(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
線状に延伸し、一端部が被検査体に接続されるとともに他端部が基板に接続される複数の導体線と、
グランドに接続された導体板と、を備え、
前記導体線は、電気信号を伝送する中心導体と、該中心導体の外周において、前記一端部及び前記他端部を除く領域に形成された絶縁層と、を有し、
前記導体板は、前記中心導体に対して間隔をあけて該中心導体の長手方向に沿うように配設されていることを特徴とする伝送線路。
【請求項２】
前記導体線及び前記導体板は、互いに略平行に配設されていることを特徴とする請求項１に記載の伝送線路。
【請求項３】
前記導体板は、該導体板の少なくとも一方の面に絶縁層が形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の伝送線路。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載の伝送線路と、
前記導体線の一端部側を支持するプレートと、
前記導体線の他端部に接続される基板と、を備えることを特徴とする検査治具。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、伝送線路及び検査治具に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、プローブカードを利用した半導体の検査に使用される伝送線路（プローブ）としては、同軸線路（同軸ケーブル）やストリップ線路（ストリップライン）が用いられている。
【０００３】
例えば特許文献１には、伝送線路が、導電針体（中心導体）と、この導電針体の先端側を除いた外周を覆う誘電体と、この誘電体の外周を覆う外部導体と、この外部導体の外周を覆うシースとを備えることにより構成された同軸線路が開示されている。特許文献１において、同軸線路の外部導体はアース基板に接続されている。
【０００４】
また、特許文献２には、デバイスステージ上に配置された半導体装置（被検査体）の電極に、導体線が有する中心導体の一方の先端を押し当て、この中心導体の他端に接続されたコネクタにより外部コネクタに接続する伝送線路が開示されている。この特許文献２に記載の伝送線路はストリップ線路を用いており、プローブ先端の電極がデバイス電極に接触した際、先端部分では、金属カバー内で摺動接触子を挟んでチップ基板部のグランド面と金属カバー内面とが電気的接触を保つ構造とされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平７−５０３２２号公報
【特許文献２】特開平１１−１３３０５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、近年、半導体装置における電気信号の高周波化（例えば１ＧＨｚ超え）にともない、プローブカードを利用した半導体装置の検査装置において、電気信号を伝送するときのインピーダンスの不整合が問題になってきている。また、半導体装置の高密度化により、半導体装置の電極パッドの大きさが直径１００μｍ、配列ピッチが１４０μｍ程度と小さくなると、同軸構造やストリップ線路からなる伝送線路を用いた検査装置は、使用が困難である。
【０００７】
例えば、特許文献１では、電極パッドの大きさが約６０μｍ角で配列ピッチが１００μｍの半導体装置の検査を行っているが、特性インピーダンスを約５０Ωとするために、外径約７０μｍの導電針体の外周に、誘電体、外部導体及びシースを順次設けた外径０．８ｍｍの同軸ケーブルを用いている。
【０００８】
しかし外径０．８ｍｍの同軸ケーブルでは、上述の配列ピッチの半導体装置の検査を行うコンタクトプローブとして配列することができないため、その先端側を１５ｍｍほど剥いて導電針体のみとし、電極パッドにコンタクトできるように構成している。このため、同軸構造でない導電針体の先端部分ではインピーダンスの不整合が起こり、検査精度が悪化してしまう。このように微小サイズの電極パッド及び配列ピッチを有する半導体装置の検査においては、サイズ的に同軸ケーブル構造のコンタクトプローブをそのまま使用することが困難であるが、サイズの問題の解消のために単線の線状導体を用いると、インピーダンスの不整合の問題が生じてしまう。
【０００９】
また、特許文献２に開示されたようなストリップ線路を用いた検査装置では、中心導体の水平方向あるいは、垂直方向にグランド電極が必要になる。つまり、１つの信号電極の周りにグランド電極が必ず対で１つ必要になる。したがって、伝送線路に対してグランド電極が対となるように構成されている半導体装置しか検査できないという問題があった。
【００１０】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、高周波で使用される半導体装置を検査する際に、半導体装置表面の信号電極の近傍に、プローブと対になるグランド電極がなくてもインピーダンス不整合を低減することが可能な伝送線路及び検査治具を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の一態様に係る伝送線路は、線状に延伸し、一端部が被検査体に接続されるとともに他端部が基板に接続される複数の導体線と、グランドに接続された導体板と、を備え、前記導体線は電気信号を伝送する中心導体を有し、前記導体板は、前記中心導体に対して間隔をあけて該中心導体の長手方向に沿うように配設されていることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の一態様に係る伝送線路において、前記導体線及び前記導体板は、互いに略平行に配設されていることを特徴とする。
【００１３】
また、本発明の一態様に係る伝送線路において、前記導体板は、該導体板の少なくとも一方の面に絶縁層が形成されていることを特徴とする。
【００１４】
また、本発明の一態様に係る伝送線路において、前記導体線は、前記一端部及び他端部を除く領域に形成された絶縁層を有することを特徴とする。
【００１５】
本発明の一態様に係る検査治具は、前述のいずれか一項に記載の伝送線路と、前記導体線の一端部側を支持するプレートと、前記導体線の他端部に接続される基板と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、高周波で使用される半導体装置を検査する際に、半導体装置表面の信号電極の近傍に、プローブと対になるグランド電極がなくてもインピーダンス不整合を低減することが可能な伝送線路及び検査治具を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１は、本発明の実施形態に係る伝送線路を備える検査治具の正面図である。
【図２】図２は、本発明の実施形態に係る伝送線路を備える検査治具の断面を示す概略図である。
【図３】図３は、図２のＡ−Ａ矢視断面を示す概略図である。
【図４】図４は、本発明の実施形態に係る伝送線路の概略説明図である。
【図５】図５は、本発明の実施形態に係る伝送線路が備える導体線の概略説明図である。
【図６】図６は、本発明の実施形態に係る伝送線路が備える導体板の概略説明図である。
【図７】図７は、本発明の実施形態に係る伝送線路における導体線と導体板の配置を説明するための概略図である。
【図８】図８は、導体線と導体板の距離の関係を説明するための概略図である。
【図９】図９は、被検査体の電極の位置を説明するための概略図である。
【図１０】図１０は、実施例２で使用した測定装置の概略図である。
【図１１】図１１は、実施例２の実験結果を示す図である。
【図１２】図１２は、実施例３で使用した測定装置の概略図である。
【図１３】図１３は、実施例３の実験結果を示す図である。
【図１４】図１４は、実施例３の実験結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下に、図面を参照して本発明の実施形態に係る伝送線路及び検査治具について説明する。なお、この実施形態によりこの発明が限定されるものではない。また、図面の記載において、同一または対応する要素には適宜同一の符号を付している。
【００１９】
図１は、本発明の実施形態に係る伝送線路１０を備える検査治具１の正面図である。図２は、本発明の実施形態に係る伝送線路１０を備える検査治具１の断面を示す概略図である。図３は、図２のＡ−Ａ矢視断面を示す概略図である。
【００２０】
検査治具１は、伝送線路１０と、プレート２０と、基板３０（プローブカード）と、補強板４０と、を備えている。この検査治具１は、プローブカードを用いた、被検査体Ｓ（半導体装置）の検査装置に適用される治具である。例えば、検査治具１の基板３０に形成された線路が測定器に接続されて、各種検査が行われる。
【００２１】
図４は、本発明の実施形態に係る伝送線路１０の概略説明図である。伝送線路１０は、図４に示すように、線状に延伸し、一端部（図４において上端部）が被検査体Ｓに接続されるとともに他端部（図４において下端部）が基板３０に接続される複数の導体線１１と、グランドに接続された導体板１５と、を備えている。
【００２２】
図５は、本発明の実施形態に係る伝送線路１０が備える導体線１１の概略説明図である。導体線１１は、電気信号を伝送する中心導体１２と、この中心導体１２の外周に形成された絶縁層１３とを有している。この導体線１１の一端部（図５において左端部）及び他端部（図５において右端部）には、絶縁層１３が形成されておらず、中心導体１２が剥き出しとされている。
【００２３】
導体線１１の一端部は、中心導体１２が剥き出しになっている長さが、他端部よりも若干長くなっている。導体線１１の一端部において、中心導体１２が剥き出しとされている長さは、例えば５５０μｍ以上７００μｍ以下である。導体線１１の他端部において、中心導体１２が剥き出しとされている長さは、例えば２００μｍ以上４００μｍ以下である。本実施形態においては、伝送線路１０は、１５本の導体線１１を備えている。これらの導体線１１は、互いに略平行（図４において紙面、上下方向に略平行）に配置されている。
【００２４】
中心導体１２の材質として具体的には、タングステンやパラジウムなどが挙げられる。本実施形態において、中心導体１２の直径は５０μｍ、中心導体１２の長さは５．００ｍｍとされている。
【００２５】
絶縁層１３として具体的には、ポリウレタンやテフロン（登録商標）などが挙げられる。絶縁層１３の厚さは、例えば５μｍ以上５０μｍ以下である。本実施形態においては、絶縁層１３の厚さは、１０μｍとされている。すなわち、本実施形態において、導体線１１の直径は、７０μｍである。
【００２６】
図６は、本発明の実施形態に係る伝送線路１０が備える導体板１５の概略説明図である。導体板１５は、略長方形の形状を有し、長手方向の端面から外側に向けて突出する凸部１６が１か所形成されている。本実施形態においては、凸部１６の大きさは、幅０．５ｍｍ、高さ０．１５ｍｍとされている。また、この凸部１６は、後述する下プレート２５の開口部２６の下面側から０．０５ｍｍ以下突出している。また、導体板１５には、ノックピン５１が挿通される孔１７（貫通孔）が２か所形成されている。本実施形態において、導体板１５及び導体線１１は、互いに略平行に配設されている。
【００２７】
導体板１５の材質は特に限定されるものではないが、本実施形態において導体板１５の材質は、リン青銅とされ、その厚さは４６０μｍとされている。
また、導体板１５の片面又は両面には、絶縁層１８が形成されていても良い（図８参照）。絶縁層１８としては、例えば、ポリウレタンやポリイミドなどが挙げられる。絶縁層１８の厚さは、例えば５μｍ以上５０μｍ以下である。
【００２８】
図７は、本発明の実施形態に係る伝送線路１０における導体線１１と導体板１５の配置を説明するための概略図であり、図３の一部を拡大して示している。１５本の導体線１１のうち、導体板１５の一方の面及び他方の面の近傍にそれぞれ４本ずつ導体線１１が配置されている（図７において、符号Ａで示されている）。これらの導体線１１は、導体板１５との間に隙間を設けて配置されている。より具体的には、図８に示すように、導体板１５と導体線１１の中心導体１２との間に距離ｈの間隔が設けられている。すなわち、導体線１１と導体板１５とが電気的に接続されないように構成されている。
【００２９】
図７において、符号Ａで示される８本の導体線１１には、高周波の電気信号が伝送される。本実施形態においては、符号Ａで示される８本の導体線１１は、隣り合う導体線１１の中心導体１２の距離が１００μｍに設定されている。また、その他の７本の導体線１１は、導体板１５の端部周辺に配設されている。
ここで、距離ｈは、１０μｍ以上１００μｍ以下の範囲とされていることが好ましい。より好ましくは、距離ｈは、１０μｍ以上２５μｍ以下の範囲である。
【００３０】
図１、２に戻って、プレート２０は、上プレート２１と下プレート２５とによって構成されている。このプレート２０は、導体線１１及び導体板１５を保持するとともに、導体線１１及び導体板１５を所定の位置に配設するためのものである。また、上プレート２１及び下プレート２５は、例えばエンジニアリングプラスチックによって構成されている。
【００３１】
上プレート２１は、平面視で略矩形の形状を有し、図４に示すように、中央部にはチップホルダ２４を設けるための凹部２２が形成されている。凹部２２には、被検査体Ｓの電極Ｓａ（図９参照）の配列に対応する孔２３（例えば直径５０μｍ以上７０μｍ以下）が形成されている。孔２３の直径は、中心導体１２の直径よりもわずかに拡径されていれば良い。また、上プレート２１には、導体板１５をガイドするための溝（図示なし）が形成されている。
チップホルダ２４は、被検査体Ｓを保持するためのものであり、被検査体Ｓを保持した状態で上プレート２１の凹部２２に挿入されている。
【００３２】
下プレート２５も平面視で略矩形の形状を有し、導体板１５の凸部１６が配置される開口部２６が形成されている。また、下プレート２５には、被検査体Ｓの電極Ｓａ（図９参照）の配列に対応する孔２７（例えば直径７０μｍ以上９０μｍ以下）が形成されている。孔２７の直径は、導体線１１の直径よりもわずかに拡径されていれば良い。
なお、上プレート２１の孔２３及び下プレート２５の孔２７には、上述した１５本の導体線１１が挿通されており、上プレート２１及び下プレート２５にこれらの導体線１１が支持されている。これにより、導体線１１は、被検査体Ｓの電極Ｓａと対応する配列とされる。
【００３３】
基板３０は、いわゆるプローブカードであり、基板３０には被検査体Ｓの電極Ｓａと同様の配列の電極（電極パッド）が形成されている。この基板３０の電極に、導体線１１の他端部（図４において下端部）が物理的に接触し、電気的に接続されている。基板３０には外部からコネクタを通して電源からの電力や電気信号（テスト信号）が入力される。基板３０にはグランドが設けられており、導体板１５の凸部１６がこの基板３０のグランドと物理的に接触している。
基板３０に形成された電極の径は、例えば５０μｍ以上１００μｍ以下、ピッチは１００μｍ以上２００μｍ以下とされている。また、基板３０の電極の材質は、例えば銅に金メッキを施したものである。
【００３４】
補強板４０は、上述の基板３０及びプレート２０を配置するためのものであり、補強板４０の載置面に基板３０などが載置されている。補強板４０の材質は、例えばアルミニウムやアルミニウム合金である。
【００３５】
本実施形態において、被検査体Ｓは、高周波で使用される半導体装置である。被検査体Ｓには、図９に示すように電極Ｓａが１５か所形成されている。
【００３６】
次に、本発明の実施形態に係る検査治具１の組み立て方法について説明する。まず、２本のノックピン５１を導体板１５に挿通し、これらノックピン５１及び導体板１５を、下プレート２５に形成されたノックピン５１及び導体板１５が入る溝に挿入する。このとき、導体板１５の凸部１６が下プレート２５の開口部２６に配置されるようにする。
【００３７】
次いで、上プレート２１の溝（図示なし）に導体板１５が嵌るように導体板１５を配置するとともに、下プレート２５と対向するように上プレート２１を配置する。そして、ノックピン５２を挿入後、ネジ５３をネジ止めし、上プレート２１と下プレート２５とを一体化する。
【００３８】
次に、下プレート２５の孔２７から導体線１１を挿入し、導体線１１の先端（一端部）を被検査体Ｓが設けられる上プレート２１の孔２３の外側まで挿通する。このとき、導体線１１の一端部が、上プレート２１の上面よりも外側に約１００μｍ突出するようにする。
【００３９】
上記のように導体線１１を挿入完了後、下プレート２５の外側の面に、基板３０を配置する。このとき、基板３０の電極が形成されている側の面が下プレート２５と接するように、ノックピン５２を基板３０と補強板４０とに挿通する。次いで、補強板４０の下側から、補強板４０、基板３０、及び下プレート２５をネジ５４でネジ止めする。
【００４０】
ここで、上述したように、基板３０に形成された電極が導体線１１の他端部と接続されるように構成されている。また、導体板１５の凸部１６は、基板３０のグランドと物理的に接触するように構成されている。
【００４１】
被検査体Ｓ（半導体装置）を検査治具１に配設する場合は、被検査体Ｓをチップホルダ２４に保持した後、上プレート２１の凹部２２にチップホルダ２４を挿入する。例えば底面厚さ１００μｍのチップホルダ２４には、直径約１１０μｍの孔が形成されており、それらの孔に電極Ｓａとなる半田バンプが配設されている。被検査体Ｓの半田バンプは被検査体Ｓの底面よりわずかに突出している。そして、被検査体Ｓをチップホルダ２４に保持し上プレート２１の凹部２２に載置した状態で、さらにチップカバーをチップホルダ２４の上に重ね、下プレート２５側に押し込むことにより被検査体Ｓの電極Ｓａと導体線１１の中心導体１２とが電気的に接続される。
【００４２】
以上のような構成とされた本実施形態に係る伝送線路１０及び検査治具１において、基板３０のグランドに接続された導体板１５は、導体線１１の中心導体１２に対して間隔をあけて導体線１１（中心導体１２）の長手方向に沿うように配設されている。これにより導体線１１が単体で設けられる場合よりも導体線１１のインピーダンスが低減するので、基板３０及び被検査体Ｓとのインピーダンスの不整合を低減することができる。すなわち、導体線１１に隣接して導体板１５が配置されていることにより、高周波で使用される被検査体Ｓを検査する際に、被検査体Ｓの底面の電極Ｓａ（信号電極）の近傍にプローブと対になるグランド電極がなくても、インピーダンスの不整合を低減することができる。
【００４３】
また、本実施形態では、導体線１１の長手方向において、導体線１１の両端部を除く広い範囲にわたって導体板１５が沿うように配設されているので、上述したインピーダンスの不整合を十分に低減することができる。
【００４４】
また、導体線１１は、両端部（一端部及び他端部）を除く領域に絶縁層１３が形成されているので、インピーダンスを低くすることによりインピーダンスの不整合をより低減することができる。
また、導体線１１と対向する導体板１５の面に絶縁層１８が形成されている場合には、インピーダンスを低くすることによりインピーダンスの不整合をより低減することができる。
【００４５】
なお、上記の実施形態により本発明が限定されるものではない。上述した各構成要素を適宜組み合わせて構成したものも本発明に含まれる。また、さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。よって、本発明のより広範な態様は、上記の実施形態に限定されるものではなく、様々な変更が可能である。
例えば上記の実施形態では、導体板１５及び導体線１１が、互いに略平行に配設されている場合について説明したが、これに限定されるものではなく、互いに傾斜する方向に配設されていても良い。また、上記の実施形態では、複数の導体線１１が互いに略平行に配設されている場合について説明したが、導体線１１同士が互いに傾斜する方向に配設されていても良い。
【００４６】
（実施例１）
次に本発明の効果を確認するために行った実施例１〜３について説明する。まず実施例１について説明する。実施例１では、上述した実施形態で説明した検査治具１を用いてインピーダンスの不整合に関して実験を行った。
図８で示したように、導体板１５の導体部分から導体線１１の中心導体１２までの距離をｈとし、実施例１では、表１に示すように距離ｈを種々の値に設定して実験を行った。なお、導体板１５の絶縁層１８を表１に示すように設定して、実験を行った。実験の結果を表１に示す。なお、比較例１では、導体板を配置せずに実験を行った。
【００４７】
基本的に高周波伝送線路のインピーダンスＺは、Ｚ＝√（Ｌ／Ｃ）で定義される。Ｌはインダクタンスである。容量Ｃは導体線の被覆材料と被覆厚さ、導体板までの距離、及び導体線と導体板との間に入る材料（誘電率）に影響される。
【００４８】
【表１】
0006046200.tif 000002
【００４９】
表１に示すように、導体板と導体線の中心導体との距離ｈを１０〜１００μｍとした発明例１〜９では、インピーダンスが低く、良好であった。例えば、距離ｈが１０μｍの場合（発明例１）はインピーダンスが４２Ω、距離ｈが２５μｍの場合（発明例５）は、インピーダンスが６６Ωであった。
【００５０】
距離ｈを２５μｍとし、導体板にポリウレタンを約１０μｍ被覆した場合（発明例６）は、インピーダンスは６２Ωであった。また、距離ｈを２５μｍとし、導体板にポリイミドを１０μｍ被覆した場合（発明例７）は、インピーダンスは６４Ωであった。
導体板と絶縁層（導体線の被膜）の間隔を１０μｍ（距離ｈ＝２０μｍ）にした場合、インピーダンスは６０Ωとなった（発明例２）。さらに、導体板に１０μｍポリウレタン被膜を形成するとインピーダンスは５４Ωになる（発明例３）。発明例３においてポリウレタンからポリイミドに被膜を変えた場合（発明例４）、インピーダンスは５７Ωとなった。このことから、導体板に絶縁層を上記のように形成することによりインピーダンスを調整でき、インピーダンスの不整合をより低減可能であることが確認された。
【００５１】
一方、導体板を配置していない比較例１では、インピーダンスの値が１２７Ω以上となり、発明例１〜９と比較して、インピーダンスの整合性が著しく劣った。
【００５２】
次に、導体板と導体線の中心導体との距離ｈを変えてインピーダンスを測定した時の結果を表２に示す。この表２では、導体線の絶縁層をポリウレタンとし、厚さを１０μｍとした。また、導体板には絶縁層を形成せずに測定を行った。
【００５３】
【表２】
0006046200.tif 000003
【００５４】
表２に示すように、導体板が、導体線の中心導体からの距離ｈが２５μｍより短く配置されている時はインピーダンスが６６Ωより低くなる。導体板と導体線の中心導体との距離ｈを２５μｍよりも長くするとインピーダンスは６６Ωより高くなる。本実施例においては、隣り合う導体線の中心導体間の距離が１００μｍで平行に配置されているので、導体板と導体線の中心導体との距離ｈを１００μｍ以下にすることでインピーダンスを１００Ω以下にすることができる。
【００５５】
（実施例２）
次に、実施例２について説明する。実施例２では、伝達線路特性としてＴＤＲ（Ｔｉｍｅ  Ｄｏｍａｉｎ  Ｒｅｆｌｅｃｔｏｍｅｔｒｙ）測定の実験結果を示す。ＴＤＲ測定は、上述した実施形態の伝送線路１０を適用した測定装置１００（図１０参照）を用いて測定を行った。測定装置１００は、測定器１０１（ＴＤＲ測定器：Ｔｅｋｔｒｏｎｉｘ社製、ＴＤＳ８２００）と、測定器１０１から延びる同軸線１０２と、検査治具１とを備えている。検査治具１の基板３０に形成された基板３０の線路３１が、コネクタ１０５を介して同軸線１０２に接続されている。検査治具１の伝送線路１０には被検査体Ｓが電気的に接続されている。また、測定装置１００において、測定器１０１と反対側の末端には終端器１０４が設けられている。なお、図１０においては、測定用の信号入出力コネクタや電源入力コネクタ等は、省略されている。
【００５６】
被検査体Ｓの電極Ｓａの配列は、図９に示した通りである。本実施例２では、伝送線路の伝送路の特性を測定するために、被検査体として、被検査体Ｓと同様の電極Ｓａを有するプリント基板を使用した。図９に示す丸付き数字３と４の電極Ｓａには高周波の電気信号が伝送され、丸付き数字３と４の電極Ｓａは、インピーダンスが５０Ωに整合された基板線路（図示なし）のパターンで導体線と接続した。また、丸付き数字９と１０の電極Ｓａも５０Ωに整合されたパターンで導体線と接続した。基板線路のパターンの長さは３０ｍｍである。また、基板の比誘電率は３．４である。使用するＴＤＲのパルス立ち上がり時間は３４ｐｓである。なお、実施例２では、導体板と導体線の絶縁層との間の距離を１５μｍに設定し、導体線の絶縁層の厚さを１０μｍに設定した。
【００５７】
図１１にＴＤＲの測定結果を示す。導体板を導体線の近傍に配設した本発明例は、インピーダンスの最大値が６６Ωであった。一方、導体板を配置しない場合は、インピーダンスの最大値が１２７Ω以上であった。すなわち、導体板を配設することによってインピーダンスを大きく低減し、インピーダンスの不整合を低減できることが確認された。
【００５８】
（実施例３）
次に、実施例３について説明する。実施例３は、図１２に示す測定装置２００を用いて伝送線路伝達特性を評価したものである。測定装置２００は、測定器２０１（ネットワークアナライザー：Ａｇｉｌｅｎｔ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社製、Ｎ５２３０Ｃ  ＰＮＡ−Ｌ）と、測定器２０１から延びる同軸線２０２と、上述の実施形態で説明した検査治具１とを備えている。検査治具１には、被検査体Ｓが載置されている。また、同軸線２０２、２０３と検査治具１は、コネクタ２０５を介して接続されている。
【００５９】
この測定装置２００は、入力側と出力側の線路を有しており、測定器２０１から出力される電気信号は、同軸線２０２、コネクタ２０５、基板３０の線路３１、伝送線路１０、の順に伝わり、被検査体Ｓの丸付き数字３で示される電極Ｓａ（図９参照）に入力される。そして、入力された電気信号は、丸付き数字４で示される電極Ｓａ（図９参照）に伝わり被検査体Ｓから検査治具１側に出力され、伝送線路１０、基板３０の線路３１、コネクタ２０５、同軸線２０３の順に伝わり、測定器２０１に入力される（図１２の矢印は、電気信号の伝わる方向を示している。）。なお、図１２においては、測定用の信号入出力コネクタや電源入力コネクタ等は、省略されている。
【００６０】
伝送線路伝達特性は、基板３０のコネクタ２０５ａに入力される電気信号の電圧を基準にし、伝達特性の減衰量はコネクタ２０５ｂまでの量が測定される。ここで測定される伝達特性は、測定器２０１から被検査体Ｓまでの線路の２倍の減衰量になる。それは、被検査体Ｓまでの線路での電気信号の減衰と被検査体Ｓを通過して出力される間の電気信号の減衰の両方を測定しているからである。
【００６１】
図１３に、実施例３の実験結果である伝送線路伝達特性を示す。これは、伝送線路のインピーダンスが６６Ωの場合の伝送線路伝達特性である。図１３より１ＧＨｚで減衰は−０．６／２ｄＢである。３ＧＨｚでは、−１．２／２ｄＢである。５ＧＨｚでは、−４．４／２ｄＢである。７ＧＨｚでは、−６．２／２ｄＢである。１０ＧＨｚでは、−７．６／２ｄＢである。伝送線路としては、通常−３ｄＢの減衰量が電気信号を伝送できるかどうかの判断の指標になることが多い。図１３に示す実験結果から、実施例３の伝送線路（インピーダンス６６Ω）では６ＧＨｚまでは使用可能と判断できる。
【００６２】
次に伝送線路のインピーダンスを種々の値に変えて、同様に測定した実験結果を図１４に示す。図１４のグラフは減衰を実際には負の値で示すべきところであるが、図１４では正負を反転して、正の値として示している。また、測定データであるので、図１３と同じく図１４も減衰量が片道の２倍である。なお、図１４においては、３ＧＨｚ、５ＧＨｚ、７ＧＨｚの実験結果のそれぞれの指数近似曲線と、１０ＧＨｚの実験結果の線形近似曲線も合わせて示している。
【００６３】
図１４より３ＧＨｚ、５ＧＨｚではインピーダンスが１００Ωでも減衰量が６ｄＢを超えていないので伝送線路としての減衰は半分の３ｄＢ以下である。３ＧＨｚでは本発明例の伝送線路は４０Ωから１００Ωの範囲で６ｄＢを超えていない。５ＧＨｚでは図１４より４０Ωから１００Ωの範囲で６ｄＢを超えていない。７ＧＨｚでは図１４より４０Ωから９０Ωの範囲で６ｄＢを超えていない。１０ＧＨｚでは図１４より４０Ωから６６Ωの範囲で６ｄＢを超えていない。
【００６４】
このように本願の発明例の伝送線路は、導体板と導体線を有する伝送線路のインピーダンスと、これに接続される線路とのインピーダンスの不整合を低減し電気信号を伝送することができるものである。
図１４と表２の実験結果から、中心導体を５０μｍとした場合、導体板と導体線の中心導体との距離を１０以上１００μm以下の範囲とするとインピーダンスの不整合を低減でき、電気信号を伝送することができる。さらに、導体板と中心導体との距離を１０以上２５μｍ以下の範囲に設定すると１０ＧＨｚまでの伝送が可能になる。導体板と中心導体との距離を１０μｍ以上５０μｍ以下の範囲に設定すると７ＧＨｚまでの伝送が可能である。
【符号の説明】
【００６５】
１  検査治具
１０  伝送線路
１１  導体線
１２  中心導体
１３  絶縁層
１５  導体板
１６  凸部
１７  孔
１８  絶縁層
２０  プレート
２１  上プレート
２２  凹部
２３  孔
２４  チップホルダ
２５  下プレート
２６  開口部
２７  孔
３０  基板
３１  線路
４０  補強板
５１、５２  ノックピン
５３、５４  ネジ
１００、２００  測定装置
１０１、２０１  測定器
１０２、２０２、２０３  同軸線
１０４  終端器
１０５、２０５、２０５ａ、２０５ｂ  コネクタ
Ｓ  被検査体
Ｓａ  電極 
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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