(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一隅部および第二隅部を有する半導体装置であって、
保護層設置領域、および、前記保護層設置領域の外側に位置する保護層露出領域からなるキャリア表面を有するキャリアと、
前記保護層設置領域に設置されており、第一設置領域、少なくとも１つの第一抗応力領域、ならびに、前記第一設置領域および前記第一抗応力領域の外側に位置する第一露出領域からなる第一表面を有し、前記第一抗応力領域が前記第一設置領域の隅に位置する第一保護層と、
前記第一設置領域に設置されており、前記第一抗応力領域および前記第一露出領域を露出させ、第二設置領域、少なくとも１つの第二抗応力領域、ならびに、前記第二設置領域および前記第二抗応力領域の外側に位置する第二露出領域からなる第二表面を有し、前記第二抗応力領域が前記第二設置領域の隅に位置する第二保護層と、
前記第二設置領域に設置されており、前記第二抗応力領域および前記第二露出領域を露出させる第三保護層と、を備え、
前記第一抗応力領域および前記第二抗応力領域が前記第一隅部に位置し、前記第一抗応力領域の面積は前記第二抗応力領域の面積以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第二保護層は、第一側壁、第二側壁、および、前記第一側壁と前記第二側壁とを連接する第一連接壁を有し、
前記第一側壁は第一端点からなる第一底辺を有し、
前記第二側壁は第二端点からなる第二底辺を有し、
前記第一底辺の前記第一端点から延長して形成される第一延長線と前記第二底辺の前記第二端点から延長して形成される第二延長線とが交差する交差点を第一基準点と定義し、
前記第一基準点、前記第一端点、および前記第二端点が連接されることで形成される領域を前記第一抗応力領域と定義することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第三保護層は、第三側壁、第四側壁、および前記第三側壁と前記第四側壁とを連接する第二連接壁を有し、
前記第三側壁は第三端点からなる第三底辺を有し、
前記第四側壁は第四端点からなる第四底辺を有し、
前記第三底辺の前記第三端点から延長して形成される第三延長線と前記第四底辺の前記第四端点から延長して形成される第四延長線とが交差する交差点を第二基準点と定義し、
前記第二基準点、前記第三端点、および前記第四端点が連接されることで形成される領域を前記第二抗応力領域と定義することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第二基準点と前記第三端点との間には第一距離を有し、
前記第二基準点と前記第四端点との間には第二距離を有し、
前記第一距離と前記第二距離とは同じであることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第二保護層は、第一側壁、第二側壁、および、前記第一側壁と前記第二側壁とを連接する第一連接壁を有し、
前記第一側壁は第五端点からなる第一頂辺を有し、
前記第二側壁は第六端点からなる第二頂辺を有し、
前記第五端点と前記第三端点との間には第三距離を有し、
前記第三距離は前記第一頂辺から前記第三底辺までの最短距離であり、
前記第六端点と前記第四端点との間には第四距離を有し、
前記第四距離は前記第二頂辺から前記第四底辺までの最短距離であることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第一連接壁は平面或いは弧面であることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第二連接壁は平面或いは弧面であることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第一保護層の前記第一表面は、前記第一設置領域の隅に位置する少なくとも１つの第三抗応力領域を有し、
前記第二保護層は前記第三抗応力領域を露出させ、
前記第二保護層の前記第二表面は、前記第二設置領域の隅に位置する少なくとも１つの第四抗応力領域を有し、
前記第三保護層は前記第四抗応力領域を露出させ、
前記第三抗応力領域および前記第四抗応力領域は前記第二隅部に位置し、
前記第三抗応力領域の面積は前記第四抗応力領域の面積以上であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第二保護層は、第一側壁、第五側壁、および、前記第一側壁と前記第五側壁とを連接する第三連接壁を有し、
前記第一側壁は第七端点からなる第一底辺を有し、
前記第五側壁は第八端点からなる第五底辺を有し、
前記第一底辺の前記第七端点から延長して形成される第五延長線と前記第五底辺の前記第八端点から延長して形成される第六延長線とが交差する交差点を第三基準点と定義し、
前記第三基準点、前記第七端点、および前記第八端点が連接されることで形成される領域を前記第三抗応力領域と定義することを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第三保護層は、第三側壁、第六側壁、および、前記第三側壁と前記第六側壁とを連接する第四連接壁を有し、
前記第三側壁は第九端点からなる第三底辺を有し、
前記第六側壁は第十端点からなる第六底辺を有し、
前記第三底辺の前記第九端点から延長して形成される第七延長線と前記第六底辺の前記第十端点から延長して形成される第八延長線とが交差する交差点を第四基準点と定義し、
前記第四基準点、前記第九端点、および前記第十端点が連接されることで形成される領域を前記第四抗応力領域と定義することを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記第二保護層は、第一側壁、第五側壁、および、前記第一側壁と前記第五側壁とを連接する第三連接壁を有し、
前記第一側壁は第十一端点からなる第一頂辺を有し、
前記第五側壁は第十二端点からなる第三頂辺を有し、
前記第十一端点と前記第九端点との間には第五距離を有し、
前記第五距離は前記第一頂辺から前記第三底辺までの最短距離であり、
前記第十二端点と前記第十端点との間には第六距離を有し、
前記第六距離は前記第三頂辺から前記第六底辺までの最短距離であることを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記第三基準点と前記第七端点との間には第七距離を有し、
前記第三基準点と前記第八端点との間には第八距離を有し、
前記第七距離と前記第八距離とは同じであることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記第四基準点と前記第九端点との間には第九距離を有し、
前記第四基準点と前記第十端点との間には第十距離を有し、
前記第九距離と前記第十距離とは同じであることを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記第三連接壁は平面或いは弧面であることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記第四連接壁は平面或いは弧面であることを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関し、より詳しくは、応力が隅に集中しない半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図７は従来の半導体装置２００であり、キャリア２１０、第一保護層２２０、第二保護層２３０および第三保護層２４０を有する。前記キャリアは表面２１１を有し、前記第一保護層２２０は前記表面２１１に設置され、且つ前記第一保護層２２０は第一側壁２２１および前記第一側壁２２１に接続される第二側壁２２２を有する。前記第二保護層２３０は前記第一保護層２２０に設置され、前記第二保護層２３０は第三側壁２３１および前記第三側壁２３１に接続される第四側壁２３２を有する。前記第三保護層２４０は前記第二保護層２３０に設置され、前記第三保護層２４０は第五側壁２４１および前記第五側壁２４１に接続される第六側壁２４２を有する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−１５７３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、前述した従来の半導体装置では、前記第一保護層２２０、前記第二保護層２３０および前記第三保護層２４０のサイズが異なり、前記第二保護層２３０の前記第三側壁２３１および前記第四側壁２３２の接続箇所は直角であり、前記第三保護層２４０の前記第五側壁２４１および前記第六側壁２４２の接続箇所も直角であり、このため前記第一保護層２２０、前記第二保護層２３０および前記第三保護層２４０が前記キャリア２１０の前記表面２１１に重層される際に、応力が前記第二保護層２３０の前記第三側壁２３１および前記第四側壁２３２の接続箇所に集中してしまい、前記第三側壁２３１および前記第四側壁２３２の接続箇所に破裂や断裂が発生し、前記半導体装置２００の歩留まりに影響を及ぼした。
【０００５】
そこで、本発明者は上記の欠点が改善可能と考え、鋭意検討を重ねた結果、合理的設計で上記の課題を効果的に改善する本発明の半導体装置の提案に到った。
【０００６】
本発明は、このような従来の問題に鑑みてなされたものである。上記課題解決のため、本発明は、半導体装置を提供することを主目的とする。つまり、各保護層の表面に抗応力領域を有することで、応力が各保護層の隅に集中しないようにし、半導体装置の隅の箇所が破裂や断裂するのを防止する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る半導体装置は第一隅部および第二隅部を有し、キャリア、第一保護層、第二保護層、および第三保護層を備える。キャリアは、保護層設置領域、および、保護層設置領域の外側に位置する保護層露出領域からなるキャリア表面を有する。第一保護層は、保護層設置領域に設置されており、第一設置領域、少なくとも１つの第一抗応力領域、ならびに、第一設置領域および第一抗応力領域の外側に位置する第一露出領域からなる第一表面を有し、第一抗応力領域が第一設置領域の隅に位置する。第二保護層は、第一設置領域に設置されており、第一抗応力領域および第一露出領域を露出させ、第二設置領域、少なくとも１つの第二抗応力領域、ならびに、第二設置領域および第二抗応力領域の外側に位置する第二露出領域からなる第二表面を有し、第二抗応力領域が第二設置領域の隅に位置する。第三保護層は、第二設置領域に設置されており、第二抗応力領域および第二露出領域を露出させる。第一抗応力領域および第二抗応力領域が第一隅部に位置し、第一抗応力領域の面積は第二抗応力領域の面積以上である。
【０００８】
本発明に係る前記第一保護層は前記第一抗応力領域を有し、前記第二保護層は前記第二抗応力領域を有し、これにより前記半導体装置の応力が前記第一隅部に集中しなくなり、前記半導体装置の前記第一隅部が破裂や断裂することで引き起こされる前記半導体装置の歩留まりの低下を防ぐ。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の第１実施形態による半導体装置を示す分解傾斜図である。
【図２】本発明の第１実施形態による半導体装置を示す傾斜図である。
【図３】本発明の第１実施形態による半導体装置を示す平面図である。
【図４】本発明の第１実施形態による半導体装置を示す傾斜図である。
【図５】本発明の第２実施形態による半導体装置を示す傾斜図である。
【図６】本発明の第２実施形態による半導体装置を示す平面図である。
【図７】従来の半導体装置を示す傾斜図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に図面を参照して、本発明を実施するための形態について、詳細に説明する。なお、本発明は、以下に説明する実施形態に限定されるものではない。
【００１１】
（第１実施形態）
以下、第１実施形態を図１〜２に基づいて説明する。半導体装置１００は第一隅部１００ａおよび第二隅部１００ｂを有し、半導体装置１００はキャリア１１０、第一保護層１２０、第二保護層１３０および第三保護層１４０を備える。キャリア１１０はキャリア表面１１１を有し、キャリア表面１１１は保護層設置領域１１１ａおよび保護層設置領域１１１ａの外側に位置する保護層露出領域１１１ｂを有する。第一保護層１２０は保護層設置領域１１１ａに設置され、第一保護層１２０は第一表面１２１を有し、第一表面１２１は第一設置領域１２１ａ、少なくとも１つの第一抗応力領域１２１ｂ、および第一設置領域１２１ａと第一抗応力領域１２１ｂの外側に位置する第一露出領域１２１ｃを有する。第一抗応力領域１２１ｂは第一設置領域１２１ａの隅に位置し、第二保護層１３０は第一設置領域１２１ａに設置され、且つ第二保護層１３０では第一抗応力領域１２１ｂおよび第一露出領域１２１ｃが露出される。第二保護層１３０は第二表面１３１を有し、第二表面１３１は第二設置領域１３１ａ、少なくとも１つの第二抗応力領域１３１ｂ、および第二設置領域１３１ａと第二抗応力領域１３１ｂの外側に位置する第二露出領域１３１ｃを有し、第二抗応力領域１３１ｂは第二設置領域１３１ａの隅に位置する。
【００１２】
また、第二保護層１３０は第一側壁１３２、第二側壁１３３、および第一側壁１３２と第二側壁１３３に接続される第一連接壁１３４を有する（図２および図３参照）。第一側壁１３２は第一端点Ｐ１からなる第一底辺１３２ａを有し、第二側壁１３３は第二端点Ｐ２からなる第二底辺１３３ａを有する。第一底辺１３２ａの第一端点Ｐ１から延長して形成される第一延長線Ｌ１と第二底辺１３３ａの第二端点Ｐ２から延長して形成される第二延長線Ｌ２とが交差することで第一基準点Ａ１が形成され、第一基準点Ａ１、第一端点Ｐ１、および第二端点Ｐ２が接続されることで形成される領域は第一抗応力領域１２１ｂである。この好ましい実施形態では、第一連接壁１３４は平面である。
【００１３】
なお、第三保護層１４０は第二設置領域１３１ａに設置され、第三保護層１４０では第二抗応力領域１３１ｂおよび第二露出領域１３１ｃが露出される。第一抗応力領域１２１ｂおよび第二抗応力領域１３１ｂは第一隅部１００ａに位置し、且つ第一抗応力領域１２１ｂの面積は第二抗応力領域１３１ｂの面積より小さくない（図１乃至図３参照）。この好ましい実施形態では、第三保護層１４０は第三側壁１４１、第四側壁１４２および第三側壁１４１と第四側壁１４２に接続される第二連接壁１４３を有する。第三側壁１４１は第三端点Ｐ３からなる第三底辺１４１ａを有し、第四側壁１４２は第四端点Ｐ４からなる第四底辺１４２ａを有しする。第三底辺１４１ａの第三端点Ｐ３から延長して形成される第三延長線Ｌ３と第四底辺１４２ａの第四端点Ｐ４から延長して形成される第四延長線Ｌ４とが交差することで第二基準点Ａ２が形成され、且つ第二基準点Ａ２、第三端点Ｐ３、および第四端点Ｐ４が接続されることで形成される領域は第二抗応力領域１３１ｂである。第二連接壁１４３は平面であり、且つ第二基準点Ａ２と第三端点Ｐ３との間には第一距離Ｄ１を有し、第二基準点Ａ２と第四端点Ｐ４との間には第二距離Ｄ２を有し、第一距離Ｄ１は第二距離Ｄ２に等しい。
【００１４】
この好ましい実施形態では、第二保護層１３０の第一側壁１３２は第五端点Ｐ５からなる第一頂辺１３２ｂを更に有し、第二側壁１３３は第六端点Ｐ６からなる第二頂辺１３３ｂを有する。第五端点Ｐ５から第三端点Ｐ３までの間には第三距離Ｄ３を有し、第三距離Ｄ３は第一頂辺１３２ｂから第三底辺１４１ａまでの最短距離である。第六端点Ｐ６から第四端点Ｐ４までの間には第四距離Ｄ４を有し、第四距離Ｄ４は第二頂辺１３３ｂから第四底辺１４２ａまでの最短距離である（図２および図３参照）。
【００１５】
図１および図４に示すように、第一保護層１２０の第一表面１２１は少なくとも１つの第三抗応力領域１２１ｄを更に有し、且つ第三抗応力領域１２１ｄは第一設置領域１２１ａの隅に位置する。第二保護層１３０では第三抗応力領域１２１ｄが露出され、第二保護層１３０の第二表面１３１は少なくとも１つの第四抗応力領域１３１ｄを有し、第四抗応力領域１３１ｄは第二設置領域１３１ａの隅に位置し、且つ第三保護層１４０では第四抗応力領域１３１ｄが露出される。第三抗応力領域１２１ｄおよび第四抗応力領域１３１ｄは第二隅部１００ｂに位置し、且つ第三抗応力領域１２１ｄの面積は第四抗応力領域１３１ｄの面積より小さくない。図３および図４によれば、第二保護層１３０は第五側壁１３５、および第一側壁１３２と第五側壁１３５に接続される第三連接壁１３６を更に有する。第一側壁１３２の第一底辺１３２ａは第七端点Ｐ７を有し、第五側壁１３５は第八端点Ｐ８からなる第五底辺１３５ａを有し、第三連接壁１３６は平面である。第一底辺１３２ａの第七端点Ｐ７から延長して形成される第五延長線Ｌ５と第五底辺１３５ａの第八端点Ｐ８から延長して形成される第六延長線Ｌ６とが交差することで第三基準点Ａ３が形成され、且つ第三基準点Ａ３、第七端点Ｐ７、および第八端点Ｐ８が接続することで形成される領域は第三抗応力領域１２１ｄである。
【００１６】
図３および図４によれば、第三保護層１４０は第六側壁１４４、および第三側壁１４１と第六側壁１４４に接続される第四連接壁１４５を更に有する。第三側壁１４１の第三底辺１４１ａは第九端点Ｐ９を有し、第六側壁１４４は第十端点Ｐ１０からなる第六底辺１４４ａを有し、第四連接壁１４５は平面である。第三底辺１４１ａの第九端点Ｐ９から延長して形成される第七延長線Ｌ７と第六底辺１４４ａの第十端点Ｐ１０から延長して形成される第八延長線Ｌ８とが交差することで第四基準点Ａ４が形成され、且つ第四基準点Ａ４、第九端点Ｐ９、および第十端点Ｐ１０が接続されることで形成される領域は第四抗応力領域１３１ｄである。
【００１７】
なお、第二保護層１３０の第一側壁１３２の第一頂辺１３２ｂは第十一端点Ｐ１１を有し、第五側壁１３５は第十二端点Ｐ１２からなる第三頂辺１３５ｂを有する。第十一端点Ｐ１１から第九端点Ｐ９までの間には第五距離Ｄ５を有し、第五距離Ｄ５は第一頂辺１３２ｂから第三底辺１４１ａまでの最短距離である。第十二端点Ｐ１２から第十端点Ｐ１０までの間には第六距離Ｄ６を有し、第六距離Ｄ６は第三頂辺１３５ｂから第六底辺１４４ａまでの最短距離である。また、本実施形態によると、第三基準点Ａ３と第七端点Ｐ７との間には第七距離Ｄ７を有し、第三基準点Ａ３と第八端点Ｐ８との間には第八距離Ｄ８を有し、第七距離Ｄ７は第八距離Ｄ８に等しい。第四基準点Ａ４と第九端点Ｐ９との間には第九距離Ｄ９を有し、第四基準点Ａ４と第十端点Ｐ１０との間には第十距離Ｄ１０を有し、第九距離Ｄ９は第十距離Ｄ１０に等しい。
【００１８】
本発明に係る第一抗応力領域１２１ｂおよび第二抗応力領域１３１ｂは第一隅部１００ａに位置し、第三抗応力領域１２１ｄおよび第四抗応力領域１３１ｄは第二隅部１００ｂに位置する。これにより、応力が第一隅部１００ａおよび第二隅部１００ｂに集中するのを防ぎ、且つ第二保護層１３０の第一連接壁１３４および第三連接壁１３６と第三保護層１４０の第二連接壁１４３および第四連接壁１４５とは応力が隅に集中するのを防止する効果を有する。故に、半導体装置１００は第一隅部１００ａ或いは第二隅部１００ｂに断裂や破裂が発生し半導体装置１００の歩留まりが悪化するのを回避させる。
【００１９】
（第２実施形態）
以下、第２実施形態を図５〜６に基づいて説明する。好ましい第１実施形態との差異は、第一連接壁１３４、第二連接壁１４３、第三連接壁１３６、および第四連接壁１４５が弧面であり、第一連接壁１３４、第二連接壁１４３、第三連接壁１３６、および第四連接壁１４５が弧面である場合、半導体装置１００の応力が第二保護層１３０の第一側壁１３２および第二側壁１３３の接続箇所（第一隅部１００ａの近隣）に集中するのを防ぎ、半導体装置１００の第一側壁１３２および第二側壁１３３の接続箇所に断裂や破裂が発生するのを防止させる点である。
【００２０】
以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成は、この実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含む。
【符号の説明】
【００２１】
１００：半導体装置、
１００ａ：第一隅部、
１００ｂ：第二隅部、
１１０：キヤリア、
１１１：キヤリア表面、
１１１ａ：保護層設置領域、
１１ｂ：保護層露出領域、
１２０：第一保護層、
１２１：第一表面、
１２１ａ：第一設置領域、
１２１ｂ：第一抗応力領域、
１２１ｃ：第一露出領域、
１２１ｄ：第三抗応力領域、
１３０：第二保護層、
１３１：第二表面、
１３１ａ：第二設置領域、
１３１ｂ：第二抗応力領域、
１３１ｃ：第二露出領域、
１３１ｄ：第四抗応力領域、
１３２：第一側壁、
１３２ａ：第一底辺、
１３２ｂ：第一頂辺、
１３３：第二側壁、
１３３ａ：第二底辺、
１３３ｂ：第二頂辺、
１３４：第一連接壁、
１３５：第五側壁、
１３５ａ：第五底辺、  
１３５ｂ：第三頂辺、
１３６：第三連接壁、
１４０：第三保護層、
１４１：第三側壁、
１４１ａ：第三底辺、
１４２：第四側壁、
１４２ａ：第四底辺、
１４３：第二連接壁、
１４４：第六側壁、
１４４ａ：第六底辺、
１４５：第四連接壁、
Ａ１：第一基準点、
Ａ２：第二基準点、
Ａ３：第三基準点、
Ａ４：第四基準点、
Ｄ１：第一距離、
Ｄ２：第二距離、  
Ｄ３：第三距離、
Ｄ４：第四距離、
Ｄ５：第五距離、
Ｄ６：第六距離、
Ｄ７：第七距離、
Ｄ８：第八距離、
Ｄ９：第九距離、
Ｄ１０：第十距離、
Ｌ１：第一延長線、
Ｌ２：第二延長線、
Ｌ３：第三延長線、
Ｌ４：第四延長線、
Ｌ５：第五延長線、
Ｌ６：第六延長線、
Ｌ７：第七延長線、
Ｌ８：第八延長線、
Ｐ１：第一端点、
Ｐ２：第二端点、
Ｐ３：第三端点、
Ｐ４：第四端点、
Ｐ５：第五端点、
Ｐ６：第六端点、
Ｐ７：第七端点、
Ｐ８：第八端点、
Ｐ９：第九端点、
Ｐ１０：第十端点、
Ｐ１１：第十一端点、
Ｐ１２：第十二端点、
２００：半導体装置、
２１０：キヤリア、
２１１：表面、
２２０：第一保護層、
２２１：第一側壁、
２２２：第二側壁、
２３０：第二保護層、
２３１：第三側壁、
２３２：第四側壁、
２４０：第三保護層、
２４１：第五側壁、
２４２：第六側壁。
【図１】
0005933645.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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