(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
両面実装基板の表面と裏面に実装された部品を絶縁性樹脂により封止した電子部品モジュールであって、
前記両面実装基板の裏面は、前記裏面に接合されたリードフレームが前記絶縁性樹脂から露出するように封止されており、
前記両面実装基板の前記裏面に実装された部品を封止する前記絶縁性樹脂の厚さが、前記リードフレームの厚さ以下である電子部品モジュール。
【請求項２】
前記リードフレームは、
前記裏面との接合面と、当該電子部品モジュールが実装される本体基板との接合面とが垂直方向に重なるように形成される請求項１記載の電子部品モジュール。
【請求項３】
前記リードフレームは、
前記裏面に実装された部品を前記本体基板へ接続するためのリード部と、
前記リード部と一体に形成されたフレーム枠と、
前記フレーム枠内に形成された放熱部と、を有する請求項２記載の電子部品モジュール。
【請求項４】
当該電子部品モジュールの端面において、
前記両面実装基板と前記本体基板との間に、前記絶縁性樹脂による絶縁性樹脂層と、前記リードフレームによる導電体材料層とが設けられた請求項２又は３記載の電子部品モジュール。
【請求項５】
両面実装基板の表面と裏面に実装された部品を絶縁性樹脂により封止した電子部品モジュールの製造方法であって、
複数の前記両面実装基板を含むシート状のプリント配線基板において、複数の前記両面実装基板の表面と裏面とに前記部品を実装する実装工程と、
複数のリードフレームを含むリードフレームシートを形成する形成工程と、
前記両面実装基板の前記裏面に前記リードフレームが接合されるように、前記プリント配線基板と前記リードフレームシートとを接合する接合工程と、
前記両面実装基板の前記表面に実装された部品と前記両面実装基板の裏面に実装された部品と、を前記絶縁性樹脂により封止する封止工程と、
接合された前記プリント配線基板と前記リードフレームシートとを個片化する個片化工程と、を有し、
前記形成工程において、
前記リードフレームシートの厚さが前記両面実装基板の前記裏面に実装された部品を封止する前記絶縁性樹脂の厚さ以上となるように前記リードフレームシートを形成し、
前記封止工程において、
前記両面実装基板の裏面は、前記裏面に接合されたリードフレームが前記絶縁性樹脂から露出するように封止される製造方法。
【請求項６】
前記封止工程と個片化工程との間に、
前記両面実装基板の前記表面に実装された部品を封止した前記絶縁性樹脂に、ダイシングラインに沿って前記両面実装基板に設けられたグランドパターンに到達する第１の幅の溝を形成する溝形成工程と、
前記絶縁性樹脂の表面に金属膜を形成する金属膜形成工程と、を含み、
前記個片化工程において、
前記ダイシングラインに沿って、前記第１の幅より狭い第２の幅の溝を形成することにより個々の電子部品モジュールに個片化する請求項５記載の製造方法。
【請求項７】
前記封止工程と個片化工程との間に、
前記両面実装基板の前記表面に実装された部品を封止した前記絶縁性樹脂に、ダイシングラインに沿って前記両面実装基板に設けられたグランドパターンに到達する第１の幅の溝を形成する溝形成工程と、
前記絶縁性樹脂の表面に金属膜を形成する金属膜形成工程と、
前記金属膜上に保護膜を形成する保護膜形成工程と、を含み、
前記個片化工程において、
前記保護膜が形成された後に、前記ダイシングラインに沿って、前記第１の幅より狭い第２の幅の溝を形成することにより個々の電子部品モジュールに個片化する請求項５記載の製造方法。
【請求項８】
前記封止工程と個片化工程との間に、
前記両面実装基板の前記表面に実装された部品を封止した前記絶縁性樹脂に、ダイシングラインに沿って前記両面実装基板に設けられたグランドパターンに到達する第１の幅の溝を形成する溝形成工程と、
前記絶縁性樹脂の表面に金属膜を形成する金属膜形成工程と、
前記金属膜上に保護膜を形成する保護膜形成工程と、
前記保護膜にマークを形成するマーク形成工程と、を有し、
前記マークが形成された後に、前記ダイシングラインに沿って、前記第１の幅より狭い第２の幅の溝を形成することにより個々の電子部品モジュールに個片化する請求項５記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、両面実装基板の表面と裏面に実装された部品を絶縁性樹脂により封止した電子部品モジュール及び製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体集積回路等の電子部品では、部品が実装された配線基板に設けられたリードフレームにより、本体基板に固着されるものがある。
【０００３】
以下に特許文献１に記載された電子部品について説明する。図１は、従来の電子部品の一例を示す図である。図１の電子部品は、回路基板１に回路部品９が実装されており、回路部品９の端子がリードフレーム４に接続されて、絶縁樹脂による封止されている。電子部品は、リードフレーム４により本体基板に固着される。また特許文献２には、配線基板の下面にリードフレームが形成された電子装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平６−３１０６２３号公報
【特許文献２】特開２０１１−４０６０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１記載の電子部品では、リードフレームが絶縁樹脂の側面及び下面から突出しているため、電子部品の小型化、薄型化が妨げられている。特許文献２記載の電子装置では、本体基板とリードフレームとの接合面が、配線基板とリードフレームとの接合面よりも外側に突出しているため、電子装置の小型化が妨げられている。
【０００６】
本発明は、上記事情を鑑みてこれを解決すべく成されたものであり、薄型化、小型化が可能な電子部品モジュール及び製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上記目的を達成すべく以下の如き構成を採用した。
【０００８】
本発明は、両面実装基板（１１０）の表面（１１０Ａ）と裏面（１１０Ｂ）に実装された部品を絶縁性樹脂（１３０、１４０）により封止した電子部品モジュール（１００）であって、
前記両面実装基板（１１０）の裏面（１１０Ｂ）は、前記裏面（１１０Ｂ）に接合されたリードフレーム（１２０）が前記絶縁性樹脂（１４０）から露出するように封止されており、
前記両面実装基板（１１０）の前記裏面（１１０Ｂ）に実装された部品（１１６）を封止する前記絶縁性樹脂（１４０）の厚さ（ａ）が、前記リードフレーム（１２０）の厚さ（ｂ）以下である。
【０００９】
また本発明の電子部品モジュールにおいて、前記リードフレーム（１２０）は、
前記裏面（１１０Ｂ）との接合面（１２１）と、当該電子部品モジュール（１００）が実装される本体基板（２００）との接合面（１２２）とが垂直方向に重なるように形成される。
【００１０】
また本発明の電子部品モジュールにおいて、前記リードフレーム（１２０）は、
前記裏面（１１０Ｂ）に実装された部品を前記本体基板（２００）へ接続するためのリード部（１２５）と、
前記リード部（１２５）と一体に形成されたフレーム枠（１２４）と、
前記フレーム枠（１２４）内に形成された放熱部（１２７）と、を有する。
【００１１】
また本発明の電子部品モジュールは、当該電子部品モジュール（１００Ｄ）の端面において、
前記両面実装基板（１１０）と前記本体基板（２００）との間に、前記絶縁性樹脂（１５０）による絶縁性樹脂層と、前記リードフレーム（１２０Ｂ）による導電体材料層とが設けられている。
【００１２】
本発明は、両面実装基板（１１０）の表面（１１０Ａ）と裏面（１１０Ｂ）に実装された部品を絶縁性樹脂（１３０、１４０）により封止した電子部品モジュール（１００）の製造方法であって、
複数の前記両面実装基板（１１０）を含むシート状のプリント配線基板（１１７）において、複数の前記両面実装基板（１１０）の表面（１１０Ａ）と裏面（１１０Ｂ）とに前記部品を実装する工程と、
複数のリードフレーム（１２０）を含むリードフレームシート（１１８）を形成する工程と、
前記両面実装基板（１１０）の前記裏面（１１０Ｂ）に前記リードフレーム（１２０）が接合されるように、前記プリント配線基板（１１７）と前記リードフレームシート（１１８）とを接合する工程と、
前記両面実装基板（１１０）の前記表面（１１０Ａ）に実装された部品（１１１〜１１５）と前記両面実装基板（１１０）の裏面（１１０Ｂ）に実装された部品（１１６）と、を前記絶縁性樹脂（１３０、１４０）により封止する工程と、
接合された前記プリント配線基板（１１７）と前記リードフレームシート（１１８）とを個片化する工程と、を有し、
前記リードフレームシート（１１８）を形成する工程において、
前記リードフレームシート（１１８）の厚さが前記両面実装基板（１１０）の前記裏面（１１０Ｂ）に実装された部品を封止する前記絶縁性樹脂（１４０）の厚さ以上となるように前記リードフレームシート（１１８）を形成し、
前記絶縁性樹脂（１３０、１４０）により封止する工程において、
前記両面実装基板（１１０）の裏面（１１０Ｂ）は、前記裏面（１１０Ｂ）に接合されたリードフレーム（１２０）が前記絶縁性樹脂（１４０）から露出するように封止される。
【００１３】
なお、上記括弧内の参照符号は、理解を容易にするために付したものであり、一例にすぎず、図示の態様に限定されるものではない。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、薄型化、小型化が可能な電子部品モジュール及び製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】従来の電子部品の一例を示す図である。
【図２】第一の実施形態の電子部品モジュールを説明する図である。
【図３】第一の実施形態の電子部品モジュールの断面図である。
【図４】第一の実施形態のリードフレームについて説明する図である。
【図５】第一の実施形態のプリント配線基板を説明する図である。
【図６】第一の実施形態のシート状のリードフレームを説明する図である。
【図７】第一の実施形態のプリント配線基板とシートとが接合された状態を示す図である。
【図８】第二の実施形態の電子部品モジュールを説明する図である。
【図９】第二の実施形態の電子部品モジュールの断面図である。
【図１０】第二の実施形態のプリント配線基板を説明する図である。
【図１１】第二の実施形態のシート状のリードフレームを説明する図である。
【図１２】第二の実施形態のプリント配線基板とシートとが接合された状態を示す図である。
【図１３】第二の実施形態の第一の変形例を説明する図である。
【図１４】第二の実施形態の第一の変形例を説明する他の図である。
【図１５】第二の実施形態の第二の変形を説明する図である。
【図１６】第三の実施形態の電子部品モジュールを説明する第一の図である。
【図１７】第三の実施形態の電子部品モジュールを説明する第二の図である。
【図１８】第四の実施形態の電子部品モジュールを説明する第一の図である。
【図１９】第四の実施形態の電子部品モジュールの底面図の例を示す図である。
【図２０】第四の実施形態の電子部品モジュールを説明する第二の図である。
【図２１】第五の実施形態の電子部品モジュールを説明する図である。
【図２２】第五の実施形態の電子部品モジュールの製造工程を説明する図である。
【図２３】保護膜にマーキングがされた状態を示す図である。
【図２４】溝にテーパーを形成した例を示す図である。
【図２５】第六の実施形態の電子部品モジュールを説明する図である。
【図２６】第六の実施形態の電子部品モジュールの製造工程を説明する図である。
【図２７】第七の実施形態の電子部品モジュールの製造工程を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本実施形態では、本体基板とリードフレームとの接合面と、配線基板とリードフレームとの接合面とが垂直方向において重なるようにする。
（第一の実施形態）
以下に図面を参照して本発明の第一の実施形態について説明する。図２は、第一の実施形態の電子部品モジュールを説明する図である。図２（Ａ）は電子部品モジュール１００の上面図であり、図２（Ｂ）は電子部品モジュール１００の底面図である。尚図２に示す上面図と底面図は、絶縁性樹脂による封止を行う前の状態を示している。
【００１７】
本実施形態の電子部品モジュール１００は、両面実装基板である配線基板１１０の表面１１０Ａと裏面１１０Ｂとに電子部品が実装されている。本実施形態では、表面１１０Ａに例えばＩＣ（Integrated Circuit）等の集積回路１１１、１１２、１１３、１１４、１１５等が実装されており、裏面１１０Ｂにチップコンデンサやチップ抵抗等を含む部品１１６が実装されている。
【００１８】
また本実施形態では、配線基板１１０の裏面１１０Ｂに、リードフレーム１２０が形成されている。リードフレーム１２０は、配線基板１１０に実装された集積回路１１１〜１１５や部品１１６等と、電子部品モジュール１００が搭載される装置本体の本体基板とを接続する。具体的にはリードフレーム１２０は、例えば配線基板１１０の裏面１１０Ｂに形成された端子と接合されることにより、集積回路１１１〜１１５と接続される。本実施形態では、リードフレーム１２０を後述する本体基板２００に接合することで、集積回路１１１〜１１５が本体基板２００に実装された回路と接続される。
【００１９】
本実施形態では、表面１１０ＡにＩＣ等の面積の大きい部品が実装され、裏面１１０Ｂにはチップ抵抗等の面積の小さい部品が実装されることが好ましい。
【００２０】
図３は、第一の実施形態の電子部品モジュールの断面図である。図３（Ａ）は図２に示す電子部品モジュール１００のＡ１−Ａ１断面図を示し、図３（Ｂ）は電子部品モジュール１００が本体基板２００に接合された状態のＡ１−Ａ１断面図を示している。
【００２１】
本実施形態の電子部品モジュール１００では、配線基板１１０の表面１１０Ａに実装された集積回路１１１〜１１５が絶縁性樹脂１３０により封止されている。また本実施形態では、裏面１１０Ｂに実装された部品１１６等は、リードフレーム１２０と配線基板１１０とにより形成される空間内に収納されるように実装される。そして実装された部品１１６等は、絶縁性樹脂１４０により封止される。
【００２２】
本実施形態の電子部品モジュール１００は、絶縁性樹脂１４０の厚さがリードフレーム１２０の厚さ以下となるように形成される。本実施形態では、絶縁性樹脂１４０の厚さをリードフレーム１２０の厚さより薄くした。このため本実施形態では、図３（Ｂ）に示すように、電子部品モジュール１００が本体基板２００に実装された際に絶縁性樹脂１４０と本体基板２００との間に、空間Ｓ１が形成される。
【００２３】
また本実施形態では、リードフレーム１２０は、リードフレーム１２０と配線基板１１０の接合面を面１２１、リードフレーム１２０と本体基板２００との接合面を面１２２としたとき、面１２１と面１２２とが、垂直方向（Ｙ１−Ｙ２方向）において重なるように形成される。尚本実施形態では、面１２１と面１２２の全領域が垂直方向において重なることが好ましい。
【００２４】
また本実施形態では、表面１１０ＡにＩＣ等の面積の大きい部品が実装され、裏面１１０Ｂにはチップ抵抗等の面積の小さい部品が実装されることが好ましい。
【００２５】
図４は、第一の実施形態のリードフレームについて説明する図である。図４は、図３に示す電子部品モジュール１００の断面図のリードフレーム部分の拡大図である。
【００２６】
本実施形態の電子部品モジュール１００は、絶縁性樹脂１４０の厚さを厚さａとし、リードフレーム１２０の厚さを厚さｂとしたとき、ａ≦ｂを満たすように形成される。すなわち本実施形態のリードフレーム１２０の厚さｂは、配線基板１１０の裏面１１０Ｂに実装される部品の厚さに依存する。図４の例では、ａ＜ｂとした。また厚さａは、絶縁性樹脂１４０における最大の厚さである。
【００２７】
本実施形態のリードフレーム１２０は、厚さｂと厚さａの差分を差分Ｈ１としたとき、差分Ｈ１が０．０５ｍｍとなるように形成した。具体的には例えば、裏面１１０Ｂに実装された部品のうち最も厚い部品の厚さが０．１５ｍｍのチップ抵抗であった場合、リードフレーム１２０の厚さｂは、０．１５ｍｍの部品を封止する絶縁性樹脂１４０の厚さａ、具体的にａは０．１５ｍｍのチップ抵抗上面を覆う０．０５ｍｍの絶縁層樹脂の厚みと、チップ抵抗を配線基板に実装する時のはんだ層の厚み０．０２ｍｍとの厚みを合計した０．２２ｍｍよりもＨ１の０．０５ｍｍ厚くなるように設定し、各厚みのバラツキ余裕として０．０３ｍｍを取り、厚さを０．３ｍｍとして形成される。
【００２８】
本実施形態の電子部品モジュール１００が、リードフレーム１２０により本体基板２００に接合されると、絶縁性樹脂１４０と本体基板２００との間には、高さが差分Ｈ１となる空間Ｓ１が形成される。本実施形態では、例えば本体基板２００が完全に平坦でない場合に、空間Ｓ１が本体基板２００の凹凸を吸収するため、電子部品モジュール１００と本体基板２００との接合強度を適正に維持できる。
【００２９】
尚本実施形態では、本体基板２００が平坦である場合には、ａ≦ｂを満たせば良い。
【００３０】
本実施形態では、このようにリードフレーム１２０を配線基板１１０から本体基板２００に向かって垂直方向に形成し、リードフレーム１２０と配線基板１１０の裏面１１０Ｂにより形成される空間Ｓ２に、裏面１１０Ｂに実装される部品が収納されるようにした。
【００３１】
本実施形態では、この構成により、リードフレーム１２０が、絶縁性樹脂１４０の側面及び下面ら突出することがない。よって本実施形態では、電子部品モジュール１００を薄型化することができる。また本実施形態では、本体基板２００とリードフレーム１２０との接合面１２２が、配線基板１１０とリードフレーム１２０との接合面１２１よりも外側に突出することがない。よって本実施形態では、電子部品モジュール１００を小型することができる。
【００３２】
以下に、図５、図６を参照して本実施形態の電子部品モジュール１００の製造方法について説明する。
【００３３】
図５は、第一の実施形態のプリント配線基板を説明する図である。図５（Ａ）は配線基板１１０の表面１１０Ａに部品を実装した状態を示しており、図５（Ｂ）は配線基板１１０の裏面１１０Ｂに部品を実装した状態を示している。
【００３４】
本実施形態のプリント配線基板１１７は配線基板１１０の母体（配線基板母体）であり、プリント配線基板１１７を切断して各配線基板１１０に個片化させる。本実施形態のプリント配線基板１１７は、シート状のものとした。
【００３５】
本実施形態では、プリント配線基板１１７の表面１１７Ａは、図５（Ａ）に示すように、複数の領域に分割される。分割された複数の領域は、それぞれが表面１１０Ａとなり、集積回路１１１〜１１５等が実装される。
【００３６】
また図５（Ｂ）に示すように、プリント配線基板１１７の裏面１１７Ｂでは、分割された領域毎に裏面１１０Ｂに実装される部品１１６が実装される。また裏面１１７Ｂでは、領域毎（裏面１１０Ｂ毎）に、集積回路１１１〜１１５等の部品と接続される端子１１９が形成される。本実施形態では、端子１１９とリードフレーム１２０とが接合されることで、表面１１０Ａに実装された集積回路１１１〜１１５等の部品がリードフレーム１２０と接続される。
【００３７】
図６は、第一の実施形態のシート状のリードフレームを説明する図である。
【００３８】
本実施形態の導電体材料のリードフレームシート１１８は、リードフレーム１２０の母体であり、リードフレームシート１１８をプリント配線基板１１７に接合した後に、プリント配線基板１１７と一緒に切断される。尚導電体材料とは、例えば銅や銅合金等であっても良い。
【００３９】
以下に本実施形態のリードフレーム１２０の形状について説明する。本実施形態のリードフレーム１２０は、フレーム枠１２４と、フレーム枠１２４と一体に形成された複数のリード部１２５とを有する。またフレーム枠１２４の四隅には、フレーム枠１２４と一体に形成された角部１２６とを有する。本実施形態では、四隅に角部１２６を形成したことにより、配線基板１１０と本体基板２００との接合強度を大きくすることができる。
【００４０】
また本実施形態のリード部１２５は、リード部１２５の幅Ｗ、厚さＨとしたとき、Ｈ／Ｗ≧１を満たすように形成される。尚リード部１２５の厚さＨは、リードフレーム１２０の厚さｂと同じである。
【００４１】
本実施形態のリードフレームシート１１８は、リード部１２５が裏面１１０Ｂの端子１１９と重なるように、プリント配線基板１１７と接合される。
【００４２】
図７は、第一の実施形態のプリント配線基板とシートとが接合された状態を示す図である。図７は、プリント配線基板１１７とリードフレームシート１１８とが接合された状態における電子部品モジュール１００のＡ１−Ａ１断面図である。
【００４３】
本実施形態において、プリント配線基板１１７とリードフレームシート１１８とは、例えば導電性接着剤等により接合される。尚プリント配線基板１１７とリードフレームシート１１８との接合は、例えば銀ペーストや半田により行われても良い。
【００４４】
本実施形態においてプリント配線基板１１７とリードフレームシート１１８とが接合されると、表面１１７Ａに実装された集積回路等の部品が絶縁性樹脂等により封止される。また裏面１１７Ｂに実装された部品も絶縁性樹脂等により封止される。本実施形態では、例えばコンプレッション成型やトランスファー成型等により、絶縁性樹脂による封止を実現しても良い。
【００４５】
本実施形態では、裏面１１７Ｂに実装された部品を絶縁性樹脂１４０により封止する際に、リードフレーム１２０における本体基板２００と接合する面１２２が、絶縁性樹脂１４０から露出するようにする。
【００４６】
また本実施形態では、封止を行った後に、ダイシングにより、図７の接合部７１における所定位置７２でプリント配線基板１１７とリードフレームシート１１８と共に切断することで、プリント配線基板１１７を配線基板１１０に個片化する。
【００４７】
以下に図５に戻って、本実施形態における個片化について説明する。
【００４８】
本実施形態のプリント配線基板１１７の表面１１７Ａの縁部と裏面１１７Ｂの縁部とには、ダイシングラインを決定するアライメントマークＭ１，Ｍ２がそれぞれ形成されている。ダイシングラインとは、対向するアライメントマークを結ぶ仮想のラインである。本実施形態のアライメントマークＭ１，Ｍ２は、配線基板１１０の大きさを決定する位置に形成されている。本実施形態では、プリント配線基板１１７においてダイシングラインに沿ってプリント配線基板１１７を切断することで、プリント配線基板１１７を配線基板１１０に個片化することができる。
【００４９】
本実施形態では、以上のように電子部品モジュール１００を製造することで、電子部品モジュール１００を、薄型化及び小型化することができる。
【００５０】
尚本実施形態の電子部品モジュール１００の構成は、例えば無線通信を行う高周波モジュール等に適用することができる。本実施形態の構成を高周波モジュールに適用した場合、部品内蔵型の基板等を使用することなく、簡易な構成で高周波モジュールを薄型化することができる。また本実施形態を適用することで、例えば部品内蔵型の基板を使用した際に生じる可能性のある、基板内部の配線によるノイズも除去することができる。
【００５１】
（第二の実施形態）
以下に図面を参照して本発明の第二の実施形態について説明する。本発明の第二の実施形態は、リードフレームの形状が第一の実施形態と異なる。よって以下の本発明の第二の実施形態の説明では、第一の実施形態との相違点についてのみ説明し、第一の実施形態と同様の機能構成を有するものには第一の実施形態の説明で用いた符号を付与し、その説明を省略する。
【００５２】
図８は、第二の実施形態の電子部品モジュールを説明する図である。図８（Ａ）は電子部品モジュール１００Ａの上面図であり、図８（Ｂ）は電子部品モジュール１００Ａの底面図である。尚図８に示す上面図と底面図は、絶縁性の樹脂による封止を行う前の状態を示している。
【００５３】
図８（Ａ）に示す本実施形態の電子部品モジュール１００Ａの上面図は、第一の実施形態と同様であるから説明を省略する。
【００５４】
本実施形態の電子部品モジュール１００Ａでは、図８（Ｂ）に示すように、配線基板１１０の裏面１１０Ｂにリードフレーム１２０Ａが形成されている。本実施形態のリードフレーム１２０Ａは、集積回路１１１〜１１５の端子を本体基板２００と接合するリード部１２５と、放熱部１２７とを有する。放熱部１２７は、配線基板１１０の表面１１０Ａに実装された集積回路１１１〜１１５で発生した熱を本体基板２００へ放熱させる。
【００５５】
図９は、第二の実施形態の電子部品モジュールの断面図である。図９（Ａ）は図８に示す電子部品モジュール１００ＡのＡ２−Ａ２断面図を示し、図９（Ｂ）は電子部品モジュール１００Ａが本体基板２００に接合された状態のＡ２−Ａ２断面図を示している。
【００５６】
本実施形態では、裏面１１０Ｃに実装された部品１１６等は、リードフレーム１２０Ａと配線基板１１０とにより形成されるスペースに収納されるように実装され、絶縁性樹脂１４０により封止される。
【００５７】
本実施形態のリードフレーム１２０Ａは、厚さａとしたとき、ａ＜ｂを満たすように形成される。また本実施形態のリードフレーム１２０Ａは、リード部１２５における配線基板１１０との接合面である面１２１Ａと、本体基板２００との接合面である面１２２Ａとが垂直方向に重なるように形成される。またリードフレーム１２０Ａの放熱部１２７における配線基板１１０との接合面である面１２７Ａと、本体基板２００との接合面である面１２７Ｂとが垂直方向に重なるように形成される。
【００５８】
本実施形態では、電子部品モジュール１００Ａが本体基板２００に実装されたとき、放熱部１２７の面１２７Ｂが本体基板２００に接合されるため、配線基板１１０の表面１１０Ａに実装された部品から発生する熱が本体基板２００に向かって放熱される。
【００５９】
よって本実施形態では、配線基板１１０において発生する熱を効率的に本体基板２００へ向かって放熱することができる。また本実施形態では、放熱部１２７の面１２７Ｂが本体基板２００に接合することで、電子部品モジュール１００Ａと本体基板２００との接合強度を大きくすることができる。
【００６０】
図１０は、第二の実施形態のプリント配線基板を説明する図である。図１０は配線基板１１０の裏面１１０Ｃに部品を実装した状態を示している。
【００６１】
本実施形態のプリント配線基板１９１はシート状の配線基板であって、配線基板１１０の母体（配線基板母体）である。本実施形態ではプリント配線基板１９１を切断して配線基板１１０に個片化させる。
【００６２】
プリント配線基板１９１の裏面１９１Ｂでは、分割された領域毎に裏面１１０Ｃに実装される部品１１６が実装される。また裏面１９１Ｂでは、各領域毎に、リードフレーム１２０Ａのリード部１２５と接合される端子１１９と、リードフレーム１２０Ａの放熱部１２７に接合される放熱領域１８０とが形成されている。本実施形態では、端子１１９とリード部１２５とが接合されることで、表面１１０Ａに実装された集積回路１１１〜１１５等の部品がリードフレーム１２０Ａと接続される。また本実施形態では、放熱領域１８０と放熱部１２７とが接合されることで、表面１１０Ａで発生した熱を本体基板２００へ放熱させる。
【００６３】
図１１は、第二の実施形態のシート状のリードフレームを説明する図である。
【００６４】
本実施形態の導電体材料のリードフレームシート１９３は、リードフレーム１２０Ａの母体である。リードフレームシート１９３は、プリント配線基板１９１と接合された後に、プリント配線基板１９１と一緒に切断されて個片化される。
【００６５】
本実施形態のリードフレーム１２０Ａは、フレーム枠１２４と、フレーム枠１２４と一体に形成された複数のリード部１２５とを有する。またフレーム枠１２４の四隅には、フレーム枠１２４と一体に形成された角部１２６とを有する。また本実施形態では、リード部１２５と一体に形成された放熱部１２７を有する。
【００６６】
本実施形態では、放熱部１２７はフレーム枠１２４内の略中央に形成されているが、これに限定されない。本実施形態の放熱部１２７は、フレーム枠１２４内の何れかの位置に設けられていれば良い。
【００６７】
特に本実施形態の放熱部１２７は、例えば表面１１０Ａに実装された集積回路１１１〜１１５のうち、最も発熱する集積回路の裏側に位置するように形成されることが好ましい。また本実施形態の放熱部１２７の面積は、最も発熱する集積回路の大きさや、表面１１０Ａの部品実装のレイアウト等に基づき決められても良い。
【００６８】
図１２は、第二の実施形態のプリント配線基板とシートとが接合された状態を示す図である。図１２は、プリント配線基板１９１とリードフレームシート１９３とが接合された状態における電子部品モジュール１００ＡのＡ２−Ａ２断面図である。
【００６９】
本実施形態において、プリント配線基板１９１とリードフレームシート１９３とは、例えば導電性接着剤等により接合される。尚プリント配線基板１９１とリードフレームシート１９３との接合は、例えば銀ペーストや半田により行われても良い。
【００７０】
本実施形態においてプリント配線基板１９１とリードフレームシート１９３とが接合されると、プリント配線基板１９１の表面に実装された集積回路等の部品が絶縁性樹脂等により封止される。また裏面１９１Ｃに実装された部品も絶縁性樹脂等により封止される。
【００７１】
本実施形態では、裏面１９１Ｃに実装された部品を絶縁性樹脂１４０により封止する際に、リードフレーム１２０Ａにおける本体基板２００と接合する面１２２Ａが、絶縁性樹脂１４０から露出するようにする。
【００７２】
また本実施形態では、封止を行った後に、ダイシングによりプリント配線基板１９１とリードフレームシート１９３と共に切断することで、配線基板１１０を個片化する。
【００７３】
図１３は、第二の実施形態の第一の変形例を説明する図である。図１３に示す第一の変形例では、リードフレームシート１９３に形成した複数のリードフレーム１２０Ａをプリント配線基板１９１と接合する前に個片化する例を示している。
【００７４】
本実施形態では、リードフレーム１２０Ａを個片化した後に放熱部１２７の中央部分の領域１２８をチップマウンタ等の実装機により吸着し、リードフレーム１２０Ａをプリント配線基板１９１の各表面１１０Ａに接合する。この変形例によれば、リードフレーム１２０Ａと配線基板１１０とを接合する際に、接合の精度を向上させることができる。
【００７５】
図１４は、第二の実施形態の第一の変形例を説明する他の図である。図１４では、プリント配線基板１９１に個片化されたリードフレーム１２０Ａが接合された状態のＡ２−Ａ２断面を示している。
【００７６】
図１４に示す例では、プリント配線基板１９１を個片化する際の切断面が含まれる位置７５において、リードフレーム１２０Ａが連続していない。したがってリードフレーム１２０Ａは個片化された後にプリント配線基板１９１に接合されたことがわかる。
【００７７】
尚本実施形態では、放熱部１２７を有するリードフレーム１２０Ａが先に個片化される例を示したが、これに限定されない。例えば本実施形態では、放熱部１２７が形成されていないリードフレーム１２０であっても、リードフレーム１２０を先に個片化して角部１２６を実装機により吸着し、リードフレーム１２０をプリント配線基板１９１における複数の表面１１０Ａ毎に接合しても良い。
【００７８】
図１５は、第二の実施形態の第二の変形を説明する図である。
【００７９】
図１５に示すリードフレーム１２０Ｂは、フレーム枠１２４内の面積が電子部品モジュール１００Ａの配線基板１１０の面積より大きくなるように形成されている。またリードフレーム１２０Ｂのリード部１２５は、電子部品モジュール１００Ａの配線基板１１０の裏面１１０Ｂと接合されるインナーリード１２９と、インナーリード１２９と連続するアウターリード１３１とを有する。
【００８０】
図１５の例では、シートに複数のリードフレーム１２０Ｂを形成し、インナーリード１２９の部分のみを個片化する。そして個片化されたインナーリード１２９をプリント配線基板１９１の裏面１１０Ｂに接合する。この順序でインナーリード１２９を接合すれば、プリント配線基板１９１に複数の配線基板１１０を形成する際に、アウターリード１３１のスペースを考慮しなくても良い。したがってプリント配線基板１９１において、高密度に複数の配線基板１１０を形成することができる。
【００８１】
（第三の実施形態）
以下に図面を参照して本発明の第三の実施形態について説明する。本発明の第三の実施形態では、配線基板の裏面に集積回路等の部品が実装される点が第一の実施形態と相違する。以下の本発明の第三の実施形態の説明では、第一の実施形態との相違点についてのみ説明し、第一の実施形態と同様の機能構成を有するものは第一の実施形態の説明で用いた符号と同様の符号を付与し、その説明を省略する。
【００８２】
図１６は、第三の実施形態の電子部品モジュールを説明する第一の図である。図１６は、本実施形態の電子部品モジュール１００Ｂの断面図である。
【００８３】
本実施形態の電子部品モジュール１００Ｂでは、配線基板１１０の裏面１１０Ｂに座繰り加工により凹部を形成し、この凹部に集積回路３００を実装した。
【００８４】
本実施形態では、集積回路３００の厚さをＴ１とし、座繰り深さをＴ２としたとき、Ｔ１−Ｔ２が、Ｔ１−Ｔ２≦ｂ（ｂはリードフレーム１２０の厚さ）を満たすように、配線基板１１０を加工する。
【００８５】
本実施形態では、このように配線基板１１０を加工すれば、例えば配線基板１１０の裏面１１０Ｂにリードフレーム１２０の厚さｂよりも厚い集積回路を実装することができる。
【００８６】
尚本実施形態では、例えば集積回路３００において本体基板２００と対向する面３１０と本体基板２００との距離Ｔ３とし、絶縁性樹脂１４０において本体基板２００と対向する面１４０Ａと本体基板２００との距離Ｔ４としたとき、Ｔ３＝Ｔ４となるように、座繰り深さＴ２を調整しても良い。
【００８７】
図１７は、第三の実施形態の電子部品モジュールを説明する第二の図である。図１７は、本実施形態の電子部品モジュール１００Ｃの断面図である。
【００８８】
本実施形態の電子部品モジュール１００Ｃでは、配線基板１１０の裏面１１０Ｂに、発熱する部品３５０を実装した。発熱する部品３５０とは、例えば集積回路等である。部品３５０は、電子部品モジュール１００Ｃに実装される部品のうち、最も発熱量が大きい部品であることが好ましい。
【００８９】
また本実施形態では、部品３５０の厚さをｃとしたとき、ｃ＝ｂとなるようにリードフレーム１２０を形成することが好ましい。本実施形態では、リードフレーム１２０をこのように形成すれば、電子部品モジュール１００Ｃを本体基板２００に実装した際に部品３６０の面３５０が本体基板２００に接する。本実施形態では、面３６０が本体基板２００に接することにより、部品３５０において発生した熱が本体基板２００に放熱される。
【００９０】
尚本実施形態では、部品３５０で発生した熱を効率良く放熱するために、面３６０に例えば熱伝導性のシートやフィルム等を形成しても良い。この場合リードフレーム１２０は、面３６０に形成されるシートやフィルム等の厚さを考慮して、ｃ＜ｂとなるように形成されても良い。
【００９１】
（第四の実施形態）
以下に図面を参照して本発明の第四の実施形態について説明する。本発明の第四の実施形態では、リードフレームの一部を絶縁性樹脂で覆う点が第一の実施形態と相違する。以下の本発明の第四の実施形態では、第一の実施形態との相違点についてのみ説明し、第一の実施形態と同様の機能構成を有するものには第一の実施形態の説明で用いた符号と同様の符号を付与し、その説明を省略する。
【００９２】
図１８は、第四の実施形態の電子部品モジュールを説明する第一の図である。図１８は、本実施形態の電子部品モジュール１００Ｄの断面図である。図１８に示す電子部品モジュール１００Ｄは、配線基板１１０に部品が実装されて絶縁性樹脂で封止された状態であり、個片化される前の状態である。
【００９３】
本実施形態では、配線基板１１０の裏面１１０Ｂに実装された部品を絶縁性樹脂で封止する際に、リードフレーム１２０Ｂのフレーム枠１２４及び角部１２６と、リード部１２５の一部も絶縁性樹脂で封止する。図１８では、リードフレーム１２０Ｂのフレーム枠１２４及び角部１２６と、リード部１２５の一部に該当する部分１７０において、リードフレーム１２０Ｂを絶縁性樹脂１５０により覆う。そして本実施形態では、例えば絶縁性樹脂１５０でリードフレーム１２０Ｂが覆われた位置７７を切断し、電子部品モジュール１００Ｄを個辺化する。
【００９４】
図１９は、第四の実施形態の電子部品モジュールの底面図の例を示す図である。本実施形態の電子部品モジュール１００Ｄは、配線基板１１０の裏面１１０Ｂと、リードフレーム１２０Ｂとにより形成される空間に部品が実装され、絶縁性樹脂１４０で封止されている。また本実施形態では、フレーム枠１２４及び角部１２６と、リード部１２５の一部とが絶縁性樹脂１５０で覆われている。本実施形態では、ハーフエッチングを行うことでリード部１２５の一部を残して絶縁性樹脂１５０でリードフレーム１２０Ｂを覆うことができる。
【００９５】
図２０は、第四の実施形態の電子部品モジュールを説明する第二の図である。図２０は、個片化された電子部品モジュール１００Ｄを示す。
【００９６】
本実施形態の電子部品モジュール１００Ｄでは、電子部品モジュール１００Ｄを個片化する際の切断面において、配線基板１１０と本体基板２００との間に、絶縁性樹脂１５０による絶縁性樹脂層と、リードフレーム１２０Ｂによる導電体材料層と、が含まれる。
【００９７】
電子部品モジュール１００Ｄを個片化する際の切断面とは、すなわち電子部品モジュール１００Ｄの端面である。本実施形態の電子部品モジュール１００Ｄの端面には、配線基板１１０の端面１１０ａと、絶縁性樹脂１５０による絶縁性樹脂層の端面と、リードフレーム１２０Ｂによる導電体材料層の端面とが含まれる。
【００９８】
本実施形態では、このようにリードフレーム１２０Ｂの一部を絶縁性樹脂１５０で覆うことにより、リードフレーム１２０Ｂと配線基板１１０との接合強度を高めることができる。
【００９９】
（第五の実施形態）
以下に図面を参照して本発明の第五の実施形態について説明する。本発明の第五の実施形態は、電子部品モジュールを個片化する順番と、電子部品モジュールにシールドとなる金属薄膜と金属薄膜を保護する保護膜を設けた点とが第一の実施形態と相違する。以下の本発明の第五の実施形態の説明では、第一の実施形態との相違点についてのみ説明し、第一の実施形態と同様の機能構成を有するものには第一の実施形態の説明で用いた符号と同様の符号を付与し、その説明を省略する。
【０１００】
図２１は、第五の実施形態の電子部品モジュールを説明する図である。図２１（Ａ）は電子部品モジュール１００Ｅの断面図であり、図２１（Ｂ）は電子部品モジュール１００Ｅの上面図である。
【０１０１】
本実施形態の電子部品モジュール１００Ｅは、第一の実施形態の電子部品モジュール１００の絶縁層樹脂１３０を覆う金属薄膜３００を有する。この金属薄膜３００は、シールドとして機能する。また本実施形態の電子部品モジュール１００Ｅは、シールド３００上に形成された保護膜３１０を有する。本実施形態のシールド３００は配線基板１１０の表層又は内層に形成されたグランドパターンＧと接するように形成されている。また本実施形態の電子部品モジュール１００Ｅにおいて、保護膜３１０には、電子部品モジュール１００Ｅの識別等に用いる情報がマークとして形成されている。
【０１０２】
以下に図２２を参照して本実施形態の電子部品モジュール１００Ｅの製造工程について説明する。図２２は、第五の実施形態の電子部品モジュールの製造工程を説明する図である。尚図２２では、各電子部品モジュール１００Ｅの構成を簡略化して示しているが、図２２に示す各電子部品モジュール１００Ｅは図２１と同様の構成である。
【０１０３】
図２２（Ａ）は、配線基板１１０の母体となるプリント配線基板１１７の表面に部品を実装した状態を示している。本実施形態では、プリント配線基板１１７が個片化されたものが配線基板１１０となる。本実施形態のプリント配線基板１１７は、グランドパターンＧが表層又は内層に形成されている。本実施形態において表層又は内層に形成されたグランドパターンＧは、例えば配線基板１１０に実装された部品と接続される。また本実施形態では、プリント配線基板１１７を個片化した際に、配線基板１１０の端面１１０ａに露出するように形成される。
【０１０４】
尚本実施形態では、図示していないが、図２２（Ａ）の工程と後述する図２２（Ｂ）の工程の間にリードフレームシート１１８がプリント配線基板１１７の裏面に接合されても良い。図２２（Ｂ）は、プリント配線基板１１７の表面に実装された部品を絶縁性樹脂１３０で覆った状態を示している。本実施形態では、プリント配線基板１１７において、配線基板１１０毎の部品が実装されると、プリント配線基板１１７を絶縁性樹脂１３０で覆う。
【０１０５】
続いて本実施形態では、絶縁性樹脂１３０に覆われたプリント配線基板１１７をハーフカットして溝Ｓを形成する。
【０１０６】
図２２（Ｃ）では、溝Ｓが形成された状態を示している。本実施形態では、配線基板１１０の端面１１０ａにグランドパターンＧが露出する深さまでプリント配線基板１１７をハーフカットして溝Ｓを形成する。すなわち本実施形態の溝Ｓの深さＤは、絶縁性樹脂１３０の上面から少なくとも配線基板１１０の内層に形成されたグランドパターンＧの端面Ｇａが全て露出するまでとなる。尚溝Ｓの深さＤは、グランドパターンＧの端面Ｇａが全て露出する深さよりも深くても良い。
【０１０７】
続いて本実施形態では、絶縁性樹脂１３０の上面及び側面と、配線基板１１０の端面１１０ａとを覆うように金属薄膜３００を形成する。
【０１０８】
図２２（Ｄ）は、金属薄膜３００が形成された状態を示している。本実施形態の金属薄膜３００は、例えば真空蒸着（イオンプレーティング含む）、スパッタリングにより形成されても良い。また本実施形態の金属薄膜３００は、アルミニウム、銅、金、ニッケル、鉄のいずれかを含む。さらに本実施形態の金属薄膜３００は、蒸発温度が低く、容易に蒸着でき、比抵抗が低くシールド特性に優れ、熱伝導率が高く放熱特性が優れていることが好ましい。例えば本実施形態の金属薄膜３００は、例えばニッケルなどの磁性体膜を含むことが望ましい。
【０１０９】
本実施形態の金属薄膜３００は、配線基板１１０の端面１１０ａを覆うように形成されるため、金属薄膜３００とグランドパターンＧの端面Ｇａとが接続される。続いて本実施形態では、金属薄膜３００の上面に保護膜を形成する。
【０１１０】
図２２（Ｅ）は、保護膜３１０が形成された状態を示している。本実施形態の保護膜３１０は絶縁膜であり、例えば暗褐色のレジスト材が使用される。また本実施形態の保護膜３１０は、印刷により形成される。
【０１１１】
保護膜３１０が形成されると、保護膜３１０の上面に電子部品モジュール１００Ｅの識別等に用いる情報（マーク）がマーキングされる。図２３は、保護膜にマーキングがされた状態を示す図である。
【０１１２】
本実施形態では、保護膜３１０を暗褐色とすることで、保護膜３１０にマーキングされたマークの視認性を良好に保つことができる。
【０１１３】
また本実施形態のマークは、例えばシルク印刷やオフセット印刷等により、インクで印刷されていても良い。また本実施形態のマークは、保護膜３１０の一部をレーザー光で除去することにより形成されても良い。この場合、マークを形成する際には保護膜３１０を貫通しないように保護膜３１０の一部を除去する。保護膜３１０を貫通しないようにマークを形成すれば、金属薄膜３００に損傷与えずにマークを形成することができる。また本実施形態のマークには、例えば１ピンの位置を示す１ピンマーク、電子部品モジュール１００Ｅの製品番号、ロット番号、記号（例えば二次元バーコード等）等が含まれても良い。
【０１１４】
図２２に戻って、保護膜３１０へのマーキングを行うと、プリント配線基板１１７を個片化する。
【０１１５】
図２２（Ｆ）は、プリント配線基板１１７が個片化された状態を示している。
【０１１６】
本実施形態では、保護膜３１０へのマーキング後、プリント配線基板１１７に溝Ｓを貫通するように溝Ｈを形成することで、プリント配線基板１１７を配線基板１１０毎に個片化する。
【０１１７】
本実施形態では、溝Ｓの幅を幅Ｗ１と、溝Ｈの幅を幅Ｗ２としたとき、Ｗ１＞Ｗ２となるようにした。具体的には例えば、幅Ｗ１と幅Ｗ２の差を５０μｍ〜２００μｍ程度とするのが好ましい。本実施形態では、幅Ｗ１と幅Ｗ２との関係を上記のようにすれば、金属薄膜３００の側面に傷を付けずに溝Ｈを形成することができる。
【０１１８】
尚本実施形態では、溝Ｓを形成する際には絶縁性樹脂１３０の上面側から形成し、溝Ｈを形成する際にはプリント配線基板１１７の裏面側から形成しても良い。本実施形態において、溝Ｈをプリント配線基板１１７の裏面側から形成すれば、プリント配線基板１１７の裏面１１７Ｂに形成されているアライメントマークＭ２から決められるダイシングラインに沿って容易に溝Ｈの位置決めを高精度に行うことができる。
【０１１９】
またプリント配線基板１１７の裏面１１７から溝Ｈを形成すれば、溝Ｈ形成の際に生じる切り屑等が金属薄膜３００や保護膜３１０に触れることがなく、金属薄膜３００や保護膜３１０を傷つけずにプリント配線基板１１７を個片化できる。
【０１２０】
尚本実施形態の溝Ｈは、溝Ｓの底面からプリント配線基板１１７の裏面側に向かって形成されても良い。
【０１２１】
本実施形態では、以上のようにして、金属薄膜３００によるシールド効果を有する電子部品モジュール１００Ｅを製造する。
【０１２２】
本実施形態では、金属薄膜３００が配線基板１１０の表層又は内層に形成されたグランドパターンＧと接続されているため、グランドを強化することができる。また本実施形態の金属薄膜３００は、グランドパターンＧと接続されているため、優れたシールド効果を有し、更に効率的に電子部品モジュール１００Ｅ内の熱を放熱できる。
【０１２３】
また本実施形態では、例えば金属薄膜３００を形成する前の段階で、溝Ｓにテーパーを形成しても良い。図２４は、溝にテーパーを形成した例を示す図である。
【０１２４】
本実施形態では、例えば図２２の（Ｃ）に示したハーフカットを行う際に、溝ＳにテーパーＴを形成しても良い。
【０１２５】
このようにテーパーＴを形成することで、絶縁性樹脂１３０の側面において、金属薄膜３００の被覆性を優れたものとすることができる。
【０１２６】
以上のように本実施形態では、電子部品モジュール１００Ｅを製造する際に、保護膜３１０の形成及び保護膜３１０へのマーキングまで、個片化する前に行う。したがって本実施形態によれば、製造工程の早い段階で個片化する方法に比べて、製造工程を簡素化することができる。また本実施形態によれば、電子部品モジュール１００Ｅの組立の歩留まりを向上させることができる。
【０１２７】
（第六の実施形態）
以下に図面を参照して本発明の第六の実施形態について説明する。本発明の第六の実施形態では、金属薄膜を側面まで保護膜で覆う点のみ第五の実施形態と相違する。よって本発明の第六の実施形態では、第五の実施形態との相違点についてのみ説明し、第五の実施形態と同様の構成を有するものには第五の実施形態の説明で用いた符号と同様の符号を付与し、その説明を省略する。
【０１２８】
図２５は、第六の実施形態の電子部品モジュールを説明する図である。図２５（Ａ）は電子部品モジュール１００Ｆの断面図であり、図２５（Ｂ）は電子部品モジュール１００Ｆの上面図である。
【０１２９】
本実施形態の電子部品モジュール１００Ｆでは、金属薄膜３００が側面まで保護膜３１０Ａに覆われている。本実施形態では、図２５（Ｂ）に示すように、金属薄膜３００を覆う保護膜３１０Ａの上面に、マークが形成されている。
【０１３０】
図２６は、第六の実施形態の電子部品モジュールの製造工程を説明する図である。本実施形態の電子部品モジュール１００Ｆの製造工程は、図２２（Ｅ）に該当する工程の代わりに、図２６で説明する工程を行う。
【０１３１】
本実施形態では、図２２の（Ｄ）の工程で金属薄膜を形成した後、保護膜３１０Ａでプリント配線基板１１７を覆い、ハーフカットにより形成した溝Ｓを埋める。
【０１３２】
本実施形態では、溝Ｓが形成されたプリント配線基板１１７を覆うように保護膜３１０Ａを形成する際に、段差部も均等な厚さとすることができる真空印刷等により、保護膜３１０Ａを形成しても良い。
【０１３３】
本実施形態では、例えば裏面１１７Ｂに形成されたアライメントマークにより得られるダイシングラインに沿ってプリント配線基板１１７を切断することで、プリント配線基板１１７を個片化する。
【０１３４】
本実施形態では、保護膜３１０Ａにより金属薄膜３００の側面まで覆うため、金属薄膜３００の側面に傷を付けることなく個片化を行うことができる。
【０１３５】
（第七の実施形態）
以下に図面を参照して本発明の第七の実施形態について説明する。本発明の第七の実施形態は、保護膜を形成する順序が第五の実施形態と相違する。よって本発明の第七の実施形態では、第五の実施形態との相違点についてのみ説明し、第五の実施形態と同様の構成を有するものには第五の実施形態の説明で用いた符号と同様の符号を付与し、その説明を省略する。
【０１３６】
本実施形態では、ハーフカットにより溝Ｓを形成した後にプリント配線基板１１７を個片化した後に保護膜３１０を形成し、マーキングを行う。
【０１３７】
図２７は、第七の実施形態の電子部品モジュールの製造工程を説明する図である。本実施形態では、図２２（Ｄ）の後に、図２７（Ａ）に示すように、プリント配線基板１１７の裏面１１７Ｂから溝Ｈを形成して溝Ｓの底を貫通させ、プリント配線基板１１７を個片化させる。本実施形態では、続いて図２７（Ｂ）に示すように、個片化した後に金属薄膜３００の上面に保護膜３１０を形成する。
【０１３８】
本実施形態により製造される電子部品モジュールは、第五の実施形態と同様の形状となる。
【０１３９】
以上、各実施形態に基づき本発明の説明を行ってきたが、上記実施形態に示した要件に本発明が限定されるものではない。これらの点に関しては、本発明の主旨をそこなわない範囲で変更することができ、その応用形態に応じて適切に定めることができる。
【符号の説明】
【０１４０】
１００、１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ、１００Ｄ  電子部品モジュール
１１０  配線基板
１１１、１１２、１１３、１１４、３００  集積回路
１２０、１２０Ａ、１２０Ｂ  リードフレーム
１３０、１４０、１５０  絶縁層樹脂
２００  本体基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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