(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ケース内に設けられ、溝を形成する複数の隔壁板と、
前記複数の隔壁板を挟み、それぞれ対向して形成された電位の異なる複数の中継端子と、
前記複数の中継端子が接続され、前記溝と対向する位置にスリットが設けられたプリント基板と、
一方の端部が前記溝の中に位置し、他方の端部の前記スリットからの突き出し量が、前記中継端子の前記プリント基板からの突き出し量よりも大きくなるように配置された遮蔽板と、
を備えたことを特徴とするパワーモジュール。
【請求項２】
前記遮蔽板の前記一方の端部は、前記ケース内の前記溝の外周部領域に充填された封止樹脂の間に配置されたことを特徴とする請求項１に記載のパワーモジュール。
【請求項３】
前記封止樹脂は、前記溝内にも充填され、前記遮蔽板の前記一方の端部は、前記溝内に充填された前記封止樹脂と接していることを特徴とする、請求項２に記載のパワーモジュール。
【請求項４】
前記封止樹脂は、前記溝の外周部領域と前記溝の内部とで異なる材質であることを特徴とする請求項３に記載のパワーモジュール。
【請求項５】
前記遮蔽板は、前記ケースの蓋材と一体的に形成されたことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のパワーモジュール。
【請求項６】
前記隔壁板の上端部は、前記プリント基板と接していること特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のパワーモジュール。
【請求項７】
前記プリント基板は、前記ケース外部に接続される外部端子を備えたこと特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載のパワーモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、制御用回路等を形成したプリント基板を備えたパワーモジュールに関するものであり、特に、パワーモジュール内部の絶縁を確保するための絶縁構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）は、高電圧や大電流をオンオフ制御できるパワー半導体素子である。このＩＧＢＴに加えて、負荷電流の還流用ダイオードを組み合わせた回路を１パッケージ化したものは、ＩＧＢＴモジュールと呼ばれ、インバータ回路等を構成するための基本要素として用いられている。【０００３】
このＩＧＢＴモジュールに、さらにＩＧＢＴの駆動回路や保護回路などの制御用回路を形成したプリント基板を搭載させて１パッケージ化したパワーモジュールは、ＩＰＭ（Ｉｎｔｅｌｌｉｇｅｎｔ  Ｐｏｗｅｒ  Ｍｏｄｕｌｅ）と呼ばれる。このパワーモジュールは、制御用回路が内蔵されていることによる利便性、信頼性の向上などから、インバータ装置等に広く用いられている。【０００４】
パワーモジュールでは、三相インバータ回路を構成できるように、ＩＧＢＴとダイオードをそれぞれ６個ずつ搭載した６ｉｎ１と呼ばれるパッケージや、さらに１個ずつのＩＧＢＴとダイオードを追加して構成したブレーキ回路を含む７ｉｎ１と呼ばれるパッケージが一般的である。【０００５】
上述したように、一般的にパワーモジュールにはＩＧＢＴが複数個搭載されている。通常、インバータ回路でパワーモジュールを用いる場合には、個々のＩＧＢＴはそれぞれ異なる電位をとるため、ＩＧＢＴに接続された中継端子と、別のＩＧＢＴに接続されている中継端子とは電位が異なることになり、中継端子間の絶縁を確保する必要がある。パワーモジュールの小型化や、高電圧化が進むにつれ、中継端子間で、沿面距離や空間距離を確保することが難しくなる。【０００６】
パワーモジュールの絶縁性の確保に関しては、日本国内では日本電機工業会標準規格（ＪＥＭ規格）、海外ではＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｅｌｅｃｔｒｏｔｅｃｈｎｉｃａｌ  Ｃｏｍｍｉｓｓｉｏｎ（ＩＥＣ規格）等によって、モジュールが使用される環境、印加電圧などにおける絶縁に必要な指針となる沿面距離、空間距離が規定されている。【０００７】
従来のパワーモジュールにおいては、プリント基板上において実装部品間の空間距離と沿面距離を確保するために、プリント基板にスリットを設け絶縁性の遮蔽板をスリットに挿入する構造を用いていた（例えば、特許文献１参照）。この構造ではスリットによって沿面距離を確保し、また遮蔽板によって空間距離を確保することで、部品間距離を規定の距離より小さくしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００６−１５８０２０号公報（第８頁、第６図）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
従来のパワーモジュールにおいては、パワーモジュールの中継端子は、ケースと中継端子および封止樹脂が一体化しているため、プリント基板のスリットに遮蔽板を挿入する構造では、中継端子の露出部を完全に遮蔽することはできない。そのため、プリント基板上の絶縁距離を確保できても、中継端子間の絶縁距離を確保できず、中継端子間距離を規定の距離より小さくできないため、パワーモジュールの小型化が困難であるという問題点があった。【００１０】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたもので、プリント基板上の絶縁距離の確保とパワーモジュール内部の中継端子間の絶縁距離を確保することで、モジュール本体の小型化が可能なパワーモジュールを得るものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
この発明に係るパワーモジュールは、ケース内に設けられ、溝を形成する複数の隔壁板と、前記複数の隔壁板を挟み、それぞれ対向して形成された電位の異なる複数の中継端子と、前記複数の中継端子が接続され、前記溝と対向する位置にスリットが設けられたプリント基板と、一方の端部が前記溝の中に位置し、他方の端部の前記スリットからの突き出し量が、前記中継端子の前記プリント基板からの突き出し量よりも大きくなるように配置された遮蔽板とを備えたものである。
【発明の効果】
【００１２】
この発明は、複数の隔壁板と遮蔽板とを用いることで、プリント基板上の絶縁距離と中継端子間の絶縁距離とを確保したので、中継端子間距離を規定の距離よりも小さくすることが可能となり、パワーモジュールの小型化ができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】この発明の実施の形態１のパワーモジュールの断面構造模式図である。
【図２】この発明の実施の形態１のパワーモジュールの断面構造模式図である。
【図３】この発明の実施の形態２のパワーモジュールの断面構造模式図である。
【図４】この発明の実施の形態２のパワーモジュールの断面構造模式図である。
【図５】この発明の実施の形態３のパワーモジュールの断面構造模式図である。
【図６】この発明の実施の形態３のパワーモジュールの断面構造模式図である。
【図７】この発明の実施の形態４のパワーモジュールの断面構造模式図である。
【図８】この発明の実施の形態５のパワーモジュールの断面構造模式図である。
【図９】この発明の実施の形態５の別のパワーモジュールの断面構造模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
実施の形態１．
図１は、この発明の実施の形態１のパワーモジュールの断面構造模式図である。また、図２は、図１中の点線ＡＢにおけるこの発明の実施の形態１のパワーモジュールの断面構造模式図である。図１において、パワーモジュール１００は、ベース板１、裏面電極パターン２、絶縁基板３、配線パターン４、半導体素子５（ＩＧＢＴ５ａ、ダイオード５ｂ）、アルミワイヤ６、主端子７、中継端子８、ケース９、プリント基板１０、封止樹脂１１、フタ１２、プリント基板１０に形成されたスルーホール１３、ハンダ１４、スリット１５、遮蔽板１６、溝を形成する隔壁板１７を備える。
【００１５】
ベース板１上に裏面電極パターン２を介して、絶縁基板３が配置されている。絶縁基板３の裏面電極パターン２が形成された反対面側に、半導体素子５であるＩＧＢＴ５ａ、ダイオード５ｂが金属製の配線パターン４を介して実装されている。また、ベース板１の外周部にはケース９が接着されている。
【００１６】
ＩＧＢＴ５ａやダイオード５ｂなどの半導体素子５と、配線パターン４と、主端子７と、中継端子８との間がアルミワイヤ６によって、配線されている。主端子７はモジュール外部に対して、電流を入出力するための端子である。中継端子８はプリント基板１０とＩＧＢＴ５ａとを接続する端子であり、プリント基板１０上のＩＧＢＴ駆動回路から、中継端子８を経由してＩＧＢＴ５ａを制御する。主端子７と中継端子８は、ケース９と一体でインサート成型されている。なお、本実施の形態１ではボンディングワイヤとしてアルミワイヤを使用しているが、これもアルミワイヤに限られることはない。銅ワイヤ等の抵抗値の低い材料でも良い。銅ワイヤのような抵抗値の低い材料を用いることで、大電流化への対応も可能となる。金ワイヤを用いた場合でも、同様の効果を得ることが可能である。また、プリント基板１０は、ＩＧＢＴ５ａの駆動機能以外の回路構成であっても良い。
【００１７】
ケース９は絶縁性の材料で形成されている。ケース９の内部には、シリコーンゲルやエポキシ樹脂などの絶縁性樹脂が充填され、アルミワイヤ６上部までが封止されている。このとき、中継端子８のプリント基板１０と接続する部分は、プリント基板１０と中継端子８とをハンダ付けできるように、封止樹脂１１で封止されておらず露出している。プリント基板１０上の中継端子８と接続する箇所には、スルーホール１３が設けられている。スルーホール１３内に挿入された中継端子８は、ハンダ１４を用いてプリント基板１０と接続されている。プリント基板１０には、スリット１５が設けられている。図示はしないが、このパワーモジュールには複数個のＩＧＢＴ５ａが搭載されており、それぞれが異なる中継端子８に接続されている。また、図示はしないが、それぞれのＩＧＢＴ５ａには１つ以上の中継端子８が接続されていてもよい。
【００１８】
スリット１５は、異なるＩＢＧＴ５ａに接続された電位の異なる中継端子８ａと中継端子８ｂとの間に設置されている。図２に示すように、ケース９には、中継端子８ａと中継端子８ｂとの間に挟まれて、溝を形成する隔壁板１７がケース９と一体的に形成されている。隔壁板１７の上端部の高さは溝の外周部領域に充填された封止樹脂１１の充填高さより高くしてある。このため、隔壁板１７の内部である溝内には封止樹脂１１は充填されない構造となっている。
【００１９】
隔壁板１７は、プリント基板１０に形成されたスリット１５の下部で、スリット１５と隔壁板１７による溝とが重なる位置に形成されている。スリット１５の隙間の間と隔壁板１７による溝の間との両方に、絶縁性の遮蔽板１６が挿入されている。遮蔽板１６の他方の端部である遮蔽板１６の上端部のスリット１５からの突き出し量は、中継端子８ａや中継端子８ｂのプリント基板１０からの突き出し量よりも大きくなるように配置する。さらに、遮蔽板１６の上端部は、中継端子８ａや中継端子８ｂの上端部までの距離を長くすることで中継端子間の絶縁距離を長くすることができ、中継端子間の絶縁性を向上させることができる。また、遮蔽板１６の一方の端部である遮蔽板１６の下端部は隔壁板１７による溝の間に配置される。さらに、遮蔽板１６の下端部は、隔壁板１７の上端部までの距離を長くすることで中継端子間の絶縁距離を長くすることができ、中継端子間の絶縁性を向上させることができる。また、遮蔽板１６の下端部は、溝の外周部領域に充填された封止樹脂１１の間に配置されても良い。このように配置することでも、中継端子８間の絶縁性を向上することができる。
【００２０】
また、遮蔽板１６は封止樹脂１１の間に配置された状態で、さらに、遮蔽板１６の下端部は、隔壁板１７の上端部までの距離を長くしても良い。つまり、遮蔽板１６の下端部を封止樹脂１１の充填高さよりも低い位置までを遮蔽する位置としても良い。このような構造とすることで、より効果的に絶縁することが可能となる。この遮蔽板１６は、中継端子８ａと中継端子８ｂとの距離（間隔）が適用するモジュールの仕様に応じた指定の絶縁規格を満足する規定の距離となる位置に配置されれば良い。さらに、遮蔽板１６は、スリット１５の切り込み方向に対して、中継端子間の絶縁距離を長くすることができる大きさ（幅）があれば良い。
【００２１】
遮蔽板１６は、ケース９の内側側面もしくは隔壁板１７により形成される溝の底面に固定する。固定方法は限定しないが、接着剤を用いたり、ケース９の壁面や底面に固定用溝を形成して差し込んだりすればよい。また、遮蔽板１６をプリント基板１０に対して固定してもよい。
【００２２】
以上のように構成されたパワーモジュールにおいては、中継端子８ａと中継端子８ｂとの間の空間距離と沿面距離は、いずれの場合でも遮蔽板１６を迂回する経路となるため、空間距離と沿面距離とのいずれの距離も延長することができ、中継端子間の距離を、規定の距離よりも小さくすることが可能となる。これにより、パワーモジュールの小型化が可能となる。
【００２３】
また、中継端子８ａ，８ｂを、プリント基板１０へハンダ接合した後で、遮蔽板１６を設置することが可能となる。ハンダ接合工程より前に遮蔽板１６を設置した場合では、中継端子８ａと中継端子８ｂとの距離が近いと、ハンダ付けの冶具と遮蔽板１６とが干渉することで、ハンダ付けの生産性が悪化する。しかし、本実施の形態１の構造とすることで、ハンダ付けの生産性を悪化させずに中継端子８間の距離を小さくすることができる。
【００２４】
さらに、電位の異なる２つの中継端子８の場合について説明したが、複数の半導体素子５を備えた場合で、電位の異なる中継端子８が２つ以上の場合においても同様の構成とすることで同様の効果を得ることができる。
【００２５】
また、スリット１５および遮蔽板１６は、電位の異なる中継端子８間にそれぞれ１箇所としたが、複数個所設置してもよい。このように複数個所に遮蔽板１６を配置することで、より効果的に中継端子８間を絶縁することが可能となる。
【００２６】
さらに、プリント基板１０と中継端子８の接合方法を、一般的に用いられるハンダ付けとしているが、ハンダ付けに限られることはなく、コネクタやプレスフィット端子による接合方法としてもよい。コネクタ接合やプレスフィット接合とすることで、接合工程が簡素化できる。
【００２７】
実施の形態２．
本実施の形態２においては、実施の形態１で用いた別部材で形成されていたフタ１２と遮蔽板１６とを、絶縁性部材を用いて一体化した構造とした点が異なる。このようにフタ１２と遮蔽板１６０とを一体形成したので、フタ１２を組み付けると同時に遮蔽板１６０を設置することが可能となり、パワーモジュール２００を形成する部品点数を削減することができ、組立工程数も削減することができる。
【００２８】
図３は、この発明の実施の形態２のパワーモジュールの断面構造模式図である。また、図４は、図３中の点線ＡＢにおけるこの発明の実施の形態２のパワーモジュールの断面構造模式図である。図３において、パワーモジュール２００は、ベース板１、裏面電極パターン２、絶縁基板３、配線パターン４、半導体素子５（ＩＧＢＴ５ａ、ダイオード５ｂ）、アルミワイヤ６、主端子７、中継端子８、ケース９、プリント基板１０、封止樹脂１１、フタ１２、プリント基板１０に形成されたスルーホール１３、ハンダ１４、スリット１５、絶縁性部材を用いてフタ１２と一体的に形成された遮蔽板１６０、溝を形成する隔壁板１７を備える。
【００２９】
フタ１２は、プリント基板１０に形成されたスリット１５に対応する位置に、遮蔽板１６０を一体的に備える。これにより、遮蔽板１６０を固定するための手段を別途用意する必要がない。また、このような一体的な構造とすることにより、プリント基板１０から突出した部分の中継端子８間の絶縁距離を効果的に延長することが可能となる。
【００３０】
以上のように構成されたパワーモジュールにおいては、中継端子８ａと中継端子８ｂとの間の空間距離と沿面距離は、いずれの場合でも遮蔽板１６０を迂回する経路となるため、空間距離と沿面距離とのいずれの距離も延長することができ、中継端子間の距離を、規定の距離よりも小さくすることが可能となる。このような構造とすることで、より効果的に空間距離と沿面距離とのいずれの距離も延長することができ、パワーモジュールの小型化が可能となる。
【００３１】
さらに、フタ１２と遮蔽板１６０とを一体的に形成したことで、部品点数を削減することができ、組立工程数も削減することができる。
【００３２】
実施の形態３．
本実施の形態３においては、実施の形態１で用いたケース９に形成した溝を形成する隔壁板１７の上端部とプリント基板１０の裏面と接する構造とした点が異なる。このように隔壁板１７０の上端部をプリント基板１０の裏面と接するようにしたので、ハンダボールがプリント基板１０の裏面側に侵入して短絡不良を発生させることを防ぐができる。
【００３３】
図５は、この発明の実施の形態３のパワーモジュールの断面構造模式図である。また、図６は、図５中の点線ＡＢにおけるこの発明の実施の形態３のパワーモジュールの断面構造模式図である。図５において、パワーモジュール３００は、ベース板１、裏面電極パターン２、絶縁基板３、配線パターン４、半導体素子５（ＩＧＢＴ５ａ、ダイオード５ｂ）、アルミワイヤ６、主端子７、中継端子８、ケース９、プリント基板１０、封止樹脂１１、フタ１２、プリント基板１０に形成されたスルーホール１３、ハンダ１４、スリット１５、遮蔽板１６、溝を形成しプリント基板１０に接する隔壁板１７０を備える。
【００３４】
中継端子８ａや中継端子８ｂをプリント基板１０とハンダ付けする際に、ハンダ１４の量が多いと、ハンダボールが発生することがある。ハンダボールが発生すると、ハンダボールがスリット１５を通過し、プリント基板１０の裏面側に侵入し、プリント基板１０の裏面側の導電性部品間に接触して短絡不良を発生する可能性がある。
【００３５】
しかしながら、本実施の形態３の構造とすることで、ハンダボールは隔壁板１７０で形成される溝の内部に留まるため、ハンダボールがプリント基板１０の裏面側に侵入して短絡不良を発生させることを防ぐことができる。
【００３６】
以上のように構成されたパワーモジュールにおいては、中継端子８ａと中継端子８ｂとの間の空間距離と沿面距離は、いずれの場合でも遮蔽板１６を迂回する経路となるため、空間距離と沿面距離とのいずれの距離も延長することができ、中継端子間の距離を、規定の距離よりも小さくすることが可能となる。
【００３７】
また、本実施の形態３の構造とすることで、ハンダボールは隔壁板１７０で形成される溝の内部に留まるため、ハンダボールがプリント基板１０の裏面側に侵入して短絡不良を発生させることを防ぐことができる。
【００３８】
さらに、隔壁板１７０の上端部のプリント基板１０の裏面と接する部分を絶縁性樹脂で覆うことにより、プリント基板１０の下面側の中継端子８間の絶縁性を向上させることができる。
【００３９】
また、製造工程上可能な範囲において、実施の形態２と本実施の形態３を合わせた構造とすることも可能である。このような構造とすることで、より効果的に空間距離と沿面距離とのいずれの距離も延長することができ、パワーモジュールの小型化が可能となる。
【００４０】
実施の形態４．
本実施の形態４においては、実施の形態１で用いたプリント基板１０にプリント基板１０上に形成されたＩＧＢＴ駆動回路と電気信号をやり取りする外部端子１８を備える構造とした点が異なる。このように外部端子１８を備えたことで、中継端子８を介して接続されたパワーモジュール４００内に配置されたＩＧＢＴ５ａ等の動作状態をパワーモジュール４００の外部から制御や監視を行うことができる。
【００４１】
図７は、この発明の実施の形態４のパワーモジュールの断面構造模式図である。図７において、パワーモジュール４００は、ベース板１、裏面電極パターン２、絶縁基板３、配線パターン４、半導体素子５（ＩＧＢＴ５ａ、ダイオード５ｂ）、アルミワイヤ６、主端子７、中継端子８、ケース９、プリント基板１０、封止樹脂１１、フタ１２、プリント基板１０に形成されたスルーホール１３、ハンダ１４、スリット１５、遮蔽板１６、溝を形成する隔壁板１７、外部端子１８を備える。
【００４２】
パワーモジュール４００内に配置された半導体素子５は、パワーモジュール４００の使用状態（使用環境温度）により、動作状態が経時的に変化することがある。この使用状態の変化に対応せず同じ動作条件で半導体素子５を動作させ続けると、この半導体素子５が誤動作し、パワーモジュール４００は所望の動作が得られない可能性がある。
【００４３】
しかしながら、本実施の形態４の構造とすることで、このパワーモジュール４００の使用状態の変化による半導体素子５の動作状態の変化を、外部端子１８からの電気信号を用いて観察することで、例えば、半導体素子５の劣化状態の診断や、動作条件の再設定等を行うことで半導体素子５の誤動作を防止し、適切な動作条件で動作させ続けることが可能となる。
【００４４】
以上のように構成されたパワーモジュールにおいては、中継端子８ａと中継端子８ｂとの間の空間距離と沿面距離は、いずれの場合でも遮蔽板１６を迂回する経路となるため、空間距離と沿面距離とのいずれの距離も延長することができ、中継端子間の距離を、規定の距離よりも小さくすることが可能となる。
【００４５】
また、本実施の形態４の構造とすることで、外部端子１８によりパワーモジュール４００内の半導体素子５の動作状態を監視診断することが可能となり、パワーモジュールの長寿命化ができる。
【００４６】
実施の形態５．
本実施の形態５においては、実施の形態１で用いた、隔壁板１７により形成される溝の内部にも、封止樹脂１１を注入した構造とした点が異なる。遮蔽板１６の下端は、封止樹脂１１の充填高さより低くする。このように溝内にも封止樹脂１１を注入したことで、中継端子８間の絶縁距離をさらに長くすることができ、中継端子間の絶縁性を向上させることができる。
【００４７】
図８は、この発明の実施の形態５のパワーモジュールの断面構造模式図である。図８において、パワーモジュール５００は、ベース板１、中継端子８、ケース９、プリント基板１０、封止樹脂１１、フタ１２、プリント基板１０に形成されたスルーホール１３、ハンダ１４、スリット１５、遮蔽板１６、溝を形成する隔壁板１７を備える。別方向における断面構造は図１に示したものと同構造である。
【００４８】
本実施の形態５のパワーモジュール５００は、次のように製造することができる。封止樹脂１１をケース９の内部および、隔壁板１７により形成される溝の内部に注入する。次に、プリント基板１０を中継端子８に半田付けなどで接続する。次に、遮蔽板１６をスリット１５および隔壁板１７により形成される溝の内部に挿入する。この時点では封止樹脂１１は硬化しておらず流動性があるため、遮蔽板１６の下端を、溝内に充填された封止樹脂１１に埋まるように設置することができる。その後、封止樹脂１１をキュアして硬化させることで、本実施の形態５におけるパワーモジュールの構造を製造することができる。
【００４９】
また、次のようにしても、本実施の形態５におけるパワーモジュール５００を製造することができる。プリント基板１０を中継端子８に半田付けなどで接続する。次に、封止樹脂１１をケース９の内部および、隔壁板１７により形成される溝の内部に注入する。このとき、封止樹脂１１を注入するための開口をプリント基板１０上に形成したり、プリント基板１０とケース９との間に封止樹脂１１を注入するための開口を形成したりしておくと封止樹脂１１の注入性を向上することができる。同様に、封止樹脂１１を隔壁板１７により形成される溝の内部に注入する際には、プリント基板１０に形成されたスリット１５を利用してもよい。次に、遮蔽板１６をプリント基板１０に形成したスリット１５および隔壁板１７により形成される溝の内部に挿入した後、封止樹脂１１をキュアして硬化させる。
【００５０】
さらに、次のようにしても、本実施の形態５におけるパワーモジュール５００を製造することができる。プリント基板１０を中継端子８に半田付けなどで接続した後、遮蔽板１６をスリット１５および隔壁板１７により形成される溝の内部に挿入する。その後、封止樹脂１１をケース９の内部および、隔壁板１７により形成される溝の内部に注入し、封止樹脂１１をキュアして硬化させる。このとき、封止樹脂１１を注入するための開口をプリント基板１０上に形成したり、プリント基板１０とケース９との間に封止樹脂１１を注入するための開口を形成したりしておくと封止樹脂１１の注入性を向上することができる。
【００５１】
隔壁板１７により形成される溝の内部に注入する封止樹脂１１の充填高さは、遮蔽板１６の下端より高くなるように設定してあれば、必ずしも、ケース９内部に注入する封止樹脂１１の充填高さと同じである必要はない。図８に示すように、遮蔽板１６の下端の位置をより低くすることにより、隔壁板１７により形成される溝の内部に注入する封止樹脂１１の充填高さを、ケース９内部に注入する封止樹脂１１の充填高さより低くすることができるため、封止樹脂１１の使用量を最小限にすることができる。
【００５２】
図９は、この発明の実施の形態５の別のパワーモジュールの断面構造模式図である。図９において、パワーモジュール５００は、ベース板１、中継端子８、ケース９、プリント基板１０、封止樹脂１１、フタ１２、プリント基板１０に形成されたスルーホール１３、ハンダ１４、スリット１５、遮蔽板１６、溝を形成する隔壁板１７を備える。別方向における断面構造は図１に示したものと同構造である。
【００５３】
図９に示すように、隔壁板１７により形成される溝の内部に注入する封止樹脂１１の充填高さを、ケース９内部に注入する封止樹脂１１の充填高さより高くすることにより、遮蔽板１６の下端の位置をより高くすることができるため、遮蔽板１６を製造する際の使用材量を最小限にすることができる。
【００５４】
隔壁板１７により形成される溝の内部に注入する封止樹脂１１の材質は、ケース９内部に注入する封止樹脂１１の材質と同一でなくてもよく、絶縁性の材質であればよい。隔壁板１７により形成される溝の内部には、アルミワイヤ６などの配線部や半導体素子５が存在しないため、耐熱性、耐環境性などが劣る材質を用いてもよい。
【００５５】
本実施の形態５においては、溝を形成する隔壁版１７を備えたが、パワーモジュールの大きさに制限がない場合などは、溝を設けずに封止樹脂１１内部に遮蔽板１６を配置してもよい。このようにすることで、中継端子８間の絶縁距離を長くしたまま、製造工程を簡略化することができる。
【００５６】
以上のように構成されたパワーモジュールにおいては、中継端子８ａと中継端子８ｂとの間の空間距離と沿面距離は、いずれの場合でも遮蔽板１６を迂回する経路となるため、空間距離と沿面距離とのいずれの距離も延長することができ、中継端子間の距離を、規定の距離よりも小さくすることが可能となる。
【００５７】
また、隔壁板１７により形成される溝の内部に封止樹脂１１を注入し、注入した封止樹脂１１の充填高さを遮蔽板１６に接するようにしたので、中継端子８ａと中継端子８ｂとの間の空間距離と沿面距離は、いずれの場合でも遮蔽板１６を迂回する経路となるため、空間距離と沿面距離とのいずれの距離も延長することができ、中継端子間の距離を、規定の距離よりも小さくすることが可能となる。
【００５８】
さらに、隔壁板１７により形成される溝の内部に注入する封止樹脂１１の材質をケース９内部に注入する封止樹脂１１の材質と異なるものとすることができるので、用途、適用箇所に応じた材質の選択が可能となる。
【符号の説明】
【００５９】
１  ベース板、２  裏面金属パターン、３  絶縁基板、４  配線パターン、５  半導体素子、５ａ  ＩＧＢＴ、５ｂ  ダイオード、６  アルミワイヤ、７  主端子、８，８ａ，８ｂ  中継端子、９  ケース、１０  プリント基板、１１  封止樹脂、１２  フタ、１３  スルーホール、１４  ハンダ、１５  スリット、１６，１６０  遮蔽板、１７，１７０  隔壁板、１８  外部端子、１００，２００，３００，４００，５００，６００  パワーモジュール。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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