(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の面と、前記第１の面と対向する第２の面と、前記第１の面と前記第２の面との間を連絡する複数の貫通孔と、を有する誘電体層と、
前記第１の面に配置された第１の外部電極層と、
前記第２の面に配置された第２の外部電極層と、
前記複数の貫通孔の一部である第１の貫通孔部に設けられ、一端が前記第１の外部電極層と接続され、他端が前記第２の外部電極層から絶縁される第１の内部電極部と、
前記複数の貫通孔の他の一部である第２の貫通孔部に設けられ、一端が前記第２の外部電極層と接続され、他端が前記第１の外部電極層から絶縁される第２の内部電極部と、
前記複数の貫通孔の残部である第３の貫通孔部に設けられ、前記第１及び第２の外部電極層の少なくとも何れか一方を前記誘電体層に密着させる密着部と
を具備し、
前記密着部は、前記第１及び第２の外部電極層にそれぞれ接続され前記第３の貫通孔部に充填された樹脂材料層を含む
コンデンサ。
【請求項２】
請求項１に記載のコンデンサであって、
前記第３の貫通孔部は、前記誘電体層の周縁部に設けられる
コンデンサ。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のコンデンサであって、
前記密着部は、前記第１及び第２の外部電極層のいずれか一方に接続され前記誘電体層の周縁部に配列された複数列の金属材料層をさらに含む
コンデンサ。
【請求項４】
請求項１に記載のコンデンサであって、
前記誘電体層は、
前記第１及び第２の貫通孔部を含む第１の領域と、
前記第１の領域の外周側に設けられ前記第３の貫通孔部の一部を含む第２の領域と、
前記第１の領域と前記第２の領域との間に設けられ前記第３の貫通孔部の残部を含む第３の領域と、を有し、
前記密着部は、
前記第２の領域内における前記第３の貫通孔部に設けられ、前記第１及び第２の外部電極層にそれぞれ接続された複数列の樹脂材料層と、
前記第３の領域内における前記第３の貫通孔部に設けられ、前記第１及び第２の外部電極層のいずれか一方に接続された複数列の金属材料層と、を有する
コンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘電体層の内部に複数の微細な内部電極が充填された構造を有するコンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
現在広く用いられているコンデンサとして、例えば、Ａｌ電解コンデンサや積層セラミックコンデンサが知られている。Ａｌ電解コンデンサは、電解液を使用するため、液漏れ対策などを必要とする。また、積層セラミックコンデンサは焼成処理を経て製造されるため、電極と誘電体間における熱収縮に伴う種々の問題をクリアする必要がある。
【０００３】
一方、近年では新しいタイプのコンデンサとして、絶縁層に陽極酸化処理された酸化アルミニウムを誘電体層に使用したコンデンサが提案されている。例えば特許文献１には、一対の導電体層と、一対の導電体層間に設けられた誘電体層と、一対の導電体層と略直交する方向に誘電体層を貫通するように形成された複数の略柱状の微細な孔と、複数の孔に充填された第１及び第２の内部電極とを備えたコンデンサが開示されている。第１の内部電極は、複数の孔のうち一部の孔に充填されており、一端が一方の導電体層に導通し、他端が他方の導電体層と絶縁されている。第２の内部電極は、複数の孔のうち、第１の電極が充填されていない孔に充填されており、一端が上記他方の導電体層に導通し、他端が上記一方の導電体層と絶縁されている。
【０００４】
このような構成のコンデンサは、電解液や焼成処理を必要としないため、Ａｌ電解コンデンサや積層セラミックコンデンサが有していた問題を解消することができる。また、誘電体層に充填される第１及び第２の内部電極がナノスケールという微細構造を有するため素子全体を小型化できる。さらに、第１及び第２の内部電極がそれぞれ一対の導電体層で並列に接続されているため、素子の高容量化を実現することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第４４９３６８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記特許文献１に記載のコンデンサにおいては、第１及び第２の内部電極がナノスケールという微細構造を有するため、誘電体層の表裏面に形成された一対の導電体層との接続面積が素子面積に対して非常に小さい。このため、応力等の影響により誘電体層と導電体層との界面が剥離して、素子特性を低下させるおそれがある。
【０００７】
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、誘電体層と導電体層との間の密着性を高めることができるコンデンサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明の一形態に係るコンデンサは、誘電体層と、第１の外部電極層と、第２の外部電極層と、第１の内部電極部と、第２の内部電極部と、密着部とを具備する。
上記誘電体層は、第１の面と、上記第１の面と対向する第２の面と、上記第１の面と上記第２の面との間を連絡する複数の貫通孔と、を有する。
上記第１の外部電極層は、上記第１の面に配置される。
上記第２の外部電極層は、上記第２の面に配置される。
上記第１の内部電極部は、上記複数の貫通孔の一部である第１の貫通孔部に設けられ、一端が上記第１の外部電極層と接続され、他端が上記第２の外部電極層から絶縁される。
上記第２の内部電極部は、上記複数の貫通孔の他の一部である第２の貫通孔部に設けられ、一端が上記第２の外部電極層と接続され、他端が上記第１の外部電極層から絶縁される。
上記密着部は、上記複数の貫通孔の残部である第３の貫通孔部に設けられ、上記第１及び第２の外部電極層の少なくとも何れか一方を上記誘電体層に密着させる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施形態に係るコンデンサの概略構成を示す全体斜視図である。
【図２】上記コンデンサの部分破断平面図である。
【図３】図２における［Ａ］−［Ａ］線方向断面図である。
【図４】図３の要部拡大図である。
【図５】図３に示すコンデンサの領域構成を示す概略平面図である。
【図６】図３に示すコンデンサの製造方法を説明する工程断面図である。
【図７】図３に示すコンデンサの製造方法を説明する工程断面図である。
【図８】図３に示すコンデンサの製造方法を説明する工程断面図である。
【図９】図３に示すコンデンサの製造方法を説明する工程断面図である。
【図１０】図３に示すコンデンサの製造方法を説明する工程断面図である。
【図１１】図３に示すコンデンサの製造方法を説明する工程断面図である。
【図１２】図３に示すコンデンサの第１，第２の外部電極層の形状を説明する斜視図である。
【図１３】本発明の第２の実施形態に係るコンデンサの概略構成を示す側断面図である。
【図１４】図１３に示すコンデンサの領域構成を示す概略平面図である。
【図１５】図１３に示すコンデンサの製造方法を説明する工程断面図である。
【図１６】図１３に示すコンデンサの製造方法を説明する工程断面図である。
【図１７】本発明の第３の実施形態に係るコンデンサの概略構成を示す側断面図である。
【図１８】図１７に示すコンデンサの製造方法を説明する工程断面図である。
【図１９】図１７に示すコンデンサの製造方法を説明する工程断面図である。
【図２０】本発明の第４の実施形態に係るコンデンサの概略構成を示す側断面図である。
【図２１】本発明の第５の実施形態に係るコンデンサの概略構成を示す側断面図である。
【図２２】本発明の第１の実施形態に係るコンデンサの構成の変形例を示す側断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明の一実施形態に係るコンデンサは、誘電体層と、第１の外部電極層と、第２の外部電極層と、第１の内部電極部と、第２の内部電極部と、密着部とを具備する。
上記誘電体層は、第１の面と、上記第１の面と対向する第２の面と、上記第１の面と上記第２の面との間を連絡する複数の貫通孔と、を有する。
上記第１の外部電極層は、上記第１の面に配置される。
上記第２の外部電極層は、上記第２の面に配置される。
上記第１の内部電極部は、上記複数の貫通孔の一部である第１の貫通孔部に設けられ、一端が上記第１の外部電極層と接続され、他端が上記第２の外部電極層から絶縁される。
上記第２の内部電極部は、上記複数の貫通孔の他の一部である第２の貫通孔部に設けられ、一端が上記第２の外部電極層と接続され、他端が上記第１の外部電極層から絶縁される。
上記密着部は、上記複数の貫通孔の残部である第３の貫通孔部に設けられ、上記第１及び第２の外部電極層の少なくとも何れか一方を上記誘電体層に密着させる。
【００１１】
上記コンデンサにおいて、第１，第２の外部電極層は、密着部によって誘電体層の第１，第２の面に密着される。したがって上記コンデンサによれば、誘電体層と第１，第２の外部電極層との間の密着性を高めることができる。
【００１２】
上記密着部は、樹脂材料層を含んでもよい。上記樹脂材料層は、上記第１及び第２の外部電極層にそれぞれ接続され、上記第３の貫通孔部に充填される。
これにより第１及び第２の外部電極層を誘電体層の第１及び第２の面にそれぞれ密着させることができる。
【００１３】
上記密着部の形成箇所は特に限定されず、例えば、上記誘電体層の周縁部に設けられる。これにより応力等の影響による第１，第２の外部電極層と誘電体層の層間剥離を抑制することができる。
【００１４】
一方、上記密着部は、複数列の金属材料層を含んでもよい。上記複数列の金属材料層は、上記第１及び第２の外部電極層のいずれか一方に接続され、上記誘電体層の周縁部に配列される。
このような構成によっても第１，第２の外部電極層と誘電体層の密着性を高めることができる。
【００１５】
上記誘電体層は、第１の領域と、第２の領域と、第３の領域とを有してもよい。上記第１の領域は、上記第１及び第２の貫通孔部を含む。上記第２の領域は、上記第１の領域の外周側に設けられ、上記第３の貫通孔部の一部を含む。上記第３の領域は、上記第１の領域と上記第２の領域との間に設けられ、上記第３の貫通孔部の残部を含む。
この場合、上記密着部は、複数列の樹脂材料層と、複数列の金属材料層とを含む。上記複数列の樹脂材料層は、上記第２の領域内における上記第３の貫通孔部に設けられ、上記第１及び第２の外部電極層にそれぞれ接続される。
上記複数列の金属材料層は、上記第３の領域内における上記第３の貫通孔部に設けられ、上記第１及び第２の外部電極層のいずれか一方に接続される。
【００１６】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。
【００１７】
＜第１の実施形態＞
図１〜図３は、本発明の一実施形態に係るコンデンサの構造を示しており、図１は全体の概略斜視図、図２はその部分破断平面図、図３は図２における［Ａ］−［Ａ］線方向の断面図である。図中、Ｘ，Ｙ及びＺ軸方向は、相互に直交する３軸方向を示している。
【００１８】
［全体構成］
本実施形態のコンデンサ１０は、コンデンサ本体１００と、第１の外部端子１０１と、第２の外部端子１０２とを有する。
【００１９】
コンデンサ本体１００は、誘電体層１１０と、第１の外部電極層１２１と、第２の外部電極層１２２と、第１の外部電極層１２１と電気的に接続される複数の第１の内部電極部１３１と、第２の外部電極層１２２と電気的に接続される複数の第２の内部電極部１３２とを有する。コンデンサ本体１００は、第１の外部電極層１２１を被覆する絶縁性の第１の保護層１４１と、第２の外部電極層１２２を被覆する絶縁性の第２の保護層１４２とをさらに有する。
【００２０】
第１の外部端子１０１は第１の外部電極層１２１と電気的に接続され、第１の外部電極層１２１は複数の第１の内部電極部１３１と電気的に接続される。一方、第２の外部端子１０２は第２の外部電極層１２２と電気的に接続され、第２の外部電極層１２２は複数の第２の内部電極部１３２と電気的に接続される。
【００２１】
第１及び第２の外部電極層１２１，１２２は、誘電体層１１０を挟んで相互に対向して配置される。第１の外部電極層１２１（第１の外部端子１０１）は例えば正極に接続され、第２の外部導体層１２２（第２の外部端子１０２）は例えば負極に接続される。
【００２２】
第１及び第２の内部電極部１３１，１３２は、誘電体層１１０の内部に設けられており、誘電体層１１０の厚み方向（Ｚ軸方向）に伸びる略柱状に形成されている。第１の内部電極部１３１は、第１の外部電極層１２１に接続され、第２の外部電極層１２２から絶縁されている。一方、第２の内部電極部１３２は、第２の外部電極層１２２に接続され、第１の外部電極層１２１から絶縁されている。
【００２３】
上記構成において、複数の内部電極部１３１，１３２が誘電体層１１０の内部に設けられているため、第１の外部電極層１２１と第２の外部電極層１２２との間の対向面積が大きくなり、これによりコンデンサ１０の高容量化が図れるようになる。特に、内部電極部１３１，１３２を微細構造とすることで、高容量化と共に素子の小型化を実現することができる。
【００２４】
以下、本実施形態に係るコンデンサ１０の各部の構成について説明する。図４は、内部電極部１３１，１３２の構成の詳細を示すコンデンサ１０の要部拡大断面図である。
【００２５】
［誘電体層］
誘電体層１１０は、第１の面１１１（図４において下面又は裏面）と、第１の面１１１に対向する第２の面１１２（図４において上面又は表面）とを有する所定厚みの矩形の誘電体材料で構成される。第１の面１１１には、第１の外部電極層１２１が配置されるとともに、第１の外部電極層１２１を被覆するように第１の保護層１４１が設けられる。第２の面１１２には、第２の外部電極層１２２が配置されるとともに、第２の外部電極層１２２を被覆するように第２の保護層１４２が設けられる。
【００２６】
本実施形態において誘電体層１１０は、弁金属の酸化物で構成される。弁金属としては、Ａｌ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｚｎ、Ｗ、Ｓｂ等が挙げられ、本実施形態ではＡｌ酸化物が用いられる。厚みも特に限定されず、例えば数１００ｎｍ〜数１００μｍである。
【００２７】
誘電体層１１０の内部には、誘電体層１１０の面内全域にわたって複数の貫通孔１１３が形成されている。複数の貫通孔１１３は、誘電体層１１０の厚み方向に貫通しており、第１の面１１１と第２の面１１２との間を連絡する。貫通孔１１３は、第１及び第２の面内に規則的に又は不規則的に形成される。図２の例では、各貫通孔１１３が所定の配列で形成された例を示しており、例えば各々の中心が正六角形の角に位置する正六方規則配列で複数の貫通孔１１３が形成される。各貫通孔１１３の形状、孔径は特に限定されず、本実施形態では、内径が数１０〜数１００ｎｍの略円形で形成される。隣接する貫通孔１１３の間隔も特に限定されず、例えば数１０〜数１００ｎｍとされる。
【００２８】
［外部電極層］
第１の外部電極層１２１は、誘電体層１１０の第１の面１１１に配置され、かつ、第１の面１１１に密着している。第２の外部電極層１２２は、誘電体層１１０の第２の面１１２に配置され、かつ、第２の面１１２に密着している。第１の外部電極層１２１は、コンデンサ本体１００の第１の端面１１に臨み、第１の外部端子１０１と電気的に接続される引出し端部１２１ａを有する。第２の外部電極層１２２は、コンデンサ本体１００の第２の端面１２に臨み、第２の外部端子１０２と電気的に接続される引出し端部１２２ａを有する。
【００２９】
第１及び第２の外部電極層１２１，１２２はそれぞれ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ａｌ、Ｔｉ等の純金属やこれらの合金等の導体材料からなり、その厚さは、例えば数１０ｎｍ〜数μｍである。第１及び第２の外部電極層１２１，１２２は、二種以上の導体材料の積層体であってもよく、例えばＴｉ層とその上に積層されたＣｕ層で構成されてもよい。
【００３０】
第１及び第２の外部端子１０１，１０２は、コンデンサ本体１００の第１及び第２の端面１１，１２にそれぞれ設けられる。第１及び第２の外部端子１０１，１０２は、導電性材料で形成され、例えば、めっき法、浸漬法、溶接法等により第１及び第２の端面１１，１２にそれぞれ形成される。第１及び第２の外部端子１０１，１０２の表面は、必要に応じて、ハンダめっきが施されてもよい。
【００３１】
［内部電極部］
第１の内部電極部１３１は、複数の貫通孔１１３の一部である複数の第１の貫通孔部１１３ａにそれぞれ配置され、かつ、第１の貫通孔部１１３ａの内面に密着している。図４に示すように、第１の内部電極部１３１の一端１３１ａは、誘電体層１１０の第１の面１１１に到達し、かつ、第１の外部電極層１２１に接続されている。第１の内部電極部１３１の他端１３１ｂは、誘電体層１１０の第２の面１１２には到達しておらず、第２の外部電極層１２２から絶縁されている。第１の内部電極部１３１の他端１３１ｂと第２の外部電極層１２２との間には、空間又は絶縁材料からなる絶縁層１６２が形成されている。
【００３２】
第２の内部電極部１３２は、複数の貫通孔１１３の他の一部である複数の第２の貫通孔部１１３ｂにそれぞれ配置され、かつ、第２の貫通孔部１１３ｂの内面に密着している。図４に示すように、第２の内部電極部１３２の一端１３２ａは、誘電体層１１０の第２の面１１２に到達し、かつ、第２の外部電極層１２２に接続されている。第２の内部電極部１３２の他端１３２ｂは、誘電体層１１０の第１の面１１１には到達しておらず、第１の外部電極層１２１から絶縁されている。第２の内部電極部１３２の他端１３２ｂと第１の外部電極層１２１との間には、空間又は絶縁材料からなる絶縁層１６１が形成されている。
【００３３】
第１及び第２の内部電極部１３１，１３２は金属材料で構成され、本実施形態では、めっき可能な金属全般（Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ａｇ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｆｅ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｐｔ等）やこれらの合金等が用いられる。
【００３４】
第１の内部電極部１３１及び第２の内部電極部１３２の各々の配列位置は特に限定されない。本実施形態では図２に示すように、各々がほぼ同数、ランダムに配列される。第１の内部電極部１３１と第２の内部電極部１３２の数的割合は特に限定されないが、各々が同程度の割合であるほど効率よく素子の高容量化を実現することができる。
【００３５】
［密着部］
実施形態のコンデンサ１０は、密着部１５０をさらに有する。密着部１５０は、複数の貫通孔１１３の残部である第３の貫通孔部１１３ｃに設けられ、第１の外部電極層１２１及び第２の外部電極層１２２と密着する樹脂材料層１５１を有する。
【００３６】
本実施形態において樹脂材料層１５１は、第３の貫通孔部１１３ｃに充填された複数の柱状の樹脂材料層で構成される。樹脂材料層１５１は、第１の外部電極層１２１と接続される第１の端部１５１ａと、第２の外部電極層１２２と接続される第２の端部１５１ｂとを有し、第１及び第２の外部電極層１２１，１２２の両者を誘電体層に密着させる。これにより、誘電体層１１０と外部電極層１２１，１２２との界面剥離を抑制し、素子特性の低下を防止することができる。
【００３７】
樹脂材料層１５１を構成する樹脂材料の種類は特に限定されず、例えば、ポリイミド、エポキシ、アクリル、フェノール、ベンゾシクロブテン等が挙げられる。樹脂材料として金属との密着性に優れた材料が採用されることで、外部電極層１２１，１２２との密着効果が高い。また、樹脂材料として誘電体層１１０との密着性に優れた材料が採用されることで、貫通孔部１１３ｃの内壁面からの剥離を抑制することができる。
【００３８】
密着部１５０は、コンデンサ１０の面内の複数箇所に形成される。密着部１５０が複数形成されることによって、誘電体層１１０に対する第１及び第２の外部電極層１２１，１２２の密着効果が高められる。密着部１５０の形成個数は特に限定されず、その下限は、例えば誘電体層１１０に対する第１及び第２の外部電極層１２１，１２２の密着強度によって設定され、上限は、例えばコンデンサ１０に要求される全容量に応じて設定される。
【００３９】
密着部１５０が形成される位置は特に限定されず、誘電体層１１０の面内に規則的又は不規則的に形成される。本実施形態では、密着部１５０は、第１及び第２の内部電極部１３１，１３２が設けられる容量領域の外周側に設けられる。
【００４０】
図５は、コンデンサ本体１００の面内の領域構成を説明する概略図である。コンデンサ本体１００は、電極対向領域Ａ１１と樹脂充填領域Ａ１２とを有する。
【００４１】
電極対向領域Ａ１１は、誘電体層１１０の面内略中央部に位置する略矩形の領域に形成され、第１の内部電極部１３１と第２の内部電極部１３２とを含み、これら第１及び第２の内部電極部１３１，１３２が相互に対向する容量領域を構成する。誘電体層１１０の第１及び第２の貫通孔部１１３ａ，１１３ｂは、それぞれ容量領域Ａ１１に設けられる複数の貫通孔部に相当する。
【００４２】
一方、樹脂充填領域Ａ１２は、電極対向領域Ａ１１の外側から誘電体層１１０の外周縁部に至る略矩形の環状領域に形成され、この樹脂充填領域Ａ１２に密着部１５０が設けられる。誘電体層１１０の第３の貫通孔部１１３ｃは、樹脂充填領域Ａ１２に設けられる複数の貫通孔部に相当する。
【００４３】
樹脂充填領域Ａ１２の形成幅は、特に限定されず、例えば、１μｍ以上１００μｍ以下とされる。１μｍ未満であると、密着部１５０による所期の密着効果が得られにくく、１００μｍを超えると密着部１５０による密着効果が頭打ちとなるとともに、容量領域Ａ１１の面積が制限されることでコンデンサの容量の向上が難しくなる。
【００４４】
なお密着部１５０（樹脂材料層１５１）は、電極対向領域Ａ１１内に分散するように形成されてもよい。この場合においても、電極対向領域Ａ１１において外部電極層１２１，１２２と誘電体層１１０との密着性を高めることができる。
【００４５】
本発明者は、電極対向領域の外周囲（樹脂充填領域）に密着部として幅１０〜２５μｍにわたって複数の柱状の樹脂材料層を形成したコンデンサのサンプル（サンプル１）と、密着部を有しないコンデンサのサンプル（サンプル２）とをそれぞれ１０００個ずつ作製し、８０倍の光学顕微鏡を用いて両外部電極層の剥離の有無を評価した。その結果、上記剥離が検出されたサンプルの割合は、サンプル１で０．２％、サンプル２で２．７％であった。
【００４６】
本実施形態のコンデンサ１０によれば、誘電体層１１０に対する第１及び第２の外部電極層１２１，１２２の密着強度が高まるため、ハンドリング時や応力等の影響による誘電体層と外部電極層１２１，１２２との界面の剥離を防止することができる。これにより、コンデンサ１０の耐久性を高めることができる。また、誘電体層１１０と外部電極層１２１，１２２の材料選定の自由度が高まり、相互の密着強度が低い材料の組み合わせも採用可能となる。
【００４７】
［製造方法］
次に、本実施形態のコンデンサ１０の製造方法について説明する。図６〜図１１は、コンデンサ１０の製造方法を説明する要部の工程断面図である。
【００４８】
まず、図６（Ａ）に示すように、弁金属からなる金属基材５０が準備され、金属基材５０の表面５０Ａに陽極酸化の起点となるピットが最密充填六方配列で形成される。次に、電圧を印加して陽極酸化処理を施すことにより、図６（Ｂ）に示すように所望の深さ（ないし長さ）の有底の複数の第１の孔５４が、金属基材５０の厚み方向に形成される。
【００４９】
引き続き、第１の孔５４を形成したときよりも大きな印加電圧で陽極酸化処理を施すことで、図６（Ｃ）に示すように有底の複数の第２の孔５６が形成される。その後、金属基材５０の地金部分をウェットエッチング法により除去することで、図７（Ａ）に示すように第１の孔５４と第２の孔５６とを有する酸化物基材５３が得られる。
【００５０】
陽極酸化で発生する孔のピッチ（孔同士の間隔）は電圧の大きさに比例するため、大きい電圧で処理された第２の孔５６は第１の孔５４よりもピッチが大きくなり、第１の孔５４の一部とランダムに接続される。
【００５１】
陽極酸化処理の条件は適宜設定可能であり、例えば、図６（Ｂ）に示す１段階目の陽極酸化の印加電圧は数Ｖ〜数１００Ｖ、処理時間は数分〜数日に設定される。図６（Ｃ）に示す２段階目の陽極酸化の印加電圧では、電圧値を１段階目の数倍とし、処理時間は数分〜数十分に設定される。例えば、１段階目の印加電圧を４０Ｖとすることにより径が約１００ｎｍの第１の孔５４が得られ、２段階目の印加電圧を８０Ｖとすることにより径が約２００ｎｍの第２の孔５６が得られる。２段階目の電圧値を上述した範囲内とすることにより、第２の孔５６に接続された第１の孔５４と、第２の孔５６に接続されていない第１の孔５４の数を概ね同等とすることができる。これにより第２の孔５６に接続された第１の孔５４の内側に形成される第１の電極部１３１と、第２の孔５６に接続されていない第１の孔５４の内側に形成される第２の電極部１３２との割合が同等となるため、効率的に容量を取り出すことが可能となる。また、２段階目の処理時間を上述の範囲内とすることで、孔のピッチ変換が十分に完了しつつ、２段階目で形成される酸化物基材の厚さを小さくすることができる。２段階目で形成される酸化物基材は、後の工程で除去されるため、できるだけ薄いことが好ましい。
【００５２】
次に図７（Ｂ）に示すように、酸化物基材５３の表面５３Ａに導体層５８が形成される。これにより酸化物基材５３の表面５３Ａから露出する第１の孔５４が、導体層５８によって被覆される。導体層５８は、例えばスパッタ法、真空蒸着法等によって形成される。
【００５３】
続いて、図７（Ｃ）に示すように、酸化物基材５３の裏面５３Ｂにレジストパターン５７が形成される。レジストパターン５７は、密着部１５０を形成するためのものであり、密着部１５０の形成位置に応じて酸化物基材５３の任意の位置に形成される。
【００５４】
レジストパターン５７は、スクリーン印刷法や噴霧塗布法等が採用可能である。例えばコンデンサ素子の周縁部（樹脂充填領域Ａ１２）等に選択的に密着部１５０を形成する場合にはスクリーン印刷法でレジストパターン５７が形成される。なおコンデンサ素子の面内（電極対向領域Ａ１１）にランダムに密着部１５０を形成する場合には、噴霧塗布法でレジストパターン５７が形成される。
【００５５】
続いて図８（Ａ）に示すように、導体層５８をシード層とする電解めっき法により、底部が開放された第２の孔５６と接続された第１の孔５４（第１の貫通孔部１１３ａ）の内側に、所定長さの第１のめっき導体Ｍ１が形成される。この際、レジストパターン５７の直上に位置する第１の孔５４には、めっき液が侵入しないため、第１のめっき導体Ｍ１は形成されない。
【００５６】
次に、酸化物基材５３の裏面５３Ｂに反応性イオンエッチングを施すことで、図８（Ｂ）に示すように、レジストパターン５７の形成領域以外の第１の孔５４の底部を開放させる。これにより、第２の貫通孔部１１３ｂが形成される。そして再び、導体層５８をシード層とする電解めっき法により、図８（Ｃ）に示すように第１及び第２の貫通孔部１１３ａ，１１３ｂに第２のめっき導体Ｍ２が形成される。
【００５７】
第２のめっき導体Ｍ２の長さは、第１のめっき導体Ｍ１が形成された第１の貫通孔部１１３ａを当該めっき導体Ｍ２によって充填できる程度の長さとされる。これにより、第２の貫通孔部１１３ｂには、その深さに達しない長さで第２のめっき導体Ｍ２が形成され、空隙部が残る。この空隙部は中空であってもよいし、内部に絶縁材料が充填されてもよい。上記空隙部の厚み（高さ）は特に限定されず、素子容量、内部電極部と外部電極層との間の所定の絶縁耐圧等に応じて設定でき、例えば、数１０ｎｍ〜数１０μｍとされる。
【００５８】
ここで、第１及び第２のめっき導体Ｍ１，Ｍ２からなる積層導体は、後に第１の内部電極部１３１を形成するための第１の電極柱５９ａを構成し、第２のめっき導体Ｍ２のみからなる単層導体は、後に第２の内部電極部１３２を形成するための第２の電極柱５９ｂを構成する。なお、第１及び第２のめっき導体Ｍ１，Ｍ２は、典型的には同種の金属材料で構成されるが、互いに異種の金属材料で構成されてもよい。
【００５９】
次に、図９（Ａ）に示すように、酸化物基材５３の裏面を研磨する。研磨処理は、例えばＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法が採用される。これによりレジストパターン５７の直上に位置する第１の孔５４の底部が開放され、かつ、めっき導体Ｍ１，Ｍ２が形成されていない中空の第３の貫通孔部１１３ｃが形成される。
【００６０】
続いて図９（Ｂ）に示すように、第３の貫通孔部１１３ｃの内部に樹脂材料６０を充填することで、複数の柱状の樹脂材料層１５１が形成される。樹脂材料としては、例えば、ポリイミド、エポキシ、アクリル、フェノール、ベンゾシクロブテン等の絶縁性樹脂材料が挙げられる。第３の貫通孔部１１３ｃへの樹脂材料６０の充填方法は特に限定されず、フォトリソグラフィ技術、スクリーン印刷技術、ナノインプリント技術等の適宜の手法が採用可能である。
【００６１】
本実施形態において樹脂材料６０は、第３の貫通孔部１１３ｃだけでなく、電極柱５９ａ，５９ｂが形成された第１，第２の貫通孔部１１３ａ，１１３ｂの上記空隙部にも形成される。ここで、第２の貫通孔部１１３ｂの上記空隙部に充填された樹脂材料６０は、第２の内部電極部１３２と第１の外部電極層１２１との間の絶縁を確保する絶縁層１６１を構成する。
【００６２】
なお上記空隙部には樹脂材料６０が充填されなくてもよいし、他の絶縁材料が充填されてもよい。他の絶縁材料としては、酸化物基材５３と同様に弁金属の酸化物、電着可能な樹脂材料（例えば、ポリイミド、エポキシ、アクリル）、ＳｉＯ2等が挙げられる。
【００６３】
次に、図９（Ｃ）に示すように、酸化物基材５３の裏面を再度研磨する。研磨処理は、例えばＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法が採用される。これにより酸化物基材５３の裏面が平坦化されるとともに、第１の貫通孔部１１３ａに充填された樹脂材料６０が除去されて、酸化物基材５３の裏面から第１の電極柱５９ａが露出される。平坦化された酸化物基材５３は、コンデンサ１０の誘電体層１１０を構成する。
【００６４】
続いて、図１０（Ａ）に示すように酸化物基材５３の裏面に第１の外部電極層１２１が形成される。第１の外部電極層１２１は、例えばスパッタ法、蒸着法等の負圧雰囲気中で成膜される方法によって形成される。このような方法を採用することで、酸化物基材５３に対する密着性の高い第１の外部電極層１２１を成膜することができる。特にスパッタ法はエネルギー量が高いため、より高い密着性を得ることができる。第１の外部電極層１２１は、貫通孔１１３が完全に密閉されるように十分な厚さ（例えば貫通孔１１３の孔径の２倍以上の厚さ）で形成される。第１の外部電極層１２１を形成するときの負圧雰囲気は、例えば１０Ｐａ（パスカル）以下であればよい。
【００６５】
その後、図１０（Ｂ）に示すように、酸化物基材５３の表面の導体層５８が除去される。導体層５８の除去方法は特に限定されず、ウェットエッチング法、ドライエッチング法、イオンミリング法、ＣＭＰ法等が適用可能である。
【００６６】
そして第１の外部電極層１２１をシード層とする電解エッチング法により、第１の電極柱５９ａが所定の深さだけ除去される。これにより、第１の電極柱５９ａの先端と酸化物基材５３の表面との間に所定の深さの空隙部が形成される。当該空隙部は、そのまま中空であってもよいし、内部に絶縁材料が充填されてもよい。上記空隙部の厚み（高さ）は特に限定されず、素子容量、内部電極部と外部電極層との間の所定の絶縁耐圧等に応じて設定でき、例えば、数１０ｎｍ〜数１０μｍとされる。
【００６７】
次に、図１０（Ｃ）に示すように、第１の貫通孔部１１３ａの上部に形成された上記空隙部に樹脂材料６０が充填される。樹脂材料６０としては、例えば、ポリイミド、エポキシ、アクリル、フェノール、ベンゾシクロブテン等の絶縁性樹脂材料が用いられる。第１の貫通孔部１１３ａへの樹脂材料６０の充填方法は特に限定されず、フォトリソグラフィ技術、スクリーン印刷技術、ナノインプリント技術等の適宜の手法が採用可能である。第１の貫通孔部１１３ａの上記空隙部に充填された樹脂材料６０は、第１の内部電極部１３１と第２の外部電極層１２２との間の絶縁を確保する絶縁層１６２を構成する。
【００６８】
なお上記空隙部には樹脂材料６０が充填されなくてもよいし、他の絶縁材料が充填されてもよい。他の絶縁材料としては、酸化物基材５３と同様に弁金属の酸化物、電着可能な樹脂材料（例えば、ポリイミド、エポキシ、アクリル）、ＳｉＯ2等が挙げられる。
【００６９】
続いて図１１（Ａ）に示すように、酸化物基材５３の表面に第２の外部電極層１２２が形成される。第２の外部電極層１２２は、例えばスパッタ法、蒸着法等の負圧雰囲気中で成膜される方法によって形成される。このような方法を採用することで、酸化物基材５３に対する密着性の高い第２の外部電極層１２２を成膜することができる。特にスパッタ法はエネルギー量が高いため、より高い密着性を得ることができる。第２の外部電極層１２２は、貫通孔１１３が完全に密閉されるように十分な厚さ（例えば貫通孔１１３の孔径の２倍以上の厚さ）で形成される。第２の外部電極層１２２を形成するときの負圧雰囲気は、例えば１０Ｐａ（パスカル）以下であればよい。
【００７０】
そして図１１（Ｂ）に示すように、第１及び第２の外部電極１２１，１２２がそれぞれ所定の形状にパターニングされるとともに、第１及び第２の外部電極層１２１，１２２を被覆するように第１及び第２の保護層１４１，１４２がそれぞれ形成される。
【００７１】
図１２は、第１及び第２の外部電極層１２１，１２２のパターン形状を示す斜視図である。第１及び第２の外部電極層１２１，１２２は、誘電体層１１０よりも幅狭の短冊状に形成される。第１の外部電極層１２１の引出し端部１２１ａは第１の端面１１に延び、第２の外部電極層１２２の引出し端部１２２ａは第２の端面１２に延びる。コンデンサ本体１００の電極対向領域Ａ１１は、第１の外部電極層１２１と第２の外部電極層１２２とが各々対向する領域に形成される。
【００７２】
第１及び第２の外部電極層１２１，１２２は、公知のフォトリソグラフィ技術を用いてパターニングされる。エッチング法は、ドライエッチング法でもよいしウェットエッチング法でもよい。
【００７３】
第１及び第２の保護層１４１，１４２は、絶縁性の材料であれば特に限定されず、例えば、酸化物基材５３と同様な弁金属の酸化物、電着可能な樹脂材料（例えば、ポリイミド、エポキシ、アクリル）、ＳｉＯ2等が挙げられる。保護層１４１，１４２の形成方法も特に限定されず、スピンコート法、電着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等の適宜の成膜方法が採用可能である。
【００７４】
その後、コンデンサ本体１００の第１及び第２の端面１１，１２に、第１及び第２の外部端子１０１，１０２が形成されることで、本実施形態のコンデンサ１０が作製される。コンデンサ１０は個々に作製されてもよいし、同一の基材で複数のコンデンサを一括的に作製した後、ダイシング等により個片化されてもよい。この場合、個片化された個々の素子に対して第１及び第２の外部端子がそれぞれ形成される。
【００７５】
＜第２の実施形態＞
図１３は、本発明の第２の実施形態に係るコンデンサの構成を示す概略断面図である。以下、第１の実施形態と異なる構成について主に説明し、上述の実施形態と同様の構成については同様の符号を付しその説明を省略または簡略化する。
【００７６】
本実施形態のコンデンサ２０は、コンデンサ本体２００と、第１の外部端子１０１と、第２の外部端子１０２とを有する。
【００７７】
コンデンサ本体２００は、誘電体層１１０と、第１の外部電極層１２１と、第２の外部電極層１２２と、複数の第１の内部電極部１３１と、複数の第２の内部電極部１３２と、第１の保護層１４１と、第２の保護層１４２とを有し、これらは第１の実施形態と同様の構成であるためそれらの説明は省略する。
【００７８】
本実施形態のコンデンサ本体２００は、密着部２５０をさらに有する。密着部２５０は、第３の貫通孔部１１３ｃに設けられ、第１の外部電極層１２１及び第２の外部電極層１２２と密着する。
【００７９】
密着部２５０は、複数の柱状の樹脂材料層２５１と、複数の柱状の金属材料層２５２とを含む。図１４は、コンデンサ本体２００の面内の領域構成を説明する概略図である。コンデンサ本体２００は、電極対向領域Ａ２１（第１の領域）と、樹脂充填領域Ａ２２（第２の領域）と、金属層形成領域Ａ２３（第３の領域）とを有する。樹脂充填領域Ａ２２及び金属層形成領域Ａ２３は、密着部２５０を構成する。
【００８０】
電極対向領域Ａ２１は、誘電体層１１０の面内略中央部に位置する略矩形の領域に形成され、第１の内部電極部１３１と第２の内部電極部１３２とを含み、これら第１及び第２の内部電極部１３１，１３２が相互に対向する容量領域を構成する。誘電体層１１０の第１及び第２の貫通孔部１１３ａ，１１３ｂは、それぞれ容量領域Ａ１１に設けられる複数の貫通孔部に相当する。
【００８１】
樹脂充填領域Ａ２２は、電極対向領域Ａ２１の外側から誘電体層１１０の外周縁部に至る略矩形の環状領域に形成される。複数の樹脂材料層２５１は、樹脂充填領域Ａ２２における第３の貫通孔部１１３ｃに設けられ、各々の両端は、第１及び第２の外部電極層１２１，１２２にそれぞれ接続される。
【００８２】
金属層形成領域Ａ２３は、電極対向領域Ａ２１と樹脂充填領域Ａ２２との間の略矩形の環状領域に形成される。複数の金属材料層２５２は、金属層形成領域Ａ２３における第３の貫通孔部１１３ｃに設けられ、一端が第２の外部電極層１２２に接続され、他端が第１の外部電極層１２１から絶縁されている。
【００８３】
本実施形態において密着部２５０は、樹脂材料層２５１と金属材料層２５２とを含む複合構造を有するため、誘電体層１１０に対する第１及び第２の外部電極層１２１，１２２の密着効果を高めることができる。
【００８４】
すなわち、金属材料層２５２と第２の外部電極層１２２との接合は、金属同士の接続であるため、誘電体層１１０と第２の外部電極層１２２との間の密着性を高めることができる。また、樹脂充填領域Ａ２２が金属層形成領域Ａ２３よりも外周側に設けられているため、誘電体層１１０の最外周部において誘電体層１１０と第１及び第２の外部電極層１２１，１２２との密着性が高まり、これらの層間剥離を効果的に抑制することができる。
【００８５】
樹脂材料層２５１は、第１の実施形態における樹脂材料層１５１と同様に構成され、例えば、ポリイミド、エポキシ、アクリル、フェノール、ベンゾシクロブテン等の絶縁性樹脂材料で形成される。金属材料層２５２は、典型的には、第１及び第２の内部電極部１３１，１３２と同種の金属材料で形成されるが、勿論これに限られない。
【００８６】
樹脂充填領域Ａ２２の形成幅は、特に限定されず、例えば、１μｍ以上１００μｍ以下とされる。１μｍ未満であると、樹脂材料層２５１による所期の密着効果が得られにくく、１００μｍを超えると樹脂材料層２５１による密着効果が頭打ちとなる。
【００８７】
金属層形成領域Ａ２３の形成幅も特に限定されず、例えば、０．１μｍ以上１．０μｍ以下とされる。０．１μｍ未満であると、金属材料層２５２による所期の密着効果が得られにくく、１．０μｍを超えると、外部電極層からの応力が片側に偏ることで、誘電体層１１０のクラックが生じ易くなる。
【００８８】
本発明者は、電極対向領域の外周囲（金属層形成領域）に密着部として幅０．５〜０．８μｍにわたって複数の柱状の金属材料層を形成し、金属層形成領域の外周囲（樹脂充填領域）に幅１０〜２５μｍにわたってポリイミド製の複数の柱状の樹脂材料層を形成したコンデンサのサンプルを１０００個作製し、８０倍の光学顕微鏡を用いて両外部電極層の剥離の有無を評価した。その結果、上記剥離が検出されたサンプルの割合は、０％であった。
【００８９】
本実施形態のコンデンサ２０によれば、誘電体層１１０に対する第１及び第２の外部電極層１２１，１２２の密着強度が高まるため、ハンドリング時や応力等の影響による誘電体層と外部電極層１２１，１２２との界面の剥離を防止することができる。これにより、コンデンサ２０の耐久性を高めることができる。また、誘電体層１１０と外部電極層１２１，１２２の材料選定の自由度が高まり、相互の密着強度が低い材料の組み合わせも採用可能となる。
【００９０】
［製造方法］
次に、本実施形態のコンデンサ２０の製造方法について説明する。図１５及び図１６は、コンデンサ２０の製造方法を説明する要部の工程断面図である。ここで、図１５に示す工程までは上述の第１の実施形態と同様であるため（図６（Ａ）〜（Ｃ）、図７（Ａ）〜（Ｃ）、図８（Ａ）参照）、ここでは説明を省略する。なお第１の実施形態と同様のその他の工程においても具体的な手法、寸法、材質などは、第１の実施形態に記載した内容と同一であるため、これらの説明を省略する。
【００９１】
図１５（Ａ）に示すように、レジストパターン５７で区画された電極対向領域Ａ２１に第１のめっき導体Ｍ１を形成した後、図１５（Ｂ）に示すように、レジストパターン５７よりも開口部が大きいレジストパターン５７Ａを酸化物基材５３の裏面に形成し、このレジストパターン５７Ａをマスクとして酸化物基材５３の裏面をエッチング（ＲＩＥ）する。これにより、電極対向領域Ａ２１の周囲に金属層形成領域Ａ２３が区画される。
【００９２】
そして再び、導体層５８をシード層とする電解めっき法により、図１５（Ｃ）に示すように、電極対向領域Ａ２１内の第１，第２の貫通孔部１１３ａ，１１３ｂと金属層形成領域Ａ２３内の第３の貫通孔部１１３ｃに、第２のめっき導体Ｍ２が形成される。第３の貫通孔部１１３ｃに形成される第２のめっき導体Ｍ２は、金属層形成領域Ａ２３に設けられる柱状の金属材料層２５２を構成する。
【００９３】
その後、第１の実施形態と同様な工程（図９（Ａ）〜（Ｃ）、図１０（Ａ））を実施することで、図１６（Ａ）に示すように金属層形成領域Ａ２３の周囲に複数の柱状の樹脂材料層２５１が形成される。これら樹脂材料層２５１は、金属層形成領域Ａ２３の周囲を囲む樹脂充填領域Ａ２２内に設けられる。また、樹脂材料層２５１を構成する樹脂材料によって金属材料層２５２と第１の外部電極層１２１との間、及び、第２の電極柱５９ｂと第１の外部電極層１２１との間にそれぞれ樹脂製の絶縁層１６１が形成される。
【００９４】
続いて、第１の実施形態と同様に第２の外部電極層１２２、第１及び第２の保護層１４１，１４２がそれぞれ形成されることで、図１６（Ｂ）に示すようにコンデンサ本体２００が作製される。その後、コンデンサ本体２００の第１及び第２の端面１１，１２にそれぞれ第１及び第２の外部端子１０１，１０２が形成されることで、本実施形態のコンデンサ２０が作製される。
【００９５】
＜第３の実施形態＞
図１７は、本発明の第３の実施形態に係るコンデンサの構成を示す概略断面図である。以下、第１及び第２の実施形態と異なる構成について主に説明し、上述の実施形態と同様の構成については同様の符号を付しその説明を省略または簡略化する。
【００９６】
本実施形態のコンデンサ３０は、コンデンサ本体３００と、第１の外部端子１０１と、第２の外部端子１０２とを有する。
【００９７】
コンデンサ本体３００は、誘電体層１１０と、第１の外部電極層１２１と、第２の外部電極層１２２と、複数の第１の内部電極部１３１と、複数の第２の内部電極部１３２と、第１の保護層１４１と、第２の保護層１４２とを有し、これらは第１の実施形態と同様の構成であるためそれらの説明は省略する。
【００９８】
本実施形態のコンデンサ本体３００は、密着部２５５をさらに有する。密着部２５５は、第３の貫通孔部１１３ｃに設けられ、第１の外部電極層１２１及び第２の外部電極層１２２と密着する。
【００９９】
密着部２５５は、複数の柱状の樹脂材料層２５１と、複数の柱状の金属材料層２５３とを含む。本実施形態では、コンデンサ本体の金属層形成領域Ａ２３（図１４参照）が、金属材料層２５３で構成されている点で、第２の実施形態と異なる。すなわち本実施形態では、複数の金属材料層２５３は、金属層形成領域Ａ２３における第３の貫通孔部１１３ｃに設けられ、一端が第１の外部電極層１２１に接続され、他端が第２の外部電極層１２２から絶縁されている。
【０１００】
本実施形態において密着部２５５は、樹脂材料層２５１と金属材料層２５３とを含む複合構造を有するため、誘電体層１１０に対する第１及び第２の外部電極層１２１，１２２の密着効果を高めることができる。特に本実施形態によれば、金属材料層２５３が第１の外部電極層１２１と金属接合されているため、両者の密着性が高められる。これにより、第１の外部電極層１２１と誘電体層１１０との剥離強度を向上させることができる。
【０１０１】
金属材料層２５３が形成される金属層形成領域Ａ２３の幅は特に限定されず、例えば、０．１μｍ以上１．０μｍ以下とされる。０．１μｍ未満であると、金属材料層２５２による所期の密着効果が得られにくく、１．０μｍを超えると、外部電極層からの応力が片側に偏ることで、誘電体層１１０のクラックが生じ易くなる。
【０１０２】
本実施形態のコンデンサ３０によれば、誘電体層１１０に対する第１及び第２の外部電極層１２１，１２２の密着強度が高まるため、ハンドリング時や応力等の影響による誘電体層と外部電極層１２１，１２２との界面の剥離を防止することができる。これにより、コンデンサ３０の耐久性を高めることができる。また、誘電体層１１０と外部電極層１２１，１２２の材料選定の自由度が高まり、相互の密着強度が低い材料の組み合わせも採用可能となる。
【０１０３】
［製造方法］
次に、本実施形態のコンデンサ３０の製造方法について説明する。図１８及び図１９は、コンデンサ２０の製造方法を説明する要部の工程断面図である。ここで、図１８に示す工程までは上述の第１の実施形態と同様であるため（図６（Ａ），（Ｂ）参照）、ここでは説明を省略する。
【０１０４】
図１８に示すように、金属基材５０の表面に所定深さの複数の第１の孔５４が形成された後、金属基材５０の裏面に、金属層形成領域Ａ２３に対応する形状の開口部５１が形成される。開口部５１の形成には、例えば、ウェットエッチング法、ドライエッチング法等が用いられる。開口部５１は、当該領域内の金属基材５０を除去できる深さに形成される。
【０１０５】
その後、金属基材５０に２段階目の陽極酸化処理を施すことで、図１９（Ａ）に示すように第１の孔５４よりも広ピッチの複数の第２の孔５６が形成される。このとき、開口部５１の形成領域には金属基材５０が存在しないため、開口部５１の形成部位には第２の孔５６は形成されない。
【０１０６】
次に、図１９（Ｂ）に示すように金属基材５０の裏面をエッチングすることで、開口部５１の形成領域に位置する第１の孔５４の底部が開放される。このようにして得られた酸化物基材５３の表面には導体層５８が形成され、酸化物基材５３の裏面には樹脂充填領域Ａ２２を被覆するレジストパターン５７Ａが形成される。そして、導体層５８をシード層とする電解めっき法により、レジストパターン５７Ａから開口する領域（電極対向領域Ａ２１、金属層形成領域Ａ２３）内の第１の孔５４内に第１のめっき導体Ｍ１を成長させる（図１９（Ｂ））。
【０１０７】
第１のめっき導体Ｍ１が形成される第１の孔５４には、さらに第２のめっき導体Ｍ２が堆積することで、第１の外部電極層１２１と電気的に接続される第１の電極柱５９ａが形成される。したがって第１の電極柱５９ａは、電極対向領域Ａ２１だけでなく、金属層形成領域Ａ２３にも形成されることになる。
【０１０８】
以後、上述の各実施形態と同様な工程を経て、図１９（Ｃ）に示すように、電極対向領域Ａ２１に第１及び第２の電極柱５９ａ，５９ｂ、樹脂充填領域Ａ２２に樹脂材料層２５１、金属層形成領域Ａ２３に金属材料層２５３がそれぞれ形成される。
【０１０９】
その後、上述の各実施形態と同様に、第１の外部電極層１２１をシード層とする電解エッチングによって、第１の電極柱５９ａの表面がエッチングされ、そのエッチング領域に絶縁層１６２が形成される。続いて、第２の外部電極層１２２、第１及び第２の保護層１４１，１４２が順次形成されることによりコンデンサ本体３００が作製される。そして、コンデンサ本体の第１及び第２の端面１１，１２に第１及び第２の外部端子１０１，１０２が形成されることで、本実施形態のコンデンサ３０が作製される。
【０１１０】
＜第４の実施形態＞
図２０及び図２１は、本発明の第４の実施形態に係るコンデンサの構成を示す概略断面図である。以下、第１及び第２の実施形態と異なる構成について主に説明し、上述の実施形態と同様の構成については同様の符号を付しその説明を省略または簡略化する。
【０１１１】
図２０に示すコンデンサ４０は、複数の柱状の金属材料層２５２で構成された密着部２５６を含むコンデンサ本体４００を有する。コンデンサ本体４００のその他の構成は、上述の第１の実施形態と同様であるため、その説明は省略する。
【０１１２】
金属材料層２５２は、コンデンサ本体４００の電極対向領域の外側を囲む略矩形の環状領域内に位置する複数の第３の貫通孔部１１３ｃにそれぞれ形成される。金属材料層２５２は、一端が第２の外部電極層１２２に接続され、他端が第１の外部電極層１２１から絶縁される。
【０１１３】
すなわち本実施形態のコンデンサ本体４００は、第１の実施形態で説明した樹脂充填領域が、金属材料層２５２の形成領域に置き換えられた構成を有する。このような構成により、第２の外部電極層１２２と誘電体層１１０との強固な密着が図られ、誘電体層１１０からの第２の外部電極層１２２の剥離を抑制することができる。
【０１１４】
一方、図２１に示すコンデンサ４１は、複数の柱状の金属材料層２５３で構成された密着部２５７を含むコンデンサ本体４０１を有する。コンデンサ本体４０１のその他の構成は、上述の第１の実施形態と同様であるため、その説明は省略する。
【０１１５】
金属材料層２５３は、コンデンサ本体４０１の電極対向領域の外側を囲む略矩形の環状領域内に位置する複数の第３の貫通孔部１１３ｃにそれぞれ形成される。金属材料層２５３は、一端が第１の外部電極層１２１に接続され、他端が第２の外部電極層１２２から絶縁される。
【０１１６】
すなわち本実施形態のコンデンサ本体４０１は、第１の実施形態で説明した樹脂充填領域が、金属材料層２５３の形成領域に置き換えられた構成を有する。このような構成により、第１の外部電極層１２１と誘電体層１１０との強固な密着が図られ、誘電体層１１０からの第１の外部電極層１２１の剥離を抑制することができる。
【０１１７】
本発明者は、電極対向領域の外周囲（金属層形成領域）に密着部として幅０．５〜０．８μｍにわたって一方の外部電極層にのみ接続される複数の柱状の金属材料層を形成したコンデンサのサンプルを１０００個作製し、８０倍の光学顕微鏡を用いて両外部電極層の剥離の有無を評価した。その結果、上記柱状の金属材料層と接続される外部電極層の剥離が検出されたサンプルの割合は０．６％、上記柱状の金属材料層と接続されない外部電極層の剥離が検出された割合は１．２％であった。
【０１１８】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。
【０１１９】
例えば以上の第１の実施形態では、電極対向領域の外側に複数の柱状の樹脂材料層からなる密着部１５０を形成した例について主として説明したが、これに代えて、電極対向領域にのみ柱状の樹脂材料層を分散させてもよい。図２２に、密着部としての樹脂材料層１５１が電極対向領域に分散されたコンデンサの構成例を示す。
【０１２０】
本発明者は、誘電体層の電極対向領域に上記柱状の樹脂材料層を分散させたコンデンサのサンプルを１０００個作製し、８０倍の光学顕微鏡を用いて両外部電極層の剥離の有無を評価した。その結果、上記剥離が検出されたサンプルの割合は、１．０％であった。
【０１２１】
以上の各実施形態に係るコンデンサは各々単独で実施される場合に限られず、同時に実施されてもよい。例えば第２及び第３の実施形態において、密着部を構成する柱状の金属材料層として、第２の外部電極層１２２に接続される金属材料層２５２と、第１の外部電極層１２１に接続される金属材料層２５３とがそれぞれ単独で構成された例を説明したが、密着部としてこれら２種の柱状の金属材料層を同時に含むように構成されてもよい。
【符号の説明】
【０１２２】
１０，２０，３０，４０，４１…コンデンサ
１１０…誘電体層
１２１…第１の外部電極層
１２２…第２の外部電極層
１３１…第１の内部電極部
１３２…第２の内部電極部
１５０，２５０，２５５，２５６，２５７…密着部
１５１，２５１…樹脂材料層
２５２，２５３…金属材料層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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