(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材の主面上に、前記基材と材料が異なる材料を含む絶縁層を自己組織化膜が形成されない下地層を介して形成するか、または、基材の主面に水素を終端させ、絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層の上に前記基材および前記絶縁層と材料が異なる材料を含むマスクパターンを形成し、前記マスクパターンを介して前記絶縁層をエッチングすることで、前記主面上に第１側面を有し前記マスクパターンの幅よりも細い幅の絶縁パターンを形成する工程と、
前記絶縁パターンの前記第１側面に、前記絶縁パターンの材料と親和性を有する前記自己組織化膜を、選択的に形成する工程と、
前記自己組織化膜に触媒を付与し、前記触媒を介して導電性材料を析出させて、前記絶縁パターンの前記第１側面に前記自己組織化膜を介して導電層を選択的に形成する工程と、
を備えた配線パターンの形成方法。
【請求項２】
基材の主面上に、前記基材と材料が異なる材料を含み、第１側面を有する絶縁パターンを自己組織化膜が形成されない下地層を介して形成するか、または、基材の主面に水素を終端させ、第１側面を有する絶縁パターンを形成する工程と、
前記絶縁パターンの前記第１側面に、前記絶縁パターンの材料と親和性を有する前記自己組織化膜を、選択的に形成する工程と、
前記自己組織化膜の第２側面に導電性材料を析出させて、前記絶縁パターンの前記第１側面に前記自己組織化膜を介して導電層を選択的に形成する工程と、
を備えた配線パターンの形成方法。
【請求項３】
前記絶縁パターンを形成する工程は、前記基材の前記主面上に絶縁層を形成し、前記絶縁層の上に前記絶縁層とは異なる材料を含むマスクパターンを形成し、前記マスクパターンを介して前記絶縁層をエッチングすることを含む請求項２記載の配線パターンの形成方法。
【請求項４】
前記絶縁パターンを形成する工程は、前記マスクパターンを介して前記絶縁層をエッチングしたのち、前記マスクパターンを残したまま前記絶縁パターンの幅を前記マスクパターンの幅よりも細くすることを含む請求項３記載の配線パターンの形成方法。
【請求項５】
前記導電層を形成する工程は、前記自己組織化膜に触媒を付与し、前記触媒を介して前記導電性材料を析出させることを含む請求項２〜４のいずれか１つに記載の配線パターンの形成方法。
【請求項６】
前記絶縁パターンは、酸化シリコンを含み、
前記自己組織化膜は、前記酸化シリコンに吸着するシランカップリング剤を含む請求項２〜５のいずれか１つに記載の配線パターンの形成方法。
【請求項７】
前記主面上において前記導電層の周囲を絶縁性の層間膜で覆う工程と、
前記層間膜の表面に前記導電層を露出させる工程と、
をさらに備えた請求項２〜６のいずれか１つに記載の配線パターンの形成方法。
【請求項８】
互いに対向する前記絶縁パターンの前記第１側面に前記自己組織化膜を介して選択的に形成した前記導電層の間に、絶縁部材を形成する工程を、
さらに備えた請求項１〜７のいずれか１つに記載の配線パターンの形成方法。
【請求項９】
半導体素子が設けられた基材と、
前記基材の主面上に下地層を介して設けられ、前記基材と材料が異なる材料を含み、側面を有する絶縁パターンか、または、水素が終端された前記基材の主面上に設けられ、側面を有する絶縁パターンと、
前記絶縁パターンの前記側面に選択的に設けられ、前記絶縁パターンの材料と親和性を有する自己組織化膜と、
前記絶縁パターンの前記側面に前記自己組織化膜を介して選択的に設けられた導電層と、
を備え、
前記下地層には、前記自己組織化膜が形成されない半導体装置。
【請求項１０】
互いに対向する前記絶縁パターンの前記側面に前記自己組織化膜を介して選択的に設けられた前記導電層の間に、絶縁部材をさらに備えた請求項９に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、配線パターンの形成方法及び半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線パターンの形成方法としては、金属を配線状にドライエッチングするプロセスや、配線溝に金属を埋め込むダマシンプロセスが挙げられる。ドライエッチングによって配線パターンを形成する方法では、金属層の上にレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクにして金属層をドライエッチングする。これにより、レジストパターンの形状が転写された配線パターンを形成する。また、ダマシンプロセスでは、絶縁層に溝を形成し、この溝内に金属材料を埋め込み、溝以外の部分に設けられた金属材料を研磨して除去する。これにより、溝内に金属材料の配線パターンを形成する。
また、配線パターンの形成方法として、無電解めっきにより導電層を析出させる方法もある。
このような配線パターンの形成においては、高精度に安定した形状を形成することが望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−５１１５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の実施形態は、安定した配線パターンの形成方法及び半導体装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態に係る配線パターンの形成方法は、基材の主面上に、前記基材と材料が異なる材料を含み、第１側面を有する絶縁パターンを自己組織化膜が形成されない下地層を介して形成するか、または、基材の主面に水素を終端させ、第１側面を有する絶縁パターンを形成する工程と、前記絶縁パターンの前記第１側面に、前記絶縁パターンの材料と親和性を有する前記自己組織化膜を、選択的に形成する工程と、前記自己組織化膜の第２側面に導電性材料を析出させて、前記絶縁パターンの前記第１側面に前記自己組織化膜を介して導電層を選択的に形成する工程と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】第１の実施形態に係る配線パターンの形成方法を例示するフローチャートである。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は、第１の実施形態に係る配線パターンの形成方法の具体例を示す模式的断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は、第１の実施形態に係る配線パターンの形成方法の具体例を示す模式的断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｂ）は、第１の実施形態に係る配線パターンの形成方法の具体例を示す模式的断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、第２の実施形態に係る配線パターンの形成方法を例示する模式的断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は、第２の実施形態に係る配線パターンの形成方法を例示する模式的断面図である。
【図７】第３の実施形態に係る半導体装置を例示する模式的斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、本発明の実施形態を図に基づき説明する。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比係数などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比係数が異なって表される場合もある。
また、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【０００８】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る配線パターンの形成方法を例示するフローチャートである。
すなわち、図１に表したように、本実施形態に係る配線パターンの形成方法は、絶縁パターンの形成（ステップＳ１０１）、自己組織化膜の形成（ステップＳ１０２）、導電層の形成（ステップＳ１０３）を備える。
【０００９】
ステップＳ１０１に表した絶縁パターンの形成では、基材の主面上に側面を有する絶縁パターンを形成する。絶縁パターンを形成するには、基材の主面上に絶縁層を形成し、この絶縁層の上にマスクパターンを形成し、マスクパターンを介して絶縁層をエッチングする。
絶縁層には、例えば酸化シリコンが用いられる。マスクパターンには、例えばフォトレジストが用いられる。
【００１０】
ステップＳ１０２に表した自己組織化膜の形成では、絶縁パターンの側面に、絶縁パターンの材料と親和性を有する自己組織化膜を形成する。自己組織化膜には、例えばシラノール基と、シラノール基の対向基にアミノ基を有するＳＡＭ（Self-Assembled Monolayer）が用いられる。
絶縁パターンが酸化シリコンを含む場合、自己組織化膜は、酸化シリコンにのみ吸着するシランカップリング剤を含む。
【００１１】
ステップＳ１０３に表した導電層の形成では、自己組織化膜の側面に導電性材料を析出させて導電層を形成する。自己組織化膜の側面とは、自己組織化膜の表面のうち、絶縁パターンとは反対側の面のことをいう。導電層を形成するには、先ず、自己組織化膜に触媒を付与する。触媒は、この自己組織化膜を介して良好に密着する。その後、この触媒を介して導電性材料を析出される無電解めっきを行う。これにより、絶縁パターンの側面に導電性材料が所定の厚さで析出して配線パターンになる。
【００１２】
図２（ａ）〜図４（ｂ）は、第１の実施形態に係る配線パターンの形成方法の具体例を示す模式的断面図である。
先ず、図２（ａ）に表したように、基板１１の上に下地層１２を形成する。基板１１には、例えばシリコンが用いられる。なお、基板１１は、シリコン以外の半導体基板やガラス等の絶縁性基板でもよい。また、基板１１は、絶縁性基板に半導体層が形成されたものであってもよい。基板１１には回路や素子が形成されているものも含まれる。
【００１３】
下地層１２には、下地層１２の露出面に自己組織化膜が形成されない材料を用いる。下地層１２としては、例えば窒化シリコンが用いられる。
【００１４】
なお、基板１１の表面に自己組織化膜が形成されない処理を施す場合には、下地層１２は不要である。例えば、シリコンによる基板１１の表面にバッファードフッ酸（ＢＨＦ）で前処理を施し、表面を水素終端しておくことで、自己組織化膜が形成されなくなる。このような前処理を施す場合には、下地層１２を設ける必要はない。
【００１５】
本実施形態において、基材１０は、基板１１を含む。また、下地層１２が設けられている場合、基材１０は、基板１１及び下地層１２を含む。本実施形態の説明では、基材１０として基板１１及び下地層１２を含む場合を例とする。
【００１６】
次に、基材１０の主面１０ａ（下地層１２の上面）に絶縁膜２０を形成する。絶縁膜２０には、例えばＴＥＯＳ（Tetra Ethyl Ortho Silicate）を用いたＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）により形成される酸化シリコンが用いられる。絶縁膜２０の厚さは、形成する配線パターンの高さに対応している。
【００１７】
次に、絶縁膜２０の上にマスクパターンＭＰを形成する。マスクパターンＭＰは、例えばフォトレジストをフォトリソグラフィ及びエッチングによってパターニングしたものである。
【００１８】
次に、図２（ｂ）に表したように、マスクパターンＭＰを介して絶縁膜２０をエッチングし、絶縁パターン２１を形成する。絶縁膜２０のマスクパターンＭＰが形成されていない部分は、例えばＲＩＥ（Reactive Ion Etching）によって除去される。このエッチングにより、マスクパターンＭＰの形成された部分に残った絶縁膜２０が絶縁パターン２１になる。また、マスクパターンＭＰの形成されていない部分の絶縁膜２０は下地層１２が露出するまで除去される。
一例として、絶縁パターン２１の幅は約２０ナノメートル（ｎｍ）、隣り合う２つの絶縁パターン２１の隙間は約２０ｎｍである。
【００１９】
次に、図２（ｃ）に表したように、必要に応じて絶縁パターン２１のスリミングを行う。スリミングを行う場合には、マスクパターンＭＰを残したまま絶縁パターン２１の幅をマスクパターンＭＰの幅よりも細くする。絶縁パターン２１が酸化シリコンを含む場合、スリミングはバッファードフッ酸（ＢＨＦ）によるエッチングによって行われる。バッファードフッ酸を用いることで、フォトレジストであるマスクパターンＭＰを残したまま、酸化シリコンを含む絶縁パターン２１のみをエッチングし、絶縁パターン２１の幅を調整することができる。
一例として、スリミング後の絶縁パターン２１の幅は約５ｎｍ、隣り合う２つの絶縁パターン２１の隙間は約３５ｎｍである。
【００２０】
次に、図３（ａ）に表したように、絶縁パターン２１の側面２１ａに自己組織化膜３０を形成する。自己組織化膜３０は、絶縁パターン２１の材料と結合する官能基を有する。
自己組織化膜３０を形成するには、マスクパターンＭＰが残った絶縁パターン２１を、自己組織化膜３０の材料が含まれる溶媒に浸漬させる。
【００２１】
本実施形態において、自己組織化膜３０は、絶縁パターン２１の側面２１ａにのみ形成される。すなわち、絶縁パターン２１の上（上面）は、マスクパターンＭＰによって被覆されている。また、下地層１２には自己組織化膜３０が形成されない。したがって、自己組織化膜３０は、絶縁パターン２１の側面２１ａのみに吸着または結合する。
【００２２】
自己組織化膜３０には、例えば、シラノール基と、シラノール基の対向基にアミノ基を有するＳＡＭが用いられる。シラノール基は、酸化シリコンと高い親和性を有する。
絶縁パターン２１が酸化シリコンを含む場合、自己組織化膜３０は酸化シリコンにのみ吸着するシランカップリング剤を含むものが好ましい。
【００２３】
次に、自己組織化膜３０に触媒３５を付与する。なお、図面の関係上、触媒３５は自己組織化膜３０と共通に図示されている。触媒３５には、配線パターンの金属材料に対して還元力の高い材料（例えば、パラジウム）が用いられる。触媒３５を付与するには、自己組織化膜３０が形成された絶縁パターン２１を、触媒金属を含む溶媒に浸漬するようにする。これにより、触媒３５は、自己組織化膜３０であるＳＡＭの官能基（例えば、アミノ基）と結合する。
一例として、自己組織化膜３０及び触媒３５を含む絶縁パターン２１の幅は約１０ｎｍ、隣り合う２つの絶縁パターン２１の隙間は約３０ｎｍである。
【００２４】
次に、図３（ｂ）に表したように、自己組織化膜３０に付与した触媒３５を介して導電性材料を析出させて導電層４０を形成する。導電性材料には、例えばニッケル（Ｎｉ）が用いられる。
【００２５】
導電性材料を析出させるには、触媒３５が付与された絶縁パターン２１を、導電性材料を含む金属溶媒に浸漬するようにする。導電性材料は、絶縁パターン２１の側面２１ａに直交する方向に析出していく。導電性材料が析出した厚さ（側面２１ａに直交する方向の厚さ）は、配線パターンの幅に対応する。
【００２６】
絶縁パターン２１は対向する２つの側面２１ａを有するため、導電性材料は絶縁パターン２１を中心に違いに反対方向に析出する。このため、絶縁パターン２１を中心とした両側にそれぞれ導電層４０が形成される。導電性材料の析出の厚さ、すなわち配線パターンの幅は、導電性材料の析出時間（浸漬時間）に応じて設定される。
一例として、導電層４０の厚さ（配線パターンの幅）は約３０ｎｍ、隣り合う２つの導電層４０の隙間（隣り合う２つの配線パターンの隙間）は約１０ｎｍである。
【００２７】
次に、図３（ｃ）に表したように、絶縁パターン２１の上のマスクパターンＭＰを除去する。次に、図４（ａ）に表したように、導電層４０の隙間に絶縁部材５０を埋め込む。絶縁部材５０には、例えばＰＳＺ（Polysilazane）が用いられる。
一例として、絶縁部材５０は、約１０００ｎｍの厚さで形成される。
【００２８】
その後、図４（ｂ）に表したように、絶縁部材５０の表面を例えばＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）によって平坦化する。絶縁部材５０の表面は、導電層４０が露出するまで平坦化される。これにより、本実施形態に係る配線パターン１が完成する。
【００２９】
ここで、ドライエッチングによって配線パターンを形成すると、エッチング残渣除去のための洗浄が必要になる。また、洗浄によってエッチング残渣を除去しきれなかったり、洗浄処理によって配線の寸法が変動してしまったりする懸念がある。さらに、洗浄後にアフターコロージョンを引き起こすことが懸念される。加えて、金属中に打ち込まれて洗浄で取り切れなかったハロゲン系の不純物による抵抗変動が懸念される。
【００３０】
第１の実施形態では、配線パターン１の形成としてこのようなドライエッチングを用いないため、上記のような懸念は生じない。
また、第１の実施形態では、絶縁パターン２１の側面２１ａに導電層４０が形成されるため、絶縁パターン２１によって導電層４０が確実に支持される。したがって、細く、深い配線パターン１であっても、精度良く、安定して形成することができる。
【００３１】
なお、本実施形態に係る配線パターン１の形成方法では、絶縁パターン２１を中心に２つの導電層４０が対向する構成になる。したがって、絶縁パターン２１として誘電率の低い材料（例えば、ＳｉＯＣ、Ｓｉ、Ｏ、Ｃ、Ｆ）を用いることにより、対向する２つの導電層４０の層間容量の低減が達成される。
一方、絶縁パターン２１として誘電率の高い材料（例えば、ＨｆＳｉＯ、Ｈｆ、Ｌａなどの希土類金属、Ｈｆ、Ａｌ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｌａ、Ｓｉなどの酸化物）を用いることにより、静電容量の大きなコンデンサが構成される。
【００３２】
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態に係る配線パターンの形成方法について説明する。
図５（ａ）〜図６（ｃ）は、第２の実施形態に係る配線パターンの形成方法を例示する模式的断面図である。
先ず、図５（ａ）に表したように、絶縁パターン２１を形成する。絶縁パターン２１の形成は、先に説明した第１の実施形態と同様である（図２（ａ）〜（ｃ）参照）。次に、絶縁パターン２１の近傍の基材１０に開口ｈを形成する。
【００３３】
開口ｈの内壁には、基材１０に形成された金属製の配線１３が露出する。金属製の配線１３は、例えば基板１１に設けられた半導体素子１００と導通している。
開口ｈは、絶縁パターン２１を形成した後に設けられても、絶縁パターン２１を形成する前に設けられてもよい。
【００３４】
次に、図５（ｂ）に表したように、絶縁パターン２１の側面２１ａに第１の自己組織化膜３０Ａを形成し、開口ｈの内壁に第２の自己組織化膜３０Ｂを形成する。第１の自己組織化膜３０Ａは、第１の実施形態で用いた自己組織化膜３０と同じである。
【００３５】
第２の自己組織化膜３０Ｂは、開口ｈの内壁に露出する金属製の配線１３と吸着または結合する。第２の自己組織化膜３０Ｂには、例えばチオール基と、チオール基の対向基にアミノ基を有するＳＡＭが用いられる。
【００３６】
チオール基は、金属（金、銀、銅など）のみと結合するため、第２の自己組織化膜３０Ｂは、絶縁パターン２１の側面２１ａや下地層１２の表面、マスクパターンＭＰの表面には付着しない。なお、第２の自己組織化膜３０Ｂとしては、金属のみと結合するジスルフィド基を有するＳＡＭであってもよい。
【００３７】
次に、第１の自己組織化膜３０Ａ及び第２の自己組織化膜３０Ｂに触媒３５を付与する。なお、図面の関係上、触媒３５は自己組織化膜３０Ａ及び３０Ｂと共通に図示されている。触媒３５には、配線パターンの金属材料に対して還元力の高い材料（例えば、パラジウム）が用いられる。
【００３８】
次に、図５（ｃ）に表したように、第１の自己組織化膜３０Ａ及び第２の自己組織化膜３０Ｂに付与した触媒３５を介して導電性材料を析出させて、絶縁パターン２１の側面２１ａに導電層４０を形成し、開口ｈにビア６０を形成する。導電性材料には、例えばニッケル（Ｎｉ）が用いられる。絶縁パターン２１の側面２１ａに析出した導電性材料（導電層４０）は、開口ｈの内壁に析出した導電性材料（ビア６０）と接合される。これにより、導電層４０はビア６０と電気的に導通する。
【００３９】
次に、図６（ａ）に表したように、絶縁パターン２１の上のマスクパターンＭＰを除去する。次に、図６（ｂ）に表したように、導電層４０の隙間に絶縁部材５０を埋め込む。絶縁部材５０には、例えばＰＳＺが用いられる。その後、図６（ｃ）に表したように、絶縁部材５０の表面を例えばＣＭＰによって平坦化する。絶縁部材５０の表面は、導電層４０が露出するまで平坦化される。これにより、本実施形態に係る配線パターン１が完成する。
【００４０】
第２の実施形態では、第１の実施形態と同様な作用効果に加え、無電解めっきによって導電層４０と、この導電層４０と電気的に導通したビア６０と、を一括して形成することができることになる。
【００４１】
（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態に係る半導体装置について説明する。
図７は、第３の実施形態に係る半導体装置を例示する模式的斜視図である。
図７に表したように、半導体装置１１０は、半導体素子１００が設けられた基材１０と、基材１０の主面１０ａに設けられ、主面１０ａ上に側面２１ａを有する絶縁パターン２１と、絶縁パターン２１の側面２１ａに設けられた自己組織化膜３０と、自己組織化膜３０の側面に設けられた導電層４０と、を備える。導電層４０には、導電層４０の金属材料に対して還元力の高い材料（例えば、パラジウム）が含まれてもよい。
【００４２】
半導体装置１１０の上記構成のうち、絶縁パターン２１、自己組織化膜３０及び導電層４０は配線パターン１を構成する。配線パターン１を形成するには、上記説明した第１の実施形態及び第２の実施形態のうちいずれかを適用すればよい。第２の実施形態を適用した場合には、導電層４０はビア６０と電気的に導通する。導電層４０は、このビア６０を介して半導体素子１００と導通する。
【００４３】
配線パターン１には、図示しない保護部材５０が設けられ、必要に応じて表面の平坦化が成されている。なお、半導体装置１１０において、複数の配線パターン１が積層されていてもよい。この場合には、先に説明した第１の実施形態及び第２の実施形態の少なくともいずれかを繰り返して、配線パターン１の上に他の配線パターン１を積層すればよい。積層される複数の配線パターン１の間には、他の層（半導体層、絶縁層）を介在させてもよい。
【００４４】
このような半導体装置１１０によれば、精度良く、安定して形成された配線パターン１によって、動作信頼性の向上及び製造歩留まりの向上を図ることができるようになる。
【００４５】
以上説明したように、本実施形態によれば、安定した配線パターンの形成方法及び半導体装置を提供することができる。
【００４６】
なお、上記に各実施形態を説明したが、本発明はこれらの例に限定されるものではない。例えば、基板１１としては、シリコン以外の半導体基板やガラス等の絶縁性基板のほか、絶縁性基材に半導体層が形成されたものであってもよい。また、自己組織化膜３０、３０Ａ及び３０Ｂは、上記以外の材料であってもよい。また、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、設計変更を行ったものや、各実施形態の特徴を適宜組み合わせたものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含有される。
【００４７】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００４８】
１…配線パターン、１０…基材、１０ａ…主面、１１…基板、１２…下地層、２０…絶縁膜、２１…絶縁パターン、２１ａ…側面、３０…自己組織化膜、３０Ａ…第１の自己組織化膜、３０Ｂ…第２の自己組織化膜、３５…触媒、４０…導電層、５０…絶縁部材、６０…ビア、１００…半導体素子、１１０…半導体装置、ＭＰ…マスクパターン、ｈ…開口
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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