(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材の第１面に一方向に延在して設けられた凹パターンを有するモールドを保持する保持部と、
前記凹パターンに媒体を供給する媒体供給部と、
押圧部を有し、前記モールドの前記第１面が凸になるよう前記モールドを撓ませる変形部と、
を備え、
前記基材は、４つの側面を有する矩形であり、
前記押圧部は、前記一方向と直交する方向に向かい合う前記２つの側面を押圧するモールド洗浄装置。
【請求項２】
基材の第１面に設けられた凹パターンを有するモールドを保持する保持部と、
前記凹パターンに媒体を供給する媒体供給部と、
押圧部を有し、前記モールドの前記第１面が凸になるよう前記モールドを撓ませる変形部と、
を備え、
前記基材は、４つの側面を有する矩形であり、
前記押圧部は、前記基材の前記４つの側面のうち、向かい合う２つの側面を押圧するモールド洗浄装置。
【請求項３】
前記凹パターンは、一方向に延在し、
前記押圧部は、前記一方向と直交する方向に向かい合う前記２つの側面を押圧する請求項２記載のモールド洗浄装置。
【請求項４】
４つの側面を有する矩形の基材の第１面に設けられた凹パターンを有するモールドを洗浄する方法であって、
前記モールドを保持する工程と、
前記基材の前記４つの側面のうち、向かい合う２つの側面を押圧して前記第１面が凸になるように前記モールドを撓ませる工程と、
前記モールドを撓ませた状態で前記凹パターンに媒体を供給する工程と、
を備えたモールド洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、モールド洗浄装置及びモールド洗浄方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
パターンの形成に関して、形成するパターンの凹凸形状が設けられた型（モールド）を用いたインプリント法と呼ばれる微細パターンの転写技術が注目されている。インプリント法で使用されるモールドは、石英などの光透過性を有する基材の表面に凹凸パターンが形成されたものである。基材の凹凸パターンは、電子線リソグラフィ法などで基材の表面にレジストパターンを形成した後、基材をエッチングすることにより形成される。
【０００３】
モールドを用いたパターン形成では、凹凸パターンに異物が付着していると転写によって形成されるパターンに不良が発生する可能性がある。このため、使用されたモールドについては、定期的に洗浄を行う必要がある。インプリント法においては、モールドに付着した異物を容易に除去することが重要である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−１８２３８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の実施形態は、モールドに付着した異物を容易に除去することができるモールド洗浄装置及びモールド洗浄方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態に係るモールド洗浄装置は、保持部と、媒体供給部と、変形部と、を含む。
前記保持部は、基材の第１面に設けられた凹パターンを有するモールドを保持する。
前記媒体供給部は、前記凹パターンに媒体を供給する。
前記変形部は、押圧部を有し、前記モールドの前記第１面が凸になるよう前記モールドを撓ませる。
前記基材は、４つの側面を有する矩形である。
前記押圧部は、前記基材の前記４つの側面のうち、向かい合う２つの側面を押圧する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、第１の実施形態に係るモールド洗浄装置の構成を例示する模式図である。
【図２】図２（ａ）及び図２（ｂ）は、モールドの構成を例示する模式図である。
【図３】図３（ａ）及び図３（ｂ）は、異物の除去について例示する模式図である。
【図４】図４（ａ）〜図４（ｃ）は、変形部を例示する模式図である。
【図５】図５（ａ）及び図５（ｂ）は、他の変形部を例示する模式図である。
【図６】図６は、本実施形態に係るモールド洗浄方法を例示するフローチャートである。
【図７】図７は、洗浄方法の一例を示すフローチャートである。
【図８】図８（ａ）〜図８（ｅ）は、インプリント法を例示する模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本発明の実施形態を図に基づき説明する。以下の説明では、同一の部材には同一の符号を付し、一度説明した部材については適宜その説明を省略する。
【０００９】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係るモールド洗浄装置の構成を例示する模式図である。
図２（ａ）及び図２（ｂ）は、モールドの構成を例示する模式図である。
図２（ａ）はモールド１００の平面図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
【００１０】
図１に表したように、本実施形態に係るモールド洗浄装置１１０は、インプリント法で用いられるモールド１００を洗浄する装置である。モールド洗浄装置１１０は、保持部１０と、媒体供給部２０と、変形部３０と、を備える。
【００１１】
保持部１０は、モールド１００を保持する部分（例えば、ステージ）である。媒体供給部２０は、モールド１００に固体、液体及び気体のうちの少なくともいずれかである媒体Ｍｄをモールド１００に向けて供給する部分である。
【００１２】
変形部３０は、モールド１００を撓ませる部分である。変形部３０は、基材１０１の第１面１０１ａが凸になるようにモールド１００を撓ませる。図１には、モールド１００が撓んだ状態が表される。
【００１３】
モールド洗浄装置１１０では、変形部３０によって基材１０１の第１面１０１ａが凸になるようにモールド１００を撓ませた状態で、媒体供給部２０から媒体Ｍｄを凹パターンＰ１に向けて供給する。モールド１００を撓ませることで、凹パターンＰ１の開口側が拡がり、凹パターンＰ１内の異物の除去が容易になる。
【００１４】
ここで、モールド洗浄装置１１０で洗浄を行うモールド１００の一例について説明する。
図２（ａ）及び（ｂ）に表したように、モールド１００は、基材１０１と、パターン部１０２と、を備える。基材１０１は、第１面１０１ａと、第１面１０１ａとは反対側の第２面１０１ｂと、を有する。パターン部１０２は、第１面１０１ａに設けられ、少なくとも凹パターンＰ１を有する。
【００１５】
基材１０１の第１面１０１ａの中央部分には台座部１０４が設けられる。台座部１０４は、第１面１０１ａに対して凸型に設けられる。パターン部１０２は、台座部１０４の上に設けられる。パターン部１０２は、少なくとも１つの凹パターンＰ１を有する。凹パターンＰ１は、例えば一方向に延在するライン状に設けられる。凹パターンＰ１は、開口の形状が円形、楕円形、長円形、矩形などの島状に設けられていてもよい。
【００１６】
複数の凹パターンＰ１を有する場合、隣り合う２つの凹パターンＰ１の間には凸パターンＰ２が設けられる。凸パターンＰ２は、例えば一方向に延在するライン状に設けられる。凸パターンＰ２は、柱状に設けられていてもよい。
【００１７】
基材１０１の平面視外形は、例えば縦約１５０ミリメートル（ｍｍ）、横約１５０ｍｍの矩形である。基材１０１には４つの側面１０１ｓが設けられる。台座部１０４の平面視外形は、例えば縦３２ｍｍ、横２６ｍｍの矩形である。台座部１０４の高さは、約３０マイクロメートル（μｍ）である。基材１０１における凹部１０３の台座部１０４が設けられていない部分の厚さは、１ｍｍ以上６ｍｍ以下程度である。
【００１８】
凹パターンＰ１の深さは、例えば５０ナノメートル（ｎｍ）以上７０ｎｍ以下である。凹パターンＰ１の幅は、例えば１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下である。凸パターンＰ２の高さは、約５０ｎｍ以上７０ｎｍ以下である。凸パターンＰ２の幅は、約１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下である。パターン部１０２には、例えば複数の凸パターンＰ２及び複数の凹パターンＰ１によるラインアンドスペースのパターンが設けられる。
【００１９】
図１に表したモールド洗浄装置１１０において、保持部１０は、基材１０１を例えば真空吸着することでモールド１００を保持する。保持部１０は、基材１０１を上下や左右から挟持することでモールド１００を保持してもよい。
【００２０】
図１に示されないが、モールド洗浄装置１１０には、洗浄対象のモールド１００を搬送する搬送部が設けられている。搬送部は、洗浄対象のモールド１００を装置の外部から保持部１０まで搬送する。
【００２１】
媒体供給部２０は、保持部１０で保持されたモールド１００の凹パターンＰ１に媒体Ｍｄを供給する。媒体供給部２０は例えばノズル２１を有する。媒体Ｍｄとしては、固体、液体及び気体のうち少なくともいずれかである。固体としては、例えばセラミックスの砥粒が用いられる。液体としては、例えば、酸性またはアルカリ性の洗浄剤や超純水（例えば、比抵抗１８ＭΩ・ｃｍ程度）が用いられる。気体としては、例えばアルゴンなどの不活性ガスや、エネルギーを与えてイオン化されたガスが用いられる。
【００２２】
変形部３０は、モールド１００に各種の方法で圧力を加えて、第１面１０１ａが凸になるようにモールド１００を撓ませる。第１面１０１ａが凸になるようにモールド１００を撓ませると、第１面１０１ａに設けられた凹パターンＰ１の開口側が、撓ませない場合に比べて拡がる。したがって、凹パターンＰ１内に異物が入り込んでいても、凹パターンＰ１の開口側が拡がることで異物を除去しやすくなる。
【００２３】
モールド洗浄装置１１０は、媒体制御部２５、変形制御部３５及び処理槽４０をさらに備える。媒体制御部２５は、媒体供給部２０のノズル２１から供給する媒体Ｍｄの供給量及び供給タイミングなどを制御する。変形制御部３５は、変形部３０を制御してモールド１００の変形量を調整する。
【００２４】
処理槽４０は、保持部１０で保持されるモールド１００及び媒体供給部２０のノズル２１の少なくとも下方に設けられる。本実施形態では、保持部１０、媒体供給部２０及び変形部３０の周りを囲むように設けられる。処理槽４０は、媒体供給部２０から供給された媒体Ｍｄを受ける役目を果たす。
【００２５】
図３（ａ）及び図３（ｂ）は、異物の除去について例示する模式図である。
図３（ａ）には、モールド１００の凹パターンＰ１に異物Ｆが入り込んでいる状態が表される。図３（ｂ）には、モールド１００を撓ませた状態が表される。
【００２６】
図３（ａ）に表したように、モールド１００の凹パターンＰ１の開口側の幅Ｗ１は、凹パターンＰ１の底側の幅Ｗ０よりも広い。つまり、凸パターンＰ２の幅は、基材１０１側から離れる方向に狭くなるテーパが設けられる。このため、凹パターンＰ１の幅は、開口側から底側にかけて狭くなる。したがって、凹パターンＰ１の開口側から侵入した異物Ｆは、凹パターンＰ１内で入り込みやすい。
【００２７】
凹パターンＰ１内に異物Ｆが入り込むと、媒体Ｍｄによる十分な洗浄が困難となる。特に、異物Ｆを溶かす性質を有しない媒体Ｍｄを用いる洗浄では、凹パターンＰ１内に入り込んだ異物Ｆを除去するのは非常に困難である。
【００２８】
そこで、本実施形態では、図３（ｂ）に表したように、モールド１００を基材１０１の第１面１０１ａが凸になるように撓ませる。これにより、凹パターンＰ１の開口側の幅Ｗ２は、図３（ａ）に表した幅Ｗ１よりも広くなる。凹パターンＰ１の開口側が拡がると、凹パターンＰ１内における異物Ｆの入り込みが緩和される。この状態で、媒体Ｍｄを凹パターンＰ１内に供給することで、凹パターンＰ１内から異物Ｆが容易に除去される。
【００２９】
洗浄では、媒体Ｍｄを供給するとともに、プラズマ等のエネルギーを供給してもよい。凹パターンＰ１の開口側が拡がることで、プラズマ等のエネルギーの入り込む確率が上昇する。これにより、媒体Ｍｄが流れている方向へ異物Ｆをずらす隙間をつくることができる。
【００３０】
図４（ａ）〜図４（ｃ）は、変形部を例示する模式図である。
図４（ａ）に表した変形部３０は、押圧部３０１であるアクチュエータ３１及びプッシュロッド３１ａを有する。アクチュエータ３１は、プッシュロッド３１ａを進退動作させる。プッシュロッド３１ａは、モールド１００の基材１０１の側面１０１ｓと対向して配置される。プッシュロッド３１ａは、例えば基材１０１の４つの側面１０１ｓのうち、向かい合う２つの側面１０１ｓのそれぞれに対向して配置される。プッシュロッド３１ａは、４つの側面１０１ｓのそれぞれに対向して配置されていてもよい。
【００３１】
モールド洗浄装置１１０は、アクチュエータ３１を介してプッシュロッド３１ａから基材１０１の側面１０１ｓへ加える圧力を調整し、モールド１００を第１面１０１ａが凸になるように撓ませる。例えば、凹パターンＰ１が一方向に延在する場合（ラインアンドスペース）、プッシュロッド３１ａは、凹パターンＰ１が延在する一方向と直交する方向に向かい合う２つの側面１０１ｓをそれぞれ押圧する。これにより、一方向に延在する凹パターンＰ１の開口側が効果的に拡がることになる。
【００３２】
図４（ｂ）に表した変形部３０は、押圧部３０２であるアクチュエータ３２及びプッシュロッド３２ａを有する。アクチュエータ３２は、プッシュロッド３２ａを進退動作させる。プッシュロッド３２ａは、基材１０１の第２面１０１ｂ側に配置される。アクチュエータ３２は、プッシュロッド３２ａを移動させて、プッシュロッド３２ａの先端を基材１０１の第２面１０１ｂに接触させる。アクチュエータ３２は、プッシュロッド３２ａの上昇量を調整して、基材１０１の第２面１０１ｂを第１面１０１ａ側に押圧する。モールド１００は、プッシュロッド３２ａが接触した位置を中心として湾曲することになる。モールド１００は、第１面１０１ａが凸になるよう撓む。
【００３３】
モールド洗浄装置１１０は、プッシュロッド３２ａの第２面１０１ｂの接触位置を調整してもよ。例えば、パターン部１０２の領域で、異物Ｆが入り込んだ凹パターンＰ１の位置を予め検出しておく。そして、異物Ｆが入り込んだ凹パターンＰ１の下に位置する第２面１０１ｂにプッシュロッド３２ａを移動させ、プッシュロッド３２ａによって第２面１０１ｂを押圧する。
【００３４】
凹パターンＰ１の開口側の幅は、プッシュロッド３２ａの上の位置で最も広くなる。したがって、異物Ｆが入り込んだ凹パターンＰ１の下に位置する第２面１０１ｂをプッシュロッド３２ａで押圧することにより、異物Ｆの入り込んだ凹パターンＰ１の開口側が十分に広げられる。これにより、異物Ｆが容易に除去される。
【００３５】
図４（ｃ）に表した変形部３０は、圧力調整部３３を有する。圧力調整部３３は、モールド１００の基材１０１の第１面１０１ａ側の圧力よりも、第２面１０１ｂ側の圧力を高くする手段である。
【００３６】
圧力調整部３３は、圧力制御部３３ａと、隔壁部３３ｂと、を有する。隔壁部３３ｂは、モールド１００の基材１０１の第２面１０１ｂ側の空間を密閉空間にするための容器である。基材１０１の第１面１０１ａ側は、例えば大気圧である。
【００３７】
圧力制御部３３ａは、隔壁部３３ｂ内に例えば空気を送り込む。これにより、隔壁部３３ｂによって構成された密閉空間内の圧力が上昇する。基材１０１の第２面１０１ｂ側の圧力が、第１面１０１ａ側の圧力よりも高くなると、モールド１００は、第１面１０１ａが凸になるように撓む。
【００３８】
モールド洗浄装置１１０は、圧力調整部３３を制御して、隔壁部３３ｂ内の圧力を調整する。これにより、モールド１００の撓み量を制御する。
【００３９】
図５（ａ）及び図５（ｂ）は、他の変形部を例示する模式図である。
図５（ａ）及び図５（ｂ）に表した例では、変形部３０Ａ及び３０Ｂは、保持部１０と一体的に設けられている。図５（ａ）に表した変形部３０Ａ（保持部１０）は、モールド１００を真空吸着によって保持する。変形部３０Ａ（保持部１０）は、上面１０ａを有する。モールド１００の基材１０１の第２面１０１ｂは、上面１０ａに吸着される。
【００４０】
上面１０ａは、凸形状に設けられる。したがって、モールド１００を変形部３０Ａ（保持部１０）に吸着保持すると、吸着力によって第２面１０１ｂが上面１０ａの凸形状に沿って密着するとともに、モールド１００は第１面１０１ａを凸として撓むことになる。変形部３０Ａでは、上面１０ａの凸形状によってモールド１００の撓み量が設定される。
【００４１】
図５（ｂ）に表した変形部３０Ｂ（保持部１０）は、モールド１００Ｂを真空吸着によって保持する。モールド１００Ｂは、基材１０１の中央部に凹部１０３を有する。基材１０１の凹部１０３の周辺は周辺部１０５である。凹部１０３の厚さは、周辺部１０５の厚さよりも薄い。
【００４２】
変形部３０Ｂ（保持部１０）は、上面１０ｂと凸面１０ｃとを有する。上面１０ｂは、モールド１００Ｂの周辺部１０５と接する。凸面１０ｃは、モールド１００Ｂの凹部１０３と接する。モールド１００Ｂを変形部３０Ｂ（保持部１０）に吸着保持すると、吸着力によって凹部１０３が凸面１０ｃに沿って密着するとともに、モールド１００Ｂは第１面１０１ａを凸として撓むことになる。変形部３０Ｂでは、凸面１０ｃの形状によってモールド１００の撓み量が設定される。
【００４３】
モールド洗浄装置１１０は、図４（ａ）〜図４（ｃ）、図５（ａ）及び図５（ｂ）に表したいずれかの変形部３０及び３０Ｂによってモールド１００を撓ませた状態で、洗浄を行う。これにより、凹パターンＰ１内に入り込んだ異物Ｆが容易に除去される。
【００４４】
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態に係るモールド洗浄方法について説明する。
図６は、本実施形態に係るモールド洗浄方法を例示するフローチャートである。
図７は、洗浄方法の一例を示すフローチャートである。
図８（ａ）〜図８（ｅ）は、インプリント法を例示する模式的断面図である。
【００４５】
本実施形態に係るモールド洗浄方法の説明を行うに先立ち、モールドを用いたインプリント法について説明する。
先ず、図８（ａ）に表したように、モールド１００を用意する。モールド１００は、石英などの透光性の材料からなる基材１０１と、基材１０１に設けられたパターン部１０２と、を備える。パターン部１０２は、基材１０１に電子線リソグラフィ法などでレジストパターンを形成した後、エッチングを行うことで形成される。パターン部１０２には少なくとも凹パターンＰ１が含まれる。
【００４６】
次に、図８（ｂ）に表したように、基板Ｓの上に光硬化性を有する材料Ｍを塗布する。材料Ｍは、例えばインクジェット法によって基板Ｓの上に滴下される。そして、図８（ｃ）に表したように、モールド１００のパターン部１０２を基板Ｓの上の材料Ｍと接触させる。材料Ｍは、毛細管現象によってモールド１００の凹パターンＰ１内に充填される。
【００４７】
次に、図８（ｃ）に表したように、モールド１００の裏面側（パターン部１０２が形成されていない側）から光（例えば紫外線光）を照射する。光は、モールド１００を通過して材料Ｍに到達する。これにより材料Ｍが硬化する。材料Ｍが硬化した後は、モールド１００を離型する。
【００４８】
モールド１００を離型すると、図８（ｄ）に表したように、基板Ｓの上にパターン部１０２のパターン形状が反転した転写パターンＰ１０が形成される。次に、転写パターンＰ１０の基板Ｓ側に設けられた残膜を、例えばＲＩＥ（Reactive Ion Etching）によって除去する。これにより、図８（ｅ）に表したように、基板Ｓ上に凸パターンＰ１１が形成される。
【００４９】
インプリント法においては、図８（ｂ）〜図８（ｅ）で表した各工程を繰り返し行うことで、モールド１００のパターン部１０２の凹凸形状を材料Ｍに転写する。これにより、同じパターンが繰り返し形成される。
【００５０】
上述のように、インプリント法によるパターンの形成方法では、モールド１００と材料Ｍとが接触することから、モールド１００の凹パターンＰ１内に材料Ｍが異物Ｆとして付着することがある。また、モールド１００には、基板Ｓ上に付着した異物Ｆがモールド１００側に移ることもある。モールド１００に異物Ｆが付着していると、インプリント法によってパターンを形成する際に、その異物Ｆによる影響を受けて歩留まりの低下を招くことになる。そこで、定期的にモールド１００を洗浄する必要がある。
【００５１】
ここで、洗浄方法の一つに、硫酸と過酸化水素水との混合液を用いて樹脂等の有機物からなる異物Ｆを溶解し、その後、アルカリ溶液や純水でリンスを行い、最後に残存する薬液を振り切って乾燥を行う方法が行われている。また、気体を用いて液体を霧状にし、噴霧して異物Ｆを除去する物理的洗浄方法もある。さらに、オゾン水や、樹脂と酸化・還元反応を示すガス（例えば、酸素や水素、これらを含む活性化された混合ガス）を用いる方法もある。しかし、凹パターンＰ１内に入り込んだ異物Ｆを確実に除去することは難しい。
【００５２】
次に、本実施形態に係るモールド洗浄方法を説明する。
図６に表したように、本実施形態に係るモールド洗浄方法は、モールドの保持（ステップＳ１０１）と、モールドの湾曲（ステップＳ１０２）と、モールドの洗浄（ステップＳ１０３）と、を備える。
【００５３】
モールドの保持（ステップＳ１０１）では、モールド１００を保持部１０に保持させる。モールドの湾曲（ステップＳ１０２）では、第１面１０１ａが凸になるようにモールド１００を撓ませる。モールドの洗浄（ステップＳ１０３）は、モールド１００を撓ませた状態で凹パターンＰ１に媒体Ｍｄを供給することを含む。
【００５４】
ここで、モールド１００を撓ませるには、例えば、図４（ａ）〜図４（ｃ）、図５（ａ）及び図５（ｂ）に表したいずれかの手段を用いればよい。
【００５５】
次に、洗浄方法の一例について説明する。
図７に表したように、本実施形態に係るモールド洗浄方法は、有機物の除去（ステップＳ２０１）と、媒体の供給（ステップＳ２０２）と、エネルギーの供給（ステップＳ２０３）と、第１のリンス（ステップＳ２０４）と、第２のリンス（ステップＳ２０５）と、乾燥（ステップＳ２０６）と、を有する。
【００５６】
有機物の除去（ステップＳ２０１）では、硫酸及び過酸化水素水の混合液によりモールド１００を洗浄する処理を行う。これにより、モールド１００に付着した有機物が除去される。
【００５７】
媒体の供給（ステップＳ２０２）では、モールド１００の凹パターンＰ１に媒体Ｍｄを供給する処理を行う。媒体Ｍｄとしては、液体及び気体のうち少なくともいずれかである。液体としては、例えば超純水（例えば、比抵抗１８ＭΩ・ｃｍ程度）やＣＯ２水が用いられる。気体としては、例えばアルゴンなどの不活性ガスが用いられる。
【００５８】
なお、媒体の供給（ステップＳ２０２）では、モールド１００を第１面１０１ａが凸になるように撓ませているため、凹パターンＰ１内に媒体Ｍｄを十分に浸透させることができる。凹パターンＰ１内に入り込んだ異物Ｆは、容易に除去される。
【００５９】
エネルギーの供給（ステップＳ２０３）では、モールド１００の基材１０１の第１面１０１ａとは反対側からモールド１００に向けてエネルギーを供給する処理を行う。エネルギーは、例えば超音波及びレーザ光のいずれかである。本実施形態では、モールド１００の凹部１０３の底面１０３ｂから凹パターンＰ１に向けてエネルギーが到達する。エネルギーの量は、エネルギーの供給量や、エネルギー供給源と凹パターンＰ１との距離によって制御される。
【００６０】
エネルギーの照射によって媒体Ｍｄは活性化される。例えば、エネルギーが超音波の場合、媒体Ｍｄが活性化してキャビテーションが発生し、このキャビテーションによって凹パターンＰ１内に入り込んでいる異物Ｆを凹パターンＰ１の開口側に押し出す。
【００６１】
例えば、エネルギーがレーザ光の場合、レーザ光の媒体Ｍｄに対する誘起衝撃が発生し、この誘起衝撃によって凹パターンＰ１内に入り込んでいる異物Ｆを凹パターンＰ１の開口側に押し出す。これによって、異物Ｆが凹パターンＰ１内から除去される。
【００６２】
第１のリンス（ステップＳ２０４）では、アルカリ溶液によってモールド１００をリンスする処理を行う。これにより、凹パターンＰ１内から押し出された異物Ｆのうち、モールド１００の表面に再付着したものを確実に除去する。
【００６３】
第２のリンス（ステップＳ２０５）では、例えば超純水によってモールド１００をリンスする処理を行う。これにより、モールド１００に付着したアルカリ溶液を除去する。なお、第２のリンスでは、第１のリンス（ステップＳ２０４）で用いたアルカリ溶液のアルカリ性よりも中性の溶液を用いてリンスを行う。最も好ましいのは超純水である。
【００６４】
乾燥（ステップＳ２０６）では、第２のリンスで用いた例えば超純水を乾燥させる処理を行う。これらの工程によって、モールド１００の洗浄が行われる。
【００６５】
ステップＳ２０１〜ステップＳ２０６に表した工程のうち、媒体の供給（ステップＳ２０２）においてモールド１００を撓ませた状態で処理を行う。また、ステップＳ２０１〜ステップＳ２０６に表した工程のうち、媒体の供給（ステップＳ２０２）以外の少なくともいずれかの工程においてモールド１００を撓ませた状態で処理を行ってもよい。
【００６６】
このような本実施形態に係るモールド洗浄方法では、モールド１００を撓ませることで凹パターンＰ１の開口側の幅が拡がる。この状態で媒体Ｍｄを供給することで、凹パターンＰ１内に入り込んだ異物Ｆが容易に除去される。
【００６７】
以上説明したように、実施形態に係るモールド洗浄装置１１０及びモールド洗浄方法によれば、モールドに付着した異物を容易に除去することが可能になる。
【００６８】
なお、上記に本実施形態およびその変形例を説明したが、本発明はこれらの例に限定されるものではない。例えば、上記説明したモールド洗浄装置１１０は、洗浄装置として単独の装置であってもよいが、インプリント装置内に組み込まれていてもよい。また、洗浄対象のモールド１００は、基材１０１として石英などの硬質の材料を用いたもののほか、樹脂製などの可撓性を有する材料を用いたものであってもよい。さらにまた、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、設計変更を行ったものや、各実施形態の特徴を適宜組み合わせたものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含有される。
【００６９】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００７０】
１０…保持部、２０…媒体供給部、２１…ノズル、２５…媒体制御部、３５…変形制御部、４０…処理槽、１００…モールド、１０１…基材、１０１ａ…第１面、１０１ｂ…第２面、１０２…パターン部、１０４…台座部、１１０…モールド洗浄装置、Ｆ…異物、Ｍｄ…媒体、Ｐ１…凹パターン、Ｐ２…凸パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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