(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
励起光によって励起される平板状のレーザ媒質を、クラッドにより上下面から挟むように形成された平面導波路と、
上記平面導波路の対向する両側面に形成された反射膜と、
上記平面導波路の上面に設けられ、入力されるレーザ光を透過する第１の反射防止部と、
上記平面導波路の上記反射膜が形成されていない側面に該平面導波路の上面とのなす角度が鋭角になるように形成され、上記第１の反射防止部を透過したレーザ光を反射して該平面導波路の平面方向且つ前記反射膜に向かう方向に導波させる第１の傾斜部と、
上記平面導波路の上記第１の傾斜部に対向する側面に該平面導波路の上面とのなす角度が鋭角になるように形成され、該平面導波路の平面方向且つ前記反射膜に向かう方向に導波したレーザ光を反射する第２の傾斜部と、
上記平面導波路の上面に設けられ、上記第２の傾斜部により全反射したレーザ光を透過して出力する第２の反射防止部と、
上記平面導波路の側面から励起光を入射する励起光源とを備えた平面導波路型レーザ装置。
【請求項２】
対向する非平行な２辺を有し、励起光によって励起される平板状のレーザ媒質を、クラッドにより上下面から挟むように形成された平面導波路と、
上記平面導波路の対向する非平行な両側面に形成された反射膜と、
上記平面導波路の上面に設けられ、入出力されるレーザ光を透過する反射防止部と、
上記平面導波路の上記反射膜が形成されていない側面に該平面導波路の上面とのなす角度が鋭角になるように形成され、上記反射防止部を透過した入力されるレーザ光を反射して該平面導波路の平面方向且つ前記反射膜に向かう方向に導波させると共に、該平面導波路の平面逆方向に導波したレーザ光を反射して該反射防止部に出力する傾斜部と、
上記平面導波路の側面から励起光を入射する励起光源とを備えた平面導波路型レーザ装置。
【請求項３】
上記傾斜部は、
上記励起光の波長を透過し、上記レーザ光の波長を反射する二色性膜が成膜されることを特徴とする請求項１または請求項２記載の平面導波路型レーザ装置。
【請求項４】
上記反射防止部は、
複数のレーザ光を入出力させることを特徴とする請求項１から請求項３のうちのいずれか１項記載の平面導波路型レーザ装置。
【請求項５】
上記反射防止部は、
反射防止膜であることを特徴とする請求項１から請求項４のうちのいずれか１項記載の平面導波路型レーザ装置。
【請求項６】
上記反射防止部は、
上記レーザ光を任意の方向に屈折させる透明ブロックであることを特徴とする請求項１から請求項４のうちのいずれか１項記載の平面導波路型レーザ装置。
【請求項７】
上記反射膜は、
上記励起光の波長を透過し、上記レーザ光の波長を反射する二色性膜が成膜されることを特徴とする請求項１または請求項２記載の平面導波路型レーザ装置。
【請求項８】
上記傾斜部は、
上記レーザ光が照射される個所に形成され、上記レーザ光の波長を反射する全反射部と、
上記レーザ光が照射されない個所に形成され、寄生発振光を抑制する寄生発振光抑制部とを備えたことを特徴とする請求項１から請求項７のうちのいずれか１項記載の平面導波路型レーザ装置。
【請求項９】
上記反射防止部は、
上記レーザ光が照射される個所に形成され、上記レーザ光の波長を透過する反射防止膜と、
上記レーザ光が照射されない個所に形成され、寄生発振光を抑制する寄生発振光抑制部とを備えたことを特徴とする請求項１から請求項７のうちのいずれか１項記載の平面導波路型レーザ装置。
【請求項１０】
上記クラッドは、
上記レーザ媒質の上面に形成された第１のクラッドと、
上記第１のクラッドの上面および上記レーザ媒質の下面から挟むように形成された第２のクラッドとを備え、
上記レーザ光を上記レーザ媒質の平面方向に導波させることを特徴とする請求項１から請求項９のうちのいずれか１項記載の平面導波路型レーザ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、平行平板状の導波路を用いた平面導波路型レーザ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の平面導波路型レーザ装置として、平面導波路の同一側面に、レーザ光を反射する全反射膜と、レーザ光を入出力する反射防止膜とを形成したものがある。
このような構成では、反射防止膜を介した入力レーザ光を全反射膜により多重反射し、光路長を長くすることにより、励起光による利得を高め、増幅されたレーザ光を全反射膜から出力する（下記特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−２３６０２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の平面導波路型レーザ装置は、以上のように構成されているので、レーザ光を反射する全反射膜と、レーザ光を入出力する反射防止膜とを、平面導波路の同一側面に形成しなくてはならない。
よって、全反射膜と反射防止膜との境界を高い精度で製作する必要が生じると共に、レーザ光の光路が制限される課題があった。
【０００５】
本発明は、上記のような課題を解消するためになされたものであり、全反射膜および反射防止部の製作に高い精度が要求されることなく、レーザ光の光路を任意に選択可能な平面導波路型レーザ装置を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の平面導波路型レーザ装置は、平面導波路の対向する両側面に形成された反射膜と、平面導波路の上面に設けられ、入力されるレーザ光を透過する第１の反射防止部と、平面導波路の反射膜が形成されていない側面に平面導波路の上面とのなす角度が鋭角になるように形成され、第１の反射防止部を透過したレーザ光を反射して平面導波路の平面方向且つ反射膜に向かう方向に導波させる第１の傾斜部と、平面導波路の第１の傾斜部に対向する側面に平面導波路の上面とのなす角度が鋭角になるように形成され、平面導波路の平面方向且つ反射膜に向かう方向に導波したレーザ光を反射する第２の傾斜部と、平面導波路の上面に設けられ、第２の傾斜部により全反射したレーザ光を透過して出力する第２の反射防止部と、平面導波路の側面から励起光を入射する励起光源とを備えたものである。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、レーザ光を反射する反射膜を平面導波路の側面に形成すると共に、レーザ光を入力する第１および第２の反射防止部を平面導波路の上面に設けたので、反射膜と第１および第２の反射防止部とを個別の最適な面に形成することができることから、反射膜および第１および第２の反射防止部の製作に高い精度が要求されることなく、レーザ光の光路を任意に選択することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の実施の形態１による平面導波路型レーザ装置を示す構成図である。
【図２】本発明の実施の形態２による平面導波路型レーザ装置を示す構成図である。
【図３】本発明の実施の形態３による平面導波路型レーザ装置を示す構成図である。
【図４】本発明の実施の形態４による平面導波路型レーザ装置を示す構成図である。
【図５】本発明の実施の形態５による平面導波路型レーザ装置を示す構成図である。
【図６】本発明の実施の形態６による平面導波路型レーザ装置を示す構成図である。
【図７】本発明の実施の形態７による平面導波路型レーザ装置を示す構成図である。
【図８】本発明の実施の形態８による平面導波路型レーザ装置を示す構成図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
実施の形態１．
図１は本発明の実施の形態１による平面導波路型レーザ装置を示す構成図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は正面図である。
図において、励起用半導体レーザ１は、励起光２を発振し、その励起光２を平面導波路３の側面から入射する励起光源である。
【００１０】
平面導波路３において、コア層４は、平面状のレーザ媒質であり、励起用半導体レーザ１から出射された励起光２が平面導波路３の側面より入射されると、その励起光２によって励起される。
コア層４の材質は固体であり、一般的なレーザ媒質（レーザ遷移媒質が添加されて、励起用半導体レーザ１から出射された励起光２を吸収する材質）を使用する。
コア層４の媒質としては、例えば、Ｎｄ：ＹＡＧ，Ｙｂ：ＹＡＧ，Ｅｒ：ＹＡＧ，Ｔｍ：ＹＡＧ，Ｈｏ：ＹＡＧ，Ｎｄ：ＹＬＦ，Ｙｂ：ＹＬＦ，Ｅｒ：ＹＬＦ，Ｔｍ：ＹＬＦ，Ｈｏ：ＹＬＦ，Ｎｄ：Ｇｌａｓｓ，Ｃｒ：ＬｉＳＡＦ，Ｔｉ：Ｓａｐｐｈｉｒｅなどが用いられる。
【００１１】
平面導波路３において、クラッド層５は、レーザ光６と励起光２をコア層４内に閉じ込めるために、コア層４の上下面に形成される。
クラッド材としてコア層４の屈折率ｎ１よりも低い屈折率ｎ２（ｎ１＞ｎ２）の媒質で構成される。クラッド層２の媒質としては、例えば、ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，ＭｇＦ２などを用いる。
【００１２】
全反射膜（反射膜）７は、レーザ光６を反射する媒質であり、励起光２が入射される平面導波路３の側面と異なる平面導波路３の平面に垂直な側面全面に形成される。
【００１３】
反射防止膜（反射防止部）８，９は、レーザ光６を透過する媒質であり、全反射膜７が形成されていない側面近傍の平面導波路３の上面に形成される。
【００１４】
傾斜部１０，１１は、平面導波路３の全反射膜７が形成されていない側面に、平面導波路３の上面とのなす角度が鋭角になるように形成される。
【００１５】
次に動作について説明する。
図１の平面導波路型レーザ装置は、レーザ増幅器やレーザ発振器として動作する。
まず、励起用半導体レーザ１から出射された励起光２は、平面導波路３の側面より入射される。
即ち、励起用半導体レーザ１から出射された励起光２は、コア層４およびクラッド層５の側面から入射される。
【００１６】
平面導波路３内に入射された励起光２は、コア層４の上下面であるクラッド層５との界面で全反射される。
これにより、平面導波路３内に入射された励起光２は、コア層４の内部に閉じ込められて導波される。
【００１７】
レーザ光６は、コア層４の上下面であるクラッド層５との界面で全反射される。これにより、レーザ光６は、コア層４の内部に閉じ込められて導波される。
ただし、レーザ光６は、導波方向と垂直な方向では、平面導波路３の側面に形成された全反射膜７の間で反射を繰り返しながらジグザグに進行する。
【００１８】
このとき、コア層４とクラッド層５の内部に閉じ込められて導波する励起光２は、コア層４で吸収されて、レーザ利得を発生させる。
励起光２により、コア層４内に発生したレーザ利得によって、コア層４内を導波するレーザ光６が増幅される。
【００１９】
ここで、例えば、平面導波路３の外部から反射防止膜８を透過して、平面導波路３の内部にレーザ光６が入力された場合を考える。
レーザ光６は、平面導波路３の傾斜部１０において、コア層４の屈折率をｎ１、平面導波路３の外部の屈折率をｎ０として、入射角θがθ＞ｓｉｎ−１（ｎ０／ｎ１）を満たすと、傾斜部１０において全反射する。
全反射されたレーザ光６は、平面導波路３に対して水平方向に角度を変え、平面導波路３の側面に形成された全反射膜７の間で反射を繰り返しながらジグザグに進行する。
【００２０】
また、ジグザグに進行したレーザ光６は、平面導波路３の傾斜部１１において、入射角θがθ＞ｓｉｎ−１（ｎ０／ｎ１）を満たすと、全反射する。
傾斜部１１において、全反射されたレーザ光６は、水平方向の角度を変え、平面導波路３の上面に形成された反射防止膜９を透過して平面導波路３の外部に出力される。
【００２１】
以上のように、実施の形態１では、反射防止膜８，９を平面導波路３の上面に成膜し、平面導波路３の側面に全反射膜７のみを成膜する。
よって、平面導波路３の側面の成膜において、全反射膜７と反射防止膜の混在を排除できるため、成膜を容易にする。
また、レーザ光６の光路を任意に選択可能にする。
さらに、側面全体を全反射領域にすることができ、平面導波路３の面積を有効に活用可能にする。
【００２２】
実施の形態２．
図２は本発明の実施の形態２による平面導波路型レーザ装置を示す構成図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は正面図である。
図において、平面導波路１３は、全反射膜７が形成された対向する二面が非平行に形成される。
また、反射防止膜９は、全反射膜７が形成されていない側面のうちの幅広面近傍の平面導波路３の上面にのみ形成される。
なお、図において、励起用半導体レーザ１および励起光２は、省略しているが、図１と同一に構成される。また、図１と同一符号は、同一または相当部分を示すので説明を省略する。
【００２３】
次に動作について説明する。
平面導波路３の外部から反射防止膜９を透過して、平面導波路３の内部にレーザ光６が入力された場合に、レーザ光６は、平面導波路３の傾斜部１１において全反射する。
全反射されたレーザ光６は、平面導波路３に対して水平方向に角度を変え、平面導波路３の側面に形成された全反射膜７の間で反射を繰り返しながらジグザグに進行する。
【００２４】
このとき、全反射膜７が成膜されている平面導波路３の対向の測面が平行でないため、レーザ光６は、全反射膜７の各面での反射毎に反射角を小さくしながら、反射を繰り返す。
その後、レーザ光６は、全反射膜７に対して垂直に入射すると、反転して元の導波路を反対に進行する。
【００２５】
元の導波路を反対に進行したレーザ光６は、平面導波路３の傾斜部１１において全反射する。
全反射されたレーザ光６は、水平方向の角度を変え、平面導波路３の上面に形成された反射防止膜９を透過して平面導波路３の外部に出力される。
【００２６】
以上のように、実施の形態２では、反射防止膜９を平面導波路３の上面に成膜し、平面導波路３の側面に全反射膜７のみを成膜する。
よって、平面導波路３の側面の成膜において、全反射膜７と反射防止膜の混在を排除できるため、成膜を容易にする。
また、レーザ光６の光路を任意に選択可能にする。
さらに、側面全体を全反射領域にすることができ、平面導波路３の面積を有効に活用可能にする。
さらに、１組の反射防止膜９および傾斜部１１によりレーザ光６の入出力を可能にするので、構成を簡単にすると共に、他方の面を自由に成形可能にする。
【００２７】
実施の形態３．
図３は本発明の実施の形態３による平面導波路型レーザ装置を示す構成図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は正面図、（ｃ）は側面図である。
図において、二色性膜２１は、励起光２の波長を透過し、レーザ光６の波長を反射するものであり、傾斜部１０，１１に成膜される。
なお、図において、励起用半導体レーザ１および励起光２は、省略しているが、図１と同一に構成される。また、図１と同一符号は、同一または相当部分を示すので説明を省略する。
【００２８】
以上のように、実施の形態３では、傾斜部１０，１１に、励起光２の波長を透過し、レーザ光６の波長を反射する二色性膜２１を成膜する。
よって、傾斜部１０，１１が入射角θ＞ｓｉｎ−１（ｎ０／ｎ１）の条件を満たさなくてもレーザ光４を全反射させる。
また、二色性膜２１は、傾斜部１０，１１が形成された平面導波路３の側面からの励起光２の照射を遮断しない。
【００２９】
実施の形態４．
図４は本発明の実施の形態４による平面導波路型レーザ装置を示す構成図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は正面図である。
図において、異なる個所から複数のレーザ光６ａ，６ｂを導波させるものである。
なお、図において、励起用半導体レーザ１および励起光２は、省略しているが、図１と同一に構成される。また、図１と同一符号は、同一または相当部分を示すので説明を省略する。
【００３０】
次に動作について説明する。
レーザ光６ａは、平面導波路３の片側の反射防止膜８から平面導波路３に入力され、平面導波路３の反対側の反射防止膜９から出力される。
レーザ光６ｂは、レーザ光６ａとは異なる位置で、平面導波路３の片側の反射防止膜８から平面導波路３に入力され、レーザ光６ａとは異なる位置で平面導波路３の反対側の反射防止膜９から出力される。
【００３１】
以上のように、実施の形態４では、レーザ光６を複数本、平面導波路３に導波させることができる。
よって、レーザ光６ａが一つのときでは活用できない導波路の部分の利得を、別のレーザ光６ｂで利用することができる。
このため、励起された平面導波路３の利得を有効に活用し、励起光２からレーザ光への変換効率を高めることができる。
レーザ光６ａ，６ｂの本数は２本以上でも構わない。
【００３２】
実施の形態５．
図５は本発明の実施の形態５による平面導波路型レーザ装置を示す構成図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は正面図である。
図において、透明ブロック（反射防止部）２８，２９は、レーザ光６を透過する媒質であり、平面導波路３の上面の一部に光学的手段によって接合される。
なお、図において、励起用半導体レーザ１および励起光２は、省略しているが、図１と同一に構成される。また、図１と同一符号は、同一または相当部分を示すので説明を省略する。
【００３３】
次に動作について説明する。
レーザ光６は、平面導波路３の上部に接合された透明ブロック２８に入射し、透明ブロック２８の一面で全反射されて、透明ブロック２８と平面導波路３の接合面から平面導波路３に入力される。
また、平面導波路３から出力されたレーザ光６は、平面導波路３と透明ブロック２９の接合面より透明ブロック２９に入射し、透明ブロック２９の一面で全反射されて、透明ブロック２９より出力される。
【００３４】
以上のように、実施の形態５では、反射防止膜８，９に代えて透明ブロック２８，２９を適用した。
よって、透明ブロック２８，２９は、プリズムによって構成され、プリズムの端面の角度を任意に設計することができる。
このため、平面導波路３の側面を全反射して、平面導波路３の内部を周回する寄生発振光の発生を、プリズム面の角度の設計によって抑制することができる。
また、導波路素子の設計は、励起媒質の利得密度やレーザ損傷閾値により制限されるが、プリズムの設計は制限されないので、例えば、入出力部分の面積を広くすることができる。
【００３５】
実施の形態６．
図６は本発明の実施の形態６による平面導波路型レーザ装置を示す構成図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は正面図、（ｃ）は側面図である。
図において、二色性膜（反射膜）３７は、励起光２の波長を透過し、レーザ光６の波長を反射するものであり、平面導波路３の対向する側面に成膜される。
全反射部４１は、レーザ光６の波長を反射するものであり、傾斜部１０，１１のレーザ光４が照射される個所に形成される。
また、散乱部（寄生発振光抑制部）４２は、レーザ光６の波長を全反射することなく、散乱反射するものであり、傾斜部１０，１１のレーザ光４が照射されない個所に形成される。
なお、図において、励起用半導体レーザ１および励起光２は、図１と異なり、平面導波路３の二色性膜３７が成膜された側面から照射されるように構成される。
また、図１と同一符号は、同一または相当部分を示すので説明を省略する。
【００３６】
次に動作について説明する。
励起光２は、二色性膜３７を透過して平面導波路３に入力され、コア層４を励起する。
レーザ光６は、導波方向と垂直な方向では、平面導波路３の側面に形成されている二色性膜３７の間で反射を繰り返しながらジグザグに進行する。
このとき、励起光２により、コア層４内に発生したレーザ利得によって、コア層４内を導波するレーザ光６が増幅される。
【００３７】
また、傾斜部１０，１１のレーザ光４が照射されない個所に形成された散乱部４２は、レーザ光６の波長を全反射することなく、散乱反射する。
このため、平面導波路３の側面を全反射して導波路内部を周回する寄生発振光の発生を散乱部４２によって抑制することができる。
【００３８】
以上のように、実施の形態６では、平面導波路３の対向する側面に、励起光２の波長を透過し、レーザ光６の波長を反射する二色性膜３７を成膜した。
よって、励起光２を、二色性膜３７を成膜した平面導波路３の側面から照射しても、コア層４を励起することができる。
また、傾斜部１０，１１のレーザ光４が照射されない個所に散乱部４２を形成した。
よって、平面導波路３の側面を全反射して導波路内部を周回する寄生発振光の発生を散乱部４２によって抑制することができる。
なお、寄生発振光を抑制する散乱部４２は、寄生発振光を吸収する構造としても同様の効果が得られる。
さらに、レーザ光６を入出力する反射防止膜８，９と、寄生発振光を抑制する散乱部４２とが同一平面にないので、同一面内で機能を混在させることなく、面の製造を容易に行うことができる。
【００３９】
実施の形態７．
図７は本発明の実施の形態７による平面導波路型レーザ装置を示す構成図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は正面図である。
図において、反射防止膜４８，４９は、レーザ光６の波長を透過するものであり、平面導波路３の上面のレーザ光４が照射される個所に成膜される。
また、散乱部（寄生発振光抑制部）５０，５１は、レーザ光６の波長を全反射することなく、散乱反射するものであり、平面導波路３の上面のレーザ光４が照射されない個所に形成される。
なお、図において、励起用半導体レーザ１および励起光２は、省略しているが、図１と同一に構成される。また、図１と同一符号は、同一または相当部分を示すので説明を省略する。
【００４０】
以上のように、実施の形態７では、平面導波路３の上面のレーザ光４が照射されない個所に散乱部５０，５１を形成した。
よって、平面導波路３の側面を全反射して導波路内部を周回する寄生発振光の発生を散乱部５０，５１によって抑制することができる。
なお、寄生発振光を抑制する散乱部５０，５１は、寄生発振光を吸収する構造としても同様の効果が得られる。
また、実施の形態６では、散乱部４２の形成を平面導波路３の薄い側面に行わなければならなかったが、実施の形態７では、散乱部５０，５１の形成を平面導波路３の上部の広い面に行うことになるので、散乱部５０，５１の形成を容易に行うことができる。
【００４１】
実施の形態８．
図８は本発明の実施の形態８による平面導波路型レーザ装置を示す構成図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は正面図である。
図において、平面導波路５３のクラッド層５５は、コア層４の上面に光学的手段により接合され、レーザ光６をコア層４内に閉じ込めるために、クラッド材としてコア層４の屈折率ｎ１よりも低い屈折率ｎ２（ｎ１＞ｎ２）の媒質で構成される。
クラッド層５５の媒質としては、例えば、無添加ＹＡＧ，無添加ＹＬＦ，無添加Ｇｌａｓｓ，無添加ＬｉＳＡＦ，無添加Ｓａｐｐｈｉｒｅなどを用いる。
【００４２】
クラッド層５６は、コア層４の下面およびクラッド層５５の上面に光学的手段により接合され、励起光２をコア層４およびクラッド層５５内に閉じ込めるために、クラッド材としてコア層４およびクラッド層５５の屈折率ｎ１，ｎ２よりも低い屈折率ｎ３（ｎ１＞ｎ２＞ｎ３）の媒質で構成される。
クラッド層５６の媒質としては、例えば、ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，ＭｇＦ２などを用いる。
なお、図において、図１と同一符号は、同一または相当部分を示すので説明を省略する。
【００４３】
次に動作について説明する。
まず、励起用半導体レーザ１から出射された励起光２は、平面導波路５３の傾斜部１０側の側面より入射される。
即ち、励起用半導体レーザ１から出射された励起光２は、コア層４およびクラッド層５５の側面より入射される。
【００４４】
平面導波路５３内に入射された励起光２は、コア層４の下面であるクラッド層５６との界面で全反射される。
また、平面導波路５３内に入射された励起光２は、クラッド層５５の上面であるクラッド層５６との界面で全反射される。
これにより、平面導波路５３内に入射された励起光２は、コア層４とクラッド層５５の内部に閉じ込められて導波される。
【００４５】
レーザ光６は、コア層４の下面であるクラッド層５６との界面で全反射される。
また、レーザ光６は、コア層４の上面であるクラッド層５５との界面で全反射される。
これにより、レーザ光６は、コア層４の内部に閉じ込められて導波される。
ただし、レーザ光６は、導波方向と垂直な方向では、平面導波路５３の側面に形成されている全反射膜７の間で反射を繰り返しながらジグザグに進行する。
【００４６】
実施の形態８に示した構成では、レーザ光６は、平面導波路５３の下部のコア層４に集中する。
一方、平面導波路５３は、通常、固定や冷却のために、コア層４の下面のクラッド層５６の下に保持機構や冷却機構が接合される。
従来技術のように、レーザ光６を側面から入出力すると、レーザ光６が保持機構や冷却機構に干渉してしまう可能性がある。
これは、クラッド層５６の下に保持機構や冷却機構が接合した状態で、レーザ光６を側面から入出力すると、保持機構や冷却機構の製作によるバリや接合材（接着剤、はんだ等）の盛り上がりにより、レーザ光６がバリや接合材に干渉する可能性があるからである。
これに対して、実施の形態８に示した構成では、レーザ光６の入出力が平面導波路５３の上面となるので、レーザ光６がバリや接合材に干渉することがなくなり、よって、レーザ光６が保持機構や冷却機構と干渉することがなくなる。
【００４７】
以上のように、実施の形態８では、コア層４の上面にクラッド層５５を形成し、クラッド層５５の上面およびコア層４の下面から挟むようにクラッド層５６を形成した平面導波路５３において、平面導波路５３の上面からレーザ光６の入出力を行うように構成した。
よって、レーザ光６を側面から入出力する構成の場合に、レーザ光６が、クラッド層５６の下に接合された保持機構や冷却機構に干渉してしまう可能性があるが、この干渉を防ぐことができる。
【００４８】
なお、本願発明はその発明の範囲内において、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施の形態において任意の構成要素の省略が可能である。
【符号の説明】
【００４９】
１  励起用半導体レーザ、２  励起光、３，１３，５３  平面導波路、４  コア層、５，５５，５６  クラッド層、６，６ａ，６ｂ  レーザ光、７  全反射膜（反射膜）、８，９，４８，４９  反射防止膜（反射防止部）、１０，１１  傾斜部、２１  二色性膜、２８，２９  透明ブロック（反射防止部）、３７  二色性膜（反射膜）、４１  全反射部、４２，５０，５１  散乱部（寄生発振光抑制部）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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