(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（１）で表される化合物
Ｒ１−Ｃ６Ｈ４Ｏ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＣＨ２−Ｒ２−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２−ＯＣ６Ｈ４−Ｒ１（１）
式中Ｒ１は、炭素数１〜４のアルコキシ基、アミノ基、又はアミド基である。Ｒ２は、−ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｚＣＦ２ＣＦ２−、または−ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−、である。ｚは１〜１０の実数である。ｎは２〜４の実数である。
【請求項２】
Ｒ２が、−ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｚＣＦ２ＣＦ２−、ｚは１〜１０の実数である請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
Ｒ２が、−ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−、ｎは２〜４の実数である請求項１に記載の化合物。
【請求項４】
式（１）の化合物を含有する潤滑剤
Ｒ１−Ｃ６Ｈ４Ｏ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＣＨ２−Ｒ２−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２−ＯＣ６Ｈ４−Ｒ１（１）
式中Ｒ１は、炭素数１〜４のアルコキシ基、アミノ基、又はアミド基である。Ｒ２は、−ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｚＣＦ２ＣＦ２−、または−ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−、である。ｚは１〜１０の実数である。ｎは２〜４の実数である。
【請求項５】
支持体上に少なくとも記録層、保護層を形成し、その表面に潤滑層を有する磁気ディスクにおいて、該潤滑層が下記式（１）で表される化合物を含有する磁気ディスク
Ｒ１−Ｃ６Ｈ４Ｏ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＣＨ２−Ｒ２−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２−ＯＣ６Ｈ４−Ｒ１（１）
式中Ｒ１は、炭素数１〜４のアルコキシ基、アミノ基、又はアミド基である。Ｒ２は、−ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｚＣＦ２ＣＦ２−、または−ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−、である。ｚは１〜１０の実数である。ｎは２〜４の実数である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、芳香族基を有するフルオロポリエーテル化合物、これを含有する潤滑剤、ならびにこれを用いた磁気ディスクに関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスクの記録密度の増大に伴い、記録媒体である磁気ディスクと情報の記録・再生を行う磁気ヘッドとの距離は殆ど接触するまで狭くなっている。磁気ディスク表面には磁気ヘッドとの接触・摺動の際の摩耗抑制や、ディスク表面の汚染防止等の目的で、炭素保護膜や潤滑剤被膜が設けられている。
炭素保護膜は、一般にスパッタ法やＣＶＤ法で製膜される。ディスクの表面保護は、炭素保護膜と、この上層に位置する潤滑剤被膜の両者で担うことになる。
潤滑剤としては一般に官能基を有するフルオロポリエーテルが用いられている。官能基としては、水酸基、シクロホスファゼン基やアミノ基などがある（特許文献１、２）。
現在開発が進められている熱アシストハードディスクドライブでは、レーザーにより局所加熱が行われる技術が用いられている。このような状況で潤滑剤が使用されると、水酸基、シクロホスファゼン基やアミノ基などの官能基部分はレーザーの熱により容易に分解を起こす。また、フルオロポリエーテルも熱がかかることにより分解を起こす。これらの分解によって、ディスク上の潤滑剤が磁気ヘッドへの移着（ピックアップ）を起こし、動作不良を引き起こすことが問題となっている。
一方、磁気ディスクの耐久性、特にＬＵＬ耐久性及びアルミナ耐性に優れた潤滑剤として、パーフルオロポリエーテル主鎖を有し、且つ分子の末端に芳香族基を有する化合物を含有する化合物が知られている（特許文献３）。しかし、特許文献３の潤滑剤化合物として具体的に開示された化合物は−（ＣＦ２Ｏ）ｎ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍ−骨格（フォンブリン骨格）を主鎖として有するフルオロポリエーテルのみであり、このような化合物は後にも述べるように、なお一層の耐熱性が求められている（特許文献３）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許  第４１３７４４７号
【特許文献２】特許  第４５７０６２２号
【特許文献３】特開２００９−２６６３６０
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の課題は、高熱下においても潤滑剤が熱分解を起こさず、磁気ヘッドへ移着することのない、耐熱性の高い潤滑剤ならびに磁気ディスクを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は以下の発明に係る。
１．式（１）で表される化合物
Ｒ１−Ｃ６Ｈ４Ｏ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＣＨ２−Ｒ２−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２−ＯＣ６Ｈ４−Ｒ１（１）
式中Ｒ１は、炭素数１〜４のアルコキシ基、アミノ基、又はアミド基である。Ｒ２は−ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｚＣＦ２ＣＦ２−、または−ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−、である。ｚは１〜１５の実数である。ｎは０〜４の実数である。
２．式（１）の化合物を含有する潤滑剤。
３．支持体上に少なくとも記録層、保護層を形成し、その表面に潤滑層を有する磁気ディスクにおいて、該潤滑層が式（１）で表される化合物を含有する磁気ディスク。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の芳香族基を有するフルオロポリエーテル化合物は、従来一般的に用いられてきた−（ＣＦ２Ｏ）ｎ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍ−骨格（フォンブリン骨格）を有する化合物よりも、熱に対し非常に安定であるので、高熱環境下での長期間の使用によっても変性しにくい潤滑膜の提供が可能である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
潤滑剤の合成方法
式（１）で表される本発明の潤滑剤は、例えば両末端に水酸基を有する直鎖フルオロポリエーテル（ａ）とエポキシ基を有するフェノキシ化合物を反応させることにより得られる。具体的には以下の方法により合成される。
両末端に水酸基を有するフルオロポリエーテル（ａ）としては、例えば、ＨＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｚＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＨで示される化合物、またはＨＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＨで示される化合物を例示できる。このフルオロポリエーテルの数平均分子量は５００〜２０００、好ましくは８００〜１５００である。ここで数平均分子量は日本電子製ＪＮＭ−ＥＣＸ４００による１９Ｆ−ＮＭＲによって測定された値である。ＮＭＲの測定において、試料を溶媒へは希釈せず、試料そのものを測定に使用した。ケミカルシフトの基準は、フルオロポリエーテルの骨格構造の一部である既知のピークをもって代用した。ｚは、１〜１５の実数であり、好ましくは１〜１０の実数である。ｚが１〜１０の実数の場合、分子鎖がより平坦でありであり好ましい。ｎは０〜４、好ましくは１〜４、更に、好ましくは２〜４の実数である。
上記フルオロポリエーテル（ａ）は、分子量分布を有する化合物であり、重量平均分子量／数平均分子量で示される分子量分布（ＰＤ）として、１．０〜１．５であり、好ましくは１．０〜１．３であり、より好ましくは１．０〜１．１である。なお、当該分子量分布は、東ソー製ＨＰＬＣ−８２２０ＧＰＣを用いて、ポリマーラボラトリー製のカラム（ＰＬｇｅｌ  Ｍｉｘｅｄ  Ｅ）、溶離液はＨＣＦＣ系代替フロン、基準物質としては、無官能のパーフルオロポリエーテルを使用して得られる特性値である。
（２）本発明の潤滑剤の合成
両末端に水酸基を有する直鎖フルオロポリエーテル（ａ）と、エポキシ基を有するフェノキシ化合物（Ａ）を触媒の存在下、反応させる。反応温度は２０〜９０℃、好ましくは６０〜８０℃である。反応時間は、５〜２０時間、好ましくは１０〜１５時間である。上記化合物（ａ）に対して、化合物（Ａ）を１．０〜２．０当量、触媒を０．０５〜０．１当量使用するのが好ましい。触媒としてｔ−ブトキシナトリウム、ｔ−ブトキシカリウムなどのアルカリ化合物を用いることができる。反応は溶剤中で行ってもよい。溶剤としてｔ−ブタノール、トルエン、キシレンなどを用いることができる。その後、例えば水洗、脱水する。これにより本発明の化合物（１）が得られる。
エポキシ基を有するフェノキシ化合物（Ａ）は下記の式で例示される。Ｒ１は炭素数１〜４のアルコキシ基、アミノ基、又はアミド基が挙げられる。
0006040455.tif 000002
炭素数１〜４のアルコキシ基としては、例えばメトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシを挙げることができる。アミノ基としては、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、エチルアミノ、ジエチルアミノを挙げることができる。アミド基としては、例えばアセトアミド、プロピオンアミドを挙げることができる。
化合物（Ａ）として具体的には例えば、グリシジル４−メトキシフェニルエーテル、グリシジル４−エトキシフェニルエーテル、グリシジル４−プロポキシフェニルエーテル、グリシジル４−ブトキシフェニルエーテル、グリシジル４−アミノフェニルエーテル、グリシジル４−メチルアミノフェニルエーテル、グリシジル４−ジメチルアミノフェニルエーテル、グリシジル４−エチルアミノフェニルエーテル、グリシジル４−ジエチルアミノフェニルエーテル、グリシジル４−アセトアミドフェニルエーテル、グリシジル４−プロピオンアミドフェニルエーテルなどを例示できる。
本発明の化合物を磁気ディスク表面に塗布するには、化合物を溶剤に希釈して塗布する方法が好ましい。溶剤としては、例えば３Ｍ製ＰＦ−５０６０、ＰＦ−５０８０、ＨＦＥ−７１００，ＨＦＥ−７２００、ＤｕＰｏｎｔ製Ｖｅｒｔｒｅｌ−ＸＦ等が挙げられる。希釈後の化合物の濃度は１ｗｔ％以下、好ましくは０．００１〜０．１ｗｔ％である。
本発明の化合物を単独使用する以外にも、例えば、Ｓｏｌｖａｙ  Ｓｏｌｅｘｉｓ製のＦｏｍｂｌｉｎ  ＺｄｏｌやＺｔｅｔｒａｏｌ、Ｚｄｏｌ  ＴＸ、ＡＭ、ダイキン工業製のＤｅｍｎｕｍ、Ｄｕｐｏｎｔ製のＫｒｙｔｏｘなどと任意の比率で混合して使用することもできる。
本発明の化合物は、磁気ディスク装置内の磁気ディスクとヘッドの低スペーシング化を実現し、さらに摺動耐久性を向上させるための潤滑剤としての用途が挙げられる。また、本発明の化合物は、水酸基による炭素保護膜に存在する極性部位との相互作用、芳香族基による炭素保護膜に存在する炭素の不飽和結合との相互作用を形成することを特徴とする。従って、磁気ディスク以外にも炭素保護膜を有する磁気ヘッドや、光磁気記録装置、磁気テープ等や、プラスチックなどの有機材料の表面保護膜、さらにはガラス、金属などの無機材料の表面保護膜としても応用できる。
図１に本発明の磁気ディスク断面の模式図を示す。本発明の磁気ディスクは、まず支持体１上に少なくとも１層以上の記録層２、その上に保護層３、更にその上に本発明の化合物を含有する潤滑層４を最外層として有する構成である。支持体としてはアルミニウム合金、ガラス等のセラミックス、ポリカーボネート等が挙げられる。
磁気ディスクの記録層である磁性層の構成材料としては鉄、コバルト、ニッケル等の強磁性体を形成可能な元素を中心として、これにクロム、白金、タンタル等を加えた合金、又はそれらの酸化物が挙げられる。これらはメッキ法、或いはスパッタ法等で形成される。保護層の材料はカーボン、ＳｉＣ、ＳｉＯ２等が挙げられる。これらはスパッタ法、或いはＣＶＤ法で形成される。
現在、流通している潤滑層の厚さは２０Å以下であるため、粘性が２０℃で１００ｍＰａ・ｓ程度以上の潤滑剤をそのまま塗布したのでは膜厚が大きくなりすぎる恐れがある。そこで塗布の際は溶剤に溶解したものを用いる。本発明の化合物を潤滑剤として単独で使用する場合も、他の潤滑剤と混合して使用する場合も、溶剤に溶解した方が必要な膜厚に制御しやすい。但し、濃度は塗布方法・条件、混合割合等により異なる。本発明の潤滑剤の膜厚は、５〜１５Åが好ましい。
下地層に対する潤滑剤の吸着を促進させるために、熱処理や紫外線処理を行うことができる。熱処理温度は、６０〜１６０℃、好ましくは８０〜１６０℃である。紫外線処理では、１８５ｎｍと２５４ｎｍの波長を主波長とする紫外線を用いるのが好ましい。
本発明の磁気ディスクは、ディスクを格納し、情報の記録・再生・消去を行うためのヘッドやディスクを回転するためのモーター等が装備されている磁気ディスクドライブとそのドライブを制御するための制御系からなる磁気ディスク装置に応用できる。
本発明の磁気ディスク、およびそれを応用した磁気ディスク装置の用途としては電子計算機、ワードプロセッサー等の外部メモリーが挙げられる。またナビゲーションシステム、ゲーム、携帯電話、ＰＨＳ等の各種機器、及びビルの防犯、発電所等の管理・制御システムの内部・外部記録装置等にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
図１は本発明の磁気ディスクの構成を示す断面模式図である。
【実施例】
【０００９】
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例等に限定されるものではない。
実施例１
ＣＨ３Ｏ−Ｃ６Ｈ４Ｏ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＣＨ２−ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｚＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２−ＯＣ６Ｈ４−Ｏ−ＣＨ３    （化合物１）の合成
アルゴン雰囲気下、ｔ−ブチルアルコール（４５ｇ）、ＨＯ−ＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｚＣＦ２ＣＦ２−ＣＨ２−ＯＨで表わされるフルオロポリエーテル（数平均分子量１８０５、分子量分布１．２７）９６ｇ、カリウムｔ−ブトキシド（０．５ｇ）、４−メトキシグリシジルフェニルエーテル（１５ｇ）を７０℃で１４時間撹拌した。その後、水洗、脱水した後、蒸留により精製し、化合物１を９０ｇ得た。
化合物１は、無色透明液体であり、２０℃での密度は、１．７５ｇ／ｃｍ３であった。ＮＭＲを用いて行った化合物１の同定結果を示す。
１９Ｆ−ＮＭＲ（溶媒；なし、基準物質：生成物中のＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏを−１２９．７ｐｐｍとする。）
δ＝−１２９．７ｐｐｍ
〔２０Ｆ、−ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ−〕、
δ＝−８３．７
〔４０Ｆ、−ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ−〕、
δ＝−１２４．２ｐｐｍ
〔４Ｆ、−ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−ＯＣＨ３〕、
δ＝−８６．５ｐｐｍ
〔４Ｆ、−ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−ＯＣＨ３〕
ｚ＝６．３
１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：なし、基準物質：Ｄ２Ｏ）
δ＝３．２〜３．８ｐｐｍ
〔２２Ｈ，Ｈ３ＣＯ−Ｃ６Ｈ４Ｏ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−ＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｚＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２−ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２−ＯＣ６Ｈ４−ＯＣＨ３〕
δ＝６．１ｐｐｍ、６．７ｐｐｍ
〔８Ｈ、−ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２−Ｃ６Ｈ４−ＯＣＨ３〕
実施例２
ＣＨ３Ｏ−Ｃ６Ｈ４Ｏ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＣＨ２−ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−ＣＨ２Ｏ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２−ＯＣ６Ｈ４−Ｏ−ＣＨ３    （化合物２）の合成
実施例１において用いたＨＯ−ＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｚＣＦ２ＣＦ２−ＣＨ２−ＯＨで表わされるフルオロポリエーテルの代わりに、ＨＯ−ＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−ＣＨ２−ＯＨで表わされるフルオロポリエーテルを用い以外は実施例１と同様にして、化合物２を６１ｇ得た。
化合物２は、無色透明液体であり、２０℃での密度は、１．７０ｇ／ｃｍ３であった。ＮＭＲを用いて行った化合物２の同定結果を示す。
１９Ｆ−ＮＭＲ（溶媒；なし、基準物質：生成物中のＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏを−１２５．８ｐｐｍとする。）
δ＝−８３．７ｐｐｍ
〔１６Ｆ，−ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−ＯＣＨ３〕，
δ＝−１２３．３ｐｐｍ
〔４Ｆ，−ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２−Ｏ−Ｃ６Ｈ４−ＯＣＨ３〕，
δ＝−１２５．８ｐｐｍ
〔１２Ｆ，−ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ−〕，
δ＝−１２７．６ｐｐｍ
〔４Ｆ，−ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２−Ｃ６Ｈ４−ＯＣＨ３〕
ｎ＝３．０
１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：なし、基準物質：Ｄ２Ｏ）
δ＝３．２〜３．８ｐｐｍ
〔２２Ｈ，ＣＨ３Ｏ−Ｃ６Ｈ４Ｏ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ−ＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｚＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２−Ｏ−ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２−ＯＣ６Ｈ４−ＯＣＨ３〕
δ＝６．１ｐｐｍ、６．７ｐｐｍ
〔８Ｈ，−ＯＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２−Ｃ６Ｈ４−ＯＣＨ３〕
実施例３
耐熱性の評価
熱分析装置（ＴＧ／ＴＤＡ）を用いて、窒素雰囲気下で２℃／分で加熱し、潤滑剤が１０％減少した温度で評価した。
実施例４
ボンド率の測定
実施例１で合成した潤滑剤１を、それぞれＤｕＰｏｎｔ製Ｖｅｒｔｒｅｌ−ＸＦに溶解する。直径２．５インチの磁気ディスクをこの溶液に１分間浸漬し、速度２ｍｍ／ｓで引き上げた。その後潤滑剤を塗布したディスクを、波長１８５ｎｍと２５４ｎｍの紫外光を発光する低圧水銀ランプを取り付けた紫外線照射装置の内部に１０−２０秒間挿入した。この際、オゾンの形成を防ぐため、紫外線照射装置の内部は予め窒素で置換した。この後、Ｆｏｕｒｉｅｒ  Ｔｒａｎｓｆｏｒｍ  Ｉｎｆｒａｒｅｄ  Ｓｐｅｃｔｏｒｏｍｅｔｅｒ（ＦＴ−ＩＲ）でディスク上の化合物の平均膜厚を測定する。この膜厚をｆÅとする。次に、このディスクをＶｅｒｔｒｅｌ−ＸＦ中に１０分間浸漬し、速度１０ｍｍ／ｓで引き上げた後、室温下で静置して溶媒を揮発させる。この後、ディスク上に残った化合物の平均膜厚をＦＴ−ＩＲで測定する。この膜厚をｂÅとする。ディスクとの吸着性の強弱を示す指標として、一般に用いられているボンド率を採用した。ボンド率は、下記式で表される。
ボンド率（％）＝１００×ｂ／ｆ
実施例５
酸化アルミニウムに対する耐分解性の評価
化合物１および２に、それぞれ２０重量％のＡｌ２Ｏ３を入れ、強く振とうしたのち超音波でさらに良く混合することにより、耐分解性評価用の試料を調製する。熱分析装置（ＴＧ／ＴＤＡ）を用いて、２５０℃で１００分間加熱した後の潤滑剤の重量減少率（Ｂ）を算出し、さらにＡｌ２Ｏ３を添加せず、潤滑剤そのものを２０ｍｇ使用して同様の熱分析を行うことにより得られる潤滑剤の重量減少率（Ｃ）を算出する。耐分解性の評価は、ＢとＣの差（Ｂ−Ｃ）で評価した。
比較のために、両末端に水酸基を有する潤滑剤３及びパーフルオロポリエーテルの両末端に芳香族基を有し、かつフォンブリン骨格を有する潤滑剤４を使用した。
（潤滑剤３）
ＨＯ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＣＨ２−ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘ（ＣＦ２Ｏ）ｙＣＦ２−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ
ここでｘは９．８、ｙは９．７である。分子量分布は１．２０である。
（潤滑剤４）
ＣＨ３Ｏ−Ｃ６Ｈ４Ｏ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＣＨ２−ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｖ（ＣＦ２Ｏ）ｗＣＦ２−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２―ＯＣ６Ｈ４Ｏ−ＣＨ３
ここでｖは１０．１、ｗは１０．９である。分子量分布は１．１８である。
ボンド率、耐熱性及びアルミナに対する耐分解性の測定結果を表１に記す。これらの結果から、本発明の両末端に芳香族基を有するパーフルオロポリエーテル化合物は、従来の末端に水酸基を有するパーフルオロポリエーテル化合物やパーフルオロポリエーテルの両末端に芳香族基を有し、かつフォンブリン骨格を有する化合物よりも、高いボンド率、耐熱性及び耐分解性を示すことが確認された。
【表１】
0006040455.tif 000003
実施例６
磁気ディスクの作製
実施例で得られた化合物１および２をＤｕＰｏｎｔ製Ｖｅｒｔｒｅｌ−ＸＦに溶解する。この溶液の化合物１〜２の濃度は０．０５重量％である。直径２．５インチの磁気ディスクをこの溶液に１分間浸漬し、速度２ｍｍ／ｓで引き上げた。その後１５０℃で１０分間乾燥し、塗布された化合物の膜厚をＦＴ−ＩＲで測定した。
結果を表２に示す。これらの結果から、耐分解性を有し、かつ一分子あたりの膜厚を低減できる本発明の化合物を有する磁気ディスクを作製できることが確認された。
【表２】
0006040455.tif 000004
【産業上の利用可能性】
【００１０】
本発明の芳香族基を有するフルオロポリエーテル化合物は、従来一般的に用いられてきた−（ＣＦ２Ｏ）ｎ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍ−骨格（フォンブリン骨格）を有する化合物よりも、熱に対し非常に安定であるので、高熱環境下での長期間の使用によっても変性しにくい潤滑膜の提供が可能である。
【符号の説明】
【００１１】
１  支持体
２  記録層
３  保護層
４  潤滑層
【図１】
0006040455.tif 000005