(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を第一回転数にて回転させつつ、前記基板の回転中心までの距離が前記基板の半径に対して０％を超え４０％以下である位置にて前記基板の表面に処理液の供給を開始し、前記処理液の供給位置を前記回転中心側に移動させること、
前記処理液の供給位置が前記回転中心に到達した後、前記第一回転数よりも大きい第二回転数にて前記基板を回転させることにより、前記処理液を前記基板の外周側に塗り広げること、を含み、
前記第一回転数にて前記基板を回転させているときには、前記第二回転数にて前記基板を回転させているときに比べ、前記基板の表面へ単位時間あたりに供給される前記処理液の供給量を少なくする、液処理方法。
【請求項２】
基板を第一回転数にて回転させつつ、前記基板の回転中心までの距離が前記基板の半径に対して０％を超え４０％以下である位置にて前記基板の表面に処理液の供給を開始し、前記処理液の供給位置を前記回転中心側に移動させること、
前記処理液の供給位置が前記回転中心に到達した後、前記第一回転数よりも大きい第二回転数にて前記基板を回転させることにより、前記処理液を前記基板の外周側に塗り広げること、を含み、
前記処理液の供給を開始するときには、前記処理液の供給位置を前記回転中心側に移動させているときに比べ、前記基板の表面へ単位時間あたりに供給される前記処理液の供給量を少なくする、液処理方法。
【請求項３】
前記基板の表面において、前記処理液の供給開始位置よりも前記基板の外周側の領域に、前記処理液の広がりを促進する液体を塗布することを更に含む、請求項１又は２に記載の液処理方法。
【請求項４】
前記処理液の供給を開始した後、前記処理液の供給位置を前記回転中心側に移動させる前に前記基板を少なくとも一周回転させる、請求項１〜３の何れか一項に記載の液処理方法。
【請求項５】
前記処理液の供給位置が前記回転中心に近づくのに応じて、前記処理液の供給位置の移動速度を高くする、請求項１〜４の何れか一項に記載の液処理方法。
【請求項６】
前記処理液の供給位置が前記回転中心に近づくのに応じて、前記基板の回転数を大きくする、請求項１〜５の何れか一項に記載の液処理方法。
【請求項７】
前記第二回転数にて前記基板を回転させているときには、前記第一回転数にて前記基板を回転させているときに比べ、前記基板への前記処理液の吐出口と前記基板の前記表面との距離を短くする、請求項１〜６のいずれか一項記載の液処理方法。
【請求項８】
基板を保持して回転させる回転保持部と、
前記基板の上方に配置されるノズルと、
前記ノズルを移動するノズル移動部と、
前記ノズルに処理液を供給する処理液供給部と、
前記基板を第一回転数にて回転させるように前記回転保持部を制御し、前記基板の回転中心までの距離が前記基板の半径に対して０％を超え４０％以下である位置に前記ノズルを移動させるように前記ノズル移動部を制御し、当該位置にて前記基板の表面に前記処理液の供給を開始するように前記処理液供給部を制御し、前記処理液の供給位置を前記回転中心側に移動させるように前記ノズル移動部を制御すること、前記処理液の供給位置が前記回転中心に到達した後、前記第一回転数よりも大きい第二回転数にて前記基板を回転させることにより、前記処理液を塗り広げるように前記回転保持部を制御すること、を実行し、前記第一回転数にて前記基板を回転させているときには、前記第二回転数にて前記基板を回転させているときに比べ、前記基板の表面へ単位時間あたりに供給される前記処理液の供給量を少なくするように前記処理液供給部を制御する制御部と、を備える液処理装置。
【請求項９】
基板を保持して回転させる回転保持部と、
前記基板の上方に配置されるノズルと、
前記ノズルを移動するノズル移動部と、
前記ノズルに処理液を供給する処理液供給部と、
前記基板を第一回転数にて回転させるように前記回転保持部を制御し、前記基板の回転中心までの距離が前記基板の半径に対して０％を超え４０％以下である位置に前記ノズルを移動させるように前記ノズル移動部を制御し、当該位置にて前記基板の表面に前記処理液の供給を開始するように前記処理液供給部を制御し、前記処理液の供給位置を前記回転中心側に移動させるように前記ノズル移動部を制御すること、前記処理液の供給位置が前記回転中心に到達した後、前記第一回転数よりも大きい第二回転数にて前記基板を回転させることにより、前記処理液を塗り広げるように前記回転保持部を制御すること、を実行し、前記処理液の供給を開始するときには、前記処理液の供給位置を前記回転中心側に移動させているときに比べ、前記基板の表面へ単位時間あたりに供給される前記処理液の供給量を少なくするように前記処理液供給部を制御する制御部と、を備える液処理装置。
【請求項１０】
前記制御部は、前記第二回転数にて前記基板を回転させているときには、前記第一回転数にて前記基板を回転させているときに比べ、前記基板への前記処理液の吐出口と前記基板の前記表面との距離を短くするように前記ノズル移動部を制御する、請求項８又は９記載の液処理装置。
【請求項１１】
請求項１〜７の何れか一項記載の液処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記録した、コンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液処理方法、液処理装置、及び記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造工程においては、基板に対する様々な液処理が施される。液処理において、基板に塗布する処理液中に気泡が混入している場合がある。処理液中に混入した気泡を除去するための装置として、例えば特許文献１には、処理液を供給する供給配管に泡抜き用配管が設けられた液処理装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平２−１１９９２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載される液処理装置により、処理液中の気泡を除去したとしても、処理液が基板に到達する際に処理液中に気泡が混入する場合がある。この気泡が基板上に残留すると、基板上における処理液の塗布状態が不均一になるおそれがある。
【０００５】
本開示は、基板に対する処理液の塗布状態の均一性を高めることができる液処理方法、液処理装置、及び液処理用記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示に係る液処理方法は、基板を第一回転数にて回転させつつ、基板の回転中心から偏心した位置にて基板の表面に処理液の供給を開始し、処理液の供給位置を回転中心側に移動させること、処理液の供給位置が回転中心に到達した後、第一回転数よりも大きい第二回転数にて基板を回転させることにより、処理液を基板の外周側に塗り広げること、を含む。
【０００７】
処理液中への気泡の混入は、処理液が基板に到達する際に生じやすい傾向がある。これに対し本開示においては、回転中心から偏心した位置にて基板の表面に処理液の供給が開始されることにより、供給開始時の気泡の混入は回転中心から偏心した位置に生じることとなる。第二回転数にて処理液が塗り広げられる際に、回転中心から偏心した位置に生じる遠心力は、回転中心付近に生じる遠心力に比べ大きい。また、回転中心から偏心した位置から基板の周縁までの距離は、回転中心から基板の周縁までの距離に比べ短い。したがって、供給開始時に混入する気泡は、基板の周縁に到達しやすくなるので、基板の表面に残留しにくくなる。
【０００８】
また、処理液の供給開始後には、基板が回転した状態で供給位置が回転中心側に移動するので、基板の表面には、処理液が螺旋状に塗布される。また、処理液の供給位置が回転中心に到達するまでの基板の回転数は、処理液を塗り広げる際の第二回転数よりも小さい第一回転数である。このため、螺旋状に塗布されている際における処理液の広がりが抑制される。これらのことから、第二回転数にて処理液を塗り広げるのに先立って、略円形の処理液の液だまりが形成される。これにより、基板を第二回転数にて回転させる際に、処理液が基板全周に均等に広がりやすくなる。以上のように、基板上における気泡の残留が抑制されると共に、処理液が基板全周に広がりやすくなるので、処理液の塗布状態の均一性を高めることができる。
【０００９】
基板の表面において、処理液の供給開始位置よりも外周側の領域に、外周側への処理液の広がりを促進する液体を塗布することを更に含んでもよい。処理液の広がりを促進する液体が塗布された領域では、基板の表面上を処理液が広がりやすくなる。このため、上記気泡が基板の周縁に更に到達しやすくなる。したがって、基板上における気泡の残留を更に抑制することができる。
【００１０】
回転中心までの距離が、基板の半径に対して０％を超え４０％以下である位置にて処理液の供給を開始してもよい。上述したように、回転中心から偏心した位置にて処理液の供給を開始することで、供給開始時に混入する気泡は、基板の周縁に到達しやすくなる。一方、供給位置を回転中心から遠ざけすぎると、第一回転数にて液だまりを形成するのに長時間を要することとなり、塗布を完了するまでの処理時間が長くなる。これに対し、処理液の供給開始位置を基板の半径に対して０％を超え４０％以下である位置とすることで、処理時間を許容範囲に保ちつつ、気泡の残留を抑制できる。
【００１１】
第一回転数にて基板を回転させているときには、第二回転数にて基板を回転させているときに比べ、基板の表面へ単位時間あたりに供給される処理液の供給量を少なくしてもよい。この場合、液だまりの形成中における気泡の混入が抑制される。このため、基板上における気泡の残留を更に抑制することができる。
【００１２】
処理液の供給を開始するときには、回転中心側に移動しているときに供給される処理液の供給量に比べ、基板の表面へ単位時間あたりに供給される処理液の供給量を少なくしてもよい。この場合、供給開始時における気泡の混入が更に抑制される。このため、気泡の残留を更に抑制することができる。
【００１３】
処理液の供給を開始した後、処理液の供給位置を回転中心側に移動させる前に基板を少なくとも一周回転させてもよい。この場合、基板の表面に処理液が環状に塗布された後に、その内側に螺旋状に処理液が塗布される。このため、液だまりの形状が、より円形に近いものとなる。これにより、処理液の液だまりが周方向に不均一になることが抑制されるので、基板を第二回転数にて回転させる際に、処理液が基板全周に対して更に均等に広がりやすくなる。
【００１４】
処理液の供給位置が回転中心に近づくのに応じて、処理液の供給位置の移動速度を高くしてもよい。この場合、上記液だまりにおける液体の厚さの均一性が向上するので、基板を第二回転数にて回転させる際に、処理液が更に広がりやすくなる。
【００１５】
処理液の供給位置が回転中心に近づくのに応じて、基板の回転数を大きくしてもよい。この場合、上記液だまりにおける液体の厚さの均一性が向上するので、基板を第二回転数にて回転させる際に、処理液が更に広がりやすくなる。
【００１６】
第二回転数にて基板を回転させているときには、第一回転数にて基板を回転させているときに比べ、基板への処理液の吐出口と基板の表面との距離を短くしてもよい。基板の回転数を第一回転数から第二回転数に上げると、吐出口から基板に至る処理液の液柱が基板の回転に引きずられて傾くことにより、基板の表面における処理液の塗布状態が不均一になる場合がある。これに対し、第二回転数にて基板を回転させるときに、処理液の吐出口と基板の表面との距離を短くすることにより、上記液柱が傾きにくくなるため、基板上における処理液の塗布状態の均一性を更に向上させることができる。
【００１７】
本開示に係る液処理装置は、基板を保持して回転させる回転保持部と、基板の上方に配置されるノズルと、ノズルを移動するノズル移動部と、ノズルに処理液を供給する処理液供給部と、基板を第一回転数にて回転させるように回転保持部を制御し、基板の回転中心から偏心した位置にノズルを移動させるようにノズル移動部を制御し、基板の回転中心から偏心した位置にて基板の表面に処理液の供給を開始するように処理液供給部を制御し、処理液の供給位置を回転中心側に移動させるようにノズル移動部を制御すること、処理液の供給位置が回転中心に到達した後、第一回転数よりも大きい第二回転数にて基板を回転させることにより、処理液を塗り広げるように回転保持部を制御すること、を実行する制御部と、を備える。
【００１８】
本開示に係る記録媒体は、上記液処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記録したものである。
【発明の効果】
【００１９】
本開示によれば、基板に対する処理液の塗布状態の均一性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す斜視図である。
【図２】図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。
【図３】図２中のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。
【図４】塗布ユニットの概略構成を示す模式図である。
【図５】液処理方法の実行手順を示すフローチャートである。
【図６】基板の表面に処理液が塗布されている様子を模式的に示す側面図である。
【図７】基板の表面に処理液が塗布されている様子を模式的に示す側面図である。
【図８】基板の表面に処理液が塗布されている様子を模式的に示す平面図である。
【図９】基板の表面に処理液が塗布されている様子を模式的に示す平面図である。
【図１０】基板の表面に処理液が塗布されている様子を模式的に示す平面図である。
【図１１】基板の回転数と処理液の供給レートとの関係を示すグラフである。
【図１２】ノズルと基板とを模式的に示す側面図である。
【図１３】参考形態に係る液処理方法の実行手順を示すフローチャートである。
【図１４】ノズルと基板とを模式的に示す側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
［基板処理システム］
まず、図１、図２及び図３を参照して、本実施形態に係る基板処理システム１の概要を説明する。図１に示されるように、基板処理システム１は、塗布・現像装置２と露光装置３とを備える。露光装置３は、レジスト膜（感光性被膜）の露光処理を行う。具体的には、液浸露光等の方法によってレジスト膜の露光対象部分にエネルギー線を照射する。
【００２２】
塗布・現像装置２は、露光装置３による露光処理の前に、ウエハＷ（基板）の表面にレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。
【００２３】
塗布・現像装置２は、図２及び図３に更に示されるように、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インターフェースブロック６とを備える。キャリアブロック４、処理ブロック５及びインターフェースブロック６は、水平方向に並んでいる。
【００２４】
キャリアブロック４は、キャリアステーション１２と搬入・搬出部１３とを有する。搬入・搬出部１３はキャリアステーション１２と処理ブロック５との間に介在する。キャリアステーション１２は、複数のキャリア１１を支持する。キャリア１１は、例えば円形の複数枚のウエハＷを密封状態で収容する。キャリア１１は、一つの側面１１ａ側に、ウエハＷを出し入れするための開閉扉を有している。キャリア１１は、側面１１ａが搬入・搬出部１３側に面するように、キャリアステーション１２上に着脱自在に設置される。
【００２５】
搬入・搬出部１３は、キャリアステーション１２上の複数のキャリア１１にそれぞれ対応する複数の開閉扉１３ａを有する。側面１１ａの開閉扉と開閉扉１３ａとを同時に開放することで、キャリア１１内と搬入・搬出部１３内とが連通する。搬入・搬出部１３は受け渡しアームＡ１を内蔵している（図２及び図３参照）。受け渡しアームＡ１は、キャリア１１からウエハＷを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５からウエハＷを受け取ってキャリア１１内に戻す。
【００２６】
処理ブロック５は、複数の処理モジュール１４，１５，１６，１７を有する。処理モジュール１４，１５，１６，１７は、複数の塗布ユニットＵ１と、複数の熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにウエハＷを搬送する搬送アームＡ３とを内蔵している（図３参照）。処理モジュール１７は、塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を経ずにウエハＷを搬送する直接搬送アームＡ６を更に内蔵している（図２参照）。塗布ユニットＵ１は、レジスト液をウエハＷの表面に塗布する。
【００２７】
処理モジュール１４は、塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりウエハＷの表面上に下層膜を形成するＢＣＴモジュールである。処理モジュール１４の塗布ユニットＵ１は、下層膜形成用の液体をウエハＷ上に塗布する。処理モジュール１４の熱処理ユニットＵ２は、下層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。
【００２８】
処理モジュール１５は、塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により下層膜上にレジスト膜を形成するＣＯＴモジュールである。処理モジュール１５の塗布ユニットＵ１は、レジスト膜形成用の液体を下層膜の上に塗布する。処理モジュール１５の熱処理ユニットＵ２は、レジスト膜の形成に伴う各種熱処理を行う。
【００２９】
処理モジュール１６は、塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により、レジスト膜上に上層膜を形成するＴＣＴモジュールである。処理モジュール１６の塗布ユニットＵ１は、上層膜形成用の液体をレジスト膜の上に塗布する。処理モジュール１６の熱処理ユニットＵ２は、上層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。
【００３０】
処理モジュール１７は、塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により、露光後のレジスト膜の現像処理を行うＤＥＶモジュールである。現像ユニットは、露光済みのウエハＷの表面上に現像液を塗布した後、これをリンス液によって洗い流すことで、レジスト膜の現像処理を行う。熱処理ユニットは、現像処理に伴う各種熱処理を行う。熱処理は、例えば、現像処理前の加熱処理（ＰＥＢ：Ｐｏｓｔ  Ｅｘｐｏｓｕｒｅ  Ｂａｋｅ）、または、現像処理後の加熱処理（ＰＢ：Ｐｏｓｔ  Ｂａｋｅ）等である。
【００３１】
処理ブロック５内において、キャリアブロック４側には棚ユニットＵ１０が設けられており、インターフェースブロック６側には棚ユニットＵ１１が設けられている（図２及び図３参照）。棚ユニットＵ１０は、床面から処理モジュール１６に亘るように設けられており、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットＵ１０の近傍には昇降アームＡ７が設けられている。昇降アームＡ７は、棚ユニットＵ１０のセル同士の間でウエハＷを昇降させる。棚ユニットＵ１１は床面から処理モジュール１７の上部に亘るように設けられており、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。
【００３２】
インターフェースブロック６は、受け渡しアームＡ８を内蔵しており、露光装置３に接続される。受け渡しアームＡ８は、棚ユニットＵ１１に配置されたウエハＷを露光装置３に渡し、露光装置３からウエハＷを受け取って棚ユニットＵ１１に戻す。
【００３３】
基板処理システム１は、次に示す手順で塗布・現像処理を実行する。まず、受け渡しアームＡ１がキャリア１１内のウエハＷを棚ユニットＵ１０に搬送する。このウエハＷを、昇降アームＡ７が処理モジュール１４用のセルに配置し、搬送アームＡ３が処理モジュール１４内の各ユニットに搬送する。処理モジュール１４の塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２は、搬送アームＡ３によって搬送されたウエハＷの表面上に下層膜を形成する。下層膜の形成が完了すると、搬送アームＡ３がウエハＷを棚ユニットＵ１０に戻す。
【００３４】
次に、棚ユニットＵ１０に戻されたウエハＷを、昇降アームＡ７が処理モジュール１５用のセルに配置し、搬送アームＡ３が処理モジュール１５内の各ユニットに搬送する。処理モジュール１５の塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２は、搬送アームＡ３によって搬送されたウエハＷの下層膜上にレジスト膜を形成する。レジスト膜の形成が完了すると、搬送アームＡ３がウエハＷを棚ユニットＵ１０に戻す。
【００３５】
次に、棚ユニットＵ１０に戻されたウエハＷを、昇降アームＡ７が処理モジュール１６用のセルに配置し、搬送アームＡ３が処理モジュール１６内の各ユニットに搬送する。処理モジュール１６の塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２は、搬送アームＡ３によって搬送されたウエハＷのレジスト膜上に上層膜を形成する。上層膜の形成が完了すると、搬送アームＡ３がウエハＷを棚ユニットＵ１０に戻す。
【００３６】
次に、棚ユニットＵ１０に戻されたウエハＷを、昇降アームＡ７が処理モジュール１７用のセルに配置し、直接搬送アームＡ６が棚ユニットＵ１１に搬送する。このウエハＷを受け渡しアームＡ８が露光装置３に送り出す。露光装置３における露光処理が完了すると、受け渡しアームＡ８がウエハＷを露光装置３から受け入れ、棚ユニットＵ１１に戻す。
【００３７】
次に、棚ユニットＵ１１に戻されたウエハＷを、処理モジュール１７の搬送アームＡ３が処理モジュール１７内の各ユニットに搬送する。処理モジュール１７の塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２は、搬送アームＡ３によって搬送されたウエハＷのレジスト膜の現像処理及びこれに伴う熱処理を行う。レジスト膜の現像が完了すると、搬送アームＡ３はウエハＷを棚ユニットＵ１０に搬送する。
【００３８】
次に、棚ユニットＵ１０に搬送されたウエハＷを、昇降アームＡ７が受け渡し用のセルに配置し、受け渡しアームＡ１がキャリア１１内に戻す。以上で、塗布・現像処理が完了する。
【００３９】
［液処理装置］
続いて、液処理装置の一例として、塗布ユニットＵ１の構成について詳細に説明する。図４に示されるように、塗布ユニットＵ１は、回転保持部２０と、処理液供給部３０と、プリウエット液供給部４０と、ノズル移動部５０と、制御部６０とを備えている。
【００４０】
回転保持部２０は、保持部２２と、回転部２４と、昇降部２６とを有し、ウエハＷを保持して回転させる。保持部２２は、例えば水平に保持されたウエハＷの中心部を下方から吸着保持する。回転部２４は、例えばモータ等の動力源によって、保持部２２を鉛直な軸線まわりに回転させる。昇降部２６は保持部２２を昇降させる。
【００４１】
保持部２２はカップ２８内に収容されている。カップ２８は上方に向けて開口している。カップ２８はウエハＷ上から振り切られた処理液を収容する。カップ２８の底部２８ａには排液口２８ｂが設けられており、排液口２８ｂには排液ダクト（不図示）が接続されている。
【００４２】
処理液供給部３０は、処理液供給源３１と、ノズル３２と、バルブ３３とを有している。処理液供給源３１は、管路３４を介してノズル３２に接続されている。処理液供給源３１はポンプ（不図示）によって処理液をノズル３２に圧送する。処理液は、例えば、ウエハＷの表面Ｗａにレジスト膜を形成するためのレジスト液である。レジスト液の粘度は、例えば、２０〜２２０ｃｐである。
【００４３】
ノズル３２は保持部２２の上方に配置される。ノズル３２は下方に開口する吐出口３２ａを有しており、処理液供給源３１から供給された処理液を下方に吐出する。バルブ３３は管路３４に設けられている。バルブ３３は管路３４の開度を調節する。
【００４４】
以上の構成において、処理液供給源３１からノズル３２に処理液が圧送されると、処理液がノズル３２から下方に吐出され、保持部２２に保持されたウエハＷの表面Ｗａ上に供給される。
【００４５】
プリウエット液供給部４０は、プリウエット液供給源４１と、ノズル４２と、バルブ４３とを有している。プリウエット液供給源４１は、管路４４を介してノズル４２に接続されている。プリウエット液供給源４１は、ポンプ（不図示）によって、プリウエット液をノズル４２に圧送する。プリウエット液は、処理液の広がりを促進する液体である。プリウエット液として、例えば、処理液に比べてウエハＷの表面Ｗａに対する濡れ性に優れる液体を用いることが望ましい。このような液体として、例えばシンナーが挙げられる。
【００４６】
ノズル４２は保持部２２の上方に配置される。ノズル４２は下方に開口しており、プリウエット液供給源４１から供給されたプリウエット液を下方に吐出する。バルブ４３は管路４４に設けられている。バルブ４３は管路４４の開度を調節する。
【００４７】
以上の構成において、プリウエット液供給源４１からノズル４２にプリウエット液が圧送されると、プリウエット液がノズル４２から下方に吐出され、保持部２２に保持されたウエハＷの表面Ｗａ上に供給される。
【００４８】
ノズル移動部５０は、ガイドレール５１と、移動体５２，５３と、駆動部５４〜５６とを有している。
【００４９】
ガイドレール５１はカップ２８の周囲において、水平方向に沿うように配置されている。移動体５２はガイドレール５１に取り付けられている。移動体５２はノズル３２を保持するアーム５２ａを有する。移動体５３はガイドレール５１に取り付けられている。移動体５３はノズル４２を保持するアーム５３ａを有する。
【００５０】
駆動部５４はガイドレール５１に沿って移動体５２を移動させることにより、ノズル３２を移動させる。駆動部５５はアーム５２ａを昇降させることにより、ノズル３２を昇降させる。駆動部５６はガイドレール５１に沿って移動体５３を移動させることにより、ノズル４２を移動させる。駆動部５４〜５６は、例えば、電動モータ等を動力源として構成されている。
【００５１】
制御部６０は、搬送制御部６１と、回転制御部６２と、第一供給位置制御部６３と、第二供給位置制御部６４と、第一供給量制御部６５と、第二供給量制御部６６とを有する。
【００５２】
搬送制御部６１は、塗布ユニットＵ１内へのウエハＷの搬入及び搬出を行うように、保持部２２、昇降部２６及び搬送アームＡ３を制御する。回転制御部６２は、ウエハＷを回転させるように、回転部２４を制御する。第一供給位置制御部６３は、ノズル３２を移動させるように駆動部５４を制御し、ノズル３２を昇降させるように、駆動部５５を制御する。第二供給位置制御部６４は、ノズル４２を移動させるように駆動部５６を制御する。第一供給量制御部６５は、ノズル３２から供給される処理液の供給量を調整するように、処理液供給源３１とバルブ３３を制御する。第二供給量制御部６６は、ノズル４２から供給されるプリウエット液の供給量を調整するように、プリウエット液供給源４１及びバルブ４３を制御する。
【００５３】
制御部６０は、例えば、一つまたは複数の制御用コンピュータにより構成される。この場合、制御部６０の各要素は、制御用コンピュータのプロセッサ、メモリ及びモニタ等の協働により構成される。なお、制御部６０の各要素を構成するハードウェアは、必ずしもプロセッサ、メモリ及びモニタに限られない。例えば、制御部６０の各要素は、その機能に特化した電気回路により構成されていてもよいし、当該電気回路を集積したＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｉｆｉｃ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）により構成されていてもよい。
【００５４】
制御用コンピュータを制御部６０として機能させるためのプログラムは、コンピュータ読み取り可能な記録媒体に記録されていてもよい。すなわち、記録媒体には、液処理装置に用いられ、後述の液処理方法を装置に実行させるためのソフトウェアが記録されている。コンピュータ読み取り可能な記録媒体としては、例えばハードディスク、コンパクトディスク、フラッシュメモリ、フレキシブルディスク、及びメモリーカード等である。
【００５５】
［液処理方法］
次に、液処理方法の一例として、塗布ユニットＵ１による処理液の塗布手順について説明する。
【００５６】
図５に示されるように、まず、制御部６０はステップＳ０１を実行する。ステップＳ０１では、搬送制御部６１が、ウエハＷを塗布ユニットＵ１に搬入するように、保持部２２、昇降部２６及び搬送アームＡ３を制御する。具体的に、搬送制御部６１は、保持部２２をカップ２８外まで上昇させるように昇降部２６を制御し、ウエハＷを保持部２２上に載置するように搬送アームＡ３を制御し、載置されたウエハＷを吸着するように保持部２２を制御し、ウエハＷをカップ２８内まで下降させるように昇降部２６を制御する。
【００５７】
次に、制御部６０はステップＳ０２を実行する。ステップＳ０２では、回転制御部６２が、処理対象のウエハＷを第一回転数ω１にて回転させるように、回転部２４を制御する。第一回転数ω１は、例えば、０ｒｐｍを超え１２０ｒｐｍ以下である。
【００５８】
次に、制御部６０はステップＳ０３を実行する。ステップＳ０３では、第二供給位置制御部６４が、処理液Ｒの供給開始位置（後述）よりもウエハＷの外周側の位置にノズル４２を移動させるように駆動部５６を制御する。その後、第二供給量制御部６６が、ノズル４２からプリウエット液Ｓが吐出されるようにプリウエット液供給源４１及びバルブ４３を制御する（図６の（ａ））。これにより、ウエハＷの表面Ｗａにおいて、処理液Ｒの供給開始位置よりも外周側の領域にプリウエット液が塗布される（図８参照）。プリウエット液Ｓの単位時間当たりの供給量は、例えば、２５〜１２５ｍｌ／ｓｅｃである。
【００５９】
次に、制御部６０はステップＳ０４を実行する。ステップＳ０４では、第一供給位置制御部６３が、ウエハＷの回転中心ＣＬ１から偏心した位置にノズル３２を移動させるように、駆動部５４を制御する。例えば、第一供給位置制御部６３は、ウエハＷの回転中心ＣＬ１までの距離がウエハＷの半径に対して０％を超え４０％以下である位置までノズル３２を移動させるように、駆動部５４を制御する。
【００６０】
次に、制御部６０はステップＳ０５，Ｓ０６を実行する。ステップＳ０５では、第一供給量制御部６５が、ノズル３２から処理液Ｒを吐出させるように、処理液供給源３１及びバルブ３３を制御する。これにより、ウエハＷの回転中心ＣＬ１から偏心した位置にて、ウエハＷの表面Ｗａに処理液Ｒの供給が開始される（図６の（ａ）参照）。
【００６１】
ステップＳ０５において、単位時間あたりにノズル３２からウエハＷに供給される処理液Ｒの量（以下、「供給レート」という）は、以後の処理において必要とされる供給レートに比べ小さく設定されている。そこでステップＳ０６では、第一供給量制御部６５が、処理液Ｒの供給レートを上げるように、処理液供給源３１及びバルブ３３の少なくとも一方を制御する。図１１の（ａ）は、供給レートの経時変化を例示するグラフである。このグラフにおいては、時刻ｔ１がステップＳ０６の実行時を示している。なお、第一供給量制御部６５は、バルブ３３を徐々に開くことにより、供給レートを緩やかに上昇させてもよい。以上の供給レートは、例えば処理液Ｒの粘度等に基づき適宜設定される。
【００６２】
次に、制御部６０はステップＳ０７を実行する。ステップＳ０７では、制御部６０が、ウエハＷが少なくとも一周回転するのを待機する。これにより、ウエハＷの表面Ｗａには処理液Ｒが環状に塗布される（図８参照）。
【００６３】
次に、制御部６０は、ステップＳ０８を実行する。ステップＳ０８では、第一供給位置制御部６３は、ノズル３２を回転中心ＣＬ１側に移動させるように、駆動部５４を制御する（図６の（ｂ）参照）。これにより、処理液Ｒの供給位置が回転中心ＣＬ１側に移動するので、ウエハＷの表面Ｗａには処理液Ｒが螺旋状に塗布される（図９参照）。ノズル３２が回転中心ＣＬ１まで移動する際の移動速度は、本例では、例えば、４ｍｍ／ｓｅｃである。
【００６４】
ステップＳ０８において、回転制御部６２は、処理液Ｒの供給位置が回転中心ＣＬ１に近づくのに応じて、ウエハＷの回転数を大きくするように、回転部２４を制御してもよい。このとき、回転制御部６２は、ノズル３２の直下におけるウエハＷの移動速度（線速度）が一定になるように、回転部２４を制御してもよい。また、ステップＳ０８において、第一供給位置制御部６３は、処理液Ｒの供給位置が回転中心ＣＬ１に近づくのに応じて、当該供給位置の移動速度を高くするように、駆動部５４を制御してもよい。処理液Ｒの供給位置が回転中心ＣＬ１に近づくのに応じてウエハＷの回転数を大きくする制御と、処理液Ｒの供給位置が回転中心ＣＬ１に近づくのに応じて当該供給位置の移動速度を高くする制御とを組み合わせて実行してもよい。
【００６５】
次に、制御部６０はステップＳ０９を実行する。ステップＳ０９では、制御部６０は、ノズル３２がウエハＷの回転中心ＣＬ１に到達するのを待機する。
【００６６】
次に、制御部６０はステップＳ１０を実行する（図１０参照）。ステップＳ１０では、第一供給位置制御部６３は、ノズル３２の吐出口３２ａとウエハＷの表面Ｗａとの距離を短くするように、駆動部５５を制御する（図６の（ｃ）参照）。例えば、吐出口３２ａと表面Ｗａとの距離は、ステップＳ１０の実行前において４〜６ｍｍであり、ステップＳ１０の実行後において２〜４ｍｍである。
【００６７】
次に、制御部６０はステップＳ１１を実行する。ステップＳ１１では、回転制御部６２が、ウエハＷの回転数を第二回転数ω２に変更するように回転部２４を制御する。図１１の（ｂ）は、ウエハＷの回転数の経時変化を例示するグラフである。このグラフにおいては、時刻ｔ２がステップＳ１１の実行時を示している。このグラフに示すように、第二回転数ω２は第一回転数ω１よりも大きい。このため、処理液ＲがウエハＷの外周側に塗り広げられる（図６の（ｄ）参照）。第二回転数ω２は、例えば、１５００〜４０００ｒｐｍである。なお、上述したように、ステップＳ１０において、ノズル３２の吐出口３２ａがウエハＷの表面Ｗａに近付けられている。このため、第二回転数ω２にてウエハＷを回転させているときには、第一回転数ω１にてウエハＷを回転させているときに比べ、吐出口３２ａと表面Ｗａとの距離が短い。
【００６８】
次に、制御部６０はステップＳ１２を実行する。ステップＳ１２では、第一供給量制御部６５が、処理液Ｒの供給レートを上げるように、処理液供給源３１を制御する。図１１の（ａ）に示すグラフにおいては、時刻ｔ３がステップＳ１２の実行時を示している。
【００６９】
次に、制御部６０はステップＳ１３を実行する。ステップＳ１３では、制御部６０は、予め設定された基準時間Ｔ１の経過を待機する。基準時間Ｔ１は、例えば処理液ＲをウエハＷの表面Ｗａ上に十分に広がるように設定されている。基準時間Ｔ１は、本例では、例えば１秒である。
【００７０】
次に、制御部６０はステップＳ１４，Ｓ１５を実行する。ステップＳ１４では、回転制御部６２が、ウエハＷの回転数を第三回転数ω３に変更するように回転部２４を制御する（図７の（ａ）参照）。図１１の（ｂ）においては、時刻ｔ４がステップＳ１４の実行時を示している。図１１の（ｂ）に示すように、第三回転数ω３は第二回転数ω２よりも小さい。一例として、第三回転数ω３は、ステップＳ１１における第一回転数ω１と同等に設定されている。
【００７１】
ステップＳ１５では、第一供給量制御部６５が、処理液Ｒの供給を停止するように処理液供給源３１及びバルブ３３を制御する（図７の（ｂ）参照）。図１１の（ａ）においては、時刻ｔ５がステップＳ１５の実行時を示している。
【００７２】
なお、ステップＳ１５の実行時または実行後に、第一供給位置制御部６３は、ノズル３２の吐出口３２ａとウエハＷの表面Ｗａとの距離をステップＳ１０の実行前に戻すように駆動部５５を制御してもよい。
【００７３】
次に、制御部６０はステップＳ１６を実行する。ステップＳ１６では、回転制御部６２が、ウエハＷを第四回転数ω４にて回転させるように、回転部２４を制御する（図７の（ｃ）参照）。図１１の（ｂ）においては、時刻ｔ６がステップＳ１６の実行時を示している。図１１の（ｂ）に示すように、第四回転数ω４は第三回転数ω３よりも大きく、第二回転数ω２より小さい。
【００７４】
次に、制御部６０はステップＳ１７を実行する。ステップＳ１７では、制御部６０は、予め設定された基準時間Ｔ２の経過を待機する（図７の（ｃ）参照）。基準時間Ｔ２は、ウエハＷの表面Ｗａ上の液膜を乾燥させられるように設定されている。基準時間Ｔ２は、例えば、２０〜６０秒である。これにより、ウエハＷの表面Ｗａに塗布膜が形成される。
【００７５】
次に、制御部６０はステップＳ１８を実行する。ステップＳ１８では、搬送制御部６１が、ウエハＷを塗布ユニットＵ１から搬出するように保持部２２、昇降部２６及び搬送アームＡ３を制御する。具体的には、搬送制御部６１は、保持部２２をカップ２８外まで上昇させるように昇降部２６を制御し、ウエハＷの吸着を解除するように保持部２２を制御し、ウエハＷを保持部２２上から受け取って搬出するように搬送アームＡ３を制御し、保持部２２をカップ２８内まで下降させるように昇降部２６を制御する。
【００７６】
以上、塗布ユニットＵ１による処理液の塗布手順について説明したが、上述した各ステップは、適宜順序を入れ替えて実施してもよい。
【００７７】
以上説明したように、本開示に係る液処理方法は、ウエハＷを第一回転数ω１にて回転させつつ、ウエハＷの回転中心ＣＬ１から偏心した位置にてウエハＷの表面Ｗａに処理液Ｒの供給を開始し、処理液Ｒの供給位置を回転中心ＣＬ１側に移動させること、処理液Ｒの供給位置が回転中心ＣＬ１に到達した後、第一回転数ω１よりも大きい第二回転数ω２にてウエハＷを回転させることにより、処理液ＲをウエハＷの外周側に塗り広げることを含む。
【００７８】
処理液Ｒ中への気泡の混入は、処理液ＲがウエハＷに到達する際に生じやすい傾向がある。これに対し、上述したように、回転中心ＣＬ１から偏心した位置にてウエハＷの表面Ｗａに処理液Ｒの供給が開始されることにより、供給開始時の気泡の混入は回転中心ＣＬ１から偏心した位置に生じることとなる。第二回転数ω２にて処理液が塗り広げられる際に、回転中心ＣＬ１から偏心した位置に生じる遠心力は、回転中心ＣＬ１付近に生じる遠心力に比べ大きい。また、回転中心ＣＬ１から偏心した位置からウエハＷの周縁までの距離は、回転中心ＣＬ１からウエハＷの周縁までの距離に比べ短い。したがって、供給開始時に混入する気泡は、ウエハＷの周縁に到達しやすくなるので、ウエハＷの表面Ｗａに残留しにくくなる。
【００７９】
処理液Ｒの供給開始後には、ウエハＷが回転した状態で供給位置が回転中心ＣＬ１側に移動するので、ウエハＷの表面Ｗａには、処理液Ｒが螺旋状に塗布される。また、処理液Ｒの供給位置が回転中心ＣＬ１に到達するまでのウエハＷの回転数は、処理液Ｒを塗り広げる際の第二回転数ω２よりも小さい第一回転数ω１である。このため、螺旋状に塗布されている際における処理液Ｒの広がりが抑制される。これらのことから、第二回転数ω２にて処理液Ｒを塗り広げるのに先立って、略円形の処理液Ｒの液だまりが形成される。これにより、ウエハＷを第二回転数ω２にて回転させる際に、処理液ＲがウエハＷ全周に均等に広がりやすくなる。以上のように、ウエハＷ上における気泡の残留が抑制されると共に、処理液ＲがウエハＷ全周に広がりやすくなるので、処理液Ｒの塗布状態の均一性を高めることができる。
【００８０】
ウエハＷの表面Ｗａにおいて、処理液Ｒの供給開始位置よりも外周側の領域に、外周側への処理液Ｒの広がりを促進する液体を塗布することを更に含んでもよい。処理液Ｒの広がりを促進する液体が塗布された領域では、ウエハＷの表面Ｗａ上を処理液Ｒが広がりやすくなる。このため、上記気泡がウエハＷの周縁に更に到達しやすくなる。したがって、ウエハＷ上における気泡の残留を更に抑制することができる。
【００８１】
回転中心ＣＬ１までの距離が、ウエハＷの半径に対して０％を超え４０％以下である位置にて処理液Ｒの供給を開始してもよい。上述したように、回転中心ＣＬ１から偏心した位置にて処理液Ｒの供給を開始することで、供給開始時に混入する気泡は、ウエハＷの周縁に到達しやすくなる。一方、供給位置を回転中心ＣＬ１から遠ざけすぎると、第一回転数ω１にて液だまりを形成するのに長時間を要することとなり、塗布を完了するまでの処理時間が長くなる。これに対し、処理液Ｒの供給開始位置をウエハＷの半径に対して０％を超え４０％以下である位置とすることで、処理時間を許容範囲に保ちつつ、気泡の残留を抑制できる。
【００８２】
第一回転数ω１にてウエハＷを回転させているときには、第二回転数ω２にてウエハＷを回転させているときに比べ、ウエハＷの表面Ｗａへ単位時間あたりに供給される処理液Ｒの供給量を少なくしてもよい。この場合、液だまりの形成中における気泡の混入が抑制される。このため、ウエハＷ上における気泡の残留を更に抑制することができる。
【００８３】
処理液Ｒの供給を開始するときには、回転中心ＣＬ１側に移動しているときに供給される処理液Ｒの供給量に比べ、ウエハＷの表面Ｗａへ単位時間あたりに供給される処理液Ｒの供給量を少なくしてもよい。この場合、供給開始時における気泡の混入が更に抑制される。このため、気泡の残留を更に抑制することができる。
【００８４】
また、上述した実施形態において、第一供給量制御部６５が、バルブ３３の開栓速度を制御し、処理液Ｒの供給レートを緩やかに上昇させてもよい。これにより、供給レートの変化が緩やかになるので、供給開始時における気泡の混入が更に抑制される。このため、気泡の残留を更に抑制することができる。
【００８５】
処理液Ｒの供給を開始した後、処理液Ｒの供給位置を回転中心ＣＬ１側に移動させる前にウエハＷを少なくとも一周回転させてもよい。この場合、ウエハＷの表面Ｗａに処理液Ｒが環状に塗布された後に、その内側に螺旋状に処理液Ｒが塗布される。このため、液だまりの形状が、より円形に近いものとなる。これにより、処理液Ｒの液だまりが周方向に不均一になることが抑制されるので、ウエハＷを第二回転数ω２にて回転させる際に、処理液ＲがウエハＷ全周に対して更に均等に広がりやすくなる。
【００８６】
処理液Ｒの供給位置が回転中心ＣＬ１に近づくのに応じて、処理液Ｒの供給位置の移動速度を高くしてもよい。この場合、上記液だまりにおける液体の厚さの均一性が向上するので、ウエハＷを第二回転数ω２にて回転させる際に、処理液Ｒが更に広がりやすくなる。
【００８７】
処理液Ｒの供給位置が回転中心ＣＬ１に近づくのに応じて、ウエハＷの回転数を大きくしてもよい。この場合、上記液だまりにおける液体の厚さの均一性が向上するので、ウエハＷを第二回転数ω２にて回転させる際に、処理液Ｒが更に広がりやすくなる。
【００８８】
第二回転数ω２にてウエハＷを回転させているときには、第一回転数ω１にてウエハＷを回転させているときに比べ、ウエハＷへの処理液Ｒの吐出口３２ａとウエハＷの表面Ｗａとの距離を短くしてもよい。図１２の吐出口３２ａからウエハＷに至る処理液Ｒの液柱を例示する模式図である。図１２の（ａ）は、第一回転数ω１にてウエハＷを回転させている状態を示しており、図１２の（ｂ）は、第二回転数ω２にてウエハＷを回転させている状態を示している。図１２に示されるように、ウエハＷの回転数を第一回転数ω１から第二回転数ω２に上げると、吐出口３２ａからウエハＷに至る処理液Ｒの液柱がウエハＷの回転に引きずられて傾くことにより、ウエハＷの表面Ｗａにおける処理液Ｒの塗布状態が不均一になる場合がある。これに対し、第二回転数ω２にてウエハＷを回転させるときに、処理液Ｒの吐出口３２ａとウエハＷの表面Ｗａとの距離を短くすることにより、上記液柱が傾きにくくなるため、ウエハＷ上における処理液Ｒの塗布状態の均一性を更に向上させることができる。
【００８９】
なお、ウエハＷへの処理液Ｒの供給量が不足しない範囲で、ノズル３２の内径を細くすることも、処理液Ｒへの気泡の混入を抑制するのに有効である。ノズル３２の内径を細くすると、ノズル３２内面とレジスト液との接触面積が少なくなる。このため、ノズル３２の内における流の乱れが生じ難くなるので、気泡の混入が抑制される。
【００９０】
また、ノズル３２の内周面を平滑化することも、ノズル３２の内径を細くするのと同様の観点で、処理液Ｒへの気泡の混入を抑制するのに有効である。更に、処理液Ｒの位置を極力ノズル３２の端面近傍に保った状態から、処理液Ｒの供給を開始することも、処理液Ｒへの気泡の混入を抑制するのに有効である。
【００９１】
本開示に係る塗布ユニットＵ１は、ウエハＷを保持して回転させる回転保持部２０と、ウエハＷの上方に配置されるノズル３２と、ノズル３２を移動するノズル移動部５０と、ノズル３２に処理液Ｒを供給する処理液供給部３０と、ウエハＷを第一回転数ω１にて回転させるように回転保持部２０を制御し、ウエハＷの回転中心ＣＬ１から偏心した位置にノズル３２を移動させるようにノズル移動部５０を制御し、ウエハＷの回転中心ＣＬ１から偏心した位置にてウエハＷの表面Ｗａに処理液Ｒの供給を開始するように処理液供給部３０を制御し、処理液Ｒの供給位置を回転中心ＣＬ１側に移動させるようにノズル移動部５０を制御すること、処理液Ｒの供給位置が回転中心ＣＬ１に到達した後、第一回転数ω１よりも大きい第二回転数ω２にてウエハＷを回転させることにより、処理液Ｒを塗り広げるように回転保持部２０を制御すること、を実行する制御部６０と、を備える。
【００９２】
本開示に係る記録媒体は、上記の液処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記録したものである。
【００９３】
［参考例］
以下、参考形態について説明する。この参考形態は、上述した実施形態とは別の手法にて、ウエハＷ上への気泡の残留を抑制するものである。本参考形態は、上記実施形態と同様の塗布ユニットＵ１にて実現可能である。このため、本参考形態に係る塗布ユニットの構成は、上記実施形態と同様であるものとし、処理液Ｒの塗布手順のみについて説明する。
【００９４】
本参考形態における制御部６０は、図１３に示されるように、まずステップＳ２１を実行する。ステップＳ２１では、上述したステップＳ０１と同様に、搬送制御部６１が、ウエハＷを塗布ユニットＵ１に搬入するように保持部２２、昇降部２６及び搬送アームＡ３を制御する。
【００９５】
次に、制御部６０はステップＳ２２を実行する。ステップＳ２２では、回転制御部６２が、ウエハＷを第一回転数ω２１にて回転させるように、回転部２４を制御する。第一回転数ω２１は、例えば、０ｒｐｍを超え１２０ｒｐｍ以下である。
【００９６】
次に、制御部６０はステップＳ２３を実行する。ステップＳ２３では、第二供給位置制御部６４が、ウエハＷの回転中心ＣＬ１から偏心した位置にノズル４２を移動させるように駆動部５６を制御する。その後、第二供給量制御部６６が、ノズル４２からプリウエット液Ｓが吐出されるように、プリウエット液供給源４１及びバルブ４３を制御する。これにより、ウエハの回転中心ＣＬ１を囲む領域にプリウエット液が塗布される。プリウエット液Ｓの単位時間当たりの供給量は、例えば、２５〜１２５ｍｌ／ｓｅｃである。
【００９７】
次に、制御部６０はステップＳ２４を実行する。ステップＳ２４では、第一供給位置制御部６３が、ウエハＷの回転中心ＣＬ１の上方にノズル３２を移動させるように、駆動部５４を制御する。
【００９８】
次に、制御部６０はステップＳ２５を実行する。ステップＳ２５では、第一供給量制御部６５が、ノズル３２から処理液Ｒを吐出させるように、処理液供給源３１及びバルブ３３を制御する。これにより、ウエハＷの表面Ｗａにおいて回転中心ＣＬ１上の位置に処理液Ｒの供給が開始される。ステップＳ２５において、処理液Ｒの供給レートは、本例では、例えば１ｍｌ／ｓｅｃである。
【００９９】
次に、制御部６０はステップＳ２６を実行する。ステップＳ２６では、第一供給量制御部６５が、処理液Ｒの供給レートを下げるように、処理液供給源３１及びバルブ３３の少なくとも一方を制御する。図１４の（ａ）は、供給レートの経時変化を示すグラフである。このグラフにおいては、時刻ｔ２１がステップＳ２６の実行時を示している。ステップＳ２６の実行後における処理液Ｒの供給レートは、本例では、例えば０．５ｍｌ／ｓｅｃである。
【０１００】
次に、制御部６０はステップＳ２７を実行する。ステップＳ２７では、回転制御部６２が、ウエハＷの回転数を第二回転数ω２２に変更するように回転部２４を制御する。図１４の（ｂ）は、ウエハＷの回転数の経時変化を示すグラフである。このグラフにおいては、時刻ｔ２２がステップＳ２７の実行時を示している。このグラフに示すように、第二回転数ω２２は第一回転数ω２１よりも大きい。第二回転数ω２２は、例えば１５００〜４０００ｒｐｍである。また、時刻ｔ２２は例えば時刻ｔ２１と同等に設定されていてもよい。
【０１０１】
次に、制御部６０はステップＳ２８を実行する。ステップＳ２８では、制御部６０は、予め設定された基準時間Ｔ３の経過を待機する。基準時間Ｔ３は、例えば処理液ＲをウエハＷの表面Ｗａ上に十分に広がるように設定されている。基準時間Ｔ３は、本例では、例えば２秒である。ステップＳ２８は、上述したステップＳ１３に相当する。
【０１０２】
次に、制御部６０はステップＳ２９を実行する。ステップＳ２９では、回転制御部６２が、ウエハＷの回転数を第三回転数ω２３に変更するように回転部２４を制御する。図１４の（ｂ）においては、時刻ｔ２３がステップＳ２９の実行時を示している。図１４の（ｂ）に示すように、第三回転数ω２３は第二回転数ω２２よりも小さい。一例として、第三回転数ω２３は、ステップＳ２２における第一回転数ω２１と同等に設定されている。ステップＳ２９は、上述したステップＳ１４に相当する。
【０１０３】
ステップＳ３０では、第一供給量制御部６５が、処理液Ｒの供給を停止するように処理液供給源３１及びバルブ３３を制御する。図１４の（ａ）においては、時刻ｔ２４がステップＳ３０の実行時を示している。
【０１０４】
次に、制御部６０はステップＳ３１を実行する。ステップＳ３１では、回転制御部６２が、ウエハＷを第四回転数ω２４にて回転させるように、回転部２４を制御する。図１４の（ｂ）においては、時刻ｔ２５がステップＳ３１の実行時を示している。図１４の（ｂ）に示すように、第四回転数ω２４は第三回転数ω２３よりも大きく、第二回転数ω２２より小さい。ステップＳ３０は、上述したステップＳ１６に相当する。
【０１０５】
次に、制御部６０はステップＳ３２を実行する。ステップＳ３２では、制御部６０は、予め設定された基準時間Ｔ４の経過を待機する。基準時間Ｔ４は、ウエハＷの表面Ｗａ上の液膜を乾燥させられるように設定されている。基準時間Ｔ４は、例えば２０〜６０秒である。これにより、ウエハＷの表面Ｗａに塗布膜が形成される。ステップＳ３２は、上述したステップＳ１７に相当する。
【０１０６】
次に、制御部６０はステップＳ３３を実行する。ステップＳ３３では、搬送制御部６１が、上述したステップＳ１８と同様に、ウエハＷを塗布ユニットＵ１から搬出するように保持部２２、昇降部２６及び搬送アームＡ３を制御する。
【０１０７】
以上説明したように、液処理方法の参考例は、ウエハＷを第一回転数ω２１にて回転させつつ、ウエハＷの回転中心ＣＬ１上の位置にてウエハＷの表面Ｗａに処理液Ｒの供給を開始すること、第一回転数ω２１よりも大きい第二回転数ω２２にてウエハＷを回転させることにより、処理液ＲをウエハＷの外周側に塗り広げることを含む。第二回転数ω２２にて処理液Ｒを塗り広げる際には、第一回転数ω２１にて処理液Ｒを供給する際に比べて、処理液Ｒの供給レートを下げている。このため、処理液Ｒの消費量を抑制しつつ、第二回転数ω２２にて処理液を塗り広げる時間を長くすることができる。これにより、基板上における気泡の残留を抑制できる。
【０１０８】
以上、実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。
【符号の説明】
【０１０９】
２０…回転保持部、２２…保持部、２４…回転部、２６…昇降部、２８…カップ、３０…処理液供給部、３１…処理液供給源、３２…ノズル、３３…バルブ、４０…プリウエット液供給部、４１…プリウエット液供給源、４２…ノズル、４３…バルブ、５０…ノズル移動部、６０…制御部、Ｕ１…塗布ユニット、Ｗ…ウエハ。
【要約】
【課題】基板に対する処理液の塗布状態の均一性を高めることができる液処理方法、液処理装置、及び液処理用記録媒体を提供する。
【解決手段】塗布ユニットＵ１は、ウエハＷを回転させる回転保持部２０と、ウエハＷの表面Ｗａ上に処理液Ｒを供給するノズル３２と、ウエハＷに対するノズル３２の位置を制御する制御部６０と、を備える。液処理方法は、ウエハＷを第一回転数ω１にて回転させつつ、ウエハＷの回転中心ＣＬ１から偏心した位置にてウエハＷの表面Ｗａに処理液Ｒの供給を開始し、処理液Ｒの供給位置を回転中心ＣＬ１側に移動させること、処理液Ｒの供給位置が回転中心ＣＬ１に到達した後、第一回転数ω１よりも大きい第二回転数ω２にてウエハＷを回転させることにより、処理液ＲをウエハＷの外周側に塗り広げること、を含む。
【選択図】図４【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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