(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像の表示用に用いられる第１の発光素子を発光させるための画像信号と、輝度の計測用に用いられる第２の発光素子を発光させるためのダミー画素信号とにより構成される第１の合成信号を生成する信号合成部と、
生成された前記第１の合成信号を、前記第１の発光素子及び前記第２の発光素子のうち、前記第１の発光素子のみを前記第１の発光素子の劣化の程度に拘らず、同一の輝度で発光させるための第２の合成信号に変換する変換部と、
前記第２の合成信号に基づいて、前記第１の発光素子、及び前記第２の発光素子を発光させる発光制御部と
を含み、
前記第２の発光素子は、複数設けられており、それぞれ異なる電流が通電されて、異なる輝度で発光し、
前記変換部は、前記第２の発光素子の各々の輝度を計測する複数の計測部による輝度の計測結果に基づいて、前記第１の合成信号を前記第２の合成信号に変換する
信号処理装置。
【請求項２】
前記変換部は、前記第１の合成信号に含まれる前記画像信号を、前記第１の発光素子の劣化の程度に拘らず、前記第１の発光素子を同一の輝度で発光させるための画像信号に補正することにより、前記第１の合成信号を、補正後の前記画像信号を含む前記第２の合成信号に変換する
請求項１に記載の信号処理装置。
【請求項３】
前記変換部は、さらに、前記第１の合成信号に含まれる前記ダミー画素信号を、前記第１の合成信号に含まれる前記ダミー画素信号と同一のものに補正することにより、前記第１の合成信号を前記第２の合成信号に変換する
請求項２に記載の信号処理装置。
【請求項４】
画像を表示する表示画面を有し、前記第１の発光素子、前記第２の発光素子、及び前記計測部を内蔵する表示部をさらに含み、
前記発光制御部は、
前記第２の合成信号に含まれる前記画像信号に基づいて、前記第１の発光素子を発光させることにより前記表示画面に画像を表示させ、
前記第２の合成信号に含まれる前記ダミー画素信号に基づいて、前記第２の発光素子を発光させることにより前記計測部に輝度の計測を行わせる
請求項１に記載の信号処理装置。
【請求項５】
信号を処理する信号処理装置の信号処理方法において、
前記信号処理装置による、
画像の表示用に用いられる第１の発光素子を発光させるための画像信号と、輝度の計測用に用いられる第２の発光素子を発光させるためのダミー画素信号とにより構成される第１の合成信号を生成する信号合成ステップと、
生成された前記第１の合成信号を、前記第１の発光素子及び前記第２の発光素子のうち、前記第１の発光素子のみを前記第１の発光素子の劣化の程度に拘らず、同一の輝度で発光させるための第２の合成信号に変換する変換ステップと、
前記第２の合成信号に基づいて、前記第１の発光素子、及び前記第２の発光素子を発光させる発光制御ステップと
を含み、
前記第２の発光素子は、複数設けられており、それぞれ異なる電流が通電されて、異なる輝度で発光し、
前記変換ステップは、前記第２の発光素子の各々の輝度を計測する複数の計測部による輝度の計測結果に基づいて、前記第１の合成信号を前記第２の合成信号に変換するステップを含む
信号処理方法。
【請求項６】
コンピュータを、
画像の表示用に用いられる第１の発光素子を発光させるための画像信号と、輝度の計測用に用いられる第２の発光素子を発光させるためのダミー画素信号とにより構成される第１の合成信号を生成する信号合成部と、
生成された前記第１の合成信号を、前記第１の発光素子及び前記第２の発光素子のうち、前記第１の発光素子のみを前記第１の発光素子の劣化の程度に拘らず、同一の輝度で発光させるための第２の合成信号に変換する変換部と、
前記第２の合成信号に基づいて、前記第１の発光素子、及び前記第２の発光素子を発光させる発光制御部と
して機能させ、
前記第２の発光素子は、複数設けられており、それぞれ異なる電流が通電されて、異なる輝度で発光し、
前記変換部は、前記第２の発光素子の各々の輝度を計測する複数の計測部による輝度の計測結果に基づいて、前記第１の合成信号を前記第２の合成信号に変換する
プログラム。
【請求項７】
信号を処理する信号処理装置を内蔵する電子機器において、
前記信号処理装置は、
画像の表示用に用いられる第１の発光素子を発光させるための画像信号と、輝度の計測用に用いられる第２の発光素子を発光させるためのダミー画素信号とにより構成される第１の合成信号を生成する信号合成部と、
生成された前記第１の合成信号を、前記第１の発光素子及び前記第２の発光素子のうち、前記第１の発光素子のみを前記第１の発光素子の劣化の程度に拘らず、同一の輝度で発光させるための第２の合成信号に変換する変換部と、
前記第２の合成信号に基づいて、前記第１の発光素子、及び前記第２の発光素子を発光させる発光制御部と
を有し、
前記第２の発光素子は、複数設けられており、それぞれ異なる電流が通電されて、異なる輝度で発光し、
前記変換部は、前記第２の発光素子の各々の輝度を計測する複数の計測部による輝度の計測結果に基づいて、前記第１の合成信号を前記第２の合成信号に変換する
電子機器。
【請求項８】
画像の表示用に用いられる第１の発光素子を発光させるための画像信号と、輝度の計測用に用いられる第２の発光素子を発光させるためのダミー画素信号とにより構成される第１の合成信号を生成する信号合成部と、
生成された前記第１の合成信号を、前記第１の発光素子及び前記第２の発光素子のうち、前記第１の発光素子のみに流れる電流量を前記第１の発光素子の発光時間に応じて増加させる第２の合成信号に変換する変換部と、
前記第２の合成信号に基づいて、前記第１の発光素子、及び前記第２の発光素子を発光させる発光制御部と
を含み、
前記第２の発光素子は、複数設けられており、それぞれ異なる電流が通電されて、異なる輝度で発光し、
前記変換部は、前記第２の発光素子の各々の輝度を計測する複数の計測部による輝度の計測結果に基づいて、前記第１の合成信号を前記第２の合成信号に変換する
信号処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、信号処理装置、信号処理方法、プログラム、及び電子機器に関し、特に、表示画面に生じる焼付きを防止できるようにした信号処理装置、信号処理方法、プログラム、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光素子として有機EL(electro luminescent)素子を用いた平面自発光型のパネル（ELパネル）の開発が近年盛んになっている。有機EL素子は、ダイオード特性を有し、有機薄膜に電界をかけると発光する現象を利用した発光素子である。有機EL素子は、印加電圧が１０Ｖ以下で駆動するため低消費電力であり、自ら光を発する自発光素子であるため、照明部材を必要とせず軽量化及び薄型化が容易であるという特長を有する。また、有機EL素子の応答速度は数μｓ程度と非常に高速であるので、ELパネルでは動画表示時の残像が発生しないという利点がある。【０００３】
有機ELデバイスを画素に用いた平面自発光型のパネルの中でも、とりわけ駆動素子として薄膜トランジスタを各画素に集積形成したアクティブマトリクス型のパネルの開発が盛んである。アクティブマトリクス型のパネルは、例えば以下の特許文献１乃至５に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−２５５８５６号公報
【特許文献２】特開２００３−２７１０９５号公報
【特許文献３】特開２００４−１３３２４０号公報
【特許文献４】特開２００４−０２９７９１号公報
【特許文献５】特開２００４−０９３６８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、有機EL素子には、例えば、発光量及び発光時間に比例して輝度効率が低下する特性がある。有機EL素子の発光輝度は電流値と輝度効率の積で表されるため、輝度効率の低下は発光輝度の低下となる。表示画面に表示される表示画像として、各画素で一様な表示を行う表示画像は稀であり、画素ごとに発光量が異なるのが一般的である。【０００６】
したがって、過去の発光量及び発光時間の違いにより、同一の駆動条件下であっても各画素で発光輝度の低下の度合いが異なり、輝度低下のばらつきが視覚的に認識される現象が発生する。この輝度低下のばらつきが視覚的に認識される現象を焼付き現象という。【０００７】
そこで、従来のELパネルでは、有機EL素子を輝度低下前の発光輝度で発光させるようにして、焼付き現象を防止する焼付補正処理を行うものがある。【０００８】
すなわち、例えば、ELパネルは、表示画像の表示用に発光する有機EL素子（以下、表示用の有機EL素子という）と、輝度低下の計測用に発光する有機EL素子（以下、計測用の有機EL素子という）を内蔵している。【０００９】
ELパネルは、計測用の有機EL素子の輝度を計測して得られる計測結果に基づいて、有機EL素子の発光輝度の低下の程度を表す輝度劣化特性を推定する。【００１０】
そして、ELパネルは、推定した輝度劣化特性に基づいて、表示用の有機EL素子、及び計測用の有機EL素子を、低下前の発光輝度で発光させるための焼付補正処理を行う。【００１１】
これにより、表示用の有機EL素子、及び計測用の有機EL素子は、いずれも、低下前の発光輝度で発光することとなる。【００１２】
ところで、従来のELパネルでは、計測用の有機EL素子は、低下前の発光輝度で発光するため、そのような計測用のEL素子から得られる計測結果から、輝度劣化特性を正確に推定することができないことがある。この場合、焼付補正処理において、焼付き現象を防止できないことが生じ得る。【００１３】
本開示は、このような状況に鑑みてなされたものであり、表示画面に生じる焼付きを防止できるようにするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本開示の第１の側面の信号処理装置は、画像の表示用に用いられる第１の発光素子を発光させるための画像信号と、輝度の計測用に用いられる第２の発光素子を発光させるためのダミー画素信号とにより構成される第１の合成信号を生成する信号合成部と、生成された前記第1の合成信号を、前記第1の発光素子及び前記第２の発光素子のうち、前記第１の発光素子のみを前記第１の発光素子の劣化の程度に拘らず、同一の輝度で発光させるための第２の合成信号に変換する変換部と、前記第２の合成信号に基づいて、前記第１の発光素子、及び前記第２の発光素子を発光させる発光制御部とを含む信号処理装置である。【００１５】
前記変換部では、前記第２の発光素子の輝度を計測する計測部による輝度の計測結果に基づいて、前記第１の合成信号を前記第２の合成信号に変換することができる。【００１６】
前記変換部では、前記第1の合成信号に含まれる前記画像信号を、前記第１の発光素子の劣化の程度に拘らず、前記第1の発光素子を同一の輝度で発光させるための画像信号に補正することにより、前記第1の合成信号を、補正後の前記画像信号を含む前記第２の合成信号に変換することができる。【００１７】
前記変換部では、さらに、前記第1の合成信号に含まれる前記ダミー画素信号を、前記第1の合成信号に含まれる前記ダミー画素信号と同一のものに補正することにより、前記第1の合成信号を前記第２の合成信号に変換することができる。【００１８】
画像を表示する表示画面を有し、前記第１の発光素子、前記第２の発光素子、及び前記計測部を内蔵する表示部をさらに設けることができ、前記発光制御部では、前記第２の合成信号に含まれる前記画像信号に基づいて、前記第１の発光素子を発光させることにより前記表示画面に画像を表示させ、前記第２の合成信号に含まれる前記ダミー画素信号に基づいて、前記第２の発光素子を発光させることにより前記計測部に輝度の計測を行わせることができる。【００１９】
本開示の第１の側面の信号処理方法は、信号を処理する信号処理装置の信号処理方法であって、前記信号処理装置による、画像の表示用に用いられる第１の発光素子を発光させるための画像信号と、輝度の計測用に用いられる第２の発光素子を発光させるためのダミー画素信号とにより構成される第1の合成信号を生成する信号合成ステップと、生成された前記第1の合成信号を、前記第1の発光素子及び前記第２の発光素子のうち、前記第１の発光素子のみを前記第１の発光素子の劣化の程度に拘らず、同一の輝度で発光させるための第２の合成信号に変換する変換ステップと、前記第２の合成信号に基づいて、前記第１の発光素子、及び前記第２の発光素子を発光させる発光制御ステップとを含む信号処理方法である。【００２０】
本開示の第１の側面のプログラムは、コンピュータを、画像の表示用に用いられる第１の発光素子を発光させるための画像信号と、輝度の計測用に用いられる第２の発光素子を発光させるためのダミー画素信号とにより構成される第1の合成信号を生成する信号合成部と、生成された前記第1の合成信号を、前記第1の発光素子及び前記第２の発光素子のうち、前記第１の発光素子のみを前記第１の発光素子の劣化の程度に拘らず、同一の輝度で発光させるための第２の合成信号に変換する変換部と、前記第２の合成信号に基づいて、前記第１の発光素子、及び前記第２の発光素子を発光させる発光制御部として機能させるためのプログラムである。【００２１】
本開示の第１の側面の電子機器は、信号を処理する信号処理装置を内蔵する電子機器であって、前記信号処理装置は、画像の表示用に用いられる第１の発光素子を発光させるための画像信号と、輝度の計測用に用いられる第２の発光素子を発光させるためのダミー画素信号とにより構成される第1の合成信号を生成する信号合成部と、生成された前記第1の合成信号を、前記第1の発光素子及び前記第２の発光素子のうち、前記第１の発光素子のみを前記第１の発光素子の劣化の程度に拘らず、同一の輝度で発光させるための第２の合成信号に変換する変換部と、前記第２の合成信号に基づいて、前記第１の発光素子、及び前記第２の発光素子を発光させる発光制御部とを有する電子機器である。【００２２】
本開示の第１の側面によれば、画像の表示用に用いられる第１の発光素子を発光させるための画像信号と、輝度の計測用に用いられる第２の発光素子を発光させるためのダミー画素信号とにより構成される第1の合成信号が生成され、生成された前記第1の合成信号が、前記第1の発光素子及び前記第２の発光素子のうち、前記第１の発光素子のみを前記第１の発光素子の劣化の程度に拘らず、同一の輝度で発光させるための第２の合成信号に変換され、前記第２の合成信号に基づいて、前記第１の発光素子、及び前記第２の発光素子が発光される。【００２３】
本開示の第２の側面の信号処理装置は、画像の表示用に用いられる第１の発光素子を発光させるための画像信号と、輝度の計測用に用いられる第２の発光素子を発光させるためのダミー画素信号とにより構成される第１の合成信号を生成する信号合成部と、生成された前記第1の合成信号を、前記第1の発光素子及び前記第２の発光素子のうち、前記第１の発光素子のみに流れる電流量を、前記第１の発光素子の発光時間に応じて増加させる第２の合成信号に変換する変換部と、前記第２の合成信号に基づいて、前記第１の発光素子、及び前記第２の発光素子を発光させる発光制御部とを含む信号処理装置である。【００２４】
本開示の第２の側面によれば、画像の表示用に用いられる第１の発光素子を発光させるための画像信号と、輝度の計測用に用いられる第２の発光素子を発光させるためのダミー画素信号とにより構成される第１の合成信号が生成され、生成された前記第1の合成信号が、前記第1の発光素子及び前記第２の発光素子のうち、前記第１の発光素子のみに流れる電流量を前記第１の発光素子の発光時間に応じて増加させる第２の合成信号に変換され、前記第２の合成信号に基づいて、前記第１の発光素子、及び前記第２の発光素子が発光される。
【発明の効果】
【００２５】
本開示によれば、表示画面に生じる焼付きを防止することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】第１の実施の形態である表示装置の構成例を示すブロック図である。
【図２】図１の信号合成部が行う合成処理の一例を示す図である。
【図３】合成処理により得られる合成画像の一例を示す図である。
【図４】表示画面に生じる焼付きについて説明するための第１の図である。
【図５】表示画面に生じる焼付きについて説明するための第２の図である。
【図６】図１の焼付補正部の詳細な構成例を示すブロック図である。
【図７】図６の傾き補正部の詳細な構成例を示すブロック図である。
【図８】輝度劣化曲線の一例を示す図である。
【図９】注目素子の最新の傾きを算出するときの一例を示す図である。
【図１０】輝度劣化曲線を推定するときの一例を示す図である。
【図１１】図６の階調補正部の詳細な構成例を示すブロック図である。
【図１２】オフセット量を算出するときの一例を示す図である。
【図１３】図１の表示部の正面図である。
【図１４】図１の表示部の詳細な構成例を示すブロック図である。
【図１５】図１４の画素回路が発光する色の配列の一例を示すブロック図である。
【図１６】図１４の画素回路の詳細な構成例を示す図である。
【図１７】図１４の画素回路の動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図１８】図１の表示装置が行う表示処理を説明するためのフローチャートである。
【図１９】図１８のステップＳ５における傾き補正処理の詳細を説明するためのフローチャートである。
【図２０】図１８のステップＳ６における階調補正処理の詳細を説明するためのフローチャートである。
【図２１】図１８のステップＳ１１における劣化曲線推定処理の詳細を説明するためのフローチャートである。
【図２２】第２の実施の形態である表示装置の構成例を示すブロック図である。
【図２３】図２２の焼付補正部の詳細な構成例を示すブロック図である。
【図２４】図２３の傾き補正部の詳細な構成例を示すブロック図である。
【図２５】図２４の補正量生成部が行う処理を説明するための図である。
【図２６】図２３の階調補正部の詳細な構成例を示すブロック図である。
【図２７】図２２の表示装置が行う表示処理を説明するためのフローチャートである。
【図２８】図２７のステップＳ９４における傾き補正処理の詳細を説明するためのフローチャートである。
【図２９】図２７のステップＳ９６における階調補正処理の詳細を説明するためのフローチャートである。
【図３０】第３の実施の形態である表示装置の構成例を示すブロック図である。
【図３１】図３０の焼付補正部の詳細な構成例を示すブロック図である。
【図３２】オフセット量を算出するときの一例を示す他の図である。
【図３３】図３０の表示装置が行う表示処理を説明するためのフローチャートである。
【図３４】第４の実施の形態である表示装置の構成例を示すブロック図である。
【図３５】図３４の焼付補正部の詳細な構成例を示すブロック図である。
【図３６】温度センサからの温度も用いる理由について説明するための図である。
【図３７】図３５の傾き補正部の詳細な構成例を示すブロック図である。
【図３８】輝度劣化曲線の一例を示す他の図である。
【図３９】図３７の劣化曲線推定部が、輝度劣化曲線を推定する推定方法の一例を説明するための第１の図である。
【図４０】図３７の劣化曲線推定部が、輝度劣化曲線を推定する推定方法の一例を説明するための第２の図である。
【図４１】図３４の表示装置が行う表示処理を説明するためのフローチャートである。
【図４２】図４１のステップＳ１９６における傾き補正処理を説明するためのフローチャートである。
【図４３】図４１のステップＳ２０２における劣化曲線推定処理を説明するためのフローチャートである。
【図４４】第５の実施の形態である表示装置の構成例を示すブロック図である。
【図４５】図４４の信号合成部が行う合成処理の一例を示す図である。
【図４６】合成処理により得られる合成画像の一例を示す図である。
【図４７】有機EL素子を発光させる様子の一例を示す図である。
【図４８】有機EL素子を発光させる様子の一例を示す他の図である。
【図４９】３個のデータドライバが設けられている場合の一例を示す図である。
【図５０】４個のデータドライバが設けられている場合の一例を示す図である。
【図５１】図４４の表示部の正面図である。
【図５２】図４４の表示装置が行う表示処理を説明するためのフローチャートである。
【図５３】テレビジョン受像機の一例を示す図である。
【図５４】コンピュータの構成例を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本開示における実施の形態（以下、実施の形態という）について説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（画像信号に対してのみ、焼付補正処理を行うときの一例）
２．第２の実施の形態（傾き補正処理後の画像信号を用いて、補正量及びオフセット量を算出するときの一例）
３．第３の実施の形態（ガンマ特性を有する画像信号に対して、階調補正処理を行うときの一例）
４．第４の実施の形態（有機EL素子の温度の変化にも基づいて、輝度劣化曲線を推定するときの一例）
５．第５の実施の形態（表示画像の上側又は下側に、ダミー画像を合成するときの一例）
６．変形例
【００２８】
＜１．第１の実施の形態＞
[表示装置１の構成例]
図１は、第１の実施の形態である表示装置１の構成例を示している。
【００２９】
この表示装置１は、ダミー画素信号生成部２１、信号合成部２２、焼付補正部２３、データドライバ２４、表示部２５、及び制御部２６から構成される。
【００３０】
ここで、表示部２５は、例えば、発光素子として有機EL(electro luminescent)素子を用いたアクティブマトリクス型のディスプレイである。表示部２５は、外部（例えば、アンテナなど）からの画像信号に対応する表示画像を表示させるための表示画面２５aを有している。
【００３１】
また、表示部２５は、表示画面２５aに表示画像を表示させるために発光する有機EL素子（以下、表示用の有機EL素子という）を内蔵している。表示用の有機EL素子は、図１５を参照して後述するが、表示画像の副画素（サブピクセル）として発光する。
【００３２】
さらに、表示部２５は、輝度センサ２５bにより輝度を計測させるために発光する有機EL素子（以下、計測用の有機EL素子という）、及び計測用の有機EL素子の輝度を計測する輝度センサ２５bを内蔵している。なお、計測用の有機EL素子から発光される光は、表示部２５の外部に漏れないようになっている。
【００３３】
ダミー画素信号生成部２１は、表示部２５に内蔵された計測用の有機EL素子を発光させるためのダミー画素信号を生成し、信号合成部２２に供給する。
【００３４】
信号合成部２２には、外部から、表示用の有機EL素子を発光させるための画像信号が供給される。
【００３５】
信号合成部２２は、外部からの画像信号と、ダミー画素信号生成部２１からのダミー画素信号を合成し、その結果得られる合成信号を、焼付補正部２３に供給する。
【００３６】
次に、図２は、信号合成部２２が、画像信号とダミー画素信号とを合成する合成処理の一例を示している。
【００３７】
図２左側には、画像信号に応じて、表示部２５に含まれる表示用の有機EL素子が発光することにより、表示画面２５aに表示される表示画像４１の一例を示している。
【００３８】
また、図２右側には、ダミー画素信号に応じて、表示部２５に含まれる計測用の有機EL素子が発光することにより得られるダミー画像４２の一例を示している。なお、ダミー画像４２は、表示画面２５aには表示されず、輝度センサ２５bによる輝度の計測にのみ用いられる。
【００３９】
信号合成部２２は、例えば、図２に示されるように、表示画像４１の右側に、ダミー画像４２が配置されるように、画像信号とダミー画素信号を合成する。
【００４０】
これにより、信号合成部２２は、画像信号とダミー画素信号を合成することにより、図３に示されるような合成画像４３を表す合成信号を生成し、焼付補正部２３に供給する。
【００４１】
なお、信号合成部２２は、表示画像４１の左側に、ダミー画像４２が配置されるように、画像信号とダミー画素信号を合成するようにしてもよい。この場合、表示部２５において、輝度センサ２５bは、表示画面２５aの左側に設けられる。
【００４２】
焼付補正部２３は、信号合成部２２からの合成信号に含まれる画像信号（表示画像４１）を補正することにより、表示部２５の表示画面２５aに生じる焼付きを防止する焼付補正処理を行う。なお、表示画面２５aに生じる焼付きについては、図４及び図５を参照して詳述する。
【００４３】
すなわち、例えば、焼付補正部２３は、輝度センサ２５bからの計測結果に基づいて、画像信号に対して焼付補正処理を施し、焼付補正処理後の画像信号を含む合成信号を、データドライバ２４に供給する。なお、焼付補正部２３の詳細は、図６を参照して詳述する。
【００４４】
データドライバ２４は、焼付補正部２３からの合成信号をAD(analog/digital)変換し、AD変換後の合成信号を、表示部２５に供給する。
【００４５】
表示部２５は、データドライバ２４からの合成信号に含まれる画像信号に基づいて、表示用の有機EL素子を発光させる。これにより、表示画面２５aには、画像信号としての表示画像４１が表示される。
【００４６】
また、表示部２５は、データドライバ２４からの合成信号に含まれるダミー画素信号に基づいて、計測用の有機EL素子を発光させる。
【００４７】
輝度センサ２５bは、計測用の有機EL素子の傍に設けられており、計測用の有機EL素子の輝度を計測し、その計測結果を、焼付補正部２３に供給する。
【００４８】
なお、表示部２５の詳細は、図１３乃至図１７を参照して詳述する。
【００４９】
制御部２６は、ダミー画素信号生成部２１、信号合成部２２、焼付補正部２３、データドライバ２４、表示部２５、及び輝度センサ２５bを制御する。
【００５０】
ところで、表示用の有機EL素子は、データドライバ２４から表示部２５に入力される画像信号に応じた輝度Lで発光する。
【００５１】
すなわち、例えば、表示用の有機EL素子は、画像信号が表す信号電位Vsigに応じた電流Iが流れることにより、輝度Lで発光する。
【００５２】
ここで、輝度Lは、有機EL素子に流れる電流Iと、電流Iを輝度Lに変換する変換効率(輝度効率)を表す傾きαを用いて、次式（１）により表される。
L=α×I              ・・・（１）
【００５３】
なお、傾きαは、有機EL素子に応じて予め決まっており、有機EL素子は、傾きαが大きい程に、電流Iを効率的に輝度Lに変換することができる。
【００５４】
また、輝度Lは、画像信号が表す信号電位Vsigを用いて、次式（２）により表すようにすることができる。
L=α×β1×Vsig2           ・・・（２）
【００５５】
なお、α×β1は、信号電位Vsig2を輝度Lに変換する際の変換効率を表す。
【００５６】
さらに、輝度Lは、電流Iに対応する階調kと傾きαを用いて、次式（３）により表すことができる。
L=α×β2×k2.2          ・・・（３）
【００５７】
なお、α×β2は、k2.2を輝度Lに変換する際の変換効率を表す。
【００５８】
ところで、計測用の有機EL素子は、表示用の有機EL素子と同様に構成されており、計測用の有機EL素子は、データドライバ２４から表示部２５に入力されるダミー画素信号に応じた輝度で発光する。
【００５９】
計測用の有機EL素子の輝度は、ダミー画素信号が表す信号電位をVsigと置けば、表示用の有機ELの輝度Lと同様に、上述した式（１）乃至（３）により表すことができる。このため、表示用の有機EL素子の輝度Lのみを説明し、計測用の有機EL素子の輝度の説明を省略するようにしている。
【００６０】
表示用の有機EL素子においては、電流Iが同一であるにも拘らず、時間の経過に応じた有機EL素子の劣化により、輝度Lが低下してしまう。低下後の輝度L'は、式（１）に対応する次式（４）により表すことができる。
L'=α'×I        ・・・（４）
【００６１】
すなわち、例えば、表示用の有機EL素子に流す電流の大きさや、電流が流れた時間の長さに応じて、表示用の有機EL素子が劣化する。そして、表示用の有機EL素子の劣化に応じて、式（４）に示されるように、傾きαが傾きα'(<α)に低下する変換効率（傾き）の劣化が生じ得る。
【００６２】
表示用の有機EL素子は、有機EL素子に流す電流の大きさ、及び電流が流れた時間に比例して劣化する。そして、傾きαは、表示用の有機EL素子の劣化が大きい程に、より小さな傾きα'に低下する。
【００６３】
なお、変換効率の劣化は、式（２）に対応する次式（５）に示されるように、信号電位Vsigについての式で表すことができる。
L'=α'×β1×Vsig2 ・・・（５）
【００６４】
また、変換効率の劣化は、式（３）に対応する次式（６）に示されるように、階調kについての式で表すことができる。
L'=α'×β2×ｋ2.2・・・（６）
【００６５】
さらに、例えば、表示用の有機EL素子においては、表示用の有機EL素子の劣化に応じて、表示用の有機EL素子に流れる電流Iが電流I=(I-ΔI)に低下する電流の劣化が生じ得る。
【００６６】
電流劣化量ΔIは、表示用の有機EL素子に流す電流の大きさ、及び電流が流れた時間に比例して大きくなる。
【００６７】
なお、電流の劣化は、画像信号の信号電位Vsigが、信号電位Vsig=(Vsig-ΔVsig)に低下することと等価である。また、電流の劣化は、階調kが、階調k=(k-Δk)に低下することと等価と言える。
【００６８】
表示用の有機EL素子では、上述のように、傾きαが低下する変換効率の劣化と、電流Iが低下する電流の劣化に起因して、輝度Lが輝度L'に低下してしまう。これにより、表示画面２５aには、直前に表示されていた画像が残っているように見える、いわゆる焼付きという現象が生じてしまう。
【００６９】
[焼付きについて]
次に、図４及び図５を参照して、表示画面２５aに生じる焼付きについて説明する。
【００７０】
図４は、表示画面２５aの一例を示している。図４の表示画面２５aには、黒色の画像を表す黒色画像６１aが表示され、黒色画像６１aを背景とした白色の文字「BS」（図中、黒丸で囲まれた文字）を表す白色画像６１bが表示されている。
【００７１】
例えば、表示画面２５aにおいて、表示用の有機EL素子のうち、黒色画像６１aを表示させるために発光する第１の有機EL素子には、電流I1が流れて輝度L1（例えば、輝度値0）で発光する。
【００７２】
これにより、電流I1の通電により発光した、通電後の第１の有機EL素子には、電流I1の通電に起因して、効率の劣化と電流の劣化が生じる。したがって、効率の劣化と電流の劣化が生じた第１の有機EL素子の輝度L1'は、次式（４'）により表される。
L1'=α1'×(I-ΔI1)      ・・・（４'）
【００７３】
また、例えば、表示画面２５aにおいて、表示用の有機EL素子のうち、白色画像６１bを表示させるために発光する第２の有機EL素子には、電流I2(>I1)が流れて輝度L2(>L1)（例えば、輝度値255）で発光する。
【００７４】
これにより、電流I2の通電により発光した、通電後の第２の有機EL素子には、電流I2の通電に起因して、効率の劣化と電流の劣化が生じる。したがって、効率の劣化と電流の劣化が生じた第２の有機EL素子の輝度L2'は、次式（４''）により表される。
L2'=α2'×(I-ΔI2)      ・・・（４''）
【００７５】
なお、第１の有機EL素子には、式（４'）に示されるように、第２の有機EL素子に流れる電流I=I2よりも小さな電流I=I1が流れている。
【００７６】
したがって、第１の有機EL素子に生じる効率の劣化及び電流の劣化は、第２の有機EL素子に生じる効率の劣化及び電流の劣化と比較して小さいものとなっている。
【００７７】
このため、式（４'）の傾きα1'は、式（４''）の傾きα2'よりも大きく、式（４'）の電流劣化量ΔI1は、式（４''）の電流劣化量ΔI2よりも小さいものとなっている。
【００７８】
よって、第１の有機EL素子と、第２の有機EL素子とに、それぞれ、同一の電流Iを流すようにした場合、第１の有機EL素子の輝度L1'は、第２の有機EL素子の輝度L2'よりも大きなものとなる。
【００７９】
次に、図５は、表示画面２５aに、黒色画像６１a及び白色画像６１bを表示した直後に、灰色の画像を表す灰色画像６２aを表示したときの一例を示している。
【００８０】
図５のAには、灰色画像６２aが示されている。この灰色画像６２aは、複数の画素により構成されており、灰色画像６２aを構成する各画素の輝度が、灰色に対応する同一の輝度とされている。
【００８１】
図５のBには、黒色画像６１a及び白色画像６１bを表示した直後に、灰色画像６２aを表示させたときの表示画面２５aが示されている。
【００８２】
灰色画像６２aを表示画面２５aに表示させるために、第１の有機EL素子及び第２の有機EL素子により構成される表示用の有機EL素子には、灰色画像６２aの輝度（灰色に対応する同一の輝度）に対応する同一の電流Iが流れる。
【００８３】
このため、上述のように、第１の有機EL素子の輝度L1'は、第２の有機EL素子の輝度L2'よりも大きなものとなる。
【００８４】
したがって、灰色画像６２aを表示画面２５aに表示させるために、第１の有機EL素子は輝度L1'で発光し、第２の有機EL素子は輝度L1'よりも低い輝度L2'で発光する。
【００８５】
また、第２の有機EL素子は、図４に示したように、白色の文字「BS」を表す白色画像６１bを表示させるために発光していた発光素子である。
【００８６】
したがって、図５のBに示されるように、表示画面２５aにおける図中右上の部分に、直前に表示されていた文字「BS」が残っているかのように見える焼付きの現象が発生する。
【００８７】
すなわち、第１の有機EL素子の輝度L1'と、第２の有機EL素子の輝度L2'の輝度差に起因して、表示画面２５a上の、第２の有機EL素子が発光している右上の部分に、直前に表示されていた文字「BS」が残っているかのように見えてしまう。
【００８８】
[焼付補正部２３の詳細]
次に、図６は、図１の焼付補正部２３の詳細な構成例を示している。
【００８９】
この焼付補正部２３は、傾き補正部７１、階調補正部７２、検出部７３、及び保持部７４から構成される。
【００９０】
傾き補正部７１には、信号合成部２２からの合成信号Cn(n=1,2,…)が供給される。ここで、合成信号Cnは、n番目に供給された合成信号（合成画像）を表す。
【００９１】
傾き補正部７１は、信号合成部２２からの合成信号Cnに含まれる画像信号Snの直前に入力された画像信号Sn-1の信号電位(Vsig)n-1を、保持部７４から読み出す。
【００９２】
なお、後述するが、保持部７４には、信号合成部２２から傾き補正部７１に供給された合成信号Cn-1に含まれる画像信号Sn-1の信号電位(Vsig)n-1が保持されている。
【００９３】
傾き補正部７１は、保持部７４から読み出した信号電位(Vsig)n-1と、輝度センサ２５bからの輝度の計測結果に基づいて、効率の劣化により低下した傾きα'を元の傾きαに補正するための補正量±√(α/α')を算出する。
【００９４】
そして、傾き補正部７１は、信号合成部２２からの合成信号Cnに含まれる画像信号Snの信号電位(Vsig)nに、算出した補正量±√(α/α')を乗算する。傾き補正部７１は、その乗算の結果得られる乗算結果としての信号電位(Vsig')n={±√(α/α')×(Vsig)n}とされた画像信号Snを含む合成信号Cnを、階調補正部７２に供給する。
【００９５】
階調補正部７２は、保持部７４から、画像信号Snの信号電位(Vsig)nを読み出す。
【００９６】
また、階調補正部７２は、保持部７４から読み出した信号電位(Vsig)nと、輝度センサ２５bからの輝度の計測結果に基づいて、電流の劣化により低下した階調(k-Δk)を元の階調kに補正するためのオフセット量Δkに対応する(ΔVsig)nを算出する。
【００９７】
そして、階調補正部７２は、傾き補正部７１からの合成信号Cnに含まれる画像信号Snの信号電位(Vsig')n={±√(α/α')×(Vsig)n}の(Vsig)nに、オフセット量Δkに対応する(ΔVsig)nを加算する。
【００９８】
階調補正部７２は、その加算の結果得られる加算結果としての信号電位(Vsig'')n=[±√(α/α')×{(Vsig)n+(ΔVsig)n}]とされた画像信号Snを含む合成信号Cnを、データドライバ２４に供給する。
【００９９】
なお、効率の劣化や電流の劣化が進むほどに、階調補正部７２からデータドライバ２４に出力される信号電位(Vsig'')nの絶対値は大きなものとなる。
【０１００】
また、上述した式（４）及び式（５）から、I=β1×Vsig2が導出され、表示用の有機EL素子に流れる電流I（電流量）は、信号電位(Vsig'')nの大きさ（絶対値）に応じて増加する。
【０１０１】
したがって、表示用の有機EL素子に流れる電流Iは、効率の劣化や電流の劣化が進むほどに増加するものとなる。
【０１０２】
ここで、信号電位(Vsig'')n=電位[±√(α/α')×{(Vsig)n+(ΔVsig)n}]において、電流の劣化による電流劣化量(ΔVsig)nを考慮すれば、表示用の有機EL素子を内蔵する画素回路１８４（図１４）に印加される信号電位(Vsig''')nは、[±√(α/α')×{(Vsig)n+(ΔVsig)n-(ΔVsig)n}]=[±√(α/α')×(Vsig)n]となる。
【０１０３】
そして、その信号電位(Vsig''')n=[±√(α/α')×(Vsig)n]を、式（５）の信号電位Vsigに代入すれば、L'=α'×β1×[±√(α/α')×{(Vsig)n}]2=α'×β1×(α/α')×{(Vsig)n}2=α×β1×{(Vsig)n}2となる。また、式（５）及び式（６）より、L'=α×β1×{(Vsig)n}2=α×β2×{kn}2となる。
【０１０４】
よって、階調補正部７２からデータドライバ２４に出力される画像信号Snは、確かに、傾きα'が元の傾きαに補正され、階調(kn-Δkn)が元の階調knに補正されたものとなる。
【０１０５】
検出部７３は、信号合成部２２からの合成信号Cnに含まれる画像信号Snに基づいて、画像信号Snの信号電位(Vsig)nを検出し、保持部７４に供給して保持させる。
【０１０６】
保持部７４は、検出部７３からの信号電位(Vsig)nを保持する。
【０１０７】
[傾き補正部７１の詳細]
次に、図７は、図６の傾き補正部７１の詳細な構成例を示している。
【０１０８】
この傾き補正部７１は、補正量生成部１０１、補正量乗算部１０２、傾き保持部１０３、劣化曲線保持部１０４、及び劣化曲線推定部１０５から構成される。
【０１０９】
なお、図１の制御部２６は、表示用の有機EL素子に順次注目し、注目している有機EL素子を、注目素子とする。
【０１１０】
補正量生成部１０１は、傾き保持部１０３から、前回の補正量の生成時、つまり、画像信号Sn-1の補正量の生成時に算出した注目素子の傾きα'を読み出す。
【０１１１】
後述するが、傾き保持部１０３には、補正量生成部１０１により算出された注目素子の傾きα'が保持される。
【０１１２】
また、補正量生成部１０１は、保持部７４から、画像信号Sn-1が表す信号電位(Vsig)n-1であって、注目素子を内蔵する画素回路１８４に印加される信号電位(Vsig)n-1（以下、単に、注目素子の信号電位(Vsig)n-1という）を読み出す。
【０１１３】
補正量生成部１０１は、保持部７４から読み出した注目素子の信号電位(Vsig)n-1に基づいて、注目素子に流れていた電流In-1を算出する。
【０１１４】
そして、補正量生成部１０１は、劣化曲線保持部１０４に保持されている複数の輝度劣化曲線のうち、注目素子に流れていた電流In-1に対応付けられた輝度劣化曲線を、劣化曲線保持部１０４から読み出す。
【０１１５】
補正量生成部１０１は、傾き保持部１０３から読み出した傾きα'と、劣化曲線保持部１０４から読み出した輝度劣化曲線に基づいて、注目素子における最新の傾きα'を算出する。
【０１１６】
そして、補正量生成部１０１は、最新の傾きα'を、傾き保持部１０３に供給して、注目素子の傾きα'として、上書きにより保持（記憶）させる。
【０１１７】
また、補正量生成部１０１は、注目素子における最新の傾きα'に基づいて、補正量±√(α/α')を生成（算出）し、補正量乗算部１０２に供給する。なお、補正量生成部１０１が補正量を生成する方法は、図８及び図９を参照して詳述する。
【０１１８】
補正量乗算部１０２は、信号合成部２２からの合成信号Cnに含まれる画像信号Snが表す、表示用の有機EL素子毎の信号電位(Vsig)nのうち、注目素子の信号電位(Vsig)nに対して、補正量生成部１０１からの補正量±√(α/α')を乗算する。
【０１１９】
なお、画像信号Snは、表示用の有機EL素子を内蔵する画素回路にそれぞれ印加させる信号電位(Vsig)nを表す。
【０１２０】
補正量乗算部１０２は、その乗算により得られる、傾きα'を補正後の信号電位{±√(α/α')×(Vsig)n}を、注目素子の信号電位(Vsig')nとして、階調補正部７２に供給する。
【０１２１】
傾き保持部１０３は、補正量生成部１０１から供給される注目素子の傾きα'を保持する。なお、傾き保持部１０３は、予め、表示用の有機EL素子としての注目素子の傾きα（低下前の傾きα）を保持しているものとする。  
【０１２２】
したがって、傾き保持部１０３に保持されている傾きαが、上書きにより更新されるまでは、補正量生成部１０１は、傾き保持部１０３から、注目素子の傾きα'=αを読み出すこととなる。
【０１２３】
劣化曲線保持部１０４は、劣化曲線推定部１０５からの輝度劣化曲線を保持する。
【０１２４】
劣化曲線推定部１０５は、図示せぬメモリを内蔵しており、そのメモリには、傾きが低下する程度を表す輝度劣化曲線を推定する際に基準となる輝度劣化基準曲線が予め保持されている。
【０１２５】
この輝度劣化基準曲線は、複数の表示装置１にそれぞれ内蔵されるような複数の有機EL素子において、平均的な輝度劣化曲線を表す。また、輝度劣化基準曲線は、有機EL素子を用いた実験結果などに基づいて予め作成される。これらのことは、後述する実施の形態でも同様である。
【０１２６】
劣化曲線推定部１０５は、輝度センサ２５bからの輝度の計測結果と、図示せぬメモリに予め保持された輝度劣化基準曲線に基づいて、効率の劣化による、表示用の有機EL素子の輝度の低下を表す輝度劣化曲線を推定する。
【０１２７】
なお、劣化曲線推定部１０５が、表示部２５に内蔵された表示用の有機EL素子の輝度劣化曲線を推定するようにしているのは、表示装置１毎に、表示部２５に内蔵される有機EL素子の輝度劣化曲線にばらつきがあることによる。
【０１２８】
劣化曲線推定部１０５は、その推定の結果得られる輝度劣化曲線を、劣化曲線保持部１０４に供給して保持させる。
【０１２９】
なお、劣化曲線推定部１０５が輝度劣化曲線を推定する方法は、図１０を参照して詳述する。
【０１３０】
[補正量生成部１０１が行う補正量の生成]
次に、図８及び図９を参照して、補正量生成部１０１が、補正量を生成するときの一例を説明する。
【０１３１】
図８は、劣化曲線推定部１０５により推定され、劣化曲線保持部１０４に保持されている輝度劣化曲線の一例を示している。
【０１３２】
なお、図８において、横軸は時間を表し、縦軸は時間の経過に応じて低下する傾きを表す。
【０１３３】
図８において、輝度劣化曲線１２０は、傾きがαであるときに100nitに相当する輝度Lで有機EL素子を発光させるための電流I(L=100nit)を、有機EL素子に流したときの傾きの低下の程度を表す。
【０１３４】
また、輝度劣化曲線１２１は、傾きがαであるときに200nitに相当する輝度Lで有機EL素子を発光させるための電流I(L=200nit)を、有機EL素子に流したときの傾きの低下の程度を表す。
【０１３５】
さらに、輝度劣化曲線１２２は、傾きがαであるときに400nitに相当する輝度Lで有機EL素子を発光させるための電流I(L=400nit)を、有機EL素子に流したときの傾きの低下の程度を表す。
【０１３６】
ここで、単位[nit]とは、１平方メートルの平面である光源（有機EL素子）の光度が、その平面と垂直な方向において1cd（カンデラ）であるときの、その方向における輝度を表す。
【０１３７】
補正量生成部１０１は、保持部７４から読み出した注目素子の信号電位(Vsig)n-1に基づいて、注目素子に流れていた電流In-1を算出する。そして、補正量生成部１０１は、劣化曲線保持部１０４に保持されている複数の輝度劣化曲線のうち（例えば、輝度劣化曲線１２０乃至１２２）、算出した電流In-1に対応する輝度劣化曲線を、劣化曲線保持部１０４から読み出す。
【０１３８】
すなわち、例えば、補正量生成部１０１は、算出した電流In-1が、電流I(L=200nit)である場合、電流I(L=200nit)に対応する輝度劣化曲線１２１を、劣化曲線保持部１０４から読み出す。
【０１３９】
また、補正量生成部１０は、傾き保持部１０３から、注目素子の傾きα'を読み出す。
【０１４０】
そして、補正量生成部１０１は、傾き保持部１０３から読み出した注目素子の傾きα'と、劣化曲線保持部１０４から読み出した輝度劣化曲線１２１に基づいて、注目素子の最新の傾きα'を算出する。
【０１４１】
次に、図９は、補正量生成部１０１が、傾き保持部１０３から読み出した注目素子の傾きα'と、劣化曲線保持部１０４から読み出した輝度劣化曲線１２１に基づいて、注目素子の最新の傾きα'を算出するときの一例を示している。
【０１４２】
例えば、補正量生成部１０１は、傾き保持部１０３から読み出した注目素子の傾きα'=αと、注目素子に電流In-1=I(L=200nit)を流した時間t1に基づいて、劣化曲線保持部１０４から読み出した輝度劣化曲線１２１を用いて、注目素子の最新の傾きα'を算出する。
【０１４３】
すなわち、例えば、補正量生成部１０１は、補正対象の画像信号Snにおける注目素子の傾きα'が点P0に対応するP0(α')=αである場合、輝度劣化曲線１２１上の点P0を、注目素子に電流In-1=I(L=200nit)を流した時間t1の経過後の点P1に移動させる。
【０１４４】
そして、補正量生成部１０１は、輝度劣化曲線１２１上の点P1に対応する傾きP1(α')=α1'を、注目素子の最新の傾きα'=α1'として算出する。この傾きα1'は、注目素子の傾きα'=αである状態から、注目素子に時間t1だけ電流In-1=I(L=200nit)を流したときの傾き、つまり、電流In-1の通電により劣化後の傾きα'=α1'を表す。
【０１４５】
補正量生成部１０１は、注目素子の最新の傾きα'=P1(α')=α1'を、傾き保持部１０３に供給して、上書きにより保持（記憶）させる。
【０１４６】
また、補正量生成部１０１は、注目素子の最新の傾きα'=α1'に基づいて、補正量±√(α/α')を生成（算出）し、補正量乗算部１０２に供給する。
【０１４７】
そして、補正量乗算部１０２は、補正量生成部１０１からの補正量±√(α/α')を、注目素子の信号電位(Vsig)nに乗算することにより、注目素子の傾きα'=α1'を元の傾きαに補正する。
【０１４８】
図１の制御部２６は、表示用の有機EL素子の全てを注目素子とすることにより、傾き補正部７１において、画像信号Snによりそれぞれ表される、表示用の有機EL素子毎の信号電位(Vsig)nを、信号電位(Vsig')nに変換する処理が行われる。
【０１４９】
信号合成部２２から傾き補正部７１に対して、次の画像信号Sn+1が供給されると、図１の制御部２６は、再度、表示用の有機EL素子に順次注目し、注目している有機EL素子を、注目素子とする。
【０１５０】
この場合、補正量生成部１０１は、保持部７４から、注目素子の信号電位(Vsig)nを読み出す。そして、補正量生成部１０１は、保持部７４から読み出した注目素子の信号電位(Vsig)nに基づいて、注目素子に流れていた電流Inを算出する。
【０１５１】
そして、補正量生成部１０１は、劣化曲線保持部１０４に保持されている複数の輝度劣化曲線のうち、算出した電流Inに対応する輝度劣化曲線を、劣化曲線保持部１０４から読み出す。
【０１５２】
すなわち、例えば、補正量生成部１０１は、算出した電流Inが、電流I(L=200nit)である場合、電流I(L=200nit)に対応する輝度劣化曲線１２１を、劣化曲線保持部１０４から読み出す。
【０１５３】
また、補正量生成部１０１は、傾き保持部１０３から、注目素子の傾きα'=α1'を読み出す。
【０１５４】
そして、補正量生成部１０１は、傾き保持部１０３から読み出した注目素子の傾きα'=α1'と、劣化曲線保持部１０４から読み出した輝度劣化曲線１２１に基づいて、注目素子の最新の傾きα'=α2'を算出する。
【０１５５】
すなわち、例えば、補正量生成部１０１は、補正前の傾きα'が点P1に対応するP1(α')=α1'である場合、輝度劣化曲線１２１上の点P1を、注目素子に電流In=I(L=200nit)を流した時間t2の経過後の点P2に移動させる。
【０１５６】
そして、補正量生成部１０１は、輝度劣化曲線１２１上の点P2に対応する傾きP2(α')=α2'を、注目素子の最新の傾きα'=α2'として算出する。この傾きα2'は、注目素子の傾きα'=α1'である状態から、注目素子に時間t2だけ電流In-1=I(L=200nit)を流したときの傾き、つまり、電流In-1の通電により劣化後の傾きα'=α2'を表す。
【０１５７】
補正量生成部１０１は、注目素子の最新の傾きα'=P2(α')=α2'を、傾き保持部１０３に供給して、上書きにより保持（記憶）させる。
【０１５８】
また、補正量生成部１０１は、注目素子の最新の傾きα'=α2'に基づいて、補正量±√(α/α')を生成（算出）し、補正量乗算部１０２に供給する。
【０１５９】
そして、補正量乗算部１０２は、補正量生成部１０１からの補正量±√(α/α')を、注目素子の信号電位(Vsig)n+1に乗算することにより、注目素子の傾きα'=α2'を元の傾きαに補正する。
【０１６０】
図１の制御部２６は、表示用の有機EL素子の全てを注目素子とすることにより、傾き補正部７１において、画像信号Sn+1によりそれぞれ表される信号電位(Vsig)n+1を、信号電位(Vsig')n+1に変換する処理が行われる。
【０１６１】
信号合成部２２から傾き補正部７１に対して、さらに次の画像信号Sn+2が供給されると、図１の制御部２６は、再び、表示用の有機EL素子に順次注目し、注目している有機EL素子を注目素子とする。
【０１６２】
この場合、補正量生成部１０１は、保持部７４から、注目素子の信号電位(Vsig)n+1を読み出す。そして、補正量生成部１０１は、保持部７４から読み出した注目素子の信号電位(Vsig)n+1に基づいて、注目素子に流れていた電流In+1を算出する。
【０１６３】
そして、補正量生成部１０１は、劣化曲線保持部１０４に保持されている複数の輝度劣化曲線のうち、算出した電流In+1に対応する輝度劣化曲線を、劣化曲線保持部１０４から読み出す。
【０１６４】
すなわち、例えば、補正量生成部１０１は、算出した電流In+1が、電流I(L=400nit)である場合、電流I(L=400nit)に対応する輝度劣化曲線１２２を、劣化曲線保持部１０４から読み出す。
【０１６５】
また、補正量生成部１０１は、傾き保持部１０３から、注目素子の傾きα'=α2'を読み出す。
【０１６６】
そして、補正量生成部１０１は、傾き保持部１０３から読み出した注目素子の傾きα'=α2'と、劣化曲線保持部１０４から読み出した輝度劣化曲線１２２に基づいて、注目素子の最新の傾きα'=α3'を算出する。
【０１６７】
すなわち、例えば、補正量生成部１０１は、注目素子の傾きα'が点P2に対応するP2(α')=α2'である場合、傾きα2'に対応する、輝度劣化曲線１２２上の点P1'を、注目素子に電流In+1=I(L=400nit)を流した時間t3の経過後の点P2'に移動させる。
【０１６８】
そして、補正量生成部１０１は、輝度劣化曲線１２２上の点P2'に対応する傾きP2(α')=α3'を、注目素子の最新の傾きα'=α3'として算出する。この傾きα3'は、注目素子の傾きα'=α2'である状態から、注目素子に時間t3だけ電流In+1=I(L=400nit)を流したときの傾き、つまり、電流In+1の通電により劣化後の傾きα'=α3'を表す。
【０１６９】
補正量生成部１０１は、注目素子の最新の傾きα'=P2'(α')=α3'を、傾き保持部１０３に供給して、上書きにより保持（記憶）させる。
【０１７０】
また、補正量生成部１０１は、注目素子の最新の傾きα'=α3'に基づいて、補正量±√(α/α')を生成（算出）し、補正量乗算部１０２に供給する。
【０１７１】
そして、補正量乗算部１０２では、補正量生成部１０１からの補正量±√(α/α')を、注目素子の信号電位(Vsig)n+2に乗算することにより、注目素子の傾きα'=α3'を元の傾きαに補正する。
【０１７２】
なお、傾き補正部７１の補正量乗算部１０２は、補正量生成部１０１からの補正量に基づいて、合成信号Cnに含まれる画像信号Snのみを補正するようにしている。
【０１７３】
しかしながら、その他、例えば、補正量乗算部１０２は、合成信号Cnに含まれるダミー画素信号も、画像信号Snと同様に補正するようにしてもよい。
【０１７４】
但し、この場合、補正量生成部１０１において生成される、ダミー画素信号用の補正量は、傾き補正部７１において実質的に傾きの補正を行わない補正量（例えば値１など）とされる。
【０１７５】
このため、補正量乗算部１０２は、補正量生成部１０１からの、ダミー画素信号用の補正量に基づいて、合成信号Cnに含まれるダミー画素信号を補正し、補正後のダミー画素信号として、補正前と同一のダミー画素信号を、階調補正部７２に供給する。
【０１７６】
[輝度劣化曲線の推定方法について]
次に、図１０は、劣化曲線推定部１０５が、輝度センサ２５bからの輝度の計測結果に基づいて、輝度劣化曲線を推定するときの一例を示している。
【０１７７】
図１０において、横軸は時間を表し、縦軸は傾きを表す。
【０１７８】
最初に、劣化曲線推定部１０５において、電流I(L=200nit)が流される計測用の有機EL素子の輝度の低下を表す輝度劣化曲線１２１を推定する方法を説明する。
【０１７９】
なお、この輝度劣化曲線１２１は、表示用の有機EL素子の輝度の低下を表すものとして、補正量生成部１０１による補正量の生成時に用いられる。これは、計測用の有機EL素子が、表示用の有機EL素子と同様の環境下で製造されたものであり、表示用の有機EL素子と同様の性質を有していることによる。
【０１８０】
劣化曲線推定部１０５には、例えば、輝度センサ２５bから、電流I(L=200nit)が流される計測用の有機EL素子の輝度を計測して得られた輝度L(t,I(L=200nit))が供給される。
【０１８１】
ここで、輝度L(t,I(L=200nit))とは、輝度センサ２５bによる計測の開始から時間tの経過時に計測された輝度を表す。
【０１８２】
劣化曲線推定部１０５は、図示せぬ内蔵するメモリに予め保持している電流の値I(L=200nit)と、輝度センサ２５bからの計測結果L(t,I(L=200nit))に基づいて、式（４）に基づき導出される式α(t,I(L=200nit))'=L(t,I(L=200nit))/I(L=200nit)により、時間tに対する傾きα(t,I(L=200nit))'を算出する。
【０１８３】
また、劣化曲線推定部１０５は、図示せぬ内蔵のメモリに、輝度劣化基準曲線１４１を予め保持している。この輝度劣化基準曲線１４１は、電流I(L=200nit)が流される有機EL素子の輝度の低下を表す平均的な輝度劣化曲線であり、例えば輝度劣化曲線１２１を推定する際の基準とされる。
【０１８４】
なお、輝度劣化基準曲線１４１は、表示部２５に内蔵されるものとして想定される任意の有機EL素子の輝度を計測した計測結果に基づいて予め生成され、劣化曲線推定部１０５の図示せぬ内蔵のメモリに保持される。このことは、後述する他の輝度劣化基準曲線についても同様である。
【０１８５】
劣化曲線推定部１０５は、算出した傾きα(t,I(L=200nit))'と、予め保持している輝度劣化基準曲線１４１に基づいて、電流I(L=200nit)を流したときの計測用の有機EL素子についての輝度劣化曲線１２１を推定する。
【０１８６】
すなわち、例えば、劣化曲線推定部１０５は、図１０に示されるように、傾きα(0,I(L=200nit))'=αが得られたときから、傾きα(T,I(L=200nit))'が得られるまでの時間Δt1'を算出する。
【０１８７】
また、例えば、劣化曲線推定部１０５は、図１０に示されるように、輝度劣化基準曲線１４１において、傾きα(0,I(L=200nit))'=αが得られたときから、傾きα(T,I(L=200nit))'が得られるまでの時間Δt1を算出する。
【０１８８】
さらに、劣化曲線推定部１０５は、算出した時間Δt1'と時間Δt1に基づいて、輝度劣化基準曲線１４１に対する傾きα(t,I(L=200nit))'の低下の速さを表す加速係数Δt1'/Δt1を算出する。
【０１８９】
劣化曲線推定部１０５は、算出した加速係数Δt1'/Δt1を、輝度劣化基準曲線１４１を表す式A(t,I(L=200nit))に乗算することにより、輝度劣化曲線１２１を推定し、劣化曲線保持部１０４に供給して保持させる。
【０１９０】
すなわち、例えば、劣化曲線推定部１０５は、その乗算により得られる新たな式(Δt1'/Δt1)×A(t,I(L=200nit))を表す輝度劣化曲線１２１を、電流I(L=200nit)の値に対応付けた形で、劣化曲線保持部１０４に供給して保持させる。
【０１９１】
次に、劣化曲線推定部１０５において、電流I(L=400nit)が流される計測用の有機EL素子の輝度の低下を表す輝度劣化曲線１２２を推定する方法を説明する。なお、この輝度劣化曲線１２２は、表示用の有機EL素子の輝度の低下を表すものとして、補正量生成部１０１による補正量の生成時に用いられる。
【０１９２】
劣化曲線推定部１０５には、例えば、輝度センサ２５bから、電流I(L=400nit)が流される計測用の有機EL素子の輝度を計測して得られた輝度L(t,I(L=400nit))が供給される。
【０１９３】
ここで、輝度L(t,I(L=400nit))とは、輝度センサ２５bによる計測の開始から時間tの経過時に得られた輝度を表す。
【０１９４】
劣化曲線推定部１０５は、図示せぬ内蔵するメモリに予め保持している電流の値I(L=400nit)と、輝度センサ２５bからの計測結果L(t,I(L=400nit))に基づいて、式（４）に基づき導出される式α(t,I(L=400nit))'=L(t,I(L=400nit))/I(L=400nit)により、時間tに対する傾きα(t,I(L=400nit))'を算出する。
【０１９５】
また、劣化曲線推定部１０５は、図示せぬ内蔵のメモリに、輝度劣化基準曲線１４２を予め保持している。この輝度劣化基準曲線１４２は、電流I(L=400nit)が流される有機EL素子の輝度の低下を表す平均的な輝度劣化曲線であり、例えば輝度劣化曲線１２２を推定する際の基準とされる。
【０１９６】
劣化曲線推定部１０５は、算出した傾きα(t,I(L=400nit))'と、予め保持している輝度劣化基準曲線１４２に基づいて、電流I(L=400nit)を流したときの計測用の有機EL素子についての輝度劣化曲線１２２を推定する。
【０１９７】
すなわち、例えば、劣化曲線推定部１０５は、図１０に示されるように、傾きα(0,I(L=400nit))'=αが得られたときから、傾きα(T,I(L=400nit))'が得られるまでの時間Δt2'を算出する。
【０１９８】
また、例えば、劣化曲線推定部１０５は、図１０に示されるように、輝度劣化基準曲線１４２において、傾きα(0,I(L=400nit))'=αが得られたときから、傾きα(T,I(L=400nit))'が得られるまでの時間Δt2を算出する。
【０１９９】
さらに、劣化曲線推定部１０５は、算出した時間Δt2'と時間Δt2に基づいて、輝度劣化基準曲線１４２に対する傾きα(t,I(L=400nit))'の低下の速さを表す加速係数Δt2'/Δt2を算出する。
【０２００】
劣化曲線推定部１０５は、算出した加速係数Δt2'/Δt2を、輝度劣化基準曲線１４２を表す式A(t,I(L=400nit))に乗算することにより、輝度劣化曲線１２２を推定し、劣化曲線保持部１０４に供給して保持させる。
【０２０１】
すなわち、例えば、劣化曲線推定部１０５は、その乗算により得られる新たな式(Δt2'/Δt2)×A(t,I(L=400nit))を表す輝度劣化曲線１２２を、電流I(L=400nit)の値に対応付けた形で、劣化曲線保持部１０４に供給して保持させる。
【０２０２】
なお、劣化曲線推定部１０５は、図示せぬ内蔵のメモリに、複数の輝度劣化基準曲線（例えば、輝度劣化基準曲線１４１,１４２など）を予め保持するようにしている。
【０２０３】
しかしながら、劣化曲線推定部１０５が、複数の異なる電流I(L=Xnit)(Xは任意の正の整数)毎に、電流I(L=Xnit)が流れる計測用の有機EL素子についての輝度劣化曲線を推定する場合、複数の異なる電流I(L=Xnit)の数だけ、対応する輝度劣化基準曲線を、内蔵するメモリに保持する必要がある。
【０２０４】
この場合、輝度劣化基準曲線の数に応じて、メモリの記憶容量を増やさなければならない。
【０２０５】
したがって、劣化曲線推定部１０５では、複数の輝度劣化基準曲線のいずれか１つの輝度劣化基準曲線を、いずれの輝度劣化曲線を推定する場合にも使用可能なマスターカーブとして保持して、メモリの記憶容量を節約するようにしてもよい。
【０２０６】
すなわち、例えば、劣化曲線推定部１０５の図示せぬメモリおいて、輝度劣化基準曲線１４２をマスターカーブとして保持するようにした場合、輝度劣化曲線１２１は、以下のようにして推定される。
【０２０７】
劣化曲線推定部１０５は、上述したようにして算出した傾きα(t,I(L=200nit))'と、予め保持しているマスターカーブとしての輝度劣化基準曲線１４２に基づいて、電流I(L=200nit)を流したときの計測用の有機EL素子についての輝度劣化曲線１２１を推定する。
【０２０８】
すなわち、例えば、劣化曲線推定部１０５は、図１０に示されるように、傾きα(0,I(L=200nit))'=αが得られたときから、傾きα(T,I(L=200nit))'が得られるまでの時間Δt1'を算出する。
【０２０９】
また、例えば、劣化曲線推定部１０５は、図１０に示されるように、マスターカーブとしての輝度劣化基準曲線１４２において、傾きα(0,I(L=200nit))'=αが得られたときから、傾きα(T,I(L=200nit))'が得られるまでの時間Δt3を算出する。
【０２１０】
さらに、劣化曲線推定部１０５は、算出した時間Δt1'と時間Δt3に基づいて、輝度劣化基準曲線１４２に対する傾きα(t,I(L=200nit))'の低下の速さを表す加速係数Δt1'/Δt3を算出する。
【０２１１】
劣化曲線推定部１０５は、算出した加速係数Δt1'/Δt3を、マスターカーブとしての輝度劣化基準曲線１４２を表す式A(t,I(L=400nit))に乗算することにより、輝度劣化曲線１２１を推定し、劣化曲線保持部１０４に供給して保持させる。
【０２１２】
すなわち、例えば、劣化曲線推定部１０５は、その乗算により得られる新たな式(Δt1'/Δt3)×A(t,I(L=400nit))を表す輝度劣化曲線１２１を、電流I(L=400nit)の値に対応付けた形で、劣化曲線保持部１０４に供給して保持させる。
【０２１３】
なお、マスターカーブは、輝度劣化基準曲線１４２に限定されず、任意の輝度劣化基準曲線を採用することができる。
【０２１４】
[階調補正部の詳細]
次に、図１１は、図６の階調補正部７２の詳細な構成例を示している。
【０２１５】
この階調補正部７２は、オフセット量算出部１６１及びオフセット補正部１６２から構成される。
【０２１６】
オフセット量算出部１６１には、輝度センサ２５bから、輝度の計測結果が供給される。
【０２１７】
オフセット量算出部１６１は、保持部７４から、注目素子の信号電位(Vsig)nを読み出す。
【０２１８】
そして、オフセット量算出部１６１は、読み出した注目素子の信号電位(Vsig)n、図示せぬメモリに予め保持されているオフセット量算出用情報、及び輝度センサ２５bからの輝度の計測結果に基づいて、注目素子の信号電位(Vsig)nに加算されるオフセット量(ΔVsig)nを算出し、オフセット補正部１６２に供給する。
【０２１９】
なお、オフセット量算出部１６１が、オフセット量を算出する方法は、図１２を参照して詳述する。
【０２２０】
オフセット補正部１６２は、傾き補正部７１からの、注目素子の信号電位(Vsig')n(={±√(α/α')×(Vsig)n})の(Vsig)nと、オフセット量算出部１６１からのオフセット量(ΔVsig)nを加算する。  
【０２２１】
オフセット補正部１６２は、その加算の結果得られる加算結果としての信号電位[±√(α/α')×{(Vsig)n+(ΔVsig)n}]を、注目素子の信号電位(Vsig'')nとして、データドライバ２４に供給する。
【０２２２】
なお、階調補正部７２のオフセット補正部１６２は、オフセット量算出部１６１からのオフセット量に基づいて、合成信号Cnに含まれる画像信号Snのみを補正するようにしている。
【０２２３】
しかしながら、その他、例えば、オフセット補正部１６２は、合成信号Cnに含まれるダミー画素信号も、画像信号Snと同様に補正するようにしてもよい。
【０２２４】
但し、この場合、オフセット量算出部１６１において算出される、ダミー画素信号用のオフセット量は、階調補正部７２において実質的に階調の補正を行わないオフセット量（例えば値０など）とされる。
【０２２５】
このため、オフセット補正部１６２は、オフセット量算出部１６１からの、ダミー画素信号用のオフセット量に基づいて、合成信号Cnに含まれるダミー画素信号を補正し、補正後のダミー画素信号として、補正前と同一のダミー画素信号を、データドライバ２４に供給する。
【０２２６】
[オフセット量の算出について]
次に、図１２は、図１１のオフセット量算出部１６１が、オフセット量を算出するときの一例を示している。
【０２２７】
図１２において、関数f1(Vsig)は、電流の劣化前における、信号電位Vsigと電流Iとの関係を表す関数である。
【０２２８】
この関数f1(Vsig)は、オフセット量算出用情報として、オフセット量算出部１６１の図示せぬメモリに予め保持されているものとする。
【０２２９】
なお、関数f1(Vsig)は、例えば、表示部２５に内蔵されるものとして想定される任意の有機EL素子の輝度を計測した計測結果に基づいて予め生成され、オフセット量算出部１６１の図示せぬ内蔵のメモリに保持される。
【０２３０】
また、関数f1(Vsig)は、表示部２５に含まれる計測用の有機EL素子に電流の劣化が生じる前に得られる、輝度センサ２５bにより計測された計測結果に基づいて、オフセット量算出部１６１が生成して、図示せぬ内蔵のメモリに保持させるようにしてもよい。
【０２３１】
図１２において、関数g1(Vsig)は、電流の劣化後における、信号電位Vsigと電流Iとの関係を表す関数である。
【０２３２】
関数g1(Vsig)は、輝度センサ２５bからの輝度の計測結果に基づいて、オフセット量算出部１６１により生成される。図１２において、横軸はVsigを表し、縦軸は電流（階調）を表す。
【０２３３】
オフセット量算出部１６１は、輝度センサ２５bからの輝度の計測結果に基づいて、例えば最小自乗法等により、関数g1(Vsig)を算出する。
【０２３４】
また、例えば、オフセット量算出部１６１は、保持部７４から、注目素子の信号電位(Vsig)nを読み出す。そして、オフセット量算出部１６１は、読み出した信号電位(Vsig)nに基づいて、電流In=g1((Vsig)n)を算出する。
【０２３５】
さらに、オフセット量算出部１６１は、読み出した注目素子の信号電位(Vsig)n、図示せぬ内蔵のメモリに予め保持されている関数f1(Vsig)、及び算出したIn=g1((Vsig)n)に基づいて、等式In=g((Vsig)n)=f1((Vsig)n-(ΔVsig)n)を生成する。
【０２３６】
そして、オフセット量算出部１６１は、生成した等式In=g1((Vsig)n)=f((Vsig)n-(ΔVsig)n)を、オフセット量(ΔVsig)nについて解くことにより、オフセット量(ΔVsig)nを生成し、オフセット補正部１６２に供給する。
【０２３７】
ところで、オフセット量(ΔVsig)nは、注目素子の信号電位(Vsig)n毎に異なるものとなっている。すなわち、例えば、図１２に示されるように、注目素子の信号電位(Vsig)nが大きい程に、オフセット量(ΔVsig)nも大きなものとなる。
【０２３８】
したがって、オフセット量算出部１６１は、注目素子の信号電位(Vsig)n毎に、オフセット量(ΔVsig)nを算出する必要がある。
【０２３９】
そこで、後述する第３の実施の形態では、ガンマ空間で、注目素子の信号電位(Vsig)nとオフセット量(ΔVsig)nを加算させるようにして、注目素子とされる表示用の有機EL素子のいずれの信号電位(Vsig)nにおいても、同一のオフセット量(ΔVsig)nで、階調を補正できるようにしている。第３の実施の形態は、図３０乃至図３３を参照して詳述する。
【０２４０】
[表示部２５の詳細]
次に、図１３乃至図１７を参照して、表示部２５の詳細を説明する。
【０２４１】
図１３は、表示部２５の正面図を示している。
【０２４２】
表示部２５は、矩形状の立体的な筐体からなり、その筐体内には、有機EL素子を含む画素回路等が内蔵されている。
【０２４３】
そして、表示部２５は、図１３に示されるように、筐体の中央に、表示画面２５aが設けられている。また、表示部２５は、図１３において、表示画面２５aの右側に、複数の輝度センサ２５b1乃至２５bMが、筐体内に内蔵される形で配置されている。
【０２４４】
図１４は、表示部２５の詳細な構成例を示している。
【０２４５】
表示部２５には、水平セレクタ(horizontal selector)１８１、ライトスキャナ(write scanner)１８２、電源スキャナ(drive scanner)１８３、有機EL素子を含む画素回路１８４-(1,1)乃至１８４-(N,M)、及び輝度センサ２５b1乃至２５bMが内蔵されている。
【０２４６】
なお、画素回路１８４-(1,1)乃至１８４-(N,M)のうち、画素回路１８４-(1,M),画素回路１８４-(2,M),…,画素回路１８４-(N,M)にそれぞれ含まれる有機EL素子が、計測用の有機EL素子とされる。
【０２４７】
また、画素回路１８４-(1,1)乃至１８４-(N,M)のうち、画素回路１８４-(1,M),画素回路１８４-(2,M),…、及び画素回路１８４-(N,M)を除く複数の画素回路にそれぞれ含まれる有機EL素子が、表示用の有機EL素子とされる。
【０２４８】
画素回路１８４-(1,1)乃至１８４-(N,M)は、N×M個（N,Mは相互に独立した１以上の整数値）の画素回路１８４が行列状に配置されて構成されている。水平セレクタ１８１、ライトスキャナ１８２、及び電源スキャナ１８３は、画素回路１８４-(1,1)乃至１８４-(N,M)を駆動する駆動部として動作する。
【０２４９】
また、表示部２５は、N本の走査線WSL-1乃至WSL-N、N本の電源線DSL-1乃至DSL-N、及びM本の映像信号線DTL-1乃至DTL-Mも有する。
【０２５０】
以下の説明では、走査線WSL-1乃至WSL-Nをそれぞれ区別する必要がない場合、単に走査線WSLという。また、電源線DSL-1乃至DSL-Nをそれぞれ区別する必要がない場合、単に電源線DSLという。
【０２５１】
さらに、映像信号線DTL-1乃至DTL-Mをそれぞれ区別する必要がない場合、単に映像信号線DTLという。また、画素回路１８４-(1,1)乃至１８４-(N,M)をそれぞれ区別する必要がない場合、単に画素回路１８４という。
【０２５２】
また、画素回路１８４-(1,1)乃至１８４-(N,M)のうち、x列目(x=1,2,…,M)の画素回路１８４-(1,x)乃至１８４-(N,x)は、映像信号線DTL-xで水平セレクタ１８１と接続されている。
【０２５３】
ライトスキャナ１８２は、走査線WSL-1乃至WSL-Nに水平周期（１Ｈ）で順次制御信号を供給して画素回路１８４を行単位で線順次走査する。電源スキャナ１８３は、線順次走査に合わせて電源線DSL-1乃至DSL-Nに、第１電位（後述するＶｃｃ）又は第２電位（後述するＶｓｓ）の電源電圧を供給する。水平セレクタ１８１は、線順次走査に合わせて各水平期間内（１Ｈ）で画像信号（なお、画素回路１８４に含まれる有機EL素子が、計測用の有機EL素子である場合は、画像信号に代えてダミー画素信号が用いられる）に対応する信号電位Vsigと基準電位Vofsとを切換えて列状の映像信号線DTL-1乃至DTL-Mに供給する。
【０２５４】
輝度センサ２５b1は、画素回路１８４-(1,M)の近くに設けられており、画素回路１８４-(1,M)に含まれる有機EL素子の輝度を計測し、図１の焼付補正部２３に供給する。
【０２５５】
輝度センサ２５b2乃至２５bMは、それぞれ、画素回路１８４-(2,M)乃至１８４-(N,M)の近くに設けられており、輝度センサ２５b1と同様の処理を行う。
【０２５６】
なお、輝度センサ２５b1乃至２５bMをそれぞれ区別する必要がない場合、単に、輝度センサ２５bという。
【０２５７】
図１５は、画素回路１８４が発光する色の配列の一例を示している。
【０２５８】
画素回路１８４は、内蔵の発光素子としての有機EL素子を用いて、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、又は青（Ｂ）のいずれかの色で発光する、いわゆる副画素（サブピクセル）に相当する。なお、行方向（図面左右方向）に並ぶ赤、緑、及び青の３つの画素回路１８４で、表示単位としての１画素（表示画像の１画素）が構成される。
【０２５９】
また、図１５では、走査線WSL及び電源線DSLが画素回路１８４の下側から接続されている点が図１４と異なる。水平セレクタ１８１、ライトスキャナ１８２、電源スキャナ１８３、及び各画素回路１８４と接続される配線は、必要に応じて適切な位置に配置することができる。
【０２６０】
［画素回路１８４の構成］
図１６は、画素回路１８４の詳細な構成例を示している。
【０２６１】
画素回路１８４は、サンプリング用トランジスタ２０１、駆動用トランジスタ２０２、蓄積容量２０３、及び発光素子２０４を有する。サンプリング用トランジスタ２０１のゲートは走査線WSLと接続され、サンプリング用トランジスタ２０１のドレインは映像信号線DTLと接続されるとともに、ソースが駆動用トランジスタ２０２のゲートｇと接続されている。
【０２６２】
駆動用トランジスタ２０２のソース及びドレインの一方は発光素子２０４のアノードに接続され、他方が電源線DSLに接続される。蓄積容量２０３は、駆動用トランジスタ２０２のゲートｇと発光素子２０４のアノードに接続されている。また、発光素子２０４のカソードは所定の電位Ｖｃａｔに設定されている配線２０５に接続されている。この電位ＶｃａｔはGNDレベルであり、従って、配線２０５は接地配線である。
【０２６３】
サンプリング用トランジスタ２０１及び駆動用トランジスタ２０２は、いずれもＮチャネル型トランジスタである。よって、サンプリング用トランジスタ２０１及び駆動用トランジスタ２０２は、低温ポリシリコンよりも安価に作成できるアモルファスシリコンで作成することができる。これにより、画素回路１８４の製造コストをより安価にすることができる。勿論、サンプリング用トランジスタ２０１及び駆動用トランジスタ２０２は、低温ポリシリコンや単結晶シリコンで作成しても構わない。
【０２６４】
発光素子２０４は、有機EL素子である。有機EL素子はダイオード特性を有する電流発光素子である。よって、発光素子２０４は、供給される電流値Ｉdsに応じた階調の発光を行う。
【０２６５】
以上のように構成される画素回路１８４において、サンプリング用トランジスタ２０１が、走査線WSLからの制御信号に応じてオン（導通）し、映像信号線DTLを介して階調に応じた信号電位Vsigの映像信号をサンプリングする。蓄積容量２０３は、映像信号線DTLを介して水平セレクタ１８１から供給された電荷を蓄積して保持する。駆動用トランジスタ２０２は、第１電位Ｖｃｃにある電源線DSLから電流の供給を受け、蓄積容量２０３に保持された信号電位Vsigに応じて駆動電流Ｉｄｓを発光素子２０４に流す（供給する）。発光素子２０４に所定の駆動電流Ｉｄｓが流れることにより、発光素子２０４が発光する。
【０２６６】
画素回路１８４は、閾値補正機能を有する。閾値補正機能とは、駆動用トランジスタ２０２の閾値電圧Ｖｔｈに相当する電圧を蓄積容量２０３に保持させる機能である。閾値補正機能を発揮させることで、表示部２５の画素毎のばらつきの原因となる駆動用トランジスタ２０２の閾値電圧Ｖｔｈの影響をキャンセルすることができる。
【０２６７】
また、画素回路１８４は、上述した閾値補正機能に加え、移動度補正機能も有する。移動度補正機能とは、蓄積容量２０３に信号電位Vsigを保持する際、駆動用トランジスタ２０２の移動度μに対する補正を信号電位Vsigに加える機能である。
【０２６８】
さらに、画素回路１８４は、ブートストラップ機能も備えている。ブートストラップ機能とは、駆動用トランジスタ２０２のソース電位Ｖｓの変動にゲート電位Ｖｇを連動させる機能である。ブートストラップ機能の発揮により、駆動用トランジスタ２０２のゲートとソース間の電圧Ｖｇｓを一定に維持することができる。
【０２６９】
［画素回路１８４の動作説明］
図１７は、画素回路１８４の動作を説明するためのタイミングチャートである。
【０２７０】
図１７のA乃至図１７のEは、それぞれ、同一の時間軸（図面横方向）に対する走査線WSL、電源線DSL、及び映像信号線DTLの電位の変化と、それに対応する駆動用トランジスタ２０２のゲート電位Ｖｇ及びソース電位Ｖｓの変化を示している。
【０２７１】
図１７において、時刻ｔ1までの期間は、前の水平期間（１Ｈ）の発光がなされている発光期間Ｔ1である。
【０２７２】
発光期間Ｔ1が終了した時刻ｔ1から時刻ｔ4までは、駆動用トランジスタ２０２のゲート電位Ｖｇ及びソース電位Ｖｓを初期化することで閾値電圧補正動作の準備を行う閾値補正準備期間Ｔ2である。
【０２７３】
閾値補正準備期間Ｔ2では、時刻ｔ1において、電源スキャナ１８３が、電源線DSLの電位を高電位である第１電位Ｖｃｃから低電位である第２電位Ｖｓｓに切換える。そして、時刻ｔ2において、水平セレクタ１８１が、映像信号線DTLの電位を信号電位Vsigから基準電位Vofsに切換える。次に、時刻ｔ3において、ライトスキャナ１８２が、走査線WSLの電位を高電位に切換え、サンプリング用トランジスタ２０１をオンさせる。これにより、駆動用トランジスタ２０２のゲート電位Ｖｇが基準電位Ｖｏｆｓにリセットされ、且つ、ソース電位Ｖｓが映像信号線DTLの第２電位Ｖｓｓにリセットされる。
【０２７４】
時刻ｔ4から時刻ｔ5までは、閾値補正動作を行う閾値補正期間Ｔ3である。閾値補正期間Ｔ3では、時刻ｔ4において、電源スキャナ１８３により、電源線DSLの電位が高電位Ｖｃｃに切換えられ、閾値電圧Ｖｔｈに相当する電圧が、駆動用トランジスタ２０２のゲートとソースとの間に接続された蓄積容量２０３に書き込まれる。
【０２７５】
時刻ｔ5から時刻ｔ7までの書き込み＋移動度補正準備期間Ｔ4では、走査線WSLの電位が高電位から低電位に一旦切換えられる。また、時刻ｔ7の前の時刻ｔ6において、水平セレクタ１８１が、映像信号線DTLの電位を基準電位Vofsから階調に応じた信号電位Vsigに切換える。
【０２７６】
そして、時刻ｔ7から時刻ｔ8までの書き込み＋移動度補正期間Ｔ5において、映像信号の書き込みと移動度補正動作が行われる。即ち、時刻ｔ7から時刻ｔ8までの間、走査線WSLの電位が高電位に設定され、これにより、映像信号に対応する信号電位Vsigが閾値電圧Ｖｔｈに足し込まれる形で蓄積容量２０３に書き込まれる。また、移動度補正用の電圧ΔＶμが蓄積容量３３に保持された電圧から差し引かれる。
【０２７７】
書き込み＋移動度補正期間Ｔ5終了後の時刻ｔ8において、走査線WSLの電位が低電位に設定され、それ以降、発光期間Ｔ6として、信号電圧Vsigに応じた発光輝度で発光素子２０４が発光する。信号電圧Vsigは、閾値電圧Ｖｔｈに相当する電圧と移動度補正用の電圧ΔＶμとによって調整されているため、発光素子２０４の発光輝度は駆動用トランジスタ２０２の閾値電圧Ｖｔｈや移動度μのばらつきの影響を受けることがない。
【０２７８】
なお、発光期間Ｔ6の最初でブートストラップ動作が行われ、駆動用トランジスタ２０２のゲート‐ソース間電圧Ｖｇｓ＝Ｖｓｉｇ＋Ｖｔｈ−ΔＶμを一定に維持したまま、駆動用トランジスタ３２のゲート電位Ｖｇ及びソース電位Ｖｓが上昇する。
【０２７９】
また、時刻ｔ8から所定時間経過後の時刻ｔ9において、映像信号線DTLの電位が、信号電位Vsigから基準電位Vofsに落とされる。図１７において、時刻ｔ2から時刻ｔ9までの期間は水平期間（１Ｈ）に相当する。
【０２８０】
以上のようにして、表示部２５の各画素回路１８４では、駆動用トランジスタ２０２の閾値電圧Ｖｔｈや移動度μのばらつきの影響を受けることがなく、発光素子２０４を発光させることができる。
【０２８１】
[表示装置１の動作説明]
次に、図１８のフローチャートを参照して、図１の表示装置１が行う表示処理（以下、第１の表示処理という）について説明する。
【０２８２】
この第１の表示処理は、例えば、表示装置１の電源がオンとされたときに開始される。
【０２８３】
ステップＳ１において、ダミー画素信号生成部２１は、表示部２５に内蔵された計測用の有機EL素子を発光させるためのダミー画素信号を生成し、信号合成部２２に供給する。
【０２８４】
ステップＳ２において、信号合成部２２は、外部からの画像信号と、ダミー画素信号生成部２１からのダミー画素信号を合成し、その結果得られる合成信号を、焼付補正部２３に供給する。
【０２８５】
ステップＳ３では、制御部２６は、表示部２５に含まれる表示用の有機EL素子に順次注目し、注目している有機EL素子を、注目素子とする。
【０２８６】
ステップＳ４では、焼付補正部２３の検出部７３は、信号合成部２２からの合成信号Cnに含まれる画像信号Snに基づいて、注目素子の信号電位(Vsig)nを検出し、保持部７４に供給して保持させる。
【０２８７】
ステップＳ５では、焼付補正部２３の傾き補正部７１は、信号合成部２２から供給される注目素子の信号電位(Vsig)nに、補正量±√(α/α')を乗算することにより、注目素子の傾きα'を元の傾きαに補正する傾き補正処理を行う。なお、この傾き補正処理の詳細は、図１９のフローチャートを参照して詳述する。
【０２８８】
傾き補正部７１は、傾き補正処理で補正後の、注目素子の信号電位(Vsig')n(=±√(α/α')×(Vsig)n)を、階調補正部７２に供給する。
【０２８９】
ステップＳ６において、階調補正部７２は、傾き補正部７１から供給される、注目素子の信号電位(Vsig')n(=±√(α/α')×(Vsig)n)の(Vsig)nに、オフセット量としての(ΔVsig)nを加算することにより、注目素子の階調(k-Δk)を元の階調kに補正する階調補正処理を行う。なお、この階調補正処理の詳細は、図２０のフローチャートを参照して詳述する。
【０２９０】
ステップＳ７では、制御部２６は、表示部２５に含まれる表示用の有機EL素子の全てを注目素子に設定したか否かを判定し、表示用の有機EL素子の全てを注目素子としていないと判定した場合、処理をステップＳ３に戻す。
【０２９１】
そして、ステップＳ３では、制御部２６は、表示部２５に含まれる表示用の有機EL素子のうち、まだ注目素子とされていない有機EL素子に注目し、注目している有機EL素子を、新たな注目素子とし、処理をステップＳ４に進め、それ以降同様の処理が繰り返される。
【０２９２】
また、ステップＳ７において、制御部２６は、表示部２５に含まれる表示用の有機EL素子の全てを注目素子に設定したと判定した場合、処理をステップＳ８に進める。
【０２９３】
表示用の有機EL素子の全てが注目素子とされた後、注目素子とされた有機EL素子の信号電位(Vsig'')n(=±√(α/α')×{(Vsig)n+(ΔVsig)n})をそれぞれ表す画像信号Snを含む合成信号Cnが、データドライバ２４に供給される。
【０２９４】
ステップＳ８では、データドライバ２４は、焼付補正部２３からの合成信号CnをAD変換し、AD変換後の合成信号Cnを、表示部２５に供給する。
【０２９５】
ステップＳ９では、表示部２５は、データドライバ２４からの合成信号Cnに含まれる画像信号Snに基づいて、表示用の有機EL素子を発光させる。これにより、表示画面２５aには、画像信号に対応する表示画像４１が表示される。
【０２９６】
また、表示部２５は、データドライバ２４からの合成信号に含まれるダミー画素信号に基づいて、計測用の有機EL素子を発光させる。
【０２９７】
ステップＳ１０では、輝度センサ２５bは、計測用の有機EL素子を含む画素回路１８４からの光を受光することにより、計測用の有機EL素子の輝度を計測し、その計測結果を、焼付補正部２３の傾き補正部７１及び階調補正部７２に供給する。なお、輝度センサ２５bは、計測用の有機EL素子を含む画素回路１８４の傍に設けられている。
【０２９８】
ステップＳ１１では、傾き補正部７１は、輝度センサ２５bからの輝度の計測結果に基づいて、表示部２５に内蔵された表示用の有機EL素子についての輝度劣化曲線を推定して保持する劣化曲線推定処理を行う。なお、この劣化曲線推定処理は、図２０のフローチャートを参照して詳述する。
【０２９９】
ステップＳ１１の終了後、処理はステップＳ１に戻され、それ以降同様の処理が行われる。
【０３００】
なお、第１の表示処理は、例えば、表示装置１の電源がオフとされたときに終了される。
【０３０１】
以上説明したように、第１の表示処理によれば、焼付補正部２３において、信号合成部２２からの合成信号に含まれる画像信号を対象として、焼付補正処理を行うようにした。
【０３０２】
このため、第１の表示処理によれば、表示用の有機EL素子は、効率の劣化、及び電流の劣化に拘らず、画像信号に応じた一定の輝度で発光することとなる。
【０３０３】
したがって、表示部２５の表示画面２５aに焼付きが生じることを防止することが可能となる。
【０３０４】
また、第１の表示処理によれば、合成信号に含まれるダミー画素信号に対しては例えば焼付補正処理を行わないようにして、焼付補正部２３からデータドライバ２４に、ダミー画素信号をそのまま出力するようにした。
【０３０５】
このため、計測用の有機EL素子は、効率の劣化、及び電流の劣化に応じて低下した輝度で発光することとなる。そして、輝度センサ２５bは、そのような計測用の有機EL素子の輝度の低下を計測し、その計測結果を、焼付補正部２３に供給する。
【０３０６】
したがって、焼付補正部２３では、輝度センサ２５bからの輝度の計測結果に基づいて、計測用の有機EL素子の輝度の低下を、表示用の有機EL素子の輝度の低下を表すものとして、正確に認識できる。このため、焼付補正部２３は、正確な輝度の低下の程度に基づいて、表示画面２５aに生じる焼付きを精度良く防止することが可能となる。
【０３０７】
[傾き補正部７１が行う傾き補正処理の詳細]
次に、図１９のフローチャートを参照して、図１８のステップＳ５における傾き補正処理の詳細を説明する。
【０３０８】
ステップＳ３１において、補正量生成部１０１は、傾き保持部１０３から、注目素子の傾きα'を読み出す。
【０３０９】
ステップＳ３２において、補正量生成部１０１は、保持部７４から、注目素子の信号電位(Vsig)n-1を読み出す。
【０３１０】
ステップＳ３３では、補正量生成部１０１は、保持部７４から読み出した注目素子の信号電位(Vsig)n-1に基づいて、注目素子に流れていた電流In-1を算出する。そして、補正量生成部１０１は、劣化曲線保持部１０４に保持されている複数の輝度劣化曲線のうち、算出した電流In-1に対応する輝度劣化曲線を、劣化曲線保持部１０４から読み出す。
【０３１１】
ステップＳ３４では、補正量生成部１０１は、傾き保持部１０３から読み出した注目素子の傾きα'と、劣化曲線保持部１０４から読み出した輝度劣化曲線に基づいて、注目素子の最新の傾きα'を算出する。
【０３１２】
そして、補正量生成部１０１は、算出した注目素子の最新の傾きα'を、傾き保持部１０３に供給して、上書きにより保持（記憶）させる。
【０３１３】
ステップＳ３５では、補正量生成部１０１は、注目素子の最新の傾きα'に基づいて、補正量±√(α/α')を生成（算出）し、補正量乗算部１０２に供給する。
【０３１４】
ステップＳ３６では、補正量乗算部１０２は、信号合成部２２から供給される、注目素子の信号電位(Vsig)nに対して、補正量生成部１０１からの補正量±√(α/α')を乗算する。
【０３１５】
その後、図１９の傾き補正処理は終了され、処理は、図１８のステップＳ５に戻り、補正量乗算部１０２は、その乗算により得られる信号電位{±√(α/α')×(Vsig)n}を、傾きα'が元の傾きαに補正された注目素子の信号電位(Vsig')nとして、階調補正部７２に供給して、それ以降の処理が行なわれる。
【０３１６】
[階調補正部７２が行う階調補正処理の詳細]
次に、図２０のフローチャートを参照して、図１８のステップＳ６における階調補正処理の詳細を説明する。
【０３１７】
ステップＳ５１において、オフセット量算出部１６１は、保持部７４から、注目素子の信号電位(Vsig)nを読み出す。
【０３１８】
ステップＳ５２において、オフセット量算出部１６１は、読み出した注目素子の信号電位(Vsig)n、図示せぬメモリに予め保持されているオフセット量算出用情報（例えば関数f1(Vsig)）、及び輝度センサ２５bからの輝度の計測結果に基づいて、注目素子の信号電位(Vsig)nに加算されるオフセット量(ΔVsig)nを算出し、オフセット補正部１６２に供給する。
【０３１９】
ステップＳ５３において、オフセット補正部１６２は、傾き補正部７１からの、注目素子の信号電位(Vsig')n(={±√(α/α')×(Vsig)n})の(Vsig)nと、オフセット量算出部１６１からのオフセット量(ΔVsig)nを加算する。
【０３２０】
その後、図２０の階調補正処理は終了され、処理は、図１８のステップＳ６に戻り、オフセット補正部１６２は、その加算の結果得られる加算結果としての信号電位[±√(α/α')×{(Vsig)n+(ΔVsig)n}]を、階調(k-Δk)が元の階調kに補正された注目素子の信号電位(Vsig'')nとして、データドライバ２４に供給する。
【０３２１】
[傾き補正部７１が行う劣化曲線推定処理の詳細]
次に、図２１のフローチャートを参照して、図１８のステップＳ１１における劣化曲線推定処理の詳細を説明する。
【０３２２】
ステップＳ７１において、劣化曲線推定部１０５は、複数の輝度センサ２５bに順次注目し、注目している輝度センサ２５bを注目センサとする。
【０３２３】
劣化曲線推定部１０５には、注目センサから、電流I(L=Xnit)が流される計測用の有機EL素子の輝度を計測して得られた輝度L(t,I(L=Xnit))が供給される。なお、計測用の有機EL素子は、それぞれ、異なる電流I(L=Xnit)が通電されて、異なる輝度L(t,I(L=Xnit))で発光する。
【０３２４】
ステップＳ７２において、劣化曲線推定部１０５は、図示せぬ内蔵のメモリに予め保持している電流の値I(L=Xnit)と、注目センサからの輝度L(t,I(L=Xnit))に基づいて、傾きα(t,I(L=Xnit))'を算出する。
【０３２５】
すなわち、例えば、劣化曲線推定部１０５は、図示せぬ内蔵のメモリに予め保持している電流の値I(L=200nit)と、輝度センサ２５bからの計測結果L(t,I(L=200nit))に基づいて、式（４）に基づき導出される式α(t,I(L=200nit))'=L(t,I(L=200nit))/I(L=200nit)により、時間tに対する傾きα(t,I(L=200nit))'を算出する。
【０３２６】
ステップＳ７３では、劣化曲線推定部１０５は、算出した傾きα(t,I(L=Xnit))'と、図示せぬ内蔵のメモリに予め保持している輝度劣化基準曲線に基づいて、輝度劣化基準曲線と乗算される加速係数を算出する。
【０３２７】
すなわち、例えば、劣化曲線推定部１０５は、図１０に示されるように、傾きα(0,I(L=200nit))'=αが得られたときから、傾きα(T,I(L=200nit))'が得られるまでの時間Δt1'を算出する。
【０３２８】
また、例えば、劣化曲線推定部１０５は、図１０に示されるように、輝度劣化基準曲線１４１において、傾きα(0,I(L=200nit))'=αが得られたときから、傾きα(T,I(L=200nit))'が得られるまでの時間Δt1を算出する。
【０３２９】
さらに、劣化曲線推定部１０５は、算出した時間Δt1'と時間Δt1に基づいて、加速係数Δt1'/Δt1を算出する。
【０３３０】
ステップＳ７４では、劣化曲線推定部１０５は、算出した加速係数と、図示せぬメモリに予め保持されている輝度劣化基準曲線とに基づいて、輝度劣化曲線を推定し、劣化曲線保持部１０４に供給して保持させる。
【０３３１】
すなわち、例えば、劣化曲線推定部１０５は、算出した加速係数Δt1'/Δt1を、輝度劣化基準曲線１４１を表す式A(t,I(L=200nit))に乗算する。そして、劣化曲線推定部１０５は、その乗算により得られる新たな式(Δt1'/Δt1)×A(t,I(L=200nit))を表す輝度劣化曲線１２１を、電流I(L=200nit)の値に対応付けた形で、劣化曲線保持部１０４に供給して保持させる。
【０３３２】
ステップＳ７５において、劣化曲線推定部１０５は、複数の輝度センサ２５bの全てを注目センサとしたか否かを判定し、複数の輝度センサ２５bの全てを注目センサとしていないと判定した場合、処理をステップＳ７１に戻す。
【０３３３】
そして、ステップＳ７１では、劣化曲線推定部１０５は、複数の輝度センサ２５bのうち、まだ注目センサとされていない輝度センサを新たな注目センサとし、処理をステップＳ７２に進め、それ以降、同様の処理を行う。
【０３３４】
なお、ステップＳ７５において、劣化曲線推定部１０５は、複数の輝度センサ２５bの全てを注目センサとしたと判定した場合、図２１の劣化曲線推定処理は終了され、処理は、図１８のステップＳ１１に戻り、それ以降の処理が行なわれる。
【０３３５】
ところで、第１の実施の形態では、図６の焼付補正部２３において、検出部７３が、信号合成部２２からの画像信号Snに基づいて、注目素子の信号電位(Vsig)nを検出し、検出した信号電位(Vsig)nを、保持部７４に供給して保持させるようにした。
【０３３６】
また、傾き補正部７１及び階調補正部７２では、保持部７４に保持されている注目素子の信号電位(Vsig)nに基づき算出される電流Inが、注目素子に実際に流れる電流であるものとした。
【０３３７】
そして、傾き補正部７１において、注目素子に電流In-1が流れたことにより効率の劣化が生じたものとして、注目素子の傾きα'を補正するための補正量を算出するようにした。
【０３３８】
また、階調補正部７２において、注目素子に電流Inが流れることにより電流の劣化が生じるものとして、注目素子の階調を補正するためのオフセット量を算出するようにした。
【０３３９】
しかしながら、注目素子に実際に流れる電流は、注目素子の信号電位(Vsig)nに基づき算出される電流Inではなく、傾きα'が元の傾きαに補正された注目素子の信号電位(Vsig')nに基づき算出される電流(α/α')×Inである。
【０３４０】
したがって、焼付補正処理では、注目素子に実際に流れる電流(α/α')×Inに基づいて、注目素子の傾きα'や階調(k-Δk)を補正することが望ましい。
【０３４１】
次に、図２２の表示装置２４１は、注目素子に実際に流れる電流に基づいて、焼付補正処理を行うようにしたものである。
【０３４２】
＜２．第２の実施の形態＞
[表示装置２４１の構成例]
図２２は、第２の実施の形態である表示装置２４１の構成例を示している。
【０３４３】
なお、この表示装置２４１は、第１の実施の形態である表示装置１（図１）の場合と同様に構成されている部分については、同一の符号を付すようにしているため、それらの説明は、以下、適宜、省略する。
【０３４４】
すなわち、表示装置２４１において、図１の焼付補正部２３に代えて、焼付補正部２６１が設けられている他は、図１の表示装置１と同様に構成される。
【０３４５】
焼付補正部２６１には、信号合成部２２からの合成信号Cnが供給される。焼付補正部２６１は、焼付補正部２３と同様に、信号合成部２２からの合成信号Cnに含まれる画像信号Snに対して、焼付補正処理を施すことにより、表示部２５の表示画面２５aに生じる焼付きを防止する焼付補正処理を行う。
【０３４６】
しかしながら、焼付補正部２６１は、傾き補正処理後の画像信号Snの信号電位(Vsig')nに基づいて焼付補正処理を施す点で、傾き補正処理前の画像信号Snの信号電位(Vsig)nに基づいて、焼付補正処理を施す焼付補正部２３とは異なるものとなっている。
【０３４７】
[焼付補正部２６１の詳細]
次に、図２３は、図２２の焼付補正部２６１の詳細な構成例を示している。
【０３４８】
この焼付補正部２６１は、傾き補正部２８１、階調補正部２８２、検出部２８３、及び保持部２８４から構成される。
【０３４９】
傾き補正部２８１には、信号合成部２２からの合成信号Cnが供給される。
【０３５０】
傾き補正部２８１は、傾き補正部２８１から出力された、傾き補正処理後の画像信号Sn-1の信号電位(Vsig')n-1を、保持部２８４から読み出す。
【０３５１】
なお、後述するが、保持部２８４には、傾き補正部２８１による傾き補正処理後の画像信号Snの信号電位(Vsig')nが保持されている。
【０３５２】
傾き補正部２８１は、保持部２８４から読み出した信号電位(Vsig')n-1と、輝度センサ２５bからの輝度の計測結果に基づいて、効率の劣化により低下した傾きα'を元の傾きαに補正するための補正量±√(α/α')を算出する。
【０３５３】
なお、傾き補正部２８１は、補正量±√(α/α')の算出に、傾き補正処理前の画像信号Sn-1の信号電位(Vsig)n-1ではなく、傾き補正処理後の画像信号Sn-1の信号電位(Vsig')n-1を用いる点で、図６の傾き補正部７１とは異なる。それ以外は、傾き補正部７１と同様である。
【０３５４】
傾き補正部２８１は、信号合成部２２からの合成信号Cnに含まれる画像信号Snの信号電位(Vsig)nに、算出した補正量±√(α/α')を乗算する。傾き補正部２８１は、その乗算の結果得られる乗算結果としての信号電位(Vsig')n={±√(α/α')×(Vsig)n}とされた画像信号Snを含む合成信号Cnを、傾き補正部２８２及び検出部２８３に供給する。
【０３５５】
階調補正部２８２は、保持部２８４から、傾き補正処理後の画像信号Snの信号電位(Vsig')nを読み出す。
【０３５６】
また、階調補正部２８２は、保持部２８４から読み出した信号電位(Vsig')nと、輝度センサ２５bからの輝度の計測結果に基づいて、電流の劣化により低下した階調(k-Δk)を元の階調kに補正するためのオフセット量Δkに対応する(ΔVsig)nを算出する。
【０３５７】
なお、階調補正部２８２は、オフセット量Δkに対応する(ΔVsig)nの算出に、傾き補正処理前の画像信号Snの信号電位(Vsig)nではなく、傾き補正処理後の画像信号Snの信号電位(Vsig')nを用いる点で、図６の階調補正部７２とは異なる。それ以外は、階調補正部７２と同様である。
【０３５８】
階調補正部２８２は、傾き補正部２８１からの合成信号Cnに含まれる画像信号Snの信号電位(Vsig')n={±√(α/α')×(Vsig)n}の(Vsig)nに、オフセット量Δkに対応する(ΔVsig)nを加算する。
【０３５９】
階調補正部２８２は、その加算の結果得られる加算結果としての信号電位(Vsig'')n=[±√(α/α')×{(Vsig)n+(ΔVsig)n}]とされた画像信号Snを含む合成信号Cnを、データドライバ２４に供給する。
【０３６０】
検出部２８３は、傾き補正部２８１から出力される、合成信号Cnに含まれる画像信号Snに基づいて、傾き補正処理後の画像信号Snの信号電位(Vsig')nを検出し、保持部２８４に供給して保持させる。
【０３６１】
保持部２８４は、検出部２８３からの信号電位(Vsig')nを保持する。
【０３６２】
[傾き補正部２８１の詳細]
次に、図２４は、図２３の傾き補正部２８１の詳細な構成例を示している。
【０３６３】
なお、この傾き補正部２８１では、図７の傾き補正部７１と同様に構成される部分について同一の符号を付すようにしているので、それらの説明は、以下、適宜省略する。
【０３６４】
すなわち、傾き補正部２８１において、図７の補正量生成部１０１に代えて、補正量生成部３０１が設けられている他は、図７の場合と同様に構成されている。
【０３６５】
補正量生成部３０１は、補正量生成部１０１と同様に、傾き保持部１０３から、注目素子の傾きα'を読み出す。なお、図２２の制御部２６は、表示部２５に含まれる表示用の有機EL素子に順次注目し、注目している有機EL素子を、注目素子とする。
【０３６６】
また、補正量生成部３０１は、保持部２８４から、注目素子の信号電位(Vsig')n-1を読み出す。
【０３６７】
補正量生成部３０１は、保持部２８４から読み出した注目素子の信号電位(Vsig')n-1に基づいて、注目素子に実際に流れていた電流In-1を算出する。そして、補正量生成部３０１は、劣化曲線保持部１０４に保持されている複数の輝度劣化曲線のうち、算出した電流In-1に対応する輝度劣化曲線を、劣化曲線保持部１０４から読み出す。
【０３６８】
補正量生成部３０１は、補正量生成部１０１と同様にして、傾き保持部１０３から読み出した注目素子の傾きα'と、劣化曲線保持部１０４から読み出した輝度劣化曲線に基づいて、注目素子の最新の傾きα'を算出する。
【０３６９】
そして、補正量生成部３０１は、注目素子の最新の傾きα'を、傾き保持部１０３に供給して、上書きにより保持（記憶）させる。
【０３７０】
また、補正量生成部３０１は、注目素子の最新の傾きα'に基づいて、補正量±√(α/α')を生成（算出）し、補正量乗算部１０２に供給する。
【０３７１】
次に、図２５を参照して、補正量生成部３０１が行う処理を、補正量生成部１０１が行う処理と比較しながら説明する。
【０３７２】
第１の実施の形態では、図７の傾き補正部７１において、注目素子の信号電位(Vsig)nに補正量を乗算して、注目素子の傾きα'を補正する場合、補正量生成部１０１は、保持部７４に保持されている注目素子の信号電位(Vsig)n-1を読み出す。
【０３７３】
そして、補正量生成部１０１は、劣化曲線保持部１０４に保持されている複数の輝度劣化曲線のうち、注目素子の信号電位(Vsig)n-1に基づく電流に対応する輝度劣化曲線を、劣化曲線保持部１０４から読み出す。
【０３７４】
すなわち、例えば、注目素子の信号電位(Vsig)n-1に基づく電流が、電流I(L=200nit)である場合、補正量生成部１０１は、図２５に示されるような、電流I(L=200nit)に対応する輝度劣化曲線１２１を、劣化曲線保持部１０４から読み出す。
【０３７５】
補正量生成部１０１は、読み出した輝度劣化曲線１２１と、傾き保持部１０３から読み出した注目素子の傾きα'を用いて、注目素子の最新の傾きα'を算出する。
【０３７６】
しかしながら、注目素子に流れる電流は、注目素子の信号電位(Vsig)n-1に基づく電流（例えば、電流I(L=200nit)）ではなく、傾きα'が元の傾きαに補正された注目素子の信号電位(Vsig')nに基づく電流（例えば、電流I(L=220nit)）である。
【０３７７】
より正確に傾きα'を算出するためには、注目素子に実際に流れる電流に基づいて、傾きα'の算出に用いる輝度劣化曲線を、劣化曲線保持部１０４から読み出すことが望ましい。
【０３７８】
そこで、第２の実施の形態では、図２４の傾き補正部２８１において、注目素子の信号電位(Vsig)nに補正量を乗算して、注目素子の傾きα'を補正する場合、補正量生成部３０１は、保持部２８４に保持されている注目素子の信号電位(Vsig')n-1を読み出す。
【０３７９】
なお、保持部２８４には、注目素子に実際に流れた電流（例えば、I(L=220nit)）に相当する信号電位(Vsig')n-1、つまり、傾きα'が補正された注目素子の信号電位(Vsig')n-1が保持される。
【０３８０】
補正量生成部３０１は、保持部２８４に保持されている注目素子の信号電位(Vsig')n-1を読み出す。
【０３８１】
そして、補正量生成部３０１は、劣化曲線保持部１０４に保持されている複数の輝度劣化曲線のうち、注目素子の信号電位(Vsig')n-1に基づく電流に対応する輝度劣化曲線を、劣化曲線保持部１０４から読み出す。
【０３８２】
すなわち、例えば、注目素子の信号電位(Vsig')n-1に基づく電流が、電流I(L=220nit)である場合、補正量生成部３０１は、図２５に示されるような、電流I(L=220nit)に対応する輝度劣化曲線１２３を、劣化曲線保持部１０４から読み出す。
【０３８３】
なお、注目素子の信号電位(Vsig')n-1は、注目素子の信号電位(Vsig)n-1に、値１以上の補正量が乗算されて得られるものである。このため、注目素子の信号電位(Vsig')n-1に基づく電流（例えば、電流I(L=220nit)）は、注目素子の信号電位(Vsig)n-1に基づく電流（例えば、電流I(L=200nit)）以上の値とされる。
【０３８４】
補正量生成部３０１は、読み出した輝度劣化曲線１２３と、傾き保持部１０３から読み出した注目素子の傾きα'を用いて、注目素子の最新の傾きα'を算出する。
【０３８５】
[階調補正部２８２の詳細]
次に、図２６は、図２３の階調補正部２８２の詳細な構成例を示している。
【０３８６】
この階調補正部２８２は、オフセット量算出部３２１及びオフセット補正部３２２から構成される。
【０３８７】
オフセット量算出部３２１には、輝度センサ２５bから、輝度の計測結果が供給される。オフセット量算出部３２１は、保持部２８４から、注目素子の信号電位(Vsig')nを読み出す。
【０３８８】
そして、オフセット量算出部３２１は、読み出した注目素子の信号電位(Vsig')n、図示せぬメモリに予め保持されているオフセット量算出用情報、及び輝度センサ２５bからの輝度の計測結果に基づいて、注目素子の信号電位(Vsig')n(={±√(α/α')×(Vsig)n})の(Vsig)nに加算されるオフセット量(ΔVsig)nを算出し、オフセット補正部３２２に供給する。
【０３８９】
オフセット補正部３２２は、図１１のオフセット補正部１６２と同様にして、傾き補正部２８１からの、注目素子の信号電位(Vsig')n(={±√(α/α')×(Vsig)n})の(Vsig)nと、オフセット量算出部３２１からのオフセット量(ΔVsig)nを加算する。
【０３９０】
また、オフセット補正部３２２は、その加算の結果得られる加算結果としての信号電位[±√(α/α')×{(Vsig)n+(ΔVsig)n}]を、注目素子の信号電位(Vsig'')nとして、データドライバ２４に供給する。
【０３９１】
[表示装置２４１の動作説明]
次に、図２７のフローチャートを参照して、図２２の表示装置２４１が行う表示処理（以下、第２の表示処理という）について説明する。
【０３９２】
この第２の表示処理は、例えば、表示装置２４１の電源がオンとされたときに開始される。
【０３９３】
ステップＳ９１乃至ステップＳ９３では、それぞれ、図１８のステップＳ１乃至ステップＳ３と同様の処理が行われる。
【０３９４】
ステップＳ９４では、焼付補正部２６１の傾き補正部２８１は、信号合成部２２から供給される注目素子の信号電位(Vsig)nに、補正量±√(α/α')を乗算することにより、注目素子の傾きα'を元の傾きαに補正する傾き補正処理を行う。
【０３９５】
なお、この傾き補正処理は、注目素子の信号電位(Vsig)nと乗算される補正量±√(α/α')を、注目素子に実際に流された電流に基づいて生成する点において、図１８のステップＳ５における傾き補正処理とは異なる。ステップＳ９４における傾き補正処理の詳細は、図２８のフローチャートを参照して詳述する。
【０３９６】
傾き補正部２８１は、ステップＳ９４の傾き補正処理により得られる、注目素子の信号電位(Vsig')n(=±√(α/α')×(Vsig)n)を、階調補正部２８２及び検出部２８３に供給する。
【０３９７】
ステップＳ９５では、焼付補正部２６１の検出部２８３は、傾き補正部２８１からの、注目素子の信号電位(Vsig')nに基づいて、注目素子の信号電位(Vsig')nを検出し、保持部２８４に供給して保持させる。
【０３９８】
ステップＳ９６では、階調補正部２８２は、傾き補正部２８１から供給される、注目素子の信号電位(Vsig')n(=±√(α/α')×(Vsig)n)の(Vsig)nに、オフセット量としての(ΔVsig)nを加算することにより、注目素子の階調(k-Δk)を元の階調kに補正する階調補正処理を行う。
【０３９９】
なお、この階調補正処理は、オフセット量としての(ΔVsig)nを、注目素子に実際に流された電流に基づいて算出する点において、図１８のステップＳ６における階調補正処理とは異なる。ステップＳ９６における階調補正処理の詳細は、図２９のフローチャートを参照して詳述する。
【０４００】
ステップＳ９７乃至ステップＳ１０１では、それぞれ、図１８のステップＳ７乃至ステップＳ１１と同様の処理が行われる。
【０４０１】
なお、第２の表示処理は、例えば、表示装置２４１の電源がオフとされたときに終了される。
【０４０２】
以上説明したように、第２の表示処理によれば、注目素子とされる表示用の有機EL素子に実際に流れる電流に基づいて、焼付補正処理を行うようにしたので、より正確に、表示画面２５aに生じる焼付きを防止することが可能となる。
【０４０３】
[傾き補正部２８１が行う傾き補正処理の詳細]
次に、図２８のフローチャートを参照して、図２７のステップＳ９４における傾き補正処理の詳細を説明する。
【０４０４】
ステップＳ１２１では、補正量生成部３０１は、補正量生成部１０１と同様にして、傾き保持部１０３から、注目素子の傾きα'を読み出す。
【０４０５】
ステップＳ１２２において、補正量生成部３０１は、保持部２８４から、注目素子の信号電位(Vsig')n-1を読み出す。
【０４０６】
ステップＳ１２３では、補正量生成部３０１は、保持部２８４から読み出した注目素子の信号電位(Vsig')n-1に基づいて、注目素子に実際に流れていた電流In-1を算出する。
【０４０７】
そして、補正量生成部３０１は、劣化曲線保持部１０４に保持されている複数の輝度劣化曲線のうち、算出した電流In-1に対応する輝度劣化曲線を、劣化曲線保持部１０４から読み出す。
【０４０８】
ステップＳ１２４及びステップＳ１２５では、補正量生成部３０１は、補正量生成部１０１と同様に、図１９のステップＳ３４及びステップＳ３５の処理を行う。
【０４０９】
ステップＳ１２６では、図１９のステップＳ３６と同様の処理が行われる。そして、図２８の傾き補正処理は終了され、処理は、図２７のステップＳ９４に戻り、それ以降の処理が行なわれる。
【０４１０】
[階調補正部２８２が行う階調補正処理の詳細]
次に、図２９のフローチャートを参照して、図２７のステップＳ９６における階調補正処理の詳細を説明する。
【０４１１】
ステップＳ１４１において、オフセット量算出部３２１は、保持部２８４から、注目素子の信号電位(Vsig')nを読み出す。
【０４１２】
ステップＳ１４２において、オフセット量算出部３２１は、読み出した注目素子の信号電位(Vsig')n、図示せぬメモリに予め保持されているオフセット量算出用情報、及び輝度センサ２５bからの輝度の計測結果に基づいて、注目素子の信号電位(Vsig')n(={±√(α/α')×(Vsig)n})の(Vsig)nに加算されるオフセット量(ΔVsig)nを算出し、オフセット補正部３２２に供給する。
【０４１３】
ステップＳ１４３において、オフセット補正部３２２は、傾き補正部２８１からの、注目素子の信号電位(Vsig')n(={±√(α/α')×(Vsig)n})の(Vsig)nと、オフセット量算出部３２１からのオフセット量(ΔVsig)nを加算する。
【０４１４】
また、オフセット補正部３２２は、その加算の結果得られる加算結果としての信号電位[±√(α/α')×{(Vsig)n+(ΔVsig)n}]を、注目素子の信号電位(Vsig'')nとして、データドライバ２４に供給する。
【０４１５】
その後、図２９の階調補正処理は終了され、処理は、図２７のステップＳ９６に戻り、それ以降の処理が行なわれる。
【０４１６】
ところで、例えば、第１の実施の形態では、画像信号Snに対して焼付補正処理のみを施すようにした。しかしながら、その他、例えば、画像信号Snに対して、焼付補正処理とは異なる画像処理（例えば、色再現処理や、ノイズ低減処理等）を施すようにして、表示画面２５aに表示させる表示画像の画質を向上させるようにしてもよい。このことは、第２の実施の形態についても同様である。
【０４１７】
ここで、例えば、ディスプレイである表示部２５は、表示画面２５aの明るさ（輝度）が、外部からの画像信号のレベル（階調）に比例せず、指数関数的に変化するガンマ特性を有する。
【０４１８】
すなわち、例えば、表示部２５は、次式（７）に示されるようなガンマ特性を有している。
Y=Xγ          ・・・（７）
【０４１９】
式（７）において、階調Xは画像信号のレベルを表し、輝度Yは、画像信号のレベルに対応する輝度を表す。また、ガンマ値γは、表示部２５のガンマ特性を表すものであり、例えばγ=2.2とされる。
【０４２０】
そこで、放送局は、このガンマ特性が線形の特性（リニア特性）に補正されるようにするために、逆ガンマ補正後の画像信号Snを送信（放送）するようにしている。
【０４２１】
逆ガンマ補正後の画像信号Snは、次式（８）に示されるような逆ガンマ特性を有しているものとなる。
Y=X1/γ          ・・・（８）
【０４２２】
上述の画像処理を行うためには、式（８）に示されるような逆ガンマ特性を有する画像信号Snを、ガンマ補正するようにして、線形の特性を有する画像信号Snに変換する必要がある。これは、画像信号Snを、線形の特性を有するものに変換した方が、画像処理を行い易いことによる。
【０４２３】
しかしながら、焼付補正処理に含まれる階調補正処理を行うときには、ガンマ特性を有する画像信号Snを、階調補正処理の補正対象とした方が望ましい。
【０４２４】
＜３．第３の実施の形態＞
次に、図３０は、第３の実施の形態である表示装置３４１の構成例を示している。
【０４２５】
なお、この表示装置３４１は、上述の画像処理を施す際に、ガンマ補正により画像信号Snの特性を線形の特性に変換し、階調補正処理を施す際に、逆ガンマ補正により画像信号Snの特性をガンマ特性に変換するものである。なお、傾き補正処理を施す際には、画像信号Snの特性は、線形の特性であってもよいし、ガンマ特性であってもよい。
【０４２６】
この表示装置３４１は、第１の実施の形態である表示装置１（図１）の場合と同様に構成されている部分については、同一の符号を付すようにしているため、それらの説明は、以下、適宜、省略する。
【０４２７】
すなわち、表示装置３４１において、新たにガンマ変換部３６１及び画像処理部３６２が設けられているとともに、図１の焼付補正部２３に代えて、焼付補正部３６３が設けられている他は、図１の表示装置１と同様に構成される。
【０４２８】
ガンマ変換部３６１には、信号合成部２２から合成信号Cnが供給される。ガンマ変換部３６１は、信号合成部２２からの合成信号Cnをガンマ補正し、ガンマ補正後の合成信号Cnを、画像処理部３６２に供給する。
【０４２９】
ここで、ダミー画素信号生成部２１は、放送局で画像信号Snに施される逆ガンマ補正と同一の逆ガンマ補正を、生成したダミー画素信号に施して、信号合成部２２に供給しているものとする。したがって、信号合成部２２から出力される合成信号Cnは、式（８）に示されるような逆ガンマ特性を有しているものとなる。
【０４３０】
なお、合成信号Cnに含まれるダミー画素信号の特性が、線形の特性である場合、ガンマ変換部３６１は、信号合成部２２からの合成信号Cnに含まれる画像信号Snのみをガンマ補正すればよい。
【０４３１】
画像処理部３６２は、ガンマ変換部３６１からの合成信号Cnに対して、所定の画像処理（例えば、色再現処理や、ノイズ低減処理等）を施し、画像処理後の合成信号Cnを、焼付補正部３６３に供給する。なお、画像処理部２６３は、合成信号Cnに含まれる画像信号Snのみを対象として、画像処理を施すようにしてもよい。
【０４３２】
焼付補正部３６３は、輝度センサ２５bからの輝度の計測結果などに基づいて、画像処理部３６２からの合成信号Cnに含まれる画像信号Snに対して、傾き補正処理と階調補正処理により構成される焼付補正処理を行う。
【０４３３】
なお、焼付補正部３６３は、少なくとも階調補正処理を行う際に、合成信号Cnを逆ガンマ補正し、逆ガンマ補正後の合成信号Cnに含まれる画像信号Snに対して、階調補正処理を行う。
【０４３４】
第３の実施の形態では、焼付補正部３６３において、逆ガンマ補正後の合成信号Cnに含まれる画像信号Snに対して、階調補正処理を行う点が、第１及び第２の実施の形態とは大きく異なる。
【０４３５】
焼付補正部３６３は、焼付補正処理後の画像信号Snを含む合成信号Cnを、データドライバ２４に供給する。
【０４３６】
なお、図３０において、制御部２６は、ダミー画素信号生成部２１、信号合成部２２、データドライバ２４、表示部２５、及び輝度センサ２５bの他、ガンマ変換部３６１、画像処理部３６２、及び焼付補正部３６３も制御する。
【０４３７】
[焼付補正部３６３の詳細]
次に、図３１は、図３０の焼付補正部３６３の詳細な構成例を示している。
【０４３８】
なお、この焼付補正部３６３では、図６の焼付補正部２３の場合と同様に構成される部分について同一の符号を付すようにして、それらの説明を適宜、省略している。
【０４３９】
すなわち、焼付補正部３６３において、新たに逆ガンマ変換部３８１が設けられているとともに、図６の階調補正部７２に代えて、階調補正部３８２が設けられている他は、図６の場合と同様に構成される。
【０４４０】
逆ガンマ変換部３８１は、傾き補正部７１からの、傾き補正処理後の画像信号Snに対して、逆ガンマ補正を施し、逆ガンマ補正後の画像信号Snを、階調補正部３８２に供給する。
【０４４１】
これにより、逆ガンマ変換部３８１から階調補正部３８２には、式（７）に示されるようなガンマ特性を有する画像信号Snが供給される。
【０４４２】
階調補正部３８２は、逆ガンマ変換部３８１からの画像信号Snの信号電位(Vsig')n(=±√(α/α')×(Vsig)n)の(Vsig)nに、同一の信号電位(ΔVsig)nを加算し、その加算により得られる信号電位(Vsig'')nを、データドライバ２４に供給する。
【０４４３】
すなわち、階調補正部３８２は、オフセット量算出部３９１及びオフセット補正部３９２から構成される。
【０４４４】
オフセット量算出部３９１は、図示せぬメモリに予め保持されているオフセット量算出用情報、及び輝度センサ２５bからの輝度の計測結果に基づいて、オフセット量(ΔVsig)nを算出し、オフセット補正部３９２に供給する。
【０４４５】
なお、オフセット量算出部３９１は、表示用の有機EL素子毎の信号電位(Vsig')n(={±√(α/α')×(Vsig)n})の(Vsig)nにそれぞれ加算される同一のオフセット量(ΔVsig)nを算出する点が、オフセット量算出部１６１とは異なる。
【０４４６】
なお、オフセット量算出部３９１が、オフセット量を算出する方法は、図３２を参照して詳述する。
【０４４７】
オフセット補正部３９２は、オフセット補正部１６２と同様にして、逆ガンマ変換部３８１からの、画像信号Snの信号電位(Vsig')n(={±√(α/α')×(Vsig)n})の(Vsig)nと、オフセット量算出部３９１からのオフセット量(ΔVsig)nを加算する。
【０４４８】
なお、オフセット補正部３９２は、画像信号Snが表す、表示用の有機EL素子それぞれの信号電位(Vsig')nの(Vsig)nに、オフセット量算出部３９１からの同一のオフセット量(ΔVsig)nを加算する点が、オフセット補正部１６２とは異なる。
【０４４９】
オフセット補正部３９２は、その加算の結果得られる加算結果としての信号電位(Vsig'')n=[±√(α/α')×{(Vsig)n+(ΔVsig)n}]を信号電位とする画像信号Snを、データドライバ２４に供給する。
【０４５０】
[オフセット量の算出について]
次に、図３２は、図３１のオフセット量算出部３９１が、オフセット量を算出するときの一例を示している。
【０４５１】
図３２において、関数f2(k)は、電流の劣化前における、階調kと輝度Lとの関係を表す関数である。
【０４５２】
この関数f2(k)(=α×β2×k2.2)は、オフセット量算出用情報として、オフセット量算出部３９１の図示せぬメモリに予め保持されているものとする。
【０４５３】
なお、関数f2(k)は、例えば、表示部２５に内蔵されるものとして想定される任意の有機EL素子の輝度を計測した計測結果に基づいて予め生成され、オフセット量算出部３９１の図示せぬ内蔵のメモリに保持される。
【０４５４】
また、関数f2(k)は、電流の劣化が生じる前に、輝度センサ２５bにより計測された計測結果に基づいて、オフセット量算出部３９１が生成して、図示せぬ内蔵のメモリに保持させるようにしてもよい。
【０４５５】
図３２において、関数g2(k+Δk)(=α×β2×(k-Δk)2.2)は、電流の劣化後における、階調kと輝度Lとの関係を表す関数である。
【０４５６】
関数g2(k+Δk)は、輝度センサ２５bからの輝度の計測結果に基づいて、オフセット量算出部３９１により生成される。図３２において、横軸は階調を表し、縦軸は輝度を表す。
【０４５７】
オフセット量算出部３９１は、輝度センサ２５bからの輝度の計測結果に基づいて、例えば最小自乗法等により、関数g2(k+Δk)を算出する。
【０４５８】
また、例えば、オフセット量算出部３９１は、図示せぬメモリに予め保持している関数f2(k)と、算出した関数g2(k+Δk)に基づいて、f2(k)=g2(k+Δk)を、オフセット量Δkについて解く。
【０４５９】
そして、オフセット量算出部３９１は、f2(k)=g2(k+Δk)を解くことにより得られるオフセット量Δkを、オフセット補正部３９２に供給する。
【０４６０】
階調補正部３８２では、逆ガンマ変換部３８１から、ガンマ特性を有する画像信号Snが供給される。このため、図３２に示されるように、注目素子のいずれの階調においても、同一のオフセット量Δkで、注目素子の階調を補正することが可能となる。
【０４６１】
[表示装置３４１の動作説明]
次に、図３３のフローチャートを参照して、図３０の表示装置３４１が行う表示処理（以下、第３の表示処理という）について説明する。
【０４６２】
この第３の表示処理は、例えば、表示装置３４１の電源がオンとされたときに開始される。
【０４６３】
ステップＳ１６１及びステップＳ１６２では、それぞれ、図１８のステップＳ１及びステップＳ２と同様の処理が行われる。
【０４６４】
ステップＳ１６３では、ガンマ変換部３６１は、例えば、信号合成部２２からの合成信号Cnをガンマ補正し、ガンマ補正後の合成信号Cnを、画像処理部３６２に供給する。これにより、合成信号Cn(画像信号Sn)の特性は、線形の特性に変換される。
【０４６５】
ステップＳ１６４では、画像処理部３６２は、ガンマ変換部３６１からの、線形の特性に変換された合成信号Cnに対して、所定の画像処理（例えば、色再現処理や、ノイズ低減処理等）を施し、画像処理後の合成信号Cnを、焼付補正部３６３に供給する。
【０４６６】
ステップＳ１６５乃至ステップＳ１６７では、それぞれ、図１８のステップＳ３乃至５と同様の処理が行われる。
【０４６７】
ステップＳ１６８では、制御部２６は、表示用の有機EL素子の全てを注目素子としたか否かを判定し、表示用の有機EL素子の全てを注目素子としていないと判定した場合、処理をステップＳ１６５に戻す。
【０４６８】
そして、ステップＳ１６５では、制御部２６は、表示部２５に含まれる表示用の有機EL素子のうち、まだ注目素子とされていない有機EL素子に注目し、注目している有機EL素子を、新たな注目素子とし、処理をステップＳ１６６に進め、それ以降同様の処理が繰り返される。
【０４６９】
また、ステップＳ１６８では、制御部２６は、表示用の有機EL素子の全てを注目素子としたと判定した場合、処理をステップＳ１６９に進める。
【０４７０】
表示用の有機EL素子の全てが注目素子とされた後、注目素子とされた有機EL素子の信号電位(Vsig')n(=±√(α/α')×(Vsig)n)をそれぞれ表す画像信号Snを含む合成信号Cnが、図３１の傾き補正部７１から逆ガンマ変換部３８１に供給される。
【０４７１】
ステップＳ１６９では、逆ガンマ変換部３８１は、傾き補正部７１からの合成信号Cnに含まれる、傾き補正処理後の画像信号Snに対して、逆ガンマ補正を施し、逆ガンマ補正後の画像信号Snを、階調補正部３８２に供給する。逆ガンマ補正により、傾き補正処理後の画像信号Snの特性は、線形の特性から、ガンマ特性に変換される。
【０４７２】
ステップＳ１７０では、階調補正部３８２は、逆ガンマ変換部３８１からの、ガンマ特性に変換された画像信号Snが表す信号電位(Vsig')n(=±√(α/α')×(Vsig)n)の(Vsig)nに、同一の信号電位(ΔVsig)nを加算する。
【０４７３】
そして、階調補正部３８２は、その加算により得られる信号電位(Vsig'')nをそれぞれ表す画像信号Snを、階調補正処理後の画像信号Snとして、データドライバ２４に供給する。
【０４７４】
すなわち、階調補正部３８２は、オフセット量算出部３９１及びオフセット補正部３９２から構成される。
【０４７５】
オフセット量算出部３９１は、図示せぬメモリに予め保持されているオフセット量算出用情報、及び輝度センサ２５bからの輝度の計測結果に基づいて、傾き補正処理後の画像信号Snの信号電位(Vsig')n(=±√(α/α')×(Vsig)n)の(Vsig)nに加算されるオフセット量(ΔVsig)nを算出し、オフセット補正部３９２に供給する。  
【０４７６】
オフセット補正部３９２は、オフセット補正部１６２と同様にして、逆ガンマ変換部３８１からの、傾き補正処理後の画像信号Snの信号電位(Vsig')n(={±√(α/α')×(Vsig)n})の(Vsig)nと、オフセット量算出部３９１からのオフセット量(ΔVsig)nを加算する。
【０４７７】
オフセット補正部３９２は、その加算の結果得られる加算結果としての信号電位[±√(α/α')×{(Vsig)n+(ΔVsig)n}]を、信号電位(Vsig'')nとする画像信号Snを、階調補正処理後の画像信号Snとして、データドライバ２４に供給する。
【０４７８】
ステップＳ１７１乃至ステップＳ１７４では、それぞれ、図１８のステップＳ８乃至ステップＳ１１と同様の処理が行われる。そして、処理はステップＳ１６１に戻り、それ以降、同様の処理が繰り返される。
【０４７９】
なお、第３の表示処理は、例えば、表示装置３４１の電源がオフとされたときに終了される。
【０４８０】
以上説明したように、第３の表示処理によれば、線形の特性とされた画像信号に逆ガンマ補正を施すようにした。そして、逆ガンマ補正により得られる、ガンマ特性とされた画像信号に対して、階調補正処理を行うようにした。
【０４８１】
このため、第３の表示処理によれば、例えば、図３２に示したように、注目素子の信号電位に拘らず、同一のオフセット量で階調を補正することが可能となる。よって、階調補正処理による負荷を軽減できるようになる。
【０４８２】
また、線形の特性とされた画像信号において、注目素子の信号電位に拘らず、同一のオフセット量で階調を補正する場合と比較して、精度良く階調を補正することが可能となる。
【０４８３】
第１の実施の形態では、例えば、劣化曲線推定部１０５が、図示せぬ内蔵のメモリに保持されている輝度劣化基準曲線と、輝度センサ２５bからの輝度の計測結果に基づいて、表示用の有機EL素子についての輝度劣化曲線を推定するようにした。
【０４８４】
ところで、輝度劣化曲線は、発光中の有機EL素子の温度にも起因して変化するため、有機EL素子の温度にも基づいて、輝度劣化曲線を推定することが望ましい。
【０４８５】
＜４．第４の実施の形態＞
[表示装置４０１の構成例]
次に、図３４は、第４の実施の形態である表示装置４０１の構成例を示している。
【０４８６】
なお、この表示装置４０１は、発光中の有機EL素子の温度にも基づいて、輝度劣化曲線を推定するようにしたものである。
【０４８７】
この表示装置４０１は、第１の実施の形態である表示装置１（図１）の場合と同様に構成されている部分については、同一の符号を付すようにしているため、それらの説明は、以下、適宜、省略するようにしている。
【０４８８】
すなわち、表示装置４０１において、図１の焼付補正部２３及び表示部２５に代えて、焼付補正部４２１及び表示部４２２が設けられている他は、図１の表示装置１と同様に構成される。
【０４８９】
焼付補正部４２１には、信号合成部２２からの合成信号Cnが供給される。焼付補正部４２１は、表示部４２２が内蔵する温度センサ２５cからの温度にも基づいて、信号合成部２２からの合成信号Cnに含まれる画像信号Snに対して、焼付補正処理を施す。この焼付補正処理により、表示部４２２の表示画面２５aに生じる焼付きを防止できる。
【０４９０】
表示部４２２は、表示部４２２の温度を計測する温度センサ２５cを内蔵しており、それ以外は、表示部２５と同様に構成される。
【０４９１】
温度センサ２５cは、表示部４２２に内蔵され、表示部４２２の温度を計測し、焼付補正部４２１に供給する。
【０４９２】
[焼付補正部４２１の詳細]
次に、図３５は、図３４の焼付補正部４２１の詳細な構成例を示している。
【０４９３】
この焼付補正部４２１は、傾き補正部４４１、階調補正部４４２、検出部４４３、及び保持部４４４から構成される。
【０４９４】
傾き補正部４４１には、信号合成部２２からの合成信号Cnが供給される。
【０４９５】
傾き補正部４４１は、信号合成部２２からの合成信号Cnに含まれる画像信号Snの直前に入力された画像信号Sn-1の信号電位(Vsig)n-1と、温度センサ２５cで計測された温度dn-1を、保持部４４４から読み出す。
【０４９６】
後述するが、保持部４４４には、信号合成部２２から傾き補正部４４１に供給された合成信号Cn-1に含まれる画像信号Sn-1の信号電位(Vsig)n-1と、画像信号Sn-1としての表示画像を、表示画面２５aに表示する際の表示部２５の内部の温度dn-1が保持されている。
【０４９７】
なお、表示部２５の内部の温度dn-1は、表示部２５に内蔵された各画素回路に含まれる有機EL素子の温度と(殆ど)等しいものとする。
【０４９８】
傾き補正部４４１は、保持部４４４から読み出した信号電位(Vsig)n-1及び温度dn-1、並びに輝度センサ２５bからの輝度の計測結果に基づいて、効率の劣化により低下した傾きα'を元の傾きαに補正するための補正量±√(α/α')を算出する。
【０４９９】
また、傾き補正部４４１は、信号合成部２２からの合成信号Cnに含まれる画像信号Snの信号電位(Vsig)nに、算出した補正量±√(α/α')を乗算する。そして、傾き補正部４４１は、その乗算の結果得られる乗算結果としての信号電位{±√(α/α')×(Vsig)n}を有する画像信号Snを含む合成信号Cnを、階調補正部４４２に供給する。
【０５００】
階調補正部４４２は、図６の階調補正部７２と同様に構成され、階調補正部７２と同様の処理を行う。
【０５０１】
すなわち、例えば、階調補正部４４２は、保持部４４４から、画像信号Snの信号電位(Vsig)nを読み出す。
【０５０２】
また、階調補正部４４２は、保持部４４４から読み出した信号電位(Vsig)nと、輝度センサ２５bからの輝度の計測結果に基づいて、電流の劣化により低下した階調(k-Δk)を元の階調kに補正するためのオフセット量Δkに対応する(ΔVsig)nを算出する。
【０５０３】
そして、階調補正部４４２は、傾き補正部４４１からの、傾き補正処理後の画像信号Snの信号電位(Vsig')n={±√(α/α')×(Vsig)n}の(Vsig)nに、オフセット量Δkに対応する(ΔVsig)nを加算する。
【０５０４】
階調補正部４４２は、その加算の結果得られる加算結果としての信号電位(Vsig'')n=[±√(α/α')×{(Vsig)n+(ΔVsig)n}]とされた画像信号Sn、すなわち、階調補正処理後の画像信号Snを含む合成信号Cnを、データドライバ２４に供給する。
【０５０５】
検出部４４３は、図６の検出部７３と同様にして、信号合成部２２からの合成信号Cnに含まれる画像信号Snに基づいて、画像信号Snの信号電位（Vsig）nを検出し、保持部４４４に供給して保持させる。
【０５０６】
また、検出部４４３は、温度センサ２５cからの温度dnを、保持部４４４に供給して保持させる。
【０５０７】
保持部４４４は、検出部４４３からの信号電位(Vsig)n及び温度dnを保持する。
【０５０８】
なお、傾き補正部４４１が、温度センサ２５cからの温度dnも用いるようにして、画像信号Snに対して傾き補正処理を行うようにしているのは、以下の理由による。
【０５０９】
次に、図３６を参照して、図３５の傾き補正部４４１が、温度センサ２５cからの温度dnも用いる理由について説明する。
【０５１０】
図３６は、表示部４２２の温度の変化に応じて、輝度劣化曲線が変化するときの一例を示している。
【０５１１】
なお、図３６において、横軸は時間を表し、縦軸は時間の経過に応じて低下する傾きを表す。
【０５１２】
図３６において、輝度劣化曲線１２１'は、有機EL素子に電流I(L=200nit)を流したときの、有機EL素子の傾きの低下の程度を表す。この輝度劣化曲線１２１'は、図３６に示されるように、表示部４２２の内部の温度（表示部４２２に内蔵された有機EL素子の温度）の変化に応じて、有機EL素子の傾きの低下が異なるものとなっている。
【０５１３】
すなわち、輝度劣化曲線１２１'では、有機EL素子の温度が高くなる程に、有機EL素子の傾きが、より速く低下するものとなっている。
【０５１４】
また、図３６において、輝度劣化曲線１２２'は、有機EL素子に電流I(L=400nit)を流したときの、有機EL素子の傾きの低下の程度を表す。この輝度劣化曲線１２２'についても、輝度劣化曲線１２１'の場合と同様に、表示部４２２の内部の温度の変化に応じて、有機EL素子の傾きの低下が異なるものとなっている。
【０５１５】
したがって、第４の実施の形態では、傾き補正部４４１において、輝度センサ２５bからの輝度の計測結果の他、温度センサ２５cからの温度にも基づいて、輝度劣化曲線を推定して、輝度劣化曲線の推定の精度を向上させるようにしている。
【０５１６】
[傾き補正部４４１の詳細]
次に、図３７は、図３５の傾き補正部４４１の詳細な構成例を示している。
【０５１７】
なお、この傾き補正部４４１は、図７の傾き補正部７１と同様に構成される部分について同一の符号を付すようにしているので、それらの説明は、以下、適宜省略している。
【０５１８】
すなわち、傾き補正部４４１において、図７の補正量生成部１０１及び劣化曲線推定部１０５に代えて、補正量生成部４６１及び劣化曲線推定部４６２が設けられている他は、図７の場合と同様に構成される。
【０５１９】
補正量生成部４６１は、図７の補正量生成部１０１と同様に、傾き保持部１０３から、注目素子の傾きα'を読み出す。
【０５２０】
また、補正量生成部４６１は、保持部４４４から、注目素子の信号電位(Vsig)n-1、及び画像信号Sn-1としての表示画像を表示していたときの表示部４２２の内部の温度dn-1を読み出す。
【０５２１】
補正量生成部４６１は、保持部４４４から読み出した注目素子の信号電位(Vsig)n-1に基づいて、注目素子に流れていた電流In-1を算出する。
【０５２２】
また、補正量生成部４６１は、劣化曲線保持部１０４に保持されている複数の輝度劣化曲線のうち、算出した電流In-1と、保持部４４４から読み出した温度dn-1との組合せに対応する輝度劣化曲線を、劣化曲線保持部１０４から読み出す。
【０５２３】
なお、図３７の劣化曲線保持部１０４には、複数の異なる電流I(L=Xnit,d=Y)の値毎に、電流I(L=Xnit,d=Y)を流した計測用の有機EL素子の輝度を計測して得られる計測結果に基づき推定された輝度劣化曲線が、電流I(L=Xnit)と温度d=Yとの組合せに対応させる形で保持されている。
【０５２４】
ここで、電流I(L=Xnit,d=Y)とは、表示部４２２の内部の温度d=Yであるときに、計測用の有機EL素子に流される電流I(L=Xnit)を表す。
【０５２５】
補正量生成部４６１は、傾き保持部１０３から読み出した注目素子の傾きα'と、劣化曲線保持部１０４から読み出した輝度劣化曲線に基づいて、注目素子の最新の傾きα'を算出する。
【０５２６】
そして、補正量生成部４６１は、注目素子の最新の傾きα'を、傾き保持部１０３に供給して、上書きにより保持（記憶）させる。
【０５２７】
また、補正量生成部４６１は、注目素子の最新の傾きα'に基づいて、補正量±√(α/α')を生成（算出）し、補正量乗算部１０２に供給する。なお、補正量生成部４６１が補正量を生成する方法は、図３８を参照して詳述する。
【０５２８】
劣化曲線推定部４６２は、図７の劣化曲線推定部１０５と同様に、図示せぬメモリを内蔵しており、そのメモリには、傾きが低下する程度を表す輝度劣化曲線を推定する際に基準となる輝度劣化基準曲線が予め保持されている。
【０５２９】
劣化曲線推定部４６２は、輝度センサ２５bからの輝度の計測結果と、図示せぬメモリに予め保持された輝度劣化基準曲線の他、温度センサ２５cからの温度にも基づいて、効率の劣化による、表示用の有機EL素子の輝度の低下を表す輝度劣化曲線を推定する。
【０５３０】
劣化曲線推定部４６２は、その推定の結果得られる輝度劣化曲線を、輝度センサ２５bにより計測される計測用の有機EL素子に流している電流I(L=Xnit)、及び輝度センサ２５bの計測時の温度dnに対応付けた形で、劣化曲線保持部１０４に供給して保持させる。
【０５３１】
なお、劣化曲線推定部４６２が輝度劣化曲線を推定する方法は、図３９及び図４０を参照して詳述する。
【０５３２】
[補正量生成部４６１が行う補正量の生成]
次に、図３８は、図３７の劣化曲線保持部１０４に保持される輝度劣化曲線の一例を示している。
【０５３３】
図３８において、輝度劣化曲線１２１1'は、計測用の有機EL素子の温度が30度であるときに電流I(L=200nit)を流したときの傾きの劣化を表す。
【０５３４】
また、図３８において、輝度劣化曲線１２１2'は、計測用の有機EL素子の温度が40度であるときに電流I(L=200nit)を流したときの傾きの劣化を表す。
【０５３５】
輝度劣化曲線１２１1'及び１２１2'は、それぞれ、図３７の劣化曲線推定部４６２により生成（推定）され、劣化曲線保持部１０４に供給されて保持される。
【０５３６】
なお、図３８において、横軸は時間を表し、縦軸は傾きを表す。
【０５３７】
傾き補正部４４１の補正量生成部４６１は、保持部４４４から、注目素子の信号電位(Vsig)n-1、及び注目素子の温度dn-1を読み出す。
【０５３８】
そして、補正量生成部４６１は、劣化曲線保持部１０４に保持されている複数の輝度劣化曲線のうち、読み出した注目素子の注目素子の信号電位(Vsig)n-1に基づく電流In-1、及び注目素子の温度dn-1に対応する輝度劣化曲線を、劣化曲線保持部１０４から読み出す。
【０５３９】
すなわち、補正量生成部４６１では、注目素子の信号電位(Vsig)n-1、及び注目素子の温度dn-1に対応する輝度劣化曲線を、劣化曲線保持部１０４から読み出す点が、図７の補正量生成部１０１とは異なるが、それ以外は、補正量生成部１０１と同様の処理を行う。
【０５４０】
具体的には、例えば、電流In-1が電流I(L=200nit)であり、温度dn-1が30度である場合、補正量生成部４６１は、電流I(L=200nit)と温度d=30度に対応付けられた輝度劣化曲線１２１1'を、劣化曲線保持部１０４から読み出す。
【０５４１】
補正量生成部４６１は、補正量生成部１０１と同様に、傾き保持部１０３から、注目素子の傾きα'を読み出す。そして補正量生成部４６１は、読み出した注目素子の傾きα'と、劣化曲線保持部１０４から読み出した輝度劣化曲線１２１1'に基づいて、図９の補正量生成部１０１と同様の処理を行う。
【０５４２】
そして、補正量生成部４６１は、図９の補正量生成部１０１と同様にして生成した補正量を、補正量乗算部１０２に供給する。
【０５４３】
なお、例えば、電流In-1が電流I(L=200nit)であり、温度dn-1が40度である場合、補正量生成部４６１は、電流I(L=200nit)と温度d=40度に対応付けられた輝度劣化曲線１２１2'を、劣化曲線保持部１０４から読み出す。
【０５４４】
そして、補正量生成部４６１は、補正量生成部１０１と同様に、傾き保持部１０３から、注目素子の傾きα'を読み出す。そして補正量生成部４６１は、読み出した注目素子の傾きα'と、劣化曲線保持部１０４から読み出した輝度劣化曲線１２１2'に基づいて、図９の補正量生成部１０１と同様の処理を行う。
【０５４５】
すなわち、例えば、注目素子の傾きα'=αである場合に、輝度劣化曲線１２１1'に基づいて、注目素子の最新の傾きα'を算出するときには、補正量生成部４６１は、以下のような処理を行う。
【０５４６】
つまり、補正量生成部４６１は、輝度劣化曲線１２１1'上の点P0(注目素子の傾きα'=αに対応する点P0)を、注目素子に電流I(L=200nit,d=30)を流した時間t4の経過後の点P1"に移動させるようにして、補正量生成部１０１と同様にして、注目素子の最新の傾きα'=α1'を算出する。
【０５４７】
なお、図３８では、図９との対応関係を明確にするために、縦軸に記載した傾きα'として、図９に記載された傾きα'と同一の傾きα1',α2',α3'を図示するようにしているが、実際には異なるものである。
【０５４８】
すなわち、図３８に記載された傾きα1',α2',α3'は、一般的に、図９に記載された傾きα1',α2',α3'とは異なる。
【０５４９】
また、例えば、注目素子の傾きα'=α1'である場合に、輝度劣化曲線１２１1'に基づいて、注目素子の最新の傾きα'=α2'を算出するときには、補正量生成部４６１は、以下のような処理を行う。
【０５５０】
つまり、補正量生成部４６１は、輝度劣化曲線１２１1'上の点P1"(注目素子の傾きα'=α1'に対応する点P1")を、注目素子に電流I(L=200nit,d=30)を流した時間t5の経過後の点P2"に移動させるようにして、補正量生成部１０１と同様にして、注目素子の最新の傾きα'=α2'を算出する。
【０５５１】
さらに、例えば、注目素子の傾きα'=α2'である場合に、輝度劣化曲線１２１2'に基づいて、注目素子の最新の傾きα'=α3'を算出するときには、補正量生成部４６１は、以下のような処理を行う。
【０５５２】
つまり、補正量生成部４６１は、輝度劣化曲線１２１2'上の点P1'''(注目素子の傾きα'=α2'に対応する点P1''')を、注目素子に電流I(L=200nit,d=40)を流した時間t6の経過後の点P2'''に移動させるようにして、補正量生成部１０１と同様にして、注目素子の最新の傾きα'=α3'を算出する。
【０５５３】
[劣化曲線推定部４６２が行う輝度劣化曲線の推定]
次に、図３９及び図４０を参照して、図３７の劣化曲線推定部４６２が、輝度劣化曲線を推定する推定方法の一例を説明する。
【０５５４】
図３９は、劣化曲線推定部４６２が、輝度センサ２５bからの輝度の計測結果とともに、温度センサ２５cからの温度の計測結果に基づいて、輝度劣化曲線を推定するときの一例を示している。
【０５５５】
図３９において、横軸は時間を表し、縦軸は傾きを表す。
【０５５６】
最初に、劣化曲線推定部４６２が、表示部４２２の内部の温度が30度である場合に、電流I(L=200nit)が流される計測用の有機EL素子の輝度の低下を表す輝度劣化曲線１２１1'（図３８）を推定する方法を説明する。
【０５５７】
劣化曲線推定部４６２には、例えば、輝度センサ２５bから、電流I(L=200nit,d=30)が流される計測用の有機EL素子の輝度を計測して得られた輝度L(t,I(L=200nit,d=30))が供給される。
【０５５８】
ここで、電流I(L=200nit,d=30)とは、表示部４２２の内部の温度が30度である場合に、計測用の有機EL素子に流される電流I(L=200nit)を表す。
【０５５９】
また、劣化曲線推定部４６２には、例えば、温度センサ２５cから、表示部４２２の内部の温度d=30、つまり、電流I(L=200nit,d=30)が流されている計測用の有機EL素子の温度d=30が供給される。
【０５６０】
なお、劣化曲線推定部４６２は、図示せぬ内蔵のメモリに、温度d=Yのときに有機EL素子に流される電流I(L=Xnit)を表す電流I(L=Xnit,d=Y)の値を予め保持している。ここで、電流I(L=Xnit,d=Y)の値は、温度d=Yに拘らず、電流I(L=Xnit)の値と同一であるが、説明の便宜上、電流I(L=Xnit,d=Y)と表すようにしている。
【０５６１】
劣化曲線推定部４６２は、図示せぬ内蔵するメモリに予め保持している電流の値I(L=200nit,d=30)と、輝度センサ２５bからの計測結果L(t,I(L=200nit))に基づいて、式（４）に基づき導出される式α(t,I(L=200nit,d=30))'=L(t,I(L=200nit))/I(L=200nit,d=30)により、時間tに対する傾きα(t,I(L=200nit,d=30))'を算出する。
【０５６２】
また、劣化曲線推定部４６２は、図示せぬ内蔵のメモリに、輝度劣化基準曲線１４１1'を予め保持している。この輝度劣化基準曲線１４１1'は、電流I(L=200nit,d=30)が流される有機EL素子の輝度の低下を表す平均的な輝度劣化曲線であり、例えば輝度劣化曲線１２１1'を推定する際の基準とされる。
【０５６３】
劣化曲線推定部４６２は、算出した傾きα(t,I(L=200nit,d=30))'と、予め保持している輝度劣化基準曲線１４１1'に基づいて、電流I(L=200nit,d=30)を流したときの計測用の有機EL素子についての輝度劣化曲線１２１1'を推定する。  
【０５６４】
すなわち、例えば、劣化曲線推定部４６２は、図３９に示されるように、傾きα(0,I(L=200nit,d=30))'=αが得られたときから、傾きα(T,I(L=200nit,d=30))'が得られるまでの時間Δt1'を算出する。
【０５６５】
なお、図３９では、図１０との対応関係を明確にするために、図１０に記載された時間Δt1',Δt1,Δt2',Δt2と同一の時間Δt1',Δt1,Δt2',Δt2を図示するようにしているが、実際には異なるものである。
【０５６６】
すなわち、図３９に記載された傾きΔt1',Δt1,Δt2',Δt2は、一般的に、図１０に記載された傾きΔt1',Δt1,Δt2',Δt2とは異なる。
【０５６７】
また、例えば、劣化曲線推定部４６２は、図３９に示されるように、輝度劣化基準曲線１４１1'において、傾きα(0,I(L=200nit,d=30))'=αが得られたときから、傾きα(T,I(L=200nit,d=30))'が得られるまでの時間Δt1を算出する。
【０５６８】
さらに、劣化曲線推定部４６２は、算出した時間Δt1'と時間Δt1に基づいて、輝度劣化曲線１４１1'に対する傾きα(t,I(L=200nit))'の低下の速さを表す温度加速係数Δt1'/Δt1を算出する。
【０５６９】
劣化曲線推定部４６２は、算出した温度加速係数Δt1'/Δt1を、輝度劣化基準曲線１４１1'を表す式A(t,I(L=200nit,d=30))に乗算することにより、輝度劣化曲線１２１1'を推定し、劣化曲線保持部１０４に供給して保持させる。
【０５７０】
すなわち、例えば、劣化曲線推定部４６２は、その乗算により得られる新たな式(Δt1'/Δt1)×A(t,I(L=200nit,d=30))を表す輝度劣化曲線１２１1'を、電流I(L=200nit,d=30)と温度d=30の組合せに対応付けた形で、劣化曲線保持部１０４に供給して保持させる。
【０５７１】
次に、劣化曲線推定部４６２が、表示部４２２の温度が40度である場合に、電流I(L=400nit)が流される計測用の有機EL素子の輝度の低下を表す輝度劣化曲線１２２2'(図３８)を推定する方法を説明する。
【０５７２】
劣化曲線推定部４６２には、例えば、輝度センサ２５bから、電流I(L=200nit,d=40)が流される計測用の有機EL素子の輝度を計測して得られた輝度L(t,I(L=200nit,d=40))が供給される。
【０５７３】
ここで、電流I(L=200nit,d=40)とは、表示部４２２の内部の温度が40度である場合に、計測用の有機EL素子に流される電流I(L=200nit)を表す。
【０５７４】
また、劣化曲線推定部４６２には、例えば、温度センサ２５cから、表示部４２２の内部の温度d=40、つまり、電流I(L=200nit,d=40)が流されている計測用の有機EL素子の温度d=40が供給される。
【０５７５】
劣化曲線推定部４６２は、図示せぬ内蔵するメモリに予め保持している電流の値I(L=200nit,d=40)と、輝度センサ２５bからの計測結果L(t,I(L=200nit))に基づいて、式（４）に基づき導出される式α(t,I(L=200nit,d=40))'=L(t,I(L=200nit))/I(L=200nit,d=30)により、時間tに対する傾きα(t,I(L=200nit,d=30))'を算出する。
【０５７６】
また、劣化曲線推定部４６２は、図示せぬ内蔵のメモリに、輝度劣化基準曲線１４１2'を予め保持している。この輝度劣化基準曲線１４１2'は、電流I(L=200nit,d=40)が流される有機EL素子の輝度の低下を表す平均的な輝度劣化曲線であり、例えば輝度劣化曲線１２１2'を推定する際の基準とされる。
【０５７７】
劣化曲線推定部４６２は、算出した傾きα(t,I(L=200nit,d=40))'と、予め保持している輝度劣化基準曲線１４１2'に基づいて、電流I(L=200nit,d=40)を流したときの計測用の有機EL素子についての輝度劣化曲線１２１2'を推定する。
【０５７８】
すなわち、例えば、劣化曲線推定部４６２は、図３９に示されるように、傾きα(0,I(L=200nit,d=40))'が得られたときから、傾きα(T,I(L=200nit,d=40))'が得られるまでの時間Δt2'を算出する。
【０５７９】
また、例えば、劣化曲線推定部４６２は、図３９に示されるように、輝度劣化基準曲線１４１2'において、傾きα(0,I(L=200nit,d=40))'が得られたときから、傾きα(T,I(L=200nit,d=40))'が得られるまでの時間Δt2を算出する。
【０５８０】
さらに、劣化曲線推定部４６２は、算出した時間Δt2'と時間Δt2に基づいて、輝度劣化曲線１４１2'に対する傾きα(t,I(L=200nit,d=40))'の低下の速さを表す温度加速係数Δt2'/Δt2を算出する。
【０５８１】
劣化曲線推定部４６２は、算出した温度加速係数Δt2'/Δt2を、輝度劣化基準曲線１４１2'を表す式A(t,I(L=200nit,d=40))に乗算することにより、輝度劣化曲線１２１2'を推定し、劣化曲線保持部１０４に供給して保持させる。
【０５８２】
すなわち、例えば、劣化曲線推定部４６２は、その乗算により得られる新たな式(Δt2'/Δt2)×A(t,I(L=200nit,d=40))を表す輝度劣化曲線１２１2'を、電流I(L=200nit,d=40)及び温度d=40の組合せに対応付けた形で、劣化曲線保持部１０４に供給して保持させる。
【０５８３】
なお、劣化曲線推定部４６２は、図示せぬ内蔵のメモリに、複数の輝度劣化基準曲線（例えば、輝度劣化基準曲線１４１1',１４１2'など）を予め保持するようにしている。
【０５８４】
しかしながら、劣化曲線推定部４６２が、複数の異なる電流I(L=Xnit,d=Y)毎に、電流I(L=Xnit,d=Y)が流れる計測用の有機EL素子についての輝度劣化曲線を推定する場合、複数の異なる電流I(L=Xnit,d=Y)の数だけ、対応する輝度劣化基準曲線を、内蔵するメモリに保持する必要がある。
【０５８５】
この場合、輝度劣化基準曲線の数に応じて、メモリの記憶容量を増やさなければならない。
【０５８６】
したがって、劣化曲線推定部４６２では、劣化曲線推定部１０５の場合と同様に、複数の輝度劣化基準曲線のいずれか１つの輝度劣化基準曲線を、いずれの輝度劣化曲線を推定する場合にも使用可能なマスターカーブとして保持して、メモリの記憶容量を節約することができる。
【０５８７】
その他、例えば、劣化曲線推定部４６２は、複数の異なる電流I(L=Xnit)毎に、１つのマスターカーブを保持するようにして、メモリの記憶容量をより節約するようにしてもよい。
【０５８８】
次に、図４０は、例えば、輝度劣化曲線１４１1'を、電流I(L=200nit)についてのマスターカーブとしたときの一例を示している。
【０５８９】
図４０に示される輝度劣化曲線１４１1'は、例えば、電流I(L=200nit)についてのマスターカーブを表している。
【０５９０】
マスターカーブとしての輝度劣化曲線１４１1'は、表示部４２２の内部の温度d=Yに拘らず、電流I(L=200nit,d=Y)が流れる計測用の有機EL素子についての輝度劣化曲線を推定する際に用いられる。
【０５９１】
例えば、劣化曲線推定部４６２は、輝度センサ２５bからの計測結果に基づいて、傾きの低下の程度を表す関数１６１1を算出する。
【０５９２】
また、例えば、劣化曲線推定部４６２は、温度センサ２５cからの計測結果である温度dを、温度センサ２５cから取得する。
【０５９３】
そして、劣化曲線推定部４６２は、マスターカーブとしての輝度劣化基準曲線１４１1'と、関数１６１1とに基づいて、温度加速係数Δt1'/Δt1を算出するようにして、以下、上述したようにして輝度劣化曲線を推定する。
【０５９４】
また、劣化曲線推定部４６２は、温度センサ２５cからの温度dに基づいて、画素回路１８４の温度が３０度から４０度に変化したか否かを判定する。
【０５９５】
さらに、劣化曲線推定部４６２は、温度センサ２５cからの温度dに基づいて、画素回路１８４の温度が３０度から４０度に変化したと判定した場合、温度dが40度に変化後に、輝度センサ２５bに計測されて得られた計測結果に基づいて、関数１６１2を算出する。
【０５９６】
そして、劣化曲線推定部４６２は、マスターカーブとしての輝度劣化基準曲線１４１1'と、関数１６１2とに基づいて、温度加速係数Δt2'/Δt2を算出するようにして、以下、上述したようにして輝度劣化曲線を推定する。
【０５９７】
また、劣化曲線推定部４６２は、温度センサ２５cからの温度dに基づいて、画素回路１８４の温度が４０度から３０度に変化したか否かを判定する。
【０５９８】
さらに、劣化曲線推定部４６２は、温度センサ２５cからの温度dに基づいて、画素回路１８４の温度が４０度から３０度に変化したと判定した場合、温度dが30度に変化後に、輝度センサ２５bに計測されて得られた計測結果に基づいて、関数１６１3を算出する。
【０５９９】
そして、劣化曲線推定部４６２は、マスターカーブとしての輝度劣化基準曲線１４１1'と、関数１６１3とに基づいて、温度加速係数Δt3'/Δt3を算出するようにして、以下、上述したようにして輝度劣化曲線を推定する。
【０６００】
[表示装置４０１の動作説明]
次に、図４１のフローチャートを参照して、図３４の表示装置４０１が行う表示処理（以下、第４の表示処理という）について説明する。
【０６０１】
この第４の表示処理は、例えば、表示装置４０１の電源がオンとされたときに開始される。
【０６０２】
ステップＳ１９１及びステップＳ１９２では、それぞれ、図１８のステップＳ１及びステップＳ２と同様の処理が行われる。
【０６０３】
ステップＳ１９３では、制御部２６は、表示部４２２に含まれる表示用の有機EL素子に順次注目し、注目している有機EL素子を、注目素子とする。
【０６０４】
ステップＳ１９４では、焼付補正部４２１の検出部４４３は、信号合成部２２からの合成信号Cnに含まれる画像信号Snに基づいて、注目素子の信号電位(Vsig)nを検出し、保持部４４４に供給して保持させる。
【０６０５】
ステップＳ１９５では、焼付補正部４２１の検出部４４３は、温度センサ２５cからの計測結果である温度dnを、注目素子の温度dnとして検出し、保持部４４４に供給して保持させる。なお、温度dnとは、注目素子の信号電位(Vsig)nに基づいて、注目素子が発光するときの表示部４２２の内部の温度を表す。
【０６０６】
表示部４２２の内部の温度dnは、注目素子の温度dnと（殆ど）同一であるものとする。
【０６０７】
ステップＳ１９６では、焼付補正部４２１の傾き補正部４４１は、信号合成部２２から供給される注目画素の信号電位(Vsig)nに対して、温度dn-1も用いた傾き補正処理を行う。この傾き補正処理の詳細は、図４２のフローチャートを参照して詳述する。
【０６０８】
傾き補正部４４１は、傾き補正処理で補正後の、注目素子の信号電位(Vsig')n(=±√(α/α')×(Vsig)n)を、階調補正部４４２に供給する。
【０６０９】
ステップＳ１９７では、焼付補正部４２１の階調補正部４４２は、階調補正部７２と同様にして、傾き補正部４４１から供給される、注目画素の信号電位(Vsig')n(=±√(α/α')×(Vsig)n)の(Vsig)nに、オフセット量としての(ΔVsig)nを加算することにより、注目画素における階調(k-Δk)を元の階調kに補正する階調補正処理を行う。
【０６１０】
ステップＳ１９８では、制御部２６は、表示部４２２に含まれる表示用の有機EL素子の全てを注目素子としたか否かを判定し、表示用の有機EL素子の全てを注目素子としていないと判定した場合、処理をステップＳ１９３に戻す。
【０６１１】
そして、ステップＳ１９３では、制御部２６は、表示部４２２に含まれる表示用の有機EL素子のうち、まだ注目素子とされていない有機EL素子に注目し、注目している有機EL素子を、新たな注目素子とし、処理をステップＳ４１９に進め、それ以降同様の処理が繰り返される。
【０６１２】
また、ステップＳ１９８において、制御部２６は、表示部４２２に含まれる表示用の有機EL素子の全てを注目素子に設定したと判定した場合、処理をステップＳ１９９に進める。
【０６１３】
表示用の有機EL素子の全てが注目素子とされた後、注目素子とされた有機EL素子の信号電位(Vsig'')n(=±√(α/α')×{(Vsig)n+(ΔVsig)n})をそれぞれ表す画像信号Snを含む合成信号Cnが、データドライバ２４に供給される。
【０６１４】
ステップＳ１９９乃至ステップＳ２０１では、それぞれ、図１８のステップＳ８乃至ステップＳ１０と同様の処理が行われる。
【０６１５】
ステップＳ２０２では、傾き補正部４４１は、輝度センサ２５bからの輝度の計測結果の他、温度センサ２５cからの温度の計測結果にも基づいて、輝度劣化曲線を推定して保持する劣化曲線推定処理を行う。この劣化曲線推定処理は、図４３のフローチャートを参照して詳述する。
【０６１６】
ステップＳ２０２の終了後、処理はステップＳ１９１に戻され、それ以降同様の処理が行われる。
【０６１７】
なお、第４の表示処理は、例えば、表示装置４０１の電源がオフとされたときに終了される。
【０６１８】
以上説明したように、第４の表示処理によれば、有機EL素子の温度にも基づいて、傾き補正処理を行うようにした。このため、有機EL素子の温度に応じて、傾きの低下の速さが異なる有機EL素子の傾きα'を、より正確に元の傾きαに補正できる。
【０６１９】
また、第４の表示処理によれば、計測用の有機EL素子の温度が変化した場合、温度の変化前に得られた輝度の計測結果に基づいて、変化前の温度における輝度劣化曲線を推定し、温度の変化後に得られた輝度の計測結果に基づいて、変化後の温度における輝度劣化曲線を推定するようにした。
【０６２０】
このため、温度の変化前と変化後に得られた輝度の計測結果の両方を用いて、１の輝度劣化曲線を推定する場合と比較して、温度毎の、より正確な輝度劣化曲線を推定することが可能となる。
【０６２１】
[傾き補正部４４１が行う傾き補正処理の詳細]
次に、図４２のフローチャートを参照して、図４１のステップＳ１９６における傾き補正処理について説明する。
【０６２２】
ステップＳ２２１では、補正量生成部４６１は、補正量生成部１０１と同様にして、傾き保持部１０３から、注目素子の傾きα'を読み出す。
【０６２３】
ステップＳ２２２では、補正量生成部４６１は、補正量生成部１０１と同様にして、保持部４４４から、注目素子の信号電位(Vsig)n-1を読み出す。
【０６２４】
ステップＳ２２３では、補正量生成部４６１は、保持部４４４から、注目素子の温度dn-1を読み出す。
【０６２５】
ステップＳ２２４では、補正量生成部４６１は、保持部４４４から読み出した注目素子の信号電位(Vsig)n-1に基づいて、注目画素としての有機EL素子に流れていた電流In-1を算出する。
【０６２６】
そして、補正量生成部１０１は、劣化曲線保持部１０４に保持されている複数の輝度劣化曲線のうち、算出した電流In-1と、保持部４４４から読み出した温度dn-1との組合せに対応付けられた輝度劣化曲線を、劣化曲線保持部１０４から読み出す。
【０６２７】
ステップＳ２２５では、補正量生成部４６１は、補正量生成部１０１と同様に、傾き保持部１０３から読み出した注目素子の傾きα'と、劣化曲線保持部１０４から読み出した輝度劣化曲線に基づいて、注目素子の最新の傾きα'を算出する。
【０６２８】
そして、補正量生成部１０１は、注目素子の最新の傾きα'を、傾き保持部１０３に供給して、上書きにより保持（記憶）させる。
【０６２９】
ステップＳ２２６では、補正量生成部４６１は、補正量生成部１０１と同様に、注目素子の最新の傾きα'に基づいて、補正量±√(α/α')を生成（算出）し、補正量乗算部１０２に供給する。
【０６３０】
ステップＳ２２７では、図１９のステップＳ３６と同様の処理が行われる。すなわち、補正量乗算部１０２は、注目素子の信号電位(Vsig)nに対して、補正量生成部４６１からの補正量±√(α/α')を乗算する。
【０６３１】
その後、図４２の傾き補正処理は終了され、処理は、図４１のステップＳ１９６に戻り、補正量乗算部１０２は、その乗算により得られる信号電位{±√(α/α')×(Vsig)n}を、傾きα'が元の傾きαに補正された注目素子の信号電位(Vsig')nとして、階調補正部４４２に供給して、それ以降の処理が行なわれる。
【０６３２】
[劣化曲線推定部４６２が行う劣化曲線推定処理の詳細]
次に、図４３のフローチャートを参照して、図４１のステップＳ２０２における劣化曲線推定処理について説明する。
【０６３３】
ステップＳ２４１において、劣化曲線推定部４６２は、温度センサ２５cから、表示部４２２の内部の温度d=Yを取得する。なお、温度センサ２５cは、適宜、表示部４２２の内部の温度を計測し、その計測結果としての温度d=Yを、劣化曲線推定部４６２に供給する。  
【０６３４】
なお、ステップＳ２４１において取得された温度d=Yが、前回の劣化曲線推定処理におけるステップＳ２４１で取得された温度d=Yと同一である場合、ステップＳ２４２乃至ステップＳ２４６をスキップして、図４３の劣化曲線推定処理を終了するようにしてもよい。
【０６３５】
これは、ステップＳ２４１において取得された温度d=Yが、前回の劣化曲線推定処理におけるステップＳ２４１で取得された温度d=Yと同一である場合、表示部４２２の内部の温度が温度d=Yであるときの輝度劣化曲線を生成して劣化曲線保持部１０４に保持済みであることによる。
【０６３６】
ステップＳ２４２において、劣化曲線推定部４６２は、複数の輝度センサ２５bに順次注目し、注目している輝度センサ２５bを注目センサとする。
【０６３７】
劣化曲線推定部４６２には、注目センサから、電流I(L=Xnit,d=Y)が流される計測用の画素回路の輝度を計測して得られた輝度L(t,I(L=Xnit,d=Y))が供給される。
【０６３８】
なお、電流I(L=Xnit,d=Y)のXnitは、注目センサ毎に予め決まっている値であるが、電流I(L=Xnit,d=Y)のYは、表示部４２２の内部の温度d=Yに応じて変化する値である。
【０６３９】
ステップＳ２４３において、劣化曲線推定部４６２は、図示せぬ内蔵するメモリに予め保持している電流の値I(L=Xnit,d=Y)と、注目センサからの輝度L(t,I(L=Xnit,d=Y))に基づいて、傾きα(t,I(L=Xnit,d=Y))'を算出する。
【０６４０】
すなわち、例えば、劣化曲線推定部４６２は、図示せぬ内蔵するメモリに予め保持している電流の値I(L=200nit,d=Y)と、輝度センサ２５bからの計測結果L(t,I(L=200nit,d=Y))に基づいて、式（４）に基づき導出される式α(t,I(L=200nit,d=Y))'=L(t,I(L=200nit,d=Y))/I(L=200nit,d=Y)により、時間tに対する傾きα(t,I(L=200nit,d=Y))'を算出する。
【０６４１】
ステップＳ２４４では、劣化曲線推定部４６２は、算出した傾きα(t,I(L=Xnit,d=Y))'と、図示せぬ内蔵のメモリに予め保持している輝度劣化基準曲線に基づいて、輝度劣化基準曲線と乗算される加速係数を算出する。
【０６４２】
すなわち、例えば、劣化曲線推定部４６２は、図３９に示されるように、傾きα(0,I(L=200nit,d=30))'=αが得られたときから、傾きα(T,I(L=200nit,d=30))'が得られるまでの時間Δt1'を算出する。
【０６４３】
また、例えば、劣化曲線推定部４６２は、図３９に示されるように、輝度劣化基準曲線１４１1'において、傾きα(0,I(L=200nit,d=30))'=αが得られたときから、傾きα(T,I(L=200nit,d=30))'が得られるまでの時間Δt1を算出する。
【０６４４】
さらに、劣化曲線推定部４６２は、算出した時間Δt1'と時間Δt1に基づいて、温度加速係数Δt1'/Δt1を算出する。
【０６４５】
ステップＳ２４５では、劣化曲線推定部４６２は、算出した温度加速係数と、図示せぬメモリに予め保持されている輝度劣化基準曲線とに基づいて、輝度劣化曲線を推定し、劣化曲線保持部１０４に供給して保持させる。
【０６４６】
すなわち、例えば、劣化曲線推定部４６２は、算出した加速係数Δt1'/Δt1を、輝度劣化基準曲線１４１1'を表す式A(t,I(L=200nit,d=30))に乗算する。そして、劣化曲線推定部４６２は、その乗算により得られる新たな式(Δt1'/Δt1)×A(t,I(L=200nit,d=30))を表す輝度劣化曲線１２１1'を、電流I(L=200nit)、及びステップＳ２４１で取得された温度d=30に対応付けた形で、劣化曲線保持部１０４に供給して保持させる。
【０６４７】
ステップＳ２４６において、劣化曲線推定部４６２は、複数の輝度センサ２５bの全てを注目センサとしたか否かを判定し、複数の輝度センサ２５bの全てを注目センサとしていないと判定した場合、処理をステップＳ２４２に戻す。
【０６４８】
そして、ステップＳ２４２では、劣化曲線推定部４６２は、複数の輝度センサ２５bのうち、まだ注目センサとされていない輝度センサを新たな注目センサとし、処理をステップＳ２４３に進め、それ以降、同様の処理を行う。
【０６４９】
なお、ステップＳ２４６において、劣化曲線推定部４６２は、複数の輝度センサ２５bの全てを注目センサとしたと判定した場合、図４３の劣化曲線推定処理は終了され、処理は、図４１のステップＳ２０２に戻り、それ以降の処理が行なわれる。
【０６５０】
＜５．第５の実施の形態＞
[表示装置５０１の構成例]
次に、図４４は、第５の実施の形態である表示装置５０１の構成例を示している。
【０６５１】
この表示装置５０１は、第１の実施の形態である表示装置１（図１）の場合と同様に構成されている部分について同一の符号を付すようにしているので、それらの説明は適宜省略している。
【０６５２】
すなわち、表示装置５０１において、同期信号生成部５２１が設けられているとともに、図１の信号合成部２２及び表示部２５に代えて、信号合成部５２２及び表示部５２３が設けられている他は、図１の場合と同様に構成される。
【０６５３】
なお、図１の表示装置１における表示画面２５aでは、同期信号に同期して表示画像を表示するが、図１において、同期信号を生成する同期信号生成部の図示を省略している。これに対して、図４４の表示装置５０１では、説明の都合上、同期信号生成部５２１を明示的に図示するようにしている。
【０６５４】
同期信号生成部５２１は、制御部２６からの制御にしたがって、同期信号（水平同期信号、及び垂直同期信号）を生成し、信号合成部５２２及び表示部５２３に供給する。
【０６５５】
信号合成部５２２には、外部から画像信号が、ダミー画素信号生成部２１からダミー画素信号が、それぞれ供給される。
【０６５６】
信号合成部５２２は、同期信号生成部５２１からの垂直同期信号に同期して、外部からの画像信号と、ダミー画素信号生成部２１からのダミー画素信号を合成し、その結果得られる合成信号を、焼付補正部２３に供給する。
【０６５７】
次に、図４５は、図４４の信号合成部５２２が、画像信号とダミー画素信号とを合成する合成処理の一例を示している。
【０６５８】
図４５上側には、画像信号に応じて、表示部５２３に含まれる表示用の有機EL素子が発光することにより、表示部５２３の表示画面２５aに表示される表示画像４１の一例を示している。
【０６５９】
また、図４５下側には、ダミー画素信号に応じて、表示部５２３に含まれる計測用の有機EL素子が発光することにより得られるダミー画像４２'の一例を示している。なお、ダミー画像４２'は、表示部５２３の表示画面２５aには表示されず、表示部５２３に内蔵される輝度センサ２５bによる輝度の計測にのみ用いられる。
【０６６０】
信号合成部５２２は、例えば、図４５に示されるように、表示画像４１の下側に、ダミー画像４２'が配置されるように、画像信号とダミー画素信号を合成する。
【０６６１】
これにより、信号合成部５２２は、画像信号とダミー画素信号を合成することにより、図４６に示されるような合成画像４３'を表す合成信号を生成し、焼付補正部２３に供給する。
【０６６２】
なお、信号合成部５２２は、表示画像４１の上側に、ダミー画像４２'が配置されるように、画像信号とダミー画素信号を合成するようにしてもよい。この場合、表示部５２３において、輝度センサ２５bは、表示画面２５aの上側に設けられる。
【０６６３】
図４４に戻り、表示部５２３は、表示画面２５a及び輝度センサ２５bを有している。なお、表示部５２３では、表示画面２５aと輝度センサ２５bとの位置関係が、図１の表示部２５の場合とは異なる。このことは、図５１を参照して詳述する。
【０６６４】
また、表示部５２３は、データドライバ２４からの合成信号Cnに含まれる画像信号Snに基づいて、同期信号生成部５２１からの同期信号に同期して、内蔵する表示用の有機EL素子を発光させる。これにより、表示部５２３の表示画面２５aには、画像信号Snとしての表示画像４１が表示される。
【０６６５】
さらに、表示部５２３は、データドライバ２４からの合成信号Cnに含まれるダミー画素信号に基づいて、同期信号生成部５２１からの同期信号に同期して、内蔵する計測用の有機EL素子を発光させる。
【０６６６】
表示部５２３において、輝度センサ２５bは、計測用の有機EL素子を含む画素回路の傍に設けられており、その画素回路に含まれる有機EL素子の輝度を計測し、その計測結果を、焼付補正部２３に供給する。
【０６６７】
なお、表示部５２３は、図１４に示した表示部２５と同様にして、画素回路１８４-(1,1)乃至１８４-(N,M)が設けられている。
【０６６８】
図１４の表示部２５では、画素回路１８４-(1,M),画素回路１８４-(2,M),…,画素回路１８４-(N,M)にそれぞれ含まれる有機EL素子が、計測用の有機EL素子とされる。
【０６６９】
これに対して、表示部５２３では、表示部５２３に内蔵された画素回路１８４-(1,1)乃至１８４-(N,M)のうち、画素回路１８４-(N,1),画素回路１８４-(N,2),…,画素回路１８４-(N,M)にそれぞれ含まれる有機EL素子が、計測用の有機EL素子とされる点で異なる。
【０６７０】
なお、表示部５２３においては、画素回路１８４-(N,2),…,画素回路１８４-(N,M)にそれぞれ含まれる有機EL素子の傍に、それぞれ、輝度センサ２５b1,輝度センサ２５b2,…,輝度センサ２５bNが設けられることとなる。
【０６７１】
次に、図４７は、表示部５２３が、同期信号生成部５２１からの同期信号に同期して、表示用の有機EL素子、及び計測用の有機EL素子を発光させる様子の一例を示している。
【０６７２】
図４７において、図中上側には、合成画像４３'の表示を開始したときから、次の合成画像４３'の表示を開始するまでの期間である垂直同期期間が示されている。この垂直同期期間は、同期信号生成部２２から出力される垂直同期信号において、立ち下がりエッジが生じたときから、次の立下りエッジが生じるまでの期間を表す。
【０６７３】
また、垂直同期期間は、図４７に示されるように、複数の水平同期期間と、ブランキング期間から構成される。
【０６７４】
水平同期期間は、同期信号生成部５２１から出力される水平同期信号において、立下りエッジが生じたときから、次の立下りエッジが生じるまでの期間を表す。なお、水平同期期間は、合成画像４３'を構成する各ラインの１ラインに対応する有機EL素子を発光させる期間である。
【０６７５】
表示部５２３は、同期信号生成部５２１からの垂直同期信号及び水平同期信号に同期して、データドライバ２４から供給される合成信号Cnに基づき、所定の垂直同期期間において、表示用の有機EL素子、及び計測用の有機EL素子を発光させる。
【０６７６】
すなわち、例えば、表示部５２３は、垂直同期期間において、同期信号生成部２２からの水平同期信号に同期して、水平同期信号に立下りエッジが生じる毎に、合成画像４３を構成する各ラインの表示を開始させる。
【０６７７】
これにより、図４８に示されるように、垂直同期期間において、水平同期信号に立ち下がりエッジが生じる毎に、表示画像４１を構成する各ラインが、上からラスタスキャン順に、表示画面２５aに表示される。
【０６７８】
また、垂直同期期間において、表示画面２５aに表示画像４１が表示された後、水平同期信号に立ち下りエッジが生じたことに対応して、ダミー画像４２'として発光する計測用の有機EL素子を発光させる。
【０６７９】
その後、垂直同期期間において、表示用の有機EL素子、及び計測用の有機EL素子を発光させるための複数の水平同期期間が終了し、ブランキング期間が開始され、ブランキング期間の終了後、次の垂直同期期間が到来し、それ以降同様の処理が繰り返される。
【０６８０】
なお、ブランキング期間において、次の垂直同期期間で用いられる合成画像４３としての合成信号が、信号合成部５２２が行う合成により生成される。そして、ブランキング期間において、信号合成部５２２により生成された合成信号が、焼付補正部２３により補正され、補正後の合成信号が、データドライバ２４によりAD変換され、表示部５２３に供給される。
【０６８１】
表示部５２３では、データドライバ２４から供給されたAD変換後の合成信号を用いて、次の垂直同期期間で、上述した処理を行う。
【０６８２】
信号合成部５２２は、ブランキング期間内に、表示画像４１の下側にダミー画像４２'を結合させる合成処理を行うようにしている。すなわち、信号合成部５２２は、１の垂直同期期間毎に、合成処理を行えばよいものとなる。
【０６８３】
これに対して、信号合成部２２のように、表示画像４１の右側にダミー画像４２を結合させる合成処理を行う場合には、水平同期期間毎に、次の水平同期期間に表示させるダミー画像４２'（の一部分）を結合させる合成処理を行う必要がある。
【０６８４】
次に、図４８は、図１の表示部２５が、図示せぬ同期信号生成部からの同期信号に同期して、表示用の有機EL素子、及び計測用の有機EL素子を発光させる様子の一例を示している。
【０６８５】
図４８において、図中上側には、合成画像４３の表示を開始したときから、次の合成画像４３の表示を開始するまでの期間である垂直同期期間が示されている。この垂直同期期間は、図示せぬ同期信号生成部から出力される垂直同期信号において、立ち下がりエッジが生じたときから、次の立下りエッジが生じるまでの期間を表す。
【０６８６】
また、垂直同期期間は、図４８に示されるように、複数の水平同期期間から構成される。なお、図４８において、垂直同期期間に、ブランキング期間を設けるようにしてもよい。
【０６８７】
表示部２５は、図示せぬ同期信号生成部からの垂直同期信号に同期して、データドライバ２４から供給される合成信号Cnに基づき、所定の垂直同期期間において、表示用の有機EL素子、及び計測用の有機EL素子を発光させる。
【０６８８】
すなわち、例えば、表示部５２３は、垂直同期期間において、同期信号生成部２２からの水平同期信号に同期して、水平同期信号に立下りエッジが生じる毎に、合成画像４３を構成する各ラインの表示を開始させる。
【０６８９】
これにより、図４８に示されるように、垂直同期期間において、水平同期信号に立ち下がりエッジが生じる毎に、表示画像４１を構成する各ラインが、上からラスタスキャン順に、表示画面２５aに表示される。
【０６９０】
また、垂直同期期間において、水平同期信号に立ち下がりエッジが生じる毎に、ダミー画像４２'の一部分として発光する計測用の有機EL素子が発光される。
【０６９１】
その後、垂直同期期間の終了後、次の垂直同期期間においても同様の処理が繰り返される。
【０６９２】
なお、この場合、信号合成部２２は、水平同期期間毎に、次の水平同期期間で発光させる計測用の有機EL素子に対応する、ダミー画像４２の一部分を結合させる合成処理を行う必要がある。
【０６９３】
これに対して、信号合成部５２２では、１の垂直同期期間毎に、合成処理を行えばよいため、処理による負荷を軽減できる。
【０６９４】
また、信号合成部５２２は、表示画像４１の下側に、ダミー画像４２'を結合するようにしたので、図４９に示されるように、表示画像４１用のデータドライバ２４1乃至２４3を、そのまま利用することができる。
【０６９５】
つまり、データドライバ２４から表示部５２３に画像信号を供給するための映像信号線を用いて、ダミー画素信号も供給するようにすることができる。
【０６９６】
なお、図４９では、表示画像４１用のデータドライバ２４として、３個のデータドライバ２４1乃至２４3が設けられている場合の一例を示している。
【０６９７】
これに対して、信号合成部２２のように、表示画像４１の右側に、ダミー画像４２を結合する場合、図５０に示されるように、ダミー画像４２用のデータドライバ２４4を新たに設けなければならない。つまり、データドライバ２４から表示部５２３にダミー画素信号を供給するための映像信号線を新たに設ける必要がある。
【０６９８】
よって、表示装置５０１では、データドライバ２４として、ダミー画像４２用のデータドライバ２４4を新たに設ける必要がないので、表示装置５０１の製造コストを低く抑えることが可能となる。
【０６９９】
[表示部５２３の外観例]
次に、図５１は、図４４の表示部５２３の正面図を示している。
【０７００】
表示部５２３は、矩形状の立体的な筐体からなり、その筐体には、図１４の表示部２５と同様に、水平セレクタ１８１、ライトスキャナ１８２、電源スキャナ１８３、複数の画素回路１８４-(1,1)乃至１８４-(N,M)等が内蔵されている。
【０７０１】
そして、表示部５２３は、図５１に示されるように、筐体の中央に、表示画面２５aが設けられている。また、表示部５２３は、表示画面２５aの下側に、複数の輝度センサ２５b1乃至２５bNが、筐体内に内蔵される形で配置されている。
【０７０２】
複数の輝度センサ２５b1,２５b2,…２５bNは、それぞれ、表示部５２３の筐体内に設けられた画素回路１８４-(N,1),１８４-(N,2),…１８４-(N,M)の近くに設けられている。
【０７０３】
複数の輝度センサ２５b1,２５b2,…２５bNは、それぞれ、画素回路１８４-(N,1),１８４-(N,2),…１８４-(N,M)に含まれる有機EL素子の輝度を計測する。
【０７０４】
すなわち、表示部５２３において、輝度センサ２５b1乃至２５bNが、図1４に示される輝度センサ２５b1,２５b2,…２５bMに代えて、表示部５２３の筐体内に設けられた画素回路１８４-(N,1),１８４-(N,2),…１８４-(N,M)の近くに設けられている他は、図１４に示される表示部２５と同様に構成されている。
【０７０５】
[表示装置５０１の動作説明]
次に、図５２は、図４４の表示装置５０１が行う表示処理（以下、第５の表示処理という）について説明する。
【０７０６】
この第５の表示処理は、例えば、表示装置５０１の電源がオンされたときに開始される。
【０７０７】
ステップＳ２６１では、ダミー画素信号生成部２１は、図１８のステップＳ１と同様の処理を行う。すなわち、例えば、ダミー画素信号生成部２１は、表示部５２３に内蔵された計測用の有機EL素子を発光させるためのダミー画素信号を生成し、信号合成部５２２に供給する。
【０７０８】
ステップＳ２６２では、同期信号生成部５２１は、制御部２６からの制御にしたがって、同期信号（水平同期信号、及び垂直同期信号）を生成し、信号合成部５２２及び表示部５２３に供給する。
【０７０９】
ステップＳ２６３では、信号合成部５２２は、同期信号生成部５２１からの同期信号に基づいて、ブランキング期間内に、例えば、表示画像４１の下側に、ダミー画像４２'が配置されるように、画像信号とダミー画素信号を合成する。
【０７１０】
そして、信号合成部５２２は、その合成により得られる合成信号Cnを、焼付補正部２３に供給する。
【０７１１】
ステップＳ２６４では、焼付補正部２３は、信号合成部５２２からの合成信号Cnに含まれる画像信号Snに対して、例えば図１８のステップＳ３乃至ステップＳ７で説明したような焼付補正処理を施す。そして、焼付補正部２３は、焼付補正処理後の画像信号Snを含む合成信号Cnを、データドライバ２４に供給する。
【０７１２】
ステップＳ２６５では、データドライバ２４は、図１８のステップＳ８と同様の処理を行う。すなわち、例えば、データドライバ２４は、焼付補正部２３からの合成信号CnをAD変換し、AD変換後の合成信号Cnを、表示部５２３に供給する。
【０７１３】
ステップＳ２６６では、表示部５２３は、同期信号生成部５２１からの垂直同期信号及び水平同期信号に同期して、データドライバ２４から供給される合成信号Cnに基づき、所定の垂直同期期間において、表示用の有機EL素子と計測用の有機EL素子を発光させる。
【０７１４】
すなわち、例えば、表示部５２３は、垂直同期期間において、同期信号生成部２２からの水平同期信号に同期して、水平同期信号に立下りエッジが生じる毎に、合成画像４３を構成する各ラインの表示を開始させる。
【０７１５】
これにより、図４８に示したように、垂直同期期間において、水平同期信号に立ち下がりエッジが生じる毎に、表示画像４１を構成する各ラインが、上からラスタスキャン順に、表示画面２５aに表示される。
【０７１６】
また、垂直同期期間において、表示画面２５aに表示画像４１が表示された後、水平同期信号に立ち下りエッジが生じたことに対応して、ダミー画像４２'として発光する計測用の有機EL素子を発光させる。
【０７１７】
ステップＳ２６７及びステップＳ２６８では、それぞれ、図１８のステップＳ１０及びステップＳ１１と同様の処理が行われる。ステップＳ２６８の終了後、処理はステップＳ２６１に戻され、それ以降同様の処理が行われる。
【０７１８】
なお、第５の表示処理は、例えば表示装置５０１の電源がオフとされたときに終了される。
【０７１９】
以上説明したように、第５の表示処理によれば、計測用の有機EL素子を、表示用の有機EL素子の上側又は下側に配置するようにしたので、１の垂直同期期間毎に、合成処理を行えばよいため、合成処理による負荷を軽減できる。
【０７２０】
すなわち、例えば、垂直同期期間毎に合成処理を行う場合、水平同期期間毎に合成処理を行う場合と比較して、1/1000程度の周期で合成処理を行えばよいものとなるので、合成処理による負荷を軽減できる。
【０７２１】
また、ダミー画素信号用のシグナルドライバを新たに設ける必要がないので、表示装置５０１の製造コストを節約することが可能となる。
【０７２２】
＜６．変形例＞
上述した第１の実施の形態では、本技術を、表示装置１に適用した場合について説明したが、その他、例えば、本技術は、例えば、図５３に示されるように、表示装置１をモジュールとして内蔵するテレビジョン受像機５４１に適用できる。
【０７２３】
このテレビジョン受像機５４１には、表示装置１の表示画面２５aが露出するように、表示装置１が内蔵されている。
【０７２４】
その他、例えば、本技術は、テレビジョン受像機５４１の他、表示装置１の表示画面２５aが露出するように、表示装置１を内蔵するパーソナルコンピュータや携帯電話機、ビデオカメラなどの電子機器に適用することができる。
【０７２５】
なお、第２乃至第５の実施の形態においても、第１の実施の形態と同様に、本技術を電子機器に適用することができる。
【０７２６】
また、第１乃至第５の実施の形態により表示装置の構成を説明したが、表示装置の構成としては、第１乃至第５の実施の形態でそれぞれ説明した構成を、任意に組み合わせた構成とすることができる。
【０７２７】
ところで、本技術は、以下の構成をとることができる。
（１）画像の表示用に用いられる第１の発光素子を発光させるための画像信号と、輝度の計測用に用いられる第２の発光素子を発光させるためのダミー画素信号とにより構成される第１の合成信号を生成する信号合成部と、生成された前記第1の合成信号を、前記第1の発光素子及び前記第２の発光素子のうち、前記第１の発光素子のみを前記第１の発光素子の劣化の程度に拘らず、同一の輝度で発光させるための第２の合成信号に変換する変換部と、前記第２の合成信号に基づいて、前記第１の発光素子、及び前記第２の発光素子を発光させる発光制御部とを含む信号処理装置。
（２）前記変換部は、前記第２の発光素子の輝度を計測する計測部による輝度の計測結果に基づいて、前記第１の合成信号を前記第２の合成信号に変換する前記（１）に記載の信号処理装置。
（３）前記変換部は、前記第1の合成信号に含まれる前記画像信号を、前記第１の発光素子の劣化の程度に拘らず、前記第1の発光素子を同一の輝度で発光させるための画像信号に補正することにより、前記第1の合成信号を、補正後の前記画像信号を含む前記第２の合成信号に変換する前記（１）又は（２）に記載の信号処理装置。
（４）前記変換部は、さらに、前記第1の合成信号に含まれる前記ダミー画素信号を、前記第1の合成信号に含まれる前記ダミー画素信号と同一のものに補正することにより、前記第1の合成信号を前記第２の合成信号に変換する前記（３）に記載の信号処理装置。
（５）画像を表示する表示画面を有し、前記第１の発光素子、前記第２の発光素子、及び前記計測部を内蔵する表示部をさらに含み、前記発光制御部は、前記第２の合成信号に含まれる前記画像信号に基づいて、前記第１の発光素子を発光させることにより前記表示画面に画像を表示させ、前記第２の合成信号に含まれる前記ダミー画素信号に基づいて、前記第２の発光素子を発光させることにより前記計測部に輝度の計測を行わせる前記（２）乃至（４）に記載の信号処理装置。
【０７２８】
ところで、上述した一連の処理は、例えばハードウェアにより実行することもできるし、ソフトウェアにより実行することもできる。一連の処理をソフトウェアにより実行する場合には、そのソフトウェアを構成するプログラムが、専用のハードウェアに組み込まれているコンピュータ、又は、各種のプログラムをインストールすることで、各種の機能を実行することが可能な、例えば汎用のコンピュータなどに、プログラム記録媒体からインストールされる。
【０７２９】
[コンピュータの構成例]
図５４は、上述した一連の処理をプログラムにより実行するコンピュータのハードウェアの構成例を示している。
【０７３０】
なお、上述した一連の処理は、図５４に示されるコンピュータの他、ASIC（application specific integrated circuit）などで構成される専用回路や、FPGA（field programmable gate array）などのプログラマブルLSIにより実行するようにすることができる。
【０７３１】
CPU（Central Processing Unit）５６１は、ROM（Read Only Memory）５６２、又は記憶部５６８に記憶されているプログラムに従って各種の処理を実行する。RAM（Random Access Memory）５６３には、CPU５６１が実行するプログラムやデータ等が適宜記憶される。これらのCPU５６１、ROM５６２、及びRAM５６３は、バス５６４により相互に接続されている。
【０７３２】
CPU５６１にはまた、バス５６４を介して入出力インタフェース５６５が接続されている。入出力インタフェース５６５には、キーボード、マウス、マイクロホン等よりなる入力部５６６、ディスプレイ、スピーカ等よりなる出力部５６７が接続されている。CPU５６１は、入力部５６６から入力される指令に対応して各種の処理を実行する。そして、CPU５６１は、処理の結果を出力部５６７に出力する。
【０７３３】
入出力インタフェース５６５に接続されている記憶部５６８は、例えばハードディスクからなり、CPU５６１が実行するプログラムや各種のデータを記憶する。通信部５６９は、インタネットやローカルエリアネットワーク等のネットワークを介して外部の装置と通信する。
【０７３４】
また、通信部５６９を介してプログラムを取得し、記憶部５６８に記憶してもよい。
【０７３５】
入出力インタフェース５６５に接続されているドライブ５７０は、磁気ディスク、光ディスク、光磁気ディスク、或いは半導体メモリ等のリムーバブルメディア５７１が装着されたとき、それらを駆動し、そこに記録されているプログラムやデータ等を取得する。取得されたプログラムやデータは、必要に応じて記憶部５６８に転送され、記憶される。
【０７３６】
コンピュータにインストールされ、コンピュータによって実行可能な状態とされるプログラムを記録（記憶）する記録媒体は、図５４に示すように、磁気ディスク（フレキシブルディスクを含む）、光ディスク（CD-ROM(Compact Disc-Read Only Memory),DVD(Digital Versatile Disc)を含む）、光磁気ディスク（ＭＤ（Mini-Disc）を含む）、もしくは半導体メモリ等よりなるパッケージメディアであるリムーバブルメディア５７１、又は、プログラムが一時的もしくは永続的に格納されるROM５６２や、記憶部５６８を構成するハードディスク等により構成される。記録媒体へのプログラムの記録は、必要に応じてルータ、モデム等のインタフェースである通信部５６９を介して、ローカルエリアネットワーク、インタネット、デジタル衛星放送といった、有線又は無線の通信媒体を利用して行われる。
【０７３７】
なお、本明細書において、上述した一連の処理を記述するステップは、記載された順序に沿って時系列的に行われる処理はもちろん、必ずしも時系列的に処理されなくとも、並列的あるいは個別に実行される処理をも含むものである。
【０７３８】
また、本開示は、上述した第１乃至第５の実施の形態に限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
【符号の説明】
【０７３９】
１  表示装置，  ２１  ダミー画素信号生成部，  ２２  信号合成部，  ２３  焼付補正部，  ２４，２４n  データドライバ，  ２５  表示部，  ２５a  表示画面，  ２５b,２５b1乃至２５bM  輝度センサ，  ２５c  温度センサ，  ２６  制御部，  ７１  傾き補正部，  ７２  階調補正部，  ７３  検出部，  ７４  保持部，  １０１  補正量生成部，  １０２  補正量乗算部，  １０３  傾き保持部，  １０４  劣化曲線保持部，  １０５  劣化曲線推定部，  １６１  オフセット量算出部，  １６２  オフセット補正部，  １８１  水平セレクタ，  １８２  ライトスキャナ，  １８３  電源スキャナ，  １８４-(1,1)乃至１８４-(N,M)  画素回路，  ２０１  サンプリング用トランジスタ，  ２０２  駆動用トランジスタ，  ２０３  蓄積容量，  ２０４  発光素子，  ２０５  配線，  ２４１  表示装置，  ２６１  焼付補正部，  ２８１  傾き補正部，  ２８２  階調補正部，  ２８３  検出部，  ２８４  保持部，  ３０１  補正量生成部，  ３２１  オフセット量算出部，  ３２２  オフセット補正部，  ３４１  表示装置，  ３６１  ガンマ変換部，  ３６２  画像処理部，  ３６３  焼付補正部，  ３８１  逆ガンマ変換部，  ３８２  階調補正部，  ３９１  オフセット量算出部，  ３９２  オフセット補正部，  ４０１  表示装置，  ４２１  焼付補正部，  ４２２  表示部，  ４４１  傾き補正部，  ４４２  階調補正部，  ４４３  検出部，  ４４４  保持部，  ４６１  補正量生成部，  ４６２  劣化曲線推定部，  ５０１  表示装置，  ５２１  同期信号生成部，  ５２２  信号合成部，  ５２３  表示部，  ５４１  テレビジョン受像機
【図１】
0005990741.tif 000002
【図２】
0005990741.tif 000003
【図３】
0005990741.tif 000004
【図４】
0005990741.tif 000005
【図５】
0005990741.tif 000006
【図６】
0005990741.tif 000007
【図７】
0005990741.tif 000008
【図８】
0005990741.tif 000009
【図９】
0005990741.tif 000010
【図１０】
0005990741.tif 000011
【図１１】
0005990741.tif 000012
【図１２】
0005990741.tif 000013
【図１３】
0005990741.tif 000014
【図１４】
0005990741.tif 000015
【図１５】
0005990741.tif 000016
【図１６】
0005990741.tif 000017
【図１７】
0005990741.tif 000018
【図１８】
0005990741.tif 000019
【図１９】
0005990741.tif 000020
【図２０】
0005990741.tif 000021
【図２１】
0005990741.tif 000022
【図２２】
0005990741.tif 000023
【図２３】
0005990741.tif 000024
【図２４】
0005990741.tif 000025
【図２５】
0005990741.tif 000026
【図２６】
0005990741.tif 000027
【図２７】
0005990741.tif 000028
【図２８】
0005990741.tif 000029
【図２９】
0005990741.tif 000030
【図３０】
0005990741.tif 000031
【図３１】
0005990741.tif 000032
【図３２】
0005990741.tif 000033
【図３３】
0005990741.tif 000034
【図３４】
0005990741.tif 000035
【図３５】
0005990741.tif 000036
【図３６】
0005990741.tif 000037
【図３７】
0005990741.tif 000038
【図３８】
0005990741.tif 000039
【図３９】
0005990741.tif 000040
【図４０】
0005990741.tif 000041
【図４１】
0005990741.tif 000042
【図４２】
0005990741.tif 000043
【図４３】
0005990741.tif 000044
【図４４】
0005990741.tif 000045
【図４５】
0005990741.tif 000046
【図４６】
0005990741.tif 000047
【図４７】
0005990741.tif 000048
【図４８】
0005990741.tif 000049
【図４９】
0005990741.tif 000050
【図５０】
0005990741.tif 000051
【図５１】
0005990741.tif 000052
【図５２】
0005990741.tif 000053
【図５３】
0005990741.tif 000054
【図５４】
0005990741.tif 000055