(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板と、
前記支持基板上に形成される絶縁層と、
を備え、
前記絶縁層が形成された前記支持基板の一方主面には所定の空洞パターンが形成されており、
前記空洞パターンを塞いで前記絶縁層上に形成される活性半導体層をさらに備え、
前記支持基板の外周部には前記活性半導体層が形成されておらず、
前記支持基板の前記一方主面側の前記外周部に形成され、前記空洞パターンの位置を特定する複数の重ね合わせマークパターンをさらに備え、
前記空洞パターンおよび前記重ね合わせマークパターンは、前記絶縁層を貫通して前記支持基板に至る深さに形成されていることを特徴とする、
ＳＯＩウエハ。
【請求項２】
（ａ）支持基板を準備する工程と、
（ｂ）前記支持基板上に絶縁層を形成する工程と、
（ｃ）前記絶縁層が形成された前記支持基板の一方主面に所定の空洞パターンを形成する工程と、
（ｄ）前記空洞パターンを塞いで前記絶縁層上に活性半導体層を形成する工程と、
を備え、
前記支持基板の外周部には前記活性半導体層が形成されておらず、
（ｅ）前記支持基板の前記一方主面側の前記外周部に、前記空洞パターンの位置を特定する複数の重ね合わせマークパターンを形成する工程を、
さらに備え、
前記工程（ｃ）は、第１の露光マスクを用いて前記空洞パターンの露光を行う工程を備え、
前記工程（ｅ）は、第２の露光マスクを用いて前記重ね合わせマークパターンの露光を行う工程を備える、
ＳＯＩウエハの製造方法。
【請求項３】
前記工程（ｃ）及び前記工程（ｅ）は同一の基準ウエハを参照して実行される、
請求項２に記載のＳＯＩウエハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＳＯＩウエハおよびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
内部に空洞パターンを含むＳＯＩ（Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウエハの製造方法は、２枚のシリコン基板を貼り合わせて形成する、貼り合わせ方式が知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１には、空洞パターン及び絶縁層が形成された支持基板と、デバイスを形成する活性半導体層基板とを、空洞パターン及び絶縁層を介して貼り合わせる方法が記載されている。また、ＳＯＩウエハ内部に、絶縁層が存在する部分と存在しない部分が所定のパターンとして混在するＳＯＩウエハが知られている（特許文献２参照）。
【０００３】
以上のような、ウエハ内部にパターンが形成されたＳＯＩウエハ上に露光を行う際、ウエハ内部のパターンの位置と、露光マスクの位置を合わせて露光を行う必要がある。しかし、通常はウエハ表面の活性半導体層の厚みが１０μｍ程度あるため、ウエハ内部のパターンは活性半導体層により遮られている。従って、ウエハ内部のパターン位置を、露光装置に備わる検出器による画像認識によって検出することができない。このため、一般的な露光装置、即ち、ウエハ表面のパターンを検出して露光マスクの位置合わせを行う露光装置では、ウエハ内部にパターンを備えるＳＯＩウエハに対応することができない。
【０００４】
そこで、従来は、ウエハ内部にパターンを備えるＳＯＩウエハの裏面に、ウエハ内部のパターンの位置を特定するための重ね合わせマークパターンを形成し、そのパターンを、裏面検出を備える専用の露光装置で検出することにより、間接的にウエハ内部のパターンの位置を認識する方法で露光マスクとＳＯＩウエハの位置合わせを行っていた。
【０００５】
前述した裏面検出を備える専用の露光装置について説明する。露光装置に備わる、ウエハを保持するウエハステージには、ウエハステージを貫通する穴が開けられている。この穴にウエハ裏面の重ね合わせマークパターンが位置するように、重ね合わせマークパターンは形成され、ウエハはウエハステージ上の最適な位置に配置される。ウエハステージ裏側に設置された検出器によって、ウエハステージを貫通する穴を通して、重ね合わせマークパターンの位置を、例えば検出器のカメラにより検出する。露光装置に備わる制御ユニットにより、検出した重ね合わせマークパターンの位置を解析してウエハ内部のパターンの位置を特定する。この位置情報を、露光マスクを保持するマスクステージへ送り、ウエハ上の最適な位置へマスクステージを移動させて露光を行う。
【０００６】
上述のように、従来は、ウエハ内部にパターンを備えるＳＯＩウエハ表面に対して露光を行う場合は、ＳＯＩウエハ裏面にウエハ内部のパターン位置を特定するための重ね合わせマークパターンを形成し、さらに、その裏面パターンを検出するために、裏面検出を備える専用の露光装置を用いてＳＯＩウエハの露光を行っていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００４−１４６４６１号公報
【特許文献２】特開２００４−２２８２０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上述した従来の、ウエハ内部にパターンを備えるＳＯＩウエハにおいて、ウエハ内部のパターンの位置を特定するためのパターンを、ウエハ裏面に形成しなければならず、それにより製造工程が複雑化するため、製造コストの増大という課題があった。また、このＳＯＩウエハに対して露光を行う場合、前述した裏面検出を備える専用の露光装置を用いる必要があり、設備コストが増大する課題があった。
【０００９】
本発明は以上の課題を解決するためになされたものであり、ウエハ内部に空洞パターンを備えるＳＯＩウエハ及びその製造方法であって、ＳＯＩウエハ上に露光を行う際に、低コストで露光マスクの位置合わせを行うことが可能なＳＯＩウエハ及びその製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係るＳＯＩウエハは、支持基板と、前記支持基板上に形成される絶縁層と、を備え、絶縁層が形成された支持基板の一方主面には所定の空洞パターンが形成されており、この空洞パターンを塞いで絶縁層上に形成される活性半導体層をさらに備え、支持基板の外周部には活性半導体層が形成されておらず、支持基板の前記一方主面側の外周部に形成され、空洞パターンの位置を特定する複数の重ね合わせマークパターンをさらに備え、空洞パターンおよび重ね合わせマークパターンは、絶縁層を貫通して支持基板に至る深さに形成されていることを特徴とするＳＯＩウエハである。
【００１１】
また、本発明に係るＳＯＩウエハの製造方法は、支持基板を準備する工程と、支持基板上に絶縁層を形成する工程と、絶縁層が形成された支持基板の一方主面に所定の空洞パターンを形成する工程と、前記空洞パターンを塞いで絶縁層上に活性半導体層を形成する工程とを備え、支持基板の外周部には活性半導体層が形成されておらず、支持基板の前記一方主面側の外周部に、空洞パターンの位置を特定する複数の重ね合わせマークパターンを形成する工程をさらに備える。
【発明の効果】
【００１２】
本発明に係るＳＯＩウエハにおいて、ウエハ内部に形成される所定の空洞パターンの位置が、複数の重ね合わせマークパターンによって特定される。前記重ね合わせマークパターンは、一般的な露光装置により検出可能なため、重ね合わせマークパターンを介して、空洞パターンの位置を認識することが可能になる。従って、設備コストを削減する効果がある。また、本発明に係るＳＯＩウエハの製造方法において、重ね合わせマークパターンは、従来のようにウエハ裏面に形成されることなく、ウエハの表側、即ち支持基板の前記一方主面側に形成されるので、製造工程を簡素化でき、製造コストを削減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】実施の形態１に係るＳＯＩウエハの平面図（ａ）と断面図（ｂ）である。
【図２】実施の形態１に係るＳＯＩウエハの空洞パターンと重ね合わせマークパターンの平面図である。
【図３】実施の形態１に係るＳＯＩウエハの製造工程を示す図である。
【図４】実施の形態２に係るＳＯＩウエハの製造工程を示す図である。
【図５】実施の形態３に係る基準ウエハの平面図（ａ）と断面図（ｂ）である。
【図６】実施の形態３に係るＳＯＩウエハの製造方法のフローチャートである。
【図７】実施の形態４に係るＳＯＩウエハの構造を示す図である。
【図８】実施の形態４に係るＳＯＩウエハの製造工程を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
＜実施の形態１＞
＜ＳＯＩウエハの構造＞
図１は、本実施の形態におけるＳＯＩウエハの構造を示す平面図（図１（ａ））と断面図（図１（ｂ））である。本実施の形態におけるＳＯＩウエハは、表面に絶縁層２としてのシリコン酸化膜が形成された支持基板１と、活性半導体層５用基板を、シリコン酸化膜を介して貼り合わせることで形成される。ここで、絶縁層２および支持基板１には、後述する方法にて空洞パターン３および複数の重ね合わせマークパターン４が形成されている。また、支持基板１の外周部には、活性半導体層５が形成されない領域を備える。なお、活性半導体層５の表面は、ＳＯＩウエハ表面であり、この面は半導体素子が形成される面である。また、支持基板１と活性半導体層５用基板はシリコン基板である。
【００１５】
絶縁層２が形成された支持基板１の一方主面、即ち活性半導体層５側には、所定の空洞パターン３が形成される。この空洞パターン３は絶縁層２を貫通して支持基板１の表面から所望の深さに深溝として形成されており、空洞パターン３が活性半導体層５で塞がれることで、空洞パターン３内部が空洞となる。空洞パターン３は、図１（ａ）に示すように、デバイス作成領域７内に形成される。この空洞パターン３は、ＳＯＩウエハ上に形成される半導体パターンに応じて設計された、所定のパターンである。空洞パターン３の平面図の一例を図２（ａ）に示す。
【００１６】
また、前記一方主面の外周部には、空洞パターン３の位置を特定するための複数の重ね合わせマークパターン４が形成される。この重ね合わせマークパターン４も空洞パターン３と同様、絶縁層２を貫通して支持基板１の表面から所望の深さに深溝として形成されている。また、重ね合わせマークパターン４は、活性半導体層５によって塞がれず、ＳＯＩウエハ表面に露出している。なお、重ね合わせマークパターンは、支持基板１の最外周から５ｍｍ程度内側の領域に形成される。重ね合わせマークパターン４の一例を図２（ｂ）に示す。
【００１７】
また、複数の重ね合わせマークパターン４と空洞パターン３の位置関係が特定されており、複数の重ね合わせマークパターン４に対する空洞パターン３の相対的な位置情報が露光装置に記憶されている。
【００１８】
＜ＳＯＩウエハの製造方法＞
以下では、前述した構造を持つＳＯＩウエハの製造方法について説明する。図３に、本実施の形態におけるＳＯＩウエハの製造工程を示す。まず、支持基板１としてシリコン基板を準備する（図３（ａ））。支持基板１に、熱酸化法又はＣＶＤ法を用いることにより、絶縁層２としてのシリコン酸化膜を形成する（図３（ｂ））。次に、露光工程として、本実施の形態では等倍投影露光装置を用いて行う。絶縁膜２が形成された支持基板１の一方主面にレジストを塗布し、空洞パターン３と重ね合わせマークパターン４の両パターンを備える露光マスクを用いて、同時に露光を行う。露光されたレジストを現像し、レジスト６に空洞パターン３と重ね合わせマークパターン４に対応した開口部が形成される（図３（ｃ））。
【００１９】
この開口部に対して、絶縁層２のエッチングと、支持基板１のエッチングを行うことで、シリコン酸化膜、即ち絶縁層２を貫通して支持基板１に至る深さの深溝ができ、空洞パターン３と重ね合わせマークパターン４が同時に形成される（図３（ｄ））。ここで、エッチングは異方性のドライエッチング又はウエットエッチングで行われ、エッチングの時間を調整することで、深溝の深さを調整することができる。
【００２０】
ここで、複数の重ね合わせマークパターン４と空洞パターン３の位置関係は、前記同一の露光マスクによって特定されており、この位置関係、即ち、複数の重ね合わせマークパターン４に対する空洞パターン３の相対的な位置情報を、露光装置に記憶しておく。
【００２１】
次に、絶縁層２が形成された支持基板１と、活性半導体層５用の基板を、絶縁層２を介して貼り合わせる（図３（ｅ））。貼り合わせ方法には周知の方法を用いる。例えば、絶縁層２上に、貼り合わせ面を鏡面仕上げした活性半導体層５用の基板を、室温、大気中で接触させた状態から、１１００℃の雰囲気で３時間の熱処理を施すことにより貼り合わせが行われる。この工程により、空洞パターン３が活性半導体層５によって塞がれ、空洞パターン３内部は空洞となる。また、この工程では、重ね合わせマークパターン４も塞がれる。
【００２２】
次に、活性半導体層５を所定の厚み、例えば１０μｍの厚さになるように研磨し、加えて、活性半導体層５の外周部を取り除く端面処理を行うことで、支持基板１の外周部に形成された重ね合わせマークパターン４を露出させる（図３（ｆ））。以上の工程により、本実施の形態におけるＳＯＩウエハを製造することができる。
【００２３】
＜効果＞
本実施の形態におけるＳＯＩウエハは、支持基板１と、支持基板１上に形成される絶縁層２とを備え、絶縁層２が形成された支持基板１の一方主面には所定の空洞パターン３が形成されており、空洞パターン３を塞いで絶縁層２上に形成される活性半導体層５をさらに備え、支持基板１の外周部には活性半導体層５が形成されておらず、支持基板１の一方主面側の外周部に形成され、空洞パターン３の位置を特定する複数の重ね合わせマークパターン４をさらに備える。
【００２４】
従って、ＳＯＩウエハ上に半導体パターンを露光する際に、ウエハ表面に露出している、空洞パターン３の位置を特定する複数の重ね合わせマークパターン４を一般的な露光装置を用いて検出することにより、露光マスクとＳＯＩウエハとの位置合わせを行うことができるため、従来のように裏面検出を備える専用の露光装置を用いる必要がなく、設備コストの削減が期待できる。
【００２５】
また、本実施の形態におけるＳＯＩウエハに備わる空洞パターン３および重ね合わせマークパターン４は、絶縁層２を貫通して支持基板１に至る深さに形成されていることを特徴とする。従って、ＳＯＩウエハの特性を、空洞パターン３の配置及び深さに応じて変化させることができるため、ＳＯＩウエハ上に形成する半導体デバイスの自由度が向上する。
【００２６】
また、本実施の形態におけるＳＯＩウエハの製造方法は、支持基板１を準備する工程と、支持基板１上に絶縁層２を形成する工程と、絶縁層２が形成された支持基板１の一方主面に所定の空洞パターン３を形成する工程と、空洞パターン３を塞いで絶縁層２上に活性半導体層５を形成する工程とを備え、支持基板１の外周部には活性半導体層５が形成されておらず、支持基板１の前記一方主面側の前記外周部に、空洞パターン３の位置を特定する複数の重ね合わせマークパターン４を形成する工程をさらに備える。
【００２７】
従って、本実施の形態におけるＳＯＩウエハを製造することができる。また、従来のように、支持基板１の前記一方主面の反対側の面（他方主面）、即ちＳＯＩウエハの裏面に対して重ね合わせマークパターン４を形成するのではなく、ＳＯＩウエハ表面側に重ね合わせマークパターン４を形成するので、従来に比べて製造工程を簡素化でき、製造コストを削減する効果が期待できる。
【００２８】
また、本実施の形態におけるＳＯＩウエハの製造方法において、絶縁層２が形成された支持基板１の一方主面に所定の空洞パターン３を形成する工程と、支持基板１の前記一方主面側の前記外周部に、空洞パターン３の位置を特定する複数の重ね合わせマークパターン４を形成する工程は、同一露光マスクを用いて同時に行われることを特徴とする。従って、露光工程が一度で済むため、スループットが高く、製造コスト削減の効果が期待できる。
【００２９】
＜実施の形態２＞
＜ＳＯＩウエハの製造方法＞
本実施の形態におけるＳＯＩウエハの構造は、実施の形態１と同じであるので、説明を省略する。また、本実施の形態に係るＳＯＩウエハの製造方法における露光工程は、縮小投影露光装置を用いて行う。
【００３０】
縮小投影露光装置について簡単に説明する。露光マスクはマスクステージ（レティクルステージともいう）に設置され、露光マスクを通過したパターン像は、投影レンズにより、例えば１／５に縮小され、ウエハステージに設置されたウエハに投影される。そして、ウエハステージを移動させることで、ウエハの所定の位置に露光を行う。
【００３１】
本実施の形態のＳＯＩウエハの製造方法を、図４を用いて説明する。支持基板１の準備工程（図４（ａ））、絶縁層２形成工程（図４（ｂ））およびレジスト塗布工程は実施の形態１と同じである。
【００３２】
次工程として、重ね合わせマークパターン４の露光マスク、即ち第２の露光マスクをマスクステージに設置し、例えば図１（ａ）に示す各重ね合わせマークパターン４の位置（３箇所）で露光を行い、レジスト６を感光させる（図４（ｃ））。次に、空洞パターンの露光マスク、即ち第１の露光マスクをマスクステージに設置し、例えば、図１（ａ）に示すデバイス作製領域７内の各区画に対して順次露光を行う（図４（ｄ））。そして、レジスト６の現像を行い、感光したレジスト６ａ、６ｂを除去する（図４（ｅ））。
【００３３】
この後、実施の形態１と同様、エッチングを行い、重ね合わせマークパターンと空洞パターンを形成する（図４（ｆ））。この際、形成された重ね合わせマークパターンと空洞パターンの位置関係を特定するために、実施の形態１と同様に、各パターンの配置を調査し、位置関係を特定する情報を露光装置に記憶しておく。以降の工程（図４（ｇ），（ｈ））は実施の形態１と同じであるので、説明を省略する。
【００３４】
＜効果＞
本実施の形態のＳＯＩウエハの製造方法において、絶縁層２が形成された支持基板１の一方主面に所定の空洞パターン３を形成する工程は、第１の露光マスクを用いて空洞パターン３の露光を行う工程を備え、支持基板１の前記一方主面側の前記外周部に、空洞パターン３の位置を特定する複数の重ね合わせマークパターン４を形成する工程は、第２の露光マスクを用いて重ね合わせマークパターン４の露光を行う工程を備える。つまり、空洞パターン用露光マスク（第１の露光マスク）と重ね合わせマークパターン用露光マスク（第２の露光マスク）とがそれぞれ異なる露光マスクとして用意される。
【００３５】
従って、実施の形態１で述べた効果に加えて、縮小投影露光装置が利用可能となるため、複数チップを同時に製造できるので製造効率が向上する。また、縮小投影露光装置用の露光マスクは、等倍投影露光装置用の露光マスクに対して比較的安価に製造でき、重ね合わせマークパターンの露光マスクを異なる製品にも共通して適用可能であるため、製造コスト削減の効果がある。さらに、縮小投影露光装置を使用することで、微細加工のデザインルールが適用でき、また、８インチ以上の大口径のウエハにも適用が可能となる。
【００３６】
＜実施の形態３＞
本実施の形態におけるＳＯＩウエハの構造は、実施の形態２と同じであるので、説明を省略する。本実施の形態では、予め作製した基準ウエハを参照して、重ね合わせマークパターン４及び空洞パターン３の露光マスクの位置決めを行う。基準ウエハの平面図および断面図を図５に示す。この基準ウエハは、図５に示すように、図１のＳＯＩウエハから、活性半導体層５を除いたウエハである。つまり、基準ウエハには、製品としてのＳＯＩウエハと同じ重ね合わせマークパターン４および空洞パターン３が形成され、かつこれらのパターンが表面に露出した構成となっている。
【００３７】
本実施の形態におけるＳＯＩウエハの製造方法のフローチャートを図６に示す。なお、図６の最後の工程は、製造されたＳＯＩウエハ対して露光を行う工程である。また、本実施の形態でも、実施の形態２と同じく縮小投影露光装置を用いるが、それに限らず、一般的な露光装置であればよい。以下では、縮小投影露光装置も含めて、単に露光装置と呼ぶ。
【００３８】
まず、露光装置のウエハステージに基準ウエハが設置され、基準ウエハ上の重ね合わせマークパターン４と空洞パターン３の位置を、露光装置の検出器が検出する。検出した位置情報を露光装置に記憶した後、基準ウエハは露光装置から取り出される。
【００３９】
次に、絶縁層２が形成された支持基板１をウエハステージに設置し、また、マスクステージに重ね合わせマークパターン４の露光マスク、即ち第２の露光マスクを設置して、レジスト塗布に続いて露光を行う。この際、予め露光装置に記憶された位置情報に従って、重ね合わせマークパターン４の露光位置を決定する。
【００４０】
次に、マスクステージに空洞パターン３の露光マスク、即ち第１の露光マスクを設置し、重ね合わせマークパターン４の露光の場合と同様に、露光装置に記憶された基準ウエハの位置情報を参照して、露光位置を決定し、露光を行う。以降の工程は実施の形態２と同じであるので、説明を省略する。
【００４１】
なお、基準ウエハに形成される各パターンの、より正確な位置情報が利用可能な場合は、その位置情報と、露光装置で検出した基準ウエハの各パターンの位置情報を比較することで、個々の露光装置が有する微細なずれを補正して上記露光工程を行うことができるので、より好ましい。
【００４２】
また、ＳＯＩウエハ上に露光を行う際には、ウエハ表面に露出している重ね合わせマークパターン４を検出し、露光装置に記憶されている前記基準ウエハの位置情報を参照して、表面上は見えない空洞パターン３に対して、露光マスクの位置合わせを行う。なお、本工程でも、前述の、露光装置が有する微細なずれの補正を行うことで、さらに位置合わせ精度を向上させることができる。
【００４３】
＜効果＞
本実施の形態に係るＳＯＩウエハの製造方法において、第１の露光マスクを用いて空洞パターン３の露光を行う工程及び、第２の露光マスクを用いて重ね合わせマークパターン４の露光を行う工程は、同一の基準ウエハを参照して実行される。
【００４４】
従って、実施の形態２で述べた効果に加えて、基準ウエハに配置されたパターンの正確な位置情報が利用可能であれば、個々の露光装置が有する微細なずれを補正して、より高い精度で、重ね合わせマークパターン４の露光マスクおよび空洞パターン３の露光マスクの露光位置を決定できる。
【００４５】
＜実施の形態４＞
図７は、本実施の形態におけるＳＯＩウエハの特徴とする部分の構造を示すものであり、外周部を含む部分断面図である。実施の形態１（図１）と異なる点は、重ね合わせマークパターン内部がシリコン酸化膜により充填され、かつ空洞パターン内部にもシリコン酸化膜が形成されている点にある。それ以外は、図１と同じ構造であり、実施の形態１と同様、複数の重ね合わせマークパターンによって空洞パターンの位置が特定されている。
【００４６】
本実施の形態におけるＳＯＩウエハの製造方法について、図８を用いて説明する。本実施の形態では、図８（ｄ）までの工程、即ち支持基板１を準備する工程（図８（ａ））、支持基板１上に絶縁層２を形成する工程（図８（ｂ））、重ね合わせマークパターン４及び空洞パターン３の露光・現像工程（図８（ｃ））及び、レジスト越しにエッチングを行うことで重ね合わせマークパターン４及び空洞パターン３を形成する工程（図８（ｄ））は、実施の形態１と同じである。この工程の後、絶縁層２を、例えばウエットエッチングにより全面除去する（図８（ｅ））。そして、次工程で、熱酸化法またはＣＶＤ法により支持基板１に絶縁層２としてのシリコン酸化膜を再び形成する（図８（ｆ））。このとき、重ね合わせマークパターン４の深溝がシリコン酸化膜で充填されるまで行う。なお、ＳＯＩウエハの特性上問題が無ければ、空洞パターン３の深溝がシリコン酸化膜で充填されてもよい。以降の工程（図８（ｇ），（ｈ））は、実施の形態１と同じであるので、説明を省略する。
【００４７】
＜効果＞
本実施の形態におけるＳＯＩウエハに備わる絶縁層２は、空洞パターン３および重ね合わせマークパターン４内部にも形成されていることを特徴とする。従って、実施の形態１で述べた効果に加えて、重ね合わせマークパターン４内部は絶縁層２すなわちシリコン酸化膜で充填されているので、重ね合わせマークパターン４内部へのレジストの入り込みや、重ね合わせマークパターン４の段差部でのエッチング残渣の発生により、重ね合わせマークパターンが異物の発生源となることを避ける効果が期待できる。
【００４８】
なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。
【符号の説明】
【００４９】
１  支持基板、２  絶縁層、３  空洞パターン、４  重ね合わせマークパターン、５  活性半導体層、６  レジスト、６ａ，６ｂ  感光したレジスト、７  デバイス作製領域。
【図１】
0005933289.tif 000002
【図２】
0005933289.tif 000003
【図３】
0005933289.tif 000004
【図４】
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【図５】
0005933289.tif 000006
【図６】
0005933289.tif 000007
【図７】
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【図８】
0005933289.tif 000009