(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換部と、
前記光電変換部に接続される第１電極及び第２電極とを含み、
前記第１電極は、複数のフィンガー電極部を含むフィンガー電極と、前記複数のフィンガー電極部と交差する方向に形成されるメイン部分及び前記メイン部分から突出する突出部分を少なくとも一つ含むバスバー電極とを含み、
前記突出部分は、前記複数のフィンガー電極部のうち少なくとも２つ以上にわたって形成され、
前記フィンガー電極と平行な方向への前記突出部分の突出長さは、前記メイン部分の幅よりも小さく、
前記突出部分は、前記メイン部分の両方の端部にそれぞれ位置する複数の端部突出部と前記メイン部分の内部領域から突出する中央突出部を含み、
前記複数の端部突出部と前記中央突出部のそれぞれは、前記メイン部分の両側に対称に配置し、
前記フィンガー電極と平行な方向への前記中央突出部の突出長さは、前記フィンガー電極と平行な方向の端部突出部のそれぞれの突出長さよりも短く、
前記フィンガー電極は、前記突出部分の外郭に対応する位置で前記フィンガー電極部と交差する方向に形成されるアライメントマーク部をさらに含む、太陽電池。
【請求項２】
前記突出部分の前記突出長さが０．１ｍｍ〜０．７ｍｍである、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項３】
前記メイン部分の長さ方向と平行な方向への前記突出部分の幅が２ｍｍ〜１０ｍｍである、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項４】
前記突出部分が、前記複数のフィンガー電極部のうち２個〜１０個のフィンガー電極にわたって形成される、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項５】
前記フィンガー電極と平行な方向において前記突出部分を備えた前記バスバー電極の幅が、２．１ｍｍ〜３．４ｍｍである、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項６】
前記第１電極に接続されるリボンをさらに含み、
前記リボンは、前記バスバー電極上に位置する一側端部と、隣接する太陽電池に延びる他側部分を有し、
前記端部突出部は、前記バスバー電極に位置する前記リボンの端部と隣接する第１端部突出部と、前記第１端部突出部と反対の位置に位置する第２端部突出部とを含み、
前記第１端部突出部の幅が、前記第２端部突出部の幅と同一またはより広い、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項７】
前記中央突出部と前記端部突出部が均一な間隔で規則的に配置される、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項８】
前記第１電極に接続されるリボンをさらに含み、
前記フィンガー電極と平行な方向において前記突出部分を備えた前記バスバー電極の幅が、前記リボンの幅よりも広い、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項９】
前記リボンの幅と前記バスバー電極の前記メイン部分の幅の比率が、１：０．８０〜１：１．２２である、請求項８に記載の太陽電池。
【請求項１０】
前記光電変換部は、半導体基板及びエミッタ領域を含み、
前記光電変換部は、前記エミッタ領域上に形成される絶縁膜をさらに含み、
前記フィンガー電極は、前記絶縁膜を貫通して前記エミッタ領域に接触して形成され、
前記バスバー電極は、前記絶縁膜上に形成される、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項１１】
前記フィンガー電極は、前記光電変換部上に位置する第１層と、前記第１層上に位置する第２層とを含む二層構造を有し、
前記バスバー電極は、前記第２層と同一の物質及び厚さを有する単一層である、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項１２】
前記第１層と前記第２層とが互いに異なる物質で形成される、請求項１１に記載の太陽電池。
【請求項１３】
前記第２電極に接続されるリボンをさらに含み、
前記第２電極の幅は、前記リボンよりの幅より広い、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項１４】
光電変換部と、
前記光電変換部に接続される第１電極及び第２電極とを含み、
前記第１電極は、複数のフィンガー電極部を含むフィンガー電極と、前記複数のフィンガー電極部と交差する方向に形成されるメイン部分及び前記メイン部分から突出する突出部分を少なくとも一つ含むバスバー電極とを含み、
前記フィンガー電極と平行な方向において前記突出部分を備えた前記バスバー電極の幅は、２．１ｍｍ〜３．４ｍｍであり、
前記フィンガー電極と平行な方向への前記突出部分の突出長さは、前記メイン部分の幅よりも小さく、
前記突出部分は、前記メイン部分の両方の端部にそれぞれ位置する複数の端部突出部と前記メイン部分の内部領域から突出する中央突出部を含み、
前記複数の端部突出部と前記中央突出部のそれぞれは、前記メイン部分の両側に対称に配置し、
前記フィンガー電極と平行な方向への前記中央突出部の突出長さは、前記フィンガー電極と平行な方向の端部突出部のそれぞれの突出長さよりも短く、
前記フィンガー電極は、前記突出部分の外郭に対応する位置で前記フィンガー電極部と交差する方向に形成されるアライメントマーク部をさらに含む、太陽電池。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽電池に係り、より詳細には、電極構造を改善した太陽電池に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、石油や石炭のような既存エネルギー資源の枯渇が予想されながら、これらに代わる代替エネルギーへの関心が高まっている。その中でも、太陽電池は、太陽光エネルギーを電気エネルギーに変換する次世代電池として脚光を浴びている。
【０００３】
太陽電池は、設計によって、基板に形成された様々な層、電極などを含む。隣り合う太陽電池は、バスバー電極に連結されるリボンによって互いに電気的に接続される。ところが、アライメント誤差、またはリボンとバスバー電極との幅の差などによって、リボンが付着された部分に隣接してバスバー電極に連結されたフィンガー電極の部分に断線が生じ得る。また、アライメント誤差のため、リボンとバスバー電極との接触面積が低下することがある。これによって、太陽電池モジュールの出力及び信頼性が低下することがある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、高い効率及び信頼性を有する太陽電池を提供しようとする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の実施例に係る太陽電池は、光電変換部と、前記光電変換部に接続される第１及電極び第２電極と、を含む。前記第１電極は、複数のフィンガー電極部を含むフィンガー電極と、前記複数のフィンガー電極部と交差する方向に形成されるメイン部分及び前記メイン部分から突出する突出部分を少なくとも一つ含むバスバー電極とを含む。前記突出部分が、前記複数のフィンガー電極部のうち少なくとも２つ以上にわたって形成される。
【０００６】
前記メイン部分の幅よりも前記突出部分の突出長さがさらに小さくてもよい。
【０００７】
前記突出部分の突出長さが０．１ｍｍ〜０．７ｍｍであってもよい。
【０００８】
前記突出部分の幅が２ｍｍ〜１０ｍｍであってもよい。
【０００９】
前記突出部分が、複数のフィンガー電極部のうち２個〜１０個にわたって形成されてもよい。
【００１０】
前記突出部分が位置した部分において前記バスバー電極の幅が、２．１ｍｍ〜３．４ｍｍであってもよい。
【００１１】
前記突出部分が、前記メイン部分の端部に位置する端部突出部を含むことができる。
【００１２】
前記端部突出部は、前記メイン部分を基準として両側に対称に位置することができる。
【００１３】
前記第１電極に接続されるリボンをさらに含み、前記リボンは、一側端部が前記バスバー電極上に位置するようになり、他側部分は隣接する太陽電池に延びることができる。前記端部突出部は、前記一側端部と隣接する第１端部突出部と、前記第１端部突出部と反対の位置に位置する第２端部突出部とを含むことができる。前記第１端部突出部の幅が、前記第２端部突出部の幅と同一またはこれより長くてもよい。
【００１４】
前記突出部分が、前記メイン部分の内部領域から突出する中央突出部をさらに含むことができる。
【００１５】
前記中央突出部の突出長さが、前記端部突出部の突出長さよりも小さくてもよい。
【００１６】
前記中央突出部と前記端部突出部が均一な間隔を置いて規則的に配置されてもよい。
【００１７】
前記第１電極に接続されるリボンをさらに含み、前記突出部分が位置した部分において前記バスバー電極の幅が、前記リボンの幅よりも大きくてもよい。
【００１８】
前記リボンの幅：前記メイン部分が位置した部分において前記バスバー電極の幅の比率が、１：０．８０〜１：１．２２であってもよい。
【００１９】
前記フィンガー電極は、前記突出部分の外郭に対応する位置で前記フィンガー電極部と交差する方向に形成されるアライメントマーク部をさらに含むことができる。
【００２０】
前記光電変換部は、半導体基板及びエミッタ領域を含むことができる。前記太陽電池は、前記エミッタ領域上に形成される絶縁膜をさらに含むことができる。前記フィンガー電極は、前記絶縁膜を貫通して前記エミッタ領域に接触して形成され、前記バスバー電極は前記絶縁膜上に形成されてもよい。
【００２１】
前記フィンガー電極は、前記光電変換部上に位置する第１層と、前記第１層上に位置する第２層とを含む二層構造を有することができる。前記バスバー電極は、前記第２層と同一の物質及び厚さを有する単一層構造を有することができる。
【００２２】
前記第１層と前記第２層とが互いに異なる物質を有することができる。
【００２３】
前記第２電極に接続されるリボンをさらに含み、前記第２電極は、全体的に前記リボンよりも大きい幅を有することができる。
【００２４】
本発明の他の実施例に係る太陽電池は、光電変換部と；前記光電変換部に接続される第１及び第２電極と；を含む。前記第１電極は、複数のフィンガー電極部を含むフィンガー電極と、前記複数のフィンガー電極と交差する方向に形成されるメイン部分及び前記メイン部分から突出する突出部分を少なくとも一つ含むバスバー電極とを含む。前記突出部分が位置した部分において前記バスバー電極の幅が、２．１ｍｍ〜３．４ｍｍである。
【発明の効果】
【００２５】
本実施例では、バスバー電極がメイン部分から突出する突出部分を含むことで、リボンのミスアライメントが発生しても、バスバー電極とリボンとの接触面積の低下を補償することができ、リボンによるエミッタ領域、反射防止膜、フィンガー電極などの損傷を防止することができる。これによって、太陽電池モジュールの出力低下を防止し、信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の一実施例に係る太陽電池を含む太陽電池モジュールの分解斜視図である。
【図２】図１のII−II線に沿って切断した本太陽電池モジュールの概略的な断面図である。
【図３】本発明の実施例に係る太陽電池の部分断面図である。
【図４】本発明の実施例に係る太陽電池の前面平面図である。
【図５】図４の第１電極を構成する第１層及び第２層を示す前面平面図である。
【図６】本発明の実施例に係る太陽電池の後面平面図である。
【図７】本発明の他の実施例に係る太陽電池を示す前面平面図である。
【図８】本発明の更に他の実施例に係る太陽電池を示す前面平面図である。
【図９】本発明の他の実施例に係る太陽電池を示す前面平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下では、添付の図面を参照して、本発明の実施例を詳細に説明する。しかし、本発明がこれらの実施例に限定されるものではなく、様々な形態に変形可能であることは勿論である。
【００２８】
図面では、本発明を明確且つ簡略に説明するために、説明と関係のない部分の図示を省略し、明細書全体において同一又は極めて類似の部分に対しては同一の図面参照符号を使用する。そして、図面では、説明をより明確にするために、厚さ、幅などを拡大または縮小して示しており、本発明の厚さ、幅などは図面に示したものに限定されない。
【００２９】
そして、明細書全体において、ある部分が他の部分を「含む」とするとき、特に反対の記載がない限り、他の部分を排除するのではなく、他の部分をさらに含むことができる。また、層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「上に」あるとするとき、これは、他の部分の「直上に」ある場合のみならず、その中間に他の部分が位置する場合も含む。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「直上に」あるとするときは、中間に他の部分が位置しないことを意味する。
【００３０】
以下、添付の図面を参照して、本発明の実施例に係る太陽電池を詳細に説明する。
【００３１】
図１は、本発明の一実施例に係る太陽電池を含む太陽電池モジュールの分解斜視図であり、図２は、図１のII−II線に沿って切断した本太陽電池モジュールの概略的な断面図である。
【００３２】
図１及び図２を参照すると、本発明の一実施例に係る太陽電池モジュール１００は、太陽電池１５０と、太陽電池１５０の前面上に位置する前面基板２１０と、太陽電池１５０の後面上に位置する後面シート２２０とを含むことができる。また、太陽電池モジュール１００は、太陽電池１５０と前面基板２１０との間の第１密封材１３１と、太陽電池１５０と後面シート２２０との間の第２密封材１３２とを含むことができる。
【００３３】
まず、太陽電池１５０は、太陽エネルギーを電気エネルギーに変換する半導体素子であって、一例として、シリコン太陽電池（ｓｉｌｉｃｏｎ  ｓｏｌａｒ  ｃｅｌｌ）、化合物半導体太陽電池（ｃｏｍｐｏｕｎｄ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  ｓｏｌａｒ  ｃｅｌｌ）、タンデム型太陽電池（ｔａｎｄｅｍ  ｓｏｌａｒ  ｃｅｌｌ）、色素増感太陽電池などの様々な構造を有することができる。
【００３４】
このような太陽電池１５０はリボン１４２を含む。リボン１４２によって、隣り合う太陽電池１５０を電気的に直列、並列または直並列に接続することができる。具体的に、リボン１４２は、太陽電池１５０の前面上に形成された第１電極（図３の参照符号２４参照）と、隣接する他の太陽電池１５０の後面上に形成された第２電極（図３の参照符号３４参照）とを接続することができる。すなわち、一つの太陽電池１５０の前面から他の太陽電池１５０の後面まで延びるリボン１４２を位置させた後、熱圧着すると、リボン１４２によって２つの太陽電池１５０を接続することができる。このような方式で、複数個の太陽電池１５０を接続することができる。
【００３５】
リボン１４２は、電気的特性及び物理的特性に優れた様々な物質からなることができる。一例として、リボン１４２が、ソルダリング物質を含むことができ、Ｓｎ／Ａｇ／Ｃｕ系、Ｓｎ／Ａｇ／Ｐｂ系、Ｓｎ／Ａｇ系、Ｓｎ／Ｐｂ系物質などを含むことができる。または、優れた伝導性の金属物質（一例として、アルミニウム）などを含んでもよい。または、リボン１４２が、ソルダ用物質上に酸化防止膜などが積層されて形成されてもよい。しかし、本発明がこれに限定されるものではない。
【００３６】
詳細な説明などでは、“リボン１４２”という用語を使用したが、本発明がこれに限定されるものではない。すなわち、リボン１４２がソルダリング物質を含む場合だけでなく、様々な構造によって太陽電池１５０を連結する構造体を全て含むことができる。
【００３７】
また、バスリボン１４５は、リボン１４２によって連結された一つの列の両端を交互に連結する。バスリボン１４５は、一つの列をなす太陽電池１５０の端部においてこれと交差する方向に配置することができる。このようなバスリボン１４５は、太陽電池１５０が生産した電気を集め、電気が逆流することを防止するジャンクションボックス（図示せず）と接続される。
【００３８】
第１密封材１３１は、太陽電池１５０の前面に位置し、第２密封材１３２は、太陽電池１５０の後面に位置することができる。第１密封材１３１と第２密封材１３２とはラミネーションにより接着して、太陽電池１５０に悪影響を及ぼし得る水分や酸素を遮断し、太陽電池の各要素が化学的に結合できるようにする。
【００３９】
このような第１密封材１３１及び第２密封材１３２は、エチレン酢酸ビニル共重合体樹脂（ＥＶＡ）、ポリビニルブチラール、ケイ素樹脂、エステル系樹脂、オレフィン系樹脂などを使用することができる。しかし、本発明がこれに限定されるものではない。したがって、第１及び第２密封材１３１，１３２は、その他の様々な物質を用いて、ラミネーション以外の他の方法により形成することができる。
【００４０】
前面基板２１０は、太陽光を透過するように第１密封材１３１上に位置し、外部の衝撃などから太陽電池１５０を保護するために強化ガラスであることが好ましい。また、太陽光の反射を防止し、太陽光の透過率を高めるために、鉄分が少なく含有された低鉄分強化ガラスであることがより好ましい。
【００４１】
後面シート２２０は、太陽電池１５０の裏面で太陽電池１５０を保護する層であって、防水、絶縁及び紫外線遮断の機能をする。後面シート２２０は、ＴＰＴ（Ｔｅｄｌａｒ／ＰＥＴ／Ｔｅｄｌａｒ）タイプであってもよいが、これに限定されるものではない。また、後面シート２２０は、前面基板２１０側から入射した太陽光を反射して再利用できるように、反射率に優れた材質であってもよい。しかし、本発明がこれに限定されるものではなく、後面シート２２０が、太陽光が入射できる透明材質で形成されて、両面太陽電池モジュール１００を具現することもできる。
【００４２】
本実施例において、複数の太陽電池１５０における一つの太陽電池１５０の構造の一例を、図３乃至図６を参照して詳細に説明する。
【００４３】
図３は、本発明の実施例に係る太陽電池の部分断面図である。参考に、図３は、図４のIII −III 線に沿って切断した断面図である。
【００４４】
図３を参照すると、本実施例に係る太陽電池１５０は、半導体基板１１０と、半導体基板１１０に形成される不純物領域２０，３０と、不純物領域２０，３０または半導体基板１１０に電気的に接続される電極２４，３４とを含むことができる。そして、太陽電池１５０は、隣接する太陽電池１５０との接続のために、電極２４，３４に電気的に接続されるリボン１４２を含むことができる。ここで、半導体基板１１０及び不純物領域２０，３０は、光電変換に寄与する領域であるので、光電変換部と定義することができる。不純物領域２０，３０は、エミッタ領域２０と後面電界領域３０を含むことができ、電極２４，３４は、エミッタ領域２０に電気的に接続される第１電極２４と、後面電界領域３０に電気的に接続される第２電極３４とを含むことができる。そして、半導体基板１１０の前面及び／または後面には、反射防止膜２２、パッシベーション膜３２などの絶縁膜を形成することができる。これについてより詳細に説明する。
【００４５】
半導体基板１１０は、不純物領域２０，３０が形成される領域と、不純物領域２０，３０が形成されない部分であるベース領域１０とを含む。ベース領域１０は、一例として、第１導電型不純物を含むシリコンを含むことができる。シリコンとしては、単結晶シリコンまたは多結晶シリコンを使用することができ、第１導電型不純物は、ｐ型またはｎ型であってもよい。
【００４６】
ベース領域１０がｐ型を有する場合には、ベース領域１０が、３族元素であるボロン（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）などがドープされた単結晶または多結晶シリコンからなることができる。ベース領域１０がｎ型を有する場合には、ベース領域１０が、５族元素であるリン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、ビスマス（Ｂｉ）、アンチモン（Ｓｂ）などがドープされた単結晶または多結晶シリコンからなることができる。ベース領域１０は、上述した物質以外の様々な物質を使用することができる。
【００４７】
図示していないが、半導体基板１１０の前面及び／または後面は、テクスチャリング（ｔｅｘｔｕｒｉｎｇ）されて、ピラミッドなどの形状の凹凸を有することができる。このようなテクスチャリングにより半導体基板１１０の前面などに凹凸が形成されて表面粗さが増加すると、半導体基板１１０の前面などを介して入射する光の反射率を低下させることができる。したがって、ベース領域１０とエミッタ領域２０との界面に形成されたｐｎ接合まで到達する光量を増加させることができるので、光損失を最小化することができる。しかし、本発明がこれに限定されるものではなく、半導体基板１１０の前面及び後面にテクスチャリングによる凹凸が形成されないことも可能である。
【００４８】
半導体基板１１０の前面側には、ベース領域１０と反対の第２導電型を有するエミッタ領域２０を形成することができる。エミッタ領域２０がｎ型であるときには、リン、ヒ素、ビスマス、アンチモンなどがドープされた単結晶または多結晶シリコンからなることができ、ｐ型であるときには、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）などがドープされた単結晶または多結晶シリコンからなることができる。
【００４９】
図面では、エミッタ領域２０が全体的に均一なドーピング濃度を有する均一な構造（ｈｏｍｏｇｅｎｅｏｕｓ  ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）を有することを例示した。しかし、本発明がこれに限定されるものではない。したがって、他の実施例として、エミッタ領域２０が選択的構造（ｓｅｌｅｃｔｉｖｅ  ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）を有することができる。選択的構造では、エミッタ領域２０において第１電極２４と隣接した部分で高いドーピング濃度及び低い抵抗を有し、その他の部分で低いドーピング濃度及び高い抵抗を有することができる。エミッタ領域２０の構造としては、その他にも様々な構造を適用することができる。
【００５０】
そして、本実施例では、半導体基板１１０の前面側に第２導電型不純物をドープして形成されたドーピング領域が、エミッタ領域２０を構成する。しかし、本発明がこれに限定されるものではなく、エミッタ領域２０が、半導体基板１１０の前面上に別途の層として構成されるなど、様々な変形が可能である。
【００５１】
半導体基板１１０上に、より正確には、半導体基板１１０に形成されたエミッタ領域２０上に反射防止膜２２及び第１電極２４が形成される。
【００５２】
反射防止膜２２は、第１電極２４に対応する部分を除いて、実質的に半導体基板１１０の前面全体に形成することができる。反射防止膜２２は、半導体基板１１０の前面に入射する光の反射率を減少させ、エミッタ領域２０の表面またはバルク内に存在する欠陥を不動化させる。
【００５３】
半導体基板１１０の前面を介して入射する光の反射率を低下させることによって、ベース領域１０とエミッタ領域２０との界面に形成されたｐｎ接合まで到達する光量を増加させることができる。これによって、太陽電池１５０の短絡電流（Ｉｓｃ）を増加させることができる。そして、エミッタ領域２０に存在する欠陥を不動化して、少数キャリアの再結合サイトを除去することで、太陽電池１５０の開放電圧（Ｖｏｃ）を増加させることができる。このように、反射防止膜２２によって太陽電池１５０の開放電圧と短絡電流を増加させて、太陽電池１５０の効率を向上させることができる。
【００５４】
反射防止膜２２は、様々な物質で形成することができる。一例として、反射防止膜２２は、シリコン窒化膜、水素含有シリコン窒化膜、シリコン酸化膜、シリコン酸化窒化膜、アルミニウム酸化膜、ＭｇＦ2、ＺｎＳ、ＴｉＯ2及びＣｅＯ2からなる群から選択されたいずれか一つの単一膜、または２つ以上の膜が組み合わされた多層膜構造を有することができる。しかし、本発明がこれに限定されるものではなく、反射防止膜２２が様々な物質を含んでいてもよいことは勿論である。そして、半導体基板１１０と反射防止膜２２との間にパッシベーションのための別途の前面パッシベーション膜（図示せず）をさらに備えてもよい。これもまた本発明の範囲に属する。
【００５５】
第１電極２４は、反射防止膜２２に形成された開口部を通して（すなわち、反射防止膜２２を貫通して）エミッタ領域２０に電気的に接続される。このような第１電極２４は、様々な物質によって様々な形状を有するように形成することができる。第１電極２４の形状については、図４及び図５を参照して再び説明する。
【００５６】
半導体基板１１０の後面側には、ベース領域１０と同一の第１導電型を有し、ベース領域１０よりも高いドーピング濃度で第１導電型不純物を含む後面電界領域３０が形成される。
【００５７】
図面では、後面電界領域３０が全体的に均一なドーピング濃度を有する均一な構造（ｈｏｍｏｇｅｎｅｏｕｓ  ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）を有することを例示した。しかし、本発明がこれに限定されるものではない。したがって、他の実施例として、後面電界領域３０が選択的構造（ｓｅｌｅｃｔｉｖｅ  ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）を有することができる。選択的構造では、後面電界領域３０において第２電極３４と隣接した部分で高いドーピング濃度及び低い抵抗を有し、その他の部分で低いドーピング濃度及び高い抵抗を有することができる。更に他の実施例として、後面電界領域３０が局部的構造（ｌｏｃａｌ  ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）を有することができる。局部的構造では、後面電界領域３０が、第２電極３４と隣接した部分でのみ局部的に形成され得る。後面電界領域３０の構造としては、その他にも様々な構造を適用することができる。
【００５８】
そして、本実施例では、半導体基板１１０の後面側に第１導電型不純物をドープして形成されたドーピング領域が、後面電界領域３０を構成する。しかし、本発明がこれに限定されるものではなく、後面電界領域３０が、半導体基板１１０の後面上に別途の層として構成されるなど、様々な変形が可能である。
【００５９】
パッシベーション膜３２は、第２電極３４に対応する部分を除いて、実質的に半導体基板１１０の後面全体に形成することができる。パッシベーション膜３２は、後面電界領域３０の表面またはバルク内に存在する欠陥を不動化させる。
【００６０】
パッシベーション膜３２は、後面電界領域３０に存在する欠陥を不動化して、少数キャリアの再結合サイトを除去することで、太陽電池１５０の開放電圧（Ｖｏｃ）を増加させることができる。このように、パッシベーション膜３２によって太陽電池１５０の開放電圧を増加させて、太陽電池１５０の効率を向上させることができる。
【００６１】
パッシベーション膜３２は、様々な物質で形成することができる。一例として、パッシベーション膜３２は、シリコン窒化膜、水素含有シリコン窒化膜、シリコン酸化膜、シリコン酸化窒化膜、アルミニウム酸化膜、ＭｇＦ2、ＺｎＳ、ＴｉＯ2及びＣｅＯ2からなる群から選択されたいずれか一つの単一膜、または２つ以上の膜が組み合わされた多層膜構造を有することができる。しかし、本発明がこれに限定されるものではなく、パッシベーション膜３２が様々な物質を含んでいてもよいことは勿論である。そして、半導体基板１１０とパッシベーション膜３２との間、またはパッシベーション膜３２上に別途の膜（図示せず）をさらに備えてもよい。これもまた本発明の範囲に属する。
【００６２】
第２電極３４は、パッシベーション膜３２に形成された開口部を通して（すなわち、パッシベーション膜３２を貫通して）後面電界領域３０に電気的に接続される。このような第２電極３４は、様々な物質によって様々な形状を有するように形成することができる。第２電極３４の形状については、図６を参照して再び説明する。
【００６３】
第１電極２４の上にはリボン１４２が位置して、隣接する太陽電池１５０の第２電極３４と接続され、第２電極３４の上には他のリボン１４２が位置して、他側において隣接する太陽電池１５０の第１電極２４と接続される。
【００６４】
以下では、第１電極２４、第２電極３４及びリボン１４２の構造についてより詳細に説明する。
【００６５】
図４は、本発明の実施例に係る太陽電池の前面平面図であり、図５は、図４の第１電極２４を構成する第１層及び第２層を示す前面平面図である。具体的に、図５の（ａ）には、第１電極２４の第１層２４０を示し、図５の（ｂ）には、第１電極２４の第１層２４０及び第２層２４１を共に示した。
【００６６】
図４を参照すると、本実施例の第１電極２４は、複数のフィンガー電極部２４２を含むフィンガー電極２４ａと、複数のフィンガー電極部２４２と交差する方向に形成される少なくとも一つのバスバー電極２４ｂとを含む。本実施例において、バスバー電極２４ｂは、複数のフィンガー電極部２４２と交差する方向に形成されるメイン部分２４６、及びメイン部分２４６から突出する突出部分２４８を少なくとも一つ含む。これをより詳細に説明する。
【００６７】
フィンガー電極２４ａの複数のフィンガー電極部２４２は、第１ピッチＰ１をもって互いに平行に配置することができる。各フィンガー電極部２４２の幅は１μｍ〜３００μｍであればよい。フィンガー電極部２４２の幅が１μｍ未満であると、製造が難しく、抵抗が高くなることがあり、幅が３００μｍを超えると、シェーディング損失が増加することがある。抵抗及びシェーディング損失をさらに考慮すると、フィンガー電極部２４２の幅が３０μｍ〜１２０μｍであってもよい。そして、第１ピッチＰ１は５００μｍ〜３ｍｍであればよい。第１ピッチＰ１が５００μｍ未満であると、シェーディング損失が増加することがあり、３ｍｍを超えると、キャリアを効果的に収集しにくいことがある。シェーディング損失の防止及びキャリアの効率的な収集のために、第１ピッチＰ１は１ｍｍ〜２．６ｍｍであればよい。しかし、本発明がこれに限定されるものではなく、フィンガー電極部２４２の幅及び第１ピッチＰ１などは多様に変形可能である。
【００６８】
本実施例において、フィンガー電極２４ａは、バスバー電極２４ｂ（より正確には、バスバー電極２４ｂの突出部分２４８）の外郭に対応する位置でフィンガー電極部２４２と交差する方向に形成されるアライメントマーク部２４４をさらに含むことができる。このようなアライメントマーク部２４４は、バスバー電極２４ｂを形成するとき、突出部分２４８をアライメントするのに使用することができ、これについてはより詳細に後述する。このように、フィンガー電極２４ａがアライメントマーク部２４４を含む場合、フィンガー電極２４ａを形成する工程でアライメントマーク部２４４を形成することによって、バスバー電極２４ｂとのアライメントを精密に行うことができる。これによって、工程を追加しなくても、バスバー電極２４ｂのアライメント特性を向上させることができる。
【００６９】
そして、バスバー電極２４ｂは、フィンガー電極部２４２と交差する方向に形成されて、フィンガー電極２４ａを連結することができる。このようなバスバー電極２４ｂは、一つのみ備えられてもよく、図４に示すように、第１ピッチＰ１よりさらに大きい第２ピッチＰ２をもって複数個備えられてもよい。図面では、一つのバスバー電極２４ｂが太陽電池１５０の中心に位置し、２つのバスバー電極２４ｂが、中心に位置したバスバー電極２４ｂに対称をなすように配置されることを例示した。しかし、本発明がこれに限定されるものではなく、様々な変形が可能であることは勿論である。
【００７０】
本実施例において、バスバー電極２４ｂは、第１幅Ｔ１をもってフィンガー電極２４ａと交差する方向（図面の縦方向）に長く延びたメイン部分２４６と、メイン部分２４６からメイン部分２４６と交差する方向（一例として、フィンガー電極部２４２と平行な方向（図面の横方向））に突出する突出部分２４８とを含むことができる。これによって、バスバー電極２４ｂは、突出部分２４８が形成された部分において、第１幅Ｔ１より大きい第２幅Ｔ２を有するようになる。
【００７１】
ここで、メイン部分２４６とは、フィンガー電極２４ａによって収集されたキャリアを、リボン１４２を介して外部に伝達できるように、リボン１４２が付着されるように設計された部分である。
【００７２】
このようなメイン部分２４６は、フィンガー電極２４ａによって収集されたキャリアを、リボン１４２を介して外部に伝達する役割を果たすもので、フィンガー電極２４ａの幅よりも大きい第１幅Ｔ１を有することができる。これによって、低い抵抗によって容易にキャリアが移動できるようにすることができる。メイン部分２４６の第１幅Ｔ１は、フィンガー電極２４ａの幅と同一であるか、またはこれより小さくなる等、様々な変形が可能である。したがって、本発明がこれに限定されるものではない。
【００７３】
このように、メイン部分２４６は、リボン１４２が付着されるように設計された部分であるので、メイン部分２４６の第１幅Ｔ１とリボン１４２の第３幅Ｔ３とを互いに同一またはほぼ同一にする（一定の範囲内で小さいか又は大きい）ことが好ましい。一例として、リボン１４２の第３幅Ｔ３：メイン部分２４６の第１幅Ｔ１の比率が、１：０．８０〜１：１．２２であればよい。前記比率が１：０．８未満であると、メイン部分２４６の幅がリボン１４２に比べてかなり小さいため、メイン部分２４６を逸脱したリボン１４２によって、反射防止膜２２またはエミッタ領域２０に損傷を与えることがある。前記比率が１：１．２２を超えると、メイン部分２４６の幅に比べてリボン１４２の幅が小さくなるため、バスバー電極２４ｂを介して収集されたキャリアを、リボン１４２を介して外部に伝達する効率が低下することがある。反射防止膜２２またはエミッタ領域２０の損傷を効果的に防止すると共に、キャリアをより効果的に伝達するために、前記比率は１：０．９０〜１：１．１１であればよい。しかし、本発明がこれに限定されるものではない。
【００７４】
メイン部分２４６から突出する突出部分２４８は、リボン１４２のアライメント特性が低下する場合（すなわち、ミスアライメント（ｍｉｓａｌｉｇｎｍｅｎｔ）が発生する場合）に、これを補完するための部分である。また、アライメント工程中にスクラッチまたは亀裂などの問題が発生して反射防止膜２２またはエミッタ領域２０を損傷させることを防止する役割を果たす。これをより詳細に説明する。
【００７５】
リボン１４２のミスアライメントが発生すると、リボン１４２がバスバー電極２４ｂから外れた位置に位置するようになる。ミスアライメントは、リボン１４２を基準として左側または右側にシフトされて発生する場合もあり、リボン１４２に対して傾斜するように発生する場合もあり、これらが複合的に発生する場合もある。
【００７６】
このように、リボン１４２のミスアライメントが発生すると、リボン１４２とバスバー電極２４ｂとの接触面積が小さくなるため、抵抗成分が増加するようになり、これによって、太陽電池モジュール（図１の参照符号１００）の出力が低下する。
【００７７】
また、ミスアライメントされたリボン１４２が、太陽電池１５０を損傷させる問題を発生させることもある。より具体的に、図１を共に参照して説明すると、図１に示した太陽電池モジュール１００は、別々に作製された前面基板２１０、第１密封材１３１、リボン１４２が付着された太陽電池１５０、第２密封材１３２及び後面シート２２０を積層した後、これらをラミネートして製造される。ところが、リボン１４２のミスアライメントが発生すると、リボン１４２の端部が、ラミネーション過程中に反射防止膜２２またはエミッタ領域２０が位置した部分を加圧するようになるため、これらに損傷を与えて、スクラッチまたは亀裂を発生させる。また、リボン１４２がフィンガー電極部２４２に接触すると、相対的に薄い幅を有するフィンガー電極部２４２が熱衝撃、物理的衝撃によって断線することがある。このような現象を、ソルダリングによるグリッドインターラプション（ｇｒｉｄ  ｉｎｔｅｒｒｕｐｔｉｏｎ  ｃａｕｓｅｄ  ｂｙ  ｓｏｌｄｅｒｉｎｇ、ＧＩＣＳ）と呼ぶ。このようなＧＩＣＳによって、バスバー電極２４ｂに接続されなければならないフィンガー電極２４ａの一部が断線しながら、キャリアがバスバー電極２４ｂに伝達されない。すると、キャリアは、遠くに位置した他のバスバー電極２４ｂまで移動するか、またはバスバー電極２４ｂに到達できなくなる。そのため、太陽電池モジュール１００の出力が減少する。
【００７８】
このように、リボン１４２のミスアライメントは、太陽電池１５０の性能、効率などに大きな影響を及ぼすことがあるので、本実施例では、バスバー電極２４ｂに突出部分２４８を形成することで、リボン１４２のミスアライメントが発生する場合にもこれに対応できるようにする。すなわち、リボン１４２のミスアライメントが発生しても、バスバー電極２４の突出部分２４８とリボン１４２とが接触できるようにする。これによって、太陽電池モジュール１００の出力減少を補償することができる。
【００７９】
このとき、突出部分２４８は、バスバー電極２４ｂ（またはメイン部分２４６）の端部に位置する端部突出部２４８ａ，２４８ｂを含むことができる。メイン部分２４６の端部は、ミスアライメントによるアライメント誤差が最も大きく発生し得る領域である。すなわち、ミスアライメントが、バスバー電極２４ｂに対して傾斜する形態で発生すると、メイン部分２４６の端部で最も大きい幅のアライメントミスが発生するようになる。これを考慮して、突出部分２４８をメイン部分２４６の端部に位置させて、ミスアライメントによるリボン１４２とバスバー電極２４ｂとの接触面積の低下を効果的に補償することができる。また、上述したように、圧着工程中にリボン１４２の端部において反射防止膜２２、エミッタ領域２０、フィンガー電極２４ａが損傷しやすいため、この部分に突出部分２４８を広く形成することで、ミスアライメントが発生しても、リボン１４２がこれらに接触しないように防止することができる。
【００８０】
より具体的に、本実施例では、端部突出部２４８ａ，２４８ｂは、リボン１４２の端部が位置する部分に位置する第１端部突出部２４８ａと、第１端部突出部２４８ａの反対位置であって、リボン１４２が延びて隣接する太陽電池１５０に延びる部分に位置する第２端部突出部２４８ｂとを含むことができる。これによって、バスバー電極２４ｂの両端部で発生し得るミスアライメントに効果的に対応することができる。そして、第１及び第２端部突出部２４８ａ，２４８ｂはそれぞれ、メイン部分２４６を基準として両側に対称に位置する。これによって、ミスアライメントが両側のいずれかに発生しても、これを効果的に補償することができる。これによって、一例として、端部突出部２４８ａ，２４８ｂ及びメイン部分２４６によって、バスバー電極２４ｂが“Ｉ”字状を有することができる。しかし、本発明がこれに限定されるものではなく、様々な変形が可能であることは勿論である。
【００８１】
各突出部分２４８は、複数のフィンガー電極部２４２のうち少なくとも２つ以上にわたって形成することができる。これによって、突出部分２４８を十分な幅（バスバー電極２４ｂの長手方向に測定される幅）Ｗをもって形成できるので、リボン１４２のミスアライメントに効果的に対応することができる。一例として、突出部分２４８が一つのフィンガー電極部２４２にのみ対応するように形成されると、幅Ｗがフィンガー電極部２４２の第１ピッチＰ１よりも小さくなるため、リボン１４２との接触面積の低下を防止する効果を発揮しにくい。したがって、突出部分２４８が十分な幅Ｗを有することができるように、２つ以上のフィンガー電極部２４２にわたって形成することができる。一例として、突出部分２４８は、２個ないし１０個のフィンガー電極部２４２にわたって形成されてもよい。１０個を超えるフィンガー電極部２４２にわたって形成される場合には、幅Ｗが過度に大きくなってシェーディング損失が増加することがある。シェーディング損失をさらに考慮すると、突出部分２４８は、２個ないし６個のフィンガー電極部２４２にわたって形成されてもよい。または、突出部分２４８の幅Ｗが２ｍｍ〜１０ｍｍであってもよい。突出部分２４８の幅Ｗが２ｍｍ未満であると、リボン１４２のミスアライメントに効果的に対応しにくく、１０ｍｍを超えると、シェーディング損失が増加することがある。シェーディング損失をさらに考慮すると、突出部分２４８の幅Ｗは２ｍｍ〜６ｍｍであってもよい。しかし、本発明がこれに限定されるものではなく、様々な変形が可能であることは勿論である。
【００８２】
ここで、上述したように、第１端部突出部２４８ａは、リボン１４２が始まる一側端部に位置するようになり、リボン１４２は、半導体基板１１０の端部から一定の距離（例えば、２ｍｍ〜３ｍｍ）だけ離隔して位置する。反面、第２端部突出部２４８ｂに隣接し、他の太陽電池１５０に延びるリボン１４２の部分では、半導体基板１１０と離隔しない。これを考慮すると、第１端部突出部２４８ａの幅Ｗを、第２端部突出部２４８ｂの幅Ｗと同一またはこれより長くして、リボン１４２が始まる部分においてリボン１４２によるエミッタ領域２０などの損傷をより効果的に防止することができる。
【００８３】
そして、各突出部分２４８（メイン部分２４６の一側に突出した部分）の突出長さ（メイン部分２４６の長手方向と交差する方向に測定される長さ）Ｌは、メイン部分２４６の第１幅Ｔ１よりも小さくすることができる。突出長さＬは、アライメント工程時の公差などを考慮して決定することができ、一般に、アライメント工程時の公差は、メイン部分２４６の第１幅Ｔ１よりも小さい範囲を有するからである。より具体的には、突出部分２４８の突出長さＬが０．１ｍｍ〜０．７ｍｍであればよい。突出長さＬが０．１ｍｍ未満であると、リボン１４２のミスアライメントに効果的に対応しにくく、０．７ｍｍを超えると、シェーディング損失が増加し、アライメントの公差よりも大きい値を有するからである。しかし、本発明がこれに限定されるものではなく、様々な変形が可能である。
【００８４】
このように、本実施例では、一定の幅Ｗ及び突出長さＬを有する突出部分２４８を、メイン部分２４６から突出するように形成する。このような突出部分２４８によって、突出部分２４８が形成された部分においてバスバー電極２４ｂの第２幅Ｔ２は、２．１ｍｍ〜３．４ｍｍの値を有することができる。これによって、第２幅Ｔ２が、リボン１４２の第３幅Ｔ３よりも大きくなり得る。このような第２幅Ｔ２によって、上述したようにミスアライメントが発生しても、バスバー電極２４ｂとリボン１４２との接触面積の低下を補償し、リボン１４２によるエミッタ領域２０、反射防止膜２２、フィンガー電極２４ａなどの損傷を防止することができる。そして、メイン部分２４６のみが位置した部分では、突出部分２４８が位置した部分よりも小さい第１幅Ｔ１を有するようにして、シェーディング損失を最小化することができる。
【００８５】
上述したフィンガー電極２４ａ及びバスバー電極２４ｂを含む第１電極２４は、単一層または複数の層で構成することができる。本実施例では、第１電極２４が、半導体基板１１０上に順に積層される第１層２４０及び第２層２４１を含むことを例示した。このように、第１層２４０及び第２層２４１を含む場合、第１電極２４の厚さを十分に確保することができ、所望の様々な特性を満たすように第１層２４０及び第２層２４１の物質、形状などを最適化することができる。
【００８６】
一例として、本実施例では、フィンガー電極２４ａが、第１層２４０及び第２層２４１を含む二層構造を有し、バスバー電極２４ｂが、第２層２４１を含む単一層構造を有することを例示した。すなわち、図５の（ａ）に示すように、第１層２４０は、フィンガー電極２４ａを構成するフィンガー電極部２４２及びアライメントマーク部２４４を含むように形成し、図５の（ｂ）に示すように、第２層２４１は、フィンガー電極２４ａ及びバスバー電極２４ｂの形状を有するように形成することができる。このような第１層２４０及び第２層２４１は、様々な方法により形成することができ、一例として、印刷、蒸着、メッキなどにより形成することができる。
【００８７】
これによれば、相対的に小さい幅を有して厚さが相対的に小さく形成され得るフィンガー電極２４ａを、バスバー電極２４ｂよりも多い層数で形成して、フィンガー電極２４ａの厚さを十分に確保することができる。一例として、フィンガー電極２４ａの厚さが、バスバー電極２４ｂの厚さよりも大きくてもよい。そして、相対的に大きい幅を有するバスバー電極２４ｂは単一層構造で形成して、材料コストなどを低減することができる。
【００８８】
第１層２４０と第２層２４１は互いに同一の物質を有してもよく、互いに異なる物質を有してもよい。一例として、第１層２４０は、熱処理などによってファイアースルー（ｆｉｒｅ  ｔｈｒｏｕｇｈ）が起こる物質で構成し、第２層２４１は、ファイアースルーが起こらない物質で構成することができる。すると、第１層２４０を含むフィンガー電極２４ａは、絶縁膜である反射防止膜２２を貫通してエミッタ領域２０に接触して形成されて、エミッタ領域２０のキャリアを収集できるようになる。そして、第２層２４１のみで構成されたバスバー電極２４ｂは、反射防止膜２２を貫通できず、反射防止膜２２を挟んでエミッタ領域２０上に位置するようになる。すると、バスバー電極２４ｂの下部に位置した部分で反射防止膜２２またはパッシベーション膜の固定電荷（ｆｉｘｅｄ  ｃｈａｒｇｅ）特性を維持するようになるので、キャリアの収集に役に立つことができる。
【００８９】
しかし、本発明がこれに限定されるものではなく、第１電極２４の積層構造などは多様に変形可能である。
【００９０】
図６は、本発明の実施例に係る太陽電池の後面平面図である。
【００９１】
図６を参照すると、本実施例において、半導体基板１１０の後面に形成される後面電極である第２電極３４は、フィンガー電極３４ａ及びバスバー電極３４ｂを含むことができる。このとき、本実施例において、第２電極３４のフィンガー電極３４ａは複数のフィンガー電極部３４２のみで構成し、バスバー電極３４ｂはメイン部分３４６のみで構成することができる。フィンガー電極部３４２及びメイン部分３４６などについては、上述した第１電極２４での説明と同一または類似しているので、詳細な説明を省略する。
【００９２】
このとき、メイン部分３４６の幅Ｗ４が、全体的にリボン１４２の第３幅Ｗ３よりも大きくすることができる。これによって、リボン１４２のミスアライメントが発生しても、これを十分に補償することができる。これは、半導体基板１１０の後面に位置する第２電極３４の場合には、シェーディング損失に対する負担が前面に位置する第１電極２４より小さいので、幅を全体的にリボン１４２よりも大きくすることができるからである。これによって、リボン１４２のミスアライメントに効果的に対応することができる。しかし、本発明がこれに限定されるものではなく、第２電極３４もまた、上述した第１電極２４と同一の構造を有することができ、これもまた本発明の範囲に属する。その他にも、第２電極３４は、公知の様々な構造を有してもよい。
【００９３】
上述したように、本実施例によれば、第１電極２４及び／または第２電極３４の構造を改善して、リボン１４２のミスアライメント時に発生し得る太陽電池モジュール１００の出力低下及び太陽電池１５０の損傷などを効果的に防止することができる。これによって、太陽電池モジュール１００の出力及び信頼性を向上させることができる。
【００９４】
上述した実施例では、前面電極である第１電極２４のバスバー電極２４ｂが突出部分２４８を含むことを例示したが、本発明がこれに限定されるものではない。第１及び第２電極２４，３４のうち少なくとも一つのバスバー電極２４ｂ，３４ｂが突出部分２４８を含むことができる。その他にも、様々な変形が可能である。
【００９５】
以下、図７乃至図９を参照して、本発明の他の実施例に係る太陽電池を詳細に説明する。上述した実施例で説明した部分と同一または類似の部分については詳細な説明を省略し、互いに異なる部分についてのみ詳細に説明する。
【００９６】
図７は、本発明の他の実施例に係る太陽電池を示す前面平面図である。
【００９７】
図７を参照すると、本実施例に係る太陽電池１５０の第１電極２４の突出部分２４８は、第１端部突出部２４８ａと第２端部突出部２４８ｂとの間でメイン部分２４６の内部領域から突出する中央突出部２４８ｃを含む。中央突出部２４８ｃは一つまたは複数個備えてもよい。
【００９８】
本実施例において、第１端部突出部２４８ａ、第２端部突出部２４８ｂ及び中央突出部２４８ｃは、均一な間隔を置いて規則的に配置され、均一な大きさを有することができる。ここで、均一な間隔、均一な大きさなどは、誤差などを考慮するとき、一般的に同一の間隔、大きさと見なすことができる間隔、大きさなどを意味し、一例として、１０％以内の誤差範囲を有する間隔、大きさなどを意味することができる。これは、リボン１４２をバスバー電極２４ｂに付着する工程で、リボン１４２の付着のための装置によって太陽電池１５０が損傷することを防止するためである。
【００９９】
より具体的に、リボン１４２をタビング（ｔａｂｂｉｎｇ）などによりバスバー電極２４ｂ上に接合することができる。このとき、リボン１４２をバスバー電極２４ｂ上に位置させた状態で固定するために、一定の間隔を置いて離隔した複数個のホールドピン（ｈｏｌｄ  ｐｉｎ）をリボン１４２上に位置させた後、ホールドピンの間に位置したノズルなどによってホットエア（ｈｏｔ  ａｉｒ）を加えることによってタビングを行うことができる。このとき、複数個のホールドピンによって、太陽電池１５０の絶縁膜、エミッタ領域などが損傷することがある。これを考慮して、本実施例では、ホールドピンの間隔に対応するように突出部分２４８を形成することで、ホールドピンがリボン１４２に接触する部分で太陽電池１５０を損傷させることを防止するようにすることができる。
【０１００】
これによれば、本実施例では、リボン１４２の接合工程時に発生し得る問題を防止できるようにして、太陽電池１５０の損傷を効果的に防止することができる。
【０１０１】
図８は、本発明の更に他の実施例に係る太陽電池を示す前面平面図である。
【０１０２】
図８を参照すると、本実施例に係る太陽電池１５０の第１電極２４の突出部分２４８は、第１端部突出部２４８ａと第２端部突出部２４８ｂとの間でメイン部分２４６の内部領域から突出する中央突出部２４８ｃを含む。中央突出部２４８ｃは一つまたは複数個備えてもよい。
【０１０３】
このとき、本実施例では、中央突出部２４８ｃの突出長さを、端部突出部２４８ａ，２４８ｂの突出長さよりも小さくすることができる。中央突出部２４８ｃが複数個備えられる場合には、端部突出部２４８ａ，２４８ｂと近い位置に位置するほど突出長さを長くすることができる。すなわち、端部突出部２４８ａ，２４８ｂの近くに位置する中央突出部２４８ｃよりも、中央部分の近くに位置した中央突出部２４８ｃの突出長さを短くすることができる。これは、リボン１４２のミスアライメントがバスバー電極２４ｂに対して傾斜した形態で発生したとき、中央側ではアライメント誤差が小さく、端部側ではアライメント誤差が大きくなることを考慮したものである。すなわち、アライメント誤差が大きい端部側に位置する端部突出部２４８ａ，２４８ｂの突出長さを大きくして、ミスアライメントに対応できるようにし、中央側に位置する中央突出部２８４ｃの突出長さは相対的に小さくして、アライメント誤差に対応しながらもシェーディング損失を最小化することができる。
【０１０４】
図９は、本発明の更に他の実施例に係る太陽電池を示す前面平面図である。
【０１０５】
図９を参照すると、本実施例に係る太陽電池１５０の第１電極２４の突出部分２４８は、第１端部突出部２４８ａと第２端部突出部２４８ｂとの間でメイン部分２４６の内部領域から突出する中央突出部２４８ｃを含む。中央突出部２４８ｃは一つまたは複数個備えてもよい。
【０１０６】
このとき、本実施例では、中央突出部２４８ｃが、第１及び第２端部突出部２４８ａ，２４８ｂと異なる幅を有し、様々な間隔を有しながら配置されてもよい。このように、突出部分２４８の配置は多様に変形することができる。
【０１０７】
上述したような特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも一つの実施例に含まれ、必ずしも一つの実施例にのみ限定されるものではない。さらに、各実施例で例示した特徴、構造、効果などは、実施例の属する分野における通常の知識を有する者によって、他の実施例に対しても組み合わせ又は変形して実施可能である。したがって、このような組み合わせ及び変形に係わる内容は、本発明の範囲に含まれるものと解釈しなければならない。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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