(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品と、孔部が形成され、該孔部に前記電子部品が収容された樹脂基体と、該樹脂基体の両主面上に配置された一対の無機絶縁層と、前記無機絶縁層と前記樹脂基体との間および前記無機絶縁層と前記電子部品との間に配置された第１樹脂層とを有し、
前記無機絶縁層は、互いの一部で接続した複数の第１無機絶縁粒子を含んでいるとともに、該複数の第１無機絶縁粒子に囲まれた間隙が形成されており、
前記第１樹脂層は、前記間隙の幅よりも粒径が大きい、無機絶縁材料からなる複数の第１フィラー粒子を内部に含んでおり、
該第１フィラー粒子の含有割合は、前記第１樹脂層のうち前記無機絶縁層側に位置する第１領域が前記樹脂基体側に位置する第２領域よりも大きいことを特徴とする部品内蔵基板。
【請求項２】
請求項１に記載の部品内蔵基板において、
前記孔部は、前記樹脂基体を厚み方向に貫通して前記樹脂基体の両主面に開口を有しており、
前記一対の無機絶縁層は、前記樹脂基体の両主面上に前記開口部を覆って配置されており、
前記電子部品は、前記孔部内で前記一対の無機絶縁層のどちらかの主面上に位置していることを特徴とする部品内蔵基板。
【請求項３】
請求項１または２に記載の部品内蔵基板において、
前記第１樹脂層の一部は、前記間隙に入り込んでいることを特徴とする部品内蔵基板。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の部品内蔵基板において、
前記無機絶縁層および前記第１樹脂層を貫通して前記電子部品に電気的に接続したビア導体をさらに有することを特徴とする部品内蔵基板。
【請求項５】
請求項４に記載の部品内蔵基板において、
前記無機絶縁層の前記電子部品と反対側の主面上に、前記ビア導体に接続した導電層をさらに有し、
前記ビア導体は、前記電子部品側に位置する一端部の幅が、前記導電層側に位置する他端部の幅よりも大きいことを特徴とする部品内蔵基板。
【請求項６】
請求項１乃至５のうちいずれかに記載の部品内蔵基板において、
前記第１樹脂層は、前記間隙の幅よりも粒径が小さい、無機絶縁材料からなる複数の第２フィラー粒子を前記間隙内にさらに含んでいることを特徴とする部品内蔵基板。
【請求項７】
請求項１乃至６のうちいずれかに記載の部品内蔵基板において、
前記孔部に、前記第１樹脂層の一部が入り込んでいることを特徴とする部品内蔵基板。
【請求項８】
請求項１乃至７のうちいずれかに記載の部品内蔵基板において、
前記第１樹脂層は、前記電子部品と前記無機絶縁層との間に位置する部分の厚みが、前記樹脂基体と前記無機絶縁層との間に位置する部分の厚みよりも小さいことを特徴とする部品内蔵基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子などの電子部品を内蔵した部品内蔵基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、配線基板の内部に半導体素子またはコンデンサなどの電子部品を収容した部品内蔵基板が知られている。
【０００３】
この部品内蔵基板では、例えば、特許文献１に開示されたもののように、樹脂材料からなるコア基板の内部に、電子部品が配置されて内蔵されている。
【０００４】
ところで、このような部品内蔵基板においては、構成材料の違いに起因して、収容された電子部品の熱膨張率がコア基板の熱膨張率よりも小さい。その結果、部品内蔵基板に熱が加わると、電子部品の熱膨張量は小さいのに対してコア基板の熱膨張量は大きく、その熱膨張量の差に起因してコア基板に反りが生じやすく、ひいてはコア基板と収容された電子部品との接続信頼性が低下しやすくなるという問題点がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−２６１４４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、コア基板とコア基板に収容された電子部品との接続信頼性を向上する要求に応えることができる部品内蔵基板を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一実施形態にかかる部品内蔵基板は、電子部品と、孔部が形成され、該孔部に前記電子部品が収容された樹脂基体と、該樹脂基体の両主面上に配置された一対の無機絶縁層と、前記無機絶縁層と前記樹脂基体との間および前記無機絶縁層と前記電子部品との間に配置された第１樹脂層とを有し、
前記無機絶縁層は、互いの一部で接続した複数の第１無機絶縁粒子を含んでいるとともに、該複数の第１無機絶縁粒子に囲まれた間隙が形成されており、
前記第１樹脂層は、前記間隙の幅よりも粒径が大きい、無機絶縁材料からなる複数の第１フィラー粒子を内部に含んでおり、
該第１フィラー粒子の含有割合は、前記第１樹脂層のうち前記無機絶縁層側に位置する第１領域が前記樹脂基体側に位置する第２領域よりも大きいことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の一実施形態にかかる部品内蔵基板によれば、電子部品が収容された樹脂基体の両主面上には、樹脂基体よりも熱膨張率が小さい一対の無機絶縁層が配置されている。その結果、無機絶縁層によって、樹脂基体の熱膨張量を低減することができる。
【０００９】
さらに、無機絶縁層は、樹脂基体よりもヤング率が大きい。その結果、無機絶縁層は、樹脂基体を拘束することができるため、樹脂基体の熱膨張による変形を低減することができる。したがって、コア基板の反りを低減することができ、ひいては部品内蔵基板の電気的信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、本発明の一実施形態にかかる実装構造体の例を示す、厚み方向（Ｚ方向）に切断した断面図である。
【図２】図２は、図１のＲ１部分を拡大して示した、厚み方向（Ｚ方向）に切断した断面図である。
【図３】図３は、図２のＲ３部分を拡大して示した、厚み方向（Ｚ方向）に切断した断面図である。
【図４】図４は、図１のＲ２部分を拡大して示した、厚み方向（Ｚ方向）に切断した断面図である。
【図５】図５（ａ）ないし（ｄ）は、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する、厚み方向（Ｚ方向）に切断した断面図である。
【図６】図６（ａ）および（ｂ）は、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する、厚み方向（Ｚ方向）に切断した断面図である。
【図７】図７は、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する、厚み方向（Ｚ方向）に切断した断面図である。
【図８】図８は、図１とは異なる本発明の部品内蔵基板の実施の形態の例を示す、厚み方向（Ｚ方向）に切断した断面図である。
【図９】図９（ａ）ないし（ｄ）は、図８に示す実装構造体の製造工程を説明する、厚み方向（Ｚ方向）に切断した断面図である。
【図１０】図１０は、図１とは異なる本発明の部品内蔵基板の実施の形態の例を示す、厚み方向（Ｚ方向）に切断した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
＜第１実施形態＞
（実装構造体１）
以下に、本発明の第１実施形態にかかる部品内蔵基板を含む実装構造体を、図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００１２】
図１に示した実装構造体１は、例えば、各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ装置またはその周辺機器などの電子機器に使用されるものである。この実装構造体１は、第１電子部品２と、第１電子部品２が一主面に実装された部品内蔵基板３とを含んでいる。
【００１３】
（第１電子部品２）
第１電子部品２は、半田などの導電材料を含むバンプ４を介して、部品内蔵基板３にフリップチップ実装されている。第１電子部品２には、例えばＩＣまたはＬＳＩなどの半導体素子を用いることができる。この第１電子部品２は、例えば、シリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、ガリウム砒素リン、窒化ガリウムまたは炭化ケイ素などの半導体材料から形成されている。
【００１４】
第１電子部品２は、厚みが例えば０．０５ｍｍ以上１ｍｍ以下に設定されている。
【００１５】
なお、第１電子部品２の厚みは、第１電子部品２の研摩によって露出した断面を走査型電子顕微鏡または透過型電子顕微鏡で観察し、厚み方向（Ｚ方向）に沿った長さを１０箇所以上測定し、その平均値を算出することで測定される。
【００１６】
以下、各部材の厚みは、第１電子部品２と同様に測定される。
【００１７】
（部品内蔵基板３）
部品内蔵基板３は、コア基板５と、コア基板５の内部に位置した第２電子部品６と、コア基板５の両主面に形成された一対の配線層７・７とを含んでいる。
【００１８】
部品内蔵基板３は、厚みが例えば０．０５ｍｍ以上１．５ｍｍ以下に設定されている。
【００１９】
（コア基板５）
コア基板５は、部品内蔵基板３の主要部となるものである。このコア基板５は、前述し
た第２電子部品６が内部に位置する基体８と、基体８の両主面に形成された一対の導電層９・９と、第２電子部品６と導電層９とを電気的に接続するビア導体１０と、一対の導電層９・９同士を電気的に接続する円筒状のスルーホール導体１１と、円筒状のスルーホール導体１１の内部に充填された絶縁体１２とを含む。
【００２０】
コア基板５は、厚みが例えば０．０２５ｍｍ以上１．２ｍｍ以下に、ヤング率が例えば５ＧＰａ以上３０ＧＰａ以下に、平面方向（ＸＹ平面方向）への熱膨張率が例えば１ｐｐｍ／℃以上２０ｐｐｍ／℃以下に設定されている。
【００２１】
なお、コア基板５の熱膨張率は、市販のＴＭＡ（熱機械分析）装置を用いて、ＪＩＳ  Ｋ７１９７−１９９１に準じた測定方法によって測定される。
【００２２】
以下、各部材の熱膨張率は、コア基板５と同様に測定される。
【００２３】
また、コア基板５のヤング率は、部品内蔵基板３から、例えば、ダイシングマシン、ナイフまたはのこぎりなどによって、コア基板５の矩形状の試験片を切り出し、この試験片を引張り試験機で測定して得られた単位断面積当たりの引張り応力を樹脂の伸び量で割ることによって計測できる。
【００２４】
以下、各部材のヤング率は、特に記載した場合を除き、コア基板５と同様に測定される。
【００２５】
基体８は、コア基板５の主要部をなすものである。この基体８は、樹脂基体１３と、樹脂基体１３の両主面に配置された一対の無機絶縁層１４・１４と、樹脂基体１３と無機絶縁層１４との間に位置する第１樹脂層１５とを含む。
【００２６】
基体８は、厚みが例えば０．０２ｍｍ以上１．２０ｍｍ以下に、ヤング率が例えば５ＧＰａ以上３０ＧＰａ以下に、平面方向（ＸＹ平面方向）への熱膨張率が例えば１ｐｐｍ／℃以上２０ｐｐｍ／℃以下に設定されている。
【００２７】
樹脂基体１３は、基体８の主要部をなすものである。この樹脂基体１３は、単体の樹脂基体層１６、あるいは複数の樹脂基体層１６を積層して形成され、前述した第２電子部品６を収容するための孔部Ｈが形成されている。
【００２８】
樹脂基体１３は、厚みが例えば０．０２ｍｍ以上１．１５ｍｍ以下、ヤング率が例えば０．２ＧＰａ以上２０ＧＰａ、平面方向（ＸＹ平面方向）への熱膨張率が例えば１０ｐｐｍ／℃以上３０ｐｐｍ／℃以下に設定されている。
【００２９】
樹脂基体層１６は、樹脂基体１３の主要部をなすものである。この樹脂基体層１６は、例えば、基体樹脂部１７と、基体樹脂部１７に被覆された基材１８とを含む。
【００３０】
樹脂基体層１６は、厚みが例えば０．０１ｍｍ以上０．３ｍｍ以下に、ヤング率が例えば０．２ＧＰａ以上２０ＧＰａ以下に、平面方向（ＸＹ平面方向）への熱膨張率が例えば３ｐｐｍ以上２０ｐｐｍ以下に設定されている。
【００３１】
基体樹脂部１７は、樹脂基体層１６の主要部をなすものであり、例えば、エポキシ樹脂、ビルマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂などの樹脂材料からなる。
【００３２】
基体樹脂部１７は、ヤング率が例えば０．１ＧＰａ以上５ＧＰａ以下に、熱膨張率が例えば２０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下に設定されている。
【００３３】
基材１８は、樹脂基体層１６のヤング率を高めるとともに、樹脂基体層１６の平面方向（ＸＹ平面方向）の熱膨張率を低減するものである。この基材１８は、例えば、繊維により構成された織布もしくは不織布または繊維を一方向に配列したものを使用することができ、この繊維は、例えば、ガラス繊維、樹脂繊維、炭素繊維または金属繊維などからなる。
【００３４】
この繊維は、ヤング率が例えば１０ＧＰａ以上２５ＧＰａ以下に、平面方向（ＸＹ平面方向）への熱膨張率が例えば２ｐｐｍ/℃以上２５ｐｐｍ/℃以下に設定されている。
【００３５】
無機絶縁層１４は、基体８のヤング率を高め、基体８の熱膨張率を低減するとともに、第２電子部品６を支持するものである。
【００３６】
無機絶縁層１４は、厚みが例えば３μｍ以上１００μｍ以下に設定され、これは、樹脂基体１３の５％以上５０％以下に相当する。また、無機絶縁層１４は、ヤング率が例えば２０ＧＰａ以上５０ＧＰａ以下に、厚み方向（Ｚ方向）および平面方向（ＸＹ平面方向）への熱膨張率が例えば０．６ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下に設定されている。
【００３７】
なお、無機絶縁層１４のヤング率は、ナノインデンターを用いて、ＩＳＯ５２７−１：１９９３に準じた測定方法によって測定される。
【００３８】
このような無機絶縁層１４は、無機絶縁材料からなる複数の第１無機絶縁粒子１９を含む。それゆえ、無機絶縁材料は樹脂材料に比べて熱膨張率が小さいものとなることから、無機絶縁層１４の熱膨張率は小さい。その結果、無機絶縁層１４は、樹脂基体１３の熱膨張量を低減することができる。
【００３９】
そして、無機絶縁材料は樹脂材料に比べてヤング率が大きいことから、無機絶縁層１４のヤング率は大きいものとなる。その結果、無機絶縁層１４は、樹脂基体１３の熱膨張量を低減するだけでなく、樹脂基体１３の熱膨張に起因した変形を抑制することができる。
【００４０】
さらに、図２および図３に示すように、複数の第１無機絶縁粒子１９同士は互いに接続していることから、複数の第１無機絶縁粒子１９は互いに拘束し合っている。その結果、無機絶縁層１４のヤング率を向上させることができるので、無機絶縁層１４は、樹脂基体１３の熱膨張に起因した変形をさらに低減することができる。
【００４１】
したがって、無機絶縁層１４が樹脂基体１３の熱膨張および熱膨張に起因した変形を低減し、ひいては、コア基板５の反りを抑制し低減することができる。
【００４２】
なお、図３に示すように、無機絶縁層１４には、複数の第１無機絶縁粒子１９が互いの一部で接続していることから、複数の第１無機絶縁粒子１９に囲まれた間隙Ｇが形成されており、後述するように、第１樹脂層１５の一部が入り込んでいる。
【００４３】
この無機絶縁層１４において、例えば、無機絶縁層１４の６２体積％以上７５体積％以下は第１無機絶縁粒子１９であり、無機絶縁層１４の２５体積％以上３８体積％以下は間隙Ｇである。そして、間隙Ｇにおいて、第１樹脂層１５の一部は、例えば間隙Ｇの９９．５体積％以上１００体積％以下を占めている。また、間隙Ｇの幅は、１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下に設定されている。
【００４４】
なお、第１無機絶縁粒子１９の体積比率（体積％）は、無機絶縁層１４の研摩によって露出した断面を走査型電子顕微鏡または透過型電子顕微鏡で撮影し、撮影した画像から画
像解析装置などを用いて、それぞれの面積比率（面積％）を測定する。次に、この測定値の平均値を算出することによって、体積比率が求められる。
【００４５】
以下、各部材の体積比率は、第１無機絶縁粒子１９と同様に測定される。
【００４６】
なお、間隙Ｇは、無機絶縁層１４の研摩によって露出した断面を走査型電子顕微鏡または透過型電子顕微鏡で観察することによって確認される。また、間隙Ｇの幅は、無機絶縁層１４の断面を走査型電子顕微鏡または透過型電子顕微鏡で観察し、数で２０以上５０以下の間隙Ｇを含むように拡大した断面を撮影し、該拡大した断面にて各間隙Ｇの最大径の平均値を間隙Ｇの幅と見なすことで求められる。
【００４７】
第１無機絶縁粒子１９は、例えば、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウムまたは酸化カルシウムなどの無機絶縁材料からなる。中でも、酸化ケイ素を用いることが望ましい。酸化ケイ素は、他の無機絶縁材料と比較して誘電正接が低いため、導電層９の信号伝送特性を向上させることができる。
【００４８】
また、第１無機絶縁粒子１９は、非晶質体を用いることが望ましい。第１無機絶縁粒子１９を非晶質体とすることで、結晶構造に起因した熱膨張率の異方性を低減することができ、無機絶縁層１４におけるクラックの発生を低減できる。
【００４９】
第１無機絶縁粒子１９は、平均粒径が３ｎｍ以上１１０ｎｍ以下に、ヤング率が例えば１０ＧＰａ以上１００ＧＰａ以下に、熱膨張率が例えば０．５ｐｐｍ／℃以上１.５ｐｐ
ｍ／℃以下に設定されている。
【００５０】
なお、第１無機絶縁粒子１９は、無機絶縁層１４の研摩によって露出した断面を走査型電子顕微鏡または透過型電子顕微鏡で観察することによって確認される。また、第１無機絶縁粒子１９の平均粒径は、無機絶縁層１４の断面を走査型電子顕微鏡または透過型電子顕微鏡で観察し、２０個以上５０個以下の粒子を含むように拡大した断面を撮影し、この拡大した断面にて各粒子の最大径を測定し、それを平均することによって測定される。
【００５１】
以下、各部材の平均粒径は、第１無機絶縁粒子１９と同様に測定される。
【００５２】
また、無機絶縁層１４は、第１無機絶縁粒子１９よりも平均粒径が大きい、第２無機絶縁粒子２０を含むことが望ましい。
【００５３】
この場合、無機絶縁層１４は、複数の第１無機絶縁粒子１９同士および第１無機絶縁粒子１９と第２無機絶縁粒子２０とが互いに一部で接続して形成される。その結果、第２無機絶縁粒子２０の平均粒径は第１無機絶縁粒子１９の平均粒径よりも大きいことから、無機絶縁層１４の間隙Ｇに入り込んだ第１樹脂層１５の一部と、第１無機絶縁粒子１９および第２無機絶縁粒子２０との剥離を低減することができる。
【００５４】
第２無機絶縁粒子２０は、例えば、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウムまたは酸化カルシウムなどの無機絶縁材料からなる。
【００５５】
また、第２無機絶縁粒子２０は、第１無機絶縁粒子１９と同じ材料で形成することが望ましい。その結果、第１無機絶縁粒子１９と第２無機絶縁粒子２０との接続が強固になり、無機絶縁層１４に生じるクラックを良好に低減することができる。
【００５６】
また、第２無機絶縁粒子２０は、非晶質体を用いることが望ましい。その結果、第２無機絶縁粒子２０の結晶構造に起因した無機絶縁層１４のクラックの発生を低減することが
できる。
【００５７】
第２無機絶縁粒子２０は、平均粒径が０．５μｍ以上５μｍ以下に、ヤング率および熱膨張率は第１無機絶縁粒子１９と同様に設定されている。
【００５８】
また、無機絶縁層１４において、例えば、無機絶縁層１４の６２体積％以上７５体積％以下は第１無機絶縁粒子１９および第２無機絶縁粒子２０であり、そのうち、例えば２０体積％以上９０体積％以下が第１無機絶縁粒子１９であり、１０体積％以上８０体積％以下は第２無機絶縁粒子２０である。
【００５９】
第１樹脂層１５は、樹脂基体１３と無機絶縁層１４との接着強度を向上させるとともに、第２電子部品６の周囲に入り込み、樹脂基体１３に形成された孔部Ｈに入り込んでいる。また、この第１樹脂層１５の一部は、前述したように、無機絶縁層１４の間隙Ｇに入り込んでいる。
【００６０】
ここで、第１樹脂層１５の一部は、孔部Ｈに入り込んでいることから、第１樹脂層１５と樹脂基体１３との接触面積が大きくなり、第１樹脂層１５と樹脂基体１３との接着強度を向上させることができる。その結果、樹脂基体１３から無機絶縁層１４が剥離することを低減することができる。
【００６１】
また、第１樹脂層１５の一部は、間隙Ｇに入り込んでいることから、第１樹脂層１５と無機絶縁層１４との接着面積が大きくなり、第１樹脂層１５と無機絶縁層１４との接着強度を向上させることができる。その結果、無機絶縁層１４から第１樹脂層１５が剥離することを低減することができる。
【００６２】
この第１樹脂層１５は、例えば、第１樹脂部２１と、第１樹脂部２１に被覆されて第１樹脂層１５中に分散した複数の第１フィラー粒子２２とを含む。また、第１樹脂部２１の一部が間隙Ｇに入り込むことによって、第１樹脂層１５の一部が間隙Ｇに入り込んでいる。
【００６３】
第１樹脂層１５は、樹脂基体１３と無機絶縁層１４との間に位置する部分の厚みが例えば３μｍ以上２０μｍ以下に、ヤング率が例えば１ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下に、厚み方向（Ｚ方向）および平面方向（ＸＹ平面方向）への熱膨張率が例えば２０ｐｐｍ／℃以上７０ｐｐｍ／℃以下に設定されている。
【００６４】
なお、第１樹脂層１５の厚みとは、無機絶縁層１４の内部に入り込んだ部分は除き、無機絶縁層１４の一主面上に位置した部分の厚みとする。
【００６５】
また、第１樹脂層１５において、例えば、無機絶縁層１４の一主面に形成された第１樹脂層１５の１０体積％以上７０体積％以下はフィラー粒子である。
【００６６】
第１樹脂部２１は、第１樹脂層１５の主要部をなすものであり、例えば、エポキシ樹脂、ビルマレイミドトリアジン樹脂またはシアネート樹脂などの樹脂材料からなる。
【００６７】
第１樹脂部２１は、ヤング率が例えば０．２ＧＰａ以上５ＧＰａ以下に、熱膨張率が例えば２０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下に設定されている。
【００６８】
ここで、第１樹脂部２１は、無機絶縁層１４の間隙Ｇに入り込んでいる。この第１樹脂部２１は無機絶縁層１４よりもヤング率が小さいため、間隙Ｇに入り込んだ第１樹脂部２１によって、無機絶縁層１４に印加される応力を緩和し、無機絶縁層１４におけるクラッ
クの発生あるいはクラックの伸長を低減することができる。
【００６９】
第１フィラー粒子２２は、第１樹脂層１５のヤング率を高めるとともに、第１樹脂層１５の熱膨張率を低減するものであり、例えば、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、水酸化アルミニウムまたは炭酸カルシウムなどの無機絶縁材料からなる。
【００７０】
第１フィラー粒子２２は、平均粒径が例えば０．３μｍ以上５．０μｍ以下に、ヤング率が例えば４０ＧＰａ以上９０ＧＰａ以下に、熱膨張率が例えば０ｐｐｍ／℃以上１５ｐｐｍ／℃以下に設定されている。
【００７１】
以上で説明したコア基板５には、基体８の両主面に、コア基板５の両主面に形成された配線層７と電気的な接続を図る、導電層９が形成されている。
【００７２】
導電層９は、例えば、銅、銀、金またはアルミニウムなどの導電性材料からなる。
【００７３】
導電層９は、厚みが例えば３μｍ以上２０μｍ以下に、ヤング率が例えば８０ＧＰａ以上２００ＧＰａ以下に、平面方向（ＸＹ平面方向）への熱膨張率が例えば１６ｐｐｍ／℃以上１８ｐｐｍ／℃以下に設定されている。
【００７４】
ビア導体１０は、第２電子部品６と導電層９とを電気的に接続するものであり、例えば、銅、銀、金またはアルミニウムなどの導電性材料からなる。
【００７５】
ビア導体１０は、ヤング率が例えば８０ＧＰａ以上２００ＧＰａ以下に、厚み方向（Ｚ方向）および平面方向（ＸＹ平面方向）への熱膨張率が例えば１６ｐｐｍ／℃以上１８ｐｐｍ／℃以下に設定されている。
【００７６】
スルーホール導体１１は、基体８を厚み方向（Ｚ方向）に貫通して、基体８の両主面に形成された一対の導電層９・９同士の電気的な接続を図るものである。
【００７７】
このようなスルーホール導体１１は、基体８を厚み方向（Ｚ方向）に貫通した、例えば直径が０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下の円柱状のスルーホールＴの内壁に沿って、例えば、銅、銀、金またはアルミニウムなどの導電性材料によって円筒状に形成されている。
【００７８】
スルーホール導体１１は、ヤング率が例えば８０ＧＰａ以上２００ＧＰａ以下に、平面方向（ＸＹ平面方向）への熱膨張率が例えば１６ｐｐｍ／℃以上１８ｐｐｍ／℃以下に設定されている。
【００７９】
円筒状に形成されたスルーホール導体１１の内部には、絶縁部１０が形成されている。この絶縁部１０の端面は、スルーホール導体１１の端面と共に、これらの端面上に形成される導電層９を支持しており、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂またはビスマレイミドトリアジン樹脂などの樹脂材料により形成されている。
【００８０】
絶縁体１２は、ヤング率が例えば０．２ＧＰａ以上５ＧＰａ以下に、平面方向（ＸＹ平面方向）への熱膨張率が例えば２０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下に設定されている。
【００８１】
（第２電子部品６）
第２電子部品６は、コア基板５の基体８が含む樹脂基体１３に形成された孔部Ｈ内に位置しており、無機絶縁層１４の一主面上に、第１樹脂層１５を介して配置され、第２電子
部品６の少なくとも一主面がビア導体１０と接続することによって、導電層９と電気的に接続されている。
【００８２】
この第２電子部品６は、例えば、半導体素子、積層セラミックコンデンサ、スパッタリング等の真空プロセスによって作製された薄膜コンデンサ、薄膜抵抗またはインピーダンス、ならびにこれらを組み合わせて作製された高周波フィルターまたはバラン等の機能素子、ＭＥＭＳ等を用いることができる。
【００８３】
第２電子部品６は、厚みが例えば０．０５ｍｍ以上０．４ｍｍ以下、ヤング率が５０ＧＰａ以上１５０ＧＰａ以下、平面方向（ＸＹ平面方向）への熱膨張率が２ｐｐｍ/℃以上
８ｐｐｍ/℃以下に設定されている。
【００８４】
（配線層７）
一方、前述したように、コア基板５の上下面には、一対の配線層７・７が形成されている。
【００８５】
配線層７は、無機絶縁層１４と、無機絶縁層１４の一主面に形成された第１樹脂層１５と、無機絶縁層１４の他主面に形成された導電層９と、厚み方向（Ｚ方向）に離れた導電層９同士を電気的に接続するビア導体１０とを含んでいる。
【００８６】
無機絶縁層１４は、前述した構成と同じであり、配線層７のヤング率を向上させるとともに、配線層７の熱膨張率を低減するものである。
【００８７】
第１樹脂層１５は、前述した構成と同じであり、コア基板５と無機絶縁層１４とを接着するものである。
【００８８】
ところで、前述したように、無機絶縁層１４は、樹脂基体１３よりも熱膨張率が小さく、かつヤング率が高いことから、樹脂基体１３の熱膨張量を低減するとともに、樹脂基体１３の熱膨張による変形を抑制することができる。その結果、コア基板５の反りを抑制し低減することができ、コア基板５と第２電子部品６との接続信頼性を向上させることができ、ひいては部品内蔵基板の接続信頼性を向上させることができる。
【００８９】
また、図１に示すように、樹脂基体１３の孔部Ｈは貫通していることが望ましい。その結果、樹脂基体１３に非貫通の孔部Ｈが形成された場合と比較して、樹脂基体１３の厚み方向（Ｚ方向）における平面方向（ＸＹ平面方向）への熱膨張量が、樹脂基体１３の厚み方向（Ｚ方向）に変化することを低減し、コア基板５の反りを低減することができる。
【００９０】
また、図１に示すように、無機絶縁層１４は、樹脂基体１３の孔部Ｈの開口部および非開口部にわたって形成されていることが望ましい。その結果、無機絶縁層１４は、樹脂基体１３よりもヤング率が大きいことから、樹脂基体１３の開口部と非開口部の熱膨張量の差によってコア基板５が歪むことを低減することができる。
【００９１】
また、第２電子部品６は、無機絶縁層１４の一主面上に位置していることが望ましい。その結果、無機絶縁層１４は、ヤング率が大きいことから、他の部材の熱膨張などによって無機絶縁層１４が変形することを低減でき、第２電子部品６とコア基板５との接続信頼性を向上させることができる。
【００９２】
また、第２電子部品６は、無機絶縁層１４の第１樹脂層１５を介して位置していることが望ましい。その結果、第１樹脂層１５は、第２電子部品６および無機絶縁層１４よりもヤング率が小さいことから、第２電子部品および無機絶縁層１４に印加される応力を緩和
し、第２電子部品６あるいは無機絶縁層１４にクラックが発生することを低減することができる。
【００９３】
また、図１および図３に示すように、第２電子部品６は、直接ビア導体１０と接続していることが望ましい。その結果、第２電子部品６とビア導体１０との接続部において、コア基板５に形成されて、第２電子部品６とビア導体１０との間に介在するパッド部を設ける必要がなく、コア基板５を薄く形成することができる。
【００９４】
また、図１および図４に示すように、ビア導体１０は、無機絶縁層１４と第１樹脂層１５を貫通して形成されている。その結果、ビア導体１０よりも熱膨張率の大きい第１樹脂層１５と、ビア導体１０よりも熱膨張率の小さい無機絶縁層１４とを貫通していることから、厚み方向（Ｚ方向）における、無機絶縁層１４および第１樹脂層１５とビア導体１０との熱膨張の差を低減でき、ビア導体１０と第２電子部品６とが剥離することを良好に低減することができる。
【００９５】
また、図４に示すように、ビア導体１０は、第２電子部品６側に位置する一端部の幅が、導電層９側に位置する他端部の幅よりも大きいことが望ましい。その結果、平面方向（ＸＹ平面方向）に隣接する導電層９同士の間隔を狭くして、高密度に導電層９を配線できるとともに、第２電子部品６とビア導体１０との接触面積が大きくなり、第２電子部品６とビア導体１０とが剥離することを良好に低減することができる。
【００９６】
また、第１樹脂層１５において、第２電子部品６と無機絶縁層１４との間に位置する部分の厚みは、樹脂基体１３と無機絶縁層１４との間に位置する部分の厚みよりも小さいことが望ましい。その結果、第１樹脂層１５の熱膨張によって、第２電子部品６とビア導体１０との接続が切れることを低減することができる。
【００９７】
また、図２に示すように、第１樹脂層１５において、第１フィラー粒子２２の含有割合は、無機絶縁層１４側に位置する第１領域の方が、樹脂基体１３側に位置する第２領域よりも大きいことが望ましい。その結果、無機絶縁層１４側の第１樹脂層１５の熱膨張率を小さくなり、無機絶縁層１４と第１樹脂層１５との熱膨張率の差を低減することができる。また、樹脂基体１３側の第１樹脂層１５の熱膨張率が小さくなりすぎることを低減し、樹脂基体１３と第１樹脂層１５との熱膨張率の差を低減することができる。したがって、第１樹脂層１５と、樹脂基体１３および無機絶縁層１４との剥離を低減できることから、樹脂基体１３と無機絶縁層１４との接着強度を向上させることができる。
【００９８】
なお、第１フィラー粒子２２の含有割合は、無機絶縁層１４の一主面上に位置する第１樹脂層１５を厚みが均等になるように平面方向（ＸＹ平面方向）に二分して、無機絶縁層１４に近い方を第１領域とし、導電層９に近い方を第２領域とした場合に、第１領域には第１フィラー粒子２２のうち割合で５５％以上７０％以上が位置しており、第２領域には第１フィラー粒子２２のうち割合で３０％以上４５％以下が位置している。
【００９９】
また、第１樹脂層１５は、間隙Ｇの幅よりも平均粒径が小さい第２フィラー粒子（不図示）を有し、かつ第２フィラー粒子が、無機絶縁層１４の表層の間隙Ｇ内に入り込んでいることが望ましい。その結果、無機絶縁層１４と第１樹脂層１５との熱膨張の差をさらに低減することができ、第１樹脂層１５が無機絶縁層１４から剥離することを良好に低減することができる。
【０１００】
なお、この場合、例えば、第１樹脂層１５の３体積％以上３０体積％以下が第２フィラー粒子である。また、第２フィラー粒子の２％以上２０％以下が、間隙Ｇ内に位置している。
【０１０１】
（実装構造体１の作製）
次に、前述した実装構造体１の製造方法を、図５から図７を参照しつつ説明する。
【０１０２】
（積層シート２４の作製）
（１）第１無機絶縁粒子１９および第２無機絶縁粒子２０を含む固形分と、この固形分が分散した溶剤とを有する無機絶縁ゾル１４ｘを準備する。
【０１０３】
無機絶縁ゾル１４ｘは、例えば、固形分を１０体積％以上５０体積％以下含み、溶剤を５０％体積以上９０体積％以下含む。固形分を１０体積％以上とすることによって、無機絶縁ゾル１４ｘの粘度を低く保持するとともに、固形分を５０体積％以下とすることによって、無機絶縁ゾル１４ｘから形成される絶縁層の生産性を高く維持できる。
【０１０４】
無機絶縁ゾル１４ｘの固形分は、例えば、第１無機絶縁粒子１９を２０体積％以上９０体積％以下含み、第２無機絶縁粒子２０を１０体積％以上８０体積％以下含む。これにより、後述する（３）の工程にて、無機絶縁層１４におけるクラックの発生を効果的に低減できる。
【０１０５】
なお、第１無機絶縁粒子１９は、例えば、ケイ酸ナトリウム水溶液（水ガラス）などのケイ酸化合物を精製し、化学的に酸化ケイ素を析出させることにより、作製することができる。この場合には、低温条件下で第１無機絶縁粒子１９を作製することができるため、非晶質状態である第１無機絶縁粒子１９を作製することができる。
【０１０６】
一方、第２無機絶縁粒子２０は、酸化ケイ素からなる場合であれば、例えば、ケイ酸ナトリウム水溶液（水ガラス）などのケイ酸化合物を精製し、化学的に酸化ケイ素を析出させた溶液を火炎中に噴霧し、凝集物の形成を低減しつつ８００℃以上１５００℃以下に加熱することによって、作製することができる。
【０１０７】
また、第２無機絶縁粒子２０を作製する際の加熱時間は、１秒以上１８０秒以下に設定されていることが望ましい。その結果、この加熱時間を短縮することにより、８００℃以上１５００℃以下に加熱した場合においても、第２無機絶縁粒子２０の結晶化を低減し、非晶質状態を維持することができる。
【０１０８】
一方、無機絶縁ゾル１４ｘに含まれる溶剤は、例えば、メタノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、エチレングリコール、エチレングリコールモノプロピルエーテル、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、キシレン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジメチルアセトアミドおよび／またはこれらから選択された２種以上の混合物を含んだ有機溶剤を使用することができる。
【０１０９】
（２）金属箔２３を準備し、金属箔２３の一主面に無機絶縁ゾル１４ｘを塗布する。
【０１１０】
無機絶縁ゾル１４ｘの塗布は、例えば、ディスペンサー、バーコーター、ダイコーターまたはスクリーン印刷を用いて行なうことができる。このとき、前述した如く、無機絶縁ゾル１４ｘの固形分が５０体積％以下に設定されていることから、無機絶縁ゾル１４ｘの粘度が低く設定され、塗布された無機絶縁ゾル１４ｘの平坦性を高くすることができる。
【０１１１】
（３）無機絶縁ゾル１４ｘを乾燥させて溶剤を蒸発させる。
【０１１２】
ここで、溶剤の蒸発に伴って無機絶縁ゾル１４ｘが収縮するが、かかる溶剤は、第１無
機絶縁粒子１９および第２無機絶縁粒子２０に囲まれた間隙Ｇに含まれており、第１無機絶縁粒子１９および第２無機絶縁粒子２０自体には含まれていない。このため、無機絶縁ゾル１４ｘが平均粒径の大きい第２無機絶縁粒子２０を含んでいると、その分、間隙Ｇが小さくなるとともに、溶剤が充填される領域が少なくなり、無機絶縁ゾル１４ｘの溶剤の蒸発時に無機絶縁ゾル１４ｘの収縮量が小さくなる。すなわち、第２無機絶縁粒子２０によって無機絶縁ゾル１４ｘの収縮が規制されることとなる。その結果、無機絶縁ゾル１４ｘの収縮に起因するクラックの発生を低減することができる。また、仮にクラックが生じても、平均粒径の大きい第２無機絶縁粒子２０によってこのクラックの伸長を妨げることができる。
【０１１３】
無機絶縁ゾル１４ｘの乾燥は、例えば、加熱および風乾によって行なわれる。乾燥温度が、例えば２０℃以上溶剤の沸点（２種類以上の溶剤を混合している場合には、最も沸点の低い溶剤の沸点）未満に設定され、乾燥時間が、例えば２０秒以上３０分以下に設定される。その結果、溶剤の沸騰が低減され、沸騰の際に生じる気泡の圧力によって第１無機絶縁粒子１９および第２無機絶縁粒子２０が押し出されることが低減され、この粒子の分布をより均一にすることが可能となる。
【０１１４】
（４）残存した無機絶縁ゾル１４ｘの固形分を加熱し、第１無機絶縁粒子１９同士および第１無機絶縁粒子１９と第２無機絶縁粒子２０とを互いの一部で接続させた無機絶縁層１４を作製する。
【０１１５】
ここで、本実施形態における無機絶縁ゾル１４ｘは、平均粒径が微小に設定された第１無機絶縁粒子１９を有している。その結果、無機絶縁ゾル１４ｘの加熱温度が比較的低温、例えば第１無機絶縁粒子１９および第２無機絶縁粒子２０の結晶化開始温度未満と低温であっても、第１無機絶縁粒子１９同士を強固に接続させることができる。
【０１１６】
なお、第１無機絶縁粒子１９同士を強固に接続させることができる温度は、例えば第１無機絶縁粒子１９の平均粒径を１１０ｎｍ以下に設定した場合は２５０℃程度であり、前記平均粒径を１５ｎｍ以下に設定した場合は１５０℃程度である。また、第１無機絶縁粒子１９および第２無機絶縁粒子２０に含まれる酸化ケイ素の結晶化開始温度は１３００℃程度である。
【０１１７】
無機絶縁ゾル１４ｘの加熱温度は、第１無機絶縁粒子１９および第２無機絶縁粒子２０の結晶化開始温度未満に設定されていることが望ましい。その結果、結晶化した粒子が相転移によって収縮することを低減し、無機絶縁層１４におけるクラックの発生を低減できる。
【０１１８】
さらに、このように低温で加熱することによって、第１無機絶縁粒子１９および第２無機絶縁粒子２０が粒子の形状を保持しつつ、第１無機絶縁粒子１９同士および第１無機絶縁粒子１９と第２無機絶縁粒子２０とを近接領域のみで接続させることができる。その結果、第１無機絶縁粒子１９同士および第１無機絶縁粒子１９と第２無機絶縁粒子２０とを接続させることができ、ひいては第１無機絶縁粒子１９同士の間に開気孔の間隙Ｇを容易に形成することができる。
【０１１９】
なお、無機絶縁ゾル１４ｘの加熱は、温度が例えば１００℃以上３００℃未満に設定され、時間が例えば０．５時間以上２４時間以下に設定されることが望ましい。
【０１２０】
（５）未硬化の第１樹脂材料２１ｘと、第１樹脂材料２１ｘに被覆された第１フィラー粒子２２とを含む第１樹脂前駆体１５ｘを準備する。次いで、図５（ａ）に示すように、無機絶縁層１４の金属箔２３と反対側の主面に第１樹脂前駆体１５ｘを積層し、金属箔２３、無機絶縁層１４および第１樹脂前駆体１５ｘを上下方向に加熱加圧することによって、
無機絶縁層１４の間隙Ｇの一部に未硬化の第１樹脂材料２１ｘを入り込ませて、無機絶縁層１４と第１樹脂前駆体１５ｘとを貼り合わせる。なお、未硬化とは、ＩＳＯ４７２：１９９９に準ずるＡ−ステージまたはＢ−ステージの状態である。
【０１２１】
また、金属箔１４、無機絶縁層１４および第１樹脂前駆体１５ｘの加熱加圧は、加熱温度が、例えば６０℃以上１６０℃以下に、圧力が、例えば０．１ＭＰａ以上２ＭＰａ以下に、加熱加圧時間が、例えば０．５時間以上２時間以下に設定されている。なお、硬化開始温度は、樹脂が、ＩＳＯ４７２：１９９９に準ずるＣ−ステージの状態となる温度である。
【０１２２】
なお、ここで第１樹脂前駆体１５ｘに含まれる第１フィラー粒子２２の平均粒径は、間隙Ｇの幅よりも大きい事が望ましい。その結果、第１樹脂前駆体１５ｘの未硬化の第１樹脂材料２１ｘが無機絶縁層１４の間隙Ｇに入り込むことによって、複数の第１フィラー粒子２２が無機絶縁層１４の表層にろ過されるように凝集し、無機絶縁層１４に近い方の領域が無機絶縁層１４から遠い方の領域よりも第１フィラー粒子２２の含有割合が大きい第１樹脂層１５を形成できる。したがって、容易に無機絶縁層１４側での熱膨張率が小さい第１樹脂層１５を作製することができ、ひいては生産効率を向上させることができる。
【０１２３】
なお、例えば、第１樹脂前駆体１５ｘの１０体積％以上５５体積％以下は第１フィラー粒子２２であり、第１樹脂層１５の形成後において、無機絶縁層１４の一主面上に形成された第１樹脂層１５の１０体積％以上７０体積％以下で第１フィラー粒子２２が含まれている。
【０１２４】
また、第１樹脂前駆体１５ｘは、間隙Ｇの幅よりも平均粒径が小さい第２フィラー粒子を含むことが望ましい。その結果、第１樹脂前駆体１５ｘの未硬化の第１樹脂材料２１ｘが無機絶縁層１４の間隙Ｇに入り込むのと同時に、複数の第２フィラー粒子が間隙Ｇに入り込ませることができる。
【０１２５】
以上のようにして、金属箔２３、無機絶縁層１４および第１樹脂前駆体１５ｘを含む積層シート２４を作製する。
【０１２６】
（コア基板５の作製）
（６）樹脂基体層前駆体１６ｘを一層あるいは複数層含む樹脂基体前駆体１３ｘを準備して、樹脂基体前駆体１３ｘを加熱加圧することによって、樹脂基体層前駆体１６ｘを硬化させて樹脂基体層１６として、樹脂基体１３を作製する。次いで、樹脂基体１３に第２電子部品６が収容される孔部Ｈを形成する。
【０１２７】
なお、樹脂基体前駆体１３ｘを加熱加圧は、温度が例えば１５０℃以上２５０℃以下に、圧力が例えば２ＭＰａ以上３ＭＰａ以下に、時間が例えば０．５時間以上２時間以下に設定される。また、孔部Ｈの形成は、例えば、金型を用いたパンチング加工、ルーターを用いた機械加工およびレーザー加工などが用いられる。
【０１２８】
（７）図５（ｂ）に示すように、積層シート２４の第１樹脂前駆体１５ｘの無機絶縁層１４と反対側の主面に第２電子部品６を配置する。次いで、図５（ｃ）に示すように、第２電子部品６が樹脂基体１３の内部に位置するように、樹脂基体１３を第１樹脂前駆体１５ｘの第２電子部品６と同じ主面に積層し、次いで、積層シート２４の第１樹脂前駆体１５ｘの無機絶縁層１４と反対側の主面が、樹脂基体１３を露出している主面に接触するように、積層シート２４をさらに積層した積層体２５を作製する。
【０１２９】
ここで、第２電子部品６を無機絶縁層１４の主面に配置する際、第１樹脂前駆体１５ｘ
を介していることから、第１樹脂前駆体１５ｘがクッションとしての機能を果たし、第２電子部品６が直接、無機絶縁層１４に接触して、第２電子部品６あるいは無機絶縁層１４にクラックが生じることを低減することができる。
【０１３０】
次いで、積層体２５を加熱加圧することによって、第１樹脂前駆体１５ｘを硬化させて第１樹脂層１５とする。この際、図５（ｄ）に示すように、第１樹脂前駆体１５ｘの未硬化の第１樹脂材料２１ｘが、孔部Ｈ内の第２電子部品６の周囲に入り込み、第２電子部品６が第１樹脂層の一部によって埋められる。
【０１３１】
積層体２５の加熱加圧は、第１樹脂前駆体１５ｘの硬化開始温度以上第１樹脂層１５の熱分解温度未満で行なう。具体的には、温度は例えば１５０℃以上２５０℃以下に、圧力は例えば２ＭＰａ以上３ＭＰａ以下に、時間は例えば０．５時間以上２時間以下に設定される。
【０１３２】
なお、ここで、第２電子部品６の厚みを樹脂基体１３の厚みよりも小さく設定すれば、積層体２５を加圧した際に、良好に、第１樹脂層１５における第２電子部品６と無機絶縁層１４との間の厚みを樹脂基体１３と無機絶縁層１４との厚みよりも小さく設定することができる。
【０１３３】
以上のようにして、第２電子部品６を収容して、樹脂基体１３、無機絶縁層１４および第１樹脂層１５を含む基体８が作製される。
【０１３４】
（８）図６（ａ）に示すように、第２電子部品６の外部電極に向かって、金属箔２３、無機絶縁層１４および第１樹脂層１５を厚み方向（Ｚ方向）に貫通するビア導体１０と、金属箔２３および基体８を厚み方向（Ｚ方向）に貫通するスルーホール導体１１とを形成し、基体８上にビア導体１０およびスルーホール導体１１に電気的に接続する導電層９を形成する。具体的には、以下のように行なう。
【０１３５】
ビア導体１０は、例えばＹＡＧレーザー装置または炭酸ガスレーザー装置により、金属箔２３、無機絶縁層１４および第１樹脂層１５にビア孔Ｖを形成し、ビア孔Ｖの底部に第２電子部品６の外部電極の少なくとも一部を露出させる。次いで、例えば無電解めっき、蒸着法、ＣＶＤ法またはスパッタリング法を用いて、ビアホールＶに導電材料を埋めることによって形成される。
【０１３６】
なお、この時、ビア孔Ｖにおいて、第１樹脂層１５は、無機絶縁層１４よりもレーザー光による分解度が高いため、第２電子部品６側に位置する一端部の幅が、導電層９側に位置する他端部の幅よりも大きく形成される。その結果、ビア導体１０も、第２電子部品６側に位置する一端部の幅が、導電層９側に位置する他端部の幅よりも大きく形成され、第２電子部品６が所定の位置から位置ずれした場合においても、良好に第２電子部品６とビア導体１０との接続を確保することができる。
【０１３７】
スルーホール導体１１は、例えばドリル加工やレーザー加工などにより、基体８を厚み方向（Ｚ方向）に貫通したスルーホールＴを複数形成する。次いで、例えば無電解めっき、蒸着法、ＣＶＤ法またはスパッタリング法などにより、スルーホールＴの内壁に導電材料を被着させて、円筒状のスルーホール導体１１を形成する。次に、円筒状のスルーホール導体１１の内部に、樹脂材料などを充填し、絶縁体１２を形成する。
【０１３８】
ビア導体１０およびスルーホール導体１１の形成後、例えば無電解めっき法、蒸着法、ＣＶＤ法またはスパッタリング法などにより、導電材料を絶縁体９の露出部に被着させる。次に、フォトリソグラフィー方法、エッチングなどを用いて被着した導電材料を任意にパターニングすることによって、導電層９を形成する。
【０１３９】
以上のようにして、コア基板５を作製する。
【０１４０】
（配線層７の作製）
（９）図６（ｂ）に示すように、コア基板５の両主面に形成された導電層９の一主面上に、第１樹脂前駆体１５ｘが導電層９を被覆するように積層シート２４を積層する。次いで、コア基板５および積層シート２４を加熱加圧することによって、第１樹脂前駆体１５ｘを硬化して第１樹脂層１５とする。その後、前述した工程（８）と同様に、ビア導体１０および導電層９を形成することによって配線層７が作製される。
【０１４１】
以上のようにして、部品内蔵基板３を作製することができる。
【０１４２】
（第１電子部品２の実装）
（１０）図７に示すように、前述した部品内蔵基板３の一主面における第１樹脂層１５Ｂが露出した面に、バンプ４を介して部品内蔵基板３に第１電子部品２をフリップチップ実装することにより、実装構造体１を作製することができる。
【０１４３】
＜第２実施形態＞
（実装構造体１）
次に、本発明の部品内蔵基板および実装構造体の実施の形態の第２の例（第２実施形態）を、図８に基づいて詳細に説明する。なお、上述した第１実施形態と同様の構成に関しては、記載を省略する。
【０１４４】
第２実施形態の部品内蔵基板３は第１実施形態と異なり、図８に示すように、複数の孔部Ｈが形成されるとともに、一主面に孔部Ｈの開口部が形成された樹脂基体１３と、樹脂基体１３の各孔部Ｈに収容された第２電子部品６とを含んでいる。
【０１４５】
このように、本実施形態における部品内蔵基板３は、複数の第２電子部品６を内蔵している。
【０１４６】
その結果、表面に実装する第１電子部品２を減らすことができることから、第１電子部品２を表面に実装するために必要な部品内蔵基板３の主面の面積を低減することができ、部品内蔵基板３を小型化することができる。
【０１４７】
また、樹脂基体１３に複数の孔部を形成した場合に、コア基板５はより反りやすくなるが、無機絶縁層１４は、樹脂基体１３よりも熱膨張率が小さく、樹脂基体１３よりもヤング率が大きいことから、樹脂基体１３に複数の孔部Ｈが形成されていても、良好にコア基板５の反りを抑制することができ、ひいてはコア基板５と複数の第２電子部品６との接続信頼性を向上させることができる。
【０１４８】
その結果、コア基板５において平面方向（ＸＹ平面方向）への熱膨張のバランスを考慮せずに、任意の箇所に孔部Ｈを形成できることから、設計の自由度を向上させることができ、電気的な特性を考慮した最適な設計をすることができる。
【０１４９】
（実装構造体１の作製）
次に、上述した第２実施形態の実装構造体１の製造方法を説明する。なお、上述した第１実施形態と同様の方法に関しては、記載を省略する。
【０１５０】
上述した第１実施形態の工程（６）において、２つの積層シート２４のそれぞれに、図
９（ａ）に示すように、第１樹脂前駆体１５ｘが露出する主面に樹脂基体前駆体１３ｘを積層し孔部Ｈを形成する。次いで、図９（ｂ）に示すように、孔部Ｈに第２電子部品６を収容した後に、図９（ｃ）に示すように、それぞれの積層シート２４の樹脂基体前駆体１３ｘの露出した主面同士を貼り合わせて、加熱加圧することによって、図９（ｄ）に示すように、コア基板５を作製する。
【０１５１】
本発明は前述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良、組合せなどが可能である。
【０１５２】
また、前述した本発明の実施形態は、ソルダーレジスト層についての説明を省略したが、部品内蔵基板は上下面に樹脂材料を含むソルダーレジスト層を有していても構わない。
【０１５３】
また、前述した本発明の実施形態は、アンダーフィルについての説明を省略したが、部品内蔵基板と電子部品との間にアンダーフィルを有しても構わない。
【０１５４】
また、前述した本発明の実施形態は、無機絶縁層が配線層に形成されていたが、コア基板のみに形成されてもよい。
【０１５５】
また、前述した本発明の実施形態は、樹脂基体層は基材を含んでいるが、基材を含まなくても構わない。
【０１５６】
また、前述した本発明の実施形態は、第１樹脂層および樹脂基体層はフィラー粒子を含んでいないが、フィラー粒子を含んでも構わない。
【０１５７】
また、前述した本発明の実施形態は、金属箔を使用していたが、金属箔の代わりに樹脂シート使用しても構わない。
【０１５８】
また、前述した本発明の第１実施形態は、樹脂基体に孔部を形成していたが、樹脂基体前駆体に孔部を形成しても構わない。
【０１５９】
また、前述した本発明の第２実施形態は、樹脂基体前駆体に孔部を形成していたが、樹脂基体に孔部を形成し、樹脂基体の露出した主面同士の貼り合わせを、第１樹脂層を介して行なっても構わない。
【０１６０】
また、前述した本発明の第２実施形態は、樹脂基体の一主面に開口部が形成された、複数の孔部が形成されているが、この複数の孔部には、貫通孔が含まれていても構わない。
【０１６１】
また、前述した本発明の実施形態は、第２電子部品が含む電極とビア導体とが接続しているが、図１０に示した実施形態のように、第２電子部品とビア導体とが接続部材を介して接続していても構わない。
【符号の説明】
【０１６２】
１        実装構造体
２        第１電子部品
３        部品内蔵基板
４        バンプ
５        コア基板
６        第２電子部品
７        配線層
８        基体
９        導電層
１０      ビア導体
１１      スルーホール導体
１２      絶縁体
１３      樹脂基体
１３ｘ    樹脂基体前駆体
１４      無機絶縁層
１５      第１樹脂層
１５ｘ    第１樹脂前駆体
１６      樹脂基体層
１６ｘ    樹脂基体層前駆体
１７      基体樹脂部
１８      基材
１９      第１無機絶縁粒子
２０      第２無機絶縁粒子
２１      第１樹脂部
２１ｘ    第１樹脂材料
２２      第１フィラー粒子
２３      金属箔
２４      積層シート
２５      積層体
Ｇ        間隙
Ｈ        孔部
Ｔ        スルーホール
Ｖ        ビア孔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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