(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向する第１基板及び第２基板と、
前記第１基板上に設けられている有機発光部と、
前記第１基板と前記第２基板とを接合させる接合部材と、
前記第１基板上に配置され、前記第１基板の一面を基準として前記有機発光部の最も高い部分より高く、前記接合部材の高さより低い高さを有する支持部材と、を備え、
前記支持部材と前記有機発光部とは互いに離隔して形成されることを特徴とする有機発光表示装置。
【請求項２】
前記有機発光部は、
前記第１基板上に形成された画素回路部と、
前記画素回路部を覆う絶縁部と、
前記画素回路部と連結され、前記絶縁部上に形成される画素電極と、
前記画素電極を露出させる開口部を有し、前記絶縁部上に形成される画素定義膜と、を備え、
前記支持部材と前記画素定義膜とは同じ物質を含むことを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
前記支持部材は、前記第１基板の中心から見て前記有機発光部よりも前記第１基板の外側に配置され、前記接合部材よりも前記第１基板の内側に配置されることを特徴とする請求項１または２に記載の有機発光表示装置。
【請求項４】
前記有機発光部は、
さらに、
前記画素電極上に形成され、光を発生させる中間層と、
前記中間層上に形成される対向電極と、を備えることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
前記画素回路部は、前記画素電極に対応するように、前記第１基板上に配置されることを特徴とする請求項４に記載の有機発光表示装置。
【請求項６】
前記画素回路部は、薄膜トランジスタを備えるか、または配線を備えることを特徴とする請求項５に記載の有機発光表示装置。
【請求項７】
前記第１基板の一面から前記画素電極までの高さは、前記第１基板の一面から前記画素定義膜までの高さより高いことを特徴とする請求項４〜６のいずれか１項に記載の有機発光表示装置。
【請求項８】
前記支持部材の高さは、前記第１基板の一面から前記画素電極までの高さよりさらに高く、前記接合部材の高さより低いことを特徴とする請求項７に記載の有機発光表示装置。
【請求項９】
前記中間層は、低分子からなることを特徴とする請求項４〜８のいずれか１項に記載の有機発光表示装置。
【請求項１０】
レーザー熱転写法を利用した有機発光表示装置の製造方法において、
第１基板上に形成された画素回路部と、前記画素回路部を覆う絶縁部と、前記画素回路部と連結され、前記絶縁部上に形成される画素電極と、を備えるアクセプター基板を準備するステップと、
前記アクセプター基板上に、前記絶縁部と離隔して前記第１基板の外側に支持部材を形成するステップと、
前記支持部材にドナーフィルムが支持されるように、前記ドナーフィルムを前記アクセプター基板に積層するステップと、
前記ドナーフィルムの転写層を前記アクセプター基板に転写するステップと、
前記ドナーフィルムと前記アクセプター基板とを剥離するステップと、
前記アクセプター基板と封止基板とを接合部材で接合するステップと、を含むことを特徴とする有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１１】
レーザー熱転写法を利用した有機発光表示装置の製造方法において、
第１基板上に形成された画素回路部と、前記画素回路部を覆う絶縁部と、前記画素回路部と連結され、前記絶縁部上に形成される画素電極と、を備えるアクセプター基板を準備するステップと、
前記画素電極を露出させる開口部を有し、前記絶縁部上に画素定義膜を形成するとともに、前記アクセプター基板の前記画素定義膜と離隔して支持部材を形成するステップと、
前記支持部材にドナーフィルムが支持されるように、前記ドナーフィルムを前記アクセプター基板に積層するステップと、
前記ドナーフィルムの転写層を前記アクセプター基板に転写するステップと、
前記ドナーフィルムと前記アクセプター基板とを剥離するステップと、
前記アクセプター基板と封止基板とを接合部材で接合するステップと、を含むことを特徴とする有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記接合部材は、前記アクセプター基板の中心から見て前記支持部材よりも前記アクセプター基板の外側に配置されることを特徴とする請求項１０または１１に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記支持部材は、前記アクセプター基板の底面を基準として前記アクセプター基板の最も高い部分より高く、前記接合部材の高さより低いことを特徴とする請求項１０〜１２のいずれか１項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記アクセプター基板は、複数個の発光領域と非発光領域とに区画されることを特徴とする請求項１０〜１３のいずれか１項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記発光領域のうち一部の領域は、前記非発光領域の高さより高いことを特徴とする請求項１４に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記支持部材は、前記発光領域の最も高い部分より高く、前記接合部材より低いことを特徴とする請求項１５に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記積層するステップは、前記ドナーフィルムが前記支持部材に支持されて、前記転写層が前記発光領域に付着することを防止することを特徴とする請求項１４〜１６のいずれか１項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記画素回路部は、前記画素電極に対応するように、前記第１基板上に形成されることを特徴とする請求項１１に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記画素回路部は、薄膜トランジスタを備えるか、または配線を備えることを特徴とする請求項１８に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２０】
前記第１基板の一面から前記画素電極までの高さは、前記第１基板の一面から前記画素定義膜までの高さより高いことを特徴とする請求項１１、１８、１９のいずれか１項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２１】
前記支持部材の高さは、前記第１基板の一面から前記画素電極までの高さよりさらに高く、前記接合部材の高さより低いことを特徴とする請求項２０に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２２】
前記支持部材は、前記熱転写法による前記中間層の形成工程中に、ドナーフィルムを前記第１基板に積層する工程時、前記ドナーフィルムを支持して、前記ドナーフィルムが前記画素電極に付着することを防止することを特徴とする請求項１１、１８〜２１のいずれか１項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光表示装置及びその製造方法であって、特にレーザー熱転写法を利用する場合、ドナーフィルムとアクセプター基板との積層工程時、ドナーフィルムの転写層がアクセプター基板に付着することを防止できる有機発光表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
平板表示素子である有機発光素子は、アノード電極、カソード電極、及びアノード電極とカソード電極との間に介在された少なくとも有機発光層を備えた中間層を備える素子であって、視野角が広く、コントラストが優秀であるだけでなく、応答速度が速いという長所を有して、次世代の表示素子として注目されている。かかる有機発光素子は、発光層が高分子有機材料からなるか、または低分子有機材料からなるかによって、有機発光層以外に、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、及び電子注入層のうち少なくとも一つ以上の有機膜層をさらに備える。
【０００３】
かかる有機発光素子において、フルカラーを具現するためには、有機膜層をパターニングしなければならない。パターニング方法としては、低分子有機発光素子の場合、シャドーマスクを使用する方法があり、高分子有機発光素子の場合、インクジェットプリンティングまたはレーザーによる熱転写法（Ｌａｓｅｒ  Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｉｍａｇｉｎｇ：ＬＩＴＩ）などが使われる。ＬＩＴＩは、有機膜層を微細にパターニングでき、大面積に使用でき、高解像度を実現するのに有利であるという長所がある。熱転写法を用いて有機膜層をパターニングする技術としては、下記特許文献１に記載の技術が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２００７−５１１８９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、レーザー熱転写法を利用する場合、積層工程（ラミネーション工程）時にドナーフィルムの転写層がアクセプター基板に付着することを防止できる有機発光表示装置及びそれを製造する方法を提供するところにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一実施形態による有機発光表示装置は、互いに対向する第１基板及び第２基板と、前記第１基板上に設けられている有機発光部と、前記第１基板と前記第２基板とを接合させる接合部材と、前記第１基板上に配置され、前記第１基板の一面を基準として前記有機発光部の最も高い部分より高く、前記接合部材の高さより低い高さを有する支持部材と、を備え、前記支持部材と前記有機発光部とは互いに離隔して形成される。
本発明において、前記有機発光部は、前記第１基板上に形成された画素回路部と、前記画素回路部を覆う絶縁部と、前記画素回路部と連結され、前記絶縁部上に形成される画素電極と、前記画素電極を露出させる開口部を有し、前記絶縁部上に形成される画素定義膜と、を備え、前記支持部材と前記画素定義膜とは同じ物質を含む。
【０００７】
本発明において、前記支持部材は、前記第１基板の中心から見て前記有機発光部よりも前記第１基板の外側に配置され、前記接合部材よりも前記第１基板の内側に配置される。
【０００８】
本発明において、前記有機発光部は、さらに、前記画素電極上に形成され、光を発生させる中間層と、前記中間層上に形成される対向電極と、を備える。
【０００９】
本発明において、前記画素回路部は、前記画素電極に対応するように前記第１基板上に配置される。
【００１０】
本発明において、前記画素回路部は、薄膜トランジスタを備える。
【００１１】
本発明において、前記画素回路部は、配線を備える。
本発明において、前記第１基板の一面から前記画素電極までの高さが、前記第１基板の一面から前記画素定義膜までの高さより高い。
【００１２】
本発明において、前記支持部材の高さは、前記第１基板の一面から前記画素電極までの高さよりさらに高く、前記接合部材の高さより低い。
【００１３】
本発明において、前記支持部材は、前記熱転写法による前記中間層の形成工程中に、ドナーフィルムを前記第１基板に積層する工程時、前記ドナーフィルムを支持して、前記ドナーフィルムが前記画素電極に付着することを防止できる。
【００１４】
本発明において、前記中間層は、低分子からなる。
【００１５】
本発明の一実施形態による有機発光表示装置の製造方法は、レーザー熱転写法を利用した有機発光表示装置の製造方法において、第１基板上に形成された画素回路部と、前記画素回路部を覆う絶縁部と、前記画素回路部と連結され、前記絶縁部上に形成される画素電極と、を備えるアクセプター基板を準備するステップと、前記アクセプター基板上に、前記絶縁部と離隔して前記第１基板の外側に支持部材を形成するステップと、前記支持部材にドナーフィルムが支持されるように、前記ドナーフィルムと前記アクセプター基板とを積層するステップと、前記ドナーフィルムの転写層を前記アクセプター基板に転写するステップと、前記ドナーフィルムと前記アクセプター基板とを剥離するステップと、前記アクセプター基板と封止基板とを接合部材で接合するステップと、を含む。
本発明において、レーザー熱転写法を利用した有機発光表示装置の製造方法において、第１基板上に形成された画素回路部と、前記画素回路部を覆う絶縁部と、前記画素回路部と連結され、前記絶縁部上に形成される画素電極と、を備えるアクセプター基板を準備するステップと、前記画素電極を露出させる開口部を有し、前記絶縁部上に画素定義膜を形成するとともに、前記アクセプター基板の前記画素定義膜と離隔して支持部材を形成するステップと、前記支持部材にドナーフィルムが支持されるように、前記ドナーフィルムを前記アクセプター基板に積層するステップと、前記ドナーフィルムの転写層を前記アクセプター基板に転写するステップと、前記ドナーフィルムと前記アクセプター基板とを剥離するステップと、前記アクセプター基板と封止基板とを接合部材で接合するステップと、を含む。
【００１６】
本発明において、前記接合部材は、前記アクセプター基板の中心から見て前記支持部材よりも前記アクセプター基板の外側に配置される。
【００１７】
本発明において、前記支持部材は、前記アクセプター基板の底面を基準として前記アクセプター基板の最も高い部分より高く、前記接合部材の高さより低い。
【００１８】
本発明において、前記アクセプター基板は、複数個の発光領域と非発光領域とに区画される。
【００１９】
本発明において、前記発光領域のうち一部の領域は、前記非発光領域の高さより高い。
【００２０】
本発明において、前記支持部材は、前記発光領域の最も高い部分より高く、前記接合部材より低い。
【００２１】
本発明において、前記積層するステップは、前記ドナーフィルムが前記支持部材に支持されて、前記転写層が前記発光領域に付着することを防止できる。
【００２３】
本発明において、前記画素回路部は、前記画素電極に対応するように前記第１基板上に形成される。
【００２４】
本発明において、前記画素回路部は、薄膜トランジスタを備える。
【００２５】
本発明において、前記画素回路部は、配線を備える。
【００２６】
本発明において、前記第１基板の一面から前記画素電極までの高さが、前記第１基板の一面から前記画素定義膜までの高さより高い。
【００２７】
本発明において、前記支持部材の高さは、前記第１基板の一面から前記画素電極までの高さよりさらに高く、前記接合部材の高さより低い。
【００２８】
本発明において、前記支持部材は、前記熱転写法による前記中間層の形成工程中に、ドナーフィルムを前記第１基板に積層する工程時、前記ドナーフィルムを支持して、前記ドナーフィルムが前記画素電極に付着することを防止できる。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば、レーザー熱転写法を利用して有機発光表示装置を製造する場合、積層工程時にドナーフィルムの転写層がアクセプター基板に付着することを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の一実施形態による有機発光表示装置を概略的に示す断面図である。
【図２】図１に示した有機発光部と支持部材とを概略的に示す断面図である。
【図３】レーザー熱転写法による有機発光表示装置を製造する工程別の断面図である。
【図４】レーザー熱転写法による有機発光表示装置を製造する工程別の断面図である。
【図５】図４に後続する断面図である。
【図６】図５に後続する断面図である。
【図７】図６に後続する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
本発明は、多様な変更が加えられることができ、様々な実施形態を有するところ、以下では、特定の実施形態を図面に例示し、詳細に説明する。しかし、これは、本発明を特定の実施形態に対して限定しようとするものではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれるあらゆる変更、均等物ないし代替物を含むものと理解されなければならない。本発明を説明するにあたり、関連した公知技術についての具体的な説明が本発明の要旨を不明確にすると判断される場合、その詳細な説明を省略する。
【００３２】
また、第１、第２などの用語は、多様な構成要素を説明するのに使われるが、構成要素は、用語により限定されてはならない。用語は、一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的でのみ使われる。
【００３３】
本出願で使用した用語は、単に特定の実施形態を説明するために使われたものであって、本発明を限定しようとする意図ではない。単数の表現は、文脈上明白に取り立てて意味しない限り、複数の表現を含む。本出願において、「含む」または「有する」などの用語は、明細書上に記載された特徴、数字、ステップ、動作、構成要素、部品またはそれらを組み合わせたものが存在することを指定しようとするものであって、一つまたはそれ以上の他の特徴や数字、ステップ、動作、構成要素、部品またはそれらを組み合わせたものの存在または付加の可能性をあらかじめ排除しないものと理解されなければならない。
【００３４】
以下、本発明による有機発光表示装置の実施形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。なお、添付図面を参照して説明するにあたり、同一または対応する構成要素は、同じ図面番号を付与し、これについての重複する説明は省略する。
【００３５】
図１は、本発明の一実施形態による有機発光表示装置を概略的に示す断面図であり、図２は、図１に示した有機発光部１１０と支持部材１３０とを概略的に示す断面図である。
図１及び図２を参照すれば、本発明の一実施形態による有機発光表示装置は、第１基板１０１、第２基板１０２、有機発光部１１０、支持部材１３０、及び接合部材１４０を備える。
【００３６】
第１基板１０１上に、有機発光素子で形成された有機発光部１１０が備えられている。第１基板１０１としては、ガラス材基板だけでなく、アクリルのような多様なプラスチック材基板を使用でき、さらに金属板を使用してもよい。この第１基板１０１には、必要に応じてバッファ層１０１ａがさらに備えられてもよい。
【００３７】
バッファ層１０１ａは、バリヤー特性を有する絶縁物質で形成される。例えば、バッファ層１０１ａは、ＳｉＯ２またはＳｉＮｘで形成される。
【００３８】
このように、有機発光部１１０が備えられた第１基板１０１は、接合部材１４０により第２基板１０２と合着される。この第２基板１０２も、ガラス材基板だけでなく、アクリルのような多様なプラスチック材基板を使用できる。
【００３９】
有機発光部１１０は、画素回路部１１７、絶縁部１２８、画素電極１２１、画素定義膜１２２、中間層１２３、及び対向電極１２４を備える。
【００４０】
画素回路部１１７は、第１基板１０１上に配置される。画素回路部１１７は、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）でありうる。
【００４１】
ＴＦＴである画素回路部１１７は、活性層１１１、ゲート絶縁膜１１２、ゲート電極１１３、層間絶縁膜１１４、ソース／ドレイン電極１１５，１１６で形成される。図２では、画素回路部１１７がトップゲートＴＦＴであると示されているが、本発明は、これに限定されるものではなく、ボトムゲートＴＦＴなど多様な形態のＴＦＴでありうる。
【００４２】
より詳しくは、第１基板１０１のバッファ層１０１ａ上に、所定のパターンの活性層１１１が備えられる。活性層１１１の上部には、ゲート絶縁膜１１２が備えられ、ゲート絶縁膜１１２の上部の所定の領域には、ゲート電極１１３が形成される。ゲート電極１１３は、ＴＦＴオン／オフ信号を印加するゲートライン（図示せず）と連結されている。ゲート電極１１３の上部には、層間絶縁膜１１４が形成され、コンタクトホールを通じてソース／ドレイン電極１１５，１１６がそれぞれ活性層１１１に接するように形成される。
【００４３】
ソース／ドレイン電極１１５，１１６の上部には、絶縁部１２８が形成される。絶縁部１２８は、ＳｉＯ２，ＳｉＮｘなどで形成されたパッシベーション膜でありうる。変形例として、絶縁部１２８は、パッシベーション膜上に形成された平坦化膜（図示せず）をさらに備えうる。平坦化膜は、アクリル、ポリイミド、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）などの有機物質で形成されうる。絶縁部１２８は、無機物または有機物で形成された単層や、無機物層または有機物層が積層された多層で形成されうる。
【００４４】
絶縁部１２８の上部に、有機電界発光素子（ＯＬＥＤ）のアノード電極となる画素電極１２１が形成され、それを覆うように有機物で形成された画素定義膜１２２が形成される。画素定義膜１２２に所定の開口を形成した後、画素電極１２１が前記開口により部分的に露出されて、外部に露出した画素電極１２１の上部に、中間層１２３を形成する。ここで、中間層１２３は、発光層を備える。本発明は、必ずしもかかる構造に限定されるものではなく、多様な有機発光ディスプレイ装置の構造がそのまま適用されることはいうまでもない。
【００４５】
有機電界発光素子は、電流の流れによって、赤色、緑色、青色の光を発光して所定の画像情報を表示するものであって、ＴＦＴのドレイン電極１１６に連結されて、そこからプラス電源を供給する画素電極１２１と、全体の画素を覆うように備えられて、マイナス電源を供給する対向電極１２４と、それらの画素電極１２１と対向電極１２４との間に配置されて発光する中間層１２３とで構成される。
【００４６】
画素電極１２１と対向電極１２４とは、中間層１２３に相異なる極性の電圧を加えて、中間層１２３で発光する。
【００４７】
ここで、中間層１２３は、低分子または高分子の有機層が使われるが、低分子有機層を使用する場合、ホール注入層（ＨＩＬ：Ｈｏｌｅ  Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ）、ホール輸送層（ＨＴＬ：Ｈｏｌｅ  Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  Ｌａｙｅｒ）、発光層（ＥＭＬ：  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ）、電子輸送層（ＥＴＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  Ｌａｙｅｒ）、電子注入層（ＥＩＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ）などが、単一あるいは複合の構造で積層されて形成され、使用可能な有機材料も、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、Ｎ，Ｎ−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＢ）、トリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）などをはじめとして多様に適用可能である。それらの低分子有機層は、真空蒸着の方法で形成される。
【００４８】
高分子有機層の場合には、ホール輸送層及び発光層を備えた構造を有し、この時、ホール輸送層としてポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）を使用し、発光層としてポリフェニレンビニレン（ＰＰＶ）系及びポリフルオレン系などの高分子有機物質を使用し、それをスクリーン印刷やインクジェット印刷方法などで形成できる。
【００４９】
かかる中間層は、必ずしもこれに限定されるものではなく、多様な実施形態が適用されることはいうまでもない。
【００５０】
画素電極１２１は、アノード電極の役割を果たし、対向電極１２４は、カソード電極の役割を果たすが、それらの画素電極１２１と対向電極１２４との極性は逆になってもよい。
【００５１】
画素電極１２１は、透明電極または反射型電極として備えられるが、透明電極として使われる時には、ＩＴＯ，ＩＺＯ，ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３で形成され、反射型電極として使われる時には、Ａｇ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ａｕ，Ｎｉ，Ｎｄ，Ｉｒ，Ｃｒ及びそれらの化合物などで反射部を形成した後、その上にＩＴＯ，ＩＺＯ，ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３を形成できる。
【００５２】
一方、対向電極１２４は、反射型電極としても備えられるが、透明電極として使われる時には、対向電極１２４がカソード電極として使われるので、仕事関数の小さい金属、すなわち、Ｌｉ，Ｃａ，ＬｉＦ／Ｃａ，ＬｉＦ／Ａｌ，Ａｌ，Ａｇ，Ｍｇ及びそれらの化合物が中間層１２３に向かうように蒸着した後、その上にＩＴＯ，ＩＺＯ，ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３などの透明電極形成用物質で補助電極層やバス電極ラインを形成できる。そして、反射型電極として使われる時には、前記のＬｉ，Ｃａ，ＬｉＦ／Ｃａ，ＬｉＦ／Ａｌ，Ａｌ，Ａｇ，Ｍｇ及びそれらの化合物を全面蒸着して形成する。
【００５３】
支持部材１３０は、有機発光部１１０と接合部材１４０との間において、有機発光部１１０のエッジから離隔されつつ、接合部材１４０よりも内側に配置される。すなわち、支持部材１３０は、第１基板１０１の中心から見て有機発光部１１０よりも第１基板１０１の外側に配置され、接合部材１４０よりも第１基板１０１の内側に配置される。支持部材１３０は、第１基板１０１の一面を基準としてその高さｔ１が有機発光部１１０の最も高い部分ｔ２より高く、接合部材１４０の高さｔ３より低い。
【００５４】
支持部材１３０の高さｔ１が有機発光部１１０の最も高い部分の高さｔ２よりさらに高いため、支持部材１３０は、レーザー熱転写法により中間層１２３を形成する時、ドナーフィルム１５０（図４を参照）を支持して、ドナーフィルム１５０の転写層１５１（図４を参照）が転写前後に有機発光部１１０の最も高い部分に付着することを防止できる。これについては後述する。
【００５５】
支持部材１３０は、画素定義膜１２２と同じ物質で形成される。例えば、支持部材１３０は、画素定義膜１２２を形成する工程時に生成される。ハーフトーンマスクを利用すれば、支持部材１３０と画素定義膜１２２とを同じ工程で形成できる。本発明は、これに限定されるものではなく、支持部材１３０は、画素定義膜１２２と異なる物質で形成されることもあり、画素定義膜１２２とは異なる工程で形成されうる。支持部材１３０の高さｔ１は、画素定義膜１２２の高さｈ１より高く形成される。
【００５６】
図３ないし図７は、レーザー熱転写法による有機発光表示装置を製造する工程別の断面図を示す。
【００５７】
図３を参照すれば、支持部材１３０を有するアクセプター基板を準備する。アクセプター基板は、レーザー熱転写法でドナーフィルム１５０の転写層１５１が転写される基板を意味し、図３のように、アクセプター基板は、第１基板１０１上に画素回路部１１７、絶縁部１２８、画素定義膜１２２、画素電極１２１が形成されたものでありうる。
【００５８】
第１基板１０１は、発光領域Ａと非発光領域Ｂとに区画される。発光領域Ａにおいては、画素電極１２１と中間層１２３（図２を参照）とが積層されて光が発生し、非発光領域Ｂにおいては、画素定義膜１２２が形成されて光が発生しない。第１基板１０１上には、画素回路部１１７や各種の配線（図示せず）が配置されるので、アクセプター基板の表面は平らではない。図３に示すように、画素回路部１１７が発光領域Ａ上に配置される場合には、発光領域Ａに対応する画素電極１２１の表面が平らではなく、この場合、第１基板１０１の一面を基準として発光領域Ａの高さｈ２が非発光領域Ｂの高さｈ１より高い。すなわち、第１基板１０１の一面から画素電極１２１の表面までの高さｈ２が、第１基板１０１の一面から画素定義膜１２２までの高さｈ１より高い。なお、第１基板１０１の厚みを考慮すれば、アクセプター基板の底面を基準として発光領域Ａの高さおよび非発光領域Ｂの高さを計ることもできる。このように、画素回路部１１７または各種の配線の影響により、画素電極１２１までの高さｈ２が、画素定義膜１２２までの高さｈ１より高く形成されるならば、ドナーフィルム１５０とアクセプター基板との積層工程（ラミネーション工程）時、ドナーフィルム１５０の転写層１５１がアクセプター基板に転写される前に、アクセプター基板の最も高い部分に付着する不良が発生しうる。また、転写後に剥離工程（デラミネーション工程）時にも、転写層１５１が不要なほど、アクセプター基板の最も高い部分に付着するか、または転写された転写層１５１ａ（図６を参照）がはがれる不良が発生しうる。
【００５９】
本発明の一実施形態は、アクセプター基板の最も高い部分よりさらに高く形成された支持部材１３０を備えてドナーフィルム１５０を支持するので、積層工程や剥離工程時に転写層１５１が付着したり、はがれたりすることを防止できる。
【００６０】
図４は、ドナーフィルム１５０をアクセプター基板に積層する工程を示す断面図である。
【００６１】
ドナーフィルム１５０は、図４に示したように、基材フィルム１５４、前記基材フィルム１５４の一面上に順次に積層された光熱変換層１５２及び転写層１５１を備え、所定の弾性を有する。前記基材フィルム１５４は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリカーボネート（ＰＣ）などの透明性の高分子有機材料で形成される。前記光熱変換層１５２は、入射される光を熱に変換させる膜であって、光吸収性物質であるアルミニウム酸化物、アルミニウム硫化物、カーボンブラック、黒鉛または赤外線染料を含む。前記転写層１５１は、アクセプター基板が有機電界発光素子基板である場合、有機転写層でありうる。前記有機転写層１５１は、正孔注入層、正孔輸送層、電界発光層、正孔抑制層、電子輸送層及び電子注入層からなる群から選択される少なくとも一つの膜でありうる。
【００６２】
ドナーフィルム１５０をアクセプター基板に積層（ラミネーション）する場合、アクセプター基板に形成された支持部材１３０は、画素電極１２１までの高さｈ２や画素定義膜１２２までの高さｈ１より高く形成されるので、ドナーフィルム１５０は、支持部材１３０により支持され、転写層１５１が転写される前に、画素電極１２１や画素定義膜１２２に転写層１５１が付着することを防止できる。
【００６３】
図５は、ドナーフィルム１５０の転写層１５１をアクセプター基板に転写させる工程を示す工程断面図である。
【００６４】
図５を参照すれば、アクセプター基板にドナーフィルム１５０が積層された状態で、ドナーフィルム１５０上で転写層１５１が転写される領域にのみ局部的にレーザーを照射する。レーザーが照射されれば、前記光−熱変換層１５２がアクセプター基板側に膨脹することによって転写層１５１も膨脹して、レーザーが照射された領域の転写層１５１がドナーフィルム１５０から分離されつつアクセプター基板に転写される。すなわち、ドナーフィルム１５０から分離された転写層１５１は、画素電極１２１上に転写される。
【００６５】
図６は、ドナーフィルム１５０とアクセプター基板とを剥離する工程を示す工程断面図である。
【００６６】
図６を参照すれば、アクセプター基板上に転写層１５１ａが転写されれば、ドナーフィルム１５０とアクセプター基板とを分離させる。画素電極１２１上には、転写層１５１ａが転写され、レーザービームが照射されていない転写層１５１ｂはドナーフィルム１５０に残っている。
【００６７】
図７は、対向電極１２４と第２基板１０２とを形成する工程を示す工程断面図である。
【００６８】
図７を参照すれば、画素電極１２１上に転写された転写層１５１ａを覆うように対向電極１２４を形成する。画素電極１２１と対向電極１２４との間に配置された転写層１５１ａは、中間層１２３（図２を参照）と同じ機能を有する。すなわち、画素電極１２１と対向電極１２４とは、転写層１５１ａに相異なる極性の電圧を加えることで、転写層１５１ａは発光する。
【００６９】
対向電極１２４の形成後、接合部材１４０を利用して第１基板１０１と第２基板１０２とを接合させる。接合部材１４０は、シーラントまたはフリットでありうる。接合部材１４０の高さｔ３は、支持部材１３０の高さｔ１より高く形成される。
【００７０】
以上では、本発明の望ましい実施形態を参照して説明したが、当業者ならば、特許請求の範囲に記載された本発明の思想及び領域から逸脱しない範囲内で、本発明を多様に修正及び変更させることを理解できるであろう。前述した実施形態以外の多くの実施形態が本発明の特許請求の範囲内に存在する。
【産業上の利用可能性】
【００７１】
本発明は、有機発光表示装置関連の技術分野に適用可能である。
【符号の説明】
【００７２】
１０１  第１基板、
１０１ａ  バッファ層、
１１１  活性層、
１１２  ゲート絶縁膜、
１１３  ゲート電極、
１１４  層間絶縁膜、
１１５  ソース電極、
１１６  ドレイン電極、
１１７  画素回路部、
１２１  画素電極、
１２２  画素定義膜、
１２３  中間層、
１２４  対向電極、
１２８  絶縁部、
１３０  支持部材、
１４０  接合部材、
１５０  ドナーフィルム、
１５１，１５１ａ，１５１ｂ  転写層、
１５２  光熱変換層、
１５４  基材フィルム。
【図１】
0005941251.tif 000002
【図２】
0005941251.tif 000003
【図３】
0005941251.tif 000004
【図４】
0005941251.tif 000005
【図５】
0005941251.tif 000006
【図６】
0005941251.tif 000007
【図７】
0005941251.tif 000008