(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の主表面上に、薄膜を備えたマスクブランクの製造方法であって、
成膜室内の下方に設けられた回転ステージに前記基板を載置して、ターゲットをそのスパッタ面が前記基板の主表面に対向し、かつ斜め上方となる位置の前記成膜室内に配置し、前記基板の主表面上にスパッタリング法によって前記薄膜を形成する薄膜形成工程を有し、
前記成膜室内に、前記基板の主表面の垂直上方領域の少なくとも一部に、前記成膜室の上方壁の少なくとも一部を覆うように上方シールドが配置され、
前記上方シールドの前記基板に対向する面の端部と、前記ターゲットのスパッタ面を含む面との間でなす角度が、９０度以上１３５度以下であり、
前記ターゲットが、前記成膜室内の前記基板の主表面の前記垂直上方領域からずれた位置に配置され、
前記回転ステージに載置された前記基板の回転軸と、前記ターゲットの中心を通りかつ前記基板の回転軸と平行な直線との間の距離であるオフセット距離が２４０ｍｍ以上４００ｍｍ以下であり、
前記回転ステージに載置された基板と前記ターゲットの中心との間の垂直距離が、２００ｍｍ以上３８０ｍｍ以下であり、
前記ターゲットのスパッタ面の、前記基板の主表面に対する傾斜角が、１０度以上３０度以下であり、
前記基板の主表面は、四角形であることを特徴とするマスクブランクの製造方法。
【請求項２】
前記薄膜が、ＤＣスパッタリング法によって成膜されることを特徴とする、請求項１に記載のマスクブランクの製造方法。
【請求項３】
前記成膜室内に、さらに、前記ターゲットの周囲に設けられ、前記ターゲットのスパッタ面に対して略平行に配置されたターゲット周囲シールドが配置されていることを特徴とする、請求項１又は２に記載のマスクブランクの製造方法。
【請求項４】
前記成膜室内に、さらに、前記成膜室の側方壁を覆うように側方シールドが配置され、前記成膜室の下方壁を覆うように下方シールドが配置されていることを特徴とする、請求項１から３のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法で製造されたマスクブランクの前記薄膜に、転写パターンを形成するパターン形成工程を有することを特徴とする転写用マスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトリソグラフィプロセスにおいて使用される転写用マスク用のマスクブランクの製造方法、及びそのマスクブランクを用いて製造される転写用マスクの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体装置の製造工程では、フォトリソグラフィー法を用いて微細パターンの形成が行われている。また、この微細パターンの形成には通常何枚ものフォトマスクと呼ばれている基板が使用される。このフォトマスクは、一般的には、中間体としてのフォトマスクブランクの遮光膜等に所望の微細パターンを形成することにより得ることができる。それゆえ、中間体としてのフォトマスクブランクに形成された遮光膜等の特性が、ほぼそのまま、得られるフォトマスクの性能を左右することになる。従来、このフォトマスクブランクの遮光膜には、例えば、特許文献１に開示されているように、Ｃｒを含有する材料が使用されるのが一般的であった。
【０００３】
近年、Ｃｒに代わる遮光膜として使用する薄膜の１つとして、例えば、遷移金属と珪素とを含有する材料からなる薄膜が提案されている。例えば、特許文献２には、他の膜を介して又は介さずに１層又は２層以上の遮光膜が形成され、前記遮光膜を構成する層の少なくとも１層が主成分としてケイ素と遷移金属とを含み、かつケイ素と遷移金属とのモル比がケイ素： 金属＝４〜１５：１（原子比）であることを特徴とするフォトマスクブランクが開示されている。
【０００４】
また、フォトマスクブランクの遮光膜としてタンタル系材料の薄膜も用いられている。
【０００５】
遮光膜とする薄膜の形成は、スパッタリング法を用いることが一般的である。例えば、特許文献３には、スパッタリングによる薄膜の成膜方法として、基板を回転させながら、基板の中心軸からその中心軸がずれた位置に対向するターゲットをスパッタリングすることによって薄膜を成膜する成膜方法が記載されている。さらに特許文献３には、基板とターゲットの対向する面が、所定の角度を有するようにターゲットと基板が配置されていることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−３０５７１３号公報
【特許文献２】特開２００６−０７８８０７号公報
【特許文献３】特開２００２−０９０９７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
スパッタリング法では、所定の構成元素を有するスパッタリングターゲット（単に「ターゲット」ともいう。）の表面からプラズマにより弾き飛ばされた原子（「スパッタ粒子」ともいう。）が、基板の表面に到達して積み重なることにより、薄膜を成膜することができる。すべてのスパッタ粒子が基板に到達するとは限らず、一般的には、スパッタリング法による成膜装置の成膜室の内壁及びその内壁を覆うシールド等にも付着する。
【０００８】
図５に、従来のスパッタリング法による成膜装置の一例の模式図を示す。図５に示す成膜装置では、特許文献３に記載されている成膜装置と同様に、基板６とターゲット５の対向する面が、所定の角度θを有するようにターゲット５及び基板６が配置されている。さらに、図５に示す成膜装置では、基板６の回転軸５６と、ターゲット５のスパッタ面５２の中心を通り基板６の回転軸５６に対して平行な直線５７とがずれた位置となるように、ターゲット５及び基板６が配置されている。すなわち、図５に示すスパッタリング法による成膜装置では、成膜室１内に、基板６から見て斜め上方にターゲット５が配置されていることになる。
【０００９】
図５に示す成膜装置において、スパッタ粒子は、基板６の上方の構造物、すなわち、成膜室１の上方壁２２の内側表面２２ａにも付着する。本発明者らによる検証の結果、基板６の上方に配置された構造物（上方壁２２の内側表面２２ａ、あるいは上方壁２２に平行に配置されたシールド（図示せず。））に付着した、スパッタリング粒子に起因する付着物は、成膜室１の他の部分の内壁に付着する付着物と比べて、付着力が比較的弱い傾向にあることを見出した。付着力が弱い付着物は、構造物から脱落しやすく、基板６の表面に落下するため、基板６上でのパーティクル発生要因となり、基板６上に成膜された薄膜の欠陥増加を招くという問題がある。
【００１０】
そこで、本発明は、基板から見て斜め上方にターゲットが配置されているスパッタリング法による成膜装置において、基板の表面への付着物の落下に起因するパーティクルの発生量を低減し、基板上に成膜された薄膜の欠陥を低下させることを目的とする。具体的には、基板の上方に配置された構造物へのスパッタ粒子に起因する付着物の付着力を高くすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者らは、さらに種々の検証を重ねた結果、ターゲット表面からスパッタ粒子が基板の上方の構造物に付着するときの付着表面に対する侵入角度が小さい場合に、スパッタ粒子に起因する付着物の付着力が低下するとの知見を得た。すなわち、ターゲットの表面と基板の上方の構造物表面との間でなす角度αが大きすぎる場合、付着物の付着力が弱くなることを意味する。
【００１２】
しかし、成膜装置の成膜室内で、基板は水平に配置することが必要である。また、ターゲット表面と基板の主表面とのなす角度θは、成膜する薄膜の面内均一性の観点からある程度限定されてしまう。そのため、ターゲットの角度を調整することは難しい。
【００１３】
そこで、本発明者らは、基板の上方に、所定の傾斜を有する上方シールドを配置することにより、スパッタ粒子に起因する付着物の付着力の低下を抑制することができることを見出し、本発明に至った。すなわち、上記課題を解決するため、本発明は以下の構成を有する。
【００１４】
（構成１）
本発明の構成１は、基板の主表面上に、薄膜を備えたマスクブランクの製造方法であって、成膜室内の下方に設けられた回転ステージに前記基板を載置して、ターゲットをそのスパッタ面が前記基板の主表面に対向し、かつ斜め上方となる位置の前記成膜室内に配置し、前記基板の主表面上にスパッタリング法によって前記薄膜を形成する薄膜形成工程を有し、前記成膜室内に、前記基板の主表面の垂直上方領域の少なくとも一部に、前記成膜室の上方壁の少なくとも一部を覆うように上方シールドが配置され、前記上方シールドの前記基板に対向する面と、前記ターゲットのスパッタ面との間でなす角度が、９０度以上１３５度以下であることを特徴とするマスクブランクの製造方法である。基板の上方に、上方シールドの基板と対向する面と、スパッタ面との間でなす角度αを所定の角度とすることにより、スパッタ粒子に起因する付着物の、上方シールド表面での付着力の低下を抑制することができる。その結果、付着物の基板の表面への落下に起因するパーティクルの発生量を低減し、基板上に成膜された薄膜の欠陥を低下させることができる。
【００１５】
（構成２）
本発明の構成２は、前記ターゲットのスパッタ面の、前記基板の主表面に対する傾斜角が、１０度以上３０度以下であることを特徴とする、構成１に記載のマスクブランクの製造方法である。前記ターゲットのスパッタ面の、前記基板の主表面に対する傾斜角が所定の角度であることにより、スパッタリング法によって基板の表面に形成される薄膜の膜厚の面内均一性を向上させることができる。
【００１６】
（構成３）
本発明の構成３は、前記薄膜が、ＤＣスパッタリング法によって成膜されることを特徴とする、構成１又は２に記載のマスクブランクの製造方法である。ＤＣスパッタリング法は、ＲＦスパッタリング法等に比べて、基板上に薄膜を形成するときの成膜速度が大幅に速いというメリットがある。しかし、その反面、上方シールド等に付着するスパッタ粒子に起因する付着物の量も増加し、付着物がより剥がれやすくなるというデメリットがある。本発明の上方シールドは、薄膜の形成にＤＣスパッタリング法を適用した場合でも付着物の基板の表面への落下を抑制することができる。
【００１７】
（構成４）
本発明の構成４は、前記成膜室内に、さらに、前記ターゲットの周囲に設けられ、前記ターゲットのスパッタ面に対して略平行に配置されたターゲット周囲シールドが配置されていることを特徴とする、構成１から３のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法である。略平坦な表面を有するターゲット周囲シールドが配置されていることにより、ターゲット周囲の凹凸のある構造物表面を覆うことができる。これにより、凹凸のある構造物表面に付着する場合に比べて、スパッタ粒子に起因する付着物の付着力を高めることができる。その結果、付着物の基板の表面への落下に起因するパーティクルの発生量を低減し、基板上に成膜された薄膜の欠陥を低下させることができる。
【００１８】
（構成５）
本発明の構成５は、前記成膜室内に、さらに、前記成膜室の側方壁を覆うように側方シールドが配置され、前記成膜室の下方壁を覆うように下方シールドが配置されていることを特徴とする、構成１から４のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法である。略平坦な表面を有する側方シールド及び下方シールドが配置されていることにより、成膜室内の凹凸のある構造物表面を覆うことができる。これにより、凹凸のある構造物表面に付着する場合に比べて、スパッタ粒子に起因する付着物の付着力を高めることができる。その結果、基板の表面への付着物の落下に起因するパーティクルの発生量を低減し、基板上に成膜された薄膜の欠陥を低下させることができる。
【００１９】
（構成６）
本発明の構成６は、構成１から５のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法で製造されたマスクブランクの前記薄膜に、転写パターンを形成するパターン形成工程を有することを特徴とする転写用マスクの製造方法である。構成１から５のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法で製造されたマスクブランクは、基板の表面への付着物の付着に起因するパーティクルの発生量を低減し、基板上に成膜された薄膜の欠陥を低下させることができるので、高い歩留まりとすることができる。このマスクブランクの薄膜に転写パターンを形成した転写用マスクも、付着物に起因するパーティクルの発生量及び薄膜の欠陥により生じる問題を低減することができる。なお、マスクブランクの薄膜への転写パターンの形成は、公知の方法を用いて行うことができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明のマスクブランクの製造方法により、基板から見て斜め上方にターゲットが配置されているスパッタリング法による成膜装置において、基板の表面への付着物の落下に起因するパーティクルの発生量を低減し、基板上に成膜された薄膜の欠陥を低下させることができる。具体的には、本発明のマスクブランクの製造方法により、基板の上方に配置された構造物へのスパッタ粒子に起因する付着物の付着力を高くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明のマスクブランクの製造方法に用いることのできる成膜装置の一例を示す模式図である。
【図２】本発明の製造方法に用いることのできる成膜装置の、別の一例を示す模式図である。
【図３】本発明の製造方法に用いることのできる成膜装置において、基板と、スパッタリングターゲットとの位置関係を示す模式図である。
【図４】本発明の製造方法に用いることのできる成膜装置を説明するための模式図である。
【図５】従来の成膜装置の一例を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
本発明は、基板６の主表面７１上に、薄膜を備えたマスクブランクの製造方法であって、基板６の主表面７１上に、所定の位置に配置されたスパッタリングターゲット（ターゲット）５を用いたスパッタリング法によって薄膜を形成する薄膜形成工程を有するマスクブランクの製造方法である。本発明の製造方法では、基板６の上方に、上方シールド８２を配置し、上方シールド８２の基板６と対向する面と、スパッタリングターゲット５のスパッタ面５２との間でなす角度αを所定の角度とする。この結果、スパッタ粒子に起因する付着物の、上方シールド８２表面での付着力の低下を抑制することができるので、基板６の表面への付着物の落下に起因するパーティクルの発生量を低減し、基板６上に成膜された薄膜の欠陥を低下させることができる。
【００２３】
図１に、本発明のマスクブランクの製造方法に用いることのできる成膜装置の一例の模式図を示す。図１に示す成膜装置は、所定の配置のスパッタリングターゲット５を用い、基板６の主表面７１に薄膜をスパッタリング法によって形成することのできる成膜装置である。本発明の製造方法に用いることのできる成膜装置では、基板６と、スパッタリングターゲット５とが所定の位置関係にある。
【００２４】
図３は、本発明の製造方法に用いることのできる成膜装置の、基板６と、スパッタリングターゲット５との位置関係を示す模式図である。成膜中、基板６は回転ステージ３に載置される。回転ステージ３の回転によって、基板６は、回転軸５６を中心に回転する。
【００２５】
図３に示すように、ターゲット５は、そのスパッタ面５２が基板６の主表面７１に対向し、すなわち、かつ斜め上方となる位置の成膜室１内に配置される。スパッタリングターゲット５は、スパッタリングターゲット５のスパッタ面５２が、基板６の主表面７１と対向するように配置される。すなわち、ターゲット５は、そのスパッタ面５２が基板６の主表面７１に対向し、すなわち、かつ斜め上方となる位置の成膜室１内に配置される。さらに、スパッタリングターゲット５は、基板６の主表面７１に対して所定の角度θを有するように配置される。
【００２６】
また、図３に示すように、スパッタリングターゲット５は、基板６の回転軸５６と、スパッタ面５２の中心５３を通り基板６の回転軸５６に対して平行な直線５７とがずれた位置にあるように配置される。
【００２７】
図１に示すように、本発明に用いる成膜装置では、成膜室１内に、基板６の主表面７１の垂直上方領域７５の少なくとも一部に、成膜室１の上方壁２２の少なくとも一部を覆うように上方シールド８２が配置される。基板６の主表面７１の垂直上方領域７５とは、成膜装置の空間であって、基板６の主表面７１の外周を垂直上方に投影した空間（図１の二つの二点鎖線の内側の領域）をいう。また、上方シールド８２を、基板６の回転軸５６（回転ステージ３の回転軸）の垂直上方に存在するように配置することによって、成膜室１の上方壁２２の少なくとも一部を覆うように上方シールド８２を配置することを確実にできる。
【００２８】
また、垂直上方領域７５の大きさを決める際には、使用する基板６の寸法にかかわらず、常用される基板６の寸法を用いることができる。例えば、基板６の寸法を、一般的にマスクブランク用基板６として用いられている約１５２ｍｍ×約１５２ｍｍの正方形とすることができる。また、使用する基板６の寸法の代わりに、回転ステージ３の寸法を用いて垂直上方領域７５の大きさを決めることができる。
【００２９】
図１に示すように、本発明に用いる成膜装置では、上方シールド８２の基板６に対向する面と、ターゲット５のスパッタ面５２との間でなす角度が、所定の角度、すなわち９０度以上１３５度以下である。
【００３０】
本発明者らは、ターゲット５表面からスパッタ粒子が基板６の上方の構造物に付着するときの付着表面に対する侵入角度が小さい場合に、スパッタ粒子に起因する付着物の付着力が低下するとの知見を得た。このことは、ターゲット５の表面と、基板６の上方の構造物（上方シールド８２）表面との間でなす角度αが大きすぎる場合、付着物の付着力が弱くなることを意味する。そのため、上方シールド８２の基板６に対向する面と、ターゲット５のスパッタ面５２との間でなす角度が、所定の角度であることにより、スパッタ粒子に起因する付着物の付着力の低下を抑制することができる。この結果、基板６の表面への付着物の落下に起因するパーティクルの発生量を低減し、基板６上に成膜された薄膜の欠陥を低下させることができる。
【００３１】
スパッタ粒子に起因する付着物の付着力の低下を抑制することを考慮すると、上方シールド８２の基板６に対向する面と、ターゲット５のスパッタ面５２との間でなす角度αの上限は、１３５度である。付着物の付着力の低下をより確実に抑制するために、角度αの上限は、好ましくは１３０度、より好ましくは１２７度、さらに好ましくは１２５度である。角度αを従来よりも小さくしたことにより、ターゲット５から飛散したスパッタ粒子が上方シールド８２に侵入するときの角度を、大きくすることができる。
【００３２】
また、上方シールド８２の基板６に対向する面と、ターゲット５のスパッタ面５２との間でなす角度αの下限が小さい場合、基板６と、上方シールド８２との距離が小さくなる。また、ターゲット５のスパッタ面５２と上方シールド８２との距離も小さくなる。これらの影響によって、スパッタ面５２から飛び出したスパッタ粒子が上方シールド８２に付着する比率が従来よりも高くなり、基板６の主表面７１上に到達するスパッタ粒子の比率が低下する恐れがある。この場合、基板６の主表面７１上に形成される薄膜の成膜速度を低下させてしまう。また、付着力を高める効果はあっても、上方シールド８２のスパッタ粒子に起因する付着物の量が多くなると、自重による付着物が落下する確率が上昇する。これらの悪影響を避けることを考慮すると、上方シールド８２の基板６に対向する面と、ターゲット５のスパッタ面５２との間でなす角度αの下限は、９０度である。この悪影響を確実に避けるために、角度αの上限は、好ましくは、１００度、より好ましくは１１０度、さらに好ましくは１２０度である。
【００３３】
上方シールド８２の基板６に対向する面は、加工が容易であることから、略平面であることが好ましい。また、上方シールド８２の基板６に対向する面は、平面をゆるい挟角（例えば、１５０度以上）で組み合わせた形状、曲率の小さい曲面の形状、曲率の小さい曲面を複数の組み合わせた形状等、その表面を凹凸の小さい形状とすることができる。なお、上方シールド８２の基板６に対向する面が曲面である場合には、角度αとして、基板６の主表面７１の垂直上方領域７５に存在するその曲面の各部がスパッタ面５２との間でなす角度の平均角度を、角度αとすることできる。
【００３４】
上方シールド８２の基板６に対向する面は、サンドブラスト処理等を行うことによって、所定の表面粗さ（微細な凹凸）を有することが好ましい。上方シールド８２の基板６に対向する面が、所定の表面粗さを有することにより、付着物が付着する表面積を増加させることができ、また、付着物に対するアンカー効果が期待できるため、付着物の付着力を増加させることができる。付着物の付着力の増加を確実にするために、所定の表面粗さは、算術平均粗さＲａで５μｍ以上であることが好ましく、より好ましくはＲａで６μｍ以上である。
【００３５】
上方シールド８２は、平板状の形状とすることができる。また、上方シールド８２は、図２に示すように、所定の形状のブロック状とすることができる。また、成膜室１の上方壁２２の傾斜を所定の傾斜とすることにより、上方壁２２が上方シールド８２を兼ねることができる。
【００３６】
本発明に用いる成膜装置では、図１に示すように、成膜室１内に、さらに、ターゲット５の周囲に設けられ、ターゲット５のスパッタ面５２に対して略平行又はスパッタ面５２と同一の平面に配置されたターゲット周囲シールド８８を配置することが好ましい。ターゲット周囲シールド８８が配置されていることにより、ターゲット５周囲の凹凸のある構造物表面を覆うことができる。これにより、凹凸のある構造物表面に付着する場合に比べて、スパッタ粒子に起因する付着物の付着力を高めることができる。その結果、基板６の表面への付着物の落下に起因するパーティクルの発生量を低減し、基板６上に成膜された薄膜の欠陥を低下させることができる。ターゲット周囲シールド８８は、上方シールド８２と同様に、平板状の形状とすることができる。また、ターゲット周囲シールド８８は、平坦な面からなる形状、複数の平坦な面をゆるい挟角（例えば、１５０度以上）で組み合わせた形状、曲率の小さい曲面の形状、曲率の小さい曲面を複数の組み合わせた形状等、その表面を凹凸の小さい形状とすることができる。また、ターゲット周囲シールド８８は、上方シールド８２と同様、所定の表面粗さ（微細な凹凸）を有することが好ましい。
【００３７】
また、図１に示すように、本発明に用いる成膜装置では、成膜室１内に、さらに、成膜室１の側方壁２６を覆うように側方シールド８６が配置されていることが好ましい。さらに、図１に示すように、本発明に用いる成膜装置では、成膜室１の下方壁２４を覆うように下方シールド８４が配置されていることが好ましい。側方シールド８６及び下方シールド８４が配置されていることにより、成膜室１内の凹凸のある構造物表面を覆うことができる。これにより、凹凸のある構造物表面に付着する場合に比べて、スパッタ粒子に起因する付着物の付着力を高めることができる。その結果、基板６の表面への付着物の付着に起因するパーティクルの発生量を低減し、基板６上に成膜された薄膜の欠陥を低下させることができる。側方シールド８６及び下方シールド８４は、上方シールド８２と同様に、平板状の形状とすることができる。また、側方シールド８６及び下方シールド８４は、平坦な面からなる形状、複数の平坦な面をゆるい挟角（例えば、１５０度以上）で組み合わせた形状、曲率の小さい曲面の形状、曲率の小さい曲面を複数の組み合わせた形状等、その表面を凹凸の小さい形状とすることができる。また、側方シールド８６及び下方シールド８４は、上方シールド８２と同様、所定の表面粗さ（微細な凹凸）を有することが好ましい。
【００３８】
成膜する薄膜の膜厚の面内均一性の向上のためには、基板６とターゲット５の位置関係を適切なものにすることが必要である。本発明の成膜装置における、基板６と、スパッタリングターゲット５との位置関係について、さらに説明するならば、次のとおりである。
【００３９】
図１及び図３に示すように、本発明に用いる成膜装置では、ターゲット５のスパッタ面５２の、基板６の主表面７１に対する傾斜角（ターゲット傾斜角）が、１０度以上３０度以下であることを特徴とすることが好ましい。ターゲット傾斜角を所定の角度とすることにより、成膜する薄膜の膜厚の面内均一性を向上することができる。
【００４０】
スパッタリングターゲット５と基板６との位置関係について、図３を用いて説明する。オフセット距離Ｄｏｆｆ（基板６の中心軸５６と、ターゲット５の中心を通りかつ前記基板６の中心軸５６と平行な直線５７との間の距離）は、薄膜の膜厚の面内均一性を確保すべき面積によって調整することができる。一般には、良好な面内均一性を確保すべき面積が大きい場合に、必要なオフセット距離Ｄｏｆｆは大きくなる。例えば、一辺が１５２ｍｍの四角形状の基板６の場合、薄膜に転写パターンが形成される領域は、通常、基板６の中心を基準とする一辺が１３２ｍｍの四角形の内側領域である。その一辺が１３２ｍｍの四角形の内側領域で、薄膜の膜厚分布が±１ｎｍ以内の精度を実現するためには、オフセット距離Ｄｏｆｆは２４０ｍｍから４００ｍｍ程度が必要であり、好ましいオフセット距離Ｄｏｆｆは３００ｍｍから３８０ｍｍである。ターゲット５−基板６間垂直距離（Ｈ）は、オフセット距離Ｄｏｆｆにより最適範囲が変化する。例えば、一辺が１５２ｍｍの四角形の基板６内で良好な面内均一性を確保するためには、ターゲット５−基板６間垂直距離（Ｈ）は、２００ｍｍから３８０ｍｍ程度が必要であり、好ましいＨは２１０ｍｍから３００ｍｍである。ターゲット傾斜角θは、薄膜の膜厚の面内均一性のみならず成膜速度に影響する。具体的には、良好な薄膜の膜厚の面内均一性を得るため及び大きな成膜速度を得るために、ターゲット傾斜角θは１０度から３０度が好ましい。
【００４１】
本発明に用いることのできる成膜装置は、図４に示すような、成膜装置のスパッタリングを行うための成膜部１３として配置することができる。図４に示す成膜装置は、成膜部１３を常に高真空状態に保持できるロードロック機構を設け、ロードロック室１１から成膜部１３への基板６の導入を、一定の間隔で、継続的に行えるような装置構成とすることができる。このような装置構成とすることにより、ロードロック室１１から成膜部１３への基板６の導入を、一定の間隔で、継続的に行うことができる。
【００４２】
図４に示す成膜装置において、ロードロック室１１には、大気とロードロック室１１を隔離するバルブ１２、及びロードロック室１１と成膜部１３とを隔離するバルブ１４が取り付けられている。ロードロック室１１としては、上記で説明した成膜部１３への基板６の導入を一定の間隔で継続的に行うことができる枚葉式であることができ、かつ所定の容積に設計されたものを設けることができる。成膜部１３はスパッタリングを行う真空槽のための機能を有する。成膜部１３への基板６の導入をロボットアーム１９によって行う場合には、成膜部１３とロードロック室１１との間に搬送室１５を設けることができる。ロボットアーム１９は、腕１９ａが図示Ａ方向に開閉することによりハンド１９ｂを図示Ｂ方向に移動できる構成になっている。またロボットアーム１９は図示Ｃ方向に回転できる構成になっている。さらにロボットアーム１９は紙面に対し上下方向に移動できる構成になっている。さらに、成膜のスループットを向上させるためには、上記ロードロック室１１と同様の構成を有するアンロードロック室１６を追加してもよい。
【００４３】
本発明のマスクブランクの製造方法は、薄膜が、ＤＣスパッタリング法によって成膜されることを特徴とすることが好ましい。ＤＣスパッタリング法は、ＲＦスパッタリング法等に比べて、基板上に薄膜を形成するときの成膜速度が大幅に速いというメリットがある。しかし、その反面、上方シールド等に付着するスパッタ粒子に起因する付着物の量も増加し、付着物がより剥がれやすくなるというデメリットがある。本発明の上方シールドは、薄膜の形成にＤＣスパッタリング法を適用した場合でも付着物の基板の表面への落下を抑制することができる。
【００４４】
次に、薄膜を形成する成膜装置（スパッタリング装置）の性能について説明する。ＤＣスパッタリング法により成膜する場合、ＤＣ電源からの出力電圧がターゲット５と基板６との間に印加される。薄膜を形成するスパッタリング時のガス圧、スパッタリング用ＤＣ電源の出力、及びスパッタリングを行う時間は直接的に薄膜の膜質に影響を与えるため、ガス流量コントローラ、ＤＣ電源その他機器の精度向上やコントローラから発信する設定信号の精度向上が必要である。スパッタリング時のガス圧は、装置の排気コンダクタンスにも影響を受けるため、排気口バルブの開度やシールドの位置を正確に決定できる機構も必要である。また、窒化シリコンを含む薄膜を形成する場合には、成膜室１内壁から発生する水分等のガスが、薄膜の光学特性に大きな影響を与えるため、成膜室１内を十分に排気できるポンプや水分を排除できるクライオポンプを装着し、成膜室１内壁をベーキングできる機構を設けることが必要である。成膜室１内の真空度は、成膜速度が１０ｎｍ／分である場合はおおむね２×１０−５Ｐａ以下、成膜速度が５ｎｍ／分である場合には１×１０−５Ｐａ以下であることが必要である。さらに薄膜の膜厚の面内均一性を良好に保つには、基板６を回転させながら成膜を行うとともに、成膜の開始から成膜の終了までの間で基板６を整数回回転させて成膜を行うことが必要である。このためには、例えば、基板６の回転角位置を検出するセンサによって、放電をＯＮにした時点（成膜開始）の基板６の回転角位置検出し、さらにこのセンサによって、基板６が整数回回転して放電をＯＮにした時点と同じ回転角位置に基板６がきた時点で放電をＯＦＦ（成膜終了）にする機構を備えることが必要である。
【００４５】
本発明は、上述のマスクブランクの製造方法で製造されたマスクブランクの薄膜に、転写パターンを形成するパターン形成工程を有することを特徴とする転写用マスクの製造方法である。
【００４６】
本発明において、マスクブランク用基板６としては、ガラス基板を用いることができる。ガラス基板としては、マスクブランクとして用いられるものであれば、特に限定されない。例えば、合成石英ガラス、ソーダライムガラス、アルミノシリケートガラス、ボロシリケートガラス、無アルカリガラスなどが挙げられる。また、ＥＵＶマスクブランク用ガラス基板の場合は、露光時の熱による被転写パターンの歪みを抑えるために、約０±１．０×１０−７／℃の範囲内、より好ましくは約０±０．３×１０−７／℃の範囲内の低熱膨張係数を有するガラス材料が使用される。さらに、ＥＵＶ用マスクブランクは、ガラス基板上に多数の薄膜が形成されるため、膜応力による変形を抑制できる剛性の高いガラス材料が使用される。基板６としては、特に、６５ＧＰａ以上の高いヤング率を有するガラス材料が好ましい。例えば、ＳｉＯ２−ＴｉＯ２系ガラス、合成石英ガラスなどのアモルファスガラスや、β−石英固溶体を析出した結晶化ガラスが用いられる。
【００４７】
このようなマスクブランク用基板６は、例えば、粗研磨工程、精密研磨工程及び超精密研磨工程を経て製造することができる。
【００４８】
上述した薄膜形成工程により、マスクブランク用基板６の主表面７１上に少なくとも遮光膜を形成することによりマスクブランクとすることができる。この遮光膜を構成する材料としては、クロム又はモリブデンシリサイドを含有する材料を挙げることができる。また、フォトマスクの用途や構成により、その他の薄膜、反射防止膜や半透過膜などを適宜形成しても良い。
【００４９】
遮光膜は、上述した薄膜形成工程に用いたスパッタリング法により成膜することができる。遮光膜としては、基板６側から最下層、下層及び上層の三層からなる遮光膜を形成することができる。具体的には、スパッタリングターゲット５としてＣｒターゲットを用い、Ａｒ、ＣＯ２、Ｎ２及びＨｅの混合ガスをスパッタリングガスとし、最下層としてＣｒＯＣＮ膜を形成することができる。最下層の膜厚の具体例は、３９ｎｍである。
【００５０】
次に、スパッタリングターゲット５としてＣｒターゲットを用い、Ａｒ、ＮＯ及びＨｅの混合ガスをスパッタリングガスとし、下層としてＣｒＯＮ膜を形成することができる。下層の膜厚の具体例は、１７ｎｍである。
【００５１】
次に、スパッタリングターゲット５としてＣｒターゲットを用い、Ａｒ、ＣＯ２、Ｎ２及びＨｅの混合ガスをスパッタリングガスとし、上層としてＣｒＯＣＮ膜を形成することができる。上層の膜厚の具体例は、１４ｎｍである。
【００５２】
上記のように成膜された最下層、下層及び上層からなる遮光膜は、遮光膜全体で非常に低応力であり、基板６の形状変化を最小限に抑制することができる。このように、基板６上に遮光膜を形成することによって、マスクブランクを得ることができる。
【００５３】
マスクブランクの遮光膜を、パターンを有するレジスト膜をマスクとし、エッチングによりパターニングを行って転写パターンを設けることにより、転写用マスクを製造することができる。なお、エッチングのエッチャントについては、被エッチング膜の材料に応じて適宜変更することができる。
【００５４】
本発明のマスクブランクの製造方法は、基板６から見て斜め上方にターゲット５が配置されているスパッタリング法による成膜装置での成膜であれば、どのような種類の薄膜の形成においても、基板６の表面への付着物の落下に起因するパーティクルの発生量を低減し、基板６上に成膜された薄膜の欠陥を低減させることができる。具体的には、本発明のマスクブランクの製造方法は、例えば、マスクブランクの製造の際の、以下の（１）〜（５）のような遮光膜、光半透過膜、吸収体膜、エッチングマスク膜及び保護膜等の薄膜の形成に好適である。
【００５５】
（１）前記薄膜が遷移金属を含む材料からなる遮光膜であるバイナリマスクブランク
かかるバイナリマスクブランクは、透光性基板上に遮光膜を有する形態のものであり、この遮光膜は、クロム、タンタル、ルテニウム、タングステン、チタン、ハフニウム、モリブデン、ニッケル、バナジウム、ジルコニウム、ニオブ、パラジウム、ロジウム、イリジウム、ランタン、レニウム、オスニウム、白金、金等の金属単体あるいはその金属の化合物を含む材料からなる。特に、遮光膜をタンタル、タングステン、ハフニウム、イリジウム、ランタン、レニウム、オスニウム、白金若しくは金等の金属単体又はそれらの金属の化合物を含む材料で形成することが好ましい。例えば、タンタルに、酸素、窒素、ホウ素などの元素から選ばれる１種以上の元素を添加したタンタル化合物で構成した遮光膜が挙げられる。
かかるバイナリマスクブランクは、遮光膜を、２層構造や３層構造としたものなどがある。
また、遮光膜の膜厚方向における組成が連続的又は段階的に異なる組成傾斜膜としてもよい。
【００５６】
（２）前記薄膜が、光半透過膜である位相シフトマスクブランク
かかる位相シフトマスクブランクとしては、透光性基板（ガラス基板）上に光半透過膜を有する形態のものであって、その光半透過膜をパターニングしてシフタ部を設けるタイプであるハーフトーン型位相シフトマスクが作製される。かかる位相シフトマスクにおいては、光半透過膜を透過した光に基づき転写領域に形成される光半透過膜パターンによる被転写基板のパターン不良を防止するために、透光性基板上に光半透過膜とその上の遮光膜（遮光帯）とを有する形態とするものが挙げられる。また、ハーフトーン型位相シフトマスクブランクのほかに、透光性基板をエッチング等により掘り込んでシフタ部を設ける基板掘り込みタイプであるレベンソン型位相シフトマスク用やエンハンサー型位相シフトマスク用のマスクブランクが挙げられる。
【００５７】
前記ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの光半透過膜は、実質的に露光に寄与しない強度の光（例えば、露光波長に対して１％〜３０％）を透過させるものであって、所定の位相差（例えば１８０度）を有するものであり、この光半透過膜をパターニングした光半透過部と、光半透過膜が形成されていない実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる光透過部とによって、光半透過部を透過して光の位相が光透過部を透過した光の位相に対して実質的に反転した関係になるようにすることによって、光半透過部と光透過部との境界部近傍を通過し回折現象によって互いに相手の領域に回り込んだ光が互いに打ち消しあうようにし、境界部における光強度をほぼゼロとし境界部のコントラスト、即ち解像度を向上させるものである。
【００５８】
この光半透過膜は、例えば、遮光膜を形成する材料として列挙されたものと同様の材料が適用可能である。露光光に対して所定の透過率で透過し、かつ所定の位相差を付与する必要があるため、前記材料に窒素や酸素を含有させた材料が望ましい。
また、光半透過膜上に遮光膜を有する形態の場合、上記光半透過膜の材料に遷移金属及びケイ素を含む材料が選ばれる場合が多いので、遮光膜の材料としては、光半透過膜に対してエッチング選択性を有する（エッチング耐性を有する）特にクロムや、クロムに酸素、窒素、炭素などの元素を添加したクロム化合物で構成することが好ましい。
【００５９】
レベンソン型位相シフトマスクは、バイナリマスクブランクと同様の構成のマスクブランクから作製されるため、パターン形成用薄膜の構成については、バイナリマスクブランクの遮光膜と同様である。エンハンサー型位相シフトマスク用のマスクブランクの光半透過膜は、実質的に露光に寄与しない強度の光（例えば、露光波長に対して１％〜３０％）を透過させるものではあるが、透過する露光光に生じさせる位相差が小さい薄膜（例えば、位相差が３０度以下。好ましくは０度。）であり、この点が、ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの光半透過膜とは異なる。この光半透過膜の材料は、ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの光半透過膜と同様の元素を含むが、各元素の組成比や膜厚は、露光光に対して所定の透過率と所定の小さな位相差となるように調整される。
【００６０】
（３）前記薄膜が、遷移金属、遷移金属及びケイ素の化合物を含む材料、特に遷移金属シリサイド、特にモリブデンシリサイドを含む材料からなる遮光膜であるバイナリマスクブランク
この遮光膜は、遷移金属及びケイ素の化合物を含む材料が挙げられる。具体的には、光遮光膜の材料としては、これらの遷移金属及びケイ素と、酸素及び／又は窒素とを主たる構成要素とする材料が挙げられる。また、遮光膜は、遷移金属と、酸素、窒素及び／又はホウ素とを主たる構成要素とする材料が挙げられる。使用可能な遷移金属としては、モリブデン、タンタル、タングステン、チタン、ハフニウム、ニッケル、バナジウム、ジルコニウム、ニオブ、パラジウム、ルテニウム、ロジウム及びクロム等が挙げられる。
特に、遮光膜をモリブデンシリサイドの化合物で形成する場合、遮光膜を、ＭｏＳｉ等の下層と、ＭｏＳｉＯＮ等の上層との２層構造としたもの、及びその２層構造に加えてさらに遮光層と基板との間にＭｏＳｉＯＮ等の最下層を加えた３層構造としたものがある。
また、遮光膜の膜厚方向における組成が連続的又は段階的に異なる組成傾斜膜とすることができる。
【００６１】
また、レジスト膜の膜厚を薄膜化して微細パターンを形成するために、遮光膜上にエッチングマスク膜を有する構成とすることができる。このエッチングマスク膜は、遷移金属シリサイドを含む遮光膜のエッチングに対してエッチング選択性を有する、すなわちエッチング耐性を有する材料であることが好ましい。エッチング耐性を有する遮光膜の材料は、特にクロム、又はクロムに酸素、窒素及び／若しくは炭素等の元素を添加したクロム化合物からなる材料であることが好ましい。このとき、エッチングマスク膜に反射防止機能を持たせることにより、遮光膜上にエッチングマスク膜を残した状態で転写用マスクを作製することができる。
【００６２】
（４）前記薄膜が、１以上の半透過膜と遮光膜との積層構造である多階調マスクブランク
半透過膜の材料については、前記のハーフトーン型位相シフトマスクブランクの光半透過膜と同様の材料が適用可能である。各元素の組成比や膜厚は、露光光に対して所定の透過率となるように調整される。遮光膜の材料についても、前記のバイナリマスクブランクの遮光膜が適用可能であるが、半透過膜との積層構造で、所定の遮光性能（光学濃度）となるように、遮光膜材料の組成や膜厚は調整される。
【００６３】
また、上記（１）〜（４）において、透光性基板と遮光膜との間、又は光半透過膜と遮光膜との間に、遮光膜や光半透過膜に対してエッチング耐性を有するエッチングストッパー膜を設けてもよい。エッチングストッパー膜は、エッチングストッパー膜をエッチングするときにエッチングマスク膜を同時に剥離することができる材料としてもよい。
【００６４】
さらに、本発明の成膜方法は、以下のような反射型マスクブランクの製造に、特に好適に用いることができる。
【００６５】
（５）高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層してなる多層反射膜上に吸収体膜を備える反射型マスクブランク
反射型マスクは、ＥＵＶ（Extreme Ultra Violet）リソグラフィに用いられるマスクである。反射型マスクは、基板上に露光光を反射する多層反射膜が形成され、多層反射膜上に露光光を吸収する吸収体膜がパターン状に形成された構造を有する。露光機（パターン転写装置）に搭載された反射型マスクに入射した光（ＥＵＶ光）は、吸収体膜のある部分では吸収され、吸収体膜のない部分では多層反射膜により反射された光像が反射光学系を通して半導体基板上に転写される。
【００６６】
多層反射膜は、高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層して形成される。多層反射膜の例としては、Ｍｏ薄膜とＳｉ薄膜を交互に４０周期程度積層したＭｏ／Ｓｉ周期積層膜、Ｒｕ／Ｓｉ周期多層膜、Ｍｏ／Ｂｅ周期多層膜、Ｍｏ化合物／Ｓｉ化合物周期多層膜、Ｓｉ／Ｎｂ周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ／Ｍｏ周期多層膜、Ｓｉ／Ｒｕ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層膜などがある。露光波長により、材質を適宜選択することができる。露光光に使用されるＥＵＶ光の波長が１３〜１４ｎｍの場合においては、多層反射膜にＭｏ／Ｓｉ周期積層膜を適用することが好ましい。
【００６７】
吸収体膜は、露光光である例えばＥＵＶ光を吸収する機能を有するもので、例えばタンタル（Ｔａ）単体又はＴａを主成分とする材料を好ましく用いることができる。このような吸収体膜の結晶状態は、平滑性、平坦性の点から、アモルファス状又は微結晶の構造を有しているものが好ましい。
【００６８】
Ｔａを主成分とする材料としては、ＴａとＮを含む材料、Ｔａを含み、さらにＯとＮの少なくともいずれかを含む材料、ＴａとＧｅを含む材料、ＴａとＧｅとＮを含む材料、ＴａとＨｆを含む材料、ＴａとＨｆとＮを含む材料、ＴａとＺｒを含む材料、ＴａとＺｒとＮを含む材料、等を用いることができる。ＴａにＳｉ、Ｇｅ等を加えることにより、アモルファス状の材料が容易に得られ、平滑性を向上させることができる。また、ＴａにＮやＯを加えれば、酸化に対する耐性が向上するため、経時的な安定性を向上させることができるという効果が得られる。
【００６９】
また、反射型マスクブランクの構成として、多層反射膜と吸収体膜との間に保護膜を設けることが好ましい。保護膜には、ルテニウムを含有する材料を適用することが好ましい。前記のルテニウムを含有する材料としては、ルテニウム単体のほか、ルテニウムに、ニオブ、ジルコニウム、イットリウム、モリブデン、ホウ素、ランタン及びチタンから選ばれる１以上の元素を含有する材料などが挙げられる。
【００７０】
ＥＵＶ反射型マスクブランクの場合、表面欠陥に対する非常に高いレベルの条件を満たす必要がある。本発明の成膜方法は、ＥＵＶ反射型マスクブランクに用いる吸収体膜の成膜のために、特に好適に用いることができる。
【実施例】
【００７１】
（実施例１）
実施例１による成膜には、図４で説明したＤＣマグネトロンスパッタリング装置（成膜装置）を用いた。ここで、図４に示すＤＣマグネトロンスパッタリング装置における成膜部１３は、図１に示すように、成膜室１を有しており、この成膜室１の内部にマグネトロンカソード２及び基板６を載置するための回転ステージ３が配置されている。マグネトロンカソード２にはバッキングプレート４に接着されたスパッタリングターゲット５が装着されている。実施例１では、バッキングプレート４に無酸素銅を用い、スパッタリングターゲット５とバッキングプレート４の接着材（ボンディング材）にはインジウムを用いている。バッキングプレート４は水冷機構により直接又は間接的に冷却されている。マグネトロンカソード２とバッキングプレート４及びスパッタリングターゲット５は電気的に結合されている。回転ステージ３には基板６が装着されている。
【００７２】
また、実施例１による成膜には、スパッタリングターゲット５と基板６とが、図１及び図３等に示すように、基板６とターゲット５の対向する面が所定のターゲット傾斜角θを有するように、スパッタリングターゲット５と基板６が配置されている構成の装置を用いた。この場合、スパッタリングターゲット５と基板６のオフセット距離Ｄｏｆｆは３４０ｍｍ、ターゲット５−基板６間の垂直距離（Ｈ）は２８０ｍｍ、ターゲット傾斜角は１５度、上方シールド８２の基板６に対向する面とターゲット５のスパッタ面５２との間でなす角度αは１２５度とした。なお、上方シールド９０としては、図２に示すようなブロック状の形状のものを用いた。
【００７３】
成膜室１は排気口７を介して真空ポンプにより排気されている。成膜室１内の雰囲気が形成する薄膜の特性に影響しない真空度まで達した後、ガス導入口８からスパッタリングガスを導入し、ＤＣ電源（図示せず）を用いてマグネトロンカソード２に負電圧を加え、スパッタリングによる成膜を行った。ＤＣ電源はアーク検出機能を持ち、スパッタリング中の放電状態を監視することができる。成膜室１内部の圧力は圧力計（図示せず）によって測定した。
【００７４】
次に、実施例１による成膜の手順を説明する。ガラス基板６上に最下層、下層、及び上層をその順で形成した。
【００７５】
実施例１の基板６は、縦・横の寸法が、約１５２ｍｍ×約１５２ｍｍで、厚さが６．３５ｍｍの合成石英の基板６を用いた。基板６の表面は、粗研磨工程、精密研磨工程及び超精密研磨工程を経て平坦化された。この基板６を５０枚準備し、１枚ずつＤＣマグネトロンスパッタリング装置の中に導入し、下記のように成膜を行った。
【００７６】
上記のガラス基板６上に最下層、下層、上層をその順で形成した。具体的には、スパッタリングターゲット５としてＣｒターゲットを用い、Ａｒ、ＣＯ２、Ｎ２及びＨｅの混合ガスをスパッタリングガス（ガス流量比Ａｒ：ＣＯ２：Ｎ２：Ｈｅ＝２４：２９：１２：３５）とし、ガス圧０．２Ｐａ、ＤＣ電源の電力を１．７ｋＷで、最下層としてＣｒＯＣＮ膜を３９ｎｍの膜厚に成膜した。
【００７７】
次に、スパッタリングターゲット５としてＣｒターゲットを用い、Ａｒ、ＮＯ及びＨｅの混合ガスをスパッタリングガス（ガス流量比Ａｒ：ＮＯ：Ｈｅ＝２７：１８：５５）とし、ガス圧０．１Ｐａ、ＤＣ電源の電力を１．７ｋＷで、下層としてＣｒＯＮ膜を１７ｎｍの膜厚に成膜した。
【００７８】
次に、スパッタリングターゲット５としてＣｒターゲットを用い、Ａｒ、ＣＯ２、Ｎ２及びＨｅの混合ガスをスパッタリングガス（ガス流量比Ａｒ：ＣＯ２：Ｎ２：Ｈｅ＝２１：３７：１１：３１）とし、ガス圧０．２Ｐａ、ＤＣ電源の電力を１．８ｋＷで、上層としてＣｒＯＣＮ膜を１４ｎｍの膜厚に成膜した。
【００７９】
上記のようにして、５０枚の基板６に対して、最下層、下層及び上層からなる遮光膜を順次成膜し、マスクブランクを製造した。なお、５０枚の基板６に成膜する間、成膜室１や上方シールド９０等のクリーニングは行っていない。各基板６上に遮光膜が成膜された各マスクブランクの遮光膜の表面に対し、レーザー干渉コンフォーカル光学系による６０ｎｍ感度の欠陥検査装置（レーザーテック社製  Ｍ６６４０）を用いて、欠陥検査を行った。
【００８０】
各欠陥検査の結果から、各マスクブランクにおける遮光膜上の０．３μｍ相当以上の大きさの凸状欠陥及び凹状欠陥の個数をカウントした。０．３μｍ以上の大きさの凸欠陥は、シールド等に一度付着したスパッタ粒子を主成分とする付着物が、成膜中に遮光膜上に落下したことに起因するものが大多数を占める。また、０．３μｍ以上の大きさの凹欠陥は、前記の付着物が成膜中に一度遮光膜に付着した後、脱離したことに起因するものが大多数を占める。カウントした結果、０．３μｍ以上の大きさの凸欠陥及び凹欠陥の総数が最も多かったマスクブランクでも２１個であり、従来よりも大幅に少なかった。この実施例１の上方シールドを適用したことによって、マスクブランク製造の歩留まりを大幅に向上させることができた。
【００８１】
（比較例１）
この比較例１では、実施例１の場合と異なり、遮光膜の成膜の際に、所定の傾斜を有する上方シールド８２，９０ではなく、成膜室１内で基板６の主表面と平行に上方シールドが配置されたＤＣマグネトロンスパッタリング装置（成膜装置）を適用している。それ以外は、実施例１の構成と同様である。すなわち、この比較例１の成膜装置では、上方シールドの基板６に対向する面とターゲット５のスパッタ面５２との間でなす角度αは１６５度の位置関係にある。
【００８２】
実施例１と同様にして、５０枚の基板に対し、最下層、下層及び上層からなる遮光膜を形成し、比較例１のマスクブランクを製造した。なお、５０枚の基板６に成膜する間、成膜室１や上方シールドのクリーニングは行っていない。各基板６上に遮光膜が成膜された各マスクブランクの遮光膜の表面に対し、レーザー干渉コンフォーカル光学系による６０ｎｍ感度の欠陥検査装置（レーザーテック社製  Ｍ６６４０）を用いて、欠陥検査を行った。
【００８３】
各欠陥検査の結果から、比較例１の各マスクブランクにおける遮光膜上の０．３μｍ相当以上の大きさの凸状欠陥及び凹状欠陥の個数をカウントした。その結果、０．３μｍ以上の大きさの凸欠陥及び凹欠陥の総数が最も多かったマスクブランクでは１５１３個もあった。このような欠陥が多い比較例１のマスクブランクは、転写用マスクを作製するために使用できるものではない。
【符号の説明】
【００８４】
１  成膜室
２  マグネトロンカソード
３  回転ステージ
４  バッキングプレート
５  スパッタリングターゲット（ターゲット）
６  基板
７  排気口
８  ガス導入口
１１  ロードロック室
１２  バルブ
１３  成膜部
１４、１７、１８  バルブ
１５  搬送室
１６  アンロードロック室
１９  ロボットアーム
２２  上方壁
２２ａ  上方壁の内側表面
２４  下方壁
２６  側方壁
５２  スパッタ面
５３  スパッタリングターゲットの中心
５４  スパッタリングターゲット中心軸
５６  基板回転軸
５７  スパッタ面の中心を通り基板の回転軸に対して平行な直線
７１  主表面
７５  主表面の垂直上方領域
８２，９０  上方シールド
８４  下方シールド
８６  側方シールド
８８  ターゲット周囲シールド
８９  回転ステージ周囲シールド
α  上方シールドの基板と対向する面と、スパッタ面との間でなす角度
θ  傾斜角
【図１】
0005914035.tif 000002
【図２】
0005914035.tif 000003
【図３】
0005914035.tif 000004
【図４】
0005914035.tif 000005
【図５】
0005914035.tif 000006