(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面の一部を覆う液浸空間の液体を介して前記基板に露光光を照射することによって、前記基板上の複数のショット領域を順次露光する露光装置であって、
所定の投影領域に前記露光光を照射する投影光学系と、
前記基板を保持し移動可能な基板ステージと、
前記液浸空間が通過可能で前記基板の外周の外側の領域を含むダミーショット領域を設定するダミーショット領域設定部と、
を備え、
前記基板ステージの移動は、前記ダミーショット領域が、前記投影領域を通過するように制御され、
前記ダミーショット領域が前記投影領域を通過する際、前記ダミーショット領域に対しては、デバイス製造のための露光光照射が行われない露光装置。
【請求項２】
前記露光装置は、スキャン動作と、前記ショット領域の露光終了後に、次の前記ショット領域の露光開始位置に前記投影領域を配置するためのステッピング動作と、を交互に繰り返して複数の前記ショット領域を露光する所定移動を行い、
前記ダミーショット領域設定部は、前記投影領域が前記所定移動の開始位置に配置されるように行われる移動において、前記基板ステージの速さが変化した後に前記液浸空間の少なくとも一部が前記基板の外周の外側に配置されるように、前記ダミーショット領域を設定し、
前記基板ステージの速さは、前記基板ステージの速度の絶対値である請求項１記載の露光装置。
【請求項３】
前記基板ステージの速さの変化は、前記基板ステージの移動が停止することを含む請求項２記載の露光装置。
【請求項４】
前記ダミーショット領域設定部は、前記基板ステージの移動の向きを反転させないで前記液浸空間の少なくとも一部が前記基板の外周の外側に配置されるように、前記ダミーショット領域を設定する請求項１〜３のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項５】
前記ダミーショット領域設定部は、前記ダミーショット領域が前記投影領域を通るように前記基板ステージが移動する際に、前記基板ステージに対する前記液浸空間の相対移動の向きが反転するように、前記ダミーショット領域を設定する請求項１〜４のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項６】
前記ダミーショット領域は、第１のダミーショット領域と、前記投影領域を前記第１のダミーショット領域が通過した後に、前記投影領域を通過する第２のダミーショット領域と、を含む請求項１〜５のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項７】
前記第２のダミーショット領域は、前記ショット領域をスキャンするスキャン方向に交差する方向の位置が前記第１のダミーショット領域とずれるように設定される請求項６記載の露光装置。
【請求項８】
前記第２のダミーショット領域は、前記スキャン方向の位置が前記第１のダミーショット領域とずれるように設定される請求項７記載の露光装置。
【請求項９】
前記第１のダミーショット領域と前記第２のダミーショット領域とは、前記スキャン方向に交差する方向に並ぶように設定される請求項７記載の露光装置。
【請求項１０】
前記第２のダミーショット領域は、前記第１のダミーショット領域よりも前記ショット領域の近くに配置されるように設定される請求項６〜９のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１１】
前記ダミーショット領域設定部は、前記第１のダミーショット領域と前記第２のダミーショット領域とで、スキャンの向きが逆になるように、前記スキャンの向きを設定する請求項６〜１０のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１２】
前記ダミーショット領域設定部は、前記第１のダミーショット領域における前記スキャンの向きが、前記第２のダミーショット領域の次にスキャンされる前記ショット領域における前記スキャンの向きと同じになるように、前記スキャンの向きを設定する請求項１１記載の露光装置。
【請求項１３】
前記基板ステージは、前記第１のダミーショット領域が前記投影領域を通過してから、前記第２のダミーショット領域が前記投影領域に到達するまでの間に、前記基板ステージに対する前記液浸空間の相対移動の向きが反転するように、移動する請求項６〜１２のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１４】
前記ダミーショット領域設定部は、前記ダミーショット領域が前記投影領域を通過した後に、前記複数のショット領域のうちの最初に露光されるショット領域が前記投影領域を通過するように、前記ダミーショット領域を設定する請求項１〜１３のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１５】
前記複数のショット領域は、第１のショット領域と、前記第１のショット領域の次に露光される第２のショット領域と、を含み、
前記第１のショット領域と前記第２のショット領域とはスキャン方向の寸法が異なり、
前記ダミーショット領域設定部は、前記第１のショット領域が前記投影領域を通過した後で、かつ、前記第２のショット領域が前記投影領域を通過する前に、前記ダミーショット領域が前記投影領域を通過するように、前記ダミーショット領域を設定する請求項１〜１４のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１６】
前記ショット領域は、マトリクス状に配置され、第１の行のショット領域と、前記第１の行のショット領域の次に順次露光される第２の行のショット領域と、を含み、
前記ダミーショット領域設定部は、前記第１の行のショット領域が露光された後で、かつ、前記第２の行のショット領域が露光される前に、前記ダミーショット領域が前記投影領域を通過するように、前記ダミーショット領域を設定する請求項１〜１５のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１７】
前記ショット領域は、第１のショット領域と、前記第１のショット領域の次に露光される第２のショット領域と、を含み、
前記第１のショット領域が前記投影領域に対してスキャンされる方向と、前記第２のショット領域が前記投影領域に対してスキャンされる方向とは、互いに同じであり、
前記ダミーショット領域設定部は、前記第１のショット領域が前記投影領域を通過した後で、かつ、前記第２のショット領域が前記投影領域を通過する前に、前記ダミーショット領域が前記投影領域を通過するように、前記ダミーショット領域を設定する請求項１〜１６のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１８】
前記ダミーショット領域設定部は、前記ショット領域と前記ダミーショット領域との配置に応じて、前記ダミーショット領域におけるスキャンの向きを設定する請求項１〜１７のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１９】
前記ダミーショット領域設定部は、前記ダミーショット領域の位置に応じた前記基板ステージが移動する経路長の違いに基づいて、前記ダミーショット領域を設定する請求項１〜１８のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項２０】
前記ダミーショット領域設定部は、前記ダミーショット領域の配置を異ならせた際の前記経路長の変化幅において、前記経路長が相対的に短くなるように、前記ダミーショット領域を設定する請求項１９記載の露光装置。
【請求項２１】
前記ダミーショット領域設定部は、前記ダミーショット領域が前記ショット領域と並んで配置されるように、前記ダミーショット領域を設定する請求項１〜２０のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項２２】
前記基板上には、複数の前記ショット領域が並んで設けられ、
前記ダミーショット領域設定部は、前記ダミーショット領域が複数の前記ショット領域が並ぶ延長上に配置されるように、前記ダミーショット領域を設定する請求項２１記載の露光装置。
【請求項２３】
前記ダミーショット領域設定部は、前記投影領域を前記ダミーショット領域が通過する間の少なくとも一部において、前記液浸空間の少なくとも一部が前記基板の内側に配置されるように、前記ダミーショット領域を設定する請求項１〜２２のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項２４】
前記ダミーショット領域は、露光されない領域を含む請求項１〜２３のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項２５】
前記ダミーショット領域は、前記基板のエッジ部を含む請求項１〜２４のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項２６】
前記エッジ部は、前記基板のうちデバイスにならない領域を含む請求項２５記載の露光装置。
【請求項２７】
前記ダミーショット領域と前記ショット領域とで、前記基板ステージの移動条件が同じである請求項１〜２６のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項２８】
前記ダミーショット領域を前記液浸空間が通る際に、前記基板に投影されるパターンが形成されたマスクが移動する請求項１〜２７のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項２９】
前記ダミーショット領域設定部は、複数の前記ダミーショット領域を設定し、
複数の前記ダミーショット領域の少なくとも１つは、前記ショット領域と同じ寸法である請求項１〜２８のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項３０】
前記ダミーショット領域設定部は、複数の前記ダミーショット領域を設定し、
前記ダミーショット領域の少なくとも１つは、前記ショット領域と異なる寸法である請求項１〜２９のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項３１】
基板の表面の一部を覆う液浸空間の液体を介して前記基板に露光光を照射することによって、前記基板上の複数のショット領域を順次露光する露光装置であって、
所定の投影領域に前記露光光を射出する投影光学系と、
前記基板を保持し移動可能な基板ステージと、
制御装置と、を備え、
前記制御装置は、
前記複数のショット領域と前記基板の外周の外側の領域を含むダミーショット領域とを含むショットマップ情報に基づいて、前記複数のショット領域上と前記ダミーショット領域上を前記液浸空間が通過するように、かつ、前記ダミーショット領域が前記投影領域を通過するように前記基板ステージの移動を制御し、
前記ダミーショット領域が前記投影領域を通過する際、前記ダミーショット領域に対しては、デバイス製造のための露光光照射が行われない露光装置。
【請求項３２】
前記ダミーショット領域は、前記基板上の領域を含まない請求項３１記載の露光装置。
【請求項３３】
前記ダミーショット領域に含まれる前記基板上の領域は、デバイスにならない領域である請求項３１記載の露光装置。
【請求項３４】
前記ダミーショット領域は、前記ダミーショット領域上を前記液浸空間が通過するときに前記液浸空間の液体を介して露光光が照射されない領域である請求項３１〜３３のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項３５】
前記ダミーショット領域を含む前記ショットマップ情報に基づいて前記基板ステージを移動することにより、前記基板ステージに保持された前記基板と前記液浸空間との相対位置を制御する請求項３１〜３４のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項３６】
請求項１〜３５のいずれか一項記載の露光装置によって基板を露光することと、
前記露光された基板を現像することと、
を含むデバイス製造方法。
【請求項３７】
基板の表面の一部を覆う液浸空間の液体を介して前記基板に露光光を照射することによって、前記基板上の複数のショット領域を順次露光する露光方法であって、
基板ステージに前記基板を保持することと、
前記基板ステージを移動させることと、
前記液浸空間が通過可能で前記基板の外周の外側の領域を含むダミーショット領域を設定することと、
前記ダミーショット領域に前記露光光が照射される所定の投影領域を通過させることと、
を含み、
前記ダミーショット領域に前記投影領域を通過させる際、前記ダミーショット領域に対しては、デバイス製造のための露光光照射を行わない露光方法。
【請求項３８】
スキャン動作と、前記ショット領域の露光終了後に、次の前記ショット領域の露光開始位置に前記投影領域を配置するためのステッピング動作と、を交互に繰り返して複数の前記ショット領域を露光する所定移動を行うことと、
前記投影領域が前記所定移動の開始位置に配置されるように行われる移動において、前記基板ステージの速さが変化した後に、前記液浸空間の少なくとも一部が前記基板の外周の外側に配置されるように、前記ダミーショット領域を設定することと、
を含み、
前記基板ステージの速さは、前記基板ステージの速度の絶対値である請求項３７記載の露光方法。
【請求項３９】
前記基板ステージの速さの変化は、前記基板ステージの移動が停止することを含む請求項３８記載の露光方法。
【請求項４０】
前記基板ステージの移動の向きを反転させないで前記液浸空間の少なくとも一部が前記基板の外周の外側に配置されるように、前記ダミーショット領域を設定することを含む請求項３７〜３９のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項４１】
前記ダミーショット領域が、前記露光光が照射される投影領域を通るように前記基板ステージが移動する際に、前記基板ステージに対する前記液浸空間の相対移動の向きが反転するように、前記ダミーショット領域を設定することを含む請求項３７〜４０のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項４２】
前記ダミーショット領域は、第１のダミーショット領域と、前記露光光が照射される投影領域を前記第１のダミーショット領域が通過した後に、前記投影領域を通過する第２のダミーショット領域と、を含む請求項３７〜４１のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項４３】
前記ショット領域をスキャンするスキャン方向に交差する方向の位置が前記第１のダミーショット領域とずれるように、前記第２のダミーショット領域を設定することを含む請求項４２記載の露光方法。
【請求項４４】
前記スキャン方向の位置が前記第１のダミーショット領域とずれるように、前記第２のダミーショット領域を設定することを含む請求項４３記載の露光方法。
【請求項４５】
前記スキャン方向に交差する方向に並ぶように、前記第１のダミーショット領域と前記第２のダミーショット領域とを設定することを含む請求項４３記載の露光方法。
【請求項４６】
前記第１のダミーショット領域よりも前記ショット領域の近くに配置されるように、前記第２のダミーショット領域を設定することを含む請求項４２〜４５のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項４７】
前記第１のダミーショット領域と前記第２のダミーショット領域とで、スキャンの向きが逆になるように、前記スキャンの向きを設定することを含む請求項４２〜４６のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項４８】
前記第１のダミーショット領域における前記スキャンの向きが、前記第２のダミーショット領域の次にスキャンされる前記ショット領域における前記スキャンの向きと同じになるように、前記スキャンの向きを設定することを含む請求項４７記載の露光方法。
【請求項４９】
前記第１のダミーショット領域が前記投影領域を通過してから、前記第２のダミーショット領域が前記投影領域に到達するまでの間に、前記基板ステージに対する前記液浸空間の相対移動の向きが反転するように、前記基板ステージを移動させることを含む請求項４２〜４８のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項５０】
前記ダミーショット領域が、前記露光光が照射される投影領域を通過した後に、前記複数のショット領域のうちの最初に露光されるショット領域が前記投影領域を通過するように、前記ダミーショット領域を設定することを含む請求項３７〜４９のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項５１】
前記複数のショット領域は、第１のショット領域と、前記第１のショット領域の次に露光される第２のショット領域と、を含み、
前記第１のショット領域と前記第２のショット領域とはスキャン方向の寸法が異なり、
前記第１のショット領域が前記投影領域を通過した後で、かつ、前記第２のショット領域が前記投影領域を通過する前に、前記ダミーショット領域が前記投影領域を通過するように、前記ダミーショット領域を設定することを含む請求項３７〜５０のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項５２】
前記ショット領域は、マトリクス状に配置され、第１の行のショット領域と、前記第１の行のショット領域の次に順次露光される第２の行のショット領域と、を含み、
前記第１の行のショット領域が露光された後で、かつ、前記第２の行のショット領域が露光される前に、前記ダミーショット領域が前記投影領域を通過するように、前記ダミーショット領域を設定することを含む請求項３７〜５１のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項５３】
前記ショット領域は、第１のショット領域と、前記第１のショット領域の次に露光される第２のショット領域と、を含み、
前記第１のショット領域が前記投影領域に対してスキャンされる方向と、前記第２のショット領域が前記投影領域に対してスキャンされる方向とは、互いに同じであり、
前記第１のショット領域が前記投影領域を通過した後で、かつ、前記第２のショット領域が前記投影領域を通過する前に、前記ダミーショット領域が前記投影領域を通過するように、前記ダミーショット領域を設定することを含む請求項３７〜５２のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項５４】
前記ショット領域と前記ダミーショット領域との配置に応じて、前記ダミーショット領域と前記露光光が照射される投影領域との相対移動の向きを設定することを含む請求項３７〜５３のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項５５】
前記ダミーショット領域の位置に応じた前記基板ステージが移動する経路長の違いに基づいて、前記ダミーショット領域を設定することを含む請求項３７〜５４のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項５６】
前記ダミーショット領域の配置を異ならせた際の前記経路長の変化幅において、前記経路長が相対的に短くなるように、前記ダミーショット領域を設定することを含む請求項５５記載の露光方法。
【請求項５７】
前記ダミーショット領域が前記ショット領域と並んで配置されるように、前記ダミーショット領域を設定することを含む請求項３７〜５６のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項５８】
前記基板上に、複数の前記ショット領域を並べて設けることと、
前記ダミーショット領域が複数の前記ショット領域が並ぶ延長上に配置されるように、前記ダミーショット領域を設定することと、
を含む請求項５７記載の露光方法。
【請求項５９】
前記露光光が照射される投影領域を前記ダミーショット領域が通過する間の少なくとも一部において、前記液浸空間の少なくとも一部が前記基板の内側に配置されるように、前記ダミーショット領域を設定することを含む請求項３７〜５８のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項６０】
前記ダミーショット領域は、露光されない領域を含む請求項３７〜５９のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項６１】
前記ダミーショット領域は、前記基板のエッジ部を含む請求項３７〜６０のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項６２】
前記エッジ部は、前記基板のうちデバイスにならない領域を含む請求項６１記載の露光方法。
【請求項６３】
前記ダミーショット領域と前記ショット領域とで、前記基板ステージの移動条件が同じである請求項３７〜６２のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項６４】
前記ダミーショット領域を前記液浸空間が通る際に、前記基板に投影されるパターンが形成されたマスクを移動させることを含む請求項３７〜６３のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項６５】
複数の前記ダミーショット領域を設定することを含み、
複数の前記ダミーショット領域の少なくとも１つは、前記ショット領域と同じ寸法である請求項３７〜６４のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項６６】
複数の前記ダミーショット領域を設定することを含み、
前記ダミーショット領域の少なくとも１つは、前記ショット領域と異なる寸法である請求項３７〜６５のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項６７】
基板の表面の一部を覆う液浸空間の液体を介して前記基板に露光光を照射することによって、前記基板上の複数のショット領域を露光する露光方法であって、
基板ステージに前記基板を保持することと、
前記基板ステージを移動させることと、
前記複数のショット領域と前記基板の外周の外側の領域を含むダミーショット領域とを含むショットマップ情報に基づいて、前記複数のショット領域上と前記ダミーショット領域上を前記液浸空間が通過するように前記基板ステージの移動を制御することと、
前記ダミーショット領域に前記露光光が照射される所定の投影領域を通過させることと、
を含み、
前記ダミーショット領域に前記投影領域を通過させる際、前記ダミーショット領域に対しては、デバイス製造のための露光光照射を行わない露光方法。
【請求項６８】
請求項３７〜６７のいずれか一項記載の露光方法によって基板を露光することと、
前記露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス、電子デバイス等のマイクロデバイスの製造工程において、例えば下記特許文献に開示されているような、液体を介して露光光で基板を露光する露光装置が使用される。露光装置は、基板を保持して移動可能な基板ステージを備え、基板ステージに保持された基板を露光する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００８／００４３２１１号
【特許文献２】米国特許出願公開第２００８／０１００８１２号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
液浸露光装置において、例えば基板等に、異物が付着すると露光不良が発生する可能性がある。その結果、不良デバイスが発生する可能性がある。
【０００５】
本発明の態様は、露光不良の発生を抑制できる情報算出方法、ステージ装置、露光装置、露光方法、プログラム、及び記録媒体を提供することを目的とする。また、本発明の態様は、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の態様に従えば、液浸空間を介して露光される基板と前記基板に接する前記液浸空間との相対移動の速さが変化した後に、前記基板の外側において前記液浸空間の相対移動の向きが反転するように、前記基板の移動に関する移動情報を算出することを含む情報算出方法が提供される。
【０００７】
本発明の第２の態様に従えば、液浸空間を介して露光される基板の外周の外側において前記液浸空間の相対移動の向きが反転した後に、前記基板のエッジ部を含む所定のショット領域が露光開始位置に配置されるように、前記基板の移動の移動に関する移動情報を算出することを含む情報算出方法が提供される。
【０００８】
本発明の第３の態様に従えば、液浸空間を介して露光される基板上の複数のショット領域のうちの所定のショット領域が露光開始位置に配置されるまでの前記基板の移動に関する情報を、前記液浸空間を形成するための液浸部材のうち前記液浸空間との接触面の変化に基づいて、算出すること含む情報算出方法が提供される。
【０００９】
本発明の第４の態様に従えば、液浸空間を介して露光される基板上の複数のショット領域のうちの所定のショット領域が露光開始位置に配置されるまでの前記基板の移動に関する情報を、前記基板と相対移動するマスクを保持するマスクステージの前記所定のショット領域に応じた移動及び前記所定のショット領域の１つ前のショット領域に応じた移動に基づいて、算出すること含む情報算出方法が提供される。
【００１０】
本発明の第５の態様に従えば、液浸空間を介して露光される基板と前記基板に接する前記液浸空間との相対移動の速さが変化した後に、前記基板の外側において前記液浸空間の相対移動の向きが反転するように、前記基板を保持して移動するステージ装置が提供される。
【００１１】
本発明の第６の態様に従えば、第５の態様のステージ装置と、前記ステージ装置に保持された前記基板上に液浸空間を形成する液浸部材と、前記液浸空間を介して前記基板に露光光を照射する光学部材と、を備える露光装置が提供される。
【００１２】
本発明の第７の態様に従えば、基板を保持するステージ装置と、前記ステージ装置に保持された前記基板上に液浸空間を形成する液浸部材と、前記液浸空間を介して前記基板に露光光を照射する光学部材と、第１から第４のいずれかの態様の情報算出方法によって算出された情報に基づいて、前記ステージ装置を制御する制御装置と、を備える露光装置が提供される。
【００１３】
本発明の第８の態様に従えば、第６または第７の態様の露光装置によって基板を露光することと、前記露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
【００１４】
本発明の第９の態様に従えば、基板上に液浸空間を形成することと、第１から第４のいずれかの態様の情報算出方法によって算出された情報に基づいて前記基板を移動させることと、前記液浸空間を介して前記基板を露光することと、を含む露光方法が提供される。
【００１５】
本発明の第７の態様に従えば、第６の態様の露光方法によって基板を露光することと、前記露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
【００１６】
本発明の第８の態様に従えば、コンピュータに、液浸空間を介して露光される基板と前記基板に接する前記液浸空間との相対移動の速さが変化した後に、前記基板の外側において前記液浸空間の相対移動の向きが反転するように、前記基板の移動情報を算出することを実行させるプログラムが提供される。
【００１７】
本発明の第９の態様に従えば、第８の態様のプログラムを記録し、コンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の態様によれば、露光不良の発生を抑制できる情報算出方法、ステージ装置、露光装置、露光方法、プログラム、及び記録媒体を提供できる。また、本発明の態様によれば、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本実施形態のデバイス製造システムの構成を示す図である。
【図２】本実施形態の露光装置の構成を示す図である。
【図３】本実施形態の第１保持部材に保持された基板の一例を示す図である。
【図４】本実施形態のシミュレータの機能構成を示すブロック図である。
【図５】本実施形態において基板ステージの移動の例を示す図である。
【図６】本実施形態において基板ステージの移動の例を示す図である。
【図７】本実施形態において基板ステージの移動の例を示す図である。
【図８】本実施形態において基板ステージの移動の例を示す図である。
【図９】本実施形態において基板ステージの移動の例を示す図である。
【図１０】本実施形態において基板ステージの移動の例を示す図である。
【図１１】本実施形態において基板ステージの移動の例を示す図である。
【図１２】ステージの一例を示す図である。
【図１３】本実施形態のデバイス製造方法を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。
【００２１】
図１は、本実施形態のデバイス製造システムＳＹＳの構成を示す図である。本実施形態のデバイス製造システムＳＹＳは、露光装置ＥＸと、デバイス製造システムＳＹＳの各部を制御する上位制御装置ＣＯＮＴ（ホスト・コントローラ）と、上位制御装置ＣＯＮＴに情報を供給するシミュレータＳＹＭとを備える。
【００２２】
以下の説明においては、図１等に示すＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００２３】
本実施形態の露光装置ＥＸは、液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する液浸露光装置である。本実施形態においては、露光光ＥＬの光路の少なくとも一部が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳが形成される。液浸空間とは、液体で満たされた部分（空間、領域）をいう。基板Ｐは、液浸空間ＬＳの液体ＬＱを介して露光光ＥＬで露光される。本実施形態においては、液体ＬＱとして、水（純水）を用いる。
【００２４】
また、本実施形態の露光装置ＥＸは、例えば米国特許第６８９７９６３号、及び欧州特許出願公開第１７１３１１３号等に開示されているような、基板ステージ２Ｐと計測ステージ２Ｃとを備えた露光装置である。
【００２５】
露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージ１と、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ２Ｐと、基板Ｐを保持せずに、計測器（例えば、露光光ＥＬを受光するセンサの少なくとも一部）、計測部材などを搭載して移動可能な計測ステージ２Ｃと、マスクＭを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、基板Ｐに照射される露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように基板Ｐとの間で液体ＬＱを保持して液浸空間ＬＳを形成する液浸部材３と、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置４と、制御装置４に接続され、露光に関する各種の情報を記憶する記憶装置５とを備えている。記憶装置５は、例えばＲＡＭ等のメモリ、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭ等の記録媒体を含む。記憶装置５には、コンピュータシステムを制御するオペレーティングシステム（ＯＳ）がインストールされ、露光装置ＥＸを制御するためのプログラムが記憶されている。
【００２６】
また、本実施形態の露光装置ＥＸは、例えば米国特許出願公開第２００７／０２８８１２１号に開示されているような、基板ステージ２Ｐが有するスケール部材２２を用いてその基板ステージ２Ｐの位置を計測するエンコーダシステム６を備えている。
【００２７】
また、本実施形態の露光装置ＥＸは、基板Ｐの表面の位置を検出する第１検出システム７と、基板Ｐの位置を検出する第２検出システム８と、マスクステージ１、基板ステージ２Ｐ、及び計測ステージ２Ｃの位置を計測する干渉計システム９とを備えている。
【００２８】
また、本実施形態において、露光装置ＥＸは、基板Ｐを搬送する搬送システム１０を備えている。搬送システム１０は、基板ステージ２Ｐに基板Ｐを搬入する処理、及び基板ステージ２Ｐから基板Ｐを搬出する処理を実行可能である。
【００２９】
マスクＭは、基板Ｐに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。マスクＭは、例えばガラス板等の透明板と、その透明板上にクロム等の遮光材料を用いて形成されたパターンとを有する透過型マスクを含む。なお、マスクＭとして、反射型マスクを用いることもできる。
【００３０】
基板Ｐは、デバイスを製造するための基板である。基板Ｐは、例えば半導体ウエハ等の基材と、その基材上に形成された感光膜とを含む。感光膜は、感光材（フォトレジスト）の膜である。また、基板Ｐが、感光膜に加えて別の膜を含んでもよい。例えば、基板Ｐが、反射防止膜を含んでもよいし、感光膜を保護する保護膜（トップコート膜）を含んでもよい。
【００３１】
照明系ＩＬは、所定の照明領域ＩＲに露光光ＥＬを照射する。照明領域ＩＲは、照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。照明系ＩＬは、照明領域ＩＲに配置されたマスクＭの少なくとも一部を、均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬとして、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）、及びＦ２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）等が用いられる。本実施形態においては、露光光ＥＬとして、紫外光（真空紫外光）であるＡｒＦエキシマレーザ光を用いる。
【００３２】
マスクステージ１は、マスクＭを保持した状態で、照明領域ＩＲを含むベース部材１１のガイド面１１Ｇ上を移動可能である。本実施形態において、ガイド面１１ＧとＸＹ平面とは実質的に平行である。マスクステージ１は、例えば米国特許第６４５２２９２号に開示されているような平面モータを含む駆動システムの作動により移動する。平面モータは、マスクステージ１に配置された可動子と、ベース部材１１に配置された固定子とを有する。本実施形態においては、マスクステージ１は、駆動システムの作動により、ガイド面１１Ｇ上において、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。なお、マスクステージ１を移動させる駆動システムは、平面モータでなくてもよい。例えば、駆動システムが、リニアモータを含んでもよい。
【００３３】
投影光学系ＰＬは、所定の投影領域ＰＲに露光光ＥＬを照射する。投影領域ＰＲは、投影光学系ＰＬから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。投影光学系ＰＬは、投影領域ＰＲに配置された基板Ｐの少なくとも一部に、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１／４、１／５、又は１／８等の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態においては、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸは、Ｚ軸と平行である。また、投影光学系ＰＬは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系ＰＬは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。
【００３４】
投影光学系ＰＬは、投影光学系ＰＬの像面に向けて露光光ＥＬが射出される射出面１２を有する。投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い終端光学素子１３が、射出面１２を有する。投影領域ＰＲは、射出面１２から射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。本実施形態において、射出面１２は、−Ｚ側を向いており、ＸＹ平面と平行である。なお、−Ｚ側を向いている射出面１２は、凸面であってもよいし、凹面であってもよい。終端光学素子１３の光軸は、Ｚ軸と平行である。本実施形態において、射出面１２から射出される露光光ＥＬは、−Ｚ側に進行する。
【００３５】
基板ステージ２Ｐは、基板Ｐを保持した状態で、投影領域ＰＲを含むベース部材１４のガイド面１４Ｇ上を移動可能である。本実施形態において、ガイド面１４ＧとＸＹ平面とは実質的に平行である。計測ステージ２Ｃは、計測器（計測部材）を搭載した状態で、投影領域ＰＲを含むベース部材１４のガイド面１４Ｇ上を移動可能である。基板ステージ２Ｐ及び計測ステージ２Ｃは、例えば米国特許第６４５２２９２号に開示されているような平面モータを含む駆動システムの作動により移動する。平面モータは、基板ステージ２Ｐ及び計測ステージ２Ｃのそれぞれに配置された可動子と、ベース部材１４に配置された固定子とを有する。本実施形態においては、基板ステージ２Ｐ及び計測ステージ２Ｃのそれぞれは、駆動システムの作動により、ガイド面１４Ｇ上において、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。なお、基板ステージ２Ｐ及び計測ステージ２Ｃを移動させる駆動システムは、平面モータでなくてもよい。例えば、駆動システムが、リニアモータを含んでもよい。
【００３６】
干渉計システム９は、マスクステージ１に配置された計測ミラーを用いてそのマスクステージ１の位置を計測するレーザ干渉計ユニット９Ａと、基板ステージ２Ｐに配置された計測ミラー及び計測ステージ２Ｃに配置された計測ミラーを用いてその基板ステージ２Ｐ及び計測ステージ２Ｃの位置を計測するレーザ干渉計ユニット９Ｂとを有する。レーザ干渉計ユニット９Ａ、９Ｂの計測結果は、制御装置４に出力される。
【００３７】
基板ステージ２Ｐは、基板Ｐをリリース可能に保持する第１保持部材２０を有する。また、本実施形態において、基板ステージ２Ｐは、第１保持部材２０の周囲の少なくとも一部に配置されるカバー部材２１を有する。また、本実施形態において、基板ステージ２Ｐは、カバー部材２１の周囲の少なくとも一部に配置されるスケール部材２２を有する。スケール部材２２は、基板ステージ２Ｐが移動することによって、移動する。例えば、スケール部材２２は、基板ステージ２Ｐがガイド面１４Ｇに沿ってＸＹ平面内を移動するとき、移動する。基板ステージ２Ｐが移動することによって、スケール部材２２も移動する。例えば基板ステージ２Ｐがガイド面１４Ｇに沿ってＸＹ平面内を移動するとき、スケール部材２２も移動する。
【００３８】
本実施形態において、基板ステージ２Ｐは、第１保持部材２０の周囲の少なくとも一部に配置される第２保持部材２３を有する。第２保持部材２３は、カバー部材２１をリリース可能に保持する。第２保持部材２３に保持されているカバー部材２１は、第１保持部材２０に保持されている基板Ｐの周囲の少なくとも一部に配置される（図３参照）。本実施形態において、第２保持部材２３に保持されているカバー部材２１は、第１保持部材２０に保持されている基板Ｐを環状に囲むように、配置される。
【００３９】
本実施形態において、第２保持部材２３は、スケール部材２２をリリース可能に保持する。スケール部材２２は、カバー部材２１と独立して第２保持部材２３から取り外すことができる。第２保持部材２３に保持されているスケール部材２２は、第２保持部材２３に保持されているカバー部材２１の周囲の少なくとも一部に配置される（図３参照）。第２保持部材２３に保持されているカバー部材２１は、第１保持部材２０に保持されている基板Ｐと第２保持部材２３に保持されているスケール部材２２の間の少なくとも一部に配置される。本実施形態において、第２保持部材２３に保持されているスケール部材２２は、第２保持部材２３に保持されているカバー部材２１を環状（枠状）に囲むように、配置される。
【００４０】
本実施形態において、スケール部材２２は、Ｙ軸方向に関する基板ステージ２Ｐの位置を計測するためのＹスケールと、Ｘ軸方向に関する基板ステージ２Ｐの位置を計測するためのＸスケールと、を含む。Ｙスケールは、Ｘ軸方向に長く、Ｙ軸方向に所定ピッチで配置された複数の格子（格子線）を含む。すなわち、Ｙスケールは、Ｙ軸方向を周期方向とする一次元格子を含む。Ｘスケールは、Ｙ軸方向に長く、Ｘ軸方向に所定ピッチで配置された複数の格子（格子線）を含む。すなわち、Ｘスケールは、Ｘ軸方向を周期方向とする一次元格子を含む。本実施形態において、格子は、回折格子である。本実施形態において、Ｙスケールは、Ｙ軸方向を周期方向とする反射型格子（反射回折格子）が形成された反射型スケールである。Ｘスケールは、Ｘ軸方向を周期方向とする反射型格子（反射回折格子）が形成された反射型スケールである。
【００４１】
なお、基板ステージ２Ｐ上にスケール部材２２とは別の計測部材、計測器が配置されていてもよい。例えば、スケール部材２２は、基板ステージ２Ｐと対向可能な位置に配置されており、このスケール部材２２と対向可能な基板ステージ２Ｐ上にスケール部材２２を介した光を検出するエンコーダーヘッド（測定器、測定部材）が配置されていてもよい。また、露光装置ＥＸは、スケール部材２２を備えていなくてもよいし、エンコーダシステム６を備えていなくてもよい。
【００４２】
本実施形態において、搬送システム１０は、基板ステージ２Ｐに基板Ｐを搬入（ロード）する第１搬送部材と、基板ステージ２Ｐから基板Ｐを搬出（アンロード）する第２搬送部材とを有する。第１搬送部材は、例えば露光前の基板Ｐを基板ステージ２Ｐの第１保持部材２０に搬入する。第２搬送部材は、例えば露光後の基板Ｐを基板ステージ２Ｐの第１保持部材２０から搬出する。
【００４３】
上位制御装置ＣＯＮＴは、例えば、デバイス製造システムＳＹＳの各部を以下のように制御する。上位制御装置ＣＯＮＴは、図示しないコーティング装置を制御して、露光前の基板Ｐに感光膜等の薄膜を形成させる。上位制御装置ＣＯＮＴは、搬送システム１０を制御して、感光膜が形成された基板Ｐを第１保持部材２０に搬入させる。上位制御装置ＣＯＮＴは、露光装置ＥＸを制御して、第１保持部材２０に搬入された基板Ｐに対して露光処理を実行させる。上位制御装置ＣＯＮＴは、搬送システム１０を制御して、露光後の基板Ｐを第１保持部材２０から搬出させる。また、上位制御装置ＣＯＮＴは、図示しないデベロッパ装置を制御して、露光後の基板Ｐを現像させる。
【００４４】
上位制御装置ＣＯＮＴは、例えばオペレータ（作業者）の指令に基づいて、上述のような制御を行う。また、本実施形態において、上位制御装置ＣＯＮＴは、例えばオペレータから入力されたデータを、適宜、シミュレータＳＹＭに供給する。
【００４５】
本実施形態において、シミュレータＳＹＭは、上位制御装置ＣＯＮＴから供給（入力）された入力データを適宜用いて、基板Ｐの移動に関する移動情報を算出する。シミュレータＳＹＭは、例えば、基板Ｐを保持して移動する基板ステージ２Ｐの移動情報を算出する。基板ステージ２Ｐの移動情報は、基板ステージ２Ｐの各時刻の位置（座標）を示す位置情報、基板ステージ２Ｐの各時刻の速度を示す速度情報と、基板ステージ２Ｐの各時刻の加速度を示す加速度情報の少なくとも１つを含む。
【００４６】
本実施形態において、シミュレータＳＹＭは、算出した移動情報の少なくとも一部を、上位制御装置ＣＯＮＴに供給（出力）する。上位制御装置ＣＯＮＴは、シミュレータＳＹＭから供給された移動情報を、露光装置ＥＸの制御装置４に供給する。露光装置ＥＸは、シミュレータＳＹＭから上位制御装置ＣＯＮＴを介して供給された移動情報に従って、基板ステージ２Ｐを制御する。
【００４７】
図２は、本実施形態に係る液浸部材３の一例を示す側断面図である。本実施形態の液浸部材３は、露光光ＥＬの光路の少なくとも一部が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成可能である。本実施形態において、液浸部材３は、投影光学系ＰＬの終端光学素子１３の周囲の少なくとも一部に配置される。本実施形態において、液浸部材３は、環状の部材である。液浸部材３の一部は、終端光学素子１３の周囲に配置され、液浸部材３の一部は、射出面１２から射出される露光光ＥＬの光路の周囲に配置される。
【００４８】
液浸空間ＬＳは、射出面１２から射出される露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように形成される。射出面１２から射出される露光光ＥＬは、−Ｚ方向に進行する。射出面１２は、露光光ＥＬの進行方向（−Ｚ方向）を向く。本実施形態において、射出面１２は、ＸＹ平面とほぼ平行な平面である。なお、射出面１２がＸＹ平面に対して傾斜していてもよいし、曲面を含んでもよい。
【００４９】
液浸部材３は、少なくとも一部が−Ｚ方向を向く下面３０を有する。本実施形態において、射出面１２および下面３０は、射出面１２から射出される露光光ＥＬが照射可能な位置（投影領域ＰＲ）に配置される物体との間で液体ＬＱを保持することができる。液浸空間ＬＳは、射出面１２および下面３０の少なくとも一部と投影領域ＰＲに配置される物体との間に保持された液体ＬＱによって形成される。液浸部材３は、終端光学素子１３と物体との間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように物体との間で液体ＬＱを保持可能である。
【００５０】
本実施形態においては、基板Ｐに露光光ＥＬが照射されているとき、投影領域ＰＲを含む基板Ｐの表面の一部の領域が液体ＬＱで覆われるように液浸空間ＬＳが形成される。基板Ｐの露光時において、液浸部材３は、終端光学素子１３と基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように基板Ｐとの間で液体ＬＱを保持可能である。液体ＬＱの界面（メニスカス、エッジ）ＬＧの少なくとも一部は、液浸部材３の下面３０と基板Ｐの表面との間に形成される。すなわち、本実施形態の露光装置ＥＸは、局所液浸方式を採用する。
【００５１】
本実施形態において、液浸部材３は、少なくとも一部が終端光学素子１３と基板Ｐ（物体）との間に配置されるプレート部３１と、少なくとも一部が終端光学素子１３の周囲に配置される本体部３２とを含む。プレート部３１は、射出面１２と対向する位置に孔（開口）３Ｋを有する。射出面１２から射出された露光光ＥＬは、孔３Ｋを通過して、基板Ｐに照射可能である。
【００５２】
また、液浸部材３は、液体ＬＱを供給可能な供給口３３と、液体ＬＱを回収可能な回収口３４とを有する。供給口３３は、例えば基板Ｐの露光時において液体ＬＱを供給する。
回収口３４は、例えば基板Ｐの露光時において液体ＬＱを回収する。
【００５３】
供給口３３は、射出面１２から射出される露光光ＥＬの光路の近傍において、その光路に面するように配置されている。本実施形態において、供給口３３は、プレート部３１の上面と射出面１２との間の空間に液体ＬＱを供給する。供給口３３から供給された液体ＬＱは、プレート部３１の上面と射出面１２との間の空間を流れた後、孔３Ｋを介して、基板Ｐ（物体）上に供給される。
【００５４】
供給口３３は、清浄で温度調整された液体ＬＱを送出可能な液体供給装置と接続されている。供給口３３は、少なくとも基板Ｐの露光において、液体ＬＱを供給する。
【００５５】
回収口３４は、液浸部材３の下面３０と対向する物体上の液体ＬＱの少なくとも一部を回収可能である。回収口３４は、露光光ＥＬが通過する孔３Ｋの下端の周囲の少なくとも一部に配置される。本実施形態においては、回収口３４は、プレート部３１の下面の周囲の少なくとも一部に配置される。回収口３４は、物体の表面と対向する液浸部材３の所定位置に配置されている。少なくとも基板Ｐの露光において、回収口３４に基板Ｐが対向する。基板Ｐの露光において、回収口３４は、基板Ｐ上の液体ＬＱを回収する。
【００５６】
本実施形態において、本体部３２は、基板Ｐ（物体）に面する開口３Ｐを有する。開口３Ｐは、プレート部３１の下面の周囲の少なくとも一部に配置される。本実施形態において、液浸部材３は、開口３Ｐに配置された多孔部材３５を有する。本実施形態において、多孔部材３５は、複数の孔(openingsあるいはpores)を含むプレート状の部材である。なお、開口３Ｐに、網目状に多数の小さい孔が形成された多孔部材であるメッシュフィルタが配置されてもよい。
【００５７】
本実施形態において、多孔部材３５は、上面３５ａと、下面３５ｂと、上面３５ａと下面３５ｂとを結ぶ複数の孔とを有する。多孔部材３５の下面３５ｂは、基板Ｐ（物体）が対向可能であり、上面３５ａの反対を向いている。多孔部材３５の下面３５ｂは、プレート部３１の下面３１ｂの周囲の少なくとも一部に配置される。
【００５８】
本実施形態において、液浸部材３の下面３０は、プレート部３１の下面３１ｂおよび多孔部材３５の下面３５ｂを含む。液浸空間ＬＳは、露光の少なくとも一部において、液浸部材３の下面３０と接触する。また、液浸空間ＬＳは、露光の少なくとも一部において、多孔部材３５の下面３５ｂと接触する。
【００５９】
本実施形態において、回収口３４は、多孔部材３５の孔を含む。本実施形態において、基板Ｐ（物体）上の液体ＬＱは、多孔部材３５の孔（回収口３４）を介して回収される。
なお、多孔部材３５が配置されなくてもよい。
【００６０】
回収口３４は、液体回収装置と接続される。液体回収装置は、回収口３４を真空システムに接続可能であり、回収口３４を介して液体ＬＱを吸引可能である。回収口３４から回収された液体ＬＱは、液体回収装置に回収される。
【００６１】
本実施形態において、制御装置４は、供給口３３からの液体ＬＱの供給動作と並行して、回収口３４からの液体ＬＱの回収動作を実行することによって、終端光学素子１３および液浸部材３と、基板Ｐとの間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳを形成可能である。
【００６２】
なお、液浸部材３として、例えば米国特許出願公開第２００７／０１３２９７６号明細書、欧州特許出願公開第１７６８１７０号明細書に開示されているような液浸部材（ノズル部材）を用いることができる。
【００６３】
図３は、本実施形態の第１保持部材２０（基板ステージ２Ｐ）に保持された基板Ｐおよび液浸空間ＬＳの一例を示す図である。図３において、液浸空間ＬＳは、説明の便宜上、ＸＹ面に射影した液浸空間ＬＳの形状が円形状であるように模式的に図示されているが、液浸空間ＬＳの形状に限定はない。
【００６４】
本実施形態において、基板Ｐ上の露光対象領域であるショット領域Ｓは、マトリクス状に複数配置されている。制御装置４は、基板ステージ２Ｐに保持された基板Ｐと投影領域ＰＲとを相対移動させながら、基板Ｐ上に定められた複数のショット領域Ｓを順次露光する。
【００６５】
本実施形態の露光装置ＥＸでは、基板Ｐのショット領域Ｓを露光するとき、図２に示した終端光学素子１３及び液浸部材３と基板Ｐとが対向され、終端光学素子１３と基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳが形成される。
【００６６】
本実施形態において、基板Ｐの複数のショット領域Ｓを順次露光するとき、終端光学素子１３及び液浸部材３を含む第１部と、第１部に対向する基板Ｐとの間に液浸空間ＬＳが形成されている状態で、基板ステージ２ＰがＸＹ平面内において移動される。制御装置４は、液浸空間ＬＳが形成されている状態で、基板ステージ２Ｐを移動しながら、基板Ｐの露光を実行する。
【００６７】
本実施形態において、制御装置４は、基板Ｐ上の複数のショット領域Ｓのうち最初のショット領域Ｓを露光するために、このショット領域Ｓを露光開始位置に移動する。制御装置４は、液浸空間ＬＳが形成された状態で、最初のショット領域Ｓを投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲに対してＹ軸方向に移動しながら、最初のショット領域Ｓに対して露光光ＥＬを照射する。
【００６８】
本実施形態において、制御装置４は、最初のショット領域Ｓの露光が終了した後、次のショット領域Ｓを露光するために、液浸空間ＬＳが形成された状態で、基板ＰをＸ軸方向（あるいはＸＹ平面内においてＸ軸方向に対して傾斜する方向）に移動し、次のショット領域Ｓを露光開始位置に移動する。制御装置４は、最初のショット領域Ｓと同様に次のショット領域Ｓを露光する。
【００６９】
本実施形態において、露光装置ＥＸは、第１行Ｌ１のショット領域Ｓを露光し、次に第２行Ｌ２のショット領域Ｓを順次露光する。各行のショット領域Ｓは、例えば、Ｘ軸方向に並ぶ複数のショット領域Ｓを含む。露光装置ＥＸは、各ショット領域Ｓの露光中に、投影領域ＰＲと基板ステージ２ＰとをＹ軸方向に相対移動させるスキャン動作を行う。本実施形態において、スキャン動作しながら露光することを、適宜、スキャン露光動作という。
【００７０】
また、露光装置ＥＸは、ショット領域Ｓの露光終了後に、次のショット領域Ｓの露光開始位置に投影領域ＰＲを配置するための移動（ステッピング動作）を行う。露光装置ＥＸは、スキャン動作とステッピング動作を交互に繰り返し行うことによって、各行のショット領域Ｓを露光する。
【００７１】
本実施形態において、制御装置４は、投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲと基板Ｐとが、図３中に矢印Ｒ１で示す移動軌跡（経路）に沿って相対的に移動するように基板ステージ２Ｐを移動しつつ投影領域ＰＲに露光光ＥＬを照射して、液体ＬＱを介して基板Ｐの複数のショット領域Ｓを露光光ＥＬで順次露光する。本実施形態において、図１に示したシミュレータＳＹＭは、基板ステージ２Ｐの移動を制御するための移動情報を上位制御装置ＣＯＮＴに供給する。上位制御装置ＣＯＮＴは、シミュレータＳＹＭから供給された移動情報を、露光装置ＥＸの制御装置４に供給する。本実施形態において、露光装置ＥＸは、上位制御装置ＣＯＮＴから供給された移動情報に基づいて、基板Ｐの各ショット領域を露光するときの基板ステージ２Ｐの移動または移動軌跡（経路）を制御する。
【００７２】
ところで、基板Ｐ（基板ステージ２Ｐ）の相対移動の速さ（速度の絶対値）は、基板Ｐが第１保持部材２０にロードされてから第１保持部材２０からアンロードされるまでの間に、変化することがありえる。基板Ｐの速さが変化すると、液浸空間ＬＳの状態が変化して、液浸空間ＬＳにパーティクル等の異物が混入することがありえる。
【００７３】
例えば、基板Ｐの速さが変化すると、液浸部材３の下面３０において液浸空間ＬＳと接触する領域が変化することがありえる。例えば液浸部材３の下面３０に異物が付着している場合、液浸部材３の下面３０のうち液浸空間ＬＳと接触する領域が変化することにより、この異物が液浸空間ＬＳに混入することがある。このような現象は、液浸部材３に対して液浸空間ＬＳが形成される領域を拘束する機構を設けた場合でも発生しうる。液浸空間ＬＳに異物が混入すると、この異物が基板Ｐに付着して露光不良が発生する可能性がある。
【００７４】
本実施形態において、シミュレータＳＹＭは、液浸空間ＬＳへの異物の混入が抑制されるように、あるいは液浸空間ＬＳに混入した異物が基板Ｐに付着しないように、基板Ｐの移動に関する移動情報を算出する。
【００７５】
本実施形態において、液浸空間ＬＳは、基板Ｐに対向する液浸部材３の下面３０に接するように形成される。液浸部材３のうち、基板Ｐが所定の速さとなるまでに移動する際に液浸部材３と接触する第１領域は、基板Ｐが所定の速さで移動する際に液浸部材３と接触する第２領域と変化する。このような第２領域のうち第１領域と重複しない領域にパーティクル等の異物が付着していると、液浸空間ＬＳにパーティクルが混入する可能性がある。本実施形態において、シミュレータＳＹＭは、上述のような第１領域のうち第２領域と重複しない領域に接触した部分の液浸空間ＬＳが基板の外側に配置されるように、基板Ｐの移動に関する移動情報を算出する。
【００７６】
図４は、本実施形態のシミュレータＳＹＭの機能構成を示すブロック図である。本実施形態において、シミュレータＳＹＭの機能部は、入力部４０、情報格納部４１、演算部４２、及び出力部４３を含む。
【００７７】
本実施形態において、シミュレータＳＹＭの各種の機能部は、以下のような機能を有する。入力部４０は、シミュレータＳＹＭの外部からの情報（入力データ）の入力を受け付け、入力データを適宜、情報格納部４１に格納する。情報格納部４１は、シミュレータＳＹＭの外部から入力された情報、演算部４２が算出した情報等を格納する。演算部４２は、情報格納部４１に格納されている情報を適宜用いて、各種の情報を算出する。出力部４３は、情報格納部４１に格納されている各種の情報の少なくとも一部をシミュレータＳＹＭの外部に出力する。
【００７８】
本実施形態において、入力データは、基板Ｐにおけるショット領域Ｓの配置（分布）を示すショットマップ情報を含む。ショットマップ情報は、例えば、複数のショット領域Ｓのそれぞれの位置（座標）と寸法の一方又は双方を含む。
【００７９】
また、本実施形態において、入力データは、露光装置ＥＸによる基板Ｐのスキャン条件情報を含む。スキャン条件情報は、各ショット領域Ｓのスキャン動作中の基板ステージ２Ｐの移動速度（スキャン速度）と、各ショット領域Ｓのスキャン動作中の基板ステージ２Ｐの移動方向（スキャン方向）と、スキャン動作中の基板ステージ２Ｐの移動の向き（スキャンの向き）と、のうち少なくとも１つを含む。
【００８０】
上述のような入力データは、例えばオペレータからシミュレータＳＹＭに入力されるが、その少なくとも一部がオペレータから入力されなくてもよい。例えば、シミュレータＳＹＭは、情報の算出に必要とされるデータの初期値（デフォルト値）を情報格納部４１に保持しておいもよく、適宜、初期値を入力データに置き換えてもよい。この場合に、シミュレータＳＹＭは、外部から入力されなかった項目のデータとして、初期値を用いることができる。このような初期値は、上位制御装置ＣＯＮＴに保持されていてもよく、上位制御装置ＣＯＮＴからシミュレータＳＹＭに供給されてもよい。また、入力部は、シミュレータＳＹＭにデータが入力されない場合等に、省略可能である。
【００８１】
本実施形態において、情報格納部４１は、入力データの少なくとも一部を格納する。情報格納部４１の機能部は、入力部４０に入力されたショットマップ情報を格納する第１ショットマップ情報格納部４５と、演算部４２が情報を算出する上で必要とされる計算条件を示す計算条件情報を格納する計算条件情報格納部４６を含む。計算条件情報は、例えば、スキャン条件情報を含む。
【００８２】
また、本実施形態の情報格納部４１は、演算部４２による演算結果を示す情報を格納する。本実施形態の情報格納部４１の機能部は、第１移動情報格納部４７、領域情報格納部４８、第２ショットマップ情報格納部４９、及び第２移動情報格納部５０を備える。これら情報格納部４１の機能部が格納する情報については、後述する。
【００８３】
本実施形態において、演算部４２の機能部は、第１移動情報算出部５１、領域情報算出部５２、ダミーショット領域設定部５３、及び第２移動情報算出部５４を備える。
【００８４】
次に、図５〜１１に示す基板ステージ２Ｐの移動の例を参照しつつ、演算部４２の各機能部について説明する。図５〜図１１の各図には、投影領域ＰＲと基板Ｐ（基板ステージ２Ｐ）の相対移動の移動軌跡が図示されている。この移動軌跡は、例えば投影領域ＰＲの中心が基板ステージ２Ｐの相対移動により基板Ｐ上に描く軌跡であり、液浸空間ＬＳと基板Ｐとの相対移動の移動軌跡に対応する。図５〜図１１の各図において、符号Ｔｒ１は、第１の移動情報による第１移動軌跡を示し、符号Ｔｒ２は、第２の移動情報による第２移動軌跡を示す。
【００８５】
本実施形態において、第１移動情報算出部５１は、第１ショットマップ情報と計算条件情報とに基づいて、基板Ｐの移動に関する第１の移動情報を算出する。本実施形態において、第１移動情報算出部５１は、基板Ｐを保持した基板ステージ２Ｐの移動を制御するための第１の移動情報を算出する。本実施形態において、第１の移動情報は、例えば基板Ｐが配置された基板ステージ２Ｐの位置情報、速度情報、加速度情報および移動方向に関する情報の少なくとも１つを含む。
【００８６】
第１移動情報算出部５１は、例えば、基板ステージ２Ｐの動作条件、及び計算条件情報に規定された計算条件を満たすように、第１の移動情報を算出する。基板ステージ２Ｐの動作条件は、例えば、基板ステージ２Ｐの移動範囲、移動速度の範囲、及び移動加速度の範囲の少なくとも１つを含む。基板ステージ２Ｐの移動速度は、例えば、速さ（速度の絶対値）、及び移動の方向で表されてもよい。第１移動情報算出部５１は、算出した第１の移動情報を第１移動情報格納部４７に格納する。
【００８７】
第１移動情報算出部５１は、例えば、１枚の基板が基板ステージ２Ｐにロードされてからアンロードされるまでの処理時間が最小になるように、第１の移動情報を算出する。第１移動情報算出部５１は、例えば、スループットが最大化されるように、第１の移動情報を算出する。第１移動情報算出部５１は、適宜マージンを考慮した上で、上記の処理時間が最小になるように、又はスループットが最大化されるように、第１の移動情報を算出することもできる。
【００８８】
図５は、基板Ｐ上の最初のショット領域Ｓ１と次のショット領域Ｓ２を露光する際の基板ステージ２Ｐの移動の第１の例を示す図である。基板ステージ２Ｐは、第１の移動情報が示す第１移動軌跡Ｔｒ１に従うと、投影領域ＰＲがショット領域Ｓ１の露光開始位置に配置されるように第１移動ＭＶ１を行う。
【００８９】
本実施形態において、基板ステージ２Ｐは、第１移動ＭＶ１の少なくとも一部において、例えば速さが変化する。基板ステージ２Ｐは、第１移動ＭＶ１において、ショット領域Ｓ１の露光開始位置の付近（手前）における所定の位置にショット領域Ｓ１を配置するために移動した後に、所定の位置で停止する。また、基板ステージ２Ｐは、第１移動ＭＶ１において、露光開始位置で所定の速さになるように、所定の位置から露光開始位置まで速度調整（加速）を行うために移動する。
【００９０】
本実施形態において、基板ステージ２Ｐは、第１移動軌跡Ｔｒ１に従うと、第１移動ＭＶ１の後に第１移動ＭＶ１とは異なる速さの第２移動ＭＶ２を行う。基板ステージ２Ｐは、第２移動ＭＶ２において、１行のショット領域Ｓを露光するためのスキャン動作及びステッピング動作を行う。すなわち、基板ステージ２Ｐは、ショット領域Ｓ１に対するスキャン動作と、ショット領域Ｓ１からショット領域Ｓ２へのステッピング動作、及びショット領域Ｓ２に対するスキャン動作等を行う。本実施形態において、基板ステージ２Ｐは、ほぼ一定の速さで第２移動ＭＶ２を行う。
【００９１】
本実施形態において、領域情報算出部５２は、液浸空間ＬＳと接している基板Ｐの相対移動の速さが変化する移動を検出する。例えば、図５に示す例において、第１移動ＭＶ１は、その少なくとも一部において第２移動ＭＶ２とは速さが異なる。本実施形態において、領域情報算出部５２は、第２移動ＭＶ２における経路に隣接する経路のうち第２移動ＭＶ２と異なる速さで移動する経路（領域）を検出する。領域情報算出部５２は、例えば、第１移動ＭＶ１において速さが極値となる位置のうち第２移動ＭＶ２の経路に最も近い位置を検出する。第１移動ＭＶ１において速さが極値となる位置は、例えば、基板ステージ２Ｐが停止する位置である。領域情報算出部５２は、検出した位置（領域）を示す領域情報を領域情報格納部４８に格納する。
【００９２】
本実施形態において、ダミーショット領域設定部５３は、基板Ｐを保持した基板ステージ２Ｐの速さが変化した後、基板ステージ２Ｐの移動の向きを反転させないで液浸空間ＬＳを基板Ｐの外周の外側に配置するように、液浸空間ＬＳが通過するダミーショット領域ＤＳ（図５参照）を設定する。
【００９３】
本実施形態において、ダミーショット領域ＤＳが投影領域ＰＲを通過するときの基板ステージ２Ｐの移動条件は、ショット領域Ｓが投影領域ＰＲを通過するときの基板ステージ２Ｐの移動条件とほぼ同じである。本実施形態において、ダミーショット領域ＤＳが投影領域ＰＲを通過する際に、図１に示したマスクステージ１は、マスクＭを保持して基板ステージ２Ｐにあわせて移動する。すなわち、ダミーショット領域ＤＳが投影領域ＰＲを通過する際の露光装置ＥＸの動作は、ショット領域Ｓに露光光ＥＬを照射しないでスキャン動作する際の露光装置ＥＸの動作に相当する。
【００９４】
本実施形態においてダミーショット領域ＤＳは、露光されない領域を含む。例えば、ダミーショット領域ＤＳは、基板ステージ２Ｐに保持されている基板Ｐの周囲に配置される部材上の領域を含み、例えばカバー部材２１上に設定される。また、ダミーショット領域ＤＳは、基板ステージ２Ｐに保持されている基板Ｐのエッジ部を含んでいてもよい。基板Ｐのエッジ部は、基板Ｐのうちデバイスにならない領域を含む。例えば、基板Ｐのエッジ部は、例えば基板Ｐの外周とベベル領域の一方又は双方を含む。
【００９５】
本実施形態において、ダミーショット領域ＤＳの少なくとも１つは、ショット領域Ｓと同じ寸法である。ダミーショット領域ＤＳの少なくとも１つは、Ｘ軸方向とＹ軸方向の一方又は双方においてショット領域Ｓと異なる寸法であってもよい。
【００９６】
本実施形態において、ダミーショット領域設定部５３は、基板ステージ２Ｐに保持されている基板Ｐの周囲（基板Ｐの外周の外側）を含む領域に、ダミーショット領域ＤＳを設定する。ダミーショット領域設定部５３は、ダミーショット領域ＤＳが投影領域ＰＲを通るように基板ステージ２Ｐが移動する際に、液浸空間ＬＳの相対移動の向きが反転するように、ダミーショット領域ＤＳを設定する。
【００９７】
本実施形態において、ダミーショット領域設定部５３は、複数のダミーショット領域ＤＳ（ダミーショット領域ＤＳ１、ＤＳ２）を設定する。ダミーショット領域ＤＳ２は、例えば、ショット領域Ｓ１のスキャン方向（Ｙ軸方向）に交差する方向（Ｘ軸方向）の位置がダミーショット領域ＤＳ１とずれるように、設定される。ダミーショット領域ＤＳ２は、ダミーショット領域ＤＳ１よりもショット領域Ｓ１の近くに配置される。
【００９８】
本実施形態において、ダミーショット領域設定部５３は、ショット領域Ｓとダミーショット領域ＤＳとの配列において各領域が投影領域ＰＲを通過する順番（通過順）を設定する。ダミーショット領域設定部５３は、例えば、ダミーショット領域ＤＳ１の次にダミーショット領域ＤＳ２が投影領域ＰＲを通過するように、通過順を設定する。また、ダミーショット領域設定部５３は、ダミーショット領域ＤＳ２の次にショット領域Ｓ１が投影領域ＰＲを通過するように、通過順を設定する。
【００９９】
本実施形態において、ダミーショット領域設定部５３は、ショット領域Ｓとダミーショット領域ＤＳとの配列において各領域と投影領域ＰＲとの相対移動の向き（スキャンの向き）を設定する。例えば、ショット領域Ｓ１のスキャンの向きが予め設定されている場合（例えば、−Ｙ側向き）に、ダミーショット領域設定部５３は、ショット領域Ｓ１が予め設定された向きにスキャンされるように、各領域のスキャンの向きを設定する。
【０１００】
本実施形態において、ダミーショット領域設定部５３は、ダミーショット領域ＤＳ１とダミーショット領域ＤＳ２でスキャンの向きが逆になるように、スキャンの向きを設定する。例えば、ダミーショット領域設定部５３は、ダミーショット領域ＤＳ１のスキャンの向きをショット領域Ｓ１のスキャンの向き（例えば、−Ｙ向き）と同じに設定し、ダミーショット領域ＤＳ２のスキャンの向きをショット領域Ｓ１のスキャンの向きの反対（例えば、＋Ｙ向き）に設定する。
【０１０１】
ところで、ダミーショット領域ＤＳをいずれの位置（領域）に設定するかについては、自由度がある。本実施形態において、ダミーショット領域設定部５３は、ダミーショット領域ＤＳの位置に応じた基板ステージ２Ｐの経路長の違いに基づいて、ダミーショット領域ＤＳを設定する。例えば、ダミーショット領域設定部５３は、ダミーショット領域ＤＳの配置を異ならせた際の基板ステージ２Ｐの経路長の変化幅において、経路長が相対的に短くなるようなダミーショット領域ＤＳを設定する。例えば、ダミーショット領域設定部５３は、ダミーショット領域ＤＳが投影領域ＰＲを通過する経路（軌跡）のうち第１移動軌跡Ｔｒ１から外れた軌跡の長さ（経路長）が最短となるように、ダミーショット領域ＤＳを設定する。
【０１０２】
本実施形態において、ダミーショット領域設定部５３は、ダミーショット領域ＤＳを設定したときの移動情報を、適宜、第１移動情報算出部５１と第２移動情報算出部５４の一方または双方に算出させながら、上述のようにダミーショット領域ＤＳを設定する。例えば、ダミーショット領域設定部５３は、ダミーショット領域ＤＳを変更しながら移動軌跡を算出させ、経路長を短くするようにダミーショット領域ＤＳを設定することができる。
【０１０３】
また、ダミーショット領域設定部５３は、情報格納部４１に格納されている情報を適宜用いて、ダミーショット領域ＤＳを設定する。ダミーショット領域ＤＳは、第１ショットマップ情報が示すショット領域Ｓの分布と、設定したダミーショット領域ＤＳの分布と、を含む第２ショットマップ情報を生成する。ダミーショット領域ＤＳは、生成した第２ショットマップ情報を、第２ショットマップ情報格納部４９に格納する。
【０１０４】
本実施形態において、第２移動情報算出部５４は、第２ショットマップ情報格納部４９に格納されている第２ショットマップ情報と、計算条件情報格納部４６に格納されている計算条件情報に基づいて、基板Ｐの移動に関する第２移動情報を算出する。第２移動情報算出部５４は、第２ショットマップ情報に規定されたショット領域Ｓとダミーショット領域ＤＳとが投影領域ＰＲを通過するように、基板ステージ２Ｐの移動を示す第２移動情報を算出する。
【０１０５】
本実施形態において、基板ステージ２Ｐは、図５に示す第２移動情報の第２移動軌跡Ｔｒ２に従うと、第１移動軌跡Ｔｒ１における第１移動ＭＶ１の経路から離れて投影領域ＰＲが相対移動するように、第３移動ＭＶ３を行う。基板ステージ２Ｐは、第１移動軌跡Ｔｒ１から離れた後に、液浸空間ＬＳの相対移動の向きが反転しないでダミーショット領域ＤＳ１が投影領域ＰＲを通過するように、第３移動ＭＶ３を行う。
【０１０６】
本実施形態において、基板ステージ２Ｐは、ダミーショット領域ＤＳ１が投影領域ＰＲを通過してからダミーショット領域ＤＳ２が投影領域ＰＲに到達するまでの間に、液浸空間ＬＳの相対移動の向きが−Ｙ向きから＋Ｙ向きに反転するように、第３移動ＭＶ３を行う。
【０１０７】
本実施形態において、基板ステージ２Ｐは、ダミーショット領域ＤＳ２が投影領域ＰＲを通過した後に、ショット領域Ｓ１の露光開始位置が投影領域ＰＲに向かうように、第３移動ＭＶ３を行う。本実施形態において、基板ステージ２Ｐは、第３移動ＭＶ３に続いて、第１移動軌跡Ｔｒ１の第２移動ＭＶ２と同様に、移動を行う。
【０１０８】
このように、第２移動情報が示す第２移動軌跡Ｔｒ２における第３移動ＭＶ３の経路は、第１移動情報が示す第１移動軌跡Ｔｒ１と比較して、第２移動ＭＶ２の経路に至るまでの経路の少なくとも一部が異なる。
【０１０９】
本実施形態において、第２移動情報算出部５４は、上述のような第２移動情報を算出し、算出した第２移動情報を第２移動情報格納部５０に格納する。
【０１１０】
本実施形態において、出力部４３は、情報格納部４１に格納されている各種の情報の少なくとも一部をシミュレータＳＹＭの外部に出力する。
【０１１１】
本実施形態において、露光装置ＥＸは、シミュレータＳＹＭから第２移動情報を取得し、基板Ｐを保持している基板ステージ２Ｐを第２移動情報に従って制御する。このようにして、基板ステージ２Ｐは、図５に示したように、基板Ｐと液浸空間ＬＳとの相対移動の速さが第１移動ＭＶ１において変化するのに続いて、第３移動ＭＶ３において液浸空間ＬＳの相対移動の向きが基板Ｐの周囲において反転するように、基板Ｐを保持して移動する。露光装置ＥＸは、基板ステージ２Ｐが第３移動ＭＶ３の後の第２移動ＭＶ２を行う際に、ショット領域Ｓを露光する。そのため、第２移動ＭＶ２よりも前に液浸空間ＬＳに異物が混入した場合に、この異物の少なくとも一部は、例えば基板Ｐの外側に付着することによって、基板Ｐに異物が付着することが抑制される。結果として、露光不良の発生が抑制され、例えば不良デバイスの発生が抑制される。なお、基板Ｐの外側に付着した異物の少なくとも一部は、例えば、この異物上を液浸空間ＬＳが通った際に回収口３４を介して回収（除去）可能である。
【０１１２】
次に、図６〜図９を参照しつつ、基板ステージ２Ｐの移動の第２の例について説明する。第２の例において、基板ステージ２Ｐは、基板Ｐのエッジ部Ｐｅを露光する際の移動を行う。本実施形態において、エッジ部Ｐｅを含み露光される領域を、適宜、エッジショット領域ＥＳと称する。エッジショット領域ＥＳは、その全域がデバイスにならない場合もあるし、その一部がデバイスになる場合もある。
【０１１３】
図６及び図７に示すように、基板ステージ２Ｐは、第１移動軌跡Ｔｒ１に従うと、第１行Ｌ１のショット領域Ｓを露光するための第１移動ＭＶ１を行った後に、第１行Ｌ１の次の第２行Ｌ２のショット領域Ｓを露光するための第２移動ＭＶ２を行う。本例において、第１行Ｌ１のショット領域Ｓは、いずれも基板Ｐのエッジ部Ｐｅを含むエッジショット領域ＥＳである。本例において、第２行Ｌ２のショット領域Ｓの少なくとも１つは、エッジ部Ｐｅを含まないショット領域Ｓである。
【０１１４】
本例において、第１行のエッジショット領域ＥＳは、基板Ｐの周囲（例えば、カバー部材２１）と基板Ｐにおいてデバイスにならない部分の一方または双方に対する露光を省くように設定されている。第１行のエッジショット領域ＥＳは、エッジ部Ｐｅを含まないショット領域Ｓよりもスキャン方向（Ｙ軸方向）の寸法が短く設定されている。
【０１１５】
本例において、第１行のエッジショット領域ＥＳを露光する際の基板ステージ２Ｐの相対移動の速さ（第１速さ）は、エッジ部Ｐｅを含まないショット領域Ｓを露光する際の基板ステージ２Ｐの相対移動の速さ（第２速さ）と異なっている。本例において、基板ステージ２Ｐは、第１移動ＭＶ１の少なくとも一部を第１速さで行った後、第２移動ＭＶ２を第２速さで行う。第１移動ＭＶ１の少なくとも一部において、基板ステージ２Ｐは、第１速さから第２速さへ変更するように移動する。例えば、基板ステージ２Ｐは、第１移動ＭＶ１において、第１速さで移動した後に停止し、さらに停止した状態から第２速さまで加速するように移動する。
【０１１６】
本例の第１移動ＭＶ１において、基板ステージ２Ｐは、第２行Ｌ２の最初に露光されるショット領域Ｓ１を露光開始位置に配置するために、ショット領域Ｓ１の後に露光されるショット領域Ｓ２が投影領域ＰＲを通過するように、移動する。
【０１１７】
図７に示すように、本例の第２移動ＭＶ２において、基板ステージ２Ｐは、ショット領域Ｓ１に対して投影領域ＰＲが−Ｙ側から＋Ｙ側に相対移動するようにスキャン動作する。また、基板ステージ２Ｐは、ショット領域Ｓ１に対するスキャン動作に続いて、ステッピング動作した後に、ショット領域Ｓ２のスキャンの向きがショット領域Ｓ１とは反対になるようにスキャン動作する。
【０１１８】
本例において、図４に示したシミュレータＳＹＭは、第１の例と同様の手順により、第２移動情報を算出する。シミュレータＳＹＭのダミーショット領域設定部５３は、例えば図８に示すように、複数のダミーショット領域ＤＳ（ダミーショット領域ＤＳ１、ＤＳ２）を設定する。図８に示す例において、ダミーショット領域ＤＳ１、ＤＳ２は、いずれも第２行Ｌ２のショット領域ＳとＸ軸方向に並んで設定されている。
【０１１９】
本例において、基板ステージ２Ｐは、第２移動情報が示す第２移動軌跡Ｔｒ２に従うと、ダミーショット領域ＤＳ１が投影領域ＰＲを通過した後、ダミーショット領域ＤＳ２が投影領域ＰＲを通過し、続いて、ショット領域Ｓ１が投影領域ＰＲを通過するように、第３移動ＭＶ３を行なう。
【０１２０】
本例において、基板ステージ２Ｐは、第１移動ＭＶ１と同様にショット領域Ｓ２を通過した後に、第３移動ＭＶ３において進行方向がほぼ９０°折れ曲がるように進行する。基板ステージ２Ｐは、第３移動ＭＶ３において、ダミーショット領域ＤＳ１が投影領域ＰＲを通過して液浸空間ＬＳのほぼ全域が基板Ｐの周囲に配置されるように、移動する。
基板ステージ２Ｐは、ダミーショット領域ＤＳ１が投影領域ＰＲを通過し終わるまでに、相対移動の速さを第２行Ｌ２のショット領域Ｓにおける露光時とほぼ同じにする。
【０１２１】
また、基板ステージ２Ｐは、第３移動ＭＶ３において、ダミーショット領域ＤＳ１が投影領域ＰＲを通過してから、ダミーショット領域ＤＳ２が投影領域ＰＲに至るまでの間に、液浸空間ＬＳの相対移動の向きが反転するように、移動する。本例においては、第３移動ＭＶ３において液浸空間ＬＳの相対移動の向きが反転してから、液浸空間ＬＳが基板Ｐの外周をまたぐまでの間の一部に、液浸空間ＬＳの移動方向の先端と後端とが基板Ｐの周囲に配置される。基板ステージ２Ｐは、ダミーショット領域ＤＳ２が投影領域ＰＲを通過した後に、図７に示した第２移動ＭＶ２と同様にして、第２行Ｌ２のショット領域Ｓに対するスキャン動作とステッピング動作とを行う。
【０１２２】
本例において、露光装置ＥＸは、シミュレータＳＹＭから第２移動情報を取得し、基板Ｐを保持している基板ステージ２Ｐを第２移動情報に従って制御する。このようにして、基板ステージ２Ｐは、図８に示したように、基板Ｐと液浸空間ＬＳとの相対移動の速さが第１移動ＭＶ１において変化するのに続いて、第３移動ＭＶ３において液浸空間ＬＳの相対移動の向きが基板Ｐの周囲において反転するように、基板Ｐを保持して移動する。そのため、基板Ｐに異物が付着することが抑制され、露光不良の発生が抑制され、例えば不良デバイスの発生が抑制される。
【０１２３】
次に、図９を参照しつつ、基板ステージ２Ｐの移動の第３の例について説明する。第３の例において、第１移動ＭＶ１と第２移動ＭＶ２は、図６及び図７に示した第２の例と同様であるので、その説明を省略あるいは簡略にする。
【０１２４】
本例において、シミュレータＳＹＭのダミーショット領域設定部５３は、複数のダミーショット領域ＤＳ（ダミーショット領域ＤＳ１、ＤＳ２）を設定する。図９に示す例において、ダミーショット領域ＤＳ１は、ショット領域Ｓ１とＹ軸方向に並んでおり、ダミーショット領域ＤＳ２は、ショット領域Ｓ１とＸ軸方向に並んでいる。
【０１２５】
本例において、基板ステージ２Ｐは、第２移動情報が示す第２移動軌跡Ｔｒ２に従うと、ダミーショット領域ＤＳ１が投影領域ＰＲを通過した後、ダミーショット領域ＤＳ２が投影領域ＰＲを通過し、続いて、ショット領域Ｓ１が投影領域ＰＲを通過するように、第３移動ＭＶ３を行なう。
【０１２６】
本例においては、第３移動ＭＶ３において液浸空間ＬＳの相対移動の向きが反転してから、液浸空間ＬＳが基板Ｐの外周をまたぐまでの間の少なくとも一部において、液浸空間ＬＳの移動方向の先端が基板Ｐの内側に配置されるとともに液浸空間ＬＳの移動方向の後端が基板Ｐの周囲に配置される。基板ステージ２Ｐは、第３移動ＭＶ３に続いて、図７に示した第２移動ＭＶ２と同様に第２行Ｌ２のショット領域Ｓに対するスキャン動作とステッピング動作を行う。
【０１２７】
本例において、基板ステージ２Ｐは、第１移動ＭＶ１の終了後からショット領域Ｓ１が露光開始位置に至るまでの間に、第３移動ＭＶ３における基板Ｐの相対移動の速さを第２移動ＭＶ２とほぼ同じにする。例えば、基板ステージ２Ｐは、ダミーショット領域ＤＳ１が投影領域ＰＲを通過した後、ダミーショット領域ＤＳ２が投影領域ＰＲに至る前に、停止する。また、基板ステージ２Ｐは、停止した状態からダミーショット領域ＤＳ２が投影領域ＰＲを通過し終わるまでに、第３移動ＭＶ３における基板Ｐの相対移動の速さを第２移動ＭＶ２とほぼ同じにする。
【０１２８】
本例において、基板ステージ２Ｐは、ダミーショット領域ＤＳ２が投影領域ＰＲを通過した後、ショット領域Ｓ１が露光開始位置に至るまでの間に、液浸空間ＬＳの相対移動の向きが反転するように、移動する。本例において、液浸空間ＬＳの相対移動の向きが反転する際に、液浸空間ＬＳの相対移動の後端側（＋Ｙ側）の部分が基板Ｐの周囲に配置される。本例において、液浸空間ＬＳの相対移動の向きが反転してから、液浸空間ＬＳの少なくとも一部が基板Ｐの外周をまたぐまでの間に、液浸空間ＬＳの相対移動の後端側（Ｙ側）の部分は、基板Ｐの外周の外側に配置される。
【０１２９】
本例において、露光装置ＥＸは、シミュレータＳＹＭから第２移動情報を取得し、基板Ｐを保持している基板ステージ２Ｐを第２移動情報に従って制御する。このようにして、基板ステージ２Ｐは、図９に示したように、基板Ｐと液浸空間ＬＳとの相対移動の速さが第１移動ＭＶ１において変化するのに続いて、第３移動ＭＶ３において液浸空間ＬＳの相対移動の向きが基板Ｐの周囲において反転するように、基板Ｐを保持して移動する。そのため、基板Ｐに異物か付着することが抑制され、露光不良の発生が抑制され、例えば不良デバイスの発生が抑制される。
【０１３０】
次に、図１０を参照しつつ、基板ステージ２Ｐの移動の第４の例について説明する。第４の例において、基板ステージ２Ｐは、ショット領域Ｓ１のスキャン動作の終了後に、次のショット領域Ｓ２を露光開始位置に配置するための移動を行う。ショット領域Ｓ２に対するスキャンの向きは、ショット領域Ｓ１に対するスキャンの向きと同じに設定されている。本例において、ショット領域Ｓ２は、ショット領域Ｓ１と異なる行に配置されている。
【０１３１】
本例において、基板ステージ２Ｐは、第１移動軌跡Ｔｒ１に従うと、ショット領域Ｓ１が投影領域ＰＲを通過してショット領域Ｓ２が露光開始位置に至るように、第１移動ＭＶ１を行う。基板ステージ２Ｐは、第１移動ＭＶ１に続いて、ショット領域Ｓ２を露光するための第２移動ＭＶ２を行う。
【０１３２】
本例において、露光装置ＥＸは、ショット領域Ｓ１が投影領域ＰＲを通過してショット領域Ｓ２が露光開始位置に至る間に、マスクＭを保持しているマスクステージ１を、ショット領域Ｓ２を露光するために移動する。この場合に、基板ステージ２Ｐは、第１移動ＭＶ１において、例えばマスクステージ１の移動が完了するまでに、相対移動の速さが変化することがある。例えば、基板ステージ２Ｐは、マスクステージ１の移動が完了するまでに一旦停止し、マスクステージ１の移動が完了した後に第２移動ＭＶ２で所定の速さになるように、移動することがある。
【０１３３】
本例において、図４に示したシミュレータＳＹＭは、第１の例と同様の手順により、第２移動情報を算出する。シミュレータＳＹＭのダミーショット領域設定部５３は、例えば図１０に示すように、ダミーショット領域ＤＳを設定する。本例において、ダミーショット領域ＤＳは、第３移動ＭＶ３の経路の始点よりも終点に近い側に配置されている。
【０１３４】
基板ステージ２Ｐは、第２移動情報が示す第２移動軌跡Ｔｒ２に従うと、ショット領域Ｓ１が投影領域ＰＲを通過した後、第１移動ＭＶ１の経路から離れて第３移動ＭＶ３を行う。基板ステージ２Ｐは、第３移動ＭＶ３において、液浸空間ＬＳの相対移動の向きが反転するように移動した後、ダミーショット領域ＤＳが投影領域ＰＲを通過するように移動する。また、基板ステージ２Ｐは、ダミーショット領域ＤＳが投影領域ＰＲを通過した後において、第１移動ＭＶ１と同様の経路を移動する。また、基板ステージ２Ｐは、ショット領域Ｓ２が露光開始位置に至った後に、ショット領域Ｓ２及びこの行の他のショット領域Ｓを露光するために第２移動ＭＶ２を行う。
【０１３５】
本例において、露光装置ＥＸは、ダミーショット領域ＤＳが投影領域ＰＲを通過する間に、基板ステージ２Ｐと同期してマスクステージ１を移動する。すなわち、ショット領域Ｓ２の露光を開始する際に、マスクステージ１は、ショット領域Ｓ１と位置合わせされている。そのため、基板ステージ２Ｐは、ショット領域Ｓ１が投影領域ＰＲを通過するまでの移動と、ショット領域Ｓ１が投影領域ＰＲを通過してからダミーショット領域ＤＳが投影領域ＰＲを通過し終わるまで移動と、ダミーショット領域ＤＳが投影領域ＰＲを通過してからショット領域Ｓ２が露光開始位置に至るまでの移動とを、それぞれ、スキャン動作と同じ速さで行う。
【０１３６】
本例において、露光装置ＥＸは、シミュレータＳＹＭから第２移動情報を取得し、基板Ｐを保持している基板ステージ２Ｐを第２移動情報に従って制御する。このようにして、基板ステージ２Ｐは、基板Ｐと液浸空間ＬＳとの相対移動の速さがショット領域Ｓ１の露光開始からショット領域Ｓ２の露光終了までの間に変化しないように、移動する。そのため、液浸部材３のうち液浸空間ＬＳが接触する領域が変化しにくくなり、液浸空間ＬＳに異物に混入しにくくなる。結果として、露光不良の発生が抑制され、例えば不良デバイスの発生が抑制される。
【０１３７】
なお、上述の第４の例において、ダミーショット領域ＤＳは、基板Ｐの相対移動の経路長が短くなるように設定されているが、ダミーショット領域ＤＳの配置は上述の例に限定されない。例えば、図１１に示す第５の例のように、ショット領域Ｓは、第３移動ＭＶ３の始点側と終点側のうち始点側に配置されていてもよい。すなわち、シミュレータＳＹＭは、基板Ｐの相対移動の経路長が最短にならないような移動経路を示す移動情報を算出してもよい。
【０１３８】
上述のように、シミュレータＳＹＭは、第１の移動情報が示す液浸空間ＬＳ（投影領域ＰＲ）と基板Ｐ（基板ステージ２Ｐ）との相対移動が所定の条件を満たす場合に、液浸空間ＬＳと基板Ｐとの相対移動の軌跡が第１の移動情報とは異なるように、第２の移動情報を算出する。例えば、上記の所定の条件は、複数の条件を含み、シミュレータＳＹＭは、複数の条件の少なくとも１つを満たす移動に関して、移動軌跡を調整するように第２の移動情報を算出する。
【０１３９】
上記の複数の条件の１つは、例えば、基板Ｐと液浸空間ＬＳとの相対移動の速さが変化する条件である。本実施形態においては、シミュレータＳＹＭは、例えば上述の第１〜第５の例のように、液浸空間ＬＳに接する基板Ｐと液浸空間ＬＳとの相対移動の速さが変化した後に、基板Ｐの外側において液浸空間の相対移動の向きが反転するように、基板Ｐの移動に関する移動情報を算出する。
【０１４０】
例えば、シミュレータＳＹＳは、液浸空間ＬＳに接する基板Ｐと液浸空間ＬＳとの相対移動の速さが変化してから、次のショット領域Ｓが露光開始位置に配置されるまでの期間の少なくとも一部において、基板Ｐの外側において液浸空間の相対移動の向きが反転するように、基板Ｐの移動に関する移動情報を算出する。
【０１４１】
上記の複数の条件の１つは、例えば、液浸空間ＬＳの相対移動の向きが反転するのに続いて、エッジショット領域ＥＳが投影領域ＰＲに配置される条件である。本実施形態においては、シミュレータＳＹＭは、例えば上述の第１〜第５の例のように、液浸空間ＬＳを介して露光される基板Ｐの外周の外側において液浸空間ＬＳの相対移動の向きが反転した後に、基板Ｐのエッジ部を含む次のショット領域Ｓ（所定のショット領域）が露光開始位置に配置されるように、基板Ｐの移動の移動に関する移動情報を算出することもできる。この場合に、シミュレータＳＹＳは、基板Ｐの外周の外側において液浸空間ＬＳの相対移動の向きが反転した後に、基板Ｐの外周の外側と内側の一方または双方において液浸空間ＬＳの相対移動の向きが反転し、その後に次のショット領域Ｓが露光開始位置に配置されるように、移動条件を算出してもよい。
【０１４２】
上記の複数の条件の１つは、例えば、液浸部材３のうち液浸空間ＬＳとの接触面が変化する条件である。この接触面は、例えば液浸部材３の下面３０の一部である。シミュレータＳＹＭは、下面３０に占める接触面の位置（位置関係）の変化に基づいて、算出することもできる。下面３０と接触面との位置関係については、例えば、液浸部材３と基板ステージ２Ｐの相対移動の条件と対応させることができ、基板ステージ２Ｐの相対移動の条件で置き換えることもできる。例えば、液浸部材３と基板ステージ２Ｐの相対移動が所定の条件を満たす場合には、接触面の位置が所定の範囲から外れて、下面３０のうち異物が付着している可能性が相対的に高い領域に接触面が配置されるとすることもできる。また、シミュレータＳＹＭは、液浸部材３と基板ステージ２Ｐの相対移動に基づいて算出された液浸空間ＬＳの動きを示す情報に基づいて、接触面の状態（位置）に応じて移動条件を算出してもよい。液浸空間ＬＳの動きを示す情報は、シミュレータＳＹＭが算出（推定）してもよいし、シミュレータＳＹＭ以外の装置が算出してもよく、また実験等で得られたものでもよい。
【０１４３】
上記の複数の条件の１つは、例えば、２つのショット領域Ｓが連続的に露光される際に、２つのショット領域Ｓのそれぞれに対するマスクＭの位置が変化する条件である。換言すると、上記の複数の条件の１つは、マスクＭ（マスクステージ１）と基板Ｐ（基板ステージ２Ｐ）との相対関係が変化する条件である。例えば、図１０、図１１に示した例において、ショット領域Ｓ１の露光終了時とショット領域Ｓ２の露光開始時とで、マスクステージ１の位置が異なる。このような場合に、シミュレータＳＹＭは、ショット領域Ｓ１に応じたマスクステージ１の移動、及びショット領域Ｓ２に応じたマスクステージ１の移動に基づいて、算出することもできる。
例えば、シミュレータＳＹＭは、ショット領域Ｓ１における露光からショット領域Ｓ２における露光までの間に、ショット領域Ｓ１の露光時と反対の向きに移動するように、移動情報を算出することもできる。例えば、シミュレータＳＹＭは、ショット領域Ｓ１とショット領域Ｓ２との間で、マスクステージ１と基板とが同期するようにダミーショット領域ＤＳを設定し、ダミーショット領域ＤＳを配置可能なように移動情報を算出する。
【０１４４】
なお、基板Ｐの移動は、上記の複数の条件を満たす局所的な移動を複数含むことがありえる。例えば、基板Ｐがロードされてから案ロードされるまでの基板Ｐの移動のうち局所的な移動に着目すると、局所的な移動は、上記の複数の条件のうち第１の条件を満たし、他の局所的な移動は、上記の複数の条件のうち第２の条件を満たすことがある。このような場合に、シミュレータＳＹＭは、所定の条件を満たす複数の局所的な移動の少なくとも１つに関して、移動軌跡を調整するように第２の移動情報を算出してもよい。
【０１４５】
なお、所定の条件を満たす複数の局所的な移動に関して、移動軌跡を調整するように第２の移動情報を算出する場合に、所定のショット領域が複数存在することもありえる。このような場合に、複数の所定のショット領域の少なくとも１つは、上記の複数の条件のうち第１の条件で対象とするショット領域Ｓであって、複数の所定のショット領域の少なくとも１つは、上記の複数の条件のうち第２の条件で対象とするショット領域Ｓであってもよい。
【０１４６】
なお、上記の実施形態において、基板ステージ２Ｐが第１移動ＭＶ１において停止する例を説明したが、基板ステージ２Ｐは、第１移動ＭＶ１と第３移動ＭＶ３の一方または双方において停止しなくてもよい。また、上記の実施形態において、基板ステージ２Ｐの移動軌跡中において、第１移動ＭＶ１から第３移動ＭＶ３の間で速さ（速度）が変化する例を示したが、必ずしも速度が変わる場合に限られず、第１移動ＭＶ１から第３移動ＭＶ３の間で速さがほぼ変わらない場合にも適用可能である。
【０１４７】
なお、上記の実施形態において、基板ステージ２Ｐ（基板Ｐ）の相対移動について第１〜第５の例を説明した。基板ステージ２Ｐは、基板Ｐがロードされてからアンロードされるまでの間に、第１〜第５の例で説明した動作の２種類以上を行ってもよいし、第１〜第５の例で説明した動作の少なくとも１種類を行わなくてもよい。
【０１４８】
なお、上記の実施形態において、ダミーショット領域ＤＳは、ショット領域Ｓと同じ寸法であるが、ショット領域Ｓと異なる寸法でもよい。また、ダミーショット領域ＤＳは、ショット領域Ｓと重なるように設定されてもよいし、他のダミーショット領域ＤＳと重なるように設定されてもよい。例えば、同じ領域に複数のダミーショット領域ＤＳを配置することによって、この領域を、基板ステージ２Ｐによって複数回数スキャン動作させることもできる。また、上記の実施形態において、配置されるダミーショット領域ＤＳの数が複数である例を説明したが、配置されるダミーショット領域ＤＳの数は１つでもよい。
【０１４９】
なお、上記の実施形態において、シミュレータＳＹＭは、その機能の一部が省略または統合されていてもよく、その機能変更に応じて機能部の一部が省略または統合されていてもよい。例えば、シミュレータＳＹＭは、第１の移動情報を算出しなくてもよく、この場合に第１移動情報算出部５１は省略されてもよい。この場合に、シミュレータＳＹＭは、外部から入力された第１の移動情報に基づいて、第２の移動情報を算出してもよい。
【０１５０】
また、シミュレータＳＹＭは、第１の移動情報から第１移動ＭＶ１を検出しなくてもよく、この場合に領域情報算出部５２は省略可能である。例えば、シミュレータＳＹＭは、基板ステージ２Ｐの相対移動の速さが変化するような基板ステージ２Ｐの動作状態を示す情報に基づいて、基板ステージ２Ｐが所定の動作を行う際の移動情報を算出してもよい。例えば、シミュレータＳＹＭは、基板ステージ２Ｐの所定の動作と関連付けられて予め設定された基板ステージ２Ｐの移動を示す設定情報を保持しており、基板ステージ２Ｐの少なくとも一部の所定の動作に、設定情報が示す移動を対応させてもよい。
【０１５１】
また、シミュレータＳＹＭは、ダミーショット領域ＤＳを設定しなくてもよく、この場合にダミーショット領域設定部５３は省略可能である。例えば、シミュレータＳＹＭは、ダミーショット領域ＤＳの少なくとも１つを設定する代わりに、基板Ｐの外側に適宜、目標位置を設定し、この目標位置において液浸空間ＬＳの相対移動の向きが変化するように、移動軌跡を算出してもよい。
【０１５２】
なお、基板ステージ２Ｐの相対移動に伴って液浸空間ＬＳが変形する場合に、シミュレータＳＹＭは、このような液浸空間ＬＳの変形を算出してもよく、この算出結果を用いて移動情報を算出してもよい。また、基板Ｐに対する露光の結果を用いて、移動情報を算出してもよい。例えば、露光された基板Ｐを検査して異物による露光不良を検出し、基板Ｐで異物が付着しやすい領域を示す情報を用いて、移動情報を算出してもよい。
【０１５３】
なお、シミュレータＳＹＭは、算出した情報の少なくとも一部を上位制御装置ＣＯＮＴに供給しているが、上位制御装置ＣＯＮＴに情報を供給しなくてもよい。例えば、シミュレータＳＹＭは、デバイス製造システムＳＹＳとは別に設けられていてもよい。また、シミュレータＳＹＭは、上位制御装置ＣＯＮＴ以外の装置に情報を供給してもよい。例えば、シミュレータＳＹＭは、算出した情報を表示装置等に供給し、表示装置に算出結果を表示させることもできる。
【０１５４】
なお、上位制御装置ＣＯＮＴは、上述したような各部の制御の少なくとも１つを行わなくてもよいし、省略されていてもよい。例えば、デバイス製造システムＳＹＳは、露光装置ＥＸの制御装置４が上位制御装置ＣＯＮＴの機能の少なくとも一部を有し、上位制御装置ＣＯＮＴを備えていなくてもよい。露光装置ＥＸは、上位制御装置ＣＯＮＴを介することなく、シミュレータＳＹＭから情報を取得してよい。また、露光装置ＥＸは、デバイス製造システムＳＹＳとは別の装置であってもよい。
【０１５５】
なお、上述したように、制御装置４は、ＣＰＵ等を含むコンピュータシステムを含む。
また、制御装置４は、コンピュータシステムと外部装置との通信を実行可能なインターフェースを含む。記憶装置５は、例えばＲＡＭ等のメモリ、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭ等の記録媒体を含む。記憶装置５には、コンピュータシステムを制御するオペレーティングシステム（ＯＳ）がインストールされ、露光装置ＥＸを制御するためのプログラムが記憶されている。
【０１５６】
なお、制御装置４に、入力信号を入力可能な入力装置が接続されていてもよい。入力装置は、キーボード、マウス等の入力機器、あるいは外部装置からのデータを入力可能な通信装置等を含む。また、液晶表示ディスプレイ等の表示装置が設けられていてもよい。
【０１５７】
記憶装置５に記録されているプログラムを含む各種情報は、制御装置（コンピュータシステム）４が読み取り可能である。記憶装置５には、制御装置４に、液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する露光装置ＥＸの制御を実行させるプログラムが記録されている。
【０１５８】
記憶装置５に記録されているプログラムは、上述の実施形態に従って、液浸空間ＬＳを介して露光される基板Ｐとこの基板Ｐに接する液浸空間ＬＳとの相対移動の速さが変化した後に、基板Ｐの外側において液浸空間ＬＳの相対移動の向きが反転するように、基板Ｐの移動情報を算出することを、実行させてもよい。
【０１５９】
記憶装置５に記録されているプログラムは、上述の実施形態に従って、液浸空間ＬＳを介して露光される基板Ｐの外周の外側において液浸空間ＬＳの相対移動の向きが反転した後に、基板Ｐのエッジ部を含む所定のショット領域Ｓが露光開始位置に配置されるように、基板Ｐの移動に関する移動情報を算出することを、実行させてもよい。
【０１６０】
記憶装置５に記録されているプログラムは、上述の実施形態に従って、液浸空間ＬＳを介して露光される基板Ｐ上の複数のショット領域Ｓのうちの所定のショット領域Ｓが露光開始位置に配置されるまでの基板Ｐの移動に関する情報を、液浸空間ＬＳを形成するための液浸部材３のうち液浸空間ＬＳとの接触面の変化に基づいて、算出することを実行させてもよい。
【０１６１】
記憶装置５に記録されているプログラムは、上述の実施形態に従って、液浸空間ＬＳを介して露光される基板Ｐ上の複数のショット領域Ｓのうちの所定のショット領域Ｓが露光開始位置に配置されるまでの基板Ｐの移動に関する情報を、基板Ｐと相対移動するマスクＭを保持するマスクステージ１の所定のショット領域Ｓに応じた移動及び所定のショット領域Ｓの１つ前のショット領域Ｓに応じた移動に基づいて、算出することを、実行させてもよい。
【０１６２】
記憶装置５に記憶されているプログラムが制御装置４に読み込まれることにより、基板ステージ２Ｐ、計測ステージ２Ｃ、及び液浸部材３等、露光装置ＥＸの各種の装置が協働して、液浸空間ＬＳが形成された状態で、基板Ｐの液浸露光等、各種の処理を実行する。
【０１６３】
なお、上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬの終端光学素子１３の射出側（像面側）の光路が液体ＬＱで満たされているが、例えば国際公開第２００４／０１９１２８号パンフレットに開示されているように、終端光学素子１３の入射側（物体面側）の光路も液体ＬＱで満たされる投影光学系ＰＬを採用することができる。
【０１６４】
なお、上述の各実施形態においては、液体ＬＱとして水を用いているが、水以外の液体であってもよい。液体ＬＱとしては、露光光ＥＬに対して透過性であり、露光光ＥＬに対して高い屈折率を有し、投影光学系ＰＬあるいは基板Ｐの表面を形成する感光材（フォトレジスト）などの膜に対して安定なものが好ましい。例えば、液体ＬＱとして、ハイドロフロロエーテル（ＨＦＥ）、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）、フォンブリンオイル等を用いることも可能である。また、液体ＬＱとして、種々の流体、例えば、超臨界流体を用いることも可能である。
【０１６５】
なお、上述の各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。
【０１６６】
露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。
【０１６７】
さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
【０１６８】
また、例えば米国特許第６６１１３１６号明細書に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。また、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどにも本発明を適用することができる。
【０１６９】
また、露光装置ＥＸが、例えば米国特許第６３４１００７号、米国特許第６２０８４０７号、および米国特許第６２６２７９６号等に開示されているような、複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置でもよい。例えば、図１２に示すように、露光装置ＥＸが２つの基板ステージ２Ｐａ、２Ｐｂを備えている場合、射出面１２と対向するように配置可能（液浸空間ＬＳを形成可能）な物体は、一方の基板ステージ、その一方の基板ステージに保持された物体、他方の基板ステージ、およびその他方の基板ステージに保持された物体の少なくとも一つを含む。また、第２の基板ステージ２Ｐｂは、第１の基板ステージ２Ｐａの周囲に、第１の基板ステージ２Ｐａと間隙を介して、又は実質的に間隙を有さないで配置されていてもよい。この場合に、液浸空間ＬＳは、第１の基板ステージ２Ｐａ上と第２の基板ステージ２Ｐｂ上とにわたって移動してもよい。なお、２つの基板ステージ２Ｐａ、２Ｐｂの一方又は双方に、図１２に示すように部材１５４が配置されていてもよい。部材１５４は、例えば計測部材と計測器の一方又は双方であってもよい。基板ステージに配置される部材１５４の数は、１つでもよいし、２つ以上でもよい。また、基板ステージ２Ｐａ上に配置される部材１５４は、基板ステージ２Ｐｂ上に配置される部材１５４と同じでもよいし、異なっていてもよい。
【０１７０】
なお、上述の各実施形態において、露光装置ＥＸが、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置でもよい。
【０１７１】
露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【０１７２】
なお、上述の各実施形態においては、例えば各ステージに設けられるスケール（回折格子）を検出するエンコーダシステムを用いて各ステージの位置を計測することとしたが、ステージがエンコーダヘッドを保持しており、このエンコーダヘッドに対向可能な位置にスケールが配置されていてもよい。また、エンコーダシステムがなくてもよい。
【０１７３】
なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６７７８２５７号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク（電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる）を用いてもよい。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。
【０１７４】
上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系ＰＬを用いない露光装置および露光方法に本発明を適用することができる。例えば、レンズ等の光学部材と基板との間に液浸空間を形成し、その光学部材を介して、基板に露光光を照射することができる。
【０１７５】
また、例えば国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって、基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。
【０１７６】
上述の実施形態の露光装置ＥＸは、各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【０１７７】
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図１３に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、上述の実施形態に従って、マスクのパターンからの露光光で基板を露光すること、および露光された基板を現像することを含む基板処理（露光処理）を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。異物除処理（クリーニング処理）は、例えば基板処理ステップ２０４において実行される。
【０１７８】
なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態および変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報および米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。
【符号の説明】
【０１７９】
１・・・マスクステージ、２Ｐ、２Ｐａ、２Ｐｂ・・・基板ステージ、３・・・液浸部材、４・・・制御装置、５・・・記憶装置、１２・・・射出面、１３・・・終端光学素子、ＤＳ、ＤＳ１、ＤＳ２・・・ダミーショット領域、ＥＬ・・・露光光、ＥＸ・・・露光装置、ＬＳ・・・液浸空間、Ｍ・・・マスク、Ｐ・・・基板、Ｓ、Ｓ１、Ｓ２・・・ショット領域、ＭＶ１・・・第１移動、ＭＶ２・・・第２移動
ＭＶ３・・・第３移動
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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