(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクティブ領域と終端領域を有する第一導電型の基板と、
前記基板上の前記第一導電型のエピタキシャル層と、
前記アクティブ領域の前記エピタキシャル層中の複数の第一トレンチと、
前記終端領域の前記エピタキシャル層中の複数の第二トレンチと、
前記第一トレンチおよび第二トレンチの底部で前記エピタキシャル層上に形成される注入遮断層と、
前記第一トレンチおよび第二トレンチの側壁に沿って、等角的に形成されるライナーと、
複数の第一カラムと複数の第二カラムをそれぞれ規定する前記第一トレンチおよび第二トレンチ内に充填される誘電材料と、
前記エピタキシャル層中で、前記第一トレンチおよび第二トレンチの側壁に沿って前記ライナーと隣接する部分に配置された第二導電型領域と、
前記エピタキシャル層上のゲート誘電層と、
前記ゲート誘電層上に形成される二個の浮遊ゲートと、
前記二個の浮遊ゲート間に形成される、前記第一導電型と異なる第二導電型のソース領域と、
前記ゲート誘電層と前記浮遊ゲートを被覆する層間絶縁膜層と、
前記層間絶縁膜層を通じて前記ソース領域上に形成されるコンタクトプラグと、
を備え、
前記ライナーは、前記第二導電型のドーパント及び誘電材料を有し、
前記注入遮断層は、酸化物−窒化物−酸化物複合層、窒化物−酸化物−窒化物複合層、酸化物−オキシ窒化物−酸化物複合層、または、窒化物−酸化物複合層を含む
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記注入遮断層は、酸化ケイ素−窒化ケイ素−オルトケイ酸テトラエチル（以下、ＴＥＯＳと称す）酸化物複合層を含み、前記酸化ケイ素、前記窒化ケイ素および前記ＴＥＯＳ酸化物間の厚さ比は、約１〜１０：１〜１０：１〜５０であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記注入遮断層の全体の厚さは、約３００〜５０００Åであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記注入遮断層は、前記第一トレンチおよび前記第二トレンチの前記底部を被覆することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記終端領域中で、前記ゲート誘電層上に形成される複数の浮遊ゲートを備え、前記浮遊ゲートは、前記終端領域中の前記第二カラムの一部と前記エピタキシャル層の一部を被覆することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
アクティブ領域と終端領域を有する、第一導電型の基板を提供する工程と、
前記基板上で、前記第一導電型のエピタキシャル層を形成する工程と、
前記アクティブ領域の前記エピタキシャル層中に、複数の第一トレンチを形成する工程と、
前記終端領域の前記エピタキシャル層中に、複数の第二トレンチを形成する工程と、
前記第一トレンチおよび前記第二トレンチの底部で前記エピタキシャル層上に、注入遮断層を形成する工程と、
前記第一トレンチおよび前記第二トレンチの側壁に、等角的に、ライナーを形成する工程と、
第二導電型領域を形成するために、前記第一導電型とは異なる第二導電型のドーパントを前記第一トレンチ及び前記第二トレンチの側壁上の前記ライナーに注入する工程と、
誘電材料を、前記第一トレンチおよび前記第二トレンチにそれぞれ充填して複数の第一カラムと複数の第二カラムを形成する工程と、
ゲート誘電層を前記エピタキシャル層上に形成する工程と、
前記ゲート誘電層上に、二個の浮遊ゲートを形成する工程と、
前記二個の浮遊ゲート間に、前記第二導電型のソース領域を形成する工程と、
前記ゲート誘電層と前記浮遊ゲートを被覆する層間絶縁膜層を形成する工程、および、
前記層間絶縁膜を通じて前記ソース領域上に、コンタクトプラグを形成する工程とを含み、
前記注入遮断層は、前記ドーパントが前記第一トレンチおよび前記第二トレンチの前記底部に入ることを阻止し、
前記注入遮断層は、酸化物−窒化物−酸化物複合層、窒化物−酸化物−窒化物複合層または窒化物−酸化物複合層を含み、
前記第二導電型領域は、前記エピタキシャル層中で、前記第一トレンチおよび第二トレンチの側壁に沿って前記ライナーと隣接する部分に配置されている
ことを特徴とする方法。
【請求項７】
前記注入遮断層は、酸化ケイ素−窒化ケイ素−オルトケイ酸テトラエチル（以下、ＴＥＯＳと称す）酸化物複合層を含み、前記酸化ケイ素、前記窒化ケイ素と前記ＴＥＯＳ酸化物間の厚さ比が、約１〜１０：１〜１０：１〜５０であることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記注入遮断層の全体の厚さは、約３００〜５０００Åであることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記注入遮断層は、前記第一トレンチおよび前記第二トレンチの前記底部を被覆することを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
前記注入遮断層は、高密度プラズマ蒸着プロセスにより形成されることを特徴とする請求項６に記載の方法。 
【請求項１１】
前記終端領域中で、前記ゲート誘電層上に、複数の浮遊ゲートを形成する工程を含み、前記浮遊ゲートが、前記終端領域中の前記第二カラムの一部と前記エピタキシャル層の一部を被覆することを特徴とする請求項６に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置又はその製造方法に関するものであって、特に、超接合半導体装置又はその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、環境に優しい製品と環境保全技術が推奨されており、省エネ電子デバイスに対する要求が多くある。このような装置の必要性の高まりに対応するため、半導体産業は、さらにエネルギー使用に配慮した視点へと向かっている。したがって、改善されたエネルギー効率を提供する超接合金属−酸化物−半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）が開発されている。従来の平面ＭＯＳＦＥＴ構造と比較すると、超接合ＭＯＳＦＥＴは、装置の電圧公差に影響を及ぼすことなく、オン抵抗を非常に低度に減少させることができる。その結果、単位面積当たりのオン抵抗が低いＭＯＳＦＥＴが生成される。
【０００３】
一般の超接合ＭＯＳＦＥＴ装置は、アクティブ領域（セル領域とも称される）、および、終端領域の二個の領域を含む。超接合ＭＯＳＦＥＴ装置の終端領域は、装置中の横方向電位差を維持するように設計される。終端領域により維持される電位差が小さい時、装置中の垂直、および、水平方向で生成される電界が大きくなる。したがって、装置の終端領域の機能が低下しやすい。
【０００４】
よって、改善された超接合装置が必要である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、超接合半導体装置又はその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、半導体装置を提供し、アクティブ領域と終端領域を有する第一導電型の基板と、基板上に形成される第一導電型のエピタキシャル層と、アクティブ領域のエピタキシャル層中に形成される複数の第一トレンチと、終端領域のエピタキシャル層中に形成される複数の第二トレンチと、第一および第二トレンチ底部で形成される注入遮断層、等角的に、第一および第二トレンチの側壁に沿って形成され第一導電型と異なる第二導電型のライナーと、複数の第一カラムおよび複数の第二カラムをそれぞれ規定する第一および第二トレンチ中に充填される誘電材料と、エピタキシャル層上に形成されるゲート誘電層と、終端領域から一番遠い第一カラムの反対側で、ゲート誘電層上に形成される二個の浮遊ゲートと、前記二個の浮遊ゲート間に形成されるソース領域と、ゲート誘電層および浮遊ゲートを被覆する層間絶縁膜層、および、層間絶縁膜層を通じてソース領域上に形成されるコンタクトプラグを含む。
【０００７】
また本発明は、半導体装置の製造方法を提供し、第一導電型の基板を提供し、基板が、アクティブ領域と終端領域を有する工程と、基板上に、第一導電型のエピタキシャル層を形成する工程と、アクティブ領域のエピタキシャル層中に、複数の第一トレンチを形成する工程と、終端領域のエピタキシャル層中に、複数の第二トレンチを形成する工程と、第一トレンチおよび第二トレンチの底部で、注入遮断層を形成する工程と、第一トレンチおよび第二トレンチの側壁に、等角的にライナーを形成する工程と、第一導電型とは異なる第二導電型のドーパントをライナーに注入する工程と、誘電材料を第一トレンチおよび第二トレンチに充填して、それぞれ、複数の第一カラムと複数の第二カラムを形成する工程と、ゲート誘電層をエピタキシャル層上に形成する工程と、終端領域から一番遠い第一カラムの反対側で、ゲート誘電層上に、二個の浮遊ゲートを形成する工程と、前記二個の浮遊ゲート間にソース領域を形成する工程と、ゲート誘電層と浮遊ゲートを被覆する層間絶縁膜層を形成する工程と、層間絶縁膜を通じてソース上に、コンタクトプラグを形成する工程と、を含む。前記注入遮断層は、ドーパントが第一および第二トレンチの底部に入ることを阻止する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明は、トレンチの底部で拡散することにより生じる電位差を損失するのを防止し、これにより、従来の超接合装置中で通常生じる超接合装置の終端領域中、トレンチの底部での電界の生成を軽減する。また、終端領域中、トレンチの底部に高い電界がないので、超接合装置の終端領域中の破損問題が効果的に排除される。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
本発明は、添付の図面とともに以下の本発明の様々な実施形態の詳細な説明を検討することにより更に完全に理解されよう。
【図１】本実施形態に係る超接合半導体装置の形成方法の流れを説明する断面図である。
【図２】本実施形態に係る超接合半導体装置の形成方法の流れを説明する断面図である。
【図３】本実施形態に係る超接合半導体装置の形成方法の流れを説明する断面図である。
【図４Ａ】本実施形態に係る超接合半導体装置の形成方法の流れを説明する断面図である。
【図４Ｂ】本実施形態に係る超接合半導体装置の形成方法の流れを説明する断面図である。
【図４Ｃ】本実施形態に係る超接合半導体装置の形成方法の流れを説明する断面図である。
【図４Ｄ】本実施形態に係る超接合半導体装置の形成方法の流れを説明する断面図である。
【図４Ｅ】本実施形態に係る超接合半導体装置の形成方法の流れを説明する断面図である。
【図５】本実施形態に係る超接合半導体装置の形成方法の流れを説明する断面図である。
【図６】本実施形態に係る超接合半導体装置の形成方法の流れを説明する断面図である。
【図７】本実施形態に係る超接合半導体装置の形成方法の流れを説明する断面図である。
【図８】本実施形態に係る超接合半導体装置の形成方法の流れを説明する断面図である。
【図９】本実施形態に係る超接合半導体装置の形成方法の流れを説明する断面図である。
【図１０】本実施形態に係る超接合半導体装置の形成方法の流れを説明する断面図である。
【図１１】本実施形態に係る超接合半導体装置の形成方法の流れを説明する断面図である。
【図１２】本実施形態に係る超接合半導体装置の形成方法の流れを説明する断面図である。
【図１３】本実施形態に係る超接合半導体装置の形成方法の流れを説明する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
図１から図１３は、本実施形態に係る超接合半導体装置の形成方法のフローチャートを説明する断面図である。
【００１１】
図１を参照し、第一導電型の基板１００が提供される。基板１００は、アクティブ領域１００ａ、および、アクティブ領域１００ａに隣接する終端領域１００ｂを含む。基板１００は、バルクシリコン基板、シリコンオンインシュレーター（ＳＯＩ）基板等である。このほか、その他の適切な基板、たとえば、多層基板、勾配基板、ハイブリッド配向基板等も用いられる。、基板１００は、ｐ型の第一導電型、たとえば、ボロンドープ基板を含む。他の例として、基板１００は、ｎ型の第一導電型、たとえば、蛍光体、または、ヒ素基板を含む。その他の適切な基板も用いられる。本実施形態では、基板１００は、高濃度にドープされたｎ型（Ｎ＋）基板である。
【００１２】
図２を参照し、第一導電型のエピタキシャル層１０２が、基板１００上に形成される。基板１００は、エピタキシャル層１０２より高いドーピング濃度を有する。たとえば、第一導電型がｎ型であるとき、基板１００は、高濃度にドープされたｎ型（Ｎ＋）基板１００であり、エピタキシャル層１０２は、低濃度ドープのｎ型（Ｎ−）エピタキシャル層である。エピタキシャル層１０２は、装置の幅に基づいて、エピタキシャル成長により、１〜１００μｍの厚さに形成される。
【００１３】
エピタキシャル層１０２の形成後、エピタキシャル層１０２中に複数のトレンチを形成するためのプロセスを実行する。図３を参照し、複数の第一トレンチ１０４が、アクティブ領域１００ａのエピタキシャル層１０２中に形成され、複数の第二トレンチ１０６が、終端領域１００ｂのエピタキシャル層１０２中に形成される。第一トレンチ１０４および第二トレンチ１０６が、リソグラフィとエッチングプロセスにより形成される。一例として、第一トレンチ１０４と第二トレンチ１０６との間の距離は、アクティブ領域１００ａから終端領域１００ｂまで様々である。たとえば、第一トレンチ１０４と第二トレンチ１０６との間の距離は、アクティブ領域１００ａから終端領域１００ｂに増加する。特に、距離ａは距離ｂより小さく、距離ｂは距離ｃより小さく、距離ｃは距離ｄより小さく、距離ｄは距離ｅより小さい。他の例では、第一トレンチ１０４と第二トレンチ１０６との間の距離が同じである。
【００１４】
第一トレンチ及び第二トレンチの形成後、注入遮断物が、第一トレンチ１０４及び第二トレンチ１０６中に形成される。図４Ａ〜図４Ｄは、注入遮断層１０８を形成するステップを示す図である。図４Ａを参照し、第一酸化層１０８Ａ、窒化物層１０８Ｂ、および、第二酸化層１０８Ｃが、連続して、等角的（ｃｏｎｆｏｒｍａｌｌｙ）に、エピタキシャル層１０２上に形成される（言い換えると、第一酸化層１０８Ａ、窒化物層１０８Ｂ、および、第二酸化層１０８Ｃは、エピタキシャル層１０２上で、第一トレンチ１０４及び第二トレンチ１０６の側壁及び底部に沿って順に形成され、第一酸化層１０８Ａ、窒化物層１０８Ｂ、および、第二酸化層１０８Ｃは共通した形状で形成される。）。第一酸化層１０８Ａ、窒化物層１０８Ｂ、および、第二酸化層１０８Ｃ間の厚さ比は、約１〜１０：１〜１０：１〜５０である。第一酸化層１０８Ａおよび第二酸化層１０８Ｃは、酸化ケイ素、オルトケイ酸テトラエチル（ＴＥＯＳ）酸化物、または、それらの組み合わせを含み、窒化物層１０８Ｂは、窒化ケイ素、酸窒化物、または、それらの組み合わせを含む。本実施形態では、第一酸化層１０８Ａは酸化ケイ素層、窒化物層１０８Ｂは窒化ケイ素層、第二酸化層はＴＥＯＳ酸化物層である。層１０８Ａ、層１０８Ｂ、および、層１０８Ｃは、蒸着プロセス、たとえば、化学気相堆積（ＣＶＤ）により形成されるか、または、酸化または窒化プロセスにより熱成長させる。図４Ｂに示されるように、層１０８Ａ、層１０８Ｂ、および、層１０８Ｃの形成後、マスク層２１０が形成されて、第二酸化層１０８Ｃ表面を露出する第一トレンチ１０４および第二トレンチ１０６を完全に充填する。図４Ｃを参照し、マスク層２１０により被覆されない第一酸化層１０８Ａ、窒化物層１０８Ｂ、および、第二酸化層１０８Ｃの一部が除去される。除去方法は、湿式エッチングプロセスである。図４Ｃのステップ後、マスク層２１０が除去され、図４Ｄに示されるように、第一酸化層１０８Ａ、窒化物層１０８Ｂ、および、第二酸化層１０８Ｃの残り部分は、注入遮断層１０８を形成する。注入遮断層１０８は、直接、トレンチ１０４と１０６の側壁に接触しない。トレンチ１０４とトレンチ１０６の底部（底部の一部）と側壁が露出する。注入遮断層１０８の全体の厚さは、１０００Ａ〜５０００Ａで変化する。本実施形態では、注入遮断層１０８の全体の厚さは、約２０００Ａである。
【００１５】
図４Ｅは、本発明の変形例による注入遮断層１０８の断面図である。図４Ｅの変形例において、第一酸化層１０８Ａ’、窒化物層１０８Ｂ’、および、第二酸化層１０８Ｃ’は、たとえば、高密度プラズマ化学気相堆積（ＨＤＰＣＶＤ）プロセスにより、直接、第一トレンチ１０４および第二トレンチ１０６の底部に形成されている。変形例において、層１０８Ａ’、層１０８Ｂ’および層１０８Ｃ’は、直接、トレンチ１０４と１０６中だけに形成されるので、図４Ａ〜図４Ｃに示される除去プロセスは不要であり、層１０８Ａ’、層１０８Ｂ’および層１０８Ｃ’により形成される注入遮断層１０８’は、第一トレンチ１０４および第二トレンチ１０６の底部で、側壁（側壁の一部）を被覆する。第一酸化層１０８Ａ’、窒化物層１０８Ｂ’、および、第二酸化層１０８Ｃ’間の厚さ比は、約１〜１０：１〜１０：１〜５０である。注入遮断層１０８’の全体の厚さは、１０００Ａ〜５０００Ａで変化する。本発明の変形例では、注入遮断層１０８’の全体の厚さは、約２０００Ａである。
【００１６】
図４Ｄと図４Ｅに示される注入遮断層１０８は、酸化物−窒化物−酸化物複合層であるが、注意すべきことは、注入遮断層は、別の構造、たとえば、窒化物−酸化物−窒化物複合層、窒化物−酸化物複合層、または、酸化物−オキシ窒化物−酸化物複合層を含むことである。図４Ｅに示される注入遮断層１０８’は、以下に説明する一例としても用いられる。
【００１７】
注入遮断層１０８’の形成後、図５に示されるように、ライナー１１０が、等角的に、エピタキシャル層１０２上に形成される（言い換えると、ライナー１１０は、第一トレンチ１０４及び第二トレンチ１０６の側壁及び底部に沿って、かつ、エピタキシャル層１０２の上面に沿うように形成される。）。ライナー１１０は、誘電材料、たとえば、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化物、または、その他の適切な材料を含む。注意すべきことは、図５に示されるステップは、図４Ｅに示される注入遮断層１０８’で実行されるが、図５のステップは、図４Ｄに示される注入遮断層１０８でも実行されてもよい。図４Ｄに示される注入遮断層１０８上に、ライナー１１０を形成する例において、ライナー１１０は、注入遮断層１０８により被覆されないトレンチ１０４と１０６の側壁と底部にも形成される。ライナー１１０は、厚さが約１００〜５００Ａである。
【００１８】
図６を参照し、図５のステップに続いて、注入プロセス３００が実行されて、第二導電型のドーパントを、ある角度で、トレンチ１０４とトレンチ１０６の側壁上のライナー１１０に注入する。第一導電型と第二導電型は異なる。たとえば、第一導電型がｎ型のとき、第二導電型はｐ型である。注入プロセス３００を実行するステップにおいて、注入遮断層１０８’は、ドーパントが第一トレンチ１０４および第二トレンチ１０６の底部に入るのをブロックする。
【００１９】
図７を参照し、ライナー１１０に第二導電型のドーパントが注入された後、誘電材料が第一トレンチ１０４および第二トレンチ１０６に充填されることで、複数の第一カラム１１２と複数の第二カラム１１４をそれぞれ形成する。誘電材料は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化物、低誘電率誘電体、その他の適切な誘電材料、または、それらの組み合わせである。誘電材料を充填する方法は、蒸着プロセスとＣＭＰプロセスを含む。蒸着プロセスはＣＶＤを含む。ＣＭＰプロセスは、エピタキシャル層１０２側で、ライナー１１０の一部も除去する。
【００２０】
図７のステップに続いて、図８に示されるように、ゲート誘電層１１６が、エピタキシャル層１０２上に形成される。ゲート誘電層１１６は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化物、高誘電率誘電体、ゲート誘電体に適するその他の誘電材料、または、それらの組み合わせを含む。高誘電率誘電体は、金属酸化物、たとえば、Ｌｉ，Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｓｃ，Ｙ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ａｌ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ、および、それらの混合物の酸化物を含む。ゲート誘電層１１６は、従来のプロセス、たとえば、原子層堆積（ＡＬＤ）、化学気相堆積（ＣＶＤ）、物理的気相成長法（ＰＶＤ）、熱酸化、ＵＶ−オゾン酸化、または、それらの組み合わせにより形成される。
【００２１】
図９に示されるように、ゲート誘電層１１６の形成後、二個の浮遊ゲート１１８は、終端領域１００ｂから一番遠いアクティブ領域１００ａ中で、第一カラム１１２の反対側のゲート誘電層上に形成される。浮遊ゲート１１８は、金属、ポリシリコン、ケイ化タングステン（ＷＳｉ２）、または、それらの組み合わせを含む材料で形成される。浮遊ゲート１１８は、たとえば、低圧化学気相堆積（ＬＰＣＶＤ）、プラズマ助長化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）、その他の適切なプロセス、または、それらの組み合わせを用いて形成される。このほか、図９に示されるように、複数の浮遊ゲート１２０も、終端領域１００ｂのゲート誘電層１１６上に同時に形成され、浮遊ゲート１２０は、終端領域１００ｂ中の第二カラム１１４の一部とエピタキシャル層１０２の一部を被覆する。浮遊ゲート１２０の材料と形成方法は、浮遊ゲート１１８と同様であり、ここで詳述しない。
【００２２】
図９のステップに続いて、図１０に示されるように、ソース領域１２２が、浮遊ゲート１１８間のエピタキシャル層１０２中に形成される。ソース領域１２２は、当技術分野で一般的なドーピングプロセス、たとえば、イオン注入プロセスにより形成される。
【００２３】
図１１を参照し、ソース領域１２２の形成後、層間絶縁膜（ＩＬＤ）層１２４が形成される。ＩＬＤ１２４は、ソース領域１２２を露出するコンタクトホール１２４ａと共に、ゲート誘電層１１６と浮遊ゲート１１８と浮遊ゲート１２０を被覆するように形成される。
【００２４】
図１１のステップ後、コンタクトプラグを形成するプロセスを実行して、超接合装置の形成を完成する。図１２を参照し、ＩＬＤ層１２４のコンタクトホール１２４ａを通じて広がるコンタクトプラグ１２６が、ソース領域１２２上に形成されて、超接合装置１０００の形成が完成する。注意すべきことは、図１２の超接合装置は、図４Ｅに示される構造から形成されるが、図１３に示されるように、超接合装置は、図４Ｄに示される構造からも製造されることである。図１３に示されるように、図４Ｄに示される構造から、超接合装置を製造する例において、ライナー１１０が、注入遮断層１０８’により被覆されないトレンチ１０４とトレンチ１０６の側壁と底部上に形成される。
【００２５】
本発明は、注入遮断層１０８、または、注入遮断層１０８’を用いることで、第二トレンチ１０６の底部でライナー１１０中に注入されたドーパントの拡散によって生じる、超接合装置の終端領域における電位差の損失を防ぐ。これにより、従来の超接合装置で通常生じる超接合装置の終端領域における、トレンチの底部で生成する電界を軽減できる。また、終端領域で、トレンチの底部に高い電界がないので、超接合装置の終端領域における破損問題が効果的に排除される。
【００２６】
本発明では好ましい実施例を前述の通り開示したが、これらは決して本発明に限定するものではなく、本発明の技術的思想を脱しない範囲内で各種の変形を加えることができる。
【符号の説明】
【００２７】
１００…基板
１００ａ…アクティブ領域
１００ｂ…終端領域
１０２…エピタキシャル層
１０４…第一トレンチ
１０６…第二トレンチ
１０８…注入遮断層
１０８Ａ…第一酸化層
１０８Ｂ…窒化物層
１０８Ｃ…第二酸化層
１０８Ａ’…第一酸化層
１０８Ｂ’…窒化物層
１０８Ｃ’…第二酸化層
１１６…ゲート誘電層
１１８…浮遊ゲート
１１２…第一カラム
１２０…浮遊ゲート
１２２…ソース領域
１２４…ＩＬＤ
１２６…コンタクトプラグ
２１０…マスク層
３００…注入プロセス
【図１】
0006046072.tif 000002
【図２】
0006046072.tif 000003
【図３】
0006046072.tif 000004
【図４Ａ】
0006046072.tif 000005
【図４Ｂ】
0006046072.tif 000006
【図４Ｃ】
0006046072.tif 000007
【図４Ｄ】
0006046072.tif 000008
【図４Ｅ】
0006046072.tif 000009
【図５】
0006046072.tif 000010
【図６】
0006046072.tif 000011
【図７】
0006046072.tif 000012
【図８】
0006046072.tif 000013
【図９】
0006046072.tif 000014
【図１０】
0006046072.tif 000015
【図１１】
0006046072.tif 000016
【図１２】
0006046072.tif 000017
【図１３】
0006046072.tif 000018