(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を受光する受光面と該受光面と対向する裏面との間で光電変換機能を発現する結晶基板を具備する結晶太陽電池の製造方法であって、前記結晶基板として、単結晶又は多結晶シリコンからなる平板状の基体を用い、前記基体の外周端面はその全域がイオン注入側をなす領域αと非イオン注入側をなす領域βとに区分される形状を備えており、
前記基体のうち、該基体の外周端面の全域を含む一方の主面側に対して、該基体の一方の主面とともに該基体の外周端面の全域を露呈した状態で、リン（Ｐ）イオンを注入する第一工程と、
前記基体に対して加熱処理を行い、前記第一工程の際に前記基体の前記外周端面部分に付着した、リン（Ｐ）からなる被膜を蒸発させて除去する第二工程と、
前記基体に対してアニール処理を行う第三工程と、を少なくとも順に備えること、を特徴とする結晶太陽電池の製造方法。
【請求項２】
前記第二工程の温度は、前記第一工程の温度よりも高く、前記第三工程の温度よりも低いこと、を特徴とする請求項１に記載の結晶太陽電池の製造方法。
【請求項３】
前記第三工程において、酸素分圧を１％以下とすること、を特徴とする請求項１又は請求項２に記載の結晶太陽電池の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、結晶太陽電池の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
自然エネルギーの有効利用の観点から、近年、太陽電池はますます広く一般的に利用されつつある。太陽電池を構成する材料としては、これまで主に、結晶シリコンが用いられてきた。
【０００３】
結晶シリコンを用いた太陽電池は、光を受光する受光面と、受光面と対向する裏面との間で光電変換機能を発現する、ｐ型の結晶シリコンからなる基板を備えている。基板の一方の主面側には高濃度のｐ型シリコン層（ｐ＋層）が形成され、他方の主面側にはｎ型シリコン層（ｎ層）が形成される。そして、ｐ＋層とｎ層の間に、ｐ＋層よりも低濃度のｐ型シリコン層（ｐ層）が形成される。この基板に対して光を照射することにより、ｐ層において励起された電子、正孔のうち、電子をｎ層に接続された電極に、正孔をｐ＋に接続された電極に、それぞれ捕捉させ、捕捉させた電子、正孔による電流を発生させることができる。
【０００４】
すなわち、結晶シリコン太陽電池は、照射された光のエネルギーを、外部への出力が可能な電気のエネルギーに変換する機能を有している。特に、結晶シリコン太陽電池は、照射された光のエネルギーのうち、電気のエネルギーに変換される割合（光電変換効率）が高く、太陽電池市場において重要な位置を占めており、光電変換効率を更に高めるための技術開発が進められている（非特許文献１）。
【０００５】
多結晶、単結晶シリコン基板を用いた結晶シリコン太陽電池の製造において、基板上にＰＯＣｌ３  からなる膜を成膜し、その後にアニール処理を行うことが一般的に行われている（非特許文献２）。このアニール処理は、シリコン基板の表面から深さ方向にリン（Ｐ）を拡散させることにより、基板の表面抵抗を下げるために行われるものである。
【０００６】
しかしながら、基板の端面部分に被着したリンはアニ−ルされて基板内に拡散し、抵抗の低下を起こしてしまう。すなわち基板の端面にも低抵抗層が形成され裏面と電気的に繋がってしまう。結果として、裏表でＰＩＮ接合の太陽電池を形成しているつもりが端面で短絡してしまうことになる。
【０００７】
従来は、基板の外周部分を切り離して捨てることで対応していた。具体的にはレーザーを用いたエッジカットという手法で、即ち基板の外周部分にレーザーを照射して切り離して捨てていた。しかし、この方法では、レーザーを照射し切り離した領域が光電変換に寄与しなくなり無駄な領域となってしまう。さらにエッジカットのためにレーザー照射が必要になり、コストや工程の面でも不利であった。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】Plasma Fusion Res．Vol．85,N０.12 (2009)820−824
【非特許文献２】”COMPARISON OF DIFFERENT TECHNIQUES FOR EDGE ISOLATION” A. Hauser, G. Hahn
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、このような従来の実情に鑑みて考案されたものであり、レーザー照射を必要とせず、基板端面に導通部（低抵抗領域）の形成を防止することが可能な、結晶太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の請求項１に記載の結晶太陽電池の製造方法は、光を受光する受光面と該受光面と対向する裏面との間で光電変換機能を発現する結晶基板を具備する結晶太陽電池の製造方法であって、前記結晶基板として、単結晶又は多結晶シリコンからなる平板状の基体を用い、前記基体の外周端面はその全域がイオン注入側をなす領域αと非イオン注入側をなす領域βとに区分される形状を備えており、前記基体のうち、該基体の外周端面の全域を含む一方の主面側に対して、該基体の一方の主面とともに該基体の外周端面の全域を露呈した状態で、リン（Ｐ）イオンを注入する第一工程と、前記基体に対して加熱処理を行い、前記第一工程の際に前記基体の前記外周端面部分に付着した、リン（Ｐ）からなる被膜を蒸発させて除去する第二工程と、前記基体に対してアニール処理を行う第三工程と、を少なくとも順に備えること、を特徴とする。
本発明の請求項２に記載の結晶太陽電池の製造方法は、請求項１において、前記第二工
程の温度は、前記第一工程の温度よりも高く、前記第三工程の温度よりも低いこと、を特
徴とする。
本発明の請求項３に記載の結晶太陽電池の製造方法は、請求項１又は請求項２において
、前記第三工程において、酸素分圧を１％以下とすること、を特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の結晶太陽電池の製造方法では、単結晶又は多結晶シリコンからなる平板状の基体を用い、前記基体の外周端面はその全域がイオン注入側をなす領域αと非イオン注入側をなす領域βとに区分される形状を備えており、前記基体のうち、該基体の外周端面の全域を含む一方の主面側に対して、該基体の一方の主面とともに該基体の外周端面の全域を露呈した状態で、リン（Ｐ）イオンを注入する第一工程と、前記基体に対して加熱処理を行い、前記第一工程の際に前記基体の前記外周端面部分に付着した、リン（Ｐ）からなる被膜を蒸発させて除去する第二工程と、前記基体に対してアニール処理を行う第三工程と、を少なくとも順に備えている。これにより本発明では、第一工程で前記基体の外周端面部分に付着した、リン（Ｐ）からなる被膜を、第二工程で加熱処理を行い蒸発させて除去しているので、第三工程でアニール処理をしても基体の外周端面に導通部（低抵抗領域）が形成されない。これにより基体の外周端面での抵抗低下が無くなり裏面との電気的導通が避けられる。その結果、本発明の結晶太陽電池の製造方法では、レーザー照射を必要とせず、基体の外周端面に導通部（低抵抗領域）の形成を防止することが可能である。また、レーザー照射による光電変換領域のロスもない。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明における結晶太陽電池の断面図。
【図２】結晶太陽電池の製造に用いる、イオン注入装置の断面図。
【図３】基板の端面部分にリン被膜が形成されている様子を模式的に示す断面図。
【図４】４探針法による抵抗値の測定において、針の置き方を模式的に示す断面図。
【図５】炉を使用したアニールの際の酸素分圧とシート抵抗との関係を示すグラフ。
【図６】ＲＴＡを使用したアニールの際の酸素分圧とシート抵抗との関係を示すグラフ。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明に係る結晶太陽電池の製造方法の一実施形態を図面に基づいて説明する。
【００１５】
図１は、本発明の実施形態を示す図面である。
図１は、本実施形態に係る結晶太陽電池１００の構成について説明する図である。結晶太陽電池１００は、光を受光する受光面と、受光面と対向する裏面との間で光電変換機能を発現する結晶性基板１０１を備えた太陽電池である。結晶性基板１０１は、ｐ型の単結晶または多結晶シリコンからなる平板状の基体である。
【００１６】
結晶性基板（基体）１０１は、その一方の主面（裏面）１０１ａ側および他方の主面（受光面）１０１ｂ側に、それぞれｐ型の半導体層（ｐ＋  層）１０２およびｎ型の半導体層（ｎ層）１０３を備えている。そして、ｎ層１０３は、結晶基板の他方の主面１０１ｂ側に形成されたシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ  膜）１０４に覆われている。さらに、ｎ層１０３は、ＳｉＮｘ  膜を貫通するように形成された受光面電極１０５と、電気的に接続されている。また、ｐ＋  層１０２は、結晶基板の一方の主面１０１ｂ側に形成された裏面電極１０６に覆われている。
【００１７】
そして本発明の結晶太陽電池は、後述するような方法により製造され、前記イオンを注入する面とは反対側の面に連なる端面領域が非導通部であること、を特徴とする。これにより基板端面での抵抗低下が無くなり裏面との電気的導通が避けられる。
【００１８】
なお、図１においては、基体の二つの主面１０１ａ、１０１ｂが、いずれも平坦であるように示しているが、いずれも微視的なスケールのテクスチャー形状を有するものとする。
【００１９】
［結晶太陽電池の製造方法］
図１に示した、本実施形態に係る結晶太陽電池１００の製造方法について、説明する。
本発明の結晶太陽電池の製造方法は、前記基体の一方の主面側に、リン（Ｐ）イオンを注入する第一工程と、前記基体に対して加熱処理を行い、前記第一工程の際に前記基体の端面部分に付着した、リン（Ｐ）からなる被膜を蒸発させて除去する第二工程と、前記基体に対してアニール処理を行う第三工程と、を少なくとも順に備えること、を特徴とする。
【００２０】
従来の結晶太陽電池は、テクスチャー形成、ｐ型イオン注入、第一アニール処理、第一フッ酸（ＨＦ）処理、ｎ型イオン注入、第二アニール処理、第二フッ酸（ＨＦ）処理、絶縁膜形成、電極形成の工程を順に行うことにより製造される。
【００２１】
これに対し、本実施形態に係る結晶太陽電池１００は、テクスチャー形成、ｐ型イオン注入、第一アニール処理、フッ酸（ＨＦ）処理、ｎ型イオン注入（第一工程）、加熱処理（第二工程）、第二アニール処理（第三工程）、絶縁膜形成、電極形成の工程を順に行うことにより製造される。すなわち、本実施形態に係る結晶太陽電池１００の製造方法は、ｎ型イオンを注入した後、第二アニール処理の前に、加熱処理を行う点において、従来の結晶太陽電池の製造方法と異なる。
【００２２】
本発明では、ｎ型イオン注入工程で前記基体の端面部分に付着した、リン（Ｐ）ラジカルからなる被膜を、加熱処理を行い蒸発させて除去しているので、その後第二アニール処理をしても基体端面に導通部（低抵抗領域）が形成されない。その結果、本発明の結晶太陽電池の製造方法では、レーザー照射を必要とせず、基体端面領域に導通部（低抵抗領域）の形成を防止することが可能である。また、レーザー照射による光電変換領域のロスもない。
【００２３】
本実施形態に係る、結晶太陽電池１００を製造するための各工程について、詳しく説明する。まず、テクスチャー形成工程において、基体１０１に対して、例えば水酸化カリウム（ＫＯＨ）や水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）をエッチャントとして用いたウェットエッチング処理を行う。そして、処理後の基体１０１に残存する有機物および金属汚染物を、フッ硝酸を用いて除去することにより、二つの主面１０１ａ、１０１ｂを、テクスチャーを有する形状に加工する。
【００２４】
次に、テクスチャーを有する形状に加工された、基体１０１の一方の主面１０１ａに、ボロン（Ｂ）イオン等のｐ型イオンを注入する。ｐ型イオンの注入は、図２に示すイオン注入装置２００を用いて行う。
【００２５】
図２は、ｐ型イオン注入工程および後述するｎ型イオン注入工程に用いる、イオン注入装置２００の断面図である。イオン注入装置２００は真空槽２０１と、永久磁石２０５、ＲＦ導入コイル２０６、ＲＦ導入窓（石英）２１２を用いたＩＣＰ放電によるプラズマ発生手段と、真空排気手段（不図示）とを備えている。真空槽２０１の内部は、メッシュ電極２０８、２０９により、プラズマ発生室とプラズマ処理室とに分離されている。プラズマ処理室に被処理基板（基体）２０３を支持する基板支持台２０４が配されている。なお、メッシュ電極２０８は、浮遊電位とされており、プラズマ２０７の電位を安定させる機能を有する。また、メッシュ電極２０９は、負電位を印加され、プラズマ２０７から正イオンを引き出す機能を有する。
【００２６】
真空層２０１内を減圧し、プラズマ発生室に、基体２０３に注入する不純物原子を含んだガスを導入する。そして、プラズマ発生手段を用いてプラズマ２０７を励起こさせることにより、不純物原子をイオン化させ、メッシュ電極２０８、２０９を経由して引き出されたｐ型あるいはｎ型のイオンを、基板に注入させることができる。
【００２７】
ここで、ｐ型イオンの注入量は、後述する第一アニール処理後のｐ型半導体層１０２のシート抵抗と、結晶太陽電池の光電変換効率との関係から、太陽電池１００を製造する上での最適値として決定される。ただし、ｐ型半導体層１０２におけるｐ型イオンの濃度は、少なくとも基体１０１におけるｐ型イオンの濃度より高くなっているものとする。ｐ型イオンの濃度の高いｐ＋  層を、裏面電極１０６と基体１０１との間に設けることにより、裏面電極１０６と基体１０１との間において、電場が弱まり、電気抵抗が低減される。
【００２８】
次に、ｐ型イオンが注入された基体１０１に対し、窒素雰囲気中にて第一アニール処理を行う。第一アニール処理の条件は、基体内部における、Ｐ型イオンの拡散係数に応じた最適な条件として決定される。すなわち、第一アニール処理の温度は、９００℃程度であることが望ましい。また、第一アニール処理にかける時間は、３０〜６０分程度であることが望ましい。
【００２９】
なお、第一アニール処理の際に、基体１０１の表面に酸化膜が形成される。この酸化膜中に含まれる酸素イオンは、基体１０１の内部に拡散し、再結合中心として機能することにより、光電変換効率を低下させる。したがって、第一アニール処理してからＰイオンを注入するまでの間に、基体１０１の表面に形成された酸化膜を、フッ酸処理（ＨＦ処理）を行って除去することが望ましい。
【００３０】
次に、第一アニール処理された、基体１０１の他方の主面１０１ｂに、リン（Ｐ）等のｎ型イオンを注入する。ｎ型イオンの注入は、図２に示すイオン注入装置２００を用いて行う。
【００３１】
ここで、ｎ型イオンの注入量は、後述する第二アニール処理後のｎ型半導体層１０３のシート抵抗と、結晶太陽電池の光電変換効率との関係から、太陽電池１００を製造する上での最適値として決定される。
【００３２】
次に、前記基体１０１に対して加熱処理を行い、ｎ型イオン注入工程の際に前記基体１０１の端面１０１ｃ部分に付着した、リン（Ｐ）からなる被膜を蒸発させて除去する。
【００３３】
上述したｎ型イオン注入工程において、リン（Ｐ）をプラスマドープの方法で注入すると、図３に示すように、イオン注入の他にラジカルでの成膜も発生する。ラジカルは基体の外周端面１０１ｃにおいて、イオン注入側（領域α）のみならず、非イオン注入側（領域β）にも回り込んで付着する。ゆえに、ラジカルの成膜領域は、基体の外周端面１０１の全域となる。また、イオン注入においてもビームの拡散による多重散乱に起因して、イオンの一部が基体の外周端面１０１ｃのうち、イオン注入側（領域α）にも注入される。この外周端面にあるリンは後工程でアニ−ルされると基体内に拡散し、抵抗の低下を起こしてしまう。すなわち基体の外周端面にも低抵抗領域（導通部）が形成され、裏面と電気的に繋がってしまう。結果として、裏表でＰＩＮ接合の太陽電池を形成しているつもりが、外周端面において短絡するという不具合が生じてしまう。
【００３４】
そこで本発明では、アニール処理工程の前に加熱処理を行い、前記のイオン注入際に前記基体１０１の端面１０１ｃ部分に付着した、リン（Ｐ）からなる被膜を蒸発させて除去する。これによりアニール処理をしても基体端面領域に導通部（低抵抗領域）が形成されない。これにより基体端面での抵抗低下が無くなり裏面との電気的導通が避けられる。また、従来のようにレーザー照射を必要としないので、コストや工程の増加を避けることができる。さらに、エッジカットによる光電変換領域のロスもない。
【００３５】
本工程の加熱処理において、加熱温度は、ｎ型イオン注入工程の温度よりも高く、第二アニール工程の温度よりも低くする。
リンは色々な形態をとるが、ラジカルから成膜されるリンは通常白リンが一般的である。白リン（Ｐ４）は四面体形の分子からなり、比重が１．８２、融点が４４．１℃、沸点が２８０℃の、常温常圧で白色ロウ状の固体である。リンの沸点以上の温度で加熱することで、アニールの前に基体表面に成膜されたもの、Ｓｉ中に注入されたが拡散で表面に出てきたものを蒸発させて除去することができる。しかし温度が高すぎるとアニールされてしまい、リンが基体内に拡散してしまう。
【００３６】
ｎ型イオン注入工程の温度は１００〜２００℃程度であり、また後述するように、第二アニール処理の温度は８５０℃程度であるので、加熱工程の温度は、具体的には例えば２００〜８００℃程度とすることが好ましい。これによりリンがアニールされることなく蒸発させることができ、基体端面に付着したリン被膜を除去することができる。
【００３７】
なお、加熱工程において、酸素分圧を例えば１％以下とすることが好ましい。基体の端面部分に付着したリン被膜が酸化すると、その部分は導通部（低抵抗領域）となってしまうため、リン被膜の酸化を防止することが重要である。また、リン被膜の酸化を防止することで、より低温でもリン被膜を除去することができる。
【００３８】
次に、ｎ型イオンが注入された基体１０１に対し、酸素雰囲気中にて第二アニール処理を行う。第二アニール処理の条件は、基体内部における、ｎ型イオンの拡散係数に応じた最適な条件として決定される。すなわち、第二アニール処理の温度は、８５０℃程度であることが望ましく、少なくとも第一アニール処理の温度より低いものとする。また、第二アニール処理にかける時間は、３０〜６０分程度であることが望ましい。
【００３９】
さらに、本実施形態では、第二アニール処理において、酸素分圧を１％以下とすることが好ましい。基体の端面部分に付着したリン被膜が酸化すると、その部分は導通部（低抵抗領域）となってしまうため、リン被膜の酸化を防止することが重要である。
【００４０】
第二アニール処理の際の酸素分圧が１％よりも大きいと、得られる基板のシート抵抗は小さいが、酸素分圧が１％以下になると、シート抵抗が例えば１０００Ωｃｍ以上と急激に増加する。これは基体面内ではイオン注入されたリンが多いが、基体端面部では注入ではなくラジカル膜として付着したリンが支配的で有ることによると考えられる。
なお、実際の太陽電池としては、基体端面抵抗が１０００Ωｃｍ以上有ればリーグ電流としては問題ない。
【００４１】
さらに、第二アニール処理の際、水の濃度は１０００ｐｐｍ以下に抑えることが好ましい。水が多ければリンの酸化が促進されてしまうため、水を排除することは重要である。
【００４２】
次に、絶縁膜形成工程としてＳｉＮｘ膜を、基体の一方の主面１０１ａに、ｎ層を覆うように形成する。 ＳｉＮｘ膜は、反射防止膜として機能する膜であり、プラズマＣＶＤ法を用いて形成することができる。本実施形態においては、ＳｉＮｘ膜の膜厚を８０［ｎｍ］としている。
【００４３】
次に、電極形成工程として受光面電極１０５を、ＳｉＮｘ膜を貫通し、ｎ層と電気的に接続されるように形成する。受光面電極１０５を構成する材料としては、例えば銀（Ａｇ）を用いることができ、ファイヤースルー（焼成貫通）法を用いて形成される。
【００４４】
電極形成工程として、さらに裏面電極１０６を、基体の他方の主面１０１ｂに、ｐ＋層を覆うように形成する。裏面電極１０６を構成する材料としては、例えばアルミニウム（Ａ１）を用いることができ、スクリーン印刷法により形成される。
【００４５】
以上説明したように、本実施形態に係る結晶太陽電池の製造方法によれば、ｎ型イオン注入の際に前記基体の端面部分に付着した、リン（Ｐ）からなる被膜を、加熱処理を行い蒸発させて除去しているので、その後アニール処理をしても基体端面に導通部（低抵抗領域）が形成されない。これにより基体端面での抵抗低下が無くなり裏面との電気的導通が避けられる。その結果、本発明の結晶太陽電池の製造方法では、レーザー照射を必要とせず、基体端面に導通部（低抵抗領域）の形成を防止することが可能である。また、レーザー照射による光電変換領域のロスもない。
【００４６】
［実験例］
上述の製造方法により製造される、結晶太陽電池１００を用いた実験例に基づく、加熱処理の最適条件について説明する。
図２に示したようなイオン注入装置を用いて、磁石を用いたＩＣＰ（Inductive Coupled Plasma）放電でプラズマを発生させメッシュ電極を用いてイオンを引き出し注入した。
【００４７】
基体には半導体仕様のｐ型シリコン基板を用いた。基板を電極と平行に電極の下方にセットし、所定のビーム量（５×１０１５Ｄｏｓｅ／ｃｍ２  ）注入した。注入エネルギーは３ｋｅｖ、基板温度は室温とした。イオン源ではＰＨ３  ガスを導入して１３．５６ＭＨｚを印加することでＰＨｘ＋ のイオンを発生させて基板に照射した。イオン注入後、６００℃、３０分の加熱処理を行った。
加熱処理後、炉を用いて８５０℃３０分のアニール処理を行った。この際、雰囲気としては窒素ガスと酸素ガスの混合雰囲気（Ｎ２＋Ｏ２＝５０００ｓｃｃｍ）を用い、Ｎ２とＯ２の流量比を変化させた。
最後に、１％ＨＦを用いて、表面酸化膜を除去した。
【００４８】
以上のようにして得られた基板の表面と端面の抵抗値を４探針で測定した。図４に抵抗値測定の際の針の置き方のイメージを示す。
アニールの際の酸素分圧とシート抵抗との関係を、表１及び図５に示す。
【００４９】
【表１】
0005843588.tif 000002
【００５０】
表１及び図５からわかるように、基板面内では、酸素分圧が２０％ではシート抵抗は４６Ωｃｍ２  と小さい値が得られているが、酸素分圧が１％で６２Ωｃｍ２  、０．１％で７０Ωｃｍ２  と少しずつ増加している。一方、基板の端面では、酸素分圧が２０％では１２０Ωｃｍ２  と小さな値だが、１％で１０００Ωｃｍ２  以上になり急激に増加することが分かった。これは基板面内ではイオン注入されたリンが多いが、基板端面では注入ではなく膜として付着したリンが支配的であることによる。
なお、実際の太陽電池としては端面抵抗が１０００Ωｃｍ以上有ればリーグ電流としては問題ない。これにより、アニール処理中の酸素分圧は１％以下にすればよいことがわかる。
【００５１】
アニール処理において、炉の代わりにＲＴＡ（Rapid Thermal Annealing） 装置を用いて同様にアニールした。このとき、ＲＴＡは１００℃／秒で昇温している。
アニールの際の酸素分圧（単位：％）とシート抵抗（単位：Ω／□）との関係を表２及び図６に示す。
【００５２】
【表２】
0005843588.tif 000003
【００５３】
図５と図６とを比較してわかるように、炉でアニールした場合よりも少しではあるが小さな抵抗を示している。これはリン、リン酸の蒸発が３００〜４００℃から始まるのに対して拡散は８００℃以上でないと起こらないためである。炉では昇温に時間がかかるのに対して（２０℃／分）ＲＴＡは昇温が非常に速いことによる。すなわち、リン、リン酸の蒸発温度から拡散温度に至るまでの時間が短いため、蒸発が炉の場合よりも少ない為である。
【００５４】
以上、本発明の結晶太陽電池の製造方法及び結晶太陽電池について説明してきたが、本発明は上述した例に限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明は、結晶シリコンを用いた太陽電池の光電変換効率を高める場合に対し、広く適用することができる。
【符号の説明】
【００５６】
１００  結晶太陽電池、１０１  基体、１０１ａ、１０１ｂ  主面、１０２  ｐ型半導体層、１０３  ｎ型半導体層、１０４  窒化膜。
【図１】
0005843588.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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