(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２つの無機基材同士を、誘導エネルギー源を利用してシールする方法であり、
（ａ）少なくとも２つの無機基材を提供する工程と、
（ｂ）（ｉ）ガラスフリットと、
（ｉｉ）誘導カップリング添加剤と、
を含み、有機バインダを含まないペースト組成物を少なくとも２つの基材の内少なくとも１つに塗布する工程と、
（ｃ）前記無機基材上のペースト組成物を予備焼成する工程と、
（ｄ）少なくとも第２の基材を前記ペースト組成物と接触するようにする工程と、
（ｅ）前記基材と前記ペーストを誘導加熱することにより２つの基材の間に気密シールを形成する工程と、
を含む、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、前記ガラスフリットが、ビスマスガラス、鉛ガラス、亜鉛ガラス、バリウムガラス、カルシウムガラス、アルカリケイ酸塩ガラス、バナジウムガラス、テルライドガラス、リン酸塩ガラス、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法において、前記誘導カップリング添加剤が、フェライト、Ｎｉ−Ｚｎフェライト、Ｍｎ−Ｚｎフェライト、Ｍｇ−Ｍｎフェライト、フェライト系ステンレス鋼、４３０ステンレス鋼、銅、アルミニウム、銀、強磁性材料、Ｆｅ３Ｏ４、Ｆｅ２Ｏ３ガラス、Ｆｅ２Ｏ３ガラスセラミック、Ｃｏ２Ｏ３ガラス、Ｃｏ２Ｏ３ガラスセラミック、ＭｎＯガラス、ＭｎＯガラスセラミック、ＭｇＯ０．５ＭｎＯ０．５Ｆｅ２Ｏ３、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法において、前記ガラスフリットがさらにマンガン含有成分を含み、該マンガン含有成分は、ビスマスマンガン顔料、ペロブスカイトマンガナイト、Ｂｉ２Ｍｎ４Ｏ１０、Ｂｉ１２ＭｎＯ２０、及びＢｉ２Ｏ３とＭｎＯ２のモル比が５：１〜１：５のビスマスマンガン顔料からなる群から選択される方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法において、前記少なくとも２つの無機基材が接合されて形成された空洞は、真空ないし不活性雰囲気とされ、シールはペーストの誘導加熱により形成される方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法において、前記ガラスフリットが鉛フリー及びカドミウムフリーのシーリングガラス組成物であり、焼成の前に、
（ａ）２５〜６５モル％のＢｉ２Ｏ３と、
（ｂ）３〜６０モル％のＺｎＯと、
（ｃ）４〜６５モル％のＢ２Ｏ３と、
（ｄ）０．１〜１５モル％のＣｕｏ、Ｆｅ２Ｏ３、Ｃｏ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１つと、を含み、
（ｅ）シリコン酸化物が意図的に添加されておらず、
（ｆ）アルミニウム酸化物が意図的に添加されていない、
方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法において、前記誘導カップリング添加剤が、フェライト、Ｎｉ−Ｚｎフェライト、Ｍｎ−Ｚｎフェライト、Ｍｇ−Ｍｎフェライト、フェライト系ステンレス鋼、４３０ステンレス鋼、銅、アルミニウム、銀、強磁性材料、Ｆｅ３Ｏ４、Ｆｅ２Ｏ３ガラス、Ｆｅ２Ｏ３ガラスセラミック、Ｃｏ２Ｏ３ガラス、Ｃｏ２Ｏ３ガラスセラミック、ＭｎＯガラス、ＭｎＯガラスセラミック、ＭｇＯ０．５ＭｎＯ０．５Ｆｅ２Ｏ３、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される方法。
【請求項８】
請求項６に記載の方法において、前記ガラスフリットがさらにマンガン含有成分を含み、該マンガン含有成分は、ビスマスマンガン顔料、ペロブスカイトマンガナイト、Ｂｉ２Ｍｎ４Ｏ１０、Ｂｉ１２ＭｎＯ２０、及びＢｉ２Ｏ３とＭｎＯ２のモル比が５：１〜１：５のビスマスマンガン顔料からなる群から選択される方法。
【請求項９】
請求項６に記載の方法において、前記少なくとも２つの無機基材が接合されて形成された空洞は、真空ないし不活性雰囲気とされ、シールはペーストの誘導加熱により形成される方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の方法において、前記ガラスフリットが鉛フリー及びカドミウムフリーのシーリングガラス組成物であり、焼成の前に、
（ａ）５〜６５モル％のＺｎＯと、
（ｂ）１０〜６５モル％のＳｉＯ２と、
（ｃ）５〜５５モル％のＢ２Ｏ３＋Ａｌ２Ｏ３と、
（ｄ）０．１〜４５モル％のＬｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏ、Ｃｓ２Ｏ、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１つと、
（ｅ）０．１〜２０モル％のＭｇＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１つと、
（ｆ）０．１〜４０モル％のＴｅＯ２、Ｔｌ２Ｏ、Ｖ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、ＧｅＯ２、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１つと、
を含む方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の方法において、前記誘導カップリング添加剤が、フェライト、Ｎｉ−Ｚｎフェライト、Ｍｎ−Ｚｎフェライト、Ｍｇ−Ｍｎフェライト、フェライト系ステンレス鋼、４３０ステンレス鋼、銅、アルミニウム、銀、強磁性材料、Ｆｅ３Ｏ４、Ｆｅ２Ｏ３ガラス、Ｆｅ２Ｏ３ガラスセラミック、Ｃｏ２Ｏ３ガラス、Ｃｏ２Ｏ３ガラスセラミック、ＭｎＯガラス、ＭｎＯガラスセラミック、ＭｇＯ０．５ＭｎＯ０．５Ｆｅ２Ｏ３、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される方法。
【請求項１２】
請求項１０に記載の方法において、前記ガラスフリットがさらにマンガン含有成分を含み、該マンガン含有成分は、ビスマスマンガン顔料、ペロブスカイトマンガナイト、Ｂｉ２Ｍｎ４Ｏ１０、Ｂｉ１２ＭｎＯ２０、及びＢｉ２Ｏ３とＭｎＯ２のモル比が５：１〜１：５のビスマスマンガン顔料からなる群から選択される方法。
【請求項１３】
請求項１０に記載の方法において、前記少なくとも２つの無機基材が接合されて形成された空洞は、真空ないし不活性雰囲気とされ、シールはペーストの誘導加熱により形成される方法。
【請求項１４】
請求項１に記載の方法において、前記ガラスフリットが鉛フリー及びカドミウムフリーのシーリングガラス組成物であり、焼成の前に、
（ａ）５〜５５モル％のＬｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏと、
（ｂ）２〜２６モル％のＴｉＯ２と、
（ｃ）５〜７５モル％のＢ２Ｏ３＋ＳｉＯ２と、
（ｄ）０．１〜３０モル％のＶ２Ｏ５、Ｓｂ２Ｏ５、Ｐ２Ｏ５、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１つと、
（ｅ）０．１〜２０モル％のＭｇＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１つと、
（ｆ）０．１〜４０モル％のＴｅＯ２、Ｔｌ２Ｏ、Ｔａ２Ｏ５、ＧｅＯ２、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１つと、
（ｇ）０．１〜２０モル％のＦと、
を含む方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の方法において、前記誘導カップリング添加剤が、フェライト、Ｎｉ−Ｚｎフェライト、Ｍｎ−Ｚｎフェライト、Ｍｇ−Ｍｎフェライト、フェライト系ステンレス鋼、４３０ステンレス鋼、銅、アルミニウム、銀、強磁性材料、Ｆｅ３Ｏ４、Ｆｅ２Ｏ３ガラス、Ｆｅ２Ｏ３ガラスセラミック、Ｃｏ２Ｏ３ガラス、Ｃｏ２Ｏ３ガラスセラミック、ＭｎＯガラス、ＭｎＯガラスセラミック、ＭｇＯ０．５ＭｎＯ０．５Ｆｅ２Ｏ３、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される方法。
【請求項１６】
請求項１４に記載の方法において、前記ガラスフリットがさらにマンガン含有成分を含み、該マンガン含有成分は、ビスマスマンガン顔料、ペロブスカイトマンガナイト、Ｂｉ２Ｍｎ４Ｏ１０、Ｂｉ１２ＭｎＯ２０、及びＢｉ２Ｏ３とＭｎＯ２のモル比が５：１〜１：５のビスマスマンガン顔料からなる群から選択される方法。
【請求項１７】
請求項１４に記載の方法において、前記少なくとも２つの無機基材が接合されて形成された空洞は、真空ないし不活性雰囲気とされ、シールはペーストの誘導加熱により形成される方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラス板のフリット系気密シーリングシステム、シール材料、これらのシール材料を塗布する方法、システムを熱しシールする選択的及び制御された光の吸収のためのシールデザインに関する。これらの気密シールは、（ａ）シリコン、有機系及び薄膜に基づく太陽電池の封止、（ｂ）有機ＬＥＤ（ＯＬＥＤ）などのその他の電子機器の封止、（ｃ）窓用真空断熱ガラス（Ｖａｃｕｕｍ  Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  Ｇｌａｓｓ）（ＶＩＧ）アセンブリ、（ｄ）タッチスクリーン装置、及び（ｅ）建築用窓及び自動車用ガラスに基づくアセンブリ、など様々な設計に有用である。
【背景技術】
【０００２】
太陽電池の封止［結晶性シリコン及び薄膜系テルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）、銅インジウムガリウムセレニド（ｃｏｐｐｅｒ  ｉｎｄｉｕｍ  ｇａｌｌｉｕｍ  ｓｅｌｅｎｉｄｅｓ）（ＣＩＧＳ）、重合体、可撓性］、ＯＬＥＤパッケージ、ディスプレイ、タッチスクリーン及び真空断熱ガラス（ＶＩＧ）窓のシーリング、及び、建築用及び自動車用窓のシーリング、などのガラス−ガラスのシーリングの実用的に有用な設計において、多くの場合、強化ガラスを用いることが必要である。シーリングガラス材料を従来の炉の焼成で約３００℃以上に加熱すると、ガラスは強度を失う。従って、シール材料を単独で選択的に加熱すること、及びベースのガラス／基材を著しく加熱することなくベースのガラス／基材と結合することが必要となる。同様に、シール材料を単独で選択的に加熱すること、及びベースのガラスを著しく加熱することなくベースのガラス／又はガラス−金属シールを結合することが必要となる。
【０００３】
それゆえに、誘導シーリングなどの選択的シーリング方法の技術の進歩が必要となる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
赤外線（ＩＲ）加熱、誘導加熱及びシーリング、レーザーシーリング、マイクロ波加熱、及び高密度プラズマアーク灯シーリング等の従来の各種選択的加熱技術と比較し、誘導加熱は１０００℃／秒以上の加熱レート（従来のオーブンによる６〜１０℃／秒のゆっくりとした加熱と比較）を得られるとともに、工業的／商業的な誘導オーブンが運用される８０ＫＨＺ、あるいは一般的な６０〜３５０ＫＨＺの低周波では、優れた浸透深さを得ることができる。このような多くのシーリング設計（特に真空断熱ガラス窓のシーリング、及び、太陽電池の封止又はＯＬＥＤシーリング設計）はより厚いシーリング材料（２０ミクロンを超える）を必要とするため、誘導加熱のような容積加熱技術がシーリングの方法として好まれる。本発明は、無機基材同士の誘導シーリングの使用に関するもので、ガラスとガラスのシーリング、ガラスと金属等、強化され焼きなまされたガラス基材に応用される。
【０００５】
本発明の実施形態は、誘導エネルギー源を使用して少なくとも２つの無機基材同士をシーリングする方法であり、（ａ）少なくとも２つの無機基材を提供する工程と、（ｂ）（ｉ）ガラスフリットと、（ｉｉ）誘導カップリング添加剤と、を含むペースト組成物を少なくとも２つの前記基材のうちの少なくとも１つに塗布する工程と、（ｃ）少なくとも第２の基材を前記ペースト組成物と接するようにする工程と、（ｄ）前記基材と前記ペーストを誘導加熱することにより２つの前記基材の間に気密シールを形成する工程と、を含む方法である。
【０００６】
本発明の実施形態は、鉛フリー及びカドミウムフリーのシーリングガラス組成物であり、前記組成物は焼成の前に、（ａ）２５〜６５モル％のＢｉ２Ｏ３と、（ｂ）３〜６０モル％のＺｎＯと、（ｃ）４〜６５モル％のＢ２Ｏ３と、（ｄ）０．１〜１５モル％のＣｕｏ、Ｆｅ２Ｏ３、Ｃｏ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１つと、を含み、（ｅ）シリコン酸化物が意図的に添加されておらず、（ｆ）アルミニウム酸化物が意図的に添加されていない、組成物である。
【０００７】
本発明の実施形態は、太陽電池モジュールをガラスシリンダの中にシーリングする方法であり、（ａ）ガラスシリンダの中で複数の太陽電池を互いに電気的に接するように配置する工程と、（ｂ）ここに開示するいずれかのシーリングガラス組成物を少なくとも１つの前記ガラスシリンダ及び前記シリンダの端に被さるようデザインされた導電性金属エンドキャップに塗布する工程と、（ｃ）前記シリンダの端、前記ガラスシーリング材料及びエンドキャップを互いに物理的に接するようにする工程と、（ｄ）前記ガラス組成物を焼結し流動させて気密シールを形成するために、前記シールを１ワット〜３００キロワットの電力で誘導加熱する工程と、を含む方法である。
【０００８】
本発明の実施形態は、複数のシリコン太陽電池が互いに電気的に接するように配置された、５５０ｎｍの波長の光が８０％以上の透過率のガラスシリンダと、ここに開示するいずれかのシーリングガラスの一部分を誘導加熱により前記シリンダに気密的にシーリングされた導電性金属エンドキャップと、を含む太陽電池モジュールである。
【０００９】
本発明の実施形態は、太陽電池モジュールのシーリング方法であり、（ａ）少なくとも２つのガラス板を提供する工程と、（ｂ）複数の太陽電池を互いに電気的に接するように、２つの前記ガラス板の間に配置する工程と、（ｃ）ここに開示するいずれかのガラス組成物を前記ガラス板の少なくとも１つに塗布する工程と、（ｄ）少なくとも第２のガラス板と、ここに開示するガラス組成物と、上部のガラス板を互いに物理的に接するようにする工程と、（ｅ）前記ガラス組成物を焼結し流動させて気密シールを形成するために、前記シールを１ワット〜３００キロワットの電力で誘導加熱する工程と、を含む方法である。
【００１０】
本発明の実施形態は、ＶＩＧアセンブリのシーリング方法であり、（ａ）少なくとも２つのガラス板を提供する工程と、（ｂ）ここに開示するいずれかのガラスフリット組成物を前記ガラス板の少なくとも１つに塗布する工程と、（ｃ）少なくとも第２のガラス板を塗布されたガラスフリット組成物と接するようにする工程と、（ｄ）前記ガラス組成物を焼結し流動させて気密シールを形成するために、前記ガラスフリット組成物を１ワット〜３００キロワットの電力で誘導加熱する工程と、を含む方法である。
【００１１】
本発明の実施形態は、ＬＥＤ、ＯＬＥＤ、ディスプレイ又はその他の電子サーキットアセンブリなどの電子機器をシーリングする方法であり、（ａ）少なくとも２つのガラス板を提供する工程と、（ｂ）ここに開示するいずれかのガラス組成物を第１の前記ガラス板に塗布する工程と、（ｃ）電子機器を、少なくとも第１の前記ガラス板と前記ガラスフリット組成物によって形成される空洞に設置する工程と、（ｄ）少なくとも第２のガラス板を前記ガラスフリット組成物と接するようにする工程と、（ｅ）前記ガラスフリット組成物を焼結し流動させて気密シールを形成するために、前記ガラスフリット組成物を１ワット〜３００キロワットの電力で誘導加熱する工程と、を含む方法である。
【００１２】
本発明の実施形態は、アセンブリのシーリング方法であり、（ａ）少なくとも２つのガラス板を提供する工程と、（ｂ）ここに開示するいずれかのガラス組成物を第１の前記ガラス板に塗布する工程と、（ｃ）前記アセンブリを少なくとも第１のガラス板と前記ガラスフリット組成物によって形成される空洞に設置する工程と、（ｄ）少なくとも第２のガラス板を前記ガラスフリット組成物に接するようにする工程と、（ｅ）前記ガラスフリット組成物を焼結し流動させて気密シールを形成するために、前記ガラスフリット組成物を１ワット〜３００キロワットの電力で誘導加熱する工程と、を含む方法である。本発明の実施形態は、自動車に使われるアセンブリのシーリング方法であり、（ａ）少なくとも２つのガラス板を提供する工程と、（ｂ）ここに開示するいずれかのガラス組成物を前記ガラス板の少なくとも１つに塗布する工程と、（ｃ）少なくとも第２のガラス板と、ここに開示するガラス組成物と、上部のガラス板を互いに物理的に接するようにする工程と、（ｄ）前記ガラス組成物を焼結し流動させて気密シールを形成するために、前記シールを１ワット〜３００キロワットの電力で誘導加熱する工程と、を含む方法である。
【００１３】
本発明の実施形態は、スマートウィンドウ（ｓｍａｒｔ  ｗｉｎｄｏｗ）などの建物のアセンブリをシーリングする方法であり、（ａ）少なくとも２つのガラス板を提供する工程と、（ｂ）ここに開示するいかなるガラス組成物を前記ガラス板の少なくとも１つに塗布する工程と、（ｃ）少なくとも第２のガラス板と、ここに開示するガラス組成物と、上部のガラス板を互いに物理的に接するようにする工程と、（ｄ）前記ガラス組成物を焼結し流動させて気密シールを形成するために、前記シールを１ワット〜３００キロワットの電力で誘導加熱する工程と、を含む方法である。
【００１４】
本発明の実施形態は、その間に画定される空洞を気密的に封止及び分離するように、第１と第２のガラスパネル同士を結合する方法であり、（ａ）（ｉ）２５〜６５モル％のＢｉ２Ｏ３と、（ｉｉ）３〜６０モル％のＺｎＯと、（ｉｉｉ）４〜６５モル％のＢ２Ｏ３と、を含み、（ｉｖ）シリコン酸化物が意図的に添加されておらず、（ｖ）アルミニウム酸化物が意図的に添加されていない、第１の均質な粉ガラスシーリング組成物を提供する工程と、（ｂ）（ｉ）３７〜４５モル％のＢｉ２Ｏ３と、（ｉｉ）３０〜４０モル％のＺｎＯと、（ｉｉｉ）１８〜３５モル％のＢ２Ｏ３と、（ｉｖ）０．１〜１５モル％のＣｕｏ、Ｆｅ２Ｏ３、Ｃｏ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１つと、を含み、（ｖ）シリコン酸化物が意図的に添加されておらず、（ｖｉ）アルミニウム酸化物が意図的に添加されていない、第２の均質な粉ガラスシーリング組成物を提供する工程と、（ｃ）均質な混合物を形成するように第１の粉と第２の粉を混合する工程と、（ｄ）前記の均質な混合物を、第１のガラス板と第２のガラス板の内少なくとも１つに塗布する工程と、（ｅ）第１の粉と第２の粉が両方のガラス板と接するように第１のガラス板と第２のガラス板を配置する工程と、（ｆ）第１の粉と第２の粉を焼結し流動させ、第１及び第２のガラス板の間の空洞を画定する気密シールを形成する為に、前記ガラス板と前記の粉を６０〜３５０ｋＨｚの周波数の電磁界で誘導加熱する工程と、を含む方法である。
【００１５】
本発明の実施形態は、鉛フリー及びカドミウムフリーのシーリングガラス組成物であり、前記組成物は焼成の前に、（ａ）５〜６５モル％のＺｎＯと、（ｂ）１０〜６５モル％のＳｉＯ２と、（ｃ）５〜５５モル％のＢ２Ｏ３＋Ａｌ２Ｏ３と、（ｄ）０．１〜４５モル％のＬｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏ、Ｃｓ２Ｏ、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１つと、（ｅ）０．１〜２０モル％のＭｇＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１つと、（ｆ）０．１〜４０モル％のＴｅＯ２、Ｔｌ２Ｏ、Ｖ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、ＧｅＯ２、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１つと、を含む組成物である。
【００１６】
本発明の別の実施形態は、鉛フリー及びカドミウムフリーのシーリングガラス組成物であり、前記組成物は焼成の前に、（ａ）５〜５５モル％のＬｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏと、（ｂ）２〜２６モル％のＴｉＯ２と、（ｃ）５〜７５モル％のＢ２Ｏ３＋ＳｉＯ２と、（ｄ）０．１〜３０モル％のＶ２Ｏ５、Ｓｂ２Ｏ５、Ｐ２Ｏ５、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１つと、（ｅ）０．１〜２０モル％のＭｇＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１つと、（ｆ）０．１〜４０モル％のＴｅＯ２、Ｔｌ２Ｏ、Ｔａ２Ｏ５、ＧｅＯ２、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１つと、（ｇ）０．１〜２０モル％のＦと、を含む組成物である。
【００１７】
また、本発明の別の実施形態は、アセンブリのシーリング方法であり、（ａ）少なくとも１つのガラス板がスマートガラスである少なくとも２つのガラス板を提供する工程と、（ｂ）少なくとも第１の前記ガラス板にガラスフリット組成物を塗布する工程と、（ｃ）少なくとも第２のガラス板が前記ガラスフリット組成物と接するようにする工程と、（ｄ）前記ガラス組成物を焼結し流動させて、気密シールを形成するために、前記シールを１ワット〜３００キロワットの電力で誘導加熱する工程と、を含む方法である。
【００１８】
また、本発明の別の実施形態は、２つの無機基材の間に気密シールを形成する方法であり、（ａ）ガラスフリットを含むペースト組成物を第１の無機基材に塗布する工程と、（ｂ）前記ペースト組成物の中にワイヤーを位置決めする工程と、（ｃ）少なくとも第２の基材が前記ペースト組成物と接するようにする工程と、（ｄ）前記ペースト組成物を焼結し流動させて、２つの前記無機基材の間に気密シールを形成するために、前記ワイヤーを抵抗加熱する工程と、を含む方法である。
【００１９】
本発明の別の実施形態は、２つの無機基材の間に気密シールを形成する方法であり、（ａ）ガラスフリットと誘導カップリング添加剤を含むペースト組成物を第１の無機基材に塗布する工程と、（ｂ）前記ペースト組成物の中にサーキットフィードスルー（ｃｉｒｃｕｉｔ  ｆｅｅｄｔｈｒｏｕｇｈ）を位置決めする工程と、（ｃ）少なくとも第２の無機基材が前記ペースト組成物と接するようにする工程と、（ｄ）前記ペースト組成物を焼結し流動させて、２つの前記無機基材の間に気密シールを形成するために、前記ペーストを誘導加熱する工程と、を含む方法である。
【００２０】
また、本発明の別の実施形態は、２つの無機基材の間に気密シールを形成する方法であり、（ａ）ガラスフリットを含むペースト組成物を第１の無機基材に塗布する工程と、（ｂ）前記ガラスフリットは多層傾斜機能シールガラスシステムであり、（ｃ）少なくとも第２の基材が前記ペースト組成物と接するようにする工程と、（ｄ）前記ペースト組成物を焼結し流動させて、２つの前記無機基材の間に気密シールを形成するために、前記ワイヤーを抵抗加熱する工程と、を含む方法である。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】図１は２つのガラス板の間の簡易な誘導的に溶融されたシールである。
【００２２】
【図２】図２は金属中間層をもつ誘導的に溶融されたシールである。
【００２３】
【図３】図３はガラス−金属シールを有効にする金属スリーブをもつ誘導的に溶融されたガラスシールである。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
概して、選択的なシーリング方法において、対象の電磁波の優先的吸収、又は、適切な吸収体の存在による前記シール付近の渦電流の選択的誘導、又は前記シール材料の中のカプラにより、局所的加熱が発生する。これがシールの選択的加熱を招く。この選択的シーリング方法の様々な側面の制御：例えば吸収及び発熱の量と場所；熱勾配又は熱衝撃の発生を最小限にするように放熱を制御すること、材料及びシールデザイン、特にそうした選択的シーリング方法の１つである誘導シーリングは本発明の別の側面である。
【００２５】
本発明は、質の高いシールが形成され、シールの気密性を損なうことになる熱衝撃及び熱膨張の不一致による割れが防止及び最小化されて解消されるように、誘導された渦電流の量、このエネルギーの堆積の場所、及びこのエネルギーの堆積の速度を制御することを含む。
【００２６】
本発明に係る気密シールの形成方法の考え方は単純だが、実際に実施することは難しい。大型の太陽光モジュールや、０．８ｍ×１．２ｍから２ｍ×３ｍのガラス板上にあるかもしれないＶＩＧパネルにおいて、１つの隙間や漏れが、前記シール、及び、前記太陽光モジュールの寿命、またはＶＩＧユニットの断熱する力を損なうこととなる為、気密シールの形成は完璧を要する。前記シーリングガラス又はエナメルは、ガラス板同士を誘導加熱する前に前記ガラス板の上で予備グレーズ（ｐｒｅｇｌａｚｅ）（または予備焼成）されても、もしくは、予備グレーズせずに直接シールされてもよい。認識すべきは、エナメルの中に存在する、又は、シーリング作業中に形成される気泡が、加熱中に膨張し、前記シールの完全性を損いうる、より大きな空隙を形成することである。従って、シールジオメトリとガラス板のサイズに応じて、前記エナメル層は予備グレーズされてもされなくてもよい。
【００２７】
原則として、本発明は、いかなる寸法変化も最小化し、シールされる界面の部位におけるエネルギーの大部分を堆積し、平均の気泡のサイズを制御及び最小化してから、熱衝撃又は熱膨張の不一致からの割れを引き起こす可能性を最小化するために、温度勾配及び膨張不一致を最小化させることを必要とする。
【００２８】
前記寸法変化は、それらの理論密度の約６０％、もしくはそれ以下の容積密度を持つ乾燥した堆積から、理論密度の少なくとも９０％の焼成されたエナメルへと緻密化／焼結された、焼成（予備グレーズ）されたエナメルの使用により主に解消される。しかしながら、予備グレーズされたエナメルを備える基材を、乾燥エナメルペーストの薄層を備えた基材へ結合させることは、小さな寸法変化を生じさせるのみであり、ほぼ良好に機能し、これもまた本発明の一部であることが認識されるべきである。予備グレーズされ焼成された基材上の前記エナメルの別の目的は、高品質なエナメル−基材の界面を作ることである。
【００２９】
本発明の別の実施形態は、エネルギーの堆積の場所を制御することに関する。誘導加熱において、高強度な高周波電磁界は３００ＫＷまでの電力で稼働している発電機によって作られる。例えば、その電力は、１ワットから３００ＫＷ、１０ワットから２００ＫＷ、又は１００ワットから１００ＫＷであり、周波数は典型的には６０〜３５０ＫＨＺであり、電圧は４６０Ｖ  ＡＣなどの高電圧で、１〜６００Ｖ、１０〜５０Ｖ、又は２００〜４６０Ｖなどである。誘導加熱は、１平方センチメートルあたり０．１〜１５ＫＷの熱流を提供する。前記基材とペーストの少なくとも１部分の加熱速度は、毎秒０．１〜１０，０００℃であってもよい。
【００３０】
前記シールの加熱は、前記シール材料の直接的ジュール加熱、又は、前記金属材料のジュール加熱後溶解するよう前記シール（又はエナメル）にこの熱を伝導することによる。従って、様々な鋼、Ｓｎ、Ｗ、Ｍｏ、ニクロム、コバール、Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ｎｉ、ＭｏＳｉ２又は黒鉛、Ｃｕ、Ａｇなどの高導電性材料（Ｉタームで加熱）などの適度な抵抗金属材料（Ｉ＊＊２ｘＲのＲタームで加熱）のカップリング材料の前記シールガラス材料への添加は、局部的な誘導加熱を提供すると想定される。
【００３１】
また、本発明の別の実施形態は、これらのカップリング剤の形とサイズに関連する。誘導される多くの材料において、特に周波数が高くなるほど、表皮効果により電流は表面を流れる傾向がある。従って、シールガラス材料の容積加熱を効する為に、高真球、低真球、でこぼこ、エカント状、楕円状、平板状、円筒状、フレーク状、ウィスカー状及びワイヤー状の形状からなる群から選択される形を持つ微粒子であるカップリング材料の添加は、前記シールの全体にわたって熱を生成すると想定される。Ｄ５０の粒子径は５ｎｍ〜１００，０００ｎｍ、好ましくは１０ｎｍ〜５０，０００ｎｍ、さらに好ましくは５０ｎｍ〜１０，０００ｎｍの範囲である。
【００３２】
また、本発明の別の実施形態は、磁性材料の添加に関連する。例えば、Ｎｉ−Ｚｎフェライト、Ｍｎ−Ｚｎフェライト、Ｍｇ−Ｍｎフェライトなどのフェライト、４３０ステンレス鋼粉末などのフェライト系ステンレス鋼、Ｆｅ３Ｏ４などのフェリ磁性材料、Ｆｅ２Ｏ３又はＣｏ２Ｏ３又はＭｎＯ又はその他の添加酸化物を含むガラス及びガラスセラミックであり、前記添加酸化物は、Ｆｅ３Ｏ４などの磁性結晶のＭｇＯ０．５ＭｎＯ０．５Ｆｅ２Ｏ３をガラス中に沈殿させることができるものである。さらに、前記ペーストは、ビスマスマンガン顔料、ペロブスカイトマンガナイト、Ｂｉ２Ｍｎ４Ｏ１０、Ｂｉ１２ＭｎＯ２０、及びＢｉ２Ｏ３とＭｎＯ２のモル比が５：１〜１：５のビスマスマンガン顔料からなる群から選択されるマンガン含有成分を含んでもよい。これらは、ガラス組成物の一部として、又は、粉末状、ウィスカー状、ワイヤー状又はフレーク状などの形状で別の添加物として、多くの異なる形状で添加されてもよい。ここで、ジュール加熱に加えて、高周波電流の適用により磁区を転換させ、その摩擦熱によってキュリー温度以下に加熱される。
【００３３】
また、本発明の別の実施形態は、前記シールを弱める応力を防止すること、また、前記シールの気密性を損なう割れを防止することに関連する。これは前記エナメルの組成物とシーリング技術のパラメータを制御することで行われる。本発明の利用において必須要件ではないが、予備グレーズされたエナメルを使用することは、高品質な気密シールを形成する際非常に有用である。シーリング工程で乾燥したエナメルを使用することは、コーティングがシールの形成をより困難にする実質的な厚みを持つ場合、著しい寸法変化をもたらす。さらに、乾燥したエナメルは、シールに大きな空隙を形成する傾向があり、また、シーリング方法の間に電池モジュールやＶＩＧパネルの中に汚れを吹き飛ばす傾向がある。
【００３４】
本発明の別の実施形態は、これらのカップリング添加材料を低温のシーリングガラス材料に添加することであり、該材料は、引用することによって組み込まれる同時係属中のＰＣＴ／ＵＳ２０１１／０３２６８９において開示され、さらにＦｅｒｒｏ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ（オハイオ州クリーブランド）のＥＧ２８２４、ＥＧ２８２３Ｂ及びＥＧ２８２４Ｇなどの商材へさらに進化したものである。ここに記されるシールガラス材料は、高ビスマスガラス単体に限られるものではない。これらのカップリング材料を異なるシールガラスシステムに添加することを想定しており、すなわち、ＥＧ２７６０などの低融点鉛ガラス；ＣＦ７５７４、ＬＦ２５６などの亜鉛ガラスシステム；ＥＧ２８７１などのビスマス亜鉛ホウ酸塩ガラス；高バリウムガラス；高カルシウムガラス；ＥＧ３６００やＥＧ３６０８などのチタン及び／又は亜鉛を含むアルカリケイ酸塩ガラス；などに基づく高鉛ガラスシール材料である。上記ガラスはすべてＦｅｒｒｏ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ（オハイオ州クリーブランド）にて市販されており、以下の表においても記載される。
【００３５】
【表１】
0006046143.tif 000002
【００３６】
【表２】
0006046143.tif 000003
【００３７】
表２における個々の添加酸化物の代替範囲は、ＣｕＯ、Ｆｅ２Ｏ３、Ｃｏ２Ｏ３及びＭｎＯにおいて、モル％：１．５〜９及び４〜７を含む。Ｌａ２Ｏ３の代替範囲は０．５〜８、２〜６及び１〜６モル％を含む。
【００３８】
前項の代替を含む表２又は表４の酸化物は、表１又は表３の酸化物と共に、いずれかの欄において開示されるいずれかの量で用いられてよい。表２又は表４の別の欄の量は、表１又は表３のいずれかの欄の酸化物の量と用いられてよい。
【００３９】
また、Ｂｉ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＣｕＯ、Ｆｅ２Ｏ３、Ｃｏ２Ｏ３及びＭｎＯなどのこれらのガラス酸化物の一部は、ここで想定される最終的な総合ガラス組成物を得るために、前記シール材料においてセラミック酸化添加物として含まれてもよい。
【００４０】
前述のとおり、好ましくは２つまたは３つのフリットのガラス混合物である複数のガラスは、前記シールの総合特性を制御する為に使用されてもよい。第２のガラス組成物が使用される場合、ガラス組成物の割合は、シリコンなどの基材とペーストの相性の度合い、前記シールの流道特性及び結晶化特性、及び、それ故の結果として得られたシール特性を制御する為に変えることができる。例えば、前記ガラス組成物において、第１及び第２のガラス組成物は重量比約１：２０〜約２０：１、好ましくは約１：５〜約５：１で存在してよい。前記ガラス組成物は、好ましくは鉛又は鉛の酸化物を含まず、好ましくはカドミウム又はカドミウムの酸化物を含まない。しかし、ある実施形態においてＰｂＯの特性が存在し得る際、ＰｂＯを適切に含んでよい。さらに、第２又は第３のガラスは、表１及び２の別のビスマスガラス、又は亜鉛ガラス（表３）、又はアルカリチタンケイ酸塩ガラス（表４）、又は鉛ガラス（表５又は６）であってもよい。
【００４１】
【表３】
0006046143.tif 000004
【００４２】
【表４】
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【００４３】
【表５】
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【００４４】
【表６】
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【００４５】
本発明のシーリングガラス組成物は、鉛フリー及びカドミウムフリーであってもよい。一実施形態において、前記鉛フリー及びカドミウムフリーのシーリングガラス組成物は、焼成の前に、（ａ）２５〜６５モル％のＢｉ２Ｏ３と、（ｂ）３〜６０モル％のＺｎＯと、（ｃ）４〜６５モル％のＢ２Ｏ３と、（ｄ）０．１〜１５モル％のＣｕＯ、Ｆｅ２Ｏ３、Ｃｏ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される少なくとも１つと、を含み、（ｅ）シリコン酸化物が意図的に添加されておらず、（ｆ）アルミニウム酸化物が意図的に添加されていない組成物である。
【００４６】
更にその他の実施形態において、本発明で使用されるガラスは、ビスマスガラス、鉛ガラス、亜鉛ガラス、バリウムガラス、カルシウムガラス、アルカリケイ酸塩ガラス、バナジウムガラス、テルライドガラス、リン酸塩ガラス、及びそれらの組み合わせからなる群より選択されてもいい。
【００４７】
更に本発明の別の実施形態は、これらのカップリング材料を、エポキシ（ｅｐｏｘｉｅｓ）、同様に、ガラス−ガラス、ガラス−金属、及びガラス−セラミックのシーリングなどの基材の加熱、流動及び結合を効する有機−無機ハイブリッド材料に添加することである。
【００４８】
更に本発明の別の実施形態において、少なくとも１つのガラス板が強化されている。
【００４９】
更に本発明の別の実施形態において、少なくとも１つのガラス板が予備ラミネートされたガラスアセンブリである。
【００５０】
更に本発明の別の実施形態において、少なくとも１つのガラス板が酸化スズ（ＴＣＯ）又は酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）材料などの導電性コーティングによってコーティングされている。
【００５１】
更に本発明の別の実施形態において、その他のエナメル又はペーストが本発明のシーリングガラス又はエナメル層とともに焼成される。
【００５２】
更に本発明の別の実施形態は、複数のガラス板に形成された正確なフィードスルーに関し、シールエナメル焼成とともに、あるいは別個に封止される。
【００５３】
更に本発明の別の実施形態は、シール空洞中の部材へ、又は、前記部材から、電力を提供又は取り出す為に、ガラス板上又はシールアセンブリの一部として組み込まれた伝導性フィードスルーである。
【００５４】
概して、誘導シーリングの方法は、上のガラス板上でエナメル組成物含有誘導カップリング剤を予備焼成することから始まる。その後、天板を底板の上に設置する。その後、エネルギーを吸収／カップリングするエナメルの上の表面を溶かし断片を結合する為、誘導源はアセンブリに向けられる。
【００５５】
その代わりに、エナメル含有誘導カップリング剤は上下のガラス板へ予備焼成される。その後、シールを完成させるために、ガラス板は共に設置され、誘導源により焼成される。
【００５６】
予備焼成は、太陽電池の製造設備においてシーリング材料を多量に使用する方法を不要にし、光起電力装置の過剰焼成を防止する。最終的なシーリング焼成は、バインダバーンアウト（ｂｉｎｄｅｒ  ｂｕｒｎｏｕｔ）からの汚染を解消し、有機バインダを不要にする。全体として、ここに記される手順で行われるシーリング方法は、予備焼成がシール形成の瞬間に焼成されなければならないフリットの質量を減らすため、従来の方法よりも早く行うことができる。
【００５７】
誘導シーリング前の予備焼成されたエナメル層が好ましいが、予備焼成をせず直接シーリングを行うことも可能であると想定される。
【００５８】
同様に、シーリング材料（エナメル層）は、同じ板（上または下）に塗布することができ、エナメルを予備焼成してもしなくても他の板へ選択的にシールできる。
【００５９】
本発明の様々な実施形態は、誘導カップリングエナメル層の応用に様々な手順を含んでもよい。応用の手順は、スクリーン印刷、ペースト押出、インクジェット印刷、インクジェット又はスプレー堆積を利用するデジタル機器の手順、ノードソン（Ｎｏｒｄｓｏｎ）社製のロボットディスペンサシステムを用いたなどの自動シリンジの分注、スピンコーティング、ディップコーティング、の内１つ以上を含んでもよい。
【００６０】
更に本発明の他の実施形態は、ガラスを金属へ封止するものであり、例えば１つまたは複数の太陽電池を１つ又は複数の円筒状ガラスチューブに入れ、その端部を金属キャップにより封止する際に、これらの材料の誘導シーリングを行う。このようなガラスと金属の封止においては、シールガラス材料へのカップリング剤の添加は任意であり、誘導により金属材料自体が良好に加熱され、その熱はシール材料に伝送される。
【００６１】
誘導加熱コイルのデザインは、シールの良好な選択的加熱においての鍵となる。従って、特定のデザインは、特定の部分及びシールジオメトリのそのようなコイル、及び特定のシールガラス材料システムのコイルに想定される。
【００６２】
本発明の実施形態は、伝導性のフィードスルーを気密的にシーリングする方法であり、（ａ）第１の基材に第１のエナメルトレース（ｅｎａｍｅｌ  ｔｒａｃｅ）を前記基材の端と並列となるよう塗布する工程と、（ｂ）第１のエナメルの両端と隣接する領域で第１の基材と接するように、伝導体を含んでいる第２のエナメルトレースを第１のエナメルトレースと交差して塗布する工程と、（ｃ）第３のエナメルトレースを前記基材と並列となるよう第１のエナメルトレースの実質的に上に塗布する工程と、（ｄ）各エナメルを加熱する工程、とを含む方法である。
【００６３】
本発明の別の実施形態は、光起電力装置を形成する際に使われる２つ以上の無機基材の接合用シーラント材料システムであり、前記シーラント材料システムは１つ以上のガラスまたはセラミック組成物からなるものである。また、前記シーラント材料システムは、ここに開示されるいずれかのガラス及び／又は金属及び／又は酸化物のいずれかの組み合わせを含んでもよい。
【００６４】
ここのいずれかの実施形態において、真空又は不活性雰囲気は、前記シーラント材料システムとともに少なくとも２つの無機基材によって作られる空間にシールされる。
【００６５】
本発明の実施形態は、高度なエネルギー源として利用される光起電力装置に含まれる２つ以上の無機基材の接合用シーラント材料システムである。前記シーラント材料システムはここに開示されるいずれかのガラス及び／又は金属及び／又は酸化物のいずれかの組み合わせを含んでもよい。
【００６６】
本発明の実施形態は、複数の個別に気密シールされた太陽電池を含むマルチセルソーラーアレイ（ｍｕｌｔｉ−ｃｅｌｌ  ｓｏｌａｒ  ａｒｒａｙ）である。太陽電池の封止（結晶性シリコン及びＣｄＴｅとＣＩＧＳに基づく薄膜、重合体、可撓性）、ＯＬＥＤパッケージ、ディスプレイ、真空断熱窓シーリング及び建築的及び自動車用窓シーリングなどの、ガラス−ガラスのシールの実用的に有用な設計において、多くの例で強化ガラスの使用が必要である。ソーダ石灰シリカガラス基材は、シーリングガラス材料の従来の炉燃焼で約３００℃以上に加熱されると、その強度を失う。従って、前記シール材料を単独で選択的に加熱し、ベースガラス／基材を著しく加熱することなくベースガラス／基材の結合を効する必要がある。
【００６７】
ここでは、誘導加熱システム業界のリーダーであるミシガン州４８３１４、スターリング  ハイツ、バローズ  アヴェニュー  ６６００所在のＡＢＰ  インダクション  ＬＬＣ（ＡＢＰ  ｉｎｄｕｃｔｉｏｎ  ＬＬＣ）、及びその親会社であるウィスコンシン州５３０４５、ブルックフィールド、ゲートウェイロード  ２１０９５所在のピラー  インダクション（Ｐｉｌｌａｒ  Ｉｎｄｕｃｔｉｏｎ）社製の製品の使用が想定される。なぜなら、両社はガラスを溶かすために高周波集中誘導装置を用いる誘導加熱技術において特異な経験を持っているためである。
【００６８】
このように、本発明は次のことも考慮される：１．裏側から誘導加熱できる中央ワイヤのある気密ビーズシール。２．膨張不一致を減少させるための熱膨張グラディエント組成物の材料のある気密ビーズシール。３．前記シーリング方法中に、前記シールの中及び前記基材のインターフェイスにおける加熱速度と温度勾配をデザインし制御する為の、グラディエント組成物の中の誘導／放射／熱伝導材料を持つ気密ビーズシール。４．上記１〜３に記載の箔及び／又はプレーナ型気密シール構造、及びグラディエント組成物。５．伝導性サーキットフィードスルーを持つシール構造。６．真空排気フィードスルーを持つ気密シール構造。７．ガラス基材強化中又は焼鈍方法中のシーリング材料の予備焼成を持つシーリング用のガラス基材。８．インクジェット印刷などのデジタル機器の材料と気密シール形成用のグラディエント組成物。
【００６９】
本発明は、ガラス板の誘導シーリングの為の、図１から３に示される３つの異なるデザインを考慮する。図１は、２つのガラス板の間の簡易的なシールである。図２は、金属中間層を持つシールである。図３において、外側の金属片はガラス−金属シールを有効にする為に誘導加熱される。
【００７０】
特に、図１は、アセンブリ１００を形成するよう緑の誘導シーリングガラス１３０（シールガラス及び誘導カップリング添加剤）によって接合されたガラス板１１０と１２０を描いている。アセンブリ１００は、シール１３０の中にあるガラスを固形の気密シールに融着させるため加熱される。空洞１４０は活性層（示されていない）又は、Ｎ２、Ｈｅ、Ａｒ又は減圧状態などの不活性雰囲気などの特別な雰囲気を収納してもよい。減圧状態としては、５００トル、４００トル、３００トル、２００トル、さらに１００トルであってもよく、ガラス板１１０と１２０の両者のシールに用いられるシーラント材料の気密性の限界まで可能である。
【００７１】
図２を参照すると、２つのガラス板２１０と２２０は、金属箔２５０によって挟まれた間のガラスシール２３０と２４０によってシールされている。ガラスシール２３０と２４０はそれぞれガラス板２１０と２２０に塗布される。金属箔２５０はどちらのガラスシールに塗布されてもいい。前記金属箔は、低温シーリングガラスの整合された膨張または段階的な膨張により、ガラスへシールされる。前記金属はＡｌ、ステンレス鋼、低炭素鋼、又はＦｅ−Ｎｉ合金でもよい。金属とガラスの間のシーリングは、本発明のいずれかのシーリングガラスでも得ることができる。
【００７２】
代替の実施形態において、金属２５０は誘導と前記シーリングガラスへ伝わる熱によって加熱される。結合は、前記金属／シールガラスインターフェイスでのシールガラスの融解によって行われる。前記金属は誘導電流により抵抗加熱される。この実施形態において、前記金属は異なる層でなくてもよいが、例えば、前記シールガラス内に分布されるワイヤーでもよい。その場合、概念的に層２３０と２４０は共に１本以上のワイヤーがその中を通っている単一の層となる。
【００７３】
図３において、ガラス板３１０は金属スリーブ３４０によってガラス板２と共にシールされている。金属スリーブ３４０は、金属とガラス板の間の最小の接触を確実にし、前記インターフェイスでせん断応力の蓄積を最小化する為、面取り端（ｃｈａｍｆｅｒｅｄ  ｅｎｄｓ）３４５によってガラス板３１０とガラス板３２０と接する。シーリングガラス３５０のビーズは、金属スリーブ３５０とガラス板３１０と３２０の接合部の内側及び外側に塗布される。
【００７４】
シーリングガラス３５０はここに開示されるいずれかのガラスでもよい。前記シーリングガラスは（ａ）前記金属スリーブの誘導加熱から伝導される熱、（ｂ）レーザーまたはブロードバンドプラズマアーク灯によるガラスの選択加熱、又は（ｃ）誘導カップリング添加剤の存在によるシールガラス自体の誘導加熱、によって加熱される。
【００７５】
好適な実施形態において、前記シーリングガラスは前記金属スリーブの上に予備焼成され、前記シールは早い誘導加熱によってガラス板３１０と３２０へ結合され得る。
【００７６】
従来の炉でのシーリングにおいて、オーブンからの熱又は可視光源がシールのガラスを溶融するために使用される。もし、例えば、目標とする設定点温度が５００℃の場合、温度の精度はもしあるとしても温度のむらが少ない状態で、±１０〜２０℃程の近さになるであろう。焼成品の中の温度の均一性も±１０〜２０℃に維持できる。この方法は時間がかかり、溶融するまでの加熱が１０分から１時間ほどかかることもある。
【００７７】
本発明の実施形態は、中の電子装置を過度に加熱することなく局部加熱及びシーリングのためのＬＥＤやＯＬＥＤなどの異なるディスプレイ電子装置を封止する為に、密封された空洞を提供することができる。また、別の実施形態は、窓を作る際に真空又は不活性雰囲気を含む特定の気体雰囲気を保つ為にガラス板の間に気密シールを提供することも含む。
【００７８】
前記基材は同一であっても、異なってもよい。また、前記基材は、ガラス、及び、酸化インジウムスズに被覆されたガラス、金属及びセラミックなどの伝導性酸化物の中から選択され得る。
【００７９】
本願の発明者らは、気密シールまたはフィードスルーの良好な形成を保証する為には様々な要素を制御しなければならないことを知った。この要素は、前記基材及びエナメルが加熱される温度、前記材及びエナメルの中又はわたっての温度の均一性、並びに焼成の時間を含む。前記組成物に関連して、重要な要因は以下のことを含む：ペーストガラスの処方；エナメルの無機添加剤、熱伝導率、熱拡散率、熱膨張及び流動温度、ペーストのレオロジー；印刷されたペースト又は導電トレースの断面（好適には長方形の断面）；各層（基材）の吸光度；前記焼成装置の電源入力。
【００８０】
本発明の態様の詳細は、全て引用することでここに組み込まれる、次の米国特許出願の１つ以上に記されている：米国特許出願１０／８６４，３０４；１０／９８８，２０８；１１／１３１，９１９；１１／１４５，５３８；１１／３８４，８３８；１１／７７４，６３２；１１／８４６，５５２；１２／０９７，８２３；１２／２９８，９５６；１２／５７３，２０９；６１／３２４，３５６；６１／３２８，２５８；６１／３６６，５６８；及び６１／３６６，５７８。
【００８１】
「〜を含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」という用語は、「実質的に〜からなる（ｃｏｎｓｉｓｔｉｎｇ  ｅｓｓｅｎｔｉａｌｌｙ  ｏｆ）」及び「〜からなる（ｃｏｎｓｉｓｔｉｎｇ  ｏｆ）」という用語を助成する。表に示されるなど、形を問わず本願に開示されたパラメータ、温度、重量、パーセンテージ等の個々の数値は、範囲の終点としての当該数値の使用をサポートすることが想定される。範囲は、２つの前記数値を境界とし得る。単一の実施形態において、１つ以上のガラス組成物が使用されてもよく、また、前記表の中で異なる欄に記載される量や範囲を含む組成物も想定される。
【００８２】
本発明の特定の実施形態は、少なくともいくつかのパーセンテージ、温度、時間、及びその他の値の範囲は「約」という修飾語が付されて想定されている。全ての組成比率は重量により、焼成の前の配合に与えられる。下端がゼロで境界つけられている酸化物又はその他の成分の数値範囲（例えば、０〜１０モル％のＺｎＯ）は、「［上限値］まで」という概念を助成する。例えば、「１０モル％までのＺｒＯ２」及び上限値を超えない量で当の成分が存在しているという明確な提示は、その上限値を超えない量で存在する。
【００８３】
ゼロを境界とする本願に開示される各数値範囲は、別の実施形態として、ゼロに代えて０．１％の下限を有する。ここに開示される全ての範囲は、最初と最後の範囲数値、及び、いずれかの又は全てのその中の部分範囲を包含すると理解される。例えば、「１〜１０」と記載された範囲は、最小値の１と最大値の１０の間のいずれかの又は全ての部分範囲を含むとみなされるべきである；すなわち、例えば、１．０〜２．７、３．３〜８．９、５．７〜１０、又は３．１４１４９、５．１７、８．０６又は９．５３などの個別の数値などの、最小値が１以上で最大値が１０以下である全ての部分範囲。言い換えれば、範囲は範囲内にある全ての数値を示す略式として使用される。範囲内のいずれかの数値は、範囲内の部分範囲の末端として選択できる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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