(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極材料に対して１３〜９４重量％のＭｏ、Ｗ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｖ、Ｚｒのうちの少なくとも１種の耐熱元素の粉末と電極材料に対して０．６５〜７６重量％のＣｒ粉末とからなる成形体または成形体の焼結体を熱間等方圧加圧処理して充填率が７０％以上の多孔質体を得る工程と、
前記多孔質体に電極材料に対して５〜３５重量％のＣｕ及び／またはＡｇを溶浸する工程と、
を有する電極材料の製造方法。
【請求項２】
前記耐熱元素の粉末と前記Ｃｒ粉末とからなる混合粉末を加圧成形して前記成形体を得る工程と、
を有する、請求項１に記載の電極材料の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電極材料の製造方法及び電極材料に関する。
【背景技術】
【０００２】
真空インタラプタ（ＶＩ）等の電極に用いられる電極材料には、（１）遮断容量が大きいこと、（２）耐電圧性能が高いこと、（３）接触抵抗が低いこと、（４）耐溶着性が高いこと、（５）接点消耗量が低いこと、（６）裁断電流が低いこと、（７）加工性に優れること、（８）機械強度が高いこと、等の特性を満たすことが求められる。
【０００３】
銅（Ｃｕ）−クロム（Ｃｒ）電極は、遮断容量が大きく、耐電圧性能が高く、耐溶着性が高い等の特性を有し、真空インタラプタの接点材料として広く用いられている。Ｃｕ−Ｃｒ電極では、Ｃｒ粒子の粒径が細かい方が遮断電流や接触抵抗の面において良好であるとの報告がある（例えば、非特許文献１）。
【０００４】
Ｃｕ−Ｃｒ電極材料の製造方法として、一般に焼結法（固相焼結法）と溶浸法の２通りの方法が良く知られている。焼結法は、導電性の良好なＣｕと耐アーク性に優れるＣｒとを一定の割合で混合し、その混合粉末を加圧成形してから、真空中等の非酸化雰囲気で焼結して焼結体を製造する。焼結法は、ＣｕとＣｒの組成を自由に選ぶことができる長所があるが、溶浸法と比較してガス含有量が高く、機械強度が低くなるおそれがある。
【０００５】
一方の溶浸法は、Ｃｒ粉末を加圧成形して（若しくは、成形せずに）、容器に充填し、真空中等の非酸化雰囲気でＣｕの融点以上に加熱することによりＣｒ粒子間の空隙にＣｕを溶浸して電極を製造する。溶浸法は、ＣｕとＣｒの組成比を自由に選ぶことができないが、焼結法よりもガス・空隙の少ない素材が得られ、機械強度が高いという長所がある。
【０００６】
近年、真空インタラプタの使用条件が厳しくなるとともにコンデンサ回路への真空インタラプタの適用拡大が進んでいる。コンデンサ回路では、通常の２〜３倍の電圧が電極間に印加されるため、電流遮断時や電流開閉時のアークによって接点表面が著しく損傷し再点弧が発生しやすくなると考えられる。例えば、回路電圧を印加した状態で電極を閉じていくと、可動電極と固定電極との間の電界が強くなり、電極が閉じる前に絶縁破壊が生じる。この時にアークが発生し、アークの熱によって電極の接点表面に溶融が生じる。そして、電極が閉じると、溶融した部位は熱拡散により温度が低下し、溶着することとなる。電極が開くときには、この溶融した部位が引き剥がされるので、接点表面に損傷が生じることとなる。そのため、従来のＣｕ−Ｃｒ電極より優れた耐電圧性能及び電流遮断性能を有する電極材料が求められている。
【０００７】
電流遮断性能や耐電圧性能等の電気的特性の良好なＣｕ−Ｃｒ系電極材料の製造方法として、基材であるＣｕ粉末に、電気的特性を向上させるＣｒ粉末と、Ｃｒ粒子を微細にする耐熱元素（モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、バナジウム（Ｖ）、ジルコニウム（Ｚｒ）等）粉末とを混合した後、混合粉末を型に挿入して加圧成形し焼結体とする電極の製造方法がある（例えば、特許文献１，２）。
【０００８】
具体的には、２００〜３００μｍの粒子サイズを有するＣｒを原料としたＣｕ−Ｃｒ系電極材料に耐熱元素を添加し、微細組織技術を通してＣｒを微細化する。つまり、Ｃｒと耐熱元素の合金化を促進させ、Ｃｕ基材組織内部に微細なＣｒ−Ｘ（Ｘは耐熱元素）粒子の析出を増加させている。その結果、直径２０〜６０μｍのＣｒ粒子が、その内部に耐熱元素を有する形態で、Ｃｕ基材組織内に均一に分散されることとなる。
【０００９】
特許文献２に記載されているように、耐電圧性能や電流遮断性能等を向上させるためにはＣｕ-Ｃｒ系電極材料中のＣｒ、Ｍｏ等の耐熱元素の含有量を多くして、さらにはＣｒ、Ｍｏ等の粒径を微細化して均一に分散させると良い。しかし、Ｃｒ、Ｍｏ等の含有量を多くすると電極材料の導電性が下がることにより、接触抵抗値が上がりさらには遮断性能が低下するという欠点が生じる。
【００１０】
したがって、Ｃｕ−Ｃｒ系電極材料において、遮断性能や耐電圧性能を向上させるためには、電極材料の導電性を極力下げずに（接触抵抗値を極力上げずに）、Ｃｒ、Ｍｏ等の耐熱元素の含有率を多くすることが望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２０１２−７２０３号公報
【特許文献２】特開２００２−１８０１５０号公報
【特許文献３】特開２００４−２１１１７３号公報
【特許文献４】特開昭６３−６２１２２号公報
【特許文献５】特開平９−１９４９０６号公報
【非特許文献】
【００１２】
【非特許文献１】RIEDER, F. u.a.、”The Influence of Composition and Cr Particle Size of Cu/Cr Contacts on Chopping Current, Contact Resistance, and Breakdown Voltage in Vacuum Interrupters”、IEEE Transactions on Components, Hybrids, and Manufacturing Technology、Vol. 12、1989、273-283
【非特許文献２】田中紘一，石崎幸三編、「新素材焼結‐ＨＩＰ焼結の基礎と応用」、内田老鶴圃、１９８７年、ｐｐ．２０７
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明は、従来のＣｕ−Ｃｒ電極より優れた耐電圧性能を有する電極材料を提供することを目的とする発明であり、特に、溶浸法により製造される電極材料において、Ｃｕや銀等の高導電性金属を溶浸させる多孔質体の充填率を向上させることを目的とする。
【００１４】
溶浸法では、例えば、金型成形等の方法により多孔質体の成形が行われているが、多孔質体の充填率を向上させるために成形圧力を向上させると、金型の摩耗が激しくなり、金型の寿命が短くなるおそれがある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記目的を達成する本発明の電極材料の製造方法の一態様は、耐熱元素を含有する粉末または耐熱元素を含有する粉末の成形体を、前記耐熱元素の融点より低い温度で熱間等方圧加圧処理して多孔質体を得る工程と、前記多孔質体に前記耐熱元素の融点より低い融点を有する金属を溶浸する工程と、を有することを特徴としている。
【００１６】
また、上記目的を達成する本発明の電極材料の製造方法の他の態様は、上記電極材料の製造方法において、前記粉末または前記成形体を焼結し、焼結後の粉末または成形体を熱間等方圧加圧処理に供することを特徴としている。
【００１７】
また、上記目的を達成する本発明の電極材料の製造方法の他の態様は、上記電極材料の製造方法において、前記多孔質体に溶浸させる金属は高導電性金属であることを特徴としている。
【００１８】
また、上記目的を達成する本発明の電極材料の製造方法の他の態様は、上記電極材料の製造方法において、前記高導電性金属は銅であり、前記耐熱元素はクロム及びモリブデンであることを特徴としている。
【００１９】
また、上記目的を達成する本発明の電極材料の一態様は、耐熱元素を含有し、充填率が７０％以上である多孔質体に、前記耐熱元素の融点より低い融点を有する金属を溶浸してなることを特徴としている。
【００２０】
また、上記目的を達成する本発明の電極材料の他の態様は、上記電極材料において、前記多孔質体に溶浸される金属は高導電性金属であることを特徴としている。
【００２１】
また、上記目的を達成する本発明の電極材料の他の態様は、上記電極材料において、前記高導電性金属は銅であり、前記耐熱元素はクロム及びモリブデンであることを特徴としている。
【発明の効果】
【００２２】
以上の発明によれば、耐電圧性能に優れた電極材料を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の実施形態に係る電極材料の製造方法（焼結工程を行った後にＨＩＰ処理工程を行う場合）のフローチャートである。
【図２】本発明の実施形態に係る電極材料の製造方法（焼結工程を行わずにＨＩＰ処理工程を行う場合）のフローチャートである。
【図３】本発明の実施形態に係る電極材料を有する真空インタラプタの概略断面図である。
【図４】比較例に係る電極材料の製造方法のフローチャートである。
【図５】プレス圧力と充填率との関係を示す特性図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
本発明の実施形態に係る電極材料の製造方法及び電極材料について、図を参照して詳細に説明する。なお、実施形態の説明において、特に断りがない限り、平均粒子径（その他、メディアン径ｄ５０や粒径等）は、レーザー回折式粒度分布測定装置（シーラス社：シーラス１０９０Ｌ）により測定された値を示す。
【００２５】
本発明は、金属（ＣｕまたはＡｇ等）−Ｃｒ−耐熱元素（Ｍｏ，Ｗ，Ｖ等）の組成を有する電極材料を溶浸法により製造する技術に関するものである。溶浸法では、Ｃｒ粉末やＭｏ粉末等の耐熱元素を含有する混合粉末をプレス成形等により成形し、この成形体にＣｕやＡｇ等の導電性の高い金属を溶浸して電極材料を製造する。なお、溶浸法では、混合粉末を成形せずにＣｕやＡｇ等の金属を溶浸させる場合もある。
【００２６】
発明者らは、電極材料における耐電圧性能の向上について鋭意検討を重ねた結果、耐熱元素を含有する成形体に導電性の高い金属を溶浸する前に、成形体を熱間等方圧加圧処理（以後、ＨＩＰ処理と称する）に供することにより、電極材料の耐電圧性能が向上することを見出し、本願発明の完成に至ったものである。
【００２７】
耐熱元素は、例えば、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、バナジウム（Ｖ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ベリリウム（Ｂｅ）、ハフニウム（Ｈｆ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、チタン（Ｔｉ）、ケイ素（Ｓｉ）、ロジウム（Ｒｈ）及びルテニウム（Ｒｕ）等の元素から選択される元素を単独若しくは組み合わせて用いることができる。特に、Ｃｒ粒子を微細化する効果が顕著であるＭｏ、Ｗ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｖ、Ｚｒを用いることが好ましい。また、これら耐熱元素の炭化物を耐熱成分として用いてもよい。耐熱元素を粉末として用いる場合、耐熱元素粉末の平均粒子径を、例えば、２〜２０μｍ、より好ましくは２〜１０μｍにすることで、電極材料にＣｒを含有する粒子（耐熱元素とＣｒの固溶体を含む）を微細化して均一に分散させることができる。耐熱元素は、電極材料に対して１３〜９４重量％、より好ましくは３５〜９２重量％含有させることで、機械強度や加工性、電流遮断性能を損なうことなく、電極材料の耐電圧性能を向上させることができる。
【００２８】
Ｃｒは、電極材料に対して０．６５〜７６重量％、より好ましくは０．７〜４６重量％含有させることで、機械強度や加工性、電流遮断性能を損なうことなく、電極材料の耐電圧性能を向上させることができる。Ｃｒ粉末を用いる場合、Ｃｒ粉末の粒径を、例えば、４８メッシュアンダー（粒径３００μｍ未満）、より好ましくは１００メッシュアンダー（粒径１５０μｍ未満）、さらに好ましくは３２５メッシュアンダー（粒径４５μｍ未満）とすることで、耐電圧性能及び電流遮断性能に優れた電極材料を得ることができる。Ｃｒ粉末の粒径を１００メッシュアンダーとすることで、電極材料に溶浸されたＣｕの粒子径を大きくする要因となる残存Ｃｒの量を低減することができる。また、電極材料中に微細化したＣｒを含有する粒子を分散させる点では、粒径が小さいＣｒ粉末を用いることが好ましいが、Ｃｒ粒子を細かくするほど電極材料に含有される酸素含有量が増加して電流遮断性能が低下する。Ｃｒ粒子の粒径を小さくすることによる電極材料の酸素含有量の増加は、Ｃｒを微細に粉砕する際にＣｒが酸化することにより生じるものと考えられる。そこで、Ｃｒが酸化しない条件、例えば、不活性ガス中でＣｒを微細な粉末とすることができるのであれば、粒径が３２５メッシュアンダー未満のＣｒ粉末を用いてもよく、電極材料中に微細化したＣｒを含有する粒子を分散させる点では、粒径が小さいＣｒ粉末を用いることが好ましい。
【００２９】
溶浸させる金属としては、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）またはＣｕとＡｇの合金等の高導電性の金属が用いられる。これら金属は、電極材料に対して５〜３５重量％より好ましくは７．５〜３０重量％含有させることで、電極材料の電流遮断性能の低下や接触抵抗の増加を伴うことなく、電極材料の耐電圧性能を向上させることができる。なお、電極材料に含有されるＣｕの含有量は、溶浸工程により定められることとなるので、電極材料に含まれる耐熱元素、Ｃｒ及びＣｕの合計は、１００重量％を超えることはない。
【００３０】
本発明の実施形態に係る電極材料の製造方法について、図１のフローチャートを参照して詳細に説明する。なお、以下の説明では、耐熱元素としてＭｏを用い、高導電性の金属としてＣｕを用いた例を示して説明するが、他の耐熱元素の粉末を用いた場合及び他の高導電性の金属を用いた場合も同様である。
【００３１】
混合工程Ｓ１では、耐熱元素粉末（例えば、Ｍｏ粉末）とＣｒ粉末を混合する。Ｍｏ粉末とＣｒ粉末は、例えば、重量比率でＭｏ１に対しＣｒが１以下の割合で混合することで、耐電圧性能及び電流遮断性能に優れた電極材料を製造することができる。
【００３２】
加圧成形工程Ｓ２では、例えば、プレス機等を用いて、混合工程Ｓ１で得られたＭｏ粉末とＣｒ粉末の混合粉末（以下、混合粉末と称する）を加圧成形する。このときの成形圧力は特に限定するものではないが、例えば、２〜４．５ｔ／ｃｍ2の圧力で成形される。
【００３３】
焼結工程Ｓ３では、成形された混合粉末を焼結して焼結体を得る。焼結は、例えば、混合粉末の成形体を、１１５０℃−２時間、真空雰囲気中で焼結することにより行う。焼結工程Ｓ３は、Ｍｏ粉末とＣｒ粉末の変形と接合によってより緻密なＭｏＣｒ焼結体を得る工程である。混合粉末の焼結は、後の溶浸工程Ｓ５の温度条件、例えば１１５０℃以上の温度で実施することが望ましい。溶浸温度よりも低い温度で焼結を行うと、溶浸時に焼結体に含有されているガスが新たに発生して溶浸体に残留し、耐電圧性能や電流遮断性能を損なう要因となるからである。よって、焼結温度は、溶浸時の温度よりも高く、且つＣｒの融点以下の温度、好ましくは１１５０〜１５００℃の範囲で行う。その結果、ＭｏＣｒ粒子の緻密化が進み、且つＭｏＣｒ粒子の脱ガスが十分に進行する。なお、図２に示すように、焼結工程Ｓ３を行わずに、直接ＨＩＰ処理工程Ｓ４を行うことで、焼結体（多孔質体）を得ることもできる。
【００３４】
ＨＩＰ処理工程Ｓ４では、得られた焼結体（若しくは、混合粉末の成形体）のＨＩＰ処理を行う。ＨＩＰ処理の処理温度は、焼結体（若しくは、混合粉末）の融点未満であれば特に限定されるものではない。つまり、ＨＩＰ処理の処理温度や処理圧力は、電極として要求される性能に応じて適宜決定されることとなる。例えば、処理温度７００〜１１００℃、処理圧力３０〜１００ＭＰａ、処理時間１〜５時間にてＨＩＰ処理を行う。
【００３５】
Ｃｕ溶浸工程Ｓ５では、ＨＩＰ処理後のＭｏＣｒ焼結体（多孔質体）にＣｕを溶浸させる。Ｃｕの溶浸は、例えば、焼結体上にＣｕ板材を乗せ、非酸化性雰囲気にて、Ｃｕの融点以上の温度で所定時間（例えば、１１５０℃−２時間）保持することにより行う。
【００３６】
なお、本発明の実施形態に係る電極材料を用いて真空インタラプタを構成することができる。図３に示すように、本発明の実施形態に係る電極材料を有する真空インタラプタ１は、真空容器２と、固定電極３と、可動電極４と、主シールド１０と、を有する。
【００３７】
真空容器２は、絶縁筒５の両開口端部が、固定側端板６及び可動側端板７でそれぞれ封止されることで構成される。
【００３８】
固定電極３は、固定側端板６を貫通した状態で固定される。固定電極３の一端は、真空容器２内で、可動電極４の一端と対向するように固定されており、固定電極３の可動電極４と対向する端部には、本発明の実施形態に係る電極材料である電極接点材８が設けられる。
【００３９】
可動電極４は、可動側端板７に設けられる。可動電極４は、固定電極３と同軸上に設けられる。可動電極４は、図示省略の開閉手段により軸方向に移動させられ、固定電極３と可動電極４の開閉が行われる。可動電極４の固定電極３と対向する端部には、電極接点材８が設けられる。なお、可動電極４と可動側端板７との間には、ベローズ９が設けられ、真空容器２内を真空に保ったまま可動電極４を上下させ、固定電極３と可動電極４の開閉が行われる。
【００４０】
主シールド１０は、固定電極３の電極接点材８と可動電極４の電極接点材８との接触部を覆うように設けられ、固定電極３と可動電極４との間で発生するアークから絶縁筒５を保護する。
【００４１】
［実施例１］
具体的な実施例を挙げて、本発明の実施形態に係る電極材料の製造方法及び電極材料についてさらに詳細に説明する。実施例１の電極材料は、図１に示すフローチャートにしたがって作製された電極材料である。
【００４２】
Ｍｏ粉末とＣｒ粉末をＭｏ：Ｃｒ＝９：１の重量比率で、Ｖ型混合器を用いて均一となるように十分に混合した。
【００４３】
Ｍｏ粉末は、粒度０．８〜６．０μｍのものを用いた。このＭｏ粉末をレーザー回折式粒度分布測定装置を用いて粒度分布を測定したところメディアン径ｄ５０は５．１μｍ（ｄ１０＝３．１μｍ、ｄ９０＝８．８μｍ）であった。Ｃｒ粉末は、２３５メッシュアンダー（ふるい目開き６３μｍ）を用いた。
【００４４】
混合終了後、プレス圧４．５ｔ／ｃｍ2で加圧成形して直径φ６０ｍｍ−高さ１０ｍｍの成形体を得た。この成形体を真空中で１１５０℃−１．５時間熱処理して焼結体を得た。焼結体の充填率（ＨＩＰ処理前の充填率）は、６５．４％であった。
【００４５】
ここで、焼結体の充填率Ａ（％）は、以下の式を用いて求めた。
【００４６】
【数１】
0005920408.tif 000002
【００４７】
この焼結体をステンレス製の円筒容器（円筒内高さ１１ｍｍ、内径φ６２ｍｍ、肉厚５ｍｍ）内に入れ、真空密封した後、ＨＩＰ処理装置内で、１０５０℃−７０ＭＰａ（０．７１４ｔ／ｃｍ2）−２時間のＨＩＰ処理を行った。
【００４８】
具体的に説明すると、円筒容器の底面にカーボンシート（直径φ６２ｍｍ、厚さ０．４ｍｍ）を敷き、その上に焼結体を載せた。また、焼結体と円筒容器の内側壁との間にもカーボンシートを設けた。さらに、焼結体上にカーボンシートを載せ、円筒容器の上部開口に上蓋（厚さ５ｍｍ）を被せた。円筒容器の上部内径部分には、予め段差が形成されており、この段差部に上蓋が緩く嵌設される。焼結体と円筒容器の内壁との間にカーボンシートを挿入することで、ＨＩＰ処理による焼結体と円筒容器との焼き付きが防止される。
【００４９】
そして、焼結体が入れられた円筒容器を真空装置内に入れ、１．０×１０-3Ｐａまで真空排気を行った。この排気工程により円筒容器の上部開口と上蓋との隙間を通して、円筒容器内部（焼結体が配置されている空間）も１．０×１０-3Ｐａまで真空排気した。その後、真空装置中において円筒容器上部開口部と上蓋とを電子ビームで溶接し、円筒容器を真空密封した。
【００５０】
真空密封した円筒容器をＨＩＰ処理（１０５０℃−７０ＭＰａ−２時間）に供し、ＨＩＰ処理後、電子ビームで溶接された箇所を旋盤切削した。カーボンシートは、１０５０℃の熱処理温度では、円筒容器及び焼結体と接合することがないので、ＨＩＰ処理体の上下・側面に張り付いたカーボンシートを除去するのみで、ＨＩＰ処理体を得ることができた。ＨＩＰ処理体の外径及び厚みを測定することにより、ＨＩＰ処理体の充填率を測定したところ、充填率は７４．０％であった。このＨＩＰ処理体をアセトン超音波洗浄した後、ＨＩＰ処理体上にＣｕ板を載せ、１１５０℃−２時間真空雰囲気（非酸化性雰囲気）中でＣｕを溶浸させた。
【００５１】
［比較例１］
比較例１の電極材料は、ＨＩＰ処理を行わないことを除いて実施例１と同じ方法で作製された電極材料である。比較例１の電極材料は、図４に示すフローチャートにしたがって作製された電極材料である。なお、図４のフローチャートでは、実施例１と同じ工程については、同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００５２】
Ｍｏ粉末とＣｒ粉末を、Ｍｏ：Ｃｒ＝９：１の重量比率で混合した。混合終了後、プレス圧４．５ｔ／ｃｍ2で加圧成形して直径φ６０ｍｍ−高さ１０ｍｍの成形体を得た。この成形体を真空中で１１５０℃−１．５時間熱処理して焼結体を得た。焼結体の充填率は、６５．６％であった。この焼結体にＣｕを溶浸させ、比較例１の電極材料とした。
【００５３】
［実施例２］
実施例２の電極材料は、加圧成形工程Ｓ２における圧力が異なることを除いて実施例１と同じ方法で作製された電極材料である。
【００５４】
図１に示すように、Ｍｏ粉末とＣｒ粉末を、Ｍｏ：Ｃｒ＝９：１の重量比率で混合した。混合終了後、プレス圧３．８ｔ／ｃｍ2で加圧成形して直径φ６０ｍｍ−高さ１０ｍｍの成形体を得た。この成形体を真空中で１１５０℃−１．５時間熱処理して焼結体を得た。焼結体の充填率は、６３．８％であった。この焼結体に対して１０５０℃−７０ＭＰａ−２時間のＨＩＰ処理を行った。ＨＩＰ処理後の充填率は、７３．２％であった。このＨＩＰ処理体にＣｕを溶浸させ、実施例２の電極材料とした。
【００５５】
［実施例３］
実施例３の電極材料は、加圧成形工程Ｓ２における圧力が異なることを除いて実施例１と同じ方法で作製された電極材料である。
【００５６】
図１に示すように、Ｍｏ粉末とＣｒ粉末を、Ｍｏ：Ｃｒ＝９：１の重量比率で混合した。混合終了後、プレス圧３．１ｔ／ｃｍ2で加圧成形して直径φ６０ｍｍ−高さ１０ｍｍの成形体を得た。この成形体を真空中で１１５０℃−１．５時間熱処理して焼結体を得た。焼結体の充填率は、６０．１％であった。この焼結体に対して１０５０℃−７０ＭＰａ−２時間のＨＩＰ処理を行った。ＨＩＰ処理後の充填率は、７２．７％であった。このＨＩＰ処理体にＣｕを溶浸させ、実施例３の電極材料とした。
【００５７】
［実施例４］
実施例４の電極材料は、加圧成形工程Ｓ２における圧力が異なることを除いて実施例１と同じ方法で作製された電極材料である。
【００５８】
図１に示すように、Ｍｏ粉末とＣｒ粉末を、Ｍｏ：Ｃｒ＝９：１の重量比率で混合した。混合終了後、プレス圧２．３ｔ／ｃｍ2で加圧成形して直径φ６０ｍｍ−高さ１０ｍｍの成形体を得た。この成形体を真空中で１１５０℃−１．５時間熱処理して焼結体を得た。焼結体の充填率は、５６．４％であった。この焼結体に対して１０５０℃−７０ＭＰａ−２時間のＨＩＰ処理を行った。ＨＩＰ処理後の充填率は、７２．０％であった。このＨＩＰ処理体にＣｕを溶浸させ、実施例４の電極材料とした。
【００５９】
［実施例５］
実施例５の電極材料は、混合工程Ｓ１におけるＭｏとＣｒの混合比率が異なることを除いて実施例１と同じ方法で作製された電極材料である。
【００６０】
図１に示すように、Ｍｏ粉末とＣｒ粉末を、Ｍｏ：Ｃｒ＝７：１の重量比率で混合した。混合終了後、プレス圧４．５ｔ／ｃｍ2で加圧成形して直径φ６０ｍｍ−高さ１０ｍｍの成形体を得た。この成形体を真空中で１１５０℃−１．５時間熱処理して焼結体を得た。焼結体の充填率は、６６．４％であった。この焼結体に対して１０５０℃−７０ＭＰａ−２時間のＨＩＰ処理を行った。ＨＩＰ処理後の充填率は、７５．３％であった。このＨＩＰ処理体にＣｕを溶浸させ、実施例５の電極材料とした。
【００６１】
［実施例６］
実施例６の電極材料は、混合工程Ｓ１におけるＭｏとＣｒの混合比率が異なることを除いて実施例１と同じ方法で作製された電極材料である。
【００６２】
図１に示すように、Ｍｏ粉末とＣｒ粉末を、Ｍｏ：Ｃｒ＝４：１の重量比率で混合した。混合終了後、プレス圧４．５ｔ／ｃｍ2で加圧成形して直径φ６０ｍｍ−高さ１０ｍｍの成形体を得た。この成形体を真空中で１１５０℃−１．５時間熱処理して焼結体を得た。焼結体の充填率は、６８．７％であった。この焼結体に対して１０５０℃−７０ＭＰａ−２時間のＨＩＰ処理を行った。ＨＩＰ処理後の充填率は、７９．２％であった。このＨＩＰ処理体にＣｕを溶浸させ、実施例６の電極材料とした。
【００６３】
［実施例７］
実施例７の電極材料は、混合工程Ｓ１でＭｏと混合するＣｒの粒径が異なることを除いて実施例６と同じ方法で作製された電極材料である。具体的には、実施例７の電極材料は、１８０メッシュアンダー（８０μｍ未満）のＣｒ粉末を用いて作製された電極材料である。
【００６４】
図１に示すように、Ｍｏ粉末とＣｒ粉末を、Ｍｏ：Ｃｒ＝４：１の重量比率で混合した。混合終了後、プレス圧４．５ｔ／ｃｍ2で加圧成形して直径φ６０ｍｍ−高さ１０ｍｍの成形体を得た。この成形体を真空中で１１５０℃−１．５時間熱処理して焼結体を得た。焼結体の充填率は、６９．０％であった。この焼結体に対して１０５０℃−７０ＭＰａ−２時間のＨＩＰ処理を行った。ＨＩＰ処理後の充填率は、７６．９％であった。このＨＩＰ処理体にＣｕを溶浸させ、実施例７の電極材料とした。
【００６５】
［実施例８］
実施例８の電極材料は、加圧成形工程Ｓ２における圧力が異なることを除いて実施例７と同じ方法で作製された電極材料である。
【００６６】
図１に示すように、Ｍｏ粉末とＣｒ粉末を、Ｍｏ：Ｃｒ＝４：１の重量比率で混合した。混合終了後、プレス圧３．８ｔ／ｃｍ2で加圧成形して直径φ６０ｍｍ−高さ１０ｍｍの成形体を得た。この成形体を真空中で１１５０℃−１．５時間熱処理して焼結体を得た。焼結体の充填率は、６３．１％であった。この焼結体に対して１０５０℃−７０ＭＰａ−２時間のＨＩＰ処理を行った。ＨＩＰ処理後の充填率は、７３．９％であった。このＨＩＰ処理体にＣｕを溶浸させ、実施例８の電極材料とした。
【００６７】
［実施例９］
実施例９の電極材料は、混合工程Ｓ１におけるＭｏとＣｒの混合比率が異なることを除いて実施例７と同じ方法で作製された電極材料である。
【００６８】
図１に示すように、Ｍｏ粉末とＣｒ粉末を、Ｍｏ：Ｃｒ＝７：１の重量比率で混合した。混合終了後、プレス圧４．５ｔ／ｃｍ2で加圧成形して直径φ６０ｍｍ−高さ１０ｍｍの成形体を得た。この成形体を真空中で１１５０℃−１．５時間熱処理して焼結体を得た。焼結体の充填率は、６８．０％であった。この焼結体に対して１０５０℃−７０ＭＰａ−２時間のＨＩＰ処理を行った。ＨＩＰ処理後の充填率は、７４．６％であった。このＨＩＰ処理体にＣｕを溶浸させ、実施例９の電極材料とした。
【００６９】
［実施例１０］
実施例１０の電極材料は、加圧成形工程Ｓ２における圧力が異なることを除いて実施例９と同じ方法で作製された電極材料である。
【００７０】
図１に示すように、Ｍｏ粉末とＣｒ粉末を、Ｍｏ：Ｃｒ＝７：１の重量比率で混合した。混合終了後、プレス圧３．８ｔ／ｃｍ2で加圧成形して直径φ６０ｍｍ−高さ１０ｍｍの成形体を得た。この成形体を真空中で１１５０℃−１．５時間熱処理して焼結体を得た。焼結体の充填率は、６３．０％であった。この焼結体に対して１０５０℃−７０ＭＰａ−２時間のＨＩＰ処理を行った。ＨＩＰ処理後の充填率は、７２．７％であった。このＨＩＰ処理体にＣｕを溶浸させ、実施例１０の電極材料とした。
【００７１】
［実施例１１］
実施例１１の電極材料は、混合工程Ｓ１におけるＭｏとＣｒの混合比率が異なることを除いて実施例７と同じ方法で作製された電極材料である。
【００７２】
図１に示すように、Ｍｏ粉末とＣｒ粉末を、Ｍｏ：Ｃｒ＝９：１の重量比率で混合した。混合終了後、プレス圧４．５ｔ／ｃｍ2で加圧成形して直径φ６０ｍｍ−高さ１０ｍｍの成形体を得た。この成形体を真空中で１１５０℃−１．５時間熱処理して焼結体を得た。焼結体の充填率は、６７．６％であった。この焼結体に対して１０５０℃−７０ＭＰａ−２時間のＨＩＰ処理を行った。ＨＩＰ処理後の充填率は、７３．８％であった。このＨＩＰ処理体にＣｕを溶浸させ、実施例１１の電極材料とした。
【００７３】
［実施例１２］
実施例１２の電極材料は、加圧成形工程Ｓ２における圧力が異なることを除いて実施例１１と同じ方法で作製された電極材料である。
【００７４】
図１に示すように、Ｍｏ粉末とＣｒ粉末を、Ｍｏ：Ｃｒ＝９：１の重量比率で混合した。混合終了後、プレス圧３．８ｔ／ｃｍ2で加圧成形して直径φ６０ｍｍ−高さ１０ｍｍの成形体を得た。この成形体を真空中で１１５０℃−１．５時間熱処理して焼結体を得た。焼結体の充填率は、６２．２％であった。この焼結体に対して１０５０℃−７０ＭＰａ−２時間のＨＩＰ処理を行った。ＨＩＰ処理後の充填率は、７２．２％であった。このＨＩＰ処理体にＣｕを溶浸させ、実施例１２の電極材料とした。
【００７５】
［実施例１３］
実施例１３の電極材料は、混合工程Ｓ１におけるＭｏとＣｒの混合比率が異なることを除いて実施例７と同じ方法で作製された電極材料である。
【００７６】
図１に示すように、Ｍｏ粉末とＣｒ粉末を、Ｍｏ：Ｃｒ＝３：１の重量比率で混合した。混合終了後、プレス圧４．５ｔ／ｃｍ2で加圧成形して直径φ６０ｍｍ−高さ１０ｍｍの成形体を得た。この成形体を真空中で１１５０℃−１．５時間熱処理して焼結体を得た。焼結体の充填率は、６９．３％であった。この焼結体に対して１０５０℃−７０ＭＰａ−２時間のＨＩＰ処理を行った。ＨＩＰ処理後の充填率は、７８．１％であった。このＨＩＰ処理体にＣｕを溶浸させ、実施例１３の電極材料とした。
【００７７】
［実施例１４］
実施例１４の電極材料は、混合工程Ｓ１でＭｏと混合するＣｒの粒径が異なることを除いて実施例６と同じ方法で作製された電極材料である。具体的には、実施例１４の電極材料は、３３０メッシュアンダー（４５μｍ未満）のＣｒ粉末を用いて作製された電極材料である。
【００７８】
図１に示すように、Ｍｏ粉末とＣｒ粉末を、Ｍｏ：Ｃｒ＝４：１の重量比率で混合した。混合終了後、プレス圧４．５ｔ／ｃｍ2で加圧成形して直径φ６０ｍｍ−高さ１０ｍｍの成形体を得た。この成形体を真空中で１１５０℃−１．５時間熱処理して焼結体を得た。焼結体の充填率は、６８．３％であった。この焼結体に対して１０５０℃−７０ＭＰａ−２時間のＨＩＰ処理を行った。ＨＩＰ処理後の充填率は、７８．５％であった。このＨＩＰ処理体にＣｕを溶浸させ、実施例１４の電極材料とした。
【００７９】
［実施例１５］
実施例１５の電極材料は、混合工程Ｓ１におけるＭｏとＣｒの混合比率が異なることを除いて実施例１４と同じ方法で作製された電極材料である。
【００８０】
図１に示すように、Ｍｏ粉末とＣｒ粉末を、Ｍｏ：Ｃｒ＝７：１の重量比率で混合した。混合終了後、プレス圧４．５ｔ／ｃｍ2で加圧成形して直径φ６０ｍｍ−高さ１０ｍｍの成形体を得た。この成形体を真空中で１１５０℃−１．５時間熱処理して焼結体を得た。焼結体の充填率は、６６．０％であった。この焼結体に対して１０５０℃−７０ＭＰａ−２時間のＨＩＰ処理を行った。ＨＩＰ処理後の充填率は、７５．３％であった。このＨＩＰ処理体にＣｕを溶浸させ、実施例１５の電極材料とした。
【００８１】
［実施例１６］
実施例１６の電極材料は、混合工程Ｓ１におけるＭｏとＣｒの混合比率が異なることを除いて実施例１４と同じ方法で作製された電極材料である。
【００８２】
図１に示すように、Ｍｏ粉末とＣｒ粉末を、Ｍｏ：Ｃｒ＝９：１の重量比率で混合した。混合終了後、プレス圧４．５ｔ／ｃｍ2で加圧成形して直径φ６０ｍｍ−高さ１０ｍｍの成形体を得た。この成形体を真空中で１１５０℃−１．５時間熱処理して焼結体を得た。焼結体の充填率は、６４．６％であった。この焼結体に対して１０５０℃−７０ＭＰａ−２時間のＨＩＰ処理を行った。ＨＩＰ処理後の充填率は、７４．６％であった。このＨＩＰ処理体にＣｕを溶浸させ、実施例１６の電極材料とした。
【００８３】
［比較例２乃至１６］
実施例２乃至１６の各電極材料と対応する比較例２乃至１６として、ＨＩＰ処理を行わないことを除いて各実施例２乃至１６と同じ方法で電極材料を作製した。
【００８４】
実施例１乃至１６及び比較例１乃至１６の電極材料の導電率（％ＩＡＣＳ）、マイクロビッカース硬度及びインパルス耐電圧測定結果を表１に示す。また、表１には、実施例１乃至１６のＨＩＰ処理工程前後の焼結体の充填率及び比較例１乃至１６の焼結工程後の充填率の測定結果を併せて示す。
【００８５】
インパルス耐電圧測定は、各電極材料を真空遮断器の電極として直径φ２５ｍｍディスク電極に加工して行った（他の実施例及び比較例も同じである）。また、表１において、耐電圧は、ＨＩＰ処理の有無以外は同じ条件で作製した電極材料との相対値で示している。つまり、耐電圧は、ＨＩＰ処理を行わなかった電極材料を基準（基準値１．０）とした相対値を示している。
【００８６】
【表１】
0005920408.tif 000003
【００８７】
表１に示すように、ＨＩＰ処理を施すことにより、Ｃｕ溶浸後のビッカース硬度が向上し、導電率（％ＩＡＣＳ）の低下もそれほど見られず、ＨＩＰ処理を行わない電極材料と比較して耐電圧が２乃至１５％向上した。
【００８８】
また、実施例１乃至１６のＨＩＰ処理工程前後の焼結体の充填率及び比較例１乃至１６の焼結工程後の充填率の測定結果によれば、ＨＩＰ処理を行うことで、従来の加圧成形、焼結、Ｃｕ溶浸という一連の製造方法では得ることができなかった７５％以上（空孔率２５％以下）という耐熱元素の粉末充填率が高い焼結体を得ることができた。
【００８９】
さらに、実施例１乃至１６の電極材料では、焼結工程Ｓ３を行った後にＨＩＰ処理工程Ｓ４を行うことにより、焼結体の脱ガスが促進されるものと考えられる。その結果、ＨＩＰ処理工程Ｓ４に供される円筒容器内において、焼結体の内部から漏出するガス量が低減し、漏出したガスにより焼結体表面が酸化されることが抑制される。その結果、電極材料の耐電圧性能が向上する。
【００９０】
［実施例１７］
実施例１７の電極材料は、焼結工程Ｓ３を行わないことを除いて実施例５と同じ方法で作製された電極材料である。
【００９１】
図２に示すように、Ｍｏ粉末とＣｒ粉末を、Ｍｏ：Ｃｒ＝７：１の重量比率で混合した。混合終了後、プレス圧４．５ｔ／ｃｍ2で加圧成形して直径φ６０ｍｍ−高さ１０ｍｍの成形体を得た。この成形体に対して１０５０℃−７０ＭＰａ−２時間のＨＩＰ処理を行った。ＨＩＰ処理後の充填率は、７４．１％であった。このＨＩＰ処理体にＣｕを溶浸させ、実施例１７の電極材料とした。
【００９２】
実施例１７の電極材料の導電率（％ＩＡＣＳ）、マイクロビッカース硬度及びインパルス耐電圧測定結果を表２に示す。
【００９３】
【表２】
0005920408.tif 000004
【００９４】
表２に示すように、焼結工程Ｓ３を行わない場合においても、ＨＩＰ処理を行わない比較例（比較例５）と比較して、耐電圧性能が向上した。
【００９５】
また、実施例１７では、焼結工程Ｓ３を行っていないので、実施例５と比較して、ＨＩＰ処理に供される円筒容器内に漏出するガス量は多いものと考えられる。つまり、焼結体内部から漏出したガスにより焼結体表面に酸化物が生成され電極材料の耐電圧性能が低下することが考えられる。しかしながら、実施例５の電極材料と実施例１７の電極材料とでは、耐電圧性能に大きな違いが生じなかった。これは、Ｃｕ溶浸時にＣｕが溶融してＭｏＣｒ粒子の周囲を覆うことにより酸化物除去が行われたことによるもの考えられる。
【００９６】
［実施例１８］
実施例１８の電極材料は、混合工程Ｓ１でＣｒと混合するＭｏの粒径が異なることを除いて実施例１と同じ方法で作製された電極材料である。具体的には、実施例１８の電極材料は、粒度が５．２〜１８．６μｍであり、メディアン径ｄ５０＝１１．５μｍ（ｄ１０＝５．２μｍ、ｄ９０＝１９．６μｍ）のＭｏ粉末を用いて作製された電極材料である。
【００９７】
図１に示すように、Ｍｏ粉末とＣｒ粉末を、Ｍｏ：Ｃｒ＝９：１の重量比率で混合した。混合終了後、プレス圧４．５ｔ／ｃｍ2で加圧成形して直径φ６０ｍｍ−高さ１０ｍｍの成形体を得た。この成形体を真空中で１１５０℃−１．５時間熱処理して焼結体を得た。焼結体の充填率は、６７．１％であった。この焼結体に対して１０５０℃−７０ＭＰａ−２時間のＨＩＰ処理を行った。ＨＩＰ処理後の充填率は、７５．０％であった。このＨＩＰ処理体にＣｕを溶浸させ、実施例１８の電極材料とした。
【００９８】
［実施例１９］
実施例１９の電極材料は、混合工程Ｓ１におけるＭｏとＣｒの混合比率が異なることを除いて実施例１８と同じ方法で作製された電極材料である。
【００９９】
図１に示すように、Ｍｏ粉末とＣｒ粉末を、Ｍｏ：Ｃｒ＝４：１の重量比率で混合した。混合終了後、プレス圧４．５ｔ／ｃｍ2で加圧成形して直径φ６０ｍｍ−高さ１０ｍｍの成形体を得た。この成形体を真空中で１１５０℃−１．５時間熱処理して焼結体を得た。焼結体の充填率は、７０．３％であった。この焼結体に対して１０５０℃−７０ＭＰａ−２時間のＨＩＰ処理を行った。ＨＩＰ処理後の充填率は、８０．２％であった。このＨＩＰ処理体にＣｕを溶浸させ、実施例１９の電極材料とした。
【０１００】
［実施例２０］
実施例２０の電極材料は、混合工程Ｓ１でＭｏと混合するＣｒの粒径が異なることを除いて実施例１８と同じ方法で作製された電極材料である。具体的には、実施例２０の電極材料は、１８０メッシュアンダー（８０μｍ未満）のＣｒ粉末を用いて作製された電極材料である。
【０１０１】
図１に示すように、Ｍｏ粉末とＣｒ粉末を、Ｍｏ：Ｃｒ＝９：１の重量比率で混合した。混合終了後、プレス圧４．５ｔ／ｃｍ2で加圧成形して直径φ６０ｍｍ−高さ１０ｍｍの成形体を得た。この成形体を真空中で１１５０℃−１．５時間熱処理して焼結体を得た。焼結体の充填率は、６９．１％であった。この焼結体に対して１０５０℃−７０ＭＰａ−２時間のＨＩＰ処理を行った。ＨＩＰ処理後の充填率は、７５．０％であった。このＨＩＰ処理体にＣｕを溶浸させ、実施例２０の電極材料とした。
【０１０２】
［実施例２１］
実施例２１の電極材料は、混合工程Ｓ１におけるＭｏとＣｒの混合比率が異なることを除いて実施例２０と同じ方法で作製された電極材料である。
【０１０３】
図１に示すように、Ｍｏ粉末とＣｒ粉末を、Ｍｏ：Ｃｒ＝３：１の重量比率で混合した。混合終了後、プレス圧４．５ｔ／ｃｍ2で加圧成形して直径φ６０ｍｍ−高さ１０ｍｍの成形体を得た。この成形体を真空中で１１５０℃−１．５時間熱処理して焼結体を得た。焼結体の充填率は、７１．０％であった。この焼結体に対して１０５０℃−７０ＭＰａ−２時間のＨＩＰ処理を行った。ＨＩＰ処理後の充填率は、７９．１％であった。このＨＩＰ処理体にＣｕを溶浸させ、実施例２１の電極材料とした。
【０１０４】
［実施例２２］
実施例２２の電極材料は、混合工程Ｓ１でＭｏと混合するＣｒの粒径が異なることを除いて実施例１８と同じ方法で作製された電極材料である。具体的には、実施例２２の電極材料は、３３０メッシュアンダー（４５μｍ未満）のＣｒ粉末を用いて作製された電極材料である。
【０１０５】
図１に示すように、Ｍｏ粉末とＣｒ粉末を、Ｍｏ：Ｃｒ＝９：１の重量比率で混合した。混合終了後、プレス圧４．５ｔ／ｃｍ2で加圧成形して直径φ６０ｍｍ−高さ１０ｍｍの成形体を得た。この成形体を真空中で１１５０℃−１．５時間熱処理して焼結体を得た。焼結体の充填率は、６６．３％であった。この焼結体に対して１０５０℃−７０ＭＰａ−２時間のＨＩＰ処理を行った。ＨＩＰ処理後の充填率は、７５．９％であった。このＨＩＰ処理体にＣｕを溶浸させ、実施例２２の電極材料とした。
【０１０６】
［実施例２３］
実施例２３の電極材料は、混合工程Ｓ１におけるＭｏとＣｒの混合比率が異なることを除いて実施例２２と同じ方法で作製された電極材料である。
【０１０７】
図１に示すように、Ｍｏ粉末とＣｒ粉末を、Ｍｏ：Ｃｒ＝４：１の重量比率で混合した。混合終了後、プレス圧４．５ｔ／ｃｍ2で加圧成形して直径φ６０ｍｍ−高さ１０ｍｍの成形体を得た。この成形体を真空中で１１５０℃−１．５時間熱処理して焼結体を得た。焼結体の充填率は、７０．０％であった。この焼結体に対して１０５０℃−７０ＭＰａ−２時間のＨＩＰ処理を行った。ＨＩＰ処理後の充填率は、７９．６％であった。このＨＩＰ処理体にＣｕを溶浸させ、実施例２３の電極材料とした。
【０１０８】
［比較例１８乃至２３］
実施例１８乃至２３の各電極材料と対応する比較例１８乃至２３として、ＨＩＰ処理を行わないことを除いて各実施例１８乃至２３と同じ方法で電極材料を作製した。
【０１０９】
実施例１８乃至２３及び比較例１８乃至２３の電極材料の導電率（％ＩＡＣＳ）、マイクロビッカース硬度及びインパルス耐電圧測定結果を表３に示す。なお、表３には、実施例１８乃至２３のＨＩＰ処理工程前後の焼結体の充填率及び比較例１８乃至２３の焼結工程後の充填率の測定結果を併せて示す。
【０１１０】
【表３】
0005920408.tif 000005
【０１１１】
表３に示すように、ＨＩＰ処理を施すことにより、Ｃｕ溶浸後の導電率（％ＩＡＣＳ）の低下もそれほど見られず、ビッカース硬度が向上し、ＨＩＰ処理を行わない電極材料と比較して耐電圧性能が向上した。
【０１１２】
また、ＨＩＰ処理を行うことで、従来の加圧成形、焼結、Ｃｕ溶浸という一連の製造方法では得ることができなかった７５％以上（空孔率２５％以下）という耐熱元素の粉末充填率が高い焼結体を得ることができた。
【０１１３】
以上のような本発明の実施形態に係る電極材料の製造方法によれば、耐熱元素とＣｒとを含有する焼結体（多孔質体）に高導電性の金属を溶浸して電極材料を製造する方法において、溶浸を行う前にＨＩＰ処理を行うことで、焼結体の充填率を向上させることができる。その結果、電極材料の耐電圧性能が向上する。また、溶浸後の電極材料の硬度が向上することで、耐電圧性能が向上する。
【０１１４】
従来、ＨＩＰ処理技術は、粉末冶金技術において、主として、内部気孔の除去を目的として用いられてきた。例えば、真空インタラプタ用の電極の製造方法においても、ＨＩＰ処理が用いられている（例えば、特許文献４）。しかしながら、特許文献４のＨＩＰ処理工程では、導電性金属であるＣｕの融点以上Ｃｒの融点以下の温度で液相焼結を行い、導電性金属を溶融させて緻密な高密度焼結体を製造するものである。すなわち、対象とする材料の相対密度を１００％に近づけることを目的として、ＨＩＰ処理が行われている。
【０１１５】
これに対して、本発明は、緻密な充填率が１００％に近い高密度焼結体を得るものではなく、高融点耐熱材料の充填率（すなわち空孔率）を制御することを目的としている。具体的には、６５％〜９５％、より好ましくは７０％〜９２．５％、さらに好ましくは７５％〜９０％とすることで、電極の接触抵抗特性を低下させることなく耐電圧性能に優れた電極材料を得ることができる。
【０１１６】
また、表４に示すように、金型成形、ＣＩＰ、鋳込成形、射出成形、押出成形では、粉末充填密度を７５％以上に高めることは困難である。例えば、高い粉末充填密度が得られるＣＩＰ法においても、粉末充填密度の範囲は６０〜７５％である（例えば、非特許文献２）。
【０１１７】
【表４】
0005920408.tif 000006
【０１１８】
このように、本発明の実施形態に係る電極材料の製造方法及び電極材料によれば、電極材料の充填率を向上させることでＣｕ基材中の耐熱元素の含有量の多い電極材料を得ることができる。つまり、高温、高圧の雰囲気下でＨＩＰ処理を行うことで、圧力と温度の相乗効果でＭｏ−Ｃｒ成形体の充填率を向上させることができる。
【０１１９】
図５に示すように、加圧成形の成形圧力が増加すると電極材料の充填率も増加する傾向がある。よって、従来の電極材料の製造方法であっても、成形時のプレス圧力を高めて電極材料における耐熱元素の充填量を向上させることができるとも考えられる。
【０１２０】
図５に示したプロット（実施例１乃至４及び比較例１乃至４から求められる各成形圧力ｘ（ｔ／ｃｍ2）における充填率ｙ（％）の測定結果）の近似曲線は、式（１）で表される。
ｙ＝４．２ｘ＋４７      …（１）
この式から、ＨＩＰ処理を用いることなく７２％の充填率を得るためには、５．９ｔ／ｃｍ2の成形圧力が必要となる。つまり、直径φ１００ｍｍの電極を得るためには、５００ｔ以上の加圧性能を有する大型のプレス機が必要となる。大型のプレス機を導入すると、コストも高く極めて不経済となる。また、プレス圧を高くすればするほど、金型の摩耗が激しくなり、金型の寿命が短くなる。
【０１２１】
また、０．２〜４．５ｔ／ｃｍ2のプレス圧で加圧して直径φ２５ｍｍの成形体を得る場合、必要となるプレス圧は、１．０〜２２．１ｔとなり、２５ｔの加圧性能を有するプレス機で加圧することができる。しかしながら、０．２〜４．５ｔ／ｃｍ2のプレス圧で加圧して直径φ１００ｍｍの成形体を得るためには、１５．７〜３５３ｔの加圧性能を有するプレス機が必要となる。すなわち、直径の大きな（例えば、直径φ１００ｍｍ以上）の成形体を得るためには、約４００ｔの大型プレス機が必要となる。
【０１２２】
これに対して、本発明の電極材料の製造方法では、高導電性の金属を溶浸する前にＨＩＰ処理工程を行うことで、焼結体（または成形体）の充填率を向上させることができる。その結果、成形工程における成形圧力を低減することができる。例えば、実施例４では、２．３ｔ／ｃｍ2のプレス成形をした後、真空中で１１５０℃−１．５時間の熱処理を行って、充填率５６．４％とした焼結体を、ＨＩＰ処理を行うことにより、充填率を７２％に高めることができる。よって、直径φ＝１００ｍｍの電極を作成する際、プレス機としては２００ｔの加圧力を有するプレス機があればよいこととなり、大型のプレス機を導入することなく電極材料を製造することができる。
【０１２３】
また、本発明の実施形態に係る電極材料の製造方法及び電極材料によれば、ＨＩＰ処理工程において、焼結体と円筒容器との間に、カーボンシート（焼結体及び円筒容器と接合しない部材）を挿入することで、カーボンシートを除去するのみで容易にＨＩＰ処理体を得ることできる。
【０１２４】
また、耐熱元素を含有する混合粉末を加圧成形した後に焼結し、この焼結体をＨＩＰ処理に供すると、ＨＩＰ処理に供される処理体に残存するガス量が低減され、ＨＩＰ処理時の焼結体表面の酸化を抑制することができる。その結果、耐電圧性能に優れた電極材料を製造することができる。
【０１２５】
なお、本発明の実施形態に係る電極材料を、例えば、真空インタラプタ（ＶＩ）の固定電極及び可動電極の少なくとも一方に設けることで、真空インタラプタの電極接点の耐電圧性能が向上する。電極接点の耐電圧性能が向上すると、従来の真空インタラプタよりも固定電極と可動電極との間のギャップ長を短くでき、且つ固定電極並びに可動電極と主シールドとの間のギャップを狭めることができるため、真空インタラプタの構造を小さくすることが可能となる。その結果、真空インタラプタを小型化することができる。また、真空インタラプタを小型化することで、真空インタラプタの製造コストが低減する。
【０１２６】
また、本発明の実施形態の説明では、特定の望ましい実施例を例として説明したが、本発明は、実施例に限定されるものではなく、発明の特徴を損なわない範囲で、適宜設計変更が可能であり、設計変更された形態も本発明の技術範囲に属する。
【０１２７】
例えば、加圧成形工程はプレス機を用いた加圧成形に限定されるものではなく、冷間等方圧加圧法（ＣＩＰ）、鋳込成形、射出成形、押出成形等の成形方法により行うこともできる。
【０１２８】
また、予め、耐熱元素とＣｒとの固溶体を形成し、この耐熱元素−Ｃｒ固溶体の粉末を用いて焼結体（または多孔質体）を構成してもよい。
【０１２９】
また、本発明の電極材料は、耐熱元素、Ｃｒ、Ｃｕのみを構成要素としたものに限定されるものではなく、電極材料の特性を向上させる元素を添加してもよい。例えば、Ｔｅを添加することにより電極材料の耐溶着性を向上することができる。
【符号の説明】
【０１３０】
１…真空インタラプタ
２…真空容器
３…固定電極
４…可動電極
５…絶縁筒
６…固定側端板
７…可動側端板
８…電極接点材（電極材料）
９…ベローズ
１０…主シールド
【図１】
0005920408.tif 000007
【図２】
0005920408.tif 000008
【図３】
0005920408.tif 000009
【図４】
0005920408.tif 000010
【図５】
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