(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
高次高調波フィルタとして機能するＲＦ電力結合器であって、
導波路を収容するための中心軸開口を少なくとも一つが持つ、同軸に配置されたディスク状の金属導体の少なくとも一つの組であって、前記ディスク状の金属導体の向かい合う表面は、前記ディスク状の金属導体の対称面について対称であるよう成形されて、断面において異なる底辺であって、前記中心軸により近く置かれた各台形の底辺がより短い底辺を持つ等脚台形を持つ、連続的かつ放射状に連通する複数の同心キャビティを形成する、同軸に配置されたディスク状の金属導体の少なくとも一つの組を含み、
前記同心キャビティの数は、（２ｋ＋１）であり、ｋはフィルタ処理される信号高調波の数であり、
前記複数のキャビティの全ての同心キャビティは、同一の半径方向長さを持ち、
前記複数のキャビティの全ての同心キャビティは、前記台形の底辺における異なる角度であって、前記同心キャビティのそれぞれによって形成される放射状伝送線のセグメントの波動インピーダンスに依存する角度、を持ち、
前記ディスク状の金属導体の周辺部の周りに均一に配置され、前記ディスク状の金属導体に接続された複数のホーンアンテナは、前記複数のうちの各ホーンアンテナのキャビティの半径方向長さが前記同心キャビティの半径方向長さに等しく、各ホーンアンテナの外側辺は、ＲＦ信号の源であり、ストリップ線路の形態にある出力を持つＲＦモジュールを接続するように適応されており、
前記ディスク状の金属導体における前記同心キャビティおよび前記ホーンアンテナの前記キャビティは、放射状の非分散伝送線のセグメントを形成し、そこではＴＥＭ波が伝播し、前記セグメントのそれぞれのインピーダンスの大きさ（ｉｍｐｅｄａｎｃｅ  ｍａｇｎｉｔｕｄｅ）は、分析された高調波の前記ＲＦモジュールの複素出力インピーダンスの値によって決定される、前記中心軸に平行な円柱状の断面におけるラインインピーダンスの一定値を持つ、
ＲＦ電力結合器。
【請求項２】
高次高調波フィルタとして機能するＲＦ電力結合器であって、
導波路を収容するための中心軸開口を少なくとも一つが持つ、同軸に配置されたディスク状の金属導体の少なくとも一つの組であって、前記ディスク状の金属導体の向かい合う表面は、前記ディスク状の金属導体の対称面について対称であるよう成形されて、断面において異なる底辺であって前記中心軸により近く置かれた各台形の底辺がより短い底辺を持つ等脚台形を持つ、連続的かつ放射状に連通する複数の同心キャビティを形成する、同軸に配置されたディスク状の金属導体の少なくとも一つの組を含み、
前記同心キャビティの数は、（２ｋ＋１）であり、ｋはフィルタされている信号高調波の数であり、
前記複数のキャビティの全ての同心キャビティは同一の半径方向長さを持ち、
前記複数のキャビティの全ての同心キャビティは、前記台形の底辺における異なる角度であって、前記同心キャビティのそれぞれによって形成される放射状伝送線のセグメントの波動インピーダンスに依存する角度、を持ち、
前記ディスク状の金属導体と一体的に作られ、前記ディスク状の金属導体の周辺部の周りに均一に配置された複数のホーンアンテナは、前記複数のうちの各ホーンアンテナのキャビティの半径方向長さが前記同心キャビティの半径方向長さに等しく、各ホーンアンテナの外側辺は、ＲＦ信号の源であり、ストリップ線路の形態にある出力を持つＲＦモジュールを接続するように適応されており、
前記ディスク状の金属導体における前記同心キャビティおよび前記ホーンアンテナの前記キャビティは、放射状の非分散伝送線のセグメントを形成し、そこではＴＥＭ波が伝播し、前記セグメントのそれぞれのインピーダンスの大きさは、分析された高調波の前記ＲＦモジュールの複素出力抵抗の値によって決定される、前記中心軸に平行な円柱状の断面における波動インピーダンスの一定値を持つ、
ＲＦ電力結合器。
【請求項３】
前記複数のキャビティにおける同心キャビティの数は、最小でも３に等しい奇数である、
請求項１または２に記載のＲＦ電力結合器。
【請求項４】
前記ディスク状の金属導体は銅製である、
請求項１または２に記載のＲＦ電力結合器。
【請求項５】
ホーンアンテナの数は、各々が出力電力を持ち、総出力電力が前記電力結合器の出力電力である、接続されたＲＦモジュールの数によって決定される、
請求項１または２に記載のＲＦ電力結合器。
【請求項６】
第二のディスク状の金属導体は、導波路の端部を接続するためのユニットを含む、
請求項１または２に記載のＲＦ電力結合器。
【請求項７】
同軸の導波路の形態で作られた導波路の端部を接続するときは、外部導体は前記ディスクのうちの一つに接続され、内部導体は他のディスクに接続される、
請求項１または２に記載のＲＦ電力結合器。
【請求項８】
同軸の導波路の外部導体に接続された一方のディスク状の金属導体と、内部導体に接続された他方のディスク状の金属導体の組と、
前記外部導体に接続されるとともに、前記内部導体に接続されない両方のディスク状の金属導体の少なくとも１つの組とを含む、
請求項１または２に記載のＲＦ電力結合器。
【請求項９】
前記ディスク状の金属導体を収容するための中空の円柱の形態にある筐体であって、前記導体と同軸に配置されており、ＲＦモジュールをホーンアンテナに接続するために、円柱の側壁において前記ホーンアンテナと同数の複数の窓および前記同軸の導波路を通すために少なくとも一つの端面において中心開口を持つ、筐体を含む、
請求項１または２に記載のＲＦ電力結合器。
【請求項１０】
同軸に配置されたディスク状の金属導体の二つ以上の組を含む、
請求項１または２に記載のＲＦ電力結合器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は高次高調波フィルタ設計に関し、特に、高次高調波フィルタとして機能するＲＦ電力結合器に関する。
【背景技術】
【０００２】
高次高調波フィルタはＦ級ＲＦ電力増幅器の作成用に必要とされる。奇数高調波によって伝達される電力を反射する（ｒｅｆｌｅｃｔｉｎｇ）することによって増幅器の効率を向上させることおよびいくつかの増幅器（ＲＦモジュール）からの電力を結合してそれを負荷に届けることの両方を行うために、これらのフィルタは必要とされる。コンパクトで高効率なＲＦ発生器／増幅器を設計する上で、そのような装置に対する需要は特に高い。
【０００３】
現在、この問題に関するいくつかの特許が存在する：ＵＳ４５６２４０９、ＵＳ４９２６１４５、ＵＳ６２４２９８４Ｂ１、ＵＳ４２３８７４７等である。言及された全ての特許が、望ましくない高次モード、運用用のものより高い周波数での伝播、を抑制しつつ、並列電力結合（ｐａｒａｌｌｅｌ  ｐｏｗｅｒ  ｃｏｍｂｉｎｉｎｇ）の問題を解決する装置を記載している。複数のＲＦモジュールが接続されている放射状伝送線、および出力同軸線が全ての特許で使用されている。
【０００４】
ＵＳ４，２３８，７４７は、フィルタキャビティの底部の放射状の複数の共振スロットを利用するマルチモード構造（ｍｕｌｔｉ−ｍｏｄｅｄ  ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）における望ましくないモードを防止するためのモードフィルタ装置を開示している。フィルタキャビティの最上部は、共振スロットと協働してモード選択性を提供するための可変高中心部を含む。円柱状の共振キャビティは、底部プレートにおける放射状パターンの共振スロットと、装置の最上部プレートにおける可変高中心部とを有する。放射状のスロットの長さ、幅、および深さを変えることによってだけでなく、最上部プレートの中心部の高さを変更することによって、モードフィルタ装置のモード選択性は制御され得る。モード選択性は、吸収材料（ａｂｓｏｒｂｉｎｇ  ｍａｔｅｒｉａｌ）で放射状のスロットを様々な深さまで満たすことによっても変更され得る。
【０００５】
ＵＳ４，９２６，１４５は、放射状伝送線におけるｍ＝１モードおよびｍ＝２モードを含む望ましくない高次モードに対応するエネルギが効率的に吸収される放射状電力結合器／分割器を開示している。前記放射状電力結合器／分割器では、望ましくないモードの抑制のために放射状のスロットが提供されており、放射状のスロットによって適切に抑制されない望ましくないあるモードは、中心同軸伝送線内を伝播することが許容され、そこで外側の導体における長手スロットによって抑制される。代替の実施形態では、結合器／分割器の中心伝送線は円形導波路の形態にあり、抑制手段は、消散材料の細くかつ間隔を空けた同軸円柱（ｔｈｉｎ，  ｓｐａｃｅｄ  ｃｏａｘｉａｌ  ｃｙｌｉｎｄｅｒｓ）を含む。
【０００６】
ＵＳ４，５６２，４０９は、小さい挿入損失で、広い帯域幅にわたってマイクロ波電力を分配または結合することが可能なキャビティ共振器結合タイプ（ｃａｖｉｔｙ  ｒｅｓｏｎａｔｏｒ  ｃｏｕｐｌｉｎｇ−  ｔｙｐｅ）の電力分配器／電力結合器を開示している。キャビティ共振器結合タイプの電力分配器／電力結合器は、円柱のＴＯ、ｎ、Ｏモード（ｃｙｌｉｎｄｒｉｃａｌ  ΤΟ，ｎ，Ο  ｍｏｄｅ）と動作可能なように共振する第一のキャビティ共振器と、第一のキャビティ共振器の周辺部に配置され、第一のキャビティ共振器に対して放射状かつ対称的に、のびる複数の第二のキャビティ共振器を含む。マイクロ波増幅器内のマイクロ波電力を分配または結合するために、第一のキャビティ共振器と第二のキャビティ共振器のそれぞれとの間で磁界結合が確立されるように、第二のキャビティ共振器はそれぞれ同一の形状および寸法を有する。
【０００７】
キャビティ共振器内では、高次高調波は、放射状の線の導体における放射状のスリットおよび出力同軸線の外部導体における長手スリットで抑制され、全てのスリットは吸収消散材料で満たされている。これらの特許は、電力結合および信号濾過の問題を解決する。言及された特許では、高次高調波の電力は、結合器の壁内か誘電性材料内のいずれかで消散するが、本発明の開示で請求されるようなＲＦモジュールに後方反射（ｒｅｆｌｅｃｔ  ｂａｃｋ）されるようなことは起きない。
【０００８】
ＵＳ６，２４２，９８４は、信号を複数の部分に分割し、一部を増幅するために分布増幅器を使用し、増幅された部分を信号出力へ再結合する固体電力増幅器（ＳＳＰＡ）モジュールに関する。
【０００９】
本発明に従うＳＳＰＡモジュールは、信号入力および、信号入力に接続され、放射状にのびる複数のスプリッター導波路を含む放射状スプリッターを含む。ＳＳＰＡモジュールは、信号出力および、信号出力に接続され、放射状にのびる複数の結合器導波路を含む放射状結合器をも含む。スプリッターと結合器との間の接続は、鉛直にのびる複数の導波路によって提供される。ＳＳＰＡモジュールは、結合器導波路に接続された、例えばＭＭＩＣ増幅器といった、複数の処理回路をも含む。マイクロストリップ変換器（ｍｉｃｒｏｓｔｒｉｐ  ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ）への導波路は、導波路内を伝播する信号を、処理回路に接続されたマイクロストリップ線路（ｍｉｃｒｏｓｔｒｉｐ  ｌｉｎｅｓ）に接続するためおよび処理回路に接続されたマイクロストリップ線路から接続するために、使用されてもよい。マイクロストリップ変換器に対する導波路を形成するために、マイクロストリップ部に接している変換エリアの境界となる第一のスリットおよび第二のスリットを画定する最上の導電層を持つ導波路部を変換器は一般的に含む。
【００１０】
ＵＳ６２４２９８４Ｂ１にあるように、特許ＵＳ４５６２４０９において、同軸出力を持つ放射状線セグメントに磁界を介して結合されている方形導波路に基づいて、各ＲＦモジュールからの信号はキャビティ共振器へ最初に注入される。その設計は、第三高調波の反射に使用することが可能な、直列の二つの共振器を伴う（ｉｍｐｌｙ）。
【発明の概要】
【００１１】
従って、奇数高調波によって伝達される電力を反射することによって増幅器の効率を向上させることおよびそれと同時にいくつかの増幅器（ＲＦモジュール）からの電力を結合してそれを負荷に届けることの両方を行うために、フィルタは必要とされる。
本発明の目的は、奇数高調波によって伝達される電力を反射することによって増幅器の効率を向上させることおよびそれと同時にいくつかの増幅器（ＲＦモジュール）からの電力を結合してそれを負荷に届けることに関する問題に役立つ放射状ＲＦフィルタを提供することである。
【００１２】
発明の一態様によれば、高次高調波フィルタとして機能するＲＦ電力結合器であって、
導波路を収容するための中心軸開口を少なくとも一つが持つ同軸に配置されたディスク状の金属導体の少なくとも一つの組であって、前記ディスク状の金属導体の向かい合う表面は前記ディスク状の金属導体の対称面について対称であるよう成形されて、断面において異なる底辺であって中心軸により近く置かれた各台形の底辺がより短い底辺を持つ等脚台形を持つ、連続し放射状に連通する複数の同心キャビティを形成する、同軸に配置されたディスク状の金属導体の少なくとも一つの組を含み、
前記同心キャビティの数は（２ｋ＋１）であり、ｋはフィルタ処理されている信号高調波の数であり、
前記複数のキャビティの全ての同心キャビティは同一の半径方向長さを持ち、
前記複数のキャビティの全ての同心キャビティは、前記台形の底辺における異なる角度であって、前記同心キャビティのそれぞれによって形成される放射状伝送線のセグメントの波動インピーダンスに依存する角度、を持ち、
前記ディスク状の金属導体の周辺部の周りに均一に配置され前記ディスク状の金属導体に接続された複数のホーンアンテナは、前記複数のうちの各ホーンアンテナのキャビティの半径方向長さが前記同心キャビティの半径方向長さに等しく、各ホーンアンテナの外側辺は、ＲＦ信号の源でありストリップ線路の形態にある出力を持つＲＦモジュールを接続するように適応されており、
前記ディスク状の金属導体における前記同心キャビティおよび前記ホーンアンテナの前記キャビティは、放射状の非分散伝送線のセグメントを形成し、そこではＴＥＭ波が伝播し、前記セグメントのそれぞれのインピーダンスの大きさ（ｉｍｐｅｄａｎｃｅ  ｍａｇｎｉｔｕｄｅ）は、分析された高調波の前記ＲＦモジュールの複素出力インピーダンスの値によって決定される、前記中心軸に平行な円柱状の断面におけるラインインピーダンスの一定値を持つ、ＲＦ電力結合器が提供される。
【００１３】
発明のもう一つの態様によれば、高次高調波フィルタとして機能するＲＦ電力結合器であって、
導波路を収容するための中心軸開口を少なくとも一つが持つ、同軸に配置されたディスク状の金属導体の少なくとも一つの組であって、前記ディスク状の金属導体の向かい合う表面は、前記ディスク状の金属導体の対称面について対称であるよう成形されて、断面において異なる底辺であって、中心軸により近く置かれた各台形の底辺がより短い底辺を持つ等脚台形を持つ、連続的かつ放射状に連通する複数の同心キャビティを形成する、同軸に配置されたディスク状の金属導体の少なくとも一つの組を含み、
前記同心キャビティの数は（２ｋ＋１）であり、ｋはフィルタ処理される信号高調波の数であり、
前記複数のキャビティの全ての同心キャビティは同一の半径方向長さを持ち、
前記複数のキャビティの全ての同心キャビティは、前記台形の底辺における異なる角度であって、前記同心キャビティのそれぞれによって形成される放射状伝送線のセグメントの波動インピーダンスに依存する角度、を持ち、
前記ディスク状の金属導体と一体的に作られ、前記ディスク状の金属導体の周辺部の周りに均一に配置された複数のホーンアンテナは、前記複数のうちの各ホーンアンテナのキャビティの半径方向長さが、前記同心キャビティの半径方向長さに等しく、各ホーンアンテナの外側辺は、ＲＦ信号の源であり、ストリップ線路の形態にある出力を持つＲＦモジュールを接続するように適応されており、
前記ディスク状の金属導体における前記同心キャビティおよび前記ホーンアンテナの前記キャビティは、放射状の非分散伝送線のセグメントを形成し、そこではＴＥＭ波が伝播し、前記セグメントのそれぞれのインピーダンスの大きさは、分析された高調波の前記ＲＦモジュールの複素出力抵抗の値によって決定される、前記中心軸に平行な円柱状の断面における波動インピーダンスの一定値を持つ、ＲＦ電力結合器が提供される。
【００１４】
好ましくは、前記複数のキャビティにおける同心キャビティの数は最小でも３に等しい奇数である。
【００１５】
好ましくは、前記ディスク状の金属導体は銅製である。
【００１６】
好ましくは、ホーンアンテナの数は、各々が出力電力を持ち、総出力電力が前記電力結合器の出力電力である、接続されたＲＦモジュールの数によって決定される。
【００１７】
好ましくは、第二のディスク状の金属導体は、導波路の端部を接続するためのユニットを含む。
【００１８】
好ましくは、同軸の導波路の形態で作られた導波路の端部を接続するときは、外部導体は前記ディスクのうちの一方に接続され、内部導体は他方のディスクに接続される。
【００１９】
好ましくは、導波路を前記電力結合器に接続するときは、両方の金属導体は前記同軸の導波路の前記外部導体に接続される。
【００２０】
好ましくは、前記ＲＦ電力結合器は、前記ディスク状の金属導体を収容するための中空の円柱の形態にある筐体であって、前記導体と同軸に配置されており、ＲＦモジュールをホーンアンテナに接続するために円柱の側壁において前記ホーンアンテナと同数の複数の窓および前記同軸の導波路を通すための少なくとも一つの端面における中心開口を有する、筐体を含む。
【００２１】
好ましくは、前記ＲＦ電力結合器は、同軸に配置されたディスク状の金属導体の二つ以上の組を含む。
【００２２】
得られる利点および主張される解決への貢献は、非共振電力結合器とステップラインフィルタ（ｓｔｅｐｐｅｄ−  ｌｉｎｅ  ｆｉｌｔｅｒ）との放射状伝送線に基づく統合である。提案される発明の主な利点は以下の通りである。
ａ）本発明に基づく複数の装置は、一つの電力結合器設計に容易に組み込まれることが可能である。
ｂ）固体マイクロ波増幅器の高効率な運用を達成するために、奇数高調波がＲＦモジュールに後方反射される。
ｃ）共振キャビティがない放射状のフィルタの導電壁の形状は、有用な電力の少ない消散を生じさせる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
請求される発明の実施形態のより詳細な記述がその特定の実施形態を参照してなされる。これら特定の実施形態はその範囲を限定するとはみなされない同封された（ｅｎｃｌｏｓｅｄ）図面において示される。発明の態様は、添付の図面の使用を通してさらなる専門性および詳細をもって記述されかつ説明される。
【図１】図１は本発明による、高次高調波フィルタとして機能するＲＦ電力結合器の概略図（縦断面）を示す。
【図２】図２は本発明による、ホーンアンテナを備えたＲＦ電力結合器において形成される同心キャビティの概略図を示す。
【図３】図３は本発明による、ディスク状の金属導体およびディスク状の金属導体と一体的に形成されたホーンアンテナの透視図（分解断面図）を示す。
【図４】図４は本発明による、ホーンアンテナを備えたディスク状の金属導体の上面図を示す。
【図５】図５は、本発明による、ホーンアンテナを備えたＲＦ電力結合器において形成された同心キャビティであって、図１とは異なる形状を持つ同心キャビティのもう一つの実施形態の概略図（縦断面）を示す。
【図６】図６は本発明による、ＲＦ電力結合器において形成されたＲＦ電力結合器同心キャビティであって、図１とは異なる形状を持ち、外部導体はディスクのうちの一つに接続され、内部導体は他のディスクに接続される、同心キャビティのもう一つの実施形態の概略図（縦断面）を示す。
【図７】図７は本発明による、高次高調波フィルタとして機能するＲＦ電力結合器であって、同軸の導波路を通すための二つの開口を筐体が含む、ＲＦ電力結合器の概略図（縦断面）を示す。
【図８】図８は本発明による、高次高調波として機能するＲＦ電力結合器の透視図を示す。
【図９】図９は本発明による、同軸に配置されたディスク状の金属導体の二つの組を含むＲＦ電力結合器の概略図（縦断面）を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
高次高調波フィルタとして機能するＲＦ電力結合器１（図１）は、同軸に位置された、同軸に配置されたディスク状の金属導体２および３の少なくとも一つの組を含む。前記導体２のうちの少なくとも一つは、導波路５を収容するための中心軸開口４を持つ。ディスク状の金属導体２および３の向かい合う表面は、ディスク状の金属導体のＡ−Ａ対称面について対称に成形されており、また、連続し放射状に連通する複数の同心キャビティ６、７、８を形成する。これら同心キャビティは断面における異なる底辺（ｂａｓｅ）Ｂ−Ｂ１、Ｃ−Ｃ１、Ｄ−Ｄ１、Ｅ−Ｅ１、Ｆ−Ｆ１、Ｇ−Ｇ１を持つ等脚台形（図２）を持つ。これらの底辺のうち、中心軸により近く置かれた各台形の底辺Ｂ−Ｂ１、Ｄ−Ｄ１、Ｆ−Ｆ１はより短い底辺である。
【００２５】
同心キャビティの数は（２ｋ＋１）であり、ｋはフィルタ処理されている信号高調波の数である。図２では、装置は三つの同心キャビティ６、７、８を含む。
【００２６】
前記複数のキャビティの全ての同心キャビティ６、７、８は、同一の半径方向長さＬと、台形の底辺における異なる角度ａ１、ａ２、ａ３を持ち、これらの角度は、同心キャビティのそれぞれによって形成される放射状伝送線のセグメントの波動インピーダンスに依存する。
【００２７】
ＲＦ電力結合器（図１）は、ディスク状の金属導体２および３の周辺部の周りに均一に配置され、かつディスク状の金属導体に接続された複数のホーンアンテナ９（図３）を含む。前記複数の各ホーンアンテナ９のキャビティの半径方向長さＭ（図２（ａｂｕ．２））は、同心キャビティの半径方向長さＬと等しく、各ホーンアンテナ９の外側辺１０は、ＲＦ信号の源であり、ストリップ線路の形態にある出力を持つＲＦモジュールを接続するように適応されている。
【００２８】
ディスク状の金属導体における同心キャビティ６、７、８およびホーンアンテナ９のキャビティは、放射状の非分散伝送線のセグメントを形成し、そこではＴＥＭ波が伝播し、セグメントのそれぞれのインピーダンスの大きさ（ｉｍｐｅｄａｎｃｅ  ｍａｇｎｉｔｕｄｅ）は、分析された高調波のＲＦモジュールの複素出力インピーダンスの値によって決定される、中心軸に平行な円柱状の断面におけるラインインピーダンスの一定値を持つ。矢印Ｙは電界の方向を示す。
【００２９】
請求される発明の第二の態様によれば、高次高調波フィルタとして機能するＲＦ電力結合器１は、第一の実施形態におけるのと同じ構造を持つが、複数のホーンアンテナ９がディスク状の金属導体と一体的に作られ、ディスク状の金属導体の周辺部の周りに均一に配置されている（図４）。第一の実施形態と同様に、前記複数の各ホーンアンテナのキャビティの半径方向長さＭは、同心キャビティの半径方向長さＬに等しく、各ホーンアンテナの外側辺は、ＲＦ信号の源であり、ストリップ線路の形態にある出力を持つＲＦモジュールを接続するように適応されている。
【００３０】
前記複数のキャビティにおける同心キャビティの数は、最小でも３に等しい奇数である。
【００３１】
好ましくは、ディスク状の金属導体２および３は銅製である。また、合金、例えば銅でコーティングされたアルミニウム、から形成することが可能である。
【００３２】
一般に、ホーンアンテナ９の数は、各々が出力電力を持つ、接続されたＲＦモジュール１０の数によって決定され、ＲＦモジュール１の総出力電力は電力結合器の出力電力である。
【００３３】
好ましくは、第二のディスク状の金属導体３は、導波路５の端部１３を接続するためのユニット１２（図１および図５）を含む。
【００３４】
同軸の導波路の形態で作られた導波路５の端部を接続するときは（図５および図６）、外部導体１４はディスク２のうちの一つに接続され、内部導体１５は他のディスク３に接続される。
【００３５】
他の実施形態では、導波路５を電力結合器に接続するときは、金属導体２および３の両方は、同軸の導波路５の外部導体１４に接続される。
【００３６】
ＲＦ電力結合器は、ディスク状の金属導体２および３を収容するための中空の円柱の形態にある筐体１６（図１）を更に含む。前記筐体１６は、導体と同軸に配置されており、円柱の側壁１７において複数の窓１８を持ち、ＲＦモジュール１１をホーンアンテナ９に接続するために壁の数はホーンアンテナ９の数と等しい。前記筐体１６は、同軸の導波路５を通すために少なくとも一つの端面２０において中心開口１９を含む。
図７では、同軸の導波路５を通すために、前記筐体１６は対応するかたちで両方の端面２０および２２に二つの中心開口１９および２１を含むことが示されている。
【００３７】
図８は、高次高調波として機能するＲＦ電力結合器１の透視図を示す。
【００３８】
好ましくは、ＲＦ電力結合器１は、同軸に配置されたディスク状の金属導体の二つ以上の組を含む。図９では、ＲＦ電力結合器１は同軸に配置されたディスク状の金属導体の二つの組を含むことが示されている。
【００３９】
高次高調波フィルタとして機能するＲＦ電力結合器１は、下記のように動作する。
【００４０】
基本波がＲＦモジュール１１に伝送される。前記ＲＦモジュール１１は高次高調波を形成する。全ての高調波はＲＦ電力結合器１に伝送される。
【００４１】
高次高調波はフィルタ処理されるべきである（ｓｈｏｕｌｄ  ｂｅ  ｆｉｌｔｅｒｅｄ）。
【００４２】
高次高調波フィルタとして機能するＲＦ電力結合器１の動作の間、基本波は、ホーンアンテナおよび同心キャビティによって形成された伝送線の全てのセグメントを、通る。基本波のみを含む全てのＲＦモジュールからの信号はまとめられ（ａｒｅ  ｓｕｍｍｅｄ）、出力の同軸の導波路に伝送される。
【００４３】
ホーンアンテナおよび同心キャビティによって形成される伝送線のセグメントの総数によってその数が決定される高次高調波は、「同位相で」反射され（反射波の位相は入射波の位相に等しい）、そして各ＲＦモジュールにフィードバックされる。複素反射係数は、Ｔ型の波（ｗａｖｅ  ｏｆ  ｔｙｐｅ  Ｔ）で励起されるホーンアンテナのインピーダンスおよび同心キャビティのインピーダンスによって定められる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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