(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック焼結体の片方の面にＡｌとＭｇを含む金属接合材を張り巡らし、該金属接合材を該金属接合材の液相線温度以下の温度に加熱した状態で前記セラミック焼結体に加圧接合することによりヒータ電極を形成する電極形成工程
を含むセラミックヒータの製法。
【請求項２】
請求項１に記載のセラミックヒータの製法であって、
前記電極形成工程のあと、前記ヒータ電極を厚みが１０〜５０μｍとなるまで研削する研削工程
を含むセラミックヒータの製法。
【請求項３】
請求項２に記載のセラミックヒータの製法であって、
前記研削工程のあと、前記セラミック焼結体のうち前記ヒータ電極が形成された面に樹脂製の接着層を介して金属冷却板を接合する冷却板接合工程
を含むセラミックヒータの製法。
【請求項４】
ウエハ載置面を備えたセラミック焼結体と、
前記セラミック焼結体の前記ウエハ載置面とは反対側の面に張り巡らされたヒータ電極と、
を備え、
前記ヒータ電極は、Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｇ系接合材又はＡｌ−Ｍｇ系接合材を用いたものであり、接合界面にはＭｇＯが存在する、
セラミックヒータ。
【請求項５】
前記ヒータ電極は、厚みが１０〜５０μｍである、
請求項４に記載のセラミックヒータ。
【請求項６】
請求項４又は５に記載のセラミックヒータであって、
前記セラミック焼結体のうち前記ヒータ電極が形成された面に樹脂製の接着層を介して接合された金属冷却板
を備えたセラミックヒータ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミックヒータ及びその製法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造装置においては、ウエハを加熱するためのセラミックヒータが採用されている。こうしたセラミックヒータとしては、セラミック焼結体の一方の表面に金属ペーストを印刷して焼成することによりヒータ電極としたものが知られている（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第４５２９６９０号公報（例えば段落００１７）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、セラミック焼結体の一方の表面に金属ペーストを印刷して焼成する場合、焼成時にセラミック焼結体の中心部と外周部との間で温度差が生じること、すなわちセラミック焼結体に温度ムラが生じることがあった。金属ペーストは焼成後にヒータ電極となるが、このような温度ムラが生じると、セラミック焼結体の中心部と外周部とでヒータ電極の焼結状態が異なるものになってしまう。その結果、ヒータ電極は、セラミック焼結体の中心部と外周部とで抵抗値が異なるものとなり、セラミックヒータの均熱性が悪化するという問題があった。
【０００５】
本発明はこのような課題を解決するためになされたものであり、セラミック焼結体の一方の表面にヒータ電極を備えたセラミックヒータにおいて、均熱性を高くすることを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のセラミックヒータの製法は、
セラミック焼結体の片方の面にＡｌとＭｇを含む金属接合材を張り巡らし、該金属接合材を該金属接合材の液相線温度以下の温度に加熱した状態で前記セラミック焼結体に加圧接合することによりヒータ電極を形成する電極形成工程
を含むものである。
【０００７】
このセラミックヒータの製法では、金属接合材を該金属接合材の液相温度以下の温度に加熱した状態でセラミック焼結体に加圧接合することによりヒータ電極を形成する。従来のように金属ペーストを焼結してヒータ電極を形成する場合には、焼結時にセラミック焼結体の中心部と外周部とで温度ムラが生じることがある。そうすると、ヒータ電極の焼結状態ひいてはヒータ電極の抵抗値がセラミック焼結体の中心部と外周部とで差が生じてしまい、均熱性が悪くなる。しかし、本発明のセラミックヒータの製法では、ヒータ電極となる金属接合材は接合前も接合後も大部分が固相のままであるため、ヒータ電極の抵抗値はセラミック焼結体の中心部と外周部とで差が生じない。また、金属接合材を固相のまま接合したヒータ電極は、金属ペーストを焼結したヒータ電極に比べて、ヒータ電極とセラミック焼結体との接合強度が高いため、低温制御と高温制御とを繰り返すサイクル試験を行った後であってもセラミック焼結体から剥離しにくい。こうしたことから、本発明の製法によって製造されたセラミックヒータは、均熱性が高くなる。また、金属接合材中に含まれる活性の高いＭｇによって、セラミック焼結体の表面に存在する酸化物層が除去されるため、セラミック焼結体と金属接合材との接合強度が高くなる。
【０００８】
なお、金属接合材を加熱した状態でセラミック焼結体に加圧接合するときの温度は、例えば、金属接合材の液相線温度以下固相線温度以上の温度としてもよいし、固相線温度以下の温度としてもよいが、固相線温度の近傍（例えば固相線温度±１０℃）であることが好ましい。この場合、金属接合材の接合前後でほとんど固相のままになるからである。
【０００９】
また、金属接合材としては、例えば、Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｇ系接合材やＡｌ−Ｍｇ系接合材などが好ましい。
【００１０】
本発明のセラミックヒータの製法は、前記電極形成工程のあと、前記ヒータ電極を厚みが１０〜５０μｍとなるまで研削する研削工程を含んでいてもよい。こうすれば、金属接合材の導電性が高い場合であっても、金属接合材の断面積が小さいため電気抵抗が大きくなり発熱しやすくなる。この場合、前記研削工程のあと、前記セラミック焼結体のうち前記ヒータ電極が形成された面に樹脂製の接着層を介して金属冷却板を接合する冷却板接合工程を含んでいてもよい。ヒータ電極の厚みが１０〜５０μｍと薄いため、セラミック焼結体と接着層との間に隙間が生じにくく、ホットスポットが発生しにくい。
【００１１】
本発明のセラミックヒータは、
ウエハ載置面を備えたセラミック焼結体と、
前記セラミック焼結体の前記ウエハ載置面とは反対側の面に張り巡らされたヒータ電極と、
を備え、
前記ヒータ電極は、Ａｌを含有し、接合界面にはＭｇＯが存在するものである。
【００１２】
このセラミックヒータは、例えば上述したセラミックヒータの製法によって得ることができる。
【００１３】
本発明のセラミックヒータにおいて、前記ヒータ電極は、厚みが１０〜５０μｍであることが好ましい。こうすれば、金属接合材の導電性が高い場合であっても、金属接合材の断面積が小さいため電気抵抗が大きくなり発熱しやすくなる。
【００１４】
こうしたセラミックヒータは、セラミック焼結体のうちヒータ電極が形成された面に樹脂製の接着層を介して接合された金属冷却板を有していてもよい。ヒータ電極の厚みが１０〜５０μｍと薄いため、セラミック焼結体と接合層との間に隙間が生じにくい。セラミック焼結体と接着層との間に隙間が生じると、その隙間が生じた箇所は、セラミック焼結体からの熱が金属冷却板へ熱が逃げにくくなるためホットスポットになりやすい。しかし、ここでは、セラミック焼結体と接着層との間に隙間が生じにくいため、そのようなホットスポットが発生しにくい。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】静電チャックヒータ２０の断面図。
【図２】静電チャックヒータ２０の製造工程図。
【図３】金属接合材１２６の平面図。
【図４】実施例及び比較例の、低温制御と高温制御とを繰り返すサイクル試験の回数と温度差ΔＴとの関係を示すグラフ。
【図５】実施例及び比較例の、ヒータ電極厚みと温度差ΔＴとの関係を示すグラフ。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
次に、本発明のセラミックヒータの好適な一実施形態である静電チャックヒータ２０について以下に説明する。図１は静電チャックヒータ２０の断面図である。
【００１７】
静電チャックヒータ２０は、プラズマ処理を施すウエハＷをウエハ載置面２２ａに吸着可能なセラミック焼結体２２と、セラミック焼結体２２の裏面に配置された冷却板３０と、セラミック焼結体２２と冷却板３０とを接着する接着層４０とを備えている。
【００１８】
セラミック焼結体２２は、外径がウエハＷの外径よりも小さいセラミック製（例えばアルミナ製とか窒化アルミニウム製）の円盤状プレートである。
【００１９】
セラミック焼結体２２には、静電電極２４が埋設されている。静電電極２４は、図示しない電源装置により直流電圧を印加可能な平面状の電極である。この静電電極２４に直流電圧が印加されるとウエハＷはクーロン力又はジョンソン・ラーベック力によりウエハ載置面２２ａに吸着固定され、直流電圧の印加を解除するとウエハＷのウエハ載置面２２ａへの吸着固定が解除される。
【００２０】
セラミック焼結体２２のうちウエハ載置面２２ａとは反対側の表面２２ｂには、ヒータ電極２６が張り巡らされている。このヒータ電極２６は、表面２２ｂの全体にわたって一筆書きの要領でパターン形成された抵抗線であり、中心に配置された一方の端部２６ａから外周付近に配置された端部２６ｂまで渦巻き状に形成されている。両方の端部２６ａ，２６ｂには、それぞれ給電端子２８ａ，２８ｂがはんだ又はＡｌ−Ｃｕにより接合されている。ヒータ電極２６は、ＡｌとＭｇを含む金属接合材を該金属接合材の固相線温度以下の温度に加熱した状態でセラミック焼結体２２に加圧接合したものである。こうした接合方法を、ＴＣＢ接合（Thermal compression bonding）と称する。金属接合材中に含まれる活性の高いＭｇによって、セラミック焼結体２２の表面２２ｂに存在する酸化物層が除去され、セラミック焼結体２２と金属接合材との接合強度が高くなる。また、ヒータ電極２６の接合界面には、ＭｇＯが存在する。ＡｌとＭｇを含有する金属接合材としては、Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｇ系接合材やＡｌ−Ｍｇ系接合材などが好ましい。例えば、Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｇ系接合材として、８８．５重量％のＡｌ、１０重量％のＳｉ、１．５重量％のＭｇを含有し、固相温度が約５６０℃、液相温度が約５９０℃の接合材を用いる場合、ＴＣＢ接合は、液相線温度以下である約５２０〜５８０℃に加熱した状態で、２０〜１４０ｋｇ／ｍｍ2、好ましくは３０〜６０ｋｇ／ｍｍ2 の圧力で３〜６時間加圧して行われる。ＴＣＢ接合は、真空雰囲気か不活性ガス雰囲気で行うのが好ましい。ヒータ電極２６は、厚みが数１００μｍの金属接合材をＴＣＢ接合したあと、厚みが１０〜５０μｍ（好ましくは１０〜２０μｍ）に研削する。こうすれば、金属接合材の導電性が高い場合であっても、金属接合材の断面積が小さくなるため電気抵抗が大きくなり発熱しやすくなる。
【００２１】
冷却板３０は、金属製（例えばアルミニウム製とかアルミニウム合金製）の円盤である。この冷却板３０は、セラミック焼結体２２のウエハ載置面２２ａとは反対側の表面２２ｂに絶縁樹脂製の接着層４０を介して接着されている。また、冷却板３０は、図示しない外部冷却装置で冷却された冷媒が循環する冷媒通路３２を有している。冷却板３０は、ヒータ電極２６に取り付けられた一対の給電端子２８ａ，２８ｂを挿通するための貫通孔３４ａ，３４ｂを備えている。貫通孔３４ａ，３４ｂの内面はセラミック絶縁層で覆われている。そのほかに、冷却板３０は、静電電極２４に電力を供給する図示しない給電端子を挿通するための図示しない貫通孔も有している。
【００２２】
接着層４０は、エポキシ系、シリコン系又はアクリル系の接着シートが固化したものである。接着層４０の厚みは、１００〜３００μｍである。接着層４０には、一対の給電端子２８ａ，２８ｂが貫通している。ヒータ電極２６の厚みが１０〜５０μｍの場合、セラミック焼結体２２の表面２２ｂとヒータ電極２６との段差が非常に小さいため、表面２２ｂと接着層４０との間に隙間が生じにくい。表面２２ｂと接着層４０との間に隙間が生じると、その隙間が生じた箇所は、セラミック焼結体２２の熱が冷却板３０へ逃げにくくなるため、ホットスポットになりやすい。しかし、本実施形態では、セラミック焼結体２２と接着層４０との間に隙間が生じにくいため、そのようなホットスポットが発生しにくい。なお、こうした効果を確実に得るためには、ヒータ電極２６の厚みを１０〜２０μｍとするのがより好ましい。
【００２３】
次に、静電チャックヒータ２０の使用例について説明する。まず、図示しない真空チャンバ内に静電チャックヒータ２０を設置した状態で、ウエハＷをセラミック焼結体２２のウエハ載置面２２ａに載置する。そして、真空チャンバ内を真空ポンプにより減圧して所定の真空度になるように調整し、セラミック焼結体２２の静電電極２４に直流電圧をかけてクーロン力又はジョンソン・ラーベック力を発生させ、ウエハＷをセラミック焼結体２２のウエハ載置面２２ａに吸着固定する。次に、真空チャンバ内を所定圧力（例えば数１０〜数１００Ｐａ）の反応ガス雰囲気とし、この状態で、プラズマを発生させる。そして、発生したプラズマによってウエハＷの表面がエッチングされる。図示しないコントローラは、ウエハＷの温度が予め設定された目標温度となるように、ヒータ電極２６へ供給する電力を制御する。
【００２４】
次に、静電チャックヒータ２０の製造例について説明する。図２は静電チャックヒータ２０の製造工程図、図３は金属接合材１２６の平面図である。まず、静電電極２４が埋設されたセラミック焼結体２２を用意する（図２（ａ）参照）。こうしたセラミック焼結体２２は、例えば特開２００５−３４３７３３号公報の記載にしたがって用意することができる。続いて、図３に示すように、予め所定のパターン（ここでは渦巻き状）に形成された厚み数１００μｍの金属接合材１２６を用意し、その金属接合材１２６をウエハ載置面２２ａとは反対側の表面２２ｂに載置する（図２（ｂ）参照）。金属接合材１２６が形成する渦巻きの最外周の渦の直径は、セラミック焼結体２２の表面２２ｂの直径より僅かに小さい。続いて、金属接合材１２６が載置されたセラミック焼結体２２をカーボン製の金型５０に入れる。このとき、金属接合材１２６と金型５０との間に、黒鉛シート５２（例えばグラフテック（Graftech）社製の商品名グラフォイルなど）を介在させる（図２（ｃ）参照）。そして、金属接合材１２６を金属接合材１２６の液相線温度以下の温度に加熱した状態で、金属接合材１２６が載置されたセラミック焼結体２２を金型５０の上型及び下型により上下から加圧する。これにより、金属接合材１２６がセラミック焼結体２２に接合される。接合後、セラミック焼結体２２を金型５０から取り出す。金属接合材１２６は、セラミック焼結体２２とは接合するが、黒鉛シート５２とは接合しない。そのため、セラミック焼結体２２を金型５０から容易に取り出すことができる。その後、金属接合材１２６の厚みが１０〜５０μｍとなるまで切削し、ヒータ電極２６とする（図２（ｄ）参照）。そして、ヒータ電極２６の両方の端部２６ａ，２６ｂにそれぞれ給電端子２８ａ，２８ｂをはんだ又はＡｌ−Ｃｕロウ材により接合する（図２（ｅ）参照）。
【００２５】
その一方で、内部に冷媒通路３２が形成された冷却板３０を用意する。そして、冷却板３０の表面３０ａとセラミック焼結体２２の表面２２ｂとを向かい合わせ、両面３０ａ，２２ｂの間に接着シートを挟んだ状態で、冷却板３０の貫通孔３４ａ，３４ｂに給電端子２８ａ，２８ｂを挿通させながら冷却板３０に対してセラミック焼結体２２を押圧する。これにより、セラミック焼結体２２の表面２２ｂと冷却板３０の表面３０ａとが接着層４０を介して接合され、静電チャックヒータ２０が得られる（図２（ｆ）参照）。
【００２６】
以上詳述した本実施形態の静電チャックヒータ２０によれば、均熱性が高くなる。従来のように金属ペーストを焼結してヒータ電極を形成する場合には、焼結時にセラミック焼結体の中心部と外周部とで温度ムラが生じることがある。そうすると、ヒータ電極の焼結状態ひいてはヒータ電極の抵抗値がセラミック焼結体の中心部と外周部とで差が生じてしまい、均熱性が悪くなる。しかし、本実施形態の静電チャックヒータ２０では、ヒータ電極２６となる金属接合材は接合前も接合後も大部分が固相のままであるため、ヒータ電極２６の抵抗値はセラミック焼結体２２の中心部と外周部とで差が生じない。また、金属接合材を固相のまま接合したヒータ電極２６は、金属ペーストを焼結したヒータ電極に比べて、ヒータ電極２６とセラミック焼結体２２との接合強度が高いため、熱サイクル試験後にセラミック焼結体２２から剥離しにくい。こうしたことから、本実施形態の静電チャックヒータ２０は、均熱性が高くなる。
【００２７】
なお、本発明は上述した実施形態に何ら限定されることはなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の態様で実施し得ることはいうまでもない。
【００２８】
例えば、上述した実施形態では、静電チャックヒータ２０の全面にわたって渦巻き状にヒータ電極２６を形成したが、特に渦巻き状に限定されるものではなく、どのような形状であっても構わない。また、静電チャックヒータ２０を複数のゾーンに分け、各ゾーンごとに一筆書きの要領でヒータ電極を形成してもよい。複数のゾーンとは、例えば、内周側ゾーン（円形）と外周側ゾーン（ドーナツ形）の２つのゾーンとしてもよいし、左側ゾーン（半円形）と右側ゾーン（半円形）の２つのゾーンとしてもよい。
【００２９】
上述した実施形態では、本発明のセラミックヒータとして静電チャックヒータ２０を例示したが、静電チャックヒータ２０の静電電極２４を省略してセラミックヒータとしてもよいし、あるいは、静電チャックヒータ２０のセラミック焼結体２２に更にプラズマ発生用の高周波電極を埋設してもよい。
【実施例】
【００３０】
［実施例１］
上述した製造例（図２参照）にしたがって、静電チャックヒータ２０を製造した。なお、静電電極２４が埋設されたセラミック焼結体２２は、直径２９７ｍｍ、厚み４ｍｍのものを用いた。金属接合材１２６は、８８．５重量％のＡｌ、１０重量％のＳｉ、１．５重量％のＭｇを含有し、固相温度が約５６０℃、液相温度が約５９０℃のＡｌ−Ｓｉ−Ｍｇ系接合材を用いた。ＴＣＢ接合は、真空雰囲気下、５６０℃に加熱した状態で３０ｋｇ／ｍｍ2の圧力で５時間かけて加圧した。ＴＣＢ接合後の金属接合材１２６の厚みが２０μｍになるまで金属接合材１２６の研削を行い、ヒータ電極２６とした。ヒータ電極２６の断面をＳＥＭ／ＥＰＭＡで観察したところ、接合界面にＭｇＯが存在していることが確認された。接合シートは、厚み３００μｍのエポキシ樹脂系シートを使用した。冷却板３０は、アルミニウム製で直径３００ｍｍ、厚み２５ｍｍのものを使用した。
【００３１】
［比較例１］
比較例１では、実施例１において、金属接合材１２６をセラミック焼結体２２にＴＣＢ接合してヒータ電極２６を形成する代わりに、金属ペーストを用いてヒータ電極を形成した以外は、実施例１と同様にして静電チャックヒータを製造した。具体的には、タングステン粉末と焼成助剤とをエチルセルロースバインダにて混練した金属ペーストをセラミック焼結体の表面に渦巻き状のパターンとなるように印刷し、窒素ガス中８００℃で脱脂した後、窒素ガス中１６００℃で焼成し、所定の厚み（ここでは５０μｍ）に研削してヒータ電極を形成した。
【００３２】
［均熱性評価試験−その１］
図示しない真空チャンバに静電チャックヒータを入れ、ウエハ載置面に温度測定用ウエハを載せた。温度測定用ウエハとしては、直径３００ｍｍのシリコンウエハの中心点、直径１４５ｍｍの円周上の１２点、直径２９０ｍｍの円周上の１２点に、それぞれ熱電対が埋め込まれたものを用いた。各円周上の複数の測定点は、等間隔に並んでいた。真空チャンバの内圧は１０Ｐａ未満に設定し、冷却板の冷媒通路に循環させる冷媒の温度は１０℃に設定した。セラミックの目標温度は６０℃に設定した。図示しないコントローラによりセラミックの温度が目標温度と一致するようにヒータ電極に供給する電力を制御したときの温度測定用ウエハの各点の温度の最大値から最小値を引いた温度差ΔＴ（℃）を均熱性の指標として求めた。また、ヒータ電極につき、直径２００ｍｍの円の内側の抵抗率（内側抵抗率）と直径２００ｍｍの円の外側の抵抗率（外側抵抗率）も測定した。その結果を表１に示す。表１から明らかなように、実施例１は、比較例１に比べて温度差ΔＴが小さく、均熱性が優れていた。また、実施例１は、比較例１に比べて内側抵抗率と外側抵抗率のバラツキが少なかった。
【００３３】
【表１】
0006030045.tif 000002
【００３４】
［均熱性評価試験−その２］
実施例１と比較例１につき、上述した［均熱性評価試験−その１］において、セラミックの目標温度を６０℃に設定する代わりに、セラミックの目標温度を２０℃（１分間）に設定した後８０℃（１分間）に設定するのを１サイクルとし、これを５万サイクル実施した。初期を含み１万サイクルごとにＩＲカメラにて温度の測定を行い、均熱性の指標である温度差ΔＴを求めた。その結果を図４に示す。図４から、実施例１では、初期から５万サイクル後まで温度差ΔＴは絶えず３℃未満で小さいままだった。それに対して、比較例１では、初期において既に温度差ΔＴが４℃を超え、また、サイクル回数が増加するにつれて温度差ΔＴが更に増大した。比較例１では、サイクル回数が増加するにつれてヒータ電極がセラミック焼結体から剥離し、その剥離した部分の周辺ではセラミック焼結体から冷却板へ熱を効率よく逃がすことができなくなり、その結果均熱性が悪化したと考えられる。それに対して、実施例１では、５万サイクルまでヒータ電極がセラミック焼結体から剥離しなかったと考えられる。このように、ヒータ電極とセラミック焼結体との接合強度は、ヒータ電極としてＴＣＢ接合した金属接合材を用いた場合の方が金属ペーストの焼成体を用いた場合に比べて高いことがわかる。
【００３５】
［実施例２〜５］
実施例１では、ヒータ電極２６の厚みを研削により２０μｍとしたが、実施例２では１０μｍ、実施例３では５０μｍ、実施例４では１００μｍ、実施例５では２００μｍ（研削なし）とした。
【００３６】
［比較例２〜５］
比較例１では、ヒータ電極の厚みを研削により５０μｍとしたが、比較例２では１０μｍ、比較例３では２０μｍ、比較例４では１００μｍ、比較例５では２００μｍ（研削なし）とした。
【００３７】
［均熱性評価試験−その３］
上述した［均熱性評価試験−その１］にしたがって、各実施例、各比較例の均熱性を求めた。ヒータ電極の厚みと均熱性（ΔＴ）との関係を図５に示す。図５から、比較例のうち最も均熱性に優れていたのはヒータ電極の厚みが５０μｍのものであり、それより厚くても薄くても均熱性が悪化した。比較例において厚みが２０μｍ以下のものは、研削時にヒータ電極が剥離したり欠けたりしたため、抵抗率が不均一になり均熱性が悪化した。これは、比較例のヒータ電極は金属ペーストを焼成したものであるため、内部に気泡が入ったり脆くなったりして抵抗率が不均一になったことが原因と考えられる。一方、同じヒータ電極の厚みの実施例と比較例とを比較すると、いずれも実施例の方が均熱性が優れていた。また、実施例のうちヒータ電極の厚みが１０〜５０μｍの場合、比較例のうち最も均熱性が高いもの（ヒータ電極の厚みが５０μｍのもの）よりも更に均熱性が高かった。実施例のヒータ電極は、ＴＣＢ接合の前後で大部分が固相のままだった金属接合材であるため、研削しても剥離や欠けが生じず、抵抗率が均一になったと考えられる。
【符号の説明】
【００３８】
２０  静電チャックヒータ、２２  セラミック焼結体、２２ａ  ウエハ載置面、２２ｂ  表面、２４  静電電極、２６  ヒータ電極、２６ａ，２６ｂ  端部、２８ａ，２８ｂ  給電端子、３０  冷却板、３０ａ  表面、３２  冷媒通路、３４ａ，３４ｂ  貫通孔、４０  接着層、５０  金型、５２  黒鉛シート、１２６  金属接合体、Ｗ  ウエハ。
【図１】
0006030045.tif 000003
【図２】
0006030045.tif 000004
【図４】
0006030045.tif 000005
【図５】
0006030045.tif 000006
【図３】
0006030045.tif 000007