(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体モジュールの絶縁基板上に設けられた金属領域に半田接合されるものであって、外部端子が嵌合する中空穴を有するコンタクト部品において、該コンタクト部品はその下端部にその筒状部の外径より大きな径を有するフランジを備え、該フランジの前記半田接合される端面に、平坦な底面と筒の内周端から前記フランジ外周端に向かう凹部とを備え、
前記コンタクト部品の筒内部下端の少なくとも一部に形成される段差部を有することを特徴とするコンタクト部品。
【請求項２】
半導体モジュールの絶縁基板上に設けられた金属領域に半田接合されるものであって、外部端子が嵌合する中空穴を有するコンタクト部品において、該コンタクト部品はその下端部にその筒状部の外径より大きな径を有するフランジを備え、該フランジの前記半田接合される端面に、平坦な底面と筒の内周端から前記フランジ外周端に向かう凹部とを備え、
前記コンタクト部品の筒内部下の少なくとも一部に形成される凹面加工部を有することを特徴とするコンタクト部品。
【請求項３】
前記外部端子が嵌合する中空穴の断面形状が円形または角形であることを特徴とする請求項１または２に記載のコンタクト部品。
【請求項４】
半導体モジュールの絶縁基板上に設けられた金属領域に半田接合されるものであって、外部端子が嵌合する中空穴を有するコンタクト部品において、該コンタクト部品はその下端部にその筒状部の外径より大きな径を有するフランジを備え、該フランジの前記半田接合される端面に、平坦な底面と筒の内周端から前記フランジ外周端に向かう凹部とを備え、
前記フランジの外周における高さが前記コンタクト部品の筒部分の肉厚の２倍以上の高さを有することを特徴とするコンタクト部品。
【請求項５】
前記フランジの外周における高さが前記コンタクト部品の筒部分の肉厚の２倍以上の高さを有する前記フランジは、前記フランジの外周の少なくとも一部に上方に伸びる凸部を形成する加工面であることを特徴とする請求項４記載のコンタクト部品。
【請求項６】
前記外部端子が嵌合する中空穴の断面形状が円形または角形であることを特徴とする請求項４記載のコンタクト部品。
【請求項７】
前記フランジが前記コンタクト部品の両端に設けられていることを特徴とする請求項４記載のコンタクト部品。
【請求項８】
絶縁基板と、
前記絶縁基板上に設けられた金属領域に半田接合されるものであって、中空穴を有し、下端部にその筒状部の外径より大きな径を有するフランジを備え、該フランジの前記半田接合される端面に、平坦な底面と筒の内周端から前記フランジ外周端に向かう凹部とを備え、筒内部下端の少なくとも一部に形成される段差部を有するコンタクト部品と、
前記中空穴に嵌合する外部端子と、
を有することを特徴とする半導体モジュール。
【請求項９】
絶縁基板と、
前記絶縁基板上に設けられた金属領域に半田接合されるものであって、中空穴を有し、下端部にその筒状部の外径より大きな径を有するフランジを備え、該フランジの前記半田接合される端面に、平坦な底面と筒の内周端から前記フランジ外周端に向かう凹部とを備え、筒内部下端の少なくとも一部に形成される凹面加工部を有するコンタクト部品と、
前記中空穴に嵌合する外部端子と、
を有することを特徴とする半導体モジュール。
【請求項１０】
絶縁基板と、
前記絶縁基板上に設けられた金属領域に半田接合されるものであって、中空穴を有し、下端部にその筒状部の外径より大きな径を有するフランジを備え、該フランジの前記半田接合される端面に、平坦な底面と筒の内周端から前記フランジ外周端に向かう凹部とを備え、前記フランジの外周における高さが筒部分の肉厚の２倍以上の高さを有するコンタクト部品と、
前記中空穴に嵌合する外部端子と、
を有することを特徴とする半導体モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体モジュールを構成する絶縁基板上に半田接合により搭載され、外部出力端子を差し込むことにより外部と導電接続させる構造を有するコンタクト部品、およびコンタクト部品を搭載した半導体モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体モジュールの内部には、図１３に示すような、図示しない外部回路から導出される外部出力端子１０１によって、外部回路と導電接続させる必要のある絶縁基板１０２を備えている構造のものがある。そのような半導体モジュール１００を図１２に示す。この半導体モジュール１００では、絶縁基板１０２の所定の複数箇所に、予め、円筒状のコンタクト部品１０３を半田接合しておき、これらのコンタクト部品１０３の中心孔に、対応する配置を有する複数の外部出力端子１０１をそれぞれ差し込む構造を備えている。これらの外部出力端子１０１はアルミワイヤ１０５などによって半導体チップ１０４（デバイスチップ、回路チップ）などに接続される。さらに、絶縁基板１０２は金属基板１０９上に搭載され、この金属基板１０９上に固着される樹脂ケース１０８によって覆われる。前述のコンタクト部品１０３の前記絶縁基板１０２上への半田接合に関しては、その半田接合の強度が長期に亘り安定に保持されることが強く求められる。そのため、従来のコンタクト部品１０３は、図１４の斜視図に示すように、絶縁基板１０２の所定の複数箇所にそれぞれ安定して自立しかつ半田接合強度を確保するために、円筒の端面の面積を広げるように直径の大きいフランジ１０６を備える。さらに、このフランジ１０６の端面１０６ａには、接合時に半田のたまり部となり所定の半田厚さを確保できる凹部１０７が形成されている（特許文献１）。【０００３】
図１４の前記コンタクト部品１０３の円筒の軸に沿ったＡ１−Ａ２線での断面図を図６に示す。図６の前記コンタクト部品１０３は、また、図７に示す同様のコンタクト部品１０３ａの断面図のように、円筒の端部のエッジに丸み１１０（曲率半径０．１ｍｍ）を持たせる構造とすることもできる。このようなコンタクト部品１０３、１０３ａを絶縁基板１０２の所定の複数箇所に固着させるには、ペースト状半田が用いられる。例えば、ペースト状半田を絶縁基板１０２上に所定の複数のコンタクト部品１０３の配置パターンで印刷し、各コンタクト部品１０３のフランジ１０６の端面に一定の荷重を掛けながら加熱処理を加えて固着する。【０００４】
そのようにして、各コンタクト部品１０３のフランジ１０６端面を絶縁基板１０２上に半田接合させる際に、図５に示すように、フランジ１０６の下側の半田１１１のうち、フランジ１０６の内径側に押しのけられた半田１１１はフランジ１０６の内側の凹部１０７に入り、円筒内を充填し数百ミクロンの厚さの半田１１１層を形成して接合強度を強固にする。一方、フランジ１０６の外側に押しのけられた半田１１１はフランジ１０６の外周側面に、フランジ１０６の厚さ相当の高さを有する半田フィレット１１１ａを形成することにより接合強度を高めている。【０００５】
半導体モジュール１００内のコンタクト部品１０３の円筒内部には、外部回路と導電接続させるために挿入される外部出力端子１０１の挿入深さを確保するために円筒内の半田の厚みは概ね５００μｍ以下に制限される。さらに、外部出力端子１０１はコンタクト部品１０３の円筒内への挿入による導電接触を確実にするために端子の外径は円筒の内径に近い円径にされている。この導電接触を確実にするために、端子の形状を４角形の棒状にして円筒の孔に挿入することも好ましい。【０００６】
前述の技術にかかわるその他の公知文献として、ＩＣ（集積回路装置）のリード端子について、半田の這い上がり防止技術が開示されている（特許文献２、３）。
中空の端子の内部に半田の這い上がりを防止する技術に関する記載がある（特許文献４）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】ＵＳ２００９／０１９４８８４号Ａ１（ＦＩＧ１、４、１２）
【特許文献２】特開１９８９−３１５１６７号公報（「作用」の項）
【特許文献３】特開２０１２−１９９３４０号公報（背景技術）
【特許文献４】特開１９９４−０２０７３５号公報（要約、目的）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
前述の図５に示すように、コンタクト部品１０３は、絶縁基板１０２への接合強度を大きくするために、端面の面積を大きくするフランジ構造を備えているので、相当量の半田量を必要とする。一方、半田量が増えると半田接合時に通常用いられる減圧式加熱炉の影響により、図８に示すように、コンタクト部品１０３内に充填されている半田１１１が毛細管現象により円筒の内壁を這い上がり、そのまま内壁に留まるか一部が円筒の上側開口から吐出する現象が頻繁に発生する。この現象が起きると、外部出力端子をコンタクト部品１０３の中心孔へ挿入する際に不具合が生じ不良品となる。この這い上がり現象は半田量が多い場合に起き易いことが分かった。従って、この這い上がり現象を防ぐためには、半田量を少なくすれば良い。しかし、半田量を少なくすると、長期信頼性の得られる最低限の接合強度（例えば１０Ｎ）を確保することが困難になる。従って、前記最低限の接合強度である１０Ｎを確保することができる半田量以上であって、円筒内、特に中心孔に入り込む半田量をできるだけ少なくするように半田量を調整する必要がある。【０００９】
しかしながら、ペースト状半田の塗布印刷による半田量の調整の場合、半田量の調整だけによって、前述の半田の這い上がり現象の防止と長期信頼性を有する接合強度の両方を満足させる半田量に調整することは非常に難しいことが分かった。例えば、接合に関与する半田量（斜線ハッチング部分）を図４に示す半田量から、図９（ａ）〜（ｃ）の順に減少させる実験では、この順に接合形態が図のように変化し、それに伴ってコンタクト部品１０３の接合強度も、この順に低下する。コンタクト部品１０３の接合強度は前述した１０Ｎを下回ると、半導体モジュールにおける信頼性低下に繋がるので、避けなければならない。図９（ａ）では、接合強度は良好であるが、円筒内部の半田量がまだ多く、這い上がり現象を無くすことはできない。図９（ｂ）では這い上がり現象を無くすことはできるが、接合強度の信頼性に問題が生じる場合がある。特に図９（ｃ）に示す程度に半田量を低下させた場合は、多くのものが接合強度が前述の最低限の接合強度１０Ｎを下回るため、外部出力端子が半導体モジュールから外れるなどの問題の発生が非常に多くなり問題であった。その結果、ペースト状半田の塗布印刷による半田量の調整では、図９（ａ）と（ｂ）の中間の半田量に調整することが必要であるが、そのように半田量を制御することは極めて困難であるという結論に至った。【００１０】
本発明は、以上説明した点を考慮してなされたものである。本発明の目的は、半田の這い上がり不良を防止するため半田量を減少させ、コンタクト部品の円筒内部に半田が充填されないような半田接合状態でも、従来と同等以上の半田接合強度を得ることができるコンタクト部品、および半導体モジュールを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、前記発明の目的を達成するために、請求項１に記載の発明においては、半導体モジュールの絶縁基板上に設けられた金属領域に半田接合されるものであって、外部端子が嵌合する中空穴を有するコンタクト部品において、該コンタクト部品はその下端部にその筒状部の外径より大きな径を有するフランジを備え、該フランジの前記半田接合される端面に、平坦な底面と筒の内周端から前記フランジ外周端に向かう凹部とを備え、さらに、前記コンタクト部品の筒内部下端の少なくとも一部に形成される段差部を有する。
【００１２】
本発明は、前記発明の目的を達成するために、請求項２に記載の発明においては、半導体モジュールの絶縁基板上に設けられた金属領域に半田接合されるものであって、外部端子が嵌合する中空穴を有するコンタクト部品において、該コンタクト部品はその下端部にその筒状部の外径より大きな径を有するフランジを備え、該フランジの前記半田接合される端面に、平坦な底面と筒の内周端から前記フランジ外周端に向かう凹部とを備え、さらに、前記コンタクト部品の筒内部下端の少なくとも一部に形成される凹面加工部を有する。
【００１４】
請求項３に記載の発明においては、前記外部端子が嵌合する中空穴の断面形状が円形または角形であることがより好ましい。
本発明は、前記発明の目的を達成するために、請求項４に記載の発明においては、半導体モジュールの絶縁基板上に設けられた金属領域に半田接合されるものであって、外部端子が嵌合する中空穴を有するコンタクト部品において、該コンタクト部品はその下端部にその筒状部の外径より大きな径を有するフランジを備え、該フランジの前記半田接合される端面に、平坦な底面と筒の内周端から前記フランジ外周端に向かう凹部とを備え、前記フランジの外周における高さが前記コンタクト部品の筒部分の肉厚の２倍以上の高さを有するコンタクト部品とする。
【００１５】
請求項５に記載の発明においては、前記フランジの外周における高さが前記コンタクト部品の筒部分の肉厚の２倍以上の高さを有する前記フランジは、前記フランジの外周の少なくとも一部に上方に伸びる凸部を形成する加工面であるコンタクト部品とすることも好適である。
【００１６】
請求項６に記載の発明においては、前記外部端子が嵌合する中空穴の断面形状が円形または角形であることがより好ましい。
また、請求項７に記載の発明においては、前記フランジが前記コンタクト部品の両端に設けられていることも、コンタクト部品のフランジ端面のどちら側でも半田接合でき作業効率が向上するので、好ましい。
【００１７】
請求項８に記載の発明においては、絶縁基板上に、前記請求項１に記載の半導体モジュール用コンタクト部品が搭載されている半導体モジュールとすることができる。
請求項９に記載の発明においては、絶縁基板上に、前記請求項２に記載の半導体モジュール用コンタクト部品が搭載されている半導体モジュールとすることができる。
請求項１０に記載の発明においては、絶縁基板上に、前記請求項４に記載の半導体モジュール用コンタクト部品が搭載されている半導体モジュールとすることができる。
【発明の効果】
【００１８】
この発明によれば、半田の這い上がり不良を防止するため半田量を減少させ、円筒状のコンタクト部品１０３の円筒内部に半田が充填されないような半田接合状態でも、従来と同等以上の半田接合強度を得ることができる半導体モジュール用コンタクト部品、該コンタクト部品を搭載した半導体モジュールおよびそれらの製造方法を提供することができる。【００１９】
本発明の上記および他の目的、特徴および利点は本発明の例として好ましい実施の形態を表す添付の図面と関連した以下の説明により明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の実施例１のコンタクト部品の断面図（ａ）および絶縁基板に半田接合させた状態を示す図１１の破線枠内の断面図（ｂ）である。
【図２】本発明の実施例２のコンタクト部品の断面図（ａ）および絶縁基板に半田接合させた状態を示す図１１の破線枠内の断面図（ｂ）である。
【図３】本発明の実施例３のコンタクト部品の断面図である。
【図４】本発明の実施例４のコンタクト部品の断面図（ａ）および絶縁基板に半田接合させた状態を示す図１１の破線枠内の断面図（ｂ）である。
【図５】従来のコンタクト部品のフランジ端面を絶縁基板上に半田接合させる状態を示す断面図である。
【図６】従来のコンタクト部品の円筒の軸に沿ったＡ１−Ａ２線での断面図である。
【図７】図６の円筒内周部のエッジに丸みを持たせた断面図である。
【図８】円筒内に充填されている半田が毛細管現象により円筒の内壁を這い上がり、そのまま内壁に留まるか一部が円筒の上側開口から吐出する現象を説明するための従来のコンタクト部品の断面図である。
【図９】接合に関与する半田量を（ａ）〜（ｃ）の順に減少させた場合のコンタクト部品と絶縁基板の半田の接合形態を示す断面図である。
【図１０】本発明と従来の半田接合強度をせん断強度の比較により示す関係図である。
【図１１】本発明のコンタクト部品を搭載した半導体モジュールの断面図である。
【図１２】従来のコンタクト部品を搭載した半導体モジュールの断面図である。
【図１３】図１２の半導体モジュールを構成している絶縁基板の上面図と側方から見た断面図である。
【図１４】従来のコンタクト部品の斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の半導体モジュールに用いる筒状のコンタクト部品、該コンタクト部品を搭載した半導体モジュールおよびその製造方法にかかる実施例について、図面を参照して詳細に説明する。以下の実施例の説明および添付図面において、同様の構成には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。また、実施例で説明される添付図面は、見易くまたは理解し易くするために正確なスケール、寸法比で描かれていない。
【実施例１】
【００２２】
図１１は本発明のコンタクト部品を搭載した半導体モジュールの断面図である。図１（ａ）は、本発明の実施例１のコンタクト部品の断面図である。図１（ｂ）は本発明の実施例１のコンタクト部品の絶縁基板に半田接合させた状態を示す図１１の破線枠内の断面図である。このようなコンタクト部品３を絶縁基板１０２の所定の複数箇所に固着させるには、ペースト状半田が用いられる。例えば、ペースト状半田を絶縁基板１０２上に所定の複数のコンタクト部品３の配置パターンで印刷し、各コンタクト部品３のフランジ６の端面に一定の荷重を掛けながら減圧加熱炉で加熱処理を加えて固着する。半導体チップ１０４や他の電子部品などを含む所定の回路が形成された絶縁基板１０２上に、前述のコンタクト部品３が搭載される。さらに絶縁基板１０２の下側には金属基板１０９が固着され、樹脂ケース１０８が金属基板１０９の外周上に固着されて半導体モジュール２００が形成される。【００２３】
本発明の半導体モジュール２００（図１１）は、従来の半導体モジュール１００（図１２）に搭載されるコンタクト部品１０３を本発明のコンタクト部品３に変更した点が異なる。しかしながら、他の構造および搭載部品は同じであっても異なっていてもかまわない。図１（ｂ）では、斜線ハッチングで示す半田１１がコンタクト部品３のフランジ６の端面６ａ内の凹部７を充填する際に、コンタクト部品３の内周側のエッジ１０の全周に切り欠きとして面取り部１０ａが施されている。そのため、凹部７の空間が拡大されフランジ６の下側の凹部７に溜まる半田量を増加させることができる。面取り部１０ａの寸法は、例えば図１のａ＝０．１４５ｍｍで角度θ１＝４５度とすることができる。このような面取り加工は切削によって形成できるが、所要の長さにカットした円筒線材をフランジの形成とともにプレス加工で一度に形成する方法が効率的である。また、このコンタクト部品３の端部に形成されるフランジは片側だけでも絶縁基板上への固着の目的は達成するが、図１に示すように両端に形成することが、組み立て作業効率上の観点から好ましい。面取り部１０ａによって半田量が増加した分、コンタクト部品３中心の円筒空間に入り込む半田量を少なくすることができる。また、面取り部１０ａを施すことにより、半田１１との接触面積も増加するので、半田接合強度を大きくすることができる。従って、中心の円筒空間に入り込む半田量を少なくすることによって、従来のような半田の這い上がり現象を抑えることができる。さらに、内周側のエッジ１０に面取り部１０ａを施すことにより、半田量を従来より少なくしても半田接合強度を維持または増加させることができる。このコンタクト部品３は鉄や銅などの良導電性の金属材料に半田濡れ性の良いニッケルメッキやさらに金メッキが施される。【００２４】
この実施例１において、面取り角度θ１は３０度から６０度の範囲であれば上述の効果を十分に発揮する。面取り寸法ａは０．１ｍｍから０．２ｍｍであれば上述の効果を十分に発揮する。また、上述の説明では、コンタクト部品３の内周側のエッジ１０の全周に面取り部１０ａが施されている例を紹介したが、面取り部１０ａはコンタクト部品３の内周側のエッジ１０の一部に施されたものであっても上述の効果を発揮する。また、コンタクト部品３は断面が円形の例を紹介したが、これは断面が角型であっても良い。
【実施例２】
【００２５】
図２（ａ）は、本発明の実施例２のコンタクト部品の断面図である。図２（ｂ）は本発明の実施例２のコンタクト部品の絶縁基板に半田接合させた状態を示す図１１の破線枠内の断面図である。本発明の実施例２の半導体モジュール２０１は、実施例１の半導体モジュール２００に搭載されるコンタクト部品３を本発明のコンタクト部品３ａに変更した点が異なる。しかしながら、他の構造および搭載部品は同じであっても異なっていてもかまわない。図２（ｂ）では、斜線ハッチングで示す半田１１がコンタクト部品３ａのフランジ６の端面６ａ内の凹部７を充填する際に、コンタクト部品３ａの内周側のエッジ１０の全周に切り欠きとして段差部１０ｂが施されている。そのため、凹部空間が拡大されフランジ６の下側の凹部７に溜まる半田量を増加させることができる。半田量の増加した分、コンタクト部品３ａ中心の円筒空間に入り込む半田量を少なくすることができる。また、段差部１０ｂを施すことにより、半田１１との接触面積も増加するので、半田接合強度を大きくすることができる。従って、中心の円筒空間に入り込む半田量を少なくすることによって、従来のような半田の這い上がり現象を抑えることができる。さらに、内周側のエッジ１０に段差部１０ｂを施すことにより、半田量を従来より少なくしても半田接合強度を維持または増加させることができる。【００２６】
この実施例２において、段差部１０ｂの寸法ｂ及びｃは、筒材料の板厚を超えない範囲で０．１ｍｍから０．２ｍｍであれば上述の効果を発揮する。また、上述の説明では、コンタクト部品３ａの内周側のエッジ１０の全周に段差部１０ｂが施されている例を紹介したが、段差部１０ｂはコンタクト部品３ａの内周側のエッジ１０の一部に施されたものであっても上述の効果を発揮する。また、コンタクト部品３ａは断面が円形の例を紹介したが、これは断面が角型であっても良い。また、段差部１０ｂは段差が一段の例を紹介したが、この段差部１０ｂは断面が階段状になった複数の段差からなるものであっても良い。
【実施例３】
【００２７】
図３は、本発明の実施例３のコンタクト部品の断面図である。この実施例は実施例２で説明した段差部１０ｂが断面が円弧形状の溝１０ｃ（凹面加工部）であるものである。しかしながら、他の構造および搭載部品は実施例１のものと同じであっても異なっていてもかまわない。この実施例においても半田１１がコンタクト部品３ｂのフランジ６の端面６ａ内の凹部７を充填する際に、フランジ６の下側の凹部７に溜まる半田量を増加させることができる。半田量の増加した分、コンタクト部品３ｂ中心の円筒空間に入り込む半田量を少なくすることができる。また、溝１０ｃを施すことにより、半田１１との接触面積も増加するので、半田接合強度を大きくすることができる。従って、中心の円筒空間に入り込む半田量を少なくすることによって、従来のような半田の這い上がり現象を抑えることができる。さらに、内周側のエッジ１０に切り欠きとして溝１０ｃを施すことにより、半田量を従来より少なくしても半田接合強度を維持または増加させることができる。【００２８】
この実施例３において、断面が円弧形状の溝１０ｃの加工半径ｒは、筒材料の板厚を超えない範囲で０．１ｍｍから０．２ｍｍであれば上述の効果を発揮する。また、上述の説明では、コンタクト部品３ｂの内周側のエッジ１０の全周に、溝１０ｃが施されている例を紹介したが、溝１０ｃはコンタクト部品３ｂの内周側のエッジ１０の一部に施されたものであっても上述の効果を発揮する。また、コンタクト部品３ｂは断面が円形の例を紹介したが、これは断面が角型であっても良い。
【実施例４】
【００２９】
図４（ａ）は、本発明の実施例４のコンタクト部品の断面図である。図４（ｂ）は本発明の実施例４のコンタクト部品の絶縁基板に半田接合させた状態を示す図１１の破線枠内の断面図である。本発明の実施例４の半導体モジュール２０２は、実施例１の半導体モジュール２００に搭載されるコンタクト部品３を本発明のコンタクト部品３ｃに変更した点が異なる。しかしながら、他の構造および搭載部品は同じであっても異なっていてもかまわない。図４（ｂ）では、コンタクト部品３ｃの内周側のエッジ１０の下側に形成される凹部７の大きさは、従来の図９（ｃ）に示すコンタクト部品１０３の場合と同じである。すなわち、前記エッジ１０より内周側の空間には半田が浸入しない程度に半田量が少なくされている。しかし、フランジ６の外周側先端の上側には全周に亘ってリング状の凸部１２が設けられ、フランジ６の外周側側面の高さｔがコンタクト部品３ｃの筒部分の肉厚であるｄの２倍としてある。従来のコンタクト部品１０３のフランジ６の外周側側面の高さはコンタクト部品３ｃの筒部分の肉厚と同程度であったが、本実施例ではフランジ６の外周側側面の高さが従来より高くされている。この結果、フランジ６の下側の凹部７に溜まる半田量が少ないままで、フランジ６の外周側側面に形成される半田フィレットの量を多くすることができる。このため、這い上がり現象の抑制と半田接合強度の向上との両方の効果を得ることができる。フランジ６の外周側側面の高さｔは上述のようにコンタクト部品３ｃの筒部分の肉厚であるｄの２倍からコンタクト部品３ｃの高さまでの範囲であれば良い。【００３０】
図４に示すフランジ６の形状は、フランジ先端部分をプレス（折り曲げ）することにより形成することができる。上述の実施例４の説明では、フランジ６の外周における高さを高めるためにリング状の凸部１２を設ける例を説明したが、フランジ６の外周における高さを高める方法はこれに限らずたとえばフランジ６の厚さを全体に厚くすることでも達成できる。また、フランジ６の外周部の角度θ２は、０度から±３０度の範囲のものが製作しやすくまた上述の効果を良く発揮する。【００３１】
また前述の実施例１、２、３に記載の切り欠き部（面取り部１０ａ、段差部１０ｂ、溝１０ｃ）の形状と、実施例４のフランジ６の形状を組み合わせた形状を備えたコンタクト部品とすることにより、さらに効果的に半田の這い上がり現象を押さえ、半田接合強度を向上させることができる。【００３２】
図９（ａ）、（ｃ）に示す従来の円筒状のコンタクト部品と、図１（ｂ）、図４（ｂ）に示す実施例１から４に記載の円筒状のコンタクト部品とについて、図１３に示す絶縁基板１０２上に半田接合させたものについて、それらの半田接合強度をせん断強度測定により比較した結果を図１０に示す。図１０ではせん断強度の測定値の分布幅を線で示し、平均値を棒グラフで示す。図１０から、半田接合強度の点では、従来の図９（ａ）と実施例１にかかる図１（ｂ）が４０Ｎ以上、図４（ｂ）が３０Ｎ以上の強度を有し十分な接合強度を確保できていることが分かる。しかし、図９（ａ）の従来例については、せん断強度は十分な強度を有するが、半田の這い上がり現象が見られることがあるので、実施形態としては好ましくない。また図９（ｃ）の従来例でも半田接合強度の平均は１０Ｎ以上を有するが、測定分布を見ると、１０Ｎ以下のせん断強度もあるので、こちらも好ましくない。【００３３】
同様に図２（ｂ）に示す実施例、図３に示す実施例を絶縁基板１０２上に半田接合させたものについても上述図１（ｂ）のものと同様の結果が得られる。
以上説明した実施例によれば、半田の這い上がり不良を防止するため半田量を減少させ、コンタクト部品１０３の円筒内部に半田が充填されないような半田接合状態でも、従来と同等以上の半田接合強度を得ることができるコンタクト部品およびそれを用いた半導体モジュールを提供することができる。【００３４】
上記については単に本発明の原理を示すものである。さらに、多数の変形、変更が当業者にとって可能であり、本発明は上記に示し、説明した正確な構成および応用例に限定されるものではなく、対応するすべての変形例および均等物は、添付の請求項およびその均等物による本発明の範囲とみなされる。
【符号の説明】
【００３５】
３、３ａ、３ｂ、１０３  コンタクト部品
６、１０６  フランジ
６ａ、１０６ａ  端面
７、１０７  凹部
１０  エッジ
１０ａ  面取り部
１０ｂ  段差部
１０ｃ  溝
１１、１１１  半田
１２  凸部
１００、２００、２０１、２０２  半導体モジュール
１０１  外部出力端子
１０２  絶縁基板
１０４  半導体チップ
１０５  アルミワイヤ
１０８  樹脂ケース
１０９  金属基板
１１０  丸み
１１１ａ  半田フィレット
【図１】
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【図２】
0006041043.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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