(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上方において、互いに交差する第１方向及び第２方向に沿って配設された複数の第１電極と、
前記各第１電極の上方において、前記第２方向に隣接する状態で繰り返し形成され、それぞれ有機発光材料を含み、互いに発光色が異なる第１、第２、第３の有機発光層と、
前記第１、第２、第３の有機発光層を個別または一群毎に区画するように設けられた隔壁と、
各第１、第２、第３の有機発光層の上方にわたって形成された第２電極とを有し、
前記第１電極と前記第１、第２、第３の有機発光層の間に複数の隔壁残渣が存在し、前記基板表面を平面視した場合における、各隔壁残渣のいずれかの方向の径が０．２μｍ以下であり、
前記第１、第２、第３の有機発光層のうち電子移動度が最も高い有機発光層の下方に存在する隔壁残渣の前記径が最も小さい
有機ＥＬパネル。
【請求項２】
前記基板表面を平面視した場合における前記各隔壁残渣の面積が少なくとも０．４μｍ2以下である
請求項１に記載の有機ＥＬパネル。
【請求項３】
さらに、前記各隔壁残渣の面積が０．０４μｍ2以下である
請求項２に記載の有機ＥＬパネル。
【請求項４】
前記第１電極と前記第１、第２、第３の有機発光層の間にホール注入層を有し、
前記複数の隔壁残渣は前記ホール注入層の表面に存在している
請求項１に記載の有機ＥＬパネル。
【請求項５】
前記複数の隔壁残渣は前記第１電極の表面に存在している
請求項１に記載の有機ＥＬパネル。
【請求項６】
前記第１電極と前記第１、第２、第３の有機発光層の間にホール注入層を有し、
前記複数の隔壁残渣の上に前記ホール注入層が積層されている
請求項１に記載の有機ＥＬパネル。
【請求項７】
前記第１電極と前記第１、第２、第３の有機発光層の間にバッファ層を有し、
前記複数の隔壁残渣の上に前記バッファ層が積層されている
請求項１に記載の有機ＥＬパネル。
【請求項８】
前記第１、第２、第３の有機発光層のうち電子移動度が最も高い有機発光層は青色である
請求項１に記載の有機ＥＬパネル。
【請求項９】
基板を準備する工程と、
前記基板の上方において、互いに交差する第１方向および第２方向に沿って複数の第１電極を形成する工程と、
前記各第１電極の上方に、隔壁を形成する隔壁形成工程と、
前記各第１電極の上方において、それぞれ有機発光材料を含み、互いに発光色が異なる第１、第２、第３の有機発光層を前記第２方向に隣接する状態で繰り返し形成する工程と、
前記第１、第２、第３の有機発光層の上方に、前記第１電極と極性が異なる第２電極を形成する工程とを有し、
前記隔壁形成工程後、前記第１、第２、第３の有機発光層形成工程前において、前記第１電極の上方に存在する複数の隔壁残渣に対して紫外線照射することにより、前記基板表面を平面視した場合における、各隔壁残渣のいずれかの方向の径が０．２μｍ以下であり、前記第１、第２、第３の有機発光層のうち電子移動度が最も高い有機発光層の下方に存在する隔壁残渣の前記径が最も小さくなるように縮小する隔壁残渣処理工程を経る
有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項１０】
前記隔壁残渣処理工程では、
さらに前記基板表面を平面視した場合における前記各隔壁残渣の面積を少なくとも０．４μｍ2以下に縮小する
請求項９に記載の有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項１１】
前記隔壁残渣処理工程では、
前記基板表面を平面視した場合における前記各隔壁残渣の面積を０．０４μｍ2以下に縮小する
請求項１０に記載の有機ＥＬパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬパネルとその製造方法に関し、特に、ウェットプロセスで良好に有機発光層を形成するための技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機半導体を用いた各種機能素子の研究開発が進められている。【０００３】
代表的な機能素子として、有機ＥＬ素子がある。有機ＥＬ素子は電流駆動型の発光素子であり、陽極および陰極とからなる一対の電極対の間に、有機材料を含んでなる機能層を設けた構成を有する。機能層には、有機発光層の他、バッファ層等が含まれる。機能層と陽極との間には、ホールを注入するためのホール注入層が配設されることがある。駆動には電極対間に電圧を印加し、陽極から機能層に注入されるホールと、陰極から機能層に注入される電子との再結合によって発生する、電界発光現象を利用する。自己発光を行うため視認性が高く、かつ、完全固体素子であるため耐衝撃性に優れるなどの特徴を有することから、各種表示装置における発光素子や光源としての利用が注目されている。【０００４】
有機ＥＬ素子は、使用する機能層材料の種類によって大きく２つの型に分類される。第１に、主として有機低分子材料を機能層材料とし、これを蒸着法などの真空プロセスで成膜してなる蒸着型有機ＥＬ素子である。第２に、有機高分子材料や薄膜形成性の良い有機高分子材料を機能層材料として含むインクをインクジェット法やグラビア印刷法等のウェットプロセスで塗布・乾燥し、成膜してなる塗布型有機ＥＬ素子である。【０００５】
現在、塗布型有機ＥＬ素子を用い、大型の有機ＥＬパネルを実現しようとする試みが始まっている。前述したように、塗布型有機ＥＬ素子では、所定材料を含むインクをウェットプロセスで塗布し、機能層を形成している。ウェットプロセスでは機能層を所定位置に塗り分ける際の位置精度が基本的に基板サイズに依存しないため、有機ＥＬパネルの大型化に対する技術的障壁が比較的低いメリットがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許３３６９６１５号公報
【特許文献２】特許３７８９９９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
有機ＥＬパネルでは、複数の有機ＥＬ素子を個別または一群毎に区画するため、絶縁材料を用いて隔壁（バンク）を形成している。バンクは基板表面に一様に絶縁材料層を形成し、不要部分をエッチングで除去して形成するが、発光領域にバンク残渣が残留することで、発光効率や寿命を低下させる問題がある。【０００８】
例えば、ホール注入層を成膜した後にバンク形成工程を行うと、発光領域内におけるホール注入層の表面にバンク残渣が残留する。このバンク残渣は絶縁体であり、第１電極（アノード）とホール注入層の界面において、いわゆる寄生容量膜（キャパシタ）として作用する。図４はこのときのバンク残渣（ＢＮＫ残渣と表記）の様子を示す、模式的な断面図である。当図の構成では、ホール注入層（ＨＩＬ）表面に付着した残渣において寄生容量膜が形成される。【０００９】
これにより、本来であれば有機発光層とその他の機能層（ＩＬ）との界面付近でキャリア再結合を生じるべき電子がＩＬの内部まで侵入し、ＩＬの電子電流密度を上昇させる。これによりＩＬが劣化し、有機ＥＬパネル全体の寿命低下の原因となる。【００１０】
また、キャリア再結合が適切に生じないため発光効率の低下を招き、駆動電圧の上昇等の課題も発生する。【００１１】
バンク残渣を除去する方法としては、基板側に剥離層を形成した後にバンクを形成し、その後に剥離層を剥離してバンク残渣を除去する方法が考えられている。しかしながら工程が増加して歩留まりが優れず、生産コストも上昇しうる。【００１２】
また、紫外線（ＵＶ）などのエネルギー線を照射することによってバンク残渣を分解・除去する方法も提案されているが、単にエネルギー線を照射するとバンク表面の撥水性が失われてしまい、有機発光層のインク等を良好に配設することが困難になる。【００１３】
このような問題は、バンク残渣が付着している表面がホール注入層やその他の層であっても同様に発生しうるため、その解決が望まれている。【００１４】
本発明は以上の課題に鑑みてなされたものであって、不要なバンク残渣に起因して生ずる問題を比較的低コストで防止し、優れた発光特性と良好な長寿命を期待できる有機ＥＬパネルとその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記課題を解決するために、本発明の一態様は、基板と、前記基板の上方において、互いに交差する第１方向及び第２方向に沿って配設された複数の第１電極と、前記各第１電極の上方において、有機発光材料を含んで形成された各有機発光層と、前記各有機発光層を個別または一群毎に区画するように設けられた隔壁と、各有機発光層の上方にわたって形成された第２電極とを有し、前記第１電極と前記有機発光層の間に複数の隔壁残渣が存在し、前記基板表面を平面視した場合における、前記各隔壁残渣のいずれかの方向の径が０．２μｍ以下である有機ＥＬパネルとする。
【発明の効果】
【００１６】
本願発明者らが鋭意検討したところ、バンク残渣を完全に除去しなくても、ある一定の径以下または面積以下に抑えることで、バンク残渣が存在しない場合と同様の性能が得られることを見出した。本発明の一態様である有機ＥＬパネルはこの知見に基づくものであり、前記基板表面を平面視した場合における、各バンク残渣のいずれかの方向の径を０．２μｍ以下となるように調整している。【００１７】
これにより、第１電極の上方に存在するバンク残渣が駆動時に寄生容量膜として作用しても、蓄積される電子量を効果的に低減できる。このため、発光効率を維持できる。また、バンク残渣と対向する第１電極の上方に位置する層（例えば正孔注入輸送層やバッファ層等）での電子電流密度を低下でき、劣化防止を図ることも可能である。【００１８】
その結果、有機ＥＬパネルの優れた発光特性と長寿命化を良好に図ることができる。【００１９】
このように本発明の一態様の有機ＥＬパネルは、隔壁残渣を完全に除去する必要がなく、その面積を一定以下に抑制するだけであり、比較的低コストで実現できるため、実現性にも優れている。また、隔壁残渣を完全に除去するために強力なエネルギー線を長時間にわたり照射する必要もないため、隔壁表面のはっ水性が失われることもない。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本実施の形態１の有機ＥＬパネル１における有機ＥＬ素子１００Ｒ周辺の構成を示す模式的な断面図である。
【図２】有機ＥＬパネル１の部分的な正面図である。
【図３】有機ＥＬパネル１を平面視したときのバンク残渣の様子を示す模式図である。
【図４】バンク残渣のキャリアの流れに与える影響を説明するための図である。
【図５】有機ＥＬパネルの製造プロセスを示す断面図である。
【図６】有機ＥＬパネルの製造プロセスを示す断面図である。
【図７】有機ＥＬパネルの製造プロセスを示す断面図である。
【図８】有機ＥＬパネルの製造プロセスを示す断面図である。
【図９】有機ＥＬパネルの製造プロセスを示す断面図である。
【図１０】本実施の形態２の有機ＥＬパネル１Ａにおける有機ＥＬ素子１０１Ｒ周辺の構成を示す模式的な断面図である。
【図１１】実施の形態３に係る有機ＥＬパネル１Ｂの概略構成を示す断面図である。
【図１２】有機ＥＬ素子（Ｒ）の電子電流密度の分布を示す一次元測定結果である。
【図１３】有機ＥＬ素子（Ｇ）の電子電流密度の分布を示す一次元測定結果である。
【図１４】有機ＥＬ素子（Ｂ）の電子電流密度の分布を示す一次元測定結果である。
【図１５】バンク残渣幅と残渣領域の電子電流密度の関係を示すグラフである。
【図１６】ＩＬの電子移動度を変化させた場合における、バンク残渣幅と残渣領域の電子電流密度の関係を示すグラフである。
【図１７】ＥＭＬの電子移動度を変化させた場合における、バンク残渣幅と残渣領域の電子電流密度の関係を示すグラフである。
【図１８】ＩＬの正孔移動度を変化させた場合における、バンク残渣幅と残渣領域の電子電流密度の関係を示すグラフである。
【図１９】ＥＭＬの正孔移動度を変化させた場合における、バンク残渣幅と残渣領域の電子電流密度の関係を示すグラフである。
【図２０】ＩＬ−ＥＭＬ間のＬＵＭＯのエネルギー差を変化させた場合における、バンク残渣幅と残渣領域の電子電流密度の関係を示すグラフである。
【図２１】ＩＬ−ＥＭＬ間のＨＯＭＯのエネルギー差を変化させた場合における、バンク残渣幅と残渣領域の電子電流密度の関係を示すグラフである。
【図２２】バンク残渣の厚みを変化させた場合における、バンク残渣幅と残渣領域の電子電流密度の関係を示すグラフである。
【図２３】有機ＥＬ素子（Ｒ）の各層の電子電流密度の分布を示す測定結果である。
【図２４】有機ＥＬ素子（Ｇ）の各層の電子電流密度の分布を示す測定結果である。
【図２５】有機ＥＬ素子（Ｂ）の各層の電子電流密度の分布を示す測定結果である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
＜本発明の一態様の概要＞
本発明の一態様である有機ＥＬパネルは、基板と、前記基板の上方において、互いに交差する第１方向及び第２方向に沿って配設された複数の第１電極と、前記各第１電極の上方において、有機発光材料を含んで形成された各有機発光層と、前記各有機発光層を個別または一群毎に区画するように設けられた隔壁と、各有機発光層の上方にわたって形成された第２電極とを有し、前記第１電極と前記有機発光層の間に複数の隔壁残渣が存在し、前記基板表面を平面視した場合における、前記各隔壁残渣のいずれかの方向の径が０．２μｍ以下の構成とする。
【００２２】
ここで本発明の別の態様として、前記基板表面を平面視した場合における前記各隔壁残渣の面積を少なくとも０．４μｍ2以下とすることもできる。
【００２３】
この場合、本発明の別の態様として、さらに前記隔壁残渣の面積を０．０４μｍ2以下とすることもできる。
【００２４】
また、本発明の別の態様として、前記第１電極と前記有機発光層の間にホール注入層を有し、前記隔壁残渣は前記ホール注入層の表面に存在している構成とすることもできる。
【００２５】
また、本発明の別の態様として、前記隔壁残渣は前記第１電極の表面に存在している構成とすることもできる。
【００２６】
また、本発明の別の態様として、前記第１電極と前記有機発光層の間にホール注入層を有し、前記隔壁残渣の上に前記ホール注入層が積層されている構成とすることもできる。
【００２７】
また、本発明の別の態様として、前記第１電極と有機発光層の間にバッファ層を有し、前記隔壁残渣の上に前記バッファ層が積層されている構成とすることもできる。
【００２８】
また、本発明の別の態様として、前記各第１電極の上方において、前記第２方向に隣接する状態で互いに発光色が異なる第１、第２、第３の前記有機発光層が繰り返し形成され、このうち電子移動度が最も高い前記有機発光層の下方に存在する前記隔壁残渣の前記径が最も小さい構成とすることもできる。
【００２９】
また、本発明の別の態様として、前記電子移動度が最も高い前記有機発光層は青色である構成とすることもできる。
【００３０】
また、本発明の一態様である有機ＥＬパネルの製造方法は、基板を準備する工程と、前記基板の上方において、互いに交差する第１方向および第２方向に沿って複数の第１電極を形成する工程と、前記各第１電極の上方に、隔壁を形成する隔壁形成工程と、前記各第１電極の上方において、有機発光材料を含むように有機発光層を形成する工程と、前記有機発光層の上方に、前記第１電極と極性が異なる第２電極を形成する工程とを有し、前記隔壁形成工程後、前記有機発光層形成工程前において、前記第１電極の上方に存在する隔壁残渣に対して紫外線照射することにより、前記各隔壁残渣のいずれかの方向の径を０．２μｍ以下に縮小する隔壁残渣処理工程を経るものとする。
【００３１】
ここで本発明の別の態様として、前記隔壁残渣処理工程では、さらに前記基板表面を平面視した場合における前記隔壁残渣の面積を少なくとも０．４μｍ2以下に縮小することもできる。
【００３２】
また本発明の別の態様として、前記隔壁残渣処理工程では、前記基板表面を平面視した場合における前記隔壁残渣の面積を０．０４μｍ2以下に縮小することもできる。
【００３３】
以下、本発明の各実施の形態の有機ＥＬ素子を説明し、本発明の各性能確認実験の結果と考察を述べる。
【００３４】
なお、各図面における部材縮尺は、実際のものとは異なる。
＜実施の形態１＞
（有機ＥＬ素子の構成）
図１は、本実施の形態１の有機ＥＬパネル１における、赤色発光色の有機ＥＬ素子１００Ｒ周辺の構成を示す模式的な断面図である。
【００３５】
有機ＥＬ素子１００Ｒは、ホール注入層４Ａと、所定の機能を有する有機材料を含んでなる各種機能層（ここではバッファ層６Ａおよび有機発光層６Ｂ）が互いに積層された状態で、陽極２（第１電極）および陰極８（第２電極）の電極対間に介設された構成を有する。なお図示しないが、有機ＥＬパネル１では有機ＥＬ素子１００Ｒの他、緑色発光色の有機ＥＬ素子１００Ｇ、青色発光色の有機ＥＬ素子１００Ｂも同様の積層構成を有するように構成され、同順にバンク５を挟んでＸ方向に繰り返し配設されている。
【００３６】
有機ＥＬ素子１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂは、いずれも図１の１００Ｒの構成に示すように、基板１０の片側主面（ここでは上面）に対し、陽極２、透明電極膜３、ホール注入層４Ａ、バッファ層６Ａ、有機発光層６Ｂ、陰極８（バリウム層８Ａおよびアルミニウム層８Ｂ）とを同順に積層する。陽極２および陰極８には不図示の電源ＤＣが接続され、外部より有機ＥＬ素子１００Ｒ、１００Ｇ，１００Ｂに給電されるようになっている。
（基板１０）
基板１０は有機ＥＬパネル１及び有機ＥＬ素子１００の基材となる部分であり、例えば、無アルカリガラス、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラス、石英、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、シリコン系樹脂、またはアルミナ等の絶縁性材料のいずれかで形成することができる。
【００３７】
図示していないが、基板１０の上面には、有機ＥＬ素子１００を駆動するためのＴＦＴ（薄膜トランジスタ）が形成されている。
（陽極２）
陽極２は発光層側に給電を行うとともに、発光層で発生した光を効率よく上方から取り出せるように、良好な可視光反射率を有する金属材料（アルミニウムまたはアルミニウム合金）を用いて反射金属膜として構成される。ここで言う「アルミ合金」とは、アルミニウムに対し、鉄、銅、マンガン、亜鉛、ニッケル、マグネシウム、パラジウム、コバルト、ネオジムの少なくともいずれかを加えてなる合金を指す。
（透明電極膜３）
透明導電膜３は、ＩＴＯ、ＩＺＯ等の公知の透明導電材料で構成され、陽極２を被覆して大気中の酸素等から遮断し、不要な被膜形成により陽極２の反射率や導電性が低下するのを防止するために設けられる。
【００３８】
なお有機ＥＬ素子１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂでは、陽極２を例えば銀薄膜で形成する場合、各層間の良好な接合性を得るために透明電極膜３を形成している。陽極２をアルミニウム材料で構成する場合、各層間の接合性は良好であるため、透明電極膜３を省略することもできる。
【００３９】
（ホール注入層４Ａ）
ホール注入層４Ａは、有機発光層６Ｂ側にホールを効率よく注入する層であり、例えば酸化モリブデンやモリブデン−タングステン酸化物等の金属酸化物で形成されているが、これに限定されない。
（バンク５）
バンク（隔壁）５は、絶縁性の有機材料（例えばアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等）からなり、少なくとも表面が撥水性を持つように形成されている。パネル１００ではバンク５をラインバンク構造にするため、幅（Ｘ）方向に台形断面形状を有し、Ｙ方向（紙面に垂直な方向）にライン状に延伸して構成する。パネル１００において、バンク５は幅（Ｘ）方向に一定のピッチを置いて複数本にわたり並設されている。
【００４０】
なお、製造時のバンク形成工程では、バンク５は所定の工程を経てパターニングされるが、このときの材料の一部がホール注入層４Ａの表面に残留し、バンク残渣１１Ａとなっている。図１では、説明のためバンク残渣１１Ａを実際よりも大きく図示している。
（バッファ層６Ａ）
バッファ層６Ａは、厚さ２０ｎｍのアミン系有機高分子であるＴＦＢ（poly(9、9-di-n-octylfluorene-alt-(1、4-phenylene-((4-sec-butylphenyl)imino)-1、4-phenylene））で構成される。なお本実施の形態１では、バッファ層をＩＬ層の一例として例示する。
【００４１】
なお、バッファ層６Ａを省略し、ホール注入層４Ａに対して直接、有機発光層６Ｂを積層することもできる。
【００４２】
ここで、バッファ層は、電子のホール注入層側への侵入を防止する電子ブロック層を兼ねる場合もある。
（有機発光層６Ｂ）
有機発光層６Ｂは、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のいずれかの発光色に対応するように有機発光材料を用い、厚さ約７０ｎｍで構成されている。前記材料としては、有機高分子であるＦ８ＢＴ（poly(9、9-di-n-octylfluorene-alt-benzothiadiazole））を用いて構成されるが、これに限定されない。たとえば特開平５−１６３４８８号公報に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物およびアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体およびピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体等の蛍光物質等を挙げることができる。
（電子輸送層７）
電子輸送層７は、陰極８から注入された電子を発光層５側へ効率よく輸送する機能を有する。電子輸送層７は例えば有機化合物層であって、２種類の互いに異なる有機物質（電子輸送材料（ホスト）としての第１の有機物質と、ｎ型ドーパントとしての第２の有機物質）で構成されている。
（陰極８）
陰極８は、例えばＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）等で構成される。パネル１００ではトップエミッション型構造を採るため、陰極８の材料として光透過性材料を用いる必要がある。
【００４３】
なお、有機発光層６Ｂと陰極８との間に、電子輸送層を配設してもよい。
（封止層９）
封止層９は、例えばＳｉＮ（窒化シリコン）、ＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）等の材料で形成され、発光層６が水分や空気等に触れて劣化するのを抑制するために用いられる。当該封止層９も、有機ＥＬ素子をトップエミッション型にする場合は、光透過性材料で構成することが好適である。
【００４４】
以上の構成を持つ有機ＥＬ素子１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂは、有機ＥＬパネル１では図２の部分的な正面図に示すように、Ｙ方向を長手とするラインバンク構造のバンク５に区画されて、Ｘ方向に繰り返し形成される。有機ＥＬパネル１では各有機ＥＬ素子１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂがサブピクセルとして機能し、隣接するＲＧＢの各色に対応する一連の３つの有機ＥＬ素子１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂを１組として１画素（ピクセル）が構成される。これにより、フルカラー表示が実現される。
（有機ＥＬパネル１の作用および効果）
図３（ａ）は、ホール注入層４Ａの表面を平面視した様子を示す模式図である。一般に有機ＥＬパネルでは、バンク５をパターニングした際に生じる１個以上のバンク残渣が、露出している有機ＥＬ素子の構成層の表面に残留する。当図の例では、ホール注入層４Ａの表面にバンク残渣１１Ａが網目状に残留しているが、その他に図３（ｂ）のように島状に１個以上のバンク残渣１１Ａが点在する場合もある。
【００４５】
ここで図４に示したように、透明導電膜３とホール注入層４Ａの界面に存在するバンク残渣１１Ａは、パネル駆動時において、いわゆる寄生容量膜（キャパシタ）として作用する。すなわち有機ＥＬ素子１００Ｒ，１００Ｇ、１００Ｂの内部では、バンク残渣１１Ａの存在により、ホール注入層４Ａの真上に設けられたＩＬ（ここではバッファ層６Ａ）側の電界が上がり、有機発光層６Ｂ中の電子がバッファ層６Ａまで引っ張られる。駆動時のバッファ層６Ａでは正孔が不足しているため、結果として電子がバッファ層６Ａの内部に蓄積される。
【００４６】
これによりバッファ層６Ａでは電子電流密度が異常に上昇し、各有機ＥＬ素子１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂの発光効率を低下させ、寿命劣化を引き起こす。
【００４７】
これに対して有機ＥＬパネル１では、基板１０を見下ろした（平面視した）場合のバンク残渣１１Ａのサイズを所定以下となるように制御しており、これによって当該バンク残渣１１Ａに起因する不具合の解消を図る。
【００４８】
具体的に本願発明者らが鋭意検討した結果、バンク残渣１１Ａは以下の特徴を持つように制御している。
【００４９】
（ｉ）基板１０を見下ろした（平面視した）際の各バンク残渣１１Ａにおいて、そのいずれかの方向の径（図中３（ｂ）ではＤ1、Ｄ2、Ｄ3など）を０．２μｍ以下とする。なお、図３（ａ）のように、バンク残渣１１Ａが比較的連続して存在する場合は、バンク残渣１１Ａ上の全ての位置から当該バンク残渣周縁への最短距離（図３（ａ）では一例として幅Ｗ1、Ｗ2、Ｗ3、Ｗ4の各両端位置）を０．２μｍ以下に設定する。
（ｉi）（i）に加え、さらに基板１０を見下ろした（平面視した）際の各バンク残渣１１Ａの面積を少なくとも０．４μｍ2以下とする。より好ましくは前記面積を０．０４μｍ2以下とする。
【００５０】
これにより、パネル駆動時にバンク残渣１１Ａが寄生容量膜として作用しても、その悪影響を最小限に抑制し、バンク残渣が無い場合と遜色ない程度の発光効率で有機ＥＬパネル１を駆動することができる。
【００５１】
また、バンク残渣１１Ａを被覆するバッファ層６Ａ中の電子電流密度の上昇を抑制できるため、過剰な電子によってバッファ層６Ａが劣化するのを防止し、有機ＥＬ素子１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂの長寿命化を図ることができる。
【００５２】
その結果、有機ＥＬパネル１全体においても、優れた発光特性と長寿命化を良好に図ることができる。
【００５３】
このように本実施の形態１の有機ＥＬパネル１は、従来のようにバンク残渣を完全に除去しようとしなくても、そのバンク残渣の面積を適切に制御することで比較的低コストで実現できるので、実現性に優れている。
【００５４】
また、バンク残渣１１Ａのサイズを制御するためにＵＶ照射を行うが、バンク残渣を完全に除去するために強力なエネルギー線を長時間にわたり照射する必要もない。このため、バンク５の表面に設けたはっ水性が失われることもない。
【００５５】
なお、有機ＥＬパネルの製造工程では、バンク形成工程を実施するタイミングにばらつきがあり、当該工程直前の基板最上面に陽極、透明導電膜、ホール注入層、バッファ層等のいずれかが存在する。バンク形成工程を実施すると、バンク残渣は前記いずれかの層の表面に残留する。本実施の形態１の効果は、少なくともバンク残渣に積層される層が有機発光層よりも高い正孔（ホール）移動度を持っていれば、同様の効果を期待できることが分かっている。
【００５６】
特に、バンク残渣にホール輸送層が積層される場合、ホール輸送層の電子電流密度が上昇すると劣化し易い性質がある。そこで本発明に基づいてバンク残渣のサイズを制御することで、ホール輸送層中の電子電流密度の上昇を抑え、有機ＥＬパネルの長寿命化と発光効率の向上を期待することができる。
【００５７】
なお、さらに本願発明者らの検討によれば、バンク残渣に積層される層の電子電流密度（電子蓄積容量）は、有機発光層の電子移動度に比例して増大する。青色発光色の有機発光層は他の発光色の有機発光層に比べて電子移動度が高いため、青色有機ＥＬ素子においてバンク残渣にホール注入層が積層される場合、当該ホール注入層中の電子蓄積量が特に高くなることが分かっている。
【００５８】
そこで本実施の形態１を適用すれば、このような青色発光色の有機ＥＬ素子でもバンク残渣による不具合を効果的に低減できる。各バンク残渣１１Ａのいずれかの方向の径を０．２μｍ以下とすると、当該バンク残渣１１Ａに積層されるホール注入層の電子電流密度を、バンク残渣１１Ａが全くない場合とほぼ同等にすることができ、ホール注入層の劣化を良好に防止できる。
【００５９】
また、青色発光色の有機ＥＬ素子で良好な効果を得るためには、さらにバンク残渣の径の制御に加え、バンク残渣の面積をできるだけ小さく、０．０４μｍ2以下まで細かくするのが望ましい。
【００６０】
＜実施の形態２＞
図１０は、本実施の形態２の有機ＥＬパネル２における、赤色発光色の有機ＥＬ素子１０１Ｒ周辺の構成を示す模式的な断面図である。
【００６１】
当図に示す構成は、全体的には有機ＥＬパネル１と同様であるが、ホール注入層４Ｂを透明導電膜３上に限定して配設している。この構成では、陽極２及び透明導電膜３を形成した直後にバンク５を形成しているため、バンク残渣１１Ｂは透明導電膜３の表面に残留し、ホール注入層４Ｂに覆われている。ホール注入層４Ｂは、前記バンク５によって区画された発光領域に対し、材料インクを滴下・乾燥させるウェットプロセスにより形成されたものである。
【００６２】
この構成を持つ有機ＥＬパネル１Ａにおいても、製造時にバンク残渣に対して所定条件のＵＶ照射を行うことで、バンク残渣１１Ａと同様の小さな面積お及び径を有するように調整されている。これにより、バンク残渣１１Ｂによる寄生容量膜としての悪影響を低減し、優れた発光効率の獲得と消費電力の低減効果を実現している。
＜性能確認試験と考察＞
以下、本発明の性能確認のために行った試験の手法と結果、考察について順次述べる。
【００６３】
（ＩＬの電子電流密度について）
ここではバンク残渣を被覆するＩＬの電子電流密度の分布を検討した。
【００６４】
図１２、１３、１４は、それぞれ同順に赤色、緑色、青色有機ＥＬ素子として用意した各サンプル素子における、ＩＬ層表面の残渣領域と残渣が無い領域の電子電流密度を示す、一次元展開グラフである。サンプル素子はバイポーラデバイス（ＢＰＤ）構造とした。
【００６５】
各図中、サンプル素子ａ１〜ｅ１、ａ２〜ｉ２、ａ３〜ｉ３の各曲線はそれぞれ以下の表１〜３の条件に基づきバンク残渣幅及び開口幅（残渣なし領域の幅）を設定した場合において、１０Ｖで素子を駆動させたときの電子電流密度の変化を示す。
【００６６】
以下、バンクの「残渣幅」とは「残渣領域の最大径」を指す。
【００６７】
【表１】
0006040445.tif 000002
【００６８】
【表２】
0006040445.tif 000003
【００６９】
【表３】
0006040445.tif 000004
【００７０】
図１２〜１４に示すいずれのグラフからも、バンク残渣幅が広いほど、当該残渣領域上の電子電流密度が高いことを確認できる。しかしながら、残渣幅が０．２μｍ程度以下の範囲では、残渣なし領域の電子電流密度とほとんど差がない。
【００７１】
一方、開口幅を変化させた場合、残渣幅を変化させる場合に比べて電子電流密度に与える影響はそれほど大きくなかった。
【００７２】
そこで次に、図１２〜１４のデータに基づき、電子電流密度と残渣幅の関係を示すグラフを作製し、図１５に示した。縦軸を電子電流密度、横軸を残渣幅とした。
【００７３】
図１５に示す結果から、青色と赤色の素子については残渣幅が０．１μｍ程度以上になると電子電流密度が急激に上昇する。緑色の素子は残渣幅が０．３μｍ程度以上で上昇する。
【００７４】
したがって、ＲＧＢ全色の素子における残渣幅を一律に調整する場合、少なくとも０．２μｍ以下の幅、好ましくは０．１μｍ以下の幅に設定すれば、有機ＥＬパネル全体でバンク残渣によるＩＬの電子電流密度の上昇を抑制できることが分かる。
【００７５】
（残渣幅の変化が電子電流密度に与える影響について）
次に、ＩＬ中の電子移動度の変化に対する電子電流密度変化についてシミュレーションを行った。その結果を図１６に示す。サンプル素子として、通常素子（ｓｔｄ）、通常素子の１／１０の電子移動度の素子（ｅｍｏｂ０．１）、通常素子の１０倍の電子移動度の素子（ｅｍｏｂ１０）の各素子を解析に供した。
【００７６】
図１６を見ると、いずれの素子も残渣幅の増加に伴って電子移動度が上昇するが、残渣幅が０．２μｍ以下であれば、ほとんど電子移動度に変化がないことが分かる。
【００７７】
次に図１６と同様の要領で、ＥＭＬ中の電子移動度の変化に対する電子電流密度変化についてシミュレーションを行った。その結果を図１７に示す。
【００７８】
いずれの素子も残渣幅の増加に伴って電子移動度が上昇するが、残渣幅が０．２μｍ以下であれば電子移動度の変化は小さく、０．１μｍ以下であれば特に変化が小さいことを確認できる。
【００７９】
次に図１６と同様の要領で、ＩＬ中の正孔移動度の変化に対する電子電流密度変化についてシミュレーションを行った。その結果を図１８に示す。サンプル素子として、通常素子（ｓｔｄ）、通常素子の１／１０の正孔移動度の素子（ｈｍｏｂ０．１）、通常素子の１０倍の正孔移動度の素子（ｈｍｏｂ１０）の各素子を用意した。
【００８０】
いずれの素子も残渣幅の増加に伴い、正孔移動度が上昇するが、通常素子の１０倍の正孔移動度の素子（ｈｍｏｂ１０）の正孔移動度の上昇は小さい。いずれの素子も残渣幅が０．２μｍ以下であれば、正孔移動度の変化は小さく、０．０５μｍ以下であれば特に変化が小さいことを確認できる。
次に図１８と同様の要領で、ＥＭＬ中の正孔移動度の変化に対する電子電流密度変化についてシミュレーションを行った。その結果を図１９に示す。
【００８１】
いずれの素子も残渣幅の増加に伴い、正孔移動度が上昇するが、先程の図１８の結果と同様に、通常素子の１０倍の正孔移動度の素子（ｈｍｏｂ１０）の正孔移動度の上昇は小さい。残渣幅が０．２μｍ以下であれば、電子移動度の変化は小さく、０．０５μｍ以下であれば特に変化が小さいことを確認できる。
【００８２】
次に、ＩＬとＥＭＬの最低空軌道（ＬＵＭＯ）のエネルギー差を変化させた場合における、ＩＬ中の電子電流密度の変化についてシミュレーションを行った。その結果を図２０に示す。
【００８３】
当図に示す結果から、ＬＵＭＯのエネルギー差が小さいほど、残渣幅に対する電子電流密度の変化が小さいことが分かった。当図に示すサンプルに基づくと、残渣幅を０．０５μｍ以下に抑えると、電子電流密度を最も抑制することができると考えられる。
【００８４】
次に、ＩＬとＥＭＬの最高被占軌道（ＨＯＭＯ）のエネルギー差を変化させた場合における、ＩＬ中の電子電流密度の変化についてシミュレーションを行った。その結果を図２１に示す。
【００８５】
当図の結果では、残渣幅が０．１μｍ以下であると電子電流密度の変化を最も効率的に抑制することが出来ている。ＨＯＭＯのエネルギー差が大きいほど、残渣幅の増加に伴う電子電流密度の上昇が小さいと言うことが言える。
【００８６】
次に、バンク残渣の厚みを変化させた場合における、ＩＬ中の電子電流密度の変化についてシミュレーションを行った。その結果を図２２に示す。
【００８７】
当図の結果に基づくと、残渣の厚みは残渣の幅に比べ、ＩＬの電子電流密度に対してそれほどの影響を与えないと言うことができる。当該解析結果の範囲では、いずれのサンプルも残渣幅が０．２μｍ程度以下において、電子電流密度の変化を抑制できることが分かった。
（有機ＥＬ素子中の電子密度分布について）
図２３に、陽極と陰極の間にＩＬ層、有機発光層、電子輸送層を順次積層してなる赤色有機ＥＬ素子の電子電流密度分布を示す。当図では都合上、電子輸送層（ＥＴＬ）、有機発光層（ＥＭＬ）、バッファ層（ＩＬ層）を順次積層して示す。バンク残渣は厚み１ｎｍであり、横軸方向に向かってＩＬ層中に存在している。図中の中央付近に残渣領域と残渣無し領域の境界が存在する。
【００８８】
図２４、２５はそれぞれ同順に、図２３と同様の要領で示した、緑色有機ＥＬ素子、青色有機ＥＬ素子の電子電流密度である。
【００８９】
図２３、２５を見ると、いずれも残渣領域ではＩＬ層中の電子電流密度が他の領域に比べて高密度になっており、残渣による寄生容量膜としての影響が出ていることを示している。一方、残渣なし領域では、ＩＬ層の電子電流密度が低い。これは、ＥＭＬにおいてキャリア再結合が適切に行われ、ＩＬに侵入する電子数が少ないことを示している。なお、図２４の緑色有機ＥＬ素子では、その性質上、ＩＬ層の電子電流密度は残渣の有無に関わらず、比較的変化しにくいことが分かった。
【００９０】
このように、本発明においてバンク残渣の面積及び径を適切に制御したことによる効果については、有機ＥＬ素子中の各構成層の電子電流密度分布を測定することによって、実際に測定が可能である。
【００９１】
（バンク残渣の面積制御方法と確認方法について）
バンク残渣のサイズ・面積は、これに照射するＵＶの各照射条件（照射時間、照射強度、照射範囲等の各パラメータ）を調節することで制御できる。照射強度と照射範囲については、ＵＶ照射装置側の強度を調節するほか、所定の開口部を設けたパターンマスクを介して基板側にＵＶ照射する方法がある。パターンマスクはドット状等の開口部を有するマスクの他、ハーフトーンマスクを用いてもよい。
【００９２】
なお、パターンマスクを用いる場合、ＲＧＢ各発光色の発光領域で互いに照射条件を異ならせるようにすれば、例えば発光色毎のバンク残渣のサイズ・面積を異ならせることも可能である。例えば電子移動度の最も高い青色発光色の発光領域でバンク残渣のサイズ・面積を最も小さく設定し、その他の発光色の発光領域でバンク残渣のサイズ・面積を比較的大きくすれば、バンク残渣処理に係る時間を短縮しつつ、バンク残渣による不具合を積極的に抑制することも可能である。
【００９３】
次に、残留しているバンク残渣の形態やサイズ・面積を調べる方法としては、例えばＳＩＭＳやＴＥＭ等の手法を使って調べることができると考えられる。特にＳＩＭＳの場合は、バンク残渣の周縁位置を複数測定して把握することで、バンク残渣全体のサイズ・面積を算出できる。
【００９４】
また、別の方法として、例えば上記した図１５〜２２のシミュレーション結果データを先に得ておき、実際に製造した有機ＥＬパネルについての実測データを得る。そして、これらのデータを比較し、一致するか否かを検討することによって、狙い通りのバンク残渣処理を行うためのＵＶ照射の条件出しをしたり、ＵＶ照射結果を間接的に確認することができる。
＜有機ＥＬパネル１の製造方法＞
次に、図５〜９を用いて、有機ＥＬパネル１の全体的な製造方法を例示する。
【００９５】
まず、基板１０上にスパッタ法に基づき、銀からなる薄膜を成膜する。当該薄膜を例えばフォトリソグラフィでパターニングし、基板１０の表面上にマトリックス状に複数の陽極２を形成する（図５（ａ））。なお、スパッタ法に限定されず、これ以外の真空プロセス、例えば真空蒸着法等を用いても良い。
【００９６】
次に、前記陽極２を含む基板１０の表面に、例えばスパッタ法に基づいてＩＴＯ薄膜を形成する。当該ＩＴＯ薄膜を例えばフォトリソグラフィによりパターニングする。これにより透明電極膜３を形成する。
【００９７】
続いて、前記透明電極膜３を形成した基板１０の表面全体にわたり、スパッタ法等に基づき、金属酸化物膜４Ｘを成膜する（図５（ｂ））。
【００９８】
次に、前記形成した金属酸化物膜４Ｘ上に、有機材料からなるバンク材料を用いてバンク材料層５Ｘを形成する（図５（ｃ））。その後、バンク材料層５Ｘの一部を除去して薄膜４Ｘの一部を露出させる。
【００９９】
なおバンク材料層５Ｘの形成は、例えば塗布等により行うことができる。バンク材料層５Ｘの除去は、所定の現像液（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）溶液等）を用いてパターニング・洗浄することにより行える。
【０１００】
このとき、金属酸化物膜４Ｘを構成する金属酸化物は、化学耐性は良好ではあるものの、ＴＭＡＨ溶液には少し溶ける。よって、表面が若干浸食され、ホール注入層４が形成される（図６（ａ））。これによりホール注入層４Ａが形成される。
【０１０１】
次に、バンク材料層５Ｘの表面に例えばフッ素プラズマ等による撥液処理を施して、バンク５を形成する。
【０１０２】
なお、前記現像液による現像・洗浄過程を経ても、実際にはホール注入層４Ａの表面にバンク残渣１１Ａが存在している（図３（ａ）、（ｂ）、図６（ａ）参照）。現時点ではバンク残渣１１Ａは広範囲にわたって存在していると考えられる。
【０１０３】
そこで本実施の形態１では図６（ａ）のように、バンク５に区画されているホール注入層４Ａの表面に対して所定の開口部を有するパターンマスクＰＭを介し、ＵＶ照射を行う。ＵＶの照射強度、照射時間、パターンマスクＰＭの開口部サイズ等を制御することで、バンク残渣１１Ａを除去・縮小できる。これにより、基板１０を平面視した際の各バンク残渣１１Ａのいずれかの方向の径を０．２μｍ以下とする。さらに基板１０を平面視した際の各バンク残渣１１Ａの面積を少なくとも０．４μｍ2以下とし、好ましくは０．０４μｍ2以下とすることができる。
【０１０４】
続いて、前記バンク５で区画された領域内に対し、例えばインクジェット法等のウェットプロセスに基づき、有機材料を含む組成物インクを滴下する。インクを乾燥させることにより、バッファ層６Ａを形成する。このときバンク残渣１１Ａはバッファ層６Ａに被覆される（図１参照）。
【０１０５】
その後、上記と同様のウェットプロセスに基づき、有機発光層６Ｂを形成する（図６（ｂ））。ウェットプロセスはその他、ディスペンサー法、ノズルコート法、スピンコート法、凹版印刷、凸版印刷等を採用してもよい。
【０１０６】
次に、前記有機発光層６Ｂを含む基板表面の全体にわたり、例えば真空蒸着法に基づき、バリウム薄膜を形成する。これを電子注入層７とする（図７（ａ））。
【０１０７】
次に、前記電子注入層７の表面に対し、例えばスパッタ法に基づき、ＩＴＯ膜を成膜する。これを陰極８とする（図７（ｂ））。
【０１０８】
次に、陰極８の表面に対して、薄膜プロセスに基づき、ＳｉＮ（窒化シリコン）、ＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）等の材料を用いて一様に封止層９を形成する（図７（ｃ））。
【０１０９】
以上で有機ＥＬパネル１が完成する。
＜陽極形成工程からバンク形成工程までの別工程例＞
次に図８、９を用いて、陽極形成工程からバンク形成工程までのプロセスの別例を説明する。
【０１１０】
なお、当該プロセスでは別構成例として基板１０の表面に平坦化膜１７を形成するが、この工程は省略してもよい。透明導電膜としてはＩＺＯ層３Ａを採用する。
【０１１１】
まず図８（ａ）に示すように、基板１０上にポリイミドやアクリル等の絶縁性樹脂材料を用いて平坦化膜１７を形成する。当該平坦化膜１７の上に、蒸着法に基づき、アルミ合金薄膜２Ｘ、ＩＺＯ薄膜３Ｘ、薄膜（酸化タングステン膜）４Ｘの３層を順次形成する。アルミ合金材料としては、例えばＡＣＬ（アルミコバルトランタン合金）材料を利用できる。
【０１１２】
次に、陽極２、ＩＺＯ層３Ａ、ホール注入層４Ｂを形成させたい領域に、フォトリソグラフィー法によりレジストパターンＲを形成する（図８（ｂ））。
【０１１３】
続いて、レジストパターンＲに覆われていない薄膜４Ｘの領域をドライエッチング（Ｄ／Ｅ）処理し、パターニングする（図８（ｃ））。このドライエッチング処理では、薄膜４Ｘのみを選択的にエッチングするため、Ｆ系ガスとＮ2ガスの混合ガス、もしくはＦ系ガスとＯ2ガスの混合ガスのいずれかを用いる。具体的なドライエッチング処理の設定条件は一例として以下の通りに定めることができる。
［ドライエッチング条件］
処理対象；酸化タングステン膜
エッチングガス；フッ素系ガス（ＳＦ6、ＣＦ4ＣＨＦ3）
混合ガス；Ｏ2、Ｎ2
混合ガス比；ＣＦ4：Ｏ2＝１６０：４０
供給パワー；Ｓｏｕｒｃｅ  ５００Ｗ、Ｂｉａｓ  ４００Ｗ
圧力；１０〜５０ｍＴｏｒｒ
エッチング温度；室温
上記ドライエッチング処理を実施後、ホール注入層４Ｂが形成される。その後はＯ2ガスでアッシング処理を行うことで、次のウェットエッチング（Ｗ／Ｅ）処理におけるレジストパターンＲの剥離を容易にしておく。
【０１１４】
次に、ウェットエッチング処理により、レジストパターンＲに覆われていないＩＺＯ薄膜３Ｘ、ＡＩ合金薄膜２Ｘの領域をパターニングする（図８（ｄ））。エッチャントとして、硝酸、リン酸、酢酸、水の混合液を用い、ＩＺＯ薄膜３Ｘ、Ａｌ合金薄膜２Ｘの２層を一括してウェットエッチングする。
【０１１５】
具体的なウェットエッチング処理の設定条件は一例として以下の通りに定めることができる。
［ウェットエッチング条件］
処理対象；ＩＺＯ薄膜及びＡｌ合金薄膜
エッチャント；リン酸、硝酸、酢酸の混合水溶液
溶剤の混合比率；任意（一般的な条件で混合可能）
エッチング温度；室温よりも低くする。
【０１１６】
なお、当該ウェットエッチング処理を良好に行うため、上層のＩＺＯ薄膜の膜厚としては２０ｎｍ以下が好ましい。膜厚が２０ｎｍを超えると、サイドエッチング量が多くなるからである。
【０１１７】
以上のプロセスを経ると、陽極２及びＩＺＯ層３Ａが形成される。その後、レジスト剥離工程を実施してレジストパターンＲを除去することで、パターニングされた陽極２、ＩＺＯ層３Ａ、ホール注入層４Ｂの３層構造を得ることができる（図９（ａ））。このプロセスでは、ホール注入層４Ｂは陽極２、ＩＺＯ層３Ａに対応する位置に合わせて形成される。
【０１１８】
次に、露出している平坦化膜１７の表面にバンク材料層５Ｘ（不図示）を形成し、これをパターニングする。この時、バンク材はアクリル、ポリイミドなどからなる感光性樹脂材料でネガでもポジでもかまわない。感光性樹脂材料のネガ、ポジに応じたパターンのマスクを用いて露光し、現像することで、不要部分にある感光性樹脂膜を除去する。
【０１１９】
次に、感光性樹脂膜をＵＶ照射する。感光性樹脂膜は、ＵＶ照射により、溶融し、硬化して、バンク５が形成される。（図９（ｂ））。
【０１２０】
このとき当図に示すように、ホール注入層４Ｂの表面上にバンク残渣１１Ａが残留する。従って、上記と同様にパターンマスクＰＭを用い、適宜制御したＵＶ照射を行い、バンク残渣１１Ａのサイズ・面積を縮小するように制御する。
【０１２１】
次に、上記と同様の方法で所定のインクを調整し、これをバンク５に規定された領域に順次滴下・乾燥する。これにより、バッファ層６Ａ、有機発光層６Ｂをそれぞれ形成できる（図９（ｃ））。
＜有機ＥＬパネル１Ａの製造方法＞
パネル１Ａでは上記と同様に、スパッタ法に基づき、基板１０の表面に陽極２と透明導電膜３を順次形成する。その後、バンク材料層を基板１０の上に一様に塗布し、パターニングしてバンク５を形成する。
【０１２２】
この時点で、透明導電膜３上にバンク残渣１１Ｂが残留する。このため、ＵＶ照射を行い、バンク残渣１１Ｂのサイズ・面積を上記と同様に縮小するように制御する（図１０参照）。
【０１２３】
次に、隣接するバンク５の間における透明導電膜３の表面に、金属酸化物材料を含むインクを塗布し、これを乾燥させてホール注入層４Ｂを形成する。
【０１２４】
その後はパネル１と同様の手順でバッファ層６Ａ、有機発光層６Ｂ、電子注入層７、陰極８、封止層９を形成する。
【０１２５】
以上で有機ＥＬパネル１Ａが完成する。
＜実施の形態３＞
図１１に本発明の実施の形態３に係る有機ＥＬパネル１Ｂの正面図を示す。
【０１２６】
本発明の有機ＥＬパネルを製造する場合、バンク形状はいわゆるラインバンク構造に限定されず、ピクセルバンク構造も採用できる。図１１に、井桁状のピクセルバンク５Ａを配置し、ＸＹ方向に発光層１０２Ｒ、１０２Ｇ、１０２Ｂを区画してなる有機ＥＬパネル１Ｂの構成を示す。
【０１２７】
このような構成を持つ有機ＥＬパネル１Ｂにおいても、有機ＥＬパネル１、１Ａとほぼ同様の効果を期待できる。
＜その他の事項＞
ホール注入層を薄膜プロセスで成膜する方法は、反応性スパッタ法に限定されず、例えば蒸着法、ＣＶＤ法等を用いることもできる。
【０１２８】
本発明の有機ＥＬパネルは、各々の素子を単一色の発光色とすることで、例えば照明装置等としても利用できる。
【０１２９】
本発明の有機ＥＬ素子では、ホール注入層と発光層の間に、ＩＬ層としてホール輸送層を形成してもよい。ホール輸送層は、ホール注入層から注入されたホールを発光層へ輸送する機能を有する。ホール輸送層としては、ホール輸送性の有機材料を用いる。ホール輸送性の有機材料とは、生じたホールを分子間の電荷移動反応により伝達する性質を有する有機物質である。これは、ｐ型の有機半導体と呼ばれることもある。
【０１３０】
ホール輸送層の材料は、高分子材料または低分子材料のいずれを用いてもよく、例えば湿式印刷法で成膜できる。上層である発光層を形成する際に、発光層の材料と混ざらないよう、ホール輸送層の材料に架橋剤を含ませることが好ましい。ホール輸送層の材料としては、フルオレン部位とトリアリールアミン部位を含む共重合体や、低分子量のトリアリールアミン誘導体を例示できる。架橋剤の例としては、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートなどを用いることができる。この場合、ポリスチレンスルホン酸をドープしたポリ（３、４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）や、その誘導体（共重合体など）で形成されていることが好適である。
【０１３１】
ホール輸送層を形成した後、バンク形成工程を実施する場合には、ホール輸送層の表面にバンク残渣が残留する。従って、この場合も上記と同様にＵＶ照射を行い、バンク残渣のサイズ・面積を適切に制御する。
また上記各実施の形態では、バンク材料として有機材料を用いたが、無機材料も利用可能である。この場合バンク材料層は、有機材料を用いる場合と同様に例えば塗布等で配設する。バンク材料層のパターニングは、バンク材料層上にレジストパターンを形成し、その後、所定のエッチング液（テトラメチルアンモニウムハイドロキシオキサイド（ＴＭＡＨ）溶液等）を用いてエッチングすることで実施できる。
【産業上の利用可能性】
【０１３２】
本発明の有機ＥＬパネルは、携帯電話用のディスプレイやテレビなどの表示素子、各種光源などに利用可能である。いずれの用途においても、低輝度から光源用途等の高輝度まで幅広い輝度範囲で低電圧駆動される有機ＥＬパネルとして適用できる。このような高性能により、家庭用もしくは公共施設、あるいは業務用の各種ディスプレイ装置、テレビジョン装置、携帯型電子機器用ディスプレイ、照明光源等として、幅広い利用が可能である。
【符号の説明】
【０１３３】
１、１Ａ、１Ｂ    有機ＥＬパネル
２    第１電極（陽極）
３    透明電極膜
４Ａ    薄膜型ホール注入層（ＨＩＬ）
４Ｂ    塗布型ホール注入層（ＨＩＬ）
４Ｘ    金属酸化物膜
５    バンク（ラインバンク構造）
５Ａ    バンク（ピクセルバンク構造）
５Ｘ        バンク材料層
６Ａ    バッファ層（ＩＬ）
６Ｂ    有機発光層（ＥＭＬ）
７    電子輸送層（ＥＴＬ）
８    第２電極（陰極）
９    封止層
１０    基板
１１Ａ、１１Ｂ    バンク残渣
１００Ｒ、１００Ｂ、１００Ｇ、１０１Ｒ、１０２Ｒ、１０２Ｂ、１０２Ｇ    有機ＥＬ素子
【図１】
0006040445.tif 000005
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
0006040445.tif 000012
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
0006040445.tif 000020
【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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