(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に下部反射鏡、活性層を含む共振器構造体、及び上部反射鏡が積層されているメサ構造の発光部を有する面発光レーザ素子において、
前記メサ構造の側面は、前記基板面に対して傾斜しており、
前記メサ構造の上面における辺縁部は、最外周部に向かって厚さが小さくなるテーパ面を有する誘電体層で被覆され、該テーパ面の前記基板面に対するテーパ角は、前記メサ構造の側面の前記基板面に対する傾斜角よりも小さく、前記誘電体層の端部と前記上部反射鏡の端部とが一致して形成されており、
前記メサ構造の側面及び前記テーパ面が同一の金属層で覆われていることを特徴とする面発光レーザ素子。
【請求項２】
前記テーパ面及び前記メサ構造の側面は、保護膜を介して前記金属層で覆われていることを特徴とする請求項１に記載の面発光レーザ素子。
【請求項３】
前記誘電体層は、窒化シリコン及び酸化シリコンのいずれかの層であることを特徴とする請求項１又は２に記載の面発光レーザ素子。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の面発光レーザ素子が集積された面発光レーザアレイ。
【請求項５】
光によって被走査面を走査する光走査装置であって、
請求項１〜３のいずれか一項に記載の面発光レーザ素子を有する光源と、
前記光源からの光を偏向する偏向器と、
前記偏向器で偏向された光を前記被走査面上に集光する走査光学系と、を備える光走査装置。
【請求項６】
光によって被走査面を走査する光走査装置であって、
請求項４に記載の面発光レーザアレイを有する光源と、
前記光源からの光を偏向する偏向器と、
前記偏向器で偏向された光を前記被走査面上に集光する走査光学系と、を備える光走査装置。
【請求項７】
少なくとも１つの像担持体と、
前記少なくとも１つの像担持体に対して画像情報に応じて変調された光を走査する少なくとも１つの請求項５又は６に記載の光走査装置と、を備える画像形成装置。
【請求項８】
前記画像情報は、多色のカラー画像情報であることを特徴とする請求項７に記載の画像形成装置。
【請求項９】
基板上に下部反射鏡、活性層を含む共振器構造体、及び上部反射鏡が積層された積層体に、その側面が前記基板面に対して傾斜しており発光部となるメサ構造体が形成されている面発光レーザ素子の製造方法であって、
前記メサ構造体を形成するのに先立って、前記積層体の上面に、誘電体層を形成する工程と、
前記誘電体層の上面に、前記メサ構造体の外形を規定するパターンを含むレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをエッチングマスクとして、前記誘電体層をエッチングし、マスクされている誘電体層に、前記メサ構造体における側面の前記基板面に対する傾斜角よりも小さいテーパ角で、前記メサ構造体の最外周部となる部分に向かって厚さが小さくなるテーパ面を形成する工程と、
前記レジストパターンをエッチングマスクとして、前記メサ構造体を形成するとともに前記誘電体層の端部と前記メサ構造体の端部とを一致して形成する工程と、
前記メサ構造の側面及び前記テーパ面を同一の金属層で覆う工程と、を含む面発光レーザ素子の製造方法。
【請求項１０】
前記テーパ面はウェットエッチング法で形成され、前記メサ構造体はドライエッチング法で形成されることを特徴とする請求項９に記載の面発光レーザ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、光走査装置、画像形成装置及び面発光レーザ素子の製造方法に係り、更に詳しくは、基板表面に垂直な方向にレーザ光を射出する面発光レーザ素子及び面発光レーザアレイ、前記面発光レーザ素子又は面発光レーザアレイを有する光走査装置、該光走査装置を備える画像形成装置、並びに基板表面に垂直な方向にレーザ光を射出する面発光レーザ素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
垂直共振器型の面発光レーザ素子（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ｃａｖｉｔｙ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｌａｓｅｒ）は、基板表面に垂直な方向に光を射出するものであり、基板表面に平行な方向に光を射出する端面発光型の半導体レーザ素子よりも低価格、低消費電力、小型、２次元デバイスに好適、かつ、高性能であることから、近年、注目されている（例えば、特許文献１及び特許文献２参照）。
【０００３】
面発光レーザ素子の製造工程の一つに、ｐ側電極と電極パッドとを電気的に接続するための配線を行う工程がある。この工程では、ｐ側電極がメサ上部に形成されているため、大きな段差（ステップ）を越えて配線しなければならず、配線部材のステップカバレージの不足による断線や信頼性不良の原因となっていた。ステップカバレージとは、段差に対する配線の被覆状態を意味する。
【０００４】
そこで、メサをテーパ形状にすることで配線部材のステップカバレージを改善すること（例えば、特許文献３〜特許文献５参照）、ｐ側電極材料でメサ側面全体を被覆すること（例えば、特許文献６参照）、及びメサ側面部の配線幅を広くすること（例えば、特許文献７参照）などが提案された。また、特許文献８には、メサ上部に形成されたメタル配線にテーパが形成され、更に層間絶縁膜で被覆された面発光型半導体レーザ装置が開示されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献３に開示されている液晶表示装置では、段差のテーパを多段に形成しているが、ウェットエッチングまたはドライエッチングで、段差のテーパ角が変化する度にエッチング条件を変更して形成しているため、エッチング形状の面内分布が段差形状の分布となり、段差形状の均一性が悪く、歩留まり良く製造することは困難であった。
【０００６】
また、特許文献４に開示されている面発光型半導体レーザ装置では、メサをテーパ形状とし配線を形成しているが、メサ上端の辺縁部の角度が直角に近いため、この部分で配線の段切れが発生し、歩留まり良く製造することは困難であった。
【０００７】
また、特許文献５に開示されている半導体レーザ装置では、テーパ形状のメサをウェットエッチングで形成した後に配線を形成しているが、メサ上端での辺縁部の形状が直角に近いために、この部分での配線の段切れが発生し、歩留まり良く製造することは困難であった。
【０００８】
また、特許文献６には、メサ側壁全面をメタル配線で被覆した面発光型半導体レーザの例が開示されているが、メタル配線の応力によりレーザ特性の変動を引き起こし、歩留まりの低下を招いていた。
【０００９】
また、特許文献７に開示されている面発光レーザ素子では、メサをテーパ形状とし配線を形成しているが、メサ上端の辺縁部の角度が直角に近いために、この部分で配線の段切れが発生し、歩留まり良く製造することは困難であった。
【００１０】
また、特許文献８に開示されている面発光型半導体レーザ装置では、図１５に示されるように、メサ上部にテーパ形状のコンタクトメタル５１０１の端部がメサ５１００の上端から離れた位置（Ｘ部）に形成されており、メサ上端の一部が露出した領域（Ｘ部）上に層間絶縁膜５１０２が形成され、更にメタル配線５１０３が形成されている。この面発光型半導体レーザ装置では、図１５における断線危険部位として示されている領域に、配線部材の厚さが非常に薄い部分が存在するため、歩留まり良く面発光型半導体レーザ装置を製造することは困難であった。
【００１１】
本発明は、かかる事情の下になされたもので、その第１の目的は、高い歩留まりで製造することができる面発光レーザ素子及び面発光レーザアレイを提供することにある。
【００１２】
また、本発明の第２の目的は、安定して高精度の光走査を行うことができる光走査装置を提供することにある。
【００１３】
また、本発明の第３の目的は、安定して高品質の画像を形成することができる画像形成装置を提供することにある。
【００１４】
また、本発明の第４の目的は、高い歩留まりで面発光レーザ素子を製造することができる面発光レーザ素子の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明は、第１の観点からすると、基板上に下部反射鏡、活性層を含む共振器構造体、及び上部反射鏡が積層されているメサ構造の発光部を有する面発光レーザ素子において、前記メサ構造の側面は、前記基板面に対して傾斜しており、前記メサ構造の上面における辺縁部は、最外周部に向かって厚さが小さくなるテーパ面を有する誘電体層で被覆され、該テーパ面の前記基板面に対するテーパ角は、前記メサ構造の側面の前記基板面に対する傾斜角よりも小さく、前記誘電体層の端部と前記上部反射鏡の端部とが一致して形成されており、前記メサ構造の側面及び前記テーパ面が同一の金属層で覆われていることを特徴とする面発光レーザ素子である。
【００１６】
これによれば、高い歩留まりで製造することができる。
【００１７】
本発明は、第２の観点からすると、本発明の面発光レーザ素子が集積された面発光レーザアレイである。
【００１８】
これによれば、本発明の面発光レーザ素子が集積されているため、高い歩留まりで製造することができる。
【００１９】
本発明は、第３の観点からすると、光によって被走査面を走査する光走査装置であって、本発明の面発光レーザ素子を有する光源と、前記光源からの光を偏向する偏向器と、前記偏向器で偏向された光を前記被走査面上に集光する走査光学系と、を備える光走査装置である。
【００２０】
これによれば、光源が本発明の面発光レーザ素子を有しているため、安定して高精度の光走査を行うことができる。
【００２１】
本発明は、第４の観点からすると、光によって被走査面を走査する光走査装置であって、本発明の面発光レーザアレイを有する光源と、前記光源からの光を偏向する偏向器と、前記偏向器で偏向された光を前記被走査面上に集光する走査光学系と、を備える光走査装置である。
【００２２】
これによれば、光源が本発明の面発光レーザアレイを有しているため、安定して高精度の光走査を行うことができる。
【００２３】
本発明は、第５の観点からすると、少なくとも１つの像担持体と、前記少なくとも１つの像担持体に対して画像情報に応じて変調された光を走査する少なくとも１つの本発明の光走査装置と、を備える画像形成装置である。
【００２４】
これによれば、本発明の光走査装置を備えているため、結果として、安定して高品質の画像を形成することが可能である。
【００２５】
本発明は、第６の観点からすると、基板上に下部反射鏡、活性層を含む共振器構造体、及び上部反射鏡が積層された積層体に、その側面が前記基板面に対して傾斜しており発光部となるメサ構造体が形成されている面発光レーザ素子の製造方法であって、前記メサ構造体を形成するのに先立って、前記積層体の上面に、誘電体層を形成する工程と、前記誘電体層の上面に、前記メサ構造体の外形を規定するパターンを含むレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをエッチングマスクとして、前記誘電体層をエッチングし、マスクされている誘電体層に、前記メサ構造体における側面の前記基板面に対する傾斜角よりも小さいテーパ角で、前記メサ構造体の最外周部となる部分に向かって厚さが小さくなるテーパ面を形成する工程と、前記レジストパターンをエッチングマスクとして、前記メサ構造体を形成するとともに前記誘電体層の端部と前記メサ構造体の端部とを一致して形成する工程と、前記メサ構造の側面及び前記テーパ面を同一の金属層で覆う工程と、を含む面発光レーザ素子の製造方法である。
【００２６】
これによれば、高い歩留まりで面発光レーザ素子を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の一実施形態に係るレーザプリンタの概略構成を説明するための図である。
【図２】図１における光走査装置を示す概略図である。
【図３】面発光レーザアレイを説明するための図である。
【図４】複数の発光部の配列状態を説明するための図である。
【図５】各発光部の構成を説明するための図である。
【図６】図６（Ａ）及び図６（Ｂ）は、それぞれ面発光レーザアレイの製造方法を説明するための図（その１）である。
【図７】図７（Ａ）〜図７（Ｃ）は、それぞれ面発光レーザアレイの製造方法を説明するための図（その２）である。
【図８】図８（Ａ）及び図８（Ｂ）は、それぞれ面発光レーザアレイの製造方法を説明するための図（その３）である。
【図９】図９（Ａ）及び図９（Ｂ）は、それぞれ面発光レーザアレイの製造方法を説明するための図（その４）である。
【図１０】図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）は、それぞれ面発光レーザアレイの製造方法を説明するための図（その５）である。
【図１１】面発光レーザアレイの製造方法を説明するための図（その６）である。
【図１２】面発光レーザアレイの特徴を説明するための図である。
【図１３】図１２の一部を拡大した図である。
【図１４】誘電体層にテーパ面がないときの電極材料及び配線材料を説明するための図である。
【図１５】コンタクトメタルのテーパ端とメサ上端が不一致で、傾斜角θが９０°である従来例１を説明するための図である。
【図１６】傾斜角θを一定にし、テーパ角δを変化させたときの断線の有無を説明するための図である。
【図１７】テーパ角δを一定にし、傾斜角θを変化させたときの断線の有無を説明するための図である。
【図１８】コンタクトメタルのテーパ端とメサ上端が不一致で、傾斜角θが９０°未満である従来例２を説明するための図である。
【図１９】面発光レーザアレイの変形例１を説明するための図である。
【図２０】面発光レーザアレイの変形例２を説明するための図である。
【図２１】カラープリンタの概略構成を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、本発明の一実施形態を図１〜図１８に基づいて説明する。図１には、一実施形態に係る画像形成装置としてのレーザプリンタ１０００の概略構成が示されている。
【００２９】
このレーザプリンタ１０００は、光走査装置１０１０、感光体ドラム１０３０、帯電チャージャ１０３１、現像ローラ１０３２、転写チャージャ１０３３、除電ユニット１０３４、クリーニングユニット１０３５、トナーカートリッジ１０３６、給紙コロ１０３７、給紙トレイ１０３８、レジストローラ対１０３９、定着ローラ１０４１、排紙ローラ１０４２、排紙トレイ１０４３、通信制御装置１０５０、及び上記各部を統括的に制御するプリンタ制御装置１０６０などを備えている。なお、これらは、プリンタ筐体１０４４の中の所定位置に収容されている。
【００３０】
通信制御装置１０５０は、ネットワークなどを介した上位装置（例えばパソコン）との双方向の通信を制御する。
【００３１】
感光体ドラム１０３０は、円柱状の部材であり、その表面には感光層が形成されている。すなわち、感光体ドラム１０３０の表面が被走査面である。そして、感光体ドラム１０３０は、図１における矢印方向に回転するようになっている。
【００３２】
帯電チャージャ１０３１、現像ローラ１０３２、転写チャージャ１０３３、除電ユニット１０３４及びクリーニングユニット１０３５は、それぞれ感光体ドラム１０３０の表面近傍に配置されている。そして、感光体ドラム１０３０の回転方向に沿って、帯電チャージャ１０３１→現像ローラ１０３２→転写チャージャ１０３３→除電ユニット１０３４→クリーニングユニット１０３５の順に配置されている。
【００３３】
帯電チャージャ１０３１は、感光体ドラム１０３０の表面を均一に帯電させる。
【００３４】
光走査装置１０１０は、帯電チャージャ１０３１で帯電された感光体ドラム１０３０の表面を、上位装置からの画像情報に基づいて変調された光束により走査し、感光体ドラム１０３０の表面に画像情報に対応した潜像を形成する。ここで形成された潜像は、感光体ドラム１０３０の回転に伴って現像ローラ１０３２の方向に移動する。なお、この光走査装置１０１０の構成については後述する。
【００３５】
トナーカートリッジ１０３６にはトナーが格納されており、該トナーは現像ローラ１０３２に供給される。
【００３６】
現像ローラ１０３２は、感光体ドラム１０３０の表面に形成された潜像にトナーカートリッジ１０３６から供給されたトナーを付着させて画像情報を顕像化させる。ここでトナーが付着した潜像（以下では、便宜上「トナー像」ともいう）は、感光体ドラム１０３０の回転に伴って転写チャージャ１０３３の方向に移動する。
【００３７】
給紙トレイ１０３８には記録紙１０４０が格納されている。この給紙トレイ１０３８の近傍には給紙コロ１０３７が配置されており、該給紙コロ１０３７は、記録紙１０４０を給紙トレイ１０３８から１枚ずつ取り出し、レジストローラ対１０３９に搬送する。該レジストローラ対１０３９は、給紙コロ１０３７によって取り出された記録紙１０４０を一旦保持するとともに、該記録紙１０４０を感光体ドラム１０３０の回転に合わせて感光体ドラム１０３０と転写チャージャ１０３３との間隙に向けて送り出す。
【００３８】
転写チャージャ１０３３には、感光体ドラム１０３０の表面のトナーを電気的に記録紙１０４０に引きつけるために、トナーとは逆極性の電圧が印加されている。この電圧により、感光体ドラム１０３０の表面のトナー像が記録紙１０４０に転写される。ここで転写された記録紙１０４０は、定着ローラ１０４１に送られる。
【００３９】
定着ローラ１０４１では、熱と圧力とが記録紙１０４０に加えられ、これによってトナーが記録紙１０４０上に定着される。ここで定着された記録紙１０４０は、排紙ローラ１０４２を介して排紙トレイ１０４３に送られ、排紙トレイ１０４３上に順次スタックされる。
【００４０】
除電ユニット１０３４は、感光体ドラム１０３０の表面を除電する。
【００４１】
クリーニングユニット１０３５は、感光体ドラム１０３０の表面に残ったトナー（残留トナー）を除去する。残留トナーが除去された感光体ドラム１０３０の表面は、再度帯電チャージャ１０３１に対向する位置に戻る。
【００４２】
次に、前記光走査装置１０１０の構成について説明する。
【００４３】
この光走査装置１０１０は、一例として図２に示されるように、光源１４、カップリングレンズ１５、開口板１６、シリンドリカルレンズ１７、反射ミラー１８、ポリゴンミラー１３、偏向器側走査レンズ１１ａ、像面側走査レンズ１１ｂ、及び走査制御装置（図示省略）などを備えている。そして、これらは、光学ハウジング３０の所定位置に組み付けられている。
【００４４】
なお、以下では、便宜上、主走査方向に対応する方向を「主走査対応方向」と略述し、副走査方向に対応する方向を「副走査対応方向」と略述する。
【００４５】
カップリングレンズ１５は、光源１４から射出された光束を略平行光とする。
【００４６】
開口板１６は、開口部を有し、カップリングレンズ１５を介した光束のビーム径を規定する。
【００４７】
シリンドリカルレンズ１７は、開口板１６の開口部を通過した光束を、反射ミラー１８を介してポリゴンミラー１３の偏向反射面近傍に副走査対応方向に関して結像する。
【００４８】
光源１４とポリゴンミラー１３との間の光路上に配置される光学系は、偏向器前光学系とも呼ばれている。本実施形態では、偏向器前光学系は、カップリングレンズ１５と開口板１６とシリンドリカルレンズ１７と反射ミラー１８とから構成されている。
【００４９】
ポリゴンミラー１３は、高さの低い正六角柱状部材からなり、側面に６面の偏向反射面が形成されている。このポリゴンミラー１３は、副走査対応方向に平行な軸のまわりを等速回転しながら、反射ミラー１８からの光束を偏向する。
【００５０】
偏向器側走査レンズ１１ａは、ポリゴンミラー１３で偏向された光束の光路上に配置されている。
【００５１】
像面側走査レンズ１１ｂは、偏向器側走査レンズ１１ａを介した光束の光路上に配置されている。そして、この像面側走査レンズ１１ｂを介した光束が、感光体ドラム１０３０の表面に照射され、光スポットが形成される。この光スポットは、ポリゴンミラー１３の回転に伴って感光体ドラム１０３０の長手方向に移動する。すなわち、感光体ドラム１０３０上を走査する。このときの光スポットの移動方向が「主走査方向」である。また、感光体ドラム１０３０の回転方向が「副走査方向」である。
【００５２】
ポリゴンミラー１３と感光体ドラム１０３０との間の光路上に配置される光学系は、走査光学系とも呼ばれている。本実施形態では、走査光学系は、偏向器側走査レンズ１１ａと像面側走査レンズ１１ｂとから構成されている。なお、偏向器側走査レンズ１１ａと像面側走査レンズ１１ｂの間の光路上、及び像面側走査レンズ１１ｂと感光体ドラム１０３０の間の光路上の少なくとも一方に、少なくとも１つの折り返しミラーが配置されても良い。
【００５３】
光源１４は、一例として図３に示されるような面発光レーザアレイ１００を有している。なお、本明細書では、レーザ発振方向をＺ軸方向とし、Ｚ軸に垂直な面内における互いに直交する２つの方向をＸ軸方向及びＹ軸方向として説明する。
【００５４】
この面発光レーザアレイ１００は、２次元的に配列されている３２個の発光部、及び３２個の発光部の周囲に設けられ、各発光部に対応した３２個の電極パッドを有している。また、各電極パッドは、対応する発光部と配線部材によって電気的に接続されている。
【００５５】
３２個の発光部は、図４に示されるように、全ての発光部をＺ軸方向に延びる仮想線上に正射影したときに、発光部間隔が等しく（図４では「ｄ２」）なるように配置されている。また、３２個の発光部がほぼ同一の条件で形成されるように、該３２個の発光部の周囲には、発光部と同一形状のダミーが形成されている。
【００５６】
各発光部は、発振波長が７８０ｎｍ帯の面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）であり、一例として図５に示されるように、基板１０１、下部半導体ＤＢＲ１０３、下部スペーサ層１０４、活性層１０５、上部スペーサ層１０６、上部半導体ＤＢＲ１０７、コンタクト層１０９などを有している。なお、図５は、分かりやすくするための模式図であって、各層の厚さの関係は正確なものではない。
【００５７】
基板１０１は、ｎ−ＧａＡｓ単結晶基板である。
【００５８】
下部半導体ＤＢＲ１０３は、バッファ層を介して基板１０１の＋Ｚ側の面上に積層され、ｎ−Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓからなる低屈折率層と、ｎ−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓからなる高屈折率層のペアを４０．５ペア有している。各屈折率層の間には、電気抵抗を低減するため、一方の組成から他方の組成へ向かって組成を徐々に変化させた厚さ２０ｎｍの組成傾斜層が設けられている。そして、各屈折率層はいずれも、隣接する組成傾斜層の１／２を含んで、発振波長をλとするとλ／４の光学的厚さとなるように設定されている。なお、光学的厚さとその層の実際の厚さについては以下の関係がある。光学的厚さがλ／４のとき、その層の実際の厚さＤは、Ｄ＝λ／４ｎ（但し、ｎはその層の媒質の屈折率）である。
【００５９】
下部スペーサ層１０４は、下部半導体ＤＢＲ１０３の＋Ｚ側に積層され、ノンドープのＡｌ０．６Ｇａ０．４Ａｓからなる層である。
【００６０】
活性層１０５は、下部スペーサ層１０４の＋Ｚ側に積層され、３層の量子井戸層と４層の障壁層とを有している。各量子井戸層は、Ａｌ０．１２Ｇａ０．８８Ａｓからなり、各障壁層は、Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓからなる。
【００６１】
上部スペーサ層１０６は、活性層１０５の＋Ｚ側に積層され、ノンドープのＡｌ０．６Ｇａ０．４Ａｓからなる層である。
【００６２】
下部スペーサ層１０４と活性層１０５と上部スペーサ層１０６とからなる部分は、共振器構造体とも呼ばれており、その厚さが１波長の光学的厚さとなるように設定されている。なお、活性層１０５は、高い誘導放出確率が得られるように、電界の定在波分布における腹に対応する位置である共振器構造体の中央に設けられている。
【００６３】
上部半導体ＤＢＲ１０７は、上部スペーサ層１０６の＋Ｚ側に積層され、ｐ−Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓからなる低屈折率層とｐ−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓからなる高屈折率層のペアを２４ペア有している。各屈折率層の間には、電気抵抗を低減するため、一方の組成から他方の組成へ向かって組成を徐々に変化させた組成傾斜層が設けられている。そして、各屈折率層はいずれも、隣接する組成傾斜層の１／２を含んで、λ／４の光学的厚さとなるように設定されている。
【００６４】
上部半導体ＤＢＲ１０７における共振器構造体から光学的にλ／４離れた位置に、ｐ−ＡｌＡｓからなる被選択酸化層１０８が設けられている。なお、図５では、便宜上、被選択酸化層１０８は、上部半導体ＤＢＲ１０７と共振器構造体との間に図示されている。
【００６５】
コンタクト層１０９は、上部半導体ＤＢＲ１０７の＋Ｚ側に積層され、ｐ−ＧａＡｓからなる層である。
【００６６】
なお、このように基板１０１上に複数の半導体層が積層されたものを、以下では、便宜上「積層体」ともいう。
【００６７】
次に、面発光レーザアレイ１００の製造方法について説明する。
【００６８】
（１）上記積層体を有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）あるいは分子線エピタキシャル成長法（ＭＢＥ法）による結晶成長によって作成する（図６（Ａ）参照）。
【００６９】
ここでは、ＩＩＩ族の原料には、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）を用い、Ｖ族の原料には、フォスフィン（ＰＨ３）、アルシン（ＡｓＨ３）を用いている。また、ｐ型ドーパントの原料には四臭化炭素（ＣＢｒ４）、ジメチルジンク（ＤＭＺｎ）を用い、ｎ型ドーパントの原料にはセレン化水素（Ｈ２Ｓｅ）を用いている。
【００７０】
（２）プラズマＣＶＤ法を用いて、ＳｉＯ２からなる誘電体層１１１ａを形成する（図６（Ｂ）参照）。ここでは、誘電体層１１１ａの膜厚は約１００ｎｍに設定している。なお、誘電体層としてＳｉＮを用いることも可能である。
【００７１】
（３）誘電体層１１１ａの表面に、レジストを塗布し、メサ構造体（以下では、便宜上、「メサ」と略述する）の外形を規定するためのレジストパターン１２０ａ、及び電極パッドが形成される領域をマスクするためのレジストパターン１２０ｂなどを形成する（図７（Ａ）参照）。なお、ここでのメサは、発光部となるメサだけでなく、ダミーとなるメサを含む。
【００７２】
（４）ウェットエッチング法により、不要な誘電体層１１１ａを除去する。このとき、残っている誘電体層１１１ａの端面はテーパを有している（図７（Ｂ）参照）。そして、該端面のＸ軸に対する傾斜角（以下では、「テーパ角」ともいう）をδとする（図７（Ｃ）参照）。ここでは、ＨＦ濃度が５％程度の緩衝フッ酸液（Ｂｕｆｆｅｒｅｄ  ＨＦ）を用い、テーパ角δを４０°とした。なお、テーパ角δは、ＨＦ濃度、エッチング時間（浸漬時間）、液温を変更することによって制御可能である。また、テーパ角δとしては、２０°〜６０°が好ましい。
【００７３】
（５）Ｃｌ２ガスを用いるＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）方式、若しくはＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）方式のドライエッチング法により、レジストパターン１２０ａ及びレジストパターン１２０ｂをエッチングマスクとして積層体をエッチングし、少なくとも被選択酸化層１０８が側面に露出しているメサを形成する。ここでは、エッチングの底面は下部半導体ＤＢＲ１０３の途中に位置するようにした。ここで形成されたメサは、側面がＸ軸に対して傾斜している（テーパ形状）。このテーパ形状は、ドライエッチング時のガス流量、プラズマ放電電力、基板温度等のプロセス条件を適宜変更することで制御可能であって、プラズマ放電電力の増加や基板温度の低下によって、テーパ角θを小さくすることが可能である。
【００７４】
（６）アセトン液に浸漬し、超音波洗浄によってエッチングマスクを除去する（図８（Ａ）参照）。メサの側面のＸ軸に対する傾斜角をθとする。ここでは、傾斜角θは上記誘電体のテーパ角δよりも大きく形成される。
【００７５】
このように、誘電体端部のテーパ角δをウェットエッチング法により形成し、メサ傾斜角をドライエッチング法により形成することで、δ＜θの関係を有するメサを形成する。ウェットエッチング法によりテーパ角δの誘電体端部を形成し、ドライエッチング法により傾斜角θのメサを形成しているので、テーパ角δと傾斜角θを制御性良く形成することができる。
【００７６】
δの角度を小さくすることで、図１４又は図１５における断線危険部位のメタルの膜厚を厚く形成することができ断線防止が可能となるが、テーパ角δは概ね２０°〜６０°であることが望ましい。テーパ角δが２０°以下の場合は、テーパ角とメサの傾斜角とを合わせた角度が、メサの傾斜角θの補角（メサ上端部の角度）に徐々に近くなるため、断線危険部位でのメタルの膜厚が厚くならず断線の危険性が大きくなる。一方、テーパ角δが概ね６０°以上になると、テーパ角がメサの傾斜角θに近似するため、断線危険部位において十分なメタルの膜厚を確保することができない。
【００７７】
メサの傾斜角θを７５°とし、誘電体のテーパ角δを７０°〜１０°の間で変化させて、メタル配線における断線の有無を調べた結果が図１６に示されている。
【００７８】
また、誘電体のテーパ角δを６０°とし、メサの傾斜角θをドライエッチング条件を変更して５０°〜８０°の間で変化させて、メタル配線における断線の有無を調べた結果が図１７に示されている。
【００７９】
これらの結果から、誘電体のテーパ角δとメサの傾斜角θとの間で、δ＜θの関係が満たされると、メタル配線の断線は見られず、誘電体のテーパ角δは、２０°程度〜６０°程度が好ましいことが分かった。
【００８０】
このように、ウェットエッチングでの角度の制御は、レジストと誘電体との界面における横方向へのエッチング速度（Ｖ１）と、下地であるｐ−ＧａＡｓと誘電体との界面における横方向へのエッチング速度（Ｖ２）との差で制御することができる。ここで、エッチング速度（Ｖ１）は、一般的にエッチング速度（Ｖ２）よりも速く、この差を利用することで、角度を制御することができる。例えば、エッチング時間が長くなると、テーパ角δが小さくなる。なお、エッチング時間は、エッチング液の濃度、液温などにより制御される。
【００８１】
また、ドライエッチングでは、反応生成物の競合反応を制御することで角度を制御することができる。具体的には、ガス流量、圧力、放電電力、基板バイアス、基板温度などの各種プロセスパラメータを制御することで、角度を制御することになる。
【００８２】
（７）積層体を水蒸気中で熱処理する。これにより、被選択酸化層１０８中のＡｌ（アルミニウム）がメサの外周部から選択的に酸化され、メサの中央部に、Ａｌの酸化物１０８ａによって囲まれた酸化されていない領域１０８ｂが残留する（図８（Ｂ）参照）。すなわち、発光部の駆動電流の経路をメサの中央部だけに制限する、いわゆる酸化狭窄構造体が形成される。上記酸化されていない領域１０８ｂが電流通過領域である。
【００８３】
（８）プラズマＣＶＤ法を用いて、ＳｉＯ２からなる保護膜１１１ｂを形成する（図９（Ａ）参照）。ここでは、該保護膜１１１ｂの膜厚を約２００ｎｍに設定している。なお、保護膜としてＳｉＮ膜が形成されても良い。
【００８４】
（９）ｐ側電極１１３のコンタクトホールを形成するためのレジストマスク１２４を、フォトリソグラフィにより形成する（図９（Ｂ）参照）。
【００８５】
（１０）ＢＨＦにて保護膜１１１ｂ及び誘電体層１１１ａをエッチングし、ｐ側電極コンタクトの窓開けを行う。
【００８６】
（１１）レジストマスク１２４を除去する（図１０（Ａ）参照）。
【００８７】
（１２）メサ上部の光射出部となる領域（射出領域）及び、配線パターンを除く領域などにレジストパターンを形成し、ｐ側の電極材料の蒸着を行なう。ｐ側の電極材料としてはＣｒ／ＡｕＺｎ／Ａｕからなる多層膜、もしくはＴｉ／Ｐｔ／Ａｕからなる多層膜が用いられる。また、ｐ側の電極材料の厚さは、７００ｎｍ〜９００ｎｍとした。なお、ｐ側の電極材料は、配線の材料、電極パッドの材料と同じである。
【００８８】
（１３）蒸着された電極材料をリフトオフし、ｐ側電極１１３、配線パターンを形成する（図１０（Ｂ）参照）。このｐ側電極１１３で囲まれた領域が射出領域である。なお、ｐ側電極１１３は、発光部となるメサのみに形成される。
【００８９】
（１４）基板１０１の裏側を所定の厚さ（例えば１００μｍ程度）まで研磨した後、ｎ側電極１１４を形成する（図１１参照）。ここでは、ｎ側電極１１４はＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕからなる多層膜である。
【００９０】
（１５）アニールによって、ｐ側電極１１３とｎ側電極１１４のオーミック導通をとる。これにより、メサは発光部となる。
【００９１】
（１６）チップ毎に切断する。
【００９２】
そして、種々の後工程を経て、面発光レーザアレイ１００となる。
【００９３】
このようにして製造された面発光レーザアレイ１００では、図１２に示されるように、Ａ部、Ｂ部及びＣ部において、電極材料及び配線材料がカバレージ良く形成されている。
【００９４】
上記Ａ部及びＣ部を拡大した図が図１３に示されている。ここでは、ｐ側の電極材料の厚さＬ２（７００ｎｍ〜９００ｎｍ）が、メサ上に順次形成された誘電体層１１１ａの厚さと保護膜１１１ｂの厚さの合計Ｌ１（約３００ｎｍ）に対して十分大きく、且つ、誘電体層の端部とメサの上端部とが一致して形成されているので、誘電体層のＣ部での断線は見られなかった。また、Ａ部においても、配線材料の厚さが十分に確保されているため、断線は見られなかった。なお、Ｂ部においては、拡大図は示していないが、Ａ部と同様に配線材料の厚さが十分に確保されているため、断線は見られなかった。
【００９５】
誘電体層の端部とメサの上端部とが一致するとは、誘電体層の端部の稜線と、メサの上端部の稜線が一致することである。これにより、メサの上端部の角度をゆるくすることができる。
【００９６】
また、配線がダミーを跨ぐ場合であっても、断線は見られなかった。
【００９７】
ところで、仮に、メサ上に形成された誘電体層１１１ａがテーパ面を有していないときには、一例として図１４に示されるように、メサの側面の上部近傍に配線材料の厚さが薄い部分（断線危険部位）が存在する。
【００９８】
一方、図１５に示される従来例１のように、傾斜角θが９０°（垂直）のメサ５１００上部にテーパ形状のコンタクトメタル５１０１の端がメサ５１００の上端から離れた位置に形成され、メサ５１００の上端の一部が露出した領域（Ｘ部）上に層間絶縁膜５１０２が形成され、更に、メタル配線５１０３が形成されている面発光レーザの場合には、メサ５１００の側壁を含む断線危険部位として示されている領域で、配線部材の厚さが薄くなるため、歩留まり良く製造することは困難であった。
【００９９】
また、図１８に示される従来例２のように、傾斜角θが９０°より小さい、メサ６１００の上部にテーパ形状のコンタクトメタル６１０１の端がメサ６１００の上端から離れた位置に形成され、メサ６１００の上端の一部が露出した領域（Ｘ部）上に層間絶縁膜６１０２が形成され、更に、メタル配線６１０３が形成されている面発光レーザの場合には、断線危険部位として示されている領域で、メサの傾斜角を反映する角が層間絶縁膜６１０２の表面に存在するため、配線部材の厚さがこの部分で薄くなり断線が発生し易く、歩留まり良く製造することは困難であった。
【０１００】
真空蒸着法では、金属粒子の飛程直進性があるため、飛程方向に平行な面には付着しにくくなるため、断線危険部位が生ずる。
【０１０１】
以上の説明から明らかなように、前述した面発光レーザアレイ１００の製造方法において、本発明の面発光レーザ素子の製造方法が実施されている。
【０１０２】
以上説明したように、本実施形態に係る面発光レーザアレイ１００によると、基板１０１、下部半導体ＤＢＲ１０３、活性層１０５を含む共振器構造体、上部半導体ＤＢＲ１０７、コンタクト層１０９などを有している。
【０１０３】
メサの上面における辺縁部は、最外周部に向かって厚さが小さくなるテーパ面を有する誘電体層１１１ａで被覆されており、誘電体層の端部とメサの上端部とが一致するように形成されている。これにより、保護膜１１１ｂもメサの上面における辺縁部では誘電体層１１１ａのテーパ角δと同様な角度で基板面に対して傾斜した状態で形成される。そして、保護膜１１１ｂ上に配線材料が蒸着されるため、該配線材料もメサの上面における辺縁部では誘電体層１１１ａのテーパ角δと同様な角度で基板面に対して傾斜した状態で蒸着される。そして、誘電体層１１１ａのテーパ角δは、メサにおける側面の基板面に対する傾斜角θよりも小さくなるように設定されている。
【０１０４】
この場合は、カバレージ良く配線を形成することが可能となり、製造時の歩留まり及び信頼性を向上させることができる。そこで、信頼性の高い面発光レーザアレイを低コストで供給することが可能となる。
【０１０５】
上記従来例１及び従来例２において断線危険部位として示されている領域では、真空蒸着法により形成される配線は、金属粒子の付着が少なくなり、薄くなる。これにより、断線が発生しやすい。
【０１０６】
他方、本実施形態では、金属粒子が付着しやすい形状となっており、断線が生じ難い。また、保護膜で被覆するので、該保護膜の角度をある曲率を持たせて緩やかな形状にすることで、金属粒子の被膜性を向上させることができる。
【０１０７】
このように、面発光レーザアレイ１００では、メサの上面における辺縁部は、誘電体層１１１ａと保護膜１１１ｂからなる２層構造体に覆われている。なお、従来の面発光レーザアレイでは、メサの上面における辺縁部は、保護膜のみで覆われているのが一般的であった。
【０１０８】
そして、本実施形態に係る光走査装置１０１０によると、光源１４が面発光レーザアレイ１００を有しているため、安定して高精度の光走査を行うことができる。
【０１０９】
また、面発光レーザアレイ１００が複数の発光部を有しているため、同時に複数の光走査が可能となり、画像形成の高速化を図ることができる。
【０１１０】
また、本実施形態に係るレーザプリンタ１０００によると、光走査装置１０１０を備えているため、結果として、安定して高品質の画像を形成することが可能である。
【０１１１】
ところで、面発光レーザアレイ１００では、各発光部を副走査対応方向に延びる仮想線上に正射影したときの発光部間隔が等間隔ｄ２であるので、点灯のタイミングを調整することで感光体ドラム１０３０上では副走査方向に等間隔で発光部が並んでいる場合と同様な構成と捉えることができる。
【０１１２】
そして、例えば、上記間隔ｄ２を２．６５μｍ、光走査装置１０１０の光学系の倍率を２倍とすれば、４８００ｄｐｉ（ドット／インチ）の高密度書込みができる。もちろん、主走査対応方向の発光部数を増加したり、副走査対応方向のピッチｄ１（図４参照）を狭くして間隔ｄ２を更に小さくするアレイ配置としたり、光学系の倍率を下げる等を行えばより高密度化でき、より高品質の印刷が可能となる。なお、主走査方向の書き込み間隔は、発光部の点灯のタイミングで容易に制御できる。
【０１１３】
また、この場合には、レーザプリンタ１０００では書きこみドット密度が上昇しても印刷速度を落とすことなく印刷することができる。また、同じ書きこみドット密度の場合には印刷速度を更に速くすることができる。
【０１１４】
なお、上記実施形態において、一例として図１９に示されるように、射出領域内の中央部が、光学的厚さがλ／４の偶数倍である誘電体層１１１ｄで覆われ、射出領域内の周辺部が、光学的厚さがλ／４の奇数倍である誘電体層１１１ｃと光学的厚さがλ／４の偶数倍である誘電体層１１１ｄの２層で覆われていても良い。この場合、射出領域内の周辺部における反射率が低下し、基本横モードの光強度を低下させることなく、高次横モードの発生を抑制することができる。このとき、各誘電体は、窒化シリコン（ＳｉＮ）であっても良い。
【０１１５】
また、上記実施形態において、一例として図２０に示されるように、射出領域内の中央部が、光学的厚さがそれぞれλ／４の奇数倍である誘電体層１１１ｅと誘電体層１１１ｆの２層で覆われ、射出領域内の周辺部が、光学的厚さがλ／４の奇数倍である誘電体層１１１ｆで覆われていても良い。この場合、射出領域内の中央部における反射率が上昇し、射出領域内の周辺部における反射率が低下する。そして、基本横モードの光強度を低下させることなく、高次横モードの発生を抑制することができる。このとき、誘電体層１１１ｅが酸化シリコン（ＳｉＯ２）からなり、誘電体層１１１ｆが窒化シリコン（ＳｉＮ）からなっていても良い。
【０１１６】
また、上記実施形態では、各発光部の発振波長が７８０ｎｍ帯の場合について説明したが、これに限定されるものではない。感光体の特性に応じて、各発光部の発振波長を変更しても良い。
【０１１７】
また、上記実施形態では、面発光レーザアレイが３２個の発光部を有する場合について説明したが、これに限定されるものではない。
【０１１８】
また、上記実施形態において、前記面発光レーザアレイ１００に代えて、１個の発光部を有する面発光レーザ素子を用いても良い。
【０１１９】
なお、上記実施形態では、光走査装置１０１０がプリンタに用いられる場合について説明したが、プリンタ以外の画像形成装置、例えば、複写機、ファクシミリ、又は、これらが集約された複合機にも用いることができる。
【０１２０】
また、上記実施形態では、画像形成装置としてレーザプリンタ１０００の場合について説明したが、これに限定されるものではない。
【０１２１】
例えば、レーザ光によって発色する媒体（例えば、用紙）に直接、レーザ光を照射する画像形成装置であっても良い。
【０１２２】
例えば、媒体が、ＣＴＰ（Ｃｏｍｐｕｔｅｒ  ｔｏ  Ｐｌａｔｅ）として知られている印刷版であっても良い。つまり、光走査装置１０１０は、印刷版材料にレーザアブレーションによって直接画像形成を行い、印刷版を形成する画像形成装置にも好適である。
【０１２３】
また、レーザ光によって発色に可逆性を与えることができる媒体（例えば、用紙）に直接、レーザ光を照射する画像形成装置であっても良い。
【０１２４】
例えば、媒体が、いわゆるリライタブルペーパーであっても良い。これは、例えば紙や樹脂フィルム等の支持体上に、以下に説明するような材料が記録層として塗布されている。そして、レーザ光による熱エネルギー制御によって発色に可逆性を与え、表示／消去を可逆的に行うものである。
【０１２５】
透明白濁型リライタブルマーキング法とロイコ染料を用いた発消色型リライタブルマーキング法があり、いずれも適用できる。
【０１２６】
透明白濁型は、高分子薄膜の中に脂肪酸の微粒子を分散したもので、１１０℃以上に加熱すると脂肪酸の溶融により樹脂が膨張する。その後、冷却すると脂肪酸は過冷却状態になり液体のまま存在し、膨張した樹脂が固化する。その後、脂肪酸が固化収縮して多結晶の微粒子となり樹脂と微粒子間に空隙が生まれる。この空隙により光が散乱されて白色に見える。次に、８０℃から１１０℃の消去温度範囲に加熱すると、脂肪酸は一部溶融し、樹脂は熱膨張して空隙を埋める。この状態で冷却すると透明状態となり画像の消去が行われる。
【０１２７】
ロイコ染料を用いたリライタブルマーキング法は、無色のロイコ型染料と長鎖アルキル基を有する顕消色剤との可逆的な発色及び消色反応を利用している。レーザ光により加熱されるとロイコ染料と顕消色剤が反応して発色し、そのまま急冷すると発色状態が保持される。そして、加熱後、ゆっくり冷却すると顕消色剤の長鎖アルキル基の自己凝集作用により相分離が起こり、ロイコ染料と顕消色剤が物理的に分離されて消色する。
【０１２８】
また、媒体が、紫外光を当てるとＣ（シアン）に発色し、可視光のＲ（レッド）の光で消色するフォトクロミック化合物、紫外光を当てるとＭ（マゼンタ）に発色し、可視光のＧ（グリーン）の光で消色するフォトクロミック化合物、紫外光を当てるとＹ（イエロー）に発色し、可視光のＢ（ブルー）の光で消色するフォトクロミック化合物が、紙や樹脂フィルム等の支持体上に設けられた、いわゆるカラーリライタブルペーパーであっても良い。
【０１２９】
これは、一旦紫外光を当てて真っ黒にし、Ｒ・Ｇ・Ｂの光を当てる時間や強さで、Ｙ・Ｍ・Ｃに発色する３種類の材料の発色濃度を制御してフルカラーを表現し、仮に、Ｒ・Ｇ・Ｂの強力な光を当て続ければ３種類とも消色して真っ白にすることもできる。
【０１３０】
このような、光エネルギー制御によって発色に可逆性を与えるものも上記実施形態と同様な光走査装置を備える画像形成装置として実現できる。
【０１３１】
また、像担持体として銀塩フィルムを用いた画像形成装置であっても良い。この場合には、光走査により銀塩フィルム上に潜像が形成され、この潜像は通常の銀塩写真プロセスにおける現像処理と同等の処理で可視化することができる。そして、通常の銀塩写真プロセスにおける焼付け処理と同等の処理で印画紙に転写することができる。このような画像形成装置は光製版装置や、ＣＴスキャン画像等を描画する光描画装置として実施できる。
【０１３２】
また、一例として図２１に示されるように、複数の感光体ドラムを備えるカラープリンタ２０００であっても良い。
【０１３３】
このカラープリンタ２０００は、４色（ブラック、シアン、マゼンタ、イエロー）を重ね合わせてフルカラーの画像を形成するタンデム方式の多色カラープリンタであり、ブラック用の「感光体ドラムＫ１、帯電装置Ｋ２、現像装置Ｋ４、クリーニングユニットＫ５、及び転写装置Ｋ６」と、シアン用の「感光体ドラムＣ１、帯電装置Ｃ２、現像装置Ｃ４、クリーニングユニットＣ５、及び転写装置Ｃ６」と、マゼンタ用の「感光体ドラムＭ１、帯電装置Ｍ２、現像装置Ｍ４、クリーニングユニットＭ５、及び転写装置Ｍ６」と、イエロー用の「感光体ドラムＹ１、帯電装置Ｙ２、現像装置Ｙ４、クリーニングユニットＹ５、及び転写装置Ｙ６」と、光走査装置２０１０と、転写ベルト２０８０と、定着ユニット２０３０などを備えている。
【０１３４】
各感光体ドラムは、図２１中の矢印の方向に回転し、各感光体ドラムの周囲には、回転方向に沿って、それぞれ帯電装置、現像装置、転写装置、クリーニングユニットが配置されている。各帯電装置は、対応する感光体ドラムの表面を均一に帯電する。帯電装置によって帯電された各感光体ドラム表面に光走査装置２０１０により光が照射され、各感光体ドラムに潜像が形成されるようになっている。そして、対応する現像装置により各感光体ドラム表面にトナー像が形成される。さらに、対応する転写装置により、転写ベルト２０８０上の記録紙に各色のトナー像が転写され、最終的に定着ユニット２０３０により記録紙に画像が定着される。
【０１３５】
光走査装置２０１０は、前記光源１４と同様な光源を、色毎に有している。そこで、上記光走査装置１０１０と同様の効果を得ることができる。また、カラープリンタ２０００は、この光走査装置２０１０を備えているため、上記レーザプリンタ１０００と同様の効果を得ることができる。
【０１３６】
ところで、カラープリンタ２０００では、各部品の製造誤差や位置誤差等によって色ずれが発生する場合がある。このような場合であっても、点灯させる発光部を選択することで色ずれを低減することができる。
【符号の説明】
【０１３７】
１１ａ…偏向器側走査レンズ（走査光学系の一部）、１１ｂ…像面側走査レンズ（走査光学系の一部）、１３…ポリゴンミラー（偏向器）、１４…光源、１００…面発光レーザアレイ、１１１ａ…誘電体層、１１１ｂ…保護膜、１０００…レーザプリンタ（画像形成装置）、１０１０…光走査装置、１０３０…感光体ドラム（像担持体）、２０００…カラープリンタ（画像形成装置）、２０１０…光走査装置、Ｋ１，Ｃ１，Ｍ１，Ｙ１…感光体ドラム（像担持体）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０１３８】
【特許文献１】特開２００２−２０８７５５号公報
【特許文献２】特開２００４−２００２１１号公報
【特許文献３】特開平９−３３９４９号公報
【特許文献４】特開２００６−０１３３６６号公報
【特許文献５】特開２００７−１５０１７０号公報
【特許文献６】特開２００８−３４６３７号公報
【特許文献７】特開２００９−３０２１１３号公報
【特許文献８】特開２００９−９４３３２号公報
【図１】
0005843131.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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