(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部電極が埋設され、１対の主面、該主面同士の間を結ぶ１対の側面、および、前記１対の主面と前記１対の側面とにそれぞれ直交する１対の端面を有する素体と、
前記素体の表面上に設けられて前記内部電極に電気的に接続された外部電極と
を備え、
前記外部電極は、焼結金属を含む焼結体層、電気絶縁性を有する材料からなる絶縁層、および、Ｓｎを含むＳｎ含有層を含み、
前記焼結体層は、各前記端面を覆うように各前記端面上から少なくとも一方の前記主面上に亘って設けられ、
前記絶縁層は、前記側面に直交する方向に延在するように各前記端面側の前記焼結体層上に直接設けられて前記外部電極の表面の一部を構成し、
前記Ｓｎ含有層は、前記絶縁層に覆われている部分以外の前記焼結体層を覆うように設けられて前記外部電極の表面の他の一部を構成しており、
一方の前記主面と、一方の前記主面に最も近接している内部電極の一方の主面側の縁部との間の距離の寸法をＬ1、前記素体の各端面側において、一方の前記主面と前記絶縁層の一方の主面側の端部の位置との間における前記１対の主面と直交する方向に沿った距離の寸法をＬ2、前記素体の厚さの寸法をＬTとすると、
０＜Ｌ2＜Ｌ1＜ＬT／２を満たす、電子部品。
【請求項２】
前記Ｓｎ含有層は、各前記端面側から一方の前記主面側に亘って設けられている、請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記端面側の前記絶縁層における一方の前記主面側の縁の位置と、一方の前記主面側の前記外部電極の先端の位置とを最短で結ぶ仮想面上に、前記内部電極が位置していない、請求項２に記載の電子部品。
【請求項４】
前記絶縁層は、前記主面に直交する方向にて、前記内部電極において一方の前記主面に最も近接している縁部の位置と、一方の前記主面との間に、前記絶縁層の少なくとも一部が位置するように、各前記端面側の前記焼結体層上に直接設けられている、請求項２に記載の電子部品。
【請求項５】
前記焼結体層が、各前記端面上からさらに各前記側面上に亘るように設けられ、
前記絶縁層が、前記端面に直交する方向に延在するように、さらに各前記側面側の前記焼結体層上に直接設けられている、請求項１から４のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項６】
前記外部電極が、ＮｉまたはＣｕを含む補強層をさらに含み、
前記補強層は、前記焼結体層と前記Ｓｎ含有層との間に設けられている、請求項１から５のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項７】
前記外部電極が、前記補強層とは異なる材料であってＣｕまたはＮｉを含む下地層をさらに含み、
前記下地層は、前記焼結体層と前記補強層との間に設けられている、請求項６に記載の電子部品。
【請求項８】
内部電極が埋設され、１対の主面、該主面同士の間を結ぶ１対の側面、および、前記１対の主面と前記１対の側面とにそれぞれ直交する１対の端面を有する素体を準備する工程と、
前記内部電極と電気的に接続されるように前記素体の表面上に外部電極を設ける工程とを備え、
前記外部電極を設ける工程は、焼結金属を含む焼結体層を設ける工程、電気絶縁性を有する材料からなる絶縁層を設ける工程、および、Ｓｎを含むＳｎ含有層を設ける工程を含み、
前記焼結体層を設ける工程にて、各前記端面を覆うように各前記端面上から少なくとも一方の前記主面上に亘って前記焼結体層を設け、
前記絶縁層を設ける工程にて、前記側面に直交する方向に延在して前記外部電極の表面の一部を構成するように前記絶縁層を各前記端面側の前記焼結体層上に直接設け、
前記Ｓｎ含有層を設ける工程にて、前記絶縁層に覆われている部分以外の前記焼結体層を覆って前記外部電極の表面の他の一部を構成するように前記Ｓｎ含有層を設け、
一方の前記主面と、一方の前記主面に最も近接している内部電極の一方の主面側の縁部との間の距離の寸法をＬ1、前記素体の各端面側において、一方の前記主面と前記絶縁層の一方の主面側の端部の位置との間における前記１対の主面と直交する方向に沿った距離の寸法をＬ2、前記素体の厚さの寸法をＬTとすると、
０＜Ｌ2＜Ｌ1＜ＬT／２を満たす、電子部品の製造方法。
【請求項９】
前記Ｓｎ含有層を設ける工程にて、各前記端面側から一方の前記主面側に亘って前記Ｓｎ含有層を設ける、請求項８に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１０】
前記外部電極を設ける工程にて、前記端面側の前記絶縁層における一方の前記主面側の縁の位置と、一方の前記主面側の前記外部電極の先端の位置とを最短で結ぶ仮想面上に、前記内部電極が位置しないように前記外部電極を設ける、請求項９に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１１】
前記絶縁層を設ける工程にて、前記主面に直交する方向にて、前記内部電極において一方の前記主面に最も近接している縁部の位置と、一方の前記主面との間に、前記絶縁層の少なくとも一部が位置するように、前記絶縁層を各前記端面側の前記焼結体層上に直接設ける、請求項９に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１２】
前記焼結体層を設ける工程にて、各前記端面上からさらに各前記側面上に亘って前記焼結体層を設け、
前記絶縁層を設ける工程にて、前記端面に直交する方向に延在するように、前記絶縁層をさらに各前記側面側の前記焼結体層上に直接設ける、請求項８から１１のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１３】
前記外部電極を設ける工程が、ＮｉまたはＣｕを含む補強層を設ける工程をさらに含み、
前記補強層を設ける工程にて、前記焼結体層と前記Ｓｎ含有層との間に前記補強層を設ける、請求項８から１２のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１４】
前記外部電極を設ける工程が、前記補強層とは異なる材料であってＣｕまたはＮｉを含む下地層を設ける工程をさらに含み、
前記下地層を設ける工程にて、前記焼結体層と前記補強層との間に前記下地層を設ける、請求項１３に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１５】
前記焼結体層を設ける工程にて、前記素体に含まれる誘電体層と前記焼結体層とを同時に焼成する、請求項８から１４のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品およびその製造方法に関し、特に、半田によって実装される電子部品およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半田フィレットの熱収縮に起因して発生したクラックによって内部電極が短絡することを抑制した積層セラミックコンデンサを開示した先行文献として、特開２００３−２２９２９号公報(特許文献１)がある。
【０００３】
特許文献１に記載された積層セラミックコンデンサにおいては、半田フィレットの張力によって一方の外部電極近傍の素体中にクラックが生じた場合に、他方の外部電極に接続されている内部電極がこのクラックの隙間内に露出することがないようにしている。これにより、クラック内に水分が進入した場合に内部電極の短絡が発生することを抑制している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−２２９２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
半田フィレットの熱収縮による引張応力によって素体にクラックが生じて内部電極が切断されると、積層セラミックコンデンサの静電容量が低下する。このように半田フィレットの熱収縮による引張応力によって電子部品にクラックが生じた場合、電子部品の電気的特性が低下する。
【０００６】
本発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであって、半田フィレットの熱収縮による引張応力によって素体にクラックが生じることを抑制した電子部品およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に基づく電子部品は、内部電極が埋設され、１対の主面、上記主面同士の間を結ぶ１対の側面、および、上記１対の主面と上記１対の側面とにそれぞれ直交する１対の端面を有する素体と、素体の表面上に設けられて内部電極に電気的に接続された外部電極とを備える。外部電極は、焼結金属を含む焼結体層、電気絶縁性を有する材料からなる絶縁層、および、Ｓｎを含むＳｎ含有層を含む。焼結体層は、各上記端面を覆うように各上記端面上から少なくとも一方の上記主面上に亘って設けられている。絶縁層は、上記側面に直交する方向に延在するように各上記端面側の焼結体層上に直接設けられて外部電極の表面の一部を構成している。Ｓｎ含有層は、絶縁層に覆われている部分以外の焼結体層を覆うように設けられて外部電極の表面の他の一部を構成している。
【０００８】
本発明の一形態においては、Ｓｎ含有層は、各上記端面側から一方の上記主面側に亘って設けられている。
【０００９】
本発明の一形態においては、上記端面側の絶縁層における一方の上記主面側の縁の位置と、一方の上記主面側の外部電極の先端の位置とを最短で結ぶ仮想面上に、内部電極が位置していない。
【００１０】
本発明の一形態においては、絶縁層は、上記主面に直交する方向にて、内部電極において一方の上記主面に最も近接している縁部の位置と、一方の上記主面との間に、絶縁層の少なくとも一部が位置するように、各上記端面側の焼結体層上に直接設けられている。
【００１１】
本発明の一形態においては、焼結体層が、各上記端面上からさらに各上記側面上に亘るように設けられている。絶縁層が、上記端面に直交する方向に延在するように、さらに各上記側面側の焼結体層上に直接設けられている。
【００１２】
本発明の一形態においては、外部電極が、ＮｉまたはＣｕを含む補強層をさらに含む。補強層は、焼結体層とＳｎ含有層との間に設けられている。
【００１３】
本発明の一形態においては、外部電極が、補強層とは異なる材料であってＣｕまたはＮｉを含む下地層をさらに含む。下地層は、焼結体層と補強層との間に設けられている。
【００１４】
本発明に基づく電子部品の製造方法は、内部電極が埋設され、１対の主面、上記主面同士の間を結ぶ１対の側面、および、上記１対の主面と上記１対の側面とにそれぞれ直交する１対の端面を有する素体を準備する工程と、内部電極と電気的に接続されるように素体の表面上に外部電極を設ける工程とを備える。外部電極を設ける工程は、焼結金属を含む焼結体層を設ける工程、電気絶縁性を有する材料からなる絶縁層を設ける工程、および、Ｓｎを含むＳｎ含有層を設ける工程を含む。焼結体層を設ける工程にて、各上記端面を覆うように各上記端面上から少なくとも一方の上記主面上に亘って焼結体層を設ける。絶縁層を設ける工程にて、上記側面に直交する方向に延在して外部電極の表面の一部を構成するように絶縁層を各上記端面側の焼結体層上に直接設ける。Ｓｎ含有層を設ける工程にて、絶縁層に覆われている部分以外の焼結体層を覆って外部電極の表面の他の一部を構成するようにＳｎ含有層を設ける。
【００１５】
本発明の一形態においては、Ｓｎ含有層を設ける工程にて、各上記端面側から一方の上記主面側に亘ってＳｎ含有層を設ける。
【００１６】
本発明の一形態においては、外部電極を設ける工程にて、上記端面側の絶縁層における一方の上記主面側の縁の位置と、一方の上記主面側の外部電極の先端の位置とを最短で結ぶ仮想面上に、内部電極が位置しないように外部電極を設ける。
【００１７】
本発明の一形態においては、絶縁層を設ける工程にて、上記主面に直交する方向にて、内部電極において一方の上記主面に最も近接している縁部の位置と、一方の上記主面との間に、絶縁層の少なくとも一部が位置するように、絶縁層を各上記端面側の焼結体層上に直接設ける。
【００１８】
本発明の一形態においては、焼結体層を設ける工程にて、各上記端面上からさらに各上記側面上に亘って焼結体層を設ける。絶縁層を設ける工程にて、上記端面に直交する方向に延在するように、絶縁層をさらに各上記側面側の焼結体層上に直接設ける。
【００１９】
本発明の一形態においては、外部電極を設ける工程が、ＮｉまたはＣｕを含む補強層を設ける工程をさらに含む。補強層を設ける工程にて、焼結体層とＳｎ含有層との間に補強層を設ける。
【００２０】
本発明の一形態においては、外部電極を設ける工程が、補強層とは異なる材料であってＣｕまたはＮｉを含む下地層を設ける工程をさらに含む。下地層を設ける工程にて、焼結体層と補強層との間に下地層を設ける。
【００２１】
本発明の一形態においては、焼結体層を設ける工程にて、素体に含まれる誘電体層と焼結体層とを同時に焼成する。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、半田フィレットの熱収縮による引張応力によって素体にクラックが生じることを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の実施形態１に係る電子部品の外観を示す斜視図である。
【図２】図１の電子部品をＩＩ−ＩＩ線矢印方向から見た断面図である。
【図３】図２の電子部品をＩＩＩ−ＩＩＩ線矢印方向から見た断面図である。
【図４】図２の電子部品をＩＶ−ＩＶ線矢印方向から見た断面図である。
【図５】図２の電子部品をＶ−Ｖ線矢印方向から見た断面図である。
【図６】同実施形態に係る電子部品の製造方法を示すフローチャートである。
【図７】同実施形態に係る電子部品を半田によって基板上に実装した状態を示す斜視図である。
【図８】本発明の実施形態２に係る電子部品の構成を示す断面図である。
【図９】本発明の実施形態２に係る電子部品の製造方法を示すフローチャートである。
【図１０】本発明の実施形態３に係る電子部品の構成を示す断面図である。
【図１１】本発明の実施形態３に係る電子部品の製造方法を示すフローチャートである。
【図１２】本発明の実施形態４に係る電子部品の外観を示す斜視図である。
【図１３】図１２の電子部品をＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線矢印方向から見た断面図である。
【図１４】本発明の実施形態５に係る電子部品の外観を示す斜視図である。
【図１５】図１４の電子部品をＸＶ−ＸＶ線矢印方向から見た断面図である。
【図１６】図１４の電子部品をＸＶＩ−ＸＶＩ線矢印方向から見た断面図である。
【図１７】図１５，１６の電子部品をＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線矢印方向から見た断面図である。
【図１８】図１５，１６の電子部品をＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩ線矢印方向から見た断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の実施形態１に係る電子部品について図を参照して説明する。以下の実施形態の説明においては、図中の同一または相当部分には同一符号を付して、その説明は繰り返さない。以下の説明においては、電子部品として積層セラミックコンデンサについて説明するが、電子部品は、コンデンサに限られず、圧電部品、サーミスタまたはインダクタなどでもよい。
【００２５】
(実施形態１)
図１は、本発明の実施形態１に係る電子部品の外観を示す斜視図である。図２は、図１の電子部品をＩＩ−ＩＩ線矢印方向から見た断面図である。図３は、図２の電子部品をＩＩＩ−ＩＩＩ線矢印方向から見た断面図である。図４は、図２の電子部品をＩＶ−ＩＶ線矢印方向から見た断面図である。図５は、図２の電子部品をＶ−Ｖ線矢印方向から見た断面図である。図１においては、後述する素体の長手方向をＬ、素体の幅方向をＷ、素体の厚さ方向をＴで示している。
【００２６】
図１〜５に示すように、本発明の実施形態１に係る電子部品１００は、内部電極１３０が埋設された略直方体状の素体１１０と、素体１１０の表面上に設けられて内部電極１３０と電気的に接続された外部電極１２０とを備える。
【００２７】
素体１１０においては、誘電体層１４０と平板状の内部電極１３０とが交互に積層されている。誘電体層１４０と内部電極１３０との積層方向は、素体１１０の長手方向Ｌおよび素体１１０の幅方向Ｗに対して直交している。すなわち、誘電体層１４０と内部電極１３０との積層方向は、素体１１０の厚さ方向Ｔと平行である。
【００２８】
素体１１０は、厚さ方向Ｔと直交する１対の主面、長手方向Ｌと直交する１対の端面、および、幅方向Ｗと直交する１対の側面を有する。１対の主面は、一方の主面１０と他方の主面１１とからなる。一方の主面１０は、実装時の電子部品１００において、電子部品１００の実装面側に位置する面である。すなわち、電子部品１００が基板上に実装される場合には、一方の主面１０は基板と対向する面である。
【００２９】
このように、素体１１０は、誘電体層１４０と内部電極１３０との積層方向に対して直交する１対の主面、主面同士の間を結ぶ１対の側面、および、１対の主面と１対の側面とにそれぞれ直交する１対の端面を有する。
【００３０】
なお、素体１１０は、角部に丸みを有する略直方体状の外形を有しているが、角部に丸みを有していなくてもよい。また、１対の主面、１対の端面および１対の側面のいずれかの面に、凹凸が形成されていてもよい。
【００３１】
互いに隣り合って対向する内部電極１３０同士において、一方の内部電極１３０は素体１１０の一方の端面側において外部電極１２０に電気的に接続され、他方の内部電極１３０は素体１１０の他方の端面側において外部電極１２０に電気的に接続されている。
【００３２】
以下、各構成について詳細に説明する。
誘電体層１４０を構成する材料としては、ＢａＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3またはＣａＺｒＯ3などを主成分とする誘電体セラミックスを用いることができる。また、これらの主成分に、副成分として、Ｍｎ化合物、Ｃｏ化合物、Ｓｉ化合物または希土類化合物などが添加された材料を用いてもよい。
【００３３】
内部電極１３０は、平面視にて略矩形状の外形を有する。積層方向において互いに隣り合う内部電極１３０同士は、誘電体層１４０を間に挟んで互いに対向している。上記の一方の内部電極１３０と他方の内部電極１３０とは、素体１１０の厚さ方向Ｔに沿って等間隔に交互に配置されている。
【００３４】
一方の内部電極１３０は、素体１１０の一方の端面から他方の端面に向けて延在している。図３に示すように、一方の内部電極１３０は、素体１１０の一方の端面において後述する外部電極１２０の焼結体層１２１と接続されている。
【００３５】
他方の内部電極１３０は、素体１１０の他方の端面から一方の端面に向けて延在している。図４に示すように、他方の内部電極１３０は、素体１１０の他方の端面において後述する外部電極１２０の焼結体層１２１と接続されている。
【００３６】
内部電極１３０を構成する材料としては、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｓｎなどの金属、または、これらの金属の少なくとも１種を含む合金、たとえばＡｇとＰｄとの合金などを用いることができる。本実施形態においては、内部電極１３０はＮｉからなる。
【００３７】
図２に示すように、外部電極１２０は、焼結金属を含む焼結体層１２１、電気絶縁性を有する材料からなる絶縁層１２２、および、Ｓｎを含むＳｎ含有層１２３を含む。
【００３８】
焼結体層１２１は、素体１１０の各端面を覆うように各端面上から少なくとも一方の主面１０上に亘って設けられている。本実施形態においては、焼結体層１２１は、素体１１０の一方の端面全体を覆いつつ、一方の端面上から各主面上および各側面上に亘って設けられている。また、焼結体層１２１は、素体１１０の他方の端面全体を覆いつつ、他方の端面上から各主面上および各側面上に亘って設けられている。素体１１０の一方の端面上から各主面上および各側面上に亘って設けられている焼結体層１２１と、素体１１０の他方の端面上から各主面上および各側面上に亘って設けられている焼結体層１２１とは、互いに離間して電気的に接続されていない。
【００３９】
焼結体層１２１を構成する材料としては、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄなどの金属、または、これらの金属の少なくとも１種を含む合金を主成分とする導電性ペーストを用いることができる。本実施形態においては、Ｃｕを主成分とする導電性ペーストを素体１１０の表面に塗布して、たとえば７００℃程度の温度において加熱することにより焼結体層１２１を素体１１０に焼き付けている。
【００４０】
なお、焼結体層１２１は、ガラス成分を含んでいる。焼結体層１２１のガラス含有率は、表層部の方が内部より高くなっている。焼結体層１２１の表層部のガラス含有率を高くすることにより、後述する絶縁層１２２と焼結体層１２１との密着性を高めて、後述するめっき処理時または実装時に絶縁層１２２が剥離することを抑制できる。
【００４１】
絶縁層１２２は、素体１１０の側面に直交する方向である幅方向Ｗに延在するように各端面側の焼結体層１２１上に直接設けられて外部電極１２０の表面の一部を構成している。
【００４２】
本実施形態においては、絶縁層１２２は、素体１１０の各端面側において、素体１１０の幅方向Ｗの全体に亘って延在している。図２に示すように、素体１１０の端面側の絶縁層１２２における一方の主面１０側の縁の位置と、素体１１０の一方の主面１０側の外部電極１２０の先端の位置とを最短で結ぶ仮想面Ｐ1上に、内部電極１３０が位置していない。
【００４３】
なお、本実施形態においては図２に示すように、素体１１０の側面に平行な任意の面における電子部品１００の断面において、仮想面Ｐ1を構成する仮想線と全ての内部電極１３０とは交差していないが、上記仮想線と交差する内部電極１３０が含まれていてもよい。ただし、上記仮想線と全ての内部電極１３０とが交差していない方が好ましい。
【００４４】
また、絶縁層１２２は、素体１１０の主面に直交する方向である厚さ方向Ｔにて、内部電極１３０において素体１１０の一方の主面１０に最も近接している縁部の位置と、素体１１０の一方の主面１０との間に、絶縁層１２２の少なくとも一部が位置するように、素体１１０の各端面側の焼結体層１２１上に直接設けられている。
【００４５】
具体的には、素体１１０の一方の主面１０と、一方の主面１０に最も近接している内部電極１３１の一方の主面１０側の縁部との間の距離の寸法をＬ1とすると、素体１１０の各端面側において、素体１１０の一方の主面１０と絶縁層１２２の一方の主面１０側の端部の位置との間における素体１１０の厚さ方向Ｔに沿った距離の寸法Ｌ2は、Ｌ2＜Ｌ1の関係を満たしている。
【００４６】
本実施形態においては、Ｌ2＞０である。すなわち、絶縁層１２２は、素体１１０の各端面側に設けられた焼結体層１２１のうちの一方の主面１０側の一部のみを覆っていない。なお、素体１１０の厚さの寸法をＬTとすると、Ｌ2＞ＬT／１０であることが後述する理由により好ましい。そのため、電子部品１００において、Ｌ2＜Ｌ1の関係、および、Ｌ2＞ＬT／１０の関係を両方満たすことが好ましい。本実施形態においては、電子部品１００は、ＬT／１０＜Ｌ2＜Ｌ1の関係を満たしている。
【００４７】
また、絶縁層１２２は、素体１１０の各側面側において、素体１１０の端面に直交する方向である長手方向Ｌに延在している。本実施形態においては、絶縁層１２２は、素体１１０の各側面側において、素体１１０の長手方向Ｌの全体に亘って延在している。すなわち、絶縁層１２２の一部は、素体１１０の各側面側において焼結体層１２１上に直接設けられている。絶縁層１２２の他の一部は、素体１１０の各側面上に直接設けられている。
【００４８】
素体１１０の各端面側に設けられた絶縁層１２２と、素体１１０の各側面側に設けられた絶縁層１２２とは、互いに繋がって環状の形状を有している。素体１１０の各側面側において、素体１１０の一方の主面１０と絶縁層１２２の一方の主面１０側の端部の位置との間における素体１１０の厚さ方向Ｔに沿った距離の寸法はＬ2である。
【００４９】
さらに、絶縁層１２２は、素体１１０の他方の主面１１側の全体を覆っている。すなわち、絶縁層１２２の一部は、素体１１０の他方の主面１１側において焼結体層１２１上に直接設けられている。絶縁層１２２の他の一部は、素体１１０の他方の主面１１上に直接設けられている。素体１１０の他方の主面１１側を覆っている絶縁層１２２は、素体１１０の各端面側に設けられた絶縁層１２２および素体１１０の各側面側に設けられた絶縁層１２２の各々と互いに繋がっている。
【００５０】
このように、絶縁層１２２の一部は、素体１１０の他方の主面１１上および素体１１０の各側面上に直接設けられている。絶縁層１２２は、焼結体層１２１より素体１１０との密着性が高い。そのため、絶縁層１２２の一部を素体１１０上に直接設けることにより、後述するめっき処理時または実装時に絶縁層１２２が剥離することを抑制できる。
【００５１】
絶縁層１２２を構成する材料としては、ソルダーレジストとして機能する材料である、熱硬化性絶縁性樹脂または紫外線硬化性絶縁性樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。
【００５２】
Ｓｎ含有層１２３は、絶縁層１２２に覆われている部分以外の焼結体層１２１を覆うように焼結体層１２１上に設けられて外部電極１２０の表面の他の一部を構成している。
【００５３】
本実施形態においては、Ｓｎ含有層１２３は、素体１１０の各端面側から一方の主面１０側に亘って設けられている。上記のように、絶縁層１２２が、素体１１０の各端面側に設けられた焼結体層１２１のうちの一方の主面１０側の一部のみを覆っていない。そのため、Ｓｎ含有層１２３は、素体１１０の各端面側において、絶縁層１２２に覆われていない一方の主面１０側に位置する焼結体層１２１の一部を覆っている。
【００５４】
また、Ｓｎ含有層１２３は、素体１１０の一方の主面１０側において、絶縁層１２２に覆われていない焼結体層１２１を覆っている。さらに、Ｓｎ含有層１２３は、素体１１０の各側面側において、絶縁層１２２に覆われていない一方の主面１０側に位置する焼結体層１２１の一部を覆っている。
【００５５】
上記のように、焼結体層１２１は、素体１１０の一方の端面上から各主面上および各側面上に亘って設けられている。また、焼結体層１２１は、素体１１０の他方の端面上から各主面上および各側面上に亘って設けられている。
【００５６】
よって、素体１１０の一方の端面側から一方の主面１０側および各側面側に亘ってＳｎ含有層１２３が設けられている。また、素体１１０の他方の端面側から一方の主面１０側および各側面側に亘ってＳｎ含有層１２３が設けられている。
【００５７】
素体１１０の一方の端面側から素体１１０の一方の主面１０側および各側面側に亘って設けられているＳｎ含有層１２３と、素体１１０の他方の端面側から素体１１０の一方の主面１０側および各側面側に亘って設けられているＳｎ含有層１２３とは、互いに離間して電気的に接続されていない。
【００５８】
Ｓｎ含有層１２３を構成する材料としては、半田との濡れ性が良好な材料である、ＳｎまたはＳｎ合金を用いることができる。
【００５９】
以下、本実施形態に係る電子部品の製造方法について説明する。図６は、本実施形態に係る電子部品の製造方法を示すフローチャートである。図６に示すように、素体１１０を準備する工程(Ｓ１００)と、内部電極１３０と電気的に接続されるように素体１１０の表面上に外部電極１２０を設ける工程(Ｓ１１０)とを備える。
【００６０】
素体１１０は、下記のように作製される。
まず、セラミック粉末を含むセラミックペーストを、ダイコータ法、グラビアコータ法またはマイクログラビアコータ法などによりシート状に塗布して乾燥させることにより、セラミックグリーンシートを作製する。
【００６１】
作製した複数のセラミックグリーンシートのうちの一部において、セラミックグリーンシート上に、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法またはグラビア印刷法などにより内部電極形成用の導電ペーストを所定のパターンとなるように塗布する。このようにして、内部電極となる導電パターンが形成されたセラミックグリーンシートと、導電パターンが形成されていないセラミックグリーンシートとを用意する。なお、セラミックペーストおよび内部電極形成用の導電ペーストには、公知のバインダーおよび溶媒が含まれていてもよい。
【００６２】
導電パターンが形成されていないセラミックグリーンシートを所定枚数積層し、その上に、導電パターンが形成された複数のセラミックグリーンシートを順次積層し、さらにその上に、導電パターンが形成されていないセラミックグリーンシートを所定枚数積層することにより、マザーブロックを作製する。必要に応じて、静水圧プレスなどの手段により、マザーブロックを積層方向にプレスしてもよい。
【００６３】
マザーブロックを所定の形状にカットして分割することにより、複数の直方体状の軟質素体を作製する。直方体状の軟質素体をバレル研磨して、軟質素体の角部を丸める。ただし、バレル研磨は必ずしも行なわなくてもよい。
【００６４】
軟質素体を焼成することにより硬化させて、素体１１０を作製する。焼成温度は、セラミック材料および導電材料の種類に応じて適宜設定され、たとえば、９００℃以上１３００℃以下の範囲内で設定される。
【００６５】
外部電極１２０を設ける工程(Ｓ１１０)は、焼結金属を含む焼結体層１２１を設ける工程(Ｓ１１１)、電気絶縁性を有する材料からなる絶縁層１２２を設ける工程(Ｓ１１２)、および、Ｓｎを含むＳｎ含有層１２３を設ける工程(Ｓ１１３)を含む。
【００６６】
焼結体層１２１を設ける工程(Ｓ１１１)にて、素体１１０の各端面を覆うように素体１１０の各端面上から少なくとも素体１１０の一方の主面上に亘って焼結体層１２１を設ける。本実施形態においては、ディップ法により素体１１０の両端部に焼結体層１２１となる導電性ペーストを塗布している。このように、焼結体層１２１を設ける工程(Ｓ１１１)にて、素体１１０の各端面上から素体１１０の各主面上および各側面上に亘って焼結体層１２１を設ける。
【００６７】
上述したように、本実施形態においては、Ｃｕを主成分とする導電性ペーストを素体１１０の表面に塗布して、たとえば７００℃程度の温度において加熱することにより焼結体層１２１を素体１１０に焼き付ける。
【００６８】
なお、導電性ペーストの塗布と乾燥を繰り返すことにより、複数層の焼結体層１２１を設けてもよい。この場合、表層に位置する焼結体層１２１のガラス含有率を高くするために、先に塗布する導電性ペーストのガラス含有率より、後に塗布する導電性ペーストのガラス含有率を高くすることが好ましい。このようにすることにより、後に形成される絶縁層１２２と焼結体層１２１との密着性を高めて、後述するめっき処理時または実装時に絶縁層１２２が剥離することを抑制できる。
【００６９】
焼結体層を設ける工程(Ｓ１１１)にて、誘電体層１４０と焼結体層１２１とを同時に焼成してもよい。すなわち、軟質素体に導電性ペーストを塗布した後で焼成することにより、素体１１０と焼結体層１２１とを同時に形成してもよい。
【００７０】
絶縁層１２２を設ける工程(Ｓ１１２)にて、素体１１０の側面に直交する方向である幅方向Ｗに延在して外部電極１２０の表面の一部を構成するように、絶縁層１２２を素体１１０の各端面側の焼結体層１２１上に直接設ける。
【００７１】
本実施形態においては、ソルダーレジストとして機能する熱硬化性絶縁性樹脂または紫外線硬化性絶縁性樹脂などの絶縁性樹脂をスプレーコーティングすることにより絶縁層１２２を設ける。
【００７２】
具体的には、複数の凹部を有する板上に、焼結体層１２１が設けられた複数の素体１１０を配置する。焼結体層１２１が設けられた各素体１１０は、一方の主面１０側が凹部内に収容されるように配置される。凹部の平面視における形状は、焼結体層１２１が設けられた素体１１０の主面の外形より僅かに大きい。凹部の深さの寸法は、上記の寸法Ｌ2と略同一となるように設定されている。上記のように寸法Ｌ2は、ＬT／１０＜Ｌ2＜Ｌ1の関係を満たしている。
【００７３】
凹部内に素体１１０を収容した状態でスプレーコーティングすることにより、凹部内に収容されていない部分の素体１１０に絶縁性樹脂を塗布することができる。その結果、図１に示すように、素体１１０の各端面側、各側面側および他方の主面１１側の各々に絶縁層１２２を設けることができる。
【００７４】
このように本実施形態においては、絶縁層１２２を設ける工程(Ｓ１１２)にて、素体１１０の端面に直交する方向である長手方向Ｌに延在するように、絶縁層１２２をさらに素体１１０の各側面側の焼結体層１２１上に直接設ける。
【００７５】
凹部の深さの寸法を寸法Ｌ2と略同一となるように設定することにより、絶縁層１２２を設ける工程(Ｓ１１２)にて、素体１１０の主面に直交する方向である厚さ方向Ｔにて、内部電極１３０において素体１１０の一方の主面１０に最も近接している縁部の位置と、素体１１０の一方の主面１０との間に、絶縁層１２２の少なくとも一部が位置するように、絶縁層１２２を素体１１０の各端面側の焼結体層１２１上に直接設けることができる。
【００７６】
絶縁性樹脂として熱硬化性絶縁性樹脂を用いた場合には、スプレーコーティングした素体１１０を加熱することにより絶縁性樹脂を硬化させる。絶縁性樹脂として紫外線硬化性絶縁性樹脂を用いた場合には、スプレーコーティングした素体１１０に紫外線を照射することにより絶縁性樹脂を硬化させる。
【００７７】
硬化した絶縁性樹脂からなる絶縁層１２２の厚さは、１０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。より好ましくは、絶縁層１２２の厚さが１５μｍ以上３０μｍ以下である。
【００７８】
絶縁層１２２の厚さが１０μｍより薄い場合、絶縁層１２２の抗張力が不足して、後述するめっき処理時にめっき槽内で攪拌された際に絶縁層１２２が剥離または破砕する可能性がある。絶縁層１２２の厚さが５０μｍより厚い場合、絶縁層１２２が電子部品の外形の外側に突き出た状態になり、後述するめっき処理時にめっき槽内で攪拌された際に絶縁層１２２に外力が作用しやすくなるため、絶縁層１２２が剥離しやすくなる。
【００７９】
なお、絶縁層１２２の形成方法としては、スプレーコーティングに限られず、たとえば、ディップ法、スクリーン印刷法またはフォトリソグラフィ法などでもよい。他の絶縁層１２２の形成方法として、たとえば、焼結体層１２１が設けられた複数の素体１１０を互いに間隔を置いて板上に保持した状態で、その板上に軟化した絶縁性樹脂を流し込むことにより、焼結体層１２１が設けられた素体１１０の表面に絶縁性樹脂を塗布してもよい。
【００８０】
Ｓｎ含有層１２３を設ける工程(Ｓ１１３)にて、絶縁層１２２に覆われている部分以外の焼結体層１２１を覆って外部電極１２０の表面の他の一部を構成するようにＳｎ含有層１２３を設ける。
【００８１】
本実施形態においては、Ｓｎ含有層１２３を電気めっきにより設ける。具体的には、バレルめっき法によりＳｎ含有層１２３を設ける。焼結体層１２１と絶縁層１２２とが設けられた複数の素体１１０を収容したバレルをめっき槽内のめっき液中に浸漬した状態で回転させつつ通電することにより、絶縁層１２２に覆われている部分以外の焼結体層１２１上にＳｎ含有層１２３を設ける。
【００８２】
上記のように、絶縁層１２２は、素体１１０の各端面側に設けられた焼結体層１２１のうちの一方の主面１０側の一部のみを覆っていない。そのため、Ｓｎ含有層１２３は、素体１１０の各端面側において、絶縁層１２２に覆われていない一方の主面１０側に位置する焼結体層１２１の一部を覆う。また、Ｓｎ含有層１２３は、素体１１０の一方の主面１０側において、絶縁層１２２に覆われていない焼結体層１２１を覆う。その結果、Ｓｎ含有層１２３は、素体１１０の各端面側から一方の主面１０側に亘って設けられる。
【００８３】
さらに、Ｓｎ含有層１２３は、素体１１０の各側面側において、絶縁層１２２に覆われていない一方の主面１０側に位置する焼結体層１２１の一部を覆う。よって、素体１１０の一方の端面側から素体１１０の一方の主面１０側および各側面側に亘ってＳｎ含有層１２３が設けられる。また、素体１１０の他方の端面側から素体１１０の一方の主面１０側および各側面側に亘ってＳｎ含有層１２３が設けられる。
【００８４】
上記のように製造された電子部品１００は、半田によって実装される。半田としては、Ｓｎ−Ｓｂ系、Ｓｎ−Ｃｕ系またはＳｎ−Ａｇ系の半田を用いることができる。
【００８５】
図７は、本実施形態に係る電子部品を半田によって基板上に実装した状態を示す斜視図である。図７に示すように、基板２０上にパターニングされたクリーム半田と外部電極１２０のＳｎ含有層１２３とが接触するように、基板２０上に電子部品１００を配置してリフローすることにより、半田フィレット３０が形成されて電子部品１００が基板２０上に実装される。
【００８６】
本実施形態に係る電子部品１００においては、外部電極１２０の表面に絶縁層１２２が設けられているため、半田フィレット３０は、絶縁層１２２上を濡れ上がることができずに、外部電極１２０の表面において絶縁層１２２に覆われていないＳｎ含有層１２３が位置する部分のみに形成される。
【００８７】
すなわち、絶縁層１２２が、素体１１０の各端面側において幅方向Ｗの全体に亘って延在し、かつ、素体１１０の各側面側において長手方向Ｌの全体に亘って延在するように設けられているため、半田フィレット３０の濡れ上がりが素体１１０の全周に亘って低減されている。
【００８８】
本実施形態に係る電子部品１００の外部電極１２０においては、上記のように、絶縁層１２２を焼結体層１２１上に直接設けているため、リフロー時にクリーム半田とＳｎ含有層１２３とが融合した際に、絶縁層１２２が剥離することがない。そのため、半田フィレット３０の濡れ上がりを効果的に低減することができる。
【００８９】
仮に、Ｓｎ含有層１２３上に絶縁層１２２を設けている場合、リフロー時にクリーム半田とＳｎ含有層１２３とが融合した際に、融解したＳｎ含有層１２３上に位置していた絶縁層１２２が剥離する。そのため、絶縁層１２２が剥離して露出したＳｎ含有層１２３上を半田フィレットが濡れ上がることになり、半田フィレットの濡れ上がりを効果的に低減することができない。
【００９０】
本実施形態に係る電子部品１００においては、素体１１０の少なくとも各端面側に絶縁層１２２を設けることにより、半田フィレット３０の濡れ上がりを低減して半田フィレット３０の熱収縮による引張応力によって素体１１０にクラックが生じることを抑制することができる。
【００９１】
また、上記のように、素体１１０の端面側の絶縁層１２２における一方の主面１０側の縁の位置と、一方の主面１０側の外部電極１２０の先端の位置とを最短で結ぶ仮想面Ｐ1上に、内部電極１３０が位置していない。仮に、半田フィレット３０の熱収縮による引張応力によってクラックが生じた場合、クラックは仮想面Ｐ1に沿って進展しやすい。そのため、仮想面Ｐ1上に内部電極１３０が位置していないことにより、クラックによって内部電極１３０が切断されることを抑制できる。その結果、クラックの発生によって電子部品１００の電気的特性が低下することを抑制できる。
【００９２】
さらに、上記のように、素体１１０の一方の主面１０と内部電極１３１の一方の主面１０側の縁部との間の距離の寸法をＬ1、素体１１０の各端面側において素体１１０の一方の主面１０と絶縁層１２２の一方の主面１０側の端部の位置との間における素体１１０の厚さ方向Ｔに沿った距離の寸法をＬ2、素体１１０の厚さの寸法をＬTとすると、ＬT／１０＜Ｌ2＜Ｌ1の関係を満たしている。
【００９３】
ＬT／１０＜Ｌ2の関係を満たすことにより、適度な半田フィレット３０を形成して実装時の電子部品１００の姿勢安定性を確保することができる。また、実装された電子部品１００が衝撃などによって基板２０から脱落することを抑制できる。
【００９４】
なお、素体１１０の各側面側において、絶縁層１２２が最も外側に位置するように焼結体層１２１を覆っていることが好ましい。このようにすることにより、複数の電子部品１００を互いに近接して実装した際に、仮に、電子部品１００の姿勢安定性が不十分で、互いに隣接する電子部品１００の側面同士がくっついてそれぞれの絶縁層１２２が互いに接触した状態で実装された場合に、くっついた電子部品１００同士が電気的に短絡することを防止できる。
【００９５】
Ｌ2＜Ｌ1の関係を満たすことにより、素体１１０中において内部電極１３０が積層されている領域である機能領域に半田フィレット３０が重なって形成されないため、半田フィレット３０の熱収縮による引張応力を機能領域に作用しにくくすることができる。その結果、半田フィレット３０の熱収縮に起因して機能領域にクラックが発生することを抑制できる。
【００９６】
また、Ｌ2＜Ｌ1の関係を満たすことにより、いわゆる「鳴き」(acoustic noise)の発生を低減できる。その理由を以下に説明する。
【００９７】
素体１１０が圧電性または電歪性を有する材料で構成されている場合、電子部品１００に交流電圧または交流成分が重畳された直流電圧が印加されると、電子部品１００に機械的歪みの振動が生じる。歪みの振動が基板２０に伝播すると基板２０から音が発生する。２０Ｈｚ以上２０ｋＨｚ以下の音は、可聴音として、人に不快感を与える。この現象がいわゆる「鳴き」である。
【００９８】
電子部品１００において、機械的歪みの振動の発生源となるのは、上記の機能領域である。機能領域で発生した機械的歪みの振動は、外部電極１２０から半田フィレットを通じて基板２０に伝播する。
【００９９】
Ｌ2＜Ｌ1の関係を満たすことにより、機能領域に半田フィレット３０が重なって形成されないため、機能領域から半田フィレット３０を通じて基板２０に伝播する振動を低減することができる。その結果、基板２０から発生する音、すなわち「鳴き」の発生を低減できる。特に、比誘電率εrが３０００以上の誘電体からなる誘電体層１４０を含む素体１１０を備える積層セラミックコンデンサ、または、公称静電容量が１０μＦ以上である積層セラミックコンデンサなど、「鳴き」が発生しやすい電子部品に対して効果が顕著となる。
【０１００】
以下、本発明の実施形態２に係る電子部品およびその製造方法について説明する。なお、本実施形態に係る電子部品１００ａは、補強層を備える点のみ実施形態１に係る電子部品１００とは異なるため、他の構成については説明を繰り返さない。
【０１０１】
(実施形態２)
図８は、本発明の実施形態２に係る電子部品の構成を示す断面図である。図９は、本発明の実施形態２に係る電子部品の製造方法を示すフローチャートである。なお、図８においては、図２と同一の方向から電子部品を見た断面を示している。
【０１０２】
図８に示すように、本発明の実施形態２に係る電子部品１００ａは、外部電極１２０ａが、ＮｉまたはＣｕを含む補強層１２４をさらに含む。補強層１２４は、焼結体層１２１とＳｎ含有層１２３との間に設けられている。
【０１０３】
補強層１２４は、絶縁層１２２に覆われている部分以外の焼結体層１２１を覆うように焼結体層１２１上に設けられている。本実施形態においては、補強層１２４は、素体１１０の各端面側から一方の主面１０側に亘って設けられている。上記のように、絶縁層１２２が、素体１１０の各端面側に設けられた焼結体層１２１のうちの一方の主面１０側の一部のみを覆っていない。そのため、補強層１２４は、素体１１０の各端面側において、絶縁層１２２に覆われていない一方の主面１０側に位置する焼結体層１２１の一部を覆っている。
【０１０４】
また、補強層１２４は、素体１１０の一方の主面１０側において、絶縁層１２２に覆われていない焼結体層１２１を覆っている。さらに、補強層１２４は、素体１１０の各側面側において、絶縁層１２２に覆われていない一方の主面１０側に位置する焼結体層１２１の一部を覆っている。
【０１０５】
上記のように、焼結体層１２１は、素体１１０の一方の端面上から素体１１０の各主面上および各側面上に亘って設けられている。また、焼結体層１２１は、素体１１０の他方の端面上から素体１１０の各主面上および各側面上に亘って設けられている。
【０１０６】
よって、素体１１０の一方の端面側から素体１１０の一方の主面１０側および各側面側に亘って補強層１２４が設けられている。また、素体１１０の他方の端面側から素体１１０の一方の主面１０側および各側面側に亘って補強層１２４が設けられている。
【０１０７】
補強層１２４を構成する材料としては、ＮｉもしくはＮｉ合金、または、ＣｕもしくはＣｕ合金を用いることができる。本実施形態においては、補強層１２４はＮｉからなる。
【０１０８】
なお、絶縁層１２２の端部上に補強層１２４が数μｍ程度乗り上げて形成されていてもよい。この場合、絶縁層１２２の表面粗さが粗い方が好ましい。また、補強層１２４の厚さの寸法より、絶縁層１２２の端部上に乗り上げている部分において素体１１０の厚さ方向Ｔに沿った補強層１２４の長さの寸法の方が大きいことが好ましい。
【０１０９】
このようにした場合、絶縁層１２２の端部上に乗り上げている補強層１２４が絶縁層１２２の表面の凹部内に浸入してスパイク状になり、絶縁層１２２との密着性が高くなる。その結果、絶縁層１２２と補強層１２４との境界が密に接合されて、実装時に半田フィレットが絶縁層１２２と補強層１２４との境界に浸入することをより抑制できる。
【０１１０】
本実施形態においては、Ｓｎ含有層１２３は、絶縁層１２２に覆われている部分以外の焼結体層１２１を覆うように補強層１２４上に設けられて外部電極１２０ａの表面の他の一部を構成している。
【０１１１】
図９に示すように、本実施形態に係る電子部品１００ａの製造方法は、素体１１０を準備する工程(Ｓ１００)と、内部電極１３０と電気的に接続されるように素体１１０の表面上に外部電極１２０ａを設ける工程(Ｓ２１０)とを備える。
【０１１２】
外部電極１２０ａを設ける工程(Ｓ２１０)は、焼結金属を含む焼結体層１２１を設ける工程(Ｓ１１１)、電気絶縁性を有する材料からなる絶縁層１２２を設ける工程(Ｓ１１２)、ＮｉまたはＣｕを含む補強層１２４を設ける工程(Ｓ２１１)、および、Ｓｎを含むＳｎ含有層１２３を設ける工程(Ｓ１１３)を含む。
【０１１３】
補強層１２４を設ける工程(Ｓ２１１)にて、絶縁層１２２に覆われている部分以外の焼結体層１２１を覆うように補強層１２４を設ける。本実施形態においては、補強層１２４を電気めっきにより設ける。具体的には、バレルめっき法により補強層１２４を設ける。焼結体層１２１と絶縁層１２２とが設けられた複数の素体１１０を収容したバレルをめっき槽内のめっき液中に浸漬した状態で回転させつつ通電することにより、絶縁層１２２に覆われている部分以外の焼結体層１２１上に補強層１２４を設ける。
【０１１４】
上記のように、絶縁層１２２は、素体１１０の各端面側に設けられた焼結体層１２１のうちの一方の主面１０側の一部のみを覆っていない。そのため、補強層１２４は、素体１１０の各端面側において、絶縁層１２２に覆われていない一方の主面１０側に位置する焼結体層１２１の一部を覆う。また、補強層１２４は、素体１１０の一方の主面１０側において、絶縁層１２２に覆われていない焼結体層１２１を覆う。その結果、補強層１２４は、素体１１０の各端面側から一方の主面１０側に亘って設けられる。
【０１１５】
さらに、補強層１２４は、素体１１０の各側面側において、絶縁層１２２に覆われていない一方の主面１０側に位置する焼結体層１２１の一部を覆う。よって、素体１１０の一方の端面側から素体１１０の一方の主面１０側および各側面側に亘って補強層１２４が設けられる。また、素体１１０の他方の端面側から素体１１０の一方の主面１０側および各側面側に亘って補強層１２４が設けられる。
【０１１６】
Ｓｎ含有層１２３を設ける工程(Ｓ１１３)にて、絶縁層１２２に覆われている部分以外の焼結体層１２１を覆って外部電極１２０の表面の他の一部を構成するように補強層１２４上にＳｎ含有層１２３を設ける。
【０１１７】
本実施形態においては、Ｓｎ含有層１２３を電気めっきにより設ける。具体的には、バレルめっき法によりＳｎ含有層１２３を設ける。焼結体層１２１と絶縁層１２２と補強層１２４とが設けられた複数の素体１１０を収容したバレルをめっき槽内のめっき液中に浸漬した状態で回転させつつ通電することにより、補強層１２４上にＳｎ含有層１２３を設ける。その結果、Ｓｎ含有層１２３は、素体１１０の各端面側から一方の主面１０側に亘って設けられる。さらに、Ｓｎ含有層１２３は、素体１１０の各側面側において、補強層１２４上に設けられる。
【０１１８】
よって、素体１１０の一方の端面側から素体１１０の一方の主面１０側および各側面側に亘ってＳｎ含有層１２３が設けられる。また、素体１１０の他方の端面側から素体１１０の一方の主面１０側および各側面側に亘ってＳｎ含有層１２３が設けられる。
【０１１９】
本実施形態に係る電子部品１００ａにおいても、素体１１０の少なくとも各端面側に絶縁層１２２を設けることにより、半田フィレット３０の濡れ上がりを低減して半田フィレット３０の熱収縮による引張応力によって素体１１０にクラックが生じることを抑制することができる。
【０１２０】
以下、本発明の実施形態３に係る電子部品およびその製造方法について説明する。なお、本実施形態に係る電子部品１００ｂは、下地層を備える点のみ実施形態２に係る電子部品１００ａとは異なるため、他の構成については説明を繰り返さない。
【０１２１】
(実施形態３)
図１０は、本発明の実施形態３に係る電子部品の構成を示す断面図である。図１１は、本発明の実施形態３に係る電子部品の製造方法を示すフローチャートである。なお、図１０においては、図２と同一の方向から電子部品を見た断面を示している。
【０１２２】
図１０に示すように、本発明の実施形態３に係る電子部品１００ｂは、外部電極１２０ｂが、補強層１２４とは異なる材料であってＣｕまたはＮｉを含む下地層１２５をさらに含む。下地層１２５は、焼結体層１２１と補強層１２４との間に設けられている。
【０１２３】
下地層１２５は、絶縁層１２２に覆われている部分以外の焼結体層１２１を覆うように焼結体層１２１上に設けられている。本実施形態においては、下地層１２５は、素体１１０の各端面側から一方の主面１０側に亘って設けられている。上記のように、絶縁層１２２が、素体１１０の各端面側に設けられた焼結体層１２１のうちの一方の主面１０側の一部のみを覆っていない。そのため、下地層１２５は、素体１１０の各端面側において、絶縁層１２２に覆われていない一方の主面１０側に位置する焼結体層１２１の一部を覆っている。
【０１２４】
また、下地層１２５は、素体１１０の一方の主面１０側において、絶縁層１２２に覆われていない焼結体層１２１を覆っている。さらに、下地層１２５は、素体１１０の各側面側において、絶縁層１２２に覆われていない一方の主面１０側に位置する焼結体層１２１の一部を覆っている。
【０１２５】
上記のように、焼結体層１２１は、素体１１０の一方の端面上から素体１１０の各主面上および各側面上に亘って設けられている。また、焼結体層１２１は、素体１１０の他方の端面上から素体１１０の各主面上および各側面上に亘って設けられている。
【０１２６】
よって、素体１１０の一方の端面側から素体１１０の一方の主面１０側および各側面側に亘って下地層１２５が設けられている。また、素体１１０の他方の端面側から素体１１０の一方の主面１０側および各側面側に亘って下地層１２５が設けられている。
【０１２７】
下地層１２５を構成する材料としては、補強層１２４を構成する材料とは異なる材料であって、ＮｉもしくはＮｉ合金、または、ＣｕもしくはＣｕ合金を用いることができる。本実施形態においては、下地層１２５はＣｕからなる。
【０１２８】
なお、絶縁層１２２の端部上に下地層１２５が数μｍ程度乗り上げて形成されていてもよい。この場合、絶縁層１２２の表面粗さが粗い方が好ましい。また、下地層１２５の厚さの寸法より、絶縁層１２２の端部上に乗り上げている部分において素体１１０の厚さ方向Ｔに沿った下地層１２５の長さの寸法の方が大きいことが好ましい。
【０１２９】
このようにした場合、絶縁層１２２の端部上に乗り上げている下地層１２５が絶縁層１２２の表面の凹部内に浸入してスパイク状になり、絶縁層１２２との密着性が高くなる。その結果、絶縁層１２２と下地層１２５との境界が密に接合されて、実装時に半田フィレットが絶縁層１２２と下地層１２５との境界に浸入することをより抑制できる。
【０１３０】
本実施形態においては、補強層１２４は、下地層１２５の全体を覆うように下地層１２５上に設けられている。本実施形態においては、補強層１２４はＮｉからなる。
【０１３１】
図１１に示すように、本実施形態に係る電子部品１００ｂの製造方法は、素体１１０を準備する工程(Ｓ１００)と、内部電極１３０と電気的に接続されるように素体１１０の表面上に外部電極１２０ｂを設ける工程(Ｓ３１０)とを備える。
【０１３２】
外部電極１２０ｂを設ける工程(Ｓ３１０)は、焼結金属を含む焼結体層１２１を設ける工程(Ｓ１１１)、電気絶縁性を有する材料からなる絶縁層１２２を設ける工程(Ｓ１１２)、補強層１２４とは異なる材料であってＣｕまたはＮｉを含む下地層１２５を設ける工程(Ｓ３１１)、ＮｉまたはＣｕを含む補強層１２４を設ける工程(Ｓ２１１)、および、Ｓｎを含むＳｎ含有層１２３を設ける工程(Ｓ１１３)を含む。
【０１３３】
下地層１２５を設ける工程(Ｓ３１１)にて、焼結体層１２１と補強層１２４との間に下地層１２５を設ける。
【０１３４】
本実施形態においては、下地層１２５を電気めっきにより設ける。具体的には、バレルめっき法により下地層１２５を設ける。焼結体層１２１と絶縁層１２２とが設けられた複数の素体１１０を収容したバレルをめっき槽内のめっき液中に浸漬した状態で回転させつつ通電することにより、絶縁層１２２に覆われている部分以外の焼結体層１２１上に下地層１２５を設ける。
【０１３５】
上記のように、絶縁層１２２は、素体１１０の各端面側に設けられた焼結体層１２１のうちの一方の主面１０側の一部のみを覆っていない。そのため下地層１２５は、素体１１０の各端面側において、絶縁層１２２に覆われていない一方の主面１０側に位置する焼結体層１２１の一部を覆う。また、下地層１２５は、素体１１０の一方の主面１０側において、絶縁層１２２に覆われていない焼結体層１２１を覆う。その結果、下地層１２５は、素体１１０の各端面側から一方の主面１０側に亘って設けられる。
【０１３６】
さらに、下地層１２５は、素体１１０の各側面側において、絶縁層１２２に覆われていない一方の主面１０側に位置する焼結体層１２１の一部を覆う。よって、素体１１０の一方の端面側から素体１１０の一方の主面１０側および各側面側に亘って下地層１２５が設けられる。また、素体１１０の他方の端面側から素体１１０の一方の主面１０側および各側面側に亘って下地層１２５が設けられる。
【０１３７】
本実施形態においては、補強層１２４を電気めっきにより設ける。具体的には、バレルめっき法により補強層１２４を設ける。焼結体層１２１と絶縁層１２２と下地層１２５とが設けられた複数の素体１１０を収容したバレルをめっき槽内のめっき液中に浸漬した状態で回転させつつ通電することにより、下地層１２５上に補強層１２４を設ける。
【０１３８】
下地層１２５上に補強層１２４を設けることにより、補強層１２４を焼結体層１２１上に設ける場合に比較して、補強層１２４をめっきによって容易に設けることができる。
【０１３９】
本実施形態に係る電子部品１００ｂにおいても、素体１１０の少なくとも各端面側に絶縁層１２２を設けることにより、半田フィレット３０の濡れ上がりを低減して半田フィレット３０の熱収縮による引張応力によって素体１１０にクラックが生じることを抑制することができる。
【０１４０】
以下、本発明の実施形態４に係る電子部品について説明する。なお、本実施形態に係る電子部品４００は、絶縁層およびＳｎ含有層の位置のみ実施形態１に係る電子部品１００とは異なるため、他の構成については説明を繰り返さない。
【０１４１】
(実施形態４)
図１２は、本発明の実施形態４に係る電子部品の外観を示す斜視図である。図１３は、図１２の電子部品をＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線矢印方向から見た断面図である。
【０１４２】
図１２，１３に示すように、本発明の実施形態４に係る電子部品４００は、素体１１０と、素体１１０の表面上に設けられて内部電極１３０と電気的に接続された外部電極４２０とを備える。外部電極４２０は、焼結金属を含む焼結体層１２１、電気絶縁性を有する材料からなる絶縁層４２２、および、Ｓｎを含むＳｎ含有層４２３を含む。
【０１４３】
絶縁層４２２は、素体１１０の側面に直交する方向である幅方向Ｗに延在するように各端面側の焼結体層１２１上に直接設けられて外部電極１２０の表面の一部を構成している。
【０１４４】
本実施形態においては、絶縁層４２２は、素体１１０の各端面側において、素体１１０の幅方向Ｗの全体に亘って延在している。図１３に示すように、素体１１０の端面側の絶縁層４２２における一方の主面１０側の縁の位置と、素体１１０の一方の主面１０側の外部電極１２０の先端の位置とを最短で結ぶ仮想面Ｐ1上に、内部電極１３０が位置していない。
【０１４５】
なお、本実施形態においては図１３に示すように、素体１１０の側面に平行な任意の面における電子部品１００の断面において、仮想面Ｐ1を構成する仮想線と全ての内部電極１３０とは交差していないが、上記仮想線と交差する内部電極１３０が含まれていてもよい。ただし、上記仮想線と全ての内部電極１３０とが交差していない方が好ましい。
【０１４６】
また、絶縁層４２２は、素体１１０の主面に直交する方向である厚さ方向Ｔにて、内部電極１３０において素体１１０の一方の主面１０に最も近接している縁部の位置と、素体１１０の一方の主面１０との間に、絶縁層４２２の少なくとも一部が位置するように、素体１１０の各端面側の焼結体層１２１上に直接設けられている。
【０１４７】
具体的には、素体１１０の一方の主面１０と内部電極１３１の一方の主面１０側の縁部との間の距離の寸法をＬ1とすると、素体１１０の各端面側において、素体１１０の一方の主面１０と絶縁層４２２の一方の主面１０側の端部の位置との間における素体１１０の厚さ方向Ｔに沿った距離の寸法Ｌ2は、Ｌ2＜Ｌ1の関係を満たしている。
【０１４８】
本実施形態においては、Ｌ2＞０である。すなわち、絶縁層４２２は、素体１１０の各端面側に設けられた焼結体層１２１の一方の主面１０側の一部を覆っていない。なお、素体１１０の厚さの寸法をＬTとすると、Ｌ2＞ＬT／１０であることがより好ましい。そのため、電子部品４００において、Ｌ2＜Ｌ1の関係、および、Ｌ2＞ＬT／１０の関係を両方満たすことが好ましい。本実施形態においては、電子部品４００は、ＬT／１０＜Ｌ2＜Ｌ1の関係を満たしている。
【０１４９】
また、絶縁層４２２は、図１３に示すように、素体１１０の端面側の絶縁層４２２における他方の主面１１側の縁の位置と、素体１１０の他方の主面１１側の外部電極１２０の先端の位置とを最短で結ぶ仮想面Ｐ2上に、内部電極１３０が位置していない。
【０１５０】
なお、本実施形態においては図１３に示すように、素体１１０の側面に平行な任意の面における電子部品１００の断面において、仮想面Ｐ2を構成する仮想線と全ての内部電極１３０とは交差していないが、上記仮想線と交差する内部電極１３０が含まれていてもよい。ただし、上記仮想線と全ての内部電極１３０とが交差していない方が好ましい。
【０１５１】
また、絶縁層４２２は、素体１１０の主面に直交する方向である厚さ方向Ｔにて、内部電極１３０において素体１１０の他方の主面１１に最も近接している縁部の位置と、素体１１０の他方の主面１１との間に、絶縁層４２２の少なくとも一部が位置するように、素体１１０の各端面側の焼結体層１２１上に直接設けられている。
【０１５２】
具体的には、素体１１０の他方の主面１１と、他方の主面１１に最も近接している内部電極１３２の他方の主面１１側の縁部との間の距離の寸法をＬ3とすると、素体１１０の各端面側において、素体１１０の他方の主面１１と絶縁層４２２の他方の主面１１側の端部の位置との間における素体１１０の厚さ方向Ｔに沿った距離の寸法Ｌ4は、Ｌ4＜Ｌ3の関係を満たしている。
【０１５３】
本実施形態においては、Ｌ4＞０である。すなわち、絶縁層４２２は、素体１１０の各端面側に設けられた焼結体層１２１の他方の主面１１側の一部を覆っていない。なお、素体１１０の厚さの寸法をＬTとすると、Ｌ4＞ＬT／１０であることがより好ましい。そのため、電子部品４００において、Ｌ４＜Ｌ３の関係、および、Ｌ４＞ＬT／１０の関係を両方満たすことが好ましい。本実施形態においては、電子部品４００は、ＬT／１０＜Ｌ4＜Ｌ3の関係を満たしている。
【０１５４】
また、絶縁層４２２は、素体１１０の各側面側において、素体１１０の端面に直交する方向である長手方向Ｌに延在している。本実施形態においては、絶縁層４２２は、素体１１０の各側面側において、素体１１０の長手方向Ｌの全体に亘って延在している。すなわち、絶縁層４２２の一部は、素体１１０の各側面側において焼結体層１２１上に直接設けられている。絶縁層４２２の他の一部は、素体１１０の各側面上に直接設けられている。
【０１５５】
素体１１０の各端面側に設けられた絶縁層４２２と、素体１１０の各側面側に設けられた絶縁層４２２とは、互いに繋がって環状の形状を有している。素体１１０の各側面側において、素体１１０の一方の主面１０と絶縁層４２２の一方の主面１０側の端部の位置との間における素体１１０の厚さ方向Ｔに沿った距離の寸法はＬ2である。素体１１０の各側面側において、素体１１０の他方の主面１１と絶縁層４２２の他方の主面１１側の端部の位置との間における素体１１０の厚さ方向Ｔに沿った距離の寸法はＬ4である。本実施形態においては、寸法Ｌ2と寸法Ｌ4とを同一にしている。
【０１５６】
絶縁層４２２の形成方法として、たとえば、焼結体層１２１が設けられた複数の素体１１０を互いに間隔を置いて弾性を有する２枚の板によって挟持した状態で、その２枚の板の間に軟化した絶縁性樹脂を流し込むことにより、焼結体層１２１が設けられた素体１１０の表面に絶縁性樹脂を塗布してもよい。このようにすることにより、焼結体層１２１が設けられた素体１１０において２枚の板に沈み込んでいた部分には絶縁性樹脂が付着しないため、上記の絶縁層４２２を形成することができる。
【０１５７】
Ｓｎ含有層４２３は、絶縁層４２２に覆われている部分以外の焼結体層１２１を覆うように焼結体層１２１上に設けられて外部電極１２０の表面の他の一部を構成している。
【０１５８】
本実施形態においては、Ｓｎ含有層４２３は、素体１１０の各端面側から素体１１０の一方の主面１０側および他方の主面１１側に亘って設けられている。上記のように、絶縁層４２２が、素体１１０の各端面側に設けられた焼結体層１２１の一方の主面１０側の一部および他方の主面１１側の一部を覆っていない。そのため、Ｓｎ含有層４２３は、素体１１０の各端面側において、一方の主面１０側に位置する焼結体層１２１の一部、および、他方の主面１１側に位置する焼結体層１２１の一部を覆っている。
【０１５９】
また、Ｓｎ含有層１２３は、素体１１０の一方の主面１０側および他方の主面１１側において、絶縁層４２２に覆われていない焼結体層１２１を覆っている。さらに、Ｓｎ含有層１２３は、素体１１０の各側面側において、絶縁層４２２に覆われていない一方の主面１０側に位置する焼結体層１２１の一部、および、絶縁層４２２に覆われていない他方の主面１１側に位置する焼結体層１２１の一部を覆っている。
【０１６０】
上記のように、焼結体層１２１は、素体１１０の一方の端面上から素体１１０の各主面上および各側面上に亘って設けられている。また、焼結体層１２１は、素体１１０の他方の端面上から素体１１０の各主面上および各側面上に亘って設けられている。
【０１６１】
よって、素体１１０の一方の端面側から素体１１０の一方の主面１０側および各側面側に亘ってＳｎ含有層４２３が設けられている。同様に、素体１１０の一方の端面側から素体１１０の他方の主面１１側および各側面側に亘ってＳｎ含有層４２３が設けられている。
【０１６２】
また、素体１１０の他方の端面側から素体１１０の一方の主面１０側および各側面側に亘ってＳｎ含有層４２３が設けられている。同様に、素体１１０の他方の端面側から素体１１０の他方の主面１１側および各側面側に亘ってＳｎ含有層４２３が設けられている。
【０１６３】
本実施形態においては、電子部品４００の外部電極４２０において、素体１１０の一方の主面１０側および他方の主面１１側の両方を基板２０との実装面にすることができる。
【０１６４】
すなわち、電子部品４００の外部電極４２０において、素体１１０の一方の主面１０側および他方の主面１１側のいずれを実装面にした場合においても、半田フィレット３０の濡れ上がりを低減して半田フィレット３０の熱収縮による引張応力によって素体１１０にクラックが生じることを抑制することができる。
【０１６５】
そのため、本実施形態に係る電子部品４００においては、素体１１０の厚さ方向Ｔにおける電子部品４００の向きに制限されることなく電子部品４００を実装することができる。
【０１６６】
以下、本発明の実施形態５に係る電子部品について説明する。なお、本実施形態に係る電子部品５００は、内部電極の積層方向のみ実施形態１に係る電子部品１００とは異なるため、他の構成については説明を繰り返さない。
【０１６７】
(実施形態５)
図１４は、本発明の実施形態５に係る電子部品の外観を示す斜視図である。図１５は、図１４の電子部品をＸＶ−ＸＶ線矢印方向から見た断面図である。図１６は、図１４の電子部品をＸＶＩ−ＸＶＩ線矢印方向から見た断面図である。図１７は、図１５，１６の電子部品をＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線矢印方向から見た断面図である。図１８は、図１５，１６の電子部品をＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩ線矢印方向から見た断面図である。図１４においては、素体の長手方向をＬ、素体の幅方向をＷ、素体の厚さ方向をＴで示している。
【０１６８】
図１４〜１８に示すように、本発明の実施形態５に係る電子部品５００は、内部電極１３０が埋設された略直方体状の素体５１０と、素体５１０の表面上に設けられて内部電極１３０と電気的に接続された外部電極１２０とを備える。
【０１６９】
素体５１０においては、誘電体層１４０と平板状の内部電極１３０とが交互に積層されている。誘電体層１４０と内部電極１３０との積層方向は、素体５１０の長手方向Ｌおよび素体５１０の厚さ方向Ｔに対して直交している。すなわち、誘電体層１４０と内部電極１３０との積層方向は、素体５１０の幅方向Ｗと平行である。
【０１７０】
素体５１０は、厚さ方向Ｔと直交する１対の主面、長手方向Ｌと直交する１対の端面、および、幅方向Ｗと直交する１対の側面を有する。１対の主面は、一方の主面１０と他方の主面１１とからなる。一方の主面１０は、実装時の電子部品５００において、電子部品５００の実装面側に位置する面である。すなわち、電子部品５００が基板上に実装される場合には、一方の主面１０は基板と対向する面である。
【０１７１】
このように、素体５１０は、誘電体層１４０と内部電極１３０との積層方向に対して直交する１対の側面、側面同士の間を結ぶ１対の主面、および、１対の主面と１対の側面とにそれぞれ直交する１対の端面を有する。
【０１７２】
なお、素体５１０は、角部に丸みを有する略直方体状の外形を有しているが、角部に丸みを有していなくてもよい。また、１対の主面、１対の端面および１対の側面のいずれかの面に、凹凸が形成されていてもよい。
【０１７３】
互いに隣り合って対向する内部電極１３０同士において、一方の内部電極１３０は素体５１０の一方の端面側において外部電極１２０に電気的に接続され、他方の内部電極１３０は素体５１０の他方の端面側において外部電極１２０に電気的に接続されている。
【０１７４】
本実施形態においては、絶縁層１２２は、素体５１０の各端面側において、素体５１０の幅方向Ｗの全体に亘って延在している。図１５，１６に示すように、素体５１０の端面側の絶縁層１２２における一方の主面１０側の縁の位置と、素体５１０の一方の主面１０側の外部電極１２０の先端の位置とを最短で結ぶ仮想面Ｐ1上に、内部電極１３０が位置していない。
【０１７５】
なお、本実施形態においては図１５，１６に示すように、素体５１０の側面に平行な任意の面における電子部品５００の断面において、仮想面Ｐ1を構成する仮想線と全ての内部電極１３０とは交差していないが、上記仮想線と交差する内部電極１３０が含まれていてもよい。ただし、上記仮想線と全ての内部電極１３０とが交差していない方が好ましい。
【０１７６】
また、絶縁層１２２は、素体５１０の主面に直交する方向である厚さ方向Ｔにて、内部電極１３０において素体５１０の一方の主面１０に最も近接している縁部の位置と、素体５１０の一方の主面１０との間に、絶縁層１２２の少なくとも一部が位置するように、素体５１０の各端面側の焼結体層１２１上に直接設けられている。
【０１７７】
具体的には、素体５１０の一方の主面１０と内部電極１３０の一方の主面１０側の縁との間の距離の寸法をＬ5とすると、素体５１０の各端面側において、素体５１０の一方の主面１０と絶縁層１２２の一方の主面１０側の端部の位置との間における素体５１０の厚さ方向Ｔに沿った距離の寸法Ｌ2は、Ｌ2＜Ｌ5の関係を満たしている。
【０１７８】
本実施形態においては、Ｌ2＞０である。すなわち、絶縁層１２２は、素体５１０の各端面側に設けられた焼結体層１２１のうちの一方の主面１０側の一部のみを覆っていない。なお、素体５１０の厚さの寸法をＬTとすると、Ｌ2＞ＬT／１０であることが好ましい。そのため、電子部品５００において、Ｌ2＜Ｌ5の関係、および、Ｌ2＞ＬT／１０の関係を両方満たすことが好ましい。本実施形態においては、電子部品５００は、ＬT／１０＜Ｌ2＜Ｌ5の関係を満たしている。
【０１７９】
また、絶縁層１２２は、素体５１０の各側面側において、素体５１０の端面に直交する方向である長手方向Ｌに延在している。本実施形態においては、絶縁層１２２は、素体５１０の各側面側において、素体５１０の長手方向Ｌの全体に亘って延在している。すなわち、絶縁層１２２の一部は、素体５１０の各側面側において焼結体層１２１上に直接設けられている。絶縁層１２２の他の一部は、素体５１０の各側面上に直接設けられている。
【０１８０】
素体５１０の各端面側に設けられた絶縁層１２２と、素体５１０の各側面側に設けられた絶縁層１２２とは、互いに繋がって環状の形状を有している。素体５１０の各側面側において、素体５１０の一方の主面１０と絶縁層１２２の一方の主面１０側の端部の位置との間における素体５１０の厚さ方向Ｔに沿った距離の寸法はＬ2である。
【０１８１】
さらに、絶縁層１２２は、素体５１０の他方の主面１１側の全体を覆っている。すなわち、絶縁層１２２の一部は、素体５１０の他方の主面１１側において焼結体層１２１上に直接設けられている。絶縁層１２２の他の一部は、素体５１０の他方の主面１１上に直接設けられている。素体５１０の他方の主面１１側を覆っている絶縁層１２２は、素体５１０の各端面側に設けられた絶縁層１２２および素体５１０の各側面側に設けられた絶縁層１２２の各々と互いに繋がっている。
【０１８２】
このように、絶縁層１２２の一部は、素体５１０の他方の主面１１上および素体５１０の各側面上に直接設けられている。絶縁層１２２は、焼結体層１２１より素体５１０との密着性が高い。そのため、絶縁層１２２の一部を素体５１０上に直接設けることにより、めっき処理時または実装時に絶縁層１２２が剥離することを抑制できる。
【０１８３】
本実施形態においては、Ｓｎ含有層１２３は、素体５１０の各端面側から一方の主面１０側に亘って設けられている。上記のように、絶縁層１２２が、素体５１０の各端面側に設けられた焼結体層１２１のうちの一方の主面１０側の一部のみを覆っていない。そのため、Ｓｎ含有層１２３は、素体５１０の各端面側において、絶縁層１２２に覆われていない一方の主面１０側に位置する焼結体層１２１の一部を覆っている。
【０１８４】
また、Ｓｎ含有層１２３は、素体５１０の一方の主面１０側において、絶縁層１２２に覆われていない焼結体層１２１を覆っている。さらに、Ｓｎ含有層１２３は、素体５１０の各側面側において、絶縁層１２２に覆われていない一方の主面１０側に位置する焼結体層１２１の一部を覆っている。
【０１８５】
上記のように、焼結体層１２１は、素体５１０の一方の端面上から各主面上および各側面上に亘って設けられている。また、焼結体層１２１は、素体５１０の他方の端面上から各主面上および各側面上に亘って設けられている。
【０１８６】
よって、素体５１０の一方の端面側から一方の主面１０側および各側面側に亘ってＳｎ含有層１２３が設けられている。また、素体５１０の他方の端面側から一方の主面１０側および各側面側に亘ってＳｎ含有層１２３が設けられている。
【０１８７】
素体５１０の一方の端面側から素体５１０の一方の主面１０側および各側面側に亘って設けられているＳｎ含有層１２３と、素体５１０の他方の端面側から素体５１０の一方の主面１０側および各側面側に亘って設けられているＳｎ含有層１２３とは、互いに離間して電気的に接続されていない。
【０１８８】
本実施形態に係る電子部品５００においても、素体５１０の少なくとも各端面側に絶縁層１２２を設けることにより、半田フィレット３０の濡れ上がりを低減して半田フィレット３０の熱収縮による引張応力によって素体５１０にクラックが生じることを抑制することができる。
【０１８９】
上記のように、素体５１０の端面側の絶縁層１２２における一方の主面１０側の縁の位置と、一方の主面１０側の外部電極１２０の先端の位置とを最短で結ぶ仮想面Ｐ1上に、内部電極１３０が位置していない。仮に、半田フィレットの熱収縮による引張応力によってクラックが生じた場合、クラックは仮想面Ｐ1に沿って進展しやすい。そのため、仮想面Ｐ1上に内部電極１３０が位置していないことにより、クラックによって内部電極１３０が切断されることを抑制できる。その結果、クラックの発生によって電子部品５００の電気的特性が低下することを抑制できる。
【０１９０】
さらに、上記のように、素体５１０の一方の主面１０と内部電極１３０の一方の主面１０側の縁との間の距離の寸法をＬ5、素体５１０の各端面側において素体５１０の一方の主面１０と絶縁層１２２の一方の主面１０側の端部の位置との間における素体５１０の厚さ方向Ｔに沿った距離の寸法をＬ2、素体５１０の厚さの寸法をＬTとすると、ＬT／１０＜Ｌ2＜Ｌ5の関係を満たしている。
【０１９１】
ＬT／１０＜Ｌ2の関係を満たすことにより、適度な半田フィレットを形成して実装時の電子部品５００の姿勢安定性を確保することができる。また、実装された電子部品５００が衝撃などによって基板から脱落することを抑制できる。
【０１９２】
なお、素体５１０の各側面側において、絶縁層１２２が最も外側に位置するように焼結体層１２１を覆っていることが好ましい。このようにすることにより、複数の電子部品５００を互いに近接して実装した際に、仮に、電子部品５００の姿勢安定性が不十分で、互いに隣接する電子部品５００の側面同士がくっついてそれぞれの絶縁層１２２が互いに接触した状態で実装された場合に、くっついた電子部品５００同士が電気的に短絡することを防止できる。
【０１９３】
Ｌ2＜Ｌ5の関係を満たすことにより、素体５１０中において内部電極１３０が積層されている領域である機能領域に半田フィレットが重なって形成されないため、半田フィレットの熱収縮による引張応力を機能領域に作用しにくくすることができる。その結果、半田フィレットの熱収縮に起因して機能領域にクラックが発生することを抑制できる。
【０１９４】
なお、実施形態２に係る電子部品１００ａ、実施形態３に係る電子部品１００ｂ、および、実施形態４に係る電子部品４００の各々において、内部電極１３０の積層方向を本実施形態の電子部品５００と同様にしてもよい。
【０１９５】
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【０１９６】
１０  一方の主面、１１  他方の主面、２０  基板、３０  半田フィレット、１００，１００ａ，１００ｂ，４００，５００  電子部品、１１０，５１０  素体、１２０，１２０ａ，１２０ｂ，４２０  外部電極、１２１  焼結体層、１２２，４２２  絶縁層、１２３，４２３  Ｓｎ含有層、１２４  補強層、１２５  下地層、１３０，１３１，１３２  内部電極、１４０  誘電体層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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