(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１層のウェハと、
前記第１層のウェハの上に堆積させた誘電体層と、
前記第１層のウェハを貫通して電気接続を提供するための、前記第１層のウェハの中のソース領域またはドレイン領域および前記誘電体層を貫通して延びる第１の延長接触部と、
前記第１層のウェハと接続される第２層のウェハであって、前記第２層のウェハが、前記第１の延長接触部に電気的に結合される電気部品を含む、第２層のウェハと
を含む、積層集積回路。
【請求項２】
前記第１層のウェハの表側の、第１の配線工程層と、
前記第１層のウェハの裏側の、第２の配線工程層であって、前記第１の延長接触部が、前記第１の配線工程層を前記第２の配線工程層に結合する、第２の配線工程層と、
前記第２の配線工程層に結合される、前記第１層のウェハの前記裏側の、第１の接触パッドと、
前記第２層のウェハの表側の前記電気部品に結合される、第３の配線工程層と、
前記第３の配線工程層と前記第１の接触パッドとの間に結合される、前記第２層のウェハの前記表側の第２の接触パッドであって、前記第１の延長接触部が、前記第３の配線工程層を前記第１の配線工程層に結合する、第２の接触パッドと
をさらに含む、請求項１に記載の積層集積回路。
【請求項３】
前記第２層のウェハの裏側の、第４の配線工程層と、
前記第４の配線工程層に結合される、前記第２層のウェハの前記裏側の、第３の接触パッドと、
前記第３の配線工程層を前記第４の配線工程層に結合する、前記第２層のウェハの中の第２の延長接触部と、
第３層のウェハの表側に第５の配線工程層を有する、第３層のウェハと、
前記第５の配線工程層に結合され前記第３の接触パッドに結合される、第４の接触パッドであって、前記第１の延長接触部および前記第２の延長接触部が、前記第５の配線工程層を前記第１の配線工程層に結合する、第４の接触パッドと
をさらに含む、請求項２に記載の積層集積回路。
【請求項４】
前記第１の延長接触部を通じて前記第３の配線工程層に結合される、前記第１層のウェハの前記表側のパッケージング構造をさらに含む、請求項２に記載の積層集積回路。
【請求項５】
前記第１の延長接触部が、タングステンプラグを含む、請求項１に記載の積層集積回路。
【請求項６】
モバイル電話、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、コンピュータ、手持ち型パーソナル通信システム（ＰＣＳ）ユニット、ポータブルデータユニット、および位置固定データユニットのうちの少なくとも１つに組み込まれる、請求項１に記載の積層集積回路。
【請求項７】
第１層のウェハを薄くして、前記第１層のウェハのソース領域またはドレイン領域を貫通して延びる延長接触部を露出するステップであって、前記延長接触部が、表側の配線工程層に結合される、ステップと、
前記第１層のウェハを薄くした後、前記第１層のウェハに誘電体を堆積するステップであって、前記延長接触部が前記誘電体を貫通する、ステップと、
前記誘電体に裏側の配線工程層を堆積するステップであって、前記裏側の配線工程層が前記延長接触部に結合する、ステップと、
第２層のウェハ上の回路が前記延長接触部を通じて前記表側の配線工程層に結合されるように、前記裏側の配線工程層を堆積した後、第２層のウェハを前記第１層のウェハに接着するステップと
を含む、積層集積回路を製造する方法。
【請求項８】
前記第１層のウェハを、薄くする前にキャリアウェハに取り付けるステップと、
前記第２層のウェハを接着した後、前記第１層のウェハを前記キャリアウェハから取り外すステップと
をさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記第１層のウェハを前記キャリアウェハに取り付ける前に、前記第１層のウェハ上で基板工程処理を実行するステップをさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記第２層のウェハを前記第１層のウェハに接着した後、かつ、前記第１層のウェハを前記キャリアウェハから取り外す前に、前記第２層のウェハを薄くするステップをさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記第２層のウェハを薄くするステップが、第２の延長接触部を露出させる、請求項１０に記載の方法であって、
前記第２層のウェハを薄くした後で、前記第２の延長接触部に結合される前記第２層のウェハの配線工程層を堆積するステップと、
前記第２層のウェハに配線工程層を堆積した後で、第３層のウェハを前記第２層のウェハに接着するステップと
をさらに含む、方法。
【請求項１２】
前記第１層のウェハに前記誘電体を堆積するステップが、
前記第１層のウェハに前記誘電体を等角的に堆積するステップと、
前記誘電体に対して化学機械研磨を実行するステップと
を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１３】
モバイル電話、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、コンピュータ、手持ち型パーソナル通信システム（ＰＣＳ）ユニット、ポータブルデータユニット、および位置固定データユニットのうちの少なくとも１つに、前記積層集積回路を組み込むステップをさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１４】
第１層のウェハを薄くして、前記第１層のウェハのソース領域とドレイン領域の少なくとも１つを貫通して延びる延長接触部を露出するステップであって、前記延長接触部が、表側の配線工程層に結合される、ステップと、
前記第１層のウェハを薄くした後、前記第１層のウェハに誘電体を堆積するステップであって、前記延長接触部が前記誘電体を貫通する、ステップと、
前記誘電体に裏側の配線工程層を堆積するステップであって、前記裏側の配線工程層が前記延長接触部に結合する、ステップと、
第２層のウェハ上の回路が前記延長接触部を通じて前記表側の配線工程層に結合されるように、前記裏側の配線工程層を堆積した後、第２層のウェハを前記第１層のウェハに接着するステップと
いうステップを含む、積層集積回路を製造する方法。
【請求項１５】
接着後に前記第２層のウェハを前記第１層のウェハに接着した後で、前記第２層のウェハを薄くするというステップをさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
モバイル電話、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、コンピュータ、手持ち型パーソナル通信システム（ＰＣＳ）ユニット、ポータブルデータユニット、および位置固定データユニットのうちの少なくとも１つに、前記積層集積回路を組み込むというステップをさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
表側に第１の配線工程層を有し裏側に誘電体層および第２の配線工程層を有する、第１層のウェハと、
前記第１層のウェハのソース領域またはドレイン領域および前記誘電体層を貫通して、前記第１の配線工程層を前記第２の配線工程層に結合するための手段と、
前記第２の配線工程層に結合される、前記第１層のウェハの前記裏側の、第１の接触パッドと、
表側に第３の配線工程層を有する、第２層のウェハと、
前記第３の配線工程層に結合され前記第１の接触パッドに結合される、前記第２層のウェハの前記表側の第２の接触パッドであって、前記結合手段が、前記第３の配線工程層を前記第１の配線工程層に結合する、第２の接触パッドと
を含む、積層集積回路。
【請求項１８】
モバイル電話、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、コンピュータ、手持ち型パーソナル通信システム（ＰＣＳ）ユニット、ポータブルデータユニット、および位置固定データユニットのうちの少なくとも１つに組み込まれる、請求項１７に記載の積層集積回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は全般に、集積回路に関する。より具体的には、本開示は集積回路のパッケージングに関する。
【背景技術】
【０００２】
積層ICは、ダイを垂直に積層することによって、デバイスの機能を向上させ、占有面積を小さくする。積層ICでは、第2のダイが第1のダイの上に積層され、構造を3次元(3D)に拡張できるようにする。積層ICにより、より多数の部品を有する製品が、小さなフォームファクタに適合できるようになる。半導体ダイの部品密度は、ダイの中の部品の数をダイの面積で割ったものである。たとえば、あるダイの上に同一のダイを積層することで、同じ面積の中の部品の数は約2倍になり、部品密度が2倍になる。第2のダイが第1のダイの上に積層されると、2つのダイは同じパッケージングを共有し、そのパッケージングを通して外部のデバイスと通じる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ダイは、パッケージオンパッケージ(PoP)プロセスを含むいくつかの方法を用いて、かつ、貫通シリコン積層(TSS)プロセスを通じて、積層され得る。しかし、一部の用途では、積層ICの高さが制限される。たとえば、非常に薄い携帯電話は、複数のダイを有する積層ICに対応できない。したがって、積層ICの厚さを低減することが必要である。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本開示の一態様によれば、積層集積回路は、第1層のウェハを含む。積層集積回路はまた、第1層のウェハを貫通して電気接続を提供するための、第1層のウェハの中の接合部を貫通して延びる第1の延長接触部を含む。積層集積回路はさらに、第1層のウェハと接続される第2層のウェハを含む。第2層のウェハは、第1の延長接触部に電気的に結合される電子部品を含む。
【０００５】
本開示の別の態様によれば、積層集積回路を製造する方法は、第1層のウェハを薄くして、第1層のウェハの接合部を貫通して延びる延長接触部を露出するステップを含む。延長接触部は、表側の配線工程層に結合される。方法はまた、第1層のウェハを薄くした後、第1層のウェハに誘電体を堆積するステップを含む。方法はさらに、誘電体に裏側の配線工程層を堆積するステップを含み、裏側の配線工程層は、延長接触部に結合する。方法はまた、第2層のウェハ上の回路が延長接触部を通じて表側の配線工程層に結合されるように、裏側の配線工程層を堆積した後、第2層のウェハを第1層のウェハに接着するステップを含む。
【０００６】
本開示のさらなる態様によれば、積層集積回路を製造する方法は、第1層のウェハを薄くして、第1層のウェハのソース領域とドレイン領域の少なくとも1つを貫通して延びる延長接触部を露出するというステップを含む。延長接触部は、表側の配線工程層に結合される。方法はまた、第1層のウェハを薄くした後、第1層のウェハに誘電体を堆積するというステップを含む。方法はさらに、誘電体に裏側の配線工程層を堆積するというステップを含み、裏側の配線工程層は、延長接触部に結合する。方法はまた、第2層のウェハ上の回路が延長接触部を通じて表側の配線工程層に結合されるように、裏側の配線工程層を堆積した後、第2層のウェハを第1層のウェハに接着するというステップを含む。
【０００７】
本開示の別の態様によれば、積層集積回路は、表側に第1の配線工程層を有し裏側に第2の配線工程層を有する、第1層のウェハを含む。積層集積回路はまた、第1層のウェハの接合部を通じて、第1の配線工程層を第2の配線工程層に結合するための手段を含む。積層集積回路はさらに、第2の配線工程層に結合される、第1層のウェハの裏側に、第1の接触パッドを含む。積層集積回路はまた、表側に第3の配線工程層を有する、第2層のウェハを含む。積層集積回路はさらに、第3の配線工程層に結合され第1の接触パッドに結合される、第2層のウェハの表側に、第2の接触パッドを含む。結合手段は、第3の配線工程層を第1の配線工程層に結合する。
【０００８】
上記の内容は、以下の詳細な説明をよりよく理解できるように、本開示の特徴および技術的利点をかなり広く概説したものである。本開示の特許請求の範囲の主題を形成するさらなる特徴および利点について以下に説明する。本開示の同じ目的を実行するために、他の構造を修正または設計するための基礎として、開示される概念および特定の実施形態を容易に利用できることを、当業者には理解されたい。そのような同等の構成が、添付の特許請求の範囲に記載された開示の技術から逸脱しないことも、当業者には了解されたい。本開示の構成と動作方法の両方に関して本開示の特徴と考えられる新規の特徴は、さらなる目的と利点とともに、以下の説明を添付の図に関連して検討することによってよりよく理解されよう。しかし、各図は例示および説明のためのみのものであり、本開示の制限の定義を目的としたものではないことを明確に理解されたい。
【０００９】
本開示のより完全な理解のために、ここで、添付の図面と併せて以下の説明を参照する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】従来の半導体ダイを示す断面図である。
【図２】一実施形態による、二面の相互接続された集積回路を製造するための、例示的なプロセスを示す流れ図である。
【図３Ａ】一実施形態による、二面の相互接続された集積回路を製造するための、例示的なプロセスを示す断面図である。
【図３Ｂ】一実施形態による、二面の相互接続された集積回路を製造するための、例示的なプロセスを示す断面図である。
【図３Ｃ】一実施形態による、二面の相互接続された集積回路を製造するための、例示的なプロセスを示す断面図である。
【図３Ｄ】一実施形態による、二面の相互接続された集積回路を製造するための、例示的なプロセスを示す断面図である。
【図３Ｅ】一実施形態による、二面の相互接続された集積回路を製造するための、例示的なプロセスを示す断面図である。
【図３Ｆ】一実施形態による、二面の相互接続された集積回路を製造するための、例示的なプロセスを示す断面図である。
【図３Ｇ】一実施形態による、二面の相互接続された集積回路を製造するための、例示的なプロセスを示す断面図である。
【図４】実施形態を有利に使用できる、例示的なワイヤレス通信システムを示すブロック図である。
【図５】一実施形態による、半導体コンポーネントの回路設計、レイアウト設計、および論理設計のために用いられる、設計用ワークステーションを示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
積層集積回路(IC)の高さの低減は、二面の相互接続された集積回路により実現され得る。一実施形態によれば、通常の接触部と延長接触部の組合せが、集積回路にエッチングされる。通常の接触部は、集積回路の表側への結合を可能にし、延長接触部は、集積回路の表側および裏側への結合を可能にする。二面の集積回路は、非常に薄い積層集積回路の構築を可能にする。加えて、積層ICにおける、非常に高密度の層間接続が可能になる。
【００１２】
図1は、従来の半導体ダイを示す断面図である。シリコンのようなバルク半導体層102は、ソース領域104およびドレイン領域106を含む。トレンチ絶縁領域108は、領域104、106を、バルク半導体層102の他の領域から絶縁する。ゲート構造112が、領域104、106の間に、かつバルク半導体層102上に形成される。誘電体層110が、バルク半導体層102とゲート構造112の上に堆積される。接触部114、116はそれぞれ、誘電体層110を貫通して領域104、106に延びる。接触部114、116はまた、配線工程(BEOL)層120の中の金属層122に結合する。BEOL層120は、誘電体層124も含み得る。誘電体層130は、BEOL層120および、たとえばフリップチップバンプのようなパッケージング構造132の上に堆積され、金属層122に結合する。
【００１３】
図2は、一実施形態による、二面の相互接続された集積回路を製造するための、例示的なプロセスを示す流れ図である。例示的なプロセス200は、一実施形態によれば、図3A〜図Gの断面図により示される。
【００１４】
例示的なプロセス200は、ブロック205において、第1層のウェハ300を受け取ることで開始する。第1層のウェハ300は、基板工程(FEOL)処理を完了させていてもよい。例示的なプロセス200は、ブロック210へと続き、第1層のウェハ300の表側をキャリアウェハ340に取り付ける。図3Aは、一実施形態による、キャリアウェハ340に取り付けられた第1層のウェハを示す断面図である。第1層のウェハ300は、ソース領域304およびドレイン領域306を有する、バルク半導体層302を含む。トレンチ絶縁領域308は、領域304、306を、バルク半導体層302の他の領域から絶縁する。ゲート構造312が、領域304、306の間に、かつバルク半導体層302上に形成される。誘電体層310が、バルク半導体層302とゲート構造312の上に堆積される。延長接触部314および接触部316はそれぞれ、誘電体層310を貫通して領域304、306に延び、接合部を形成する。一実施形態によれば、接触部314、316は、タングステンプラグである。接触部314、316はまた、BEOL層320の中の金属層322に結合する。いくつかの実施形態では、延長接触部314は、領域304、306、およびゲート構造312の形成の後、形成される。一実施形態によれば、延長接触部314は、領域304、306の少なくとも1つを貫通して延びる。図3Aには示されないが、接合部はダイオードであってよい。
【００１５】
加えて、バリア層(図示せず)が、延長接触部314と、領域304、306との間に存在し得る。バリア層は、延長接触部314と、領域304、306との間の金属汚染を低減する。BEOL層320は、誘電体層326も含み得る。誘電体層330は、BEOL層320および、たとえばフリップチップバンプのようなパッケージング構造332の上に堆積され、金属層322に結合する。キャリアウェハ340は、第1層のウェハ300に取り付けられる。キャリアウェハ340は、後の処理において、第1層のウェハ300を支持する。
【００１６】
例示的なプロセス200は、ブロック212へと続き、第1層のウェハ300を薄くする。図3Bは、一実施形態による、薄くした後の第1層のウェハを示す断面図である。第1層のウェハ300のバルク半導体層302は、領域304、領域306、および延長接触部314を露出させるように、薄くされる。一実施形態によれば、薄くすることは埋込みエッチングを含む。
【００１７】
例示的なプロセス200は、ブロック214へと続き、第1層のウェハ300に誘電体層342を堆積する。図3Cは、一実施形態による、誘電体層の堆積の後の第1層のウェハを示す断面図である。誘電体層342は、第1層のウェハ300に堆積される。誘電体層342は、たとえば二酸化ケイ素であってよい。一実施形態によれば、等角の（conformal）誘電体層342が、延長接触部314を覆うように堆積される。この実施形態では、化学機械研磨(CMP)により、誘電体層342をエッチングして、延長接触部314を露出し、誘電体層342を、延長接触部314と実質的に同様の高さにする。
【００１８】
例示的なプロセス200は、ブロック216へと続き、裏側のBEOL処理を行う。図3Dは、一実施形態による、BEOL処理の後の第1層のウェハを示す断面図である。BEOL処理の間、誘電体層354、金属層352、および接触パッド356を含むBEOL層350が、第1層のウェハ300に堆積される。一実施形態によれば、マイクロバンプも、BEOL処理の一部として、第1層のウェハ300上で実行される。BEOL層320、350はそれぞれ、第1層のウェハ300の表側および裏側に位置するので、第1層のウェハ300は二面である。
【００１９】
例示的なプロセス200は、ブロック218へと続き、第1層のウェハ300に第2層のウェハ360を接着する。図3Eは、一実施形態による、第2層のウェハに接着された第1層のウェハを示す断面図である。第2層のウェハ360は、ソース領域364およびドレイン領域366を有する、バルク半導体層362を含む。ゲート構造372が、領域364、366の間でバルク半導体層362の上に位置する。トレンチ絶縁領域368は、領域364、366を、バルク半導体層362の他のソース領域およびドレイン領域(図示せず)から分離する。誘電体層384が、バルク半導体層362とゲート構造372の上に堆積される。延長接触部374および通常の接触部376はそれぞれ、誘電体層384を貫通して領域364、366に延びる。BEOL層380は、金属層382および誘電体層386を含む。加えて、接触パッド388は、金属層382に結合する。
【００２０】
第2層のウェハ360は、第2層のウェハ360の接触パッド388および第1層のウェハ300の接触パッド356を通じて、第1層のウェハ300に結合する。一実施形態によれば、第1層のウェハ300は、銅と銅の接着を通じて、第2層のウェハ360に結合される。
【００２１】
例示的なプロセス200は、ブロック220へと続き、第2層のウェハ360を薄くする。図3Fは、一実施形態による、第2層のウェハを薄くした後の、積層集積回路を示す断面図である。第2層のウェハ360のバルク半導体層362は、延長接触部374を露出させるように、薄くされる。
【００２２】
ブロック220で第2層のウェハ360を薄くした後で、例示的なプロセスはブロック232へと続き、第2層のウェハ360上でBEOL処理を実行する。再び図3Fを参照すると、BEOL層390は、誘電体層394および金属層392を含む第2層のウェハ360に堆積され、接触パッド396が金属層392に結合される。一実施形態によれば、BEOL層390および接触パッド396は、追加の層が第2層のウェハ360に積層されない場合には、第2層のウェハ360には堆積されない。
【００２３】
例示的なプロセス200は、判定ブロック230へと続き、追加の層が積層ICに積層されるべきかどうかを判定する。追加の層が存在する場合、例示的なプロセス200は、第N層(たとえば第3層)のためのブロック218へと続く。追加の層が存在しない場合、例示的なプロセス200は、ブロック222へと続く。
【００２４】
例示的なプロセス200のブロック222において、第1層のウェハ300が、キャリアウェハ340から取り外される。図3Gは、一実施形態による、キャリアウェハを取り外した後の、積層集積回路を示す断面図である。取り外した後で、パッケージング構造332が、さらなる処理のために露出される。
【００２５】
例示的なプロセス200はウェハについて示されるが、例示的なプロセス200は、ダイを積層するときにも実行されてよい。たとえば、第1層のウェハがキャリアウェハに接着された後では、第2層、第3層、または第N層は、ウェハまたはダイであってよい。
【００２６】
上で説明された集積回路を積層するための例示的なプロセスは、積層ICの高さを低くするための、二面の相互接続を含む。プロセスは、同一のウェハを有する、または、異なる機能を有する異種のウェハを有する、積層ICに適用され得る。たとえば、例示的なプロセスを用いて製造される積層ICは、第1層のウェハに特定用途向け集積回路(ASIC)を含み、第2層のウェハにメモリを含んでもよい。ウェハにおける延長接触部の形成は、貫通シリコンビア(TSV)よりも低コストであり、延長接触部は、接触部の寄生容量を低減するサブミクロンのサイズで製造することができる。たとえば、延長接触部は、45〜65ナノメートルのプロセスノードにおいて、直径が50〜100ナノメートルであり得る。
【００２７】
二面の集積回路の別の利点は、ウェハの表側および裏側への、BEOL層の配置である。BEOL層の2つのセットにより、BEOL層の1つのセットと比較して、配線の効率の向上が可能になる。加えて、高密度の層間接続が、トランジスタレベルまたはマクロレベルで可能になり、電源およびグラウンドの接続を含み得る。たとえば、1平方ミリメートル当たり104〜105個の接続の層間接続が可能である。
【００２８】
図4は、有利に本開示の実施形態を使用できる例示的なワイヤレス通信システム400を示す図である。例示のために、図4は、3つの遠隔ユニット420、430および450ならびに2つの基地局440を示す。ワイヤレス通信システムがこれよりも多くの遠隔ユニットおよび基地局を有してもよいことが、認識されよう。遠隔ユニット420、430、および450は、それぞれ、上で論じられたような実施形態の積層IC425A、425C、および425Bを含む。図4は、基地局440から遠隔ユニット420、430および450への順方向リンク信号480、ならびに遠隔ユニット420、430および450から基地局440への逆方向リンク信号490を示す。
【００２９】
図4では、遠隔ユニット420はモバイル電話として示され、遠隔ユニット430はポータブルコンピュータとして示され、遠隔ユニット450はワイヤレスローカルループシステム内のコンピュータとして示されている。たとえば、遠隔ユニットは、セル電話、モバイル電話、コンピュータ、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、娯楽ユニット、手持ち型のパーソナル通信システム(PCS)ユニット、携帯情報端末のようなポータブルデータユニット、または、計測装置のような位置固定データユニットであってよい。図4は、本開示の教示に従った遠隔ユニットを示すが、本開示は、これらの例示的な示されたユニットには限定されない。本開示は、積層ICを含む任意のデバイスにおいて適切に使用され得る。
【００３０】
図5は、以下で開示されるような、半導体コンポーネントの回路設計、レイアウト設計、および論理設計のために用いられる、設計用ワークステーションを示すブロック図である。設計用ワークステーション500は、オペレーティングシステムソフトウェア、支援ファイル、および、CadenceまたはOrCADのような設計用ソフトウェアを格納する、ハードディスク501を含む。設計用ワークステーション500はまた、回路510の設計または、ウェハもしくはダイのような半導体コンポーネント512の設計を容易にするために、ディスプレイを含む。記憶媒体504が、回路設計510または半導体コンポーネント512を有形に記憶するために提供される。回路設計510または半導体コンポーネント512は、GDSIIまたはGERBERのようなファイルフォーマットで、記憶媒体504に記憶され得る。記憶媒体504は、CD-ROM、DVD、ハードディスク、フラッシュメモリ、または他の適切なデバイスであってよい。さらに、設計用ワークステーション500は、記憶媒体504からの入力を受け入れ、または記憶媒体504へ出力を書き込むための、ドライブ装置503を含む。
【００３１】
記憶媒体504に記録されるデータは、論理回路構成、フォトリソグラフィマスクのためのパターンデータ、または、電子ビームリソグラフィのような連続書込ツールのためのマスクパターンデータを、特定することができる。データはさらに、論理シミュレーションと関連付けられたタイミングダイヤグラムまたはネット回路のような、論理検証データを含み得る。記憶媒体504にデータを提供すると、半導体ウェハを設計するためのプロセスの数が減少することで、回路設計510または半導体コンポーネント512の設計が容易になる。
【００３２】
本明細書で説明する方法は、用途に応じて様々な構成要素によって実施され得る。たとえば、これらの方法は、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェアまたはそれらの組合せで実施することができる。ハードウェア実装形態の場合、各処理ユニットは、本明細書で説明する機能を実行するように設計された、1つまたは複数の特定用途向け集積回路(ASIC)、デジタルシグナルプロセッサ(DSP)、デジタル信号処理デバイス(DSPD)、プログラマブル論理デバイス(PLD)、フィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)、プロセッサ、コントローラ、マイクロコントローラ、マイクロプロセッサ、電子デバイス、他の電子ユニット、またはそれらの組合せ内で実装されてもよい。
【００３３】
ファームウェアおよび/またはソフトウェア実装形態の場合、これらの方法は、本明細書で説明する機能を実行するモジュール(たとえば、プロシージャ、関数など)によって実装されてもよい。本明細書で説明する方法を実施する際に、命令を有形に具現化する任意の機械可読媒体を使用してもよい。たとえば、ソフトウェアコードはメモリに記憶され、プロセッサユニットにより実行されてもよい。メモリは、プロセッサユニット内で実装されてもあるいはプロセッサユニットの外部で実装されてもよい。本明細書では、用語「メモリ」は、長期メモリ、短期メモリ、揮発性メモリ、不揮発性メモリ、または他のメモリのいずれかの種類を指し、メモリのいかなる特定の種類または特定のメモリの数、またはメモリが記憶される媒体の種類に限定されない。
【００３４】
ファームウェアおよび/またはソフトウェアにより実装される場合、機能はコンピュータ可読媒体上に1つまたは複数の命令もしくはコードとして記憶されてもよい。この例には、データ構造によって符号化されたコンピュータ可読媒体およびコンピュータプログラムによって符号化されたコンピュータ可読媒体が含まれる。コンピュータ可読媒体は、物理的なコンピュータ記憶媒体を含む。記憶媒体は、コンピュータによってアクセスされ得る任意の使用可能な媒体であってもよい。限定ではなく、一例として、そのようなコンピュータ可読媒体は、RAM、ROM、EEPROM、CD-ROMもしくは他の光ディスクストレージ、磁気ディスクストレージもしくは他の磁気記憶デバイス、または、所望のプログラムコードを命令もしくはデータ構造の形で記憶するのに使用することができ、かつコンピュータからアクセスすることのできる任意の他の媒体を備えてよく、本明細書で使用する場合、ディスク(diskおよびdisc)には、コンパクトディスク(CD)、レーザディスク、光ディスク、デジタル多用途ディスク(DVD)、フロッピー（登録商標）ディスク、およびブルーレイディスクが含まれ、ディスク(disk)は通常、データを磁気的に再生し、一方、ディスク(disc)はデータをレーザによって光学的に再生する。上記の組合せも、コンピュータ可読媒体の範囲内に含めるべきである。
【００３５】
命令および/またはデータは、コンピュータ可読媒体上に記憶されるだけでなく、通信装置に含まれる伝送媒体上の信号として提供されてもよい。たとえば、通信装置は、命令およびデータを示す信号を有する送受信機を含んでもよい。命令およびデータは、1つまたは複数のプロセッサに、特許請求の範囲において概説する機能を実施させるように構成される。
【００３６】
用語「貫通シリコンビア」はシリコンという言葉を含むが、貫通シリコンビアは、必ずしもシリコンで作成されないことに留意されたい。むしろ、材料は、任意のデバイス基板の材料であってよい。
【００３７】
本開示およびその利点について詳しく説明したが、添付の特許請求の範囲によって規定される本開示の技術から逸脱することなく、本明細書に様々な変更、代用および改変を施せることを理解されたい。さらに、本出願の範囲は、本明細書において説明したプロセス、機械、製造、物質組成、手段、方法、およびステップの特定の実施形態に限定されるものではない。当業者には本開示から容易に理解されるように、本明細書で説明した対応する実施形態と実質的に同じ機能を実行する、または実質的に同じ結果を実現する、既存のまたは後で開発されるプロセス、機械、製造、物質組成、手段、方法、またはステップを本開示に従って利用してもよい。したがって、添付の特許請求の範囲は、そのようなプロセス、機械、製造、物質組成、手段、方法、またはステップを範囲内に含むものである。
【符号の説明】
【００３８】
300  第1層のウェハ
302  バルク半導体層
304  ソース領域
306  ドレイン領域
308  トレンチ絶縁領域
310  誘電体層
312  ゲート構造
314  接触部
316  接触部
320  BEOL層
322  金属層
326  誘電体層
330  誘電体層
332  パッケージング構造
340  キャリアウェハ
342  誘電体層
350  配線工程層
352  金属層
354  誘電体層
356  接触パッド
360  第2層のウェハ
362  バルク半導体層
364  ソース領域
366  ドレイン領域
368  トレンチ絶縁領域
372  ゲート構造
374  延長接触部
376  通常の接触部
380  配線工程層
382  金属層
384  誘電体層
386  誘電体層
388  接触パッド
390  配線工程層
392  金属層
394  誘電体層
396  接触パッド
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
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【図３Ｆ】
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【図３Ｇ】
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【図４】
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【図５】
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