(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
６．４ｎｍ〜７．２ｎｍの波長を有する放射を反射する多層ミラーであって、前記多層ミラーは、
材料の第１の層および材料の第２の層を含む複数の交互する材料の層であって、前記第２の層は、前記第１の層より高い前記放射に対する屈折率を有し、前記第１の層の材料および前記第２の層の材料は、その間のインターフェースで３００℃より低い温度で相互に化学的に反応せず、前記第１の層の各々は、前記第１の層と隣接する第２の層との間のインターフェースに界面部分を含む、複数の交互する材料の層を含み、
前記第１の層の前記界面部分は、バリウムおよびバリウム化合物から選択された材料から成り、前記隣接する第２の層は、ＣａＢ６およびＢａＢ６からなる群から選択された材料から成る、又は、
前記第１の層の前記界面部分は、セリウム、セリウム化合物、ダイヤモンド状炭素および窒化ホウ素から選択された材料から成り、前記隣接する第２の層は、Ｂ、Ｂ４Ｃ、Ｂ９Ｃ、ＣａＢ６およびＢａＢ６からなる群から選択された材料から成る、
多層ミラー。
【請求項２】
前記界面部分はダイヤモンド状炭素から成る、請求項１に記載の多層ミラー。
【請求項３】
前記第１の層の各々は、ウランおよびその化合物、タリウムおよびその化合物、ランタンおよびその化合物からなる群から選択された材料を有する第１の部分を含み、前記界面部分は、前記第１の層の前記第１の部分と前記隣接する第２の層との間に配置される、請求項１に記載の多層ミラー。
【請求項４】
前記界面部分は、前記第１の層のうちの１層と前記第２の層のうちの１層との間の各インターフェースに存在する、請求項３に記載の多層ミラー。
【請求項５】
前記界面部分は第１の層全体を形成し、前記第１の層の各々は、バリウム、バリウム化合物、セリウム、セリウム化合物、ダイヤモンド状炭素および窒化ホウ素から選択された材料から成る、請求項１に記載の多層ミラー。
【請求項６】
前記第２の層の各々は、ＣａＢ６およびＢａＢ６からなる群から選択された材料から成り、前記第１の層の各々は、ウランおよびその化合物、タリウムおよびその化合物、ランタンおよびその化合物、バリウムおよびその化合物、セリウムおよびその化合物、ダイヤモンド状炭素および窒化ホウ素からなる群から選択された材料から成る、請求項１に記載の多層ミラー。
【請求項７】
前記第１の層の各々は、バリウムから成る、またはＢａＢ６以外のその化合物から成る、請求項６に記載の多層ミラー。
【請求項８】
６．４ｎｍ〜７．２ｎｍの波長を有する放射を反射する多層ミラーであって、前記多層ミラーは、
材料の第１の層および材料の第２の層を含む複数の交互する材料の層であって、前記第２の層は、前記第１の層より高い前記放射に対する屈折率を有し、前記第１の層および前記第２の層の材料が相互に混ぜ合わされた各境界領域の幅は、０．５ｎｍ以下である、複数の交互する材料の層を含む、多層ミラー。
【請求項９】
６．４ｎｍ〜７．２ｎｍの波長を有する放射ビームをその断面にパターンを与えて提供するパターニングデバイスであって、請求項１〜８のうちのいずれかに記載の多層ミラーを備える、パターニングデバイス。
【請求項１０】
パターニングデバイスから基板上にパターンを投影するリソグラフィ投影装置であって、前記リソグラフィ装置は、請求項１〜８のうちのいずれかに記載の多層ミラーおよび／または請求項９に記載のパターニングデバイスを備える、リソグラフィ投影装置。
【請求項１１】
６．４ｎｍ〜７．２ｎｍの波長を有する放射ビームを調整する照明システムと、
放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成するパターニングデバイスを保持するサポート構造と、
基板を保持する基板テーブルと、
前記パターン付き放射ビームを前記基板のターゲット部分上に投影する投影システムと
をさらに備える、請求項１０に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項１２】
請求項１〜８のうちのいずれかに記載の多層ミラーが以下の：
前記照明システム、
前記パターニングデバイス、および
前記投影システム
のうちのいずれか１つまたは複数のうちの一部を形成する、請求項１１に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項１３】
６．４ｎｍ〜７．２ｎｍの波長を有する放射を反射するための多層ミラーを形成する方法であって、前記方法は、
交互する材料の第１の層および第２の層を含む複数の交互する材料の層を提供することを含み、
前記第１の層の材料は、バリウムおよびバリウム化合物からなる群から選択され、前記第２の層の材料は、ＣａＢ６およびＢａＢ６からなる群から選択され、又は、
前記第１の層の前記材料は、セリウム、セリウム化合物、ダイヤモンド状炭素および窒化ホウ素からなる群から選択され、前記第２の層の前記材料は、Ｂ、Ｂ４Ｃ、Ｂ９Ｃ、ＣａＢ６およびＢａＢ６からなる群から選択される、
方法。
【請求項１４】
６．４ｎｍ〜７．２ｎｍの波長を有する放射を反射するための多層ミラーを形成する方法であって、前記方法は、
交互する材料の第１の層および第２の層を含む複数の交互する材料の層を提供することであって、前記第１の層の材料は、ウランおよびその化合物、タリウムおよびその化合物、ランタンおよびその化合物、バリウムおよびその化合物、セリウムおよびその化合物、ダイヤモンド状炭素および窒化ホウ素からなる群から選択され、前記第２の層の材料は、ＣａＢ６およびＢａＢ６からなる群から選択される、こと
を含む、方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願への相互参照
[001]  本願は、２０１１年６月１５日に出願した米国仮出願第６１／４９７，３３８号の優先権を主張し、その全体を本願に参考として組み込む。
【０００２】
[002]  本発明は、多層ミラーおよびその多層ミラーを含むリソグラフィ装置に関する。
【背景技術】
【０００３】
[003]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、または１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。
【０００４】
[004]  リソグラフィは、ＩＣや他のデバイスおよび／または構造の製造における重要なステップの１つとして広く認識されている。しかしながら、リソグラフィを使用して作られるフィーチャの寸法が小さくなるにつれ、リソグラフィは、小型ＩＣあるいは他のデバイスおよび／または構造を製造できるようにするためのより一層重要な要因になりつつある。
【０００５】
[005]  リソグラフィ装置は、通常、放射ビームを調整するように構成された照明システムと、放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成することができる、レチクルまたはマスクなどのパターニングデバイスを支持するように構築されたサポートサポート構造と、基板を保持するように構築された基板テーブルと、パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影システムとを含む。
【０００６】
[006]  パターン印刷の限界の理論推定値を、式（１）に示す解像度に関するレイリー基準によって得ることができる。
【数１】
0005951010.tif 000002
上の式で、λは使用される放射の波長であり、ＮＡＰＳはパターンを印刷するために使用される投影システムの開口数であり、ｋ１はレイリー定数とも呼ばれるプロセス依存調整係数であり、ＣＤは印刷されたフィーチャのフィーチャサイズ（またはクリティカルディメンジョン）である。式（１）から、フィーチャの最小印刷可能サイズの縮小は、以下の３つの方法、露光波長λを短縮することによって、開口数ＮＡＰＳを増加させることによって、あるいはｋ１の値を低下させることによって達成することができる、と言える。
【０００７】
[007]  露光波長を短縮するため、したがって、最小印刷可能サイズを縮小するためには、極端紫外線（ＥＵＶ）放射源を使用することが提案されている。ＥＵＶ放射源は、約１３．５ｎｍおよび／または１３．５ｎｍ未満の放射波長を出力するように構成される。したがって、ＥＵＶ放射源は、小さいフィーチャ印刷を達成するための重要なステップを構成し得る。そのような放射を極端紫外線または軟Ｘ線と呼ぶこともでき、可能な放射源としては、例えば、レーザ生成プラズマ源、放電プラズマ源、または電子蓄積リングからのシンクロトロン放射が挙げられる。
【０００８】
[008]  放射をパターニングデバイスおよび基板のそれぞれの所望の配置上に合焦させるために、照明システムおよび投影システムの両方が複数の光学要素を含むことが好ましい。あいにく、低密度の一部のガスを除いて、ＥＵＶ放射を透過させる材料は知られていない。
【０００９】
[009]  したがって、ＥＵＶ放射を用いるリソグラフィ装置は、その照明システムおよびその投影システム内に透過型レンズを使用しない。代わりに、照明システムおよび投影システムはミラーを含むことが好ましい。さらに、パターニングデバイスは、同様の理由のために、反射型デバイス、例えば、吸収材料によって形成されたパターンが設けられた反射面を有するミラー、であることが好ましい。
【００１０】
[0010]  デバイスフィーチャに対する最小印刷可能寸法をさらに縮小するために、約６．９ｎｍ、例えば、６．４〜７．２ｎｍのさらに低い波長を有するＥＵＶ放射を使用することが望ましい。
【００１１】
[0011]  約６．９ｎｍ、例えば、６．４〜７．２ｎｍの波長を有するＥＵＶ放射を反射させるために、（特に）Ｌａ、ＵまたはＴｈおよびＢまたはＢ化合物、例えば、Ｂ４ＣまたはＢ９Ｃ、などの金属の交互層を有する多層ミラーが提案されている。そのような多層ミラーは、ブラッグの法則に従ってＥＵＶ放射を反射する。多層ミラーの良好な光学性能は、交互層間にシャープなインターフェイス（すなわち、遷移）を必要とする。しかしながら、交互層間の境界領域は、例えば、交互層の材料の相互拡散から、交互層が混ざり合っているところで生じ得る。これはシャープさを減少させ、それによって結果として生じる多層ミラーの光学性能（例えば、反射率）に悪影響を及ぼし得る。
【００１２】
[0012]  そのような混ざり合った境界領域は、異なる交互層を形成する材料間の化学的相互作用から生じ得る。例えば、ＢとＬａとの間のインターフェースでは、高い化学反応性がＢとＬａとの間に存在し、ＬａＢ６の形成およびＢ層とＬ層との間のインターフェースのシャープさの減少へと繋がり得る。このプロセスは、ＢがＢ４Ｃによって置換されたときにも起こる。別の例では、ＬａとＢ（またはＢ４Ｃ）とのインターフェースでは、（例えば、そのような多層ミラーを作成する際の多層設計の形成中の）比較的軽いＢ（またはＢ４Ｃ）層原子の表面に到達する比較的重いＬａ原子の高い運動エネルギーが、Ｌａによる約２ｎｍまでもの深さになるＢ（Ｂ４Ｃ）層への埋め込みという結果となり得る。そのような埋め込みは、結果として生じる混ざり合った境界層により、Ｌａ層とＢ層との間のインターフェースのシャープさの減少となり得る。
【発明の概要】
【００１３】
[0013]  例えば、本明細書中または他で特定されているか否かにかかわらず、従来経験された少なくとも１つの課題を軽減または緩和するか、あるいは、既存の多層ミラーの代替物を提供する多層ミラーを提供することが望ましい。したがって、特に、約６．４ｎｍ〜約７．２ｎｍの波長を有する放射を反射するのに適した多層ミラーであって、この多層ミラーの反射率が従来のミラーと比較して向上される多層ミラーを提供することが、本発明の一態様である。
【００１４】
[0014]  本発明の第１の態様は、約６．４ｎｍ〜約７．２ｎｍの波長を有する放射を反射するように構築および配置された多層ミラーであって、この多層ミラーは、材料の第１の層および材料の第２の層を含む複数の交互する材料の層を含み、第２の層は、第１の層より高い放射に対する屈折率を有し、第１の層および第２の層は、その間のインターフェースで３００℃より低い温度で相互に化学的に反応しないように効果的である材料から成る、多層ミラーを提供する。
【００１５】
[0015]  第１の層と第２の層との間のインターフェースでは、通常、第１の層からの材料および第２の層からの材料が混合されて形成される境界領域がある。この境界領域では、第１の層の材料から第２の層の材料へといった組成物の遷移がある。従来の多層ミラーでは、この境界領域は約１ｎｍまたはそれ以上の幅を有し得る。そのような境界層は、局所的に高温が経験されることがある場合、ミラーの形成中に材料の相互浸透から生じるか、あるいは、続いて起こる材料の相互拡散から生じ得る。本発明の第１の態様の多層ミラーに関して、第１の層と第２の層との間の境界領域の幅は、０．５ｎｍ以下、好ましくは０．３ｎｍ以下、より好ましくは０．２ｎｍ以下、さらに０．１ｎｍ以下の低さであってもよい。
【００１６】
[0016]  したがって、本発明の第１の態様は、約６．４ｎｍ〜約７．２ｎｍの波長を有する放射を反射するように構築および配置された多層ミラーであって、多層ミラーは、材料の第１の層および材料の第２の層を含む複数の交互する材料の層を含み、第２の層は第１の層より高い放射に対する屈折率を有し、第１の層および第２の層が相互に混ぜ合わされた各境界領域の幅は、０．５ｎｍ以下である、多層ミラーを提供することであるともいえる。
【００１７】
[0017]  境界領域の幅は、多層ミラーを介して境界領域の断面を測定するために走査型電子顕微鏡を用いるエネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＡＸ）のような適切な手段によって測定することができる。本明細書では、境界領域の幅は、境界領域が第１の層の材料の９５％モル濃度から第２の層の材料の９５％モル濃度へと延在する領域の幅と定義している。
【００１８】
[0018]  本発明の第２の態様は、約６．４ｎｍ〜約７．２ｎｍの範囲内の波長を有する放射ビームをその断面にパターンを与えて提供するように構築および配置されたパターニングデバイスであって、本発明の第１の態様の多層ミラーを備えるパターニングデバイスを提供する。
【００１９】
[0019]  本発明の第３の態様は、パターニングデバイスから基板上にパターンを投影するように配置されたリソグラフィ投影装置であって、リソグラフィ装置は、本発明の第１の態様による多層ミラーおよび／または本発明の第２の態様によるパターニングデバイスを備える、リソグラフィ投影装置を提供する。
【００２０】
[0020]  本発明の第４の態様は、約６．４ｎｍ〜約７．２ｎｍの波長を有する放射を反射するための多層ミラーを形成する方法であって、方法は、交互する材料の第１の層および第２の層を含む複数の交互する材料の層を提供することを含み、第１の層の材料は、バリウム、バリウム化合物、セリウム、セリウム化合物、ダイヤモンド状炭素および窒化ホウ素からなる群から選択され、第２の層の材料は、Ｂ、Ｂ４Ｃ、Ｂ９Ｃ、ＣａＢ６およびＢａＢ６からなる群から選択される、方法が提供される。
方法が提供される。
【００２１】
[0021]  本発明の第５の態様は、約６．４ｎｍ〜約７．２ｎｍの波長を有する放射を反射するための多層ミラーを形成する方法であって、方法は、交互する材料の第１の層および第２の層を含む複数の交互する材料の層を提供することを含み、第１の層は、ウランおよびその化合物、タリウムおよびその化合物、ランタンおよびその化合物、バリウムおよびその化合物、セリウムおよびその化合物、ダイヤモンド状炭素および窒化ホウ素からなる群から選択された材料から成り、第２の層料は、ＣａＢ６およびＢａＢ６からなる群から選択された材料から成る、方法が提供される。
【００２２】
[0022]  本発明の第１の態様は、約６．４ｎｍ〜約７．２ｎｍの波長を有する放射を反射するように構築および配置された多層ミラーを提供する。多層ミラーは、材料の第１の層および材料の第２の層を含む複数の交互する材料の層を含む。第２の層は、第１の層より高い放射に対する屈折率を有する。第１の層および第２の層は、その間のインターフェースで３００℃より低い温度で相互に化学的に反応しないように効果的な材料から成る。既に述べたように、本発明の第１の態様は、第１の層および第２の層が相互に混ぜ合わされた交互層間の各境界領域の幅が０．５ｎｍ以下である多層ミラーを提供することであるともいえる。
【００２３】
[0023]  第１の層の厚さおよび第２の層の厚さの合計は、約２．２ｎｍ〜約３．５ｎｍであってよい（すなわち、一層の第１の層および一層の第２の層を組み合わせた厚さ）。交互層（第１および第２の層）は、第１の層または第２の層の厚さの約１．７〜約２．５倍である周期厚さ（すなわち、層の対の合計厚さ）を有してよい。言い換えると、第１の層の厚さは、第１の層および第２の層の合計厚さの約４０〜６０％であってよく、第２の層の厚さは、第１の層および第２の層の合計厚さの約６０〜４０％であってもよい。通常、多層ミラーは、約３０〜約２００の層の対を含んでよい。
【００２４】
[0024]  第１の層は、その構成において１つより多い材料を含んでもよい。例えば、第１の層は、第１の層と第２の層との間のインターフェースに界面部分を含んでもよい。
【００２５】
[0025]  第１の層の界面部分または第１の層全体は、バリウム、バリウム化合物、セリウム、セリウム化合物、ダイヤモンド状炭素および窒化ホウ素から選択された材料から成ってよく、第２の層は、Ｂ、Ｂ４Ｃ、Ｂ９Ｃ、ＣａＢ６およびＢａＢ６からなる群から選択された材料から成ってよい。好ましくは、第１の層の界面部分または第１の層全体は、ダイヤモンド状炭素から成ってもよい。
【００２６】
[0026]  第１の層は、ウランおよびその化合物、タリウムおよびその化合物、ランタンおよびその化合物からなる群から選択された材料の第１の部分を含んでよく、界面部分は、第１の層の第１の部分と第２の層との間に配置される。言い換えると、第１の部分および界面部分が各第１の層を構成するといったように、第１の層自体が２つ以上の層を含んでもよい。
【００２７】
[0027]  第１の層の界面部分は、第１の層と隣接する第２の層との間のいくつかのインターフェースのうちの１つだけに存在し得るか、あるいは、界面部分は、第１の層と第２の層との間の各インターフェースに存在し得る。
【００２８】
[0028]  本発明の第１の態様による１つの適切な構成においては、界面部分が第１の層全体を形成し、その第１の層は、バリウム、バリウム化合物、セリウム、セリウム化合物、ダイヤモンド状炭素および窒化ホウ素から選択された材料、好ましくはダイヤモンド状炭素から成る。言い換えると、この構成では、第１の層の各々は、本明細書中に述べたように、単一の材料（すなわち、単一の要素または単一の化合物）から成る。
【００２９】
[0029]  本発明の第１の態様による別の構成では、第２の層は、ＣａＢ６およびＢａＢ６からなる群から選択された材料から成ってよく、材料の第１の層は、ウランおよびその化合物、タリウムおよびその化合物、ランタンおよびその化合物、バリウムおよびその化合物、セリウムおよびその化合物、ダイヤモンド状炭素および窒化ホウ素からなる群から選択される。好ましくは、この構成に対しては、第１の層は、バリウムまたはＢａＢ６以外のバリウム化合物から成る。
【００３０】
[0030]  第１の層の材料に対して使用される適切な化合物としては、フッ化物、窒化物、炭化物、酸化物、水素化物、ヨウ化物などの化合物が挙げられる。
【００３１】
[0031]  第１の層がウラン化合物を含む場合、ウラン化合物は、ＵＦ３、ＵＦ４、ＵＦ５、ＵＣｌ３、ＵＣｌ４、ＵＣｌ５、ＵＩ３、ＵＩ４、ＵＯ、ＵＯ２、ＵＯ３、Ｕ３Ｏ８、Ｕ２Ｏ５、Ｕ３Ｏ７、Ｕ４Ｏ９、ＵＴｅ２、ＵＴｅ３、ＵＮ、Ｕ２Ｎ３およびＵ３Ｎ２からなる群から選択されてよい。第１の層がトリウム化合物を含む場合は、そのトリウム化合物は、ＴｈＦ３、ＴｈＦ４、ＴｈＣｌ４、ＴＨＩ２、ＴｈＩ３、ＴｈＩ４、ＴｈＨ２、ＴｈＯ２、ＴｈＳｅ２およびＴｈＮからなる群から選択されてよい。第１の層がランタン化合物を含む場合、ランタン化合物は、ＬａＨ２、ＬａＨ３、ＬａＦ３、ＬａＣｌ３、ＬａＩ３、Ｌａ２Ｏ３、ＬａＳｅおよびＬａＴｅからなる群から選択されてよい。第１の層がバリウム化合物を含む場合、バリウム化合物は、ＢａＦ２、Ｂａ３Ｎ２、ＢａＣ２、ＢａＯ、ＢａＨ２およびＢａＩ２からなる群から選択されてよい。
【００３２】
[0032]  第１の層がセリウム化合物を含む場合、そのセリウム化合物はＣｅ、ＣｅＣ２、ＣｅＮ、ＣｅＩ２、ＣｅＦ２、ＣｅＨ２からなる群から選択されてよい。一実施形態では、セリウム化合物はＣｅＣ２およびＣｅＮから選択されてよい。
【００３３】
[0033]  ミラーは、基板のターゲット部分上にパターン付き放射ビームを投影するように構成された投影システムの一部を形成してよい。代替的にまたはそれに加えて、ミラーは、放射ビームを調整するように構成された照明システムの一部を形成してもよい。
【００３４】
[0034]  本発明の第２の態様は、約６．４ｎｍ〜約７．２ｎｍの波長を有する放射ビームを提供するように構築及び配置されたパターニングデバイスを提供する。パターニングデバイスは、放射ビームの断面にパターンを与えるように配置される。パターニングデバイスは、本発明の第１の態様の多層ミラーを備える。パターニングデバイスはレチクルまたはマスクであってもよい。本発明の第１の態様の多層ミラーは、断面にパターンを有する放射ビームを提供するように構築および配置されたパターニングデバイスの少なくとも一部を形成してよい。レチクルまたはマスクには、パターンを規定するように配置された吸収材料を有する構造が与えられてよい。吸収材料は、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ａｌまたはその組み合わせである。多層ミラーは、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｔａ、Ｔｉまたはそのあらゆる組み合わせを含むキャッピング層が設けられた実質的に反射性の表面を有してよい。
【００３５】
[0035]  本発明の第３の態様は、パターニングデバイスから基板上にパターンを投影するように配置されたリソグラフィ投影装置を提供する。このリソグラフィ装置は、本発明の第１の態様による多層ミラーおよび／または本発明の第２の態様によるパターニングデバイスを備える。
【００３６】
[0036]  本発明の第３の態様のリソグラフィ装置は、約６．４ｎｍ〜約７．２ｎｍの波長を有する放射ビームを調整するように構成された照明システムと、放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成するように適合されたパターニングデバイスを保持するように構築されたサポート構造と、基板を保持するように構築された基板テーブルと、パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影システムとをさらに備える。本発明の第１の態様による多層ミラーは、照明システム、パターニングデバイスおよび投影システムのうちのいずれか１つまたは複数のうちの一部を形成してよい。
【００３７】
[0037]  本発明の第４の態様は、約６．４ｎｍ〜約７．２ｎｍの波長を有する放射を反射するための多層ミラーを形成する方法であって、方法は、交互する材料の第１の層および第２の層を含む複数の交互する材料の層を提供することを含み、第１の層の材料は、バリウム、バリウム化合物、セリウム、セリウム化合物、ダイヤモンド状炭素および窒化ホウ素からなる群から選択され、第２の層の材料は、Ｂ、Ｂ４Ｃ、Ｂ９Ｃ、ＣａＢ６およびＢａＢ６からなる群から選択される、方法が提供される。一実施形態では、第２の層の材料は、ＢａＦ２およびＢａＩ２から選択される。
【００３８】
[0038]  本発明の第５の態様は、約６．４ｎｍ〜約７．２ｎｍの波長を有する放射を反射するための多層ミラーを形成する方法であって、方法は、交互する第１の層および第２の層を含む交互層を提供することを含み、第１の層は、ウランおよびその化合物、タリウムおよびその化合物、ランタンおよびその化合物、バリウムおよびその化合物、セリウムおよびその化合物、ダイヤモンド状炭素および窒化ホウ素からなる群から選択された材料から成り、第２の層料は、ＣａＢ６およびＢａＢ６からなる群から選択された材料から成る、方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
[0039]  本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参照符号は対応する部分を示す。
【図１】[0040]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。
【図２】[0041]  図２は、図１のリソグラフィ投影装置のＥＵＶ照明システムおよび投影システムの側面図を概略的に示す。
【図３】[0042]  図３は、本発明の一実施形態による図１のリソグラフィ装置の多層ミラーを概略的に示す。
【図４】[0043]  図４は、図３の多層ミラーの実施形態の反射率を波長の関数として概略的に示す。
【図５】[0043]  図５は、図３の多層ミラーの実施形態の反射率を波長の関数として概略的に示す。
【図６】[0043]  図６は、図３の多層ミラーの実施形態の反射率を波長の関数として概略的に示す。
【図７】[0043]  図７は、図３の多層ミラーの実施形態の反射率を波長の関数として概略的に示す。
【図８】[0043]  図８は、図３の多層ミラーの実施形態の反射率を波長の関数として概略的に示す。
【図９】[0043]  図９は、図３の多層ミラーの実施形態の反射率を波長の関数として概略的に示す。
【図１０】[0043]  図１０は、図３の多層ミラーの実施形態の反射率を波長の関数として概略的に示す。
【図１１】[0043]  図１１は、図３の多層ミラーの実施形態の反射率を波長の関数として概略的に示す。
【図１２】[0043]  図１２は、図３の多層ミラーの実施形態の反射率を波長の関数として概略的に示す。
【図１３】[0043]  図１３は、図３の多層ミラーの実施形態の反射率を波長の関数として概略的に示す。
【図１４】[0043]  図１４は、図３の多層ミラーの実施形態の反射率を波長の関数として概略的に示す。
【図１５】[0043]  図１５は、図３の多層ミラーの実施形態の反射率を波長の関数として概略的に示す。
【図１６】[0043]  図１６は、図３の多層ミラーの実施形態の反射率を波長の関数として概略的に示す。
【図１７】[0043]  図１７は、図３の多層ミラーの実施形態の反射率を波長の関数として概略的に示す。
【図１８】[0043]  図１８は、図３の多層ミラーの実施形態の反射率を波長の関数として概略的に示す。
【図１９】[0043]  図１９は、図３の多層ミラーの実施形態の反射率を波長の関数として概略的に示す。
【図２０】[0043]  図２０は、図３の多層ミラーの実施形態の反射率を波長の関数として概略的に示す。
【図２１】[0043]  図２１は、図３の多層ミラーの実施形態の反射率を波長の関数として概略的に示す。
【発明を実施するための形態】
【００４０】
[0044]  本明細書中、「含んでいる」または「含む」という用語は特定された（１つ以上の）構成要素を含むがその他の存在も除外しないことを意味する。「本質的に〜からなっている」または「本質的に〜からなる」という用語は、特定された構成要素を含むが、不純物として存在する材料またはその構成要素を提供するために用いられる過程の結果として存在する不可避な材料および本発明の技術的効果を得る目的以外の目的のために追加された構成要素以外の他の構成要素を除外する。通常、本質的に一組の構成要素からなる組成物は、非特定の構成要素の１０重量％未満、一般的には５重量％未満、より一般的には３重量％未満、例えば、１重量％未満を含む。
【００４１】
[0045]  「含む」または「含んでいる」という用語の使用は、必要に応じて、「本質的に〜からなっている」または「本質的に〜からなる」の意味を含むこともできる。
【００４２】
[0046]  本明細書または特許請求の範囲に述べられた任意および／または好ましい特徴は、個別にまたは必要に応じて互いに組み合わせて、特に添付の特許請求の範囲に記載されたような組み合わせで使用されてもよい。本明細書中に述べられた本発明の各態様に対する任意および／または好ましい特徴は、必要に応じて、本発明の他のあらゆる態様にも適用できる。
【００４３】
[0047]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。このリソグラフィ装置は、放射ビームＢ（例えば、ＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスクまたはレチクル）ＭＡを支持するように構築され、かつパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに連結されたパターニングデバイスサポートまたはサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築され、かつ基板を正確に位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに連結された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば、反射投影レンズシステム）ＰＳとを備える。
【００４４】
[0048]  照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。しかしながら、放射ビームＢを調整するように構成された光コンポーネントは、ビームＢを構成する放射の波長により、反射型であることが好ましい。
【００４５】
[0049]  サポート構造は、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。 
【００４６】
[0050]  「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。放射ビームに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応することができる。
【００４７】
[0051]  パターニングデバイスは、透過型であってもよいが、ＥＵＶ放射ビームをパターン付けするために用いる場合は反射型であることが好ましい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レべンソン型(alternating)位相シフト、およびハーフトーン型(attenuated)位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。
【００４８】
[0052]  「投影システム」という用語は、使われている露光放射にとって、あるいは特に真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学系、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含し得る。ガスは放射または電子を吸収しすぎることがあるので、ＥＵＶ放射および／または電子ビーム放射に対しては真空を使用することが望ましい場合がある。したがって、真空壁および真空ポンプを用いてビームパス全体に真空環境を提供することができる。
【００４９】
[0053]  本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、反射型のもの（例えば、反射型マスクを採用しているもの）である。また、リソグラフィ装置は、透過型のもの（例えば、透過型マスクを採用しているもの）であってもよいが、これは特に約６．４〜７．２ｎｍの波長の放射を用いた場合にＥＵＶリソグラフィ装置では実用的ではない可能性が高い。
【００５０】
[0054]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルは並行して使うことができ、または予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。
【００５１】
[0055]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受ける。例えば、放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源が水銀ランプである場合、放射源は、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムとともに、放射システムと呼んでもよい。
【００５２】
[0056]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータおよびコンデンサといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。
【００５３】
[0057]  放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡから反射した後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサＩＦ１を使い、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることもできる。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡおよび基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１およびＭ２と、基板アライメントマークＰ１およびＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。
【００５４】
[0058]  例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。 
【００５５】
[0059]  １．ステップモードにおいては、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。
【００５６】
[0060]  ２．スキャンモードにおいては、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。
【００５７】
[0061]  ３．別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００５８】
[0062]  上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
【００５９】
[0063]  図２は、放射システム４２、照明光学ユニット４４および投影システムＰＳを含む、図１のリソグラフィ装置をより詳細に示す。放射システム４２は、放電プラズマ（ＤＰＰ源）によって形成され得る放射源ＳＯを含む。ＥＵＶ放射は、電磁スペクトルのＥＵＶ範囲内の放射を放出するために非常に高温のプラズマが生成される、例えば、Ｘｅガス、Ｌｉ蒸気あるいはＳｎ蒸気などのガスまたは蒸気によって生成され得る。非常に高温のプラズマは、少なくとも部分的にイオン化されたプラズマを、例えば、放電によって生成することによって作り出すことができる。例えば、１０ＰａのＸｅ、Ｌｉ、Ｓｎ蒸気、あるいは任意の他の適したガスまたは蒸気の分圧が、放射の効率的な生成のために必要とされることがある。放射源ＳＯによって放出される放射は、放射源チャンバ４７から、放射源チャンバ４７における開口部内またはその後方に位置決めされたガスバリアまたは汚染物質トラップ４９を介してコレクタチャンバ４８へと進む。ガスバリア４９はチャネル構造を含んでもよい。
【００６０】
[0064]  コレクタチャンバ４８は、かすめ入射コレクタによって形成され得る放射コレクタ５０を含む。放射コレクタ５０は、上流放射コレクタ側５０ａおよび下流放射コレクタ側５０ｂを有する。コレクタ５０を通った放射は、格子スペクトルフィルタ５１から反射してコレクタチャンバ４８内のアパーチャにおける仮想光源点５２に合焦することができる。放射ビーム５６は、集光チャンバ４８から、法線入射リフレクタ５３および５４を介してレチクルまたはマスクテーブルＭＴ上に位置決めされたレチクルまたはマスク上へと照明光学ユニット４４内で反射する。パターン付きビーム５７が形成され、これは、投影システムＰＳにおいて反射要素５８および５９を介してウェーハステージまたは基板テーブルＷＴ上に結像される。示されたものよりも多くの要素が照明光学ユニット４４および投影システムＰＳに通常存在してもよい。格子スペクトルフィルタ５１は、リソグラフィ装置のタイプによって任意的に存在してもよい。さらに、図示されているものより多くのミラーがあってもよく、例えば、５８および５９より１〜４個多くの反射要素が存在してもよい。放射コレクタ５０は従来から知られている。コレクタ５０は、リフレクタ１４２、１４３および１４６を有する入れ子化されたコレクタであってもよい。２つのリフレクタ、例えば、リフレクタ１４２とリフレクタ１４３との間に空間１８０が設けられる。
【００６１】
[0065]  別の実施形態（図示せず）では、放射源はレーザ生成プラズマ放射源（ＬＰＰ源）であってよい。
【００６２】
[0066]  上述したように、約６．４ｎｍ〜７．２ｎｍの波長を有するＥＵＶ放射を反射するためには、その放射に対して吸収性を有する材料およびその放射に対して実質的に光学的に透過な材料からなる交互層を有する多層ミラーが提案されている。より詳細には、約６．４〜７．２ｎｍの波長を有するＥＵＶ放射を反射するためには、従来では、（特に）Ｌａ、ＵまたはＴｈおよびＢまたはＢ化合物、例えば、Ｂ４ＣまたはＢ９Ｃ、などの金属の交互層から形成される多層ミラーが提案されている。
【００６３】
[0067]  図３は、本発明による多層ミラー１の一実施形態を示す。多層ミラー１は、約６．４ｎｍ〜約７．２ｎｍの波長を有する放射を反射するように構築および配置される。多層ミラーは、基板８によって支持された交互層４および６を有する層状構造２を含む。本発明の実施形態では、多層ミラーは、投影システムおよび照明システムのようなリソグラフィ装置の様々な部分に配置されるか、または、そのリソグラフィ装置のパターニングデバイスの一部を形成してもよい。
【００６４】
[0068]  一実施形態では、本明細書中に述べたように、交互層４および６は、第１の層に対して、ウランおよびその化合物、タリウムおよびその化合物、ランタンおよびその化合物、バリウムおよびその化合物、セリウムおよびその化合物、ダイヤモンド状炭素および窒化ホウ素であってよい。この構成では、第２の層は、ＣａＢ６およびＢａＢ６からなる群から選択されてよい。
【００６５】
[0069]  一実施形態では、本明細書中に述べたように、第１の層は、バリウム、バリウム化合物、セリウム、セリウム化合物、ダイヤモンド状炭素および窒化ホウ素からなる群から選択されてよく、第２の層は、Ｂ、Ｂ４Ｃ、Ｂ９Ｃ、ＣａＢ６およびＢａＢ６からなる群から選択されてよい。
【００６６】
[0070]  第１の層および第２の層は、３００℃より低い温度での層間のインターフェースにおいて相互に化学的に反応しないように効果的な材料からなる。第１の層と第２の層との間のインターフェースでは、通常、第１の層からの材料および第２の層からの材料が混ざり合って形成される境界領域がある。この境界領域では、第１の層の材料から第２の層の材料への遷移組成物がある。従来の多層ミラーでは、この境界領域は約１ｎｍの幅を有し得る。そのような境界層は、局所的に高温が経験されることがある場合にミラーの形成中の材料の相互浸透から生じるか、あるいは、続いて起こる材料の相互拡散から生じ得る。理論に縛られることなく、３００℃より低い温度で相互に化学的に反応しない第１の層および第２の層に対して材料を提供することは、この境界領域の幅が縮小されることを可能にし、対象の放射、例えば、約６．４〜７．２ｎｍの波長を有する放射に対する第１の層の屈折率および第２の層の屈折率との間によりシャープなコントラストを提供することが考えられる。
【００６７】
[0071]  第１の層４と第２の層６との間には、第１の層４と第２の層６との間の拡散をさらに減少するように構成された任意の中間層７が提供されることが図３から分かる。適切な中間層は、例えば、固形の（すなわち、材料自体またはその化合物として）Ｍｏ、Ｃｒ、ＳｎまたはＣｓを含んでよい。Ｃｓは固形であって中間層として使用されることが好ましく、この材料は有利な点を有し得る。１つの可能な利点としては、ＣｓがＥＵＶ放射に対して最も透過性を有する材料のうちの１つであるが、中間層７は、存在する場合、交互する第１の層４と第２の層６との間の境界領域の幅に寄与し得る。したがって、そのような任意の中間層７が、存在する場合、非常に薄い厚さ（例えば、単層など、０．２ｎｍ以下）からなることが好ましいか、あるいは、全く存在しないことがより好ましい。
【００６８】
[0072]  図３の多層ミラー１の交互層４および６は、マグネトロンスパッタリングまたは電子ビームスパッタリングなどの堆積技術によって適切に製造されることができる。
【００６９】
[0073]  多層ミラー１の多層構造２は、機械的脆弱性を減少させるために基板８によって支持されてよい。さらに、図３の点線が繰り返し交互する第１の層４および第２の層６の不特定の数を示すことに留意されたい。通常、ミラー１の多層構造２は、交互層の３０〜２００周期の数、すなわち、総数６０〜４００の間の層によって形成される。さらに、図は縮尺通りではなく単なる例証として概略的に示されていることに留意されたい。
【００７０】
[0074]  ＢａＦ２およびＢａＩ２は、薄い層のスパッタ堆積に適したマグネトロンターゲットの形態で通常利用可能であるため、特に、第１の層に適した材料である。
【００７１】
[0075]  ＣｅＣ２およびＣｅＮは、セリウム化合物が第１の層で使用される場合において、第１の層に適した材料である。なぜなら、これらの化合物は、元素セリウムより僅かに高い反射率および幅広い反射帯域幅を提供する（すなわち、より広い範囲の波長にわたる高い反射率で反射する）からである。
【００７２】
[0076]  ＢがＣａＢ６およびＢａＢ６などの六ホウ化物の形態で第２の層に存在する場合、単にＢとして存在する場合と比較してＬａなどの第１の層の材料に対するインターフェースにおいてあまり化学的に活性的ではない。この反応性の欠如は、多層ミラー構造内のインターフェースにおいて屈折率のシャープなコントラストを提供することに役立つ。
【００７３】
[0077]  さらに、六ホウ化物は高密度であり、これは多層構造の第１の層と第２の層との間により高いコントラストをもたらし得る。しかしながら、カチオンＢａまたはＣａの存在は、金属カチオンの存在から生じる吸収効果により反射率のわずかな減少へと繋がるが、システムの全体的な反射率は向上される。
【００７４】
[0078]  ダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ）は、第１の層における材料としての使用を魅力的にする特定の性質を有している。特に、ＤＬＣ（主にｓｐ３結合された）は、非晶質炭素または黒鉛（主にｓｐ３結合された）の密度より高い密度を有している。これは、ホウ素のような第２の層の材料との高屈折率コントラストを与え、所望の波長の範囲において約８０％の高い理論反射率をもたらすことができる。さらに、ＤＬＣ状の炭素では、炭素原子は、通常、ｓｐ３結合によって互いに強く結合され、これにより、第１の層における炭素とホウ素などの第２の層で用いられるあらゆる材料との間の化学反応性を減少させる。
【００７５】
[0079]  窒化ホウ素（ＢＮ）が第１の層の材料として使用され、ホウ素が第２の層の材料として使用された場合、多層ミラーは、堆積が進むにつれて周期的なホウ素の硝化と交互するホウ素の堆積による比較的単純な方法で製造することができる。
【００７６】
[0080]  第１の層がバリウムまたはその化合物から成り、第２の層がＢ、Ｂ４Ｃ、Ｂ９Ｃ、ＣａＢ６およびＢａＢ６からなる群から選択された化合物から成る場合、第１の層のバリウム化合物はＢａＢ６以外の化合物であることが好ましい。これは、第１の層と第２の層との間の屈折率に良いコントラストを保証するためである。
【００７７】
[0081]  本発明による第１の層と第２の層とのいくつかの組み合わせに対して、高い屈折率が示される帯域幅が従来の多層ミラーより狭くなり得る。そのようなミラーは、例えば、放射源コレクタまたは中間焦点の後の第１のミラーとしての使用により適し得る。なぜなら、これらの光デバイスは、通常、光デバイスの幅にわたって狭い範囲の入射角しか経験することがなく、そのため、狭い帯域幅の多層ミラーは、約６．４ｎｍ〜約７．２ｎｍの波長を有する放射に対する反射率において実質的な減少という結果に必ずしもならない。
【００７８】
[0082]  図４〜図２１の全ては、本発明の多層ミラーにおける使用に適した材料の様々な組み合わせの交互層に対する波長λの関数として理論上期待される反射率Ｒを示すグラフである（層と層との間のインターフェースで混ざり合いがないことを想定している）。
【００７９】
[0083]  図４〜図２１に示す例に説明する材料の組み合わせは、約６．４ｎｍ〜約７．２ｎｍの波長を有する放射を反射するように構築および配置された多層ミラーにおける使用のための第１の層および第２の層に対する材料の特に好ましい組み合わせである。これらの材料の組み合わせの使用は、層の厚さ、層の対の数といった例に示される他の技術的詳細に関係なく本発明の一部として開示されている。
【００８０】
[0084]  これらの各々の図に対して、入射角は９０°であり、異なる層は均等の厚さであり（各々が合計厚さの５０％の厚さを有する）、第１の層と第２の層との対の数は１０００である。
【００８１】
[0085]  図４は、合計厚さ＝３．３１ｎｍを有するＢａ／Ｂ多層ミラーに対する理論反射率を示す。
【００８２】
[0086]  図５は、合計厚さ＝３．３２ｎｍを有するＬａ／Ｂ多層ミラー（比較例）に対する理論反射率を示す。
【００８３】
[0087]  図６は、合計厚さ＝３．３１ｎｍを有するＢａ／Ｂ４Ｃ多層ミラーに対する理論反射率を示す。
【００８４】
[0088]  図７は、合計厚さ＝３．３１ｎｍを有するＢａＩ２／Ｂ多層ミラーに対する理論反射率を示す。
【００８５】
[0089]  図８は、合計厚さ＝３．３１５ｎｍを有するＢａＯ／Ｂ多層ミラーに対する理論反射率を示す。
【００８６】
[0090]  図９は、合計厚さ＝３．３１５ｎｍを有するＢａＨ２／Ｂ多層ミラーに対する理論反射率を示す。
【００８７】
[0091]  図１０は、合計厚さ＝３．３１５ｎｍを有するＢａ３Ｎ２／Ｂ多層ミラーに対する理論反射率を示す。
【００８８】
[0092]  図１１は、合計厚さ＝３．３１５ｎｍを有するＢａＣ２／Ｂ多層ミラーに対する理論反射率を示す。
【００８９】
[0093]  図１２は、合計厚さ＝３．３３ｎｍを有するＣｅ／Ｂ多層ミラーに対する理論反射率を示す。
【００９０】
[0094]  図１３は、合計厚さ＝３．３３ｎｍを有するＣｅＮ／Ｂ多層ミラーに対する理論反射率を示す。
【００９１】
[0095]  図１４は、合計厚さ＝３．３３ｎｍを有するＣ／Ｂ多層ミラー（密度＝２．２ｇ／ｃｍ３バルク炭素）に対する理論反射率を示す。
【００９２】
[0096]  図１５は、合計厚さ＝３．３３ｎｍを有するＣ／Ｂ多層ミラー（密度＝２．７ｇ／ｃｍ３バルク炭素）に対する理論反射率を示す。
【００９３】
[0097]  図１６は、合計厚さ＝３．３３ｎｍを有するＣ／Ｂ多層ミラー（密度＝３．２ｇ／ｃｍ３バルク炭素）に対する理論反射率を示す。
【００９４】
[0098]  図１７は、合計厚さ＝３．３３ｎｍを有するＣ／Ｂ多層ミラー（密度＝３．５ｇ／ｃｍ３バルク炭素）に対する理論反射率を示す。
【００９５】
[0099]  図１８は、合計厚さ＝３．２９ｎｍを有するＢＮ／Ｂ多層ミラーに対する理論反射率を示す。
【００９６】
[00100]  図１９は、合計厚さ＝３．３３５ｎｍを有するＬａ／ＣａＢ６多層ミラーに対する理論反射率を示す。
【００９７】
[00101]  図２０は、合計厚さ＝３．３４ｎｍを有するＬａ／ＢａＢ６多層ミラーに対する理論反射率を示す。
【００９８】
[00102]  図２１は、合計厚さ＝３．３９ｎｍを有するＵ／ＣａＢ６多層ミラーに対する理論反射率を示す。
【００９９】
[00103]  本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。
【０１００】
[00104]  光リソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、当然のことながら、本発明は、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、光リソグラフィに限定されることはない。
【０１０１】
[00105]  本発明の具体的な実施形態を上記で説明したが、当然のことながら、説明したもの以外でも本発明を行ってもよい。例えば、多層ミラーは、約６．４ｎｍ〜約７．２ｎｍの範囲における波長を有する放射の反射が望ましいかまたは必要とされるあらゆる用途（例えば、放射源、アライメントシステム等）で用いられてもよい。
【０１０２】
[00106]  説明および例証した実施形態は、例示のためであって特徴を限定していないと考えるべきである。好ましい実施形態のみが説明および示され、請求の範囲に規定された本発明の範囲内の全ての変更および修正が保護されることが望ましいと理解されたい。説明における「好ましい」、「好ましくは」、「好まれた」または「より好ましい」などの用語の使用は、説明した特徴が望ましいことを示唆しているが、必須の特徴ではなく、そのような特徴を欠く実施形態を添付の特許請求の範囲に規定された本発明の範囲内で考察してもよい。特許請求の範囲に関して、「ａ」、「ａｎ」等の冠詞、「少なくとも一つ」または「少なくとも一部」などの用語が特徴の前に使用されている場合、請求項において特段明記しない限り請求項をその一つの特徴のみに限定することを意図していない。「少なくとも一部」および／または「一部」という用語が使用されている場合、その要素は、特段明記しない限り要素の一部および／または要素全体を含んでもよい。
【０１０３】
[00107]  上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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