(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品を埋め込む樹脂層の一方の面側に、前記電子部品に電気的に接続されたバンプが形成され、前記樹脂層の他方の面側に、前記樹脂層より弾性率の高い部材が密着した構造物を形成する工程と、
基板上に形成された電極と前記バンプとを接触させた状態で、前記部材を介して超音波振動を印加することにより、前記バンプと前記電極とを接合する工程と
を有することを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の電子装置の製造方法において、
前記部材の材料は、金属又はセラミックスである
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２記載の電子装置の製造方法において、
前記構造物を形成する工程は、前記電子部品を前記樹脂層により埋め込む工程と、前記樹脂層の前記一方の面側に、前記電子部品に電気的に接続された配線を形成する工程と、前記配線を介して前記電子部品に電気的に接続された前記バンプを形成する工程と、前記樹脂層の前記他方の面側に前記部材を密着させる工程とを有する
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の電子装置の製造方法において、
前記電子部品を前記樹脂層により埋め込む工程の前に、支持基板上に形成された粘着層上に前記電子部品を配する工程を更に有し、
前記電子部品を前記樹脂層により埋め込む工程の後、前記配線を形成する工程の前に、前記電子部品を埋め込む前記樹脂層から前記粘着層及び前記支持基板を除去する工程を更に有する
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近時、ウェハレベルパッケージ（Wafer Level Package、ＷＬＰ）が提案されている。
【０００３】
ウェハレベルパッケージは、低コスト化、小型化に寄与し得るため、大きな注目を集めている。
【０００４】
ウェハレベルパッケージは、電極が形成された回路基板上にフェースダウンで実装される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−１１０８６２号公報
【特許文献２】特開２００７−３１１７５４号公報
【特許文献３】特開２００７−１０９７１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、ウェハレベルパッケージを回路基板上に単に実装しようとした場合には、必ずしも信頼性の高い接合が得られないことが考えられる。
【０００７】
本発明の目的は、信頼性の高い電子装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
実施形態の一観点によれば、電子部品を埋め込む樹脂層の一方の面側に、前記電子部品に電気的に接続されたバンプが形成され、前記樹脂層の他方の面側に、前記樹脂層より弾性率の高い部材が密着した構造物を形成する工程と、基板上に形成された電極と前記バンプとを接触させた状態で、前記部材を介して超音波振動を印加することにより、前記バンプと前記電極とを接合する工程とを有することを特徴とする電子装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
開示の電子装置の製造方法によれば、樹脂層より弾性率の高い部材が樹脂層に密着しており、かかる部材を介して超音波振動を印加するため、超音波振動が伝搬しやすい。このため、半導体チップが存在する領域の外側に位置しているバンプに対しても、超音波振動を十分に伝搬し得る。このため、いずれのバンプに対しても超音波振動を十分に伝搬させることができ、信頼性の高い超音波接合を得ることができる。従って、信頼性の高い電子装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、第１実施形態による電子装置を示す断面図である。
【図２】図２は、第１実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その１）である。
【図３】図３は、第１実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その２）である。
【図４】図４は、第１実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その３）である。
【図５】図５は、第１実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その４）である。
【図６】図６は、第１実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その５）である。
【図７】図７は、第１実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その６）である。
【図８】図８は、第１実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その７）である。
【図９】図９は、第１実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その８）である。
【図１０】図１０は、第１実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その９）である。
【図１１】図１１は、第１実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その１０）である。
【図１２】図１２は、第１実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その１１）である。
【図１３】図１３は、第２実施形態による電子装置を示す断面図である。
【図１４】図１４は、第２実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その１）である。
【図１５】図１５は、第２実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その２）である。
【図１６】図１６は、第２実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その３）である。
【図１７】図１７は、第２実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その４）である。
【図１８】図１８は、第２実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その５）である。
【図１９】図１９は、第２実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その６）である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
半導体チップの小型化、高集積化に伴い、半導体チップの外部接続用の電極（端子、バンプ）の数は多くなる傾向にあり、半導体チップの外部接続用の電極のピッチは小さくなる傾向にある。
【００１３】
微細なピッチでバンプが形成された半導体チップを回路基板上に直接実装するのは必ずしも容易ではない。
【００１４】
そこで、半導体チップの電極に接続された再配線層を設け、これにより、バンプのピッチを大きくすることが考えられる。このようなウェハレベルパッケージは、半導体チップのサイズに対してバンプの配置エリアのサイズが大きくなるため、Ｆａｎ−ｏｕｔ型のウェハレベルパッケージ（実装ピッチ拡張型ウェハレベルパッケージ）と称される。
【００１５】
Ｆａｎ−ｏｕｔ型のウェハレベルパッケージでは、半導体チップが樹脂層により埋め込まれる。半導体チップを埋め込む樹脂層には、半導体チップの電極に接続された再配線層が設けられ、バンプが再配線層を介して半導体チップの電極に電気的に接続される。かかるバンプのピッチは、半導体チップの電極のピッチに対して大きく設定される。
【００１６】
また、半導体チップのみならず、複数の電子部品を１つのパッケージ内に収めることも考えられる。このようなパッケージでは、複数の電子部品が樹脂層により埋め込まれる。複数の電子部品を埋め込む樹脂層には、電子部品の電極に接続された再配線層が設けられ、バンプが再配線層を介して電子部品の電極に電気的に接続される。
【００１７】
この場合にも、半導体チップのサイズに対してバンプの配置エリアのサイズが大きくなるため、Ｆａｎ−ｏｕｔ型のウェハレベルパッケージといえる。
【００１８】
このようなパッケージでは、電子部品の熱膨張率と樹脂層の熱膨張率とが異なるため、高い温度が加わると変形してしまう場合がある。このため、半田バンプを用いてパッケージを回路基板上に実装する場合には、十分に高い信頼性が得られないことが考えられる。
【００１９】
ここで、超音波振動を用いた固相拡散接合により接合を行うことも考えられる。超音波振動を用いた固相拡散接合は、必ずしも高温で行わなくてもよいため、パッケージが変形するのを回避することが可能である。
【００２０】
しかしながら、Ｆａｎ−ｏｕｔ型のパッケージでは、半導体チップの直下の領域のみならず、半導体チップが存在する領域の外側の領域にもバンプが存在する。樹脂層は、比較的柔らかく、弾性率が比較的低いため、超音波振動が伝搬しにくい。このため、単に超音波振動を用いて固相拡散接合を行おうとした場合には、半導体チップが存在する領域の外側の領域に存在するバンプに超音波振動が十分に伝搬されない虞があり、信頼性の高い接合が得られない虞がある。
【００２１】
［第１実施形態］
第１実施形態による電子装置及びその製造方法について図１乃至図１２を用いて説明する。
【００２２】
（電子装置）
まず、本実施形態による電子装置について図１を用いて説明する。図１は、本実施形態による電子装置を示す断面図である。
【００２３】
図１に示すように、回路基板４６上には、ウェハレベルパッケージ（構造体）２が実装されている。より具体的には、回路基板４６上には、Ｆａｎ−ｏｕｔ型のウェハレベルパッケージ（実装ピッチ拡張型ウェハレベルパッケージ）２が実装されている。
【００２４】
ウェハレベルパッケージ２の樹脂層（モールド樹脂層）１８には、電子部品１４ａ〜１４ｃが埋め込まれている。樹脂層１８の材料としては、例えばエポキシ系樹脂が用いられている。樹脂層１８には、無機フィラーが含まれている。かかる無機フィラーとしては、例えばシリカフィラーを用いる。無機フィラーの最大粒径は、例えば７５μｍ程度とする。電子部品１４ａ〜１４ｃとしては、例えば半導体素子１４ａや受動素子１４ｂ，１４ｃ等が挙げられる。半導体素子１４ａは、例えばベアチップの半導体素子（半導体チップ）である。半導体素子１４ａとしては、例えばＬＳＩ（Large Scale Integration）等が挙げられる。受動素子１４ｂ，１４ｃとしては、抵抗１４ｂやコンデンサ１４ｃ等が挙げられる。より具体的には、受動素子１４ｂ、１４ｃは、チップ抵抗１４ｂやチップコンデンサ１４ｃ等である。
【００２５】
電子部品１４ａ〜１４ｃの電極（表面電極、外部接続電極）１６ａ〜１６ｃは、樹脂層１８の一方の面（図１における紙面下側の面）に露出している。
【００２６】
電子部品１４ａ〜１４ｃの厚さは、例えば０．１〜０．５ｍｍ程度とする。
【００２７】
樹脂層１８の厚さは、電子部品１４ａ〜１４ｃの厚さに対して、例えば０．１ｍｍ以上厚く設定されている。ここでは、樹脂層１８の厚さを、例えば０．５５ｍｍ程度とする。
【００２８】
なお、樹脂層１８の厚さが、電子部品１４ａ〜１４ｃの厚さと等しくてもよい。
【００２９】
樹脂層１８の一方の面（電子部品１４ａ〜１４ｃの電極１６ａ〜１６ｃが露出している面）には、樹脂層（絶縁層）２２が形成されている。樹脂層２２の材料としては、例えばエポキシ、ポリベンゾオキサゾール（PolyBenzOxazole、ＰＢＯ）、ポリイミド等が用いられている。
【００３０】
樹脂層２２には、電子部品１４ａ〜１４ｃの電極１６〜１６ｃにそれぞれ達する開口部２４が形成されている。
【００３１】
開口部２４内にはビア（導体プラグ）２６が形成されている。
【００３２】
樹脂層２２の一方の面（図１における紙面下側の面）には、ビア２６と一体形成された配線２８が形成されている。
【００３３】
ビア２６及び配線２８が形成された樹脂層２２の一方の面（図１における紙面下側の面）には、樹脂層（絶縁層）３０が形成されている。樹脂層３０の材料としては、例えばエポキシ、ポリベンゾオキサゾール、ポリイミド等が用いられている。樹脂層３０の厚さは、例えば１０μｍ程度である。
【００３４】
樹脂層３０には、配線２８にそれぞれ達する開口部３２が形成されている。
【００３５】
開口部３２内には、ビア（導体プラグ）３４が形成されている。
【００３６】
樹脂層３０の一方の面（図１における紙面下側の面）には、ビア３４と一体形成された電極パッド３６が形成されている。
【００３７】
電極パッド３６が形成された樹脂層３０の一方の面（図１における紙面下側の面）には、樹脂層（絶縁層）３８が形成されている。樹脂層３８の材料としては、例えばエポキシ、ポリベンゾオキサゾール、ポリイミド等が用いられている。樹脂層３８の厚さは、例えば１０μｍ程度である。
【００３８】
樹脂層３８には、電極パッド３６を露出する開口部４０が形成されている。
【００３９】
電極パッド３６の一方の面（図１における紙面下側の面）には、金属のバンプ４２が形成されている。バンプ４２の径は、例えばφ４０μｍ程度である。バンプ４２の高さは、例えば２５μｍ程度である。バンプ４２の材料としては、例えば金（Ａｕ）が用いられている。バンプ４２は、電極パッド３６及び配線２８等を介して電子部品１４ａ〜１４ｃの電極１６ａ〜１６ｃにそれぞれ電気的に接続されている。
【００４０】
樹脂層１８の他方の面（図１における紙面上側の面）及び樹脂層１８の側面には、樹脂層１８より弾性率の高い部材４４が形成されている。より具体的には、樹脂層１８の他方の面（図１における紙面上側の面）及び樹脂層１８の側面には、例えばめっき膜により形成された金属膜４４が形成されている。金属膜４４は、樹脂層１８の他方の面（図１における紙面上側の面）及び樹脂層１８の側面に密着している。金属膜４４は、後述するように、超音波振動を用いた固相拡散接合を行う際に、超音波振動をバンプ４２に確実に伝搬させるためのものである。金属膜４４の膜厚は、少なくとも５０μｍ以上であることが好ましい。更には、金属膜４４の膜厚は、１００μｍ以上であることがより好ましい。金属膜４４の膜厚を厚く設定することが好ましいのは、金属膜４４の膜厚を厚く設定するほど、金属膜４４の剛性が高くなり、金属膜４４の変形が抑制され、減衰を招くことなく超音波を樹脂層１８に伝搬し得るためである。
【００４１】
ウェハレベルパッケージ２は、回路基板４６上に実装されている。回路基板４６の表面には、電極４８が形成されている。電極４８は、回路基板４６に形成された配線等に接続されている。電極４８の材料としては、バンプ４２との間で固相拡散接合が可能な材料が用いられている。ここでは、電極４８の材料として、例えばＡｕが用いられている。回路基板４６の材料としては、例えば樹脂基板やセラミックス基板等が用いられている。
【００４２】
ウェハレベルパッケージ２のバンプ４２と回路基板４６の電極４８とは、後述するように、超音波振動を用いた固相拡散接合（超音波接合）により接合されている。
【００４３】
こうして、本実施形態による電子装置が形成されている。
【００４４】
（電子装置の製造方法）
次に、本実施形態による電子装置の製造方法を図２乃至図１２を用いて説明する。図２乃至図１２は本実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図である。
【００４５】
本実施形態では、支持基板１０上に複数のウェハレベルパッケージ２を一括して形成し、この後、ウェハレベルパッケージ２を個片化する場合を例に説明する。
【００４６】
なお、支持基板１０上に複数のウェハレベルパッケージ２を一括して形成することに限定されるものではない。例えば、支持基板１０上に１つのウェハレベルパッケージを形成してもよい。
【００４７】
まず、図２（ａ）に示すように、支持基板１０上に、例えば厚さ５０〜１００μｍ程度の粘着層１２を形成する。支持基板１０としては、例えばシリコン基板、金属基板、ガラス基板等を用いる。支持基板１０の厚さは、例えば１〜２ｍｍ程度とする。支持基板１０の寸法は、例えばφ１００ｍｍ程度とする。粘着層１２としては、例えばダイシングテープを用いる。
【００４８】
次に、図２（ｂ）に示すように、粘着層１２上に電子部品１４ａ〜１４ｃを配置する。電子部品１４ａ〜１４ｃとしては、例えば半導体チップ１４ａ、チップ抵抗１４ｂ、チップコンデンサ１４ｃ等を配置する。半導体チップ１４ａの寸法は、例えば５ｍｍ×５ｍｍ×０．４５ｍｍ程度とする。チップ抵抗１４ｂの寸法は、例えば０．６ｍｍ×０．３ｍｍ×０．３ｍｍ程度とする。チップコンデンサ１４ｃの寸法は、例えば１．０ｍｍ×０．５ｍｍ×０．３ｍｍ程度とする。粘着層１２上に電子部品１４ａ〜１４ｃを配置する際には、電子部品１４ａ〜１４ｃの電極１６ａ〜１６ｃが粘着層１２に接するように、電子部品１４ａ〜１４ｃを配置する。こうして、複数のウェハレベルパッケージ２の分の電子部品１４ａ〜１４ｃが、粘着層１２上に配置される。
【００４９】
次に、図３（ａ）に示すように、電子部品１４ａ〜１４ｃが配された粘着層１２上の全面に、樹脂層１８を形成する。樹脂層１８の材料としては、例えばエポキシ系樹脂を用いる。樹脂層１８には、例えば無機フィラーが含まれている。かかる無機フィラーとしては、例えばシリカフィラーが用いられている。無機フィラーの最大粒径は、例えば７５μｍ程度とする。樹脂層１８の厚さは、電子部品１４ａ〜１４ｃの厚さに対して、例えば０．１ｍｍ以上厚く設定する。こうして、電子部品１４ａ〜１４ｃが樹脂層１８により埋め込まれる。
【００５０】
次に、熱処理を行うことにより、樹脂層１８を硬化させる（キュア）。熱処理温度は、例えば１００〜１５０℃程度とする。
【００５１】
なお、電子部品１４ａ〜１４ｃを樹脂層１８により埋め込んだ後、樹脂層１８の一方の面（図３（ａ）における紙面上側の面）を研磨又は研削することにより、樹脂層１８の厚さを薄くしてもよい。樹脂層１８の一方の面（図３（ａ）における紙面上側の面）を研磨又は研削すれば、樹脂層１８の厚さを電子部品１４ａ〜１４ｃの厚さと等しく設定することも可能である。
【００５２】
次に、図３（ｂ）に示すように、支持基板１０及び粘着層１２を、樹脂層１８及び電子部品１４ａ〜１４ｃから剥離する。即ち、電子部品１４ａ〜１４ｃが埋め込まれた樹脂層１８から、支持基板１０及び粘着層１２を除去する。電子部品１４ａ〜１４ｃが埋め込まれた樹脂層１８から支持基板１０及び粘着層１２を剥離する際には、例えば紫外線照射や熱処理等を行うことにより、粘着層１２の粘着力を低下させる。こうして、電子部品１４ａ〜１４ｃが樹脂層１８中に埋め込まれた構造体（樹脂基板）２０が得られる。構造体２０の一方の面（粘着層１２と接していた面）には、電子部品１４ａ〜１４ｃの電極１６ａ〜１６ｃが露出した状態となる。
【００５３】
なお、必要に応じて、樹脂層１８を完全に硬化させるための熱処理を行ってもよい。熱処理温度は、例えば１５０〜２００℃程度とする。
【００５４】
次に、図４（ａ）に示すように、構造体２０の上下を反転させる。
【００５５】
次に、構造体２０の一方の面（電子部品１４ａ〜１４ｃの電極１６ａ〜１６ｃが露出している面）上に、例えばスピンコート法により、例えば感光性の樹脂のワニスを塗布する。かかる樹脂としては、例えばエポキシ、ポリベンゾオキサゾール、ポリイミド等を用いる。こうして、樹脂層２２が形成される。
【００５６】
次に、樹脂層２２に対してプリベークを行う。プリベークの温度は、例えば１００℃程度とする。プリベークの時間は、例えば２０分程度とする。
【００５７】
次に、開口部２４のパターンを樹脂層２２に露光する。開口部２４は、後述するビア（導体プラグ）２６を埋め込むためのものである。開口部２４のパターンの径は、例えば３０〜４０μｍ程度とする。
【００５８】
次に、樹脂層２２に対して、現像を行う。現像液としては、例えばＴＭＡＨ（Tetra-Methyl Ammonium Hydroxide）水溶液を用いる。
【００５９】
次に、樹脂層２２に対して、キュアを行う。キュアの温度は、例えば２００℃程度とする。キュアの時間は、例えば１時間程度とする。
【００６０】
次に、樹脂層２２に対して、酸素プラズマ処理を行う。酸素プラズマ処理の条件は、例えば、開口部２４の底面において現像残渣等の汚れが電極１６ａ〜１６ｃの表面から除去される程度とする。
【００６１】
こうして、電極１６〜１６ｃに達する開口部２４が形成された樹脂層２２が得られる（図４（ｂ）参照）。樹脂層２２の厚さは、例えば８μｍ程度となる。
【００６２】
次に、例えばスパッタリング法により、例えば膜厚０．１μｍ程度のチタン（Ｔｉ）膜又はクロム（Ｃｒ）膜の密着層（図示せず）を形成する。
【００６３】
次に、例えばスパッタリング法により、例えば膜厚０．３μｍ程度の銅（Ｃｕ）のシード層（図示せず）を形成する。
【００６４】
次に、全面に、例えばスピンコート法により、フォトレジスト膜（図示せず）を形成する。
【００６５】
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、フォトレジスト膜に開口部（図示せず）を形成する。かかる開口部は、ビア２６及び配線２８を形成するためのものである。
【００６６】
次に、例えば電気めっき法により、例えばＣｕのビア２６及び配線２８を形成する。ビア２６及び配線２８は、一体的に形成される。
【００６７】
次に、例えばアッシング又はレジスト剥離液により、フォトレジスト膜を剥離する。
【００６８】
次に、配線２８の周囲に露出している部分のシード層及び密着層を、例えばウェットエッチング及びドライエッチングにより除去する。
【００６９】
こうして、電子部品１４ａ〜１４ｃの電極１６ａ〜１６ｃにビア２６を介して電気的に接続された配線（再配線層）２８が形成される（図５（ａ）参照）。
【００７０】
次に、構造体２０の一方の面（ビア２６及び配線２８が形成された側の面）上に、例えばスピンコート法により、例えば感光性の樹脂のワニスを塗布する。かかる樹脂としては、例えばエポキシ、ポリベンゾオキサゾール、ポリイミド等を用いる。こうして、樹脂層３０が形成される。
【００７１】
次に、樹脂層３０に対してプリベークを行う。プリベークの温度は、例えば１００℃程度とする。プリベークの時間は、例えば２０分程度とする。
【００７２】
次に、開口部３２のパターンを樹脂層３０に露光する。開口部３２は、後述するビア（導体プラグ）３４を埋め込むためのものである。開口部３２のパターンの径は、例えば４０μｍ程度とする。
【００７３】
次に、樹脂層３０に対して、現像を行う。現像液としては、例えばＴＭＡＨ水溶液を用いる。
【００７４】
次に、樹脂層３０に対して、キュアを行う。キュアの温度は、例えば２００℃程度とする。キュアの時間は、例えば１時間程度とする。
【００７５】
次に、樹脂層３０に対して、酸素プラズマ処理を行う。酸素プラズマ処理の条件は、例えば、開口部３２の底面において現像残渣等の汚れが配線２８の表面から除去される程度とする。
【００７６】
こうして、配線２８に達する開口部３２が形成された樹脂層３０が得られる（図５（ｂ）参照）。樹脂層３０の厚さは、例えば８μｍ程度となる。
【００７７】
次に、例えばスパッタリング法により、例えば膜厚０．１μｍ程度のＴｉ又はＣｒ等の密着層（図示せず）を形成する。
【００７８】
次に、例えばスパッタリング法により、例えば膜厚０．３μｍ程度のＣｕのシード層（図示せず）を形成する。
【００７９】
次に、全面に、例えばスピンコート法により、フォトレジスト膜（図示せず）を形成する。
【００８０】
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、フォトレジスト膜に開口部（図示せず）を形成する。かかる開口部は、ビア３４及び電極パッド３６を形成するためのものである。
【００８１】
次に、例えば電気めっき法により、例えばＣｕのビア３４及び電極パッド３６を形成する。ビア３４及び電極パッド３６は、一体的に形成される。
【００８２】
次に、例えばアッシング又はレジスト剥離液により、フォトレジスト膜を剥離する。
【００８３】
次に、電極パッド３６の周囲に露出している部分のシード層及び密着層を、例えばウェットエッチング及びドライエッチングにより除去する。
【００８４】
こうして、ビア３４を介して配線２８にそれぞれ電気的に接続された電極パッド３６が形成される（図６（ａ）参照）。
【００８５】
次に、構造体２０の一方の面（電極パッド３６が形成された側の面）上に、例えばスピンコート法により、例えば感光性の樹脂のワニスを塗布する。かかる樹脂としては、例えばエポキシ、ポリベンゾオキサゾール、ポリイミド等を用いる。こうして、樹脂層３８が形成される。
【００８６】
次に、樹脂層３８に対してプリベークを行う。プリベークの温度は、例えば１００℃程度とする。プリベークの時間は、例えば２０分程度とする。
【００８７】
次に、開口部４０のパターンを樹脂層３８に露光する。開口部４０は、後述するバンプ４２を形成するためのものである。開口部４０のパターンの径は、例えば５０μｍ程度とする。
【００８８】
次に、樹脂層３８に対して、現像を行う。現像液としては、例えばＴＭＡＨ水溶液を用いる。
【００８９】
次に、樹脂層３８に対して、キュアを行う。キュアの温度は、例えば２００℃程度とする。キュアの時間は、例えば１時間程度とする。
【００９０】
次に、樹脂層３８に対して、酸素プラズマ処理を行う。酸素プラズマ処理の条件は、例えば、開口部４０の底面において現像残渣等の汚れが電極パッド３６の表面から除去される程度とする。
【００９１】
こうして、電極パッド３６に達する開口部４０が形成された樹脂層３８が得られる（図６（ｂ）参照）。樹脂層３８の厚さは、例えば１０μｍ程度とする。
【００９２】
次に、全面に、例えばスパッタリング法により、例えば膜厚１００ｎｍ程度のシード層（図示せず）を形成する。シード層の材料としては、例えばＡｕを用いる。
【００９３】
次に、全面に、例えばスピンコート法により、膜厚３０μｍ程度のフォトレジスト膜（図示せず）を形成する。
【００９４】
次に、フォトリソグラフィ技術を用い、フォトレジスト膜に開口部（図示せず）を形成する。かかる開口部は、バンプ４２を形成するためのものである。開口部の径は、例えば４０μｍ程度とする。
【００９５】
次に、例えば電気めっき法により、バンプ４２を形成する。バンプ４２の材料としては、例えばＡｕを用いる。バンプ４２の径は、例えばφ４０μｍ程度とする。バンプ４２の高さは、例えば２５μｍ程度とする。
【００９６】
次に、例えばアッシング又はレジスト剥離液により、フォトレジスト膜を剥離する。
【００９７】
次に、バンプ４２の周囲に露出している部分のシード層を、例えばウェットエッチング及びドライエッチングにより除去する。
【００９８】
こうして、電極パッド３６上にバンプ４２が形成される。バンプ４２は、電極パッド３６及び配線２８等を介して電子部品１４ａ〜１４ｃの電極１６ａ〜１６ｃにそれぞれ電気的に接続される。
【００９９】
こうして、複数のウェハレベルパッケージ２が一括して形成される（図７（ａ）参照）。
【０１００】
次に、例えばダイシングソーを用い、複数のウェハレベルパッケージ２を個片化する（図７（ｂ）参照）。
【０１０１】
次に、樹脂層１８の一方の面（バンプ４２が形成された面）に対して、マスキング（図示せず）を行う。
【０１０２】
次に、樹脂層１８の他方の面（バンプ４２が形成された面と反対側の面）及び樹脂層１８の側面に、例えば無電解めっき法、スパッタリング法又は蒸着法により、例えば厚さ１００ｎｍ程度のシード層（図示せず）を形成する。シード層の材料としては、例えばＣｕを用いる。
【０１０３】
次に、樹脂層１８の他方の面（バンプ４２が形成された面と反対側の面）及び樹脂層１８の側面に、例えば電気めっき法により、例えば膜厚１００μｍ程度のめっき膜を形成する。めっき膜の材料としては、例えばＣｕ等を用いる。
【０１０４】
こうして、樹脂層１８の他方の面（バンプ４２が形成された面と反対側の面）及び樹脂層１８の側面に、例えばめっき膜により形成された金属膜４４が形成される（図８参照）。即ち、樹脂層１８より弾性率の高い部材４４が、樹脂層１８の他方の面（バンプ４２が形成された面と反対側の面）及び樹脂層１８の側面に形成される。金属膜４４は、樹脂層１８の他方の面（バンプ４２が形成された面と反対側の面）及び側面に成膜されるため、樹脂層１８の他方の面（バンプ４２が形成された面と反対側の面）及び側面に密着している。金属膜４４の膜厚は、少なくとも５０μｍ以上であることが好ましい。更には、金属膜４４の膜厚は、１００μｍ以上であることがより好ましい。金属膜４４の材料としては、例えばＣｕを用いる。
【０１０５】
次に、回路基板４６上に、ウェハレベルパッケージ２を配置する（図９参照）。回路基板４６としては、例えば樹脂基板やセラミックス基板等が用いられている。回路基板４６の表面には、ウェハレベルパッケージ２のバンプ４２と接続するための電極４８が形成されている。電極４８は、回路基板４６に形成された配線等に接続されている。ウェハレベルパッケージ２を回路基板４６上に配置する際には、ウェハレベルパッケージ２のバンプ４２と回路基板４６の電極４８とが互いに接するように、ウェハレベルパッケージ２を回路基板４６上に配置する。電極４８は、後述するように、超音波振動を用いた固相拡散接合によりバンプ４２と接合されるものである。従って、電極４８の材料としては、バンプ４２と固相拡散接合が可能な材料が用いられる。ウェハレベルパッケージ２のバンプ４２の材料としてＡｕが用いられている場合には、電極４８の材料もＡｕとすることが好ましい。
【０１０６】
こうして、回路基板４６上にウェハレベルパッケージ２が配置される（図１０参照）。
【０１０７】
次に、ウェハレベルパッケージ２が配置された回路基板４６を、超音波接合装置（超音波金属接合装置）のステージ（載置台）４９上に載置する（図１１参照）。超音波接合装置としては、例えば澁谷工業株式会社製の超音波接合装置（型番：ＤＢ２００）等を用いる。回路基板４６をステージ４９上に載置する際には、回路基板４６の一方の面がステージ４９に接し、ウェハレベルパッケージ２の金属膜４４が超音波接合装置の超音波印加部５０に対向するように、回路基板４６をステージ４９上に載置する。
【０１０８】
次に、超音波接合装置の超音波印加部５０をウェハレベルパッケージ２の金属膜４４に押し付けた状態で、超音波振動を印加することにより、ウェハレベルパッケージ２側のバンプ４２と回路基板４６側の電極４８とを固相拡散接合（超音波接合）する（図１１参照）。超音波接合を行う際における回路基板４６の温度は、例えば２５〜１５０℃程度とする。ここでは、超音波接合を行う際における回路基板４６の温度を、例えば１００℃程度とする。超音波印加部５０を押し付けることによりウェハレベルパッケージ２に加える加重は、例えば２０Ｎ〜５０Ｎ程度とする。ここでは、ウェハレベルパッケージ２に加える加重を、例えば４０Ｎ程度とする。印加する超音波の周波数は、例えば４０〜１００ｋＨｚ程度とする。ここでは、印加する超音波の周波数を、例えば６０ｋＨｚ程度とする。超音波振動を印加する時間は、例えば０．５〜３秒間程度とする。ここでは、超音波振動を印加する時間を、例えば２秒間程度とする。
【０１０９】
超音波印加部５０のうちの金属膜４４に接する部分は、金属により形成されている。このため、超音波印加部５０と金属膜４４との間では超音波振動が良好に伝搬される。また、金属膜４４は樹脂層１８の表面に成膜されたものであるため、金属膜４４と樹脂層１８との密着性は良好である。従って、金属膜４４と樹脂層１８との間においても、超音波振動が良好に伝搬される。本実施形態では、樹脂層１８の表面に成膜された金属膜４４を介してバンプ４２に超音波振動を印加するため、超音波印加部５０を樹脂層１８に直接接触させる場合と比較して、超音波振動をバンプ４２に伝搬しやすくすることができる。
【０１１０】
なお、樹脂層１８に密着する金属膜４４を設けることなく、超音波印加部５０を樹脂層１８に直接接触させた場合には、超音波印加部５０と樹脂層１８との密着性は必ずしも良好ではない。このため、超音波印加部５０を樹脂層１８に直接接触させた場合には、樹脂層１８に密着する金属膜４４を介して超音波を印加する場合と比較して、超音波振動は伝搬しにくい。
【０１１１】
半導体チップ１４ａは、比較的硬く、弾性率が比較的高い材料により形成されているため、超音波振動を伝搬しやすい。半導体チップ１４ａ上に存在する樹脂層１８は、比較的柔らかく、弾性率が比較的低い材料により形成されているが、厚さが比較的薄い。このため、半導体チップ１４ａの直下に位置するバンプ４２には、超音波振動が伝搬されやすい。従って、金属膜４４の有無にかかわらず、半導体チップ１４ａの直下に位置するバンプ４２と電極４８との接合部は、確実に超音波接合し得る。
【０１１２】
一方、半導体チップ１４ａが配されている領域以外の領域には、樹脂層１８が比較的厚く存在している箇所がある。樹脂層１８は、比較的柔らかく、弾性率が比較的低い材料により形成されているため、半導体チップ１４ａと比較して超音波振動を伝搬しにくい。
【０１１３】
しかし、本実施形態では、樹脂層１８の表面に成膜された金属膜４４により、超音波振動が伝搬されやすくなっているため、比較的厚い樹脂層１８が存在している領域であっても、超音波振動をバンプ４２に十分に伝搬し得る。
【０１１４】
従って、本実施形態によれば、半導体チップ１４ａの直下に存在しているバンプ４２と電極４８との接合部のみならず、半導体チップ１４ａの直下以外の箇所に存在しているバンプ４２と電極４８との接合部をも、確実に超音波接合し得る。従って、本実施形態によれば、信頼性の高い電子装置を製造することができる。
【０１１５】
こうして、本実施形態による電子装置が製造される（図１２参照）。
【０１１６】
［第２実施形態］
第２実施形態による電子装置及びその製造方法について図１３乃至図１８を用いて説明する。図１乃至図１２に示す第１実施形態による電子装置の製造方法と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
【０１１７】
（電子装置）
まず、本実施形態による電子装置について図１３を用いて説明する。図１３は、本実施形態による電子装置を示す断面図である。
【０１１８】
本実施形態による電子装置は、樹脂層１８より弾性率の高い部材４４ａとして、板状体が用いられているものである。
【０１１９】
図１３に示すように、樹脂層１８の一方の面（バンプ４２が形成されている側とは反対側の面）には、樹脂層１８より弾性率の高い部材４４ａが配されている。かかる部材４４ａとしては、板状体４４ａが用いられている。板状体４４ａの材料としては、樹脂層１８より硬度の高い材料が用いられている。具体的には、板状体４４ａの材料として、金属やセラミック等が用いられている。ここでは、板状体４４ａの材料として、アルミナセラミックスが用いられている。板状体４４ａは、接着剤（図示せず）により樹脂層１８の上面に固着されている。板状体４４ａは接着剤により樹脂層１８に固着されているため、板状体４４ａは樹脂層１８の一方の面（バンプ４２が形成されている側とは反対側の面）に密着している。板状体４４ａの厚さは、少なくとも５０μｍ以上であることが好ましい。更には、板状体４４ａの膜厚は、１００μｍ以上であることがより好ましい。板状体４４ａの厚さを厚く設定することが好ましいのは、板状体４４ａの膜厚を厚く設定するほど、板状体４４ａの剛性が高くなり、板状体４４ａの変形が抑制され、減衰を招くことなく超音波を樹脂層１８に伝搬し得るためである。
【０１２０】
樹脂層１８の一方の面（バンプ４２が形成されている側とは反対側の面）に樹脂層１８より弾性率の高い部材４４ａが設けられたウェハレベルパッケージ（構造体）２ａは、回路基板４６に実装されている。
【０１２１】
こうして、本実施形態による電子装置が形成されている。
【０１２２】
（電子装置の製造方法）
次に、本実施形態による電子装置の製造方法について図１４乃至図１９を用いて説明する。図１４乃至図１９は、本実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図である。
【０１２３】
まず、支持基板１０上に粘着層１２を形成する工程からバンプ４２を形成する工程までは、図２（ａ）乃至図７（ａ）を用いて上述した第１実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する。
【０１２４】
次に、樹脂層１８の一方の面（バンプ４２を形成した側とは反対側の面）に、樹脂層１８より弾性率の高い部材４４ａを、例えば接着剤により固着する（図１４（ａ）参照）。かかる部材４４ａとしては、板状体４４ａを用いる。板状体４４ａの材料としては、樹脂層１８より硬度の高い材料を用いる。具体的には、板状体４４ａの材料として、金属やセラミック等を用いる。ここでは、板状体４４ａの材料として、アルミナセラミックスを用いる。板状体４４ａの厚さは、例えば０．１ｍｍ程度とする。板状体４４ａのサイズは、例えばφ１００ｍｍ程度とする。接着剤としては、例えばエポキシ系接着剤を用いる。板状体４４ａを樹脂層１８に接着剤により固着するため、板状体４４ａは樹脂層１８の一方の面（バンプ４２が形成されている側とは反対側の面）に密着した状態となる。
【０１２５】
こうして、樹脂層１８の一方の面（バンプ４２が形成されている側とは反対側の面）に、板状体４４ａが固着された複数のウェハレベルパッケージ２ａが得られる（図１４（ｂ）参照）。
【０１２６】
次に、例えばダイシングにより、ウェハレベルパッケージ２ａを個片化する（図１５参照）。
【０１２７】
次に、回路基板４６上に、ウェハレベルパッケージ（構造体）２ａを配置する（図１６参照）。ウェハレベルパッケージ２ａを回路基板４６上に配置する際には、ウェハレベルパッケージ２ａのバンプ４２と回路基板４６の電極４８とが互いに接するように、ウェハレベルパッケージ２ａを回路基板４６上に配置する。
【０１２８】
こうして、回路基板４６上にウェハレベルパッケージ２ａが配置される（図１７参照）。
【０１２９】
次に、ウェハレベルパッケージ２ａが配置された回路基板４６を、超音波接合装置のステージ（載置台）４９上に載置する（図１８参照）。回路基板４６をステージ４９上に載置する際には、回路基板４６の一方の面がステージ４９に接し、ウェハレベルパッケージ２ａの板状体４４ａが超音波接合装置の超音波印加部５０に対向するように、回路基板４６をステージ４９上に載置する。
【０１３０】
次に、超音波接合装置の超音波印加部５０をウェハレベルパッケージ２ａの板状体４４ａに押し付けた状態で、超音波振動を印加することにより、ウェハレベルパッケージ２ａ側のバンプ４２と回路基板４６側の電極４８とを固相拡散接合する。超音波接合を行う際における回路基板４６の温度は、例えば２５〜１５０℃程度とする。ここでは、超音波接合を行う際における回路基板４６の温度を、例えば１２０℃程度とする。超音波印加部５０を押し付けることによりウェハレベルパッケージ２ａに加える加重は、例えば２０〜５０Ｎ程度とする。ここでは、ウェハレベルパッケージ２ａに加える加重を、例えば３０Ｎ程度とする。印加する超音波の周波数は、例えば４０〜１００ｋＨｚ程度とする。ここでは、印加する超音波の周波数を、例えば６０ｋＨｚ程度とする。超音波振動を印加する時間は、例えば０．５〜３秒間程度とする。ここでは、超音波振動を印加する時間を、例えば３秒間程度とする。
【０１３１】
超音波印加部５０のうちの板状体４４ａに接する部分は、金属により形成されている。板状体４４ａは、比較的硬く、弾性率が比較的高い材料により形成されている。このため、超音波印加部５０と板状体４４ａとの間では超音波振動が良好に伝搬される。また、板状体４４ａは樹脂層１８の表面に密着しているため、板状体４４ａと樹脂層１８との密着性は良好である。従って、板状体４４ａと樹脂層１８との間においても、超音波振動が良好に伝搬される。本実施形態では、樹脂層１８の表面に密着した板状体４４ａを介して超音波振動を印加するため、超音波印加部５０を樹脂層１８に直接接触させる場合と比較して、超音波振動をバンプ４２に伝搬しやすくすることができる。
【０１３２】
なお、樹脂層１８に密着する板状体４４ａを設けることなく、超音波印加部５０を樹脂層１８に直接接触させた場合には、超音波印加部５０と樹脂層１８との密着性は必ずしも良好ではない。このため、超音波印加部５０を樹脂層１８に直接接触させた場合には、樹脂層１８に密着する板状体４４ａを介して超音波を印加する場合と比較して、超音波振動は伝搬しにくい。
【０１３３】
上述したように、半導体チップ１４ａは、比較的硬く、弾性率が比較的高い材料により形成されているため、超音波振動を伝搬しやすい。半導体チップ１４ａ上に存在する樹脂層１８は、比較的柔らかく、弾性率が比較的低い材料により形成されているが、厚さが比較的薄い。このため、半導体チップ１４ａの直下に位置するバンプ４２には、超音波振動が伝搬されやすい。従って、板状体４４ａの有無にかかわらず、半導体チップ１４ａの直下に位置するバンプ４２と電極４８との接合部は、確実に超音波接合し得る。
【０１３４】
一方、半導体チップ１４ａが配されている領域以外の領域には、樹脂層１８が比較的厚く存在している箇所がある。樹脂層１８は、比較的柔らかく、弾性率が比較的低い材料により形成されているため、半導体チップ１４ａと比較して超音波振動を伝搬しにくい。
【０１３５】
しかし、本実施形態によれば、樹脂層１８の表面に密着した板状体４４ａにより超音波振動が伝搬されやすくなっているため、比較的厚い樹脂層１８が存在している領域であっても、超音波振動をバンプ４２に十分に伝搬し得る。
【０１３６】
従って、本実施形態によれば、半導体チップ１４ａの直下に存在しているバンプ４２と電極４８との接合部のみならず、半導体チップ１４ａの直下以外の箇所に存在しているバンプ４２と電極４８との接合部をも、確実に超音波接合し得る。従って、本実施形態によれば、信頼性の高い電子装置を製造することができる。
【０１３７】
こうして、本実施形態による電子装置が製造される（図１９参照）。
【０１３８】
［変形実施形態］
上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
【０１３９】
例えば、第１実施形態では、金属膜４４の材料としてＣｕを用いる場合を例に説明したが、金属膜４４の材料はＣｕに限定されるものではない。例えば、金属膜４４の材料として、アルミニウム、ニッケル、チタン、モリブデン、コバルト、タングステン又はタングステンカーバイト等を用いてもよい。
【０１４０】
また、第１実施形態では、樹脂層１８の一方の面及び側面を覆うように金属膜４４を形成する場合を例に説明したが、金属膜４４に限定されるものではない。
【０１４１】
また、第１実施形態では、複数形成したウェハレベルパッケージ２を個片化した後に金属膜４４を形成する場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。例えば、ウェハレベルパッケージ２を個片化する前の段階で、樹脂層１８の一方の面（バンプ４２が形成される側とは反対側の面）に金属膜４４を形成し、この後、ウェハレベルパッケージ２を個片化してもよい。
【０１４２】
また、第２実施形態では、板状体４４ａの材料として、アルミナセラミックスを用いたが、板状体４４ａの材料はアルミナセラミックスに限定されるものではない。板状体４４ａの材料として、セラミックスを用いる場合には、例えば窒化アルミニウム等を用いることができる。板状体４４ａの材料として、金属を用いる場合には、例えば銅板等を用いることができる。
【０１４３】
また、上記実施形態では、バンプ４２がめっき法により形成されたバンプである場合を例に説明したが、バンプ４２はめっき法により形成されたバンプに限定されるものではない。例えば、バンプ４２として、スタッドバンプを形成してもよい。スタッドバンプは、ワイヤボンディング技術に用いられるボールボンディング方式を用いて電極パッド上に形成されるバンプ電極のことである。スタッドバンプは、Ａｕ等より成るワイヤの先端に放電によってボールを形成後、ワイヤボンディング用のキャピラリを用いてボールを電極パッド上に熱圧着し、ワイヤを固定したままの状態でキャピラリを上部に引き上げ、ワイヤをボール上端部で切断することにより、形成される。
【０１４４】
また、上記実施形態では、バンプ４２及び電極４８の材料としてＡｕを用いる場合を例に説明したが、バンプ４２及び電極４８の材料はＡｕに限定されるものではない。超音波振動を用いて固相拡散接合し得る材料をバンプ４２及び電極４８の材料として適宜用いることができる。例えば、バンプ４２及び電極４８の材料としてＣｕを用いてもよい。
【０１４５】
また、上記実施形態では、電子部品１４ａ〜１４ｃが半導体素子、抵抗、又は、コンデンサである場合を例に説明したが、電子部品１４ａ〜１４ｃはこれらに限定されるものではない。例えば、電子部品１４ａ〜１４ｃが、ＭＥＭＳ素子、センサ素子等であってもよい。また、電子部品１４ａ〜１４ｃが、抵抗やコンデンサ以外の受動部品であってもよい。また、電子部品１４ａ〜１４ｃが、無機材料上に薄膜の受動部品を形成した素子であってもよい。
【０１４６】
また、上記実施形態では、膜４４や板状体４４ａの材料として金属又はセラミックスを用いる場合を例に説明したが、膜４４や板状体４４ａの材料は金属又はセラミックスに限定されるものではない。樹脂層１８より弾性率の高い材料を、膜４４や板状体４４ａの材料として適宜用いることができる。
【０１４７】
上記実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
【０１４８】
（付記１）
電子部品を埋め込む樹脂層の一方の面側に、前記電子部品に電気的に接続されたバンプが形成され、前記樹脂層の他方の面側に、前記樹脂層より弾性率の高い部材が密着した構造物を形成する工程と、
基板上に形成された電極と前記バンプとを接触させた状態で、前記部材を介して超音波振動を印加することにより、前記バンプと前記電極とを接合する工程と
を有することを特徴とする電子装置の製造方法。
【０１４９】
（付記２）
付記１記載の電子装置の製造方法において、
前記部材の材料は、金属又はセラミックスである
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
【０１５０】
（付記３）
付記１又は２記載の電子装置の製造方法において、
前記部材は、膜又は板状体である
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
【０１５１】
（付記４）
付記１又は２記載の電子装置の製造方法において、
前記部材は、膜であり、
前記膜は、前記樹脂層の側面にも形成されている
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
【０１５２】
（付記５）
付記１乃至４のいずれかに記載の電子装置の製造方法において、
前記構造物を形成する工程は、前記電子部品を前記樹脂層により埋め込む工程と、前記樹脂層の前記一方の面側に、前記電子部品に電気的に接続された配線を形成する工程と、前記配線を介して前記電子部品に電気的に接続された前記バンプを形成する工程と、前記樹脂層の前記他方の面側に前記部材を密着させる工程とを有する
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
【０１５３】
（付記６）
付記５記載の電子装置の製造方法において、
前記電子部品を前記樹脂層により埋め込む工程の前に、支持基板上に形成された粘着層上に前記電子部品を配する工程を更に有し、
前記電子部品を前記樹脂層により埋め込む工程の後、前記配線を形成する工程の前に、前記電子部品を埋め込む前記樹脂層から前記粘着層及び前記支持基板を除去する工程を更に有する
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
【０１５４】
（付記７）
付記１乃至６のいずれかに記載の電子装置の製造方法において、
前記バンプは、金、又は、銅を含む
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
【０１５５】
（付記８）
付記１乃至７のいずれかに記載の電子装置の製造方法において、
前記金属は、銅、アルミニウム、ニッケル、チタン、モリブデン、コバルト、タングステン又はタングステンカーバイトを含む
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
【０１５６】
（付記９）
電子部品が埋め込まれた樹脂層と、
前記樹脂層の一方の面側に形成され、前記電子部品に電気的に接続されたバンプと、
前記樹脂層の他方の面に密着し、前記樹脂層より弾性率の高い部材と、
前記バンプと固相拡散接合された電極を有する基板と
を有することを特徴とする電子装置。
【０１５７】
（付記１０）
付記９記載の電子装置において、
前記部材の材料は、金属又はセラミックスである
ことを特徴とする電子装置。
【０１５８】
（付記１１）
付記９又は１０記載の電子装置において、
前記部材は、膜又は板状体である
ことを特徴とする電子装置。
【０１５９】
（付記１２）
付記９又は１０記載の電子装置において、
前記部材は、膜であり、
前記膜は、前記樹脂層の側面にも形成されている
ことを特徴とする電子装置。
【０１６０】
（付記１３）
付記９乃至１２のいずれかに記載の電子装置において、
前記樹脂層の前記一方の面側に形成され、前記電子部品に電気的に接続された配線を更に有し、
前記バンプは、前記配線を介して前記電子部品に電気的に接続されている
ことを特徴とする電子装置。
【０１６１】
（付記１４）
付記９乃至１３のいずれかに記載の電子装置において、
前記バンプは、金、又は、銅を含む
ことを特徴とする電子装置。
【０１６２】
（付記１５）
付記９乃至１４のいずれかに記載の電子装置において、
前記金属は、銅、アルミニウム、ニッケル、チタン、モリブデン、コバルト、タングステン又はタングステンカーバイトを含む
ことを特徴とする電子装置。
【符号の説明】
【０１６３】
２、２ａ…ウェハレベルパッケージ、構造体
１０…支持基板
１２…粘着層
１４ａ〜１４ｃ…電子部品
１６ａ〜１６ｃ…電極
１８…樹脂層
２０…構造体、樹脂基板
２２…樹脂層、絶縁層
２４…開口部
２６…ビア
２８…配線
３０…樹脂層、絶縁層
３２…開口部
３４…ビア
３６…配線
３８…樹脂層、絶縁層
４０…開口部
４２…バンプ
４４…部材、金属膜、膜
４４ａ…部材、板状体
４６…回路基板
４８…電極
４９…ステージ
５０…超音波印加部
【図１】
0006019550.tif 000002
【図２】
0006019550.tif 000003
【図３】
0006019550.tif 000004
【図４】
0006019550.tif 000005
【図５】
0006019550.tif 000006
【図６】
0006019550.tif 000007
【図７】
0006019550.tif 000008
【図８】
0006019550.tif 000009
【図９】
0006019550.tif 000010
【図１０】
0006019550.tif 000011
【図１１】
0006019550.tif 000012
【図１２】
0006019550.tif 000013
【図１３】
0006019550.tif 000014
【図１４】
0006019550.tif 000015
【図１５】
0006019550.tif 000016
【図１６】
0006019550.tif 000017
【図１７】
0006019550.tif 000018
【図１８】
0006019550.tif 000019
【図１９】
0006019550.tif 000020