(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックからなり、表面および裏面と、該表面と裏面との間に位置する側面とを有する基板本体と、
上記基板本体の表面および裏面の少なくとも一方に形成され、且つ表面に金属メッキ膜が被覆された表面導体部と、
上記基板本体の内部に形成され、一端が上記表面導体部と電気的に接続し、他端が基板本体の表面または裏面に形成され且つ上記表面導体部とは別の導体部には電気的に独立していると共に、基板本体の側面から離間している電解メッキ用導体層と、を含む配線基板であって、
上記基板本体の表面または裏面の少なくとも一方には、上記電解メッキ用導体層の少なくとも一部を露出させる開口部が形成されている、
ことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記表面導体部は、前記基板本体の表面に開口するキャビティの開口部に沿って形成された該キャビティ封止用の枠形メタライズ層、あるいは、上記基板本体の表面または裏面に形成された一部の外部接続用導体である、
ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記基板本体は、その表面に開口するキャビティを有し、
上記キャビティの底面側に前記表面導体部である非導通パッドが形成されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項４】
前記表面導体部と電解メッキ用導体層との間は、ビア導体および接続配線の少なくとも何れか一方を介して導通可能とされている、
ことを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の配線基板。
【請求項５】
前記開口部は、有底孔であり、該有底孔の底面に前記電解メッキ用導体層の一部が露出している、
ことを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の配線基板。
【請求項６】
前記有底孔の内壁面には、前記電解メッキ用導体層と電気的に接続される壁面導体層が形成されている、
ことを特徴とする請求項５に記載の配線基板。
【請求項７】
前記表面導体部と電解メッキ用導体層とは、前記基板本体の表面または裏面に形成された接続配線および前記壁面導体層を介して、電気的に接続されている、
ことを特徴とする請求項６に記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミックからなる基板本体の表面などに外部接続用導体とは電気的に接続されていない非導通の表面導体部などを有していても、該表面導体部などの表面に電解金属メッキ膜が確実に被覆されている配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、絶縁基体の側面に複数のパッドおよび全てを短絡させた単一で長尺なパッドの少なくとも一方を形成し、これらのパッドに同一の枠体から立設した複数の外部リード端子を接触させることにより、前記パッドと電気的に個別に接続しており且つ上記絶縁基体の表面に開口するキャビティの底面側に設けた複数の配線用メタライズ層の表面ごとに、金属メッキ膜を電解メッキによって被覆可能とした半導体素子収納用パッケージの製造方法の発明が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
しかし、前記のような構造である半導体素子収納用パッケージの場合、前記メッキ後には、不要となる絶縁基体の側面に形成された複数のパッドを研磨して除去する工程が必要になる。しかも、上記パッドを除去した後の絶縁基体の側面には内部配線ごとの端面が露出するため、電気的に不用意な短絡などを招くなどのおそれもあった。【０００３】
一方、セラミックからなる基板本体の表面に形成した平面視が矩形枠状で且つ比較的幅の狭いキャビティ封止用のメタライズ層や、上記基体本体の表面または該表面に開口するキャビティの底面側に設けた比較的小さな複数のパッドのうち、電流が流れない非導通パッドがある場合、上記メタライズ層の表面や前記非導通パッドの表面に先尖状の電極ピンを点接触させた状態で、Ｎｉメッキ膜およびＡｕメッキ膜を電解メッキにより順次被覆することも行われている。
しかし、上記電極ピンを点接触させたり、該電極ピンの周面を線接触させた場合、不用意に接触部分がズレて上記メタライズ層やパッドの表面にキズが付いたりする。しかも、前記メタライズ層の幅が狭かたり、非導通パッドが小さい場合、上記電極ピンが外れて電解メッキができなくなる場合があった。更に、前記メタライズ層の外側における基板本体の表面に、上記電極ピンと接触させるための電極用導体部を別に張り出すと、基板本体のサイズが大型化してしまう、という問題点もあった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−１６８７５４号公報(第１〜７頁、図１〜５)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、背景技術において説明した問題点を解決し、セラミックからなる基板本体の表面などに外部接続用導体とは電気的に接続されていない表面導体部や、前記基板本体の表面に開口するキャビティの底面側に外部接続用導体とは電気的に接続されていない表面導体部があっても、これらの表面に電解メッキ法による金属メッキ膜が確実に被覆されており、電極ピンとの接触によるキズが目立ちにくく且つ基板本体の小型化も可能な配線基板を提供する、ことを課題とする。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【０００６】
本発明は、前記課題を解決するため、セラミックからなる基板本体の表面および裏面の少なくとも一方に電極ピンが挿入できる開口部を形成し、該開口部の底面に一部が露出する電解メッキ用導体層と、金属メッキ膜の被覆が必要な表面導体部とを電気的に導通可能とする、ことに着想して成されたものである。
即ち、本発明による第１の配線基板（請求項１）は、セラミックからなり、表面および裏面と、該表面と裏面との間に位置する側面とを有する基板本体と、該基板本体の表面および裏面の少なくとも一方に形成され、且つ表面に金属メッキ膜が被覆された表面導体部と、上記基板本体の内部に形成され、一端が上記表面導体部と電気的に接続し、他端が基板本体の表面または裏面に形成され且つ上記表面導体部とは別の導体部には電気的に独立していると共に、基板本体の側面から離間している電解メッキ用導体層と、を含む配線基板であって、上記基板本体の表面または裏面の少なくとも一方には、上記電解メッキ用導体層の少なくとも一部を露出させる開口部が形成されている、ことを特徴とする。
尚、上記のうち、「上記基板本体の内部に形成され、一端が上記表面導体部と電気的に接続し、他端が基板本体の表面または裏面に形成され且つ上記表面導体部とは別の導体部には電気的に独立していると共に、基板本体の側面から離間している電解メッキ用導体層」は、「上記基板本体の内部に形成され、一端が上記表面導体部と電気的に接続し、他端が基板本体の表面または裏面に形成され且つ上記表面導体部とは別の導体部には電気的に接続しないと共に、基板本体の側面には露出しない電解メッキ用導体層」と表現することもできる。
【０００７】
これによれば、前記表面導体部は、前記基板本体の表面または裏面の少なくとも一方に形成された開口部に一部が露出する前記電解メッキ用導体層の一端部と電気的に接続されている。そのため、例えば、基板本体の表面が別の導体部によって広く占有されていても、上記表面導体部は、上記電解メッキ用導体層とビア導体などを介して導通可能とされているので、前記開口部から電解メッキ用の電極ピンの先端部を挿入し且つ該開口部に露出する電解メッキ用導体層の一部に接触させることにより、該表面導体部の表面に対して確実にＮｉやＡｕなどの金属メッキ膜が被覆されている。従って、使用時には外部接続用導体などの別の導体層とは電気的に独立したものとなる表面導体部の表面に金属メッキ膜が確実に被覆された配線基板となっている。
しかも、前記電解メッキ用導体層は、その一部が前記開口部に露出するため、該開口部内に挿入される電解メッキ用の電極ピンの先端部がズレたり、当該開口部から外れにくくなると共に、仮に、上記ピンによる圧痕などのキズが生じても、上記開口部の底面側に位置しているので、該キズを目立ちにくくすることもできる。更に、前記電解メッキ用導体層は、基板本体の内部に形成され且つ前記開口部にその一部が露出するため、従来における不用意な短絡を予防できると共に、該基板本体の小型化も容易となる。
【０００８】
尚、前記セラミックは、アルミナ、ムライト、窒化アルミニウムなどの高温焼成セラミック、あるいはガラス−セラミックなどの低温焼成セラミックである。
また、前記基板本体は、平坦な表面を有する板形状の形態のほか、後述するように、上記表面の中央側に該表面に開口するキャビティを有していても良い。
更に、前記表面導体部は、使用時には、マザーボードに形成された端子と電気的に接続される外部接続端子などの別の導体層とは電気的に独立した非導通の導体部であり、例えば、キャビティを封止するための金属枠体や金属蓋板を取り付けるための枠形メタライズ層（キャビティ封止用のメタライズ層）や、別の導体層とは電気的に独立した非導通の外部接続端子などが例示される。一方、前記別の導体部は、使用時にはマザーボードの端子と電気的に接続される導体部である。
また、前記表面導体部や電解メッキ用導体層、ビア導体、別の導体部である配線層、接続配線などには、前記基板本体のセラミックが高温焼成セラミックの場合には、ＷまたはＭｏおよびこれらの何れか一方をベースとする合金などが適用され、基板本体のセラミックが低温焼成セラミックの場合には、ＡｇまたはＣｕなどが適用される。
更に、前記電解メッキ用導体層のうち、前記開口部の底面に露出する一部（露出面）には、前記表面導体部の表面に電解メッキ用の電流を給電するための給電用のピンにおける先尖り形状の先端部が点状にして当接される。
更に、前記開口部は、前記基板本体の表面または裏面を形成する最外層のセラミック層、あるいは該セラミック層およびこれに隣接するセラミックを厚み方向に沿って貫通して形成されている。
加えて、前記金属メッキ膜は、例えば、ＮｉおよびＡｕメッキ膜が例示される。
【０００９】
また、本発明には、前記表面導体部は、前記基板本体の表面に開口するキャビティの開口部に沿って形成された該キャビティ封止用の枠形メタライズ層、あるいは、上記基板本体の表面または裏面に形成された一部の外部接続用導体である、配線基板（請求項２）も含まれる。
これによれば、上記枠形メタライズ層の幅が比較的狭かったり、使用時に非導通となる外部接続用導体のサイズの面積が比較的小さい場合であっても、これらの表面に対し、前記電解メッキ用導体層およびこれに導通する導体部を介して、所要の金属メッキ膜を確実に被覆した配線基板とすることができる。
尚、前記外部接続用導体は、使用時には電流が流れないもので、例えば、画像処理に活用されるパターンの一部を構成するダミーパッド、実装すべき素子の姿勢を安定させるためのダミーの素子実装用パッド、あるいは、配線基板の位置決め用のアライメントマークとして用いるものである。
【００１０】
更に、本発明には、前記基板本体は、その表面に開口するキャビティを有し、該キャビティの底面側に前記表面導体部である非導通パッドが形成されている、配線基板（請求項３）も含まれる。
これによれば、上記非導通（ダミー）パッドの面積が比較的小さい場合、例えば、実装すべき電子部品などの素子実装用パッドよりも面積が比較的小さい場合であっても、その表面に対し、前記電解メッキ用導体およびこれに導通する導体を介して、所要の金属メッキ膜を確実に被覆した配線基板とすることができる。
尚、前記キャビティの底面側には、該キャビティの底面のほか、該底面の周辺に比較的近接する段部の水平面も含まれる。
また、前記キャビティの底面における中央部には、当該キャビティに実装すべき電子部品などの単一の素子実装用パッドが形成されているが、該実装用パッドが比較的広い表面積を有している場合には、本発明における前記表面導体部には含まれない。但し、複数の素子実装用パッドから構成され、その一部に非導通の（ダミー）素子実装用パッドが含まれる場合、該非導通の素子実装用パッドは、前記表面導体部に含まれる。
【００１１】
また、本発明には、前記表面導体部と電解メッキ用導体層との間は、ビア導体および接続配線の少なくとも何れか一方を介して導通可能とされている、配線基板（請求項４）も含まれる。
これによれば、前記基板本体の表面と裏面との厚み方向、あるいは該表面および裏面に沿った方向において、前記表面導体部と電解メッキ用導体層との配置位置ごとの乖離を確実に解消し、両者間における電気的な接続を確保できるので、上記表面導体部の表面に前記金属メッキ膜を確実に被覆することができる。
尚、上記表面導体部と電解メッキ用導体層との間は、単数または複数の上記ビア導体と、前記基板本体の内部、表面、あるいは裏面に形成された単数または複数の接続配線（配線層）とを介して導通可能とされていても良い。
【００１２】
更に、本発明には、前記開口部は、有底孔であり、該有底孔の底面に前記電解メッキ用導体層の一部が露出している、配線基板（請求項５）も含まれる。
これによれば、電解メッキ用の電極ピンの先端部を上記開口部から挿入し且つ該有底孔の底面に露出する電解メッキ用導体層の一部（メッキ用面電極）に容易に接触させることができる。しかも、仮に電極ピンが有底孔の径方向にズレても、その先端部と電解メッキ用導体層の露出面との接触状態を容易に保てる。従って、前記表面導体部の表面に所要の金属メッキ膜を確実に被覆した配線基板となる。
尚、前記開口部となる有底孔は、平面視が円形で且つ全体が円柱形、平面視が楕円形で且つ全体が楕円柱形、平面視が長円形で且つ全体が長円柱形、該有底孔の底面側が狭い逆円錐形状、逆楕円錐形状、逆長円錐形状、あるいは、平面視が三角形以上の多角形で且つ全体が三角柱以上の多角柱形状などを呈する形態を含んでおり、これらの底面に電解メッキ用導体部の平坦な一部が露出している。
【００１３】
また、本発明には、前記有底孔の内壁面には、前記電解メッキ用導体層と電気的に接続される壁面導体層が形成されている、配線基板（請求項６）も含まれる。
これによれば、例えば、不用意な外力によって電極ピンが有底孔の径方向にズレた場合でも、その先端部が壁面導体層に確実に接触するので、前記表面導体部の表面に所要の金属メッキ膜を確実に被覆した配線基板とすることができる。
【００１４】
加えて、本発明には、前記表面導体部と電解メッキ用導体層とは、前記基板本体の表面または裏面に形成された接続配線および前記壁面導体層を介して、電気的に接続されている、配線基板（請求項７）も含まれる。
これによれば、例えば、前記基板本体の表面または裏面において、比較的幅の狭い接続配線と、前記有底孔の内壁面に形成された壁面導体層とを介して、前記表面導体部と電解メッキ用導体層との間を導通できる。従って、基板本体の表面または裏面における他の導体同士の間や裏面における任意の位置に上記接続配線を形成することで、基板本体の内部への占有体積（領域）を最少にして、前記表面導体部の表面に所要の金属メッキ膜を確実に被覆した配線基板とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明による一形態の配線基板を示す平面図。
【図２】図１中のＸ−Ｘ線の矢視に沿った部分垂直断面図。
【図３】図１中のＹ−Ｙ線の矢視に沿った部分垂直断面図。
【図４】（Ａ）は上記配線基板における異なる形態の有底孔の付近を示す部分平面図、（Ｂ）は更に異なる形態の有底孔の付近を示す部分平面図。
【図５】別異な形態の有底孔の付近を示す部分垂直断面図。
【図６】応用形態の有底孔の付近を示す部分垂直断面図。
【図７】異なる形態の配線基板における有底孔の付近を示す部分垂直断面図。
【図８】更に異なる形態の配線基板における有底孔の付近を示す部分平面図。
【図９】図８中の矢印Ｚ方向の視覚による部分垂直断面図。
【図１０】上記配線基板の異なる形態を示す図９と同様の部分垂直断面図。
【図１１】上記配線基板の更に異なる形態を示す図９と同様の部分垂直断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下において、本発明を実施するための形態について説明する。
図１は、本発明による一形態の配線基板１を示す平面図、図２は、図１中のＸ−Ｘ線の矢視に沿った部分断面図、図３は、図１中のＹ−Ｙ線の矢視に沿った部分断面図である。
上記配線基板１は、図１〜図３に示すように、全体が板形状の基板本体２と、該基板本体２の表面３に形成された枠形メタライズ層（表面導体部）１５と、基板本体２の内部に形成された電解メッキ用導体層１６と、上記基板本体２の表面３における右上のコーナ付近に形成された有底孔（開口部）１９とを備えている。
上記基板本体２は、平面視が正方形（矩形）状の表面３および裏面４と、該表面３と裏面４との周辺間に位置する四辺の側面５とを有し、セラミック層Ｃ１〜Ｃ４を一体に積層したものである。
尚、上記セラミック層Ｃ１〜Ｃ４を構成するセラミックは、アルミナなどの高温焼成セラミック、またはガラス−セラミックなどの低温焼成セラミックである。
【００１７】
図１〜図３に示すように、前記基板本体２の表面の中央側には、平面視が正方形状のキャビティ６が開口している。該キャビティ６は、平面視が正方形状の底面７と、その周辺から立設し且つ全体が四角柱形状の側面９と、該側面９のうち底面７側に近接し且つ平面視が矩形枠状の段部８とを有している。上記底面７には、その周辺部を除いたほぼ全面に、平面視が矩形状で単一の素子実装用パッド１０が形成されている。該素子実装用パッド１０の上面には、追って半導体素子２０などが接着により実装される。
上記段部８の表面（水平面）には、複数の素子接続端子（別の導体部）１１が形成されている。該素子接続端子１１と上記半導体素子２０との間は、追って複数のボンディングワイヤｗｉを介して導通可能とされる。尚、前記枠形メタライズ層１５は、上記キャビティ６の開口部付近に沿って形成されている。
また、前記基板本体２の表面３の周辺側には、一辺が各側面５に露出する平面視が矩形状である複数の外部接続用導体（別の導体部）１４が形成されている。かかる外部接続用導体１４ごとの上には、図１に示すように、複数のリードＬｉの先端部が追ってロウ付けなどによって個別に接合されている。
【００１８】
更に、図２に示すように、セラミック層Ｃ２〜Ｃ４間には、前記素子接続端子１１の一部と配線層１２とが形成され、これらおよび前記外部接続用導体１４との間は、セラミック層Ｃ３，Ｃ４を個別に貫通するビア導体１３を介して、互いに電気的に接続されている。上記素子接続端子１１の残部と外部接続用導体１４の一部とは、電気的に独立したものであっても良い。
加えて、図１，図３に示すように、記基板本体２の表面３における右上のコーナ付近には、平面視が円形の前記有底孔１９が開口し、該有底孔１９の底面には、セラミック層Ｃ３，Ｃ４間に形成された前記電解メッキ用導体層１６の他端側における一部（メッキ用電極面）１８が露出している。該電解メッキ用導体層１６の一端側は、前記枠形メタライズ層１５の右上コーナ付近の下面に接続するビア導体１７と接続されている。
しかも、図１，図３で示すように、上記電解メッキ用導体層１６は、基板本体２における上辺および右辺を含む全ての側面５には露出しないように、該側面５から離間している。更に、該電解メッキ用導体層１６は、前記素子接続端子（別の導体部）１１や外部接続用導体（別の導体部）１４とは電気的に独立している。
【００１９】
尚、前記素子実装用パッド１０、素子接続端子１１、配線層１２、ビア導体１３，１７、外部接続用端子１４、枠形メタライズ層１５、電解メッキ用導体層１６は、前記セラミック層Ｃ１〜Ｃ４を構成するセラミックが、アルミナなどの高温焼成セラミックからなる場合には、主にＷまたはＭｏやこれらの何れか一方をベースとする合金などからなり、ガラス−セラミックなどの低温焼成セラミックからなる場合には、主にＣｕまたはＡｇやこれらの何れか一方をベースとする合金などからなる。また、素子実装用パッド１０、素子接続端子１１の先端側（素子実装用パッド１０側）、外部接続用導体１４、枠形メタライズ層１５、および電解メッキ用導体層１６の一部１８の外部に露出する表面には、それぞれ所要厚さのＮｉメッキ膜およびＡｕメッキ膜（金属メッキ膜：図示せず）が２層にして順次被覆されている。
【００２０】
前記のような配線基板１は、概略以下のようにして制作されものである。
予め、例えば、アルミナ粉末などを含む４枚のグリーンシートを用意し、かかるグリーンシートの所要の位置ごとに対し、打ち抜き加工や、Ｗ粉末などを含む導電性ペーストのパターン印刷や貫通孔への充填などを行った後、これら４枚のグリーンシートを積層および圧着してから、所定の温度帯で焼成して、前記図１〜図３に示したとほぼ同様である焼成済みの配線基板１を得た。
次いで、図３中の二点鎖線で示すように、側面視が全体でＬ字形状を呈する電極ピンＰｉの先尖形の先端部を、基板本体２の表面３側から有底孔１９の内部に挿入し、該有底孔１９の底面に露出する電解メッキ用導体層１６の一部１８の表面に若干の圧力を伴って点接触させた。この際、該導体層１６の一部１８は、メッキ用電極面となる。
かかる状態で、上記配線基板１を電極ピンＰｉと共に、図示しない電解Ｎｉメッキ槽および電解Ａｕメッキ槽に順次浸漬し、電解Ｎｉメッキおよび電解Ａｕメッキを順次施した。その結果、別の導体層１１，１４とは電気的に接続していない表面導体部である枠形メタライズ層１５の表面に対し、Ｎｉメッキ膜およびＡｕメッキ膜を順次被覆することができた。
尚、比較的広い面積の素子実装用パッド１０の表面には、別の電極ピンＰｉを接触させ、更に別の導体部である素子接続端子１１の先端側、外部接続用導体１４の表面には、これらの何れかに別の電極ピンＰｉを接触することなどにより、前記と同時に前記同様の電解金属メッキを施した。
以上の各工程を経た結果、前記のような配線基板１を得ることができた。
【００２１】
前記配線基板１によれば、表面導体部である前記枠形メタライズ層１５は、前記基板本体２の表面３に形成された有底孔（開口部）１９に一部１８が露出する前記電解メッキ用導体層１６の一端部とビア導体１７を介して電気的に接続されている。そのため、基板本体２の表面３における周辺側が外部接続端子（別の導体部）１４によって広く占有され、上記枠形メタライズ層１５の幅が狭く且つ面積が小さいため、電解メッキ用の電極ピンＰｉを直に接触し難い場合でも、該枠形メタライズ層１５の表面は、電解メッキ用導体層１６とビア導体１７とを介して導通可能とされている。そのため、有底孔１９の開口部から電解メッキ用の電極ピンＰｉの先端部を挿入し且つ該有底孔１９に露出する電解メッキ用導体層１６の一部（メッキ用電極面）１８に接触させることで、上記枠形メタライズ層１５の表面に対し確実にＮｉおよびＡｕの金属メッキ膜が被覆されている。従って、使用時には別の導体部１１，１４とは非導通になる枠形メタライズ層１５の表面にも金属メッキ膜が確実に被覆された配線基板１となっている。
しかも、前記電解メッキ用導体層１６は、その一部１８が有底孔１９に露出するため、該有底孔１９に挿入される前記電極ピンＰｉの先端部がズレたり、該有底孔１９から外れにくいと共に、仮に、該ピンＰｉによる圧痕などのキズを招いても、上記有底孔１９の底部に位置しているので、該キズが目立ちにくくなる。
更に、前記電解メッキ用導体層１６は、基板本体２の内部に形成され且つ前記有底孔１９の底面にその一部１８が露出するので、不用意な短絡を予防できると共に、該基板本体２を含めた配線基板１全体の小型化も容易となる。
【００２２】
図４（Ａ）は、前記配線基板１における異なる形態の有底孔１９ｒの付近を示す部分平面図である。図示のように、上記有底孔１９ｒは、平面視で基板本体２の表面３における１コーナ付近で、該表面３の中心部を通る対角線に沿った長軸を有する楕円形を呈し、その底面に前記電解メッキ用導体層１６のメッキ用電極面（一部）１８が楕円形状にして露出している。尚、上記有底孔１９ｒは、平面視で長円形を呈する形態としても良い。また、上記表面３における有底孔１９ｒの長軸は、任意の方向に沿ったものとしても良い。
また、図４（Ｂ）は、前記配線基板１における更に異なる形態の有底孔１９ｓの付近を示す部分平面図である。図示のように、上記有底孔１９ｓは、平面視で基板本体２の表面３における１コーナ付近で、該表面３の中心部を通る対角線に沿った一対の長辺を有する長方形状を呈し、その底面に前記電解メッキ用導体層１６のメッキ用電極面（一部）１８が長方形状にして露出している。尚、上記有底孔１９ｓは、平面視で正方形状を呈する形態としても良い。また、上記表面３における有底孔１９ｓの各長辺や各辺は、任意の方向に沿ったものとしても良い。
【００２３】
更に、図５は、前記配線基板１における別異な形態の有底孔１９ｔの付近を示す部分垂直断面図である。図５に示すように、上記有底孔１９ｔは、基板本体２の表面３側からセラミック層Ｃ３，Ｃ４間に位置する電解メッキ用導体層１６のメッキ用電極面（一部）１８に向かって順次狭くなる傾斜した内壁面（テーパ面）を有している。そのため、該有底孔１９ｔは、平面視が円形の場合には円錐形状を、平面視が楕円形または長円形の場合には楕円錐形状または長円錐形状を、平面視が長方形状または正方形状の場合には四角錐形状を呈するものとなる。
以上のような有底孔１９ｒ〜１９ｔによっても、前記有底孔１９と同様な効果を奏することができ、特に傾斜した内壁面を有する上記有底孔１９ｔの場合には、図５に示すように、前記電極ピンＰｉの先端部の挿入操作が容易となる。
【００２４】
図６は、前記配線基板１における応用形態の有底孔１９の付近を示す部分垂直断面図である。図６に示すように、平面視が円形である有底孔１９の内壁面には、電解メッキ用導体層１６のメッキ用電極面１８に底面が接続した円柱形の壁面導体層２１が更に形成されている。かかる壁面導体層２１を有する有底孔１９によれば、前記電極ピンＰｉの先端部がメッキ用電極面１８から不用意に外れても、壁面導体層２１の内周面に点接触で当接するので、上記電極ピンＰｉと電解メッキ用導体層１６との電気的な接続を確保することができる。
尚、上記壁面導体層２１は、前記有底孔１９ｒ〜１９ｔの内壁面に対しても、これを更に追加して形成しても良い。
また、配線基板１における前記有底孔１９ｒ〜１９ｔは、基板本体２の表面３における任意の位置に形成しても良く、例えば、該表面３の周辺側における前記外部接続端子１４，１４間に配置した形態としても良い。
【００２５】
図７は、異なる形態の配線基板１ａにおける有底孔１９の付近を示す部分垂直断面図である。
上記配線基板１ａは、図７に示すように、前記同様の基板本体２、キャビティ６、枠形メタライズ層１５、および複数の外部接続端子１４（図示せず）などを備えている。該配線基板１ａにおいて、基板本体２の表面３における１コーナ付近あるいは任意の周辺側には、前記同様の有底孔１９が形成され、該有底孔１９の内壁面には、前記同様の壁面導体層２１が形成されていると共に、該壁面導体層２１および有底孔１９の底面には、電解メッキ用導体層１６のメッキ用電極面１８が露出している。一方、キャビティ６の開口部に沿って形成された枠形メタライズ層１５と壁面導体層２１の上面との間には、基板本体２の表面３に沿って形成された接続配線２２により電気的に接続されている。該接続配線２２は、前記外部接続端子１４，１４間を通過するように比較的狭い幅で配設されている。
【００２６】
以上のような配線基板１ａによれば、前記配線基板１による効果に加え、基板本体２の表面３における別の導体部である外部接続用導体１４，１４間などの任意の位置に接続配線２２を形成することで、基板本体２の内部への占有体積（領域）を最少にして、表面導体部である枠形メタライズ層１５の表面に所要の金属メッキ膜を確実に被覆した配線基板１ａとなっている。
尚、上記有底孔１９に替えて、内壁面に壁面導体層２１を形成した前記有底孔１９ｒ〜１９ｓを適用しても良い。
また、前記基板本体２の裏面４に形成された表面導体部（図示せず）についても、該裏面４に開口する有底孔１９、その内壁面に形成された壁面導体層２１、およびこれらの間の裏面４に沿って形成した接続配線２２を介して、電解メッキ用導体層１６のメッキ用電極面１８と導通可能としても良い。
【００２７】
図８は、更に異なる形態の配線基板１ｂにおける前記有底孔１９の付近を示す部分平面図、図９は、図８中の矢印Ｚ方向の視覚による部分垂直断面図である。
上記配線基板１ｂは、図８，図９に示すように、前記同様の基板本体２、キャビティ６、枠形メタライズ層１５、および複数の外部接続用導体１４などを備えている。該配線基板１ｂでは、キャビティ６内の段部８の表面に形成された複数の素子接続端子１１のうち、少なくとも１個は、使用時には、図示しないマザーボードに形成された端子や別の導体部１１，１４とは電気的接続されない、即ち、電気的に独立したダミーの素子接続端子（表面導体部）１１ａとして形成されている。
図８，図９に示すように、基板本体２の表面３における右上のコーナ付近には、前記同様の有底孔１９が形成され、その底面には、セラミック層Ｃ３，Ｃ４間に沿って形成された電解メッキ用導体層１６のメッキ用電極面１８が露出している。かかる電解メッキ用導体層１６も、別の導体部１１，１４とは電気的に独立しており、且つ基板本体２の側面５からは離間している。
【００２８】
更に、前記素子接続端子１１ａの基端側は、セラミック層Ｃ２，Ｃ３間に形成された接続配線２４の一端側に接続し、該接続配線２４の他端側は、セラミック層Ｃ３を貫通するビア導体２５を介して上記電解メッキ用導体層１６と電気的に接続されている。
そのため、図９に示すように、前記同様の電極ピンＰｉの先端部を有底孔１９内のメッキ用電極面（一部）１８に接触させ、且つ前記同様の電解Ｎｉメッキおよび電解Ａｕメッキを施すことにより、電気的に独立している前記素子接続端子１１ａの表面（露出面）に対し、Ｎｉメッキ膜およびＡｕメッキ膜を確実に被覆することができる。従って、比較的小面積である素子接続端子１１ａの表面に対しても、所定の金属メッキ膜を被覆した配線基板１ｂとすることができる。
【００２９】
図１０は、前記配線基板１ｂにおける異なる形態を示す前記同様の部分垂直断面図である。
上記配線基板１ｂも、図１０に示すように、前記同様の基板本体２、キャビティ６、枠形メタライズ層１５、および複数の外部接続用導体１４（図示せず）などを備え、上記キャビティ６内の段部８の表面には、少なくとも１個の表面導体部である素子接続端子１１ａが形成されている。図示のように、基板本体２の裏面４における周辺側の任意の位置には、該裏面４に開口する有底孔１９が比較的厚いセラミック層Ｃ１を貫通して形成され、その底面には、セラミック層Ｃ１，Ｃ２間に形成された電解メッキ用導体層１６のメッキ用電極面１８が露出している。かかる電解メッキ用導体層１６も、別の導体部１１，１４とは電気的に独立しており、且つ基板本体２の側面５からは離間している。
【００３０】
更に、使用時には、電気的に独立したものとなる前記素子接続端子１１ａの基端側は、セラミック層Ｃ２，Ｃ３間に形成された接続配線２４の一端側に接続し、該接続配線２４の他端側は、セラミック層Ｃ２を貫通するビア導体２５を介して上記電解メッキ用導体層１６と電気的に接続されている。
そのため、図１０に示すように、前記同様の電極ピンＰｉの先端部を基板本体２の裏面４側から有底孔１９内のメッキ用電極面１８に接触させ、且つ前記同様の電解Ｎｉメッキおよび電解Ａｕメッキを施すことで、電気的に独立している前記素子接続端子１１ａの表面（露出面）にＮｉメッキ膜およびＡｕメッキ膜を確実に被覆することができる。
【００３１】
図１１は、図１０で示した形態の応用形態である配線基板１ｂを示す前記同様の部分垂直断面図である。
上記配線基板１ｂでは、基板本体２を構成する最下層の比較的厚いセラミック層Ｃ１を上下のセラミック層Ｃ１１，Ｃ１２に分割し、基板本体２の裏面４に開口する有底孔１９を形成し、その底面には、上記セラミック層Ｃ１１，Ｃ１２間に形成した前記同様の電解メッキ用導体層１６のメッキ用電極面１８を露出させている。
更に、表面導体部である前記素子接続端子１１ａの基端側は、セラミック層Ｃ２，Ｃ３間に形成した接続配線２４の一端側に接続し、該接続配線２４の他端側は、セラミック層Ｃ２を貫通するビア導体２５を介してセラミック層Ｃ１２，Ｃ２間に形成した接続配線２６の一端側に接続すると共に、該接続配線２６の他端側をセラミック層Ｃ１１を貫通するビア導体２５を介して、上記電解メッキ用導体層１６と電気的に接続している。
【００３２】
以上のように、表面導体部である前記素子接続端子１１ａと電解メッキ用導体層１６との間を、上下２層の接続配線２４，２６および上下２個のビア導体２５を介して導通することにより、内径が比較的小さな有底孔１９を、基板本体２の裏面４に開口することが容易となる。
前記のような形態の配線基板１ｂによっても、比較的面積が小さい素子接続端子１１ａの表面に対し所定の金属メッキ膜を被覆した配線基板１ｂにとなる。
尚、前記図９〜図１１に示す配線基板１ｂの形態において、前記有底孔１９に替えて、前記有底孔１９ｒ〜１９ｓを形成したり、かかる有底孔１９，１９ｒ〜１９ｓの内壁面に対して前記壁面導体層２１を更に形成した形態としても良い。
また、前記図８〜図１１に示す配線基板１ｂの各形態において、キャビティ６の底面７に、単一の前記素子実装用パッド１０に替えて、複数の素子実装用パッドを形成し、該素子実装用パッドの一部を使用時には電気的に独立する表面導体部とし、該表面導体部である素子実装用パッドの表面に対し、図８〜図１１に示した何れかの形態によって、所定の金属メッキ膜を被覆するようにしても良い。
【００３３】
本発明は、以上において説明した各形態に限定されるものではない。
例えば、前記基板本体の表面は、平坦面であっても良く、しかも、該基板本体の裏面には、前記同様のキャビティが逆向きに開口する形態としても良い。
また、本発明における前記表面導体部には、セラミックからなる基板本体の表面または裏面における任意の位置に形成された外部接続用導体の一部も含まれる。該外部接続端子は、例えば、複数の別の導体部である外部接続用導体と共に、上記表面または裏面の平面視において、画像認識の対象となる一定のパターンの一部を構成するものや、上記基板本体の表面または裏面の平面視における位置決め用のアライメントマークが含まれる。
更に、本発明の開口部である前記有底孔は、同じ配線基板の表面または裏面における複数の箇所に形成され、かかる有底孔ごとの底面に電解メッキ用導体層の一部が個別に露出している形態としても良い。
加えて、前記有底孔は、基板本体の表面または裏面の開口径が小さく且つその底面側が前記開口径よりも大きい底広形状の断面を有する形態としても良い。
【産業上の利用可能性】
【００３４】
本発明によれば、セラミックからなる基板本体の表面などに電気的に独立した表面導体部や、前記基板本体の表面に開口するキャビティの底面側に電気的に独立した表面導体部があっても、これらの表面に金属メッキ膜が確実に被覆されており、且つ電極ピンとの接触によるキズが目立ちにくく且つ基板本体の小型化も可能な配線基板を確実に提供可能となる。
【符号の説明】
【００３５】
１，１ａ，１ｂ…………配線基板
２…………………………基板本体
３…………………………表面
４…………………………裏面
５…………………………側面
１１………………………素子接続端子（別の導体部）
１１ａ……………………素子接続端子（表面導体部）
１３，２５………………ビア導体
１４………………………外部接続用導体（別の導体部）
１５………………………枠形メタライズ層（表面導体部）
１６………………………電解メッキ用導体層
１８………………………メッキ用電極面（一部）
１９，１９ｒ〜１９ｔ…有底孔（開口部）
２１………………………壁面導体層
２２………………………接続配線
ｃ１〜ｃ４………………セラミック層（セラミック）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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