(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ装置に用いられるガスノズルであって、
ガスが流れる貫通孔が形成されたセラミック焼結体からなる柱状の本体を備え、
該本体の一端面には、前記貫通孔における前記ガスの流出口が形成されており、
前記貫通孔の内壁は、前記流出口の近傍に位置する第１領域と該第１領域よりも前記本体の内部に位置する第２領域とを有し、
前記第１領域および前記第２領域は、前記セラミック焼結体の焼き肌面からなり、
前記第１領域における平均結晶粒径は、前記第２領域における平均結晶粒径よりも大きいガスノズル。
【請求項２】
請求項１に記載のガスノズルにおいて、
前記セラミック焼結体は、イットリア焼結体、イットリウム・アルミニウム・ガーネット焼結体、スピネル焼結体またはアルミナ純度が９９．５質量％以上であるアルミナ焼結体からなるガスノズル。
【請求項３】
請求項１に記載のガスノズルにおいて、
前記第１領域は、前記流出口からの距離が５μｍ以下の領域であるガスノズル。
【請求項４】
請求項１に記載のガスノズルにおいて、
前記第１領域における平均結晶粒径は、前記第２領域における平均結晶粒径の１．５倍以上１０倍以下であるガスノズル。
【請求項５】
請求項１に記載のガスノズルにおいて、
前記本体の前記一端面は、前記セラミック焼結体の焼き肌面からなるガスノズル。
【請求項６】
請求項１に記載のガスノズルにおいて、
前記本体の他端面には、前記貫通孔における前記ガスの流入口が形成されており、
前記貫通孔の内壁は、前記流入口の近傍に位置する第３領域を有し、
該第３領域は、前記セラミック焼結体の研削面または研磨面からなり、
前記第１領域における平均結晶粒径は、前記第３領域における平均結晶粒径よりも大きいガスノズル。
【請求項７】
請求項６に記載のガスノズルにおいて、
前記本体の他端面は、前記セラミック焼結体の研削面または研磨面からなるガスノズル。
【請求項８】
反応室と、該反応室内に前記ガスが流出する請求項１に記載のガスノズルと、前記ガスを放電によってプラズマ化させる放電部材とを備えたプラズマ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体製造工程または液晶製造工程において、例えば成膜装置またはエッチング装置などのプラズマ装置に用いられるガスノズルおよびこれを用いたプラズマ装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体製造工程または液晶製造工程においては、半導体ウエハまたはガラス基板などの対象物に薄膜を成膜するための成膜装置または対象物に微細加工を施すためのエッチング装置などのプラズマ装置が用いられている。成膜装置では、原料のガスが反応室内に供給され、このガスが化学反応することによって、対象物上に薄膜が形成される。また、エッチング装置では、原料のガスとしてハロゲン系腐食性ガスが反応室内に供給され、このガスがプラズマ化してエッチングガスとなることによって、対象物に微細加工が施される。【０００３】
特開２０００−１９５８０７号公報に開示されているように、プラズマ装置は、ガスを反応室内に供給するためのガスノズルを有している。このガスノズルは、ガスが流れる貫通孔が形成されたセラミック焼結体からなる柱状の本体を備えている。【０００４】
ところで、プラズマ装置を用いる際に、貫通孔の内壁を構成するセラミック焼結体の表面が、反応室内でプラズマ化したガスに晒されると損傷を受けてしまい、この表面からパーティクルが脱落することがある。このパーティクルが対象物に付着すると、対象物に不良が生じやすくなる。
【発明の概要】
【０００５】
本発明は、パーティクルの脱落を低減する要求に応えるプラズマ装置に用いられるガスノズルを提供するものである。
【０００６】
本発明の一形態によるガスノズルは、ガスが流れる貫通孔が形成されたセラミック焼結体からなる柱状の本体を備える。該本体の一端面には、前記貫通孔における前記ガスの流出口が形成されている。前記貫通孔の内壁は、前記流出口の近傍に位置する第１領域と該第１領域よりも前記本体の内部に位置する第２領域とを有する。前記第１領域および前記第２領域は、前記セラミック焼結体の焼き肌面からなる。前記第１領域における平均結晶粒径は、前記第２領域における平均結晶粒径よりも大きい。
【０００７】
本発明の一形態によるプラズマ装置は、反応室と、該反応室内に前記ガスが流出する上記ガスノズルと、前記ガスを放電によってプラズマ化させる放電部材とを備える。
【０００８】
本発明の一形態によるガスノズルによれば、プラズマ化したガスに晒されやすい第１領域における耐プラズマ性を高め、ひいてはパーティクルの脱落を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施形態によるガスノズルを用いた成膜装置の断面図である。
【図２】（ａ）は、図１に示したガスノズルの斜視図であり、（ｂ）は、（ａ）のＡ１−Ａ１線における断面図である。
【図３】（ａ）および（ｂ）は、図１に示したガスノズルの製造工程を示す、図２（ｂ）に相当する部分の断面図である。
【図４】（ａ）および（ｂ）は、図１に示したガスノズルの製造工程を示す、図２（ｂ）に相当する部分の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
＜ガスノズル＞
以下に、本発明の一実施形態によるガスノズルを用いた成膜装置１について、図１および図２を参照して詳細に説明する。
【００１１】
図１に示すように、本実施形態の成膜装置１は、例えばプラズマＣＶＤ法によって半導体ウェハまたはガラス基板などの対象物２に薄膜を成膜する装置である。成膜装置１は、対象物２が収容されるとともに対象物２への成膜が行なわれる反応室３と、反応室３に原料のガスを供給する反応室３外部のガス供給管４と、ガス供給管４から反応室３内にガスを供給する反応室３内のガスノズル５と、反応室３内で対象物２が載置されるとともに内部電極６を備えた静電チャックなどの保持部材７と、内部電極６が電気的に接続される反応室３外部のバイアス電源８と、反応室３内にプラズマを生成するために反応室３外部に設けられた放電部材とを備えている。この放電部材は、コイル９および電源１０によって構成されており、原料ガスが供給された反応室３内において放電を行なう。なお、成膜装置１は、ガス供給管４とガスノズル５との間に介在した、ガスが流れる流路を有する板状部材をさらに備えていてもよい。
【００１２】
この成膜装置１は、例えば以下のようにして、対象物２に薄膜を成膜することができる。ガス供給管４からガスノズル５を介して反応室３内に原料のガスを供給する。反応室３内に供給されたガスは、対象物２の上方において、コイル９および電源１０から供給された電力による放電によってプラズマ化する。このプラズマ化したガスの原子または分子が化学反応して対象物２に堆積することによって、対象物２に薄膜が成膜される。例えば、対象物２上に酸化ケイ素（ＳｉＯ２）薄膜を形成するときは、シラン（ＳｉＨ４）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガス、および酸素（Ｏ２）ガス等が原料として反応室３に供給される。なお、プラズマによって不要堆積物をクリーニングするときは、三フッ化窒素（ＮＦ３）ガス、またはオクタフルオロプロパン（Ｃ３Ｆ８）ガス等が反応室３に供給される。
【００１３】
次に、本実施形態のガスノズル５について詳細に説明する。図２（ａ）および（ｂ）に示すように、ガスノズル５は、ガスが流れる貫通孔１１が形成されたセラミック焼結体からなる円柱状の本体１２を有する。この本体１２は、下面である一端面１３と、上面である他端面１４と、一端面１３および他端面１４の間に位置する側面１５とを有する。本体１２の直径（幅）は、例えば３０ｍｍ以上１００ｍｍ以下である。また、本体１２の高さは、例えば３０ｍｍ以上１００ｍｍ以下である。なお、本体１２は、柱状であればよく、例えば多角柱状であってもよい。
【００１４】
ガスノズル５の本体１２は、セラミック焼結体からなるため、耐プラズマ性が高い。その結果、本体１２が反応室３内のプラズマ化したガスに晒された際に、本体１２からパーティクルの発生を低減することができる。したがって、対象物２へのパーティクルの付着を低減することができ、対象物２における不良の発生を抑制することができる。
【００１５】
本体１２のセラミック焼結体としては、イットリア（Ｙ２Ｏ３）焼結体、イットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）焼結体、例えばアルミン酸マグネシウム焼結体（ＭｇＡｌ２Ｏ４）であるスピネル焼結体またはアルミナ純度が９９．５質量％以上であるアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）焼結体（以下、高純度アルミナ焼結体という）などを用いることが望ましい。その結果、セラミック焼結体の耐プラズマ性を高めることができる。
【００１６】
なお、アルミナ純度は、アルミナ焼結体においてアルミニウムを酸化物に換算した含有量のことであり、以下のようにして求めることができる。まず、アルミナ焼結体の一部を粉砕し、得られた粉体を塩酸などの溶液に溶解する。次に、ＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）発光分光分析装置（島津製作所製：ＩＣＰＳ−8100等）を用いて、溶解した溶液を測定する。これによって、得られた各成分の金属量を酸化物に換算し、アルミナ純度を求める。
【００１７】
本体１２がイットリア焼結体からなる場合には、イットリウム・アルミニウム・ガーネット焼結体、スピネル焼結体または高純度アルミナ焼結体と比較して耐プラズマ性が高い。したがって、プラズマ化したガスによる本体１２の損傷を抑制できるため、ガスノズル５を長期間に渡って使用することができる。本体１２に用いられるイットリア焼結体は、例えば、イットリアを主成分として例えば９９質量％以上９９．９９質量％以下含んでおり、ジルコニウム（Ｚｒ）またはシリコン（Ｓｉ）を焼結助剤として０．０１質量％以上１質量％以下含んでいる。なお、イットリア焼結体における各成分の含有量は、これらを酸化物に換算した含有量のことであり、前述したアルミナ純度と同様にＩＣＰ発光分光分析装置を用いて求めることができる。
【００１８】
また、本体１２がスピネル焼結体からなる場合には、耐プラズマ性が一定以上あるとともに、イットリア焼結体と比較して機械的特性および熱的特性が優れている。本体１２に用いられるスピネル焼結体は、例えばアルミン酸マグネシウムを主成分として例えば９０質量％以上９９．９質量％以下含んでおり、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム（Ｍｇ）またはジルコニウムを焼結助剤として０．１質量％以上１０質量％以下含んでいる。その結果、耐プラズマ性を高めることができる。また、スピネル焼結体における各成分の含有量は、これらを酸化物に換算した含有量のことであり、前述したアルミナ純度と同様にＩＣＰ発光分光分析装置を用いて求めることができる。
【００１９】
また、本体１２がイットリウム・アルミニウム・ガーネット焼結体からなる場合には、耐プラズマ性が一定以上であるとともに、イットリア焼結体やスピネル焼結体と比較して機械的特性および熱的特性が優れている。本体１２に用いられるＹＡＧ焼結体は、イットリアを例えば４５ｍｏｌ％以上８０ｍｏｌ％以下含んでおり、アルミナを例えば２０ｍｏｌ％以上５５ｍｏｌ％以下含んでいる。その結果、機械的特性を優れたものとするとともに耐プラズマ性を高めることができる。なお、イットリウム・アルミニウム・ガーネット焼結体に含まれる各成分の含有量は、これらを酸化物に換算した含有量のことであり、前述したアルミナ純度と同様にＩＣＰ発光分光分析装置を用いて求めることができる。
【００２０】
本体１２に形成された貫通孔１１は、ガスノズル５においてガスが流れる流路である。この貫通孔１１は、一端面１３に形成された、ガスを反応室３内へ流出する流出口１６と、他端面１４に形成された、ガス供給管４からガスが流入する流入口１７とを有する。
【００２１】
また、貫通孔１１は、流出口１６側に配された円柱状の第１孔部１８と、流入口１７側に配された円柱状の第２孔部１９とを有する。第１孔部１８の直径（幅）は、第２孔部１９の直径（幅）よりも小さい。第１孔部１８の直径（幅）は、例えば０．１ｍｍ以上２ｍｍ以下である。第１孔部１８の高さは、例えば１ｍｍ以上１０ｍｍ以下である。第２孔部１９の直径（幅）は、例えば１ｍｍ以上２０ｍｍ以下である。第２孔部１９の高さは、例えば１０ｍｍ以上１００ｍｍ以下である。なお、貫通孔１１は、第１孔部１８のみからなってもよいし、第１孔部１８および第２孔部１９と異なる直径の孔部をさらに有していてもよい。また、第１孔部１８および第２孔部１９は、柱状であればよく、例えば多角柱状であってもよい。また、第１孔部１８および第２孔部１９の長手方向は、本体１２の長手方向と平行であってもよいし、平行でなくてもよい。
【００２２】
第１孔部１８と第２孔部１９との境界には、第１孔部１８の内壁と第２孔部１０の内壁とを接続する段差部２０が形成されている。その結果、第２孔部１９の内壁でパーティクルが発生したとしても、段差部２０にパーティクルが留まりやすくなり、パーティクルの流出口１６からの流出を抑制することができる。
【００２３】
第１孔部１８の内壁は、セラミック焼結体の焼き肌面からなる。焼き肌面は、後述するように、焼成によってセラミック焼結体を得た後に加工されていない、焼成したままの表面である。この第１孔部１８の内壁は、流出口１６の近傍に位置する第１領域２１と、第１領域２１よりも本体１２の内部に位置する第２領域２２とを有する。本実施形態の第２領域２２は、第１孔部１８における第１領域２１以外の領域である。なお、第１孔部１８の内壁が焼き肌面であることは、第１孔部１８の内壁を走査型電子顕微鏡または金属顕微鏡で観察することによって確認することができる。
【００２４】
第２孔部１９の内壁は、セラミック焼結体の研削面または研磨面などの加工面からなる。研削面は、焼成によってセラミック焼結体を得た後に研削加工を行なった面である。また、研磨面は、焼成によってセラミック焼結体を得た後に研削加工を行ない、さらに研磨加工を行なった表面である。この第２孔部１９の内壁は、流入口１７の近傍に位置する第３領域２３と、第３領域２３よりも本体１２の内部に位置する第４領域２４とを有する。本実施形態の第４領域２４は、第２孔部１９における第３領域２３以外の領域である。なお、第２孔部１９の内壁が加工面であることは、第２孔部１９の内壁を走査型電子顕微鏡または金属顕微鏡で観察することによって確認することができる。
【００２５】
ところで、成膜装置１を用いる際に、貫通孔１１の内壁を構成するセラミック焼結体の表面が反応室３内でプラズマ化したガスに晒されることがある。
【００２６】
一方、本実施形態においては、貫通孔１１の内壁において、第１領域２１および第２領域２２が焼き肌面からなる。この焼き肌面は、加工による損傷を受けておらず、加工面と比較して平滑な表面となっているため、焼き肌面がプラズマ化したガスに晒された際にパーティクルが脱落しにくい。したがって、第１領域２１および第２領域２２におけるパーティクルの発生を低減できる。
【００２７】
さらに、第１領域２１における平均結晶粒径は、第２領域２２における平均結晶粒径よりも大きい。セラミック焼結体の焼き肌面における平均結晶粒径が大きいと、プラズマに腐食されやすい結晶粒界の焼き肌面における面積の割合が小さくなる。このため、焼き肌面がプラズマ化したガスに晒された際にパーティクルが脱落しにくくなる。したがって、流出口１６の近傍に位置することから第２領域２２よりもプラズマ化したガスに晒されやすい第１領域２１におけるパーティクルの発生を良好に低減できる。それ故、対象物２へのパーティクルの付着を低減し、対象物２の不良の発生を抑制することができる。
【００２８】
また、セラミック焼結体の焼き肌面における平均結晶粒径が小さいと、焼き肌面における結晶粒子の充填率が高くなるため、焼き肌面の機械的強度が高くなる。したがって、本体１２の内部に位置することから第１領域２１よりもプラズマ化したガスに晒されにくい第２領域２２において、プラズマ化したガスによる影響を低減しつつ機械的強度を高めることによって、機械的応力または熱応力に起因した本体１２の損傷を抑制することができる。
【００２９】
第１領域２１は、流出口１６からの距離が５ｍｍ以下の領域であることが望ましい。さらに、第１領域２１は、流出口１６からの距離が１ｍｍ以下の領域であることが望ましい。その結果、プラズマ化したガスに晒されやすい領域を第１領域２１としつつ、プラズマ化したガスに晒されにくい領域を第２領域２２とすることができるため、パーティクルの発生を良好に低減しつつ、機械的応力または熱応力に起因した本体１２の損傷を抑制することができる。
【００３０】
第１領域２１における平均結晶粒径は、第２領域２２における平均結晶粒径の１．５倍以上であることが望ましい。その結果、第１領域２１におけるパーティクルの発生を良好に低減することができる。さらに、第１領域２１における平均結晶粒径は、第２領域２２における平均結晶粒径の１０倍以下であることが望ましい。第１領域２１における平均結晶粒径は、例えば３μｍ以上２０μｍ以下である。また、第２領域２２における平均結晶粒径は、例えば２μｍ以上１０μｍ以下である。この第１領域２１および第２領域２２における平均結晶粒径は、第１領域２１および第２領域２２の表面を金属顕微鏡を用いて撮影し、この撮影画像を、画像解析装置（ニレコ社製：ＬＵＺＥＸ−ＦＳ）を用いて解析することによって求めることができる。
【００３１】
また、本実施形態の貫通孔１１においては、前述した如く、第１孔部１８の内壁は焼き肌面からなり、第２孔部１９の内壁は研削面または研磨面などの加工面からなる。したがって、第２孔部１９よりも流出口１６側に位置するためプラズマ化したガスに晒されやすい第１孔部１８の内壁が焼き肌面からなることから、パーティクルの発生を良好に低減することができる。一方、第２孔部１９は、内壁が加工面からなることから、内壁が焼き肌面からなる場合と比較して、加工によって位置や形状の精度を高めることができる。したがって、第１孔部１８よりも流入口１７側に位置するためプラズマ化したガスに晒されにくい第２孔部１９において、プラズマ化したガスによる影響を低減しつつ、位置や形状の精度を高め、ガスノズル５とガス供給管４との接続不良に起因したガス漏れを抑制することができる。
【００３２】
特に、第２孔部１９においては、流入口１７の近傍に位置する第３領域２３が研削面または研磨面などの加工面からなるため、ガスノズル５とガス供給管４との接続不良に起因したガス漏れを良好に抑制することができる。第３領域２０は、流入口１７からの距離が５ｍｍ以下の領域であることが望ましい。
【００３３】
また、第１領域２１における平均結晶粒径は、第３領域２３における平均結晶粒径よりも大きい。その結果、第１領域２１における平均結晶粒径を大きくすることによって前述した如くパーティクルの発生を良好に低減しつつ、第３領域２３における平均結晶粒径を小さくすることによって、機械的応力または熱応力に起因した本体１２の損傷を抑制することができる。
【００３４】
また、本体１２の一端面１３は、セラミック焼結体の焼き肌面からなることが望ましい。その結果、プラズマ化したガスに晒されやすい一端面１３が焼き肌面からなることから、パーティクルの発生を良好に低減することができる。また、本体１２の一端面１３から貫通孔１１の第１領域２１に渡って焼き肌面が連続的に形成されていることが望ましい。その結果、パーティクルの発生を良好に低減することができる。なお、一端面１３の形状の精度を高める場合には、一端面１３を研削面または研磨面などの加工面としてもよい。この場合、パーティクルの脱落を抑制する観点から、一端面１３を研磨面とすることが望ましい。
【００３５】
また、本体１２の他端面１４は、セラミック焼結体の研削面または研磨面からなることが望ましい。その結果、ガスノズル５とガス供給管４との接続不良に起因したガス漏れを良好に抑制することができる。
【００３６】
＜ガスノズルの製造方法＞
次に、前述したガスノズル５の製造方法を、図３および図４を参照しつつ説明する。
【００３７】
（１）まず、図３および図４に示すように、前述した本体１２の貫通孔１１が形成される前のセラミック焼結体である本体用焼結体２５を作製する。具体的には、例えば以下のように行なう。
【００３８】
まず、セラミック粉末に純水と有機バインダーを加えた後、ボールミルで湿式混合してスラリーを作製する。次に、スラリーをスプレードライにて造粒し、セラミック粉末を形成する。次に、セラミック粉末を用いて、金型プレス法または冷間静水圧プレス成形法（ＣＩＰ成形法）などの成形法を用いて所定の形状に成形して図３（ａ）に示した円柱状の成形体２６を得る。次に、図３（ｂ）に示すように、切削加工を用いて、前述した第１孔部１８となる、一端面１３に開口した凹部２７を成形体２６に形成する。次に、図４（ａ）に示すように、大気雰囲気中または酸素雰囲気中のいずれかにて例えば１４００℃以上２０００℃以下で焼成する。以上のようにして、図４（ｂ）に示した本体用焼結体２５を得ることができる。この本体用焼結体２５において、一端面１３、他端面１４、側面１５および凹部２７の内壁といった表面は、焼成後に加工されておらず、焼き肌面となっている。
【００３９】
本実施形態において、成形体２６の焼成は、図４（ａ）に示すように、凹部２７が開口した一端面１３を上側として露出させつつ、焼成炉の載置台２８上に成形体２６を載置した状態で行なう。その結果、成形体２６の焼成の際に、成形体２６の上方から熱が加わるため、凹部２７の内壁においては、一端面１３の近傍に位置する第１領域２１に、第１領域２１よりも成形体２６の内部に位置する第２領域２２と比較して、大きな熱が加わりやすい。
【００４０】
ここで、本体用焼結体２５としてイットリア焼結体、イットリウム・アルミニウム・ガーネット焼結体、スピネル焼結体または高純度アルミナ焼結体を形成する場合には、成形体２６を焼成する際に液相焼結が生じる。このため、第２領域２２よりも大きな熱が加わる第１領域２１の結晶は、第２領域２２よりも大きく成長しやすい。その結果、本体用焼結体２５の凹部２７の内壁において、第１領域２１における平均結晶粒径を第２領域２２における平均結晶粒径よりも大きくすることができる。
【００４１】
特に、直径が０．１ｍｍ以上２ｍｍ以下と小さい第１孔部１８を形成する場合には、第１孔部１８となる凹部２７の直径も小さくする必要があるため、凹部２７内にて空気が流動しにくくなる。したがって、成形体２６の焼成の際に、凹部２７の内壁における熱の加わり方が不均一となりやすく、第１領域２１に加わる熱が第２領域２２に加わる熱よりも大きくなりやすい。このため、本体用焼結体２５の凹部２７の内壁において、第１領域２１における平均結晶粒径を第２領域２２における平均結晶粒径よりも大きくしやすい。
【００４２】
また、凹部２７は、一端面１３と反対側の端部に底面を有しており、本体１２を貫通していない。その結果、凹部２７内を空気が流動しにくくなる。したがって、本体用焼結体２５の凹部２７の内壁において、第１領域２１における平均結晶粒径を第２領域２２における平均結晶粒径よりも大きくしやすい。
【００４３】
また、成形体２６を形成する際の成形方法としては、ＣＩＰ成形法を用いることが望ましい。ＣＩＰ成形法によれば、成形時の圧力が均一に加わるため、成形体２６の密度を均一にすることができる。したがって、成形体２６を焼成する際に、加わる温度に応じて結晶粒子が均一に成長するため、前述した如く、第１領域２１に第２領域２２よりも大きな熱を加えることによって、第１領域２１における平均結晶粒径を第２領域２２における平均結晶粒径よりも大きくしやすい。
【００４４】
（２）本体用焼結体２５に貫通孔１１を形成することによって、本体用焼結体２５を本体１２として、図２に示したガスノズル５を作製する。具体的には例えば以下のように行なう。
【００４５】
研削加工を用いて、本体用焼結体２５の他端面１４側から孔加工を行ない、他端面１４に開口するとともに凹部２７とつながった第２孔部１９を本体用焼結体２５に形成する。これによって、凹部２７が第１孔部１８となり、第１孔部１８および第２孔部１９によって構成される貫通孔１１を形成することができる。また、研削加工を用いて、他端面１４を研削して研削面とする。その結果、本体用焼結体２５を本体１２とすることができる。なお、研削加工として超音波加工を用いてもよい。
【００４６】
本工程においては、本体用焼結体２５の凹部２７からなる第１孔部１８の内壁に研削加工や研磨加工などの加工を行なわない。その結果、第１孔部１８の内壁を焼き肌面としつつ、第１孔部１８の内壁においても、本体用焼結体２５の第１領域２１および第２領域２２における平均結晶粒径を維持することができる。したがって、第１領域２１における平均結晶粒径を第２領域２２における平均結晶粒径よりも大きくすることができる。
【００４７】
また、本工程において、一端面１３に研削加工または研磨加工などの加工を行なわないことによって、一端面１３を焼き肌面とすることができる。この場合、焼き肌面は、本体１２の一端面１３から貫通孔１１の第１領域２１に渡って連続的に形成される。なお、一端面１３の形状の精度を高める場合には、一端面１３に研削加工または研磨加工などの加工を行なってもよい。この場合、本体用焼結体２５の長手方向に沿った加工量は、例えば０．５ｍｍ以上２ｍｍ以下であることが望ましい。その結果、第１領域２１を本体１２に残存させることができる。
【００４８】
また、第２孔部１９は研削加工によって形成されるため、第２孔部１９の内壁は研削面となる。なお、研削加工を用いて第２孔部１９を形成した後に、第２孔部１９の内壁に研磨加工を行なうことによって、第２孔部１９の内壁を研磨面とすることができる。また、研削加工を用いて他端面１４を研削面とした後に、他端面１４に研磨加工を行なうことによって、他端面１４を研磨面とすることができる。
【００４９】
以上のようにして、図２に示したガスノズル５を作製することができる。
【００５０】
本発明は前述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良、組合せ等が可能である。
【００５１】
例えば、前述した実施形態において、ガスノズルを成膜装置に用いた構成を例に説明したが、ガスノズルは他の半導体製造装置や液晶製造装置に用いてもよく、例えばエッチング装置に用いてもよい。
【符号の説明】
【００５２】
１    成膜装置
２    対象物
３    反応室
４    ガス供給管
５    ガスノズル
６    内部電極
７    保持部材
８    バイアス電源
９    コイル
１０  電源
１１  貫通孔
１２  本体
１３  一端面
１４  他端面
１５  側面
１６  流出口
１７  流入口
１８  第１孔部
１９  第２孔部
２０  段差部
２１  第１領域
２２  第２領域
２３  第３領域
２４  第４領域
２５  本体用焼結体
２６  成形体
２７  凹部
２８  載置台
【図１】
0006046752.tif 000002
【図２】
0006046752.tif 000003
【図３】
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【図４】
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