(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層された複数の誘電体セラミック層と、前記誘電体セラミック層間の複数の界面に沿ってそれぞれ配置される内部電極と、を有する、積層体と、
前記積層体の外表面であって、前記誘電体セラミック層の積層方向に延びる面上の互いに異なる第１および第２の位置にそれぞれ形成される、第１および第２の外部電極と、
を備え、
前記内部電極は、積層方向において交互に配置される第１の内部電極と第２の内部電極とに分類され、前記第１および第２の内部電極は、それぞれ、前記第１および第２の外部電極に電気的に接続されるように、前記第１および第２の位置まで引き出されていて、
実装状態において、前記第１の外部電極および前記第１の内部電極にアノード電位が与えられ、かつ前記第２の外部電極および前記第２の内部電極にカソード電位が与えられるように用いられる、
積層セラミックコンデンサであって、
前記アノード電位が与えられる前記第１の外部電極および前記第１の内部電極をアノード電極とし、前記カソード電位が与えられる前記第２の外部電極および前記第２の内部電極をカソード電極としたとき、前記アノード電極側において、前記カソード電極側に比べて、より高度な耐湿信頼性を与え得る耐湿信頼性向上手段を備えている、積層セラミックコンデンサ。
【請求項２】
前記耐湿信頼性向上手段は、前記アノード電極側において、前記カソード電極側に比べて、前記外部電極および前記内部電極の少なくとも一方と前記誘電体セラミック層との界面への水分の浸入をより高度に抑制するための水分浸入抑制手段を含む、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項３】
前記水分浸入抑制手段は、前記第１の外部電極の厚みを前記第２の外部電極の厚みより厚くすることを含む、請求項２に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項４】
前記第１の外部電極の厚みは、前記誘電体セラミック層の積層方向に延びる面上において、２μｍ以上であり、前記第２の外部電極の厚みは、前記誘電体セラミック層の積層方向に延びる面上において、前記第１の外部電極の厚みの１／２以下である、請求項３に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項５】
前記水分浸入抑制手段は、前記第１の外部電極の水蒸気透過度を前記第２の外部電極のそれより低くすることを含む、請求項２に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項６】
前記水分浸入抑制手段は、前記第１の外部電極の水蒸気浸入量を前記第２の外部電極のそれより少なくすることを含む、請求項２に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項７】
前記積層体は、前記誘電体セラミック層の主面方向に延びる、互いに対向する第１および第２の主面と、前記誘電体セラミック層の積層方向に延びる、互いに対向する第１および第２の側面ならびに互いに対向する第１および第２の端面とを有する、直方体形状であり、
前記第１および第２の端面上に、それぞれ、前記第１および第２の外部電極が形成され、
前記第１の端面と前記第２の内部電極との間に、第１の長さ方向ギャップが形成され、前記第２の端面と前記第１の内部電極との間に、第２の長さ方向ギャップが形成され、
前記水分浸入抑制手段は、前記第１の長さ方向ギャップを前記第２の長さ方向ギャップより長くすることを含む、請求項２に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項８】
前記第１の長さ方向ギャップの、前記第２の長さ方向ギャップに対する寸法比率は、６倍より大きくされる、請求項７に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項９】
各々複数の前記第１および第２の外部電極を備え、
前記内部電極は、前記誘電体セラミック層を介して別の前記内部電極と対向する、容量形成部、および前記容量形成部から引き出されて前記外部電極に接続される、引出し部を有し、
前記第２の内部電極は、前記複数の第２の外部電極の各々に接続される複数の第２の前記引出し部を有し、
前記第１の内部電極は、前記第１の外部電極の少なくとも１つに接続される少なくとも１つの第１の前記引出し部を有し、
前記水分浸入抑制手段は、前記第１の引出し部の数を前記第２の引出し部の数より少なくすることを含む、
請求項２に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項１０】
前記耐湿信頼性向上手段は、前記アノード電極側において、前記カソード電極側に比べて、前記外部電極および前記内部電極の少なくとも一方と前記誘電体セラミック層との界面へ浸入した水分の電気分解による水素イオンの生成をより高度に抑制するための水素イオン生成抑制手段を含む、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項１１】
前記耐湿信頼性向上手段は、積層方向での一方端および他方端にそれぞれ位置する前記内部電極を、ともに前記第２の内部電極とすることを含む、請求項１ないし１０のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項１２】
前記第１の外部電極にアノード電位が与えられ、かつ前記第２の外部電極にカソード電位が与えられるように実装される、請求項１ないし１１のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサの実装構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、積層セラミックコンデンサおよびその実装構造に関するもので、特に、積層セラミックコンデンサの小型化と耐湿信頼性の向上とを両立させるための改良に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
積層セラミックコンデンサにおいて要求される重要な特性の１つとして、高温高湿負荷環境下での信頼性、すなわち、耐湿信頼性がある。耐湿信頼性が低下すると、積層セラミックコンデンサにおいて、高温高湿負荷環境下での絶縁抵抗の低下を招きやすい。
【０００３】
従来、積層セラミックコンデンサの耐湿信頼性を向上させるため、種々の改良が試みられてきたが、多くの場合、改良は、外部電極形成のための導電性ペーストの材料組成または外部電極の構造に向けられていた。それは、積層セラミックコンデンサの部品本体となる積層体において、内部電極の引出し部が位置する面から水分が浸入しやすく、それを防止するためには、内部電極の引出し部を覆うように形成される外部電極において水分浸入を食い止めることが最も有効であると認識されていたからであると推測される。
【０００４】
たとえば、特開２０００−４０６３５号公報（特許文献１）、特開２０００−４９０３４号公報（特許文献２）および特開２０００−７７２５８号公報（特許文献３）には、耐湿信頼性向上のために有効な外部電極形成のための導電性ペーストの材料組成または外部電極の構造が記載されている。
【０００５】
より具体的には、特許文献１では、積層体に備える誘電体セラミック層と外部電極との間に、耐湿信頼性の向上に寄与し得る反応層が所定厚みで形成され得る外部電極形成のための材料組成が記載されている。
【０００６】
特許文献２では、耐湿信頼性向上のため、外部電極における空孔率に注目し、所望の空孔率を得るための導電性ペースト中の金属粉末の粒径および外部電極の積層構造が記載されている。
【０００７】
特許文献３では、耐湿信頼性向上のための外部電極の表面における金属粒子の平均粒径およびガラス分布面積割合が記載されている。
【０００８】
一方、積層セラミックコンデンサには、高密度実装を可能とするため、静電容量を維持しながら、できるだけ小型化を図りたいという要望がある。この要望を満たすためには、たとえば、外部電極の厚みをより薄くすることが有効である。また、外部電極の厚みをより薄くして、外部電極の材料コストを低減することは、積層セラミックコンデンサ全体のコストの低減にも寄与し得る。
【０００９】
しかし、前述したように、積層体内への水分浸入を食い止める役割を持つはずの外部電極において、その厚みがより薄くなってしまうと、前述した耐湿信頼性の低下を招くであろうことは容易に推測される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２０００−４０６３５号公報
【特許文献２】特開２０００−４９０３４号公報
【特許文献３】特開２０００−７７２５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
そこで、この発明の目的は、高い耐湿信頼性を維持しながら、低コスト化を図り得る、積層セラミックコンデンサおよびその実装構造を提供しようとすることである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
この発明をなすに至った動機は、以下に説明する、発明者が実験により得た知見において見出すことができる。
【００１３】
積層セラミックコンデンサの試料として、外部電極を導電性ペーストの焼付けおよびめっきによって形成し、外部電極の厚みが比較的厚い試料Ａと、外部電極の厚みが試料Ａの１／４である試料Ｂとを用意した。試料Ａおよび試料Ｂの各々について、所定電圧を印加しながら、高温高湿負荷加速試験を実施し、漏れ電流を測定することによって、絶縁抵抗を評価した。その結果、試料Ｂにおいてのみ、絶縁抵抗の劣化が認められた。このことから、外部電極の厚みが耐湿信頼性に影響することがわかった。
【００１４】
他方、上述の絶縁抵抗の劣化が認められた複数の試料Ｂについて、構造欠陥の有無を調査したところ、構造欠陥が観察されなかったものと、クラックが観察されたものとが混在していた。このことから、構造欠陥が、必ずしも、絶縁抵抗劣化の原因ではないことがわかった。
【００１５】
以上のことから、発明者は、試料Ｂでは、水蒸気が積層体内に浸入できる程度に外部電極の厚みが薄くなっているため、絶縁抵抗の劣化がもたらされたものと考えた。そこで、水蒸気の浸入ルートは、積層体の、外部電極が形成されている面、すなわち、内部電極が引き出されている面を経由するものと推定した。
【００１６】
上記の推定の正否を明らかにするため、プラスチックフィルムやプラスチックシートの水蒸気透過率の測定に用いられている検査規格ＡＳＴＭ  Ｆ  １２４９に従って、積層体を構成する誘電体セラミック層の水蒸気透過性を評価した。その結果、上述の推定が正しいことが確認された。なお、上記の推定は、積層体における、内部電極が引き出されている面以外の面からの水蒸気の浸入の可能性を必ずしも否定するものではない。たとえば、積層体における外層部となる誘電体セラミック層の気孔率が比較的高い場合などには、内部電極が引き出されている面以外の面からの水蒸気の浸入もあり得る。
【００１７】
次に、発明者は、絶縁抵抗の劣化を引き起こす原因となり得る水蒸気が、積層セラミックコンデンサの使用状態において、アノード側となる外部電極から浸入したものか、カソード側となる外部電極から浸入したものか、によって異なる作用を持つのではないかとの推論を立て、以下の実験を試みた。
【００１８】
積層セラミックコンデンサの試料として、第１の外部電極が通常の厚みを有するが、第１の外部電極に対向する第２の外部電極が通常の厚みの１／４の厚みしか有しない試料Ｃを用意した。次に、試料Ｃについて、所定電圧を印加しながら、高温高湿負荷加速試験を実施し、漏れ電流を測定することによって、絶縁抵抗を評価した。このとき、漏れ電流測定システムから、第１の外部電極にアノード電位が与えられ、かつ第２の外部電極にカソード電位が与えられる第１の場合と、逆に、第２の外部電極にアノード電位が与えられ、かつ第１の外部電極にカソード電位が与えられる第２の場合と、について、漏れ電流を測定した。その結果、第１の場合において、絶縁抵抗の劣化が認められなかったが、第２の場合において、絶縁抵抗の劣化が認められた。
【００１９】
以上のことから、カソード電位が与えられる外部電極からの水蒸気の浸入は、絶縁抵抗の劣化をもたらすものではなく、アノード電位が与えられる外部電極からの水蒸気の浸入のみが絶縁抵抗の劣化に大きく寄与していることがわかった。
【００２０】
この実験結果から、電圧が印加されている積層セラミックコンデンサの積層体に水蒸気が浸入したため、Ｈ２Ｏの電気分解が積層セラミックコンデンサのどこかで起こっていると考えることができる。積層体に浸入した水蒸気が水に変わったか否かは明らかではないが、Ｈ２Ｏの電気分解の反応式は一般的には以下のように表される
アノード電極：  Ｈ２Ｏ  →  ２Ｈ＋＋１／２Ｏ２＋２ｅ−  …（１）
カソード電極：  Ｈ２Ｏ＋ｅ−  →  １／２Ｈ２＋ＯＨ−    …（２）
要約すると、積層体における内部電極が引き出された面から浸入した水蒸気のうち、アノード側の水蒸気（Ｈ２Ｏ）が、誘電体セラミック層とアノード電極との界面で電気分解され、その結果、水素イオンが生成され（上記式（１）参照）、この水素イオンが積層体中に拡散して、絶縁抵抗の劣化を引き起こしたと考えることができる。なお、上記の電気分解は、アノード側の内部電極とカソード側の内部電極とが対向する部分で生じるが、外部電極に接続されるために内部電極から引き出される引出し部では、これと対をなす内部電極と対向していないため、電気分解は生じない。
【００２１】
以上のような実験から、耐湿信頼性を向上させるのはアノード側だけで十分である、との知見を得て、この発明をなすに至ったものである。
【００２２】
この発明は、積層された複数の誘電体セラミック層と、誘電体セラミック層間の複数の界面に沿ってそれぞれ配置される内部電極と、を有する、積層体と、積層体の外表面であって、誘電体セラミック層の積層方向に延びる面上の互いに異なる第１および第２の位置にそれぞれ形成される、第１および第２の外部電極と、を備え、内部電極は、積層方向において交互に配置される第１の内部電極と第２の内部電極とに分類され、第１および第２の内部電極は、それぞれ、第１および第２の外部電極に電気的に接続されるように、第１および第２の位置まで引き出されていて、実装状態において、第１の外部電極および第１の内部電極にアノード電位が与えられ、かつ第２の外部電極および第２の内部電極にカソード電位が与えられるように用いられる、積層セラミックコンデンサにまず向けられるものであって、前述した技術的課題を解決するため、次のような構成を備えることを特徴としている。
【００２３】
すなわち、この発明に係る積層セラミックコンデンサは、アノード電位が与えられる第１の外部電極および第１の内部電極をアノード電極とし、カソード電位が与えられる第２の外部電極および第２の内部電極をカソード電極としたとき、アノード電極側において、カソード電極側に比べて、より高度な耐湿信頼性を与え得る耐湿信頼性向上手段を備えていることを特徴としている。
【００２４】
このように、耐湿信頼性を積極的に向上させるのは、アノード電極側だけで足りる。
【００２５】
上述した耐湿信頼性向上手段は、第１の実施態様では、アノード電極側において、カソード電極側に比べて、外部電極および内部電極の少なくとも一方と誘電体セラミック層との界面への水分の浸入をより高度に抑制するための水分浸入抑制手段を含む。アノード電極側において、水分の浸入さえが抑制されれば、水分の電気分解による水素イオンの生成も抑制され得る。
【００２６】
水分浸入抑制手段は、より具体的な第１の例では、第１の外部電極の厚みを第２の外部電極の厚みより厚くすることを含む。外部電極の厚みが増すほど、外界の水分が、積層体における内部電極が引き出されている面にまで、より到達しにくくすることができる。水分浸入抑制手段を、第１の外部電極の厚みを第２の外部電極の厚みより厚くすることによって実現すると、第２の外部電極では厚みを厚くする必要がないので、積層セラミックコンデンサの小型化に寄与し得る。
【００２７】
なお、上述のように、第１の外部電極の厚みが第２の外部電極の厚みより厚くされるとは、工業的製造において不可避的に発生し得る厚みの誤差の範囲での差異が存在する場合を含むものではない。このことは、他の実施形態においても同様である。
【００２８】
上記第１の例において、より好ましくは、第１の外部電極の厚みは、誘電体セラミック層の積層方向に延びる面上において、２μｍ以上であり、第２の外部電極の厚みは、誘電体セラミック層の積層方向に延びる面上において、第１の外部電極の厚みの１／２以下である。ここで、外部電極の厚みとは、内部電極と外部電極が接する部分から測定した厚みをいう。
【００２９】
水分浸入抑制手段は、より具体的な第２の例では、第１の外部電極の水蒸気透過度を第２の外部電極のそれより低くすることを含む。外部電極の水蒸気透過度が低くなるほど、外界の水分が、積層体における内部電極が引き出されている面にまで、より到達しにくくすることができる。
【００３０】
水分浸入抑制手段は、より具体的な第３の例では、第１の外部電極の水蒸気浸入量を第２の外部電極のそれより少なくすることを含む。外部電極の水蒸気浸入量が少なくなるほど、外界の水分が、積層体における内部電極が引き出されている面にまで、より到達しにくくすることができる。
【００３１】
積層セラミックコンデンサがたとえば２端子型のものである場合、積層体は、誘電体セラミック層の主面方向に延びる、互いに対向する第１および第２の主面と、誘電体セラミック層の積層方向に延びる、互いに対向する第１および第２の側面ならびに互いに対向する第１および第２の端面とを有する、直方体形状であり、第１および第２の端面上に、それぞれ、第１および第２の外部電極が形成され、第１の端面と第２の内部電極との間に、第１の長さ方向ギャップが形成され、第２の端面と第１の内部電極との間に、第２の長さ方向ギャップが形成される。この場合、水分浸入抑制手段は、より具体的な第４の例では、第１の長さ方向ギャップを第２の長さ方向ギャップより長くすることを含む。
【００３２】
上記第４の例において、より好ましくは、第１の長さ方向ギャップの、第２の長さ方向ギャップに対する寸法比率は、６倍より大きくされる。
【００３３】
積層セラミックコンデンサが多端子型のものである場合、積層セラミックコンデンサは、各々複数の第１および第２の外部電極を備え、内部電極は、誘電体セラミック層を介して別の内部電極と対向する、容量形成部、および容量形成部から引き出されて外部電極に接続される、引出し部を有する。第２の内部電極は、上記引出し部として、複数の第２の外部電極の各々に接続される複数の第２の引出し部を有するが、第１の内部電極は、上記引出し部として、第１の外部電極の少なくとも１つに接続される少なくとも１つの第１の引出し部を有する。そして、水分浸入抑制手段は、より具体的な第５の例では、第１の引出し部の数を第２の引出し部の数より少なくすることを含む。
【００３４】
前述した耐湿信頼性向上手段は、第２の実施態様では、アノード電極側において、カソード電極側に比べて、外部電極および内部電極の少なくとも一方と誘電体セラミック層との界面へ浸入した水分の電気分解による水素イオンの生成をより高度に抑制するための水素イオン生成抑制手段を含む。アノード電極側において、たとえば誘電体セラミック層の厚みをより厚くするなどして、水分が付着した内部電極に印加される電圧がより低くなるようにすれば、水分の電気分解による水素イオンの生成も抑制され得る。
【００３５】
耐湿信頼性向上手段は、積層方向での一方端および他方端にそれぞれ位置する内部電極を、ともに第２の内部電極とすることによって実現されてもよい。この実施形態は、他の実施形態と適宜組み合わせて適用することができる。
【００３６】
この発明は、また、上述した積層セラミックコンデンサの実装構造にも向けられる。この発明に係る実装構造は、第１の外部電極にアノード電位が与えられ、かつ第２の外部電極にカソード電位が与えられるように、上述した積層セラミックコンデンサが実装されることを特徴としている。
【発明の効果】
【００３７】
この発明によれば、アノード電極側において、カソード電極側に比べて、より高度な耐湿信頼性を与え得る耐湿信頼性向上手段を備えているので、アノード電極側において、水分の浸入がより抑制されたり、浸入した水分の電気分解による水素イオンの生成がより抑制されたりすることができる。そのため、水素イオンの拡散が原因となる絶縁抵抗の劣化が引き起こされにくくなり、積層セラミックコンデンサにおいて、高い耐湿信頼性を実現することができる。なお、浸入する水分は、外部雰囲気中の水蒸気等に起因するものの他、たとえば湿式めっきの際のめっき液に起因するものもある。
【００３８】
また、この発明によれば、耐湿信頼性を積極的に向上させるのは、アノード電極側だけで足りるので、カソード電極側では耐湿信頼性を積極的に向上させるための対策が不要である。そのため、耐湿信頼性を向上させるために要するコストを削減でき、積層セラミックコンデンサの低コスト化を図ることができる。また、耐湿信頼性を向上させるため、たとえば、外部電極の厚みを増すこと等が行なわれる場合、厚みを増すのは第１の外部電極のみでよいので、積層セラミックコンデンサの小型化を図ることができ、高密度実装に対する要望に応えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】この発明の第１の実施形態による積層セラミックコンデンサ１を示す断面図であり、併せて、点線で実装用基板１５を示している。
【図２】この発明の第２の実施形態による積層セラミックコンデンサ１ａを示す断面図である。
【図３】この発明の第３の実施形態による積層セラミックコンデンサ１ｂを示す断面図である。
【図４】この発明の第４の実施形態による積層セラミックコンデンサ１ｃを示すもので、（Ａ）は第１の内部電極５が位置する断面を示し、（Ｂ）は第２の内部電極６が位置する断面を示す。
【図５】この発明の第５の実施形態による積層セラミックコンデンサ１ｄを示す断面図である。
【図６】この発明の第６の実施形態による積層セラミックコンデンサ１ｅを示す断面図である。
【図７】この発明の第７の実施形態による積層セラミックコンデンサ１ｆを示す断面図である。
【図８】この発明の第８の実施形態による積層セラミックコンデンサ４１を示すもので、（Ａ１）〜（Ａ４）は、それぞれ、第１の内部電極４５ａ〜４５ｄが位置する断面を示し、（Ｂ）は第２の内部電極４６が位置する断面を示す。
【図９】この発明の第９の実施形態による積層セラミックコンデンサ４１ａを示す側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４０】
図１を参照して、この発明の第１の実施形態による積層セラミックコンデンサ１について説明する。
【００４１】
積層セラミックコンデンサ１は、部品本体としての積層体２を備える。積層体２は、積層された複数の誘電体セラミック層３と、誘電体セラミック層３間の複数の界面に沿ってそれぞれ配置される内部電極５および６と、を有する。積層体２の外表面であって、誘電体セラミック層３の積層方向に延びる面上の互いに異なる第１および第２の位置には、それぞれ、第１および第２の外部電極７および８が形成される。
【００４２】
より詳細には、積層体２は、誘電体セラミック層３の主面方向に延びる、互いに対向する第１および第２の主面９および１０と、誘電体セラミック層３の積層方向に延びる、互いに対向する第１および第２の側面（図１において示された積層体２の断面に平行な２つの面）ならびに互いに対向する第１および第２の端面１３および１４とを有する、直方体形状である。
【００４３】
内部電極５および６は、積層方向において交互に配置される第１の内部電極５と第２の内部電極６とに分類され、第１および第２の内部電極５および６は、それぞれ、第１および第２の外部電極７および８に電気的に接続されるように、第１および第２の端面１３および１４にまで引き出される。
【００４４】
誘電体セラミック層２を構成するセラミック材料としては、たとえば、ＢａＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＣａＺｒＯ３などを主成分とする誘電体セラミックを用いることができる。誘電体セラミックには、必要に応じて、Ｍｎ化合物、Ｍｇ化合物、Ｓｉ化合物、Ｚｒ化合物、希土類元素化合物などの副成分が添加される。
【００４５】
内部電極５および６のための導電材料としては、たとえば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄなどを主成分とする金属材料を用いることができる
外部電極７および８は、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕなどを導電成分として含む導電性ペーストを積層体２の端面１３および１４上に塗布して焼き付けることによって形成される。また、好ましくは、外部電極７および８の下地層を上述の焼付けによって形成した後、下地層にめっきが施される。めっき膜は、たとえば、Ｎｉめっき層およびその上のＳｎめっき層の２層構造とされる。なお、外部電極７および８は、めっき膜のみから構成されても、あるいは、導電性樹脂の硬化によって形成されてもよい。
【００４６】
積層セラミックコンデンサ１は、図１において点線で示す、実装用基板１５上に実装される。より詳細には、実装用基板１５は、アノード電位を持つアノード側ランド１６とカソード電位を持つカソード側ランド１７とを備える。第１の外部電極７は、アノード側ランド１６にはんだ１８を介して接続され、第２の外部電極８は、カソード側ランド１７にはんだ１９を介して接続される。
【００４７】
このようにして、積層セラミックコンデンサ１の実装構造では、図１において、矢印の方向で電子「ｅ−」の移動する方向を図解するように、第１の外部電極７にアノード電位が与えられ、かつ第２の外部電極８にカソード電位が与えられる。
【００４８】
積層セラミックコンデンサ１は、上述した実装構造が適用されることを前提として、第１の外部電極７の厚みＴ１は、第２の外部電極８の厚みＴ２より厚くされることを特徴としている。これによって、アノード電位が与えられる第１の外部電極７および第１の内部電極５をアノード電極とし、カソード電位が与えられる第２の外部電極８および第２の内部電極６をカソード電極としたとき、アノード電極側において、カソード電極側に比べて、より高度な耐湿信頼性を与え得るようにするための耐湿信頼性向上手段が実現される。
【００４９】
上述の耐湿信頼性向上手段は、この実施形態では、アノード電極側において、カソード電極側に比べて、外部電極７および内部電極５の少なくとも一方と誘電体セラミック層３との界面への水分の浸入をより高度に抑制するための水分浸入抑制手段によって実現される。ここで、水分の浸入を抑制するとは、水分の浸入を防止することに限らず、水分の上記界面への浸入を遅らせることをも含む。
【００５０】
好ましくは、第１の外部電極７の厚みＴ１は、誘電体セラミック層３の積層方向に延びる面、すなわち第１の端面１３上において、２μｍ以上であり、第２の外部電極８の厚みＴ２は、誘電体セラミック層３の積層方向に延びる面、すなわち端面１３または１４上において、第１の外部電極７の厚みＴ１の１／２以下とされる。このような好ましい範囲を求めるため、以下のような実験を実施した。
【００５１】
外部電極形成後の寸法で長さ方向寸法が２．０ｍｍ、幅方向寸法が１．２５ｍｍ、厚み方向寸法が１．２５ｍｍの積層セラミックコンデンサのための積層体を用意した。この積層体において、誘電体セラミック層はＢａＴｉＯ３を主成分とする誘電体セラミックからなり、誘電体セラミック層の厚みは２μｍであり、内部電極はＮｉを主成分とし、内部電極の厚みは１μｍであった。また、積層体における内部電極が配置されない外層部の厚みは、片側で７０μｍであった。また、積層体の側面の各々と内部電極との間のギャップは、片側で１００μｍであった。
【００５２】
次に、上記積層体に外部電極を形成した。外部電極の形成において、厚みが０．９μｍ以下の外部電極の下地層を形成するにあたっては、スパッタリングを適用した。すなわち、積層体に適当なマスクを施し、外部電極を形成すべき箇所のみを露出させた状態で、Ｃｕをスパッタ材料として用い、投入電力：２ｋＷ、真空度：３Ｐａ、Ａｒガス流量：１５０sccmのスパッタ条件の下で、スパッタリングを実施し、０．１μｍ、０．４μｍ、および０．９μｍの各厚みを有する外部電極の下地層を形成した。
【００５３】
また、スパッタリングを実施せず、外部電極の下地層を形成しなかった積層体も用意した。
【００５４】
他方、厚みが１．９μｍ以上の外部電極の下地層を形成するにあたっては、導電性ペーストの浸漬塗布および焼付けを適用した。すなわち、定盤に、Ｃｕを主成分とする導電性ペーストを所定の厚さで塗布し、このようにして形成された導電性ペースト膜の上から、ホルダで固定した積層体を浸漬し、外部電極となるべき導電性ペーストを積層体上に塗布した。次いで、導電性ペーストを塗布した積層体を、トップ温度：９５０℃のベルト炉で熱処理し、１．９μｍ、３．９μｍ、７．９μｍ、１５．９μｍ、３１．９μｍ、６３．９μｍ、および１２７．９μｍの各厚みを有する外部電極の下地層を形成した。
【００５５】
次に、上記のように、スパッタリングまたは塗布・焼付けによって形成された下地層上に、スパッタリングにより、Ｎｉ膜、およびその上にＳｎ膜を形成した。Ｎｉ膜およびＳｎ膜の厚みは、ともに５０ｎｍであった。
【００５６】
以上のようにして、下地層ならびにＮｉ膜およびＳｎ膜の合計厚み、すなわち外部電極の厚みとして、０．１μｍ、０．２μｍ、０．５μｍ、１μｍ、２μｍ、４μｍ、８μｍ、１６μｍ、３２μｍ、６４μｍ、および１２８μｍの１１種類のものを得ることができる。そこで、上記１１種類の厚みを、第１の外部電極の厚みおよび第２の外部電極の厚みの各々について採用した、１２１（＝１１×１１）種類の試料を作製した。
【００５７】
これら１２１種類の試料につき、各種類、３６個の積層セラミックコンデンサに対し、温度：１２５℃、相対湿度：９５％、ゲージ圧：０．１ＭＰａの環境下で、第１の外部電極にアノード電位が与えられ、かつ第２の外部電極にカソード電位が与えられるように、６．３Ｖの電圧を印加し、耐湿信頼性を評価した。この評価試験開始直後の絶縁抵抗（ＩＲ）の対数値（log ＩＲ）から、２桁以上低くなった試料を故障と判定し、故障に至るまでの時間をワイブルプロットした。故障に至るまでの時間が７２時間未満の試料を不合格、７２時間を経過しても故障しなかった試料を合格と評価した。
【００５８】
その結果、前述したように、第１の外部電極の厚みを第２の外部電極の厚みよりも厚くしながら、第１の外部電極の厚みが２μｍ以上である試料において、第２の外部電極の厚みが、第１の外部電極の厚みの１／２以下と薄くされても、合格との評価が得られた。なお、第１の外部電極の厚みが２μｍ以上である試料において、第２の外部電極の厚みが第１の外部電極の厚みと同じものについても、合格との評価が得られたが、これらの試料はこの発明の範囲外のものである。
【００５９】
上記の評価試験は、非常に過酷な環境下で実施されるため、７２時間経過しても故障しなかった試料については、優れた耐湿信頼性を有していると言える。
【００６０】
以上のように、第１の実施形態によれば、第１の外部電極７の厚みが増すことによって、外部の水分が積層体２における第１の内部電極５が引き出されている第１の端面１３にまで、より到達しにくくすることができ、これによって、アノード電極側における耐湿信頼性が向上したものと推測される。そして、水分浸入抑制手段は、第１の外部電極７側にだけ採用され、第２の外部電極８では厚みを厚くする必要がないので、積層セラミックコンデンサ１の小型化に寄与し得る。
【００６１】
第１の外部電極７の厚みを第２の外部電極８の厚みより厚くするといった水分浸入抑制手段が採用される第１の実施形態の変形例として、第１の実施形態による方法に代えて、あるいは、この方法に加えて、第１の外部電極７の水蒸気透過度を第２の外部電極８のそれより低くするといった水分浸入抑制手段が採用されてもよい。外部電極の水蒸気透過度が低くなるほど、外部の水分が、積層体における内部電極が引き出されている面にまで、より到達しにくくすることができる。水蒸気透過度に関し、カソード側の第２の外部電極８が５×１０-5ｇ／（ｍ２・day）を超えても、アノード側の第１の外部電極７が５×１０-5ｇ／（ｍ２・day）以下であれば、積層セラミックコンデンサ１を耐湿信頼性に優れたものとすることができることが確認されている。
【００６２】
なお、水蒸気透過度は、特許文献１に記載の反応層の厚みや、特許文献２に記載の空孔率、特許文献３に記載のガラス分布面積割合を調整することによって、制御することができる。
【００６３】
また、上記の水蒸気透過度に代えて、水蒸気浸入量による対策が採られてもよい。すなわち、第１の外部電極７の水蒸気浸入量を第２の外部電極８のそれより少なくするといった水分浸入抑制手段が採用されてもよい。外部電極の水蒸気浸入量が少なくなるほど、外部の水分が、積層体における内部電極が引き出されている面にまで、より到達しにくくすることができる。水蒸気浸入量に関し、カソード側の第２の外部電極８が４０μｇを超えても、アノード側の第１の外部電極７が４０μｇ以下であれば、積層セラミックコンデンサ１を耐湿信頼性に優れたものとすることができることが確認されている。
【００６４】
また、第１の実施形態のさらなる変形例として、第１の外部電極７についてのみ、撥水処理剤を付与する撥水処理を、たとえば焼付けによる下地層を形成した後であって、めっき膜を形成する前に実施してもよい。あるいは、第１の端面１３側についてのみ、ガラス膜などによる封止処理を実施してもよい。
【００６５】
さらに、第１の実施形態の場合と同様、外部電極に対する改良例として、第１の外部電極７において、イオン化傾向が貴な金属を用い、第２の外部電極８において、イオン化傾向が卑な金属を用いることにより、アノード電極側において、カソード電極側に比べて、より高度な耐湿信頼性を与え得る耐湿信頼性向上手段を実現してもよい。
【００６６】
さらに、ガラスの水や水溶性フラックスへの溶解性に注目して、第１の外部電極７に含まれるガラスとして、第２の外部電極８に含まれるガラスに比べて、水や水溶性フラックスへの溶解性がより低いものを用いることにより、アノード電極側において、カソード電極側に比べて、より高度な耐湿信頼性を与え得る耐湿信頼性向上手段を実現してもよい。
【００６７】
さらに、ハンドリングによって外部電極に傷が入ることが予想されることから、金属の硬度に注目して、第１の外部電極７に含まれる金属として、第２の外部電極８に含まれる金属に比べて、硬度のより高いものを用いることにより、アノード電極側において、カソード電極側に比べて、より高度な耐湿信頼性を与え得る耐湿信頼性向上手段を実現してもよい。
【００６８】
図２を参照して、この発明の第２の実施形態による積層セラミックコンデンサ１ａについて説明する。図２において、図１に示す要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明を省略する。
【００６９】
積層セラミックコンデンサ１ａにおいて、第１の外部電極７は、積層体２の第１の端面１３から当該端面１３に隣接する主面９および１０ならびに側面にまで延びるように形成される隣接面延長部２３を備え、他方、第２の外部電極８は、積層体２の第２の端面１４から当該端面１４に隣接する主面９および１０ならびに側面にまで延びるように形成される隣接面延長部２４を備えている。このことは、前述した積層セラミックコンデンサ１においても同様である。
【００７０】
この第２の実施形態では、第１の外部電極７の隣接面延長部２３の長さＬ１が、第２の外部電極８の隣接面延長部２４の長さＬ２より長いことを特徴としており、このことによって、耐湿信頼性向上手段、より特定的には、水分浸入抑制手段が実現されている。すなわち、第１の外部電極７の隣接面延長部２３の長さＬ１がより長いほど、隣接面延長部２３の先端縁から積層体２における第１の内部電極５が引き出されている第１の端面１３に至るまでの距離がより長くなり、誘電体セラミック層３と第１の内部電極５との界面への水分の浸入をより抑制または遅らせることができる。
【００７１】
第２の実施形態によれば、第１の外部電極７の隣接面延長部２３の長さＬ１のみが長くされれば足り、第２の外部電極８の隣接面延長部２４の長さＬ２は長くされる必要がないので、積層セラミックコンデンサ１ａの小型化に寄与し得る。また、外部電極７および８の形成のための材料コストを低減することも可能である。
【００７２】
図３を参照して、この発明の第３の実施形態による積層セラミックコンデンサ１ｂについて説明する。図３において、図１に示す要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明を省略する。
【００７３】
積層セラミックコンデンサ１ｂにおいて、第１の端面１３と第２の内部電極６との間に、第１の長さ方向ギャップＧ１が形成され、第２の端面１４と第１の内部電極５との間に、第２の長さ方向ギャップＧ２が形成される。このことは、前述した積層セラミックコンデンサ１においても同様である。
【００７４】
この第３の実施形態では、第１の長さ方向ギャップＧ１が、第２の長さ方向ギャップＧ２より長いことを特徴としており、このことによって、耐湿信頼性向上手段が実現されている。すなわち、第１の長さ方向ギャップＧ１を第２の長さ方向ギャップＧ２より長くすることにより、第１の端面１３から、第１の内部電極５と第２の内部電極６とが対向して所定以上の電圧が印加されている部分までの、第１の内部電極５と誘電体セラミック層３との界面に沿う距離を長くすることができる。耐湿信頼性を低下させる水素イオンが生成されるには、所定以上の電圧が必要であるが、この第３の実施形態によれば、第１の端面１３から水分が浸入しても、水素イオンの生成をもたらし得る所定以上の電圧が印加されている位置にまで水分が到達しにくくすることができ、あるいは、当該位置にまで水分が到達するまでの時間を遅らせることができる。
【００７５】
好ましくは、上述した第１の長さ方向ギャップＧ１の、第２の長さ方向ギャップＧ２に対する寸法比率は、６倍より大きくされる。なお、この寸法比率は、水蒸気の拡散係数を考慮して決定されたものである。
【００７６】
図４を参照して、この発明の第４の実施形態による積層セラミックコンデンサ１ｃについて説明する。図４において、図１に示す要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明を省略する。なお、図４では、積層体２の第１および第２の側面１１および１２が図示されている。
【００７７】
積層セラミックコンデンサ１ｃでは、内部電極５および６の形態において特徴がある。第１の内部電極５は、誘電体セラミック層３を介して第２の内部電極６と対向する、容量形成部２５、および容量形成部２５から引き出されて第１の外部電極７に接続される、引出し部２６を有する。他方、第２の内部電極６は、誘電体セラミック層３を介して第１の内部電極５と対向する、容量形成部２７、および容量形成部２７から引き出されて第２の外部電極８に接続される、引出し部２８を有する。ここまでの構成は、前述した積層セラミックコンデンサ１の場合と同様である。
【００７８】
積層セラミックコンデンサ１ｃでは、第１の内部電極５の引出し部２６の幅が、第２の内部電極６の引出し部２８の幅より狭いことを特徴としており、このことによって、耐湿信頼性向上手段、より特定的には、水分浸入抑制手段が実現されている。すなわち、第１の内部電極５の引出し部２６の幅をより狭くすることにより、積層体２における第１の内部電極５が引き出されている第１の端面１３からの水分の浸入をより抑制することができる。この場合、第１の内部電極５における幅の狭い引出し部２６をより長くすることも有効である。
【００７９】
なお、図示した引出し部２６および２８の形状は一例にすぎない。引出し部２６および２８の形状は、機能を損なわない限り、種々に変更することができる。
【００８０】
第４の実施形態の場合と同様、内部電極に対する改良例として、第１の内部電極５に含まれる金属として、第２の内部電極６に含まれる金属に比べて、線膨張係数のより低いものを用い、それによって、第１の内部電極５に生じ得る電極切れを少なくし、第１の内部電極６と誘電体セラミック層３との界面への水蒸気の浸入を抑制する、耐湿信頼性向上手段、より特定的には、水分浸入抑制手段を実現するようにしてもよい。
【００８１】
また、内部電極に対する他の改良例として、内部電極に含まれる誘電体セラミック層と共通のセラミック成分の量に注目した実施形態もあり得る。すなわち、第１の内部電極５に含まれるセラミック成分の量を、第２の内部電極６に含まれるセラミック成分の量に比べて多くし、それによって、上述の改良例の場合と同様、第１の内部電極５に生じ得る電極切れを少なくし、第１の内部電極６と誘電体セラミック層３との界面への水蒸気の浸入を抑制する、耐湿信頼性向上手段、より特定的には、水分浸入抑制手段を実現するようにしてもよい。
【００８２】
また、内部電極に対するさらに他の改良例として、第１の内部電極５において、イオン化傾向が貴な金属を用い、第２の内部電極６において、イオン化傾向が卑な金属を用いることにより、アノード電極側において、カソード電極側に比べて、より高度な耐湿信頼性を与え得る耐湿信頼性向上手段を実現してもよい。
【００８３】
また、内部電極に対するさらに他の改良例として、第１の内部電極５の耐酸性を、第２の内部電極６の耐酸性に比べて、より高くし、それによって、アノード電極側において、カソード電極側に比べて、より高度な耐湿信頼性を与え得る耐湿信頼性向上手段を実現してもよい。
【００８４】
図５を参照して、この発明の第５の実施形態による積層セラミックコンデンサ１ｄについて説明する。図５において、図１に示す要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明を省略する。
【００８５】
積層セラミックコンデンサ１ｄにおいて、誘電体セラミック層３は、積層体２における積層方向での一方端側に位置する第１の外層部２９を与えるものと、積層体２における積層方向での他方端側に位置する第２の外層部３０を与えるものとを含み、第１の外層部２９に第１の内部電極５が接するように位置し、第２の外層部３０に第２の内部電極６が接するように位置している。このことは、前述した積層セラミックコンデンサ１においても同様である。
【００８６】
積層セラミックコンデンサ１ｄにおいて特徴とするところは、第１の外層部２９の厚みが第２の外層部３０の厚みより厚いことであり、このことによって、耐湿信頼性向上手段が実現されている。すなわち、第１の外層部２９の厚みを第２の外層部３０の厚みより厚くすることによって、第１の外部電極７の端縁から、第１の端面１３における最も外側の第１の内部電極５が引き出されている位置までの距離をより長くすることができ、誘電体セラミック層３と第１の内部電極５との界面への水分の浸入をより抑制または遅らせることができる。なお、第２の外層部３０側では、カソード側の第２の内部電極６が最も外側に位置しているので、水素イオンの生成の問題には遭遇しない。
【００８７】
図６を参照して、この発明の第６の実施形態による積層セラミックコンデンサ１ｅについて説明する。図６において、図１に示す要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明を省略する。
【００８８】
積層セラミックコンデンサ１ｅは、積層方向での一方端および他方端にそれぞれ位置する内部電極が、ともに第２の内部電極６であることを特徴とし、このことによって、耐湿信頼性向上手段が実現されている。
【００８９】
すなわち、最も外側に第２の内部電極６が位置しているので、誘電体セラミック層３と第１の内部電極５との界面への水分の浸入をより抑制または遅らせることができるばかりでなく、最も外側に位置する第２の内部電極６がカソード側であるので、この第２の内部電極６に接するように水分が浸入しても、水素イオンの生成の問題を引き起こすことはない。
【００９０】
この第６の実施形態は、また、次のような実施形態の実現を可能にする。積層セラミックコンデンサの割れや欠けを生じにくくし、それによって、積層セラミックコンデンサの機械的強度を改善するため、積層体における外層部を構成する誘電体セラミック層の気孔率を高くすることが考えられる。この場合、一方では、外層部を通しての水分の浸入の問題が懸念される。しかしながら、上述のように、水分の浸入を深刻な問題としないカソード側の第２の内部電極６を最も外側に配置しておけば、水分の浸入の問題に煩わされることなく、積層セラミックコンデンサ１ｅの機械的強度向上のための対策を採用することができる。
【００９１】
図７を参照して、この発明の第７の実施形態による積層セラミックコンデンサ１ｆについて説明する。図７において、図１に示す要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明を省略する。
【００９２】
積層セラミックコンデンサ１ｆでは、互いに対向する第１および第２の内部電極５および６とその間に位置する誘電体セラミック層３とによって構成される複数のコンデンサユニットのうち、積層方向における最も外側に位置するコンデンサユニット３１における誘電体セラミック層３の厚みが、他のコンデンサユニットにおける誘電体セラミック層３の厚みより厚いことを特徴としており、これによって、水素イオン生成抑制手段が実現されている。
【００９３】
第１および第２の内部電極５および６間に印加される電圧は、誘電体セラミック層３が厚くされるに従って、誘電体セラミック層３により多く分担され、水素イオンを生成し得るに足る電気分解を生じさせる電圧がアノード側の第１の内部電極５に与えられにくくなる。そのため、誘電体セラミック層３が厚くなるほど、水素イオンが生成されにくくなる。
【００９４】
積層セラミックコンデンサ１ｆによれば、水分の浸入が問題となる最も外側に位置するコンデンサユニット３１において、水素イオンの生成が抑制されるので、耐湿信頼性を向上させることができる。
【００９５】
なお、図示した積層セラミックコンデンサ１ｆでは、図解上の問題から、積層方向における最も外側に位置する１個のコンデンサユニット３１についてのみ、誘電体セラミック層３をより厚くしているが、最も外側に位置する数個のコンデンサユニット３１について、誘電体セラミック層３がより厚くされてもよい。
【００９６】
図８を参照して、この発明の第８の実施形態による積層セラミックコンデンサ４１について説明する。積層セラミックコンデンサ４１は、多端子型のものである。
【００９７】
積層セラミックコンデンサ４１は、部品本体としての積層体４２を備える。積層体４２は、積層された複数の誘電体セラミック層４３と、誘電体セラミック層４３間の複数の界面に沿ってそれぞれ配置される第１の内部電極４５ａ〜４５ｄならびに第２の内部電極４６と、を有する。
【００９８】
積層体４２は、誘電体セラミック層４３の主面方向に延びる、互いに対向する第１および第２の主面（図８において示された積層体４２の断面に平行な２つの面）と、誘電体セラミック層４３の積層方向に延びる、互いに対向する第１および第２の側面４９および５０ならびに互いに対向する第１および第２の端面５１および５２とを有する、直方体形状である。
【００９９】
積層体４２の第１および第２の側面４９および５０上には、４つの第１の外部電極５３ａ〜５３ｄと４つの第２の外部電極５４とが交互に配置されている。
【０１００】
積層体４２における第１の内部電極４５ａ〜４５ｄならびに第２の内部電極４６の積層順序は、図８（Ａ１）に示した第１の内部電極４５ａ、図８（Ｂ）に示した第２の内部電極４６、図８（Ａ２）に示した第１の内部電極４５ｂ、図８（Ｂ）に示した第２の内部電極４６、図８（Ａ３）に示した第１の内部電極４５ｃ、図８（Ｂ）に示した第２の内部電極４６、図８（Ａ４）に示した第１の内部電極４５ｄ、図８（Ｂ）に示した第２の内部電極４６、…となるように選ばれる。
【０１０１】
図８（Ａ１）に示した第１の内部電極４５ａは、第２の内部電極４６と対向する容量形成部５５と容量形成部５５から引き出されて第１の外部電極５３ａに接続される引出し部５６とを有する。
【０１０２】
図８（Ａ２）に示した第１の内部電極４５ｂは、第２の内部電極４６と対向する容量形成部５７と容量形成部５７から引き出されて第１の外部電極５３ｂに接続される引出し部５８とを有する。
【０１０３】
図８（Ａ３）に示した第１の内部電極４５ｃは、第２の内部電極４６と対向する容量形成部５９と容量形成部５９から引き出されて第１の外部電極５３ｃに接続される引出し部６０とを有する。
【０１０４】
図８（Ａ４）に示した第１の内部電極４５ｄは、第２の内部電極４６と対向する容量形成部６１と容量形成部６１から引き出されて第１の外部電極５３ｄに接続される引出し部６２とを有する。
【０１０５】
図８（Ｂ）に示した第２の内部電極４６は、第１の内部電極４５ａ〜４５ｄのいずれかと対向する容量形成部６３と容量形成部６３から引き出されて４つの第２の外部電極５４にそれぞれ接続される４つの引出し部６４とを有する。
【０１０６】
積層セラミックコンデンサ４１では、第１の内部電極４５ａ〜４５ｄの各々の引出し部５６、５８、６０および６２の数が、第２の内部電極４６の引出し部６４の数より少ないことを特徴としており、このことによって、耐湿信頼性向上手段、より特定的には、水分浸入抑制手段が実現されている。すなわち、第１の内部電極４５ａ〜４５ｄの引出し部５６、５８、６０および６２の数をより少なくすることにより、積層体４２における第１の内部電極４５ａ〜４５ｄが引き出されている側面４９および５０からの水分の浸入をより抑制することができる。
【０１０７】
図示の積層セラミックコンデンサ４１では、第１の内部電極４５ａ〜４５ｄの各々の引出し部５６、５８、６０および６２の数は１つであったが、第２の内部電極４６の引出し部６４の数より少ないという条件を満たす限り、複数であってもよい。
【０１０８】
また、この第８の実施形態は、８個の外部電極５３ａ〜５３ｄおよび５４を備えるものであったが、外部電極の数は用途に応じて任意に変更でき、また、コンデンサアレイ型の積層セラミックコンデンサにも適用できる。
【０１０９】
また、ここでは説明しなかったが、前述した実施形態において採用した構成のいくつかは、第８の実施形態においても適宜採用し得る。
【０１１０】
図９を参照して、この発明の第９の実施形態による積層セラミックコンデンサ４１ａについて説明する。図９において、図８に示す要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明を省略する。なお、図９では、積層体４２の第１および第２の側面４７および４８が図示されている。
【０１１１】
積層セラミックコンデンサ４１ａも多端子型である。積層セラミックコンデンサ４１ａでは、第１の外部電極５３の各々の幅方向寸法Ｗ１が、第２の外部電極５４の幅方向寸法Ｗ２より長いことを特徴としており、このことによって、耐湿信頼性向上手段、より特定的には、水分浸入抑制手段が実現されている。さらに、この積層セラミックコンデンサ４１ａでは、第１の内部電極の引出し部６５の露出端の幅方向寸法ｗ１が、第２の内部電極の引出し部６６の露出端の幅方向寸法ｗ２より短くされることが好ましい。
【０１１２】
上記のような構成を採用することにより、第１の外部電極５３の端縁から積層体４２における第１の内部電極の引出し部６５の露出端に至るまでの距離がより長くなり、誘電体セラミック層４３と第１の内部電極との界面への水分の浸入をより抑制または遅らせることができる。
【０１１３】
なお、図９に示した積層セラミックコンデンサ４１ａでは、図８に示した第１の内部電極４５ａ〜４５ｄの各々の引出し部５６、５８、６０および６２の数と第２の内部電極４６の引出し部６４の数との関係についての特徴は、特に備えていなくてもよい。
【符号の説明】
【０１１４】
１，１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆ，４１，４１ａ  積層セラミックコンデンサ
２，４２  積層体
３，４３  誘電体セラミック層
５，４５ａ〜４５ｄ  第１の内部電極
６，４６  第２の内部電極
７，５３ａ〜５３ｄ  第１の外部電極
８，５４  第２の外部電極
９，４７  第１の主面
１０，４８  第２の主面
１１，４９  第１の側面
１２，５０  第２の側面
１３，５１  第１の端面
１４，５２  第２の端面
１５  実装用基板
１６  アノード側ランド
１７  カソード側ランド
１８，１９  はんだ
２３，２４  隣接面延長部
２５，２７，５５，５７，５９，６１，６３  容量形成部
２６，２８，５６，５８，６０，６２，６４，６５，６６  引出し部
２９  第１の外層部
３０  第２の外層部
３１  最も外側のコンデンサユニット
【図１】
0005915682.tif 000002
【図２】
0005915682.tif 000003
【図３】
0005915682.tif 000004
【図４】
0005915682.tif 000005
【図５】
0005915682.tif 000006
【図６】
0005915682.tif 000007
【図７】
0005915682.tif 000008
【図８】
0005915682.tif 000009
【図９】
0005915682.tif 000010