(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上に形成された第１金属パターンと、
前記基板の上に形成された第２金属パターンと、
一端に第１電極が形成され他端に第２電極が形成された表面実装部品と、
前記第１電極と前記第１金属パターンを固定する第１はんだと、
前記第２電極と前記第２金属パターンを固定する第２はんだと、
前記表面実装部品を覆い、前記表面実装部品を前記第１電極の外側と前記第２電極の外側から挟むように形成された溝を有するモールド樹脂と、を備え、
前記溝は、前記表面実装部品の直上と、前記第１はんだの直上と、前記第２はんだの直上を避けて形成され、
前記溝の下に素子がないことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば電子機器の製造に用いられる半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、一端と他端にそれぞれ電極が形成された表面実装部品（ＳＭＤ）を備えた半導体装置が開示されている。表面実装部品の電極は、はんだにより基板上の金属パターンと接合されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−３３２３９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
表面実装部品の電極を金属パターンにはんだ付けした後に、表面実装部品をモールド樹脂で覆い半導体装置が完成する。完成した半導体装置は、はんだリフローにより別の基板に実装される。ところがこのはんだリフローによりモールド樹脂が表面実装部品から剥離することがある。そして、この剥離した部分をはんだが拡散し、表面実装部品の２つの電極間をショートさせることがある。
【０００５】
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、表面実装部品の２つの電極間のショートを防止する半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る半導体装置は、基板と、該基板の上に形成された第１金属パターンと、該基板の上に形成された第２金属パターンと、一端に第１電極が形成され他端に第２電極が形成された表面実装部品と、該第１電極と該第１金属パターンを固定する第１はんだと、該第２電極と該第２金属パターンを固定する第２はんだと、該表面実装部品を覆い、該表面実装部品を該第１電極の外側と該第２電極の外側から挟むように形成された溝を有するモールド樹脂と、を備え、該溝は、該表面実装部品の直上と、該第１はんだの直上と、該第２はんだの直上を避けて形成され、該溝の下に素子がないことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、表面実装部品の２つの電極間のショートを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施の形態１に係る半導体装置の平面図である。
【図２】図１の２−２破線における断面図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る半導体装置の内部を示す平面図である。
【図４】比較例の半導体装置を別の基板に実装したことを示す断面図である。
【図５】本発明の実施の形態２に係る半導体装置の断面図である。
【図６】本発明の実施の形態３に係る半導体装置の断面図である。
【図７】本発明の実施の形態４に係る半導体装置の断面図である。
【図８】ソルダーレジストとモールド樹脂の間に間隙が形成されることを示す図である。
【図９】本発明の実施の形態５に係る半導体装置の断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態５に係る半導体装置の変形例を示す斜視図である。
【図１１】本発明の実施の形態６に係る半導体装置の断面図である。
【図１２】図１１の１２−１２破線における断面矢示図である。
【図１３】本発明の実施の形態７に係る半導体装置の断面図である。
【図１４】本発明の実施の形態８に係る半導体装置の断面図である。
【図１５】本発明の実施の形態９に係る半導体装置の断面図である。
【図１６】本発明の実施の形態１０に係る半導体装置の断面図である。
【図１７】本発明の実施の形態１１に係る半導体装置の断面図である。
【図１８】本発明の実施の形態１１に係る半導体装置の変形例を示す断面図である。
【図１９】本発明の実施の形態１２に係る半導体装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置の平面図である。半導体装置１０は、モールド樹脂１２を備えている。モールド樹脂１２は、例えば、エポキシ、フェノール、又はシアネートの中にフィラーを混合したもので形成されている。モールド樹脂１２には溝１４ａ、及び１４ｂが形成されている。図２は、図１の２−２破線における断面図である。なお、図２には半導体装置だけでなくそれを実装する「他の基板」も示されている。半導体装置１０は、基板１６を備えている。基板１６の上には第１金属パターン１８ａ、及び第２金属パターン１８ｂが形成されている。
【００１７】
第１金属パターン１８ａ、及び第２金属パターン１８ｂには表面実装部品２０が固定されている。表面実装部品２０の一端には第１電極２０ａが形成され他端には第２電極２０ｂが形成されている。第１電極２０ａと第２電極２０ｂは、例えば、すず、ニッケル、銀、又は銅で形成されている。表面実装部品２０は、第１電極２０ａと第２電極２０ｂに挟まれるように形成された素子形成部２０ｃを備えている。素子形成部２０ｃは、例えば、チタン酸バリウム、酸化チタン、ジルコン酸カリウム、又は酸化アルミニウムで覆われている。表面実装部品２０は、例えば、チップコンデンサ、チップインダクタ、チップ抵抗、フィルタ、又はサーミスタなどが形成されるものである。
【００１８】
第１電極２０ａと第１金属パターン１８ａは第１はんだ２２ａで固定されている。第２電極２０ｂと第２金属パターン１８ｂは第２はんだ２２ｂで固定されている。前述したモールド樹脂１２は、表面実装部品２０を覆うように形成されている。具体的には、モールド樹脂１２は、基板１６、第１金属パターン１８ａ、第２金属パターン１８ｂ、第１はんだ２２ａ、第２はんだ２２ｂ、及び表面実装部品２０と密着している。溝１４ａ、及び１４ｂは、表面実装部品２０を第１電極２０ａの外側と第２電極２０ｂの外側から挟むように形成されている。これらの溝１４ａ、及び１４ｂは、モールド樹脂１２の成型に用いる金型に突起部を設けて形成する。そして、半導体装置は、はんだ２３を介して別の基板２５に実装されている。
【００１９】
図３は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置１０の内部を示す平面図である。図３ではモールド樹脂について、輪郭と溝のみを表した。基板の上には複数の表面実装部品２０が固定されている。複数の表面実装部品２０のそれぞれを、第１電極２０ａの外側と前記第２電極２０ｂの外側から挟むように溝１４ａ、及び１４ｂが形成されている。なお、基板１６の中央には半導体チップ３０が固定されている。
【００２０】
ここで、本発明の実施の形態１に係る半導体装置１０の理解を容易にするために、比較例について説明する。図４は、比較例の半導体装置を別の基板に実装したことを示す断面図である。表面実装部品２０の第１電極２０ａが金属パターン１８ａにはんだ付けされ、第２電極２０ｂが金属パターン１８ｂにはんだ付けされる。その後モールド樹脂１２が形成される。比較例の半導体装置のモールド樹脂１２には溝が形成されない。完成した半導体装置は、はんだ５４を用いたはんだリフローにより別の基板５６に実装される。なお、このはんだリフローではここで示す半導体装置以外の部品も「別の基板」に実装される。
【００２１】
ところが、このはんだリフローにより、モールド樹脂１２が表面実装部品２０から剥離することがある。剥離の要因としては、以下の３つのパターンが考えられる。第１にモールド樹脂が吸湿した状態ではんだリフローを行うと、モールド樹脂の水分が急激に気化し体積膨張する。モールド樹脂の水分の体積膨張により表面実装部品２０とモールド樹脂１２の間の圧力が増加し、モールド樹脂１２を表面実装部品２０から剥離させる。
【００２２】
第２に、表面実装部品２０、モールド樹脂１２、及び基板１６などの各部材の熱膨張係数の違いに起因する剥離がある。つまり、各部材の熱膨張係数の違いによりはんだリフロー時に応力が生じ、モールド樹脂１２が表面実装部品２０から剥離する。
【００２３】
第３に、第１はんだ２２ａと第２はんだ２２ｂがはんだリフローにより熱膨張することに起因する剥離がある。つまり、第１はんだ２２ａと第２はんだ２２ｂが熱膨張してモールド樹脂１２を押し上げ、モールド樹脂１２が表面実装部品２０から剥離する。これらの少なくとも１つの要因により、モールド樹脂１２が表面実装部品２０から剥離することがある。
【００２４】
モールド樹脂１２が表面実装部品２０から剥離すると、両者間に間隙が生じる。そして、第１はんだ２２ａと第２はんだ２２ｂが毛細管現象によりこの間隙を埋める。その結果、第１はんだ２２ａと第２はんだ２２ｂがはんだ５０により結合されて、第１電極２０ａと第２電極２０ｂをショートさせることがある。この現象ははんだフラッシュと呼ばれる。
【００２５】
比較例の半導体装置ではんだフラッシュを抑制するためには、モールド樹脂の吸湿量を管理したり、各部材間の熱膨張係数をなるべく近似させるように部材を選択したり、急加熱を避けるようにはんだリフローを実施したりする必要があった。
【００２６】
ところが、本発明の実施の形態１に係る半導体装置１０によれば、モールド樹脂１２に溝１４ａ、及び１４ｂが形成されているので、これらの部分で前述の３つの要因の少なくとも１つに起因する「モールド樹脂１２を表面実装部品２０から剥離させようとする力」（以後、単に剥離力と称する）を吸収できる。よって、半導体装置を別の基板２５にリフロー実装する際にモールド樹脂１２が表面実装部品２０から剥離しないので、第１電極２０ａと第２電極２０ｂのショートを防止できる。
【００２７】
本発明の実施の形態１に係る半導体装置１０では、複数の表面実装部品２０毎に個別に溝１４ａ、及び１４ｂを形成する。よって、例えば、モールド樹脂の外周に溝を形成する場合と比較して、溝の量を低減できる。よって、モールド樹脂の強度を維持しつつ、はんだフラッシュを防止できる。
【００２８】
ところで、表面実装部品２０の直上のモールド樹脂に溝を形成すると、モールド樹脂による表面実装部品の保護効果が低下する。この場合、表面実装部品の保護効果を確保するために、モールド樹脂を厚く形成せざるを得ない。しかしながら、本発明の実施の形態１に係る半導体装置１０では、溝１４ａ、及び１４ｂは、表面実装部品２０の直上を避けて形成する。よって、モールド樹脂を厚くすることなくはんだフラッシュを防止できる。
【００２９】
実施の形態２．
図５は、本発明の実施の形態２に係る半導体装置の断面図である。実施の形態１と同一の部分については説明を省略する。本発明の実施の形態２に係る半導体装置は、ダミー部品６０、及び６２を備えている。ダミー部品６０、及び６２は表面実装部品２０と隣接するように基板に固定されている。ダミー部品６０、及び６２は、表面実装部品２０よりも硬い材料で形成されている。具体的には、電極６０ａ、６０ｂ、６２ａ、及び６２ｂは第１電極２０ａ、及び第２電極２０ｂと同じ材料で形成されている。しかしながら、素子形成部６０ｃ、及び６２ｃは、ＳｉＣで形成されている。これにより、ダミー部品６０、及び６２は、表面実装部品２０よりも硬くなっている。モールド樹脂１２は、表面実装部品２０、並びにダミー部品６０、及び６２を覆うように形成されている。
【００３０】
本発明の実施の形態２に係る半導体装置によれば、ダミー部品６０、及び６２により、表面実装部品２０の周囲のモールド樹脂１２の密度を下げることができる。よって、モールド樹脂１２の水分の体積膨張に起因する剥離力を低減することができる。また、ダミー部品６０、及び６２は表面実装部品２０よりも硬い部材で形成されているので、各部材の熱膨張係数の違いによる剥離力も低減できる。よってモールド樹脂１２が表面実装部品２０から剥離することを防止できる。
【００３１】
ダミー部品は、表面実装部品２０に隣接して形成されれば上述の効果を得ることができる。よってダミー部品の数や、配置場所は図５に示すものに限定されない。また、ダミー部品の素子形成部は、表面実装部品２０よりも硬い材料で形成されればよいので、ＳｉＣで形成しなくてもよい。なお、ダミー部品６０、及び６２は金属パターンを介して基板に固定されても、基板に直接固定されてもよい。
【００３２】
実施の形態３．
図６は、本発明の実施の形態３に係る半導体装置の断面図である。実施の形態１と同一の部分については説明を省略する。本発明の実施の形態３に係る半導体装置は、モールド樹脂１２の中に中空粒子７０を混合したことを特徴とする。中空粒子７０は、モールド樹脂１２よりも軟らかい材料で形成されている。中空粒子７０は、例えば、シリコーンゴムで形成されている。
【００３３】
本発明の実施の形態３に係る半導体装置によれば、剥離力を中空粒子７０で吸収することができる。よって、モールド樹脂１２が表面実装部品２０から剥離することを防止できる。なお、中空粒子７０は、モールド樹脂よりも軟らかい材料であれば、シリコーンゴム以外の材料で形成してもよい。
【００３４】
実施の形態４．
図７は、本発明の実施の形態４に係る半導体装置の断面図である。実施の形態１と同一の部分については説明を省略する。本発明の実施の形態４に係る半導体装置は、第１金属パターン１８ａの一部に塗布された第１ソルダーレジスト８０ａを備えている。また、第２金属パターン１８ｂの一部に塗布された第２ソルダーレジスト８０ｂを備えている。第１はんだ２２ａは、第１電極２０ａと第１金属パターン１８ａの第１ソルダーレジスト８０ａを塗布していない部分を固定している。第２はんだ２２ｂは、第２電極２０ｂと第２金属パターン１８ｂの第２ソルダーレジスト８０ｂを塗布していない部分を固定している。第１ソルダーレジスト８０ａと第２ソルダーレジスト８０ｂは、モールド樹脂１２に接している。
【００３５】
第１ソルダーレジスト８０ａが形成された部分と第２ソルダーレジスト８０ｂが形成された部分は、はんだに濡れず、かつモールド樹脂１２との密着性が弱い。そのため、剥離力が生じると、第１ソルダーレジスト８０ａとモールド樹脂１２の間、及び第２ソルダーレジスト８０ｂとモールド樹脂１２の間に間隙が形成される。図８は、ソルダーレジストとモールド樹脂の間に間隙が形成されることを示す図である。第１ソルダーレジスト８０ａとモールド樹脂１２の間には間隙８２ａが形成される。また、第２ソルダーレジスト８０ｂとモールド樹脂１２の間には間隙８２ｂが形成される。こうして、剥離力は間隙８２ａ、及び８２ｂに吸収されるので、モールド樹脂１２が表面実装部品２０から剥離することを防止できる。
【００３６】
実施の形態５．
図９は、本発明の実施の形態５に係る半導体装置の断面図である。実施の形態１と同一の部分については説明を省略する。本発明の実施の形態５に係る半導体装置は、表面実装部品２０を覆うように形成されたポリイミド９０を備えている。モールド樹脂１２は、ポリイミド９０と表面実装部品２０を覆うように形成されている。
【００３７】
本発明の実施の形態５に係る半導体装置によれば、ポリイミド９０が表面実装部品２０に密着しているため、ポリイミド９０が表面実装部品２０から剥がれることはない。よって、はんだフラッシュを防止できる。
【００３８】
ところで、はんだフラッシュを防止するためには、第１電極２０ａと第２電極２０ｂに挟まれた素子形成部２０ｃにはんだが拡散しないようにすることが重要である。よって、ポリイミド９０は少なくとも素子形成部２０ｃを覆うように形成されていれば、本発明の実施の形態５に係る半導体装置の効果を得ることができる。
【００３９】
図１０は、本発明の実施の形態５に係る半導体装置の変形例を示す斜視図である。ポリイミド９２は、第１電極２０ａと第２電極２０ｂに挟まれた素子形成部２０ｃを覆うように形成されている。ポリイミド９２は、第１電極２０ａと第２電極２０ｂには形成されていない。ポリイミド９２は、第１電極２０ａ、及び第２電極２０ｂに形成されていないので、これらから剥離力を受けない。よって、ポリイミド９２が受ける剥離力は、前述したポリイミド９０が受ける剥離力よりも小さい。すなわち、ポリイミド９２を、素子形成部２０ｃから剥がれづらくすることができる。
【００４０】
実施の形態６．
図１１は、本発明の実施の形態６に係る半導体装置の断面図である。実施の形態１と同一の部分については説明を省略する。本発明の実施の形態６に係る半導体装置は、  表面実装部品２０の第１はんだ２２ａが形成された面、表面実装部品２０の第２はんだ２２ｂが形成された面、及び表面実装部品２０の上面を覆うように形成された第１モールド樹脂１００を備えている。さらに、表面実装部品２０の第１モールド樹脂１００で覆われていない面、及び第１モールド樹脂１００を覆うように形成された第２モールド樹脂１０２を備えている。そして、第１モールド樹脂１００は、第２モールド樹脂１０２よりも軟らかく、かつ第２モールド樹脂１０２よりも熱膨張係数が表面実装部品２０に近い材料で形成されている。
【００４１】
図１２は、図１１の１２−１２破線における断面矢示図である。第１モールド樹脂１００は、表面実装部品２０を第１電極２０ａの外側と第２電極２０ｂの外側から挟むように形成されている。一方、第２モールド樹脂１０２は、表面実装部品２０の側面を覆うように形成されている。すなわち、表面実装部品２０は長手方向には第１モールド樹脂１００に覆われ、短手方向には第２モールド樹脂１０２に覆われている。
【００４２】
本発明の実施の形態６に係る半導体装置によれば、第１モールド樹脂１００と表面実装部品２０の熱膨張係数を近くしているので剥離力を低減できる。また、軟らかい第１モールド樹脂によりはんだ２２ａ、及び２２ｂが形成された面を覆っているので、第１モールド樹脂１００で剥離力を吸収できる。
【００４３】
また、第２モールド樹脂１０２は、表面実装部品２０の側面と第１モールド樹脂１００を覆っているので、はんだリフロー時の第１モールド樹脂１００の変形に伴う表面実装部品２０の位置ずれを防止できる。
【００４４】
実施の形態７．
図１３は、本発明の実施の形態７に係る半導体装置の断面図である。実施の形態１と同一の部分については説明を省略する。本発明の実施の形態７に係る半導体装置は、素子形成部２０ｃの上面に酸化膜２０ｄが形成されたことを特徴とする。酸化膜２０ｄは、例えば、アッシャー装置などを用いた酸化処理により形成される。この酸化膜２０ｄにより、モールド樹脂１２と素子形成部２０ｃは酸素イオンを介して結合されている。
【００４５】
モールド樹脂１２と素子形成部２０ｃは酸素イオンを介して結合することにより、強く密着している。よって、剥離力が生じてもモールド樹脂１２が素子形成部２０ｃから剥がれることを防止できる。
【００４６】
実施の形態８．
図１４は、本発明の実施の形態８に係る半導体装置の断面図である。実施の形態１と同一の部分については説明を省略する。本発明の実施の形態８に係る半導体装置は、素子形成部２０ｃの上面を素子形成部２０ｃの他の部分より表面粗さが大きくなるようにしたことを特徴とする。すなわち、素子形成部２０ｃの上面には表面加工が施され、凹凸２０ｅが付けられている。表面加工は、例えば、イオンスパッタにより実施される。
【００４７】
素子形成部２０ｃの上面が粗く形成されることで、当該上面とモールド樹脂１２の接合面積が増えて両者を密着させることができる。よって剥離力が生じても、モールド樹脂１２が素子形成部２０ｃから剥がれることを防止できる。
【００４８】
素子形成部２０ｃの上面を粗く形成する方法はイオンスパッタに限定されない。例えば、レーザ加工や薬液処理によって素子形成部２０ｃの上面を粗く形成してもよい。なお、薬液としては、硝酸系、又はフッ酸系の薬液を用いることができる。
【００４９】
実施の形態９．
図１５は、本発明の実施の形態９に係る半導体装置の断面図である。実施の形態１と同一の部分については説明を省略する。本発明の実施の形態９に係る半導体装置は、素子形成部２０ｃの上面にシランカップリング剤２０ｆが塗布されていることを特徴とする。シランカップリング剤２０ｆにより、モールド樹脂１２と素子形成部２０ｃは化学結合している。
【００５０】
モールド樹脂１２と素子形成部２０ｃを化学結合することで、モールド樹脂１２と素子形成部２０ｃを密着させることができる。よって剥離力が生じても、モールド樹脂１２が素子形成部２０ｃから剥がれることを防止できる。
【００５１】
本発明の実施の形態７乃至９において、素子形成部２０ｃの上面に様々な加工を施すことを説明した。これらの加工は、素子形成部の上面とモールド樹脂を密着させるために実施されるものである。従って本発明は、素子形成部の少なくとも上面に、素子形成部の他の部分よりも素子形成部とモールド樹脂の密着性を高めるように加工を施した表面加工部を形成する限り上述の構成に限定されない。
【００５２】
ところで、各部材の熱膨張係数の違いにより生じる応力は素子形成部の上面に集中しやすい。また、モールド樹脂が吸収する水分は素子形成部の上方にたまりやすいため、当該水分の体積膨張による圧力は、素子形成部の上面に集中しやすい。したがって、はんだフラッシュは素子形成部の上面で起こりやすいものである。そのため、本発明の実施の形態７乃至９にて説明したように、素子形成部の上面に表面加工部を形成することにより、効率的にはんだフラッシュを防止できる。
【００５３】
以上の理由により、表面加工部は少なくとも素子形成部の上面に形成することが好ましい。そして、素子形成部の側面においてもはんだフラッシュが起こりやすい場合は、表面加工部を素子形成部の側面にも形成する。
【００５４】
実施の形態１０．
図１６は、本発明の実施の形態１０に係る半導体装置の断面図である。実施の形態１と同一の部分については説明を省略する。本発明の実施の形態１０に係る半導体装置の第１電極２０ａには、庇１１０ａが取り付けられている。また、第２電極２０ｂには庇１１０ｂが取り付けられている。庇１１０ａ、及び１１０ｂは、基板１６と平行方向に伸びるように取り付けられている。庇１１０ａ、及び１１０ｂは、素子形成部２０ｃ上面を経由する第１はんだ２２ａと第２はんだ２２ｂの沿面距離を伸ばすために形成されている。モールド樹脂１２は表面実装部品２０と庇１１０ａ、及び１１０ｂを覆うように形成されている。
【００５５】
本発明の実施の形態１０に係る半導体装置によれば、庇１１０ａ、及び１１０ｂにより第１はんだ２２ａと第２はんだ２２ｂの沿面距離を長くできる。また、庇１１０ａ、及び１１０ｂは、基板１６と平行方向に伸びるように形成されているので、第１はんだ２２ａと第２はんだ２２ｂの這い上がりを防止できる。よって、はんだフラッシュを防止できる。特に、剥離力によりモールド樹脂１２が素子形成部２０ｃから剥離した場合でも、はんだフラッシュを防止できる。
【００５６】
実施の形態１１．
図１７は、本発明の実施の形態１１に係る半導体装置の断面図である。実施の形態１と同一の部分については説明を省略する。本発明の実施の形態１１に係る半導体装置は、表面実装部品２０の上面に基板１１２が取り付けられている。基板１１２は基板１６と平行方向に伸びるように取り付けられている。モールド樹脂１２は表面実装部品２０と基板１１２を覆うように形成されている。
【００５７】
本発明の実施の形態１１に係る半導体装置によれば、基板１１２により第１はんだ２２ａと第２はんだ２２ｂの沿面距離を長くすることができる。また、基板１１２は、基板１６と平行方向に伸びるように形成されているので、第１はんだ２２ａと第２はんだ２２ｂの這い上がりを防止できる。よってはんだフラッシュを防止できる。特に、剥離力によりモールド樹脂１２が素子形成部２０ｃから剥離した場合でも、はんだフラッシュを防止できる。
【００５８】
図１８は、本発明の実施の形態１１に係る半導体装置の変形例を示す断面図である。変形例の表面実装部品２０の上面には、キャップ１１４が取り付けられている。キャップ１１４により、前述の基板１１２と同様の効果を得ることができる。
【００５９】
実施の形態１２．
図１９は、本発明の実施の形態１２に係る半導体装置の断面図である。実施の形態１と同一の部分については説明を省略する。本発明の実施の形態１２に係る半導体装置の第１電極２０ａには、第１はんだ２２ａを囲むように形成されたはんだカバー１１６が取り付けられている。同様に、第２電極２０ｂには、第２はんだを囲むように形成されたはんだカバー１１８が取り付けられている。モールド樹脂１２は表面実装部品２０とはんだカバー１１６、及び１１８を覆うように形成されている。
【００６０】
本発明の実施の形態１２に係る半導体装置によれば、はんだカバー１１６、及び１１８により第１はんだ２２ａと第２はんだ２２ｂの沿面距離を長くできる。よってはんだフラッシュを防止できる。また、はんだカバー１１６、及び１１８は、第１はんだ２２ａ、及び第２はんだ２２ｂを囲むように形成されているので、素子形成部２０ｃの側面においてはんだフラッシュが起こることも防止できる。
【００６１】
本発明の実施の形態１０乃至１２において、第１はんだ２２ａと第２はんだ２２ｂの沿面距離を長くすることを説明した。本発明は、上述した構成以外にも様々な変形をなしうる。すなわち、第１はんだから第２はんだまでの沿面距離を伸ばすように前記表面実装部品の表面に取り付けられたショート防止部を有する限りにおいて、本発明は様々な変形が可能である。なお、ショート防止部の具体例は、庇１１０ａ、及び１１０ｂ、基板１１２、キャップ１１４、並びにはんだカバー１１６、及び１１８である。
【００６２】
なお、本発明の全ての実施の形態に係る半導体装置は、それを別の基板にリフロー実装する際にはんだフラッシュを防止できるものである。
【符号の説明】
【００６３】
１０  半導体装置、  １２  モールド樹脂、  １４ａ、１４ｂ  溝、  １６  基板、  １８ａ  第１金属パターン、  １８ｂ  第２金属パターン、  ２０  表面実装部品、  ２０ａ  第１電極、  ２０ｂ  第２電極、  ２０ｃ  素子形成部、  ２０ｄ  酸化膜、  ２０ｆ  シランカップリング剤、  ２２ａ  第１はんだ、  ２２ｂ  第２はんだ、  ６０,６２  ダミー部品、  ７０  中空粒子、  ８０ａ  第１ソルダーレジスト、  ８０ｂ  第２ソルダーレジスト、  ８２ａ,８２ｂ  間隙、  ９０,９２  ポリイミド、  １００  第１モールド樹脂、  １０２  第２モールド樹脂、  １１０ａ,１１０ｂ  庇、  １１２  基板、  １１４  キャップ、  １１６、１１８  はんだキャップ
【図１】
0005974428.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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