(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気ヘッドを搭載する外部のスライダと、前記磁気ヘッドの近傍に設けられる外部の電子素子とを搭載できるように構成される回路付サスペンション基板であって、
金属支持基板と、
前記金属支持基板の表面に積層される第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の前記表面側に積層される第１端子を備える第１導体パターンと、
前記金属支持基板の裏面に積層される第２絶縁層と、
前記第２絶縁層の前記裏面側に積層される第２端子を備える第２導体パターンと
を備え、
前記回路付サスペンション基板には、表裏方向に連通する連通空間が形成され、
前記第１端子は、前記スライダの前記磁気ヘッドが電気的に接続されるように構成され、
前記第２端子は、前記電子素子が電気的に接続されるように構成され、前記電子素子が架設されるように前記連通空間を隔てて少なくとも１対設けられ、
前記表裏方向に投影したときに、前記第１絶縁層および前記第２絶縁層の端縁は、前記金属支持基板の端縁よりも前記連通空間内に突出している
ことを特徴とする、回路付サスペンション基板。
【請求項２】
前記表裏方向に投影したときに前記電子素子と重複するように、前記スライダを搭載できることを特徴とする、請求項１に記載の回路付サスペンション基板。
【請求項３】
前記電子素子が、ピエゾ素子であることを特徴とする、請求項１または２に記載の回路付サスペンション基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路付サスペンション基板、詳しくは、ハードディスクドライブに用いられる回路付サスペンション基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
回路付サスペンション基板は、金属支持基板と、その上に形成されるベース絶縁層と、その上に形成され、磁気ヘッドと接続するためのヘッド側端子部を有する導体パターンとを備えている。そして、この回路付サスペンション基板では、磁気ヘッドを実装して、磁気ヘッドをヘッド側端子部と接続させて、ハードディスクドライブに用いられる。
【０００３】
近年、このような回路付サスペンション基板に、種々の電子素子、具体的には、例えば、ピエゾ素子（圧電素子）を有し、磁気ヘッドの位置および角度を精細に調節するためのマイクロアクチュエータ、例えば、光アシスト法により記録密度の向上を図るための発光素子などを搭載することが提案されている。
【０００４】
例えば、光アシスト法を採用すべく、金属支持基板と、金属支持基板の表面に搭載される発光素子およびスライダとを備える回路付サスペンション基板において、発光素子と電気的に接続される素子側端子部と、スライダに搭載される磁気ヘッドと電気的に接続されるヘッド側端子部とを、金属支持基板の同一表面に形成することが知られている。
【０００５】
しかし、そのような構成では、発光素子とスライダとの両方を、金属支持基板の同一表面に実装するので、素子側端子部とヘッド側端子部とを、高い密度で配置しなければならず、回路付サスペンション基板のコンパクト化が困難となる。
【０００６】
そこで、例えば、回路付サスペンション基板の表面に設けられるヘッド側端子と、回路付サスペンション基板の裏面に設けられる素子側端子とを含む導体パターンを備え、ヘッド側端子に電気的に接続される磁気ヘッドを搭載するスライダと、素子側端子に電気的に接続される発光素子とを搭載する回路付サスペンション基板が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００７】
この回路付サスペンション基板は、金属支持基板と、金属支持基板の表面に形成される第１ベース絶縁層と、第１ベース絶縁層の表面に形成される表側電源配線と、金属支持基板の裏面に形成される第２ベース絶縁層と、第２ベース絶縁層の裏面に形成される裏側電源配線とを備え、ヘッド側端子は、表側電源配線に連続され、素子側端子は、裏側電源配線に連続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１０−１０８５７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかるに、上記した特許文献１に記載の回路付サスペンション基板１０１では、図１１に示されるように、スライダ１０２が実装される実装部１０３において、発光素子１０４が挿通される挿通開口部１０５が形成されており、挿通開口部１０５の周端縁において、金属支持基板１０６の端縁と、第２ベース絶縁層１０７の端縁とは、厚み方向に沿って略面一に形成されている。また、素子側端子１０８は、発光素子１０４に近接するように、第２ベース絶縁層１０７の端部に形成され、ワイヤ１０９を介して発光素子１０４に接続されている。
【００１０】
なお、ワイヤ１０９の代わりにはんだボール１１０（仮想線）を用いて、素子側端子１０８と発光素子１０４とを接続することが要求される場合がある。
【００１１】
なお、金属支持基板１０６の端縁は、第１ベース絶縁層１１１の端縁より、挿通開口部１０５に近接する方向に配置されている。
【００１２】
その場合には、金属支持基板１０６の端縁と、第２ベース絶縁層１０７の端縁とが、厚み方向に沿って略面一に形成されているため、溶融したはんだが厚み方向に流れて容易に第２ベース絶縁層１０７を超え、金属支持基板１０６と接触し、素子側端子１０８と金属支持基板１０６とがはんだを介して短絡する場合がある。
【００１３】
さらに、金属支持基板１０６の端縁が、第１ベース絶縁層１１１の端縁より、挿通開口部１０５内に突出しているため、溶融したはんだが挿通開口部１０５側に流れて容易に第１ベース絶縁層１１１を超え、金属支持基板１０６と接触し、ヘッド側端子１１２と金属支持基板１０６とがはんだを介して短絡する場合がある。
【００１４】
本発明の目的は、第２端子と金属支持基板との短絡、および、第１端子と金属支持基板との短絡を防止することのできる回路付サスペンション基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記目的を達成するために、本発明の回路付サスペンション基板は、磁気ヘッドを搭載する外部のスライダと、前記磁気ヘッドの近傍に設けられる外部の電子素子とを搭載できるように構成される回路付サスペンション基板であって、金属支持基板と、前記金属支持基板の表面に積層される第１絶縁層と、前記第１絶縁層の前記表面側に積層される第１端子を備える第１導体パターンと、前記金属支持基板の裏面に積層される第２絶縁層と、前記第２絶縁層の前記裏面側に積層される第２端子を備える第２導体パターンとを備え、前記回路付サスペンション基板には、表裏方向に連通する連通空間が形成され、前記第１端子は、前記スライダの前記磁気ヘッドが電気的に接続されるように構成され、前記第２端子は、前記電子素子が電気的に接続されるように構成され、前記電子素子が架設されるように前記連通空間を隔てて少なくとも１対設けられ、前記表裏方向に投影したときに、前記第１絶縁層および前記第２絶縁層の端縁は、前記金属支持基板の端縁よりも前記連通空間内に突出していることを特徴としている。
【００１６】
また、本発明の回路付サスペンション基板では、前記表裏方向に投影したときに前記電子素子と重複するように、前記スライダを搭載できることが好適である。
【００１７】
また、本発明の回路付サスペンション基板では、前記電子素子が、ピエゾ素子であることが好適である。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の回路付サスペンション基板によれば、表裏方向に投影したときに、第１絶縁層および第２絶縁層の端縁は、金属支持基板の端縁よりも連通空間内に突出している。
【００１９】
すなわち、金属支持基板の端縁は、第１ベース絶縁層および第２ベース絶縁層の端縁に対して相対的に、第２ベース絶縁層の突出方向と反対側へ退避されている。
【００２０】
そのため、第２端子と、電子素子とをはんだで接続するときに、溶融したはんだが金属支持基板に向かって流れたとしても、はんだが金属支持基板に接触することを防止することができる。
【００２１】
また、第１端子と、スライダに搭載される磁気ヘッドとをはんだで接続するときに、溶融したはんだが金属支持基板に向かって流れたとしても、はんだが金属支持基板に接触することを防止することができる。
【００２２】
その結果、第２端子と金属支持基板との短絡、および、第１端子と金属支持基板との短絡を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】図１は、本発明の回路付サスペンション基板の一実施形態の平面図を示す。
【図２】図２は、図１に示す回路付サスペンション基板のジンバル部の平面図を示す。
【図３】図３は、図１に示す回路付サスペンション基板のジンバル部の底面図を示す。
【図４】図４は、図２および図３に示すジンバル部のＡ−Ａ線に沿う断面図を示す。
【図５】図５は、図２に示すジンバル部の平面図であり、第１ベース絶縁層を明示した平面図を示す。
【図６】図６は、図３に示すジンバル部の底面図であり、第２ベース絶縁層を明示した底面図を示す。
【図７】図７は、回路付サスペンション基板の製造方法を説明するための工程図であって、（ａ）は、金属支持基板を用意する工程、（ｂ）は、第１ベース絶縁層を形成する工程、（ｃ）は、第１導体パターンを形成する工程、（ｄ）は、第１カバー絶縁層を形成する工程、（ｅ）は、導通開口部を金属支持基板に形成する工程を示す。
【図８】図８は、図７に引き続き、回路付サスペンション基板の製造方法を説明するための工程図であって、（ｆ）は、第２ベース絶縁層を形成する工程、（ｇ）は、第２導体パターンを形成する工程を示す。
【図９】図９は、図８に引き続き、回路付サスペンション基板の製造方法を説明するための工程図であって、（ｈ）は、第２カバー絶縁層を形成する工程、（ｉ）は、連通空間を形成する工程を示す。
【図１０】図１０は、図２に示すジンバル部のステージを揺動させた状態の平面図を示す。
【図１１】図１１は、従来の回路付サスペンション基板の断面図を示す。
【図１２】図１２は、本発明の回路付サスペンション基板の変形例を説明する説明図であって、（ａ）は、第１の変形例を示す断面図であり、（ｂ）は、第２の変形例を示す断面図である。
【図１３】図１３は、図１２とともに、本発明の回路付サスペンション基板の変形例を説明する説明図であって、（ａ）は、第３の変形例を示す断面図であり、（ｂ）は、第４の変形例を示す断面図であり、（ｃ）は、第５の変形例を示す断面図であり、（ｄ）は、第６の変形例を示す断面図であり、（ｅ）は、第７の変形例を示す断面図であり、（ｆ）は、第８の変形例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
図１は、本発明の回路付サスペンション基板の一実施形態の平面図を、図２は、図１に示す回路付サスペンション基板のジンバル部の平面図、図３は、図１に示す回路付サスペンション基板のジンバル部の底面図、図４は、図２および図３に示すジンバル部のＡ−Ａ線に沿う断面図、図５は、図２に示すジンバル部の平面図であり、第１ベース絶縁層を明示した平面図、図６は、図３に示すジンバル部の底面図であり、第２ベース絶縁層を明示した底面図、図７〜図９は、回路付サスペンション基板の製造方法を説明するための工程図、図１０は、図２に示すジンバル部のステージを揺動させた状態の平面図を示す。
【００２５】
なお、図１、図２および図１０において、後述する第１ベース絶縁層２１および第１カバー絶縁層２３は、後述する第１導体パターン２２の相対配置を明確に示すために省略している。
【００２６】
また、図３において、後述する第２ベース絶縁層４１および第２カバー絶縁層４３は、後述する第２導体パターン４２の相対配置を明確に示すために、省略している。
【００２７】
さらに、図５において、後述する第１カバー絶縁層２３は、後述する第１導体パターン２２および第１ベース絶縁層２１の相対配置を明確に示すために、省略している。
【００２８】
さらにまた、図３において、後述する第２カバー絶縁層４３は、後述する第２導体パターン４２および第２ベース絶縁層４１の相対配置を明確に示すために、省略している。
【００２９】
図１および図４において、この回路付サスペンション基板１は、磁気ヘッド２を搭載するスライダ３および電子素子としてのピエゾ素子２６が搭載されて、ハードディスクドライブ（図示せず）に搭載される。
【００３０】
回路付サスペンション基板１は、図１に示すように、長手方向に延びる平帯形状に形成されており、長手方向一方側（以下、後側という。）に配置される本体部４と、本体部４の長手方向他方側（以下、先側という。）に配置されるジンバル部５とを一体的に備えている。
【００３１】
本体部４は、長手方向に延びる平面視略矩形状に形成されている。本体部４は、回路付サスペンション基板１がハードディスクドライブに搭載されるときに、ハードディスクドライブのロードビーム（図示せず）に支持されながら、リード・ライト基板などの外部回路基板６（仮想線）、および、電源７（仮想線）に電気的に接続される。
【００３２】
ジンバル部５は、本体部４の先端から先側に延びるように形成されている。また、ジンバル部５には、厚み方向（つまり、表裏方向、以下、単に厚み方向という。）を貫通する平面視略矩形状の基板開口部８が形成されている。
【００３３】
ジンバル部５は、基板開口部８の幅方向（先後方向に直交する方向）外側に仕切られるアウトリガー部９と、アウトリガー部９に連結されるタング部１０とを備えている。
【００３４】
アウトリガー部９は、本体部４の幅方向両端部から先側に向かって直線状に延びるように形成されている。
【００３５】
図２に示すように、タング部１０は、アウトリガー部９の幅方向内側に設けられ、アウトリガー部９の先端部から幅方向内側斜め後方に向かって延びる第１連結部１６を介して、アウトリガー部９に連結されている。
【００３６】
タング部１０は、幅方向両側に向かって開く平面視略Ｈ字状に形成されている。すなわち、タング部１０は、先後方向中央部の幅方向両端部が切り欠かれ（開口され）ている。
【００３７】
具体的には、タング部１０は、幅方向に長く延びる平面視略矩形状の基部１１と、基部１１の先側に間隔を隔てて配置され、幅方向に長く延びる平面視略矩形状のステージ１２と、基部１１およびステージ１２の幅方向中央部を連結し、先後方向に長い平面視略矩形状の中央部１３とを一体的に備えている。
【００３８】
タング部１０において、切り欠かれた部分には、連通空間１４が仕切られている。
【００３９】
連通空間１４は、中央部１３の幅方向両側に仕切られており、各連通空間１４は、回路付サスペンション基板１の厚み方向を貫通するように形成されている。
【００４０】
ステージ１２には、先後方向中央部分に配線折返部２５が区画されている。
【００４１】
配線折返部２５は、後述する第１導体パターン２２が折り返される領域として、幅方向に長い平面視略矩形状に仕切られている。
【００４２】
また、ステージ１２は、第２連結部１７によって、アウトリガー部９に接続されている。
【００４３】
第２連結部１７は、各アウトリガー部９の先端と、ステージ１２の幅方向両端とを湾曲状に連結する湾曲部１８と、各アウトリガー部９の先端およびステージ１２の先端の幅方向中央を連結するＥ字部１９とを備えている。
【００４４】
湾曲部１８は、アウトリガー部９の先端から幅方向内方斜め先側に向かって湾曲状に延び、ステージ１２の幅方向両端に至っている。
【００４５】
Ｅ字部１９は、平面視略Ｅ字状をなし、具体的には、両アウトリガー部９の先端から先側に向かって延び、その後、幅方向内側に屈曲し、幅方向内側に延びて合一となった後、後側に屈曲して、ステージ１２の先端の幅方向中央に至っている。
【００４６】
中央部１３は、幅方向に湾曲可能な幅狭に形成されている。
【００４７】
また、タング部１０には、スライダ３を支持するための台座６０が設けられている。
【００４８】
台座６０は、基部１１に設けられる第１台座６１と、中央部１３に設けられる第２台座６２とを備えている。
【００４９】
第１台座６１は、基部１１の先側部分に配置され、具体的には、厚み方向に投影したときに、後述する第１導体パターン２２と重ならないように、配置されている。第１台座６１は、幅方向に互いに間隔を隔てて複数（２つ）設けられている。各第１台座６１は、幅方向に長い平面視略矩形状に形成されている。
【００５０】
第２台座６２は、平面視略円形状をなし、第１台座６１の先側に間隔を隔てて設けられ、具体的には、中央部１３の先後方向中央部分に配置されている。なお、第２台座６２は、厚み方向において、中央部１３における第１導体パターン２２と重複するように、配置されている。
【００５１】
そして、回路付サスペンション基板１は、図４に示すように、金属支持基板２０と、金属支持基板２０の表面に積層される第１絶縁層としての第１ベース絶縁層２１と、第１ベース絶縁層２１の表面に積層される第１導体パターン２２と、第１ベース絶縁層２１の表面に、第１導体パターン２２を被覆するように積層される第１カバー絶縁層２３とを備えている。
【００５２】
図１に示すように、金属支持基板２０は、長手方向に延び、上記した回路付サスペンション基板１の外形形状と実質的に同じ外形形状に形成されている。
【００５３】
また、図４に示すように、金属支持基板２０には、導通開口部２９が形成されている。
【００５４】
導通開口部２９は、基部１１およびステージ１２に、図２が参照されるように、間隔を隔てて複数（４つ）設けられている。具体的には、導通開口部２９は、基部１１の幅方向両端部およびステージ１２の幅方向両端部にそれぞれ形成されている。各導通開口部２９は、金属支持基板２０を厚み方向に貫通する平面視略円形状に形成されている。
【００５５】
第１ベース絶縁層２１は、図４および図５に示すように、第１導体パターン２２が形成される部分に対応するように形成されている。
【００５６】
詳しくは、第１ベース絶縁層２１は、本体部４およびジンバル部５の表面全面に形成されるとともに、連通空間１４の先端部を被覆するように形成されている。
【００５７】
つまり、ステージ１２に対応する第１ベース絶縁層２１は、その後端縁３５が、厚み方向に投影したときに、連通空間１４の先端縁よりも後側へ突出している。
【００５８】
なお、基部１１に対応する第１ベース絶縁層２１は、その先端縁３３が、厚み方向に投影したときに、連通空間１４の後端縁よりも後側に配置されている。
【００５９】
さらに、第１ベース絶縁層２１は、第２連結部１７を形成する。
【００６０】
さらにまた、第１ベース絶縁層２１は、図４に示すように、金属支持基板２０の各導通開口部２９の周端縁を円環状に被覆している。これにより、第１ベース絶縁層２１には、各導通開口部２９に対応する複数（４つ）の第１ベース貫通孔３４が、導通開口部２９と中心を共有する平面視略円形状に形成されている。
【００６１】
第１導体パターン２２は、図１および図５に示すように、磁気ヘッド２（図４）に電気的に接続されるヘッド側パターン２７と、ピエゾ素子２６（図４）に電気的に接続される素子側パターン２８とを備えている。
【００６２】
ヘッド側パターン２７は、第１端子としてのヘッド側端子３０と、外部側端子３１と、これらヘッド側端子３０および外部側端子３１を接続するための信号配線３２とを一体的に備えている。
【００６３】
ヘッド側端子３０は、図２および図５に示すように、ステージ１２の幅方向両端部の後端部に複数（４つ）配置されている。具体的には、各ヘッド側端子３０は、平面視略矩形状をなし、配線折返部２５の後側に配置され、幅方向に互いに間隔を隔てて整列配置されている。また、ヘッド側端子３０は、先後方向に投影したときに、中央部１３の両側に間隔を隔てて配置されている。
【００６４】
ヘッド側端子３０の後端縁５７は、図４および図５に示すように、ステージ１２における第１ベース絶縁層２１の後端縁３５よりも先側に退避するように、配置されている。
【００６５】
外部側端子３１は、図１に示すように、本体部４の後端部において、幅方向に互いに間隔を隔てて整列配置され、ヘッド側端子３０に対応するように、複数（４つ）設けられている。外部側端子３１には、仮想線で示す外部回路基板６が接続される。
【００６６】
各信号配線３２は、対応するヘッド側端子３０と外部側端子３１とを接続するように、互いに間隔を隔てて、複数（４つ）形成されている。
【００６７】
具体的には、信号配線３２の後端は、外部側端子３１に連続している。詳しくは、信号配線３２は、本体部４の後端部において、外部側端子３１から先側に向かって延び、本体部４の先後方向途中において、幅方向両側に向かって２束に分岐状に屈曲する。その後、信号配線３２は、本体部４の先後方向途中において、幅方向両端部において先側に屈曲し、本体部４の先端部に向けて、幅方向外端縁に沿って延び、ジンバル部５において、図２および図５に示すように、基板開口部８を通過した後、第１連結部１６に至る。
【００６８】
その後、信号配線３２は、第１連結部１６に沿って後方斜め幅方向内側に延び、基部１１の幅方向両端部に至り、幅方向内側に屈曲した後、基部１１の幅方向中央において合一する。その後、信号配線３２は、中央部１３に沿って先側に向かって延び、ステージ１２の配線折返部２５において、幅方向両側に向かって２束に分岐状に屈曲し、その後、ステージ１２の後端縁に沿って幅方向両外側に向かって延び、次いで、後側に折り返された後、ヘッド側端子３０の先端部に接続されている。
【００６９】
なお、信号配線３２は、基部１１において、第１台座６１の後側に間隔を隔てて配置されている。
【００７０】
素子側パターン２８は、図１、図２および図４に示すように、供給側端子３６と、表側導通部３７と、供給側端子３６および表側導通部３７を接続するための表側電源配線３８とを一体的に備えている。
【００７１】
供給側端子３６は、図１に示すように、本体部４の後端部において、ヘッド側端子３０の先側に間隔を隔てて複数（４つ）設けられている。各供給側端子３６は、平面視略矩形状をなし、幅方向に間隔を隔てて整列配置されている。供給側端子３６には、仮想線で示す電源７が接続される。
【００７２】
表側導通部３７は、図４に示すように、各第１ベース貫通孔３４内にそれぞれ充填されるように、複数（４つ）形成されている。
【００７３】
表側電源配線３８は、図１および図２に示すように、表側導通部３７と供給側端子３６とに接続されるように、互いに間隔を隔てて、複数（４つ）形成されている。また、表側電源配線３８は、本体部４およびジンバル部５にわたって、信号配線３２の外側に間隔を隔てて配置されている。
【００７４】
第１カバー絶縁層２３は、図４に示すように、第１導体パターン２２が形成される部分に対応して形成されている。
【００７５】
具体的には、第１カバー絶縁層２３は、ヘッド側パターン２７に対応して、外部側端子３１（図１参照）およびヘッド側端子３０を露出し、信号配線３２を被覆するパターンで形成されている。また、第１カバー絶縁層２３は、素子側パターン２８に対応して、供給側端子３６（図１参照）を露出し、表側電源配線３８および表側導通部３７を被覆するパターンで形成されている。
【００７６】
また、上記した第１ベース絶縁層２１、第１導体パターン２２および第１カバー絶縁層２３は、表側支持層６３（後述）とともに、各台座６０を形成する。
【００７７】
つまり、台座６０は、図２および図４に示すように、第１ベース絶縁層２１と、その上に順次積層される第１導体パターン２２、第１カバー絶縁層２３および表側支持層６３とを備えている。
【００７８】
各台座６０において、第１カバー絶縁層２３は、第１導体パターン２２を被覆するように形成されている。また、台座６０において、表側支持層６３は、第１カバー絶縁層２３より小さく形成されている。
【００７９】
また、図４に示すように、回路付サスペンション基板１は、金属支持基板２０の裏面に積層される第２絶縁層としての第２ベース絶縁層４１と、第２ベース絶縁層４１の裏面に積層される第２導体パターン４２と、第２ベース絶縁層４１の裏面に、第２導体パターン４２を被覆するように積層される第２カバー絶縁層４３とを備えている。
【００８０】
第２ベース絶縁層４１は、図４および図６に示すように、次に詳述する第２導体パターン４２が形成される部分に対応して形成されている。
【００８１】
詳しくは、第２ベース絶縁層４１は、ジンバル部５の基部１１およびステージ１２から連通空間１４内に臨むように形成されている。具体的には、第２ベース絶縁層４１は、４つの導通開口部２９に対応して４つ設けられている。各第２ベース絶縁層４１は、先後方向および幅方向に互いに間隔を隔てて独立して配置されており、具体的には、基部１１およびステージ１２の幅方向両端部に配置されている。
【００８２】
また、各第２ベース絶縁層４１は、底面視において、各導通開口部２９を含むように、先後方向に長く延びる略矩形状に形成されている。
【００８３】
基部１１に対応する第２ベース絶縁層４１は、基部１１の幅方向両端部および連通空間１４の後端部にわたって形成されている。
【００８４】
また、基部１１に対応する第２ベース絶縁層４１の先端縁３９は、ジンバル部５において、厚み方向に投影したときに、連通空間１４の後端縁よりも先側へ（つまり、連通空間１４の先後方向中央に向かって）突出している。すなわち、基部１１に対応する第２ベース絶縁層４１は、厚み方向に投影したときに、幅方向に沿う金属支持基板２０の先端縁５４を、先後方向に横切るように形成されている。
【００８５】
ステージ１２に対応する第２ベース絶縁層４１は、ステージ１２の幅方向両端部および連通空間１４の先端部にわたって形成されている。また、ステージ１２に対応する第２ベース絶縁層４１は、その後端縁４０が、厚み方向に投影したときに第１ベース絶縁層２１の後端縁３５に重なるように、形成されている。
【００８６】
つまり、第２ベース絶縁層４１の後端縁４０は、ジンバル部５において、厚み方向に投影したときに、連通空間１４の先端縁よりも後側へ（つまり、連通空間１４の先後方向中央に向かって）突出している。
【００８７】
すなわち、ステージ１２に対応する第２ベース絶縁層４１は、厚み方向に投影したときに、幅方向に沿う金属支持基板２０の後端縁５５を、先後方向に横切るように形成されている。
【００８８】
なお、第２ベース絶縁層４１は、図４において、基部１１およびステージ１２において、金属支持基板２０の各導通開口部２９の周端縁を円環状に被覆している。これにより、第２ベース絶縁層４１には、各導通開口部２９に対応する複数（４つ）の第２ベース貫通孔４７が、導通開口部２９と中心を共有する平面視略円形状に形成されている。
【００８９】
なお、図６に示すように、第２ベース絶縁層４１（図５参照）は、第１ベース絶縁層２１とともに、第２連結部１７を形成している。
【００９０】
第２導体パターン４２は、図３において、裏側導通部４４、第２端子としての素子側端子４５、および、裏側導通部４４と素子側端子４５とを接続するための裏側電源配線４６を一体的に備えている。
【００９１】
裏側導通部４４は、図４において、各第２ベース貫通孔４７内にそれぞれ充填されるように、複数（４つ）形成されている。
【００９２】
これにより、表側導通部３７と裏側導通部４４とは、第１ベース貫通孔３４内および第２ベース貫通孔４７内において、直接接触し、電気的に接続されている。
【００９３】
素子側端子４５は、図３において、基部１１に対応する第２ベース絶縁層４１の先端部と、ステージ１２に対応する第２ベース絶縁層４１の後端部とに独立して配置されている。また、各素子側端子４５は、連通空間１４に臨んでおり、各裏側導通部４４に対応するように、幅方向および先後方向に互いに間隔を隔てて複数（４つ）設けられている。各素子側端子４５は、底面略矩形状をなし、その幅方向両端縁は、厚み方向に投影したときに、第２ベース絶縁層４１（図６）のそれらと同一位置に形成されている。
【００９４】
また、素子側端子４５は、連通空間１４の後端部に設けられる素子側後端子５０と、素子側後端子５０の先側に間隔を隔てて設けられる素子側先端子５１とを備えている。
【００９５】
素子側後端子５０は、基部１１において、幅方向に互いに間隔を隔てて複数（２つ）並列配置されている。
【００９６】
素子側先端子５１は、ステージ１２において、幅方向に互いに間隔を隔てて複数（２つ）並列配置されている。各素子側先端子５１は、図２に示すように、幅方向最外側のヘッド側端子３０に対応して設けられており、具体的には、厚み方向に投影したときに、幅方向最外側のヘッド側端子３０の後側部分と重複するように、配置されている。
【００９７】
幅方向一方側の素子側後端子５０および幅方向一方側の素子側先端子５１は、中央部１３の幅方向一方側の連通空間１４を隔てて対をなして設けられている。また、幅方向他方側の素子側後端子５０および幅方向他方側の素子側先端子５１は、中央部１３の幅方向他方側の連通空間１４を隔てて対をなして設けられている。
【００９８】
素子側後端子５０の先端縁４８は、図４に示すように、厚み方向に投影したときに、基部１１に対応する第２ベース絶縁層４１の先端縁３９と略面一になるように、配置されている。
【００９９】
素子側先端子５１の後端縁４９は、厚み方向に投影したときに、ステージ１２に対応する第２ベース絶縁層４１の後端縁４０と略面一になるように、配置されている。
【０１００】
また、素子側先端子５１の後端縁４９は、ヘッド側端子３０の後端縁５７の後側に微小な間隔を隔てて近接配置されている。
【０１０１】
裏側電源配線４６は、図４および図６に示すように、対応する裏側導通部４４と素子側端子４５とを接続するように、互いに間隔を隔てて複数（４つ）形成されている。
【０１０２】
第２カバー絶縁層４３は、図４に示すように、ジンバル部５において、第２導体パターン４２に対応するように形成されている。具体的には、第２カバー絶縁層４３は、素子側端子４５を露出し、裏側電源配線４６および裏側導通部４４を被覆するように形成されている。
【０１０３】
そして、この回路付サスペンション基板１には、図２および図４に示すように、スライダ３（図２では仮想線）とピエゾ素子２６とが実装される。
【０１０４】
スライダ３は、回路付サスペンション基板１とともに、ハードディスクドライブ（図示せず）のロードビーム（図示せず）の先端に実装され、ハードディスクドライブ（図示せず）が駆動されたときには、磁気ディスク（図示せず）に対して、相対的に走行しながら、微小間隔を隔てて浮上される。
【０１０５】
スライダ３は、平面視略矩形状、かつ、側断面視略矩形状をなし、図２の仮想線で示すように、厚み方向に投影したときに、その先端部が、ステージ１２の後端部と重なり、かつ、その後端部が基部１１の先端部と重なるように、配置されている。具体的には、スライダ３は、その中央部および後端部が、厚み方向に投影したときに、台座６０を含むように、配置されている。
【０１０６】
また、図４に示すように、スライダ３の先端部には、磁気ヘッド２が、スライダ３の厚み方向全体にわたって搭載されている。磁気ヘッド２は、ヘッド側端子３０とはんだボール５３によって先後方向に接続される。
【０１０７】
これにより、スライダ３は、その先端部が、ステージ１２に固定されるとともに、後端部が、基部１１に対して面方向（厚み方向に直交する方向）にスライド可能に支持されている。
【０１０８】
また、スライダ３の後端部は、厚み方向に投影したときに、素子側後端子５０を含んでいる。
【０１０９】
ピエゾ素子２６は、図２および図３に示すように、先後方向に伸縮可能であって、先後方向に長い平面視略矩形状に形成されている。また、図４に示すように、ピエゾ素子２６は、スライダ３の下側に間隔を隔てて配置されている。
【０１１０】
詳しくは、図２および図３に示すように、ピエゾ素子２６は、連通空間１４を先後方向に挟む２組の１対の素子側端子４５（素子側先端子５１および素子側後端子５０）間に架設されるように、搭載されている。
【０１１１】
より具体的には、図４に示すように、各ピエゾ素子２６の先端部の端子が、素子側先端子５１の裏面に接合され、それらは、はんだボール５３を介して電気的に接続されている。また、各ピエゾ素子２６の後端部の端子が、素子側後端子５０の裏面に接合され、それらが、はんだボール５３を介して電気的に接続されている。
【０１１２】
これにより、各ピエゾ素子２６は、素子側先端子５１および素子側後端子５０にそれぞれ固定される。
【０１１３】
また、ピエゾ素子２６は、厚み方向に投影したときに、スライダ３と重複しており、具体的には、ピエゾ素子２６は、厚み方向に投影したときに、スライダ３にすべて含まれる。
【０１１４】
また、ピエゾ素子２６は、磁気ヘッド２と近接配置されている。
【０１１５】
そして、ピエゾ素子２６は、電源７（図１の仮想線）から素子側パターン２８および第２導体パターン４２を介して電気が供給され、その電圧が制御されることによって、伸縮する。
【０１１６】
次に、この回路付サスペンション基板１の製造方法について、図７〜図９を参照して説明する。
【０１１７】
この方法では、まず、図７（ａ）に示すように、金属支持基板２０を用意する。
【０１１８】
金属支持基板２０を形成する材料としては、例えば、ステンレス、４２アロイ、アルミニウム、銅−ベリリウム、りん青銅などの金属材料が挙げられ、好ましくは、ステンレスが挙げられる。
【０１１９】
金属支持基板２０の厚みは、例えば、１５〜５０μｍ、好ましくは、１５〜３０μｍである。
【０１２０】
次いで、図７（ｂ）に示すように、金属支持基板２０の表面に、感光性の絶縁材料のワニスを塗布して乾燥させた後、露光および現像して、加熱硬化することにより第１ベース絶縁層２１を、上記したパターンで形成する。同時に、台座６０（図７（ｄ）参照）に対応する第１ベース絶縁層２１を形成する。
【０１２１】
第１ベース絶縁層２１を形成する材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの合成樹脂などの絶縁材料が挙げられる。好ましくは、ポリイミド樹脂が挙げられる。
【０１２２】
第１ベース絶縁層２１の厚みは、例えば、１〜３５μｍ、好ましくは、３〜１５μｍである。
【０１２３】
各第１ベース貫通孔３４の直径は、例えば、２０〜２８０μｍ、好ましくは、４０〜２００μｍである。
【０１２４】
次いで、図７（ｃ）に示すように、第１ベース絶縁層２１の表面に、第１導体パターン２２を、アディティブ法またはサブトラクティブ法などにより形成する。同時に、台座６０（図７（ｄ）参照）に対応する第１導体パターン２２を、第１ベース絶縁層２１の上に形成する。
【０１２５】
第１導体パターン２２を形成する材料は、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはそれらの合金などの導体材料などが挙げられ、好ましくは、銅が挙げられる。
【０１２６】
第１導体パターン２２の厚みは、例えば、３〜５０μｍ、好ましくは、５〜２０μｍである。
【０１２７】
各信号配線３２および表側電源配線３８の幅は、例えば、５〜２００μｍ、好ましくは、８〜１００μｍである。
【０１２８】
また、各信号配線３２間の間隔（幅方向における間隔、以下同様。）は、例えば、５〜１０００μｍ、好ましくは、８〜１００μｍである。また、信号配線３２と表側電源配線３８との間の間隔は、例えば、５〜１０００μｍ、好ましくは、８〜１００μｍである。
【０１２９】
また、各ヘッド側端子３０、各外部側端子３１（図１参照）および各供給側端子３６（図１参照）の幅は、例えば、１５〜１０００μｍ、好ましくは、２０〜８００μｍである。
【０１３０】
また、各ヘッド側端子３０間の間隔と、各外部側端子３１（図１参照）間の間隔とは、例えば、１５〜１０００μｍ、好ましくは、２０〜８００μｍである。
【０１３１】
次いで、図７（ｄ）に示すように、第１ベース絶縁層２１の表面に、第１導体パターン２２を被覆するように、感光性の絶縁材料のワニスを塗布して乾燥させた後、露光および現像して、加熱硬化することにより第１カバー絶縁層２３を上記したパターンで形成する。同時に、台座６０に対応する第１カバー絶縁層２３を、第１ベース絶縁層２１の上に、第１導体パターン２２を被覆するように、形成する。
【０１３２】
第１カバー絶縁層２３を形成する材料としては、上記した第１ベース絶縁層２１の絶縁材料と同様の絶縁材料が挙げられる。第１カバー絶縁層２３の厚みは、例えば、１〜４０μｍ、好ましくは、１〜１０μｍである。
【０１３３】
続いて、図７（ｄ）に示すように、台座６０に対応する第１カバー絶縁層２３の上に、表側支持層６３を積層する。表側支持層６３は、例えば、上記した絶縁材料または金属材料などから公知の積層方法によって形成する。
【０１３４】
次いで、図７（ｅ）に示すように、金属支持基板２０に、各導通開口部２９を形成する。
【０１３５】
各導通開口部２９は、例えば、ドライエッチング（例えば、プラズマエッチング）やウェットエッチング（例えば、化学エッチング）などのエッチング法、例えば、ドリル穿孔、例えば、レーザ加工などにより、形成する。好ましくは、エッチング法により形成する。
【０１３６】
これにより、金属支持基板２０の導通開口部２９から、第１ベース絶縁層２１の裏面と、表側導通部３７の裏面とを露出させる。
【０１３７】
各導通開口部２９の内径は、例えば、５０〜３００μｍ、好ましくは、１００〜２５０μｍである。
【０１３８】
次いで、図８（ｆ）に示すように、金属支持基板２０の裏面（各導通開口部２９から露出される第１ベース絶縁層２１の裏面および表側導通部３７の裏面を含む。）に、感光性の絶縁材料のワニスを塗布して乾燥させた後、露光および現像して、加熱硬化することにより第２ベース絶縁層４１を、上記したパターンで形成する。
【０１３９】
第２ベース絶縁層４１を形成する材料としては、上記した第１ベース絶縁層２１の絶縁材料と同様の絶縁材料が挙げられる。
【０１４０】
第２ベース絶縁層４１の厚みは、例えば、１〜３５μｍ、好ましくは、８〜１５μｍである。
【０１４１】
各第２ベース貫通孔４７の直径は、例えば、２０〜２８０μｍ、好ましくは、４０〜２００μｍである。
【０１４２】
次いで、図８（ｇ）に示すように、第２ベース絶縁層４１の裏面に、第２導体パターン４２を、アディティブ法またはサブトラクティブ法などにより形成する。
【０１４３】
第２導体パターン４２を形成する材料としては、第１導体パターン２２の導体材料と同様の導体材料が挙げられる。
【０１４４】
第２導体パターン４２の厚みは、例えば、３〜５０μｍ、好ましくは、５〜２０μｍである。
【０１４５】
各裏側電源配線４６の幅は、例えば、５〜２００μｍ、好ましくは、８〜１００μｍである。
【０１４６】
また、各素子側端子４５の幅は、例えば、１５〜１０００μｍ、好ましくは、２０〜８００μｍである。
【０１４７】
次いで、図９（ｈ）に示すように、第２ベース絶縁層４１の裏面に、裏側の第２導体パターン４２を被覆するように、感光性の絶縁材料のワニスを塗布して乾燥させた後、露光および現像して、加熱硬化することにより第２カバー絶縁層４３を上記したパターンで形成する。
【０１４８】
第２カバー絶縁層４３を形成する材料としては、上記した第１ベース絶縁層２１の絶縁材料と同様の絶縁材料が挙げられる。第２カバー絶縁層４３の厚みは、例えば、１〜４０μｍ、好ましくは、１〜１０μｍである。
【０１４９】
次いで、図９（ｉ）に示すように、金属支持基板２０に基板開口部８（図１参照）および連通空間１４を形成する。
【０１５０】
連通空間１４および基板開口部８は、例えば、化学エッチングなどのウェットエッチングにより形成する。
【０１５１】
このとき、連通空間１４を形成するには、エッチング時間を比較的長く設定して、金属支持基板２０をオーバーエッチングすることにより、第１ベース絶縁層２１と第２ベース絶縁層４１との間にあり、ステージ１２に対応する金属支持基板２０を先側へエッチング（オーバーエッチング）するとともに、第２ベース絶縁層４１の表側にあり、基部１１に対応する金属支持基板２０を後側へエッチング（オーバーエッチング）する。
【０１５２】
これにより、図４に示すように、ステージ１２における金属支持基板２０の後端縁５５が、ステージ１２に対応する第１ベース絶縁層２１の後端縁３５および第２ベース絶縁層４１の後端縁４９よりも、先側に配置される。
【０１５３】
すなわち、第１ベース絶縁層２１の後端縁３５および第２ベース絶縁層４１の後端縁４９は、金属支持基板２０の後端縁５５よりも、連通空間１４内に突出する。
【０１５４】
また、基部１１に対応する第２ベース絶縁層４１の先端縁３９が、基部１１における金属支持基板２０の先端縁５４よりも、連通空間１４内に突出する。
【０１５５】
次いで、金属支持基板２０を外形加工して、回路付サスペンション基板１を得る。
【０１５６】
その後、回路付サスペンション基板１の表面側において、磁気ヘッド２が設けられたスライダ３を、台座６０の上面に載置する。これにより、スライダ３は、台座６０に面方向にスライド可能に支持される。
【０１５７】
続いて、ヘッド側端子３０の表面に、はんだボール５３を、はんだボール５３が磁気ヘッド２の端子（側面端子）に接触するように、設ける。
【０１５８】
これとともに、回路付サスペンション基板１の裏面側において、ピエゾ素子２６の先端部および後端部を、素子側先端子５１および素子側後端子５０に接合する。つまり、ヘッド側端子３０の表面、および、素子側端子４５の裏面に、はんだボール５３をそれぞれ設ける。
【０１５９】
これにより、各ピエゾ素子２６は、１対の素子側端子４５（素子側先端子５１および素子側後端子５０）間に架設されるように、回路付サスペンション基板１に搭載される。
【０１６０】
そして、各はんだボール５３を溶融させることにより、ヘッド側端子３０を磁気ヘッド２に固定して電気的に接続する。
【０１６１】
同時に、素子側端子４５をピエゾ素子２６に固定して電気的に接続させる。
【０１６２】
なお、図１が参照されるように、外部側端子３１を外部回路基板６と電気的に接続させるとともに、供給側端子３６を電源７と電気的に接続させる。
【０１６３】
これにより、回路付サスペンション基板１にスライダ３およびピエゾ素子２６が搭載される。
【０１６４】
次に、ピエゾ素子２６の伸縮によるスライダ３の揺動について、図１０を参照して説明する。
【０１６５】
まず、ピエゾ素子２６は、電気が電源７（図１）から素子側端子４５を介して供給され、電気の電圧が制御されることによって、一方が収縮する。すると、一方のピエゾ素子２６を固定する素子側先端子５１および素子側後端子５０が相対的に近接する。つまり、ステージ１２に支持される一方の素子側先端子５１が、基部１１に支持される一方の素子側後端子５０に対して後側に移動する。
【０１６６】
これと同時に、電気が電源７（図１）から素子側端子４５を介して供給され、電気の電圧が制御されることによって、他方のピエゾ素子２６が伸長する。すると、他方のピエゾ素子２６を固定する素子側先端子５１および素子側後端子５０が相対的に離間する。つまり、ステージ１２に支持される他方の素子側先端子５１が、基部１１に支持される他方の素子側後端子５０に対して、先側に移動する。
【０１６７】
これにより、中央部１３の先端および先後方向途中が、幅方向一方側に湾曲しながら、ステージ１２が、中央部１３の後端を支点として、幅方向一方側に向かって揺動する。これとともに、スライダ３の先側部分が幅方向一方側に向かって揺動する。
【０１６８】
一方、図示しないが、一方のピエゾ素子２６を伸長させ、他方のピエゾ素子２６を収縮させれば、スライダ３の先側部分が上記と逆向き（幅方向他方側）に揺動する。
【０１６９】
そして、この回路付サスペンション基板１によれば、ジンバル部５を厚み方向に投影したときに、第１ベース絶縁層２１の後端縁３５および第２ベース絶縁層４１の後端縁４０は、金属支持基板２０の後端縁５５よりも連通空間１４内に突出している。
【０１７０】
すなわち、金属支持基板２０の後端縁５５は、第１ベース絶縁層２１の後端縁３５および第２ベース絶縁層４１の後端縁４０に対して、先側へ退避されている。
【０１７１】
また、ジンバル部５を厚み方向に投影したときに、第２ベース絶縁層４１の先端縁３９は、金属支持基板２０の先端縁５４よりも連通空間１４内に突出している。
【０１７２】
すなわち、金属支持基板２０の先端縁５４は、第２ベース絶縁層４１の先端縁３９に対して、後側へ退避されている。
【０１７３】
そのため、素子側先端子５１および素子側後端子５０と、ピエゾ素子２６とをはんだボール５３で接続するときに、溶融したはんだが金属支持基板２０に向かって流れたとしても、はんだが金属支持基板２０に接触することを防止することができる。
【０１７４】
また、ヘッド側端子３０と、スライダ３に搭載される磁気ヘッド２とをはんだボール５３で接続するときに、溶融したはんだが金属支持基板２０に向かって流れたとしても、はんだが金属支持基板２０に接触することを防止することができる。
【０１７５】
具体的には、図４が参照されるように、スライダ３の先端部の下面と、ヘッド側端子３０の上面およびヘッド側端子３０より後側の第１ベース絶縁層２１の上面との隙間に沿って、溶融したはんだが金属支持基板２０に向かって流れたとしても、はんだが金属支持基板２０に接触することを防止することができる。
【０１７６】
あるいは、上記した隙間が形成されない場合でも、ヘッド側端子３０の上面および第１ベース絶縁層２１の上面において、溶融したはんだが、スライダ３（磁気ヘッド２）の先端面に沿って、幅方向外側に流れ、その後、スライダ３の幅方向側端面に回り込んだ後、金属支持基板２０に向かって流れたとしても、はんだが金属支持基板２０に接触することを防止することができる。
【０１７７】
その結果、素子側端子４５と金属支持基板２０との短絡、および、ヘッド側端子３０と金属支持基板２０との短絡を防止することができる。
【０１７８】
しかも、ピエゾ素子２６は、スライダ３と重複しているので、基部１１およびステージ１２の相対的な離間または近接に対して、スライダ３を精度よく揺動させることができる。
（変形例）
図１２および図１３は、本発明の回路付サスペンション基板の変形例を説明する説明図である。なお、図１２および図１３において、上記した実施形態と同様の部材については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０１７９】
上記した実施形態において、素子側後端子５０に積層される第２ベース絶縁層４１の先端縁３９、素子側先端子５１に積層される第２ベース絶縁層４１の後端縁４０、および、ヘッド側端子３０に積層される第１ベース絶縁層２１の後端縁３５が、連通空間１４内に突出するように形成されていれば、素子側後端子５０、素子側先端子５１、ヘッド側端子３０、第１ベース絶縁層２１および第２ベース絶縁層４１の形状は、特に限定されない。
【０１８０】
例えば、第１の変形例では、図１２（ａ）に示すように、素子側後端子５０は、素子側後端子５０に積層される第２ベース絶縁層４１の先端縁３９よりも先側へ突出するように形成することもできる。
【０１８１】
詳しくは、素子側後端子５０は、第２ベース絶縁層４１の裏面に形成され、その後端部において上側へ屈曲されて、第２ベース絶縁層４１の先端縁３９に沿うように上側へ延び、その上端部において先側へ屈曲されて先側へ延びている。なお、素子側後端子５０の突出部分（第２ベース絶縁層４１よりも先側に配置される部分）の上面は、素子側後端子５０に積層される第２ベース絶縁層４１の上面と面一となるように形成されている。
【０１８２】
つまり、素子側後端子５０において、第２ベース絶縁層４１の裏面に形成される部分と、第２ベース絶縁層４１よりも先側に配置される部分とに段差ＬＤがある。
【０１８３】
段差ＬＤは、適宜調整することができる。
【０１８４】
段差ＬＤを調整するには、例えば、第２ベース絶縁層４１を形成する工程（図８（ｆ）参照）において、階調露光などの方法により、第２ベース絶縁層４１に、素子側後端子５０の突出部分に対応する段差ＬＤを形成し、その後、金属支持基板２０をエッチング（図９（ｉ）参照）した後において、素子側後端子５０の突出部分の上面を露出させるように、第２ベース絶縁層４１をエッチングする。
【０１８５】
例えば、第２の変形例では、図１２（ｂ）に示すように、第２ベース絶縁層４１の裏面に形成される部分と、第２ベース絶縁層４１よりも先側に配置される部分との段差ＬＤを、第１の変形例の約半分の長さにする。
【０１８６】
また、素子側先端子５１およびヘッド側端子３０の少なくとも一方において、上記した第１の変形例で説明した素子側後端子５０と同様に、第２ベース絶縁層４１の端縁よりも連通空間１４内に突出するように形成することができる。
【０１８７】
また、素子側先端子５１およびヘッド側端子３０の少なくとも一方を第２ベース絶縁層４１よりも突出させた場合において、上記した第２の変形例と同様に、段差ＬＤを、適宜調整することができる。
【０１８８】
具体的には、第３の変形例では、図１３（ａ）に示すように、素子側先端子５１を、素子側先端子５１に積層される第２ベース絶縁層４１の後端縁４０よりも後側へ突出するように形成することができる。
【０１８９】
また、第４の変形例では、図１３（ｂ）に示すように、素子側先端子５１において、第２ベース絶縁層４１の裏面に形成される部分と、第２ベース絶縁層４１よりも後側に配置される部分との段差ＬＤを、第３の変形例の約半分の長さにする。
【０１９０】
また、第５の変形例では、図１３（ｃ）に示すように、ヘッド側端子３０を、ヘッド側端子３０に積層される第１ベース絶縁層２１の後端縁３５よりも後側へ突出するように形成することができる。
【０１９１】
また、第６の変形例では、図１３（ｄ）に示すように、ヘッド側端子３０において、第１ベース絶縁層２１の表面に形成される部分と、第１ベース絶縁層２１よりも後側に配置される部分との段差ＬＤを、第５の変形例の約半分の長さにする。
【０１９２】
また、第７の変形例では、図１３（ｅ）に示すように、素子側先端子５１を、素子側先端子５１に積層される第２ベース絶縁層４１の後端縁４０よりも後側へ突出するように形成するとともに、ヘッド側端子３０を、ヘッド側端子３０に積層される第１ベース絶縁層２１の後端縁３５よりも後側へ突出するように形成することができる。
【０１９３】
また、第８の変形例では、図１３（ｆ）に示すように、素子側先端子５１において、第２ベース絶縁層４１の裏面に形成される部分と、第２ベース絶縁層４１よりも後側に配置される部分との段差ＬＤを、第７の変形例の約半分の長さにするとともに、ヘッド側端子３０において、第１ベース絶縁層２１の表面に形成される部分と、第１ベース絶縁層２１よりも後側に配置される部分との段差ＬＤを、第７の変形例の約半分の長さにする。
【０１９４】
なお、上記した各変形例は、互いに組み合わせることができる。
【符号の説明】
【０１９５】
１      回路付サスペンション基板
２      磁気ヘッド
３      スライダ
１４    連通空間
２０    金属支持基板
２１    第１ベース絶縁層
２２    第１導体パターン
２６    ピエゾ素子
３０    ヘッド側端子
３３    先端縁（第１ベース絶縁層）
３５    後端縁（第１ベース絶縁層）
３９    先端縁（第２ベース絶縁層）
４０    後端縁（第２ベース絶縁層）
４１    第２ベース絶縁層
４２    第２導体パターン
４５    素子側端子
５４    先端縁（金属支持基板）
５５    後端縁（金属支持基板）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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