(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状誘電体基板（１）の上面に露出して延在する導体ストリップ（２）を有するマイクロストリップラインを含む導体ストリップ露出型伝送路手段（Ａ）と、
上記導体ストリップ露出型伝送路手段（Ａ）における上記導体ストリップ（２）の上面に対して、下面が対面し、該下面の対面面積に応じて、該導体ストリップ上での高周波信号による高速度シリアルデータの伝送に関し、所定分量のＩＳＩを生じさせる程度の損失を該導電ストリップ上に生成する伝送損失生成部材（６）（１６）（２６）（３６）から成る伝送損失生成手段（Ｂ）と、
上記導体ストリップに対面する上記伝送損失生成部材（６）（１６）（２６）（３６）の下面の対面面積を増減させて、所定分量のＩＳＩを生じさせるような移動方向に該伝送損失生成部材を該導体ストリップに対して駆動したうえで、所定分量のＩＳＩを生じさせるような該対面面積を保持するように該伝送損失生成部材を駆動する伝送損失生成部材駆動手段（Ｃ）
を備えていることを特徴とする可変ＩＳＩ伝送路装置。
【請求項２】
上記伝送損失生成手段（Ｂ）における上記伝送損失生成部材が、誘電体（６）である請求項１記載の可変ＩＳＩ伝送路装置。
【請求項３】
上記伝送損失生成手段（Ｂ）における上記伝送損失生成部材が、磁性体（１６）である請求項１記載の可変ＩＳＩ伝送路装置。
【請求項４】
上記伝送損失生成手段（Ｂ）における上記伝送損失生成部材が、導電体（２６）である請求項１記載の可変ＩＳＩ伝送路装置。
【請求項５】
上記伝送損失生成手段（Ｂ）における伝送損失生成部材が、１対の誘電体半片（３６ａ）と導電体半片（３６ｂ）が組み合わされて成る滑動組合せ体（３６）であり、該滑動組合せ体（３６）の該誘電体半片（３６ａ）の下面が上記導体ストリップ（２）の一部分に対面し、上記滑動組合せ体（３６）の該導電体半片（３６ｂ）の下面が該導体ストリップ（２）の他の一部分に対面し、上記伝送損失生成部材駆動手段（Ｃ）が、該導体ストリップ（２）に対面する該滑動組合せ体（３６）の下面の対面面積を増減させるような滑動方向に該滑動組合せ体（３６）を駆動して滑動させる請求項１記載の可変ＩＳＩ伝送路装置。
【請求項６】
上記伝送損失生成手段（Ｂ）における伝送損失生成部材が、１対の磁性体半片（１６ａ）と導電体半片（３６ｂ）が組み合わされて成る滑動組合せ体（１６ａ）（３６ｂ）であり、該滑動組合せ体（１６ａ）（３６ｂ）の該磁性体半片（１６ａ）の下面が上記導体ストリップ（２）の一部分に対面し、該滑動組合せ体（１６ａ）（３６ｂ）の該導電体半片（３６ｂ）の下面が該導体ストリップ（２）の他の一部分に対面し、上記伝送損失生成部材駆動手段（Ｃ）が、該導体ストリップ（２）に対面する該滑動組合せ体（１６ａ）（３６ｂ）の下面の対面面積を増減させるような滑動方向に該滑動組合せ体を駆動して滑動させる請求項１記載の可変ＩＳＩ伝送路装置。
【請求項７】
上記導体ストリップ露出型伝送路手段（Ａ）の上記導体ストリップ（２）が、上記板状誘電体基板（１）の上面で、上記伝送損失生成手段（Ｂ）の上記滑動方向に沿う１対の平行線部分（２ａ）（２ｂ）を有する平面視Ｕ字型に延在する請求項２又は請求項３又は請求項４記載の可変ＩＳＩ伝送路装置。
【請求項８】
上記導体ストリップ露出型伝送路手段（Ａ）の上記導体ストリップ（２）が、上記板状誘電体基板（１）の上面で、上記伝送損失生成手段（Ｂ）の滑動方向に沿う１対の平行線部分（２ａ）（２ｂ）を有する平面視Ｕ字型に延在し、上記滑動組合せ体（３６）の上記１対の誘電体半片（３６ａ）と導電体半片（３６ｂ）の下面どうしの境界線（３６ｃ）が、該Ｕ字型の１対の平行線部分（２ａ）（２ｂ）の間に位置する請求項５記載の可変ＩＳＩ伝送路装置。
【請求項９】
上記導体ストリップ露出型伝送路手段（Ａ）の上記導体ストリップ（２）が、上記板状誘電体基板（１）の上面で、上記伝送損失生成手段（Ｂ）の滑動方向に沿う１対の平行線部分（２ａ）（２ｂ）を有する平面視Ｕ字型に延在し、上記滑動組合せ体（１６ａ）（３６ｂ）の上記１対の磁性体半片（１６ａ）と導電体半片（３６ｂ）の下面どうしの境界線（３６ｃ）が、該Ｕ字型の１対の平行線部分（２ａ）（２ｂ）の間に位置する請求項６記載の可変ＩＳＩ伝送路装置。
【請求項１０】
上記導体ストリップ露出型伝送路手段（Ａ）の上記導体ストリップ（２）が、上記板状誘電体基板（１）の上面で、上記伝送損失生成手段（Ｂ）の上記滑動方向に斜交する方向沿いに、頂点から谷点に延びる第１の斜交部分（２ａａ）と谷点から頂点に延びる第２の斜交部分（２ｂｂ）を有する平面視波型に延在する請求項２又は請求項３又は請求項４記載の可変ＩＳＩ伝送路装置。
【請求項１１】
上記導体ストリップ露出型伝送路手段（Ａ）の上記導体ストリップ（２）が、上記板状誘電体基板（１）の上面で、上記滑動組合せ体（３６）の上記滑動方向に斜交する方向沿いに、頂点から谷点に延びる第１の斜交部分（２ａａ）と谷点から頂点に延びる第２の斜交部分（２ｂｂ）を有する平面視波型に延在し、該滑動組合せ体（３６）の上記１対の誘電体半片（３６ａ）と導電体半片（３６ｂ）の下面どうしの境界線（３６ｃ）が、該第１の斜交部分（２ａａ）と該第２の斜交部分（２ｂｂ）に対し交差する直線沿いに位置する請求項５記載の可変ＩＳＩ伝送路装置。
【請求項１２】
上記導体ストリップ露出型伝送路手段（Ａ）の上記導体ストリップ（２）が、上記板状誘電体基板（１）の上面で、上記滑動組合せ体（１６ａ）（３６ｂ）の上記滑動方向に斜交する方向沿いに、頂点から谷点に延びる第１の斜交部分（２ａａ）と谷点から頂点に延びる第２の斜交部分（２ｂｂ）を有する平面視波型に延在し、該滑動組合せ体の上記１対の磁性体半片（１６ａ）と導電体半片（３６ｂ）の下面どうしの境界線（３６ｃ）が、該第１の斜交部分（２ａａ）と該第２の斜交部分（２ｂｂ）に対し交差する直線沿いに位置する請求項６記載の可変ＩＳＩ伝送路装置。
【請求項１３】
板状誘電体基板（１）の上面に露出して延在する導体ストリップ（２）を有するマイクロストリップラインを含む導体ストリップ露出型伝送路手段（Ａ）と、
上記導体ストリップ露出型伝送路手段（Ａ）における上記導体ストリップ（２）の上面に対して、下面が対面し、該下面の対面面積に応じて、該導体ストリップ上での高周波信号による高速度シリアルデータの伝送に関し、所定分量のＩＳＩを生じさせる程度の損失を該導電ストリップ上に生成する伝送損失生成部材（６）（１６）（２６）（３６）から成る伝送損失生成手段（Ｂ）と、
上記導体ストリップに対面する上記伝送損失生成部材（６）（１６）（２６）（３６）の下面の対面面積を増減させて、所定分量のＩＳＩを生じさせるような移動方向に該伝送損失生成部材を該導体ストリップに対して駆動したうえで、所定分量のＩＳＩを生じさせるような該対面面積を保持するように該伝送損失生成部材を駆動する伝送損失生成部材駆動手段（Ｃ）と、
上記導体ストリップ露出型伝送路手段（Ａ）中の上記導体ストリップ（２）と上記伝送損失生成手段（Ｂ）中の伝送損失生成部材（６）（１６）（２６）（３６）との間に、上記導体ストリップ（２）を覆う範囲で設けられ、低誘電率、かつ、低摩擦係数を有する絶縁体から成る薄い滑動支持シート（５）
を備えていることを特徴とする可変ＩＳＩ伝送路装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、電子通信分野において、連続パルス列を所望のパターンのパルス列に変換する装置に関連し、典型的には、１００ＭＨｚ程度の基準クロックで５Ｇｂ／ｓ程度の高速度シリアルデータを伝送する伝送路中に介在し、インターシンボルインターフェレンス（Ｉｎｔｅｒ  Ｓｙｍｂｏｌ  Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ（ＩＳＩ））由来のデータ依存ジッタ（Ｄａｔａ  Ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ  Ｊｉｔｔｅｒ（ＤＤＪ））を発生させるための可変ＩＳＩ伝送路装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
高速度シリアルデータを伝送する通信システムにおける通信品質を表すビットエラーレート（Ｂｉｔ  Ｅｒｒｏｒ  Ｒａｔｅ（ＢＥＲ））を支配するジッタ（ビット状態の周期であるユニットインターバル（Ｕｎｉｔ  Ｉｎｔｅｒｖａｌ）を規定する特性瞬間の時間的不規則性）に関しては、ＢＥＲごとにおける全ジッタ（ＴＪ）には、非有界の確率的変動を特徴とするランダムジッタ（ＲＪ）と、有界の時間幅Ｐ−Ｐ値を特徴とするデターミニスティックジッタ（ＤＪ）があり、前者のＲＪには、熱雑音、ショットノイズ、フリッカが含まれており、後者のＤＪには、正弦波ジッタ（Ｓｉｎｕｓｏｉｄａｌ  Ｊｉｔｔｅｒ（ＳＪ））等の周期的ジッタ（Ｐｅｒｉｏｄｉｃａｌ  Ｊｉｔｔｅｒ（ＰＤ））と、データ内容を表すパルス配列からの影響を受けるデータ依存ジッタ（ＤＤＪ）と、クロストーク等の有界非相関ジッタ（ＢＵＪ）が含まれている。
そして、この発明に関わるデータ依存ジッタ（ＤＤＪ）は、基準クロックの不規則性をもたらすデューティサイクル歪み（Ｄｕｔｙ  Ｃｙｃｌｅ  Ｄｉｓｔｏｒｔｉｏｎ（ＤＣＤ））と、専ら高速伝送路の属性に由来するインターシンボルインターフェレンス（Ｉｎｔｅｒ  Ｓｙｍｂｏｌ  Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ（ＩＳＩ））の相乗作用によりもたらされることが知れている（例えば、「クロック・ジッタ解析によるシリアルデータのＢＥＲの低減」アジレントテクノロジー（株）編・２００７年１月刊・インターネットサイトでも公表）。
上記ＢＥＲにおける全ジッタの要因の中でも、夙に、インターシンボルインターフェレンス（ＩＳＩ）にあっては、装置設計の視点からすると、伝送路の属性という与件としての外部要因であるので、ＥＢＲに対する実際の寄与を検証することが通信品質の確保のうえで重大な関心事になっている。
ビットエラーレート（Ｂｉｔ  Ｅｒｒｏｒ  Ｒａｔｅ（ＢＥＲ））を把握するためには、種々のビットエラーレート試験装置（Ｂｉｔ  Ｅｒｒｏｒ  Ｒａｔｅ  Ｔｅｓｔｅｒ（ＢＥＲＴ））が多用されており、ＵＳ７，９７９，２２５特許の明細書には、上記ビットエラー試験装置（ＢＥＲＴ）内臓のパターン発生器から各種の試験パターンに係る高速度シリアルデータが、高速伝送路を模擬するＩＳＩボードに向けて送出され、該ＩＳＩボードにおけるＩＳＩ由来の所望量のＤＤＪを伴う該シリアルデータが被試験装置（Ｄｅｖｉｓｅ  Ｕｎｄｅｒ  Ｔｅｓｔ（ＤＵＴ））に対して供給されて、該被試験装置（ＤＵＴ）の出力が該ビットレート試験装置（ＢＥＲＴ）内臓のパターン分析器に戻され、これにより、上記各種試験パターンに対する該被試験装置（ＤＵＴ）による適正／非適正動作の限界を短時間に把握できる構成が開示されている。
こうしたＢＥＲ試験向けの試験パターンに係る国際的標準として「Ｃｏｍｍｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ  Ｉ／Ｏ（ＣＥＩ）−Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ  ａｎｄ  Ｊｉｔｔｅｒ  Ｉｎｔｅｒｏｐｅｒａｂｉｌｉｔｙ  Ａｇｒｅｅｍｅｎｔｓ  Ｆｏｒ  ６Ｇ＋ｂｐｓ  ａｎｄ  １１Ｇ＋ｂｐｓ  Ｉ／Ｏ−１Ａ＃ＯＩＦ−ＣＥＩ−０１．０（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｉｎｔｅｒｎｅｔｗｏｒｋｉｎｇ  Ｆｏｒｕｍ  ２００４）」、および、「ＩＴＵ−ＴＯ．１５０  ５．８項」を前提とする試験用ビットパターンの作成技術が、ＵＳ７，２７２，７５６特許の明細書に開示されている。
そして、上記ＵＳ７，９７９，２２５特許の明細書において言及されているような、高速度シリアルデータ通信のための高速伝送路を模擬するＩＳＩボードは、例えば、米国カルフォルニア州所在のシンセシスリサーチ社（Ｓｙｎｔｈｅｓｙｓ  Ｒｅｓｅａｒｃｈ，Ｉｎｃ．）より、「Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ  Ｉｓｉ  Ｂｏａｒｄ」という製品名称で上市されているところもでもある。
この類のＩＳＩボードの構成の概要は、ＵＳ８，２２４，６１３特許の明細書にも、Ｆｉｇ１（図１）の参照の下に、従来技術として紹介されている。
一般に、この種のＩＳＩボードの構成は、本願明細書添付の図９に示されるように、板状誘電体基板（９１）の下面全体を覆う導体箔（図示せず）に対し、該基板自体の誘電体を介在させた導電ストリップ（９１ａ）が、該基板の内部に埋設されていて、一定幅で平面視線条のパターンを描いて延在し、別の導電ストリップ（９２ａ）が、該導電ストリップ（９１ａ）とは異なる長さで、一定幅の平面視線条のパターンを描いて延在し、さらに、別の導電ストリップ（９３ａ）が、一定幅の長尺線条で平面視Ｕ字型底部に当たる湾曲部分を有するパターンを描いて延在している。
かくて、幅一定で区々に異なる長さと形状のパターンを描くようにして板状誘電体基板（９１）内部に埋設された複数種類の導体ストリップ（９１ａ）（９２ａ）（９３ａ）が用意されているものである。
各別の上記導体ストリップ（９１ａ）（９２ａ）（９３ａ）の両端部分には、例えば、サブミニアチュアＡ型コネクターが連結されていて、同図中には、同コネクター（９１ｃ）（９１ｄ）（９２ｃ）が現れている。
ここでの各別の上記導体ストリップ（９１ａ）（９２ａ）（９３ａ）は、同軸ケーブルと同様の働きを呈し、すべて、一定の特性インピーダンスを形成する半面、選択的に使用される各別の導体ストリップ上の高速度シリアルデータの高周波伝送信号に対しては、異なる長さの導体ストリップごとに各別の異なる伝送損失を付与することで、異なる分量のＩＳＩを多段階的に実現するものである。
したがって、常法的には、ビットエラーレート試験装置（ＢＥＲＴ）のパターン発生器とパターン分析器の間に、この種のＩＳＩボードを介在させて、該パターン発生器の高周波出力信号を同軸ケーブルーブル経由で、該ＩＳＩボードの、例えば、信号入力端子として選択されたコネクター（９１ｃ）に導入し、該ＩＳＩボードの該コンネクター（９１ｃ）に対応する導電ストリップ（９１ａ）の他端のコネクター（９１ｄ）から、該高周波出力信号を別の同軸ケーブル経由で導出することで、該選択された導体ストリップ（９１ａ）上の高速度シリアルデータ通信のための高周波信号に対し、該選択された１対の導体ストリップに関して予め固定的に設定されている伝送損失を付与することにより、予め固定的に設定された分量のＩＳＩを多段階的に選択して実現するものである。
因みに、前掲のシンセシスリサーチ社による「Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ  Ｉｓｉ  Ｂｏａｒｄ」では、９種類の導体ストリップパーターンにより、９段階のＩＳＩ分量が設定可能である。
なお、ＩＳＩボードでは、差動信号を取り扱うべく、上記導体ストリップ（９１ａ）等をさらに１対１組にして平行かつ近接して延在させることで、差動伝送路を構成し、各導体ストリップの両端部分のコネクター（９１ｃ）（９１ｄ）等は、各一端部分に２個１組で設けられている例が多いが、本願明細書では、図９の従来例の構成を含め、説明の簡潔・明確化の目的で、シングルエンド伝送用のものを例示している。
上記従前のＩＳＩボードにあっては、ビットエラーレート（ＢＥＲ）試験の条件設定のたびに、予め設定された段階別の離散的なＩＳＩ分量を設定することが可能ではあるが、ビットエラーレート（ＢＥＲ）試験の結果を即座に反映させながら、ＩＳＩ分量を広範囲に連続的に可変設定することができないことから、デジタルデータ通信が実際の伝送路で晒されるＩＳＩ、謂わば「生の」ＩＳＩを模擬することが困難であるという問題点があった。
【非特許文献１】クロック・ジッタ解析によるシリアルデータのＢＥＲの低減」アジレントテクノロジー（株）編・２００７年１月刊（インターネットサイトでも公表）  第６頁‐第９頁
【特許文献１】ＵＳ７，９７９，２２５
【特許文献２】ＵＳ７，２７２，７５６
【特許文献３】ＵＳ８，２２４，６１３
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ＩＳＩ分量の連続的な可変設定が不可能である点に由来して実際の伝送路に対する模擬の完全実施が困難であるという従前のＩＳＩボードにおける問題点に鑑み、こうした問題点を解消し、ＩＳＩ分量を連続的に可変設定可能とし、所謂「生の」ＩＳＩを模擬することのできる可変ＩＳＩ伝送路装置を提供することが、この発明の課題である。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記の課題を解決するために、請求項１−請求項１２記載の発明は、マイクロストリップラインやコプレーナラインを含む導体ストリップ露出型伝送路手段（Ａ）における板状誘電体基板（１）の上面に露出した導体ストリップ（２）に対し、伝送損失生成部材（６）（１６）（２６）（３６）から成る伝送損失生成手段（Ｂ）が対面する際の対面面積に関し、伝送損失生成部材駆動手段（Ｃ）が、該伝送損失生成手段（Ｂ）を駆動し滑動させることで、連続的に増減させるように構成したことにより、上記問題点を解消し、高速度シリアルデータ通信時のＩＳＩ分量を適宜の操作により、連続的に可変設定可能な可変ＩＳＩ伝送路装置を提供するものである。
請求項２−請求項４記載の発明の構成に関しては、上記請求項１記載の発明の構成中の、上記導電ストリップ（２）に対面する伝送損失生成部手段（Ｂ）の上記伝送損失生成部材として、請求項２記載の発明では、誘電体（６）が選定され、請求項３記載の発明では、磁性体（１６）が選定され、請求項（４）記載の発明では、導電体（２６）選定されているものである。
誘電体（６）が、導体ストリップ（２）に対面すると、該導体スリップ（２）上の高速度シルアルデータ通信のための高周波信号が形成する高周波電界の影響を受けて、該誘電体（６）おいて、誘電損失を生ずるが、その損失は、該高周波信号を電気的エネルギー源とするものであるので、その損失分が、該高周波信号に対する伝送損失として反映するものである。
磁性体（１６）が、導体ストリップ（２）に対面すると、該高速度シリアルデータ通信のための高周波信号が形成する高周波磁界の影響を受けて、該磁性体（１６）において、磁気損失を生ずるが、その損失は、同様に、該高周波信号を電気的エネルギー源とするものであるので、その損失分が、該高周波信号に対する伝送損失として反映するものである。
導電体（２６）が、導体ストリップ（２）に対面すると、該高速度シリアルデータ通信のための高周波信号が形成する高周波磁界の影響を受けて、該導電体（２６）において、エディーカレントの誘起による抵抗損失を生ずるが、その損失は、同様に、該高周波信号を電気的エネルギー源とするものであるので、その損失分が、該高周波信号に対する伝送損失として反映するものである。
こうして導体ストリップ（２）上の高周波信号に反映される伝送損失は、上記伝送損失部材の材料の材質に特有の周波数特性を有し、これにより、ＩＳＩの発生の主要因が形成される。
ここでの伝送損失の分量の変化に関しては、上記伝送損失生成部材の上記導電ストリップ（２）に対する対面面積に支配されるので、所望の操作により、該伝送損失生成部材を駆動し、滑動させて、該対面面積を連続的に増減させることで、連続的に広範囲に調整可能である。
これにより、ＩＳＩの分量が広範囲に連続的に可変設定可能となる。
請求項５−請求項６記載の発明の構成に関しては、上記請求項１記載の発明の構成中の、伝送損失生成手段（Ｃ）の上記伝送損失生成部材として、請求項５記載の発明では、１対の誘電体半片（３６ａ）と導電体半片（３６ｂ）の滑動組合せ体が選定され、請求項６記載の発明では、１対の磁性体半片（１６ａ）と導体半片（３６ｂ）の滑動組合せ体が選定されている。
誘電体半片（３６ａ）も、磁性体半片（１６ａ）も、導体半片（３６ｂ）も、同様に、導電ストリップ（２）に対面すると、それぞれ、記載の順に誘電損失、磁性損失、抵抗損失を生じ、各別の滑動組合せ体（３６）（１６ａ・３６ｂ）における各別の損失の組合せの分が、該導電ストリップ上の高周波信号に対する伝送損失として反映するものである。
請求項７記載の発明の構成に関しては、上記請求項２−請求項４記載の発明の構成中の、上記板状誘電体基板（１）上の上記導電ストリップ（２）のパターンが平面視Ｕ字型を描いて延在するものである。
上記伝送損失生成部材（６）（１６）（２６）の長尺の滑動範囲内で、該導体ストリップが滑動方向沿いに細い幅で伸びているので、該伝送損失生成部材の滑動の増減分に対する対面面積の増減が少なく、安定したＩＳＩの調整に好適である。
請求項８ないし請求項９記載の発明の構成に関しては、それぞれ記載の順に、請求項５記載の発明ないし請求項６記載の発明の構成中の、各別の滑動組合せ体（３６）（１６ａ・３６ｂ）が、上記板状誘電体基板（２）上に平面視Ｕ字型を描いて延在する導電体スリップ（２）に対して対面する。
請求項１０記載の発明の構成に関しては、上記請求項２−請求項４記載の発明の構成中の、上記板状誘電体基板（１）上の上記導電ストリップ（２）のパターンが平面視波型を描いて延在するものである。
上記伝送損失生成部材（６）（１６）（２６）の比較的短尺の滑動範囲内で、該導体ストリップの該波型が有する多数個の斜交部分（２ａａ）（２ｂｂ）が滑動方向に対し交差する方向に横並びに並ぶので、該伝送損失生成部材の滑動の増減分に対する対面面積の増減が多く、高感度（効き目の強い）ＩＳＩの調整に好適である。
請求項１１記載の発明ないし請求項１２記載の発明の構成に関しては、それぞれ記載の順に、請求項５記載の発明ないし請求項６記載の発明の構成中の、滑動組合せ体（３６）（１６ａ・３６ｂ）が、上記板状誘電体基板（２）上に平面視波型を描いて延在する導電体スリップ（２）に対して対面する。
【発明の効果】
【０００５】
請求項１−請求項１２記載の発明によれば、板状誘電体基板（１）の上面に露出した導体ストリップ（２）に対し、伝送損失生成部材（６）（１６）（２６）（３６）が対面する際の対面面積を該伝送損失生成部材の該導電ストリップに対する駆動と滑動により連続的に増減させるように構成したことにより、導電ストリップ（２）上の高速度シリアルデータ通信のための高周波信号に対するＩＳＩの分量を連続的に調整することができるので、高速度データ通信のために、現実に運用されている、謂わば「生の」高速度シリアルデータ（符号）通信回線におけるＩＳＩ環境をより実際的に模擬することができるという優れた効果が奏される。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
図１は、請求項１ないし請求項２ないし請求項７記載の発明の可変ＩＳＩ伝送路装置の実施態様の構成例を示す斜視説明図である。
図２は、請求項３ないし請求項７記載の発明の可変ＩＳＩ伝送路装置の実施態様の構成例の要部を抽出して示す斜視説明図である。
図３は、請求項４ないし請求項７記載の発明の可変ＩＳＩ伝送路装置の実施態様の構成例の要部を抽出して示す斜視説明図である。
図４は、請求項５記載ないし請求項６ないし請求項８ないし請求項９記載の発明の可変ＩＳＩ伝送路装置の実施態様の構成例の要部を抽出して示す斜視説明図である。
図５は、請求項１０記載の発明の可変ＩＳＩ伝送路装置の実施態様の構成例の要部を抽出して示す斜視説明図である。
図６は、請求項１０記載の発明の可変ＩＳＩ伝送路装置の実施態様の構成例の要部を抽出して示す斜視説明図である。
図７は、請求項１０記載の発明の可変ＩＳＩ伝送路装置の実施態様の構成例の要部を抽出して示す斜視説明図である。
図８は、請求項１１ないし請求項１２記載の明の可変ＩＳＩ伝送路装置の実施態様の構成例の要部を抽出して示す斜視説明図である。
図９は、従来技術のＩＳＩボードの斜視説明図である。
【符号の説明】
【０００７】
Ａ          導電ストリップ露出型伝送路手段
Ｂ          伝送損失生成手段
Ｃ          伝送損失生成部材駆動手段
１          板状誘電体基板
２          導体ストリップ
２ａ，２ｂ  並行線部分
２ａａ      第１の斜交部分
２ｂｂ      第２の斜交部分
２ｃ，２ｄ  導体ストリップ２の１対の端部
２ｅ，２ｆ  サブミニアチュアＡ型コネクター
３ａ        入力信号用同軸ケーブル
３ｂ        出力信号用同軸ケーブル
４          導電性接地部材
５          滑動支持シート
６          誘電体
６ａ        取付け支持板
７          駆動ベルト
７ａ        駆動ベルト７の下半部分
８          駆動モーター
８ａ        回転駆動軸
９ａ        駆動ドラム
９ｂ        受動ドラム
９ｃ        回転軸
１０        駆動制御回路
１０ａ，１０ｈ  回転型ポテンショメーター
１０ｂ，１０ｆ，１０ｋ  直流電源
１０ｅ      比較調節器
１１        調整用ダイヤル
１６        磁性体
１６ａ      磁性体半片
１６ｂ      磁性体半片
２６        導電体
３６        滑動組合せ体
３６ａ      誘電体半片
３６ｂ      導電体半片
３６ｃ      境界線
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
この発明の最良の実施形態の１つの構成を示す斜視説明図が図１である。
テフロン樹脂、ポリイミド樹脂等の比較的低誘電率の誘電体から成り、平面視長方形を呈する板状誘電体基板（１）の上面には、通常のプリント配線製作技術により、パターン形成された銅箔層等の導体ストリップ（２）が該基板（１）の上面で上方に露出して延在している。
上記導体ストリップ（２）は、平面視長方形の長手方向沿いに伸びる１対の並行線部分（２ａ）（２ｂ）を有する平面視Ｕ字型のパターンを描くように延在している。
上記Ｕ字型の導体ストリップ（２）の１対の端部（２ｃ）（２ｄ）は、上記板状誘電体基板（１）の周辺部位に設けられた１対の常用のサブミニアチュアＡ型コネクター（２ｅ）（２ｆ）の各別の信号端子に接続されている。
上記コネクター（２ｅ）（２ｆ）の各別の信号端子は、入力信号用同軸ケーブル（３ａ）と出力用同軸ケーブル（３ｂ）に接続されている。上記コネクター（２ｅ）（２ｆ）の各別の接地端子は、上記板状誘電体基板（１）の誘電体を挟んで、導体ストリップ（２）の下方に位置する該基板（１）の平面視底面全面に設けられた面状導体箔の導電性接地部材（４）に接続されている。
上記導電性接地部材（４）は、上記板状誘電体基板（１）の底面上に、上記導体ストリップ（２）のＵ字型パターンに対応するＵ字型パターンの導体箔であってもよい。
上記面状の導体箔ないし上記Ｕ字型パターンの導体箔の導電性接地部材（４）は、上記板状誘電体基板（１）の上面から見た下方の誘電体内部に介装されるように配置されていてもよい。
上記板状誘電体基板（１）、該基板（１）の上方に露出する上記導体ストリップ（２）及び上記導電性接地部材（４）は、マイクロストリップラインとしての導体ストリップ露出型伝送路手段（Ａ）を構成する。高速度シリアデータ通信のための高速伝送路としての上記導体ストリップ露出型伝送路手段（Ａ）に関しては、上記マイクロストリップラインのほか、コプレーナラインが多用されている。
因みに、上記コプレーナラインの構成は、板状誘電体基板の上面の両側周辺バンク部分の上面に露出して延在する１対の幅広の導体箔から成る導電性接地部材と、該１対の導体ストリップの各々の内縁沿いに、該板状誘電体基版の上面に露出して配置された１対の誘電体スロットと、該１対の誘電体スロットの間で該スロットに平行に該導体ストリップのそれと同一の高さ位置で延在する該誘電体基板上面の中央バンク部分の頂面に露出して設けられた導体ストリップを有するものである。
上記マイクロストリップラインも、コプレーナラインも、共に、同軸ケーブルの働きを備え、高周波信号を通ずる導体ストリップが基板上面に露出している点の導体ストリップ露出型伝送路に共通の特徴を備えている。
上記板状誘電体基板（１）の上面には、テフロンシート等の比較的低誘電率の絶縁物で摩擦係数の低い部材から成る厚さ０．０５ｍｍ程度の極薄の滑動支持シート（５）が、上記導体ストリップ（２）を覆う範囲で、該誘電体基板の該長手方向に貼着されて延在する。
上記板状誘電体基板（１）の上面上方には、上記Ｕ字型の導体ストリップ（２）を覆う範囲で該基板（１）の上面に対面し、上記滑動支持シート（５）の上記長手方向に直交する幅員に整合する幅員を有し、平面視長方形の直方体に形成された誘電体（６）が、伝送損失生成部材として配置されている。
上記誘電体（６）は、ポキシ樹脂、ガラスエポキシ樹脂等のように比較的高誘電率であり、大きな誘電損失の発生が見込める誘電体、ないし、チタン酸バリウム等のように、より以上の高誘電率と、より大きな誘電損失の発生が見込める強誘電体から成り、上面に貼着された加工容易な非金属性の取付け支持版（６ａ）を介して、上方の駆動ベルト（７）の下半部分（７ａ）に固定されていて、該ベルトの走行に伴って、上記滑動支持シート（５）沿いに移動可能である。
ここでの伝送損失生成部材としての誘電体（６）は、伝送損失生成手段（Ｂ）を構成する。
上記駆動ベルト（７）は、減速ギア内臓の直流マグネットモーターで成る駆動モータ（８）の回転駆動軸（８ａ）に連結された駆動ドラム（９ａ）と受動ドラム（９ｂ）の間に架け渡されている。
上記両ドラム（９ａ）（９ｂ）の水平高さ位置、ひいては、上記駆動ベルト（７）の水平高さ位置に関しては、該ベルトの下面に固定された上記伝送損失生成部材としての誘電体（６）の下面が、上記滑動支持シート（５）の上面に滑動可能に当接する高さ位置に選定されている。
さらに、両ドラム（９ａ）（９ｂ）の間隔に関しては、上記誘電体（６）が、上記滑動支持シート（５）上で、該シート（５）の長手方向の範囲内で滑動するのを可能にするように選定されている。
上記駆動モーター（８）は、駆動制御回路（１０）に接続されている。ここでの上記駆動ベルト（７）と、上記駆動モター（８）と、上記駆動ドラム（９ａ）と、上記受動ドラム（９ｂ）は、伝送損失生成部材駆動手段（Ｃ）を構成し得る。
駆動制御回路（１０）では、上記受動ドラム（９ｂ）の回転軸（９ｃ）に連結された回転型ポテンショメーター（１０ａ）が、直流電源（１０ｂ）と接地（１０ｃ）間に挿入接続されている。
上記回転軸（９ｃ）により回動駆動される上記ポテンショメーター（１０ａ）の回動摺動子端子（１０ｄ）が、比較調節器（１０ｅ）の反転入力端子（１０ｅ−）に接続されている。
上記比較調節器（１０ｅ）の非反転入力端子（１０ｅ＋）が、直流電源（１０ｆ）と接地（１０ｇ）間に挿入接続された位置目標設定用の回転型ポテンショメーター（１０ｈ）の回動摺動子端子（１０ｉ）に接続されている。
上記回動摺動子端子（１０ｉ）は、図外の装置パネル上に配置された伝送損失生成部材の位置設定用、即ち、ＩＳＩ量の可変設定用の調整ダイヤルに対し機械的に連結されている。
上記比較調節器（１０ｅ）の出力端子（１０ｊ）は、上記駆動モーター（８）に接続されている。
上記比較調節器（１０ｅ）には、駆動モーター用の直流電源（１０ｋ）が接続されていて、該電源（１０ｋ）は、該比較調節器（１０ｅ）を介して、駆動モーター（８）に接続されている。
図１に示されている上記１例の実施態様の構成において、駆動モーター（８）の回転駆動軸（８ａ）の回転により、駆動ドラム（９ａ）が同図上で時計方向に回転駆動されると、駆動ベルト（７）の下半部分（７ａ）と伝送損失生成部材としての誘電体（６）が、一体的に図上左寄りの方向、即ち、矢印（７ｂ）の方向に移動する。
上記板状誘電体基板（１）の上面の上記滑動支持シート（５）の上面に当接する上記誘電体（６）の下面が該シート（５）に支持されて、該誘電体（６）が、該シート（５）上を上記矢印（７ｂ）の方向に滑動してゆく。
上記誘電体（６）の滑動が進むにつれて、該誘電体（６）の下面が、上記滑動支持シート（５）直下で上方に露出する上記Ｕ字型の導体ストリップ（２）に差し掛かり、該ストリップ（２）を覆うようにして、該ストリップ（２）に対する対面面積を徐々に増大さてゆく。
これとは逆に、駆動モーター（８）の回転駆動軸（８ａ）の逆向きの回転により、駆動ドラム（９ａ）が、同図上で反時計方向に回転駆動されると、誘電体（６）が、矢印（７ｂ）の逆方向に移動することで、上記誘電体（６）の下面の上記導体ストリップ（２）に対する対面面積を徐々に減少させてゆく。
上記入力信号用同軸ケーブル（３ａ）から導入された高速度シリアルデータ通信のための広帯域の高周波信号は、上記コネクター（２ｅ）の信号端子経由で、上記板状誘電体基板（１）上面に露出している上記導電ストリップ（２）のＵ字型を描くパターンの１つの並行線部分（２ａ）に伝送され、もう一つの並行線部分（２ｂ）を経て、上記コネクター（２ｆ）の信号端子経由で出力用同軸ケーブル（３ｂ）に導出される。
露出された１対の上記並行線部分（２ａ）（２ｂ）を通じて伝送される高周波信号により、該並行線部分（２ａ）（２ｂ）を含む上記導電ストリップ（２）の上面上方には、高周波の電界と磁界が形成されるものである。
いま、上記伝送損失生成部材としての誘電体（６）の下面が、上記滑動支持シート（５）上を図中矢印（７ｂ）方向に滑動することで、上記導体ストリップ（２）との間に対面面積が形成されると、該誘電体（６）が、主として、該導体ストリップ（２）の上記並行線部分（２ａ）（２ｂ）から発せられる高周波電界に晒される。
この場合、上記誘電体（６）に発生する該誘電体（６）の分極に起因する誘電損失は、主として、該並行線部分（２ａ）（２ｂ）上の高周波信号を電気的エネルギー源とするものであるので、その誘電損失の分が、該導体ストリップ（２）上の高周波信号に対する伝送損失として反映するものである。
上記伝送損失生成部材としての誘電体（６）に関しては、誘電率の高い誘電体ないし強誘電体の材料を選定することで、上記導電ストリップ（２）上の高周波信号に対し、十分な分量の伝送損失を反映させることができる。
この場合、テフロンシート等の滑動支持シート（５）は、低摩擦係数の働きで、誘電体（６）の該シート（５）上での良好な滑動を確保するが、低誘電率であるので、上記導電ストリップ（２）上の高周波信号に反映される伝送損失は軽微である。
但し、上記伝送損失生成部材としての誘電体（６）等自体の選択ないし個体潤滑剤を入れ込んだ焼成や表面研磨等の加工により、該伝送損失生成部材と上記導体ストリップ（２）の上面との間に低い摩擦係数を確保することで、上記滑動支持シート（５）の介在を廃止し、該伝送損失生成部材の下面を直接的に該導体ストリップ（２）の上面に当接する構成とするのは隋意である。
なお、この明細書および特許請求の範囲の記載においては、上記滑動支持シート（５）の介在の有無に係らず、上記誘電体（６）等の上記伝送損失生成部材の下面が上記導体ストリップ（２）の上面に対応する位置で、互いに近接ないし当接することをこの明細書では「対面する」と表現している。上記滑動支持シート（５）上で、図中矢印（７ｂ）方向への誘電体（６）の滑動が進むにつれて、該誘電体（６）の上記導体ストリップ（２）に対する対面面積が増大するので、その分だけ、該導体ストリップ（２）上の高周波信号に反映される伝送損失が増大する。
これとは逆に、図中矢印（７ｂ）方向とは逆の方向への誘電体（６）の滑動が進むにつれて、該誘電体（６）の上記導体ストリップ（２）に対する対面面積が減少するので、その分だけ、該導体ストリップ（２）上の高周波信号に反映される伝送損失が減少する。
そして、上記導体ストリップ（２）の露出した上面に対面する伝送損失生成部材としての誘電体（６）の、上記板状誘電体基板（１）上の位置、ひては、該導体ストリップ（２）沿いの位置を調整することで、上記導体ストリップ（２）上の高周波信号に対して反映させる伝送損失の量を変化させることができる。
ここで、伝送損失生成部材としての誘電体（６）に発生する誘電損失に起因して、導電ストリップ（２）上の高周波信号に反映される伝送損失に関しては、該誘電体（６）の材質依存で、高周波信号の周波数成分ごとに異なる分量を呈するので、該伝送損失は、選択される誘電体の材質に特有の周波数特性を有するものである。
上記特有の周波数特性は、ＩＳＩ（Ｉｎｔｅｒ  Ｓｙｍｂｏｌ  Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）の発生とその度合いを支配するのに重要な要素ある。
この要素を利用することにより、ＩＳＩの受動的発生源として、ここで採用されている導体ストリップ露出型伝送路Ａを通じて伝送される高速度シリアルデータ（符号）通信における符号配列依存の特性瞬間の不規則性（ＩＳＩジッタ）の発生を定量的に可変設定することのできる可変ＩＳＩ伝送路装置が実現されるのである。
そして、この装置により、現実に運用されている所謂「生の」高速度シリアルデータ（符号）通信回線としての導体ストリップ露出型伝送路等におけるＩＳＩ環境をより実際的に模擬することができる。
上記ＩＳＩジッタ発生を量的に可変設定するのには、操作者が、図外の装置パネル上に設けられた調整用ダイヤル（１１）を所望の角度だけ回動させる。
すると、位置目標設定用の回転型ポテンショメーター（１０ｈ）の回動摺動子が回動摺動し、回動摺動子端子（１０ｉ）からは、目標設定電圧用の直流電源（１０ｆ）の電圧を可変抵抗分割して現れる目標設定電圧が、上記比較調節器（１０ｅ）の非反転入力端子（１０ｅ＋）に供給される。
駆動モーター用の直流電源（１０ｋ）は、比較調節器（１０ｅ）による断続制御を介して駆動用モーター（８）に対して給電し、該モータ（８）を回転させる。
駆動用モーター（８）の回転により、既述のとおり、駆動ドラム（９ａ）と受動ドラム（９ｂ）が、駆動ベルト（７）を介して同期的に回転する。
すると、受動ドラム（９ｂ）の回転に連動して回転型ポテンショメーター（１０ａ）の回動摺動子が回動し、上記回動摺動子端子（１０ｄ）からは、制御電圧用の直流電源（１０ｂ）の電圧を可変抵抗分割して現れる制御電圧が、上記比較調節器（１０ｅ）の反転入力端子（１０ｅ−）に供給される。
こうして、受動ドラム（９ｂ）の受動的回転に応じて回転型ポテンショメーター（１０ａ）の上記回動摺動子端子（１０ｄ）に現れる制御電圧が、増減変動すると、上記比較調節器（１０ｅ）は、公知公用の定値制御を実現するように働くことで、制御電圧が、目標設定電圧に対して増加する場合には、該制御電圧の減少を伴う回転方向に上記両ドラム（９ａ）（９ｂ）を回転駆動するような極性でもって、駆動モーター用の直流電源（１０ｋ）を上記駆動モータ（８）に対して供給し、これとは逆に、制御電圧が、目標設定電圧に対して減少する場合には、該制御電圧の増加を伴う回転方向に上記両ドラム（９ａ）（９ｂ）を回転駆動するような極性に切り換えて、駆動モーター用の直流電源（１０ｋ）を上記駆動モータ（８）に対して供給する。
かくて、調整用ダイヤル（１１）の操作により、設定された目標設定電圧に一致する制御電圧を供給する上記受動ドラム（９ｂ）の位置、ひいては、上記伝送損失生成部材としての誘電体（６）の上記導電ストリップ（２）上の位置まで、該誘電体（６）が移動したときに、比較調節器（１０ｅ）から駆動モーター（８）に対する給電が消滅し、定値制御が平衡静止するものである。
なお、ここでの駆動制御回路（１０）による定値制御に代えて、伝送損失生成部材としての誘電体（６）自体に関し、上記滑動支持シート（５）沿いに、機械的に滑動させ得るあらゆる公知手段の採用は隋意であり、例えば、駆動ドラム（９ａ）自体を手動操作で回転される構成であってもよい。
こうした構成も、上記伝送損失生成部材駆動手段（Ｃ）に包含される。
図２は、伝送損生成部材に関する別の実施態様の構成を示すものであり、図１において、同一の符号で示される構成要素は、それぞれ同一のものを示す。
伝送損失生成部材としての誘電体（６）に代えて、磁性体（１６）により、伝送損失生成手段（Ｂ）を構成する。
上記伝送損失生成手段（Ｂ）以外の部分の構成と動作は、図１の実施態様のものと同じである。
伝送損失生成部材のための磁性体（１６）としては、フェライト、マグネタイト等の透磁率（初磁化曲線上）の高い強磁性体（フェリ磁性体）であり、ヒステリシス損等の磁気損失の大きな磁性体（１６）が好適である。
伝送損失生成部材としての磁性体（１６）の下面が、上記導電ストリップ（２）に対面して、該導体ストリップ（２）との間に対面面積が形成されると、上記磁性体（１６）が、主として、該導体ストリップ（２）の上記並行線部分（２ａ）（２ｂ）から発せられる高周波磁界に晒される。
この場合、上記磁性体（１６）のヒステリシス曲線に起因して該磁性体（１６）に発生する磁気損失は、主として、該並行線部分（２ａ）（２ｂ）上の高周波信号を磁気的エネルギー源とするものであるので、その磁気損失の分が、該導体ストリップ（２）上の高周波信号に対する伝送損失として反映するものである。
上記伝送損失生成部材としての磁性体（１６）に関しては、透磁率（初磁化曲線上）の高い強磁性体の材料を選定することで、上記導電ストリップ（２）上の高周波信号に対し、十分な分量の伝送損失を反映させることができる。
図３は、伝送損失生成部材に関する別の実施態様の構成を示すものであり、図１において、同一の符号で示される構成要素は、それぞれ同一のものを示す。
伝送損失生成部材としての誘電体（６）に代えて、金属等の導電体（２６）により、伝送損失生成手段（Ｂ）を構成する。
上記伝送損失生成手段（Ｂ）以外の部分の構成と動作は、図１の実施態様のものと同じである。
伝送損失生成部材のための導電体（２６）としては、銅、鉄、アルミニウム、ステンレス等の電気抵抗により十分な抵抗損の生ずる金属が好適である。
伝送損失生成部材としての導電体（２６）の下面が、上記導電ストリップ（２）に対面して、該導体ストリップ（２）との間に対面面積が形成されると、該導電体（２６）が、主として、該導体ストリップ（２）の上記並行線部分（２ａ）（２ｂ）から発せられる高周波磁界に晒される。
この場合、上記高周波磁界と上記導電体（２６）間の鎖交磁束により、該導電体（２６）に誘起されるエディーカレントに起因して該導電体（２６）に発生する抵抗損失は、主として、該並行線部分（２ａ）（２ｂ）上の高周波信号を磁気的エネルギー源とするものであるので、その抵抗損失の分が、該導体ストリップ（２）上の高周波信号に対する伝送損失として反映するものである。
上記伝送損失生成部材としての導電体（２６）に関しては、適切な電気抵抗を有する導電体の材料を選定することで、上記導電ストリップ（２）上の高周波信号に対し、十分な分量の伝送損失を反映させることができる。
図４は、伝送損失生成部材に関する別の実施態様の構成を示すものであり、図１において、同一の符号で示される構成要素は、それぞれ同一のものを示す。
伝送損失生成部材としての誘電体（６）に代えて、誘電体半片（３６ａ）と導電体半片（３６ｂ）が組合わされて成る滑動組合せ体（３６）により、伝送損失生成手段（Ｂ）を構成する。
上記伝送損失生成手段（Ｂ）以外の部分の構成と動作は、図１の実施態様のものと同じである。
上記誘電体半片（３６ａ）は、図１に示される実施態様における誘電体（６）と同一の材質のものであり、上記導電体半片（３６ｂ）は、図３に示される実施態様における導電体（２６）と同一の材質のものである。
上記駆動ベルト（７）の下半分（７ａ）には、取付け支持板（６ａ）を介して上記誘電体半片（３６ａ）と上記導電体半片（３６ｂ）の滑動組合せ体（３６）が固定されている。
上記滑動組合せ体（３６）における上記誘電体半片（３６ａ）と上記導電体半片（３６ｂ）は、各別に、平面視長方形の直方体であり、上記駆動ベルト（７）の下半分（７ａ）の長手方向沿いに該長方形の互いの長辺が接合されて、一体化されている。
上記滑動組合せ体（３６）として接合された上記誘電体半片（３６ａ）と上記導電体半片（３６ｂ）の下面どうしの境界線（３６ｃ）は、上記板状誘電体基板（１）上の上記Ｕ字型の導体ストリップ（２）の１対の並行線部分（２ａ）（２ｂ）に挟まれた中間域に位置し、該並行線部分（２ａ）（２ｂ）に平行に延在する。
従って、上記滑動組合せ体（３６）が、該導体ストリップ（２）の上面に対面し、上記板状誘電体基板（１）上の滑動支持シート（５）に当接して、滑動する際には、上記誘電体半片（３６ａ）が、上記１つの並行線部分（２ａ）に対し、上記導電体半片（３６ｂ）が、上記もう一つの並行線部分（２ｂ）に対して選択的に対面する。
上記誘電体半片（３６ａ）が、上記導体ストリップ（２）の上記並行線部分（２ａ）に対面すると、該並行線部分（２ａ）上の高周波信号からの電界により、該誘電体半片（３６ａ）に発生する誘電損失が、該並行線部分（２ａ）上の高周波信号に対する伝送損失として反映するものである。
上記導電体半片（３６ｂ）が、上記導体ストリップ（２）の上記並行線部分（２ｂ）に対面すると、該並行線部分（２ｂ）上の高周波信号からの磁界により、該導電体半片（３６ｂ）に発生する抵抗損失が、該並行線部分（２ｂ）上の高周波信号に対する伝送損失として反映するものである。
図４の実施態様の変形実施態様として、図４における誘電体半片（３６ａ）と導電体半片（３６ｂ）から成る滑動組合せ体（３６）のうちの誘電体半片（３６ａ）に関し、図２の磁性体（１６）を図４の該誘電体半片（３６ａ）と同寸法に拵えた磁性体半片（１６ａ）に置き換えることで、磁性体半片（１６ａ）と導電体半片（３６ｂ）が組み合わされて成る滑動組合せ体（１６ａ）（３６ｂ）を採用することもできる。
この実施態様の構成では、磁性体半片（１６ａ）と導電体半片（３６ｂ）が組合わされて成る滑動組合せ体（３６）により、伝送損失生成手段（Ｂ）が構成される。
この場合、置き換えられた図４の磁性体半片（１６ａ）が、図４の誘電体半片（３６ａ）に代わって、上記導電ストリップ（２）の上記並行線部分（２ａ）に対面すると、該並行線部分（２ａ）上の高周波信号からの磁界により、該磁性体半片（１６ａ）に発生する磁気損失が、該並行線部分（２ａ）上の高周波信号に対する伝送損失として反映するものである。
図４の実施態様のもう一つの変形実施態様として、図４における誘電体半片（３６ａ）と導電体半片（３６ｂ）から成る滑動組合せ体（３６）のうちの導電体半片（３６ｂ）の方に関し、図２の磁性体（１６）を図４の該導電体半片（３６ｂ）と同寸法に拵えた磁性体半片（１６ｂ）に置き換えることで、磁性体半片（１６ｂ）と誘電体半片（３６ａ）が組み合わされて成る滑動組合せ体（１６ｂ）（３６ａ）を採用することもできる。
この実施態様の構成では、磁性体半片（１６ｂ）と誘電体半片（３６ａ）が組み合わされて成る滑動組合せ体（１６ｂ）（３６ａ）により、伝送損失生成手段（Ｂ）が構成される。
この場合、置き換えられた図４の磁性体半片（１６ｂ）が、図４の導電体半片（３６ｂ）に代わって、上記導電ストリップ（２）の上記並行線部分（２ｂ）に対面すると、該並行線部分（２ｂ）上の高周波信号からの磁界により、該磁性体半片（１６ｂ）に発生する磁気損失が、該並行線部分（２ｂ）上の高周波信号に対する伝送損失として反映するものである。
図５は、上記導体ストリップ露出型伝送路手段（Ａ）の上記導体ストリップ（２）に関する別の実施態様の構成を示すものであり、図１において、同一の符号で示される構成要素は、それぞれ同一のものを示す。
上記板状誘電体基板（１）の上面の導体ストリプ（２）は、上記伝送損失生成手段（Ｂ）の伝送損失生成部材としての誘電体（６）の図中矢印（７ｂ）で示される滑動方向に対して、該基板（１）上面で斜交する方向沿いに頂点から谷点に延びる複数個の第１の斜交部分（２ａａ）と、谷点から頂点に延びる複数個の第２の斜交部分（２ｂｂ）を有する平面視波型のパターンを描いて該基板（１）上に延在する。
上記誘電体（６）が図中の矢印（７ｂ）方向に滑動して、該誘電体（６）の下面の上記波型の導電ストリップ（２）に対する対面面積が増加する場合には、第１の斜交部分（２ａａ）と第２の斜交部分（２ｂｂ）の複数組みに関し、同時並行的に対面面積が増加するので、該基板（１）上面の限られた面積内で、該誘電体（６）の滑動距離に対する該対面面積の増分（変化度合い）、ひいては、ＩＳＩ伝送路上のＩＳＩ量の変化度合い（増し分）を大きく確保できる。
上記誘電体（６）が図中の矢印（７ｂ）方向とは逆の方向に滑動する場合には、逆作用で、該誘電体（６）の滑動距離に対する該対面面積の減分（変化度合い）を大きく確保できる。
図６は、図５に示される実施態様の変形実施態様の構成を示すものであり、図２と図５において、同一の符号で示される構成要素は、それぞれ同一のものを示す。
図６の構成にあっては、伝送損失生成手段（Ｂ）の伝送損失生成部材としての誘電体（６）に代えて、図２の実施態様で採用されている磁性体（１６）を採用したものである。
図７は、図５に示される実施態様の変形実施態様の構成を示すものであり、図３と図５において、同一の符号で示される構成要素は、それぞれ同一のものを示す。
図７の構成にあっては、伝送損失生成手段（Ｂ）の伝送損失生成部材としての誘電体（６）に代えて、図３の実施態様で採用されている導電体（２６）を採用したものである。
図８は、図５に示される実施態様の変形実施態様の構成を示すものであり、図４と図５において、同一の符号で示される構成要素は、それぞれ同一のものを示す。
図８の構成では、伝送損失生成手段（Ｂ）の伝送損失生成部材としての誘電体（６）に代えて、図４の実施態様で採用されている誘電体半片（３６ａ）と導電体半片（３６ｂ）から成る滑動組合せ体（３６）を採用したものである。
但し、図８の構成にあっては、上記滑動組合せ体（３６）として接合された上記誘電体半片（３６ａ）と上記導電体半片（３６ｂ）の下面どうしの境界線（３６ｃ）は、上記板状誘電体基板（１）上で、図５に示されるように平面視波型に描かれた導体ストリップ（２）の頂点から谷点に延びる複数個の第１の斜交部分（２ａａ）と谷点から頂点に延びる複数の第２の斜交部分（２ｂｂ）に対して交差する直線沿いに位置している。
即ち、図中の矢印（７ｂ）で示される上記滑動組合せ体（３６）の滑動方向に直交する方向に延在している。
そして、滑動する上記滑動組合せ体（３６）が上記導体ストリップ（２）に対する対面面積を形成し始める際に、先行して該対面面積を形成する側に誘電体半片（３６ａ）が配置されている。
従って、図４の実施態様の場合とは相違して、設定操作による上記対面面積の増加につれて、先ず、誘電体半片（３６ａ）における誘電損失が、上記導体ストリップ（２）上の高周波信号に対する伝送損失として反映し、次いで、該対面面積の増加が進むと、該誘電損失由来の伝送損失に加えて、導電体半片（３６ｂ）における抵抗損失が、同時的に、該高周波信号に対する伝送損失として反映するものである。
図８の実施態様の変形実施態様として、図８における誘電体半片（３６ａ）と導電体半片（３６ｂ）から成る滑動組合せ体（３６）のうちの誘電体半片（３６ａ）に関し、図６の磁性体（１６）を図８の該誘電体半片（３６ａ）と同寸法に拵えた磁性体半片（１６ａ）に置き換えることで、磁性体半片（１６ａ）と導電体半片（３６ｂ）が組み合わされて成る滑動組合せ体（１６ａ）（３６ｂ）を採用することもできる。
この場合、置き換えられた図８の磁性体半片（１６ａ）が、図８の誘電体半片（３６ａ）に代わって、上記導電ストリップ（２）の上記第１の斜交部分（２ａａ）ないし上記第２の斜交部分（２ｂｂ）に対面すると、該斜交部分（２ａａ）（２ｂｂ）上の高周波信号からの磁界により、該磁性体半片（１６ａ）に発生する磁気損失が、該斜交部分（２ａａ）（２ｂｂ）上の高周波信号に対する伝送損失として反映するものである。
図８の実施態様のもう一つの変形実施態様として、図８における誘電体半片（３６ａ）と導電体半片（３６ｂ）から成る滑動組合せ体（３６）のうちの導電体半片（３６ｂ）に関し、図６の磁性体（１６）を図８の該導電体半片（３６ｂ）と同寸法に拵えた磁性体半片（１６ｂ）に置き換えることで、磁性体半片（１６ｂ）と誘電体半片（３６ａ）が組み合わされて成る滑動組合せ体（１６ｂ）（３６ａ）を採用することもできる。
この場合、置き換えられた図８の磁性体（１６ｂ）が、図８の導電体半片（３６ｂ）に代わって、上記導電ストリップ（２）の上記第１の斜交部分（２ａａ）ないし上記第２の斜交部分（２ｂｂ）に対面すると、該斜交部分（２ａａ）（２ｂｂ）上の高周波信号からの磁界により、該磁性体半片（１６ａ）に発生する磁気損失が、該斜交部分（２ａａ）（２ｂｂ）上の高周波信号に対する伝送損失として反映するものである。
【産業上の利用可能性】
【０００９】
以上のように、請求項１−請求項１２記載の発明は、高速シリアルデータ通信のためのビットエラー試験等の場面で、実際に運用されている高速伝送路にけるＩＳＩ環境を模擬することのできる可変ＩＳＩ伝送路装置を提供するものであるので、産業上の利用可能性は絶大である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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