽和又は不飽和Ｃ１−Ｃ１５アルキル基、Ｃ６−Ｃ１５アリール基、Ｃ６−Ｃ１５アラルキル基及びＣ６−Ｃ１５アルカリール基から選択され；そして式（Ｉ）中のアニオンが、式（Ｉ）中のカチオンの２＋電荷と釣り合う任意のアニオン又はアニオンの組合せであってもよい）で示される二価第四級物質０．００１〜１重量％と、（ｂ）水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラプロピルアンモニウム、水酸化テトライソプロピルアンモニウム、水酸化テトラシクロプロピルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム、水酸化テトライソブチルアンモニウム、水酸化テトラtert−ブチルアンモニウム、水酸化テトラsec−ブチルアンモニウム、水酸化テトラシクロブチルアンモニウム、水酸化テトラペンチルアンモニウム、水酸化テトラシクロペンチルアンモニウム、水酸化テトラヘキシルアンモニウム、水酸化テトラシクロヘキシルアンモニウム、及びそれらの混合物から選択される第四級アンモニウム化合物０．００５〜１重量％、の少なくとも一方を含むケミカルメカニカルポリッシング組成物を提供する。
【００１７】
本発明は、初期成分として、水；平均粒径５〜１５０nmを有する砥粒０．１〜４０重量％；式（Ｉ）：
【００１８】
【化６】
0005843093.tif 000007
（式中、各Ｘが、独立して、Ｎ及びＰから選択され；Ｒ１が、飽和又は不飽和Ｃ１−Ｃ１５アルキル基、Ｃ６−Ｃ１５アリール基及びＣ６−Ｃ１５アラルキル基であり；Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６及びＲ７が、それぞれ独立して、水素、飽和又は不飽和Ｃ１−Ｃ１５アルキル基、Ｃ６−Ｃ１５アリール基、Ｃ６−Ｃ１５アラルキル基及びＣ６−Ｃ１５アルカリール基から選択され；そして式（Ｉ）中のアニオンが、式（Ｉ）中のカチオンの２＋電荷と釣り合う任意のアニオン又はアニオンの組合せであってもよい）で示される二価第四級物質０．００１〜１重量％；ならびに式（II）：
【００１９】
【化７】
0005843093.tif 000008
（式中、Ａが、Ｎ及びＰから選択され；各Ｒ８が、独立して、水素、飽和又は不飽和Ｃ１−１５アルキル基、Ｃ６−１５アリール基、Ｃ６−１５アラルキル基、Ｃ６−１５アルカリール基から選択され；そして式（II）中のアニオンが、式（II）中のカチオンの＋電荷と釣り合う任意のアニオンであってもよい）で示されるアダマンチル物質０．００１〜１重量％、を含むケミカルメカニカルポリッシング組成物を提供する。
【００２０】
本発明は、初期成分として、水；平均粒径５〜１５０nmを有する砥粒０．１〜４０重量％；式（II）：
【００２１】
【化８】
0005843093.tif 000009
（式中、Ａが、Ｎ及びＰから選択され；各Ｒ８が、独立して、水素、飽和又は不飽和Ｃ１−１５アルキル基、Ｃ６−１５アリール基、Ｃ６−１５アラルキル基、Ｃ６−１５アルカリール基から選択され；そして式（II）中のアニオンが、式（II）中のカチオンの＋電荷と釣り合う任意のアニオンであってもよい）で示されるアダマンチル物質０．００１〜１重量％；ならびに水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラプロピルアンモニウム、水酸化テトライソプロピルアンモニウム、水酸化テトラシクロプロピルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム、水酸化テトライソブチルアンモニウム、水酸化テトラtert−ブチルアンモニウム、水酸化テトラsec−ブチルアンモニウム、水酸化テトラシクロブチルアンモニウム、水酸化テトラペンチルアンモニウム、水酸化テトラシクロペンチルアンモニウム、水酸化テトラヘキシルアンモニウム、水酸化テトラシクロヘキシルアンモニウム、及びそれらの混合物から選択される第四級アンモニウム化合物０．００５〜１重量％、を含むケミカルメカニカルポリッシング組成物を提供する。
【００２２】
本発明は、二酸化ケイ素を含む基板を提供すること；本発明のケミカルメカニカルポリッシング組成物を提供すること；ケミカルメカニカルポリッシングパッドを提供すること；ケミカルメカニカルポリッシングパッドと基板の間の界面にダウンフォース０．６９〜３４．５kPaの動的接触を生成すること；及びケミカルメカニカルポリッシングパッドと基板の間の界面又はその付近で、ケミカルメカニカルポリッシング組成物をケミカルメカニカルポリッシングパッド上へ分配すること、を含み、ここでそのケミカルメカニカルポリッシング組成物が、２〜６のpHを有する、基板のケミカルメカニカルポリッシングの方法を提供する。
【００２３】
本発明は、二酸化ケイ素を含む基板を提供すること；本発明のケミカルメカニカルポリッシング組成物を提供すること；ケミカルメカニカルポリッシングパッドを提供すること；ケミカルメカニカルポリッシングパッドと基板の間の界面にダウンフォース０．６９〜３４．５kPaの動的接触を生成すること；及びケミカルメカニカルポリッシングパッドと基板の間の界面又はその付近で、ケミカルメカニカルポリッシング組成物をケミカルメカニカルポリッシングパッド上へ分配すること、を含み、ここでそのケミカルメカニカルポリッシング組成物が、２〜６のpHを有し、そしてそのケミカルメカニカルポリッシング組成物が、少なくとも１，５００Å/分の二酸化ケイ素除去速度を示す、基板のケミカルメカニカルポリッシングの方法を提供する。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
詳細な説明
ケミカルメカニカルポリッシング組成物への式（II）で示されるアダマンチル物質の添加から得られる酸化ケイ素の除去速度（Å/分で測定される除去速度）の変動に関連して、本明細書及び添付の特許請求の範囲で用いられる用語「最小効果」は、酸化ケイ素の除去速度が１０％以下で変動することを意味する。即ち、ケミカルメカニカルポリッシング組成物への式（II）で示されるアダマンチル物質の添加が、酸化ケイ素除去速度に対して最小効果を有する場合に、以下の式が適合される：
（（Ａ０−Ａ）／Ａ０の絶対値）×１００≦１０
（式中、Ａは、実施例で示された研磨条件下で測定された、初期成分として式（II）で示されるアダマンチル物質を含む本発明のケミカルメカニカルポリッシング組成物の、Å/分での酸化ケイ素除去速度であり、Ａ０は、式（II）で示されるアダマンチル物質がケミカルメカニカルポリッシング組成物中に存在しないことを除き同一条件下で得られたÅ/分での酸化ケイ素除去速度である）。
【００２５】
本発明のケミカルメカニカルポリッシング方法で用いられるケミカルメカニカルポリッシング組成物の具体的な配合の選択は、目的の二酸化ケイ素除去速度を提供するための鍵となる。
【００２６】
ケミカルメカニカルポリッシングのための本発明のケミカルメカニカルポリッシング方法での使用に適した基板は、その表面に堆積された二酸化ケイ素を有する半導体基板を含む。場合によりその基板は、ＳｉＣ、ＳｉＣＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＣＯ及びポリシリコンの少なくとも１種（最も好ましくはＳｉ３Ｎ４）に堆積された二酸化ケイ素を有する。
【００２７】
本発明のケミカルメカニカルポリッシング組成物中での使用に適した砥粒としては、例えば、無機酸化物、無機水酸化物、無機水酸化酸化物（inorganic hydroxide oxides）、金属ホウ化物、金属炭化物、金属窒化物、高分子粒子及び前述のものの少なくとも１種を含む混合物が挙げられる。適切な無機酸化物としては、例えば、シリカ（ＳｉＯ２）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、ジルコニア（ＺｒＯ２）、セリア（ＣｅＯ２）、酸化マンガン（ＭｎＯ２）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、又は前述の酸化物の少なくとも１種を含む混合物が挙げられる。所望なら、これらの無機酸化物の改良形態、例えば、有機ポリマーでコーティングされた無機酸化物粒子及び無機物コーティング粒子を用いることもできる。適切な金属炭化物、ホウ化物及び窒化物としては、例えば、炭化ケイ素、窒化ケイ素、炭窒化ケイ素（ＳｉＣＮ）、炭化ホウ素、炭化タングステン、炭化ジルコニウム、ホウ化アルミニウム、炭化タンタル、炭化チタン、又は前述の金属炭化物、ホウ化物及び窒化物の少なくとも１種を含む混合物が挙げられる。好ましくは、砥粒は、コロイダルシリカ砥粒である。
【００２８】
本発明のケミカルメカニカルポリッシング組成物中の砥粒は、好ましくは５〜１５０nm、より好ましくは２０〜１００nm、更により好ましくは２０〜６０nm、最も好ましくは２０〜５０nmの平均粒径を有する。
【００２９】
本発明のケミカルメカニカルポリッシング組成物の砥粒は、好ましくは砥粒を０．１〜４０重量％、より好ましくは０．１〜２０重量％、更により好ましくは１〜２０重量％、最も好ましくは１〜１０重量％含む。
【００３０】
好ましくは、本発明のケミカルメカニカルポリッシング組成物は、平均粒径２０〜６０nmを有するコロイダルシリカ砥粒を含む。更により好ましくは、本発明のケミカルメカニカルポリッシング組成物は、平均粒径２０〜６０nmを有するコロイダルシリカ砥粒を１〜１０重量％含む。最も好ましくは、本発明のケミカルメカニカルポリッシング組成物は、平均粒径２０〜５０nmを有するコロイダルシリカ砥粒を１〜１０重量％含む。
【００３１】
好ましくは、本発明のケミカルメカニカルポリッシング組成物は、式（II）：
【００３２】
【化９】
0005843093.tif 000010
（式中、Ａが、Ｎ及びＰ（好ましくはＮ）から選択され；各Ｒ８が、独立して、水素、飽和又は不飽和Ｃ１−Ｃ１５アルキル基、Ｃ６−Ｃ１５アリール基、Ｃ６−Ｃ１５アラルキル基及びＣ６−Ｃ１５アルカリール基（好ましくは水素及びＣ１−Ｃ４アルキル基；より好ましくは水素及びメチル基；最も好ましくはメチル基）から選択され；そして式（II）中のアニオンが、式（II）中のカチオンの＋電荷と釣り合う任意のアニオンであってもよい（好ましくは式（II）中のアニオンが、ハロゲンアニオン、水酸化物アニオン、及び亜硝酸アニオンから；より好ましくはハロゲンアニオン及び水酸化物アニオンから；最も好ましくは水酸化物アニオンから選択される））で示されるアダマンチル物質を０．００１〜１重量％、より好ましくは０．０１〜０．１重量％、最も好ましくは０．０１〜０．０５重量％含む。より好ましくは、本発明のケミカルメカニカルポリッシング組成物は、アダマンチル物質を０．００１〜１重量％、より好ましくは０．０１〜０．１重量％、最も好ましくは０．０１〜０．０５重量％含み、ここでアダマンチル物質は、式（II）で示されるアダマンチルアンモニウム物質であり、ここでＡが、Ｎであり；各Ｒ８が、独立して、水素、飽和又は不飽和Ｃ１−Ｃ１５アルキル基、Ｃ６−Ｃ１５アリール基、Ｃ６−Ｃ１５アラルキル基及びＣ６−Ｃ１５アルカリール基（好ましくは水素及びＣ１−Ｃ４アルキル基；より好ましくは水素及びメチル基；最も好ましくはメチル基）から選択され；そして式（II）中のアニオンが、式（II）中のカチオンの＋電荷と釣り合う任意のアニオンであってもよい（好ましくは式（II）中のアニオンが、ハロゲンアニオン、水酸化物アニオン、及び亜硝酸アニオンから；より好ましくはハロゲンアニオン及び水酸化物アニオンから；最も好ましくは水酸化物アニオンから選択される）。最も好ましくは、本発明のケミカルメカニカルポリッシング組成物は、以下の式：
【００３３】
【化１０】
0005843093.tif 000011
を有するアダマンチルアンモニウム物質を０．０１〜０．０５重量％含む。式（II）で示されるアダマンチル物質を含むことで、酸化ケイ素の除去速度に対する最小効果により、本発明のケミカルメカニカルポリッシング組成物の安定性が向上する。好ましくは、実施例で示された研磨条件下で測定された、本発明のケミカルメカニカルポリッシング組成物により示されたÅ/分での酸化ケイ素除去速度（Ａ）は、式（II）で示されるアダマンチル物質がケミカルメカニカルポリッシング組成物中に存在しないことを除き同一条件下で得られた酸化ケイ素除去速度（Ａ０）の９５％以上（より好ましくは９８％以上、最も好ましくは９９％以上）である。
【００３４】
本発明のケミカルメカニカルポリッシング組成物に含まれる水は、好ましくは脱イオン及び蒸留の少なくとも一方を施されているため、不可避不純物が制限される。
【００３５】
場合により、本発明のケミカルメカニカルポリッシング組成物は、初期成分として、式（Ｉ）：
【００３６】
【化１１】
0005843093.tif 000012
（式中、各Ｘが、独立して、Ｎ及びＰから選択され、好ましくは各Ｘが、Ｎであり；Ｒ１が、飽和又は不飽和Ｃ１−Ｃ１５アルキル基、Ｃ６−Ｃ１５アリール基及びＣ６−Ｃ１５アラルキル基（好ましくはＣ４−Ｃ１０アルキル基；より好ましくはＣ２−Ｃ６アルキル基；最も好ましくは−（ＣＨ２）６−基）であり；Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６及びＲ７が、それぞれ独立して、水素、飽和又は不飽和Ｃ１−Ｃ１５アルキル基、Ｃ６−Ｃ１５アリール基、Ｃ６−Ｃ１５アラルキル基及びＣ６−Ｃ１５アルカリール基（好ましくは水素及びＣ１−Ｃ４アルキル基；より好ましくは水素及びメチル基；最も好ましくはメチル基）から選択され；そして式（Ｉ）中のアニオンが、式（Ｉ）中のカチオンの２＋電荷と釣り合う任意のアニオン又はアニオンの組合せであってもよい（好ましくは式（Ｉ）中のアニオンが、ハロゲンアニオン、水酸化物アニオン、硝酸アニオン、硫酸アニオン及びリン酸アニオンから；より好ましくはハロゲンアニオン及び水酸化物アニオンから；最も好ましくは水酸化物アニオンから選択される））で示される二価第四級物質を含む。好ましくは、本発明のケミカルメカニカルポリッシング組成物は、初期成分として、式（Ｉ）で示される二価第四級物質を０．００１〜１重量％（好ましくは０．０１〜０．１重量％、最も好ましくは０．０１〜０．０５重量％）含む。最も好ましくは、本発明のケミカルメカニカルポリッシング組成物は、式（Ｉ）で示される二価第四級物質を０．０１〜０．０５重量％含み、ここで各Ｘが、Ｎであり；Ｒ１が、−（ＣＨ２）６−基であり、そしてＲ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６及びＲ７が、それぞれ−（ＣＨ２）３ＣＨ３基である。式（Ｉ）で示される二価第四級物質を含むことで、二酸化ケイ素除去速度が促進される。
【００３７】
場合により、本発明のケミカルメカニカルポリッシング組成物は、初期成分として、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラプロピルアンモニウム、水酸化テトライソプロピルアンモニウム、水酸化テトラシクロプロピルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム、水酸化テトライソブチルアンモニウム、水酸化テトラtert−ブチルアンモニウム、水酸化テトラsec−ブチルアンモニウム、水酸化テトラシクロブチルアンモニウム、水酸化テトラペンチルアンモニウム、水酸化テトラシクロペンチルアンモニウム、水酸化テトラヘキシルアンモニウム、水酸化テトラシクロヘキシルアンモニウム、及びそれらの混合物から選択される（最も好ましくは水酸化テトラエチルアンモニウム（ＴＥＡＨ）、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）及び水酸化テトラブチルアンモニウム（ＴＢＡＨ）から選択される）第四級アンモニウム化合物を０〜１重量％（好ましくは０．００５〜１重量％、より好ましくは０．００５〜０．７５重量％、最も好ましくは０．００５〜０．０５重量％）含む。
【００３８】
本発明のケミカルメカニカルポリッシング組成物は、場合により更に、分散剤、界面活性剤、緩衝剤及び殺生物剤から選択される追加の添加剤を含む。
【００３９】
本発明のケミカルメカニカルポリッシング組成物は、場合により、コロージョンインヒビター剤を含まない。本明細書及び添付の特許請求の範囲で用いられる用語「コロージョンインヒビター剤を含まない」は、ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、ベンゾトリアゾール；１，２，３−ベンゾトリアゾール；５，６−ジメチル−１，２，３−ベンゾトリアゾール；１−（１，２−ジカルボキシエチル）ベンゾトリアゾール；１−［Ｎ，Ｎ−ビス（ヒドロキシルエチル）アミノメチル］ベンゾトリアゾール；又は１−（ヒドロキシルメチル）ベンゾトリアゾールを含有しないことを意味する。
【００４０】
本発明のケミカルメカニカルポリッシング組成物は、酸化剤を含まない。本明細書及び添付の特許請求の範囲で用いられる用語「酸化剤を含まない」は、ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、酸化剤、例えば、過酸化水素、過硫酸塩（例えば、モノ過硫酸アンモニウム、及びジ過硫酸カリウム）及び過ヨウ素酸塩（例えば、過ヨウ素酸カリウム）を含有しないことを意味する。
【００４１】
本発明のケミカルメカニカルポリッシング組成物は、pH２〜６にわたり有効性を提供する。好ましくは、用いられるケミカルメカニカルポリッシング組成物は、pH２〜５にわたり有効性を提供する。最も好ましくは、用いられるケミカルメカニカルポリッシング組成物は、pH２〜４にわたり有効性を提供する。そのケミカルメカニカルポリッシング組成物のpHを調整するための使用に適した酸としては、例えば、リン酸、硝酸、硫酸及び塩酸が挙げられる。そのケミカルメカニカルポリッシング組成物のpHを調整するための使用に適した塩基としては、例えば、水酸化アンモニウム及び水酸化カリウムが挙げられる。
【００４２】
好ましくは、本発明のケミカルメカニカルポリッシング組成物は、１，５００Å/分以上、より好ましくは１，８００Å/分以上、最も好ましくは２，０００Å/分以上の二酸化ケイ素除去速度を示す。
【００４３】
好ましくは、本発明のケミカルメカニカルポリッシング組成物は、初期成分として、水；平均粒径５〜１５０nm（好ましくは２０〜１００nm、より好ましくは２０〜６０nm、最も好ましくは２０〜５０nm）を有する砥粒０．１〜４０重量％（好ましくは０．１〜２０重量％、更により好ましくは１〜２０重量％、最も好ましくは１〜１０重量％）；式（Ｉ）：
【００４４】
【化１２】
0005843093.tif 000013
（式中、各Ｘが、独立して、Ｎ及びＰから選択され、好ましくは各Ｘが、Ｎであり；Ｒ１が、飽和又は不飽和Ｃ１−Ｃ１５アルキル基、Ｃ６−Ｃ１５アリール基及びＣ６−Ｃ１５アラルキル基（好ましくはＣ４−Ｃ１０アルキル基；より好ましくはＣ２−Ｃ６アルキル基；最も好ましくは−（ＣＨ２）６−基）であり；Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６及びＲ７が、それぞれ独立して、水素、飽和又は不飽和Ｃ１−Ｃ１５アルキル基、Ｃ６−Ｃ１５アリール基、Ｃ６−Ｃ１５アラルキル基及びＣ６−Ｃ１５アルカリール基（好ましくは水素及びＣ１−Ｃ４アルキル基；より好ましくは水素及びメチル基；最も好ましくはメチル基）から選択され；そして式（Ｉ）中のアニオンが、式（Ｉ）中のカチオンの２＋電荷と釣り合う任意のアニオン又はアニオンの組合せであってもよい（好ましくは式（Ｉ）中のアニオンが、ハロゲンアニオン、水酸化物アニオン、硝酸アニオン、硫酸アニオン及びリン酸アニオンから；より好ましくはハロゲンアニオン及び水酸化物アニオンから；最も好ましくは水酸化物アニオンから選択される））で示される二価第四級物質０．００１〜１重量％（好ましくは０．０１〜０．１重量％、より好ましくは０．０２〜０．０６重量％）；式（II）：
【００４５】
【化１３】
0005843093.tif 000014
（式中、Ａが、Ｎ及びＰ（好ましくはＮ）から選択され；各Ｒ８が、独立して、水素、飽和又は不飽和Ｃ１−Ｃ１５アルキル基、Ｃ６−Ｃ１５アリール基、Ｃ６−Ｃ１５アラルキル基及びＣ６−Ｃ１５アルカリール基（好ましくは水素及びＣ１−Ｃ４アルキル基；より好ましくは水素及びメチル基；最も好ましくはメチル基）から選択され；そして式（II）中のアニオンが、式（II）中のカチオンの＋電荷と釣り合う任意のアニオンであってもよい（好ましくは式（II）中のアニオンが、ハロゲンアニオン、水酸化物アニオン、及び亜硝酸アニオンから；より好ましくはハロゲンアニオン及び水酸化物アニオンから；最も好ましくは水酸化物アニオンから選択される））で示されるアダマンチル物質０．００１〜１重量％（好ましくは０．０１〜０．１重量％、最も好ましくは０．０１〜０．０５重量％）；ならびに第四級アルキルアンモニウム化合物０〜１重量％（好ましくは０．００５〜１重量％、より好ましくは０．００５〜０．０７５重量％、最も好ましくは０．００５〜０．０５重量％）を含み、ここでそのケミカルメカニカルポリッシング組成物は、１，５００Å/分以上、好ましくは１，８００Å/分以上、より好ましくは２，０００Å/分以上の二酸化ケイ素除去速度を示す。
【００４６】
本発明のケミカルメカニカルポリッシング組成物は、好ましくは貯蔵安定性を有する。本明細書及び添付の特許請求の範囲で用いられる用語「貯蔵安定性」は、１００rpmに設定されたBrookfield #S00スピンドル使用の２０℃のBrookfield DV-I+粘度計を用いて測定された、表題のケミカルメカニカルポリッシング組成物の粘度が、５５℃で１週間貯蔵した後に５％未満上昇することを意味する。より好ましくは、本発明のケミカルメカニカルポリッシング組成物は、長期貯蔵安定性を有する。本明細書及び添付の特許請求の範囲で用いられる用語「長期貯蔵安定性」は、１００rpmに設定されたBrookfield #S00スピンドル使用の２０℃のBrookfield DV-I+粘度計を用いて測定された、表題のケミカルメカニカルポリッシング組成物の粘度が、５５℃で４週間貯蔵した後に１５％未満上昇することを意味する。
【００４７】
本発明のケミカルメカニカルポリッシング方法は、二酸化ケイ素（場合により二酸化ケイ素ならびにＳｉＣ、ＳｉＣＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＣＯ及びポリシリコンの少なくとも１種；好ましくは窒化ケイ素上に堆積された二酸化ケイ素）を含む基板を提供すること；初期成分として、水；平均粒径５〜１５０nm（好ましくは２０〜６０nm、最も好ましくは２０〜５０nm）を有する砥粒０．１〜４０重量％（好ましくは０．１〜２０重量％、最も好ましくは１〜１０重量％）；式（Ｉ）：
【００４８】
【化１４】
0005843093.tif 000015
（式中、各Ｘが、独立して、Ｎ及びＰから選択され、好ましくは各Ｘが、Ｎであり；Ｒ１が、飽和又は不飽和Ｃ１−Ｃ１５アルキル基、Ｃ６−Ｃ１５アリール基及びＣ６−Ｃ１５アラルキル基（好ましくはＣ４−Ｃ１０アルキル基；より好ましくはＣ２−Ｃ６アルキル基；最も好ましくは−（ＣＨ２）６−基）であり；Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６及びＲ７が、それぞれ独立して、水素、飽和又は不飽和Ｃ１−Ｃ１５アルキル基、Ｃ６−Ｃ１５アリール基、Ｃ６−Ｃ１５アラルキル基及びＣ６−Ｃ１５アルカリール基（好ましくは水素及びＣ１−Ｃ４アルキル基；より好ましくは水素及びメチル基；最も好ましくはメチル基）から選択され；そして式（Ｉ）中のアニオンが、式（Ｉ）中のカチオンの２＋電荷と釣り合う任意のアニオン又はアニオンの組合せであってもよい（好ましくは式（Ｉ）中のアニオンが、ハロゲンアニオン、水酸化物アニオン、硝酸アニオン、硫酸アニオン及びリン酸アニオンから；より好ましくはハロゲンアニオン及び水酸化物アニオンから；最も好ましくは水酸化物アニオンから選択される））で示される二価第四級物質０〜１重量％（好ましくは０．０１〜１重量％、より好ましくは０．０１〜０．１重量％、最も好ましくは０．０１〜０．０５重量％）；式（II）：
【００４９】
【化１５】
0005843093.tif 000016
（式中、Ａが、Ｎ及びＰ（好ましくはＮ）から選択され；各Ｒ８が、独立して、水素、飽和又は不飽和Ｃ１−Ｃ１５アルキル基、Ｃ６−Ｃ１５アリール基、Ｃ６−Ｃ１５アラルキル基及びＣ６−Ｃ１５アルカリール基（好ましくは水素及びＣ１−Ｃ４アルキル基；より好ましくは水素及びメチル基；最も好ましくはメチル基）から選択され；そして式（II）中のアニオンが、式（II）中のカチオンの＋電荷と釣り合う任意のアニオンであってもよい（好ましくは式（II）中のアニオンが、ハロゲンアニオン、水酸化物アニオン、及び亜硝酸アニオンから；より好ましくはハロゲンアニオン及び水酸化物アニオンから；最も好ましくは水酸化物アニオンから選択される））で示されるアダマンチル物質０．００１〜１重量％（好ましくは０．０１〜０．１重量％、最も好ましくは０．０１〜０．０５重量％）；ならびに第四級アルキルアンモニウム化合物０〜１重量％（好ましくは０．００５〜１重量％、より好ましくは０．００５〜０．０７５重量％、最も好ましくは０．００５〜０．０５重量％）、を含む本発明のケミカルメカニカルポリッシング組成物を提供すること；ケミカルメカニカルポリッシングパッドを提供すること；ケミカルメカニカルポリッシングパッドと基板の間の界面にダウンフォース０．６９〜３４．５kPa（０．１〜５psi）、好ましくは０．６９〜２０．７kPa（０．１〜３psi）の動的接触を生成すること；ならびにケミカルメカニカルポリッシングパッドと基板の間の界面又はその付近で、ケミカルメカニカルポリッシング組成物をケミカルメカニカルポリッシングパッド上へ分配すること、を含み、ここでそのケミカルメカニカルポリッシング組成物は、２〜６、好ましくは２〜５、最も好ましくは２〜４のpHを有し、その二酸化ケイ素及び窒化ケイ素は、そのケミカルメカニカルポリッシング組成物に曝され、そしてそのケミカルメカニカルポリッシング組成物は、１，５００Å/分以上、好ましくは１，８００Å/分以上、より好ましくは２，０００Å/分以上の二酸化ケイ素除去速度を示す。好ましくは、用いられたケミカルメカニカルポリッシング組成物は、更に、窒化ケイ素に対する二酸化ケイ素の選択比≧５：１、より好ましくは≧６：１を示す。好ましくはケミカルメカニカルポリッシング組成物中で用いられる砥粒は、コロイダルシリカであり、用いられるケミカルメカニカルポリッシング組成物は、２００mm研磨機（例えば、Applied Materials Mirra（登録商標）研磨機）でプラテン速度９３rpm、キャリア速度８７rpm、ケミカルメカニカルポリッシング組成物の流速２００ml/分、及び名目ダウンフォース（nominal down force）２０．７kPa（３psi）で、少なくとも１，５００Å/分、より好ましくは少なくとも１，８００Å/分、最も好ましくは少なくとも２，０００Å/分の二酸化ケイ素除去速度を示し、そのケミカルメカニカルポリッシングパッドは、高分子中空コア微粒子を含有するポリウレタン研磨層及びポリウレタン含浸不織布サブパッドを含む（例えば、Rohm and Haas Electronic Materials CMP Inc.から入手されるIC1010研磨パッド）。
【００５０】
好ましくは、本発明のケミカルメカニカルポリッシング方法は、二酸化ケイ素及び窒化ケイ素、好ましくは窒化ケイ素上に堆積された二酸化ケイ素を含む基板を提供すること；初期成分として、水；平均粒径２０〜６０nmを有するコロイダルシリカ砥粒１〜１０重量％；式（Ｉ）：
【００５１】
【化１６】
0005843093.tif 000017
（式中、各Ｘが、Ｎであり；Ｒ１が、Ｃ４−Ｃ１０アルキル基から選択され；Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６及びＲ７が、独立してＣ２−Ｃ６アルキル基から選択され；そして式（Ｉ）中のアニオンが、式（Ｉ）中のカチオンの２＋電荷と釣り合う任意のアニオン又はアニオンの組合せであってもよい（好ましくは式（Ｉ）中のアニオンが、ハロゲンアニオン、水酸化物アニオン、硝酸アニオン、硫酸アニオン及びリン酸アニオンから；より好ましくはハロゲンアニオン及び水酸化物アニオンから；最も好ましくは水酸化物アニオンから選択される））で示される二価第四級物質０．０１〜０．０５重量％；式（II）：
【００５２】
【化１７】
0005843093.tif 000018
（式中、Ａが、Ｎであり；各Ｒ８が、独立して、水素及びＣ１−Ｃ４アルキル基から選択され；そして式（II）中のアニオンが、式（II）中のカチオンの＋電荷と釣り合う任意のアニオンであってもよい（好ましくは式（II）中のアニオンが、ハロゲンアニオン、水酸化物アニオン、及び亜硝酸アニオンから；より好ましくはハロゲンアニオン及び水酸化物アニオンから；最も好ましくは水酸化物アニオンから選択される））で示されるアダマンチル物質０．０１〜０．０５重量％；ならびに第四級アルキルアンモニウム化合物０〜１重量％（好ましくは０．００５〜１重量％、より好ましくは０．００５〜０．０７５重量％、最も好ましくは０．００５〜０．０５重量％）、を含むケミカルメカニカルポリッシング組成物を提供すること；ケミカルメカニカルポリッシングパッドを提供すること；ケミカルメカニカルポリッシングパッドと基板の間の界面にダウンフォース０．６９〜３４．５kPa（０．１〜５psi）、好ましくは０．６９〜２０．７kPa（０．１〜３psi）の動的接触を生成すること；ならびにケミカルメカニカルポリッシングパッドと基板の間の界面又はその付近で、ケミカルメカニカルポリッシング組成物をケミカルメカニカルポリッシングパッド上へ分配すること、を含み、ここでそのケミカルメカニカルポリッシング組成物は、２〜６、好ましくは２〜５、最も好ましくは２〜４のpHを有し、その二酸化ケイ素及び窒化ケイ素は、そのケミカルメカニカルポリッシング組成物に曝され、そしてそのケミカルメカニカルポリッシング組成物は、貯蔵安定性（好ましくは長期貯蔵安定性）を示す。好ましくは、本発明のケミカルメカニカルポリッシング方法で用いられるケミカルメカニカルポリッシング組成物中で用いられる砥粒は、コロイダルシリカであり、用いられるケミカルメカニカルポリッシング組成物は、２００mm研磨機（例えば、Applied Materials Mirra（登録商標）研磨機）でプラテン速度９３rpm（revolutions per minute）、キャリア速度８７rpm、ケミカルメカニカルポリッシング組成物の流速２００ml/分、及び名目ダウンフォース２０．７kPa（３psi）で、少なくとも１，５００Å/分、より好ましくは少なくとも１，８００Å/分、最も好ましくは２，０００Å/分の二酸化ケイ素除去速度を示し、そのケミカルメカニカルポリッシングパッドは、高分子中空コア微粒子を含有するポリウレタン研磨層及びポリウレタン含浸不織布サブパッドを含む（例えば、Rohm and Haas Electronic Materials CMP Inc.から入手されるIC1010研磨パッド）。
【００５３】
好ましくは、本発明のケミカルメカニカルポリッシング方法は、二酸化ケイ素及び窒化ケイ素、好ましくは窒化ケイ素上に堆積された二酸化ケイ素を含む基板を提供すること；初期成分として、水；平均粒径２０〜６０nmを有するコロイダルシリカ砥粒１〜１０重量％；式（Ｉ）：
【００５４】
【化１８】
0005843093.tif 000019
（式中、各Ｘが、Ｎであり；Ｒ１が、−（ＣＨ２）６−基であり；Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６及びＲ７が、それぞれ−（ＣＨ２）３ＣＨ３基であり；そして式（Ｉ）中のアニオンが、２個の水酸化物アニオンである）で示される二価第四級物質０．０１〜０．０５重量％；Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチル−１−アダマンチルアンモニウム水酸化物である式（II）で示されるアダマンチル物質０．０１〜０．０５重量％；及びテトラエチルアンモニウム水酸化物及びテトラブチルアンモニウム水酸化物から選択される第四級アルキルアンモニウム化合物０〜０．０５重量％、を含むケミカルメカニカルポリッシング組成物を提供すること；ケミカルメカニカルポリッシングパッドを提供すること；ケミカルメカニカルポリッシングパッドと基板の間の界面にダウンフォース０．６９〜２０．７kPa（０．１〜３psi）の動的接触を生成すること；ならびにケミカルメカニカルポリッシングパッドと基板の間の界面又はその付近で、ケミカルメカニカルポリッシング組成物をケミカルメカニカルポリッシングパッド上へ分配すること、を含み、ここでそのケミカルメカニカルポリッシング組成物は、２〜４のpHを有し、その二酸化ケイ素及び窒化ケイ素は、そのケミカルメカニカルポリッシング組成物に曝され、そしてそのケミカルメカニカルポリッシング組成物は、貯蔵安定性（好ましくは長期貯蔵安定性）を示す。好ましくは本発明のケミカルメカニカルポリッシングで用いられるケミカルメカニカルポリッシング組成物中で用いられる砥粒は、コロイダルシリカであり、用いられるケミカルメカニカルポリッシング組成物は、２００mm研磨機（例えば、Applied Materials Mirra（登録商標）研磨機）でプラテン速度９３rpm、キャリア速度８７rpm、ケミカルメカニカルポリッシング組成物の流速２００ml/分、及び名目ダウンフォース２０．７kPa（３psi）で、少なくとも１，５００Å/分、より好ましくは少なくとも１，８００Å/分、最も好ましくは少なくとも２，０００Å/分の二酸化ケイ素除去速度を示し、そのケミカルメカニカルポリッシングパッドは、高分子中空コア微粒子を含有するポリウレタン研磨層及びポリウレタン含浸不織布サブパッドを含む（例えば、Rohm and Haas Electronic Materials CMP Inc.から入手されるIC1010研磨パッド）。
【００５５】
本発明の幾つかの実施態様を、ここに以下の実施例において詳細に記載する。
【００５６】
比較例Ｃ１及び実施例Ａ１〜Ａ２
ケミカルメカニカルポリッシング組成物の製造
表１に列挙された量で成分を混和し、そして組成物のpHを表示されたリン酸又は硝酸で表１に列挙された最終pHに調整することにより、比較の研磨実施例ＰＣ１及び研磨実施例ＰＡ１〜ＰＡ２（即ち、ケミカルメカニカルポリッシング組成物Ｃ１及びＡ１〜Ａ２それぞれ）において用いられたケミカルメカニカルポリッシング組成物を製造した。
【００５７】
【表１】
0005843093.tif 000020
【００５８】
【化１９】
0005843093.tif 000021
【００５９】
【化２０】
0005843093.tif 000022
【００６０】
比較例ＰＣ１及び実施例ＰＡ１〜ＰＡ２
ケミカルメカニカルポリッシング実験
二酸化ケイ素除去速度研磨試験を、比較例Ｃ１及び実施例Ａ１〜Ａ２により製造されたケミカルメカニカルポリッシング組成物を用いて実施した。具体的には、ケミカルメカニカルポリッシング組成物Ｃ１及びＡ１〜Ａ２のそれぞれの二酸化ケイ素除去速度を、表１において確認した。これらの二酸化ケイ素除去速度実験を、シリコン基板上に二酸化ケイ素フィルムを有する８インチブランケットウェーハで、Applied Materials Mirra（登録商標）研磨機及びIC1010（商標）ポリウレタン研磨パッド（Rohm and Haas Electronic Materials CMP Inc.から市販）を用いて、ダウンフォース２０．７kPa（３psi）、ケミカルメカニカルポリッシング組成物の流速２００ml/分、テーブル回転速度９３rpm及びキャリア回転速度８７rpmで実施した。KLA-Tencor FX200計測ツールを用いて研磨前及び後のフィルム厚を測定することにより、二酸化ケイ素除去速度を決定した。二酸化ケイ素除去速度実験の結果を、表２に示す。
【００６１】
【表２】
0005843093.tif 000023
【００６２】
安定性促進試験
比較例Ｃ１及び実施例Ａ１〜Ａ２により製造された研磨組成物を、加速劣化実験に供試して、それらの組成物の安定性を評価した。具体的には、研磨組成物を５５℃に設定されたオーブンに４週間静置した。１００rpmに設定されたBrookfield #S00スピンドル使用の２０℃のBrookfield DV-1＋粘度計を用いて、各研磨組成物の粘度を毎週測定した。結果を表３に示す。データから、本発明の研磨組成物が、有意に高い安定性を示すことが示された。
【００６３】
【表３】
0005843093.tif 000024