(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに分離された処理水のための第１疎通路（１１Ａ）と、ラジカル反応用ガスのための第２疎通路（１３Ａ）とを有する二重管体（１０）と、
前記二重管体（１０）の第１及び第２疎通路（１１Ａ、１３Ａ）にそれぞれ配設された電極（２３、２５）と、これらの電極（２３、２５）と接続された電源部（２１）とを備えるプラズマ発生手段（２０）と、
前記二重管体（１０）と接続されて、処理水とラジカル発生源との反応が行われる水槽（３０）とを備える構成において、
前記二重管体（１０）の前記第１疎通路（１１Ａ）及び前記第２疎通路（１３Ａ）の各吐出口（１１ｂ、１３ｂ）と接続される統合配管と、この統合配管と水槽との間に配設されたポンプとを有する微細気泡発生手段をさらに備える
ことを特徴とするプラズマ高度水処理装置。
【請求項２】
前記二重管体（１０）の第１疎通路（１１Ａ）には、処理水の通水によりランダムに動いて第１疎通路（１１Ａ）内において安定した電位を発生する多数の誘電体ビーズ（１７）が充填されていることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ高度水処理装置。
【請求項３】
前記二重管体（１０）の第１疎通路（１１Ａ）は、内部管（１１）によって取り囲まれた内部通路であり、第２疎通路（１３Ａ）は、内部管（１１）と外部管（１３）との間に配設され、
第２疎通路（１３Ａ）に配設された電極（２５）は、コイル状または網糸状を呈することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ高度水処理装置。
【請求項４】
前記二重管体（１０）の第１疎通路（１１Ａ）は、内部管（１１）によって取り囲まれた内部通路であり、前記第２疎通路（１３Ａ）は、内部管（１１）と外部管（１３）との間に形成され、
前記内部管（１１）の両端は開放されており、
前記内部管（１１）の両端から中央部に向かって離れて内周面に密設されて、前記第１疎通路（１１Ａ）を流れる処理対象水は通水させるが、前記誘電体ビーズ（１７）が内部管（１１）に抜け出ないように誘電体ビーズ（１７）の通過を阻止するスペーサ（１６）をさらに備える
ことを特徴とする請求項２に記載のプラズマ高度水処理装置。
【請求項５】
前記内部管（１１）と外部管（１３）は一対のキャップ（１５）によって離隔固定されており、
前記キャップ（１５）には、
水源（Ｗ）と接続される流入口（１１ａ）が形成されており、前記流入口（１１ａ）に流入して前記第１疎通路（１１Ａ）を通水した処理対象水が二重管体（１０）を抜け出る吐出口（１１ｂ）が形成されており、
前記流入口（１１ａ）に流入する処理対象水がスムーズに前記内部管（１１）に流入するように一方の端が前記流入口（１１ａ）に設けられ、他方の端が前記スペーサ（１６）に位置する第１ホース（ｈ１）と、
前記内部管（１１）を通水した処理対象水が前記吐出口（１１ｂ）にスムーズに抜け出るように一方の端が前記スペーサ（１６）に位置し、他方の端が前記吐出口（１１ｂ）に設けられる第２ホース（ｈ２）と、
をさらに備える
ことを特徴とする請求項４に記載のプラズマ高度水処理装置。
【請求項６】
前記キャップ（１５）には、ラジカル反応用ガスを提供するガス供給源（Ａ）と接続された流入口（１３ａ）が形成されており、前記流入口（１３ａ）を介して流入したラジカル反応用ガスをプラズマ放電させて生成されたラジカル発生源を吐き出すための吐出口（１３ｂ）が形成されており、
前記二重管体（１０）は複数設けられ、
一つのガス供給源（Ａ）が、前記複数の二重管体（１０）にラジカル反応用ガスを同時に供給する場合に、供給されるラジカル反応用ガスが前記複数の二重管体（１０）に形成された複数の流入口（１３ａ）に一様に供給できるように、前記流入口（１３ａ）にはオリフィス（１８ａ）が貫設されたインサート（１８）が設けられている
ことを特徴とする請求項５に記載のプラズマ高度水処理装置。
【請求項７】
前記二重管体（１０）の一方の側に設けられ、前記プラズマ発生手段（２０）の電極（２３、２５）のうちのいずれか一方の電極に直列接続されて、前記二重管体（１０）が設定された温度以上に上昇した場合には開放されて前記電源部（２１）の電源供給を遮断するサーモスタット（Ｓ１）を備える
ことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ高度水処理装置。
【請求項８】
前記二重管体（１０）の第１疎通路（１１Ａ）は内部管（１１）によって取り囲まれた内部通路であり、前記第２疎通路（１３Ａ）は内部管（１１）と外部管（１３）との間に形成され、
前記二重管体（１０）の一方の側に設けられて、前記内部管（１１）を流れる処理対象水が前記第２疎通路（１３Ａ）に漏れることを感知するための漏水感知センサー（６１）と、
前記漏水感知センサー（６１）が前記第２疎通路（１３Ａ）に漏れた処理対象水を感知した場合に、電源駆動回路（２１ａ）の駆動を停止することにより前記電源部（２１）の高圧出力を停止する出力停止制御回路部（６３）と、
をさらに備える
ことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ高度水処理装置。
【請求項９】
前記漏水感知センサー（６１）は一対の電極（６１）からなり、
前記漏水感知センサー（６１）には絶縁された電圧（Ｖｓ）が印加され、
前記漏水感知センサー（６１）と出力停止制御回路部（６３）との間に接続され、前記漏水感知センサー（６１）の短絡電流（Ｉｓ）を受け付けて前記出力停止制御回路部（６３）に動作制御信号を出力するフォトカプラ（６２）をさらに備えることを特徴とする請求項８に記載のプラズマ高度水処理装置。
【請求項１０】
前記二重管体（１０）は、処理対象水が上から下に流れるように立設され、
前記内部管（１１）及び外部管（１３）は一対のキャップ（１５）によって離隔固定されており、
前記漏水感知センサー（６１）は、その上端部が前記第２疎通路（１３Ａ）に位置するように下端キャップ（１５）に設けられていることを特徴とする請求項８に記載のプラズマ高度水処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、大腸菌や各種の細菌はプラズマ放電を用いて除去し、各種の難分解性の有機物はオゾンなどのラジカル発生源を用いて除去するプラズマ高度水処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマまたはオゾンを用いた高度水処理と関連する技術としては、２００２年０８月３１日付けで登録された「オゾン発生装置」がある（例えば、下記の特許文献１参照）。
【０００３】
前記登録発明は、一つのオゾン発生部において、誘電体バリア放電を用いたオゾン発生方法と紫外線源を用いた紫外線オゾン発生方法を同時に行うオゾン発生装置を提供して、オゾン発生率を向上させるとともに、高い電力効率を有するオゾン発生器を提示している。
【０００４】
しかしながら、前記登録発明を水処理分野に適用することは現実的に非常に困難であり、特に、常温以上の温度におけるオゾンの歩留まりが顕著に低下するという問題に対するソリューション（高圧無線放電方式及び紫外線方式は両方とも熱を発生する）を提示していない。
【０００５】
他の例として、２００６年４月１３日付けで登録された「湿式プラズマを用いた水中溶存オゾン及び過酸化水素の同時生成装置」があるが、前記登録特許は、高周波電源を用いて、ガス、液体及び固体が共存する領域に湿式プラズマを発生して、水中において酸化反応の主な因子として働く溶存オゾン量を増大させ、水中の溶存オゾンの自己分解速度を増大させうる過酸化水素を同時に生成する装置を提示している。
【０００６】
しかしながら、前記登録特許もまた、常温以上の温度におけるオゾンの歩留まりが顕著に低下するという問題点に対するソリューションを提示しておらず、家庭用の浄水施設などの小単位の水処理には向いているかも知れないが、大単位の水処理には向いてない。
【０００７】
さらに他の例として、２００８年０１月１６日付けで登録された「誘電体バリア放電管において発生される紫外線及び酸化性物質を用いた廃水処理装置及びこれを用いた廃水処理方法」があるが、前記登録特許は、金属棒及びこれを取り囲む石英管よりなる誘電体バリア放電管と、前記放電管の上端に設けられた高電圧発生器及び前記放電管の周りと廃水処理装置の内部に設けられた筒状の光触媒網を備える廃水処理装置を提示している。
【０００８】
この登録特許は、廃水に入れられた誘電体バリア放電管の内部において電気的な放電を引き起こして各種の酸化性成分と紫外線を発生し、これらの酸化性成分を微細な気泡状に廃水内に分散して廃水内の有機物が酸化されて除去されるようにし、同時に誘電体バリア放電管から放出される紫外線を用いて光触媒を活性化させたり廃水を直接的に照射して有機物が除去されるようにして、本発明は、２種類以上の機構によって有機物を処理することのできる処理装置と方法を提供して、究極的に簡単な反応装置において低電力にて有機物が効率よく除去されるという効果があることを開示している。
【０００９】
しかしながら、前記登録特許は、処理容量が基本的に誘電体バリア放電管の大きさに依存するという点で不利であり、滞留時間を保証しなければならないため、流水処理用には向いていない。
【００１０】
さらに他の例として、２００８年５月２６日付けで登録された浄水処理装置があるが、前記登録特許は、フェロキシラジカルとオゾン組合工程を用いて高度の浄水能力を有する浄水処理装置を提供して、浄水処理能力を向上させることができ、フェロキシラジカルの生成と浄水処理を同じ空間において同時に行うことにより、従来のオゾン単独工程による浄水処理装置に比べて浄水処理にかかるコストを削減することができるというメリットがあることを開示している。
【００１１】
しかしながら、前記登録特許は、オゾンの歩留まり保証や大容量の水処理技術とは無関係である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】大韓民国実用新案登録第０２８８９５４号
【特許文献２】大韓民国特許登録第０５７２５１４号
【特許文献３】大韓民国登録特許第０７９７０２７号
【特許文献４】大韓民国登録特許第０８３３８１４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
そこで、本発明は、大腸菌や各種の細菌はプラズマ放電を用いて除去し、各種の難分解性の有機物はオゾンなどのラジカル発生源を用いて除去するように、処理対象水のための第１疎通路とラジカル反応用ガスのための第２疎通路を有する二重管体にプラズマ放電用電極を導入し、外付けされた水槽においてプラズマ放電処理された汚染処理対象水とオゾンなどのラジカル発生源との接触反応を誘導して完璧な水処理を保証するプラズマ高度水処理装置を提供することを目的とする。
【００１４】
また、本発明は、第１疎通路に多数の誘電体ビーズを充填し、このビーズが通水する処理対象水との衝突によってランダムに動いて第１疎通路内において安定した電位を発生して各種の細菌や様々な病原性菌をより効率よく除去できるようにしたプラズマ高度水処理装置を提供することを目的とする。
【００１５】
さらに、本発明は、二重管体の第１疎通路及び第２疎通路の各吐出口と接続される統合配管と、この統合配管と水槽との間に配設されたポンプとを有する微細気泡発生手段を導入して処理対象水とオゾンなどのラジカル発生源との接触効率を高め、ラジカル発生源の溶存効率も高めて水処理効率を画期的に高めるようにしたプラズマ高度水処理装置を提供することを目的とする。
【００１６】
さらに、本発明は、二重管体を多数集積して配設し、これを水槽と接続して一部は循環配管を介して二重管体に繰り返し循環させ、一部は排出するように構成して、水処理効率を高めるとともに、家庭用小単位の水処理から上水道用の大単位の水処理に至るまで種々の容量及び水処理を必要とする現場に適用できるようにしたプラズマ高度水処理装置を提供することを目的とする。さらに、最終的に排出される低濃度のオゾン成分は、関連する水処理系統上において原水の前処理または近くの湖沼、河川、水界、流域などを水処理しようとする場合には原水処理用に用いることができ、その他に、活性炭などを用いて残留オゾン破壊などの方式により水処理後に排出される廃オゾンの問題を解消することができる。
【００１７】
また、本発明は、スペーサを採択することにより、内部管の両端を封止することが不要になり、内部管への誘電体ビーズの充填作業性及び製品組立性を向上させることができ、ホースを介して処理対象水を供給し、処理された処理水をホースを介して流出することにより、誘電体ビーズによる流体抵抗を減らして処理対象水のスムーズな供給を図ることができ、多数の二重管体によりラジカル反応用ガスを同時に供給する場合に、各二重管体に一様にラジカル反応用ガスを供給することができ、しかも、二重管体が所定の温度以上に上昇した場合に、サーモスタットによって電源の供給を遮断して二重管体の過熱による火災を予防できるようにしたプラズマ高度水処理装置を提供することを目的とする。
【００１８】
そして、本発明は、高圧のプラズマ放電によって内部管が破損される場合に、破損された内部管から流れ出る処理対象水を感知して電源部の動作を停止することにより、放電管が破損したときに高電圧によって火災や電気的なショックが生じることを予防することができ、放電管が破損された場合ではなくても、二重管体の内部管が防水不良によって漏水される場合にこれを速やかに感知することができ、絶縁された電源電圧を漏水感知センサーに供給し、漏水感知センサーと出力停止制御回路部との間にフォトカプラを設けて変圧器及びフォトカプラにおいて電流を絶縁することにより、内部管が破損されても高電圧のプラズマ放電電圧が電源部の内部に流入することを防ぐことができ、二重管体を立設し、漏水感知センサーを二重管体の下部に設けることにより、内部管の破損及び漏水を速やかに且つ正確に感知することができ、しかも、内部管が破壊されても、内部管にあった処理対象水がラジカル反応用ガス供給源に向かって逆流するという問題を防止できるようにしたプラズマ高度水処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
上記の目的を達成するために、本発明に係るプラズマ高度水処理装置は、互いに分離された処理水のための第１疎通路と、ラジカル反応用ガスのための第２疎通路とを有する二重管体と、前記二重管体の第１及び第２疎通路にそれぞれ配設された電極と、これらの電極と接続された電源部とを備えるプラズマ発生手段と、前記二重管体と接続されて、処理水とラジカル発生源との反応が行われる水槽と、を備えることを特徴とする。
【００２０】
本発明に係るプラズマ高度水処理装置において、前記二重管体の第１疎通路には、処理水の通水によりランダムに動いて第１疎通路内において安定した電位を発生する多数の誘電体ビーズが充填されており、前記二重管体の第１疎通路及び第２疎通路の各吐出口と接続される統合配管と、この統合配管と水槽との間に配設されたポンプとを有する微細気泡発生手段をさらに備えることを特徴とする。
【００２１】
本発明に係るプラズマ高度水処理装置において、前記二重管体の第１疎通路は、ガラス製の内部管によって取り囲まれた内部通路であり、第２疎通路は、内部管と外部管との間に形成され、第２疎通路に配設された電極はコイル状を呈することを特徴とする。
【００２２】
本発明に係るプラズマ高度水処理装置において、前記二重管体の第１疎通路は、内部管によって取り囲まれた内部通路であり、前記第２疎通路は、内部管と外部管との間に形成され、前記内部管の両端は開放されており、前記内部管の両端から中央部に向かって離れて内周面に密設されて、前記第１疎通路を流れる処理対象水は通水させるが、前記誘電体ビーズが内部管に抜け出ないように誘電体ビーズの通過を阻止するスペーサをさらに備えることを特徴とする。
【００２３】
本発明に係るプラズマ高度水処理装置において、前記内部管と外部管は一対のキャップによって離隔固定されており、前記キャップには、水源と接続される流入口が形成されており、前記流入口に流入して前記第１疎通路を通水した処理対象水が二重管体を抜け出る吐出口が形成されており、前記流入口に流入する処理対象水がスムーズに前記内部管に流入するように一方の端が前記流入口に設けられ、他方の端が前記スペーサに位置する第１ホースと、前記内部管を通水した処理対象水が前記吐出口にスムーズに抜け出るように一方の端が前記スペーサに位置し、他方の端が前記吐出口に設けられる第２ホースと、をさらに備えることを特徴とする。
【００２４】
本発明に係るプラズマ高度水処理装置において、前記キャップには、ラジカル反応用ガスを提供するガス供給源と接続された流入口が形成されており、前記流入口を介して流入したラジカル反応用ガスをプラズマ放電させて生成されたラジカル発生源を吐き出すための吐出口が形成されており、前記二重管体は複数設けられ、一つのガス供給源が、前記複数の二重管体にラジカル反応用ガスを同時に供給する場合に、供給されるラジカル反応用ガスが前記複数の二重管体に形成された複数の流入口に一様に供給できるように、前記流入口にはオリフィスが貫設されたインサートが設けられていることを特徴とする。
【００２５】
本発明に係るプラズマ高度水処理装置は、前記二重管体の一方の側に設けられ、前記プラズマ発生手段の電極のうちのいずれか一方の電極に直列接続されて、前記二重管体が設定された温度以上に上昇した場合には開放されて前記電源部の電源供給を遮断するサーモスタットを備えることを特徴とする。
【００２６】
本発明に係るプラズマ高度水処理装置において、前記二重管体の第１疎通路は内部管によって取り囲まれた内部通路であり、前記第２疎通路は内部管と外部管との間に形成され、前記二重管体の一方の側に設けられて、前記内部管を流れる処理対象水が前記第２疎通路に漏れることを感知するための漏水感知センサーと、前記漏水感知センサーが前記第２疎通路に漏れた処理対象水を感知した場合に、電源駆動回路の駆動を停止することにより前記電源部の高圧出力を停止する出力停止制御回路部と、をさらに備えることを特徴とする。
【００２７】
本発明に係るプラズマ高度水処理装置において、前記漏水感知センサーは一対の電極からなり、前記漏水感知センサーには絶縁された電圧が印加され、前記漏水感知センサーと出力停止制御回路部との間に接続され、前記漏水感知センサーの短絡電流を受け付けて前記出力停止制御回路部に動作制御信号を出力するフォトカプラをさらに備えることを特徴とする。
【００２８】
本発明に係るプラズマ高度水処理装置において、前記二重管体は、処理対象水が上から下に流れるように立設され、前記内部管及び外部管は一対のキャップによって離隔固定されており、前記漏水感知センサーは、その上端部が前記第２疎通路に位置するように下端キャップに設けられていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２９】
本発明に係るプラズマ高度水処理装置においては、各種の難分解性物質、大腸菌、各種の細菌とウィルス、水中の毒性物質などはプラズマ放電による第１疎通路内の強い電界とこれによる電解物質の発生、第１疎通路の外周面に発生するＵＶなどのプラズマ光エネルギー、及びこのプラズマによるオゾンの発生と注入酸素によって除去可能であるが、このプラズマ高度水処理装置は、処理対象水を通水させるための第１疎通路、活性化された励起または電離酸素とオゾンなどのラジカル反応用ガスの移動のための第２疎通路、及び二重管体内に設けられるプラズマ放電用電極を備え、外付けされた水槽内の未処理された汚染処理対象水は、プラズマ放電エネルギーを有するプラズマ高度水処理装置内において発生されたオゾン、ラジカル、電解物質、水中イオン成分などとの接触反応によって完璧な水処理を保証することができ、かつ、このオゾン、ラジカル、電解物質、水中イオン成分などは第１疎通路内において多数の充填された誘電体ビーズの外周面及び周りを通水する処理対象水との希釈及び衝突などによってランダムに動いて第１疎通路内において各種の細菌や様々な病原菌、ウィルス、難分解性物質などをより効率よく除去する。また、二重管体の第１疎通路及び第２疎通路の各吐出口と接続される統合配管と、この統合配管と水槽との間に配設されたポンプとを有する微細気泡発生手段を導入して処理対象水とオゾンなどのイオン性ラジカル物質との接触効率を高め、溶存効率を極大化させて水処理効率を画期的に高めることができ、さらに、多数集積して配設された二重管体を水槽と接続して一部は循環配管を介して二重管体に繰り返し循環可能にし、一部は排出するように構成して、水処理効率を高めるとともに、家庭用小単位の水処理から上水道用の大単位の水処理に至るまで適用することができる。さらに、最終的に排出される低濃度のオゾン成分は、関連する水処理系統上において原水の前処理または近くの湖沼、河川、水界、流域などを水処理しようとする場合には原水処理用に用いることができ、プラズマ高度水処理装置において用いられたエネルギーのほとんどは関連する水処理に使用可能であるという特徴があり、その他に、活性炭などを用いて微細排オゾンを簡単に除去することができるという特徴がある。
【００３０】
また、本発明は、スペーサを採択することにより、内部管の両端を封止することが不要になり、内部管への誘電体ビーズの充填作業性及び製品組立性を向上させることができ、ホースを介して処理対象水を供給し、処理された処理水をホースを介して流出することにより、誘電体ビーズによる流体抵抗を減らして処理対象水のスムーズな供給を図ることができ、多数の二重管体によりラジカル反応用ガスを同時に供給する場合に、各二重管体に一様にラジカル反応用ガスを供給することができ、しかも、二重管体が所定の温度以上に上昇した場合に、サーモスタットによって電源の供給を遮断して二重管体の過熱による火災を予防することができる。
【００３１】
さらに、本発明は、高圧のプラズマ放電によって内部管が破損される場合に、破損された内部管から流れ出る処理対象水を感知して電源部の動作を停止することにより、放電管が破損したときに高電圧によって火災や電気的なショックが生じることを予防することができ、放電管が破損された場合ではなくても、二重管体の内部管が防水不良によって漏水される場合にこれを速やかに感知することができ、絶縁された電源電圧を漏水感知センサーに供給し、漏水感知センサーと出力停止制御回路部との間にフォトカプラを設けて変圧器及びフォトカプラにおいて電流を絶縁することにより、内部管が破損されても高電圧のプラズマ放電電圧が電源部の内部に流入することを防ぐことができ、二重管体を立設し、漏水感知センサーを二重管体の下部に設けることにより、内部管の破損及び漏水を速やかに且つ正確に感知することができ、しかも、内部管が破壊されても、内部管にあった処理対象水がラジカル反応用ガス供給源に向かって逆流するという問題を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明に係るプラズマ高度水処理装置の要部である二重管体とプラズマ発生手段との概略結合断面図である。。
【図２】本発明に係るプラズマ高度水処理装置を中・大単位の水処理に適するように配設した概略図である。
【図３】本発明の他の実施形態によるプラズマ高度水処理装置における二重管体及びプラズマ発生手段よりなるプラズマ処理アセンブリーの概略断面構成図である。
【図４】本発明の他の実施形態によるプラズマ高度水処理装置を中・大単位の水処理に適するように配設した概略構成図である。
【図５】本発明の他の実施形態によるプラズマ高度水処理装置におけるスペーサの斜視図である。
【図６】図４に示す多数のサーモスタットをプラズマ発生手段に直列接続した結線図である。
【図７】本発明のさらに他の実施形態によるプラズマ高度水処理装置の要部である二重管体とプラズマ発生手段との概略結合断面図である。
【図８】本発明のさらに他の実施形態によるプラズマ高度水処理装置において、漏水感知センサーが二重管体の漏水を感知した場合に、電源部の出力を停止するための回路構成図である。
【図９】本発明のさらに他の実施形態によるプラズマ高度水処理装置を中・大単位の水処理に適するように配設した概略構成図である。
【図１０】図９に示す多数の漏水感知センサーを並列接続した要部回路構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
以下、添付図面に基づき、本発明に係るプラズマ高度水処理装置について詳述する。
【００３４】
本発明は種々の変更を加えることができ、種々の態様を有することができるが、態樣（または、実施形態）を本文に詳細に説明する。しかしながら、これは、本発明を特定な開示形態に限定するものではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれるあらゆる変更、均等物または代替物を含むものと理解さるべきである。
【００３５】
図中、特に、十桁及び一桁、または十桁、一桁及びアルファベットが同じ参照符号は、同じまたは類似の機能を有する部材を示し、特に断りのない限り、図中の各参照符号が指し示す部材は、このような基準に準拠する部材であると理解すればよい。
【００３６】
また、図中、構成要素は理解しやすくするために大きさや厚さを誇張して大きく（または厚く）、または、小さく（または薄く）表現したり、単純化させて表現しているが、これによって本発明の保護範囲が制限的に解釈されてはならない。
【００３７】
本明細書において用いられる用語は、単に特定の態様（または、実施形態）を説明するために用いられたものであり、本発明を限定しようとする意図はない。単数の表現は、文脈上明らかに異なる意味を有さない限り、複数の表現を含む。本出願において、「含む」または「からなる」などの用語は、明細書上に記載の特徴、数字、段階、動作、構成要素、部分品またはこれらを組み合わせたものが存在することを指定するためのものであり、一つまたはそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部分品またはこれらを組み合わせたものの存在または付加可能性を予め排除しないものと理解さるべきである。
【００３８】
特に断りのない限り、技術的または科学的な用語を含めてここで用いられるあらゆる用語は、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者によって一般的に理解されることと同じ意味を有している。一般的に用いられる辞書に定義されているような用語は、関連技術の文脈上有する意味と一致する意味を有するものと解釈さるべきであり、本出願において明らかに定義しない限り、理想的または過度に形式的な意味であると解釈されない。
【００３９】
本明細書に記載の「第１」、「第２」などは、異なる構成要素であることを区別するために指し示すものであり、製造された順序とは無関係であり、発明の詳細な説明と請求範囲においてその名称が一致しない場合がある。
【００４０】
図１及び図２に示すように、本発明の一実施形態によるプラズマ高度水処理装置Ｔは、大きく、処理対象水とラジカル反応用ガスがそれぞれ通過する第１及び第２疎通路１１Ａ、１３Ａを有する二重管体１０と、プラズマ発生手段２０と、処理対象水とラジカル発生源との反応が行われる水槽３０と、を含む。
【００４１】
本発明に係るプラズマ高度水処理装置Ｔは、家庭用浄水施設などの最小単位の水処理装置や、下廃水処理場の後端設備に合う中・大規模の水処理装置、市町村単位の取水井と連携された水道水の供給や大都市の水道水の供給のための浄水施設などの様々な小中大規模の上水処理施設のために様々に活用可能である。なお、湖沼、河川などに存在する藻類除去及び様々な物質を酸化除去して水質を大幅に改善するのに使用可能な装置である。
【００４２】
本発明に係るプラズマ高度水処理装置Ｔにおいて、プラズマ発生手段は、大腸菌や各種の細菌、その他の様々な病原性細菌の撲滅と、下線と水界の藻類及び有害物質の除去を主な目的とし、オゾンなどのラジカル発生源は、各種の難分解性有機物、毒性物質と水中生態毒性などを分解処理することを主な目的とする。
【００４３】
何よりも、本発明に係るプラズマ高度水処理装置Ｔは、上水源、水道水、汚廃水処理施設などの水源Ｗと連携されているため、外部から新たに持続的に供給される処理対象水によって、プラズマ放電による熱発生にも拘わらず、二重管体１０が水温に合わせて冷却されるので、温度に弱いオゾンなどのラジカル発生源の熱的安全性が確保されてオゾン発生収率及び処理効率が向上される。
【００４４】
具体的に、前記二重管体１０は、内部管１１及び外部管１３と、両管１１、１３を離隔固定する両端キャップ１５と、を備える。内部管１１及び外部管１３は、石英ガラスやパイレックス（登録商標である）などの硼珪酸ガラスなど様々なガラス素材から製造されてもよく、基本的に絶縁性を有する。
【００４５】
第１疎通路１１Ａ及び第２疎通路１３Ａを流れる流体は任意に選択可能であるが、本発明においては、プラズマ放電効率と誘電体ビーズ１７の導入しやすさを考慮して、内部管１１の第１疎通路１１Ａを処理対象水が通水する用途に選択した。
【００４６】
内部管１１は、各キャップ１５の嵌合部１５Ａに外接し、嵌合部１５Ａと螺合する固定蓋１５Ｂを回すと、嵌合部が内部管を締め付けて内部管の固定と密閉性が同時に保証される。必要に応じて、様々な形状のパッキンリングが導入されてもよく、固定蓋の締め付けによって内部管に嵌合部１５Ａが締め付けられる方式は種々の公知の配管接続用ジョイントの構造を採用して変形可能である。
【００４７】
また、外部管１３は、各キャップ１５に内接し、シリコン樹脂などの種々の封止体Ｓを介して密閉性を保証することができる。しかしながら、必要に応じて、キャップを変形して内部管の固定構造と同じ固定及び密閉構造を導入してもよい。
【００４８】
さらに、前記キャップ１５には各種の水源Ｗと接続された流入口１１ａ及び吐出口１１ｂが形成されており、オゾンなどのラジカル発生源の形成のためのラジカル反応用ガスを提供するガス供給源Ａ（純粋酸素または空気などの供給）と接続された流入口１３ａ及び吐出口１３ｂが形成されている。
【００４９】
一方、本発明に係るプラズマ高度水処理装置Ｔにおいて、プラズマ発生手段２０は、電源部２１（例えば、４ｋＶ内外）と、これと接続された第１及び第２電極２３、２５と、を備える。
【００５０】
第１電極２３は、第１疎通路１１Ａに配設された直線状であり、第２電極２５は、第２疎通路１３Ａに配設されたコイル状である。しかしながら、必要に応じて、網糸（メッシュ）状電極や二重コイル状電極など種々の電極が選択されて導入されてもよい。
【００５１】
第１電極２３の一方の端は電源部２１と接続されて一方の側のキャップ１５を貫通した後に内部管１１の中央に配設され、第１電極２３の他方の端は他方の側のキャップ１５にはめ込まれて支持される構造を取っている。
【００５２】
また、第２電極２５の一方の端は電源部２１と接続されて、他方の側のキャップ１５と外部管１３との間を通過した後、内部管１１に外接しながらコイル状に巻線されている構造であるが、各電極２３、２５と他の構成要素との間には適切な封止体Ｓを導入して感電や漏電などの各種の電気安全事故及び流体漏れ問題が発生することを防ぐことが好ましい。
【００５３】
キャップ１５と内部管及び外部管１１、１３との結合構造や封止体の構造は、性能、安全性、生産性などを考慮して種々に変形可能である。
【００５４】
本発明に係るプラズマ高度水処理装置Ｔにおいては、プラズマ放電によって発生される紫外線による殺菌効果も期待することができる。
【００５５】
さらに、本発明に係るプラズマ高度水処理装置Ｔは、二重管体１０の内部管１１、すなわち、第１疎通路１１Ａに誘電体ビーズ１７が多数充填されていることが好ましい。前記誘電体ビーズは、処理対象水の通水によって水と衝突してランダムに動いて第１疎通路内において安定した電位を発生して各種の細菌や様々な病原性菌をより効果的に除去する機能をする。
【００５６】
このような誘電体ビーズは、セラミック、特に、ジルコニウム、チタン、アルミナまたは複合素材などの公知の機能性セラミックからなり、第１疎通路内における安定した電位発生機能とともに、遠赤外線及び紫外線の放射、悪臭の除去、吸着機能などのセラミック物質固有の機能を兼ねてもよい。
【００５７】
図２に示すように、前記水槽３０は、１つまたは２つの二重管体１０と接続されたものではなく、水処理規模に応じて、数十、数百個の二重管体と接続されてもよく（図中では、便宜上、６つの二重管体を示す）、これらの水槽が多数導入されてプラズマ高度水処理システムを構成して、本発明の概念を家庭用の小単位の水処理から上水道用の大単位の水処理まで適用可能に拡張することが好ましい。
【００５８】
さらに、前記水槽３０、特に、左側の処理水流入水槽３０Ｂには処理水排出配管３５の他に二重管体１０または二重管体集合体を経た水が水槽においてラジカル発生源と反応した後にさらにプラズマ放電処理を経るように循環配管３１と循環ポンプ３３をさらに接続導入することが好ましい。
【００５９】
循環配管３１を介して二重管体１０または二重管体集合体と水槽３０を循環する水の量及び排出供給／滞留の割合は、処理対象水の汚染の度合いや処理水の水質要件などを考慮して選択すればよい。
【００６０】
また、必要に応じて、二重管体１０及びプラズマ発生手段２０を備えるプラズマ処理アセンブリＴ１は、図１には１列配設されていると示してあるが、２列以上配設して多重処理を図ってもよく、オゾンなどのラジカル発生源と処理対象水との反応が行われる水槽もまた２列以上多重配設してもよい。
【００６１】
次に、本発明に係るプラズマ高度水処理装置Ｔにおいては、図２及び図１に示すように、微細気泡発生手段を導入して水槽３０における処理対象水とオゾンなどのラジカル発生源との接触効率を高め、ラジカル発生源の溶存効率も高めて水処理効率を画期的に高めることを図っている。
【００６２】
先ず、第１微細気泡発生手段Ｂ１は、二重管体１０の第１疎通路１１と、第２疎通路１３の各吐出口１１ｂ、１３ｂと接続される統合配管４１と、この統合配管４１と水槽３０との間に配設されたポンプ４３と、を備えるが、より具体的に、吐出口１１ｂは処理水配管４１ａと接続され、吐出口１３ｂはオゾン排出配管４１ｂと接続されて統合配管４１において合流されてポンプ４３の吸入力によって水槽３０、特に、処理水流入水槽３０Ｂに流入する。
【００６３】
一方、二重管体１０の内部管１１に処理対象水を供給する上水源、水道水、汚廃水処理施設などの水源Ｗは、直接的に配管を介して接続されてもよいが、本発明においては、持続的且つ安定した処理対象水の供給を保証し、且つ、水処理効率を高めるために、一つの水槽３０を処理水流入水槽３０Ｂと処理対象水流入水槽３０Ａに分離して構成しており、前記処理水流入水槽３０Ｂに前記統合配管４１が接続配設されて前記処理水流入水槽３０Ｂにおいて処理水とラジカル発生源との反応が行われ、前記処理対象水流入水槽３０Ａは前記処理水流入水槽３０Ｂの傍に設けられて水源Ｗから種々の処理対象水が流入する。
【００６４】
前記処理対象水流入水槽３０Ａの処理対象水が循環ポンプ３３によってポンピングされて循環配管３１を経て各プラズマ処理アセンブリＴ１の二重管体１０に供給されるように構成している。
【００６５】
また、必要に応じて、処理水流入水槽３０Ｂ及び処理対象水流入水槽３０Ａ間の隔壁に弁Ｖ２を設け、この弁Ｖ２を開いた状態で水源Ｗに設けられた弁Ｖ１を閉じたり開いた（部分開放可能である）した状態で処理水を繰り返し循環して処理効率を高めてもよい。
【００６６】
処理水流入水槽３０Ｂ及び処理対象水流入水槽３０Ａ間の隔壁は必須的なものではなく（このため、一つの水槽３０に処理水流入水槽３０Ｂ及び処理対象水流入水槽３０Ａを配設した構成は例示的なものである）、物理的に分離された両水槽がそれぞれ第１及び第２水槽を構成し、両水槽は配管により接続され、この配管に弁を導入した形態も採用可能である。
【００６７】
次に、第１微細気泡発生手段Ｂ１とともに運転されるか、あるいは、独自的に運転される第２微細気泡発生手段Ｂ２は、循環配管３１と、循環ポンプ３３と、オゾン排出配管３１ｂと、を備える。
【００６８】
独自的に運転されるとき、第１微細気泡発生手段Ｂ１のオゾン排出配管４１ｂのオゾン弁Ｖ１ａは閉じ、第２微細気泡発生手段Ｂ２のオゾン排出配管３１ｂの弁Ｖ１ｂを開いた状態で、処理対象水流入水槽３０Ａと接続された配管３１ａに設けられた弁Ｖ３ａを開くと、循環ポンプ３３によって処理対象水が循環配管３１において統合されて微細気泡を含有する処理対象水がプラズマ処理アセンブリＴ１の二重管体１０の内部管１１に供給される。
【００６９】
何よりも、第２微細気泡発生手段Ｂ２は、気泡が誘電体ビーズ１７と衝突しながらさらに小さく破砕されるので溶存酸素量を高めることができ、微細気泡による種々の水処理効率が画期的に向上される。
【００７０】
以上において、第２微細気泡発生手段Ｂ２を構成する「循環配管」３１は第１微細気泡発生手段Ｂ１の「統合配管」４１と同じ機能をするものであり、本質的に第１疎通路１１と第２疎通路１３の各吐出口１１ｂ、１３ｂと接続され、このように統合配管の役割を果たす「循環配管」３１と処理対象水流入水槽３０Ａとの間にはポンプ３３が配設されているため、請求項３の技術範囲に対応する。
【００７１】
一方、必要に応じて、処理対象水とラジカル発生源との接触効率を高め、水処理効率を向上させるために、前記水槽には、インペラー型の攪拌器や種々の散気管がさらに導入されてもよい。
【００７２】
さらに、前記水源Ｗ及びガス供給源Ａのそれぞれと二重管体１０を接続する配管や、その他の配管上の所要部位には弁Ｖがさらに導入されることが好ましい。
【００７３】
また、電源部２１、ポンプ３３、４３、種々の弁Ｖ、Ｖ１、Ｖ１ａ、Ｖ１ｂ、Ｖ２、Ｖ３ａ、Ｖ３ｂ（最終処理水の排出時に用いられるように処理水排出配管３５に設けられる）などの制御は、各種のマイコン、プログラマブルロジックコントローラ（ＰＬＣ：Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｌｏｇｉｃ  ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）などにより制御部を構成して半自動または自動的に運転を制御することが好ましい。
【００７４】
次に、図３乃至図６に基づき、本発明の他の実施形態によるプラズマ高度水処理装置について説明する。
【００７５】
図４には、図示の複雑性を避けるために、多数のサーモスタットＳ１とプラズマ発生手段２０との結線を省略し、二重管体１０が多数設けられる場合の多数のサーモスタットＳ１とプラズマ発生手段２０との結線は図６に示している。図６に示すように、サーモスタットＳ１が多数設けられる場合には、プラズマ発生手段２０と直列接続しており、このように直列接続する構成によれば、いずれの二重管体１０でも設定温度に達すると電源供給を遮断する。
【００７６】
同図に示すように、本発明の他の実施形態によるプラズマ高度水処理装置は、前記内部管１１の両端は開放されており、前記内部管１１の両端から中央部に向かって離れて内部管１１の内周面に密設されて前記第１疎通路１１Ａを流れる処理対象水は通水するが、前記誘電体ビーズ１７が内部管１１に抜け出ないように誘電体ビーズ１７の通過を阻止するスペーサ１６をさらに備えることを特徴とする。
【００７７】
上記の構成によれば、内部管１１の両端を封止することが不要になり、内部管１１への誘電体ビーズ１７の充填作業性と製品の組立作業性が向上され、スペーサ１６によって誘電体ビーズ１７を内部管１１に充填する空間を自由に設定することができるというメリットがある。
【００７８】
図５に示すように、前記スペーサ１６は、内部管１１の内周面に密着されるように円形管状を呈するボディ部１６ａと、処理対象水は通水させるが、誘電体ビーズ１７の通過は阻止するように網目状を呈し、ボディ部１６ａにおける流水方向の先端に形成されている網目部１６ｂと、を備える。
【００７９】
このため、前記網目部１６ｂの通孔１６ｂ´は、処理対象水（及び処理水）は通水させるが、誘電体ビーズ１７は通過させないようにその大きさが決定される。
【００８０】
また、前記網目部１６ｂの中央には、内部管１１に配置される中央電極２３を把持するための電極固定孔１６ｃが形成されているが、これによれば、処理対象水が通水しても、電極２３の揺動を予防することができるというメリットがある。
【００８１】
また、前記スペーサ１６はプラスチック製であり、ボディ部１６ａの後端１６ａ´は先端よりもやや大きく形成されており、前記後端１６ａ´側には切欠溝１６ｄが形成されていて、スペーサ１６が内部管１１の内面にインサートされる場合の密着力が強化されるというメリットがある。
【００８２】
本発明の他の実施形態によるプラズマ高度水処理装置は、水源Ｗと接続される流入口１１ａに流入する処理対象水がスムーズに前記内部管１１に流入するように、一方の端が前記流入口１１ａに設けられ、他方の端が前記スペーサ１６に位置する第１ホースｈ１と、前記内部管１１を通過した処理対象水が前記吐出口１１ｂにスムーズに抜け出るように一方の端が前記スペーサ１６に位置し、他方の端が前記吐出口１１ｂに設けられる第２ホースｈ２と、をさらに備えることを特徴とする。
【００８３】
上記の構成によれば、ホースｈ１、ｈ２を介して処理対象水が供給され、処理された処理水がホースを介して流出するので、誘電体ビーズ１７による流体抵抗が低減されて処理対象水のスムーズな供給が行われるというメリットがある。
【００８４】
本発明の他の実施形態によるプラズマ高度水処理装置において、前記キャップ１５には、ラジカル反応用ガスを提供するガス供給源Ａと接続された流入口１３ａが形成されており、前記流入口１３ａを介して流入したラジカル反応用ガスをプラズマ放電させて生成されたラジカル発生源を吐き出すための吐出口１３ｂが形成されており、前記二重管体１０は複数並列に設けられ、一つのガス供給源Ａから前記複数の二重管体１０にラジカル反応用ガスを同時に供給する場合に、供給されるラジカル反応用ガスが前記複数の二重管体１０に形成された複数の流入口１３ａに一様に供給されるように、前記流入口１３ａにはオリフィス１８ａが貫設されたインサート１８が設けられていることを特徴とする。
【００８５】
上述したように、多数の二重管体１０にラジカル反応用ガスを同時に供給しても、各二重管体１０に形成されたオリフィス１８ａを介して供給されるので、各二重管体１０に一様にラジカル反応用ガスを供給することができるというメリットがある。
【００８６】
前記インサート１８は、流入口１３ａに一体に成形してもよく、流入口１３ａとは別設してもよい。
【００８７】
本発明の他の実施形態によるプラズマ高度水処理装置は、前記二重管体１０の一方の側に設けられ、前記プラズマ発生手段２０の電極２３、２５のうちのいずれか一方の電極に直列接続されて、前記二重管体１０が設定された温度以上に上昇した場合には開放されて前記電源部２１の電源供給を遮断するサーモスタットＳ１を備えることを特徴とする。
【００８８】
上記の構成によれば、二重管体１０が所定の温度以上に上昇すれば、サーモスタットＳ１によって電源供給が遮断されるので、二重管体１０の過熱による火災を予防することができるというメリットがある。
【００８９】
次いで、図３及び図４に示す二重管体１０の構成について、図１及び図２に示す実施形態との相違点を中心に説明する。
【００９０】
図３及び図４に示すように、内部管１１は、各キャップ１５の嵌合溝１５ａに外接し、必要に応じては、嵌合部１５Ａと内部管１１との間にパッキンリングが導入されてもよい。なお、外部管１３は、各キャップ１５に内接している。
【００９１】
また、ラジカル発生源が吐き出す吐出口１３ｂは、ラジカル反応用ガスを提供する流入口１３ａと対角線の向かい側に形成されることが好ましい。これによれば、第２疎通路１３Ａの全体を通過するので、ラジカル発生源の生成効率が向上されるというメリットがある。
【００９２】
次に、図７乃至図１０に基づき、本発明のさらに他の実施形態によるプラズマ高度水処理装置について説明する。
【００９３】
図９には、図示の複雑性を避けるために、多数の漏水感知センサー６１間の結線を省略し、二重管体１０が多数設けられる場合の多数の漏水感知センサー６１間の結線は図１０に示している。図１０に示すように、漏水感知センサー６１が多数設けられる場合には並列接続されている。
【００９４】
同図に示すように、本発明のさらに他の実施形態によるプラズマ高度水処理装置は、前記二重管体１０の一方の側に設けられて、前記内部管１１を流れる処理対象水が前記第２疎通路１３Ａに漏れることを感知するための漏水感知センサー６１と、前記漏水感知センサー６１が前記第２疎通路１３Ａに漏れた処理対象水を感知した場合に［前記第２疎通路１３Ａに処理対象水が漏れて前記漏水感知センサー６１に短絡電流が流れる場合に］、電源駆動回路２１ａの駆動を停止することにより前記電源部２１の高圧出力を停止する出力停止制御回路部６３と、を備えることを特徴とする。
【００９５】
前記電源駆動回路２１ａは、電源部２１の内部に設けられて高圧の交流電圧を発生するためのものであり、例えば、インバータであってもよい。
【００９６】
上記の構成によれば、プラズマ放電のための二重管体１０の構造において、高圧のプラズマ放電によって内部管１１が破損されたときに内部管１１の処理対象水が流出され、このようにして流出される処理対象水を感知して電源部２１の動作を停止することができるという効果がある。
【００９７】
このように高電圧によって内部管１１が破損されたときに直ちに電源部の動作を停止することができて、放電管の破壊による火災や電気的なショックを予防することができるという効果がある。
【００９８】
また、放電管が破損された場合ではなくても、二重管体１０、特に、内部管１１に防水不良が生じた場合にも処理対象水が漏れることがあるが、このような防水不良による漏水も感知することができるので、製品の不良を速やかに知ることができ、水処理装置のメンテナンスを簡単に且つ効率よく行うことができるという効果がある。
【００９９】
本発明のさらに他の実施形態によるプラズマ高度水処理装置において、前記漏水感知センサー６１は、一対の電極６１からなり、前記漏水感知センサー６１には絶縁された電圧Ｖｓを印加し、前記漏水感知センサー６１と出力停止制御回路部６３との間に接続され、前記第２疎通路１３Ａに処理対象水が漏れて前記漏水感知センサー６１に短絡電流が流れる場合に、前記漏水感知センサー６１の短絡電流Ｉｓを受け付けて前記出力停止制御回路部６３に動作制御信号を出力するフォトカプラ６２をさらに備えることを特徴とする。
【０１００】
本発明のさらに他の実施形態によるプラズマ高度水処理装置において、前記一対の電極６１の一方の端子にはセンサー電圧供給部６４が接続されるが、前記センサー電圧供給部６４は、交流電源から印加される電圧を降圧する変圧器Ｔｍと、前記変圧器ＴｍのＡＣ電流を整流する整流ダイオードＤ１と、を備えることを特徴とし、これによれば、絶縁された電圧を印加することができるというメリットがある。
【０１０１】
上記のように絶縁された電源電圧を漏水感知センサー６１に供給し、漏水感知センサー６１と出力停止制御回路部６３との間にフォトカプラ６２を設けることにより、変圧器Ｔｍ及びフォトカプラ６２において電流が絶縁されるので［フォトカプラ６２及び変圧器Ｔｍは両方とも共通の接地ＡＧＮＤを取る］、二重管体１０に印加された高電圧のプラズマ放電電圧が電源部２１の内部に流入することを防ぐことができるというメリットがある。
【０１０２】
本発明のさらに他の実施形態によるプラズマ高度水処理装置において、前記二重管体１０は、処理対象水が上から下に流れるように立設され、前記内部管１１及び外部管１３は一対のキャップ１５によって離隔固定されており、前記漏水感知センサー６１はその上端部が前記第２疎通路１３Ａに位置するように下端キャップ１５に設けられていることを特徴とする。
【０１０３】
もし、本願発明のように、二重管体１０を立設せず、横置すれば、内部管１１が高圧により破壊された場合に内部管１１にあった水が流入口１３ａを乗ってガス供給源Ａ（例えば、酸素発生器）に向かって逆流するという深刻な問題が発生し、この逆流された水は隣り合う二重管体１０に向かって流入する虞があるという問題がある。
【０１０４】
しかしながら、上記の如き本願発明の構成によれば、漏水感知センサー６１が内部管１１の破壊によって流出した水や防水不良のために漏れた水を速やかに且つ正確に感知することができ、また、内部管１１が破壊されても、内部管にあった処理対象水がラジカル反応用ガス供給源Ａ１に向かって逆流するという問題を予防することが可能になる。
【０１０５】
本発明のさらに他の実施形態によるプラズマ高度水処理装置において、前記出力停止制御回路部６３は、前記フォトカプラ６２から出力信号を受信しない場合には論理信号ハイの信号を出力し、前記フォトカプラ６２から出力信号を入力端子で受信する場合には論理信号ロウの信号を出力する比較器６３ａと、前記比較器６３ａから論理信号ハイの信号を受信する場合には電源部２１に設けられた電源駆動回路２１ａを動作させるための駆動制御信号を出力し、前記比較器６３ａから論理信号ロウ信号を受信する場合には電源駆動回路２１ａの動作を停止させるための駆動停止制御信号を電源駆動回路２１ａに出力するマイコン６３ｂを備えることを特徴とする。
【０１０６】
前記電源駆動回路２１ａが、上述したように、インバータからなる場合に、駆動停止制御信号はインバータ周波数駆動ＩＣをシャットダウンさせることによりインバータの駆動を停止することができる。
【０１０７】
次いで、上記の構成を有する本発明のさらに他の実施形態によるプラズマ高度水処理装置の漏水感知動作について述べる。
【０１０８】
内部管１１が破壊されず、処理対象水が迸らなかったり内部管１１の漏水がない場合に、漏水感知センサー６１の両端子は開放され、フォトカプラ６２に電流が流れず、比較器６３ａの入力単位に電流信号が入力されないので、比較器６３ａは論理信号ロウの信号を出力し、マイコン６３ｂは論理信号ロウ信号を電源駆動回路２１ａに出力し、電源駆動回路２１ａは電源部２１の高圧を出力し続けるように動作する。
【０１０９】
しかしながら、内部管１１が破壊されて処理対象水が迸ったり内部管１１に漏水が発生した場合に、漏水感知センサー６１は短絡され、変圧器Ｔｍの２次巻線に印加された電圧Ｖｓによって短絡電流Ｉｓが流れ、このような短絡電流Ｉｓはフォトカプラ６２に入力され、入力された短絡電流Ｉｓによってフォトカプラ６２は出力電流を比較器６３ａの入力端子に送り、比較器６３ａは論理信号ハイの信号をマイコン６３ｂに出力し、論理信号ハイの信号を受信したマイコン６３ｂは電源駆動回路２１ａに駆動停止制御信号を出力し、駆動停止制御信号を受信した電源駆動回路２１ａは作動が停止され、結果的に、電源部２１は電源の出力を止める。
【０１１０】
本明細書において、微細気泡発生手段及び水槽と関連して、「第１」、「第２」と区別して指し示す理由は、互いに区別をつけるためであり、重要度や製造順序などとは無関係であり、特に、便宜上，互いに比較して記述するときに、「第１」、「第２」を付けて区別している。
【０１１１】
また、本明細書において、「処理水」と「処理対象水」は、厳密に区別して指し示したものではなく、大まかにプラズマ処理アセンブリＴ１への流入時には「処理対象水」と指し示し、プラズマ処理アセンブリＴ１から排出される場合には「処理水」と指し示している。
【０１１２】
以上の説明において、プラズマ発生方法及びその機構、電源部の具体的な仕様、電極の具体的な仕様、ポンプの仕様、処理容量、制御方法などと関連する通常の公知の技術を省略しているが、当業者であれば、容易にこれを推測及び推論して再現することができる。
【０１１３】
また、以上において本発明を説明するに当たって、添付図面に基づいて特定の形状と構造を有するプラズマ高度水処理装置を中心に説明したが、本発明は、当業者によって種々の修正、変更及び置換が可能であり、このような修正、変更及び置換は本発明の保護範囲に属するものと解釈さるべきである。
【符号の説明】
【０１１４】
Ｔ：水処理装置
Ｗ：水源
Ａ：ガス供給源
Ｓ：封止体
１０：二重管体
１１：内部管
１１Ａ：第１疎通路
１３：外部管
１３Ａ：第２疎通路
１５：キャップ
１６：スペーサ
Ｓ１：サーモスタット
１８：インサート
１８ａ：オリフィス
１７：誘電体ビーズ
２０：プラズマ発生手段
２１：電源部
２３、２５：電極
３０：水槽
３１：循環配管
３３：循環ポンプ
Ｂ１、Ｂ２：微細気泡発生手段
４１：統合配管
４３：ポンプ
６１：漏水感知センサー
６２：フォトカプラ
６３：出力停止制御回路部
６４：センサー電圧供給部
ｈ１、ｈ２：ホース
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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