(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極、発光機能層および導電性酸化物からなる第２電極の順に積層されてなるパネル中間体を準備する工程と、
前記第２電極に対して還元処理を行った状態で、反応性成膜法により、前記還元された前記第２電極上に第１化合物を主成分とするバッファ層を形成する工程と、
前記バッファ層に対して還元処理を行った状態で、前記バッファ層上に第２化合物を主成分とする封止層を反応性成膜法により形成する工程と、を有し、
前記第１化合物は、前記第２化合物の酸化物である
ことを特徴とする表示パネルの製造方法。
【請求項２】
前記バッファ層に対する還元処理は、前記バッファ層中の前記第１化合物の実質的に全部を前記第２化合物に還元する
ことを特徴とする請求項１記載の表示パネルの製造方法。
【請求項３】
前記バッファ層に対する還元処理は、前記バッファ層の厚み方向において前記封止層に近接した領域を還元し、前記第２電極に近接した領域を還元しない
ことを特徴とする請求項１記載の表示パネルの製造方法。
【請求項４】
前記バッファ層に対する還元処理は、ＮＨ3プラズマを照射することによって行われる
ことを特徴とする請求項１に記載の表示パネルの製造方法。
【請求項５】
更に、反応性成膜法により、前記封止層上に第３化合物を主成分とする副バッファ層を形成する工程と、
前記副バッファ層に対して還元処理を行った状態で、前記副バッファ層上に第４化合物を主成分とする副封止層を反応性成膜法により形成する工程と、を有し、
前記第３化合物は、前記第２化合物の酸化物である
ことを特徴とする請求項１記載の表示パネルの製造方法。
【請求項６】
前記第４化合物は、酸化物を主成分とする
ことを特徴とする請求項５記載の表示パネルの製造方法。
【請求項７】
前記第２電極は、ＩＴＯ膜からなり、
前記第１化合物は、酸窒化シリコンであり、
前記第２化合物は、窒化シリコンである
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の表示パネルの製造方法。
【請求項８】
前記副封止層を形成する工程において採用する反応性成膜法は、ＡＬＤ法である
ことを特徴とする請求項５記載の表示パネルの製造方法。
【請求項９】
第１電極と、
前記第１電極上に形成された発光機能層と、
導電性酸化物からなり且つ前記発光機能層上に形成された第２電極と、
前記第２電極上に形成されるとともに、前記第２電極の表面を覆い、第１化合物を主成分とするバッファ層と、
前記バッファ層上に形成されるとともに、前記バッファ層の表面を覆い、第２化合物を主成分とする封止層とを備え、
前記バッファ層の厚み方向において少なくとも前記封止層の近傍に位置する領域の主成分と前記封止層の主成分は同じ化合物であり、
前記第２電極と前記バッファ層との界面および前記バッファ層と前記封止層との界面に、化学結合が形成されている
ことを特徴とする表示パネル。
【請求項１０】
前記バッファ層の実質的に全ての領域の主成分と、前記封止層の主成分は同じ化合物である
ことを特徴とする請求項９記載の表示パネル。
【請求項１１】
前記バッファ層において、前記封止層の近傍に位置する領域と前記封止層の間に、前記封止層の近傍領域に位置する領域の主成分の酸化物を主成分とする層が位置する
ことを特徴とする請求項９記載の表示パネル。
【請求項１２】
前記第２電極は、ＩＴＯ膜からなり、
前記第１化合物は、酸窒化シリコンであり、
前記第２化合物は、窒化シリコンである
ことを特徴とする請求項９記載の表示パネル。
【請求項１３】
前記封止層上に形成されるとともに、前記封止層の表面を覆う副バッファ層と、
前記副バッファ層上に形成されるとともに、前記副バッファ層の表面を覆う副封止層とを備え、
前記副バッファ層の主成分と前記バッファ層の主成分は同じ化合物であり、
前記封止層と前記副バッファ層との界面および前記副バッファ層と前記副封止層との界面に、化学結合が形成されている
ことを特徴とする請求項９乃至１２のいずれか１項に記載の表示パネル。
【請求項１４】
前記第２電極は光透過性を有する
ことを特徴とする請求項９乃至１２のいずれか１項に記載の表示パネル。
【請求項１５】
前記副封止層は、酸化物を主成分とする
ことを特徴とする請求項１３記載の表示パネル。
【請求項１６】
前記バッファ層の厚み方向において、前記封止層に近づくほど、前記バッファ層の主成分である化合物の１つの構成元素の比率が大きくなっている
ことを特徴とする請求項１０に記載の表示パネル。
【請求項１７】
前記副バッファ層の厚み方向において、前記副封止層に近づくほど、前記副バッファ層の主成分である化合物の１つの構成元素の比率が大きくなっている
ことを特徴とする請求項１３に記載の表示パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示パネルの製造方法に関し、特に、封止層の製造技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示パネルに用いられる発光素子には、発光層や導電層を有する発光機能層が、陽極と陰極の間に介在した構造を有するものがある。この発光素子の中には、有機材料を用いた発光素子（有機ＥＬ素子）を用いたものがある。
この有機ＥＬ素子では、発光機能層や、陽極、陰極が、水蒸気や酸素等のガス（以下、単に、「水蒸気等のガス」ともいう。）と反応しうる材料からなる。従って、発光機能層は、水蒸気等のガスと反応して、発光特性の低下や寿命の低下が生じてしまう。また、陽極や陰極は、水蒸気等のガスと反応して、電気特性（例えば、電気伝導率）の変化が生じてしまう。陰極の電気特性が大きく変化した場合、発光機能層に電荷が供給されず、表示パネルの一部に非発光部分（ダークスポット）が発生してしまい表示パネルの表示品質の低下に繋がってしまう。
【０００３】
これに対して、この種の表示パネルでは、水蒸気等のガスが陰極表面に吸着したり発光機能層に侵入したりするのを防止するために陰極の上面を覆うように封止層が形成されている。
一方、いわゆるトップエミッション型の表示パネルの場合、発光層から発せられた光が、陰極、封止層を透過して外部へと取り出される。このため、封止層には、水蒸気等のガスに対する高いバリア性能に加えて、高い光透過性が要求される。このような、高いバリア性能と光透過性との両方を備えた材料として、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）等がある（例えば、特許文献１、２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−２３１３５７号公報
【特許文献２】特開２０１１−２２７３６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
発光機能層に水蒸気等のガスが接触するのを防ぐため、封止層は、陰極と封止層の界面における密着力、及び封止層のバリア性能がより高いことが好ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明の一態様に係る表示パネルの製造方法は、第１電極、発光機能層および導電性酸化物からなる第２電極の順に積層されてなるパネル中間体を準備する工程と、第２電極に対して還元処理を行った状態で、反応性成膜法により、還元された第２電極上に第１化合物を主成分とするバッファ層を形成する工程と、バッファ層に対して還元処理を行った状態で、バッファ層上に第２化合物を主成分とする封止層を反応性成膜法により形成する工程と、を有し、第１化合物は、第２化合物の酸化物である。
【発明の効果】
【０００７】
本構成によれば、上記第２工程を有することにより、第２電極とバッファ層との界面において第２電極を構成する酸化物と封止層を構成する第１化合物との化学結合が形成され、上記第３工程を有することにより、バッファ層と封止層との界面においてバッファ層に対して還元処理を行うことにより生成された第２化合物と封止層を構成する第２化合物との化学結合が形成される。これにより、第２電極とバッファ層、および、バッファ層と封止層それぞれの接合強度が増加するので、第２電極と封止層との密着性が向上し、封止層の第２電極からの剥離を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】実施の形態１に係る表示装置の全体構成を模式的に示すブロック図である。
【図２】実施の形態１に係る表示パネルの部分拡大図である。
【図３】実施の形態１に係る表示パネルにおける、図２のＡ−Ａ線で破断して得られる部分断面図である。
【図４】実施の形態１に係る表示パネルの製造工程を説明するための表示パネルの部分断面図である。
【図５】実施の形態１に係る表示パネルの製造工程を説明するための表示パネルの部分断面図である。
【図６】実施の形態１に係る表示パネルの製造工程を説明するための表示パネルの部分断面図である。
【図７】実施の形態１に係る表示パネルの製造工程を説明するための表示パネルの要部断面図である。
【図８】実施の形態１に係る表示パネルの製造工程を説明するための表示パネルの要部断面図である。
【図９】実施の形態２に係る表示パネルの部分断面図である。
【図１０】実施の形態２に係る表示パネルの製造工程を説明するための表示パネルの要部断面図である。
【図１１】実施の形態２に係る表示パネルの製造工程を説明するための模式図である。
【図１２】実施の形態２に係る表示パネルの製造工程を説明するための模式図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
＜本発明の一態様に係る表示パネルの製造方法および表示パネルの概要＞
本発明の一態様に係る表示パネルの製造方法は、第１電極、発光機能層および導電性酸化物からなる第２電極の順に積層されてなるパネル中間体を準備する工程と、第２電極に対して還元処理を行った状態で、反応性成膜法により、前記還元された前記第２電極上に第１化合物を主成分とするバッファ層を形成する工程と、バッファ層に対して還元処理を行った状態で、バッファ層上に第２化合物を主成分とする前記封止層を反応性成膜法により形成する工程と、を有し、第１化合物は、第２化合物の酸化物である。
【００１０】
本構成によれば、上記第２工程を有することにより、第２電極とバッファ層との界面において第２電極を構成する酸化物と封止層を構成する第１化合物との化学結合が形成され、上記第３工程を有することにより、バッファ層と封止層との界面においてバッファ層に対して還元処理を行うことにより生成された第２化合物と封止層を構成する第２化合物との化学結合が形成される。これにより、第２電極とバッファ層、および、バッファ層と封止層それぞれの接合強度が増加するので、第２電極と封止層との密着性が向上し、封止層の第２電極からの剥離を抑制できる。
【００１１】
また、本構成によれば、第１化合物が第２化合物の酸化物の酸化物であることにより、バッファ層に対して還元処理を行うことにより、バッファ層の一部と封止層とが第１化合物から構成されることになる。これにより、バッファ層の屈折率を封止層の屈折率に近づけることができるので、発光機能層から発せられた光が、陰極、バッファ層および封止層の順に透過する際の散乱損失を低減することができる。従って、発光機能層から表示パネルの外部への光取り出し効率向上を図ることができる。
【００１２】
また、本発明の一態様に係る表示パネルの製造方法では、上記バッファ層に対する還元処理において、上記バッファ層中の上記第１化合物の実質的に全部を前記第２化合物に還元するものであってもよい。
本構成によれば、還元処理により、上記バッファ層を構成する上記第１化合物の全部を上記第２化合物に還元することにより、バッファ層と封止層とが第１化合物から構成されることになる。これにより、バッファ層の屈折率が封止層の屈折率に等しくなるので、発光機能層から発せられた光が、陰極、バッファ層および封止層の順に透過する際の散乱損失をなくすことができる。従って、発光機能層から封止部を介した外部への光取り出し効率向上を図ることができる。
【００１３】
また、本発明の一態様に係る表示パネルの製造方法では、上記バッファ層に対する還元処理において、バッファ層の厚み方向において上記封止層に近接した領域を還元し、上記第２電極に近接した領域を還元しないものであってもよい。
また、本発明の一態様に係る表示パネルの製造方法は、上記第３工程における還元処理で、ＮＨ3プラズマを照射するものであってもよい。
【００１４】
また、本発明の一態様に係る表示パネルの製造方法は、更に、反応性成膜法により、上記封止層上に第３化合物を主成分とする副バッファ層を形成する工程と、
副バッファ層に対して還元処理を行った状態で、副バッファ層上に第４化合物を主成分とする副封止層を反応性成膜法により形成する工程と、を有し、第３化合物は、上記第２化合物の酸化物であってもよい。
【００１５】
本構成によれば、バッファ層および封止層に加えて更に副バッファ層および副封止層を形成する。これにより、発光機能層や陰極の封止性向上を図ることができる。また、第３化合物が第２化合物の酸化物であることから、第３化合物が第２化合物の酸化物以外の場合に比べて接合強度を大きくすることができる。そして、上記第５工程において還元処理を行うことにより、副バッファ層と副封止層との界面において副バッファ層を構成する化合物と副封止層を構成する化合物との化学結合が形成される。これにより、副バッファ層と副封止層の接合強度が増加するので、副バッファ層と副封止層との密着性が向上する。従って、副バッファ層および副封止層の封止層からの剥離を抑制できる。
【００１６】
また、本発明の一態様に係る表示パネルの製造方法は、上記第４化合物が、酸化物を主成分とするものであってもよい。
また、本発明の一態様に係る表示パネルの製造方法は、上記第２電極が、ＩＴＯ膜からなり、上記第１化合物が、酸窒化シリコンであり、上記第２化合物が、窒化シリコンであってもよい。
【００１７】
また、本発明の一態様に係る表示パネルの製造方法は、前記第５工程において採用する反応性成膜法は、ＡＬＤ法であってもよい。
本構成によれば、ＡＬＤ法により副封止層を形成する。これにより、発光機能層や第１、第２電極の封止性向上を図ることができる。
また、本発明の一態様に係る表示パネルは、第１電極と、第１電極上に形成された発光機能層と、導電性酸化物からなり且つ発光機能層上に形成された第２電極と、第２電極上に形成されるとともに、第２電極の表面を覆うバッファ層と、バッファ層上に形成されるとともに、バッファ層の表面を覆う封止層とを備え、バッファ層の厚み方向において少なくとも封止層の近傍に位置する領域の主成分と封止層の主成分は同じ化合物であり、第２電極とバッファ層との界面およびバッファ層と封止層との界面に、化学結合が形成されている。
【００１８】
また、本発明の一態様に係る表示パネルは、上記バッファ層の実質的に全ての領域の主成分と、上記封止層の主成分は同じ化合物であるってもよい。
また、本発明の一態様に係る表示パネルは、上記バッファ層において、上記封止層の近傍に位置する領域と封止層の間に、封止層の近傍領域に位置する領域の主成分の酸化物を主成分とする層が位置する。
【００１９】
また、本発明の一態様に係る表示パネルは、上記第２電極が、ＩＴＯ膜からなり、上記第１化合物が、酸窒化シリコンであり、上記第２化合物が、窒化シリコンであってもよい。
また、本発明の一態様に係る表示パネルは、上記封止層上に形成されるとともに、封止層の表面を覆う副バッファ層と、第４化合物からなり且つ副バッファ層上に形成されるとともに、副バッファ層の表面を覆う副封止層とを備え、副バッファ層の主成分と上記バッファ層の主成分は同じ化合物であり、封止層と副バッファ層との界面および前記副バッファ層と前記副封止層との界面に、化学結合が形成されている。
【００２０】
また、本発明の一態様に係る表示パネルは、上記第２電極が光透過性を有するものであってもよい。
また、本発明の一態様に係る表示パネルは、上記副封止層が、酸化物を主成分とするものであってもよい。
また、本発明の一態様に係る表示パネルは、上記バッファ層の厚み方向において、上記封止層に近づくほど、バッファ層の主成分である化合物の１つの構成元素の比率が大きくなっているものであってもよい。
【００２１】
また、本発明の一態様に係る表示パネルは、上記副バッファ層の厚み方向において、上記副封止層に近づくほど、上記副バッファ層の主成分である化合物の１つの構成元素の比率が大きくなっているものであってもよい。
＜実施の形態１＞
＜１＞構成
本実施の形態に係る表示装置の構成について説明する。
【００２２】
１．表示装置
図１は、本実施の形態に係る表示装置１の全体構成を模式的に示すブロック図である。
表示装置１は、同図に示すように、平面視矩形状の表示パネル１０と、これに接続された駆動制御部２０とを有する。
表示パネル１０は、例えば、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬタイプであり且つトップエミッション型の表示パネルである。なお、表示パネル１０は、有機ＥＬタイプに限定されず、無機材料の電界発光現象を利用した無機ＥＬタイプであってもよい。また、表示パネル１０は、トップエミッション型に限定されず、ボトムエミッション型でもよい。
【００２３】
駆動制御部２０は、４つの駆動回路２１，２２，２３，２４と、駆動回路２１，２２，２３，２４を制御する制御回路２５とから構成されている。各駆動回路２１，２２，２３，２４は、表示パネル１０の各辺に沿って配置されている。なお、駆動制御部２０内における駆動回路２１，２２，２３，２４および制御回路２５の配置は、図１に示す配置に限定されない。また、駆動回路の個数も４つに限定されるものではない。また、図１に示す駆動制御部２０では、駆動回路２１，２２，２３，２４と制御回路２５とが別体となっているが、例えば、これらの制御回路と駆動回路とが、一つの回路から構成されたものであってもよい。
【００２４】
表示パネル１０の一部を拡大した図を図２に示す。なお、図２において、表示パネル１０の表面に沿った一方向をＸ軸方向とし、表示パネル１０の表面に沿い且つＸ軸方向とは直交する方向をＹ方向としている。
表示パネル１０には、複数のピクセル（画素）が行列状に配置されている。そして、各ピクセルが、Ｘ軸方向に配列された複数個（図２では３個）のサブピクセルから構成されている。この３個のサブピクセルの発光色は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）である。この１つのサブピクセルが、１つの発光素子に相当する。
【００２５】
２．表示パネル
次に、表示パネル１０の構成について説明する。
表示パネル１０を図２のＡ−Ａ線で破断して得られる部分断面図を図３に示す。なお、図３において、Ｘ軸方向は、図２におけるＸ軸方向と同義であり、Ｘ軸およびＹ軸に直交する方向、即ち、表示パネル１０の厚み方向をＺ軸方向としている。
【００２６】
基板１０１上には、サブピクセル単位で陽極（「第１電極」ともいう。）１０７が形成されている。以下、本明細書では、基板１０１を基準にして、基板１０１に各種の機能層が積層されていく方向を上方向とする。この上方向は、図３におけるＺ方向である。
基板１０１上における陽極１０７が形成されていない領域及び陽極１０７上には、正孔注入層１０９が形成されている。即ち、正孔注入層１０９は、陽極１０７が形成された基板１０１の表面の略全体を覆うように形成される。そして、正孔注入層１０９は、陽極１０７間に相当する領域が窪んだ状態となっている。
【００２７】
正孔注入層１０９上における、陽極１０７の間に相当する領域には、バンク（隔壁）１１１が形成されている。
バンク１１１は、正孔注入層１０９における、陽極１０７間に相当する窪んだ領域を埋めるとともに、陽極１０７の周部上面に存する正孔注入層１０９から上方に突出している。このバンク１１１の断面形状は、上方ほど幅が狭くなる台形状である。また、バンク１１１は、平面視略矩形状の陽極１０７それぞれを囲繞するように形成されている。言い換えると、バンク１１１は、平面視において各陽極１０７を囲む井桁状に形成されている。
【００２８】
正孔注入層１０９上のうち、バンク１１１で区分けされた各領域（図３では、隣接するバンク１１１の間に相当する領域）には、所定の光色（上述の、赤、緑、青）用の発光層１１３が形成されている。
発光層１１３上には、電子輸送層１１５が形成されている。この電子輸送層１１５は、発光層１１３の上方のみならず、バンク１１１における発光層１１３よりも上方に突出した部位全体をも覆っている。そして、電子輸送層１１５上には、陰極（「第２電極」ともいう。）１１７が形成され、更に、陰極１１７上には、封止部１１９が形成されている。ここで、陰極１１７は、電子輸送層１１５全体を覆うように形成されており、封止部１１９は、陰極１１７全体を覆うように形成されている。
【００２９】
なお、正孔注入層１０９、発光層１１３、電子輸送層１１５までの３層を「発光機能層」と称する。
３．各構成の詳細
以下、前述した表示パネル１０の各構成について詳細に説明する。
（１）基板
基板１０１は、ＴＦＴ基板１０３と、ＴＦＴ基板１０３上に形成された絶縁膜１０５とからなる。
【００３０】
ＴＦＴ基板１０３は、基板本体と、基板本体上に形成されたＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：薄膜トランジスタ）、配線部材および当該ＴＦＴを被覆するパッシベーション膜等から構成される。なお、図３において、ＴＦＴ，配線部材およびパッシベーション膜等の図示は省略する。基板本体は、例えば、無アルカリガラス、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラス、石英、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、シリコーン系樹脂、又はアルミナ等の絶縁性材料からなる。また、この基板本体は、例えば、有機樹脂フィルムからなるものであっても良い。
【００３１】
絶縁膜１０５は、ＴＦＴ基板１０３の表面段差を平坦化するためのいわゆる平坦化膜である。絶縁膜１０５は、ポリイミド系樹脂またはアクリル系樹脂等の絶縁材料から構成されている。この絶縁膜１０５は、ＴＦＴ基板１０３と、陽極１０７および正孔注入層１０９との間に介在するものであり、層間絶縁膜ともいう。
（２）陽極
陽極１０７は、アルミニウム（Ａｌ）、あるいはアルミニウム合金で形成されている。なお、陽極１０７は、例えば、銀（Ａｇ）、銀とパラジウム（Ｐｄ）と銅（Ｃｕ）との合金、銀とルビジウム（Ｒｂ）と金（Ａｕ）との合金、モリブデン（Ｍｏ）とクロム（Ｃｒ）の合金、ニッケル（Ｎｉ）とクロムの合金等で形成されていても良い。
【００３２】
ここで、陽極１０７の厚みは、例えば、１００［ｎｍ］〜２００［ｎｍ］に設定される。
（３）正孔注入層
正孔注入層１０９は、発光層１１３への正孔の注入を促進する機能を有する。正孔注入層１０９は、例えば、酸化タングステン（ＷＯx）、酸化モリブデン（ＭｏＯx）、酸化モリブデンタングステン（ＭｏxＷyＯz）などの遷移金属の酸化物を含む金属酸化物から形成される。
【００３３】
ここで、正孔注入層１０９の厚みは、例えば、１［ｎｍ］〜１０［ｎｍ］に設定される。
（４）バンク
バンク１１１は、隣接するサブピクセルを区画する機能を有する。バンク１１１は、感光性、絶縁性を有するアクリル系樹脂からなるネガ型レジストを用いて形成される。なお、バンク１１１を形成する材料としては、アクリル系樹脂に限らず、ポリイミド系樹脂やノボラック型フェノール樹脂等でもよい。また、バンク１１１は、ネガ型レジストに限らず、ポジ型レジストを用いて形成されるものであってもよく、或いは、感光性を有しない樹脂材料であってもよい。
【００３４】
また、バンク１１１は、有機溶剤耐性を有することが好ましい。さらに、バンク１１１は、エッチング処理、加熱処理（ポストベーク処理や焼成処理）等が施されるので、それらの処理に対して過度に変形、変質などをしないような耐性の高い材料で形成されることが好ましい。
ここで、バンク１１１の正孔注入層１０９上面からの高さは、例えば、１［ｕｍ］〜２［ｕｍ］に設定される。
【００３５】
（５）発光層
発光層１１３は、有機材料から形成されている。この有機材料としては、例えば、ポリフルオレン、ポリフェニレンビニレン、ポリアセチレン、ポリフェニレン、ポリパラフェニレンエチレン、ポリ３−ヘキシルチオフェンやこれらの誘導体などの高分子材料や、特開平５−１６３４８８号公報に記載されている、オキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体等の蛍光物質が挙げられる。
【００３６】
ここで、発光層１１３の厚みは、例えば１０［ｎｍ］〜１００［ｎｍ］に設定される。
（６）電子輸送層
電子輸送層１１５は、有機材料から形成されている。この有機材料としては、例えば、特開平５−１６３４８８号公報に記載されている、ニトロ置換フルオレノン誘導体、チオピランジオキサイド誘導体、ジフェキノン誘導体、ペリレンテトラカルボキシル誘導体、アントラキノジメタン誘導体、フレオレニリデンメタン誘導体、アントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ペリノン誘導体、キノリン錯体誘導体が挙げられる。そして、本実施の形態では、上記有機材料にバリウム（Ｂａ）がドーピングされている。これにより、電子輸送層１１５は、発光層１１３への電子の注入を促進する機能を有している。なお、電子輸送層１１５に電子注入機能を与えるために上記有機材料にドーピングする材料は、バリウムに限定されるものではなく、例えば、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）などの他のアルカリ金属またはアルカリ土類金属であってもよい。
【００３７】
ここで、電子輸送層１１５の厚みは、例えば、０．５［ｎｍ］〜５０［ｎｍ］に設定される。
（７）陰極
陰極１１７は、発光機能層に電子を注入するための電極である。本実施の形態に係る表示パネル１０は、いわゆるトップエミッション型である。従って、陰極１１７は、発光層１１３から発せられた光に対して透明な材料を用いる必要がある。このような材料としては、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）やＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）等のいわゆる透明電極用に用いられる材料が挙げられる。
【００３８】
ここで、陰極１１７の厚みは、例えば、１０［ｎｍ］〜２００［ｎｍ］に設定される。
（８）封止部
封止部１１９は、発光機能層や陰極１１７等が水分に晒されたり、空気に晒されたりすることを抑制する機能を有する。
封止部１１９は、バッファ層１２１と、バッファ層１２１上に形成された封止層１２３とからなる。
【００３９】
図３における丸で囲んだ部分Ａ１の拡大図に示すように、バッファ層１２１は、２つの層状の領域１２１ａ，１２１ｂから構成される。ここで、領域１２１ａを形成する材料としては、例えば、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、炭素含有酸化シリコン（ＳｉＯＣ）、酸窒素アルミニウム（ＡｌXＯYＮZ）等の化合物が挙げられる。また、封止層１２３や領域１２１ｂを形成する材料としては、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ），窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、等の化合物が挙げられる。
【００４０】
ここで、バッファ層１２１の厚みは、例えば、１［ｎｍ］〜５［ｎｍ］に設定される。また、封止層１２３の膜厚は、例えば１００［ｎｍ］〜１０００［ｎｍ］に設定される。
バッファ層１２１の領域１２１ａを構成する化合物（第１化合物）は、領域１２１ｂを構成する化合物（第２化合物）の酸化物であるほうが好ましい。例えば、領域１２１ｂを形成する材料がＳｉＮである場合、領域１２１ａを形成する材料はＳｉＯＮであるのが好ましい。この場合、ＳｉＯＮからなる膜に対して還元処理を行うことにより、ＳｉＯＮからなる領域１２１ａとＳｉＮからなる領域１２１ｂとからなるバッファ層１２１が形成される。これにより、バッファ層１２１全体の実効的な屈折率を封止層１２３の屈折率に近づけることができるので、発光機能層から発せられた光が、陰極１１７、バッファ層１２１および封止層１２３の順に透過する際の散乱損失を低減することができる。従って、発光機能層から表示パネル１０外部への光取り出し効率向上を図ることができる。
【００４１】
＜２＞製造方法
次に、本実施の形態に係る表示パネル１０の製造工程について説明する。
図４乃至図６は、表示パネル１０の製造工程を示す図である。なお、図４乃至図６では、表示パネル１０の一部を抜き出して模式的に示している。
表示パネル１０の製造工程は、（１）陽極を形成する工程（陽極形成工程）、（２）正孔注入層を形成する工程（正孔注入層形成工程）、（３）バンクを形成する工程（バンク形成工程）、（４）発光層を形成する工程（発光層形成工程）、（５）電子輸送層を形成する工程（電子輸送層形成工程）、（６）陰極を形成する工程（陰極形成工程）、（７）還元性プラズマ処理工程（８）バッファ層を形成する工程（バッファ層形成工程）、（９）還元性プラズマ処理工程、（１０）封止層を形成する工程（封止層形成工程）とから構成されている。
【００４２】
なお、上記の（１）陽極形成工程の前に、基板１０１を準備する工程（基板準備工程）がある。具体的には、ＴＦＴ基板１０３上に絶縁膜１０５を形成する工程（絶縁膜形成工程）と、絶縁膜１０５にＴＦＴ基板１０３上に形成された配線部材と陽極とを電気的に接続するためのコンタクトホールを形成する工程（コンタクトホール形成工程）である。絶縁膜形成工程では、アクリル樹脂等をスピンコートにより塗布した後、加熱処理（ベーク処理）を行う。コンタクトホール形成工程では、周知のフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用してコンタクトホールを形成する。
【００４３】
また、発光機能層を形成する工程、即ち、（２）正孔注入層形成工程から（５）電子輸送層形成工程までの工程をまとめて「発光機能層形成工程」と称する。
以下、基板準備工程後に行われる各工程について詳細に説明する。
（１）陽極形成工程
基板準備工程を経て準備された基板１０１上に、陽極１０７の基となる金属膜（ここでは、アルミニウム（Ａｌ）膜）を成膜する。アルミニウム膜の成膜には、例えば、スパッタリング法や真空蒸着法などの真空成膜法を用いることができる。金属膜を成膜した後、周知のフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して金属膜をパターニングする。これにより、複数の陽極１０７が形成される（図４（ａ）参照）。
【００４４】
（２）正孔注入層形成工程
陽極形成工程の後、基板１０１上面側に、正孔注入層１０９を形成する（図４（ｂ）参照）。正孔注入層１０９は、金属酸化物膜（ここでは、酸化タングステン（ＷＯｘ）膜）からなる。酸化タングステン膜の成膜には、例えば、スパッタリング法や真空蒸着法などの真空成膜法を用いることができる。この真空製膜法を用いた酸化タングステン膜の成膜には、例えば、酸化タングステン（ＷＯｘ）を含む組成物やタングステンが用いられる。
【００４５】
（３）バンク形成工程
正孔注入層形成工程の後、正孔注入層１０９上に、バンク１１１の基となるバンク材料層（図示せず）を形成する。バンク材料層は、ネガ型レジストで構成される。このバンク材料層は、例えば、スピンコートにより塗布した後、加熱処理（プレベーク処理）を行うことにより形成される。
【００４６】
バンク材料層を形成した後、バンク材料層上にフォトマスクを重ね合わせた状態で、フォトマスクの上方から紫外線を照射する。このフォトマスクには、バンク材料層に重ね合わされた状態で、バンク１１１の形成予定領域以外の領域を遮光するようなパターンが形成されている。従って、バンク材料層におけるバンク１１１の形成予定領域のみを感光させることができる。そして、バンク材料層の一部を感光させた後、現像液（例えば、ＴＭＡＨ水溶液）に浸漬することにより、感光していない余分なバンク材料層を除去する。次に、水洗により基板１０１から現像液を除去し、続いて、基板１０１に対して加熱処理（ポストベーク処理および焼成処理）を行うことにより、バンク１１１が形成される（図４（ｃ）参照）。その後、基板１０１を酸素プラズマ処理やＣＦ4を用いたエッチング処理を施すことにより、バンク１１１に対して撥水処理を行う。
【００４７】
（４）発光層形成工程
バンク１１１により区切られた各領域内に、例えば、インクジェット法により、発光材料を含む組成物からなるインクを滴下する。その後、当該インクを乾燥させることにより、発光層１１３が形成される（図５（ａ）参照）。
（５）電子輸送層形成工程
発光層形成工程の後、発光層１１３上に、電子輸送層１１５を形成する（図５（ｂ）参照）。電子輸送層１１５は、例えば、ニトロ置換フルオレノン誘導体からなる。電子輸送層１１５の形成には、真空蒸着法やスピンコート法を用いることができる。電子輸送層１１５を形成した後、電子輸送層１１５の、電子注入性を向上させるために、電子輸送層１１５にバリウム（Ｂａ）を２〜３０ｗｔ％程度ドープする。
【００４８】
（６）陰極形成工程
電子輸送層形成工程の後、電子輸送層１１５上に、陰極１１７を形成する（図５（ｃ）参照）。陰極１１７は、透明な金属酸化物膜（ここでは、ＩＴＯ膜）からなる。ＩＴＯ膜は、化学気相成長（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｉｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＣＶＤ）法により成膜される。なお、ＣＶＤ法としては、熱ＣＶＤ法やプラズマＣＶＤ法のいずれを用いてもよい。また、ＩＴＯ膜は、スパッタリング法や真空蒸着法等の真空成膜法を用いてもよい。
【００４９】
（７）還元性プラズマ処理工程
陰極形成工程の後、陰極１１７が形成された基板１０１を還元性プラズマ雰囲気下に暴露する。ここで、還元性プラズマとして、ＮＨ3プラズマを用いることができる。また、還元性プラズマ雰囲気に暴露する時間は、数秒から数十秒である。なお、還元性プラズマ雰囲気とは、還元作用、すなわち、酸素を引き抜く作用を有するラジカル、イオン、原子、分子等、例えば、水素ラジカルや一酸化炭素（ＣＯ2）等の反応種が支配的に存在する雰囲気を意味する。また、ラジカル、イオンには、原子あるいは分子状のラジカルあるいはイオンが含まれる。また、還元性プラズマ雰囲気内には単一の反応種のみならず、複数種の反応種が含まれていても良い。例えば、水素ラジカルとＮＨ2ラジカルとが混在する雰囲気でもよい。また、ＮＨ3プラズマと称しても、完全なＮＨ3プラズマを意味するものではなく、ＮＨ3プラズマ内に不純物ガス（窒素、酸素、二酸化炭素、水蒸気等）が含有していてもよく、或いは、ＮＨ3プラズマ内に他の希釈ガスや添加ガスが含有されていても良い。
【００５０】
図６中の丸で囲んだ部分Ａ１における、（７）還元性プラズマ処理工程、乃至、（１０）封止層形成工程までの各工程後の断面図を図７および図８に示す。
図７（ａ）に示すように、還元性プラズマ処理工程を経ると、陰極１１７の上面近傍の領域１１７ｂにおいて、ＩＴＯ膜からなる陰極１１７からの酸素原子の脱離に伴い未結合手（不対電子）を有するＩｎ原子及びＳｎ原子が多く発生する。この陰極１１７の上面近傍の領域１１７ｂの深さは、陰極１１７がＮＨ3プラズマに暴露された時間に依存する。そして、陰極１１７内部では、上面近傍の酸素原子が欠損した領域１１７ｂと、酸素原子が欠損していない領域１１７ａとが生じている。
【００５１】
（８）バッファ層形成工程
還元性プラズマ処理工程の後、バッファ層１２１を形成する（図７（ｂ）参照）。バッファ層１２１は、酸化膜（ここでは、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）膜）からなる。ＳｉＯＮ膜は、反応性成膜法の一種であるＣＶＤ法により成膜される。ここで、「反応性成膜法」とは、成膜対象の表面で化学反応が生じさせるような成膜方法を意味する。なお、ＣＶＤ法としては、熱ＣＶＤ法やプラズマＣＶＤ法のいずれを用いてもよい。或いは、反応性スパッタリング法を用いてもよい。
【００５２】
ところで、陰極１１７の上面近傍の領域１１７ｂでは、不対電子を有するＩｎ原子及びＳｎ原子が多く存在しており、これらのＩｎ原子及びＳｎ原子は、ＳｉＯＮ膜からなるバッファ層１２１中の酸素原子との間で化学結合の一種である共有結合を形成しやすい。
一方、陰極形成工程の後、還元性プラズマ処理工程を経ずにバッファ層１２１を形成した場合、陰極１１７の上面近傍の領域１１７ｂには、不対電子を有するＩｎ原子やＳｎ原子がほとんど存在しない。
【００５３】
つまり、本実施の形態に係る製造方法では、還元性プラズマ処理工程を経ることにより、陰極１１７の上面近傍の領域１１７ｂにバッファ層１２１中の酸素原子との間で共有結合を形成しやすいＩｎ原子やＳｎ原子を多く発生させることができる。従って、還元性プラズマ処理工程を経ずにバッファ層１２１を形成した場合と比較して、陰極１１７中のＩｎ原子及びＳｎ原子とバッファ層１２１中の酸素原子との共有結合が多く生じ、その分、陰極１１７とバッファ層１２１との密着性が向上する。
【００５４】
（９）還元性プラズマ処理工程
バッファ層形成工程の後、バッファ層１２１が形成された基板１０１を還元性プラズマ雰囲気下に暴露する。ここで、還元性プラズマとして、ＮＨ3プラズマを用いることができる。また、還元性プラズマ雰囲気に暴露する時間は、数秒から数十秒である。なお、還元プラズマ雰囲気およびＮＨ3プラズマの意味は、前述（７）で説明した内容と同様であるので、ここでは詳細な説明を省略する。
【００５５】
図７（ｃ）に示すように、還元性プラズマ処理工程を経るとＳｉＯＮ膜からなるバッファ層１２１からの酸素原子の脱離に伴い未結合手（不対電子）を有するＳｉ原子およびＮ原子が多数発生する。このバッファ層１２１において未結合手が発生する領域の深さは、バッファ層１２１がＮＨ3プラズマに暴露された時間に依存する。そして、バッファ層１２１内部では、バッファ層１２１のほぼ全域１２１ｂ、即ち、陰極１１７との界面において酸素を含む共有結合を形成した領域１２１ａ以外の全域１２１ｂにおいて酸素原子が脱離することにより、領域１２１ｂに不対電子を有するＳｉ原子およびＮ原子から構成される窒化シリコン（ＳｉＮ、以下、還元ＳｉＮと称する）が存在することとなる。
【００５６】
（１０）封止層形成工程
還元性プラズマ処理工程後、封止層１２３を形成する（図８参照）。封止層１２３は、半導体化合物膜（ここでは、ＳｉＮ膜）からなる。ＳｉＮ膜は、反応性成膜法の一種であるＣＶＤ法により成膜される。なお、ＣＶＤ法としては、熱ＣＶＤ法やプラズマＣＶＤ法のいずれを用いてもよい。或いは、反応性スパッタリング法を用いてもよい。
【００５７】
ところで、バッファ層１２１の上面近傍の領域１２１ｂには、還元ＳｉＮが多く存在しており、これらの還元ＳｉＮを構成するＳｉ原子及びＮ原子は、ＳｉＮ膜からなる封止層１２３中のＳｉ原子およびＮ原子との間で化学結合の一種である共有結合を形成しやすい。
一方、バッファ層形成工程の後、還元性プラズマ処理工程を経ずに封止層１２３を形成した場合、バッファ層１２１の上面近傍の領域１２１ｂには、還元ＳｉＮがほとんど存在しない。
【００５８】
つまり、本実施の形態に係る製造方法では、還元性プラズマ処理工程を経ることにより、バッファ層１２１の上面近傍の領域１２１ｂに還元ＳｉＮを多く発生させることができる。従って、還元性プラズマ処理工程を経ずに封止層１２３を形成した場合と比較して、バッファ層１２１中の還元ＳｉＮを構成するＳｉ原子及びＮ原子と、封止層１２３を構成するＳｉ原子及びＮ原子との化学結合の一種である共有結合が多く生じ、その分、バッファ層１２１と封止層１２３との密着性が向上する。
【００５９】
＜３＞まとめ
以上のように、本実施の形態に係る表示パネル１０の製造方法は、陽極（第１電極）１０７、発光機能層およびＩＴＯからなる陰極（第２電極）１１７の順に積層されてなるパネル中間体に、陰極１１７の上方を覆うことにより陰極１１７を封止する封止層１２３をＣＶＤ法により形成することにより表示パネル１０を製造する表示パネルの製造方法である。そして、還元性プラズマ処理工程において、陰極１１７に対して還元処理を行った後に、バッファ層形成工程において、ＳｉＯＮ（第１化合物）からなるバッファ層１２１をＣＶＤ法により形成する、このとき、ＩＴＯとＳｉＯＮとが共有結合する。次に、還元性プラズマ処理工程において、バッファ層１２１に対して還元処理を行った後に、封止層形成工程において、ＳｉＮ（第２化合物）からなる封止層１２３を形成する。このとき、還元ＳｉＮとＳｉＮとが共有結合する。これにより、陰極１１７とバッファ層１２１、および、バッファ層１２１と封止層１２３それぞれの接合強度が増加するので、陰極１１７と封止層１２３との密着性が向上し、封止層１２３の陰極１１７からの剥離を抑制できる。この結果、表示パネル１０の一部にダークスポットが発生するのを抑制でき、表示パネル１０の表示品質向上を図ることができる。また、ＩＴＯ膜からなる陰極上に直接ＳｉＮ膜からなる封止層を成膜する従来の構成と比べて、陰極と封止層との間の密着性が向上する。
【００６０】
封止層と陰極の界面における密着性が向上することで、封止層が陰極から剥離しにくくすることができる。特に、陰極としてＩＴＯ膜等の導電性酸化物膜を採用した場合、陰極上に直接ＳｉＮからなる封止層を形成した構成では、封止層の厚みがある程度厚くなると封止層の陰極からの剥離が発生し易くなる傾向がある。陰極は、表示パネルの外部に配置された駆動回路に電気的に接続するために、表示パネルの周縁部にまで延伸している。そのため、封止層と陰極の密着性を向上させることで、封止層の一部が陰極から剥離し、表示パネルの周縁部から水蒸気等のガスが当該剥離部分を通じて陰極表面に至り陰極表面に吸着したり、或いは、発光機能層にまで侵入するのを抑制できる。その結果、陰極や発光機能層が劣化し、表示パネルの表示品質の低下を抑制することができる。
【００６１】
さらに、バッファ層１２１を構成するＳｉＯＮは、封止層１２３を構成するＳｉＮの酸化物である。
そして、封止層形成工程前に、還元プラズマ処理工程を行うことにより、バッファ層１２１の封止層１２３側のほぼ全域がＳｉＮから構成されることになる。
これにより、バッファ層１２１全体の実効的な屈折率を封止層１２３の屈折率に近づけることができるので、発光機能層から発せられた光が、陰極１１７、バッファ層１２１および封止層１２３の順に透過する際の散乱損失を低減することができる。
【００６２】
また、バッファ層１２１を構成するＳｉＯＮよりも、封止層を構成するＳｉＮのほうガスバリア性が高い。そのため、陰極１１７上のバッファ層１２１を還元し、さらに封止層１２１をＳｉＮにより形成した封止部は、全てをＳｉＯＮにより形成した封止部よりも、ガスバリア性を向上させることができる。
従って、ガスバリア性を高くすると共に、発光機能層から発せられた光の表示パネル１０外部への光取り出し効率の向上を図ることができる。
【００６３】
ここで、陰極１１７と封止層１２３の間のバッファ層１２１は、封止層１２３に近い上層部のみが還元され、ＳｉＮとなっていてもよい。
ＳｉＮからなる封止層１２３は、熱膨張係数が低く伸縮性が小さい。従って、従来のように、ＩＴＯ膜からなる陰極上に直接ＳｉＮ膜からなる封止層を成膜した構成の場合、ＩＴＯ膜とＳｉＮ膜の熱膨張係数の相違に起因して、封止層１２３が陰極１１７から剥がれたり、封止層１２３に亀裂が生じたりし易い。
【００６４】
陰極１１７と封止層１２３の間のバッファ層１２１が、ＳｉＯＮからなる領域を含むことで、バッファ層１２１の領域１２１ａにおいて、ＩＴＯ膜とＳｉＮ膜の熱膨張係数の相違に起因して生じる応力が緩和される。従って、前述の従来の構成に比べて、封止層１２３の陰極１１７からの剥離や封止層１２３の亀裂の発生を抑制することができるという利点がある。
【００６５】
また、バッファ層１２１の中に形成されたＳｉＯＮからなる応力緩和領域は、バッファ層１２１の一部のみを還元することで形成されたものであるため、ＳｉＯＮからなる応力緩和領域とバッファ層１２１中のＳｉＮからなる領域の接合力は強固である。
そのため、応力緩和領域は、陰極１１７、陰極１１７上にＳｉＯＮからなる層、さらにその上にＳｉＮからなる層を順次形成した封止部と比較して、ＳｉＯＮからなる層とＳｉＮからなる層（応力緩和層）の接合力を高くすることができる。
【００６６】
したがって、封止部の強度を高く保ちながら、陰極１１７と封止層１２３との間に生じる応力を緩和することができる。
なお、実施の形態１では、バッファ層がＳｉＯＮ（第１化合物）からなり、封止層がＳｉＮ（第２化合物）からなるとして説明を行った。しかし、バッファ層や封止層には水素等の不純物が含まれていてもよく、バッファ層の主成分が第１化合物であり、封止層の主成分が第２化合物であればよい。
【００６７】
＜実施の形態２＞
本実施の形態に係る表示パネル２１０の部分断面図を図９に示す。
表示パネル２１０は、封止部２１９の構造が実施の形態１に係る表示パネル１０と相違する。なお、実施の形態１に係る表示パネル１０と同様の構成については同一の符号を付して適宜説明を省略する。
【００６８】
封止部２１９は、バッファ層１２１と、バッファ層１２１上に形成された封止層１２３と、封止層１２３上に形成された副バッファ層２１１と、副バッファ層２１１上に形成された副封止層２１３とからなる。
ここで、副バッファ層２１１を形成する材料としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ），炭素含有酸化シリコン（ＳｉＯＣ），窒化アルミニウム（ＡｌＮ），酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）等の半導体化合物や金属化合物が挙げられる。また、副封止層２１３を形成する材料としては、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化シリコン（ＳｉＯ2）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸窒素アルミニウム（ＡｌXＯYＮZ）等の半導体化合物や金属化合物が挙げられる。
【００６９】
ここで、副バッファ層２１１は、封止層１２３を構成する化合物の酸化物であるほうが好ましい。例えば、封止層１２３を形成する材料がＳｉＮである場合、副バッファ層２１１を形成する材料はＳｉＯＮであるのが好ましい。これは、副バッファ層１２３に対して還元処理を行うことにより、副バッファ層２１１と封止層１２３とがＳｉＮから構成されることになる。すると、副バッファ層２１１全体の実効的な屈折率を封止層１２３の屈折率に近づけることができるので、発光機能層から発せられた光が、陰極１１７、バッファ層１２１および封止層１２３の順に透過する際の散乱損失を低減することができる。
【００７０】
なお、副バッファ層２１１は、実施の形態１のバッファ層と同様に、上方部のみが還元されてＳｉＮとなり、下方部にＳｉＯＮがのこっていてもよい。
副封止層２１３と封止層１２３の間の副バッファ層２１１が、ＳｉＯＮからなる領域を含むことで、副バッファ層２１１において、副封止層２１３と封止層１２３の熱膨張係数の相違に起因して生じる応力を緩和することができる。
【００７１】
次に、本実施の形態に係る表示パネル２１０の製造工程について説明する。
表示パネル２１０の製造工程は、（１）陽極を形成する工程（陽極形成工程）、（２）正孔注入層を形成する工程（正孔注入層形成工程）、（３）バンクを形成する工程（バンク形成工程）、（４）発光層を形成する工程（発光層形成工程）、（５）電子輸送層を形成する工程（電子輸送層形成工程）、（６）陰極を形成する工程（陰極形成工程）、（７）還元性プラズマ処理工程（８）バッファ層を形成する工程（バッファ層形成工程）、（９）還元性プラズマ処理工程、（１０）封止層を形成する工程（封止層形成工程）、（１１）副バッファ層を形成する工程（副バッファ層形成工程）、（１２）還元性プラズマ処理工程、（１３）副封止層を形成する工程（副封止層形成工程）とから構成されている。なお、表示パネル２１０の製造工程のうち、（１）陽極形成工程、乃至（１０）封止層形成工程は、実施の形態１と同様なのでここでは説明を省略する。
【００７２】
（１１）副バッファ層形成工程
図９中の丸で囲んだ部分Ａ２における、（７）還元性プラズマ処理工程、乃至、（１０）封止層形成工程までの各工程後の断面図を図１０に示す。
封止層形成工程の後、副バッファ層２１１を形成する。副バッファ層２１１は、半導体酸化膜（ここでは、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）膜）からなる。ＳｉＯＮ膜は、反応性成膜法の一種であるＣＶＤ法により成膜される（図１０（ａ）参照）。なお、ＣＶＤ法としては、熱ＣＶＤ法やプラズマＣＶＤ法のいずれを用いてもよい。或いは、反応性スパッタリング法を用いてもよい。ここで、バッファ層１２１の厚みは、例えば、１［ｎｍ］〜５［ｎｍ］に設定される。
【００７３】
（１２）還元性プラズマ処理工程
副バッファ層形成工程の後、副バッファ層２１１が形成された基板１０１を還元性プラズマ雰囲気に暴露する（図１０（ｂ）参照）。ここで、還元性プラズマとして、ＮＨ3プラズマを用いることができる。また、還元性プラズマ雰囲気に暴露する時間は、数秒から数十秒である。なお、還元プラズマ雰囲気およびＮＨ3プラズマの意味は、実施の形態１で説明した内容と同様であるので、ここでは詳細な説明を省略する。
【００７４】
還元性プラズマ処理工程を経ると、副バッファ層２１１の少なくとも上面近傍を含む領域２１１ｂにおいて、ＳｉＯＮ膜からなる副バッファ層２１１からの酸素原子の脱離に伴い未結合手（不対電子）を有するＳｉ原子およびＮ原子が多数発生する。一方、副バッファ層２１１における封止層１２３側では、酸素原子が欠損していない領域１２１ａが存在する。結局、還元性プラズマ処理工程を経ると、封止層１２３との界面近傍を含む領域２１１ａ以外の領域２１１ｂの酸素原子が脱離し、領域２１１ｂに不対電子を有するＳｉ原子およびＮ原子から構成される窒化シリコン（ＳｉＮ、以下、還元ＳｉＮと称する）が存在することとなる。
【００７５】
（１３）副封止層形成工程
還元性プラズマ処理工程後、副封止層２１３を形成する。副封止層２１３は、金属化合物膜（ここでは、Ａｌ2Ｏ3膜）からなる。Ａｌ2Ｏ3膜は、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により成膜される。ＡＬＤ法は、Ａｌ2Ｏ3の原料となる反応物を、成膜装置の反応炉内に交互に導入することにより、１原子層毎に成膜する方法である。なお、ＡＬＤ法としては、熱ＡＬＤ法やプラズマＡＬＤ法のいずれを用いてもよい。ここで、封止層１２３の膜厚は、例えば１０［ｎｍ］〜２０［ｎｍ］に設定される。
【００７６】
ここで、ＡＬＤ法による副封止層２１３の成膜方法について詳細に説明する。ここでは、反応物として、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）と水蒸気（Ｈ2Ｏ）とを用いる場合について説明する。
ＡＬＤ法による副封止層２１３の成膜方法を説明するための模式図を図１１および図１２に示す。
【００７７】
（１３−１）まず、成膜装置の反応炉内にＨ2Ｏを導入する。すると、副封止層２１３の上面近傍の還元ＳｉＮがＨ2Ｏ分子により酸化され副封止層２１３表面にＯＨ基が多数生成される（図１１（ａ）参照）。
（１３−２）次に、反応炉内にＴＭＡ分子を供給する。すると、副バッファ層２１１の表面に供給されたＴＭＡ分子が、副バッファ層２１１の表面のＯＨ基と反応することにより、副バッファ層２１１の表面に化学吸着する（図１１（ｂ）参照）。このとき、反応炉内には、副バッファ層２１１の表面に化学吸着されずに残ったＴＭＡ分子や、ＴＭＡ分子の酸化に伴い生成されたメタン（ＣＨ4）が浮遊している。
【００７８】
（１３−３）続いて、反応炉内を不活性ガス（例えば、Ａｒ等）を用いてパージを行い、反応炉内を浮遊しているＴＭＡ分子やＣＨ4分子を除去する。ここで、「パージ」とは、反応炉内への不活性ガスの導入および反応炉内の真空引きを繰り返すことにより、反応炉内に浮遊するＴＭＡ分子やＣＨ4分子を反応炉内から除去することをいう。
（１３−４）その後、反応炉内にＨ2Ｏを導入する（図１１（ｃ）参照）。すると、副バッファ層２１１の表面に化学吸着したＴＭＡ分子とＨ2Ｏ分子とが反応し、１原子層分のＡｌ2Ｏ3膜が成長する（図１２（ａ）参照）。このとき、反応炉内には、ＴＭＡ分子と反応せずに残ったＨ2Ｏ分子や、ＴＭＡ分子とＨ2Ｏ分子との反応に伴い生成されたＣＨ４分子が浮遊している。
【００７９】
（１３−５）次に、反応炉内を不活性ガス（例えば、Ａｒ等）を用いてパージを行い、反応炉内を浮遊しているＨ２Ｏ分子やＣＨ４分子を除去する。
（１３−６）続いて、反応炉内にＴＭＡ分子を導入する。すると、ＴＭＡ分子がＡｌ2Ｏ3膜表面のＯ原子と反応し、ＴＭＡ分子がＡｌ2Ｏ3のＯ原子と化学結合する（図１２（ｂ）参照）。このとき、反応炉内には、Ａｌ2Ｏ3膜表面のＯ原子と反応せずに残ったＴＭＡ分子や、Ｏ原子とＴＭＡ分子との反応に伴い生成されたＣＨ4分子が浮遊している。
【００８０】
（１３−７）その後、反応炉内を不活性ガス（例えば、Ａｒ等）を用いてパージを行い、反応炉内を浮遊しているＴＭＡ分子やＣＨ4分子を除去する。
（１３−８）次に、反応炉内にＨ2Ｏを導入する。すると、Ａｌ2Ｏ3膜の表面に化学吸着したＴＭＡ分子とＨ2Ｏ分子とが反応し、１原子層分のＡｌ2Ｏ3膜が成長する（図１２（ｃ）参照）。
【００８１】
以後、（１３−６）乃至（１３−８）のステップを繰り返すことにより、Ａｌ2Ｏ3膜を１原子層ずつ成長させていく。
なお、本実施の形態では、反応物として、ＴＭＡ分子とＨ2Ｏ分子とを用いる場合について説明したが、これに限定されるものではなく、例えば、Ｈ2Ｏ分子の代わりに酸素分子（Ｏ2）やオゾン（Ｏ3）を用いてもよい。
【００８２】
ところで、副バッファ層２１１の上面近傍の領域２１１ｂには、還元ＳｉＮが多く存在しており、これらの還元ＳｉＮを構成するＳｉ原子及びＮ原子は、未結合手を有し、Ａｌ2Ｏ3膜の構成元素であるＡｌ原子を含有する反応物（ここでは、トリメチルアルミニウム：ＴＭＡ）が化学吸着しやすい。これにより、副バッファ層２１１の表面へのＴＭＡの化学吸着が促進される。
【００８３】
なお、実施の形態２では、副バッファ層が第３化合物からなり、副封止層が第４化合物からなるとして説明を行った。しかし、副バッファ層や副封止層には水素、ＳｉＯＮＨＣ等の副物質が含まれていてもよく、副バッファ層の主成分が第３化合物であり、封止層の主成分が第４化合物であればよい。
＜変形例＞
（１）実施の形態１では、バッファ層３２１を構成するＳｉＮは、バッファ層３２１の厚み方向において封止層１２３に近づくほどＳｉＮの構成元素であるＳｉの比率が大きくなっているものであってもよい。即ち、バッファ層３２１を構成する化合物をＳｉxＮyとした場合、ｙの値がバッファ層３２１の厚み方向において封止層１２３に近づくほど小さくなっているものであってもよい。
【００８４】
（２）実施の形態２では、第３封止層形成工程においてＳｉＯＮ膜を成膜し、第４封止層形成工程においてＡｌ2Ｏ3膜を形成する表示パネル２１０の製造方法を例に挙げて説明したが、これに限定されるものではなく、例えば、第４封止層形成工程においてＳｉＯ膜を成膜するようにしても良い。
（３）実施の形態２では、副封止層２１３をＡＬＤ法により成膜する例について説明したが、副封止層２１３の成膜方法はこれに限定されるものではない。例えば、ＣＶＤ法を採用しても良い。
【００８５】
（４）実施の形態１および２では、表示パネル１０，２１０の一部を構成する封止部１１９，２１９の製造方法について説明したが、封止部１１９，２１９が表示パネル１０，２１０の一部を構成するものに限定されるものではない。例えば、ＩＴＯ膜等の酸化物からなる電極を有する半導体装置のパッシベーション膜を構成する表示パネルの製造方法であってもよい。
【００８６】
（５）実施の形態１および２では、発光機能層が、金属酸化物からなる正孔注入層１０９と、有機材料からなる発光層１１３と、有機材料からなる電子輸送層１１５の３層構造からなる例について説明したが、この構造に限定されるものではなく、例えば、発光機能層が、化合物半導体等の無機材料からなるものであってもよい。また、発光機能層は、発光層１１３以外に電子輸送層１１５等のどのような機能層を含むかは任意である。
【産業上の利用可能性】
【００８７】
本発明は、例えば、家庭用もしくは公共施設、あるいは業務用の各種表示装置、テレビジョン装置、携帯型電子機器用ディスプレイ等として用いられる有機ＥＬ表示パネルの製造方等に好適に利用可能である。
【符号の説明】
【００８８】
１        表示装置
１０，２１０，３１０  表示パネル
２０      駆動制御部
２１，２２，２３，２４  駆動回路
２５      制御回路
１０１    基板
１０３    ＴＦＴ基板
１０７    陽極
１０９    正孔注入層
１１１    バンク
１１３    発光層
１１５    電子輸送層
１１７    陰極
１１９，２１９  封止部
１２１    バッファ層
１２３    封止層
２１１    副バッファ層
２１３    副封止層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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