(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
底壁と該底壁の周囲から立ち上がる周壁とを有するるつぼの内部空間に、シリコン原料を投入し、且つ前記るつぼを所定の温度域に置いて加熱して前記シリコン原料をシリコン融液にするシリコン原料溶融工程と、
前記るつぼの前記底壁の下方の温度および前記周壁の周囲の温度が前記るつぼの他の部分の温度よりも低くなるように前記温度域を制御して、前記るつぼの前記周壁における前記底壁に近い側の一部と前記底壁とに接する部分である前記シリコン融液の下側界面部分の温度が、前記シリコン融液の他の部分の温度よりも低くして、前記シリコン融液の前記下側界面部分のみを固化させて、未固化の前記シリコン融液の底部近くを前記底壁及び前記周壁の方から取り囲む固化シリコン隔離層を形成する固化シリコン隔離層形成工程と、
前記未固化のシリコン融液が底部側から上側に向けて徐々に固化するように前記温度域を制御して、前記シリコン融液の全体を固化させて、前記固化シリコン隔離層を含む多結晶シリコンインゴッドを形成する多結晶シリコンインゴッド形成工程と、を含む
ことを特徴とする多結晶シリコンインゴッドの製造方法。
【請求項２】
前記多結晶シリコンインゴッド形成工程の後に、
前記固化シリコン隔離層を含む前記多結晶シリコンインゴッドを前記るつぼから取り出す離型工程と、
前記多結晶シリコンインゴッドから前記固化シリコン隔離層を除去する固化シリコン隔離層除去工程と、を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の多結晶シリコンインゴッドの製造方法。
【請求項３】
前記多結晶シリコンインゴッド形成工程においては、前記るつぼの前記底壁の下方の温度が前記るつぼの他の部分の温度よりも低くなるように前記温度域を制御することを特徴とする請求項２に記載の多結晶シリコンインゴッドの製造方法。
【請求項４】
前記固化シリコン隔離層形成工程において、
前記シリコン融液の前記るつぼの前記内部空間における底面からの液面高さをＨ、
前記固化シリコン隔離層の前記るつぼの前記内部空間における底面からの頂端高さをｈとした場合、
ｈ≦０．８Ｈとなるように前記固化シリコン隔離層を形成することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の多結晶シリコンインゴッドの製造方法。
【請求項５】
前記るつぼとして、前記底壁の内側と前記周壁の内側との少なくともいずれかに離型層が設けられているるつぼを用いることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の多結晶シリコンインゴッドの製造方法。
【請求項６】
前記離型層として、窒化ケイ素からなる離型層を用いることを特徴とする請求項５に記載の多結晶シリコンインゴッドの製造方法。
【請求項７】
前記固化シリコン隔離層除去工程においては、前記多結晶シリコンインゴッドに対してブロック切り出しを行なう際に、前記多結晶シリコンインゴッドの周面部分および底側部分をそれぞれ縦方向および横方向に切除して、前記多結晶シリコンインゴッドから前記固化シリコン隔離層を除去し、完成品となる多結晶シリコンインゴッドを得ることを特徴とする請求項２に記載の多結晶シリコンインゴッドの製造方法。
【請求項８】
前記多結晶シリコンインゴッド形成工程においては、前記るつぼを前記固化シリコン隔離層形成工程における加熱温度よりも低い温度で加熱し続けることにより前記温度域の制御を行なうことを特徴とする請求項１に記載の多結晶シリコンインゴッドの製造方法。
【請求項９】
底壁と該底壁の周囲から立ち上がる周壁とを有するるつぼの内部空間に、シリコン原料を投入し、且つ前記るつぼを所定の温度域に置いて加熱して前記シリコン原料をシリコン融液にするシリコン原料溶融工程と、
前記るつぼの前記周壁における前記底壁に近い側の一部と前記底壁とに接する部分である前記シリコン融液の下側界面部分の温度が、前記シリコン融液の他の部分の温度よりも低くなるように前記温度域を制御して、前記シリコン融液の前記下側界面部分のみを固化させて、未固化の前記シリコン融液の底部近くを前記底壁及び前記周壁の方から取り囲む固化シリコン隔離層を形成する固化シリコン隔離層形成工程と、
前記未固化のシリコン融液が底部側から上側に向けて徐々に固化するように前記温度域を制御して、前記シリコン融液の全体を固化させて、前記固化シリコン隔離層を含む多結晶シリコンインゴッドを形成する多結晶シリコンインゴッド形成工程と、
前記多結晶シリコンインゴッド形成工程の後に、前記固化シリコン隔離層を含む前記多結晶シリコンインゴッドを前記るつぼから取り出す離型工程と、
前記多結晶シリコンインゴッドから前記固化シリコン隔離層を除去する固化シリコン隔離層除去工程であって、前記多結晶シリコンインゴッドに対してブロック切り出しを行なう際に、前記多結晶シリコンインゴッドの周面部分および底側部分をそれぞれ縦方向および横方向に切除して、前記多結晶シリコンインゴッドから前記固化シリコン隔離層を除去し、完成品となる多結晶シリコンインゴッドを得る固化シリコン隔離層除去工程と、
前記固化シリコン隔離層除去工程の後に、前記多結晶シリコンインゴッドを多結晶シリコンウエハを得るために横方向に切り出す切り出し工程と、を含むことを特徴とする、多結晶シリコンインゴッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコンインゴッドの製造方法に関し、特に多結晶シリコンインゴッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
多結晶シリコン型太陽電池に用いるための多結晶シリコンウエハは、従来より、多結晶シリコンインゴットから切り出して作成される。多結晶シリコンインゴットを製造する方法としては、主に、シリコン原料をるつぼに入れて加熱し融液にした後で、それを徐々に冷却して結晶成長させることにより、多結晶シリコンインゴットを製造する方法が挙げられる。
【０００３】
結晶成長に際してホウ素を融液に投入すると、電気抵抗が低下し、且つ光電変換効率がより良好な太陽電池セルとするための多結晶シリコンを製造することができる。
【０００４】
しかしながら、このような多結晶シリコンインゴッドの製造には一般に石英るつぼが用いられているため、加熱時にるつぼが高温になると、該るつぼの内壁から酸素が析出してシリコン融液に溶解してしまい、これがシリコンインゴッドにおける酸素不純物となる。このように酸素不純物が高濃度で混入すると、シリコンインゴッドを太陽電池とした場合に、光の照射を受けてホウ素−酸素結合に欠陥が生じ、光電変換効率が低下する。
【０００５】
このため、特許文献１に開示されているように、石英るつぼの内壁に窒化ケイ素（Ｓｉ3Ｎ4）層を設けたものが知られている。該窒化ケイ素層を設けると、多結晶シリコンインゴッドのるつぼからの離型が行い易くなるのみならず、酸素のシリコン融液への混入を減らすことができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００１―１９８６４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、内壁に窒化ケイ素層を設けた石英るつぼを用いる方法では、酸素の溶解を減らす効果には限界があり、実験においても、製造過程で酸素が窒化ケイ素層を通ってシリコン融液に混入してしまい、製造される多結晶シリコンウエハの光電変換効率に影響することが判明している。
【０００８】
本発明は、上述した従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、酸素不純物の濃度が光電変換効率に影響しない程度に減少され、電気抵抗が低くかつ光電変換効率に優れた太陽電池用多結晶シリコンウエハを製造するための材料となり得る多結晶シリコンインゴッドを製造可能な方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成する手段として、本発明は、底壁と該底壁の周囲から立ち上がる周壁とを有するるつぼの内部空間に、シリコン原料を投入し、且つ前記るつぼを所定の温度域に置いて加熱して、前記シリコン原料をシリコン融液にするシリコン原料溶融工程と、
前記るつぼの前記周壁における前記底壁に近い側の一部と前記底壁とに接する部分である前記シリコン融液の下側界面部分の温度が、前記シリコン融液の他の部分の温度よりも低くなるように前記温度域を制御して、前記シリコン融液の前記下側界面部分のみを固化させて、未固化の前記シリコン融液の底部近くを前記底壁及び前記周壁の方から取り囲む固化シリコン隔離層を形成する固化シリコン隔離層形成工程と、
前記未固化のシリコン融液が底部側から上側に向けて徐々に固化するように前記温度域を制御して、前記シリコン融液の全体を固化させて、前記固化シリコン隔離層を含む多結晶シリコンインゴッドを形成する多結晶シリコンインゴッド形成工程と、を含むことを特徴とする多結晶シリコンインゴッドの製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１０】
上記手段によれば、固化シリコン隔離層形成工程にて固化シリコン隔離層が形成されるため、未固化の前記シリコン融液が少なくとも部分的にるつぼから隔離されるようになり、この隔離により、るつぼの内面から析出される酸素がシリコン融液に混入することが防止され、これにより製造される固化シリコン隔離層を除く多結晶シリコンインゴッド中の酸素含有量を大幅に減らすことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明に係る多結晶シリコンインゴッドの製造方法の一態様を示すフローチャートである。
【図２】上記態様において用いられる結晶成長炉システムを示す説明図である。
【図３】上記態様におけるシリコン原料溶融工程を示す説明図である。
【図４】上記態様における固化シリコン隔離層形成工程を示す説明図である。
【図５】上記態様における多結晶シリコンインゴッド形成工程を示す説明図である。
【図６】上記態様における離型工程を示す説明図である。
【図７】上記態様における固化シリコン隔離層除去工程を示す説明図である。
【図８】本発明に係る各実施例と比較例の製造工程パラメータおよび製造された多結晶シリコンインゴッドの底部酸素含有量を示す図である。
【図９】本発明に係る各実施例と比較例によりそれぞれ製造された多結晶シリコンインゴッドにおけるキャリアライフタイム分布図および赤外線分析図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面を参照しつつ、本発明の態様を例示して本発明を詳細に説明する。
【００１３】
図１には、本発明に係る多結晶シリコンインゴッドの製造方法の一態様であるフローチャートが示されている。本態様において、多結晶シリコンインゴッドの製造方法は、シリコン原料溶融工程Ｓ１、固化シリコン隔離層形成工程Ｓ２、多結晶シリコンインゴッド形成工程Ｓ３、離型工程Ｓ４、固化シリコン隔離層除去工程Ｓ５とを含む。
【００１４】
（シリコン原料溶融工程Ｓ１）
シリコン原料溶融工程Ｓ１においては、図２に示されているように、底壁３１と、底壁３１の周囲から立ち上がる周壁３２とを有するるつぼ３の内部空間に、シリコン原料２を投入し、且つ、そのるつぼ３を所定の温度域５０に置いて加熱して、シリコン原料２を溶融しシリコン融液２１（図３参照）にする。
【００１５】
るつぼ３においては、底壁３１の内側と周壁３２の内側の両方あるいはいずれか一方に、窒化ケイ素からなる離型層３３が設けられてことが好ましい。
【００１６】
所定の温度域５０は、結晶成長炉システム５によって所定の温度に制御された場として形成される。結晶成長炉システム５は、図示されているように、断熱ベース盤５１と、断熱ベース盤５１の上方に設けられるつぼ３を載置するための導熱台５２と、グラファイトからなり、導熱台５２に載置されたるつぼ３を囲い込むことができるように導熱台５２の上面に設置されている断熱囲壁５３と、導熱台５２に載置されたるつぼ３の上方と、断熱囲壁５３の周囲とにそれぞれ１つづつ設けられているヒーター５４と、ヒーター５４、断熱囲壁５３、導熱台５２をその内部に覆い込むように断熱ベース盤５１の上に被せられる上に、垂直方向Ｚに沿って上下移動できるように設けられた断熱シェード体５５とを有する。
【００１７】
所定の温度域５０は、ヒーター５４の加熱によって、断熱ベース盤５１と断熱シェード体５５とに囲まれて形成される結晶成長炉システム５の内部空間に形成される。所定の温度域５０内においては、各ヒーター５４の昇温／降温条件、および、断熱シェード体５５の移動幅によって温度勾配を付与することができる。
【００１８】
（固化シリコン隔離層形成工程Ｓ２）
次に、固化シリコン隔離層形成工程Ｓ２においては、るつぼ３の周壁３２における底壁３１に近い側の一部（即ち周壁３２の下側部）と底壁３１とに接する部分であるシリコン融液２１の下側界面部分２１１の温度が、シリコン融液２１の他の部分の温度よりも低くなるように、温度域５０を制御して（即ち、温度域５０内に温度勾配を形成して）、シリコン融液２１の下側界面部分２１１のみを固化させ、図４に示されているように、未固化のシリコン融液２１２の底部付近を底壁３１及び周壁３２の方から取り囲む固化シリコン隔離層２２を形成する。なお、ここでいうシリコン融液２１の下側界面部分２１１とは、上述のようにシリコン融液２１の底壁３１に接する界面の近辺部と、シリコン融液２１の周壁３２の下側部に接する界面の近辺部とを含めた部分を指す。
【００１９】
本工程における温度域５０の制御をより具体的に説明すると、るつぼ３の上方および側方からるつぼ３を、シリコンの融点（１４１２℃）よりも１７〜２５℃低い温度で加熱し続けると同時に、断熱シェード体５５を垂直方向Ｚに沿って上方に移動することで、図４に示されているように断熱シェード体５５の下端と断熱ベース盤５１との間に隙間５６を形成し、この隙間５６から比較的低温の外気が温度域５０内に流入するようにすることで、るつぼ３の底壁３１の下方の温度および周壁３２の周囲の温度がるつぼ３の他の部分の温度よりも低くなるようにする。
【００２０】
本態様においては、ヒーター５４の加熱条件は変えずに、断熱シェード体５５を移動させて隙間５６を形成することのみにより、温度域５０の制御を行なう。そこで、隙間５６の開口高さ（即ち断熱シェード体５５の移動距離）の大きさは、温度域５０に導入される外気の量に比例し、開口高さが大きいほど、シリコン融液２１の下側界面部分２１１の温度降下速度が速まる。
【００２１】
なお、本発明に係る固化シリコン隔離層形成工程Ｓ２において、シリコン融液２１の下側界面部分２１１の温度がシリコン融液２１の他の部分の温度よりも低くなるように温度域５０を制御する方法は、本態様の方法に限定されず、例えば断熱シェード体５５の内部に冷媒流路を設けてそこに冷媒を通したり、またはその他の冷却装置を用いたりしてもよく、或いは、断熱囲壁５３の周囲に設けられているヒーター５４の温度を下げることにより温度域５０を制御してもよい。
【００２２】
また、本工程においては、シリコン融液２１のるつぼ３の内部空間における底面からの液面高さをＨ、固化シリコン隔離層２２のるつぼ３の内部空間における底面からの頂端高さをｈとした場合（図４参照）、ｈ≦０．８Ｈとなるように固化シリコン隔離層２２が形成されることが好ましく、また、隙間５６の開口高さは、６．０ｃｍ〜８．５ｃｍとすることが好ましく、６．０ｃｍ〜７．０ｃｍとすることがより好ましい。
【００２３】
（多結晶シリコンインゴッド形成工程Ｓ３）
続いて、多結晶シリコンインゴッド形成工程Ｓ３においては、未固化のシリコン融液２１２が底部側から上側に向けて徐々に一方向に結晶成長するように温度域５０を制御して、シリコン融液２１全体を固化させて、固化シリコン隔離層２２を含む多結晶シリコンインゴッド２３を形成する。
【００２４】
本工程における温度域５０の制御をより具体的に説明すると、るつぼ３の上方および側方からるつぼ３を、固化シリコン隔離層形成工程Ｓ２における加熱温度よりも低い温度で加熱し続けると同時に、断熱シェード体５５を垂直方向Ｚに沿って更に上方に移動することで、図５に示されているように隙間５６をより大きく開け、隙間５６から比較的低温の外気が温度域５０内に更に多く流入するようにすることで、るつぼ３の底壁３１の下方の温度がるつぼ３の他のあらゆる部分の温度よりも低くなるようにする。
【００２５】
本態様においては、ヒーター５４の加熱条件は変えずに（固化シリコン隔離層形成工程Ｓ２における加熱温度よりも低い温度を一定に保つ）、断熱シェード体５５を更に移動させて隙間５６をより大きくすることのみにより、温度域５０の制御を行なう。
【００２６】
（離型工程Ｓ４）
次に、離型工程Ｓ４においては、図６に示されているように、多結晶シリコンインゴッド形成工程Ｓ３で形成された、固化シリコン隔離層２２を含む多結晶シリコンインゴッド２３を、るつぼ３から取り出す。
【００２７】
なお、シリコン融液２１の下側界面部分２１１（即ち後の固化シリコン隔離層２２）は、るつぼ３の内面に直接接触していた部分であり、製造工程においてるつぼ３の内面から析出した酸素が混入しており、よって固化シリコン隔離層２２は多結晶シリコンインゴッド２３における他の部分（即ち未固化のシリコン融液２１２であった部分）よりも多くの酸素不純物を含有している。そこで、多結晶シリコンインゴッド２３から固化シリコン隔離層２２を除去するべく、後続の固化シリコン隔離層除去工程Ｓ５を行う。
【００２８】
（固化シリコン隔離層除去工程Ｓ５）
固化シリコン隔離層除去工程Ｓ５においては、図７に示されているように、多結晶シリコンインゴッド２３に対してブロック切り出しを行なう際に、多結晶シリコンインゴッド２３の周面部分および底側部分をそれぞれ縦方向および横方向に切除して、多結晶シリコンインゴッド２３から固化シリコン隔離層２２を除去し、完成品となる多結晶シリコンインゴッド２４を得る。
【００２９】
（比較）
以下においては、それぞれ製造工程パラメーター、具体的には固化の時間、ヒーターの加熱温度、隙間の開口高さをそれぞれ変化させて行なった本発明に係る多結晶シリコンインゴッドの製造方法の実施例１〜４および比較例の比較結果を説明する。
【００３０】
図８には、本発明に係る各実施例（実施例１〜４）と比較例の各製造工程パラメータおよび製造された多結晶シリコンインゴッドの底部酸素含有量が示されている。表中の段階Ｇ１およびＧ２は、固化シリコン隔離層形成工程Ｓ２に対応し、段階Ｇ３およびＧ４は、多結晶シリコンインゴッド形成工程Ｓ３に対応する。
【００３１】
各実施例と比較例との主な差違を挙げると、各実施例は、特に段階Ｇ１およびＧ２において、加熱温度が比較例よりも低く、また、隙間５６の開口高さが比較例よりも小さい。これにより、各実施例においては段階Ｇ１およびＧ２でかかる時間が比較例よりも延ばされており、言い換えれば各実施例においては比較例よりも長い時間をかけて固化シリコン隔離層２２を形成した。また、段階Ｇ３およびＧ４においても、各実施例は加熱温度が比較例よりも低く且つ隙間５６の開口高さが比較例よりも小さい。これにより、各実施例においては、多結晶シリコンインゴッド形成工程Ｓ３において多結晶シリコンインゴッド２３を形成する際の結晶成長速度が１ｃｍ／ｈｒに抑えられている。
【００３２】
なお、実施例１〜実施例４は、図８の通り、各実施例で同一の段階でかかる時間並びに段階Ｇ３、Ｇ４における全てのパラメータは全て同じであるが、段階Ｇ１、Ｇ２でのヒーターの加熱温度と隙間の開口高さがそれぞれ異なり、実施例１において上記加熱温度ならびに上記開口高さが最も大きく、実施例の番号が増えるに連れてそれらが小さくなり、実施例４において上記加熱温度ならびに上記開口高さが最も大きくなる。
【００３３】
図８に示されている比較例および各態様の底部酸素含有量は、フーリエ変換型赤外分光（ＦＴＩＲ）装置により測定されたものであり、多結晶シリコンインゴッドに対して赤外線を照射して励起させ、多結晶シリコンインゴッドにおける結晶格子（lattice）が赤外線を吸収して振動を起こすようにし、これにより異なる元素にそれぞれ対応する吸収スペクトルを取得して、吸収スペクトルのピーク強度から酸素元素の含有量を導出する。図８に示されているように、上記方法により測定した結果、比較例により製造された多結晶シリコンインゴッドの底部（るつぼの底壁に接していた界面より上に４０ｍｍの箇所）における酸素含有量は９．９３ｐｐｍａであったのに対し、各実施例により製造された多結晶シリコンインゴッドの底部における酸素含有量は、実施例１における７．３２ｐｐｍａから実施例４における０．５８ｐｐｍａまでといずれも比較例より低い数値を示した。
【００３４】
図９の左側には、比較例および各実施例によりそれぞれ製造された多結晶シリコンインゴッドにおける少数キャリアライフタイム分布図（カラー図として「参考図面１」を別途参照）が、図９の右側には、赤外線分析図が各々示されている。これら少数キャリア寿命分布図および赤外線分析図からも、実施例１〜４により製造された多結晶シリコンインゴッドは、側部に斜めに成長した固化シリコン隔離層２２を有するが、比較例により製造された多結晶シリコンインゴッドは、固化シリコン隔離層２２が形成されていなかったことがわかる。なお、上記少数キャリアライフタイム分布図は、μ‐ＰＣＤ（Microwave Photo Conductivity Decay）分析装置により測定されたものである。詳細に説明すると、マイクロ波により多結晶シリコンインゴッド内部の少数キャリアのホールからの分離および再結合を励起して、多結晶シリコンインゴッドの導電度の時間による変化を測定することにより、この測定結果から少数キャリアがホールから分離してから再び結合するまでにかかった時間を算出し、この時間を即ち少数キャリアライフタイムとする。図９（並びに参考図面１）に示されているように、各実施例においては、少数キャリアライフタイムが比較例と比べて長かった（図示においては色が濃いほど（カラー図においては青色に近いほど）ライフタイムが長いことを示す）。
【００３５】
上記各測定結果（図８と図９）からわかるように、本発明に係る各実施例によれば、比較例よりも低い温度で結晶成長（固化）を行なったため、シリコン融液２１の下側界面部分２１１のみが固化することで、未固化のシリコン融液２１２の底部付近を取り囲む固化シリコン隔離層を形成する固化シリコン隔離層２２が確実に形成される。
【００３６】
上述のように、本発明に係る多結晶シリコンインゴッドの製造方法においては、シリコン原料２を溶融後に、シリコン融液２１の下側界面部分２１１の温度が、シリコン融液２１の他の部分の温度よりも低くなるように温度域５０を制御して、シリコン融液２１の下側界面部分２１１のみを固化させて固化シリコン隔離層２２を形成することにより、未固化のシリコン融液２１２をるつぼ３の内面から少なくとも部分的に隔離することで、るつぼ３の内面から析出される酸素がシリコン融液２１２に混入することが防止され、最終的に製造される多結晶シリコンインゴッド２４中の酸素含有量を大幅に減らすことができる。
【００３７】
よって本発明によれば、酸素不純物の濃度が光電変換効率に影響しない程度に減少されて、電気抵抗が低くかつ光電変換効率に優れた太陽電池用多結晶シリコンウエハを製造するための材料となれる多結晶シリコンインゴッドを製造することが可能となる。
【００３８】
以上、本発明の好ましい実施形態を説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
【産業上の利用可能性】
【００３９】
本発明に係る多結晶シリコンインゴッドの製造方法によれば、酸素不純物の濃度が光電変換効率に影響しない程度に減少されるため、太陽電池用多結晶シリコンウエハを製造するための材料を製造する方法として好適である。
【符号の説明】
【００４０】
Ｓ１    シリコン原料溶融工程
Ｓ２    固化シリコン隔離層形成工程
Ｓ３    多結晶シリコンインゴッド形成工程
Ｓ４    離型工程
Ｓ５    固化シリコン隔離層除去工程
２    シリコン原料
２１    シリコン融液
２１１    下側界面部分
２１２    未固化のシリコン融液
２２    固化シリコン隔離層
２３、２４    多結晶シリコンインゴッド
３    るつぼ
３１    底壁
３２    周壁
３３    離型層
５    結晶成長炉システム
５１    断熱ベース盤
５２    導熱台
５３    断熱囲壁
５４    ヒーター
５５    断熱シェード体
５６    隙間
５０    温度域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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