(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅箔断面において、金属組織の測定点ａに電子線を照射して得られた結晶方位と、前記測定点ａの周囲に２００ｎｍ離間して位置する複数の隣接測定点に電子線を照射して得られた結晶方位との方位角度差の平均値が０．４°未満である前記測定点ａを中心とし、前記測定点ａと各辺との距離がそれぞれ１００ｎｍである正六角形の面積を面積Ａとし、前記面積Ａの合計を面積ＡＴとし、
銅箔断面において、金属組織の測定点ｂに電子線を照射して得られた結晶方位と、前記測定点ｂの周囲に２００ｎｍ離間して位置する複数の隣接測定点に電子線を照射して得られた結晶方位との方位角度差の平均値が０．４°以上２．０°未満である前記測定点ｂを中心とし、前記測定点ｂと各辺との距離がそれぞれ１００ｎｍである正六角形の面積を面積Ｂとし、前記面積Ｂの合計を面積ＢＴとしたときに、
２２（％）  ≦  面積ＢＴ／面積ＡＴ×１００（％）  ≦  ４０（％）
を満たすフレキシブルプリント配線板用圧延銅箔。
【請求項２】
２００〜３５０℃で３０分間の熱処理が行われたときに、
銅箔断面において、金属組織の測定点ａに電子線を照射して得られた結晶方位と、前記測定点ａの周囲に２００ｎｍ離間して位置する複数の隣接測定点に電子線を照射して得られた結晶方位との方位角度差の平均値が０．４°未満である前記測定点ａを中心とし、前記測定点ａと各辺との距離がそれぞれ１００ｎｍである正六角形の面積を面積Ａとし、前記面積Ａの合計を面積ＡＴとし、
銅箔断面において、金属組織の測定点ｂに電子線を照射して得られた結晶方位と、前記測定点ｂの周囲に２００ｎｍ離間して位置する複数の隣接測定点に電子線を照射して得られた結晶方位との方位角度差の平均値が０．４°以上２．０°未満である前記測定点ｂを中心とし、前記測定点ｂと各辺との距離がそれぞれ１００ｎｍである正六角形の面積を面積Ｂとし、前記面積Ｂの合計を面積ＢＴとしたときに、
２２（％）  ≦  面積ＢＴ／面積ＡＴ×１００（％）  ≦  ４０（％）
を満たすフレキシブルプリント配線板用圧延銅箔。
【請求項３】
ポリイミド樹脂層及び熱可塑性ポリイミド接着層で形成された厚さ１０〜６０μｍの基材に、厚さ４〜５０μｍとした前記銅箔を積層して熱圧着により形成した銅張積層板に対し、１８０°密着曲げを一回実施した後、曲げ部を直線状に戻して、曲げ方向と平行な方向で切断して得た前記銅箔の曲げ部の断面において、
２２（％）  ≦  面積ＢＴ／面積ＡＴ×１００（％）  ≦  ４０（％）
を満たす請求項１または２に記載のフレキシブルプリント配線板用圧延銅箔。
【請求項４】
不可避的不純物としてのＰ、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ｓ、Ｇｅ及びＴｉが、合計で２０質量ｐｐｍ以下である請求項１〜３のいずれかに記載のフレキシブルプリント配線板用圧延銅箔。
【請求項５】
Ａｇ、Ｉｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＳｎを合計で２０〜５００質量ｐｐｍ含む請求項１〜４のいずれかに記載のフレキシブルプリント配線板用圧延銅箔。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の圧延銅箔を備えた銅張積層板。
【請求項７】
請求項６に記載の銅張積層板を材料としたフレキシブルプリント配線板。
【請求項８】
請求項７に記載のフレキシブルプリント配線板と、前記フレキシブルプリント配線板で電気的に接続された第１の基板及び第２の基板とを備えた電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フレキシブルプリント配線板用銅箔、銅張積層板、フレキシブルプリント配線板及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
フレキシブルプリント配線板は、曲げ、ねじり、巻き付け及び重ね等が可能な軟らかいプリント配線板であり、又、狭空間に実装可能であるため、携帯電話、コンピュータ関連製品、オーディオ・ビジュアル製品、カメラ及び自動車等の配線に使用されている。
フレキシブルプリント配線板に求められる特性としては、ＭＩＴ屈曲性に代表される良好な折り曲げ性、及び、ＩＰＣ屈曲性に代表される高サイクル屈曲性があり、従来、このような特性を備えた銅箔や銅−樹脂基板積層体が開発されている（特許文献１〜３）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−１００８８７号公報
【特許文献２】特開２００９−１１１２０３号公報
【特許文献３】特開２００７−２０７８１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
フレキシブルプリント配線板は、小スペース化のために折り曲げて使用される場合があるが、近年、このような折り曲げの曲げ半径が小さくなっており、ＭＩＴ屈曲性試験では評価できないほど過酷な状態で使用されている。特にタッチパネル式のスマートフォンに代表される小型機器ではタッチパネルにつながるフレキシブルプリント配線板やＬＥＤモジュールのフレキシブルプリント配線板の折り曲げが過酷となっている。
【０００５】
上述のように厳しい折り曲げ加工を施したフレキシブルプリント配線板を一度他の部品へ接続した後、やり直し等で、折り曲げ加工を元の状態に戻して、再度同様に厳しい折り曲げ加工を施すことがあるが、折り曲げ加工が厳しいと、これらを数回繰り返すだけでフレキシブルプリント配線板の銅箔が割れてしまうことがある。また、ＭＩＴ屈曲性試験では数百回、数千回繰り返して曲げ加工を施しても割れない銅箔が、上述の厳しい折り曲げ加工を数回繰り返しただけで割れてしまうことがある。
【０００６】
そこで、本発明は、折り曲げ加工性に優れたフレキシブルプリント配線板用銅箔、及び、それを用いた銅張積層板、フレキシブルプリント配線板及び電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は、銅箔の折り曲げ加工性が、銅箔の結晶粒内の結晶方位に生じる微小な角度差の割合と関係があることを見出した。そして、このような知見に基づき結晶方位の角度差を制御することで、折り曲げ加工性に優れたフレキシブルプリント配線板用銅箔を提供することができることを見出した。
【０００８】
以上の知見を基礎として完成した本発明は一側面において、銅箔断面において、金属組織の測定点ａに電子線を照射して得られた結晶方位と、前記測定点ａの周囲に２００ｎｍ離間して位置する複数の隣接測定点に電子線を照射して得られた結晶方位との方位角度差の平均値が０．４゜未満である前記測定点ａを中心とし、前記測定点ａと各辺との距離がそれぞれ１００ｎｍである正六角形の面積を面積Ａとし、前記面積Ａの合計を面積ＡＴとし、
銅箔断面において、金属組織の測定点ｂに電子線を照射して得られた結晶方位と、前記測定点ｂの周囲に２００ｎｍ離間して位置する複数の隣接測定点に電子線を照射して得られた結晶方位との方位角度差の平均値が０．４゜以上２．０゜未満である前記測定点ｂを中心とし、前記測定点ｂと各辺との距離がそれぞれ１００ｎｍである正六角形の面積を面積Ｂとし、前記面積Ｂの合計を面積ＢＴとしたときに、
２２（％）  ≦  面積ＢＴ／面積ＡＴ×１００（％）  ≦  ４０（％）
を満たすフレキシブルプリント配線板用圧延銅箔である。
【０００９】
本発明は別の一側面において、２００〜３５０℃で３０分間の熱処理が行われたときに、銅箔断面において、金属組織の測定点ａに電子線を照射して得られた結晶方位と、前記測定点ａの周囲に２００ｎｍ離間して位置する複数の隣接測定点に電子線を照射して得られた結晶方位との方位角度差の平均値が０．４゜未満である前記測定点ａを中心とし、前記測定点ａと各辺との距離がそれぞれ１００ｎｍである正六角形の面積を面積Ａとし、前記面積Ａの合計を面積ＡＴとし、
銅箔断面において、金属組織の測定点ｂに電子線を照射して得られた結晶方位と、前記測定点ｂの周囲に２００ｎｍ離間して位置する複数の隣接測定点に電子線を照射して得られた結晶方位との方位角度差の平均値が０．４゜以上２．０゜未満である前記測定点ｂを中心とし、前記測定点ｂと各辺との距離がそれぞれ１００ｎｍである正六角形の面積を面積Ｂとし、前記面積Ｂの合計を面積ＢＴとしたときに、
２２（％）  ≦  面積ＢＴ／面積ＡＴ×１００（％）  ≦  ４０（％）
を満たすフレキシブルプリント配線板用圧延銅箔である。
【００１１】
本発明に係るフレキシブルプリント配線板用圧延銅箔の別の実施形態においては、ポリイミド樹脂層及び熱可塑性ポリイミド接着層で形成された厚さ１０〜６０μｍの基材に、厚さ４〜５０μｍとした銅箔を積層して熱圧着により形成した銅張積層板に対し、１８０゜密着曲げを一回実施した後、曲げ部を直線状に戻して、曲げ方向と平行な方向で切断して得た前記銅箔の曲げ部の断面において、
２２（％）  ≦  面積ＢＴ／面積ＡＴ×１００（％）  ≦  ４０（％）
を満たす。
【００１３】
本発明に係るフレキシブルプリント配線板用圧延銅箔の更に別の実施形態においては、不可避的不純物としてのＰ、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ｓ、Ｇｅ及びＴｉが、合計で２０質量ｐｐｍ以下である。
【００１４】
本発明に係るフレキシブルプリント配線板用圧延銅箔の更に別の実施形態においては、Ａｇ、Ｉｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＳｎを合計で２０〜５００質量ｐｐｍ含む。
【００１５】
本発明は別の一側面において、本発明に係る圧延銅箔を備えた銅張積層板である。
【００１６】
本発明は更に別の一側面において、本発明に係る銅張積層板を材料としたフレキシブルプリント配線板である。
【００１７】
本発明は更に別の一側面において、本発明に係るフレキシブルプリント配線板と、前記フレキシブルプリント配線板で電気的に接続された第１の基板及び第２の基板とを備えた電子機器である。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、折り曲げ加工性に優れたフレキシブルプリント配線板用銅箔、及び、それを用いた銅張積層板、フレキシブルプリント配線板及び電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】銅箔の結晶方位の測定態様を示す模式図である。
【図２】１８０゜密着曲げの態様を示す模式図である。
【図３】１８０゜密着曲げの銅張積層板の曲げ方向を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
（フレキシブルプリント配線板用銅箔の構成）
フレキシブルプリント配線板用銅箔の材料としては、圧延銅箔及び電解銅箔のいずれを用いてもよいが、折り曲げ加工性が良好な圧延銅箔を用いることが好ましい。圧延銅箔としては、タフピッチ銅（ＪＩＳ−Ｈ３１００  Ｃ１１００）や無酸素銅（ＪＩＳ−Ｈ３１００  Ｃ１０２０、ＪＩＳ−Ｈ３５１０  Ｃ１０１１）が使用可能である。
本明細書において「銅箔」には銅合金箔も含まれ、「タフピッチ銅」及び「無酸素銅」で形成した銅箔には、タフピッチ銅及び無酸素銅をベースとした銅合金箔も含まれる。タフピッチ銅及び無酸素銅をベースした銅合金箔は、具体的には、Ａｇ、Ｉｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＳｎからなる群から選択された１種又は２種以上を合計で２０〜５００質量ｐｐｍ含むことが、後述の銅箔断面における面積ＢＴ／面積ＡＴ×１００（％）を小さくする効果があるため好ましい。当該金属が合計で２０質量ｐｐｍ未満であれば望ましい効果が得られず、５００質量ｐｐｍ超であれば面積ＢＴ／面積ＡＴ×１００（％）が大き過ぎてこちらも望ましい効果が得られなくなる。
【００２１】
本発明に係る銅箔は、工業的に使用される銅で形成されており、９９．９質量％、又は、９９．９９質量％の銅、及び、不可避的不純物を含んでいる。このうち、不可避的不純物としてのＰ、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ｓ、Ｇｅ及びＴｉは、微少量であっても後述の銅箔断面における面積ＢＴ／面積ＡＴ×１００（％）を大きくしてしまう。このため、本発明に係る銅箔は、不可避的不純物としてのＰ、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ｓ、Ｇｅ及びＴｉからなる群から選択された１種又は２種以上を合計で２０質量ｐｐｍ以下に制御することが好ましい。
一般に、銅箔は、薄く加工すると取り扱う際に歪が入ってしまうため、曲げる前から面積ＢＴ／面積ＡＴ×１００（％）が大きな値になっている。また、銅箔断面において結晶粒界や隣接する結晶粒との方位関係により面積ＢＴ／面積ＡＴ×１００（％）がより大きくなり易いことがある。さらに、１８０゜に折り曲げた後も結晶粒界や隣接する結晶粒界との方位関係、又は、曲げる前から存在していた歪の存在により面積ＢＴ／面積ＡＴ×１００（％）が大きくなることがある。なお、本発明では、銅箔の曲げ部の断面で観察したときの面積ＢＴ／面積ＡＴ×１００（％）を制御しているが、これは曲げ加工を行ったときに断面に蓄積された歪の量（面積ＢＴ／面積ＡＴ×１００（％）に相当）が割れに影響を与えるためである。銅箔表面の面積ＢＴ／面積ＡＴが高くても、銅箔内部の面積ＢＴ／面積ＡＴが低ければ曲げ加工を受けても割れ難い等、銅箔表面の面積ＢＴ／面積ＡＴ×１００（％）を制御しても効果的ではないためである。これに対し、本発明に係る銅箔は、上述のように不可避的不純物としてのＰ、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ｓ、Ｇｅ及びＴｉからなる群から選択された１種又は２種以上を合計で２０質量ｐｐｍ以下に制御することで、面積ＢＴ／面積ＡＴ×１００（％）が大きくならないように制御することができる。
【００２２】
本発明に係る銅箔の厚さとしては、４〜５０μｍが好ましく、６〜５０μｍがより好ましい。銅箔の厚さが４μｍ未満であると銅箔のハンドリングが悪くなり、５０μｍ超であるとフレキシブル性が低下する。また、銅箔の厚さが薄くなると、初めから後述の面積ＢＴの面積ＡＴに対する割合が大きくなる傾向にあり、特に厚さが１２μｍ以下でその傾向が顕著となる。また３５μｍ以上であると曲げ後にスプリングバックによる折り曲げ形状を保てない傾向がある。このため、銅箔の厚さは、１２〜３５μｍが更に好ましい。
【００２３】
本発明に係る銅箔は、異なる測定点における結晶方位の方位角度差が制御されている。具体的には、まず、銅箔断面において、結晶の金属組織の測定点ａを決定する。この測定点ａは、電子線を照射して得られた結晶方位と、測定点ａの周囲に２００ｎｍ離間して位置する６点の隣接測定点に電子線を照射して得られた結晶方位との方位角度差の平均値が０．４°未満である。また、銅箔断面において、結晶の金属組織の測定点ｂを決定する。この測定点ｂは、電子線を照射して得られた結晶方位と、測定点ｂの周囲に２００ｎｍ離間して位置する６点の隣接測定点に電子線を照射して得られた結晶方位との方位角度差の平均値が０．４°以上２．０°未満である。なお、測定点と隣接測定点の結晶方位との方位角度差が２．０°以上である隣接測定点は結晶粒界であると判定し、上記方位角度差の平均値の算出においては考慮しなかった。そのため、例えば６点の隣接測定点の内、２点が結晶粒界であると判定された場合、測定点の電子線を照射して得られた結晶方位と結晶粒界以外の残りの４点の隣接測定点の結晶方位との方位角度差の平均値が、測定点の電子線を照射して得られた結晶方位と隣接測定点に電子線を照射して得られた結晶方位との方位角度差の平均値となる。
本発明に係る銅箔は、測定点ａを中心とし、測定点ａと各辺との距離がそれぞれ１００ｎｍである正六角形の面積を面積Ａとし、前記面積Ａの合計を面積ＡＴとし、測定点ｂを中心とし、測定点ｂと各辺との距離がそれぞれ１００ｎｍである正六角形の面積を面積Ｂとし、前記面積Ｂの合計を面積ＢＴとしたときに、
面積ＢＴ／面積ＡＴ×１００（％）  ≦  ４０（％）
を満たす。
上記の条件は、後述の積層体に形成された後の銅箔、又は、当該積層体作製時と同様の２００〜３５０℃で３０分間の熱処理が行われた後の銅箔について行ったときに測定して得られるものである。
【００２４】
図１に、本発明に係る銅箔の結晶方位の測定態様を表す模式図を示す。まず測定点を決定する。図１では、測定点ａ又はｂを、Ｎｏ．１（以下、測定点１という）と記載している。また、測定点１を中心とし、測定点１と各辺との距離がそれぞれ１００ｎｍである正六角形を決定する。隣接測定点（測定点２〜７）は、この測定点１を中心にして、周囲に２００ｎｍ離間して位置する。そして、測定点１〜７について電子線を照射して得られた結晶方位を測定し、測定点１と、測定点２〜７の方位角度差をそれぞれ求める。このようにして求めた方位角度差の平均値が０．４°未満であるとき、その測定点１を測定点ａとし、測定点ａを中心とする正六角形の面積を面積Ａとする。また、方位角度差の平均値が０．４°以上２．０°未満であるとき、その測定点１を測定点ｂとし、測定点ｂを中心とする正六角形の面積を面積Ｂとする。
【００２５】
さらに、これらの隣接測定点（測定点２〜７）について、測定点１と同様に、それぞれを中心として各辺との距離がそれぞれ１００ｎｍである正六角形を決定する。このように正六角形を順に決定していくと、図１に示すように互いに接し合う複数の正六角形で銅箔の金属組織が埋められていく。そして、各測定点についても上述と同様にして測定点ａかｂかを判定し、面積Ａ又はＢを求める。このようにして得られた各測定点における面積Ａの合計を面積ＡＴとし、各測定点における面積Ｂの合計を面積ＢＴとしたとき、面積ＢＴ／面積ＡＴ×１００（％）  ≦  ４０（％）を満たしている、すなわち、面積ＡＴに対する面積ＢＴが４０％以下となっている。銅箔断面において、結晶方位の方位角度差の平均値が０．４°以上２．０°未満である領域の面積が、０．４°未満である領域の面積よりも小さければ小さいほど、折り曲げ加工性が良好となることを発明者は見出している。この点、本発明に係る銅箔はこのような構成により０．４°以上２．０°未満である領域の面積ＢＴが０．４°未満である領域の面積ＡＴに対して４０％以下と小さいため、良好な折り曲げ加工性を有している。また、この場合の面積ＢＴは、より好ましくは面積ＡＴに対して２０％以下である。
【００２６】
上述の結晶方位の測定は、ＥＢＳＰ（Electron Backscattering Pattern）のいわゆるＫＡＭ（kernel average misorientation）値で２００ｎｍステップによるものが挙げられる。方位角度差が２°以上ある場所は結晶粒界としたため省いている。ＫＡＭ値はＥＢＳＰを測定するステップ間隔により大きく変化するが、ステップ間隔を短くしていくと徐々に変化しなくなり、本発明の圧延銅箔では２００ｎｍ以下であればほぼ一定の値となる。このため、２００ｎｍステップで測定したＫＡＭ値を用いることができる。
【００２７】
本発明に係る銅箔は、１８０°密着曲げを一回実施した後の曲げ断面において、微小角度差が制御されていてもよい。具体的には、本発明に係る銅箔は、ポリイミド樹脂層及び熱可塑性ポリイミド接着層で形成された厚さ１０〜６０μｍの基材に、厚さ４〜５０μｍとした銅箔を積層して熱圧着により形成した銅張積層板に対し、１８０°密着曲げを一回実施した後、曲げ部を直線状に戻して、曲げ方向と平行な方向で切断して得た銅箔の曲げ部の断面において、
面積ＢＴ／面積ＡＴ×１００（％）  ≦  ４０（％）
を満たしてもよい。
上記１８０°密着曲げの態様を図２に示す。まず、状態Ａに示すように、銅張積層板を折り曲げ治具により折り曲げ、状態Ｂのように１８０°折り返されるように折り曲げる。続いて、１８０°折り曲げた銅張積層板を状態Ｃに示すように戻し治具を用いて開き、状態Ｄに示すように曲げ部を直線状に戻す。これを一回の１８０°密着曲げとする。これを再度状態Ａに示す折り曲げへ移行することで、二回目、三回目と繰り返すことができる。
また、上記「曲げ方向」とは、図３に示すように、銅張積層板を折り曲げていく方向を示す。
このような構成によれば、１８０°密着曲げを実施した後であっても０．４°以上２．０°未満である領域の面積ＢＴが０．４°未満である領域の面積ＡＴに対して４０％以下と小さいため、良好な折り曲げ加工性を有している。また、この場合の面積ＢＴは、より好ましくは面積ＡＴに対して２０％以下である。
【００２８】
（フレキシブルプリント配線板の構成）
本発明に係るフレキシブルプリント配線板は、絶縁基板と、この絶縁基板の表面に形成された配線パターンとを備えている。絶縁基板は、フレキシブルプリント配線板に適用可能な良好な屈曲性及び折り曲げ加工性を有するものであれば特に制限を受けないが、例えば、ポリイミドフィルム、液晶ポリマーフィルム等を使用することができる。絶縁基板の厚さは、１２〜５０μｍが好ましい。厚さが１２μｍ未満であるとハンドリングが悪くなり、５０μｍ超であるとフレキシブル性が低下する。配線パターンは、上述のフレキシブルプリント配線板用圧延銅箔を用いて形成されている。配線パターンの形状は特に限定されず、どのようなものであってもよい。
【００２９】
（フレキシブルプリント配線板用銅箔の製法）
フレキシブルプリント配線板用銅箔が圧延銅箔である場合は、以下の製造方法によって作製することができる。
まず、Ｐ、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ｓ、Ｇｅ及びＴｉの含有量が少ない高純度電気銅を銅原料にし、坩堝、鋳型、耐火物からの不純物を混入させないように、さらに、脱酸素処理でＰ、Ｚｒ、Ｍｇを混入させないようにして、不可避的不純物としてのＰ、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ｓ、Ｇｅ及びＴｉからなる群から選択された１種又は２種以上が、合計で２０質量ｐｐｍ以下に制御したものに、Ａｇ、Ｉｎ、Ａｕ、Ｐｄ及びＳｎからなる群から選択された１種又は２種以上が合計で２０〜５００質量ｐｐｍとなるように副成分を添加してインゴットを作製する。
次に、このインゴットを熱間圧延後、表面研削で酸化物を除去し、冷間圧延、焼鈍、酸洗を繰り返して所定の厚さまで加工することで、フレキシブルプリント配線板用の圧延銅箔を作製する。
【００３０】
また、上記以外の製造方法としては、以下のようなものが挙げられる。
まず、タフピッチ銅（ＪＩＳ−Ｈ３１００  Ｃ１１００）、無酸素銅（ＪＩＳ−Ｈ３１００  Ｃ１０２０）のインゴットに均質化処理を行い、熱間圧延を行う。熱間圧延後の平均結晶粒径は１０〜２０μｍとなるように均質化処理の温度、熱間圧延の温度、加工度を調整する。この後、冷間圧延と焼鈍とを繰り返し行うが、焼鈍の際は全て結晶粒径を１０〜２０μｍに調整する。そして０．１ｍｍ以下では１パスの加工度を２０％以下、圧延張力を１００ＭＰａ以下に押さえる。
【００３１】
（フレキシブルプリント配線板の製法）
フレキシブルプリント配線板は、上記銅箔を用いて製造することができる。以下に、フレキシブルプリント配線板の製造例を示す。
まず、銅箔と、良好な屈曲性及び折れ曲げ性を有するポリイミドフィルム、液晶ポリマーフィルム等の絶縁基板とを貼り合わせて銅張積層板を製造する。銅箔は、あらかじめ所定の表面処理を施しておいてもよい。
【００３２】
貼り合わせの方法は、ポリイミドフィルムの場合、熱硬化性ポリイミドフィルムに熱可塑性のポリイミド接着剤を塗工、乾燥した後、銅箔と積層させ、熱圧着させる。圧着方法としては真空熱プレスする方法や熱ロールによってラミネートする方法がある。またポリイミドフィルムの場合、銅箔にポリイミドの前駆体を塗工、乾燥、硬化させることで銅張積層板を作製する。
【００３３】
銅張積層板からフレキシブルプリント配線板を作製する工程は当業者に周知の方法を用いればよい。例えば、エッチングレジストを銅張積層板の銅箔面に配線パターンとしての必要部分だけに塗工し、エッチング液を銅箔面に噴射することで不要銅箔を除去して回路パターンを形成する。次いでエッチングレジストを剥離・除去して配線パターンを露出することで、フレキシブルプリント配線板を作製する。
【００３４】
このフレキシブルプリント配線板を２つの電子基板間に設けて、それらを電気的に接続させることで、種々の電子機器を作製することができる。電子機器としては、特に限定されず、例えば、液晶ディスプレイ、カーナビゲーション、携帯電話、ゲーム機、ＣＤプレイヤー、デジタルカメラ、テレビ、ＤＶＤプレイヤー、電子手帳、電子辞書、電卓、ビデオカメラ、プリンター等が挙げられる。
【実施例】
【００３５】
以下、本発明の実施例を示すが、これらは本発明をより良く理解するために提供するものであり、本発明が限定されることを意図するものではない。
【００３６】
（例１：実施例１、２、６、７、１９、２１〜２８、参考例３〜５、８〜１８、２０）
実施例１、２、６、７、１９、２３、２４、参考例３〜５、８〜１８、２０については高純度電気銅に表１に記載の元素を添加してインゴットを作製した。また、このとき、坩堝、鋳型、耐火物からの不純物を混入させないように、さらに、脱酸素処理でＰ、Ｚｒ、Ｍｇを混入させないようにすることで、不可避的不純物としてのＰ、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ｓ、Ｇｅ及びＴｉからなる群から選択された１種又は２種以上が、合計で２０質量ｐｐｍ以下となるように制御した。
続いて、このインゴットを熱間圧延で厚さ７ｍｍの板に加工し、表面研削で酸化物を取り除いた後、冷間圧延、焼鈍、酸洗を繰り返して、表１に記載の厚さに加工した。
続いて、銅箔片面に、Ｃｕ−Ｎｉめっきの粗化処理を行い、その後Ｃｒ浸漬めっきを行った。逆面にはクロメート処理を行った。
なお、実施例２１〜２２、２５〜２８については、タフピッチ銅（ＪＩＳ−Ｈ３１００  Ｃ１１００/実施例２１）、無酸素銅（ＪＩＳ−Ｈ３１００  Ｃ１０２０/実施例２２）、タフピッチ銅（実施例２６、２８）及び無酸素銅ベース（実施例２５、２７）の銅に表１に記載の添加元素を加えて作製したインゴットに均質化処理を行い、熱間圧延を行った。熱間圧延後の平均結晶粒径が１０〜２０μｍとなるように均質化処理の温度、熱間圧延の温度、加工度を調整した。この後、冷間圧延と焼鈍とを繰り返し行うが、焼鈍の際は全て結晶粒径を１０〜２０μｍに調整した。そして０．１ｍｍ以下では１パスの加工度を２０％以下、圧延張力を１００ＭＰａ以下に押さえた。なお、実施例２１、２２、２５〜２８については上述の不可避的不純物としてのＰ、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ｓ、Ｇｅ及びＴｉからなる群から選択された１種又は２種以上が、合計で２０質量ｐｐｍ以下となるように制御することを行わないで、通常の方法によりインゴットを作製した。
続いて、カプトンＥＮ（登録商標）に熱可塑性ＰＩ接着剤を２μｍ塗工、乾燥して形成した２７μｍ厚の樹脂層を銅箔に積層させて真空熱プレス（２００℃〜３５０℃で３０分間）によって銅張積層板を作製した。
【００３７】
（例２：比較例１〜２）
比較例１〜２は、１８μｍ厚の市販の特殊電解銅箔を用いて、カプトンＥＮ（登録商標）に熱可塑性ＰＩ接着剤を２μｍ塗工、乾燥して形成した１４．５μｍ厚の樹脂層を銅箔に積層させて真空熱プレス（２００℃〜３５０℃で３０分間）によって銅張積層板を作製した。
【００３８】
（例３：比較例３〜１０）
比較例３〜１０は、表１に記載の元素を添加した無酸素銅（ＪＩＳ−Ｈ３１００  Ｃ１０２０）のインゴットを作製した。また、このとき、不可避的不純物の抑制は行わず、Ｐ、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ｓ、Ｇｅ及びＴｉからなる群から選択された１種又は２種以上が、合計で２０質量ｐｐｍ超となった。続いて、カプトンＥＮ（登録商標）に熱可塑性ＰＩ接着剤を２μｍ塗工、乾燥して形成した２７μｍ厚の樹脂層を銅箔に積層させて真空熱プレス（２００℃〜３５０℃で３０分間）によって銅張積層板を作製した。
【００３９】
このようにして作製した実施例１、２、６、７、１９、２１〜２８、参考例３〜５、８〜１８、２０及び比較例１〜１０の供試材の銅箔に対して、Ｌ（ライン）/Ｓ（スペース）＝３００μｍ/３００μｍで回路を形成してフレキシブルプリント配線板とした。
次に、回路に平行な方向にＣＰ法（クロスセッションポリッシャー法）を用いてフレキシブルプリント配線板を切断し、銅箔断面を得た。その後、すぐに「表１に記載の銅箔厚み」×「２００μｍ幅」の面積において電子顕微鏡ＪＥＯＬ  ＦＥ−ＳＥＭを用い、ＴＳＬ社製の解析ソフトを用いてＥＢＳＰをとってＫＡＭ値を算出し、続いてＢＴ及びＡＴを算出した。
また、フレキシブルプリント配線板に１８０°密着曲げを行い、曲げ部を直線状に戻し、回路に平行な方向にＣＰ法（クロスセッションポリッシャー法）を用いてフレキシブルプリント配線板を切断し、曲げ部の銅箔断面を得た。その後、酸化膜が形成されないようにすぐに「表１に記載の銅箔厚み」×「銅箔の曲げ頂点を中心に両側へ５０μｍ幅ずつの合計１００μｍ幅（図３参照）」の面積において電子顕微鏡ＪＥＯＬ  ＦＥ−ＳＥＭを用い、ＴＳＬ社製の解析ソフトを用いてＥＢＳＰをとってＫＡＭ値を算出し、続いてＢＴ及びＡＴを算出した。
また、折り曲げを行っている際に銅箔に破断が生じたか否かについても観察した。
ここで、破断の発生は以下のように判定した。すなわち、フレキシブルプリント配線板の銅箔回路に一定電流（０．０１〜０．１ｍＡ）を流し、当該電流を流すために必要な電圧値を測定し、測定した電圧値からフレキシブルプリント配線板の銅箔回路の抵抗値を算出した。算出した抵抗値が初期値（上記折り曲げ前の抵抗値）の５００％以上となったときに、破断が生じたと判定した。
測定結果を表１に示す。
【００４０】
【表１】
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【００４１】
（評価）
実施例１、２、６、７、１９、２３及び２４、参考例３〜５、８〜１８、２０の供試材は、いずれも不可避的不純物としてのＰ、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ｓ、Ｇｅ及びＴｉからなる群から選択された１種又は２種以上が合計で２０質量ｐｐｍ以下であり、１８０°密着曲げ前及び当該曲げを１回行って元に戻した状態で面積ＢＴ／面積ＡＴ×１００（％）  ≦  ４０（％）を満たし、１８０°密着曲げを４回又は８回繰り返しても銅箔に破断が生じなかった。
実施例２１、２２、２５〜２８の供試材は、いずれも不純物制御を行っておらず、不可避的不純物としてのＰ、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ｓ、Ｇｅ及びＴｉからなる群から選択された１種又は２種以上を合計で２０質量ｐｐｍ超含んでいるが、その他の製造条件を上述のように制御したことで、１８０°密着曲げ前及び当該曲げを１回行って元に戻した状態で面積ＢＴ／面積ＡＴ×１００（％）  ≦  ４０（％）を満たし、１８０°密着曲げを４回繰り返しても銅箔に破断が生じなかった。
比較例１〜１０の供試材は、いずれも不可避的不純物としてのＰ、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ｓ、Ｇｅ及びＴｉからなる群から選択された１種又は２種以上が合計で２０質量ｐｐｍ超であり、１８０°密着曲げ前及び当該曲げを１回行って元に戻した状態で面積ＢＴ／面積ＡＴ×１００（％）  ≦  ４０（％）を満たさず、１８０°密着曲げを１〜３回のいずれか行っただけですぐに銅箔に破断が生じた。
なお、実施例１、１９、２２〜２４、参考例３、１４、１５に用いた銅箔を、樹脂層に積層せずに、２００℃〜３５０℃で３０分間加熱した。その後、当該銅箔の面積ＢＴ／面積ＡＴ×１００（％）を測定した。その結果、当該銅箔の面積ＢＴ／面積ＡＴ×１００（％）は、それぞれ表１に記載の実施例１、１９、２２〜２４、参考例３、１４、１５の１８０°密着曲げ前の面積ＢＴ／面積ＡＴ×１００（％）と同じ値となった。
【図２】
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【図３】
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【図１】
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