(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
オプトエレクトロニクス部品であって、
キャリア（１４０）と、
前記キャリア（１４０）の上に配置されている第１のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１０１）と、
前記第１の半導体チップ（１０１）の上に配置されており、前記第１の半導体チップ（１０１）によって放出された光放射を変換する役割を果たす第１の変換要素（１１０）と、
前記キャリア（１４０）の上に配置されている第２のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１０２）と、
前記第２の半導体チップ（１０２）の上に配置されており、前記第２の半導体チップ（１０２）によって放出された光放射を変換する役割を果たす第２の変換要素（１２０）と、
前記キャリア（１４０）の上に配置されている絶縁材料（１５０）であって、前記第１の半導体チップ（１０１）および前記第２の半導体チップ（１０２）と前記第１の変換要素（１１０）および前記第２の変換要素（１２０）とを囲んでいる、前記絶縁材料（１５０）と、
を備えており、
前記第１の変換要素（１１０）が、階段状に具体化されており、かつ第１のセクション（１１１）および第２のセクション（１１２）を有し、前記第１のセクション（１１１）が横方向に前記第２のセクション（１１２）よりも突き出しており、
前記第１の変換要素（１１０）が、前記第１のセクション（１１１）の表側面端部に存在する追加の縁部（１１５）を有し、
前記第１の変換要素（１１０）の追加の縁部（１１５）が、前記キャリア（１４０）に対して、前記第２の変換要素（１２０）の表側面縁部（１２５）と同じ高さまたは実質的に同じ高さである、
オプトエレクトロニクス部品。
【請求項２】
前記第１の変換要素（１１０）と前記第２の変換要素（１２０）が異なる厚さを有する、
請求項１に記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項３】
前記第１の変換要素が、前記第２のセクションの表側面端部に存在する縁部を有し、前記第１の半導体チップの領域における前記絶縁材料が前記追加の縁部において止まる、
請求項１または請求項２に記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項４】
前記第２のセクション（１１２）の側面に前記絶縁材料が存在しない、
請求項１から請求項３のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項５】
前記第１の変換要素（１１０）の前記第１のセクション（１１１）が、前記第１の変換要素（１１０）の周囲全体にわたり前記第２のセクション（１１２）よりも横方向に突き出している、
請求項１から請求項４のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項６】
前記絶縁材料（１５０）が白色のシリコーンである、
請求項１から請求項５のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項７】
前記第１の半導体チップ（１０１）および前記第２の半導体チップ（１０２）それぞれが、少なくとも１つの表側コンタクト（１０５）を有し、
前記オプトエレクトロニクス部品が、前記絶縁材料（１５０）の上に配置されておりかつ少なくとも１つの表側コンタクト（１０５）まで延在しているコンタクト構造（１６０）、を備えている、
請求項１から請求項６のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項８】
前記第１の半導体チップ（１０１）および前記第２の半導体チップ（１０２）が、青色スペクトル領域における光放射を生成するように設計されており、
前記２つの変換要素（１１０；１２０）のうちの一方が、半導体チップ（１０１；１０２）によって生成される光放射の一部を緑色スペクトル領域における光放射に変換するように設計されており、
前記２つの変換要素（１１０；１２０）のうちの他方が、半導体チップ（１０１；１０２）によって生成される光放射を赤色スペクトル領域における光放射に変換するように設計されている、
請求項１から請求項７のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項９】
複数の第１の半導体チップ（１０１）と、前記第１の半導体チップの上に配置されている第１の変換要素（１１０）、または、複数の第２の半導体チップ（１０２）と、前記第２の半導体チップの上に配置されている第２の変換要素（１２０）、を備えている、
請求項１から請求項８のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項１０】
前記キャリア（１４０）の上に配置されているさらなる半導体チップ（１０３）と、前記さらなる半導体チップ（１０３）の上に配置されている放射透過性要素（１３０）と、をさらに備えている、
請求項１から請求項９のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項１１】
前記第１の変換要素（１１０）および前記第２の変換要素（１２０）がセラミックの変換要素である、
請求項１から請求項１０のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品。
【請求項１２】
請求項１から請求項１１のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品を製造する方法であって、
以下の方法ステップ、すなわち、
キャリア（１４０）の上に第１のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１０１）および第２のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１０２）を配置するステップと、
前記第１の半導体チップ（１０１）によって放出される光放射を変換するための第１の変換要素（１１０）を前記第１の半導体チップ（１０１）の上に配置するステップと、
前記第２の半導体チップ（１０２）によって放出される光放射を変換するための第２の変換要素（１２０）を前記第２の半導体チップ（１０２）の上に配置するステップと、
前記キャリア（１４０）に絶縁材料（１５０）を塗布するステップであって、前記絶縁材料（１５０）が前記第１の半導体チップ（１０１）および前記第２の半導体チップ（１０２）と、前記第１の変換要素（１１０）および前記第２の変換要素（１２０）とを囲むように塗布する、ステップと、
を含み、
前記第１の半導体チップ（１０１）の上に配置される前記第１の変換要素（１１０）が、階段状に具体化され、第１のセクション（１１１）および第２のセクション（１１２）を有し、前記第１のセクション（１１１）が、横方向に前記第２のセクション（１１２）よりも突き出しており、
前記第１の変換要素（１１０）が、前記第１のセクション（１１１）の表側面端部に存在する追加の縁部（１１５）を有し、
前記第１の変換要素（１１０）の追加の縁部（１１５）が、前記キャリア（１４０）に対して、前記第２の変換要素（１２０）の表側面縁部（１２５）と同じ高さまたは実質的に同じ高さである、
方法。
【請求項１３】
前記第１の変換要素（１１０）が、出発要素（１７０）から、２段階の構造化法が実行されることによって作製される、
請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１の半導体チップ（１０１）および前記第２の半導体チップ（１０２）それぞれが、少なくとも１つの表側コンタクト（１０５）を有し、
前記キャリア（１４０）に塗布される絶縁材料（１５０）が前記表側コンタクト（１０５）を覆い、
表側コンタクト（１０５）まで延びる切取り部（１５５）が前記絶縁材料（１５０）に形成され、
前記切取り部（１５５）が形成された後、コンタクト構造（１６０）を形成する目的で、前記絶縁材料（１５０）に金属材料が塗布され、前記切取り部（１５５）が満たされる、
請求項１２または請求項１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
請求項１から請求項１１のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品が製造される、
請求項１２から請求項１４のいずれかに記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、オプトエレクトロニクス部品と、そのような部品の製造方法とに関する。本オプトエレクトロニクス部品は、キャリアと、キャリアの上に配置されているオプトエレクトロニクス半導体チップと、半導体チップの上に配置されている変換要素とを備えている。さらに、キャリアの上に絶縁材料が配置されており、この絶縁材料は、半導体チップおよび変換要素を囲んでいる。
【背景技術】
【０００２】
オプトエレクトロニクス部品は、さまざまな実施形態において公知である。ＳＳＬ（固体照明）光エンジンとして知られているオプトエレクトロニクス部品は、キャリアまたは回路基板の上に配置されている複数のＬＥＤ（発光ダイオード）チップを備えていることができ（チップオンボード）、照明用途に採用されている。半導体チップによって放出される光放射を変換するための薄層変換要素（蛍光体）を、半導体チップの上に配置することができる。
【０００３】
このような部品の製造においては、半導体チップおよび変換要素を配置した後、通常ではキャリアを白色絶縁材料によってポッティングする。ポッティングは、キャリアの上に位置している金属領域を覆う役割を果たす。このようにすることで、（例えば部品のレンズにおける反射に起因して）キャリアの方向に反射された光部分が金属領域において吸収される状況を避けることが可能である。
【０００４】
ポッティング時、絶縁材料を液体または粘性体の形でキャリアに塗布し、半導体チップの間の領域と半導体チップの周囲を絶縁材料によって満たす。この工程において、絶縁材料が変換要素の上にあふれて変換要素を覆わないようにする目的で、変換要素を、表側面の端部における適切に画成された縁部を有する形で形成する。絶縁材料を、表面張力によって表側縁部において止めることができる。
【０００５】
生成する光放射に応じて、半導体チップによって放出される光放射を異なる色または波長域を有する光放射に変換する複数の異なる変換要素を使用して、オプトエレクトロニクス部品を構築することができる。製造方法によっては、異なる変換要素が異なる厚さを有することがある。この結果として、キャリアの上に配置される半導体チップの場合、複数の異なる変換要素の表側面と、したがってそこに存在する縁部とが、キャリアに対して異なる高さに位置することがある。したがって、絶縁材料によるポッティング時、絶縁材料が変換要素の高い方の表側縁部に向かって上昇するが、低い方の縁部によって停止せず、結果として、低いレベルに位置する対応する変換要素の表面に流れ込むという問題が起こりうる。この問題の１つの結果として、部品の発光量が減少する。この問題は、特に、複数の半導体チップが比較的近くに配置されている場合に起こり得る。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、オプトエレクトロニクス部品を改善するための解決策を開示することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この目的は、独立特許請求項の特徴によって達成される。本発明のさらなる有利な実施形態は、従属請求項に開示されている。
【０００８】
本発明の一態様によると、オプトエレクトロニクス部品が提供される。本オプトエレクトロニクス部品は、キャリアと、キャリアの上に配置されている第１のオプトエレクトロニクス半導体チップと、第１の半導体チップの上に配置されており、第１の半導体チップによって放出される光放射を変換する役割を果たす第１の変換要素と、キャリアの上に配置されている第２のオプトエレクトロニクス半導体チップと、第２の半導体チップの上に配置されており、第２の半導体チップによって放出される光放射を変換する役割を果たす第２の変換要素と、を備えている。さらに、本オプトエレクトロニクス部品は、キャリアの上に配置されている絶縁材料を備えており、この絶縁材料は、第１の半導体チップおよび第２の半導体チップと、第１の変換要素および第２の変換要素（の一部）とを囲んでいる。第１の変換要素は、階段状に具体化されており、第１のセクションおよび第２のセクションを有する。第１のセクションは、横方向に第２のセクションよりも突き出している。
【０００９】
第１の変換要素は、第１のセクションが第１の半導体チップに対向して位置するように、第１の半導体チップの上に配置することができる。第１のセクションが横方向に第２のセクションよりも突き出している階段状の構造により、第１の変換要素は、互いに対してオフセットした状態で存在する２つの縁部または縁部構造を端部において横方向に有することができる。これらは、第２のセクションの端部または表側面端部に存在する縁部と、第１のセクションの表側面端部に存在する、より低いレベルに位置するさらなる縁部である。本部品の製造において、第１の変換要素のこの追加の縁部は、ポッティングによって液体または粘性体の形でキャリアに塗布される絶縁材料を止めることができ、その結果として、第２の変換要素が覆われることを防止することができる。特に、第２のセクションの側面に絶縁材料が存在しないようにすることができる。第２の変換要素は、階段形状を持たず、したがって表側の端部に存在する１つのみの縁部または縁部構造を有する形で具体化することができる。
【００１０】
第１の変換要素の階段形状によって、部品の構造として、第１の変換要素の表側面とキャリアとの間の距離が、第２の変換要素の表側面とキャリアとの間の距離よりも大きい構造が可能となる。これに関連して、第１の変換要素の追加の縁部を、第２の変換要素の表側面縁部と同じかまたは実質的に同じ高さに位置させることができる。このようにすることで、絶縁材料による充填を、第１の半導体チップの領域と第２の半導体チップの領域の両方において同じかまたは実質的に同じ高さにおいて停止させることができる。停止は、第１の半導体チップの領域における第１の変換要素の追加の縁部においてと、第２の半導体チップの領域における第２の変換要素の表側縁部において、実施することができる。したがって、第２の変換要素の表側面が覆われないように、キャリアに塗布される絶縁材料が、半導体チップと、変換要素の一部とを囲むことができる。さらに、第１の変換要素の第２のセクションは、断面視において絶縁材料から完全に突き出していることができる。
【００１１】
オプトエレクトロニクス半導体チップは、特に、発光ダイオードチップまたはＬＥＤチップとすることができる。さらに、第１の半導体チップと第２の半導体チップは、ほぼ同じかまったく同一の構造を有することができる。これに関連して、「第１の」半導体チップおよび「第２の」半導体チップという表現は、対応する第１の変換要素および第２の変換要素への割り当てに関連する。しかしながら、第１の半導体チップと第２の半導体チップが異なって構築され、互いに異なる形状や構造を有することも可能である。
【００１２】
オプトエレクトロニクス部品は、特に、複数の第１の半導体チップと、それらの上に配置されている第１の階段状の変換要素、および／または、複数の第２の半導体チップと、これら第２の半導体チップの上に配置されている、階段形状を持たない第２の変換要素、を有する形で、具体化することができる。この場合、第１の変換要素に存在する追加の停止縁部は、絶縁材料のポッティングにおいて、上述した方法において、第２の変換要素の表側面が絶縁材料によって覆われることを防止することができる。したがって、キャリアの上に半導体チップを比較的小さい間隔で、例えば数十マイクロメートルのオーダー、例えば５０マイクロメートルの間隔で、配置することが可能である。上述したように、第１の半導体チップおよび第２の半導体チップは、同じかまたは対応する構造を有することができ、同じスペクトル領域における光放射を放出するように設計することができる。第１の変換要素と第２の変換要素は、半導体チップによって放出される光放射を異なる波長域における光放射に変換する目的で、異なる変換材料から形成することができる。
【００１３】
以下に説明する構造は、本部品のこのような「複数の」実施形態にも同様に適用することができる。
【００１４】
さらなる実施形態においては、第１の変換要素と第２の変換要素が、異なる厚さを有する。厚さが異なるのは、例えば、異なる変換材料から変換要素を製造することに起因し得る。異なる厚さにもかかわらず、第１の変換要素の階段状の構造によって、上述した方法において、第２の変換要素が覆われることを高い信頼性で防止することが可能である。したがって、変換要素は互いに独立して具体化し、事前定義された光学特性に関して最適化することができる。
【００１５】
第１の変換要素の階段形状の有利な効果は、変換要素の厚さが異なるとき以外にも得ることができる。一例として（これに加えて、またはこれに代えて）、第１の半導体チップと第２の半導体チップが異なる厚さを有することができる。この場合、第１の変換要素の追加の縁部により、第２の変換要素が絶縁材料によって覆われることを同様に防止することができる。
【００１６】
さらなる実施形態においては、第１の変換要素の第１のセクションが、第１の変換要素の周囲全体にわたり第２のセクションよりも横方向に突き出している。結果として、第１の変換要素は、周囲全体にわたり延在する縁部または縁部構造を有することができ、複数の縁部セクションを備えており、絶縁材料を止めるのに適している。結果として、第２の変換要素の表側面が絶縁材料によって覆われることを高い信頼性で防止することができる。
【００１７】
さらなる実施形態においては、絶縁材料は、白色のシリコーンである。これは、例えば酸化チタンから構成される適切な粒子または散乱粒子で満たされたシリコーンである。半導体チップの間の領域、および半導体チップの周囲の領域、およびしたがってこれらの領域に位置するキャリアの金属領域を、白色シリコーンによって覆うことができ、その結果として、反射性光部分の吸収を回避することができる。代わりに、この光部分を白色シリコーンにおいて逆方向に反射することができる。シリコーンを使用することにより、キャリアの高い信頼性でのポッティングが可能になる。
【００１８】
適切な場合、白色シリコーンの代わりに、他の何らかの反射性絶縁材料または反射性ポッティング材料を採用することができる。１つの可能な例は、同じように適切な粒子で満たすことのできるエポキシ材料である。
【００１９】
絶縁材料は、さらに、半導体チップとの接触を形成するためのコンタクト構造の支持体としての役割を果たすことができる。これに関連して、さらなる実施形態によると、第１の半導体チップおよび第２の半導体チップのそれぞれが、少なくとも１つの表側コンタクトを有する。本部品においては、表側コンタクトを絶縁材料によって覆うことができる。さらに、本部品は、絶縁材料の上に配置されており少なくとも１つの表側コンタクトまで延在しているコンタクト構造を備えている。この場合、コンタクト構造は部分的に絶縁材料に埋め込むことができる。
【００２０】
このようなコンタクト構造を利用することで、例えば、本部品に存在することのできる複数の表側コンタクトを、キャリアの接触領域に接続することができる。この場合、関連するコンタクト構造は、絶縁材料の中を表側コンタクトまで延在しているのみならず、さらに接触領域まで延在している。さらに、２つの半導体チップまたは第１および第２の半導体チップの表側コンタクトを、コンタクト構造を利用して互いに電気的に接続することも可能である。
【００２１】
表側コンタクトが１つのみ存在する場合、第１の半導体チップおよび第２の半導体チップそれぞれが、裏側コンタクトをさらに有することができる。半導体チップあたり２つの表側コンタクトを有する構造も可能である。コンタクトを介して半導体チップに電流を印加することができ、その結果として、半導体チップが光放射を放出する。表側コンタクトに関して、表側コンタクトに合わせて調整されている第１の変換要素および第２の変換要素それぞれは、少なくとも１つの対応する横方向切取り部を有することができる。
【００２２】
本オプトエレクトロニクス部品は、例えば白色光源とすることができる。これに関連して、さらなる実施形態によると、第１の半導体チップおよび第２の半導体チップは、青色スペクトル領域における光放射を生成するように設計されている。２つの変換要素のうちの一方（第１の変換要素または第２の変換要素）は、半導体チップによって生成される青色の光放射の一部を緑色スペクトル領域における光放射に変換するように設計されている。青色の光放射と緑色の光放射とが重なり合うことで青緑色の光放射を生成することができる。２つの変換要素のうちの他方（第２の変換要素または第１の変換要素）は、半導体チップによって生成される青色の光放射を赤色スペクトル領域における光放射に変換するように設計されている。青緑色の光放射と赤色の光放射とを重ね合わせて白色または暖白色の光放射を形成することができる。
【００２３】
白色光源は、特に、青緑色を有する光放射と赤色を有する光放射を生成するための、半導体チップおよび変換要素を備えた複数の発光ユニットを有する形で、具体化することができる。このようにすることで、関連する部品は、暖白色範囲における色温度を有し、かつ高い演色評価数（ＣＲＩ）を有する光放射を生成することができる。この目的のため、複数の異なる発光ユニットを比較的近くに、かつキャリア上に適切に分布するように配置することができる。
【００２４】
本オプトエレクトロニクス部品においては、光放射が変換されない（少なくとも１つの）半導体チップを備えた構造をさらに考慮することができる。これに関連して、さらなる実施形態によると、オプトエレクトロニクス部品は、キャリアの上に配置されているさらなる半導体チップと、さらなる半導体チップの上に配置されている放射透過性要素とを備えている。放射透過性要素は、絶縁材料のポッティング時にこの領域が覆われることを防止するためのスペーサとしての役割を果たす。この目的のため、放射透過性要素は、例えば第２の変換要素と同じ厚さを有することができる。さらなる半導体チップは、第１および第２の半導体チップとほぼ同じかまったく同一の構造を有することができる。しかしながら、半導体チップの形状や構造が異なる構造形態も可能である。
【００２５】
さらなる実施形態においては、第１の変換要素および第２の変換要素がセラミック変換要素である。このようにすることで、オプトエレクトロニクス部品の動作時における効率的な熱放散を可能にすることができる。さらなる可能な利点として、光の散乱（の大部分）を回避することができる。
【００２６】
本発明のさらなる態様によると、オプトエレクトロニクス部品を製造する方法を提案する。上述した実施形態の１つによる部品を製造することができる。本方法は、キャリアの上に第１のオプトエレクトロニクス半導体チップおよび第２のオプトエレクトロニクス半導体チップを配置するステップと、第１の半導体チップによって放出される光放射を変換するための第１の変換要素を第１の半導体チップの上に配置するステップと、第２の半導体チップによって放出される光放射を変換するための第２の変換要素を第２の半導体チップの上に配置するステップと、を含む。さらに、キャリアに絶縁材料を塗布するステップであって、絶縁材料が第１の半導体チップおよび第２の半導体チップと、第１の変換要素および第２の変換要素とを囲むように塗布する、ステップ、を含む。第１の半導体チップの上に配置される第１の変換要素は、階段状に具体化され、第１のセクションおよび第２のセクションを有する。第１のセクションは、横方向に第２のセクションよりも突き出している。
【００２７】
第１のセクションが横方向に第２のセクションよりも突き出している階段状の構造のため、第１の変換要素は、第２のセクションの端部に位置する表側縁部とともに、第１のセクションの表側面の端部において、前者の縁部とは異なる高さに、またはより低いレベルに存在する追加の縁部を有することができる。キャリアへの塗布において実行されるポッティング時、この追加の縁部において絶縁材料を止めることができる。結果として、キャリアからの変換要素の表側面の高さまたは距離が異なるとき、第２の変換要素の表側面が覆われることを防止することが可能である。
【００２８】
キャリアに絶縁材料を塗布する実際の工程は、上述したように、液体（粘性体）の形でポッティングまたは充填によって実行することができる。この工程の後に、絶縁材料を乾燥または硬化させることができる。この工程は、対応する温度、例えば１５０℃において実行することができる。
【００２９】
第１の変換要素は、出発要素から、２段階の構造化法を実行することによって作製することができる。第１の段階において、出発要素に第２のセクションの構造を形成することができる。次の第２の段階において、第１のセクションの構造を形成し、第１の変換要素全体を個片化することが可能である。個々の構造化工程は、例えばソーイング工程やレーザ工程を含むことができる。
【００３０】
さらなる実施形態においては、第１の半導体チップおよび第２の半導体チップそれぞれは、少なくとも１つの表側コンタクトを有する。この場合、表側コンタクトは、キャリアに塗布される絶縁材料によって覆われる。表側コンタクトとの接触を可能にする目的で、表側コンタクトまで延びる切取り部が絶縁材料に形成される。切取り部を形成した後、コンタクト構造を形成する目的で、絶縁材料に金属材料を塗布し、金属材料によって切取り部を満たす。
【００３１】
オプトエレクトロニクス部品に関連して上に開示した実施形態および態様は、製造方法についても同様にあてはまる。
【００３２】
上に説明されている、もしくは、従属請求項に記載されている、またはその両方である本発明の有利な実施形態および発展形態は、個別に採用することができる、または、例えば明確な依存関係が存在する、あるいは両立しない代替形態である場合を除き、互いに任意の組合せとして採用することができる。
【００３３】
本発明の上述した特性、特徴、および利点と、これらを達成する方法は、以下に概略的な図面を参照しながらさらに詳しく説明する例示的な実施形態に関連して、さらに明らかとなり、さらに明確に理解されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】オプトエレクトロニクス半導体チップと、半導体チップの上に配置されている、階段形状を有する変換要素および階段形状を有さない変換要素と、を備えたオプトエレクトロニクス部品を製造する方法を、いずれも概略的な側面図として示している。
【図２】オプトエレクトロニクス半導体チップと、半導体チップの上に配置されている、階段形状を有する変換要素および階段形状を有さない変換要素と、を備えたオプトエレクトロニクス部品を製造する方法を、いずれも概略的な側面図として示している。
【図３】オプトエレクトロニクス半導体チップと、半導体チップの上に配置されている、階段形状を有する変換要素および階段形状を有さない変換要素と、を備えたオプトエレクトロニクス部品を製造する方法を、いずれも概略的な側面図として示している。
【図４】オプトエレクトロニクス半導体チップと、半導体チップの上に配置されている、階段形状を有する変換要素および階段形状を有さない変換要素と、を備えたオプトエレクトロニクス部品を製造する方法を、いずれも概略的な側面図として示している。
【図５】オプトエレクトロニクス部品を製造する方法に対応する流れ図を示している。
【図６】階段状の変換要素を作製する方法を、いずれも概略的な斜視図として示している。
【図７】階段状の変換要素を作製する方法を、いずれも概略的な斜視図として示している。
【図８】階段状の変換要素を作製する方法を、いずれも概略的な斜視図として示している。
【図９】異なる厚さを有する半導体チップを備えたオプトエレクトロニクス部品の概略的な側面図を示している。
【図１０】半導体チップの表側コンタクトと裏側コンタクトとが電気的に接続されているオプトエレクトロニクス部品の概略的な側面図を示している。
【図１１】表側コンタクト、裏側コンタクト、およびめっきスルーホールを有するオプトエレクトロニクス半導体チップの概略的な側面図を示している。
【図１２】半導体チップのそれぞれの表側コンタクトとそれぞれの裏面コンタクトとが交互に電気的に接続されているオプトエレクトロニクス部品の概略的な側面図を示している。
【図１３】表側コンタクトおよび裏側コンタクトを有するオプトエレクトロニクス半導体チップの概略的な側面図を示している。
【図１４】２つの表側コンタクトを有する半導体チップを備えたオプトエレクトロニクス部品の概略的な側面図を示しており、半導体チップの表側コンタクトが電気的に接続されている。
【図１５】２つの表側コンタクトおよびめっきスルーホールを有するオプトエレクトロニクス半導体チップの概略的な側面図を示している。
【図１６】オプトエレクトロニクス部品の半導体チップおよび変換要素を備えた配置構造の概略的な平面図を示している。
【図１７】階段状の変換要素が上に配置されているオプトエレクトロニクス半導体チップの概略的な平面図を示している。
【図１８】変換要素が上に配置されている半導体チップと、放射透過性要素が上に配置されているさらなる半導体チップとを備えているオプトエレクトロニクス部品の概略的な側面図を示している。
【発明を実施するための形態】
【００３５】
オプトエレクトロニクス部品の実施形態と、対応する製造方法の実施形態について、概略的な図に基づいて説明する。なお、図は正しい縮尺ではなく、図面に示されている要素部分および構造は、良好に理解できるようにする目的で、大きさを誇張して、または大きさを縮小して示してある。説明されている部品は、複数のオプトエレクトロニクス半導体チップと、それらの上に配置されており、半導体チップによって放出される光放射を変換する役割を果たす変換要素と、を備えている。照明用途に使用することのできる本部品（これらの部品をチップモジュール、ＳＳＬ光エンジン、マルチチップ光エンジンと称することができる）は、絶縁材料のポッティング時に変換要素の表側面が覆われることを防止するように設計されている。本部品は、動作時に高い演色評価数を有する白色、特に、暖白色の光放射を放出する白色光源の形で実施することができる。
【００３６】
製造においては、半導体技術から公知の工程とオプトエレクトロニクス部品の製造から公知の工程を実行することができ、慣習的な材料を使用することができるため、これらの工程および材料については限定的な説明にとどめた。さらには、図示および説明した工程以外に、適切な場合、本部品を完成させるためのさらなる方法ステップを実行することが可能である。同様に、説明した本部品は、図示および説明した構造以外に、さらなる構造、構造要素、層などを備えていることができる。
【００３７】
第１のオプトエレクトロニクス部品２０１の製造について、図１〜図４を参照しながら説明する。本方法において実行される方法ステップは、図５に流れ図として補足的に要約してあり、以下の説明では図５も参照する。
【００３８】
本方法において、ステップ３０１（図５を参照）では、最初に、図１に示したように部品２０１の構成部分を形成する。これらの構成部分は、オプトエレクトロニクス半導体チップ１０１，１０２、半導体チップ１０１，１０２の上に配置される変換要素１１０，１２０、およびキャリア１４０である。図１と、以降の図２〜図４には、２つの半導体チップ１０１，１０２と、対応する変換要素１１０，１２０のみを示してある。正しい割当て関係および区別を可能にする目的で、以下では、これらの要素部分を、第１の半導体チップ１０１および第２の半導体チップ１０２と、第１の変換要素１１０および第２の変換要素１２０とも称する。
【００３９】
オプトエレクトロニクス部品２０１を、複数の第１の半導体チップ１０１および第１の変換要素１１０、および／または、複数の第２の半導体チップ１０２および第２の変換要素１２０を有する形で、実施することが可能である（この点において、図１６に示した実施形態を参照）。これに関連して、図１〜図４は、製造する部品２０１の部分的な抜粋にのみ関する。したがって、図示した２つの半導体チップ１０１，１０２および変換要素１１０，１２０を参照しながらの以下の説明は、「複数の」構造にも同様にあてはまる。
【００４０】
オプトエレクトロニクス半導体チップ１０１，１０２は、特に、発光ダイオードチップまたはＬＥＤチップとすることができる。半導体チップ１０１，１０２は、動作時に電流が印加されると、光放射を放出するように設計されている。白色光源としての部品２０１の構造に関連して、半導体チップ１０１，１０２は、青色波長域における光放射を放出するように設計することができる。この目的のため、半導体チップ１０１，１０２は、例えば、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料系（例えばＩｎＧａＮ系またはＧａＮ系）の半導体積層体を備えていることができる。半導体チップ１０１，１０２は、同じ構造または類似する構造を有することが可能であり、図１に示したように、同じ高さまたは厚さを有することが可能である。
【００４１】
電流を印加するため、図１に示した半導体チップ１０１，１０２には、表側と、表側とは反対の裏側の両方において接触することができる。表側の領域においては、半導体チップ１０１，１０２それぞれは、金属コンタクト１０５を有する。表側コンタクト１０５（接触領域の形で存在することができる）は、半導体チップ１０１，１０２の端部（または角部（図１６を参照））に配置されている。さらには、半導体チップ１０１，１０２によって生成された光放射は、表側面（光出口面）を介して放出される。裏側においては、半導体チップ１０１，１０２は裏側金属コンタクト（図１には示していない）を有する。
【００４２】
半導体チップ１０１，１０２に割り当てられている変換要素１１０，１２０は、半導体チップ１０１，１０２によって放出される光放射を変換するために使用される。変換要素１１０，１２０は、半導体チップ１０１，１０２によってその（それぞれの）表側面を介して放出される一次光放射を、異なる波長域における二次光放射に変換するように設計されている。この場合、異なる変換要素１１０，１２０の二次放射のスペクトル領域は、互いに異なる。
【００４３】
白色光源としての部品２０１の構造に関して、第１の半導体チップ１０１の青色の一次放射の一部分を、第１の変換要素１１０によって、緑色波長域における二次放射に変換する（部分変換）。青色の光放射と緑色の光放射とを重ね合わせて青緑色の光放射を生成することができる。第２の半導体チップ１０２に関しては、第２の変換要素１２０が、青色の一次放射の実質的に全体を、赤色波長域における二次光放射に変換する（完全変換）。青緑色の光放射と赤色の光放射を重ね合わせることで（特に、半導体チップ１０１および変換要素１１０を備えた複数の発光ユニットと、半導体チップ１０２および変換要素１２０を備えた複数の発光ユニットとが存在するとき）、白色または暖白色の光放射を形成することができる。逆の構造、すなわち、第１の変換要素１１０が赤色の光放射を生成するように設計されており、第２の変換要素１２０が緑色の光放射を生成するように設計されている構造も、可能である。
【００４４】
半導体チップ１０１，１０２の一次放射を異なる二次放射に変換する変換要素１１０，１２０は、異なる材料から作製される。製造法によって異なるが、特に、それぞれの変換要素１１０，１２０を最適に製造するとき、材料が異なることにより、変換要素１１０，１２０の厚さが異なりうる。図１に示したように、第１の変換要素１１０は、第２の変換要素１２０よりも大きい厚さを有する。変換要素１１０，１２０の厚さは、例えば、数十マイクロメートルから数百マイクロメートルの範囲内とすることができる。
【００４５】
異なる厚さにもかかわらず、より薄い第２の変換要素１２０が、後の方法段階において塗布される絶縁材料１５０によって覆われることを防止する目的で、より厚い第１の変換要素１１０は、断面視において階段状に具体化される。図１に示したように、第１の変換要素１１０は、第１のセクション１１１と、第１のセクション１１１と比較して小さい横方向寸法を有する第２のセクション１１２とを有する。このようにすることで、第１のセクション１１１（第１の変換要素１１０はこの第１のセクション１１１によって第１の半導体チップ１０１に結合されている）は、横方向に第２のセクション１１２よりも突き出している。絶縁材料を塗布する後の工程において、第２のセクションの側面に絶縁材料が存在しないままである。
【００４６】
このようにすることで、第１の変換要素１１０は、第２のセクション１１２の表側面の端部に存在する縁部構造１１６と、ずれた状態または第２のセクション１１２よりも低いレベルにおいて、第１のセクション１１１の表側面の端部に存在する縁部構造１１５とを有する。第２のまたは上側セクション１１２よりも横方向に突き出している第１のまたは下側セクション１１１を有する第１の変換要素１１０の階段状の構造が、第１の変換要素１１０の周囲全体にわたり存在する。結果として、２つの縁部構造１１５，１１６それぞれが、階段状の変換要素１１０の周囲全体にわたり延在している。
【００４７】
上から見たとき、２つの縁部構造１１５，１１６は、互いに隣接する複数の縁部セクションから構成することができる（図１７に示した、縁部構造１１５，１１６あたり４つの直線状のセクションと１つの曲線状のセクションを有する実施形態を参照）。この場合、縁部構造１１６は、縁部構造１１５に対して横方向、内側にオフセットしている。図１を参照すると、第１の変換要素１１０それぞれは、２つの縁部構造１１５，１１６の領域において直角の断面形状を有することが明らかである。
【００４８】
これとは異なり、第２の半導体チップ１０２の上に使用されている第２の変換要素１２０は、（断面視において）階段形状を有さない。したがって、第２の変換要素は、表側面における端部において、周囲にわたり延在する１つのみの縁部構造１２５を有し、この縁部構造１２５は、上から見たとき、同様に、互いに隣接する複数の縁部セクションから構成することができる（図１６を参照）。図１に示したように、縁部構造１２５の領域には、同様に、直角の断面形状が存在する。以下では、第１の変換要素１１０および第２の変換要素１２０の縁部構造１１５，１１６，１２５を、省略した形で単に「縁部」とも称する。
【００４９】
変換要素１１０，１２０は、例えばセラミック変換要素とすることができる。このようにすることで、オプトエレクトロニクス部品２０１の動作時における効率的な熱放散という利点を可能にすることができる。さらなる利点として、光の散乱が起こらない、または比較的わずかな散乱が起こるのみである。セラミックの形で存在する変換要素１１０，１２０の作製は、最初は粉末形状で存在する変換材料を焼結するステップを含むことができる。
【００５０】
青色の光放射を緑色の光放射に変換する場合、セリウムでドープされたガーネット、例えばＹＡＧ（イットリウムアルミニウムガーネット）またはＬｕＡＧ（ルテチウムアルミニウムガーネット）を、変換材料として使用することができる。イットリウムとルテチウムの特定の混合比のＬｕＹＡＧも可能である。オプションとして、ガリウムまたはガドリニウムを混合することが可能であり、アルミニウムをマグネシウムで置き換えることもできる。さらには、セリウムの代わりに、ユーロピウムでドープすることもできる。考慮されるさらなる材料としては、いずれもユーロピウムでドープされたＳｒＳｉＯＮやＢａＳｉＯＮが挙げられる。
【００５１】
青色の光放射を赤色の光放射に変換する場合、例えば、ユーロピウムでドープされたＣａＡｌＳｉＮを使用することができる。さらには、例えば、ユーロピウムでドープされた（ＥＡ）２Ｓｉ５Ｎ８が可能であり、この場合、ＥＡは、例えばＳｒ、Ｂａ、Ｃａ、またはこれらの混合物などのアルカリ土類金属を意味する。
【００５２】
緑色に変換する場合、セラミック変換要素の厚さまたは層厚さは、例えば３０〜６００μｍの範囲内とすることができる。赤色に変換する場合、厚さは、例えば３０〜３００μｍの範囲内とすることができる。
【００５３】
あるいは、変換要素１１０，１２０の別の実施形態を考慮することもできる。一例として、変換要素１１０，１２０をシリコーンから形成することが可能であり、この場合、シリコーンが変換材料の粒子によって満たされている。粒子は、例えば上に記載した変換材料から形成することができる。粒子で満たされたシリコーンから形成される変換要素は、例えば、２０〜３００マイクロメートルの範囲内、例えば３０〜８０マイクロメートルの範囲内の厚さを有することができる。
【００５４】
半導体チップ１０１，１０２を担持する目的で設けられるキャリア１４０は、半導体チップ１０１，１０２のための接続構造または接触構造（図示していない）を有する形で具体化することができる。一例として、キャリア１４０は、半導体チップ１０１，１０２の裏側コンタクトに合わせて調整された金属接合コンタクト（metallic mating contact）を備えていることができる。さらに、キャリア１４０は、例えばセラミックキャリアの形で具体化することができる。あるいは、何らかの別の構造も考慮することができる。一例として、キャリア１４０は金属ヒートシンク（図示していない）を有することができ、ヒートシンクと、対応する接続構造または接触構造の一部が、プラスチック材料によって囲まれている（プレモールドキャリア）。
【００５５】
構成部分を形成した（ステップ３０１）後、さらなるステップ３０２において、図１に示した配置構造に従って、製造する部品２０１の個々の構成部分を組み立てる。この場合、キャリア１４０の上に半導体チップ１０１，１０２を配置し、半導体チップ１０１，１０２の上に変換要素１１０，１２０を配置する。この場合、キャリア１４０の上にチップ１０１，１０２を配置する工程を最初に行った後に、チップ１０１，１０２の上に変換要素１１０，１２０を配置する工程を行うことが可能である。
【００５６】
キャリア１４０の上に半導体チップ１０１，１０２を配置するステップは、例えば、はんだを使用するはんだ付けによって実施することができる。このようにすることで、半導体チップ１０１，１０２の裏側コンタクトと、キャリア１４０の接合コンタクトとを電気的かつ機械的に接続することができる。
【００５７】
図１に示したように、半導体チップ１０１，１０２は、キャリア１４０の上に互いに距離３１０を隔てて配置される。距離３１０は、比較的小さくすることができ、例えば５０マイクロメートルとすることができる。部品２０１の「複数の」構造の場合、すべての半導体チップ１０１，１０２の間に、対応する方法で同じ距離３１０を存在させることができ、これらの半導体チップを適切な分布状態でキャリア１４０の上に配置することができる（図１６の実施形態を参照）。
【００５８】
さらに、半導体チップ１０１，１０２は、後の方法段階において実施されるチップ１０１，１０２の電気接触法に合わせた対応する向きで、キャリア１４０の上に配置することができる。図１に示した２つの半導体チップ１０１，１０２の場合、表側コンタクト１０５が互いに電気的に接続される。この目的のため、図１に示したように、半導体チップ１０１，１０２は、コンタクト１０５を有するチップ領域またはチップ面に関して向かい合うことができる。しかしながら、別のチップの向きも可能である。
【００５９】
図１に示したように、透明な接着剤１５１を使用して、変換要素１１０，１２０を半導体チップ１０１，１０２に結合する。接着剤１５１としては、一例として、シリコーン接着剤を使用することが適切である。変換要素１１０，１２０は、表側コンタクト１０５が露出するように、半導体チップ１０１，１０２の上に、またはチップの表側面に配置する。これに関連して、変換要素１１０，１２０は、半導体チップ１０１，１０２に合わせて調整された形を有し、端部に切取り部が存在する。変換要素１１０，１２０は、特に、上から見たとき、実質的に長方形または正方形の基本形状を有することができ、角部に切取り部を有する（図１６を参照）。階段状の第１の変換要素１１０に関して、その２つのセクション１１１，１１２は、類似する輪郭を有し（すなわちそのような切取り部を有する）、したがって、上述した階段形状を第１の変換要素１１０の周囲全体にわたり存在させることができる（図１７を参照）。
【００６０】
キャリア１４０に貼り付けられる半導体チップ１０１，１０２と、これら半導体チップの上に配置される変換要素１１０，１２０は、図１において点線を利用して示したように、第１の変換要素１１０の追加の縁部１１５が、キャリア１４０に対して、第２の変換要素１２０の表側面縁部１２５と同じ高さまたは実質的に同じ高さであるように、互いに調整される。適切な場合、許容誤差に応じて、例えば数マイクロメートルのオーダー（例えば１０マイクロメートル）における小さな高さオフセットが存在してもよい。
【００６１】
一致する縁部高さは、次の方法ステップ３０３（図５を参照）で利用する。このステップ３０３では、図２に示したように、キャリア１４０に白色絶縁材料１５０を塗布し、この絶縁材料は、半導体チップ１０１，１０２と、変換要素１１０，１２０の一部とを囲む。絶縁材料１５０は、半導体チップ１０１，１０２の間の領域と、半導体チップ１０１，１０２の周囲の領域を満たすために使用され、この結果として、これらの領域に位置しうるキャリア１４０の金属構造または金属領域を覆うことができる。このようにすることで、（例えば部品２０１のレンズにおける反射に起因して）キャリア１４０の方向に反射された光部分が金属領域において吸収される状況を避けることが可能である。この光部分は、白色絶縁材料１５０において逆方向に反射することができる。
【００６２】
白色絶縁材料１５０（液体または粘性体の形でキャリア１４０に塗布した後、例えば１５０℃の温度で硬化または乾燥させる）は、特に、白色シリコーンとすることができる。この場合、例えば酸化チタンまたはアルミニウム酸化物から構成される適切な粒子によってシリコーンを満たす。
【００６３】
液体（粘性体）の絶縁材料１５０によってキャリア１４０をポッティングする工程は、図２に示したように、絶縁材料１５０が半導体チップ１０１，１０２（またはその表側面）より上のレベルまで満たされ、したがって表側コンタクト１０５が絶縁材料１５０によって覆われるように、行う。これは、後の方法段階において形成される半導体チップ１０１，１０２との電気接触部（絶縁材料１５０の上と、一部が絶縁材料１５０に埋め込まれた形式において形成される）に関して選択される。
【００６４】
第１の変換要素１１０が階段形状であるため、絶縁材料１５０によって満たす工程は、半導体チップ１０１，１０２両方の領域において絶縁材料１５０の厚さが同じである、または実質的に同じであるように、行うことができる。第１の変換要素の縁部１１５と第２の変換要素１２０の縁部１２５とが同じかまたは実質的に同じレベルに位置しているため、絶縁材料１５０を両方の縁部１１５，１２５に向かって上昇させ、絶縁材料１５０の表面張力のために縁部１１５，１２５において止めることが可能である。このようにすることで、キャリア１４０をポッティングする工程時に、絶縁材料１５０が第２の変換要素１２０の上に流れ込んで、その表側面を覆うことを防止することが可能である。満たされた絶縁材料１５０（半導体チップ１０１，１０２と変換要素１１０，１２０の周囲を囲んでいる）は、図２に示したように、湾曲した表面（メニスカスとも称する）を有することができる。階段形状によって得ることのできる「対称的な」ポッティングは、複数の発光ユニット１０１，１１０および１０２，１２０を有する部品２０１の製造時にも同様に得られる。
【００６５】
これに対して、このような階段形状が設けられていない別の変換要素を使用すると、変換要素の表側面（したがって表側縁部）が異なるレベルにあり、低いレベルに位置する表側面が覆われる。この場合、使用する絶縁材料が、より高いレベルに位置する表側面（または表側縁部）まで上昇すると、関連するチップの間の絶縁材料に非対称的な表面曲率が形成され、したがって、より低い表側面の上に絶縁材料が流れ込む。結果として、表側面が部分的または完全に絶縁材料によって覆われうる。これにより、部品の発光量が減少する。
【００６６】
第１の変換要素１１０の追加の停止縁部１１５において絶縁材料１５０を高い信頼性で止めることができるようにする目的で、第２のセクション１１２に対する第１のセクション１１１の横方向の突き出し部は、断面視において適切な横方向深さ３１１を有する（図１を参照）。深さ３１１は、例えば１０マイクロメートル以上の範囲とすることができる。
【００６７】
白色絶縁材料１５０は、表面を覆う機能以外に、半導体チップ１０１，１０２に電気的に接触するための構造１６０を担持する、または埋め込む目的でさらに使用される。このような構造１６０の作製は、さらなるステップ３０４（図５を参照）において行い、構造１６０は、図示した２つの半導体チップ１０１，１０２の表側コンタクト１０５を個々のコンタクト構造１６０が接続する部品２０１の場合について示してある。このステップでは、いわゆるＣＰＨＦ（Compact Planar High Flux）メタライゼーションを行うことができる。
【００６８】
ステップ３０４では、最初に、図３に示したように、硬化した絶縁材料１５０に切取り部１５５を形成し、この切取り部は、チップ１０１，１０２の表側コンタクト１０５まで延びている、または表側コンタクト１０５の一部を露出させる。この目的のため、例えばレーザを使用することができ、これにより絶縁材料１５０を比較的正確に除去することができる。切取り部を形成した後、絶縁材料１５０と、表側コンタクト１０５の露出した領域とに、金属材料を塗布して切取り部１５５を満たし、したがって図４に示したように、表側コンタクト１０５を接続するコンタクト構造１６０が形成される。
【００６９】
メタライゼーションは、例えば、電気めっき法を行うステップを含んでいることができる。この場合、絶縁材料１５０の上の大きな領域と、表側コンタクト１０５の露出した部分領域と、変換要素１１０，１２０の上にシード層を形成し、次いで、作製するコンタクト構造１６０の（横方向）形状を定義する目的で、例えばフォトレジストによってシード層をマスキングし、次いで、電気化学的に金属を堆積させることができる。この場合、堆積は、シード層のうちマスクされていない領域のみにおいて行われる。その後、マスクを除去し、コンタクト構造１６０の外側のシード層をエッチングによって除去することができる。シード層および堆積させる金属の材料としては、例えば銅を考慮することができる。
【００７０】
複数の半導体チップ１０１，１０２の場合、ステップ３０４において、半導体チップ１０１，１０２の表側コンタクト１０５に接触するための複数のコンタクト構造１６０を、上述した方法に従って一緒に作製することができる。この場合、このようなコンタクト構造１６０の横方向の形状は、半導体チップ１０１，１０２のそれぞれの向きに依存したものとすることができる。チップ領域が向かい合っており表側コンタクト１０５を有する図４の部品２０１の場合、図示したコンタクト構造１６０は、例えば平面視において直線形状を有することができる。この変形形態においては、別の形状、例えば、平面視においてチップの周囲に（部分的に）延在する構造なども可能である。
【００７１】
さらには、コンタクト構造１６０によって、２つの第１の半導体チップ１０１の表側コンタクト、または２つの第２の半導体チップ１０２の表側コンタクトを、電気的に接続することもできる。さらには、半導体チップ１０１，１０２の表側コンタクト１０５をキャリア１４０のコンタクトに接続するコンタクト構造１６０を形成することが可能である（図１０を参照）。この場合、メタライゼーション工程の前に、キャリア１４０のコンタクトまで延びる切取り部を絶縁材料１５０に形成する。
【００７２】
コンタクト構造１６０を形成した後、図４におけるオプトエレクトロニクス部品２０１を完成させるためのさらなる工程（図示していない）を行うことが可能である。このようなステップは、図５の流れ図におけるさらなるステップ３０５において組み合わされる。このようなステップとしては、例えば、部品２０１をポッティングする（さらなる）工程、レンズを配置する工程、複数の異なる光放射（青緑色と赤色）を混合するための混合要素を配置または形成する工程などが挙げられる。
【００７３】
ステップ３０１において実行される、階段状の変換要素１１０を設ける工程は、２段階の構造化法に基づいて実施することができる。以下では、この方法について図６〜図８を参照しながらさらに詳しく説明し、図６〜図８は、抜粋部分の斜視図として製造法を示している。この場合、最初に、図６に示したように、板状の出発要素１７０を設ける。出発要素１７０は、作製する変換要素１１０と同じ材料（セラミック、または粒子で満たされたシリコーン）から形成されている。特に、出発要素１７０から複数の変換要素１１０を作製することができる。
【００７４】
図７に抜粋図として示したように、第１の構造化ステップにおいて、出発要素１７０に凹部構造１７１を形成する。凹部構造１７１は、変換要素１１０の第２のセクション１１２（およびしたがって表側縁部１１６）の輪郭を事前定義する役割を果たし、この目的のため、第２のセクション１１２に合わせて調整された形状、または第２のセクション１１２の周囲に延在する形状を有する（図示していない）。出発要素１７０から複数の変換要素１１０を作製する場合、凹部構造１７１は複数の第２のセクション１１２の周囲に延在する連続的な構造として存在し、したがって、図７において点線を利用して示したように、複数の第２のセクション１１２を互いに分離する。
【００７５】
出発要素１７０がセラミックである場合、凹部構造１７１は、例えばソーイング工程によって形成することができる。この場合、出発要素１７０を、比較的厚いソーブレードを使用してスクライブすることができる。粒子で満たされたシリコーンから構成されている出発要素１７０の場合、代わりにレーザを採用することができる。
【００７６】
第１の構造化ステップの後、第２の構造化ステップを実行し、このステップでは、図８に抜粋図として示したように、出発要素１７０の最終的な切断を行うことにより、個片化された複数の変換要素１１０を作製することができる。さらに、このステップでは、１つまたは複数の変換要素１１０の第１のセクション１１１の輪郭（およびしたがって周囲に延在する停止縁部１１５の輪郭）を画成する。セラミックの出発要素１７０の場合、前と同様にソーイング工程を実行することが可能であり、ただしこの工程では比較的薄いソーブレードを使用する。粒子で満たされたシリコーンから構成される出発要素１７０の場合には、レーザを利用して切断を実施することができる。
【００７７】
以下では、さらなる図面を参照しながら、さらなるオプトエレクトロニクス部品の実施形態について説明する。これらの実施形態は、上述した方法に基づいて具体化され、同様に階段状の変換要素１１０と、階段形状を持たない変換要素１２０とを有する。なお、同じかまたは対応する要素部分および特徴、利点、製造ステップなどに関する、すでに説明した細部に関しては、上の説明を参照する。さらには、以下の実施形態の１つに関して記載されている特徴および態様は、以下に説明されている別の実施形態にも適用することが可能である、または図４の部品２０１に適用することができる。
【００７８】
階段状の変換要素１１０の有利な効果は、異なる厚さを有する変換要素１１０，１２０の存在時に利用できるだけではない。説明を目的として、図９は、さらなるオプトエレクトロニクス部品２０２の抜粋図を示しており、このオプトエレクトロニクス部品２０２においては、変換要素１１０，１２０のみならず、使用されているオプトエレクトロニクス半導体チップ１０１，１０２も、異なる厚さを有する。この原因は、使用されている半導体チップ１０１，１０２の構造が異なることである。第１の変換要素１１０の形状は、追加の縁部１１５が、第２の変換要素１２０の表側縁部１２５と同じかまたは実質的に同じレベルに位置するように、第２の変換要素１２０に合わせて調整されている。結果として、絶縁材料１５０を満たす工程時に、第２の変換要素１２０の表側面が覆われることを防止することができる。
【００７９】
この利点は、個々の半導体チップ１０１，１０２のみが異なる厚さを有し、対応する変換要素１１０，１２０（この場合にも一方が階段形状を有し、他方が階段形状を有さずに具体化されている）が同じ厚さを有する実施形態（図示していない）においても、同様に得ることができる。
【００８０】
複数またはすべての半導体チップ１０１，１０２が直列接続の形で互いに電気的に接続されているように、オプトエレクトロニクス部品を構築することができる。以下では、この点において可能な実施形態についてさらに詳しく説明する。
【００８１】
図１０は、直列に接続されたオプトエレクトロニクス半導体チップ１０１，１０２と、これらの半導体チップ１０１，１０２の上に配置されており、一方が階段形状を有する変換要素１１０，１２０と、を備えたさらなるオプトエレクトロニクス部品２０３の抜粋図を示している。半導体チップ１０１，１０２それぞれは、表側金属コンタクト１０５および裏側金属コンタクト１０６を有する。さらに、（図示した少なくとも２つの）半導体チップ１０１，１０２は、コンタクト１０５を有するチップ領域に関して同じ向きに配置することができる。部品２０３の対応するキャリア１４０は、裏側コンタクト１０６に対する金属接触領域１４１の形における接合コンタクトを有するように具体化されている。キャリア１４０の上に半導体チップ１０１，１０２が配置されている場合、裏側コンタクト１０６と接触領域１４１との間の接続は、例えばはんだによって形成することができる。
【００８２】
さらに図１０に示したように、部品２０３は、コンタクト構造１６０をさらに備えており、このコンタクト構造１６０は、絶縁材料１５０の上に配置されており、一部が絶縁材料１５０に埋め込まれており、図示されている第１の半導体チップ１０１の表側コンタクト１０５を、図示されている第２の半導体チップ１０２が上に配置されているキャリア１４０の接触領域１４１に接続している。さらなる半導体チップ１０１，１０２（図示していない）についても、一部が図１０に示されているさらなるコンタクト構造１６０から理解できるように、同様の電気接続を形成することができる。
【００８３】
電気的接続のため、キャリア１４０の接触領域１４１は、半導体チップ１０１，１０２よりも大きい横方向寸法で形成されている。結果として、図１０に示したように、接触領域１４１の部分領域（半導体チップ１０１，１０２よりも横方向に突き出している領域）が、コンタクト構造１６０との接続を形成する目的に利用可能であるように、半導体チップ１０１，１０２を接触領域１４１の上に配置することができる。コンタクト構造１６０を形成する工程においては、メタライゼーション工程の前に、接触領域１４１のこの部分領域まで延びる切取り部を絶縁材料１５０に形成する。
【００８４】
さらに、図１０には、半導体チップ１０１，１０２の間に存在する距離３１０を示してある。キャリア１４０の接触領域１４１にコンタクト構造１６０を介して接触する結果として、チップの距離３１０はいくらか大きくなることがあり、例えば２５０マイクロメートル以上である。
【００８５】
図１０に示した電気的直列接続は、第１の半導体チップ１０１と第２の半導体チップ１０２の間に交互に存在できるだけではない。階段状の変換要素１１０を有する複数の第１の半導体チップ１０１と、階段形状を持たない変換要素１２０を有する複数の第２の半導体チップ１０２を、図示した方法で接続することも可能である。
【００８６】
図１１は、半導体チップ４００またはＬＥＤチップ４００の１つの可能な実施形態の概略的な側面図を示しており、特に、図１０に示した部品２０３の半導体チップ１０１，１０２の場合に考慮することができる。図１１における半導体チップ４００は、第１の半導体層４０１と、第２の半導体層４０２と、これらの間に存在する、放射を生成するための活性ゾーン４０３とを備えた積層体を有する半導体ボディを有する。２つの半導体層４０１，４０２は、異なる導電型またはドーピングを有する。半導体ボディは、導電性の電流拡散層４０４の上に配置されており、電流拡散層４０４の上には、表側金属コンタクト１０５が半導体ボディの横方向に配置されている。電流拡散層４０４は、均一な電流の流れを可能にする。半導体ボディまたは半導体層４０１の上の表側面に、変換要素（図示していない）を接着剤によって接合することができる。
【００８７】
さらに、半導体チップ４００は、スルーコンタクト４０７を有する。スルーコンタクト４０７のために、電流拡散層４０４、半導体層４０２、活性ゾーン４０３を垂直方向に貫いて半導体層４０１の中まで達している切取り部が形成されており、この切取り部は、その内面において絶縁層４０５によって満たされており、この絶縁層４０５によって囲まれている導電層４０６によって満たされている。導電層４０６は、半導体層４０１との接触を形成する。スルーコンタクト４０７の外側には、電流拡散層４０４、絶縁層４０５、および導電層４０６が、積層体の形で互いに上下に配置されている。さらに、導電層４０６は、導電性のキャリア基板４０８の上に配置されており、キャリア基板４０８の裏面には裏側金属コンタクト４０６が配置されている。導電層４０６とキャリア基板４０８との間の結合は、結合層（図示していない）によって形成することができる。半導体チップ４００は、複数のこのようなスルーコンタクト４０７を有する形で具体化することができる。
【００８８】
半導体チップ４００の場合、表側コンタクト１０５は、電流拡散層４０４を介して第２の半導体層４０２に電気的に接続されている。裏側コンタクト１０６は、キャリア基板４０８、導電層４０６、およびスルーコンタクト４０７を介して、第１の半導体層４０１に電気的に接続されている。一例として、第２の半導体層４０２をｐ型導電性とすることができ、したがって、表側コンタクト１０５はｐ型コンタクトを構成する。これに対して、他方の半導体層４０１をｎ型導電性とすることができ、したがって、裏側コンタクト１０６はｎ型コンタクトを構成する。図１０の部品２０３に関しては、この点において、ｐ型コンタクト１０５をコンタクト構造１６０および接触領域１４１を介してｎ型コンタクト１０６に接続することができる。
【００８９】
図１２は、直列に接続されたオプトエレクトロニクス半導体チップ１０１，１０２と、これらの上に配置された変換要素１１０，１２０とを備えているさらなるオプトエレクトロニクス部品２０４の抜粋図を示している。半導体チップ１０１，１０２それぞれは、表側金属コンタクト１０５および裏側金属コンタクト１０６を有する。部品２０４の場合には、交互の形で、第１および第２の半導体チップ１０１，１０２のそれぞれの表側コンタクト１０５とそれぞれの裏側コンタクト１０６が電気的に接続されている。この目的のため、キャリア１４０は、比較的大きい金属接触領域１４２を有する形で具体化されている。第１の半導体チップ１０１および第２の半導体チップ１０２は、接触領域１４２の上に配置されている。裏側コンタクト１０６と接触領域１４２との間の接続は、この場合にも例えばはんだによって形成することができる。
【００９０】
共通の接触領域１４２の上に配置されている半導体チップ１０１，１０２の場合、裏側コンタクト１０６は接触領域１４２を介して電気的に接続されている。接触領域１４２の上に一緒に配置されている別の半導体チップ１０１，１０２との電気的接続は、コンタクト構造１６０を介して形成される。この場合、第１および第２の半導体チップ１０１，１０２のそれぞれの表側コンタクト１０５が電気的に接続されている。少なくとも図１２に示した半導体チップ１０１，１０２は、この場合、コンタクト１０５を有するチップ領域に関して向かい合うことができる。コンタクト構造１６０は、絶縁材料１５０の上に配置されており、一部が絶縁材料１５０に埋め込まれており、したがって関連する表側コンタクト１０５まで延在している。図示した電気的接続は、さらなる半導体チップ１０１，１０２（図示していない）の方に続けることができる。
【００９１】
図１２には、半導体チップ１０１，１０２の間に存在する距離３１０がさらに示してある。距離３１０は、比較的小さくすることができ、例えば５０マイクロメートルとすることができる。図１２に示した電気的直列接続は、第１の半導体チップ１０１および第２の半導体チップ１０２それぞれの間に交互に存在させることができるのみではない。階段状の変換要素１１０を有する複数の第１の半導体チップ１０１と、変換要素１２０を有する複数の第２の半導体チップ１０２とが図示した方法で接続される修正形態も可能である。
【００９２】
図１２における部品２０４の場合、一例として、半導体チップ１０１の表側コンタクト１０５がｐ型コンタクトを構成することができ、このコンタクトに電気的に接続されている半導体チップ１０２の表側コンタクト１０５が、ｎ型コンタクトを構成することができる。これとは異なり、半導体チップ１０１の裏側コンタクト１０６がｎ型コンタクトを構成することができ、このコンタクトに接続されている半導体チップ１０２の裏側コンタクト１０６が、ｐ型コンタクトを構成することができる。この目的のため、半導体チップ１０１には、例えば、図１１を参照しながら説明した半導体チップ４００の実施形態を採用することが可能である。半導体チップ１０２には、以下に図１３を参照しながら説明する実施形態を使用することが可能である。
【００９３】
図１３は、さらなる半導体チップ４２０またはＬＥＤチップ４２０の概略的な側面図を示している。半導体チップ４２０は、第１の半導体層４２１と、第２の半導体層４２２と、これらの間に存在する、放射を生成するための活性ゾーン４２３とを備えた積層体を有する。２つの半導体層４２１，４２２は、異なる導電型を有する。表側面には、積層体または半導体層４２１の上の端部に表側金属コンタクト１０５が配置されている。さらに、積層体は、中間層４２４を介して導電性のキャリア基板４２５に接続されており、キャリア基板４２５の裏面には裏側金属コンタクト１０６が配置されている。表側面において半導体層４２１の上に変換要素（図示していない）を接着剤によって接合することができる。
【００９４】
半導体チップ４２０の場合、表側コンタクト１０５は、第１の半導体層４２１との接触を形成している。裏側コンタクト１０６は、キャリア基板４２５および中間層４２４を介して第２の半導体層４２２に電気的に接続されている。一例として、第１の半導体層４２１をｎ型導電性とし、第２の半導体層４２２をｐ型導電性とすることができ、したがって、図１２の部品２０４を参照しながら上述した表側コンタクト１０５がｎ型コンタクトを構成し、裏側コンタクト１０６がｐ型コンタクトを構成している。
【００９５】
図１３に示したチップ構造は、図１０による、直列に接続される半導体チップ１０１，１０２（すなわちすべてのチップ１０１，１０２）の場合と同様に設けることができる。
【００９６】
図１４は、直列に接続されたオプトエレクトロニクス半導体チップ１０１，１０２と、これらの上に配置された変換要素１１０，１２０とを備えているさらなるオプトエレクトロニクス部品２０５の抜粋図を示している。半導体チップ１０１，１０２それぞれは、対向する端部に配置された２つの表側金属コンタクト１０５を有し、したがって、裏側コンタクトを備えていない。互いに並んで配置されている半導体チップ１０１，１０２の表側コンタクト１０５は、コンタクト構造１６０を介して電気的に接続されている。この場合、少なくとも図１４に示した半導体チップ１０１，１０２は、表側コンタクト１０５を有するチップ領域に関して向かい合っていることができる。コンタクト構造１６０は絶縁材料１５０の上に配置されており、一部が絶縁材料１５０に埋め込まれており、したがって関連する表側コンタクト１０５まで延在している。図示した電気的接続は、さらなる半導体チップ１０１，１０２（図示していない）の方に続けることができる。
【００９７】
この部品２０５の場合、半導体チップ１０１，１０２は、キャリア１４０には機械的にのみ結合されている。この構造形態においては、機械的結合は、例えば同様にはんだを使用して形成することができる。この場合、半導体チップ１０１，１０２およびキャリア１４０は、互いに調整されておりかつはんだによって結合される金属層を有することができる（図示していない）。半導体チップ１０１，１０２の場合、これらの金属層は裏面に設けることができる。さらには、キャリア１４０を、実質的にヒートシンクの形で具体化することができる。
【００９８】
部品２０５の半導体チップ１０１，１０２は、キャリア１４０の上に互いに比較的小さい距離３１０に配置することができる。距離３１０は、例えば５０マイクロメートルとすることができる。さらには、図１４に示した電気的直列接続は、第１の半導体チップ１０１と第２の半導体チップ１０２の間に交互に存在させることができるだけではない。階段状の変換要素１１０を有する複数の第１の半導体チップ１０１と、変換要素１２０を有する複数の第２の半導体チップ１０２とを、図示した方法で接続することも可能である。
【００９９】
部品２０５の半導体チップ１０１，１０２の場合、一方のコンタクト１０５がｐ型コンタクトを構成し、他方のコンタクト１０５がｎ型コンタクトを構成する。このような構造形態の場合、半導体チップ１０１，１０２は、以下に図１５を参照しながら説明する実施形態に従って具体化することができる。
【０１００】
図１５は、さらなる半導体チップ４４０またはＬＥＤチップ４４０の概略的な側面図を示している。この半導体チップ４４０は、第１の半導体層４４１と、第２の半導体層４４２と、これらの間に存在する、放射を生成するための活性ゾーン４４３とを備えている積層体を有する半導体ボディを有する。２つの半導体層４４１，４４２は、異なる導電型またはドーピングを有する。半導体ボディは、導電性の電流拡散層４４４の上に配置されており、電流拡散層４４４の上には、表側金属コンタクト１０５が半導体ボディの横方向に配置されている（図１５における右側）。半導体ボディまたは半導体層４４１の上の表側面に、変換要素（図示していない）を接着剤によって接合することができる。
【０１０１】
さらに、半導体チップ４４０は、スルーコンタクト４４７を有する。スルーコンタクト４４７のために、電流拡散層４４４、半導体層４４２、活性ゾーン４４３を垂直方向に貫いて半導体層４４１の中まで達している切取り部が形成されており、この切取り部は、その内面において絶縁層４４５によって満たされており、この絶縁層４４５によって囲まれている導電層４４６によって満たされている。導電層４４６は、半導体層４４１との接触を形成する。スルーコンタクト４４７の外側には、電流拡散層４４４、絶縁層４４５、および導電層４４６が、積層体の形で互いに上下に配置されている。導電層４４６の部分領域の上の端部に、さらなる表側金属コンタクト１０５が配置されている（図１５における左側）。さらに、導電層４４６は、結合層４４８を介して絶縁性のキャリア基板４４９に結合されている。キャリア基板４４９の裏面には金属層４５０が配置されており、この金属層４５０は、上述したようにキャリア１４０の金属層に結合する目的に使用することができる。半導体チップ４４０は、複数のこのようなスルーコンタクト４４７を有する形で具体化することができる。
【０１０２】
半導体チップ４４０の場合、右側の表側コンタクト１０５は、電流拡散層４４４を介して第２の半導体層４４２に電気的に接続されている。他方の左側の表側コンタクト１０５は、導電層４４６およびスルーコンタクト４４７を介して第１の半導体層４４１に電気的に接続されている。一例として、第２の半導体層４４２をｐ型導電性とすることができ、したがって右側の表側コンタクト１０５がｐ型コンタクトを構成している。これに対して、第１の半導体層４４１をｎ型導電性とすることができ、したがって他方の表側コンタクト１０５がｎ型コンタクトを構成している。
【０１０３】
上述したように、オプトエレクトロニクス部品は、複数の半導体チップ１０１，１０２を備えていることができ、半導体チップ１０１，１０２は、キャリア１４０の上に適切に分布した状態で配置することができる。この場合、半導体チップ１０１，１０２を互いに比較的近くに配置することができ、この結果として、高輝度かつ高い一様性の光放射を得ることができ、高い一様性は、特に、（上述したように）青緑色の光放射と赤色の光放射という異なるスペクトル領域の光放射を混合して白色または暖白色の光放射を生成することに関連する。
【０１０４】
図１６は、説明を目的として、オプトエレクトロニクス部品２０６の半導体チップ１０１，１０２と、これらの上に配置されている、一方が階段形状を有する変換要素１１０，１２０の、１つの可能な、または例示的な配置構造を、概略的な平面図として示している。半導体チップ１０１，１０２それぞれは、端部または角部に個々の表側コンタクト１０５を有する。白色光源として構成する場合、一例として、発光ユニット１０１，１１０を、青緑色の光放射を生成するように設計することができ、発光ユニット１０２，１２０を、赤色の光放射を生成するように設計することができる（またはこの逆）。
【０１０５】
部品２０６の場合、半導体チップ１０１，１０２の電気的接触（図示していない）は、上述した方法に基づいて、例えば図１０に対応する方法において、実施することができる。この場合、一例として、すべての半導体チップ１０１，１０２を直列に接続することができる。これに代えて、一例として、半導体チップ１０１，１０２の複数の個別の直列接続を設けることを考慮することができる。さらには、電気的接触に関して、図１６の変形形態において、表側コンタクト１０５に関する異なる様式で、個々の半導体チップ１０１，１０２の向きを設定することができる。
【０１０６】
図１６に示したチップの配置構造に基づいて、（上述したように）半導体チップ１０１，１０２の上に配置されている変換要素１１０，１２０が、半導体チップ１０１，１０２の表側コンタクト１０５に合わせて調整された横方向の切取り部または窪みを有することがさらに明らかになる。結果として、表側コンタクト１０５まで延在するコンタクト構造１６０を形成する目的で、表側コンタクト１０５に自由にアクセス可能である。
【０１０７】
階段状の変換要素１１０に関して、図１７に示した半導体チップ１０１の拡大平面図を参照することで、変換要素１１０の可能な形状が明らかになる。変換要素１１０は、第２のセクション１１２よりも横方向に突き出している第１のセクション１１１を有する。階段形状、およびしたがって２つの縁部または縁部構造１１５，１１６が、変換要素１１０の周囲全体にわたり存在する。この場合、セクション１１１，１１２と縁部構造１１５，１１６は、平面視において類似する幾何学形状および輪郭を有し、表側コンタクト１０５に合わせて調整された切取り部を含んでいる。
【０１０８】
２つの表側コンタクト１０５を有する半導体チップ１０１，１０２の場合（図１４を参照）、使用する変換要素１１０，１２０は、これに対応して、２つの表側コンタクト１０５に合わせて調整された２つの切取り部を端部に有することができる。この場合、上から見たとき、実質的に長方形または正方形の基本形状を使用することもできる（図示していない）。階段状の変換要素１１０の場合、セクション１１１，１１２と縁部構造１１５，１１６は、同様に平面視において類似する幾何学形状および輪郭を有することができ、表側コンタクト１０５に合わせて調整された切取り部を含んでいる（図示していない）。
【０１０９】
さらには、変換要素が上に配置されていない（したがって一次光放射が変換されない）、１つまたは複数の追加のオプトエレクトロニクス半導体チップを備えた形で、オプトエレクトロニクス部品を実施することができる。白色光源の場合、このようにすることで、青緑色、赤色、および青色の各光放射を重ね合わせることができる。変換要素を有さない半導体チップが覆われることを防止する目的で、このような半導体チップの上に透明なスペーサを使用する。図１６における部品２０６の場合、一例として、半導体チップのうちの１つの場合、例えばちょうど中央に存在する半導体チップ１０２において、変換要素１２０の代わりにそのようなスペーサを採用することができる。
【０１１０】
図１８は、例示的な説明を目的として、さらなるオプトエレクトロニクス部品２０７の抜粋図を示している。この部品２０７は、階段形状を持つ、および持たない変換要素１１０，１２０が上に配置されている半導体チップ１０１，１０２と、放射透過性要素１３０が上に配置されているさらなる半導体チップ１０３とを備えている。半導体チップ１０１，１０２，１０３それぞれは、表側コンタクト１０５および裏側コンタクト１０６を有する。半導体チップ１０１，１０２，１０３は、同じかまたは類似する構造と、図１８に示したように、同じ高さまたは厚さとを有することが可能である。一例として、半導体チップ１０１，１０２，１０３すべてが、図１１〜図１３に対応する構造を有することができる。
【０１１１】
放射透過性要素１３０は、変換要素１１０，１２０と同様に、半導体チップ１０３に表側面において透明な接着剤１５１（シリコーン接着剤）によって結合されている。さらに、要素１３０は、半導体チップ１０３の表側コンタクト１０５に合わせて調整された形状を有し、端部または角部に存在する切取り部を有する。平面視において、要素１３０は、第２の変換要素１２０と同じ横方向形状（すなわち例えば図１６に示した形状）を有することができる。さらには、要素１３０（例えば透明なシリコーンから形成することができる）は、表側面の上の端部に存在する、周囲に延在する縁部または縁部構造１３５を有する。
【０１１２】
部品２０７の場合、変換要素の縁部１１５，１２５のみならず、放射透過性要素１３０の縁部１３５も、同じ高さまたは実質的に同じ高さに位置している。適切な場合、許容誤差に応じて、高さの小さなオフセット、例えば数マイクロメートル、例えば１０マイクロメートルのオフセットが存在することができる。縁部の高さが一致していることにより、キャリア１４０が白色絶縁材料１５０によってポッティングされるときに、半導体チップ１０１，１０２，１０３の表側コンタクト１０５が絶縁材料１５０によって覆われ、縁部１１５，１２５，１３５において絶縁材料１５０が止まり、したがって半導体チップ１０１，１０２，１０３すべての領域において絶縁材料１５０が同じかまたは実質的に同じ厚さを有することが可能になる。このようにすることで、変換要素１２０および要素１３０の両方において、これらが覆われることが回避される。
【０１１３】
図１８に示したように、同じ厚さを有する半導体チップ１０１，１０２，１０３を使用する場合、放射透過性要素１３０は変換要素１２０と同じ厚さを有する。しかしながら、これに代えて、半導体チップ１０１，１０２，１０３の構造が異なり、したがって適切な場合にチップ厚さの異なる部品２０７の構造も可能である。一例として、半導体チップ１０１，１０２が構造的に同じであり、半導体チップ１０３が、これらとは異なる構造および異なる厚さを有することができる。このような構造の場合にも、キャリア１４０をポッティングするときに、前述した、絶縁材料１５０を止める効果を依然としてもたらす目的で、チップの厚さが異なる場合には、要素１３０と変換要素１２０の厚さが異なる構造を考慮することができる。
【０１１４】
さらに、図１８は、半導体チップ１０１，１０２，１０３との１つの可能な接触方法を示している。この場合、図１０に対応する構造が使用されており、すなわち、裏側コンタクト１０６を有する半導体チップ１０１，１０２，１０３が、キャリア１４０の接触領域１４１の上に配置されており、表側コンタクト１０５がコンタクト構造１６０を介して接触領域１４１に接続されている。図示した電気的接続は、さらなる半導体チップ１０１，１０２，１０３（図示していない）の方に続けることができる。さらには、要素１３０が上に配置されている複数の半導体チップ１０３を直列に電気的に接続することが可能である。
【０１１５】
図１８を参照しながら説明した放射透過性要素１３０を有する半導体チップ１０３の使用は、他のタイプの接触方法（例えば図１２および図１４に示した構造）に類似した形として考慮することができる。図１４を参照すると、この場合、半導体チップ１０３は２つの表側コンタクト１０５を有する。同様に、放射透過性要素１３０は、表側コンタクト１０５に合わせて調整された２つの切取り部を有することができる。
【０１１６】
図面を参照しながら説明した実施形態は、本発明の好ましい実施形態または例示的な実施形態を構成している。図示および説明した実施形態以外に、さらなる修正または特徴の組合せを備えることのできるさらなる実施形態が考えられる。一例として、上に示した材料の代わりに別の材料を使用することができ、チップの距離や厚さなどに関して上に示した数値は、別の数値に置き換えることができる。
【０１１７】
図示および説明したオプトエレクトロニクス半導体チップ（特に、図１１、図１３、図１５に示した例示的な実施形態）は、別の、または追加の構造や層（例えば追加のミラー層など）を備えていることが可能であり、示した導電型の代わりに、その逆の導電型を使用することが可能である。さらには、オプトエレクトロニクス部品は、発光半導体チップまたは薄膜チップの別の実施形態を使用して、またはこれらとは異なる実施形態を使用して構築することもできる。
【０１１８】
図１６および図１７に示した、表側コンタクト１０５の部分的に曲線の形状の代わりに、例えば長方形や正方形の形状など別の形状を考慮することができる。このことは、チップあたり２つのコンタクト１０５を有する半導体チップの構造の場合にも可能である。変換要素１１０，１２０および放射透過性要素１３０は、コンタクト１０５に合わせて調整された状態において、別の形状、特に、異なる形状の切取り部と、したがって平面視における縁部構造１１５，１１６，１２５，１３５の別の輪郭を有することができる。
【０１１９】
半導体チップの接触方法に関して、図１０、図１２、図１４を参照しながら説明した方法を、適切な場合に１つの部品において組み合わせることが可能である。
【０１２０】
さらには、絶縁材料１５０の上に配置されているコンタクト構造１６０（直列接続の最後に配置されている半導体チップの表側コンタクト１０５との接触を形成する）を、直列接続の最後との接触を形成する役割を果たす導体トラック構造の形で具体化することが可能である。
【０１２１】
さらには、コンタクト構造１６０を形成する方法として、電気めっき法を利用するのではなく別の方法に基づいて形成することが可能である。一例として、メタライゼーション工程が、導電性または金属のペーストまたははんだを塗布または充填するステップを含むことができる。
【０１２２】
本部品は、白色光源の形のみならず、別の色を有する光放射を放出する光源の形で、上の方法に基づいて具体化することができる。さらには、上に記載した一次放射および二次放射のスペクトル領域を、別のスペクトル領域に置き換えることができる。一例として、紫外スペクトル領域における一次放射を生成する半導体チップを使用することを考慮することができる。さらに、上に記載した材料とは異なる材料から変換要素を形成することができる。黄色がかった橙色の光放射を生成するための変換材料の一例は、ユーロピウムでドープされたＣａＳｉＡｌＯＮである。
【０１２３】
さらには、セラミックの変換要素と、粒子で満たされたシリコーンから構成されている変換要素の両方を有する部品を構築することを考慮することができる。さらに、３つ以上の異なるタイプの変換要素、すなわち３つ以上の異なる二次放射または色を生成する変換要素を有する部品を形成することが可能である。このような方法の場合、変換要素の階段状の構造によって、同様に、ポッティング時に（より低い）変換要素が絶縁材料によって覆われることが防止される結果を達成することができる。
【０１２４】
さらには、半導体チップの直列接続に加えて、またはこれに代えて、並列接続を設けることも可能である。さらに、適切な場合、個々の、または複数の半導体チップの個別の駆動または通電を可能にするコンタクト構造を半導体チップに接続することを考慮することができる。
【０１２５】
白色シリコーンの代わりに、何らかの別の反射性または白色のポッティング材料を採用することが可能である。このような材料としては、例えばエポキシ材料などの適切なポリマー材料が挙げられ、同様に散乱粒子によって満たすことができる。
【０１２６】
ここまで、本発明について、好ましい実施形態または例示的な実施形態に基づいてさらに具体的に図示および説明してきたが、本発明は、開示されている例に制約されず、当業者には、本発明の保護の範囲から逸脱することなく、これらの例から別のバリエーションを導くことができる。
【０１２７】
本特許出願は、独国特許出願第１０２０１２２１７５２１．０号の優先権を主張し、この文書の開示内容は参照によって本明細書に組み込まれている。
【符号の説明】
【０１２８】
１０１，１０２  半導体チップ
１０３  半導体チップ
１０５  表側コンタクト
１０６  裏側コンタクト
１１０  変換要素
１１１，１１２  セクション
１１５，１１６  縁部
１２０  変換要素
１２５  縁部
１３０  放射透過性要素
１３５  縁部
１４０  キャリア
１４１，１４２  接触領域
１５０  絶縁材料
１５１  接着剤
１５５  切取り部
１６０  コンタクト構造
１７０  出発要素
１７１  凹部構造
２０１，２０２  部品
２０３，２０４  部品
２０５，２０６  部品
２０７  部品
３０１，３０２  方法ステップ
３０３，３０４  方法ステップ
３０５  方法ステップ
３１０  距離
３１１  深さ
４００  半導体チップ
４０１  半導体層
４０２  半導体層
４０３  活性ゾーン
４０４  電流拡散層
４０５  絶縁層
４０６  導電層
４０７  スルーコンタクト
４０８  キャリア基板
４２０  半導体チップ
４２１  半導体層
４２２  半導体層
４２３  活性ゾーン
４２４  中間層
４２５  キャリア基板
４４０  半導体チップ
４４１  半導体層
４４２  半導体層
４４３  活性ゾーン
４４４  電流拡散層
４４５  絶縁層
４４６  導電層
４４７  スルーコンタクト
４４８  結合層
４４９  キャリア基板
４５０  金属層
【図１】
0005990651.tif 000002
【図２】
0005990651.tif 000003
【図３】
0005990651.tif 000004
【図４】
0005990651.tif 000005
【図５】
0005990651.tif 000006
【図６】
0005990651.tif 000007
【図７】
0005990651.tif 000008
【図８】
0005990651.tif 000009
【図９】
0005990651.tif 000010
【図１０】
0005990651.tif 000011
【図１１】
0005990651.tif 000012
【図１２】
0005990651.tif 000013
【図１３】
0005990651.tif 000014
【図１４】
0005990651.tif 000015
【図１５】
0005990651.tif 000016
【図１６】
0005990651.tif 000017
【図１７】
0005990651.tif 000018
【図１８】
0005990651.tif 000019