(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光を導入してＥＵＶ光の生成が行われるチャンバと、
前記チャンバ内部と露光装置内部とを連通させる接続部と、
前記チャンバ内部のプラズマ生成領域にターゲットを供給するターゲット供給装置と、
前記プラズマ生成領域において前記ターゲットに前記レーザ光を照射することにより生成するＥＵＶ光を反射する反射面を有し、前記ＥＵＶ光を反射集光するＥＵＶ集光ミラーと、
前記チャンバ内部を排気する排気装置と、を含むＥＵＶ光生成装置の洗浄方法であって、
前記ＥＵＶ光を生成していないときに、前記チャンバ内部と前記露光装置内部とが連通しないように前記接続部を閉じるステップと、
前記接続部を閉じた状態において、前記ＥＵＶ集光ミラーの反射面に堆積したデブリをエッチングするためのエッチングガスを前記チャンバ内に供給するステップと、
前記エッチングガスを供給しながら、前記排気装置で前記チャンバ内を排気するステップと、
前記ＥＵＶ光を生成しているときに、前記ＥＵＶ集光ミラーの反射面における前記プラズマ生成領域からの距離が最も近い部分に堆積したデブリの堆積量を計測するステップと、を含み、
前記堆積量が閾値以上であると判断すると、前記ＥＵＶ光の生成を終了して、前記接続部を閉じるステップ、前記エッチングガスを前記チャンバ内に供給するステップ、および、前記チャンバ内を排気するステップを行うＥＵＶ光生成装置の洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、ＥＵＶ光生成装置の洗浄方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度のＥＵＶ光を生成するための装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
【０００３】
ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマを用いたＬＰＰ（Ｌａｓｅｒ  Ｐｒｏｄｕｃｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）方式の装置と、放電によって生成されるプラズマを用いたＤＰＰ（Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ  Ｐｒｏｄｕｃｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）方式の装置と、軌道放射光を用いたＳＲ（Ｓｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎ  Ｒａｄｉａｔｉｏｎ）方式の装置との３種類の装置が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許第７４０５４１６号明細書
【概要】
【０００５】
本開示の一態様によるＥＵＶ光生成装置の洗浄方法は、レーザ光を導入してＥＵＶ光の生成が行われるチャンバと、前記チャンバ内部と露光装置内部とを連通させる接続部と、前記チャンバ内部のプラズマ生成領域にターゲットを供給するターゲット供給装置と、前記プラズマ生成領域において前記ターゲットに前記レーザ光を照射することにより生成するＥＵＶ光を反射する反射面を有し、前記ＥＵＶ光を反射集光するＥＵＶ集光ミラーと、前記チャンバ内部を排気する排気装置と、を含むＥＵＶ光生成装置の洗浄方法であって、前記ＥＵＶ光を生成していないときに、前記チャンバ内部と前記露光装置内部とが連通しないように前記接続部を閉じるステップと、前記接続部を閉じた状態において、前記ＥＵＶ集光ミラーの反射面に堆積したデブリをエッチングするためのエッチングガスを前記チャンバ内に供給するステップと、前記エッチングガスを供給しながら、前記排気装置で前記チャンバ内を排気するステップと、前記ＥＵＶ光を生成しているときに、前記ＥＵＶ集光ミラーの反射面における前記プラズマ生成領域からの距離が最も近い部分に堆積したデブリの堆積量を計測するステップと、を含み、前記堆積量が閾値以上であると判断すると、前記ＥＵＶ光の生成を終了して、前記接続部を閉じるステップ、前記エッチングガスを前記チャンバ内に供給するステップ、および、前記チャンバ内を排気するステップを行う。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
【図１】図１は、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。
【図２】図２は、第１実施形態に係る洗浄機能を備えたＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。
【図３】図３は、ＥＵＶ光生成装置におけるＥＵＶ光の発光処理を示すフローチャートである。
【図４】図４は、デブリ堆積量検出処理を示すフローチャートである。
【図５】図５は、エッチング処理を示すフローチャートである。
【図６】図６は、第２実施形態に係るエッチングガス供給部の構成を概略的に示す。
【図７】図７は、第３実施形態に係るエッチングガス供給部の構成を概略的に示す。
【図８Ａ】図８Ａは、第４実施形態に係る排気装置を概略的に示す。
【図８Ｂ】図８Ｂは、前記排気装置の構成を概略的に示す。
【図９】図９は、第５実施形態に係るＥＵＶ光生成装置のターゲット供給装置の構成を概略的に示す。
【図１０】図１０は、ＥＵＶ光を生成する状態を概略的に示す。
【図１１】図１１は、第６実施形態に係る洗浄機能を備えたＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。
【図１２】図１２は、デブリ堆積量検出処理を示すフローチャートである。
【図１３】図１３は、エッチング処理を示すフローチャートである。
【図１４】図１４は、第７実施形態に係る洗浄機能を備えたＥＵＶ光生成装置の断面図を概略的に示す。
【図１５】図１５は、図１４のＥＵＶ光生成装置を図１４とは直行する断面からみた断面図の構成を概略的に示す。
【図１６】図１６は、第８実施形態に係る洗浄機能を備えたＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。
【図１７】図１７は、エッチング処理を示すフローチャートである。
【図１８】図１８は、第８実施形態の変形例に係るエッチング処理を示すフローチャートである。
【図１９】図１９は、第９実施形態に係るエッチングガス供給部の構成を概略的に示す。
【実施形態】
【０００７】
内容
１．概要
２．ＥＵＶ光生成装置の全体説明
２．１  構成
２．２  動作
３．洗浄機能を備えたＥＵＶ光生成装置
３．１  第１実施形態
３．１．１  概略
３．１．２  構成
３．１．３  動作
３．２  第２実施形態
３．２．１  概略
３．２．２  構成
３．２．３  動作
３．３  第３実施形態
３．３．１  概略
３．３．２  構成
３．３．３  動作
３．４  第４実施形態
３．４．１  概略
３．４．２  構成
３．４．３  動作
３．５  第５実施形態
３．５．１  概略
３．５．２  構成
３．５．３  動作
３．６  第６実施形態
３．６．１  概略
３．６．２  構成
３．６．３  動作
３．７  第７実施形態
３．７．１  概略
３．７．２  構成
３．７．３  動作
３．８  第８実施形態
３．８．１  概略
３．８．２  構成
３．８．３  動作
３．９  第９実施形態
３．９．１  概略
３．９．２  構成
３．９．３  動作
【０００８】
１．概要
本開示の実施形態においては、ＥＵＶ光生成装置を洗浄する際に、ＥＵＶ光を生成していないときに、チャンバ内部と露光装置内部とが連通しないように接続部を閉じるステップと、接続部を閉じた状態において、反射面を有する光学素子に堆積したデブリをエッチングするためのエッチングガスをチャンバ内に供給するステップと、エッチングガスを供給しながら、排気装置でチャンバ内を排気するステップとを含んでもよい。
【０００９】
ＥＵＶ光生成装置に発生するデブリとは、主に、高いエネルギーを有する高速イオンや中性粒子等の飛散粒子のことであってもよい。デブリが光学素子の反射面に付着したり、その反射面に形成された多層膜をスパッタすることにより、反射率の低下や、反射率の均一性の低下を招き得る。光学素子がＥＵＶ集光ミラーの場合、このようにＥＵＶ集光ミラーが劣化することにより、そのＥＵＶ光が利用される露光装置において、半導体露光処理等に必要なレベルの光エネルギーや光品位を得ることが困難になり得る。
ここで、ＥＵＶ光を生成しているときに、チャンバ内にエッチングガスを供給して、ＥＵＶ集光ミラーに堆積したデブリを除去する場合、エッチングガスによるＥＵＶ光の吸収が発生し、露光装置内に適切なＥＵＶ光が出力されないという不具合が生じ得る。
本開示の実施形態によれば、ＥＵＶ光を生成していないときに、チャンバ内にエッチングガスを供給してデブリをエッチングするため、エッチングガスによるＥＵＶ光の吸収が抑制され、露光装置内に適切なＥＵＶ光が出力されないという不具合を抑制し得る。
また、チャンバ内部と露光装置内部との接続部を閉じた状態において、チャンバ内にエッチングガスを供給しながら、排気装置でチャンバ内を排気してもよい。このような構成により、エッチングガスやエッチングにより生成された反応生成物が露光装置内に混入することが抑制され、露光装置に制約されずにエッチングを行い得る。したがって、エッチング速度が速いエッチングガスを使用することが可能となり、洗浄時間が短縮し得る。
なお、エッチング対象の光学素子としては、ＥＵＶ集光ミラーに限らず、チャンバ内でＥＵＶ光を反射するミラーが存在する場合には、このミラーをエッチング対象としてもよい。あるいは、各種観測窓等のビューポートに用いられるウインドウや、レーザ光を導入する場合はレーザ光導入窓がエッチング対象となってもよい。
【００１０】
２．ＥＵＶ光生成装置の全体説明
２．１  構成
図１は、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成装置１の構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい。ＥＵＶ光生成装置１およびレーザ装置３を含むシステムを、以下、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１を参照に、以下に詳細に説明されるように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ＥＵＶ光生成装置１は、ターゲット供給装置７をさらに含んでもよい。ターゲット供給装置７は、例えばチャンバ２に取り付けられていてもよい。ターゲット供給装置７から供給されるターゲットの材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、またはそれらのうちのいずれか２つ以上の組合せ等を含んでもよいが、これらに限定されない。
【００１１】
チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔をレーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３２が通過してもよい。あるいは、チャンバ２には、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３２が透過する少なくとも１つのウインドウ２１が設けられてもよい。チャンバ２の内部には例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１焦点および第２焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１焦点がプラズマ生成位置またはその近傍のプラズマ生成領域２５に位置し、その第２焦点が露光装置の仕様によって規定される所望の集光位置（中間焦点（ＩＦ）中間焦点２９２）に位置するように配置されるのが好ましい。所望の集光位置は中間焦点（ＩＦ）２９２と呼んでもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には、パルスレーザ光３３が通過するための貫通孔２４が設けられてもよい。
【００１２】
ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御システム５を含んでいてもよい。また、ＥＵＶ光生成装置１は、ターゲットセンサ４を含んでもよい。ターゲットセンサ４は、ターゲットの存在、軌道、位置等を検出してもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有してもよい。
【００１３】
さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２内部と露光装置６内部とを連通させるための接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャが形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャがＥＵＶ集光ミラー２３の第２焦点位置に位置するように配置されてもよい。
【００１４】
さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光光学系２２、ドロップレット２７を回収するためのターゲット回収装置２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置や姿勢等を調節するためのアクチュエータとを備えてもよい。
【００１５】
２．２  動作
図１を参照すると、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過して、チャンバ２に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内に進み、レーザ光集光光学系２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのドロップレット２７に照射されてもよい。
【００１６】
ターゲット供給装置７からは、ドロップレット２７がチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力されてもよい。ドロップレット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスレーザ光が照射され得る。パルスレーザ光３３が照射されたドロップレット２７はプラズマ化し、そのプラズマからＥＵＶを含む光２５１（以下、「ＥＵＶ光を含む光」を「ＥＵＶ光」と表現する場合がある）が放射され得る。ＥＵＶ光２５１は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって集光されるとともに反射されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３で反射されたＥＵＶ光２５２は、中間焦点２９２を通って露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのドロップレット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスレーザ光が照射されてもよい。
【００１７】
ＥＵＶ光生成制御システム５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括してもよい。ＥＵＶ光生成制御システム５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたドロップレット２７のイメージデータ等を処理してもよい。ＥＵＶ光生成制御システム５は、例えば、ドロップレット２７を出力するタイミングやドロップレット２７の出力速度等を制御してもよい。また、ＥＵＶ光生成制御システム５は、例えば、レーザ装置３のレーザ発振タイミングやパルスレーザ光３２の進行方向やパルスレーザ光３３の集光位置等を制御してもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御を追加してもよい。
【００１８】
３．洗浄機能を備えたＥＵＶ光生成装置
３．１  第１実施形態
３．１．１  概略
本開示の第１実施形態によれば、ＥＵＶ光を生成しているときに、光学素子の反射面に堆積したデブリの量を計測するステップを含み、デブリの堆積量が閾値以上であると判断すると、ＥＵＶ光の生成を終了して、接続部を閉じるステップ、エッチングガスをチャンバ内に供給するステップ、および、チャンバ内を排気するステップを行ってもよい。
第１実施形態のＥＵＶ光生成装置の洗浄方法によれば、光学素子の反射面に堆積したデブリの量が閾値以上の場合にデブリをエッチングするため、デブリが堆積していないタイミング、あるいは、堆積量が少なくエッチングを行う必要がないタイミングでエッチングを行うという無駄な処理を抑制し得る。
【００１９】
３．１．２  構成
図２は、第１実施形態に係る洗浄機能を備えたＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。
ＥＵＶ光生成装置１Ａは、図２に示すように、チャンバ２と、レーザ装置３と、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａと、露光装置６と、ターゲット供給装置７と、洗浄部９Ａとを備えてもよい。
チャンバ２には、チャンバ２内部の圧力を検出する圧力計２６１Ａと、チャンバ２内部を排気する排気装置２６２Ａとが設けられてもよい。圧力計２６１Ａおよび排気装置２６２Ａは、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａに電気的に接続されてもよい。圧力計２６１Ａは、チャンバ２内部の圧力に対応する信号をＥＵＶ光生成制御システム５Ａに送信してもよい。排気装置２６２Ａは、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａから送信される信号に基づいてチャンバ２内部を排気してもよい。
露光装置６には、露光装置６全体を制御する露光装置コントローラ６１Ａが設けられてもよい。露光装置コントローラ６１Ａは、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａに電気的に接続されてもよい。露光装置コントローラ６１Ａは、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａからの信号に基づいて、露光装置６の動作を制御してもよい。
【００２０】
洗浄部９Ａは、チャンバ２内部と露光装置６内部との連通状態を制御する連通制御部９１Ａと、チャンバ２内部にエッチングガスを供給するエッチングガス供給部９２Ａとを備えてもよい。
連通制御部９１Ａは、バルブ９１１Ａと、バルブ駆動部９１２Ａとを備えてもよい。バルブ９１１Ａは、接続部２９内部において図１に示す壁２９１と同じ位置に設けられてもよい。バルブ９１１Ａは、ＥＵＶ光２５２が通過するアパーチャを接続部２９内部に形成する（チャンバ２内部と露光装置６内部とを連通する）開状態と、チャンバ２内部と露光装置６内部とを連通しない閉状態とを切り替え可能に設けられてもよい。バルブ９１１Ａは、バルブ駆動部９１２Ａに電気的に接続されてもよい。
バルブ駆動部９１２Ａは、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａに電気的に接続されてもよい。バルブ駆動部９１２Ａは、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａから送信される信号に基づいて、バルブ９１１Ａを開状態または閉状態に切り替えてもよい。
エッチングガス供給部９２Ａは、チャンバ２に設けられてもよい。エッチングガス供給部９２Ａは、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａに電気的に接続されてもよい。エッチングガス供給部９２Ａは、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａから送信される信号に基づいて、チャンバ２内部にエッチングガスを供給してもよい。
【００２１】
ここで、エッチングガス供給部９２Ａが供給するエッチングガスは、デブリの主な構成物質であるターゲット物質をエッチング可能であればよく、ターゲット物質によって適切なものを選択してもよい。例えば、エッチングガスは、水素ラジカルまたはハロゲンガスであってもよい。また、エッチングガスは、ラジカル化したものであってもよいし、ラジカル化していないものであってもよい。
エッチングガスが水素ラジカルの場合、水素ラジカル生成器を通して水素ガスをチャンバ２内に導入してもよい。エッチングガスがハロゲンガスの場合、Ｃｌ２やＨＣｌ、もしくはＢｒ２やＨＢｒのガスをチャンバ２内に導入してもよい。
ターゲット物質としてスズを用いた場合、エッチングガスによるエッチングにより反応生成物が生成され得る。この反応生成物の融点と沸点は、表１に示すものであってもよい。
【００２２】
【表１】
0006034598.tif 000002
【００２３】
表１に示すように、エッチングガスとして水素ラジカルを使用した場合、ＳｎＨ４は、常温においてガスで存在し得るため、エッチングによりＥＵＶ集光ミラー２３の反射面２３１から直ちに脱離し得る。また、エッチングガスとして、Ｃｌ２やＢｒ２を使用した場合、ＳｎＣｌ４やＳｎＢｒ４は、常温において液体で存在し得る。しかし、チャンバ２内部を真空にすることで、ＳｎＣｌ４やＳｎＢｒ４は、蒸発してＥＵＶ集光ミラー２３の反射面２３１から脱離し得る。
また、エッチングガスとしてハロゲンガスを使用した場合、以下に示す反応の反応速度が水素ガスよりも速いため、水素ガスを使用した場合と比べて短時間でエッチングを終了させることが可能となり得る。
水素ラジカル
Ｓｎ＋４Ｈ＊→ＳｎＨ４（ｇａｓ）
ハロゲンガス
Ｓｎ＋２Ｂｒ２→ＳｎＢｒ４（ｇａｓ）
Ｓｎ＋２Ｃｌ２→ＳｎＣｌ４（ｇａｓ）
【００２４】
３．１．３  動作
次に、ＥＵＶ光生成装置の動作について説明する。
図３は、ＥＵＶ光生成装置におけるＥＵＶ光の発光処理を示すフローチャートである。図４は、デブリ堆積量検出処理を示すフローチャートである。図５は、エッチング処理を示すフローチャートである。
【００２５】
ＥＵＶ光生成装置１ＡのＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、ＥＵＶ光２５１を生成する旨の信号を受けた場合、図３に示すように、変数Ｆを「０」に設定してもよい（ステップＳ１）。この後、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、ＥＵＶ光２５１を発光してもよい（ステップＳ２）。
ステップＳ２においては例えば、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、バルブ９１１Ａが開状態の場合において、ＥＵＶ光２５１を生成可能な圧力までチャンバ２内部を排気するための信号を排気装置２６２Ａに送信してもよい。排気装置２６２Ａは、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａからの信号を受信すると、チャンバ２内部を排気してもよい。この排気装置２６２Ａによる排気によって、チャンバ２内部の圧力が下がり得る。圧力計２６１Ａは、チャンバ２内部の圧力に対応する信号をＥＵＶ光生成制御システム５Ａに送信してもよい。ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、圧力計２６１Ａからの信号に基づきチャンバ２内部の圧力を検知し、この検知した圧力に基づいて排気装置２６２Ａを制御してもよい。
また、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、露光装置６を動作させるための信号を露光装置コントローラ６１Ａに送信して、露光装置６を動作させてもよい。
さらに、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、圧力計２６１Ａからの信号に基づいて、チャンバ２内部の圧力がＥＵＶ光２５１を生成可能な圧力に到達したと判定した場合、ドロップレット２７を出力するための信号をレーザ装置３に送信するとともに、パルスレーザ光３１を出力するための信号をレーザ装置３に送信してもよい。これらの動作によって、プラズマ生成領域２５においてドロップレット２７にパルスレーザ光３３が照射され、ＥＵＶ光２５１が発光され得る。
【００２６】
この後、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面２３１に堆積したデブリの量を検出してもよい（ステップＳ３）。
具体的に、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、図４に示すように、後述するエッチング処理後におけるレーザ装置３の放電パルス数が、規定パルス以上か否かを判断してもよい（ステップＳ２１）。例えば、デブリの堆積速度をＤ（ｎｍ／ｐｌｓ（パルス））とし、堆積量（膜厚）の閾値をＴ（ｎｍ）とした場合、規定パルス数を、Ｔ／Ｄ（ｐｌｓ）と定義してもよい。デブリの堆積速度Ｄ（ｎｍ／ｐｌｓ（パルス））と、堆積量の閾値Ｔ（ｎｍ）は実験等によって決定しておくとよい。
このステップＳ２１において、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、規定パルス以上であると判定した場合、変数Ｆを「１」に設定して（ステップＳ２２）、ステップＳ３の処理を終了してもよい。一方、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、ステップＳ２１において、規定パルス以上でないと判定した場合、ステップＳ３の処理を終了してもよい。
このような処理により、放電パルス数が規定パルス以上であり、デブリの堆積量が閾値以上であると判定した場合、変数Ｆが「１」に設定され得る。一方、放電パルス数が規定パルス未満であり、デブリの堆積量が閾値未満であると判断した場合、変数Ｆが「０」に設定され得る。
【００２７】
ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、図３に示すように、ステップＳ３の処理の後、変数Ｆが「１」に設定されているか否かを判定してもよい（ステップＳ４）。このステップＳ４において、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、変数Ｆが「０」に設定されていると判定した場合、ステップＳ３の処理を再度行うことで、デブリの堆積量を検出してもよい。一方、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、ステップＳ４において、変数Ｆが「１」に設定されていると判定した場合、デブリのエッチング開始を要求するためのエッチングモード信号を露光装置コントローラ６１Ａに送信してもよい（ステップＳ５）。
エッチングモード信号を受信した露光装置コントローラ６１Ａは、露光装置６の露光動作を停止してもよい。その後、露光装置コントローラ６１Ａは、エッチングモード許可信号をＥＵＶ光生成制御システム５Ａに送信してもよい。
【００２８】
ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、露光装置コントローラ６１Ａからエッチングモード許可信号を受信すると（ステップＳ６）、レーザ装置３およびターゲット供給装置７を制御して、ＥＵＶ光２５１の発光を停止してもよい（ステップＳ７）。そして、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、バルブ９１１Ａを閉状態とするための信号をバルブ駆動部９１２Ａに送信することで、バルブ９１１Ａを閉めてもよい（ステップＳ８）。
この後、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、エッチング処理を行ってもよい（ステップＳ９）。
【００２９】
エッチング処理においては、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、図５に示すように、エッチングガス供給部９２Ａに信号を送信することで、チャンバ２内部へのエッチングガスの供給を開始してもよい（ステップＳ３１）。このとき、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、エッチングガスを供給しながら、排気装置２６２Ａでチャンバ２内部を排気してもよい。例えば、ターゲット物質がスズであり、エッチングガスが水素の場合には、デブリの除去に伴う反応生成物としてＳｎＨ４が生成され得る。このＳｎＨ４は、上述のように、常温ではガスとして存在するため、排気装置２６２Ａによりチャンバ２外部へ排出され得る。
そして、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、エッチングガスの供給時間が規定時間以上となったか否かを判定してもよい（ステップＳ３２）。エッチング速度をＥ（ｎｍ／ｍｉｎ）とし、堆積量の閾値をＴｃ（ｎｍ）とした場合、規定時間を、Ｔｃ／Ｅ（ｍｉｎ）と定義してもよい。エッチング速度Ｅ（ｎｍ／ｍｉｎ）と、堆積量の閾値Ｔｃ（ｎｍ）は実験等により決定しておくとよい。
このステップＳ３２において、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、規定時間以上であると判定した場合、すなわちデブリのエッチングを終了すると判定した場合、エッチングガス供給部９２Ａに信号を送信することで、エッチングガスの供給を停止し（ステップＳ３３）、ステップＳ９の処理を終了してもよい。このとき、エッチングガスおよび反応生成物がチャンバ２内部から十分に排気されるよう、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、排気動作を行いつつ一定時間待機してもよい。更に、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、ＥＵＶ光２５１を生成可能な圧力までチャンバ２内部を排気しつつ待機してもよい。このような処理により、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面２３１に堆積していたデブリが所定量以下まで低減し得るとともに、反応生成物がチャンバ２内部から排気され得る。
一方、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、ステップＳ３２において、規定時間以上でないと判定した場合、予め設定された時間の経過後にステップＳ３２の処理を再度行ってもよい。
【００３０】
ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、図３に示すように、ステップＳ９の処理が終了した後、バルブ９１１Ａを開状態とするための信号をバルブ駆動部９１２Ａに送信することで、バルブ９１１Ａを開けてもよい（ステップＳ１０）。この状態では、接続部２９にＥＵＶ光２５２が通過するアパーチャが形成され得る。ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、エッチングが終了した旨のエッチング処理終了信号を露光装置コントローラ６１Ａに送信してもよい（ステップＳ１１）。エッチングモード終了信号を受信した露光装置コントローラ６１Ａは、露光動作を再開する場合、露光再開信号をＥＵＶ光生成制御システム５Ａに送信してもよい。一方、露光装置コントローラ６１Ａは、露光動作を終了する場合、露光終了信号をＥＵＶ光生成制御システム５Ａに送信してもよい。
次に、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、ＥＵＶ光の発光を再開するか否かを判定してもよい（ステップＳ１２）。このステップＳ１２において、露光装置コントローラ６１Ａから露光再開信号を受信していた場合、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、発光を再開すると判定してもよい。この場合、ステップＳ１の処理を行ってもよい。一方、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、露光装置コントローラ６１Ａから露光終了信号を受信していた場合、発光を再開しないと判定してもよい。この場合、ＥＵＶ光の発光処理を終了してもよい。
【００３１】
上述のように、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、ＥＵＶ光２５１を生成していないときに、チャンバ２内にエッチングガスを供給してデブリをエッチングすることが可能であってもよい。このような構成により、エッチングガスによるＥＵＶ光２５１の吸収が抑制され、露光装置６内に適切なＥＵＶ光２５１が出力されないという不具合を抑制し得る。
また、バルブ９１１Ａにより接続部２９を閉じた状態において、チャンバ２内にエッチングガスを供給しながら、排気装置２６２Ａでチャンバ２内を排気するため、エッチングガスや反応生成物が露光装置６内に混入することが抑制され得る。エッチング速度が速いエッチングガスを使用することで洗浄時間が短縮し得る。
【００３２】
ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、デブリの堆積量が閾値以上であると判断すると、ＥＵＶ光２５１の生成を中止して、エッチングガスを用いたデブリのエッチングを行ってもよい。このような構成により、デブリが堆積していないタイミング、あるいは、堆積量が少なくエッチングを行う必要がないタイミングでエッチングを行うという無駄な処理を抑制し得る。
【００３３】
３．２  第２実施形態
３．２．１  概略
本開示の第２実施形態によれば、エッチングガスとして水素ラジカルを使用してもよい。
このような構成によれば、エッチングガスとしてハロゲンガスを使用する場合と比べて、エッチング速度の向上が可能となり得る。
【００３４】
３．２．２  構成
図６は、第２実施形態に係るエッチングガス供給部の構成を概略的に示す。
第２実施形態の図示しないＥＵＶ光生成装置において、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｂおよびエッチングガス供給部９２Ｂ以外の構成については、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１Ａと同様のものを適用してもよい。
【００３５】
エッチングガス供給部９２Ｂは、図６に示すように、水素ボンベ９２１Ｂと、水素ガス供給配管９２２Ｂと、水素ラジカル生成部９２３Ｂとを備えてもよい。
水素ガス供給配管９２２Ｂは、水素ボンベ９２１Ｂと水素ラジカル生成部９２３Ｂとを連結してもよい。水素ガス供給配管９２２Ｂには、レギュレータ９２４Ｂと、マフフローコントローラ９２５Ｂと、バルブ９２６Ｂとが設けられてもよい。
レギュレータ９２４Ｂは、水素ガスを水素ボンベ９２１Ｂの内圧から減圧して水素ガス供給配管９２２Ｂに供給してもよい。
マフフローコントローラ９２５Ｂおよびバルブ９２６Ｂは、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｂに電気的に接続されてもよい。マフフローコントローラ９２５Ｂは、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｂからの信号に基づいて、水素ガスの流量を調節してもよい。バルブ９２６Ｂは、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｂからの信号に基づいて、水素ボンベ９２１Ｂから水素ラジカル生成部９２３Ｂに水素ガスを供給可能な開状態と、水素ガスを供給不可能な閉状態とを切り替え可能に構成されてもよい。
【００３６】
水素ラジカル生成部９２３Ｂは、水素ラジカル生成器９２７Ｂと、一対の電極９３１Ｂと、フィラメント９３２Ｂと、水素ラジカル生成器電源９３３Ｂとを備えてもよい。
水素ラジカル生成器９２７Ｂは、板状のベース部９２８Ｂと、このベース部９２８Ｂの外縁から当該ベース部９２８Ｂと直交する方向に延在する側面部９２９Ｂとを備え、ベース部９２８Ｂと対向する面が開口した筒状に形成されてもよい。水素ラジカル生成器９２７Ｂは、当該水素ラジカル生成器９２７Ｂの内部とチャンバ２の内部とが連通するように、チャンバ２に取り付けられてもよい。ベース部９２８Ｂには、水素ガス供給配管９２２Ｂの内部と水素ラジカル生成器９２７Ｂの内部とが連通するように、水素ガス供給配管９２２Ｂが取り付けられてもよい。
【００３７】
一対の電極９３１Ｂのうち一方の電極９３１Ｂは、水素ラジカル生成器９２７Ｂの内部において、ベース部９２８Ｂから当該ベース部９２８Ｂと直交する方向に延在するように設けられてもよい。他方の電極９３１Ｂは、水素ラジカル生成器９２７Ｂの外部において、一方の電極９３１Ｂと平行に設けられてもよい。
フィラメント９３２Ｂは、タングステン等で形成されてもよい。フィラメント９３２Ｂは、一対の電極９３１Ｂの先端同士を電気的に接続してもよい。
水素ラジカル生成器電源９３３Ｂは、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｂに電気的に接続されてもよい。水素ラジカル生成器電源９３３Ｂは、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｂからの信号に基づいて、一対の電極９３１Ｂに電圧を印加することで、フィラメント９３２Ｂに電流を流せるよう構成されてもよい。
【００３８】
３．２．３  動作
次に、第２実施形態におけるＥＵＶ光生成装置の動作について説明する。
なお、第２実施形態におけるＥＵＶ光生成装置の動作において、上述した第１実施形態の動作と異なるのは、ステップＳ３１のエッチングガスの供給開始処理、および、ステップＳ３３のエッチングガスの供給停止処理における動作であってよい。これら以外の処理については、第１実施形態と同様の処理を行ってもよい。そのため、ステップＳ３１およびステップＳ３３の動作についてのみ説明する。
【００３９】
ＥＵＶ光生成装置のＥＵＶ光生成制御システム５Ｂは、ステップＳ３１において、エッチングガスの供給を開始する旨の信号をマフフローコントローラ９２５Ｂ、バルブ９２６Ｂ、および、水素ラジカル生成器電源９３３Ｂに送信してもよい。この信号を受信したマフフローコントローラ９２５Ｂおよびバルブ９２６Ｂは、流量が調節された水素ガスを、水素ガス供給配管９２２Ｂを介して水素ラジカル生成器９２７Ｂ内に供給してもよい。また、この信号を受信した水素ラジカル生成器電源９３３Ｂは、一対の電極９３１Ｂに電圧を印加して、フィラメント９３２Ｂに所定の電流を流してもよい。
フィラメント９３２Ｂに所定の電流が流れると、フィラメント９３２Ｂが１７００℃以上２０００℃以下の温度に加熱され得る。この状態で、水素ガスを水素ラジカル生成器９２７Ｂ内に供給すると、水素分子がフィラメント９３２Ｂに衝突し熱分解されることで、水素ラジカルが生成され得る。そして、この水素ラジカルが、エッチングガスとしてチャンバ２内部に供給され得る。水素ラジカルは水素分子と比較して、反応性が高く、エッチング速度の向上が期待できる。
【００４０】
一方、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｂは、ステップＳ３３において、供給を停止する旨の信号をマフフローコントローラ９２５Ｂ、バルブ９２６Ｂ、および、水素ラジカル生成器電源９３３Ｂに送信してもよい。この信号を受信した水素ラジカル生成器電源９３３Ｂは、一対の電極９３１Ｂへの電圧の印加を停止してもよい。また、この信号を受信したマフフローコントローラ９２５Ｂおよびバルブ９２６Ｂは、チャンバ２内部への水素ガスの供給を停止してもよい。以上の処理により、エッチングガスの供給が停止されうる。
【００４１】
上述のように、エッチングガスとして水素ラジカルを使用することで、エッチング速度の向上が可能となり得る。
【００４２】
３．３  第３実施形態
３．３．１  概略
本開示の第３実施形態によれば、エッチングガス供給部は、チャンバの外部において水素ラジカルを生成する水素ラジカル生成部と、チャンバ外部からチャンバ内部に延在するように設けられ、水素ラジカル生成部で生成した水素ラジカルを輸送する輸送管とを備えてもよい。
このような構成によれば、水素ラジカル生成部のサイズが大きいなどの理由により、エッチング対象のＥＵＶ集光ミラー（光学素子）の近傍に水素ラジカル生成部を配置できない場合であっても、輸送管の形状を調節するだけの簡単な方法で、水素ラジカルをＥＵＶ集光ミラーの近傍まで輸送することが可能となり得る。このため、水素ラジカルの失活を抑制することが可能となり、エッチング能力の低下を抑制し得る。
【００４３】
３．３．２  構成
図７は、第３実施形態に係るエッチングガス供給部の構成を概略的に示す。
第３実施形態の図示しないＥＵＶ光生成装置において、水素ラジカル生成部９２３Ｃ以外の構成については、第２実施形態のＥＵＶ光生成装置と同様のものを適用してもよい。
【００４４】
エッチングガス供給部９２Ｃは、図７に示すように、水素ガス供給配管９２２Ｂと、水素ラジカル生成部９２３Ｃとを備えてもよい。
水素ラジカル生成部９２３Ｃは、水素ラジカル生成器９２７Ｃと、一対の電極９３１Ｂと、フィラメント９３２Ｂと、水素ラジカル生成器電源９３３Ｂと、輸送管９３４Ｃとを備えてもよい。
水素ラジカル生成器９２７Ｃは、ベース部９２８Ｂと、側面部９２９Ｃと、蓋部９３０Ｃとを備えてもよい。蓋部９３０Ｃは、ベース部９２８Ｂおよび側面部９２９Ｃで形成される筒状の開口部を塞ぐように設けられてもよい。水素ラジカル生成器９２７Ｃは、蓋部９３０Ｃの外面がチャンバ２の外面と接触するように、チャンバ２に取り付けられてもよい。
輸送管９３４Ｃは、チャンバ２の壁を貫通するように設けられてもよい。輸送管９３４Ｃは、一端が蓋部９３０Ｃに接続され、他端がチャンバ２内部のＥＵＶ集光ミラー２３の近傍に位置するように設けられ、水素ラジカル生成器９２７Ｃで生成された水素ラジカルをＥＵＶ集光ミラー２３の反射面２３１に噴き付け可能に構成されてもよい。
なお、水素ラジカルは、輸送管９３４Ｃで輸送される際に、輸送管９３４Ｃの内壁面で失活し、再結合することで水素分子となり得る。このような失活を抑制するために、再結合係数が小さい材料で輸送管９３４Ｃの少なくとも内面を形成してもよい。ここで、輸送管９３４Ｃ全体を当該再結合係数が小さい材料で形成してもよいし、輸送管９３４Ｃの内壁面のみを当該再結合係数が小さい材料でコーティングしてもよい。この再結合係数が小さい材料として、ＳｉＯ２を用いてもよい。
【００４５】
３．３．３  動作
次に、ＥＵＶ光生成装置の動作について説明する。
なお、第３実施形態におけるＥＵＶ光生成装置の動作において、エッチングガスの供給処理以外は、第２実施形態と同じであってもよい。
【００４６】
エッチングガス供給部９２Ｃは、エッチングガスの供給開始処理を行う際、第２実施形態のエッチングガス供給部９２Ｂと同様の処理により、水素ラジカルを生成してもよい。この生成された水素ラジカルは、輸送管９３４Ｃを介してＥＵＶ集光ミラー２３近傍まで導かれ、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面２３１に噴き付けられ得る。少なくとも輸送管９３４Ｃの内壁面を再結合係数が小さい材料で形成することで、輸送中における水素ラジカルの失活が抑制され得る。その結果、水素ラジカルがエッチングガスとして反射面２３１に噴き付けられ得る。
【００４７】
上述のように、エッチングガス供給部９２Ｃに、チャンバ２外部において水素ラジカルを生成する水素ラジカル生成部９２３Ｃと、この水素ラジカル生成部９２３Ｃで生成した水素ラジカルをチャンバ２内部のＥＵＶ集光ミラー２３近傍まで輸送する輸送管９３４Ｃとを設けてもよい。
このような構成によれば、水素ラジカル生成部９２３ＣのサイズやＥＵＶ集光ミラー２３の配置位置によらず、輸送管９３４Ｃの形状を調節するだけの簡単な方法で、水素ラジカルをＥＵＶ集光ミラー２３の近傍に導くことが可能となり得る。このため、水素ラジカルの失活を抑制することが可能となり、エッチング能力の低下を抑制し得る。
【００４８】
なお、第２，第３実施形態では、フィラメント９３２Ｂを用いた、いわゆるフィラメント式の水素ラジカル生成部９２３Ｂ，９２３Ｃを用いたが、プラズマ源に水素ガスを流すことで水素プラズマを発生させ、当該水素プラズマでデブリをエッチングしてもよい。また、エッチングガスとして、ハロゲンガスを用いてもよい。ハロゲンガスを用いる場合、当該ハロゲンガスのエッチング能力が水素ガスよりも高いため、ラジカル化しなくてもよい。
【００４９】
３．４  第４実施形態
３．４．１  概略
本開示の第４実施形態によれば、排気装置は、デブリをエッチングすることで生成される反応生成物をトラップするトラップ部と、このトラップ部がトラップした反応生成物からターゲット物質を回収する回収部とを備えてもよい。
このような構成によれば、エッチングしたデブリをターゲット物質として再利用することが可能となり、資源の有効活用を図り得る。
【００５０】
３．４．２  構成
図８Ａは、第４実施形態に係る排気装置を概略的に示す。図８Ｂは、前記排気装置の構成を概略的に示す。
第４実施形態においては、第１〜第３実施形態のＥＵＶ光生成装置１Ａにおける排気装置２６２Ａに替えて排気装置２６２Ｄを備えてもよい。そのため、第４実施形態における図示しないＥＵＶ光生成装置においては、排気装置２６２Ｄ以外の構成については、第１〜第３実施形態と同様のものを適用してもよい。
【００５１】
図８Ａおよび図８Ｂに示すように、排気装置２６２Ｄは、真空ポンプ２６３Ｄと、トラップ部２６４Ｄと、回収部２７２Ｄとを備えてもよい。チャンバ２とトラップ部２６４Ｄとの接続部は重力方向に延伸してもよい。トラップ部２６４Ｄと真空ポンプ２６３Ｄとの接続部は、Ｌ字型に屈曲して水平方向に延伸してもよい。トラップ部２６４Ｄと回収部２７２Ｄとの接続部は重力方向に延伸していてもよい。トラップ部２６４Ｄと真空ポンプ２６３Ｄと回収部２７２Ｄとの接続部はＴ字型であってもよい。真空ポンプ２６３Ｄは、チャンバ２側に設けられたターボ分子ポンプ２６５Ｄと、このターボ分子ポンプ２６５Ｄに対してチャンバ２と反対側に設けられたドライポンプ２６６Ｄとを備えてもよい。ターボ分子ポンプ２６５Ｄおよびドライポンプ２６６Ｄは、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｄに電気的に接続されてもよい。
【００５２】
トラップ部２６４Ｄは、チャンバ２から真空ポンプ２６３Ｄに流れ込む反応生成物をトラップしてもよい。例えばターゲット物質がスズであり、エッチングガスに水素を含むガスを用いた場合、反応性生物としてＳｎＨ４（スタナンガス）が生成しうる。トラップ部２６４Ｄは、チャンバ２から重力方向に延伸する接続部の途中に配置されてもよい。トラップ部２６４Ｄのブレード２６７Ｄには、電流によって加熱されるヒータ２６８Ｄが設けられてもよい。
ヒータ２６８Ｄには、当該ヒータ２６８Ｄに電流を供給するための電源２６９Ｄが接続されてもよい。また、少なくとも１つのブレード２６７Ｄには、温度センサ２７０Ｄが設けられてもよい。温度センサ２７０Ｄで検出された温度に対応する信号は、温度コントローラ２７１Ｄに入力されてもよい。温度コントローラ２７１Ｄは、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｄに電気的に接続されてもよい。温度コントローラ２７１Ｄは、温度センサ２７０Ｄで検出された温度に基づいて電源２６９Ｄからヒータ２６８Ｄに供給される電流を制御してもよい。
チャンバ２から重力方向に延伸する接続部の下部には、詳しくは後述するが、トラップ部２６４Ｄから流れ出した溶融スズ２８０Ｄを回収するための回収部２７２Ｄが設けられてもよい。
【００５３】
３．４．３  動作
次に、ＥＵＶ光生成装置の動作について説明する。
なお、第４実施形態におけるＥＵＶ光生成装置の動作において、排気処理以外は、第１〜第３実施形態のいずれかと同じであってもよい。そのため、第４実施形態の動作は、排気処理のみについて説明する。
【００５４】
ＥＵＶ光生成制御システム５Ｄは、ＥＵＶ光２５１を生成する際、排気を開始する旨の信号をターボ分子ポンプ２６５Ｄおよびドライポンプ２６６Ｄに送信してもよい。この信号を受信したターボ分子ポンプ２６５Ｄおよびドライポンプ２６６Ｄは、駆動を開始し、接続部を介してチャンバ２内部を排気してもよい。
【００５５】
また、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｄは、ＥＵＶ光２５１の生成を停止して、デブリのエッチング処理を行う際、トラップ部２６４Ｄのブレード２６７Ｄを加熱する旨の信号を温度コントローラ２７１Ｄに送信してもよい。ターゲット物質がスズの場合、この信号を受信した温度コントローラ２７１Ｄは、電源２６９Ｄを制御して、ブレード２６７Ｄをスズが溶融する温度（２３１℃）程度以上に加熱してもよい。
真空ポンプ２６３Ｄによってチャンバ２から排気された反応生成物は、トラップ部２６４Ｄに進入し得る。反応生成物がスタナンガスの場合、当該スタナンガスは、トラップ部２６４Ｄに進入すると、１００℃以上に加熱され、スズと水素に分解される。この分解で得られた水素は、トラップ部２６４Ｄと真空ポンプ２６３Ｄとの接続部を介して真空ポンプ２６３Ｄによって排気され得る。一方、この分解で得られたスズは、ブレード２６７Ｄに付着し得る。このとき、ブレード２６７Ｄがスズの溶融温度以上に加熱されているため、スズは、トラップ部２６４Ｄから溶融スズ２８０Ｄとして流れ出て、回収部２７２Ｄで回収され得る。
また、チャンバ２から延伸するトラップ部２６４Ｄと回収部２７２Ｄとの接続部の一部を漏斗状にしておくことで、トラップ部２６４Ｄから流れ出した溶融スズ２８０Ｄを回収部２７２Ｄの中央部にて回収することが可能となり得る。この場合、回収部２７２Ｄの開口を小さく構成でき、溶融スズ２８０Ｄが回収部２７２Ｄに落下する際の飛沫の拡散を抑制できてよい。更に、回収部２７２Ｄにヒータ、温度センサ、温度コントローラ等を配して回収部２７２Ｄのスズに接する部分をスズの融点以上に温度調節してもよい。この場合、回収したスズを溶融状態で保持するの、最小の体積でスズを収容でき、回収部２７２Ｄを小さく構成できる。
【００５６】
上述のように、排気装置２６２Ｄは、デブリをエッチングすることで生成される反応生成物をトラップし、このトラップした反応生成物からターゲット物質であるスズを回収してもよい。
このような構成によれば、エッチングしたデブリをターゲット物質として再利用することが可能となり、資源の有効活用を図り得る。
【００５７】
なお、真空ポンプ２６３Ｄは、ドライポンプ２６６Ｄのみから構成されてもよい。また、トラップ部２６４Ｄは、真空ポンプ２６３Ｄより排気側に設けられてもよい。さらに、真空ポンプ２６３Ｄの排気側には水素の希釈装置を設けて、排気される水素が爆発限界濃度に達するのを抑制してもよい。
【００５８】
３．５  第５実施形態
３．５．１  概略
本開示の第５実施形態によれば、ＥＵＶ光生成装置のターゲット生成器は、いわゆる静電引出方式によってドロップレットを生成するものであってもよい。そして、このようなＥＵＶ光生成装置において、ＥＵＶ光を生成していないときに、チャンバ内部と露光装置内部とが連通しないように接続部を閉じるステップと、接続部を閉じた状態においてエッチングガスをチャンバ内に供給するステップと、エッチングガスを供給しながら、排気装置でチャンバ内を排気するステップとを行ってもよい。
【００５９】
静電引出方式のターゲット生成器の場合、ノズルと引出電極間に数１０ｋＶ以上の電圧を印加してもよい。この電圧の印加によって、ノズルからターゲット物質が引き出され、ドロップレットが形成され得る。そして、この形成されたドロップレットが、チャンバ内に出力され得る。
ここで、ノズルと引出電極間の雰囲気中にエッチングガス（例えば水素ガス）が存在している条件で、高電圧（例えば数１０ｋＶ以上）を印加すると、絶縁破壊が発生し、ドロップレットの出力が抑制され得る。
これに対して、第５実施形態によれば、ＥＵＶ光を生成しているときは、エッチングガスを供給せず、チャンバ内を真空に排気することによって、ノズルと引出電極間の絶縁破壊が抑制され、ドロップレットを適切に形成し得る。また、ＥＵＶ光を生成しないときは、ドロップレットを生成する必要がないので、高い電圧をノズルと引出電極間に印加する必要がなく、エッチングガスを供給して、ＥＵＶ集光ミラーにデブリとして堆積したスズをエッチングし得る。
【００６０】
３．５．２  構成
図９は、第５実施形態に係るＥＵＶ光生成装置のターゲット供給装置の構成を概略的に示す。図１０は、ＥＵＶ光を生成する状態を概略的に示す。
【００６１】
ＥＵＶ光生成装置１Ｅを構成するターゲット供給装置７Ｅは、図９に示すように、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｅと、ターゲット生成部７０Ｅと、ターゲット制御装置８０Ｅとを備えてもよい。ターゲット生成部７０Ｅは、ターゲット生成器７１Ｅと、不活性ガスボンベ７２１Ｅに接続された圧力調整器７２Ｅと、温度調節部７３Ｅと、静電引出部７５Ｅとを備えてもよい。
【００６２】
ターゲット生成器７１Ｅは、タンク７１１Ｅと、ノズル７１２Ｅとを備えてもよい。ノズル７１２Ｅは、ノズル本体７１３Ｅと、先端保持部７１４Ｅと、出力部７１５Ｅとを備えてもよい。ノズル本体７１３Ｅは、タンク７１１Ｅの下面からチャンバ２内に突出するように設けられてもよい。先端保持部７１４Ｅは、ノズル本体７１３Ｅの先端に設けられてもよい。先端保持部７１４Ｅは、ノズル本体７１３Ｅよりも直径が大きい円筒状に形成されてもよい。先端保持部７１４Ｅは、ノズル本体７１３Ｅとは別体として構成され、ノズル本体７１３Ｅに固定されてもよい。
【００６３】
出力部７１５Ｅは、略円板状に形成されてもよい。出力部７１５Ｅは、ノズル本体７１３Ｅの先端面に密着するように、先端保持部７１４Ｅによって保持されてもよい。出力部７１５Ｅの中央部分には、チャンバ２内に突出する円錐台状の突出部７１６Ｅが設けられてもよい。突出部７１６Ｅは、そこに電界が集中し易いようにするために設けられてもよい。突出部７１６Ｅには、突出部７１６Ｅにおける円錐台上面部を構成する先端部の略中央部に開口するノズル孔が設けられてもよい。出力部７１５Ｅは、出力部７１５Ｅに対するターゲット物質２７０Ｅの濡れ性が低い材料で構成されるのが好ましい。他の場合、出力部７１５Ｅの少なくとも表面が、当該濡れ性が低い材料でコーティングされてもよい。
【００６４】
タンク７１１Ｅと、ノズル７１２Ｅと、出力部７１５Ｅとは、電気絶縁材料で構成されてもよい。これらが、電気絶縁材料ではない材料、例えばモリブデンなどの金属材料で構成される場合には、チャンバ２とターゲット生成器７１Ｅとの間や、出力部７１５Ｅと後述する引出電極７５１Ｅとの間に電気絶縁材料が配置されてもよい。この場合、タンク７１１Ｅと後述するパルス電圧生成器７５３Ｅとが電気的に接続されてもよい。
【００６５】
温度調節部７３Ｅは、ヒータ７３１Ｅと、ヒータ電源７３２Ｅと、温度センサ７３３Ｅと、温度コントローラ７３４Ｅとを備えてもよい。ヒータ７３１Ｅは、タンク７１１Ｅの外周面に設けられてもよい。ヒータ電源７３２Ｅは、ヒータ７３１Ｅと温度コントローラ７３４Ｅとに電気的に接続されていてもよい。ヒータ電源７３２Ｅは、温度コントローラ７３４Ｅからの信号に基づいて、ヒータ７３１Ｅに電力を供給してヒータ７３１Ｅを発熱させてもよい。それにより、タンク７１１Ｅ内のターゲット物質２７０Ｅが加熱され得る。
【００６６】
温度センサ７３３Ｅは、タンク７１１Ｅの外周面におけるノズル７１２Ｅ側に設けられてもよいし、タンク７１１Ｅ内に設けられてもよい。温度センサ７３３Ｅには、温度コントローラ７３４Ｅが電気的に接続されていてもよい。温度センサ７３３Ｅは、タンク７１１Ｅ内のターゲット物質２７０Ｅの温度を検出して、当該検出された温度に対応する信号を温度コントローラ７３４Ｅに送信するよう構成されてもよい。温度コントローラ７３４Ｅは、温度センサ７３３Ｅからの信号に基づいて、ターゲット物質２７０Ｅの温度を判定し、ターゲット物質２７０Ｅの温度を所定温度に調節するための信号をヒータ電源７３２Ｅに出力するよう構成されてもよい。これにより、温度調節部７３Ｅは、タンク７１１Ｅを、例えば、ターゲット物質２７０Ｅの融点以上の温度に保持してもよい。
【００６７】
静電引出部７５Ｅは、引出電極７５１Ｅと、電極７５２Ｅと、パルス電圧生成器７５３Ｅとを備えてもよい。
引出電極７５１Ｅは、略円板状に構成されてもよい。引出電極７５１Ｅの中央には、ドロップレットが通過するための円形状の貫通孔７５４Ｅが形成されてもよい。引出電極７５１Ｅは、出力部７１５Ｅとの間に隙間が形成されるように、先端保持部７１４Ｅによって保持されてもよい。引出電極７５１Ｅは、貫通孔７５４Ｅの中心軸と、円錐台状の突出部７１６Ｅの回転対称軸とが一致するように保持されるのが好ましい。引出電極７５１Ｅは、導入端子７５５Ｅを介してパルス電圧生成器７５３Ｅに電気的に接続されてもよい。
【００６８】
電極７５２Ｅは、タンク７１１Ｅ内のターゲット物質２７０Ｅ中に配置されてもよい。電極７５２Ｅは、フィードスルー７５６Ｅを介してパルス電圧生成器７５３Ｅに電気的に接続されてもよい。パルス電圧生成器７５３Ｅは、ターゲット制御装置８０Ｅに電気的に接続されてもよい。パルス電圧生成器７５３Ｅは、タンク７１１Ｅ内のターゲット物質２７０Ｅと引出電極７５１Ｅとの間に電圧を印加するよう構成されてもよい。これにより、図１０に示すように、ターゲット物質２７０Ｅが静電気力によってドロップレット２７の形状で引き出され得る。
【００６９】
３．５．３  動作
次に、ＥＵＶ光生成装置の動作について説明する。
第５実施形態におけるＥＵＶ光生成装置の動作において、ＥＵＶ光の発光処理以外は、第１〜第４実施形態と同じであってもよい。
【００７０】
上述のように、ＥＵＶ光を生成しているときは、エッチングガスを供給せず、チャンバ２内を真空に排気してもよい。このような構成により、ノズル７１２Ｅと引出電極７５１Ｅ間の絶縁破壊が抑制され、ドロップレットを適切に形成し得る。
また、ＥＵＶ光を生成しないときは、ドロップレットを生成する必要がないので、高い電圧をノズル７１２Ｅと引出電極７５１Ｅ間に印加する必要がなく、エッチングガスを供給して、ＥＵＶ集光ミラーにデブリとして堆積したスズをエッチングし得る。
【００７１】
３．６  第６実施形態
３．６．１  概略
本開示の第６実施形態によれば、光学素子は、ＥＵＶ光を反射集光するＥＵＶ集光ミラーであり、デブリの量を計測するステップは、ＥＵＶ集光ミラーの反射面におけるプラズマ生成領域からの距離が最も近い部分のデブリの量を計測してもよい。
ここで、ＥＵＶ集光ミラーの反射面に堆積するデブリの量は、ＥＵＶ光が等方的に広がると仮定すると、プラズマ生成領域から遠い部分と比べて近い部分の方が多くなり得る。また、例えば、デブリの堆積量が最も多くない部分での堆積量が閾値以上であると判断したときに、デブリのエッチングを開始する場合、エッチング前のＥＵＶ光の生成時において、デブリの堆積量が最も多い部分では堆積量が閾値を大きく超えてしまい（許容範囲を超えてしまい）、適切でないＥＵＶ光が出力されてしまうおそれがある。
これに対して、第６実施形態では、デブリが最も多く堆積している部分での計測結果に基づいてデブリのエッチングを開始することで、堆積量が許容範囲を超える前に、ＥＵＶ光の生成を停止することができ、適切でないＥＵＶ光が出力されるという不具合を未然に防止し得る。
【００７２】
３．６．２  構成
図１１は、第６実施形態に係る洗浄機能を備えたＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。
ＥＵＶ光生成装置１Ｆは、図１１に示すように、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｆと洗浄部９Ｆ以外は、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１Ａと同様の構成を有してもよい。洗浄部９Ｆは、連通制御部９１Ａと、エッチングガス供給部９２Ａと、デブリセンサ９３Ｆとを備えてもよい。
【００７３】
デブリセンサ９３Ｆは、発光部９３１Ｆと、受光部９３２Ｆとを備えてもよい。発光部９３１Ｆおよび受光部９３２Ｆは、それぞれＥＵＶ光生成制御システム５Ｆに電気的に接続されてもよい。発光部９３１Ｆは、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｆからの信号を受信すると、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面２３１における貫通孔２４の周縁部分に向けて、プローブ光９４１Ｆを出力してもよい。この貫通孔２４の周縁部分は、反射面２３１におけるプラズマ生成領域２５から最も近い部分であり、反射面２３１のうちデブリ２８０Ｆの堆積量（膜厚）が最も多くなり得る。受光部９３２Ｆは、反射面２３１で反射された反射光９４２Ｆを受光して、この受光量に対応する信号をＥＵＶ光生成制御システム５Ｆに送信してもよい。
【００７４】
３．６．３  動作
次に、ＥＵＶ光生成装置の動作について説明する。
図１２は、デブリ堆積量検出処理を示すフローチャートである。図１３は、エッチング処理を示すフローチャートである。
なお、第６実施形態におけるＥＵＶ光生成装置の動作において、デブリ堆積量検出処理およびエッチング処理以外は、第１〜第５実施形態と同じであってもよい。
【００７５】
ＥＵＶ光生成制御システム５Ｆは、図３に示すステップＳ１〜ステップＳ１２の処理を行ってもよい。ＥＵＶ光生成制御システム５Ｆは、ステップＳ３におけるデブリ堆積量検出処理では、図１２に示すように、デブリセンサ９３Ｆでデブリ２８０Ｆの堆積量を計測してもよい（ステップＳ４１）。ＥＵＶ光生成制御システム５Ｆは、発光部９３１Ｆに信号を送信してプローブ光９４１Ｆを出力させるとともに、受光部９３２Ｆから反射光９４２Ｆの受光量に対応する信号を受信してもよい。
この後、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｆは、デブリ２８０Ｆの堆積量が、第１規定値以上か否かを判定してもよい（ステップＳ４２）。デブリ２８０Ｆの堆積量を計測する場合、例えば、デブリ２８０Ｆの膜厚と受光部９３２Ｆにおける反射光９４２Ｆの受光量との相関曲線を予め調べておき、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｆが受信した信号に対応する受光量と当該相関曲線とに基づいて、堆積量を計測してもよい。また、第１規定値は、例えば、ターゲット物質がスズであり、エッチング前のＥＵＶ光の反射率の許容低下率を１０％とした場合、Ｔ＝０．７５（ｎｍ）であってもよい。
【００７６】
このステップＳ４２において、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｆは、第１規定値以上であると判定した場合、変数Ｆを「１」に設定して（ステップＳ２２）、ステップＳ３の処理を終了してもよい。一方、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｆは、ステップＳ４２において、第１規定値以上でないと判定した場合、ステップＳ２２の処理を行わずに、ステップＳ３の処理を終了してもよい。
このような処理により、デブリ２８０Ｆの堆積量が第１規定値以上の場合、変数Ｆが「１」に設定され得る。一方、デブリ２８０Ｆの堆積量が第１規定値未満の場合、変数Ｆが「０」に設定され得る。
【００７７】
また、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｆは、図１３に示すように、排気装置２６２Ａでチャンバ２内部を排気しながら、チャンバ２内部へのエッチングガスの供給を開始してもよい（ステップＳ３１）。そして、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｆは、デブリセンサ９３Ｆでデブリ２８０Ｆの堆積量を計測して（ステップＳ５１）、この堆積量が第２規定値未満か否かを判定してもよい（ステップＳ５２）。第２規定値は、例えば、ターゲット物質がスズであり、エッチング後のＥＵＶ光の反射率の許容低下率を０．５％とした場合、Ｔ＝０．０３７５（ｎｍ）であってもよい。
【００７８】
このステップＳ５２において、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｆは、第２規定値未満であると判定した場合、エッチングガス供給部９２Ａに信号を送信することで、エッチングガスの供給を停止し（ステップＳ３３）、ステップＳ９の処理を終了してもよい。このような処理により、反射面２３１に堆積していたデブリ２８０Ｆが所定量以下まで低減し得るとともに、反応生成物がチャンバ２内部から排気され得る。
一方、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｆは、ステップＳ５２において、第２規定値未満でないと判定した場合、予め設定された時間の経過後にステップＳ５１の処理を再度行ってもよい。
【００７９】
上述のように、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｆは、デブリ２８０Ｆが最も多く堆積している部分での堆積量が第１規定値以上と判定した場合、デブリ２８０Ｆのエッチングを開始してもよい。このような構成によれば、反射面２３１の全域において堆積量が第１規定値を超える前に、ＥＵＶ光の生成を停止することができ、適切でないＥＵＶ光が出力されるという不具合を未然に防止し得る。
【００８０】
３．７  第７実施形態
３．７．１  概略
本開示の第７実施形態によれば、ＥＵＶ光生成装置は、チャンバ内部に磁場を形成する磁場形成部を備えてもよい。この磁場形成部は、ＥＵＶ光の生成中に磁場を形成することで、スズイオンを含むデブリをＥＵＶ集光ミラーに付着しないようにトラップして、イオン回収筒に回収してもよい。そして、このようなＥＵＶ光生成装置において、ＥＵＶ光を生成していないときに、チャンバ内部と露光装置内部とが連通しないように接続部を閉じるステップと、接続部を閉じた状態においてエッチングガスをチャンバ内に供給するステップと、エッチングガスを供給しながら、排気装置でチャンバ内を排気するステップとを行ってもよい。
【００８１】
ここで、ＥＵＶ光の生成中にエッチングガスが存在している条件で、磁場によってスズイオンを含むデブリをトラップする場合、デブリがエッチングガスと衝突し得る。この衝突によって、デブリがイオン回収筒に入らずに、ＥＵＶ集光ミラーに堆積し得る。
これに対して、第７実施形態によれば、ＥＵＶ光を生成していないときのみに、エッチングガスによりデブリをエッチングして排気し、ＥＵＶ光を生成しているときは、エッチングガスを供給せず、チャンバ内を真空に排気するとともに磁場でデブリをトラップしてもよい。このような構成によって、ＥＵＶ光の生成中には磁場によってデブリをイオン回収筒に回収することが可能となり、ＥＵＶ集光ミラーにデブリが堆積することを抑制し得る。
【００８２】
３．７．２  構成
図１４は、第７実施形態に係る洗浄機能を備えたＥＵＶ光生成装置の断面図を概略的に示す。図１５は、図１４のＥＵＶ光生成装置を図１４とは直行する断面からみた断面図の構成を概略的に示す。
【００８３】
ＥＵＶ光生成装置１Ｇは、図１４および図１５に示すように、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｇ、磁場形成部９５Ｇおよびイオン回収筒９６Ｇ以外は、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１Ａと同様の構成を有してもよい。
チャンバ２外部には、たとえば、磁力線の中心がプラズマ生成領域２５付近を通るように配置された一対の磁場形成部９５Ｇが設けられてもよい。磁場形成部９５Ｇは、チャンバ２内部に数Ｔ（テスラ）の磁場を形成可能な超電導磁石であってもよい。磁場形成部９５Ｇは、それぞれ電磁石コイル９５１Ｇを備えてもよい。電磁石コイル９５１Ｇは、図示しない電源に電気的に接続されてもよい。この電源は、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｇに電気的に接続されてもよい。
図示しない電源がＥＵＶ光生成制御システム５Ｇから信号を受信して、電磁石コイル９５１Ｇに電流を流すことで、磁力線の中心がプラズマ生成領域２５を通る磁場９５９Ｇが形成され得る。プラズマ生成領域２５付近で生成されたプラズマより生じたスズイオンを含む帯電粒子などのデブリは、磁場９５９Ｇにトラップされ得る。その後、トラップされた帯電粒子は、磁場９５９Ｇの磁力線に巻きつくように流れることで、イオン流を形成し得る。
【００８４】
チャンバ２内部における磁場９５９Ｇの磁力線が収束する領域には、一対のイオン回収筒９６Ｇが設けられてもよい。イオン回収筒９６Ｇは、プラズマ生成領域２５を向く面が開口された筒状に形成されてもよい。磁場９５９Ｇに沿って流れるイオン流は、その後、一対のイオン回収筒９６Ｇのいずれか一方に回収され得る。これにより、プラズマ生成領域２５付近で発生したスズのデブリの多くが、一対のイオン回収筒９６Ｇのいずれかによって回収され得る。なお、デブリとして回収されたスズは、ターゲット物質として再利用し得る。
【００８５】
３．７．３  動作
次に、ＥＵＶ光生成装置の動作について説明する。
第７実施形態におけるＥＵＶ光生成装置の動作において、ＥＵＶ光の発光処理において電磁石コイルに電流を供給する以外は、第１〜第４実施形態と同じであってもよい。なお、デブリのエッチング処理中にも、磁場形成部９５Ｇを駆動して、磁場９５９Ｇを形成してもよい。
【００８６】
上述のように、ＥＵＶ光２５１を生成していないときのみに、エッチングガスによりデブリをエッチングして排気し、ＥＵＶ光２５１を生成しているときは、エッチングガスを供給せず、チャンバ２内を真空に排気するとともに磁場９５９Ｇでデブリをトラップしてもよい。このような構成によって、磁場９５９Ｇによってデブリをイオン回収筒９６Ｇに回収することが可能となり、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面２３１にデブリが堆積することを抑制し得る。
なお、デブリの堆積量検出処理において、第６実施形態と同様の処理を行ってもよい。
【００８７】
３．８  第８実施形態
３．８．１  概略
本開示の第８実施形態によれば、エッチングガスをチャンバ内に供給するステップは、エッチング反応を促進する反応促進処理を含んでもよい。
このような構成によれば、デブリのエッチング速度を速めることが可能となり、ＥＵＶ光の発光停止から発光再開までの時間を短縮し得る。
【００８８】
３．８．２  構成
図１６は、第８実施形態に係る洗浄機能を備えたＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。
ＥＵＶ光生成装置１Ｈは、図１６に示すように、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｈ、ＤＵＶランプ９７Ｈ以外は、第１実施形態のＥＵＶ光生成装置１Ａと同様の構成を有してもよい。
チャンバ２内部には、少なくとも１つのＤＵＶランプ９７Ｈが設けられてもよい。このＤＵＶランプ９７Ｈは、ＥＵＶ光２５２の光路から外れた位置に設けられてもよい。ＤＵＶランプ９７Ｈは、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｈに電気的に接続されてもよい。ＤＵＶランプ９７Ｈは、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｈから信号を受信すると、ＤＵＶ光９７１Ｈを発光し、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面２３１に向けて放射してもよい。
【００８９】
ここで、エッチング反応速度定数ｋは、以下の式（１）で示すように、活性化エネルギーＥａと温度Ｔとに依存し得る。
ｋ＝Ａｅ−Ｅａ／ＲＴ  ・・・  （１）
このことから、反射面２３１に供給しているエッチングガスにＤＵＶ光９７１Ｈを照射する反応促進処理を行うことによって、エッチングガスに活性化エネルギーあるいは温度のエネルギーを与えることが可能となる。そのため、当該反応促進処理を行わない場合と比べて、エッチング反応速度が速くなり、デブリのエッチング終了までの時間が短縮し得る。
【００９０】
なお、ＤＵＶランプ９７Ｈの代わりに、エキシマレーザやエキシマランプを設け、これらからの光をエッチングガスに照射することで、エッチングガスに活性化エネルギーを与えてもよい。また、ＤＵＶランプ９７Ｈの代わりに、ＥＵＶ集光ミラー２３などの光学素子を直接加熱するヒータなどを設け、光学素子の温度を上げることで、エッチング反応速度を速くしてもよい。
さらには、ＤＵＶ光９７１Ｈを水素ガスに照射して、水素ラジカルを生成してもよい。このような構成によれば、スズと水素ラジカルが反応して、スタナンガスを生成することによって、堆積したデブリであるスズをエッチングし得る。
Ｈ２＋ｈｖ（ＤＵＶ光）→２Ｈ＊
Ｓｎ＋４Ｈ＊→ＳｎＨ４（ｇａｓ）
【００９１】
３．８．３  動作
次に、ＥＵＶ光生成装置の動作について説明する。
図１７は、エッチング処理を示すフローチャートである。
なお、第８実施形態におけるＥＵＶ光生成装置の動作において、エッチング処理以外は、第１〜第５実施形態と同じであってもよい。
【００９２】
ＥＵＶ光生成制御システム５Ｈは、図３に示すステップＳ１〜ステップＳ１２の処理を行ってもよい。ＥＵＶ光生成制御システム５Ｈは、ステップＳ９におけるエッチング処理では、排気装置２６２Ａでチャンバ２内部を排気しながら、チャンバ２内部へのエッチングガスの供給を開始し（ステップＳ３１）、ＤＵＶランプ９７Ｈに信号を送信してＤＵＶ光９７１Ｈを発光してもよい（ステップＳ６１）。この放射されたＤＵＶ光９７１Ｈがエッチングガスに照射されることで、エッチング反応速度が速くなり得る。
【００９３】
そして、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｈは、エッチングガスの供給時間が規定時間以上となったか否かを判定してもよい（ステップＳ６２）。ＤＵＶ光９７１Ｈにより反応促進処理が施されたエッチングガスのエッチング速度をＥ１（ｎｍ／ｍｉｎ）とし、堆積量の閾値をＴ（ｎｍ）とした場合、規定時間を、Ｔ／Ｅ１（ｍｉｎ）と定義してもよい。この規定時間は、第１実施形態と同じエッチングガスを用いた場合、第１実施形態の規定時間と比べて短くなり得る。
【００９４】
ステップＳ６２において、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｈは、規定時間以上であると判定した場合、すなわちデブリのエッチングを終了すると判定した場合、ＤＵＶランプ９７Ｈを消灯して（ステップＳ６３）、エッチングガスの供給を停止してもよい（ステップＳ３３）。
一方、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｈは、ステップＳ６２において、規定時間以上でないと判定した場合、予め設定された時間の経過後にステップＳ６２の処理を再度行ってもよい。
【００９５】
上述のように、エッチングガスをチャンバ２内に供給する際に、エッチング反応を促進する反応促進処理として、ＤＵＶ光９７１Ｈをエッチングガスに照射してもよい。
このような構成によれば、デブリのエッチング速度を速めることが可能となり、ＥＵＶ光２５１の発光停止から発光再開までの時間を短縮し得る。
【００９６】
なお、第８実施形態では、エッチングガスの供給時間を基準として、エッチングガスの供給を停止していたが、第６実施形態の構成をさらに備え、第６実施形態のエッチング処理と同様に、デブリセンサでの計測結果を基準として、エッチングガスの供給を停止してもよい。
具体的に、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｈは、図１８に示すように、ステップＳ３１、ステップＳ６１の処理の後、ステップＳ５１およびステップＳ５２の処理を行ってもよい。その後、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｈは、ステップＳ６３およびステップＳ３３の処理を行ってもよい。
【００９７】
３．９  第９実施形態
３．９．１  概略
本開示の第９実施形態によれば、エッチングガスをチャンバ内に供給するステップは、光学素子の反射面に沿ってエッチングガスを供給する処理を含んでもよい。
このような構成によれば、エッチングガスのフラックスが増加して、エッチング速度を速めることが可能となり、ＥＵＶ光の発光停止から発光再開までの時間を短縮し得る。ここで、フラックスとは、単位時間当たりに、反射面と垂直な平面における単位面積を通過するエッチングガスの量であってよい。
【００９８】
３．９．２  構成
図１９は、第９実施形態に係るエッチングガス供給部の構成を概略的に示す。
エッチングガス供給部９２Ｊは、図１９に示すように、水素ラジカル生成部９２３Ｂと、ノズル９２８Ｊと、連結管９２９Ｊとを備えてもよい。水素ラジカル生成部９２３Ｂは、第２実施形態と同様に、水素ガス供給配管９２２Ｂを介して水素ボンベ９２１Ｂに連結され、水素ボンベ９２１Ｂが供給する水素ガスを利用して水素ラジカルを生成してもよい。
【００９９】
ノズル９２８Ｊは、中央に貫通孔９３０Ｊを有する円環状に形成されてもよい。貫通孔９３０Ｊは、ＥＵＶ集光ミラー２３の貫通孔２４より小さくてもよい。ノズル９２８Ｊは、ＥＵＶ集光ミラー２３のプラズマ生成領域２５側において、貫通孔９３０Ｊの中心が貫通孔２４の中心と同軸状に位置するように設けられてもよい。このようにノズル９２８Ｊを配置することによって、パルスレーザ光３３がノズル９２８Ｊに遮られることなくプラズマ生成領域２５に到達し得る。
ノズル９２８Ｊには、円周方向に連続するガス流路９３１Ｊが設けられてもよい。また、ノズル９２８Ｊには、当該ノズル９２８Ｊの外周面とガス流路９３１Ｊとを連通するスリット９３２Ｊが設けられてもよい。スリット９３２Ｊは、ノズル９２８Ｊの全周にわたって連続的に設けられてもよいし、断続的に設けられてもよい。
連結管９２９Ｊは、水素ラジカル生成部９２３Ｂで生成された水素ラジカルをガス流路９３１Ｊに供給するように設けられてもよい。
【０１００】
３．９．３  動作
次に、ＥＵＶ光生成装置の動作について説明する。
なお、第９実施形態におけるＥＵＶ光生成装置の動作において、エッチングガスの供給処理以外は、第１〜第８実施形態と同じであってもよい。
図示しないＥＵＶ光生成制御システムは、エッチングガスを供給する際、水素ラジカル生成部９２３Ｂで水素ラジカルを生成してもよい。この水素ラジカルは、エッチングガス９３３Ｊとして反射面２３１に沿って供給され得る。このとき、スリット９３２Ｊがノズル９２８Ｊの全周にわたって連続的に設けられていれば、エッチングガス９３３Ｊは、反射面２３１の全面に供給され得る。
【０１０１】
上述のように、エッチングガス供給部９２Ｊは、エッチングガス９３３Ｊを反射面２３１に沿って供給するため、エッチングガス９３３Ｊのフラックスが増加して、エッチング速度を速めることが可能となり、ＥＵＶ光の発光停止から発光再開までの時間を短縮し得る。
【０１０２】
なお、エッチングガス９３３Ｊを、ＥＵＶ集光ミラー２３の外周部から中央に向かって供給してもよい。また、ＥＵＶ集光ミラー２３に貫通孔２４以外の貫通孔が設けられている場合には、当該貫通孔のプラズマ生成領域２５側にノズル９２８Ｊを設け、反射面２３１に沿ってエッチングガス９３３Ｊを供給してもよい。
【０１０３】
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
【０１０４】
本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾句「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。
【符号の説明】
【０１０５】
１Ａ，１Ｅ，１Ｆ，１Ｇ，１Ｈ…ＥＵＶ光生成装置、２…チャンバ、６…露光装置、７，７Ｅ…ターゲット供給装置、２３…ＥＵＶ集光ミラー（光学素子）、２５…プラズマ生成領域、２９…接続部、２３１…反射面、２５１…ＥＵＶ光、２６２Ａ，２６２Ｄ…排気装置。
【図１】
0006034598.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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