(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
主表面を有する磁気ディスク用ガラス基板であって、
前記主表面において原子間力顕微鏡により測定した算術平均粗さＲａが０．１５ｎｍ以下であって、
原子間力顕微鏡により測定した結果に基づき、所定の領域を、角度方向を０°から１８０°まで１°ごとに変化させながら各々の角度方向における角度方向算術平均粗さＲａ＿ｄｅｇを算出し、前記算出された角度方向算術平均粗さＲａ＿ｄｅｇのうち、最も大きい値を角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘとし、最も小さい値を角度方向算術平均粗さ最小値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎとした場合に、
（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）／（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値が、２．６以下であることを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板。
【請求項２】
（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）／（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値が、２．４以下であることを特徴とする請求項１に記載の磁気ディスク用ガラス基板。
【請求項３】
（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）−（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値が、０．０２０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の磁気ディスク用ガラス基板。
【請求項４】
主表面を有する磁気ディスク用ガラス基板であって、
前記主表面において原子間力顕微鏡により測定した算術平均粗さＲａが０．１５ｎｍ以下であって、
原子間力顕微鏡により測定した結果に基づき、所定の領域を、角度方向を０°から１８０°まで１°ごとに変化させながら各々の角度方向における角度方向算術平均粗さＲａ＿ｄｅｇを算出し、前記算出された角度方向算術平均粗さＲａ＿ｄｅｇのうち、最も大きい値を角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘとし、最も小さい値を角度方向算術平均粗さ最小値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎとした場合に、
（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）−（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値が、０．０２４ｎｍ以下であることを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板。
【請求項５】
（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）−（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値が、０．０２２ｎｍ以下であることを特徴とする請求項４に記載の磁気ディスク用ガラス基板。
【請求項６】
前記角度方向算術平均粗さＲａ＿ｄｅｇは、原子間力顕微鏡により測定した結果に、カットオフを４０ｎｍとするハイパスフィルタをかけたものに基づき算出することを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の磁気ディスク用ガラス基板。
【請求項７】
請求項１から６のいずれかに記載の磁気ディスク用ガラス基板の主表面に、磁性層を成膜したことを特徴とする磁気ディスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ディスク用ガラス基板及び磁気ディスクに関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスクドライブ装置（ＨＤＤ装置）に搭載される磁気記録媒体として磁気ディスクがある。磁気ディスクは、金属基板やガラス基板の上に、磁性層を成膜することにより形成されており、従来は、磁気ディスク用の基板としてアルミニウム合金基板が広く用いられていたが、近年の磁気ディスクの小型化、薄板化、高記録密度化に伴い、アルミニウム合金基板に比べて表面の平滑性が高く、薄板における強度に優れたガラス基板が多く用いられている。
【０００３】
しかしながら、磁気ディスクにおいては、更なる高記録密度化の要求が高く、今後は、単に、磁気ディスク用基板としてガラス基板を用いただけでは、磁気ディスクの高記録密度化に十分に対応できない場合がある。即ち、磁気ディスクにおいては、基板の主表面の上に成膜されている磁性膜において情報の記録が行われるが、この磁性層における磁気特性は、基板の主表面の表面状態等に依存する。このため、基板の主表面の表面状態等によっては、磁気ディスクの高記録密度化に十分に対応できない場合がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２０１０／０３８７４１号パンフレット
【特許文献２】特開２００７−２６５３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
具体的には、磁気ディスク用ガラス基板においては、磁気ディスクの高記録密度化のため、磁気ディスク用ガラス基板の主表面の表面粗さ（算術平均粗さＲａ）を低減することが求められている。例えば、５００ＧＢ／ＰＬ（２．５インチサイズの磁気ディスク）に対応した磁気ディスク用ガラス基板の主表面においては、算術平均粗さＲａを０．１５ｎｍ以下とすることが求められている。
【０００６】
しかしながら、更に磁気ディスクを高記録密度化しようとした場合、磁気ディスク用ガラス基板の主表面における算術平均粗さＲａを単に小さくしても、磁気ディスクの記録再生特性において、例えば指標の一つとなるミッシングパルス等のエラーを充分に抑制することができない。
【０００７】
従って、本願は、６６０Ｇｂｉｔ／ｉｎ２、７５０Ｇｂｉｔ／ｉｎ２、１Ｔｂｉｔ／ｉｎ２等、あるいはそれ以上の高記録密度の磁気ディスク、あるいは、２．５インチディスク一枚あたり、６６０ＧＢ、７５０ＧＢ、１ＴＢ等、あるいはそれ以上の高記録密度の磁気ディスクにおいて、ミッシングパルス等の記録再生特性におけるエラーを充分に抑制することのできる高記録密度化に対応した磁気ディスク用ガラス基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本実施の形態の一観点によれば、主表面を有する磁気ディスク用ガラス基板であって、前記主表面において原子間力顕微鏡により測定した算術平均粗さＲａが０．１５ｎｍ以下であって、原子間力顕微鏡により測定した結果に基づき、所定の領域を、角度方向を０°から１８０°まで１°ごとに変化させながら各々の角度方向における角度方向算術平均粗さＲａ＿ｄｅｇを算出し、前記算出された角度方向算術平均粗さＲａ＿ｄｅｇのうち、最も大きい値を角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘとし、最も小さい値を角度方向算術平均粗さ最小値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎとした場合に、（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）／（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値が、２．６以下であることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
開示の磁気ディスク用ガラス基板によれば、高記録密度化に対応した磁気ディスク用ガラス基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本実施の形態における磁気ディスク用ガラス基板の構造図
【図２】本実施の形態における磁気ディスク用ガラス基板の評価方法の説明図（１）
【図３】本実施の形態における磁気ディスク用ガラス基板の評価方法の説明図（２）
【図４】本実施の形態における磁気ディスクの構造図
【発明を実施するための形態】
【００１１】
実施するための形態について、以下に説明する。尚、同じ部材等については、同一の符号を付して説明を省略する。
【００１２】
最初に、磁気ディスク用ガラス基板の主表面について説明する。磁気ディスクの垂直磁性層として用いられる垂直磁気材料は、垂直磁性層における磁性合金の結晶配向の揃い方が、記録再生特性（Ｓ／Ｎ比）に大きく影響を及ぼす。具体的には、磁性合金の結晶の磁化容易軸が垂直配向している状態が理想的であるが、配向が揃わないと再生信号におけるノイズ成分が増加してしまう。
【００１３】
垂直磁性層における結晶配向を揃えるために、垂直磁性層の下に配向膜や更に下地膜等を積層する方法が開示されているが、これらの膜を積層するガラス基板の主表面における表面状態も結晶配向に大きな影響を及ぼしている。
【００１４】
垂直磁性層の結晶配向を揃え磁気記録再生特性を向上させるためには、ガラス基板の主表面を研磨し、研磨されている主表面における表面粗さが所定の値以下となるように規定したり、高輝度下において目視により、研磨痕が少ない、あるいは研磨痕が見えない状態のガラス基板を用いる方法がある。
【００１５】
しかしながら、基板の主表面における表面粗さを所定の値以下としたガラス基板を用いて磁気ディスクを作製しても、記録再生特性を充分に向上できないことを発明者らは見出した。また、高輝度下において目視により、研磨痕が見えない状態の基板であっても、ＡＦＭ（Atomic Force Microscope：原子間力顕微鏡）等の高解像度の表面測定においては、ある方向に方向性を有する筋状パターンが存在し、このような方向性を有する筋状パターンが、成膜される磁性膜の結晶配向を乱す要因となるおそれがある。
【００１６】
本発明は、上記の課題を解決することを目的とするものであり、基板の主表面において、ＡＦＭによって観測されるレベルの筋状パターンの状態を規定することにより、高記録密度において記録再生特性に優れる磁気ディスク用ガラス基板を提供するものである。
【００１７】
（磁気ディスク用ガラス基板）
次に、本実施の形態における磁気ディスク用ガラス基板について説明する。図１に示されるように、本実施の形態における磁気ディスク用ガラス基板１０は、ドーナッツ形状となるように形成されており、中央部分に円形の開口部１１を有している。本実施の形態における磁気ディスク用ガラス基板において、開口部１１が形成されている内側が内周面２１、外側が外周面２２となっており、内周面２１と外周面２２との間における主表面３０の上に、磁性層を成膜することにより磁気ディスクが作製される。
【００１８】
（磁気ディスク用ガラス基板の製造方法）
磁気ディスク用ガラス基板の製造方法は、素板加工工程、面取部加工工程、端面研磨工程、および主表面研磨工程などを有する。これらの工程の間や、これらの工程の後に、エッチング工程、洗浄工程、乾燥工程などが行われてもよい。
【００１９】
素板加工工程は、ガラス素板を加工することにより、中央部に円孔を有する円盤状のガラス基板を得る。ガラス素板は、例えばフロート法、フュージョン法、プレス成形法、ダウンドロー法、リドロー法などで成形される。
【００２０】
面取部加工工程は、面取砥石でガラス基板の端面（内周端面および外周端面）を研削することにより、ガラス基板の端面に面取部および側面部を形成する。面取部はガラス基板の主面に対して斜めとされてよく、側面部はガラス基板の主面に対して垂直とされてよい。尚、面取部は平面でなくてもよく、丸みを帯びた曲面でもよい。
【００２１】
端面研磨工程は、研磨液を供給しながら回転ブラシで面取部および側面部を研磨することにより、面取部や側面部における加工変質層を除去する。回転ブラシによる研磨部位には研磨液が供給される。
【００２２】
尚、複数の端面研磨工程が順次行われてもよく、回転ブラシだけで加工変質層を除去しなくてもよい。回転ブラシによるブラシ研磨の他に、スポンジ研磨、粘性流体研磨、磁性流体研磨などが行われてもよい。複数の端面研磨工程の間には、洗浄工程や乾燥工程が行われてよい。
【００２３】
主表面研磨工程は、ガラス基板の主表面（第１主表面および第２主表面）を研磨する。主表面研磨工程では、ガラス基板の第１表面および第２表面を同時に研磨する両面研磨機が用いられてよい。両面研磨機は、複数のガラス基板を同時に研磨してよい。
【００２４】
尚、複数の主面研磨工程が順次行われてもよい。複数の主面研磨工程は、研磨パットの種類や研磨液に含まれる砥粒の粒度を変えて行われる。複数の主面研磨工程の間には、洗浄工程や乾燥工程が行われてよい。
【００２５】
尚、各工程の順序は、特に限定されない。例えば、主表面研磨工程の後に、端面研磨工程が行われてもよい。また、各工程以外の工程が行われてもよい。例えば、主面研磨工程の前に、ガラス基板の主表面のラップ（例えば遊離砥粒ラップ、固定砥粒ラップなど）が行われてよい。また、端面研磨工程や主表面研磨工程の後、主表面研磨工程の間に、化学強化が行われてもよい。化学強化は、ガラス板の表面に含まれる小さなイオン半径のイオン（例えばＬｉイオンやＮａイオン）を大きなイオン半径のイオン（例えばＫイオン）に置換し、表面から所定の深さの強化層を形成する。強化層には圧縮応力が残留するため、傷が付きにくい。
【００２６】
本実施の形態における磁気ディスク用ガラス基板は、磁気ディスク用ガラス基板の主表面３０において、ＡＦＭにより得られた算術平均粗さＲａが０．１５ｎｍ以下であって、ＡＦＭにより得られた結果より所定の領域において角度方向を０°から１８０°まで１°ごとに変化させながら各々の角度方向における角度方向算術平均粗さＲａ＿ｄｅｇを算出し、算出された角度方向算術平均粗さＲａ＿ｄｅｇのうち、最も大きい値を角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘとし、最も小さい値を角度方向算術平均粗さ最小値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎとした場合に、（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）／（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値が２．６以下となるものである。
【００２７】
（角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ、角度方向算術平均粗さ最小値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）
次に、本実施の形態における磁気ディスク用ガラス基板において、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ、角度方向算術平均粗さ最小値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎの算出方法について説明する。
【００２８】
最初に、ＡＦＭを用いて磁気ディスク用ガラス基板の測定を行う。ＡＦＭ装置においては、機構的には磁気ディスク用ガラス基板の傾斜を完全には解消することができないため、ＡＦＭにより得られた測定結果に基づき、算術的に傾斜補正を行う。このように傾斜補正が行われたものに、ハイパスフィルタ（ローカットフィルタ）、例えば、カットオフ波長が５０ｎｍのハイパスフィルタをかける。この後、図２に示されるように、所定の角度方向における角度方向算術平均粗さＲａ＿ｄｅｇを各々の角度θにおける角度方向ごとに算出する。
【００２９】
具体的には、磁気ディスク用ガラス基板の主表面において、長手方向の長さＬ、短手方向の長さＬ／３の領域における角度方向算術平均粗さＲａ＿ｄｅｇを算出する。本実施の形態においては、長手方向を角度方向とし、例えば、長手方向の長さＬは５００ｎｍとする。角度方向算術平均粗さＲａ＿ｄｅｇを算出する工程を角度方向を１°ごとに変化させながら行うことにより、角度方向の角度θと角度方向算術平均粗さＲａ＿ｄｅｇとの関係を得る。このようにして得られた角度方向の角度θと角度方向算術平均粗さＲａ＿ｄｅｇとの関係を図３に示す。図３に示される角度方向算術平均粗さＲａ＿ｄｅｇのうち、最大の値を角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘとし、最小の値を角度方向算術平均粗さ最小値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎとする。
【００３０】
尚、本実施の形態においては、まず、ＡＦＭにより得られた磁気ディスク用ガラス基板の主表面のデータにおいて、短手方向と長手方向の長方形の部分のデータを抽出し、各短手方向のデータについて高さの平均値（短手方向の平均高さ）を求める。次に、短手方向の平均高さにより形成される長手方向の曲線をその角度方向における断面曲線（その角度における長手方向の断面曲線）とする。そして、長手方向の断面曲線の算術平均粗さを算出し、これを角度方向算術平均粗さＲａ＿ｄｅｇとしている。
【００３１】
このようにして得られた角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ及び角度方向算術平均粗さ最小値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎに基づき、（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）／（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値を算出する。
【００３２】
本実施の形態における磁気ディスク用ガラス基板は、ＡＦＭにより得られた結果より所定の領域において角度方向を０°から１８０°まで１°ごとに変化させながら各々の角度方向における角度方向算術平均粗さＲａ＿ｄｅｇを算出し、算出された角度方向算術平均粗さＲａ＿ｄｅｇのうち、最も大きい値を角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘとし、最も小さい値を角度方向算術平均粗さ最小値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎとした場合に、（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）／（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値が２．６以下となるものである。
【００３３】
（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）／（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値を２．６以下とすることにより、磁気ディスク用ガラス基板の主平面に磁性層などを形成して磁気ディスクとして記録再生信号の強度を評価したとき、再生した時に得られる出力が閾値以下となることを抑制でき、磁気ディスクを更に高記録密度化することができる。
【００３４】
尚、本実施の形態においては、（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）／（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値は２．４以下がより好ましく、更には、２．２以下が好ましく、より一層好ましいのは、２．０以下である。
【００３５】
また、本実施の形態における磁気ディスク用ガラス基板においては、（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）−（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値が０．０２４ｎｍ以下である。
【００３６】
（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）−（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値を０．０２４ｎｍ以下とすることにより、磁気ディスク用ガラス基板の主平面に磁性層などを形成して磁気ディスクとして記録再生信号の強度を評価したとき、再生した時に得られる出力が閾値以下となることを抑制でき、磁気ディスクを更に高記録密度化することができる。
【００３７】
尚、本実施の形態においては、（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）−（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値は０．０２２ｎｍ以下がより好ましく、更には、０．０１８ｎｍ以下が好ましく、より一層好ましいのは、０．０１６ｎｍ以下である。
【００３８】
尚、角度方向算術平均粗さＲａ＿ｄｅｇは、測定の際のノイズや磁気ディスク用ガラス基板自体のうねり等に阻害されずに、筋状パターンの状態を正確に把握するために、筋状パターンの周期の２倍程度の波長のハイパスフィルタを使用するのが好ましい。
【００３９】
（磁気ディスク）
本実施の形態における磁気ディスクは、図４に示されるように、上述した本実施の形態における磁気ディスク用ガラス基板１０の主表面３０の上に、垂直磁化膜５０となる垂直磁性層を成膜することにより作製される。垂直磁性層を形成する磁性材料としては、ＣｏＣｒＰｔ系合金、ＦｅＰｔ系合金等が挙げられる。
【００４０】
具体的には、本実施の形態における磁気ディスク用ガラス基板１０に、以下の方法にて垂直磁性層等を成膜することにより、磁気ディスクが作製される。作製される磁気ディスクは、磁気ディスク用ガラス基板の主表面において、少なくとも垂直磁性層、保護層、潤滑膜が形成されている。垂直磁性層は垂直磁気記録方式に対応した材料が用いられる。尚、記録密度を更に向上させたい場合は、エネルギーアシスト磁気記録方式（例えば、熱アシスト磁気記録方式、マイクロ波アシスト磁気記録方式など）が好ましく、この場合には、垂直磁性層にはエネルギーアシスト磁気記録方式に対応した材料が用いられる。
【００４１】
垂直記録方式の場合には、磁気ヘッドからの記録磁界を環流させる役割を果たす軟磁性材料からなる軟磁性下地層を形成するのが一般的である。軟磁性下地層は、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ等を含む軟磁性材料が用いられる。具体的には、ＦｅＣｏ系合金、ＦｅＮｉ系合金、ＦｅＡｌ系合金、ＦｅＣｒ系合金、ＦｅＴａ系合金、ＦｅＭｇ系合金、ＦｅＺｒ系合金、ＦｅＣ系合金、ＦｅＮ系合金、ＦｅＳｉ系合金、ＦｅＰ系合金、ＦｅＮｂ系合金、ＦｅＨｆ系合金、ＦｅＢ系合金等が用いられる。
【００４２】
また、磁気ディスク用ガラス基板１０の主表面３０における吸着ガスや吸着水分の影響、或いは磁気ディスク用ガラス基板１０に含まれる成分の拡散等による軟磁性下地層の腐食を抑制するために、磁気ディスク用ガラス基板１０と軟磁性下地層との間に、密着層を設けてもよい。密着層を形成する材料としては、Ｃｒ、Ｃｒ合金、Ｔｉ、Ｔｉ合金等が挙げられ、厚さ２ｎｍ〜４０ｎｍ程度が好ましい。密着層は、例えば、スパッタリングによる成膜により形成することができる。
【００４３】
軟磁性下地層と垂直磁性層との間に、配向制御層を設けることにより、垂直磁性層の結晶粒を微細化し、記録再生特性を向上させることができる。配向制御層は、ＲｕやＲｕ合金、Ｐｔ、Ａｕ及びＡｇを含む材料ならびにＣｏＣｒ系合金、ＴｉまたはＴｉ合金等の材料を用いることができ、膜厚は約２〜２０ｎｍが好ましい。この配向制御層は、垂直磁性層のエピタキシャル成長を容易にする機能及び軟磁性下地層と垂直磁性層との磁気交換結合を断つ機能を有している。更に、軟磁性下地層と配向制御層との間に、配向制御層の結晶粒径を制御するためのシード層を設けてもよい。シード層は、例えば、ＮｉＷ系合金を用いることができる。垂直磁性層は、磁化容易軸が磁気ディスク用ガラス基板における主表面に対して垂直方向に向いている磁性膜であり、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ等を含む材料により形成されている。
【００４４】
垂直磁性層は、高い固有媒体ノイズの原因となる粒間交換結合を低減するため、良好に隔離された微粒子構造、即ち、グラニュラ構造とすることが好ましい。具体的には、ＣｏＣｒＰｔ系合金等に、酸化物（ＳｉＯ２、ＳｉＯ、Ｃｒ２Ｏ３、ＣｏＯ、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２等）や、Ｃｒ、Ｂ、Ｔａ、Ｚｒ等を添加することが好ましい。
【００４５】
垂直磁性層は、磁性層と非磁性層とが交互に積層された構造としてもよい。この場合、非磁性層は、例えば、ＲｕまたはＲｕ合金の材料を用い、厚さ０．６〜１．２ｎｍとすることにより、磁性層をＡＦＣ結合（反強磁性交換結合）させることができる。
【００４６】
垂直磁性層の腐食を防ぎ、かつ、磁気ヘッドが媒体に接触した際において、磁気ディスクの表面の損傷を防ぐため、垂直磁性層の上に保護層が形成される。保護層は、Ｃ、ＺｒＯ２、ＳｉＯ２等を含む材料により形成されており、スパッタリング、ＣＶＤ（chemical vapor deposition）等による成膜により形成することができる。
【００４７】
保護膜の表面には、磁気ヘッドと記録媒体との摩擦を低減するため、潤滑膜が形成されている。潤滑膜は、例えば、パーフルオロポリエーテル、フッ素化アルコール、フッ素化カルボン酸などを用いることができる。これら潤滑膜は、ディップ法、スプレー法等により形成することができる。
【実施例】
【００４８】
（磁気ディスク用ガラス基板の製造方法）
本実施の形態における例１〜９における磁気ディスク用ガラス基板として、外径が６５ｍｍ、内径が２０ｍｍ、板厚が０．６４ｍｍの磁気ディスク用ガラス基板の製造方法について説明する。本願においては、例１〜７は実施例であり、例８、９は比較例である。
【００４９】
フロート法で成形されたＳｉＯ２を主成分とするガラス素板をドーナツ状円形ガラス基板（中央部に円孔を有する円盤形状ガラス基板、以下、単にガラス基板と記載する場合がある）に加工する、円形（ドーナツ形状）加工を行った。
【００５０】
次に、このドーナツ状円形ガラス基板の内周側面と外周側面を、面取り幅０．１５ｍｍ、面取り角度４５°の磁気ディスク用ガラス基板が得られるように面取り加工した。
【００５１】
次に、アルミナ砥粒を用いて、ガラス基板の上下における主表面をラッピングし、砥粒を洗浄除去した。研磨具として鋳鉄定盤と、アルミナ砥粒を含有する研削液を用いて、両面研磨装置（スピードファム社製、製品名：ＤＳＭ−１６Ｂ−５ＰＶ−４ＭＨ）により、ガラス基板の上下における主表面を１次研削した。
【００５２】
次に、外周側面と外周面取り部を、研磨ブラシと酸化セリウム砥粒を用いて研磨し、外周側面と外周面取り部のキズを除去し、鏡面となるように外周端面を研磨加工した。この後、外周端面研磨後のガラス基板は、砥粒を洗浄除去した。
【００５３】
次に、ガラス基板の内周側面と内周面取り部を研磨ブラシと酸化セリウム砥粒を用いて研磨し、内周側面と内周面取り部のキズを除去し、鏡面となるように内周端面を研磨加工し、砥粒を洗浄除去した。
【００５４】
次に、研磨具として固定砥粒工具（平均粒径４μｍのダイヤモンド粒子を含有）と界面活性剤を含有する研削液を用いて、両面研削装置（スピードファム社製、製品名：ＤＳＭ−１６Ｂ−５ＰＶ−４ＭＨ）により上下の主表面を２次研削（固定砥粒による研削）し、２次研削後のガラス基板を洗浄し、研削液その他の汚れを除去した。
【００５５】
この後、このガラス基板の主表面を研磨することにより、外径が６５ｍｍ、内径が２０ｍｍ、板厚が０．６４ｍｍの実施例及び比較例となる磁気ディスク用ガラス基板を作製した。
【００５６】
主表面研磨工程では、最初に１次研磨を行った。具体的には、研磨具として軟質ウレタン製の研磨パッド（スエード系研磨パッド）と酸化セリウム砥粒を含有する研磨液（平均粒子直径（以下、平均粒径と略す）約１．０μｍの酸化セリウムを主成分した研磨液組成物）を用いて、１６Ｂ型両面研磨装置（スピードファム社製、製品名：ＤＳＭ１６Ｂ−５ＰＶ−４ＭＨ）により、ガラス基板の上下の主表面を１次研磨した。１次研磨は、メインの研磨加工圧力は１２０ｇ/ｃｍ２、下定盤回転数は３０ｒｐｍ、上定盤回転数は下定盤と逆方向に１０ｒｐｍ、研磨キャリア公転数１０ｒｐｍ、自転数３ｒｐｍで、上下両主平面を板厚方向で合計３０μｍ研磨し、研磨後のガラス基板において、酸化セリウムを洗浄除去した。
【００５７】
次に、２次研磨（仕上研磨）を行った。具体的には、研磨具として軟質ウレタン製の研磨パッドと、平均粒径が２０ｎｍのコロイダルシリカ砥粒を含有する研磨液を用いて、１６Ｂ型両面研磨装置（スピードファム社製、製品名：ＤＳＭ１６Ｂ−５ＰＶ−４ＭＨ）により、１次研磨後のガラス基板の上下の主表面を２次研磨した。２次研磨は、後述する研磨圧力、上下定盤の回転数および研磨キャリアの自転、公転数を途中で切り替える２段階の条件を適用した。
【００５８】
次に、研磨後洗浄を行った。具体的には、研磨後のガラス基板において、研磨剤を洗浄除去した。
【００５９】
次に、最終洗浄を行った。具体的には、２次研磨及び研磨後洗浄を行ったガラス基板を、アルカリ性洗剤によるスクラブ洗浄、アルカリ性洗剤溶液に浸漬した状態での超音波洗浄、純水に浸漬した状態での超音波洗浄、を順次行い、イソプロピルアルコール蒸気により乾燥させた。
【００６０】
（磁気ディスク用ガラス基板の評価方法）
磁気ディスク用ガラス基板の評価として、ＡＦＭを用いて磁気ディスク用ガラス基板の主表面における算術平均粗さＲａを測定した。また、前述の角度方向算術平均粗さＲａ＿ｄｅｇの算出方法に基づき、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ、角度方向算術平均粗さ最小値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎを得て、（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）／（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値、（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）−（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値を算出した。
【００６１】
ＡＦＭ装置は、ＰＡＲＫ  Ｓｙｓｔｅｍｓ社製、ＸＥ−ＨＤＭを使用した。測定領域は１μｍ□、サンプリング点は２５６点×２５６点である。ＡＦＭの測定は、磁気ディスク用ガラス基板の主平面の中央部で実施し、本実施の形態においては、磁気ディスク用ガラス基板の中心から２１ｍｍの領域で実施した。
【００６２】
尚、前述したように、測定データについては傾斜補正を行っており、傾斜補正のなされた測定データに４０ｎｍのハイパスフィルタをかけた後、角度方向算術平均粗さＲａ＿ｄｅｇを算出した。
【００６３】
（磁気ディスクの製造方法）
例１〜９における磁気ディスク用ガラス基板を用いて磁気ディスクを製造する製造方法について説明する。
【００６４】
具体的には、例１〜９における磁気ディスク用ガラス基板を精密洗浄して表面のパーティクルを除去した後、インライン型スパッタリング装置により、密着層を、Ｃｒターゲットとして、１０ｎｍの膜厚で成膜した。密着層の上には、軟磁性下地層を、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｚｒ−Ｔａ合金をターゲットとして、３０ｎｍの膜厚で形成した。次に、シード層を、ＮｉＷ合金をターゲットとして、１０ｎｍの膜厚で形成した。シード層の上には、配向制御層を、Ｒｕをターゲットとして、１０ｎｍの膜厚で形成した。配向制御層の上には、垂直磁性層としてＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２のグラニュラ構造層を１０ｎｍの膜厚で形成し、非磁性中間層としてＲｕ膜を０．６ｎｍの膜厚で形成し、更に磁性層としてＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２のグラニュラ構造層を６ｎｍの膜厚で形成した。上記の各層が積層された磁気ディスク用ガラス基板をインライン型スパッタリング装置から取り出し、ＣＶＤ法により保護層としてカーボン膜を３ｎｍの膜厚で形成した。この後、ディップ法により、保護層の上に、パーフルオロポリエーテルの潤滑層を２ｎｍの膜厚で形成した。
【００６５】
（磁気ディスク評価）
次に、作製した磁気ディスクについて、ミッシングビットによる磁気ディスク評価を行った。この結果を表１に示す。ミッシングビットは、線記録密度１６００ｋＢＰＩ、トラック密度５００ｋＴＰＩ（面記録密度８００Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ２）の条件で記録し、再生した際の信号強度を測定して評価した。再生した時に得られる出力が、合格の閾値（第一の閾値）以下であるものをミッシングビットとし、第一の閾値以下だが修正可能な第二の閾値（第一の閾値の８０％）以上のものをコレクダブル・ミッシングビット（Correctable Missing Bit）、修正不可能なもの（第一の閾値の８０％未満）をアンコレクタブル・ミッシングビット（Uncorrectable Missing Bit）として、各条件５００枚の磁気ディスクについて測定し、１面当たりの個数として算出した。
【００６６】
表１においては、磁気ディスクの評価は、このように測定されたコレクダブル・ミッシングビット、アンコレクタブル・ミッシングビットに基づき、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄのランクで示した。具体的には、表２に示されるように、コレクダブル・ミッシングビットが０．３（個／面）未満、アンコレクタブル・ミッシングビットが０．１（個／面）未満のものをランクＡとした。また、コレクダブル・ミッシングビットが０．３〜０．４（個／面）、アンコレクタブル・ミッシングビットが０．１〜０．２（個／面）のものをランクＢとした。また、コレクダブル・ミッシングビットが０．４〜０．７（個／面）、アンコレクタブル・ミッシングビットが０．２〜０．３（個／面）のものをランクＣとした。また、コレクダブル・ミッシングビットが０．７（個／面）を超え、アンコレクタブル・ミッシングビットが０．３（個／面）を超えるものをランクＤとした。
【００６７】
【表１】
0005915718.tif 000002
【００６８】
【表２】
0005915718.tif 000003
以下、例１〜９について詳細に説明する。
【００６９】
（例１）
例１における磁気ディスク用ガラス基板は、２次研磨の第１段階は、１００ｇ／ｃｍ２の圧力で、上定盤回転数が−７ｒｐｍ、下定盤回転数が２１ｒｐｍ、研磨キャリア公転数が７ｒｐｍ、研磨キャリア自転数が２．５ｒｐｍ、研磨時間が２０分の条件で行った。また、２次研磨の第２段階は、４０ｇ／ｃｍ２の圧力で、上定盤回転数が−３ｒｐｍ、下定盤回転数が９ｒｐｍ、研磨キャリア公転数が３ｒｐｍ、研磨キャリア自転数が１．１ｒｐｍ、研磨時間が０．５分の条件で行った。
【００７０】
この条件で作製された例１における磁気ディスク用ガラス基板において、ＡＦＭにより得られた算術平均粗さＲａは０．０８ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘは０．０３１ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最小値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎは０．０１６ｎｍであり、（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）／（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値は２．０であり、（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）−（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値は０．０１５ｎｍであった。また、例１における磁気ディスク用ガラス基板に垂直磁性層を成膜して得られた磁気ディスクの磁気ディスク評価の結果は、コレクダブル・ミッシングビットはランクＡであり、アンコレクタブル・ミッシングビットはランクＡであった。
【００７１】
（例２）
例２における磁気ディスク用ガラス基板は、２次研磨の第１段階は、１００ｇ／ｃｍ２の圧力で、上定盤回転数が−７ｒｐｍ、下定盤回転数が２１ｒｐｍ、研磨キャリア公転数が７ｒｐｍ、研磨キャリア自転数が２．５ｒｐｍ、研磨時間が２０分の条件で行った。また、２次研磨の第２段階は、５０ｇ／ｃｍ２の圧力で、上定盤回転数が−３ｒｐｍ、下定盤回転数が９ｒｐｍ、研磨キャリア公転数が３ｒｐｍ、研磨キャリア自転数が１．５ｒｐｍ、研磨時間が０．５分の条件で行った。
【００７２】
この条件で作製された例２における磁気ディスク用ガラス基板において、ＡＦＭにより得られた算術平均粗さＲａは０．０７ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘは０．０３０ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最小値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎは０．０１６ｎｍであり、（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）／（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値は１．９であり、（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）−（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値は０．０１５ｎｍであった。また、例２における磁気ディスク用ガラス基板に垂直磁性層を成膜して得られた磁気ディスクの磁気ディスク評価の結果は、コレクダブル・ミッシングビットはランクＡであり、アンコレクタブル・ミッシングビットはランクＡであった。
【００７３】
（例３）
例３における磁気ディスク用ガラス基板は、２次研磨の第１段階は、１００ｇ／ｃｍ２の圧力で、上定盤回転数が−７ｒｐｍ、下定盤回転数が２１ｒｐｍ、研磨キャリア公転数が７ｒｐｍ、研磨キャリア自転数が２．５ｒｐｍ、研磨時間が２０分の条件で行った。また、２次研磨の第２段階は、６０ｇ／ｃｍ２の圧力で、上定盤回転数が−３ｒｐｍ、下定盤回転数が９ｒｐｍ、研磨キャリア公転数が３ｒｐｍ、研磨キャリア自転数が１．１ｒｐｍ、研磨時間が０．５分の条件で行った。
【００７４】
この条件で作製された例３における磁気ディスク用ガラス基板において、ＡＦＭにより得られた算術平均粗さＲａは０．１１ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘは０．０３７ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最小値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎは０．０１８ｎｍであり、（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）／（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値は２．１であり、（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）−（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値は０．０２０ｎｍであった。また、例３における磁気ディスク用ガラス基板に垂直磁性層を成膜して得られた磁気ディスクの磁気ディスク評価の結果は、コレクダブル・ミッシングビットはランクＢであり、アンコレクタブル・ミッシングビットはランクＡであった。
【００７５】
（例４）
例４における磁気ディスク用ガラス基板は、２次研磨の第１段階は、１００ｇ／ｃｍ２の圧力で、上定盤回転数が−７ｒｐｍ、下定盤回転数が２１ｒｐｍ、研磨キャリア公転数が７ｒｐｍ、研磨キャリア自転数が２ｒｐｍ、研磨時間が２０分の条件で行った。また、２次研磨の第２段階は、５０ｇ／ｃｍ２の圧力で、上定盤回転数が−３ｒｐｍ、下定盤回転数が９ｒｐｍ、研磨キャリア公転数が３ｒｐｍ、研磨キャリア自転数が０．６ｒｐｍ、研磨時間が０．５分の条件で行った。
【００７６】
この条件で作製された例４における磁気ディスク用ガラス基板において、ＡＦＭにより得られた算術平均粗さＲａは０．１２ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘは０．０３３ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最小値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎは０．０１５ｎｍであり、（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）／（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値は２．２であり、（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）−（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値は０．０１８ｎｍであった。また、例４における磁気ディスク用ガラス基板に垂直磁性層を成膜して得られた磁気ディスクの磁気ディスク評価の結果は、コレクダブル・ミッシングビットはランクＢであり、アンコレクタブル・ミッシングビットはランクＡであった。
【００７７】
（例５）
例５における磁気ディスク用ガラス基板は、２次研磨の第１段階は、１００ｇ／ｃｍ２の圧力で、上定盤回転数が−７ｒｐｍ、下定盤回転数が２１ｒｐｍ、研磨キャリア公転数が７ｒｐｍ、研磨キャリア自転数が２ｒｐｍ、研磨時間が２０分の条件で行った。また、２次研磨の第２段階は、５０ｇ／ｃｍ２の圧力で、上定盤回転数が−３ｒｐｍ、下定盤回転数が９ｒｐｍ、研磨キャリア公転数が３ｒｐｍ、研磨キャリア自転数が０．５ｒｐｍ、研磨時間が０．５分の条件で行った。
【００７８】
この条件で作製された例５における磁気ディスク用ガラス基板において、ＡＦＭにより得られた算術平均粗さＲａは０．１０ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘは０．０３３ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最小値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎは０．０１４ｎｍであり、（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）／（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値は２．３であり、（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）−（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値は０．０１９ｎｍであった。また、例５における磁気ディスク用ガラス基板に垂直磁性層を成膜して得られた磁気ディスクの磁気ディスク評価の結果は、コレクダブル・ミッシングビットはランクＣであり、アンコレクタブル・ミッシングビットはランクＡであった。
【００７９】
（例６）
例６における磁気ディスク用ガラス基板は、２次研磨の第１段階は、１００ｇ／ｃｍ２の圧力で、上定盤回転数が−７ｒｐｍ、下定盤回転数が２１ｒｐｍ、研磨キャリア公転数が７ｒｐｍ、研磨キャリア自転数が２ｒｐｍ、研磨時間が２０分の条件で行った。また、２次研磨の第２段階は、５０ｇ／ｃｍ２の圧力で、上定盤回転数が−３ｒｐｍ、下定盤回転数が９ｒｐｍ、研磨キャリア公転数が３ｒｐｍ、研磨キャリア自転数が０．３ｒｐｍ、研磨時間が０．５分の条件で行った。
【００８０】
この条件で作製された例６における磁気ディスク用ガラス基板において、ＡＦＭにより得られた算術平均粗さＲａは０．１２ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘは０．０３６ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最小値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎは０．０１５ｎｍであり、（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）／（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値は２．５であり、（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）−（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値は０．０２１ｎｍであった。また、例６における磁気ディスク用ガラス基板に垂直磁性層を成膜して得られた磁気ディスクの磁気ディスク評価の結果は、コレクダブル・ミッシングビットはランクＣであり、アンコレクタブル・ミッシングビットはランクＢであった。
【００８１】
（例７）
例７における磁気ディスク用ガラス基板は、２次研磨の第１段階は、１００ｇ／ｃｍ２の圧力で、上定盤回転数が−１５ｒｐｍ、下定盤回転数が１５ｒｐｍ、研磨キャリア公転数が０ｒｐｍ、研磨キャリア自転数が２ｒｐｍ、研磨時間が２０分の条件で行った。また、２次研磨の第２段階は、５０ｇ／ｃｍ２の圧力で、上定盤回転数が−５ｒｐｍ、下定盤回転数が５ｒｐｍ、研磨キャリア公転数が０ｒｐｍ、研磨キャリア自転数が０．７ｒｐｍ、研磨時間が０．５分の条件で行った。
【００８２】
この条件で作製された例７における磁気ディスク用ガラス基板において、ＡＦＭにより得られた算術平均粗さＲａは０．０９ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘは０．０３３ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最小値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎは０．０１６ｎｍであり、（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）／（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値は２．１であり、（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）−（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値は０．０１７ｎｍであった。また、例７における磁気ディスク用ガラス基板に垂直磁性層を成膜して得られた磁気ディスクの磁気ディスク評価の結果は、コレクダブル・ミッシングビットはランクＡであり、アンコレクタブル・ミッシングビットはランクＡであった。
【００８３】
（例８）
例８における磁気ディスク用ガラス基板は、２次研磨の第１段階は、１００ｇ／ｃｍ２の圧力で、上定盤回転数が−１５ｒｐｍ、下定盤回転数が１５ｒｐｍ、研磨キャリア公転数が０ｒｐｍ、研磨キャリア自転数が２ｒｐｍ、研磨時間が２０分の条件で行った。また、２次研磨の第２段階は、５０ｇ／ｃｍ２の圧力で、上定盤回転数が−５ｒｐｍ、下定盤回転数が５ｒｐｍ、研磨キャリア公転数が０ｒｐｍ、研磨キャリア自転数が０ｒｐｍ、研磨時間が０．５分の条件で行った。
【００８４】
この条件で作製された例８における磁気ディスク用ガラス基板において、ＡＦＭにより得られた算術平均粗さＲａは０．１２ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘは０．０３８ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最小値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎは０．０１３ｎｍであり、（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）／（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値は２．９であり、（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）−（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値は０．０２５ｎｍであった。また、例８における磁気ディスク用ガラス基板に垂直磁性層を成膜して得られた磁気ディスクの磁気ディスク評価の結果は、コレクダブル・ミッシングビットはランクＤであり、アンコレクタブル・ミッシングビットはランクＤであった。
【００８５】
（例９）
例９における磁気ディスク用ガラス基板は、２次研磨の第１段階は、１００ｇ／ｃｍ２の圧力で、上定盤回転数が−１５ｒｐｍ、下定盤回転数が１５ｒｐｍ、研磨キャリア公転数が０ｒｐｍ、研磨キャリア自転数が２ｒｐｍ、研磨時間が２０分の条件で行った。また、２次研磨の第２段階は、１００ｇ／ｃｍ２の圧力で、上定盤回転数が−５ｒｐｍ、下定盤回転数が５ｒｐｍ、研磨キャリア公転数が０ｒｐｍ、研磨キャリア自転数が０．３ｒｐｍ、研磨時間が０．５分の条件で行った。
【００８６】
この条件で作製された例９における磁気ディスク用ガラス基板において、ＡＦＭにより得られた算術平均粗さＲａは０．１１ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘは０．０４０ｎｍであり、角度方向算術平均粗さ最小値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎは０．０１５ｎｍであり、（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）／（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値は２．８であり、（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）−（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値は０．０２６ｎｍであった。また、例９におけ磁気ディスク用ガラス基板に垂直磁性層を成膜して得られた磁気ディスクの磁気ディスク評価の結果は、コレクダブル・ミッシングビットはランクＤであり、アンコレクタブル・ミッシングビットはランクＣであった。
【００８７】
以上、実施の形態について詳述したが、特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された範囲内において、種々の変形及び変更が可能である。
【符号の説明】
【００８８】
１０        磁気ディスク用ガラス基板
１１        開口部
２１        内周面
２２        外周面
３０        主表面
【要約】
【課題】高記録密度化に対応した磁気ディスク用ガラス基板を提供する。
【解決手段】主表面を有する磁気ディスク用ガラス基板であって、前記主表面において原子間力顕微鏡により測定した算術平均粗さＲａが０．１５ｎｍ以下であって、原子間力顕微鏡により測定した結果に基づき、所定の領域を、角度方向を０°から１８０°まで１°ごとに変化させながら各々の角度方向における角度方向算術平均粗さＲａ＿ｄｅｇを算出し、前記算出された角度方向算術平均粗さＲａ＿ｄｅｇのうち、最も大きい値を角度方向算術平均粗さ最大値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘとし、最も小さい値を角度方向算術平均粗さ最小値Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎとした場合に、（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍａｘ）／（Ｒａ＿ｄｅｇ＿ｍｉｎ）の値が、２．６以下であることを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板を提供することにより上記課題を解決する。
【選択図】  図３【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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