(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を表示可能とされ且つ中央側に配される表示部、及び前記表示部を取り囲む形で外周側に配される非表示部を有する基板と、
前記表示部に配される表示部用トランジスタと、
前記非表示部に配される非表示部用トランジスタと、
前記非表示部用トランジスタを構成するゲート電極部と、
前記非表示部用トランジスタを構成し、少なくとも一部が前記ゲート電極部と平面に視て重畳する酸化物半導体膜と、
前記非表示部用トランジスタを構成し、少なくとも一部が前記酸化物半導体膜上に積層されるとともに前記酸化物半導体膜に接続されるソース電極部と、
前記非表示部用トランジスタを構成し、少なくとも一部が前記酸化物半導体膜上に積層されるとともに前記ソース電極部との間に間隔を空けつつ前記酸化物半導体膜に接続されるドレイン電極部と、
少なくとも前記ソース電極部及び前記ドレイン電極部上に積層される絶縁膜であって、相対的に下層側に配されて少なくとも珪素及び酸素を含有する下層側絶縁膜と、相対的に上層側に配されて少なくとも珪素及び窒素を含有するとともに膜厚が３５ｎｍ〜７５ｎｍの範囲とされる上層側絶縁膜との積層構造とされる絶縁膜と、を備え、
前記絶縁膜を構成する前記上層側絶縁膜は、屈折率が１．５〜１．９の範囲とされる表示装置。
【請求項２】
前記絶縁膜を構成する前記上層側絶縁膜は、屈折率が１．５〜１．７２の範囲とされる請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記基板と対向状をなす対向基板と、前記基板と前記対向基板との間に挟持される液晶と、前記基板と前記対向基板との間に介在するとともに前記液晶を取り囲む形で配されて前記液晶を封止するシール部と、を備えており、
前記非表示部用トランジスタは、前記表示部用トランジスタに比べて前記シール部の近くに配されている請求項１または請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記酸化物半導体膜は、前記ドレイン電極部が接続される位置から前記ソース電極部側とは反対側に向けて延出するとともに、少なくともその一部が前記ゲート電極部とは平面に視て非重畳とされる延出部を有している請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記ソース電極部及び前記ドレイン電極部と前記酸化物半導体膜との間に介在する形で配され、前記ソース電極部及び前記ドレイン電極部と平面に視て重畳する位置にそれぞれ形成されて前記ソース電極部及び前記ドレイン電極部と前記酸化物半導体膜とをそれぞれ接続する一対の開口部を有するとともに、前記酸化物半導体膜を保護する保護膜を備えている請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
前記保護膜は、少なくとも珪素及び酸素を含有している請求項５記載の表示装置。
【請求項７】
前記酸化物半導体膜は、少なくともインジウム、ガリウム及び亜鉛を含有している請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項８】
前記表示部に配され、前記表示部用トランジスタに接続されることで前記表示部用トランジスタに対して走査信号を伝送する走査信号線と、前記非表示部に配され、前記走査信号線に接続されるとともに前記走査信号を供給するバッファ回路部と、を備えており、
前記非表示部用トランジスタは、前記バッファ回路部を構成している請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項９】
前記ソース電極部及び前記ドレイン電極部は、少なくとも銅を含有している請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置に用いられる液晶パネルには、各画素の動作を制御するためのスイッチング素子としてＴＦＴが行列状に多数個設けられている。従来では、ＴＦＴに用いられる半導体膜としては、アモルファスシリコンなどのシリコン半導体が用いられるのが一般的であったが、近年では、半導体膜としてより電子移動度が高い酸化物半導体を用いることが提案されている。このような酸化物半導体を用いたＴＦＴをスイッチング素子として用いた液晶表示装置の一例が下記特許文献１に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−２９３７３号公報
【０００４】
（発明が解決しようとする課題）
酸化物半導体は、電子移動度が高いため、ＴＦＴをより小型化することができて液晶パネルにおける開口率の向上を図ることができるのに加えて、ＴＦＴが設けられたアレイ基板上に様々な回路部を設けることを可能とする。その一方、酸化物半導体は、水分を取り込むと、その電気的な特性が変化し易く、それに起因して上記した回路部が正常に作動しなくなるおそれがあった。
【発明の概要】
【０００５】
本発明は上記のような事情に基づいて完成されたものであって、非表示部用トランジスタに動作不良が発生し難くすることを目的とする。
【０００６】
（課題を解決するための手段）
本発明の表示装置は、画像を表示可能とされ且つ中央側に配される表示部、及び前記表示部を取り囲む形で外周側に配される非表示部を有する基板と、前記表示部に配される表示部用トランジスタと、前記非表示部に配される非表示部用トランジスタと、前記非表示部用トランジスタを構成するゲート電極部と、前記非表示部用トランジスタを構成し、少なくとも一部が前記ゲート電極部と平面に視て重畳する酸化物半導体膜と、前記非表示部用トランジスタを構成し、少なくとも一部が前記酸化物半導体膜上に積層されるとともに前記酸化物半導体膜に接続されるソース電極部と、前記非表示部用トランジスタを構成し、少なくとも一部が前記酸化物半導体膜上に積層されるとともに前記ソース電極部との間に間隔を空けつつ前記酸化物半導体膜に接続されるドレイン電極部と、少なくとも前記ソース電極部及び前記ドレイン電極部上に積層される絶縁膜であって、相対的に下層側に配されて少なくとも珪素及び酸素を含有する下層側絶縁膜と、相対的に上層側に配されて少なくとも珪素及び窒素を含有するとともに膜厚が３５ｎｍ〜７５ｎｍの範囲とされる上層側絶縁膜との積層構造とされる絶縁膜と、を備える。
【０００７】
このようにすれば、非表示部用トランジスタは、ゲート電極部に電圧が印加されると、酸化物半導体膜を介してソース電極部とドレイン電極部との間に電流が流される。この酸化物半導体膜は、例えばアモルファスシリコン薄膜などに比べると、電子移動度が高くなっているので、ソース電極部とドレイン電極部との間に大きな電流を流す上で好適である。
【０００８】
ところで、基板において中央側の表示部を取り囲む形で外周側に非表示部が配される構成では、非表示部に配される非表示部用トランジスタは、表示部に配される表示部用トランジスタに比べると、外部に存在する水分の影響を受け易くなっている。仮に、非表示部用トランジスタを構成する酸化物半導体膜に外部の水分が取り込まれて劣化が生じると、酸化物半導体膜の電気的な特性が変化してしまい、非表示部用トランジスタが正常に動作しなくなるおそれがある。
【０００９】
その点、少なくともソース電極部及びドレイン電極部上に積層される絶縁膜は、相対的に下層側に配されて少なくとも珪素及び酸素を含有する下層側絶縁膜と、相対的に上層側に配されて少なくとも珪素及び窒素を含有する上層側絶縁膜との積層構造とされているから、上層側絶縁膜により外部の水分が酸化物半導体膜にまで到達し難くなるのに加え、仮に上層側絶縁膜が成膜時に水素を含有していて上層側絶縁膜から水素が脱離した場合でも下層側絶縁膜により上層側絶縁膜から脱離した水素が酸化物半導体膜にまで到達し難くなる。これにより、酸化物半導体膜が水分や水素を取り込むのに起因する劣化が生じ難くなり、その電気的な特性が変化し難くなり、もって非表示部用トランジスタに動作不良が生じ難くなる。
【００１０】
ところで、仮に、上層側絶縁膜の膜厚が７５ｎｍを上回ると、上層側絶縁膜を成膜する際に上層側絶縁膜中に含有される水素の含有量が多くなるとともに上層側絶縁膜から脱離する水素の脱離量も多くなる傾向にあるため、酸化物半導体膜が上層側絶縁膜から脱離した水素によって劣化して電気的な特性が変化し易くなるおそれがある。一方、仮に、上層側絶縁膜の膜厚が３５ｎｍを下回ると、下層側絶縁膜に対するカバレッジが悪化して鬆（隙間）が入り易くなるため、防湿性が低下してしまい、酸化物半導体膜に水分が取り込まれ易くなるおそれがある。その点、上層側絶縁膜の膜厚を３５ｎｍ〜７５ｎｍの範囲とすることで、上層側絶縁膜からの水素の脱離量が少なくなるとともに、上層側絶縁膜の防湿性が十分に確保されるので、酸化物半導体膜の電気的な特性が変化し難くなり、もって非表示部用トランジスタに動作不良が生じ難くなる。また、上層側絶縁膜の防湿性が十分に保たれることにより、ソース電極部及びドレイン電極部が水分によって腐食され難くなる。
【００１１】
本発明の実施態様として、次の構成が好ましい。
（１）前記絶縁膜を構成する前記上層側絶縁膜は、屈折率が１．５〜１．９の範囲とされる。まず、上層側絶縁膜は、屈折率が組成に応じて変化し得るものとされており、具体的には窒素の含有量が少なくなると屈折率の値が小さくなるのに対し、窒素の含有量が多くなると屈折率の値が大きくなる傾向とされる。ここで、仮に、上層側絶縁膜の屈折率が１．５以下とされる場合には、窒素の含有量が少ないため、防湿性が低下して水を透過し易くなり、酸化物半導体膜に水分が取り込まれ易くなるとともに酸化物半導体膜の電気的な特性に悪影響が及ぶおそれがある。一方、仮に、上層側絶縁膜の屈折率が１．９以上とされる場合には、窒素の含有量が多くなるため、汎用的な製造設備での成膜が困難になるおそれがある。従って、上層側絶縁膜の屈折率を１．５〜１．９の範囲とすることで、十分な防湿性を確保することができて酸化物半導体膜の電気的な特性が変化し難くなるとともに、汎用的な製造設備によって容易に成膜することが可能とされる。
【００１２】
（２）前記絶縁膜を構成する前記上層側絶縁膜は、屈折率が１．５〜１．７２の範囲とされる。上層側絶縁膜は、窒素の含有量が多くなるのに伴い、成膜時に上層側絶縁膜中に含有される水素の含有量が多くなる傾向とされる。その点、上層側絶縁膜における屈折率の上限値が１．７２とされることで、上層側絶縁膜中に含有される水素の量がより少なくなるので、上層側絶縁膜から脱離する水素の脱離量も少なくなり、もって上層側絶縁膜から脱離した水素によって酸化物半導体膜の電気的な特性が変化し難くなる。
【００１３】
（３）前記基板と対向状をなす対向基板と、前記基板と前記対向基板との間に挟持される液晶と、前記基板と前記対向基板との間に介在するとともに前記液晶を取り囲む形で配されて前記液晶を封止するシール部と、を備えており、前記非表示部用トランジスタは、前記表示部用トランジスタに比べて前記シール部の近くに配されている。このようにすれば、基板と対向基板との間に挟持される液晶は、基板と対向基板との間に介在するとともに液晶を取り囲む形で配されるシール部によって封止される。非表示部用トランジスタは、表示部用トランジスタよりもシール部に近くに配されているため、外部の水分がシール部を透過した場合、その水分の影響を受け易くなっているものの、上記したように絶縁膜が上層側絶縁膜と下層側絶縁膜との積層構造とされるとともに上層側絶縁膜の膜厚が３５ｎｍ〜７５ｎｍの範囲とされることで、シール部を透過した水分が非表示部用トランジスタを構成する酸化物半導体膜に取り込まれ難くなっており、もって非表示部用トランジスタに動作不良が生じ難くなる。
【００１４】
（４）前記酸化物半導体膜は、前記ドレイン電極部が接続される位置から前記ソース電極部側とは反対側に向けて延出するとともに、少なくともその一部が前記ゲート電極部とは平面に視て非重畳とされる延出部を有している。このように、酸化物半導体膜は、ドレイン電極部が接続される位置からソース電極部側とは反対側に向けて延出する延出部を有しており、この延出部の少なくとも一部がゲート電極部とは平面に視て非重畳とされると、この延出部における非重畳部位は、外部光がゲート電極部によって遮光され難いため、外部光の照射を受け易くなっており、それにより電気的な特性が劣化するおそれがある。具体的には、酸化物半導体膜は、光のエネルギーを受けると、電荷の移動のし易さに影響が出易くなる性質を有しており、非表示部用トランジスタを動作させる際に上記した延出部における非重畳部位に電荷が滞留し易くなる、という問題が生じる可能性がある。この問題に加えて、水分や水素が酸化物半導体膜に取り込まれて電気的な特性が変化する、という問題が生じると、非表示部用トランジスタに動作不良がより生じ易くなるものの、上記したように絶縁膜が上層側絶縁膜と下層側絶縁膜との積層構造とされるとともに上層側絶縁膜の膜厚が３５ｎｍ〜７５ｎｍの範囲とされることで、水分や水素が酸化物半導体膜に取り込まれ難くなっているので、非表示部用トランジスタに動作不良が生じ難くなる。
【００１５】
（５）前記ソース電極部及び前記ドレイン電極部と前記酸化物半導体膜との間に介在する形で配され、前記ソース電極部及び前記ドレイン電極部と平面に視て重畳する位置にそれぞれ形成されて前記ソース電極部及び前記ドレイン電極部と前記酸化物半導体膜とをそれぞれ接続する一対の開口部を有するとともに、前記酸化物半導体膜を保護する保護膜を備えている。このようにすれば、製造過程においてソース電極部及びドレイン電極部を形成するためにエッチングが行われた場合でも、酸化物半導体膜は、その上層側に配された保護膜によってエッチングから保護される。製造後においても、酸化物半導体膜が保護膜によって保護されることで、水素などが酸化物半導体膜により取り込まれ難くなり、もって非表示部用トランジスタに動作不良が生じ難くなる。また、保護膜には、ソース電極部及びドレイン電極部と平面に視て重畳する位置に一対の開口部が形成されているので、これらの開口部を通してソース電極部及びドレイン電極部と酸化物半導体膜との接続が図られている。
【００１６】
（６）前記保護膜は、少なくとも珪素及び酸素を含有している。このように、保護膜が少なくとも珪素及び酸素を含有する構成とされることで、保護膜から脱離し得る水素の量が少なくなるので、酸化物半導体膜に水素が取り込まれ難くなり、もって非表示部用トランジスタにより動作不良が生じ難くなる。
【００１７】
（７）前記酸化物半導体膜は、少なくともインジウム、ガリウム及び亜鉛を含有している。このように、少なくともインジウム、ガリウム及び亜鉛を含有する酸化物半導体膜は、水分や水素によって劣化がより生じ易い性質を有しているものの、上記したように絶縁膜が上層側絶縁膜と下層側絶縁膜との積層構造とされるとともに上層側絶縁膜の膜厚が３５ｎｍ〜７５ｎｍの範囲とされることで、酸化物半導体膜に水分や水素が取り込まれる事態が生じ難くなっており、もって非表示部用トランジスタに動作不良が生じ難くなる。
【００１８】
（８）前記表示部に配され、前記表示部用トランジスタに接続されることで前記表示部用トランジスタに対して走査信号を伝送する走査信号線と、前記非表示部に配され、前記走査信号線に接続されるとともに前記走査信号を供給するバッファ回路部と、を備えており、前記非表示部用トランジスタは、前記バッファ回路部を構成している。このようにすれば、バッファ回路部を構成する非表示部用トランジスタでは、ソース電極部とドレイン電極部との間を流れる電流量が、表示部用トランジスタに比べてより大きくなる傾向にあるため、非表示部用トランジスタの酸化物半導体膜が水分や水素を取り込むのに起因して劣化が生じて電気的な特性が変化すると、正常に作動しなくなる可能性がより高くなっている。ところが、上記したように絶縁膜が上層側絶縁膜と下層側絶縁膜との積層構造とされるとともに上層側絶縁膜の膜厚が３５ｎｍ〜７５ｎｍの範囲とされることで、酸化物半導体膜に水分や水素が取り込まれる事態が生じ難くなっており、もってバッファ回路部を構成する非表示部用トランジスタに動作不良が生じ難くなる。
【００１９】
（９）前記ソース電極部及び前記ドレイン電極部は、少なくとも銅を含有している。このように、ソース電極部及びドレイン電極部が銅を含有していると、例えばアルミニウムを含有する場合に比べると、導電性が良好なものとされる反面、水分により腐食され易い。その点、上記したように絶縁膜が上層側絶縁膜と下層側絶縁膜との積層構造とされるとともに上層側絶縁膜の膜厚が３５ｎｍ〜７５ｎｍの範囲とされることで、外部の水分が絶縁膜を透過してソース電極部及びドレイン電極部に到達し難くなり、もってソース電極部及びドレイン電極部が水分によって腐食され難くなる。
【００２０】
（発明の効果）
本発明によれば、非表示部用トランジスタに動作不良が発生し難くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の実施形態１に係るドライバを実装した液晶パネルとフレキシブル基板と制御回路基板との接続構成を示す概略平面図
【図２】液晶表示装置の長辺方向に沿った断面構成を示す概略断面図
【図３】液晶パネル全体の断面構成を示す概略断面図
【図４】液晶パネルの表示部における断面構成を示す概略断面図
【図５】液晶パネルを構成するアレイ基板の配線構成を概略的に示す平面図
【図６】表示部用ＴＦＴの配線構成を示す平面図
【図７】表示部用ＴＦＴの平面構成を示す平面図
【図８】表示部用ＴＦＴの断面構成を示す、図７のviii-viii線断面図
【図９】非表示部用ＴＦＴの断面構成を示す断面図
【図１０】比較実験１に係る上層側第１層間絶縁膜の屈折率と脱離水分量との関係を表すグラフ
【図１１】比較実験１に係る上層側第１層間絶縁膜の屈折率と脱離水素量との関係を表すグラフ
【図１２】比較実験２に係る非表示部用ＴＦＴの電流−電圧特性を表すグラフ
【図１３】比較実験３に係る比較例１の上層側第１層間絶縁膜の断面構造を示す写真
【図１４】比較実験３に係る実施例１の上層側第１層間絶縁膜の断面構造を示す写真
【図１５】本発明の実施形態２に係る液晶パネルの表示部における断面構成を示す概略断面図
【図１６】表示部用ＴＦＴの断面構成を示す断面図
【図１７】本発明の実施形態３に係る表示部用ＴＦＴの平面構成を示す平面図
【図１８】表示部用ＴＦＴの断面構成を示す、図１７のxviii-xviii線断面図
【図１９】非表示部用ＴＦＴの断面構成を示す断面図
【発明を実施するための形態】
【００２２】
＜実施形態１＞
本発明の実施形態１を図１から図１４によって説明する。本実施形態では、液晶表示装置１０について例示する。なお、各図面の一部にはＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸を示しており、各軸方向が各図面で示した方向となるように描かれている。また、上下方向については、図２から図４などを基準とし、且つ同図上側を表側とするとともに同図下側を裏側とする。
【００２３】
液晶表示装置１０は、図１及び図２に示すように、画像を表示可能で且つ中央側に配される表示部ＡＡ、及び表示部ＡＡを取り囲む形で外周側に配される非表示部ＮＡＡを有する液晶パネル（表示装置、表示パネル）１１と、液晶パネル１１を駆動するドライバ（パネル駆動部）２１と、ドライバ２１に対して各種入力信号を外部から供給する制御回路基板（外部の信号供給源）１２と、液晶パネル１１と外部の制御回路基板１２とを電気的に接続するフレキシブル基板（外部接続部品）１３と、液晶パネル１１に光を供給する外部光源であるバックライト装置（照明装置）１４とを備える。また、液晶表示装置１０は、相互に組み付けた液晶パネル１１及びバックライト装置１４を収容・保持するための表裏一対の外装部材１５，１６をも備えており、このうち表側の外装部材１５には、液晶パネル１１の表示部ＡＡに表示された画像を外部から視認させるための開口部１５ａが形成されている。本実施形態に係る液晶表示装置１０は、携帯電話（スマートフォンなどを含む）、ノートパソコン（タブレット型ノートパソコンなどを含む）、携帯型情報端末（電子ブックやＰＤＡなどを含む）、デジタルフォトフレーム、携帯型ゲーム機、電子インクペーパなどの各種電子機器（図示せず）に用いられるものである。このため、液晶表示装置１０を構成する液晶パネル１１の画面サイズは、数インチ〜１０数インチ程度とされ、一般的には小型または中小型に分類される大きさとされている。
【００２４】
先に、バックライト装置１４について簡単に説明する。バックライト装置１４は、図２に示すように、表側（液晶パネル１１側）に向けて開口した略箱形をなすシャーシ１４ａと、シャーシ１４ａ内に配された図示しない光源（例えば冷陰極管、ＬＥＤ、有機ＥＬなど）と、シャーシ１４ａの開口部を覆う形で配される図示しない光学部材とを備える。光学部材は、光源から発せられる光を面状に変換するなどの機能を有するものである。
【００２５】
続いて、液晶パネル１１について説明する。液晶パネル１１は、図１に示すように、全体として縦長な方形状（矩形状）をなしており、その長辺方向における一方の端部側（図１に示す上側）に片寄った位置に表示部（アクティブエリア）ＡＡが配されるとともに、長辺方向における他方の端部側（図１に示す下側）に片寄った位置にドライバ２１及びフレキシブル基板１３がそれぞれ取り付けられている。この液晶パネル１１において表示部ＡＡ外の領域が、画像が表示されない非表示部（ノンアクティブエリア）ＮＡＡとされ、この非表示部ＮＡＡは、表示部ＡＡを取り囲む略枠状の領域（後述するＣＦ基板１１ａにおける額縁部分）と、長辺方向の他方の端部側に確保された領域（後述するアレイ基板１１ｂのうちＣＦ基板１１ａとは重畳せずに露出する部分）とからなり、このうちの長辺方向の他方の端部側に確保された領域にドライバ２１及びフレキシブル基板１３の実装領域（取付領域）が含まれている。液晶パネル１１において略枠状をなす非表示部ＮＡＡのうち、ドライバ２１及びフレキシブル基板１３の実装領域を除いた残りの３辺の端部（非実装側端部）における幅寸法、詳しくはガラス基板ＧＳの外端から表示部ＡＡの外端までの直線距離は、例えば２．０ｍｍ以下、より好ましくは１．８ｍｍ以下とされており、極めて額縁が狭い狭額縁構造とされている。液晶パネル１１における短辺方向が各図面のＸ軸方向と一致し、長辺方向が各図面のＹ軸方向と一致している。なお、図１，図５及び図６では、ＣＦ基板１１ａよりも一回り小さな枠状の一点鎖線が表示部ＡＡの外形を表しており、当該一点鎖線よりも外側の領域が非表示部ＮＡＡとなっている。
【００２６】
続いて、液晶パネル１１に接続される部材について説明する。制御回路基板１２は、図１及び図２に示すように、バックライト装置１４におけるシャーシ１４ａの裏面（液晶パネル１１側とは反対側の外面）にネジなどにより取り付けられている。この制御回路基板１２は、紙フェノールないしはガラスエポキシ樹脂製の基板上に、ドライバ２１に各種入力信号を供給するための電子部品が実装されるとともに、図示しない所定のパターンの配線（導電路）が配索形成されている。この制御回路基板１２には、フレキシブル基板１３の一方の端部（一端側）が図示しないＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film）を介して電気的に且つ機械的に接続されている。
【００２７】
フレキシブル基板（ＦＰＣ基板）１３は、図２に示すように、絶縁性及び可撓性を有する合成樹脂材料（例えばポリイミド系樹脂等）からなる基材を備え、その基材上に多数本の配線パターン（図示せず）を有しており、長さ方向についての一方の端部が既述した通りシャーシ１４ａの裏面側に配された制御回路基板１２に接続されるのに対し、他方の端部（他端側）が液晶パネル１１におけるアレイ基板１１ｂに接続されているため、液晶表示装置１０内では断面形状が略Ｕ型となるよう折り返し状に屈曲されている。フレキシブル基板１３における長さ方向についての両端部においては、配線パターンが外部に露出して端子部（図示せず）を構成しており、これらの端子部がそれぞれ制御回路基板１２及び液晶パネル１１に対して電気的に接続されている。これにより、制御回路基板１２側から供給される入力信号を液晶パネル１１側に伝送することが可能とされている。
【００２８】
ドライバ２１は、図１に示すように、内部に駆動回路を有するＬＳＩチップからなるものとされ、信号供給源である制御回路基板１２から供給される信号に基づいて作動することで、信号供給源である制御回路基板１２から供給される入力信号を処理して出力信号を生成し、その出力信号を液晶パネル１１の表示部ＡＡへ向けて出力するものとされる。このドライバ２１は、平面に視て横長の方形状をなす（液晶パネル１１の短辺に沿って長手状をなす）とともに、液晶パネル１１（後述するアレイ基板１１ｂ）の非表示部ＮＡＡに対して直接実装され、つまりＣＯＧ（Chip On Glass）実装されている。なお、ドライバ２１の長辺方向がＸ軸方向（液晶パネル１１の短辺方向）と一致し、同短辺方向がＹ軸方向（液晶パネル１１の長辺方向）と一致している。
【００２９】
改めて、液晶パネル１１について説明する。液晶パネル１１は、図３に示すように、一対の基板１１ａ，１１ｂと、両基板１１ａ，１１ｂ間に介在し、電界印加に伴って光学特性が変化する物質である液晶分子を含む液晶層（液晶）１１ｃと、両基板１１ａ，１１ｂ間に介在することで液晶層１１ｃの厚さ分のギャップを維持した状態で液晶層１１ｃを封止するシール部１１ｊと、を少なくとも有している。一対の基板１１ａ，１１ｂのうち表側（正面側）がＣＦ基板（対向基板）１１ａとされ、裏側（背面側）がアレイ基板（基板）１１ｂとされる。シール部１１ｊは、液晶パネル１１のうち非表示部ＮＡＡに配されるとともに平面に視て（アレイ基板１１ｂの板面に対する法線方向から視て）非表示部ＮＡＡに倣う縦長の略枠状をなしている（図２）。シール部１１ｊのうち、液晶パネル１１におけるドライバ２１及びフレキシブル基板１３の実装領域を除いた残りの３辺の端部（非実装側端部）に配された部分は、非表示部ＮＡＡにおける最外端位置に配されている（図２）。なお、両基板１１ａ，１１ｂの外面側には、それぞれ偏光板１１ｆ，１１ｇが貼り付けられている。
【００３０】
本実施形態に係る液晶パネル１１は、動作モードがＩＰＳ（In-Plane Switching）モードをさらに改良したＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードであり、図４に示すように、一対の基板１１ａ，１１ｂのうちのアレイ基板１１ｂ側に後述する画素電極部（第２透明電極部）１８及び共通電極部（第１透明電極部）２２を共に形成し、且つこれら画素電極部１８と共通電極部２２とを異なる層に配してなるものである。ＣＦ基板１１ａ及びアレイ基板１１ｂは、ほぼ透明な（高い透光性を有する）ガラス基板ＧＳを備えており、当該ガラス基板ＧＳ上に各種の膜を積層形成してなるものとされる。このうち、ＣＦ基板１１ａは、図１及び図２に示すように、短辺寸法がアレイ基板１１ｂと概ね同等であるものの、長辺寸法がアレイ基板１１ｂよりも小さなものとされるとともに、アレイ基板１１ｂに対して長辺方向についての一方（図１に示す上側）の端部を揃えた状態で貼り合わせられている。従って、アレイ基板１１ｂのうち長辺方向についての他方（図１に示す下側）の端部は、所定範囲にわたってＣＦ基板１１ａが重なり合うことがなく、表裏両板面が外部に露出した状態とされており、ここにドライバ２１及びフレキシブル基板１３の実装領域が確保されている。なお、両基板１１ａ，１１ｂの内面側には、液晶層１１ｃに含まれる液晶分子を配向させるための配向膜１１ｄ，１１ｅがそれぞれ形成されている（図４）。
【００３１】
まず、アレイ基板１１ｂの内面側（液晶層１１ｃ側、ＣＦ基板１１ａとの対向面側）に既知のフォトリソグラフィ法によって積層形成された各種の膜について説明する。アレイ基板１１ｂには、図８に示すように、下層（ガラス基板ＧＳ）側から順に第１金属膜（ゲート金属膜）３４、ゲート絶縁膜３５、酸化物半導体膜３６、保護膜（エッチングストッパ膜、ＥＳ膜）３７、第２金属膜（ソース金属膜）３８、第１層間絶縁膜（絶縁膜）３９、有機絶縁膜４０、第１透明電極膜２３、第２層間絶縁膜４１、第２透明電極膜２４が積層形成されている。
【００３２】
第１金属膜３４は、例えば銅（Ｃｕ）からなる単層膜により構成されている。これにより、仮に第１金属膜をアルミニウム（Ａｌ）の単層膜とした場合に比べて、配線抵抗が低く導電性が良好なものとされる。ゲート絶縁膜３５は、少なくとも第１金属膜３４の上層側に積層されるものであり、例えば酸化珪素（ＳｉＯ２）からなるものとされる。酸化物半導体膜３６は、ゲート絶縁膜３５の上層側に積層されるものであり、例えば酸化物半導体の一種であるインジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物薄膜からなるものとされる。酸化物半導体膜３６であるインジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物薄膜は、非晶質または結晶質とされている。この酸化物半導体膜３６は、表示部ＡＡにおいては後述する表示部用ＴＦＴ１７の第１チャネル部１７ｄなどを構成するのに対し、非表示部ＮＡＡにおいては後述する非表示部用ＴＦＴ２９の第２チャネル部２９ｄなどを構成している。保護膜３７は、少なくとも酸化物半導体膜３６の上層側に積層されるものであり、例えば酸化珪素（ＳｉＯ２）からなるものとされている。
【００３３】
第２金属膜３８は、少なくとも保護膜３７の上層側に積層されるものであり、例えばチタン（Ｔｉ）からなる下層側金属膜３８ａを下層側に配するとともに銅（Ｃｕ）からなる上層側金属膜３８ｂを上層側に配した積層構造とされる。これにより、仮に第２金属膜をチタンとアルミニウム（Ａｌ）との積層構造とした場合に比べて、配線抵抗が低く導電性が良好なものとされる。第１層間絶縁膜３９は、少なくとも第２金属膜３８の上層側に積層されるものであり、例えば少なくとも珪素及び酸素を含有する下層側第１層間絶縁膜（下層側絶縁膜）３９ａと、少なくとも珪素及び窒素を含有する上層側第１層間絶縁膜（上層側絶縁膜）３９ｂとの積層構造とされている。なお、第１層間絶縁膜３９に関しては後に詳しく説明する。有機絶縁膜４０は、第１層間絶縁膜３９の上層側に積層されるものであり、例えば有機材料であるアクリル系樹脂材料（例えばポリメタクリル酸メチル樹脂（ＰＭＭＡ））からなり、平坦化膜として機能するものである。
【００３４】
第１透明電極膜２３は、有機絶縁膜４０の上層側に積層されるものであり、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）或いはＺｎＯ（Zinc Oxide）といった透明電極材料からなる。第２層間絶縁膜４１は、少なくとも第１透明電極膜２３の上層側に積層されるものであり、例えば窒化珪素（ＳｉＮｘ）からなり、詳しくは後述するが平面に視たパターンが上記した第１層間絶縁膜３９と同一とされる。第２透明電極膜２４は、少なくとも第２層間絶縁膜４１の上層側に積層されるものであり、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）或いはＺｎＯ（Zinc Oxide）といった透明電極材料からなる。上記した各膜のうち、第１透明電極膜２３及び第２透明電極膜２４は、アレイ基板１１ｂの表示部ＡＡにのみ形成され、非表示部ＮＡＡには形成されていないのに対し、ゲート絶縁膜３５、保護膜３７、第１層間絶縁膜３９及び第２層間絶縁膜４１といった絶縁材料からなる各絶縁膜３５，３７，３９，４１については、アレイ基板１１ｂのほぼ全面にわたるベタ状のパターン（一部に開口を有する）として形成されている。また、第１金属膜３４、酸化物半導体膜３６及び第２金属膜３８は、アレイ基板１１ｂの表示部ＡＡ及び非表示部ＮＡＡの双方に所定のパターンでもって形成されている。
【００３５】
続いて、アレイ基板１１ｂにおける表示部ＡＡ内に存在する構成について順次に詳しく説明する。アレイ基板１１ｂの表示部ＡＡには、図６及び図７に示すように、スイッチング素子である表示部用ＴＦＴ（表示部用トランジスタ）１７及び画素電極部１８が多数個ずつマトリクス状に並んで設けられるとともに、これら表示部用ＴＦＴ１７及び画素電極部１８の周りには、格子状をなすゲート配線（走査信号線、行制御線）１９及びソース配線（列制御線、データ線）２０が取り囲むようにして配設されている。言い換えると、格子状をなすゲート配線１９及びソース配線２０の交差部に、表示部用ＴＦＴ１７及び画素電極部１８が行列状に並列配置されている。ゲート配線１９は、第１金属膜３４からなるのに対し、ソース配線２０は、第２金属膜３８からなり、相互の交差部位間にはゲート絶縁膜３５及び保護膜３７が介在する形で配されている。ゲート配線１９とソース配線２０とが、それぞれ表示部用ＴＦＴ１７の第１ゲート電極部１７ａと第１ソース電極部１７ｂとに接続され、画素電極部１８が表示部用ＴＦＴ１７の第１ドレイン電極部１７ｃに接続されている（図８）。このうち、第１ゲート電極部１７ａは、図７に示すように、Ｘ軸方向に沿って直線的に延在するゲート配線１９からＹ軸方向に沿って突出する形で分岐した枝部により構成されるのに対し、第１ソース電極部１７ｂは、Ｙ軸方向に沿って直線的に延在するソース配線２０からＸ軸方向に沿って突出する形で分岐した枝部により構成される。
【００３６】
表示部用ＴＦＴ１７は、図８に示すように、第１金属膜３４からなる第１ゲート電極部１７ａと、酸化物半導体膜３６からなり第１ゲート電極部１７ａと平面に視て重畳する第１チャネル部１７ｄと、保護膜３７からなり第１チャネル部１７ｄと平面に視て重畳する位置に２つの第１開口部１７ｅ１，１７ｅ２が貫通して形成されてなる第１保護部１７ｅと、第２金属膜３８からなり２つの第１開口部１７ｅ１，１７ｅ２のうちの一方の第１開口部１７ｅ１を通して第１チャネル部１７ｄに接続される第１ソース電極部１７ｂと、第２金属膜３８からなり２つの第１開口部１７ｅ１，１７ｅ２のうちの他方の第１開口部１７ｅ２を通して第１チャネル部１７ｄに接続される第１ドレイン電極部１７ｃとを有している。このうち、第１チャネル部１７ｄは、Ｘ軸方向に沿って延在するとともに第１ソース電極部１７ｂと第１ドレイン電極部１７ｃとを架け渡して両電極部１７ｂ，１７ｃ間での電荷の移動を可能としている。第１ソース電極部１７ｂと第１ドレイン電極部１７ｃとは、第１チャネル部１７ｄの延在方向（Ｘ軸方向）について所定の間隔を空けつつ対向状に配されている。
【００３７】
第１ゲート電極部１７ａは、図７に示すように、ゲート配線１９から分岐された構造であり、その形成範囲が第１ソース電極部１７ｂに対してはそのほぼ全域に対して平面視重畳するものの、第１ドレイン電極部１７ｃに対してはその一部（第１チャネル部１７ｄとの接続部分近傍）に対してのみ平面視重畳するよう設定されている。これにより、仮に、第１ゲート電極部を第１ドレイン電極部１７ｃのほぼ全域に対して平面視重畳する形成範囲とした場合に比べると、第１ゲート電極部１７ａと、第１ソース電極部１７ｂ、第１ドレイン電極部１７ｃ及び第１チャネル部１７ｄとの間に形成される寄生容量（以下、Ｃｇｄ容量という）を小さくすることができるので、表示画素の総容量に占めるＣｇｄ容量の割合が低下する。従って、画素電極部１８に印加される電圧値にＣｇｄ容量が影響し難くなり、もって液晶パネル１１が高精細化され、表示画素の面積及び総容量が小さくなった場合により好適とされる。第１ゲート電極部１７ａの形成範囲が上記のような設定とされるのに伴い、第１チャネル部１７ｄは、図７及び図８に示すように、第１ドレイン電極部１７ｃが接続される位置からＸ軸方向に沿って第１ソース電極部１７ｂ側とは反対側（図７及び図８に示す右側）に向けて延出するとともに、その先端部（一部）が第１ゲート電極部１７ａとは平面に視て非重畳となる第１延出部１７ｄ１を有している。また、第１チャネル部１７ｄをなす酸化物半導体膜３６は、電子移動度がアモルファスシリコン薄膜などに比べると、例えば２０倍〜５０倍程度と高くなっているので、表示部用ＴＦＴ１７を容易に小型化して画素電極部１８の透過光量を極大化することができ、もって高精細化及び低消費電力化などを図る上で好適とされる。このような酸化物半導体膜３６からなる第１チャネル部１７ｄを有する表示部用ＴＦＴ１７は、第１ゲート電極部１７ａが最下層に配され、その上層側にゲート絶縁膜３５を介して第１チャネル部１７ｄが積層されてなる、逆スタガ型とされており、一般的なアモルファスシリコン薄膜を有するＴＦＴと同様の積層構造とされる。
【００３８】
画素電極部１８は、第２透明電極膜２４からなり、ゲート配線１９とソース配線２０とに囲まれた領域において全体として平面に視て縦長の方形状（矩形状）をなすとともに、図示しない縦長のスリットが複数本設けられることで略櫛歯状に形成されている。画素電極部１８は、図８に示すように、第２層間絶縁膜４１上に形成されており、次述する共通電極部２２との間に第２層間絶縁膜４１が介在している。画素電極部１８の下層側に配された第１層間絶縁膜３９、有機絶縁膜４０及び第２層間絶縁膜４１のうち、第１ドレイン電極部１７ｃと平面に視て重畳する位置には、コンタクトホールＣＨが上下に貫通する形で形成されており、このコンタクトホールＣＨを通して画素電極部１８が第１ドレイン電極部１７ｃに接続されている。これにより、表示部用ＴＦＴ１７の第１ゲート電極部１７ａを通電すると、第１チャネル部１７ｄを介して第１ソース電極部１７ｂと第１ドレイン電極部１７ｃとの間に電流が流されるとともに画素電極部１８に所定の電位が印加される。このコンタクトホールＣＨは、第１ゲート電極部１７ａ及び酸化物半導体層３６からなる第１チャネル部１７ｄの双方に対して平面に視て非重畳となる位置に配されている。なお、コンタクトホールＣＨは、第２層間絶縁膜４１を成膜する際に、マスクを用いて第２層間絶縁膜４１に開口部をパターニングし、その開口部が形成された第２層間絶縁膜４１をレジストとして用いて下層側の第１層間絶縁膜３９及び有機絶縁膜４０をエッチングすることで、第１層間絶縁膜３９及び有機絶縁膜４０に第２層間絶縁膜４１の開口部に連通する開口部をそれぞれ形成してなるものとされる。
【００３９】
共通電極部２２は、第１透明電極膜２３からなり、アレイ基板１１ｂの表示部ＡＡにおけるほぼ全面にわたる、いわゆるベタ状のパターンとされる。共通電極部２２は、図８に示すように、有機絶縁膜４０と第２層間絶縁膜４１との間に挟まれる形で配されている。共通電極部２２には、図示しない共通配線から共通電位（基準電位）が印加されるので、上記のように表示部用ＴＦＴ１７により画素電極部１８に印加する電位を制御することで、両電極部１８，２２間に所定の電位差を生じさせることができる。両電極部１８，２２間に電位差が生じると、液晶層１１ｃには、画素電極部１８のスリット１８ａによってアレイ基板１１ｂの板面に沿う成分に加えて、アレイ基板１１ｂの板面に対する法線方向の成分を含むフリンジ電界（斜め電界）が印加されるので、液晶層１１ｃに含まれる液晶分子のうち、スリット１８ａに存在するものに加えて、画素電極部１８上に存在するものもその配向状態を適切にスイッチングすることができる。もって、液晶パネル１１の開口率が高くなって十分な透過光量が得られるとともに、高い視野角性能を得ることができる。なお、アレイ基板１１ｂには、ゲート配線１９に並行するとともに画素電極部１８を横切りつつ、ゲート絶縁膜３５、保護膜３７、第１層間絶縁膜３９、有機絶縁膜４０及び第２層間絶縁膜４１を介して重畳する容量配線（図示せず）を設けることも可能である。
【００４０】
続いて、ＣＦ基板１１ａにおける表示部ＡＡ内に存在する構成について詳しく説明する。ＣＦ基板１１ａには、図４に示すように、Ｒ（赤色），Ｇ（緑色），Ｂ（青色）等の各着色部が、アレイ基板１１ｂ側の各画素電極部１８と平面に視て重畳するよう多数個マトリクス状に並列して配置されたカラーフィルタ１１ｈが設けられている。カラーフィルタ１１ｈをなす各着色部間には、混色を防ぐための略格子状の遮光層（ブラックマトリクス）１１ｉが形成されている。遮光層１１ｉは、上記したゲート配線１９及びソース配線２０と平面に視て重畳する配置とされる。カラーフィルタ１１ｈ及び遮光層１１ｉの表面には、配向膜１１ｄが設けられている。なお、当該液晶パネル１１においては、Ｒ（赤色），Ｇ（緑色），Ｂ（青色）の３色の着色部及びそれらと対向する３つの画素電極部１８の組によって表示単位である１つの表示画素が構成されている。表示画素は、Ｒの着色部を有する赤色画素と、Ｇの着色部を有する緑色画素と、Ｂの着色部を有する青色画素とからなる。これら各色の表示画素は、液晶パネル１１の板面において行方向（Ｘ軸方向）に沿って繰り返し並べて配されることで、画素群を構成しており、この画素群が列方向（Ｙ軸方向）に沿って多数並んで配されている（図４及び図５）。
【００４１】
次に、アレイ基板１１ｂにおける非表示部ＮＡＡ内に存在する構成について詳しく説明する。アレイ基板１１ｂの非表示部ＮＡＡのうち、表示部ＡＡにおける短辺部に隣り合う位置には、図５に示すように、列制御回路部２７が設けられているのに対し、表示部ＡＡにおける長辺部に隣り合う位置には、行制御回路部２８が設けられている。列制御回路部２７及び行制御回路部２８は、ドライバ２１からの出力信号を表示部用ＴＦＴ１７に供給するための制御を行うことが可能とされている。列制御回路部２７及び行制御回路部２８は、表示部用ＴＦＴ１７と同じ酸化物半導体膜３６をベースとしてアレイ基板１１ｂ上にモノリシックに形成されており、それにより表示部用ＴＦＴ１７への出力信号の供給を制御するための制御回路を有している。これら列制御回路部２７及び行制御回路部２８は、図５及び図６に示すように、非表示部ＮＡＡにおいてシール部１１ｊよりも中央側、つまり表示部ＡＡ側に配されており、言い換えると表示部ＡＡに配された表示部用ＴＦＴ１７に比べるとシール部１１ｊの近くに配されている、と言える。なお、図５では、シール部１１ｊを二点鎖線で、図６では、シール部１１ｊを実線で、それぞれ図示している。また、列制御回路部２７及び行制御回路部２８は、アレイ基板１１ｂの製造工程において表示部用ＴＦＴ１７などをパターニングする際に既知のフォトリソグラフィ法により同時にアレイ基板１１ｂ上にパターニングされている。
【００４２】
このうち、列制御回路部２７は、図５に示すように、表示部ＡＡにおける図５に示す下側の短辺部に隣り合う位置、言い換えるとＹ軸方向について表示部ＡＡとドライバ２１との間となる位置に配されており、Ｘ軸方向に沿って延在する横長な略方形状の範囲に形成されている。この列制御回路部２７は、表示部ＡＡに配されたソース配線２０に接続されるとともに、ドライバ２１からの出力信号に含まれる画像信号を、各ソース配線２０に振り分けるスイッチ回路（ＲＧＢスイッチ回路）を有している。具体的には、ソース配線２０は、アレイ基板１１ｂの表示部ＡＡにおいてＸ軸方向に沿って多数本が並列配置されるとともに、Ｒ（赤色），Ｇ（緑色），Ｂ（青色）の各色の表示画素をなす各表示部用ＴＦＴ１７にそれぞれ接続されているのに対して、列制御回路部２７は、スイッチ回路によってドライバ２１からの画像信号をＲ，Ｇ，Ｂの各ソース配線２０に振り分けて供給している。また、列制御回路部２７は、レベルシフタ回路やＥＳＤ保護回路などの付属回路を備えることも可能である。
【００４３】
これに対し、行制御回路部２８は、図５に示すように、表示部ＡＡにおける図５に示す左側の長辺部に隣り合う位置に配されており、Ｙ軸方向に沿って延在する縦長な略方形状の範囲に形成されている。行制御回路部２８は、表示部ＡＡに配されたゲート配線１９に接続されるとともに、ドライバ２１からの出力信号に含まれる走査信号を、各ゲート配線１９に所定のタイミングで供給して各ゲート配線１９を順次に走査する走査回路を有している。具体的には、ゲート配線１９は、アレイ基板１１ｂの表示部ＡＡにおいてＹ軸方向に沿って多数本が並列配置されているのに対して、行制御回路部２８は、走査回路によってドライバ２１からの制御信号（走査信号）を、表示部ＡＡにおいて図５に示す上端位置のゲート配線１９から下端位置のゲート配線１９に至るまで順次に供給することで、ゲート配線１９の走査を行っている。また、行制御回路部２８には、レベルシフタ回路やＥＳＤ保護回路などの付属回路を備えることも可能である。なお、列制御回路部２７及び行制御回路部２８は、アレイ基板１１ｂ上に形成された図示しない接続配線によってドライバ２１に接続されている。
【００４４】
この行制御回路部２８に備えられる走査回路には、図５に示すように、ゲート配線１９に接続されるとともに走査信号を増幅させてゲート配線１９に出力するバッファ回路部２６が含まれている。そして、このバッファ回路部２６には、非表示部用ＴＦＴ（非表示部用トランジスタ）２９が備えられている。この非表示部用ＴＦＴ２９は、アレイ基板１１ｂの板面のうち非表示部ＮＡＡに配されるとともに、アレイ基板１１ｂの製造工程において表示部用ＴＦＴ１７と同時に形成されている。非表示部用ＴＦＴ２９は、走査回路において行われる信号処理の最終段において走査信号を出力するためのものであるため、取り扱う電流量が表示部用ＴＦＴ１７が取り扱う電流量よりも大きなものとなっている。
【００４５】
非表示部用ＴＦＴ２９の積層構造について説明する。非表示部用ＴＦＴ２９は、図９に示すように、第１金属膜３４からなる第２ゲート電極部（ゲート電極部）２９ａと、酸化物半導体膜３６からなり第２ゲート電極部２９ａと平面に視て重畳する第２チャネル部２９ｄと、保護膜３７からなり第２チャネル部２９ｄと平面に視て重畳する位置に２つの第２開口部２９ｅ１，２９ｅ２が貫通して形成されてなる第２保護部２９ｅと、第２金属膜３８からなり２つの第２開口部２９ｅ１，２９ｅ２のうちの一方の第２開口部２９ｅ１を通して第２チャネル部２９ｄに接続される第２ソース電極部（ソース電極部）２９ｂと、第２金属膜３８からなり２つの第２開口部２９ｅ１，２９ｅ２のうちの他方の第２開口部２９ｅ２を通して第２チャネル部２９ｄに接続される第２ドレイン電極部（ドレイン電極部）２９ｃとを有している。このうち、第２チャネル部２９ｄは、Ｘ軸方向に沿って延在するとともに第２ソース電極部２９ｂと第２ドレイン電極部２９ｃとを架け渡して両電極部２９ｂ，２９ｃ間での電荷の移動を可能としている。第２ソース電極部２９ｂと第２ドレイン電極部２９ｃとは、第２チャネル部２９ｄの延在方向（Ｘ軸方向）について所定の間隔を空けつつ対向状に配されている。
【００４６】
この非表示部用ＴＦＴ２９は、第２ゲート電極部２９ａ、第２ソース電極部２９ｂ、第２ドレイン電極部２９ｃ、第２チャネル部２９ｄ、及び第２保護部２９ｅの平面配置が既述した表示部用ＴＦＴ１７の各構成部位と同様であり、図７に示す通りである。第２ゲート電極部２９ａは、図７に示すように、表示部用ＴＦＴ１７の第１ゲート電極部１７ａと同様に、ゲート配線１９から分岐された構造であり、その形成範囲が第２ソース電極部２９ｂに対してはそのほぼ全域に対して平面視重畳するものの、第２ドレイン電極部２９ｃに対してはその一部（第２チャネル部２９ｄとの接続部分近傍）に対してのみ平面視重畳するよう設定されている。第２ゲート電極部２９ａの形成範囲が上記のような設定とされるのに伴い、第２チャネル部２９ｄは、図７及び図９に示すように、第２ドレイン電極部２９ｃが接続される位置からＸ軸方向に沿って第２ソース電極部２９ｂ側とは反対側（図９に示す右側）に向けて延出するとともに、その先端部（一部）が第２ゲート電極部２９ａとは平面に視て非重畳となる第２延出部（延出部）２９ｄ１を有している。また、この第２チャネル部２９ｄをなす酸化物半導体膜３６は、表示部用ＴＦＴ１７の第１チャネル部１７ｄと同一とされ、高い電子移動度を有している。また、非表示部用ＴＦＴ２９は、表示部用ＴＦＴ１７と同様に、第２ゲート電極部２９ａが最下層に配され、その上層側にゲート絶縁膜３５を介して第２チャネル部２９ｄが積層されてなる、逆スタガ型とされている。このように非表示部用ＴＦＴ２９の各構成部位を表示部用ＴＦＴ１７の各構成部位と同様の配置構成とすることにより、歩留まりの向上などを図る上で好適とされる。
【００４７】
ところで、非表示部ＮＡＡに配される非表示部用ＴＦＴ２９は、図４及び図５に示すように、表示部ＡＡに配される表示部用ＴＦＴ１７に比べると、アレイ基板１１ｂにおいて外周側に配されるとともにシール部１１ｊの近くに配されているため、外部に存在する水分がシール部１１ｊを透過するなどして内部に浸入した場合にその水分の影響を受け易くなっている。仮に、非表示部用ＴＦＴ２９を構成する酸化物半導体膜３６からなる第２チャネル部２９ｄに外部の水分が取り込まれて劣化が生じると、その電気的な特性が変化してしまい、非表示部用ＴＦＴ２９が正常に動作しなくなるおそれがある。しかも、非表示部用ＴＦＴ２９は、行制御回路部２８に含まれるバッファ回路部２６を構成しており、取り扱う電流値が表示部用ＴＦＴ１７に比べて大きなものとなっているため、第２チャネル部２９ｄが劣化してその電気的な特性が変化した場合に生じる非表示部用ＴＦＴ２９の動作不良により、液晶パネル１１に表示不良が発生する可能性が高いものとなっていた。さらには、非表示部用ＴＦＴ２９を構成する第２チャネル部２９ｄは、図７及び図９に示すように、既述した通り一部が第２ゲート電極部２９ａとは非重畳となる第２延出部（延出部）２９ｄ１を有しており、この第２延出部２９ｄ１は、バックライト装置１４から液晶パネル１１に向けて照射される光が第２ゲート電極部２９ａにより遮光され難いため、光の照射を受け易くなっている。第２チャネル部２９ｄをなす酸化物半導体膜３６は、光のエネルギーを受けると、電荷の移動のし易さに影響が出易くなるという性質を有しており、非表示部用ＴＦＴ２９を動作させる際に第２延出部２９ｄ１に電荷が滞留し易くなる、という問題が生じるおそれがある。このため、酸化物半導体膜３６が水分などを取り込むのに伴って酸化物半導体膜３６が劣化する問題とも相まって、非表示部用ＴＦＴ２９により動作不良が発生し易い状況にあった。
【００４８】
そこで、本実施形態に係るアレイ基板１１ｂにおいて非表示部用ＴＦＴ２９における第２ソース電極部２９ｂ、第２ドレイン電極部２９ｃ、及び第２チャネル部２９ｄを上層側から覆う形で配される第１層間絶縁膜３９は、相対的に下層側に配されて少なくとも珪素及び酸素を含有する下層側第１層間絶縁膜３９ａと、相対的に上層側に配されて少なくとも珪素及び窒素を含有する上層側第１層間絶縁膜３９ｂとの積層構造とされる。このような構成により次の作用及び効果を得ることができる。まず、第１層間絶縁膜３９のうち相対的に上層側に配される上層側第１層間絶縁膜３９ｂが少なくとも珪素及び窒素を含有する構成とされることで、非表示部用ＴＦＴ２９がシール部１１ｊの近くに配されることに起因して外部の水分が浸入した場合でもその外部の水分が上層側第１層間絶縁膜３９ｂを透過し難くなり、水分が酸化物半導体膜３６からなる第２チャネル部２９ｄにまで到達し難くなる。この上層側第１層間絶縁膜３９ｂは、珪素及び窒素を含有しており、成膜工程において、例えばシラン（ＳｉＨ４）とアンモニア（ＮＨ３）とを反応させて成膜を行うと、その工程で水素が発生することになる。このため、上層側第１層間絶縁膜３９ｂは、成膜時に内部に水素を取り込む場合があり、それにより成膜後に熱環境によっては水素が脱離するおそれがある。その場合でも、第１層間絶縁膜３９のうち相対的に下層側に配される下層側第１層間絶縁膜３９ａが少なくとも珪素及び酸素を含有する構成とされることで、上層側第１層間絶縁膜３９ｂから脱離した水素が下層側第１層間絶縁膜３９ａを透過し難くなり、脱離水素が酸化物半導体膜３６からなる第２チャネル部２９ｄにまで到達し難くなっている。これにより、酸化物半導体膜３６からなる第２チャネル部２９ｄが水分や水素を取り込むことに起因する劣化が生じ難くなるとともに電気的な特性が変化し難くなり、もって非表示部用ＴＦＴ２９に動作不良が生じ難くなる。
【００４９】
その上で、本実施形態に係る第１層間絶縁膜３９を構成する上層側第１層間絶縁膜３９ｂは、その膜厚が３５ｎｍ〜７５ｎｍの範囲とされることで、上層側第１層間絶縁膜３９ｂからの水素の脱離量が少なくなるとともに、上層側第１層間絶縁膜３９ｂの防湿性が十分に確保される。これにより、酸化物半導体膜３６からなる第２チャネル部２９ｄの電気的な特性が変化し難くなり、もって非表示部用ＴＦＴ２９により動作不良が生じ難くなる。このように非表示部用ＴＦＴ２９に動作不良が生じ難くなることで、バッファ回路部２６の正常な動作が担保されるとともに、液晶パネル１１が表示不良の発生し難い、動作信頼性の高いものとなる。しかも、非表示部用ＴＦＴ２９は、第２チャネル部２９ｄが光の照射を受け易い第２延出部２９ｄ１を有していることに起因して動作不良が生じ易い構成であるものの、上記のように外部の水分などに起因する動作不良が生じ難くされることで、動作信頼性が十分に担保される。また、第２ソース電極部２９ｂ及び第２ドレイン電極部２９ｃと第２チャネル部２９ｄとの間には、酸化珪素からなる保護膜３７（第２保護部２９ｅ）が介在する形で配されているから、保護膜３７から脱離し得る水素の量が少なくなっており、それにより第２チャネル部２９ｄに水素がより取り込まれ難くなり、もって非表示部用ＴＦＴ２９に動作不良が生じ難くなる。また、第２ソース電極部２９ｂ及び第２ドレイン電極部２９ｃは、銅を含んでいるため、水分により腐食が生じ易いものの、上記した上層側第１層間絶縁膜３９ｂにより水分の透過が抑制されることで、腐食の発生が抑制され、もって非表示部用ＴＦＴ２９に動作不良が生じ難くなる。なお、下層側第１層間絶縁膜３９ａは、上層側第１層間絶縁膜３９ｂよりも膜厚が相対的に大きなものとされている。
【００５０】
下層側第１層間絶縁膜３９ａ及び上層側第１層間絶縁膜３９ｂの組成に関して詳しく説明する。下層側第１層間絶縁膜３９ａは、例えば酸化珪素（ＳｉＯ２）からなるものとされるのに対し、上層側第１層間絶縁膜３９ｂは、例えば窒化珪素（ＳｉＮｘ）からなるものとされる。この上層側第１層間絶縁膜３９ｂは、珪素及び窒素のみからなる組成であるとは限らず、他の元素（酸素）を含有し得るものとされる。上層側第１層間絶縁膜３９ｂは、窒素の含有量に応じて屈折率が変動し得るものとされており、窒素の含有量が少なくなるほど屈折率が小さくなるのに対し、窒素の含有量が多くなるほど屈折率が大きくなる傾向とされる。具体的には、上層側第１層間絶縁膜３９ｂは、屈折率が２．０に近くなるほど、組成が純粋な窒化珪素に近くなるのに対し、屈折率が２．０から遠くなるほど、窒素の含有量が減少して酸素の含有量が増加する。なお、同様に下層側第１層間絶縁膜３９ａも、珪素及び酸素のみからなる組成であるとは限らず、珪素及び酸素以外の元素（例えば窒素）を含有し得るものとされており、窒素を含有させる組成とした場合には、上層側第１層間絶縁膜３９ｂと同様に屈折率と窒素の含有量とに相関関係を有するものとされる。そして、本実施形態に係る上層側第１層間絶縁膜３９ｂは、その屈折率が１．５〜１．９の範囲とされており、それにより十分な防湿性を確保することができて酸化物半導体膜３６からなる第２チャネル部２９ｄの電気的な特性が変化し難くなるとともに、汎用的な製造設備によって容易に成膜することが可能とされる。さらには、本実施形態に係る上層側第１層間絶縁膜３９ｂは、その屈折率がより好ましくは１．５〜１．７２の範囲とされており、それにより上層側第１層間絶縁膜３９ｂ中に含有される水素の量がより少なくなって上層側第１層間絶縁膜３９ｂからの脱離水素量も少なくなり、もって脱離水素によって酸化物半導体膜３６からなる第２チャネル部２９ｄの電気的な特性が変化し難くなる。
【００５１】
ここまで、バッファ回路部２６を構成する非表示部用ＴＦＴ２９に関して上層側第１層間絶縁膜３９ｂの膜厚及び屈折率の数値範囲について説明してきたが、上層側第１層間絶縁膜３９ｂは、アレイ基板１１ｂのほぼ全面にわたってほぼ均一な膜厚で且つ同一材料によって形成されている。このことから、バッファ回路部２６以外の回路を構成する非表示部用ＴＦＴ２９や、表示部ＡＡに配された表示部用ＴＦＴ１７が有する上層側第１層間絶縁膜３９ｂについても膜厚及び屈折率の数値範囲がバッファ回路部２６を構成する非表示部用ＴＦＴ２９と同様の設定となっており、それにより上記したバッファ回路部２６を構成する非表示部用ＴＦＴ２９と同様の作用及び効果が得られる。
【００５２】
＜比較実験＞
続いて、本実施形態において上層側第１層間絶縁膜３９ｂにおける膜厚を３５ｎｍ〜７５ｎｍの範囲とし、且つ屈折率を１．５〜１．９の範囲、より好ましくは１．５〜１．７２の範囲とした根拠となる比較実験１〜３について説明する。比較実験１では、非表示部用ＴＦＴ２９が有する第１層間絶縁膜３９の上層側第１層間絶縁膜３９ｂについて、屈折率を１．４７５〜１．９の範囲で変化させるとともに、昇温脱離分析（ＴＤＳ：Thermal Disportion Spectroscopy）を行うことで、上層側第１層間絶縁膜３９ｂの膜厚１ｎｍ当たりの脱離水分量及び脱離水素量を測定した。詳しくは、比較実験１では、上層側第１層間絶縁膜３９ｂにおける屈折率を１．４７５としたものを比較例１とし、以下同様に屈折率を１．５１としたものを実施例１、屈折率を１．５１としたものを実施例１、屈折率を１．５３としたものを実施例２、屈折率を１．６としたものを実施例３、屈折率を１．６０５としたものを実施例４、屈折率を１．６５としたものを実施例５、屈折率を１．７２としたものを実施例６、屈折率を１．８１５としたものを実施例７、屈折率を１．９としたものを実施例８、としている。そして、比較実験１の測定結果を図１０及び図１１に示す。図１０では、横軸を上層側第１層間絶縁膜３９ｂの屈折率とし、縦軸を上層側第１層間絶縁膜３９ｂからの脱離水分量としている。図１１では、横軸を上層側第１層間絶縁膜３９ｂの屈折率とし、縦軸を上層側第１層間絶縁膜３９ｂからの脱離水素量としている。なお、図１０及び図１１における脱離水分量及び脱離水素量は、いずれも上層側第１層間絶縁膜３９ｂの膜厚１ｎｍ当たりの脱離分子数であり、且つ実施例１での脱離分子数を基準（１．０）とした場合の相対値である。
【００５３】
比較実験２では、非表示部用ＴＦＴ２９が有する第１層間絶縁膜３９の上層側第１層間絶縁膜３９ｂの膜厚を０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲で変化させるとともに、非表示部用ＴＦＴ２９の電流−電圧特性を測定した。詳しくは、比較実験２では、上層側第１層間絶縁膜３９ｂにおける膜厚を０ｎｍとしたものを比較例１とし、以下同様に膜厚を２５ｎｍとしたものを比較例２、膜厚を５０ｎｍとしたものを実施例１、膜厚を７５ｎｍとしたものを実施例２、膜厚を８５ｎｍとしたものを比較例３、膜厚を１００ｎｍとしたものを比較例４、としている。このうち、比較例１については、別言すると、第１層間絶縁膜３９から上層側第１層間絶縁膜３９ｂを除去し、下層側第１層間絶縁膜３９ａのみとした構成である、と言える。また、比較実験２に係る各比較例及び各実施例において下層側第１層間絶縁膜３９ａの膜厚は、全て２６５ｎｍとされる。そして、比較実験２の測定結果を図１２に示す。図１２では、横軸を第２ゲート電極部２９ａに印加される電圧値（単位は「Ｖ」）とし、縦軸を第２ソース電極部２９ｂと第２ドレイン電極部２９ｃとの間に流される電流値（単位は「Ａ」）としている。なお、図１２では、比較例１を二点鎖線により、比較例２を間隔の狭い破線により、実施例１を間隔の広い一点鎖線により、実施例２を実線により、比較例３を間隔の広い破線により、比較例４を間隔の狭い一点鎖線によりそれぞれ示している。
【００５４】
比較実験３では、非表示部用ＴＦＴ２９が有する第１層間絶縁膜３９の上層側第１層間絶縁膜３９ｂの膜厚を変化させるとともに、ＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）などの電子顕微鏡を用いて断面構造の写真を撮影した。詳しくは、比較実験２では、上層側第１層間絶縁膜３９ｂにおける膜厚Ｔ１を２５ｎｍとしたものを比較例１とし、同様に膜厚Ｔ２を３５ｎｍとしたものを実施例１としている。また、比較実験３に係る比較例１及び実施例１において下層側第１層間絶縁膜３９ａの膜厚は、全て１５０ｎｍとされる。そして、比較実験３によって撮影された写真を図１３及び図１４に示す。これら図１３及び図１４は、非表示部用ＴＦＴ２９をＹ軸方向について中央位置付近にてＸ軸方向に沿って切断した断面構造の写真であり、図１３が比較例１を、図１４が実施例１をそれぞれ示す。
【００５５】
次に、各比較実験の実験結果について説明する。まず、比較実験１に関しては、図１０に記載のグラフから、比較例１における脱離水分量が、実施例１〜８に比べて突出して多くなっていることが分かる。これは、上層側第１層間絶縁膜３９ｂの屈折率が１．５を下回ると、上層側第１層間絶縁膜３９ｂに含有される窒素の量が少なくなり過ぎて防湿性が低下し、水分を透過し易くなることに起因するものと考えられる。これに対し、上層側第１層間絶縁膜３９ｂの屈折率が１．５以上とされる実施例１〜８は、脱離水分量が少なく抑えられており、十分な防湿性を備えていることが分かる。従って、上層側第１層間絶縁膜３９ｂの屈折率は、下限値が１．５とされるのが好ましい、と言える。また、上層側第１層間絶縁膜３９ｂの屈折率を１．９以上とするには、特殊な製造装置及び製造方法を用いて上層側第１層間絶縁膜３９ｂに含有される窒素の量を多くする必要があり、汎用的な製造装置での製造が困難になってしまう。このことから、上層側第１層間絶縁膜３９ｂの屈折率の上限値を１．９とすることで、汎用的な製造装置での製造容易性を担保することができるのである。
【００５６】
一方、比較実験１の実験結果である図１１に記載のグラフからは、実施例７，８における脱離水素量が、比較例１及び実施例１〜実施例６に比べて多くなっていることが分かる。これは、上層側第１層間絶縁膜３９ｂの屈折率が１．７２を上回ると、上層側第１層間絶縁膜３９ｂに含有される窒素の量が多いために成膜時に発生する水素をより多く含有する傾向を示していると考えられる。詳しく説明すると、上層側第１層間絶縁膜３９ｂの成膜工程において、例えばシランとアンモニアとを反応させて成膜を行うと、その工程で水素が発生し、このときの水素の発生量は、アンモニアの量、つまり上層側第１層間絶縁膜３９ｂに含有される窒素の量に応じて比例的に変化する関係にあることから、上層側第１層間絶縁膜３９ｂの含有窒素量が多くなると含有水素量も多くなる、と考えられる。これに対し、上層側第１層間絶縁膜３９ｂの屈折率が１．５〜１．７２とされる実施例１〜６は、脱離水素量が少なく抑えられており、酸化物半導体層３６からなる第２チャネル部２９ｄに取り込まれる水素量も十分に少なくなることが分かる。以上のように比較実験１の実験結果から、上層側第１層間絶縁膜３９ｂは、屈折率が１．５〜１．９の範囲とされるのが、十分な防湿性を確保し且つ汎用的な製造設備での成膜容易性を担保する上で好適とされ、より好ましくは屈折率が１．５〜１．７２の範囲とされるのが、脱離水素量を抑制する上で好適とされる、と言える。
【００５７】
続いて、比較実験２に関しては、図１２に記載のグラフから、比較例３，４では、非表示部用ＴＦＴ２９が閾値電圧を有しておらず、トランジスタとしてのスイッチング特性が得られていないことが分かる。これは、上層側第１層間絶縁膜３９ｂの膜厚が７５ｎｍを上回る大きさとなると、上層側第１層間絶縁膜３９ｂに含有される水素量の絶対値が大きくなり過ぎ、上層側第１層間絶縁膜３９ｂから脱離して酸化物半導体層３６である第２チャネル部２９ｄに取り込まれる水素量も多くなり、結果として第２チャネル部２９ｄの電気的な性質が導体に近い性質となってしまい、半導体として機能しなくなるため、と考えられる。これに対し、上層側第１層間絶縁膜３９ｂの膜厚が７５ｎｍ以下とされる実施例１，２及び比較例１，２では、含有する水素量の絶対値が大きくなり過ぎることがないため、酸化物半導体層３６である第２チャネル部２９ｄに取り込まれる水素量も少なくなるとともに、第２チャネル部２９ｄを半導体として正常に機能させることができることが分かる。
【００５８】
比較実験３に関しては、図１３に記載の写真から、比較例１のように上層側第１層間絶縁膜３９ｂの膜厚Ｔ１が２５ｎｍとされると、上層側第１層間絶縁膜３９ｂに鬆（隙間）４２が複数入っていることが分かる。これは、上層側第１層間絶縁膜３９ｂの膜厚が２５ｎｍ以下とされると、下層側第１層間絶縁膜３９ａに対するカバレッジが悪化するためであり、鬆４２を通して水分などが透過し易くなって防湿性が低下するおそれがある。これに対し、図１４に記載の写真から、実施例１のように上層側第１層間絶縁膜３９ｂの膜厚Ｔ２が３５ｎｍとされると、上層側第１層間絶縁膜３９ｂに殆ど鬆４２が入っていないことが分かる。このことから、上層側第１層間絶縁膜３９ｂの膜厚が３５ｎｍ以上とされると、下層側第１層間絶縁膜３９ａに対するカバレッジが良好なものとなって、十分な防湿性が担保される、と言える。以上のように比較実験２，３の実験結果から、上層側第１層間絶縁膜３９ｂの膜厚は、３５ｎｍ〜７５ｎｍの範囲とされることが、脱離水素量を抑制し且つ十分な防湿性を確保する観点から好適である、と言える。
【００５９】
以上説明したように本実施形態の液晶パネル（表示装置）１１は、画像を表示可能とされ且つ中央側に配される表示部ＡＡ、及び表示部ＡＡを取り囲む形で外周側に配される非表示部ＮＡＡを有するアレイ基板（基板）１１ｂと、表示部ＡＡに配される表示部用ＴＦＴ（表示部用トランジスタ）１７と、非表示部ＮＡＡに配される非表示部用ＴＦＴ（非表示部用トランジスタ）２９と、非表示部用ＴＦＴ２９を構成する第２ゲート電極部（ゲート電極部）２９ａと、非表示部用ＴＦＴ２９を構成し、少なくとも一部が第２ゲート電極部２９ａと平面に視て重畳する酸化物半導体膜３６からなる第２チャネル部２９ｄと、非表示部用ＴＦＴ２９を構成し、少なくとも一部が酸化物半導体膜３６からなる第２チャネル部２９ｄ上に積層されるとともに酸化物半導体膜３６からなる第２チャネル部２９ｄに接続される第２ソース電極部（ソース電極部）２９ｂと、非表示部用ＴＦＴ２９を構成し、少なくとも一部が酸化物半導体膜３６からなる第２チャネル部２９ｄ上に積層されるとともに第２ソース電極部２９ｂとの間に間隔を空けつつ酸化物半導体膜３６からなる第２チャネル部２９ｄに接続される第２ドレイン電極部（ドレイン電極部）２９ｃと、少なくとも第２ソース電極部２９ｂ及び第２ドレイン電極部２９ｃ上に積層される第１層間絶縁膜（絶縁膜）３９であって、相対的に下層側に配されて少なくとも珪素及び酸素を含有する下層側第１層間絶縁膜（下層側絶縁膜）３９ａと、相対的に上層側に配されて少なくとも珪素及び窒素を含有するとともに膜厚が３５ｎｍ〜７５ｎｍの範囲とされる上層側第１層間絶縁膜（上層側絶縁膜）３９ｂとの積層構造とされる第１層間絶縁膜３９と、を備える。
【００６０】
このようにすれば、非表示部用ＴＦＴ２９は、第２ゲート電極部２９ａに電圧が印加されると、酸化物半導体膜３６からなる第２チャネル部２９ｄを介して第２ソース電極部２９ｂと第２ドレイン電極部２９ｃとの間に電流が流される。この酸化物半導体膜３６からなる第２チャネル部２９ｄは、例えばアモルファスシリコン薄膜などに比べると、電子移動度が高くなっているので、第２ソース電極部２９ｂと第２ドレイン電極部２９ｃとの間に大きな電流を流す上で好適である。
【００６１】
ところで、アレイ基板１１ｂにおいて中央側の表示部ＡＡを取り囲む形で外周側に非表示部ＮＡＡが配される構成では、非表示部ＮＡＡに配される非表示部用ＴＦＴ２９は、表示部ＡＡに配される表示部用ＴＦＴ１７に比べると、外部に存在する水分の影響を受け易くなっている。仮に、非表示部用ＴＦＴ２９を構成する酸化物半導体膜３６からなる第２チャネル部２９ｄに外部の水分が取り込まれて劣化が生じると、酸化物半導体膜３６からなる第２チャネル部２９ｄの電気的な特性が変化してしまい、非表示部用ＴＦＴ２９が正常に動作しなくなるおそれがある。
【００６２】
その点、少なくとも第２ソース電極部２９ｂ及び第２ドレイン電極部２９ｃ上に積層される第１層間絶縁膜３９は、相対的に下層側に配されて少なくとも珪素及び酸素を含有する下層側第１層間絶縁膜３９ａと、相対的に上層側に配されて少なくとも珪素及び窒素を含有する上層側第１層間絶縁膜３９ｂとの積層構造とされているから、上層側第１層間絶縁膜３９ｂにより外部の水分が酸化物半導体膜３６からなる第２チャネル部２９ｄにまで到達し難くなるのに加え、仮に上層側第１層間絶縁膜３９ｂが成膜時に水素を含有していて上層側第１層間絶縁膜３９ｂから水素が脱離した場合でも下層側第１層間絶縁膜３９ａにより上層側第１層間絶縁膜３９ｂから脱離した水素が酸化物半導体膜３６からなる第２チャネル部２９ｄにまで到達し難くなる。これにより、酸化物半導体膜３６からなる第２チャネル部２９ｄが水分や水素を取り込むのに起因する劣化が生じ難くなり、その電気的な特性が変化し難くなり、もって非表示部用ＴＦＴ２９に動作不良が生じ難くなる。
【００６３】
ところで、仮に、上層側第１層間絶縁膜３９ｂの膜厚が７５ｎｍを上回ると、上層側第１層間絶縁膜３９ｂを成膜する際に上層側第１層間絶縁膜３９ｂ中に含有される水素の含有量が多くなるとともに上層側第１層間絶縁膜３９ｂから脱離する水素の脱離量も多くなる傾向にあるため、酸化物半導体膜３６からなる第２チャネル部２９ｄが上層側第１層間絶縁膜３９ｂから脱離した水素によって劣化して電気的な特性が変化し易くなるおそれがある。一方、仮に、上層側第１層間絶縁膜３９ｂの膜厚が３５ｎｍを下回ると、下層側第１層間絶縁膜３９ａに対するカバレッジが悪化して鬆（隙間）４２が入り易くなるため、防湿性が低下してしまい、酸化物半導体膜３６からなる第２チャネル部２９ｄに水分が取り込まれ易くなるおそれがある。その点、上層側第１層間絶縁膜３９ｂの膜厚を３５ｎｍ〜７５ｎｍの範囲とすることで、上層側第１層間絶縁膜３９ｂからの水素の脱離量が少なくなるとともに、上層側第１層間絶縁膜３９ｂの防湿性が十分に確保されるので、酸化物半導体膜３６からなる第２チャネル部２９ｄの電気的な特性が変化し難くなり、もって非表示部用ＴＦＴ２９に動作不良が生じ難くなる。また、上層側第１層間絶縁膜３９ｂの防湿性が十分に保たれることにより、第２ソース電極部２９ｂ及び第２ドレイン電極部２９ｃが水分によって腐食され難くなる。
【００６４】
また、第１層間絶縁膜３９を構成する上層側第１層間絶縁膜３９ｂは、屈折率が１．５〜１．９の範囲とされる。まず、上層側第１層間絶縁膜３９ｂは、屈折率が組成に応じて変化し得るものとされており、具体的には窒素の含有量が少なくなると屈折率の値が小さくなるのに対し、窒素の含有量が多くなると屈折率の値が大きくなる傾向とされる。ここで、仮に、上層側第１層間絶縁膜３９ｂの屈折率が１．５以下とされる場合には、窒素の含有量が少ないため、防湿性が低下して水を透過し易くなり、酸化物半導体膜３６からなる第２チャネル部２９ｄに水分が取り込まれ易くなるとともに酸化物半導体膜３６からなる第２チャネル部２９ｄの電気的な特性に悪影響が及ぶおそれがある。一方、仮に、上層側第１層間絶縁膜３９ｂの屈折率が１．９以上とされる場合には、窒素の含有量が多くなるため、汎用的な製造設備での成膜が困難になるおそれがある。従って、上層側第１層間絶縁膜３９ｂの屈折率を１．５〜１．９の範囲とすることで、十分な防湿性を確保することができて酸化物半導体膜３６からなる第２チャネル部２９ｄの電気的な特性が変化し難くなるとともに、汎用的な製造設備によって容易に成膜することが可能とされる。
【００６５】
また、第１層間絶縁膜３９を構成する上層側第１層間絶縁膜３９ｂは、屈折率が１．５〜１．７２の範囲とされる。上層側第１層間絶縁膜３９ｂは、窒素の含有量が多くなるのに伴い、成膜時に上層側第１層間絶縁膜３９ｂ中に含有される水素の含有量が多くなる傾向とされる。その点、上層側第１層間絶縁膜３９ｂにおける屈折率の上限値が１．７２とされることで、上層側第１層間絶縁膜３９ｂ中に含有される水素の量がより少なくなるので、上層側第１層間絶縁膜３９ｂから脱離する水素の脱離量も少なくなり、もって上層側第１層間絶縁膜３９ｂから脱離した水素によって酸化物半導体膜３６からなる第２チャネル部２９ｄの電気的な特性が変化し難くなる。
【００６６】
また、アレイ基板１１ｂと対向状をなすＣＦ基板（対向基板）１１ａと、アレイ基板１１ｂとＣＦ基板１１ａとの間に挟持される液晶層（液晶）１１ｃと、アレイ基板１１ｂとＣＦ基板１１ａとの間に介在するとともに液晶層１１ｃを取り囲む形で配されて液晶層１１ｃを封止するシール部１１ｊと、を備えており、非表示部用ＴＦＴ２９は、表示部用ＴＦＴ１７に比べてシール部１１ｊの近くに配されている。このようにすれば、アレイ基板１１ｂとＣＦ基板１１ａとの間に挟持される液晶層１１ｃは、アレイ基板１１ｂとＣＦ基板１１ａとの間に介在するとともに液晶層１１ｃを取り囲む形で配されるシール部１１ｊによって封止される。非表示部用ＴＦＴ２９は、表示部用ＴＦＴ１７よりもシール部１１ｊに近くに配されているため、外部の水分がシール部１１ｊを透過した場合、その水分の影響を受け易くなっているものの、上記したように第１層間絶縁膜３９が上層側第１層間絶縁膜３９ｂと下層側第１層間絶縁膜３９ａとの積層構造とされるとともに上層側第１層間絶縁膜３９ｂの膜厚が３５ｎｍ〜７５ｎｍの範囲とされることで、シール部１１ｊを透過した水分が非表示部用ＴＦＴ２９を構成する酸化物半導体膜３６からなる第２チャネル部２９ｄに取り込まれ難くなっており、もって非表示部用ＴＦＴ２９に動作不良が生じ難くなる。
【００６７】
また、酸化物半導体膜３６からなる第２チャネル部２９ｄは、第２ドレイン電極部２９ｃが接続される位置から第２ソース電極部２９ｂ側とは反対側に向けて延出するとともに、少なくともその一部が第２ゲート電極部２９ａとは平面に視て非重畳とされる第２延出部（延出部）２９ｄ１を有している。このように、酸化物半導体膜３６からなる第２チャネル部２９ｄは、第２ドレイン電極部２９ｃが接続される位置から第２ソース電極部２９ｂ側とは反対側に向けて延出する第２延出部２９ｄ１を有しており、この第２延出部２９ｄ１の少なくとも一部が第２ゲート電極部２９ａとは平面に視て非重畳とされると、この第２延出部２９ｄ１における非重畳部位は、外部光が第２ゲート電極部２９ａによって遮光され難いため、外部光の照射を受け易くなっており、それにより電気的な特性が劣化するおそれがある。具体的には、酸化物半導体膜３６からなる第２チャネル部２９ｄは、光のエネルギーを受けると、電荷の移動のし易さに影響が出易くなる性質を有しており、非表示部用ＴＦＴ２９を動作させる際に上記した第２延出部２９ｄ１における非重畳部位に電荷が滞留し易くなる、という問題が生じる可能性がある。この問題に加えて、水分や水素が酸化物半導体膜３６からなる第２チャネル部２９ｄに取り込まれて電気的な特性が変化する、という問題が生じると、非表示部用ＴＦＴ２９に動作不良がより生じ易くなるものの、上記したように第１層間絶縁膜３９が上層側第１層間絶縁膜３９ｂと下層側第１層間絶縁膜３９ａとの積層構造とされるとともに上層側第１層間絶縁膜３９ｂの膜厚が３５ｎｍ〜７５ｎｍの範囲とされることで、水分や水素が酸化物半導体膜３６からなる第２チャネル部２９ｄに取り込まれ難くなっているので、非表示部用ＴＦＴ２９に動作不良が生じ難くなる。
【００６８】
また、第２ソース電極部２９ｂ及び第２ドレイン電極部２９ｃと酸化物半導体膜３６からなる第２チャネル部２９ｄとの間に介在する形で配され、第２ソース電極部２９ｂ及び第２ドレイン電極部２９ｃと平面に視て重畳する位置にそれぞれ形成されて第２ソース電極部２９ｂ及び第２ドレイン電極部２９ｃと酸化物半導体膜３６からなる第２チャネル部２９ｄとをそれぞれ接続する一対の第２開口部（開口部）２９ｅ１，２９ｅ２を有するとともに、酸化物半導体膜３６からなる第２チャネル部２９ｄを保護する保護膜３７からなる第２保護部２９ｅを備えている。このようにすれば、製造過程において第２ソース電極部２９ｂ及び第２ドレイン電極部２９ｃを形成するためにエッチングが行われた場合でも、酸化物半導体膜３６からなる第２チャネル部２９ｄは、その上層側に配された保護膜３７からなる第２保護部２９ｅによってエッチングから保護される。製造後においても、酸化物半導体膜３６からなる第２チャネル部２９ｄが保護膜３７からなる第２保護部２９ｅによって保護されることで、水素などが酸化物半導体膜３６からなる第２チャネル部２９ｄにより取り込まれ難くなり、もって非表示部用ＴＦＴ２９に動作不良が生じ難くなる。また、保護膜３７からなる第２保護部２９ｅには、第２ソース電極部２９ｂ及び第２ドレイン電極部２９ｃと平面に視て重畳する位置に一対の第２開口部２９ｅ１，２９ｅ２が形成されているので、これらの開口部を通して第２ソース電極部２９ｂ及び第２ドレイン電極部２９ｃと酸化物半導体膜３６からなる第２チャネル部２９ｄとの接続が図られている。
【００６９】
また、保護膜３７からなる第２保護部２９ｅは、少なくとも珪素及び酸素を含有している。このように、保護膜３７からなる第２保護部２９ｅが少なくとも珪素及び酸素を含有する構成とされることで、保護膜３７から脱離し得る水素の量が少なくなるので、酸化物半導体膜３６からなる第２チャネル部２９ｄに水素が取り込まれ難くなり、もって非表示部用ＴＦＴ２９により動作不良が生じ難くなる。
【００７０】
また、酸化物半導体膜３６からなる第２チャネル部２９ｄは、少なくともインジウム、ガリウム及び亜鉛を含有している。このように、少なくともインジウム、ガリウム及び亜鉛を含有する酸化物半導体膜３６からなる第２チャネル部２９ｄは、水分や水素によって劣化がより生じ易い性質を有しているものの、上記したように第１層間絶縁膜３９が上層側第１層間絶縁膜３９ｂと下層側第１層間絶縁膜３９ａとの積層構造とされるとともに上層側第１層間絶縁膜３９ｂの膜厚が３５ｎｍ〜７５ｎｍの範囲とされることで、酸化物半導体膜３６からなる第２チャネル部２９ｄに水分や水素が取り込まれる事態が生じ難くなっており、もって非表示部用ＴＦＴ２９に動作不良が生じ難くなる。
【００７１】
また、表示部ＡＡに配され、表示部用ＴＦＴ１７に接続されることで表示部用ＴＦＴ１７に対して走査信号を伝送するゲート配線（走査信号線）１９と、非表示部ＮＡＡに配され、ゲート配線１９に接続されるとともに走査信号を供給するバッファ回路部２６と、を備えており、非表示部用ＴＦＴ２９は、バッファ回路部２６を構成している。このようにすれば、バッファ回路部２６を構成する非表示部用ＴＦＴ２９では、第２ソース電極部２９ｂと第２ドレイン電極部２９ｃとの間を流れる電流量が、表示部用ＴＦＴ１７に比べてより大きくなる傾向にあるため、非表示部用ＴＦＴ２９の酸化物半導体膜３６からなる第２チャネル部２９ｄが水分や水素を取り込むのに起因して劣化が生じて電気的な特性が変化すると、正常に作動しなくなる可能性がより高くなっている。ところが、上記したように第１層間絶縁膜３９が上層側第１層間絶縁膜３９ｂと下層側第１層間絶縁膜３９ａとの積層構造とされるとともに上層側第１層間絶縁膜３９ｂの膜厚が３５ｎｍ〜７５ｎｍの範囲とされることで、酸化物半導体膜３６からなる第２チャネル部２９ｄに水分や水素が取り込まれる事態が生じ難くなっており、もってバッファ回路部２６を構成する非表示部用ＴＦＴ２９に動作不良が生じ難くなる。
【００７２】
また、第２ソース電極部２９ｂ及び第２ドレイン電極部２９ｃは、少なくとも銅を含有している。このように、第２ソース電極部２９ｂ及び第２ドレイン電極部２９ｃが銅を含有していると、例えばアルミニウムを含有する場合に比べると、導電性が良好なものとされる反面、水分により腐食され易い。その点、上記したように第１層間絶縁膜３９が上層側第１層間絶縁膜３９ｂと下層側第１層間絶縁膜３９ａとの積層構造とされるとともに上層側第１層間絶縁膜３９ｂの膜厚が３５ｎｍ〜７５ｎｍの範囲とされることで、外部の水分が第１層間絶縁膜３９を透過して第２ソース電極部２９ｂ及び第２ドレイン電極部２９ｃに到達し難くなり、もって第２ソース電極部２９ｂ及び第２ドレイン電極部２９ｃが水分によって腐食され難くなる。
【００７３】
＜実施形態２＞
本発明の実施形態２を図１５または図１６によって説明する。この実施形態２では、共通電極部１２２をＣＦ基板１１１ａ側に配置した構成のものを示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。
【００７４】
本実施形態に係る液晶パネル１１１は、図１５に示すように、共通電極部１２２が表示部用ＴＦＴ１１７などを有するアレイ基板１１１ｂ側ではなく、ＣＦ基板１１１ａ側に配置されており、動作モードがＶＡ（Vertical Alignment：垂直配向）モードとされている。共通電極部１２２は、カラーフィルタ１１１ｈ及び遮光層１１１ｉと配向膜１１１ｄとの間に介在する形で配されており、ＣＦ基板１１１ａのほぼ全面にわたるベタ状のパターンとされる。アレイ基板１１１ｂにおいては、図１６に示すように、共通電極部１２２が除去されていてそれに伴って第２層間絶縁膜が除去されており、有機絶縁膜１４０の上層側に第２透明電極膜１２４（画素電極部１１８）が直接積層される構成とされている。このような構成であっても、上記した実施形態１に記載したものと概ね同様の作用及び効果を得ることができる。
【００７５】
＜実施形態３＞
本発明の実施形態３を図１７から図１９によって説明する。この実施形態３では、各ＴＦＴ２１７，２２９における各ゲート電極部２１７ａ，２２９ａの平面配置を変更したものを示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。
【００７６】
表示部用ＴＦＴ２１７を構成する第１ゲート電極部２１７ａは、図１７及び図１８に示すように、ゲート配線２１９から分岐することなく、一体に形成されている。つまり、表示部用ＴＦＴ２１７は、その全体がゲート配線２１９上に載る形で配されている。従って、表示部用ＴＦＴ２１７を構成する第１チャネル部２１７ｄは、その全域にわたって第１ゲート電極部２１７ａ（ゲート配線２１９）に対して平面に視て重畳する配置とされる。同様に、非表示部用ＴＦＴ２２９を構成する第２ゲート電極部２２９ａは、図１７及び図１９に示すように、ゲート配線２１９から分岐することなく、一体に形成されている。つまり、非表示部用ＴＦＴ２２９は、その全体がゲート配線２１９上に載る形で配されている。従って、非表示部用ＴＦＴ２２９を構成する第２チャネル部２２９ｄは、その全域にわたって第２ゲート電極部２２９ａ（ゲート配線２１９）に対して平面に視て重畳する配置とされる。このようにすれば、図示しないバックライト装置からの光が、各ゲート電極部２１７ａ，２２９ａによって良好に遮光されて酸化物半導体膜２３６からなる各チャネル部２１７ｄ，２２９ｄに照射され難くなる。これにより、各チャネル部２１７ｄ，２２９ｄの電気的な特性が変化し難くなるので、各ＴＦＴ２１７，２２９に動作不良がより生じ難くなる。このような構成であっても、上記した実施形態１に記載したものと概ね同様の作用及び効果を得ることができる。
【００７７】
＜他の実施形態＞
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
（１）上記した各実施形態では、上層側第１層間絶縁膜における屈折率の数値範囲を１．５〜１．９とするものを示したが、例えば、生産技術の進展に伴い、屈折率が１．９以上とされる組成の上層側第１層間絶縁膜を汎用的な製造装置によって製造が可能となった場合には、上層側第１層間絶縁膜における屈折率の上限値を１．９以上に変更することが可能である。
【００７８】
（２）上記した各実施形態では、上層側第１層間絶縁膜を成膜するにあたり、シラン（ＳｉＨ４）とアンモニア（ＮＨ３）との混合ガスを用いた場合を例示したが、それ以外の物質を用いることも可能である。例えば、上層側第１層間絶縁膜を成膜するにあたり、シラン（ＳｉＨ４）と窒素（Ｎ２）との混合ガスを用いることが可能である。また、シランに代えてジクロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）を用いることも可能である。また、シランとアンモニアと窒素との混合ガスを用いて上層側第１層間絶縁膜を成膜することも可能である。
【００７９】
（３）上記した各実施形態では、非表示部に配される非表示部用ＴＦＴとして、走査回路において行われる信号処理の最終段において走査信号を出力するためのものを例示したが、それ以外の機能を担う非表示部用ＴＦＴについても本発明を適用することが可能である。
【００８０】
（４）非表示部には、バッファ回路部を構成する非表示部用ＴＦＴ以外にも、様々な機能を担う非表示部用ＴＦＴが設けられているが、そのような非表示部用ＴＦＴの全てについて、上層側第１層間絶縁膜の膜厚及び屈折率を上記した数値範囲に限定する必要はない。つまり、上層側第１層間絶縁膜の膜厚及び屈折率が上記した数値範囲に入る非表示部用ＴＦＴと、上記した数値範囲に入らない非表示部用ＴＦＴとが混在する構成であっても構わない。
【００８１】
（５）上記した各実施形態では、表示部用ＴＦＴ及び非表示部用ＴＦＴを構成する上層側第１層間絶縁膜の膜厚及び屈折率が上記した数値範囲に入る構成について示したが、表示部用ＴＦＴを構成する上層側第１層間絶縁膜の膜厚及び屈折率が上記した数値範囲に入らない構成とすることも可能である。
【００８２】
（６）上記した各実施形態では、非表示部に配される行制御回路部が有する非表示部用ＴＦＴについて例示したが、非表示部に配される列制御回路部が有する非表示部用ＴＦＴについても本発明は同様に適用可能である。
【００８３】
（７）上記した各実施形態以外にも、アレイ基板における行制御回路部の配置及び設置数は適宜に変更可能である。例えば、行制御回路部がアレイ基板における表示部に対して図５に示す右側に隣り合う配置とされるものや、行制御回路部がアレイ基板において表示部を左右に挟んだ位置に一対配置されるものも本発明に含まれる。
【００８４】
（８）上記した各実施形態以外にも、ゲート絶縁膜、保護膜、有機絶縁膜、及び第２層間絶縁膜における具体的な材料については、それぞれ適宜に変更することが可能である。
【００８５】
（９）上記した各実施形態では、ゲート絶縁膜が単層膜とされるものを示したが、異なる材料からなる膜を積層することも可能である。例えば、ゲート絶縁膜を、例えば窒化珪素（ＳｉＮｘ）からなる下層側ゲート絶縁膜と、酸化珪素（ＳｉＯ２）からなる上層側ゲート絶縁膜との積層構造、つまり第１層間絶縁膜とは上下の積層順を逆転させたような積層構造とすることが可能である。
【００８６】
（１０）上記した各実施形態では、酸化物半導体膜をインジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物薄膜とした場合を示したが、他の種類の酸化物半導体材料を用いることも可能である。具体的には、インジウム（Ｉｎ）、シリコン（Ｓｉ）及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物、錫（Ｓｎ）、シリコン（Ｓｉ）及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物、錫（Ｓｎ）、アルミニウム（Ａｌ）及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物、錫（Ｓｎ）、ガリウム（Ｇａ）及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物、ガリウム（Ｇａ）、シリコン（Ｓｉ）及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物、ガリウム（Ｇａ）、アルミニウム（Ａｌ）及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物、インジウム（Ｉｎ）、銅（Ｃｕ）及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物、錫（Ｓｎ）、銅（Ｃｕ）及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物などを用いることができる。
【００８７】
（１１）上記した各実施形態では、表示部用トランジスタにおいてコンタクトホールを形成するに際して、開口部を形成した第２層間絶縁膜をレジストとして用いて第１層間絶縁膜及び有機絶縁膜をエッチングするようにした場合を示したが、例えば第１層間絶縁膜、有機絶縁膜及び第２層間絶縁膜を成膜する際にそれぞれに別途に開口部をパターニングするようにしても構わない。また、コンタクトホールの平面配置は適宜に変更可能である。
【００８８】
（１２）上記した各実施形態では、動作モードがＦＦＳモードまたはＶＡモードとされた液晶パネルについて例示したが、それ以外にもＩＰＳ（In-Plane Switching）モードなどの他の動作モードとされた液晶パネルについても本発明は適用可能である。
【００８９】
（１３）上記した各実施形態では、液晶パネルにおいて表示部が短辺方向については中央に配されるものの長辺方向についての一方の端部側に片寄った配置とされたものを示したが、液晶パネルにおいて表示部が長辺方向については中央に配されるものの短辺方向について一方の端部側に片寄った配置とされるものも本発明に含まれる。また、液晶パネルにおいて表示部が長辺方向及び短辺方向についてそれぞれ一方の端部側に片寄った配置とされるものも本発明に含まれる。逆に、液晶パネルにおいて表示部が長辺方向及び短辺方向について中央に配置されるものも本発明に含まれる。
【００９０】
（１４）上記した各実施形態では、第２金属膜がチタン（Ｔｉ）及び銅（Ｃｕ）の積層膜により形成される場合を示したが、例えばチタンに代えてモリブデン（Ｍｏ）、窒化モリブデン（ＭｏＮ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、タングステン（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリブデン−チタン合金（ＭｏＴｉ）、モリブデン−タングステン合金（ＭｏＷ）などを用いることも可能である。また、銅に代えてアルミニウム（Ａｌ）などを用いることも可能である。それ以外にも、チタン、銅、アルミニウムなどの単層の金属膜を用いることも可能である。 
【００９１】
（１５）上記した各実施形態では、ドライバをアレイ基板上に直接ＣＯＧ実装したものを示したが、アレイ基板に対してＡＣＦを介して接続したフレキシブル基板上にドライバを実装するようにしたものも本発明に含まれる。
【００９２】
（１６）上記した各実施形態では、アレイ基板の非表示部に列制御回路部及び行制御回路部を設けるようにした場合を示したが、列制御回路部と行制御回路部とのいずれかを省略し、その機能をドライバに担わせることも可能である。
【００９３】
（１７）上記した各実施形態では、縦長な方形状をなす液晶パネルを例示したが、横長な方形状をなす液晶パネルや正方形状をなす液晶パネルにも本発明は適用可能である。
【００９４】
（１８）上記した各実施形態に記載した液晶パネルに対して、タッチパネルや視差バリアパネル（スイッチ液晶パネル）などの機能性パネルを積層する形で取り付けるようにしたものも本発明に含まれる。また、液晶パネルに直接タッチパネルパターンを形成するようにしたものも本発明に含まれる。
【００９５】
（１９）上記した各実施形態では、液晶表示装置が備えるバックライト装置としてエッジライト型のものを例示したが、直下型のバックライト装置を用いるようにしたものも本発明に含まれる。
【００９６】
（２０）上記した各実施形態では、外部光源であるバックライト装置を備えた透過型の液晶表示装置を例示したが、本発明は、外光を利用して表示を行う反射型液晶表示装置にも適用可能であり、その場合はバックライト装置を省略することができる。
【００９７】
（２１）上記した各実施形態では、液晶表示装置のスイッチング素子としてＴＦＴを用いたが、ＴＦＴ以外のスイッチング素子（例えば薄膜ダイオード（ＴＦＤ））を用いた液晶表示装置にも適用可能であり、またカラー表示する液晶表示装置以外にも、白黒表示する液晶表示装置にも適用可能である。
【００９８】
（２２）上記した各実施形態では、表示パネルとして液晶パネルを用いた液晶表示装置を例示したが、他の種類の表示パネル（ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）や有機ＥＬパネルなど）を用いた表示装置にも本発明は適用可能である。その場合、バックライト装置を省略することが可能である。
【００９９】
（２３）上記した各実施形態では、小型または中小型に分類され、携帯型情報端末、携帯電話、ノートパソコン、デジタルフォトフレーム、携帯型ゲーム機、電子インクペーパなどの各種電子機器などに用いされる液晶パネルを例示したが、画面サイズが例えば２０インチ〜９０インチで、中型または大型（超大型）に分類される液晶パネルにも本発明は適用可能である。その場合、液晶パネルをテレビ受信装置、電子看板（デジタルサイネージ）、電子黒板などの電子機器に用いることが可能とされる。
【０１００】
（２４）上記した実施形態１，２では、表示部用ＴＦＴを構成する第１チャネル部が第１ゲート電極部に対して平面に視て非重畳となる第１延出部を有するとともに、非表示部用ＴＦＴを構成する第２チャネル部が第２ゲート電極部に対して平面に視て非重畳となる第２延出部を有する構成を示したが、表示部用ＴＦＴの第１チャネル部については実施形態１，２と同様の配置構成とした上で、非表示部用ＴＦＴについては第２チャネル部の全域が第２ゲート電極部に対して平面に視て重畳する配置構成（上記した実施形態３と同様の配置構成）とすることが可能である。逆に、非表示部用ＴＦＴの第２チャネル部については実施形態１，２と同様の配置構成とした上で、表示部用ＴＦＴについては第１チャネル部の全域が第１ゲート電極部に対して平面に視て重畳する配置構成（上記した実施形態３と同様の配置構成）とすることが可能である。
【０１０１】
（２５）上記した実施形態１，２では、各ＴＦＴにおいて各ゲート電極部がゲート配線から分岐される構造とされるとともに、各チャネル部が各ゲート電極部に対して平面に視て非重畳となる各延出部を有する構成とされるものを示したが、ゲート配線から分岐される構造の各ゲート電極部に対して各チャネル部の全域がそれぞれ平面に視て重畳する配置構成を採ることも可能である。この配置構成は、表示部用ＴＦＴと非表示部用ＴＦＴとのいずれか一方のみまたは両方に適用することが可能である。さらには、上記配置構成を表示部用ＴＦＴと非表示部用ＴＦＴとのいずれか一方にのみ適用した場合、非適用とされた側のＴＦＴの配置構成を上記した実施形態１，２と同様にすることが可能である。
【０１０２】
（２６）上記した各実施形態では、第１金属膜が銅（Ｃｕ）の単層膜とされる場合を示したが、銅に代えてチタン（Ｔｉ）やアルミニウム（Ａｌ）などを用いることも可能である。また、第１金属膜を第２金属膜と同様にチタン（Ｔｉ）及び銅（Ｃｕ）などの積層膜とすることも可能である。第１金属膜を積層膜とした場合、下層側のチタンに代えて例えばモリブデン（Ｍｏ）、窒化モリブデン（ＭｏＮ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、タングステン（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリブデン−チタン合金（ＭｏＴｉ）、モリブデン−タングステン合金（ＭｏＷ）などを用いることも可能である。
【符号の説明】
【０１０３】
１１，１１１…液晶パネル（表示装置）、１１ａ，１１１ａ…ＣＦ基板（対向基板）、１１ｂ，１１１ｂ…アレイ基板（基板）、１１ｃ…液晶層（液晶）、１１ｊ…シール部、１７，１１７，２１７…表示部用ＴＦＴ（表示部用トランジスタ）、１９，２１９…ゲート配線（走査信号線）、２６…バッファ回路部、２９，２２９…非表示部用ＴＦＴ（非表示部用トランジスタ）、２９ａ，２２９ａ…第２ゲート電極部（ゲート電極部）、２９ｂ…第２ソース電極部（ソース電極部）、２９ｃ…第２ドレイン電極部（ドレイン電極部）、２９ｄ，２２９ｄ…第２チャネル部（酸化物半導体層）、２９ｄ１…第２延出部（延出部）、２９ｅ…第２保護部（保護膜）、２９ｅ１，２９ｅ２…第２開口部（開口部）、３４…第１金属膜（ゲート電極部）、３６…酸化物半導体層、３７…保護膜、３８…第２金属膜（ソース電極部、ドレイン電極部）、３９…第１層間絶縁膜（絶縁膜）、３９ａ…下層側第１層間絶縁膜（下層側絶縁膜）、３９ｂ…上層側第１層間絶縁膜（上層側絶縁膜）、ＡＡ…表示部、ＮＡＡ…非表示部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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