(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換部と、
前記光電変換部に接続される第１および第２電極と、を有し、
前記第１および第２電極のうち少なくとも一つは、複数のフィンガ電極と、前記複数のフィンガ電極と交差する方向に形成される少なくとも一つのバスバー電極と、を有し、
前記バスバー電極は、メインバスバーと、前記メインバスバーと離隔空間を置いて隣接して形成される補助バスバーと、を有し、
前記離隔空間の幅が、前記複数のフィンガ電極のピッチより小さく、
前記フィンガ電極の幅対前記補助バスバーの幅の比率が、１：１〜１：１．５であり、
前記メインバスバーの一側の縁における前記メインバスバーの幅は、前記メインバスバーの中間領域における前記メインバスバーの幅より小さく、
開口部が前記メインバスバーの幅方向に複数個配置されて、前記メインバスバーが、前記複数の開口部を挟んで位置する複数のメイン電極部を有し、
前記複数のメイン電極部のうち両側外郭に位置する第１メイン電極部の幅および厚さのそれぞれは、前記第１メイン電極部間に位置する第２メイン電極部の幅および厚さのそれぞれより大きい、太陽電池。
【請求項２】
前記複数のフィンガ電極の前記ピッチ対前記離隔空間の幅の比率が、１：０．００２５〜１：１である、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項３】
前記バスバー電極の幅対前記離隔空間の幅の比率が、１：０．２〜１：０．４である、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項４】
前記バスバー電極に接続されるリボンをさらに有し、
前記リボンの幅が、前記バスバー電極の幅以下であり、
前記リボンの幅が、前記メインバスバーの幅以上である、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項５】
前記補助バスバーは、前記メインバスバーの外郭に前記メインバスバーを挟んで互いに反対側に位置する２つの補助バスバーを有し、
前記リボンの幅対前記２つの補助バスバーの外側縁間の距離である前記バスバー電極の幅の比率が、１：１〜１：３である、請求項４に記載の太陽電池。
【請求項６】
前記第１および第２電極のうち前記第１電極が、前記複数のフィンガ電極と、前記メインバスバーおよび前記補助バスバーを有する前記バスバー電極と、を有し、
前記第１電極が、前記太陽電池の前面に位置する前面電極である、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項７】
前記第１および第２電極のうち前記第１電極が、前記複数のフィンガ電極と、前記メインバスバーおよび前記補助バスバーを有する前記バスバー電極と、を有し、
前記光電変換部は、ベース領域を有する半導体基板と、前記半導体基板に形成されるエミッタ領域と、を有し、
前記ベース領域がｐ型であり、前記エミッタ領域がｎ型であり、
前記第１電極が前記エミッタ領域に接続される、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項８】
前記第２電極に接続される他のリボンをさらに有し、
前記第２電極は、前記リボンが接続された部分に形成されるパッド部と、前記パッド部を除外した部分に全体的に形成される電極部と、を有する、請求項７に記載の太陽電池。
【請求項９】
前記複数のメイン電極部を前記複数のメイン電極部の長手方向と交差する方向に接続する少なくとも一つのブリッジ電極部を有する、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項１０】
前記第１および第２電極のうち前記第２電極が、前記複数のフィンガ電極と、前記メインバスバーおよび前記補助バスバーを有する前記バスバー電極と、を有し、
前記第２電極が、前記太陽電池の後面に位置する後面電極である、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項１１】
前記第１および第２電極のうち前記第２電極が、前記複数のフィンガ電極と、前記メインバスバーおよび前記補助バスバーを有する前記バスバー電極と、を有し、
前記光電変換部は、半導体基板と、前記半導体基板に形成されるエミッタ領域および後面電界領域を有し、
前記後面電界領域がｎ型であり、前記エミッタ領域がｐ型であり、
前記第２電極が前記後面電界領域に接続される、請求項１に記載の太陽電池。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽電池に関し、より詳細には、電極構造を改善した太陽電池に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、石油や石炭などの既存エネルギ資源の枯渇が予想されながら、これらに代わる代替エネルギへの関心が高まっている。その中でも、太陽電池は、太陽光エネルギを電気エネルギに変換する次世代電池として脚光を浴びている。
【０００３】
太陽電池は、設計によって、基板に形成された様々な層、電極などを含む。隣り合う太陽電池は、バスバー電極に接続されるリボンによって互いに電気的に接続される。ところが、アライメント誤差、またはリボンとバスバー電極との幅の差などによって、リボンが付着された部分に隣接してバスバー電極に接続されたフィンガ電極の部分に断線が発生することがある。このように断線が発生すると、断線がある部分でキャリアの移動経路がなくなるため、キャリアが他の経路に移動しなければならない。これによってキャリアの移動経路が長くなり、そのため、太陽電池の効率が低下することがある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、効率を最大化することができる太陽電池を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の実施例に係る太陽電池は、光電変換部と、光電変換部に接続される第１および第２電極と、を有する。第１および第２電極のうち少なくとも一つは、複数のフィンガ電極と、複数のフィンガ電極と交差する方向に形成される少なくとも一つのバスバー電極と、を有する。バスバー電極は、メインバスバーと、メインバスバーと離隔空間を置いて隣接して形成される補助バスバーと、を有する。離隔空間の幅が、複数のフィンガ電極のピッチ以下である。
【発明の効果】
【０００６】
本実施例によれば、フィンガ電極の第１ピッチよりも小さい幅を有するようにメインバスバーに隣接形成される補助バスバーを形成する。これによって、バスバー電極の幅を広く形成してリボンと安定的に接続可能にしながらも、バスバー電極を形成するための材料の量を減少させ、シェーディング損失（シャドウロス、影損失）を最小化することができる。また、上述したように、補助バスバーは、迂回経路を提供して、キャリア収集効率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の一実施例に係る太陽電池を有する太陽電池モジュールの分解斜視図である。
【図２】図１のII−II線に沿って切断した太陽電池モジュールの概略的な断面図である。
【図３】本発明の実施例に係る太陽電池の部分断面図である。
【図４】本発明の実施例に係る太陽電池の前面平面図である。
【図５】本発明の実施例に係る太陽電池の後面平面図である。
【図６】本発明の他の実施例に係る太陽電池の前面平面図の一部を示す図である。
【図７】本発明の更に他の実施例に係る太陽電池の部分断面図である。
【図８】図７に示した太陽電池の部分後面平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下では、添付の図面を参照して、本発明の実施例を詳細に説明する。しかし、本発明はこれらの実施例に限定されるものではなく、様々な形態に変形可能であることは勿論である。
【０００９】
図面では、本発明を明確かつ簡略に説明するために、説明と関係のない部分の図示を省略し、明細書全体において、同一または極めて類似性の高い部分に対しては同一の図面参照符号を使用する。そして、図面では、説明をより明確にするために、厚さ、幅などを拡大または縮小して示しており、本発明の厚さ、幅などは図面に示したものに限定されない。
【００１０】
そして、明細書全体において、ある部分が他の部分を「有する」とするとき、特に反対の記載がない限り、他の部分を排除するのではなく、他の部分をさらに有することができる。また、層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「上に」あるとするとき、これは、他の部分の「直上に」ある場合のみならず、その中間に他の部分が位置する場合も含む。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「直上に」あるとするときは、中間に他の部分が位置しないことを意味する。
【００１１】
図１は、本発明の一実施例に係る太陽電池を有する太陽電池モジュールの分解斜視図であり、図２は、図１のII−II線に沿って切断した太陽電池モジュールの概略的な断面図である。
【００１２】
図１および図２を参照すると、本発明の一実施例に係る太陽電池モジュール１００は、太陽電池１５０と、太陽電池１５０の前面上に位置する前面基板２１０と、太陽電池１５０の後面上に位置する後面シート２２０と、を有することができる。また、太陽電池モジュール１００は、太陽電池１５０と前面基板２１０との間の第１密封材１３１と、太陽電池１５０と後面シート２２０との間の第２密封材１３２と、を有することができる。
【００１３】
まず、太陽電池１５０は、太陽エネルギを電気エネルギに変換する半導体素子であって、一例として、シリコン太陽電池（silicon solar cell）、化合物半導体太陽電池（compound semiconductor solar cell）、タンデム型太陽電池（tandem solar cell）、染料感応型太陽電池（dye-sensitized solar cell（色素増感太陽電池））などの様々な構造を有することができる。
【００１４】
このような太陽電池１５０は、リボン１４２を有する。隣り合う太陽電池１５０は、リボン１４２によって電気的に直列、並列または直並列に接続可能である。具体的には、リボン１４２は、太陽電池１５０の前面上に形成された第１電極と、隣接する他の太陽電池１５０の後面上に形成された第２電極と、を接続することができる。すなわち、一つの太陽電池１５０の前面から他の太陽電池１５０の後面まで延びるリボン１４２を配置した後、熱圧着すると、リボン１４２によって２つの太陽電池１５０を接続することができる。
【００１５】
リボン１４２は、電気的特性および物理的特性に優れた様々な物質からなることができる。一例として、リボン１４２は、ソルダリング物質を有することができ、Ｓｎ／Ａｇ／Ｃｕ系、Ｓｎ／Ａｇ／Ｐｂ系、Ｓｎ／Ａｇ系、Ｓｎ／Ｐｂ系物質などを有することができる。または、優れた伝導性の金属物質（一例として、アルミニウム）などを有してもよい。または、リボン１４２は、ソルダリング物質上に酸化防止膜などが積層されて形成されてもよい。しかし、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００１６】
詳細な説明などでは、“リボン１４２”という用語を使用したが、本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、リボン１４２は、ソルダリング物質を有する場合だけでなく、様々な構造によって太陽電池１５０を接続する構造体を全て有することができる。
【００１７】
また、バスリボン１４５は、リボン１４２によって連結された一つの列の両端を交互に接続する。バスリボン１４５は、一つの列をなす太陽電池１５０の端部においてこれと交差する方向に配置することができる。このようなバスリボン１４５は、太陽電池１５０が生産した電気を集め、電気が逆流することを防止するジャンクションボックス（図示せず）と接続される。
【００１８】
第１密封材１３１は、太陽電池１５０の前面に位置し、第２密封材１３２は、太陽電池１５０の後面に位置することができる。第１密封材１３１と第２密封材１３２とはラミネーションにより接着して、太陽電池１５０に悪影響を及ぼし得る水分や酸素を遮断し、太陽電池の各要素が化学的に結合できるようにする。
【００１９】
このような第１密封材１３１および第２密封材１３２は、エチレン酢酸ビニル共重合体樹脂（ＥＶＡ）、ポリビニルブチラール、ケイ素樹脂、エステル系樹脂、オレフィン系樹脂などを使用することができる。しかし、本発明はこれらに限定されるものではない。したがって、第１および第２密封材１３１，１３２は、その他の様々な物質を用いて、ラミネーション以外の他の方法により形成することができる。
【００２０】
前面基板２１０は、太陽光を透過するように第１密封材１３１上に位置し、外部の衝撃などから太陽電池１５０を保護するために強化ガラスであることが好ましい。また、太陽光の反射を防止し、太陽光の透過率を高めるために、鉄分が少し含有された低鉄分強化ガラスであることがより好ましい。
【００２１】
後面シート２２０は、太陽電池１５０の裏面で太陽電池１５０を保護する層であって、防水、絶縁および紫外線遮断の機能をする。後面シート２２０は、ＴＰＴ（Tedlar／PET／Tedlar）タイプであってもよいが、これに限定されるものではない。また、後面シート２２０は、前面基板２１０側から入射した太陽光を反射して再利用できるように、反射率に優れた材質であってもよい。しかし、本発明はこれらに限定されるものではなく、後面シート２２０が、太陽光が入射できる透明材質で形成されて、両面太陽電池モジュール１００を具現することもできる。
【００２２】
本実施例において、複数の太陽電池１５０のうち一つの太陽電池１５０の構造の一例を、図３乃至図５を参照して詳細に説明する。
【００２３】
図３は、本発明の実施例に係る太陽電池の部分断面図である。図４は、本発明の実施例に係る太陽電池の前面平面図であり、図５は、本発明の実施例に係る太陽電池の後面平面図である。ここで、図３は、図４および図５のIII−III線に沿って切断した断面図である。
【００２４】
図３を参照すると、本実施例に係る太陽電池１５０は、半導体基板１１０と、半導体基板１１０に形成される不純物領域２０，３０と、不純物領域２０，３０または半導体基板１１０に電気的に接続される電極２４，３４と、を有することができる。そして、太陽電池１５０は、隣接する太陽電池１５０との接続のために、電極２４，３４に電気的に接続されるリボン１４２を有することができる。ここで、半導体基板１１０および不純物領域２０，３０は、光電変換に寄与する領域であるので、光電変換部と定義することができる。不純物領域２０，３０は、エミッタ領域２０と後面電界領域３０とを有することができ、電極２４，３４は、エミッタ領域２０に電気的に接続される第１電極２４と、後面電界領域３０に電気的に接続される第２電極３４と、を有することができる。そして、半導体基板１１０の前面および／または後面には、反射防止膜２２、パッシベーション膜（図示せず）などを形成することができる。これらについてより詳細に説明する。
【００２５】
半導体基板１１０は、不純物領域２０，３０が形成される領域と、不純物領域２０，３０が形成されない部分であるベース領域１０と、を有する。ベース領域１０は、一例として、第１導電型不純物を有するシリコンを有することができる。シリコンとしては、単結晶シリコンまたは多結晶シリコンを使用することができ、第１導電型不純物は、ｎ型またはｐ型であってもよい。
【００２６】
本実施例では、一例として、第１導電型不純物がｐ型である場合を例に挙げて説明する。このように、ベース領域１０がｐ型を有する場合には、ベース領域１０が、３族元素であるボロン（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）などがドープされた単結晶または多結晶シリコンからなることができる。このように、ベース領域１０がｐ型であれば、後面電界領域３０がｐ型となるので、後面電界領域３０を形成する工程を単純化することができる。これについては以降で再び説明する。
【００２７】
図示していないが、半導体基板１１０の前面および／または後面は、テクスチャリング（texturing）され、ピラミッドなどの形状の凹凸を有することができる。このようなテクスチャリングにより半導体基板１１０の前面などに凹凸が形成されて表面粗さが増加すると、半導体基板１１０の前面などを介して入射する光の反射率を低下させることができる。したがって、半導体基板１１０とエミッタ領域２０との界面に形成されたｐｎ接合まで到達する光量を増加させることができるので、光損失を最小化することができる。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、半導体基板１１０の前面および後面にテクスチャリングによる凹凸が形成されないことも可能である。
【００２８】
半導体基板１１０の前面側には、ベース領域１０の導電型と反対の第２導電型を有するエミッタ領域２０を形成することができる。すなわち、エミッタ領域２０は、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、ビスマス（Ｂｉ）、アンチモン（Ｓｂ）などの５族元素である第２導電型不純物がドープされた単結晶または多結晶シリコンからなることができる。
【００２９】
図面では、エミッタ領域２０が全体的に均一なドーピング濃度を有する均一な構造（homogeneous structure）を有することを例示した。しかし、本発明はこれに限定されるものではない。したがって、他の実施例では、エミッタ領域２０が選択的構造（selective structure）を有することができる。これについては、後で図７を参照してより詳細に説明する。
【００３０】
そして、本実施例では、半導体基板１１０の前面側に第２導電型不純物をドープして形成されたドーピング領域が、エミッタ領域２０を構成する。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、エミッタ領域２０が、半導体基板１１０の前面上に別途の層として構成されるなど、様々な変形が可能である。
【００３１】
半導体基板１１０上に、より正確には、半導体基板１１０に形成されたエミッタ領域２０上に反射防止膜２２および第１電極２４が形成される。
【００３２】
反射防止膜２２は、第１電極２４に対応する部分を除いて、実質的に半導体基板１１０の前面全体に形成することができる。反射防止膜２２は、半導体基板１１０の前面に入射する光の反射率を減少させ、エミッタ領域２０の表面上またはバルク（bulk）内に存在する欠陥（defect）を不動態化させる（passivate）。
【００３３】
半導体基板１１０の前面を介して入射する光の反射率を低下させることによって、半導体基板１１０とエミッタ領域２０との界面に形成されたｐｎ接合まで到達する光量を増加させることができる。これによって、太陽電池１５０の短絡電流（Ｉｓｃ）を増加させることができる。そして、エミッタ領域２０に存在する欠陥を不動態化して、少数キャリアの再結合サイトを除去することで、太陽電池１５０の開放電圧（Ｖｏｃ）を増加させることができる。このように、反射防止膜２２によって太陽電池１５０の開放電圧および短絡電流を増加させて、太陽電池１５０の効率を向上させることができる。
【００３４】
反射防止膜２２は、様々な物質で形成することができる。一例として、反射防止膜２２は、シリコン窒化膜、水素含有シリコン窒化膜、シリコン酸化膜、シリコン酸窒化膜（silicon oxide nitride film）、アルミニウム酸化膜、ＭｇＦ2、ＺｎＳ、ＴｉＯ2およびＣｅＯ2からなる群から選択されたいずれか一つの単一膜、または２つ以上の膜が組み合わされた多層膜構造を有することができる。しかし、本発明はこれらに限定されるものではなく、反射防止膜２２が様々な物質を有してもよいことは勿論である。そして、半導体基板１１０と反射防止膜２２との間にパッシベーション（passivation（不動態化））のための別途の前面パッシベーション膜（図示せず）をさらに備えてもよい。これもまた本発明の範囲に属する。
【００３５】
第１電極２４は、反射防止膜２２に形成された開口部を通して（すなわち、反射防止膜２２を貫通して）エミッタ領域２０に電気的に接続される。このような第１電極２４は、様々な物質によって様々な形状を有するように形成することができる。第１電極２４の形状については、図４を参照して再び説明する。
【００３６】
半導体基板１１０の後面側には、ベース領域１０と同一の第１導電型を有し、ベース領域１０よりも高いドーピング濃度で第１導電型不純物を有する後面電界領域３０が形成される。本実施例において、後面電界領域３０は、第１導電型不純物として、３族元素であるボロン（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）などのｐ型不純物を使用することができる。
【００３７】
このような局部的構造の後面電界領域３０は、第２電極３４内に有された元素などを熱処理により半導体基板１１０に拡散させることによって形成することができる。例えば、第２電極３４がアルミニウムＡｌを有する場合には、アルミニウムを有するペーストを半導体基板１１０の後面上に形成した後、これを焼成することによって第２電極３４を形成し、同時に、アルミニウムを半導体基板１１０に拡散させて、後面電界領域３０を共に形成することができる。これによって、単純な工程により後面電界領域３０を形成することができる。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、後面電界領域３０を形成するために、別途のドーピング工程（熱拡散法、レーザドーピング法、イオン注入法など）を行うことも可能である。
【００３８】
本実施例では、第２電極３４が電極部３４ａとパッド部３４ｂとを備え、電極部３４ａが第１導電型不純物を有することで、後面電界領域３０が、電極部３４ａが形成された部分に対応して局部的に形成される局部的構造（local structure）を有することを例示した。
【００３９】
しかし、本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、第２電極３４が、別途のパッド部３４ｂを備えないことで全体的にアルミニウムなどの第１導電型不純物を有すると、後面電界領域が全体的に均一なドーピング濃度を有する均一な構造（homogeneous structure）を有することもできる。または、他の実施例として、図７に示したように、後面電界領域３０が選択的構造（selective structure）を有することができる。これについては、後で図７を参照してより詳細に説明する。
【００４０】
そして、本実施例では、半導体基板１１０の後面側に第１導電型不純物をドープして形成されたドーピング領域が後面電界領域３０を構成する。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、後面電界領域３０が、半導体基板１１０の後面上に別途の層として構成されるなど、様々な変形が可能である。
【００４１】
第２電極３４は、後面電界領域３０に電気的に接続される。このような第２電極３４は、様々な物質によって様々な形状を有するように形成することができる。第２電極３４については、図５を参照して再び説明する。
【００４２】
図４を参照すると、本実施例の第１電極２４は、複数のフィンガ電極２４ａと、上記複数のフィンガ電極と交差する方向に形成される少なくとも一つのバスバー電極２４ｂと、を有する。このとき、複数のフィンガ電極２４ａは、第１ピッチＰ１をもって互いに平行に配置することができる。そして、バスバー電極２４ｂは、フィンガ電極２４ａと交差する方向に形成されて、フィンガ電極２４ａを接続することができる。このようなバスバー電極２４ｂは、一つのみ備えられてもよく、図４に示すように、第１ピッチＰ１よりさらに大きい第２ピッチＰ２をもって複数個備えられてもよい。
【００４３】
フィンガ電極２４ａの幅Ｗ１は、バスバー電極２４ｂの幅Ｗ２よりも小さく形成されて、第１電極２４の面積によって発生し得るシェーディング損失（shading loss）を最小化することができる。このとき、フィンガ電極２４ａの幅Ｗ１およびバスバー電極２４ｂの幅Ｗ２は、フィンガ電極２４ａまたはバスバー電極２４ｂの最外郭の縁部間の幅を意味する。すなわち、バスバー電極２４ｂの幅Ｗ２は、外郭に位置した二つの補助バスバー２４２ｂのそれぞれの外側縁間の距離を意味する。
【００４４】
この例では、バスバー電極２４ｂは、メインバスバー２４１ｂと、メインバスバー２４１ｂと一定の幅Ｗ３を有する離隔空間Ｓを置いて隣接して形成される補助バスバー２４２ｂと、を有する。
【００４５】
ここで、メインバスバー２４１ｂとは、バスバー電極２４ｂにおいてリボン１４２が付着されるように設計された部分である。本実施例では、第１電極２４が太陽電池１５０の前面に位置する。メインバスバー２４１ｂの幅Ｗ４（より正確には、メインバスバー２４１ｂの中間領域においてメインバスバー２４１ｂの外側縁間の幅）を一定に維持しながらも、メインバスバー２４１ｂを形成するための材料を減少させ、シェーディング損失を低減することができるように、メインバスバー２４１ｂが開口部２４０ａを備える。すなわち、メインバスバー２４１ｂの外側縁間に、電極が形成されていない空き空間である開口部２４０ａが位置するようになる。
【００４６】
一例として、本実施例では、一定の幅Ｗ５を有する複数の開口部２４０ａが、メインバスバー２４１ｂの長手方向に一つの列をなすように位置することができる。このように、複数の開口部２４０ａがメインバスバー２４１ｂの幅Ｗ４方向において一つのみ位置するようにして開口部２４０ａの幅Ｗ５を最大化することで、材料の量およびシェーディング損失を最小化することができる。一例として、メインバスバー２４１ｂの幅Ｗ４対開口部２４０ａの幅Ｗ５の比率（Ｗ４：Ｗ５）が、１：０．２〜１：０．８であってもよい。上記比率（Ｗ４：Ｗ５）が１：０．２未満であると、材料の量およびシェーディング損失を最小化することが難しく、上記比率（Ｗ４：Ｗ５）が１：０．８を超えると、リボン１４２とメインバスバー２４１ｂとの接触面積が十分でないことがある。しかし、本発明はこれらに限定されるものではなく、上記比率（Ｗ４：Ｗ５）などは変更可能である。
【００４７】
そして、本実施例では、複数の開口部２４０ａがメインバスバー２４１ｂの長手方向に互いに離隔して位置する。これによって、メインバスバー２４１ｂの長手方向において複数の開口部２４０ａ間を連結するブリッジ電極部２４０ｃを備えるようになる。すなわち、メインバスバー２４１ｂは、幅方向に開口部２４０ａの両側に位置する二つのメイン電極部２４０ｂと、二つのメイン電極部２４０ｂを接続する複数個のブリッジ電極部２４０ｃと、を有してなることができる。このようなメイン電極部２４０ｂおよびブリッジ電極部２４０ｃによって、複数の開口部２４０ａを備えてもメインバスバー２４１ｂとリボン１４２との接触面積を最大化することができる。また、メイン電極部２４０ｂおよびブリッジ電極部２４０ｃの一部が損傷しても、他の経路にキャリアが移動することができる。
【００４８】
メインバスバー２４１ｂの中間領域では、隣接する二つの開口部２４０ａ間の距離Ｌ３（すなわち、ブリッジ電極部２４０ｃの厚さ）が均一な距離Ｌ３を有することができる。そして、複数の開口部２４０ａのうちメインバスバー２４１ｂの一側（図面の上側、以下、“上側”）に隣接した開口部２４０ａとメインバスバー２４１ｂの上側との間の第１距離Ｌ１と、複数の開口部２４０ａのうちメインバスバー２４１ｂの他側（図面の下側、以下、“下側”）に隣接した開口部２４０ａとメインバスバー２４１ｂの他側との間の第２距離Ｌ２と、が互いに異なる。より正確には、第１距離Ｌ１は距離Ｌ３より小さく、距離Ｌ３は第２距離Ｌ２より小さい。これは、リボン１４２の接続構造を考慮したものである。
【００４９】
具体的に説明すると、本実施例において、メインバスバー２４１ｂの上側は、リボン１４２の一端部が位置する領域であり、メインバスバー２４１ｂの下側は、リボン１４２が延びて隣接する太陽電池に接続される領域である。
【００５０】
リボン１４２の一端部が位置するメインバスバー２４１ｂの上側では、アライメント誤差、不良などを考慮して、リボン１４２をメインバスバー２４１ｂの縁から一定間隔だけ離隔させて付着する。すなわち、リボン１４２の一端部と太陽電池１５０の上側における縁とが互いに離隔して位置するようになる。これによって、メインバスバー２４１ｂの上側縁には、リボン１４２と直接接触しない部分が位置することができる。したがって、リボン１４２と直接接触しないメインバスバー２４１ｂの上側縁ではメインバスバー２４１ｂの形成面積を減少させることで、バスバー電極２４ｂの形成のための材料の量およびシェーディング損失を最小化する。これと共に、メインバスバー２４１ｂの上側縁では幅Ｗ４１を中間領域の幅Ｗ４よりも減少させて、メインバスバー２４１ｂの上側縁における面積をさらに減少させることができる。
【００５１】
そして、メインバスバー２４１ｂの上側よりも下側にリボン１４２によって印加される力がさらに大きくなるため、メインバスバー２４１ｂの下側には亀裂などが発生しやすい。これを考慮して、本実施例では、リボン１４２が延びる側に位置するメインバスバー２４１ｂの他側の第２距離Ｌ２を相対的に大きくして、メインバスバー２４１ｂの他側で十分な面積を有するようにすることができる。このとき、メインバスバー２４１ｂの他側には、両側から突出する突出部２４０ｄが位置して、中間領域の幅Ｗ４よりさらに大きい幅Ｗ４２を有するようにすることができる。これによって、メインバスバー２４１ｂの他側で十分な接触面積を有するようにすることができる。
【００５２】
しかし、メインバスバー２４１ｂの形状および開口部２４０ａの形状、配置などは、上述した説明に限定されるものではない。すなわち、開口部２４０ａがメインバスバー２４１ｂの幅方向に複数位置してもよく、開口部２４０ａが一つのみ備えられてもよく、ブリッジ電極部２４０ｃを備えなくてもよい。その他の様々な変形が可能であることは勿論である。
【００５３】
補助バスバー２４２ｂは、設計上ではリボン１４２が付着されないが、工程誤差などが発生する場合にはリボン１４２が付着されることもある領域である。そして、補助バスバー２４２ｂは、キャリアがメインバスバー２４１ｂに流れるように誘導する迂回（bypass）経路を提供する。これをより詳細に説明する。
【００５４】
メインバスバー２４１ｂ上にリボン１４２を接続する工程（例えば、タビング工程（tabbing process）など）中に、リボン１４２のソルダリング部分がメインバスバー２４１ｂに隣接したフィンガ電極２４ａの上に流れ込むことがある。フィンガ電極２４ａが小さい幅Ｗ１を有するため、流れ込んだソルダリング部分によって亀裂が発生し得る。このような亀裂によって熱衝撃などが加わると、メインバスバー２４１ｂに隣接したフィンガ電極２４ａの部分が容易に断線し得る。このような現象をソルダリングによるグリッドインタラプション（Grid Interruption Caused by Soldering；ＧＩＣＳ）と呼ぶ。このようなＧＩＣＳによって、メインバスバー２４１ｂに隣接したフィンガ電極２４ａの一部が断線すると、キャリアが該当のメインバスバー２４１ｂに伝達され得ないため、キャリアは、遠くに位置した他のメインバスバー２４１ｂまで移動するか、またはメインバスバー２４１ｂに到達できなくなる。すると、太陽電池１５０の出力が減少する。
【００５５】
本実施例のように、メインバスバー２４１ｂと共に補助バスバー２４２ｂを形成する場合、ＧＩＣＳによってメインバスバー２４１ｂに隣接したフィンガ電極２４ａに断線が発生しても、補助バスバー２４２ｂを介してメインバスバー２４１ｂに到達できるようになる。すなわち、補助バスバー２４２ｂは、迂回経路を介してメインバスバー２４１ｂにキャリアを伝達する役割を果たす。
【００５６】
このような補助バスバー２４２ｂは、メインバスバー２４１ｂと離隔空間Ｓを置いて隣接して形成される。このように、本実施例では、メインバスバー２４１ｂの外側に離隔空間Ｓを置いて補助バスバー２４２ｂを形成することによって、バスバー電極２４ｂの幅Ｗ２を既存より広くすることができる。これによって、リボン１４２の付着時にアライメント誤差などが発生しても、リボン１４２とバスバー電極２４ｂとの接続を安定的に行うことができる。このとき、広い幅Ｗ２のバスバー電極２４ｂを全領域にわたって形成するものではなく、離隔空間Ｓを置いて形成されるメインバスバー２４１ｂと補助バスバー２４２ｂとで構成して、バスバー電極２４ｂを形成するための材料の量を減少させ、シェーディング損失を最小化することができる。また、上述したように、補助バスバー２４２ｂは、迂回経路を提供して、キャリア収集効率を向上させることができる。
【００５７】
ここで、離隔空間Ｓの幅Ｗ３は、フィンガ電極２４ａの第１ピッチＰ１と同一であるか、またはそれより小さい。このとき、離隔空間Ｓの幅Ｗ３は、メインバスバー２４１ｂの外側縁（すなわち、補助バスバー２４２ｂに隣接した縁部）と補助バスバー２４２ｂの内側縁（すなわち、メインバスバー２４１ｂに隣接した縁部）との間の距離を意味する。離隔空間Ｓの幅Ｗ３がフィンガ電極２４ａの第１ピッチＰ１よりも大きくなると、アライメント誤差よりも大きい離隔空間Ｓによって、補助バスバー２４２ｂが実質的にリボン１４２との安定した接続に寄与することができず、迂回経路を提供する補助バスバー２４２ｂの役割を十分に行うことが難しいことがある。
【００５８】
一例として、フィンガ電極２４ａの第１ピッチＰ１対各離隔空間Ｓの幅Ｗ３の比率（Ｐ１：Ｗ３）が、１：０．００２５〜１：１であってもよい。上記比率（Ｐ１：Ｗ３）が１：０．００２５未満であると、離隔空間Ｓの幅Ｗ３が小さいため、バスバー電極２４ｂがアライメント誤差などを考慮した十分な幅Ｗ２を有することができない。上記比率（Ｐ１：Ｗ３）が１：１を超えると、上述したように、補助バスバー２４２ｂがその役割を十分に行うことが難しいことがある。このとき、バスバー電極２４ｂが十分な幅Ｗ２を有すると共に、離隔空間Ｓが適切な幅Ｗ３を有するようにするために、上記比率（Ｐ１：Ｗ３）が、１：０．２５〜１：０．７５（より具体的には、１：０．２５〜１：０．５）であってもよい。
【００５９】
バスバー電極２４ｂの幅Ｗ２対各離隔空間Ｓの幅Ｗ３の比率（Ｗ２：Ｗ３）が、１：０．２〜１：０．４であってもよい。上記比率Ｗ２：Ｗ３が１：０．２未満であると、離隔空間Ｓの幅Ｗ３が小さくなるため、バスバー電極２４ｂの幅Ｗ２を十分に確保することが難しく、バスバー電極２４ｂの材料の量およびシェーディング損失を最小化することが難しいことがある。上記比率（Ｗ２：Ｗ３）が１：０．４を超えると、離隔空間Ｓの幅Ｗ３が大きくなるため、メインバスバー２４１ｂの幅Ｗ４を十分に確保することが難しく、そのため、リボン１４２との接続特性が低下することがある。
【００６０】
補助バスバー２４２ｂの幅Ｗ６は、リボン１４２の付着時にバスバー電極２４ｂとして機能すると共に、キャリアの迂回経路を提供できる程度の幅を有することができる。一例として、フィンガ電極２４ａの幅Ｗ１対補助バスバー２４２ｂの幅Ｗ６の比率（Ｗ１：Ｗ６）が、１：０．６〜１：１．５であってもよい。上述した比率（Ｗ１：Ｗ６）が１：０．６未満であると、補助バスバー２４２ｂとしての役割を十分に行うことが難しく、上述した比率（Ｗ１：Ｗ６）が１：１．５を超えると、補助バスバー２４２ｂによって材料の量およびシェーディング損失などが増加し得る。このとき、補助バスバー２４２ｂをフィンガ電極２４ａよりも大きい幅に形成して（すなわち、上記比率（Ｗ１：Ｗ６）を１：１〜１：１．５にして）、ＧＩＳＣなどが発生したときに補助バスバー２４２ｂがあまり損傷しないようにすることができる。
【００６１】
上述したバスバー電極２４ｂの上にはリボン１４２が位置する。リボン１４２は、上述したように、隣接する太陽電池１５０との接続のためのもので、様々な物質などを有する様々な構造を有することができる。図面では、バスバー電極２４ｂ上にリボン１４２が接触することを例示したが、本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、バスバー電極２４ｂとリボン１４２との間に別途の接着層、接着フィルムなどがさらに備えられることも可能である。
【００６２】
リボン１４２の幅Ｗ７は、バスバー電極２４ｂの幅Ｗ２と同一であるか、またはそれより小さくてもよく、メインバスバー２４１ｂの幅Ｗ４と同一であるか、またはそれより大きくてもよい。これによって、メインバスバー２４１ｂと十分に広い面積をもって接続しながら、バスバー電極２４ｂを逸脱する面積を最小化することができる。また、ＧＩＣＳが発生したときにも、バスバー電極２４ｂの外郭に位置する補助バスバー２４２ｂによって迂回経路を形成することができる。
【００６３】
一例として、リボン１４２の幅Ｗ７対バスバー電極２４ｂの幅Ｗ２の比率（Ｗ７：Ｗ２）が、１：１〜１：３であってもよい。上記比率（Ｗ７：Ｗ２）が１：１未満であると、リボン１４２の幅Ｗ７が大きくなるため、ＧＩＣＳが発生し得る。上記比率（Ｗ７：Ｗ２）が１：３を超えると、リボン１４２の幅Ｗ７が小さくなるため、リボン１４２とバスバー電極２４ｂとの接続面積が小さくなることがある。このとき、接続面積などを十分に確保することができるように、上記比率（Ｗ７：Ｗ２）が１：１〜１：２．２であってもよい。
【００６４】
図５を参照すると、本実施例において、半導体基板１１０の後面に形成される後面電極である第２電極３４は、半導体基板１１０の後面全体にわたって形成される。これによって、半導体基板１１０がｐ型を有するので、第２電極３４を用いて形成される後面電界領域３０の面積を最大限確保することができる。これによって、半導体基板１１０の後面での再結合を効果的に防止することができる。また、全体的に形成された第２電極３４は、半導体基板１１０の後面で光を反射させて、再び半導体基板１１０の内部に向かうようにすることで、光を再利用するようにすることができる。これによって、太陽電池１５０の効率を向上させることができる。
【００６５】
このとき、本実施例では、第２電極３４は、リボン１４２が位置する部分に形成されるパッド部３４ｂと、パッド部３４ｂを除外した部分に形成される電極部３４ａと、を有する。パッド部３４ｂは、リボン１４２の長手方向に互いに離隔する複数の部分を有することができる。これによって、電極部３４ａの形成面積を最大化して、後面電界領域３０の形成面積を最大化することができ、パッド部３４ｂの形成に必要な材料の量を低減することができる。このとき、パッド部３４ｂの幅Ｗ８をリボン１４２の幅Ｗ７よりも大きくすることができる。これによって、アライメント誤差などが発生する場合にも、パッド部３４ｂとリボン１４２とが安定的に接続できるようにする。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、パッド部３４ｂの幅Ｗ８は、様々な値を有することができる。
【００６６】
このように、互いに異なる物質を有するパッド部３４ｂおよび電極部３４ａによって、様々な特性を向上させることができる。すなわち、パッド部３４ｂによってリボン１４２との接続特性を向上させると共に、電極部３４ａによって後面電界領域３０を容易に形成できるようにする。パッド部３４ｂは、リボン１４２との接続特性に優れた物質（例えば、銀（Ａｇ））からなることができる。電極部３４ａは、優れた電気伝導性および反射度を有し、かつ後面電界領域３０を形成することができる物質（例えば、アルミニウム（Ａｌ））からなることができる。
【００６７】
しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、第２電極３４の形状、構造、物質などは多様に変形することができる。すなわち、第２電極３４が一定のパターン（例えば、第１電極２４と同一または類似のパターン）をもって形成されてもよく、第２電極３４が、パッド部３４ｂを備えずに、全体的に電極部３４ａのみからなっていてもよい。また、パッド部３４ｂおよび電極部３４ａの物質にも様々な物質を使用することができる。そして、後面電界領域３０が、第２電極３４によって形成されずに、別途のドーピング方法などにより形成されるなど、様々な変形が可能である。
【００６８】
上述したように、本実施例によれば、フィンガ電極２４ａの第１ピッチＰ１よりも小さい幅Ｗ３を有するようにメインバスバー２４１ｂに隣接形成される補助バスバー２４２ｂを形成する。これによって、バスバー電極２４ｂの幅Ｗ２を広く形成してリボン１４２と安定的に接続されるようにしながらも、バスバー電極２４ｂを形成するための材料の量を減少させ、シェーディング損失を最小化することができる。また、上述したように、補助バスバー２４２ｂは、迂回経路を提供して、キャリアの収集効率を向上させることができる。
【００６９】
上述した実施例では、ベース領域１０がｐ型を有する場合に、前面電極である第１電極２４が補助バスバー２４２ｂを備え、第２電極３４は全体にわたって形成されたことを例示した。しかし、本発明はこれに限定されるものではない。したがって、第２電極３４が補助バスバーを備え、第１電極２４が補助バスバー２４２ｂを備えないことも可能であり、第１および第２電極２４，３４の全てが補助バスバー２４２ｂを備えることも可能である。すなわち、本発明では、第１および第２電極２４，３４のいずれか一つのみ補助バスバー２４２ｂを具備すればよい。また、ベース領域１０および後面電界領域３０がｎ型を有し、エミッタ領域２０がｐ型を有するなどの変形も可能である。
【００７０】
そして、補助バスバー２４２ｂが、メインバスバー２４１ｂを挟んで両側にそれぞれ一つずつ位置することを例示したが、本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、補助バスバー２４２ｂが、メインバスバー２４１ｂの一側にのみ位置することも可能である。また、補助バスバー２４２ｂは、メインバスバー２４１ｂと同様に長く延びることも可能であり、一部の領域でのみ部分的に形成されることも可能である。その他にも様々な変形が可能である。
【００７１】
以下、図６乃至図８を参照して、本発明の他の実施例に係る太陽電池を詳細に説明する。上述した部分と同一または類似の部分については詳細な説明を省略し、互いに異なる部分についてのみ詳細に説明する。
【００７２】
図６は、本発明の他の実施例に係る太陽電池の前面平面図の一部を示す図である。
【００７３】
図６を参照すると、本実施例に係る第１電極２４のブリッジ電極部２４０ｃに第２開口部２４２ａを形成する。一例として、二つの第１開口部２４０ａ間に位置した一つのブリッジ電極部２４０ｃに複数個の第２開口部２４２ａを形成して、第１電極２４の面積を最小化することができる。これによって、第１電極２４を形成するための材料の量を最小化することができる。
【００７４】
図７は、本発明の更に他の実施例に係る太陽電池の部分断面図であり、図８は、図７に示した太陽電池の部分後面平面図である。図８には、図５の拡大円に対応する部分を示した。
【００７５】
図７および図８を参照すると、本実施例に係る太陽電池１５０ａにおいては、第１および第２電極２４，３４がそれぞれパターンをもって形成される。すなわち、第１および第２電極２４，３４が一定のパターンをもって形成されて、太陽電池１５０ａの前面および後面にそれぞれ光が入射することができる。すなわち、太陽電池１５０ａが両面受光型（bi-facial）構造を有することができる。
【００７６】
本実施例では、ベース領域１０および後面電界領域３０がｎ型を有し、エミッタ領域２０がｐ型を有することができる。このように、ｎ型の不純物を有するベース領域１０を使用すると、半導体基板１１０の前面にｐ型の不純物を有するエミッタ領域２０が形成されて、ｐｎ接合（junction）をなすようになる。このようなｐｎ接合に光が照射されると、光電効果によって生成された電子が半導体基板１１０の後面側に移動して、第２電極３４により収集され、正孔が半導体基板１１０の前面側に移動して、第１電極２４により収集される。これによって、電気エネルギが発生する。すると、電子よりも移動速度の遅い正孔が半導体基板１１０の後面ではなく前面に移動して、変換効率が向上することができる。
【００７７】
エミッタ領域２０は選択的構造を有することを例示した。すなわち、エミッタ領域２０が、相対的に高い不純物濃度を有することで相対的に低い抵抗を有する第１部分２０ａと、相対的に低い不純物濃度を有することで相対的に高い抵抗を有する第２部分２０ｂと、を備えることができる。すると、光が入射する第１電極２４間に対応する部分に相対的に高い抵抗の第２部分２０ｂを形成して、浅いエミッタ（shallow emitter）を具現することができる。これによって、太陽電池１５０ａの電流密度を向上させることができる。これと共に、第１電極２４と隣接する部分に相対的に低い抵抗の第１部分２０ａを形成して、第１電極２４との接触抵抗を低減させることができる。このように、エミッタ領域２０が選択的構造を有すると、太陽電池１５０ａの効率を最大化することができる。しかし、上述したように、エミッタ領域２０は、公知の様々な構造を有することができる。
【００７８】
そして、後面電界領域３０が選択的構造を有することを例示した。すなわち、後面電界領域３０が、相対的に高い不純物濃度を有することで相対的に低い抵抗を有する第１部分３０ａと、相対的に低い不純物濃度を有することで相対的に高い抵抗を有する第２部分３０ｂと、を備えることができる。すると、第２電極３４間に対応する部分に相対的に高い抵抗の第２部分３０ｂを形成して、表面再結合を最小化することができる。これによって、太陽電池１５０ａの電流密度を向上させることができる。これと共に、第２電極３４と隣接する部分に相対的に低い抵抗の第１部分３０ａを形成して、第２電極３４との接触抵抗を低減させることができる。このように、後面電界領域３０が選択的構造を有すると、太陽電池１５０ａの効率を最大化することができる。しかし、上述したように、後面電界領域３０は、公知の様々な構造を有することができる。
【００７９】
本実施例では、第２電極３４は、フィンガ電極３４ａおよびバスバー電極３４ｂを有し、バスバー電極３４ｂが、メインバスバー３４１ｂおよび補助バスバー３４２ｂを有することができる。
【００８０】
このとき、メインバスバー３４１ｂの開口部３４０ａは、メインバスバー３４１ｂの幅方向に複数配置されて、メインバスバー３４１ｂが、複数の開口部３４０ａを挟んで位置する複数のメイン電極部３４３ｂ，３４４ｂを有する。開口部３４０ａの幅、メイン電極部３４３ｂ，３４４ｂの幅などは、開口部３４０ａおよびメイン電極部３４３ｂ，３４４ｂの個数によって多様に変わり得る。
【００８１】
ここで、複数のメイン電極部３４３ｂ，３４４ｂは、メインバスバー３４１ｂの長手方向に沿って長く延びることができる。そして、複数のメイン電極部３４３ｂ，３４４ｂは、両側外郭に位置する第１メイン電極部３４３ｂと、第１メイン電極部３４３ｂ間に位置する第２メイン電極部３４４ｂと、を備えることができる。このとき、第１メイン電極部３４３ｂと第２メイン電極部３４４ｂは、幅および厚さが互いに異なっていてもよい。
【００８２】
例えば、第１メイン電極部３４３ｂの幅Ｗ１１が第２メイン電極部３４４ｂの幅Ｗ１２よりも大きく、第１メイン電極部３４３ｂの厚さ（または高さ）Ｈ１が第２メイン電極部３４４ｂの厚さＨ２よりも大きい。このような形状の第１および第２メイン電極部３４３ｂ，３４４ｂは、印刷などによって電極を形成するとき、縦横比（aspect ratio）によって電極用ペーストの幅を大きくすると厚さが大きくなり、幅を小さくすると厚さが小さくなることを利用して容易に形成することができる。
【００８３】
第１および第２メイン電極部３４３ｂ，３４４ｂの幅および厚さを互いに異ならせることによって、太陽電池１５０ａの特性評価などのための検査時に正確度を向上させながらも、第２電極３４を形成するのに必要な材料の量を低減することができる。すなわち、開口部３４０ａの幅を減少させ、メイン電極部３４３ｂ，３４４ｂを密に配置することによって、太陽電池１５０ａの特性検査時にプローブを第２電極３４に安定的に載置できるようにする。同時に、内部に位置する第２メイン電極部３４４ｂの幅Ｗ１２および厚さＨ２を減少させることによって、第２電極３４を形成するのに必要な材料の量を低減することができる。
【００８４】
そして、メインバスバー３４１ｂは、第１および第２メイン電極部３４３ｂ，３４４ｂと交差する方向に形成されて第１および第２メイン電極部３４３ｂ，３４４ｂを接続するブリッジ電極部３４５ｂをさらに有することができる。これによって、第１および第２メイン電極部３４３ｂ，３４４ｂの一部に断線が発生した場合にも、キャリアが、他の第１および第２メイン電極部３４３ｂ，３４４ｂを介して移動できるようにする。また、メインバスバー３４１ｂとリボン１４２との接続面積（または接触面積）を最大化することができる。
【００８５】
本実施例では、補助バスバー３４２ｂを有する第２電極３４が太陽電池１５０ａの後面に位置する後面電極である。すなわち、光の入射量が相対的に少ない第２電極３４が、メインバスバー３４１ｂおよび補助バスバー３４２ｂを備えているので、メインバスバー３４１ｂの幅Ｗ３１などを十分な幅に形成することができる。一例として、本実施例では、上述した図１乃至図５に示した実施例とは異なり、メインバスバー３４１ｂの幅Ｗ３１をリボン１４２の幅Ｗ７よりも大きくてもよい。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、様々な変形が可能であることは勿論である。
【００８６】
本実施例において、第１電極２４は、第２電極３４のフィンガ電極３４ａ、およびメインバスバー３４１ｂを備えるバスバー電極３４ｂと類似の形状のフィンガ電極、およびバスバー電極を備えることができる。ただし、第１電極２４は、多くの量の光の入射がなされる半導体基板１１０の前面に位置するので、第２電極３４の補助バスバー３４２ｂに対応する構成は備えなくてもよい。これによって、シェーディング損失を最小化することができる。
【００８７】
上述した実施例では、ベース領域１０がｎ型を有する場合に、前面電極である第１電極２４が補助バスバーを備えずに、第２電極３４が補助バスバー３４２ｂを備えたことを例示した。しかし、本発明はこれに限定されるものではない。
【００８８】
すなわち、第１電極２４が、第２電極３４のフィンガ電極３４ａ、並びにメインバスバー３４１ｂおよび補助バスバー３４２ｂを備えるバスバー電極３４ｂと類似の形状のフィンガ電極並びにバスバー電極を備えることができる。または、第１電極２４が、図４に示したような形状を有してもよい。その他にも、第１電極２４は様々な形状を有することができる。そして、第１電極２４が補助バスバーを備える場合には、第２電極３４が補助バスバー３４２ｂを備えないことも可能である。また、第１電極２４および第２電極３４のメインバスバー３４１ｂの形状は、様々な変形が可能である。そして、ベース領域１０および後面電界領域３０がｐ型を有し、エミッタ領域２０がｎ型を有するなどの変形も可能である。
【００８９】
そして、第２電極３４の補助バスバー３４２ｂが、メインバスバー３４１ｂを挟んで両側にそれぞれ一つずつ位置したことを例示したが、本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、補助バスバー３４２ｂが、メインバスバー３４１ｂの一側にのみ位置することも可能である。また、補助バスバー３４２ｂは、メインバスバー３４１ｂと同様に長く延びることも可能であり、一部の領域でのみ部分的に形成されることも可能である。その他にも様々な変形が可能である。
【００９０】
上述したような特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも一つの実施例に含まれ、必ずしも一つの実施例にのみ限定されるものではない。さらに、各実施例で例示した特徴、構造、効果などは、実施例の属する分野における通常の知識を有する者によって、他の実施例に対しても組み合わせまたは変形して実施可能である。したがって、このような組み合わせおよび変形に係わる内容は、本発明の範囲に含まれるものと解釈しなければならない。
【符号の説明】
【００９１】
１０    ベース領域
２０    エミッタ領域
２２    反射防止膜
２４    電極
２４ａ    フィンガ電極
２４ｂ    バスバー電極
３０    後面電界領域
３４    電極
１００    太陽電池モジュール
１１０    半導体基板
１３１，１３２    密封材
１４２    リボン
１５０    太陽電池
２１０    前面基板
２２０    後面シート
２４０ａ    開口部
２４０ｂ    メイン電極部
２４０ｃ    ブリッジ電極部
２４０ｄ    突出部
２４１ｂ    メインバスバー
２４２ａ    開口部
２４２ｂ    補助バスバー
３４０ａ    開口部
３４１ｂ    メインバスバー
３４２ｂ    補助バスバー
３４３ｂ，３４４ｂ    メイン電極部
３４５ｂ    ブリッジ電極部”
【図１】
0006050285.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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