(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極層と、
前記第１電極層の上方に配置されている発光層と、
前記発光層の上方に配置されている第２電極層と、
前記第２電極層の上方に配置されている誘電体層と、
前記誘電体層の上方に配置されている第３電極層と、
前記第１電極層と前記第３電極層とを電気的に接続する第１電気接続部と、
前記第２電極層の一側面と前記第１電気接続部との間に挟まれて配置され、前記第２電極層と前記第１電気接続部とを電気的に絶縁する第１絶縁壁と
を備え、
前記第１電極層は、第１方向に延伸して配置されている複数の第１電極を有し、
前記第２電極層は、前記第１方向とは異なる第２方向に延伸して配置されており、前記複数の第１電極と交差している複数の第２電極を有し、
前記第３電極層は、前記複数の第１電極と前記複数の第２電極とが交差している複数の領域のそれぞれに配置される複数の第３電極を有し、
前記複数の第３電極のそれぞれは、複数の前記第１電気接続部のそれぞれによって、前記複数の第１電極のうちの対応する第１電極に電気的に接続され、
前記複数の第１電気接続部のそれぞれは、前記複数の第２電極の一側面にそれぞれ配置されている複数の前記第１絶縁壁によって、前記複数の第２電極のうちの対応する第２電極と電気的に絶縁されており、
前記複数の第１電極のそれぞれと、前記複数の第２電極のそれぞれと、前記複数の第１電極のそれぞれと前記複数の第２電極のそれぞれとの間の前記発光層とにより複数の有機ＥＬ素子が構成され、
前記複数の第２電極のそれぞれと、前記複数の第３電極のそれぞれと、前記複数の第２電極のそれぞれと前記複数の第３電極のそれぞれとの間の前記誘電体層とにより、前記複数の有機ＥＬ素子のそれぞれに並列に接続された複数のキャパシタが構成される、発光デバイス。
【請求項２】
前記誘電体層と前記第１絶縁壁とは一体的に形成されている請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項３】
前記第３電極層と前記第１電気接続部とは一体的に形成されている請求項１または請求項２に記載の発光デバイス。
【請求項４】
前記誘電体層の上方に配置されている補助電極と、
前記補助電極と前記第１電極層とを複数箇所で電気的に接続する複数の第２電気接続部と
をさらに備える請求項１から請求項３のいずれか１つに記載の発光デバイス。
【請求項５】
前記誘電体層の上方に、前記第１方向に延伸して配置されている複数の補助電極と、
前記複数の補助電極のそれぞれと前記複数の第１電極のそれぞれとを複数箇所で電気的に接続する複数の第２電気接続部と
をさらに備える請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項６】
前記複数の補助電極のうちの一の補助電極と、前記複数の第２電気接続部のうちの前記一の補助電極に電気的に接続された複数の第２電気接続部とは、一体的に形成されている請求項５に記載の発光デバイス。
【請求項７】
前記複数の補助電極は、前記複数の第３電極と同一面内に配置されている請求項５または請求項６に記載の発光デバイス。
【請求項８】
前記複数の第２電極の他側面にそれぞれ配置されている複数の第２絶縁壁をさらに備え、
前記複数の第２電気接続部のうちの少なくとも１つの第２電気接続部は、前記複数の第２電極のうちの２つの第２電極の間に配置されており、前記複数の第１絶縁壁のうち前記２つの第２電極の一方の第２電極の一側面に配置されている第１絶縁壁および前記複数の第２絶縁壁のうち前記２つの第２電極の他方の第２電極の他側面に配置されている第２絶縁壁によって、前記２つの第２電極と電気的に絶縁されている請求項５から請求項７のいずれか１つに記載の発光デバイス。
【請求項９】
前記誘電体層、前記第１絶縁壁および前記第２絶縁壁は一体的に形成されている請求項８に記載の発光デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光デバイスおよび発光デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、エレクトロルミネッセンス素子を構成する第１の電極または第２の電極と、絶縁膜と、第３の電極とによって構成される付加容量が、画素ごとに配置され、各付加容量がエレクトロルミネッセンス素子に並列に接続された表示装置が開示されている。
特許文献１  特開平１０−２１４０４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
特許文献１に記載の表示装置は、第１の電極または第２の電極と、第３の電極とを電気的に接続する構造が十分に考慮されていない。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明の一態様に係る発光デバイスは、第１電極層と、第１電極層の上方に配置されている発光層と、発光層の上方に配置されている第２電極層と、第２電極層の上方に配置されている誘電体層と、誘電体層の上方に配置されている第３電極層と、第１電極層と第３電極層とを電気的に接続する第１電気接続部と、第２電極層の一側面と第１電気接続部との間に挟まれて配置され、第２電極層と第１電気接続部とを電気的に絶縁する第１絶縁壁とを備える。
【０００５】
上記発光デバイスにおいて、誘電体層と第１絶縁壁とは一体的に形成されてもよい。第３電極層と第１電気接続部とは一体的に形成されてもよい。
【０００６】
上記発光デバイスは、誘電体層の上方に配置されている補助電極と、補助電極と第１電極層とを複数箇所で電気的に接続する複数の第２電気接続部とをさらに備えてもよい。
【０００７】
上記発光デバイスにおいて、補助電極と複数の第２電気接続部とは一体的に形成されてもよい。補助電極は、第３電極層と同一面内に配置されてもよい。
【０００８】
上記発光デバイスにおいて、第１電極層は、第１方向に延伸して配置されている複数の第１電極を有し、第２電極層は、第１方向とは異なる第２方向に延伸して配置されており、複数の第１電極と交差している複数の第２電極を有し、第３電極層は、複数の第１電極と複数の第２電極とが交差している複数の領域のそれぞれに配置される複数の第３電極を有し、複数の第３電極のそれぞれは、複数の第１電気接続部のそれぞれによって、複数の第１電極のうちの対応する第１電極に電気的に接続され、複数の第１電気接続部のそれぞれは、複数の第２電極の一側面にそれぞれ配置されている複数の第１絶縁壁によって、複数の第２電極のうちの対応する第２電極と電気的に絶縁されていてもよい。
【０００９】
上記発光デバイスは、誘電体層の上方に、第１方向に延伸して配置されている複数の補助電極と、複数の補助電極のそれぞれと複数の第１電極のそれぞれとを複数箇所で電気的に接続する複数の第２電気接続部とをさらに備えてもよい。
【００１０】
上記発光デバイスにおいて、複数の補助電極のうちの一の補助電極と、複数の第２電気接続部のうちの一の補助電極に電気的に接続された複数の第２電気接続部とは、一体的に形成されていてもよい。複数の補助電極は、複数の第３電極と同一面内に配置されていてもよい。
【００１１】
上記発光デバイスは、複数の第２電極の他側面にそれぞれ配置されている複数の第２絶縁壁をさらに備え、複数の第２電気接続部のうちの少なくとも１つの第２電気接続部は、複数の第２電極のうちの２つの第２電極の間に配置されており、複数の第１絶縁壁のうち２つの第２電極の一方の第２電極の一側面に配置されている第１絶縁壁および複数の第２絶縁壁のうち２つの第２電極の他方の第２電極の他側面に配置されている第２絶縁壁によって、２つの第２電極と電気的に絶縁されていてもよい。誘電体層、第１絶縁壁および第２絶縁壁は一体的に形成されていてもよい。
【００１２】
本発明の一態様に係る発光デバイスの製造方法は、第１電極層を形成する第１電極層形成工程と、第１電極層の上方に発光層を形成する発光層形成工程と、発光層の上方に第２電極層を形成する第２電極層形成工程と、第２電極層の上方に誘電体層を形成する誘電体層形成工程と、誘電体層の上方に第３電極層を形成する第３電極層形成工程とを含み、第３電極層形成工程は、第１電極層と第３電極層とを電気的に接続する第１電気接続部を形成する工程を含み、誘電体層形成工程は、第２電極層の一側面と第１電気接続部との間に挟まれて配置され、第２電極層と第１電気接続部とを電気的に絶縁する第１絶縁壁を形成する工程を含む。
【００１３】
上記発光デバイスの製造方法において、誘電体層形成工程は、第２電極層の上方および一側面上に誘電体材料を堆積することによって、誘電体層および第１絶縁壁を一体的に形成する工程を含んでもよい。
【００１４】
上記発光デバイスの製造方法において、第３電極層形成工程は、誘電体層の上方および第１絶縁壁の一側面上に導電材料を堆積することによって、第３電極層および第１電気接続部を一体的に形成する工程を含んでもよい。
【００１５】
上記発光デバイスの製造方法において、第３電極層形成工程は、誘電体層の上方に配置される補助電極と、補助電極と第１電極層とを複数箇所で電気的に接続する複数の第２電気接続部とを形成する工程を含んでもよい。
【００１６】
上記発光デバイスの製造方法において、誘電体層形成工程は、第２電極層の上方、第２電極層の一側面上および他側面上に誘電体材料を堆積することによって、誘電体層および第１絶縁壁とともに、複数の第２電気接続部のうち第２電極層の他側面側にある第２電気接続部と第２電極層とを電気的に絶縁する第２絶縁壁を一体的に形成する工程を含み、第３電極層を形成する工程は、誘電体層の上方および第１絶縁壁の一側面上および第２絶縁壁の一側面上に導電材料を堆積することによって、補助電極と複数の第２電気接続部とを一体的に形成する工程を含んでもよい。
【００１７】
上記発光デバイスの製造方法において、第１電極層形成工程は、第１方向に延伸する複数の第１電極を形成する工程を含み、第２電極層形成工程は、第１方向とは異なる第２方向に延伸し、複数の第１電極と交差している複数の第２電極を形成する工程を含み、第３電極層形成工程は、複数の第１電極および複数の第２電極が交差している複数の領域のそれぞれに配置される複数の第３電極と、複数の第３電極のそれぞれと複数の第１電極のうちの対応する第１電極とを電気的に接続する複数の第１電気接続部を形成する工程を含み、誘電体層形成工程は、複数の第２電極の一側面のそれぞれに、複数の第１電気接続部と複数の第２電極のうちの対応する第２電極とを電気的に絶縁する複数の第１絶縁壁を形成する工程を含んでもよい。
【００１８】
上記発光デバイスの製造方法において、第２電極層形成工程は、発光層および第２電極層にレーザーを照射し、発光層および第２電極層のそれぞれの一部を除去することで、複数の第２電極を形成する工程を含んでもよい。
【００１９】
上記発光デバイスの製造方法において、第３電極層形成工程は、誘電体層の上方に配置される複数の補助電極と、複数の補助電極のそれぞれと複数の第１電極のそれぞれとを複数箇所で電気的に接続する複数の第２電気接続部とを形成する工程を含んでもよい。
【００２０】
上記発光デバイスの製造方法において、誘電体層形成工程は、複数の第２電極の他側面のそれぞれに、複数の第２電気接続部のうち複数の第２電極の他側面側に配置されるそれぞれの第２電気接続部と複数の第２電極のうちの対応する第２電極とを電気的に絶縁する複数の第２絶縁壁を形成する工程を含み、第３電極層形成工程は、誘電体層の上方および複数の第１絶縁壁の一側面上および複数の第２絶縁壁の一側面上に導電材料を堆積することによって、複数の補助電極と複数の第２電気接続部とを一体的に形成する工程を含んでもよい。
【００２１】
なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】第１の実施形態に係る発光デバイスの陰極側から見た図である。
【図２Ａ】図１に示すＡ−Ａ断面図である。
【図２Ｂ】図１に示すＢ−Ｂ断面図である。
【図２Ｃ】図１に示すＣ−Ｃ断面図である。
【図３Ａ】第１の実施形態に係る発光デバイスの製造方法の説明図である。
【図３Ｂ】第１の実施形態に係る発光デバイスの製造方法の説明図である。
【図３Ｃ】第１の実施形態に係る発光デバイスの製造方法の説明図である。
【図３Ｄ】第１の実施形態に係る発光デバイスの製造方法の説明図である。
【図３Ｅ】第１の実施形態に係る発光デバイスの製造方法の説明図である。
【図４】第２の実施形態に係る発光デバイスの陰極側から見た図である。
【図５Ａ】図４に示すＡ−Ａ断面図である。
【図５Ｂ】図４に示すＢ−Ｂ断面図である。
【図５Ｃ】図４に示すＣ−Ｃ断面図である。
【図５Ｄ】図４に示すＤ−Ｄ断面図である。
【図６Ａ】第２の実施形態に係る発光デバイスの製造方法の説明図である。
【図６Ｂ】第２の実施形態に係る発光デバイスの製造方法の説明図である。
【図６Ｃ】第２の実施形態に係る発光デバイスの製造方法の説明図である。
【図６Ｄ】第２の実施形態に係る発光デバイスの製造方法の説明図である。
【図６Ｅ】第２の実施形態に係る発光デバイスの製造方法の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
【００２４】
図１は、第１の実施形態に係る発光デバイス１００の陰極側から見た図を示す。図２Ａは、図１に示すＡ−Ａ断面図を示す。図２Ｂは、図１に示すＢ−Ｂ断面図を示す。図２Ｃは、図１に示すＣ−Ｃ断面図を示す。
【００２５】
発光デバイス１００は、基板１０、第１電極層２０、発光層３０、第２電極層４０、誘電体層５０、第３電極層６０、第１電気接続部６４、および第１絶縁壁５２を備える。発光層３０は、第１電極層２０の上方に配置されている。第２電極層４０は、発光層の上方に配置されている。誘電体層５０は、第２電極層４０の上方に配置されている。第３電極層６０は、誘電体層５０の上方に配置されている。第１電気接続部６４は、第３電極層６０と一体的に形成されており、第１電極層２０と第３電極層６０とを電気的に接続する。第１絶縁壁５２は、第２電極層４０の一側面と第１電気接続部６４との間に挟まれて配置され、第２電極層４０と第１電気接続部６４とを電気的に絶縁する。第１絶縁壁５２は、誘電体層５０と一体的に形成されている。
【００２６】
第１電極層２０は、第１方向Ｘに延伸して配置されている帯状の複数の第１電極２２を有する。複数の第１電極２２はそれぞれ陽極である。第２電極層４０は、第１方向Ｘとは異なり、第１方向Ｘと垂直な第２方向Ｙに延伸して配置されており、複数の第１電極２２と交差している帯状の複数の第２電極４２を有する。複数の第２電極４２はそれぞれ陰極である。第３電極層６０は、複数の第１電極２２と複数の第２電極４２とが交差している複数の領域上のそれぞれに配置される複数の第３電極６２を有する。第１電極層２０は、複数の第２電極４２に対する複数の取出電極２４を有してもよい。
【００２７】
複数の第３電極６２のそれぞれは、複数の第１電気接続部６４のそれぞれによって、複数の第１電極２２のうちの対応する第１電極２２に電気的に接続される。複数の第１電気接続部６４のそれぞれは、複数の第２電極４２の一側面にそれぞれ配置されている複数の第１絶縁壁５２によって、複数の第２電極４２のうちの対応する第２電極４２と電気的に絶縁されている。
【００２８】
発光デバイス１００は、いわゆるボトムエミッション型の有機ＥＬ発光デバイスである。なお、発光デバイス１００は、いわゆるトップエミッション型の有機ＥＬ発光デバイス、または両面光取出し型の有機ＥＬ発光デバイスでもよい。
【００２９】
第１電極層２０の下方に配置されている基板１０は、ガラスまたは高分子フィルムなどの光透過性を有する板材である。第１電極層２０は、光透過性導電性材料により構成してもよい。ここで、「光透過性」とは、光を透過する性質を有することを意味する。光透過性導電性材料は、可視光域（３５０ｎｍ〜７８０ｎｍ）における光の透過率が概ね５０％を超える性質を有し、かつ表面抵抗値が１０７Ω以下の材料のことをいう。具体的には、光透過性導電性材料として、インジウムドープの酸化錫（ＩＴＯ）、インジウムドープの酸化亜鉛（ＩＺＯ）、酸化錫、酸化亜鉛などを用いることができる。表面抵抗の低さの観点からは、インジウムドープの酸化錫を用いて第１電極層２０を構成することが好ましい。第１電極層２０は、例えば、スパッタ法、蒸着法、パルスレーザー堆積法などにより基板１０上にＩＴＯ薄膜を形成することにより形成される。
【００３０】
発光層３０は、複数の第１電極２２上に配置されている。発光層３０は、一般の有機ＥＬ素子において陽極と陰極とに狭持された部分を示し、電子注入層、電子輸送層、有機層、正孔注入層、および正孔輸送層などを有する。発光層３０は、有機化合物のほかに、薄膜のアルカリ金属または無機材料を用いて構成されてもよい。
【００３１】
第２電極層４０は、例えば、ＡｌまたはＡｇなどの導電性材料を用いて、蒸着法、スパッタ法などの方法により発光層３０上に形成される。基板１０側から光を取り出すボトムエミッション型の有機ＥＬ発光デバイスの場合、第２電極層４０は光透過性である必要はない。一方、トップエミッション型または両面取出し型の有機ＥＬ発行デバイスの場合、第２電極層４０は、光透過性導電材料により構成される。この場合、第２電極層４０は、第１電極層２０で用いられる材料と同一の材料により構成されてもよい。なお、本実施形態においては、第２電極層４０は、発光層３０上に配置されている。しかし、発光デバイス１００の製造工程において、吸湿によって発光層３０を構成する各層が劣化するのを抑制する観点から、発光層３０の最表面（第２電極層４０との界面）に第２電極層４０とは別に、バッファ層として導電性の他の層を形成してもよい。
【００３２】
誘電体層５０は、例えば、シリコン窒化膜、シリコン酸化膜、またはシリコン窒酸化膜などの誘電体材料を用いて、蒸着法、スパッタ法などの方法により第２電極層４０上に形成される。第３電極層６０は、例えば、ＡｌまたはＡｇなどの導電性材料を用いて、蒸着法、スパッタ法などの方法により発光層３０上に形成される。
【００３３】
以上のように構成された発光デバイス１００において、いわゆるパッシブマトリックス方式により、複数の第１電極２２および複数の第２電極４２にそれぞれ個別に駆動電圧を印加することで、駆動電圧が印加された一の第１電極２２および一の第２電極４２が交差している交差領域において発光層３０を発光させることができる。
【００３４】
また、第２電極層４０、誘電体層５０、および第３電極層６０が、第１電極層２０、発光層３０および第２電極層４０によって構成される有機ＥＬ素子に並列に接続されるキャパシタとして機能する。これにより、一の第１電極２２および一の第２電極４２への駆動電圧の印加が終了した後も、一の第２電極４２に対応するキャパシタに蓄電された電気エネルギーによって、キャパシタに電気エネルギーが蓄電されている間、一の第２電極４２への電圧の印加が暫く継続される。キャパシタに蓄電された電気エネルギーが第２電極４２に印加されている間、発光層３０は、対応する交差領域において徐々に暗くなりながら発光を継続する。このような発光デバイス１００を、例えば光による演出を行う照明装置に適用することにより、より滑らかな光の演出を実現できる。
【００３５】
図３Ａ、図３Ｂ、図３Ｃ、図３Ｄ、および図３Ｅは、第１の実施形態に係る発光デバイス１００の製造方法についての説明図を示す。
【００３６】
まず、第１電極層形成工程において、基板１０上に第１電極層２０を形成する。より具体的には、基板１０上にＩＴＯ薄膜などを形成することで、第１方向Ｘに延伸する複数の第１電極２２を形成する。また、基板１０の第２方向Ｙにおけるそれぞれの側面に隣接する複数の取出電極２４を形成する（図３Ａ）。なお、複数の第１電極２２および複数の取出電極２４は、いわゆるレーザースクライブ法により形成してもよい。より具体的には、基板１０上に第１電極層２０を形成した後、基板１０の発光面側からレーザーを照射することで、第１電極層２０の一部を除去し、複数の第１電極２２および複数の取出電極２４を形成してもよい。次いで、発光層形成工程において、マスク蒸着法などにより、第１電極層２０の上方に第２方向Ｙに延伸させる複数の第２電極４２に対応する領域に発光層３０を形成する（図３Ｂ）。
【００３７】
さらに、第２電極層形成工程において、発光層３０の上方に導電材料を堆積させることで、第２電極層４０を形成する。より具体的には、マスク蒸着法などにより、第１方向Ｘとは異なる第２方向Ｙに延伸し、複数の第１電極２２と交差している複数の第２電極４２を形成する。なお、第２電極層形成工程において、複数の取出電極２４上にも、符号４４で示すように、複数の第２電極４２と同一の導電材料を堆積させてもよい（図３Ｃ）。
【００３８】
また、複数の第２電極４２は、いわゆるレーザースクライブ法により形成してもよい。より具体的には、発光層形成工程において、第１電極層２０の略全面に発光層３０を形成し、第２電極層形成工程において、発光層３０の略全面に第２電極層４０を形成する。第２電極層４０を形成した後、基板１０の発光面側からレーザーを照射することにより発光層３０および第２電極層４０にレーザーを照射して、発光層３０および第２電極層４０のそれぞれの一部を除去することで、複数の第２電極４２を形成してもよい。
【００３９】
次いで、誘電体層形成工程において、第２電極層４０の上方に誘電体層５０を形成する。また、第２電極層４０の一側面と第１電気接続部６４との間に挟まれて配置され、第２電極層４０と第１電気接続部６４とを電気的に絶縁する第１絶縁壁５２を形成する。さらに言えば、複数の第２電極の一側面のそれぞれに、複数の第１電気接続部６４と複数の第２電極４２のうちの対応する第２電極４２とを電気的に絶縁する複数の第１絶縁壁５２を形成する。より具体的には、複数の第２電極４２の上方および一側面上にマスク蒸着法などにより誘電体材料を堆積することによって、誘電体層５０および第１絶縁壁５２を一体的に形成する（図３Ｄ）。
【００４０】
続いて、第３電極層形成工程において、誘電体層５０の上方に第３電極層６０を形成する。また、第１電極層２０と第３電極層６０とを電気的に接続する第１電気接続部６４を形成する。さらに言えば、複数の第１電極２２および複数の第２電極４２が交差している複数の領域のそれぞれに配置される複数の第３電極６２と、複数の第３電極６２のそれぞれと複数の第１電極２２のうちの対応する第１電極２２とを電気的に接続する複数の第１電気接続部６４を形成する。より具体的には、誘電体層５０の上方および第１絶縁壁５２の一側面上にマスク蒸着法などにより導電材料を堆積することによって、複数の第３電極６２および複数の第１電気接続部６４を一体的に形成する（図３Ｅ）。
【００４１】
以上のような各工程により、第１電極層２０、発光層３０および第２電極層４０によって構成される有機ＥＬ素子と、第２電極層４０、誘電体層５０、および第３電極層６０によって構成されるキャパシタとが並列に接続された発光デバイス１００を製造できる。さらに、第１電極層２０と第３電極層６０との電気的な接続構造も上記の各工程で形成できる。よって、複数の有機ＥＬ素子のそれぞれにキャパシタを並列に接続させた発光デバイス１００の製造工程を効率化でき、製造コストを抑制できる。
【００４２】
図４は、第２の実施形態に係る発光デバイス１００の陰極側から見た図を示す。図５Ａは、図４に示すＡ−Ａ断面図を示す。図５Ｂは、図４に示すＢ−Ｂ断面図を示す。図５Ｃは、図４に示すＣ−Ｃ断面図を示す。図５Ｄは、図４に示すＤ−Ｄ断面図を示す。
【００４３】
第２の実施形態に係る発光デバイス１００は、複数の補助電極７０および複数の第２電気接続部７２を備える点で、第１の実施形態に係る発光デバイス１００と異なる。
【００４４】
複数の補助電極７０は、誘電体層５０の上方に第１方向Ｘに延伸して配置される。複数の第２電気接続部７２は、複数の補助電極７０のそれぞれと複数の第１電極２２のそれぞれとを複数箇所で電気的に接続する。複数の補助電極７０は、第３電極層６０と同一面内に配置される。複数の補助電極７０のうちの一の補助電極と、複数の第２電気接続部７２のうちの一の補助電極に電気的に接続された複数の第２電気接続部とは、一体的に形成されている。複数の補助電極７０は、例えば、マスク蒸着法などにより導電性材料を堆積させることで、第３電極層６０と同一工程において形成される。第１電極層２０を例えばＩＴＯ薄膜で構成する場合、表面抵抗が比較的高いので、電圧が印加される位置からの距離に応じて第１電極層２０の表面の電圧にばらつきが生じやすい。そこで、補助電極７０により第１電極層２０の表面の電圧のばらつきを抑制できる。
【００４５】
また、発光デバイス１００は、複数の第２電極４２の他側面にそれぞれ配置されている複数の第２絶縁壁５４をさらに備える。第２絶縁壁５４は、誘電体層５０および第１絶縁壁５２と一体的に形成されている。そして、図５Ｂに示すように、複数の第２電気接続部７２のうちの少なくとも１つの第２電気接続部７２−１は、複数の第２電極４２のうちの２つの第２電極４２−１および４２−２の間に配置されている。これにより、第２電気接続部７２−１は、複数の第１絶縁壁５２のうち２つの第２電極４２−１および４２−２の一方の第２電極４２−１の一側面に配置されている第１絶縁壁５２−１および複数の第２絶縁壁５４のうち２つの第２電極の他方の第２電極４２−２の他側面に配置されている第２絶縁壁５４−２によって２つの第２電極４２−１および４２−２と電気的に絶縁されている。
【００４６】
以上のように構成された発光デバイス１００によれば、複数の補助電極７０により、複数の第１電極２２の表面の電圧のばらつきを抑制できる。しかも、複数の補助電極７０は、第３電極層６０と同一工程において形成できるので、製造工程を効率化でき、製造コストを抑制できる。
【００４７】
図６Ａ、図６Ｂ、図６Ｃ、図６Ｄ、および図６Ｅは、第２の実施形態に係る発光デバイス１００の製造方法についての説明図である。
【００４８】
まず、第１電極層形成工程において、基板１０上にＩＴＯ薄膜などを形成することで、第１方向Ｘに延伸する複数の第１電極２２を形成する。また、基板１０の第２方向Ｙにおけるそれぞれの側面に隣接する複数の取出電極２４を形成する（図６Ａ）。次いで、発光層形成工程において、マスク蒸着法などにより、第１電極層２０の上方に第２方向Ｙに延伸させる複数の第２電極４２に対応する領域に発光層３０を形成する（図６Ｂ）。
【００４９】
さらに、第２電極層形成工程において、マスク蒸着法などにより、第１方向Ｘとは異なる第２方向Ｙに延伸し、複数の第１電極２２と交差している複数の第２電極４２を形成する（図６Ｃ）。次に、誘電体層形成工程において、第２電極層４０の上方、第２電極層４０の一側面上および他側面上に誘電体材料を堆積することによって、誘電体層５０および第１絶縁壁５２とともに、複数の第２電気接続部７２のうち第２電極層４０の他側面側にある第２電気接続部７２と第２電極層４０とを電気的に絶縁する第２絶縁壁５４を一体的に形成する。さらに言えば、複数の第２電極４２の他側面のそれぞれに、複数の第２電気接続部７２のうち複数の第２電極４２の他側面側に配置されるそれぞれの第２電気接続部７２と複数の第２電極４２のうちの対応する第２電極４２とを電気的に絶縁する複数の第２絶縁壁５４を形成する（図６Ｄ）。
【００５０】
続いて、第３電極層形成工程において、第３電極層６０および複数の第２電気接続部７２とともに、誘電体層５０の上方に配置される補助電極７０と、補助電極７０と第１電極層２０とを複数箇所で電気的に接続する複数の第２電気接続部７２とを形成する。より具体的には、誘電体層５０の上方および第１絶縁壁５２の一側面上および第２絶縁壁５４の一側面上に導電材料を堆積することによって、補助電極７０と複数の第２電気接続部７２とを一体的に形成する（図６Ｅ）。
【００５１】
以上のような各工程により、第１電極層２０、発光層３０および第２電極層４０によって構成される有機ＥＬ素子と、第２電極層４０、誘電体層５０、および第３電極層６０によって構成されるキャパシタとが並列に接続され、かつ誘電体層５０上に第１電極層２０用の補助電極７０が配置された発光デバイス１００を製造できる。さらに、第１電極層２０と第３電極層６０との電気的な接続構造も上記の各工程で形成できる。加えて、補助電極７０は、第３電極層６０と同一工程において形成できる。よって、発光デバイス１００の製造工程を効率化でき、製造コストを抑制できる。
【００５２】
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【００５３】
特許請求の範囲、明細書、および図面中において示した装置、システム、プログラム、および方法における動作、手順、ステップ、および段階等の各処理の実行順序は、特段「より前に」、「先立って」等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。特許請求の範囲、明細書、および図面中の動作フローに関して、便宜上「まず、」、「次に、」等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。
【符号の説明】
【００５４】
１０  基板
２０  第１電極層
２２  第１電極
３０  発光層
４０  第２電極層
４２  第２電極
５０  誘電体層
５２  第１絶縁壁
５４  第２絶縁壁
６０  第３電極層
６２  第３電極
６４  第１電気接続部
７０  補助電極
７２  第２電気接続部
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
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【図６Ｅ】
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