(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
粘接着剤層と、
前記粘接着剤層の一方の表面に積層されている基材層と、
前記基材層の前記粘接着剤層側とは反対の表面に積層されているダイシング層とを備え、
ＭＤ方向に幅１０ｍｍ、標線間距離２５ｍｍ及び引張速度５００ｍｍ／分の条件で破断伸びを測定したときに、前記基材層の２３℃での破断伸びが５０％を超え、
ＭＤ方向に幅１０ｍｍ、標線間距離２５ｍｍ及び引張速度５００ｍｍ／分の条件で引張荷重を測定したときに、前記基材層の２３℃での伸び１０％における引張荷重が、４Ｎ以下であり、
ＭＤ方向に幅１０ｍｍ、標線間距離２５ｍｍ及び引張速度５００ｍｍ／分の条件で引張荷重を測定したときに、前記基材層と前記ダイシング層との積層体の２３℃での伸び１０％における引張荷重が、前記ダイシング層の２３℃での伸び１０％における引張荷重の１．５倍以下である、ダイシング−ダイボンディングテープ。
【請求項２】
前記基材層が、非粘着性を有する非粘着層である、請求項１に記載のダイシング−ダイボンディングテープ。
【請求項３】
前記基材層が、ポリオレフィン樹脂により形成されている、請求項１又は２に記載のダイシング−ダイボンディングテープ。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載のダイシング−ダイボンディングテープを用いて、かつ、
保護シート及び該保護シートの一方の表面に積層されており、かつ個々の半導体チップに分割されている分割後半導体ウェーハを有する積層体を用いて、
前記ダイシング−ダイボンディングテープの前記粘接着剤層を、前記積層体の前記分割後半導体ウェーハに貼り付ける工程と、
前記保護シートを前記分割後半導体ウェーハから剥離する工程と、
前記ダイシング層を引き伸ばすことにより前記粘接着剤層と前記基材層とを引き伸ばし、前記粘接着剤層を前記分割後半導体ウェーハの切断部分に沿って切断し、かつ前記分割後半導体ウェーハにおける個々の前記半導体チップを離間させる工程と、
ダイシングの後に、前記半導体チップが貼り付けられた前記粘接着剤層を前記基材層から剥離し、前記半導体チップを前記粘接着剤層ごと取り出す工程とを備える、粘接着剤層付き半導体チップの製造方法。
【請求項５】
半導体ウェーハの表面に、該半導体ウェーハを個々の半導体チップに分割するための切り込みを形成する工程と、
切り込みが形成された前記半導体ウェーハの表面に保護シートを貼り付ける工程と、
前記保護シートが貼り付けられた前記半導体ウェーハの裏面を研削し、前記半導体ウェーハを個々の半導体チップに分割し、前記積層体を得る工程とをさらに備える、請求項４に記載の粘接着剤層付き半導体チップの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、粘接着剤層付き半導体チップを得るために用いられ、該粘接着剤層付き半導体チップをダイボンディングするために用いられるダイシング−ダイボンディングテープに関する。また、本発明は、該ダイシング−ダイボンディングテープを用いた粘接着剤層付き半導体チップの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェーハから半導体チップを切り出す際には、先ダイシング法と呼ばれているダイシング法が用いられている。先ダイシング法の一例は、例えば、下記の特許文献１に開示されている。
【０００３】
先ダイシング法では、先ず、半導体ウェーハの表面に切り込みを形成する。次に、切り込みが形成された半導体ウェーハの表面に、保護シートを貼り付ける。その後、半導体ウェーハの裏面を切り込み部分まで研削して、半導体ウェーハの厚みを薄くし、個々の半導体チップに分割する。個々の半導体チップに分割された分割後半導体ウェーハの表面には、保護シートが貼り付けられている。
【０００４】
また、上記先ダイシング法により得られた個々の半導体チップを基板上に容易に実装するために、半導体チップの裏面にダイボンディング層が貼り付けられることが多い。このダイボンディング層付き半導体チップを得るために、ダイボンディング層とダイシング層とを備えるダイシング−ダイボンディングテープが用いられている。
【０００５】
ダイシング−ダイボンディングテープの一例として、下記の特許文献２，３には、接着シートと基材（ダイシングテープ）とが積層されたダイシング−ダイボンディングテープが開示されている。このダイシング−ダイボンディングテープにおける接着シートは、ダイボンディング層であり、半導体チップに接着剤層を積層して、接着剤層付き半導体チップを得るためのシートである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−２４５４６７号公報
【特許文献２】特開２００５−２６０２０４号公報
【特許文献３】特開２００６−０８０１４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献２，３に記載のダイシング−ダイボンディングテープを用いて接着剤層付き半導体チップを得る際には、ダイシング−ダイボンディングテープを接着シート側から、分割後半導体ウェーハに貼り付ける。次に、レーザー光を照射したり、加熱又は冷却等したりして、接着シートを改質させる。次に、ダイシングテープを引き伸ばすことにより改質された接着シートを引き伸ばして、該接着シートを分割後半導体ウェーハの切断部分に沿って切断し、かつ個々の半導体チップを離間して、半導体チップの下面に切断された接着剤層を形成する。その後、接着剤層付き半導体チップを基材から剥離して、取り出す。取り出された接着剤層付き半導体チップは、接着剤層側から基板上に実装される。
【０００８】
特許文献２，３に記載のダイシング−ダイボンディングテープでは、基材と接着シートとを引き伸ばしたときに、接着シートが所望の位置で適切に切断されないことがある。例えば、半導体チップの下方に、接着剤層が確実に配置されないことがある。このため、接着剤層付き半導体チップを接着対象部材に積層して接着させた場合に、半導体チップが傾いたり、半導体チップが十分に接着されなかったりする。
【０００９】
さらに、特許文献２，３では、ダイシング−ダイボンディングテープを接着シート側から、分割後半導体ウェーハに貼り付けた後に、レーザー光を照射したり、加熱又は冷却等したりして、接着シートを改質させている。特許文献２，３では、このような改質させる余計な工程を実施する必要があり、余計な時間がかかる。さらに、このような改質を行うための設備を準備しなければならない。
【００１０】
本発明の目的は、粘接着剤層を精度よく切断でき、粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性を高めることができるダイシング−ダイボンディングテープ、並びに該ダイシング−ダイボンディングテープを用いた粘接着剤層付き半導体チップの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の広い局面によれば、粘接着剤層と、上記粘接着剤層の一方の表面に積層されている基材層と、上記基材層の上記粘接着剤層側とは反対の表面に積層されているダイシング層とを備え、上記基材層の２３℃での破断伸びが５０％を超え、上記基材層の２３℃での伸び１０％における引張荷重が４Ｎ以下であり、上記基材層と上記ダイシング層との積層体の２３℃での伸び１０％における引張荷重が、上記ダイシング層の２３℃での伸び１０％における引張荷重の１．５倍以下である、ダイシング−ダイボンディングテープが提供される。
【００１２】
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープのある特定の局面では、上記基材層が、非粘着性を有する非粘着層である。
【００１３】
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープの他の特定の局面では、上記基材層は、ポリオレフィン樹脂により形成されている。
【００１４】
本発明に係る粘接着剤層付き半導体チップの製造方法は、上述したダイシング−ダイボンディングテープを用いて、かつ保護シート及び該保護シートの一方の表面に積層されており、かつ個々の半導体チップに分割されている分割後半導体ウェーハを有する積層体を用いて、上記ダイシング−ダイボンディングテープの上記粘接着剤層を、上記積層体の上記分割後半導体ウェーハに貼り付ける工程と、上記保護シートを上記分割後半導体ウェーハから剥離する工程と、上記ダイシング層を引き伸ばすことにより上記粘接着剤層と上記基材層とを引き伸ばし、上記粘接着剤層を上記分割後半導体ウェーハの切断部分に沿って切断し、かつ上記分割後半導体ウェーハにおける個々の上記半導体チップを離間させる工程と、ダイシングの後に、上記半導体チップが貼り付けられた上記粘接着剤層を上記基材層から剥離し、上記半導体チップを上記粘接着剤層ごと取り出す工程とを備える。
【００１５】
本発明に係る接着剤層付き半導体チップの製造方法のある特定の局面では、半導体ウェーハの表面に、該半導体ウェーハを個々の半導体チップに分割するための切り込みを形成する工程と、切り込みが形成された上記半導体ウェーハの表面に保護シートを貼り付ける工程と、上記保護シートが貼り付けられた上記半導体ウェーハの裏面を研削し、上記半導体ウェーハを個々の半導体チップに分割し、上記積層体を得る工程とがさらに備えられる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープは、粘接着剤層と基材層とダイシング層とを備えており、上記基材層の２３℃での破断伸びが５０％を超え、上記基材層の２３℃での伸び１０％における引張荷重が４Ｎ以下であり、上記基材層と上記ダイシング層との積層体の２３℃での伸び１０％における引張荷重が、上記ダイシング層の２３℃での伸び１０％における引張荷重の１．５倍以下であるので、上記ダイシング層を引き伸ばすことにより上記粘接着剤層と上記基材層とを引き伸ばし、上記粘接着剤層を上記分割後半導体ウェーハの切断部分に沿って精度よく切断できる。この結果、粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを模式的に示す部分切欠平面図及び部分切欠正面断面図である。
【図２】図２（ａ）及び（ｂ）は、図１に示すダイシング−ダイボンディングテープの変形例を模式的に示す部分切欠平面図及び部分切欠正面断面図である。
【図３】図３（ａ）及び（ｂ）は、図１に示すダイシング−ダイボンディングテープの他の変形例を模式的に示す部分切欠平面図及び部分切欠正面断面図である。
【図４】図４（ａ）〜（ｄ）は、粘接着剤層付き半導体チップを製造する際に用いられる積層体を得る各工程の一例を説明するための部分切欠正面断面図である。
【図５】図５（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを用いて、粘接着剤層付き半導体チップを製造する方法の一例を説明するための部分切欠正面断面図である。
【図６】図６（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを用いて、粘接着剤層付き半導体チップを製造する方法の一例を説明するための部分切欠正面断面図である。
【図７】図７（ａ）は、ダイシング−ダイボンディングテープをダイシングリングに貼り付けるときの状態を示す正面断面図であり、図７（ｂ）は、ダイシング−ダイボンディングテープをダイシングリングに貼り付けた後の状態を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の詳細を説明する。
【００１９】
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープは、粘接着剤層と、上記粘接着剤層の一方の表面に積層されている基材層と、上記基材層の上記粘接着剤層側とは反対の表面に積層されているダイシング層とを備える。上記基材層の２３℃での破断伸びが５０％を超える。上記基材層の２３℃での伸び１０％における引張荷重は４Ｎ以下である。上記基材層と上記ダイシング層との積層体の２３℃での伸び１０％における引張荷重は、上記ダイシング層の２３℃での伸び１０％における引張荷重の１．５倍以下である。
【００２０】
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープにおける上述した構成の採用により、上記ダイシング層を引き伸ばすことにより上記粘接着剤層と上記基材層とが引き伸ばされたときに、上記粘接着剤層を、上記分割後半導体ウェーハの切断部分に沿って精度よく切断できる。この結果、粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性を高めることができる。
【００２１】
具体的には、分割後半導体ウェーハの片面に上記粘接着剤層と上記基材層とを積層した後、上記ダイシング層を引き伸ばすことにより該粘接着剤層と基材層とが引き伸ばされたときに、上記基材層が切断されたり、割れたりせずに、分割後半導体ウェーハの切断部分に沿って、粘接着剤層のみを精度よく切断することが可能になる。なお、上記分割後半導体ウェーハの片面に積層された粘接着剤層と基材層とを引き伸ばしたときに、該粘接着剤層のみが切断される性質を割裂性と呼ぶことがある。
【００２２】
本発明では、上記粘接着剤層を加熱又は冷却したり、またはレーザー光を照射したりするなどの粘接着剤層を改質してもよいが、改質しなくとも、上記粘接着剤層を常温で精度よく切断できる。粘接着剤層を改質しない場合でも、粘接着剤層付き半導体チップの製造効率をかなり高めることができる。さらに、上記粘接着剤層を改質させるための設備を準備する必要もない。
【００２３】
上記基材層の２３℃での破断伸びが５０％を超える。該破断伸びは好ましくは１００％以上である。破断伸びが大きいほど、上記粘接着剤層と上記基材層とを引き伸ばしたときに、上記基材層が切断されたり、割れたりせずに、上記粘接着剤層をより一層精度よく切断できる。
【００２４】
上記破断伸びを高くする方法としては、上記基材層の材料として、ポリオレフィン樹脂を用いる方法、並びにポリブタジエン樹脂を用いる方法等が挙げられる。
【００２５】
上記破断伸びは、引張試験装置（例えば、オリエンテック社製「ＲＣＴ−１３１０Ａ」）を用いて、幅１０ｍｍ、標線間距離２５ｍｍ、引張速度５００ｍｍ／ｍｉｎの条件で測定でき、次式より求める。
【００２６】
破断伸び（％）＝（Ｌ−２５）／２５×１００
Ｌ：基材層が破断したときの標線間距離（ｍｍ）を表す
【００２７】
上記基材層の２３℃での伸び１０％における引張荷重（１０％伸び荷重）は４Ｎ以下である。該伸び荷重は好ましくは３Ｎ以下である。伸び荷重が低いほど、上記ダイシング層を引き伸ばすことにより上記粘接着剤層と上記基材層とを引き伸ばそうとしたときに、上記基材層が引き伸ばされやすいので、上記粘接着剤層をより一層精度よく切断できる。
【００２８】
上記伸び荷重を低くする方法としては、上記基材層の材料として、ポリオレフィン樹脂の中でも低密度ポリエチレン樹脂を用いる方法、並びに基材層の厚みを薄くする方法等が挙げられる。
【００２９】
上記基材層の２３℃での１０％伸び荷重は、オリエンテック社製「ＲＣＴ−１３１０Ａ」）を用いて、幅１０ｍｍ、標線間距離２５ｍｍ、引張速度５００ｍｍ／ｍｉｎの条件で測定でき、標線間距離が２．５ｍｍ伸びたときの荷重を読み取る。
【００３０】
上記基材層と上記ダイシング層との積層体の２３℃での伸び１０％における引張荷重（１０％伸び荷重）は、上記ダイシング層の２３℃での伸び１０％における引張荷重（１０％伸び荷重）の１．５倍以下である。上記基材層と上記ダイシング層との積層体の２３℃での１０％伸び荷重は、上記ダイシング層の２３℃での１０％伸び荷重の１．３倍以下であることが好ましく、上記ダイシング層の２３℃での１０％伸び荷重と等しい（１倍）ことがより好ましい。上記基材層と上記ダイシング層との積層体の２３℃での１０％伸び荷重と上記ダイシング層の２３℃での１０％伸び荷重とが好ましい上記関係を満足すると、上記ダイシング層を引き伸ばすことによって上記粘接着剤層と上記基材層とを引き伸ばそうとしたときに、上記ダイシング層の領域だけが引き伸ばされることがなく、上記ダイシング層を上記粘接着剤層と上記基材層と共に引き伸ばすことができるため、上記粘接着剤層をより一層精度よく切断できる。
【００３１】
上記基材層と上記ダイシング層との積層体の上記１０％伸び荷重、及び上記ダイシング層の上記１０％伸び荷重を制御する方法としては、上記基材層の材料として、伸び荷重が低いほうが好ましいことから、ポリオレフィン樹脂の中でも低密度ポリエチレン樹脂を用いる方法、基材層の厚みを薄くする方法や、上記ダイシング層の材料として、伸び荷重が大きいほうが好ましいことから、ポリオレフィン樹脂の中でもポリプロピレン樹脂を用いる方法、厚みを厚くする方法等が挙げられる。
【００３２】
上記基材層と上記ダイシング層との積層体の上記１０％伸び荷重、及び上記ダイシング層の上記１０％伸び荷重は、オリエンテック社製「ＲＣＴ−１３１０Ａ」）を用いて、幅１０ｍｍ、標線間距離２５ｍｍ、引張速度５００ｍｍ／ｍｉｎの条件で測定でき、標線間距離が２．５ｍｍ伸びたときの引張荷重を読み取る。
【００３３】
上記ダイシング層の１０％伸び荷重は好ましくは５Ｎ以上、より好ましくは１０Ｎ以上、好ましくは２０Ｎ以下、より好ましくは１５Ｎ以下である。上記ダイシング層の上記弾性率が上記下限以上及び上記上限以下であると、上記ダイシング層を引き伸ばすことによって上記粘接着剤層と上記基材層とが引き伸ばされたときに、上記粘接着剤層をより一層精度よく切断できる。
【００３４】
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープは、ダイシング時に、上記ダイシング層の外周部分に環状のダイシングリングが貼り付けられることが好ましい。上記ダイシング層の径は、上記基材層の径よりも大きいことが好ましい。
【００３５】
上記ダイシング層の径は、上記ダイシングリングの内径よりも大きいことが好ましい。上記ダイシング層の径は、上記ダイシングリングの外径と同じか、又は上記ダイシングリングの外径よりも小さいことが好ましい。
【００３６】
本発明に係る粘接着剤層付き半導体チップの製造方法は、上述したダイシング−ダイボンディングテープを用いて、かつ、保護シート及び該保護シートの一方の表面に積層されており、かつ個々の半導体チップに分割されている分割後半導体ウェーハを有する積層体を用いて、上記ダイシング−ダイボンディングテープの上記粘接着剤層を、上記積層体の上記分割後半導体ウェーハに貼り付ける工程と、上記保護シートを上記分割後半導体ウェーハから剥離する工程と、上記ダイシング層を引き伸ばすことによって上記粘接着剤層と上記基材層とを引き伸ばし、上記粘接着剤層を上記分割後半導体ウェーハの切断部分に沿って切断し、かつ上記分割後半導体ウェーハにおける個々の上記半導体チップを離間させる工程と、ダイシングの後に、上記半導体チップが貼り付けられた上記粘接着剤層を上記基材層から剥離し、半導体チップを上記粘接着剤層ごと取り出す工程とを備える。本発明に係る粘接着剤層付き半導体チップの製造方法は、上記ダイシング層を環状の上記ダイシングリングに貼り付ける工程を備えることが好ましい。
【００３７】
本発明に係る粘接着剤層付き半導体チップの製造方法では、上記ダイシング層を引き伸ばすことによって上記粘接着剤層と上記基材層とが引き伸ばされることにより、上記粘接着剤層を、上記分割後半導体ウェーハの切断部分に沿って精度よく切断できる。この結果、粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性を高めることができる。
【００３８】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態及び実施例を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００３９】
（ダイシング−ダイボンディングテープ）
図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープを模式的に示す図である。図１（ａ）は部分切欠平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）中のＩ−Ｉ線に沿う部分切欠正面断面図である。なお、図１及び後述の図では、図示の便宜上、寸法及び大きさは、実際の寸法及び大きさから適宜変更している。
【００４０】
図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、ダイシング−ダイボンディングテープ１は、長尺状の離型層２を有する。離型層２の上面２ａに、粘接着剤層３と、基材層４と、ダイシング層５とがこの順に積層されている。粘接着剤層３の一方の表面３ａ（第１の表面）に、基材層４が積層されている。粘接着剤層３の他方の表面３ｂ（第２の表面）に離型層２が積層されている。基材層４の一方の表面４ａ（第１の表面）に粘接着剤層３が積層されている。基材層４の粘接着剤層３側とは反対の他方の表面４ｂ（第２の表面）に、ダイシング層５が積層されている。
【００４１】
長尺状の離型層２の上面２ａに、粘接着剤層３、基材層４及びダイシング層５を有する複数の積層物が等間隔に配置されている。該積層物の側方において、離型層２の上面２ａに保護シートが設けられていてもよい。
【００４２】
粘接着剤層３及び基材層４の平面形状は、略円形である。ダイシング層５の平面形状は略円形である。粘接着剤層３の径は、基材層４の径と同じであってもよく、異なってもよい。基材層４の径は、粘接着剤層３の径よりも大きいことが好ましい。基材層４の外周側面は、粘接着剤層３の外周側面３ｃよりも外側に張り出していることが好ましい。また、基材層４の外周側面は、粘接着剤層３により覆われていないことが好ましく、粘着性を有さないことが好ましい。粘接着剤層３と基材層４との大きさがこのような好ましい関係を満足すると、粘接着剤層３に半導体ウェーハを貼り付ける際に、基材層４が設けられている位置に対応する部分に半導体ウェーハを正確に位置合わせできる。また、半導体ウェーハを粘接着剤層３により一層確実に貼り付けることができる。
【００４３】
ダイシング層５の径は、粘接着剤層３及び基材層４の径よりも大きい。ダイシング層５の外周側面は、粘接着剤層３及び基材層４の外周側面よりも外側に張り出している。ダイシング層５と粘接着剤層３及び基材層４との大きさがこのような好ましい関係を満足することによっても、粘接着剤層３に半導体ウェーハを貼り付ける際に、粘接着剤層３の基材層４が貼り付けられている部分に、半導体ウェーハを正確に位置合わせすることができる。貼り付けの後には、半導体ウェーハが貼り付けられた粘接着剤層３の一方の表面３ａ上に基材層４を確実に配置できる。このため、基材層４からの粘接着剤層３の剥離性を高めることで、ダイシングの後に、粘接着剤層３付き半導体チップを、基材層４から容易に剥離できる。特に、基材層４が非粘着性を有する非粘着層である場合には、粘接着剤層３付き半導体チップを、基材層４からより一層容易に剥離できる。このため、生産ロスを低減でき、歩止まりを向上できる。さらに、ダイシングリングと半導体ウェーハとを異なる層に貼り付けることができるので、粘接着剤層３と基材層４とダイシング層５とをそれぞれ最適な材料により構成できる。このため、切削性及びピックアップ性と、ダイボンディング後の接合信頼性とを高くすることができる。
【００４４】
離型層２は、例えば、離型フィルムである。離型層２は、粘接着剤層３の半導体ウェーハが貼り付けられる他方の表面３ｂを保護し、ロール状の製品形態で提供するために用いられる。なお、離型層２は、必ずしも用いられていなくてもよい。
【００４５】
離型層２を構成する材料としては、ポリエチレンテレフタレート樹脂等のポリエステル系樹脂、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂等のポリオレフィン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、及びポリイミド樹脂などのプラスチック樹脂等が挙げられる。
【００４６】
離型層２の表面は離型処理されていてもよい。離型層は単層であってもよく、複数層であってもよい。離型層が複数層である場合には、各層は異なる樹脂により形成されていてもよい。
【００４７】
離型層２の取扱い性又は剥離性をより一層高める観点からは、離型層２の厚みは、好ましくは１０μｍ以上、好ましくは１００μｍ以下である。
【００４８】
粘接着剤層３は、半導体チップのダイボンディングに用いられる層である。粘接着剤層３は、半導体チップを基板又は他の半導体チップ等に接合するために用いられる。
【００４９】
粘接着剤層３は、例えば適宜の硬化性樹脂などの硬化性化合物を含む硬化性樹脂組成物、又は熱可塑性樹脂等により形成される。硬化前の上記硬化性樹脂組成物は柔らかいので、外力により容易に変形する。粘接着剤層３付き半導体チップを得た後に、得られた粘接着剤層３付き半導体チップを粘接着剤層３側から基板等の被着体に積層する。その後、熱又は光のエネルギーを与えて、粘接着剤層３を硬化させることにより、粘接着剤層３を介して、被着体に半導体チップを強固に接合させることができる。
【００５０】
上記硬化性樹脂組成物を硬化させるために、硬化剤が用いられる。該硬化剤としては、例えば、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸等の加熱硬化型酸無水物系硬化剤、フェノール系硬化剤、アミン系硬化剤もしくはジシアンジアミド等の潜在性硬化剤、及びカチオン系触媒型硬化剤等が挙げられる。硬化速度又は硬化物の物性等を調整するために、上記硬化剤と硬化促進剤とを併用してもよい。
【００５１】
粘接着剤層３の厚みは特に限定されない。粘接着剤層３の厚みは、一般的には５μｍ以上、１５０μｍ以下である。半導体装置の設計寸法に応じて、適正な粘接着剤層の厚みが選定される。
【００５２】
基材層４は、粘着性を有していてもよく、非粘着性を有していてもよい。基材層４は、非粘着性を有することが好ましい。
【００５３】
なお、「非粘着性」とは、表面が粘着性を有さないだけでなく、表面を指で触ったときにくっつかない程度の粘着性を有する場合も含まれることとする。具体的には、「非粘着」とは、基材層４をステンレス板に貼り付けて、基材層４を３００ｍｍ／分の剥離速度で剥離したときに、粘着力が０．０５Ｎ／２５ｍｍ幅以下であることを意味する。
【００５４】
基材層４は、例えば、活性エネルギー線硬化型又は熱硬化型の粘着性を有する組成物を用いて形成できる。基材層４が非粘着性を有するようにするためには、活性エネルギー線の照射量を多くすればよい。基材層４が粘着性を有するようにするためには、活性エネルギー線を照射しなかったり、活性エネルギー線の照射量を少なくしたりすればよい。
【００５５】
基材層４は、アクリル系ポリマーを含む組成物や、ポリオレフィン樹脂により形成されていることが好ましい。基材層４は、アクリル系ポリマーを含む組成物を架橋させた架橋体により形成されていることが好ましい。この場合には、基材層４の極性、貯蔵弾性率又は破断伸度を容易に制御及び設計できる。
【００５６】
上記アクリル系ポリマーは特に限定されない。上記アクリル系ポリマーは、（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーであることが好ましい。（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーとして、炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーが好適に用いられる。炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーの使用により、基材層４の極性が充分に低くなり、基材層４の表面エネルギーが低くなり、かつ粘接着剤層３の基材層４からの剥離性が高くなる。
【００５７】
上記組成物は、活性エネルギー線反応開始剤及び熱反応開始剤の内の少なくとも一方を含むことが好ましく、活性エネルギー線反応開始剤を含むことがより好ましい。活性エネルギー線反応開始剤は、光反応開始剤であることが好ましい。
【００５８】
上記活性エネルギー線には、紫外線、電子線、α線、β線、γ線、Ｘ線、赤外線及び可視光線が含まれる。これらの活性エネルギー線のなかでも、硬化性に優れ、かつ硬化物が劣化し難いため、紫外線又は電子線が好ましい。
【００５９】
上記光反応開始剤として、例えば、光ラジカル発生剤又は光カチオン発生剤等を使用できる。上記熱反応開始剤としては、熱ラジカル発生剤等が挙げられる。上記組成物には、粘着力を制御するためにイソシアネート系架橋剤を添加してもよい。
【００６０】
基材層４の厚みは特に限定されない。基材層４の厚みは、好ましくは１μｍ以上、好ましくは１００μｍ以下である。基材層４の厚みは、より好ましくは５μｍ以上、より好ましくは６０μｍ以下である。基材層４の厚みが上記下限以上であると、エクスパンド性がより一層高くなる。基材層４の厚みが上記上限以下であると、厚みがより一層均一になり、ダイシングの精度がよく一層高くなる。
【００６１】
ダイシング層５は、基材５Ａと、基材５Ａの一方の表面（第１の表面）に積層された粘着剤層５Ｂとを有する。基材層４の他方の表面４ｂに、ダイシング層５が粘着剤層５Ｂ側から貼り付けられている。ダイシング層５は、基材層４を介して粘接着剤層３に間接的に貼り付けられている。
【００６２】
ダイシング層５は、粘接着剤層３及び基材層４の外周側面よりも外側に張り出している延長部５ｘを有する。ダイシング層５の延長部５ｘの片面が、粘着剤層５Ｂにより離型層２の上面２ａに貼り付けられている。すなわち、粘接着剤層３及び基材層４の外周側面よりも外側の領域で、ダイシング層５が離型層２の上面２ａに貼り付けられている。
【００６３】
ダイシング層５が延長部５ｘを有するのは、粘接着剤層３の他方の表面３ｂに半導体ウェーハを貼り付ける際に、粘接着剤層３の外周側面３ｃよりも外側に位置する延長部５ｘの粘着剤層５Ｂに、ダイシングリングを貼り付けるためである。
【００６４】
ダイシング層５の基材５Ａを構成する材料としては、ポリエチレンテレフタレート樹脂等のポリエステル系樹脂、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂等のポリオレフィン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、及びポリイミド樹脂などのプラスチック樹脂等が挙げられる。なかでも、エクスパンド性に優れており、環境負荷が小さいため、ポリオレフィン樹脂が好適に用いられる。
【００６５】
粘着剤層５Ｂは特に限定されない。粘着剤層５Ｂを構成する粘着剤の具体例として、アクリル系粘着剤、特殊合成ゴム系粘着剤、合成樹脂系粘着剤及びゴム系粘着剤等が挙げられる。なかでも、感圧タイプのアクリル系粘着剤が好ましい。感圧タイプのアクリル系粘着剤が用いられた場合、ダイシングリングを粘着剤層５Ｂからより一層容易に剥離できる。さらに、粘着剤層５Ｂのコストを低減できる。基材層４とダイシング層５との剥離力は、粘接着剤層３と基材層４との剥離力よりも大きいことが好ましい。このような剥離力を満足するように粘着剤層５Ｂが構成されていることが好ましい。
【００６６】
ダイシング層５の厚みは特に限定されない。ダイシング層５の厚みは、好ましくは１０μｍ以上、好ましくは２００μｍ以下である。ダイシング層５の厚みは、より好ましくは６０μｍ以上、より好ましくは１５０μｍ以下である。ダイシング層５の厚みが上記下限以上及び上記上限以下であると、離型層２の剥離性及びダイシング層５のエクスパンド性がより一層高くなる。
【００６７】
図１（ａ）及び（ｂ）に示すダイシング−ダイボンディングテープ１では、ダイシング層５は略円形である。図２（ａ）及び（ｂ）に、ダイシング−ダイボンディングテープの変形例を示す。図１（ａ）及び（ｂ）に示すダイシング−ダイボンディングテープ１と図２に示すダイシング−ダイボンディングテープ１１とでは、ダイシング層の形状のみが異なる。ダイシング−ダイボンディングテープ１におけるダイシング層５及びダイシング−ダイボンディングテープ１１におけるダイシング層１２はともに略円形である。ダイシング−ダイボンディングテープ１１におけるダイシング層１２は貼付起点１２Ｃを有する。より具体的には、ダイシング層１２は、貼付起点１２Ｃ部分を除いて円形である。ダイシング層１２は、粘接着剤層３及び基材層４の外周側面よりも外側に張り出している延長部１２ｘを有する。ダイシング層１２の延長部１２ｘの片面が、粘着剤層１２Ｂにより離型層２の上面２ａに貼り付けられている。
【００６８】
このように、ダイシング層の一部の領域に貼付起点が設けられていていることが好ましい。また、１つのダイシング層に複数の貼付起点が設けられていることが好ましく、少なくとも２つの貼付起点が設けられていることが好ましい。１つのダイシング層に複数の貼付起点が設けられている場合には、ダイシング層の一端側と該一端側とは反対の他端側とに、貼付起点が設けられていることが好ましい。この場合には、ダイシング−ダイボンディングテープの使用時の方向性をなくすことができる。また、例えば、一端側の貼付起点からダイシング層をうまく貼り付けられない場合などに、他端側の貼付起点からダイシング層を貼り付けることが可能である。より具体的には、一端側の貼付起点からダイシング層をうまく貼り付けられない場合などに、長尺状のダイシング−ダイボンディングテープを一旦巻き取った後に、再度巻き出すことにより、他端側の貼付起点からダイシング層を貼り付けることが可能である。
【００６９】
また、図１（ａ）及び（ｂ）に示すダイシング−ダイボンディングテープ１では、ダイシング層５は、基材５Ａと粘着剤層５Ｂとが積層された多層構造を有する。図３（ａ）及び（ｂ）に示すダイシング−ダイボンディングテープ１６のように、単層のダイシング層１７を形成してもよい。この場合には、ダイシング層１７を、粘着性を有する材料により形成することが好ましい。
【００７０】
（粘接着剤層付き半導体チップの製造方法）
次に、図１（ａ），（ｂ）に示すダイシング−ダイボンディングテープ１を用いた場合の粘接着剤層付き半導体チップの製造方法の一例を以下説明する。
【００７１】
先ず、ダイシング−ダイボンディングテープ１と、積層体２１とを用意する。
【００７２】
図４（ｄ）に示すように、積層体２１は、保護シート２２と、保護シート２２の一方の表面２２ａ（第１の表面）に積層されている分割後半導体ウェーハ２３とを有する。分割後半導体ウェーハ２３は個々の半導体チップに分割されている。分割後半導体ウェーハ２３の平面形状は略円形である。
【００７３】
積層体２１は、図４（ａ）〜（ｄ）に示す各工程を経て、以下のようにして得ることができる。
【００７４】
先ず、図４（ａ）に示すように、半導体ウェーハ２３Ａを用意する。半導体ウェーハ２３Ａは分割前半導体ウェーハである。半導体ウェーハ２３Ａの平面形状は略円形である。半導体ウェーハ２３Ａの表面２３ａには、マトリックス状にストリートによって区画された各領域に、個々の半導体チップを構成するための回路が形成されている。
【００７５】
図４（ｂ）に示すように、用意した半導体ウェーハ２３Ａを表面２３ａ側からダイシングする。ダイシングの後、半導体ウェーハ２３Ａは分断されていない。半導体ウェーハ２３Ａの表面２３ａには、個々の半導体チップに分割するための切断部分２３ｃ（切り込み）が形成されている。ダイシングは、例えば、高速回転するブレードを備えるダイシング装置等を用いて行われる。
【００７６】
次に、図４（ｃ）に示すように、半導体ウェーハ２３Ａの表面２３ａに、保護シート２２を貼り付ける。その後、半導体ウェーハ２３Ａの裏面２３ｂを研削し、半導体ウェーハ２３Ａの厚みを薄くする。ここでは、半導体ウェーハ２３Ａの裏面２３ｂは、切断部分２３ｃ部分まで研削している。このようにして、図４（ｄ）に示す積層体２１を得ることができる。
【００７７】
半導体ウェーハ２３Ａの裏面２３ｂは、切断部分２３ｃ部分まで研削することが好ましい。研削は、例えば研削磁石等を備えるグラインダなどの研削機を用いて行われる。研削時には、半導体ウェーハ２３Ａの表面２３ａには保護シート２２が貼り付けられているので、回路に研削屑が付着しない。また、研削後に半導体ウェーハ２３Ａが個々の半導体チップに分割されても、複数の半導体チップがばらばらにならずに保護シート２２に貼り付けられたままである。
【００７８】
積層体２１を得た後、図５（ａ）に示すように、積層体２１を保護シート２２側からステージ２５上に載せる。ステージ２５上には、分割後半導体ウェーハ２３の外周側面から一定間隔を隔てられた位置に、円環状のダイシングリング２６が設けられている。ダイシング−ダイボンディングテープ１の離型層２を剥離しながら、又は離型層２を剥離した後に、露出した粘接着剤層３の他方の表面３ｂを、分割後半導体ウェーハ２３の裏面２３ｂに貼り付ける。また、露出したダイシング層５の延長部５ｘに位置する粘着剤層５Ｂを、円環状のダイシングリング２６に貼り付ける。
【００７９】
図７（ａ）にダイシング層５をダイシングリング２６に貼り付ける際の状態を正面断面図で示し、図７（ｂ）にダイシング層５をダイシングリング２６に貼り付けた後の状態を平面図で示す。
【００８０】
図７（ａ）及び（ｂ）に示すように、通常、ダイシング層５をダイシングリング２６に貼り付ける際には、剥離エッジ３２を用いて、ダイシング層５を離型層２の上面２ａから剥離する。ダイシング層５をダイシングリング２６に貼り付けて、ロール３１で押さえ付ける。そして、粘接着剤層３、基材層４及びダイシング層５に皺が生じないように、粘接着剤層３、基材層４及びダイシング層５を引き伸ばしながら、ダイシング層５の外周部分をダイシングリング２６に貼り付ける。なお、図７（ｂ）では、基材層４の径はＡ、ダイシング層５の径はＢ、ダイシングリング２６の内径はＸ、ダイシングリング２６の外径はＹである。
【００８１】
ダイシング層５をダイシングリング２６に貼り付けた後、図５（ｂ）に示すように、粘接着剤層３が貼り付けられた分割後半導体ウェーハ２３をステージ２５から取り出して、裏返す。このとき、ダイシングリング２６をダイシング層５に貼り付けた状態で取り出す。取り出した分割後半導体ウェーハ２３を表面２３ａが上方になるように裏返して、別のステージ２７上に載せる。
【００８２】
次に、図６（ａ）に示すように、分割後半導体ウェーハ２３の表面２３ａから保護シート２２を剥離する。保護シート２２を剥離する際に、剥離を容易にするために、保護シート２２を加熱してもよい。ただし、保護シート２２を加熱する際に、粘接着剤層３を改質しないほうが好ましい。
【００８３】
次に、図６（ｂ）に示すように、粘接着剤層３と基材層４とダイシング層５とを引き伸ばして、粘接着剤層をのみを切断する。このとき、分割後半導体ウェーハ２３の切断部分２３ｃに沿って切断し、かつ分割後半導体ウェーハ２３における個々の半導体チップを離間させる。粘接着剤層３は、分割後半導体ウェーハ２３の裏面２３ｂに貼り付けられているため、分割後半導体ウェーハ２３の切断部分２３ｃに沿って、すなわちダイシングラインに沿って、粘接着剤層３を切断できる。粘接着剤層３の切断の後に、粘接着剤層３には切断部分３ｄが形成される。
【００８４】
なお、本明細書では、粘接着剤層３を引き伸ばして切断することを、割裂するともいう。粘接着剤層３を引き伸ばして切断する作業（割裂）には、ダイシングも含まれることとし、ダイシング−ダイボンディングテープ１は、粘接着剤層３を引き伸ばして切断する（割裂する）ために用いることができる。ダイシング−ダイボンディングテープ１は、言い換えれば、割裂−ダイボンディングテープである。
【００８５】
粘接着剤層３を引き伸ばす方法としては、例えば、ダイシングリングを押し下げる方法、並びに粘接着剤層３の下方から突き上げて、粘接着剤層３、基材層４及びダイシング層５に、図６（ｂ）に示す力Ａを付与する方法が挙げられる。力Ａの付与により、ダイシング層５が外側に向かって引っ張られ、それに呼応して基材層４が外側に向かって引っ張られる力Ｂ１，Ｂ２が付与され、結果として粘接着剤層３が引き伸ばされる。
【００８６】
基材層４及びダイシング層５の大きさが特定の上記関係を満たす。従って、粘接着剤層３、基材層４及びダイシング層５を引き伸ばすことにより、基材層４が切断されることなく、分割後半導体ウェーハ２３の切断部分２３ｃに沿って、粘接着剤層３のみを精度よく切断できる。このため、半導体チップの下方において、粘接着剤層３の欠けが生じ難い。粘接着剤層３を精度よく切断できるため、粘接着剤層３付き半導体チップのピックアップ性が高くなる。粘接着剤層３の欠けが生じ難いので、粘接着剤層付き半導体チップを接着対象部材に積層して接着させた場合に、半導体チップが傾き難く、かつ半導体チップの接合信頼性が高くなる。
【００８７】
粘接着剤層３と基材層４とダイシング層５とを引き伸ばす前又は間に、粘接着剤層３を改質しないことが好ましい。粘接着剤層３と基材層４とダイシング層５を引き伸ばす前又は間に、粘接着剤層３を改質するために、粘接着剤層３を加熱（保護シート２２を剥離するための加熱を除く）及び冷却せず、かつレーザー光を照射しないことが好ましい。ただし、粘接着剤層３を改質してもよい。粘接着剤層３を改質しない場合であっても、粘接着剤層３付き半導体チップの製造効率がかなり高くなる。
【００８８】
粘接着剤層３を切断した後、粘接着剤層３が積層された状態で、半導体チップを粘接着剤層３ごと基材層４から剥離して、取り出す。このようにして、粘接着剤層３付き半導体チップを得ることができる。ダイシング−ダイボンディングテープ１を用いた場合には、分割後半導体ウェーハ２３が貼り付けられている粘接着剤層３部分の下方には、非粘着性を有する基材層４が位置しているので、粘接着剤層３付き半導体チップのピックアップ性が高くなる。粘接着剤層３の切断の後、粘接着剤層３付き半導体チップを基材層４から剥離する前に、ダイシング層５を引き伸ばして、個々の半導体チップ間の間隔をさらに拡張してもよい。
【００８９】
以下、実施例及び比較例を挙げることにより、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例に限定されない。
【００９０】
（実施例１）
実施例１では、図１（ａ），（ｂ）に示すダイシング−ダイボンディングテープを形成した。
【００９１】
基材層として、ＧＦ（タマポリ社製、ポリエチレンフィルム、厚み２０μｍ）を用いた。この基材層を用いて、以下の要領で、ダイシング−ダイボンディングテープを作製した。
【００９２】
Ｇ−２０５０Ｍ（日油社製、エポキシ含有アクリルポリマー、重量平均分子量Ｍｗ２０万）１５重量部と、ＥＸＡ−７２００ＨＨ（ＤＩＣ社製、ジシクロペンタジエン型エポキシ化合物）７０重量部と、ＨＰ−４０３２Ｄ（ＤＩＣ社製、ナフタレン型エポキシ化合物）１５重量部と、ＹＨ−３０９（三菱化学社製、酸無水物系硬化剤）３８重量部と、２ＭＡＯＫ−ＰＷ（四国化成社製、イミダゾール）８重量部と、Ｓ３２０（チッソ社製、アミノシラン）２重量部と、ＭＴ−１０（トクヤマ社製、表面疎水化ヒュームドシリカ）４重量部とを配合し、配合物を得た。得られた配合物を溶剤であるメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に固形分６０重量％となるように添加し、攪拌し、塗液を得た。
【００９３】
得られた塗液を離型ＰＥＴフィルム上に厚み７μｍになるように塗工し、１１０℃のオーブン内で２分間加熱乾燥した。このようにして、離型ＰＥＴフィルム上に、粘接着剤層を形成した。その後、粘接着剤層を円形に切り抜いた。
【００９４】
次に、粘接着剤層の離型ＰＥＴフィル側とは反対の表面上に、得られた基材層を６０℃でラミネートし、ラミネート体を得た。基材層が粘接着剤層よりも大きく、基材層が粘接着剤層の外周側面よりも側方に張り出している領域を有するように、基材層を円形に切り抜いた。
【００９５】
その後、基材層の粘接着剤層側とは反対の表面上に、ダイシング層であるエレグリップＵＨＰ−０８１０ＦＸ（オレフィン基材（基材の厚み８０μｍ）の片面にアクリル系粘着剤層（粘着剤層の厚み１０μｍ）が形成されたＵＶ硬化型ダイシングテープ、電気化学工業社製）を粘着剤層側から貼り付けた。
【００９６】
その後、ダイシング層を切り抜いた。このようにして、離型ＰＥＴフィルム／粘接着剤層（径３３０ｍｍ）／基材層（径３３０ｍｍ）／ダイシング層（径３７０ｍｍ）がこの順で積層された４層の積層構造を有するダイシング−ダイボンディングテープを作製した。
【００９７】
（実施例２）
ダイシング層をＰＭ１−２−１０（ウノン技研社製、ポリオレフィン基材１００μｍの片面にアクリル粘着剤厚み１０μｍ付き）に変更したこと以外は実施例１と同様にして、ダイシング−ダイボンディングテープを作製した。
【００９８】
（比較例１）
基材層を厚み３０μｍのＧＦ（タマポリ社製、低密度ポリエチレン樹脂シート）に変更したこと以外は実施例１と同様にして、ダイシング−ダイボンディングテープを作製した。
【００９９】
（比較例２）
ダイシング層をＰＭ１０１０（ウノン技研社製、ポリオレフィン基材１００μｍの片面にアクリル粘着剤厚み１０μｍ付き）に変更したこと以外は実施例１と同様にして、ダイシング−ダイボンディングテープを作製した。
【０１００】
（評価）
（１）破断伸び
実施例及び比較例における基材層を用意した。上記基材層の２３℃での破断伸びは、オリエンテック社製「ＲＣＴ−１３１０Ａ」）を用いて、ＭＤ方向に幅１０ｍｍ、標線間距離２５ｍｍ、引張速度５００ｍｍ／ｍｉｎの条件で測定し、次式より求めた。
【０１０１】
破断伸び（％）＝（Ｌ−２５）／２５×１００
Ｌ：基材が破断したときの標線間距離（ｍｍ）を表す
【０１０２】
（２）伸び１０％における引張荷重（１０％伸び荷重）
実施例及び比較例における基材層を用意した。上記基材層の２３℃での１０％伸び荷重は、オリエンテック社製「ＲＣＴ−１３１０Ａ」）を用いて、ＭＤ方向に幅１０ｍｍ、標線間距離２５ｍｍ、引張速度５００ｍｍ／ｍｉｎの条件で測定し、標線間距離が２．５ｍｍ伸びたときの引張荷重を読み取った。
【０１０３】
また、実施例及び比較例における基材層とダイシング層との積層体を用意した。上記基材層の２３℃での１０％伸び荷重と同様にして、積層体の２３℃での１０％伸び荷重を測定した。
【０１０４】
また、実施例及び比較例におけるダイシング層を用意した。上記基材層の２３℃での１０％伸び荷重と同様にして、ダイシング層の２３℃での１０％伸び荷重を測定した。
【０１０５】
（３）割裂性及びピックアップ性、及びチップ裏面の粘接着剤層の欠損
直径３００ｍｍ（１２ｉｎｃｈ）の半導体ウェーハ（シリコンウェーハ、厚み７００μｍ）の表面に深さ１００μｍの切り込みを縦横１０ｍｍピッチで入れた。次に、半導体ウェーハの表面に保護シートであるバックグラインディングテープ  イクロスＳＢ１３５Ｓ−ＢＮ（三井化学社製、オレフィンの片面にアクリル系粘着剤が塗布されている）をアクリル系粘着剤側からラミネートした。次に、半導体ウェーハの厚みが５０μｍになるまで半導体ウェーハの裏面の研磨と鏡面仕上げを行った。このようにして、保護シートと、分割後半導体ウェーハとの積層体を得た。
【０１０６】
内径が３５０ｍｍ、外径が３８０ｍｍであるダイシングリングを用意した。次に、ウェーハマウンターＤＡＭ−８１２Ｍ（タカトリ社製）を用いてダイシング−ダイボンディングテープを積層体の分割後半導体ウェーハの裏面及びダイシングリングに貼り付けた。尚、積層体の分割後半導体ウェーハをのせるステージは６０℃に設定した。
【０１０７】
次に、粘接着剤層が貼り付けられた分割後半導体ウェーハをステージから取り出して、裏返し、別のステージ上に載せた。その後、分割後半導体ウェーハの表面から、６０℃で保護シートを剥離した。このとき、粘接着剤層は改質しなかった。
【０１０８】
ダイボンダーｂｅｓｔｅｍ  Ｄ−０２（キャノンマシーナリー社製）を用いて、２３℃でエクスパンド量４．５ｍｍとして、粘接着剤層と基材層とダイシング層とを引き伸ばして、粘接着剤層を切断した。
【０１０９】
粘接着剤層の切断の後に、分割後半導体ウェーハの切断部分に沿って粘接着剤層が切断されている個々の半導体チップの数の割合（割裂性）を評価した。
【０１１０】
次に、割裂後に、ダイボンダーｂｅｓｔｅｍ  Ｄ−０２（キャノンマシーナリー社製）を用いて、コレットサイズ９ｍｍ角、突き上げ速度５ｍｍ／秒、ピックアップニードル１９ピン、温度２３℃の条件で、２０個の粘接着剤層付き半導体チップを連続してピックアップした。粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性を下記の基準で判定した。
【０１１１】
［ピックアップ性の判定基準］
○：ピックアップできなかった粘接着剤層付き半導体チップなし
×：ピックアップできなかった粘接着剤層付き半導体チップあり
【０１１２】
［チップ裏面の粘接着剤層の欠損の判定基準］
○：チップ裏面を光学顕微鏡観察したときに、欠損長さ（幅、奥行き）が５０μｍ以下
×：チップ裏面を光学顕微鏡観察したときに、欠損長さ（幅、奥行き）が５０μｍを超える
【０１１３】
結果を下記の表１に示す。
【０１１４】
【表１】
0005946650.tif 000002
【符号の説明】
【０１１５】
１…ダイシング−ダイボンディングテープ
２…離型層
２ａ…上面
３…粘接着剤層
３ａ…一方の表面
３ｂ…他方の表面
３ｃ…外周側面
３ｄ…切断部分
４…基材層
４ａ…一方の表面
４ｂ…他方の表面
５…ダイシング層
５Ａ…基材
５Ｂ…粘着剤層
５ｘ…延長部
１１，１６…ダイシング−ダイボンディングテープ
１２，１７…ダイシング層
１２Ａ…基材
１２Ｂ…粘着剤層
１２Ｃ…貼付起点
１２ｘ…延長部
２１…積層体
２２…保護シート
２２ａ…一方の表面
２３…分割後半導体ウェーハ
２３Ａ…半導体ウェーハ
２３ａ…表面
２３ｂ…裏面
２３ｃ…切り込み
２５…ステージ
２６…ダイシングリング
２７…ステージ
３１…ロール
３２…剥離エッジ
【図１】
0005946650.tif 000003
【図２】
0005946650.tif 000004
【図３】
0005946650.tif 000005
【図４】
0005946650.tif 000006
【図５】
0005946650.tif 000007
【図６】
0005946650.tif 000008
【図７】
0005946650.tif 000009