(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（１０）で表される構造単位及び式（１１）で表される構造単位からなる群から選ばれる１種以上の構造単位を有する高分子化合物を含む層を電荷注入層及び／又は電荷輸送層として備える電子デバイス。
【化１】
0006046361.tif 000090
（式（１０）中、
Ｒ１０は式（２）で表される基を表し、
Ｒ１１は式（４）で表される基を表す。
式（１０）中、Ｒ１０、Ｒ１１以外の置換基は水素原子である。）
−Ｒ３−｛（Ｑ１）ｎ１−Ｙ１（Ｍ１）ａ１（Ｚ１）ｂ１｝ｍ２  （２）
（式（２）中、
Ｒ３は単結合、又は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、及び架橋基からなる群より選ばれる１種以上を有していてもよい（１＋ｍ２）価の有機基を表し、
Ｑ１は２価の有機基を表し、
Ｙ１は、−ＣＯ２−を表し、
Ｍ１は１価の金属カチオンを表し、
Ｚ１はＦ−、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、ＯＨ−、Ｂ（Ｒａ）４−、ＲａＳＯ３−、ＲａＣＯＯ−、ＣｌＯ−、ＣｌＯ２−、ＣｌＯ３−、ＣｌＯ４−、ＳＣＮ−、ＣＮ−、ＮＯ３−、ＳＯ４２−、ＨＳＯ４−、ＰＯ４３−、ＨＰＯ４２−、Ｈ２ＰＯ４−、ＢＦ４−又はＰＦ６−を表し、
ｎ１は０以上の整数を表し、ａ１は１であり、ｂ１は０である。
Ｒａは、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、及び架橋基からなる群より選ばれる１種以上を有していてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基、又は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、及び架橋基からなる群より選ばれる１種以上を有していてもよい炭素原子数６〜５０のアリール基を表し、
ｍ２は１以上の整数を表す。但し、Ｒ３が単結合である場合、ｍ２は１を表す。
Ｑ１、Ｙ１、Ｍ１、Ｚ１、ｎ１の各々は複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。）
−Ｒ５−｛（Ｑ３）ｎ３−Ｙ３｝ｍ４  （４）
（式（４）中、
Ｒ５は単結合、又は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、及び架橋基からなる群より選ばれる１種以上を有していてもよい（１＋ｍ４）価の有機基を表し、
Ｑ３は２価の有機基を表し、
Ｙ３は式（５）で表される基を表し、
ｎ３は０以上の整数を表し、ｍ４は１以上の整数を表す。但し、Ｒ５が単結合である場合、ｍ４は１を表す。
Ｑ３、Ｙ３及びｎ３の各々は複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。）
−Ｏ−（Ｒ’Ｏ）ａ３−Ｒ’’  （５）
（式（５）中、
Ｒ’は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、及び架橋基からなる群より選ばれる１種以上を有していてもよい２価の炭化水素基を表し、
Ｒ’’は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、及び架橋基からなる群より選ばれる１種以上を有していてもよい１価の炭化水素基、水素原子、カルボキシル基、スルホ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、−ＮＲｃ２、シアノ基又は−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲｃ２を表し、
ａ３は１以上の整数を表し、
Ｒｃは、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、及び架橋基からなる群より選ばれる１種以上を有していてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基、又は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、及び架橋基からなる群より選ばれる１種以上を有していてもよい炭素原子数６〜５０のアリール基を表す。
Ｒ’及びＲ’’の各々は複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。）
【化２】
0006046361.tif 000091
（式（１１）中、
Ｒ１２は式（８）で表される基を表し、
Ｒ１３は前記式（４）で表される基を表し、
Ｒｚは水素原子又はアルキル基を表し、
ｍ１０は０を表す。
式（１１）中、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒｚ以外の置換基は水素原子である。）
【化３】
0006046361.tif 000092
（式（８）中、
Ｒ８は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、及び架橋基からなる群より選ばれる１種以上を有していてもよい（１＋ｍ６＋ｍ７）価の有機基を表し、
Ｑ１、Ｑ３、Ｙ１、Ｙ３、Ｍ１、Ｚ１、ｎ１、ｎ３、ａ１及びｂ１は前述と同じ意味を表し、
ｍ６及びｍ７はそれぞれ独立に１以上の整数を表す。
Ｑ１、Ｑ３、Ｙ１、Ｙ３、Ｍ１、Ｚ１、ｎ１及びｎ３の各々は複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。）
【請求項２】
前記高分子化合物を含む層が電子注入層及び／又は電子輸送層である、請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項３】
電界発光素子である、請求項１又は２に記載の電子デバイス。
【請求項４】
式（１０）で表される構造単位及び式（１１）で表される構造単位からなる群から選ばれる１種以上の構造単位を含む高分子化合物。
【化４】
0006046361.tif 000093
（式（１０）中、
Ｒ１０は式（２）で表される基を表し、
Ｒ１１は式（４）で表される基を表す。
式（１０）中、Ｒ１０、Ｒ１１以外の置換基は、水素原子である。）
−Ｒ３−｛（Ｑ１）ｎ１−Ｙ１（Ｍ１）ａ１（Ｚ１）ｂ１｝ｍ２  （２）
（式（２）中、
Ｒ３は単結合、又は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、及び架橋基からなる群より選ばれる１種以上を有していてもよい（１＋ｍ２）価の有機基を表し、
Ｑ１は２価の有機基を表し、
Ｙ１は、−ＣＯ２−を表し、
Ｍ１は１価の金属カチオンを表し、
Ｚ１はＦ−、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、ＯＨ−、Ｂ（Ｒａ）４−、ＲａＳＯ３−、ＲａＣＯＯ−、ＣｌＯ−、ＣｌＯ２−、ＣｌＯ３−、ＣｌＯ４−、ＳＣＮ−、ＣＮ−、ＮＯ３−、ＳＯ４２−、ＨＳＯ４−、ＰＯ４３−、ＨＰＯ４２−、Ｈ２ＰＯ４−、ＢＦ４−又はＰＦ６−を表し、
ｎ１は０以上の整数を表し、ａ１は１であり、ｂ１は０である。
Ｒａは、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、及び架橋基からなる群より選ばれる１種以上を有していてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基、又は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、及び架橋基からなる群より選ばれる１種以上を有していてもよい炭素原子数６〜５０のアリール基を表し、
ｍ２は１以上の整数を表す。但し、Ｒ３が単結合である場合、ｍ２は１を表す。
Ｑ１、Ｙ１、Ｍ１、Ｚ１、ｎ１の各々は複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。）
−Ｒ５−｛（Ｑ３）ｎ３−Ｙ３｝ｍ４  （４）
（式（４）中、
Ｒ５は単結合、又は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、及び架橋基からなる群より選ばれる１種以上を有していてもよい（１＋ｍ４）価の有機基を表し、
Ｑ３は２価の有機基を表し、
Ｙ３は式（５）で表される基を表し、
ｎ３は０以上の整数を表し、ｍ４は１以上の整数を表す。但し、Ｒ５が単結合である場合、ｍ４は１を表す。
Ｑ３、Ｙ３及びｎ３の各々は複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。）
−Ｏ−（Ｒ’Ｏ）ａ３−Ｒ’’  （５）
（式（５）中、
Ｒ’は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、及び架橋基からなる群より選ばれる１種以上を有していてもよい２価の炭化水素基を表し、
Ｒ’’は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、及び架橋基からなる群より選ばれる１種以上を有していてもよい１価の炭化水素基、水素原子、カルボキシル基、スルホ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、−ＮＲｃ２、シアノ基又は−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲｃ２を表し、
ａ３は１以上の整数を表し、
Ｒｃは、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、及び架橋基からなる群より選ばれる１種以上を有していてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基、又は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、及び架橋基からなる群より選ばれる１種以上を有していてもよい炭素原子数６〜５０のアリール基を表す。
Ｒ’及びＲ’’の各々は複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。）
【化５】
0006046361.tif 000094
（式（１１）中、
Ｒ１２は式（８）で表される基を表し、
Ｒ１３は前記式（４）で表される基を表し、
Ｒｚは水素原子又はアルキル基を表し、
ｍ１０は０を表す。
式（１１）中、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒｚ以外の置換基は水素原子である。）
【化６】
0006046361.tif 000095
（式（８）中、
Ｒ８は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、及び架橋基からなる群より選ばれる１種以上を有していてもよい（１＋ｍ６＋ｍ７）価の有機基を表し、
Ｑ１、Ｑ３、Ｙ１、Ｙ３、Ｍ１、Ｚ１、ｎ１、ｎ３、ａ１及びｂ１は前述と同じ意味を表し、
ｍ６及びｍ７はそれぞれ独立に１以上の整数を表す。
Ｑ１、Ｑ３、Ｙ１、Ｙ３、Ｍ１、Ｚ１、ｎ１及びｎ３の各々は複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。）
【請求項５】
（ｉ）式（１７Ｂ−１）で表される有機化合物を重合させて、式（１７Ｂ’−１）で表される構造単位を有する高分子化合物を得ること、ならびに
（ｉｉ）式（１７Ｂ’−１）で表される構造単位を有する高分子化合物をイオン化して、式（１０）で表される構造単位を有する高分子化合物を得ることを含む、式（１０）で表される構造単位を有する高分子化合物の製造方法。
【化７】
0006046361.tif 000096
（式（１７Ｂ−１）中、
Ｒ１４’’は式（１８）で表される基を表す。
Ｒ１５は式（４）で表される基を表し、
Ｘ１及びＸ２は、それぞれ独立に、縮合重合に関与する基を表す。
式（１７Ｂ−１）中、Ｒ１４’’、Ｒ１５、Ｘ１、Ｘ２以外の置換基は、水素原子である。）
【化８】
0006046361.tif 000097
（式（１８）中、
Ｒ１６は単結合、又は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、及び架橋基からなる群より選ばれる１種以上を有していてもよい（１＋ｍ１２）価の有機基を表し、
Ｑ４は２価の有機基を表し、
Ｙ４は、−ＣＯ２Ｒχを表し、
ｎ４は０以上の整数を表し、
Ｒχは水素原子、又は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、及び架橋基からなる群より選ばれる１種以上を有していてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基、又は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、及び架橋基からなる群より選ばれる１種以上を有していてもよい炭素原子数６〜５０のアリール基を表し、
ｍ１２は１以上の整数を表す。但し、Ｒ１６が単結合である場合、ｍ１２は１を表す。
Ｑ４、Ｙ４、ｎ４、Ｒχの各々は複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。）
−Ｒ５−｛（Ｑ３）ｎ３−Ｙ３｝ｍ４  （４）
（式（４）中、
Ｒ５は単結合、又は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、及び架橋基からなる群より選ばれる１種以上を有していてもよい（１＋ｍ４）価の有機基を表し、
Ｑ３は２価の有機基を表し、
Ｙ３は式（５）で表される基を表し、
ｎ３は０以上の整数を表し、ｍ４は１以上の整数を表す。但し、Ｒ５が単結合である場合、ｍ４は１を表す。
Ｑ３、Ｙ３及びｎ３の各々は複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。）
−Ｏ−（Ｒ’Ｏ）ａ３−Ｒ’’  （５）
（式（５）中、
Ｒ’は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、及び架橋基からなる群より選ばれる１種以上を有していてもよい２価の炭化水素基を表し、
Ｒ’’は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、及び架橋基からなる群より選ばれる１種以上を有していてもよい１価の炭化水素基、水素原子、カルボキシル基、スルホ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、−ＮＲｃ２、シアノ基又は−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲｃ２を表し、
ａ３は１以上の整数を表し、
Ｒｃは、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、及び架橋基からなる群より選ばれる１種以上を有していてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基、又は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、及び架橋基からなる群より選ばれる１種以上を有していてもよい炭素原子数６〜５０のアリール基を表す。
Ｒ’及びＲ’’の各々は複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。）
【化９】
0006046361.tif 000098
（式（１７Ｂ’−１）中、
Ｒ１４’’は前記式（１８）で表される基を表す。
Ｒ１５は、前述と同じ意味を表す。
式（１７Ｂ’−１）中、Ｒ１４’’、Ｒ１５以外の置換基は水素原子である。）
【化１０】
0006046361.tif 000099
（式（１０）中、
Ｒ１０は式（２）で表される基を表し、
Ｒ１１は前記式（４）で表される基を表す。
式（１０）中、Ｒ１０、Ｒ１１以外の置換基は水素原子である。）
−Ｒ３−｛（Ｑ１）ｎ１−Ｙ１（Ｍ１）ａ１（Ｚ１）ｂ１｝ｍ２  （２）
（式（２）中、
Ｒ３は単結合、又は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、及び架橋基からなる群より選ばれる１種以上を有していてもよい（１＋ｍ２）価の有機基を表し、
Ｑ１は２価の有機基を表し、
Ｙ１は、−ＣＯ２−を表し、
Ｍ１は１価の金属カチオンを表し、
Ｚ１はＦ−、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、ＯＨ−、Ｂ（Ｒａ）４−、ＲａＳＯ３−、ＲａＣＯＯ−、ＣｌＯ−、ＣｌＯ２−、ＣｌＯ３−、ＣｌＯ４−、ＳＣＮ−、ＣＮ−、ＮＯ３−、ＳＯ４２−、ＨＳＯ４−、ＰＯ４３−、ＨＰＯ４２−、Ｈ２ＰＯ４−、ＢＦ４−又はＰＦ６−を表し、
ｎ１は０以上の整数を表し、ａ１は１であり、ｂ１は０である。
Ｒａは、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、及び架橋基からなる群より選ばれる１種以上を有していてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基、又は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、及び架橋基からなる群より選ばれる１種以上を有していてもよい炭素原子数６〜５０のアリール基を表し、
ｍ２は１以上の整数を表す。但し、Ｒ３が単結合である場合、ｍ２は１を表す。
Ｑ１、Ｙ１、Ｍ１、Ｚ１、ｎ１の各々は複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。）
【請求項６】
（ｉ’）式（２０Ｂ−１）で表される有機化合物を重合させて、式（２０Ｂ’−１）で表される構造単位を有する高分子化合物を得ること、ならびに
（ｉｉ’）式（２０Ｂ’−１）で表される構造単位を有する高分子化合物をイオン化して、式（１１）で表される構造単位を有する高分子化合物を得ることを含む、式（１１）で表される構造単位を有する高分子化合物の製造方法。
【化１１】
0006046361.tif 000100
（式（２０Ｂ−１）中、
Ｒ１８’’は式（２１）で表される基を表す。
Ｒ１９は式（４）で表される基を表し、
Ｒｚは水素原子又はアルキル基を表し、
ｍ１４は０を表し、
Ｘ３及びＸ４は、それぞれ独立に、縮合重合に関与する基を示す。
式（２０Ｂ−１）中、Ｒ１８’’、Ｒ１９、Ｒｚ、Ｘ３、Ｘ４以外の置換基は水素原子である。）
【化１２】
0006046361.tif 000101
（式（２１）中、
Ｒ２０は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、及び架橋基からなる群より選ばれる１種以上を有していてもよい（１＋ｍ１５＋ｍ１６）価の有機基を表し、
Ｑ４は２価の有機基を表し、
Ｙ４は、−ＣＯ２Ｒχを表し、
ｎ４は０以上の整数を表し、
Ｑ３は２価の有機基を表し、
Ｙ３は式（５）で表される基を表し、
ｎ３は０以上の整数を表し、
Ｒχは水素原子、又は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、及び架橋基からなる群より選ばれる１種以上を有していてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基、又は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、及び架橋基からなる群より選ばれる１種以上を有していてもよい炭素原子数６〜５０のアリール基を表し、
ｍ１５及びｍ１６はそれぞれ独立に１以上の整数を表し、Ｑ４、ｎ４、Ｙ４、Ｑ３、ｎ３、Ｙ３の各々は複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。）
−Ｏ−（Ｒ’Ｏ）ａ３−Ｒ’’  （５）
（式（５）中、
Ｒ’は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、及び架橋基からなる群より選ばれる１種以上を有していてもよい２価の炭化水素基を表し、
Ｒ’’は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、及び架橋基からなる群より選ばれる１種以上を有していてもよい１価の炭化水素基、水素原子、カルボキシル基、スルホ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、−ＮＲｃ２、シアノ基又は−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲｃ２を表し、
ａ３は１以上の整数を表し、
Ｒｃは、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、及び架橋基からなる群より選ばれる１種以上を有していてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基、又は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、及び架橋基からなる群より選ばれる１種以上を有していてもよい炭素原子数６〜５０のアリール基を表す。
Ｒ’及びＲ’’の各々は複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。）
−Ｒ５−｛（Ｑ３）ｎ３−Ｙ３｝ｍ４  （４）
（式（４）中、
Ｒ５は単結合、又は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、及び架橋基からなる群より選ばれる１種以上を有していてもよい（１＋ｍ４）価の有機基を表し、
Ｑ３、Ｙ３及びｎ３は前述と同じ意味を表し、
ｍ４は１以上の整数を表す。但し、Ｒ５が単結合である場合、ｍ４は１を表す。
Ｑ３、Ｙ３及びｎ３の各々は複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。）
【化１３】
0006046361.tif 000102
（式（２０Ｂ’−１）中、
Ｒ１８’’は前記式（２１）で表される基を表す。
Ｒ１９、ｍ１４及びＲｚは、前述と同じ意味を表す。
式（２０Ｂ’−１）中、Ｒ１８’’、Ｒ１９、Ｒｚ以外の置換基は水素原子である。）
【化１４】
0006046361.tif 000103
（式（１１）中、
Ｒ１２は式（８）で表される基を表し、
Ｒ１３は前記式（４）で表される基を表し、
Ｒｚは水素原子又はアルキル基を表し、
ｍ１０は０を表す。
式（１１）中、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒｚ以外の置換基は水素原子である。）
【化１５】
0006046361.tif 000104
（式（８）中、
Ｒ８は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、及び架橋基からなる群より選ばれる１種以上を有していてもよい（１＋ｍ６＋ｍ７）価の有機基を表し、
Ｑ３、Ｙ３及びｎ３は前述と同じ意味を表し、
Ｑ１は２価の有機基を表し、
Ｙ１は、−ＣＯ２−を表し、
Ｍ１は金属カチオンを表し、
Ｚ１はＦ−、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、ＯＨ−、Ｂ（Ｒａ）４−、ＲａＳＯ３−、ＲａＣＯＯ−、ＣｌＯ−、ＣｌＯ２−、ＣｌＯ３−、ＣｌＯ４−、ＳＣＮ−、ＣＮ−、ＮＯ３−、ＳＯ４２−、ＨＳＯ４−、ＰＯ４３−、ＨＰＯ４２−、Ｈ２ＰＯ４−、ＢＦ４−又はＰＦ６−を表し、
ｎ１は０以上の整数を表し、ａ１は１であり、ｂ１は０である。
Ｒａは、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、及び架橋基からなる群より選ばれる１種以上を有していてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基、又は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、及び架橋基からなる群より選ばれる１種以上を有していてもよい炭素原子数６〜５０のアリール基を表し、
ｍ６及びｍ７はそれぞれ独立に１以上の整数を表す。
Ｑ１、Ｑ３、Ｙ１、Ｙ３、Ｍ１、Ｚ１、ｎ１及びｎ３の各々は複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子デバイス、及び、該電子デバイスに用いられる高分子化合物に関する。
【背景技術】
【０００２】
電界発光素子の特性を向上させるため、発光層と電極との間に様々な層を挿入する検討がなされている。例えば、発光層と電極との間に、カチオンとヘテロ原子２個とを有する置換基を含む非共役高分子化合物からなる層を有する電界発光素子が知られている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特表２００３−５３０６７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上記電界発光素子の輝度は未だ十分なものではなかった。
本発明の目的は、高輝度で発光する電界発光素子となる電子デバイスを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者らは、以下の電子デバイス等によって上記目的を達成できることを見出し、本発明に到達した。
【０００６】
即ち、本発明は、式（１）で表される構造単位及び式（７）で表される構造単位からなる群から選ばれる１種以上の構造単位を有する高分子化合物を含む層を電荷注入層及び／又は電荷輸送層として備える電子デバイス等を提供する。式（１）で表される構造単位及び式（７）で表される構造単位は、それぞれ、二価の構造単位である。
【化１】
0006046361.tif 000002
（式（１）中、Ｒ１は式（２）又は式（３）で表される基を表し、Ｒ２は式（４）で表される基を表し、ｍ１は０以上の整数を表す。Ｒ２が複数個ある場合は同一でも異なっていてもよい。式（１）中の水素原子はＲ１、Ｒ２以外の置換基と置き換えられてもよい。）
−Ｒ３−｛（Ｑ１）ｎ１−Ｙ１（Ｍ１）ａ１（Ｚ１）ｂ１｝ｍ２    （２）
（式（２）中、Ｒ３は単結合、又は、置換基を有していてもよい（１＋ｍ２）価の有機基を表し、Ｑ１は２価の有機基を表し、Ｙ１は、−ＣＯ２−、−ＳＯ３−、−ＳＯ２−、−ＰＯ３２−又は−Ｂ（Ｒα）３−を表し、Ｍ１は金属カチオンを表すか、置換基を有していてもよいアンモニウムカチオンを表し、Ｚ１はＦ−、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、ＯＨ−、Ｂ（Ｒａ）４−、ＲａＳＯ３−、ＲａＣＯＯ−、ＣｌＯ−、ＣｌＯ２−、ＣｌＯ３−、ＣｌＯ４−、ＳＣＮ−、ＣＮ−、ＮＯ３−、ＳＯ４２−、ＨＳＯ４−、ＰＯ４３−、ＨＰＯ４２−、Ｈ２ＰＯ４−、ＢＦ４−又はＰＦ６−を表し、ｎ１は０以上の整数を表し、ａ１は１以上の整数を表し、ｂ１は０以上の整数を表す。但し、ａ１及びｂ１は、式（２）で表される基の電荷が０となるように選択される。Ｒαは置換基を有していてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素原子数６〜５０のアリール基を表し、Ｒａは置換基を有していてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素原子数６〜５０のアリール基を表し、ｍ２は１以上の整数を表す。但し、Ｒ３が単結合である場合、ｍ２は１を表す。Ｑ１、Ｙ１、Ｍ１、Ｚ１、ｎ１、ａ１、ｂ１の各々は複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。）
−Ｒ４−｛（Ｑ２）ｎ２−Ｙ２（Ｍ２）ａ２（Ｚ２）ｂ２｝ｍ３    （３）
（式（３）中、Ｒ４は単結合又は置換基を有していてもよい（１＋ｍ３）価の有機基を表し、Ｑ２は２価の有機基を表し、Ｙ２はカルボカチオン、アンモニウムカチオン、ホスホニウムカチオン、スルホニウムカチオン又はヨードニウムカチオンを表し、Ｍ２はＦ−、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、ＯＨ−、Ｂ（Ｒｂ）４−、ＲｂＳＯ３−、ＲｂＣＯＯ−、ＣｌＯ−、ＣｌＯ２−、ＣｌＯ３−、ＣｌＯ４−、ＳＣＮ−、ＣＮ−、ＮＯ３−、ＳＯ４２−、ＨＳＯ４−、ＰＯ４３−、ＨＰＯ４２−、Ｈ２ＰＯ４−、ＢＦ４−又はＰＦ６−を表し、Ｚ２は金属カチオンを表すか、置換基を有していてもよいアンモニウムカチオンを表し、ｎ２は０以上の整数を表し、ａ２は１以上の整数を表し、ｂ２は０以上の整数を表す。但し、ａ２及びｂ２は、式（３）で表される基の電荷が０となるように選択される。Ｒｂは置換基を有していてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素原子数６〜５０のアリール基を表し、ｍ３は１以上の整数を表す。但し、Ｒ４が単結合である場合、ｍ３は１を表す。Ｑ２、Ｙ２、Ｍ２、Ｚ２、ｎ２、ａ２、ｂ２の各々は複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。）
−Ｒ５−｛（Ｑ３）ｎ３−Ｙ３｝ｍ４    （４）
（式（４）中、Ｒ５は単結合又は置換基を有していてもよい（１＋ｍ４）価の有機基を表し、Ｑ３は２価の有機基を表し、Ｙ３は式（５）又は式（６）で表される基を表し、ｎ３は０以上の整数を表し、ｍ４は１以上の整数を表す。但し、Ｒ５が単結合である場合、ｍ４は１を表す。Ｑ３、Ｙ３及びｎ３の各々は複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。）
−Ｏ−（Ｒ’Ｏ）ａ３−Ｒ’’  （５）
【化２】
0006046361.tif 000003
（式（５）及び（６）中、Ｒ’は置換基を有していてもよい２価の炭化水素基を表し、Ｒ’’は水素原子、置換基を有していてもよい１価の炭化水素基、カルボキシル基、スルホ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、−ＮＲｃ２、シアノ基又は−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲｃ２を表し、Ｒ’’’は置換基を有していてもよい３価の炭化水素基を表し、ａ３は１以上の整数を表し、Ｒｃは置換基を有していてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素原子数６〜５０のアリール基を表す。Ｒ’、Ｒ’’及びＲ’’’の各々は複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。） 
【化３】
0006046361.tif 000004
（式（７）中、Ｒ６は式（８）又は式（９）で表される基を表し、Ｒ７は前記式（４）で表される基を表し、ｍ５は０以上の整数を表す。Ｒ７が複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。式（７）中の水素原子はＲ６、Ｒ７以外の置換基と置き換えられてもよい。） 
【化４】
0006046361.tif 000005
（式（８）中、Ｒ８は置換基を有していてもよい（１＋ｍ６＋ｍ７）価の有機基を表し、Ｑ１、Ｑ３、Ｙ１、Ｙ３、Ｍ１、Ｚ１、ｎ１、ｎ３、ａ１及びｂ１は前述と同じ意味を表し、ｍ６及びｍ７はそれぞれ独立に１以上の整数を表す。Ｑ１、Ｑ３、Ｙ１、Ｙ３、Ｍ１、Ｚ１、ｎ１、ｎ３、ａ１及びｂ１の各々は複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。） 
【化５】
0006046361.tif 000006
（式（９）中、Ｒ９は置換基を有していてもよい（１＋ｍ８＋ｍ９）価の有機基を表し、Ｑ２、Ｑ３、Ｙ２、Ｙ３、Ｍ２、Ｚ２、ｎ２、ｎ３、ａ２及びｂ２は前述と同じ意味を表し、ｍ８及びｍ９はそれぞれ独立に１以上の整数を表す。Ｑ２、Ｑ３、Ｙ２、Ｙ３、Ｍ２、Ｚ２、ｎ２、ｎ３、ａ２及びｂ２の各々は複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。）
【発明の効果】
【０００７】
本発明の電子デバイスは、高輝度で発光する電界発光素子となる。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本発明を詳細に説明する。
【０００９】
＜高分子化合物＞
本発明の高分子化合物は、前記式（１）で表される構造単位及び前記式（７）で表される構造単位からなる群から選ばれる１種以上の構造単位を有する高分子化合物である。前記高分子化合物は、前記式（１）で表される構造単位及び／又は前記前記式（７）で表される構造単位を、全構造単位中、１５〜１００モル％有することが好ましい。
【００１０】
・式（１）で表される構造単位
式（１）中、Ｒ１は式（２）又は式（３）で表される基を表し、Ｒ２は式（４）で表される基を表し、ｍ１は０以上の整数を表す。ｍ１は、好ましくは０〜３であり、より好ましくは０〜２である。
【００１１】
前記式（１）で表される構造単位は前記式（２）で表される基を２種類以上含んでいてもよく、前記式（３）で表される基を２種類以上含んでいてもよく、前記式（４）で表される基を２種類以上含んでいてもよい。
【００１２】
前記式（１）中の水素原子はＲ１、Ｒ２以外の置換基と置き換えられていてもよい。当該置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、ヒドロキシ基、置換カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基及び架橋基等が挙げられ、前記置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。
【００１３】
以下、置換基について説明する。なお、「Ｃｍ〜Ｃｎ」（ｍ、ｎはｍ＜ｎを満たす正の整数である）という用語は、この用語とともに記載された有機基の炭素原子数がｍ〜ｎであることを表す。例えば、Ｃｍ〜Ｃｎアルキル基であれば、アルキル基の炭素原子数がｍ〜ｎであることを表し、Ｃｍ〜Ｃｎアルキルアリール基であれば、アルキル基の炭素原子数がｍ〜ｎであることを表し、アリール−Ｃｍ〜Ｃｎアルキル基であれば、アルキル基の炭素原子数がｍ〜ｎであることを表す。なお、下記の用語は、前記置換基以外の基についても用いられることがある。また、置換基を有していてもよい所定の基とは、置換基を有する所定の基、または置換基を有しない所定の基を意味する。
【００１４】
アルキル基は、直鎖状でも分岐状でもよく、シクロアルキル基でもよい。アルキル基の炭素原子数は通常１〜２０（シクロアルキル基の場合、通常３〜２０）であり、１〜１０（シクロアルキル基の場合、３〜１０）が好ましい。アルキル基は、置換基を有していてもよいが、該置換基の炭素数は上記の炭素数には含まれない。
アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基等が挙げられる。前記アルキル基中の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。該当するフッ素原子置換アルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基等が挙げられる。なお、Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基が挙げられる。
【００１５】
アルコキシ基（アルキルオキシ基ともいう）は、直鎖状でも分岐状でもよく、シクロアルキルオキシ基でもよい。アルコキシ基の炭素原子数は通常１〜２０（シクロアルコキシ基の場合、通常３〜２０）であり、１〜１０（シクロアルコキシ基の場合、３〜１０）が好ましい。アルコキシ基は、置換基を有していてもよいが、該置換基の炭素数は上記の炭素数には含まれない。
アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、ラウリルオキシ基等が挙げられる。前記アルコキシ基中の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。該当するフッ素原子置換アルコキシ基としては、例えば、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘキシルオキシ基、パーフルオロオクチルオキシ基等が挙げられる。また、該アルコキシ基には、メトキシメチルオキシ基、２−メトキシエチルオキシ基も含まれる。なお、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基が挙げられる。
【００１６】
アルキルチオ基は、直鎖状でも分岐状でもよく、シクロアルキルチオ基でもよい。アルキルチオ基の炭素原子数は通常１〜２０（シクロアルキルチオ基の場合、通常３〜２０）であり、１〜１０（シクロアルキルチオ基の場合、３〜１０）が好ましい。アルキルチオ基は、置換基を有していてもよいが、該置換基の炭素数は上記の炭素数には含まれない。
アルキルチオ基としては、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ブチルチオ基、イソブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、ラウリルチオ基等が挙げられる。前記アルキルチオ基中の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。該当するフッ素原子置換アルキルチオ基としては、例えば、トリフルオロメチルチオ基等が挙げられる。
【００１７】
アリール基は、芳香族炭化水素から環（好ましくは、芳香環）を構成する炭素原子に結合した水素原子１個を除いた残りの原子団であり、ベンゼン環を持つ基、縮合環を持つ基、独立したベンゼン環又は縮合環２個以上が単結合又は２価の有機基、例えば、ビニレン基等のアルケニレン基を介して結合した基も含まれる。アリール基は、炭素原子数が通常６〜６０であり、６〜４８であることが好ましい。アリール基は、置換基を有していてもよいが、該置換基の炭素数は上記の炭素数には含まれない。
アリール基としては、例えば、フェニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基等が挙げられる。前記アリール基中の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。該当するフッ素原子置換アリール基としては、例えば、ペンタフルオロフェニル基等が挙げられる。アリール基の中では、フェニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル基が好ましい。
【００１８】
前記アリール基のうち、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル基としては、例えば、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、プロピルオキシフェニル基、イソプロピルオキシフェニル基、ブトキシフェニル基、イソブトキシフェニル基、ｓｅｃ−ブトキシフェニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル基、ペンチルオキシフェニル基、ヘキシルオキシフェニル基、シクロヘキシルオキシフェニル基、ヘプチルオキシフェニル基、オクチルオキシフェニル基、２−エチルヘキシルオキシフェニル基、ノニルオキシフェニル基、デシルオキシフェニル基、３，７−ジメチルオクチルオキシフェニル基、ラウリルオキシフェニル基等が挙げられる。
【００１９】
前記アリール基のうち、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル基としては、例えば、メチルフェニル基、エチルフェニル基、ジメチルフェニル基、プロピルフェニル基、メシチル基、メチルエチルフェニル基、イソプロピルフェニル基、ブチルフェニル基、イソブチルフェニル基、ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、ペンチルフェニル基、イソアミルフェニル基、ヘキシルフェニル基、ヘプチルフェニル基、オクチルフェニル基、ノニルフェニル基、デシルフェニル基、ドデシルフェニル基等が挙げられる。
【００２０】
アリールオキシ基は、炭素原子数が通常６〜６０であり、６〜４８であることが好ましい。アリールオキシ基は、置換基を有していてもよいが、該置換基の炭素数は上記の炭素数には含まれない。
アリールオキシ基としては、例えば、フェノキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェノキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、ペンタフルオロフェニルオキシ基等が挙げられる。アリールオキシ基の中では、フェノキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェノキシ基及びＣ１〜Ｃ１２アルキルフェノキシ基が好ましい。
【００２１】
前記アリールオキシ基のうち、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェノキシ基としては、例えば、メトキシフェノキシ基、エトキシフェノキシ基、プロピルオキシフェノキシ基、イソプロピルオキシフェノキシ基、ブトキシフェノキシ基、イソブトキシフェノキシ基、ｓｅｃ−ブトキシフェノキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシフェノキシ基、ペンチルオキシフェノキシ基、ヘキシルオキシフェノキシ基、シクロヘキシルオキシフェノキシ基、ヘプチルオキシフェノキシ基、オクチルオキシフェノキシ基、２−エチルヘキシルオキシフェノキシ基、ノニルオキシフェノキシ基、デシルオキシフェノキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシフェノキシ基、ラウリルオキシフェノキシ基等が挙げられる。
【００２２】
アリールチオ基は、前述のアリール基が硫黄元素に結合した基である。アリールチオ基は、炭素原子数が通常６〜６０であり、６〜３０であることが好ましい。アリールチオ基は、前記アリール基の芳香環上に置換基を有していてもよいが、該置換基の炭素数は上記の炭素数には含まれない。
アリールチオ基としては、例えば、フェニルチオ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニルチオ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニルチオ基、１−ナフチルチオ基、２−ナフチルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基等が挙げられる。
【００２３】
アリールアルキル基は、前述のアリール基が前述のアルキル基に結合した基である。アリールアルキル基は、炭素原子数が通常７〜６０であり、７〜３０であることが好ましい。アリールアルキル基は、置換基を有していてもよいが、該置換基の炭素数は上記の炭素数には含まれない。
アリールアルキル基としては、例えば、フェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、１−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、２−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基等が挙げられる。
【００２４】
アリールアルコキシ基（アリールアルキルオキシ基ともいう。）は、前述のアリール基が前述のアルコキシ基に結合した基である。アリールアルコキシ基は、炭素原子数が通常７〜６０であり、７〜３０であることが好ましい。アリールアルコキシ基は、置換基を有していてもよいが、該置換基の炭素数は上記の炭素数には含まれない。
アリールアルコキシ基としては、例えば、フェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、１−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、２−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基等が挙げられる。
【００２５】
アリールアルキルチオ基は、前述のアリール基が前述のアルキルチオ基に結合した基である。アリールアルキルチオ基は、炭素原子数が通常７〜６０であり、７〜３０であることが好ましい。アリールアルキルチオ基は、置換基を有していてもよいが、該置換基の炭素数は上記の炭素数には含まれない。
アリールアルキルチオ基としては、例えば、フェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチオ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチオ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチオ基、１−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチオ基、２−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチオ基等が挙げられる。
【００２６】
アリールアルケニル基は、前述のアリール基がアルケニル基に結合した基である。アリールアルケニル基は、炭素原子数が通常８〜６０であり、８〜３０であることが好ましい。アリールアルケニル基は、置換基を有していてもよいが、該置換基の炭素数は上記の炭素数には含まれない。
アリールアルケニル基としては、例えば、フェニル−Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル基、１−ナフチル−Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル基、２−ナフチル−Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル基等が挙げられ、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル基、Ｃ２〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル基が好ましい。なお、Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル基としては、例えば、ビニル基、１−プロペニル基、２−プロペニル基、１−ブテニル基、２−ブテニル基、１−ペンテニル基、２−ペンテニル基、１−ヘキセニル基、２−ヘキセニル基、１−オクテニル基が挙げられる。
【００２７】
アリールアルキニル基は、前述のアリール基がアルキニル基に結合した基である。アリールアルキニル基は、炭素原子数が通常８〜６０であり、８〜３０であることが好ましい。アリールアルキニル基は、置換基を有していてもよいが、該置換基の炭素数は上記の炭素数には含まれない。
アリールアルキニル基としては、例えば、フェニル−Ｃ２〜Ｃ１２アルキニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ２〜Ｃ１２アルキニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ２〜Ｃ１２アルキニル基、１−ナフチル−Ｃ２〜Ｃ１２アルキニル基、２−ナフチル−Ｃ２〜Ｃ１２アルキニル基等が挙げられ、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ２〜Ｃ１２アルキニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ２〜Ｃ１２アルキニル基が好ましい。なお、Ｃ２〜Ｃ１２アルキニル基としては、例えば、エチニル基、１−プロピニル基、２−プロピニル基、１−ブチニル基、２−ブチニル基、１−ペンチニル基、２−ペンチニル基、１−ヘキシニル基、２−ヘキシニル基、１−オクチニル基が挙げられる。
【００２８】
置換アミノ基は、アミノ基の中の少なくとも１個の水素原子が、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基及び１価の複素環基からなる群から選択される１又は２個の基によって置換されたアミノ基を意味する。該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基は、置換基を有していてもよいが、該置換基の炭素数は置換アミノ基の炭素数には含まれない。置換アミノ基の炭素原子数は、該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基が有していてもよい置換基の炭素原子数を含めないで通常１〜６０であり、２〜４８が好ましい。
置換アミノ基としては、例えば、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、イソブチルアミノ基、ｓｅｃ−ブチルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基、ラウリルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、ジシクロペンチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ジトリフルオロメチルアミノ基、フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、（Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル）アミノ基、ジ（Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル）アミノ基、ジ（Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル）アミノ基、１−ナフチルアミノ基、２−ナフチルアミノ基、ペンタフルオロフェニルアミノ基、ピリジルアミノ基、ピリダジニルアミノ基、ピリミジルアミノ基、ピラジニルアミノ基、トリアジニルアミノ基、（フェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル）アミノ基、（Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル）アミノ基、（Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル）アミノ基、ジ（Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル）アミノ基、ジ（Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル）アミノ基、１−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルアミノ基、２−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルアミノ基等が挙げられる。
【００２９】
置換シリル基は、シリル基の中の少なくとも１個の水素原子が、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基及び１価の複素環基からなる群から選択される１〜３個の基によって置換されたシリル基を意味する。該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基は置換基を有していてもよいが、該置換基の炭素数は置換シリル基の炭素数には含まれない。置換シリル基の炭素原子数は、該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基が有していてもよい置換基の炭素原子数を含めないで通常１〜６０であり、３〜４８が好ましい。
置換シリル基としては、例えば、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリイソプロピルシリル基、イソプロピルジメチルシリル基、イソプロピルジエチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、ヘプチルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、２−エチルヘキシルジメチルシリル基、ノニルジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、３，７−ジメチルオクチルジメチルシリル基、ラウリルジメチルシリル基、（フェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル）シリル基、（Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル）シリル基、（Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル）シリル基、（１−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル）シリル基、（２−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル）シリル基、（フェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル）ジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリ（ｐ−キシリル）シリル基、トリベンジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基等が挙げられる。
【００３０】
ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。
【００３１】
アシル基（アルキルカルボニル基ともいう）は、炭素原子数が通常２〜２０であり、２〜１８であることが好ましい。アシル基は、置換基を有していてもよいが、該置換基の炭素数は上記の炭素数には含まれない。
アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、トリフルオロアセチル基、ペンタフルオロベンゾイル基等が挙げられる。
【００３２】
アシルオキシ基（アルキルカルボニルオキシ基ともいう）は、炭素原子数が通常２〜２０であり、２〜１８であることが好ましい。アシルオキシ基は、置換基を有していてもよいが、該置換基の炭素数は上記の炭素数には含まれない。
アシルオキシ基としては、例えば、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、トリフルオロアセチルオキシ基、ペンタフルオロベンゾイルオキシ基等が挙げられる。
【００３３】
イミン残基は、式：Ｈ−Ｎ＝Ｃ＜及び式：−Ｎ＝ＣＨ−の少なくとも一方で表される構造を有するイミン化合物から、この構造中の水素原子１個を除いた基を意味する。このようなイミン化合物としては、例えば、アルジミン、ケチミン及びアルジミン中の窒素原子に結合した水素原子がアルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基等で置換された化合物が挙げられる。イミン残基の炭素原子数は、通常２〜２０であり、２〜１８が好ましい。イミン残基は、置換基を有していてもよいが、該置換基の炭素数は上記の炭素数には含まれない。
イミン残基としては、例えば、一般式：−ＣＲβ＝Ｎ−Ｒγ又は一般式：−Ｎ＝Ｃ（Ｒγ）２（式中、Ｒβは水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルケニル基、又はアリールアルキニル基を表し、Ｒγは独立に、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルケニル基、又はアリールアルキニル基を表し、但し、Ｒγが２個存在する場合、２個のＲγは相互に結合し一体となって２価の基、例えば、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基等の炭素原子数２〜１８のアルキレン基として環を形成してもよい。）で表される基が挙げられる。イミン残基としては、例えば、以下の基が挙げられる。
【００３４】
【化６】
0006046361.tif 000007
【００３５】
アミド基は、炭素原子数が通常１〜２０であり、２〜１８であることが好ましい。アミド基は、置換基を有していてもよいが、該置換基の炭素数は上記の炭素数には含まれない。
アミド基としては、例えば、ホルムアミド基、アセトアミド基、プロピオアミド基、ブチロアミド基、ベンズアミド基、トリフルオロアセトアミド基、ペンタフルオロベンズアミド基、ジホルムアミド基、ジアセトアミド基、ジプロピオアミド基、ジブチロアミド基、ジベンズアミド基、ジトリフルオロアセトアミド基、ジペンタフルオロベンズアミド基等が挙げられる。
【００３６】
酸イミド基は、酸イミドからその窒素原子に結合した水素原子を除いて得られる基を意味する。酸イミド基は、炭素原子数が通常４〜２０であり、４〜１８であることが好ましい。酸イミド基は、置換基を有していてもよいが、該置換基の炭素数は上記の炭素数には含まれない。
酸イミド基としては、例えば、以下の基が挙げられる。
【００３７】
【化７】
0006046361.tif 000008
【００３８】
１価の複素環基とは、複素環式化合物から環を構成する炭素原子に結合する水素原子１個を除いた残りの原子団を意味する。ここで、複素環式化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素として、炭素原子だけでなく、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、リン原子、ホウ素原子、ケイ素原子、セレン原子、テルル原子、ヒ素原子等のヘテロ原子を含む有機化合物をいう。１価の複素環基は、炭素原子数が通常３〜６０であり、３〜２０が好ましい。なお、１価の複素環基の炭素原子数には、置換基の炭素原子数は含まないものとする。１価の複素環基は、置換基を有していてもよいが、該置換基の炭素数は上記の炭素数には含まれない。
このような１価の複素環基としては、例えば、チエニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジル基、ピラジニル基、トリアジニル基、ピロリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基が挙げられ、中でも、チエニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチエニル基、ピリジル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルピリジル基及びトリアジニル基が好ましい。なお、１価の複素環基としては、１価の芳香族複素環基が好ましい。
【００３９】
置換カルボキシル基とは、カルボキシル基中の水素原子が、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基で置換されたカルボキシル基、すなわち、式：−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ＊（式中、Ｒ＊はアルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基）で表される基を意味する。置換カルボキシル基は、炭素原子数が通常２〜６０であり、２〜４８であることが好ましい。前記アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基は、置換基を有していてもよいが、該置換基の炭素数は上記の炭素数には含まれない。
置換カルボキシル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロピルオキシカルボニル基、イソプロピルオキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、イソブトキシカルボニル基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシロキシカルボニル基、シクロヘキシロキシカルボニル基、ヘプチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、２−エチルヘキシロキシカルボニル基、ノニルオキシカルボニル基、デシロキシカルボニル基、３，７−ジメチルオクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基、トリフルオロメトキシカルボニル基、ペンタフルオロエトキシカルボニル基、パーフルオロブトキシカルボニル基、パーフルオロヘキシルオキシカルボニル基、パーフルオロオクチルオキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基、ピリジルオキシカルボニル基等が挙げられる。
【００４０】
架橋基とは、熱、光、熱重合開始剤または光重合開始剤の作用で重合反応を起こすことにより、２分子以上の分子間で結合を形成することができる基を意味する。
該架橋基としては、例えば、エテニル基、エチニル基、ブテニル基、アクリロイル基、アクリラート基、アクリルアミジル基、メタクリル基、メタクリラート基、メタクリルアミジル基、エテニルオキシ基、エテニルアミノ基、ヒドロキシシリル基、及び小員環（例えばシクロプロパン、シクロブタン、ベンゾシクロブテン、エポキシド、オキタセン、ジケテン、チイラン、ラクトン、ラクタム等）の構造を含有する官能基、シロキサン誘導体の構造を含有する官能基等が挙げられる。また、上記の基の他に、エステル結合またはアミド結合を形成可能な基の組み合わせなども利用できる。エステル結合またはアミド結合を形成可能な基の組み合わせとしては、例えば、エステル基とアミノ基、エステル基とヒドロキシル基などの組み合わせが挙げられる。
【００４１】
−式（２）で表される基−
式（２）中、Ｒ３は単結合、又は、置換基を有していてもよい（１＋ｍ２）価の有機基を表す。式（２）で表される基は、一価の基である。
【００４２】
式（２）中、Ｒ３で表される置換基を有していてもよい（１＋ｍ２）価の有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜２０のアルキル基からｍ２個の水素原子を除いた基；フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリール基からｍ２個の水素原子を除いた基；メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、ドデシルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロへキシルオキシ基、シクロノニルオキシ基、シクロドデシルオキシ基、ノルボニルオキシ基、アダマンチルオキシ基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のアルコキシ基からｍ２個の水素原子を除いた基；炭素原子を含む置換基を有するアミノ基からｍ２個の水素原子を除いた基；炭素原子を含む置換基を有するシリル基からｍ２個の水素原子を除いた基が挙げられる。該置換基の炭素数は上記の炭素数には含まれない。原料モノマーの合成の容易さの観点からは、アルキル基からｍ２個の水素原子を除いた基、アリール基からｍ２個の水素原子を除いた基、アルコキシ基からｍ２個の水素原子を除いた基が好ましい。
【００４３】
前記置換基としては、例えば、前述の式（１）に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。前記置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。
【００４４】
式（２）中、ｍ２は１以上の整数（例えば、１、２、３）を表し、但し、Ｒ３が単結合である場合、ｍ２は１を表す。
【００４５】
式（２）中、Ｑ１で表される２価の有機基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、１，２−プロピレン基、１，３−プロピレン基、１，２−ブチレン基、１，３−ブチレン基、１，４−ブチレン基、１，５−ペンチレン基、１，６−ヘキシレン基、１，９−ノニレン基、１，１２−ドデシレン基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０の２価の鎖状飽和炭化水素基；エテニレン基、プロペニレン基、３−ブテニレン基、２−ブテニレン基、２−ペンテニレン基、２−ヘキセニレン基、２−ノネニレン基、２−ドデセニレン基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数２〜５０のアルケニレン基、及び、エチニレン基を含む、置換基を有していてもよい炭素原子数２〜５０の２価の鎖状不飽和炭化水素基；シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロへキシレン基、シクロノニレン基、シクロドデシレン基、ノルボルニレン基、アダマンチレン基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数３〜５０の２価の環状飽和炭化水素基；１，３−フェニレン基、１，４−フェニレン基、１，４−ナフチレン基、１，５−ナフチレン基、２，６−ナフチレン基、ビフェニル−４，４’−ジイル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数６〜５０のアリーレン基；メチレンオキシ基、エチレンオキシ基、プロピレンオキシ基、ブチレンオキシ基、ペンチレンオキシ基、ヘキシレンオキシ基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のアルキレンオキシ基（即ち、式：−Ｒｄ−Ｏ−（式中、Ｒｄはメチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のアルキレン基）で表される２価の有機基）；炭素原子を含む置換基を有するイミノ基；炭素原子を含む置換基を有するシリレン基が挙げられる。該置換基の炭素数は上記の炭素数には含まれない。高分子化合物の原料となるモノマー（本明細書において、「原料モノマー」と言う。）の合成の容易さの観点からは、２価の鎖状飽和炭化水素基、アリーレン基、アルキレンオキシ基が好ましい。
【００４６】
前記Ｑ１で表される２価の有機基の例として挙げた基は置換基を有していてもよく、当該置換基としては、例えば、前述の式（１）に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。
【００４７】
式（２）中、Ｙ１は、−ＣＯ２−、−ＳＯ３−、−ＳＯ２−、−ＰＯ３２−又は−Ｂ（Ｒα）３−を表す。Ｙ１としては、高分子化合物の酸性度の観点からは−ＣＯ２−、−ＳＯ２−、−ＰＯ３２−が好ましく、−ＣＯ２−がより好ましく、高分子化合物の安定性の観点からは、−ＣＯ２−、−ＳＯ３−、−ＳＯ２−又は−ＰＯ３２−が好ましい。Ｒαは、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素原子数６〜５０のアリール基を表す。該置換基の炭素数は上記の炭素数には含まれない。該置換基としては、例えば、前述の式（１）に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。Ｒαとしては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基等の炭素原子数１〜２０のアルキル基、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基等の炭素原子数６〜３０のアリール基等が挙げられる。
【００４８】
式（２）中、Ｍ１は金属カチオンを表すか、置換基を有していてもよいアンモニウムカチオンを表す。金属カチオンとしては、１価、２価又は３価のイオンが好ましく、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ、Ａｇ、Ａｌ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｇａ、Ｍｎ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、Ｙ、Ｙｂ、Ｚｎ、Ｚｒ等の金属のイオンが挙げられ、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｒｂ＋、Ｃｓ＋、Ａｇ＋、Ｍｇ２＋、Ｃａ２＋が好ましい。また、アンモニウムカチオンが有していてもよい置換基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等の炭素原子数１〜１０のアルキル基、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基等の炭素原子数６〜６０のアリール基が挙げられる。
【００４９】
式（２）中、Ｚ１はＦ−、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、ＯＨ−、Ｂ（Ｒａ）４−、ＲａＳＯ３−、ＲａＣＯＯ−、ＣｌＯ−、ＣｌＯ２−、ＣｌＯ３−、ＣｌＯ４−、ＳＣＮ−、ＣＮ−、ＮＯ３−、ＳＯ４２−、ＨＳＯ４−、ＰＯ４３−、ＨＰＯ４２−、Ｈ２ＰＯ４−、ＢＦ４−又はＰＦ６−を表す。Ｒａは、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素原子数６〜５０のアリール基を表す。該置換基の炭素数は上記の炭素数には含まれない。該置換基としては、例えば、前述の式（１）に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。Ｒａとしては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基等の炭素原子数１〜２０のアルキル基、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基等の炭素原子数６〜３０のアリール基が好ましい。
【００５０】
式（２）中、ｎ１は０以上の整数を表し、原料モノマーの合成の観点から、好ましくは０から８の整数であり、より好ましくは０から２の整数である。
【００５１】
式（２）中、ａ１は１以上の整数（例えば、１〜１０の整数）を表し、ｂ１は０以上の整数（例えば、０〜１０の整数）を表す。
【００５２】
ａ１及びｂ１は、式（２）で表される基の電荷が０となるように選択される。例えば、Ｙ１が−ＣＯ２−、−ＳＯ３−、−ＳＯ２−、−ＰＯ３２−又は−Ｂ（Ｒα）３−であり、Ｍ１が１価の金属カチオンを表すか、置換基を有していてもよいアンモニウムカチオンであり、Ｚ１がＦ−、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、ＯＨ−、Ｂ（Ｒａ）４−、ＲａＳＯ３−、ＲａＣＯＯ−、ＣｌＯ−、ＣｌＯ２−、ＣｌＯ３−、ＣｌＯ４−、ＳＣＮ−、ＣＮ−、ＮＯ３−、ＨＳＯ４−、Ｈ２ＰＯ４−、ＢＦ４−又はＰＦ６−である場合は、ａ１＝ｂ１＋１を満たすように選択される。Ｙ１が−ＣＯ２−、−ＳＯ３−、−ＳＯ２−、−ＰＯ３２−又は−Ｂ（Ｒα）３−であり、Ｍ１が２価の金属カチオンであり、Ｚ１がＦ−、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、ＯＨ−、Ｂ（Ｒａ）４−、ＲａＳＯ３−、ＲａＣＯＯ−、ＣｌＯ−、ＣｌＯ２−、ＣｌＯ３−、ＣｌＯ４−、ＳＣＮ−、ＣＮ−、ＮＯ３−、ＨＳＯ４−、Ｈ２ＰＯ４−、ＢＦ４−又はＰＦ６−である場合は、ｂ１＝２×ａ１−１を満たすように選択される。Ｙ１が−ＣＯ２−、−ＳＯ３−、−ＳＯ２−、又は−ＰＯ３２−であり、Ｍ１が３価の金属カチオンであり、Ｚ１がＦ−、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、ＯＨ−、Ｂ（Ｒａ）４−、ＲａＳＯ３−、ＲａＣＯＯ−、ＣｌＯ−、ＣｌＯ２−、ＣｌＯ３−、ＣｌＯ４−、ＳＣＮ−、ＣＮ−、ＮＯ３−、ＨＳＯ４−、Ｈ２ＰＯ４−、ＢＦ４−又はＰＦ６−である場合は、ｂ１＝３×ａ１−１を満たすように選択される。Ｙ１が−ＣＯ２−、−ＳＯ３−、−ＳＯ２−、−ＰＯ３２−又は−Ｂ（Ｒα）３−であり、Ｍ１が１価の金属カチオンであるか、置換基を有していてもよいアンモニウムカチオンであり、Ｚ１がＳＯ４２−又はＨＰＯ４２−である場合には、ａ１＝２×ｂ１＋１を満たすように選択される。ａ１とｂ１との関係を表す上記のいずれの数式においても、ａ１は好ましくは１から５の整数であり、より好ましくは１又は２である。
【００５３】
前記式（２）で表される基としては、例えば、以下の式で表される基が挙げられる（式中、Ｍは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、又は、Ｎ（ＣＨ３）４を表す。）。
【００５４】
【化８】
0006046361.tif 000009
【００５５】
−式（３）で表される基−
式（３）中、Ｒ４は単結合、又は、置換基を有していてもよい（１＋ｍ３）価の有機基を表す。式（３）で表される基は、一価の基である。
【００５６】
式（３）中、Ｒ４で表される置換基を有していてもよい（１＋ｍ３）価の有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜２０のアルキル基からｍ３個の水素原子を除いた基；フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリール基からｍ３個の水素原子を除いた基；メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、ドデシルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロへキシルオキシ基、シクロノニルオキシ基、シクロドデシルオキシ基、ノルボニルオキシ基、アダマンチルオキシ基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のアルコキシ基からｍ３個の水素原子を除いた基；炭素原子を含む置換基を有するアミノ基からｍ３個の水素原子を除いた基；炭素原子を含む置換基を有するシリル基からｍ３個の水素原子を除いた基が挙げられる。該置換基の炭素数は上記の炭素数には含まれない。原料モノマーの合成の容易さの観点からは、アルキル基からｍ３個の水素原子を除いた基、アリール基からｍ３個の水素原子を除いた基、アルコキシ基からｍ３個の水素原子を除いた基が好ましい。
【００５７】
前記置換基としては、例えば、前述の式（１）に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。前記置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。
【００５８】
式（３）中、ｍ３は１以上の整数（例えば、１、２、３）を表し、但し、Ｒ４が単結合である場合、ｍ３は１を表す。
【００５９】
式（３）中、Ｑ２で表される２価の有機基としては、例えば、前述のＱ１で表される２価の有機基について例示したものと同様の基が挙げられ、原料モノマーの合成の容易さの観点からは、２価の鎖状飽和炭化水素基、アリーレン基、アルキレンオキシ基が好ましい。
【００６０】
前記Ｑ２で表される２価の有機基の例として挙げた基は置換基を有していてもよく、当該置換基としては、例えば、前述の式（１）に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。
【００６１】
式（３）中、Ｙ２はカルボカチオン、アンモニウムカチオン、ホスホニウムカチオン、スルホニウムカチオン又はヨードニウムカチオンを表す。
カルボカチオンとしては、例えば、
−Ｃ＋Ｒ２
（式中、Ｒは、前述のアルキル基又はアリール基を表す。複数あるＲは、同一でも異なっていてもよい。）
で表される基が挙げられる。
アンモニウムカチオンとしては、例えば、
−Ｎ＋Ｒ３
（式中、Ｒは、前述と同じ意味を表す。複数あるＲは、同一でも異なっていてもよい。）で表される基が挙げられる。
ホスホニウムカチオンとしては、例えば、
−Ｐ＋Ｒ３
（式中、Ｒは、前述と同じ意味を表す。複数あるＲは、同一でも異なっていてもよい。）で表される基が挙げられる。
スルホニウムカチオンとしては、例えば、
−Ｓ＋Ｒ２
（式中、Ｒは、前述と同じ意味を表す。複数あるＲは、同一でも異なっていてもよい。）で表される基が挙げられる。
ヨードニウムカチオンとしては、例えば、
−Ｉ＋Ｒ２
（式中、Ｒは、前述と同じ意味を表す。複数あるＲは、同一でも異なっていてもよい。）で表される基が挙げられる。
式（２）中、Ｙ２は、原料モノマーの合成の容易さ並びに原料モノマー及び高分子化合物の空気、湿気又は熱に対する安定性の観点からは、カルボカチオン、アンモニウムカチオン、ホスホニウムカチオン、スルホニウムカチオンが好ましく、アンモニウムカチオンがより好ましい。
【００６２】
式（３）中、Ｍ２はＦ−、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、ＯＨ−、Ｂ（Ｒｂ）４−、ＲｂＳＯ３−、ＲｂＣＯＯ−、ＣｌＯ−、ＣｌＯ２−、ＣｌＯ３−、ＣｌＯ４−、ＳＣＮ−、ＣＮ−、ＮＯ３−、ＳＯ４２−、ＨＳＯ４−、ＰＯ４３−、ＨＰＯ４２−、Ｈ２ＰＯ４−、ＢＦ４−又はＰＦ６−を表す。Ｒｂは、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素原子数６〜５０のアリール基を表す。該置換基の炭素数は上記の炭素数には含まれない。該置換基としては、例えば、前述の式（１）に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。より具体的には、Ｒｂとしては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基等の炭素原子数１〜２０のアルキル基、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基等の炭素原子数６〜３０のアリール基等が挙げられる。
【００６３】
式（３）中、Ｚ２は金属カチオンを表すか、置換基を有していてもよいアンモニウムカチオンを表す。Ｚ２で表される金属カチオン、置換基を有していてもよいアンモニウムカチオンとしては、例えば、前述のＭ１で表される金属カチオン、置換基を有していてもよいアンモニウムカチオンについて例示したものと同様のものが挙げられる。
【００６４】
式（３）中、ｎ２は０以上の整数を表し、好ましくは０から６の整数であり、より好ましくは０から２の整数である。
【００６５】
式（３）中、ａ２は１以上の整数（例えば、１〜１０の整数）を表し、ｂ２は０以上の整数（例えば、０〜１０の整数）を表す。ａ２は好ましくは１から５の整数であり、より好ましくは１又は２である。
【００６６】
ａ２及びｂ２は、式（２）についてのａ１及びｂ１と同様に、式（３）で表される基の電荷が０となるように選択される。
【００６７】
前記式（３）で表される基としては、例えば、以下の式で表される基が挙げられる。以下の式中、Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｂ（Ｃ６Ｈ５）４、ＣＨ３ＣＯＯ、又は、ＣＦ３ＳＯ３を表す。
【００６８】
【化９】
0006046361.tif 000010
【００６９】
【化１０】
0006046361.tif 000011
【００７０】
【化１１】
0006046361.tif 000012
【００７１】
【化１２】
0006046361.tif 000013
【００７２】
−式（４）で表される基−
式（４）中、Ｒ５は単結合、又は、置換基を有していてもよい（１＋ｍ４）価の有機基を表す。式（４）で表される基は、一価の基である。
【００７３】
式（４）中、Ｒ５で表される置換基を有していてもよい（１＋ｍ４）価の有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜２０のアルキル基からｍ４個の水素原子を除いた基；フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリール基からｍ４個の水素原子を除いた基；メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、ドデシルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロへキシルオキシ基、シクロノニルオキシ基、シクロドデシルオキシ基、ノルボニルオキシ基、アダマンチルオキシ基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のアルコキシ基からｍ４個の水素原子を除いた基；炭素原子を含む置換基を有するアミノ基からｍ４個の水素原子を除いた基；炭素原子を含む置換基を有するシリル基からｍ４個の水素原子を除いた基が挙げられる。該置換基の炭素数は上記の炭素数には含まれない。原料モノマーの合成の容易さの観点からは、アルキル基からｍ４個の水素原子を除いた基、アリール基からｍ４個の水素原子を除いた基、アルコキシ基からｍ４個の水素原子を除いた基が好ましい。
【００７４】
前記置換基としては、例えば、前述の式（１）に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。前記置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。
【００７５】
式（４）中、ｍ４は１以上の整数（例えば、１、２、３）を表す。但し、Ｒ５が単結合である場合、ｍ４は１を表す。
【００７６】
式（４）中、Ｑ３で表される２価の有機基としては、例えば、前述のＱ１で表される２価の有機基について例示したものと同様の基が挙げられ、原料モノマーの合成の容易さの観点からは、２価の鎖状飽和炭化水素基、アリーレン基、アルキレンオキシ基が好ましい。
【００７７】
前記Ｑ３で表される２価の有機基の例として挙げた基は置換基を有していてもよく、当該置換基としては、例えば、前述の式（１）に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。
【００７８】
式（４）中、ｎ３は０以上の整数を表し、好ましくは０から２０の整数であり、より好ましくは０から８の整数である。
【００７９】
式（４）中、Ｙ３はシアノ基、又は、式（５）若しくは式（６）で表される基を表す。式（５）で表される基、および式（６）で表される基は、一価の基である。
【００８０】
式（５）、（６）中、Ｒ’で表される置換基を有していてもよい２価の炭化水素基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、１，２−プロピレン基、１，３−プロピレン基、１，２−ブチレン基、１，３−ブチレン基、１，４−ブチレン基、１，５−ペンチレン基、１，６−ヘキシレン基、１，９−ノニレン基、１，１２−ドデシレン基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０の２価の鎖状飽和炭化水素基；エテニレン基、プロペニレン基、３−ブテニレン基、２−ブテニレン基、２−ペンテニレン基、２−ヘキセニレン基、２−ノネニレン基、２−ドデセニレン基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数２〜５０のアルケニレン基、及び、エチニレン基を含む、置換基を有していてもよい炭素原子数２〜５０の２価の鎖状不飽和炭化水素基；シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロへキシレン基、シクロノニレン基、シクロドデシレン基、ノルボルニレン基、アダマンチレン基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数３〜５０の２価の環状飽和炭化水素基；１，３−フェニレン基、１，４−フェニレン基、１，４−ナフチレン基、１，５−ナフチレン基、２，６−ナフチレン基、ビフェニル−４，４’−ジイル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数６〜５０のアリーレン基が挙げられる。該置換基の炭素数は上記の炭素数には含まれない。
【００８１】
前記置換基としては、例えば、前述の式（１）に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。
【００８２】
式（５）中、Ｒ’’で表される置換基を有していてもよい１価の炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜２０のアルキル基；フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリール基等が挙げられる。該置換基の炭素数は上記の炭素数には含まれない。高分子化合物の溶解性の観点からは、メチル基、エチル基、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基が好ましい。前記置換基としては、例えば、前述の式（１）に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。
【００８３】
式（６）中、Ｒ’’’で表される置換基を有していてもよい３価の炭化水素基としては、メタントリイル基、エタントリイル基、１，２，３−プロパントリイル基、１，２，４−ブタントリイル基、１，２，５−ペンタントリイル基、１，３，５−ペンタントリイル基、１，２，６−ヘキサントリイル基、１，３，６−ヘキサントリイル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜２０のアルカントリイル基；１，２，３−ベンゼントリイル基、１，２，４−ベンゼントリイル基、１，３，５−ベンゼントリイル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアレーントリイル基等が挙げられる。該置換基の炭素数は上記の炭素数には含まれない。高分子化合物の溶解性の観点からは、メタントリイル基、エタントリイル基、１，２，４−ベンゼントリイル基、１，３，５−ベンゼントリイル基が好ましい。前記置換基としては、例えば、前述の式（１）に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。
【００８４】
Ｒ’’の例である−ＮＲｃ２及び−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲｃ２について、Ｒｃは、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素原子数６〜５０のアリール基を表す。該置換基の炭素数は上記の炭素数には含まれない。該置換基としては、例えば、前述の式（１）に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。式（５）中、Ｒｃとしては、高分子化合物の溶解性の観点からは、メチル基、エチル基、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基が好ましい。
【００８５】
式（５）及び式（６）中、ａ３は１以上の整数を表し、３〜１０の整数が好ましい。
【００８６】
Ｙ３としては、原料モノマーの合成の容易さの観点からは、以下の基が特に好ましい。
【００８７】
【化１３】
0006046361.tif 000014
【００８８】
［式（４）で表される基の具体例］
前記式（４）で表される基としては、例えば、以下の式で表される基が挙げられる。
【化１４】
0006046361.tif 000015
【００８９】
式（１）で表される構造単位としては、高分子化合物の安定性の観点から、式（１０）で表される構造単位であることが好ましい。式（１０）で表される構造単位は、二価の構造単位である。
【００９０】
【化１５】
0006046361.tif 000016
【００９１】
式（１０）中、Ｒ１０は前記式（２）又は前記式（３）で表される基であり、本発明の高分子化合物の電子電流に対する安定性の観点から、式（２）で表される基であることが好ましい。Ｒ１１は前記式（４）で表される基であり、式（１０）中の水素原子はＲ１０、Ｒ１１以外の前述の式（１）に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基に置き換えられてもよく、前記置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。
【００９２】
式（１０）で表される構造単位としては、例えば、以下の式で表される置換基を有していてもよい構造単位が挙げられる。以下の式中、Ｍは前述と同じ意味を表し、前記置換基としては、例えば、前述の式（１）に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。前記置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。
【化１６】
0006046361.tif 000017
【００９３】
・式（７）で表される構造単位
式（７）中、Ｒ６は前記式（８）又は前記式（９）で表される基であり、Ｒ７は前記式（４）で表される基であり、ｍ５は０以上の整数を表す。ｍ５は、好ましくは０〜３であり、より好ましくは０〜２である。
【００９４】
前記式（７）で表される構造単位は前記式（８）で表される基を２種類以上含んでいてもよく、前記式（９）で表される基を２種類以上含んでいてもよく、前記式（４）で表される基を２種類以上含んでいてもよい。
【００９５】
前記式（７）中の水素原子はＲ６、Ｒ７以外の置換基と置き換えられていてもよい。当該置換基としては、例えば、前述の式（１）に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられ、前記置換基としては、溶解性の観点からアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基が好ましい。置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。
【００９６】
−式（８）で表される基−
【００９７】
式（８）中、Ｒ８は置換基を有していてもよい（１＋ｍ６＋ｍ７）価の有機基を表す。式（８）で表される基は、一価の基である。
【００９８】
式（８）中、Ｒ８で表される置換基を有していてもよい（１＋ｍ６＋ｍ７）価の有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜２０のアルキル基から（ｍ６＋ｍ７）個の水素原子を除いた基；フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリール基から（ｍ６＋ｍ７）個の水素原子を除いた基；メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、ドデシルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロへキシルオキシ基、シクロノニルオキシ基、シクロドデシルオキシ基、ノルボニルオキシ基、アダマンチルオキシ基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のアルコキシ基から（ｍ６＋ｍ７）個の水素原子を除いた基；炭素原子を含む置換基を有するアミノ基から（ｍ６＋ｍ７）個の水素原子を除いた基；炭素原子を含む置換基を有するシリル基から（ｍ６＋ｍ７）個の水素原子を除いた基が挙げられる。該置換基の炭素数は上記の炭素数には含まれない。原料モノマーの合成の容易さの観点からは、アルキル基から（ｍ６＋ｍ７）個の水素原子を除いた基、アリール基から（ｍ６＋ｍ７）個の水素原子を除いた基、アルコキシ基から（ｍ６＋ｍ７）個の水素原子を除いた基が好ましい。
【００９９】
前記置換基としては、例えば、前述の式（１）に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。前記置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。
【０１００】
式（８）中、ｍ６、ｍ７はそれぞれ独立に１以上の整数（例えば、それぞれ、１、２、３）を表す。
【０１０１】
式（８）中、Ｑ１、Ｑ３、Ｙ１、Ｙ３、Ｍ１、Ｚ１、ｎ１、ｎ３、ａ１及びｂ１は前述と同じ意味を表す。
【０１０２】
［式（８）で表される基の具体例］
前記式（８）で表される基としては、例えば、以下の式で表される基が挙げられる。以下の式中、Ｍは、前述と同じ意味を表す。
【化１７】
0006046361.tif 000018
【０１０３】
−式（９）で表される基−
式（９）中、Ｒ９は置換基を有していてもよい（１＋ｍ８＋ｍ９）価の有機基を表す。式（９）で表される基は、一価の基である。
【０１０４】
式（９）中、Ｒ９で表される置換基を有していてもよい（１＋ｍ８＋ｍ９）価の有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜２０のアルキル基から（ｍ８＋ｍ９）個の水素原子を除いた基；フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリール基から（ｍ８＋ｍ９）個の水素原子を除いた基；メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、ドデシルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロへキシルオキシ基、シクロノニルオキシ基、シクロドデシルオキシ基、ノルボニルオキシ基、アダマンチルオキシ基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のアルコキシ基から（ｍ８＋ｍ９）個の水素原子を除いた基；炭素原子を含む置換基を有するアミノ基から（ｍ８＋ｍ９）個の水素原子を除いた基；炭素原子を含む置換基を有するシリル基から（ｍ８＋ｍ９）個の水素原子を除いた基が挙げられる。該置換基の炭素数は上記の炭素数には含まれない。原料モノマーの合成の容易さの観点からは、アルキル基から（ｍ８＋ｍ９）個の水素原子を除いた基、アリール基から（ｍ８＋ｍ９）個の水素原子を除いた基、アルコキシ基から（ｍ８＋ｍ９）個の水素原子を除いた基が好ましい。
【０１０５】
前記置換基としては、例えば、前述の式（１）に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。前記置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。
【０１０６】
式（９）中、ｍ８、ｍ９はそれぞれ独立に１以上の整数（例えば、それぞれ、１、２、３）を表す。
【０１０７】
式（９）中、Ｑ２、Ｑ３、Ｙ２、Ｙ３、Ｍ２、Ｚ２、ｎ２、ｎ３、ａ２及びｂ２は前述と同じ意味を表す。
【０１０８】
［式（９）で表される基の具体例］
前記式（９）で表される基としては、例えば、以下の式で表される基が挙げられる。以下の式中、Ｘは、前述と同じ意味を表す。
【化１８】
0006046361.tif 000019
【０１０９】
式（７）で表される構造単位としては、高分子化合物の安定性の観点から、式（１１）で表される構造単位が好ましい。式（１１）で表される構造単位は、二価の構造単位である。
【化１９】
0006046361.tif 000020
【０１１０】
式（１１）中、Ｒ１２は前記式（８）又は前記式（９）で表される基を表し、本発明の高分子化合物の電子電流に対する安定性の観点から式（８）で表される基であることが好ましく、Ｒ１３は前記式（４）で表される基を表し、ｍ１０は０以上の整数を表し、式（１１）中の水素原子はＲ１２、Ｒ１３以外の前述の式（１）に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基に置き換えられてもよく、前記置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。ｍ１０は、好ましくは０〜３であり、より好ましくは０〜２である。
【０１１１】
式（１１）で表される構造単位としては、例えば、以下の式で表される置換基を有していてもよい構造単位が挙げられる。以下の式中、Ｍは、前述と同じ意味を表し、前記置換基としては、例えば、前述の式（１）に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。前記置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。
【化２０】
0006046361.tif 000021
【０１１２】
・その他の構造単位
本発明の高分子化合物は、さらに式（１５）で表される１種以上の構造単位を有していてもよい。
【０１１３】
【化２１】
0006046361.tif 000022
（式（１５）中、Ａｒ１は置換基を有していてもよい２価の芳香族基又は置換基を有していてもよい２価の芳香族アミン残基を表し、Ｘ’は置換基を有していてもよいイミノ基、置換基を有していてもよいシリレン基、置換基を有していてもよいエテニレン基又はエチニレン基を表し、ｍ１５及びｍ１６はそれぞれ独立に０又は１を表し、ｍ１５及びｍ１６の少なくとも１つは１である。）
【０１１４】
式（１５）中のＡｒ１で表される２価の芳香族基としては、例えば、２価の芳香族炭化水素基、２価の芳香族複素環基が挙げられる。該２価の芳香族基としては、ベンゼン環、ピリジン環、１，２−ジアジン環、１，３−ジアジン環、１，４−ジアジン環、１，３，５−トリアジン環、フラン環、ピロール環、チオフェン環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサゾール環、オキサジアゾール環、アザジアゾール環等の単環式芳香環から環を構成する炭素原子に結合する水素原子を２個除いた２価の基；該単環式芳香環からなる群から選ばれる二つ以上が縮合した縮合多環式芳香環から環を構成する炭素原子に結合する水素原子を２個除いた２価の基；該単環式芳香環及び該縮合多環式芳香環からなる群より選ばれる２つ以上の芳香環を、単結合、エテニレン基又はエチニレン基で連結してなる芳香環集合から環を構成する炭素原子に結合する水素原子を２個除いた２価の基；該縮合多環式芳香環又は該芳香環集合の隣り合う２つの芳香環をメチレン基、エチレン基、カルボニル基、イミノ基等の２価の基で橋かけした架橋を有する有橋多環式芳香環から環を構成する炭素原子に結合する水素原子を２個除いた２価の基等が挙げられる。
【０１１５】
前記縮合多環式芳香環において、縮合する単環式芳香環の数は、高分子化合物の溶解性の観点からは、２〜４が好ましく、２又は３がより好ましく、２がさらに好ましい。前記芳香環集合において、連結される芳香環の数は、溶解性の観点からは、２〜４が好ましく、２又は３がより好ましく、２がさらに好ましい。前記有橋多環式芳香環において、橋かけされる芳香環の数は、高分子化合物の溶解性の観点からは、２〜４が好ましく、２又は３がより好ましく、２がさらに好ましい。
【０１１６】
前記単環式芳香環としては、例えば、以下の環が挙げられる。
【０１１７】
【化２２】
0006046361.tif 000023
【０１１８】
前記縮合多環式芳香環としては、例えば、以下の環が挙げられる。
【０１１９】
【化２３】
0006046361.tif 000024
【０１２０】
前記芳香環集合としては、例えば、以下の環が挙げられる。
【０１２１】
【化２４】
0006046361.tif 000025
【０１２２】
前記有橋多環式芳香環としては、例えば、以下の環が挙げられる。
【０１２３】
【化２５】
0006046361.tif 000026
【０１２４】
前記高分子化合物の電子受容性及び正孔受容性のいずれか一方又は両方の観点からは、Ａｒ１で表される２価の芳香族基は、式５２〜６７、６８〜８３、８９〜９３、１０４〜１０６、１０８又は１０９で表される環から水素原子を２個除いた２価の基が好ましく、式５２〜５７、６６、６７、８９、９１、９３、１０４、１０５、１０８又は１０９で表される環から水素原子を２個除いた２価の基がより好ましい。
【０１２５】
上記の２価の芳香族基は、置換基を有していてもよい。当該置換基としては、例えば、前述の式（１）に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。
【０１２６】
式（１５）中のＡｒ１で表される２価の芳香族アミン残基としては、例えば、式（１６）で表される基が挙げられる。
【０１２７】
【化２６】
0006046361.tif 000027
（式（１６）中、Ａｒ２、Ａｒ３、Ａｒ４及びＡｒ５は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリーレン基又は置換基を有していてもよい２価の複素環基を表し、Ａｒ６、Ａｒ７及びＡｒ８は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよい１価の複素環基を表し、ｍ１７及びｍ１８は、それぞれ独立に、０又は１を表す。）
【０１２８】
前記アリーレン基、アリール基、２価の複素環基、１価の複素環基が有していてもよい置換基としては、例えば、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールアルキルオキシカルボニル基、ヘテロアリールオキシカルボニル基及びカルボキシル基等が挙げられる。該置換基は、ビニル基、アセチレン基、ブテニル基、アクリル基、アクリレート基、アクリルアミド基、メタクリル基、メタクリレート基、メタクリルアミド基、ビニルエーテル基、ビニルアミノ基、シラノール基、小員環（シクロプロピル基、シクロブチル基、エポキシ基、オキセタン基、ジケテン基、エピスルフィド基等）を有する基、ラクトン基、ラクタム基、又はシロキサン誘導体の構造を含有する基等の架橋基であってもよい。
【０１２９】
ｍ１７が０の場合、Ａｒ２中の炭素原子とＡｒ４中の炭素原子とが直接結合してもよく、−Ｏ−、−Ｓ−等の２価の基を介して結合していてもよい。
【０１３０】
Ａｒ６、Ａｒ７及びＡｒ８で表されるアリール基、１価の複素環基としては、前記で置換基として説明し例示したアリール基、１価の複素環基と同様である。
【０１３１】
Ａｒ２、Ａｒ３、Ａｒ４、Ａｒ５で表されるアリーレン基は、芳香族炭化水素から環（好ましくは、芳香環）を構成する炭素原子に結合した水素原子２個を除いた残りの原子団であり、例えば、ベンゼン環を持つ基、縮合環を持つ基、独立したベンゼン環又は縮合環２個以上が単結合又は２価の有機基、例えば、ビニレン基等のアルケニレン基を介して結合した基などが挙げられる。アリーレン基は、炭素原子数が通常６〜６０であり、７〜４８であることが好ましい。アリーレン基の具体例としては、フェニレン基、ビフェニレン基、Ｃ１〜Ｃ１７アルコキシフェニレン基、Ｃ１〜Ｃ１７アルキルフェニレン基、１−ナフチレン基、２−ナフチレン基、１−アントラセニレン基、２−アントラセニレン基、９−アントラセニレン基が挙げられる。前記アリール基中の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。該当するフッ素原子置換アリール基としては、例えば、テトラフルオロフェニレン基等が挙げられる。アリール基の中では、フェニレン基、ビフェニレン基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニレン基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニレン基が好ましい。
【０１３２】
Ａｒ２、Ａｒ３、Ａｒ４、Ａｒ５で表される２価の複素環基としては、例えば、複素環式化合物から環を構成する炭素原子に結合する水素原子２個を除いた残りの原子団が挙げられる。ここで、複素環式化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素として、炭素原子だけでなく、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、リン原子、ホウ素原子、ケイ素原子、セレン原子、テルル原子、ヒ素原子等のヘテロ原子を含む有機化合物をいう。２価の複素環基は置換基を有していてもよい。２価の複素環基は、炭素原子数が通常４〜６０であり、４〜２０が好ましい。なお、２価の複素環基の炭素原子数には、置換基の炭素原子数は含まないものとする。このような２価の複素環基としては、例えば、チオフェンジイル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチオフェンジイル基、ピロールジイル基、フランジイル基、ピリジンジイル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルピリジンジイル基、ピリダジンジイル基、ピリミジンジイル基、ピラジンジイル基、トリアジンジイル基、ピロリジンジイル基、ピペリジンジイル基、キノリンジイル基、イソキノリンジイル基が挙げられ、中でも、チオフェンジイル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチオフェンジイル基、ピリジンジイル基及びＣ１〜Ｃ１２アルキルピリジンジイル基がより好ましい。
【０１３３】
構造単位として２価の芳香族アミン残基を含む高分子化合物は、さらに他の構造単位を有していてもよい。他の構造単位としては、例えば、フェニレン基、フルオレンジイル基等のアリーレン基等が挙げられる。
【０１３４】
式（１６）で表される２価の芳香族アミン残基としては、下記式１１５〜１２４で表される芳香族アミンから水素原子を２個除いた基が例示され、前記高分子化合物の正孔電流に対する安定性の観点から、式１１５、１１６、１１７、１２０で表される芳香族アミンから水素原子を２個除いた基が好ましい。
【０１３５】
【化２７】
0006046361.tif 000028
【０１３６】
式１１５〜１２４で表される芳香族アミンは２価の芳香族アミン残基を生成しうる範囲で置換基を有していてもよく、該置換基としては、例えば、前述の式（１）に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられ、置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。
【０１３７】
式（１５）中、Ｘ’は置換基を有していてもよいイミノ基、置換基を有していてもよいシリレン基、置換基を有していてもよいエテニレン基又はエチニレン基を表す。イミノ基、シリル基若しくはエテニレン基が有していてもよい置換基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ラウリル基等の炭素原子数１〜２０のアルキル基；フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基等の炭素原子数６〜３０のアリール基等が挙げられ、置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。
【０１３８】
前記高分子化合物の空気、湿気又は熱に対する安定性の観点からは、Ｘ’はイミノ基、エテニレン基、エチニレン基が好ましい。
【０１３９】
前記高分子化合物の電子輸送性の観点からは、ｍ１５が１であり、ｍ１６が０であることが好ましい。
【０１４０】
・構造単位の割合
本発明の高分子化合物に含まれる式（１）で表される構造単位、式（７）で表される構造単位、式（１０）で表される構造単位、式（１１）で表される構造単位の合計の割合は、電界発光素子の発光効率の観点からは、末端の構造単位を除く該高分子化合物に含まれる全構造単位中、３０〜１００モル％であることがより好ましい。
【０１４１】
・末端の構造単位
なお、本発明の高分子化合物の末端の構造単位（末端基）としては、例えば、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ブチルチオ基、イソブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、ラウリルチオ基、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、プロピルオキシフェニル基、イソプロピルオキシフェニル基、ブトキシフェニル基、イソブトキシフェニル基、ｓｅｃ−ブトキシフェニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル基、ペンチルオキシフェニル基、ヘキシルオキシフェニル基、シクロヘキシルオキシフェニル基、ヘプチルオキシフェニル基、オクチルオキシフェニル基、２−エチルヘキシルオキシフェニル基、ノニルオキシフェニル基、デシルオキシフェニル基、３，７−ジメチルオクチルオキシフェニル基、ラウリルオキシフェニル基、メチルフェニル基、エチルフェニル基、ジメチルフェニル基、プロピルフェニル基、メシチル基、メチルエチルフェニル基、イソプロピルフェニル基、ブチルフェニル基、イソブチルフェニル基、ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、ペンチルフェニル基、イソアミルフェニル基、ヘキシルフェニル基、ヘプチルフェニル基、オクチルフェニル基、ノニルフェニル基、デシルフェニル基、ドデシルフェニル基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、イソブチルアミノ基、ｓｅｃ−ブチルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基、ラウリルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、ジシクロペンチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ジトリフルオロメチルアミノ基、フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、（Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル）アミノ基、ジ（Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル）アミノ基、ジ（Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル）アミノ基、１−ナフチルアミノ基、２−ナフチルアミノ基、ペンタフルオロフェニルアミノ基、ピリジルアミノ基、ピリダジニルアミノ基、ピリミジルアミノ基、ピラジニルアミノ基、トリアジニルアミノ基、（フェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル）アミノ基、（Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル）アミノ基、（Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル）アミノ基、ジ（Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル）アミノ基、ジ（Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル）アミノ基、１−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルアミノ基、２−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルアミノ基、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリイソプロピルシリル基、イソプロピルジメチルシリル基、イソプロピルジエチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、ヘプチルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、２−エチルヘキシルジメチルシリル基、ノニルジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、３，７−ジメチルオクチルジメチルシリル基、ラウリルジメチルシリル基、（フェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル）シリル基、（Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル）シリル基、（Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル）シリル基、（１−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル）シリル基、（２−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル）シリル基、（フェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル）ジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリ（ｐ−キシリル）シリル基、トリベンジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基、チエニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジル基、ピラジニル基、トリアジニル基、ピロリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基、ヒドロキシ基、メルカプト基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等が挙げられる。前記末端の構造単位が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。
【０１４２】
−高分子化合物の特性−
高分子化合物とは、ポリスチレン換算の重量平均分子量が１×１０３以上である化合物をいう。
【０１４３】
本発明の高分子化合物の塗布による成膜性の観点から、該高分子化合物のポリスチレン換算の重量平均分子量が１×１０３以上であることが好ましく、２×１０３以上であることがより好ましく、３×１０３以上であることが更に好ましく、５×１０３以上であることが特に好ましく、該重量平均分子量の上限が１×１０８以下であることが好ましく、１×１０７以下であることがより好ましく、該重量平均分子量の範囲が１×１０３〜１×１０８であることが好ましく、２×１０３〜１×１０７であることがより好ましく、３×１０３〜１×１０７であることが更に好ましく、５×１０３〜１×１０７であることが特に好ましい。また、高分子化合物の純度の観点から、ポリスチレン換算の数平均分子量が１×１０３以上であることが好ましく、該数平均分子量の上限が５×１０７以下であることが好ましく、１×１０７以下であることがより好ましく、５×１０６以下であることがさらに好ましく、該数平均分子量の範囲が１×１０３〜５×１０７であることが好ましく、１×１０３〜１×１０７であることがより好ましく、１×１０３〜５×１０６であることがさらに好ましい。また、高分子化合物の溶解性の観点から、ポリスチレン換算の重量平均分子量が１×１０３以上であることが好ましく、該重量平均分子量の上限が５×１０５以下であることが好ましく、５×１０４以下であることがより好ましく、３×１０３以下であることがさらに好ましく、該重量平均分子量の範囲が１×１０３〜５×１０５であることが好ましく、１×１０３〜５×１０４であることがより好ましく、１×１０３〜３×１０３であることがさらに好ましい。本発明の高分子化合物のポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量は、例えば、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）を用いて、求めることができる。
【０１４４】
本発明で用いられる高分子化合物は、好ましくは共役高分子化合物である。本発明で用いられる高分子化合物が共役高分子化合物であるとは、該高分子化合物が主鎖中に、多重結合又は窒素原子、酸素原子等が有する非共有電子対が１つの単結合を挟んで連なっている領域を含むことを意味する。該高分子化合物は、共役高分子化合物である場合、共役高分子化合物の電子輸送性の観点から、｛（多重結合又は窒素原子、酸素原子等が有する非共有電子対が１つの単結合を挟んで連なっている領域に含まれる主鎖上の原子の数）／（主鎖上の全原子の数）｝×１００％で計算される比が５０％以上であることが好ましく、６０％以上であることがより好ましく、７０％以上であることが更に好ましく、８０％以上であることが特に好ましく、９０％以上であることがとりわけ好ましい。
【０１４５】
本発明の高分子化合物の電子受容性、正孔受容性の観点からは、該高分子化合物の最低非占有分子軌道（ＬＵＭＯ）の軌道エネルギーが−５．０ｅＶ以上であることが好ましく、−４．５ｅＶ以上であることがより好ましく、ＬＵＭＯの軌道エネルギーの上限が−２．０ｅＶ以下であることが好ましく、ＬＵＭＯの軌道エネルギーの範囲が−５．０ｅＶ以上−２．０ｅＶ以下であることが好ましく、−４．５ｅＶ以上−２．０ｅＶ以下がより好ましい。また、同様の観点から、該高分子化合物の最高占有分子軌道（ＨＯＭＯ）の軌道エネルギーが−６．０ｅＶ以上であることが好ましく、−５．５ｅＶ以上であることがより好ましく、ＨＯＭＯの軌道エネルギーの上限が−３．０ｅＶ以下であることが好ましく、ＨＯＭＯの軌道エネルギーの範囲が−６．０ｅＶ以上−３．０ｅＶ以下であることが好ましく、−５．５ｅＶ以上−３．０ｅＶ以下がより好ましい。但し、ＨＯＭＯの軌道エネルギーはＬＵＭＯの軌道エネルギーよりも低い。なお、高分子化合物のＨＯＭＯの軌道エネルギーは、高分子化合物のイオン化ポテンシャルを測定し、得られたイオン化ポテンシャルを該軌道エネルギーとすることにより求める。一方、高分子化合物のＬＵＭＯの軌道エネルギーは、ＨＯＭＯとＬＵＭＯとのエネルギー差を求め、その値と前記で測定したイオン化ポテンシャルとの和を該軌道エネルギーとすることにより求める。イオン化ポテンシャルの測定には光電子分光装置を用いる。また、ＨＯＭＯとＬＵＭＯのエネルギー差は紫外・可視・近赤外分光光度計を用いて高分子化合物の吸収スペクトルを測定し、その吸収末端より求める。
【０１４６】
前記高分子化合物としては、本発明の高分子化合物の安定性の観点から、式（１０）で表される構造単位からなる高分子化合物、式（１０）で表される構造単位及び、式５２〜５７、６６、６７、８９、９１、９３、１０４、１０５、１０８、１０９、１１５、１１６、１１７又は１２０で表される化合物から水素原子を２個除いてなる構造単位からなる群から選ばれる１種以上の構造単位からなる高分子化合物、式（１１）で表される構造単位からなる高分子化合物、式（１１）で表される構造単位及び、式５２〜５７、６６、６７、８９、９１、９３、１０４、１０５、１０８、１０９、１１５、１１６、１１７又は１２０で表される化合物から水素原子を２個除いてなる構造単位からなる群から選ばれる１種以上の構造単位からなる高分子化合物が好ましい。
【０１４７】
前記高分子化合物としては、例えば、下記の式で表される構造単位を有する高分子化合物が挙げられる。これらのうち、複数の構造がスラッシュ「／」で区切られている式で表される構造単位を有する高分子化合物では、左側の構造単位の割合がｐモル％、右側の構造単位の割合が（１００−ｐ）モル％であり、これらの構造単位はランダムに配列している。なお、以下の式で表される構造単位以外の構造単位がさらに含まれていてもよく、この場合においても、以下と同様に書き表すことができる。なお、以下の式中、Ｍは、前述と同じ意味を表し、ｎは重合度を表し、式中の任意の水素原子は、合成可能な範囲内で置換基に置き換えられてもよい。前記置換基としては、例えば、前記式（１）に置換していてもよい基と同様の基が挙げられる。
【０１４８】
【化２８】
0006046361.tif 000029
【０１４９】
【化２９】
0006046361.tif 000030
【０１５０】
【化３０】
0006046361.tif 000031
【０１５１】
【化３１】
0006046361.tif 000032
【０１５２】
【化３２】
0006046361.tif 000033
【０１５３】
【化３３】
0006046361.tif 000034
【０１５４】
【化３４】
0006046361.tif 000035
【０１５５】
【化３５】
0006046361.tif 000036
【０１５６】
【化３６】
0006046361.tif 000037
【０１５７】
【化３７】
0006046361.tif 000038
【０１５８】
【化３８】
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【０１５９】
【化３９】
0006046361.tif 000040
【０１６０】
−高分子化合物の製造方法−
次に、本発明の高分子化合物を製造する方法について説明する。本発明の高分子化合物を製造するための好適な方法としては、例えば、下記一般式（１７）で表される化合物及び／又は式（２０）で表される化合物を原料として用い、これを重合させる方法（高分子化合物の製造方法１）、第一工程でイオン性基を含有しない高分子化合物を合成し、第二工程で該高分子化合物からイオン性基を含有する高分子化合物を合成する方法（高分子化合物の製造方法２）を挙げることができる。なお、本発明の高分子化合物の原料となる式（１７）で表される化合物及び／又は式（２０）で表される化合物は、必要に応じて、これを製造して用いることができる。
【化４０】
0006046361.tif 000041
（式（１７）中、Ｒ１４は前記式（２）で表される基、前記式（３）で表される基、前記式（１８）で表される基、又は、前記式（２０）で表される基を表し、Ｒ１５は前記式（４）で表される基を表し、ｍ１１は０以上の整数を表し、Ｘ１及びＸ２は、それぞれ独立に、縮合重合に関与する基を表す。Ｒ１５が複数個ある場合は同一でも異なっていてもよい。式（１７）中の水素原子はＲ１４、Ｒ１５以外の置換基と置き換えられていてもよい。）
【化４１】
0006046361.tif 000042
（式（１８）中、Ｒ１６は単結合、又は、置換基を有していてもよい（１＋ｍ１２）価の有機基を表し、Ｑ４は２価の有機基を表し、Ｙ４は、−ＣＯ２Ｒχ、−ＳＯ３Ｒχ、−ＳＯ２Ｒχ、−ＰＯ３（Ｒχ）２又は−Ｂ（Ｒχ）２を表し、ｎ４は０以上の整数を表し、Ｒχは水素原子、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素原子数６〜５０のアリール基を表し、ｍ１２は１以上の整数を表す。但し、Ｒ１６が単結合である場合、ｍ１２は１を表す。Ｑ４、Ｙ４、ｎ４、Ｒχの各々は複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。）
【化４２】
0006046361.tif 000043
（式（１９）中、Ｒ１７は単結合、又は、置換基を有していてもよい（１＋ｍ１３）価の有機基を表し、Ｑ５は２価の有機基を表し、Ｙ５は、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン原子、−Ｎ（Ｒδ）２、−Ｐ（Ｒδ）２、−ＳＲδを表し、ｎ５は０以上の整数を表し、Ｒδは水素原子、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素原子数６〜５０のアリール基を表し、ｍ１３は１以上の整数を表す。但し、Ｒ１７が単結合である場合、ｍ１３は１を表す。Ｑ５、Ｙ５、ｎ５、Ｒδの各々は複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。）
【化４３】
0006046361.tif 000044
（式（２０）中、Ｒ１８は前記式（８）で表される基、前記式（９）で表される基、式（２１）で表される基又は式（２２）で表される基を表し、Ｒ１９は前記式（４）で表される基を表し、ｍ１４は０以上の整数を表し、Ｘ３及びＸ４は、それぞれ独立に、縮合重合に関与する基を示す。Ｒ１９が複数個ある場合は同一でも異なっていてもよい。式（２０）中の水素原子はＲ１８、Ｒ１９以外の置換基と置き換えられていてもよい。）
【化４４】
0006046361.tif 000045
（式（２１）中、Ｒ２０は置換基を有していてもよい（１＋ｍ１５＋ｍ１６）価の有機基を表し、Ｑ４、ｎ４、Ｙ４、Ｑ３、ｎ３、Ｙ３は前述と同じ意味を表し、ｍ１５及びｍ１６はそれぞれ独立に１以上の整数を表し、Ｑ４、ｎ４、Ｙ４、Ｑ３、ｎ３、Ｙ３の各々は複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。）
【化４５】
0006046361.tif 000046
（式（２２）中、Ｒ２１は置換基を有していてもよい（１＋ｍ１７＋ｍ１８）価の有機基を表し、Ｑ５、ｎ５、Ｙ５、Ｑ３、ｎ３、Ｙ３は前述と同じ意味を表し、ｍ１５及びｍ１６はそれぞれ独立に１以上の整数を表し、Ｑ５、ｎ５、Ｙ５、Ｑ３、ｎ３、Ｙ３の各々は複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。）
【０１６１】
−式（１７）で表される化合物−
式（１７）中、Ｒ１４は前記式（２）で表される基、前記式（３）で表される基、前記式（１８）で表される基、又は、前記式（２０）で表される基を表し、Ｒ１５は前記式（４）で表される基を表す。ｍ１１は０以上の整数を表し、Ｘ１及びＸ２は、それぞれ独立に、縮合重合に関与する基を表す。ｍ１１は、好ましくは０〜３であり、より好ましくは０〜２である。Ｒ１４、Ｒ１５以外の置換基としては、例えば、前述の式（１）に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。前記置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。
【０１６２】
−式（１８）で表される基−
式（１８）中、Ｒ１６は単結合、又は、置換基を有していてもよい（１＋ｍ１２）価の有機基を表す。式（１８）で表される基は、一価の基である。
【０１６３】
式（１８）中、Ｒ３で表される置換基を有していてもよい（１＋ｍ１２）価の有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜２０のアルキル基からｍ１２個の水素原子を除いた基；フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリール基からｍ１２個の水素原子を除いた基；メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、ドデシルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロへキシルオキシ基、シクロノニルオキシ基、シクロドデシルオキシ基、ノルボニルオキシ基、アダマンチルオキシ基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のアルコキシ基からｍ１２個の水素原子を除いた基；炭素原子を含む置換基を有するアミノ基からｍ１２個の水素原子を除いた基；炭素原子を含む置換基を有するシリル基からｍ１２個の水素原子を除いた基が挙げられる。該置換基の炭素数は上記の炭素数には含まれない。原料モノマーの合成の容易さの観点からは、アルキル基からｍ１２個の水素原子を除いた基、アリール基からｍ１２個の水素原子を除いた基、アルコキシ基からｍ１２個の水素原子を除いた基が好ましい。
【０１６４】
前記置換基としては、例えば、前述の式（１）に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。前記置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。
【０１６５】
式（１８）中、ｍ１２は１以上の整数を表す。但し、Ｒ１６が単結合である場合、ｍ１２は１を表す。ｍ１２は、合成の容易さの観点から、好ましくは１〜４であり、より好ましくは１〜３である。
【０１６６】
式（１８）中、Ｑ４で表される２価の有機基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、１，２−プロピレン基、１，３−プロピレン基、１，２−ブチレン基、１，３−ブチレン基、１，４−ブチレン基、１，５−ペンチレン基、１，６−ヘキシレン基、１，９−ノニレン基、１，１２−ドデシレン基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０の２価の鎖状飽和炭化水素基；エテニレン基、プロペニレン基、３−ブテニレン基、２−ブテニレン基、２−ペンテニレン基、２−ヘキセニレン基、２−ノネニレン基、２−ドデセニレン基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数２〜５０のアルケニレン基、及び、エチニレン基を含む、置換基を有していてもよい炭素原子数２〜５０の２価の鎖状不飽和炭化水素基；シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロへキシレン基、シクロノニレン基、シクロドデシレン基、ノルボルニレン基、アダマンチレン基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数３〜５０の２価の環状飽和炭化水素基；１，３−フェニレン基、１，４−フェニレン基、１，４−ナフチレン基、１，５−ナフチレン基、２，６−ナフチレン基、ビフェニル−４，４’−ジイル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数６〜５０のアリーレン基；メチレンオキシ基、エチレンオキシ基、プロピレンオキシ基、ブチレンオキシ基、ペンチレンオキシ基、ヘキシレンオキシ基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のアルキレンオキシ基（即ち、式：−Ｒｄ−Ｏ−（式中、Ｒｄはメチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のアルキレン基）で表される２価の有機基）；炭素原子を含む置換基を有するイミノ基；炭素原子を含む置換基を有するシリレン基が挙げられる。該置換基の炭素数は上記の炭素数には含まれない。合成の容易さの観点からは、２価の鎖状飽和炭化水素基、アリーレン基、アルキレンオキシ基が好ましい。
【０１６７】
前記Ｑ４で表される２価の有機基の例として挙げた基は置換基を有していてもよく、当該置換基としては、例えば、前述の式（１）に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。
【０１６８】
式（１８）中、Ｙ４は、−ＣＯ２Ｒχ、−ＳＯ３Ｒχ、−ＳＯ２Ｒχ、−ＰＯ３（Ｒχ）２又は−Ｂ（Ｒχ）２を表す。Ｒχは水素原子、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素原子数６〜５０のアリール基を表す。該置換基の炭素数は上記の炭素数には含まれない。該置換基としては、例えば、前述の式（１）に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。Ｒχとしては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基等の炭素原子数１〜２０のアルキル基、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基等の炭素原子数６〜３０のアリール基等が挙げられる。
【０１６９】
式（１８）中、ｎ４は０以上の整数を表し、原料モノマーの合成の観点から、好ましくは０から８の整数であり、より好ましくは０から２の整数である。
【０１７０】
−式（１９）で表される基−
【０１７１】
式（１９）中、Ｒ１７は単結合、又は、置換基を有していてもよい（１＋ｍ１３）価の有機基を表す。式（１９）で表される基は、一価の基である。
【０１７２】
式（１９）中、Ｒ１７で表される置換基を有していてもよい（１＋ｍ１３）価の有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜２０のアルキル基からｍ１３個の水素原子を除いた基；フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリール基からｍ１３個の水素原子を除いた基；メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、ドデシルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロへキシルオキシ基、シクロノニルオキシ基、シクロドデシルオキシ基、ノルボニルオキシ基、アダマンチルオキシ基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のアルコキシ基からｍ１３個の水素原子を除いた基；炭素原子を含む置換基を有するアミノ基からｍ１３個の水素原子を除いた基；炭素原子を含む置換基を有するシリル基からｍ１３個の水素原子を除いた基が挙げられる。該置換基の炭素数は上記の炭素数には含まれない。原料モノマーの合成の容易さの観点からは、アルキル基からｍ１３個の水素原子を除いた基、アリール基からｍ１３個の水素原子を除いた基、アルコキシ基からｍ１３個の水素原子を除いた基が好ましい。
【０１７３】
前記置換基としては、例えば、前述の式（１）に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。前記置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。
【０１７４】
式（１９）中、ｍ１３は１以上の整数を表す。但し、Ｒ１７が単結合である場合、ｍ１３は１を表す。ｍ１３は、合成の容易さの観点から、好ましくは１〜４であり、より好ましくは１〜３である。
【０１７５】
式（１９）中、Ｑ５で表される２価の有機基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、１，２−プロピレン基、１，３−プロピレン基、１，２−ブチレン基、１，３−ブチレン基、１，４−ブチレン基、１，５−ペンチレン基、１，６−ヘキシレン基、１，９−ノニレン基、１，１２−ドデシレン基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０の２価の鎖状飽和炭化水素基；エテニレン基、プロペニレン基、３−ブテニレン基、２−ブテニレン基、２−ペンテニレン基、２−ヘキセニレン基、２−ノネニレン基、２−ドデセニレン基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数２〜５０のアルケニレン基、及び、エチニレン基を含む、置換基を有していてもよい炭素原子数２〜５０の２価の鎖状不飽和炭化水素基；シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロへキシレン基、シクロノニレン基、シクロドデシレン基、ノルボルニレン基、アダマンチレン基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数３〜５０の２価の環状飽和炭化水素基；１，３−フェニレン基、１，４−フェニレン基、１，４−ナフチレン基、１，５−ナフチレン基、２，６−ナフチレン基、ビフェニル−４，４’−ジイル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数６〜５０のアリーレン基；メチレンオキシ基、エチレンオキシ基、プロピレンオキシ基、ブチレンオキシ基、ペンチレンオキシ基、ヘキシレンオキシ基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のアルキレンオキシ基（即ち、式：−Ｒｄ−Ｏ−（式中、Ｒｄはメチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のアルキレン基）で表される２価の有機基）；炭素原子を含む置換基を有するイミノ基；炭素原子を含む置換基を有するシリレン基が挙げられる。該置換基の炭素数は上記の炭素数には含まれない。合成の容易さの観点からは、２価の鎖状飽和炭化水素基、アリーレン基、アルキレンオキシ基が好ましい。
【０１７６】
前記Ｑ５で表される２価の有機基の例として挙げた基は置換基を有していてもよく、当該置換基としては、例えば、前述の式（１）に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。
【０１７７】
式（１９）中、Ｙ５は、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン原子、−Ｎ（Ｒδ）２、−Ｐ（Ｒδ）２、−ＳＲδを表す。Ｒδは水素原子、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素原子数６〜５０のアリール基を表す。該置換基の炭素数は上記の炭素数には含まれない。該置換基としては、例えば、前述の式（１）に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。Ｒδとしては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基等の炭素原子数１〜２０のアルキル基、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基等の炭素原子数６〜３０のアリール基等が挙げられる。ハロゲン化アルキル基におけるアルキル基は、前述したアルキル基と同様である。ハロゲン化アルキル基におけるハロゲン化についてのハロゲン原子は、前述したハロゲン原子と同様である。ハロゲン化アルキル基としては、例えば、ハロゲン化メチル基、ハロゲン化エチル基、ハロゲン化プロピル基、ハロゲン化ブチル基等が挙げられる。
【０１７８】
式（１９）中、ｎ５は０以上の整数を表し、原料モノマーの合成の観点から、好ましくは０から８の整数であり、より好ましくは０から２の整数である。
【０１７９】
−式（２０）で表される化合物−
式（２０）中、Ｒ１８は前記式（８）で表される基、前記式（９）で表される基、前記式（２１）で表される基、又は、前記式（２２）で表される基を表し、Ｒ１９は前記式（４）で表される基を表す。ｍ１４は０以上の整数を表し、Ｘ３及びＸ４は、それぞれ独立に、縮合重合に関与する基を示す。ｍ１４は、好ましくは１〜４であり、より好ましくは１〜３である。Ｒ１８、Ｒ１９以外の置換基としては、例えば、前述の式（１）に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。前記置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。
【０１８０】
−式（２１）で表される基−
式（２１）中、Ｒ２０は置換基を有していてもよい（１＋ｍ１５＋ｍ１６）価の有機基を表す。式（２１）で表される基は、一価の基である。
【０１８１】
式（２１）中、Ｒ２０で表される置換基を有していてもよい（１＋ｍ１５＋ｍ１６）価の有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜２０のアルキル基から（ｍ１５＋ｍ１６）個の水素原子を除いた基；フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリール基から（ｍ１５＋ｍ１６）個の水素原子を除いた基；メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、ドデシルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロへキシルオキシ基、シクロノニルオキシ基、シクロドデシルオキシ基、ノルボニルオキシ基、アダマンチルオキシ基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のアルコキシ基から（ｍ１５＋ｍ１６）個の水素原子を除いた基；炭素原子を含む置換基を有するアミノ基から（ｍ１５＋ｍ１６）個の水素原子を除いた基；炭素原子を含む置換基を有するシリル基から（ｍ１５＋ｍ１６）個の水素原子を除いた基が挙げられる。該置換基の炭素数は上記の炭素数には含まれない。原料モノマーの合成の容易さの観点からは、アルキル基から（ｍ１５＋ｍ１６）個の水素原子を除いた基、アリール基から（ｍ１５＋ｍ１６）個の水素原子を除いた基、アルコキシ基から（ｍ１５＋ｍ１６）個の水素原子を除いた基が好ましい。
【０１８２】
前記置換基としては、例えば、前述の式（１）に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。前記置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。
【０１８３】
式（２１）中、ｍ１５、ｍ１６はそれぞれ独立して１以上の整数（例えば、それぞれ、１、２、３）を表す。
【０１８４】
式（２１）中、Ｑ４、ｎ４、Ｙ４、Ｑ３、ｎ３、Ｙ３は前述と同じ意味を表し、Ｑ４、ｎ４、Ｙ４、Ｑ３、ｎ３、Ｙ３の各々は複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。
【０１８５】
−式（２２）で表される基−
式（２２）中、Ｒ２１は置換基を有していてもよい（１＋ｍ１７＋ｍ１８）価の有機基を表す。式（２２）で表される基は、一価の基である。
【０１８６】
式（２２）中、Ｒ２１で表される置換基を有していてもよい（１＋ｍ１７＋ｍ１８）価の有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜２０のアルキル基から（ｍ１７＋ｍ１８）個の水素原子を除いた基；フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリール基から（ｍ１７＋ｍ１８）個の水素原子を除いた基；メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、ドデシルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロへキシルオキシ基、シクロノニルオキシ基、シクロドデシルオキシ基、ノルボニルオキシ基、アダマンチルオキシ基、これらの基の中の少なくとも１個の水素原子を置換基で置換した基等の、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のアルコキシ基から（ｍ１７＋ｍ１８）個の水素原子を除いた基；炭素原子を含む置換基を有するアミノ基から（ｍ１７＋ｍ１８）個の水素原子を除いた基；炭素原子を含む置換基を有するシリル基から（ｍ１７＋ｍ１８）個の水素原子を除いた基が挙げられる。該置換基の炭素数は上記の炭素数には含まれない。原料モノマーの合成の容易さの観点からは、アルキル基から（ｍ１７＋ｍ１８）個の水素原子を除いた基、アリール基から（ｍ１７＋ｍ１８）個の水素原子を除いた基、アルコキシ基から（ｍ１７＋ｍ１８）個の水素原子を除いた基が好ましい。
【０１８７】
前記置換基としては、例えば、前述の式（１）に関する説明中で例示した置換基と同様の置換基が挙げられる。前記置換基が複数個存在する場合には、それらは同一でも異なっていてもよい。
【０１８８】
式（２２）中、ｍ１７、ｍ１８は１以上の整数（例えば、それぞれ、１、２、３）を表す。
【０１８９】
式（２２）中、Ｑ５、ｎ５、Ｙ５、Ｑ３、ｎ３、Ｙ３は前述と同じ意味を表し、Ｑ５、ｎ５、Ｙ５、Ｑ３、ｎ３、Ｙ３の各々は複数個ある場合、同一でも異なっていてもよい。
【０１９０】
また、本発明の高分子化合物中に前記式（１）で表される構造単位、前記式（７）で表される構造単位、前記式（１０）で表される構造単位及び前記式（１１）で表される構造単位からなる群より選ばれる１種以上の構造単位とともに、前記式（１）で表される構造単位、前記式（７）で表される構造単位、前記式（１０）で表される構造単位及び前記式（１１）で表される構造単位以外の構造単位を含有させる場合には、前記式（１７）、（２０）で表される化合物に加えて、式（２３）で表される化合物を縮合重合させることで、−Ａａ−で表される構造単位を更に有する高分子化合物を製造することができる。
Ｘ５−Ａａ−Ｘ６        （２３）
（式（２３）中、Ａａは前記Ａｒ１で表される置換基を有していてもよい２価の芳香族基又は置換基を有していてもよい２価の芳香族アミン残基を表し、Ｘ５及びＸ６は、それぞれ独立に、縮合重合に関与する基を表す。）
【０１９１】
Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５及びＸ６で表される縮合重合に関与する基としては、例えば、水素原子、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基、ホウ酸エステル残基、スルホニウムメチル基、ホスホニウムメチル基、ホスホネートメチル基、モノハロゲン化メチル基、−Ｂ（ＯＨ）２、ホルミル基、シアノ基、ビニル基等が挙げられる。
【０１９２】
縮合重合に関与する基として選択され得るハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。
【０１９３】
前記縮合重合に関与する基として選択され得るアルキルスルホネート基としては、メタンスルホネート基、エタンスルホネート基、トリフルオロメタンスルホネート基が例示される。
前記縮合重合に関与する基として選択され得るアリールスルホネート基としては、ベンゼンスルホネート基、ｐ−トルエンスルホネート基が例示される。
【０１９４】
前記縮合重合に関与する基として選択され得るアリールアルキルスルホネート基としては、ベンジルスルホネート基が例示される。
【０１９５】
前記縮合重合に関与する基として選択され得るホウ酸エステル残基としては、下記式で表される基が例示される。
【０１９６】
【化４６】
0006046361.tif 000047
【０１９７】
前記縮合重合に関与する基として選択され得るスルホニウムメチル基としては、下記式：
−ＣＨ２Ｓ＋Ｍｅ２Ｅ−、又は、−ＣＨ２Ｓ＋Ｐｈ２Ｅ−
（式中、Ｅはハロゲン原子を示す。Ｐｈはフェニル基を示し、以下、同じである。）
で表される基が例示される。
【０１９８】
前記縮合重合に関与する基として選択され得るホスホニウムメチル基としては、下記式：
−ＣＨ２Ｐ＋Ｐｈ３Ｅ−
（式中、Ｅは前述と同じ意味を表す。）
で表される基が例示される。
【０１９９】
前記縮合重合に関与する基として選択され得るホスホネートメチル基としては、下記式：
−ＣＨ２ＰＯ（ＯＲｊ）２
（式中、Ｒｊはアルキル基、アリール基、又はアリールアルキル基を示す。）
で表される基が例示される。
【０２００】
前記縮合重合に関与する基として選択され得るモノハロゲン化メチル基としては、フッ化メチル基、塩化メチル基、臭化メチル基、ヨウ化メチル基が例示される。
【０２０１】
縮合重合に関与する基として好適な基は、重合反応の種類によって異なるが、例えば、Ｙａｍａｍｏｔｏカップリング反応等の０価ニッケル錯体を用いる場合には、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基が挙げられる。また、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応等のニッケル触媒又はパラジウム触媒を用いる場合には、アルキルスルホネート基、ハロゲン原子、ホウ酸エステル残基、−Ｂ（ＯＨ）２等が挙げられ、酸化剤又は電気化学的に酸化重合する場合には、水素原子が挙げられる。
【０２０２】
前述した高分子化合物の製造方法１としては、例えば、高分子化合物の製造方法１−１及び１−２が挙げられる。
【０２０３】
高分子化合物の製造方法１−１は、下記式（１７Ａ）：
【化４７】
0006046361.tif 000048
（式（１７Ａ）中、Ｒ１４’は前記式（２）で表される基又は前記式（３）で表される基を表す。Ｒ１５、ｍ１１、Ｘ１及びＸ２は、前述と同じ意味を表す。式（１７Ａ）中の水素原子はＲ１４’、Ｒ１５以外の置換基と置き換えられていてもよい。）
で表される有機化合物を重合させて、前記式（１）で表される構造単位を有する高分子化合物を得ることを含む、前記式（１）で表される構造単位を有する高分子化合物の製造方法である。
【０２０４】
式（１７Ａ）で表される有機化合物における基の詳細は、式（１７）で表される有機化合物のものと同様である。製造方法１−１では、式（１７Ａ）で表される有機化合物のみならず、式（１７）で表される有機化合物、式（２０）で表わされる有機化合物、及び式（２３）で表される有機化合物からなる群より選ばれる１種又は２種以上の他の有機化合物をさらに重合させてもよい。製造方法１−１では、式（１７Ａ）で表される有機化合物におけるＲ１４’、Ｒ１５、ｍ１１は、それぞれ、式（１）で表される構造単位を有する高分子化合物におけるＲ１、Ｒ２、ｍ１に対応する。
【０２０５】
高分子化合物の製造方法１−２は、下記式（２０Ａ）：
【化４８】
0006046361.tif 000049
（式（２０Ａ）中、Ｒ１８’は前記式（８）で表される基又は前記式（９）で表される基を表す。Ｒ１９、ｍ１４、Ｘ３及びＸ４は、前述と同じ意味を表す。式（２０Ａ）中の水素原子はＲ１８’、Ｒ１９以外の置換基と置き換えられていてもよい。）
で表される有機化合物を重合させて、前記式（７）で表される構造単位を有する高分子化合物を得ることを含む、前記式（７）で表される構造単位を有する高分子化合物の製造方法である。
【０２０６】
式（２０Ａ）で表される有機化合物における基の詳細は、式（２０）で表される有機化合物のものと同様である。製造方法１−２では、式（２０Ａ）で表される有機化合物のみならず、式（１７）で表される有機化合物、式（２０）で表わされる有機化合物、及び式（２３）で表される有機化合物からなる群より選ばれる１種又は２種以上の他の有機化合物をさらに重合させてもよい。製造方法１−２では、式（２０Ａ）で表される有機化合物におけるＲ１８’、Ｒ１９、ｍ１４は、それぞれ、式（７）で表される構造単位を有する高分子化合物におけるＲ６、Ｒ７、ｍ５に対応する。
【０２０７】
また、前述した高分子化合物の製造方法２としては、例えば、高分子化合物の製造方法２−１及び２−２が挙げられる。
【０２０８】
高分子化合物の製造方法２−１は、（ｉ）下記式（１７Ｂ）：
【化４９】
0006046361.tif 000050
（式（１７Ｂ）中、Ｒ１４’’は前記式（１８）で表される基又は前記式（１９）で表される基を表す。Ｒ１５、ｍ１１、Ｘ１及びＸ２は、前述と同じ意味を表す。式（１７Ｂ）中の水素原子はＲ１４’’、Ｒ１５以外の置換基と置き換えられていてもよい。）
で表される有機化合物を重合させて、
下記式（１７Ｂ’）：
【化５０】
0006046361.tif 000051
（式（１７Ｂ’）中、Ｒ１４’’は前記式（１８）で表される基又は前記式（１９）で表される基を表す。Ｒ１５及びｍ１１は、前述と同じ意味を表す。式（１７Ｂ’）中の水素原子はＲ１４’’、Ｒ１５以外の置換基と置き換えられていてもよい。）
で表される構造単位を有する高分子化合物を得ること、ならびに
（ｉｉ）式（１７Ｂ’）で表される構造単位を有する高分子化合物をイオン化して、前記式（１）で表される構造単位を有する高分子化合物を得ることを含む、前記式（１）で表される構造単位を有する高分子化合物の製造方法である。本発明はまた、式（１７Ｂ’）で表される構造単位を有する高分子化合物を提供する。式（１７Ｂ’）で表される構造単位は、二価の構造単位である。
【０２０９】
式（１７Ｂ）、（１７Ｂ’）で表される有機化合物における基の詳細は、式（１７）で表される有機化合物のものと同様である。製造方法２−１の工程（ｉ）では、式（１７Ｂ）で表される有機化合物のみならず、式（１７）で表される有機化合物、式（２０）で表わされる有機化合物、及び式（２３）で表される有機化合物からなる群より選ばれる１種又は２種以上の他の有機化合物をさらに重合させてもよい。製造方法２−１では、式（１７Ｂ）、（１７Ｂ’）で表される有機化合物におけるＲ１４’’、Ｒ１５、ｍ１１は、それぞれ、式（１）で表される構造単位を有する高分子化合物におけるＲ１、Ｒ２、ｍ１に対応する。
【０２１０】
製造方法２−１の工程（ｉｉ）では、式（１７Ｂ’）で表される構造単位を有する高分子化合物をイオン化することにより、Ｒ１４’’において、式（１８）で表される基又は式（１９）で表される基（非イオン性基）が、式（２）で表される基又は式（３）で表される基（イオン性基）に変換される。
【０２１１】
高分子化合物の製造方法２−２は、（ｉ’）下記式（２０Ｂ）：
【化５１】
0006046361.tif 000052
（式（２０Ｂ）中、Ｒ１８’’は前記式（２１）で表される基又は前記式（２２）で表される基を表す。Ｒ１９、ｍ１４、Ｘ３及びＸ４は、前述と同じ意味を表す。式（２０Ｂ）中の水素原子はＲ１８’’、Ｒ１９以外の置換基と置き換えられていてもよい。）
で表される有機化合物を重合させて、
下記式（２０Ｂ’）：
【化５２】
0006046361.tif 000053
（式（２０Ｂ’）中、Ｒ１８’’は前記式（２１）で表される基又は前記式（２２）で表される基を表す。Ｒ１９及びｍ１４は、前述と同じ意味を表す。式（２０Ｂ’）中の水素原子はＲ１８’’、Ｒ１９以外の置換基と置き換えられていてもよい。）
で表される構造単位を有する高分子化合物を得ること、ならびに
（ｉｉ’）式（２０Ｂ’）で表される構造単位を有する高分子化合物をイオン化して、前記式（７）で表される構造単位を有する高分子化合物を得ることを含む、前記式（７）で表される構造単位を有する高分子化合物の製造方法である。本発明はまた、式（２０Ｂ’）で表される構造単位を有する高分子化合物を提供する。式（２０Ｂ’）で表される構造単位は、二価の構造単位である。
【０２１２】
式（２０Ｂ）、（２０Ｂ’）で表される有機化合物における基の詳細は、式（２０）で表される有機化合物のものと同様であり得る。製造方法２−２の工程（ｉ）では、式（２０Ｂ）で表される有機化合物のみならず、式（１７）で表される有機化合物、式（２０）で表わされる有機化合物、及び式（２３）で表される有機化合物からなる群より選ばれる１種又は２種以上の他の有機化合物をさらに重合させてもよい。製造方法２−２では、式（２０Ｂ）、（２０Ｂ’）で表される有機化合物におけるＲ１８’’、Ｒ１９、ｍ１４は、それぞれ、式（７）で表される構造単位を有する高分子化合物におけるＲ６、Ｒ７、ｍ５に対応する。
【０２１３】
製造方法２−２の工程（ｉｉ’）では、式（２０Ｂ’）で表される構造単位を有する高分子化合物をイオン化することにより、Ｒ１８’’において、式（２１）で表される基又は式（２２）で表される基（非イオン性基）が、式（８）で表される基又は式（９）で表される基（イオン性基）に変換される。
【０２１４】
製造方法２−１の工程（ｉｉ）、製造方法２−２の工程（ｉｉ’）におけるイオン化としては、例えば、カチオン化、アニオン化が挙げられる。イオン化としては、工程（ｉ）で得られた高分子化合物を、金属水酸化物、金属炭酸塩、アルキルアンモニウムヒドロキシド等の試薬、あるいはハロゲン化アルキル、ＳｂＦ５等の試薬と、必要に応じて水や有機溶媒に溶解し、有機溶媒の融点以上沸点以下の温度で反応させる方法が挙げられる。
【０２１５】
本発明の高分子化合物を製造する際には、例えば、縮合重合に関与する基を複数有する前記一般式（１７）又は（２０）で表される化合物（モノマー）を、必要に応じて有機溶媒に溶解し、アルカリや適当な触媒を用いて、有機溶媒の融点以上沸点以下の温度で反応させる重合方法を採用してもよい。このような重合方法としては、例えば、“オルガニック  リアクションズ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｒｅａｃｔｉｏｎｓ）”，第１４巻，２７０−４９０頁，ジョンワイリー  アンド  サンズ（Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．），１９６５年、“オルガニック  シンセシーズ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｙｎｔｈｅｓｅｓ）”，コレクティブ第６巻（Ｃｏｌｌｅｃｔｉｖｅ  Ｖｏｌｕｍｅ  ＶＩ），４０７−４１１頁，ジョンワイリー  アンド  サンズ（Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．），１９８８年、ケミカル  レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．），第９５巻，２４５７頁（１９９５年）、ジャーナル  オブ  オルガノメタリック  ケミストリー（Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．），第５７６巻，１４７頁（１９９９年）、マクロモレキュラー  ケミストリー  マクロモレキュラー  シンポジウム（Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．，Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｓｙｍｐ．），第１２巻，２２９頁（１９８７年）に記載の公知の方法を採用することができる。
【０２１６】
本発明の高分子化合物を製造する際には、縮合重合に関与する基に応じて、既知の縮合重合反応を採用してもよい。このような重合方法としては、例えば、該当するモノマーを、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する方法、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方法、Ｎｉ（０）錯体により重合する方法、ＦｅＣｌ３等の酸化剤により重合する方法、電気化学的に酸化重合する方法、適当な脱離基を有する中間体高分子の分解による方法等が挙げられる。このような重合反応の中でも、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する方法、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方法、及びニッケルゼロ価錯体により重合する方法が、得られる高分子化合物の構造制御がし易いので好ましい。
【０２１７】
本発明の高分子化合物の好ましい製造方法の１つの態様は、縮合重合に関与する基として、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基及びアリールアルキルスルホネート基からなる群から選択される基を有する原料モノマーを用いて、ニッケルゼロ価錯体の存在下で縮合重合して、高分子化合物を製造する方法である。このような方法に使用する原料モノマーとしては、例えば、ジハロゲン化化合物、ビス（アルキルスルホネート）化合物、ビス（アリールスルホネート）化合物、ビス（アリールアルキルスルホネート）化合物、ハロゲン−アルキルスルホネート化合物、ハロゲン−アリールスルホネート化合物、ハロゲン−アリールアルキルスルホネート化合物、アルキルスルホネート−アリールスルホネート化合物、アルキルスルホネート−アリールアルキルスルホネート化合物及びアリールスルホネート−アリールアルキルスルホネート化合物が挙げられる。
【０２１８】
前記高分子化合物体の好ましい製造方法の他の態様は、縮合重合に関与する基として、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基、−Ｂ（ＯＨ）２、及びホウ酸エステル残基からなる群から選ばれる基を有し、全原料モノマーが有する、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基及びアリールアルキルスルホネート基のモル数の合計（Ｊ）と、−Ｂ（ＯＨ）２及びホウ酸エステル残基のモル数の合計（Ｋ）の比が実質的に１（通常  Ｋ／Ｊ  は０．７〜１．２の範囲）である原料モノマーを用いて、ニッケル触媒又はパラジウム触媒の存在下で縮合重合して、高分子化合物を製造する方法である。
【０２１９】
前記有機溶媒としては、用いる化合物や反応によっても異なるが、一般に副反応を抑制するために十分に脱酸素処理を施した有機溶媒を用いることが好ましい。高分子化合物を製造する際には、このような有機溶媒を用いて不活性雰囲気下で反応を進行させることが好ましい。また、前記有機溶媒においては、前記脱酸素処理と同様に脱水処理を行うことが好ましい。但し、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応等の水との２相系での反応の場合にはその限りではない。
【０２２０】
前記有機溶媒としては、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン等の飽和炭化水素、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレン等の不飽和炭化水素、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール等のアルコール類、蟻酸、酢酸、プロピオン酸等のカルボン酸類、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、メチル−ｔｅｒｔ−ブチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジオキサン等のエーテル類、トリメチルアミン、トリエチルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、ピリジン等のアミン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ−メチルモルホリンオキシド等のアミド類が例示される。これらの有機溶媒は１種を単独で、又は２種以上を混合して用いてもよい。また、このような有機溶媒の中でも、反応性の観点からはエーテル類がより好ましく、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテルが更に好ましく、反応速度の観点からはトルエン、キシレンが好ましい。
【０２２１】
前記高分子化合物を製造する際においては、原料モノマーを反応させるために、アルカリや適当な触媒を添加することが好ましい。このようなアルカリ又は触媒は、採用する重合方法等に応じて選択すればよい。このようなアルカリ又は触媒としては、反応に用いる溶媒に十分に溶解するものが好ましい。また、前記アルカリ又は触媒を混合する方法としては、反応液をアルゴンや窒素等の不活性雰囲気下で攪拌しながらゆっくりとアルカリ又は触媒の溶液を添加するか、アルカリ又は触媒の溶液に反応液をゆっくりと添加する方法が例示される。
【０２２２】
本発明の高分子化合物においては、末端基に重合活性基がそのまま残っていると得られる発光素子の発光特性や寿命特性が低下する可能性があるため、末端基が安定な基で保護されていてもよい。このように安定な基で末端基が保護されている場合、本発明の高分子化合物が共役高分子化合物であるときには、該高分子化合物の主鎖の共役構造と連続した共役結合を有していることが好ましく、その構造としては、例えば、炭素−炭素結合を介してアリール基又は複素環基と結合している構造が挙げられる。このような末端基を保護する安定な基としては、例えば、１価の芳香族基が挙げられる。
【０２２３】
前記イオン性基を含有する高分子化合物を製造する好ましい方法としては、例えば、第１工程でカチオン性基を有さない高分子化合物を重合し、第２工程で該高分子化合物からカチオン性基を含有する高分子化合物を製造する方法が挙げられる。第１工程のカチオン性基を有さない高分子化合物を重合する方法としては、例えば、前述の縮合重合反応が挙げられる。第２工程の反応としては、例えば、第１工程で得られた高分子化合物と、金属水酸化物、金属炭酸塩、アルキルアンモニウムヒドロキシド等の試薬を、必要に応じて水や有機溶媒に溶解し、有機溶媒の融点以上沸点以下の温度で反応させる方法が挙げられる。
【０２２４】
前記イオン性基を含有する高分子化合物を製造する他の好ましい別な方法としては、例えば、第１工程でアニオン性基を有さない高分子化合物を重合し、第２工程で該高分子化合物からアニオン性基を含有する高分子化合物を製造する方法が挙げられる。第１工程のアニオン性基を有さない高分子化合物を重合する方法としては、例えば、前述の縮合重合反応が挙げられる。第２工程の反応としては、例えば、ハロゲン化アルキル、ＳｂＦ５等の試薬を、必要に応じて水や有機溶媒に溶解し、有機溶媒の融点以上沸点以下の温度で反応させる方法が挙げられる。
【０２２５】
前記イオン性基を含有する高分子化合物は必要に応じて、水や有機溶媒による洗浄、再沈殿などの処理によって、不純物を除去してもよい。
【０２２６】
本発明の高分子化合物を含む層は、電界発光素子で用いられた場合、実質的に非発光性であることが好ましい。ここで、所定の高分子化合物を含む層が実質的に非発光性であるとは、以下のとおりの意味である。まず、下記の実施例３５において、共役高分子化合物１の代わりに、対象となる高分子化合物を用いる以外は実施例３５と同様にして、電界発光素子Ａを作製する。一方、下記の比較例１に記載のとおりにして電界発光素子Ｃ１を作製する。電界発光素子Ａは所定の高分子化合物を含む層を有するが、電界発光素子Ｃ１は所定の高分子化合物を含む層を有さない点でのみ、電界発光素子Ａと電界発光素子Ｃ１とは異なる。次に、電界発光素子Ａ及び電界発光素子Ｃ１に１０Ｖの順方向電圧を印加して発光スペクトルを測定する。電界発光素子Ｃ１について得られた発光スペクトルにおいて最大ピークを与える波長λを求める。波長λにおける発光強度を１として、電界発光素子Ｃ１について得られた発光スペクトルを規格化し、波長について積分して規格化発光量Ｓ０を計算する。一方、波長λにおける発光強度を１として、電界発光素子Ａについて得られた発光スペクトルも規格化し、波長について積分して規格化発光量Ｓを計算する。（Ｓ−Ｓ０）／Ｓ０×１００％で計算される値が３０％以下である場合、即ち、所定の高分子化合物を含む層を有さない電界発光素子Ｃ１の規格化発光量に比べ、所定の高分子化合物を含む層を有する電界発光素子Ａの規格化発光量の増加分が３０％以下である場合に、用いた高分子化合物を含む層は実質的に非発光性であるものとし、（Ｓ−Ｓ０）／Ｓ０×１００で計算される値が１５％以下であることが好ましく、１０％以下であることがより好ましい。
【０２２７】
＜電子デバイス＞
次に、本発明の電子デバイスについて説明する。
本発明の電子デバイスは、式（１）で表される構造単位及び式（７）で表される構造単位からなる群から選ばれる１種以上の構造単位を有する高分子化合物を含む層を電荷注入層及び／又は電荷輸送層として備える。
【０２２８】
本発明の電子デバイスとしては、例えば、電界発光素子、光電変換素子が挙げられる。
電子デバイスを電界発光素子に用いる場合（以下、「本発明の電界発光素子」と言うことがある。）、該電子デバイスは発光層を有している。電子デバイスを光電変換素子に用いる場合（以下、「本発明の光電変換素子」と言うことがある。）、該電子デバイスは電荷分離層を有している。
【０２２９】
＜電界発光素子＞
本発明の電界発光素子は、例えば、陰極、陽極、前記陰極と前記陽極との間に位置する発光層、及び前記発光層と前記陰極又は前記陽極との間に位置し、本発明で用いられる高分子化合物を含む層を有する。本発明の電界発光素子は、任意の構成要素として基板を有することができ、かかる基板の面上に前記陰極、陽極、発光層及び本発明で用いられる高分子化合物を含む層、並びに任意の構成要素を設けた構成とすることができる。
【０２３０】
本発明の電界発光素子の一態様としては、基板上に陽極が設けられ、その上層に発光層が積層され、その上層に本発明の高分子化合物を含む層が積層され、さらにその上層に陰極が積層される。他の態様としては、基板上に陽極が設けられ、その上層に本発明の高分子化合物を含む層が積層され、発光層が積層され、さらにその上層に陰極が積層される。
他の態様としては、基板上に陽極が設けられ、その上層に本発明の高分子化合物を含む層が積層され、発光層が積層され、その上層に本発明の高分子化合物を含む層が積層され、さらにその上層に陰極が積層される。他の態様としては、陰極を基板上に設け、その上層に本発明の高分子化合物を含む層が積層され、その上層に発光層が積層され、さらにその上層に陽極が積層される。他の態様としては、陰極を基板上に設け、その上層に発光層が積層され、その上層に本発明の高分子化合物を含む層が積層され、さらにその上層に陽極が積層される。さらに他の態様としては、陰極を基板上に設け、その上層に本発明の高分子化合物を含む層が積層され、その上層に発光層が積層され、その上層に本発明の高分子化合物を含む層が積層され、さらにその上層に陽極が積層される。また、これらの態様において、さらに、保護層、バッファー層、反射層等の他の機能を有する層を設けてもよい。なお、電界発光素子の構成については、下記にて別途詳述する。電界発光素子はさらに封止膜、或いは、封止基板が覆い被せられ、電界発光素子が外気と遮断された発光装置が形成される。
【０２３１】
本発明の高分子化合物を含む層は、公知の高分子又は低分子の電荷輸送材料、グラフェン、フラーレン、カーボンナノチューブ等の導電性炭素、金属、合金、金属酸化物、金属硫化物等の電気伝導性化合物、及びこれらの混合物等と混合されていてもよい。電荷輸送材料としては、以下の正孔輸送層や電子輸送層に用いられるものを用いてもよく、金属、合金、金属酸化物、金属硫化物としては、以下の陽極又は陰極に用いられるものを用いてもよい。さらに、発光素子としての発光機能を損なわない範囲で、発光や電荷輸送機能を有していない有機材料が混合されていてもよい。
【０２３２】
本発明の電界発光素子は基板側から採光する所謂ボトムエミッションタイプ、基板と反対側から採光する所謂トップエミッションタイプ、両面採光型のいずれのタイプの電界発光素子であってもよい。
【０２３３】
高分子化合物を含む層を形成する方法としては、例えば、高分子化合物を含有する溶液を用いて成膜する方法が挙げられる。
【０２３４】
このような溶液からの成膜に用いる溶媒としては、水、アルコール類、エーテル類、エステル類、ニトリル化合物類、ニトロ化合物類、ハロゲン化アルキル類、ハロゲン化アリール類、チオール類、スルフィド類、スルホキシド類、チオケトン類、アミド類、カルボン酸類等の溶解パラメーターが９．３以上の溶媒が好ましい。該溶媒の例（各括弧内の値は、各溶媒の溶解パラメーターの値を表す）としては、水（２１．０）、メタノール（１２．９）、エタノール（１１．２）、２−プロパノール（１１．５）、１−ブタノール（９．９）、ｔ−ブチルアルコール（１０．５）、アセトニトリル（１１．８）、１，２−エタンジオール（１４．７）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（１１．５）、ジメチルスルホキシド（１２．８）、酢酸（１２．４）、ニトロベンゼン（１１．１）、ニトロメタン（１１．０）、１，２−ジクロロエタン（９．７）、ジクロロメタン（９．６）、クロロベンゼン（９．６）、ブロモベンゼン（９．９）、ジオキサン（９．８）、炭酸プロピレン（１３．３）、ピリジン（１０．４）、二硫化炭素（１０．０）、及びこれらの溶媒の混合溶媒が挙げられる。（溶解パラメータの値は溶剤ハンドブック  第１４刷  （株）講談社  参照）。ここで、２種の溶媒（溶媒１、溶媒２とする）を混合してなる混合溶媒について説明すると、該混合溶媒の溶解パラメーター（δｍ）は、δｍ＝δ１×φ１＋δ２×φ２により求めることとする（δ１は溶媒１の溶解パラメーター、φ１は溶媒１の体積分率、δ２は溶媒２の溶解パラメーター、φ２は溶媒２の体積分率である。）。
【０２３５】
溶液からの成膜方法としては、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビア印刷法、グラビア印刷法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法、ノズルコート法等の塗布法が挙げられる。
【０２３６】
高分子化合物を含む層の厚さは、用いる高分子化合物によって最適値が異なるため、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよく、１ｎｍ〜１μｍであることが好ましく、２ｎｍ〜５００ｎｍであることがより好ましく、２ｎｍ〜２００ｎｍであることがさらに好ましい。発光層を保護する観点からは、該厚さは、５ｎｍ〜１μｍであることが好ましい。
【０２３７】
電界発光素子は、陰極及び陽極を有し、陰極と陽極間に発光層を有するが、さらに構成要素を備えることができる。
例えば、陽極と発光層との間には正孔注入層、正孔輸送層のうちの１層以上を有することができる。正孔注入層が存在する場合は、発光層と正孔注入層との間に正孔輸送層を１層以上有することができる。
一方、陰極と発光層との間には電子注入層、電子輸送層のうちの１層以上を有することができる。電子注入層が存在する場合は、発光層と電子注入層との間に電子輸送層を１層以上有することができる。
本発明に用いられる組成物を含む層は、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層等に用いることができる。組成物を含む層を正孔注入層、正孔輸送層として用いる場合、第１の電極は陽極となり、第２の電極は陰極となる。組成物を含む層を電子注入層、電子輸送層として用いる場合、第１の電極は陰極となり、第２の電極は陽極となる。
【０２３８】
ここで、陽極は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層等に正孔を供給する電極であり、陰極は、電子注入層、電子輸送層、発光層等に電子を供給する電極である。
発光層とは、電界を印加した際に、陽極又は陽極側に隣接する層より正孔を受け取り、陰極又は陰極側に隣接する層より電子を受け取る機能、受け取った電荷を電界の力で移動させる機能、電子と正孔の再結合の場を提供し、これを発光につなげる機能を有する層をいう。
電子注入層とは、陰極に隣接する層であり、陰極から電子を受け取る機能を有する層であり、さらに必要に応じて電子を輸送する機能、陽極から注入された正孔を障壁する機能、発光層へ電子を供給する機能のいずれかを有する層をいう。電子輸送層とは、主に電子を輸送する機能を有する層であり、さらに必要に応じて、陰極から電子を受け取る機能、陽極から注入された正孔を障壁する機能、発光層へ電子を供給する機能のいずれかを有する層をいう。
正孔注入層とは、陽極に隣接する層であり、陽極から正孔を受け取る機能を有する層であり、さらに必要に応じて正孔を輸送する機能、発光層へ正孔を供給する機能、陰極から注入された電子を障壁する機能のいずれかを有する層をいう。正孔輸送層とは、主に正孔を輸送する機能を有する層であり、さらに必要に応じて、陽極から正孔を受け取る機能、発光層へ正孔を供給する機能、陰極から注入された電子を障壁する機能のいずれかを有する層をいう。
なお、電子輸送層と正孔輸送層を総称して電荷輸送層と呼ぶことがある。また、電子注入層と正孔注入層を総称して電荷注入層と呼ぶことがある。
【０２３９】
即ち、本発明の電界発光素子は下記の層構成（ａ）を有することができ、又は、層構成（ａ）から、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層の１層以上を省略した層構成を有することもできる。層構成（ａ）において、本発明の高分子化合物を含む層は、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層及びからなる群から選ばれる１つ以上の層として用いることができる。
【０２４０】
（ａ）陽極−正孔注入層−（正孔輸送層）−発光層−（電子輸送層）−電子注入層−陰極      
【０２４１】
ここで、符号「−」は各層が隣接して積層されていることを示す。「（正孔輸送層）」は、正孔輸送層を１層以上含む層構成を示す。「（電子輸送層）」は、電子輸送層を１層以上含む層構成を示す。以下の層構成の説明においても同様である。
【０２４２】
さらに、本発明の電界発光素子は、１つの積層構造中に２層の発光層を有することができる。この場合、電界発光素子は下記の層構成（ｂ）を有することができ、又は、層構成（ｂ）から、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、電極の１層以上を省略した層構成を有することもできる。層構成（ｂ）において、本発明の高分子化合物を含む層は、陽極と陽極に最も近い発光層との間に存在する層として用いられるか、陰極と陰極に最も近い発光層との間に存在する層として用いられる。
【０２４３】
（ｂ）陽極−正孔注入層−（正孔輸送層）−発光層−（電子輸送層）−電子注入層−電極−正孔注入層−（正孔輸送層）−発光層−（又は電子輸送層）−電子注入層−陰極
【０２４４】
さらに、本発明の電界発光素子は、１つの積層構造中に３層以上の発光層を有することができる。この場合、電界発光素子は下記の層構成（ｃ）を有することができ、又は、層構成（ｃ）から、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、電極の１層以上を省略した層構成を有することもできる。層構成（ｃ）において、本発明の高分子化合物を含む層は、陽極と陽極に最も近い発光層との間に存在する層として用いられるか、陰極と陰極に最も近い発光層との間に存在する層として用いられる。
【０２４５】
（ｃ）陽極−正孔注入層−（正孔輸送層）−発光層−（電子輸送層）−電子注入層−繰返し単位Ａ−繰返し単位Ａ・・・−陰極
ここで、「繰返し単位Ａ」は、電極−正孔注入層−（正孔輸送層）−発光層−（電子輸送層）−電子注入層の層構成の単位を示す。
【０２４６】
本発明の電界発光素子の好ましい層構成としては、例えば、下記の構成が挙げられる。下記層構成において、本発明の高分子化合物を含む層は、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層からなる群から選ばれる１つ以上の層として用いることができる。
（ａ）陽極−正孔注入層−発光層−陰極
（ｂ）陽極−発光層−電子注入層−陰極
（ｃ）陽極−正孔注入層−発光層−電子注入層−陰極
（ｄ）陽極−正孔注入層−正孔輸送層−発光層−陰極
（ｅ）陽極−正孔注入層−正孔輸送層−発光層−電子注入層−陰極
（ｆ）陽極−発光層−電子輸送層−電子注入層−陰極
（ｇ）陽極−正孔注入層−発光層−電子輸送層−電子注入層−陰極
（ｈ）陽極−正孔注入層−正孔輸送層−発光層−電子輸送層−電子注入層−陰極
【０２４７】
本発明の高分子化合物を含む層は、電子注入層又は電子輸送層であることが好ましい。
高分子化合物を含む層が、電子注入層又は電子輸送層である場合、第１の電極は陰極である。
【０２４８】
本発明の電界発光素子は、さらに電極との密着性向上や電極からの電荷の注入の改善のために、電極に隣接して絶縁層を設けてもよく、また、界面の密着性向上や混合の防止等のために電荷輸送層又は発光層の界面に薄いバッファー層を挿入してもよい。積層する層の順番や数、及び各層の厚さについては、発光効率や素子寿命を勘案して用いることができる。
【０２４９】
次に、本発明の電界発光素子を構成する各層の材料及び形成方法について、より詳説する。
【０２５０】
−基板−
本発明の電界発光素子を構成する基板は、電極を形成し、有機層を形成する際に化学的に変化しないものであればよく、例えば、ガラス、プラスチック、高分子フィルム、金属フィルム、シリコン等の基板、これらを積層した基板が用いられる。前記基板としては、市販のものが入手可能であり、又は公知の方法により製造することができる。
本発明の電界発光素子がディスプレイ装置の画素を構成する際には、当該基板上に画素駆動用の回路が設けられていてもよいし、当該駆動回路上に平坦化膜が設けられていてもよい。平坦化膜が設けられる場合には、該平坦化膜の中心線平均粗さ（Ｒａ）がＲａ＜１０ｎｍを満たすことが好ましい。
Ｒａは、日本工業規格ＪＩＳのＪＩＳ−Ｂ０６０１−２００１に基づいて、ＪＩＳ−Ｂ０６５１からＪＩＳ−Ｂ０６５６及びＪＩＳ−Ｂ０６７１−１等を参考に計測できる。
【０２５１】
−陽極−
本発明の電界発光素子を構成する陽極は、正孔注入層、正孔輸送層、インターレイヤー、発光層等で用いられる有機半導体材料への正孔供給性の観点から、かかる陽極の発光層側表面の仕事関数が４．０ｅＶ以上であることが好ましい。
陽極の材料には、金属、合金、金属酸化物、金属硫化物等の電気伝導性化合物、及びこれらの混合物等を用いることができる。具体的には、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化モリブデン等の導電性金属酸化物、及び、金、銀、クロム、ニッケル等の金属、これらの導電性金属酸化物と金属との混合物等が挙げられる。
前記陽極は、これら材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。多層構造である場合は、仕事関数が４．０ｅＶ以上である材料を発光層側の最表面層に用いることがより好ましい。
【０２５２】
陽極の作製方法としては、公知の方法が利用でき、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法、溶液からの成膜による方法（高分子バインダーとの混合溶液を用いてもよい）等が挙げられる。
【０２５３】
陽極の厚さは、通常１０ｎｍ〜１０μｍであり、好ましくは４０ｎｍ〜５００ｎｍである。
また、短絡等の電気的接続の不良を防止する観点から、陽極の発光層側表面の中心線平均粗さ（Ｒａ）はＲａ＜１０ｎｍを満たすこと好ましく、Ｒａ＜５ｎｍを満たすことがより好ましい。
【０２５４】
さらに、該陽極は上記方法にて作製した後に、ＵＶオゾン、シランカップリング剤、２，３，５，６−テトラフルオロ−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン等の電子受容性化合物を含む溶液等で表面処理を行うことができる。表面処理によって該陽極に接する層との電気的接続が改善される。
【０２５５】
本発明の電界発光素子において陽極を光反射電極として用いる場合には、かかる陽極が、高光反射性金属からなる光反射層と４．０ｅＶ以上の仕事関数を有する材料を含む高仕事関数材料層を組み合わせた多層構造が好ましい。
このような陽極の構成としては、
（ｉ）Ａｇ−ＭｏＯ３
（ｉｉ）（Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金）−（ＩＴＯ及び／又はＩＺＯ）
（ｉｉｉ）（Ａｌ−Ｎｄ合金）−（ＩＴＯ及び／又はＩＺＯ）
（ｉｖ）（Ｍｏ−Ｃｒ合金）−（ＩＴＯ及び／又はＩＺＯ）
（ｖ）（Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金）−（ＩＴＯ及び／又はＩＺＯ）−ＭｏＯ３
が例示される。十分な光反射率を得る為に、Ａｌ、Ａｇ、Ａｌ合金、Ａｇ合金、Ｃｒ合金等の高光反射性金属層の厚さは、５０ｎｍ以上であることが好ましく、８０ｎｍ以上であることがより好ましい。ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＭｏＯ３等の高仕事関数材料層の厚さは、通常、５ｎｍ〜５００ｎｍの範囲である。
【０２５６】
−正孔注入層−
本発明の電界発光素子において、本発明の高分子化合物以外の正孔注入層を形成する材料としては、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレン誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、スターバースト型アミン、フタロシアニン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）誘導体、有機シラン誘導体、及びこれらを含む重合体；酸化バナジウム、酸化タンタル、酸化タングステン、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化アルミニウム等の導電性金属酸化物；ポリアニリン、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子及びオリゴマー；ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）・ポリスチレンスルホン酸、ポリピロール等の有機導電性材料及びこれらを含む重合体；アモルファスカーボン；テトラシアノキノジメタン誘導体（例えば、２，３，５，６−テトラフルオロ−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン）、１，４−ナフトキノン誘導体、ジフェノキノン誘導体、ポリニトロ化合物等のアクセプター性有機化合物；オクタデシルトリメトキシシラン等のシランカップリング剤が好適に使用できる。
前記材料は単一の成分で用いても複数の成分からなる組成物として用いてもよい。また、前記正孔注入層は、前記材料のみからなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。また、正孔輸送層又はインターレイヤーで用いることができる材料として例示する材料も正孔注入層で用いることができる。
【０２５７】
正孔注入層の作製方法としては、公知の方法が利用できる。正孔注入層に用いられる正孔注入材料が無機材料の場合は、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等が利用でき、低分子有機材料の場合は、真空蒸着法、レーザー転写や熱転写等の転写法、溶液からの成膜による方法（高分子バインダーとの混合溶液を用いてもよい）等が利用できる。また、正孔注入材料が高分子有機材料の場合は、溶液からの成膜による方法が利用できる。
【０２５８】
正孔注入材料が、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体等の低分子有機材料の場合には、真空蒸着法を用いて正孔注入層を形成することが好ましい。
【０２５９】
また、高分子化合物バインダーと前記低分子有機材料を分散させた混合溶液を用いて正孔注入層を成膜することもできる。
混合する高分子化合物バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収が強くない化合物が好適に用いられる。この高分子化合物バインダーとしては、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）及びその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）及びその誘導体、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサンが例示される。
【０２６０】
溶液からの成膜に用いる溶媒としては、正孔注入材料を溶解させることができる溶媒であればよい。該溶媒として、水、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の含塩素溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル溶媒が例示される。
【０２６１】
溶液からの成膜方法としては、溶液からのスピンコート法、キャスティング法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャピラリーコート法、スプレーコート法、ノズルコート法等のコート法、マイクログラビア印刷法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、反転印刷法、インクジェット印刷法等の印刷法等の塗布法を用いることができる。
パターン形成が容易であるという点で、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、反転印刷法、インクジェット印刷法等の印刷法やノズルコート法が好ましい。
【０２６２】
正孔注入層に続いて、正孔輸送層、発光層等の有機化合物層を形成する場合、特に、両方の層を塗布法によって形成する場合には、先に塗布した層が後から塗布する層の溶液に含まれる溶媒に溶解して積層構造を作製できなくなることがある。この場合には、下層を溶媒不溶化する方法を用いることができる。溶媒不溶化する方法としては、高分子化合物に架橋基を付け、架橋させて不溶化する方法、芳香族ビスアジドに代表される芳香環を有する架橋基を持った低分子化合物を架橋剤として混合し、架橋させて不溶化する方法、アクリレート基に代表される芳香環を有しない架橋基を持った低分子化合物を架橋剤として混合し、架橋させて不溶化する方法、下層を紫外光に感光させて架橋させ、上層の製造に用いる有機溶媒に対して不溶化する方法、下層を加熱して架橋させ、上層の製造に用いる有機溶媒に対して不溶化する方法等が挙げられる。下層を加熱する場合の加熱の温度は通常１００℃〜３００℃であり、時間は通常１分〜１時間である。
また、架橋以外で下層を溶解させずに積層するその他の方法として、隣り合った層の製造に異なる極性の溶液を用いる方法があり、たとえば、下層に水溶性の高分子化合物を用い、上層に油溶性の高分子化合物を用いて、塗布しても下層が溶解しないようにする方法等がある。
【０２６３】
正孔注入層の厚さは、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよく、通常、１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは１０ｎｍ〜１００ｎｍである。
【０２６４】
−正孔輸送層−
本発明の電界発光素子において、本発明の高分子化合物以外の正孔輸送層を構成する材料としては、例えば、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレン誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）誘導体、有機シラン誘導体、及びこれらの構造を含む重合体；アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子及びオリゴマー；ポリピロール等の有機導電性材料が挙げられる。
前記材料は単成分であっても或いは複数の成分からなる高分子化合物であってもよい。
また、前記正孔輸送層は、前記材料のみからなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。また、正孔注入層で用いることができる材料として例示する材料も正孔輸送層で用いることができる。
【０２６５】
正孔輸送層及びインターレイヤーの成膜方法としては、例えば、正孔注入層の成膜と同様の方法が挙げられる。溶液からの成膜方法としては、例えば、スピンコート法、キャスティング法、バーコート法、スリットコート法、スプレーコート法、ノズルコート法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、インクジェット印刷法等の塗布法及び印刷法が挙げられ、昇華性化合物材料を用いる場合には、真空蒸着法、転写法が挙げられる。溶液からの成膜に用いる溶媒としては、例えば、正孔注入層の成膜方法で例示した溶媒が挙げられる。
【０２６６】
正孔輸送層に続いて、発光層等の有機層を塗布法にて形成する際に、下層が後から塗布する層の溶液に含まれる溶媒に溶解する場合は、正孔注入層の成膜方法での例示と同様の方法で下層を溶媒不溶にすることができる。
【０２６７】
正孔輸送層の厚さは、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよく、通常、１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜１００ｎｍである。
【０２６８】
−発光層−
本発明の電界発光素子において、発光層が高分子化合物を含む場合、該高分子化合物としては、ポリフルオレン誘導体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリジアルキルフルオレン、ポリフルオレンベンゾチアジアゾール、ポリアルキルチオフェン等の共役高分子化合物を好適に用いることができる。
前記高分子化合物を含む発光層は、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素等の高分子系色素化合物や、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子色素化合物を含有してもよい。また、該発光層は、ナフタレン誘導体、アントラセン及びその誘導体、ペリレン及びその誘導体、ポリメチン系、キサンテン系、クマリン系、シアニン系等の色素類、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン及びその誘導体、並びにテトラフェニルブタジエン及びその誘導体、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム等の燐光を発光する金属錯体を含有してもよい。
【０２６９】
本発明の電界発光素子が有する発光層は、非共役高分子化合物と前記有機色素や前記金属錯体等の発光性有機化合物との組成物から構成されてもよい。非共役高分子化合物としては、例えば、ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタジエン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂が挙げられる。前記の非共役高分子化合物は側鎖にカルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレン誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン化合物、ポルフィリン化合物、及び有機シラン誘導体からなる群から選ばれる１つ以上の誘導体若しくは化合物の構造を有していてもよい。
【０２７０】
発光層が低分子化合物を含む場合、該低分子化合物としては、例えば、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、カルバゾール、キナクリドン等の低分子色素化合物、ナフタレン誘導体、アントラセン及びその誘導体、ペリレン及びその誘導体、ポリメチン系、キサンテン系、クマリン系、シアニン系、インジゴ系等の色素類、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、フタロシアニン及びその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン及びその誘導体、並びにテトラフェニルブタジエン及びその誘導体等が挙げられる。
発光層が燐光を発光する金属錯体を含む場合、該金属錯体としては、例えば、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム、チエニルピリジン配位子含有イリジウム錯体、フェニルキノリン配位子含有イリジウム錯体、トリアザシクロノナン骨格含有テルビウム錯体等が挙げられる。
【０２７１】
前記材料は単成分であっても或いは複数の成分からなる組成物であってもよい。また、前記発光層は、前記材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【０２７２】
発光層の成膜方法としては、正孔注入層の成膜と同様の方法が挙げられる。溶液からの成膜方法としては、例えば、スピンコート法、キャスティング法、バーコート法、スリットコート法、スプレーコート法、ノズルコート法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、インクジェット印刷法等の前記塗布法及び印刷法が挙げられ、昇華性化合物材料を用いる場合には、真空蒸着法、転写法等が挙げられる。
溶液からの成膜に用いる溶媒としては、例えば、正孔注入層の成膜方法で例示した溶媒が挙げられる。
【０２７３】
発光層に続いて、電子輸送層等の有機化合物層を塗布法にて形成する際に、下層が後から塗布する層の溶液に含まれる溶媒に溶解する場合は、正孔注入層の成膜方法での例示と同様の方法で下層を溶媒不溶にすることができる。
【０２７４】
発光層の厚さは、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよく、通常、５ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは３０ｎｍ〜２００ｎｍである。
【０２７５】
−電子輸送層−
本発明の電界発光素子において、本発明の高分子化合物以外の電子輸送層を構成する材料としては、公知のものが使用でき、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレン誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン及びその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、ジフェノキノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン誘導体、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体等が挙げられる。これらのうち、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、並びに８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体が好ましい。
前記材料は単成分であっても或いは複数の成分からなる組成物であってもよい。また、前記電子輸送層は、前記材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。また、電子注入層で用いることができる材料として例示する材料も電子輸送層で用いることができる。
【０２７６】
電子輸送層の成膜方法としては、例えば、正孔注入層の成膜と同様の方法が挙げられる。溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、バーコート法、スリットコート法、スプレーコート法、ノズルコート法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、インクジェット印刷法等の前記塗布法及び印刷法が挙げられ、昇華性化合物材料を用いる場合には、真空蒸着法、転写法等が挙げられる。
溶液からの成膜に用いる溶媒としては、例えば、正孔注入層の成膜方法で例示した溶媒が挙げられる。
【０２７７】
電子輸送層に続いて、電子注入層等の有機化合物層を塗布法にて形成する際に、下層が後から塗布する層の溶液に含まれる溶媒に溶解する場合は、正孔注入層の成膜方法での例示と同様の方法で下層を溶媒不溶にすることができる。
【０２７８】
電子輸送層の厚さは、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよく、通常、１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜１００ｎｍである。
【０２７９】
−電子注入層−
本発明の電界発光素子において、本発明の高分子化合物以外の電子注入層を構成する材料としては、公知の化合物が使用でき、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレン誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン及びその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、ジフェノキノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン誘導体等が挙げられる。
前記材料は単成分であっても或いは複数の成分からなる組成物であってもよい。また、前記電子注入層は、前記材料のみからなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。また、電子輸送層及び正孔ブロック層で用いることができる材料として例示する材料も電子注入層で用いることができる。
【０２８０】
電子注入層の成膜方法としては、例えば、正孔注入層の成膜と同様の方法が挙げられる。溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、バーコート法、スリットコート法、スプレーコート法、ノズルコート法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、インクジェット印刷法等の前記塗布法及び印刷法が挙げられ、昇華性化合物材料を用いる場合には、真空蒸着法、転写法等が挙げられる。
溶液からの成膜に用いる溶媒としては、例えば、正孔注入層の成膜方法で例示した溶媒が挙げられる。
【０２８１】
電子注入層の厚さは、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよく、通常、１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜１００ｎｍである。
【０２８２】
−陰極−
本発明の電界発光素子において、陰極は、単一の材料又は複数の材料からなる単層構造であってもよいし、複数層からなる多層構造であってもよい。陰極が単層構造である場合、陰極の材料としては、例えば、金、銀、銅、アルミニウム、クロム、スズ、鉛、ニッケル、チタン等の低抵抗金属及びこれらを含む合金、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化モリブデン等の導電性金属酸化物、これらの導電性金属酸化物と金属との混合物が挙げられ、アルミニウム及びアルミニウムを含む合金が好ましい。多層構造である場合、第１陰極層とカバー陰極層の２層構造、又は第１陰極層、第２陰極層及びカバー陰極層の３層構造が好ましい。ここで、第１陰極層は、陰極の中で最も発光層側にある層をいい、カバー陰極層は２層構造の場合は第１陰極層を、３層構造の場合は第１陰極層と第２陰極層を覆う層をいう。電子供給能の観点からは、第１陰極層の材料の仕事関数が３．５ｅＶ以下であることが好ましい。また、仕事関数が３．５ｅＶ以下の金属の酸化物、フッ化物、炭酸塩、複合酸化物等も第１陰極層材料として好適に用いられる。カバー陰極層の材料には、抵抗率が低く、水分への耐腐食性が高い金属、金属酸化物等が好適に用いられる。
【０２８３】
第１陰極層材料としては、例えば、アルカリ金属やアルカリ土類金属、前記金属を１種類以上含む合金、前記金属の酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩、複合酸化物、及びこれらの混合物からなる群より選択される１つ以上の材料等が挙げられる。アルカリ金属又はその酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩、複合酸化物の例としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、酸化リチウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化ルビジウム、酸化セシウム、フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム、フッ化ルビジウム、フッ化セシウム、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸ルビジウム、炭酸セシウム、モリブデン酸カリウム、チタン酸カリウム、タングステン酸カリウム、モリブデン酸セシウムが挙げられる。アルカリ土類金属又はその酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩、複合酸化物の例としては、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、酸化バリウム、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、フッ化ストロンチウム、フッ化バリウム、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸ストロンチウム、炭酸化バリウム、モリブデン酸バリウム、タングステン酸バリウムが挙げられる。アルカリ金属又はアルカリ土類金属を１種類以上含む合金の例としては、Ｌｉ−Ａｌ合金、Ｍｇ−Ａｇ合金、Ａｌ−Ｂａ合金、Ｍｇ−Ｂａ合金、Ｂａ−Ａｇ合金、Ｃａ−Ｂｉ−Ｐｂ−Ｓｎ合金が挙げられる。また、第１陰極層材料として例示した材料と電子注入層を構成する材料として例示した材料との組成物も第１陰極層に使用できる。第２陰極層の材料としては、第１陰極層の材料と同様の材料が例示される。
【０２８４】
カバー陰極層の材料の例としては、金、銀、銅、アルミニウム、クロム、スズ、鉛、ニッケル、チタン等の低抵抗金属及びこれらを含む合金、金属ナノ粒子、金属ナノワイヤー、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化モリブデン等の導電性金属酸化物、これらの導電性金属酸化物と金属との混合物、導電性金属酸化物のナノ粒子、グラフェン、フラーレン、カーボンナノチューブ等の導電性炭素が挙げられる。
【０２８５】
陰極が多層構造である場合の例としては、Ｍｇ／Ａｌ、Ｃａ／Ａｌ、Ｂａ／Ａｌ、ＮａＦ／Ａｌ、ＫＦ／Ａｌ、ＲｂＦ／Ａｌ、ＣｓＦ／Ａｌ、Ｎａ２ＣＯ３／Ａｌ、Ｋ２ＣＯ３／Ａｌ、Ｃｓ２ＣＯ３／Ａｌ等の第１陰極層とカバー陰極層の２層構造、ＬｉＦ／Ｃａ／Ａｌ、ＮａＦ／Ｃａ／Ａｌ、ＫＦ／Ｃａ／Ａｌ、ＲｂＦ／Ｃａ／Ａｌ、ＣｓＦ／Ｃａ／Ａｌ、Ｂａ／Ａｌ／Ａｇ、ＫＦ／Ａｌ／Ａｇ、ＫＦ／Ｃａ／Ａｇ、Ｋ２ＣＯ３／Ｃａ／Ａｇ等の第１陰極層、第２陰極層及びカバー陰極層の３層構造が挙げられる。ここで、符号「／」は各層が隣接していることを示す。なお、第２陰極層の材料が第１陰極層の材料に対して還元作用を有することが好ましい。ここで、材料間の還元作用の有無・程度は、例えば、化合物間の結合解離エネルギー（ΔｒＨ°）から見積もることができる。即ち、第２陰極層を構成する材料による、第１陰極層を構成する材料に対する還元反応において、結合解離エネルギーが正である組み合わせの場合、第２陰極層の材料が第１陰極層の材料に対して還元作用を有すると言える。結合解離エネルギーは、例えば「電気化学便覧第５版」（丸善、２０００年発行）、「熱力学データベースＭＡＬＴ」（科学技術社、１９９２年発行）で参照できる。
【０２８６】
陰極の作製方法としては公知の方法が利用でき、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、溶液からの成膜による方法（高分子バインダーとの混合溶液を用いてもよい）が例示される。金属、金属酸化物、フッ化物、炭酸塩を用いる場合は真空蒸着法が多用され、高沸点の金属酸化物、金属複合酸化物や酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の導電性金属酸化物を用いる場合は、スパッタリング法、イオンプレーティング法が多用される。金属、金属酸化物、フッ化物、炭酸塩、高沸点の金属酸化物、金属複合酸化物、導電性金属酸化物を２種以上併用して成膜する場合には、共蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等が用いられる。金属ナノ粒子、金属ナノワイヤー、導電性金属酸化物ナノ粒子の場合には、溶液からの成膜による方法が多用される。特に、低分子有機化合物と金属又は金属酸化物、フッ化物、炭酸塩との組成物を成膜する場合には共蒸着法が適する。
【０２８７】
陰極の厚さは用いる材料、層構造によって最適値が異なり、駆動電圧、発光効率、素子寿命が適度な値となるように選択すればよいが、通常、第１陰極層の厚さは０．５ｎｍ〜２０ｎｍであり、カバー陰極層の厚さは１０ｎｍ〜１μｍである。例えば、第１陰極層にＢａ又はＣａ、カバー陰極層にＡｌを用いる場合、Ｂａ又はＣａの厚さは２ｎｍ〜１０ｎｍ、Ａｌの厚さは１０ｎｍ〜５００ｎｍであることが好ましく、第１陰極層にＮａＦ又はＫＦ、カバー陰極層にＡｌを用いる場合、ＮａＦ又はＫＦの厚さは１ｎｍ〜８ｎｍ、Ａｌの厚さは１０ｎｍ〜５００ｎｍであることが好ましい。
【０２８８】
本発明の電界発光素子において陰極を光透過性電極として用いる場合には、カバー陰極層の可視光透過率が４０％以上であることが好ましく、５０％以上であることがより好ましい。この可視光透過率は、カバー陰極層材料として酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化モリブデン等の透明導電性金属酸化物を用いるか、或いは、金、銀、銅、アルミニウム、クロム、スズ、鉛等の低抵抗金属及びこれらを含む合金を用いたカバー陰極層の厚さを３０ｎｍ以下にすることで達成される。
【０２８９】
また、陰極側からの光透過率を向上させることを目的として、陰極のカバー陰極層上に反射防止層を設けることもできる。反射防止層に用いられる材料としては、屈折率が１．８  〜３．０であることが好ましく、この屈折率を満たす材料としては、例えば、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＷＯ３が挙げられる。反射防止層の厚さは材料の組み合わせによって異なるが、通常１０ｎｍ〜１５０ｎｍである。
【０２９０】
−絶縁層−
本発明の電界発光素子が任意に有しうる厚さ５ｎｍ以下の絶縁層は、電極との密着性向上、電極からの電荷注入改善、隣接層との混合防止等の機能を有する層である。上記絶縁層の材料としては、例えば、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶縁材料（ポリメチルメタクリレート等）等が挙げられる。厚さ５ｎｍ以下の絶縁層を設けた電界発光素子としては、例えば、陰極に隣接して厚さ５ｎｍ以下の絶縁層を設けた素子、陽極に隣接して厚さ５ｎｍ以下の絶縁層を設けた素子が挙げられる。
【０２９１】
−その他の構成要素−
前記装置は、さらに、発光層等を挟んで基板と反対側に、封止部材を有することができる。また、さらに、カラーフィルター、蛍光変換フィルター等のフィルター、画素の駆動に必要な回路及び配線等の、ディスプレイ装置を構成するための任意の構成要素を有することができる。
【０２９２】
−電界発光素子の製造方法−
本発明の電界発光素子は、例えば、基板上に各層を順次積層することにより製造することができる。具体的には、基板上に陽極を設け、その上に正孔注入層、正孔輸送層等の層を設け、その上に発光層を設け、その上に電子輸送層、電子注入層等の層を設け、さらにその上に、陰極を積層することにより、電界発光素子を製造することができる。他の製造方法としては、基板上に陰極を設け、その上に電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層等の層を設け、さらにその上に、陽極を積層することにより、電界発光素子を製造することができる。更に他の製造方法としては、陽極又は陽極上に各層を積層した陽極側基材と陰極又は陰極上に各層を積層させた陰極側基材とを、対向させて接合することにより製造することができる。
【０２９３】
−電界発光素子の応用−
本発明の電界発光素子を用いてディスプレイ装置を製造することができる。該ディスプレイ装置は、電界発光素子を１画素単位として備える。画素単位の配列の態様は、テレビ等のディスプレイ装置で通常採られる配列とすることができ、多数の画素が共通の基板上に配列された態様とすることができる。本発明の装置において、基板上に配列される画素は、バンクで規定される画素領域内に形成することができる。また本発明の電界発光素子は平面状や曲面状の照明装置に用いることができる。
【０２９４】
＜光電変換素子＞
本発明の光電変換素子は、例えば、陰極、陽極、前記陰極と前記陽極との間に位置する電荷分離層、及び前記電荷分離層と前記陰極又は前記陽極との間に位置し、本発明の高分子化合物を含む層を有する。本発明の光電変換素子は、任意の構成要素として基板を有することができ、かかる基板の面上に前記陰極、陽極、電荷分離層及び本発明で用いられる高分子化合物を含む層、並びに任意の構成要素を設けた構成とすることができる。
【０２９５】
本発明の光電変換素子の一態様としては、基板上に陽極が設けられ、その上層に電荷分離層が積層され、その上層に本発明の高分子化合物を含む層が積層され、さらにその上層に陰極が積層される。他の態様としては、基板上に陽極が設けられ、その上層に本発明の高分子化合物を含む層が積層され、電荷分離層が積層され、さらにその上層に陰極が積層される。他の態様としては、基板上に陽極が設けられ、その上層に本発明の高分子化合物を含む層が積層され、電荷分離層が積層され、その上層に本発明の高分子化合物を含む層が積層され、さらにその上層に陰極が積層される。他の態様としては、陰極を基板上に設け、その上層に本発明の高分子化合物を含む層が積層され、その上層に電荷分離層が積層され、さらにその上層に陽極が積層される。他の態様としては、陰極を基板上に設け、その上層に電荷分離層が積層され、その上層に本発明の高分子化合物を含む層が積層され、さらにその上層に陽極が積層される。さらに他の態様としては、陰極を基板上に設け、その上層に本発明の高分子化合物を含む層が積層され、その上層に電荷分離層が積層され、その上層に本発明の高分子化合物を含む層が積層され、さらにその上層に陽極が積層される。また、これらの態様において、さらに、本発明の高分子化合物を含む層及び電荷分離層以外の層を設けてもよい。なお、光電変換素子の構成については、下記にて別途詳述する。
【０２９６】
本発明の高分子化合物を含む層は、公知の電子供与性化合物及び／又は電子受容性化合物、金属ナノ粒子、金属酸化物ナノ粒子が混合されていてもよい。
【０２９７】
高分子化合物を含む層を形成する方法としては、例えば、高分子化合物を含有する溶液を用いて成膜する方法が挙げられる。
【０２９８】
このような溶液からの成膜に用いる溶媒としては、水、アルコール、エーテル、エステル、カルボン酸、アルキルハロゲン化物、複素環芳香族化合物、チオール、スルフィド、チオケトン、スルホキシド、ニトロ化合物、ニトリル化合物、及びこれらの混合溶媒等の溶媒のうち、溶解パラメーターが９．３以上の溶媒が好ましい。該溶媒の例及び溶解パラメーターは、前述のとおりである。
【０２９９】
溶液からの成膜方法としては、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビア印刷法、グラビア印刷法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法、ノズルコート法等の塗布法が挙げられる。
【０３００】
高分子化合物を含む層の厚さは、用いる高分子化合物によって最適値が異なるため、光電変換効率が適度な値となるように選択すればよく、１ｎｍ〜１μｍであることが好ましく、２ｎｍ〜５００ｎｍであることがより好ましく、２ｎｍ〜２００ｎｍであることがさらに好ましい。
【０３０１】
本発明の高分子化合物を含む層を有する光電変換素子は、陰極、陽極、及び陰極と陽極との間に位置する電荷分離層を有し、電荷分離層と陰極との間、及び電荷分離層と陰極との間のいずれか一方又は両方に該高分子化合物を含む層を有することが好ましく、陰極と電荷分離層との間に該高分子化合物を含む層を有することがさらに好ましい。
【０３０２】
本発明の高分子化合物を含む層を有する光電変換素子の電荷分離層には、電子供与性化合物と電子受容性化合物とが含まれていることが好ましい。
【０３０３】
前記電荷分離層は、電子供与性化合物と電子受容性化合物のおのおのを一種単独で含んでいても二種以上を組み合わせて含んでいてもよい。なお、前記電子供与性化合物、前記電子受容性化合物は、これらの化合物のエネルギー準位のエネルギーレベルから相対的に決定される。
【０３０４】
前記電子供与性化合物としては、例えば、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、共役高分子化合物が挙げられ、前記共役高分子化合物としては、例えば、オリゴチオフェン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリチエニレンビニレン及びその誘導体等が挙げられる。
【０３０５】
前記電子受容性化合物としては、例えば、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン及びその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、ジフェノキノン誘導体、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体、Ｃ６０等のフラーレン類及びその誘導体、バソクプロイン等のフェナントレン誘導体、酸化チタンなどの金属酸化物、カーボンナノチューブ等が挙げられる。電子受容性化合物としては、好ましくは酸化チタン、カーボンナノチューブ、フラーレン、フラーレン誘導体であり、特に好ましくはフラーレン、フラーレン誘導体である。
【０３０６】
電荷分離層の厚さは、通常、１ｎｍ〜１００μｍであり、より好ましくは２ｎｍ〜１０００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜５００ｎｍであり、より好ましくは２０ｎｍ〜２００ｎｍである。
【０３０７】
＜電荷分離層の製造方法＞
前記電荷分離層の製造方法は、如何なる方法でもよく、例えば、溶液からの成膜や、真空蒸着法による成膜方法が挙げられる。
【０３０８】
溶液からの成膜には、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法、ディスペンサー印刷法、ノズルコート法、キャピラリーコート法等の塗布法を用いることができ、スピンコート法、フレキソ印刷法、グラビア印刷法、インクジェット印刷法、ディスペンサー印刷法が好ましい。
【０３０９】
本発明の高分子化合物を含む層を有する光電変換素子は、通常、基板上に形成される。
この基板は、電極を形成し、有機物の層を形成する際に変化しないものであればよい。基板の材料としては、例えば、ガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコン等が挙げられる。不透明な基板の場合には、反対の電極（即ち、基板から遠い方の電極）が透明又は半透明であることが好ましい。
前記の透明又は半透明の電極材料としては、例えば、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が挙げられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、及びそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・オキサイド等からなる導電性材料を用いて作製された膜、ＮＥＳＡや、金、白金、銀、銅等が用いられ、ＩＴＯ、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズが好ましい。電極の作製方法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。
また、電極材料として、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等の有機の透明導電膜を用いてもよい。さらに電極材料としては、金属、導電性高分子等を用いることができ、一対の電極のうち一方の電極は仕事関数の小さい材料が好ましい。例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等の金属、及びそれらのうち２つ以上の合金、又はそれらのうち１つ以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１つ以上との合金、グラファイト又はグラファイト層間化合物が用いられる。合金としては、例えば、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金等が挙げられる。
【０３１０】
光電変換効率を向上させるための手段として、本発明の高分子化合物を含む層以外に、電荷分離層以外の付加的な中間層を使用してもよい。中間層として用いられる材料としては、フッ化リチウム等のアルカリ金属、アルカリ土類金属のハロゲン化物、酸化物等を用いることができる。また、酸化チタン等無機半導体の微粒子、ＰＥＤＯＴ（ポリ−３，４−エチレンジオキシチオフェン）などが挙げられる。
【０３１１】
＜素子の用途＞
本発明の高分子化合物を含む層を有する光電変換素子は、透明又は半透明の電極から太陽光等の光を照射することにより、電極間に光起電力が発生し、有機薄膜太陽電池として動作させることができる。有機薄膜太陽電池を複数集積することにより有機薄膜太陽電池モジュールとして用いることもできる。
【０３１２】
また、電極間に電圧を印加した状態、あるいは無印加の状態で、透明又は半透明の電極から光を照射することにより、光電流が流れ、有機光センサーとして動作させることができる。有機光センサーを複数集積することにより有機イメージセンサーとして用いることもできる。
【０３１３】
＜太陽電池モジュール＞
有機薄膜太陽電池は、従来の太陽電池モジュールと基本的には同様のモジュール構造をとりうる。太陽電池モジュールは、一般的には金属、セラミック等の支持基板の上にセルが構成され、その上を充填樹脂や保護ガラス等で覆い、支持基板の反対側から光を取り込む構造をとるが、支持基板に強化ガラス等の透明材料を用い、その上にセルを構成してその透明の支持基板側から光を取り込む構造とすることも可能である。具体的には、スーパーストレートタイプ、サブストレートタイプ、ポッティングタイプと呼ばれるモジュール構造、アモルファスシリコン太陽電池などで用いられる基板一体型モジュール構造等が知られている。本発明の有機薄膜太陽電池も使用目的や使用場所及び環境により、適宜これらのモジュール構造を選択できる。
【０３１４】
代表的なスーパーストレートタイプあるいはサブストレートタイプのモジュールは、片側又は両側が透明で反射防止処理を施された支持基板の間に一定間隔にセルが配置され、隣り合うセル同士が金属リード又はフレキシブル配線等によって接続され、外縁部に集電電極が配置されており、発生した電力を外部に取り出される構造となっている。基板とセルの間には、セルの保護や集電効率向上のため、目的に応じエチレンビニルアセテート（ＥＶＡ）等様々な種類のプラスチック材料をフィルム又は充填樹脂の形で用いてもよい。
また、外部からの衝撃が少ないところなど表面を硬い素材で覆う必要のない場所において使用する場合には、表面保護層を透明プラスチックフィルムで構成し、又は上記充填樹脂を硬化させることによって保護機能を付与し、片側の支持基板をなくすことが可能である。支持基板の周囲は、内部の密封及びモジュールの剛性を確保するため金属製のフレームでサンドイッチ状に固定し、支持基板とフレームの間は封止材料で密封シールする。また、セルそのものや支持基板、充填材料及び封止材料に可撓性の素材を用いれば、曲面の上に太陽電池を構成することもできる。
【０３１５】
ポリマーフィルム等のフレキシブル支持体を用いた太陽電池の場合、ロール状の支持体を送り出しながら順次セルを形成し、所望のサイズに切断した後、周縁部をフレキシブルで防湿性のある素材でシールすることにより電池本体を作製できる。また、Ｓｏｌａｒ  Ｅｎｅｒｇｙ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  ａｎｄ  Ｓｏｌａｒ  Ｃｅｌｌｓ，  ４８，ｐ３８３−３９１記載の「ＳＣＡＦ」とよばれるモジュール構造とすることもできる。更に、フレキシブル支持体を用いた太陽電池は曲面ガラス等に接着固定して使用することもできる。
【実施例】
【０３１６】
以下、実施例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【０３１７】
高分子化合物の重量平均分子量（Ｍｗ）及び数平均分子量（Ｍｎ）は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）（東ソー株式会社製：ＨＬＣ−８２２０ＧＰＣ）を用いて、ポリスチレン換算の重量平均分子量及び数平均分子量として求めた。また、測定する試料は、約０．５重量％の濃度になるようにテトラヒドロフランに溶解させ、ＧＰＣに５０μＬ注入した。更に、ＧＰＣの移動相としてはテトラヒドロフランを用い、０．５ｍＬ／分の流速で流した。高分子化合物の構造分析はＶａｒｉａｎ社製３００ＭＨｚＮＭＲスペクトロメータ−を用いた、１Ｈ−ＮＭＲ解析によって行った。また、測定は、２０ｍｇ／ｍＬの濃度になるように試料を可溶な重溶媒（溶媒分子中の水素原子が重水素原子で置換された溶媒）に溶解させて行った。高分子化合物のＨＯＭＯの軌道エネルギーは、高分子化合物のイオン化ポテンシャルを測定し、得られたイオン化ポテンシャルを該軌道エネルギーとすることにより求めた。一方、高分子化合物のＬＵＭＯの軌道エネルギーは、ＨＯＭＯとＬＵＭＯとのエネルギー差を求め、その値と前記で測定したイオン化ポテンシャルとの和を該軌道エネルギーとすることにより求めた。イオン化ポテンシャルの測定には光電子分光装置（理研計器株式会社製：ＡＣ−２）を用いた。また、ＨＯＭＯとＬＵＭＯのエネルギー差は紫外・可視・近赤外分光光度計（Ｖａｒｉａｎ社製：Ｃａｒｙ５Ｅ）を用いて高分子化合物の吸収スペクトルを測定し、その吸収末端より求めた。
【０３１８】
［実施例１］
化合物Ａの合成
反応容器内を窒素ガス雰囲気下とした後、２，７−ジブロモ−９−フルオレノン（９２．０ｇ、２７２ｍｍｏｌ）、及びジエチルエーテル（３．７Ｌ）を混合して０℃に冷却し、１ｍｏｌ／Ｌヨウ化メチルマグネシウム・ジエチルエーテル溶液（０．５Ｌ、５４５ｍｍｏｌ）を滴下して３時間撹拌した。得られた反応混合物に塩化アンモニウム水溶液を加えて水層を除去し、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥して減圧濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、化合物Ａ（９２．８１ｇ、２６２ｍｍｏｌ、収率９６％）を得た。
【化５３】
0006046361.tif 000054
【０３１９】
［実施例２］
化合物Ｂの合成
反応容器内を窒素ガス雰囲気下とした後、化合物Ａ（８３．０ｇ、２３４ｍｍｏｌ）、ｐ−トルエンスルホン酸一水和物（４．４９ｇ、２３．６ｍｍｏｌ）、及びクロロホルム（２．５Ｌ）を１時間還流し、得られた反応混合物に塩化アンモニウム水溶液を加えて水層を除去した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥して減圧濃縮し、化合物Ｂ（７３．６ｇ、２１９ｍｍｏｌ、収率９３％）を得た。
【化５４】
0006046361.tif 000055
【０３２０】
［実施例３］
化合物Ｃの合成
反応容器内を窒素ガス雰囲気下とした後、化合物Ｂ（７０．０ｇ、２０８ｍｍｏｌ）、サリチル酸エチル（１０４ｇ、６２５ｍｍｏｌ）、メルカプト酢酸（４．２０ｇ、４５．６ｍｍｏｌ）、及びメタンスルホン酸（１２１４ｇ）を７０℃で８時間撹拌し、得られた反応混合物を氷水に滴下して析出した固体をろ過で回収し、メタノールで洗浄した。粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、化合物Ｃ（５２．１４ｇ、１０４ｍｍｏｌ、収率５０％）を得た。
【化５５】
0006046361.tif 000056
【０３２１】
［実施例４］
化合物Ｄの合成
反応容器内を窒素ガス雰囲気下とした後、化合物Ｃ（４１．２ｇ、８２．０ｍｍｏｌ）、２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］−エチル−ｐ−トルエンスルホネート（７５．８ｇ、２３８ｍｍｏｌ）、ジメチルホルムアミド（２１４ｇ）、炭酸カリウム（５４．４ｇ、３９４ｍｍｏｌ）、及び１，４，７，１０，１３，１６−ヘキサオキサシクロオクタデカン（「１８−クラウン−６」と呼ばれることもある。）（４．６８ｇ、１８ｍｍｏｌ）を１０５℃で２時間撹拌し、得られた反応混合物を水に加え酢酸エチルで抽出した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧濃縮して得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、化合物Ｄ（４０．２ｇ、６２．０ｍｍｏｌ、収率７６％）を得た。
１Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３，ｒｔ）
δ（ｐｐｍ）  １．３７（３Ｈ），１．８４（３Ｈ），３．３６（３Ｈ），３．５３（２Ｈ），３．５８−３．７９（６Ｈ），３．７３（２Ｈ），４．１２（２Ｈ），４．３４（２Ｈ），６．８０（１Ｈ），６．９０（１Ｈ），７．２８（２Ｈ），７．４８（２Ｈ），７．５８（２Ｈ），７．７０（１Ｈ）．
【化５６】
0006046361.tif 000057
【０３２２】
［実施例５］
化合物Ｅの合成
反応容器内を窒素ガス雰囲気下とした後、化合物Ｄ（２８．４ｇ、４３．８ｍｍｏｌ）、ビス（ピナコラート）ジボロン（２４．３０ｇ、９５．７ｍｏｌ）、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリド  ジクロロメタン付加物（０．３５ｇ、０．４ｍｍｏｌ）、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン（０．２４ｇ、０．４ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム（２５．６０ｇ、２６０ｍｍｏｌ）、及び１，４−ジオキサン（４８０ｍＬ）を１２０℃で１７時間撹拌し、得られた反応混合物をろ過して酢酸エチルで洗浄した。ろ液を減圧濃縮してシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、次いで再結晶で精製して化合物Ｅ（１８．２２ｇ、２４．５ｍｍｏｌ、収率５６％）を得た。
１Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３，ｒｔ）
δ（ｐｐｍ）  １．３０−１．４７（２７Ｈ），１．８８（３Ｈ），３．３５（３Ｈ），３．５３（２Ｈ），３．６０−３．６９（４Ｈ），３．７３（２Ｈ），３．８４（２Ｈ），４．１０（２Ｈ），４．３４（２Ｈ），６．７４（１Ｈ），６．８７（１Ｈ），７．５８（２Ｈ），７．７２−７．８９（５Ｈ）．
【化５７】
0006046361.tif 000058
【０３２３】
［実施例６］
高分子化合物Ａの合成
反応容器内をアルゴンガス雰囲気下とした後、化合物Ｄ（０．４７ｇ）、化合物Ｅ（０．４８ｇ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０．６ｍｇ）、テトラブチルアンモニウムブロミド（６ｍｇ）、トルエン（６ｍＬ）、２ｍｏｌ／Ｌ炭酸ナトリウム水溶液（２ｍＬ）を１０５℃で６時間撹拌し、次いでフェニルボロン酸（３５ｍｇ）を加え１０５℃で１４時間撹拌した。得られた反応混合物にジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム三水和物（０．６５ｇ）と水（１３ｍＬ）を加えて８０℃で２時間撹拌し、混合物をメタノールに滴下し析出物をろ過で回収して乾燥した。固体をクロロホルムに溶解させ、アルミナ、及びシリカゲルクロマトグラフィーにより精製し、溶出液をメタノールに滴下し析出物をろ過で回収して乾燥し、高分子化合物Ａ（０．５７ｇ）を得た。高分子化合物Ａのポリスチレン換算の数平均分子量は２．０×１０４であった。高分子化合物Ａは、式（Ａ）で表される構造単位からなる。
【化５８】
0006046361.tif 000059
【０３２４】
［実施例７］
高分子化合物Ａのセシウム塩（共役高分子化合物１）の合成
反応容器内をアルゴンガス雰囲気下とした後、高分子化合物Ａ（０．２０ｇ）、テトラヒドロフラン（１８ｍＬ）、メタノール（９ｍＬ）、水酸化セシウム一水和物（９７ｍｇ）、及び水（１ｍＬ）を６５℃で２時間撹拌し、次いでメタノール（５２ｍＬ）を加え６５℃で６時間撹拌した。得られた反応混合物を濃縮して乾燥し、固体にメタノールを加えてろ過し、ろ液をイソプロパノールに滴下し固体をろ過で回収して乾燥し、共役高分子化合物１（０．２０ｇ）を得た。共役高分子化合物１は、式（Ｂ）で表される構造単位からなる。
【化５９】
0006046361.tif 000060
【０３２５】
［実施例８］
高分子化合物Ｂの合成
反応容器内をアルゴンガス雰囲気下とした後、化合物Ｄ（０．５２８ｇ）、化合物Ｅ（０．４９３ｇ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０．５６ｍｇ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブロモフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチル−２，６−ジメチルフェニル）１，４−フェニレンジアミン（３５．８ｍｇ）、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド（アルドリッチ製、商品名Ａｌｉｑｕａｔ３３６（登録商標））（８．１０ｍｇ、０．０２００ｍｍｏｌ）、トルエン（２０ｍＬ）、２ｍｏｌ／Ｌ炭酸ナトリウム水溶液（１０ｍＬ）を１０５℃で６時間撹拌し、次いでフェニルボロン酸（３５ｍｇ）を加え１０５℃で１４時間撹拌した。得られた反応混合物にジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム三水和物（０．７２ｇ）と水（１４ｍＬ）を加えて８０℃で２時間撹拌し、混合物をメタノールに滴下し析出物をろ過で回収して乾燥した。得られた固体をクロロホルムに溶解させ、アルミナ、及びシリカゲルクロマトグラフィーにより精製し、溶出液を濃縮・乾燥させた。濃縮物をトルエンに溶解させて、メタノールに滴下し析出物をろ過で回収して乾燥し、高分子化合物Ｂ（０．３１ｇ）を得た。高分子化合物Ｂのポリスチレン換算の数平均分子量は１．８×１０４であった。高分子化合物Ｂは、式（Ｃ）で表される構造単位からなる。
【化６０】
0006046361.tif 000061
【０３２６】
［実施例９］
高分子化合物Ｂのセシウム塩（共役高分子化合物２）の合成
反応容器内をアルゴンガス雰囲気下とした後、高分子化合物Ｂ（０．１５ｇ）、テトラヒドロフラン（２０ｍＬ）、メタノール（１０ｍＬ）、水酸化セシウム一水和物（１０３ｍｇ）、及び水（１ｍＬ）を６５℃で２時間撹拌し、次いでメタノール（２０ｍＬ）を加え６５℃で２時間撹拌した。得られた反応混合物を濃縮して乾燥し、固体にメタノールを加えてろ過し、ろ液をイソプロパノールに滴下し固体をろ過で回収して乾燥し、共役高分子化合物２（０．１５ｇ）を得た。
共役高分子化合物２は、式（Ｄ）で表される構造単位からなる。
【化６１】
0006046361.tif 000062
【０３２７】
［実施例１０］
化合物Ｆの合成
反応容器内を窒素ガス気流下とした後、２，７−ジブロモ−９−フルオレノン（１２１．９ｇ）、カテコール（８８３．１ｇ）、及び３−メルカプトプロピオン酸（４．８７ｇ）、濃硫酸（１８．４ｇ）を混合し、１２５℃で２時間撹拌した。得られた混合物を放冷し、氷水に添加して生じた固体をろ別した。得られた固体をエタノールに溶解させ、エタノール溶液をヘキサンに添加し生じた固体をろ別することで、化合物Ｆ（１６８．１ｇ）を得た。
【化６２】
0006046361.tif 000063
【０３２８】
［実施例１１］
化合物Ｇの合成
反応容器内を窒素ガス気流下とした後、化合物Ｆ（１３８．４ｇ）、２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］エチルｐ−トルエンスルホネート（４０８．６ｇ）、炭酸カリウム（３５８．５ｇ）、アセトニトリル（２．５Ｌ）を混合し、３時間加熱還流した。放冷後、得られた反応混合物をろ別し、ろ液を減圧濃縮してシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し化合物Ｇ（１０９．４）を得た。
【化６３】
0006046361.tif 000064
【０３２９】
［実施例１２］
化合物Ｈの合成
反応容器内を窒素ガス雰囲気下とした後、化合物Ｇ（１０１．２ｇ）、ビス（ピナコラート）ジボロン（５３．１ｇ）、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ジクロロパラジウム（ＩＩ）ジクロロメタン錯体（３．７ｇ）、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン（５．４ｇ）、酢酸カリウム（９０．６ｇ）、ジオキサン（９００ｍＬ）を混合し、１１０℃に加熱し、８時間加熱還流させた。放冷後、得られた反応液をろ過し、ろ液を減圧濃縮してシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し化合物Ｈ（５１．４ｇ）を得た。
【化６４】
0006046361.tif 000065
【０３３０】
［実施例１３］
高分子化合物Ｃの合成
反応容器内を窒素ガス雰囲気下とした後、化合物Ｅ（０．３６０ｇ）、化合物Ｈ（０．２７３ｇ）、化合物Ｇ（０．４９３ｇ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブロモフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチル−２，６−ジメチルフェニル）１，４−フェニレンジアミン（３５．８ｍｇ）、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド（アルドリッチ製、商品名Ａｌｉｑｕａｔ３３６（登録商標））（８．１０ｍｇ）、ビス（トリフェニルホスフィン）ジクロロパラジウム（１，１２ｍｇ）、２ｍｏｌ／Ｌ炭酸ナトリウム水溶液（１５ｍＬ）、トルエン（２０ｍＬ）を１０５℃で６時間撹拌し、次いでフェニルボロン酸（３９ｍｇ）を加え１０５℃で６時間撹拌した。得られた反応混合物にジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム三水和物（０．７２ｇ）と水（１４ｍＬ）を加えて８０℃で２時間撹拌し、得られた混合物をメタノールに滴下し析出物をろ過で回収して乾燥した。得られた固体をクロロホルムに溶解させ、アルミナ、及びシリカゲルクロマトグラフィーにより精製し、溶出液を濃縮・乾燥させた。濃縮物をトルエンに溶解させて、メタノールに滴下し析出物をろ過で回収して乾燥し、高分子化合物Ｃ（０．４１ｇ）を得た。高分子化合物Ｃのポリスチレン換算の数平均分子量は２．０×１０４であった。
高分子化合物Ｃは、式（Ｅ）で表される構造単位からなる。
【化６５】
0006046361.tif 000066
【０３３１】
［実施例１４］
高分子化合物Ｃのセシウム塩（共役高分子化合物３）の合成
反応容器内をアルゴンガス雰囲気下とした後、高分子化合物Ｃ（０．１５ｇ）、テトラヒドロフラン（２０ｍＬ）、メタノール（１０ｍＬ）、水酸化セシウム一水和物（１０３ｍｇ）、及び水（１ｍＬ）を６５℃で２時間撹拌し、次いでメタノール（２０ｍＬ）を加え６５℃で２時間撹拌した。得られた反応混合物を濃縮して乾燥し、固体にメタノールを加えてろ過し、ろ液をイソプロパノールに滴下し固体をろ過で回収して乾燥し、共役高分子化合物３（０．１７ｇ）を得た。
共役高分子化合物３は、式（Ｆ）で表される構造単位からなる。
【化６６】
0006046361.tif 000067
【０３３２】
［実施例１５］
高分子化合物Ｄの合成
反応容器内を窒素ガス雰囲気下とした後、化合物Ｈ（０．７１５ｇ）、化合物Ｄ（０．４２６ｇ）、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド（アルドリッチ製、商品名Ａｌｉｑｕａｔ３３６（登録商標））（６．６０ｍｇ）、ビス（トリフェニルホスフィン）ジクロロパラジウム（０．４６０ｍｇ）、２ｍｏｌ／Ｌ炭酸ナトリウム水溶液（１０ｍＬ）、トルエン（２０ｍＬ）を加えて、１０５℃で攪拌した。トルエン（２０ｍＬ）を１０５℃で５時間撹拌し、次いでフェニルボロン酸（３２ｍｇ）を加え１０５℃で６時間撹拌した。得られた反応混合物にジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム三水和物（０．７２ｇ）と水（１４ｍＬ）を加えて８０℃で２時間撹拌し、混合物をメタノールに滴下し析出物をろ過で回収して乾燥した。得られた固体をクロロホルムに溶解させ、アルミナ、及びシリカゲルクロマトグラフィーにより精製し、溶出液を濃縮・乾燥させた。濃縮物をトルエンに溶解させて、メタノールに滴下し析出物をろ過で回収して乾燥し、高分子化合物Ｄ（０．５５ｇ）を得た。高分子化合物Ｄのポリスチレン換算の数平均分子量は２．３×１０４であった。高分子化合物Ｄは、式（Ｇ）で表される構造単位からなる。
【化６７】
0006046361.tif 000068
【０３３３】
［実施例１６］
高分子化合物Ｄのセシウム塩（共役高分子化合物４）の合成
反応容器内をアルゴンガス雰囲気下とした後、高分子化合物Ｄ（０．１５ｇ）、テトラヒドロフラン（２０ｍＬ）、メタノール（１０ｍＬ）、水酸化セシウム一水和物（１０３ｍｇ）、及び水（１ｍＬ）を６５℃で２時間撹拌し、次いでメタノール（２０ｍＬ）を加え６５℃で２時間撹拌した。得られた反応混合物を濃縮して乾燥し、固体にメタノールを加えてろ過した。得られたろ液を濃縮して乾燥し、得られた固体を水で洗浄した後、乾燥させることで、共役高分子化合物１２（０．１４ｇ）を得た。共役高分子化合物４は、式（Ｈ）で表される構造単位からなる。
【化６８】
0006046361.tif 000069
【０３３４】
［実施例１７］
高分子化合物Ｅの合成
反応容器内を窒素ガス雰囲気下とした後、化合物Ｅ（０．５３４ｇ、０．７１２ｍｍｏｌ）、化合物Ｄ（０．４７２ｇ、０．７２０ｍｍｏｌ）、ビス（４−ブロモフェニル）［４−（１−メチルプロピル）フェニル］アミン（３８．２ｍｇ、０．０８２ｍｍｏｌ）、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド（アルドリッチ製、商品名Ａｌｉｑｕａｔ３３６（登録商標））（８．１０ｍｇ、０．０２００ｍｍｏｌ）、ビス（トリフェニルホスフィン）ジクロロパラジウム（０．５６０ｍｇ、０．８００μｍｏｌ）、１７．５ｗｔ％炭酸ナトリウム水溶液（１０ｍＬ）、トルエン（２０ｍＬ）を二口フラスコに入れて、１０５℃で攪拌した。４時間後、（ビス（トリフェニルホスフィン）ジクロロパラジウム（０．５６０ｍｇ、０．８００μｍｏｌ）、１７．５ｗｔ％炭酸ナトリウム水溶液（５ｍＬ）、フェニルボロン酸（３９．０ｍｇ、０．３２０ｍｍｏｌ）を加えて６時間攪拌した。得られた反応混合物にジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム三水和物（０．７２ｇ）（７２０ｍｇ）、水（１４ｍＬ）を添加して、８０℃で２時間攪拌した。得られた反応溶液をメタノール（３００ｍＬ）に添加し、析出した固体をろ別して回収し、水（５０ｍＬ）で洗浄した後に、乾燥させた。得られた固体をクロロホルム（２０ｍＬ）に溶解させて、シリカゲルカラム及びアルミナカラムで精製した。カラム溶出液を濃縮・乾燥させた後、トルエン（２０ｍＬ）に溶解させて、ろ過した。ろ液を濃縮後、メタノールに滴下し析出物をろ過で回収して乾燥し、高分子化合物Ｅ（６１１ｍｇ）を得た。高分子化合物Ｅのポリスチレン換算の数平均分子量は３．８×１０４であった。高分子化合物Ｅは、式（Ｉ）で表される構造単位からなる。
【化６９】
0006046361.tif 000070
【０３３５】
なお、ビス（４−ブロモフェニル）［４−（１−メチルプロピル）フェニル］アミンはＷＯ２００２−４５１８４に記載の公知の方法により合成した。
【０３３６】
［実施例１８］
高分子化合物Ｅのセシウム塩（共役高分子化合物５）の合成
反応容器内を窒素ガス雰囲気下とした後、高分子化合物Ｅ（２００ｍｇ）、水酸化セシウム一水和物（１３７ｍｇ、０．８１６ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（２０ｍＬ）、メタノール（１０ｍＬ）、水（１．６ｍＬ）を混合し、６５℃で２時間攪拌し、次いでメタノール（２０ｍＬ）加えて２時間攪拌した。反応混合物を濃縮・乾燥した後、固体にメタノールを加えてろ過し、ろ液を濃縮した。濃縮したろ液を、イソプロピルアルコールに滴下し、析出した固形物をろ過により回収して乾燥し、共役高分子化合物５（１４２ｍｇ）を得た。共役高分子化合物５は式（Ｊ）で表される構造単位からなる。
【化７０】
0006046361.tif 000071
【０３３７】
［実施例１９］
高分子化合物Ｆの合成
反応容器内を窒素ガス雰囲気下とした後、化合物Ｅ（５３４ｍｇ、０．７１２ｍｍｏｌ）、化合物Ｄ（４９３ｍｇ、０．７５２ｍｍｏｌ）、２，４−ビス（４−ブロモフェニル）−６−（４−ヘキシルフェニル）−１，３，５−トリアジン（２６．７ｍｇ．０４８０ｍｍｏｌ）、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド（アルドリッチ製、商品名Ａｌｉｑｕａｔ３３６（登録商標））（８．１０ｍｇ、０．０２００ｍｍｏｌ）、ビス（トリフェニルホスフィン）ジクロロパラジウム（０．５６０ｍｇ、０．８００μｍｏｌ）、１７．５ｗｔ％炭酸ナトリウム水溶液．（１０ｍＬ）、トルエン（２０ｍＬ）を混合し、１０５℃で４時間攪拌し、次いで、ビス（トリフェニルホスフィン）ジクロロパラジウム（０．５６０ｍｇ、０．８００μｍｏｌ）、フェニルボロン酸（３９．０ｍｇ、０．３２０ｍｍｏｌ）、トルエン（３．０ｍＬ）を加えて３時間攪拌した。得られた反応混合物にジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム三水和物（７２０ｍｇ）、水（１４ｍＬ）を添加して、８０℃で２時間攪拌した。得られた反応溶液をメタノール滴下し、析出した固形物を、ろ過により回収し、固体をクロロホルム（４０ｍＬ）に溶解させて、シリカゲルカラム及びアルミナカラムに通液させた後、溶出液を濃縮・乾燥させた後、得られた固体をトルエン（３０ｍＬ）に溶解させてろ過し、ろ液を濃縮した。濃縮したろ液を、メタノールに滴下させることで、析出した固形物をろ過により回収し、乾燥させることで、高分子化合物Ｆ（４１２ｍｇ）を得た。高分子化合物Ｆのポリスチレン換算の数平均分子量は４．２×１０４であった。高分子化合物Ｆは、式（Ｋ）で表される構造単位からなる。
【化７１】
0006046361.tif 000072
【０３３８】
なお、２，４−ビス（４−ブロモフェニル）−６−（４−ヘキシルフェニル）−１，３，５−トリアジンは例えばＷＯ２００９−１３１２５５に記載の公知の方法により合成した。
【０３３９】
［実施例２０］
高分子化合物Ｆのセシウム塩（共役高分子化合物６）の合成
反応容器内を窒素ガス雰囲気下とした後、高分子化合物Ｆ（２００ｍｇ）、水酸化セシウム一水和物（１３７ｍｇ、０．８１６ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（２０ｍＬ）、メタノール（１０ｍＬ）、水（１．６ｍＬ）を混合し、６５℃で１時間攪拌し、さらにメタノール（１００ｍＬ）加えて２時間攪拌した。得られた溶液を、濃縮・乾燥した後、固体をメタノール（８０ｍＬ）に溶解させて、ろ過した。ろ液を濃縮した後、イソプロピルアルコールに滴下し、析出した固形物をろ過により回収し乾燥させることで、共役高分子化合物６（２０７ｍｇ）を得た。共役高分子化合物６は式（Ｌ）で表される構造単位からなる。
【化７２】
0006046361.tif 000073
【０３４０】
［実施例２１］
化合物Ｉの合成
反応容器内を窒素ガス雰囲気下とした後、２，７−ジブロモ−９−フルオレノン（８２．３ｇ、２４４ｍｍｏｌ）およびテトラヒドロフラン（３．８Ｌ）を混合して０℃に冷却し、１ｍｏｌ／Ｌの臭化イソブチルマグネシウム・テトラヒドロフラン溶液（０．４７５Ｌ、４７５ｍｍｏｌ）を滴下して１時間撹拌した。得られた反応混合物に塩化アンモニウム水溶液を加えて水層を除去し、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥して減圧濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、目的とする化合物Ｉ（５１．９ｇ、１３１ｍｍｏｌ、収率５４％）を得た。
１Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３，ｒｔ）
δ（ｐｐｍ）  ０．６０（６Ｈ），１．１７（１Ｈ），２．０４（１Ｈ），２．０９（２Ｈ），７．４３−７．５１（４Ｈ），７．６２（２Ｈ）．
【化７３】
0006046361.tif 000074
【０３４１】
［実施例２２］
化合物Ｊの合成
反応容器内を窒素ガス雰囲気下とした後、化合物Ｉ（４９．６ｇ、１２５ｍｍｏｌ）、メタントルエンスルホン酸（９９．１ｇ、１０３２ｍｍｏｌ）およびクロロホルム（０．５１Ｌ）を１時間還流し、得られた反応混合物に塩化アンモニウム水溶液を加えて水層を除去した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥して減圧濃縮し、目的とする化合物Ｊ（３６．４ｇ、９６．３ｍｍｏｌ、収率７７％）を得た。
１Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３，ｒｔ）
δ（ｐｐｍ）  １．２７（６Ｈ），３．４１（１Ｈ），６．６０（１Ｈ），７．４５−７．６０（４Ｈ），７．８０（１Ｈ），７．９７（１Ｈ）．
【化７４】
0006046361.tif 000075
【０３４２】
［実施例２３］
化合物Ｋの合成
反応容器内を窒素ガス雰囲気下とした後、化合物Ｊ（３６．４ｇ、９６．３ｍｍｏｌ）、サリチル酸エチル（３２．０ｇ、１９３ｍｍｏｌ）、メルカプト酢酸（１．８６ｇ、２０．２ｍｍｏｌ）およびメタンスルホン酸（４６５ｇ）を７０℃で６時間撹拌し、得られた反応混合物を氷水に滴下して析出した固体をろ過で回収し、メタノールで洗浄した。粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、目的とする化合物Ｋ（３９．６ｇ、７２．８ｍｍｏｌ、収率７５．６％）を得た。
１Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３，ｒｔ）
δ（ｐｐｍ）  ０．５３（６Ｈ），０．９８（１Ｈ），１．４４（３Ｈ），２．４１（２Ｈ），４．４４（２Ｈ），６．７４（１Ｈ），６．８０（１Ｈ），７．３０（２Ｈ），７．４７（２Ｈ），７．６０（２Ｈ），７．８４（１Ｈ），１０．８（１Ｈ）．
【化７５】
0006046361.tif 000076
【０３４３】
［実施例２４］
化合物Ｌの合成
反応容器内を窒素ガス雰囲気下とした後、化合物Ｋ（３９．６ｇ、７２．８ｍｍｏｌ）、２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］−エチル−ｐ−トルエンスルホネート（６７．１ｇ、２１０ｍｍｏｌ）、ジメチルホルムアミド（１９８ｇ）、炭酸カリウム（４８．２ｇ、３４９ｍｍｏｌ）および１，４，７，１０，１３，１６−ヘキサオキサシクロオクタデカン（「１８−クラウン−６」と呼ばれることもある。）（３．８２ｇ、１４．５ｍｍｏｌ）を１０５℃で１時間撹拌し、得られた反応混合物を水に加え酢酸エチルで抽出した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧濃縮して得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、目的とする化合物Ｌ（４７．４ｇ、６８．６ｍｍｏｌ、収率９４％）を得た。
１Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３，ｒｔ）
δ（ｐｐｍ）  ０．５１（２Ｈ），１．００（１Ｈ），１．３８（３Ｈ），２．４４（２Ｈ），３．３６（３Ｈ），３．５３（２Ｈ），３．５８−３．７３（６Ｈ），３．７２（２Ｈ），４．１３（２Ｈ），４．３４（２Ｈ），６．７５（１Ｈ），６．８５（１Ｈ），７．３２（２Ｈ），７．４８（２Ｈ），７．５８（２Ｈ），７．７０（１Ｈ）．
【化７６】
0006046361.tif 000077
【０３４４】
［実施例２５］
化合物Ｍの合成
反応容器内を窒素ガス雰囲気下とした後、化合物Ｌ（１８．０ｇ、２６．１ｍｍｏｌ）、ビス（ピナコラト）ジボロン（１４．７ｇ、５７．４ｍｏｌ）、１分子のジクロロメタンを伴う［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（０．２１ｇ、０．２６ｍｍｏｌ）、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン（０．１４ｇ、０．２６ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム（１５．４ｇ、１５６ｍｍｏｌ）および１，４−ジオキサン（２９０ｍＬ）を１２０℃で２４時間撹拌し、得られた反応混合物をろ過して酢酸エチルで洗浄した。ろ液を減圧濃縮してシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、次いで再結晶で精製して目的とする化合物Ｍ（１１．６ｇ、１４．８ｍｍｏｌ、収率５７％）を得た。
１Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３，ｒｔ）
δ（ｐｐｍ）  ０．４４（６Ｈ），０．９９（１Ｈ），１．３０−１．４３（２７Ｈ），２．５５（２Ｈ），３．３５（３Ｈ），３．５３（２Ｈ），３．６０−３．６９（４Ｈ），３．７４（２Ｈ），３．８５（２Ｈ），４．０８（２Ｈ），４．３４（２Ｈ），６．７０（１Ｈ），６．７９（１Ｈ），７．５６（２Ｈ），７．７５−７．８３（５Ｈ）．
【化７７】
0006046361.tif 000078
【０３４５】
［実施例２６］
高分子化合物Ｇの合成
反応容器内を窒素ガス雰囲気下とした後、化合物Ｍ（５７３．６ｍｇ、０．７２８ｍｍｏｌ）、化合物Ｌ（５６７ｍｇ、０，８００ｍｍｏｌ）、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド（アルドリッチ製、商品名Ａｌｉｑｕａｔ３３６（登録商標））（０．２０ｇ，アルドリッチ製）（８．１０ｍｇ、０．０２００ｍｍｏｌ）、ビス（トリフェニルホスフィン）ジクロロパラジウム（０．５６０ｍｇ、０．７９８μｍｏｌ）、１７．５ｗｔ％Ｎａ２ＣＯ３ａｑ．（１０ｍＬ）、トルエン（２０ｍＬ）を二口フラスコに入れて、１０５℃で攪拌した。４時間後、ビス（トリフェニルホスフィン）ジクロロパラジウム（０．５６０ｍｇ、０．７９８μｍｏｌ）、１７．５ｗｔ％炭酸ナトリウム水溶液（３．０ｍＬ）、フェニルボロン酸（３９．０ｍｇ、０．３２０ｍｍｏｌ）、トルエン（３．０ｍＬ）を加えて６時間攪拌した。その後、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム三水和物（７２０ｍｇ）水溶液を添加して、８０℃で２時間攪拌した。得られた反応溶液をメタノールに添加し、固形物を析出させた。得られた固形物を濾別した後、クロロホルム（４０ｍＬ）に溶解させて、シリカゲルカラム及びアルミナカラムに通液させた。得られた溶液は、濃縮・乾燥させた後、トルエン（３０ｍＬ）に溶解させて、ろ過し、ろ液を濃縮した。この溶液を、メタノールに滴下して得られた析出物を回収した。得られた固形物を乾燥させることで、高分子化合物Ｇ（０．４４ｇ）を得た。高分子化合物Ｇのポリスチレン換算の数平均分子量は３．５×１０４であった。高分子化合物Ｇは、式（Ｍ）で表される構造単位からなる。
【化７８】
0006046361.tif 000079
【０３４６】
［実施例２７］
高分子化合物Ｇのセシウム塩（共役高分子化合物７）の合成
反応容器内をアルゴンガス雰囲気下とした後、高分子化合物Ｇ（０．２０ｇ）、テトラヒドロフラン（２０ｍＬ）、メタノール（１０ｍＬ）、水酸化セシウム一水和物（１２６ｍｇ）、及び水（１ｍＬ）を６５℃で４時間撹拌した。得られた反応混合物を濃縮して乾燥し、得られた固体を水で洗浄した後、乾燥させることで、共役高分子化合物７（０．２１ｇ）を得た。共役高分子化合物７は、式（Ｎ）で表される構造単位からなる。
【化７９】
0006046361.tif 000080
【０３４７】
［実施例２８］
高分子化合物Ｇのリチウム塩（共役高分子化合物８）の合成
反応容器内をアルゴンガス雰囲気下とした後、高分子化合物Ｇ（０．１５ｇ）、テトラヒドロフラン（１０ｍＬ）、メタノール（７ｍＬ）、水酸化リチウム一水和物（２３．６ｍｇ）、及び水（０．３ｍＬ）を６５℃で４時間撹拌した。得られた反応混合物を濃縮して乾燥し、得られた固体を水で洗浄した後、乾燥させることで、共役高分子化合物８（０．１３ｇ）を得た。共役高分子化合物８は、式（Ｏ）で表される構造単位からなる。
【化８０】
0006046361.tif 000081
【０３４８】
［実施例２９］
化合物Ｌの合成
反応容器内を窒素ガス雰囲気下とした後、ジメチル−５−ヨードイソフタレート（１０１．１ｇ）、脱水テトラヒドロフラン（２８４ｍＬ）を混合し、−２０℃に冷却したのち、イソプロピルマグネシウムクロリド（１Ｍ  テトラヒドロフラン溶液）（３３６ｍＬ）を滴下し、３０分攪拌した。反応溶液に２，７−ジブロモ−９−フルオレノン（７０．９ｇ）を添加し、３時間攪拌した。得られた反応混合物に塩化アンモニウム水溶液（５６０ｍＬ）を添加し、メチル−ｔｅｒｔ−ブチルエーテル（５６０ｍＬ）を加えた後に反応混合物を室温に戻し、分液により有機層を抽出した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥した後ろ過し、ろ液を濃縮した。得られた固体にトルエン（６５０ｇ）を加えて混合し、混合物をろ過して得た固体をヘキサンで洗浄し、乾燥させることで、化合物Ｌ（１００．８ｇ）を得た。
【化８１】
0006046361.tif 000082
【０３４９】
［実施例３０］
化合物Ｍの合成
反応容器内を窒素ガス雰囲気下とした後、化合物Ｌ（９５．９ｇ）、カテコール（５９．０ｇ）、メルカプト酢酸（３．４５ｍＬ）、及びメタンスルホン酸（７２５ｍＬ）を混合し、７５℃で３時間攪拌した。放冷後、得られた混合物を放冷し、氷水に添加して生じた固体をろ別した。得られた固体をメタノールで洗浄し、乾燥させることで、化合物Ｍ（１０７．８ｇ）を得た。
【化８２】
0006046361.tif 000083
【０３５０】
［実施例３１］
化合物Ｎの合成
反応容器内を窒素ガス気流下とした後、化合物Ｍ（６６．２ｇ）、２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］エチルｐ−トルエンスルホネート（９７．６ｇ）、炭酸カリウム（７０．１ｇ）、Ｎ，Ｎ｀−ジメチルホルムアミド（２６４ｍＬ）を混合し、１０５℃で２時間加熱還流した。放冷後、得られた反応混合物を氷水に添加し、酢酸エチルで抽出して有機層を回収した。回収した有機層を硫酸ナトリウムで乾燥した後ろ別し、ろ液を減圧濃縮してシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し化合物Ｎ（１１４ｇ）を得た。
【化８３】
0006046361.tif 000084
【０３５１】
［実施例３２］
化合物Ｏの合成
反応容器内を窒素ガス雰囲気下とした後、化合物Ｎ（２５．３ｇ）、ビス（ピナコラト）ジボロン（１５．４ｇ）、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（０．２３ｇ）、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン（０．１５ｇ）、酢酸カリウム（１６．３ｇ）および１，４−ジオキサン（４２０ｍＬ）を１２０℃で２４時間撹拌し、得られた反応混合物をろ過して酢酸エチルで洗浄した。ろ液を減圧濃縮してシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、次いで再結晶で精製して目的とする化合物Ｏ（１１．４ｇ）を得た。
【化８４】
0006046361.tif 000085
【０３５２】
［実施例３３］
高分子化合物Ｈの合成
反応容器内を窒素ガス雰囲気下とした後、化合物Ｎ（０．６３ｇ）、化合物Ｏ（０．６２ｇ）、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド（アルドリッチ製、商品名Ａｌｉｑｕａｔ３３６（登録商標））（０．２０ｇ，アルドリッチ製）（７ｍｇ）、ビス（トリフェニルホスフィン）ジクロロパラジウム（０．５６ｍｇ）、１２．０ｗｔ％炭酸ナトリウム水溶液（２．７ｍＬ）、トルエン（２０ｍＬ）を二口フラスコに入れて、１０５℃で攪拌した。９時間後、ビス（トリフェニルホスフィン）ジクロロパラジウム（０．６ｍｇ）、１２．０ｗｔ％炭酸ナトリウム水溶液（１ｍＬ）、フェニルボロン酸（３３．４ｍｇ）、トルエン（１．５ｍＬ）を加えて１６時間攪拌した。その後、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム三水和物（７２０ｍｇ）水溶液を添加して、８０℃で２時間攪拌した。得られた反応溶液をメタノールに添加し、固形物を析出させた。得られた固形物を濾別した後、クロロホルム（４５ｍＬ）に溶解させて、分液抽出した。有機層を濃縮乾燥後、クロロホルム（２２ｍＬ）に溶解させて、シリカゲルカラム及びアルミナカラムに通液させた。得られた溶液は、濃縮・乾燥させた後、クロロホルム（２０ｍＬ）に溶解させて、ろ過し、ろ液を濃縮した。この溶液を、メタノールに滴下して得られた析出物を回収した。得られた固形物を乾燥させることで、高分子化合物Ｈ（０．５９ｇ）を得た。高分子化合物Ｈのポリスチレン換算の数平均分子量は３．５×１０４であった。高分子化合物Ｈは、式（Ｐ）で表される構造単位からなる。
【化８５】
0006046361.tif 000086
【０３５３】
［実施例３４］
高分子化合物Ｈのセシウム塩（共役高分子化合物９）の合成
反応容器内をアルゴンガス雰囲気下とした後、高分子化合物Ｈ（０．２０ｇ）、テトラヒドロフラン（４．２ｍＬ）、メタノール（４．８ｍＬ）、水酸化セシウム一水和物（１７８ｍｇ）、及び水（０．８ｍＬ）を６５℃で４時間撹拌した。さらにメタノール（５．０ｍＬ）を加えて２時間攪拌し、得られた反応混合物を濃縮し、イソプロピルアルコールに滴下し、析出した固形物をろ過により回収し乾燥させることで、共役高分子化合物９（０．２０ｇ）を得た。共役高分子化合物９は、式（Ｑ）で表される構造単位からなる。
【化８６】
0006046361.tif 000087
【０３５４】
［参考例１］
ポリウレタンナトリウム塩（非共役高分子化合物１）の合成
反応容器内を窒素ガス雰囲気下とした後、１，３−ブタンジオール（１．０ｇ）、ジブチルスズジラウレート（７．５ｍｇ）、及びジメチルオールプロピオン酸（０．５ｇ）を１００ｍＬフラスコに入れ、ＤＭＦ（５０ｍＬ）を添加し、９０℃で３０分間撹拌した。その後、イソホロンジイソシアネート（３．３ｇ）を加え、９０℃で３時間加熱した。この段階で得られた高分子化合物を含む溶液について、前記方法に従ってＧＰＣ測定を行い、高分子化合物の分子量を測定したところ、ポリスチレン換算の数平均分子量は１．９×１０３であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は３．０×１０３であった。その後、得られた反応液を６０℃まで温度を下げ、１Ｍ水酸化ナトリウム水溶液を加えて中和した。６０℃でさらに１時間撹拌した後、反応液から溶媒を留去することで白色の固体（２．０ｇ）を得た。得られた白色の固体を非共役高分子化合物１と呼ぶ。なお、非共役高分子化合物１は、式（Ｉ）で表される構造単位からなる。
【０３５５】
【化８７】
0006046361.tif 000088
【０３５６】
［実施例３５］
電界発光素子１の作製
ガラス基板表面に成膜パターニングされたＩＴＯ陽極（厚さ：４５ｎｍ）上に、正孔注入材料溶液を塗布し、スピンコート法によって厚さが６０ｎｍになるように正孔注入層を成膜した。正孔注入層が成膜されたガラス基板を不活性雰囲気下（窒素雰囲気下）、２００℃で１０分加熱して正孔注入層を不溶化させ、基板を室温まで自然冷却させ、正孔注入層が形成された基板を得た。
【０３５７】
ここで正孔注入材料溶液には、Ｐｌｅｘｔｒｏｎｉｃｓ社から入手した、ポリチオフェン・スルホン酸系の正孔注入材料であるＡＱ−１２００を用いた。
【０３５８】
次に、正孔輸送性高分子材料とキシレンとを混合し、０．７重量％の正孔輸送性高分子材料を含む正孔輸送層形成用組成物を得た。
【０３５９】
ここで、正孔輸送性高分子材料は、以下の方法で合成した。
反応容器内の気体を不活性ガス雰囲気下とした後、２，７−ジブロモ−９，９−ジ（オクチル）フルオレン（１．４ｇ）、２，７−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ジ（オクチル）フルオレン（６．４ｇ）、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ブロモフェニル）−Ｎ’，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−１，４−フェニレンジアミン（４．１ｇ）、ビス（４−ブロモフェニル）ベンゾシクロブテンアミン（０．６ｇ）、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド（１．７ｇ）、酢酸パラジウム（４．５ｍｇ）、トリ（２−メトキシフェニル）ホスフィン（０．０３ｇ）、トルエン（１００ｍＬ）を混合し、得られた混合物を、１００℃で２時間加熱攪拌した。次いで、フェニルボロン酸（０．０６ｇ）を添加し、得られた混合物を１０時間撹拌した。放冷後、水層を除去し、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム水溶液を添加し攪拌した後、水層を除去し、有機層を水、３容量％酢酸水で洗浄した。有機層をメタノールに注いで固体を沈殿させた後、濾取した固体を再度トルエンに溶解させ、シリカゲル及びアルミナのカラムに通液した。固体を含む溶出トルエン溶液を回収し、回収した前記トルエン溶液をメタノールに注いで固体を沈殿させた。沈殿した固体を濾取後５０℃で真空乾燥し、正孔輸送性高分子材料を得た。正孔輸送性高分子材料のポリスチレン換算の重量平均分子量は３．０×１０５であった。
【０３６０】
上記で得た正孔注入層が形成された基板の正孔注入層の上に、正孔輸送層形成用組成物をスピンコート法により塗布し、厚さ２０ｎｍの塗膜を得た。この塗膜を設けた基板を不活性雰囲気下（窒素雰囲気下）、１８０℃で６０分間加熱し、塗膜を不溶化させた後、室温まで自然冷却させ、正孔輸送層が形成された基板を得た。
【０３６１】
次に、発光高分子材料とキシレンとを混合し、１．４重量％の発光高分子材料を含む発光層形成用組成物を得た。
【０３６２】
ここで、発光高分子材料は、以下の方法で合成した。
反応容器内の気体を不活性ガス雰囲気下とした後、２，７−ジブロモ−９，９−ジ（オクチル）フルオレン（９．０ｇ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブロモフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチル−２，６−ジメチルフェニル）１，４−フェニレンジアミン（１．３ｇ）、２，７−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ジ（４−ヘキシルフェニル）フルオレン（１３．４ｇ）、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド（４３．０ｇ）、酢酸パラジウム（８ｍｇ）、トリ（２−メトキシフェニル）ホスフィン（０．０５ｇ）、トルエン（２００ｍＬ）を混合し、得られた混合物を、９０℃で８時間加熱攪拌した。次いで、フェニルボロン酸（０．２２ｇ）を添加し、得られた混合物を１４時間撹拌した。放冷後、水層を除去し、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム水溶液を添加し撹拌した後、水層を除去し、有機層を水、３容量％酢酸水で洗浄した。有機層をメタノールに注いで固体を沈殿させた後、濾取した固体を再度トルエンに溶解させ、シリカゲル及びアルミナのカラムに通液した。固体を含む溶出トルエン溶液を回収し、回収した前記トルエン溶液をメタノールに注いで固体を沈殿させた。沈殿した固体を５０℃で真空乾燥し、発光高分子材料（１２．５）ｇを得た。ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによれば、得られた発光高分子材料のポリスチレン換算の重量平均分子量は３．１×１０５であった。
【０３６３】
上記で得た正孔輸送層が形成された基板の正孔輸送層の上に、発光層形成用組成物をスピンコート法により塗布し、厚さ８０ｎｍの塗膜を得た。この塗膜を設けた基板を窒素雰囲気下、１３０℃で１０分間加熱し、溶媒を蒸発させた後、室温まで自然冷却させ、発光層が形成された基板を得た。
【０３６４】
メタノールと共役高分子化合物１とを混合し、０．２重量％の共役高分子化合物１を含む溶液を得た。上記で得た発光層が形成された基板の発光層の上に、前記溶液をスピンコート法により塗布し、厚さ１０ｎｍの塗膜を得た。この塗膜を設けた基板を窒素雰囲気下、１３０℃で１０分間加熱し、溶媒を蒸発させた後、室温まで自然冷却させ、共役高分子化合物１を含む層が形成された基板を得た。
【０３６５】
上記で得た共役高分子化合物１を含む層が形成された基板を真空蒸着装置内に挿入し、真空蒸着法によって該層の上にＡｌを８０ｎｍ成膜し、陰極を形成させて、積層構造体１を製造した。
【０３６６】
上記で得た積層構造体１を真空装置より取り出し、窒素雰囲気下で、封止ガラスと２液混合型エポキシ樹脂にて封止し、電界発光素子１を得た。
【０３６７】
［実施例３６］
電界発光素子２の作製
実施例３５において、共役高分子化合物１の代わりに共役高分子化合物２を用いた以外は、実施例３５と同様にして、電界発光素子２を得た。
【０３６８】
［実施例３７］
電界発光素子３の作製
実施例３５において、共役高分子化合物１の代わりに共役高分子化合物３を用いた以外は、実施例３５と同様にして、電界発光素子３を得た。
【０３６９】
［実施例３８］
電界発光素子４の作製
実施例３５において、共役高分子化合物１の代わりに共役高分子化合物４を用いた以外は、実施例３５と同様にして、電界発光素子４を得た。
【０３７０】
［実施例３９］
電界発光素子５の作製
実施例３５において、共役高分子化合物１の代わりに共役高分子化合物５を用いた以外は、実施例３５と同様にして、電界発光素子５を得た。
【０３７１】
［実施例４０］
電界発光素子６の作製
実施例３５において、共役高分子化合物１の代わりに共役高分子化合物６を用いた以外は、実施例３５と同様にして、電界発光素子６を得た。
【０３７２】
［実施例４１］
電界発光素子７の作製
実施例３５において、共役高分子化合物１の代わりに共役高分子化合物７を用いた以外は、実施例３５と同様にして、電界発光素子７を得た。
【０３７３】
［実施例４２］
電界発光素子８の作製
実施例３５において、共役高分子化合物１の代わりに共役高分子化合物８を用いた以外は、実施例３５と同様にして、電界発光素子８を得た。
【０３７４】
［実施例４３］
電界発光素子９の作製
実施例３５において、共役高分子化合物１の代わりに共役高分子化合物９を用いた以外は、実施例３５と同様にして、電界発光素子９を得た。
【０３７５】
［実施例４４］
電界発光素子５の作製
実施例３５において、Ａｌの代わりにＡｇを用いた以外は、実施例３５と同様にして、電界発光素子１０を得た。
【０３７６】
［比較例１］
電界発光素子Ｃ１の作製
実施例３５において、共役高分子化合物１を含む層を形成させずに、直接陰極を形成させた以外は、実施例３５と同様にして、電界発光素子Ｃ１を得た。
【０３７７】
［比較例２］
電界発光素子Ｃ２の作製
実施例４４において、共役高分子化合物１を含む層を形成させずに、直接陰極を形成させた以外は、実施例４４と同様にして、電界発光素子Ｃ２を得た。
【０３７８】
［比較例３］
電界発光素子Ｃ３の作製
実施例３５において、共役高分子化合物１の代わりに非共役高分子化合物１を用いた以外は、実施例３５と同様にして、電界発光素子Ｃ３を得た。
【０３７９】
［測定］
上記で得られた電界発光素子１〜１０、Ｃ１〜Ｃ３に１０Ｖの順方向電圧を印加し、発光輝度と発光効率を測定した。結果を表１に示す。
【表１】
0006046361.tif 000089