(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板および前記配線基板に実装された電子部品を含む実装構造体と、蓋体との少なくとも一方に接合材を設け、
真空中において、前記実装構造体と、前記蓋体とを、平面視した場合に前記実装構造体と前記蓋体が対向しない位置に配置し、
前記接合材が溶融する温度以上に加熱し、
前記蓋体または前記実装構造体を移動させることによって、前記蓋体と前記実装構造体とを対向させ、
前記実装構造体と前記蓋体とを、溶融した前記接合材を介して接触させ、
溶融した前記接合材を固化させて、前記実装構造体と前記蓋体とを接合させることを備えた電子デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記移動させることは、前記実装構造体を前記蓋体上に移動させることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記接合材を設けることは、前記接合材を前記蓋体に設けることを特徴とする請求項２に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記配置は、
前記実装構造体を移動部材の上に配置し、
前記移動部材のガイドによって前記実装構造体の位置を決定することを特徴とする請求項１に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記移動は、
前記実装構造体が前記蓋体と対向しない第１位置から、対向する第２位置まで、前記移動部材と治具とを一体となって移動させ、
前記移動部材が前記治具と共に第２位置に到達した後、前記治具を固定したまま前記移動部材を移動させることによって、前記実装構造体を前記移動部材から分離することを特徴とする請求項４に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項６】
真空チャンバーと、
前記真空チャンバー内に位置し、蓋体または実装構造体である第１部材が載置される第１載置面を有する支持部と、
前記真空チャンバー内に位置し、前記蓋体または前記実装構造体であって前記第１部材と
は異なる部材である第２部材が載置される第２載置面を有し、平面視した場合に第１載置面と第２載置面とが対向しない第１位置と、対向する第２位置とを移動可能な移動部と、前記実装構造体および前記蓋体を加熱する加熱部と、
を備える電子デバイス製造装置。
【請求項７】
前記第１部材が、蓋体であり、
前記第２部材が、配線基板および前記配線基板に実装された電子部品を含む実装構造体であることを特徴とする請求項６に記載の電子デバイス製造装置。
【請求項８】
前記移動部が、前記第１載置面に孔を有していることを特徴とする請求項６に記載の電子デバイス製造装置。
【請求項９】
前記加熱部が、前記第１部材を加熱する第１加熱体と、前記第２部材を加熱する第２加熱体とを含むことを特徴とする請求項６に記載の電子デバイス製造装置。
【請求項１０】
前記移動部の上に設けられており、前記第２部材を第２載置面に位置決めしガイドする治具を、さらに含むことを特徴とする請求項６に記載の電子デバイス製造装置。
【請求項１１】
前記移動部を前記第１位置から前記第２位置まで移動させる際に前記移動部と前記治具とを一体で移動させ、前記移動部を前記第２位置から前記第１位置に戻す際に、前記治具と分離して前記移動部のみを第１位置に戻す機構を、さらに含むことを特徴とする請求項１０に記載の電子デバイス製造装置。
【請求項１２】
真空チャンバーと、
前記真空チャンバー内に位置する接着装置とを含み、
前記接着装置は、
第１部材を載置する第１載置面を有する支持部と、
第２部材を載置する第２載置面を有し、前記支持部の上を移動可能な移動部と、
前記移動部の上に位置し、前記移動部に固定されて移動が可能であるとともに、移動部と個別に移動が可能であるガイド部と、
前記第１、第２載置面を加熱する加熱部と、
前記ガイド部を前記移動部に固定させたまま、前記第１載置面を前記第２載置面と対向する位置まで移動させ、前記位置に前記ガイド部を留めるとともに、前記移動部を移動させる移動機構とを具備する電子デバイス製造装置。
【請求項１３】
前記支持部は一表面に凹部を有し、第１載置面が前記凹部の内表面にあることを特徴とする請求項１２に記載の電子デバイス製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、電子デバイスの製造方法および電子デバイス製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、センサ素子等の電子部品を有するセンサ装置等の電子デバイスにおいては、センサ素子の封止空間内に存在する気体分子の量を少なくしたものが知られている。
【０００３】
このような電子デバイスは、真空チャンバー内で作製される。例えば、センサ素子等の電子部品が実装された配線基板と蓋体とが上下方向に向かい合うように配置された状態で、配線基板と蓋体とがそれぞれ加熱される。次に、配線基板と蓋体とが接合されて電子部品が封止されることによって電子デバイスが製造される（特許文献１を参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平2−108314号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このような従来の電子デバイスの製造方法においては、例えば配線基板の表面および蓋体の表面から発生したガスの濃度は配線基板と蓋体との間の空間において高くなり、配線基板または蓋体を上下方向に移動して、配線基板と蓋体とを接合すると、配線基板と蓋体とで囲まれた封止空間に濃度の高いガスが入ってしまい、真空度が低下するという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の一つの態様による電子デバイスの製造方法は、真空中において、配線基板および前記配線基板に実装された電子部品を含む実装構造体と、蓋体とを、平面視した場合に前記実装構造体と前記蓋体が対向しない位置に配置し、前記蓋体と前記実装構造体との少なくとも一方に接合材を設け、前記接合材が溶融する第１温度以上に加熱し、前記蓋体または前記実装構造体を移動させることによって、前記蓋体と前記実装構造体とを対向させ加熱された前記実装構造体と前記蓋体とを前記接合材を介して接触させ、溶融した前記接合材を固化して、前記実装構造体と前記蓋体とを接合させることを含む。
【０００７】
本開示の一つの態様による電子デバイス製造装置は、真空チャンバーと、支持部と、移動部と、加熱部と、を含む。前記支持部は、前記真空チャンバー内に位置し、第１部材を載置する第１載置面を有する。前記移動部は、前記真空チャンバー内に位置し、第２部材を載置する第２載置面を有し、平面視した場合に第１載置面と第２載置面とが対向しない第１位置と、対向する第２位置とを移動可能である。前記加熱部は、前記実装構造体および前記蓋体を加熱する。
【０００８】
本開示の他の態様による電子デバイス製造装置は、真空チャンバーと、前記真空チャンバー内に位置する接着装置とを含む。前記接着装置は、支持部と、移動部と、ガイド部と、加熱部と、移動機構とを含む。前記支持部は、第１部材を載置する第１載置面を有する。前記移動部は、第２部材を載置する第２載置面を有し、前記支持部の上を移動可能である。前記ガイド部は、前記移動部の上に位置し、前記移動部に固定されて移動が可能であるとともに、移動部と個別に移動が可能である。前記加熱部は、前記第１、第２載置面を加熱する。前記移動機構は、前記ガイド部を前記移動部に固定させたまま、前記第１載置
面を前記第２載置面と対向する位置まで移動させ、前記位置に前記ガイド部を留めるとともに、前記移動部を移動させる。
【発明の効果】
【０００９】
本開示の一つの態様による電子デバイスの製造方法によれば、真空中において、実装構造体と、蓋体とを、平面視した場合に実装構造体と蓋体が対向しない位置に配置し、蓋体と実装構造体との少なくとも一方に設けられた接合材が溶融する第１温度以上に加熱し、蓋体または実装構造体を移動させることによって、蓋体と実装構造体とを対向させ加熱された実装構造体と蓋体とを接合材を介して接触させ、溶融した前記接合材を固化して、実装構造体と蓋体とを接合させることを含む。このことから、実装構造体と蓋体とを接合する際に、実装構造体と蓋体との周囲におけるガスの濃度を低減できるので、実装構造体と蓋体とで囲まれた封止空間に入るガスの濃度を低減して、封止空間の真空度の低下を低減できる。
【００１０】
本開示の一つの態様による電子デバイス製造装置は、真空チャンバーと、支持部と、移動部と、加熱部と、を含む。支持部は、真空チャンバー内に位置し、第１部材を載置する第１載置面を有する。移動部は、真空チャンバー内に位置し、第２部材を載置する第２載置面を有し、平面視した場合に第１載置面と第２載置面とが対向しない第１位置と、対向する第２位置とを移動可能である。加熱部は、実装構造体および蓋体を加熱する。このことから、第１部材と第２部材とを接合する際に、第１部材と第２部材とで囲まれた封止空間に入るガスの濃度を低減して、電子デバイスの封止空間の真空度の低下を低減できる。
【００１１】
本開示の他の態様による電子デバイス製造装置は、真空チャンバーと、真空チャンバー内に位置する接着装置とを含む。接着装置は、支持部と、移動部と、ガイド部と、加熱部と、移動機構とを含む。支持部は、第１部材を載置する第１載置面を有する。移動部は、第２部材を載置する第２載置面を有し、支持部の上を移動可能である。ガイド部は、移動部の上に位置し、移動部に固定されて移動が可能であるとともに、移動部と個別に移動が可能である。加熱部は、第１、第２載置面を加熱する。移動機構は、ガイド部を移動部に固定させたまま、第１載置面を第２載置面と対向する位置まで移動させ、位置にガイド部を留めるとともに、移動部を移動させる。このことから、第１部材と第２部材とを接合する際に、第１部材と第２部材とで囲まれた封止空間に入るガスの濃度を低減して、電子デバイスの封止空間の真空度の低下を低減できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本開示の第１の実施形態における電子デバイスの製造方法のフローチャートを示す。
【図２】本開示の第１の実施形態における電子デバイスの製造方法の一工程を示す上面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ線における断面図である。
【図４】本開示の第１の実施形態における電子デバイスの製造方法の一工程を示す断面図である。
【図５】本開示の第１の実施形態における電子デバイスの製造方法の一工程を示す断面図である。
【図６】本開示の第１の実施形態における電子デバイスの製造方法の一工程を示す断面図である。
【図７】本開示の第１の実施形態における電子デバイスの製造方法の一工程を示す断面図である。
【図８】本開示の第１の実施形態の電子デバイスの製造方法における蓋体の上面図である。
【図９】本開示の第１の実施形態の電子デバイスの製造方法における配線基板に電子部品が搭載された状態を示す上面図である。
【図１０】本開示の第１の実施形態の電子デバイス製造装置における断面図である。
【図１１】本開示の第２の実施形態における電子デバイスの製造方法の一工程を示す断面図である。
【図１２】本開示の第２の実施形態における電子デバイスの製造方法の一工程を示す断面図である。
【図１３】本開示の第２の実施形態における電子デバイスの製造方法の一工程を示す断面図である。
【図１４】本開示の第２の実施形態における電子デバイスの製造方法の一工程を示す断面図である。
【図１５】本開示の第１の実施形態における電子デバイス製造装置を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本開示の例示的な実施形態について図面を参照して説明する。
【００１４】
図１に示されているように、本開示の一実施形態における電子デバイスの製造方法は、工程11（すなわち、加熱工程）と工程12（すなわち、接合工程）とを有している。以下、各工程について図１−図10を参照して説明する。
【００１５】
工程11は、実装構造体８と蓋体３とに加熱処理を施すことである。工程11は、真空中において、実装構造体８と、実装構造体８とは上下に対向しない位置に設けられた蓋体３とを加熱することである。工程11において、蓋体３または実装構造体８に設けられた接合材が溶融される。
【００１６】
工程12は、実装構造体８に蓋体３を付着させることである。工程12は、蓋体３および実装構造体８が対向するように蓋体３または実装構造体８を移動させる工程と、実装構造体８に蓋体を付着させる工程とを有している。
【００１７】
なお、図３−図７および図10において、側方とは蓋体３の直上を除く方向であり、上方向とは仮想のＺ軸の正方向のことである。
【００１８】
一実施形態によれば、実装構造体８は、図９に示された例のように、配線基板に電子部品が実装された構造物を言うことがある。
【００１９】
一実施形態において、真空とは、例えば、10３パスカル（Ｐａ）である低真空から、10−２Ｐａの高真空までのことをいう。
【００２０】
一実施形態において、電子デバイスは、赤外線センサデバイスまたはＭＥＭＳデバイスであって良い。ＭＥＭＳデバイスは、ジャイロセンサデバイス、加速度センサデバイス、振動子デバイスまたはミラーデバイスを含む。
【００２１】
電子デバイスが赤外線センサデバイスである場合、電子部品は、赤外線センサである。電子デバイスが赤外線センサデバイスである場合、真空度を、１から10−２Ｐａまで（すなわち、中真空から高真空まで）としても良い。
【００２２】
電子デバイスがジャイロセンサデバイスである場合、電子部品は、ジャイロセンサ素子である。電子デバイスが加速度センサデバイスである場合、電子部品は加速度センサ素子である。電子デバイスがジャイロセンサデバイスまたは加速度センサデバイスである場合、真空度を10２Ｐａから１Ｐａまで（すなわち、中真空）としても良い。
【００２３】
電子デバイスが振動子デバイスである場合、電子部品は振動素子である。電子デバイスがミラーデバイスである場合、電子部品はミラーデバイス素子である。電子デバイスが振動子デバイスまたはミラーデバイスである場合、真空度を10３Ｐａから10１Ｐａまで（すなわち、低真空から中真空まで）としても良い。
【００２４】
図10に示された例のように、本開示の第１の実施形態における電子デバイス製造装置は、真空チャンバー９と、蓋体３を支持する支持部５と、実装構造体８を移動させる移動部６と、実装構造体８および蓋体３を加熱する加熱部７とを有している。支持部５、移動部６および加熱部７は真空チャンバー９内に設けられている。移動部６は、実装構造体８および蓋体３が互いに上下方向位置からずれた状態から、蓋体３および実装構造体８が対向するように、実装構造体８を移動させる。
【００２５】
真空チャンバーとは、支持部５と移動部６と加熱部７とを取り囲んでいる筐体のことを言っても良い。
【００２６】
支持部５は、載置領域５ａを有する凹部を有しており、金属またはセラミックス製の板状の部材である。蓋体３が、載置領域５ａに載置される。
【００２７】
移動部６は、板状部材６ａと、治具６ｂとを含む。板状部材６ａは、実装構造体８の載置領域６ｃを有する。治具６ｂは、板状部材６ａ上に設けられている。治具６ｂは、貫通孔を有している。この貫通孔から、板状部材６ａの載置領域６ｃが露出している。この貫通孔と載置領域６ｃとで囲まれる空間によって、実装構造体８の一部又は全体が収容されていれば良い。なお、板状部材６ａは、載置領域６ｃから下方に延びる孔６ｄを、有していてもよい。孔６ｄは、載置領域６ｃの全体に渡って複数設けられていることが好ましい。
【００２８】
一実施形態における電子デバイスの製造方法は、図１−図10に示された例のように、蓋体３上に実装構造体８を移動させて、蓋体および実装構造体８を対向させる。
【００２９】
第１工程は、図２に示された例のように実装構造体８と蓋体３とが側方に並んで配置された後、真空チャンバー９の内部を高真空の状態にして、実装構造体８と蓋体３とをそれぞれ異なる温度で加熱する工程である。蓋体３は載置領域５ａ上に載置されている。実装構造体８は載置領域６ｃ上に載置されている。
【００３０】
真空チャンバー９内部は、真空排気用ポンプ9ａによってガスを排出されることによっ
て真空度が10−５−10−４Ｐａの高真空状態に維持されている。なお、真空排気用ポンプは、真空チャンバー９に接続されており、真空チャンバー９内のガスを外部に排出するためのポンプである。
【００３１】
加熱処理は、ランプヒーター，ヒータブロックまたはヒータープレート等の加熱部７によって、実装構造体８および蓋体３を例えば185℃−350℃まで上昇させることを言っても良い。
【００３２】
本実施例において、実装構造体８は第１の加熱部７ａによって280℃−350℃の温度で加熱され、蓋体３は第２の加熱部７ｂによって185℃−350℃の温度で加熱される。実装構造体８および蓋体３が加熱されることによって、実装構造体８および蓋体３表面に吸着されているガスが真空チャンバー９内に拡散されて、真空排気用ポンプによって排気される。図10にガスの流れを白抜き矢印で示した。
【００３３】
実装構造体８および蓋体３は、赤外線のランプヒータ，ヒータブロックまたはヒータープレート等の加熱部７によって、それぞれ個別に加熱されても良い。ランプヒータを用いて加熱する場合には、ランプヒータが実装構造体８の上方および蓋体３の上方にそれぞれ配置されて、実装構造体８と蓋体３とが別々に加熱される。これにより、温度制御が容易となり、実装構造体８と蓋体３とをそれぞれ均一に加熱する事が可能となる。
【００３４】
蓋体３には、配線基板２と蓋体３とを接合するための接合材４が設けられており、接合材４は上記加熱装置によって加熱されることによって溶融した状態となる。
【００３５】
配線基板２は、絶縁基体21の表面や内部に配線導体22や外部端子が設けられたものであり、電子部品１を支持するための支持体として機能する。配線基板２は、平面視で四角形状であり、中央部に電子部品１が搭載された凹部24を有していても良い。電子部品１は、ボンディングワイヤ等の接続部材10を介して配線導体22に電気的に接続されていても良い。また、配線基板２は凹部24の周囲の側壁25の上面に金属層25ａが設けても良い。
【００３６】
絶縁基体１は、酸化アルミニウム質焼結体（アルミナセラミックス），窒化アルミニウム質焼結体，ムライト質焼結体もしくはガラスセラミックス質焼結体等のセラミックスを含んで良い。
【００３７】
配線導体22は外部端子と電子部品１とを電気的に接続する。外部端子は配線基板２を外部の電気回路基板に接続する。配線導体22および外部端子は、タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ），マンガン（Ｍｎ），銀（Ａｇ）または銅（Ｃｕ）等の金属材料からなるもので良い。
【００３８】
蓋体３は、電子部品１を封止するように配線基板２に配置されるものである。蓋体３は、平面視で配線基板２と同じ大きさおよび同じ形状であり、一実施形態においては平面視で四角形状で良い。なお、蓋体３には外周側において蓋体３の中央部を囲むような枠形状の接合材４が設けられても良い。
【００３９】
蓋体３は、電子部品１が赤外線センサ素子である場合には、赤外線を透過する材料であればよく、ゲルマニウム（Ｇｅ），シリコン（Ｓｉ），硫化亜鉛（ＺｎＳ）またはこれらを含む合金を用いて良い。
【００４０】
電子部品１が赤外線センサ素子である場合には、蓋体３の上面（実装構造体８と蓋体３との接合後に蓋体３の内面となる面）にゲッター材を設けても良い。ゲッター材は、平面視で赤外線センサ素子の受光部を囲むような枠形状を有していれば良い。これにより、蓋体３で封止した後に、封止空間内に存在する気体分子をゲッター材によって吸着して、封止空間内をさらに高真空の状態とできる。ゲッター材の材料としては、化学的に活性な部材を用いる。具体的には、チタン（Ｔｉ），ジルコニウム（Ｚｒ），鉄（Ｆｅ）およびバナジウム（Ｖ）を主成分とする金属が、ゲッター材の材料として用いることができる。一般的な蒸着方法またはスパッタリング方法によって、ゲッター材を蓋体３に配置して良い。ゲッター材は、第１工程において蓋体３と同時に加熱されることによって活性化されて気体分子を吸着可能な状態として良い。
【００４１】
一実施形態において、接合材４は蓋体３に設けられている。接合材４は、枠形状を有したろう材またははんだのプリフォームであって、蓋体３の中央を取り囲むように配置される。接合材４は、金−錫合金ろう材またははんだ等の金属材料を含むことができる。接合材４は、ペーストを用いてもよいが、ガス発生が極めて少ないプリフォームを用いても良い。
【００４２】
第２工程は、実装構造体８が移動部６によって、支持部５によって支持された蓋体３の上方に移動することを含む。ここで、実装構造体８は移動部６によって支持されている。具体的には、実装構造体８が載置領域６ｃ上に載置されている。
【００４３】
一実施形態によれば、第２工程において、実装構造体８は、図２に示された例のように、凹部24の開口が下方に位置するように移動部６上に配置される。次に、実装構造体８を取り囲むように板状部材６ａ上に治具６ｂが配置される。次に実装構造体８と治具６ｂとが板状部材６ａによって図３に示されたＢ方向に移動する。移動部６はＢ方向に移動されて、図４に示された例のように実装構造体８を蓋体３の上方に位置させて停止する。ここで、蓋体３の上方とは蓋体３の直上を示す。
【００４４】
移動部６は、実装構造体８を配置する側の面が平坦な板状の部材であって良い。移動部６は、ステンレス等のガスの発生が少ない金属材料を含んで良い。また、板状部材６ａに複数の孔６ｄを形成しても良い。これにより、凹部24と移動部６とで囲まれた空間において、加熱時に実装構造体８から発生したガスが溜まりにくくなる。これは、図10に示すように、実装構造体８から発生したガスが複数の孔６ｄを通って真空チャンバー９内に拡散するためである。同様に蓋体３を支持している載置領域５ａに孔６ｄが設けられていてもよい。
【００４５】
第３工程は、図５および図６に示された例のように、実装構造体８が治具６ｂによって水平方向への移動を抑制されるとともに、板状部材６ａのみを水平方向に移動することによって実装構造体８が蓋体３上に落下する工程である。ここで板状部材６ａの水平方向への移動とは、板状部材６ａのみが図５に示された例のＣ方向へと移動することである。
【００４６】
板状部材６ａ上に配置された実装構造体８は、治具６ｂによってＣ方向への移動を抑制されている。したがって、板状部材６ａをＣ方向へ移動しても、実装構造体８はＣ方向へ移動しないので、蓋体３上に落下して、図６に示された例のように実装構造体８が蓋体３上に配置される。落下した後、接合材４を冷却することによって接合材４が固まって、実装構造体８と蓋体３とが接合される。
【００４７】
移動部６は、ＣＰＵでモーターの駆動を制御することによって移動させれば良い。具体的には、第２工程において、実装構造体８が蓋体３の上方の位置まで移動させて停止させること、第３工程において、治具６ｂを停止させた状態で板状部材６ａのみをＣ方向へ移動させること等は、ＣＰＵによる駆動制御で行っても良い。第３工程の後、治具６ｂのみをＣ方向へと移動させることも、ＣＰＵによる駆動制御で行っても良い。
【００４８】
なお、実装構造体８が蓋体３上に落下した後、実装構造体８の自重によって加圧されるので、蓋体３が落下する場合に比べて、接合材４の密度を高めて接合材４内部におけるボイドを低減して、実装構造体８と蓋体３との接合強度を高めることができる。
【００４９】
このような本実施形態における電子デバイスの製造方法によれば、配線基板２および配線基板２に実装された電子部品１を含む実装構造体８と、蓋体３との少なくとも一方に接合材４を設け、真空中において、実装構造体８と、蓋体３とを、平面視した場合に実装構造体８と蓋体３が対向しない位置に配置し、接合材４が溶融する温度以上に加熱し、蓋体３または実装構造体８を移動させることによって、蓋体３と実装構造体８とを対向させ、実装構造体８と蓋体３とを、溶融した接合材４を介して接触させ、溶融した接合材４を固化させて、実装構造体８と蓋体３とを接合させる。このことから、実装構造体８と蓋体３とを接合する際に、実装構造体８と蓋体３との周囲におけるガスの濃度を低減できるので、実装構造体８と蓋体３とで囲まれた封止空間に入るガスの濃度を低減して、封止空間の真空度の低下を低減できる。
【００５０】
本実施形態における電子デバイスの製造方法は、上記構成において、蓋体３上に実装構造体８を移動させて、蓋体３および実装構造体８を対向させることから、接合材４が実装構造体８の重さによって加圧されるので、蓋体３が落下する場合に比べて、接合材４の密度を高めて接合材４内部におけるボイドを低減して、実装構造体８と蓋体３との接合強度を高めることができる。
【００５１】
本実施形態における電子デバイスの製造方法は、上記構成において、接合材４が蓋体３に予め設けられており、加熱処理によって接合材４を溶融される。よって、接合材４の上方に移動部６等のようなものが無いので、接合材４から発生するガスの拡散が遮られることはない。よって、接合材４から生じるガスを効率良く拡散できる。
【００５２】
本実施形態の電子デバイス製造装置は、真空チャンバー９と、真空チャンバー９内に位置し、第１部材（すなわち、蓋体３または実装構造体８）が載置される第１載置面（すなわち、載置領域５ａ）を有する支持部５と、真空チャンバー９内に位置し、第２部材（すなわち、蓋体３または実装構造体８のうち第１部材とは異なる部材）が載置される第２載置面（すなわち、板状部材６ａの載置領域６ｃ）を有し、平面視した場合に第１載置面と第２載置面とが対向しない第１位置と、対向する第２位置とを移動可能な移動部６と、実装構造体８および蓋体３を加熱する加熱部７とを有している。このような構成であることから、配線基板２と蓋体３とを接合する際に、配線基板２と蓋体３とで囲まれた封止空間に入るガスの濃度を低減して、電子デバイスの封止空間の真空度の低下を低減できる。
【００５３】
本実施形態の電子デバイス製造装置は、上記構成において、支持部５が、蓋体３の載置領域５ａを有しており、移動部６が、実装構造体８の載置領域６ｃを有していることから、蓋体３上に実装構造体８を配置できる。接合材４が、実装構造体８の重さによって加圧されるので、蓋体３が落下する場合に比べて、接合材４の密度を高めて接合材４内部におけるボイドを低減して、実装構造体８と蓋体３との接合強度を高めることができる。
【００５４】
本実施形態の電子デバイス製造装置は、上記構成において、移動部６が、実装構造体８の載置領域６ｃから延びる孔６ｄを有していることから、実装構造体８から生じるガスが、孔６ｄを通って拡散されるので、実装構造体８の配線基板２の凹部内のガスの濃度を低減できる。
【００５５】
本実施形態の電子デバイス製造装置は、上記構成において、加熱部７が、実装構造体８を加熱する第１の加熱体７ａと、蓋体３を加熱する第２の加熱体７ｂとを含んでいることから、実装構造体８と蓋体３とを異なる温度で加熱できる。
【００５６】
本実施形態の電子デバイス製造装置は、真空チャンバー９と、真空チャンバー９内に位置する接着装置とを含み、接着装置は、第１部材（すなわち、蓋体３または実装構造体８）を載置する第１載置面（すなわち、載置領域５ａ）を有する支持部５と、第２部材（すなわち、蓋体３または実装構造体８のうち第１部材とは異なる部材）を載置する第２載置面（すなわち、板状部材６ａの載置領域６ｃ）を有し、支持部５の上を移動可能な移動部（すなわち、板状部材６ａ）と、移動部の上に位置し、移動部に固定されて移動が可能であるとともに、移動部と個別に移動が可能であるガイド部（すなわち、治具６ｂ）と、第１、第２載置面を加熱する加熱部７と、ガイド部を移動部に固定させたまま、第１載置面を第２載置面と対向する位置まで移動させ、この位置にガイド部を留めるとともに、移動部を移動させる移動機構とを有する。このような構成であることから、配線基板２と蓋体３とを接合する際に、配線基板２と蓋体３とで囲まれた封止空間に入るガスの濃度を低減して、電子デバイスの封止空間の真空度の低下を低減できる。
【００５７】
（第２の実施形態）
次に、本開示の第２の実施形態による電子デバイスの製造方法について、図11−15を参照しつつ説明する。
【００５８】
本開示の第２の実施形態における電子デバイスの製造方法において、上記した第１の実施形態の電子デバイスの製造方法と異なる点は、図11−14に示された例のように、実装構造体８上に蓋体３を移動させて、実装構造体８および蓋体３を対向させる点である。このような第２の実施形態における電子デバイスの製造方法は、第１の実施形態と比較して、配線基板２の凹部24が移動部６に覆われていないことから、実装構造体８から発生したガスが凹部24に溜まりにくいので、封止空間に入るガスの濃度をさらに低減できる。
【００５９】
なお、この第２の実施形態において、接合材４は配線基板２に設けられていても良い。具体的には、接合材４は配線基板２の上面に凹部24を取り囲むように枠状に設けられていれば良い。
【００６０】
また、図15に示された例のように、凹部を有する蓋体３を用いても良い。このような場合には、移動部６側に蓋体３の凹部の開口部が位置するようにして、蓋体３を移動部６に配置しておけばよい。
【００６１】
なお、本開示は上記の実施形態の例に限定されるものではなく、種々の変更は可能である。例えば、複数の配線基板領域を有する多数個取り配線基板に蓋体３を設ける場合にも、上記製造方法が適用可能である。多数個取り配線基板は、分割されて配線基板２となるものである。このような場合には、多数個取り配線基板に蓋体３を設けた後に、蓋体３と多数個取り配線基板とを合わせて分割することによって電子デバイスが作製できる。
【００６２】
また、第１部材を移動部６上に配置した状態で加熱してもよい。
【００６３】
また、接合材４はペースト状であって蓋体３上に枠形状に塗布されて配置されていてもよい。
【００６４】
また、ゲッター材は、絶縁基体１上に設けてもよい。その場合、上記ゲッター材の金属粉体をペースト化したものを、直接絶縁基体１上に焼結する、または、コバルト等の金属板上にゲッター材を焼結したものを、絶縁基体１上にロウ材等で接合してもよい。
【符号の説明】
【００６５】
１・・・・電子部品
２・・・・配線基板
21・・・・絶縁基体
22・・・・配線導体
24・・・・凹部
25・・・・側壁
25ａ・・・金属層
３・・・・蓋体
４・・・・接合材
５・・・・支持部
６・・・・移動部
６ａ・・・板状部材
６ｂ・・・治具
７・・・・加熱部
８・・・・実装構造体
９・・・・真空チャンバー
９ａ・・・真空排気用ポンプ
10・・・・接続部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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