(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電体層と、圧電体層の一方側に形成される第１電極と、圧電体層の他方側に形成される第２電極と、を含む圧電素子の製造方法であって、
第１電極と第２電極とを同電位とさせる配線を形成する第１の工程と、
前記配線による第１電極と第２電極とを同電位に保つ機能を無効にする第２の工程と、
を含み、
前記圧電素子は共通の基板上に複数形成され、
前記第２の工程は、前記基板を圧電素子がそれぞれ含まれる複数の領域に区画する所定の切断線にて切断することにより複数のチップを切り出す工程に含まれ、当該切り出しにより前記配線が切断されることを特徴とする圧電素子の製造方法。
【請求項２】
前記配線は、前記チップとして切り出される一領域内の第１電極と第２電極それぞれから引き出され且つ前記切断線を通過して前記チップとして切り出される他の領域内で接触することを特徴とする請求項１に記載の圧電素子の製造方法。
【請求項３】
前記配線は、前記チップとして切り出される一領域内の第１電極と第２電極それぞれから引き出され且つ前記切断線を通過して所定のアース端子に接続することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の圧電素子の製造方法。
【請求項４】
圧電体層と、圧電体層の一方側に形成される第１電極と、圧電体層の他方側に形成される第２電極と、を含む圧電素子の製造方法であって、
第１電極と第２電極とを同電位とさせる配線を形成する第１の工程と、
前記配線による第１電極と第２電極とを同電位に保つ機能を無効にする第２の工程と、
を含み、
前記配線は、導電性を有する酸化物により第１電極と第２電極とを接続したものであり、
前記第２の工程では、前記配線を加熱して絶縁体とすることを特徴とする圧電素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液体を噴射するノズル開口に連通する圧力発生室が形成される基板と、基板の一方面側
に振動板を介して設けられる下電極、圧電体層および上電極からなる圧電素子とを具備す
る液体噴射ヘッドが知られている（特許文献１参照）。液体噴射ヘッドの製造過程では、
上記基板としてのウェハ上に圧電素子が形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９‐２２０５０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述したような液体噴射ヘッドの製造過程では、基板を支持するステージからの基板の
剥離（移動）や、基板等に対する作業者による各種作業に起因して、基板や電極に静電気
が帯電することがある。そして、このように帯電した静電気により圧電素子が静電破壊さ
れるおそれがあった。なお、精密機器の製造現場における静電気対策としては、イオナイ
ザー（静電気除去装置）や導電フィルムを用いることが一般的に知られていた。
【０００５】
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、容易に静電気の帯電による圧
電素子の破壊を防止することが可能な圧電素子の製造方法および液体噴射ヘッドを提供す
る。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の態様の一つは、圧電体層と、圧電体層の一方側に形成される第１電極と、圧電体層の他方側に形成される第２電極と、を含む圧電素子の製造方法であって、第１電極と第２電極とを同電位とさせる配線を形成する第１の工程と、前記配線による第１電極と第２電極とを同電位に保つ機能を無効にする第２の工程と、を含み、前記圧電素子は共通の基板上に複数形成され、前記第２の工程は、前記基板を圧電素子がそれぞれ含まれる複数の領域に区画する所定の切断線にて切断することにより複数のチップを切り出す工程に含まれ、当該切り出しにより前記配線が切断されることを特徴とする。
当該構成によれば、前記配線によって第１電極と第２電極は同電位に保たれるため、第１電極と第２電極に挟まれた圧電体層の静電破壊を防止することができる。また、このような配線の存在により静電破壊の防止が担保されるため、上述したような従来の静電気対策は省略することができる。また、第２の工程が実行されることで、第１電極と第２電極とがオープン状態となり、圧電素子として正常に機能することとなる。
また、当該構成によれば、一枚の基板から複数のチップを切り出す工程が、前記配線を切断する作業、つまり前記配線が第１電極と第２電極とを同電位に保つ機能を無効にする作業を兼ねるため、特別な作業を追加することなく第１電極と第２電極とをオープン状態とすることができる。
【０００７】
本発明の態様の一つは、前記配線は、前記チップとして切り出される一領域内の第１電極と第２電極それぞれから引き出され且つ前記切断線を通過して前記チップとして切り出される他の領域内で接触するとしてもよい。
当該構成によれば、一つのチップに該当する領域内の第１電極と第２電極それぞれから引き出された配線は、切断線を通過して他のチップに該当する領域内において短絡（ショート）している。そのため、前記切り出しにより第１電極と第２電極とのショート状態が確実に解消され、第１電極と第２電極とをオープン状態とすることができる。
【０００８】
本発明の態様の一つは、前記配線は、前記チップとして切り出される一領域内の第１電極と第２電極それぞれから引き出され且つ前記切断線を通過して所定のアース端子に接続するとしてもよい。
当該構成によれば、一つのチップに該当する領域内の第１電極と第２電極それぞれから引き出された配線は、切断線を通過してアース端子に接続している。そのため、前記切り出しにより第１電極および第２電極がアースされている状態が確実に解消され、第１電極と第２電極とをオープン状態とすることができる。
【０００９】
本発明の態様の一つは、圧電体層と、圧電体層の一方側に形成される第１電極と、圧電体層の他方側に形成される第２電極と、を含む圧電素子の製造方法であって、第１電極と第２電極とを同電位とさせる配線を形成する第１の工程と、前記配線による第１電極と第２電極とを同電位に保つ機能を無効にする第２の工程と、を含み、前記配線は、導電性を有する酸化物により第１電極と第２電極とを接続したものであり、前記第２の工程では、前記配線を加熱して絶縁体とすることを特徴とする。
当該構成によれば、前記配線によって第１電極と第２電極は同電位に保たれるため、第１電極と第２電極に挟まれた圧電体層の静電破壊を防止することができる。また、このような配線の存在により静電破壊の防止が担保されるため、上述したような従来の静電気対策は省略することができる。また、第２の工程が実行されることで、第１電極と第２電極とがオープン状態となり、圧電素子として正常に機能することとなる。
【００１０】
また、当該構成によれば、前記配線を加熱するという簡易な処理により、前記配線による第１電極と第２電極とを同電位に保つ機能を無効にすることができる（第１電極と第２電極とをオープン状態とすることができる）。
【００１１】
本発明にかかる技術的思想は圧電素子の製造方法という形態のみで実現されるものでは
なく、例えば、上述したいずれかの態様の製造方法により製造された圧電素子を含む液体
噴射ヘッドの発明や、さらには液体噴射ヘッドを備えた液体噴射装置の発明も把握するこ
とができる。また、上述したようないずれかの態様の圧電素子の製造方法を含む液体噴射
ヘッドや液体噴射装置の製造方法の発明も把握することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】記録ヘッドの概略を示す分解斜視図である。
【図２】記録ヘッドの長手方向に平行な面による断面図である。
【図３】ウェハの一部上面図である。
【図４】ウェハが切断された様子を例示する図である。
【図５】変形例にかかるウェハの一部上面図である。
【図６】変形例にかかるウェハが切断された様子を例示する図である。
【図７】変形例にかかるウェハの一部上面図である。
【図８】インクジェット式記録装置の一例を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について説明する。
１．液体噴射ヘッドの概略構成
図１は、液体噴射ヘッドの一例であるインクジェット式記録ヘッド１（以下、記録ヘッ
ド１）の概略を、分解斜視図により示している。
図２は、記録ヘッド１における圧力発生室１２の長手方向に平行な面であって一つの圧
電素子３を通過する面による断面図を示している。
記録ヘッド１は、基板（流路形成基板）１０を備える。基板１０は、例えばシリコン単
結晶基板からなり、その一方側の面には、振動板５０が形成されている。振動板５０は、
例えば、基板１０に接する酸化膜からなる弾性膜５１と、弾性膜５１とは異なる材料の酸
化膜からなり弾性膜５１に積層される絶縁体膜５５とを含む。基板１０には、隔壁１１に
よって区画されて一方側の面が振動板５０で閉じられた複数の圧力発生室１２が、その短
手方向（幅方向）に並設されている。
【００１４】
基板１０には、圧力発生室１２の長手方向の一端側に、隔壁１１によって区画されて各
圧力発生室１２に連通するインク供給路１４が設けられている。インク供給路１４の外側
には、各インク供給路１４と連通する連通部１３が設けられている。連通部１３は、後述
する保護基板３０のリザーバ部３１と連通して、各圧力発生室１２の共通のインク室（液
体室）となるリザーバ９の一部を構成する。
【００１５】
インク供給路１４は、上記幅方向における断面積が圧力発生室１２よりも狭くなるよう
に形成されており、連通部１３から圧力発生室１２に流入するインクの流路抵抗を一定に
保持している。なお、インク供給路１４の断面積は、上記幅方向において絞るのではなく
、基板１０の厚さ方向において絞ることで、圧力発生室１２の断面積よりも狭くなるよう
にしてもよい。基板１０の材料としては、シリコン単結晶基板に限定されず、例えば、ガ
ラスセラミックス、ステンレス鋼等を用いても良い。
【００１６】
基板１０の、振動板５０が形成される面とは逆側の面には、ノズルプレート２０が接着
剤や熱溶着フィルム等によって固着されている。ノズルプレート２０においては、各圧力
発生室１２に対応して、上記長手方向の他端側近傍に連通するノズル開口２１が穿設され
ている。ノズルプレート２０は、例えば、ガラスセラミックス、シリコン単結晶基板、ス
テンレス鋼等からなる。
【００１７】
振動板５０の、基板１０とは逆側の面には、下電極膜２と、圧電体層５と、上電極膜４
とを有する圧電素子３が複数上記幅方向に並んで形成されている。各圧電素子３は、各圧
力発生室１２に対応して形成されている。下電極膜２と上電極膜４のいずれか一方は、第
１電極に該当し、他方は第２電極に該当する。圧電素子３は、下電極膜２、圧電体層５及
び上電極膜４が重なった範囲を含む。また、圧電素子３と当該圧電素子３の駆動により変
位が生じる振動板５０とを合わせてアクチュエータ装置と称する。圧電素子３は、圧電体
層５を挟むいずれか一方の電極を共通電極とし、他方の電極を個別電極として構成される
。本実施形態では、下電極膜２を各圧電素子３にとっての共通電極とし、上電極膜４を圧
電素子３毎の個別電極としている。ただし、下電極膜２を圧電素子３毎の個別電極とし上
電極膜４を各圧電素子３にとっての共通電極としてもよい。
【００１８】
さらに、振動板５０の圧電素子３が形成される側には、コンプライアンス基板４０が固
着された保護基板３０が固着されている。本実施形態では、記録ヘッド１のコンプライア
ンス基板４０側を上側、ノズルプレート２０側を下側として適宜説明を行なう。
圧電素子３が形成された振動板５０上には、圧電素子３に対向する領域にその運動を阻
害しない程度の空間を確保可能な圧電素子保持部３２を有する保護基板３０が接着剤３５
を介して接合されている。圧電素子３は、圧電素子保持部３２内に形成されているため、
外部環境の影響を殆ど受けない状態で保護される。また、保護基板３０には、基板１０の
連通部１３に対応する領域にリザーバ部３１が設けられている。リザーバ部３１は、例え
ば、保護基板３０を厚さ方向に貫通して圧力発生室１２の幅方向に沿って設けられており
、上述したように基板１０の連通部１３と連通してリザーバ９を構成している。
【００１９】
更に、例えば保護基板３０の圧電素子保持部３２とリザーバ部３１との間の領域には、
保護基板３０を厚さ方向に貫通する貫通孔３３が設けられ、リード電極６０の端部が貫通
孔３３内に露出されている。そして、圧電素子３の個別電極（上電極膜４）及びリード電
極６０は、貫通孔３３内に延設される不図示の配線によって、圧電素子３を駆動するため
の駆動ＩＣ等を実装した駆動回路１２０（図１）に接続される。なお、保護基板３０の材
料としては、例えば、ガラス、セラミックス材料、金属、樹脂等が挙げられるが、基板１
０の熱膨張率と略同一の材料で形成されていることがより好ましく、本実施形態では、基
板１０と同一材料のシリコン単結晶基板を用いて形成した。また、図１，２の例では、リ
ード電極６０を、上記長手方向の一端側に配置した構成を示したが、リード電極６０の位
置は上記長手方向の他端側であってもよい。
【００２０】
保護基板３０上には、更に、封止膜４１及び固定板４２からなるコンプライアンス基板
４０が接合されている。封止膜４１は、剛性が低く可撓性を有する材料からなり、この封
止膜４１によってリザーバ部３１の一方面が封止されている。固定板４２は、金属等の硬
質の材料で形成される。この固定板４２のリザーバ９に対向する領域は、厚さ方向に完全
に除去された開口部４３となっているため、リザーバ９の一方面は可撓性を有する封止膜
４１のみで封止されている。
【００２１】
このような記録ヘッド１では、図示しない外部のインク供給手段からインクを取り込み
、リザーバ９からノズル開口２１に至るまで内部をインクで満たした後、上記駆動ＩＣか
らの記録信号に従い、圧力発生室１２に対応するそれぞれの圧電素子３に電圧を印加し、
圧電素子３をたわみ変形させる。その結果、各圧力発生室１２内の圧力が高まり、ノズル
開口２１からインク滴（液体）が吐出（噴射）する。
【００２２】
２．製造方法の説明
次に、記録ヘッド１の製造方法（製造工程）における特徴的な部分について説明する。
記録ヘッド１の製造工程には、圧電素子３の製造方法（製造工程）が含まれる。また、こ
れら製造工程には、少なくとも、第１電極と第２電極とを同電位とさせる配線を形成する
第１の工程と、前記配線による第１電極と第２電極とを同電位に保つ機能を無効にする第
２の工程とを含む。
【００２３】
図３は、第１の工程を説明するための図であって、基板１０の一部範囲について上面か
ら例示している。ここでは、基板１０はシリコンウェハ（以下、ウェハ）であり、一枚の
ウェハを基にして複数の記録ヘッド１が製造される。図３では、鎖線により切断線ＣＬを
示している。切断線ＣＬは、ウェハを複数の矩形領域に区画しており、区画された各領域
が最終的には各記録ヘッド１に該当する。また、切断線ＣＬにて切断されウェハから切り
出された状態の一領域を、一つの“チップ”Ｃとも呼ぶ。
【００２４】
上記各領域には、共通電極としての下電極膜２と、複数の個別電極としての上電極膜４
とが形成されている。むろん、図１，２により説明したように、下電極膜２と上電極膜４
との間には圧電体層５が形成されており、その結果、一つの上記領域には複数の圧電素子
３が上記幅方向に並んで形成されている。なお簡単のため、図３および後述の図４〜７で
は、振動板５０やリード電極６０等は省略している。図３に例示するように、本実施形態
では、上記領域毎に対応する配線６が形成される。一つの領域にかかる配線６は、配線２
ａおよび複数本の配線４ａからなる。配線２ａは、一つの領域における下電極膜２から延
出しており、当該領域を区画する切断線ＣＬを通過して隣の領域内まで引き出されている
。配線２ａは、例えば、下電極膜２と同じ素材で形成される。
【００２５】
また、各配線４ａは、一つの領域に含まれる各上電極膜４から延出しており、当該領域
を区画する切断線ＣＬを通過して隣の領域内まで引き出されている。配線４ａは、例えば
、上電極膜４と同じ素材で形成される。そして、一つの領域にかかる配線６を構成する配
線２ａおよび複数本の配線４ａは、隣の領域内において接触、つまりショートしている。
なお、各配線４ａは、延出元の各上電極膜４が形成されている共通の領域内では互いに接
触していないものとする。かかる配線６の存在により、下電極膜２と上電極膜４とは同電
位に保たれる（配線６内の抵抗は無視する。以下同様。）。従って、配線６を生成する工
程が第１の工程に該当する。
【００２６】
図４は、第２の工程を説明するための図である。上述したように、切断線ＣＬにてウェ
ハが切断されることにより複数のチップＣが切り出される。また、当該切り出しと同時に
、切断線ＣＬを通過していた配線６も切断される。そのため、配線６による下電極膜２と
上電極膜４とを同電位に保つ機能が無効化され、下電極膜２と上電極膜４とがオープン状
態となる。このように第２の工程は、ウェハからチップＣを切り出す工程に含まれる。
【００２７】
次に、記録ヘッド１の製造方法の全体像を簡単に説明する。
上記ウェハである基板１０上に、例えば、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）からなる弾性膜
５１および酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）からなる絶縁体膜５５を形成（特開２００５‐
８８４１号公報等参照）する。そして、例えば、スパッタ法等により白金とイリジウムと
を絶縁体膜５５上に積層することにより、電極膜（下電極膜２および配線２ａに該当する
層）を成膜後、下電極膜２および配線２ａが残るように当該電極膜を所定形状にパターニ
ングする。
【００２８】
そして、例えば、圧電体層をそれまで基板１０上に形成された全面にゾル−ゲル法等を
用いて形成した後、各圧力発生室１２に対向する所定形状にパターニングすることにより
、圧電体層５を形成する。次に、例えば、イリジウムからなる電極膜（上電極膜４および
配線４ａに該当する層）を同全面にスパッタ法等により成膜後、上電極膜４および配線４
ａが残るように当該電極膜を所定形状にパターニングする。この時点で、配線６が完成す
る。
【００２９】
その後は、例えば、圧電素子３の個別電極毎に対応するリード電極６０の形成、圧電素
子３側への保護基板３０の接合、基板１０のエッチングによる圧力発生室１２等の形成、
基板１０へのノズルプレート２０の接合、保護基板３０上へのコンプライアンス基板４０
の接合といった各工程を経て、上記領域毎の記録ヘッド１とする。そして、最後にウェハ
を切断線ＣＬにて切断することにより、配線６が切断されるとともに各記録ヘッド１がチ
ップＣとして切り出される。なお、記録ヘッド１の製造方法は、少なくとも第１の工程お
よび第２の工程を含むものであれば特に限定されない。例えば、上述した圧電体層の成膜
方法も限定されず、スパッタ法で形成してもよい。また、圧電体層の材料としては、チタ
ン酸ジルコン酸鉛系の材料や非鉛系のペロブスカイト型酸化物等、種々の材料を採用可能
である。
【００３０】
このように本実施形態によれば、切断線ＣＬで区画されたウェハ上の複数の領域毎に記
録ヘッド１を製造する過程で、記録ヘッド１を構成する圧電素子３の下電極膜２と上電極
膜４それぞれから引き出される配線２ａ，４ａを切断線ＣＬを越えた別の領域においてシ
ョートさせた配線６を形成する。従って、配線６を形成した後は、下電極膜２と上電極膜
４とが同電位となり、記録ヘッド１の製造過程で各基板や電極膜に静電気が帯電したとし
ても、圧電体層５の静電破壊が起こらない。また、最終的にウェハから記録ヘッド１を切
り出す際に、併せて配線６が切断されるため、下電極膜２と上電極膜４とをオープン状態
にするための特別の工程を必要とせず効率的である。また本実施形態によれば、従来行な
われていた静電気対策を省略しても、十分に静電破壊を回避することができる。
【００３１】
３．変形例
本発明は上述の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において
種々の態様において実施することが可能であり、例えば以下に述べるような変形例も可能
である。各実施形態や変形例を適宜組み合わせた内容も、本発明の開示範囲である。
以下では、上述の実施形態と異なる点について説明し、上述の実施形態と共通する構成
や作用は説明を適宜省略する。
【００３２】
第１変形例：
図５は、第１変形例にかかる第１の工程を説明するための図であって、図３と同様に基
板１０（ウェハ）の一部範囲について上面から例示している。図５の例においても、切断
線ＣＬで区画された各領域に対応して配線６が形成され、一つの領域にかかる配線６は、
配線２ａおよび複数本の配線４ａからなる。配線２ａは、一つの領域における下電極膜２
から延出しており、当該領域を区画する切断線ＣＬを通過して領域外のアース端子１５に
接続している。また、各配線４ａは、一つの領域に含まれる各上電極膜４から延出してお
り、当該領域を区画する切断線ＣＬを通過して上記領域外のアース端子１５に接続してい
る。つまり図５の例では、一つの領域にかかる配線６を構成する配線２ａおよび複数本の
配線４ａは、切断線ＣＬを越えた領域外に設けられているアース端子１５に接続すること
によりアース（接地）されている。アース端子１５は、例えばウェハ上においてチップＣ
として切り出されるいずれの領域にも属さない位置に設けられている。また、アース端子
１５の数は一枚のウェハ上において一つであってもよいし複数であってもよい。かかる第
１変形例によっても、配線６を形成した後は、下電極膜２と上電極膜４とが同電位となり
、記録ヘッド１の製造過程で各基板や電極膜に静電気が帯電したとしても、圧電体層５の
静電破壊が起こらない。
【００３３】
図６は、第１変形例にかかる第２の工程を説明するための図である。上述したように、
切断線ＣＬにおけるウェハの切断により複数のチップＣが切り出され、当該切り出しと同
時に、切断線ＣＬを通過していた配線６も切断される。そのため、配線２ａ，４ａそれぞ
れとアース端子１５との接続が切れ、配線６による下電極膜２と上電極膜４とを同電位に
保つ機能が無効化される（下電極膜２と上電極膜４とがオープン状態となる）。
【００３４】
第２変形例：
図７は、第２変形例を説明するための図であって、図３，５と同様に基板１０（ウェハ
）の一部範囲について上面から例示している。図７の例においても、切断線ＣＬで区画さ
れた各領域に対応して配線６が形成されているが、当該配線６は、下電極膜２と複数の上
電極膜４とを対応する領域内で接続しており、対応する領域外へは延出していない。この
ような図７に示した配線６は、導電性を有する酸化物により形成されている。ここで言う
導電性を有する酸化物とは、例えば、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）と酸化錫（ＳｎＯ2）
による無機化合物である酸化インジウム錫（ＩＴＯ ）や、酸化インジウムと酸化亜鉛（
ＺｎＯ）からなる透明電極材料である酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）等が該当する。かか
る配線６の存在により、下電極膜２と上電極膜４とは同電位に保たれる。第２変形例にお
いては、下電極膜２や上電極膜４を生成する工程とは別の工程で、下電極膜２や上電極膜
４とは異なる素材で配線６を生成することとなり、この配線６を生成する工程が第１の工
程に該当する。第２変形例によっても、配線６を形成した後は、下電極膜２と上電極膜４
とが同電位となり、記録ヘッド１の製造過程で各基板や電極膜に静電気が帯電したとして
も、圧電体層５の静電破壊が起こらない。
【００３５】
また、第２変形例においては、所定のタイミングで配線６を加熱して絶縁体とする。言
い換えると、上記導電性を有する酸化物により形成された配線６は、所定の温度（例えば
、２００〜５００度）で加熱されることにより抵抗値が上がり、絶縁物質となる。配線６
が絶縁体となることで、配線６による下電極膜２と上電極膜４とを同電位に保つ機能が無
効化され、下電極膜２と上電極膜４とがオープン状態となる。このような加熱処理は、例
えば、ウェハから複数のチップＣを切り出す直前あるいは切り出し後のタイミングで行わ
れ、第２変形例においては当該加熱処理が第２の工程に該当する。第２変形例にかかる配
線６は、下電極膜２と上電極膜４とを接続するだけよく、図３，５に示した各配線６のよ
うに切断線ＣＬを通過する必要もないため、比較的短く形成することができる。そのため
、ウェハ上における他の配線の引き回しや部品形成の自由度が上がり、好適である。
【００３６】
その他：
上述した記録ヘッド１は、インクカートリッジ等と連通するインク流路を備える記録ヘ
ッドユニットの一部を構成して、液体噴射装置としてのインクジェット式記録装置に搭載
される。図８は、そのインクジェット式記録装置の一例を示す概略図である。図８に示す
ように、記録ヘッドを有する記録ヘッドユニット１Ａ，１Ｂは、インク供給手段を構成す
るカートリッジ２Ａ，２Ｂが着脱可能に設けられ、この記録ヘッドユニット１Ａ，１Ｂを
搭載したキャリッジ１６は、装置本体１７に取り付けられたキャリッジ軸１８に軸方向移
動自在に設けられている。この記録ヘッドユニット１Ａ，１Ｂは、例えば、それぞれブラ
ックインク組成物及びカラーインク組成物を吐出するものとしている。そして、駆動モー
タ１９の駆動力が図示しない複数の歯車及びタイミングベルト７を介してキャリッジ１６
に伝達されることで、記録ヘッドユニット１Ａ，１Ｂを搭載したキャリッジ１６はキャリ
ッジ軸１８に沿って移動される。一方、装置本体１７には、キャリッジ軸１８に沿ってプ
ラテン８が設けられており、図示しない給紙ローラなどによって給紙された紙等の記録媒
体である記録シートＳがプラテン８上を搬送されるようになっている。
【００３７】
なお、上記においては、本発明の液体噴射ヘッドの一例としてインクジェット式記録ヘ
ッドを説明したが、液体噴射ヘッドは、上述したものに限定されるものではない。本発明
は、広く液体噴射ヘッドの全般を対象としたものであり、インク以外の液体を噴射するも
のにも勿論適用することができる。その他の液体噴射ヘッドとしては、例えば、プリンタ
ー等の画像記録装置に用いられる各種の記録ヘッド、液晶ディスプレー等のカラーフィル
タの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ＥＬディスプレー、ＦＥＤ（電界放出ディス
プレー）等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオｃｈｉｐ製造に用いられ
る生体有機物噴射ヘッド等が挙げられる。
【符号の説明】
【００３８】
１…記録ヘッド、１Ａ，１Ｂ…記録ヘッドユニット、２Ａ，２Ｂ…カートリッジ、２…下
電極膜、２ａ…配線、３…圧電素子、４…上電極膜、４ａ…配線、５…圧電体層、６…配
線、７…タイミングベルト、８…プラテン、９…リザーバ、１０…基板、１１…隔壁、１
２…圧力発生室、１３…連通部、１４…インク供給路、１５…アース端子、１６…キャリ
ッジ、１７…装置本体、１８…キャリッジ軸、１９…駆動モータ、２０…ノズルプレート
、２１…ノズル開口、３０…保護基板、３１…リザーバ部、３２…圧電素子保持部、３３
…貫通孔、４０…コンプライアンス基板、４１…封止膜、４２…固定板、４３…開口部、
５０…振動板、５１…弾性膜、５５…絶縁体膜、６０…リード電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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