(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に形成された第１の方向に伸長する複数の第１の分割予定ラインと、該第１の分割予定ラインに直交し該第１の分割予定ラインに比較して割れにくい第２の方向に伸長する複数の第２の分割予定ラインとによって区画された各領域に、それぞれデバイスが形成されるとともに裏面に金属層が形成されたウエーハを、該第１及び第２の分割予定ラインに沿って分割するウエーハの分割方法であって、
該ウエーハを該金属層側を露出させてチャックテーブルで保持し、該ウエーハの該第１の分割予定ラインに対応した領域の該金属層を除去する第１金属層除去ステップと、
該ウエーハを該金属層側を露出させてチャックテーブルで保持し、該ウエーハの該第２の分割予定ラインに対応した領域の該金属層を除去する第２金属層除去ステップと、
該第１及び第２金属層除去ステップを実施した後、該ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点を該ウエーハ内部に位置付けるとともに、該ウエーハの該金属層側から該第１及び第２の分割予定ラインに沿って該金属層が除去された領域にレーザービームを照射し、該ウエーハの内部に改質層を形成する改質層形成ステップと、
該改質層形成ステップを実施した後、該ウエーハに外力を付与して該ウエーハを個々のデバイスチップに割断する割断ステップと、を備え、
該第１及び第２金属層除去ステップでは、該第２金属層除去ステップで除去する該金属層の幅の方が該第１金属層除去ステップで除去する該金属層の幅より広く、
該改質層形成ステップでは、該第２の分割予定ラインに対応した領域の該金属層が幅広く除去されており、該ウエーハ内部に透過するレーザービームが該金属層によって遮断される量が少ないため、該第２の分割予定ラインに沿って該ウエーハ内部に形成される該改質層は、該第１の分割予定ラインに沿って該ウエーハ内部に形成される該改質層よりも多いことを特徴とするウエーハの加工方法。
【請求項２】
前記ウエーハは、前記第２の分割予定ライン同士の間隔の方が前記第１の分割予定ライン同士の間隔より狭く形成されている請求項１記載のウエーハの分割方法。
【請求項３】
前記第１及び第２金属層除去ステップは、前記ウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザービームの集光点を該ウエーハの上面に位置付けるとともに、該ウエーハの前記金属層側から前記第１及び第２の分割予定ラインに沿ってレーザービームを照射してアブレーション加工を施し、該ウエーハの該金属層を除去する請求項１又は２記載のウエーハの分割方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、分割予定ラインによって区画された表面の領域にそれぞれデバイスが形成され、裏面に金属層を有するウエーハを個々のデバイスチップに分割するウエーハの分割方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表面に格子状に形成された複数の分割予定ラインで区画された各領域にそれぞれＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスが形成された半導体ウエーハは、裏面が研削されて所望の厚みに加工された後、分割予定ラインに沿って個々の半導体デバイスチップに分割され、分割された半導体デバイスチップは携帯電話、パソコン等の各種電気機器に広く利用されている。
【０００３】
半導体ウエーハには数多くの種類があり、ＩＧＢＴ（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）等のディスクリートデバイスが複数表面に形成されたディスクリートウエーハの裏面には電極としての金属層が形成されている。
【０００４】
また、サファイア基板、ＳｉＣ基板等の結晶成長用基板の表面に窒化ガリウム（ＧａＮ）等のエピタキシャル層（半導体層）を形成し、該エピタキシャル層にＬＥＤ等の複数の光デバイスが格子状に形成された分割予定ラインによって区画されて形成された光デバイスウエーハは、ＬＥＤ等の光デバイスの輝度向上のため、結晶成長用基板の裏面側に反射膜として金属層が形成されている。
【０００５】
しかし、裏面に金属層を有するウエーハを切削ブレードで切削しようとすると、加工送り速度が低速になる上、切削ブレードには目詰まりが生じて切削不良が発生し、ひいてはウエーハの破損を引き起こす恐れがある。
【０００６】
そこで、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザービームをウエーハに照射してウエーハ内部に改質層を形成し、この改質層を分割起点にしてウエーハを個々のデバイスチップに分割する方法が考えられる（例えば、特許第３４０８８０５号公報参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特許第３４０８８０５号公報
【特許文献２】特開２００６−１９６６４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザービームを利用してウエーハ内部に改質層を形成する場合、金属層はレーザービームを遮断するため、金属層を特許文献２に開示されたようなアブレーション加工等により除去する必要がある。
【０００９】
この金属層の除去は切削ブレードによる切削によっても可能であるが、金属層を除去しすぎてはデバイスとしての性能が落ちてしまうが、ウエーハ内部に改質層を形成するのに十分なだけの金属層を除去する必要がある。
【００１０】
特にサファイア基板やＳｉＣ基板等の結晶成長用基板では結晶方位の影響で改質層を形成しても割れにくい方向がある。このような結晶成長用基板では、割れにくい方向の分割予定ラインにおいては特に太い改質層を形成しなくては個々のデバイスに割断できないという問題もある。
【００１１】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、裏面に金属層を有し、結晶方位の影響で内部に改質層を形成しても割れにくい方向があるウエーハを確実に個々のデバイスチップに割断可能なウエーハの分割方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明によると、表面に形成された第１の方向に伸長する複数の第１の分割予定ラインと、該第１の分割予定ラインに直交し該第１の分割予定ラインに比較して割れにくい第２の方向に伸長する複数の第２の分割予定ラインとによって区画された各領域に、それぞれデバイスが形成されるとともに裏面に金属層が形成されたウエーハを、該第１及び第２の分割予定ラインに沿って分割するウエーハの分割方法であって、該ウエーハを該金属層側を露出させてチャックテーブルで保持し、該ウエーハの該第１の分割予定ラインに対応した領域の該金属層を除去する第１金属層除去ステップと、該ウエーハを該金属層側を露出させてチャックテーブルで保持し、該ウエーハの該第２の分割予定ラインに対応した領域の該金属層を除去する第２金属層除去ステップと、該第１及び第２金属層除去ステップを実施した後、該ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点を該ウエーハ内部に位置付けるとともに、該ウエーハの該金属層側から該第１及び第２の分割予定ラインに沿って該金属層が除去された領域にレーザービームを照射し、該ウエーハの内部に改質層を形成する改質層形成ステップと、該改質層形成ステップを実施した後、該ウエーハに外力を付与して該ウエーハを個々のデバイスチップに割断する割断ステップと、を備え、該第１及び第２金属層除去ステップでは、該第２金属層除去ステップで除去する該金属層の幅の方が該第１金属層除去ステップで除去する該金属層の幅より広く、該改質層形成ステップでは、該第２の分割予定ラインに対応した領域の該金属層が幅広く除去されており、該ウエーハ内部に透過するレーザービームが該金属層によって遮断される量が少ないため、該第２の分割予定ラインに沿って該ウエーハ内部に形成される該改質層は、該第１の分割予定ラインに沿って該ウエーハ内部に形成される該改質層よりも多いことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
【００１３】
好ましくは、ウエーハは、第２の分割予定ライン同士の間隔のほうが第１の分割予定ライン同士の間隔より狭く形成されている。好ましくは、金属層除去ステップは、ウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザービームの集光点をウエーハの上面に位置付けるとともに、ウエーハの金属層側から第１及び第２の分割予定ラインに沿ってレーザービームを照射してアブレーション加工を施し、金属層を部分的に除去する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明のウエーハの分割方法によると、割れにくい方向にある分割予定ラインに対しては太い改質層を形成するため、金属層を広く除去して十分な光量のレーザービームがウエーハ内部の改質層形成位置に到達できるようにする一方、割れ易い方向の分割予定ラインにおいては、金属層の除去幅を狭くしたため、デバイスとしての性能ダウンを極力抑えることができる。
【００１５】
また、割断されるデバイスの縦横サイズが異なる場合、長辺側となる分割予定ラインを割断するほうが、短辺側となる分割予定ラインを割断するときより曲げ応力が掛かりにくく割断が困難であるため、長辺側となる分割予定ラインの改質層を太く形成するため、金属層の除去幅を広く取ることも有効である。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明のウエーハの分割方法を実施するのに適したレーザー加工装置の斜視図である。
【図２】レーザービーム照射ユニットのブロック図である。
【図３】光デバイスウエーハの斜視図である。
【図４】光デバイスウエーハの縦断面図である。
【図５】ダイシングテープを介して環状フレームに支持された光デバイスウエーハの裏面側斜視図である。
【図６】チャックテーブルに保持された状態の光デバイスウエーハの断面図である。
【図７】第１金属層除去ステップを示す斜視図である。
【図８】第２金属層除去ステップを示す斜視図である。
【図９】図９（Ａ）は第１金属層除去ステップ実施後の光デバイスウエーハの縦断面図、図９（Ｂ）は第２金属層除去ステップ実施後の光デバイスウエーハの縦断面図である。
【図１０】改質層形成ステップを示す断面図である。
【図１１】改質層形成ステップを示す斜視図である。
【図１２】図１２（Ａ）は金属層の除去幅が狭い第１の分割予定ラインに照射されるレーザービームの光量を示す模式的断面図、図１２（Ｂ）は図１２（Ａ）の１２Ｂ−１２Ｂ線断面図である。
【図１３】図１３（Ａ）は金属層の除去幅が広い第２の分割予定ラインに照射されるレーザービームの光量を示す模式的断面図、図１３（Ｂ）は図１３（Ａ）の１３Ｂ−１３Ｂ線断面図である。
【図１４】長尺デバイスが形成されたウエーハの平面図である。
【図１５】図１５（Ａ）は外周余剰領域に対応した裏面の領域に金属層を有しないウエーハの裏面側斜視図、図１５（Ｂ）はその平面図である。
【図１６】割断ステップを示す縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図１を参照すると、本発明のウエーハの分割方法を実施するのに適したレーザー加工装置２の概略斜視図が示されている。
【００１８】
レーザー加工装置２は、静止基台４上にＸ軸方向に移動可能に搭載された第１スライドブロック６を含んでいる。第１スライドブロック６は、ボールねじ８及びパルスモータ１０から構成される加工送り手段１２により一対のガイドレール１４に沿って加工送り方向、すなわちＸ軸方向に移動される。
【００１９】
第１スライドブロック６上には第２スライドブロック１６がＹ軸方向に移動可能に搭載されている。すなわち、第２スライドブロック１６はボールねじ１８及びパルスモータ２０から構成される割り出し送り手段２２により一対のガイドレール２４に沿って割り出し方向、すなわちＹ軸方向に移動される。
【００２０】
第２スライドブロック１６上には円筒支持部材２６を介してチャックテーブル２８が搭載されており、チャックテーブル２８は加工送り手段１２及び割り出し送り手段２２によりＸ軸方向及びＹ軸方向に移動可能である。チャックテーブル２８には、チャックテーブル２８に吸引保持されたウエーハを支持する環状フレームをクランプするクランプ３０が設けられている。
【００２１】
静止基台４にはコラム３２が立設されており、このコラム３２にはレーザービーム照射ユニット３４を収容するケーシング３５が取り付けられている。レーザービーム照射ユニット３４は、図２に示すように、ＹＡＧレーザー又はＹＶＯ４レーザーを発振するレーザー発振器６２と、繰り返し周波数設定手段６４と、パルス幅調整手段６６と、パワー調整手段６８とを含んでいる。
【００２２】
レーザービーム照射ユニット３４のパワー調整手段６８により所定パワーに調整されたパルスレーザビームは、ケーシング３５の先端に取り付けられた集光器３６のミラー７０で反射され、更に集光用対物レンズ７２によって集光されてチャックテーブル２８に保持されている光デバイスウエーハ１１に照射される。
【００２３】
ケーシング３５の先端部には、集光器３６とＸ軸方向に整列してレーザー加工すべき加工領域を検出する撮像手段３８が配設されている。撮像手段３８は、可視光によって光デバイスウエーハ１１の加工領域を撮像する通常のＣＣＤ等の撮像素子を含んでいる。
【００２４】
撮像手段３８は更に、光デバイスウエーハ１１に赤外線を照射する赤外線照射手段と、赤外線照射手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、この光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する赤外線ＣＣＤ等の赤外線撮像素子から構成される赤外線撮像手段を含んでおり、撮像した画像信号はコントローラ（制御手段）４０に送信される。
【００２５】
コントローラ４０はコンピュータによって構成されており、制御プログラムに従って演算処理する中央処理装置（ＣＰＵ）４２と、制御プログラム等を格納するリードオンリーメモリ（ＲＯＭ）４４と、演算結果等を格納する読み書き可能なランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）４６と、カウンタ４８と、入力インターフェイス５０と、出力インターフェイス５２とを備えている。
【００２６】
５６は案内レール１４に沿って配設されたリニアスケール５４と、第１スライドブロック６に配設された図示しない読み取りヘッドとから構成される加工送り量検出手段であり、加工送り量検出手段５６の検出信号はコントローラ４０の入力エンターフェイス５０に入力される。
【００２７】
６０はガイドレール２４に沿って配設されたリニアスケール５８と第２スライドブロック１６に配設された図示しない読み取りヘッドとから構成される割り出し送り量検出手段であり、割り出し送り量検出手段６０の検出信号はコントローラ４０の入力インターフェイス５０に入力される。
【００２８】
撮像手段３８で撮像した画像信号もコントローラ４０の入力インターフェイス５０に入力される。一方、コントローラ４０の出力インターフェイス５２からはパルスモータ１０、パルスモータ２０、レーザービーム照射ユニット３４等に制御信号が出力される。
【００２９】
図３を参照すると、本発明の分割方法の加工対象となる光デバイスウエーハ１１の表面側斜視図が示されている。図４は光デバイスウエーハ１１の縦断面図である。光デバイスウエーハ１１は、サファイア基板１３上に窒化ガリウム（ＧａＮ）等のエピタキシャル層（半導体層）１５が積層されて構成されている。光デバイスウエーハ１１は、エピタキシャル層１５が積層された表面１１ａと、反射膜としてのアルミニウム等の金属層２１が形成された裏面１１ｂとを有している。
【００３０】
サファイア基板１３は例えば１００μｍの厚みを有しており、エピタキシャル層１５は例えば５μｍの厚みを有している。エピタキシャル層１５に第１の方向に伸長する複数の第１の分割予定ライン１７ａと該第１の方向と直交する方向に伸長する複数の第２の分割予定ライン１７ｂとが形成されており、第１の分割予定ライン１７ａ及び第２の分割予定ライン１７ｂとによって区画された各領域にＬＥＤ等の光デバイス１９が形成されている。
【００３１】
サファイア基板１３の結晶方位の関係で、分割予定ライン１７ａ，１７ｂに沿って光デバイスウエーハ内部に改質層を形成し、光デバイスウエーハ１１に外力を付与して個々のデバイスチップに割断する際、割れにくい方向が存在する。
【００３２】
何れの方向が割れにくいかは光デバイスウエーハの製造業者毎に相違する。同一の製造業者でも、同一ロットでは割れにくい方向が同一であるがロットが相違すると相違する場合がある。
【００３３】
よって、本発明のウエーハの分割方法を実施するのにあたり、あるロットの光デバイスウエーハに改質層を形成した後、光デバイスウエーハを改質層を分割起点として割断してみて、何れの方向の分割予定ラインが割れにくいかを検出しておき、以下この検出結果に基づいて本発明の分割方法を実施するようにする。ここでは、第２の分割予定ライン１７ｂが割れにくい方向であるとする。
【００３４】
本発明のウエーハの分割方法では、改質層を形成するためのレーザービームを光デバイスウエーハ１１の裏面側から入射するため、図５に示すように、光デバイスウエーハ１１の表面側を粘着テープであるダイシングテープＴに貼着し、ダイシングテープＴの外周部を環状フレームＦに貼着する。これにより、ダイシングテープＴを介して環状フレームＦに支持された光デバイスウエーハ１１は、裏面に形成された金属層２１が露出する形態となる。
【００３５】
本発明のウエーハの分割方法では、図６に示すように、光デバイスウエーハ１１をダイシングテープＴを介してチャックテーブル２８で吸引保持し、環状フレームＦをクランプ３０でして固定する。この状態では、光デバイスウエーハ１１の裏面に形成された金属層２１が露出する。
【００３６】
このように金属層２１が露出した状態で光デバイスウエーハ１１はチャックテーブル２８に吸引保持されるので、金属層２１を通して撮像ユニット３８での第１及び第２の分割予定ライン１７ａ，１７ｂの撮像ができない。
【００３７】
よって、本発明では特開２０１０−８２６４４号公報又は特開２０１０−８７１４１号公報に記載されたような撮像ユニット７４により、光デバイスウエーハ１１を下側から撮像して第１及び第２の分割予定ライン１７ａ，１７ｂを検出し、良く知られたパターンマッチング等の手法を利用して、集光器３６を第１及び第２の分割予定ライン１７ａ，１７ｂに整列させるアライメントを実施する。
【００３８】
アライメント実施後、図７に示すように、集光器３６から光デバイスウエーハ１１に対して吸収性を有する波長のレーザービームを光デバイスウエーハ１１の裏面側から、即ち金属層２１側から照射して、第１の分割予定ライン１７ａに沿ってアブレーション加工により幅の狭い金属層除去溝２３を形成する第１金属層除去ステップを実施する。
【００３９】
この第１金属層除去ステップでは、順次割り出し送りしながら光デバイスウエーハ１１の第１の方向に伸長する全ての第１の分割予定ライン１７ａに沿ってアブレーション加工により幅の狭い金属層除去溝２３を形成する。
【００４０】
次いで、チャックテーブル２８を９０度回転して、図８に示すように、集光器３６から光デバイスウエーハ１１に対して吸収性を有する波長のレーザービームを光デバイスウエーハ１１の裏面側から、即ち金属層２１側から照射して、第２の分割予定ライン１７ｂに沿って幅の広い金属層除去溝２５を形成する第２金属層除去ステップを実施する。
【００４１】
この第２金属層除去ステップでは、チャックテーブル２８を順次割り出し送りしながら光デバイスウエーハ１１の第２の方向に伸長する全ての第２の分割予定ライン１７ｂに沿ってアブレーション加工により幅の広い金属層除去溝２５を形成する。
【００４２】
図９（Ａ）は第１金属層除去ステップにより、幅の狭い金属層除去溝２３が形成された状態の光デバイスウエーハ１１の縦断面図、図９（Ｂ）は第２金属層除去ステップにより、幅の広い金属層除去溝２５が形成された状態の光デバイスウエーハ１１の縦断面図をそれぞれ示している。
【００４３】
この第１及び第２金属層除去ステップの加工条件は、例えば次のように設定されている。
【００４４】
光源                    ：ＬＤ励起Ｑスイッチ  Ｎｄ：ＹＡＧレーザー
波長                    ：３５５ｎｍ（ＹＡＧレーザの第３高調波）
平均出力                ：１．５Ｗ
繰り返し周波数          ：５０ｋＨｚ
加工送り速度            ：１００ｍｍ／ｓ
【００４５】
上述したアブレーション加工による第１及び第２金属層除去ステップに替えて、切刃の幅の異なる２種類の切削ブレードを用いて、第１及び第２金属層除去ステップを実施するようにしてもよい。この場合には、第１金属層除去ステップは切刃の幅の狭い切削ブレードにより実施し、第２金属層除去ステップは切刃の幅の広い切削ブレードにより実施する。
【００４６】
第１及び第２金属層除去ステップを実施した後、図１０に示すように、光デバイスウエーハ１１に対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点を光デバイスウエーハ１１内部に位置付けるとともに、光デバイスウエーハ１１の金属層２１側から、第１の分割予定ライン１７ａ又は第２の分割予定ライン１７ｂに沿って金属層２１が除去された領域にレーザービーム２７を照射し、チャックテーブル２８を矢印Ｘ１方向に加工送りすることにより、光デバイスウエーハ１１の内部に改質層２９を形成する改質層形成ステップを実施する。
【００４７】
図１１を参照すると、改質層形成ステップを示す斜視図が示されており、この図では幅の広い金属層除去溝２５を通して第２の分割予定ライン１７ｂに沿ってレーザービームを照射し、光デバイスウエーハ１１の内部に改質層を形成している状態を示している。
【００４８】
図１２（Ａ）に示すように、幅の狭い金属層除去溝２３にレーザービーム２７が照射されると、第１の分割予定ライン１７ａの幅方向のレーザービーム２７の外周側は金属層２１を透過できないため、光デバイスウエーハ１１の内部に集光されるレーザービームの光量は小さいものとなり、その結果、図１２（Ｂ）に示すように、比較的細い改質層２９ａが光デバイスウエーハ１１の内部に形成される。
【００４９】
一方、図１３（Ａ）に示すように、幅の広い金属層除去溝２５にレーザービーム２７が照射されると、第２の分割予定ライン１７ｂの幅方向のレーザービーム２７の外周側は金属層２１によって殆ど遮断されないか或いは遮断される光量が図１２（Ａ）に示す場合に比較して小さいため、大きな光量が光デバイスウエーハ１１の内部に集光される。その結果、図１３（Ｂ）に示すように、比較的幅の広い改質層２９ｂが光デバイスウエーハ１１の内部に形成される。
【００５０】
改質層形成工程の加工条件は、例えば以下のように設定されている。
【００５１】
光源                    ：ＬＤ励起Ｑスイッチ  Ｎｄ：ＹＡＧレーザー
波長                    ：１０６４ｎｍ
平均出力                ：０．３Ｗ
繰り返し周波数          ：１００ｋＨｚ
加工送り速度            ：４００ｍｍ／ｓ
【００５２】
改質層形成ステップ実施後、光デバイスウエーハ１１に外力を付与して光デバイスウエーハ１１を個々の光デバイスチップに割断する割断ステップを実施する。この割断ステップでは、例えば図１６に示すように、円筒８０の載置面上に環状フレームＦを載置して、クランプ８２で環状フレームＦをクランプする。そして、バー形状の分割治具８４を円筒８０内に配設する。
【００５３】
分割治具８４は上段保持面８６ａと下段保持面８６ｂとを有しており、下段保持面８６ｂに開口する真空吸引路８８が形成されている。分割治具８４の詳細構造は、特許第４３６１５０６号公報に開示されている。
【００５４】
分割治具８４による割断ステップを実施するには、分割治具８４の真空吸引路８８を矢印９０で示すように真空吸引しながら、分割治具８４の上段保持面８６ａ及び下段保持面８６ｂを下側からダイシングテープＴに接触させて、分割治具８４を矢印Ａ方向に移動する。即ち、分割治具８４を分割しようとする第１の分割予定ライン１７ａ又は第２の分割予定ライン１７ｂと直交する方向に移動する。
【００５５】
これにより、分割起点となる改質層２９ａ又は２９ｂが分割治具８４の上段保持面８６ａの内側エッジの真上に移動すると、改質層２９ａ又は２９ｂを有する分割予定ライン１７ａ又は１７ｂの部分に曲げ応力が集中して発生し、この曲げ応力で光デバイスウエーハ１１が第１又は第２の分割予定ライン１７ａ，１７ｂに沿って割断される。
【００５６】
第１の方向に伸長する全ての第１の分割予定ライン１７ａに沿っての分割が終了すると、分割治具８４を９０度回転して、或いは円筒８０を９０度回転して、第１の方向と直交する方向に伸長する第２の分割予定ライン１７ｂを同様に割断する。これにより、光デバイスウエーハ１１が個々の光デバイスチップ１９に分割される。
【００５７】
本実施形態のウエーハの分割方法では、割れにくい方向に伸長する第２の分割予定ライン１７ｂに沿って太い改質層２９ｂを形成しているため、割れにくい方向に伸長する第２の分割予定ライン１７ｂに沿っての割断を容易に行うことができ、割れにくい方向での割れ残りが発生することを防止できる。
【００５８】
図１４を参照すると、長尺サイズのデバイス１９Ａを有するウエーハ１１Ａの平面図が示されている。このような長尺サイズのデバイス１９Ａを有するウエーハ１１Ａでは、第２の分割予定ライン１７ｂ同士の間隔（ピッチ）が、第１の分割予定ライン１７ａ同士の間隔（ピッチ）より狭く形成されており、第２の分割予定ライン１７ｂに沿った方向が割断されにくい。
【００５９】
よって、割れにくさの方向が結晶方位に無関係な長尺デバイス１９Ａを有するウエーハ１１Ａの場合にも、本発明のウエーハの分割方法は同様に適用することができる。この場合には、ピッチが狭い第２の分割予定ライン１７ｂに沿って太い改質層を形成し、第１の分割予定ライン１７ａに沿って比較的細い改質層を形成する。その後、図１６に示すような分割治具８４を使用した割断ステップを実施することにより、割れ残しを生ずることなくウエーハ１１Ａを個々のデバイスチップ１９Ａに割断することができる。
【００６０】
本発明のウエーハの分割方法は、図１５に示すように、複数のデバイス１９が形成されたデバイス領域３１に対応するウエーハ１１の裏面にのみ金属層２１が形成され、デバイス領域３１を囲繞する外周余剰領域３３に対応する光デバイスウエーハ１１の裏面には金属層２１が形成されていない光デバイスウエーハ１１にも同様に適用することができる。
【００６１】
光デバイスウエーハ１１の外周部に形成される改質層は分割起点としてより効果的であるため、金属層２１が外周余剰領域にない光デバイスウエーハ１１を用いれば、本発明の分割方法はより効果的である。
【００６２】
上述した実施形態では、本発明の分割方法を光デバイスウエーハ１１に適用した例について説明したが、被加工物は光デバイスウエーハ１１に限定されるものではなく、割れにくい方向が存在するので他のウエーハにも本発明の分割方法は同様に適用することができる。
【符号の説明】
【００６３】
１１    光デバイスウエーハ
１３    サファイア基板
１５    エピタキシャル層
１７ａ    第１の分割予定ライン
１７ｂ    第２の分割予定ライン
１９    光デバイス
２１    金属層
２３    幅の狭い金属層除去溝
２５    幅の広い金属層除去溝
２８    チャックテーブル
２９，２９ａ，２９ｂ    改質層
３４    レーザービーム照射ユニット
３６    集光器
８４    分割治具
【図１】
0005946307.tif 000002
【図２】
0005946307.tif 000003
【図３】
0005946307.tif 000004
【図４】
0005946307.tif 000005
【図５】
0005946307.tif 000006
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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