(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と、複数の透光性を有する部分と、を有し、
前記複数の透光性を有する部分は、前記発光素子の上方又は下方に設けられ、
前記複数の透光性を有する部分は、前記発光素子からの光を散乱させることができる機能を有し、
前記透光性を有する部分は、厚さがＨである部分を有し、
前記透光性を有する部分は、底面の長さがＷ１である部分を有し、
前記透光性を有する部分は、Ｈ≧Ｗ１を満たす部分を有し、
前記複数の透光性を有する部分は、間隔をあけて設けられることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
発光素子と、
前記発光素子の上方の絶縁体と、
前記絶縁体の上方の複数の透光性を有する部分とを有し、
前記複数の透光性を有する部分は、前記発光素子からの光を散乱させることができる機能を有し、
前記透光性を有する部分は、厚さがＨである部分を有し、
前記透光性を有する部分は、底面の長さがＷ１である部分を有し、
前記透光性を有する部分は、Ｈ≧Ｗ１を満たす部分を有し、
前記複数の透光性を有する部分は、間隔をあけて設けられることを特徴とする発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＥＬ（electro luminescence）素子に電流を流して面状発光を取り出す際に
、素子内部で発光した光の取り出し効率を向上させる素子構造に関する。なお、本発明の
自発光装置は、自発光型の素子として有機発光素子（発光素子）を用いた有機電界発光デ
ィスプレイ（ＯＥＬＤ：Organic EL Display）又は有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Orga
nic Light Emitting Diode）を含むものとする。
【背景技術】
【０００２】
自発光装置から出射した光は、大気中に面状発光として取り出されるが、自発光装置と
大気の界面に位置する基板は、その形状が平板であるために基板内から取り出せない光が
多く、その取り出し効率は、２０〜５０％となっている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、基板の反対側の面に凹凸形
状の光散乱体を形成することで発光素子、特にＥＬ素子において生じる光の取り出し効率
を向上させることを課題とする。さらに、光散乱体として基板上の透明な膜をエッチング
して形成し、ピッチの微細加工を可能にする。そして、ピッチの微細な光散乱体を形成す
ることで、より発光効率の高い自発光装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明において、光の取り出し効率を向上させるために用いる形状について図１を用い
て説明する。
【０００５】
図１（Ａ）は、アクティブマトリクス型の自発光装置に本発明を用いた場合の例を示し
ている。１０１は絶縁体からなる基板であり、基板１０１上には、電流制御用ＴＦＴ１０
２が形成されている。電流制御用ＴＦＴ１０２のドレイン領域は、画素電極１０３に電気
的に接続されている。（ソース領域と接続することも可能である。）なお、ここでは画素
電極１０３は、陽極であり、またＥＬ素子１０６の画素電極１０３側から光を出射するた
めに画素電極１０３は透明性導電膜で形成されている。
【０００６】
さらに、画素電極１０３上には、ＥＬ層１０４が形成され、ＥＬ層１０４上には、陰極
１０５が形成される。これにより画素電極１０３、ＥＬ層１０４及び陰極１０５からなる
ＥＬ素子１０６が形成される。
【０００７】
以上の様な形状を有する自発光装置において、基板１０１の裏面、すなわちＴＦＴが形
成されていない側の面に凹凸を形成させる。なお、光散乱体１０８の一部を１０７で示し
、さらに１０７の拡大図を示す。
【０００８】
光散乱体１０８を形成することにより、光散乱体１０８から大気１０９中への入射角が
臨界角を越えないようにすることが出来るので、光が全反射して光散乱体に閉じ込められ
るのを防ぐことができるので、ＥＬ素子１０６からの光の取り出し効率を向上させること
ができる。なお、光散乱体は、透明材料でなる透明な膜をエッチングすることにより形成
する。なお、本明細書中でいう透明な膜とは、可視光に対して透明である膜のことをいう
。
【０００９】
図１（Ｂ）に示す１０７の拡大図には、基板１０１中を通過した光が光散乱体１０８を
通過した後、大気中へ出射される様子を示す。
また、図１（Ｂ）で示される光散乱体１０８ａ、１０８ｂ、１０８ｃ、１０８ｄ及び１
０８ｅが、それぞれドット状に形成されており、これらを本明細書中では、光散乱体１０
８という。
なお、光散乱体１０８が形成される面の斜視図を図１（Ｃ）に示す。
【００１０】
本発明に於いて、ＥＬ素子１０６から出射した光は、基板１０１中へ入射した後、光散
乱体１０８に入射する。
【００１１】
なお、光の屈折は、図２に示すように入射光の角度（入射角）とその媒質の屈折率によ
り決まる。さらにこの関係は以下の式（スネルの法則）に従う。
つまり、屈折率がｎ1である媒質１（２０１）においてθ1の角度で入射した光（入射光
）が、屈折率がｎ2である媒質２（２０２）に入射するとき、以下の式
【００１２】
（式１）
0005957502.tif 000002
【００１３】
を満たすような角度θ2の光（屈折光）となる。なお、屈折光の角度θ2が９０°となるよ
うな入射角θ1を臨界角という。また、媒質２に対する入射角θ1が臨界角よりも大きくな
るときに光は、全反射する。つまり、光が媒質１に閉じ込められることになる。
【００１４】
さらに、エネルギーの反射率（Ｒ）及び透過率（Ｔ）は、以下に示す式（フレネルの法
則）が成り立つ。
【００１５】
（式２）
0005957502.tif 000003
【００１６】
（式３）
Ｔ＝１−Ｒ      
【００１７】
つまり、基板１０１と光散乱体１０８の屈折率が異なると反射成分が生じるため、基板
１０１と光散乱体１０８の屈折率は、同じであると良いことが分かる。
【００１８】
これらの式１〜３から図１に示すように屈折率１．４５〜１．６０の光散乱体１０８か
ら屈折率が１である大気１０９中に光を出射するとき、すなわち屈折率の大きい媒質から
屈折率の小さい媒質に光を出射する時には、反射率が大きくなる。また、入射角が臨界角
よりも大きくなると光は、全反射する。つまり、光散乱体１０８の形状を入射角が小さく
なるような形状にすればよい。
【００１９】
以上のことから、本発明では、光散乱体の形状を凹凸状にして大気中への入射角が小さ
くなるようにし、より多くの光が散乱して大気中に取り出しやすくなるようにした。
【００２０】
なお、本発明では、エッチングにより形成される不規則な凹凸が光散乱体１０８となる
ため、形状を精密に統一する必要がなく作製が容易であるといった利点がある。
【００２１】
本発明は、多くの自発光装置に用いることができるが、特に光の利用効率の影響を顕著
に受けるＥＬ材料を用いたＥＬ素子においては、ＥＬ素子の低消費電力化や長寿命化を図
ることができるため非常に有効である。
【発明の効果】
【００２２】
本発明を実施して、絶縁体上に光散乱体を設けることで発光素子、特にＥＬ素子におけ
る光の取り出し効率を向上することができる。さらに、透明な膜をエッチングして光散乱
体を形成することで、ピッチの微細加工が可能になる。以上のようにして、ピッチの細か
い光散乱体を形成させることで、発光効率の高い自発光装置を提供することが可能になる
。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の光散乱体の構成を示す図。
【図２】光の屈折の説明図。
【図３】本発明をアクティブマトリクス型ＴＦＴに用いた図。
【図４】光散乱体の詳細を示した図。
【図５】本発明をアクティブマトリクス型ＴＦＴに用いた図。
【図６】本発明を逆スタガ型のアクティブマトリクス型ＴＦＴに用いた図。
【図７】本発明をパッシブマトリクス型ＴＦＴに用いた図。
【図８】本発明をパッシブマトリクス型ＴＦＴに用いた図。
【図９】本発明をフロントライトに用いた図。
【図１０】本発明をバックライトに用いた図。
【図１１】本発明をフロントライト及びバックライトに用いた図。
【図１２】ＥＬ素子と電流制御用ＴＦＴの接続の構成を示す図と、ＥＬ素子と電流制御用ＴＦＴの電圧電流特性を示す図。
【図１３】ＥＬ素子と電流制御用ＴＦＴの電圧電流特性を示す図。
【図１４】電流制御用ＴＦＴのゲート電圧とドレイン電流の関係を示す図。
【図１５】電気器具の一例を示す図。
【図１６】電気器具の一例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
本発明の実施の形態について、以下に示す実施例に於いて詳細な説明を行うことにする
。
【実施例１】
【００２５】
本実施例では、画素電極側に光を透過するアクティブマトリクス型の自発光装置に本発
明を用いた例を示す。まず、図３に示すように基板３０１の裏面上に透明な膜を形成する
。透明な膜を形成する透明材料としては、ポリカーボネート、アクリル樹脂、ポリイミド
、ポリアミド、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）といった有機樹脂や酸化インジウム、酸化
スズもしくは酸化亜鉛からなる膜またはこれらを組み合わせた化合物膜を用いる。
【００２６】
次に、この透明な膜をエッチングすることにより、図３（Ａ）で示すような光散乱体３
０２を形成させる。この時形成される光散乱体３０２について図４（Ａ）を用いて説明す
る。なお、図４（Ａ）には、台形状に形成された光散乱体３０２を示している。また、こ
こで用いる記号は、図３で用いるのと同様の記号を用いるので、その都度対応させると良
い。
【００２７】
図４（Ａ）は、図３（Ａ）で基板の裏面に形成された光散乱体３０２が基板の下にくる
ように図３（Ａ）とは、上下を逆にした構造を示している。そして、基板３０１から見て
ＴＦＴ側にあるＥＬ素子で発光した光は、図４（Ａ）に示すように入射角θ１で光散乱体
３０２に出射するとする。ここで、基板３０１の屈折率をｎ１、光散乱体３０２の屈折率
をｎ２としたとき、ｎ１＞ｎ２なる関係が成り立つと、光は、光散乱体３０２にθ２なる
角度で入射する。
【００２８】
一方、ｎ１＜ｎ２なる関係が成り立つと、光は、光散乱体３０２にθ２'なる角度で出
射する。つまり、θ２＞θ２'なる関係が成り立ち、屈折率の小さいところから屈折率の
大きいところに出射される光の出射角は、小さくなる。
【００２９】
しかし、ここで、光散乱体３０２から大気中に取り出すとき、光は、屈折率の大きい媒
質から小さい媒質へ出射することになるので、その出射角は大きくなり又、反射率も大き
くなるため出射しにくくなる。そこで、図４（Ａ）に示すように光散乱体３０２ａが絶縁
体である基板とのなす角θ３、θ４が制限される。本発明では、最も取り出し効率の高い
基板の法線方向に出射される光の取り出し効率が落ちないような形状としてθ３及びθ４
の角度を６０度以上になるように形成する。しかし、θ３、θ４は、必ずしも同じ角度で
形成されていなくてもよい。
【００３０】
また、画像がぼやけないようにするために光散乱体３０２ａのピッチは、基板との接触
部分の長さＷ１が、画素ピッチの１／２以下になるようにする。また、光をより取り出し
やすくするために台形状の上底部の長さＷ２を短くすればする程良い。なお、Ｗ２＝０に
なるのが最も好ましい。
【００３１】
さらに、光散乱体３０２のθ３及びθ４の角度を６０度以上になるように形成するため
に透明な膜の膜厚Ｈは、光散乱体ａ３０２のピッチ（Ｗ１）に対してＨ≧Ｗ１なる関係に
するのが好ましい。
【００３２】
また、本発明において、金型等を用いて正確な形状を形成したり、表面を平滑化したり
する必要はなく、基板の裏面の光を出射する側に微細な凹凸が形成されていればよい。
【００３３】
以上のようにして、基板３０１の裏面に光散乱体３０２が形成される。
また、図４（Ｂ）〜（Ｇ）に光散乱体３０２として形成可能なパターンを示す。図４（
Ｂ）は基板の裏面に四角形の光散乱体間の間隔をあけて設けた例である。図４（Ｃ）は、
光散乱体が基板を完全に覆っており、なおかつ光散乱体間の間隔を開けずに設けた例であ
る。また、図４（Ｄ）は、基板の裏面に逆テーパー状の光散乱体を形成させる場合の例で
あり、図４（Ｅ）は、基板の裏面に半球状の光散乱体を形成させている。さらに、図４（
Ｆ）には、楕円状の光散乱体を示し、図４（Ｇ）には、断面から見て三角形状の光散乱体
を形成させた例を示す。
【００３４】
なお、図４に示した光散乱体は、その光散乱体間の間隔を開けて設けても良いし、光散
乱体のそれぞれが重なるように設けても良い。
【００３５】
基板３０１の裏面に光散乱体３０２を形成させた後、絶縁膜を表面に成膜した基板３０
１上に公知の方法でｐチャネル型ＴＦＴ３０３、３０４を形成する。なお、本実施例では
プレーナ型ＴＦＴを例に挙げているが、ＴＦＴ構造を限定するものではない。即ち、逆ス
タガ型ＴＦＴを用いても良い。
【００３６】
次に、ｐチャネル型ＴＦＴ３０３、３０４の各々に対して電気的に接続された画素電極
３０５、３０６を形成する。画素電極３０５、３０６としてはＥＬ素子の陽極として機能
するため仕事関数の大きい材料を用いる。従って本実施例では可視光に対して透明である
透光性の材料（または、透明材料）として、酸化物導電膜（酸化インジウム、酸化スズも
しくは酸化亜鉛からなる膜またはこれらを組み合わせた化合物膜）を用いる。この酸化物
導電膜にはガリウムを添加しても良い（図３（Ｂ））。
【００３７】
次に、画素電極３０５、３０６の端部を囲むようにバンク３０７、３０８を樹脂膜で形
成し、その上にＥＬ層３０９を形成する。本実施例ではバンク３０７、３０８をアクリル
膜で形成し、ＥＬ層３０９をスピンコート法により形成する。
ＥＬ層３０９の材料としては、高分子有機材料であるポリフルオレンを用いる。
もちろん、ポリフルオレンに蛍光物質を添加して色度制御を行っても良い（図３（Ｃ））
。
【００３８】
次に、遮光性の材料を用いて陰極を形成する。なお、本実施例では、陰極３１１として
アルミニウムとリチウムとを共蒸着して合金膜を３００ｎｍの厚さに形成し、さらにその
上にパッシベーション膜３１２として窒化珪素膜をスパッタ法により形成する。これに炭
素膜、具体的にはＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）膜を積層することも有効である
。
【００３９】
以上のようにして、図３（Ｄ）に示す構造の自発光装置が完成する。この後は、ＥＬ素
子が外気に触れないように、ＥＬ素子を樹脂で封入するか、ＥＬ素子を密閉空間に封入す
れば良い。
【実施例２】
【００４０】
本実施例では、画素電極側で光を反射するアクティブマトリクス型の自発光装置に本発
明を用いた例を示す。まず、図５に示すように絶縁膜を表面に成膜した基板５０１上に公
知の方法でｎチャネル型ＴＦＴ５０２、５０３を形成する。なお、本実施例ではプレーナ
型ＴＦＴを例に挙げているが、ＴＦＴ構造を限定するものではない。即ち、逆スタガ型Ｔ
ＦＴを用いても良い。
【００４１】
このとき、ｎチャネル型ＴＦＴ５０２、５０３の各々においてドレイン配線を画素電極
５０４、５０５として用いる。本実施例の場合、画素電極５０４、５０５にて発光を反射
する必要があるから、画素電極５０４、５０５としては反射性の高い金属膜を用いる。ま
た、同時にＥＬ素子の陰極としても機能するため仕事関数の小さい材料を含む金属膜を用
いる。本実施例では、アルミニウムとリチウムを含む合金膜を用いる（図５（Ａ））。
【００４２】
次に、画素電極５０４、５０５の端部を囲むようにバンク５０６、５０７を樹脂膜で形
成し、その上にＥＬ層５０８を形成する。本実施例ではバンク５０６、５０７をアクリル
膜で形成し、ＥＬ層５０８を蒸着法により形成する。ＥＬ層５０８の材料としては、低分
子有機材料であるＡｌｑ3（トリス−８−キノリノラトアルミニウム錯体）用いる。もち
ろん、Ａｌｑ3に蛍光物質を添加して色度制御を行っても良い（図５（Ｂ））。
【００４３】
次に、陽極５１０として酸化亜鉛に酸化ガリウムを添加した酸化物導電膜３００ｎｍの
厚さに形成し、さらにその上にパッシベーション膜５１１として窒化珪素膜をスパッタ法
により形成する。これに炭素膜、具体的にはＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）膜を
積層することも有効である（図５（Ｃ））。
【００４４】
次に、図５（Ｄ）に示すように有機樹脂からなる封止膜を形成させる。この時、封止膜
は、ＥＬ素子が外気に触れないように形成する。
【００４５】
さらに、封止膜５１２上に封止基板５１３を設ける。このとき、封止基板５１３は、封
止膜の形成と一連の処理により、ＥＬ素子が外気に触れることのないように設ける。
【００４６】
次に、封止基板上に透明な膜を形成させる。透明な膜を形成する透明材料としては、ポ
リカーボネート、アクリル樹脂、ポリイミド、ポリアミド、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン
）といった有機樹脂や酸化インジウム、酸化スズもしくは酸化亜鉛からなる膜またはこれ
らを組み合わせた化合物膜を用いる。また、光散乱体５１４のθ３及びθ４の角度を６０
度以上になるように形成するために透明な膜の膜厚（Ｈ）は、光散乱体のピッチ（Ｗ１）
に対してＨ≧Ｗ１なる関係にするのが好ましい。この透明な膜をエッチングすることによ
り図５（Ｅ）で示すような光散乱体５１４を形成させる。
【００４７】
また、本実施例で示したような有機樹脂膜で形成される封止膜を必ずしも設ける必要は
なく、ＥＬ素子を密閉空間に封入するようにしても良い。なお、光は、屈折率の高い媒質
から屈折率の低い媒質に出射するときに取り出しにくくなるので、この場合には、パッシ
ベーション膜５１１と密閉空間の界面、すなわちパッシベーション膜５１１上に光散乱体
５１４を設けると良い。
【００４８】
こうして得た自発光装置は、通常の封止構造に比べて光が最終的に出射する面に光散乱
体が設けられているので従来の自発光装置に比べて高い光取り出し効率を得ることができ
る。これにより、ＥＬ素子を駆動させるための電圧を低くすることができるため、ＥＬ素
子の高寿命化を図ることができる。
【００４９】
なお、本実施例の構成は、実施例１のいずれの構成とも組み合わせて実施することが可
能である。
【実施例３】
【００５０】
実施例１及び実施例２では、本発明をプレーナ型のＴＦＴに用いた例を示したが、本実
施例では、本発明を逆スタガ型のＴＦＴに用いた構造を図６に示す。
図６において、（Ａ）は、画素電極側に光を透過するアクティブマトリクス型の自発光
装置の構造を示し、（Ｂ）は画素電極側で光を反射するアクティブマトリクス型の自発光
装置の構造を示す。
【００５１】
図６において、６０１は基板、６０２は、図６（Ａ）で用いられるｐチャネル型ＴＦＴ
であり、６０３は、図６（Ｂ）で用いられるｎチャネル型ＴＦＴである。これらは、いず
れも基板６０１上にゲート電極が形成されており、ゲート電極上にゲート絶縁膜を介して
ソース領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域が形成されている構造である。また、６
０５は画素電極であり、６０５は、画素電極間を仕切るバンクが形成されている。画素電
極６０５の上には、ＥＬ層６０６が形成され、ＥＬ層６０６の上には、陰極６０７とパッ
シベーション膜６０８が形成される。
【００５２】
なお、図６（Ａ）は、画素電極側に光を透過する構造であるので基板６０１の裏面に光
散乱体６０９が設けられている。また、図６（Ｂ）は、画素電極側で光を反射する構造で
あるので、光散乱体は、パッシベーション膜６０８上の封止膜６１０及び封止基板６１１
からなる封止構造の上に形成される。
【００５３】
なお、逆スタガ型のＴＦＴ構造は、プレーナ型のＴＦＴに比べて作成が容易であるため
、マスク数を削減することが可能である。さらに、ゲート絶縁膜とチャネル形成領域を連
続的に形成することが可能であるため、その界面が汚染されることなく形成できるという
利点がある。
【００５４】
なお、本実施例の構成は、実施例１及び実施例２のいずれの構成とも自由に組み合わせ
て実施することが可能である。
【実施例４】
【００５５】
本実施例では、基板を通して光を放射するパッシブマトリクス型の自発光装置に本発明
を用いた例を示す。
【００５６】
まず、基板７０１の裏面上に透明な膜を形成させる。透明な膜を形成する透明材料とし
ては、ポリカーボネート、アクリル樹脂、ポリイミド、ポリアミド、ＢＣＢ（ベンゾシク
ロブテン）といった有機樹脂や酸化インジウム、酸化スズもしくは酸化亜鉛からなる膜ま
たはこれらを組み合わせた化合物膜を用いる。また、光散乱体のθ３及びθ４の角度を６
０度以上になるように形成するために透明な膜の膜厚（Ｈ）は、光散乱体のピッチ（Ｗ１
）に対してＨ≧Ｗ１なる関係にするのが好ましい。
【００５７】
この透明な膜をエッチングすることで、図７（Ａ）に示すような台形状の光散乱体７０
２を形成させる。エッチングの際には、透明な膜が過剰にエッチングされて基板７０１が
表面に露出することのないようにする必要がある。これは、基板が表面に露出してしまう
と光散乱体７０２による光の屈折が充分になされなくなるためである。
【００５８】
次に、図７（Ａ）で示した基板７０１を上下逆にして、基板７０１の表面を上にしたも
のを図７（Ｂ）に示す。そして、基板７０１表面に絶縁膜を成膜した後、絶縁膜上に陽極
７０３を形成する。本実施例では陽極７０３として酸化インジウムと酸化スズとの化合物
からなる酸化物導電膜を用いる（図７（Ｂ））。
【００５９】
この陽極７０３は紙面と平行な方向に帯状に形成され、それが紙面に垂直な方向にスト
ライプ状に並んでいる。この構造は公知のパッシブマトリクス型自発光装置と同様である
。
【００６０】
次に、陽極７０３に直交するように隔壁７０４を形成する。隔壁７０４は陰極となる金
属膜を分離するために設けられる。本実施例では２層の樹脂膜を用い、Ｔ字型になるよう
に加工する。このような構造は上層に比べて下層のエッチングレートが速い条件でエッチ
ングを行えば得ることができる。
【００６１】
次に、ＥＬ層７０５を形成する。本実施例ではＥＬ層７０５を蒸着法により形成する。
ＥＬ層７０５の材料としては、低分子有機材料であるＡｌｑ3（トリス−８−キノリノラ
トアルミニウム錯体）用いる。もちろん、Ａｌｑ3に蛍光物質を添加して色度制御を行っ
ても良い。
【００６２】
次に、陰極７０７としてアルミニウムとリチウムとを共蒸着した合金膜を３００ｎｍの
厚さに形成する。このとき、陰極７０７は隔壁７０４に沿って分離され、紙面奥に向かっ
て帯状に形成され、ストライプ状に並んで形成される。さらにその上にパッシベーション
膜７０８として樹脂膜をインクジェット法もしくは印刷法により形成する。これに炭素膜
、具体的にはＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）膜を積層することも有効である。
【００６３】
以上のようにして、図７（Ｃ）に示す構造の自発光装置が完成する。この後は、ＥＬ素
子が外気に触れないように、ＥＬ素子を樹脂で封入すれば良い。
【００６４】
こうして得た自発光装置は、通常の封止構造に比べて光の出射面に光散乱体が設けられ
ているので従来の自発光装置に比べて高い光取り出し効率が得られる。
これにより、ＥＬ素子を駆動させるための電圧を通常よりも低くすることができるため、
ＥＬ素子の高寿命化を図ることができる。
【００６５】
なお、本実施例の構成は、実施例１〜実施例３のいずれの構成とも組み合わせて実施す
ることが可能である。
【実施例５】
【００６６】
本実施例では、基板の上方に向けて光を放射するパッシブマトリクス型の自発光装置に
本発明を用いた例を示す。まず、絶縁膜を表面に成膜した基板８０１上に陰極８０２を形
成する。本実施例では陰極８０２としてアルミニウム膜にＭｇＡｇ膜（マグネシウムと銀
を共蒸着した金属膜）を積層した構造の電極を用いる。（図８（Ａ））
【００６７】
この陰極８０２は紙面と平行な方向に帯状に形成され、それが紙面に垂直な方向にスト
ライプ状に並んでいる。
【００６８】
次に、陰極８０２に直交するように隔壁８０３を形成する。隔壁８０３は陽極となる酸
化物導電膜を分離するために設けられる。本実施例では２層の樹脂膜を用い、Ｔ字型にな
るように加工する。このような構造は上層に比べて下層のエッチングレートが速い条件で
エッチングを行えば得ることができる。
【００６９】
次に、ＥＬ層８０４を形成する。本実施例ではＥＬ層８０４を蒸着法により形成する。
ＥＬ層８０４の材料としては、低分子有機材料であるＡｌｑ3（アルミキノリラト錯体）
用いる。もちろん、Ａｌｑ3に蛍光物質を添加して色度制御を行っても良い。
【００７０】
次に、陽極８０６として酸化インジウムと酸化亜鉛との化合物からなる酸化物導電膜を
３００ｎｍの厚さに形成する。このとき、陽極８０６は隔壁８０３に沿って分離され、紙
面奥に向かって帯状に形成され、ストライプ状に並んで形成される。さらにその上にパッ
シベーション膜８０７として樹脂膜をインクジェット法もしくは印刷法により形成する。
これに炭素膜、具体的にはＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）膜を積層することも有
効である。
【００７１】
以上のようにして、図８（Ｂ）に示す構造を形成したら、ＥＬ素子が外気に触れないよ
うに、ＥＬ素子を樹脂で封入することにより封止膜８０８を形成する。
さらに、封止膜８０８上に封止基板８０９を設ける。
【００７２】
つぎに、封止基板８０９上に透明な膜を形成させる。透明な膜を形成する材料としては
、ポリカーボネート、アクリル樹脂、ポリイミド、ポリアミド、ＢＣＢ（ベンゾシクロブ
テン）といった有機樹脂や酸化インジウム、酸化スズもしくは酸化亜鉛からなる膜または
これらを組み合わせた化合物膜を用いる。また、光散乱体のθ３及びθ４の角度を６０度
以上になるように形成するために透明な膜の膜厚（Ｈ）は、光散乱体のピッチ（Ｗ１）に
対してＨ≧Ｗ１なる関係にするのが好ましい。この透明な膜を、エッチングすることによ
り図８（Ｃ）に示す光散乱体８１０を形成する。
【００７３】
以上のように、光が出射する面に微細な構造の光散乱体８１０を形成することにより、
ＥＬ素子から発生した光をより効率的に取り出すことが可能となる。
【００７４】
また、本実施例で示したような有機樹脂膜で形成される封止膜を必ずしも設ける必要は
なく、ＥＬ素子を密閉空間に封入するようにしても良い。なお、光は、屈折率の高い媒質
から屈折率の低い媒質に出射するときに取り出しにくくなるので、この場合には、パッシ
ベーション膜８０７と密閉空間の界面、すなわちパッシベーション膜８０７上に光散乱体
を設け、密閉空間上に封止基板８０９を設ける。
【００７５】
こうして得た自発光装置は、通常の封止構造に比べて最終的に光が出射する面に光散乱
体を設けているので、従来の自発光装置に比べて光の取り出し効率を高めることができる
。これにより、ＥＬ素子を駆動させるための電圧を通常よりも低くすることができるため
、ＥＬ素子の高寿命化を図ることができる。
【００７６】
なお、本実施例の構成は、実施例１〜実施例４のいずれの構成とも組み合わせて実施す
ることが可能である。
【実施例６】
【００７７】
次に、本発明をフロントライトに用いた例を示す。図９は、フロントライトの構成を示
す図である。図９（Ａ）及び図９（Ｂ）は、フロントライトの断面図であり、図９（Ｃ）
は導光板９０１の裏面斜視図である。
【００７８】
図９（Ａ）に示すように導光板９０１の側面９０１ａには、光源９０２が配置され、光
源９０２の背後には、リフレクタ９０３が設けられている。また、導光板９０１の下面に
接して光散乱体９０４が設けられている。
【００７９】
導光板９０１は、直方体状の透明材料からなる平板であり、４つの側面のうち短辺が長
辺に比べて非常に短い長方形である。導光板９０１の材料は、可視光に対する透過率（全
光線透過率）が８０％、好ましくは、８５％以上であって、屈折率が、２1/2よりも大き
いほど、導光板９０１の入射角が９０度の光を側面９０１ａで屈折させて、導光板９０１
内部に導くことができるためである。本実施例では、その屈折率が、１．４〜１．７の範
囲である材料を用いる。
【００８０】
このような透明材料としては、石英、ガラスやプラスティックといった材料を用いるこ
とができる。プラスティックとしては、メタクリル樹脂、ポリカーボネート、ポリアリレ
ート、ＡＳ樹脂（アクリロトリル、スチレン重合体）やＭＳ樹脂（メチルメタクリレート
、スチレン重合体）といった材料を単体で、又は混合して用いることができる。
【００８１】
また、光源９０２には、冷陰極管やＬＥＤが用いられ、導光板９０１の側面９０１ａに
沿って配置される。また、側面９０２ｂに沿って２つの光源を対向して設けても良い。
【００８２】
次に、光散乱体９０４は、導光板９０１上に透明な膜を形成した後、エッチングして形
成する。透明な膜を形成する透明材料としては、ポリカーボネート、アクリル樹脂、ポリ
イミド、ポリアミド、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）といった有機樹脂や酸化インジウム
、酸化スズもしくは酸化亜鉛からなる膜またはこれらを組み合わせた化合物膜を用いる。
また、膜の膜厚（Ｈ）は、光散乱体のピッチ（Ｗ１）に対してＨ≧Ｗ１なる関係にするの
が好ましい。
【００８３】
以上のようにして形成したフロントライトを液晶パネル（ＬＣＤ）９０５と使用者の間
に設けることで光の取り出しが高効率となる液晶表示を得ることができる。
【００８４】
本実施例では、光散乱体の側面で光を反射させてから液晶パネルを照射するようにして
いるので、液晶パネルへの入射角を小さくすることができる。この結果液晶パネルの画素
電極を垂直に照明する光の成分が大きくなるので、光を効率よく利用することができる。
【００８５】
なお、光散乱体９０４をｘ−ｘ'の方向で切断した際に得られる台形状の断面図を図９
（Ｃ）に示したが、台形状の光散乱体９０４における鋭角をθ5、θ6としたとき、これら
の角度は、大きい方が望ましい。θ5、θ6を大きくすると、出射する光をフロントライト
から液晶パネル方向に集めやすくすることができる。
なお、θ5、θ6は、同じ角度にする必要はなく、異なっていても良い。
【００８６】
また、本実施例においては、導光板９０１上に新たに透明な膜を形成した後、これをエ
ッチングして光散乱体９０４を形成したが、導光板９０１表面（液晶パネル側）を直接エ
ッチングして図１１（Ａ）に示すような構造を有する導光板１１０１を形成しても良い。
【実施例７】
【００８７】
次に、本発明をバックライトに用いた例を示す。図１０は、バックライトの構成を示す
図である。図１０（Ａ）は、バックライトの断面図であり、図１０（Ｂ）はバックライト
の斜視図である。
【００８８】
図１０（Ａ）に示すように導光板１００１の側面１００１ａには、光源１００２が配置
され、光源１００２の背後には、リフレクタ１００３が設けられている。また、導光板１
００１の上面に接して光散乱体１００４が設けられている。
【００８９】
よって、光源１００２で出射した光は、導光板１００１から光散乱体１００４を通過し
た後、液晶パネル（ＬＣＤ）１００５を照射する。
【００９０】
また、光源１００２は、フロントライトの場合と同じように冷陰極管やＬＥＤが用いら
れ、導光板１００１の側面１００１ａに沿って配置される。また、側面１００２ｂに沿っ
て２つの光源を対向して設けても良い。
【００９１】
また、本実施例においては、導光板１００１上に新たに透明な膜を形成させた後、これ
をエッチングして光散乱体１００４を形成したが、導光板１００１自体を直接エッチング
して図１１（Ｂ）に示すような構造を有する導光板１１０２を形成しても良い。
【実施例８】
【００９２】
本実施例では、本発明の自発光装置をデジタル駆動により実施する場合、どの様な電圧
電流特性を有する領域で電流制御用ＴＦＴを駆動させるかについて説明する。
【００９３】
ＥＬ素子は、印加される電圧が少しでも変化すると、それに対してＥＬ素子を流れる電
流が指数関数的に大きく変化する。別の見方をすると、ＥＬ素子を流れる電流の大きさが
変化しても、ＥＬ素子に印加される電圧値はあまり変化しない。そして、ＥＬ素子の輝度
は、ＥＬ素子に流れる電流にほぼ正比例して大きくなる。よって、ＥＬ素子に印加される
電圧の大きさ（電圧値）を制御することによりＥＬ素子の輝度を制御するよりも、ＥＬ素
子を流れる電流の大きさ（電流値）
を制御することによりＥＬ素子の輝度を制御する方が、ＴＦＴの特性に左右されずらく、
ＥＬ素子の輝度の制御が容易である。
【００９４】
図１２を参照する。図１２（Ａ）は、図１（Ａ）に示した本発明のＥＬディスプレイの
画素において、電流制御用ＴＦＴ１０８およびＥＬ素子１１０の構成部分のみを図示した
ものである。図１２（Ｂ）には、図１２（Ａ）で示した電流制御用ＴＦＴ１０８およびＥ
Ｌ素子１１０の電圧電流特性を示す。なお図１２で示す電流制御用ＴＦＴ１０８の電圧電
流特性のグラフは、ソース領域とドレイン領域の間の電圧であるＶDSに対する、電流制御
用ＴＦＴ１０８のドレインに流れる電流の大きさを示しており、図１２には電流制御用Ｔ
ＦＴ１０８のソース領域とゲート電極の間の電圧であるＶGSの値の異なる複数のグラフを
示している。
【００９５】
図１２（Ａ）に示したように、ＥＬ素子１１０の画素電極と対向電極１１１の間にかか
る電圧をＶEL、電源供給線に接続される端子２６０１とＥＬ素子１１０の対向電極１１１
の間にかかる電圧をＶTとする。なおＶTは電源供給線の電位によってその値が固定される
。また電流制御用ＴＦＴ１０８のソース領域・ドレイン領域間の電圧をＶDS、電流制御用
ＴＦＴ１０８のゲート電極に接続される配線２６０２とソース領域との間の電圧、つまり
電流制御用ＴＦＴ１０８のゲート電極とソース領域の間の電圧をＶGSとする。
【００９６】
電流制御用ＴＦＴ１０８はｎチャネル型ＴＦＴでもｐチャネル型ＴＦＴでもどちらでも
良い。
【００９７】
また、電流制御用ＴＦＴ１０８とＥＬ素子１１０とは直列に接続されている。
よって、両素子（電流制御用ＴＦＴ１０８とＥＬ素子１１０）を流れる電流値は同じであ
る。従って、図１２（Ａ）に示した電流制御用ＴＦＴ１０８とＥＬ素子１１０とは、両素
子の電圧電流特性を示すグラフの交点（動作点）において駆動する。図１２（Ｂ）におい
て、ＶELは、対向電極１１１の電位と動作点での電位との間の電圧になる。ＶDSは、電流
制御用ＴＦＴ１０８の端子２６０１での電位と動作点での電位との間の電圧になる。つま
り、ＶTは、ＶELとＶDSの和に等しい。
【００９８】
ここで、ＶGSを変化させた場合について考える。図１２（Ｂ）から分かるように、電流
制御用ＴＦＴ１０８の｜ＶGS−ＶTH｜が大きくなるにつれて、言い換えると｜ＶGS｜が大
きくなるにつれて、電流制御用ＴＦＴ１０８に流れる電流値が大きくなる。なお、ＶTHは
電流制御用ＴＦＴ１０８のしきい値電圧である。よって図１２（Ｂ）から分かるように、
｜ＶGS｜が大きくなると、動作点においてＥＬ素子１１０を流れる電流値も当然大きくな
る。ＥＬ素子１１０の輝度は、ＥＬ素子１１０を流れる電流値に比例して高くなる。
【００９９】
｜ＶGS｜が大きくなることによってＥＬ素子１１０を流れる電流値が大きくなると、電
流値に応じてＶELの値も大きくなる。そしてＶTの大きさは電源供給線の電位によって定
まっているので、ＶELが大きくなると、その分ＶDSが小さくなる。
【０１００】
また図１２（Ｂ）に示したように、電流制御用ＴＦＴの電圧電流特性は、ＶGSとＶDSの
値によって２つの領域に分けられる。｜ＶGS−ＶTH｜＜｜ＶDS｜である領域が飽和領域、
｜ＶGS−ＶTH｜＞｜ＶDS｜である領域が線形領域である。
【０１０１】
飽和領域においては以下の式４が成り立つ。なおＩDSは電流制御用ＴＦＴ１０８のチャ
ネル形成領域を流れる電流値である。またβ＝μＣ0Ｗ／Ｌであり、μは電流制御用ＴＦ
Ｔ１０８の移動度、Ｃ0は単位面積あたりのゲート容量、Ｗ／Ｌはチャネル形成領域のチ
ャネル幅Ｗとチャネル長Ｌの比である。
【０１０２】
（式４）
ＩDS＝β（ＶGS−ＶTH）2／２
【０１０３】
また線形領域においては以下の式５が成り立つ。
【０１０４】
（式５）
ＩDS＝β｛（ＶGS−ＶTH）ＶDS−ＶDS2／２｝
【０１０５】
式４からわかるように、飽和領域において電流値はＶDSによってほとんど変化せず、Ｖ
GSのみによって電流値が定まる。
【０１０６】
一方、式５からわかるように、線形領域は、ＶDSとＶGSとにより電流値が定まる。｜Ｖ
GS｜を大きくしていくと、電流制御用ＴＦＴ１０８は線形領域で動作するようになる。そ
して、ＶELも徐々に大きくなっていく。よって、ＶELが大きくなった分だけ、ＶDSが小さ
くなっていく。線形領域では、ＶDSが小さくなると電流量も小さくなる。そのため、|ＶG
S|を大きくしていっても、電流値は増加しにくくなってくる。｜ＶGS｜＝∞になった時、
電流値＝ＩMAXとなる。つまり、｜ＶGS｜をいくら大きくしても、ＩMAX以上の電流は流れ
ない。ここで、ＩMAXは、ＶEL＝ＶTの時に、ＥＬ素子１１０を流れる電流値である。
【０１０７】
このように｜ＶGS｜の大きさを制御することによって、動作点を飽和領域にしたり、線
形領域にしたりすることができる。
【０１０８】
ところで、全ての電流制御用ＴＦＴの特性は理想的には全て同じであることが望ましい
が、実際には個々の電流制御用ＴＦＴでしきい値ＶTHと移動度μとが異なっていることが
多い。そして個々の電流制御用ＴＦＴのしきい値ＶTHと移動度μとが互いに異なると、式
４及び式５からわかるように、ＶGSの値が同じでも電流制御用ＴＦＴ１０８のチャネル形
成領域を流れる電流値が異なってしまう。
【０１０９】
図１３にしきい値ＶTHと移動度μとがずれた電流制御用ＴＦＴの電流電圧特性を示す。
実線２７０１が理想の電流電圧特性のグラフであり、２７０２、２７０３がそれぞれしき
い値ＶTHと移動度μとが理想とする値と異なってしまった場合の電流制御用ＴＦＴの電流
電圧特性である。電流電圧特性のグラフ２７０２、２７０３は飽和領域においては同じ電
流値ΔＩ1だけ、理想の特性を有する電流電圧特性のグラフ２７０１からずれていて、電
流電圧特性のグラフ２７０２の動作点２７０５は飽和領域にあり、電流電圧特性のグラフ
２７０３の動作点２７０６は線形領域にあったとする。その場合、理想の特性を有する電
流電圧特性のグラフ２７０１の動作点２７０４における電流値と、動作点２７０５及び動
作点２７０６における電流値のずれをそれぞれΔＩ2、ΔＩ3とすると、飽和領域における
動作点２７０５よりも線形領域における動作点２７０６の方が小さい。
【０１１０】
よって本願発明で示したデジタル方式の駆動方法を用いる場合、動作点が線形領域に存
在するように電流制御用ＴＦＴとＥＬ素子を駆動させることで、電流制御用ＴＦＴの特性
のずれによるＥＬ素子の輝度むらを抑えた階調表示を行うことができる。
【０１１１】
また従来のアナログ駆動の場合は、｜ＶGS｜のみによって電流値を制御することが可能
な飽和領域に動作点が存在するように電流制御用ＴＦＴとＥＬ素子を駆動させる方が好ま
しい。
【０１１２】
以上の動作分析のまとめとして、電流制御用ＴＦＴのゲート電圧｜ＶGS｜に対する電流
値のグラフを図１４に示す。｜ＶGS｜を大きくしていき、電流制御用ＴＦＴのしきい値電
圧の絶対値｜Ｖth｜よりも大きくなると、電流制御用ＴＦＴが導通状態となり、電流が流
れ始める。本明細書ではこの時の｜ＶGS｜を点灯開始電圧と呼ぶことにする。そして、さ
らに｜ＶGS｜を大きくしていくと、｜ＶGS｜が｜ＶGS−Ｖth｜＝｜ＶDS｜を満たすような
値（ここでは仮にＡとする）となり、飽和領域から線形領域になる。さらに｜ＶGS｜を大
きくしていくと、電流値が大きくなり、遂には、電流値が飽和してくる。その時｜ＶGS｜
＝∞となる。
【０１１３】
図１４から分かる通り、｜ＶGS｜≦｜Ｖth｜の領域では、電流がほとんど流れない。｜
Ｖth｜≦｜ＶGS｜≦Ａの領域は飽和領域であり、｜ＶGS｜によって電流値が変化する。そ
して、Ａ≦｜ＶGS｜の領域は線形領域であり、ＥＬ素子に流れる電流値は｜ＶGS｜及び｜
ＶDS｜よって電流値が変化する。
【０１１４】
本発明の自発光装置をデジタル駆動により実施する場合には、｜ＶGS｜≦｜Ｖth｜の領
域及びＡ≦｜ＶGS｜の線形領域を用いることが好ましい。なお本実施例は、実施例１〜実
施例３に示す自発光装置において自由に組み合わせることが可能である。
【実施例９】
【０１１５】
本発明の自発光装置において、三重項励起子からの燐光を発光に利用できるＥＬ材料を
用いることで、外部発光量子効率を飛躍的に向上させることができる。
これにより、ＥＬ素子の低消費電力化、長寿命化、および軽量化が可能になる。
ここで、三重項励起子を利用し、外部発光量子効率を向上させた報告を示す。
(T.Tsutsui, C.Adachi, S.Saito, Photochemical Processes in Organized Molecular Sy
stems, ed.K.Honda, (Elsevier Sci.Pub., Tokyo,1991) p.437.)  上記の論文により報告
されたＥＬ材料（クマリン色素）の分子式を以下に示す。
【０１１６】
【化１】
0005957502.tif 000004
【０１１７】
(M.A.Baldo, D.F.O'Brien, Y.You, A.Shoustikov, S.Sibley, M.E.Thompson, S.R.Forres
t, Nature 395 (1998) p.151.)  上記の論文により報告されたＥＬ材料（Ｐｔ錯体）の分
子式を以下に示す。
【０１１８】
【化２】
0005957502.tif 000005
【０１１９】
(M.A.Baldo, S.Lamansky, P.E.Burrrows, M.E.Thompson, S.R.Forrest, Appl.Phys.Lett.
,75 (1999) p.4.)(T.Tsutsui, M.-J.Yang, M.Yahiro, K.Nakamura, T.Watanabe, T.tsuji
, Y.Fukuda, T.Wakimoto, S.Mayaguchi, Jpn.Appl.Phys., 38 (12B) (1999) L1502.)  上
記の論文により報告されたＥＬ材料（Ｉｒ錯体）の分子式を以下に示す。
【０１２０】
【化３】
0005957502.tif 000006
【０１２１】
以上のように三重項励起子からの燐光発光を利用できれば原理的には一重項励起子から
の蛍光発光を用いる場合より３〜４倍の高い外部発光量子効率の実現が可能となる。なお
、本実施例の構成は、実施例１〜実施例５に示す自発光装置において自由に組み合わせて
実施することが可能である。
【実施例１０】
【０１２２】
本発明を実施して形成された自発光装置は、自発光型であるため液晶表示装置に比べて
明るい場所での視認性に優れ、しかも視野角が広い。従って、様々な電気器具の表示部と
して用いることができる。例えば、ＴＶ放送等を大画面で鑑賞するには対角３０インチ以
上（典型的には４０インチ以上）のＥＬディスプレイ（自発光装置を筐体に組み込んだデ
ィスプレイ）の表示部として本発明の自発光装置を用いるとよい。
【０１２３】
なお、ＥＬディスプレイには、パソコン用ディスプレイ、ＴＶ放送受信用ディスプレイ
、広告表示用ディスプレイ等の全ての情報表示用ディスプレイが含まれる。また、その他
にも様々な電気器具の表示部として本発明の自発光装置を用いることができる。
【０１２４】
その様な本発明の電気器具としては、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディ
スプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カ
ーオーディオ、オーディオコンポ等）、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、
携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、
記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはデジタルビデオディスク（ＤＶＤ）等の記録
媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置）などが挙げられる。特
に、斜め方向から見ることの多い携帯情報端末は視野角の広さが重要視されるため、自発
光装置を用いることが望ましい。
【０１２５】
また、これらの電気器具は、消費電力を低減するために周囲の明るさに対応してその明
るさを制御できる光センサーといったセンサーを搭載しても良い。この時、周囲の明るさ
に対する自発光装置の明るさのコントラストは、１００〜１５０になるようにするのが好
ましい。
以下にこれらの電気器具の具体例を図１５、図１６に示す。
【０１２６】
図１５（Ａ）はＥＬディスプレイであり、筐体２００１、支持台２００２、表示部２０
０３等を含む。本発明は表示部２００３に用いることができる。ＥＬディスプレイは自発
光型であるためバックライトが必要なく、液晶ディスプレイよりも薄い表示部とすること
ができる。
【０１２７】
図１５（Ｂ）はビデオカメラであり、本体２１０１、表示部２１０２、音声入力部２１
０３、操作スイッチ２１０４、バッテリー２１０５、受像部２１０６等を含む。本発明の
自発光装置は表示部２１０２に用いることができる。
【０１２８】
図１５（Ｃ）は頭部取り付け型のＥＬディスプレイの一部（右片側）であり、本体２２
０１、信号ケーブル２２０２、頭部固定バンド２２０３、表示部ａ（２２０４）、光学系
２２０５、表示部ｂ（２２０６）等を含む。本発明は表示部ａ（２２０４）または、表示
部ｂ（２２０６）に用いることができる。
【０１２９】
図１５（Ｄ）は記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）
であり、本体２３０１、記録媒体（ＤＶＤ等）２３０２、操作スイッチ２３０３、表示部
（ａ）２３０４、表示部（ｂ）２３０５等を含む。表示部（ａ）は主として画像情報を表
示し、表示部（ｂ）は主として文字情報を表示するが、本発明の自発光装置はこれら表示
部（ａ）、（ｂ）に用いることができる。なお、記録媒体を備えた画像再生装置には家庭
用ゲーム機器なども含まれる。
【０１３０】
図１５（Ｅ）は携帯型（モバイル）コンピュータであり、本体２４０１、カメラ部２４
０２、受像部２４０３、操作スイッチ２４０４、表示部２４０５等を含む。本発明の自発
光装置は表示部２４０５に用いることができる。
【０１３１】
図１５（Ｆ）はパーソナルコンピュータであり、本体２５０１、筐体２５０２、表示部
２５０３、キーボード２５０４等を含む。本発明の自発光装置は表示部２５０３に用いる
ことができる。
【０１３２】
なお、将来的に有機ＥＬ材料の発光輝度が高くなれば、出力した画像情報を含む光をレ
ンズ等で拡大投影してフロント型若しくはリア型のプロジェクターに用いることも可能と
なる。
【０１３３】
また、上記電気器具はインターネットやＣＡＴＶ（ケーブルテレビ）などの電子通信回
線を通じて配信された情報を表示することが多くなり、特に動画情報を表示する機会が増
してきている。有機ＥＬ材料の応答速度は非常に高いため、自発光装置は動画表示に好ま
しいが、画素間の輪郭がぼやけてしまっては動画全体もぼけてしまう。従って、画素間の
輪郭を明瞭にするという本発明の自発光装置を電気器具の表示部として用いることは極め
て有効である。
【０１３４】
また、自発光装置は発光している部分が電力を消費するため、発光部分が極力少なくな
るように情報を表示することが望ましい。従って、携帯情報端末、特に携帯電話や音響再
生装置のような文字情報を主とする表示部に自発光装置を用いる場合には、非発光部分を
背景として文字情報を発光部分で形成するように駆動することが望ましい。
【０１３５】
ここで図１６（Ａ）は携帯電話であり、本体２６０１、音声出力部２６０２、音声入力
部２６０３、表示部２６０４、操作スイッチ２６０５、アンテナ２６０６を含む。本発明
の自発光装置は表示部２６０４に用いることができる。なお、表示部２６０４は黒色の背
景に白色の文字を表示することで携帯電話の消費電力を抑えることができる。
【０１３６】
また、図１６（Ｂ）は音響再生装置、具体的には車載用オーディオであり、本体２７０
１、表示部２７０２、操作スイッチ２７０３、２７０４を含む。本発明の自発光装置は表
示部２７０２に用いることができる。また、本実施例では車載用オーディオを示すが、携
帯型や家庭用の音響再生装置に用いても良い。なお、表示部２７０４は黒色の背景に白色
の文字を表示することで消費電力を抑えられる。これは携帯型の音響再生装置において特
に有効である。
【０１３７】
以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電気器具に用いることが
可能である。また、本実施例の電気器具は実施例１〜８に示したいずれの構成の自発光装
置を用いても良い。
【図１】
0005957502.tif 000007
【図２】
0005957502.tif 000008
【図３】
0005957502.tif 000009
【図４】
0005957502.tif 000010
【図５】
0005957502.tif 000011
【図６】
0005957502.tif 000012
【図７】
0005957502.tif 000013
【図８】
0005957502.tif 000014
【図９】
0005957502.tif 000015
【図１０】
0005957502.tif 000016
【図１１】
0005957502.tif 000017
【図１２】
0005957502.tif 000018
【図１３】
0005957502.tif 000019
【図１４】
0005957502.tif 000020
【図１５】
0005957502.tif 000021
【図１６】
0005957502.tif 000022