(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のセラミック基板が積層された、上面に試料保持面を有する基体を備えた試料保持具であって、前記基体は、内部に熱媒体の流路を有するセラミック焼結体である第１セラミック基板と、該第１セラミック基板よりも上に積層された、上面が前記試料保持面であって前記第１セラミック基板と同じ材料から成るセラミック焼結体である第２セラミック基板とを備えているとともに、該第２セラミック基板を構成するセラミック粒子の平均粒径が前記第１セラミック基板を構成するセラミック粒子の平均粒径よりも小さいことを特徴とする試料保持具。
【請求項２】
前記複数のセラミック基板は、酸化アルミニウムが主成分であることを特徴とする請求項１に記載の試料保持具。
【請求項３】
前記第１セラミック基板を構成するセラミック粒子の平均粒径が３〜２０μｍであるとともに、前記第２セラミック基板を構成するセラミック粒子の平均粒径が０．５〜５μｍであることを特徴とする請求項２に記載の試料保持具。
【請求項４】
前記基体は、前記第２セラミック基板の内部に静電吸着用の電極を有することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の試料保持具。
【請求項５】
複数のセラミック基板が積層された、上面に試料保持面を有する基体を備えた試料保持具であって、前記基体は、内部に熱媒体の流路を有する第１セラミック基板と、該第１セラミック基板よりも上に積層された、上面が前記試料保持面であって前記第１セラミック基板と同じ材料から成る第２セラミック基板とを備えているとともに、該第２セラミック基板を構成するセラミック粒子の平均粒径が前記第１セラミック基板を構成するセラミック粒子の平均粒径よりも大きいことを特徴とする試料保持具。
【請求項６】
前記複数のセラミック基板は、酸化アルミニウムが主成分であることを特徴とする請求項５に記載の試料保持具。
【請求項７】
前記第１セラミック基板を構成するセラミック粒子の平均粒径が０．５〜１０μｍであるとともに、前記第２セラミック基板を構成するセラミック粒子の平均粒径が３〜２０μｍであることを特徴とする請求項６に記載の試料保持具。
【請求項８】
前記基体は、前記第２セラミック基板の内部に静電吸着用の電極を有することを特徴と
する請求項５乃至請求項７のいずれかに記載の試料保持具。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路の製造工程または液晶表示装置の製造工程等において用いられる、試料保持具に関するものである。試料保持具は、例えば半導体ウエハまたはガラス基板等の試料を保持する際に用いられる。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路の製造に用いられるシリコンウエハを始めとする半導体ウエハまたは液晶表示装置の製造に用いられるガラス基板等の板状の試料は、それらの製造工程において製造装置または検査装置の支持台の上に保持されて、加工処理または検査等が行なわれる。製造工程では、複数の製造装置および検査装置を使用することが一般的であり、シリコンウエハ等の試料を支持台に保持するための手段は、製造工程中の製造装置および検査装置の種類ならびに次の装置にまで搬送するための搬送装置の種類に応じて様々な形態のものが提案されている。【０００３】
半導体集積回路を例にとると、半導体集積回路の微細化および高密度化の要求は、近年さらに高まっている。これに伴って、試料保持具には、試料を保持する面における均熱性の向上がさらに求められている。また近年、半導体ウエハ上に高アスペクト比の配線パターン加工を行なうために、高周波を試料保持具に印加することが求められている。これに伴って試料保持具の耐電圧向上が求められている。【０００４】
特開平３−１０８７３７号公報（以下、特許文献１ともいう）には、複数のセラミック層から成る静電チャックが開示されており、この静電チャックには、中間のセラミック層に冷媒を流すための流路が形成されている。これによって、各部における加熱と冷却とのバランスを調整することで静電チャックの表面における均熱性を高めることができる。【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載された静電チャックにおいては、試料を保持する面の近傍の強度を維持しつつ、均熱性をさらに向上させることが困難であった。具体的には、試料を保持する面の均熱性を向上させる方法として、セラミック層の熱伝導を向上させることが考えられる。しかしながら、セラミック層の熱伝導を向上させることを目的として、セラミック層のセラミック粒子の平均粒径を大きくすると、粒界の隙間が大きくなってしまうことによってセラミック層の強度が低下してしまうおそれがあった。その結果、試料を保持する面の近傍の強度が低下してしまうおそれがあった。これにより、例えば、組み立て時に加わる圧力またはヒートサイクル下において発生する熱応力等によって、セラミック層が破損してしまうおそれがあった。また、高周波を静電チャックに印可した場合に、セラミック粒子の平均粒径が大きいと、粒界の隙間が大きくなることによって、電気が粒界を通りやすくなる。その結果、セラミック層が絶縁破壊してしまうおそれがあった。【０００６】
反対に、試料を保持する面の近傍の強度を高めることを目的として、セラミック層のセラミック粒子の平均粒径を小さくすると、粒子の界面が増えてしまうことによって、熱伝導が低下してしまうおそれがあった。その結果、試料を保持する面における均熱性が低下してしまうおそれがあった。
【発明の概要】
【０００７】
本発明の一態様の試料保持具は、複数のセラミック基板が積層された、上面に試料保持面を有する基体を備えた試料保持具であって、基体は、内部に熱媒体の流路を有するセラミック焼結体である第１セラミック基板と、第１セラミック基板よりも上に積層された、上面が試料保持面であって第１セラミック基板と同じ材料から成るセラミック焼結体である第２セラミック基板とを備えているとともに、第２セラミック基板を構成するセラミック粒子の平均粒径が第１セラミック基板を構成するセラミック粒子の平均粒径よりも小さい。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】（ａ）および（ｂ）はそれぞれ本発明の実施形態の一例である試料保持具の外観を示す図である。
【図２】試料保持具の内部の流路の配置を平面的に示す模式図である。
【図３】図２に示した試料保持具のＡ−Ａ’断面の断面図である。
【図４】別の実施形態の試料保持具を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
図１は本発明の実施形態の一例である試料保持具１の外観を示す図である。図１（ａ）は試料保持具１の斜視図であり、図１（ｂ）は試料保持具１の平面図である。
【００１０】
試料保持具１は、上面に試料保持面１０ａを有する基体１０と、基体１０の内部に設けられた電極２０とを備えている。
【００１１】
基体１０は、内部に熱媒体の流路３１を有する第１セラミック基板１１と、第１セラミック基板１１よりも上に積層された、上面が試料保持面１０ａである第２セラミック基板１２とから成っている。第２セラミック基板１２には電極２０が内蔵されている。この試料保持具１は、第２セラミック基板１２に設けられた電極２０に電圧を印加することによって、例えばシリコンウエハ等の試料を静電気力で試料保持面１０ａに保持するようにして用いられる。
【００１２】
本実施形態では、基体１０における第１セラミック基板１１および第２セラミック基板１２は、それぞれセラミック層が複数積層された積層体から成る。基体１０のうち、第１セラミック基板１１の内部には、熱媒体を流すための流路３１が設けられている。この試料保持具１は、流路３１に熱媒体を流すことにより、試料保持面１０ａに保持した試料を加熱、冷却または保温することができる。流路３１に流す熱媒体としては、第１セラミック基板１１の流路３１から試料保持面１０ａに保持した試料と熱交換可能な物質であれば、どのような熱媒体を用いてもよい。そのような熱媒体としては、各種の流体、例えば温水、冷水またはスチーム等の水系媒体、エチレングリコール等の有機系媒体、あるいは空気を含む気体等を用いることができる。
【００１３】
流路３１は、図１（ａ）に示すように、第１セラミック基板１１の端面に、外部空間に開口する開口部３１ａを有している。また、図２に示すように、開口部３１ａの反対側の端面にも、外部空間に開口する開口部３１ｂを有している。流路３１内を流れる熱媒体は、例えば、供給口となる開口部３１ａから流路３１へと流入し、開口部３１ａの反対側の開口部３１ｂから排出される。試料保持具１を半導体の製造装置または検査装置等に用いる場合には、熱媒体を供給するための供給装置から延びる供給管を開口部３１ａに接続し、供給装置から所定の流量および流速で流路３１内に熱媒体を供給する。開口部３１ａと反対側の開口部３１ｂには排出管を接続し、流路３１を流れて試料と熱交換を行なった熱媒体を流路３１から排出する。または、開口部３１ｂに戻り管を接続し、流路３１を流れて試料と熱交換を行なった熱媒体を流路３１から排出するとともに、供給装置に戻して熱媒体を循環させるようにしてもよい。
【００１４】
流路３１を流れる熱媒体が試料保持面１０ａに保持される試料と効率よく熱交換するためには、流路３１が試料保持面１０ａに対応して広範囲に形成されていることが好ましい。また、試料保持面１０ａの全体にわたる均熱性の観点からも、流路３１は広範囲に形成されていることが重要である。そこで、本実施形態の試料保持具１においては、図２に示すように、開口部３１ａから開口部３１ａの反対側に位置する開口部３１ｂまでの流路３１が試料保持面１０ａの全体に行き渡るように蛇行形状となっている。このように流路３１を配置しておいて、流路３１の幅を大きくしたり、流路３１を蛇行させるときの湾曲部の曲率半径を小さくしたりすることで、保持される試料との熱交換をより効率的に行なうことができる。なお、蛇行させた場合の直線部分と直線部分との間の折返し部分の距離を短くし過ぎると、流路３１の側壁となる部分が細くなり、機械的強度が低下するので、強度を考慮しつつ流路３１を形成することが好ましい。
【００１５】
図２に示す例では流路３１を蛇行形状としているが、流路３１の配置形状はこれに限られない。流路３１は、例えば渦巻き状であってもよく、複数の同心円とこの円同士を繋ぐ径方向に延びる直線とを組み合せた形状等であってもよい。
【００１６】
流路３１を基体１０の主面に垂直な断面で見たときの形状は、四角形状または円形状等にすることができる。特に、製造のしやすさからは四角形状が好ましい。
【００１７】
第１セラミック基板１１および第２セラミック基板１２は、例えば、炭化珪素、窒化珪素、窒化アルミニウムまたは酸化アルミニウム等を主成分とするセラミックス（セラミック焼結体）から成る。特に、流路３１を有する第１セラミック基板１１には、熱媒体として純水などの水系溶媒を選択するときには、上記のセラミックスの中でも特に耐水性に優れる酸化アルミニウムまたは炭化ケイ素等が主成分であるものを用いることが好ましい。本実施形態においては、第１セラミック基板１１および第２セラミック基板１２は同じ材料から成る。第１セラミック基板１１と第２セラミック基板１２とが同じセラミック材料（例えば主成分が酸化アルミニウムであるもの）から成ることによって、第１セラミック基板１１の熱膨張率と第２セラミック基板１２の熱膨張率とを近付けることができる。その結果、第１セラミック基板１１と第２セラミック基板１２とに生じる熱応力を低減できる。なお、ここでいう「同じ材料から成る」とは、組成の８０％以上が同一であるということを意味している。
【００１８】
第１セラミック基板１１と第２セラミック基板１２とが主成分が同じ材料から成ることは、例えば以下の方法で確認することができる。具体的には、蛍光Ｘ線分析装置（リガク社製・ＺＳＸ１００ｅ）を用いて組成を同定したり、Ｘ線回折装置を用いて結晶相を同定したりすることによって確認できる。
【００１９】
具体的には、第１セラミック基板１１および第２セラミック基板１２は、主成分が酸化アルミニウムであるセラミックスから成ることが好ましい。これにより、第１セラミック基板１１および第２セラミック基板１２の耐水性を向上させることができる。その結果、熱媒体として水系媒体を用いた場合における試料保持具１の長期信頼性を向上させることができる。
【００２０】
ここで、本実施形態の試料保持具１においては、第２セラミック基板１２を構成するセラミック粒子の平均粒径が第１セラミック基板１１を構成するセラミック粒子の平均粒径よりも小さい。
【００２１】
このように、第２セラミック基板１２を構成するセラミック粒子の平均粒径を、第１セラミック基板１１を構成するセラミック粒子の平均粒径よりも小さくすることによって、第２セラミック基板１２に生じる欠陥のサイズを小さくすることができる。さらに、粒界が増えることによってクラックの進展を抑制できるので、第２セラミック基板１２の強度を向上させることができる。これにより、試料保持面１０ａの近傍における強度を向上させることができる。また、第２セラミック基板１２の耐電圧を向上することができる。その結果、試料保持具１の信頼性を向上させることができる。
【００２２】
また、第１セラミック基板１１を構成するセラミック粒子の平均粒径を、第２セラミック基板１２を構成するセラミック粒子の平均粒径よりも大きくすることによって、フォノン伝導の障害となる粒界を減らすことができるので、第１セラミック基板１１の熱伝導を良好にすることができる。このように、流路３１を有する第１セラミック基板１１の熱伝導を良好にすることによって、流路３１による温度調整を素早く行なうことができるようになる。その結果、試料保持面１０ａの均熱性を向上させることができる。
【００２３】
第１セラミック基板１１および第２セラミック基板１２が酸化アルミニウムから成る場合には、第１セラミック基板１１を構成するセラミック粒子の平均粒径は、例えば３〜２０μｍに設定することができる。また、第２セラミック基板１２を構成するセラミック粒子の平均粒径は、例えば０．５〜１０μｍに設定することができる。特に、第１セラミック基板１１を構成するセラミック粒子の平均粒径を５〜１５μｍに、第２セラミック基板１２を構成するセラミック粒子の平均粒径を０．５〜５μｍに設定することが好ましい。これにより、強度を高めつつ温度調整を素早く行なうことができる試料保持具１とすることができる。
【００２４】
また、第１セラミック基板１１および第２セラミック基板１２が窒化アルミニウムから成る場合においても、上記のようにセラミック粒子の平均粒径を調整することが好ましい。
【００２５】
なお、本実施形態においては、基体１０は第１セラミック基板１１と第２セラミック基板１２とによって構成されているが、これに限られない。具体的には、第１セラミック基板１１と第２セラミック基板１２との間に他のセラミック基板を備えていても構わない。
【００２６】
ここで、同じ材料から成る第１セラミック基板１１と第２セラミック基板１２とにおいて、両者のセラミック粒子の平均粒径を調整するための方法としては、例えば焼成温度を変える方法が挙げられる。具体的には、上述のように、第１セラミック基板１１と第２セラミック基板１２とが酸化アルミニウムが主成分であるセラミックスから成る場合には、第１セラミック基板１１を１６００℃で２時間焼成して作製するとともに、第２セラミック基板１２を１５００℃で２時間焼成して作製すればよい。このとき、出発原料には、平均粒径が１．５μｍで純度が９９．９％の酸化アルミニウム粉末を用いることができる。第１セラミック基板１１を第２セラミック基板１２よりも高い温度で焼成することによって、第１セラミック基板１１における結晶粒子の成長を促進させることができる。その結果、第１セラミック基板１１のセラミック粒子の平均粒径と第２セラミック基板１２のセラミック粒子の平均粒径とを異ならせることができる。具体的には、本例では第１セラミック基板１１のセラミック粒子の平均粒径は８μｍ程度となり、第２セラミック基板１２のセラミック粒子の平均粒径は５μｍ程度となる。
【００２７】
また、両者のセラミック粒子の平均粒径を調整するための別の方法としては、焼成前の原料粉末の平均粒径を異ならせる方法が挙げられる。上述したような第１セラミック基板１１および第２セラミック基板１２を製造するためには、例えば、第１セラミック基板１１の原料として平均粒径が１．５μｍの酸化アルミニウム粉末を用いるとともに、第２セラミック基板１２の原料として平均粒径が１．０μｍ酸化アルミニウム粉末を用いて、１５００℃で２時間の焼成を行なえばよい。その結果、第１セラミック基板１１のセラミック粒子の平均粒子径は５μｍ程度となり、第２セラミック基板１２のセラミック粒子の平均粒子径は３μｍ程度となる。
【００２８】
図１に戻って、電極２０は、第２セラミック基板１２の内部に設けられ、１つまたは２つの分離された電極２１と電極２２とから構成される。電極２０は、試料保持面１０ａへの試料の静電吸着のために設けられた静電吸着用電極である。電極２１および電極２２は、一方が電源の正極に接続され、他方が負極に接続される。一例として、正極に接続される側の電極を電極２１（以下では「正電極２１」という）とし、負極に接続される側の電極を電極２２（以下では「負電極２２」という）とする。また、電極２０は、電極２１が負極に接続され、電極２２が正極に接続されていてもよい。
【００２９】
正電極２１および負電極２２は、それぞれ半円板状に形成され、半円の弦同士が対向するように第２セラミック基板１２の内部に配置される。正電極２１および負電極２２の２つの電極が合わさって、電極２０全体の外形が円形状となっている。この電極２０全体の外形の円形状の中心は、第２セラミック基板１２の外形の円の中心と同一に設定される。
【００３０】
正電極２１および負電極２２には、それぞれ外部電源に電気的に接続するための接続端子２１ａおよび接続端子２２ａが設けられる。本実施形態では、正電極２１および負電極２２のいずれも、円弧と弦とが交差する部分に弦に沿って延びるように接続端子２１ａおよび接続端子２２ａが設けられている。正電極２１に設けられた接続端子２１ａと、負電極２２に設けられた接続端子２２ａとは、正電極２１の半円の弦および負電極２２の半円の弦同士の間隔と同じ間隔を空けて隣り合うように設けられるとともに、これらの半円の弦の延長線に沿って第２セラミック基板１２の外周面にまで延びている。また、接続端子２１ａおよび接続端子２２ａは、第２セラミック基板１２の端面にその一部が露出するように設けられる。正電極２１および負電極２２は、この接続端子２１ａおよび接続端子２２ａが露出した部分を介して外部電源に接続される。
【００３１】
電極２０は、例えばタングステンまたはモリブデン等の導電性材料から成り、これら導電性材料を含むペーストのスクリーン印刷等によって、第２セラミック基板１２の層間に位置するように形成される。本実施形態の電極２０の厚みは、例えば１〜１００μｍ程度である。
【００３２】
図３は、図２に示すＡ−Ａ’線断面における試料保持具１の断面図である。電極２０を有する第２セラミック基板１２が、流路３１を含む第１セラミック基板１１に接合層４０によって接合されている。接合層４０としては、シリコーンまたはエポキシ等の樹脂材料もしくはガラス等が用いられる。本実施形態の試料保持具１のように、第１セラミック基板１１と第２セラミック基板１２とが同じ材料から成る場合には、接着強度および耐熱性の観点から接合層４０にガラスを用いることが好ましい。接合層４０の厚みは、例えば１〜１００μｍに設定できる。
【００３３】
なお、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良などが可能である。例えば、上述の実施形態の試料保持具１では外形を円板状としたが、これに限られない。十分な保持力で試料を保持することができれば、矩形板状であってもよく、その他の多角形板状であってもよい。
【００３４】
また、上述の実施形態の試料保持具１は、静電吸着用の電極として電極２０を有する、いわゆる静電チャックであったが、これに限られない。例えば、電極２０を有しておらず、真空吸着によって試料を保持する、いわゆる真空チャックにも本発明を適用することができる。真空チャックは、電極２０の代わりに、試料保持面１０ａに開口する真空吸着用の孔と真空配管とを有している。真空チャックにおいても、上記の構成を採用することによって、第２セラミック基板１２の強度を向上させつつ、第１セラミック基板１１の熱伝導を良好にすることができる。
【００３５】
第１セラミック基板１１を構成するセラミック粒子の平均粒径と第２セラミック基板１２を構成するセラミック粒子の平均粒径とは、以下に示すように、コード法によって測定できる。具体的には、ダイヤモンドカッターによって第１セラミック基板１１および第２セラミック基板１２の一部を切り出すとともに、ダイヤモンドスラリーを用いて研磨加工を施す。その後、１３００℃で２時間のサーマルエッチングを施した後に、ＳＥＭ観察を行なう。ＳＥＭ観察で得られた画像に対して、測定箇所に１００μｍの直線を引き、この直線上に存在するセラミック粒子の数を数える。そして、１００μｍをこの粒子の数で割ることによって、粒子の平均粒径を算出できる。
【００３６】
以下では、本発明における試料保持具１の製造方法の一例について説明する。
【００３７】
出発原料として、平均粒径１．５μｍで純度９９．９％の酸化アルミニウム粉末を用いる。そして、この酸化アルミニウム粉末に対して焼結助剤を加えずに、有機系のバインダおよび溶剤を混合して、６０℃で乾燥させた後に、メッシュパスを用いて整粒を行なうことによって、造粒粉を製作する。
【００３８】
次に、この造粒粉を型内に充填して、９８ＭＰａの成形圧によって、直径が６０ｍｍで、厚みが１ｍｍの円板状の成形体１枚と、同じ直径で厚みが３ｍｍの円板状の成形体３枚とを成形する。
【００３９】
しかる後、３ｍｍ厚の成形体のうちの１枚に対して、切削加工によって流路３１に対応する切欠きを形成する。切削加工された成形体の上に、切削加工していない３ｍｍ厚の成形体を有機バインダを介して配置する。この積層体を９８ＭＰａの成形圧でプレス成形して密着させる。
【００４０】
次に、窒素雰囲気中で脱脂し、次いで１６００℃で２時間かけて焼成して、半径が５０ｍｍで厚みが５ｍｍの円板状の焼結体（酸化アルミニウム焼結体から成る第１セラミック基板１１）を得る。この焼結体の上下面を、ダイヤモンド砥石を用いて平面研削を施すことによって、平坦にする。
【００４１】
次に、残りの３ｍｍ厚の成形体に、タングステン粉末のペーストをスクリーン印刷して電極２０を形成する。その上に１ｍｍ厚の成形体を配置し、９８ＭＰａの成形圧でプレス成形して密着させる。次に、窒素雰囲気中で脱脂し、次いで１５００℃で２時間かけて焼成して、半径が５０ｍｍで厚みが３ｍｍの円板状の焼結体（酸化アルミニウム焼結体から成る第２セラミック基板１２）を得る。この焼結体の上下面を、ダイヤモンド砥石を用いて平面研削を施すことによって、平坦にする。
【００４２】
得られた２つの焼結体（第１セラミック基板１１および第２セラミック基板１２）を接合する。接合には、例えばシリコーン樹脂から成る接合層４０を用いることができる。シリコーン樹脂から成る接合層４０の厚みは、例えば５０μｍに設定できる。接合層４０は、例えば以下の方法で形成することができる。第１セラミック基板１１の接合面に接合層４０となるシリコーン樹脂をスクリーン印刷する。その後、第２セラミック基板１２の接合面と第１セラミック基板１１の接合面とをシリコーン樹脂を挟んで貼り合わせる。その後、万力等によって第１セラミック基板１１と第２セラミック基板１２とを固定した状態で、乾燥機を用いて１００℃の環境で２時間放置することによって、シリコーン樹脂を硬化させる。以上のようにして、接合層４０を形成する。
【００４３】
以上のようにして、試料保持具１を製造することができる。
【００４４】
次に、別の実施形態の試料保持具１Ａに関して説明する。別の実施形態の試料保持具１Ａは、前述の試料保持具１とほぼ同様の構成を有しているが、第１セラミック基板１１のセラミック粒子の平均粒径と第２セラミック基板１２のセラミック粒子の平均粒径との大小関係が異なる。
【００４５】
具体的には、別の実施形態の試料保持具１Ａにおいては、第２セラミック基板１２を構成するセラミック粒子の平均粒径が、第１セラミック基板１１を構成するセラミック粒子の平均粒径よりも小さい。
【００４６】
このように、第１セラミック基板１１を構成するセラミック粒子の平均粒径を、第２セラミック基板１２を構成するセラミック粒子の平均粒径よりも小さくすることによって、流路３１の壁面およびその近傍の強度を向上することができる。そのため、熱媒体を高い圧力で流路３１に流すことができる。また、第２セラミック基板１２を構成するセラミック粒子の平均粒径を、第１セラミック基板１１を構成するセラミック粒子の平均粒径よりも大きくすることによって、試料保持面１０ａおよびその近傍の熱伝導率を向上させることができる。その結果、試料保持面１０ａの均熱性を高めることができる。
【００４７】
具体的には、第１セラミック基板１１および第２セラミック基板１２が酸化アルミニウムから成る場合には、第１セラミック基板１１を構成するセラミック粒子の平均粒径は、例えば０．５〜１０μｍに設定することができる。また、第２セラミック基板１２を構成するセラミック粒子の平均粒径は、例えば３〜２０μｍに設定することができる。特に、第１セラミック基板１１を構成するセラミック粒子の平均粒径を０．５〜５μｍに、第２セラミック基板１２を構成するセラミック粒子の平均粒径を５〜２０μｍに設定することが好ましい。これにより、熱媒体を高い圧力で流路３１に流すことができるようにしつつ、試料保持面１０ａの均熱性を高めることができる。
【００４８】
また、第１セラミック基板１１および第２セラミック基板１２が窒化アルミニウムから成る場合においても、上記のようにセラミック粒子の平均粒径を調整することが好ましい。
【符号の説明】
【００４９】
１，１Ａ  試料保持具
１０  基体
１０ａ  試料保持面
１１  第１セラミック基板
１２  第２セラミック基板
３１  流路
３１ａ，３１ｂ  開口部
２０  電極
２１  正電極
２２  負電極
４０  接合層
【図１】
0006050505.tif 000002
【図２】
0006050505.tif 000003
【図３】
0006050505.tif 000004
【図４】
0006050505.tif 000005